(57)【要約】【課題】  半導体基板を薄化する方法およびこれを実施するための構造を提供することにある。【解決手段】  半導体基板の前面にＣ４研削テープおよびレーザ・アブレーティブ接着層が形成される。キャリア基板は、その後、レーザ・アブレーティブ接着層に取り付けられる。半導体基板の裏面は研磨または研削によって薄化され、その間に約２５μｍの厚さまで半導体基板を薄化できるようにするためにキャリア基板が機械的支持を提供する。フィルム・フレーム・テープは薄化した半導体基板の裏面に取り付けられ、レーザ・アブレーティブ接着層はレーザによって削摩され、それによりＣ４研削テープの裏面からキャリア基板を分離する。フィルム・フレーム・テープと薄化した半導体基板とＣ４研削テープからなる組み立て品がダイシングされる。Ｃ４研削テープは、紫外光が照射されて接着性が低くなり、その後、除去される。【選択図】  図１５
2010153812.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造を形成する方法であって、
半導体基板上に接着テープを貼付するステップと、
キャリア基板上にレーザ・アブレーティブ接着層を貼付するステップと、
前記レーザ・アブレーティブ接着層に前記接着テープを接合するステップと、
前記半導体基板の裏面を薄化するステップと、
前記レーザ・アブレーティブ接着層に対するレーザ・アブレーションにより前記接着テープから前記キャリア基板を分離するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記半導体基板が、Ｃ４ボールを含むＣ４半導体基板であり、前記接着テープが前記Ｃ４ボールに接する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記半導体基板が、ワイヤボンド・パッドを含むワイヤボンド半導体基板であり、前記接着テープが前記ワイヤボンド半導体基板に接する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記接着テープがテープ基層とテープ接着層とを含み、前記テープ接着層が前記半導体基板に接し、前記キャリア基板が前記テープ基層に接する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記テープ基層がポリマー材料またはプラスチック材料を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記テープ接着層が、紫外光に曝露されると接着性を失う紫外線（ＵＶ）感知可能接着材料を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記接着テープがＣ４研削テープである、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記レーザ・アブレーティブ接着層が高分子材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記レーザ・アブレーティブ接着層に衝突するレーザのビーム・エネルギーが少なくとも５０ｍＪ／ｃｍ2である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記キャリア基板が、石英基板、ガラス基板、半導体基板、セラミック基板、および金属基板のうちの１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記キャリア基板と前記半導体基板が実質的に同じ面積を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記薄化した半導体基板の前記裏面にフィルム・フレーム・テープを貼付するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記フィルム・フレーム・テープと前記半導体基板と前記接着テープからなる組み立て品をダイシングするステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記接着テープを不活性化するステップであって、それにより前記接着テープの接着力が低減されるステップと、
前記半導体基板から前記接着テープを層状剥離するステップと、
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
半導体基板に接する接着テープと、
前記接着テープに接するレーザ・アブレーティブ接着層と、
前記レーザ・アブレーティブ接着層に接するキャリア基板と、
を含む、半導体構造。
【請求項１６】
前記半導体基板が、Ｃ４ボールを含むＣ４半導体基板、またはワイヤボンド・パッドを含むワイヤボンド半導体基板である、請求項１５に記載の半導体構造。
【請求項１７】
前記接着テープがテープ基層とテープ接着層とを含み、前記テープ接着層が前記半導体基板に接し、前記キャリア基板が前記テープ基層に接し、前記テープ基層がポリマー材料またはプラスチック材料を含む、請求項１５に記載の半導体構造。
【請求項１８】
前記テープ接着層が、紫外光に曝露されると接着性を失う紫外線（ＵＶ）感知可能接着材料を含む、請求項１７に記載の半導体構造。
【請求項１９】
前記レーザ・アブレーティブ接着層が５μｍ〜２５μｍの厚さを有する高分子材料を含む、請求項１５に記載の半導体構造。
【請求項２０】
前記半導体基板の裏面に接するフィルム・フレーム・テープをさらに含み、前記半導体基板が２０μｍ〜１５０μｍの厚さを有する、請求項１５に記載の半導体構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体構造を製造する方法に関し、特に、半導体基板を薄化する方法およびこれを実施するための構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
３次元（３Ｄ）チップ・スタッキング技術の最近の発展では、複数の半導体チップの垂直スタッキング（積層化）を可能にするために薄い半導体チップを使用する。通常の半導体加工シーケンスで製造された典型的な半導体基板は約５００μｍ〜約１０００μｍの厚さを有するので、半導体基板の厚さ全体を通って延びるスルーウェハ・ビア（ＴＷＶ：through-wafer via）を形成するには、特別な加工シーケンスと高い加工コストを必要とする。代替策の１つは、半導体基板上の半導体デバイスおよび相互接続部の形成が完了した後で、半導体を半導体チップまたは「ダイ」にダイシングする前に、半導体基板を薄化することである。３００μｍ未満の厚さまで半導体基板を薄化することにより、半導体製造シーケンス中に使用される半導体基板の厚さ全体より低い高さを有するスルーウェハ・ビア（ＴＷＶ）を使用して、複数の半導体チップ間の電気接続を可能にする。加えて、薄化した半導体基板は、熱放散（thermal dissipation）の改善ならびに垂直にスタックされた異なる半導体チップ内に位置する半導体デバイス間のデバイス結合の改善などの追加の利点をもたらす。
【０００３】
Ｃ４（ControlledCollapse Chip Connection）接続パッケージングは、それぞれが半導体チップ上のＣ４パッドと、パッケージング基板上の他のＣ４パッドに接触するＣ４ボールを使用するものであって、５０００個にまで達する可能性のある多数の入出力ノードを収容するために高度半導体チップに使用される。これらのノードのそれぞれは、２次元アレイになっている半導体チップの上面上のＣ４パッドに電気的に接続される。
【０００４】
厚さが低減されたスルーウェハ・ビア（ＴＷＶ）によってチップ・スタッキングを可能にするためには望ましいが、Ｃ４ボールを含む半導体基板を薄化しても、この業界では限られた成果しか達成していない。図１〜図４は、第１の模範的な従来技術の半導体構造の一連の垂直断面図を示している。
【０００５】
図１を参照すると、Ｃ４半導体基板は、半導体基板１１０と、Ｃ４パッド１１２のアレイと、Ｃ４ボール１２０のアレイとを含む。半導体基板１１０は、少なくとも１つの半導体デバイスと、Ｃ４パッド１１２のアレイに接続された少なくとも１つの金属相互接続構造とを含む。本明細書で「初期厚さ（initial thickness）」ｔｉ’と呼ばれる半導体基板１１０の厚さは、典型的に約５００μｍ〜約１０００μｍであり、典型的に半導体基板１１０の直径によって決まる。Ｃ４ボール１２０の直径は１００μｍ程度である。
【０００６】
図２を参照すると、テープ接着層（tape adhesive layer）１３０Ａとテープ基層（tape baselayer）１３０Ｂとを含むＣ４研削テープ（grind tape）１３０は、Ｃ４ボール１２０を含む半導体基板１１０の上面に貼付される。テープ基層１３０Ｂはポリマー材料またはプラスチック材料を含む。テープ接着層１３０Ａは、紫外光に曝露されると接着性を失う紫外線（ＵＶ）感知可能接着材料を含む。このため、Ｃ４研削テープ１３０が半導体基板１１０に貼付されると、Ｃ４研削テープ１３０は、半導体基板の薄化が完了するまで紫外光への曝露を避けられる。テープ接着層１３０Ａの厚さは、１００μｍ程度であるＣ４ボール１２０の高さより大きい。
【０００７】
図３を参照すると、半導体基板１１０は、研磨（polishing）または研削（grinding）あるいはその両方によって薄化される。Ｃ４研削テープ１３０は、薄化した半導体基板１１０’を生産する薄化プロセス中に半導体基板１１０のための機械的支持を提供する。Ｃ４研削テープ１３０は剛性構造ではなく、テープ接着層１３０Ａの厚さは典型的に１００μｍを超えるので、半導体基板１１０’の支持は堅固ではなく、薄化した半導体基板１１０’は、Ｃ４研削テープ１３０と薄化した半導体基板１１０’からなる組み立て品の処理中に様々なストレスを受ける。このため、本明細書で「最終厚さ（final thickness）」ｔｆ’と呼ばれる薄化した半導体基板１１０’の厚さには限界がある。最終厚さｔｆ’の実用的な下限は約１５０μｍである。
【０００８】
図４を参照すると、Ｃ４研削テープ１３０に紫外光が照射され、その紫外光はテープ接着層１３０Ａ内のオリゴマーを不活性化して、その中の架橋を除去する。したがって、テープ接着層１３０Ａは、紫外線を照射されると接着性を失う。Ｃ４研削テープ１３０は、薄化した半導体基板１１０’およびＣ４ボール１２０から剥離される。最終厚さｔｆ’は初期厚さｔｉ’より小さいが、テープ接着層１３０Ａの機械的特性により最終厚さｔｆ’に実用的な制限が加えられ、すなわち、最終厚さｔｆ’は約２００μｍより大きくなる。半導体基板１１０を約２００μｍ未満の厚さまで薄化すると、基板破損が容易に発生し、薄化プロセスが商業的に実行不可能なものになる。
【０００９】
当技術分野では、Ｃ４ボールの代わりにワイヤボンド・パッド（wirebond pad）を含む半導体基板を薄化するための代替方式が知られている。図５〜図１１は、第２の模範的な従来技術の半導体構造の一連の垂直断面図を示している。
【００１０】
図５を参照すると、ワイヤボンド半導体基板は、半導体基板２１０と、ワイヤボンド・パッド２１４のアレイとを含む。半導体基板２１０は、少なくとも１つの半導体基板と、ワイヤボンド・パッド２１４のアレイに接続された少なくとも１つの金属相互接続構造とを含む。本明細書で「初期厚さ（initial thickness）」ｔｉ’’と呼ばれる半導体基板２１０の厚さは、典型的に約５００μｍ〜約１０００μｍであり、典型的に半導体基板２１０の直径によって決まる。ワイヤボンド・パッド２１４の高さは２μｍ程度である。
【００１１】
図６を参照すると、不活性化可能な接着層２３０は、ワイヤボンド・パッド２１４を含む半導体基板２１０の上面に貼付される。不活性化可能な接着層２３０は、その後、熱または化学処理に曝されたときに不活性化することができる接着材料を含む。不活性化可能な接着層２３０の厚さは典型的に約１０μｍ〜約２０μｍである。
【００１２】
図７を参照すると、キャリア基板２４０は不活性化可能な接着層２３０に接合される。キャリア基板２４０は、半導体基板２１０のその後の薄化中に構造支持を提供する固体材料を含む。
【００１３】
図８を参照すると、半導体基板２１０は、研磨または研削あるいはその両方によって薄化される。キャリア基板２４０は、薄化した半導体基板２１０’を生産する薄化プロセス中に半導体基板２１０のための機械的支持を提供する。本明細書で「最終厚さ（final thickness）」ｔｆ’’と呼ばれる薄化した半導体基板２１０’の厚さは５０μｍ未満にすることができる。
【００１４】
図９を参照すると、不活性化可能な接着層２３０は、熱処理または化学処理への曝露によって接着性を失うように不活性化される。熱処理が使用される場合、不活性化可能な接着層２３０の温度は約１６０℃まで上昇する可能性がある。化学処理が使用される場合、反応によって不活性化可能な接着層２３０の特性を変化させるために薬品が使用される。この場合、薬品の浸透を可能にするために不活性化可能な接着層２３０は多孔性にする可能性がある。不活性化すると、不活性化可能な接着層２３０は不活性化層２３０’になり、この層は実質的に不活性化以前の不活性化可能な接着層２３０より接着性が低くなる。熱サイクルまたは化学処理は、熱劣化、化学的劣化、または構造劣化により薄化した半導体基板２１０に悪影響を及ぼす可能性がある。
【００１５】
図１０を参照すると、キャリア基板２４０は不活性化層２３０’から除去される。図１１を参照すると、不活性化層２３０’は薄化した半導体層２１０’から層状剥離される。
【００１６】
Ｃ４半導体基板、すなわち、典型的に約１００μｍの直径を有するＣ４ボールを有する半導体基板に関する限り、Ｃ４半導体基板１１０とＣ４研削テープ１３０からなる組み立て品における半導体基板の薄化中に図２のＣ４研削テープ１３０は十分な機械的支持を提供しないので、薄化した半導体基板の厚さは約２００μｍより大きい厚さに制限される。これを考慮して、薄化したＣ４半導体基板を破損という重大なリスクに曝さずに約２００μｍ未満の厚さまでＣ４半導体基板を薄化する方法が必要である。
【００１７】
ワイヤボンド半導体基板、すなわち、ワイヤボンド・パッドを有する半導体基板に関する限り、薄化した半導体基板２１０’は、不活性化可能な接着層２３０を不活性化してそこから不活性化層２３０’を形成するために必要であるが、熱的、構造的、または化学的、あるいはこれらの組み合わせにより薄化半導体基板を損傷する傾向がある有害な熱処理または化学処理に曝される可能性がある。これを考慮して、薄化したワイヤボンド半導体基板を熱処理または化学処理への曝露に曝さずにワイヤボンド半導体基板を薄化する方法が必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】米国特許第５，２５８，２３６号
【非特許文献】
【００１９】
【非特許文献１】Ｄｏｎｅｌｏｎ他、「Ｌｉｆｔ−Ｏｆｆ  Ｓｔｅｎｃｉｌ  Ｃｒｅａｔｅｄ  ｂｙ  Ｌａｓｅｒ  Ａｂｌａｔｉｏｎ」、ＩＢＭ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ  Ｂｕｌｌｅｔｉｎ、２０３４ページ（１９８５年１０月発行）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明は、Ｃ４研削テープと、レーザ・アブレーティブ接着層（laser-ablative adhesive layer）と、キャリア基板とを使用し、レーザ・アブレーションによってレーザ・アブレーティブ接着層が除去される、半導体基板を薄化する（ｔｈｉｎ）方法を提供することにより、上記の必要性に対処する。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明では、Ｃ４ボールまたはワイヤボンド・パッドを含む半導体基板の前面にＣ４研削テープが取り付けられる。レーザ・アブレーション可能な材料を含むレーザ・アブレーティブ接着層がＣ４研削テープの裏面に形成される。キャリア基板はレーザ・アブレーティブ接着層に取り付けられる。半導体基板の裏面は研磨または研削によって薄化され、その間に約２５μｍの厚さまで半導体基板を薄化できるようにするためにキャリア基板が機械的支持を提供する。フィルム・フレーム・テープは薄化した半導体基板の裏面に取り付けられ、レーザ・アブレーティブ接着層はレーザによって削摩（アブレーション）され、それによりＣ４研削テープの裏面からキャリア基板を分離する。フィルム・フレーム・テープと薄化した半導体基板とＣ４研削テープからなる組み立て品がダイシングされる。Ｃ４研削テープは、紫外光が照射されて接着性が低くなり、その後、除去される。
【００２２】
本発明の一態様によれば、半導体構造を形成する方法が提供され、その方法が、
半導体基板上に接着テープを貼付するステップと、
キャリア基板上にレーザ・アブレーティブ接着層を貼付するステップと、
レーザ・アブレーティブ接着層に接着テープを接合するステップと、
半導体基板の裏面を薄化するステップと、
レーザ・アブレーティブ接着層のレーザ・アブレーションにより接着テープからキャリア基板を分離するステップと、
を含む。
【００２３】
一実施形態では、半導体基板は、Ｃ４ボールを含むＣ４半導体基板である。接着テープはＣ４ボールに接することができる。
【００２４】
他の実施形態では、半導体基板は、ワイヤボンド・パッドを含むワイヤボンド半導体基板である。接着テープはワイヤボンド半導体基板に接することができる。
【００２５】
さらに他の実施形態では、接着テープはテープ基層とテープ接着層とを含み、テープ接着層は半導体基板に接し、キャリア基板はテープ基層に接する。
【００２６】
さらに他の実施形態では、テープ基層はポリマー材料またはプラスチック材料を含む。
【００２７】
さらに他の実施形態では、テープ接着層は、紫外光に曝露されると接着性を失う紫外線（ＵＶ）感知可能接着材料を含む。
【００２８】
さらに他の実施形態では、テープ接着層は少なくとも１００μｍの厚さを有する。
【００２９】
他の一実施形態では、接着テープはＣ４研削テープである。
【００３０】
さらに他の一実施形態では、レーザ・アブレーティブ接着層は高分子材料を含む。
【００３１】
さらに他の一実施形態では、レーザ・アブレーティブ接着層に衝突するレーザのビーム・エネルギーは少なくとも５０ｍＪ／ｃｍ2である。
【００３２】
さらに他の一実施形態では、レーザ・アブレーティブ接着層は約５μｍ〜約２５μｍの厚さを有する。
【００３３】
さらに他の一実施形態では、キャリア基板は、石英基板、ガラス基板、半導体基板、セラミック基板、および金属基板のうちの１つである。
【００３４】
さらに他の実施形態では、キャリア基板と半導体基板は実質的に同じ面積を有する。
【００３５】
さらに他の実施形態では、半導体基板は、薄化前に約５００μｍ〜約１０００μｍの厚さを有し、薄化後に約２０μｍ〜約１５０μｍの厚さを有する。
【００３６】
さらに他の実施形態では、この方法は、薄化した半導体基板の裏面にフィルム・フレーム・テープを貼付するステップをさらに含む。
【００３７】
さらに他の実施形態では、この方法は、フィルム・フレーム・テープと半導体基板と接着テープからなる組み立て品をダイシングするステップをさらに含む。
【００３８】
さらに他の実施形態では、この方法は、
接着テープを不活性化するステップであって、それにより接着テープの接着力が低減されるステップと、
半導体基板から接着テープを層状剥離するステップと、
をさらに含む。
【００３９】
本発明の他の態様によれば、半導体構造が提供され、その半導体構造が、
半導体基板に接する接着テープと、
接着テープに接するレーザ・アブレーティブ接着層と、
レーザ・アブレーティブ接着層に接するキャリア基板と、
を含む。
【００４０】
一実施形態では、半導体基板は、Ｃ４ボールを含むＣ４半導体基板である。
【００４１】
他の実施形態では、半導体基板は、ワイヤボンド・パッドを含むワイヤボンド半導体基板である。
【００４２】
さらに他の実施形態では、接着テープはテープ基層とテープ接着層とを含み、テープ接着層は半導体基板に接し、キャリア基板はテープ基層に接する。
【００４３】
さらに他の実施形態では、テープ基層はポリマー材料またはプラスチック材料を含む。
【００４４】
さらに他の実施形態では、テープ接着層は、紫外光に曝露されると接着性を失う紫外線（ＵＶ）感知可能接着材料を含む。
【００４５】
さらに他の実施形態では、テープ接着層は少なくとも１００μｍの厚さを有する。
【００４６】
さらに他の一実施形態では、レーザ・アブレーティブ接着層は約５μｍ〜約２５μｍの厚さを有する高分子材料を含む。
【００４７】
さらに他の一実施形態では、キャリア基板は、石英基板、ガラス基板、半導体基板、セラミック基板、および金属基板のうちの１つである。
【００４８】
さらに他の一実施形態では、キャリア基板と半導体基板は実質的に同じ面積を有する。
【００４９】
さらに他の一実施形態では、この半導体構造は、半導体基板の裏面に接するフィルム・フレーム・テープをさらに含み、半導体基板は約２０μｍ〜約１５０μｍの厚さを有する。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】第１の模範的な従来技術の半導体構造の順次垂直断面図であり、Ｃ４半導体基板の形成後のステップに対応する図である。
【図２】第１の模範的な従来技術の半導体構造の順次垂直断面図であり、Ｃ４半導体基板上のＣ４研削テープ１３０の貼付後のステップに対応する図である。
【図３】第１の模範的な従来技術の半導体構造の順次垂直断面図であり、Ｃ４半導体基板の薄化後のステップに対応する図である。
【図４】第１の模範的な従来技術の半導体構造の順次垂直断面図であり、Ｃ４研削テープの除去後のステップに対応する図である。
【図５】第２の模範的な従来技術の半導体構造の順次垂直断面図であり、ワイヤボンド半導体基板の形成後のステップに対応する図である。
【図６】第２の模範的な従来技術の半導体構造の順次垂直断面図であり、不活性化可能な接着層２３０の貼付後のステップに対応する図である。
【図７】第２の模範的な従来技術の半導体構造の順次垂直断面図であり、キャリア基板２４０の接合後のステップに対応する図である。
【図８】第２の模範的な従来技術の半導体構造の順次垂直断面図であり、ワイヤボンド半導体基板の薄化後のステップに対応する図である。
【図９】第２の模範的な従来技術の半導体構造の順次垂直断面図であり、不活性化層２３０’を形成するための不活性化可能な接着層２３０の不活性化後のステップに対応する図である。
【図１０】第２の模範的な従来技術の半導体構造の順次垂直断面図であり、キャリア基板２４０を除去するステップに対応する図である。
【図１１】第２の模範的な従来技術の半導体構造の順次垂直断面図であり、不活性化層２３０’の層状剥離後のステップに対応する図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態による第１の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、Ｃ４半導体基板の形成後のステップに対応する図である。
【図１３】本発明の第１の実施形態による第１の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、接着テープ３０の貼付後のステップに対応する図である。
【図１４】本発明の第１の実施形態による第１の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、キャリア基板４０上のレーザ・アブレーティブ接着層３６の貼付後のステップに対応する図である。
【図１５】本発明の第１の実施形態による第１の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、接着テープ３０へのレーザ・アブレーティブ接着層３６の接合後のステップに対応する図である。
【図１６】本発明の第１の実施形態による第１の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、Ｃ４半導体基板の薄化後のステップに対応する図である。
【図１７】本発明の第１の実施形態による第１の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、Ｃ４半導体基板の裏面上のフィルム・フレーム・テープの貼付後のステップに対応する図である。
【図１８】本発明の第１の実施形態による第１の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、レーザ・アブレーティブ接着層３６のレーザ・アブレーションのステップに対応する図である。
【図１９】本発明の第１の実施形態による第１の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、Ｃ４半導体基板のダイシング後のステップに対応する図である。
【図２０】本発明の第１の実施形態による第１の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、接着テープ３０の不活性化および除去後のステップに対応する図である。
【図２１】本発明の第２の実施形態による第２の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、ワイヤボンド半導体基板の形成後のステップに対応する図である。
【図２２】本発明の第２の実施形態による第２の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、接着テープ３０の貼付後のステップに対応する図である。
【図２３】本発明の第２の実施形態による第２の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、キャリア基板４０上のレーザ・アブレーティブ接着層３６の貼付後のステップに対応する図である。
【図２４】本発明の第２の実施形態による第２の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、接着テープ３０へのレーザ・アブレーティブ接着層３６の接合後のステップに対応する図である。
【図２５】本発明の第２の実施形態による第２の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、ワイヤボンド半導体基板の薄化後のステップに対応する図である。
【図２６】本発明の第２の実施形態による第２の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、ワイヤボンド半導体基板の裏面上のフィルム・フレーム・テープの貼付後のステップに対応する図である。
【図２７】本発明の第２の実施形態による第２の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、レーザ・アブレーティブ接着層３６のレーザ・アブレーションのステップに対応する図である。
【図２８】本発明の第２の実施形態による第２の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、ワイヤボンド半導体基板のダイシング後のステップに対応する図である。
【図２９】本発明の第２の実施形態による第２の模範的な半導体構造の順次垂直断面図であり、接着テープ３０の不活性化および除去後のステップに対応する図である。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
上記の通り、本発明は、半導体基板を薄化する方法およびこれを実施するための構造に関し、次にこれらについて添付図面とともに詳細に説明する。本明細書で言及し、図面に例示されている同様の要素および対応する要素は、同様の参照番号で参照されることに留意されたい。同様の要素または同等の要素を指定するために、図面全体を通して同じ参照番号または英字を使用する。本発明の主題を不必要に曖昧にする既知の機能および構造の詳細な説明は、明瞭にするために省略されている。図面は必ずしも一定の縮尺で描かれているわけではない。
【００５２】
図１２を参照すると、本発明の第１の実施形態による第１の模範的な半導体構造はＣ４半導体基板を含み、これはその上にＣ４ボール２０を有する半導体基板である。具体的には、第１の模範的な半導体構造は、半導体基板１０と、Ｃ４パッド１２のアレイと、Ｃ４ボール２０のアレイとを含む。半導体基板１０は、半導体材料を含有する基板を含む。半導体基板１０は、少なくとも１つの金属相互接続構造（図示せず）によりＣ４ボール２０のアレイに電気的に接続された少なくとも１つの半導体デバイス（図示せず）を含む。半導体基板１０の厚さは本明細書で初期厚さｔｉと呼ばれ、本明細書ではより小さい厚さおよびより大きい厚さが企図されているが、約５００μｍ〜約１０００μｍにすることができる。典型的には、初期厚さｔｉは、半導体基板１０の材料および半導体基板１０のサイズ、たとえば、直径によって決定される。
【００５３】
Ｃ４パッド１２用の典型的な２次元アレイ構成としては、４オン８構成（4on 8 configuration）および３オン６構成（3 on 6 configuration）を含む。４オン８構成は、長方形アレイになっている約１０１．６μｍ（４ミル）（〜１００ミクロン）の直径と約２０３．３μｍ（８ミル）（〜２００ミクロン）のピッチを有するＣ４ボール１２を使用する。３オン６構成は、長方形アレイになっている約７６．２μｍ（３ミル）（〜７５ミクロン）の直径と約１５２．４μｍ（６ミル）（〜１５０ミクロン）のピッチを有するＣ４ボール１２を使用する。したがって、典型的に約２ｃｍ×２ｃｍのサイズにすることができる１つの半導体チップ上に５０００個を超えるＣ４ボールを形成することができる。半導体基板１０は複数の半導体チップを含む。Ｃ４パッドの厚さは典型的に約１μｍ〜約５μｍであり、Ｃ４ボール２０の直径は約７５μｍ〜約１００μｍであるので、半導体基板１０の上面とＣ４ボールの上面との距離はＣ４ボール２０の直径程度である。
【００５４】
図１３を参照すると、接着テープ３０は、半導体層１０およびＣ４ボール２０の上面の上に貼付される。接着テープ３０はテープ基層３０Ｂとテープ接着層３０Ａとを含む。接着テープ３０は、テープ基層３０Ｂ上に接着材料をコーティングすることによって形成される。接着材料はテープ接着層３０Ａを構成する。
【００５５】
テープ基層３０Ｂは、テープ接着層３０Ａに構造支持を提供する材料を含み、ポリマー材料またはプラスチック材料を含むことができる。テープ接着層３０Ａは、外力の印加またはその他の活性化メカニズムなしに固有の接着性を発揮する場合もあれば、圧力、熱、または他の活性化メカニズムによって活性化すると接着性を発揮する場合もある。テープ接着層３０Ａは、不活性化の前に接着力を提供するが、不活性化すると実質的に接着性を失う、不活性化可能な接着材料を含む。ある場合には、不活性化メカニズムが紫外光への曝露である可能性もある。たとえば、テープ接着層３０Ａ内の接着材料は、紫外（ＵＶ）光に曝露されると架橋を失うオリゴマーを含むことができる。代わって、熱、低温、薬品への曝露などの他の不活性化メカニズムを使用することもできる
【００５６】
テープ接着層３０Ａの厚さは、典型的に約７５μｍ〜約１００μｍであるＣ４ボール２０の直径より大きい。好ましくは、テープ接着層３０Ａの厚さは少なくとも約１００μｍであり、より好ましくは、テープ接着層３０Ａの厚さは１００μｍより大きい。たとえば、テープ接着層３０Ａの厚さは約１００μｍ〜約１０００μｍにすることができる。本明細書ではＣ４ボール２０の直径によりテープ接着層３０Ａの厚さを調節することも企図されている。本明細書ではより小さい厚さおよびより大きい厚さも企図されているが、テープ基層３０Ｂの厚さは約５０μｍ〜約３００μｍであり、典型的に約１００μｍ〜約２００μｍである。
【００５７】
接着テープ３０の例としては、テープ基層３０Ｂとして１００μｍの厚さのポリエステル・フィルムを使用するＮｉｔｔｏ（ＴＭ）紫外線感知可能Ｃ４研削テープおよびテープ基層３０Ｂとして１００μｍの厚さのポリオレフィン・フィルムを使用するＦｕｒｕｋａｗａ（ＴＭ）紫外線感知可能Ｃ４研削テープなどの市販のＣ４研削テープを含む。市販のＣ４研削テープ内のテープ接着層３０ａ内の紫外線感知可能材料として典型的にアクリル接着材料が使用され、これは、紫外光に曝露されると不活性化し、大幅に接着性を失う。
【００５８】
テープ接着層３０Ａと、Ｃ４ボール２０または半導体層１０あるいはその両方との間に気泡が形成されるのを回避するために、半導体基板１０およびＣ４ボール２０の上に共形的にテープ接着層３０Ａが貼付される。これは、接着テープの裏面、すなわち、テープ基層３０Ｂの露出面に圧力を加えながら、半導体基板１０の一方の側から半導体基板１０のもう一方の側に向かって接着テープ３０を貼付することによって実施することができる。テープ接着層３０Ａの厚さはＣ４ボール２０の上面と半導体基板１０の上面との距離を超えるので、Ｃ４ボール２０はテープ接着層３０Ａに埋め込まれるが、テープ基層３０Ｂには接触しない。
【００５９】
図１４を参照すると、石英基板、ガラス基板、半導体基板、セラミック基板、または金属基板にすることができるキャリア基板４０が提供される。キャリア基板４０は、キャリア基板４０が半導体基板１０に接合されると、薄化後に半導体基板１０の処理を可能にするのに十分な機械的強度を有する剛性材料を含む。
【００６０】
本明細書ではより小さい厚さおよびより大きい厚さも企図されているが、キャリア基板４０の厚さは約１００μｍ〜約１０００μｍにすることができる。好ましくは、キャリア基板４０のサイズと半導体基板１０のサイズは実質的に同じである。具体的には、キャリア基板４０の横方向寸法と半導体基板１０の横方向寸法は実質的に同じである。たとえば、キャリア基板４０の直径が２００ｍｍである場合、キャリア基板４０の直径は実質的に２００ｍｍと同じである。
【００６１】
レーザ・アブレーティブ接着層３６は、キャリア基板４０の表面の上に貼付される。レーザ・アブレーティブ接着層３６は、レーザ・アブレーションによって除去できる接着材料を含む。レーザ・アブレーティブ接着層３６は、接着性を有するポリマー材料を含むことができる。
【００６２】
レーザ・アブレーティブ接着材料の貼付およびレーザ・アブレーションは当技術分野では既知のものである。Ａｒｊａｖａｌｉｎｇａｍ他の米国特許第５，２５８，２３６号およびＤｏｎｅｌｏｎ他による１９８５年１０月発行の「Ｌｉｆｔ−Ｏｆｆ  Ｓｔｅｎｃｉｌ  Ｃｒｅａｔｅｄ  ｂｙ  Ｌａｓｅｒ  Ａｂｌａｔｉｏｎ」というＩＢＭ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ  Ｂｕｌｌｅｔｉｎの２０３４ページには、レーザ・アブレーティブ接着材料が例示されている。
【００６３】
レーザ・アブレーティブ接着材料も市販されている。市販のレーザ・アブレーティブ接着材料としては、ＨＤ  Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓ（ＴＭ）によるＨＤ３００３−Ｘ１およびＨＤ３００７を含む。ＨＤ３００３−Ｘ１は極性溶媒Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）を含み、ＨＤ３００７はプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）およびブチロラクトン（ＢＬＯ）を含む。
【００６４】
レーザ・アブレーティブ接着層３６は、スピン・コーティング、塗装、吹き付け、または任意のその他のディスペンス方法によって形成することができる。本明細書ではより小さい厚さおよびより大きい厚さも企図されているが、レーザ・アブレーティブ接着層３６の厚さは約５μｍ〜約２５μｍにすることができる。
【００６５】
図１５を参照すると、キャリア基板４０のレーザ・アブレーティブ接着層３６を有する側と、テープ基層３０Ｂの露出面である接着テープ３０の上面を接触させる。レーザ・アブレーティブ接着層３６により、接着テープ３０と半導体基板１０とその間のＣ４パッド１２およびＣ４ボール２０からなる組み立て品とキャリア基板４０を接合するために、キャリア基板４０と半導体基板１０は相互に押し付けられる。気泡の形成を防止するために、キャリア基板４０と接着テープ３０との接合は、レーザ・アブレーティブ接着層３６の一方の側からレーザ・アブレーティブ接着層３６のもう一方の側に向かって実施することができる。
【００６６】
図１６を参照すると、半導体基板１０の底面から材料が除去されるように研磨、研削、またはその他の同等の方法によって半導体基板１０が薄化される。半導体基板１０の厚さは初期厚さｔｉ（図１２を参照）から最終厚さｔｆに減少する。最終厚さｔｆを有する半導体基板１０は本明細書で薄化した半導体基板１０’と呼ばれる。キャリア基板４０は薄化のプロセス全体を通して半導体基板１０に機械的支持を提供し、１５０μｍ未満の厚さまで半導体基板１０の薄化を可能にする。薄化した半導体基板１０’の最終厚さｔｆは、薄化中または薄化後に半導体基板１０の破損という不当なリスクを引き起こさずに、約２０μｍ〜約１５０μｍにすることができる。したがって、本発明は、商業生産環境で１５０μｍ未満の厚さまでＣ４半導体基板（１０、１２、２０）の半導体基板１０の薄化を可能にする。
【００６７】
図１７を参照すると、フィルム・フレーム・テープ５０は薄化した半導体基板１０’の裏面に貼付される。フィルム・フレーム・テープ５０は、薄化した半導体基板１０’の裏面に貼付し付着させることができる接着面を含む。フィルム・フレーム・テープ５０は、その後、接着テープ３０からキャリア基板４０を除去すると、薄化した半導体基板１０’への支持に必要な機械的強度を提供する。本明細書ではより小さい厚さおよびより大きい厚さも企図されているが、フィルム・フレーム・テープの厚さは約５０μｍ〜約６００μｍにすることができ、典型的に約１００μｍ〜約３００μｍにすることができる。
【００６８】
図１８を参照すると、レーザ・アブレーティブ接着層３６はレーザ・アブレーションによって除去される。上記の米国特許第５，２５８，２３６号およびＤｏｎｅｌｏｎ他の文献に記載された方法を使用することができる。レーザ・アブレーティブ接着層３６に衝突するレーザのビーム・エネルギーは、レーザ・アブレーティブ接着層３６内の材料のアブレーションを可能にするレベルに設定される。レーザ・アブレーションを誘導するために必要なレーザのビーム・エネルギーはレーザ・アブレーティブ接着層３６内の材料によって決まり、本明細書ではレーザ・アブレーティブ接着層３６用の新しい材料についてより小さいエネルギー・レンジも企図されているが、典型的には、レーザ・アブレーティブ接着層３６内でレーザ・アブレーションを誘導するために少なくとも５０ｍＪ／ｃｍ2のビーム・エネルギーが必要である。レーザ・アブレーションは、レーザ・アブレーティブ接着層３６の全体またはレーザ・アブレーティブ接着層３６の大部分を除去してレーザ・アブレーティブ接着層３６とキャリア基板４０との接着強さを低減し、キャリア基板４０を接着テープ３０から除去できるようにする。レーザ・ビームの方向は、「ＬＡ」と表示されている矢印によって概略的に表される。キャリア基板４０は、商業生産方式で他の半導体基板上の他の接着テープと接合するために再利用することができる。換言すれば、キャリア基板４０は消費されないが、追加の使用法のためにリサイクルされる。
【００６９】
図１９を参照すると、ダイシング装置を使用して、この時点でフィルム・フレーム・テープ５０と、その上にＣ４パッド１２およびＣ４ボール２０を有する薄化した半導体基板１０’と、接着テープ３０からなる垂直スタックを含む第１の模範的な半導体構造をダイシングする。薄化した半導体基板１０’は単独でダイシング・プロセスに曝されるのに十分な機械的強度を備えていないが、フィルム・フレーム・テープ５０は薄化した半導体基板１０’に機械的支持を提供し、それにより、薄化した半導体基板１０’の構造上の完全性を維持し、薄化した半導体基板１０’の破損を回避する。このダイシングは、半導体ダイ１０’’を個々に分離するためにダイシング・チャネルに沿って行われる。薄化した半導体基板１０’のそれぞれのダイシング部分は半導体ダイ１０’’を含む。典型的には、各半導体ダイ１０’’は少なくとも１つの機能的半導体チップを含む。
【００７０】
図２０を参照すると、接着テープ３０は、テープ接着層３０Ａ（図１３を参照）を処理前より実質的に接着性の弱いものにする適切な不活性化メカニズムで接着テープ３０を処理することにより不活性化される。テープ接着層３０Ａ内の不活性化可能な接着材料は、不活性化前に接着力を提供するが、紫外線（ＵＶ）放射、熱、低温、薬品曝露などによって不活性化することができる。
【００７１】
たとえば、紫外（ＵＶ）光に曝露されると架橋を失うオリゴマーを不活性化可能な接着材料が含む場合、テープ接着層３０Ａの接着性の大幅な喪失を誘導するために紫外線（ＵＶ）放射への曝露が使用される。接着テープ３０を不活性化するための市販の模範的な機器としては、紫外線放射を使用してＵＶ不活性化可能なＣ４研削テープの接着力を低減する、ダイシング・プロセス用のＮｉｔｔｏ（ＴＭ）ＵＡ８４００ＵＶ照射器を含む。
【００７２】
接着テープ３０がＣ４ボール２０および半導体ダイ１０’’への接着性を実質的に失うと、接着テープ３０は、層状剥離、すなわち、剥離によって除去される。半導体ダイ１０’’は、その後、パッケージング基板（図示せず）に取り付けることができ、その後、フィルム・フレーム・テープ５０を除去することができる。代わって、任意の他の方法で半導体ダイ１０’’を固定位置に固定して、フィルム・フレーム・テープ５０を除去することもできる。
【００７３】
半導体ダイ１０’’は、約１５０μｍ未満の厚さを有することができ、好ましくは、約２０μｍ〜約１５０μｍの厚さを有することができる。パッケージング基板への接合を可能にするために、半導体ダイ１０’’上にＣ４ボール２０およびＣ４パッド１２が形成される。半導体ダイ１０’’の厚さ範囲は、約２０μｍ〜約１５０μｍにすることができ、半導体基板内により深いトレンチを形成する必要なしに、半導体製造シーケンス中に約２０μｍ〜約１５０μｍの深さまで延びるトレンチを形成することにより、スルーウェハ・ビア（ＴＷＶ）の形成を可能にする。したがって、本発明は、垂直チップ・スタッキングなどのＴＷＶの恩恵全体を可能にしながら、コストおよび処理の複雑さを低減したＴＷＶの形成を容易にする。
【００７４】
図２１を参照すると、本発明の第２の実施形態による第２の模範的な半導体構造はワイヤボンド半導体基板を含み、これはその上にワイヤボンド・パッド１４を有する半導体基板である。具体的には、第２の模範的な半導体構造は、半導体基板１０と、ワイヤボンド・パッド１４のアレイとを含む。半導体基板１０は、第１の実施形態のように半導体材料を含有する基板を含む。半導体基板１０は、少なくとも１つの金属相互接続構造（図示せず）によりワイヤボンド・パッド１４のアレイに電気的に接続された少なくとも１つの半導体デバイス（図示せず）を含む。半導体基板１０の厚さは本明細書で初期厚さｔｉと呼ばれ、本明細書ではより小さい厚さおよびより大きい厚さが企図されているが、約５００μｍ〜約１０００μｍにすることができる。典型的には、初期厚さｔｉは、半導体基板１０の材料および半導体基板１０のサイズ、たとえば、直径によって決定される。
【００７５】
本明細書ではより小さい厚さおよびより大きい厚さが企図されているが、ワイヤボンド・パッド１４の典型的な厚さは約１μｍ〜約５μｍである。本明細書ではより小さい寸法およびより大きい寸法も企図されているが、ワイヤボンド・パッドの横方向寸法は約５０μｍ〜約１００μｍにすることができる。
【００７６】
図２２を参照すると、接着テープ３０は、半導体層１０およびワイヤボンド・パッドの上面の上に貼付される。接着テープ３０は第１の実施形態のようにテープ基層３０Ｂとテープ接着層３０Ａとを含む。テープ基層３０Ｂの組成および厚さは第１の実施形態と同じである。テープ接着層３０Ａの組成および厚さも第１の実施形態と同じにすることができる。加えて、テープ接着層３０Ａの厚さは１００μｍ未満にすることができる。たとえば、テープ接着層３０Ａの厚さは約１０μｍ〜約１０００μｍにすることができる。本明細書ではより小さい厚さおよびより大きい厚さも企図されているが、テープ基層３０Ｂの厚さは約１００μｍ〜約２００μｍにすることができる。上記の市販のＣ４研削テープは接着テープ３０として使用することができる。テープ接着層３０Ａと、ワイヤボンド・パッド１４または半導体層１０あるいはその両方との間に気泡が形成されるのを回避するために、半導体基板１０およびワイヤボンド・パッド１４の上に共形的にテープ接着層３０Ａが貼付される。
【００７７】
図２３を参照すると、第１の実施形態と同じ組成および構造上の特徴を有するキャリア基板４０が提供される。好ましくは、キャリア基板４０のサイズと半導体基板１０のサイズは実質的に同じである。レーザ・アブレーティブ接着層３６は、第１の実施形態と同じようにキャリア基板４０の表面の上に貼付される。
【００７８】
図２４を参照すると、キャリア基板４０のレーザ・アブレーティブ接着層３６を有する側と、テープ基層３０Ｂの露出面である接着テープ３０の上面を接触させる。レーザ・アブレーティブ接着層３６により、接着テープ３０と半導体基板１０とその間のワイヤボンド・パッド１４からなる組み立て品とキャリア基板４０を接合するために、キャリア基板４０と半導体基板１０は相互に押し付けられる。気泡の形成を防止するために、キャリア基板４０と接着テープ３０との接合は、レーザ・アブレーティブ接着層３６の一方の側からレーザ・アブレーティブ接着層３６のもう一方の側に向かって実施することができる。
【００７９】
図２５を参照すると、第１の実施形態と同じように半導体基板１０の底面から材料が除去されるように研磨、研削、またはその他の同等の方法によって半導体基板１０が薄化される。半導体基板１０の厚さは初期厚さｔｉ（図２１を参照）から最終厚さｔｆに減少する。最終厚さｔｆを有する半導体基板１０は本明細書で薄化した半導体基板１０’と呼ばれる。キャリア基板４０は薄化のプロセス全体を通して半導体基板１０に機械的支持を提供する。薄化した半導体基板１０’の最終厚さｔｆは、薄化中または薄化後に半導体基板１０の破損という不当なリスクを引き起こさずに、約２０μｍ〜約１５０μｍにすることができる。
【００８０】
図２６を参照すると、フィルム・フレーム・テープ５０は第１の実施形態と同じように薄化した半導体基板１０’の裏面に貼付される。
【００８１】
図２７を参照すると、レーザ・アブレーティブ接着層３６は第１の実施形態と同じようにレーザ・アブレーションによって除去される。レーザ・ビームの方向は、「ＬＡ」と表示されている矢印によって概略的に表される。キャリア基板４０は、第１の実施形態のように他の半導体基板上の他の接着テープと接合するために再利用することができる。
【００８２】
図２８を参照すると、ダイシング装置を使用して、この時点でフィルム・フレーム・テープ５０と、その上にワイヤボンド・パッド１４を有する薄化した半導体基板１０’と、接着テープ３０からなる垂直スタックを含む第２の模範的な半導体構造をダイシングする。薄化した半導体基板１０’は単独でダイシング・プロセスに曝されるのに十分な機械的強度を備えていないが、フィルム・フレーム・テープ５０は薄化した半導体基板１０’に機械的支持を提供し、それにより、薄化した半導体基板１０’の構造上の完全性を維持し、薄化した半導体基板１０’の破損を回避する。このダイシングは、半導体ダイ１０’’を形成するために第１の実施形態と同じように行われる。
【００８３】
図２９を参照すると、接着テープ３０は、第１の実施形態のように不活性化される。接着テープ３０がワイヤボンド・パッド１４および半導体ダイ１０’’への接着性を実質的に失うと、接着テープ３０は、層状剥離によって除去される。半導体ダイ１０’’は、その後、ワイヤボンド・パッケージ（図示せず）に取り付けることができ、その後、フィルム・フレーム・テープ５０を除去することができる。代わって、任意の他の方法で半導体ダイ１０’’を固定位置に固定して、フィルム・フレーム・テープ５０を除去することもできる。
【００８４】
半導体ダイ１０’’は、約１５０μｍ未満の厚さを有することができ、好ましくは、約２０μｍ〜約１５０μｍの厚さを有することができる。ワイヤボンド・パッケージ上での取り付けを可能にするために、半導体ダイ１０’’上にワイヤボンド・パッド１４が存在する。半導体ダイ１０’’の厚さ範囲は、約２０μｍ〜約１５０μｍにすることができ、半導体基板内により深いトレンチを形成する必要なしに、半導体製造シーケンス中に約２０μｍ〜約１５０μｍの深さまで延びるトレンチを形成することにより、スルーウェハ・ビア（ＴＷＶ）の形成を可能にし、第１の実施形態と同様の恩恵を提供する。
【００８５】
特定の実施形態に関して本発明を説明してきたが、上記の説明を考慮すると、多数の代替例、変更例、および変形例が当業者にとって明白になることは明らかである。したがって、本発明は、本発明の範囲および精神ならびに特許請求の範囲に該当する、このような代替例、変更例、および変形例をすべて包含するものである。
【符号の説明】
【００８６】
１０  半導体基板
１２  Ｃ４パッド
２０  Ｃ４ボール
３０  接着テープ
３０Ａ  テープ基層
３０Ｂ  テープ接着層
３６  レーザ・アブレーティブ接着層
４０  キャリア基板
【図１】
2010153812.tif 000003
【図２】
2010153812.tif 000004
【図３】
2010153812.tif 000005
【図４】
2010153812.tif 000006
【図５】
2010153812.tif 000007
【図６】
2010153812.tif 000008
【図７】
2010153812.tif 000009
【図８】
2010153812.tif 000010
【図９】
2010153812.tif 000011
【図１０】
2010153812.tif 000012
【図１１】
2010153812.tif 000013
【図１２】
2010153812.tif 000014
【図１３】
2010153812.tif 000015
【図１４】
2010153812.tif 000016
【図１５】
2010153812.tif 000017
【図１６】
2010153812.tif 000018
【図１７】
2010153812.tif 000019
【図１８】
2010153812.tif 000020
【図１９】
2010153812.tif 000021
【図２０】
2010153812.tif 000022
【図２１】
2010153812.tif 000023
【図２２】
2010153812.tif 000024
【図２３】
2010153812.tif 000025
【図２４】
2010153812.tif 000026
【図２５】
2010153812.tif 000027
【図２６】
2010153812.tif 000028
【図２７】
2010153812.tif 000029
【図２８】
2010153812.tif 000030
【図２９】
2010153812.tif 000031