(57)【要約】【課題】良好な高周波特性を確保しつつ、よりコンパクトな終端抵抗体を提供する。【解決手段】終端抵抗体１は、基体１０上に、Ｘ軸方向に延在する入力電極２０と、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向において入力電極２０を挟んで対向配置された一対の接地電極３０Ａ，３０Ｂと、それらをそれぞれ繋ぐ一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂとを備える。抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂは、入力電極２０から接地電極３０Ａ，３０Ｂへ向かうほどＸ軸方向の寸法が拡大した形状を有する。入力電極２０、接地電極３０Ａ，３０Ｂおよび抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂは、Ｙ軸方向に延びる端縁が同一直線上に位置するように設けられている。【選択図】図１
2010147089.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に、
第１の方向に延在する入力電極と、
前記第１の方向と直交する第２の方向において前記入力電極を挟んで対向配置された一対の接地電極と、
前記入力電極と前記一対の接地電極とをそれぞれ繋ぐ一対の抵抗膜部分と
を備えたことを特徴とする終端抵抗体。
【請求項２】
前記一対の抵抗膜部分が前記入力電極を中心として互いに線対称な形状を有することを特徴とする請求項１に記載の終端抵抗体。
【請求項３】
前記一対の抵抗膜部分は、前記入力電極から前記一対の接地電極へ向かうほど前記第１の方向の寸法が拡大した形状を有する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の終端抵抗体。
【請求項４】
前記入力電極、一対の接地電極および一対の抵抗膜部分は、前記第２の方向に延びる各々の端縁が同一直線上に位置するように設けられている
ことを特徴とする請求項３に記載の終端抵抗体。
【請求項５】
前記一対の抵抗膜部分は、それらを連結する連結部分と共に一体化された抵抗膜パターンを構成するものであり、
前記入力電極および一対の接地電極は、前記連結部分の上面または下面と接するように設けられている
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の終端抵抗体。
【請求項６】
前記入力電極の少なくとも一部を露出させつつ前記一対の抵抗膜部分の全てを覆う絶縁性の保護膜を備えた
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の終端抵抗体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力電極および接地電極と、それらを繋ぐ抵抗膜とを備えた終端抵抗体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば高周波回路の信号線の末端において、信号の不要な反射を抑制する目的で終端抵抗体が用いられている。そのような終端抵抗体には、小型かつ簡素な構成であること、信号線との接続が容易であること、電力を負荷した際の放熱特性に優れ、熱による特性劣化が小さいこと（耐電力特性に優れること）、所定の高周波数帯域において一定の特性インピーダンスが得られること、所定の高周波数帯域において反射損失が小さく、かつ安定していること（高周波特性に優れること）などが要求される。
【０００３】
例えば特許文献１には、抵抗膜の平面形状を台形とすることで等価回路上のインピーダンス整合を図り、高周波特性を改善するようにした高周波用終端抵抗器が開示されている。
【特許文献１】特公平７−８７１３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
最近では、終端抵抗体を設置するスペースが縮小化されていることから、終端抵抗体自体の小型化が特に強く求められている。ところが、既存の終端抵抗体ではその要求に十分に応えることが難しくなっている。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高周波特性を損なうことなく、よりコンパクトな終端抵抗体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の終端抵抗体は、絶縁基板上に、第１の方向に延在する入力電極と、第１の方向と直交する第２の方向において入力電極を挟んで対向配置された一対の接地電極と、入力電極と一対の接地電極とをそれぞれ繋ぐ一対の抵抗膜部分とを備えるようにしたものである。
【０００７】
本発明の終端抵抗体では、第１の方向に延在する入力電極と、それを第２の方向に挟むように配置された２つの接地電極との間を繋ぐように一対の抵抗膜部分を形成するようにしたので、第１の方向における全体の寸法の増大を招くことなく、抵抗膜部分の面積が所定の大きさに確保される。
【０００８】
本発明の終端抵抗体では、特に、一対の抵抗膜部分が入力電極を中心として互いに線対称な形状を有することが望ましい。一対の抵抗膜部分における各々のインダクタンスが互いに等しくなるうえ、一対の抵抗膜部分のそれぞれと一対の接地電極のそれぞれとの間の容量が互いに等しくなり、高周波特性（高周波信号に対する反射損失の分布）が改善されるからである。
【０００９】
また、本発明の終端抵抗体では、一対の抵抗膜部分が、入力電極から一対の接地電極へ向かうほど第１の方向の寸法が拡大した形状を有するようにすれば、高周波特性がより良好に改善される。
【００１０】
また、本発明の終端抵抗体では、一対の抵抗膜部分が、それらを連結する連結部分と共に一体化された抵抗膜パターンを構成しており、入力電極および一対の接地電極が、連結部分の上面または下面と接するように設けられる場合には、煩雑な製造プロセスを必要とすることなく、比較的容易に、かつ、より確実に入力電極および一対の接地電極と一対の抵抗膜部分との接続がなされる。
【００１１】
さらに、本発明の終端抵抗体では、入力電極の少なくとも一部を露出させつつ一対の抵抗膜部分の全てを覆う絶縁性の保護膜を備えるようにすれば、外部からのリード線を入力電極と半田付けする際に、そのリード線の位置合わせが、より簡便かつ高精度に実施される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の終端抵抗体によれば、接地電極を２つに分割し、それらの間に入力電極を配置し、一対の抵抗膜部分によって一対の接地電極と入力電極とを繋ぐようにしたので、反射損失の高周波特性を損なうことなく、全体構成の小型化を図ることができる。ここでは、一対の接地電極と入力電極とを繋ぐ方向と直交する方向（第１の方向）において、全体の寸法を抑えつつ、入力電極の寸法を最大限度まで確保することができるので、入力電極に外部からのリード線をはんだ付けする際、比較的容易に取り付けが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、単に実施の形態という。）について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施の形態としての終端抵抗体１の全体構成を表す斜視図であり、図２は、それを分解して表すものである。さらに、図３は、図１に示した矢印IIIの方向から眺めた終端抵抗体１の平面図である。終端抵抗体１は、例えば信号増幅器とアンテナとの間に設けられるアイソレータの一部を構成する部品として、高周波信号の不要な反射を抑制することを目的として使用される。
【００１５】
図１〜図３に示したように、終端抵抗体１は、ＸＹ平面に延在する平板状の基体１０上に、入力電極２０と、一対の接地電極３０Ａ，３０Ｂと、一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂを含む抵抗膜パターン４０と、保護膜５０と、接地部６０とを備えたものである。
【００１６】
基体１０は、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、あるいはアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）などの絶縁性材料によって構成されている。基体１０の構成材料は、熱伝導性が良く、加工性に優れていることが好ましい。
【００１７】
入力電極２０および一対の接地電極３０Ａ，３０Ｂは、いずれも第１の方向（Ｘ軸方向）に延在する、平面形状が矩形の導体である。一対の接地電極３０Ａ，３０Ｂは、Ｘ軸方向と直交する第２の方向（Ｙ軸方向）において入力電極２０を挟んで対向するように配置されている。入力電極２０および一対の接地電極３０Ａ，３０Ｂは、Ｘ軸方向における各々の一方の端縁２１，３１Ａ，３１Ｂが、Ｘ軸方向において互いに一致するように設けられている（図３参照）。すなわち、接地電極３０Ａ，３０Ｂの端縁３１Ａ，３１Ｂは、入力電極２０の端縁２１を通過するようにＹ軸方向に延在する直線上に位置している。入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂは、例えば銅（Ｃｕ）のほか、アルミニウム（Ａｌ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），タンタル（Ｔａ），ルテニウム（Ｒｕ），ロジウム（Ｒｈ）などの高導電性材料によって構成されている。
【００１８】
入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂは、絶縁基板１０の上に、直接設けられていてもよいし、あるいはクロム（Ｃｒ）などの下地層（図示せず）を介して設けられていてもよい。また、入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂは、互いに同一の階層に設けられているとよい。ここでいう「同一の階層に設けられている」とは、入力電極２０における基体１０の表面（ＸＹ平面）を基準とした高さ位置（Ｚ軸方向の位置）が、接地電極３０Ａ，３０Ｂの高さ位置と部分的または全体的に一致することを意味する。すなわち、ＸＹ平面に沿って投影したときに、入力電極２０と接地電極３０Ａ，３０Ｂとが、互いの一部または全部が重なり合う関係にあることを意味する。その場合、入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂの各々の厚みが全て等しく、かつ、各々のＺ方向の上端および下端の位置が相互に一致していることが望ましい。Ｚ軸方向における全体の寸法がより小さくなるからである。但し、それらの厚みや上端および下端の位置は互いに異なっていてもよい。
【００１９】
また、入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂの上には、ニッケル（Ｎｉ）あるいは錫（Ｓｎ）などからなるめっき膜を設けておくことが望ましい。はんだ付けによって外部へのリード線を入力電極２０に接続する際、はんだの拡散を防止するバリア層として機能させると共に、はんだの良好な塗れ性を確保するためである。また、接地電極３０Ａ，３０Ｂは、それらの端面と接すると共に基体１０の側面および裏面を取り巻くように設けられた接地部６０によって互いに導通されている。接地部６０は、例えば、スパッタリングなどによって形成された下地層（図示せず）と、その下地層の上にめっき法によって形成されたニッケルもしくは錫などからなるめっき層とを有するものである。
【００２０】
抵抗膜パターン４０は、入力電極２０と一対の接地電極３０Ａ，３０Ｂとをそれぞれ繋ぐ一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂと、それらを連結する連結部分４０Ｃとが一体化されたものである。ここで、入力電極２０は、連結部分４０Ｃの上面と接するように設けられている。また、一対の接地電極３０Ａ，３０Ｂは、一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂの、連結部分４０Ｃと反対側の端部の上面と接するように設けられている。一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂは、入力電極２０を中心として互いに線対称な形状を有することが望ましい。一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂにおける各々のインダクタンスが互いに等しくなるうえ、抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂのそれぞれと接地電極３０Ａ，３０Ｂのそれぞれとの間の容量が互いに等しくなり、高周波領域での反射損失特性が改善されるからである。特に、一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂは、入力電極２０から接地電極３０Ａ，３０Ｂへ向かうほどＸ軸方向の寸法が徐々に拡大した形状を有していることが望ましい。そのような形状であれば、抵抗膜部分４０Ａ，４０ＢにおけるＹ軸上の各点において、入力電極２０から接地電極３０Ａ，３０Ｂへ向かうほど分布抵抗が徐々に小さくなり、かつ、分布インダクタンスおよび分布容量が徐々に大きくなる。この結果、上記各点におけるインピーダンスの整合を図りやすくなり、高周波特性がより良好に改善されるからである。ここでは、抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂの、Ｘ軸方向に沿った一方の端縁４１Ａ，４１Ｂが、Ｘ軸方向において、入力電極２０および一対の接地電極３０Ａ，３０Ｂの各端縁２１，３１Ａ，３１Ｂと一致する位置にある。すなわち、抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂの端縁４１Ａ，４１Ｂは、端縁２１および端縁３１Ａ，３１Ｂを通過するようにＹ軸方向に延在する直線上に位置している。さらに、抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂの、Ｘ軸方向に沿った他方の端縁４２Ａ，４２Ｂが、入力電極２０から接地電極３０Ａ，３０Ｂへ向けて端縁４１Ａ，４１Ｂから遠ざかるように延在している（図３参照）。また、抵抗膜パターン４０は、窒化タンタル（ＴａＮ）やニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）などが好適な構成材料として挙げられる。
【００２１】
さらに、終端抵抗体１には、一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂを覆うように絶縁性の保護膜５０が設けられている（図２では、保護膜５０の図示を省略している）。保護膜５０は、入力電極２０に対応する領域に（面内方向の）切り欠き部５１を有しており、入力電極２０を全く覆わないように形成されている。さらに、保護膜５０は、入力電極２０の側から接地電極３０Ａ，３０Ｂの側へ向かうほど第１の方向（Ｘ軸方向）における寸法を縮小するような平面形状となっている。すなわち、保護膜５０は、ＸＹ平面での輪郭が、Ｘ軸およびＹ軸に対して傾いた方向に延びる傾斜部５２Ａ，５２Ｂを含むような平面形状となっている。傾斜部５２Ａ，５２Ｂは、切り欠き部５１によって繋がれている。保護膜５０の構成材料としては、エポキシ系樹脂が好ましい。なお、図１では、接地電極３０Ａ，３０Ｂの一部をも覆うように保護膜５０が設けられているが、保護膜５０は、接地電極３０Ａ，３０Ｂを全く覆わなくともよい。また、保護膜５０は、図１に示したように入力電極２０を全く覆わないように形成されていることが望ましいが、実装時におけるリード線との接続作業に支障のない範囲で入力電極２０の一部を覆っていてもよい。実際には、入力電極２０を全く覆わないように保護膜５０を形成するよりも、図４に示した第１の変形例のように連結部分４０Ｃに対応する領域の入力電極２０をも覆うように保護膜５０を形成するほうが容易である。ところが連結部分４０Ｃに対応する領域の入力電極２０をも覆うように保護膜５０を形成する場合、例えば図１１に示した参考例のように、入力電極２０の端縁２１と、一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂの端縁４１Ａ，４１ＢとがＸ軸方向において互いに一致していないと、入力電極２０の露出部分が２つに分離してしまう。すなわち、入力電極２０は、保護膜５０によって覆われた被覆部分２２と、それによって分断された露出部分２３Ａ，２３Ｂとによって構成されることとなる。これに対し、入力電極２０、一対の接地電極３０Ａ，３０Ｂおよび一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂを、それらの端縁２１，３１Ａ，３１Ｂ，４１Ａ，４１ＢがＸ軸方向において互いに一致するように配置することで、図４に示したように入力電極２０の露出部分２３を分離させなくてすむ。すなわち、入力電極２０は、被覆部分２２と、一の露出部分２３とによって構成される。図４の構成であれば、図１１の参考例と比較して、入力電極２０に、外部へのリード線をはんだ付け等によって接続する作業が容易となる。露出部分２３Ａ，２３Ｂ（図１１）の各々よりも大きな面積を有する露出部分２３に外部へのリード線を取り付ければよいからである。
【００２２】
続いて、終端抵抗体１の製造方法について説明する。
【００２３】
まず、基体１０を用意し、基体１０の表面全体に亘って、のちに抵抗膜パターン４０となる抵抗膜と、のちに入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂとなる電極膜とをそれぞれ上述の材料を用いて順に積層する。これら抵抗膜および電極膜は、スパッタリング等の気相法などにより形成することができる。次に、フォトレジスト法により電極膜のパターニングを行い、所定の位置に所定形状の入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂを形成する。続いて、やはりフォトリソグラフィ法により抵抗膜のパターニングを行い、所定形状の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂおよび連結部分４０Ｃからなる抵抗膜パターン４０を所定の位置に形成する。こののち、抵抗値の調整のため、必要に応じてレーザ照射によって抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂのトリミングを行う。最後に、一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂを覆うように保護膜５０を選択的に形成すると共に基体１０を所定の形状で切り出し、接地部６０を形成するなどして、終端抵抗体１を完成させる。接地部６０については、接地電極３０Ａ，３０Ｂおよび抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂの端面、ならびに基体１０の端面および下面を覆うように下地層（図示せず）をスパッタリング法などにより形成したのち、その下地層を覆うようにめっき層を形成するようにする。
【００２４】
このように、本実施の形態では、Ｘ軸方向に延在する入力電極２０と、それをＹ軸方向に挟むように配置された２つの接地電極３０Ａ，３０Ｂとの間を繋ぐように一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂを形成するようにした。これにより、所定の抵抗値が確保されると共に、Ｘ軸方向における全体の寸法の増大を招くことなく、入力電極２０の寸法をＸ軸方向に最大限度まで拡大することができる。すなわち、入力電極２０へのリード線の取り付け（例えばはんだ付け）などの作業を容易としつつ、全体構成のコンパクト化を図ることができる。そのうえ、接地電極を２つに分け、２つの抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂを設けるようにしたので、電力負荷時の発熱源が分散されることとなり、その結果、電力負荷時の放熱性を向上させることができる。
【００２５】
特に、一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０ＢのＸ軸方向の寸法が、入力電極２０から一対の接地電極３０Ａ，３０Ｂへ向かうほど拡大するようにしたので、高周波特性（高周波信号に対する反射損失の分布）をより改善し易くなる。また、一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂを、入力電極２０を中心として互いに線対称な形状としたので、非対称な場合よりも良好な高周波特性を得ることができる。
【００２６】
さらに、本実施の形態では、抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂと連結部分４０Ｃとによって一体化した抵抗膜パターン４０を構成し、入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂを、抵抗膜パターン４０の上面と接するように積層した。こうすることで、煩雑な製造プロセスを必要とすることなく、比較的容易に、かつ、より確実に入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂと抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂとの接続を行うことができる。
【００２７】
さらに、本実施の形態では、抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂを覆う保護膜５０に切り欠き５１を設け、保護膜５０の輪郭が切り欠き５１へ向けて傾斜する傾斜部５２Ａ，５２Ｂを含むようにしたので、入力電極２０に、外部へのリード線をはんだ付け等によって接続する際、保護膜５０が面内方向における位置合わせのガイドとして機能する。このため、入力電極２０とリード線の端部との位置合わせを比較的容易かつ正確に行うことができ、歩留まり向上が期待できる。
【００２８】
（第２の変形例）
次に、図５を参照して、本実施の形態における第２の変形例について説明する。図５は、第１の変形例としての終端抵抗体１Ａの全体構成を表す斜視図である。本変形例は、抵抗膜パターン４０が、連結部分４０Ｃを含まずに一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂのみによって構成され、かつ、入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂと同一の階層に設けられるようにしたものである。本変形例では、抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂは、それぞれ、入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂにおける端面（ＸＺ平面）と接している。こうすることで、Ｚ軸方向における全体の寸法をより小さくすることができる。なお、ここでいう「同一の階層に設けられている」とは、抵抗膜パターン４０における基体１０の表面（ＸＹ平面）を基準とした高さ位置（Ｚ軸方向の位置）が、入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂの高さ位置と部分的または全体的に一致することを意味する。すなわち、ＸＹ平面に沿って投影したときに、抵抗膜パターン４０と入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂとが、互いの一部または全部が重なり合う関係にあることを意味する。その場合、入力電極２０、接地電極３０Ａ，３０Ｂおよび抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂの各々の厚みが全て等しく、かつ、各々の上端および下端の位置が相互に一致していることが望ましい。Ｚ軸方向における全体の寸法がよりいっそう小さくなるからである。
【００２９】
（第３の変形例）
図６は、第３の変形例としての終端抵抗体１Ｂの全体構成を表す平面図であり、上記実施の形態の図３に対応するものである。本変形例では、抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂの、Ｘ軸方向における両端縁（端縁４１Ａ，４１Ｂと端縁４２Ａ，４２Ｂと）が互いに平行に延在するようにしたものである。
【００３０】
（第４の変形例）
図７は、第４の変形例としての終端抵抗体１Ｃの全体構成を表す平面図であり、上記実施の形態の図３に対応するものである。本変形例では、抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂの、Ｘ軸方向における幅が、入力電極２０から接地電極３０Ａ，３０Ｂへ向かうほど縮小するようにしたものである。
【実施例】
【００３１】
続いて、本発明の具体的な実施例について詳細に説明する。
【００３２】
（実験例１）
上記実施の形態で説明した製造方法に従って、図１〜図３の終端抵抗体１に対応するサンプル（図８の終端抵抗体）を作製した。抵抗膜パターン４０は、スパッタリング法によりニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）を用いて形成した。入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂとしては、抵抗膜パターン４０の上にスパッタリング法により銅（Ｃｕ）層を形成した。なお、入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂの上には、さらにニッケル層と錫層との２層構造をめっき法により形成した。また、各構成要素の寸法は次の通りである（図７参照）。入力電極２０の幅Ｙ２０は０．５ｍｍ、長さＸ２０は１．７ｍｍとした。接地電極３０Ａ，３０Ｂの幅Ｙ３０は０．２５ｍｍ、長さＸ３０は１ｍｍとした。さらに、抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂの、入力電極２０側の長さＸ４０は０．５ｍｍ、幅Ｙ４０は０．９５ｍｍとした。厚みについては全て３０ｎｍとした。さらに、端縁４２Ａ，４２Ｂの、Ｙ軸を基準とした傾斜角θは２８°とした。
【００３３】
本実験例について、反射損失の周波数依存性を調べた。図９にその結果を示す。図９は、縦軸が反射損失（単位デシベル：ｄＢ）を表し、横軸が入射信号の周波数（単位ギガヘルツ：ＧＨｚ）を表す。本実験例の終端抵抗体では、およそ５〜１５ＧＨｚにおいて反射損失が低いレベルで安定している。なお、一般的には、このような終端抵抗体に対して求められる反射損失は−２０ｄＢ以下である。よって、本実験例の終端抵抗体は、１６ＧＨｚ（カットオフ周波数）以下の周波数帯で好適に使用することができる。
【００３４】
（実験例２，３）
上記実施の形態で説明した製造方法に従って、図６の終端抵抗体１Ｂおよび図７の終端抵抗体１Ｃに対応するサンプルを作製した。本実験例２，３では、抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂの平面形状を変更した（実験例２では傾斜角θ＝０°とし、実験例３では傾斜角θ＝−２８°とした）ことを除き、他は実験例１と同様の構成とした。抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂの占有面積も実験例１と等しくした。これらの実験例２，３についても反射損失の周波数依存性を調べた。その結果、カットオフ周波数は、それぞれ１４．９ＧＨｚ（実験例２）、１３．１ＧＨｚ（実験例３）となり、実験例１よりも低い値を示した。
【００３５】
（実験例４−１〜４−４）
抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂおよび接地電極３０Ａ，３０Ｂの平面の寸法を以下のようにしたことを除き、他は実験例１と同様にして終端抵抗体１に対応するサンプルを作製した。実験例４−１〜４−４では、抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂの占有面積を一定（但し、実験例１〜３とは異なる）としつつ、傾斜角θを変化させるようにした。具体的には、長さＸ４０を、０．８ｍｍ（実験例４−１），０．６５ｍｍ（実験例４−２），０．６ｍｍ（実験例４−３），０．５ｍｍ（実験例４−４）とし、長さＸ３０を、１．０ｍｍ（実験例４−１），１．１５ｍｍ（実験例４−２），１．２ｍｍ（実験例４−３），１．３ｍｍ（実験例４−４）とした。幅Ｙ４０については全て０．９５ｍｍとした。また、傾斜角θは、それぞれ、４０°（実験例４−１），３２°（実験例４−２），２８°（実験例４−３），１２°（実験例４−４）とした。
【００３６】
これらの実験例４−１〜４−４についても反射損失の周波数依存性を調べた。その結果を図１０に表す。図１０に示したように、カットオフ周波数は、傾斜角θを１２°から４０°の間で大きくするほど高くなることがわかった。
【００３７】
以上、実施の形態、変形例および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、図１〜図３に示した終端抵抗体１では、基体１０の側から抵抗膜パターン４０と、入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂとを順に積層するようにしたが、積層順序を反対にしてもよい。例えば、ニッケルクロム合金系の材料を用いて抵抗膜パターン４０を形成した場合には、抵抗膜パターン４０の上に強固な酸化膜が速やかに形成されやすく、その上に入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂを形成することが困難である。したがって、その場合には基体１０の上に入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂと抵抗膜パターン４０とを順に積層した構造を採用することが望ましい。但し、このように積層順序を反対にした場合、入力電極２０の一部が抵抗膜パターン４０によって覆われてしまう。そこで、入力電極２０、一対の接地電極３０Ａ，３０Ｂおよび一対の抵抗膜部分４０Ａ，４０Ｂを、それらの端縁２１，３１Ａ，３１Ｂ，４１Ａ，４１ＢがＸ軸方向において互いに一致するように配置すれば、入力電極２０の露出面積を大きく確保することができる。
【００３８】
また、入力電極２０および接地電極３０Ａ，３０Ｂの平面形状を矩形としたが、これに限定されるものではない。また、本明細書に添付した図面は例示にすぎず、本発明の範囲を限定するものではない。図面は、必ずしも一定の縮尺（比率）で描かれているものではなく、また、実際のデバイスのサイズと必ずしも一致するものでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る終端抵抗体の全体構成を表す斜視図である。
【図２】図１に示した終端抵抗体の分解斜視図である。
【図３】図１に示した終端抵抗体の平面図である。
【図４】第１の変形例としての終端抵抗体の全体構成を表す斜視図である。
【図５】第２の変形例としての終端抵抗体の全体構成を表す斜視図である。
【図６】第３の変形例としての終端抵抗体の全体構成を表す斜視図である。
【図７】第４の変形例としての終端抵抗体の全体構成を表す斜視図である。
【図８】実施例としての終端抵抗体の平面構成を表す平面図である。
【図９】実験例１における反射損失の周波数依存性を表す特性図である。
【図１０】実験例４−１〜４−４における傾斜角θと反射損失のカットオフ周波数との関係を表す特性図である。
【図１１】参考例としての終端抵抗体の平面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…終端抵抗体、１０…基体、２０…入力電極、２１，３１Ａ，３１Ｂ，４１Ａ，４１Ｂ…端縁、３０（３０Ａ，３０Ｂ）…接地電極、４０…抵抗膜パターン、４０Ａ，４０Ｂ…抵抗膜部分、４０Ｃ…連結部分、５０…保護膜、５１…切り欠き部、５２Ａ，５２Ｂ…傾斜部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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