(57)【要約】【課題】送風ファンを設けることなく簡単な機構で局所的な温度制御を高精度に行う。【解決手段】照明光でレチクルを介してウエハを露光する露光装置において、圧縮空気が供給される流量制御バルブ４８Ｆと、流量制御バルブ４８Ｆを介して取り込まれたその圧縮空気と冷却水Ｃｏとの間で熱交換を行わせて、その圧縮空気を所定温度よりも低い温度に冷却する熱交換器４５と、その冷却された空気を加熱する加熱装置５０Ａと、その加熱された空気Ａ５を温度制御対象領域に供給する給気ダクト４４Ａとを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターンを介して物体を露光する露光方法において、
圧縮された気体と冷媒との間で熱交換を行わせて、前記圧縮された気体を所定温度よりも低い温度に冷却し、
前記所定温度よりも低い温度に冷却された気体を加熱し、
前記加熱された気体を温度制御対象領域に供給する
ことを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記温度制御対象領域は複数であり、
前記所定温度は、複数の前記温度制御対象領域のそれぞれの設定目標温度のうちの最低値よりも低い温度であることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記温度制御対象領域に供給される気体の温度情報を計測し、
該計測結果に基づいて、前記所定温度よりも低い温度に冷却された気体を加熱することを特徴とする請求項１又は２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記気体を加熱する際に、前記気体を発熱体の周囲に送風し、前記発熱体の支持部側から排気することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項５】
前記発熱体は棒状であり、前記気体を前記発熱体の周囲に送付する際に、前記発熱体の長手方向に沿って送風することを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
前記気体の温度情報を計測する際に、前記気体を測温体の周囲に送風し、前記測温体の先端側から排気することを特徴とする請求項３に記載の露光方法。
【請求項７】
前記測温体は棒状であり、前記気体を前記測温体の周囲に送風する際に、前記測温体の長手方向に沿って送風することを特徴とする請求項６に記載の露光方法。
【請求項８】
前記パターンはマスクに形成され、
前記温度制御対象領域は、前記マスクの少なくとも一部に接することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１０】
露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターンを介して物体を露光する露光装置において、
圧縮された気体が供給される気体取り込み部と、
前記気体取り込み部を介して取り込まれた前記圧縮された気体と冷媒との間で熱交換を行わせて、前記圧縮された気体を所定温度よりも低い温度に冷却する熱交換器と、
前記所定温度よりも低い温度に冷却された気体を加熱する加熱器と、
前記加熱器で加熱された気体を温度制御対象領域に供給する送風路と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
前記温度制御対象領域は複数であり、
前記所定温度は、複数の前記温度制御対象領域のそれぞれの設定目標温度のうちの最低値よりも低い温度であることを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記温度制御対象領域に供給される気体の温度情報を計測する温度センサを備え、
前記加熱器は、前記温度センサで計測される温度情報に基づいて、前記気体を加熱することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記加熱器は、発熱体と、前記発熱体の周囲に前記気体を送風し、前記気体を前記発熱体の支持部側から排気する第１送風路と、を有することを特徴とする請求項１０から１２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記温度センサは、測温体と、前記気体を前記測温体の周囲に送風し、前記気体を前記測温体の先端側から排気する第２送風路と、を有することを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１５】
請求項１０から１４のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度制御技術を用いる露光技術に関し、例えば半導体デバイスや液晶ディスプレイ等の各種デバイスを製造する際に使用される露光装置を構成する部材の温度制御を行う場合に好適なものである。また、本発明はそのような露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイス（電子デバイス、マイクロデバイス）の製造工程の一つであるリソグラフィ工程で使用される露光装置において、照明光学系の照明特性及び投影光学系の結像特性を所定の状態に維持し、かつレチクル（又はフォトマスク等）、投影光学系、及びフォトレジストが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）の位置関係を所定関係に維持して高い露光精度（位置決め精度、重ね合わせ精度等）で露光を行うためには、その照明特性、結像特性、及び位置関係等に影響する部分の温度を目標温度範囲内に維持する必要がある。そのため、従来より、露光装置の照明光学系、レチクルステージ、投影光学系、及びウエハステージは、箱型のチャンバ内に設置され、チャンバ内には、所定温度に制御されて、かつ防塵フィルタを通過した清浄な空気がダウンフロー方式で供給されている。
【０００３】
最近では、そのチャンバ内に設置される機構の中でも特に高い温度制御精度が要求される部分、例えばステージの位置計測を行うレーザ干渉計の計測用ビームの光路には、さらに高度に温度制御された空気をダウンフロー方式及び／又はサイドフロー方式で供給する局所的な温度制御も行われている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００６／０２８１８８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の露光装置では、チャンバ内の局所的な温度制御を行うための空気も、チャンバ全体にダウンフロー方式で供給される空気と同様に、外気から取り込んだ空気及び／又はチャンバ内を流れた後に回収された空気を例えば冷媒を用いる冷却機構を含む空調部及び防塵フィルタに通して生成されていた。
しかしながら、外気から取り込んだ空気及びチャンバ内を流れてから回収された空気はほぼ大気圧であるため、それを局所的な温度制御対象領域に供給（送風）するためには送風ファンを設ける必要があり、温度制御機構が複雑化するという問題があった。
【０００６】
本発明は斯かる点に鑑み、送風ファンを設けることなく簡単な機構で局所的な温度制御を高精度に行うことが可能な露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による露光方法は、露光光でパターンを照明し、その露光光でそのパターンを介して物体を露光する露光方法において、圧縮された気体と冷媒との間で熱交換を行わせて、その圧縮された気体を所定温度よりも低い温度に冷却し、その所定温度よりも低い温度に冷却された気体を加熱し、その加熱された気体を温度制御対象領域に供給するものである。
【０００８】
また、本発明による露光装置は、露光光でパターンを照明し、その露光光でそのパターンを介して物体を露光する露光装置において、圧縮された気体が供給される気体取り込み部と、その気体取り込み部を介して取り込まれたその圧縮された気体と冷媒との間で熱交換を行わせて、その圧縮された気体を所定温度よりも低い温度に冷却する熱交換器と、その所定温度よりも低い温度に冷却された気体を加熱する加熱器と、その加熱器で加熱された気体を温度制御対象領域に供給する送風路と、を備えるものである。
【０００９】
また、本発明のデバイス製造方法は、本発明の露光方法又は装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成された基板を処理することと、を含むものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、圧縮された気体を取り込み、熱交換及び断熱膨張によってその気体を冷却した後に、その気体を目標温度まで加熱して温度制御対象領域に供給している。従って、温度制御を高精度に行うことができるとともに、最初の圧力によってその気体は温度制御対象領域側に送風されるため、別途、送風ファンを設ける必要がない。また、圧縮された気体の供給源は、通常の工場には備えられているため、特に専用の供給源を設ける必要はない。
【００１１】
さらに、その気体を目標温度まで加熱する加熱機構には廃熱機構を設ける必要がなく、その加熱機構は小型化できるため、例えば複数の温度制御対象領域にそれぞれ加熱機構を設けて個別に高精度に温度制御することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態の一例の露光装置の構成を示す一部を切り欠いた図である。
【図２】図１の露光装置の制御系を示すブロック図である。
【図３】図１中の第２局所空調装置４３の構成を示す一部を切り欠いた図である。
【図４】（Ａ）は図３中の加熱装置５０Ａの構成を示す断面図、（Ｂ）は図３中の温度計測部５４Ａの構成を示す断面図である。
【図５】第２局所空調装置４３の空調動作の一例を示すフローチャートである。
【図６】第２局所空調装置の変形例を示す一部を切り欠いた図である。
【図７】電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態の一例につき図１〜図５を参照して説明する。本実施形態は、スキャニングステッパー（スキャナー）よりなる走査露光型の露光装置の温度制御を行う場合に本発明を適用したものである。
図１は、本実施形態の露光装置１０の構成を示す。図１において、露光装置１０は、例えば半導体デバイス製造工場のクリーンルーム内の床ＦＬ上に設置されている。露光装置１０は、露光用の照明光（露光光）ＥＬを発生する光源部４と、照明光ＥＬでレチクルＲ（マスク）を照明する照明光学系ＩＬＳと、レチクルＲを吸着保持して移動するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲのパターンの像をウエハＷ（基板）上に投影する投影光学系ＰＬとを備えている。さらに、露光装置１０は、ウエハＷを吸着保持して移動するウエハステージＷＳＴと、露光装置１０の動作を統括的に制御するコンピュータよりなる主制御装置２０を含む制御系（図２参照）と、その他の駆動機構、支持機構、及びセンサ類等と、照明光学系ＩＬＳ、レチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、及びウエハステージＷＳＴ等を収納する箱型のチャンバ２とを備えている。なお、主制御装置２０は、チャンバ２の外側に配置されている。
【００１４】
また、露光装置１０は、チャンバ２の内部全体の空調を行うための全体空調システムを備えている。この全体空調システムは、チャンバ２の上部の多数の開口２ａを通してチャンバ２内に温度制御されて防塵フィルタ（ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ等）を通過した清浄な空気（例えばドライエアー）をダウンフロー方式で供給する主空調装置８と、この動作を制御する主空調制御系３５（図２参照）とを備えている。一例としてチャンバ２内を流れた空気は、チャンバ２の底面の床ＦＬに設けられた多数の開口（不図示）を通して床下の配管（不図示）に流れ、その配管内の空気は、主空調装置８の気体回収部に戻されて再利用される。
【００１５】
以下、図１において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面（ほぼ水平面である）内で図１の紙面に垂直にＸ軸を、図１の紙面に平行にＹ軸を取って説明する。本実施形態では、走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向はＹ軸に平行な方向（Ｙ方向）である。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転方向をθｘ、θｙ、θｚ方向とも呼ぶ。
【００１６】
先ず、チャンバ２の外側の床ＦＬ上に設置された光源部４は、照明光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を発生するレーザ光源（露光光源）と、その照明光ＥＬを照明光学系ＩＬＳに導くビーム送光光学系と、照明光ＥＬの断面形状を所定形状に成形するビーム成形光学系とを備えている。光源部４の照明光ＥＬの射出端は、チャンバ２の＋Ｙ方向の側面上部の開口を通してチャンバ２内に配置されている。なお、露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ光源（波長２４８ｎｍ）などの紫外パルスレーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、固体レーザ（半導体レーザなど）の高調波発生装置、又は水銀ランプ（ｉ線等）なども使用できる。
【００１７】
また、チャンバ２内の上部に配置された照明光学系ＩＬＳは、例えば特開２００１−３１３２５０号公報（対応する米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書）などに開示されるように、オプティカルインテグレータ（フライアイレンズ、ロッドインテグレータ（内面反射型インテグレータ）、回折光学素子など）等を含む照度均一化光学系、レチクルブラインド、第１コンデンサレンズ（いずれも不図示）、光路折り曲げ用のミラーＭＥ、及び第２コンデンサレンズＣＬ等の複数の光学部材を備えている。これらの光学部材は照明系鏡筒６内に支持されている。照明光学系ＩＬＳは、レチクルブラインドで規定されたレチクルＲ上のＸ方向に細長いスリット状の照明領域を照明光ＥＬによりほぼ均一な照度で照明する。
【００１８】
レチクルＲに形成されたパターン領域のうち、照明領域内のパターンの像は、両側テレセントリックで投影倍率βが縮小倍率（例えば１／４、１／５等）の投影光学系ＰＬを介してレジスト（感光材料）が塗布されたウエハＷ上に結像投影される。一例として、投影光学系ＰＬの視野直径は２７〜３０ｍｍ程度である。
また、図１のチャンバ２内の床ＦＬ上に、複数の台座１１を介して下部フレーム１２が設置され、下部フレーム１２の中央部に平板状のベース部材１３が固定され、ベース部材１３上に例えば３箇所（又は４箇所等）の防振台１４を介して平板状のウエハベースＷＢが支持され、ウエハベースＷＢのＸＹ平面に平行な上面にエアベアリングを介してウエハステージＷＳＴがＸ方向、Ｙ方向に移動可能に、かつθｚ方向に回転可能に載置されている。また、下部フレーム１２の上端に、ウエハベースＷＢを囲むように配置された例えば３箇所（又は４箇所等）の防振台１５を介して光学系フレーム１６が支持されている。光学系フレーム１６の中央部の開口に投影光学系ＰＬが配置され、光学系フレーム１６上に投影光学系ＰＬを囲むように上部フレーム１７が固定されている。防振台１４及び１５は、一例としてエアダンパとボイスコイルモータ等の電磁式ダンパとを組み合わせた能動型の防振装置である。
【００１９】
また、光学系フレーム１６の底面の＋Ｙ方向の端部にＹ軸のレーザ干渉計２１ＷＹが固定され、その底面の＋Ｘ方向の端部にＸ軸のレーザ干渉計（不図示）が固定されている。これらの干渉計よりなるウエハ干渉計２１Ｗ（図２参照）は、それぞれウエハステージＷＳＴの側面の反射面（又は移動鏡）に複数軸の計測用ビームを照射して、例えば投影光学系ＰＬの側面の参照鏡（不図示）を基準として、ウエハステージＷＳＴのＸ方向、Ｙ方向の位置を複数箇所で計測し、計測値を図２の主制御装置２０を介してウエハステージ駆動系２２Ｗに供給する。これらの計測値に基づいてウエハステージＷＳＴのθｘ、θｙ、θｚ方向の回転角も求められる。
【００２０】
また、図１の光学系フレーム１６の底面には、ウエハＷ上のアライメントマークの位置を計測するオフアクシスの画像処理方式のアライメント系ＡＬ、及びウエハＷ上の複数の計測点でＺ方向の位置（フォーカス位置）を斜入射方式で光学的に計測する照射系２５ａと受光系２５ｂとを含むオートフォーカスセンサ（以下、ＡＦセンサという）２５（図２参照）が固定されている。アライメント系ＡＬの画像信号を図２の信号処理系２７で処理することによって被検マークの位置情報が求められ、この位置情報が主制御装置２０に供給され、この位置情報に基づいて主制御装置２０はウエハＷのアライメントを行う。また、ＡＦセンサ２５の検出信号を信号処理系２６で処理することによって求められるウエハＷ上の計測点のフォーカス位置の情報が、主制御装置２０を介してウエハステージ駆動系２２Ｗに供給される。
【００２１】
ウエハステージ駆動系２２Ｗは、ウエハ干渉計２１Ｗの計測値及び主制御装置２０からの制御情報に基づいてリニアモータ２４等を含む駆動機構を介してウエハステージＷＳＴのＸ方向、Ｙ方向の位置及び速度等を制御するとともにθｚ方向の回転角を制御する。さらにウエハステージ駆動系２２Ｗは、ＡＦセンサ２５を介して計測されるフォーカス位置の情報に基づいて、ウエハステージＷＳＴ内のＺ駆動部を介してウエハＷの表面が投影光学系ＰＬの像面に合焦されるように、ウエハＷのＺ方向の位置、及びθｘ方向、θｙ方向の回転角を制御する。
【００２２】
ウエハステージＷＳＴ内には、レチクルＲのアライメントマークの投影光学系ＰＬによる像の位置を計測する空間像計測系（不図示）も備えられている。この空間像計測系の計測値に基づいて主制御装置２０はレチクルＲのアライメントを行う。
一方、上部フレーム１７の＋Ｙ方向の上部に、照明光学系ＩＬＳの照明系鏡筒６が固定されている。さらに、上部フレーム１７のＸＹ平面に平行な上面にエアベアリングを介してレチクルステージＲＳＴがＹ方向に定速移動可能に載置されている。レチクルステージＲＳＴは、上部フレーム１７の上面でＸ方向への移動、及びθｚ方向への回転も可能である。
【００２３】
また、上部フレーム１７の上面の＋Ｙ方向の端部にＹ軸のレーザ干渉計２１ＲＹが固定され、その上面の＋Ｘ方向の端部にＸ軸のレーザ干渉計（不図示）が固定されている。これらの干渉計から図２のレチクル干渉計２１Ｒが構成されている。Ｙ軸のレーザ干渉計２１ＲＹは、レチクルステージＲＳＴの＋Ｙ方向の端部の２箇所に配置されたレトロレフレクタよりなる移動鏡２１ＭＹに計測用ビームを照射し、Ｘ軸のレーザ干渉計は、レチクルステージＲＳＴの＋Ｘ方向の端部に固定されたロッド状の移動鏡（不図示）に複数軸の計測用ビームを照射する。レーザ干渉計２１ＲＹ等は、例えば投影光学系ＰＬの側面の参照鏡（不図示）を基準として、レチクルステージＲＳＴのＸ方向、Ｙ方向の位置を複数箇所で計測し、計測値を図２の主制御装置２０を介してレチクルステージ駆動系２２Ｒに供給する。これらの計測値に基づいてレチクルステージＲＳＴのθｚ、θｘ、θｙ方向の回転角も求められる。レチクルステージ駆動系２２Ｒは、レチクル干渉計２１Ｒの計測値及び主制御装置２０からの制御情報に基づいてリニアモータ２３等を含む駆動機構を介してレチクルステージＲＳＴのＹ方向の速度及び位置、並びにＸ方向の位置及びθｚ方向の回転角等を制御する。なお、移動鏡２１ＭＹ等の代わりに、レチクルステージＲＳＴの側面の反射面を使用してもよい。
【００２４】
本実施形態において、ウエハステージ駆動系２２Ｗ及びレチクルステージ駆動系２２Ｒは熱源となる。そこで、ウエハステージ駆動系２２Ｗ及びレチクルステージ駆動系２２Ｒは、一例として、図１の−Ｙ方向の防振台１５の近傍で光学系フレーム１６に支持されている箱状の制御ボックス３０内にまとめて配置されている。なお、制御ボックス３０は、例えば＋Ｙ方向の防振台１５の近傍等の他の位置に配置してもよい。
【００２５】
また、本実施形態の露光装置１０が液浸型である場合には、投影光学系ＰＬの下端の光学部材の下面に例えばリング状のノズルヘッド（不図示）が配置され、図２の液体供給装置２８から不図示の配管及びそのノズルヘッドを介してその光学部材とウエハＷとの間の局所的な液浸領域に所定の液体（純水等）が供給される。その液浸領域の液体は不図示の配管を介して図２の液体回収装置２９によって回収される。そのノズルヘッド、液体供給装置２８、及び液体回収装置２９を含む液浸機構としては、例えば国際公開第２００４／０５３９５５号パンフレット、欧州特許出願公開第１４２０２９８号明細書、又は国際公開第２００５／１２２２１８号パンフレット等に開示されている液浸機構を使用できる。なお、露光装置１０がドライ型である場合には、その液浸機構を備える必要はない。
【００２６】
また、図１のチャンバ２の例えば−Ｙ方向の側面方向にレチクルローダ系（不図示）及びウエハローダ系（不図示）が配置されている。レチクルローダ系及びウエハローダ系はチャンバ２とは別に空調が行われているサブチャンバ（不図示）内に設置され、レチクルローダ系及びウエハローダ系はそれぞれチャンバ２の側面の開口（不図示）を通してレチクルＲ及びウエハＷの交換を行う。
【００２７】
そして、図１の露光装置１０の露光時には、先ずレチクルＲ及びウエハＷのアライメントが行われる。その後、レチクルＲへの照明光ＥＬの照射を開始して、レチクルＲのパターンの一部の投影光学系ＰＬを介した像をウエハＷ上の一つのショット領域に投影しつつ、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとを投影光学系ＰＬの投影倍率βを速度比としてＹ方向に同期して移動（同期走査）する走査露光動作によって、そのショット領域にレチクルＲのパターン像が転写される。その後、照明光ＥＬの照射を停止して、ウエハステージＷＳＴを介してウエハＷをＸ方向、Ｙ方向にステップ移動する動作と、上記の走査露光動作とを繰り返すことによって、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の全部のショット領域にレチクルＲのパターン像が転写される。
【００２８】
次に、本実施形態の露光装置１０は、照明光学系ＩＬＳの照明特性（コヒーレンスファクタ（σ値）、照度均一性等）及び投影光学系の結像特性（解像度等）を所定の状態に維持し、かつレチクルＲ、投影光学系ＰＬ、及びウエハＷの位置関係を所定関係に維持して高い露光精度（位置決め精度、重ね合わせ精度等）で露光を行うために、チャンバ２の内部に温度制御された清浄な空気をダウンフロー方式で供給する主空調装置８を含む全体空調システムを備えている。さらに、露光装置１０は、高い温度制御精度が要求される部分の温度を制御するための局所空調システムを備えている。
【００２９】
即ち、チャンバ２の例えば上部（床下等でもよい）に、ほぼ所定の温度範囲に制御されて、防塵フィルタ（ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＡＰフィルタ等）及びケミカルフィルタを通した清浄な空気である空調用空気（例えばドライエアー）が供給される空調空気供給管４０と、ほぼ所定の温度範囲に制御されて圧縮されるとともに、防塵フィルタ及びケミカルフィルタに通して清浄にされた空気である圧縮空気（例えば圧縮されたドライエアー）が供給される圧縮空気供給管４２とが配置されている。圧縮空気供給管４２は、半導体デバイス製造工場等には一般に備えられている設備である。なお、空調空気供給管４０を使用することなく、主空調装置８内から分岐した空調用空気、又は圧縮空気供給管４２から取り込んで減圧した空気等を使用してもよい。
【００３０】
また、空調空気供給管４０から取り込んだ空気の温度をより高精度に制御する第１局所空調装置４１が設けられ、第１局所空調装置４１で高度に温度制御された清浄な空気が、第１ダクト１８Ｒ及び第２ダクト１８Ｗを介してそれぞれチャンバ２内の照明光学系ＩＬＳの照明系鏡筒６の底面の送風部１９Ｒ及び光学系フレーム１６の底面の送風部１９Ｗに導かれている。第１局所空調装置４１の温度制御動作は、図２の干渉光路空調制御系３６によって制御される。送風部１９Ｒ及び１９Ｗは、それぞれレチクルステージＲＳＴ用のレーザ干渉計２１ＲＹ等及びウエハステージＷＳＴ用のレーザ干渉計２１ＷＹ等の計測用ビームの光路上に配置されている。
【００３１】
送風部１９Ｒは、レーザ干渉計２１ＲＹ等からレチクルステージＲＳＴに照射される計測用ビームの光路上に、それぞれダクト１８Ｒから導かれる温度制御された空気ＡＲをダウンフロー方式で均一な風速分布で吹き出す。同様に送風部１９Ｗは、ダクト１８Ｗから導かれる温度制御された空気ＡＷを、均一な風速分布で計測用ビームの光路上にダウンフロー方式で吹き出す。なお、空気ＡＲ，ＡＷをサイドフロー方式で吹き出すことも可能である。この結果、レチクル干渉計２１ＲＹ等及びウエハ干渉計２１ＷＹ等によってレチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴの位置を高精度に計測できる。
【００３２】
また、圧縮空気供給管４２から取り込んだ圧縮空気から高精度に温度制御された清浄な２つの空気Ａ５及びＡ６を生成する第２局所空調装置４３が設けられている。第２局所空調装置４３は、空気Ａ５及びＡ６をそれぞれ供給するための給気ダクト４４Ａ及び４４Ｂを備えている。この場合、第２局所空調装置４３から給気ダクト４４Ｂを介して照明光学系ＩＬＳの照明系鏡筒６の内部に空気Ａ６が供給され、照明系鏡筒６内を流れた空気は、例えば不図示の排気ダクトを介して主空調装置８の気体回収部に回収される。
【００３３】
また、照明系鏡筒６の第２コンデンサレンズＣＬの下方に、次第に開口径が小さくなる円筒部材６１が取り付けられ、レチクルステージＲＳＴ上にレチクルＲを囲むように次第に広がるようにフード部６２が固定されている。円筒部材６１は、照明光ＥＬの光路を囲むように配置されている。
第２局所空調装置４３から給気ダクト４４Ａを介して、円筒部材６１の内部に高精度に温度制御された空気Ａ５が供給される。空気Ａ５は、ダウンフロー方式で円筒部材６１の内部からレチクルＲの上面のフード部６２に流れる。その後、空気Ａ５は、フード部６２の周囲の隙間から外側に流出し、床ＦＬ側に流れた後、主空調装置８の気体回収部に回収される。
【００３４】
チャンバ２内に主空調装置８からダウンフローで供給される空気の設定温度（例えば２０〜２５℃内の所定の目標温度）に対して、空気Ａ５及びＡ６の設定温度（目標温度）は同じ温度に設定されている。ただし、主空調装置８からダウンフローで供給される空気の温度の設定温度に対する許容範囲（制御精度）に対して、空気Ａ５及びＡ６の温度の許容範囲はより狭く設定されている。これによって、照明光ＥＬの光路の温度が高精度に設定範囲に維持されるとともに、レチクルＲの上面の微小な異物が空気Ａ５とともに除去される。第２局所空調装置４３の動作は図２の局所空調制御系３７によって制御される。
【００３５】
以下、第２局所空調装置４３の構成につき図３及び図４を参照して詳細に説明する。図３は、第２局所空調装置４３の構成を示す一部を切り欠いた図である。図３において、第２局所空調装置４３は、圧縮空気供給管４２に配管４７Ａを介して連結されて、圧縮空気供給管４２から供給される圧縮空気Ａ１の温度を下げるとともにその気圧を或る程度下げて（ただし、図１のチャンバ２内の気圧（或る程度陽圧）よりも高く設定されている）排気する熱交換器４５と、熱交換器４５に配管４７Ｂを介して連結されて、熱交換器４５から排気される空気Ａ２を複数（ここでは４個）の分岐管４９ａ，４９ｂ，４９ｃ，４９ｄに分けて排気する分配器４９とを備えている。
【００３６】
配管４７の途中に圧力平滑化用のレギュレータ４８Ｒ及び流量制御バルブ４８Ｆが設置され、局所空調制御系３７が流量制御バルブ４８Ｆの流量を制御する。熱交換器４５は、螺旋状に巻回された熱伝導率の良好な金属製の冷却管４５ｂと、冷却管４５ｂを収納する気密化された容器４５ａとを備え、冷却管４５ｂの一端（給気口）が配管４７Ａに接続され、冷却管４５ｂの他端（排気口）が配管４７Ｂに接続されている。また、冷却水温調機４６が備えられ、冷却水温調機４６は配管４６ａを介して、矢印Ｂ１で示すように熱交換器４５の容器４５ａ内に温度制御された冷却水Ｃｏを供給し、容器４５ａ内を流れた冷却水Ｃｏを矢印Ｂ２で示すように配管４６ｂを介して回収する。
【００３７】
さらに、熱交換器４５の給気口に近い配管４７Ａ及び熱交換器４５の排気口に近い配管４７Ｂ内にそれぞれ温度センサ５８Ａ及び５８Ｂが設置され、温度センサ５８Ａ，５８Ｂで計測される空気の温度が局所空調制御系３７に供給されている。局所空調制御系３７は、その温度に基づいて冷却水温調機４６から容器４５ａ内に供給される冷却水Ｃｏの温度を制御する。この場合、熱交換器４５から排気される空気Ａ２の温度は、第２局所空調装置４３から温度制御された空気が供給されるチャンバ２内の複数の局所的な領域の設定温度ＴＴｉ（ｉ＝１，２，…）のうちの最低値Ｔmin よりも低い設定温度Ｔset に設定される。ただし、本実施形態では、設定温度ＴＴｉ及び最低値Ｔmin は同じ温度である。
【００３８】
また、冷却管４５ｂの排気口近傍の空気の温度は、空気の断熱膨張によって、冷却水Ｃｏの温度よりも低くなる。従って、冷却水温調機４６から容器４５ａ内に供給される冷却水Ｃｏの温度は、通常はその設定温度Ｔset よりも高くなる。
また、第２局所空調装置４３は、分岐管４９ａ〜４９ｄに連結されて、それぞれ対応する分岐管から供給される空気の温度を独立に設定温度ＴＴｉまで上昇させて排気する加熱装置５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄと、加熱装置５０Ａ〜５０Ｄに配管５３Ａ〜５３Ｄを介して連結された温度計測部５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃ，５４Ｄと、温度計測部５４Ａ〜５４Ｄに連結された給気ダクト４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，４４Ｄとを備えている。温度計測部５４Ａ〜５４Ｄはそれぞれ内部を通過する空気の温度を計測する温度センサ５５Ａ〜５５Ｄを有する。
【００３９】
給気ダクト４４Ａ及び４４Ｂを通過した空気Ａ５及びＡ６は、それぞれ図１のチャンバ２内の円筒部材６１内及び照明系鏡筒６内に供給される。また、給気ダクト４４Ｃ及び４４Ｄを通過した空気Ａ７及びＡ８は、一例として図１のレチクルＲの底面と投影光学系ＰＬとの間の空間、及び制御ボックス３０の周囲に供給される。また、図１の露光装置１０が液浸型でないドライ露光型である場合には、例えば給気ダクト４４Ｃ，４４Ｄの一方を通過した空気を投影光学系ＰＬとウエハＷとの間に供給してもよい。
【００４０】
図４（Ａ）は図３の加熱装置５０Ａの構成を示す。図４（Ａ）において、加熱装置５０Ａは、細長い円柱状の発熱体５１ａとこれを支持する支持部５１ｂとからなるヒータ５１と、発熱体５１ａを覆う断熱性のダクト部材５２とを有する。ダクト部材５２は、支持部５１ｂの端部から発熱体５１ａの先端までを覆う筒状部材５２ａと、筒状部材５２ａの先端に設けられて図３の分岐管４９ａに連結される円筒状部材５２ｂと、筒状部材５２ａの底面に接するように形成された開口５２ｅを覆うように設けられたＬ字型の排気管５２ｃとから構成されている。排気管５２ｃは図３の配管５３Ａに連結され、ヒータ５１（発熱体５１ａ）に流れる電流（発熱量）が図３の局所空調制御系３７によって制御される。
【００４１】
図４（Ａ）の加熱装置５０Ａにおいて、図３の分岐管４９ａから供給された空気は、流路Ａ３１で示すように、筒状部材５２ａ及び開口５２ｄを介して筒状部材５２ａ内の発熱体５１ａを覆う空間に流れる。そして、流路Ａ３２で示すように、発熱体５１ａの周囲を流れた空気は、開口５２ｅを通る流路Ａ３３及び排気管５２ｃ内から外に向かう流路Ａ３４を介して図３の配管５３Ａに流れる。この場合、発熱体５１ａの周囲の流路Ａ３２では、対流によって発熱体５１ａから半径方向に向かう副流が発生するため、発熱体５１ａの周囲を長手方向に沿って流れる空気は、均一に効率的に加熱される。従って、発熱体５１ａの表面積をあまり増やすことなく、その結果、化学的な汚染物質の発生量を極力低減させて、加熱装置５０Ａの内部を流れる空気を効率的に加熱できる。図３の他の加熱装置５０Ｂ〜５０Ｄも加熱装置５０Ａと同様に構成されている。
【００４２】
一方、図４（Ｂ）は図３の温度計測部５４Ａの構成を示す。図４（Ｂ）において、温度計測部５４Ａは、細長い円柱状の測温部５５Ａａとこれを支持する支持部５５Ａｂとからなる温度センサ５５Ａと、測温部５５Ａａの下端部から先端までの部分を覆うダクト部材５６と、ダクト部材５６を覆う断熱性で箱状の保護部材５７とから構成されている。温度センサ５５Ａは一例として白金測温抵抗体方式であり、測温部５５Ａａは、その先端部に白金抵抗体の細線を繰り返して巻回し、その先端部を含む部分が全体として細長くなるように、樹脂で固めたものである。なお、温度センサ５５Ａとしてはサーミスタ等も使用可能である。ダクト部材５６は、図３の配管５３Ａに連結される円筒部５６ａと、図３の給気ダクト４４Ａに連結される円筒部５６ｃと、測温部５５Ａａの下端部から先端までを覆うとともに円筒部５６ａ，５６ｃを連結する円筒部５６ｂとから構成されている。円筒部５６ｂ，５６ｃはほぼＬ字型に連結されている。
【００４３】
図４（Ｂ）の温度計測部５４Ａにおいて、図３の配管５３Ａから供給された空気は、流路Ａ４１に沿ってダクト部材５６の円筒部５６ａに流入し、流路Ａ４２に沿って円筒部５６ｂ内の測温部５５Ａａの周囲を流れた後、円筒部５６ｃ内を介して流路Ａ４３に沿って図３の給気ダクト４４Ａに排気される。この場合、温度センサ５５Ａの支持部５５Ａｂはチャンバ外の空気（外気）と接触しているため、支持部５５Ａｂの温度は変動する恐れがある。また、支持部５５Ａｂ（外気）の温度は伝導によって測温部５５Ａａに影響を与える恐れがある。しかしながら、本実施形態では、白金抵抗体は測温部５５Ａａの先端部にあり、支持部５５Ａｂから離れているとともに、流路Ａ４１に沿って流入した空気は、流路Ａ４２に沿って流れて測温部５５Ａａの付け根の部分には滞留しないため、放熱が効率的に行われ、測温部５５Ａａに対する外気の影響が軽減される。さらに、測温部５５Ａａ中の白金抵抗体には僅かな自己発熱があるが、流路Ａ４２に沿った空気は、測温部５５Ａａの周囲を十分に高速に流れるため、その空気に対する自己発熱の影響が抑制される。従って、その計測対象の空気に殆ど影響を与えることなく、その空気の温度を高精度に計測できる。図３の他の温度計測部５４Ｂ〜５４Ｄも温度計測部５４Ａと同様に構成されている。
【００４４】
図３において、温度計測部５４Ａ〜５４Ｄは所定のサンプリングレートでそれぞれ内部の温度センサ５５Ａ〜５５Ｄを介して配管５３Ａ〜５３Ｄから給気ダクト４４Ａ〜４４Ｄ側に流れる空気Ａ５〜Ａ８の温度を計測し、計測結果を局所空調制御系３７に供給する。局所空調制御系３７は、温度センサ５５Ａ〜５５Ｄで計測される空気Ａ５〜Ａ８の温度がそれぞれ設定温度ＴＴｉ（ｉ＝１〜４）となるように、加熱装置５０Ａ〜５０Ｄのヒータ５１の電流（発熱量）を制御する。
【００４５】
本実施形態では、圧縮空気供給管４２から熱交換器４５を介して分配器４９に供給される空気の気圧は、チャンバ２内の気圧よりも高く維持されている。従って、分配器４９に供給された空気は、分岐管４９ａ〜４９ｄから給気ダクト４４Ａ〜４４Ｄまでの流路を経て温度制御された状態でチャンバ２内に排気される。
次に、図３の第２局所空調装置４３の空調動作の一例につき図５のフローチャートを参照して説明する。この動作は露光装置１０の露光動作と並行して実行されるとともに、主制御装置２０の統括制御のもとにある局所空調制御系３７によって制御される。この際に、レギュレータ４８Ｒから出力される空気の圧力は例えば大気圧の３〜５倍程度に設定されている。主制御装置２０から局所空調制御系３７に空調開始の制御コマンドが送出されると、先ず図５のステップ１０１において、局所空調制御系３７は流量制御バルブ４８Ｆを開いて、圧縮空気供給管４２から配管４７Ａを介して熱交換器４５への圧縮空気Ａ１の取り込みを開始する。流量制御バルブ４８Ｆの流量は、取り込まれた圧縮空気Ａ１が、最終的に給気ダクト４４Ａ〜４４Ｄを介してチャンバ２内に、チャンバ２内の気圧よりも僅かに高い気圧で排気されるように設定される。
【００４６】
次のステップ１０２において、冷却水温調機４６から熱交換器４５内への冷却水Ｃｏの供給及び回収を開始し、その冷却水Ｃｏの温度を、熱交換器４５から排気される空気の上記の設定温度Ｔset(空気Ａ５〜Ａ８の設定温度ＴＴｉよりも低い温度）よりも僅かに高い初期値に設定する。次のステップ１０３において、温度センサ５８Ｂを介して熱交換器４５の冷却管４５ｂの排気口側の空気Ａ２の温度Ｔ１２を計測する。次のステップ１０４において、局所空調制御系３７は、その計測された温度Ｔ１２がその設定温度Ｔset に対して許容範囲内かどうかを判定する。その温度Ｔ１２がその許容範囲であるときには、ステップ１０３に戻り空気Ａ２の温度Ｔ１２の計測を繰り返す。
【００４７】
一方、ステップ１０３においてその温度Ｔ１２がその許容範囲外であるときには、ステップ１０５に移行し、局所空調制御系３７は、その温度Ｔ１２がその許容範囲より低いときには、冷却水温調機４６を介して熱交換器４５に供給される冷却水Ｃｏの温度を所定ステップ量ΔＴＣだけ高くする。また、その温度Ｔ１２がその許容範囲より高いときには、熱交換器４５に供給される冷却水Ｃｏの温度をΔＴＣだけ低くする。なお、熱交換器４５の給気口側の温度センサ５８Ａの温度の計測値は、例えばそのステップ量ΔＴＣを計算する際に使用してもよい。その後、動作はステップ１０３に戻り、以下ステップ１０３〜１０５の動作が繰り返される。これによって、熱交換器４５から排気される空気Ａ２の温度はその設定温度Ｔset に対してほぼ許容範囲内に維持される。
【００４８】
そのステップ１０１〜１０５の動作と並行して、加熱装置５０Ａ〜５０Ｄ側ではステップ１１１〜１１４の動作が実行される。即ち、ステップ１１１において、局所空調制御系３７は、加熱装置５０Ａ〜５０Ｄのヒータ５１の電流を可変範囲の中央値に設定する。次のステップ１１２において、温度計測部５４Ａ〜５４Ｄ内の温度センサ５５Ａ〜５５Ｄによって、加熱装置５０Ａ〜５０Ｄの排気口側の空気の温度Ｔ２ｉ（ｉ＝１〜４）を計測する。次のステップ１１３において、局所空調制御系３７は計測された温度Ｔ２ｉが、それぞれ給気ダクト４４Ａ〜４４Ｄから送風される空気Ａ５〜Ａ８の設定温度ＴＴｉに対して所定の許容範囲内かどうかを判定する。その所定の許容範囲は、空気Ａ５〜Ａ８に対してチャンバ２内で実際に要求されている許容範囲ΔＴｉの数分の一程度に設定されている。その許容範囲ΔＴｉは給気ダクト４４Ａ〜４４Ｄから空気が供給される領域に応じて異なっていてもよい。
【００４９】
その温度Ｔ２ｉがその許容範囲内であるときには動作はステップ１１２に戻り、温度センサ５５Ａ〜５５Ｄによる温度Ｔ２ｉの計測が繰り返される。また、その温度Ｔ２ｉがその許容範囲を超えるときには、動作はステップ１１４に移行し、局所空調制御系３７は、その温度Ｔ２ｉがその許容範囲より低いときには、加熱装置５０Ａ〜５０Ｄ内のヒータ５１の電流（発熱量）を所定ステップ量ΔＩｉ（ｉ＝１〜４）だけ大きくする。また、その温度Ｔ２ｉがその許容範囲より高いときには、加熱装置５０Ａ〜５０Ｄ内のヒータ５１の電流をΔＩｉだけ小さくする。その後、動作はステップ１１２に戻り、以下ステップ１１２〜１１４の動作が繰り返される。これによって、加熱装置５０Ａ〜５０Ｄから給気ダクト４４Ａ〜４４Ｄを介して供給（送風）される空気Ａ５〜Ａ８の温度は、それぞれ設定温度ＴＴｉに対して実際に要求されている許容範囲ΔＴｉ内に維持される。
【００５０】
また、空調動作を停止する際には、局所空調制御系３７は流量制御バルブ４８Ｆを閉じ、冷却水温調機４６から熱交換器４５に対する冷却水Ｃｏの供給を停止した後、加熱装置５０Ａ〜５０Ｄのヒータの電流を０にリセットする。
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
（１）本実施形態の露光装置１０は、照明光ＥＬでレチクルＲのパターンを照明し、照明光ＥＬでそのパターンを介してウエハＷを露光する露光装置において、チャンバ２内の局所的な対象領域の温度制御を行うための局所空調制御系３７によって制御される第２局所空調装置４３を備えている。この第２局所空調装置４３は、圧縮空気Ａ１が供給される流量制御バルブ４８Ｆ付きの配管４７Ａと、配管４７Ａを介して取り込まれた圧縮空気Ａ１と冷却水Ｃｏとの間で熱交換を行わせて、圧縮空気Ａ１を最終的な設定温度よりも低い温度の空気Ａ２まで冷却する熱交換器４５と、その低い温度に冷却された空気Ａ２を加熱する加熱装置５０Ａと、そのように加熱された空気Ａ５をレチクルＲ上の円筒部材６１内の領域に供給する給気ダクト４４Ａとを備えている。
【００５１】
また、露光装置１０による露光方法は、圧縮空気Ａ１と冷却水Ｃｏとの間で熱交換を行わせて、圧縮空気Ａ１を空気Ａ２まで冷却するステップ１０３〜１０５と、空気Ａ２を加熱するステップ１１２〜１１４と、加熱された空気Ａ５を円筒部材６１内に供給するステップ１０１とを有する。
本実施形態によれば、圧縮空気Ａ１を取り込み、熱交換及び断熱膨張によってその圧縮空気Ａ１を冷却した後に、その冷却後の空気Ａ２を設定温度（目標温度）まで加熱して対象領域に供給している。従って、温度制御を高精度に行うことができる。また、圧縮空気Ａ１の圧力によって、その空気Ａ２は対象領域側に自然に送風されるため、別途、送風ファンを設ける必要がない。
【００５２】
さらに、圧縮空気供給管４２及びそのための圧縮空気源（コンプレッサ等）は半導体デバイス製造工場等には一般に備えられているため、第２局所空調装置４３の製造コストを低く抑えることができる。
（２）さらに、加熱装置５０Ａには廃熱機構を設ける必要がなく、加熱装置５０Ａは小型化できるため、例えば複数の対象領域にそれぞれ加熱装置５０Ａ〜５０Ｄを設けて個別に高精度に温度制御することができる。この場合、その熱交換器４５から排気される空気Ａ２の温度は複数の対象領域の設定温度の最低値Ｔset よりも低く設定されているため、その後段では加熱装置５０Ａ〜５０Ｄを用いるのみで最終的に供給される空気Ａ５〜Ａ８の温度を設定温度に制御できる。
【００５３】
（３）また、温度計測部５４Ａ〜５４Ｄ内の温度センサ５５Ａ〜５５Ｄによって対象領域に供給される空気Ａ５〜Ａ８の温度を計測し、この計測結果に基づいて加熱装置５０Ａ〜５０Ｄにおける加熱量を制御している。従って、空気Ａ５〜Ａ８の温度を高精度に制御できる。
（４）また、本実施形態では熱交換器４５から排気される空気を、加熱装置５０Ａ〜５０Ｄのヒータ５１の発熱体５１ａの周囲に長手方向に沿って送風しているため、少ない発熱量のヒータ５１を用いて効率的に、かつ化学的な汚染物質の発生量を低減させて（ケミカルなクリーン度を高く維持して）、空気を所望の温度まで加熱できる。
なお、ヒータ５１の代わりに、例えばメッシュ状の発熱体を持つヒータ等を使用することも可能である。この場合には、そのメッシュ状の発熱体の全面にほぼ垂直に空気を供給してもよい。
【００５４】
（５）また、本実施形態では、温度センサ５５Ａの測温部５５Ａａは棒状であり、その長手方向に沿って先端側に計測対象の空気が送風されているため、例えば測温部５５Ａａの自己発熱の影響で計測対象の空気の温度が上昇することが抑制される。
なお、温度センサ５５Ａ〜５５Ｄの代わりに、測温部が例えば平板又は円板状の温度センサを使用することも可能である。
【００５５】
なお、上記の実施形態に対しては次のような変形が可能である。先ず、上記の実施形態では、第２局所空調装置４３において、熱交換器４５で冷却された空気Ａ２を分配器４９で分岐管４９ａ〜４９ｄに分岐した後、それぞれ加熱装置５０Ａ〜５０Ｄで加熱している。しかしながら、図６の変形例の第２局所空調装置４３Ａで示すように、分配器４９で分岐する前に加熱してもよい。
【００５６】
即ち、図３に対応する部分に同一符号を付した図６において、第２局所空調装置４３Ａの熱交換器４５に接続された配管４７Ｂが加熱装置５０Ａを介して配管４７Ｃに連結されている。そして、配管４７Ｃが分配器４９に連結され、分配器４９の分岐管４９ａが温度計測部５４Ａを介して給気ダクト４４Ａに連結され、他の分岐管４９ｂ〜４９ｃが給気ダクト４４Ｂ〜４４Ｄに連結されている。この他の構成は図３の実施形態と同様である。
【００５７】
図６の第２局所空調装置４３Ａにおいて、熱交換器４５で冷却された空気Ａ２は加熱装置５０Ａによって所定温度まで加熱される。また、温度計測部５４Ａの温度センサ５５Ａによって空気Ａ５の温度が計測され、局所空調制御系３７はその計測された温度が設定温度に対して許容範囲内になるように加熱装置５０Ａにおける加熱量を制御する。この場合、他の空気Ａ６〜Ａ８の設定温度は空気Ａ５の設定温度と同じであるため、加熱装置５０Ａによって空気Ａ５の温度を設定温度に対して許容範囲内に制御するのみで、他の空気Ａ６〜Ａ８の温度も許容範囲内に制御される。
【００５８】
また、上記の実施形態では、圧縮空気供給管４２から取り込まれた圧縮空気を用いて温度制御を行っているが、例えばコンプレッサ、レギュレータ、防塵フィルタ、及びケミカルフィルタを用いて生成された圧縮空気を用いて温度制御又は冷却を行ってもよい。
また、上記の実施形態では、空調用の気体として空気（例えばドライエアー）が使用されているが、その代わりに窒素ガス若しくは希ガス（ヘリウム、ネオン等）、又はこれらの気体の混合気体等を使用してもよい。
【００５９】
また、熱交換器４５においては、冷却水Ｃｏの代わりにフッ素系不活性液体（例えばフロリナート（登録商標又は商品名））等の他の冷媒を使用してもよい。
また、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（又はマイクロデバイス）を製造する場合、電子デバイスは、図７に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造してレジストを塗布するステップ２２３、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンを基板（感応基板）に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。
【００６０】
従って、このデバイス製造方法は、上記の実施形態の露光装置又は露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成された基板を処理すること（ステップ２２４）とを含んでいる。その露光装置又は露光方法によれば、圧縮空気を用いて安価にメンテナンス頻度を低くして露光装置の温度制御を行うことができるため、電子デバイスを高精度に安価に製造できる。
【００６１】
なお、本発明は、走査露光型の投影露光装置のみならず、一括露光型（ステッパー型）の投影露光装置を用いて露光する場合にも適用することが可能である。また、本発明は、投影光学系を使用しないプロキシミティ方式やコンタクト方式の露光装置等で露光を行う際にも適用できる。
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞をウエハ上に形成することによって、ウエハ上にライン・アンド・スペースパターンの像を投影する露光装置（リソグラフィシステム）を用いる場合にも本発明を適用することができる。
【００６２】
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置の製造プロセスや、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems：微小電気機械システム)、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスの製造プロセスにも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、製造工程にも適用することができる。
【００６３】
このように、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
【符号の説明】
【００６４】
Ｒ…レチクル、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、２…チャンバ、８…主空調装置、１０…露光装置、３７…局所空調制御系、４２…圧縮空気供給管、４３…第２局所空調装置、４４Ａ〜４４Ｄ…給気ダクト、４５…熱交換器、４６…冷却水温調機、５０Ａ〜５０Ｄ…加熱装置、５４Ａ〜５４Ｄ…温度計測部、５５Ａ〜５５Ｄ，５８Ａ，５８Ｂ…温度センサ、６１…円筒部材、６２…フード部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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