(57)【要約】【課題】実質的な輝度および光取り出し効率を向上させた半導体発光装置、およびこの半導体発光装置に適用される発光チップ搭載用配線基板を提供する。【解決手段】半導体発光装置１は、半導体発光素子チップ２が載置された絶縁性基板１０を備え、半導体発光素子チップ２が配置されたチップ配置領域Ａｃと、チップ配置領域Ａｃを囲む外周領域Ａｆとを絶縁性基板１０の表面１０ｓに備え、外周領域Ａｆに積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜２１を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子チップが載置された絶縁性基板を備える半導体発光装置であって、
前記半導体発光素子チップが配置されたチップ配置領域と、該チップ配置領域を囲む外周領域とを前記絶縁性基板の表面に備え、
前記外周領域に積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜を備えること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体発光装置であって、
前記半導体発光素子チップの表面の高さは、前記第１樹脂膜の表面の高さより低いこと
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体発光装置であって、
前記チップ配置領域に積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第２樹脂膜を備えること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体発光装置であって、
前記半導体発光素子チップは、前記第２樹脂膜に載置され、前記半導体発光素子チップの表面の高さは、前記第１樹脂膜の表面の高さより低いこと
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４に記載の半導体発光装置であって、
前記チップ配置領域に充填された透光性樹脂で形成され前記第１樹脂膜の表面に対して面一とされた表面を有する樹脂封止部と、前記第１樹脂膜および前記樹脂封止部を被覆する光学薄膜層とを備えること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５に記載の半導体発光装置であって、
前記外周領域に形成され前記絶縁性基板を貫通する貫通孔と、該貫通孔に充填されて前記第１樹脂膜に接合されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する充填樹脂部と、前記充填樹脂部に接合させて前記絶縁性基板の裏面に積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第３樹脂膜とを備えること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体発光装置であって、
前記第３樹脂膜に当接されたヒートシンクを備えること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか一つに記載の半導体発光装置であって、
前記第１樹脂膜は、前記絶縁性基板の垂直方向での可視光反射率を９０％以上とされていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体発光装置であって、
前記第１樹脂膜は、厚さを６０μｍ以上とされていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の半導体発光装置であって、
前記第１樹脂膜は、ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを塗布した後、熱硬化させて形成されたこと
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１１】
請求項３ないし請求項１０のいずれか一つに記載の半導体発光装置であって、
前記第２樹脂膜は、前記絶縁性基板の垂直方向での可視光反射率を９０％以上とされていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体発光装置であって、
前記第２樹脂膜は、厚さを６０μｍ以上とされていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載の半導体発光装置であって、
前記第２樹脂膜は、ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを塗布した後、熱硬化させて形成されたこと
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１４】
請求項６ないし請求項１３に記載の半導体発光装置であって、
前記充填樹脂部および前記第３樹脂膜は、ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを塗布した後、熱硬化させて形成されたこと
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１５】
請求項１０、請求項１３、請求項１４のいずれか一つに記載の半導体発光装置であって、
前記ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストは、ルチル型酸化チタン微粒子を分散させた溶質としてのポリマーと、溶媒としてのポリマー溶解剤とを含むこと
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１６】
半導体発光素子チップが載置される絶縁性基板を備える発光チップ搭載用配線基板であって、
前記半導体発光素子チップが配置されるチップ配置領域と、該チップ配置領域を囲む外周領域とを前記絶縁性基板の表面に備え、
前記外周領域に積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜を備えること
を特徴とする発光チップ搭載用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子チップが載置された絶縁性基板を備える半導体発光装置、および、このような半導体発光装置に適用される発光チップ搭載用配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子による発光効率の向上、発光波長領域の拡大などにより、低消費電力での動作が可能な半導体発光装置が光源、信号源として多用されるようになってきた。しかし、更なる特性の向上などを目指して半導体発光素子チップのみならず、実装技術、パッケージ技術を含めた改良提案がなされている。
【０００３】
例えば、基板に半導体発光素子チップを搭載し、周囲に壁部を設けて反射光を発生させて特性を向上させる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
この従来技術によれば、壁部を形成するのに、大型の金型が必要となるトランスファーモールドを適用するとしている。また、壁部に反射のための傾斜を持たせる必要があるとしている。
【０００５】
したがって、設備が大掛かりとなり、コストの上昇を招く恐れがある。また、壁部を反射面として反射効率を向上させていることから、壁部の光学設計が必要で構造が複雑化し、また、壁部の傾斜面を構成するために大きな面積を必要とするなど多くの課題を抱えている。さらに、可視光反射率は７０％（実態としては８５％が上限である）と十分な反射率（光取り出し効率）を実現することができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３２９２４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、半導体発光素子チップの外周にルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜を備えるという簡単な構成によって、反射効率を向上させて、半導体発光装置全体としての実質的な輝度および光取り出し効率を向上させた半導体発光装置を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明は、半導体発光素子チップが載置されるチップ配置領域を囲む外周領域に積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜を備えるという簡単な構成によって、反射効率を向上させて、半導体発光装置全体としての実質的な輝度および光取り出し効率を向上させることが可能な発光チップ搭載用配線基板を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体発光装置は、半導体発光素子チップが載置された絶縁性基板を備える半導体発光装置であって、前記半導体発光素子チップが配置されたチップ配置領域と、該チップ配置領域を囲む外周領域とを前記絶縁性基板の表面に備え、前記外周領域に積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜を備えることを特徴とする。
【００１０】
この構成により、半導体発光素子チップから放射された光を第１樹脂膜の表面（発光チップ搭載用配線基板の表面側）で前方方向へ確実に反射させることが可能となるので、反射効率を向上させて、半導体発光装置全体としての実質的な輝度および光取り出し効率を向上させることができる。
【００１１】
本発明に係る半導体発光装置では、前記半導体発光素子チップの表面の高さは、前記第１樹脂膜の表面の高さより低いことを特徴とする。
【００１２】
この構成により、半導体発光素子からの光を確実に効率よく前方方向へ反射させることができる。
【００１３】
本発明に係る半導体発光装置では、前記チップ配置領域に積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第２樹脂膜を備えることを特徴とする。
【００１４】
この構成により、半導体発光素子チップの裏面側へ放射される光を第２樹脂層の表面で前方方向へ有効に反射させて、さらに輝度および光取り出し効率を向上させることができる。
【００１５】
本発明に係る半導体発光装置では、前記半導体発光素子チップは、前記第２樹脂膜に載置され、前記半導体発光素子チップの表面の高さは、前記第１樹脂膜の表面の高さより低いことを特徴とする。
【００１６】
この構成により、半導体発光素子からの光を確実に効率よく前方方向へ反射させることができる。
【００１７】
本発明に係る半導体発光装置では、前記チップ配置領域に充填された透光性樹脂で形成され前記第１樹脂膜の表面に対して面一とされた表面を有する樹脂封止部と、前記第１樹脂膜および前記樹脂封止部を被覆する光学薄膜層とを備えることを特徴とする。
【００１８】
この構成により、表面での輝度を均一化することが可能となり、表示品質を向上させた半導体発光装置とすることができる。
【００１９】
本発明に係る半導体発光装置では、前記外周領域に形成され前記絶縁性基板を貫通する貫通孔と、該貫通孔に充填されて前記第１樹脂膜に接合されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する充填樹脂部と、前記充填樹脂部に接合させて前記絶縁性基板の裏面に積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第３樹脂膜とを備えることを特徴とする。
【００２０】
この構成により、第１樹脂膜、充填樹脂部、第３樹脂膜を介して放熱経路を構成することが可能となり、半導体発光素子チップからの熱を効率よく裏面の側へ放熱して、発光効率および放熱性、信頼性を向上させることができる。
【００２１】
本発明に係る半導体発光装置では、前記第３樹脂膜に当接されたヒートシンクを備えることを特徴とする。
【００２２】
この構成により、半導体発光素子チップからの熱を効率よく放熱して、発光効率および放熱性、信頼性を向上させることができる。
【００２３】
本発明に係る半導体発光装置では、前記第１樹脂膜は、前記絶縁性基板の垂直方向での可視光反射率を９０％以上とされていることを特徴とする。
【００２４】
この構成により、半導体発光素子チップからの光を前方（絶縁性基板の表面の垂直方向）へ確実に反射することが可能となるので、輝度および光取り出し率を確実に向上させることができる。
【００２５】
本発明に係る半導体発光装置では、前記第１樹脂膜は、厚さを６０μｍ以上とされていることを特徴とする。
【００２６】
この構成により、可視光反射率を向上させて半導体発光素子チップからの光を確実に反射することが可能となるので、輝度および光取り出し率を確実に向上させることができる。
【００２７】
本発明に係る半導体発光装置では、前記第１樹脂膜は、ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを塗布した後、熱硬化させて形成されたことを特徴とする。
【００２８】
この構成により、容易かつ確実に第１樹脂膜を形成することができる。
【００２９】
本発明に係る半導体発光装置では、前記第２樹脂膜は、前記絶縁性基板の垂直方向での可視光反射率を９０％以上とされていることを特徴とする。
【００３０】
この構成により、半導体発光素子チップからの光を確実に前方（絶縁性基板の表面の垂直方向）へ反射することが可能となるので、輝度および光取り出し率を確実に向上させることができる。
【００３１】
本発明に係る半導体発光装置では、前記第２樹脂膜は、厚さを６０μｍ以上とされていることを特徴とする。
【００３２】
この構成により、可視光反射率を向上させて半導体発光素子チップからの光を確実に反射することが可能となるので、輝度および光取り出し率を確実に向上させることができる。
【００３３】
本発明に係る半導体発光装置では、前記第２樹脂膜は、ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを塗布した後、熱硬化させて形成されたことを特徴とする。
【００３４】
この構成により、容易かつ確実に第２樹脂膜を形成することができる。
【００３５】
本発明に係る半導体発光装置では、前記充填樹脂部および前記第３樹脂膜は、ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを塗布した後、熱硬化させて形成されたことを特徴とする。
【００３６】
この構成により、容易かつ確実に充填樹脂部および第３樹脂膜を形成することができる。
【００３７】
本発明に係る半導体発光装置では、前記ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストは、ルチル型酸化チタン微粒子を分散させた溶質としてのポリマーと、溶媒としてのポリマー溶解剤とを含むことを特徴とする。
【００３８】
この構成により、第１樹脂膜、第２樹脂膜、充填樹脂部、第３樹脂膜を容易かつ精度良く形成することができる。
【００３９】
本発明に係る発光チップ搭載用配線基板は、半導体発光素子チップが載置される絶縁性基板を備える発光チップ搭載用配線基板であって、前記半導体発光素子チップが配置されるチップ配置領域と、該チップ配置領域を囲む外周領域とを前記絶縁性基板の表面に備え、前記外周領域に積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜を備えることを特徴とする。
【００４０】
この構成により、載置した半導体発光素子チップから放射される光を第１樹脂膜の表面（発光チップ搭載用配線基板の表面）で前方方向へ確実に反射させることが可能となるので、反射効率を向上させて、半導体発光装置全体としての実質的な輝度および光取り出し効率を向上させることが可能な発光チップ搭載用配線基板とすることができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明に係る半導体発光装置によれば、半導体発光素子チップが載置された絶縁性基板を備える半導体発光装置であって、半導体発光素子チップが配置されたチップ配置領域と、チップ配置領域を囲む外周領域とを絶縁性基板の表面に備え、外周領域に積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜を備えることから、半導体発光素子チップから放射された光を第１樹脂膜の表面（発光チップ搭載用配線基板の表面側）で前方方向へ確実に反射させることが可能となるので、反射効率を向上させて、半導体発光装置全体としての実質的な輝度および光取り出し効率を向上させることができるという効果を奏する。
【００４２】
本発明に係る発光チップ搭載用配線基板によれば、半導体発光素子チップが載置される絶縁性基板を備える発光チップ搭載用配線基板であって、半導体発光素子チップが配置されるチップ配置領域と、チップ配置領域を囲む外周領域とを絶縁性基板の表面に備え、外周領域に積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜を備えることから、載置した半導体発光素子チップから放射される光を第１樹脂膜の表面（発光チップ搭載用配線基板の表面側）で前方方向へ確実に反射させることが可能となるので、反射効率を向上させて、半導体発光装置全体としての実質的な輝度および光取り出し効率を向上させることが可能な発光チップ搭載用配線基板とすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の構成を示す説明図であり、（Ａ）は（Ｂ）の矢符Ａ−Ａでの断面の端面図、（Ｂ）は平面図である。
【図２Ａ】本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、絶縁性基板を準備した状態を示す断面の端面図である。
【図２Ｂ】本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、第１樹脂膜を形成した状態を示す断面の端面図である。
【図２Ｃ】本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、半導体発光素子チップを配置して接続した状態を示す断面の端面図である。
【図２Ｄ】本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、樹脂封止部を形成した状態を示す断面の端面図である。
【図２Ｅ】本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、光学薄膜層を形成した状態を示す断面の端面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置の変形例を示す断面の端面図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の構成を示す断面の端面図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る半導体発光装置の変形例を示す断面の端面図である。
【図６】本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の構成を示す断面の端面図である。
【図７Ａ】本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、絶縁性基板に貫通孔を形成した状態を示す断面の端面図である。
【図７Ｂ】本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、第１樹脂膜を形成した状態を示す断面の端面図である。
【図７Ｃ】本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、充填樹脂部および第３樹脂膜を形成した状態を示す断面の端面図である。
【図７Ｄ】本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、半導体発光素子チップを配置して接続した状態を示す断面の端面図である。
【図７Ｅ】本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、樹脂封止部を形成した状態を示す断面の端面図である。
【図７Ｆ】本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、光学薄膜層を形成した状態を示す断面の端面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置の変形例を示す断面の端面図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の構成を示す断面の端面図である。
【図１０】本発明の実施の形態４に係る半導体発光装置の変形例を示す断面の端面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００４５】
＜実施の形態１＞
図１ないし図３に基づいて、本実施の形態に係る半導体発光装置、発光チップ搭載用配線基板について説明する。なお、図２Ａないし図２Ｅでは、半導体発光装置、発光チップ搭載用配線基板の製造工程（製造方法）について説明する。図３では、変形例について説明する。
【００４６】
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の構成を示す説明図であり、（Ａ）は（Ｂ）の矢符Ａ−Ａでの断面の端面図、（Ｂ）は平面図である。
【００４７】
本実施の形態に係る半導体発光装置１は、半導体発光素子チップ２が載置された絶縁性
基板１０を備え、半導体発光素子チップ２が配置されたチップ配置領域Ａｃと、チップ配置領域Ａｃを囲む外周領域Ａｆとを絶縁性基板１０の表面１０ｓに備え、外周領域Ａｆに積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜２１を備える。
【００４８】
したがって、半導体発光素子チップ２から放射された光を第１樹脂膜２１の表面（発光チップ搭載用配線基板１ｐｂの表面１０ｓ側）で前方方向へ確実に反射させることが可能となるので、反射効率を向上させて、半導体発光装置１全体としての実質的な輝度および光取り出し効率を向上させることができる。
【００４９】
なお、絶縁性基板１０には、半導体発光素子チップ２の電極が接続ワイヤ１１ｗを介して接続される電極接続端子１１が形成され、電極接続端子１１は、配線パターン１３を介して外部端子１２へ接続されている。したがって、外部から外部端子１２へ電力（電流）を供給することによって、半導体発光素子チップ２へ電流を供給して発光させることができる。
【００５０】
半導体発光素子チップ２の表面の高さＨｃ（表面１０ｓからの高さ）は、第１樹脂膜２１の表面の高さＨｆ（表面１０ｓからの高さ）より低い。したがって、半導体発光素子チップ２からの光を確実に効率よく前方方向へ反射させることができる。
【００５１】
また、第１樹脂膜２１は、絶縁性基板１０の垂直方向での可視光反射率を９０％以上とされている。したがって、半導体発光素子チップ２からの光を前方（絶縁性基板１０の表面１０ｓの垂直方向）へ確実に反射することが可能となるので、輝度および光取り出し率を確実に向上させることができる。なお、可視光反射率は、９５％以上であることが好ましい。また、可視光反射率を測定したときの可視光の波長領域は、４５０ｎｍから６５０ｎｍまでである。
【００５２】
第１樹脂膜２１は、厚さを６０μｍ以上とされている。したがって、可視光反射率を向上させて半導体発光素子チップ２からの光を確実に反射することが可能となるので、輝度および光取り出し率を確実に向上させることができる。
【００５３】
第１樹脂膜２１は、ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを熱硬化させて形成されている。したがって、容易かつ確実に第１樹脂膜２１を形成することができる。なお、第１樹脂膜２１の積層、形成方法については、図２Ｂで詳細を説明する。
【００５４】
半導体発光装置１は、チップ配置領域Ａｃに充填された透光性樹脂で形成され第１樹脂膜２１の表面に対して面一とされた表面を有する樹脂封止部２５と、第１樹脂膜２１および樹脂封止部２５を被覆する光学薄膜層３１とを備える。したがって、表面での輝度を均一化することが可能となり、表示品質を向上させた半導体発光装置１とすることができる。
【００５５】
本実施の形態に係る発光チップ搭載用配線基板１ｐｂは、半導体発光素子チップ２が載置される絶縁性基板１０を備えてあり、半導体発光素子チップ２が配置されるチップ配置領域Ａｃと、チップ配置領域Ａｃを囲む外周領域Ａｆとを絶縁性基板１０の表面１０ｓに備え、外周領域Ａｆに積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜２１を備える。
【００５６】
したがって、載置した半導体発光素子チップ２から放射される光を第１樹脂膜２１の表面（発光チップ搭載用配線基板１ｐｂの表面１０ｓ側）で前方方向へ確実に反射させることが可能となるので、反射効率を向上させて、半導体発光装置１全体としての実質的な輝度および光取り出し効率を向上させることが可能な発光チップ搭載用配線基板１ｐｂとすることができる。
【００５７】
図２Ａは、本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、絶縁性基板を準備した状態を示す断面の端面図である。
【００５８】
先ず、絶縁性基板１０を準備する。絶縁性基板１０は、電極接続端子１１、外部端子１２、配線パターン１３（図２Ａ〜図２Ｅでは、不図示。）を備える。絶縁性基板１０は、例えばガラスエポキシ基板で構成してある。また、電極接続端子１１、外部端子１２は、銅箔を貼り付け、適宜パターニングすることによって形成されている。ガラスエポキシ基
板は、適宜の顔料が含まれるが、緑色、黒色、白色いずれであっても適用することが可能である。
【００５９】
図２Ｂは、本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、第１樹脂膜を形成した状態を示す断面の端面図である。
【００６０】
外周領域Ａｆに第１樹脂膜２１を形成する。第１樹脂膜２１は、ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを塗布した後、熱硬化させて形成される。したがって、容易かつ確実に第１樹脂膜２１を形成することができる。なお、第１樹脂膜２１を成膜する前に、絶縁性基板１０の表面に適宜の表面処理（粗化処理、洗浄処理）を施し、表面１０ｓに対するルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストの密着性を向上させておく。
【００６１】
ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストの塗布方法としては、例えば、スクリーン印刷技術を適用することが可能である。また、形成したい膜厚に対応した板厚を有する板枠をマスクとしてチップ配置領域Ａｃに配置し、板枠の窓部内側にルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを充填して成膜することが可能である。
【００６２】
ペースト塗布後、例えば、１００℃未満の温度で１０分程度乾燥し、さらに、オーブンで１５０℃、１時間程度の加熱処理を施して熱硬化させることによって第１樹脂膜２１を形成することができる。
【００６３】
ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストは、ルチル型酸化チタン微粒子を分散させた溶質としてのポリマーと、溶媒としてのポリマー溶解剤とを含む。したがって、第１樹脂膜２１を容易かつ精度良く形成することができる。
【００６４】
ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストは、例えば、次の成分で構成することが可能である。なお、光硬化型の場合は、光透過性が悪い（反射が強い）ことから、膜厚を稼ぐことが困難であるので、熱重合型（熱硬化型）とすることが好ましい。
【００６５】
つまり、溶質として、ルチル型酸化チタン微粒子、ポリマー（例えば、可視光吸収が少ない、アクリル、オレフィン、シリコン系ポリマーなどを適用することが可能であり、ルチル型酸化チタン微粒子を分散させることが可能であれば良い。）、および、ポリマー架橋のためのエポキシ基を有する化合物を含み、溶媒となるポリマー溶解剤として均一性の良い乾燥塗膜を得られるように適宜調整された混合溶媒を含むペーストを適用する。
【００６６】
また、ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストには、必要に応じて、微粒子分散材、樹脂酸化防止剤、樹脂劣化防止剤、熱重合開始剤、帯電防止剤などを混合することができる。
【００６７】
また、第１樹脂膜２１は、厚さを６０μｍ以上とされている。したがって、可視光反射率を向上させて半導体発光素子チップ２からの光を確実に反射することが可能となるので、輝度および光取り出し率を確実に向上させることができる。
【００６８】
なお、第１樹脂膜２１の厚さと可視光反射率（波長領域＝４５０ｎｍ〜６５０ｎｍ）との関係を精査した結果、厚さ２５μｍでは、可視光反射率はほぼ９０％、厚さ４０μｍでは、可視光反射率はほぼ９０％〜９５％、厚さ６０μｍでは、可視光反射率はほぼ９５％となった。
【００６９】
したがって、成膜時の厚さのバラツキを考慮したとき、第１樹脂膜２１の厚さを６０μｍ以上とすることによって、可視光反射率９０％（より好ましくは９５％）以上を確実に達成することが可能である。
【００７０】
第１樹脂膜２１を容易かつ精度良く形成するため、ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストの塗布を複数回繰り返して積層することによって所望の膜厚とすることが可能である。なお、ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを適用することによって、従来のソルダーレジストなどでは困難であった比較的薄い膜（厚さ６０μｍ以上）で、高い可視光反射率９０％（好ましくは９５％）を実現することが可能となった。
【００７１】
図２Ｃは、本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、半導体発光素子チップを配置して接続した状態を示す断面の端面図である。
【００７２】
チップ配置領域Ａｃへ半導体発光素子チップ２を載置（ダイボンディング）する。適宜
の接着部材を介挿することによって、容易に接着させることが可能である。接着部材としては、銀ペーストなどの導電性接着剤、あるいは導電性接着テープなどを適用することが可能である。
【００７３】
半導体発光素子チップ２を載置した後、接続ワイヤ１１ｗを介して半導体発光素子チップ２の電極を電極接続端子１１へ接続する。
【００７４】
なお、半導体発光素子チップ２の表面の高さＨｃは、第１樹脂膜２１の表面の高さＨｆより低い状態となっている。つまり、予め第１樹脂膜２１の表面の高さＨｆ（第１樹脂膜２１の膜厚）を、半導体発光素子チップ２のチップ厚より厚く形成しておく。したがって、半導体発光素子チップ２からの光が側面方向へ放出されることがなく、半導体発光素子チップ２からの光を確実に効率よく前方方向へ反射させることができる。
【００７５】
図２Ｄは、本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、樹脂封止部を形成した状態を示す断面の端面図である。
【００７６】
第１樹脂膜２１で囲まれたチップ配置領域Ａｃへ透光性樹脂を充填して第１樹脂膜２１の表面と面一の表面を有する樹脂封止部２５を形成する。通常の透光性樹脂を適用することが可能である。
【００７７】
透光性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などを適用することが可能である。また、第１樹脂膜２１と樹脂封止部２５とを面一の表面とするために表面を多少研磨することも可能である。
【００７８】
なお、熱硬化性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂ではなく、ＵＶ（紫外線）照射によって硬化するＵＶ硬化樹脂を適用することによって加熱工程を不要とすることが可能である。
【００７９】
図２Ｅは、本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、光学薄膜層を形成した状態を示す断面の端面図である。
【００８０】
第１樹脂膜２１および樹脂封止部２５の表面に、光学薄膜層３１を形成する。光学薄膜層３１は、光の放射性を改善すること、表面の傷を防止することなどを目的とし、例えば、ハードコート層、反射防止層、防汚コート層で構成される。適宜の湿式法で塗布形成することが可能である。
【００８１】
図３は、本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置の変形例を示す断面の端面図である。
【００８２】
本変形例に係る半導体発光装置１は、第１樹脂膜２１および樹脂封止部２５と光学薄膜層３３との間にレンズ部３２を配置したものである。レンズ部３２は、例えば予めレンズ状に形成され、光学薄膜層３３を予め被覆された半球状ガラスを第１樹脂膜２１および樹脂封止部２５に載置することによって形成することが可能である。
【００８３】
＜実施の形態２＞
図４および図５に基づいて、本実施の形態に係る半導体発光装置、発光チップ搭載用配線基板について説明する。図５では、変形例について説明する。
【００８４】
なお、基本的な構成は、実施の形態１の半導体発光装置１、発光チップ搭載用配線基板１ｐｂと同様であるので、符号を援用し、主に異なる事項について説明する。
【００８５】
図４は、本発明の実施の形態２に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の構成を示す断面の端面図である。
【００８６】
本実施の形態に係る半導体発光装置１は、半導体発光素子チップ２が載置された絶縁性基板１０を備えてあり、半導体発光素子チップ２が配置されたチップ配置領域Ａｃと、チップ配置領域Ａｃを囲む外周領域Ａｆとを絶縁性基板１０の表面１０ｓに備え、外周領域Ａｆに積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜２１と、チップ配置領域Ａｃに形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第２樹脂膜２２とを備える。したがって、半導体発光素子チップ２の裏面側へ放射される光を第２樹脂膜２２の表面で有効に前方方向へ反射させて、さらに輝度および光取り出し効率を向上させることができる。
【００８７】
なお、第１樹脂膜２１および第２樹脂膜２２は、同一の素材で同様に形成することが可能である。したがって、第１段階で、第２樹脂膜２２および第１樹脂膜２１の１層目として第１樹脂膜２１ｆを塗布して形成し、第２段階で第１樹脂膜２１の残り部分を塗布して形成することが可能である。第１樹脂膜２１と第２樹脂膜２２をそれぞれ個別に形成することも可能である。
【００８８】
また、半導体発光素子チップ２は、第２樹脂膜２２に載置され、半導体発光素子チップ２の表面の高さＨｃは、第１樹脂膜２１の表面の高さＨｆより低い。したがって、半導体発光素子チップ２からの光を確実に効率よく前方方向へ反射させることができる。なお、第２樹脂膜２２は、適宜の硬度に硬化させてあることから、半導体発光素子チップ２を第２樹脂膜２２の表面へ容易かつ精度良く接着部材を介挿させて載置することが可能である。接着部材は、実施の形態１の場合と同様のものを適用することが可能である。
【００８９】
第２樹脂膜２２は、絶縁性基板１０の垂直方向での可視光反射率を９０％以上とされている。したがって、半導体発光素子チップ２からの光を確実に前方（絶縁性基板１０の表面１０ｓの垂直方向）へ反射することが可能となるので、輝度および光取り出し率を確実に向上させることができる。
【００９０】
第２樹脂膜２２は、厚さを６０μｍ以上とされている。したがって、可視光反射率を向上させて半導体発光素子チップ２からの光を確実に反射することが可能となるので、輝度および光取り出し率を確実に向上させることができる。
【００９１】
第２樹脂膜２２は、ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを塗布した後、熱硬化させて形成されている。したがって、容易かつ確実に第２樹脂膜２２を形成することができる。
【００９２】
本実施の形態に係る発光チップ搭載用配線基板１ｐｂは、半導体発光素子チップ２が載置される絶縁性基板１０を備えてあり、半導体発光素子チップ２が配置されるチップ配置領域Ａｃと、チップ配置領域Ａｃを囲む外周領域Ａｆとを絶縁性基板１０の表面１０ｓに備え、外周領域Ａｆに形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜２１と、チップ配置領域Ａｃに形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第２樹脂膜２２とを備える。
【００９３】
したがって、載置した半導体発光素子チップ２から放射される光を第１樹脂膜２１の表面（発光チップ搭載用配線基板１ｐｂの表面１０ｓ側）で前方方向へ確実に反射させ、また、半導体発光素子チップの裏面側へ放射される光を第２樹脂膜２２の表面（発光チップ搭載用配線基板１ｐｂの表面１０ｓ）で有効に反射させることが可能となるので、反射効率を向上させて、半導体発光装置１全体としての実質的な輝度および光取り出し効率を向上させることが可能な発光チップ搭載用配線基板１ｐｂとすることができる。
【００９４】
図５は、本発明の実施の形態２に係る半導体発光装置の変形例を示す断面の端面図である。
【００９５】
本変形例に係る半導体発光装置１は、実施の形態１の図３で示した、レンズ部３２、光学薄膜層３３を備える点で、図３の場合と同様であるので詳細な説明を省略する。
【００９６】
＜実施の形態３＞
図６ないし図８に基づいて、本実施の形態に係る半導体発光装置、発光チップ搭載用配線基板について説明する。なお、図７Ａないし図７Ｆでは、半導体発光装置、発光チップ搭載用配線基板の製造工程（製造方法）について説明する。図８では、変形例について説明する。
【００９７】
なお、基本的な構成は、実施の形態１の半導体発光装置１、発光チップ搭載用配線基板１ｐｂと同様であるので、符号を援用し、主に異なる事項について説明する。
【００９８】
図６は、本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の構成を示す断面の端面図である。
【００９９】
本実施の形態に係る半導体発光装置１は、半導体発光素子チップ２が載置された絶縁性基板１０を備えてあり、半導体発光素子チップ２が配置されたチップ配置領域Ａｃと、チップ配置領域Ａｃを囲む外周領域Ａｆとを絶縁性基板１０の表面１０ｓに備え、外周領域Ａｆに積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜２１
と、外周領域Ａｆに形成され絶縁性基板１０を貫通する貫通孔１５と、貫通孔１５に充填されて第１樹脂膜２１に接合されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する充填樹脂部２４と、充填樹脂部２４に接合させて絶縁性基板１０の裏面１０ｒに積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第３樹脂膜２３とを備える。
【０１００】
したがって、第１樹脂膜２１、充填樹脂部２４、第３樹脂膜２３を介して放熱経路を構成することが可能となり、半導体発光素子チップ２からの熱を効率よく裏面１０ｒの側へ放熱して、発光効率および放熱性、信頼性を向上させることができる。
【０１０１】
充填樹脂部２４および第３樹脂膜２３は、ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを塗布した後、熱硬化させて形成されている。したがって、容易かつ確実に充填樹脂部２４および第３樹脂膜２３を形成することができる。なお、第３樹脂膜２３および充填樹脂部２４は、第１樹脂膜２１と同様にして形成することができる。
【０１０２】
また、半導体発光装置１は、チップ配置領域Ａｃに充填された透光性樹脂で形成され第１樹脂膜２１の表面に対して面一とされた表面を有する樹脂封止部２５と、第１樹脂膜２１および樹脂封止部２５を被覆する光学薄膜層３１とを備える。
【０１０３】
本実施の形態に係る発光チップ搭載用配線基板１ｐｂは、半導体発光素子チップ２が載置される絶縁性基板１０を備えてあり、半導体発光素子チップ２が配置されるチップ配置領域Ａｃと、チップ配置領域Ａｃを囲む外周領域Ａｆとを絶縁性基板１０の表面１０ｓに備え、外周領域Ａｆに形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜２１と、外周領域Ａｆに形成され絶縁性基板１０を貫通する貫通孔１５と、貫通孔１５に充填されて第１樹脂膜２１に接合されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する充填樹脂部２４と、充填樹脂部２４に接合させて絶縁性基板１０の裏面１０ｒに積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第３樹脂膜２３とを備える。
【０１０４】
したがって、載置した半導体発光素子チップ２から放射される光を第１樹脂膜２１の表面（発光チップ搭載用配線基板１ｐｂの表面１０ｓ側）で前方方向へ確実に反射させ、半導体発光素子チップの裏面側へ放射される光を表面で有効に反射させ、また、第１樹脂膜２１、充填樹脂部２４、第３樹脂膜２３を介して放熱経路を構成することが可能となるので、半導体発光装置１全体としての実質的な輝度、光取り出し効率、放熱性、信頼性を向上させることが可能な発光チップ搭載用配線基板１ｐｂとすることができる。
【０１０５】
また、本実施の形態に係る半導体発光装置１は、第３樹脂膜２３に当接されたヒートシンク３６を備える。したがって、半導体発光素子チップ２からの熱を効率よく放熱して、発光効率および放熱性、信頼性を向上させることができる。なお、第３樹脂膜２３に対するヒートシンク３６の密着性を向上させるために適宜の熱伝導部材３５を介挿させることが可能である。
【０１０６】
熱伝導部材３５としては、熱伝導ペースト、熱伝導シートなどを適用することができる。
【０１０７】
図７Ａは、本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、絶縁性基板に貫通孔を形成した状態を示す断面の端面図である。
【０１０８】
先ず、絶縁性基板１０を準備する。絶縁性基板１０には、外周領域Ａｆに対応させて基板を貫通する貫通孔１５が形成されている。
【０１０９】
図７Ｂは、本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、第１樹脂膜を形成した状態を示す断面の端面図である。
【０１１０】
先ず、外周領域Ａｆに第１樹脂膜２１を形成する。
【０１１１】
図７Ｃは、本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、充填樹脂部および第３樹脂膜を形成した状態を示す断面の端面図である。
【０１１２】
ルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを貫通孔１５に塗布（充填）し、続けて裏面１０ｒにルチル型酸化チタン微粒子分散ペーストを塗布することによって、充填樹脂部２４、第３樹脂膜２３を形成する。なお、第１樹脂膜２１と充填樹脂部２４を先に生成し、後
に第３樹脂膜２３を形成することも可能である。あるいは、充填樹脂部２４を先に生成し、その後、第１樹脂膜２１と第３樹脂膜２３を順次形成することも可能である。
【０１１３】
図７Ｄは、本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、半導体発光素子チップを配置して接続した状態を示す断面の端面図である。
【０１１４】
半導体発光素子チップ２を搭載する。なお、実施の形態１、実施の形態２と同様、半導体発光素子チップ２の表面の高さＨｃは、第１樹脂膜２１の表面の高さＨｆより低くしてある。
【０１１５】
図７Ｅは、本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、樹脂封止部を形成した状態を示す断面の端面図である。
【０１１６】
樹脂封止部２５を形成する。実施の形態１、実施の形態２の場合と同様であるので詳細な説明は省略する。
【０１１７】
図７Ｆは、本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の製造工程を示す工程説明図であり、光学薄膜層を形成した状態を示す断面の端面図である。
【０１１８】
光学薄膜層３１を形成する。実施の形態１、実施の形態２の場合と同様であるので詳細な説明は省略する。
【０１１９】
この工程の後、第３樹脂膜２３に、熱伝導部材３５、ヒートシンク３６を装着して、半導体発光装置１を完成（図６参照）する。
【０１２０】
図８は、本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置の変形例を示す断面の端面図である。
【０１２１】
本変形例に係る半導体発光装置１は、実施の形態１の図３で示したレンズ部３２、光学薄膜層３３を備える点で、図３の場合と同様であるので詳細な説明を省略する。
【０１２２】
＜実施の形態４＞
図９および図１０に基づいて、本実施の形態に係る半導体発光装置、発光チップ搭載用配線基板について説明する。図１０では、変形例について説明する。
【０１２３】
なお、基本的な構成は、実施の形態２および実施の形態３の半導体発光装置１、発光チップ搭載用配線基板１ｐｂと同様であるので、符号を援用し、主に異なる事項について説明する。
【０１２４】
図９は、本発明の実施の形態４に係る半導体発光装置および発光チップ搭載用配線基板の構成を示す断面の端面図である。
【０１２５】
本実施の形態に係る半導体発光装置１、実施の形態２に係る半導体発光装置１と実施の形態３に係る半導体発光装置１とを組み合わせたものである。つまり、第２樹脂膜２２を有する点では、実施の形態２に対応し、充填樹脂部２４、第３樹脂膜２３を有する点では、実施の形態３に対応する。それぞれの内容については、上述したとおりであるので、詳細な説明は省略する。
【０１２６】
つまり、本実施の形態に係る半導体発光装置１は、半導体発光素子チップ２が載置された絶縁性基板１０を備えてあり、半導体発光素子チップ２が配置されたチップ配置領域Ａｃと、チップ配置領域Ａｃを囲む外周領域Ａｆとを絶縁性基板１０の表面１０ｓに備え、外周領域Ａｆに積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜２１と、チップ配置領域Ａｃに形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第２樹脂膜２２と、外周領域Ａｆに形成され絶縁性基板１０を貫通する貫通孔１５と、貫通孔１５に充填されて第１樹脂膜２１に接合されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する充填樹脂部２４と、充填樹脂部２４に接合させて絶縁性基板１０の裏面１０ｒに積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第３樹脂膜２３とを備える。
【０１２７】
また、半導体発光装置１は、チップ配置領域Ａｃに充填された透光性樹脂で形成され第１樹脂膜２１の表面に対して面一とされた表面を有する樹脂封止部２５と、第１樹脂膜２１および樹脂封止部２５を被覆する光学薄膜層３１とを備える。
【０１２８】
また、本実施の形態に係る発光チップ搭載用配線基板１ｐｂは、半導体発光素子チップ２が載置される絶縁性基板１０を備えてあり、半導体発光素子チップ２が配置されるチップ配置領域Ａｃと、チップ配置領域Ａｃを囲む外周領域Ａｆとを絶縁性基板１０の表面１０ｓに備え、外周領域Ａｆに形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第１樹脂膜２１と、チップ配置領域Ａｃに形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第２樹脂膜２２と、外周領域Ａｆに形成され絶縁性基板１０を貫通する貫通孔１５と、貫通孔１５に充填されて第１樹脂膜２１に接合されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する充填樹脂部２４と、充填樹脂部２４に接合させて絶縁性基板１０の裏面１０ｒに積層して形成されルチル型酸化チタン微粒子を分散させて含有する第３樹脂膜２３とを備える。
【０１２９】
図１０は、本発明の実施の形態４に係る半導体発光装置の変形例を示す断面の端面図である。
【０１３０】
本変形例に係る半導体発光装置１は、実施の形態１の図３で示したレンズ部３２、光学薄膜層３３を備える点で、図３の場合と同様であるので詳細な説明を省略する。
【符号の説明】
【０１３１】
１  半導体発光装置
１ｐｂ  発光チップ搭載用配線基板
２  半導体発光素子チップ
１０  絶縁性基板
１０ｓ  表面
１０ｒ  裏面
１１  電極接続端子
１２  外部端子
１５  貫通孔
２１  第１樹脂膜
２１ｆ  第１樹脂膜
２２  第２樹脂膜
２３  第３樹脂膜
２４  充填樹脂部
２５  樹脂封止部
３１  光学薄膜層
３２  レンズ部
３３  光学薄膜層
３５  熱伝導部材
３６  ヒートシンク
Ａｃ  チップ配置領域
Ａｆ  外周領域
Ｈｃ  半導体発光素子チップの表面の高さ
Ｈｆ  第１樹脂膜の表面の高さ
【図１】
2010182884.tif 000003
【図２Ａ】
2010182884.tif 000004
【図２Ｂ】
2010182884.tif 000005
【図２Ｃ】
2010182884.tif 000006
【図２Ｄ】
2010182884.tif 000007
【図２Ｅ】
2010182884.tif 000008
【図３】
2010182884.tif 000009
【図４】
2010182884.tif 000010
【図５】
2010182884.tif 000011
【図６】
2010182884.tif 000012
【図７Ａ】
2010182884.tif 000013
【図７Ｂ】
2010182884.tif 000014
【図７Ｃ】
2010182884.tif 000015
【図７Ｄ】
2010182884.tif 000016
【図７Ｅ】
2010182884.tif 000017
【図７Ｆ】
2010182884.tif 000018
【図８】
2010182884.tif 000019
【図９】
2010182884.tif 000020
【図１０】
2010182884.tif 000021