(57)【要約】【課題】  圧電アクチュエータを有してスウェイ方向への微小移動が可能なヘッドサスペンションにおいて、圧電アクチュエータの圧電素子がアクチュエータベース２５（基部）との間で電気的ショートを起こすのを抑制する。【解決手段】  圧電素子の上面及び下面電極の少なくとも一方を形成する際に、圧電素子の全面に形成せずにその外周部からオフセットして形成することにより、圧電素子の外周部は電極を有さないため、たとえ圧電素子が傾いて装着されたり、一方のベース部に近づいて装着されたりしても、ベース部と最短距離となる当該外周部には電極がないため電気的ショートが抑制される。【選択図】図３
2010182356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と磁気ヘッドとの間に介在させて設けられ、電圧の印加状態に応じて変形する圧電素子を有し、前記圧電素子の変形に従って前記磁気ヘッド側をスウェイ方向に微少移動させる圧電アクチュエータにおいて、
前記圧電素子は前記電圧を印加させるため圧電素子の上面及び下面に電極を有し、前記電極の少なくとも一方は前記圧電素子の外周からオフセットして形成され、前記圧電素子は、前記外周からオフセットされた電極を有さない非電極外周部を有する
ことを特徴とする圧電素子の電極構造。
【請求項２】
基部と磁気ヘッドとの間に介在させて設けられ、電圧の印加状態に応じて変形する圧電素子を有し、前記圧電素子の変形に従って前記磁気ヘッド側をスウェイ方向に微少移動させる圧電アクチュエータに用いられる前記圧電素子の電極形成方法であって、
前記圧電素子の上面及び下面に蒸着、スパッタリング又はメッキにより電極を形成し、前記上面又は下面の少なくとも一方は、前記蒸着、スパッタリング又はメッキによる電極形成の際に、前記圧電素子の外周部をマスクで覆うことにより当該外周部に電極を形成しない非電極外周部を設ける
ことを特徴とする圧電素子の電極形成方法。
【請求項３】
基部と磁気ヘッドとの間に介在させて設けられ、電圧の印加状態に応じて変形する圧電素子を有し、前記圧電素子の変形に従って前記磁気ヘッド側をスウェイ方向に微少移動させる圧電アクチュエータに用いられる前記圧電素子の電極形成方法であって、
前記圧電素子の上面及び下面に蒸着、スパッタリング又はメッキにより電極を形成し、前記上面又は下面の少なくとも一方の電極の外周部をエッチングで取り除くことにより当該外周部に電極を形成しない非電極外周部を設ける
ことを特徴とする圧電素子の電極形成方法。
【請求項４】
基部と磁気ヘッドとの間に介在させて設けられ、電圧の印加状態に応じて変形する圧電素子を有し、前記圧電素子の変形に従って前記磁気ヘッド側をスウェイ方向に微少移動させる圧電アクチュエータに用いられる前記圧電素子の電極形成方法であって、
前記圧電素子の上面及び下面に蒸着、スパッタリング又はメッキにより電極を形成し、前記上面又は下面の少なくとも一方の電極の外周部を研削工具により取り除くことにより当該外周部に電極を形成しない非電極外周部を形成する
ことを特徴とする圧電素子の電極形成方法。
【請求項５】
請求項４記載の圧電素子の電極形成方法であって、
前記研削工具は、前記圧電素子を切り分けるときのダイシングブレードであり、前記圧電素子をウェーハから切り分ける際に前記非電極外周部を形成する
ことを特徴とする圧電素子の電極形成方法。
【請求項６】
請求項１に記載の圧電素子の電気的接続構造が採用されていることを特徴とする圧電アクチュエータ。
【請求項７】
請求項６に記載の圧電アクチュエータが、ベースプレートと、フレキシャが設けられるロードビームと、の間に取り付けられており、前記圧電素子の変形に従って前記ロードビームの先端側をスウェイ方向に微少移動させることを特徴とするヘッドサスペンション。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばパーソナルコンピュータ等の情報処理装置に内蔵されるディスク装置用サスペンションに関する。
【背景技術】
【０００２】
回転する磁気ディスクあるいは光磁気ディスク等を備えたディスク装置において、ディスクの記録面にデータを記録したりデータを読取るために磁気ヘッドが使われている。この磁気ヘッドは、ディスクの記録面と対向するスライダと、スライダに内蔵されたトランスジューサなどを含んでおり、ディスクが高速回転することによってスライダがディスクから僅かに浮上し、ディスクとスライダとの間にエアベアリングが形成されるようになっている。前記磁気ヘッドを保持するためのサスペンションは、ロードビームと呼ばれるビーム部材と、ロードビームに固定された極薄い板ばねからなるフレキシャと、ロードビームの基部に設けるベースプレートなどを備えている。フレキシャの先端部に磁気ヘッドを構成するスライダが装着される。
【０００３】
ハードディスク装置（ＨＤＤ）においては、ディスクのトラック中心をトラック幅の±１０％以下でフォローイング制御を行う必要がある。近年のディスクの高密度化によってトラック幅は０．１μｍ以下になりつつあり、スライダをトラック中心に保つことが困難になる傾向がある。このためディスクの剛性を上げるなどの低振動化を図るだけでなく、スライダの位置制御をさらに正確に行う必要が生じている。
【０００４】
従来のディスク装置は、一般にボイスコイルモータのみによってサスペンションを動かすシングル・アクチュエータ方式であった。この方式では、低い周波数帯域に多くの共振ピークが存在するため、ボイスコイルモータのみによってサスペンション先端のスライダ（ヘッド部）を高い周波数帯域で制御することが困難であり、サーボのバンド幅を上げることができなかった。
【０００５】
そこでボイスコイルモータ以外に、マイクロアクチュエータ部を備えたデュアル・アクチュエータ方式のサスペンションが開発されている。マイクロアクチュエータ部は、第２のアクチュエータによってロードビームの先端側あるいはスライダをサスペンションの幅方向（いわゆるスウェイ方向）に微量だけ動かすようにしている。
【０００６】
この第２のアクチュエータによって駆動される可動部は、シングル・アクチュエータ方式に比べてかなり軽量であるため、スライダを高い周波数帯域で制御することができる。このため、スライダの位置制御を行うサーボのバンド幅をシングル・アクチュエータ方式と比較して数倍高くすることができ、その分、トラックミスを少なくすることが可能となる。
【０００７】
前記第２のアクチュエータの材料としては、ＰＺＴと呼ばれるジルコンチタン酸鉛（ＰｂＺｒＯ３とＰｂＴｉＯ３の固溶体）などの圧電セラミック素子が適していることが知られている。ＰＺＴは共振周波数が著しく高いため、デュアル・アクチュエータ方式における第２のアクチュエータに適している。この圧電セラミック素子は、絶縁性接着剤によってアクチュエータベースに固定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−５０１４０号公報
【特許文献２】特開２００３−６１３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記圧電セラミック素子の表面あるいは裏面には、この素子に通電するための電極が形成されている。一方、アクチュエータベースを構成する金属製のベースプレート等は、電気的グランドとして使用される。このため圧電セラミック素子の電極とアクチュエータベースとの間の電気的短絡を防ぐために、両者間に電気絶縁のためのクリアランスが必要であり、従来、絶縁性のフィラー入り接着剤によりアクチュエータベースとの間で絶縁性を保ちつつ圧電セラミック素子を固定していた。
【００１０】
しかし、フィラーの接着剤中の分散性の問題により、圧電セラミック素子の固定位置に偏りが生じることがあった。また、圧電セラミック素子の固定位置の偏りによっては、圧電セラミック素子のエッジ部の接着剤が薄くなりやすく、この部分の接着剤厚を確保するためサイズが大きめのフィラーを使用した場合は、接着剤の塗布量のコントロールが難しい面があった。
【００１１】
また、圧電セラミック素子の取付け時の傾きや、アクチュエータベース内での偏りにより、前記圧電セラミック素子の電極と前記アクチュエータベースとの間で電気的短絡が発生するといった問題もあった。
【００１２】
図７に従来の圧電アクチュエータの断面図を示し、前記した電気的短絡について説明する。図７（Ａ）（Ｂ）において、圧電セラミック素子４０（例えばＰＺＴ）の上面には上面電極７０が、下面には下面電極７１がそれぞれ圧電セラミック素子４０の上面及び下面の全面に渡って形成されている。ベースプレート１３の下部にはヒンジ部材１４が固定されておりヒンジ部材１４はベースプレート１３と電気的に導通している。前記圧電セラミック素子４０は、ヒンジ部材１４上に絶縁性接着剤８０により固定されている。本来、圧電セラミック素子４０は、絶縁性接着剤８０によってヒンジ部材１４及びベースプレート１３から離れて、一定距離を保ち載せられるが、図７（Ａ）のように圧電セラミック素子４０が傾いて装着されると、下面電極７１とヒンジ部材１４がショート９９ａを起こしてしまう。又、図７（Ｂ）に示すように、圧電セラミック素子４０とヒンジ部材１４は距離を保ち平行に装着されているがベースプレート１３に圧電セラミック素子４０のエッジが近づき過ぎてしまった場合にもやはりショート９９ｂを起こしてしまう。
【００１３】
また、図７（Ｃ）に示すようにベースプレート１３がヒンジ部材と一体となって形成されており、かつ、圧電セラミック素子４０の支持部（圧電セラミック素子を保持する窪み）がパーシャルエッチングによりポケット加工して形成される場合では、エッチングの特性により窪みの角部が直角には形成されず内側に丸みをおびた曲面となってしまうので、圧電セラミック素子４０の配置時の偏りなどにより圧電セラミック素子４０のエッジ部である下面電極７１の外周部との間でショート９９ｃを起こしてしまう問題があった。
【００１４】
解決しようとする課題は、圧電アクチュエータを有してスウェイ方向への微小移動が可能なヘッドサスペンションにおいて、圧電アクチュエータの圧電素子が基部との間で電気的ショートを起こすのを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の圧電素子の電極構造は、基部と磁気ヘッドとの間に介在させて設けられ、電圧の印加状態に応じて変形する圧電素子を有し、前記圧電素子の変形に従って前記磁気ヘッド側をスウェイ方向に微少移動させる圧電アクチュエータにおいて、前記圧電素子は前記電圧を印加させるため圧電素子の上面及び下面に電極を有し、前記電極の少なくとも一方は前記圧電素子の外周からオフセットして形成され、前記圧電素子は、前記外周からオフセットされた電極を有さない非電極外周部を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の圧電素子の電極形成方法は、基部と磁気ヘッドとの間に介在させて設けられ、電圧の印加状態に応じて変形する圧電素子を有し、前記圧電素子の変形に従って前記磁気ヘッド側をスウェイ方向に微少移動させる圧電アクチュエータに用いられる前記圧電素子の電極形成方法であって、前記圧電素子の上面及び下面に蒸着、スパッタリング又はメッキにより電極を形成し、前記上面又は下面の少なくとも一方は、前記蒸着、スパッタリング又はメッキによる電極形成の際に、前記圧電素子の外周部をマスクで覆うことにより当該外周部に電極を形成しない非電極外周部を設けることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の圧電素子の電極形成方法は、基部と磁気ヘッドとの間に介在させて設けられ、電圧の印加状態に応じて変形する圧電素子を有し、前記圧電素子の変形に従って前記磁気ヘッド側をスウェイ方向に微少移動させる圧電アクチュエータに用いられる前記圧電素子の電極形成方法であって、前記圧電素子の上面及び下面に蒸着、スパッタリング又はメッキにより電極を形成し、前記上面又は下面の少なくとも一方の電極の外周部をエッチングで取り除くことにより当該外周部に電極を形成しない非電極外周部を設けることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の圧電素子の電極形成方法は、基部と磁気ヘッドとの間に介在させて設けられ、電圧の印加状態に応じて変形する圧電素子を有し、前記圧電素子の変形に従って前記磁気ヘッド側をスウェイ方向に微少移動させる圧電アクチュエータに用いられる前記圧電素子の電極形成方法であって、前記圧電素子の上面及び下面に蒸着、スパッタリング又はメッキにより電極を形成し、前記上面又は下面の少なくとも一方の電極の外周部を研削工具により取り除くことにより当該外周部に電極を形成しない非電極外周部を形成することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の圧電素子の電極形成方法の前記研削工具は、前記圧電素子を切り分けるときのダイシングブレードであり、前記圧電素子をウェーハから切り分ける際に前記非電極外周部を形成することを特徴とする。
【００２０】
本発明の圧電アクチュエータは、請求項１に記載の圧電素子の電気的接続構造が採用されていることを特徴とする。
【００２１】
本発明のヘッドサスペンションは、請求項６に記載の圧電アクチュエータが、ベースプレートと、フレキシャが設けられるロードビームと、の間に取り付けられており、前記圧電素子の変形に従って前記ロードビームの先端側をスウェイ方向に微少移動させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の圧電素子の電極構造は、基部と磁気ヘッドとの間に介在させて設けられ、電圧の印加状態に応じて変形する圧電素子を有し、前記圧電素子の変形に従って前記磁気ヘッド側をスウェイ方向に微少移動させる圧電アクチュエータにおいて、前記圧電素子は前記電圧を印加させるため圧電素子の上面及び下面に電極を有し、前記電極の少なくとも一方は前記圧電素子の外周からオフセットして形成され、前記圧電素子は、前記外周からオフセットされた電極を有さない非電極外周部を有することを特徴とする。
【００２３】
このため、圧電アクチュエータの圧電素子が基部との間で電気的ショートを起こすのを抑制することが可能となる。
【００２４】
本発明の圧電素子の電極形成方法は、基部と磁気ヘッドとの間に介在させて設けられ、電圧の印加状態に応じて変形する圧電素子を有し、前記圧電素子の変形に従って前記磁気ヘッド側をスウェイ方向に微少移動させる圧電アクチュエータに用いられる前記圧電素子の電極形成方法であって、前記圧電素子の上面及び下面に蒸着、スパッタリング又はメッキにより電極を形成し、前記上面又は下面の少なくとも一方は、前記蒸着、スパッタリング又はメッキによる電極形成の際に、前記圧電素子の外周部をマスクで覆うことにより当該外周部に電極を形成しない非電極外周部を設けることを特徴とする。
【００２５】
このため、圧電アクチュエータの圧電素子が基部との間で電気的ショートを起こすのを抑制する構造をマスクを用いた簡単な方法により形成可能となる。
【００２６】
また、本発明の圧電素子の電極形成方法は、基部と磁気ヘッドとの間に介在させて設けられ、電圧の印加状態に応じて変形する圧電素子を有し、前記圧電素子の変形に従って前記磁気ヘッド側をスウェイ方向に微少移動させる圧電アクチュエータに用いられる前記圧電素子の電極形成方法であって、前記圧電素子の上面及び下面に蒸着、スパッタリング又はメッキにより電極を形成し、前記上面又は下面の少なくとも一方の電極の外周部をエッチングで取り除くことにより当該外周部に電極を形成しない非電極外周部を設けることを特徴とする。
【００２７】
このため、圧電アクチュエータの圧電素子が基部との間で電気的ショートを起こすのを抑制する構造をエッチングを用いた簡単な方法により形成可能となる。
【００２８】
また、本発明の圧電素子の電極形成方法は、基部と磁気ヘッドとの間に介在させて設けられ、電圧の印加状態に応じて変形する圧電素子を有し、前記圧電素子の変形に従って前記磁気ヘッド側をスウェイ方向に微少移動させる圧電アクチュエータに用いられる前記圧電素子の電極形成方法であって、前記圧電素子の上面及び下面に蒸着、スパッタリング又はメッキにより電極を形成し、前記上面又は下面の少なくとも一方の電極の外周部を研削工具により取り除くことにより当該外周部に電極を形成しない非電極外周部を形成することを特徴とする。
【００２９】
このため、圧電アクチュエータの圧電素子が基部との間で電気的ショートを起こすのを抑制する構造を研削工具による簡単な方法により形成可能となる。
【００３０】
また、本発明の圧電素子の電極形成方法の前記研削工具は、前記圧電素子を切り分けるときのダイシングブレードであり、前記圧電素子をウェーハから切り分ける際に前記非電極外周部を形成することを特徴とする。
【００３１】
このため、圧電アクチュエータの圧電素子が基部との間で電気的ショートを起こすのを抑制する構造をダイシングブレードによる圧電素子のウェーハからの切り分け時に同時に形成可能となる。
【００３２】
本発明の圧電アクチュエータは、請求項１に記載の圧電素子の電気的接続構造が採用されていることを特徴とする。
【００３３】
このため、圧電アクチュエータの圧電素子が基部との間で電気的ショートを起こすのを抑制することが可能となる。
【００３４】
本発明のヘッドサスペンションは、請求項６に記載の圧電アクチュエータが、ベースプレートと、フレキシャが設けられるロードビームと、の間に取り付けられており、前記圧電素子の変形に従って前記ロードビームの先端側をスウェイ方向に微少移動させることを特徴とする。
【００３５】
このため、圧電アクチュエータの圧電素子が基部との間で電気的ショートを起こすのを抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態を示すサスペンションの平面図である。
【図２】図１に示されたサスペンションの圧電アクチュエータの断面図である。
【図３】（Ａ）従来の圧電セラミック素子の上面図と断面図である。（Ｂ）本発明実施例の圧電セラミック素子の上面図と断面図である。（Ｃ）本発明実施例の圧電セラミック素子（電極間のスリットあり）の上面図と断面図である。
【図４】ダイシングブレードによるウェーハから圧電素子を切り分ける際の説明図である。
【図５】（Ａ）ダイシングブレードによるウェーハの切り分け時の断面図である。（Ｂ）同方法により上面及び下面を研削された圧電素子の断面図である。（Ｃ）同方法により上面のみを研削された圧電素子の断面図である。
【図６】（Ａ）本発明実施例の上面及び下面に非電極外周部を有する圧電アクチュエータの断面図である。（Ｂ）本発明実施例の下面にのみ非電極外周部を有する圧電アクチュエータの断面図である。
【図７】（Ａ）従来例による圧電素子が傾いて装着されてショートを発生する際の圧電アクチュエータの断面図である。（Ｂ）従来例による圧電素子がベース部に近づいて装着されてショートを発生する際の圧電アクチュエータの断面図である。（Ａ）従来例によるエッチングにより生成されたベース部の角部でショートを発生する際の圧電アクチュエータの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
圧電アクチュエータを有してスウェイ方向への微小移動が可能なヘッドサスペンションにおいて、圧電アクチュエータの圧電素子がアクチュエータベース２５（基部）との間で電気的ショートを起こすのを抑制する目的を圧電素子の上面及び下面電極の少なくとも一方を形成する際に、圧電素子の全面に形成せずにその外周部からオフセットして形成することにより達成した。
【実施例】
【００３８】
以下に本発明の実施形態のディスク装置用サスペンション１０Ａについて、図１と図２を参照して説明する。図１に示されたデュアル・アクチュエータ方式のサスペンション１０Ａは、ロードビーム１１と、マイクロアクチュエータ部１２と、ベースプレート１３と、ヒンジ部材１４などを備えている。ロードビーム１１は、厚さが例えば１００μｍ前後のばね性を有する金属板からなる。ロードビーム１１にフレキシャ１５が取付けられる。フレキシャ１５はロードビーム１１よりもさらに薄い精密な金属製の薄板ばねからなる。フレキシャ１５の前端部に、磁気ヘッドを構成するスライダ１６が設けられる。
【００３９】
図１に示すようにベースプレート１３の基部２０に円形のボス孔２１が形成されている。ベースプレート１３の基部２０と前端部２２との間に、下記圧電セラミック素子４０を収容可能な大きさの一対の開口部２３が形成されている。一対の開口部２３の間に、ベースプレート１３の前後方向（サスペンション１０Ａの軸線方向）に延びる帯状の連結部２４が設けられている。連結部２４は、ベースプレート１３の幅方向（図１中に矢印Ｓで示すスウェイ方向）にある程度撓むことができる。
【００４０】
ベースプレート１３の基部２０は、図示しないボイスコイルモータによって駆動されるアクチュエータアームの先端部に固定され、ボイスコイルモータによって旋回駆動されるようになっている。ベースプレート１３は板厚が例えば２００μｍ前後のステンレス鋼などの金属板からなる。この実施形態の場合、ベースプレート１３とヒンジ部材１４とによって、この発明で言うアクチュエータベース２５が構成されている。
【００４１】
図１に示すようにヒンジ部材１４は、ベースプレート１３の前記基部２０に重ねて固定される基部３０と、ベースプレート１３の連結部２４と対応した位置に形成された帯状のブリッジ部３１と、ベースプレート１３の前端部２２と対応した位置に形成された中間部３２と、板厚方向に弾性変形可能な可撓性を有する一対のヒンジ部３３と、ロードビーム１１に固定される先端部３４などを有している。このヒンジ部材１４は、板厚が例えば５０μｍ前後のばね性を有する金属板からなる。
【００４２】
マイクロアクチュエータ部１２は、ＰＺＴ等の板状の圧電素子からなる一対の圧電セラミック素子４０を含んでいる。矩形の圧電セラミック素子４０は、その厚み方向の表面５０および裏面５１（図２に示す）と、長手方向の両端に位置する端面５２，５３と、両側面５４，５５とを有している。圧電セラミック素子は典型的には０．０７ｍｍから０．２０ｍｍ程度の厚さを有する。
【００４３】
これらの圧電セラミック素子４０は、互いにほぼ平行となるようにアクチュエータベース２５の開口部２３に収容されている。圧電セラミック素子４０の両端面５２，５３は、開口部２３に挿入された状態において、それぞれ、開口部２３の長手方向両端の内面６０，６１との間に形成されるクリアランスを介して互いに対向している。素子４０の両側面５４，５５のうち、連結部２４に近い側面５４は、連結部２４の側面との間に形成されるクリアランスを介して互いに対向している。
【００４４】
図２に示すように、圧電セラミック素子４０の表面５０と裏面５１に、それぞれ蒸着、スパッタリングあるいはメッキ等によって、金属等の導電材料からなる電極７０，７１が形成されている。一方の電極７０は、銀ペースト７２によってベースプレート１３に接地される。他方の電極７１にワイヤ７３が接続される。このワイヤ７３は、フレキシャ１５に設けられたフレキシブルな配線部材の端子７４にボンディングされる。
【００４５】
素子４０の一端部４０ａは、ヒンジ部材１４の基部３０に、絶縁性接着剤８０によって固定される。素子４０の他端部４０ｂは、ヒンジ部材１４の中間部３２に、絶縁性接着剤８０によって固定される。このとき絶縁性接着剤８０は、素子４０とアクチュエータベース２５の開口部２３の内面６０，６１との間にも充填される必要がある。これは素子４０の歪み（変位）をより効果的にロードビーム１１に伝えるためと、素子４０の端面５２，５３や側面５４，５５等とアクチュエータベース２５との絶縁を十分に確保するためである。
【００４６】
これら一対の圧電セラミック素子４０は、電圧が印加されたときに、一方の素子４０が長手方向に伸びるとともに、他方の素子４０が長手方向に縮む。このように一対の圧電セラミック素子４０の歪む方向とストロークに応じて、ロードビーム１１側が幅方向（スウェイ方向）に所望量だけ変位することになる。
【００４７】
［圧電素子の電極構造］
次に、本発明実施例に係る圧電素子（圧電セラミック素子４０）の電極接続構造及びその作用効果について説明する。
【００４８】
図３（Ａ）に従来例の圧電素子（圧電セラミック素子４０）に形成された電極（上面電極７０及び下面電極７１）の構造をその上面図及び断面図により示す。従来の圧電アクチュエータでは、図３（Ａ）に示すように圧電素子（圧電セラミック素子４０）４０の上面及び下面の全面に渡って電極が形成されていた。電極がこのように圧電素子（圧電セラミック素子４０）の外周部のエッジに渡って形成されているため、図７を用いて前述したように圧電素子（圧電セラミック素子４０）の外周部とアクチュエータベース２５（基部）（ベース部１３及びヒンジ部材１４）との間で電気的ショートが発生する。
【００４９】
そこで、本発明実施例においては、図３（Ｂ）に示すように圧電素子（圧電セラミック素子４０）４０の上面及び下面に形成される電極は、圧電素子（圧電セラミック素子４０）の外周部から所定の距離分オフセットされて形成される。オフセットされた部分は電極の無い非電極外周部７５となる。又、このオフセットされた外周部を有する電極は、上面電極７０ａと下面電極７１ａのうちの一方だけに形成されてもよい。一般的には、上面電極はアクチュエータベース２５（基部）と同電位となるため、下面電極側のみをオフセットして形成する方法でもよい。
【００５０】
図３（Ｂ）に示した例は、圧電素子（圧電セラミック素子４０）を二つ有するデュアル・アクチュエータ方式に用いられる圧電アクチュエータの場合であるが、図３（Ｃ）に、１個の圧電素子（圧電セラミック素子４０）の一片面に二つの異なる電極を形成して制御するシングル・アクチュエータ方式の圧電アクチュエータに用いられる圧電素子（圧電セラミック素子４０）の上面図及び断面図を示す。この場合に、圧電素子の一片面の電極は間に電極間のスリット９５を有して左電極７０ａｌと右電極７０ａｒに分かれて形成されており、当該電極のいずれも外周部からはオフセットされて形成されている。
【００５１】
［圧電素子の電極形成方法］
上記の電極のオフセットした構造は以下の方法のいずれかを用いて形成される。
【００５２】
電極は、蒸着、スパッタリング又はメッキにより形成される。
【００５３】
（１）前記蒸着、スパッタリング又はメッキにより形成される際に、ステンレス等の金属薄板に電極形成部にのみ穴をあけて圧電素子（圧電セラミック素子４０）を覆う方法によって形成する。
【００５４】
（２）前記蒸着、スパッタリング又はメッキによって圧電素子（圧電セラミック素子４０）の全面に形成した後、エッチングにより非電極外周部７５となる電極部分を取り去る方法により形成する。
【００５５】
（３）圧電素子（圧電セラミック素子４０）のウェーハの全面に前記蒸着、スパッタリング又はメッキによって電極を形成した後、ダイシングブレードによってウェーハを切り分ける際に、電極部分をダイシングブレードにより研削する方法によって形成する。
【００５６】
上記（３）の方法について図を用いてより詳細に説明する。図４は、圧電セラミック素子のウェーハ１０１を回転するダイシングブレード１０３によって、縦・横に研削線９３を入れて切り分ける様子を示している。
【００５７】
その際の詳細な断面図を図５（Ａ）に示す。ダイシングブレード１０３は、その研削ブレード部１０７と研削肩部１０５を有するが、ダイシングブレード１０３が回転し圧電セラミック素子のウェーハ１０１に切り込んで行くとダイシングブレードの研削肩部１０５により非電極外周部９１及び９３が形成される。
【００５８】
両面とも研削を行った圧電素子（圧電セラミック素子４０）の断面図を図５（Ｂ）に一片面だけ研削を行った圧電素子（圧電セラミック素子４０）の断面図を図５（Ｃ）に示す。
【００５９】
［実施例の効果］
本発明実施例による圧電アクチュエータの圧電素子（圧電セラミック素子４０）により以下の効果が得られる。
【００６０】
図６（Ａ）には、下面電極７１ａ及び上面電極７０ａが外周部がオフセットされた構造を有する圧電素子（圧電セラミック素子４０）が、アクチュエータベース２５（基部）に対して傾いて装着された場合の断面図を示す。電極が外周部には存在しないため、たとえ圧電素子（圧電セラミック素子４０）の外周部がヒンジ部１４に接触したとしても電気的ショートが発生することを抑制可能となる。
【００６１】
図６（Ｂ）には、下面電極７１ａのみ外周部がオフセットされた構造を有する圧電素子（圧電セラミック素子４０）が、アクチュエータベース２５（基部）に対して傾いて装着された場合の断面図を示す。一般的な構造では、上面電極はアクチュエータベース２５（基部）と同電位となるため、このように下面電極のみに非電極外周部が形成されている場合であっても電気的ショートを抑制することが可能である。
【００６２】
本発明実施例による非電極外周部を有する電極の形成方法について、マスキングにより非電極外周部を形成する方法では、簡便に非電極外周部を形成することが可能である。
【００６３】
また、エッチングによる非電極外周部の形成方法では、非電極外周部を正確に形成可能であり、外周部のオフセット値を正確に制御可能である。また、非常に幅の狭い非電極外周部も容易に形成可能である。
【００６４】
研削による非電極外周部の形成方法では、ダイシングブレードにより一旦形成された電極を研削加工により形成するが、幅の狭い非電極外周部を形成可能である。また、図４に示したようにウェーハからの圧電セラミック素子４０の分割時に同時に非電極外周部を形成可能であり、加工工程が削減される。
【００６５】
研削による加工では、ダイシングブレードによる加工以外にもレーザ等による非接触のダイシングによる加工によって非電極外周部を形成する方法であってもよい。
【００６６】
［その他］
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは技術思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う圧電素子（圧電セラミック素子４０）の電気的接続構造、圧電アクチュエータ、ヘッドサスペンション、及び導電性部材の電気的接続構造もまた、本発明における技術的範囲の射程に包含されるものである。
【００６７】
すなわち、例えば、ベースプレート３３に開口部２３を設ける構成に代えて、アクチュエータプレート３４に開口部２３を設ける構成を採用したヘッドサスペンションも、本発明の技術的範囲の射程に含まれる。従って、本件出願に係る発明の構成要件「ベースプレート」は、本発明実施例に係る「ベースプレート３３」及び「アクチュエータプレート３４」の両者を含む概念である。そのため、本発明の請求項に記載の構成要件「ベースプレート」は、必要に応じて「アクチュエータプレート」と読み替えることが可能である。具体的には、例えば、「ベースプレートに形成した開口部」は、必要に応じて「アクチュエータプレートに形成した開口部」と読み替えて、その技術的範囲を解釈することができる。
【００６８】
また、本発明実施例中、本発明実施例に係る圧電アクチュエータが、ベースプレート３３と、フレキシャ３９が設けられるロードビーム３５と、の間に取り付けられる態様を例示して説明したが、本発明はこの例に限定されることなく、例えば、ヘッドサスペンションをキャリッジアームに固定して、キャリッジアームの回動により磁気ヘッドを移動させるヘッド移動機構において、ヘッドサスペンション、磁気ヘッドスライダ、若しくは磁気ヘッド素子それ自体を微少移動させるために、基部と磁気ヘッドとの間に本発明実施例に係る圧電アクチュエータを介在させて設ける構成を採用してもよい。
【００６９】
本発明実施例中においては、圧電セラミック素子の上面電極とアクチュエータベース２５（基部）が同電位となる例を挙げ、下面電極に非電極形成部を設けることの優位性について説明した。しかし、例えばセラミック圧電素子の下面電極７１（図６（Ａ）でのヒンジ部材１４に対向する側の電極）とアクチュエータベース２５（基部）（ベースプレート１３とヒンジ部材１４）とが同電位である場合は、上面電極７０とアクチュエータベース２５（基部）との間での電気的ショートを防ぐために、上面電極側に非電極形成部を設けることが有効である。
【符号の説明】
【００７０】
１０Ａ…ディスク装置用サスペンション
１１…ロードビーム
１２…圧電アクチュエータ（マイクロアクチュエータ部）
１３…ベースプレート（アクチュエータベースを構成する）
１４…ヒンジ部材（アクチュエータベースを構成する）
２３…開口部
２５…アクチュエータベース（基部）
３１…ブリッジ部
４０…圧電セラミック素子（ＰＺＴ）（圧電素子）
７０…上面電極
７０ａ…外周部に非電極外周部を有して形成された上面電極
７１…下面電極
７１ａ…外周部に非電極外周部を有して形成された上面電極
７５…非電極外周部
８０…絶縁性接着剤
９１…研削により形成された非電極外周部
９５…電極間のスリット
９９ａ、９９ｂ、９９ｃ…ショート発生箇所
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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