(57)【要約】【課題】発光素子と伝送路の間のインピーダンスを整合する光通信モジュールを提供する。【解決手段】発光素子１０５と、電気信号伝送路１０２と、インピーダンス整合回路１０３を有する光通信モジュールにおいて、インピーダンス整合回路１０３の整合部１１１のインピーダンスを、電源投入の際に計測した発光素子１０５の微分抵抗値により制御する。インピーダンス整合回路１０３は、電源投入検出信号を発生する電源投入検出部１２３と、発光素子１０５へ供給するバイアス電流を発生し、バイアス電流により前記微分抵抗値を計測する微分抵抗計測部１２４を有する。通常動作において、整合器制御部１２０は、電圧信号ＶＩＮの電圧レベルに対応した微分抵抗値を第１記憶部１２１から読み出し、整合部１１１のインピーダンスを制御する。【選択図】図１
2010147161.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子を駆動する電気信号が伝送される電気信号伝送路と、
前記発光素子と前記電気信号伝送路の間のインピーダンスマッチングを図る整合回路と、
前記整合回路の整合部のインピーダンスを、電源投入の際に計測した前記発光素子の微分抵抗値により制御する整合器制御部とを有することを特徴とする光通信モジュール。
【請求項２】
前記整合回路は、
電源が投入されたことを検出し、電源投入検出信号を発生する電源投入検出部と、
前記電源投入検出信号に基づき、前記発光素子へ電流を供給し、供給した電流に対応して前記発光素子の端子間電圧を測定し、前記微分抵抗値を算出する微分抵抗計測部と、
前記電圧レベル毎に前記微分抵抗値を対応付けて記憶する第１記憶部とを有することを特徴とする請求項１に記載の光通信モジュール。
【請求項３】
前記整合回路は、
入力される前記電気信号の電圧レベルを検出する入力検出部を有し、
前記整合器制御部は、前記入力検出部から出力される電圧信号の電圧レベルに対応した微分抵抗値を前記第１記憶部から読み出し、読み出した微分抵抗値により前記整合部のインピーダンスを制御することを特徴とする請求項２に記載の光通信モジュール。
【請求項４】
前記整合回路は、
前記電気信号の周波数と前記電気信号伝送路の伝送路インピーダンスとを対応付けて記憶する第２記憶部を有し、
前記整合器制御部は、前記第２記憶部から入力される前記周波数に対応する前記伝送路インピーダンスを読み出し、読み出した伝送路インピーダンスにより前記整合部のインピーダンスを制御することを特徴とする請求項３に記載の光通信モジュール。
【請求項５】
前記入力検出部はローパスフィルターおよび、平均化回路又はピークホールド回路により構成されることを特徴とする請求項３〜４のいずれか一項に記載の光通信モジュール。
【請求項６】
前記電気信号と前記電気信号伝送路の間に適応増幅器を有し、
前記適応増幅器は前記電圧信号が入力され、前記電圧信号の電圧レベルが適応増幅器の参照電圧以下のときは前記電気信号を増幅して出力することを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の光通信モジュール。
【請求項７】
前記電気信号と前記電気信号伝送路の間にドライバＩＣを有し、
前記発光素子より入射した光信号を第２の電気信号に変換して出力する受光素子を更に有し、
前記ドライバＩＣは適応増幅器であるとともに、前記第２の電気信号により前記電気信号伝送路へ入力される電気信号を調整することを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の光通信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機器内や機器間といった比較的短い距離を、光通信によって情報伝送するのに好適な、光半導体と伝送路を備えた光通信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
このような短距離の光通信は、将来的にサーバ・ルータなどの高速データ転送装置、自動車、携帯電話、業務用複写機、ゲーム機といった分野に適用されると考えられる。
しかし、ＬＤ（レーザーダイオード）を用いた光通信モジュールにおいて、ＬＤの微分抵抗がＬＤドライバの出力インピーダンスと整合しないため、ＬＤドライバとＬＤを接続する伝送路にＬＤからの反射波が発生し、ＬＤ入力波形の劣化を起こしていた。
これに対し、ＬＤにダンピング抵抗を設けたり、ＬＣＲ素子（インダクタ素子、キャパシタ素子、抵抗素子）を組み合わせたインピーダンス整合回路を伝送路に設けることで、ＬＤドライバの出力インピーダンスとＬＤの入力インピーダンスを整合させることが一般に行われていた。
図５は、従来の光通信モジュールの基本構成例を示す図である。この光通信モジュールは、例えばＬＤドライバに代表される発光素子駆動回路５１と、インピーダンス整合回路５３と、例えばＬＤに代表される発光素子５５から構成されている。インピーダンス整合回路５３は、発光素子駆動回路５１と電気信号伝送路５２を介して接続されている。ま発光素子５５は、インピーダンス整合回路５３と負荷接続部５４を介して接続されている。
インピーダンス整合回路５３は、その入力端から発光素子駆動回路５１を見たインピーダンスＺ０と、その入力端から発光素子側を見たインピーダンスＺ１を整合させる回路である。
例えば、特許文献１においては、ＬＤドライバ内に終端抵抗および、これと並列に設けられたバイアス電流引き込み回路から構成されるインピーダンス整合回路を設け（特許文献１の図１）、インピーダンス整合をとる技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−３０２８６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１における整合回路は、固定のＬＣＲ素子により構成されている。そのため、ＬＤの微分抵抗値のばらつきが設計値より大きい場合や、ＬＤドライバおよび伝送路がインピーダンスの異なるものへと交換された場合において、整合回路の入力端からＬＤドライバ側を見たインピーダンスＺ１と、入力端からＬＤ側を見たインピーダンスＺ０の整合にミスマッチが生じ、電気信号伝送路に反射波が発生し、ＬＤ入力波形の劣化を起こしていた。
また、ＬＤの特性が経年劣化等により変化した場合やＬＤを発振周波数の異なるＬＤへ交換させた場合においても、上述と同様に整合回路のＬＣＲ素子を交換しなければ、インピーダンス整合が取れないという問題があった。
【０００４】
すなわち、上述の図５におけるインピーダンスＺ２にほぼ等しいＬＤの微分抵抗値が変化した場合において、整合回路のＬＣＲ素子を交換しなければならず、製造コストが増加する問題があった。
本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、整合回路のＬＣＲ素子を交換せず、インピーダンス整合を図ることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するため、
請求項１にかかる発明は、発光素子と、前記発光素子を駆動する電気信号が伝送される電気信号伝送路と、前記発光素子と前記電気信号伝送路の間のインピーダンスマッチングを図る整合回路と、前記整合回路の整合部のインピーダンスを、電源投入の際に計測した前記発光素子の微分抵抗値により制御する整合器制御部とを有することを特徴とする光通信モジュールである。
請求項２にかかる発明は、前記整合回路は、電源が投入されたことを検出し、電源投入検出信号を発生する電源投入検出部と、前記電源投入検出信号に基づき、前記発光素子へ電流を供給し、供給した電流に対応して前記発光素子の端子間電圧を測定し、前記微分抵抗値を算出する微分抵抗計測部と、前記電圧レベル毎に前記微分抵抗値を対応付けて記憶する第１記憶部とを有することを特徴とする請求項１に記載の光通信モジュールである。
【０００６】
請求項３にかかる発明は、前記整合回路は、入力される前記電気信号の電圧レベルを検出する入力検出部を有し、前記整合器制御部は、前記入力検出部から出力される電圧信号の電圧レベルに対応した微分抵抗値を前記第１記憶部から読み出し、読み出した微分抵抗値により前記整合部のインピーダンスを制御することを特徴とする請求項２に記載の光通信モジュールである。
請求項４にかかる発明は、前記整合回路は、前記電気信号の周波数と前記電気信号伝送路の伝送路インピーダンスとを対応付けて記憶する第２記憶部を有し、前記整合器制御部は、前記第２記憶部から入力される前記周波数に対応する前記伝送路インピーダンスを読み出し、読み出した伝送路インピーダンスにより前記整合部のインピーダンスを制御することを特徴とする請求項３に記載の光通信モジュールである。
【０００７】
請求項５にかかる発明は、前記入力検出部はローパスフィルターおよび、平均化回路又はピークホールド回路により構成されることを特徴とする請求項３〜４のいずれか一項に記載の光通信モジュールである。
請求項６にかかる発明は、前記電気信号と前記電気信号伝送路の間に適応増幅器を有し、前記適応増幅器は前記電圧信号が入力され、前記電圧信号の電圧レベルが適応増幅器の参照電圧以下のときは前記電気信号を増幅して出力することを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の光通信モジュールである。
請求項７にかかる発明は、前記電気信号と前記電気信号伝送路の間にドライバＩＣを有し、前記発光素子より入射した光信号を第２の電気信号に変換して出力する受光素子を更に有し、前記ドライバＩＣは適応増幅器であるとともに、前記第２の電気信号により前記電気信号伝送路へ入力される電気信号を調整することを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の光通信モジュールである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、整合回路の入力端から電気信号伝送路側を見たインピーダンスと、整合回路の入力端から入力端からＬＤ側を見たインピーダンスを整合することができ、電気信号伝送路に反射波が発生し、ＬＤ入力波形の劣化を起こすことはないので、高品質の光通信モジュールを実現できる。
また、この発明によれば、整合回路のインピーダンスを、発光素子の微分抵抗値により制御することができるので、発光素子の特性が経年劣化等により変化した場合や発光素子を発振周波数の異なる別の発光素子へ交換した場合であっても、整合回路を構成するＬＣＲ素子を交換する必要は生じず、製造コスト増加の問題を解決できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の実施形態に係る光通信モジュールの基本構成例を示す図である。
なお、図中の実線は情報を伝送するための信号の流れを示している。
図１において、光通信モジュール１００は、電気信号伝送路１０２、インピーダンス整合回路１０３および発光素子１０５から構成されている。
電気信号伝送路１０２は、発光素子１０５を駆動する入力信号１０１が伝送される線路である。
ここで、線路としては、例えば、導波管、ストリップライン、マイクロストリップライン、コプレーナ線路が適用される。また、発光素子１０５は、例えば、レーザーダイオードが適用される。
なお、入力信号１０１は、電圧信号、電流信号のいずれでもよく、以下では入力信号１０１を、発光素子１０５を駆動するバイアス電流信号として説明する。
【００１０】
インピーダンス整合回路１０３は、図１に示すように、電気信号伝送路１０２と発光素子１０５の間に設けられ、インピーダンス整合回路１０３の入力端から電気信号伝送路１０２側を見たインピーダンスＺ０と、入力端から発光素子１０５側を見たインピーダンスＺ１を整合する回路である。
インピーダンス整合回路１０３は、入力検出部１１０、整合部１１１および微分抵抗メモリ回路１１２により構成されている。
入力検出部１１０は、発光素子１０５へ供給されるバイアス電流を電圧信号ＶＩＮへと変換する回路であり、電圧信号ＶＩＮは後述の微分抵抗メモリ回路１１２の整合器制御部１２０へと入力される。
なお、入力検出部１１０は、例えば、ＬＰＦ（Low Pass Filter）および、ピークホールド回路又は平均化回路により構成してもよい。
ここで、ＬＰＦは、発光素子１０５へ供給されるバイアス電流を帯域制限する回路であり、抵抗素子、容量素子により構成される回路である。また、ピークホールド回路は、ＬＰＦ出力のピークを検出し、発光素子１０５を駆動するバイアス電流信号を電圧信号ＶＩＮへと変換する回路である。
【００１１】
整合部１１１は、図１においては示されていないが、抵抗，可変コンデンサ，可変インダクタ、マイクロスタブ等を組み合わせて構成される回路であり、後述の整合器制御部１２０から入力される信号（図中において破線で示された信号）により、そのインピーダンスが制御される。
以下では、整合部１１１は可変コンデンサにより構成されているものとして動作説明を行う。
【００１２】
微分抵抗メモリ回路１１２は、整合器制御部１２０、第１記憶部１２１、第２記憶部１２２、電源投入検出部１２３および微分抵抗計測部１２４から構成され、上述の入力検出部１１０から入力される電圧信号ＶＩＮの電圧レベルに応じて、第２記憶部１２２および第１記憶部１２１の情報を基に整合部１１１へ入力される信号を生成する回路である。
【００１３】
第１記憶部１２１は、微分抵抗計測部１２４により計測された発光素子１０５の微分抵抗値を記憶する記憶回路である。
また、第１記憶部１２１は、電源投入時において測定される発光素子１０５の微分抵抗値が測定時に印加された電圧に対応付けられ記憶されたテーブルを有している。
かかるテーブルは、後述の微分抵抗計測部１２４により情報が書き込まれ、整合器制御部１２０により情報が読み出される。
なお、第１記憶部１２１は、図１においては整合器制御部１２０から独立して示されているが、整合器制御部１２０が記憶回路を内部に備えるようにしてもよい。
また、第１記憶部１２１としては、具体的にはＲＡＭ（Random Access Memory）が適用される。
【００１４】
第２記憶部１２２は、周波数ｆおよびインピーダンスＺ０を記憶する記憶回路である。
一般には、本発明の光通信モジュールに接続される駆動回路（図１においては省略されているが、先述の従来技術を示す図５における発光素子駆動回路５１に相当する回路である。）の動作周波数ｆおよび電気信号伝送路１０２のインピーダンスＺ０は、あらかじめ把握しておくことができる。
従って、第２記憶部１２２は、整合器制御部１２０が速やかに情報を読み出すことができるように、例えば図２（ａ）に示すように、実使用において使用される可能性の高い周波数ｆおよびインピーダンスＺ０を組み合わせたテーブルを有する記憶回路である。
なお、第２記憶部１２２は、図１においては整合器制御部１２０から独立して示されているが、整合器制御部１２０が記憶回路を内部に備えるようにしてもよい。
また、第２記憶部１２２は、例えばＲＯＭ（Read Only Memory）である。
【００１５】
電源投入検出部１２３は、微分抵抗計測モードにおいて、電源の投入に基づいて発光素子１０５の微分抵抗測定開始を伝える信号を微分抵抗計測部１２４へと出力する検出回路である。
微分抵抗計測部１２４は、電源投入検出部１２３から微分抵抗測定開始を伝える信号が入力され、発光素子１０５へバイアス電流を与えて電圧を測定し、電圧に応じた微分抵抗値を算出する回路である。
具体的には、微分抵抗計測部１２４は、電流供給回路、電圧測定回路、演算回路で構成され、電流供給回路から発光素子１０５へバイアス電流を与え、電圧測定器により発光素子１０５に印加される電圧を測定し、演算回路において測定電圧に応じた微分抵抗値を算出する。
また、微分抵抗計測部１２４は、印加電圧と微分抵抗値を上述の第１記憶部１２１へと書き込む。
なお、微分抵抗計測部１２４は、図１においては第１記憶部１２１から独立して示されているが、微分抵抗計測部１２４が上述のメモリ機能を有していても良い。
また、微分抵抗計測部１２４と電源投入検出部１２３は、図１においては独立して示されているが、これらを一体化して構成することも可能である。
【００１６】
スイッチ１１３は、スイッチ１１３ａおよびスイッチ１１３ｂから構成され、微分抵抗メモリ回路中の電源投入検出回路から出力される信号により開閉される。
具体的には、電源投入時においては、スイッチ１１３ｂがオン、スイッチ１１３ａはオフし、発光素子１０５と微分抵抗計測部１２４が接続される。
また、微分抵抗測定が終了すると、スイッチ１１３ｂはオフ、スイッチ１１３ａがオンし、インピーダンス整合回路１０３の整合部１１１と発光素子１０５が接続され、通常動作モードに備える。
なお、スイッチ１１３ｂは、微分抵抗を精確に測定するため、発光素子１０５の入力端のできるだけ近くに設けるのが好ましい。
【００１７】
次に、図１における光通信モジュールの動作について、図２を用いて説明する。
図２は、図１における光通信モジュールに関する補足説明図である。
図２（ａ）は、上述の第２記憶部に記憶された情報を示した図である。
図２（ｂ）は、上述の第１記憶部に記憶される情報微分抵抗値Ｒと電圧信号ＶＩＮの電圧値との関係を示した図である。
また、図２（ｃ）は、整合器制御部１２０が整合部１１１のインピーダンスを制御する際に参照するテーブルの例を示した図である。
以下に、光通信モジュールの動作について、微分抵抗計測モードと通常動作モードに分けて説明する。
【００１８】
（微分抵抗計測モード）
微分抵抗計測モードにおいて、微分抵抗メモリ回路１１２内の電源投入検出部１２３は、電源投入されたことを検出して、発光素子１０５の微分抵抗測定開始を伝える信号を微分抵抗計測部１２４へと出力する。
電源は、例えば、インピーダンス整合回路１０３全体に対して設けられた電源である。
微分抵抗計測部１２４は、電源投入検出部１２３から入力される微分抵抗測定開始を伝える信号が入力されると、発光素子１０５へバイアス電流を与えて電圧を測定し、上述の電圧信号の電圧レベルに応じた微分抵抗値を算出する。
具体的には、発光素子１０５へのバイアス電流を小刻みに変化させて与えながら（例えば、電流値Ｉ１からΔＩ１分だけＩ１１へ微小変化させ）、発光素子１０５の電圧レベルＶ１における電圧変化ΔＶ１（例えばＶ１からΔＶ１分だけＶ１２）を測定する。
このようにして、電圧レベルＶ１における微分抵抗値Ｒ１は、ΔＶ１／ΔＩ１と算出される。
【００１９】
引き続き、発光素子１０５へのバイアス電流を与えることで、例えば図２（ｂ）におけるように、電圧Ｖ１〜Ｖ２の間におけるインピーダンスＺ２（微分抵抗値Ｒ１〜Ｒ２）を算出する。
ここで、発光素子として一般的なＬＤを仮定すると、バイアス電流２ｍＡ〜１０ｍＡを与え、１００ｍＶ〜６００ｍＶの電圧値を計測し、微分抵抗値を算出することが望ましい。
ただし、上記電圧信号ＶＩＮの変化する範囲を含む電圧範囲で微分抵抗値を算出する必要があるため、上記具体的な範囲に限られるものではなく、予想される電圧信号ＶＩＮの範囲を含む広めの電圧範囲で微分抵抗値を測定することが望ましい。
また、上述においてはバイアス電流を発光素子１０５に流し、電圧値を測定したが、電圧を印加し電流値を測定してもよい。いずれの方法によっても、電流の増減に対する電圧の増減の比率により微分抵抗値を求めることができる。
【００２０】
なお、微分抵抗測定中においては、微分抵抗計測部１２４と発光素子１０５の間に設けられたスイッチ１１３のうち、スイッチ１１３ａはオフ、スイッチ１１３ｂがオンしており、整合部１１１と発光素子１０５は電気的に接続されないため、微分抵抗計測部１２４は高精度に発光素子の微分抵抗値を検出できる。
このように検出した微分抵抗値は、少なくとも電圧信号ＶＩＮの変化を含む範囲において変化する電圧値に対応付けられ、第１記憶部１２１に記憶される。
また、この記憶された微分抵抗値は、再び電源が投入されるまでは変化することなく、第１記憶部１２１において記憶され、通常動作においてインピーダンスＺ２として利用される。
この後、上述のスイッチ１１３のうちスイッチ１１３ｂはオフ、スイッチ１１３ａがオンし、インピーダンス整合回路１０３へ入力信号１０１が入力される通常動作モードに備える。
【００２１】
（通常動作モード）
通常動作モードにおいて、入力検出部１１０は、入力信号１０１、すなわち発光素子１０５を駆動するバイアス電流信号の変化に応じて、インピーダンス整合回路１０３へ入力される入力信号１０１を電圧信号ＶＩＮへと変換する。
整合器制御部１２０は、第１記憶部１２１から、微分抵抗計測モードにおいて測定された電圧信号ＶＩＮの電圧レベルに対応するインピーダンスＺ２（発光素子の微分抵抗値Ｒ）の値を読み出す。
例えば、図２（ｂ）において、電圧信号ＶＩＮの電圧レベルＶ１に対応する微分抵抗値Ｒ１を読み出す。
【００２２】
次に、整合器制御部１２０は、第２記憶部１２２からインピーダンスＺ０、周波数ｆの情報を読み出す。
例えば、上述の図２（ａ）に示す組み合わせの中から、インピーダンスＺ０１、周波数ｆ１を読みだす。
次に、上述の微分抵抗値Ｒ１（インピーダンスＺ２）および周波数ｆ１をもとに、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ０１とがほぼ等しくなるように、整合部の可変コンデンサの最適容量値を算出する。
算出の際、整合器制御部１２０は、例えば図２（ｃ）に示す整合テーブルを参照して制御を行う。
整合テーブルは、インピーダンスＺ０の値と抵抗値Ｒが与えられれば、即座に可変コンデンサの容量値Ｃを読み出すことのできるテーブルであり、テーブルには、いくつかのインピーダンス（図２（ａ）におけるインピーダンスＺ０１〜Ｚ０２）に対応した抵抗値および可変コンデンサの容量値が、例えば計算式にもとづき記憶されている。なお、図２（ｃ）においてはインピーダンスＺ０１に対応する部分を示している。
【００２３】
また、かかる整合テーブルは、インピーダンスＺ０の値ごとに、抵抗値Ｒと容量Ｃの値をプロットした点から近似的に求められる実験式グラフを記憶した記憶部であってもよい。
すなわち、整合テーブルは、整合部１１１の可変コンデンサの容量値Ｃが速やかに読み出されるように、インピーダンスＺ１がインピーダンスＺ０１と等しくなる場合の抵抗値Ｒと可変コンデンサの容量値Ｃが、上述の電圧信号ＶＩＮの電圧レベルに対応付けられ記憶されていればよい。
整合器制御部１２０は、電圧信号ＶＩＮの電圧レベルがＶ１の場合、図２（ｂ）より微分抵抗値はＲ１であるので、図２（ｃ）に示す整合テーブルより、微分抵抗値Ｒ１に対応した最適容量値Ｃ１を、速やかに読み出す。
次に、整合器制御部１２０は、整合部１１１における可変コンデンサの容量値を上で求めた値Ｃ１へと変化させる。
【００２４】
このように、通常動作モードにおいては、電圧信号ＶＩＮの電圧レベルＶ１〜Ｖ２に応じて、図２（ｃ）に示す可変コンデンサの容量値Ｃ１〜Ｃ２を求め、整合部１１１の可変コンデンサの容量値をＣ１〜Ｃ２と変化させる。
これにより、電圧信号ＶＩＮの電圧レベルＶ１〜Ｖ２に応じて、整合部１１１の可変コンデンサはＣ１〜Ｃ２と変化し、インピーダンス整合回路１０３の入力端から発光素子側を見たインピーダンスＺ１と、インピーダンス整合回路１０３の入力端から電気信号伝送路１０２側を見たインピーダンスＺ０（上述においてはインピーダンスＺ０１）が整合される。
【００２５】
なお、光通信モジュールに接続される駆動回路および電気信号伝送路が変更される場合、例えば駆動回路の周波数がｆ２になり、電気信号伝送路１０２のインピーダンスＺ０がＺ０２となった場合においては、上述した第２記憶部から読み出される情報は、図２（ａ）におけるｆ２およびＺ０２となる。
整合器制御部１２０は、上述の整合テーブルより、図２（ｃ）においては図示しないが整合テーブルのインピーダンスＺ０２に相当する部分より、微分抵抗値Ｒ１〜Ｒ２に対応した最適容量値Ｃをそれぞれ速やかに読み出し、整合部の可変コンデンサの容量値を電圧信号ＶＩＮの電圧レベルＶ１〜Ｖ２に応じて変化させる。
【００２６】
以上により、本発明の光通信モジュール１００によれば、整合部１１１におけるインピーダンスは、発光素子１０５の微分抵抗値Ｒにより制御することができる。
これにより、インピーダンス整合回路１０３の入力端から電気信号伝送路１０２側を見たインピーダンスＺ０と、入力端から発光素子１０５を含んで整合部１１１側を見たインピーダンスＺ１を、電圧信号ＶＩＮの電圧レベルに応じて整合することができる。
従って、電気信号伝送路１０２および整合部１１１において発光素子１０５からの反射波が発生し、ＬＤ入力波形の劣化を起こすことはない。
よって、本発明により高品質の光通信モジュールを実現できる。
【００２７】
また、電源投入時において微分抵抗計測モードにより微分抵抗値を測定し、通常動作モードにおいては、かかる微分抵抗値を用いて整合部１１１におけるインピーダンスを制御できる。
従って、発光素子１０５の特性が経年劣化等により変化した場合や、発光素子１０５を発振周波数の異なる別の発光素子へ交換させた場合であっても、電源投入時に発光素子の微分抵抗値が測定されるので、通常動作時においては微分抵抗値にもとづき整合部１１１におけるインピーダンスが制御される。
また、上述の場合に加えて、電気信号伝送路がインピーダンスの異なる伝送路へと交換された場合においても、インピーダンス整合回路を構成するＬＣＲ素子を交換させる必要は生じないため、部品交換による製造コスト増加の問題を解決できる。
【００２８】
（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係る光通信モジュールの基本構成例を示す図である。
なお、図３において図１と同じ部分には同一の符号を付しており、以下においては図１と相違する点について説明する。
ここに例示する光通信モジュール１００ａは、電気信号伝送路１０２の入力信号１０１側に適応増幅器２００を有する点が、上述の第１の実施形態に係る光通信モジュールと相違する。
適応増幅器２００は、入力検出部１１０から出力された電圧信号ＶＩＮが入力され、また参照電圧も入力され、電圧信号ＶＩＮの電圧レベルが、参照電圧以下の場合において（例えば、上述のＶ２に達しない場合において）、入力信号１０１を増幅して電気信号伝送路１０２へ出力する回路である。
【００２９】
これにより、電気信号伝送路１０２上を伝送される発光素子を駆動する電気信号の波形に歪みが生じ、整合器制御部１２０に入力される電圧信号ＶＩＮの電圧レベルが参照電圧以下の信号レベルとなった場合においても、上述の効果を維持しつつ、電気信号伝送路１０２に入力される電気信号の信号振幅を最適化できる効果を奏する。
【００３０】
（第３の実施形態）
図４は、本発明の第３の実施形態に係る光通信モジュールの基本構成例を示す図である。
なお、図４において図３と同じ部分には同一の符号を付しており、以下においては図３と相違する点について説明する。
ここに例示する光通信モジュール１００ｂは、電気信号伝送路１０２の入力信号１０１側にドライバＩＣ３００を有する点が、上述の第２の実施形態に係る光通信モジュールと相違する。
また、発光素子１０５より入射した光信号を電気信号に変換して出力する受光素子３０１を更に有し、受光素子３０１とドライバＩＣ３００を電気信号伝送路３０２で接続している点も相違する。
ドライバＩＣ３００は上述の適応増幅器２００であるとともに、電気信号伝送路３０２を介して受光素子３０１から入力する電気信号により電気信号伝送路１０２へ入力される電気信号、例えばバイアス電流信号を調整する機能を有する。
【００３１】
これにより、発光素子１０５の光量が温度や経年劣化により減少した場合においても、電気信号伝送路へ入力される電気信号、例えばバイアス電流信号を最適化できるので、上述の効果を維持しつつ、さらに光通信モジュールの伝送品質を一定に維持する効果を奏する。
【００３２】
なお、上述の各実施形態において、入力信号１０１に対して、発光素子１０５を静電気や過電流から保護する入力保護回路を設けることができる。
例えば、第１の実施形態においては電気信号伝送路１０２の入力側へ、第２の実施形態においては適応増幅器２００の入力側へ、第３の実施形態においてはドライバＩＣ３００の入力側へ、それぞれ入力保護回路を設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態に係る光通信モジュールの構成図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る光通信モジュールに関する補足説明図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る光通信モジュールの構成図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る光通信モジュールの構成図である。
【図５】従来の光通信モジュールの構成図である。
【符号の説明】
【００３４】
５１…発光素子駆動回路、５２，１０２，３０２…電気信号伝送路、
５３，１０３…インピーダンス整合回路、
５４…負荷接続部、５５，１０５…発光素子、
１００，１００ａ，１００ｂ…光通信モジュール、１０１…入力信号、
１１０…入力検出部、１１１…整合部、１１２…微分抵抗メモリ回路、
１１３，１１３ａ，１１３ｂ…スイッチ、
１２０…整合器制御部、１２１…第１記憶部、１２２…第２記憶部、
１２３…電源投入検出部、１２４…微分抵抗計測部、
ＶＩＮ…電圧信号、
２００…適応増幅器、３０１…受光素子、３００…ドライバＩＣ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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