(57)【要約】【課題】、放射線画像にムラ等の欠陥を生じず、均一な画像が得られる放射線画像検出装置とその製造方法を提供する。【解決手段】２次元的に配列された光電変換素子アレイ上に放射線を光に変換する蛍光体層を基板上に有するシンチレータパネルを密着させて成る放射線画像検出装置であって、当該シンチレータパネルと光電変換素子アレイとが、当該シンチレータパネルの基板側に配置した密着用支持体を介して大気圧により密着しており、かつ当該密着用支持体がその周囲を接着剤で光電変換素子アレイ上に接着されていることを特徴とする放射線画像検出装置。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元的に配列された光電変換素子アレイ上に放射線を光に変換する蛍光体層を基板上に有するシンチレータパネルを密着させて成る放射線画像検出装置であって、当該シンチレータパネルと光電変換素子アレイとが、当該シンチレータパネルの基板側に配置した密着用支持体を介して大気圧により密着しており、かつ当該密着用支持体がその周囲を接着剤で光電変換素子アレイ上に接着されていることを特徴とする放射線画像検出装置。
【請求項２】
前記接着剤と蛍光体層が接触していないことを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出装置。
【請求項３】
前記基板及び密着用支持体の熱膨張係数がともに２０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線画像検出装置。
【請求項４】
前記基板の熱膨張係数が、密着用支持体の熱膨張係数より大きいことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【請求項５】
前記基板の透湿度が、密着用支持体の透湿度より大きいことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【請求項６】
前記基板が、可撓性を有する基板であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【請求項７】
前記可撓性を有する基板がポリイミドを含有する高分子フィルム基板であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【請求項８】
前記接着剤が、熱融着シール剤又はＵＶ硬化樹脂であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【請求項９】
前記蛍光体層が、ハロゲン化セシウム（ＣｓＸ；Ｘはハロゲン）を母体とする蛍光体を含有することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【請求項１０】
前記蛍光体層が、酸硫化ガドリウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）を母体とする蛍光体であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置を製造する放射線画像検出装置の製造方法であって、シンチレータパネルを密着用支持体で光電変換素子アレイに貼り合わせる際に、当該光電変換素子アレイ及び密着用支持体の温度を２０〜１５０℃に暖めて接着することを特徴とする放射線画像検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像にムラ等の欠陥を生じず、均一な画像が得られる放射線画像検出装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、Ｘ線画像のような放射線画像は、医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、いまなお、世界中の医療現場で用いられている。しかしながらこれら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送が出来ない。
【０００３】
そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ（ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしも写真フィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式のＸ線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。
【０００４】
Ｘ線画像のデジタル技術の一つとしてコンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）が現在医療現場で受け入れられている。そして、更に新たなデジタルＸ線画像技術として、例えば雑誌Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｔｏｄａｙ，１９９７年１１月号２４頁のジョン・ローランズ論文“Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｕｓｈｅｒ  ｉｎ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｘ−ｒａｙ  Ｉｍａｇｉｎｇ”や、雑誌ＳＰＩＥの１９９７年３２巻２頁のエル・イー・アントヌクの論文“Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  ａ  Ｈｉｇｈ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ，Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ，Ｆｌａｔ−Ｐａｎｅｌ  Ｉｍａｇｅｒ  ｗｉｔｈ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｆｉｌｌ  Ｆａｃｔｏｒ”等に記載された、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）が開発されている。
【０００５】
ところで、特に医療機器としては、大面積対応の放射線検出器が必要である。例えば胸部Ｘ線透過装置では、４６ｃｍ角の大面積を必要とする。そこで大面積な放射線を検出しながら、装置自体はコンパクト、しかも動画対応の放射線画像検出装置の開発が進められている。例えば光電変換素子として水素化アモルファスシリコンの高感度光電変換素子を使えば、大面積化は容易である。しかもこの素子と蛍光体を組み合わせれば、大面積の放射線を一対一で、縮小光学系や、イメージインテンシファイヤー等を介さず高感度に直接検出できるので、大面積、コンパクト、動画対応の放射線画像検出装置を実現することができる。例えば２次元光電変換装置と、蛍光体を組み合わせることが考えられる。
【０００６】
この大面積放射線画像検出装置では、蛍光体を設けた蛍光体シートと光電変換素子を有する基板を、従来の方法によれば接着剤で全面接着していることが多かった。
【０００７】
放射線画像検出装置の大面積化、蛍光体と光電変換素子の一体化に伴い、いくつかの問題が生じてきた。ガラス基板と、蛍光体シートや接着剤との熱膨張係数の差が無視できなくなり、蛍光体シートに割れが生じたり、基板がたわんだりする問題が持ち上がった。
【０００８】
基板全面に均一な接着剤層を形成することが難しく、蛍光体シートの平面度を均一に保つことが困難であり、接着剤中の不純物が蛍光体や下地のデバイスに悪影響を与えるといった問題があった。そのために保護膜をさらに追加せねばならず、蛍光体シートと基板の間によけいなものがさらに加わる結果となる。
【０００９】
ベースシートは、適度な強度と均一な平面性を出すために、１ｍｍ近い厚さのものを用いねばならず、一般に蛍光体内で発生した光の反射板を兼ねて、Ｘ線透過率の高いアルミ板を用いることが多く、そのため放射線画像検出装置全体の質量が重くなる傾向があった。
【００１０】
また、蛍光体シートの保護膜、接着剤層など、光電変換素子と蛍光体との間に無駄な間隙が生じ、光の利用効率が落ち、ここでの散乱により、像のボケが生じる問題があった。特に医療器では、人体への放射線の照量をできるだけ減らしたいという要求があり、また放射線から光への蛍光体での変換効率は数１０％程度であるので、可能な限り光を有効利用したいという条件下では、この効率低下は重大な問題である。
【００１１】
さらに、蛍光体に吸湿性があり、水分を吸うと劣化するものが多く、接着剤の吸湿性と絡んでデバイスに悪影響を与える場合が多かった。
【００１２】
すなわち、上述したように、放射線画像検出装置の大面積化、蛍光体と光電変換素子の一体化に伴って、次のような問題が生じてきた。すなわち、（ｉ）ガラス基板と、蛍光体シートや接着剤との熱膨張係数の差による、蛍光体シートの割れ、基板のたわみが生じる。（ii）基板全面に均一な接着剤層を形成することが難しく、蛍光体シートの平面度を均一に保つことが困難である。（iii）接着剤中の不純物が蛍光体や下地のデバイスに悪影響を与える。（iv）そのために、保護膜をさらに追加すると、蛍光体シートと基板の間によけいなものがさらに加わる結果となる。（ｖ）ベースシートにアルミ板を用いると、放射線画像検出装置全体の質量が重くなる。（vi）ベースシートを、従来の方法で完全密着させようとすると、蛍光体シートの保護膜、接着剤層など、光電変換素子と蛍光体との間に無駄な間隙が生じ、光の利用効率が落ち、ここでの散乱により、像のボケが生じる。（vii）蛍光体に吸湿性があり、水分を吸うと劣化するものが多く、接着剤の吸湿性と絡んでデバイスに悪影響を与える。（viii）蛍光体シートの端面に接着剤をつけると、蛍光体に接着剤が付着し、画像の劣化が生じる。（ix）シート裏面より直接大気圧をかけると、厚さに応じたムラが発生する。（ｘ）ガラスを介して密着させる例が紹介されているが、剛性のある物であれば密着にムラが生じる。
【００１３】
上記のような問題の解決案として、光電変換素子を有する基板と、蛍光体シートとを張り合わせて形成する放射線画像検出装置において、蛍光体シートと基板の光電変換素子形成面とが大気圧より低い状態に保持されて大気圧によって密着しているとともに、少なくとも前記蛍光体シートと前記基板の端面を封止部材で封止したことを特徴とする放射線画像検出装置が提案されている（特許文献１参照）。しかしながら、蛍光体シートの端面に接着剤をつけると、蛍光体に接着剤が付着し、画像の劣化が生じる。また、シート裏面より直接大気圧をかけると、厚さに応じたムラが発生するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特許３８８００９４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上記問題・状況にかんがみてなされたものであり、その解決課題は、放射線画像にムラ等の欠陥を生じず、均一な画像が得られる放射線画像検出装置とその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
【００１７】
１．２次元的に配列された光電変換素子アレイ上に放射線を光に変換する蛍光体層を基板上に有するシンチレータパネルを密着させて成る放射線画像検出装置であって、当該シンチレータパネルと光電変換素子アレイとが、当該シンチレータパネルの基板側に配置した密着用支持体を介して大気圧により密着しており、かつ当該密着用支持体がその周囲を接着剤で光電変換素子アレイ上に接着されていることを特徴とする放射線画像検出装置。
【００１８】
２．前記接着剤と蛍光体層が接触していないことを特徴とする前記１に記載の放射線画像検出装置。
【００１９】
３．前記基板及び密着用支持体の熱膨張係数がともに２０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする前記１又は前記２に記載の放射線画像検出装置。
【００２０】
４．前記基板の熱膨張係数が、密着用支持体の熱膨張係数より大きいことを特徴とする前記１から前記３のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【００２１】
５．前記基板の透湿度が、密着用支持体の透湿度より大きいことを特徴とする前記１から前記４のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【００２２】
６．前記基板が、可撓性を有する基板であることを特徴とする前記１から前記５のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【００２３】
７．前記可撓性を有する基板がポリイミドを含有する高分子フィルム基板であることを特徴とする前記１から前記６のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【００２４】
８．前記接着剤が、熱融着シール剤又はＵＶ硬化樹脂であることを特徴とする前記１から前記７のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【００２５】
９．前記蛍光体層が、ハロゲン化セシウム（ＣｓＸ；Ｘはハロゲン）を母体とする蛍光体を含有することを特徴とする前記１から前記８のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【００２６】
１０．前記蛍光体層が、酸硫化ガドリウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）を母体とする蛍光体であることを特徴とする前記１から前記８のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【００２７】
１１．前記１から前記１０のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置を製造する放射線画像検出装置の製造方法であって、シンチレータパネルを密着用支持体で光電変換素子アレイに貼り合わせる際に、当該光電変換素子アレイ及び密着用支持体の温度を２０〜１５０℃に暖めて接着することを特徴とする放射線画像検出装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の上記手段により、放射線画像にムラ等の欠陥を生じず、均一な画像が得られる放射線画像検出装置とその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】シンチレータパネルと光電変換素子アレイとが、密着用支持体を介して大気圧により密着している状態を示す概念図
【図２】シンチレータパネル製造装置の模式図
【図３】放射線画像検出装置の概略構成を示す一部破断斜視図
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明の放射線画像検出装置は、２次元的に配列された光電変換素子アレイ上に放射線を光に変換する蛍光体層を基板上に有するシンチレータパネルを密着させて成る射線検出装置であって、当該シンチレータパネルと光電変換素子アレイとが、当該シンチレータパネルの基板側に配置した密着用支持体を介して大気圧により密着しており、かつ当該密着用支持体がその周囲を接着剤で光電変換素子アレイ上に接着されていることを特徴とする（図１参照）。この特徴は、請求項１から請求項１１に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００３１】
本発明の実施態様としては、本発明の効果の発現の観点から、前記接着剤と蛍光体層が接触していない態様であることが好ましい。また、前記基板及び密着用支持体の熱膨張係数がともに２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。さらに、１０ｐｐｍ／℃以下であることがさらに好ましい。さらには、当該基板の熱膨張係数が、密着用支持体の熱膨張係数より大きいことが好ましい。また、当該基板の透湿度が、密着用支持体の透湿度より大きいことが好ましい。
【００３２】
本発明においては、当該基板が、可撓性を有する基板であることが好ましい。この場合、当該可撓性を有する基板がポリイミドを含有する高分子フィルム基板であることが好ましい。
【００３３】
また、本発明においては、前記接着剤が、熱融着シール剤又はＵＶ硬化樹脂であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。
【００３４】
本発明においては、前記蛍光体層が、ハロゲン化セシウム（ＣｓＸ；Ｘはハロゲン）を母体とする蛍光体を含有することが好ましい。又は、当該前記蛍光体層が、酸硫化ガドリウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）を母体とする蛍光体であることも好ましい。
【００３５】
本発明の放射線画像検出装置の製造方法としては、シンチレータパネルを密着用支持体で光電変換素子アレイに貼り合わせる際に、当該光電変換素子アレイ及び密着用支持体の温度を２０〜１００℃に暖めて接着する態様の製造方法であることが好ましい。
【００３６】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態等について詳細な説明をする。
【００３７】
（放射線画像検出装置の構成）
本発明の放射線画像検出装置は、放射線を光に変換する蛍光体層を基板上に有するシンチレータパネルを備えていることを特徴とするが、当該蛍光体層の外に、目的に応じて、後述するような各種機能層を設けた構成とすることが好ましい。
【００３８】
また、本発明の放射線画像検出装置は、第１の基板上に反射層等の機能層を介して気相堆積法により蛍光体層を設けてなるシンチレータパネルに、第２の基板上にフォトセンサとＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）又はＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅｓ）からなる画素を２次元状に配置した光電変換素子部（「平面受光素子」）を設けてなる光電変換パネルを接着あるいは密着させることで放射線画像変換パネルとすることが好ましい。
【００３９】
以下、典型的例として、主にシンチレータパネルを形成する場合の各種構成層及び構成要素等について説明する。
【００４０】
（シンチレータパネルの構成）
本発明に係るシンチレータパネルは、高分子フィルム基板上に柱状結晶からなる蛍光体層を設けて成るシンチレータパネルが好ましく、基板と蛍光体層の間に下引層を有する態様がより好ましい。また基板上に反射層を設け、反射層、下引層、及び蛍光体層の構成であってもよい。以下、各構成層及び構成要素等について説明する。
【００４１】
（蛍光体層：シンチレータ層）
本発明に係る蛍光体層は、蛍光体柱状結晶からなる蛍光体層であることが好ましい。蛍光体層を形成する材料としては、種々の公知の蛍光体材料を使用することができるが、Ｘ線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来るため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層の厚さを厚くすることが可能であることから、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）及び酸硫化ガドリウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）が好ましい。
【００４２】
但し、ＣｓＩ又はＧｄ２Ｏ２Ｓのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。例えば、特公昭５４−３５０６０号公報の如く、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものが挙げられる。また、例えば特開２００１−５９８９９号公報に開示されているようなＣｓＩを蒸着で、タリウム（Ｔｌ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、インジウム（Ｉｎ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）などの賦活物質を含有するＣｓＩが好ましい。本発明においては、特に、タリウム（Ｔｌ）、ユウロピウム（Ｅｕ）が好ましい。更に、タリウム（Ｔｌ）が好ましい。
【００４３】
なお、本発明においては、特に、１種類以上のタリウム化合物を含む添加剤とヨウ化セシウムとを原材料とすることが好ましい。すなわち、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）は４００ｎｍから７５０ｎｍまでの広い発光波長をもつことから好ましい。
【００４４】
本発明に係る１種類以上のタリウム化合物を含有する添加剤のタリウム化合物としては、種々のタリウム化合物（＋Ｉと＋IIIの酸化数の化合物）を使用することができる。
【００４５】
本発明において、好ましいタリウム化合物は、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）、塩化タリウム（ＴｌＣｌ）、又はフッ化タリウム（ＴｌＦ，ＴｌＦ３）等である。
【００４６】
また、本発明に係るタリウム化合物の融点は、４００〜７００℃の範囲内にあることが好ましい。７００℃以内を超えると、柱状結晶内での添加剤が不均一に存在してしまい、発光効率が低下する。なお、本発明での融点とは、常温常圧下における融点である。
【００４７】
本発明に係る蛍光体層において、当該添加剤の含有量は目的性能等に応じて、最適量にすることが望ましいが、ヨウ化セシウムの含有量に対して、０．００１ｍｏｌ％〜５０ｍｏｌ％、更に０．１〜１０．０ｍｏｌ％であることが好ましい。
【００４８】
ここで、ヨウ化セシウムに対し、添加剤が０．００１ｍｏｌ％以上であると、ヨウ化セシウム単独使用で得られる発光輝度の向上がみられ、目的とする発光輝度を得る点で好ましい。また、５０ｍｏｌ％以下であるとヨウ化セシウムの性質・機能を保持することができて好ましい。Ｇｄ２Ｏ２Ｓ蛍光体にはＴｂを賦活することが好ましい。
【００４９】
なお、シンチレータ層（蛍光体層）の厚さは、１００〜８００μｍであることが好ましく、１２０〜７００μｍであることが、輝度と鮮鋭性の特性をバランスよく得られる点からより好ましい。
【００５０】
（反射層）
本発明においては、高分子基板上には反射層を設けることが好ましい、蛍光体（シンチレータ）から発した光を反射して、光の取り出し効率を高めるためのものである。当該反射層は、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＡｕからなる元素群の中から選ばれるいずれかの元素を含む材料により形成されることが好ましい。特に、上記の元素からなる金属薄膜、例えば、Ａｇ膜、Ａｌ膜などを用いることが好ましい。また、このような金属薄膜を２層以上形成するようにしても良い。
【００５１】
金属薄膜を２層以上とする場合は、下層をＮｉもしくはＣｒ、あるいはその両方を含む層とすることが基板との接着性を向上させる点から好ましい。また、金属薄膜上にＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の金属酸化物からなる層をこの順に設けてさらに反射率を向上させても良い。
【００５２】
なお、反射層の厚さは、０．００５〜０．３μｍ、より好ましくは０．０１〜０．２μｍであることが、発光光取り出し効率の観点から好ましい。
【００５３】
（下引層）
本発明においては、基板と蛍光体層の間、又は反射層と蛍光体層の間に膜付の観点から、下引き層を設けることが好ましい。当該下引層は、高分子結合材（バインダー）、分散剤等を含有することが好ましい。なお、下引層の厚さは、０．５〜４μｍが好ましい、４μｍ以上になると下引層内での光散乱が大きくなり鮮鋭性が悪化する。また下引層の厚さが５μｍより大きくなると熱処理より柱状結晶性の乱れが発生する。以下、下引層の構成要素について説明する。
【００５４】
〈高分子結合材〉
本発明に係る下引層は、溶剤に溶解又は分散した高分子結合材（以下「バインダー」ともいう。）を塗布、乾燥して形成することが好ましい。高分子結合材としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースを使用することが好ましい。
【００５５】
本発明に係る高分子結合材としては、特に蛍光体層との密着の点でポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースなどが好ましい。また、ガラス転位温度（Ｔｇ）が３０〜１００℃のポリマーであることが、蒸着結晶と基板との膜付の点で好ましい。この観点からは、特にポリエステル樹脂であることが好ましい。
【００５６】
下引層の調製に用いることができる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。
【００５７】
なお、本発明に係る下引層には、蛍光体（シンチレータ）が発光する光の散乱の防止し、鮮鋭性等を向上させるために顔料や染料を含有させても良い。
【００５８】
（保護層）
本発明に係る保護層は、蛍光体層の保護を主眼とするものである。すなわち、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを主眼とする。
【００５９】
当該保護層は、種々の材料を用いて形成することができる。例えば、ＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜を形成する。即ち、蛍光体（シンチレータ）及び基板の表面全体にポリパラキシリレン膜を形成し、保護層とすることができる。
【００６０】
また、別の態様の保護層として、蛍光体層上に高分子フィルムを設けることもできる。なお、高分子フィルムの材料としては、後述する基板材料としての高分子フィルムと同様のフィルムを用いることができる。
【００６１】
上記高分子フィルムの厚さは、空隙部の形成性、蛍光体層の保護性、鮮鋭性、防湿性、作業性等を考慮し、１２μｍ以上、１２０μｍ以下が好ましく、更には２０μｍ以上、８０μｍ以下が好ましい。また、ヘイズ率は、鮮鋭性、放射線画像ムラ、製造安定性及び作業性等を考慮し、３％以上、４０％以下が好ましく、更には３％以上、１０％以下が好ましい。ヘイズ率は、例えば、日本電色工業株式会社ＮＤＨ５０００Ｗにより測定できる。必要とするヘイズ率は、市販されている高分子フィルムから適宜選択し、容易に入手することが可能である。
【００６２】
保護フィルムの光透過率は、光電変換効率、蛍光体（シンチレータ）発光波長等を考慮し、５５０ｎｍで７０％以上あることが好ましいが、９９％以上の光透過率のフィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に９９％〜７０％が好ましい。
【００６３】
保護フィルムの透湿度は、蛍光体層の保護性、潮解性等を考慮し５０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ  Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、更には１０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ  Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましいが、０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以下の透湿度のフィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に、０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以上、５０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ  Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、更には０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以上、１０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ  Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましい。
【００６４】
（基板）
本発明のシンチレータパネルは、基板として、高分子フィルムを用いることが好ましい。高分子フィルムとしては、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、炭素繊維強化樹脂シート等の高分子フィルム（プラスチックフィルム）、液晶ポリマー等を主成分として含有するものが好ましく、中でもポリイミド、液晶ポリマーを含有する高分子フィルムが、ヨウ化セシウム等を原材料として気相法にて蛍光体柱状結晶を形成する場合に、好適である。液晶ポリマーとしては、例えば、エチレンテレフタレートとパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体、エチレンテレフタレートとパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体、２，６−ヒドロキシナフトエ酸とパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体等が挙げられるが、中でも耐熱性の観点より２，６−ヒドロキシナフトエ酸とパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体が最も好ましい。
【００６５】
なお、本発明に係る基板としての高分子フィルムは、厚さ５０〜５００μｍであること、更に可撓性を有する高分子フィルムであることが好ましい。
【００６６】
ここで、「可撓性を有する基板」とは、１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００〜６０００Ｎ／ｍｍ２である基板をいい、かかる基板としてポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。
【００６７】
なお、「弾性率」とは、引張試験機を用い、ＪＩＳ  Ｃ  ２３１８に準拠したサンプルの標線が示すひずみと、それに対応する応力が直線的な関係を示す領域において、ひずみ量に対する応力の傾きを求めたものである。これがヤング率と呼ばれる値であり、本発明では、かかるヤング率を弾性率と定義する。
【００６８】
本発明に用いられる基板は、上記のように１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００〜６０００Ｎ／ｍｍ２であることが好ましい。より好ましくは１２００〜５０００Ｎ／ｍｍ２である。
【００６９】
具体的には、ポリエチレンナフタレート（Ｅ１２０＝４１００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエチレンテレフタレート（Ｅ１２０＝１５００Ｎ／ｍｍ２）、ポリブチレンナフタレート（Ｅ１２０＝１６００Ｎ／ｍｍ２）、ポリカーボネート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）、シンジオタクチックポリスチレン（Ｅ１２０＝２２００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエーテルイミド（Ｅ１２０＝１９００Ｎ／ｍｍ２）、ポリアリレート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）、ポリスルホン（Ｅ１２０＝１８００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエーテルスルホン（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）等からなる高分子フィルムが挙げられる。
【００７０】
これらは単独で用いてもよく積層あるいは混合して用いてもよい。中でも、特に好ましい高分子フィルムとしては、上述のように、ポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。
【００７１】
なお、シンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せる際に、基板の変形や蒸着時の反りなどの影響を受け、フラットパネルデテイクタの受光面内で均一な画質特性が得られないという点に関して、該基板を、厚さ５０〜５００μｍの高分子フィルムとすることでシンチレータパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形し、フラットパネルデテイクタの受光面全体で均一な鮮鋭性が得られる。
【００７２】
（密着用支持体）
本発明の放射線画像検出装置は、２次元的に配列された光電変換素子アレイ上に放射線を光に変換する蛍光体層を基板上に有するシンチレータパネルを密着させて成る放射線画像検出装置であって、当該シンチレータパネルと前記光電変換素子アレイとが、当該シンチレータパネルの基板側に配置した密着用支持体を介して大気圧により密着しており、かつ当該密着用支持体がその周囲を接着剤で光電変換素子アレイ上に接着されていることを特徴とする。
【００７３】
本発明に係る密着用支持体の素材としては、上記基板の素材を用いることができる。
【００７４】
本発明においては、前記基板及び密着用支持体の熱膨張係数がともに２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。さらに好ましくは、１０ｐｐｍ／℃以下である。但し、本発明の効果の観点から、当該基板の熱膨張係数が、密着用支持体の熱膨張係数より大きいことが好ましい。また、基板の透湿度が、密着用支持体の透湿度より大きいことが好ましい。
【００７５】
なお、線膨張係数は、例えば、セイコー電子（株）製ＥＸＳＴＡＲ  ＴＭＡ／ＳＳ６０００型熱応力歪測定装置を用いて、窒素雰囲気下、１分間に５℃の割合で温度を３０℃から１５０℃まで上昇させた後、一旦０℃まで冷却し、再び１分間に５℃の割合で温度を上昇させて３０℃〜１５０℃の時の値を、荷重を５ｇにし、引張モードで測定して求めることができる。
【００７６】
〈シンチレータパネルの製造装置〉
図２は、本発明に係るシンチレータパネルの製造装置１の概略構成図である。図２に示すように、シンチレータパネルの製造装置１は真空容器２を備えており、真空容器２には真空容器２の内部の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ３が備えられている。
【００７７】
真空容器２の内部の上面付近には、支持体４を保持する支持体ホルダ５が設けられている。
【００７８】
支持体４の表面には、蛍光体層が気相堆積法によって形成される。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法その他を用いることができるが、本発明では特に蒸着法が好ましい。
【００７９】
支持体ホルダ５は、支持体４のうち前記蛍光体層を形成する面が真空容器２の底面に対向し、かつ、真空容器２の底面と平行となるように支持体４を保持する構成となっている。
【００８０】
また、支持体ホルダ５には、支持体４を加熱する加熱ヒータ（図示せず）を備えることが好ましい。この加熱ヒータで支持体４を加熱することによって、支持体４の支持体ホルダ５に対する密着性の強化や、前記蛍光体層の膜質調整を行う。また、支持体４の表面の吸着物を離脱・除去し、支持体４の表面と前記蛍光体との間に不純物層が発生することを防止する。
【００８１】
また、加熱手段として温媒又は熱媒を循環させるための機構（図示せず）を有していてもよい。この手段は蛍光体の蒸着時における支持体４の温度を５０〜１５０℃といった比較的低温に保持して蒸着する場合に適している。
【００８２】
また、加熱手段としてハロゲンランプ（図示せず。）を有していてもよい。この手段は蛍光体の蒸着時における支持体４の温度を１５０℃以上といった比較的高温に保持して蒸着する場合に適している。
【００８３】
さらに、支持体ホルダ５には、支持体４を水平方向に回転させる支持体回転機構６が設けられている。支持体回転機構６は、支持体ホルダ５を支持すると共に支持体４を回転させる支持体回転軸７及び真空容器２の外部に配置されて支持体回転軸７の駆動源となるモータ（図示せず）から構成されている。
【００８４】
また、真空容器２の内部の底面付近には、支持体４に垂直な中心線を中心とした円の円周上の互いに向かい合う位置に蒸発源８ａ、８ｂが配置されている。この場合において、支持体４と蒸発源８ａ、８ｂとの間隔は１００〜１５００ｍｍとされるのが好ましく、より好ましくは２００〜１０００ｍｍである。また、支持体４に垂直な中心線と蒸発源８ａ、８ｂとの間隔は１００〜１５００ｍｍとされるのが好ましく、より好ましくは２００〜１０００ｍｍである。
【００８５】
なお、本発明に係るシンチレータパネル製造装置においては３個以上の多数の蒸発源を設けることも可能であり、各々の蒸発源は等間隔に配置してもよく、間隔を変えて配置してもよい。また、支持体４に垂直な中心線を中心とした円の半径は任意に定めることができる。
【００８６】
蒸発源８ａ、８ｂは、前記蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のるつぼから構成しても良いし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成しても良い。また、前記蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でも良いが、本発明では比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から直接電流を流し抵抗加熱する方法や、周りのヒーターでるつぼを間接的に抵抗加熱する方法が好ましい。また、蒸発源８ａ、８ｂは分子源エピタキシャル法による分子線源でも良い。
【００８７】
また、蒸発源８ａ、８ｂと支持体４との間には、蒸発源８ａ、８ｂから支持体４に至る空間を遮断するシャッタ９が水平方向に開閉自在に設けられており、このシャッタ９によって、蒸発源８ａ、８ｂにおいて前記蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、支持体４に付着するのを防ぐことができるようになっている。
【００８８】
〈シンチレータパネルの製造方法〉
図２に示したシンチレータパネル製造装置１を用いたシンチレータパネルの製造方法について説明する。
【００８９】
まず、支持体ホルダ５に支持体４を取付ける。また、真空容器２の底面付近において、支持体４に垂直な中心線を中心とした円の円周上に蒸発源８ａ、８ｂを配置する。この場合において、支持体４と蒸発源８ａ、８ｂとの間隔は１００〜１５００ｍｍとされるのが好ましく、より好ましくは２００〜１０００ｍｍである。また、支持体４に垂直な中心線と蒸発源８ａ、８ｂとの間隔は１００〜１５００ｍｍとされるのが好ましく、より好ましくは２００〜１０００ｍｍである。
【００９０】
次いで、真空容器２の内部を真空排気し、所望の真空度に調整する。その後、支持体回転機構６により支持体ホルダ５を蒸発源８ａ、８ｂに対して回転させ、蒸着可能な真空度に真空容器２が達したら、加熱した蒸発源８ａ、８ｂから前記蛍光体を蒸発させて、支持体４の表面に前記蛍光体を所望の厚さに成長させる。
【００９１】
なお、支持体４の表面に前記蛍光体を成長させる工程を複数回に分けて行って前記蛍光体層を形成することも可能である。
【００９２】
また、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて、被蒸着体（支持体４、保護層又は中間層）を冷却あるいは加熱しても良い。
【００９３】
さらに、蒸着終了後、前記蛍光体層を加熱処理しても良い。また、蒸着法においては必要に応じてＯ２、Ｈ２などのガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行っても良い。
【００９４】
形成する前記蛍光体層の膜厚は、シンチレータパネルの使用目的により、また前記蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０〜２０００μｍであり、好ましくは５０〜１０００μｍであり、さらに好ましくは１００〜８００μｍである。
【００９５】
また、前記蛍光体層が形成される支持体４の温度は、室温（ｒｔ）〜３００℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは５０〜２５０℃である。
【００９６】
以上のようにして前記蛍光体層を形成した後、必要に応じて、前記蛍光体層の支持体４とは反対の側の面に、物理的にあるいは化学的に前記蛍光体層を保護するための保護層を設けてもよい。保護層は、保護層用の塗布液を前記蛍光体層の表面に直接塗布して形成してもよく、また、予め別途形成した保護層を前記蛍光体層に接着してもよい。これらの保護層の層厚は０．１〜２０００μｍが好ましい。
【００９７】
また、保護層は蒸着法、スパッタリング法などにより、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３などの無機物質を積層して形成してもよい。
【００９８】
本発明においては、保護層の外に、上記の各種機能層を設けることが好ましい。
【００９９】
以上のシンチレータパネルの製造装置１又は製造方法によれば、複数の蒸発源８ａ、８ｂを設けることによって蒸発源８ａ、８ｂの蒸気流が重なり合う部分が整流化され、支持体４の表面に蒸着する前記蛍光体の結晶性を均一にすることができる。このとき、多数の蒸発源を設けるほど多くの箇所で蒸気流が整流化されるため、より広範囲において前記蛍光体の結晶性を均一にすることができる。また、蒸発源８ａ、８ｂを支持体４に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置することによって、蒸気流の整流化によって結晶性が均一になるという作用を、支持体４の表面において等方的に得ることができる。
【０１００】
また、支持体回転機構６によって支持体４を回転しながら前記蛍光体の蒸着を行うことによって、支持体４の表面に均一に前記蛍光体を蒸着させることができる。
【０１０１】
以上述べたように本発明に係るシンチレータパネル製造装置１又は製造方法によれば、支持体４の表面において、前記蛍光体の結晶性が均一となるように前記蛍光体層を成長させることによって、前記蛍光体層の感度ムラを低下させ、本発明に係るシンチレータパネルを用いたシンチレータパネルから得られる放射線画像の鮮鋭性を向上させることができる。
【０１０２】
また、支持体４に蒸着する前記蛍光体の入射角を所定の範囲に制限して輝尽性蛍光体の入射角のばらつきを防ぐことによって、蛍光体の結晶性をより均一にして、シンチレータパネルから得られる放射線画像の鮮鋭性を向上させることができる。
【０１０３】
なお、以上は支持体ホルダ５が支持体回転機構６を備える場合について説明したが、本発明は必ずしもこれに限らず、支持体ホルダ５が支持体４を保持して静止した状態で蒸着を行う場合や、支持体４を蒸発源８ａ、８ｂに対して水平方向に移動させることによって蒸発源８ａ、８ｂからの前記蛍光体を蒸着させる場合などにおいても適用可能である。
【０１０４】
（放射線画像検出装置）
以下に、図３を参照しながら、当該放射線用シンチレータパネル１２を具備した放射線画像検出装置１００の構成について説明する。なお、図３は放射線画像検出装置１００の概略構成を示す一部破断斜視図である。
【０１０５】
シンチレータパネル１２と筐体１５５の放射線入射側に設置された保護カバー１５５（ａ）の間隙には、ポリウレタン製のフォーム（発泡材）１５０が配置されている。
【０１０６】
図３に示す通り、放射線画像検出装置１００には、シンチレータパネル１２、放射線画像検出装置１００の動作を制御する制御部１５２、書き換え可能な専用メモリ（例えばフラッシュメモリ）等を用いてシンチレータパネル１２から出力された画像信号を記憶する記憶手段であるメモリ部１５３、放射線画像検出装置を駆動して画像信号を得るために必要とされる電力を供給する電力供給手段である電源部１５４、等が筐体１５５の内部に設けられている。筐体１５５には必要に応じて放射線画像検出装置１００から外部に通信を行うための通信用のコネクタ１５６、放射線画像検出装置１００の動作を切り換えるための操作部１５７、放射線画像の撮影準備の完了やメモリ部１５３に所定量の画像信号が書き込まれたことを示す表示部１５８、等が設けられている。
【０１０７】
ここで、放射線画像検出装置１００に電源部１５４を設けるとともに放射線画像の画像信号を記憶するメモリ部１５３を設け、コネクタ１５６を介して放射線画像検出装置１００を着脱自在にすれば、放射線画像検出装置１００を持ち運びできる可搬構造とすることができる。
【０１０８】
放射線用シンチレータパネル１２は、放射線照射面側に配置されており、入射した放射線の強度に応じた電磁波を発光するように構成されている。
【実施例】
【０１０９】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【０１１０】
（基板１の作製）
厚さ１２５μｍ、２５０×２００ｍｍサイズのポリイミドフィルム（熱膨張係数は２４ｐｐｍ／℃）（宇部興産製ユーピレックス）にアルミをスパッタして反射層（０．１０μｍ）を形成した。
【０１１１】
（基板２の作製）
熱膨張係数が１２ｐｐｍ／℃であるポリイミドフィルムである以外は同じ条件で作製した。
【０１１２】
（基板３の作製）
熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃である液晶ポリマーフィルムである以外は同じ条件で作製した。
【０１１３】
（下引層の作製）
バイロン２０ＳＳ（東洋紡社製：高分子ポリエステル樹脂）      ３００質量部
コロネートＨＸ（日本ポリウレタン社製：硬膜剤）                ５０質量部
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）                                ２００質量部
トルエン                                                    ３００質量部
シクロヘキサノン                                            １５０質量部
上記処方をディスバーにて攪拌混合し、下引き塗設用の塗布液を得た。この塗布液を上記基板の反射層側に乾燥層厚が１．０μｍになるようにスピンコーターで塗布したのち１００℃で８時間乾燥することで下引き層を作製した。
【０１１４】
（蛍光体層の形成）
基板の下引き層側に蛍光体（ＣｓＩ：０．０３Ｔｌｍｏｌ％）を、図２に示した蒸着装置を使用して蒸着させ基板の全面に５００μｍの蛍光体層を形成した。蒸発源と支持体ホルダとの間にシャッタを配し、蒸着開始時に目的物以外の物質が蛍光体層に付着するのを防止した。
【０１１５】
すなわち、まず、蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダに基板を設置し、基板と蒸発源との間隔を５００ｍｍに調節した。
【０１１６】
続いて蒸着装置内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で基板を回転しながら基板の温度を２００℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体を蒸着し表１の（１）層厚に示した層厚の蛍光体層を形成した。
【０１１７】
（サンプル１の貼り合わせ方法）
画像領域が２５０×２００ｍｍのＴＦＴに基板１を使用したシンチレータパネルを蛍光体面とＴＦＴの光電変換面を対向させて接触させ、特許３８８００９４号明細書に記載されている実施形態１の方法と同様に減圧容器中で端部にバイロン２００を乾燥厚さ５μｍとなるように塗布し、減圧状態で貼り合わせた。
【０１１８】
（サンプル２の貼り合わせ方法）
画像領域が２５０×２００ｍｍのＴＦＴに基板１を使用したシンチレータパネルを蛍光体面とＴＦＴの光電変換面を対向させて接触させ、そのシンチレータパネルの上より２５５×２０５ｍｍの熱膨張係数２０ｐｐｍ厚さ１２５μｍのポリイミドシートをシンチレータがはみ出さないようにかぶせ、減圧容器内でディスペンサーで周囲に溶融したバイロン２００を乾燥膜厚５μｍとなるように塗布し、減圧状態で貼り合わせた。
【０１１９】
（サンプル３の貼り合わせ方法）
画像領域が２５０×２００ｍｍのＴＦＴに基板１を使用したシンチレータパネルを蛍光体面とＴＦＴの光電変換面を対向させて接触させ、そのシンチレータパネルの上より２５５×２０５ｍｍの熱膨張係数２０ｐｐｍ厚さ１２５μｍのポリイミドシートをシンチレータがはみ出さないようにかぶせ、減圧容器内で、ディスペンサーにより、周囲に溶融したバイロン２００を乾燥膜厚５μｍとなるように塗布し、減圧状態で貼り合わせた。
【０１２０】
（サンプル４〜６の貼り合わせ方法）
サンプル４〜６については基板もしくは貼り合わせ支持体の組み合わせを表１に記載した材料を使用したこと以外はサンプル３と同様にして貼り合わせた。なお液晶ポリマーとしては、クラレ製ベクスターＯＣを使用した。
【０１２１】
（サンプル７の貼り合わせ方法）
２５５×２０５ｍｍの熱膨張係数６ｐｐｍの液晶ポリマー（クラレ製ベクスターＯＣ）に下引き層と同じ組成の塗料を乾燥厚さ５μｍとなるように塗布し１００℃５分で溶剤のみを乾燥させた。貼り合わせ支持体とした。基板３を使用したシンチレータの蛍光体層面とは反対面とバイロンを塗布した面と対向して貼り合わせ、１００℃８時間加熱して接着させた。これを画像領域が２５０×２００ｍｍのＴＦＴに蛍光体面とＴＦＴの光電変換面を対向させて接触させ、減圧容器内で、ディスペンサーにより、周囲に溶融したバイロン２００を乾燥膜厚５μｍとなるように塗布し、減圧状態で貼り合わせた。
【０１２２】
（評価方法）
ＭＴＦ：８０ｋＶで鉛エッジを撮影し、画像をフーリエ解析することより求めた。サンプル１の１ｌｎ／ｍｍのＭＴＦを１００とする相対値として求めた。
【０１２３】
端部画像ムラ：８０ｋＶのＸ線を照射し、画像補正を行わず、コンピュータ画面上で画像を観察し、端部から１ｃｍのムラを目視にて下記評価基準に基づき評価した。
【０１２４】
画像ムラ：端部から１ｃｍより内側の画像ムラを目視にて下記評価基準に基づき評価した。
【０１２５】
初期特性：サンプルを作成後、すぐにＸ線を照射し撮影、評価を行った。
【０１２６】
耐久性評価：サンプルを６０℃のサーモに入れ、２００時間加熱耐久性を行った後、Ｘ線を照射し撮影、評価を行った。
１：ムラが多く使用できない
２：ムラが多い
３：ムラはあるが、使用できる
４：ムラが少ない
５：ムラが無い、もしくはわからない。
【０１２７】
上記評価結果を表１に示す。
【０１２８】
【表１】
2010217148.tif 000002
【０１２９】
表１に示した結果から明らかなように、本発明に係る実施例は、比較例に比べ放射線画像の鮮鋭性が優れているとともにムラを生じず又は少ないことが分かる。
【符号の説明】
【０１３０】
１  シンチレータパネルの製造装置
２  真空容器
３  真空ポンプ
４  支持体
５  支持体ホルダ
６  支持体回転機構
７  支持体回転軸
８  蒸発源
９  シャッタ
１０  遮蔽板
１２  シンチレータパネル
１００  放射線画像検出装置
【図１】
2010217148.tif 000003
【図２】
2010217148.tif 000004
【図３】
2010217148.tif 000005