(57)【要約】【課題】各共振子の機械的品質係数を向上できるとともに共振子間を接続する金属配線の低抵抗化を図れてフィルタ特性の向上を図れ、且つ、支持基板の小型化を図れるＢＡＷフィルタを提供する。【解決手段】支持基板１の一表面に、共振子３の下部電極３１および絶縁層４を露出させる複数の凹所１ａがエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されている。下部電極３１同士が電気的に接続された２個１組の共振子３の組を複数組備え、各組の２個の共振子３では、下部電極３１と圧電層３２とが連続して形成される一方で上部電極３３同士が絶縁分離され、隣り合う共振子３の組間では、隣接する２個の共振子３の上部電極３３同士が金属配線３４を介して電気的に接続され、各共振子３それぞれの厚み方向に沿った中心線と各共振子３それぞれに最も近いエッチング孔５のエッジとの最短距離を同じとしてある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶基板からなる支持基板と、支持基板の一表面側に形成され下部電極と上部電極との間に圧電層を有する複数個の共振子と、支持基板の前記一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において各共振子を取り囲んで各共振子を保持した絶縁層とを備え、支持基板の前記一表面に、各共振子それぞれの下部電極および絶縁層における支持基板側の各表面を露出させる空洞となる凹所が形成され、絶縁層に、前記凹所をエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成する際に用いるエッチャントを導入した複数のエッチング孔が形成されてなるＢＡＷフィルタであって、下部電極同士が電気的に接続された２個１組の共振子の組を複数組備えており、各組の２個の共振子では、下部電極と圧電層とが連続して形成される一方で上部電極同士が絶縁分離されるようにパターニングされ、隣り合う共振子の組間では、隣接する２個の共振子の上部電極同士が金属配線を介して電気的に接続され、各共振子それぞれの厚み方向に沿った中心線と各共振子それぞれに最も近いエッチング孔のエッジとの最短距離を同じとしてあることを特徴とするＢＡＷフィルタ。
【請求項２】
前記エッチング孔のエッジのうち、前記共振子側とは反対側のエッジが前記共振子側のエッジと４５度傾いていることを特徴とする請求項１記載のＢＡＷフィルタ。
【請求項３】
前記圧電層の材料は、ＰＺＴ系材料もしくはＫＮＮ系材料であることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＢＡＷフィルタ。
【請求項４】
前記下部電極における前記支持基板側の前記表面の周部と前記絶縁層とに跨って形成され前記支持基板に前記凹所を形成する際のエッチャントによる前記圧電層の浸食を防止する浸食防止膜を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のＢＡＷフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電層の厚み方向の縦振動モードを利用する共振子を備えたＢＡＷ（Bulk  Acoustic  Wave）フィルタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、携帯電話機などの移動体通信機器の分野において、２ＧＨｚ以上の高周波帯で利用する高周波フィルタに適用可能なＢＡＷ共振装置として、例えば、図３に示すように、単結晶Ｓｉ基板からなる支持基板１’と、支持基板１’の一表面側に形成され下部電極３１’、圧電層３２’、上部電極３３’の積層構造を有する共振子３’と、支持基板１’の上記一表面側に形成されて支持基板１’に支持され共振子３’を保持した支持層７’とを備え、支持基板１’の上記一表面側に、共振子３’下の支持層７’における支持基板１’側の表面を露出させ圧電層３２’を物理的に振動可能とするための凹所１ａ’が形成されるとともに、支持層７’における共振子３’の周辺部に、凹所１ａ’に連通する凹所形成用の４つのスリット状のエッチング孔５’が平面視矩形状の圧電層３２’の外周縁の各辺に沿って形成されてなるＦＢＡＲ（Film  Bulk  Acoustic  Resonator）型のＢＡＷ共振装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。ここにおいて、支持層７’は、支持基板１’の基礎となるＳｉ基板にボロンを高濃度ドーピングして形成した高濃度ボロンドーピング層と、支持基板１’の上記一表面側に形成したＳｉＯ２膜からなる絶縁層とで構成されている。要するに、支持層７’は、凹所１ａ’形成時にエッチング孔５’を通してＳｉ基板からなる支持基板１’をエッチングするためのアルカリ系のエッチャント（例えば、エチレンジアミンピロカテコール水溶液など）に対して耐性を有する材料により形成されている。
【０００３】
なお、上記特許文献１には、支持基板１’の上記一表面側に共振子３’を複数個形成してフィルタ（ＢＡＷフィルタ）を構成することも記載されている。
【０００４】
上述のＢＡＷ共振装置では、圧電層３２’の圧電材料としてＰＴ、ＰＺＴ、ＡｌＮなどを採用し、支持基板１’の材料としてＳｉなどを採用しているが、ＵＷＢ（Ultra  Wide  Band）用フィルタに応用する場合、圧電層３２’の圧電材料として、帯域幅が中心周波数に対して４〜５％しか広帯域化できないＡｌＮに比べて中心周波数に対して１０％程度の帯域幅を得ることが可能な鉛系圧電材料（例えば、ＰＺＴ、ＰＭＮ−ＰＺＴなど）を採用し、圧電層３２’の結晶性を向上させるために支持基板１’の材料としてＭｇＯもしくはＳｒＴｉＯ３を採用することが考えられる。
【特許文献１】特開平９−１３０１９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述のＢＡＷ共振装置では、共振子３’下に支持層７’が形成されているので、当該支持層７’に起因してバルク弾性波のエネルギ損失が生じ、共振子全体の機械的品質係数（Ｑ値）が低下してしまうという問題があった。
【０００６】
また、上述の支持基板１’の上記一表面側に共振子３’を複数個形成してＢＡＷフィルタを構成した場合、各共振子３’の平面視矩形状の圧電層３２’の外周線の各辺に沿って形成する４つのスリット状のエッチング孔５’が必要になるので、支持基板１’の平面サイズが大きくなってしまい、また、共振子３’間を接続する金属配線の配線長が長くなって金属配線の抵抗が高くなり、フィルタ特性が低下してしまう。
【０００７】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、各共振子の機械的品質係数を向上できるとともに共振子間を接続する金属配線の低抵抗化を図れてフィルタ特性の向上を図れ、且つ、支持基板の小型化を図れるＢＡＷフィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、単結晶基板からなる支持基板と、支持基板の一表面側に形成され下部電極と上部電極との間に圧電層を有する複数個の共振子と、支持基板の前記一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において各共振子を取り囲んで各共振子を保持した絶縁層とを備え、支持基板の前記一表面に、各共振子それぞれの下部電極および絶縁層における支持基板側の各表面を露出させる空洞となる凹所が形成され、絶縁層に、前記凹所をエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成する際に用いるエッチャントを導入した複数のエッチング孔が形成されてなるＢＡＷフィルタであって、下部電極同士が電気的に接続された２個１組の共振子の組を複数組備えており、各組の２個の共振子では、下部電極と圧電層とが連続して形成される一方で上部電極同士が絶縁分離されるようにパターニングされ、隣り合う共振子の組間では、隣接する２個の共振子の上部電極同士が金属配線を介して電気的に接続され、各共振子それぞれの厚み方向に沿った中心線と各共振子それぞれに最も近いエッチング孔のエッジとの最短距離を同じとしてあることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、支持基板の一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において各共振子を取り囲んで各共振子を保持した絶縁層を備え、支持基板の前記一表面に、各共振子の下部電極および絶縁層における支持基板側の各表面を露出させる空洞となる凹所がエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されているので、バルク弾性波のエネルギ損失を低減できて、各共振子の機械的品質係数を向上でき、また、下部電極同士が電気的に接続された２個１組の共振子の組を複数組備えており、各組の２個の共振子では、下部電極と圧電層とが連続して形成される一方で上部電極同士が絶縁分離されるようにパターニングされ、隣り合う共振子の組間では、隣接する２個の共振子の上部電極同士が金属配線を介して電気的に接続され、各共振子それぞれの厚み方向に沿った中心線と各共振子それぞれに最も近いエッチング孔のエッジとの最短距離を同じとしてあるので、共振子間を接続する金属配線の低抵抗化を図れてフィルタ特性の向上を図れ、且つ、支持基板の小型化を図れる。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記エッチング孔のエッジのうち、前記共振子側とは反対側のエッジが前記共振子側のエッジと４５度傾いていることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、製造時において前記エッチング孔を通して前記エッチャントを導入し前記凹所を形成する際に前記エッチング孔から前記共振子側ではない方向への前記支持基板のサイドエッチング量を抑制することができるので、堅牢化を図れる。
【００１２】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記圧電層の材料は、ＰＺＴ系材料もしくはＫＮＮ系材料であることを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、前記圧電層の材料がＡｌＮである場合に比べて電気機械結合係数を大きくすることができる。
【００１４】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記下部電極における前記支持基板側の前記表面の周部と前記絶縁層とに跨って形成され前記支持基板に前記凹所を形成する際のエッチャントによる前記圧電層の浸食を防止する浸食防止膜を備えることを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、前記下部電極における前記支持基板側の前記表面の周部と前記絶縁層とに跨って形成され前記支持基板に前記凹所を形成する際の前記エッチャントによる前記圧電層の浸食を防止する浸食防止膜を備えているので、前記凹所を形成する際に用いる前記エッチャントが前記支持基板側から前記圧電層に到達するための浸入経路が長くなり、前記支持基板に前記凹所を形成する際の前記エッチャントによる前記圧電層の浸食を防止することが可能である。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１の発明では、各共振子の機械的品質係数を向上できるとともに共振子間を接続する金属配線の低抵抗化を図れてフィルタ特性の向上を図れ、且つ、支持基板の小型化を図れるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（実施形態１）
本実施形態のＢＡＷフィルタは、図１に示すように、単結晶基板からなる支持基板１と、支持基板１の一表面側に形成され下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する複数個の共振子３と、支持基板１の上記一表面側に形成されて支持基板１に支持され平面視において各共振子３を取り囲んで各共振子３を保持した絶縁層４とを備えている。
【００１８】
また、本実施形態のＢＡＷフィルタは、支持基板１の上記一表面に、各共振子３それぞれの下部電極３１における支持基板１側の表面３１ａおよび絶縁層４における支持基板１側の表面を露出させる空洞となる凹所１ａが形成され、絶縁層４に、凹所１ａをエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成する際に用いるエッチャントを導入した複数のエッチング孔５が形成されている。なお、凹所１ａは、断面逆台形状に形成されている。なお、各共振子３における上部電極３３と圧電層３２との接触面積は絶縁層４のパターンにより規定してある。
【００１９】
また、本実施形態のＢＡＷフィルタは、上述の複数個の共振子３がラダー型フィルタを構成するように接続されており、２ＧＨｚ以上の高周波帯においてカットオフ特性が急峻で且つ帯域幅の広いフィルタ、例えば、ＵＷＢ用フィルタとして用いることができる。
【００２０】
各共振子３は、支持基板１の上記一表面側に形成された下部電極３１と、下部電極３１における支持基板１側とは反対側に形成された圧電層３２と、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側に形成された上部電極３３とを有しており、下部電極３１と下部電極３１直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることにより支持基板１側へバルク弾性波のエネルギの伝搬を抑制するようにしてある。
【００２１】
また、本実施形態のＢＡＷフィルタでは、下部電極３１同士が電気的に接続された２個１組の共振子３の組を複数組（図示例では、９組）備えており、各組の２個の共振子３では、下部電極３１と圧電層３２とが連続して形成される一方で上部電極３３同士が絶縁分離されるようにパターニングされている。ここにおいて、隣り合う組間では、隣接する２個の共振子３の上部電極３３同士が上部電極３３と連続して形成された金属配線３４を介して電気的に接続されている。また、各組の２個の共振子３に跨って形成された圧電層３２のうち下部電極３１と上部電極３３との両方と接する領域が各共振領域を構成している。
【００２２】
本実施形態のＢＡＷフィルタは、圧電層３２の圧電材料として、ＰＺＴを採用しており、支持基板１としては、単結晶ＭｇＯ基板を用いているが、これに限らず、単結晶ＳＴＯ（：ＳｒＴｉＯ３）基板を用いてもよい。なお、単結晶ＭｇＯ基板や単結晶ＳＴＯ基板としては、例えば、上記一表面である主表面が（００１）面のものを用いればよいが、面方位は特に限定するものではない。
【００２３】
また、本実施形態のＢＡＷフィルタでは、下部電極３１および上部電極３３の金属材料としてＰｔを採用しているが、これらの金属材料は特に限定するものではなく、支持基板１に凹所１ａを形成する際のエッチャントに対してエッチング耐性を有し且つ圧電層３２との格子整合性の良い材料であればよく、例えば、Ａｌや他の金属材料を採用してもよく、例えば、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｕの群から選択される少なくとも一種を採用すれば、下部電極３１および上部電極３３それぞれの金属材料が代表的な電極材料であるＡｕの場合に比べて、下部電極３１および上部電極３３それぞれの機械的品質係数を高めることができ、共振子３全体の機械的品質係数を高めることが可能となる。なお、下部電極３１と上部電極３３とは必ずしも同じ金属材料を採用する必要はない。
【００２４】
また、圧電層３２は、ＰＺＴ薄膜からなる圧電薄膜により構成されている。ここで、図１には図示していないが、下部電極３１と圧電層３２との間に、圧電層３２の配向を制御するためのシード層としてＳＲＯ層を形成してもよい。なお、本実施形態では、圧電層３２の圧電材料として、ＰＺＴを採用しているが、ＰＺＴに限らず、不純物を添加したＰＺＴやＰＭＮ−ＰＺＴなどのＰＺＴ系材料であればよく、圧電層３２の材料がＡｌＮやＺｎＯである場合に比べて、電気機械結合係数を大きくすることができる。また、圧電層３２の材料は、ＰＺＴ系材料に限らず、例えば、鉛フリーのＫＮＮ（Ｋ０．５Ｎａ０．５ＮｂＯ３）や、不純物（例えば、Ｌｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｃｕなど）を添加したＫＮＮなどのＫＮＮ系材料や、ＫＮ（ＫＮｂＯ３）、ＮＮ（ＮａＮｂＯ３）などでもよく、ＫＮＮ系材料を用いた場合、圧電層３２の材料がＡｌＮやＺｎＯである場合に比べて、電気機械結合係数を大きくすることができ、しかも、ＰＺＴ系材料を用いる場合に比べて環境負荷を軽減できる。
【００２５】
ここで、本実施形態では、単結晶基板からなる支持基板１が、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳｒＴｉＯ３基板により構成されているので、支持基板１が単結晶Ｓｉ基板からなる場合に比べて、圧電層３２の結晶性を向上させることができ、共振子３全体の機械的品質係数を向上させることが可能となる。
【００２６】
また、絶縁層４の材料としては、ＳｉＯ２を採用しているが、ＳｉＯ２に限らず、例えば、Ｓｉ３Ｎ４を採用してもよい。また、絶縁層４は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、ＳｉＯ２からなる第１の絶縁膜とＳｉ３Ｎ４膜からなる第２の絶縁膜との積層膜でもよい。
【００２７】
なお、本実施形態のＢＡＷフィルタでは、共振子３の共振周波数を４ＧＨｚに設定してあり、下部電極３１の厚みを１００ｎｍ、圧電層３２の厚みを３００ｎｍ、上部電極３３の厚みを１００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、共振周波数を３ＧＨｚ〜５ＧＨｚの範囲で設計する場合には、圧電層３２の厚みは２００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲で適宜設定すればよい。
【００２８】
また、本実施形態のＢＡＷフィルタは、下部電極３１における支持基板１側の表面３１ａの周部と絶縁層４とに跨って形成され支持基板１に凹所１ａを形成する際のエッチャントによる圧電層３２の浸食を防止する浸食防止膜２１を備えている。ここにおいて、本実施形態では、浸食防止膜２１の材料として、支持基板１に凹所１ａを形成する際に用いるエッチャントに対してエッチング耐性を有するＳｉＯ２を採用しており、浸食防止膜２１の材料と絶縁層４の材料とが同じなので、浸食防止膜２１の線膨張係数が絶縁層４の線膨張係数と同じ値となっている。
【００２９】
本実施形態のＢＡＷフィルタの製造方法にあたっては、単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１の上記一表面側に所定形状の浸食防止膜２１を形成する浸食防止膜形成工程を行ってから、支持基板１の上記一表面側の全面に下部電極３１をスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する下部電極形成工程を行い、続いて、支持基板１の上記一表面側の全面に圧電層３２をスパッタ法やＣＶＤ法やゾルゲル法などにより形成する圧電層形成工程を行う。その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電層３２をパターニングする圧電層パターニング工程を行い、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して下部電極３１をパターニングする下部電極パターニング工程を行う。その後、支持基板１の上記一表面の全面に例えばＳｉＯ２膜からなる絶縁層４をスパッタ法やＣＶＤ法などにより形成してからフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して絶縁層４をパターニングする絶縁層形成工程を行い、その後、支持基板１の上記一表面側の全面側に上部電極３３および金属配線３４の基礎となる金属膜（例えば、Ｐｔ膜など）をスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する金属膜形成工程を行い、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して金属膜をパターニングすることにより上部電極３３および金属配線３４を形成する金属膜パターニング工程を行う。その後、支持基板１の上記一表面側にエッチング孔５に対応する部位が開口されたレジスト層を形成するとともに支持基板１の他表面側の全面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程を行い、上記各レジスト層をマスクとして支持基板１の上記一表面側から絶縁層４のエッチング孔５を通して支持基板１を異方性エッチングすることにより支持基板１に凹所１ａを形成する凹所形成工程を行う。ここで、凹所形成工程において用いるエッチャントについては、支持基板１が単結晶ＭｇＯ基板の場合には、例えば、液温が８０〜９０℃程度の燐酸水溶液を用いればよい。また、支持基板１が単結晶ＳＴＯ基板の場合には、絶縁層４および浸食防止膜２１の材料をＳｉ３Ｎ４として、空洞形成工程において、エッチャントとして、例えば、液温が室温（例えば、２５℃）で濃度が３ｗｔ％のフッ酸水溶液を用いればよい。
【００３０】
上述のＢＡＷフィルタの製造にあたっては、上述の支持基板１としてウェハを用いてウェハレベルで多数のＢＡＷフィルタを形成した後、ダイシング工程で個々のＢＡＷ共振装置に分割すればよい。
【００３１】
ところで、本実施形態のＢＡＷフィルタは、各共振子３それぞれの厚み方向に沿った中心線（平面視における上記共振領域の中心を通る中心線）と各共振子３それぞれに最も近いエッチング孔５のエッジとの最短距離を同じとしてある。したがって、支持基板１の上記一表面を含む平面において、共振子３の下部電極３１の中心から最も近いエッチング孔５のエッジまでの距離が全ての共振子３で同じになる。なお、本実施形態では、各エッチング孔５の開口形状を矩形状としてある。
【００３２】
以上説明した本実施形態のＢＡＷフィルタによれば、支持基板１の上記一表面側に形成されて支持基板１に支持され平面視において各共振子３を取り囲んで各共振子３を保持した絶縁層４を備え、支持基板１の上記一表面に、各共振子３の下部電極３１および絶縁層４における支持基板１側の表面を露出させる空洞となる凹所１ａがエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されているので、バルク弾性波のエネルギ損失を低減できて、各共振子３の機械的品質係数を向上でき、また、下部電極３１同士が電気的に接続された２個１組の共振子３の組を複数組備えており、各組の２個の共振子３では、下部電極３１と圧電層３２とが連続して形成される一方で上部電極３３同士が絶縁分離されるようにパターニングされ、隣り合う共振子３の組間では、隣接する２個の共振子３の上部電極３３同士が金属配線３４を介して電気的に接続され、各共振子３それぞれの厚み方向に沿った中心線と各共振子３それぞれに最も近いエッチング孔５のエッジとの最短距離を同じとしてあるので、共振子３間を接続する金属配線３４の低抵抗化を図れてフィルタ特性の向上を図れ、且つ、支持基板１の小型化を図れる。また、本実施形態のＢＡＷフィルタでは、エッチング孔５の数を低減でき、堅牢化を図れるという利点もある。
【００３３】
また、上述のＢＡＷフィルタによれば、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳｒＴｉＯ３基板からなる支持基板１の上記一表面側に下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３３を有する共振子３を直接形成することができるから、図３に示した構成のように支持層７’上に共振子３’を形成する製造方法を採用する場合に比べて、下部電極３１の結晶性を向上できて圧電層３２の結晶性を向上できるから、共振子３の機械的品質係数を向上できる。
【００３４】
また、本実施形態のＢＡＷフィルタでは、下部電極３１における支持基板１側の表面３１ａの周部と絶縁層４とに跨って形成され支持基板１に凹所１ａを形成する際のエッチャントによる圧電層３２の浸食を防止する浸食防止膜２１を備えているので、凹所１ａを形成する際に用いるエッチャントが支持基板１側から圧電層３２に到達するための浸入経路が長くなり、支持基板１に凹所１ａを形成する際のエッチャントによる圧電層３２の浸食を防止することが可能となり、特性の劣化や信頼性の低下を防止することができる。
【００３５】
また、本実施形態のＢＡＷフィルタでは、上述のように浸食防止膜２１が絶縁層４と同じ絶縁材料により形成されているので、浸食防止膜２１の線膨張係数と絶縁層４の線膨張係数とが同じになる。しかして、支持基板１に凹所１ａを形成する際に用いるエッチャントの液温が室温よりも高い場合でも浸食防止膜２１と絶縁層４との線膨張係数差に起因して両者の境界に隙間が生じるのを防止することができ、圧電層３２の浸食をより確実に防止することが可能となる。なお、浸食防止膜２１は、圧電層３２の材料とエッチャントの種類とに応じて適宜設ければよい。
【００３６】
また、本実施形態のＢＡＷフィルタによれば、凹所１ａの形成に要するエッチング時間を短くできるとともに、凹所１ａを形成する際に下部電極３１がエッチャントに曝される時間のばらつきを小さくでき、圧電層３２が浸食されるのをより確実に防止することが可能となる。
【００３７】
なお、本実施形態では、凹所１ａの形状が断面逆台形状となっているが、凹所１ａの形状は、断面逆台形状に限らず、例えば、断面Ｖ字状でもよい。
【００３８】
（実施形態２）
本実施形態のＢＡＷフィルタの基本構成は実施形態１と略同じであり、図２に示すように、エッチング孔５のエッジのうち、共振子３側とは反対側のエッジが共振子３側のエッジと４５度傾いている点が相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３９】
しかして、本実施形態のＢＡＷフィルタによれば、製造時においてエッチング孔５を通して上記エッチャントを導入し凹所１ａを形成する際にエッチング孔５から共振子３側ではない方向への支持基板１のサイドエッチング量を抑制することができるので、堅牢化を図れる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施形態１のＢＡＷフィルタを示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図２】実施形態２のＢＡＷフィルタを示す概略平面図である。
【図３】従来例のＢＡＷ共振装置を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  支持基板
１ａ  凹所
３  共振子
４  絶縁層
５  エッチング孔
２１  浸食防止膜
３１  下部電極
３１ａ  表面
３２  圧電層
３３  上部電極
３４  金属配線
【図１】
2010147873.tif 000003
【図２】
2010147873.tif 000004
【図３】
2010147873.tif 000005