(57)【要約】【課題】電子線描画に適応し、高い精度で電磁変換素子のトラッキングサーボ制御を実現することができる磁気記憶媒体を提供する。【解決手段】バーストライン４１では、半径方向に繰り返される規定の繰り返しパターンで非磁性体中に磁性体６４ａ、６４ｂ、６５ａ、６５ｂが配置される。バーストライン４１同士の間では円周線に対して繰り返しパターンの位相が半径方向にずらされる。トラッキングサーボ制御にあたって磁気ヘッドの読み出し素子は１円周上でバーストラインを横切る。バーストラインの繰り返しパターン中では部分的に１円周上に非磁性体領域が確立されるものの、繰り返しパターンの位相は半径方向にずれることから、全てのバーストラインで共通の１円周上に非磁性体領域が配置されるわけではない。読み出し素子が１円周上で複数本のバーストラインを横切ると、常に所定レベル以上のゲインが確保されることができる。【選択図】図７
2010055720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半径方向に繰り返される規定の繰り返しパターンで非磁性体中に磁性体を配置し、周方向に規定の間隔で配列される複数本のバーストラインを備え、少なくとも隣接する前記バーストライン同士の間では円周線に対して繰り返しパターンの位相が半径方向にずれることを特徴とする磁気記憶媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気記憶媒体において、前記位相のずれ量はトラックピッチの整数倍もしくは整数比であることを特徴とする磁気記憶媒体。
【請求項３】
請求項１または２に記載の磁気記憶媒体において、前記位相のずれ量は規定本数の前記バーストラインごとに周期的に設定され、前記バーストラインの総本数は規定本数の整数倍に設定されることを特徴とする磁気記憶媒体。
【請求項４】
筐体と、前記筐体に組み込まれる磁気記憶媒体と、前記磁気記憶媒体の表面に向き合わせられる磁気ヘッドとを備え、前記磁気記憶媒体は、半径方向に繰り返される規定の繰り返しパターンで非磁性体中に磁性体を配置し、周方向に規定の間隔で配列される複数本のバーストラインを備え、少なくとも隣接する前記バーストライン同士の間では円周線に対して繰り返しパターンの位相が半径方向にずれることを特徴とする磁気記憶媒体駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置といった磁気記憶媒体駆動装置に関し、特に、そういった磁気記憶媒体駆動装置に組み込まれる磁気記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ビットパターンドメディアは広く知られる。ビットパターンドメディアでは非磁性体中に配列される磁性ドットごとにビットデータは記録される。磁性ドットの確立にあたってフォトリソグラフィ技術が利用される。ディスク基板上でフォトレジストは露光される。露光にあたって電子線が用いられる。電子線は所定のクロック信号に応じて間欠的に照射される。こうしてビームスポットの羅列に基づきフォトレジストは露光される。こういった電子線描画ではビームスポット単位で露光が実施される。ビームスポット形状の集合体で磁性ドットは形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
磁性ドットで構成されるバーストパターンは広く知られる。バーストパターンは磁気ディスクの周方向に規定の間隔で配列される。このとき、バーストパターンでは半径方向に繰り返される規定の繰り返しパターンで非磁性体中に磁性ドットが配列される。円周線に対して全てのバーストパターンで繰り返しパターンの位相は合わせ込まれる。その結果、磁性ドット同士の間隔が任意の円周線上に集中する。こういった円周線上では磁気ヘッドから十分な大きさの読み出し信号が出力されることができない。磁気ヘッドのトラッキングサーボ制御にあたって十分な精度が確保されることができない。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、電子線描画に適応し、高い精度で電磁変換素子のトラッキングサーボ制御を実現することができる磁気記憶媒体を提供することを目的とする。本発明は、そういった磁気記憶媒体を利用した磁気記憶媒体駆動装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、一形態によれば、半径方向に繰り返される規定の繰り返しパターンで非磁性体中に磁性体を配置し、周方向に規定の間隔で配列される複数本のバーストラインを備え、少なくとも隣接する前記バーストライン同士の間では円周線に対して前記繰り返しパターンの位相が半径方向にずれることを特徴とする磁気記憶媒体が提供される。
【０００６】
バーストラインはトラッキングサーボ制御で利用される。トラッキングサーボ制御にあたって磁気ヘッドの読み出し素子は１円周上でバーストラインを横切る。バーストラインの繰り返しパターン中では部分的に１円周上に非磁性体領域が確立されるものの、繰り返しパターンの位相は半径方向にずれることから、全てのバーストラインで共通の１円周上に非磁性体領域が配置されるわけではない。したがって、読み出し素子が１円周上で複数本のバーストラインを横切ると、常に所定レベル以上のゲインが確保されることができる。バーストラインに基づき得られるサーボ信号では位相の変動は効果的に抑制される。こういった磁気記憶媒体によれば、高い精度で磁気ヘッドは位置決めされることができる。
【０００７】
こういった磁気記憶媒体は特定の磁気記憶媒体駆動装置に利用されることができる。特定の磁気記憶媒体駆動装置は、筐体と、前記筐体に組み込まれる磁気記憶媒体と、前記磁気記憶媒体の表面に向き合わせられる磁気ヘッドとを備えればよい。磁気記憶媒体は、半径方向に繰り返される規定の繰り返しパターンで非磁性体中に磁性体を配置し、周方向に規定の間隔で配列される複数本のバーストラインを備えればよい。少なくとも隣接するバーストライン同士の間では円周線に対して繰り返しパターンの位相が半径方向にずれればよい。
【０００８】
他の形態によれば、非磁性体中で所定の形状に象られる単位磁性体で構成される第１磁性域と、所定のずれ量で第１磁性域から半径方向にずれる単位磁性体で構成される第２磁性域とが円周方向に交互に連続して配置されることを特徴とする磁気記憶媒体が提供される。
【０００９】
こういった磁気記憶媒体は特定の磁気記憶媒体駆動装置に利用されることができる。特定の磁気記憶媒体駆動装置は、筐体と、前記筐体に組み込まれる磁気記憶媒体と、前記磁気記憶媒体の表面に向き合わせられる磁気ヘッドとを備えればよい。磁気記憶媒体では、非磁性体中で所定の形状に象られる単位磁性体で構成される第１磁性域と、所定のずれ量で第１磁性域から半径方向にずれる単位磁性体で構成される第２磁性域とが円周方向に交互に連続して配置されればよい。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように本発明によれば、電子線描画に適応し、高い精度で電磁変換素子のトラッキングサーボ制御を実現することができる磁気記憶媒体は提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１２】
図１は磁気記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）を有する。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばアルミニウムといった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１３】
収容空間には磁気記憶媒体の一具体例すなわち１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモーター１５のスピンドル軸に装着される。スピンドルモーター１５は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。後述されるように、個々の磁気ディスク１４はいわゆる垂直磁気記憶媒体に構成される。
【００１４】
収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、ベース１３の底板から垂直方向に立ち上がる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には、支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００１５】
個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１にはフレキシャが張り合わせられる。フレキシャ上には浮上ヘッドスライダー２２が支持される。フレキシャに基づき浮上ヘッドスライダー２２はヘッドサスペンション２１に対してその姿勢を変化させることができる。浮上ヘッドスライダー２２にはヘッド素子すなわち電磁変換素子（図示されず）が搭載される。
【００１６】
電磁変換素子は書き込みヘッド素子と読み出しヘッド素子とを備える。書き込みヘッド素子にはいわゆる単磁極ヘッドが用いられる。単磁極ヘッドは薄膜コイルパターンの働きで磁界を生成する。磁界は、主磁極の働きで、磁気ディスク１４の表面に直交する垂直方向から磁気ディスク１４に作用する。この磁界の働きで磁気ディスク１４に情報は書き込まれる。その一方で、読み出しヘッド素子には巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子やトンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子が用いられる。ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子では、磁気ディスク１４から作用する磁界の向きに応じてスピンバルブ膜やトンネル接合膜の抵抗変化が引き起こされる。こういった抵抗変化に基づき磁気ディスク１４から情報は読み出される。
【００１７】
磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダー２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダー２２は浮上し続けることができる。
【００１８】
キャリッジブロック１７にはボイスコイルモーター（ＶＣＭ）２３が連結される。ボイスコイルモーター２３の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダー２２の浮上中に支軸１８回りでキャリッジアーム１９が揺動すると、浮上ヘッドスライダー２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダー２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間で同心円状の記録トラックを横切ることができる。こうした浮上ヘッドスライダー２２の移動に基づき電磁変換素子は目標記録トラックに対して位置決めされる。
【００１９】
ヘッドサスペンション２１の先端には、ヘッドサスペンション２１の先端から前方に延びるロードタブ２４が区画される。ロードタブ２４はキャリッジアーム１９の揺動に基づき磁気ディスク１４の半径方向に移動することができる。ロードタブ２４の移動経路上には磁気ディスク１４の外側でランプ部材２５が配置される。ランプ部材２５はベース１３に固定される。ロードタブ２４はランプ部材２５に受け止められる。ランプ部材２５は例えば硬質プラスチック材料から成型されればよい。
【００２０】
ランプ部材２５にはロードタブ２４の移動経路に沿って延びるランプ２５ａが形成される。このランプ２５ａは磁気ディスク１４の回転軸から遠ざかるにつれて磁気ディスク１４の表面を含む仮想平面から遠ざかる。したがって、キャリッジアーム１９が支軸１８回りで磁気ディスク１４の回転軸から遠ざかると、ロードタブ２４はランプ２５ａを上っていく。こうして浮上ヘッドスライダー２２は磁気ディスク１４の表面から引き剥がされる。浮上ヘッドスライダー２２は磁気ディスク１４から外側に待避する。反対に、キャリッジアーム１９が支軸１８回りに磁気ディスク１４の回転軸に向かって揺動すると、ロードタブ２４はランプ２５ａを下っていく。回転中の磁気ディスク１４から浮上ヘッドスライダー２２には浮力が作用する。ランプ部材２５およびロードタブ２４は協働でいわゆるロードアンロード機構を構成する。
【００２１】
図２に示されるように、磁気ディスク１４の表裏面には、磁気ディスク１４の半径方向に沿って湾曲しつつ延びる複数筋（例えば６０本）のサーボセクター領域２８が規定される。サーボセクター領域２８にはサーボパターンが確立される。サーボパターンに書き込まれる磁気情報は浮上ヘッドスライダー２２上の電磁変換素子で読み取られる。サーボパターンから読み出される情報に基づき浮上ヘッドスライダー２２は磁気ディスク１４の半径方向に位置決めされる。サーボセクター領域２８の湾曲は電磁変換素子の移動経路に基づき設定される。
【００２２】
隣接するサーボセクター領域２８の間にはデータ領域２９が確保される。データ領域２９には、例えば図３に示されるように、記録トラック３１ごとに磁性ドット３２が配列される。個々の磁性ドット３２は磁性体で構成される。磁性ドット３２同士は非磁性体で磁気的に隔絶される。ここでは、磁性体の形状や磁性体同士の間隔は単位ブロック３３に基づき決定される。単位ブロック３３は電子線のビームスポットに基づき決定される。個々の磁性ドット３２は、半径方向に隣接する２個の単位ブロック３３で規定される。記録トラック３１上では磁気ディスク１４の周方向に沿って磁性ドット３２同士の間に１個の単位ブロック３３の間隔が確保される。同様に、隣接する記録トラック３１同士の間には磁気ディスク１４の半径方向に１個の単位ブロック３３の間隔が確保される。個々の磁性ドット３２では上向きまたは下向きの磁化が確立される。「上向き（例えばＮ極）」「下向き（例えばＳ極）」で２値は区別される。電磁変換素子の書き込み素子は記録トラック３１に沿ってデータ領域２９に情報を書き込む。同様に、電磁変換素子の読み出し素子３４は、データ領域２９の記録トラック３１に書き込まれるビットデータ列を読み取る。磁性ドット３２が細分化されればされるほど、個々の磁性ドット３２で良好な磁化特性は得られる。ここでは、隣接する記録トラック３１同士の間でトラックピッチ（Ｔｐ）すなわち記録トラック３１の中心線同士の間隔は３つの単位ブロックで特定される。
【００２３】
図４は本発明の第１実施形態に係るサーボセクター領域２８を示す。各サーボセクター領域２８では、上流から順番にプリアンブル域３６、サーボマークアドレス域３７および位相バースト域３８が区画される。プリアンブル域３６では、例えば、磁気ディスク１４の半径線上で延びる複数筋の磁性パターン３９が確立される。磁性パターン３９は磁気ディスク１４の周方向に等間隔で配置される。こういったプリアンブル域３６の働きで読み出し素子３４から読み出される信号の同期が確保される。同時に、読み出し素子３４から読み出される信号に基づきゲインが調整される。ここで、「上流」や「下流」は、磁気ディスク１４の回転中に規定される浮上ヘッドスライダー２２の走行方向に基づき定義される。
【００２４】
サーボマークアドレス域３７には特定のパターンで磁性ドットが配置される。磁性ドットの配置はセクター番号やトラック番号を反映する。同時に、サーボマークアドレス域３７には磁気ディスク１４の半径線上で延びる複数筋の磁性パターンが確立される。この磁性パターンはサーボクロック信号を特定する。このサーボクロック信号に基づき後述の位相は特定される。サーボマークアドレス域３７の働きでセクター番号やトラック番号は特定される。同時に、プリアンブル域３６およびサーボマークアドレス域３７の働きで位相の基準タイミングは特定される。
【００２５】
位相バースト域３８には、磁気ディスク１４の半径線に対して所定の傾斜角で延びる複数本の磁性パターンすなわち位相バーストライン４１が確立される。位相バーストライン４１の確立にあたって位相バースト域３８には偶数（ｅｖｅｎ）域３８ａと奇数（ｏｄｄ）域３８ｂとが交互に配置される。偶数域３８ａおよび奇数域３８ｂは対で利用される。偶数域３８ａでは、位相バーストライン４１を通過する読み出し素子３４が磁気ディスク１４の内周側にずれればずれるほど、位相は早まる。反対に、奇数域３８ｂでは、位相バーストライン４１を通過する読み出し素子３４が磁気ディスク１４の外周側にずれればずれるほど、位相は早まる。
【００２６】
図５に示されるように、ボイスコイルモーター２３にはモータードライバー回路４２が接続される。モータードライバー回路４２はボイスコイルモーター２３に駆動電流を供給する。ボイスコイルモーター２３は、供給される駆動電流に基づき指定の変位量で変位することができる。こうした変位量はキャリッジブロック１７の回転量（回転角）に基づき設定される。
【００２７】
ヘッドＩＣ４３にはリードライトチャネル回路４４が接続される。リードライトチャネル回路４４は決められた変復調方式に従って信号の変調や復調を実施する。変調後の信号すなわち書き込み信号はヘッドＩＣ４３に供給される。ヘッドＩＣ４３は書き込み信号を増幅する。増幅後の書き込み信号は書き込み素子４５に供給される。読み出し素子３４から出力される読み出し信号はヘッドＩＣ４３で増幅された後にリードライトチャネル回路４４に供給される。リードライトチャネル回路４４は読み出し信号を復調する。
【００２８】
モータードライバー回路４２およびリードライトチャネル回路４４にはＨＤＣ４６が接続される。ＨＤＣ４６はモータードライバー回路４２に制御信号を供給する。この制御信号に基づきモータードライバー回路４２の出力すなわち駆動電流は制御される。ＨＤＣ４６は同様にリードライトチャネル回路４４に変調前の書き込み信号を送り込むとともにリードライトチャネル回路４４から復調後の読み出し信号を受け取る。変調前の書き込み信号は例えばホストコンピューターから送り込まれるデータに基づきＨＤＣ４６で生成されればよい。そういったデータはコネクター４７からＨＤＣ４６に受け渡されればよい。コネクター４７には、例えばホストコンピューターのメインボードから延びる制御信号用ケーブルや電源用ケーブル（ともに図示されず）が接続されればよい。同様に、ＨＤＣ４６は復調後の読み出し信号に基づきデータを再現する。再現されたデータはホストコンピューターに向けてコネクター４７から出力されればよい。こうしたデータの送受信にあたってＨＤＣ４６は例えばバッファメモリー４８を利用することができる。バッファメモリー４８は一時的にデータを保存する。バッファメモリー４８には例えばＳＤＲＡＭ（シンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリー）が用いられればよい。
【００２９】
ＨＤＣ４６にはＭＰＵ４９が接続される。ＭＰＵ４９は、例えばＲＯＭ（リードオンリーメモリー）５１に記憶されるプログラムに基づき動作するＣＰＵ（中央演算処理装置）５２を備える。ＣＰＵ５２はその動作の実現にあたって例えばフラッシュＲＯＭ５３からデータを取得することができる。そういったプログラムやデータは一時的にＲＡＭ（ランダムアクセスメモリー）５４に格納されることができる。ＲＯＭ５１やフラッシュＲＯＭ５３、ＲＡＭ５４はＣＰＵ５２に直接に接続されればよい。
【００３０】
電磁変換素子の読み出し素子３４はいわゆるトラッキングサーボ制御に基づき記録トラックを追従し続ける。このトラッキングサーボ制御では、磁気ディスク１４上のサーボパターンに基づき読み出し素子３４から位置信号が読み出される。位置信号はヘッドＩＣ４３で増幅された後にリードライトチャネル回路４４からＨＤＣ４６に送り込まれる。ＨＤＣ４６は位置信号に基づきボイスコイルモーター２３の制御量を特定する。ＨＤＣ４６から供給される制御信号に基づきモータードライバー回路４２からボイスコイルモーター２３に駆動電流は供給される。
【００３１】
図６に示されるように、プリアンブル域３６の１磁性パターン３９では、半径方向に繰り返される規定の繰り返しパターンで非磁性体中に磁性体５７が配置される。繰り返しパターンの１単位パターン５８は、周方向に配列される３つの磁性ドット５９で構成される。個々の磁性ドット５９は、前述と同様に、半径方向に隣接する２個の単位ブロック３３で規定される。１単位パターン５８では磁気ディスク１４の周方向に沿って磁性ドット５９同士の間に１個の単位ブロック３３の間隔が確保される。同様に、隣接する単位パターン５８同士の間には磁気ディスク１４の半径方向に１個の単位ブロック３３の間隔が確保される。個々の磁性ドット５９では例えば上向き（Ｎ極）の磁化が確立される。隣接する磁性パターン３９同士の間には、例えば１単位パターン５８と同一の間隔、すなわち、３個の単位ブロックの間隔が確保される。しかも、このプリアンブル域３６では、磁性パターン３９同士の間で円周線に対して繰り返しパターンの位相が半径方向に１単位ブロック３３ずつすなわちトラックピッチＴｐの３分の１の大きさずつずらされる。ここで、トラックピッチＴｐに相当する間隔は、電子線描画で半径方向に配列される３個のビームスポットすなわち３回の描画で形成される。すなわち、半径方向に２単位ブロックの間隔で電子線は照射され、後工程で対応箇所の磁性体の残存が確立される一方で、続く１単位ブロックの間隔で電子線は照射されず、後工程で対応箇所の磁性体は削除される。その結果、規定本数すなわち３本の磁性パターン３９ごとに１周期が形成される。１プリアンブル域３６内で磁性パターン３９の総本数は規定本数の整数倍（３の倍数）に設定される。
【００３２】
図７に示されるように、位相バースト域３８の偶数域３８ａでは、個々の位相バーストライン４１ごとに、半径方向に繰り返される規定の繰り返しパターンで非磁性体中に磁性体６２が配置される。繰り返しパターンの１単位パターン６３は、周方向に配列される２つの磁性ドット６４ａ、６４ｂを含む。個々の磁性ドット６４ａ、６４ｂは、前述と同様に、半径方向に隣接する２個の単位ブロック３３で規定される。単位パターン６３では上流側の磁性ドット６４ａの上流に１個の磁性ドット６５ａが配置される。磁性ドット６５ａは１個の単位ブロックで構成される。この磁性ドット６５ａと上流側の磁性ドット６４ａとの間には周方向に１個の単位ブロックの間隔が確保される。磁性ドット６５ａの内周端すなわち内周側輪郭線は磁性ドット６４ａ、６４ｂの内周端すなわち内周側輪郭線に合わせ込まれる。言い換えれば、磁性ドット６５ａの内周端と磁性ドット６４ａ、６４ｂの内周端とは１円周線上に位置する。同様に、下流側の磁性ドット６４ｂの下流には１個の磁性ドット６５ｂが配置される。磁性ドット６５ｂは１個の単位ブロックで構成される。この磁性ドット６５ｂと下流側の磁性ドット６４ｂとの間には周方向に１個の単位ブロックの間隔が確保される。磁性ドット６５ｂの外周端すなわち外周側輪郭線は磁性ドット６４ａ、６４ｂの外周端すなわち外周側輪郭線に合わせ込まれる。言い換えれば、磁性ドット６５ｂの外周端と磁性ドット６４ａ、６４ｂの外周端とは１円周線上に位置する。個々の磁性ドット６４ａ、６４ｂおよび磁性ドット６５ａ、６５ｂでは例えば上向き（Ｎ極）の磁化が確立される。隣接する位相バーストライン４１同士の間には例えば６個の単位ブロックの間隔が確保される。しかも、この位相バースト域３８では、位相バーストライン４１同士の間で円周線に対して繰り返しパターンの位相が半径方向に１単位ブロック３３ずつすなわちトラックピッチＴｐの３分の１の大きさずつずらされる。ここで、トラックピッチＴｐに相当する間隔は、電子線描画で半径方向に配列される３個のビームスポットすなわち３回の描画で形成される。すなわち、半径方向に２単位ブロックの間隔で電子線は照射され、後工程で対応箇所の磁性体の残存が確立される一方で、続く１単位ブロックの間隔で電子線は照射されず、後工程で対応箇所の磁性体は削除される。その結果、規定本数すなわち３本の位相バーストライン４１ごとに１周期が形成される。１偶数域３８ａ内で位相バーストライン４１の総本数は規定本数の整数倍（３の倍数）に設定される。
【００３３】
図８から明らかなように、位相バースト域３８の奇数域３８ｂは偶数域３８ａと同様に形成される。ただし、繰り返しパターンの１単位パターン６６は、周方向に配列される２つの磁性ドット６７ａ、６７ｂを含む。個々の磁性ドット６７ａ、６７ｂは、前述と同様に、半径方向に隣接する２個の単位ブロック３３で規定される。単位パターン６６では上流側の磁性ドット６７ａの上流に１個の磁性ドット６８ａが配置される。この磁性ドット６８ａと上流側の磁性ドット６７ａとの間には周方向に１個の単位ブロックの間隔が確保される。磁性ドット６８ａの外周端すなわち外周側輪郭線は磁性ドット６７ａ、６７ｂの外周端すなわち外周側輪郭線に合わせ込まれる。言い換えれば、磁性ドット６８ａの外周端と磁性ドット６７ａ、６７ｂの外周端とは１円周線上に位置する。同様に、下流側の磁性ドット６７ｂの下流には１個の磁性ドット６８ｂが配置される。この磁性ドット６８ｂと下流側の磁性ドット６７ｂとの間には周方向に１個の単位ブロックの間隔が確保される。磁性ドット６８ｂの内周端すなわち内周側輪郭線は磁性ドット６７ａ、６７ｂの内周端すなわち内周側輪郭線に合わせ込まれる。言い換えれば、磁性ドット６８ｂの内周端と磁性ドット６７ａ、６７ｂの内周端とは１円周線上に位置する。個々の磁性ドット６７ａ、６７ｂおよび磁性ドット６８ａ、６８ｂでは例えば上向き（Ｎ極）の磁化が確立される。
【００３４】
トラッキングサーボ制御にあたって電磁変換素子の読み出し素子３４が順番にプリアンブル域３６、サーボマークアドレス域３７および位相バースト域３８を通過すると、図９に示されるように、読み出し素子３４から信号が出力される。サーボマークアドレス域３７の通過に基づきＨＤＣ４６はサーボクロック信号を生成する。続いて位相バースト域３８の通過に基づきＨＤＣ４６は偶数域３８ａおよび奇数域３８ｂごとに信号波形を取り込む。ＨＤＣ４６は高速フーリエ変換に基づき信号波形の平均化を実施する。ＨＤＣ４６は偶数域３８ａおよび奇数域３８ｂごとにサーボクロック信号および信号波形に基づき位相差を演算する。こうして演算された位相差に基づきＨＤＣ４６は位置誤差信号を出力する。位置誤差信号は制御信号としてボイスコイルモーター２３に供給される。この信号波形ではプリアンブル域３６、サーボマークアドレス域３７および位相バースト域３８で常に所定のゲインは確保される。その結果、電磁変換素子は確実に目標の記録トラック３１を追従することができる。特に、図１０〜図１２に示されるように、磁気ディスク１４の半径方向位置に拘わらず、図９に示されるように、位相バースト域３８で所定のゲインは確保されることができる。しかも、位相バーストライン４１同士の間で円周線に対して繰り返しパターンの位相は半径方向にトラックピッチＴｐの整数比でずらされることから、いずれの記録トラック３１でも同一のパターンで信号波形は変化する。したがって、位置誤差信号の算出は簡素化されることができる。位相バーストライン４１同士の間で円周線に対して繰り返しパターンの位相が半径方向にトラックピッチＴｐの整数倍でずらされても、同様な効果は得られる。その上、１偶数域３８ａや１奇数域３８ｂでは位相バーストライン４１の総本数は規定本数の整数倍に設定されることから、信号波形の平均化は正確に実施されることができる。平均化に伴う誤差は解消されることができる。
【００３５】
本発明者は、前述の位相バースト域３８に基づきコンピューターシミュレーションを実施した。シミュレーションで位置誤差信号と電磁変換素子の変位との関係が算出された。その結果、図１３に示されるように、位置誤差信号の大きさと変位の大きさとの間に直線的な相関関係が確認された。前述の位相バースト域３８によれば、高い精度で電磁変換素子の位置決めは実施されることが確認された。
【００３６】
同時に、本発明者は比較例に係る位相バースト域に基づきコンピューターシミュレーションを実施した。比較例に係る位相バースト域３８ａでは、図１４に示されるように、個々の位相バーストライン４１ごとに、半径方向に繰り返される規定の繰り返しパターンで非磁性体中に磁性体６２が配置される。繰り返しパターンの１単位パターン６４は前述の位相バーストライン４１と同様に構成される。ただし、この位相バースト域３８ａでは、位相バーストライン４１同士の間で円周線に対して繰り返しパターンの位相は一致する。その結果、図１５に示されるように、磁性ドット６４ａ、６４ｂの中央位置に読み出し素子３４の中心線が合わせ込まれると、信号波形で十分なゲインは確保されることができる。その一方で、図１６に示されるように、単位パターン６３同士の間に読み出し素子３４の中心線が位置すると、信号波形でゲインは著しく低下する。その結果、図１７に示されるように、位置誤差信号の大きさと変位の大きさとの間で相関関係に歪みが観察された。こうした位相バースト域３８ａによれば、電磁変換素子は高い精度で位置決めされることはできない。
【００３７】
図１８は本発明の第２実施形態に係るサーボセクター領域２８ａを示す。この第２実施形態では前述の位相サーボ方式に係るサーボセクター領域２８に代えて振幅サーボ方式のサーボセクター領域２８ａが利用される。このサーボセクター領域２８ａでは、第１磁性領域７１、第２磁性領域７２、第３磁性領域７３および第４磁性領域７４が確立される。第１磁性領域７１は、周方向に結合される６つの単位磁性体７６で構成される。個々の単位磁性体７６は半径方向に結合される３つの単位ブロック３３で構成される。第１磁性領域７１は所定の間隔で半径方向に配列される。ここでは、隣接する第１磁性領域７１同士の間には半径方向に３個の単位ブロックの間隔が確保される。第２磁性領域７２は、同様に、周方向に結合される６つの単位磁性体７６で構成される。第２磁性領域７２は第１磁性領域７１と互い違いに配置される。したがって、読み出し素子３４が記録トラック３１を追従すると、第１磁性領域７１に基づく出力の振幅と、第２磁性領域７２に基づく出力の振幅は一致する。こういった一致に基づきボイスコイルモーター２３は制御される。トラッキングサーボ制御は実現される。
【００３８】
第３磁性領域７３は、周方向に結合される６つの単位磁性体７６で構成される。上流側から奇数番目の単位磁性体７６すなわち第１磁性域７７に対して、偶数番目の単位磁性体７６すなわち第２磁性域７８は半径方向に単位ブロック３３の大きさでずらされる。こうして第１磁性域７７と第２磁性域７８とは円周方向に交互に連続して配置される。第４磁性領域７４は第３磁性領域７３と同様に構成される。ただし、第４磁性領域７４は第３磁性領域７３と互い違いに配置される。
【００３９】
トラッキングサーボ制御にあたって電磁変換素子の読み出し素子３４が第３磁性領域７３および第４磁性領域７４を通過すると、読み出し素子３４がトラックの中心線を辿る限り、第１磁性領域７１や第２磁性領域７２の中心線を辿る場合と同様に読み出し素子３４から信号が出力される。その一方で、読み出し素子３４が円周方向に第３磁性領域７３および第４磁性領域７４の縁を辿る場合には、互い違いに配置される磁性体の影響に基づき、読み出し素子３４から出力される再生信号に高周波成分は重畳される。こういった再生信号は個々の磁性領域７３、７４ごとに平均化されればよい。平均化された再生信号では離散フーリエ変換に基づき周波数成分は算出される。同時に、平均化された再生信号の振幅は抽出される。こうして高周波成分の影響は低減される。安定したトラッキングサーボ制御は実現されることができる。
【００４０】
ここで、トラックピッチＴｐに相当する間隔は、電子線描画で半径方向に配列される３個のビームスポットすなわち３回の描画で形成される。振幅サーボ方式では第１磁性領域７１および第２磁性領域７２に続く第３番目の磁性領域および第４番目の磁性領域の中心線はトラックの中心線に一致しなければならない。本実施形態のように電子線描画にあたって奇数の描画回数でトラックピッチＴｐの間隔が設定される場合には、トラックの中心線に接するビームスポットは確立されることができない。したがって、第３磁性領域７３や第４磁性領域７４が第１磁性領域７１や第２磁性領域７２と同一の形状に形作られると、円周方向に延びる縁は第３磁性領域７３や第４磁性領域７４で描き出されることができない。その一方で、本実施形態のように第１磁性域７７および第２磁性域７８の組み合わせで第３磁性領域７３や第４磁性領域７４が構成されると、たとえ電子線描画にあたって奇数の描画回数でトラックピッチＴｐの間隔が設定されても、第３磁性領域７３や第４磁性領域７４は確実に確立されることができる。
【００４１】
（付記１）  半径方向に繰り返される規定の繰り返しパターンで非磁性体中に磁性体を配置し、周方向に規定の間隔で配列される複数本のバーストラインを備え、少なくとも隣接する前記バーストライン同士の間では円周線に対して前記繰り返しパターンの位相が半径方向にずれることを特徴とする磁気記憶媒体。
【００４２】
（付記２）  付記１に記載の磁気記憶媒体において、前記位相のずれ量はトラックピッチの整数倍もしくは整数比であることを特徴とする磁気記憶媒体。
【００４３】
（付記３）  付記１または２に記載の磁気記憶媒体において、前記位相のずれ量は規定本数の前記バーストラインごとに周期的に設定され、前記バーストラインの総本数は規定本数の整数倍に設定されることを特徴とする磁気記憶媒体。
【００４４】
（付記４）  筐体と、前記筐体に組み込まれる磁気記憶媒体と、前記磁気記憶媒体の表面に向き合わせられる磁気ヘッドとを備え、前記磁気記憶媒体は、半径線に対して所定の傾斜角で延びて、半径方向に繰り返される規定の繰り返しパターンで非磁性体中に磁性体を配置し、周方向に規定の間隔で配列される複数本のバーストラインを備え、少なくとも隣接する前記バーストライン同士の間では円周線に対して繰り返しパターンの位相が半径方向にずれることを特徴とする磁気記憶媒体駆動装置。
【００４５】
（付記５）  付記４に記載の磁気記憶媒体駆動装置において、前記位相のずれ量はトラックピッチの整数倍もしくは整数比であることを特徴とする磁気記憶媒体駆動装置。
【００４６】
（付記６）  付記４または５に記載の磁気記憶媒体駆動装置において、前記位相のずれ量は規定本数の前記バーストラインごとに周期的に設定され、前記バーストラインの総本数は規定本数の整数倍に設定されることを特徴とする磁気記憶媒体駆動装置。
【００４７】
（付記７）  非磁性体中で所定の形状に象られる単位磁性体で構成される第１磁性域と、所定のずれ量で第１磁性域から半径方向にずれる単位磁性体で構成される第２磁性域とが円周方向に交互に連続して配置されることを特徴とする磁気記憶媒体。
【００４８】
（付記８）  筐体と、前記筐体に組み込まれる磁気記憶媒体と、前記磁気記憶媒体の表面に向き合わせられる磁気ヘッドとを備え、前記磁気記憶媒体では、非磁性体中で所定の形状に象られる単位磁性体で構成される第１磁性域と、所定のずれ量で第１磁性域から半径方向にずれる単位磁性体で構成される第２磁性域とが円周方向に交互に連続して配置されることを特徴とする磁気記憶媒体駆動装置。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】磁気記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】磁気記憶媒体の一具体例すなわち磁気ディスクの拡大部分平面図である。
【図３】磁気ディスク上でデータ領域の構造を概略的に示す拡大部分平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るサーボセクター領域の構造を概略的に示す拡大部分平面図である。
【図５】ＨＤＤの制御系の構成を概略的に示すブロック図である。
【図６】プリアンブル域の構造を概略的に示す拡大部分平面図である。
【図７】位相バースト域の偶数域の構造を概略的に示す拡大部分平面図である。
【図８】位相バースト域の奇数域の構造を概略的に示す拡大部分平面図である。
【図９】電磁変換素子の読み出し素子から出力される信号の信号波形を示すグラフである。
【図１０】読み出し素子の半径方向位置と出力信号のゲインとの関係を示す拡大部分平面図である。
【図１１】読み出し素子の半径方向位置と出力信号のゲインとの関係を示す拡大部分平面図である。
【図１２】読み出し素子の半径方向位置と出力信号のゲインとの関係を示す拡大部分平面図である。
【図１３】位置誤差信号と電磁変換素子の変位との関係を示すグラフである。
【図１４】比較例に係る位相バースト域の偶数域の構造を概略的に示す拡大部分平面図である。
【図１５】電磁変換素子の読み出し素子から出力される信号の信号波形を示すグラフである。
【図１６】電磁変換素子の読み出し素子から出力される信号の信号波形を示すグラフである。
【図１７】位置誤差信号と電磁変換素子の変位との関係を示すグラフである。
【図１８】本発明の第１実施形態に係るサーボセクター領域の構造を概略的に示す拡大部分平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１１  磁気記憶媒体駆動装置（ハードディスク駆動装置）、１２  筐体（ハウジング）、１４  磁気記憶媒体（磁気ディスク）、３４  磁気ヘッド（電磁変換素子の読み出し素子）、４１  位相バーストライン、６２  磁性体、６４ａ  磁性体（磁性ドット）、６４ｂ  磁性体（磁性ドット）、６５ａ  磁性体（磁性ドット）、６５ｂ  磁性体（磁性ドット）、７６  単位磁性体、７７  第１磁性域、７８  第２磁性域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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