(57)【要約】【課題】補償回路を含む画素回路としての機能を失うことなく、配線数を減少でき、回路面積を小さくできる有機電界発光表示装置を得る。【解決手段】画素回路１０Ａは、走査線３１と、走査パルスに基づき、ビデオデータを取り込み、このビデオデータに相当する電流を出力する共通回路１１Ａと、ビデオデータに相当する電流を水平方向に隣り合うＲＧＢの有機ＥＬ素子にそれぞれ振り分けるために、駆動線を通じて送られてくる駆動信号により、水平方向に隣り合うＲＧＢの有機ＥＬ素子を選択的に駆動する選択回路１２Ａと、の順に配置され、走査線３１と選択回路１２Ａの間に共通回路１１Ａが配置され、選択回路１２Ａは、水平方向に隣り合うＲＧＢの有機ＥＬ素子を選択的に駆動する複数の駆動ＴＦＴと、複数の駆動ＴＦＴの領域と分離して配置され、ＴＦＴの特性ばらつきを補償した後の電位設定を行う複数の電位制御ＴＦＴとから構成されるものである。【選択図】図５
2010122461.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素回路を備えるアクティブマトリクス型の有機電界発光表示装置であって、
前記画素回路は、
走査線駆動回路に接続される走査線と、
前記走査線駆動回路から走査線を通じて送られてくる走査パルスに基づき、データ線駆動回路からデータ線を通じて送られてくるビデオデータを取り込み、このビデオデータに相当する電流を出力する共通回路と、
前記共通回路から出力されるビデオデータに相当する電流を水平方向に隣り合う複数の有機ＥＬ素子にそれぞれ振り分けるために、前記走査線駆動回路から駆動線を通じて送られてくる駆動信号により、水平方向に隣り合う複数の有機ＥＬ素子を選択的に駆動する選択回路と、の順に配置され、
前記走査線と前記選択回路の間に前記共通回路が配置され、
前記選択回路は、
前記水平方向に隣り合う複数の有機ＥＬ素子を選択的に駆動する複数の駆動トランジスタと、
前記複数の駆動トランジスタの領域と分離して配置され、トランジスタの特性ばらつきを補償した後の電位設定を行う複数の電位制御トランジスタとから構成される
ことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記選択回路は、前記駆動線の下に配置されるとともに、前記駆動線間に配置される
ことを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記共通回路に近い側の前記選択回路のトランジスタのチャネルは前記駆動線と垂直に配置され、
前記共通回路の反対側に近い側の前記選択回路のトランジスタのチャネルは前記駆動線と平行に配置されている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記複数の有機ＥＬ素子は、赤色の有機ＥＬ素子、緑色の有機ＥＬ素子及び青色の有機ＥＬ素子であり、
前記赤色の有機ＥＬ素子を駆動する赤色駆動トランジスタと、前記赤色の有機ＥＬ素子に対応する赤色電位制御トランジスタは、前記赤色の有機ＥＬ素子を発光させる駆動信号を供給する赤色駆動線の下に配置され、
前記緑色の有機ＥＬ素子を駆動する緑色駆動トランジスタと、前記緑色の有機ＥＬ素子に対応する緑色電位制御トランジスタは、前記緑色の有機ＥＬ素子を発光させる駆動信号を供給する緑色駆動線の下に配置され、
前記青色の有機ＥＬ素子を駆動する青色駆動トランジスタと、前記青色の有機ＥＬ素子に対応する青色電位制御トランジスタは、前記緑色駆動線と前記青色の有機ＥＬ素子を発光させる駆動信号を供給する青色駆動線の間に配置される
ことを特徴とする請求項２記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記複数の有機ＥＬ素子は、赤色の有機ＥＬ素子、緑色の有機ＥＬ素子、青色の有機ＥＬ素子及び白色の有機ＥＬ素子であり、
前記赤色の有機ＥＬ素子を駆動する赤色駆動トランジスタと、前記赤色の有機ＥＬ素子に対応する赤色電位制御トランジスタは、前記赤色の有機ＥＬ素子を発光させる駆動信号を供給する赤色駆動線の下に配置され、
前記緑色の有機ＥＬ素子を駆動する緑色駆動トランジスタと、前記緑色の有機ＥＬ素子に対応する緑色電位制御トランジスタは、前記緑色の有機ＥＬ素子を発光させる駆動信号を供給する緑色駆動線の下に配置され、
前記青色の有機ＥＬ素子を駆動する青色駆動トランジスタと、前記青色の有機ＥＬ素子に対応する青色電位制御トランジスタは、前記青色の有機ＥＬ素子を発光させる駆動信号を供給する青色駆動線の下に配置され、
前記白色の有機ＥＬ素子を駆動する白色駆動トランジスタと、前記白色の有機ＥＬ素子に対応する白色電位制御トランジスタは、前記青色駆動線と前記白色の有機ＥＬ素子を発光させる駆動信号を供給する白色駆動線の間に配置される
ことを特徴とする請求項２記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記複数の有機ＥＬ素子は、第１色、第２色、第３色及び第４色の有機ＥＬ素子であり、
前記第１色の有機ＥＬ素子を駆動する第１色駆動トランジスタと、前記第３色の有機ＥＬ素子を駆動する第３色駆動トランジスタと、前記第１色の有機ＥＬ素子に対応する第１色電位制御トランジスタと、前記第３色の有機ＥＬ素子に対応する第３色電位制御トランジスタは、発光時間あるいは発光効率が近い第１色の有機ＥＬ素子と第３色の有機ＥＬ素子を同時に発光させる第１の駆動信号を供給する第１の駆動線の下に配置され、
前記第２色の有機ＥＬ素子を駆動する第２色駆動トランジスタと、前記第４色の有機ＥＬ素子を駆動する第４色駆動トランジスタと、前記第２色の有機ＥＬ素子に対応する第２色電位制御トランジスタと、前記第４色の有機ＥＬ素子に対応する第４色電位制御トランジスは、前記第１の駆動線と、発光時間あるいは発光効率が近い第２色の有機ＥＬ素子と第４色の有機ＥＬ素子を同時に発光させる第２の駆動信号を供給する第２の駆動線の間に配置される
ことを特徴とする請求項２記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記第１色、第２色、第３色及び第４色の有機ＥＬ素子は、それぞれ赤色、緑色、青色及び白色の有機ＥＬ素子である
ことを特徴とする請求項６記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記第１の駆動信号の発光期間と、前記第２の駆動信号の発光期間の比率は、１垂直期間において１：１である
ことを特徴とする請求項６記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記第１の駆動信号の発光期間は、１垂直期間において前記第２の駆動信号の発光期間と同じである、又は１垂直期間において前記第２の駆動信号の発光期間よりも長い
ことを特徴とする請求項７記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、アクティブマトリクス型有機電界発光表示装置（ＡＭ−ＯＬＥＤ：Active Matrix type Organic Light Emitting Diode）に関し、特に、レイアウト面積が小さく、小型、高精細の有機電界発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＡＭ−ＯＬＥＤ用画素回路は、液晶表示装置（ＬＣＤ）に比べ、素子数や配線が多く、高精細には不利である。特に、素子、配線の多い、ＴＦＴ（Thin-Film Transistor：薄膜トランジスタ）の閾値などのＴＦＴの特性ばらつきを補償する補償回路を画素回路に含ませる場合には、画素面積を小さくすることが課題である。
【０００３】
従来のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置について図１２及び図１３を参照しながら説明する（例えば、特許文献１参照）。図１２は、従来のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の構成を示す図である。また、図１３は、従来のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。
【０００４】
図１２において、複数の画素回路１０と、複数の有機ＥＬ素子２１Ａ、２１Ｂと、複数の選択スイッチ６Ａ、６Ｂと、走査線駆動回路３０と、複数の走査線３１（１〜ｎ）と、データ線駆動回路４０と、複数のデータ線４１（１〜ｍ）と、選択線駆動回路６０と、複数の選択線６１Ａ、６１Ｂが描かれている。
【０００５】
図１３において、ＮチャネルのＴＦＴ１と、コンデンサ２と、ＰチャネルのＴＦＴ３と、ＮチャネルのＴＦＴ４と、コンデンサ５と、ＰチャネルのＴＦＴ６Ａと、ＰチャネルのＴＦＴ６Ｂと、有機ＥＬ素子２１Ａと、有機ＥＬ素子２１Ｂと、走査線３１と、データ線４１と、選択線６１Ａと、選択線６１Ｂと、リセット線７１とが描かれている。
【０００６】
図１３では、ＴＦＴ及びコンデンサの共通化と画素の有機ＥＬ素子を選択するＴＦＴを備える有機電界発光表示装置の画素回路が提案されている。これは、垂直（行）方向に隣り合う画素間で共通素子と選択素子を備える方式である。図１３において、ＴＦＴ１〜コンデンサ５までが共通素子であり、ＴＦＴ６Ａ及び６Ｂが選択素子（選択スイッチ）である。ＴＦＴ４及びコンデンサ５から構成される補償回路を共通化した場合の代表例である。駆動方法は、時分割方式を採用しており、１垂直期間を２分割で駆動させている。
【０００７】
従来の別のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置について図１４を参照しながら説明する（例えば、特許文献２参照）。図１４は、従来の別のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。
【０００８】
図１４において、ＰチャネルのＴＦＴ１と、コンデンサ２と、ＰチャネルのＴＦＴ３と、ＰチャネルのＴＦＴ７Ｒと、ＰチャネルのＴＦＴ７Ｇと、ＰチャネルのＴＦＴ７Ｂと、走査線３１と、データ線４１と、発光制御線６２Ｒと、発光制御線６２Ｇと、発光制御線６２Ｂと、赤色を発光する有機ＥＬ素子２２Ｒと、緑色を発光する有機ＥＬ素子２２Ｇと、青色を発光する有機ＥＬ素子２２Ｂとが描かれている。
【０００９】
この図１４には、水平（列）方向に隣り合う画素間で共通素子と選択素子を備える方式が示されている。発光制御信号ＥＣ＿Ｒ、Ｇ、Ｂにより、有機ＥＬ素子２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂが選択される構成である。駆動方法は、時分割方式を採用しており、１垂直期間を３分割で駆動させている。
【００１０】
従来の他のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置について図１５を参照しながら説明する（例えば、特許文献３参照）。図１５は、従来の他のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。
【００１１】
図１５において、ＰチャネルのＴＦＴ１と、コンデンサ２と、ＰチャネルのＴＦＴ３と、ＰチャネルのＴＦＴ４と、ＮチャネルのＴＦＴ６と、ドレインに補償電圧Ｖｓｕｓが印加されているＮチャネルのＴＦＴ８と、走査線３１と、データ線４１と、有機ＥＬ素子２１とが描かれている。
【００１２】
図１３に示した補償回路を含む画素回路に、定電位の補償電圧Ｖｓｕｓを供給するＴＦＴ８が追加された回路構成である。開発メーカーによって、補償電圧ＶｓｕｓがＶＤＤやＶｒｅｆに変化する。このＴＦＴ８は、閾値などのＴＦＴの特性ばらつきを補償するために、有機ＥＬ素子２１の発光時にコンデンサ２の片側を定電位の補償電圧Ｖｓｕｓに固定する役割を果しており、画素回路を小面積にするために共通化する場合、共通化すべきＴＦＴと考えられる。共通化した場合に選択素子となるＴＦＴは図１５ではＴＦＴ６である。レイアウト方法については、開示されていない。
【００１３】
【特許文献１】特開２００３−１２２３０６号公報（図１、図５）
【特許文献２】特開２００５−１４８７４９号公報（図１０）
【特許文献３】特開２００５−１５７３０８号公報（図１０）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
図１５に示した従来の他のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の問題点について図１６を参照しながら説明する。図１６は、従来の他のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の素子を共通化した画素回路及び動作波形を示す図である。
【００１５】
図１５に示した補償回路を含む画素回路の素子を共通化する場合、図１６（ａ）に示す回路構成になる。全てのトランジスタをＰチャネルのＴＦＴで構成した場合である。
【００１６】
図１６（ａ）に示すように、画素回路１０は、共通回路１１、選択回路１２及び有機ＥＬ素子２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂから構成される。共通回路１１は、ＰチャネルのＴＦＴ１と、コンデンサ２と、ＰチャネルのＴＦＴ３と、ＰチャネルのＴＦＴ４と、ＰチャネルのＴＦＴ８とが設けられている。また、選択回路１２は、ＰチャネルのＴＦＴ７Ｒと、ＰチャネルのＴＦＴ７Ｇと、ＰチャネルのＴＦＴ７Ｂとが設けられている。
【００１７】
共通回路１１でビデオデータを取り込み、このビデオデータに相当する電流を選択回路１２のＴＦＴ７Ｒ、ＴＦＴ７Ｇ及びＴＦＴ７Ｂで、有機ＥＬ素子２２Ｒ、有機ＥＬ素子２２Ｇ及び有機ＥＬ素子２２Ｂに振り分ける仕組みである。
【００１８】
動作波形の一例を図１６（ｂ）に示す。赤色（Ｒ）⇒緑色（Ｇ）⇒青色（Ｂ）の順に、ビデオデータの書き込み（Write）と、発光（Emission）を、１垂直期間を３分割して駆動する。
【００１９】
従来の画素回路の問題点は、図１６（ａ）に示した回路をレイアウトする場合に発生する。つまり、補償電圧線Ｖｓｕｓ、走査線ＳＷ１ｎ、ＳＷ２ｎ、駆動線ＳＷ３Ｒｎ、ＳＷ３Ｇｎ、ＳＷ３Ｂｎの配線数が多いため、回路面積が大きくなることである。その結果、高解像度を実現できないという問題点があった。なお、煩雑さを避けるために、信号名と信号線名を同じにして説明する場合がある。
【００２０】
また、これら増加した駆動線ＳＷ３Ｒｎ、ＳＷ３Ｇｎ、ＳＷ３Ｂｎを駆動する回路が増加したことによって、歩留まりが低下し、コストの増加を引き起こすという問題が発生する。この問題の発生の原因は、共通化することで素子数を減らした分、選択素子が増え、これらを駆動する信号線が増加したことにある。
【００２１】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、補償回路を含む画素回路としての機能を失うことなく、配線数を減少することができ、回路面積を小さくすることができる有機電界発光表示装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
この発明に係る有機電界発光表示装置は、複数の画素回路を備えるアクティブマトリクス型の有機電界発光表示装置であって、前記画素回路は、走査線駆動回路に接続される走査線と、前記走査線駆動回路から走査線を通じて送られてくる走査パルスに基づき、データ線駆動回路からデータ線を通じて送られてくるビデオデータを取り込み、このビデオデータに相当する電流を出力する共通回路と、前記共通回路から出力されるビデオデータに相当する電流を水平方向に隣り合う複数の有機ＥＬ素子にそれぞれ振り分けるために、前記走査線駆動回路から駆動線を通じて送られてくる駆動信号により、水平方向に隣り合う複数の有機ＥＬ素子を選択的に駆動する選択回路と、の順に配置され、前記走査線と前記選択回路の間に前記共通回路が配置され、前記選択回路は、前記水平方向に隣り合う複数の有機ＥＬ素子を選択的に駆動する複数の駆動トランジスタと、前記複数の駆動トランジスタの領域と分離して配置され、トランジスタの特性ばらつきを補償した後の電位設定を行う複数の電位制御トランジスタとから構成されるものである。
【発明の効果】
【００２３】
この発明に係る有機電界発光表示装置は、補償回路を含む画素回路としての機能を失うことなく、配線数を減少することができ、回路面積を小さくすることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
実施の形態１．
この発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置について図１から図５までを参照しながら説明する。図１は、この発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の構成を示す図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００２５】
図１において、この発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置（表示パネル）は、複数の画素回路１０Ａ（Ｐ１１〜Ｐｎｍ）と、走査線駆動回路３０と、複数の走査（ゲート：Ｇａｔe）線３１（１〜ｎ）と、駆動線ＥＭ−Ｒ、ＥＭ−Ｇ、ＥＭ−Ｂと、データ線駆動回路４０と、複数のデータ線４１（１〜ｍ）と、電源供給線ＰＶＤＤと、基準電位供給線Ｖｒｅｆと、外部駆動ＩＣとの接続部５０とが設けられている。
【００２６】
画素回路１０Ａは、後述するように、共通回路１１Ａと、選択回路１２Ａと、有機ＥＬ素子２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂとから構成されている。この画素回路１０Ａは、駆動ＴＦＴの能力差による輝度ばらつきなどを抑制するための補償回路を含んでいる。共通回路１１Ａは、基本的に、１つの選択ＴＦＴ、ビデオ（映像）データを蓄積しておくためのコンデンサ及び１つの駆動ＴＦＴから構成される。さらに、補償回路を一部を構成するＴＦＴが含まれる。なお、補償回路は、閾値（Ｖｔ）補償回路と言われている回路の共用型であり、駆動方法は上述した従来の駆動方式と同じである。
【００２７】
走査線駆動回路３０は、画素回路１０Ａを構成する共通回路１１Ａの選択ＴＦＴのゲートを駆動し、所定のビデオデータをコンデンサに転送する役目をする。水平方向に駆動するため、水平（Horizontal）駆動回路とも言われ、シフトレジスタと駆動ＴＦＴから構成される。
【００２８】
データ線駆動回路４０は、画素アドレスに応じたビデオデータ信号を駆動する役目を有する。垂直方向にデータを駆動するため、垂直（Vertical）駆動回路とも言われ、シフトレジスタとスイッチ回路から構成される。
【００２９】
接続部５０は、表示パネルの駆動に必要な信号、電源、ビデオデータ信号などをパネル部に伝える。通常、ＦＰＣなどのコネクタを半田付けすることを前提として用意される。最近では、より小型化が計られ、ビデオデータ信号駆動ＩＣをガラス上に形成する場合が増えてきた。
【００３０】
この実施の形態１と、後述する実施の形態２及び実施の形態３では、駆動信号（ＥＭ−Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗ）の数、１画素におけるデータ線の数や電源線の数が異なるが、基本的な動作は同じである。
【００３１】
図２は、この発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の素子を共通化した画素回路及び動作波形を示す図である。
【００３２】
従来の画素回路の問題は、素子を共通化することで逆に駆動信号の駆動線の数が多くなることであった。そこで、配線数を減らすために、図１６（ａ）に示す信号線ＳＷ１ｎの機能を駆動線ＳＷ３ｎに移行し、有機ＥＬ素子の発光時にコンデンサ２の片側を定電位の補償電圧Ｖｓｕｓに固定するＴＦＴ８の機能を、ＴＦＴの個数を増やすことで正常動作を確保したものである。なお、煩雑さを避けるために、信号名と信号線名を同じにして説明する場合がある。
【００３３】
図２（ａ）において、画素回路１０Ａは、共通回路１１Ａと選択回路１２Ａと有機ＥＬ素子２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂとから構成される。共通回路１１Ａは、Ｐチャネルの選択ＴＦＴ１と、コンデンサ２と、Ｐチャネルの駆動ＴＦＴ３と、補償回路の一部を構成するＰチャネルのＴＦＴ４とが設けられている。また、選択回路１２Ａは、赤色の有機ＥＬ素子２２Ｒを駆動するＰチャネルのＴＦＴ７Ｒと、緑色の有機ＥＬ素子２２Ｇを駆動するＰチャネルのＴＦＴ７Ｇと、青色の有機ＥＬ素子２２Ｂを駆動するＰチャネルのＴＦＴ７Ｂと、ＰチャネルのＴＦＴ８Ｒと、ＰチャネルのＴＦＴ８Ｇと、ＰチャネルのＴＦＴ８Ｂとが設けられている。
【００３４】
図２（ｂ）において、駆動信号ＳＷ３Ｒｎ、ＳＷ３Ｇｎ、ＳＷ３Ｂｎは、赤色（Ｒ）⇒緑色（Ｇ）⇒青色（Ｂ）の順に、ビデオデータの書き込み（Write）と、発光（Emission）を、１垂直期間を３分割して駆動する。
【００３５】
図１６と図２を比較して判るように、信号線ＳＷ１ｎを削減することができる。一見、回路面積が増加しそうであるが、ＴＦＴ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ、ＴＦＴ８Ｒ、８Ｇ、８Ｂを駆動線ＳＷ３Ｒｎ、ＳＷ３Ｇｎ、ＳＷ３Ｂｎの配線の下や間にレイアウトできるので、回路面積は減少し、開口率は向上する。
【００３６】
図３は、この発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の簡略化されたレイアウトを示す図である。
【００３７】
図３において、（ａ）はボトムエミションタイプ（Bottom Emission Type）、（ｂ）はトップエミションタイプ（Top Emission Type）をそれぞれ示す。共通回路１１Ａと、選択回路１２Ａと、有機ＥＬ素子２２Ｒ、Ｇ、Ｂとがレイアウトされている。なお、トップエミションタイプの場合、有機ＥＬ素子２２Ｒ、Ｇ、Ｂが共通回路１１Ａ及び選択回路１２Ａの下にレイアウトされている。
【００３８】
補償回路は、寄生容量や駆動ノイズ、及び電源値の不安定性に影響されやすい。これを防止するため、共通回路１１Ａの領域、選択回路１２Ａの領域を分離してレイアウトする。共通回路１１Ａの領域は、走査線３１と選択回路１２Ａの領域の間に存在するようにレイアウトする。
【００３９】
図４は、この発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。
【００４０】
この図４の回路図は、有機電界発光表示装置の画素回路の実際に近い配置イメージを示す。図４において、画素回路１０Ａは、共通回路１１Ａと、選択回路１２Ａと、赤色（Ｒ）を発光する有機ＥＬ素子２２Ｒと、緑色（Ｇ）を発光する有機ＥＬ素子２２Ｇと、青色（Ｂ）を発光する有機ＥＬ素子２２Ｂとから構成される。
【００４１】
共通回路１１Ａは、走査線駆動回路３０から走査線３１を通じて送られてくる走査パルスに基づき、データ線駆動回路４０からデータ線４１を通じて送られてくるビデオデータを取り込み（蓄積）、このビデオデータに相当する電流を選択回路１２Ａに出力するためのもので、Ｐチャネルの選択ＴＦＴ１と、コンデンサ２と、Ｐチャネルの駆動ＴＦＴ３と、補償回路の一部を構成するＰチャネルのＴＦＴ４とが設けられている。
【００４２】
また、選択回路１２Ａは、共通回路１１Ａから出力されるビデオデータに相当する電流を水平（列）方向に隣り合う有機ＥＬ素子２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂにそれぞれ振り分けるために、走査線駆動回路３０から駆動線ＥＭ−Ｒ、ＥＭ−Ｇ、ＥＭ−Ｂを通じて送られてくる駆動信号により、水平（列）方向に隣り合う有機ＥＬ素子２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂを選択的に駆動するためのもので、赤色の有機ＥＬ素子２２Ｒを駆動するＰチャネルの駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）−ＭＤＲ（図２（ａ）のＴＦＴ７Ｒに相当）と、緑色の有機ＥＬ素子２２Ｇを駆動するＰチャネルの駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）−ＭＤＧ（図２（ａ）のＴＦＴ７Ｇに相当）と、青色の有機ＥＬ素子２２Ｂを駆動するＰチャネルの駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）−ＭＤＢ（図２（ａ）のＴＦＴ７Ｂに相当）とが設けられている。
【００４３】
さらに、選択回路１２Ａは、有機ＥＬ素子２２Ｒの発光時にコンデンサ２の片側を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定するＰチャネルの電位制御ＴＦＴ（電位制御トランジスタ）−ＭＣＲ（図２（ａ）のＴＦＴ８Ｒに相当）と、有機ＥＬ素子２２Ｇの発光時にコンデンサ２の片側を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定するＰチャネルの電位制御ＴＦＴ（電位制御トランジスタ）−ＭＣＧ（図２（ａ）のＴＦＴ８Ｇに相当）と、有機ＥＬ素子２２Ｂの発光時にコンデンサ２の片側を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定するＰチャネルの電位制御ＴＦＴ（電位制御トランジスタ）−ＭＣＢ（図２（ａ）のＴＦＴ８Ｂに相当）とが設けられている。
【００４４】
図５は、この発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路のレイアウトを示す図である。なお、後述する実施の形態２及び実施の形態３においても、画素回路のレイアウトは図５と同様である。
【００４５】
占有面積を小さくするための条件（１）〜（６）を以下に説明する。
（１）図１６（ａ）のＴＦＴ８のような、補償電圧供給線Ｖｓｕｓに接続される、本来共通化すべきＴＦＴを、図４に示すように、基準電位供給線Ｖｒｅｆに接続される、選択回路１２Ａの電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲ、ＴＦＴ−ＭＣＧ、ＴＦＴ−ＭＣＢに転用する。
【００４６】
（２）図５に示すように、走査線３１と選択回路１２Ａの領域の間に共通回路１１Ａの領域を配置する。
【００４７】
（３）従って、図３（ａ）に示すボトムエミションタイプ（Bottom Emission Type）の場合、図５に示すように、走査線３１、共通回路１１Ａ、選択回路１２Ａ及び有機ＥＬ素子２２Ｒ、Ｇ、Ｂ（発光領域）の順に配置する。
【００４８】
（４）図５に示すように、選択回路１２Ａにおいて、各有機ＥＬ素子２２Ｒ、Ｇ、Ｂを駆動する駆動ＴＦＴ−ＭＤＲ、ＭＤＧ、ＭＤＢと、トランジスタの特性ばらつきを補償した後の電位設定を行う、つまり、蓄積素子（コンデンサ２）を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定する電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲ、ＭＣＧ、ＭＣＢを分離して配置する。
【００４９】
（５）選択回路１２Ａは、図４に示すように、駆動線ＥＭ−Ｒ、ＥＭ−Ｇの下にレイアウトするとともに、駆動線ＥＭ−Ｇ、ＥＭ−Ｂの間にレイアウトする。つまり、共通回路１１Ａの領域に近い側の駆動ＴＦＴ−ＭＤＲ、ＭＤＧと、電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲ、ＭＣＧは、有機ＥＬ素子２２Ｒ、２２Ｇを発光させる駆動信号を供給する駆動線ＥＭ−Ｒ、ＥＭ−Ｇの配線下に配置する。また、有機ＥＬ素子２２Ｒ、Ｇ、Ｂ（発光領域）に近い側の駆動ＴＦＴ−ＭＤＢと、電位制御ＴＦＴ−ＭＣＢは、駆動線ＥＭ−Ｇと、これと隣り合う、有機ＥＬ素子２２Ｂを発光させる駆動信号を供給する駆動線ＥＭ−Ｂの間に配置する。
【００５０】
共通回路１１Ａの領域に近い側の駆動ＴＦＴ−ＭＤＲ、ＭＤＧと、電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲ、ＭＣＧのチャネルは駆動線ＥＭ−Ｒ、ＥＭ−Ｇと垂直に、発光領域に近い側の駆動ＴＦＴ−ＭＤＢと、電位制御ＴＦＴ−ＭＣＢのチャネルは駆動線ＥＭ−Ｂと平行にレイアウトする。共通回路１１Ａの領域に近い側のＴＦＴのチャネルを駆動線と垂直にする理由は、すでに共通回路１１Ａ側に選択回路１２ＡのＴＦＴのＳ（ソース）／Ｄ（ドレイン）コンタクトがあるためであり、発光領域に近い側のＴＦＴのチャネルを駆動線と平行にレイアウトする理由は、発光領域側に新たなＴＦＴのＳ／Ｄコンタクトを作らないためである。
【００５１】
（６）駆動線の寄生容量を駆動線間でなるべく均一化するために、横切る配線数をなるべく同程度にした。
【００５２】
図５に示すように、共通回路１１Ａと選択回路１２Ａを分離してレイアウトする。共通回路１１Ａは、走査線３１と選択回路１２Ａの間に存在するようにレイアウトする。また、選択回路１２Ａにおいて、駆動ＴＦＴ−ＭＤＲ、ＭＤＧ、ＭＤＢと、電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲ、ＭＣＧ、ＭＣＢを分離してレイアウトする。この結果、補償回路を含む画素回路１０Ａとしての機能を失うことなく、配線数を減少することができ、回路面積を小さくすることができる
【００５３】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置について図６から図８までを参照しながら説明する。図６は、この発明の実施の形態２に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の構成を示す図である。
【００５４】
図６において、この発明の実施の形態２に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置（表示パネル）は、複数の画素回路１０Ｂ（Ｐ１１〜Ｐｎｍ）と、走査線駆動回路３０と、複数の走査（ゲート：Ｇａｔe）線３１（１〜ｎ）と、駆動線ＥＭ−Ｒ、ＥＭ−Ｇ、ＥＭ−Ｂ、ＥＭ−Ｗと、データ線駆動回路４０と、複数のデータ線４１（１〜ｍ）と、電源供給線ＰＶＤＤと、基準電位供給線Ｖｒｅｆと、外部駆動ＩＣとの接続部５０とが設けられている。
【００５５】
回路面積は、上記の実施の形態１のＲＧＢ構成より、この実施の形態２のＲＧＢＷの４副画素で構成される場合がより大きい。従って、回路面積を小さくできる技術は、ＲＧＢＷ構成の画素において、より重要である。
【００５６】
図７は、この発明の実施の形態２に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。また、図８は、この発明の実施の形態２に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の動作波形を示す図である。
【００５７】
この図７の回路図は、有機電界発光表示装置の画素回路の実際に近い配置イメージを示す。図７において、画素回路１０Ｂは、共通回路１１Ｂと、選択回路１２Ｂと、赤色（Ｒ）を発光する有機ＥＬ素子２２Ｒと、緑色（Ｇ）を発光する有機ＥＬ素子２２Ｇと、青色（Ｂ）を発光する有機ＥＬ素子２２Ｂと、白色（Ｗ）を発光する有機ＥＬ素子２２Ｗとから構成される。
【００５８】
共通回路１１Ｂは、走査線駆動回路３０から走査線３１を通じて送られてくる走査パルスに基づき、データ線駆動回路４０からデータ線４１を通じて送られてくるビデオデータを取り込み（蓄積）、このビデオデータに相当する電流を選択回路１２Ｂに出力するためのもので、Ｐチャネルの選択ＴＦＴ１と、コンデンサ２と、Ｐチャネルの駆動ＴＦＴ３と、補償回路の一部を構成するＰチャネルのＴＦＴ４とが設けられている。
【００５９】
また、選択回路１２Ｂは、共通回路１１Ｂから出力されるビデオデータに相当する電流を水平（列）方向に隣り合う有機ＥＬ素子２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ、２２Ｗにそれぞれ振り分けるために、走査線駆動回路３０から駆動線ＥＭ−Ｒ、ＥＭ−Ｇ、ＥＭ−Ｂ、ＥＭ−Ｗを通じて送られてくる駆動信号により、水平（列）方向に隣り合う有機ＥＬ素子２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ、２２Ｗを選択的に駆動するためのもので、赤色の有機ＥＬ素子２２Ｒを駆動するＰチャネルの駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）−ＭＤＲと、緑色の有機ＥＬ素子２２Ｇを駆動するＰチャネルの駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）−ＭＤＧと、青色の有機ＥＬ素子２２Ｂを駆動するＰチャネルの駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）−ＭＤＢと、白色（Ｗ）の有機ＥＬ素子２２Ｗを駆動するＰチャネルの駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）−ＭＤＷとが設けられている。
【００６０】
さらに、選択回路１２Ｂは、有機ＥＬ素子２２Ｒの発光時にコンデンサ２の片側を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定するＰチャネルの電位制御ＴＦＴ（電位制御トランジスタ）−ＭＣＲと、有機ＥＬ素子２２Ｇの発光時にコンデンサ２の片側を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定するＰチャネルの電位制御ＴＦＴ（電位制御トランジスタ）−ＭＣＧと、有機ＥＬ素子２２Ｂの発光時にコンデンサ２の片側を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定するＰチャネルの電位制御ＴＦＴ（電位制御トランジスタ）−ＭＣＢと、有機ＥＬ素子２２Ｗの発光時にコンデンサ２の片側を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定するＰチャネルの電位制御ＴＦＴ（電位制御トランジスタ）−ＭＣＷとが設けられている。
【００６１】
図７は、ＲＧＢＷを採用した場合で、共通回路１１Ｂが１つに対し、４つの駆動トランジスタＭＤＲ、ＭＤＧ、ＭＤＢ、ＭＤＷと、４つの電位制御トランジスタＭＣＲ、ＭＣＧ、ＭＣＢ、ＭＣＷとから構成される選択回路１２Ｂを配置したものである。
【００６２】
図８において、駆動信号ＥＭ−Ｒ、ＥＭ−Ｇ、ＥＭ−Ｂ、ＥＭ−Ｗは、赤色（Ｒ）⇒緑色（Ｇ）⇒青色（Ｂ）⇒白色（Ｗ）の順に、ビデオデータの書き込みと、発光を、１垂直期間を４分割して駆動する。
【００６３】
占有面積を小さくするための条件（１）〜（５）を以下に説明する。
（１）図１６（ａ）のＴＦＴ８のような、補償電圧供給線Ｖｓｕｓに接続される、本来共通化すべきＴＦＴを、図７に示すように、基準電位供給線Ｖｒｅｆに接続される、選択回路１２Ｂの電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲ、ＴＦＴ−ＭＣＧ、ＴＦＴ−ＭＣＢ、ＴＦＴ−ＭＣＷに転用する。
【００６４】
（２）図５に示すように、走査線３１と選択回路１２Ｂの領域の間に共通回路１１Ｂの領域を配置する。
【００６５】
（３）従って、図３（ａ）に示すボトムエミションタイプ（Bottom Emission Type）の場合、図５に示すように、走査線３１、共通回路１１Ｂ、選択回路１２Ｂ及び有機ＥＬ素子２２Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ（発光領域）の順に配置する。
【００６６】
（４）図５に示すように、選択回路１２Ｂにおいて、各有機ＥＬ素子２２Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗを駆動する駆動ＴＦＴ−ＭＤＲ、ＭＤＧ、ＭＤＢ、ＭＤＷと、トランジスタの特性ばらつきを補償した後の電位設定を行う、つまり、蓄積素子（コンデンサ２）を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定する電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲ、ＭＣＧ、ＭＣＢ、ＭＣＷを分離して配置する。
【００６７】
（５）選択回路１２Ｂは、図７に示すように、駆動線ＥＭ−Ｒ、ＥＭ−Ｇ、ＥＭ−Ｂの下にレイアウトするとともに、駆動線ＥＭ−Ｂ、ＥＭ−Ｗの間にレイアウトする。つまり、共通回路１１Ｂの領域に近い側の駆動ＴＦＴ−ＭＤＲ、ＭＤＧ、ＭＤＢと、電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲ、ＭＣＧ、ＭＣＢは、有機ＥＬ素子２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂを発光させる駆動信号を供給する駆動線ＥＭ−Ｒ、ＥＭ−Ｇ、ＥＭ−Ｂの配線下に配置する。また、有機ＥＬ素子２２Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ（発光領域）に近い側の駆動ＴＦＴ−ＭＤＷと、電位制御ＴＦＴ−ＭＣＷは、駆動線ＥＭ−Ｂと、これと隣り合う、有機ＥＬ素子２２Ｗを発光させる駆動信号を供給する駆動線ＥＭ−Ｗの間に配置する。
【００６８】
共通回路１１Ｂの領域に近い側の駆動ＴＦＴ−ＭＤＲ、ＭＤＧ、ＭＤＢと、電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲ、ＭＣＧ、ＭＣＢのチャネルは駆動線ＥＭ−Ｒ、ＥＭ−Ｇ、ＥＭ−Ｂと垂直に、発光領域に近い側の駆動ＴＦＴ−ＭＤＷと、電位制御ＴＦＴ−ＭＣＷのチャネルは駆動線ＥＭ−Ｗと平行にレイアウトする。共通回路１１Ｂの領域に近い側のＴＦＴのチャネルを駆動線と垂直にする理由は、すでに共通回路１１Ｂ側に選択回路１２ＢのＴＦＴのＳ（ソース）／Ｄ（ドレイン）コンタクトがあるためであり、発光領域に近い側のＴＦＴのチャネルを駆動線と平行にレイアウトする理由は、発光領域側に新たなＴＦＴのＳ／Ｄコンタクトを作らないためである。
【００６９】
実施の形態３．
この発明の実施の形態３に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置について図９から図１１までを参照しながら説明する。図９は、この発明の実施の形態３に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の構成を示す図である。
【００７０】
図９において、この発明の実施の形態３に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置（表示パネル）は、複数の画素回路１０Ｃ（Ｐ１１〜Ｐｎｍ）と、走査線駆動回路３０と、複数の走査（ゲート：Ｇａｔe）線３１（１〜ｎ）と、駆動線ＥＭ−ＲＧ、ＥＭ−ＢＷと、データ線駆動回路４０と、複数のデータ線４１（１〜ｍ）と、電源供給線ＰＶＤＤと、基準電位供給線Ｖｒｅｆと、外部駆動ＩＣとの接続部５０とが設けられている。
【００７１】
図１０は、この発明の実施の形態３に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。また、図１１は、この発明の実施の形態３に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の動作波形を示す図である。
【００７２】
ＲＧＢＷ構成の場合、２画素毎の共通化が好ましく、その色の組み合わせは発光時間や発光効率に依存したものが好ましい。すなわち、発光時間や発光効率が近い色同士を同時に発光させるのが好ましい。また、ＲＧＢＷ構成の場合、本実施の形態３が開口率を大きく確保できる。
【００７３】
この図１０の回路図は、有機電界発光表示装置の画素回路の実際に近い配置イメージを示す。図１０において、画素回路１０Ｃは、共通回路１１Ｃと、選択回路１２Ｃと、赤色（Ｒ）を発光する有機ＥＬ素子２２Ｒと、緑色（Ｇ）を発光する有機ＥＬ素子２２Ｇと、青色（Ｂ）を発光する有機ＥＬ素子２２Ｂと、白色（Ｗ）を発光する有機ＥＬ素子２２Ｗとから構成される。
【００７４】
共通回路１１Ｃは、走査線駆動回路３０から走査線３１を通じて送られてくる走査パルスに基づき、データ線駆動回路４０からデータ線４１を通じて送られてくるビデオデータを取り込み（蓄積）、このビデオデータに相当する電流を選択回路１２Ｃに出力するためのもので、Ｐチャネルの選択ＴＦＴ１と、コンデンサ２と、Ｐチャネルの駆動ＴＦＴ３と、補償回路の一部を構成するＰチャネルのＴＦＴ４とがそれぞれ２個ずつ設けられている。
【００７５】
また、選択回路１２Ｃは、共通回路１１Ｃから出力されるビデオデータに相当する電流を水平（列）方向に隣り合う有機ＥＬ素子２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ、２２Ｗにそれぞれ振り分けるために、走査線駆動回路３０から駆動線ＥＭ−ＲＢ、ＥＭ−ＧＷを通じて送られてくる駆動信号により、水平（列）方向に隣り合う有機ＥＬ素子２２Ｒ、２２Ｂと、有機ＥＬ素子２２Ｇ、２２Ｗを選択的に駆動するためのもので、赤色の有機ＥＬ素子２２Ｒを駆動するＰチャネルの駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）−ＭＤＲと、緑色の有機ＥＬ素子２２Ｇを駆動するＰチャネルの駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）−ＭＤＧと、青色の有機ＥＬ素子２２Ｂを駆動するＰチャネルの駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）−ＭＤＢと、白色（Ｗ）の有機ＥＬ素子２２Ｗを駆動するＰチャネルの駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）−ＭＤＷとが設けられている。
【００７６】
さらに、選択回路１２Ｃは、有機ＥＬ素子２２Ｒの発光時にコンデンサ２の片側を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定するＰチャネルの電位制御ＴＦＴ（電位制御トランジスタ）−ＭＣＲＢ１と、有機ＥＬ素子２２Ｇの発光時にコンデンサ２の片側を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定するＰチャネルの電位制御ＴＦＴ（電位制御トランジスタ）−ＭＣＧＷ１と、有機ＥＬ素子２２Ｂの発光時にコンデンサ２の片側を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定するＰチャネルの電位制御ＴＦＴ（電位制御トランジスタ）−ＭＣＲＢ２と、有機ＥＬ素子２２Ｗの発光時にコンデンサ２の片側を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定するＰチャネルの電位制御ＴＦＴ（電位制御トランジスタ）−ＭＣＧＷ２とが設けられている。
【００７７】
図１０は、ＲＧＢＷを採用した場合で、ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４が２組の共通回路１１Ｃが１つに対し、２つの駆動ＴＦＴ−ＭＤＲ、ＭＤＧ、２つの電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲＢ１、ＭＣＧＷ１と、２つの駆動ＴＦＴ−ＭＤＢ、ＭＤＷ、２つの電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲＢ２、ＭＣＧＷ２とから構成される選択回路１２Ｃを配置したものである。
【００７８】
図１１（ａ）は、１垂直期間が２分割され、Ｒ・Ｂ発光期間とＧ・Ｗ発光期間の比率が１：１の場合である。上記の実施の形態２の図８に示された４分割に比べ、２倍の発光期間があり、１／２の電流密度、２倍の寿命が期待できる。同時に発光させる色の組み合わせは、Ｒ・ＢとＧ・Ｗの組み合わせに限られず、発光時間や発光効率の順で組み合わせるのが好ましく、Ｒ・ＧとＢ・Ｗの組み合わせや、Ｒ・ＷとＧ・Ｗの組み合わせでも良く、発光時間の調節がしやすい。
【００７９】
図１１（ｂ）は、１垂直期間が２分割され、Ｒ・Ｂ発光期間とＧ・Ｗ発光期間の比率が２：１の場合である。この比率は２：１に限られず、１：１や、１．５：１、３：１など、Ｒ・Ｂ発光期間が、Ｇ・Ｗ発光期間と同じか、あるいはＧ・Ｗ発光期間よりも長ければよい。発光時間や発光効率が小さい材料の発光素子の期間をより長く設定することで、長寿命化が可能である。発光時間の調整が可能になるので、ホワイトバランスのよりきめ細かな調整が可能である。
【００８０】
占有面積を小さくするための条件（１）〜（５）を以下に説明する。
（１）図１６（ａ）のＴＦＴ８のような、補償電圧供給線Ｖｓｕｓに接続される、本来共通化すべきＴＦＴを、図１０に示すように、基準電位供給線Ｖｒｅｆに接続される、選択回路１２Ｃの電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲＢ１、ＭＣＧＷ１、ＭＣＲＢ２、ＭＣＧＷ２に転用する。
【００８１】
（２）図５に示すように、走査線３１と選択回路１２Ｃの領域の間に共通回路１１Ｃの領域を配置する。
【００８２】
（３）従って、図３（ａ）に示すボトムエミションタイプ（Bottom Emission Type）の場合、図５に示すように、走査線３１、共通回路１１Ｃ、選択回路１２Ｃ及び有機ＥＬ素子２２Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ（発光領域）の順に配置する。
【００８３】
（４）選択回路１２Ｂにおいて、各有機ＥＬ素子２２Ｒ、Ｇを駆動する駆動ＴＦＴ−ＭＤＲ、ＭＤＧと、トランジスタの特性ばらつきを補償した後の電位設定を行う、つまり、蓄積素子（コンデンサ２）を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定する電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲＢ１、ＭＣＧＷ１を分離して配置する。さらに、各有機ＥＬ素子２２Ｂ、Ｗを駆動する駆動ＴＦＴ−ＭＤＢ、ＭＤＷと、トランジスタの特性ばらつきを補償した後の電位設定を行う、つまり、蓄積素子（コンデンサ２）を定電位の基準電位Ｖｒｅｆに固定する電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲＢ２、ＭＣＧＷ２を分離して配置する。選択回路１２Ｂ全体において、駆動ＴＦＴを中央部に配置し、電位制御ＴＦＴを中央部の駆動ＴＦＴの両側に分離して配置する。
【００８４】
（５）選択回路１２Ｃは、図１０に示すように、駆動線ＥＭ−ＲＢの下にレイアウトするとともに、駆動線ＥＭ−ＲＢ、ＥＭ−ＧＷの間にレイアウトする。つまり、共通回路１１Ｃの領域に近い側の駆動ＴＦＴ−ＭＤＲ、ＭＤＢと、電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲＢ１、ＭＣＲＢ２は、発光時間や発光効率が近い赤色の有機ＥＬ素子２２Ｒと青色の有機ＥＬ素子２２Ｂを同時に発光させる駆動信号を供給する駆動線ＥＭ−ＲＢの配線下に配置する。また、有機ＥＬ素子２２Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ（発光領域）に近い側の駆動ＴＦＴ−ＭＤＧ、ＭＤＷと、電位制御ＴＦＴ−ＭＣＧＷ１、ＭＣＧＷ２は、駆動線ＥＭ−ＲＢと、これと隣り合う、発光時間や発光効率が近い緑色の有機ＥＬ素子２２Ｇと白色の有機ＥＬ素子２２Ｗを同時に発光させる駆動信号を供給する駆動線ＥＭ−ＧＷの間に配置する。
【００８５】
共通回路１１Ｃの領域に近い側の駆動ＴＦＴ−ＭＤＲ、ＭＤＢと、電位制御ＴＦＴ−ＭＣＲＢ１、ＭＣＲＢ２のチャネルは駆動線ＥＭ−ＲＢと垂直に、発光領域に近い側の駆動ＴＦＴ−ＭＤＧ、ＭＤＷと、電位制御ＴＦＴ−ＭＣＧＷ１、ＭＣＧＷ２のチャネルは駆動線ＥＭ−ＧＷと平行にレイアウトする。共通回路１１Ｃの領域に近い側のＴＦＴのチャネルを駆動線と垂直にする理由は、すでに共通回路１１Ｃ側に選択回路１２ＣのＴＦＴのＳ（ソース）／Ｄ（ドレイン）コンタクトがあるためであり、発光領域に近い側のＴＦＴのチャネルを駆動線と平行にレイアウトする理由は、発光領域側に新たなＴＦＴのＳ／Ｄコンタクトを作らないためである。
【００８６】
この発明の各実施の形態に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の補償回路を含む画素回路において、回路面積を従来よりも小さくすることができ、高解像のＯＬＥＤパネルを実現できる。
【００８７】
１．各実施の形態の占有面積を小さくするための条件（１）から、配線数を低減できる効果がある。
２．各実施の形態の占有面積を小さくするための条件（２）、（３）、（４）から、回路に要求される特性を満足しつつ、効率よくレイアウトが可能という効果がある。
３．各実施の形態の占有面積を小さくするための条件（５）から、コンタクト用エリアを排除でき、レイアウト面積が縮小できる効果がある。
４．ＲＧＢＷの場合、特に２つの副画素（サブピクセル）毎に共通化することが、占有面積縮小に効果的である。
５．２つの副画素（サブピクセル）毎に共通化するＲＧＢＷの場合、ＲとＢ、ＧとＷを同時発光させる方が、ＯＬＥＤ発光材料の寿命及びホワイトバランスの制御に効果的である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】この発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の構成を示す図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の素子を共通化した画素回路及び動作波形を示す図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の簡略化されたレイアウトを示す図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。
【図５】この発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路のレイアウトを示す図である。
【図６】この発明の実施の形態２に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の構成を示す図である。
【図７】この発明の実施の形態２に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。
【図８】この発明の実施の形態２に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の動作波形を示す図である。
【図９】この発明の実施の形態３に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の構成を示す図である。
【図１０】この発明の実施の形態３に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。
【図１１】この発明の実施の形態３に係るアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の動作波形を示す図である。
【図１２】従来のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の構成を示す図である。
【図１３】従来のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。
【図１４】従来の別のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。
【図１５】従来の他のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。
【図１６】従来の他のアクティブマトリクス型有機電界発光表示装置の素子を共通化した画素回路及び動作波形を示す図である。
【符号の説明】
【００８９】
１  選択ＴＦＴ、２  コンデンサ、３  駆動ＴＦＴ、１０Ａ  画素回路、１０Ｂ  画素回路、１０Ｃ  画素回路、１１Ａ  共通回路、１１Ｂ  共通回路、１１Ｃ  共通回路、１２Ａ  選択回路、１２Ｂ  選択回路、１２Ｃ  選択回路、２２Ｒ  赤色の有機ＥＬ素子、２２Ｇ  緑色の有機ＥＬ素子、２２Ｂ  青色の有機ＥＬ素子、２２Ｗ  白色の有機ＥＬ素子、３０  走査線駆動回路、３１  走査線、４０  データ線駆動回路、４１  データ線、５０  接続部。
【図１】
2010122461.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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