(57)【要約】【課題】小型化が図れ、容易に作製することができるマイクロリレーを提供することにある。【解決手段】マイクロリレーは、ベース１０と、ベース１０の厚み方向の一面側に揺動自在に配置された可動部２１と、ベース１０の一面側に設けられ可動部２１が開口２３内に配置されるフレーム２２と、フレーム２２におけるベース１０側とは反対側に設けられ開口２３を閉塞するカバー３０と、可動部２１を揺動させるための電磁石装置４１を有する駆動装置４０とを備える。駆動装置４０はカバー３０に設けられ、ベース１０の厚み方向の他面側には電磁石装置４１に通電するための駆動電極１３が形成される。駆動電極１３と電磁石装置４１とを電気的に接続する配線路７０は、ベース１０を厚み方向に貫通する貫通孔配線１４と、フレーム２２を厚み方向に貫通する貫通孔配線２６と、カバー３０を厚み方向に貫通する貫通孔配線３４とにより構成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板よりなり厚み方向の一面側に一対の固定接点が形成されたベースと、上記一対の固定接点それぞれに接触した際に当該一対の固定接点間を短絡する可動接点および磁性材料よりなるアーマチュアが設けられ上記ベースの上記一面側に揺動自在に配置された可動部と、上記ベースの上記一面側に設けられ上記可動部が開口内に配置される枠状のフレームと、上記フレームにおけるベース側とは反対側に設けられ上記フレームの上記開口を閉塞するカバーと、上記アーマチュアを吸引する磁場を発生させる電磁石装置を有し上記可動接点が上記一対の固定接点に対して接離するように上記可動部を揺動させる駆動装置とを備え、
上記駆動装置は、上記カバーに設けられ、
上記ベースの厚み方向の他面側には、上記駆動装置の上記電磁石装置に通電するための駆動電極が形成され、
上記ベースと上記フレームと上記カバーには、上記駆動電極と上記電磁石装置とを電気的に接続する配線路が形成されていることを特徴とするマイクロリレー。
【請求項２】
上記配線路は、上記ベース、上記フレーム、上記カバーそれぞれを厚み方向に貫通する貫通孔配線により形成されていることを特徴とする請求項１記載のマイクロリレー。
【請求項３】
上記配線路は、上記ベースと上記フレームと記カバーの外側面に形成された表面配線により形成されていることを特徴とする請求項１記載のマイクロリレー。
【請求項４】
上記ベースは、ガラス基板よりなることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【請求項５】
上記ベースは、シリコン基板よりなることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【請求項６】
上記ベースは、低温同時焼成セラミックス基板よりなることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【請求項７】
上記カバーは、ガラスにより形成されていることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【請求項８】
上記カバーは、シリコンにより形成されていることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【請求項９】
上記カバーは、低温同時焼成セラミックスにより形成されていることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【請求項１０】
上記電磁石装置のコイルは、上記カバーに形成されたパターンコイルよりなることを特徴とする請求項９記載のマイクロリレー。
【請求項１１】
上記電磁石装置は、上記カバーに形成された磁性材料製のメッキ層よりなるヨークを備えていることを特徴とする請求項９または１０記載のマイクロリレー。
【請求項１２】
上記駆動装置は、上記アーマチュアを吸引した状態を維持する永久磁石を有し、
上記永久磁石は、上記カバーに形成された薄膜よりなることを特徴とする請求項９〜１１のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【請求項１３】
上記可動部と上記フレームとは、半導体微細加工技術を利用して半導体基板を加工することにより一体に形成され、
上記半導体基板は、上記ベースの上記一面側に接合される第１の半導体層と、当該第１の半導体層における上記ベース側とは反対側に設けられた第１の絶縁層と、当該第１の絶縁層における上記第１の半導体層側とは反対側に設けられた第２の半導体層と、当該第２の半導体層における上記第１の絶縁層側とは反対側に設けられた第２の絶縁層と、当該第２の絶縁層における上記第２の半導体層側とは反対側に設けられた第３の半導体層とを有し、
上記フレームには、上記半導体基板の上記第１の半導体層と、上記第１の絶縁層と、上記第２の半導体層と、上記第２の絶縁層と、上記第３の半導体層とが全て用いられ、
上記可動部には、上記第１の絶縁層と、上記第２の半導体層と、上記第２の絶縁層とが用いられていることを特徴とする請求項１〜１２のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【請求項１４】
上記可動部と上記フレームとは、半導体微細加工技術を利用して第１の半導体基板および第２の半導体基板を加工することにより一体に形成され、
上記第１の半導体基板は、上記ベースの上記一面側に接合され、
上記第２の半導体基板は、上記第１の半導体基板における上記ベース側とは反対側に設けられた第１の半導体層と、当該第１の半導体層における上記第１の半導体基板とは反対側に設けられた絶縁層と、当該絶縁層における上記第１の半導体層側とは反対側に設けられた第２の半導体層とを有し、
上記フレームには、上記第１の半導体基板と上記第２の半導体基板の両方が用いられ、
上記可動部には、上記第１の半導体層と上記絶縁層とが用いられていることを特徴とする請求項１〜１２のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【請求項１５】
上記ベースの厚みは、上記カバーの厚みより薄いことを特徴とする請求項１〜１４のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【請求項１６】
上記フレームと上記カバーとの間には、上記フレームと上記カバーとの接合用の金属層が介在されていることを特徴とする請求項１〜１５のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【請求項１７】
上記ベースと上記フレームとの間には、上記フレームと上記カバーとの接合用の金属層が介在されていることを特徴とする請求項１〜１６のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【請求項１８】
上記可動部の揺動時の支点は、上記可動部と上記カバーとの間に介在されていることを特徴とする請求項１〜１７のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【請求項１９】
上記カバーにおける上記フレーム側の面全面には、非磁性体の金属よりなるシールド層が形成されていることを特徴とする請求項１〜１８のうちいずれか１項記載のマイクロリレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロリレーに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、高周波用小型リレーとして、半導体微細加工技術を利用して形成されたＭＥＭＳリレーなどのマイクロリレーが提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載されたマイクロリレーは、接点基板と、接点基板の一面側に設けられるアーマチュアブロックと、アーマチュアブロックにおける接点基板側とは反対側に設けられるコイル基板とを備えている。接点基板は、ガラス基板からなり、上記一面側に一対の固定接点が形成されている。アーマチュアブロックは、半導体基板（シリコン基板）からなり、アーマチュア基板と、アーマチュア基板を揺動自在に支持するフレームとを一体に備えている。アーマチュア基板における接点基板との対向面には、一対の固定接点と接離する可動接点が形成されている。また、アーマチュア基板におけるコイル基板との対向面には、磁性体が設けられている。コイル基板は、アーマチュア基板を覆うカバーとなるものである。このようなコイル基板は、ガラス基板からなりアーマチュア基板側の面に、一対のコイルが形成されている。
【０００４】
上記特許文献１に示すものでは、コイル基板に形成されたコイルに通電することによって、アーマチュア基板をシーソー動作させて、接点の開閉を行うことができる。
【特許文献１】特開２００５−５０７６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述したマイクロリレーでは、コイル基板におけるアーマチュア側の面に、一対のコイルに通電するための一対の電極パッド（第１の電極パッド）が形成されている。これに対して、接点基板の一面側には、一対の第１の電極パッドそれぞれに対向する一対の電極パッド（第２の電極パッド）が設けられている。この第２の電極パッドは、接点基板を厚み方向に貫通する貫通孔配線により、接点基板の他面側の一対のランドに電気的に接続されている。また、接点基板においては、一対の固定接点が接点基板を厚み方向に貫通する貫通孔配線により、接点基板の他面側の別の一対のランドに電気的に接続されている。そして、コイル基板の一対の第１の電極パッドと接点基板の一対の第２の電極パッドとは、バンプによって接続されている。そのため、接点基板の他面側の一対のランド間に電圧を印加することで、コイル基板のコイルに通電することができる。
【０００６】
このように、上記特許文献１に示すマイクロリレーは、ワイヤボンディング実装方法ではなく、フリップチップ実装方法を用いて実装基板に実装することができるように構成されている。これは、実装にかかるコストと、比較的細いワイヤがコイルに流す電流に耐えられるかという点とを考慮したためである。
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に示すマイクロリレーでは、コイル基板の第１の電極パッドと接点基板の第２の電極パッドとをバンプによって接続している。
【０００８】
そのため、アーマチュアブロックには、バンプを配置できる程度のスペースを確保する必要があり、マイクロリレーが大型化してしまうという問題があった。また、第１の電極と第２の電極とが信頼性良く接続されるように、バンプを形成する必要があり、バンプの製法上の困難さもあいまって、バンプの設計が難しく、作製が難しいという問題があった。
【０００９】
本発明は上述の点に鑑みて為されたもので、その目的は、小型化が図れ、容易に作製することができるマイクロリレーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１の発明では、基板よりなり厚み方向の一面側に一対の固定接点が形成されたベースと、上記一対の固定接点それぞれに接触した際に当該一対の固定接点間を短絡する可動接点および磁性材料よりなるアーマチュアが設けられ上記ベースの上記一面側に揺動自在に配置された可動部と、上記ベースの上記一面側に設けられ上記可動部が開口内に配置される枠状のフレームと、上記フレームにおけるベース側とは反対側に設けられ上記フレームの上記開口を閉塞するカバーと、上記アーマチュアを吸引する磁場を発生させる電磁石装置を有し上記可動接点が上記一対の固定接点に対して接離するように上記可動部を揺動させる駆動装置とを備え、上記駆動装置は、上記カバーに設けられ、上記ベースの厚み方向の他面側には、上記駆動装置の上記電磁石装置に通電するための駆動電極が形成され、上記ベースと上記フレームと上記カバーには、上記駆動電極と上記電磁石装置とを電気的に接続する配線路が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、駆動装置をベースに設ける場合に比べれば、ベースの厚みを薄くできる。そのため、固定接点をベースの他面側に形成する電極に接続するための貫通孔配線を短くすることができて、高周波特性を向上することができる。また、駆動装置と固定接点との距離を離すことができるから、駆動装置の電磁石装置が発生する磁場による影響を低減することができる。また、ベースとフレームとカバーとを土台に利用して、駆動電極と電磁石装置とを電気的に接続する配線路を形成しているから、バンプを配置できる程度のスペースを確保する必要がなくなり、小型化が図れる。また、バンプのように自立するためにある程度の強度を確保したり、電気接続の信頼性を考慮して高さを設定したりしなくて済むから、バンプを用いる場合に比べれば、容易に作製することができる。さらに、ベースに対してカバーが揺れることによって、断線してしまう可能性を低くすることができる。
【００１２】
請求項２の発明では、請求項１の発明において、上記配線路は、上記ベース、上記フレーム、上記カバーそれぞれを厚み方向に貫通する貫通孔配線により形成されていることを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、配線路を容易に形成することができる。
【００１４】
請求項３の発明では、請求項１の発明において、上記配線路は、上記ベースと上記フレームと記カバーの外側面に形成された表面配線により形成されていることを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、貫通孔を形成する必要がないから、小型化を図ることができる。
【００１６】
請求項４の発明では、請求項１〜３のうちいずれか１項の発明において、上記ベースは、ガラス基板よりなることを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、比較的誘電率が低い物質であるガラスを用いることで、高周波特性を向上させることができる。
【００１８】
請求項５の発明では、請求項１〜３のうちいずれか１項の発明において、上記ベースは、シリコン基板よりなることを特徴とする。
【００１９】
この発明によれば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術といった半導体微細加工技術を利用することができるから、ガラス基板を用いる場合に比べて、ベースの加工を容易に行うことができる。
【００２０】
請求項６の発明では、請求項１〜３のうちいずれか１項の発明において、上記ベースは、低温同時焼成セラミックス基板よりなることを特徴とする。
【００２１】
この発明によれば、ガラス基板を用いる場合に比べれば、内径が一様な円形状の貫通孔や、内部配線（例えばグラウンド層）などの形成を容易に行うことができ、高周波特性を向上させることができる。
【００２２】
請求項７の発明では、請求項１〜６のうちいずれか１項の発明において、上記カバーは、ガラスにより形成されていることを特徴とする。
【００２３】
この発明によれば、比較的誘電率が低い物質であるガラスを用いることで、高周波特性を向上させることができる。
【００２４】
請求項８の発明では、請求項１〜６のうちいずれか１項の発明において、上記カバーは、シリコンにより形成されていることを特徴とする。
【００２５】
この発明によれば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術といった半導体微細加工技術を利用することができるから、ガラス基板を用いる場合に比べて、カバーの加工を容易に行うことができる。
【００２６】
請求項９の発明では、請求項１〜６のうちいずれか１項の発明において、上記カバーは、低温同時焼成セラミックスにより形成されていることを特徴とする。
【００２７】
この発明によれば、ガラス基板を用いる場合に比べれば、配線路を設けるためのスペースを小さくすることができ、小型化を図ることができる。
【００２８】
請求項１０の発明では、請求項９の発明において、上記電磁石装置のコイルは、上記カバーに形成されたパターンコイルよりなることを特徴とする。
【００２９】
この発明によれば、ウェハレベルの処理でコイルを作製することができるから、電磁石装置の組立等を行わなくて済む。そのため、組立の手間を低減することができ、また、低コスト化を図ることができる。
【００３０】
請求項１１の発明では、請求項９または１０の発明において、上記電磁石装置は、上記カバーに形成された磁性材料製のメッキ層よりなるヨークを備えていることを特徴とする。
【００３１】
この発明によれば、ウェハレベルの処理でヨークを設けることができるから、ヨークを位置決めして接着するような作業が必要なくなる。よって、ヨークを精度良く配置することができ、また、組立の手間を低減することができる。
【００３２】
請求項１２の発明では、請求項９〜１１のうちいずれか１項の発明において、上記駆動装置は、上記アーマチュアを吸引した状態を維持する永久磁石を有し、上記永久磁石は、上記カバーに形成された薄膜よりなることを特徴とする。
【００３３】
この発明によれば、ウェハレベルの処理で永久磁石を設けることができるから、永久磁石を位置決めして接着するような作業が必要なくなる。よって、永久磁石を精度良く配置することができ、また、組立の手間を低減することができる。
【００３４】
請求項１３の発明では、請求項１〜１２のうちいずれか１項の発明において、上記可動部と上記フレームとは、半導体微細加工技術を利用して半導体基板を加工することにより一体に形成され、上記半導体基板は、上記ベースの上記一面側に接合される第１の半導体層と、当該第１の半導体層における上記ベース側とは反対側に設けられた第１の絶縁層と、当該第１の絶縁層における上記第１の半導体層側とは反対側に設けられた第２の半導体層と、当該第２の半導体層における上記第１の絶縁層側とは反対側に設けられた第２の絶縁層と、当該第２の絶縁層における上記第２の半導体層側とは反対側に設けられた第３の半導体層とを有し、上記フレームには、上記半導体基板の上記第１の半導体層と、上記第１の絶縁層と、上記第２の半導体層と、上記第２の絶縁層と、上記第３の半導体層とが全て用いられ、上記可動部には、上記第１の絶縁層と、上記第２の半導体層と、上記第２の絶縁層とが用いられていることを特徴とする。
【００３５】
この発明によれば、可動部とベースとの距離が第１の半導体層の厚みによって決定され、また、可動部と駆動装置との距離が第３の半導体層の厚みによって決定される。よって、磁気ギャップ（アーマチュアと電磁石装置との距離）と、接点ギャップ（開放時の固定接点と可動接点との距離）とを高精度に設定することができる。
【００３６】
請求項１４の発明では、請求項１〜１２のうちいずれか１項の発明において、上記可動部と上記フレームとは、半導体微細加工技術を利用して第１の半導体基板および第２の半導体基板を加工することにより一体に形成され、上記第１の半導体基板は、上記ベースの上記一面側に接合され、上記第２の半導体基板は、上記第１の半導体基板における上記ベース側とは反対側に設けられた第１の半導体層と、当該第１の半導体層における上記第１の半導体基板とは反対側に設けられた絶縁層と、当該絶縁層における上記第１の半導体層側とは反対側に設けられた第２の半導体層とを有し、上記フレームには、上記第１の半導体基板と上記第２の半導体基板の両方が用いられ、上記可動部には、上記第１の半導体層と上記絶縁層とが用いられていることを特徴とする。
【００３７】
この発明によれば、可動部とベースとの距離を半導体基板の厚みによって規定することができ、また、可動部と駆動装置との距離を第２の半導体層の厚みによって規定することができる。よって、磁気ギャップ（アーマチュアと電磁石装置との距離）と、接点ギャップ（開放時の固定接点と可動接点との距離）とを高精度に設定することができる。
【００３８】
請求項１５の発明では、請求項１〜１４のうちいずれか１項の発明において、上記ベースの厚みは、上記カバーの厚みより薄いことを特徴とする。
【００３９】
この発明によれば、高周波特性を向上することができる。
【００４０】
請求項１６の発明では、請求項１〜１５のうちいずれか１項の発明において、上記フレームと上記カバーとの間には、上記フレームと上記カバーとの接合用の金属層が介在されていることを特徴とする。
【００４１】
この発明によれば、金属層をグラウンドパターンや、配線、貫通孔のランドなどに利用することができる。よって、製造工程を簡素化することができる。
【００４２】
請求項１７の発明では、請求項１〜１６のうちいずれか１項の発明において、上記ベースと上記フレームとの間には、上記フレームと上記カバーとの接合用の金属層が介在されていることを特徴とする。
【００４３】
この発明によれば、金属層をグラウンドパターンや、配線、貫通孔のランドなどに利用することができる。よって、製造工程を簡素化することができる。
【００４４】
請求項１８の発明では、請求項１〜１７のうちいずれか１項の発明において、上記可動部の揺動時の支点は、上記可動部と上記カバーとの間に介在されていることを特徴とする。
【００４５】
この発明によれば、支点が可動部とベースとの間に介在されている場合に比べれば、可動部を安定して揺動動作させることができるようになる。
【００４６】
請求項１９の発明では、請求項１〜１８のうちいずれか１項の発明において、上記カバーにおける上記フレーム側の面全面には、非磁性体の金属よりなるシールド層が形成されていることを特徴とする。
【００４７】
この発明によれば、電磁石装置が発生する磁場の影響が、固定接点や可動接点に及んでしまうことを抑制することができる。よって、高周波特性を向上することができる。
【発明の効果】
【００４８】
本発明は、小型化が図れ、容易に作製することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
（実施形態１）
本実施形態のマイクロリレーは、図１〜図４に示すように、主として、ベース１０と、ベース１０の厚み方向の一面（一表面）側（図３における上面側）に設けられる機能部２０と、機能部２０におけるベース１０側とは反対側（図３における上面側）に設けられるカバー３０と、駆動装置４０とを備えている。なお、本実施形態のマイクロリレーは、例えば、常開接点と常閉接点とを備えた所謂ラッチング型リレーである。
【００５０】
ベース１０は、例えば、直方体状のガラス基板により形成されている。ベース１０の上記一面側における長手方向両端側それぞれには、一対の伝送線路１１が形成されている。伝送線路１１は直線状に形成されており、伝送線路１１の長さ方向はベース１０の短手方向と一致している。また、一対の伝送線路１１は、ベース１０の短手方向において一直線上に並んでいる。ここで、ベース１０の厚み方向の他面（他表面）側（図３における下面側）における長手方向両端側それぞれには、一対の外部接続電極（図示せず）が形成されている。当該一対の外部接続電極それぞれは、一対の伝送線路１１それぞれと、ベース１０を厚み方向に貫通する貫通孔配線（図示せず）を介して電気的に接続されている。
【００５１】
また、ベース１０の上記一面側には、伝送線路１１に電気的に接続される複数の固定接点１２が形成されている。各固定接点１２は、各伝送線路１１においてベース１０の内側となる端部に接続されている。よって、ベース１０の長手方向の両端側それぞれには、固定接点１２が一対ずつ形成されている。なお、各伝送線路１１においてベース１０の外側となる端部は、上述した貫通孔配線を介して上記外部接続電極に電気的に接続されている。また、固定接点１２は、例えば、ＣｕやＡｕなどの導電性が良好な金属材料からなる金属薄膜であって、スパッタ法や、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成されている。さらに、固定接点１２は、単層構造に限らず、例えば、Ａｕ層と、Ａｕ層とベース１０との間に介在されるＴｉ層とからなる多層構造であってもよい。
【００５２】
機能部２０は、図４に示すように、主として、可動部２１と、フレーム２２とを有する。
【００５３】
フレーム２２は、矩形枠状に形成されている。このフレーム２２の開口２３内には、可動部２１が配置される。ここで、開口２３は、フレーム２２の中央部に設けられた矩形状の第１の開口部２３０と、フレーム２２の長手方向の両端側それぞれに設けられた第２の開口部２３１とを含む。第２の開口部２３１それぞれは、フレーム２２の短手方向の中央部において第１の開口部２３０と連通している。なお、フレーム２２における第２の開口部２３１それぞれと第１の開口部２３０との間の部位が、フレーム２２の長手方向に沿った方向への可動部２１の移動を規制する規制突起を構成している。また、フレーム２２の外形サイズは、ベース１０の外形サイズを等しくしてある。
【００５４】
可動部２１は、フレーム２２の第１の開口部２３０内に配置される本体部２１０を有している。本体部２１０は、矩形板状に形成されている。本体部２１０は、本体部２１０の長手方向をフレーム２２の長手方向に沿わせた形で、第１の開口部２３０内に配置される。
【００５５】
この本体部２１０の長手方向の両端部それぞれの中央部には、接点用突片２１１が突設されている。接点用突片２１１の先端部は、第２の開口部２３１に配置されている。接点用突片２１１におけるベース２０との対向面（図４（ｂ）参照）には可動接点２１２が設けられている。可動接点２１２は、一対の固定接点１２それぞれに接触した際に当該一対の固定接点１２間を短絡するように構成されている。なお、可動接点２１２は、固定接点１２と同様に、ＣｕやＡｕなどの導電性が良好な金属材料からなる金属薄膜であり、スパッタ法や、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成されている。また、可動接点２１２は、単層構造に限らず、例えば、Ａｕ層と、Ａｕ層と接点用突片２１１との間に介在されるＴｉ層とからなる多層構造であってもよい。
【００５６】
一方、本体部２１０の短手方向の両端部それぞれの中央部には、支点用突片２１３が突設されている。この支点用突片２１３におけるカバー３０との対向面（図４（ａ）参照）には支点突起２１４が設けられている。支点突起２１４は、可動部２１の揺動動作（シーソ動作）の支点として用いられる。
【００５７】
このような可動部２１は、複数（図示例では４つ）の支持片２４によりフレーム２２と一体に連結されている。支持片２４は、フレーム２２の第１の開口部２３０の長手方向における内側面と、本体部２１０の短手方向の外側面とを一体に連結するように構成されている。４つの支持片２４は、本体部２１０の中心に対して点対称となるように配置されている。また、支持片２４は、厚み方向に直交する面内で本体部２１０の長手方向に沿った方向に進むように蛇行した形状に形成されている。これによって、可動部２１がフレーム２２に揺動自在に支持されるようにしている。このように支持片２４を蛇行した形状に形成することで、支持片２４の長さを長くできる。そのため、可動部２１が揺動動作する際に支持片２４がねじられることで生じるばね力のばね定数を適切に小さくでき、支持片２４に加えられる応力も分散できる。
【００５８】
上述した機能部２０において、可動部２１とフレーム２２と支持片２４とは、例えば、５０μｍ〜３００μｍ程度、好ましくは２００μｍ程度の厚みの半導体基板２５（図６参照）をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などの半導体微細加工技術を利用してパターニングすることにより一体に形成されている。
【００５９】
ここで、半導体基板２５は、図６に示すように、第１〜第３の半導体層２５０，２５２，２５４と、第１および第２の絶縁層２５１，２５３とで構成されている。第１の半導体層２５０は、ベース１０との接合に用いられる（すなわち、第１の半導体層２５０は、ベース１０の上記一面側に接合される）。第１の絶縁層２５１は、第１の半導体層２５０におけるベース１０側とは反対側に設けられている。第２の半導体層２５２は、第１の絶縁層２５１における第１の半導体層２５０側とは反対側に設けられている。第２の絶縁層２５３は、第２の半導体層２５２における第１の絶縁層２５１側とは反対側に設けられている。第３の半導体層２５４は、第２の絶縁層２５３における第２の半導体層２５２側とは反対側に設けられている。ここで、第１〜第３の半導体層２５０，２５２，２５４は、シリコンよりなり、第１および第２の絶縁層２５１，２５３は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）よりなる。すなわち、半導体基板２５は、シリコン層と、酸化シリコン層とが交互に積層されたＳＯＩ（２層ＳＯＩ）基板である。
【００６０】
このような半導体基板２５では、第１の絶縁層２５１を第１の半導体層２５０を除去する際のエッチングストッパとして、第２の絶縁層２５３を第３の半導体層２５４を除去する際のエッチングストッパとして用いることができる。
【００６１】
そこで、本実施形態における機能部２０では、図５に示すように、第１の絶縁層２５１と、第２の半導体層２５２と、第２の絶縁層２５３とを用いて、可動部２１および支持片２４を形成している。また、第１の半導体層２５０と、第１の絶縁層２５１と、第２の半導体層２５２と、第２の絶縁層２５３と、第３の半導体層２５４との全て用いてフレーム２２を構成している。なお、絶縁層２５１，２５３は、半導体層２５０，２５２，２５４に比べて厚みが非常に薄いから、図５では図示を省略している。
【００６２】
そのため、可動部２１とベース１０との距離を第１の半導体層２５０の厚みによって決定することができる。また、可動部２１と駆動装置４０との距離を第３の半導体層２５４の厚みによって決定することができる。
【００６３】
このように、本実施形態のマイクロリレーでは、可動部２１とベース１０との距離が第１の半導体層２５０の厚みによって決定され、また、可動部２１と駆動装置４０との距離が第３の半導体層２５４の厚みによって決定される。よって、磁気ギャップ（アーマチュア５０と電磁石装置４１との距離）と、接点ギャップ（開放時の固定接点１２と可動接点２１２との距離）とを高精度に設定することができる。
【００６４】
上述したように、機能部２０は、ベース１０の上記一面側に揺動自在に配置された可動部２１と、ベース１０の上記一面側に設けられ可動部２１が開口２３内に配置される枠状のフレーム２２とを備えている。
【００６５】
ここで、可動部２１の本体部２１０におけるカバー３０との対向面（図３における上面）には、アーマチュア５０が設けられている。アーマチュア５０は、駆動装置４０の電磁石装置４１が発生する磁場により可動部２１を揺動させるために用いられる。アーマチュア５０は、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどの磁性材料を機械加工して矩形板状に形成され、接着、溶接、熱着、ロウ付けなどの方法で、本体部２１０に接合されている。また、可動部２１におけるベース１０との対向面（図３における下面）側には、レシジュアル（レシジャル）６０が設けられている。このレシジュアル６０は、可動部２１とベース１０との距離を好適な距離に設定するために使用される。
【００６６】
このような機能部２０は、可動接点２１２と一対の固定接点１２とがそれぞれ対向する形で、フレーム２２をベース１０に接合することによって、ベース１０の上記一面側に取り付けられる。
【００６７】
カバー３０は、絶縁性材料、例えば、ガラス基板により形成されている。カバー３０の外形サイズは、ベース１０の外形サイズと等しくしてある。このようにカバー３０は、フレーム２２の開口２３を閉塞できる大きさの板状に形成されている。カバー３０におけるフレーム２２側とは反対側の面（図３における上面）の中央部には、カバー３０を厚み方向に貫通する開孔部３１が形成されている。開孔部３１は、駆動装置４０を収容できる大きさに形成されている。このカバー３０におけるフレーム２２側の面（図３における下面）には、開孔部３１全体を閉塞する閉塞板３２が密着接合されている。カバー３０では、開孔部３１の内周面と閉塞板３２とで囲まれる空間部が駆動装置４０の収納室を構成している。上述の閉塞板３２は、例えば、厚みが５〜５０μｍ程度（好ましくは２０μｍ程度）に形成されたシリコン板やガラス板などの薄板からなる。このようなカバー３０は、フレーム２２におけるベース１０側とは反対側の面（図３における上面）に接合される。
【００６８】
駆動装置４０は、アーマチュア５０を吸引する磁場を発生させる電磁石装置４１と、可動部２１をラッチするための永久磁石４２とを備えている。
【００６９】
電磁石装置４１は、主として、ヨーク４３と、一対のコイル４４とを備えている。ヨーク４３は、長尺矩形板状の主片４３０と、主片４３０の表面側（図３における下面側）の長手方向両端部それぞれに突設された矩形板状の脚片４３１とを一体に備えている。このようなヨーク４３は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工あるいは鍛造加工することにより形成されている。永久磁石４２は、直方体状に形成され、厚み方向の一面側と他面側とが互いに異極となるように着磁されている。この永久磁石４２は、上記他面をヨーク４３の主片４３０の上記表面における長手方向中央部に当接させるようにして、ヨーク４３に取り付けられる。一対のコイル４４は、主片４３０における各脚片４３１と永久磁石４２との間の部位それぞれに配置される。
【００７０】
また、駆動装置４０には、一対のコイル端子４５が設けられている。一対のコイル端子４５間に電圧を印加することで、両コイル４４に電流が流れる。このような駆動装置４０は、カバー３０の上記収納室に収納される。ここで、カバー３０における機能部２０側とは反対側の面には、略Ｚ字状の配線パターン３３が形成されている。配線パターン３３の一端部には、コイル端子４５が半田付けなどによって電気的に接続される。
【００７１】
ところで、本実施形態のマイクロリレーでは、ベース１０の上記他面側に、コイル４４に通電するための駆動電極１３が形成されている。
【００７２】
本実施形態のマイクロリレーには、ベース１０とフレーム２２とカバー３０とを厚み方向に貫通する貫通孔７１が形成されている。この貫通孔７１は、ベース１０を厚み方向に貫通する貫通孔（第１の貫通孔）１５と、フレーム２２を厚み方向に貫通する貫通孔（第２の貫通孔）２７と、カバー３０を厚み方向に貫通する貫通孔（第３の貫通孔）３５とで構成されている。ここで、第１の貫通孔１５は、駆動電極１３と厚み方向で重なる位置に形成されている。また、第３の貫通孔３５は、配線パターン３３の他端部と厚み方向で重なる位置に形成されている。
【００７３】
そして、第１の貫通孔１５内には貫通孔配線（第１の貫通孔配線）１４が形成され、第２の貫通孔２７内には貫通孔配線（第２の貫通孔配線）２６が形成され、第３の貫通孔３５内には貫通孔配線（第３の貫通孔配線）３４が形成されている。
【００７４】
これら貫通孔配線１４，２６，３４は相互に電気的に接続されている。これによって、駆動電極１３が、配線パターン３３を介して、コイル端子４５に電気的に接続される。
【００７５】
すなわち、本実施形態のマイクロリレーでは、ベース１０とフレーム２２とカバー３０に、駆動電極１３と電磁石装置４１とを電気的に接続する配線路７０が形成されている。そして、この配線路７０は、ベース１０を厚み方向に貫通する貫通孔配線１４と、フレーム２２を厚み方向に貫通する貫通孔配線２６と、カバー３０を厚み方向に貫通する貫通孔配線３４とで構成されている。
【００７６】
上述したように本実施形態のマイクロリレーは、基板（本実施形態ではガラス基板）よりなるベース１０を備えている。このベース１０の上記一面側には、一対の固定接点１２が形成されている。また、ベース１０の厚み方向の一面側には、可動部２１が揺動自在に配置されている。この可動部２１には、一対の固定接点１２それぞれに接触した際に当該一対の固定接点１２間を短絡する可動接点２１２と、磁性材料よりなるアーマチュア５０とが設けられている。さらに、ベース１０の上記一面側には、枠状のフレーム２２が設けられている。このフレーム２２の開口２３内には、可動部２１が配置されている。また、フレーム２２におけるベース１０側とは反対側には、開口２３を閉塞するカバー３０が設けられている。このカバー３０には、駆動装置４０が設けられている。駆動装置４０は、アーマチュア５０を吸引する磁場を発生させる電磁石装置４１を有し、可動接点２１２が一対の固定接点１２に対して接離するように可動部２１を揺動させる。
【００７７】
さらに、ベース１０の上記他面側には、駆動装置４０の電磁石装置４１に通電するための駆動電極１３が形成されている。そして、ベース１０とフレーム２２とカバー３０には、駆動電極１３と電磁石装置４１とを電気的に接続する配線路７０が形成されている。
【００７８】
以上述べた本実施形態のマイクロリレーによれば、駆動装置４０をベース１０に設ける場合に比べれば、ベース１０の厚みを薄くできる。そのため、固定接点１２をベース１０の上記他面側に形成する電極（上記外部接続電極）に接続するための上記貫通孔配線を短くすることができる。よって、高周波特性を向上することができる。特に、ベース１０の厚みをカバー３０の厚みより薄くすることが可能になり、これによって、高周波特性の向上を図ることができる。また、駆動装置４０と固定接点１２との距離を離すことができるから、駆動装置４０の電磁石装置４１が発生する磁場による影響を低減することができる。
【００７９】
特に、ベース１０とフレーム２２とカバー４０とを土台に利用して、駆動電極１３と電磁石装置４１とを電気的に接続する配線路７０を形成している。そのため、バンプを配置できる程度のスペースを確保する必要がなくなり、小型化が図れる。また、バンプのように自立するためにある程度の強度を確保したり、電気接続の信頼性を考慮して高さを設定したりしなくて済む。したがって、バンプを用いる場合に比べれば、容易に作製することができる。さらに、ベース１０に対してカバー３０が揺れることによって、配線路７０が断線してしまう可能性を低くすることができる。
【００８０】
特に本実施形態では、配線路７０は、ベース１０とフレーム２２とカバー３０を厚み方向に貫通する貫通孔配線（貫通孔配線１４，２６，３４）により形成されている。そのため、配線路７０を容易に形成することができる。
【００８１】
ところで、本実施形態のマイクロリレーでは、可動部２１におけるカバー３０側の面に、支点突起２１４が形成されている。すなわち、可動部２１の揺動時の支点は、可動部２１とカバー３０との間に介在されている。ここで、本実施形態では、カバー３０に駆動装置４０が設けられているため、可動部２１はカバー３０側に吸引されることになる。そのため、駆動時には、可動部２１は支点突起２１４によってカバー３０に支持される。よって、支点突起２１４が可動部２１とベース１０との間に介在されている場合に比べれば、可動部２１を安定して揺動動作させることができるようになる。
【００８２】
ところで、フレーム２２にカバー３０を接合するにあたっては、金属層を用いることができる。すなわち、本実施形態のマイクロリレーは、フレーム２２とカバー３０との間には、フレーム２２とカバー３０との接合用の金属層（第１の金属層）が介在されている構成とすることができる。この場合、上記第１の金属層をグラウンドパターンや、配線、貫通孔のランドなどに利用することができる。よって、製造工程を簡素化することができる。
【００８３】
また、同様に、ベース１０にフレーム２２を接合するにあたっては、金属層を用いることができる。すなわち、本実施形態のマイクロリレーは、ベース１０とフレーム２２との間には、ベース１０とフレーム２２との接合用の金属層（第２の金属層）が介在されている構成とすることができる。この場合、上記第２の金属層をグラウンドパターンや、配線、貫通孔のランドなどに利用することができる。よって、製造工程を簡素化することができる。
【００８４】
さらに、カバー３０におけるフレーム２２側の面（好ましくは全面）に、シールド層を形成してもよい。当該シールド層は、非磁性体を用いて形成される。このようなシールド層を形成すれば、電磁石装置４１が発生する磁場の影響が、固定接点１２や可動接点２１２に及んでしまうことを抑制することができる。よって、高周波特性を向上することができる。なお、当然ながら、上記シールド層は、カバー３０とフレーム２２との間の電気接続に悪影響がでないように形成される。
【００８５】
また、本実施形態のマイクロリレーでは、ベース１０はガラス基板より形成されている。このようにベース１０に、比較的誘電率が低い物質であるガラスを用いることで、高周波特性を向上させることができる。
【００８６】
ところで、ベース１０は、シリコン基板より形成されていてもよい。この場合、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術といった半導体微細加工技術を利用することができるから、ガラス基板を用いる場合に比べて、ベース１０の加工を容易に行うことができる。特に、機能部２０は、シリコンを用いて形成されているから、機能部２０とベース１０との線膨張係数をおおよそ等しくすることができる。そのため、線膨張係数の差に起因する応力を低減することができる。なお、シリコン基板としては、高抵抗のシリコンを用いた高抵抗シリコン基板を用いることが好ましい。この場合には、高周波特性（特にスローウェーブモードでの高周波特性）を向上することができる。
【００８７】
また、ベース１０は、低温同時焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）より形成されていてもよい。低温同時焼成セラミックス基板は、ガラス基板に比べれば、直径が一様な円形状の貫通孔や、内部配線（例えばグラウンド層）などを容易に形成することができる。ここで、貫通孔の直径が一様である場合には、貫通孔の直径が一様でない場合（例えばベース１０の厚み方向の一面側から他面側に向かうにつれて直径が大きくなる場合）に比べて、高周波特性が向上する。また、ベース１０の内部にグラウンド層を設けることで、インピーダンスを調整でき、インピーダンス設計（高周波設計）が容易になる。よって、高周波特性を向上させることができる。このように、ベース１０に低温同時焼成セラミックス基板を用いる場合、ガラス基板を用いる場合に比べれば、高周波特性を向上させることができる。
【００８８】
本実施形態のマイクロリレーでは、カバー３０はガラス基板より形成されている。このようにカバー３０に、比較的誘電率が低い物質であるガラスを用いることで、高周波特性を向上させることができる。ところで、カバー３０は、シリコンにより形成されていてもよい。この場合、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術といった半導体微細加工技術を利用することができるから、ガラス基板を用いる場合に比べて、カバー３０の加工を容易に行うことができる。特に、機能部２０は、シリコンを用いて形成されているから、機能部２０とカバー３０との線膨張係数をおおよそ等しくすることができる。そのため、線膨張係数の差に起因する応力を低減することができる。また、カバー３０は、低温同時焼成セラミックスにより形成されていてもよい。このようにすれば、ガラス基板を用いる場合に比べれば、配線路を設けるためのスペースを小さくすることができ、小型化を図ることができる。
【００８９】
なお、本実施形態のマイクロリレーは、アーマチュア５０を駆動する駆動装置４０として、永久磁石４２を用いた有極型の電磁石装置４１を用いている。しかしながら、駆動装置４０としては、永久磁石４２を用いない無極型の電磁石装置４１を用いてもよい。また、本実施形態では、ラッチング型のリレーを例示しているが、これに限定する趣旨ではない。
【００９０】
（実施形態２）
本実施形態のマイクロリレーでは、図７に示すように、配線路７０の構成が実施形態１と異なっている。なお、本実施形態のマイクロリレーの他の構成については、実施形態１と同様である。よって、同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００９１】
本実施形態における配線路７０は、カバー３０の配線パターン３３と、ベース１０の駆動電極１３とを電気的に接続するように形成された表面配線よりなる。つまり、配線路７０は、ベース１０とフレーム２２とカバー３０の外側面に形成された表面配線により形成されている。なお、このような配線路７０は、例えば、ＣｕやＡｕなどの導電性が良好な金属材料からなる金属薄膜であって、スパッタ法や、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成されている。また、配線路７０は、単層構造に限らず、例えば、Ａｕ層と、バリア層となるＴｉ層とを有する多層構造であってもよい。
【００９２】
以上述べた本実施形態のマイクロリレーによれば、実施形態１と同様の効果を得ることができる。また、実施形態１と異なり、ベース１０とフレーム２２とカバー３０とに、それぞれ貫通孔１５，２７，３５および貫通孔配線１４，２６，３４を形成する必要がない。よって、小型化を図ることができる。
【００９３】
（実施形態３）
本実施形態のマイクロリレーでは、図８に示すように、機能部２０の構成が実施形態１と異なっている。なお、本実施形態のマイクロリレーの他の構成については、実施形態１と同様である。よって、同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００９４】
本実施形態における機能部２０において、可動部２１とフレーム２２と支持片２４とは、第１の半導体基板２８および第２の半導体基板２９（図９参照）を上述したような半導体微細加工技術を利用してパターニングすることにより一体に形成されている。なお、第１の半導体基板２８と第２の半導体基板２９の厚みの合計は、例えば、５０μｍ〜３００μｍ程度、好ましくは２００μｍ程度に設定される。
【００９５】
ここで、第１の半導体基板２８は、図９に示すように、単層のシリコン基板からなる。第１の半導体基板２８は、ベース１０との接合に用いられる（すなわち、第１の半導体基板２８は、ベース１０の上記一面側に接合される）。
【００９６】
第２の半導体基板２９は、図９に示すように、第１および第２の半導体層２９０，２９２と、絶縁層２９１とで構成されている。第１の半導体層２９０は、第１の半導体基板２８におけるベース１０側とは反対側に設けられている。絶縁層２９１は、第１の半導体層２９０における第１の半導体基板２８側とは反対側に設けられている。第２の半導体層２９２は、絶縁層２９１における第１の半導体層２９０側とは反対側に設けられている。ここで、第１および第２の半導体層２９０，２９２は、シリコンよりなり、絶縁層２９１は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）よりなる。すなわち、第２の半導体基板２９は、シリコン層と、酸化シリコン層とが交互に積層されたＳＯＩ（１層ＳＯＩ）基板である。
【００９７】
このような第２の半導体基板２９では、絶縁層２９１を第２の半導体層２９２を除去する際のエッチングストッパとして用いることができる。また、第１の半導体基板２８の厚みは、研磨によって精度良く設定することができる。なお、第１の半導体基板２８を研磨するにあたっては、従来周知の方法を採用することができる。よって詳細な説明は省略する。
【００９８】
そこで、本実施形態における機能部２０では、第１の半導体層２９０と絶縁層２９１とを用いて可動部２１および支持片２４を形成している。また、第１の半導体基板２８および第２の半導体基板２９の両方を全て用いてフレーム２２を構成している。なお、絶縁層２９１は、第１および第２の半導体層２９０，２９２に比べて厚みが非常に薄いから、図８では図示を省略している。
【００９９】
このように、本実施形態のマイクロリレーでは、可動部２１とベース１０との距離を第１の半導体基板２８の厚みによって決定することができる。また、可動部２１と駆動装置４０との距離を第２の半導体層２９２の厚みによって決定することができる。つまり、可動部２１とベース１０との距離が第１の半導体基板２８の厚みによって決定され、また、可動部２１と駆動装置４０との距離が第２の半導体層２９２の厚みによって決定される。
【０１００】
以上述べた本実施形態のマイクロリレーによれば、磁気ギャップ（アーマチュア５０と電磁石装置４１との距離）と、接点ギャップ（開放時の固定接点１２と可動接点２１２との距離）とを高精度に設定することができる。また、本実施形態のマイクロリレーによれば、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【０１０１】
（実施形態４）
本実施形態のマイクロリレーでは、図１０に示すように、カバー３０および駆動装置４０の構成が実施形態１と異なっている。なお、本実施形態のマイクロリレーの他の構成については、実施形態１と同様である。よって、同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【０１０２】
本実施形態におけるカバー３０は、ガラス基板ではなく、低温同時焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）により形成されている。ここで、低温同時焼成セラミックス基板には、ガラス基板とは異なり、容易に内部配線を形成することができる。
【０１０３】
そこで、本実施形態では、このような低温同時焼成セラミックス基板の特性を利用して、カバー３０にコイル４４を埋め込み形成している。すなわち、本実施形態におけるコイル４４は、カバー３０に形成されたパターンコイルよりなる。このコイル４４は、カバー３０の厚み方向を巻き軸方向とする形に形成されている。なお、当該パターンコイルは、従来周知の技術を用いて形成することができるから、詳細な説明は省略する。
【０１０４】
また、本実施形態におけるヨーク４３は、カバー３０に形成された磁性材料製のメッキ層よりなる。ヨーク４３は、長尺矩形板状の主片４３０を有している。この主片４３０は、長手方向がカバー３０の長手方向と平行するように形成されている。この主片４３０における可動部２１側（図１０における下面側）の長手方向両端部それぞれには、矩形板状の脚片４３１が設けられている。この脚片４３１は、コイル４４の中心を貫通する形に形成されている。また、主片４３０における可動部２１側の長手方向中央部には、直方体状の突片４３２が設けられている。この突片４３２は、一対のコイル４４間の部位に配置されている。なお、このようなヨーク４３を形成するために、カバー３０には、ヨーク４３形成用の空所３６が形成されている。空所３６の形状は、ヨーク４３の形状とほぼ同じである。なお、ヨーク４３は従来周知のメッキ方法を利用して形成することができるから詳細な説明は省略する。
【０１０５】
また、本実施形態における永久磁石４２は、カバー３０に形成された磁性体の薄膜よりなる。特に、永久磁石４２は、ヨーク４３の突片４３２の先端部に位置するように形成されている。なお、このような永久磁石は従来周知の薄膜形成方法を利用して形成することができるから詳細な説明は省略する。
【０１０６】
このように、本実施形態における駆動装置４０では、コイル４４がカバー３０に形成されたパターンコイルよりなり、ヨーク４３がカバー３０に形成された磁性材料製のメッキ層よりなり、永久磁石４２がカバー３０に形成された薄膜よりなる。
【０１０７】
以上のべた本実施形態のマイクロリレーによれば、ウェハレベルの処理でコイル４４を作製することができるから、電磁石装置４１の組立等を行わなくて済む。そのため、組立の手間を低減することができ、また、低コスト化を図ることができる。また、ウェハレベルの処理でヨーク４３を設けることができるから、ヨーク４３を位置決めして接着するような作業が必要なくなる。よって、ヨーク４３を精度良く配置することができ、また、組立の手間を低減することができる。さらに、ウェハレベルの処理で永久磁石４２を設けることができるから、永久磁石４２を位置決めして接着するような作業が必要なくなる。よって、永久磁石４２を精度良く配置することができ、また、組立の手間を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】実施形態１のマイクロリレーの一部を切り欠いた斜視図である。
【図２】同上のマイクロリレーの斜視図である。
【図３】同上のマイクロリレーの分解斜視図である。
【図４】同上における機能部を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は下面図である。
【図５】同上のマイクロリレーの一部を切り欠いた斜視図である。
【図６】同上における機能部の基礎となる半導体基板の概略断面図である。
【図７】実施形態２のマイクロリレーの斜視図である。
【図８】実施形態３のマイクロリレーの一部を切り欠いた斜視図である。
【図９】同上における機能部の基礎となる半導体基板の概略断面図である。
【図１０】実施形態４のマイクロリレーにおけるカバーの一部を切り欠いた斜視図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０    ベース
１２    固定接点
１３    駆動電極
１４    貫通孔配線
２１    可動部
２２    フレーム
２３    開口
２５    半導体基板
２６    貫通孔配線
２８    第１の半導体基板
２９    第２の半導体基板
３０    カバー
３４    貫通孔配線
４０    駆動装置
４１    電磁石装置
４２    永久磁石
４３    ヨーク
５０    アーマチュア
７０    配線路
２１２    可動接点
２１４    支点突起（支点）
２５０    第１の半導体層
２５１    第１の絶縁層
２５２    第２の半導体層
２５３    第２の絶縁層
２５４    第３の半導体層
２９０    第１の半導体層
２９１    絶縁層
２９２    第２の半導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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