(57)【要約】【課題】吸着面に静電吸着される被吸着物の平面度を高くできる静電吸着保持装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】第２静電吸着保持装置３４は、可撓性を有する誘電性材料で形成され、且つウエハＷを吸着する吸着面３４ａが形成された一方の面４２ｂを有する基体４２と、該基体４２の内部に設けられる第１電極部４５及び第２電極部４６と、基体４２の一方の面４２ｂとは反対側の他方の面４２ａに駆動力を付与し、基体４２の吸着面３４ａの形状を変形させる駆動装置４１と、を備えている。この駆動装置４１の駆動によって、吸着面３４ａの形状が変形すると、該吸着面３４ａに静電吸着されるウエハＷの被照射面Ｗａの平面度は高くなる。【選択図】図５
2010182866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被吸着物を吸着する静電吸着保持装置であって、
可撓性を有する誘電性材料で形成され、且つ前記被吸着物を吸着する吸着面が形成された一方の面を有する基体と、
該基体に設けられる電極部と、
前記基体の前記一方の面とは反対側の他方の面に駆動力を付与し、前記基体の前記吸着面の形状を変形させる駆動装置と、を備えることを特徴とする静電吸着保持装置。
【請求項２】
前記駆動装置は、
前記基体の他方の面を支持する第１支持面及び該第１支持面とは反対側に位置する第２支持面を有する支持部材と、
該支持部材の前記第２支持面側に設けられ、前記駆動力を前記基体に前記支持部材を介して付与する複数の駆動源と、を有することを特徴とする請求項１に記載の静電吸着保持装置。
【請求項３】
前記支持部材は、前記複数の駆動源から駆動力が付与される場合に、前記第１支持面及び前記第２支持面と交差する前記支持部材の厚み方向の形状が変化する板材であることを特徴とする請求項２に記載の静電吸着保持装置。
【請求項４】
前記複数の駆動源のそれぞれは、前記第１支持面及び前記第２支持面と交差する前記支持部材の厚み方向に沿って伸縮自在な伸縮部をそれぞれ有することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の静電吸着保持装置。
【請求項５】
前記支持部材は、所定の厚みを有する複数の肉厚部と、互いに隣り合う前記肉厚部同士を連結し且つ前記肉厚部よりも薄い薄肉部とを有し、
前記第１支持面は、前記肉厚部と前記薄肉部とに形成され、前記第２支持面は、前記肉厚部に形成されていることを特徴とする請求項２〜請求項４のうち何れか一項に記載の静電吸着保持装置。
【請求項６】
前記支持部材は、前記基体の他方の面に離散的に配置され、且つ前記複数の駆動源のそれぞれに対応して設けられる複数の支持部を有することを特徴とする請求項２〜請求項４のうち何れか一項に記載の静電吸着保持装置。
【請求項７】
前記支持部材は、厚みが２０ｍｍ以下となる金属板から構成されていることを特徴とする請求項２〜請求項６のうち何れか一項に記載の静電吸着保持装置。
【請求項８】
前記基体は、ポリイミド樹脂から構成されていることを特徴とする請求項１〜請求項７のうち何れか一項に記載の静電吸着保持装置。
【請求項９】
前記電極部は、前記基体の内部に設けられ、且つ可撓性を有する導電性材料から構成されていることを特徴とする請求項１〜請求項８のうち何れか一項に記載の静電吸着保持装置。
【請求項１０】
前記電極部は、正の電荷が付与される第１電極部と、負の電荷が付与される第２電極部とを有することを特徴とする請求項１〜請求項９のうち何れか一項に記載の静電吸着保持装置。
【請求項１１】
所定のパターンが形成されたマスクに放射ビームを導く照明光学系と、
前記マスクを介した放射ビームを感光性材料が塗布された基板に照射する投影光学系と、
前記マスク及び前記基板のうち少なくとも一方を前記被吸着物として保持する、請求項１〜請求項１０のうち何れか一項に記載の静電吸着保持装置と、を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
前記基体の前記吸着面には、前記電極部に電流が供給される場合に、板状の被吸着物が吸着されると共に、
前記吸着面に静電吸着される前記被吸着物において前記吸着面に当接する第１面とは反対側に位置し、且つ前記放射ビームが入射する第２面の平面度を計測する平面度計測装置と、
該平面度計測装置による計測結果に基づき、前記被吸着物の前記第２面の平面度が高くなるように前記駆動装置を制御する制御装置と、をさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
マスクに形成された所定のパターンを介して基板を露光する露光方法において、
可撓性を有する誘電性材料から形成される基体の吸着面に、被吸着物を静電吸着させる吸着ステップと、
前記吸着面に静電吸着される前記被吸着物において放射ビームが照射される被照射面の平面度を計測させる計測ステップと、
該計測ステップでの計測結果に基づき、前記被照射面の平面度を高くすべく前記基体の前記吸着面の形状を変形させる変形ステップと、を有することを特徴とする露光方法。
【請求項１４】
前記変形ステップの実行後に、前記被照射面に前記放射ビームを照射し、基板にパターンを形成させる形成ステップをさらに有することを特徴とする請求項１３に記載の露光方法。
【請求項１５】
前記基板及び前記マスクのうち少なくとも一方には、前記基体の前記吸着面に前記被吸着物として静電吸着される状態で、前記放射ビームが照射されることを特徴とする請求項１４に記載の露光方法。
【請求項１６】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項１１又は請求項１２に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板やマスクなどの被吸着物を静電吸着力にて保持する静電吸着保持装置、該静電吸着保持装置を備える露光装置、基板にパターンを形成させる露光方法及び該露光装置を用いるデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するための露光装置は、所定のパターンが形成されたレチクルなどのマスクに露光光を照射する照明光学系と、露光光が照射されたマスクのパターンの像を感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に投影する投影光学系とを備えている。このような露光装置では、半導体集積回路の高集積化及び該高集積化に伴うパターンの像の微細化を図るために、投影光学系の更なる高解像度化が要望されている。そのため、露光装置に用いる露光光の短波長化が進み、近年では、ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光やＥＢ（Electron Beam ）を露光光として用いる露光装置の開発が行われている。
【０００３】
ＥＵＶ光を用いた露光装置は、内部が真空雰囲気に設定されるチャンバを備え、該チャンバ内に、各種光学系、マスクを保持する保持装置及び基板を保持する保持装置などが配置されている。こうした各保持装置には、セラミックなどの誘電材料から構成される基体と、複数の電極部とを有する静電吸着保持装置がそれぞれ設けられている。そして、マスクや基板などの被吸着物は、静電吸着保持装置が発生するクーロン力によって、該静電吸着保持装置の基体の吸着面に静電吸着されるようになっていた（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２１９９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、パターンの像が投影される基板の被照射面は、パターンの形成不良などの不具合の発生を抑制する目的を達成するためには、その平面度が高い方が望ましい。こうした基板の被照射面における平面度は、静電吸着保持装置の基体や基板の加工精度に依存している。ところが、近時では、基板及び該基板を保持する基体の大型化が進み、基体の吸着面や基板の被照射面の平面度を高くするように加工することが、非常に難しくなってきた。そして、もし仮に基体や基板の平面度が低かったとすると、基体の吸着面に静電吸着された基板の被照射面の平面度がさらに低下し、結果として、基板にパターンを好適に形成させることが困難になるおそれがあった。なお、こうした問題は、基板を保持する保持装置に限らず、レチクルを保持する保持装置であっても発生するおそれがあった。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、吸着面に静電吸着される被吸着物の平面度を高くできる静電吸着保持装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図９に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の静電吸着保持装置は、被吸着物（Ｒ、Ｗ）を吸着する静電吸着保持装置（２５、３４）であって、可撓性を有する誘電性材料で形成され、且つ前記被吸着物（Ｒ、Ｗ）を吸着する吸着面（２５ａ、３４ａ）が形成された一方の面（４２ｂ）を有する基体（４２）と、該基体（４２）に設けられる電極部（４５，４６）と、前記基体（４２）の前記一方の面（４２ｂ）とは反対側の他方の面（４２ａ）に駆動力を付与し、前記基体（４２）の前記吸着面（２５ａ、３４ａ）の形状を変形させる駆動装置（４１、４１Ａ、４１Ｂ）と、を備えることを要旨とする。
【０００８】
上記構成によれば、被吸着物（Ｒ、Ｗ）が静電吸着される吸着面（２５ａ、３４ａ）を有する基体（４２）は、可撓性を有している。こうした基体（４２）の吸着面（２５ａ、３４ａ）は、駆動装置（４１、４１Ａ、４１Ｂ）から基体（４２）に駆動力が付与されることにより、付与される駆動力に応じた形状に変形する。そのため、吸着面（２５ａ、３４ａ）に静電吸着される被吸着物（Ｒ、Ｗ）の形状を所望する形状に変形させることができる。
【０００９】
また、本発明の露光方法は、マスク（Ｒ）に形成された所定のパターンを介して基板（Ｗ）を露光する露光方法において、可撓性を有する誘電性材料から形成される基体（４２）の吸着面（２５ａ、３４ａ）に、被吸着物（Ｒ、Ｗ）を静電吸着させる吸着ステップ（Ｓ１０）と、前記吸着面（２５ａ、３４ａ）に静電吸着される前記被吸着物（Ｒ、Ｗ）において放射ビーム（ＥＬ）が照射される被照射面（Ｒａ、Ｗａ）の平面度を計測させる計測ステップ（Ｓ１１）と、該計測ステップ（Ｓ１１）での計測結果に基づき、前記被照射面（Ｒａ、Ｗａ）の平面度を高くすべく前記基体（４２）の前記吸着面（２５ａ、３４ａ）の形状を変形させる変形ステップ（Ｓ１３）と、を有することを要旨とする。
【００１０】
上記構成によれば、可撓性を有する基体（４２）の吸着面（２５ａ、３４ａ）に被吸着物（Ｒ、Ｗ）が静電吸着された後、該被吸着物（Ｒ、Ｗ）の被照射面（Ｒａ、Ｗａ）の平面度が計測される。そして、この計測結果に基づき、被吸着物（Ｒ、Ｗ）の被照射面（Ｒａ、Ｗａ）の平面度が高くなるように基体（４２）の形状が変形され、その後、基体（４２）の被照射面（Ｒａ、Ｗａ）に対して放射ビーム（ＥＬ）が照射される。その結果、基板（Ｗ）には、適切な形状のパターンが形成される。
【００１１】
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、吸着面に静電吸着される被吸着物の平面度を高くできる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態における露光装置を示す概略構成図。
【図２】第２静電吸着保持装置を模式的に示す断面図。
【図３】第２静電吸着保持装置において基体の形状を変形させる様子を模式的に示す断面図。
【図４】第１の実施形態における平面度向上処理ルーチンを説明するフローチャート。
【図５】（ａ）はウエハの被照射面の形状を変形させる前の様子を模式的に示す断面図、（ｂ）はウエハの被照射面の平面度が高くなった様子を模式的に示す断面図。
【図６】第２の実施形態における第２静電吸着保持装置を模式的に示す断面図。
【図７】第３の実施形態における第２静電吸着保持装置を模式的に示す断面図。
【図８】デバイスの製造例のフローチャート。
【図９】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明を具体化した一実施形態について図１〜図４に基づき説明する。
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、光源装置１２から射出される、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置である。こうした露光装置１１は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定されるチャンバ１３（図１では二点鎖線で囲まれた部分）を備えており、該チャンバ１３内には、所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲと、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷとが設置される。なお、本実施形態の光源装置１２としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該光源装置１２は、波長が５〜２０ｎｍ（例えば１３．５ｎｍ）となるＥＵＶ光を露光光ＥＬとして射出するようになっている。
【００１５】
チャンバ１３内には、該チャンバ１３外に配置される光源装置１２から射出された露光光ＥＬが入射するようになっている。そして、チャンバ１３内に入射した露光光ＥＬは、照明光学系１４を介してレチクルステージ１５にて保持されるレチクルＲを照明し、該レチクルＲで反射した露光光ＥＬは、投影光学系１６を介してウエハステージ１７に保持されるウエハＷを照射するようになっている。また、本実施形態の露光装置１１には、ウエハステージ１７で保持されるウエハＷの被照射面Ｗａ（＋Ｚ方向側の面であって、図１では上面）の平面度を計測するための平面度計測装置３５が設けられている。そのため、実際には、ウエハステージ１７で保持されるウエハＷの被照射面Ｗａの平面度が高い状態で維持されていることを平面度計測装置３５によって確認してから、ウエハＷに対する露光処理が開始される。
【００１６】
照明光学系１４は、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体１８（図１で一点鎖線で囲まれた部分）を備えている。この筐体１８内には、光源装置１２から射出された露光光ＥＬを集光するコリメート用ミラー１９が設けられており、該コリメート用ミラー１９は、入射した露光光ＥＬを略平行に変換して射出するようになっている。そして、コリメート用ミラー１９から射出された露光光ＥＬは、オプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系２０（図１では破線で囲まれた部分）に入射するようになっている。このフライアイ光学系２０は、一対のフライアイミラー２１，２２を備えており、該各フライアイミラー２１，２２のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー２１は、レチクルＲの被照射面Ｒａ（即ち、図１における下面であって、パターン形成面）とは光学的に共役な位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー２１で反射された露光光ＥＬは、射出側に配置される射出側フライアイミラー２２に入射するようになっている。
【００１７】
また、照明光学系１４には、射出側フライアイミラー２２から射出された露光光ＥＬを筐体１８外に射出するコンデンサミラー２３が設けられている。そして、コンデンサミラー２３から射出された露光光ＥＬは、後述する鏡筒２７内に設置された折り返し用の反射ミラー２４により、レチクルステージ１５に保持されるレチクルＲに導かれる。なお、照明光学系１４を構成する各ミラー１９，２１〜２４の反射面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜から構成されている。
【００１８】
レチクルステージ１５は、投影光学系１６の物体面側に配置されており、レチクルＲを静電吸着するための第１静電吸着保持装置２５を備えている。この第１静電吸着保持装置２５は、ステンレスなどの誘電性材料から構成され且つ吸着面２５ａを有する図示しない基体と、該基体内に配置される図示しない複数の電極とから構成されている。そして、図示しない電流供給部から電流が各電極にそれぞれ供給された場合、基体から発生されるクーロン力により、吸着面２５ａにレチクルＲが静電吸着される。
【００１９】
また、レチクルステージ１５には、レチクルＲをＹ軸方向（図１における左右方向）に所定ストロークで移動させる図示しないレチクルステージ駆動部と、第１静電吸着保持装置２５を支持する支持ステージ２６とが設けられている。レチクルステージ駆動部は、レチクルＲをＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）及びθｚ方向（Ｚ軸周りの回転方向）にも移動可能に構成されている。なお、レチクルＲの被照射面Ｒａに露光光ＥＬが照明される場合、該被照射面Ｒａの一部には、Ｘ軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。なお、Ｙ軸方向を走査方向とした場合、Ｘ軸方向を非走査方向とする。
【００２０】
投影光学系１６は、露光光ＥＬでレチクルＲの被照射面Ｒａを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率（例えば１／４倍）に縮小させる光学系であって、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒２７を備えている。この鏡筒２７内には、複数枚（本実施形態では６枚）の反射型のミラー２８，２９，３０，３１，３２，３３が収容されている。これら各ミラー２８〜３３は、図示しないミラー保持装置を介して鏡筒２７にそれぞれ保持されている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、第１ミラー２８、第２ミラー２９、第３ミラー３０、第４ミラー３１、第５ミラー３２、第６ミラー３３の順に反射され、ウエハステージ１７に保持されるウエハＷの被照射面Ｗａに導かれる。こうした各ミラー２８〜３３の反射面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜から構成されている。
【００２１】
ウエハステージ１７は、ウエハＷを静電吸着するための第２静電吸着保持装置３４と、ウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる図示しないウエハステージ駆動部とを備えている。このウエハステージ駆動部は、ウエハＷをＸ軸方向にも移動可能に構成されている。また、ウエハステージ１７には、第２静電吸着保持装置３４を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向（図１における上下方向）における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。
【００２２】
さらに、投影光学系１６の像面側には、斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ（図示略）が設けられている。このオートフォーカスセンサは、ウエハＷの被照射面Ｗａを含む計測領域に複数の計測光を照射し、計測領域で反射した複数の計測光を受光することによって、投影光学系１６の像面に対するウエハＷの計測領域の平均的な高さ情報（即ち、Ｚ軸方向における位置情報）を求めている。ウエハステージ駆動部は、求められた高さ情報に基づいて、投影光学系１６の像面に対するＺ方向へのデフォーカス量、及びθｘ方向（Ｘ軸周りの回転方向）、θｙ方向（Ｙ軸周りの回転方向）の傾斜角を調整するようにウエハステージ１７を駆動する。
【００２３】
そして、ウエハＷ上の一つのショット領域にレチクルＲのパターンを露光する場合、照明光学系１４による照明領域をレチクルＲに照射した状態で、レチクルステージ駆動部の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向に所定ストローク毎に移動させるとともに、ウエハステージ駆動部の駆動によって、ウエハＷをレチクルＲのＹ軸方向に沿った移動に対して投影光学系１６の縮小倍率に応じた速度比で−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側（図１では左側から右側）に同期して移動する。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。
【００２４】
次に、平面度計測装置３５について図１に基づき説明する。
図１に示すように、平面度計測装置３５は、投影光学系１６の＋Ｙ方向側に配置され、且つ−Ｚ方向側（図１では下側）に向けて計測光ＭＬを発光可能な複数（図１では１つのみ図示）の発光器３６（例えばハロゲンランプやレーザ）を備え、該各発光器３６は、Ｘ軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。また、各発光器３６の−Ｚ方向側には、該各発光器３６から出力された各計測光ＭＬをウエハＷの被照射面Ｗａ側に反射させる反射面３７ａを有する第１反射部材３７が設けられている。この第１反射部材３７の反射面３７ａで反射された各計測光ＭＬは、ウエハＷの被照射面Ｗａに入射するようになっている。この際、各発光器３６から出力された各計測光ＭＬは、ウエハＷの被照射面Ｗａ上において互いに異なる位置にそれぞれ入射するようになっている。
【００２５】
また、平面度計測装置３５には、投影光学系１６の−Ｙ方向側に配置され、且つ各発光器３６に個別対応する複数（本実施形態では３つ）の受光器３８（例えばＣＣＤ）が設けられている。これら各受光器３８の−Ｚ方向側には、ウエハＷの被照射面Ｗａの各位置で反射された各計測光ＭＬを各受光器３８側に反射させる反射面３９ａを有する第２反射部材３９が設けられている。そして、各受光器３８は、ウエハＷの被照射面Ｗａにて反射した各計測光ＭＬを受光した際の受光位置、即ち被照射面Ｗａの平面度に応じた平面度信号を制御装置５０（図２参照）にそれぞれ出力するようになっている。その後、制御装置５０は、各受光器３８からの検出信号に基づき、ウエハＷの被照射面Ｗａの計測位置における平面度を算出するようになっている。
【００２６】
なお、平面度計測装置３５は、上記オートフォーカスセンサによって、投影光学系１６の像面に対するウエハＷの被照射面ＷａのＺ軸方向における位置を調整した状態で、被照射面Ｗａの平面度を計測している。
【００２７】
次に、第２静電吸着保持装置３４について図２及び図３に基づき説明する。
図２に示すように、第２静電吸着保持装置３４は、略直方体状をなすベース部材４０と、該ベース部材４０上に配置される駆動装置４１と、該駆動装置４１によって支持される基体４２とを備えている。ベース部材４０の＋Ｚ方向側（図１及び図２では上側）の面４０ａは、研磨加工などの平坦化処理が施されている。
【００２８】
駆動装置４１は、ベース部材４０の＋Ｚ方向側の面４０ａ上に配列される複数個（図２では１１個のみ図示）の圧電素子４３（ピエゾ素子ともいう。）を備え、該各圧電素子４３は、所定間隔毎にそれぞれ配置されている。また、各圧電素子４３は、後述する第１電流供給部５１から電流が個別に供給された場合、ベース部材４０の＋Ｚ方向側の面４０ａを基準にしてＺ軸方向に沿ってそれぞれ伸縮動作するようになっている。こうした各圧電素子４３の＋Ｚ方向側には、該各圧電素子４３の＋Ｚ方向側の端部によって支持される支持部材４４が設けられており、該支持部材４４において各圧電素子４３に対向する第２支持面４４ａ（−Ｚ方向側の面であって、図２では下面）には、各圧電素子４３の＋Ｚ軸方向側の端部がそれぞれ固着されている。
【００２９】
支持部材４４は、その厚み（即ち、Ｚ軸方向における幅）が２０ｍｍ以下となる金属製の板材（例えば厚みが１０ｍｍのステンレス板）から構成されている。また、支持部材４４において第２支持面４４ａの反対側には、基体４２を支持する第１支持面４４ｂ（＋Ｚ方向側の面であって、図２では上面）が形成されており、該第１支持面４４ｂは、基体４２に密着している。そして、図３に示すように、各圧電素子４３が個別に伸縮動作した場合、支持部材４４において伸張動作した圧電素子４３に対応する位置は、＋Ｚ方向側に変位する一方、支持部材４４において収縮動作した圧電素子４３に対応する位置は、−Ｚ方向側に変位する。すなわち、支持部材４４は、各圧電素子４３の伸縮動作に応じ、Ｚ軸方向、即ち支持部材４４の厚み方向における形状が変形するようになっている。なお、全ての圧電素子４３が同一量だけ伸張したり、収縮したりした場合、支持部材４４は、その第１支持面４４ｂの形状が変形することなくＺ軸方向に沿って移動するようになっている。
【００３０】
基体４２は、図２及び図３に示すように、可撓性を有する誘電性材料（本実施形態ではポリイミド樹脂）から構成されている。こうした基体４２は、支持部材４４の第１支持面４４ｂに対向し且つ該第１支持面４４ｂに密着する他方の面４２ａ（−Ｚ方向側の面であって、図２では下面）と、Ｚ軸方向において他方の面４２ａの反対側に位置する一方の面４２ｂ（＋Ｚ方向側の面であって、図２では上面）とを有している。この一方の面４２ｂの少なくとも一部は、ウエハＷが静電吸着される吸着面３４ａとして機能するようになっている（図１参照）。また、基体４２は、各圧電素子４３の個別の伸縮動作によって支持部材４４が変形した場合、該支持部材４４の第１支持面４４ｂの変形具合に応じて変形するようになっている。
【００３１】
また、基体４２内には、図２に示すように、後述する第２電流供給部５２から正の電荷が供給される複数（本実施形態では３つ）の第１電極部４５と、第２電流供給部５２から負の電荷が供給される複数（本実施形態では３つ）の第２電極部４６とが設けられている。これら各第１電極部４５及び各第２電極部４６は、可撓性を有する導電性材料（例えば、銅から構成される薄板）からそれぞれ形成されている。また、各第１電極部４５及び各第２電極部４６は、Ｘ軸方向に延びるようにそれぞれ形成されている。また、各第１電極部４５は、Ｙ軸方向に沿ってそれぞれ配置されており、Ｙ軸方向において互いに隣り合う第１電極部４５同士の間となる各位置、及び各第１電極部４５のうち最も＋Ｙ方向側に位置する第１電極部４５の＋Ｙ方向側となる位置には、第２電極部４６がそれぞれ配置されている。すなわち、本実施形態では、第１電極部４５及び第２電極部４６は、Ｙ軸方向に沿って交互に配置されている。そして、各第１電極部４５及び各第２電極部４６に正の電荷及び負の電荷が第２電流供給部５２からそれぞれ供給された場合、基体４２からはクーロン力が発揮され、基体４２の吸着面３４ａには、ウエハＷの被吸着面Ｗｂ（図１では下面）が静電吸着される。
【００３２】
次に、本実施形態の露光装置１１を制御する制御装置５０について図２に基づき説明する。
図２に示すように、制御装置５０のインターフェースには、平面度計測装置３５が電気的に接続されており、制御装置５０からは、ウエハＷの被照射面Ｗａの平面度を計測させるための制御指令が平面度計測装置３５に出力される。また、制御装置５０には、ウエハＷの被照射面Ｗａの平面度に応じた平面度情報が平面度計測装置３５の各受光器３８から入力される。また、制御装置５０のインターフェースには、各圧電素子４３に対して個別に電流を供給するための第１電流供給部５１と、各第１電極部４５及び各第２電極部４６に電流をそれぞれ供給するための第２電流供給部５２とが電気的に接続されている。そして、第１電流供給部５１は、制御装置５０からの制御指令に応じて、各圧電素子４３に対する電流の供給量を個別に調整するようになっている。また、第２電流供給部５２は、制御装置５０からの制御指令に応じて、各第１電極部４５に正の電荷をそれぞれ供給すると共に、各第２電極部４６に負の電荷をそれぞれ供給するようになっている。
【００３３】
また、制御装置５０には、図示しないＣＰＵ、ＲＯＭ及びＲＡＭなどから構成されるデジタルコンピュータが設けられている。ＲＯＭには、露光装置１１を制御するための各種制御処理（例えば、図４に示す平面度向上処理）及び各種閾値などが予め記憶されている。また、ＲＡＭには、露光装置１１の駆動中に適宜書き換えられる各種パラメータ（例えば、被照射面Ｗａの平面度）が適宜記憶される。
【００３４】
なお、第１電流供給部５１は、図示しない電源からの交流電流を直流電流に変換する図示しないＡ／Ｄ変換器と、各圧電素子４３に供給する電流量を個別に調整するための図示しない調整回路とを備えている。また、第２電流供給部５２は、図示しない電源からの交流電流を直流電流に変換する図示しないＡ／Ｄ変換器と、各第１電極部４５に供給する正の電荷の電荷量を調整する図示しない第１調整回路と、各第２電極部４６に供給する負の電荷の電荷量を調整する図示しない第２調整回路とを備えている。
【００３５】
次に、本実施形態の制御装置５０が実行する制御処理のうち、第２静電吸着保持装置３４に静電吸着されたウエハＷの被照射面Ｗａの平面度を向上させるための平面度向上処理ルーチンを図４に示すフローチャート及び図５（ａ）（ｂ）に示す作用図に基づき説明する。なお、この平面度向上処理ルーチンは、露光処理を実行させるウエハＷがチャンバ１３内に搬入されたことを契機に実行される。また、図５（ａ）（ｂ）では、ウエハＷの被照射面Ｗａの変形態様が誇張して描かれている。
【００３６】
さて、平面度向上処理ルーチンにおいて、制御装置５０は、各第１電極部４５及び各第２電極部４６に正の電荷及び負の電荷をそれぞれ供給させるための制御指令を第２電流供給部５２に出力する（ステップＳ１０）。すなわち、制御装置５０は、ウエハＷを第２静電吸着保持装置３４における基体４２の吸着面３４ａに静電吸着させる。続いて、制御装置５０は、平面度計測装置３５を用いてウエハＷの被照射面Ｗａの平面度を計測させる（ステップＳ１１）。具体的には、制御装置５０は、上記ウエハステージ駆動部を駆動させてウエハＷを−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側にステップ移動させる。そして、各発光器３６からは、ウエハＷのステップ移動の間に随時、計測光ＭＬをそれぞれ出力させる。その結果、平面度計測装置３５では、ウエハＷの被照射面Ｗａの位置毎の平面度が計測される。そして、各受光器３８からは、ウエハＷの被照射面Ｗａの平面度に関する平面度情報が出力される。すると、制御装置５０は、平面度計測装置３５側からの平面度情報に基づき、ウエハＷの被照射面Ｗａの位置毎の平面度を算出し、該算出結果をＲＡＭに一時記憶させる。
【００３７】
続いて、制御装置５０は、上記ＲＡＭに一時記憶された現時点におけるウエハＷの被照射面Ｗａの位置毎の平面度が許容範囲内であるか否かを判定する（ステップＳ１２）。具体的には、ステップＳ１２では、被照射面Ｗａの各位置のうち、投影光学系１６の像面５３（図５では一点鎖線で示す。）からＺ軸方向におけるずれ量が許容範囲外となる位置がないか否かが判定される。そして、ステップＳ１２の判定結果が肯定判定である場合、制御装置５０は、現時点におけるウエハＷの被照射面Ｗａの各位置の平面度が十分に高いと判断し、その処理を後述するステップＳ１４に移行する。
【００３８】
一方、ステップＳ１２の判定結果が否定判定である場合、制御装置５０は、現時点におけるウエハＷの被照射面Ｗａにおいて平面度の低い位置が存在すると判断し、平面度修正処理を実行する（ステップＳ１３）。具体的には、制御装置５０は、図５（ａ）（ｂ）に示すように、ウエハＷの被照射面Ｗａの各位置のうち、像面５３よりも＋Ｚ方向側に位置する位置を−Ｚ方向側に変位させるように、当該位置に対応する各圧電素子４３をＺ軸方向に沿って収縮させる。また、制御装置５０は、ウエハＷの被照射面Ｗａの各位置のうち、像面５３よりも−Ｚ方向側に位置する位置を＋Ｚ方向側に変位させるように、当該位置に対応する各圧電素子４３をＺ軸方向に沿って伸張させる。その後、制御装置５０は、その処理を前述したステップＳ１１に移行する。すなわち、本実施形態では、ウエハＷの被照射面Ｗａの各位置が全て許容範囲内になるまで、平面度修正処理が繰り返し実行される。
【００３９】
ステップＳ１４において、制御装置５０は、ウエハＷに対して露光処理を実行させ、ウエハＷの被照射面Ｗａにおける各ショット領域にパターンが順番に形成される。そして、ウエハＷへのパターンの形成が終了すると、制御装置５０は、平面度向上処理ルーチンを終了する。本実施形態では、図５（ａ）（ｂ）に示すように、平面度修正処理が実行される前におけるウエハＷの被照射面Ｗａの平面度が低い場合であっても、平面度修正処理が少なくとも一回実行されることによりウエハＷの被照射面Ｗａの平面度は、非常に高くなっている。そして、こうしたウエハＷに対して露光処理が実行されると、ウエハＷの平面度が低いことに起因したパターンの歪みの発生が抑制される。
【００４０】
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）ウエハＷが静電吸着される吸着面３４ａを有する基体４２は、可撓性を有している。こうした基体４２の吸着面３４ａは、各圧電素子４３から基体４２に駆動力が付与されることにより、付与される駆動力に応じた形状に変形する。そのため、吸着面２５ａに静電吸着されるウエハＷの形状を所望する形状に変形させることができる。
【００４１】
（２）本実施形態では、複数の圧電素子４３を個別に伸縮動作させることにより、吸着面３４ａに静電吸着されるウエハＷの被照射面Ｗａの形状を所望する平面度を有する形状に変形させることができる。そのため、ウエハＷに対して所望する形状のパターンを確実に形成させることができる。
【００４２】
（３）また、平面度修正処理は、平面度計測装置３５からの平面度情報に基づき実行される。そして、平面度修正処理の終了後、平面度計測装置３５を用いて被照射面Ｗａの平面度が再計測され、被照射面Ｗａの平面度が許容範囲外である場合には、平面度修正処理が再び実行される。そのため、ウエハＷへの露光処理が実行される際には、ウエハＷの被照射面Ｗａの平面度が確実に許容範囲内になっている。したがって、ウエハＷにパターンを正確に形成させることができる。
【００４３】
（４）基体４２は、支持部材４４によって支持されている。そのため、各圧電素子４３が個別に伸縮動作しても、基体４２において互いに隣り合う位置同士の間でＺ軸方向における位置ずれを抑制できる。
【００４４】
（５）また、基体４２内に配置される各第１電極部４５及び各第２電極部４６は、可撓性を有する導電性材料で構成されている。そのため、支持部材４４の変形に応じて各第１電極部４５及び各第２電極部４６もそれぞれ変形する。したがって、基体４２の吸着面３４ａを所望する形状に確実に変形させることができる。
【００４５】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図６に従って説明する。なお、第２の実施形態は、支持部材の形状が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００４６】
図６に示すように、本実施形態の第２静電吸着保持装置３４は、ベース部材４０と、該ベース部材４０の＋Ｚ方向側の面４０ａ上に配置される駆動装置４１Ａと、該駆動装置４１Ａによって支持される基体４２とを備え、該基体４２内には、複数の第１電極部４５及び第２電極部４６が配置されている。
【００４７】
駆動装置４１Ａは、ベース部材４０の＋Ｚ方向側の面４０ａ上に配列される複数個（図２では９個のみ図示）の圧電素子４３と、該各圧電素子４３の＋Ｚ方向側の端部によって支持される支持部材６０とを備えている。この支持部材６０は、所定の厚み（２０ｍｍ程度の厚み）を有する金属製の複数の肉厚部６１を有し、該各肉厚部６１は、互いに離間してそれぞれ配置されている。また、各肉厚部６１の−Ｚ方向側には、圧電素子４３の＋Ｚ方向側の端部に固着される第２支持面６１ａがそれぞれ形成されると共に、各肉厚部６１の＋Ｚ方向側には、基体４２の他方の面４２ａに密着する第１支持面６１ｂがそれぞれ形成されている。
【００４８】
また、支持部材６０は、互いに隣り合う肉厚部６１同士を連結し、且つ該各肉厚部６１よりもＺ軸方向における幅、即ち厚みが薄い薄肉部６２をさらに有している。一例として、薄肉部６２は、５ｍｍ程度の厚みを有する金属板から構成されている。こうした薄肉部６２の−Ｚ方向側には、圧電素子４３の＋Ｚ方向側の端部に対向しない非支持面６２ａが形成されると共に、薄肉部６２の＋Ｚ方向側には、基体４２の他方の面４２ａに密着する第１支持面６２ｂが形成されている。すなわち、本実施形態の支持部材６０は、該支持部材６０の−Ｚ方向側において各圧電素子４３に対向していない部位を削ることにより、各肉厚部６１及び各薄肉部６２を有している。
【００４９】
そのため、各圧電素子４３のＺ軸方向における長さを個別に調整することにより、支持部材６０における各位置のうち、伸張動作する圧電素子４３に対応する位置は、＋Ｚ方向側に変位する。また、支持部材６０における各位置のうち、収縮動作する圧電素子４３に対応する位置は、−Ｚ方向側に変位する。
【００５０】
したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（１）〜（５）に加えて以下に示す効果を得ることができる。
（６）本実施形態では、支持部材６０において圧電素子４３から駆動力が付与される部分だけ肉厚部６１に形成され、圧電素子４３から駆動力が付与されない部分は薄肉部６２に形成される。そのため、支持部材６０全体が肉厚部６１に形成される場合に比して、支持部材６０全体としての可撓性が高くなり、結果として、吸着面３４ａに静電吸着されるウエハＷの被照射面Ｗａの平面度の向上に貢献できる。
【００５１】
（７）薄肉部６２において基体４２に対向する側の面は、該基体４２の他方の面４２ａに密接する第１支持面６２ｂである。そのため、薄肉部６２の第１支持面６２ｂが基体４２に接触しない構成の場合とは異なり、基体４２の他方の面４２ａ全体が支持部材６０に密着することから、基体４２の一方の面４２ｂにおいて互いに隣り合う位置同士の間でＺ軸方向における位置ずれが大きく発生することが抑制される。したがって、吸着面３４ａに静電吸着されるウエハＷの被照射面Ｗａの平面度を確実に向上させることができる。
【００５２】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態を図７に従って説明する。なお、第３の実施形態は、支持部材の形状が第１及び第２の各実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１及び第２の各実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１及び第２の各実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００５３】
図７に示すように、本実施形態の第２静電吸着保持装置３４は、ベース部材４０と、該ベース部材４０の＋Ｚ方向側の面４０ａ上に配置される駆動装置４１Ｂと、該駆動装置４１Ｂによって支持される基体４２とを備え、該基体４２内には、複数の第１電極部４５及び第２電極部４６が配置されている。
【００５４】
駆動装置４１Ｂは、ベース部材４０の＋Ｚ方向側の面４０ａ上に配列される複数個（図２では９個のみ図示）の圧電素子４３と、該各圧電素子４３の＋Ｚ方向側の端部によって支持される支持部材６３とを備えている。この支持部材６３は、２０ｍｍ以下の厚みを有する複数の支持部６４から構成されており、該各支持部６４は、圧電素子４３の＋Ｚ方向側の端部が固着される第２支持面６４ａと、基体４２の他方の面４２ａに密着する第１支持面６４ｂとをそれぞれ有している。すなわち、各圧電素子４３は、支持部６４を介してそれぞれ基体４２を支持している。また、各支持部６４は、基体４２の他方の面４２ａに離散的にそれぞれ配置されている。換言すると、各支持部６４は、互いに離間した状態でそれぞれ配置されている。
【００５５】
そして、各圧電素子４３のＺ軸方向における長さが個別に調整されると、各支持部６４のうち伸張動作する圧電素子４３に対応する支持部６４は、＋Ｚ方向側に変位する。また、各支持部６４のうち収縮動作する圧電素子４３に対応する支持部６４は、−Ｚ方向側に移動する。すると、各支持部６４によって支持される基体４２の一方の面４２ｂは、各圧電素子４３の個別の伸縮動作に応じた形状に変形される。その結果、吸着面３４ａに静電吸着されるウエハＷの被照射面Ｗａの形状が所望する形状に変形される。したがって、本実施形態では、上記第１及び第２の各実施形態の効果（１）〜（５）と同等の効果を得ることができる。
【００５６】
なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・各実施形態において、平面度計測装置３５による計測結果を図示しないディスプレイなどに表示させ、該ディスプレイを見る作業者が、各圧電素子４３への電流の供給態様を個別に調整するようにしてもよい。
【００５７】
・各実施形態において、各電極部４５，４６は、可撓性を有する導電材料であれば他の任意の金属材料（例えば銅）から構成されるものであってもよい。また、各電極部４５，４６は、ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）やＺｎＯ（酸化亜鉛）などであってもよい。
【００５８】
・各実施形態において、支持部材４４，６０，６３に駆動力を付与する駆動源として、Ｚ軸方向に伸縮動作可能なものであれば圧電素子以外の他の駆動源（例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System））であってもよい。
【００５９】
・各実施形態において、駆動装置４１，４１Ａ，４１Ｂは、支持部材４４，６０，６３を備えない構成であってもよい。この場合、基体４２は、各圧電素子４３に直接支持されることになる。
【００６０】
・各実施形態において、支持部材４４，６０，６３は、各圧電素子４３の伸縮動作によって変形可能な板材であれば、ステンレス板以外の他の任意の板材（例えば、インバーからなる板材、アルミニウムからなる板材）で構成されるものであってもよい。
【００６１】
・第２の実施形態において、支持部材６０は、一枚の板材から構成されるものではなく、複数枚の板材（例えばステンレス板）から構成される肉厚部６１と、互いに隣り合う肉厚部６１同士を連結させ且つ可撓性を有する任意の材料（例えば合成樹脂）から構成される薄肉部６２とを有する構成であってもよい。
【００６２】
・本発明を、第１静電吸着保持装置２５に具体化してもよい。この場合、レチクルＲの被照射面Ｒａの平面度が高くなるため、ウエハＷに形成されるパターンの歪みの発生をより効果的に抑制できる。
【００６３】
・各実施形態において、平面度向上処理ルーチンは、ウエハＷ毎ではなく、ウエハＷを複数の計測領域に分割し、計測領域毎に行なうようにしてもよい。すなわち、各計測領域のうち一の計測領域の平面度が許容範囲内になったら、該一の計測領域に含まれる各ショット領域に対してパターンを形成させる。そして、一の計測領域に含まれる全てのショット領域へのパターン形成が終了したら、他の計測領域に対して平面度向上処理ルーチンを実行することになる。ここでいう計測領域とは、少なくとも一つのショット領域を含むように区画された領域のことである。
【００６４】
・各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
【００６５】
・各実施形態において、露光装置１１を、レチクルＲとウエハＷとが相対移動した状態でレチクルＲのパターンをウエハＷへ転写し、ウエハＷを順次ステップ移動させるスキャニング・ステッパに搭載してもよい。
【００６６】
・各実施形態において、露光装置１１は、ＥＢ（Electron Beam ）を露光光ＥＬとして用いる露光装置であってもよい。
・各実施形態において、ＥＵＶ光を出力可能な光源装置１２として、放電型プラズマ光源を有する光源装置であってもよい。
【００６７】
・各実施形態において、光源装置１２は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）等を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置１２は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。
【００６８】
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図８は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００６９】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【００７０】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００７１】
図９は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）おいては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００７２】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【符号の説明】
【００７３】
１１…露光装置、１４…照明光学系、１６…投影光学系、２５，３４…静電吸着保持装置、２５ａ，３４ａ…吸着面、３５…平面度計測装置、４１，４１Ａ，４１Ｂ…駆動装置、４２…基体、４２ａ…他方の面、４２ｂ…一方の面、４４，６０，６３…支持部材、４４ａ，６１ａ，６４ａ…第２支持面、４４ｂ，６１ｂ，６２ｂ，６４ｂ…第１支持面、４３…駆動源、伸縮部としての圧電素子、４５…第１電極部、４６…第２電極部、５０…制御装置、６１…肉厚部、６２…薄肉部、６４…支持部、ＥＬ…放射ビームとしての露光光、Ｒ…被吸着物、マスクとしてのレチクル、Ｒａ…被照射面、Ｗ…被吸着物、基板としてのウエハ、Ｗａ…第２面としての被照射面、Ｗｂ…第１面としての被吸着面。
【図１】
2010182866.tif 000003
【図２】
2010182866.tif 000004
【図３】
2010182866.tif 000005
【図４】
2010182866.tif 000006
【図５】
2010182866.tif 000007
【図６】
2010182866.tif 000008
【図７】
2010182866.tif 000009
【図８】
2010182866.tif 000010
【図９】
2010182866.tif 000011