(57)【要約】      （修正有）【課題】高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さを可及的に均一化することができるレーザＣＶＤによる薄膜形成方法及び同方法に好適なガスウィンドウを提供する。【解決手段】薄膜形成対象物の表面とガスウィンドウとの間におけるＣＶＤガス雰囲気の形成は、照射スポット１１６予定位置を取り巻くようにその周囲に配置された３個以上の複数個のガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａから、照射スポット予定位置に向けて集中するように、薄膜形成対象物の表面と平行に、ＣＶＤ原料ガスを吹き出すことにより行われる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜形成対象物の表面を僅かの隙間を介してガスウィンドウで覆って、それらの間にＣＶＤ原料ガスの雰囲気を形成すると共に、前記ガスウィンドウと前記薄膜形成対象物とを、前記薄膜形成対象物の表面に沿って相対的に移動させながら、前記ガスウィンドウのレーザ光導入窓から前記ガスウィンドウ内へと導入されたレーザ光を前記薄膜形成対象物の表面に照射して、所定形状の照射スポットを形成することにより、前記薄膜形成対象物の表面に、前記移動軌跡に沿って、ＣＶＤ薄膜を連続的に形成するようにしたレーザＣＶＤによる薄膜形成方法であって、
前記薄膜形成対象物の表面と前記ガスウィンドウとの間におけるＣＶＤガス雰囲気の形成は、前記照射スポット予定位置を取り巻くようにその周囲に配置された３個以上の複数個のガス吹出し口から、前記照射スポット予定位置に向けて集中するように、前記薄膜形成対象物の表面と平行に、前記ＣＶＤ原料ガスを吹き出すことにより行われる、ことを特徴とするレーザＣＶＤによる薄膜形成方法。
【請求項２】
前記複数個のガス吹出し口は、等角度間隔で前記照射スポット予定位置の周囲に配置されている、ことを特徴とする請求項１に記載のレーザＣＶＤによる薄膜形成方法。
【請求項３】
前記複数個が偶数個であって、それらのガス吹出し口が、前記照射スポット予定位置を通りかつ前記相対移動方向へ延びる直線に対して線対称に配置されている、ことを特徴とする請求項２に記載のレーザＣＶＤによる薄膜形成方法。
【請求項４】
前記複数個が４個である、ことを特徴とする請求項３に記載のレーザＣＶＤによる薄膜形成方法。
【請求項５】
前記照射スポットの形状が長方形であり、かつその長手方向が前記相対移動方向と整合している、ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のレーザＣＶＤによる薄膜形成方法。
【請求項６】
ＦＰＤ基板の断線修復のために使用される、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のレーザＣＶＤによる薄膜形成方法。
【請求項７】
薄膜形成対象物の表面と、前記薄膜形成対象物の表面に対して所定断面輪郭を有するレーザ光を照射するレーザ光照射装置との間にあって、前記薄膜形成対象物の表面に近接して配置され、それにより前記レーザ照射装置から前記薄膜形成対象物の表面に対するレーザ光の通過を許容しつつ、前記薄膜形成対象物の表面との間にＣＶＤ原料ガスの雰囲気を形成するガスウィンドウであって、
内部に形成されたガス導入用空所と、
前記ガス導入用空所の上部にあって、前記レーザ光照射装置から到来するレーザ光を前記ガス導入用空所内へと導入するレーザ光導入窓と、
前記ガス導入用空所の下部にあって、前記薄膜形成対象物側へと開口され、前記レーザ光導入窓から導入されたレーザ光を前記薄膜形成対象物の表面へと通過させる底部開口と、
前記ガス導入用空所の壁面にあって、前記ガス導入用空所内へとパージガスを導入するためのパージガス吹出し口と、
前記ガス導入用空所の壁面にあって、前記ガス導入用空所内へとＣＶＤ原料ガスを導入するための原料ガス吹出し口と、
前記底部開口を取り巻くその周囲の底面にあって、ガスを排気するためのガス吸込み口とを有し、
前記原料ガス吹出し口は、３個以上の複数個の原料ガス吹出し口からなると共に、それら複数個の原料ガス吹出し口は、前記ガス導入用空所の底部開口近傍にあって、前記ガス導入用空所の中心を取り巻くように、前記ガス導入用空所の壁面に分散配置されており、かつそれらの原料ガス吹出し口からは、前記ガス導入用空所の中心に向けてかつ前記薄膜形成対象物の表面と平行に、前記原料ガスが吹き出すように構成されている、ことを特徴とするガスウィンドウ。
【請求項８】
前記複数個のガス吹出し口は、前記ガス導入用空所の中心を取り巻くように、前記ガス導入用空所の壁面に等角度間隔で分散配置されている、ことを特徴とする請求項７に記載のガスウィンドウ。
【請求項９】
前記複数個が偶数個であって、それらのガス吹出し口が、前記ガス導入用空所の中心を通りかつ前記ガスウインドウと前記薄膜形成対象物との予定された記相対移動方向へ延びる直線に対して線対称に配置されている、ことを特徴とする請求項８に記載のガスウィンドウ。
【請求項１０】
前記複数個が４個である、ことを特徴とする請求項９に記載のガスウィンドウ。
【請求項１１】
前記レーザ光の所定断面輪郭が長方形であり、かつその長手方向が前記相対移動方向と整合している、ことを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１つに記載のガスウィンドウ。
【請求項１２】
ＦＰＤ基板の断線修復のために使用される、ことを特徴とする請求項７〜１１のいずれかに記載のガスウィンドウ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＦＰＤ基板の断線修復やフォトマスクの欠陥修復等々の用途に使用されるレーザＣＶＤによる薄膜形成方法及び同方法に好適なガスウィンドウに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤ基板の断線修復やフォトマスクの欠陥修復等々の用途には、レーザＣＶＤによる薄膜形成装置が、従来より使用されいる。
【０００３】
このレーザＣＶＤによる薄膜形成装置は、レーザ光源を備えるレーザユニットと、レーザ光を薄膜形成対象物（例えば、ＦＰＤ基板やフォトマスク等）の表面に導く光学系と観察装置を備えるレーザ照射観察ユニットと、ＣＶＤガスやパージガスなどのガス供給排気ユニットと、薄膜形成対象物が載置されるＸＹステージと、これらを制御する制御ユニットと、薄膜形成対象物表面に近接して配置されると共に、ガスの供給、排気ノズルを備え、ガスを保持し、レーザ光を導入させるガスウィンドウ（ウィンドウポートとも称される）とを有している。
【０００４】
従来のガスウィンドウにあっては、ガスウィンドウの中心空所内において、パージガスを薄膜形成面に向けて上から下へと流す一方、同中心空所を取り囲む壁面下部に設けられたＣＶＤ原料供給口から薄膜形成対象物の表面と平行にＣＶＤ原料ガスを吹き出すと言った気流形成手法が採用されていた。
【０００５】
その理由は、ガスウィンドウの中心空所内において、ＣＶＤ原料供給口から薄膜形成対象物の表面へと上から下へと原料ガスを流す気流形成手法では、パージガスの流れによってＣＶＤガスの流れが乱されて、レーザ光照射部に十分な濃度のＣＶＤ原料ガス雰囲気を形成できないことがあるからである（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２０７２６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このような従来のレーザＣＶＤによる薄膜形成装置にあっては、ガスウィンドウのガス導入空間部内のＣＶＤ原料ガス吹出し口が１箇所であったため、原料ガスに拡散方向性があり、ＣＶＤ原料の堆積の方向性による強弱の傾向が見られ、高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合、この原料拡散の方向性が強調されるようになり、上下左右方向での堆積厚さのバラツキが生ずると言った問題点があった。
【０００８】
本発明は、上述の問題点に着目してなされたものであり、その目的とするところは、高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さを可及的に均一化することができるレーザＣＶＤによる薄膜形成方法及び同方法に好適なガスウィンドウを提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的とするところは、従来の速度の数倍程度の高速で、レーザＣＶＤによる欠陥修復を行うことにより、多くの欠陥を短時間で処理することが可能なレーザＣＶＤによる薄膜形成方法及び同方法に好適なガスウィンドウを提供することにある。
【００１０】
本発明のさらに他の目的並びに作用効果については、明細書の以下の記述を参照することにより、当業者であれば容易に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の発明が解決しようとする課題は、以下の構成を有するレーザＣＶＤによる薄膜形成方法により解決することができるものと考えられる。
【００１２】
すなわち、このレーザＣＶＤによる薄膜形成方法は、薄膜形成対象物の表面を僅かの隙間を介してガスウィンドウで覆って、それらの間にＣＶＤ原料ガスの雰囲気を形成すると共に、前記ガスウィンドウと前記薄膜形成対象物とを、前記薄膜形成対象物の表面に沿って相対的に移動させながら、前記ガスウィンドウのレーザ光導入窓から前記ガスウィンドウ内へと導入されたレーザ光を前記薄膜形成対象物の表面に照射して、所定形状の照射スポットを形成することにより、前記薄膜形成対象物の表面に、前記移動軌跡に沿って、ＣＶＤ薄膜を連続的に形成するようにしたレーザＣＶＤによる薄膜形成方法であって、
前記薄膜形成対象物の表面と前記ガスウィンドウとの間におけるＣＶＤガス雰囲気の形成は、前記照射スポット予定位置を取り巻くようにその周囲に配置された３個以上の複数個のガス吹出し口から、前記照射スポット予定位置に向けて集中するように、前記薄膜形成対象物の表面と平行に、前記ＣＶＤ原料ガスを吹き出すことにより行われる、ことを特徴とするものである。
【００１３】
このような構成によれば、前記薄膜形成対象物の表面と前記ガスウィンドウとの間におけるＣＶＤガス雰囲気の形成は、前記照射スポット予定位置を取り巻くようにその周囲に配置された３個以上の複数個のガス吹出し口から、前記照射スポット予定位置に向けて集中するように、前記薄膜形成対象物の表面と平行に、前記ＣＶＤ原料ガスを吹き出すことにより行われることから、個々のガス吹出し口から吹き出される原料ガスには拡散方向性があったとしても、それらが集中する前記照射スポット予定位置においては、それらの拡散方向性が互いに打ち消されて、高濃度かつ高均一な原料ガスが得られることとなり、高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合にあっても、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さを可及的に均一化することができる。
【００１４】
上述の方法の好ましい実施の形態としては、前記複数個のガス吹出し口は、等角度間隔で前記照射スポット予定位置の周囲に配置されていてもよい。
【００１５】
このような構成によれば、個々のガス吹出し口から吹き出される原料ガスの拡散方向性は、全ての方位について均等に影響を及ぼすことから、それらが集中する前記照射スポット予定位置においては、それらの拡散方向性がより一層相殺されて、より一層高濃度かつ高均一な原料ガスが得られることとなり、高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合にあっても、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さをより一層に均一化することができる。
【００１６】
このとき、前記複数個が偶数個であって、それらのガス吹出し口が、前記照射スポット予定位置を通りかつ前記相対移動方向へ延びる直線に対して線対称に配置されていると、移動方向と同一方向又は逆方向へガスを吹き出すガス吹出し口が１つも存在しないことに加えて、相対移動方向へ延びる直線に対して線対称となる各左右一対のガス吹出し口から吹き出されるガスの拡散方向性は、すべて相対移動方向に対して左右対称的となると共に、左右方向へ延びる直線に対しても前後対称的なものとなり、これにより相対移動速度やガスの吹き出し強度に拘わらず、常に、いずれの方向についても高濃度かつ高均一な膜厚を保証することができる。このとき、前記複数個が４個であると、最低のコストで上述の作用効果を実現することができる。
【００１７】
上述の方法及び各実施形態において、前記照射スポットの形状が長方形であると、より一層、配線修復作業等の効率を向上させることができ、ＦＰＤ基板の断線修復作業の効率化を実現することができる。
【００１８】
上述の発明が解決しようとする課題は、別の一面からみると、新規な構成を有するガスウィンドウとして実現することもできる。
【００１９】
すなわち、このガスウィンドウは、薄膜形成対象物の表面と、前記薄膜形成対象物の表面に対して所定断面輪郭を有するレーザ光を照射するレーザ光照射装置との間にあって、前記薄膜形成対象物の表面に近接して配置され、それにより前記レーザ照射装置から前記薄膜形成対象物の表面に対するレーザ光の通過を許容しつつ、前記薄膜形成対象物の表面との間にＣＶＤ原料ガスの雰囲気を形成するガスウィンドウであって、
内部に形成されたガス導入用空所と、
前記ガス導入用空所の上部にあって、前記レーザ光照射装置から到来するレーザ光を前記ガス導入用空所内へと導入するレーザ光導入窓と、
前記ガス導入用空所の下部にあって、前記薄膜形成対象物側へと開口され、前記レーザ光導入窓から導入されたレーザ光を前記薄膜形成対象物の表面へと通過させる底部開口と、
前記ガス導入用空所の壁面にあって、前記ガス導入用空所内へとパージガスを導入するためのパージガス吹出し口と、
前記ガス導入用空所の壁面にあって、前記ガス導入用空所内へとＣＶＤ原料ガスを導入するための原料ガス吹出し口と、
前記底部開口を取り巻くその周囲の底面にあって、ガスを排気するためのガス吸込み口とを有し、
前記原料ガス吹出し口は、３個以上の複数個の原料ガス吹出し口からなると共に、それら複数個の原料ガス吹出し口は、前記ガス導入用空所の底部開口近傍にあって、前記ガス導入用空所の中心を取り巻くように、前記ガス導入用空所の壁面に分散配置されており、かつそれらの原料ガス吹出し口からは、前記ガス導入用空所の中心に向けてかつ前記薄膜形成対象物の表面と平行に、前記原料ガスが吹き出すように構成されている、ことを特徴とするものである。
【００２０】
このような構成によれば、前記原料ガス吹出し口は、３個以上の複数個の原料ガス吹出し口からなると共に、それら複数個の原料ガス吹出し口は、前記ガス導入用空所の底部開口近傍にあって、前記ガス導入用空所の中心を取り巻くように、前記ガス導入用空所の壁面に分散配置されており、かつそれらの原料ガス吹出し口からは、前記ガス導入用空所の中心に向けてかつ前記薄膜形成対象物の表面と平行に、前記原料ガスが吹き出すように構成されていることから、このようなガスウィンドウを使用してレーザＣＶＤによる薄膜形成を行えば、上述した方法と同様な作用効果を得ることができる。
【００２１】
上述のガスウィンドウの好ましい実施の形態にあっては、前記複数個のガス吹出し口は、前記ガス導入用空所の中心を取り巻くように、前記ガス導入用空所の壁面に等角度間隔で分散配置されていてもよい。このとき、前記複数個が偶数個であって、それらのガス吹出し口が、前記ガス導入用空所の中心を通りかつ前記ガスウインドウと前記薄膜形成対象物との予定された記相対移動方向へ延びる直線に対して線対称に配置されていてもよい。ことを特徴とする請求項８に記載のガスウィンドウ。このとき、前記複数個が４個であってもよい。
【００２２】
また、上述のガスウィンドウにおいて、好ましい実施の形態にあっては、前記レーザ光の所定断面輪郭が長方形であり、かつその長手方向が前記相対移動方向と整合している、ものであってもよい。
【００２３】
さらに、上述の外ウィンドウは、ＦＰＤ基板の断線修復のために使用される、ものであってもよい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、前記薄膜形成対象物の表面と前記ガスウィンドウとの間におけるＣＶＤガス雰囲気の形成は、前記照射スポット予定位置を取り巻くようにその周囲に配置された３個以上の複数個のガス吹出し口から、前記照射スポット予定位置に向けて集中するように、前記薄膜形成対象物の表面と平行に、前記ＣＶＤ原料ガスを吹き出すことにより行われることから、個々のガス吹出し口から吹き出される原料ガスには拡散方向性があったとしても、それらが集中する前記照射スポット予定位置においては、それらの拡散方向性が互いに打ち消されて、高濃度かつ高均一な原料ガスが得られることとなり、高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合にあっても、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さを可及的に均一化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】レーザＣＶＤ法による薄膜形成装置の全体を示す構成図である。
【図２】ガスウィンドウの底面図である。
【図３】ガスウィンドウの断面図である。
【図４】ガスウィンドウ底面の要部拡大図（本発明）である。
【図５】ガスウィンドウ底面の要部拡大図（従来例）である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下に、本発明に係るレーザＣＶＤによる薄膜形成方法、及び同方法に好適なガスウインドウ（「ウィンドウポート」とも称される）の好適な実施の一形態を添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２７】
レーザＣＶＤによる薄膜形成装置１０の全体を示す構成図が、図１に示されている。図において、符号７は、断線部分のある液晶ＦＰＤ基板等のような薄膜形成対象物６を薄膜形成予定面を上に向けて載置するＸＹステージである。このＸＹステージ７の上には、薄膜形成対象物６との間に僅かな間隔をおいて、ガスウィンドウ１が支持されている。
【００２８】
ガスウインドウ１は、内部に形成されたガス導入用空所と、ガス導入用空所の上部にあって、レーザ光照射装置から到来するレーザ光を前記ガス導入用空所内へと導入するレーザ光導入窓と、ガス導入用空所の下部にあって、薄膜形成対象物側へと開口され、レーザ光導入窓から導入されたレーザ光を前記薄膜形成対象物の表面へと通過させる底部開口と、ガス導入用空所の壁面にあって、前記ガス導入用空所内へとパージガスを導入するためのパージガス吹出し口と、ガス導入用空所の壁面にあって、前記ガス導入用空所内へとＣＶＤ原料ガスを導入するための原料ガス吹出し口と、底部開口を取り巻くその周囲の底面にあって、ガスを排気するためのガス吸込み口とを有する（詳細は後述）。
【００２９】
ガスウィンドウ１の真上には、レーザ照射観察ユニット２が設置される。レーザ照射観察ユニット２は、レーザ光の照射パワーを変えるアッテネータや照射するレーザ光の形状を変化させる可変アパーチャ機構と、対物レンズを上下させて焦点位置を調整する機構と、レーザ光照射部のパターン形状を観察する顕微鏡機構を備える公知の構成（図示せず）を有する。レーザＣＶＤ用のレーザ光源を備えるレーザユニット４から出射されたレーザ光は、レーザ照射観察ユニット２とガスウインドウ１を介して薄膜形成対象物６上の所定部分に照射される。
【００３０】
薄膜形成装置１０には、この他に、ガス供給排気ユニット３と制御ユニット５が含まれる。ガス供給排気ユニット３は、ガスウインドウ１に供給するＣＶＤ用ガス及びパージガスを必要なタイミングで供給し、かつガスウインドウ１から吸引された排気ガスの無害化処理をする機構などを備える。
【００３１】
制御ユニット５は、レーザ光の出射タイミングの制御、ＸＹステージ７の動作、ガス供給排気ユニット３のガス開閉弁のタイミング制御、レーザ照射観察ユニット２の照明、アパーチャ制御、アッテネータの減衰率制御などの薄膜形成装置１０内の各ユニットの動作を制御する。
【００３２】
次に、図２及び図３を参照しながら、ガスウィンドウ１の構成例について説明する。図２はガスウィンドウの底面図、図３は同ガスウィンドウの断面図である。
【００３３】
それらの図から明らかなように、ガスウィンドウ１は、上部円板１０１と下部円板１０２とを接合してなる基本構造を有する。
【００３４】
上部円板１０１の中心部には、円形の開口にガラス板を嵌め込んでなにるレーザ光導入窓１０３が形成されている。レーザ光導入窓１０３の真下に相当する下部円板１０２の中心部には、逆円錐台形状を有するガス導入用空所１０９が形成されている。
【００３５】
下部円板１０３の下面中心部には、ガス導入用空所１０９を下面側へと開口する中心開口１１９が形成されると共に、これを取り巻くようにして、内側環状突条１０５が形成されている。また、下部円板１０２の下面側には、内側環状突条１０５を取り巻くようにして、外側環状突条１０４が形成されている。
【００３６】
内側環状突条１０５の外縁部には、ガスウインドウ１と薄膜形成対象物６との間に外部から供給されたガスを排気するための内側環状吸込み口１０７が形成されると共に、外側環状突条１０４の内縁部には、同様にガスを排気するための外側環状吸込み口１０６が形成されている。これらの環状吸い込み口１０６，１０７の存在により、外部から導入された各種ガスの排気と、ガスウィンドウ１の中心部へと空気を侵入させないためのシールド作用が達成される。
【００３７】
図３（ａ）のＡ−Ａ線断面図に示されるように、ガス導入用空所１０９と上部円板１０１の上面との間には、ガス導入用空所１０９内へとパージガスを導入するためのパージガス通路１０８が設けられ、その入口１０８ａは上部円板１０１の上面に設けられ、その出口（パージガス吹出し口）１０８ｂはガス導入用空所１０９の壁面１０９ａの上部に設けられている。そのため、薄膜形成対象物６となる基板表面に対するパージガスの流れは、ガス導入用空所１０９の上部から下部に向けて下向きに行われる。
【００３８】
図３（ｃ）のＣ−Ｃ線断面図に示されるように、図２において、正方向に角度４５°回転した断面位置には、ＣＶＤ原料ガスをガス導入用空所１０９内へと導入するための第１の原料ガス通路１１０と第３の原料ガス通路１１２が設けられている。
【００３９】
第１の原料ガス通路１１０の出口（第１の原料ガス吹出し口）１１０ａは、ガス導入用空所１０９の底部に位置する中心開口１１９の近傍の壁面１０９ａに設けられ、同様にして、第３の原料ガス通路１１２の出口（第３の原料ガス吹出し口）１１２ａは、ガス導入用空所１０９の底部に位置する中心開口１１９近傍の壁面１０９ａに設けられている。
【００４０】
それら第１及び第３の原料ガス吹出し口１１０ａ，１１２ａからは、ガス導入用空所１０９の中心に向けて、かつ薄膜形成対象物６の表面と平行（水平）に、原料ガスが吹き出すように構成されている。
【００４１】
図３（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図に示されるように、図２において、負方向に角度４５°回転した断面位置には、ＣＶＤ原料ガスをガス導入用空所１０９内へと導入するための第２の原料ガス通路１１１と第４の原料ガス通路１１３が設けられている。
【００４２】
第１の原料ガス通路１１１の出口（第２の原料ガス吹出し口）１１１ａは、ガス導入用空所１０９の底部に位置する中心開口１１９の近傍の壁面１０９ａに設けられ、同様にして、第４の原料ガス通路１１３の出口（第４の原料ガス吹出し口）１１２ａは、ガス導入用空所１０９の底部に位置する中心開口１１９近傍の壁面１０９ａに設けられている。
【００４３】
それら第２及び第４の原料ガス吹出し口１１１ａ，１１３ａからは、ガス導入用空所１０９の中心に向けて、かつ薄膜形成対象物６の表面と平行（水平）に、原料ガスが吹き出すように構成されている。
【００４４】
上部円板１０１と下部円板１０２との接合面には、図２に波線で示されるように、第１の原料ガス通路１１０と第２の原料ガス通路１１１とを連通する弧状の連絡通路が形成されており、この連絡通路の中程には上部円板１０１の上面側に開口する第１の原料ガス入口（原料ガス供給口）１１４が設けられている。同様に、上部円板１０１と下部円板１０２との接合面には、図２に波線で示されるように、第３の原料ガス通路１１２と第４の原料ガス通路１１３とを連通する弧状の連絡通路が形成されており、この連絡通路の中程には上部円板１０１の上面側に開口する第２の原料ガス入口（原料ガス供給口）１１５が設けられている。
【００４５】
そのため、それらの第１及び第２の原料ガス入口１１４，１１５から原料ガスを供給することで、ガス導入用空所１１９の壁面１１９ａの下部内周に９０°間隔で配置された４個の原料ガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａから、ガス導入用空所１０９の中心へ向けて、水平方向へと原料ガスを吹き出させることができるように構成されている。
【００４６】
制御ユニット５は、ＸＹステージ７を制御することで、図４に矢印１１８で示される図中左右方向へと、ガスウィンドウ１と薄膜形成対象物（基板等）６を相対的に移動させるようになっている。ここで、図４から明らかなように、４個の原料ガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａは、いずれも矢印１１８で示される相対移動方向に対して４５°傾けた位置に設けられ、先に説明したように、それぞれの角度でガス導入用空所１０９の中心へ向けて、水平方向へと原料ガスを吹き出すように構成されている。
【００４７】
また、制御ユニット５は、レーザ照射観察ユニット２をアパーチャ制御することにより、レーザ光の断面輪郭を長方形状に整形することで、図４に示されるように、ガス導入用空所１０９の中心部分、すなわちレーザスポット形成予定位置に、長方形照射スポット１１６を形成するように構成されている。ここで、この長方形照射スポット１１６の長辺の方向は、矢印１１８で示される相対移動方向と整合するように構成されている。なお、比較のために、従来のレーザスポットの形状が図５に例示されている。同図に示されるように、従来のレーザスポットは、正方形照射スポット１１９とされている。
【００４８】
このように、上述のガスウィンドウ１は、薄膜形成対象物６の表面と、薄膜形成対象物６の表面に対して所定断面輪郭を有するレーザ光を照射するレーザ照射観察ユニット２との間にあって、前記薄膜形成対象物６の表面に近接して配置され、それによりレーザ照射観察ユニット２から薄膜形成対象物６の表面に対するレーザ光の通過を許容しつつ、薄膜形成対象物６の表面との間にＣＶＤ原料ガスの雰囲気を形成するものである。
【００４９】
そして、このガスウィンドウ１は、内部に形成されたガス導入用空所１０９と、ガス導入用空所１０９の上部にあって、レーザ照射観察ユニット２から到来するレーザ光をガス導入用空所内１０９へと導入するレーザ光導入窓１０３と、ガス導入用空所１０９の下部にあって、薄膜形成対象物６側へと開口され、レーザ光導入窓１０３から導入されたレーザ光を薄膜形成対象物６の表面へと通過させる底部開口１１９と、ガス導入用空所１０９の壁面１０９ａにあって、ガス導入用空所１０９内へとパージガスを導入するためのパージガス吹出し口１０８ｂと、ガス導入用空所１０９の壁面１０９ａにあって、ガス導入用空所１０９内へとＣＶＤ原料ガスを導入するための原料ガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａと、底部開口１１９を取り巻くその周囲の底面にあって、ガスを排気するためのガス吸込み口１０６，１０７とを有するものである。
【００５０】
さらに、原料ガス吹出し口は、３個以上の複数個（この例では４個）の原料ガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａからなると共に、それら複数個の原料ガス吹出し口は、前記ガス導入用空所１０９の底部開口１１９近傍にあって、ガス導入用空所１０９の中心を取り巻くように、ガス導入用空所１０９の壁面１０９ａに分散配置されており、かつそれらの原料ガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａからは、ガス導入用空所１０９の中心に向けてかつ薄膜形成対象物６の表面と平行に、原料ガスが吹き出すように構成されているのである。
【００５１】
そのため、この実施形態によれば、薄膜形成対象物６の表面とガスウィンドウ１との間におけるＣＶＤガス雰囲気の形成は、図４に示されるように、照射スポット予定位置１１６を取り巻くようにその周囲に配置された４個のガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａから、照射スポット予定位置に向けて集中するように、薄膜形成対象物６の表面と平行に、ＣＶＤ原料ガスを吹き出すことにより行われることから、個々のガス吹出し口から吹き出される原料ガスには拡散方向性があったとしても、それらが集中する前記照射スポット予定位置においては、それらの拡散方向性が互いに打ち消されて、高濃度かつ高均一な原料ガスが得られることとなり、高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合にあっても、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さを可及的に均一化することができる。
【００５２】
また、この例にあっては、４個のガス吹出し口は、等角度間隔で前記照射スポット予定位置の周囲に配置されているため、個々のガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａから吹き出される原料ガスの拡散方向性は、全ての方位について均等に影響を及ぼすことから、それらが集中する前記照射スポット予定位置においては、それらの拡散方向性がより一層相殺されて、より一層高濃度かつ高均一な原料ガスが得られることとなり、高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合にあっても、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さをより一層に均一化することができる。
【００５３】
さらに、複数個が偶数個であって、それらのガス吹出し口が、照射スポット予定位置１１６を通りかつ前記相対移動方向１１８へ延びる直線に対して線対称に配置されていることから、移動方向と同一方向又は逆方向へガスを吹き出すガス吹出し口が１つも存在しないことに加えて、相対移動方向へ延びる直線に対して線対称となる各左右一対のガス吹出し口から吹き出されるガスの拡散方向性は、すべて相対移動方向に対して左右対称的となると共に、左右方向へ延びる直線に対しても前後対称的なものとなり、これにより相対移動速度やガスの吹き出し強度に拘わらず、常に、いずれの方向についても高濃度かつ高均一な膜厚を保証することができる。
【００５４】
加えて、照射スポット１１６の形状が長方形であるため、より一層、配線修復作業等の効率を向上させることができ、ＦＰＤ基板の断線修復作業の効率化を実現することができ、これにより、従来の速度の数倍程度の高速で、レーザＣＶＤによる欠陥修復を行うことにより、多くの欠陥を短時間で処理することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、ＦＰＤ基板の断線修復やフォトマスクの欠陥修復等々の用途に使用されるレーザＣＶＤによる薄膜形成方法において、高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さを可及的に均一化することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１        ガスウィンドウ
２        レーザ照射観察ユニット
３        ガス供給排気ユニット
４        レーザユニット
５        制御ユニット
６        薄膜形成対象物
７        ＸＹステージ
１０      薄膜形成装置
１０１    上部円板
１０２    下部円板
１０３    レーザ光導入窓
１０４    外側環状突条
１０５    内側環状突条
１０６    外側環状吸込み口
１０７    内側環状吸込み口
１０８    パージガス通路
１０９    ガス導入用空所
１０９ａ  ガス導入用空所の壁面
１１０    第１の原料ガス通路
１１０ａ  第１の原料ガス吹出し口
１１１    第２の原料ガス通路
１１１ａ  第２の原料ガス吹出し口
１１２    第３の原料ガス通路
１１２ａ  第３の原料ガス吹出し口
１１３    第４の原料ガス通路
１１３ａ  第４の原料ガス吹出し口
１１４    第１の原料ガス入口
１１５    第２の原料ガス入口
１１６    長方形照射スポット
１１７    単一吹出し口
１１８    ガスウィンドウの移動方向を示す矢印
１１９    正方形照射スポット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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