(57)【要約】【課題】反応器材質の腐食が少なく、得られる芳香族ポリエーテル中に含まれる不純物元素（Ｎａ、Ｆｅ）が少ない芳香族ポリエーテルを製造する方法の提供。【解決手段】芳香族ジハロゲン化合物とジヒドロキシ芳香族化合物をアルカリ金属塩及び／又はアルカリ土類金属塩の存在下で反応させる工程の反応器材質にＮｉ元素２０〜１００重量％を含有する金属材質を使用する製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族ジハロゲン化合物とジヒドロキシ芳香族化合物、及び／又はモノヒドロキシ芳香族モノハロゲン化合物とをアルカリ金属塩及び／又はアルカリ土類金属塩混合物の存在下で反応させて芳香族ポリエーテルを製造する工程において、Ｎｉ元素２０〜１００重量％を含有する金属材質の反応器を使用することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
Ｎｉ元素２０〜９５重量％、Ｍｏ元素５〜３０重量％を含有する金属材質の反応器を使用することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
更に芳香族ポリエーテル反応混合物を媒体中で洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項１、又は請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記芳香族ポリエーテル反応混合物を媒体中で洗浄する工程において、分散物に超音波を照射することを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
媒体除去後の芳香族ポリエーテル中に残存するＦｅ元素量が５ｐｐｍ以下になるまで超音波照射し、洗浄する工程を繰り返すことを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
媒体除去後の芳香族ポリエーテル中に残存するＮａ元素量が１０ｐｐｍ以下になるまで超音波照射し、洗浄する工程を繰り返すことを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族ポリエーテルを製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
芳香族ポリエーテルは、耐熱性、機械的強度に優れているため電気・電子関係部品、自動車関連部品、航空宇宙関連部品など様々な分野に利用されており、電気・電子関連分野では、芳香族ポリエーテル中に含まれる不純物元素がより少ない製品の提供が望まれている。そのような芳香族ポリエーテルは、芳香族ジハロゲン化合物とジヒドロキシ芳香族化合物、及び／又はモノヒドロキシ芳香族モノハロゲン化合物とをアルカリ金属塩及び／又はアルカリ土類金属塩混合物の存在下、溶媒中で反応させることにより製造されており、該方法は多くの特許文献（例えば特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）に記載されている。
【０００３】
この反応条件は一般に、温度が１４０℃〜３２０℃の範囲で行われている。この反応条件下における反応器材質の耐蝕性は塩基としてアルカリ金属塩及び／又はアルカリ土類金属塩を用いた場合、極めて厳しくＳＵＳ３１６などの金属材質を用いた場合には、反応器材質の表面に黒色皮膜が形成され変色し、次に反応を行う場合には反応を行う前にこれらを取り除かなければならないという問題を有している（例えば、特許文献４参照）。このような理由により、アルカリ金属塩及び／又はアルカリ土類金属塩を使用する高温環境下で優れた耐蝕性を示し、反応器由来の不純物を減少させる反応器材質の開発が望まれている。
【０００４】
また、このような環境下で作製された芳香族ポリエーテルは副生成物、溶媒など様々な反応生成物を含んでいる。このような反応生成物は後処理の際に除去することが非常に困難である。そのため、芳香族ポリエーテル以外の反応生成物は、種々の溶剤中で繁雑な洗浄方法により除去されている（例えば特許文献２、特許文献３、特許文献５、特許文献６参照）。前記の洗浄は、固−液抽出に相当するため、温度、反応生成物の粒度、溶剤の種類などに応じて、非常に長い時間と多量の洗浄溶剤を必要とする。
【０００５】
一般に、芳香族ポリエーテルを副生成物及び溶媒から分離するための方法としては、上記特許で報告されたような、二段階洗浄法が提案されている。第一の洗浄工程において、例えばアセトンを用いて、溶媒、副生成物を反応混合物から除去し、そして第二の洗浄工程において、水を用いて、アルカリ金属塩及び／又はアルカリ土類金属塩を除去する。しかし、記載された方法は、アルカリ金属塩及び／又はアルカリ土類金属塩と溶媒の除去が不十分であるため電子産業における幾つかの用途にとっては問題となる。
【０００６】
そこで、これらの洗浄法を改良した２段階洗浄方法が提案されている。１つは高温加圧下で実施されているが、特殊環境下での作業であるため生産性が劣るという問題を有している（例えば、特許文献７参照）。また、湿式粉砕後に洗浄することで副生成物、溶媒を除去する方法が提案されているが、不純物元素の除去に多くの時間を必要とし、一部の不純物元素（溶媒由来の元素）は除去しにくいため高純度の芳香族ポリエーテルを得られないという問題を有している（例えば、特許文献８参照）。このような理由からも、不純物元素が少ない芳香族ポリエーテルを製造する方法が求められている。
【０００７】
【特許文献１】欧州特許第０００１８７９Ａ号明細書
【特許文献２】欧州特許第０１８２６４８Ａ号明細書
【特許文献３】欧州特許第０２４４１６７Ａ号明細書
【特許文献４】特開昭５３−９７０９４号公報
【特許文献５】欧州特許第０２９７３６３Ａ号明細書
【特許文献６】欧州特許第０３２２１５１Ａ号明細書
【特許文献７】特表２００４−５２６８５９号公報
【特許文献８】特開２００７−３０２８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、反応装置材質の腐蝕が少なく、不純物元素の少ない芳香族ポリエーテルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは上記の事情に鑑み鋭意研究した結果、前記課題は、芳香族ポリエーテルの製造方法において、Ｎｉ元素が２０〜１００重量％を含有する金属材質で作製された反応装置を使用することを見出し、本発明に至ったものである。即ち本発明の上記課題は、具体的には下記の＜１＞〜＜６＞の手段により達成される。
＜１＞  芳香族ジハロゲン化合物とジヒドロキシ芳香族化合物、及び／又はモノヒドロキシ芳香族モノハロゲン化合物とをアルカリ金属塩及び／又はアルカリ土類金属塩混合物の存在下で反応させて芳香族ポリエーテルを製造する工程において、Ｎｉ元素２０〜１００重量％を含有する金属材質の反応器を使用することを特徴とする製造方法。
＜２＞  Ｎｉ元素２０〜９５重量％、Ｍｏ元素５〜３０重量％を含有する金属材質の反応器を使用することを特徴とする前記＜１＞に記載の製造方法。
＜３＞  更に芳香族ポリエーテル反応混合物を媒体中で洗浄する工程を含むことを特徴とする前記＜１＞、又は前記＜２＞に記載の製造方法。
＜４＞  前記芳香族ポリエーテル反応混合物を媒体中で洗浄する工程において、分散物に超音波を照射することを特徴とする前記＜３＞に記載の製造方法。
＜５＞  媒体除去後の芳香族ポリエーテル中に残存するＦｅ元素量を５ｐｐｍ以下にすることを特徴とする前記＜４＞に記載の製造方法。
＜６＞  媒体除去後の芳香族ポリエーテル中に残存するＮａ元素量を１０ｐｐｍ以下にすることを特徴とする前記＜４＞に記載の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の方法により、反応器材質の腐蝕が少なく、不純物元素の少ない芳香族ポリエーテルを製造することが可能となるため産業上の利用価値は大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
芳香族ジハロゲン化合物とジヒドロキシ芳香族化合物、及び／又はモノヒドロキシ芳香族モノハロゲン化合物とをアルカリ金属塩及び／又はアルカリ土類金属塩の存在下、溶媒中で重縮合することにより芳香族ポリエーテル混合物が製造される。
【００１２】
この重縮合は一般に、温度が１４０℃〜４００℃の範囲で行われるが、高分子量化の観点から、窒素雰囲気下で反応系から水分を除去した状態で行うことが好ましく、更に温度は２５０℃〜３２０℃の範囲で行うことが望ましい。
【００１３】
重縮合後、得られた芳香族ポリエーテル混合物は不純物除去効率、操作性等の観点から、粉砕機により粉砕することが望ましい。粉砕後は、芳香族ポリエーテル混合物粉末を抽出・洗浄溶媒中に分散させ超音波を数秒から数時間照射することにより副生成物、溶媒を抽出、除去することが望ましい。好ましくは超音波を１分間から１時間、更に好ましくは５分間から３０分間照射することが望ましい。また、反応に使用したアルカリ金属塩及び／又はアルカリ土類金属塩は水中に芳香族ポリエーテル混合物粉末を分散させ超音波を数秒から数時間照射することにより副生成物、溶媒を抽出、除去することが望ましい。好ましくは超音波を１分間から１時間、更に好ましくは５分間から３０分間照射することが望ましい。更に、洗浄回数は何回でも良く、好ましくは１回から１０回、更に好ましくは２回から５回であることが望ましい。
【００１４】
これらの抽出洗浄を撹拌槽又は撹拌型の濾過器において濾過し、濾過物を乾燥させることで不純物元素の少ない芳香族ポリエーテルが回収される。ここで濾過器は特に限定されるものではなく、回分式でも連続式でも良い。
【００１５】
【化１】
2010006987.tif 000002
芳香族ジハロゲン化合物は、両末端に反応性のハロゲン化芳香族基を有するものであれば特に限定はされないが、例えば、
（式中、ＸおよびＸ’は、同一であるかあるいは異なるハロゲンであり且つ基ＱおよびＱ’に対してオルトまたはパラ位置に存在する。また、Ａｒは芳香族基であり、Ｑは―ＳＯ２―または―ＣＯ―基であり、Ｑ’は酸素またはイオウ原子、―ＳＯ２―または―ＣＯ―基、または二価の脂肪族炭化水素基または直鎖結合であり、ｎは０、１、２もしくは３である）
で表されるものが挙げられる。ここで、好ましくはＱ、Ｑ’は―ＣＯ―基、酸素原子であることが望ましい。また更に好ましくは、Ｑ、Ｑ’は―ＣＯ―基であることが望ましい。芳香族ジハロゲン化合物の具体例としては、例えば４，４’−ジフルオロベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４，４’−ジクロロジフェニルスルホン、４，４’−ジフルオロジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−フルオロベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（４−クロロベンゾイル）ベンゼン、４−クロロ−４’−フルオロベンゾフェノン及び４，４’−ビス（４−フルオロベンゾイル）ビフェニルが挙げられる。ハロゲン基は、一般に、パラ位（及び又はオルト位）のカルボニル基又はスルホニル基によって活性化されている。パラ位のカルボニル基の場合、ハロゲンは、クロロ又は有利にはフルオロであり；パラ位のスルホニル基の場合には、ハロゲンはフルオロ又はクロロであってよく、製造コストの観点からは、十分な反応性を有していれば一般にハロゲンとしてはクロロが好ましい。また、種々のジハロゲン化合物の混合物を使用してもよい。更に、芳香環は無置換、又は任意に置換されていてもよい。該置換基としては、水素原子または１価の有機基である。ここで、１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、アルキルアリル基、シクロアルキル基、アリールアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルキルアリール基、ハロゲン化アリール基などが挙げられる。中でも機械的強度を維持するという観点からは無置換（水素原子）が好ましい。
【００１６】
ジヒドロキシ芳香族化合物は、両末端に反応性のヒドロキシ基芳香族を有するものであれば特に限定はされないが、例えば、
【化２】
2010006987.tif 000003
（式中、ＡｒはＣ６−Ｃ３０アリーレンである）
で表されるものが挙げられる。ここで、好ましくはＡｒがＣ６−Ｃ２０であることが望ましい。また、更に好ましくは、ＡｒはＣ６−Ｃ１２であることが望ましい。ジヒドロキシ芳香族化合物の具体例としては例えば、ヒドロキノン、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、２，２’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）チオエーテル、ビス（４−ヒドロキシナフチル）エーテル、１，４−、１，５−もしくは２，６−ジヒドロキシナフタリン、１，４−ビス（４−ヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、４，４’−ビス（４−ヒドロキシベンゾイル）ビフェニル、４，４’−ビス（４−ヒドロキシベンゾイル）ジフェニルエーテル又は４，４−ビス（４−ヒドロキシベンゾイル）ジフェニルチオエーテルなどが挙げられる。当業者には当然のことであるが、種々のビスフェノールの混合物を使用してもよい。
【００１７】
【化３】
2010006987.tif 000004
モノヒドロキシ芳香族モノハロゲン化合物としては、例えば、
（式中、Ｘはハロゲン原子であって、且つＱに対してオルトもしくはパラ位にあり、Ｑは―ＳＯ２―または―ＣＯ―基である。また、Ａｒ’は芳香族基であり、そして−ＯＨ基はＱに対してパラ位にある）
が挙げられる。ここで、好ましくは、Ｑは―ＣＯ―基であることが望ましい。また、Ａｒ’はＣ６−Ｃ２０であることが好ましく、更に好ましくはＣ６−Ｃ１２であることが望ましい。モノヒドロキシ芳香族モノハロゲン化合物の具体例としては、例えば４−（４−クロロフェニルスルホニル）フェノール、４−（４−フルオロフェニルスルホニル）フェノール、４−（４−クロロベンゾイル）フェノール、４−ヒドロキシ−４’−（４−クロロフェニルスルホニル）ビフェニル及び４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）−４’−（４−クロロフェニルスルホニル）などが挙げられる。当業者には当然のことであるが、種々のビスフェノールの混合物を使用してもよい。
【００１８】
触媒として使用するアルカリ金属及びアルカリ土類金属の塩としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム又はバリウムから導かれるものが挙げられる。好ましくはアルカリ金属として、ナトリウム、カリウム、セシウムを使用することが望ましく、中でも製造コストの観点からナトリウムを使用することがより望ましい。
【００１９】
溶媒は式  
【化４】
2010006987.tif 000005
【００２０】
（式中のＸは、１もしくは２であり、そしてＲ及びＲ’は同一もしくは異なっていてもよく、それぞれがアルキルまたはアリール基である）の脂肪族もしくは芳香族スルホキシドもしくはスルホンである。好ましい溶媒としては、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホラン（１，１−ジオキソチオラン）もしくは式
【化５】
2010006987.tif 000006
【００２１】
（式中、Ｙは直接結合、酸素原子もしくは各々が各ベンゼン環に結合した、２個の水素原子であり、そしてＺ及びＺ‘は同一も地区は相異なっていてもよく、それぞれが水素原子もしくはフェニル基である）の芳香族スルホンが挙げられる。このような芳香族スルホンの例としては、ジフェニルスルホン、ジベンゾチオフェンジオキシド、フェノキサチインジオキシド及び４−フェニルスルホニルビフェニルなどが挙げられる。更に好ましい溶媒としては、ジフェニルスルホンが挙げられる。また、その他の溶媒としては、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチレンスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピペリドンなどのピペリドン系溶媒、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどの２−イミダゾリノン系溶媒、スルホランなどのスルホラン系溶媒、これら２種類以上の混合物が挙げられる。
【００２２】
芳香族ポリエーテルは、式
【００２３】
【化６】
2010006987.tif 000007
【００２４】
［式中、Ａｒ及びＡｒ′は、二価の芳香族基、有利には１，４−フェニレン、４，４’−ビフェニレン並びに１，４−、１，５−もしくは２，６−ナフチレンを表す］で示される単位を有する。Ｍは、電子吸引性基、有利にはカルボニル又はスルホニルである。一方で、Ｍ’は、Ｏ、Ｓ、ＣＨ２、イソプロピリデンなどのような別の基を表す。この場合、基Ｍの少なくとも５０％、有利には少なくとも７０％、特に有利には少なくとも８０％がカルボニル基を表すことが望ましい。一方で、基Ｍ’の少なくとも５０％、有利には少なくとも７０％、特に有利には少なくとも８０％が酸素からなることが望ましい。
特に好ましい実施態様では、基Ｍの１００％がカルボニル基からなり、かつ基Ｍ’の１００％が酸素からなる。例えば、芳香族エーテルケトンは、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン又はポリエーテルエーテルケトンケトンであってよい。また、当業者には当然のことであるが、カルボニル基及び酸素基の別の配置も可能である。
【００２５】
芳香族ポリエーテルは、一般に部分晶質であり、例えばＤＳＣ分析において、３００℃又はそれ以上の融解点Ｔｍを有している。しかしながら、本発明は、非晶質の芳香族ポリエーテルにも適用できる。一般に、スルホニル基、ビフェニレン基、ナフチレン基又は嵩高い基、例えばイソプロピリデン基は結晶化度を低下させると言える。
【００２６】
芳香族ジハロゲン化合物とジヒドロキシ芳香族化合物をアルカリ金属塩及び／又はアルカリ土類金属塩の存在下で重縮合して芳香族ポリエーテルを製造する方法において、重縮合工程に使用される反応器材質としては、Ｎｉ元素が２０〜１００重量％を含有する金属材質で、好ましくは、Ｎｉ元素が２０〜９５重量％を含有する金属材質で、更にはＮｉ元素が２０〜９５重量％、Ｍｏ元素が５〜３０重量％を含有する金属材質を使用することが好ましい。
【００２７】
反応器材質とは、この金属材質によって重縮合用装置が構成されること、あるいは装置の内壁が構成されていること、更にはこれに付属する弁、配管、羽根、軸、蓋、温度計カバーなどこれらの材質で構成されていることが好ましい。
【００２８】
本発明において、使用される反応器材質に含有されるＮｉ元素の含量が２０重量％未満の場合には、重縮合反応に対して良好な耐蝕性を維持することができなくなる。一方、Ｍｏ元素が５〜３０重量％を含有する金属材質を使用した場合には、重縮合反応に対して良好な耐蝕性を発揮する。
【００２９】
なお、上記していない他の元素の存在は、重縮合の際に反応器材質として用いられた場合、その耐蝕性が著しく害されるものでない限り、その存在を制限するものではない。
【００３０】
重縮合後の芳香族ポリエーテル混合物は、洗浄工程で表面積を大きくして洗浄効率を増加させるために粉砕することが望ましい。
【００３１】
芳香族ポリエーテル混合物を粉砕するための粉砕装置は、当業者に公知のあらゆる粉砕機、破砕機、ミル又は分散装置であってよい。例えば、ジョークラッシャー、回転粉砕機、ローラ粉砕機又は衝撃粉砕機は、約０．５〜５０ｍｍの直径にまで粉砕するために使用することができ、あるいは衝撃ミル、ローラミル、ハンマーミル、ボールミル、振動ミル、剪断ミル又はジェットミルもしくは分散装置は、約５０〜５００μｍにまで粉砕するために使用することができる。
【００３２】
粉砕後の芳香族ポリエーテル混合物は、不純物元素を除去するために洗浄媒体中に分散させ超音波を照射することが望ましい。
【００３３】
超音波とは２０ｋＨｚ以上の周波数を有する音波であり、周波数は２０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚの超音波を使用する方が好ましい。より好ましくは３０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの範囲で超音波を使用することが望ましい。
【００３４】
超音波照射を行う装置としては、当業者に公知のあらゆるものを使用してよく、例えばＨＯＮＤＡ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ  ＣＯ．ＬＴＤ製のＵＬＴＲＡＳＯＮＩＣ  ＣＬＥＡＮＥＲ  ＷＴ−６００−４０などを使用することができる。
【００３５】
超音波照射により洗浄された芳香族ポリエーテル粉末中に残存するＦｅ元素は５ｐｐｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１ｐｐｍ以下であることが望まれる。
【００３６】
本発明において芳香族ポリエーテル中に残存するＦｅ元素が５ｐｐｍより多い場合、ポリマーの着色が起こる。また、電気・電子材料分野に応用しようとした場合、電気特性に影響を与えることが懸念される。
【００３７】
Ｆｅ元素が５ｐｐｍ以下の芳香族ポリエーテルの作製は、上述の超音波照射を行うことにより達成することができる。
【００３８】
また、超音波照射により洗浄された芳香族ポリエーテル粉末中に残存するＮａ元素は１０ｐｐｍ以下であることが好ましい。より好ましくは５ｐｐｍ以下であることが望まれる。
【００３９】
本発明において芳香族ポリエーテル中に残存するＮａ元素が１０ｐｐｍより多い場合、Ｆｅ元素残存の場合と同様に、電気・電子材料分野に応用しようとした場合に電気特性に影響を与えることが懸念される。
【００４０】
Ｎａ元素が１０ｐｐｍ以下の芳香族ポリエーテルの作製は、上述の超音波照射を行うことにより達成することができる。所望により、上記の洗浄工程、及び／又は超音波照射洗浄工程は、複数回繰り返してもよい。
【００４１】
本発明により得られる芳香族ポリエーテルは、不純物元素（Ｎａ、Ｆｅ）が特に少ないため、特に電子産業における様々な材料（ＣＭＰ  リング、ウエハキャリアとＦＯＵＰ、エッチングリング、ガスケット、ウエハチャック、バックエンド構成部品−マトリックストレイ、テストソケット、ファスナ、ワンド・グリップ ）の作製、また成形部材の表面品質が重要な役割を担うあらゆる分野で特に適している。
【実施例】
【００４２】
＜実施例１＞（湿式粉砕洗浄法）
【００４３】
ニッケル２００（組成：Ｎｉ  ９９．５２％、Ｃ  ０．０８％、Ｓｉ  ０．２％、Ｍｎ  ０．２％）で作製された５００ｍＬの反応容器（攪拌棒、窒素導入管付）に７２．３ｇのジフェニルスルホン（東京化成工業株式会社製：特級）、３０．１ｇの４，４′−ジフルオロベンゾフェノン（東京化成工業株式会社製：特級）、１５．２ｇのヒドロキノン（和光純薬工業株式会社：特級）を固体形で続けて添加し、窒素で不活性雰囲気にした。その後、温度を１４０℃まで増加させ均一溶液にした後、固形体で１３．９ｇの炭酸ナトリウム（和光純薬工業株式会社：特級）及び１ｇの炭酸カリウム（和光純薬工業株式会社：特級）を添加した。添加後、２００℃で１時間、２５０℃で１時間、３２０℃で２時間段階的に反応させることによりポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を作製した。
【００４４】
重縮合後、粉砕機を用いて粉砕を行い得られた水で湿ったＰＥＥＫ混合物１３０ｇを、遠心分離器を用いて１０００ｒｐｍで遠心することにより脱水した。遠心分離後の残留湿分は、約５質量％であった。次いで、湿ったＰＥＥＫ混合物を、濾過器中に移し、そのつど１リットルのエタノールで１０回（それぞれ７５℃で１時間）洗浄し、次いでそのつど１リットルの脱イオン水で１０回（それぞれ９５℃で１時間）二段階の洗浄に供した。１０回の水洗浄の４回目は、この場合に１リットルの０．５％の水性オルトリン酸で実施した。
【００４５】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。  主な不純物元素：Ｎａ  １０ｐｐｍ、Ｆｅ  ３ｐｐｍ  装置材質表面：僅かに腐食有り。
【００４６】
＜実施例２＞（超音波洗浄法）
【００４７】
実施例１の手順で重縮合後、得られたポリエーテルエーテルケトン混合物は粉砕機を用いて粉砕し、アセトン１Ｌのアセトンに分散させた。分散後、超音波を室温で１０分間照射することでポリエーテルエーテルケトン粉末中から副生成物、溶媒を除去し、ヌッチェ濾過器でＰＥＥＫ粉末を回収した。その後、蒸留水１Ｌに分散させ、超音波を室温で１０分間照射後、同様に濾過してＰＥＥＫ粉末を回収した。上記の洗浄サイクルを３回繰り返すことによりＰＥＥＫ粉末を得て、乾燥させることにより回収した。
【００４８】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析により定量した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。  主な不純物元素：Ｎａ  ３ｐｐｍ、Ｆｅ  １ｐｐｍ以下  装置材質表面：僅かに腐食有り。
＜実施例３＞
【００４９】
ハステロイＢ（商品名；へインズ社製合金）（Ｎｉ  ６４％，Ｆｅ  ５％，Ｃｏ  １．５％，Ｍｏ  ２８％，Ｃ  ０．０３％，Ｓｉ  ０．４％，Ｍｎ  ０．８％）で作製された反応容器を用いて、実施例１（湿式粉砕洗浄法）と同様の実験を行った。
【００５０】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  ９ｐｐｍ、Ｆｅ  ３ｐｐｍ  装置材質表面：腐食なし。
＜実施例４＞
【００５１】
ハステロイＢ（商品名；へインズ社製合金）（Ｎｉ  ６４％，Ｆｅ  ５％，Ｃｏ  １．５％，Ｍｏ  ２８％，Ｃ  ０．０３％，Ｓｉ  ０．４％，Ｍｎ  ０．８％）で作製された反応容器を用いて、実施例２（超音波洗浄法）と同様の実験を行った。
【００５２】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  ４ｐｐｍ、Ｆｅ  １ｐｐｍ以下  装置材質表面：腐食なし。
＜実施例５＞
【００５３】
ハステロイＣ（商品名；へインズ社製合金）（Ｎｉ  ５８％，Ｆｅ  ５％，Ｃｒ  １５．５％，Ｗ  ３．３％，Ｃｏ  １％，Ｍｏ  １６％，Ｃ  ０．０６％，Ｓｉ  ０．４％，Ｍｎ  ０．８％）で作製された反応容器を用いて、実施例１（湿式粉砕洗浄法）と同様の実験を行った。
【００５４】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  ９ｐｐｍ、Ｆｅ  ４ｐｐｍ  装置材質表面：腐食なし。
＜実施例６＞
【００５５】
ハステロイＣ（商品名；へインズ社製合金）（Ｎｉ  ５８％，Ｆｅ  ５％，Ｃｒ  １５．５％，Ｗ  ３．３％，Ｃｏ  １％，Ｍｏ  １６％，Ｃ  ０．０６％，Ｓｉ  ０．４％，Ｍｎ  ０．８％）で作製された反応容器を用いて、実施例２（超音波洗浄法）と同様の実験を行った。
【００５６】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  ４ｐｐｍ、Ｆｅ  １ｐｐｍ以下  装置材質表面：腐食なし。
＜実施例７＞
【００５７】
ハステロイＸ（商品名；へインズ社製合金）（Ｎｉ  ４７％，Ｆｅ  １８．５％，Ｃｒ  ２２％，Ｗ  ０．６％，Ｃｏ  １．５％，Ｍｏ  ９％，Ｃ  ０．０８％，Ｓｉ  ０．４％，Ｍｎ  ０．７％）で作製された反応容器を用いて、実施例１（湿式粉砕洗浄法）と同様の実験を行った。
【００５８】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  １０ｐｐｍ、Ｆｅ  ３ｐｐｍ  装置材質表面：腐食なし。
＜実施例８＞
【００５９】
ハステロイＸ（商品名；へインズ社製合金）（Ｎｉ  ４７％，Ｆｅ  １８．５％，Ｃｒ  ２２％，Ｗ  ０．６％，Ｃｏ  １．５％，Ｍｏ  ９％，Ｃ  ０．０８％，Ｓｉ  ０．４％，Ｍｎ  ０．７％）で作製された反応容器を用いて、実施例２（超音波洗浄法）と同様の実験を行った。
【００６０】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  ３ｐｐｍ、Ｆｅ  １ｐｐｍ以下  装置材質表面：腐食なし。
＜実施例９＞
【００６１】
インコネル６００（商品名；インコ社製合金）（Ｎｉ  ７５．７％，Ｆｅ  ８％，Ｃｒ  １５．５％，Ｃ  ０．０８％，Ｓｉ  ０．２％，Ｍｎ  ０．５％）で作製された反応容器を用いて、実施例１（湿式粉砕洗浄法）と同様の実験を行った。
【００６２】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  １０ｐｐｍ、Ｆｅ  ４ｐｐｍ  装置材質表面：僅かに腐食有り。
＜実施例１０＞
【００６３】
インコネル６００（商品名；インコ社製合金）（Ｎｉ  ７５．７％，Ｆｅ  ８％，Ｃｒ  １５．５％，Ｃ  ０．０８％，Ｓｉ  ０．２％，Ｍｎ  ０．５％）で作製された反応容器を用いて、実施例２（超音波洗浄法）と同様の実験を行った。
【００６４】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  ３ｐｐｍ、Ｆｅ  １ｐｐｍ以下  装置材質表面：僅かに腐食有り。
＜実施例１１＞
【００６５】
インコネル７５０Ｘ（商品名；インコ社製合金）（Ｎｉ  ７２．５％，Ｆｅ  ７％，Ｃｒ  １５．５％，Ｃ  ０．０４％，Ｓｉ  ０．２％，Ｍｎ  ０．５％，Ｎｂ  １％，Ａｌ  ０．７％，Ｔｉ  ２．５％）で作製された反応容器を用いて、実施例１（湿式粉砕洗浄法）と同様の実験を行った。
【００６６】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  ９ｐｐｍ、Ｆｅ  ４ｐｐｍ  装置材質表面：僅かに腐食有り。
＜実施例１２＞
【００６７】
インコネル７５０Ｘ（商品名；インコ社製合金）（Ｎｉ  ７２．５％，Ｆｅ  ７％，Ｃｒ  １５．５％，Ｃ  ０．０４％，Ｓｉ  ０．２％，Ｍｎ  ０．５％，Ｎｂ  １％，Ａｌ  ０．７％，Ｔｉ  ２．５％）で作製された反応容器を用いて、実施例２（超音波洗浄法）と同様の実験を行った。
【００６８】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  ４ｐｐｍ、Ｆｅ  １ｐｐｍ以下  装置材質表面：僅かに腐食有り。
＜比較例１＞
【００６９】
ＳＵＳ３０４（Ｎｉ  ９．５％，Ｆｅ  ６６．４％，Ｃｒ  １９％，Ｃ  ０．０８％，Ｓｉ  １％，Ｍｎ  ２％）で作製された反応容器を用いて、実施例１（湿式粉砕洗浄法）と同様の実験を行った。
【００７０】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  ９ｐｐｍ、Ｆｅ  ７ｐｐｍ  装置材質表面：腐食あり。
＜比較例２＞
【００７１】
ＳＵＳ３０４（Ｎｉ  ９．５％，Ｆｅ  ６６．４％，Ｃｒ  １９％，Ｃ  ０．０８％，Ｓｉ  １％，Ｍｎ  ２％）で作製された反応容器を用いて、実施例２（超音波洗浄法）と同様の実験を行った。
【００７２】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  ５ｐｐｍ、Ｆｅ  ４ｐｐｍ  装置材質表面：腐食あり。
＜比較例３＞
【００７３】
ＳＵＳ３０６（Ｎｉ  １２％，Ｆｅ  ６１．８％，Ｃｒ  １７％，Ｃ  ０．０８％，Ｓｉ  １％，Ｍｎ  ２％，Ｍｏ  ２．５％）で作製された反応容器を用いて、実施例１（湿式粉砕洗浄法）と同様の実験を行った。
【００７４】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  ９ｐｐｍ、Ｆｅ  ８ｐｐｍ  装置材質表面：腐食あり。
＜比較例４＞
【００７５】
ＳＵＳ３０６（Ｎｉ  １２％，Ｆｅ  ６１．８％，Ｃｒ  １７％，Ｃ  ０．０８％，Ｓｉ  １％，Ｍｎ  ２％，Ｍｏ  ２．５％）で作製された反応容器を用いて、実施例２（超音波洗浄法）と同様の実験を行った。
【００７６】
精製したＰＥＥＫ中に存在する不純物元素を原子吸収分光分析法（ＩＣＰ）及び元素分析で調査した。また、重縮合後の反応容器の表面を顕微鏡により観察することで装置材質の腐食を確認した。主な不純物元素：Ｎａ  ５ｐｐｍ、Ｆｅ  ４ｐｐｍ  装置材質表面：腐食あり。
【表１】
2010006987.tif 000008
実施例１〜１２、比較例１〜４で用いた材質の構成元素成分を表１に示す。実施例１〜１２、比較例１〜４の結果を要約したものを表２に示す。
【００７７】
【表２】
2010006987.tif 000009
【００７８】
上記表２の結果から明らかなように、本発明の方法により、反応器材質の腐蝕が少なく、不純物元素の少ない芳香族ポリエーテルを製造することが可能である。