(57)【要約】【課題】簡易な製造方法でカラーフィルタを形成し、画素分離電極へのバイアス印加により低照度感度の向上を可能とする。【解決手段】半導体基板または半導体層の表面側に、光照射により信号電荷を発生する受光部を有する複数の単位画素部が二次元状に配設された固体撮像素子において、隣接単位画素部６を同色で形成することによりカラーフィルタのアライメント精度の緩和を行い、隣接単位画素部６内に画素分離電極７を形成して低照度時にバイアス印加による信号電荷の共有を行い、実効的なフォトダイオード面積を向上させることができる。【選択図】図２
2010153511.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板または半導体層の表面側に、光照射により信号電荷を発生する受光部を有する複数の単位画素部が二次元状に配設された固体撮像素子において、
互いに隣接する４つの単位画素部間に、該受光部とは逆導電型半導体領域およびその上の画素分離電極を配設し、該画素分離電極に所定の電圧を印加することにより該４つの単位画素部間において信号電荷が共有化可能とされている固体撮像素子。
【請求項２】
半導体基板または半導体層の表面側に、光照射により信号電荷を発生する受光部が設けられ、該受光部に隣接して、該受光部からの信号電荷を電荷転送する電荷転送手段が設けられた複数の単位画素部が二次元状に配設された固体撮像素子において、
該受光部は平面視正方形または矩形に形成され、該電荷転送手段に接しない受光部の２辺に隣接しかつ互いに隣接する４つの単位画素部間に、該受光部とは逆導電型半導体領域およびその上の画素分離電極を配設し、該画素分離電極に所定の電圧を印加することにより該４つの単位画素部間において信号電荷が共有化可能とされている固体撮像素子。
【請求項３】
前記４つの単位画素部は、隣接した２×２単位である請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記逆導電型半導体領域およびその上の画素分離電極は、前記４つの単位画素部間に形成された平面視十字状である請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記４つの単位画素部からなる隣接単位画素部毎にそれぞれ対応するように、画素領域上の層間絶縁膜を介して、所定の色配列で赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタが形成されている請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記所定の色配列は、前記単位画素部のベイヤー配列の色を４画素単位で入れ替えて、一方斜め方向に二つのＧ画素が配置される場合に、一つのＲ画素と一つのＢ画素とが他方斜め方向に配置され、該Ｒ画素と該Ｂ画素の配列順序は交互に逆になり、該二つのＧ画素の斜め方向も交互に逆の斜め方向になっている請求項５に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記受光部の信号電荷が電荷転送されるフローティングディフュージョン部が共有化される４つの単位画素部を１単位として構成されている請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記４つの単位画素部のベイヤー配列の色を入れ替えて、該４つの単位画素部に上下および左右に隣接しかつ互いに隣接する４つの単位画素部を同色フィルタの単位画素部として構成する請求項７に記載の固体撮像素子。
【請求項９】
前記４つの単位画素部からなる同色フィルタに対応する隣接単位画素部に蓄積された信号電荷は、低照度時に前記画素分離電極に所定の電圧を印加することにより１画素として一体化されて前記電荷転送手段から電荷転送が為され、高照度時に前記画素分離電極に所定の電圧を印加しないことにより該４つの単位画素部がそれぞれ独立して、該単位画素部に対応した電荷転送手段から電荷転送が為される請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
前記低照度時には、前記４つの単位画素部からなる同色フィルタに対応した隣接単位画素部毎に１箇所の電荷転送手段から電荷転送が為される請求項９に記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
前記隣接する４つの単位画素部からなる隣接単位画素部上方には同色フィルタが形成されている請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項１２】
前記画素分離電極はゲート酸化膜およびその上のポリシリコン電極からなっている請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項１３】
前記電荷転送手段は、前記受光部の１つの角部に設けられている請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項１４】
前記受光部からフローティングディフュージョン部に電荷転送された信号電荷は、電圧信号に変換された後に増幅されて撮像信号として出力されるＣＭＯＳ型固体撮像素子である請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項１５】
請求項１または２に記載の固体撮像素子を製造する方法であって、
前記電荷転送手段に接しない受光部の２辺に隣接しかつ互いに隣接する４つの単位画素部間に、該受光部とは逆導電型半導体領域を形成する逆導電型半導体領域形成工程と、
該逆導電型半導体領域上にゲート酸化膜を介してポリシリコン電極を前記画素分離電極として形成する画素分離電極工程とを有する固体撮像素子の製造方法。
【請求項１６】
前記４つの単位画素部からなる隣接単位画素部毎にそれぞれ対応するように、画素領域上の層間絶縁膜を介して、所定の色配列で赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタのうちのいずれかから順次形成するカラーフィルタ形成工程を更に有する請求項１５に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜１４のいずれかに記載の固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射光を光電変換して撮像する半導体素子で構成された固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、テレビジョン電話装置、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、被写体からの画像光を画像信号として電気信号に変換する固体撮像素子としては、ＣＣＤ型イメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどが知られている。このうち、ＣＭＯＳイメージセンサは、光照射により信号電荷を発生する複数の受光部（複数のフォトダイオード）と、この受光部で発生した信号電荷を撮像信号として読み出す増幅用のトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）とが共通基板上に設けられており、消費電力が少なく、しかも、システムＬＳＩなどの標準ＣＭＯＳプロセス技術を利用することにより低コスト化が可能であり、汎用性があるという利点を有している。
【０００３】
このようなＣＭＯＳイメージセンサにおいては、近年の画素の縮小化に伴って、低照度時の感度を確保することが重要であり、特許文献１には、高感度画素と低感度画素を搭載した従来の固体撮像素子が開示されている。
【０００４】
図８は、特許文献１に開示されている従来の固体撮像素子における低照度感度改善のための画素配置を示す一部撮像領域の平面図である。
【０００５】
図８に示すように、特許文献１に記載されている従来の固体撮像素子は、大文字ＲＧＢで示す面積の大きい画素と、小文字ｒｇｂで示す面積の小さい画素、即ち、高感度光電変換素子と低感度光電変換素子がそれぞれ市松状に配列されており、同色で隣接する高感度光電変換素子と低感度光電変換素子による撮像信号を合成して得る場合、合成信号は２画素の重心に位置する単独画素（図８では「・」で示している）と見なすことができ、仮想的に市松状配列の画像信号となる。大きい面積の画素と小さい面積の画素とを同色の対にしたものをベイヤー配列している。したがって、縦方向と横方向の解像度を実質的に低下させることなくダイナミックレンジを拡大させることができる。
【０００６】
また、ＣＭＯＳイメージセンサにおいては、画像を合成する際に、ＲＧＢ（それぞれＲｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅ）の３原色カラーフィルタを使用することが一般的に知られており、このことが特許文献２などで紹介されている。
【０００７】
図９（ａ）〜図９（ｃ）は、特許文献２に開示されている従来の固体撮像素子のカラーフィルター形成工程を段階的に示す要部平面図である。
【０００８】
まず、図９（ａ）に示すように、４画素共有の画素領域２００上に、ＲＧＢの３原色のうちのベイヤー配列でＧ（緑色）が配設されるように、Ｇフィルタ２０１を形成する。次に、図９（ｂ）に示すように、ＲＧＢの３原色のうちのベイヤー配列でＲ（赤色）が配設されるように、Ｒフィルタ２０２を形成する。その後、図９（ｃ）に示すように、ＲＧＢの３原色のうちのベイヤー配列でＢ（青色）が配設されるように、Ｂフィルタ２０３を形成する。このようにして、二次元状にベイヤー配列された２×２単位（４画素共有）の画素アレイが形成される。
【特許文献１】特開２００４−３３６４６９号公報
【特許文献２】特開２０００−２９４７５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に開示された従来の固体撮像素子では、高感度光電変換素子と低感度光電変換素子を別工程で形成する必要が有り、製造容易性の面で不利になるという問題がある。
特許文献２に開示された従来の固体撮像素子では、画素の微細化に伴って、クロストークなどの問題で、各色フィルタのオーバーラップ部に対して高い精度が要求され、製造上の制約が発生するという問題がある。
【００１０】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、画素分離領域に画素分離電極を配設し、画素分離電極に所定の電圧を印加して、隣接する画素間で信号電荷を共有可能とすることにより、従来のように高感度光電変換素子と低感度光電変換素子を別工程で形成する必要がなく、より容易に製造でき、低照度時の感度を大幅に向上させることができる固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器を提供することを目的とする。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、画素分離領域に画素分離電極を配設し、画素分離電極に電圧を印加して、隣接する画素間で信号電荷を共有可能とすることにより、画素の微細化が進んでも、複数画素をひとまとめにして色フィルタの面積を大きくすることができて、各色フィルタのオーバーラップ部の精度を大幅に緩和することができる固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の固体撮像素子は、半導体基板または半導体層の表面側に、光照射により信号電荷を発生する受光部を有する複数の単位画素部が二次元状に配設された固体撮像素子において、互いに隣接する４つの単位画素部間に、該受光部とは逆導電型半導体領域およびその上の画素分離電極を配設し、該画素分離電極に所定の電圧を印加することにより該４つの単位画素部間において信号電荷が共有化可能とされているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１３】
また、本発明の固体撮像素子は、半導体基板または半導体層の表面側に、光照射により信号電荷を発生する受光部が設けられ、該受光部に隣接して、該受光部からの信号電荷を電荷転送する電荷転送手段が設けられた複数の単位画素部が二次元状に配設された固体撮像素子において、該受光部は平面視正方形または矩形に形成され、該電荷転送手段に接しない受光部の２辺に隣接しかつ互いに隣接する４つの単位画素部間に、該受光部とは逆導電型半導体領域およびその上の画素分離電極を配設し、該画素分離電極に所定の電圧を印加することにより該４つの単位画素部間において信号電荷が共有化可能とされているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１４】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における４つの単位画素部は、隣接した２×２単位である。
【００１５】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における逆導電型半導体領域およびその上の画素分離電極は、前記４つの単位画素部間に形成された平面視十字状である。
【００１６】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子において、前記４つの単位画素部からなる隣接単位画素部毎にそれぞれ対応するように、画素領域上の層間絶縁膜を介して、所定の色配列で赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタが形成されている。これをメインクレームにする場合に、本発明の固体撮像素子は、半導体基板または半導体層の表面側に、光照射により信号電荷を発生する受光部が設けられた複数の単位画素部が二次元状に配設された固体撮像素子において、該受光部の２辺に隣接しかつ互いに隣接する４つの単位画素部からなる隣接単位画素部毎にそれぞれ対応するように、画素領域上の層間絶縁膜を介して、所定の色配列で赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタが形成されているものであり、そのことにより上記目的が達成される。請求項１，２を従属項として、また、好ましくは、本発明の固体撮像素子において、互いに隣接する４つの単位画素部間に、該受光部とは逆導電型半導体領域およびその上の画素分離電極を配設し、該画素分離電極に所定の電圧を印加することにより該４つの単位画素部間において信号電荷が共有化可能とされている。また、好ましくは、本発明の固体撮像素子において、該受光部はそれぞれ平面視正方形または矩形に形成され、該電荷転送手段に接しない受光部の２辺に隣接しかつ互いに隣接する４つの単位画素部間に、該受光部とは逆導電型半導体領域およびその上の画素分離電極を配設し、該画素分離電極に所定の電圧を印加することにより該４つの単位画素部間において信号電荷が共有化可能とされている。
【００１７】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における所定の色配列は、前記単位画素部のベイヤー配列の色を４画素単位で入れ替えて、一方斜め方向に二つのＧ画素が配置される場合に、一つのＲ画素と一つのＢ画素とが他方斜め方向に配置され、該Ｒ画素と該Ｂ画素の配列順序は交互に逆になり、該二つのＧ画素の斜め方向も交互に逆の斜め方向になっている。
【００１８】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における受光部の信号電荷が前記電荷転送手段を介して電荷転送されるフローティングディフュージョン部が共有化される４つの単位画素部を１単位として構成されている。
【００１９】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における４つの単位画素部のベイヤー配列の色を入れ替えて、該４つの単位画素部に上下および左右に隣接しかつ互いに隣接する４つの単位画素部を同色フィルタの単位画素部として構成する。
【００２０】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子において、前記４つの単位画素部からなる同色フィルタに対応する隣接単位画素部に蓄積された信号電荷は、低照度時に前記画素分離電極に所定の電圧を印加することにより１画素として一体化されて前記電荷転送手段から電荷転送が為され、高照度時に前記画素分離電極に所定の電圧を印加しないことにより該４つの単位画素部がそれぞれ独立して、該単位画素部に対応した電荷転送手段から電荷転送が為される。
【００２１】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子において、低照度時には、前記４つの単位画素部からなる同色フィルタに対応した隣接単位画素部毎に１箇所の電荷転送手段から電荷転送が為される。
【００２２】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子において、前記隣接する４つの単位画素部からなる隣接単位画素部上方には同色フィルタが形成されている。
【００２３】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における画素分離電極はゲート酸化膜およびその上のポリシリコン電極からなっている。
【００２４】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における電荷転送手段は、前記受光部の１つの角部に設けられている。
【００２５】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子は、前記受光部からフローティングディフュージョン部に電荷転送された信号電荷は、電圧信号に変換された後に増幅されて撮像信号として出力されるＣＭＯＳ型固体撮像素子である。
【００２６】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、本発明の上記固体撮像素子を製造する方法であって、前記電荷転送手段に接しない受光部の２辺に隣接しかつ互いに隣接する４つの単位画素部間に、該受光部とは逆導電型半導体領域を形成する逆導電型半導体領域形成工程と、該逆導電型半導体領域上にゲート酸化膜を介してポリシリコン電極を前記画素分離電極として形成する画素分離電極工程とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００２７】
また、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における４つの単位画素部からなる隣接単位画素部毎にそれぞれ対応するように、画素領域上の層間絶縁膜を介して、所定の色配列で赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタのうちのいずれかから順次形成するカラーフィルタ形成工程を更に有する。
【００２８】
本発明の電子情報機器は、本発明の上記固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００２９】
上記構成により、以下、その作用を説明する。
【００３０】
本発明においては、互いに隣接する４つの単位画素部間に、受光部とは逆導電型半導体領域およびその上の画素分離電極を配設し、画素分離電極に所定の電圧を印加することにより４つの単位画素部間において信号電荷が共有化可能とされている。このとき、この４つの単位画素部からなる隣接単位画素部毎にそれぞれ対応するように、画素領域上の層間絶縁膜を介して、所定の色配列で赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタが形成されている。
【００３１】
これによって、画素分離領域に画素分離電極を配設し、画素分離電極に所定の電圧を印加して、隣接する画素間で信号電荷を共有可能とすることにより、従来のように高感度光電変換素子と低感度光電変換素子を別工程で形成する必要がなく、より容易に製造することが可能となる。このとき、低照度時の感度を大幅に向上させることが可能となる。より暗い所で容易に撮像することが可能となる。
【００３２】
また、画素分離領域に画素分離電極を配設し、画素分離電極に電圧を印加して、隣接する画素間で信号電荷を共有可能とすることにより、画素の微細化が進んでも、複数画素をひとまとめにして色フィルタの面積が大きくなって、各色フィルタのオーバーラップ部の精度も緩和される。
【００３３】
このように、隣接する４つの単位画素部を同色フィルタで形成することによりカラーフィルタのアライメント精度の緩和を行い、隣接する４つの単位画素部内に画素分離電極を形成して低照度時にバイアス印加による信号電荷の共有を行い、実効的なフォトダイオード面積を向上させることができて、暗い低照度時の感度を大幅に向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００３４】
以上により、本発明によれば、画素分離電極に電圧を印加して、隣接する画素間で信号電荷を共有可能としたため、光照度に応じた感度を画素分離領域のバイアス制御によって得ることができ、また、カラーフィルタの製造におけるアライメント精度の緩和を図ることができる。したがって、本発明の固体撮像素子は、フォトダイオード特性が優れているため、ビデオカメラ、デジタルカメラ、カメラ付き携帯電話器など、固体撮像素子を利用可能な電子情報機器に幅広く利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に、本発明の固体撮像素子の実施形態１として、ＣＭＯＳイメージセンサに適用した場合および、この固体撮像素子の実施形態１のＣＭＯＳイメージセンサを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の実施形態２について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３６】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１であるＣＭＯＳイメージセンサにおける単位画素部の一例を示す平面図である。
【００３７】
図１において、本実施形態１の固体撮像素子３０としてのＣＭＯＳイメージセンサにおける単位画素部１は、入射光を受光して光電変換する複数の受光部（フォトダイオード２）と、このフォトダイオード２に隣接して設けられた電荷転送手段としての電荷転送トランジスタ３と、この電荷転送トランジスタ３によって電荷転送された信号電荷を一時的に電荷蓄積して電圧信号に変換するフローティングディフュージョン部４とを有し、この電圧信号の電圧レベルに応じて増幅トランジスタにより撮像信号に増幅して信号線に出力するようにしている。
【００３８】
フローティングディフュージョン部４は、画像単位画素部５の各画素信号の転送先として共通化されているが、電荷転送トランジスタ３の動作タイミングにより各画素信号を独立して順次電荷転送することができる。フローティングディフュージョン部４は、４画素で共有化されている。
【００３９】
画像単位画素部５は、４画素共有であり、ＲＧＢでベイヤー配列から色を交互に入れ替えており、斜め方向（右上から左下）に二つのＧ画素が配置される場合に、一つのＲ画素と一つのＢ画素とが逆斜め方向（左上から右下）に配置される。Ｒ画素とＢ画素の配列順序は交互に逆になり、二つのＧ画素が配置も交互に逆の斜め方向になる。
【００４０】
図２は、図１の４画素共有の画像単位画素部５をマトリクス状に配置した平面図である。
【００４１】
図２に示すように、４画素共有の画像単位画素部５の配置（ここでは３×３）において、ベイヤー配列の各単位画素部１の色を入れ替えて、各画像単位画素部５に上下および左右に隣接する各単位画素部１を同色として、例えば一転鎖線で囲った４つの単位画素部１からなる隣接単位画素部６を形成する。この一転鎖線で囲った隣接単位画素部６は全て同色のＧ色（またはＲ色またはＢ色）であるが、４画素境界の平面視十字状（ここでは、端部の場合はＴ字状になっている）の画素分離領域（受光部とは逆導電型領域）上に画素分離電極７を形成する。このとき、マクロ的な視点で見れば、ＲＧＢの３原色のうちの１色が４つづつ隣接した面積の広いベイヤー配列（またはベイヤー配列から変形した色配列）の２×２単位の実線で囲ったマクロ単位画素部８と見なすことができる。この場合、平面視十字状の画素分離電極７に隣接する単位画素部１は面積の広い同色のカラーフィルタを持っている。
【００４２】
ベイヤー配列の各単位画素部１の色を入れ替えて、４つの同色を互いに隣接して集める場合について説明する。
【００４３】
１行目（水平方向）の二つの４画素共有の画像単位画素部５において、ベイヤー配列の各単位画素部１の色は、斜め方向の二つのＧ色を交互に方向を替え、即ち、右上から左下への二つのＧ色から、左上から右下への二つのＧ色に配置を変えることにより、二つのＢ色を左右に互いに対向させることができる。
【００４４】
１列目（垂直方向）の二つの４画素共有の画像単位画素部５において、ベイヤー配列の各単位画素部１の色は、斜め方向の二つのＧ色を交互に方向を替え、即ち、右上から左下への二つのＧ色から、左上から右下への二つのＧ色に配置を変えると共に、左上から右下へのＲ色とＢ色の斜め方向の並びから、右上から左下へのＢ色とＲ色の斜め方向の並びに変えることにより、二つのＢ色を互いに右側で上下に対向させることができる。
【００４５】
さらに、２列目（垂直方向）の二つの４画素共有の画像単位画素部５において、斜め方向の二つのＧ色を交互に方向を替え、即ち、左上から右下への二つのＧ色から、右上から左下への二つのＧ色に配置を変えると共に、右上から左下へのＲ色とＢ色の斜め方向の並びから、左上から右下へのＢ色とＲ色の斜め方向の並びに変えることにより、二つのＢ色を互いに左側で上下に対向させることができる。
【００４６】
このようにして、４つのＢ色を互いに隣接して集めることができる。これと同様にして、４つのＲ色を互いに隣接して集めることができ、４つのＧ色を互いに隣接して集めることができる。要するに、ベイヤー配列の各単位画素部１の色を入れ替えて、４つの同色を互いに隣接して集めることができる。
【００４７】
半導体基板（または半導体層）の表面側に、光照射により発生した信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域（受光部としてのフォトダイオード２）を有し、このフォトダイオード２の信号電荷をフローティングディフュージョン部４に電荷転送する電荷転送トランジスタ３を備えた単位画素部１が二次元状に複数配設された固体撮像素子３０としてのＣＭＯＳイメージセンサであって、複数のフォトダイオード２はそれぞれ平面視正方形または矩形に形成され、電荷転送トランジスタ３に接しないフォトダイオード２の２辺に隣接する単位画素部１間に画素分離電極７を配設し、この画素分離電極７に所定の電圧を印加することにより、電荷転送トランジスタ３に接しないフォトダイオード２の２辺に隣接する単位画素部１間において信号電荷を共有することができる。低照度時にＲＧＢ各色により撮像画像を形成するために２×２単位（４画素）に拡張させて、同色の４つの単位画素部１が、面積の大きい１画素のように一体化することにより、蓄積信号電荷量を４倍にすることができる。
【００４８】
図３は、図２のＡ−Ａ′線縦断面図である。
【００４９】
図３に示すように、隣接画素において、異色画素（フォトダイオード２１とフォトダイオード２２）間には素子分離領域１１が存在し、同色画素（フォトダイオード２１とフォトダイオード２１）間には画素分離領域１２が存在する。
【００５０】
このとき、素子分離領域１１は一般的にＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法によって形成されており、画素分離領域１２はフォトダイオード２１と導電型の異なるイオン注入によって形成されている。また、画素分離領域１２のシリコン基板の表面１３側にはゲート酸化膜１４およびその上のポリシリコン膜１５からなるゲート電極（画素分離電極７）が形成されている。例えばゲート酸化膜１４の膜厚は６０〜７０オングストローム、ポリシリコン膜１５の膜厚は１５００〜２０００オングストロームとすることができる。
【００５１】
上記構成により、隣接画素間で信号電荷を共有する動作について、図４および図５を用いて詳細に説明する。
【００５２】
図４は、図２のＡ−Ａ′線における断面ポテンシャル図である。
【００５３】
光が照射されると、フォトダイオード２１、２２に信号電荷が蓄積され、一般的なＣＭＯＳイメージセンサの電荷転送およびその増幅動作によって画素信号（撮像信号）として変換される。高照度時には、図４（ａ）に示すように、ゲート電極（画素分離電極７）はＯＦＦ状態にあるので、フォトダイオード２１とその隣のフォトダイオード２１の間には画素分離領域１２が存在し、フォトダイオード２１とその隣のフォトダイオード２２に蓄積された信号電荷（図中で電子ｅ−）はそれぞれ、独立して順次電荷転送されるが、低照度時には、図４（ｂ）に示すように、ゲート電極（画素分離電極７）はＯＮ状態にあるので、ゲート電極（画素分離電極７）直下のシリコン基板の表面１３側から空乏層が伸長してフォトダイオード２１とその隣のフォトダイオード２１間の破線で示したポテンシャル障壁が失くなり、フォトダイオード２１とその隣のフォトダイオード２１の信号電荷（図中で電子ｅ−）が共有化される。このとき、ゲート電極（画素分離電極７）に印加するゲート電圧は、フォトダイオード２のポテンシャル深さに応じた電圧とするが、概ね、例えば２．５〜３．０Ｖに相当する。
【００５４】
図５（ａ）は、高照度時動作におけるフォトダイオード間での電荷転送方向を示す画素配置図、図５（ｂ）は、低照度時動作におけるフォトダイオード間での電荷転送方向を示す画素配置図である。
【００５５】
高照度時には、図５（ａ）に示すように、ゲート電極（画素分離電極７）はＯＦＦ状態にあるので、フォトダイオード２１とその隣のフォトダイオード２１に蓄積された４つの単位画素部１の各信号電荷はそれぞれ、一転鎖線で囲った全て同色の隣接単位画素部６の各単位画素部１のそれぞれに隣接している電荷転送トランジスタ３の方向に電荷転送される。
【００５６】
低照度時には、図５（ｂ）に示すように、ゲート電極（画素分離電極７）はＯＮ状態にあるので、隣接同色４画素（４つの単位画素部１）の各信号電荷が一緒になって、一転鎖線で囲った全て同色の隣接単位画素部６の右上１箇所の電荷転送トランジスタ３の方向に同時に電荷転送される。
【００５７】
このとき、４画素分の信号電荷を１箇所の電荷転送トランジスタ３により電荷転送を行うため、出力画像は電荷転送トランジスタ３に合せたピッチ、即ち２画素毎に間引いて出力されることになる。この間引き動作については、中央部の撮像領域の周辺の周辺回路（ドライバ回路など）のシーケンス動作にて行うため、本発明の説明においてはその説明を省略する。
【００５８】
前述したように、低照度時には、隣接同色４画素分の信号電荷の、右上１箇所の電荷転送トランジスタ３からの読み出しは、４画素共有の画像単位画素部５が、４つの単位画素部１から時系列に順次信号を４回に分けて読み出す場合に比べて、１回で済み、より広い面積で受光して、より速いスピードで信号を読み出すことができることから、ノイズが載りにくくなり、より暗いときに蓄積されている信号電荷の精度が向上し、低照度時のシャッタースピードも早くできて手ブレが入りにくくなり、低照度時のより鮮明な画像を撮像することができる。
【００５９】
また、低照度時に、隣接する４画素を一体化するため、一つ飛ばしなど離れた位置にある信号電荷を画素加算する場合に比べても、より鮮明な画像を得ることができる。
【００６０】
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、本発明に係る固体撮像素子のカラーフィルタ形成工程の製造過程を示す平面図である。
【００６１】
まず、図６（ａ）に示すように、二次元状に複数の単位画素部１が配設された画素領域３４上にＧｒｅｅｎフィルタ３１を形成する。フォトダイオード２１が４つ隣接した領域の一回り大きい実線領域の上方にこれに対応するように、層間絶縁膜を介して、ベイヤー配列の緑色位置にＧｒｅｅｎフィルタ３１が形成される。このＧｒｅｅｎフィルタ３１は右斜め上方向に配置される。このとき、Ｇｒｅｅｎフィルタ３１は、隣接画素部が同色であることから面積が４倍と大きく、オーバーラップの制約が大幅に緩和される。
【００６２】
次に、図６（ｂ）に示すように、二次元状に複数の単位画素部１が配設された画素領域３４上にＲｅｄフィルタ３２を形成する。フォトダイオード２２が４つ隣接した領域の一回り大きい実線領域の上方にこれに対応するように、層間絶縁膜を介して、ベイヤー配列の赤色位置にＲｅｄフィルタ３２が形成される。このとき、Ｒｅｄフィルタ３２は、隣接画素部が同色であることから面積が４倍と大きく、オーバーラップの制約が大幅に緩和される。
【００６３】
その後、図６（ｃ）に示すように、二次元状に複数の単位画素部１が配設された画素領域３４上にＢｌｕｅフィルタ３３を形成する。フォトダイオード２３が４つ隣接した領域の一回り大きい実線領域の上方にこれに対応するように、層間絶縁膜を介して、ベイヤー配列の青色位置にＢｌｕｅフィルタ３３が形成される。このようにして、これらのＲｅｄフィルタ３２、Ｂｌｕｅフィルタ３３に関してもＧｒｅｅｎフィルタ３１と同様に、同色画素領域に広く形成することができる。このとき、Ｂｌｕｅフィルタ３３は、隣接画素部が同色であることから面積が４倍と大きく、オーバーラップの制約が大幅に緩和される。
【００６４】
さらに、本実施形態１の固体撮像素子３０の製造方法におけるカラーフィルタ形成工程についてさらに詳細に説明する。
【００６５】
まず、層間絶縁膜である平坦化膜上にネガ型レジストに緑色素を含有させたネガ型染料系の緑カラーレジスト膜を塗布し、所定パターンに露光、現像して、ベイヤー配列の緑画素に対応する位置に単層のＧｒｅｅｎフィルタ３１を形成する。
【００６６】
次に、ネガ型レジストに赤色素を含有させたネガ型染料系の赤カラーレジスト膜を塗布し、所定パターンに露光、現像して、ベイヤー配列の赤画素に対応する位置にＲｅｄフィルタ３２を形成する。
【００６７】
その後、ネガ型レジストに青色素を含有させたネガ型染料系の青カラーレジスト膜を塗布し、所定パターンに露光、現像して、ベイヤー配列の青画素に対応する位置に単層のＢｌｕｅフィルタ３３を形成する。このようにして、Ｇｒｅｅｎフィルタ３１、Ｒｅｄフィルタ３２およびＢｌｕｅフィルタ３３からなる目的の色フィルタを形成することができる。
【００６８】
ここで、本実施形態１の固体撮像素子３０の製造方法について簡単に説明すると、固体撮像素子３０の製造方法は、その一例として、電荷転送トランジスタ３に接しないフォトダイオード２の２辺に隣接しかつ互いに隣接する４つの単位画素部１間に、フォトダイオード２とは逆導電型半導体領域を形成する逆導電型半導体領域形成工程と、この逆導電型半導体領域上にゲート酸化膜１４を介してポリシリコン電極１５を画素分離電極７として形成する画素分離電極工程と、隣接する４つの単位画素部１からなる隣接単位画素部毎にそれぞれ対応するように、画素領域３４上の層間絶縁膜を介して、所定の色配列で赤色フィルタ３２、緑色フィルタ３１および青色フィルタ３３のうちのいずれかから順次形成するカラーフィルタ形成工程を有している。
【００６９】
以上により、本実施形態１によれば、電荷転送トランジスタ３に接しないフォトダイオード２の２辺に隣接する４画素間にゲート酸化膜１４およびポリシリコン電極１５からなる画素分離電極７を配設し、入射光量に応じて画素分離電極７に所定のバイアス電圧を印加して隣接画素間の信号電荷を同色４画素分づつ共有させることができる。この場合、共有された４画素は実効的にフォトダイオード２が拡張されたものと見なされ、且つ隣接画素を同色で形成することにより、各色に対応する信号電荷が共有により増大されたものと見なすことができる。このように、画素分離電極７へのバイアス電圧の印加の有無により、高照度と低照度を切り替えることができて、ダイナミックレンジを広げて使うことができる。
【００７０】
また、従来は異色で形成していたカラーフィルタ工程において、画素サイズの縮小化に伴ってフィルタ間のアライメント精度を向上させる必要があったが、隣接４画素を同色で形成することにより、画素の微細化が進んでも、複数画素をひとまとめにして色フィルタの面積を大きくすることができて、カラーフィルタのオーバーラップ領域の精度が低減されてアライメント精度が大幅に緩和される。
【００７１】
このようにして、光照度に応じた感度を画素分離領域のバイアス制御によって切り替えることができ、またカラーフィルタの製造におけるアライメント精度の緩和を図ることができる。したがって、本実施形態１の固体撮像素子３０は、フォトダイオード特性が優れているため、ビデオカメラ、デジタルカメラ、カメラ付き携帯電話器など、固体撮像素子を利用可能な電子情報機器に幅広く利用することができる。
【００７２】
（実施形態２）
図７は、本発明の実施形態２として、本発明の実施形態１の固体撮像素子３０を含む固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
【００７３】
図７において、本実施形態２の電子情報機器９０は、上記実施形態１の固体撮像素子３０からの撮像信号を各信号処理してカラー画像信号を得る固体撮像装置９１と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部９２と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示手段９３と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信手段９４と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を印刷用に所定の印刷信号処理をした後に印刷処理可能とするプリンタなどの画像出力手段９５とを有している。なお、この電子情報機器９０として、これに限らず、固体撮像装置９１の他に、メモリ部９２と、表示手段９３と、通信手段９４と、プリンタなどの画像出力手段９５とのうちの少なくともいずれかを有していてもよい。
【００７４】
この電子情報機器９０としては、前述したように例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用後方監視カメラなどの車載用カメラおよびテレビジョン電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置（ＰＤＡ）などの画像入力デバイスを有した電子機器が考えられる。
【００７５】
したがって、本実施形態２によれば、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号に基づいて、これを表示画面上に良好に表示したり、これを紙面にて画像出力手段９５により良好にプリントアウト（印刷）したり、これを通信データとして有線または無線にて良好に通信したり、これをメモリ部９２に所定のデータ圧縮処理を行って良好に記憶したり、各種データ処理を良好に行うことができる。
【００７６】
なお、上記実施形態１では、特に説明しなかったが、互いに隣接する４つの単位画素部間に、受光部とは逆導電型半導体領域およびその上の画素分離電極を配設し、画素分離電極に所定の電圧を印加することにより４つの単位画素部間において信号電荷が共有化可能とされている。このとき、この４つの単位画素部からなる隣接単位画素部毎にそれぞれ対応するように、画素領域上の層間絶縁膜を介して、所定の色配列で赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタが形成されている。これによって、画素分離領域に画素分離電極を配設し、画素分離電極に所定の電圧を印加して、隣接する画素間で信号電荷を共有可能とすることにより、従来のように高感度光電変換素子と低感度光電変換素子を別工程で形成する必要がなく、より容易に製造でき、低照度時の感度を大幅に向上させることができる本発明の目的を達成することができる。また、画素分離領域に画素分離電極を配設し、画素分離電極に電圧を印加して、隣接する画素間で信号電荷を共有可能とすることにより、画素の微細化が進んでも、複数画素をひとまとめにして色フィルタの面積を大きくすることができて、各色フィルタのオーバーラップ部の精度を大幅に緩和することができる本発明の目的を達成することができる。
【００７７】
以上のように、本発明の好ましい実施形態１，２を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態１，２に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態１，２の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明は、入射光を光電変換して撮像する半導体素子で構成された固体撮像素子およびその製造方法、この製造方法により作製された固体撮像素子を、画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、テレビジョン電話装置、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の分野において、画素分離電極に電圧を印加して、隣接する画素間で信号電荷を共有可能としたため、光照度に応じた感度を画素分離領域のバイアス制御によって得ることができ、また、カラーフィルタの製造におけるアライメント精度の緩和を図ることができる。したがって、本発明の固体撮像素子は、フォトダイオード特性が優れているため、ビデオカメラ、デジタルカメラ、カメラ付き携帯電話器など、固体撮像素子を利用可能な電子情報機器に幅広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の実施形態１であるＣＭＯＳイメージセンサにおける単位画素部の一例を示す平面図である。
【図２】図１の４画素共有の画像単位画素部をマトリクス状に配置した平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ′線縦断面図である。
【図４】図２のＡ−Ａ′線における断面ポテンシャル図である。
【図５】（ａ）は、高照度時動作におけるフォトダイオード間での電荷転送方向を示す画素配置図、（ｂ）は、低照度時動作におけるフォトダイオード間での電荷転送方向を示す画素配置図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る固体撮像素子のカラーフィルタ形成工程の製造過程を示す平面図である。
【図７】本発明の実施形態２として、本発明の実施形態１の固体撮像素子を含む固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
【図８】特許文献１に開示されている従来の固体撮像素子における低照度感度改善のための画素配置を示す一部撮像領域の平面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、特許文献２に開示されている従来の固体撮像素子のカラーフィルター形成工程を段階的に示す要部平面図である。
【符号の説明】
【００８０】
１    単位画素部
２，２１，２２    フォトダイオード
３    転送トランジスタ
４    フローティングディフュージョン部（ＦＤ）
５    画像単位画素部
６    隣接単位画素部
７    画素分離電極
８    マクロ単位画素部
１１  素子分離領域
１２  画素分離領域
１３  シリコン基板の表面
１４  ゲート酸化膜
１５  ポリシリコン膜
３０  固体撮像素子（ＣＭＯＳイメージセンサ）
３１  Ｇｒｅｅｎフィルタ
３２  Ｒｅｄフィルタ
３３  Ｂｌｕｅフィルタ
３４  画素領域
９０  電子情報機器
９１  固体撮像装置
９２  メモリ部
９３  表示手段
９４  通信手段
９５  画像出力手段
【図１】
2010153511.tif 000003
【図２】
2010153511.tif 000004
【図３】
2010153511.tif 000005
【図４】
2010153511.tif 000006
【図５】
2010153511.tif 000007
【図６】
2010153511.tif 000008
【図７】
2010153511.tif 000009
【図９】
2010153511.tif 000010
【図８】
2010153511.tif 000011