(57)【要約】【課題】本発明は、テレビ受像機や電子機器の表示部に用いられる液晶表示装置に関し、特に液晶材料に混入した重合性材料を重合させて液晶材料にプレチルト角を付与する液晶表示装置に関し、斜め方向の階調輝度特性が改善されると共に、輝度低下が抑制された液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】液晶表示装置は、対向配置されたＴＦＴ基板２及び対向基板４と、両基板２、４間に封止された、液晶材料とポリマーとを含む液晶組成物３０とを有している。液晶表示装置の画素領域は、接続電極１１を介してＴＦＴ１０のソース電極１０ｂに電気的に接続された第１の画素電極２１が形成された第１の副画素２０と、接続電極１１との間に保護膜２７を挟んで制御容量を形成し、第１の画素電極２１から分離された第２の画素電極２３、２５が形成された第２の副画素２２、２４とを有している。【選択図】図２
2010217931.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に対向配置された対向基板と、
前記基板と前記対向基板間に封止された、光又は熱により重合性材料が重合したポリマ
ーと、液晶材料とを含む液晶組成物と、
前記対向基板に形成された、前記液晶材料の配向方位を規制する配向規制用構造物と、
前記基板に形成されたゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに
電気的に接続されたドレイン電極と、前記ゲート電極上で前記ドレイン電極と所定の間隙
を設けて対向配置されたソース電極とを備えた画素用トランジスタと、
接続電極を介して前記ソース電極に電気的に接続された第１の画素電極が形成された第
１の副画素と、前記接続電極との間に絶縁膜を挟んで所定の電気容量を形成し、前記第１
の画素電極から分離された第２の画素電極が形成された第２の副画素とを備えた画素領域
と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記配向規制用構造物は、前記基板を法線方向に見て、前記ドレインバスラインにほぼ
平行で前記第１及び第２の副画素を跨って形成された幹部と、前記幹部にほぼ直交し、前
記第１の副画素の形成領域に形成された第１の枝部と、前記幹部にほぼ直交し、前記第２
の副画素の形成領域に形成された第２の枝部とを有し、前記対向基板から突出して形成さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２記載の液晶表示装置において、
前記第１の副画素は、前記基板を法線方向に見て、前記幹部、前記第１の枝部及び前記
第１の画素電極の外周部により４分割された分割領域を有することを特徴とする液晶表示
装置。
【請求項４】
請求項３記載の液晶表示装置において、
前記液晶材料は、前記基板を法線方向に見て、前記第１の副画素の前記分割領域毎に傾
斜する方向が異なっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第２の副画素は、前記基板を法線方向に見て、前記幹部、前記第２の枝部及び前記
第２の画素電極の外周部により４分割された分割領域を有することを特徴とする液晶表示
装置。
【請求項６】
請求項５記載の液晶表示装置において、
前記液晶材料は、前記基板を法線方向に見て、前記第２の副画素の前記分割領域毎に傾
斜する方向が異なっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記画素領域は、前記第２の画素電極を２つ有し、
２つの前記第２の画素電極は、前記ドレインバスラインの延伸方向に、前記第１の画素
電極を挟んで並んで配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第１又は第２の画素電極の少なくともいずれかは、前記外周部の少なくとも一部に
、前記液晶材料の倒れる方向とほぼ平行な方向に形成されたスリット部を有することを特
徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項８記載の液晶表示装置において、
前記スリット部は、前記ゲートバスライン近傍の前記外周部に形成されていることを特
徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の液晶表示装置において、
前記スリット部は、前記第１及び第２の画素電極が隣接する外周部には形成されていな
いことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビ受像機や電子機器の表示部に用いられる液晶表示装置に関し、特に液
晶材料に混入した重合性材料を重合させて液晶材料にプレチルト角を付与する液晶表示装
置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示パネルを有する液晶表示装置は表示画面の大型化が図られ、テレビ受像
機の表示部として使用されるようになっている。このため、液晶表示装置はより高い表示
品位が求められている。しかし、かつて主流であったＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔ
ｉｃ）方式の液晶表示装置は視角特性が狭く、テレビ受像機の表示部として必要な特性が
得られ難い。そこで現在では、広視野角な特性を得るため、液晶表示装置にはＴＮ方式以
外の技術が用いられるようになっている。その一つにＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ
Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式と呼ばれる技術がある。ＭＶＡ方式の液
晶表示装置では、対向して貼り合わせた２枚の基板間に封止した液晶層中の液晶分子を基
板に垂直に配向させ、基板に形成された突起あるいは透明電極(ＩＴＯ)に設けられたスリ
ットによって液晶分子の配向が規定されている。
【０００３】
一般に、液晶分子を基板に垂直に配向させる垂直配向方式では、表示画面の法線方向に
対し、斜め方向から測定した光学特性は、当該法線方向の光学特性とは異なることが知ら
れている。図１１は、垂直配向方式の液晶表示装置の入力階調に対する輝度特性（階調輝
度特性）を示すグラフである。横軸は入力階調（ｇｒａｙ  ｓｃａｌｅ）を表し、縦軸は
白表示時の輝度（Ｔｗｈｉｔｅ）で規格化した輝度（Ｔ／Ｔｗｈｉｔｅ）を表わしている
。図中実線で示す曲線は、表示画面に対し垂直な方向（以下、「正面方向」という）での
階調輝度特性を示し、図中▲印を結ぶ曲線は、表示画面に対して方位角９０°、極角６０
°の方向（以下、「斜め方向」という）での階調輝度特性を示している。ここで、方位角
は、表示画面の右方向を基準として反時計回りに計った角度とする。また極角は、表示画
面の中心に立てた垂線となす角とする。
【０００４】
図１１に示すように、特に偏光軸方向の斜め方向から見た階調輝度特性は正面の階調輝
度特性と大きくずれてしまう。例えば、０乃至２１０階調程度の範囲においては斜め方向
の輝度が正面方向の輝度より高くなっているが、２１０乃至２５５階調程度以上の範囲に
おいては斜め方向の輝度が正面方向の輝度より低くなっている。この結果、斜め方向から
見た場合には、入力階調間での輝度差が小さくなってしまい、正面方向から見たときと比
較して画像の色が白っぽく変化してしまう。
【０００５】
この問題を解決するために、画素用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極に電気
的に接続された画素電極と、当該画素電極から分割され、ソース電極と絶縁された画素電
極とを備えた画素構造を有する液晶表示装置が知られている。当該液晶表示装置では、ソ
ース電極と絶縁された画素電極、ソース電極及び両電極間に挟まれた絶縁膜により静電容
量が形成されている。ソース電極と絶縁された画素電極は当該静電容量によって駆動され
る。
【０００６】
図１２は、分割された２つの画素電極を備えた画素構造を有する液晶表示装置の１画素
の構成を示している。図１２に示すように、ゲートバスライン１０６と、不図示の絶縁膜
を介してゲートバスライン１０６に交差して形成された複数のドレインバスライン１０８
とがガラス基板１０３上に形成されている。ゲートバスライン１０６及びドレインバスラ
イン１０８の交差位置近傍には、画素毎に形成されたＴＦＴ１１０が配置されている。ゲ
ートバスライン１０６の一部はＴＦＴ１１０のゲート電極１１０ｃとして機能する。ゲー
トバスライン１０６上には、絶縁膜を介してＴＦＴ１１０の動作半導体層、及びチャネル
保護膜（共に不図示）が形成されている。ゲート電極１１０ｃ上であってＴＦＴ１１０の
チャネル保護膜上には、ドレイン電極１１０ａ及びその下層のｎ型不純物半導体層（不図
示）と、ソース電極１１０ｂ及びその下層のｎ型不純物半導体層（不図示）とが所定の間
隙を介して対向して形成されている。
【０００７】
また、ゲートバスライン１０６及びドレインバスライン１０８により画定された画素領
域を横切って、ゲートバスライン１０６に並列して延びる蓄積容量バスライン１１４が形
成されている。蓄積容量バスライン１１４上には、絶縁膜を介して蓄積容量電極（中間電
極）１１６が画素毎に形成されている。蓄積容量電極１１６は、接続電極１１１を介して
ＴＦＴ１１０のソース電極１１０ｂに電気的に接続されている。蓄積容量バスライン１１
４、蓄積容量電極１１６及びそれらの間に挟まれた絶縁膜により蓄積容量Ｃｓが形成され
る。
【０００８】
ゲートバスライン１０６及びドレインバスライン１０８により画定された画素領域は、
副画素１２０と副画素１２２とに分割されている。例えば、台形状の副画素１２０は画素
領域の中央部左寄りに配置され、副画素１２２は画素領域のうち副画素１２０の領域を除
いた上部、下部及び中央部右側端部に配置されている。画素領域内の副画素１２０、１２
２の配置は、例えば、蓄積容量バスライン１１４に対しほぼ線対称になっている。副画素
１２０には画素電極１２１が形成され、副画素１２２には画素電極１２１から分離された
画素電極１２３が形成されている。画素電極１２１、１２３は、共にＩＴＯ等の透明導電
膜により形成されている。画素電極１２１は、保護膜（不図示）が開口されたコンタクト
ホール１１８を介して、蓄積容量電極１１６及びＴＦＴ１１０のソース電極１１０ｂに電
気的に接続されている。画素電極１２３は、保護膜及び絶縁膜を介して接続電極１１１に
重なる領域を有している。当該領域において、接続電極１１１、画素電極１２３及び両電
極１１１、１２３間に挟まれた保護膜により静電容量Ｃｃが形成される。
【０００９】
ガラス基板１０３に対向配置された対向ガラス基板（不図示）上には不図示の共通電極
が形成されている。対向ガラス基板から突出し、図中斜めに延伸する接続電極１１１に対
向する位置に、液晶の配向方位を規制する配向規制用構造物としての線状突起１１２ａが
形成されている。また、蓄積容量バスライン１１４に対しほぼ線対称となる位置に、対向
ガラス基板から突出して形成された線状突起１１２ｂが形成されている。さらに、画素領
域の中央部左寄りで画素電極１２１上に配置されたＶ字状の線状突起１１２ｃが形成され
ている。線状突起１１２ｃは蓄積容量バスライン１１４に対しほぼ線対称になっている。
【００１０】
副画素１２０では、画素電極１２１、共通電極及び両電極間に挟まれた液晶によって液
晶容量Ｃｌｃ１が形成される。副画素１２２では、画素電極１２３、共通電極及び両電極
間に挟まれた液晶によって液晶容量Ｃｌｃ２が形成される。ガラス基板１０３と対向ガラ
ス基板との間で、液晶容量Ｃｌｃ２は静電容量Ｃｃと直列に接続されている。
【００１１】
ＴＦＴ１１０がＯＮ状態になると、ソース電極１１０ｂ及び接続電極１１１はデータバ
スライン１０８に印加された階調電圧ＶＤと同電位になり、同時に電気的に接続された画
素電極１２１も階調電圧ＶＤと同電位になる。液晶容量Ｃｌｃ１には、画素電極１２１と
共通電極との間に印加された電位差に基づく電圧が印加される。例えば、共通電極に印加
された電圧を０Ｖとすると、液晶容量Ｃｌｃ１に印加される電圧は、階調電圧ＶＤ（＝Ｖ
Ｄ−０Ｖ）になる。一方、電気的に絶縁された画素電極１２３には、液晶容量Ｃｌｃ２と
静電容量Ｃｃとの比に基づいて、階調電圧ＶＤが分割された電圧が印加される。画素電極
１２３に印加される電圧Ｖ１は以下のように表すことができる。
Ｖ１＝ＶＤ×｛Ｃｃ／（Ｃｌｃ２＋Ｃｃ）｝  ・・・（１）
【００１２】
このように、ソース電極１１０ｂに電気的に接続された画素電極１２１と、絶縁された
画素電極１２３との間には閾値差が生じる。この結果、斜め方向の階調輝度特性は大幅に
改善される。図１１に示すように、正面方向の階調輝度特性を示す曲線は下に凸になって
いる。一方、従来のＭＶＡの斜め方向の階調輝度特性を示す曲線は、大きく上に凸になる
範囲（０乃至２１０階調の範囲）と、下に凸になる範囲（２１０乃至２５５階調の範囲）
とが混在している。このため、表示される階調データによって、階調つぶれや階調広がり
が生じて画像の色が変化してしまう。図１２に示す画素構造の液晶表示装置によれば、斜
め方向の階調輝度特性を示す曲線に凹凸がほぼなくなり、階調特性を大幅に改善すること
ができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００３−１４９６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
図１２の画素構造を有する液晶表示装置は斜め方向の階調輝度特性を改善することがで
きる。しかし、式（１）に示すように、副画素１２２の液晶容量Ｃｌｃ２に印加される電
圧Ｖ１は、階調電圧ＶＤより低下する。このため、当該画素構造を有しない液晶表示装置
に比べて、当該液晶表示装置は斜め方向の輝度の絶対値が低下してしまう。また、当該液
晶表示装置は画素領域を２つの領域に分割しているため、線状突起（土手状構造物）や画
素電極のスリット（画素電極１２１、１２３の間隙）の配置が複雑であり、実質的に開口
率が低下して、輝度が低下してしまうという問題を有している。
【００１５】
本発明の目的は、斜め方向の階調輝度特性が改善されると共に、輝度低下が抑制された
液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的は、基板と、前記基板に対向配置された対向基板と、前記基板と前記対向基板
間に封止された、光又は熱により重合性材料が重合したポリマーと、液晶材料とを含む液
晶組成物と、前記対向基板に形成された、前記液晶材料の配向方位を規制する配向規制用
構造物と、前記基板に形成されたゲートバスラインと、前記ゲートバスラインに絶縁膜を
介して交差して形成されたドレインバスラインと、前記ゲートバスラインに電気的に接続
されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極と、前
記ゲート電極上で前記ドレイン電極と所定の間隙を設けて対向配置されたソース電極とを
備えた画素用トランジスタと、接続電極を介して前記ソース電極に電気的に接続された第
１の画素電極が形成された第１の副画素と、前記接続電極との間に絶縁膜を挟んで所定の
電気容量を形成し、前記第１の画素電極から分離された第２の画素電極が形成された第２
の副画素とを備えた画素領域とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達成され
る。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、斜め方向の階調輝度特性が改善されると共に、輝度低下が抑制された
液晶表示装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の第２の副画素２２を拡大して示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の線状突起１２の高さｈについて説明するための図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の階調輝度特性を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の変形例の１画素の構成を示す図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の変形例の画素領域の切断面を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の他の変形例の１画素の構成を示す図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図１１】従来の液晶表示装置の階調輝度特性を示す図である。
【図１２】従来の液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置について図１乃至図５を用いて説明する
。まず、本実施の形態による液晶表示装置の概略の構成について図１を用いて説明する。
図１に示すように、例えば、ＭＶＡ方式の液晶表示装置は、画素電極やＴＦＴ等が画素領
域毎に形成されたＴＦＴ基板２と、ＣＦ層等が形成された対向基板４とを対向させて貼り
合わせ、負の誘電率異方性を有する液晶材料をその間に封止した構造の液晶表示パネルを
有している。両基板２、４の対向面には、液晶材料中の液晶分子を例えば基板面に垂直な
方向に配向させる垂直配向膜が形成されている。
【００２０】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたゲー
トバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが実装
されたドレインバスライン駆動回路８２とが設けられている。両駆動回路８０、８２は、
制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲー
トバスラインあるいはドレインバスラインに出力するようになっている。
【００２１】
ＴＦＴ基板２の素子形成面と反対側の表面には、偏光板８７が貼り付けられている。偏
光板８７のＴＦＴ基板２と反対側には、例えば線状の一次光源と面状導光板とからなるバ
ックライトユニット８８が配置されている。一方、対向基板４の樹脂ＣＦ層形成面と反対
側の表面には、偏光板８６が貼り付けられている。
【００２２】
図２は、本実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示している。図２（ａ）は
、ガラス基板３を法線方向に見た、マトリクス状に複数形成された画素のうちの１画素の
構成を示している。図２（ｂ）は、図２（ａ）に一点鎖線で示すＡ−Ａ線で切断した断面
を示している。図２（ｂ）に示すように、液晶表示装置は、対向配置されたＴＦＴ基板２
及び対向基板４と、両基板２、４間に封止された液晶組成物３０とを有している。液晶組
成物３０は、電圧無印加時に基板面にほぼ垂直に配向し、負の誘電率異方性を有する液晶
材料と、光又は熱により重合性材料（モノマーやオリゴマー）が重合したポリマーとを含
んでいる。例えば、液晶組成物３０には、重合性材料としてジアクリレートモノマーが０
．３ｗｔ％混合されている。また、図示は省略するが、ＴＦＴ基板２及び対向基板４のそ
れぞれの対向面には、垂直配向性の配向膜が形成されている。
【００２３】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板２は、ガラス基板３上に形成され
たゲートバスライン６と、絶縁膜２６を介してゲートバスライン６に交差して形成された
複数のドレインバスライン８とを有している。ゲートバスライン６及びドレインバスライ
ン８の交差位置近傍には、画素毎に形成されたＴＦＴ（画素用トランジスタ）１０が配置
されている。
【００２４】
ＴＦＴ１０は、ゲートバスライン６に電気的に接続されたゲート電極１０ｃと、ドレイ
ンバスライン８に電気的に接続されたドレイン電極１０ａと、ゲート電極１０ｃ上でドレ
イン電極１０ａと所定の間隙を設けて対向配置されたソース電極１０ｂとを有している。
ゲートバスライン６の一部はＴＦＴ１０のゲート電極１０ｃとして機能する。ゲートバス
ライン６上には、絶縁膜２６を介してＴＦＴ１０の動作半導体層、及びチャネル保護膜（
共に不図示）が形成されている。ゲート電極１０ｃ上であってＴＦＴ１０のチャネル保護
膜上には、ドレイン電極１０ａ及びその下層のｎ型不純物半導体層（不図示）と、ソース
電極１０ｂ及びその下層のｎ型不純物半導体層（不図示）とが所定の間隙を介して対向し
て形成されている。
【００２５】
また、ゲートバスライン６及びドレインバスライン８により画定された画素領域を横切
って、ゲートバスライン６に並列して延びる蓄積容量バスライン１４が形成されている。
また、画素領域のほぼ中央をドレインバスライン８に並列して延びて、蓄積容量バスライ
ン１４に交差し、ソース電極１０ｂに電気的に接続された接続電極１１が形成されている
。ドレイン電極１０ａ、ソース電極１０ｂ及び接続電極はドレインバスライン８と同層に
形成されている。蓄積容量バスライン１４上には、絶縁膜２６を介して蓄積容量電極（中
間電極）１６が画素毎に形成されている。蓄積容量電極１６は、接続電極１１を介してＴ
ＦＴ１０のソース電極１０ｂに電気的に接続されている。蓄積容量バスライン１４、蓄積
容量電極１６及びそれらの間に挟まれた絶縁膜２６により蓄積容量Ｃｓが形成されている
。
【００２６】
ゲートバスライン６及びドレインバスライン８により画定された画素領域は、ドレイン
バスライン８の延伸方向に並んで配置された、第１の副画素２０と、２つの第２の副画素
２２、２４とを有している。第１の副画素２０は、ほぼ正方形状に形成された第１の画素
電極２１を有している。第１の画素電極２１は、ＩＴＯ等の透明導電膜により形成されて
いる。第１の画素電極２１は、画素領域上に形成された保護膜２７が開口されたコンタク
トホール１８を介して、接続電極１１、蓄積容量電極１６及びＴＦＴ１０のソース電極１
０ｂに電気的に接続されている。
【００２７】
第２の副画素２２は、ほぼ正方形状に形成された第２の画素電極２３を有している。第
２の副画素２４は、ほぼ正方形状に形成された第２の画素電極２５を有している。第２の
画素電極２３、２５は、ＩＴＯ等の透明導電膜により形成されている。第２の画素電極２
３、２５は、第１の画素電極２１から分離されて形成され、フローティング状態になって
いる。第２の画素電極２３、接続電極１１及び両電極１１、２３間に挟まれた保護膜（絶
縁膜）２７によって制御容量（所定の電気容量）Ｃｃ１が形成されている。同様に、第２
の画素電極２５、接続電極１１及び両電極１１、２５間に挟まれた保護膜（絶縁膜）２７
によって制御容量（所定の電気容量）Ｃｃ１’が形成されている。第２の画素電極２３、
２５はドレインバスライン８の延伸方向に、第１の画素電極２１を挟んで並んで配置され
ている。
【００２８】
対向基板４はガラス基板５上に、透明導電膜により形成された共通電極２８を有してい
る。対向基板４は、ガラス基板５から突出して形成された、液晶材料中の液晶分子３２の
配向方位を規制する配向規制用構造物としての線状突起（土手状構造物）１２を有してい
る。線状突起１２は高さｈが約０．７μｍに形成されている。図２（ａ）に示すように、
線状突起１２は幹部１２ａ、第１の枝部１２ｂ及び第２の枝部１２ｃ、１２ｄを有してい
る。幹部１２ａは画素領域のほぼ中央をドレインバスライン８にほぼ平行に並列して延伸
し、第１及び第２の副画素２０、２２、２４に跨って形成されている。第１の枝部１２ｂ
は幹部１２ａにほぼ直交し、第１の副画素２０の形成領域に形成されている。第２の枝部
１２ｃ、１２ｄは幹部１２ａにほぼ直交し、第２の副画素２２、２４の形成領域にそれぞ
れ形成されている。幹部１２ａは、接続電極１１が形成されている位置に対向して配置さ
れている。幹部１２ａはガラス基板３を法線方向に見て、接続電極１１と重なるように形
成されている。
【００２９】
第１及び第２の枝部１２ｂ及び１２ｃ、１２ｄはゲートバスライン９にほぼ並列して延
伸し、隣接するドレインバスライン８に跨って形成されている。第１の副画素２０の形成
領域に形成された第１の枝部１２ｂは、ガラス基板３を法線方向に見て、蓄積容量バスラ
イン１４に重なるように形成されている。画素領域内で幹部１２ａ及び第１の枝部１２ｂ
をこのように配置することにより、開口率の低下を防止することができる。
【００３０】
第１の副画素２０は、ガラス基板３を法線方向に見て、幹部１２ａ、第１の枝部１２ｂ
及び第１の画素電極２１の外周部により４分割された分割領域２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、
２０ｄを有している。同様に、第２の副画素２２は、ガラス基板３を法線方向に見て、幹
部１２ａ、第２の枝部１２ｃ及び第２の画素電極２３の外周部により４分割された分割領
域２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄを有している。同様に、第２の副画素２４は、ガラス
基板３を法線方向に見て、幹部１２ａ、第２の枝部１２ｄ及び第２の画素電極２５の外周
部により４分割された分割領域２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄを有している。
【００３１】
第１及び第２の画素電極２１及び２３、２５と共通電極２８との間に電圧を印加すると
、第１及び第２の画素電極２１及び２３、２５の外周部と線状突起１２とにより、液晶組
成物３０に印加される電界に歪みが生じる。この電界歪みにより第１及び第２の画素電極
２１及び２３、２５の外周部並びに線状突起１２近傍の液晶分子３２の配向が規制されて
、分割領域２０ａ〜２０ｄ毎、分割領域２２ａ〜２２ｄ毎及び分割領域２４ａ〜２４ｄ毎
に液晶分子３２の傾斜する方向が異なる。例えば、図２（ｂ）に示す切断面内において、
液晶分子３２はＴＦＴ基板２に対して垂直な方向から、分割領域２２ａでは時計回りに傾
斜し、分割領域２２ｂでは反時計回りに傾斜する。このように、本実施形態による液晶表
示装置はＭＶＡ方式を採用することにより、視野角特性の向上を図ることができる。
【００３２】
第１の副画素２０では、第１の画素電極２１、共通電極２８及び両電極２１、２８間に
挟まれた液晶組成物３０によって液晶容量Ｃｌｃ１が形成される。第２の副画素２２では
、第２の画素電極２３、共通電極２８及び両電極２３、２８間に挟まれた液晶組成物３０
によって液晶容量Ｃｌｃ２が形成される。ガラス基板３とガラス基板５との間で、液晶容
量Ｃｌｃ２は制御容量Ｃｃ１と直列に接続される。同様に、第２の副画素２４では、第２
の画素電極２５、共通電極２８及び両電極２５、２８間に挟まれた液晶組成物３０によっ
て液晶容量Ｃｌｃ２’が形成される。ガラス基板３とガラス基板５との間で、液晶容量Ｃ
ｌｃ２’は制御容量Ｃｃ１’と直列に接続される。
【００３３】
ＴＦＴ１０がＯＮ状態になると、ソース電極１０ｂ及び接続電極１１はデータバスライ
ン８に印加された階調電圧ＶＤと同電位になり、同時に電気的に接続された第１の画素電
極２１も階調電圧ＶＤと同電位になる。液晶容量Ｃｌｃ１には、第１の画素電極２１と共
通電極２８との間に印加された電位差に基づく電圧が印加される。例えば、共通電極２８
に印加された電圧を０Ｖとすると、液晶容量Ｃｌｃ１に印加される電圧は、階調電圧ＶＤ
（＝ＶＤ−０Ｖ）になる。一方、接続電極１１に容量結合された第２の画素電極２３には
、液晶容量Ｃｌｃ２と制御容量Ｃｃ１との容量比に基づいて、階調電圧ＶＤを容量分割し
た電圧が印加される。第２の画素電極２３に印加される電圧Ｖは以下のように表すことが
できる。
Ｖ＝ＶＤ×｛Ｃｃ１／（Ｃｌｃ２＋Ｃｃ１）｝  ・・・（２）
【００３４】
同様に、第２の画素電極２５には、液晶容量Ｃｌｃ２’と制御容量Ｃｃ１’との容量比
に基づいて、階調電圧ＶＤを容量分割した電圧が印加される。第２の画素電極２５に印加
される電圧Ｖ’は以下のように表すことができる。
Ｖ’＝ＶＤ×｛Ｃｃ１’／（Ｃｌｃ２’＋Ｃｃ１’）｝  ・・・（３）
【００３５】
このように、１つの画素領域内を異なる電圧で駆動することができるので、液晶表示装
置の斜め方向の階調輝度特性の改善を図ることができる。第２の画素電極２３、２５にそ
れぞれ印加される電圧Ｖ、Ｖ’は同じ電圧値でもよいが、異なる電圧値にすると、１つの
画素領域内に異なる階調輝度特性が３種類共存することになるので、さらに液晶表示装置
の視角特性を改善することができる。
【００３６】
次に、液晶表示装置の製造方法について図１乃至図３を用いて説明する。図３は、ガラ
ス基板３を法線方向に見た、第２の副画素２２を拡大して示している。図３（ａ）は、モ
ノマーを重合する前の状態を示している。図３（ｂ）は、モノマーを重合した後の状態を
示している。図２（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板２及び対向基板４の対向面に配向膜（
垂直配向膜）を印刷、焼成し、両基板２、４の一方の外周部にシール材を塗布して貼り合
わせ、液晶組成物３０を注入し、その後切断、面取りすることにより液晶表示パネルが作
製される。
【００３７】
液晶組成物３０注入後、両基板２、４間に電圧を印加すると、図３（ａ）に示すように
、液晶分子３２は線状突起１２又は第２の画素電極２３外周部に対して垂直な方向に倒れ
始める。第２の画素電極２３外周部は幹部１２ａ及び第２の枝部１２ｃとほぼ９０°の角
度でそれぞれ交差している。第２の副画素２２中央部で各々の方向に倒れた液晶分子３２
同士が衝突し、最終的には図３（ｂ）に示すように、線状突起１２又は第２の画素電極２
３外周部に対してほぼ４５°方向で安定する。
【００３８】
この状態で紫外線を照射すると液晶組成物３０中に混合されたジアクリレートモノマー
が重合し、液晶分子３２の配向方向が固定される。モノマーがポリマー化された後（紫外
線照射後）に、両基板２、４間に電圧を印加すると、液晶分子３２は直ちに線状突起１２
又は第２の画素電極２３外周部に対してほぼ４５°方向に倒れるようになる。
【００３９】
次に、線状突起１２又は第２の画素電極２３外周部に対して偏光板８６、８７（図１参
照）の偏光軸が平行または垂直になるようクロスニコルに両基板２、４の外側表面に貼付
する。次いで、図１に示すように、ゲートバスライン駆動回路８０及びドレインバスライ
ン駆動回路８２並びに制御回路８４を液晶表示パネルに実装する。次に、偏光板８７のＴ
ＦＴ基板２と反対側にバックライトユニット８８を配置する。これにより、ノーマリーブ
ラックの液晶表示装置が完成する。
【００４０】
図３（ｂ）に示すように、第２の副画素２２は４つの分割領域２２ａ、２２ｂ、２２ｃ
、２２ｄを有している。分割領域２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄにおいて、液晶分子３
２はそれぞれ異なる方向に傾斜している。幹部１２ａと第２の枝部１２ｃとの交差部を回
転軸として、分割領域２２ｂの液晶分子３２は、第２の枝部１２ｃに対して反時計回りに
約４５°回転した方向にほぼ平行に傾斜しており、分割領域２２ａの液晶分子３２は、同
方向に約１３５°回転した方向にほぼ平行に傾斜しており、分割領域２２ｃの液晶分子３
２は、同方向に約２２５°回転した方向にほぼ平行に傾斜しており、分割領域２２ｄの液
晶分子３２は、同方向に約３１５°回転した方向にほぼ平行に傾斜している。図示は省略
するが、第１の副画素２０の分割領域２０ａ〜２０ｄ及び第２の副画素２４の分割領域２
４ａ〜２４ｄの液晶分子３２も第２の副画素２２の分割領域２２ａ〜２２ｂと同様の方向
にそれぞれ傾斜している。これにより、液晶表示装置は、広視野角特性を実現できる。
【００４１】
次に、線状突起１２の高さｈについて図４を用いて説明する。図４は、線状突起１２の
高さｈが最適でない状態の第２の副画素２２を示している。図４（ａ）は、ガラス基板３
を法線方向に見た、第２の副画素２２を拡大して示している。図４（ｂ）は、第２の副画
素２２の断面を示している。図４（ｃ）は、顕微鏡付写真機で撮影した第２の副画素２２
の表示状態を示している。図４（ａ）及び図４（ｂ）は、理解を容易にするため、接続電
極１１を省略して示している。
【００４２】
図４（ａ）に示すように、線状突起１２の幹部１２ａはドレインバスライン８近傍に並
列して形成されている。第２の枝部１２ｃは幹部１２ａにほぼ直交し、ゲートバスライン
６近傍の第２の画素電極２３外周部に対向する外周部上に形成されている。図４（ｂ）に
示すように、線状突起１２の高さｈを０．３５μｍと最適な高さｈ＝０．７μｍより低く
形成すると、線状突起１２の電界による液晶分子３２の配向規制力は第２の画素電極２３
外周部の電界による配向規制力より弱くなる。このため、両基板２、４間に電圧を印加し
た際に、図中に破線の楕円で示すように、液晶分子３２が想定した方向（図４（ｂ）にお
いて、右側に示された５つの液晶分子３２の傾斜している方向）とは逆方向に倒れてしま
い、液晶分子３２の配向が乱れてしまう。
【００４３】
一方、線状突起１２の高さｈを１．４μｍと最適な高さｈ＝０．７μｍより高く形成す
ると、線状突起１２の電界による液晶分子３２の配向規制力は第２の画素電極２３外周部
の電界による配向規制力より強くなる。このため、図４（ａ）に破線の楕円で示すように
、線状突起１２近傍の液晶分子３２が線状突起１２に対して４５°の方向に傾くことがで
きなくなる。これにより、図４（ｃ）に示すように、第２の副画素２２の外周部に光が透
過しない暗部３４が生じてしまう。また、線状突起１２が形成されていない側の第２の画
素電極２３外周部も透過率が低下して、暗部３４が生じてしまう。このように、線状突起
１２の高さｈは、高すぎても低すぎても液晶表示装置の表示特性を劣化させてしまう。本
願発明者らの研究により、線状突起１２の高さｈは０．７μｍ程度が最適であることが判
明し、本実施の形態による液晶表示装置の線状突起１２は０．７μｍの高さに形成されて
いる。
【００４４】
上述したように、液晶表示装置は１つの画素領域内を異なる電圧で駆動することができ
る。本実施の形態による液晶表示装置では、第１の副画素２０と第２の副画素２２、２４
との間に１Ｖの閾値差が生じるように各容量Ｃｌｃ１、Ｃｌｃ２、Ｃｃ１、Ｃｌｃ２’、
Ｃｃ１’の各容量値が設定されている。また、第１の副画素２０と第２の副画素２２、２
４との面積比は４：６に設定されている。閾値差及び面積比はこの値に限られず、これら
の値を変えることにより、液晶表示装置の階調輝度特性を所望の特性に設定することが可
能となる。
【００４５】
図５は、本実施の形態による液晶表示装置の入力階調に対する輝度特性（階調輝度特性
）を示すグラフである。横軸は入力階調（ｇｒａｙ  ｓｃａｌｅ）を表し、縦軸は白表示
時の輝度（Ｔｗｈｉｔｅ）で規格化した輝度（Ｔ／Ｔｗｈｉｔｅ）を表わしている。図中
実線で示す曲線は、本実施の形態による液晶表示装置の正面方向での階調輝度特性を示し
、本実施の形態による液晶表示装置の図中■印を結ぶ曲線は、斜め方向での階調輝度特性
を示し、図中▲印を結ぶ曲線は、従来の液晶表示装置の斜め方向での階調輝度特性を示し
ている。
【００４６】
図５に示すように、本実施の形態による液晶表示装置の斜め方向の階調輝度特性は従来
の階調輝度特性に対して大幅に改善されている。正面方向の階調輝度特性は入力階調が大
きくなるに従い輝度が単調に増加し、当該特性を示す曲線は下に凸になっている。これに
対し、従来の斜め方向の階調輝度特性は０乃至２１０階調程度の範囲においては斜め方向
の輝度が正面方向の輝度より高くなるが、２１０階調程度以上の範囲においては斜め方向
の輝度が正面方向の輝度より低くなる。当該特性を示す曲線には、大きく上に凸になる部
分と下に凸になる部分とが混在している。この結果、従来の液晶表示装置の表示画面を斜
め方向から見た場合、入力階調間での輝度差が小さくなってしまい、階調によっては、階
調つぶれや階調広がりが生じて、例えば画像の色が白っぽく変化してしまう。
【００４７】
ところが、本実施の形態による液晶表示装置の斜め方向の階調輝度特性は、全階調に亘
って正面方向の輝度より高い輝度を有している。当該特性を示す曲線には、従来の階調輝
度特性を示す曲線のように大きく上に凸になる部分と下に凸になる部分とが混在していな
い。このため、液晶表示装置の表示画面を斜め方向から見ても、階調つぶれや階調広がり
が発生せず、画像の色が白っぽく変化することを防止できる。
【００４８】
ところで、図２に示すように、本実施の形態による液晶表示装置では、蓄積容量Ｃｓは
、ソース電極１０ｂに接続電極１１を介して電気的に接続された第１の画素電極２１を有
する第１の副画素２０のみに設けられている。蓄積容量Ｃｓを形成する蓄積容量バスライ
ン１４はゲートバスライン６にほぼ平行に並列して画素領域のほぼ中央部を横切るように
配置されている。蓄積容量Ｃｓは蓄積容量バスライン１４と蓄積容量電極１６との重なり
部分に形成されている。蓄積容量電極１６と接続電極１１とは一体的に形成され、ガラス
基板３を法線方向に見て、十字状に形成されていてもよい。
【００４９】
接続電極１１と容量結合された第２の画素電極２３、２５を有する第２の副画素２２、
２４のそれぞれの形成領域に蓄積容量バスラインをゲートバスライン６と平行に設けると
、画素領域の光透過領域の一部が隠されてしまうので、液晶表示装置の透過率が低下して
しまう。このため、本実施の形態による液晶表示装置では、第２の副画素２２、２４の形
成領域には蓄積容量バスラインが設けられていない。液晶表示装置の透過率が若干低下し
てしまうものの、例えば、接続電極１１と一体的に形成された蓄積容量電極を第２の副画
素２２、２４の形成領域に設けて、当該蓄積容量電極と対向するように蓄積容量バスライ
ンを配置して、蓄積容量を形成することは可能である。
【００５０】
以上説明したように、本実施の形態による液晶表示装置は、同一の階調電圧ＶＤに対し
て異なる電圧で駆動できる、第１の副画素２０と第２の副画素２２、２４とを１つの画素
領域内に有している。これにより、液晶表示装置は斜め方向の階調輝度特性を改善するこ
とができる。また、画素領域は、正方形状の第１及び第２の副画素２０及び２２、２４が
線状突起１２によりそれぞれマトリクス状に４分割された単純な構造を有している。この
ため、第１及び第２の副画素２０及び２２、２４の配置が容易で、画素領域の面積に対す
る、第１及び第２の画素電極２１及び２３、２５の面積の比率を従来の液晶表示装置の画
素電極１２１、１２３の面積の比率より大きくすることができる。これにより、本実施の
形態による液晶表示装置は従来の液晶表示装置に比べて開口率を向上させることができ、
表示画面の高輝度化を図ることができる。
【００５１】
〔第２の実施の形態〕
本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置について図６乃至図９を用いて説明する
。本実施の形態による液晶表示装置の概略の構成は上記第１の実施の形態による液晶表示
装置と同様であるため説明は省略する。図６は、ガラス基板３を法線方向に見た、本実施
の形態による液晶表示装置の、マトリクス状に複数形成された画素のうちの１画素の構成
を示している。図６に示すように、本実施の形態による液晶表示装置は液晶材料の倒れる
方向とほぼ平行な方向に形成されたスリット部２１ｂを外周部に備えた第１の画素電極２
１と、スリット部２１ｂと同様の効果を奏するスリット部２３ｂ、２５ｂを外周部にそれ
ぞれ備えた第２の画素電極２３、２５とを備えた点に特徴を有している。
【００５２】
第１の画素電極２１は、中央に配置されたべた部２１ａと、べた部２１ａの外周部に配
置された櫛歯状に形成されたスリット部２１ｂとを有している。スリット部２１ｂは、べ
た部２１ａから延びる複数の線状電極部２１ｃと、隣接する線状電極部２１ｃ間に形成さ
れた切り込み部２１ｄとを備えている。線状電極部２１ｃは、分割領域２０ａ〜２０ｄ毎
に異なる４方向に延びている。図において、分割領域２０ａの線状電極部２１ｃは左上方
向に延び、分割領域２０ｂの線状電極部２１ｃは右上方向に延びている。分割領域２０ｃ
の線状電極部２１ｃは左下方向に延び、分割領域２０ｄの線状電極部２１ｃは右下方向に
延びている。液晶分子は、線状電極部２１ｃの延びる方向に平行に、且つべた部２１ａに
向かって傾斜する。これにより、液晶組成物は第１の副画素２０内で４方向に配向分割さ
れる。
【００５３】
同様に、第２の画素電極２３は、中央に配置されたべた部２３ａと、べた部２３ａの外
周部に配置された櫛歯状に形成されたスリット部２３ｂとを有している。スリット部２３
ｂは、べた部２３ａから延びる複数の線状電極部２３ｃと、隣接する線状電極部２３ｃ間
に形成された切り込み部２３ｄとを備えている。また同様に、第２の画素電極２５は、中
央に配置されたべた部２５ａと、べた部２５ａの外周部に配置された櫛歯状に形成された
スリット部２５ｂとを有している。スリット部２５ｂは、べた部２５ａから延びる複数の
線状電極部２５ｃと、隣接する線状電極部２５ｃ間に形成された切り込み部２５ｄとを備
えている。液晶分子は、線状電極部２３ｃ、２５ｃの延びる方向に平行に、且つべた部２
３ａ、２５ａに向かって傾斜する。これにより、液晶組成物は第２の副画素２２、２４内
で４方向にそれぞれ配向分割される。
【００５４】
上記第１の実施の形態による液晶表示装置では、分割領域２０ａ〜２０ｄ、２２ａ〜２
２ｄ、２４ａ〜２４ｄは、線状突起１２と第１及び第２の画素電極２１及び２３、２５外
周部によって区画されている。第１及び第２の画素電極２１及び２３、２５外周部近傍で
は電気力線が急激に曲がっているため、当該外周部の延びる方向に対して９０°の方向に
液晶分子を倒す力が強い。このため、液晶分子は当該外周部の延びる方向に対して４５°
の方向を向けず、第１及び第２の副画素２０及び２２、２４に円弧状に透過率が低下する
領域が生じる（図４（ｃ）参照）。第１及び第２の画素電極２１及び２３、２５外周部の
長さが長いほど当該円弧状の面積が大きくなるので、液晶表示装置の透過率の低下は大き
くなる。
【００５５】
上記第１の実施の形態による液晶表示装置では、当該円弧状の領域の発生を防止するた
め、液晶材料とポリマーとを含む液晶組成物３０が用いられている。本実施の形態による
液晶表示装置は、図６に示すように、スリット部２１ｂ、２３ｂ、２５ｂを有する第１及
び第２の画素電極２１及び２３、２５を形成することにより、液晶分子を外周部の延びる
方向に対して４５°方向に配向させる配向規制力が補助されている。スリット部２１ｂ、
２３ｂ、２５ｂのピッチＰは７μｍ、切り込み部２１ｄ、２３ｄ、２５ｄの幅ｄは３μｍ
、切り込み部２１ｄ、２３ｄ、２５ｄの長さＬは７μｍに形成されている。切り込み部２
１ｄ、２３ｄ、２５ｄの長さＬがあまりに長いと、プロセスの微妙な変動により、幅ｄが
変動して液晶表示パネルに微妙な輝度ムラが発生して表示品位の低下をもたらす。このた
め、スリット部２１ｂ、２３ｂ、２５ｂの面積は第１及び第２の画素電極２１及び２３、
２５の総面積の半分を超えない範囲に設定することが望ましい。切り込み部２１ｄ、２３
ｄ、２５ｄの幅ｄは２μｍ以上５μｍ以下になり、長さＬが３μｍ以上１０μｍ以下にな
るように形成されているとよい。
【００５６】
本実施の形態による液晶表示装置は、第１及び第２の画素電極２１及び２３、２５にス
リット部２１ｂ、２３ｂ、２５ｂを形成することにより、透過率の低い円弧状の領域がほ
とんど生じなくなる。これにより、本実施の形態による液晶表示装置は、上記第１の実施
形態による液晶表示装置に対し、透過率が１５％向上し、表示画面の高輝度化を図ること
ができる。
【００５７】
また、スリット部２１ｂ、２３ｂ、２５ｂにより液晶分子の配向規制力が大きくなって
いる。このため、液晶表示装置は、線状突起１２に代えて、例えば、幹部１２ａと第１及
び第２の枝部１２ｂ及び１２ｃ、１２ｄの交差部にそれぞれ点状突起を有していても、同
様の効果が得られる。
【００５８】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の変形例について図７及び図８を用いて説明す
る。図７は、ガラス基板３を法線方向に見た、本変形例による液晶表示装置の１画素の構
成を示している。本変形例による液晶表示装置は第１及び第２の画素電極２１及び２３、
２５の外周部の少なくとも一部にスリット部２１ｂ、２３ｂ、２５ｂが形成されている点
に特徴を有している。図７に示すように、本変形例による液晶表示装置では、ゲートバス
ライン６及びドレインバスライン８近傍の第１及び第２の画素電極２１及び２３、２５の
外周部のみにスリット部２１ｂ、２３ｂ、２５ｂが形成されている。第１の画素電極２１
と第２の画素電極２３、２５とが隣接する外周部には、スリット部２１ｂ、２３ｂ、２５
ｂは形成されていない。
【００５９】
図８は、画素領域を切断した断面を示している。図８（ａ）は、第１及び第２の画素電
極２１、２３間を相対的に広くした状態を示している。図８（ｂ）は、第１及び第２の画
素電極２１、２３間を相対的に狭くした状態を示している。図８は、理解を容易にするた
め、線状突起１２や液晶分子３２等を省略して示している。図８（ａ）及び図８（ｂ）に
示すように、第１及び第２の画素電極２１、２３間隙の幅が狭い程、当該間隙近傍の、図
において破線で示す電気力線の曲がりが弱くなる。このため、第１及び第２の画素電極２
１、２３の外周部の延びる方向に対して９０°方向に液晶分子を倒す力は小さくなる。従
って、第１及び第２の画素電極２１、２３の間隙を狭くする程、液晶分子は第１及び第２
の画素電極２１、２３の外周部の延びる方向に対して４５°方向に、最終的に向きやすく
なる。これにより、第１及び第２の副画素２０及び２２、２４に円弧状の暗部は殆ど生じ
なくなる。
【００６０】
本変形例による液晶表示装置では、第１の画素電極２１と第２の画素電極２３、２５と
の間隙は４μｍに形成されている。これにより、第１の画素電極２１と第２の画素電極２
３、２５とが隣接する外周部には、スリット部２１ｂ、２３ｂ、２５ｂが不要になり、プ
ロセス上の微妙な変動による輝度ムラ発生の危険性が低下する。従って、本変形例による
液晶表示装置は、本実施の形態の液晶表示装置と同様の効果が得られる。
【００６１】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の他の変形例について図９を用いて説明する。
図９は、ガラス基板３を法線方向に見た、本変形例による液晶表示装置の１画素の構成を
示している。液晶表示装置は第１又は第２の画素電極２１又は２３、２５の少なくともい
ずれかは、外周部の少なくとも一部にスリット部２１ｂ、２３ｂ、２５ｂが形成されてい
る点に特徴を有している。図９に示すように、本変形例による液晶表示装置では、ゲート
バスライン６近傍の第２の画素電極２３、２５の外周部のみにスリット部２３ｂ、２５ｂ
が形成されている。従って、第１の画素電極２１にはスリット部２１ｂは形成されていな
い。
【００６２】
本変形例による液晶表示装置では、第１及び第２の画素電極２１及び２３、２５の間隙
は上記変形例の当該間隙より狭く形成されている。さらに、本変形例による液晶表示装置
では、第１及び第２の画素電極２１及び２３、２５とドレインバスライン８との間隙が上
記変形例の当該間隙より狭く形成されている。これにより、第１及び第２の画素電極２１
及び２３、２５の外周部に導電性材料が近接して配置される。ジアクリレートモノマーの
重合時には、第１の画素電極２１とドレインバスライン８との電圧をほぼ同電位にする。
ゲートバスライン６に隣接する第２の画素電極２３、２５の外周部を除き、第１及び第２
の画素電極２１及び２３、２５の外周部から共通電極２８に向かう電気力線の曲がりは弱
くなる（図８参照）。これにより、液晶分子は第１及び第２の画素電極２１及び２３、２
５の外周部の延びる方向に対して４５°方向に向きやすくなり、第１及び第２の副画素２
０及び２２、２４の円弧状の暗部の発生を防止することができる。
【００６３】
〔第３の実施の形態〕
本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置について図１０を用いて説明する。本実
施の形態による液晶表示装置の概略の構成は上記第１の実施の形態による液晶表示装置と
同様であるため説明は省略する。図１０は、本実施の形態による液晶表示装置の１画素の
構成を示している。図１０（ａ）は、ガラス基板３を法線方向に見た、マトリクス状に複
数形成された画素のうちの１画素の構成を示している。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の
図中に示す仮想線Ａ−Ａで切断した断面を示している。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に
示すように、本実施の形態による液晶表示装置は、対向基板４に代えて、ガラス基板３か
ら突出して、第１及び第２の画素電極２１及び２３、２５の下層に透明誘電体をパターニ
ングして形成された線状突起（配向規制構造物）１２を備えた点に特徴を有している。
【００６４】
上記第１及び第２の実施の形態による液晶表示装置では、ＴＦＴ基板２と対向基板４と
の貼り合せずれを考慮して、対向基板４上に形成された線状突起１２はあらかじめ画素領
域の中央部に設ける必要がある。例えば、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、線状
突起１２を第２の画素電極２３の外周部の直上に配置する場合には、図４（ｂ）において
、線状突起１２の頂部は第２の画素電極２３の外周部の右側に配置されていなければなら
ない。線状突起１２の頂部が第２の画素電極２３の外周部の左側に配置されると、線状突
起１２の高さｈが低く形成された状態と等しくなり、液晶分子の配向が乱れてしまう。し
かし、線状突起１２を画素領域の中央部に設けると、液晶表示装置の開口率は実質的に低
下してしまう。
【００６５】
そこで、本実施の形態による液晶表示装置では、図１０に示すように、線状突起１２は
ＴＦＴ基板２側に形成されている。第１及び第２の画素電極２１及び２３、２５は少なく
とも線状突起１２の頂部を覆うように重ねて形成されている。図１０（ｂ）に示すように
、線状突起１２の幹部１２ａ上の第２の画素電極２３表面の斜面は配向膜３６等によって
均される。このため、図１０（ｂ）において、配向膜３６表面の法線と対向基板４の法線
との成す角θ１は、配向膜３６表面を突き抜ける電気力線αの方向と対向基板４の法線と
の成す角θ２より小さくなる。このため、両基板２、４間に電圧が印加されると、液晶分
子３２の配向方向は電気力線αの方向と異なり、液晶分子３２は線状突起１２の幹部１２
ａに向かって倒れる。図１０（ｂ）に示す切断面内において、液晶分子３２はＴＦＴ基板
２に対して垂直な方向から、分割領域２２ａでは時計回りに傾斜し、分割領域２２ｂでは
反時計回りに傾斜する。このように、分割領域２２ａ、２２ｂ毎に液晶分子３２の傾斜方
向を変えることができるので、本実施形態による液晶表示装置は、上記実施の形態による
液晶表示装置と同様の効果が得られる。
【００６６】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
基板と、
前記基板に対向配置された対向基板と、
前記基板と前記対向基板間に封止された、光又は熱により重合性材料が重合したポリマ
ーと、液晶材料とを含む液晶組成物と、
前記対向基板に形成された、前記液晶材料の配向方位を規制する配向規制用構造物と、
前記基板に形成されたゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに
電気的に接続されたドレイン電極と、前記ゲート電極上で前記ドレイン電極と所定の間隙
を設けて対向配置されたソース電極とを備えた画素用トランジスタと、
接続電極を介して前記ソース電極に電気的に接続された第１の画素電極が形成された第
１の副画素と、前記接続電極との間に絶縁膜を挟んで所定の電気容量を形成し、前記第１
の画素電極から分離された第２の画素電極が形成された第２の副画素とを備えた画素領域
と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置において、
前記配向規制用構造物は、前記基板を法線方向に見て、前記ドレインバスラインにほぼ
平行で前記第１及び第２の副画素を跨って形成された幹部と、前記幹部にほぼ直交し、前
記第１の副画素の形成領域に形成された第１の枝部と、前記幹部にほぼ直交し、前記第２
の副画素の形成領域に形成された第２の枝部とを有し、前記対向基板から突出して形成さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。
（付記３）
付記２記載の液晶表示装置において、
前記第１の副画素は、前記基板を法線方向に見て、前記幹部、前記第１の枝部及び前記
第１の画素電極の外周部により４分割された分割領域を有することを特徴とする液晶表示
装置。
（付記４）
付記３記載の液晶表示装置において、
前記液晶材料は、前記基板を法線方向に見て、前記第１の副画素の前記分割領域毎に傾
斜する方向が異なっていることを特徴とする液晶表示装置。
（付記５）
付記２乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第２の副画素は、前記基板を法線方向に見て、前記幹部、前記第２の枝部及び前記
第２の画素電極の外周部により４分割された分割領域を有することを特徴とする液晶表示
装置。
（付記６）
付記５記載の液晶表示装置において、
前記液晶材料は、前記基板を法線方向に見て、前記第２の副画素の前記分割領域毎に傾
斜する方向が異なっていることを特徴とする液晶表示装置。
（付記７）
付記１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記画素領域は、前記第２の画素電極を２つ有し、
２つの前記第２の画素電極は、前記ドレインバスラインの延伸方向に、前記第１の画素
電極を挟んで並んで配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
（付記８）
付記１乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第１及び第２の画素電極は、前記基板を法線方向に見て、ほぼ正方形状に形成され
ていることを特徴とする液晶表示装置。
（付記９）
付記１乃至８のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第１又は第２の画素電極の少なくともいずれかは、前記外周部の少なくとも一部に
、前記液晶材料の倒れる方向とほぼ平行な方向に形成されたスリット部を有することを特
徴とする液晶表示装置。
（付記１０）
付記９記載の液晶表示装置において、
前記スリット部は、切り込みの幅が２μｍ以上５μｍ以下になり、切り込みの長さが３
μｍ以上になるように形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
（付記１１）
付記９又は１０に記載の液晶表示装置において、
前記スリット部は、前記ゲートバスライン近傍の前記外周部に形成されていることを特
徴とする液晶表示装置。
（付記１２）
付記１１記載の液晶表示装置において、
前記スリット部は、前記ドレインバスライン近傍の前記外周部に形成されていることを
特徴とする液晶表示装置。
（付記１３）
付記９乃至１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記スリット部は、前記第１及び第２の画素電極が隣接する外周部には形成されていな
いことを特徴とする液晶表示装置。
（付記１４）
付記１乃至１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記配向規制用構造物は、前記対向基板に代えて、前記基板から突出して、前記第１及
び第２の画素電極の下層に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
（付記１５）
付記１４記載の液晶表示装置において、
前記基板は、前記第１及び第２の画素電極上に形成された、前記液晶材料の配向を制御
する配向制御膜を有し、
前記配向規制用構造物上に位置する前記配向制御膜の傾斜面近傍の前記液晶材料の配向
方向は、電圧印加時に生じる電気力線の方向と異なっており、
前記液晶材料は、前記配向規制用構造物に向かって傾斜していることを特徴とする液晶
表示装置。
（付記１６）
付記１乃至１５のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記液晶材料は、前記基板を法線方向に見て、電圧印加時に、前記第１及び第２の画素
電極上で前記配向規制用構造物に対してほぼ４５°の方向に傾斜していることを特徴とす
る液晶表示装置。
（付記１７）
付記１乃至１６のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記接続電極は、前記基板を法線方向に見て、前記幹部と重なるように前記ドレインバ
スラインにほぼ平行に延伸して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
（付記１８）
付記１乃至１７のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記基板は、前記ゲートバスラインにほぼ平行に形成された蓄積容量バスラインを有し
、
前記第１の枝部は、前記基板を法線方向に見て、前記蓄積容量バスラインに重なってい
ることを特徴とする液晶表示装置。
（付記１９）
付記１乃至１８のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記液晶材料は、負の誘電率異方性を有し、電圧無印加時に前記基板面にほぼ垂直に配
向していることを特徴とする液晶表示装置。
【符号の説明】
【００６７】
２  ＴＦＴ基板
３、５、１０３  ガラス基板
４  対向基板
６、１０６  ゲートバスライン
８、１０８  ドレインバスライン
１０、１１０  ＴＦＴ
１０ａ、１１０ａ  ドレイン電極
１０ｂ、１１０ｂ  ソース電極
１０ｃ、１１０ｃ  ゲート電極
１１、１１１  接続電極
１２、１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ  線状突起
１２ａ  幹部
１２ｂ  第１の枝部
１２ｃ、１２ｄ  第２の枝部
１４、１１４  蓄積容量バスライン
１６、１１６  蓄積容量電極（中間電極）
１８、１１８  コンタクトホール
２０  第１の副画素
２０ａ〜２０ｄ、２２ａ〜２２ｄ，２４ａ〜２４ｄ  分割領域
２１  第１の画素電極
２１ａ、２３ａ、２５ａ  ベタ部
２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ  スリット部
２１ｃ、２３ｃ、２５ｃ  線状電極部
２１ｄ、２３ｄ、２５ｄ  切り込み部
２２、２４  第２の副画素
２３、２５  第２の画素電極
２６  絶縁膜
２７  保護膜
２８  共通電極
３０  液晶組成物
３２  液晶分子
３４  暗部
３６  配向膜
８０  ゲートバスライン駆動回路
８２  ドレインバスライン駆動回路
８４  制御回路
８６、８７  偏光板
８８  バックライトユニット
１２０、１２２  副画素
１２１、１２３  画素電極
【図１】
2010217931.tif 000003
【図２】
2010217931.tif 000004
【図３】
2010217931.tif 000005
【図４】
2010217931.tif 000006
【図５】
2010217931.tif 000007
【図６】
2010217931.tif 000008
【図７】
2010217931.tif 000009
【図８】
2010217931.tif 000010
【図９】
2010217931.tif 000011
【図１０】
2010217931.tif 000012
【図１１】
2010217931.tif 000013
【図１２】
2010217931.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月8日(2010.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に対向配置された対向基板と、
前記基板と前記対向基板間に封止された、光又は熱により重合性材料が重合したポリマーと、液晶材料とを含む液晶組成物と、
前記基板に形成されたゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極と、前記ゲート電極上で前記ドレイン電極と所定の間隙を設けて対向配置されたソース電極とを備えた画素用トランジスタと、
接続電極を介して前記ソース電極に電気的に接続された第１の画素電極が形成された第１の副画素と、前記接続電極との間に絶縁膜を挟んで所定の電気容量を形成し、前記第１の画素電極から分離された第２の画素電極が形成された第２の副画素とを備えた画素領域と、
前記第１又は第２の画素電極の少なくともいずれかの外周部の少なくとも一部に備えられ、前記液晶材料の倒れる方向とほぼ平行な方向に形成されたスリット部と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記対向基板に形成されて前記液晶材料の配向方位を規制する配向規制用構造物をさらに有し、
前記配向規制用構造物は、前記基板を法線方向に見て、前記ドレインバスラインにほぼ平行で前記第１及び第２の副画素を跨って形成された幹部と、前記幹部にほぼ直交し、前記第１の副画素の形成領域に形成された第１の枝部と、前記幹部にほぼ直交し、前記第２の副画素の形成領域に形成された第２の枝部とを有し、前記対向基板から突出して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記対向基板に形成されて前記液晶材料の配向方位を規制する配向規制用構造物をさらに有し、
前記配向規制用構造物は、前記対向基板から突出して形成された点状突起であり、
前記点状突起は、前記第１の画素電極及び前記第２の画素電極のほぼ中央に位置することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記スリット部は、異なる４方向に伸びていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記スリット部は、前記ゲートバスライン近傍の前記外周部に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記スリット部は、前記ドレインバスライン近傍の前記外周部に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記スリット部は、前記第１及び第２の画素電極が隣接する外周部には形成されていないことを特徴とする液晶表示装置。