(57)【要約】      （修正有）【課題】断面が矩形形状に近い微細な配線層を有する配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】この配線基板１０は、第１配線層１１と、前記第１配線層１１を被覆する絶縁層１４と、を有し、前記絶縁層１４は、フィラーを含有する第１層１４ａ、及び前記第１層１４ａよりも少ない量のフィラーを含有する第２層１４ｂが積層された構造であり、前記第２層１４ｂには、第２配線層１２が形成されていることを要件とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線層と、
前記第１配線層を被覆する絶縁層と、を有し、
前記絶縁層は、フィラーを含有する第１層、及び前記第１層よりも少ない量のフィラーを含有する第２層が積層された構造であり、
前記第２層には、第２配線層が形成されている配線基板。
【請求項２】
前記第１層に含有される前記フィラーの平均粒径は、前記第２層に含有される前記フィラーの平均粒径よりも大きい請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２配線層の厚さは、前記第２層の厚さと略同一である請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２配線層は、ライン／スペース＝１０／１０μｍよりも小さく、前記第２配線層の断面は略矩形形状である請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
【請求項５】
第１配線層上に、フィラーを含有する第１層、及び前記第１層よりも少ない量のフィラーを含有する第２層を積層して絶縁層を形成する第１工程と、
前記第２層にレーザ光を照射し、前記第２層を貫通する第１配線溝を形成する第２工程と、
前記第１配線溝を含めた前記第２層上に金属層を形成する第３工程と、
前記第１配線溝以外の部分に形成された前記金属層を除去し、前記第１配線溝に前記金属層が充填された第２配線層を形成する第４工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項６】
更に、前記第２工程と前記第３程との間に、前記第２層にレーザ光を照射し、前記第２層を貫通する第２配線溝を形成する第５工程と、
前記第２配線溝内に露出する前記第１層にレーザ光を照射し、前記第１層を貫通し、前記第１配線層を露出するビアホールを形成する第６工程と、を有し、
前記第３工程では、前記第１配線溝、前記第２配線溝及び前記ビアホールを含めた前記第２層上に金属層を形成し、
前記第４工程では、前記第１配線溝、前記第２配線溝及び前記ビアホール以外の部分に形成された前記金属層を除去し、前記第１配線溝、前記第２配線溝及び前記ビアホールに前記金属層が充填された第２配線層を形成する請求項５記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１配線溝のピッチは、前記第２配線溝のピッチよりも小さい請求項６記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１配線溝を形成する際に用いる前記レーザ光の波長は、前記第２配線溝及び前記ビアホールを形成する際に用いる前記レーザ光の波長よりも短い請求項６又は７記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線層を被覆する絶縁層が複数層から構成されている配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の配線基板を例示する断面図である。図１を参照するに、従来の配線基板１００は、第１配線層１１０と、第２配線層１２０と、第１絶縁層１４０と、第２絶縁層１５０とを有する。
【０００３】
図１に示す配線基板１００において、第１配線層１１０は、第１絶縁層１４０上に形成されている。第２絶縁層１５０は、第１配線層１１０を覆うように第１絶縁層１４０上に形成されている。第２配線層１２０は、第２絶縁層１５０内に形成されている。
【０００４】
第２配線層１２０の破線で囲まれた部分Ａは、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝５／５μｍの高密度な微細配線である。第２配線層１２０の破線で囲まれた部分Ａ以外の部分は、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝２０／２０μｍの配線である。第２配線層１２０は、第２絶縁層１５０に形成されたビアホール１５０Ｘを介して第１配線層１１０と電気的に接続されている。
【０００５】
第２配線層１２０の破線で囲まれた部分Ａの微細配線は、レーザ光を用いて第２絶縁層１５０に微細な配線溝を形成し、形成した微細な配線溝にＣｕめっき等を行った後、不要なＣｕめっき等を研磨して除去することにより形成することができる。なお、微細な配線溝の深さは、第２絶縁層１５０に照射されるレーザ光のパワー（エネルギー）により決定される。
【特許文献１】特開平１１−６８２８８号公報
【特許文献２】特開２００５−２４４０６９号公報
【特許文献３】特開２００６−４１０２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、第２絶縁層１５０に微細な配線溝を形成する際に、レーザ光のパワー（エネルギー）が第２絶縁層１５０の深い部分まで届きづらいため、微細な配線溝の断面は逆三角形に近い形状になり、第２配線層１２０の破線で囲まれた部分Ａの断面も逆三角形に近い形状になるという問題があった。第２配線層１２０の破線で囲まれた部分Ａの断面が逆三角形に近い形状になると、電気特性（電気抵抗等）の点で好ましくない。断面が逆三角形に近い形状の配線層は、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝１０／１０μｍよりも高密度な微細配線において確認することができ、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝８／８μｍよりも高密度な微細配線において特に顕著である。なお、レーザ光のパワー（エネルギー）を大きくすれば、微細な配線溝を深くすることはできるが、配線溝の断面の形状を変えることはできない。
【０００７】
上記の点に鑑みて、断面が矩形形状に近い微細な配線層を有する配線基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この配線基板は、第１配線層と、前記第１配線層を被覆する絶縁層と、を有し、前記絶縁層は、フィラーを含有する第１層、及び前記第１層よりも少ない量のフィラーを含有する第２層が積層された構造であり、前記第２層には、第２配線層が形成されていることを要件とする。
【０００９】
この配線基板の製造方法は、第１配線層上に、フィラーを含有する第１層、及び前記第１層よりも少ない量のフィラーを含有する第２層を積層して絶縁層を形成する第１工程と、前記第２層にレーザ光を照射し、前記第２層を貫通する第１配線溝を形成する第２工程と、前記第１配線溝を含めた前記第２層上に金属層を形成する第３工程と、前記第１配線溝以外の部分に形成された前記金属層を除去し、前記第１配線溝に前記金属層が充填された第２配線層を形成する第４工程と、を有することを要件とする。
【発明の効果】
【００１０】
開示の技術によれば、断面が矩形形状に近い微細な配線層を有する配線基板及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【００１２】
〈第１の実施の形態〉
第１の実施の形態では、本発明をコア基板を備えていない多層配線層（ビルドアップ配線層）を有する配線基板に適用する例を示す。
【００１３】
［第１の実施の形態に係る配線基板の構造］
始めに、第１の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図２は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図２を参照するに、第１の実施の形態に係る配線基板１０は、第１配線層１１と、第２配線層１２と、第３配線層１３と、第１絶縁層１４と、第２絶縁層１５と、ソルダーレジスト層１６とを有するビルドアップ配線層を備えた配線基板である。
【００１４】
配線基板１０において、第１配線層１１は、最下層に形成されている。なお、便宜上、図２のＺ＋方向を上、Ｚ−方向を下とする。第１配線層１１は、第１層１１ａ及び第２層１１ｂから構成されている。第１配線層１１を構成する第１層１１ａの一部は第１絶縁層１４から露出しており、半導体チップ等と接続される電極パッドとして機能する。第１層１１ａとしては、例えばＡｕ膜，Ｐｄ膜，Ｎｉ膜をこの順番で順次積層した導電層を用いることができる。第２層１１ｂとしては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。
【００１５】
第１絶縁層１４は、第１配線層１１を覆うように形成されている。第１絶縁層１４は、所定の量のフィラーを含有する第１層１４ａ、及び第１層１４ａよりも少ない量のフィラーを含有する第２層１４ｂが積層された構造を有する。第１絶縁層１４（第１層１４ａ及び第２層１４ｂ）の材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。
【００１６】
第１層１４ａは、例えばシリカ等のフィラーを含有している。フィラーとしては、シリカ以外に、例えば酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸カルシウム、ゼオライト等の無機化合物、又は、有機化合物等を用いることができる。第１層１４ａに含有されているフィラーの量は、例えば５０重量％〜６０重量％（第１層１４ａの重量に対するフィラーの重量の割合）とすることができる。第１層１４ａに含有されているフィラーの平均粒径は、例えば０．５〜１．０μｍとすることができる。第１層１４ａの厚さは、例えば１５〜２０μｍとすることができる。
【００１７】
第２層１４ｂは、例えばシリカ等のフィラーを含有しているが、第１層１４ａよりもフィラーの含有量は少ない。第２層１４ｂに含有されているフィラーの量は、例えば２０重量％〜３０重量％（第２層１４ｂの重量に対するフィラーの重量の割合）とすることができる。第２層１４ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、第１層１４ａに含有されているフィラーの平均粒径よりも小さい。第２層１４ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、例えば０．１〜０．３μｍとすることができる。第２層１４ｂの厚さは、例えば１０〜１５μｍとすることができる。
【００１８】
第２配線層１２は、第１絶縁層１４の第２層１４ｂに設けられた配線溝１４Ｘ内、第１絶縁層１４の第１層１４ａに設けられた第１ビアホール１４Ｙ内、及び第１絶縁層１４の第２層１４ｂに設けられた配線溝１４Ｚ内に形成されている。第２配線層１２は、第１層１２ａと第２層１２ｂを含んで構成されている。第２配線層１２の破線で囲まれた部分Ｂは、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝５／５μｍの高密度な微細配線である。破線で囲まれた部分Ｂの第２配線層１２の断面は、矩形形状に近い形状を有するが、台形形状でも構わない。なお、ここでいう断面とは、配線基板１０を厚さ方向（図２のＺ＋、Ｚ−方向）に切断した場合の断面を指す（以下、同じ）。
【００１９】
第２配線層１２の破線で囲まれた部分Ｂ以外の部分は、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝２０／２０μｍの配線である。第２配線層１２は、第１絶縁層１４の第１層１４ａに形成された第１ビアホール１４Ｙを介して第１配線層１１と電気的に接続されている。第２配線層１２（第１層１２ａ及び第２層１２ｂ）の材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。なお、本明細書において高密度な微細配線とは、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝１０／１０μｍよりも密度が高い配線を指すものとする。
【００２０】
第２絶縁層１５は、第２配線層１２及び第１絶縁層１４を覆うように形成されている。第２絶縁層１５は、所定の量のフィラーを含有する第１層１５ａ、及び第１層１５ａよりも少ない量のフィラーを含有する第２層１５ｂが積層された構造を有する。第２絶縁層１５の材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。
【００２１】
第１層１５ａは、例えばシリカ等のフィラーを含有している。フィラーとしては、シリカ以外に、例えば酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸カルシウム、ゼオライト等の無機化合物、又は、有機化合物等を用いることができる。第１層１５ａに含有されているフィラーの量は、例えば５０重量％〜６０重量％（第１層１５ａの重量に対するフィラーの重量の割合）とすることができる。第１層１５ａに含有されているフィラーの平均粒径は、例えば０．５〜１．０μｍとすることができる。第１層１５ａの厚さは、例えば１５〜２０μｍとすることができる。
【００２２】
第２層１５ｂは、例えばシリカ等のフィラーを含有しているが、第１層１５ａよりもフィラーの含有量は少ない。第２層１５ｂに含有されているフィラーの量は、例えば２０重量％〜３０重量％（第２層１５ｂの重量に対するフィラーの重量の割合）とすることができる。第２層１５ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、第１層１５ａに含有されているフィラーの平均粒径よりも小さい。第２層１５ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、例えば０．１〜０．３μｍとすることができる。第２層１５ｂの厚さは、例えば１０〜１５μｍとすることができる。
【００２３】
第３配線層１３は、第２絶縁層１５の第２層１５ｂに設けられた配線溝１５Ｘ内、第２絶縁層１５の第１層１５ａに設けられた第２ビアホール１５Ｙ内、及び第２絶縁層１５の第２層１５ｂに設けられた配線溝１５Ｚ内に形成されている。第３配線層１３は、第１層１３ａと第２層１３ｂを含んで構成されている。第３配線層１３の破線で囲まれた部分Ｃは、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝５／５μｍの高密度な微細配線である。破線で囲まれた部分Ｃの第３配線層１３の断面は、矩形形状に近い形状を有すが、台形形状でも構わない。
【００２４】
第３配線層１３の破線で囲まれた部分Ｃ以外の部分は、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝２０／２０μｍの配線である。第３配線層１３は、第２絶縁層１５の第１層１５ａに形成された第２ビアホール１５Ｙを介して第２配線層１２と電気的に接続されている。第３配線層１３（第１層１３ａ及び第２層１３ｂ）の材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。
【００２５】
ソルダーレジスト層１６は、第３配線層１３及び第２絶縁層１５を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層１６は、第３配線層１３の一部を露出する開口部１６Ｘを有する。ソルダーレジスト層１６の開口部１６Ｘ内に露出した第３配線層１３は、例えばマザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。開口部１６Ｘ内に露出した第３配線層１３に、Ａｕめっき等が施されていても構わない。以上が、第１の実施の形態に係る配線基板１０の構造である。
【００２６】
［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
続いて、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図３〜図１６は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。図３〜図１６において、図２に示す配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図３〜図１６を参照しながら、第１の実施の形態に係る配線基板１０の製造方法について説明する。
【００２７】
始めに、図３に示す工程では、支持体２１を用意する。本実施形態では支持体２１として銅箔を用いる。銅箔の厚さは、例えば３５〜１００μｍとすることができる。次いで、図４に示す工程では、支持体２１の上面２１ａに、レジスト膜２２を形成する。レジスト膜２２としては、例えばドライフィルム等を用いることができる。
【００２８】
次いで、図５に示す工程では、レジスト膜２２に対してパターニング処理を行い、第１配線層１１の形成位置に対応する部分に開口部２２Ｘを形成する。なお、ドライフィルム状のレジスト膜２２に対して予め開口部２２Ｘを形成しておき、開口部２２Ｘが形成されたレジスト膜２２を支持体２１の上面２１ａに配設してもよい。
【００２９】
次いで、図６に示す工程では、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、支持体２１の上面２１ａに第１配線層１１を形成する。第１配線層１１は、レジスト膜２２に形成された開口部２２Ｘ内に形成されており、第１層１１ａ及び第２層１１ｂから構成されている。
【００３０】
第１層１１ａは、例えばＡｕ膜，Ｐｄ膜，Ｎｉ膜をこの順番で順次積層した構造を有する。よって、第１配線層１１を形成するには、先ずＡｕ膜，Ｐｄ膜，Ｎｉ膜を順にめっきすることにより第１層１１ａを形成し、続いて、第１層１１ａ上にＣｕ等からなる第２層１１ｂをめっきにより形成する。次いで、図７に示す工程では、図６に示すレジスト膜２２を除去する。
【００３１】
次いで、図８に示す工程では、支持体２１の上面２１ａに第１配線層１１を被覆する第１絶縁層１４の第１層１４ａを形成する。第１層１４ａの材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。第１層１４ａは、例えばシリカ等のフィラーを含有している。フィラーとしては、シリカ以外に、例えば酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸カルシウム、ゼオライト等の無機化合物、又は、有機化合物等を用いることができる。第１層１４ａに含有されているフィラーの量は、例えば５０重量％〜６０重量％（第１層１４ａの重量に対するフィラーの重量の割合）とすることができる。第１層１４ａに含有されているフィラーの平均粒径は、例えば０．５〜１．０μｍとすることができる。第１層１４ａの厚さは、例えば１５〜２０μｍとすることができる。
【００３２】
第１層１４ａは、例えば支持体２１にエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムをプレス（押圧）し、その後、１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。
【００３３】
次いで、図９に示す工程では、支持体２１に形成された第１層１４ａ上に第２層１４ｂを積層する。これにより、第１層１４ａ上に第２層１４ｂが積層された構造を有する第１絶縁層１４が形成される。第２層１４ｂは、例えばシリカ等のフィラーを含有しているが、第１層１４ａよりもフィラーの含有量は少ない。第２層１４ｂに含有されているフィラーの量は、例えば２０重量％〜３０重量％（第２層１４ｂの重量に対するフィラーの重量の割合）とすることができる。第２層１４ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、第１層１４ａに含有されているフィラーの平均粒径よりも小さい。第２層１４ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、例えば０．１〜０．３μｍとすることができる。第２層１４ｂの厚さは、例えば１０〜１５μｍとすることができる。
【００３４】
次いで、図１０に示す工程では、第１のマスク（図示せず）を介して第２層１４ｂにレーザ光を照射し、第２層１４ｂに第１層１４ａを露出する配線溝１４Ｘを形成する。配線溝１４Ｘは、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝２０／２０μｍの配線に対応する配線溝である。又、第２のマスク（図示せず）を介して配線溝１４Ｘ内に露出する第１層１４ａにレーザ光を照射し、第１層１４ａに第１配線層１１を露出する第１ビアホール１４Ｙを形成する。レーザとしては、例えばＣＯ２レーザ等を用いることができる。
【００３５】
次いで、図１１に示す工程では、第３のマスク（図示せず）を介して第２層１４ｂにレーザ光を照射し、第２層１４ｂに第１層１４ａを露出する配線溝１４Ｚを形成する。配線溝１４Ｚは、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝５／５μｍの高密度な微細配線に対応する配線溝である。レーザとしては、例えばエキシマレーザ等を用いることができる。エキシマレーザは、ＣＯ２レーザと比較して短波長であるため、照射するレーザスポットの径をより小さくすることができ、微細な配線溝を形成することが可能である。
【００３６】
配線溝１４Ｚの深さＴ１は、第２層１４ｂの厚さＴ２と略同一となる。これは、第２層１４ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、第１層１４ａに含有されているフィラーの平均粒径よりも小さく、かつ、第２層１４ｂに含有されているフィラーの量は、第１層１４ａに含有されているフィラーの量よりも少ないからである。
【００３７】
すなわち、所定のパワー（エネルギー）のレーザ光が照射された場合に、第２層１４ｂでは、レーザ光がフィラーに当たる確率が低いため加工されやすく、容易に配線溝１４Ｚを形成することができる。一方、第１層１４ａでは、レーザ光がフィラーに当たる確率が高いため加工されにくく、容易に配線溝１４Ｚを形成することができない。その結果、配線溝１４Ｚは、第２層１４ｂのみに形成され、第１層１４ａには形成されない（第１層１４ａの第２層１４ｂ側の表面で加工が終了する）。このように、配線溝１４Ｚの深さＴ１は、第１絶縁層１４を構成する第２層１４ｂの厚さＴ２により決定される。
【００３８】
又、配線溝１４Ｚの断面は、矩形形状に近い形状を有する。これは以下の理由による。すなわち、第１層１４ａは加工されにくいため、第１絶縁層１４に照射されるレーザ光のパワー（エネルギー）をある程度大きくしても、第１層１４ａには配線溝１４Ｚは形成されない。一方、第２層１４ｂは加工されやすく、レーザ光のパワー（エネルギー）をある程度大きくすることにより、レーザ光のパワー（エネルギー）が第２層１４ｂの第１層１４ａとの境界部分まで十分に届くためである。配線溝１４Ｚの断面が矩形形状に近い形状を有する結果、良好な電気特性（電気抵抗等）を得ることができる。
【００３９】
ただし、配線溝１４Ｚの断面は、台形形状でも構わない。又、配線溝１４Ｚの一部は、第１絶縁層１４の第１層１４ａ中に形成されても構わない。
【００４０】
例えば、厚さが１５〜２０μｍの第１層１４ａが平均粒径０．５〜１．０μｍのシリカフィラーを５０重量％〜６０重量％含有し、厚さ１０〜１５μｍの第２層１４ｂが平均粒径０．１〜０．３μｍのシリカフィラーを２０重量％〜３０重量％含有する場合に、エキシマレーザを用いてＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝５／５μｍの高密度な微細配線に対応し断面が矩形形状に近い形状を有する配線溝１４Ｚを形成するためのレーザ光のパワー（エネルギー）は、０．５〜１．０Ｊ／ｃｍ２程度に設定することが好ましい。
【００４１】
次いで、図１２に示す工程では、第１絶縁層１４の第２層１４ｂの上面、配線溝１４Ｘ及び１４Ｚ並びに第１ビアホール１４Ｙ内に露出する第１絶縁層１４の第１層１４ａ及び第２層１４ｂ並びに第１配線層１１に、金属層１２ｃを形成する。金属層１２ｃは、例えば無電解めっき法やスパッタ法等により形成することができる。金属層１２ｃの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。金属層１２ｃとして、例えばＴｉ層とＣｕ層の積層体等を用いても構わない。金属層１２ｃの厚さは、例えば１μｍとすることができる。なお、金属層１２ｃは、最終的に第２配線層１２の第１層１２ａとなる層である。
【００４２】
次いで、図１３に示す工程では、金属層１２ｃをめっき給電層に利用する電解めっき法等により、金属層１２ｄを形成する。金属層１２ｄの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。金属層１２ｄの厚さは、例えば２０μｍとすることができる。
【００４３】
次いで、図１４に示す工程では、配線溝１４Ｘ及び１４Ｚ並びに第１ビアホール１４Ｙ内以外の部分に形成された金属層１２ｃ及び１２ｄを除去する。不要な金属層１２ｃ及び１２ｄの除去は、例えばＣＭＰ法（chemical mechanical polishing法）を用いて、不要な金属層１２ｃ及び１２ｄを研磨布に押し付け、化学的な研摩剤で研摩することにより実現できる。又、物理的研磨のみを実施してもよい。不要な金属層１２ｃ及び１２ｄを除去することにより、配線溝１４Ｘ及び１４Ｚ並びに第１ビアホール１４Ｙ内に、第１層１２ａ及び第２層１２ｂを有する第２配線層１２が形成される。
【００４４】
次いで、図１５に示す工程では、図８〜図１４に示す工程と同様の工程を繰り返すことにより、第１層１５ａ及び第２層１５ｂを有する第２絶縁層１５、配線溝１５Ｘ及び１５Ｚ並びに第２ビアホール１５Ｙ、第１層１３ａ及び第２層１３ｂを有する第３配線層１３を形成する。このようにして、支持体２１の上面２１ａに所定のビルドアップ配線層が形成される。本実施の形態では、３層のビルドアップ配線層（第１配線層１１〜第３配線層１３）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。
【００４５】
次いで、図１６に示す工程では、第３配線層１３及び第２絶縁層１５を覆うようにソルダーレジスト層１６を形成し、更に、ソルダーレジスト層１６を露光、現像することで開口部１６Ｘを形成する。ソルダーレジスト層１６としては、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物を用いることができる。これにより、第３配線層１３の一部は、ソルダーレジスト層１６の開口部１６Ｘ内に露出する。ソルダーレジスト層１６の開口部１６Ｘ内に露出した第３配線層１３は、例えばマザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。図１６に示す工程の後に、開口部１６Ｘ内に露出した第３配線層１３に、Ａｕめっき等を施す工程を設けても構わない。
【００４６】
次いで、図１６に示す支持体２１を除去することで、図２に示す第１の実施の形態に係る配線基板１０が製造される。支持体２１の除去は、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液などを用いたウエットエッチングにより行うことができる。この際、第１配線層１１は、最表面に第１層１１ａが形成されているため、第１配線層１１に対し、支持体２１を選択的にエッチングして除去することができる。これにより、第１配線層１１の一部は第１絶縁層１４から露出され、半導体チップ等と接続される電極パッドとして機能する。以上が、第１の実施の形態に係る配線基板１０の製造方法である。
【００４７】
第１の実施の形態によれば、配線層を被覆する絶縁層を、配線層上に第１層及び第２層が積層された構造とし、第２層に含有されているフィラーの平均粒径を、第１層に含有されているフィラーの平均粒径よりも小さく、かつ、第２層に含有されているフィラーの量を、第１層に含有されているフィラーの量よりも少なくする。これにより、絶縁層に所定のパワー（エネルギー）のレーザ光が照射された場合に、第２層は加工されすいため容易に配線溝を形成することができ、第１層は加工されにくいため容易に配線溝を形成することができなくなる。その結果、配線溝は、第２層のみに形成され、第１層には形成されない。
【００４８】
又、配線溝の断面は、矩形形状に近い形状を有する。これは以下の理由による。すなわち、第１層は加工されにくいため、第１絶縁層に照射されるレーザ光のパワー（エネルギー）をある程度大きくしても、第１層には配線溝は形成されない。一方、第２層は加工されやすく、レーザ光のパワー（エネルギー）をある程度大きくすることにより、レーザ光のパワー（エネルギー）が第２層の第１層との境界部分まで十分に届くためである。配線溝の断面が矩形形状に近い形状を有する結果、良好な電気特性（電気抵抗等）を得ることができる。
【００４９】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、本発明をコア基板を備えている多層配線層（ビルドアップ配線層）を有する配線基板に適用する例を示す。
【００５０】
［第２の実施の形態に係る配線基板の構造］
始めに、第２の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１７は、第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図１７を参照するに、第２の実施の形態に係る配線基板３０は、コア基板３９と、第１配線層３１と、第２配線層３２と、第３配線層４１と、第４配線層４２と、第１絶縁層３４と、第２絶縁層４４と、第１ソルダーレジスト層３６と、第２ソルダーレジスト層４６とを有するビルドアップ配線層を備えた配線基板である。
【００５１】
配線基板３０において、中心部には貫通電極３８を有するコア基板３９が設けられている。コア基板３９としては、例えばガラスクロスに樹脂を含浸させた基板等を用いることができる。コア基板３９の厚さは、例えば３５〜１００μｍとすることができる。貫通電極３８は、コア基板３９の一方の面３９ａから他方の面３９ｂに貫通するビアホールに、例えばＣｕ層等を含む導電層を充填したものである。
【００５２】
第１配線層３１は、コア基板３９の一方の面３９ａ側に形成されている。第１配線層３１は、貫通電極３８と電気的に接続されている。第１配線層３１としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。
【００５３】
第１絶縁層３４は、第１配線層３１を覆うように形成されている。第１絶縁層３４は、所定の量のフィラーを含有する第１層３４ａ、及び第１層３４ａよりも少ない量のフィラーを含有する第２層３４ｂが積層された構造を有する。第１絶縁層３４（第１層３４ａ及び第２層３４ｂ）の材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。
【００５４】
第１層３４ａは、例えばシリカ等のフィラーを含有している。フィラーとしては、シリカ以外に、例えば酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸カルシウム、ゼオライト等の無機化合物、又は、有機化合物等を用いることができる。第１層３４ａに含有されているフィラーの量は、例えば５０重量％〜６０重量％（第１層３４ａの重量に対するフィラーの重量の割合）とすることができる。第１層３４ａに含有されているフィラーの平均粒径は、例えば０．５〜１．０μｍとすることができる。第１層３４ａの厚さは、例えば１５〜２０μｍとすることができる。
【００５５】
第２層３４ｂは、例えばシリカ等のフィラーを含有しているが、第１層３４ａよりもフィラーの含有量は少ない。第２層３４ｂに含有されているフィラーの量は、例えば２０重量％〜３０重量％（第２層３４ｂの重量に対するフィラーの重量の割合）とすることができる。第２層３４ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、第１層３４ａに含有されているフィラーの平均粒径よりも小さい。第２層３４ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、例えば０．１〜０．３μｍとすることができる。第２層３４ｂの厚さは、例えば１０〜１５μｍとすることができる。
【００５６】
第２配線層３２は、第１絶縁層３４の第２層３４ｂに設けられた配線溝３４Ｘ内、第１絶縁層３４の第１層３４ａに設けられた第１ビアホール３４Ｙ内、及び第１絶縁層３４の第２層３４ｂに設けられた配線溝３４Ｚ内に形成されている。第２配線層３２は、第１層３２ａと第２層３２ｂを含んで構成されている。第２配線層３２の破線で囲まれた部分Ｄは、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝５／５μｍの高密度な微細配線である。破線で囲まれた部分Ｄの第２配線層３２の断面は、矩形形状に近い形状を有するが、台形形状でも構わない。
【００５７】
第２配線層３２の破線で囲まれた部分Ｄ以外の部分は、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝２０／２０μｍの配線である。第２配線層３２は、第１絶縁層３４の第１層３４ａに形成された第１ビアホール３４Ｙを介して第１配線層３１と電気的に接続されている。第２配線層３２（第１層３２ａ及び第２層３２ｂ）の材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。
【００５８】
第１ソルダーレジスト層３６は、第２配線層３２及び第１絶縁層３４を覆うように形成されている。第１ソルダーレジスト層３６は、第２配線層３２の一部を露出する開口部３６Ｘを有する。第１ソルダーレジスト層３６の開口部３６Ｘ内に露出した第２配線層３２は、例えばマザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。開口部３６Ｘ内に露出した第２配線層３２に、Ａｕめっき等が施されていても構わない。
【００５９】
第３配線層４１は、コア基板３９の他方の面３９ｂ側に形成されている。第３配線層４１は、貫通電極３８と電気的に接続されている。第３配線層４１としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第３配線層４１は、コア基板３９を貫通する貫通電極３８を介して第１配線層３１と電気的に接続されている。
【００６０】
第２絶縁層４４は、第３配線層４１を覆うように形成されている。第２絶縁層４４は、所定の量のフィラーを含有する第１層４４ａ、及び第１層４４ａよりも少ない量のフィラーを含有する第２層４４ｂが積層された構造を有する。第２絶縁層４４（第１層４４ａ及び第２層４４ｂ）の材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。
【００６１】
第１層４４ａは、例えばシリカ等のフィラーを含有している。フィラーとしては、シリカ以外に、例えば酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸カルシウム、ゼオライト等の無機化合物、又は、有機化合物等を用いることができる。第１層４４ａに含有されているフィラーの量は、例えば５０重量％〜６０重量％（第１層４４ａの重量に対するフィラーの重量の割合）とすることができる。第１層４４ａに含有されているフィラーの平均粒径は、例えば０．５〜１．０μｍとすることができる。第１層４４ａの厚さは、例えば１５〜２０μｍとすることができる。
【００６２】
第２層４４ｂは、例えばシリカ等のフィラーを含有しているが、第１層４４ａよりもフィラーの含有量は少ない。第２層４４ｂに含有されているフィラーの量は、例えば２０重量％〜３０重量％（第２層４４ｂの重量に対するフィラーの重量の割合）とすることができる。第２層４４ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、第１層４４ａに含有されているフィラーの平均粒径よりも小さい。第２層４４ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、例えば０．１〜０．３μｍとすることができる。第２層４４ｂの厚さは、例えば１０〜１５μｍとすることができる。
【００６３】
第４配線層４２は、第２絶縁層４４の第２層４４ｂに設けられた配線溝４４Ｘ内、第２絶縁層４４の第１層４４ａに設けられた第２ビアホール４４Ｙ内、及び第２絶縁層４４の第２層４４ｂに設けられた配線溝４４Ｚ内に形成されている。第４配線層４２は、第１層４２ａと第２層４２ｂを含んで構成されている。第４配線層４２の破線で囲まれた部分Ｅは、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝５／５μｍの高密度な微細配線である。破線で囲まれた部分Ｅの第２配線層３２の断面は、矩形形状に近い形状を有するが、台形形状でも構わない。
【００６４】
第４配線層４２の破線で囲まれた部分Ｅ以外の部分は、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝２０／２０μｍの配線である。第４配線層４２は、第２絶縁層４４の第１層４４ａに形成された第２ビアホール４４Ｙを介して第３配線層４１と電気的に接続されている。第４配線層４２（第１層４２ａ及び第２層４２ｂ）の材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。
【００６５】
第２ソルダーレジスト層４６は、第４配線層４２及び第２絶縁層４４を覆うように形成されている。第２ソルダーレジスト層４６は、第４配線層４２の一部を露出する開口部４６Ｘを有する。第２ソルダーレジスト層４６の開口部４６Ｘ内に露出した第４配線層４２は、例えばマザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。開口部４６Ｘ内に露出した第４配線層４２に、Ａｕめっき等が施されていても構わない。以上が、第２の実施の形態に係る配線基板３０の構造である。
【００６６】
［第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
続いて、第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図１８〜図２６は、第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。図１８〜図２６において、図１７に示す配線基板３０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図１８〜図２６を参照しながら、第２の実施の形態に係る配線基板３０の製造方法について説明する。
【００６７】
始めに、図１８に示す工程では、第１配線層３１、第３配線層４１、貫通電極３８が設けられたコア基板３９を用意する。コア基板３９としては、例えばガラスクロスに樹脂を含浸させた基板等を用いることができる。コア基板３９の厚さは、例えば３５〜１００μｍとすることができる。貫通電極３８は、コア基板３９の一方の面３９ａから他方の面３９ｂに貫通するビアホールに、例えばＣｕ層等を含む導電層を充填したものである。第１配線層３１は、貫通電極３８を介して第３配線層４１と電気的に接続されている。第１配線層３１及び第３配線層４１としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。
【００６８】
次いで、図１９に示す工程では、コア基板３９の一方の面３９ａに第１配線層３１を被覆する第１絶縁層３４の第１層３４ａを形成する。又、コア基板３９の他方の面３９ｂに第３配線層４１を被覆する第２絶縁層４４の第１層４４ａを形成する。第１層３４ａ及び第１層４４ａの材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。
【００６９】
第１層３４ａ及び第１層４４ａは、例えばシリカ等のフィラーを含有している。フィラーとしては、シリカ以外に、例えば酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸カルシウム、ゼオライト等の無機化合物、又は、有機化合物等を用いることができる。第１層３４ａ及び第１層４４ａに含有されているフィラーの量は、例えば５０重量％〜６０重量％（第１層３４ａ又は第１層４４ａの重量に対するフィラーの重量の割合）とすることができる。第１層３４ａ及び第１層４４ａに含有されているフィラーの平均粒径は、例えば０．５〜１．０μｍとすることができる。第１層３４ａ及び第１層４４ａの厚さは、例えば１５〜２０μｍとすることができる。
【００７０】
第１層３４ａ及び第１層４４ａは、例えばコア基板３９の一方の面３９ａ及び他方の面３９ｂにエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムをプレス（押圧）し、その後、１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。
【００７１】
次いで、図２０に示す工程では、コア基板３９の一方の面３９ａに形成された第１層３４ａ上に第２層３４ｂを積層する。又、コア基板３９の他方の面３９ｂに形成された第１層４４ａ上に第２層４４ｂを積層する。これにより、第１層３４ａ上に第２層３４ｂが積層された構造を有する第１絶縁層３４が形成される。又、第１層４４ａ上に第２層４４ｂが積層された構造を有する第２絶縁層４４が形成される。
【００７２】
第２層３４ｂ及び第２層４４ｂは、例えばシリカ等のフィラーを含有しているが、第１層３４ａ及び第１層４４ａよりもフィラーの含有量は少ない。第２層３４ｂ及び第２層４４ｂに含有されているフィラーの量は、例えば２０重量％〜３０重量％（第２層３４ｂ又は第２層４４ｂの重量に対するフィラーの重量の割合）とすることができる。第２層３４ｂ及び第２層４４ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、第１層３４ａ及び第１層４４ａに含有されているフィラーの平均粒径よりも小さい。第２層３４ｂ及び第２層４４ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、例えば０．１〜０．３μｍとすることができる。第２層３４ｂ及び第２層４４ｂの厚さは、例えば１０〜１５μｍとすることができる。
【００７３】
次いで、図２１に示す工程では、第１のマスク（図示せず）を介して第２層３４ｂにレーザ光を照射し、第２層３４ｂに第１層３４ａを露出する配線溝３４Ｘを形成する。又、第２のマスク（図示せず）を介して第２層４４ｂにレーザ光を照射し、第２層４４ｂに第１層４４ａを露出する配線溝４４Ｘを形成する。配線溝３４Ｘ及び配線溝４４Ｘは、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝２０／２０μｍの配線に対応する配線溝である。
【００７４】
更に、第３のマスク（図示せず）を介して配線溝３４Ｘ内に露出する第１層３４ａにレーザ光を照射し、第１層３４ａに第１配線層３１を露出する第１ビアホール３４Ｙを形成する。又、第４のマスク（図示せず）を介して配線溝４４Ｘ内に露出する第１層４４ａにレーザ光を照射し、第１層４４ａに第３配線層４１を露出する第２ビアホール４４Ｙを形成する。レーザとしては、例えばＣＯ２レーザ等を用いることができる。
【００７５】
次いで、図２２に示す工程では、第５のマスク（図示せず）を介して第２層３４ｂにレーザ光を照射し、第２層３４ｂに第１層３４ａを露出する配線溝３４Ｚを形成する。又、第６のマスク（図示せず）を介して第２層４４ｂにレーザ光を照射し、第２層４４ｂに第１層４４ａを露出する配線溝４４Ｚを形成する。配線溝３４Ｚ及び配線溝４４Ｚは、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝５／５μｍの高密度な微細配線に対応する配線溝である。レーザとしては、例えばエキシマレーザ等を用いることができる。エキシマレーザは、ＣＯ２レーザと比較して短波長であるため、照射するレーザスポットの径をより小さくすることができ、微細な配線溝を形成することが可能である。
【００７６】
配線溝３４Ｚの深さＴ３は、第２層３４ｂの厚さＴ４と略同一となる。又、配線溝４４Ｚの深さＴ５は、第２層４４ｂの厚さＴ６と略同一となる。これは、第２層３４ｂ及び第２層４４ｂに含有されているフィラーの平均粒径は、第１層３４ａ及び第１層４４ａに含有されているフィラーの平均粒径よりも小さく、かつ、第２層３４ｂ及び第２層４４ｂに含有されているフィラーの量は、第１層３４ａ及び第１層４４ａに含有されているフィラーの量よりも少ないからである。
【００７７】
すなわち、所定のパワー（エネルギー）のレーザ光が照射された場合に、第２層３４ｂ及び第２層４４ｂでは、レーザ光がフィラーに当たる確率が低いため加工されやすく、容易に配線溝３４Ｚ及び配線溝４４Ｚを形成することができる。一方、第１層３４ａ及び第１層４４ａでは、レーザ光がフィラーに当たる確率が高いため加工されにくく、容易に配線溝３４Ｚ及び配線溝４４Ｚを形成することができない。
【００７８】
その結果、配線溝３４Ｚ及び配線溝４４Ｚは、第２層３４ｂ及び第２層４４ｂのみに形成され、第１層３４ａ及び第１層４４ａには形成されない（第１層３４ａ及び第１層４４ａの第２層３４ｂ及び第２層４４ｂ側の表面で加工が終了する）。このように、配線溝３４Ｚの深さＴ３は、第１絶縁層３４を構成する第２層３４ｂの厚さＴ４により決定される。又、配線溝４４Ｚの深さＴ５は、第２絶縁層４４を構成する第２層４４ｂの厚さＴ６により決定される。
【００７９】
又、配線溝３４Ｚ及び配線溝４４Ｚの断面は、矩形形状に近い形状を有する。これは以下の理由による。すなわち、第１層３４ａ及び第１層４４ａは加工されにくいため、第１絶縁層３４及び第２絶縁層４４に照射されるレーザ光のパワー（エネルギー）をある程度大きくしても、第１層３４ａ及び第１層４４ａには配線溝３４Ｚ及び配線溝４４Ｚは形成されない。一方、第２層３４ｂ及び第２層４４ｂは加工されやすく、レーザ光のパワー（エネルギー）をある程度大きくすることにより、レーザ光のパワー（エネルギー）が第２層３４ｂ及び第２層４４ｂの第１層３４ａ及び第１層４４ａとの境界部分まで十分に届くためである。配線溝３４Ｚ及び配線溝４４Ｚの断面が矩形形状に近い形状を有する結果、良好な電気特性（電気抵抗等）を得ることができる。
【００８０】
ただし、配線溝３４Ｚ及び配線溝４４Ｚの断面は、台形形状でも構わない。又、配線溝３４Ｚ及び配線溝４４Ｚの一部は、第１絶縁層３４の第１層３４ａ及び第２絶縁層４４の第１層４４ａ中に形成されても構わない。
【００８１】
例えば、厚さが１５〜２０μｍの第１層３４ａ及び第１層４４ａが平均粒径０．５〜１．０μｍのシリカフィラーを５０重量％〜６０重量％含有し、厚さ１０〜１５μｍの第２層３４ｂ及び第２層４４ｂが平均粒径０．１〜０．３μｍのシリカフィラーを２０重量％〜３０重量％含有する場合に、エキシマレーザを用いてＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝５／５μｍの高密度な微細配線に対応し断面が矩形形状に近い形状を有する配線溝３４Ｚ及び配線溝４４Ｚをを形成するためのレーザ光のパワー（エネルギー）は、０．５〜１．０Ｊ／ｃｍ２程度に設定することが好ましい。
【００８２】
次いで、図２３に示す工程では、第１絶縁層３４の第２層３４ｂの上面、配線溝３４Ｘ及び３４Ｚ並びに第１ビアホール３４Ｙ内に露出する第１配線層３１に、金属層３２ｃを形成する。又、第２絶縁層４４の第２層４４ｂの上面、配線溝４４Ｘ及び４４Ｚ並びに第２ビアホール４４Ｙ内に露出する第３配線層４１に、金属層４２ｃを形成する。
【００８３】
金属層３２ｃ及び金属層４２ｃは、例えば無電解めっき法やスパッタ法等により形成することができる。金属層３２ｃ及び金属層４２ｃの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。金属層３２ｃ及び金属層４２ｃとして、例えばＴｉ層とＣｕ層の積層体等を用いても構わない。金属層３２ｃ及び金属層４２ｃの厚さは、例えば１μｍとすることができる。なお、金属層３２ｃ及び金属層４２ｃは、最終的に第２配線層３２の第１層３２ａ及び第４配線層４２の第１層４２ａとなる層である。
【００８４】
次いで、図２４に示す工程では、金属層３２ｃ及び金属層４２ｃをめっき給電層に利用する電解めっき法等により、金属層３２ｄ及び金属層４２ｄを形成する。金属層３２ｄ及び金属層４２ｄの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。金属層３２ｄ及び金属層４２ｄの厚さは、例えば２０μｍとすることができる。
【００８５】
次いで、図２５に示す工程では、配線溝３４Ｘ及び３４Ｚ並びに第１ビアホール３４Ｙ内以外の部分に形成された金属層３２ｃ及び３２ｄを除去する。又、配線溝４４Ｘ及び４４Ｚ並びに第２ビアホール４４Ｙ内以外の部分に形成された金属層４２ｃ及び４２ｄを除去する。不要な金属層３２ｃ及び３２ｄ並びに金属層４２ｃ及び４２ｄの除去は、例えばＣＭＰ法（chemical mechanical polishing法）を用いて、不要な金属層３２ｃ及び３２ｄ並びに金属層４２ｃ及び４２ｄを研磨布に押し付け、化学的な研摩剤で研摩することにより実現できる。又、物理的研磨のみを実施してもよい。
【００８６】
不要な金属層３２ｃ及び３２ｄを除去することにより、配線溝３４Ｘ及び３４Ｚ並びに第１ビアホール３４Ｙ内に、第１層３２ａ及び第２層３２ｂを有する第２配線層３２が形成される。又、不要な金属層４２ｃ及び４２ｄを除去することにより、配線溝４４Ｘ及び４４Ｚ並びに第２ビアホール４４Ｙ内に、第１層４２ａ及び第２層４２ｂを有する第４配線層４２が形成される。
【００８７】
次いで、図２６に示す工程では、第２配線層３２及び第１絶縁層３４を覆うように第１ソルダーレジスト層３６を形成し、更に、第１ソルダーレジスト層３６を露光、現像することで開口部３６Ｘを形成する。又、第４配線層４２及び第２絶縁層４４を覆うように第２ソルダーレジスト層４６を形成し、更に、第２ソルダーレジスト層４６を露光、現像することで開口部４６Ｘを形成する。
【００８８】
第１ソルダーレジスト層３６及び第２ソルダーレジスト層４６としては、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物を用いることができる。これにより、第２配線層３２及び第４配線層４２の一部は、第１ソルダーレジスト層３６の開口部３６Ｘ内及び第２ソルダーレジスト層４６の開口部４６Ｘ内に露出する。第１ソルダーレジスト層３６の開口部３６Ｘ内及び第２ソルダーレジスト層４６の開口部４６Ｘ内に露出した第２配線層３２及び第４配線層４２は、例えばマザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。
【００８９】
図２６に示す工程の後に、開口部３６Ｘ内に露出した第２配線層３２及び開口部４６Ｘ内に露出した第４配線層４２に、Ａｕめっき等を施す工程を設けても構わない。以上が、第２の実施の形態に係る配線基板３０の製造方法である。
【００９０】
第２の実施の形態によれば、配線層を被覆する絶縁層を、配線層上に第１層及び第２層が積層された構造とし、第２層に含有されているフィラーの平均粒径を、第１層に含有されているフィラーの平均粒径よりも小さく、かつ、第２層に含有されているフィラーの量を、第１層に含有されているフィラーの量よりも少なくする。これにより、絶縁層に所定のパワー（エネルギー）のレーザ光が照射された場合に、第２層は加工されすいため容易に配線溝を形成することができ、第１層は加工されにくいため容易に配線溝を形成することができなくなる。その結果、配線溝は、第２層のみに形成され、第１層には形成されない。
【００９１】
又、配線溝の断面は、矩形形状に近い形状を有する。これは以下の理由による。すなわち、第１層は加工されにくいため、第１絶縁層に照射されるレーザ光のパワー（エネルギー）をある程度大きくしても、第１層には配線溝は形成されない。一方、第２層は加工されやすく、レーザ光のパワー（エネルギー）をある程度大きくすることにより、レーザ光のパワー（エネルギー）が第２層の第１層との境界部分まで十分に届くためである。配線溝の断面が矩形形状に近い形状を有する結果、良好な電気特性（電気抵抗等）を得ることができる。
【００９２】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００９３】
例えば、第１の実施の形態では、第２層に含有されているフィラーの平均粒径を、第１層に含有されているフィラーの平均粒径よりも小さくし、かつ、第２層に含有されているフィラーの量を、第１層に含有されているフィラーの量よりも少なくする例を示した。しかし、第２層に含有されているフィラーの平均粒径を、第１層に含有されているフィラーの平均粒径よりも小さくするか、又は、第２層に含有されているフィラーの量を、第１層に含有されているフィラーの量よりも少なくすることにより、本発明の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】従来の配線基板を例示する断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図４】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図５】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図６】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図７】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図８】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。
【図９】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。
【図１０】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その８）である。
【図１１】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その９）である。
【図１２】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１０）である。
【図１３】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１１）である。
【図１４】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１２）である。
【図１５】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１３）である。
【図１６】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１４）である。
【図１７】第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【図１８】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図１９】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図２０】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図２１】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図２２】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図２３】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。
【図２４】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。
【図２５】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その８）である。
【図２６】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その９）である。
【符号の説明】
【００９５】
１０，３０  配線基板
１１，３１  第１配線層
１１ａ，１４ａ，１５ａ，３４ａ，４４ａ  第１層
１１ｂ，１４ｂ，１５ｂ，３４ｂ，４４ｂ  第２層
１２，１２ａ，１２ｂ，３２，３２ａ，３２ｂ  第２配線層
１２ｃ，１２ｄ，３２ｃ，３２ｄ，４２ｃ，４２ｄ  金属層
１３，１３ａ，１３ｂ、４１  第３配線層
１４，３４  第１絶縁層
１４Ｘ，１４Ｚ，１５Ｘ，１５Ｚ，３４Ｘ，３４Ｚ，４１Ｘ，４１Ｚ  配線溝
１４Ｙ，３４Ｙ  第１ビアホール
１５，４４  第２絶縁層
１５Ｙ，４４Ｙ  第２ビアホール
１６  ソルダーレジスト層
１６Ｘ，２２Ｘ，３６Ｘ，４６Ｘ  開口部
２１  支持体
２１ａ  上面
２２  レジスト膜
３６  第１ソルダーレジスト層
３８  貫通電極
３９  コア基板
３９ａ  一方の面
３９ｂ  他方の面
４２，４２ａ，４２ｂ  第４配線層
４６  第２ソルダーレジスト層
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ  部分
Ｔ１，Ｔ３，Ｔ５  深さ
Ｔ２，Ｔ４，Ｔ６  厚さ
【図１】
2010153571.tif 000003
【図３】
2010153571.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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