(57)【要約】【課題】簡素な構造および製造方法を用いて、中点電圧偏差を小さくするとともに中点電圧の温度特性を良好にすることができる磁気検出回路素子を実現する。【解決手段】半絶縁性基板１１上には、半導体膜１３Ａを有する磁気抵抗素子ＭＲ１と半導体膜１３Ｂを有する磁気抵抗素子ＭＲ２とが長尺状に形成されるとともに、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６が形成されている。隣接する入力電圧用電極１４とグランド接続用電極１５との間には、補正用電極１６’が形成されている。補正用電極１６’は、半絶縁性基板１１の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２形成面上とは異なる領域で出力電圧用電極１６に接続する。この際、補正用電極１６’を、当該補正用電極１６’が形成されていない時に発生するリーク電流を、補正用電極１６’の形成により新たに発生するリーク電流で相殺するような設置位置および大きさに設定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束密度の変化に応じて抵抗値が変化する複数の磁気抵抗素子と、該複数の磁気抵抗素子の直列回路を形成する接続電極と、該接続電極を介して前記直列回路に検出用入力電圧を印加するための入力電圧用電極と、前記接続電極を介して前記直列回路をグランドに接続するためのグランド接続用電極と、前記複数の磁気抵抗素子同士の接続点に接続し、該複数の磁気抵抗素子による分圧に基づく検出電圧を出力するための出力電圧用電極と、が半絶縁性基板の一主面上に形成されてなる磁気検出回路素子であって、
前記半絶縁性基板の一主面上における隣接する前記入力電圧用電極、前記グランド接続用電極、前記出力電圧用電極、のいずれか二つの電極の間に、該二つの電極とは異なる前記入力電圧用電極、前記グランド接続用電極、前記出力電圧用電極のいずれかに対して電気的に接続する補正用電極を、前記検出用入力電圧の印加により前記補正用電極と前記二つの電極のいずれかとの間で前記半絶縁性基板を介して所定の電流が流れるような位置および形状で設けた磁気検出回路。
【請求項２】
前記補正用電極は、前記入力電圧用電極、前記グランド接続用電極、前記出力電圧用電極に対して、前記半絶縁性基板の一主面上とは離間された位置で接続されている、請求項１に記載の磁気検出回路素子。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気検出回路素子を備えるとともに、
該磁気検出回路素子を永久磁石に対する被検出体側で且つ前記一主面が被検出体側になるように配置する筐体と、
該筐体内に設けられ、前記磁気検出回路素子の前記入力電圧用電極、前記出力電圧用電極、前記グランド接続用電極のいずれかに接続する接続導体と、を備え、
該接続導体により、前記補正用電極を前記入力電圧用電極、前記出力電圧用電極、前記グランド接続用電極のいずれかに接続する、磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁束密度の変化により被検出体を検出する磁気検出回路素子、およびこれを用いた磁気センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、各種の回転センサが利用されている中、磁気を利用した回転センサが存在する。そして、このような回転センサは、筐体内に永久磁石を配置し、該永久磁石の被検出体側に磁気抵抗素子を有する磁気検出回路素子を配置した構造を有する。この磁気検出回路素子では、一般的にＳｉ等の半絶縁性基板上に、磁束密度の変化により抵抗値が変化するＩｎＳｂ等の半導体膜を長尺状に形成し、さらに半導体膜の上面に導体からなる短絡電極を長尺方向に沿って複数形成することで磁気抵抗素子を構成する。そして、磁気検出回路素子は、複数（例えば一対）の磁気抵抗素子を直列接続し、当該直列回路に一定値からなる直流電圧を印加し続け、複数の磁気抵抗素子同士の接続点での分圧電圧を検出電圧信号として出力する。したがって、このような磁気検出回路素子は、直流電圧を印加させるための入力電圧用電極、グランドに接続させるためのグランド接続用電極、検出電圧信号を出力するための出力電圧用電極が半絶縁性基板上に形成された構成となる。
【０００３】
ここで、上述のように半絶縁性基板としてＳｉを用い、半導体膜としてＩｎＳｂを用いる場合のように、半絶縁性基板と半導体膜との抵抗値比が小さい場合で、且つ、出力電圧用電極が入力電圧用電極やグランド接続用電極に近接して配置されている場合には、半導体膜に流れるべき電流が半絶縁性基板内を流れてしまいリーク電流が発生する。このため、磁気抵抗素子の接続点（中点）から得られる検出電圧信号の電圧値（以下、「中点電圧」と称する。）の初期値が、リーク電流の発生しない前提からなる設計値に対してズレるという問題が発生する。以下、この問題を、「中点電圧偏差」が大きくなると称する。さらに、半絶縁性基板の抵抗温度特性と半導体膜の抵抗温度特性とが異なることにより、中点電圧が温度により変化するという問題も発生する。
【０００４】
そこで、従来、「中点電圧偏差」が大きくなる問題を解決するため、特許文献１では、半絶縁性基板であるＳｉ基板の比抵抗や厚みを規制したり、半絶縁性基板とは異なる特性の層を設けたり、半絶縁性基板に溝を設けたりすることで、半絶縁性基板へのリーク電流の流れを防止している。
【０００５】
また、中点電圧の温度特性に関する問題を解決するため、特許文献２では、半導体膜に対して意図的に不純物をドーピングして半導体膜の温度による抵抗値の変化が少なくなるようにしている。
【特許文献１】特開平９−１６２４５９号公報
【特許文献２】特開２００５−３２７８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１，２に示す構成や方法では、半絶縁性基板に対して新たな層を挿入したり、半絶縁性基板に物理的な加工を行なったり、半導体膜の形成時に不純物をドーピングするため、磁気検出回路素子全体として形成が容易でなかったり、複雑な工程を経由しなければ形成できない、という問題が生じる。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、簡素な構造および製造方法を用いて、中点電圧偏差を小さくするとともに中点電圧の温度特性を良好にすることができる磁気検出回路素子を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の磁気検出回路素子は、複数の磁気抵抗素子、接続電極、入力電圧用電極、グランド接続用電極、出力電圧用電極が、半絶縁性基板の一主面上に形成されたものである。磁気抵抗素子は、磁束密度の変化に応じて抵抗値が変化する。接続電極は、これら複数の磁気抵抗素子の直列回路を形成する。入力電圧用電極は、接続電極を介して直列回路に検出用入力電圧を印加する。グランド接続用電極は、接続電極を介して直列回路をグランドに接続する。出力電圧用電極は、複数の磁気抵抗素子同士の接続点に接続し、該複数の磁気抵抗素子による分圧に基づく検出電圧を出力する。そして、この発明の磁気検出回路素子は、半絶縁性基板の一主面上における隣接する入力電圧用電極、グランド接続用電極、出力電圧用電極のいずれか二つの電極の間に、該二つの電極とは異なる入力電圧用電極、グランド接続用電極、出力電圧用電極のいずれかに対して電気的に接続する補正用電極を設けている。この際、補正用電極は、検出用入力電圧の印加により補正用電極と二つの電極のいずれかとの間で半絶縁性基板を介して所定の電流が流れるような位置および形状で設けられている。
【０００９】
この構成では、補正用電極を入力電圧用電極、グランド接続用電極、出力電圧用電極に接続することで、補正用電極は、これら電極のいずれかと同電位になる。このような補正用電極を半絶縁性基板上の所定位置に新たに形成することで、補正用電極の形成前には存在しなかった、入力電圧用電極と出力電圧用電極との間やグランド接続用電極と出力電圧用電極との間の新たなリーク電流（リーク抵抗）が意図的に発生させられる。このように、補正用電極の形成前に生じるリーク電流に加えて補正用電極の形成によるリーク電流を加えることで、リーク電流全体により中点電圧偏差に与える影響が変化する。ここで、補正用電極の形成に基づくリーク電流による中点電圧偏差への影響を利用して、補正用電極の形成前のリーク電極による中点電圧偏差への影響を相殺する形状の補正用電極を用いることで、中点電圧偏差が小さくなる。さらに、リーク電流同士が相殺されることで、半絶縁性基板と半導体膜との抵抗温度特性の相違による中点電圧の温度特性が安定化される。この際、補正用電極は、他の電極のパターニングと同時に行うことができるので、形成が容易となる。
【００１０】
また、この発明の磁気検出回路素子の補正用電極は、入力電圧用電極、グランド接続用電極、出力電圧用電極に対して、半絶縁性基板の一主面上とは離間された位置で接続されている。
【００１１】
この構成では、補正用電極に対する接続導体が半絶縁性基板の一主面上以外に形成されるので、当該接続導体による新たなリーク電流の発生が防止される。
【００１２】
また、この発明の磁気センサは、上述の磁気検出回路素子と、筐体と、接続導体とを備える。筐体は、磁気検出回路素子が永久磁石に対する被検出体側で且つ磁気検出回路素子の一主面が被検出体側になるように、磁気検出回路素子および永久磁石を保持する。接続導体は、筐体内に設けられており、磁気検出回路素子の入力電圧用電極、出力電圧用電極、グランド接続用電極のいずれかに接続する。そして、この発明の磁気検出回路素子は、この接続導体により、補正用電極を入力電圧用電極、出力電圧用電極、グランド接続用電極のいずれかに接続する。
【００１３】
この構成では、上述の磁気検出回路素子を磁気センサに組み込む際に、補正用電極と補正用電極を入力電圧用電極、出力電圧用電極、グランド接続用電極との接続が、元々、磁気センサに設けられている接続導体により行われる。これにより、補正電極用に対する接続用の電極パターンを新たに設ける必要がない。また、補正用電極に対する接続用の電極パターンを設けることによる、さらなるリーク電流の発生を防止できる。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、簡素な構造で且つ複雑な製造工程を用いなくても、中点電圧偏差を小さくできるとともに中点電圧の温度による変化を抑制できる磁気検出回路素子を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の第１の実施形態に係る磁気検出回路素子および磁気センサについて図を参照して説明する。
【００１６】
図１（Ａ）は本実施形態の磁気検出回路素子１１の構成を示す平面図であり、図１（Ｂ）は当該磁気検出回路素子１１の概念を説明するための等価回路図である。なお、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す点線からなる回路部分は、実際にディスクリート部品や電極パターンのような有形の部材が設置されたものを表しているのではなく、磁気検出回路素子１１の特性上、点線で表現される機能が存在することを示している。
【００１７】
磁気検出回路素子１１は、Ｓｉ，ＧａＡｓ等を基材とする所定厚みを有する半絶縁性基板１２を備える。なお、ここでいう半絶縁性基板とは、不純物を含まない基板において高抵抗（比抵抗が数ＭΩ）を示す半導体基板のことをいう。半絶縁性基板１２の一方の主面（本発明の「一主面」に相当する。）には、ＩｎＳｂ，ＧａＡｓ，ＮｉＳｂ，ＩｎＡｓ等を材料とする半導体膜１３Ａ，１３Ｂが形成されている。半導体膜１３Ａ，１３Ｂは、平面視した状態で長尺状に形成されており、長尺方向が平行になるように配置されている。半導体膜１３Ａ，１３Ｂの表面には、導電性材料からなる短絡電極が長尺方向に沿って所定の間隔パターンで形成されている。この短絡電極の形成パターンにより半導体膜１３Ａ，１３Ｂの磁束密度に対する感度、すなわち、被検体の通過による磁束密度の変化量に応じて抵抗値が変化する割合が設定される。そしてこのように短絡電極が形成された半導体膜１３Ａ，１３Ｂにより磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２が構成される。なお、以下の説明では、特別な記載をしない限り、短絡電極付きの半導体膜を単に半導体膜として取り扱う。
【００１８】
入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６は、半導体膜１３Ａ，１３Ｂの長尺方向に沿って、半絶縁性基板１２の一方端（図１（Ａ）を見た左端）から、グランド接続用電極１５、入力電圧用電極１４、出力電圧用電極１６の順で配列して形成されている。
【００１９】
入力電圧用電極１４は、導電性材料からなる接続電極１７により半導体膜１３Ａの長尺方向の一方端に接続する。グランド接続用電極１５は、接続電極１７により半導体膜１３Ｂの長尺方向の一方端に接続する。出力電圧用電極１６は、接続電極１７により半導体膜１３Ａおよび半導体膜１３Ｂの長尺方向の他方端に接続する。
【００２０】
このような構成とすることで、磁気検出回路素子１１は、図１（Ｂ）の実線で示すように、磁気抵抗素子ＭＲ１と磁気抵抗素子ＭＲ２とを、入力電圧用電極１４（Ｖｉｎ）とグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）との間に直列接続し、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の接続点を出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）へ接続した回路構成を実現している。このような構成の磁気検出回路素子１１の入力電圧用電極１４へ例えば５．０Ｖ等の直流電圧を印加すると、理想的には出力電圧用電極１６から、磁気抵抗素子ＭＲ１と磁気抵抗素子ＭＲ２による分圧比に応じた電圧値の直流電圧が出力される。
【００２１】
しかしながら、上述の従来技術に示したように、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６の内の隣り合う電極間でリーク電流が流れる。すなわち、図１のＲｒ１，Ｒｒ２に示すように、隣り合う電極間にリーク抵抗が接続されたような回路構成となる。これにより、等価回路的には、図１（Ｂ）の実線部分および点線部分におけるリーク抵抗Ｒｒ１，Ｒｒ２が接続される回路部に示すように、入力電圧用電極１４（Ｖｉｎ）とグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）との間にリーク抵抗Ｒｒ１が接続され、入力電圧用電極１４（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ１とリーク抵抗Ｒｒ２との並列回路が接続され、出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）とグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ２が接続された構成となる。
【００２２】
そこで、本実施形態では、さらに、隣り合う入力電圧用電極１４とグランド接続用電極１５との間に、出力電圧用電極１６に電気的に接続する補正用電極１６’を配置する。補正用電極１６’は、半絶縁性基板１２の一方の主面以外領域に形成された接続導体１８により出力電圧用電極１６に接続される。これにより、補正用電極１６’と入力電圧用電極１４との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ１が挿入され、補正用電極１６’とグランド接続用電極１５との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ２が挿入された回路構成となる。
【００２３】
すなわち、図１（Ｂ）に示すように、入力電圧用電極１４（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ１とリーク抵抗Ｒｒ２，Ｒｃ１との並列回路が接続され、出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）とグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ２とリーク抵抗Ｒｃ２との並列回路が接続され、入力電圧用電極１４（Ｖｉｎ）とグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）との間にリーク抵抗Ｒｒ１が接続された構成となる。
【００２４】
ここで、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２との分圧比に対して、リーク抵抗Ｒｃ１，Ｒｒ２の並列回路とリーク抵抗Ｒｃ２との分圧比が一致するように、補正用電極１６’の形状および形成位置を設定する。例えば、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の抵抗値が一致する場合であれば、リーク抵抗Ｒｃ１，Ｒｒ２の並列回路の合成抵抗値と、リーク抵抗Ｒｃ２の抵抗値とが一致するように、補正用電極１６’の形状および形成位置を設定する。なお、形成位置とは、補正用電極１６’と他の電極、特にリーク抵抗を決定する入力電圧用電極１４やグランド接続用電極１５との距離に基づいて設定されるものである。
【００２５】
このような構成とすることで、補正用電極１６’が形成されていない状態の電極パターンに起因して生じるリーク抵抗Ｒｒ２による中点電圧偏差を抑制して小さくすることができる。この際、リーク抵抗Ｒｃ１，Ｒｒ２の並列回路とリーク抵抗Ｒｃ２とによる直列合成抵抗値は、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の直列合成抵抗値に対して、大幅に大きい値（例えば、１００倍以上）にするとよい。これにより、入力電圧用電極１４から与えられた直流電圧による電流は、主として、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２側に流れ、リーク抵抗Ｒｃ１，Ｒｒ２の並列回路およびリーク抵抗Ｒｃ２側には流れない。したがって、検出感度を低下させることがなく、被検出体の通過による磁束密度の変化を検出することができる。
【００２６】
このように本実施形態の構成を用いることで、中点電圧偏差を小さく抑えることができるとともに、中点電圧の温度変化を抑制する磁気検出回路素子を実現することができる。この際、補正用電極による各リーク抵抗の抵抗値を適宜大きく設定することで、検出感度を下げることなく検出を行うことができる。さらに、補正用電極は、入力電圧用電極、出力電圧用電極、グランド接続用電極、および接続電極と同じ材料で形成可能であり、半絶縁性基板１２の一主面に形成された電極パターンの一部と見なすことができるので、入力電圧用電極、出力電圧用電極、グランド接続用電極、および接続電極と同時にパターニングすることができ、簡素な構造および簡素な製造方法で形成することができる。
【００２７】
このような磁気検出回路素子１１は、図２に示すような磁気センサ１に搭載される。
図２は、磁気センサ１の主要構成を示す側面図であり、構造が分かりやすいように断面図形式で示している。
【００２８】
磁気センサ１は、絶縁性材料からなる略直方体形状の筐体２を備え、当該筐体２内に永久磁石３が設置されている。永久磁石３の被検出体側には、上述の磁気検出回路素子１１が配置されている。磁気検出回路素子１１は、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２が形成される面（一主面）が半絶縁性基板１２を基準にして永久磁石３と反対側になるように配置されている。磁気検出回路素子１１の入力電圧用電極、出力電圧用電極、グランド接続用電極（図２には図示せず）は、接続導体６により外部接続用端子５にそれぞれ接続されている。
【００２９】
磁気検出回路素子１１の一主面のさらに上面には、絶縁シート７が設置されており、カバー４から磁気検出回路素子１１の一主面上の各部を電気的に絶縁している。カバー４は、磁気センサ１を構成する各部材を覆う形状からなる。
【００３０】
ここで、上述の磁気検出回路素子１１の補正用電極１６’と出力電圧用電極１６とを接続する接続導体１８を、磁気センサ１を構成する接続導体６や外部接続用端子５の一部を用いて生成する。このような構成とすることで、接続導体１８を磁気検出回路素子１１の一主面上に形成する必要が無く、当該接続導体１８による新たなリーク抵抗の発生を防止することができる。さらに、磁気センサ１の接続導体６や外部接続用端子５を用いることで、元々磁気センサ１に必要な構成要素により、補正用電極１６’と出力電圧用電極１６とを接続する接続導体１８を形成できるので、容易に設計および形成ができる。
【００３１】
次に、第２の実施形態に係る磁気検出回路素子について図を参照して説明する。
図３（Ａ）は本実施形態の本実施形態の磁気検出回路素子２１の構成を示す平面図であり、図３（Ｂ）は当該磁気検出回路素子２１の概念を説明するための等価回路図である。
本実施形態の磁気検出回路素子２１は、出力電圧を二つ備えるものであり、基本的な構成は、出力電圧が一つである第１の実施形態に類似する。
【００３２】
磁気検出回路素子２１は、第１の実施形態の半絶縁性基板１２と同様の半絶縁性基板２２を備える。半絶縁性基板２２の一主面には、半導体膜２３Ａ〜２３Ｄが形成されている。半導体膜２３Ａ〜２３Ｄは、平面視した状態で長尺状に形成されており、長尺方向が平行になるように配置されている。半導体膜２３Ａ〜２３Ｄの表面には短絡電極が長尺方向に沿って所定の間隔パターンで形成されている。そして、このように短絡電極が形成された半導体膜２３Ａ〜２３Ｄにより磁気抵抗素子ＭＲ１〜ＭＲ４が構成される。
【００３３】
これら半導体膜２３Ａ〜２３Ｄの形成領域の外側で、配列方向の一方端側（図３（Ａ）の上側）には、半導体膜２３Ａ〜２３Ｄの長尺方向に沿って、入力電圧用電極２４、出力電圧用電極２６１、出力電圧用電極２６３が配列して形成されている。また、半導体膜２３Ａ〜２３Ｄの形成領域の外側で、配列方向の他方端側（図３（Ａ）の下側）には、半導体膜２３Ａ〜２３Ｄの長尺方向に沿って、出力電圧用電極２６２、出力電圧用電極２６４、グランド接続用電極２５が配列して形成されている。この際、半導体膜２３Ａ〜２３Ｄの長尺方向を対称基準として、入力電圧用電極２４と出力電圧用電極２６２とが対向するように配置されている。
【００３４】
入力電圧用電極２４は、接続電極２７１により半導体膜２３Ａ，２３Ｂの長尺方向の一方端に接続する。出力電圧用電極２６１は、接続電極２７１により半導体膜２３Ａの長尺方向の他方端に接続する。出力電圧用電極２６３は、接続電極２７１により半導体膜２３Ｂの長尺方向の他方端に接続する。
【００３５】
出力電圧用電極２６２は、接続電極２７２により半導体膜２３Ｃの長尺方向の一方端に接続する。出力電圧用電極２６４は、接続電極２７２により半導体膜２３Ｄの長尺方向の一方端に接続する。グランド接続用電極２５は、接続電極２７２により半導体膜２３Ｃ，２３Ｄの長尺方向の他方端に接続する。
【００３６】
さらに、出力電圧用電極２６１と出力電圧用電極２６２とは、図示していない電極パターンや接続導体により電気的に接続されており、出力電圧用電極２６３と出力電圧用電極２６４とも、図示していない電極パターンや接続導体により電気的に接続されている。例えば、接続導体は、第１の実施形態に示すように、磁気センサを構成する接続導体等により実現することができる。また、電極パターンは、これら半導体膜等が形成された半絶縁性基板２２の一主面上に絶縁膜を形成し、当該絶縁膜上に形成した電極パターンにより実現することができる。
【００３７】
このような構成とすることで、磁気検出回路素子２１は、図２（Ｂ）の実線に示すように、磁気抵抗素子ＭＲ１と磁気抵抗素子ＭＲ３とを、入力電圧用電極２４（Ｖｉｎ）とグランド接続用電極２５（ＧＮＤ）との間に直列接続し、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ３の接続点を出力電圧用電極２６１，２６２（Ｖｏｕｔ−Ａ）へ接続した回路構成を実現する。これと同時に、磁気検出回路素子２１は、図２（Ｂ）の実線に示すように、磁気抵抗素子ＭＲ２と磁気抵抗素子ＭＲ４とを、入力電圧用電極２４（Ｖｉｎ）とグランド接続用電極２５（ＧＮＤ）との間に直列接続し、磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ４の接続点を出力電圧用電極２６３，２６４（Ｖｏｕｔ）へ接続した回路構成を実現する。このような構成の磁気検出回路素子２１の入力電圧用電極２４（Ｖｉｎ）へ例えば５．０Ｖ等の直流電圧を印加すると、理想的には出力電圧用電極２６１，２６２（Ｖｏｕｔ−Ａ）から磁気抵抗素子ＭＲ１と磁気抵抗素子ＭＲ３による分圧比に応じた電圧値の直流電圧が出力されるとともに、出力電圧用電極２６３，２６４（Ｖｏｕｔ−Ｂ）から磁気抵抗素子ＭＲ２と磁気抵抗素子ＭＲ４による分圧比に応じた電圧値の直流電圧が出力される。
【００３８】
しかしながら、入力電圧用電極２４、グランド接続用電極２５と出力電圧用電極２６１〜２６４とにおける隣り合う電極間でリーク電流が流れる。すなわち、図１のＲｒ１〜Ｒｒ４に示すように、隣り合う電極間にリーク抵抗が接続されたような回路構成となる。
【００３９】
これにより、等価回路的には、図３（Ｂ）の実線部分および点線部分におけるリーク抵抗Ｒｒ１〜Ｒｒ４（Ｒｒ１，Ｒｒ２は接続されているものと見なす）が接続される回路部に示すように、入力電圧用電極２４（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極２６１，２６２（Ｖｏｕｔ−Ａ）との間に磁気抵抗素子ＭＲ１とともにリーク抵抗Ｒｒ１，Ｒｒ２が並列接続され、出力電圧用電極２６１，２６２（Ｖｏｕｔ−Ａ）とグランド接続用電極２５（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ２が接続された構成となる。また、入力電圧用電極２４（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極２６３，２６４（Ｖｏｕｔ−Ｂ）との間に磁気抵抗素子ＭＲ３が接続され、出力電圧用電極２６３，２６４（Ｖｏｕｔ−Ｂ）とグランド接続用電極２５（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ４とともにリーク抵抗Ｒｒ２，Ｒｒ４が並列接続された構成となる。
【００４０】
そこで、本実施形態では、さらに、隣り合う入力電圧用電極２４と出力電圧用電極２６１との間に、出力電圧用電極２６３，２６４のいずれかに電気的に接続する補正用電極２６６’を配置する。補正用電極２６６’は、半絶縁性基板２２の一方の主面以外領域に形成された接続導体により出力電圧用電極２６３，２６４のいずれかに接続される。これにより、補正用電極２６６’と入力電圧用電極２４との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ３が挿入されるとともに、入力電圧用電極２４と出力電圧用電極２６１との間に存在したリーク抵抗Ｒｒ１が無くなる回路構成となる。
【００４１】
また、本実施形態では、さらに、隣り合うグランド接続用電極２５と出力電圧用電極２６４との間に、出力電圧用電極２６１，２６２のいずれかに電気的に接続する補正用電極２６５’を配置する。補正用電極２６５’は、半絶縁性基板２２の一方の主面以外領域に形成された接続導体により出力電圧用電極２６１，２６２のいずれかに接続される。これにより、補正用電極２６５’とグランド接続用電極２５との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ４が挿入されるとともに、グランド接続用電極２５と出力電圧用電極２６４との間に存在したリーク抵抗Ｒｒ２が無くなる回路構成となる。
【００４２】
すなわち、図３（Ｂ）に示すように、入力電圧用電極２４（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極２６１，２６２（Ｖｏｕｔ−Ａ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ１とリーク抵抗Ｒｒ３との並列回路が接続され、出力電圧用電極２６１，２６２（Ｖｏｕｔ−Ａ）とグランド接続用電極２５（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ３とリーク抵抗Ｒｃ４との並列回路が接続された構成となる。さらに、入力電圧用電極２４（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極２６３，２６４（Ｖｏｕｔ−Ｂ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ２とリーク抵抗Ｒｃ３との並列回路が接続され、出力電圧用電極２６３，２６４（Ｖｏｕｔ−Ｂ）とグランド接続用電極２５（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ４とリーク抵抗Ｒｒ４との並列回路が接続された構成となる。
【００４３】
ここで、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ３の分圧比に対して、リーク抵抗Ｒｒ３，Ｒｃ４の分圧比が一致するように、補正用電極２６５’の形状および形成位置を設定するとともに、磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ４の分圧比に対して、リーク抵抗Ｒｃ３，Ｒｒ４の分圧比が一致するように、補正用電極２６６’の形状および形成位置を設定する。例えば、磁気抵抗素子ＭＲ１〜ＭＲ４の抵抗値が一致する場合であれば、リーク抵抗Ｒｃ３，Ｒｃ４，Ｒｒ３，Ｒｒ４の抵抗値を同じに設定する。これにより、補正用電極２６５’、２６６’が形成されていない状態の電極パターンに起因して生じるリーク抵抗Ｒｒ１〜Ｒｒ４による中点電圧偏差を抑制して小さくすることができる。この際、リーク抵抗Ｒｒ３，Ｒｃ４の直列合成抵抗値と、リーク抵抗Ｒｃ３，Ｒｒ４の直列合成抵抗値とは、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ３の直列合成抵抗値および磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ４の直列合成抵抗値に対して、大幅に大きい値（例えば、１００倍以上）にするとよい。これにより、入力電圧用電極２４から与えられた直流電圧による電流は、主として、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ３の直列回路および磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ４の直列回路に流れる。したがって、検出感度を低下させることがなく、被検出体の通過による磁束密度の変化を検出することができる。
【００４４】
このように本実施形態の構成を用いても、上述の第１の実施形態と同様に、中点電圧偏差を小さく抑えることができるとともに、中点電圧の温度変化を抑制する磁気検出回路素子を実現することができる。
【００４５】
図４は、本実施形態の構成を用いた前後による検知出力電圧の温度特性を示した図である。
図４に示すように、本実施形態の構成を用いなければ、出力電圧用電極２６１，２６２（Ｖｏｕｔ−Ａ）の出力電圧の温度変化が約−２０℃から約１００℃の間で約１１ｍＶ生じたが、本実施形態の構成を用いることで、約５ｍＶまで低減することができる。また、出力電圧用電極２６３，２６４（Ｖｏｕｔ−Ｂ）の初期電圧値のズレも、約３０℃で約３ｍＶ改善することができる。
【００４６】
次に、第３の実施形態に係る磁気検出回路素子３１の構成について説明する。
図５（Ａ）は、本実施形態の本実施形態の磁気検出回路素子３１の構成を示す平面図であり、図５（Ｂ）は当該磁気検出回路素子３１の概念を説明するための等価回路図である。
【００４７】
本実施形態の磁気検出回路素子３１は、補正用電極３４’，３５’の構成が異なるのみで、他の構成は、第２の実施形態の磁気検出回路素子２１と同じである。したがって、補正用電極３４’、３５’に関する部分のみを説明する。
【００４８】
本実施形態では、隣り合う入力電圧用電極２４と出力電圧用電極２６１との間に、グランド接続用電極２５に電気的に接続する補正用電極３５’を配置する。補正用電極３５’は、半絶縁性基板３２の一方の主面以外領域に形成された接続導体によりグランド接続用電極２５に接続される。これにより、補正用電極３５’と出力電圧用電極２６１との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ５が挿入されるとともに、入力電圧用電極２４と出力電圧用電極２６１との間に存在したリーク抵抗Ｒｒ１が無くなる回路構成となる。
【００４９】
また、本実施形態では、さらに、隣り合うグランド接続用電極２５と出力電圧用電極２６４との間に、入力電圧用電極２４に電気的に接続する補正用電極３４’を配置する。補正用電極３４’は、半絶縁性基板２２の一方の主面以外領域に形成された接続導体により入力電圧用電極２４に接続される。これにより、補正用電極３４’と出力電圧用電極２６４との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ６が挿入されるとともに、グランド接続用電極２５と出力電圧用電極２６４との間に存在したリーク抵抗Ｒｒ２が無くなる回路構成となる。
【００５０】
すなわち、図５（Ｂ）に示すように、入力電圧用電極２４（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極２６１，２６２（Ｖｏｕｔ−Ａ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ１とリーク抵抗Ｒｒ３との並列回路が接続され、出力電圧用電極２６１，２６２（Ｖｏｕｔ−Ａ）とグランド接続用電極２５（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ３とリーク抵抗Ｒｃ５との並列回路が接続された構成となる。さらに、入力電圧用電極２４（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極２６３，２６４（Ｖｏｕｔ−Ｂ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ２とリーク抵抗Ｒｃ６との並列回路が接続され、出力電圧用電極２６３，２６４（Ｖｏｕｔ−Ｂ）とグランド接続用電極２５（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ４とリーク抵抗Ｒｒ４との並列回路が接続された構成となる。
【００５１】
ここで、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ３の分圧比に対して、リーク抵抗Ｒｒ３，Ｒｃ５の分圧比が一致するように、補正用電極３５’の形状および形成位置を設定するとともに、磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ４の分圧比に対して、リーク抵抗Ｒｃ６，Ｒｒ４の分圧比が一致するように、補正用電極３４’の形状および形成位置を設定する。例えば、磁気抵抗素子ＭＲ１〜ＭＲ４の抵抗値が一致する場合であれば、リーク抵抗Ｒｃ５，Ｒｃ６，Ｒｒ３，Ｒｒ４の抵抗値を同じに設定する。これにより、補正用電極３４’、３５’が形成されていない状態の電極パターンに起因して生じるリーク抵抗Ｒｒ１〜Ｒｒ４による中点電圧偏差を抑制して小さくすることができる。この際、リーク抵抗Ｒｒ３，Ｒｃ５の直列合成抵抗値と、リーク抵抗Ｒｃ６，Ｒｒ４の直列合成抵抗値とは、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ３の直列合成抵抗値および磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ４の直列合成抵抗値に対して、大幅に大きい値（例えば、１００倍以上）にするとよい。これにより、入力電圧用電極２４から与えられた直流電圧による電流は、主として、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ３の直列回路および磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ４の直列回路に流れる。したがって、検出感度を低下させることがなく、被検出体の通過による磁束密度の変化を検出することができる。
【００５２】
このように本実施形態の構成を用いても、上述の第１の実施形態と同様に、中点電圧偏差を小さく抑えることができるとともに、中点電圧の温度変化を抑制する磁気検出回路素子を実現することができる。
【００５３】
次に、第４の実施形態に係る磁気検出回路素子について図を参照して説明する。
図６（Ａ）は本実施形態の本実施形態の磁気検出回路素子４１の構成を示す平面図であり、図６（Ｂ）は当該磁気検出回路素子４１の概念を説明するための等価回路図である。
【００５４】
本実施形態の磁気検出回路素子４１は、第２、第３の実施形態対して入力電圧用電極、出力電圧用電極、グランド接続用電極、および補正電極の配置パターンが異なるものであり、磁気抵抗素子ＭＲ１〜ＭＲ４を構成する半導体膜４３Ａ〜４３Ｄの形成パターンは同じである。
【００５５】
これら半導体膜４３Ａ〜４３Ｄの形成領域の外側で、配列方向の一方端側（図６（Ａ）の上側）には、半導体膜４３Ａ〜４３Ｄの長尺方向に沿って、入力電圧用電極４４、出力電圧用電極４６１、出力電圧用電極４６３が配列して形成されている。また、半導体膜４３Ａ〜４３Ｄの形成領域の外側で、配列方向の他方端側（図６（Ａ）の下側）には、半導体膜４３Ａ〜４３Ｄの長尺方向に沿って、グランド接続用電極４５、出力電圧用電極４６４、出力電圧用電極４６２が配列して形成されている。この際、半導体膜４３Ａ〜４３Ｄの長尺方向を対称基準として、入力電圧用電極４４とグランド接続用電極４５とが対向するように配置されている。
【００５６】
入力電圧用電極４４は、接続電極４７１により半導体膜４３Ａ，４３Ｂの長尺方向の一方端に接続する。出力電圧用電極４６１は、接続電極４７１により半導体膜４３Ａの長尺方向の他方端に接続する。出力電圧用電極４６３は、接続電極４７１により半導体膜４３Ｂの長尺方向の他方端に接続する。
【００５７】
グランド接続用電極４５は、接続電極４７２により半導体膜４３Ｃ，４３Ｄの長尺方向の一方端に接続する。出力電圧用電極４６４は、接続電極４７２により半導体膜４３Ｄの長尺方向の他方端に接続する。出力電圧用電極４６２は、接続電極４７２により半導体膜４３Ｃの長尺方向の一方端に接続する。
【００５８】
さらに、出力電圧用電極４６１と出力電圧用電極４６２は、図示していない電極パターンや接続導体により電気的に接続されており、出力電圧用電極４６３と出力電圧用電極４６４も、図示していない電極パターンや接続導体により電気的に接続されている。例えば、接続導体は、第１の実施形態に示すように、磁気センサを構成する接続導体等により実現することができる。また、電極パターンは、これら半導体膜等が形成された半絶縁性基板４２の一主面上に絶縁膜を形成し、当該絶縁膜上に形成した電極パターンにより実現することができる。
【００５９】
さらに、隣り合う出力電圧用電極４６１，４６３の間に、入力電圧用電極４４に電気的に接続する補正用電極４４’を配置する。補正用電極４４’は、半絶縁性基板４２の一方の主面以外領域に形成された接続導体により入力電圧用電極４４に接続される。これにより、補正用電極４４’と出力電圧用電極４６１との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ７が挿入されるとともに、補正用電極４４’と出力電圧用電極４６３との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ８が挿入される。
【００６０】
また、さらに、隣り合う出力電圧用電極４６２，４６４の間に、グランド接続用電極４５に電気的に接続する補正用電極４５’を配置する。補正用電極４５’は、半絶縁性基板４２の一方の主面以外領域に形成された接続導体により入力電圧用電極４５に接続される。これにより、補正用電極４５’と出力電圧用電極４６２との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ９が挿入されるとともに、補正用電極４５’と出力電圧用電極４６４との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ１０が挿入される。
【００６１】
これにより、図６（Ｂ）に示すように、入力電圧用電極４４，４４’（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極４６１，４６２（Ｖｏｕｔ−Ａ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ１とリーク抵抗Ｒｒ１とリーク抵抗Ｒｃ７の並列回路が接続され、出力電圧用電極４６１，４６２（Ｖｏｕｔ−Ａ）とグランド接続用電極４５，４５’（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ３とリーク抵抗Ｒｃ９との並列回路が接続された構成となる。さらに、入力電圧用電極４４，４４’（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極４６３，４６４（Ｖｏｕｔ−Ｂ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ２とリーク抵抗Ｒｃ８との並列回路が接続され、出力電圧用電極４６３，４６４（Ｖｏｕｔ−Ｂ）とグランド接続用電極４５，４５’（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ４とリーク抵抗Ｒｒ２とリーク抵抗Ｒｃ１０の並列回路が接続された構成となる。さらに、入力電圧用電極４４，４４’とグランド接続用電極４５，４５’との間に、中点電圧特性に影響を与えないリーク抵抗Ｒｒ５が接続された構成となる。
【００６２】
ここで、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ３の分圧比に対して、リーク抵抗Ｒｒ１とリーク抵抗Ｒｃ７の並列回路とリーク抵抗Ｒｃ９の分圧比が一致するとともに、磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ４の分圧比に対して、リーク抵抗Ｒｃ８とリーク抵抗Ｒｒ２，Ｒｃ１０の並列回路の分圧比が一致するように、補正用電極４４’，４５’の形状および形成位置を設定する。これにより、補正用電極４４’、４５’が形成されていない状態の電極パターンに起因して生じるリーク抵抗Ｒｒ１，Ｒｒ２による中点電圧偏差を抑制して小さくすることができる。この際、リーク抵抗Ｒｒ１，Ｒｃ７の並列回路とリーク抵抗Ｒｃ９との直列合成抵抗値と、リーク抵抗Ｒｃ８とリーク抵抗Ｒｒ２，Ｒｃ１０の並列回路との直列合成抵抗値とは、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ３の直列合成抵抗値および磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ４の直列合成抵抗値に対して、大幅に大きい値（例えば、１００倍以上）にするとよい。これにより、入力電圧用電極４４から与えられた直流電圧による電流は、主として、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ３の直列回路および磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ４の直列回路に流れる。したがって、検出感度を低下させることがなく、被検出体の通過による磁束密度の変化を検出することができる。
【００６３】
このように本実施形態の構成を用いても、上述の各実施形態と同様に、中点電圧偏差を小さく抑えることができるとともに、中点電圧の温度変化を抑制する磁気検出回路素子を実現することができる。
【００６４】
次に、第５の実施形態に係る磁気検出回路素子について図を参照して説明する。
図７（Ａ）は、本実施形態の本実施形態の磁気検出回路素子５１の構成を示す平面図であり、図７（Ｂ）は当該磁気検出回路素子５１の概念を説明するための等価回路図である。
【００６５】
本実施形態の磁気検出回路素子５１は、補正用電極５４’，５５’の構成が異なるのみで、他の構成は、第４の実施形態の磁気検出回路素子４１と同じである。したがって、補正用電極５４’、５５’に関する部分のみを説明する。
【００６６】
本実施形態では、隣り合う出力電圧用電極４６１，４６３との間に、グランド接続用電極４５に電気的に接続する補正用電極５５’を配置する。補正用電極５５’は、半絶縁性基板４２の一方の主面以外領域に形成された接続導体によりグランド接続用電極４５に接続される。これにより、補正用電極５５’と出力電圧用電極４６１との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ１１が挿入される。また、補正用電極５５’と出力電圧用電極４６３との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ１２が挿入される。
【００６７】
また、本実施形態では、さらに、隣り合う出力電圧用電極４６２，４６４との間に、入力電圧用電極４４に電気的に接続する補正用電極５４’を配置する。補正用電極５４’は、半絶縁性基板５２の一方の主面以外領域に形成された接続導体により入力電圧用電極４４に接続される。これにより、補正用電極５４’と出力電圧用電極４６４との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ１３が挿入される。また、補正用電極５４’と出力電圧用電極４６２との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ１４が挿入される。
【００６８】
すなわち、図７（Ｂ）に示すように、入力電圧用電極４４（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極４６１，４６２（Ｖｏｕｔ−Ａ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ１とリーク抵抗Ｒｒ１，Ｒｃ１４との並列回路が接続され、出力電圧用電極４６１，４６２（Ｖｏｕｔ−Ａ）とグランド接続用電極４５（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ３とリーク抵抗Ｒｃ１１との並列回路が接続された構成となる。さらに、入力電圧用電極４４（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極４６３，４６４（Ｖｏｕｔ−Ｂ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ２とリーク抵抗Ｒｃ１３との並列回路が接続され、出力電圧用電極４６３，４６４（Ｖｏｕｔ−Ｂ）とグランド接続用電極４５（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ４とリーク抵抗Ｒｒ２，Ｒｃ１２との並列回路が接続された構成となる。
【００６９】
ここで、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ３の分圧比に対して、リーク抵抗Ｒｒ１，Ｒｃ１４の並列回路とリーク抵抗Ｒｃ１１の分圧比が一致するとともに、磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ４の分圧比に対して、リーク抵抗Ｒｃ１３とリーク抵抗Ｒｒ２，Ｒｃ１２の並列回路の分圧比が一致するように、補正用電極５４’，５５’の形状および形成位置を設定する。これにより、補正用電極５４’、５５’が形成されていない状態の電極パターンに起因して生じるリーク抵抗Ｒｒ１，Ｒｒ２による中点電圧偏差を抑制して小さくすることができる。この際、リーク抵抗Ｒｒ１，Ｒｃ１４の並列回路とリーク抵抗Ｒｃ１１との直列合成抵抗値と、リーク抵抗Ｒｃ１３とリーク抵抗Ｒｒ２，Ｒｃ１２の並列回路との直列合成抵抗値とは、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ３の直列合成抵抗値および磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ４の直列合成抵抗値に対して、大幅に大きい値（例えば、１００倍以上）にするとよい。これにより、入力電圧用電極４４から与えられた直流電圧による電流は、主として、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ３の直列回路および磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ４の直列回路に流れる。したがって、検出感度を低下させることがなく、被検出体の通過による磁束密度の変化を検出することができる。
【００７０】
このように本実施形態の構成を用いても、上述の各実施形態と同様に、中点電圧偏差を小さく抑えることができるとともに、中点電圧の温度変化を抑制する磁気検出回路素子を実現することができる。
【００７１】
なお、上述の各実施形態に示した構成のみでなく、出力電圧用電極の電位が入力電圧用電極の電位もしくはグランド接続用電極の電位に影響されることを相殺するように、出力電圧用電極、入力電圧用電極、グランド接続用電極の少なくとも一つに接続する補正用電極を形成する構成であれば、上述の作用、効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】第１の実施形態の磁気検出回路素子１１の構成を示す平面図、および、当該磁気検出回路素子１１の概念を説明するための等価回路図である。
【図２】磁気センサ１の主要構成を示す側面図である。
【図３】第２の実施形態の磁気検出回路素子２１の構成を示す平面図、および、当該磁気検出回路素子２１の概念を説明するための等価回路図である。
【図４】第２の実施形態の構成を用いた前後による検知出力電圧の温度特性を示した図である。
【図５】第３の実施形態の磁気検出回路素子３１の構成を示す平面図、および、当該磁気検出回路素子３１の概念を説明するための等価回路図である。
【図６】第４の実施形態の磁気検出回路素子４１の構成を示す平面図、および、当該磁気検出回路素子４１の概念を説明するための等価回路図である。
【図７】第５の実施形態の磁気検出回路素子５１の構成を示す平面図、および、当該磁気検出回路素子５１の概念を説明するための等価回路図である。
【符号の説明】
【００７３】
１−磁気センサ、２−筐体、３−永久磁石、４−カバー、５−外部接続用端子、６−接続導体、７−絶縁シート、
１１，２１、３１，４１，５１−磁気検出回路素子、１２，２２，４２−半絶縁性基板、１３Ａ，１３Ｂ，２３Ａ〜２３Ｄ，４３Ａ〜４３Ｄ−半導体膜、１４，２４，４４−入力電圧用電極、１５，２５，４５−グランド接続用電極、１６，２６１〜２６４，４６１〜４６４−出力電圧用電極、１７，２７１，２７２，４７１，４７２−接続電極、１８−接続導体、
１６’，２６５’，２６６’，３４’，３５’，４４’，４５’，５４’，５５’−補正用電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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