(57)【要約】【課題】  本発明は、基板上の高周波用途に適した導体構造体の形成に適したガラス材料及び高周波基板を提供することを目的とする。【解決手段】  高周波基板または高周波導体構成の高周波特性を改善するために、本発明は、塗布層として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有する、１ＧＨｚを超える少なくともある周波数範囲において７０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有する高周波基板または高周波導体構成用の絶縁層を形成するためのガラス材料を提案する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１ＧＨｚを超える少なくともある周波数範囲において７０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有し、塗布層（９、９１、９２、９３、１３）として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲、好適には０．０５μｍ〜１ｍｍの範囲の層厚を有する、高周波基板または高周波導体構成用の絶縁層を形成するガラス材料であって、重量百分率で以下の組成を有する：
ＳｉＯ２      ７１±５、
Ｂ２Ｏ３      ２６±５、
Ａｌ２Ｏ３    １±０．２、
Ｋ２Ｏ        １±０．２、
Ｌｉ２Ｏ      ０．５±０．２、
Ｎａ２Ｏ      ０．５±０．２。
【請求項２】
ガラス材料を含み、かつ１ＧＨｚを超える少なくともある周波数範囲において７０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有し、特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲、好適に０．０５μｍ〜１ｍｍの範囲の層厚を有する高周波基板または高周波導体構成用の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項３】
約４０ＧＨｚの範囲の周波数において５０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有する請求項１に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項４】
４０ＧＨｚの周波数において３０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有する請求項１乃至３の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項５】
蒸着されたガラス材料の堆積によって形成される請求項１乃至４の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項６】
電子ビーム蒸着法によって蒸着されたガラス材料の堆積によって形成される請求項１乃至５の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項７】
１３００℃より低い動作点において形成される請求項１乃至６の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項８】
１ＧＨｚを超える少なくともある周波数範囲において５以下の相対誘電率εＲを有する請求項１乃至７の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項９】
４０ＧＨｚの周波数において、５以下の相対誘電率εＲ、特に５より小さい相対誘電率εＲを有する請求項１乃至８の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１０】
２０℃〜３００℃の温度範囲において２．９×１０−６／Ｋ〜３．５×１０−６／Ｋの範囲でα２０〜３００の熱膨張係数を有する請求項１乃至９の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１１】
２０℃〜３００℃の温度範囲において熱膨張係数α２０〜３００＝（３．２±０．２）×１０−６／Ｋを有する請求項１乃至１０の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１２】
絶縁層が基板材料の熱膨張係数とは２０℃〜３００℃の温度範囲において１×１０−６／Ｋ未満だけ異なる熱膨張係数を有する、基板材料に塗布される請求項１乃至１１の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１３】
耐酸性クラス２までの耐酸性を有する請求項１乃至１２の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１４】
耐アルカリ性クラス３までの耐アルカリ性を有する請求項１乃至１３の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１５】
重量百分率で以下の組成を有するガラス材料から形成される請求項１乃至１４の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）：
ＳｉＯ２      ４０〜９０、
Ｂ２Ｏ３      １０〜４０、
Ａｌ２Ｏ３    ０〜５、
Ｋ２Ｏ        ０〜５、
Ｌｉ２Ｏ      ０〜３、
Ｎａ２Ｏ      ０〜３。
【請求項１６】
重量百分率で以下の組成を有するガラス材料から形成される請求項１乃至１５の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）：
ＳｉＯ２      ６０〜９０、
Ｂ２Ｏ３      １０５〜３０５、
Ａｌ２Ｏ３    ０〜３、
Ｋ２Ｏ        ０〜３、
Ｌｉ２Ｏ      ０〜２、
Ｎａ２Ｏ      ０〜２。
【請求項１７】
重量百分率で以下の組成を有するガラス材料から形成される請求項１乃至１６の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）：
ＳｉＯ２      ７１±５、
Ｂ２Ｏ３      ２６±５、
Ａｌ２Ｏ３    １±０．２、
Ｋ２Ｏ        １±０．２、
Ｌｉ２Ｏ      ０．５±０．２、
Ｎａ２Ｏ      ０．５±０．２。
【請求項１８】
重量百分率で以下の組成を有するガラス材料から形成される請求項１乃至１７の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）：
ＳｉＯ２      ８４±５、
Ｂ２Ｏ３      １１±５、
Ａｌ２Ｏ３    ０．５±０．２、
Ｋ２Ｏ        ０．３±０．２、
Ｌｉ２Ｏ      ０．３±０．２、
Ｎａ２Ｏ      ２±０．２。
【請求項１９】
高周波導体構成（４、４１、４２）を有する構成要素（１０）を形成する方法であって、
特に請求項１に記載のガラス材料を用いて、少なくとも１つの開口部（８）を有する、特に請求項１乃至１８の何れか１項に記載の構造化されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を基板（１）上のコンタクト−コネクション領域（７１〜７４）の上に堆積させる工程と、
前記コンタクト−コネクション領域（７１〜７４）と電気的に接触する、少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）を前記ガラス層（９、９１、９２、９３）に塗布する工程とから構成される方法。
【請求項２０】
前記ガラス層がガラス材料の蒸着によって堆積される請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの導体構造体と接触する少なくとも１つの受動電気構成要素が、前記ガラス層（９、９１、９２、９３）に塗布される請求項１９または２０に記載の方法。
【請求項２２】
先の段階で塗布された導体構造体のコンタクト−コネクション領域に後の段階で塗布される導体構造体を接触させた状態で、構造化されたガラス層を堆積させる前記工程と、少なくとも１つの導体構造体（１１１、１１２、１１３）を塗布する前記工程が多数回にわたって実行される請求項１９乃至２１の何れか１項に記載の方法。
【請求項２３】
少なくとも１つの開口部（８）を有する構造化されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を蒸着コーティングによってコンタクト−コネクション領域（７１〜７４）の上に堆積させる前記工程が、
前記コンタクト−コネクション領域を被覆する構造化された中間層（２１）を塗布する工程と、
蒸着コーティングによって前記基板および該基板上に存在する前記中間層（２１）にガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を塗布する工程であり、該ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）の厚さは前記構造化された中間層（２１）の厚さより薄いことが好ましい工程と、
前記構造化された中間層（２１）上に位置する前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）のそれら領域（９０）がガラス層によって持ち上げられた状態で、前記構造化された中間層（２１）を除去する工程とから構成される請求項１９乃至２２の何れか１項に記載の方法。
【請求項２４】
蒸着コーティングによって前記ガラス層を塗布する前に、前記コンタクト−コネクション領域に隣接する領域に対して突出する導電性材料（１９）が、前記少なくとも１つのコンタクト−コネクション領域（７１〜７４）に塗布され、且つこの材料（１９）が前記構造化された中間層（２１）によって被覆される請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記構造化された中間層（２１）が印刷またはフォトリソグラフィ構造化によって形成される請求項２３又は２４に記載の方法。
【請求項２６】
導体構造体の塗布が、少なくとも凹状に構造化された中間層を塗布する工程および導電性材料を堆積させる工程を含んだ請求項１９乃至２５の何れか１項に記載の方法。
【請求項２７】
構造化されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を堆積させる工程の前に、少なくとも１つの導体構造体、特に相互接続が前記基板に塗布される請求項１９乃至２６の何れか１項に記載の方法。
【請求項２８】
請求項１乃至１７の何れか１項に記載のガラス材料を用いて最終ガラス層（１３）を堆積し、かつ該最終ガラス層（１３）に少なくとも１つのバイア（１５）を形成する工程
を含む請求項１９乃至２７の何れか１項に記載の方法。
【請求項２９】
前記基板（１）が能動半導体領域（３３）を有する半導体基板を含み、前記少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）が、それが塗布されている間に、前記能動半導体領域（３３）の接続場所（３、５）に接続される請求項１９乃至２８の何れか１項に記載の方法。
【請求項３０】
前記少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）が、それが塗布されている間に前記基板（１）を通るバイア（３７）に接続される請求項１９乃至２９の
何れか１項に記載の方法。
【請求項３１】
蒸着コーティングによって前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を塗布する間に、前記基板（１）が５０℃〜２００℃、好適には８０℃〜１２０℃に保たれる請求項１９乃至３０の何れか１項に記載の方法。
【請求項３２】
前記ガラス層（９、９１、９２、９３）が、１分当たり少なくとも０．１μｍの層厚の堆積速度の蒸着コーティングによって塗布される請求項１９乃至３１の何れか１項に記載の方法。
【請求項３３】
前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）内の前記少なくとも１つの開口部（８）が導電性材料（１９）で充填される請求項１９乃至３２の何れか１項に記載の方法。
【請求項３４】
前記基板（１）がまだ前記ウェハに接合されている間に被覆される請求項１９乃至３３の何れか１項に記載の方法。
【請求項３５】
蒸着コーティングによるガラス層（９、９１、９２、９３、１３）の塗布がプラズマ・イオン支援堆積法（ＰＩＡＤ）によって行われる請求項１９乃至３４の何れか１項に記載の方法。
【請求項３６】
特に請求項１９乃至３５の何れか１項に記載の方法を用いて形成される、高周波導体構成（４、４１、４２）を有する構成要素（１０）であって、
少なくとも１つのコンタクト−コネクション領域（７１〜７４）を有する基板（１）と、
前記基板（１）の少なくとも一方の側（３、５）上にあって、バイアを有する少なくとも１つの開口部（８）を備えたガラス層であり、該ガラス層は特に請求項１乃至１７の何れか１項に記載のガラス材料の蒸着によって堆積され、かつ該バイアは前記コンタクト−コネクション領域（７１〜７４）と電気的に接触するガラス層と、
前記バイアと接触する、前記ガラス層（９、９１、９２、９３）上の少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）とを備えた構成要素（１０）。
【請求項３７】
前記少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）に接続された少なくとも１つの受動電気構成要素（２３）を前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）上に含む請求項３６に記載の構成要素。
【請求項３８】
蒸着コーティングによって塗布され、かつ各々該ガラス層に塗布された導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）を含む少なくとも２つのガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を有する多層導体構成（４、４１、４２）を備え、第１のガラス層上の導体構造体がバイア（１５）を介して第２のガラス層上の導体構造体と電気的に接触する請求項３６及び３７の何れか１項に記載の構成要素。
【請求項３９】
前記基板（１）が、前記基板（１）の第１の側（３）上に、前記導体構造体に接続された少なくとも１つの能動半導体領域（３３）を有する半導体基板を含む請求項３６乃至３８の何れか１項に記載の構成要素。
【請求項４０】
１ＧＨｚを超える少なくともある周波数範囲において７０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有し、塗布層（９、９１、９２、９３、１３）として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲、好適には０．０５μｍ〜１ｍｍの範囲の層厚を有する、高周波基板または高周波導体構成用の絶縁層を形成するガラス材料の使用。
【請求項４１】
前記材料が、特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有する塗布層（９、９１、９２、９３、１３）として、約４０ＧＨｚの範囲の周波数において５０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有する請求項２に記載のガラス材料の使用。
【請求項４２】
前記材料が、特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有する塗布層（９、９１、９２、９３、１３）として、４０ＧＨｚの周波数において３０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有する請求項４０及び４１の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項４３】
層（９、９１、９２、９３、１３）を堆積させるために、前記ガラス材料を蒸着することのできる請求項４０乃至４２の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項４４】
電子ビーム蒸着法によって前記ガラス材料を蒸着することのできる請求項４０乃至４３の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項４５】
前記ガラス材料が１３００℃より低い動作点を有する請求項４０乃至４４の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項４６】
前記ガラス材料が、塗布層として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有する、１ＧＨｚを超える少なくともある周波数範囲において５以下の相対誘電率εＲを有する請求項４０乃至４５の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項４７】
前記ガラス材料が、塗布層として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有する、４０ＧＨｚの周波数において、５以下の相対誘電率εＲ、特に５より小さい相対誘電率εＲを有する請求項４０乃至４６の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項４８】
前記ガラス材料が、塗布層として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有する、２０℃〜３００℃の温度範囲において２．９×１０−６／Ｋ〜３．５×１０−６／Ｋの範囲でα２０〜３００の熱膨張係数を有する請求項４０乃至４７の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項４９】
前記ガラス材料が、塗布層として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有する、２０℃〜３００℃の温度範囲において熱膨張係数α２０〜３００＝（３．２±０．２）×１０−６／Ｋを有する請求項４０乃至４８の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５０】
前記ガラス材料が、塗布層として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有する、基板材料の熱膨張係数とは２０℃〜３００℃の温度範囲において１×１０−６／Ｋ未満だけ異なる熱膨張係数を有する請求項４０乃至４９の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５１】
前記ガラス材料が、塗布層として、耐酸性クラス２までの耐酸性を有する請求項４０乃至５０の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５２】
前記ガラス材料が、塗布層として、耐アルカリ性クラス３までの耐アルカリ性を有する請求項４０乃至５１の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５３】
重量百分率で以下の組成を有する請求項４０乃至５２の何れか１項に記載のガラス材料の使用：
ＳｉＯ２      ４０〜９０、
Ｂ２Ｏ３      １０〜４０、
Ａｌ２Ｏ３    ０〜５、
Ｋ２Ｏ        ０〜５、
Ｌｉ２Ｏ      ０〜３、
Ｎａ２Ｏ      ０〜３。
【請求項５４】
重量百分率で以下の組成を有する請求項４０乃至５３の何れか１項に記載のガラス材料の使用：
ＳｉＯ２      ６０〜９０、
Ｂ２Ｏ３      １０５〜３０５、
Ａｌ２Ｏ３    ０〜３、
Ｋ２Ｏ        ０〜３、
Ｌｉ２Ｏ      ０〜２、
Ｎａ２Ｏ      ０〜２。
【請求項５５】
重量百分率で以下の組成を有する請求項４０乃至５４の何れか１項に記載のガラス材料の使用：
ＳｉＯ２      ７１±５、
Ｂ２Ｏ３      ２６±５、
Ａｌ２Ｏ３    １±０．２、
Ｋ２Ｏ        １±０．２、
Ｌｉ２Ｏ      ０．５±０．２、
Ｎａ２Ｏ      ０．５±０．２。
【請求項５６】
重量百分率で以下の組成を有する請求項４０乃至５５の何れか１項に記載のガラス材料の使用：
ＳｉＯ２      ８４±５、
Ｂ２Ｏ３      １１±５、
Ａｌ２Ｏ３    ０．５±０．２、
Ｋ２Ｏ        ０．３±０．２、
Ｌｉ２Ｏ      ０．３±０．２、
Ｎａ２Ｏ      ２±０．２。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に高周波回路の分野を扱い、特に、本発明は基板上の高周波用途に適した導体構造体の形成に適したガラス材料に関し、また高周波基板にも関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業のすう勢は一層高いデータ伝送率に向かっていることが知られている。ギガヘルツ帯の周波数のために、送りシステムおよび放出システムにおいて信号減衰の増大をもたらす。これまでは、導電層で印刷した後、積層および焼結を行うことで高周波回路用の３次元または多層配線を実現する、一次印刷セラミック（ＨＴＣＣ）およびガラス・セラミック（ＬＴＣＣ）多層膜がこのタイプのシステムに使用されてきた。さらに、気密的ではない有機多層膜も使用されている。しかし、高周波では、このタイプの配線システムの伝送損は、相互接続の減衰のために増大する。一般に４０ＧＨｚを超える非常に高い周波数でＨＴＣＣおよびＬＴＣＣを使用することは、このような周波数帯で比較的高い誘電率（ＤＫ）および損失角（ｔａｎδ）による制限を受ける。ＨＴＣＣおよびＬＴＣＣセラミックは、高周波特性に悪影響を及ぼし、かつ粒度に相当する表面輪郭を有するそこに組み込まれた相互接続につながる必然的な粒度を有する。この表面粗さは線路損失の増大につながる。
【０００３】
知られている高周波導電体基板におけるこの高い減衰度の更なる原因は、特に、通常は薄膜技術を用いた、特にはスクリーン印刷を用いた相互接続の塗布にある。この技術を用いて形成される相互接続は、相互接続輪郭が著しく不均一で粗い。この相互接続の不均質さがアンテナとして働くので、放射を通して大きな損失が生じる。
【０００４】
さらに、焼結を行えば、基板の収縮は避けられず、所望の寸法を正確に維持することが困難になる。
【０００５】
より最近の進歩は、種々のＰＶＤ法を用いて蒸着コーティングまたはスパッタリングによって相互接続を塗布することによって薄膜技術の不利を交換することに向かっている。しかし、以前のプロセッサにおいて必要とされる配線スタックを形成するためのＨＴＣＣまたはＬＴＣＣ材料の焼結には、依然として大きな問題がある。例えば、ＬＴＣＣセラミックの焼結は少なくとも９５０℃の温度を必要とする。ＨＴＣＣセラミックの焼結にいたっては１５００℃の温度が必要となる。このような温度は相互接続構造体を変化させることになり、相互接続材料の選択が制限される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際特許出願「ＰｒＯｃｅｓｓ  ｆＯｒ  ｐｒＯｄｕｃｉｎｇ  ａ  ｃＯｍｐＯｎｅｎｔ  ｗｉｔｈ  ａ  ｃＯｎｄｕｃｔＯｒ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ  ｓｕｉｔａＢｌｅ  ｆＯｒ  ｒａｄｉＯ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ａｐｐＬｉｃａｔｉＯｎｓ」
【特許文献２】国際特許出願「ＰｒＯｃｅｓｓ  ｆＯｒ  ｐｒＯｄｕｃｉｎｇ  ａ  ｃＯｍｐＯｎｅｎｔ  ｈａｖｉｎｇ  ａ  ｃＯｎｄｕｃｔＯｒ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ  ｗｈｉｃｈ  ｉｓ  ｓｕｉｔａＢｌｅ  ｆＯｒ  ｒａｄｉＯ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ａｐｐＬｉｃａｔｉＯｎｓ」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、本発明は、特に高周波特性の点で、相互接続系のために改良された材料を提供し、かつ高周波導体構成の高周波特性を改善する目的に基づく。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的は、独立請求項に開示されるように、高周波基板または高周波導体構成用の絶縁層を形成するためのガラス材料、高周波導体構成または高周波相互接続系を有する構成要素を形成する方法、および高周波導体構成を有する構成要素によって非常に驚くほど簡単な方法で達成される。有利な構成および改良点が対応する従属項の主題を成す。
【０００９】
塗布層として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲、好適には０．０５μｍ〜１ｍｍの範囲の層厚を有する、高周波基板または高周波導体構成用の絶縁層を形成するための本発明のガラス材料は、１ＧＨｚを超える少なくともある周波数範囲において７０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有する。
【００１０】
ＬＴＣＣおよびＨＴＣＣ材料はその良好な封止特性のために特に価値があり、このタイプの基板を構成要素のハウジングの一部として使用することを可能にする。ガラスの透過性はほとんどの気体に対して著しく低いので、ガラス層のこの封止特性はより一層良好なものである。
【００１１】
層として塗布されるガラス材料の損失係数が低いために、本発明のガラス材料は高周波用途に非常に適している。
【００１２】
塗布層として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有する本発明のガラス材料は、特に有利には、４０ＧＨｚの周波数において５０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有してよい。この低い損失係数のために、本発明のガラス材料はマイクロ波帯の非常に高い周波数であっても高周波用途の使用に非常に適したものとなる。
【００１３】
本発明の改善によれば、本発明のガラス材料を用いて塗布された０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有する層の損失係数ｔａｎδは、４０ＧＨｚのマイクロ波周波数においてはさらに３０×１０−４以下である。この損失係数はマイクロ波帯におけるＬＴＣＣおよびＨＴＣＣ基板の損失係数よりも一層低いものである。
【００１４】
本発明のガラス材料の特に有利な実施形態によれば、層を堆積させる材料が蒸着され得る。これにより、本発明のガラス材料を用いてＰＶＤコーティングまたは蒸着コーティングによってベース上に絶縁層を堆積させることが可能となる。特に、ベース、例えば、基板上の熱負荷がほんの軽いものとなるので、このことは特に有利である。さらに、例えば、被覆される表面とは反対に、ある距離だけ離れて配置され、かつ本発明のガラス材料を含んだターゲットからガラス材料の蒸着によってガラス層を堆積させることによって、非常に薄く均質な絶縁層を形成することが可能となる。したがって、本ガラス材料を使用すれば、例えば、高周波基板などの高周波構成要素の集積密度を大きくすることも可能となる。
【００１５】
したがって、ガラス層またはガラス質層が蒸着源に向いた基板の表面上に形成され、かつ該源から放出される蒸気に曝露されるように、本発明のこの実施形態のガラス材料を蒸着することができる。本発明のガラス材料のこの特性は、すべてのガラス材料によって提供されるわけではない。多くのガラス材料に関しては、ガラス層またはガラス質層は形成されず、むしろ非ガラス質酸化層が堆積されるだけであり、そのような層は一般に良好な封止および／または高周波特性を有していない。
【００１６】
特に、少なくとも二成分系の材料を含んだガラスは、蒸着コーティングガラスあるいはガラス質層またはガラス層として再度蒸着あるいは堆積され得るガラス材料として特に適している。このタイプのガラスを蒸着することで堆積されたガラス層は、それに欠陥がないために特に優れた封止特性および高周波特性を有する。
【００１７】
電子ビーム蒸着法によって本発明のガラス材料を蒸着できると、特に便宜的である。電子ビーム蒸着法によって、電子ビームが入射する地点に、本ガラス材料を含んだターゲット上に非常に小さなソース・スポットを形成することが可能となるので、電子ビームの出力をこのスポットに集められる。電子ビーム蒸着法によって被覆される基板上で高い堆積率を達成することも可能となる。
【００１８】
例えば電子ビーム蒸着用のガラス・ターゲットを形成するために、ガラス材料の加工を簡単にできるようにするには、ガラス材料が１３００℃より低い動作点を有していることが有利である。このコンテクストにおいて動作点という用語は一般に、ガラスの粘度が１０４デシ・パスカルにおける温度を意味するものと理解される。
【００１９】
導体構造体からの放射損を低くするには、塗布層として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有する、ガラス材料が、１ＧＨｚを超える少なくともある周波数の範囲において５以下の相対誘電率εＲを有することが有利である。
【００２０】
塗布層として有利な改善では、特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有するガラス材料は、同様に４０ＧＨｚの周波数のマイクロ波帯において、５以下の相対誘電率εＲ、特に４±０．５の相対誘電率εＲを有してよい。
【００２１】
本発明のさらなる実施形態によれば、塗布層として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有するガラス材料は、２０℃〜３００℃の温度範囲において２．９×１０−６／Ｋ〜３．５×１０−６／Ｋの範囲でα２０〜３００の熱膨張係数を有する。この熱膨張係数は、とりわけ、シリコンまたはＢＯｒＯｆｌＯａｔ（登録商標）３３ガラスの熱膨張係数によく適合する。これにより、例えば、基板材料としてシリコンまたはＢＯｒＯｆｌＯａｔ（登録商標）３３ガラスを用いた場合に、温度応力を実質的に回避することが可能となる。
【００２２】
塗布層として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有する、ガラス材料が、２０℃〜３００℃の温度範囲において熱膨張係数α２０〜３００＝（３．２±０．２）×１０−６／Ｋを有している場合に、さらに良い熱的適合が達成される。
【００２３】
本発明のさらに別の実施形態は、塗布層として特に０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有するシリコン基板の絶縁層として使用される場合に熱応力を低減させるために、基板材料（例えばシリコン）の熱膨張係数に対して２０℃〜３００℃の温度範囲で１×１０−６／Ｋだけ異なる熱膨張係数を有するガラス材料を提供する。
【００２４】
本発明のガラス材料を用いて形成されたガラス層の封止特性を長期間維持するには、酸またはアルカリの作用に対してガラス層ができる限り抵抗性を有するのが便宜的である。したがって、本発明の一実施形態は塗布層として≦２の耐酸性クラスまで耐酸性のあるガラス材料を提供する。本発明のさらなる実施形態によれば、塗布層であるガラス材料は≦３の耐アルカリ性クラスまで耐アルカリ性を有している。
【００２５】
成分が以下の組成の範囲内のガラス材料が適切であることが証明されている：
組成          組成範囲
ＳｉＯ２      ４０〜９０
Ｂ２Ｏ３      １０〜４０
Ａｌ２Ｏ３    ０〜５
Ｋ２Ｏ        ０〜５
Ｌｉ２Ｏ      ０〜３
Ｎａ２Ｏ      ０〜３
上記数値は重量百分率である。
【００２６】
高周波特性および蒸着特性は、特に、重量百分率で以下の成分を含む本発明のガラス材料を用いて改善することができる：
組成          組成範囲
ＳｉＯ２      ６０〜９０
Ｂ２Ｏ３      １０〜３０
Ａｌ２Ｏ３    ０〜３
Ｋ２Ｏ        ０〜３
Ｌｉ２Ｏ      ０〜２
Ｎａ２Ｏ      ０〜２
【００２７】
本発明のガラス材料は好適には、重量百分率で以下の組成を有する：
組成          ガラス１          ガラス２
ＳｉＯ２      ８４±５          ７１±５
Ｂ２Ｏ３      １１±５          ２６±５
Ｎａ２Ｏ      ２±０．２        ０．５±０．２
Ｌｉ２Ｏ      ０．３±０．２    ０．５±０．２
Ｋ２Ｏ        ０．３±０．２    １．０±０．２
Ａｌ２Ｏ３    ０．５±０．２      １．０±０．２
【００２８】
それぞれ重量百分率でＳｉＯ２７１％、Ｂ２Ｏ３２６％、Ａｌ２Ｏ３１％、Ｋ２Ｏ１％、Ｌｉ２ＯおよびＮａ２Ｏを各々０．５％含む組成を含有するこのタイプのガラスについて、以下の特性が測定された：
２０℃〜３００℃の熱膨張係数：α２０〜３００＝３．２×１０−６／Ｋ
屈折率：                      ｎｄ＝１．４６５
転移温度：                    Ｔｇ＝４６６℃
軟化点：                      ＴＥＷ＝７４２℃
動作点：                      ＴＶＡ＝１２０７℃
４０ＧＨｚでの相対誘電率：    εＲ＝３．９
４０ＧＨｚでの損失係数：      ｔａｎδ＝２６×１０−４
密度：                        ρ＝２．１２ｇ／ｃｍ３
耐水性クラス２
耐酸性クラス２
耐アルカリ性クラス３
この特に適したガラスを以下ではガラスＧ０１８−１８９とも呼ぶ。
【００２９】
さらなる実施形態が、それぞれ重量百分率でＳｉＯ２８４％、Ｂ２Ｏ３１１％、Ａｌ２Ｏ３＜２％、Ｎａ２Ｏ２．０％、Ｌｉ２ＯおよびＫ２Ｏを各々０．３％含む組成を含有する適したガラスによって提供され、以下の特性が測定された：
２０℃〜３００℃の熱膨張係数：α２０〜３００＝２．７５×１０−６／Ｋ
屈折率：                      ｎｄ＝１．４７
転移温度：                    Ｔｇ＝５６２℃
４０ＧＨｚでの相対誘電率：    εＲ＝５
４０ＧＨｚでの損失係数：      ｔａｎδ＝４０×１０−６
密度：                        ρ＝２．２ｇ／ｃｍ３
耐水性クラス：                １
耐酸性クラス：                １
耐アルカリ性クラス２
同様に特に適したこのガラスを以下ではガラス８３２９とも呼ぶ。
【００３０】
上記組成は塗布前のガラス材料に関連するものである。このタイプのガラス材料を用いて塗布された層は、上記と異なる組成を有してもよい。一例として、層が蒸着コーティングによって堆積され、かつガラス材料の成分が異なる蒸気圧を有する場合、層の組成は本発明のガラス材料の組成と異なってよい。
【００３１】
上記ガラス材料は特に有利には、高周波導体構造体または高周波基板用の絶縁層を形成するのに用いられてよい。
【００３２】
この目的のために、高周波導体構成を有する構成要素を形成するのに対応する方法は、有利には、特に上記のガラス材料を用いてコンタクト−コネクション領域上に少なくとも１つの開口部を有する構造化されたガラス層を基板上に堆積させる工程と、前記コンタクト−コネクション領域と電気的に接触する少なくとも１つの導体構造体を前記ガラス層に塗布する工程とから構成される。
【００３３】
特に上記利点のために、ガラス材料の蒸着によってガラス層を堆積させることが考慮される。
【００３４】
したがって、高周波導体構成を有する構成要素を製造するために、本発明の工程を使用することができ、該構成要素は、少なくとも１つのコンタクト−コネクション領域を有する基板と、該基板の少なくとも一方の側上で、コンタクト−コネクション領域と電気的に接触するバイアを備えた少なくとも１つの開口部を有するガラス層と、該バイアと接触するガラス層上の少なくとも１つの導体構造体とから構成される。
【００３５】
このコンテクストでは、構成要素という用語は電子部品のみを包含するわけではないことを理解すべきである。本発明のコンテクストでは、構成要素という用語は高周波導体構成あるいは高周波導体系を有する被覆された基板も包含し、これはキャリアとして、およびさらなる構成要素の接続のためのユニットとして機能する。キャリア材料および高周波導体系を有する同様の構成要素は、一般に高周波基板とも呼ばれる。
【００３６】
適した基板材料は、特に、シリコン、セラミック、ガラス、あるいは可塑物さえ含む。特に集積導体構成を有する複合材料を含む、複合材料、例えば、ガラス−可塑物積層物を用いることも可能である。シリコンと同様に、例えば、ガリウムヒ素などの他の半導体材料を用いることも可能である。シリコン、セラミック、およびガラスは、その熱膨張係数が蒸着コーティングによって塗布されるガラスの熱膨張係数と非常に類似しているために、特に適した基板材料である。
【００３７】
ガラス層は本発明のガラス材料の蒸着コーティングによって堆積されるのが特に好ましい。しかし、例えば、本発明のガラス材料を含んだターゲットからスパッタリングによって被覆される基板の表面上にガラス層を堆積させることも可能である。
【００３８】
本発明の改善によれば、ガラス層はプラズマ・イオン支援堆積法（ＰＩＡＤ）を用いて蒸着コーティングによって塗布される。この場合、イオン・ビームは蒸着コーティング工程の間に被コーティング面に導かれる。この工程によって高密度化が達成され、欠陥密度は低減される。
【００３９】
例えば、相互接続などの導体構造体と同様、１つまたは複数の受動電気構成要素をガラス層に塗布し、かつ導体構造体と接触させるか、あるいは接続することも可能である。一例として、コンデンサ、抵抗器、コイル、バリスタ、ＰＴＣ、ＮＴＣを受動電気構成要素としてガラス層に塗布すること、あるいはフィルタ素子をガラス層に塗布することが可能である。
【００４０】
本発明の特に有利な実施形態は、基板上に３次元あるいは多層の導体系を形成することを提供する。このために、構造化されたガラス層を堆積させる工程および少なくとも１つの導体構造体を塗布する工程が多数回にわたって実行される。多層導体系の１つまたは複数の個々の層上に形成される特に受動構成要素を有する３次元の導体系を形成するために、個々のガラス層および／または導体構造体は異なって構造化されてよい。この場合、有利には、後の段階で塗布される導体構造体を先の段階で塗布された導体構造体のコンタクト−コネクション領域に接続または接触することが可能であるので、導体構成の２つの個々の層間に電気接続が形成され、また個々の層は相互に電気的に接続され得る。したがって、それによって、第１のガラス層上の導体構造体はバイアを介して第２のガラス層上の導体構造体と電気的に接触した状態で、蒸着コーティングによって塗布され、かつ各々そこに塗布された導体構造体を含んだ少なくとも２つのガラス層を有する多層導体構成を備えた構成要素を形成することが可能となる。
【００４１】
しかし、相互に重ねて、あるいはずらせて設けられた２つ以上のバイアを相互に重ねられた個々のガラス層において接触させることも可能となるので、例えば、一例として、基板のコンタクト−コネクション領域が複数のガラス層を通して外部とスルー・コンタクトされるか、あるいはさらなる層の導体構造体と接続される。
【００４２】
さらに本方法の有利な実施形態は、蒸着コーティングによって、コンタクト−コネクション領域上に少なくとも１つの開口部を有する構造化されたガラス層を堆積させる工程を提供し、この方法は、コンタクト−コネクション領域を被覆する構造化された中間層を塗布する工程と、蒸着コーティングによってガラス層を基板および該基板上に存在する構造化された中間層に塗布する工程であり、好ましくは該ガラス層の厚さは構造化された中間層の厚さより薄い工程と、構造化された中間層上に設けられたガラス層のそれら領域がガラス層によって持ち上げられた状態で、構造化された中間層を除去する工程とを含む。
【００４３】
フォトリソグラフィ・レジスト構造化に加え、このタイプの構造化された中間層を、例えば、印刷によって直接製造することも可能である。
【００４４】
本方法のさらなる改善は、コンタクト−コネクション領域に隣接する領域に対して突出し、かつ蒸着コーティングによってガラス層を塗布する前に少なくとも１つのコンタクト−コネクション領域に塗布される中間層の構造体によって被覆された導電性材料を提供する。これによってコンタクト−コネクション領域上に導電性の隆起した構造体が形成される。この工程は、例えば、中間層を導電性材料の層と共にフォトリソグラフィ構造化することによって実行され得、この場合、該導電性材料の層は、中間層と共にコンタクト−コネクション領域を囲繞する領域から除去される。次に、有利には、その厚さが塗布された導電性材料の厚さにほぼ相当するようにガラス層を蒸着コーティングによって塗布することができるので、コンタクト−コネクション領域上のガラス層が除去された後に、実質的に平坦な表面が現れる。
【００４５】
本発明のさらに別の改善によれば、まず、少なくとも１つの開口部を有するガラス層がコンタクト−コネクション領域の上かまたは有利には横方向にずらして直接堆積され、次いで、ガラス層のこの少なくとも１つの開口部は導電性材料で充填される。これはまた次の１つまたは複数の導体構造体の塗布のためのベースとして実質的に平坦な表面を形成する。
【００４６】
さらには、蒸着コーティングによってガラス層が塗布される間に、基板は５０℃〜２００℃、好適には８０℃〜１２０℃の温度範囲に保たれることが有利であることが証明されている。とりわけ、この基板の加熱によって機械的応力の形成が妨げられる。ガラス層のモルフォロジのためには徐々に加熱することも有利である。つまり、これらの基板温度では、特に孔隙のないガラス層を製造することが可能であった。
【００４７】
最大でも１０−４ｍＢａｒの範囲、好適には１０−５ｍＢａｒ以下の範囲に保たれる蒸着コーティング・チャンバ内の基準圧は、必要とされる層の品質にとって同様に好ましい。
【００４８】
さらに、低孔密度を有する連続したガラス層を基板上に形成するには、被覆される基板の表面が５０μｍより小さい表面粗さを有しているのが便宜的である。
【００４９】
本発明の方法のさらに別の有利な改善は、１分当たり少なくとも０．５μｍの層厚の堆積速度の蒸着コーティングによって塗布されるガラス層を提供する。この速い堆積速度は、ガラス層の層品質を劣化させることなく容易に達成され得、短い製造時間で実施することを可能にする。対照的に、例えば、スパッタリングなどの他の真空蒸着法で達成される堆積速度は、１分当たり数ナノメートルに過ぎない。
【００５０】
さらに、導体構造体の塗布は有利には、凹状に構造化された中間層を塗布する工程と、次に該中間層で被覆されたベース上に導電性材料を堆積する工程を含む。この場合、ベースは１つまたは複数の塗布されたガラス層を有する基板およびそこに配置された導体構造体を有する基板および／または複数の基板を含む。この中間層はフォトリソグラフィを用いて構造化されてもよいか、あるいは構造化印刷法によって製造されてもよい。
【００５１】
基板自体、例えば、相互接続の形態で既に導体構造体を有しているかもしれない。これら相互接続は構造化されたガラス層を堆積させる工程の前に直接基板に塗布されてもよい。特に、次には、基板に直接塗布された相互接続上にコンタクト−コネクション領域を設け、かつ次いで該コンタクト−コネクション領域を後で絶縁性ガラス層に塗布される導体構造体に接触させることが可能である。このような方法で、ガラス層を堆積させ、次いで少なくとも１つの導体構造体をガラス層に塗布する工程をちょうど一回実行した後に、高周波用途に適した多層相互接続系を、あるいは高周波用途に適した多層導体構成を形成することが可能となる。当然、このコンテクストでは、ガラス層を堆積させる工程および導体構造体を塗布する工程を繰り返し実行することによって、特に電気構成要素もそこに組み込んだ３次元相互接続系のさらなる層を形成することがさらに可能である。
【００５２】
本発明のさらに別の実施形態は、基板の第１の側上に１つまたは複数の能動半導体領域を有する半導体基板を含む基板を提供する。一例として、この基板は集積半導体回路を含んでよい。この場合、前記少なくとも１つの導体構造体は、それが塗布される間に能動半導体領域の接続場所に接続され得るので、導体構造体との、故に導体構成とも電気的接触が得られる。
【００５３】
これまで、例えば、ＬＴＣＣモジュールにおいては、セラミックは半導体ビルディング・ブロックのキャリアを形成するように、個々の半導体ビルディング・ブロックをモノリシック形態でセラミック内の空洞に集積する方針が取られてきた。対照的に、本発明により逆の方針を取ることが可能となるので、導体構成はチップに直接塗布され、故にチップは導体構成のキャリアとして機能する。
【００５４】
本発明のさらなる実施形態は少なくとも１つのバイアを有する基板を提供する。次いで、少なくとも１つの導体構造体は、それが塗布されている間に、基板を通るバイアに接続され得る。特に、本発明のこの実施形態によって、基板の一方の側上の構造体を基板の別の側上の高周波導体構成に接続することができる。
【００５５】
単層あるいは多層導体構成が基板上に完成すると、先に塗布された層を被覆するようにさらなる最終ガラス層を蒸着コーティングによって堆積させることがさらに可能である。基板上で導体構成のコンタクト−コネクションを可能にするために、少なくとも１つのバイアを最終ガラス層を介して形成することが有利には可能である。このガラス層はその下にある導体構成のガラス層と同じ方法で形成され得る。このさらなる層は、外部に対して導体構成を絶縁する絶縁層として機能することができる。
【００５６】
本発明の構成要素を経済的に製造するために、複数の構成要素が同時に加工されるように、基板がまだウェハに接合されている間に基板を被覆することも有利である。
【００５７】
本出願と同日に本出願人によって出願された「ＰｒＯｃｅｓｓ  ｆＯｒ  ｐｒＯｄｕｃｉｎｇ  ａ  ｃＯｍｐＯｎｅｎｔ  ｗｉｔｈ  ａ  ｃＯｎｄｕｃｔＯｒ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ  ｓｕｉｔａＢｌｅ  ｆＯｒ  ｒａｄｉＯ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ａｐｐＬｉｃａｔｉＯｎｓ」と題された国際特許出願は、蒸着コーティングによって堆積されるガラス層が絶縁層として使用される高周波導体構成を有する構成要素およびその製造方法を開示している。特に本発明のガラス材料は上記出願の方法および構成要素にも使用することができ、この点に関し上記出願の開示の内容が本願明細書に参照によって明示的に組み入れられている。
【００５８】
本願明細書および上記に参照した本出願人の名による「ＰｒＯｃｅｓｓ  ｆＯｒ  ｐｒＯｄｕｃｉｎｇ  ａ  ｃＯｍｐＯｎｅｎｔ  ｈａｖｉｎｇ  ａ  ｃＯｎｄｕｃｔＯｒ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ  ｗｈｉｃｈ  ｉｓ  ｓｕｉｔａＢｌｅ  ｆＯｒ  ｒａｄｉＯ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ａｐｐＬｉｃａｔｉＯｎｓ」と題する組み入れられた国際特許出願に記載された方法および構成要素は、本発明のガラス材料の使用に特に適している。しかし、当然、本発明のガラス材料を用いて、高周波用途のために類似の構成要素または他のタイプの構成要素を形成することも可能である。したがって、本発明の１つの態様は一般に、そのような素子の高周波特性を改善するために、高周波導体構造体または高周波基板用の絶縁層を形成する本発明のガラス材料の使用に関する。
【００５９】
以下の説明においては、本発明が例示的実施形態に基づき、かつ図面を参照してより詳細に説明され、そこでは同一または類似の要素には同じ参照番号を付し、種々の実施形態の特徴は相互に組み合わされ得る。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す断面図である。
【図２】基板の対抗する側に２つの導体構成を有する本発明のさらなる実施形態を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図３Ｃ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図３Ｄ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図３Ｅ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図３Ｆ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図３Ｇ】本発明の方法の一実施形態に関連する工程を示す断面図である。
【図４Ａ】図３Ｂ〜３Ｅに示した本発明の方法の処理工程の一変形例である。
【図４Ｂ】図３Ｂ〜３Ｅに示した本発明の方法の処理工程の一変形例である。
【図４Ｃ】図３Ｂ〜３Ｅに示した本発明の方法の処理工程の一変形例である。
【図４Ｄ】図３Ｂ〜３Ｅに示した本発明の方法の処理工程の一変形例である。
【図４Ｅ】図３Ｂ〜３Ｅに示した本発明の方法の処理工程の一変形例である。
【図５】ウェハにまだ接合された状態で導体構成を備えた本発明の構成要素の実施形態を示す断面図である。
【図６】ウェハにまだ接合された状態で導体構成を備えた本発明の構成要素の実施形態を示す断面図である。
【図７】ウェハにまだ接合された状態で導体構成を備えた本発明の構成要素の実施形態を示す断面図である。
【図８】ＲＦ測定構造体用の層構成を示す略図である。
【図９】開放共平面導波路ＣＰＷ１／２用の層構成を示す略図である。
【図１０】埋め込み共平面導波路ＣＰＷ３用の層構成を示す略図である。
【図１１】測定した試験片の特性を示す表であり、測定値は以下の図１２〜２３に示す。
【図１２】試験片Ｇ１ＡＣＰＷ２＿２（ガラス８３２９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１３】試験片Ｇ１ＡＣＰＷ２＿２（ガラス８３２９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１４】試験片Ｇ１ＡＣＰＷ２＿２（ガラス８３２９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１５】試験片Ｇ１ＡＣＰＷ３＿２（ガラス８３２９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１６】試験片Ｇ１ＡＣＰＷ３＿２（ガラス８３２９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１７】試験片Ｇ１ＡＣＰＷ３＿２（ガラス８３２９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１８】試験片Ｇ２ＡＣＰＷ２＿６（ガラスＧ０１８−１８９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図１９】試験片Ｇ２ＡＣＰＷ２＿６（ガラスＧ０１８−１８９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図２０】試験片Ｇ２ＡＣＰＷ２＿６（ガラスＧ０１８−１８９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図２１】試験片Ｇ２ＡＣＰＷ３＿２（ガラスＧ０１８−１８９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図２２】試験片Ｇ２ＡＣＰＷ３＿２（ガラスＧ０１８−１８９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【図２３】試験片Ｇ２ＡＣＰＷ３＿２（ガラスＧ０１８−１８９）の散乱パラメータの大きさおよび位相プロファイルを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００６１】
図１は本発明の構成要素の第１の実施形態の簡略化した断面図であり、全体を参照番号１０で示し、第１の側３および該第１の側３と反対にある側５を含んだ基板１を有しており、同様に高周波導体構成は基板の第１の側３上に配置され、かつ参照番号４によって全体が示されている。導体構造体６１〜６４を含む層６が基板１上に配置されている。この導体構造体６１〜６４は、例えば、相互接続であってよい。さらに、導体構造体６１〜６４のいくつかは受動電気構成要素として形成されてもよい。コンタクト−コネクション領域７１〜７４が基板１の第１の側３上のこれら導体構造体６１〜６４上に形成されている。層６の導体構造体が塗布された後、絶縁ガラス層９が蒸着コーティングによって構造化された形態で基板の第１の側３上に堆積されるので、このガラス層はコンタクト−コネクション領域７１〜７４上に開口部８を有する。この開口部８は導電性充填物１９によって充填されるので、各場合において導電性充填物と組み合わされた開口部が絶縁ガラス層９を貫通するバイアを形成する。さらなる導体構造体１１１、１１２、１１３を有する層１１が前記ガラス層９に塗布される。この導体構造体１１１、１１２、１１３はそれぞれ、少なくとも１つのバイアと接触するので、この導体構造体１１１、１１２、１１３は層６の導体構造体６１〜６４に電気的に接続される。したがって、基板は多層導体構成を有し、個々の層６および１１は優れた高周波特性を有する絶縁ガラス層９によって分離される。
【００６２】
用途に応じて、ガラス層９は０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の厚さを有してよく、便宜的には０．０５μｍ〜１ｍｍの範囲の厚さを有するガラス層が蒸着コーティングによって形成される。
【００６３】
導体構造体１１１、１１２、１１３の外側絶縁として働くさらなる最終的な蒸着コーティングガラス層１３が、導電構造体１１１、１１２、１１３を含む層１１上に堆積される。これら導体構造体のコンタクト−コネクションを可能にするために、さらに、導電構造体１１１、１１２、１１３と接触するさらなるバイア１５が最終的な蒸着コーティングガラス層１３内に存在している。加えて、構成要素１０が、例えば、ＳＭＴ回路基板に固定かつ接続されるために、溶着ビード１７がバイア１５に塗布される。
【００６４】
層９、１３を形成するために、本発明のガラス材料を含むターゲットを電子ビーム蒸着法によって蒸着し、基板１上に堆積させることが好ましい。
【００６５】
絶縁層９、１３を形成するのに用いられるガラス材料は、層厚が０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の塗布層として、１ＧＨｚを超える少なくともある周波数範囲において５０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有する、特に本発明のガラスである。
【００６６】
上記のガラス８３２９および特にＧ０１８−１８９がその優れた高周波特性のために、この目的に特に適している。
【００６７】
図２は本発明の構成要素１０のさらなる実施形態の断面図である。この実施形態は、２つの対向する側３および５の各々の上に高周波導体構成４１および４２をそれぞれ有する。この導体構成４１および４２は図１に示した実施形態の導体構成４と類似する構造である。
【００６８】
詳細には、再度各場合において導体構成４１および４２は、蒸着コーティングによって塗布されたガラスのガラス層９を有し、これは開口部の下に設けられたコンタクト−コネクション領域と電気的に接触するスルー・コンタクトのための導電性材料が存在する開口部を有する。それら部分に関してバイアと接触する導体構造体を有する層６は、各場合において導体構成４１および４２のガラス層９上に配置されている。図１に示した実施形態においても同様に、ガラス層９上の導体構造体はさらなる最終的な蒸着コーティングガラス層１３で被覆され、ここでは構成要素の接続用のバイア１５が存在している。
【００６９】
図３Ａ〜３Ｇは断面図を用いて、本発明の方法の一実施形態に従って本発明の構成要素の製造に関連する工程を示している。
【００７０】
図３Ａは第１の処理工程後の基板１を示し、特に適した相互接続のような導体構造体６１〜６４を含んだ層６が高周波導体構成が塗布される側の上に形成されている。これらの導体構造体は、例えば、図３Ａには示していない基板の電子部品のコンタクト場所であってよいか、あるいはそのようなコンタクト場所に接続されてよい。
【００７１】
次に、さらなる処理工程では、ガラス層が堆積され、このガラス層は表面の下のコンタクト−コネクション領域７１〜７４の上に開口部を有する。この目的のために、まず図３Ｂの下部に示すように、さらなる工程では対応するコンタクト−コネクション領域７１〜７４を被覆する構造体２１を有する構造化された中間層が塗布される。これは適したフォトレジスト・コーティングのフォトリソグラフィ構造化によって実現されるのが好ましい。しかし、代替的には、構造体２１を形成するために、例えば、表面の印刷などの別の方法を用いることも可能である。
【００７２】
次に、図３Ｃに示すように、ガラス層９が蒸着コーティングによって塗布され、このガラス層は中間層の構造体２１によって被覆されるコンタクト−コネクション領域７１〜７４と、ベースの表面を囲繞する領域の両方を被覆する。このコンテクストでは、ガラス層９の厚さは構造化された中間層の厚さより薄いことが好ましい。次に、中間層の構造体２１を被覆しているか、あるいは構造化された中間層上に位置するガラス層９の領域９０がガラス層によって持ち上げられた状態で、この中間層が除去される。
【００７３】
図３Ｄはこの工程後の基板を示しており、したがってここでは下の表面のコンタクト−コネクション領域７１〜７４上に開口部８を備えたガラス層９を有している。次に、図３Ｅに示すように、開口部８が、例えば、導電性材料１９によって充填され得る。次に、図３Ｆに示すように、導体構造体１１１、１１２、１１３および受動構成要素２３を含む層１１がガラス層９に塗布され得る。構成要素２３は、例えば、コンデンサ、抵抗器、コイル、バリスタ、ＰＴＣ、ＮＴＣ、またはフィルタ素子を含んでよい。特に、コンデンサおよびコイルは、相互の上に設けられ、かつ蒸着コーティングガラス層を介して相互に絶縁された個々の層の導体構造体によって実現されてもよい。一例として、個々の層１１の個々の層６の導体構造体およびその上に位置する、個々の層１１のさらなる導体構造体をこの目的に用いることができる。
【００７４】
例えば、さらなる凹状に構造化された中間層の塗布および導電性材料の堆積によって導体構造体を塗布することができ、導体構造体１１１、１１２、１１３が開口部８内の導電性材料１９と接触するので、それぞれ関連するコンタクト−コネクション領域７１〜７４との電気的接続または電気的接触も形成される。
【００７５】
導体構造体は、例えば、異なる材料を用いた複数の工程において実行される導体構造体の塗布によって、異なる導電性材料または半導体材料を含む構造体を有してもよい。これによって、さらなる機能性を導体構成に組み込むことも可能となり、例えばこれによって半導体−金属コンタクトまたは熱電コンタクトが形成される。
【００７６】
図３Ｅに示した導電性材料１９を用いたガラス層９を貫通するバイアの形成および図３Ｆに示した導体構造体の塗布は、１回の工程で実行されてもよい。一例として、導体構造体１９は電気めっきで形成され得るので、最初に堆積される材料はコンタクト−コネクション領域７１〜７４を始点として、開口部８を充填し、次にガラス層９の表面上で成長を続けて、その材料はそこで導体構造体を形成し、また意図される場合、受動構成要素２３を形成してよい。蒸着コーティングまたはスパッタリングによって導体構造体１１１、１１２、１１３を形成することも可能であり、この場合コンタクト−コネクション領域７１〜７４および開口部８の縁部を被覆することも可能であるので、対応する導体構造体はコンタクト−コネクション領域７１〜７４と電気的に接触する。
【００７７】
次に、中間層上に堆積された導電性材料がまた持ち上げられ、かつガラス層９の表面を含む意図される導体構造体および任意の塗布された構成要素が適所に残された状態で、中間層が再度除去され得る。
【００７８】
続いて、導体構成のさらなる層を形成するために、例えばガラスＧ０１８−１８９などの本発明によるガラス材料を用いて基板の上に蒸着コーティングすることにより、コンタクト−コネクション領域上に開口部を有する構造化ガラス層を堆積させる図３Ｂ〜３Ｆに示した工程と導体構造体を塗布する工程を繰り返すことができる。この場合、後の段階で塗布される導体構造体は先の段階で塗布された導体構造体のコンタクト−コネクション領域に接触され得る。
【００７９】
この目的のために、図３Ｆ〜３Ｇに示すように、再度、構造体２１を有する中間層が被覆された基板１の表面の対象とするコンタクト−コネクション領域７５、７６に塗布され、該コンタクト−コネクション領域は便宜的には塗布された導体構造体またはバイアの上にも位置する。次に、該ガラス層９１内の開口部を通るバイアを有するさらなる絶縁ガラス層９１が、コンタクト−コネクション領域７５、７６上に形成され、この形成は図３Ｃ〜３Ｅに関して記載した処理工程と同様に実行される。
【００８０】
図４Ａ〜４Ｅは図３Ｂ〜図３Ｅに関して示した本発明の方法の処理工程の一変形例を示している。本発明の方法のこの変形例は導電性材料に基づいており、それぞれのコンタクト−コネクション領域に隣接する領域に対して突出し、かつ中間層の構造体によって被覆され、蒸着コーティングによってガラス層を塗布する前にコンタクト−コネクション領域に塗布される。次に、この導電性材料がバイアを形成する。
【００８１】
詳細には、図４Ａに関して示すように、まず図３Ａのように準備された基板１を始点として、導電層２５が形成され、次にフォトリソグラフィで構造化可能な中間層２７が形成される。
【００８２】
図４Ｂは中間層２７のフォトリソグラフィ構造化後の基板を示している。この層は意図されるコンタクト−コネクション領域７１〜７４を被覆する構造体２１が適所に残るように構造化されている。次に、図４Ｃに示すように、導電層２５がコンタクト−コネクション領域７１〜７４を囲繞している被覆されていない領域から除去される。これは例えば、エッチングなどの当該技術では標準的な方法で実行され得る。したがって、コンタクト−コネクション領域７１〜７４は、それぞれのコンタクト−コネクション領域と隣接する領域に対して隆起しているか、あるいは突出し、かつ各場合において中間層２７の構造体２１によって被覆された導電性材料によって被覆される。
【００８３】
次に、図４Ｄに示すように、絶縁ガラス層９が本発明によるガラス材料の蒸着を用いて蒸着コーティングによって塗布され、ガラス層９の厚さは隆起した導電性材料１９の厚さにほぼ相当するように選択されるのが好ましい。最終的に、中間層の構造体２１は、例えば、適した溶剤を用いて除去され、この工程では構造体２１を被覆するガラス層９の領域９０が持ち上げられる。その結果、それぞれのコンタクト−コネクション領域上に開口部を含み、かつ該開口部に設けられる導電性材料の形態でバイアを含んだガラス層を有する基板が得られる。この処理状態を図４Ｅに示す。導電性材料１９の厚さに匹敵するガラス層９の厚さを適切に選択した結果、導電性材料の表面およびガラス層９の表面はほぼ同じ高さになるので、結果として平坦な表面が得られる。次に、図３Ｆ〜３Ｇに関して説明したように、この工程が継続されてよく、この場合、図４Ａ〜４Ｅに関して説明したのと同じ方法あるいは同様の方法で、バイアを用いて、図３Ｇの第２のガラス層９１および任意のさらなるガラス層を製造することができる。
【００８４】
本発明の方法の有利な改善によれば、構成要素１０はまだウェハに接合されたままで、基板を被覆することによって形成される。この点で、図５〜７は被覆されたウェハ２の種々の実施形態を示しており、構成要素はウェハから個々の基板１を分離することによって得られる。
【００８５】
図５は本発明の一実施形態を示しており、ここでは半導体ウェハ２はひと続きのガラスおよび相互接続層を備えている。この目的に使用されるウェハ材料は、シリコンであることが好ましく、これはこの材料が蒸着コーティングガラスの熱膨張係数と非常によくマッチする熱膨張係数を有していることによる。まだウェハに接合されている間に一旦基板が被覆され、かつ一旦図５に示した処理状態が形成されると、高周波用途に適した導体構造体を有する構成要素１０を最終的に得るために、個々の基板１が、意図される分離軸線２９に沿って分割されることによって分離される。
【００８６】
第１の側３上で、ウェハ２は接続場所３５に接続された個々の能動半導体領域３３を有する。
【００８７】
本発明のこの実施形態では、導体構成４はウェハ２の第２の側５上、あるいはウェハ２の基板１の第２の側５上に設けられ、この第２の側は能動半導体領域３３を有する第１の側とは反対側に存在する。
【００８８】
わかりやすくするために導体構成４が簡略化した形態で示されており、特に、導体構造体はすべて参照番号１００で示されている。導体構成４の個々の層は有利には図３Ａ〜３Ｇおよび／または図４Ａ〜４Ｅに関して説明したように形成されてよい。特に、図５に示した導体構成４も多層形態で形成され、したがってこの目的のために構造化ガラス層を堆積させ、かつ導体構造体１００を塗布する工程が相応して多数回にわたって実行され、かつ後の段階で塗布される導体構造体１００が、先の段階で塗布された導体構造体１００のコンタクト−コネクション領域に接触される。
【００８９】
さらに、接続場所３５に電気的に接続される基板１を貫通するバイア３７が、ウェハ２内に導かれる。このバイアは好適には、第２の側５からエッチ・ストップとして同時に機能する好適な金属性の接続場所３５までピットをウェハにエッチングすることによって形成されてよい。次に、受動層３９がエッチ・ピットの壁上に形成され、このエッチ・ピットは導電性材料４３で充填される。側３上で被覆されていない、バイア３７の導電性材料４３は、導体構成４の導体構造体１００のためにコンタクト−コネクション領域として働く。
【００９０】
さらに、バイアを有する第２の側５の表面の領域は、導体構成４の導体構造体１００のいくつかのためにコンタクト−コネクション領域として使用される。したがって、これら導体構造体１００が予め堆積されたガラス層９を塗布する間にコンタクト−コネクション領域と接触される場合、したがって、この導体構造体も基板１の第１の側上の接続場所３５に電気的に接続される。このようにして、導体構成を介して能動半導体領域３３を提供することおよび能動半導体領域からの電気信号を導体構成４の導体構造体１００に放出することが可能となる。
【００９１】
ウェハからの分離により次に得られる構成要素を封止かつ保護するために、図５に示した実施形態も側３上に蒸着コーティングガラスおよび可塑性カバー３１の付加的な封止層１４を備えている。
【００９２】
図６は本発明のさらなる実施形態を示し、同様にウェハに接合されている基板が導体構成４で被覆されている。本発明のこの実施形態は図５に示した実施形態と類似している。図６に示した実施形態では、個々の基板１に割当てられた能動半導体領域３３を有する半導体ウェハ２も使用されている。図５に示した実施形態のように、導体構成４の第１のガラス層９に導体構造体１００を塗布する間に、能動半導体領域３３の接続場所３５が導体構造体１００に接続される。
【００９３】
しかし、図５に示した実施形態とは異なり、導体構成４のガラス層９、９１、９２、９３、および１３は、基板１の第１の側３上に蒸着コーティングによって塗布され、この上には能動半導体領域３３も設けられている。導体構成４の低部のガラス層９内のバイア１５はコンタクト場所３５に直接塗布され、したがってコンタクト場所３５は第１のガラス層９上の対応する導体構造体１００に対する基板１のコンタクト−コネクション領域を形成する。
【００９４】
一例として図５および６に示すように、被覆されたウェハ２の分離によって得られる構成要素１０は、例えば、１０ＧＨｚを超える周波数、特に、約４０ＧＨｚ以上の範囲の周波数用の高周波伝送／受信モジュールとして設計されてよい。
【００９５】
図７は本発明のウェハにまだ接合された状態の高周波導体構成４を備えた基板１のさらに別の実施形態を示している。この場合、ガラス層９、９１、９２、９３、１３および導体構造体１００を含んだ導体構成４は、基板１が同様にバイア３７を有するウェハに塗布されている。基板１および導体構成４を有する構成要素１０はウェハから分離された後、構成要素１０の外部コンタクト場所に接続され得るさらなる構成要素用の高周波再配線基板として働く。この目的のため、表面実装技術を用いてさらなる構成要素を設けかつ接続できるように、外部コンタクト場所は、例えば、溶着ビード１７を備えている。この場合、基板１は能動構成要素を有していない。したがって、基板ウェハ２はガラスまたは可塑物などの絶縁材料から製造されてもよい。ウェハまたは基板１の構成要素１０の材料として使用されるのに特に適したガラスはＢＯｒＯｆｌＯａｔ（登録商標）３３ガラスであり、これは好適な蒸着コーティングガラスの熱膨張係数に実質的に一致する熱膨張係数を有している。
【００９６】
ＲＦ特性の特徴を示すために、図８は測定した試験用構造体の厚さを含む概略的な層構成を示す。図９および１０は開放および埋め込み共平面導波路の実現された構造体を示している。下に示した散乱パラメータＳ１２、Ｓ２１、Ｓ１１およびＳ２２の測定値はこれら構造体に基づいて実現された。図１２〜２３に示す選択された測定用の試験片の記号は、図１１に示した表に記載している。
【００９７】
図１２〜１４は散乱パラメータＳ１１およびＳ２２、Ｓ１２およびＳ２１の大きさ、およびアルミニウムの相互接続間の絶縁体としてガラス８３２９を用いた開放共平面導波路の散乱パラメータＳ１２およびＳ２１の位相プロファイルを示す。散乱パラメータＳ１２およびＳ２１は伝送減衰とも呼ばれ、散乱パラメータＳ１１およびＳ２２は反射減衰と呼ばれる。
【００９８】
図１２はこの試験片において−２０ｄＢ〜−４０ｄＢから最大で５０ＧＨｚの範囲では、信号の反射Ｓ１１およびＳ２２が著しく低いことを明白に示している。さらに、図１３に示した測定値からは、最大で５０ＧＨｚの範囲では散乱パラメータＳ１２およびＳ２１の減衰の値は−２ｄＢより小さく低いことが明らかである。それぞれの周波数における電気信号の伝送に対する値を表している散乱パラメータＳ１２およびＳ２１は、最大で５０ＧＨｚの範囲を示す。散乱パラメータＳ２１の線形位相のプロファイルは、最大で５０ＧＨｚの範囲では分散が非常に低いということである。
【００９９】
図１２〜１４に関して示した測定値はまた、以下のさらなる試験片で実行された測定によって検証され得る：
図１５〜１７はガラス８３２９を用いた埋め込み共平面導波路の測定値を示す。
【０１００】
図１８〜２０はガラス８３２９を用いた開放共平面導波路の測定値を示す。
【０１０１】
図２１〜２３はガラスＧ０１８−１８９を用いた埋め込み共平面導波路の測定値を示す。
【０１０２】
上記測定値から、ＲＦガラスＧ０１８−１８９を用いたときに散乱パラメータＳ１２およびＳ２１の減衰がより低い方に向かうことが明らかとなった。
【符号の説明】
【０１０３】
１  基板
２  半導体ウェハ
３  １の第１側
４、４１、４２  導体構成
５  １の第２側
６  １の上の導電構造物を有する層
６１〜６４  ６の導体構造体
７１〜７４  コンタクト−コネクション領域
８  コンタクト−コネクション領域７１〜７４の９の開口部
９、９１〜９３  蒸着コーディングガラス層
１０  構成要素
１１  導体構造物を有する層
１００、１１１、１１２、１１３  導体構造体
１３  最終的な蒸着コーディングガラス層
１４  蒸着コーディングガラスの封止層
１５  バイア
１７  溶着ビード
１９  導電性材料
２１  中間層のレジスト構造体
２３  受動電気構成要素
２５  導電層
２７  フォトリソグラフィで構造化可能な中間層
２９  分離軸線
３１  可塑性カバー
３３  能動半導体領域
３５  ３３の接続場所
３７  １を貫通するバイア
３９  受動層
４３  ３７の導電性充填物
７５、７６  コンタクト−コネクション領域
９０  レジスト構造体上の蒸着コーティングガラス層の領域
【図１】
2010153927.tif 000003
【図２】
2010153927.tif 000004
【図３Ａ】
2010153927.tif 000005
【図３Ｂ】
2010153927.tif 000006
【図３Ｃ】
2010153927.tif 000007
【図３Ｄ】
2010153927.tif 000008
【図３Ｅ】
2010153927.tif 000009
【図３Ｆ】
2010153927.tif 000010
【図３Ｇ】
2010153927.tif 000011
【図４Ａ】
2010153927.tif 000012
【図４Ｂ】
2010153927.tif 000013
【図４Ｃ】
2010153927.tif 000014
【図４Ｄ】
2010153927.tif 000015
【図４Ｅ】
2010153927.tif 000016
【図５】
2010153927.tif 000017
【図６】
2010153927.tif 000018
【図７】
2010153927.tif 000019
【図８】
2010153927.tif 000020
【図９】
2010153927.tif 000021
【図１０】
2010153927.tif 000022
【図１１】
2010153927.tif 000023
【図１２】
2010153927.tif 000024
【図１３】
2010153927.tif 000025
【図１４】
2010153927.tif 000026
【図１５】
2010153927.tif 000027
【図１６】
2010153927.tif 000028
【図１７】
2010153927.tif 000029
【図１８】
2010153927.tif 000030
【図１９】
2010153927.tif 000031
【図２０】
2010153927.tif 000032
【図２１】
2010153927.tif 000033
【図２２】
2010153927.tif 000034
【図２３】
2010153927.tif 000035
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月6日(2010.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１ＧＨｚを超える少なくともある周波数範囲において７０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有し、
堆積された絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）として高周波基板または高周波導体構成用の絶縁層を形成するガラス材料であって、重量百分率で以下の組成：
ＳｉＯ２        ７１±５、
Ｂ２Ｏ３        ２６±５、
Ａｌ２Ｏ３      １±０．２、
Ｋ２Ｏ          １±０．２、
Ｌｉ２Ｏ        ０．５±０．２、
Ｎａ２Ｏ        ５±０．２
を有するガラス材料。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波基板または高周波導体構成用の絶縁層を形成するガラス材料において、０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有するガラス材料。
【請求項３】
請求項１に記載の高周波基板または高周波導体構成用の絶縁層を形成するガラス材料において、０．０５μｍ〜１ｍｍの範囲の層厚を有するガラス材料。
【請求項４】
ガラス材料を含み、且つ１ＧＨｚを超える少なくともある周波数範囲において７０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有する高周波基板又は高周波導体構成用の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項５】
請求項４に記載の高周波基板または高周波導体構成用の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）において、０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有する絶縁層。
【請求項６】
請求項４に記載の高周波基板または高周波導体構成用の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）において、０．０５μｍ〜１ｍｍの範囲の層厚を有する絶縁層。
【請求項７】
４０ＧＨｚの範囲の周波数において５０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有する請求項１乃至３の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項８】
４０ＧＨｚの周波数において３０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有する請求項１乃至７の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項９】
ガラス材料の蒸着及び堆積によって形成される請求項１乃至８の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１０】
ガラス材料の電子ビーム蒸着及び堆積によって形成される請求項１乃至９の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１１】
１，３００℃より低い動作点を有する請求項１乃至１０の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１２】
１ＧＨｚを超える少なくともある周波数範囲において５以下の相対誘電率εＲを有する請求項１乃至１１の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１３】
４０ＧＨｚの周波数において、５以下の相対誘電率εＲを有する請求項１乃至１２の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１４】
２０℃〜３００℃の温度範囲において２．９×１０−６／Ｋ〜３．５×１０−６／Ｋの範囲でα２０〜３００の熱膨張係数を有する請求項１乃至１３の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１５】
２０℃〜３００℃の温度範囲において熱膨張係数α２０〜３００＝（３．２±０．２）×１０−６／Ｋを有する請求項１乃至１４の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１６】
絶縁層が基板材料の熱膨張係数とは２０℃〜３００℃の温度範囲において１×１０−６／Ｋ未満だけ異なる熱膨張係数を有する、基板材料に塗布される請求項１乃至１５の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１７】
耐酸性クラス２までの耐酸性を有する請求項１乃至１６の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１８】
耐アルカリ性クラス３までの耐アルカリ性を有する請求項１乃至１７の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項１９】
重量百分率で以下の組成：
ＳｉＯ２        ４０〜９０、
Ｂ２Ｏ３        １０〜４０、
Ａｌ２Ｏ３      ０〜５、
Ｋ２Ｏ          ０〜５、
Ｌｉ２Ｏ        ０〜３、
Ｎａ２Ｏ        ０〜３
を有するガラス材料から形成される請求項４乃至１８の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項２０】
重量百分率で以下の組成：
ＳｉＯ２        ６０〜９０、
Ｂ２Ｏ３        １０５〜３０５、
Ａｌ２Ｏ３      ０〜３、
Ｋ２Ｏ          ０〜３、
Ｌｉ２Ｏ        ０〜２、
Ｎａ２Ｏ        ０〜２
を有するガラス材料から形成される請求項４乃至１８の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項２１】
重量百分率で以下の組成：
ＳｉＯ２        ７１±５、
Ｂ２Ｏ３        ２６±５、
Ａｌ２Ｏ３      １±０．２、
Ｋ２Ｏ          １±０．２、
Ｌｉ２Ｏ        ０．５±０．２、
Ｎａ２Ｏ        ０．５±０．２
を有するガラス材料から形成される請求項４乃至１８の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項２２】
重量百分率で以下の組成：
ＳｉＯ２        ８４±５、
Ｂ２Ｏ３        １１±５、
Ａｌ２Ｏ３      ０．５±０．２、
Ｋ２Ｏ          ０．３±０．２、
Ｌｉ２Ｏ        ０．３±０．２、
Ｎａ２Ｏ        ２±０．２
を有するガラス材料から形成される請求項１乃至２１の何れか１項に記載の絶縁層（９、９１、９２、９３、１３）。
【請求項２３】
高周波導体構成（４、４１、４２）を有する構成要素（１０）を形成する方法であって、
構造化されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を堆積させる工程と、
コンタクト−コネクション領域（７１〜７４）と電気的に接触する、少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）を前記ガラス層（９、９１、９２、９３）に塗布する工程とから構成される方法。
【請求項２４】
前記ガラス層がガラス材料の蒸着によって堆積される請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記少なくとも１つの導体構造体と接触する少なくとも１つの受動電気構成要素が、前記ガラス層（９、９１、９２、９３）に塗布される請求項２３又は２４に記載の方法。
【請求項２６】
先の段階で塗布された導体構造体のコンタクト−コネクション領域に後の段階で塗布された導体構造体を接触させた状態で、構造化されたガラス層を堆積させる前記工程と、少なくとも１つの導体構造体（１１１、１１２、１１３）を塗布する前記工程が多数回にわたって実行される請求項２３乃至２５の何れか１項に記載の方法。
【請求項２７】
請求項２３乃至２６の何れか１項に記載の方法において、少なくとも１つの開口部（８）を有する構造化されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を蒸着コーティングによってコンタクト−コネクション領域（７１〜７４）の上に堆積させる工程を含み、該堆積させる工程が、
前記コンタクト−コネクション領域を被覆する構造化された中間層（２１）を塗布する工程と、
蒸着コーティングによって前記基板および該基板上に存在する前記中間層（２１）にガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を塗布する工程とを含み、該方法は、さらに、
前記構造化された中間層（２１）を除去する工程を含み、それにより、前記構造化された中間層（２１）上に位置する前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）のそれら領域（９０）が該構造化された中間層（２１）によって持ち上げられた状態となっている方法。
【請求項２８】
蒸着コーティングによって前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を塗布する前に、前記コンタクト−コネクション領域に隣接する領域に対して突出する導電性材料（１９）が、前記少なくとも１つのコンタクト−コネクション領域（７１〜７４）に塗布され、且つこの材料（１９）が前記構造化された中間層（２１）によって被覆され、前記構造化された中間層（２１）が印刷又はフォトリソグラフィ構造化によって形成される請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
導体構造体の塗布が、少なくとも凹状に構造化された中間層を塗布する工程及び導電性材料を堆積させる工程を含んだ請求項２３乃至２８の何れか１項に記載の方法。
【請求項３０】
構造化されたガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を堆積させる工程の前に、少なくとも１つの導体構造体、特に相互接続が前記基板に塗布される請求項２３乃至２９の何れか１項に記載の方法。
【請求項３１】
重量百分率で以下の組成：
ＳｉＯ２        ７１±５、
Ｂ２Ｏ３        ２６±５、
Ａｌ２Ｏ３      １±０．２、
Ｋ２Ｏ          １±０．２、
Ｌｉ２Ｏ        ０．５±０．２、
Ｎａ２Ｏ        ０．５±０．２
を有するガラス材料を用いて最終ガラス層（１３）を堆積し、且つ該最終ガラス層（１３）に少なくとも１つのバイア（１５）を形成する工程を含む請求項２３乃至３０の何れか１項に記載の方法。
【請求項３２】
前記基板（１）が能動半導体領域（３３）を有する半導体基板を含み、前記少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）が、それが塗布されている間に、前記能動半導体領域（３３）の接続場所（３５）に電気的に接続される請求項２３乃至３１の何れか１項に記載の方法。
【請求項３３】
前記少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）が、それが塗布されている間に前記基板（１）を通るバイア（３７）に接続される請求項２３乃至３２の何れか１項に記載の方法。
【請求項３４】
蒸着コーティングによって前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を塗布する間に、前記基板（１）が５０℃〜２００℃に保たれる請求項２３に記載の方法。
【請求項３５】
前記ガラス層（９、９１、９２、９３）が、１分当たり少なくとも０．１μｍの層厚の堆積速度の蒸着コーティングによって塗布される請求項２３乃至３４の何れか１項に記載の方法。
【請求項３６】
前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）内の前記少なくとも１つの開口部（８）が導電性材料（１９）で充填される請求項２３乃至３５の何れか１項に記載の方法。
【請求項３７】
前記基板（１）がまだ前記ウェハに接合されている間に被覆される請求項２３乃至３６の何れか１項に記載の方法。
【請求項３８】
蒸着コーティングによるガラス層（９、９１、９２、９３、１３）の塗布がプラズマ・イオン支援堆積法（ＰＩＡＤ）によって行われる請求項２３に記載の方法。
【請求項３９】
高周波導体構成（４、４１、４２）を有する構成要素（１０）であって、
少なくとも１つのコンタクト−コネクション領域（７１〜７４）を有する基板（１）と、
前記基板（１）の少なくとも一方の側（３、５）上にあって、バイアを有する少なくとも１つの開口部（８）を備えたガラス層であり、該ガラス層はガラス材料の蒸着によって堆積され、且つ該バイアは前記コンタクト−コネクション領域（７１〜７４）と電気的に接触するガラス層と、
前記バイアと接触する、前記ガラス層（９、９１、９２、９３）上の少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）とを備えた構成要素（１０）。
【請求項４０】
前記少なくとも１つの導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）に接続された少なくとも１つの受動電気構成要素（２３）を前記ガラス層（９、９１、９２、９３、１３）上に含む請求項３９に記載の構成要素。
【請求項４１】
蒸着コーティングによって塗布され、かつ各々該ガラス層に塗布された導体構造体（１００、１１１、１１２、１１３）を含む少なくとも２つのガラス層（９、９１、９２、９３、１３）を有する多層導体構成（４、４１、４２）を備え、第１のガラス層上の導体構造体がバイア（１５）を介して第２のガラス層上の導体構造体と電気的に接触する請求項３９及び４０の何れか１項に記載の構成要素。
【請求項４２】
前記基板（１）が、前記基板（１）の第１の側（３）上に、前記導体構造体に接続された少なくとも１つの能動半導体領域（３３）を有する半導体基板を含む請求項３９乃至４１の何れか１項に記載の構成要素。
【請求項４３】
塗布層（９、９１、９２、９３、１３）として、１ＧＨｚを超える少なくともある周波数範囲において７０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有する、高周波基板または高周波導体構成用の絶縁層を形成するガラス材料の使用。
【請求項４４】
請求項４２に記載のガラス材料の使用において、該ガラス材料が、０．０５μｍ〜５ｍｍの範囲の層厚を有するガラス材料の使用。
【請求項４５】
請求項４２に記載のガラス材料の使用であって、該ガラス材料が、０．０５μｍ〜１ｍｍの範囲の層厚を有するガラス材料の使用。
【請求項４６】
前記材料が、塗布層（９、９１、９２、９３、１３）として、４０ＧＨｚの範囲の周波数において５０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有する請求項４乃至６に記載のガラス材料の使用。
【請求項４７】
前記材料が、塗布層（９、９１、９２、９３、１３）として、４０ＧＨｚの周波数において３０×１０−４以下の損失係数ｔａｎδを有する請求項４３乃至４５の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項４８】
層（９、９１、９２、９３、１３）を堆積させるために、前記ガラス材料を蒸着することのできる請求項４３乃至４７の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項４９】
電子ビーム蒸着法によって前記ガラス材料を蒸着することのできる請求項４３乃至４８の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５０】
前記ガラス材料が１，３００℃より低い動作点を有する請求項４３乃至４９の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５１】
前記ガラス材料が、塗布層として、１ＧＨｚを超える少なくともある周波数範囲において５以下の相対誘電率εＲを有する請求項４３乃至５０の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５２】
前記ガラス材料が、塗布層として、４０ＧＨｚの周波数において、５以下の相対誘電率εＲを有する請求項４３乃至５１の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５３】
前記ガラス材料が、塗布層として、２０℃〜３００℃の温度範囲において２．９×１０−６／Ｋ〜３．５×１０−６／Ｋの範囲でα２０〜３００の熱膨張係数を有する請求項４３乃至５２の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５４】
前記ガラス材料が、塗布層として、２０℃〜３００℃の温度範囲において熱膨張係数α２０〜３００＝（３．２±０．２）×１０−６／Ｋを有する請求項４３乃至５３の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５５】
前記ガラス材料が、塗布層として、基板材料の熱膨張係数とは２０℃〜３００℃の温度範囲において１×１０−６／Ｋ未満だけ異なる熱膨張係数を有する請求項４３乃至５４の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５６】
前記ガラス材料が、塗布層として、耐酸性クラス２までの耐酸性を有する請求項４３乃至５５の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５７】
前記ガラス材料が、塗布層として、耐アルカリ性クラス３までの耐アルカリ性を有する請求項４３乃至５６の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５８】
重量百分率で以下の組成：
ＳｉＯ２        ４０〜９０、
Ｂ２Ｏ３        １０〜４０、
Ａｌ２Ｏ３      ０〜５、
Ｋ２Ｏ          ０〜５、
Ｌｉ２Ｏ        ０〜３、
Ｎａ２Ｏ        ０〜３
を有する請求項４３乃至５７の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項５９】
重量百分率で以下の組成：
ＳｉＯ２        ６０〜９０、
Ｂ２Ｏ３        １０５〜３０５、
Ａｌ２Ｏ３      ０〜３、
Ｋ２Ｏ          ０〜３、
Ｌｉ２Ｏ        ０〜２、
Ｎａ２Ｏ        ０〜２
を有する請求項４３乃至５８の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項６０】
重量百分率で以下の組成：
ＳｉＯ２        ７１±５、
Ｂ２Ｏ３        ２６±５、
Ａｌ２Ｏ３      １±０．２、
Ｋ２Ｏ          １±０．２、
Ｌｉ２Ｏ        ０．５±０．２、
Ｎａ２Ｏ        ０．５±０．２
を有する請求項４３乃至５９の何れか１項に記載のガラス材料の使用。
【請求項６１】
重量百分率で以下の組成：
ＳｉＯ２        ８４±５、
Ｂ２Ｏ３        １１±５、
Ａｌ２Ｏ３      ０．５±０．２、
Ｋ２Ｏ        ０．３±０．２、
Ｌｉ２Ｏ        ０．３±０．２、
Ｎａ２Ｏ        ２±０．２
を有する請求項４３乃至６０の何れか１項に記載のガラス材料の使用。