(57)【要約】【課題】  フィードスルーを防止する。【解決手段】電気光学装置は、第１電極（１３１）及び第２電極（１３２）からなる電気光学素子（１３）と、第１期間においてデータ電位が供給される第１データ線及び第１電極間に設けられる第１スイッチング素子（ＳＷ１０１）と、第２期間においてデータ電位が供給される第２データ線及び第２電極間に設けられる第２スイッチング素子（ＳＷ１０２）と、第１・第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を、これら第１・第２スイッチング素子に供給する走査線（３）と、を備える。そして、基板を平面視すると、第２電極は、その少なくとも一部が、前記走査線と重なるように形成され、前記第１電極は、少なくとも、前記走査線の全幅を覆うことがないように形成される。【選択図】図４
2010217486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される第１電極、及び、当該第１電極の上に且つ当該第１電極と積層構造を構成するように形成される第２電極と、
前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質と、
第１期間において、表示すべき階調に応じたデータ電位が供給される第１データ線と、
第２期間において、前記データ電位が供給される第２データ線と、
前記第１電極及び前記第１データ線間を電気的に接続する第１スイッチング素子と、
前記第２電極及び前記第２データ線間を電気的に接続する第２スイッチング素子と、
前記第１及び第２電極それぞれの一辺に沿い且つ前記第１及び第２データ線と交差して延びるように、且つ当該第１及び第２電極とは異なる層として形成され、前記第１及び第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を当該第１及び第２スイッチング素子に供給する走査線と
を備え、
前記基板を平面視して、
前記第２電極は、その少なくとも一部が、前記走査線と重なるように形成され、
前記第１電極は、少なくとも、前記走査線の全幅を覆うことがないように形成される、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１及び第２電極が、前記走査線と重なるように形成される場合において、
これら第１及び第２電極は、
当該第１電極が前記走査線と重なる面積が、当該第２電極が前記走査線と重なる面積とは異なるように、形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１電極が、前記走査線と重なるように形成される場合において、
当該第１電極の前記走査線と重なる部分の少なくとも一部に、第１開口部が形成される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２電極の前記走査線と重なる部分の少なくとも一部に、第２開口部が形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記走査線の形成領域を覆うように形成される遮光膜を更に備え、
前記基板を平面視して、
前記第１電極は、前記遮光膜と重なるように、形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記走査線の形成領域を覆うように形成される遮光膜を更に備え、
前記基板を平面視して、
前記第１及び第２開口部の少なくとも一方は、
前記遮光膜の形成領域の内部の領域に形成される、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記走査線と平行関係を保って延びるように形成される固定電位線を更に備え、
前記第１電極及び前記固定電位線間に設けられる第１保持容量と、
前記第２電極及び前記固定電位線間に設けられる第２保持容量と、を更に備える、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１及び第２電極並びに前記第１及び第２スイッチング素子の一組は、前記基板の面上、マトリクス状配列に従って配列されるとともに、前記走査線は当該マトリクス状配列の各行方向に沿って延びるように形成され、かつ、
一端が、前記組の全部のうちのある１つの組に含まれる前記第１電極に電気的に接続され、他端が、前記マトリクス状配列中、当該ある１つの組が属する行の隣の行に対応する前記走査線に電気的に接続される第１の配線と、
一端が前記ある１つの組に含まれる前記第２電極に電気的に接続され、他端が、前記ある１つの組が属する行の隣の行に対応する前記走査線に電気的に接続される第２の配線と、
前記第１及び第２の配線上に設けられる第１及び第２保持容量と、
を更に備える
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に形成される第１電極と、
当該第１電極の上に且つ当該第１電極と積層構造を構成するように形成される第２電極と、
前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質と、
第１データ線と、
第２データ線と、
前記第１電極と前記第１データ線との間を電気的に接続する第１スイッチング素子と、
前記第２電極と前記第２データ線との間を電気的に接続する第２スイッチング素子と、
前記第１及び第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を当該第１及び第２スイッチング素子に供給する走査線と
を備え、
前記第２電極は、積層方向において前記走査線と前記第２電極の間に前記第１電極が介在する部位と、積層方向において前記第１電極を介在せず前記走査線と対向する部位を有する、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶等を含む電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学物質として液晶等を含む電気光学装置が提供されている。この電気光学装置では、液晶等に、画像データに応じた電位差を与えることで、その光透過率等の電気光学特性の変更が可能である。これを、当該液晶等を含む電気光学素子の複数の各々に個別的に適用すれば、画像の表示が可能となる。なお、前記電位差の液晶等への付与にあたっては、例えば、適当な形状、配置をもつ電極が利用される。
【０００３】
この電位差の液晶等への付与の仕方には様々な方法が提案されている。その中には、液晶等へ、一定の期間ごとに前とは逆極性の電位差を与える方法がある。これを実現するためには、例えば、２つの電極を用意するとともに、その双方の電極の各々に電気的に接続される２本のデータ線（それぞれ、前記画像データを供給する）を用意し、かつ、これら２組のデータ線及び電極間の導通・非導通を司る２つのスイッチング素子を設ける構成が知られている。これによると、ある期間において、一方のデータ線から一方の電極に対して画像データを供給するときは、他方の電極を接地電位等の基準電位に維持し、また、別の期間において、他方のデータ線から他方の電極に対して画像データを供給するときは、一方の電極を前記基準電位に維持する、等といった動作が行われる。これにより、液晶等へは交互に逆極性の電位差が与えられることになる。
このような電気光学装置としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０６５３０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述したような電気光学装置においては、いわゆるフィードスルーの問題がある。
すなわち、上述のような電気光学装置においては、前記スイッチング素子の導通・非導通状態を司る走査信号が当該スイッチング素子に供給されるが、このスイッチング素子の導通状態から非導通状態への遷移、即ち走査信号のハイレベルからローレベル又はローレベルからハイレベルへの遷移に応じて、液晶等へ印加された電圧の大きさに変動が生じるおそれがある。これは、当該スイッチング素子が薄膜トランジスター（Thin Film Transistor;「ＴＦＴ」）である場合におけるゲート・ソース間の容量等の存在を原因として発生するものと考えられる。本明細書では、このような現象をフィードスルーと呼ぶ。
【０００６】
このような現象は、当然、画質に影響を与える。
特に、上述したような構成、即ち、それぞれ２つずつの電極、データ線及びスイッチング素子を備える電気光学装置においては、各データ線が時宜に応じていわば交互に利用されるようなかたちとなること（ここで「利用」とは、現に画像データ供給用の配線として機能することを意味する）から、問題をより複雑にするおそれがある。例えば、この場合、前述のゲート・ソース間容量は、２つあるスイッチング素子の別に応じて異なり得ることになり、したがって、一方のデータ線を利用する場合と他方のデータ線を利用する場合とで、液晶等への印加電圧の変動の大きさが異なることがあり得ることになる。
【０００７】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
また、本発明は、かかる態様の電気光学装置、あるいは電子機器に関連する課題を解決可能な、電気光学装置、あるいは電子機器を提供することをも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は、上述した課題を解決するため、基板と、前記基板上に形成される第１電極、及び、当該第１電極の上に且つ当該第１電極と積層構造を構成するように形成される第２電極と、前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質と、第１期間において、表示すべき階調に応じたデータ電位が供給される第１データ線と、第２期間において、前記データ電位が供給される第２データ線と、前記第１電極及び前記第１データ線間を電気的に接続する第１スイッチング素子と、前記第２電極及び前記第２データ線間を電気的に接続する第２スイッチング素子と、前記第１及び第２電極それぞれの一辺に沿い且つ前記第１及び第２データ線と交差して延びるように、且つ当該第１及び第２電極とは異なる層として形成され、前記第１及び第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を当該第１及び第２スイッチング素子に供給する走査線とを備え、前記基板を平面視して、前記第２電極は、その少なくとも一部が、前記走査線と重なるように形成され、前記第１電極は、少なくとも、前記走査線の全幅を覆うことがないように形成される。
【０００９】
本発明によれば、第１期間においては、第１電極がデータ電位、第２電極が例えば基準電位となり、第２期間においては、その逆に、第１電極が例えば基準電位、第２電極がデータ電位となることが可能である。これを連続させれば、液晶等の電気光学物質に、交互に逆極性の電位差が与えられる。このような構成によると、電気光学素子に印加すべき電位差は原理的には１種だけ準備すればよいことによる消費電力低減効果等々の各種効果が享受される。
そして、本発明では特に、第１及び第２電極と、走査線との配置関係が、上述のように規定されていることにより、以下の作用効果が奏される。すなわち、まず、第１電極は、少なくとも、前記走査線の全幅を覆うことがないように形成されるので、その幅の全部を第１電極が覆ってしまっている場合に比べれば、当該第１電極と走査線との間に生じる寄生容量の容量値は小さくなる可能性がある。他方、これと同時に、走査線に第２電極の少なくとも一部が重なるように存在するから、これら走査線における第１電極によっては覆われない部分、つまり、前記幅のいわば余剰部分は第２電極と対向することになる。したがって、この第２電極と走査線との間に生じる寄生容量の容量値は大きくなる可能性がある。
このような両容量値の傾向に鑑みると、当該両容量値を相互に近づけさせること、さらにはその一致を図ることが可能になる。そして、これによれば、走査線の電位（即ち、前記制御信号）がアクティブ状態から非アクティブ状態へと遷移する場合において、前記第１電極が受ける電位変動の影響、及び、前記第２電極が受ける電位変動の影響、の双方を等しくすることが可能になる。
よって、本発明によれば、第１及び第２電極が意図しない挙動を示すことが未然に防止され、前述したようなフィードスルーに係る問題を有効に解決することができる。
なお、本発明においてはもともと、フィードスルーの影響は、スイッチング素子が２つ備えられていることから、第１及び第２電極に関してちょうど相殺されるかのようになることが期待できる状況にある（これは、前記各種効果のうちの１つといえる。）。しかし、既に述べたように、かかる効果は、当該スイッチング素子の特性差等を原因として、必ずしも、常に完全に享受可能であるというわけではない。この点に鑑みるとき、本発明に係るフィードスルー防止手段によって奏される作用効果の価値は一層高まる。
【００１０】
なお、本発明にいう「電気光学素子」の具体的な構造や材料は基本的に自由に定められ得るが、例えば、既に言及した液晶素子のほか、場合によっては有機ＥＬ材料や無機ＥＬ材料からなる発光層を電極間に介在させた素子が本発明の「電気光学素子」として採用され得る。
【００１１】
この発明の電気光学装置では、前記第１電極は、該第１電極及び前記走査線間に生じる第１寄生容量の容量値と、前記第２電極及び前記走査線間に生じる第２寄生容量の容量値との間に所定の関係が成立するように、形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１及び第２寄生容量の容量値との間に所定の関係が成立するように、第１電極が形成されるから、上述した本発明に係る効果をより実効的に享受可能である。
なお、本態様にいう「所定の関係」とは、例えば各寄生容量の容量値が等しいといった関係が含まれるほか、場合によっては、Ｃ２＝Ｃ１＋αであるとか、Ｃ２＝β・Ｃ１などといった関係等々、より一般的な観点から策定されるような関係が含まれる（なお、ここでＣ１，Ｃ２は、前記第１，第２容量要素の容量値を表現しており、α、βは適当な定数である。）。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置では、前記第１及び第２電極が、前記走査線と重なるように形成される場合において、これら第１及び第２電極は、当該第１電極が前記走査線と重なる面積が、当該第２電極が前記走査線と重なる面積とは異なるように、形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、前記第１及び第２電極が、前記走査線と重なる部分の面積が異なるので、それぞれの寄生容量（直前の態様では、「第１寄生容量」及び「第２寄生容量」と名付けられているもの）の容量値を、その面積の差分だけ異ならせることができるから、本態様によれば、上述した本発明に係る作用効果をより確実に享受可能である。
なお、本態様における「第１及び第２電極が、…走査線と重なるように形成される場合」との文言は、本発明一般において、第１電極及び第２電極と走査線とが全く重ならない場合もあり得ることを暗に示唆する。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置では、前記第１電極が、前記走査線と重なるように形成される場合において、当該第１電極の前記走査線と重なる部分の少なくとも一部に、第１開口部が形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１電極と走査線が重なる部分において、第１開口部が形成されるので、両者間に生じる寄生容量（２つ前の態様では、「第１寄生容量」と名付けられているもの）の容量値を、その第１開口部の面積分だけ減少させることができる。そして、当該容量値が減少すれば、それだけフィードスルーの影響は減少するといえるから、本態様によれば、上述した本発明に係る作用効果をより確実に享受可能である。
なお、本態様における「第１電極が、…走査線と重なるように形成される場合」との文言は、本発明一般において、第１電極と走査線とが全く重ならない場合もあり得ることを暗に示唆する。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置では、前記第２電極の前記走査線と重なる部分の少なくとも一部に、第２開口部が形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、第２電極と走査線が重なる部分において、第２開口部が形成されるので、両者間に生じる寄生容量（３つ前の態様では、「第２寄生容量」と名付けられているもの）の容量値を、その第２開口部の面積分だけ減少させることができる。そして、当該容量値が減少すれば、それだけフィードスルーの影響は減少するといえるから、本態様によれば、上述した本発明に係る作用効果をより確実に享受可能である。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置では、前記走査線の形成領域を覆うように形成される遮光膜を更に備え、前記基板を平面視して、前記第１電極は、前記遮光膜と重なるように、形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１電極が遮光膜と重なるように形成されることから、例えば第１及び第２電極それぞれの端部付近における電気光学物質の挙動の変化がいわばダイレクトに視認されること等が未然に防止される。これにより、本発明に係る電気光学装置において、例えば画像表示を行う場合には、その画像品質の劣化を未然に防止することができる。
【００１６】
また、前述の「開口部」を備える態様では、前記走査線の形成領域を覆うように形成される遮光膜を更に備え、前記基板を平面視して、前記第１及び第２開口部の少なくとも一方は、前記遮光膜の形成領域の内部の領域に形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、前記開口部が、遮光膜の形成領域の内部の領域に形成されるようになっているので、その開口部を原因とした画像品質の劣化等を未然に防止することができる。すなわち、「開口部」の存在によると、当該開口部を通じて、電気光学物質の挙動の変化がいわばダイレクトに視認されること等があり得ることになるが、本態様では、開口部が遮光膜と重なっているので、そのような不具合が発生する余地は殆どないのである。
なお、本発明は、本態様と、その直前に述べた態様（第１電極が遮光膜に重なる態様）とが併用された形態を当然その範囲内に含む。特許請求の範囲の記載中、本態様に対応する請求項が、引用対象とする請求項を限定しているのは、本態様の規定上「第１及び第２開口部」に言及せざるを得ないことによる、単なる記載技術上ないし便宜上の問題に過ぎない。
【００１７】
また、本発明の電気光学装置では、前記走査線と平行関係を保って延びるように形成される固定電位線を更に備え、前記第１電極及び前記固定電位線間に設けられる第１保持容量と、前記第２電極及び前記固定電位線間に設けられる第２保持容量と、を更に備える、ように構成してもよい。
この態様によれば、まず、第１及び第２保持容量が備えられているので、電気光学素子への電圧印加がより安定的に行われ得る。
また、このような構成の場合、前記フィードスルーの影響は、これら第１及び第２保持容量にも及ぶ（即ち、その蓄積電荷量が変動する）ことになるが、上述のように、本発明においては、かかる不具合について懸念する必要は殆どない。
【００１８】
また、本発明の電気光学装置では、前記第１及び第２電極並びに前記第１及び第２スイッチング素子の一組は、前記基板の面上、マトリクス状配列に従って配列されるとともに、前記走査線は当該マトリクス状配列の各行方向に沿って延びるように形成され、かつ、一端が、前記組の全部のうちのある１つの組に含まれる前記第１電極に電気的に接続され、他端が、前記マトリクス状配列中、当該ある１つの組が属する行の隣の行に対応する前記走査線に電気的に接続される第１の配線と、一端が前記ある１つの組に含まれる前記第２電極に電気的に接続され、他端が、前記ある１つの組が属する行の隣の行に対応する前記走査線に電気的に接続される第２の配線と、前記第１及び第２の配線上に設けられる第１及び第２保持容量と、を更に備えるように構成してもよい。
この態様によれば、まず、第１及び第２保持容量が備えられているので、電気光学素子への電圧印加がより安定的に行われ得る。しかも、本態様では、これら第１及び第２保持容量を設けるために、前述した固定電位線等を特別に設けるのではなく、他の画素回路に含まれる走査線を、その固定電位線の代用として用いるようになっているので、回路要素の削減、回路規模の縮小化等が実現される。
また、このような構成の場合でも、前記フィードスルーの影響は、これら第１及び第２保持容量にも及ぶ（即ち、その蓄積電荷量が変動する）ことになるが、既に述べたように、本発明においては、かかる不具合について懸念する必要は殆どない。
【００１９】
一方、本発明の他の観点に係る電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板と、前記基板上に形成される第１電極と、当該第１電極の上に且つ当該第１電極と積層構造を構成するように形成される第２電極と、前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質と、第１データ線と、第２データ線と、前記第１電極と前記第１データ線との間を電気的に接続する第１スイッチング素子と、前記第２電極と前記第２データ線との間を電気的に接続する第２スイッチング素子と、前記第１及び第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を当該第１及び第２スイッチング素子に供給する走査線とを備え、前記第２電極は、積層方向において前記走査線と前記第２電極の間に前記第１電極が介在する部位と、積層方向において前記第１電極を介在せず前記走査線と対向する部位を有する。
【００２０】
本発明によれば、前記第２電極と、それ以外の各要素との位置関係が好適に規定されていることから、上述した本発明に係る作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏される。
【００２１】
また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の電気光学装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の電気光学装置を備えてなるので、フィードスルーに起因する不具合の発生が未然に防止されること等によって、より高品質な画像を表示することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置を示すブロック図である。
【図２】図１の電気光学装置を構成する画素回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図１の電気光学装置の一例としてのＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶装置の一部の構造を拡大して示す概略的な平面図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ’断面図である。
【図５】図４に示す距離Ｄｓの変化に応じた、図４に示す寄生容量（Ｃ１３，Ｃ２３）の容量値（γ１，γ２）の変化の様子を表すグラフである。
【図６】図４に示す距離Ｄｓの変化に応じた、液晶の透過率の変化の様子を表すグラフである。
【図７】第１・第２データ線に供給されるデータ電位の大きさが、フィードスルーの程度にどのような影響を与えるかを図示するものであって、〔Ａ〕は第１データ線により大きなデータ電位が供給され、〔Ｂ〕は第２データ線により大きなデータ電位が供給される場合をそれぞれ示している。
【図８】図３と同趣旨の図であって、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の一部の構造を拡大して示す概略的な平面図（第１電極に開口部（１３１Ｋ）あり）である。
【図９】図８に示す構造において、第１・第２データ線に各種データ電位を与えた場合におけるフィードスルー極性差を示す図であって、〔Ａ〕は第１・第２寄生容量の容量値を一致させた場合、〔Ｂ〕はそうではない場合をそれぞれ示している。
【図１０】図８と同趣旨の図であって、開口部（１３１Ｋ）をブラックマトリクス（ＢＭ）で覆った場合の例を示す平面図である。
【図１１】図２と同趣旨の図であり、同図とは異なる態様の画素回路の詳細を示す回路図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る電気光学装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。
【図１４】本発明に係る電気光学装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
＜第１実施形態＞
以下では、本発明に係る第１の実施の形態について図１乃至図４を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１乃至図４に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
【００２４】
本発明の第１実施形態に係る電気光学装置は、電気光学材料として液晶を用いる。電気光学装置１は、主要部として液晶パネルＡＡ（電気光学パネルの一例）を備える。液晶パネルＡＡは、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor;「ＴＦＴ」）を形成した素子基板と対向基板とを互いに対向させ、かつ一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶を挟持している。
【００２５】
図１は第１実施形態に係る電気光学装置１の全体構成を示すブロック図である。この電気光学装置１は、液晶パネルＡＡ、制御回路３００、及び画像処理回路４００を備える。この液晶パネルＡＡは透過型であるが、半透過型であってもよいしあるいは反射型であってもよい。
液晶パネルＡＡは、その素子基板上に画像表示領域Ａ、走査線駆動回路１００、及びデータ線駆動回路２００を備える。制御回路３００は、Ｘ転送開始パルスＤＸ及びＸクロック信号ＸＣＫを生成してデータ線駆動回路２００に供給するとともに、Ｙ転送開始パルスＤＹ及びＹクロック信号ＹＣＫを生成して走査線駆動回路１００に供給する。
画像表示領域Ａには、複数の画素回路Ｐ１がマトリクス状に形成されており、画素回路Ｐ１ごとに透過率を制御することができる。バックライト（図示略）からの光は、画素回路Ｐ１を介して射出される。これによって、光変調による階調表示が可能となる。また、画像処理回路４００は入力画像データＤｉｎに画像処理を施して出力画像データＤｏｕｔを生成し、これをデータ線駆動回路２００に出力する。
【００２６】
次に、画像表示領域Ａについて説明する。画像表示領域Ａには、ｍ（ｍは２以上の自然数）本の走査線３が、Ｘ方向に沿って平行に配列して形成される一方、ｎ（ｎは２以上の自然数）組の第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂが、Ｙ方向に沿って平行に配列して形成されている。くわえて、基準電位ＧＮＤを供給する電位線（図１において不図示。ただし、図２の符号３０参照）がＸ方向に沿って平行に配列して形成される。そして、走査線３と第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂとの交差に対応して、ｍ（行）×ｎ（列）個の画素回路Ｐ１が配置される。
【００２７】
ｎ本の第１データ線６ａには第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａが各々供給され、ｎ本の第２データ線６ｂには第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂが各々供給される。また、各走査線３には、走査信号Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍが、パルス的に線順次で印加される。ｉ（ｉは１≦ｉ≦ｍの自然数）行、ｊ（ｊは１≦ｊ≦ｎの自然数）列の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）は、ｉ行の走査線３の走査信号Ｙｉがアクティブになると、第１データ線６ａを介して供給される第１電位Ｘｊａ及び第２データ線６ｂを介して供給される第２電位Ｘｊｂを取り込む。
【００２８】
図２にｉ行ｊ列の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）の回路図を示す。なお、他の画素回路Ｐ１も同様に構成されている。この図に示すように画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）は、導電型がｎチャネルの第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２、第１保持容量Ｃｓｔｇ１、第２保持容量Ｃｓｔｇ２、第３保持容量Ｃｓｔｇ３、並びに電気光学素子１３等を備える。
【００２９】
電気光学素子１３は、第１電極１３１と第２電極１３２の間に電気光学物質を挟持して構成される。電気光学物質は、印加電圧に応じて光学特性が変化するものであればいかなるものであってもよいが、この例では、液晶ＬＣを用いる。尚、液晶は印加電圧に応じて液晶分子の配向が変化し、これに応じて光学特性が変化する。特に、偏光板等の光学部材と液晶とを組み合わせて、光学特性として光の透過率を変化させてもよい。
電気光学素子１３の第１電極１３１は第１ノードＺａに接続される一方、その第２電極１３２が第２ノードＺｂに接続される。また、第１ノードＺａと電位線３０との間には第１保持容量Ｃｓｔｇ１が設けられ、第２ノードＺｂと電位線３０との間には第２保持容量Ｃｓｔｇ２が設けられる。
さらに、電気光学素子１３と並列に第３保持容量Ｃｓｔｇ３が設けられる。
ここで、第１乃至第３保持容量Ｃｓｔｇ１、Ｃｓｔｇ２、及びＣｓｔｇ３の一部又は全部は、容量素子として形成してもよいし、あるいは、第１電極１３１と第２電極１３２との間に付随する寄生容量や第１ノードＺａ又は第２ノードＺｂと電位線３０との間に発生する寄生容量であってもよい。
【００３０】
第１トランジスターＳＷ１０１は、第１ノードＺａと第１データ線６ａとの間に設けられており、第２トランジスターＳＷ１０２は、第２ノードＺｂと第２データ線６ｂとの間に設けられている。
これら第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２のゲートは走査線３と接続される。走査信号Ｙｉがハイレベル（アクティブ）になると、第１トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２は共にオン状態となる。すると、第１電位Ｘｊａが電気光学素子１３の第１電極１３１に印加されるとともに第１保持容量Ｃｓｔｇ１によって保持される。また、第２電位Ｘｊｂが電気光学素子１３の第２電極１３２に印加されるとともに第２保持容量Ｃｓｔｇ２によって保持される。これによって、電気光学物質たる液晶ＬＣに電圧が印加され、透過率が制御される。
【００３１】
このような透過率制御を基本として、第１実施形態に係る画素回路Ｐ１は特に、以下のように動作する（図２の下方参照）。
〔ｉ〕最初の期間では、走査線駆動回路１００は、走査線３にハイレベルの走査信号Ｙｉを供給することによって、第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２をともにオン状態とする。この際、データ線駆動回路２００は、第１データ線６ａに前記第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａとしてデータ電位Ｖｄａｔａを供給するとともに、第２データ線６ｂに前記第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂとして基準電位ＧＮＤを供給する。これによって、電気光学素子１３においては、その第１電極１３１がデータ電位Ｖｄａｔａ、第２電極１３２が基準電位ＧＮＤとなり、液晶ＬＣに所定の電位差が与えられる。
〔ｉｉ〕次の期間でも、走査線駆動回路１００に起因する第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２のオン状態への遷移は同様に行われる。ただ、この場合、前記の〔ｉ〕とは逆に、データ線駆動回路２００は、第１データ線６ａに前記第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａとして基準電位ＧＮＤを供給するとともに、第２データ線６ｂに前記第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂとしてデータ電位Ｖｄａｔａを供給する。これによって、電気光学素子１３においては、その第１電極１３１が基準電位ＧＮＤ、第２電極１３２がデータ電位Ｖｄａｔａとなり、液晶ＬＣに所定の電位差が与えられる。このように、仮に、データ電位Ｖｄａｔａと基準電位ＧＮＤとの差が前記〔ｉ〕の場合と同じであったとしても、少なくともその極性は反転することになる（もちろん当該差が同じでなくても、その極性は同様に反転する。）。
〔ｉｉｉ〕以後は、以上の〔ｉ〕〔ｉｉ〕の動作が繰り返し行われる（図２の下方参照）。
なお、以上の場合において、データ電位Ｖｄａｔａは、各画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）別に応じて、それぞれ固有の具体的な値を持ちうることは言うまでもない。その具体的な値は、主に入力画像データＤｉｎの値如何による。
【００３２】
ブロック図（図１）ないし回路図（図２）としては以上のような構成をもつものとして説明される電気光学装置１は、実際上は、例えば図３及び図４に示すような構造をもつ。ここに図３は、電気光学装置の一例としてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶装置の一部の構造を拡大して示す概略的な平面図である。図４は、図３に示す液晶装置の一部を拡大して示す概略的な断面図である。
【００３３】
これら図３及び図４においては、平面視して略長方形状をもつ第１電極１３１及び第２電極１３２が、前述した図２に示す電気光学素子１３を構成する第１電極１３１及び第２電極１３２に該当する（以下、同様にして、対応する要素については、その名称及び符号を共用する。）。このうち第１電極１３１は、図３に示すように、その長方形状の図中左下角部を一部切り欠いたような形状をもつ。他方、第２電極１３２は、逆に、図中右下角部分を一部切り欠いたような形状をもつ。この切り欠かれた部分に該当する領域は、第１電極１３１と第１データ線６ａ、又は第２電極１３２と第２データ線６ｂとの電気的接続を実現するためのコンタクトホールを形成するための領域などに利用される。図３においては、第１トランジスターＳＷ１０１を構成する半導体層（ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域を含む層）１１１と第１電極１３１とがコンタクトホールＣＨ２を介して電気的に接続されるとともに、当該半導体層１１１と第１データ線６ａとがコンタクトホールＣＨ１を介して電気的に接続されている。また、同様にして、第２トランジスターＳＷ１０２を構成する半導体層１２１と第２データ線６ｂとはコンタクトホールＣＨ４を介し、半導体層１２１と第２電極１３２とはコンタクトホールＣＨ３を介して、それぞれ電気的に接続される。
【００３４】
第２電極１３２はまた、図３及び図４に示すように、複数のスリット１３２ｓをもつ。第１実施形態において、スリット１３２ｓは、図３中上下方向に長い略長方形状をもち、その１本１本が互いに平行となるようにして並べられる。
【００３５】
これら第１電極１３１及び第２電極１３２は、図３及び図４に示すように、前者が下層、後者が上層の関係にあり、両者は平面視してその外縁部分を一致させるように重なり合う。両者間には、図４に示すように、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の適当な材料からなる層間絶縁膜３０３が形成され、当該両者間の電気的短絡が防止される。なお、これら第１電極１３１及び第２電極１３２と、その間に介在する層間絶縁膜３０３とによって、第３保持容量Ｃｓｔｇ３は構成される（図４及び図２参照）。
このような、第１電極１３１及び第２電極１３２の一組の重なり合いからなる構成が、前述した画素回路Ｐ１の基本を形作る。なお、第１実施形態においては特に、第１電極１３１・第２電極１３２の形成位置、あるいはこれらと走査線３との配置関係等について特徴があるが、この点については後に改めて触れる。
【００３６】
この液晶装置ではまた、図４中、第１電極１３１中の更に下層に位置付けられるようにして第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂ、並びに、走査線３及び電位線３０が形成される。
なお、第１データ線６ａの図３中の左側辺は、第２電極１３２の同図中左側辺に一致するように、これら両者間の配置関係は設定される。同様に、第２データ線６ｂの図３中の右側辺は、第２電極１３２の同図中右側辺に一致するように、これら両者間の配置関係は設定される。
また、第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂと、第１電極１３１との間には、図４に示すように、層間絶縁膜３０２が形成される。
さらに、走査線３及び電位線３０は、図３及び図４に示すように、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂの更に下層に位置付けられるように形成される。この走査線３等と、第１データ線６ａ等との間には、層間絶縁膜３０１が形成される。また、この走査線３及び電位線３０は、第１電極１３１及び第２電極１３２の図３中それぞれの下辺に沿うように形成される。これにより、この走査線３等と第１データ線６ａ等とは相互に交差するように延びる。
【００３７】
以上の第１電極１３１、第１データ線６ａ等々の各要素は、図４に示すように、ガラス等からなる素子基板７を素地として形成される。
なお、図３及び図４においては示されていないが、図２等に示した第１保持容量Ｃｓｔｇ１等々の各種回路要素も、層間絶縁膜３０１及び３０２、あるいは更に別の他の層間絶縁膜等が形成・利用されることによって適宜に配置される。これら各種の層間絶縁膜は、そのような回路要素間の電気的短絡の防止、あるいは当該回路要素間の好適な立体的配置関係の設定のため等に利用される（ただし、図３及び図４では、それらの回路要素及びその接続態様等の全部又は一部についての図示は省略している。）。
また、図３及び図４では、以上のほか、第２電極１３２上の配向膜、液晶ＬＣ、あるいは各画素回路Ｐ１間の光の混色を防止するためのブラックマトリクス等々の各種要素が備えられ得るが、その図示はブラックマトリクスＢＭの一部の図示を除いて省略した。ブラックマトリクスＢＭは、各画素回路Ｐ１間を仕切るように、平面視して、格子状の形状をもつ遮光膜である。図４においては、ＸＸ’断面で認識しうる範囲のブラックマトリクスＢＭを図示しており、この図においては、ブラックマトリクスＢＭは走査線３の形成領域を覆うように形成されている。
さらに、図３及び図４は単なる一例であるから、前述した各種回路要素の配置態様とは異なる配置態様が採用されてよい。本発明は、基本的に、どのような配置態様でも、その範囲内に含む。
【００３８】
このような構成において、第１電極１３１と第２電極１３２との間に駆動電圧を印加すると、これらの電極の形状に応じた電界が生じる。より詳しくは、第２電極１３２の上面から出て第２電極１３２のスリット１３２ｓを通り第１電極１３１の上面に至る電気力線を有する電界が発生する。このとき、第２電極１３２の上方（即ち、液晶ＬＣが配置されている領域）における電界は、素子基板７に平行な成分を有する横電界となる。液晶分子は、この横電界によって駆動され、素子基板７に平行な面内で配向方向を変える。ＦＦＳモードの液晶装置によれば、上記のように液晶分子が常に素子基板７に対して平行な状態で駆動されることに起因して、広い視野角が得られる。
【００３９】
次に、第１実施形態における特徴部分、特に第１電極１３１と走査線３との関係について、既に参照した図１乃至図４に加えて、図５乃至図７の各図面を参照しながら説明する。
第１実施形態において、第１電極１３１と走査線３との間、及び、第２電極１３２と走査線３との間には、図４に示すように、第１・第２寄生容量Ｃ１３，Ｃ２３が形成される。ここで、第１寄生容量Ｃ１３は、第１電極１３１と走査線３との間に構成される容量要素であり、第２寄生容量Ｃ２３は、第２電極１３２と走査線３との間に構成される容量要素である（なお、図２においては、これら第１・第２寄生容量Ｃ１３，Ｃ２３が、回路図上ではどのように表現されるかを併せて示しておいた。）。
【００４０】
これら第１・第２寄生容量Ｃ１３，Ｃ２３は、フィードスルーの原因となる。すなわち、第１実施形態の電気光学装置１を構成する全画素回路Ｐ１（図１参照）は、上述のように、走査線３が線順次に選択されていく過程を通じて駆動されるが、その際、走査信号Ｙｉのアクティブ状態から非アクティブ状態への遷移（第１実施形態では、第１・第２スイッチング素子ＳＷ１０１・ＳＷ１０２がＮ型であるから、ハイレベルからローレベルへの遷移）に応じて、液晶等へ印加された電圧の大きさに変動が生じるおそれがある。そして、そのような電圧変動の原因として、前記第１・第２寄生容量Ｃ１３，Ｃ２３の存在が考えられる。これら第１・第２寄生容量Ｃ１３，Ｃ２３は、走査線３の電位変動を、第１・第２電極１３１・１３２、あるいは第１・第２保持容量Ｃｓｔｇ１・Ｓｓｔｇ２の電位変動にいわば中継してしまうおそれがあるからである。
【００４１】
そこで、第１実施形態においては、第１電極１３１及び走査線３との間に、以下に説明するような適当な関係を設定する。
まず、図４に示すような第１電極１３１及び走査線３間の距離Ｄｓに着目し、この距離Ｄｓの大小が、前記容量値にどのような影響を及ぼすか考える。図４からもわかるように、この距離Ｄｓが大きくなれば（即ち、第１電極１３１が図中右方向に向かっていわば後退すれば（図４中破線矢印参照））、第１電極１３１及び走査線３間の距離は大きくなるので、第１寄生容量Ｃ１３の容量値γ１は小さくなっていくことが推測される。他方、この距離Ｄｓの増大は一方で、第２電極１３２及び走査線３間の対向面積を増大させるという側面をもつので、第２寄生容量Ｃ２３の容量値γ２は大きくなっていくことが推測される。
【００４２】
図５は、前記距離Ｄｓの変化に応じて前記容量値γ１及びγ２がどのようになるかを確認したシミュレーション結果を表すグラフである（なお、本明細書に記載する全実施形態におけるシミュレーション結果は、液晶シミュレータ２ＤＩＭＯＳを用いて得た。）。この図によれば、前述の推測を裏付けるように、距離Ｄｓが増大するに連れて、容量値γ１は次第に減少していく一方、容量値γ２は、次第に増大していくことがわかる。
ただ、同図における「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＤ」（“Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ”の意義はすぐ後に述べる。）のポイントにおいては、容量値γ１及びγ２は、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＢ」の場合とほぼ同一の値をとることがわかる。
【００４３】
なお、図５において、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＡ」とは、図４に示すように、第１電極１３１の図４中左側端と第２電極１３２の左側端とが揃っている場合（即ちＤｓ＝０の場合）を表し、「ＳｔｒｕｃｕｔｒｅＢ」とは、第１電極１３１の図４中左側端と走査線３の図４中右側端とが揃っている場合を表す。また、「ＳｔｒｕｃｕｔｒｅＣ」とは、第１電極１３１の図４左側端が、ブラックマトリクスＢＭの図４中右側端と揃っている場合を表す（いずれも図４参照）。ちなみに、これらいずれの場合においても、第２電極１３２は、その一部が、走査線３の一部と重なり合うように形成されることが前提とされている。第１実施形態では特に、図３又は図４に示すように、第２電極１３２の図３中下辺が、図３中左右方向に延びる走査線３の幅の内部に納まるように、両者の配置関係は設定されている。
他方、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＤ」とは、第１電極１３１の走査線３に対する相対的配置関係は「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＢ」と同様である。すなわち、第１電極１３１の図４中左側端と走査線３の図４中右側端とが揃っている。ただし、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＤ」では、これに加えて、第２電極１３２の図４中左側端が走査線３の図４中右側端と揃っている場合を表している（不図示）。つまり、この場合は、第１電極１３１のみならず第２電極１３２もいわば図中右方向に後退して、これら第１及び第２電極１３２のいずれもが走査線３と重なり合う部分をもたず、かつ、両者の図４中左側端がともに揃っている場合を表している。このように、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＤ」は第２電極１３２の形成位置が調整を受けている点で他の構造と異なる。図５及びすぐ後に述べる図６中、この「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＤ」と、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＣ」との間に破線が引かれているのは、この趣旨を明瞭にすることを意図している。
【００４４】
一方、図６は、距離Ｄｓの変化に応じて液晶ＬＣの透過率がどのようになるかを確認したシミュレーション結果を表すグラフであるが、この図によれば、前記の「Ｓｔｒｕｃｕｔｒｅ」が、Ａ乃至Ｄのいずれをとるかにかかわらず、透過率はほぼ一定に維持されることがわかる。
【００４５】
以上のような事情を踏まえると、第１寄生容量Ｃ１３と第２容量素子Ｃ２３が、第１電極１３１及び第２電極１３２に与える影響を等しくするという観点からは、容量値γ１が容量値γ２により接近するポイント、即ち図５中の「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＢ」あるいは「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＣ」のいずれかを選択すると好適であることがわかる。これにより、走査線３の電位変動が第１及び第２電極１３１及び１３２に影響を及ぼすとしても、γ１≒γ２が成立することから、両者間に当該影響の差異は生じないことになるからである。また、この場合、透過率には影響が及ばないので（図６参照）、このような配置調整が、画像の品質に影響を与えるおそれは少ない。
【００４６】
なお、この場合、単に容量値γ１及びγ２の一致という究極的目標を追求するなら、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＣ」のほうが、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＢ」よりも好適だということはいえる。しかしながら、かかる構造は、上述のように、第１電極１３１の図４左側端が、ブラックマトリクスＢＭの図４中右側端と揃っている場合であるから、液晶ＬＣの挙動変化がいわばダイレクトに視認されるおそれが高い。したがって、この点を重視すれば、単純に、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＣ」のほうが好適だとはいえない。つまり、第１電極１３１は、ブラックマトリクスＢＭと重なるように形成されるのが好ましい。
また、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＤ」における容量値γ１及びγ２は、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＢ」とほぼ同じであることからすると、「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＤ」を選択する余地もあるように思われる。しかしながら、第２電極１３２の側端を後退させてしまう場合も、前記と同様、液晶ＬＣの挙動変化がいわばダイレクトに視認されてしまうおそれが高くなることを、本願出願人は確認している。
以上のことから、第１電極１３１の形成位置の調整は、概ね図５に示すような破線四角によって囲まれる領域の範囲内で行われるのが好適である。
【００４７】
以上の配慮の結果、第１実施形態においては、第１電極１３１と走査線３との配置関係は、図５に示す「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＢ」（あるいはその付近の構造）として、言い換えると、第１電極１３１の図４中左側端（図３でいえば、下側辺）が、走査線３の図４中右側端とブラックマトリクスＢＭの図４中右側端との間に位置付けられるように、当該配置関係は設定される（なお、この点については、図面の輻輳化を避けるため、図３では図示していない。）。
なお、以上のことと同時に、第２電極１３２と走査線３との配置関係も自ずと設定されることになる。すなわち、第１電極１３１の図４中左側端が前述のように設定されることから、第２電極１３２は、その第１電極１３１の後退分だけ、走査線３と対向することになる。
【００４８】
以上に述べたような、第１実施形態に係る電気光学装置１によれば、フィードスルーの発生、あるいはそれによってもたらされる悪影響が実効的に抑制される。このような効果が得られるのは、既に述べたように、γ１＝γ２が成立するように、第１電極１３１と、走査線３との配置関係が好適に設定されることによる。なお、第１実施形態では、このような効果が画質の劣化等を招くことなく得られることも特筆される（図６及びそれに関する上記説明参照）。
【００４９】
ちなみに、上述したような構造を採用する場合において、本願出願人は、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂに供給されるデータ電位Ｖｄａｔａの大きさ（あるいは、より一般的には、第１又は第２データ線６ａ又は６ｂに供給される第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａ又は第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂの大きさ）が、フィードスルーの程度、即ち第１〜第３保持容量Ｃｓｔｇ１〜Ｃｓｔｇ３に蓄積されている電荷量の変動の大小に大きく影響することを見出した。図７は、これに関する。
すなわち、図７において、その〔Ａ〕では、第１データ線６ａにデータ電位Ｖｄａｔａが供給され、第２データ線６ｂに基準電位ＧＮＤが供給される場合が示されているが（なお、ここではＶｄａｔａ＞ＧＮＤとする。）、この場合、第１・第２スイッチング素子ＳＷ１０１・ＳＷ１０２がオン状態からオフ状態へと遷移する際における、前者に基づく第１保持容量Ｃｓｔｇ１の電位低下の程度の方が、後者に基づく第２保持容量Ｃｓｔｇ２のそれよりも大きくなることが示されている。つまり、より大きな電位をもつ第１保持容量Ｃｓｔｇ１の電位変動の程度はより大きくなる。
他方、図３〔Ｂ〕では、図３〔Ａ〕とは逆に、第１データ線６ａに基準電位ＧＮＤが供給され、第２データ線６ｂにデータ電位Ｖｄａｔａが供給される場合が示されているが、この場合もやはり、より大きな電位をもつ第２保持容量Ｃｓｔｇ２の電位変動の程度はより大きくなる。
【００５０】
以上のような結果は、フィードスルーが、必ずしも、第１・第２トランジスターＳＷ１０１・ＳＷ１０２のゲート・ソース間容量、あるいは、前記第１・第２寄生容量Ｃ１３・Ｃ２３を支配的要因として生じるのでない場合がありうることを示唆する。つまり、これらの容量値が小さい場合でも、フィードスルーの程度が大きい場合がありえ、あるいはその逆に、当該容量値が大きい場合でも、フィードスルーの程度が小さい場合がありえるということになる。
もっとも、そのような場合でも、図７〔Ａ〕又は図７〔Ｂ〕の各別に示した状態と、前記条件から大きく外れる場合（即ち、γ１≠γ２）とが重なると、第１電極１３１及び第２電極１３２間で異なった電位変動が生じる（いわば“極性差”が生じる）おそれがあることに変わりはない。したがって、かかる場合でも、上述した第１実施形態の作用効果の意義が本質的に失われるわけでは勿論ない。むしろ、第１実施形態は、フィードスルーがどのような支配的要因によって生じるにしても、そのフィードスルーによってもたらされる不具合（例えば、前記“極性差”）の発生を未然に回避するという効果を享受可能とするものということができる。
【００５１】
＜第２実施形態＞
以下では、本発明に係る第２実施形態について図８及び図９を参照しながら説明する。なお、この第２実施形態は、第１電極１３１に開口部１３１Ｋを設ける点について特徴があり、それ以外の点については、上記第１実施形態の構成及び動作ないし作用等と同様である。したがって、以下では、前記相違点について主に説明を行うこととし、それ以外の点についての説明は適宜簡略化し、あるいは省略する。
【００５２】
第２実施形態では、図８に示すように、第１電極１３１の所定の部位に開口部１３１Ｋが形成される。この図８に示す構造は、この開口部１３１Ｋを含めて、以下の点で図３と異なる。すなわち、第１に、第２電極１３２が、走査線３の全幅を覆うように形成されている。第２に、第１電極１３１の図中下辺の位置をみると、走査線３の全幅を覆うかのように形成されているが、両者が重なり合う部分に前記開口部１３１Ｋが形成されている。したがって、この第２実施形態においても、第１電極１３１が、走査線３の全幅を覆うようにはなっていない。本発明にいう「第１電極は、少なくとも、前記走査線の全幅を覆うことがないように形成される」というのは、この図８に示すような場合をも含意する。
なお、冒頭述べたように、この図８に示す各部の寸法は、図面の見易さ等を勘案して、実際のものとは適宜に異ならせてあり、現実の装置が必ずしも図８と同比率関係にあることを要求するものではない（この点は、前述の図３及び図４も同様である。）。また、図８では、電位線３０の図示は省略している。
【００５３】
このような開口部１３１Ｋの存在によると、第１電極１３１と走査線３との間の第１寄生容量Ｃ１３の容量値γ１を、その開口部１３１Ｋの面積分だけ減少させることができる。したがって、第２実施形態によれば、上述した第１実施形態によって奏された作用効果をより確実に享受可能である。
特に、このような開口部１３１Ｋの利用によると、容量値γ１と容量値γ２の完全一致を目指すことも可能である。例えば、まず第１に、上記第１実施形態のように、第１電極１３１の走査線３に対する形成位置の調整を図ることによって、第１寄生容量Ｃ１３の容量値γ１と、第２電極１３２及び走査線３間の第２寄生容量Ｃ２３の容量値γ２との値をできる限り近づけておき（前述の図５及びその説明参照。）、続いて第２に、それでも生じる両者間の差を埋めるような形成位置、形状、面積等をもつ開口部１３１Ｋを第１電極１３１に形成する、などという考え方によれば、容量値γ１及びγ２の完全一致を目指すことも可能である。なお、このような場合においては、開口部１３１Ｋの形成によって、容量値γ１の調整が可能であるから、上記第１実施形態において説明したように、第１電極１３１が、図５に示す破線四角、即ち「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＢ」近辺の構造をとること、が必ずしも必須の条件とされるわけではない。
以上の手法によれば、走査線３の電位変動が第１及び第２電極１３１及び１３２に及ぼす影響の度合いを全く同じにすることが可能になる。
【００５４】
実際、これを確認したのが、図９に示されるシミュレーション結果である。この図９は、第１電極１３１及び第２電極１３２それぞれに、交互に、データ電位Ｖｄａｔａとして、１．２５〔Ｖ〕，２．５０〔Ｖ〕，３．７５〔Ｖ〕，５．００〔Ｖ〕が与えられた場合に、両者間にどれほどの極性差が生じるかを表すものである。なお、図中、「正極性」とあるのは、第１電極１３１にデータ電位Ｖｄａｔａを、第２電極１３２に基準電位ＧＮＤを与えた場合、「負極性」とあるのは、その逆の場合をそれぞれ表している。また、図９〔Ａ〕は、上記手法によって、容量値γ１及びγ２がいずれも４．０〔μＦ〕となるように調整した場合、図９〔Ｂ〕は、かかる手法によらずに、容量値γ１及びγ２間に２．３（＝４．０−１．７）〔μＦ〕分の差が生じている場合、をそれぞれ示している。
この図９から明らかな通り、図９〔Ｂ〕の場合では、図中ハッチングされた棒グラフにみられるように、相対的に大きなフィードスルー極性差が生じてしまっているのに対して、図９〔Ａ〕の場合では、それが全く生じていない（ちなみに、この図９からも、前述の図７を参照して説明した事情、即ちデータ電位Ｖｄａｔａの大きさがフィードスルーの程度に影響を与えること、を、うかがい知ることができる。）。
【００５５】
以上のように、第２実施形態によれば、上記第１実施形態によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果、あるいはそれを更に上回る作用効果を享受することが可能である。
【００５６】
なお、第２実施形態に係る開口部１３１Ｋの形成位置を定めるにあたっては、液晶ＬＣの挙動変化の視認可能性について十分な留意を払うことが好適である。例えば、図８においては図面の見易さ等を考慮して示さなかったが、図１０に示すように、ブラックマトリクスＢＭが配置されることとなればよい。これによれば、開口部１３１Ｋの形成領域が、ブラックマトリクスＢＭの形成領域によって完全に覆われた状態に置かれることになり、開口部１３１Ｋ付近の液晶ＬＣの挙動変化が視認されるおそれが極めて低減されるからである。
【００５７】
また、上述においては、開口部１３１Ｋが第１電極１３１に形成される態様について説明しているが、場合によっては、同様の開口部が、第２電極１３２の側に形成されてもよい。これによれば、容量値γ１及びγ２の一致がより図りやすくなる可能性が生じる。また、前記開口部１３１Ｋもそうだが、一般に、第１及び第２電極１３１及び１３２に開口部を形成することによれば、これらと走査線３との間の寄生容量の容量値は減少することから、フィードスルーの影響がその分低減する可能性も開け、この点からも、第１電極１３１・第２電極１３２のいずれかに関わらず、開口部を形成すること自体が有意義である場合がある。
【００５８】
さらに、上述においては、開口部１３１Ｋが、平面視して図８あるいは図１０に示したような略長方形状をもつことを前提として説明されているが、本発明は、開口部の形状に関し、かかる形状に限定されるわけではない。また、開口部１３１Ｋ周辺の枠部分も必ずしも必要ではない。ポイントは、第１電極１３１と走査線３との間の第１寄生容量Ｃ１３の容量値γ１の低減、及び、この容量値γ１と前記容量値γ２との可能な限りの接近（究極的にはその一致）にあるから、これらが好適に実現されるような形状が適宜に選択されてよい。開口部の“個数”等についても同様である。
以上のことは、前述した第２電極１３２に形成される開口部についても当然あてはまる。
【００５９】
加えて、上述においては、第１実施形態として説明した、第１電極１３１の形成位置調整による容量値γ１及びγ２の接近、及び、それに続く開口部１３１Ｋの形成による両者の完全一致を図る例について説明したが、第２実施形態に係る開口部１３１Ｋを設けるにあたっては、必ずしも、上記第１実施形態において説明された手順を踏む必要はない。第１電極１３１、第２電極１３２、及び走査線３の形成位置、大きさ、重なり面積等々に関して各種の形成態様があり得ることを前提とすれば、開口部１３１Ｋの形成“だけ”でも、容量値γ１及びγ２の相当程度の接近、あるいは一致を目指すことが不可能ではないからである。
【００６０】
これに関連して特に、上記第１実施形態において説明された手順を踏むかどうかに関わらず、第１電極１３１と走査線３とが、相互に重なる部分を持たない場合（例えば、図５ないし図４の「ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＢ」はまさにその具体例の１つである。）であっても、開口部１３１Ｋを設けることによる効用が享受されることもあり得るから、本発明は、そのような形態を積極的に排除する意図は有しない。本発明においては、「第１開口部」又は「第２開口部」は、第１電極又は第２電極と走査線とが「重なるように形成」される場合において形成されることが前提とされており、これは、容量値低減効果がより明白であることに基礎を置くものではあるが、いま述べた事情に鑑み、本発明一般は、その「重なる」場合に加えて、第１又は第２電極と走査線とが“重ならない”場合に、「第１開口部」又は「第２開口部」を設ける形態をも、その範囲内に含む。
【００６１】
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る電気光学装置ないし画素回路は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１）  上記各実施形態においては、第１及び第２保持容量Ｃｓｔｇ１及びＣｓｔｇ２を設けるために、電位線３０が設けられる形態について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、図１１に示すように、図２に示す第１及び第２保持容量Ｃｓｔｇ１及びＣｓｔｇ２相当の第１及び第２保持容量は、電位線３０に電気的に接続されるのではなく、前行に位置する画素回路Ｐ１に対応する走査線３に電気的に接続されてもよい（図中符号Ｃｓｔｇ１[ｉ]及びＣｓｔｇ２[ｉ]参照）。なお、図４においては、前行に位置する画素回路Ｐ１を表現するために記号[ｉ−１]が、その直後の行に位置する画素回路Ｐ１を表現するために記号[ｉ]が利用されている。
このような形態によれば、電位線３０を設ける必要がなくなるから、その分のコスト低減が可能となり、あるいは、その設置スペース分の画素開口率の向上等を図ることも可能となる、など様々な利点が得られる。
【００６２】
そして、このような場合においても、図１１に示すように、図２に示す第１及び第２寄生容量Ｃ１３及びＣ２３相当の、第１及び第２寄生容量Ｃ１３[ｉ]及びＣ２３[ｉ]が生じ得る（図４においては、前行に位置する画素回路に含まれる、第１及び第２寄生容量Ｃ１３[ｉ−１]及びＣ２３[ｉ−１]も図示されている。）。また、これによって、フィードスルーの影響は、上記各実施形態と変わらず、前述の第１及び第２保持容量Ｃｓｔｇ１[ｉ]及びＣｓｔｇ２[ｉ]、あるいはＣｓｔｇ１[ｉ−１]及びＣｓｔｇ２[ｉ−１]、等に生じ得る。
しかしながら、これら第１及び第２寄生容量Ｃ１３[ｉ]及びＣ２３[ｉ]に対しても、上記各実施形態において説明した各種の対処方法を適用することは当然可能である。したがって、この図１１に示すような形態においても、上記各実施形態によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果は奏される。
【００６３】
（２）  上記各実施形態においては、第２電極１３２の各スリットは互いに平行であり、一定の間隔をおいて配置されるようになっているが、本発明はかかる形態に限定されない。
要は、第１電極１３１と第２電極１３２との間の斜め方向の電界により、液晶ＬＣ内の液晶分子が制御されるように、第２電極１３２のスリットは形成されていればよいから、例えば、第２電極１３２の各スリットは、走査線３の延在方向に沿って設けられていてもよく、あるいは、走査線３の延在方向に対し、所定の角度を持つように設けられていてもよい。さらには、走査線３の延在方向に対し、第１の角度を持つように設けられた第１スリットと、第２の角度を持つように設けられた第２スリットとがあってもよい。
【００６４】
（３）  上記第１実施形態においては、画素回路Ｐ１の動作について、〔ｉ〕から〔ｉｉｉ〕までの段階に分けて説明を行った（この説明は、第２実施形態においても当然妥当する。）が、これに関連して、データ電位Ｖｄａｔａ及び基準電位ＧＮＤの切替えの態様ないしタイミングには、様々なものが想定される。
例えば、データ電位Ｖｄａｔａと基準電位ＧＮＤとの切替えはフレーム単位で行われてよい。この場合には、図１に示す全画素回路Ｐ１が一通り駆動されるまでは、当該全画素回路Ｐ１に関し、例えば第１データ線６ａには常にデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには常に基準電位ＧＮＤが供給されるなどということになる（Ｖ反転方式）。
あるいは、当該切替えはデータ線ごと（列ごと）に行われてもよい。この場合には、あるフレーム期間中において、ある画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）に対応する第１データ線６ａにはデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには基準電位ＧＮＤが供給されるが、その隣の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ＋１）に対応する第１データ線６ａには基準電位ＧＮＤ、第２データ線６ｂにはデータ電位Ｖｄａｔａが供給されるなどということになる（Ｓ反転方式）。
あるいは更に、当該切替えは走査線ごと（行ごと）に行われてもよい。この場合には、あるフレーム期間中において、ある行に位置する画素回路Ｐ１（ｉ，１），…，Ｐ１（ｉ，ｎ）の複数を駆動する場合には第１データ線６ａにはデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには基準電位ＧＮＤが供給されるが、次の行に位置する画素回路Ｐ１（ｉ＋１，１），…，Ｐ１（ｉ＋１，ｎ）の複数を駆動する場合には第１データ線６ａには基準電位ＧＮＤ、第２データ線６ｂにはデータ電位Ｖｄａｔａが供給されるなどということになる（Ｈ反転方式）。
あるいは加えて、前記のＳ反転方式及びＨ反転方式を併用したドット反転方式が行われてもよい。
【００６５】
いずれにしても、このようなデータ電位Ｖｄａｔａ及び基準電位ＧＮＤの切替えの態様、あるいは、画素回路Ｐ１の動作態様の変更等は、ある特定の１個の画素回路Ｐ１に着目するとき、それ自身に対応する第１及び第２データ線６ａ及び６ｂ並びにそれ以外のデータ線６ａ及び６ｂの電位変動が、当該画素回路Ｐ１に含まれる第１及び第２電極１３１及び１３２に与える影響に相違をもたらす可能性がある（前記の図７及びその説明参照）。前述した各コンデンサー（Ｃ１３，Ｃ２３）の容量値及びその関係を決定するにあたっては、場合により、このような事情への配慮が加えられると好適である。
【００６６】
＜応用＞
次に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した電子機器について説明する。
図１２は、上記実施形態に係る電気光学装置１を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての電気光学装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図１３に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
図１４に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１に表示される。
【００６７】
本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図１２から図１４に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００６８】
１……電気光学装置、１００……走査線駆動回路、２００……データ線駆動回路、Ｐ１……画素回路、１３……電気光学素子、１３１……第１電極、１３１Ｋ……開口部、１３２……第２電極、３……走査線、３０……電位線、６ａ……第１データ線、６ｂ……第２データ線、Ｃｓｔｇ１，Ｃｓｔｇ２，Ｃｓｔｇ３……第１〜第３保持容量、ＳＷ１０１……第１トランジスター、ＳＷ１０２……第２トランジスター、Ｃ１３，Ｃ２３……第１・第２寄生容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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