(57)【要約】【課題】陰極の面抵抗が抑制されたトップエミッション型のＥＬ装置を製造コストを増加させることなく得る。【解決手段】第１の電極２５と、第１の電極２５に対向する第２の電極２７と、第１の電極２５と第２の電極２７との間に挟持されたＥＬ材料層を含む発光機能層２６と、を備え、ＥＬ材料層の発光を第２の電極２７を介して射出するＥＬ素子２９と、隣り合うＥＬ素子２９間を隔てる隔離領域１０２と、複数のＥＬ素子２９と隔離領域１０２を含む表示領域１００と、隔離領域１０２に形成された第２の電極２７と電気的に接続された補助配線と、を備えるＥＬ装置であって、補助配線は第１の方向に延在する第１の補助配線２１と、第２の方向に延在する第２の補助配線２２と、を含んでおり、第１の補助配線２１と第２の補助配線２２との少なくとも一方は、表示領域内１００において一方の延在する方向に少なくとも一箇所の間隙を有しているＥＬ装置。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟持された少なくともＥＬ材料層を含む発光機能層と、を備え、前記ＥＬ材料層の発光を前記第２の電極を介して射出するＥＬ素子と、
複数の前記ＥＬ素子の隣り合う前記ＥＬ素子間を隔てる隔離領域と、
前記複数の前記ＥＬ素子と前記隔離領域を含む表示領域と、
前記隔離領域に形成された、前記第２の電極と電気的に接続された補助配線と、
を備えるＥＬ装置であって、
前記補助配線は第１の方向に延在する第１の補助配線と、前記第１の方向とは異なる方向である第２の方向に延在する第２の補助配線と、を含んでおり、
前記第１の補助配線と前記第２の補助配線との少なくとも一方は、前記表示領域内において前記一方の延在する方向に少なくとも一箇所の間隙を有していることを特徴とするＥＬ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＥＬ装置であって、
前記第１の方向と前記第２の方向とは、互いに略直交していることを特徴とするＥＬ装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のＥＬ装置であって、
前記間隙は、前記第１の補助配線と前記第２の補助配線との双方に形成されていることを特徴とするＥＬ装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟持された少なくともＥＬ材料層を含む発光機能層と、を備え、前記ＥＬ材料層の発光を前記第２の電極を介して射出するＥＬ素子と、
複数の前記ＥＬ素子の隣り合う前記ＥＬ素子間を隔てる隔離領域と、
前記複数の前記ＥＬ素子と前記隔離領域を含む表示領域と、
前記隔離領域に形成された、前記第２の電極と電気的に接続された補助配線と、
を備えるＥＬ装置を製造する方法であって、
第１の方向に延在する第１の開口部と、前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在する第２の開口部と、を有し、かつ、前記第１の開口部と前記第２の開口部とにより完全に囲まれた領域を有しないマスクを用意する第１の工程と、
前記第１の開口部と前記第２の開口部との双方が前記隔離領域内に位置するように、前記マスクを前記基板に被せる第２の工程と、
導電材料粒子を前記マスクを被せられた前記基板に向けて直線的に飛翔させて、前記隔離領域内の、前記第１の開口部と前記第２の開口部とのいずれかと重なる領域に前記導電材料粒子からなる補助配線を形成する第３の工程と、
前記第２の工程の前、又は前記第３の工程の後に前記表示領域全体に前記第２の電極を形成する工程と、
を有することを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ装置、ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機等の電子機器の表示部に用いる表示装置として、表示領域内に規則的に配置されたＥＬ素子を発光させて画像を形成するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の実用化が進んでいる。ＥＬ素子は、駆動素子が形成された素子基板側に配置された陽極（画素電極）と、該画素電極と対向する陰極（共通電極）と、の一対の電極と、該一対の電極間に挟持される少なくともＥＬ層（ＥＬ材料層）を含む発光機能層とからなる。近年、ＥＬ材料に有機系のＥＬ材料を用いた有機ＥＬ装置の採用が進んでおり、また、発光を有効に利用して輝度を向上させるために、陰極側から発光を射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置の採用が進んでいる。
【０００３】
トップエミッション型の有機ＥＬ装置における問題の一つに、陰極（共通電極）の抵抗がある。陰極は、一般的に表示領域全面に形成されている。そして、透光性と導電性を両立させるために、層厚数ｎｍ乃至数十ｎｍの極薄い金属層、あるいは金属に比較して高抵抗のＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）等で形成されており、高い面抵抗（シート抵抗）を有している。したがって、表示領域の中央近傍においては、電圧降下により有機ＥＬ素子に対する電流の供給量が低下して、表示品質が劣化する現象が生じ得る。そのため、例えば特許文献１では、有機ＥＬ素子間を区画する隔壁の対向基板側の面に、各々が陰極と導通しており、かつ、互いに平行に延在する複数本の補助配線をマスク成膜法、すなわち基板面を間隙を有するマスクで覆い、導電材料粒子を前記基板に向けて直線的に飛翔させて、マスクの間隙部に該粒子を堆積させる手法により形成する方法が提示されている。かかる補助配線は、層厚（素子基板の法線方向の寸法）の制限が緩いため、上述の面抵抗を低減でき、表示品質の劣化を緩和できる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２６５７５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、かかる態様の補助配線を備える陰極は、陰極電流の流れる方向が上述の延在方向に偏るため、実質的な面抵抗の低減効果があまり大きくないという課題がある。ここで、補助配線を格子状に形成して、上述の延在方向を互いに略直交する縦方向と横方向との２方向にすると、上述の低減効果は向上できる。しかし、かかる態様は、マスク成膜工程を少なくとも２回行なう必要があり、製造コストを増加させるという課題がある。また、補助配線同士が交差する部分すなわち交点においては、陰極の対向基板側に形成されるパッシベーション膜のカバレッジが劣化するため、信頼性の低下をもたらし得るという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］第１の電極と、上記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間に挟持された少なくともＥＬ材料層を含む発光機能層と、を備え、上記ＥＬ材料層の発光を上記第２の電極を介して射出するＥＬ素子と、複数の上記ＥＬ素子の隣り合う上記ＥＬ素子間を隔てる隔離領域と、上記複数の上記ＥＬ素子と上記隔離領域を含む表示領域と、上記隔離領域に形成された、上記第２の電極と電気的に接続された補助配線と、を備えるＥＬ装置であって、上記補助配線は第１の方向に延在する第１の補助配線と、上記第１の方向とは異なる方向である第２の方向に延在する第２の補助配線と、を含んでおり、上記第１の補助配線と上記第２の補助配線との少なくとも一方は、上記表示領域内において上記一方の延在する方向に少なくとも一箇所の間隙を有していることを特徴とするＥＬ装置。
【０００８】
このような構成のＥＬ装置であれば、１回のマスク成膜工程で形成された補助配線を用いて互いに異なる２方向に陰極電流を流すことができる。したがって、電圧降下による表示品質の劣化を効果的に抑制でき、表示品質を向上できる。
なお、隔離領域とは、ＥＬ素子の発光領域を隔てる領域であり、例えば、隔壁が形成された領域や、ブラックマトリクスが形成されている領域が具体的に上げられる。
また、隔離領域に形成された、前記第２の電極と電気的に接続された補助配線は、製造上のばらつきで、ＥＬ素子の発光領域に形成されることもあるが、該補助配線が発光領域を隔てることになるのであれば、このように形成された補助配線も含むものとする。
【０００９】
［適用例２］上述のＥＬ装置であって、上記第１の方向と上記第２の方向とは、互いに略直交していることを特徴とするＥＬ装置。
【００１０】
このような構成のＥＬ装置であれば、上述の電圧降下をより一層低減できる。したがって、表示品質の劣化をより一層効果的に抑制でき、表示品質をより一層向上できる。
【００１１】
［適用例３］上述のＥＬ装置であって、上記間隙は、上記第１の補助配線と上記第２の補助配線との双方に形成されていることを特徴とするＥＬ装置。
【００１２】
このような構成のＥＬ装置であれば、陰極電流の流れる方向が、上記第１の方向と上記第２の方向のどちらか一方に偏ることを抑制できる。したがって、表示品質の劣化をより一層効果的に抑制でき、表示品質をより一層向上できる。
【００１３】
［適用例４］上述のＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【００１４】
このような構成によれば、表示画面の中心部と周辺部とで輝度等の差異が低減された電子機器を得ることができる。
【００１５】
［適用例５］基板上に形成された第１の電極と、上記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間に挟持された少なくともＥＬ材料層を含む発光機能層と、を備え、上記ＥＬ材料層の発光を上記第２の電極を介して射出するＥＬ素子と、複数の上記ＥＬ素子の隣り合う上記ＥＬ素子間を隔てる隔離領域と、上記複数の上記ＥＬ素子と上記隔離領域を含む表示領域と、上記隔離領域に形成された、上記第２の電極と電気的に接続された補助配線と、を備えるＥＬ装置を製造する方法であって、第１の方向に延在する第１の開口部と、上記第１の方向とは異なる第２の方向に延在する第２の開口部と、を有し、かつ、上記第１の開口部と上記第２の開口部とにより完全に囲まれた領域を有しないマスクを用意する第１の工程と、上記第１の開口部と上記第２の開口部との双方が上記隔離領域内に位置するように、上記マスクを上記基板に被せる第２の工程と、導電材料粒子を上記マスクを被せられた上記基板に向けて直線的に飛翔させて、上記隔離領域内の、上記第１の開口部と上記第２の開口部とのいずれかと重なる領域に上記導電材料粒子からなる補助配線を形成する第３の工程と、上記第２の工程の前、又は上記第３の工程の後に上記表示領域全体に上記第２の電極を形成する工程と、を有することを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００１６】
このような構成であれば、１回のマスク成膜工程で互いに異なる２方向の補助配線を形成できる。したがって、画像表示時の電圧降下が効果的に抑制された高表示品質のＥＬ装置を、製造コストの増加を抑制しつつ得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照し、ＥＬ装置及びＥＬ装置の製造方法の実施形態について説明する。本発明はトップエミッション型のＥＬ装置であれば無機ＥＬ材料を用いたＥＬ装置にも適用可能であるが、本実施形態においては、ＥＬ材料に有機系のＥＬ材料を用いた有機ＥＬ装置を例にして説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１の全体構成を示す回路構成図である。有機ＥＬ装置１は、表示領域１００と該表示領域の周辺部に形成された周辺領域（符号無し）とを備えている。表示領域１００には、Ｘ方向に延在する複数の走査線１０３と、Ｙ方向に延在する複数の信号線１０４と、同じくＹ方向に延在する複数の電源線１０６と、が形成されている。Ｘ方向が信号線１０４と電源線１０６とで規定され、Ｙ方向が走査線１０３の中心線で規定される方形の区画毎に３種類の有機ＥＬ画素３０（赤色有機ＥＬ画素３０Ｒ、緑色有機ＥＬ画素３０Ｇ、青色有機ＥＬ画素３０Ｂ、）が規則的に形成されている。
【００１９】
なお、有機ＥＬ画素３０（図３参照）に付与されているアルファベットは該有機ＥＬ画素に対応するカラーフィルター７５の色に対応しており、各有機ＥＬ画素３０に対応する発光領域１０１（図２参照）から射出される光の色を表わしている。以下の記載において、対応する色を区別しない場合には、単に有機ＥＬ画素３０とも呼ぶ。後述する発光領域１０１についても同様である。
【００２０】
有機ＥＬ装置１はアクティブマトリクス型の表示装置であり、各々の有機ＥＬ画素３０は、走査線１０３を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画像信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源線１０６から駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子２９（図３参照）等からなる。なお、有機ＥＬ画素３０とは、上述の各要素等で構成される機能的な概念である。それに対して、後述する発光領域１０１（図２参照）及び隔離領域１０２（図２参照）は平面的な概念である。
【００２１】
周辺領域には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線駆動回路１２０は、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて、走査線１０３に走査信号を順次供給する。信号線駆動回路１３０は、信号線１０４に画像信号を供給する。電源線１０６には、図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。走査線駆動回路１２０の動作と信号線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。
【００２２】
走査線１０３が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源線１０６から第１の電極としての画素電極２５（図３参照）に駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子２９は駆動電流の大きさに応じて発光する。そして、カラーフィルター７５により３原色光のいずれかの光となって、各々の有機ＥＬ画素３０に対応する発光領域１０１から射出される。
【００２３】
図２は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１の概略を示す斜視図である。有機ＥＬ装置１は、周辺シール材１３、及び後述する接着層７８（図３参照）により互いに対向するように貼り合わされた素子基板１０と対向基板１１等からなる。素子基板１０は、表示領域１００内に通電により発光する有機ＥＬ素子２９が形成され、周辺領域に走査線駆動回路１２０等が形成されている基板である。一方、対向基板１１は、素子基板１０と対向する側の面にカラーフィルター７５（図３参照）等が形成されており、素子基板１０の反対側には円偏光板８８が貼付されている基板である。
【００２４】
上述したように、有機ＥＬ装置１はトップエミッション型の有機ＥＬ装置であり、通電により有機ＥＬ素子２９内で生じた発光４８を、カラーフィルター７５を介して矢印の方向、すなわち対向基板１１側に射出する。したがって対向基板１１は透明材料からなる。一方で素子基板１０は、絶縁性は必要であるが、透明性を必ずしも必要としない。円偏光板８８は直線偏光板と１／４波長補正板（直交する偏光成分間に１／４波長の位相差を与える素子。）との積層体である。光が反射する際に、偏光の回転方向が逆転する性質を利用して外光の反射を抑制して、表示品質を向上させるために貼付されている。
【００２５】
図示するように、表示領域１００には３原色のいずれかの光を射出する３種類の発光領域１０１、すなわち、赤色光を射出する赤色発光領域１０１Ｒと緑色光を射出する緑色発光領域１０１Ｇと青色光を射出する青色発光領域１０１Ｂとが規則的に配置されている。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１の有機ＥＬ素子２９は３種類の発光領域１０１間で共通であり、上述の光の色はカラーフィルター７５により決定される。各々の発光領域１０１は対応する有機ＥＬ素子２９に供給される駆動電流により任意の強度の光を射出できる。したがって、上記３つ（３種類）の発光領域１０１で構成されるユニットは、任意の色の光を射出できる。
【００２６】
隣り合う発光領域１０１間の領域が、隔離領域１０２である。かかる隔離領域１０２は、平面視で、後述するブラックマトリクス７５Ｋが形成されている領域であり、有機ＥＬ素子２９の形成領域と略一致している。該隔離領域の幅は、上述の３つの発光領域１０１で構成されるユニット間では広く、ユニット内においてＸ方向に隣り合う赤色発光領域１０１Ｒと緑色発光領域１０１Ｇとの間、及び緑色発光領域１０１Ｇと青色発光領域１０１Ｂとの間では狭くなっている。そして、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１においては、後述する補助陰極配線は、上述のユニット間の広い幅を有する隔離領域１０２に形成されている。
【００２７】
図３は、本実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図である。本実施形態の有機ＥＬ装置は、隣り合う発光領域１０１間を区画する隔離領域１０２に形成された補助陰極配線に特徴がある。そこで、図３では、隔離領域１０２と平面視で重なる隔壁７７、及び該隔壁の対向基板１１側の面に形成された補助陰極配線（図３においては第２の補助陰極配線２２）、そして、各々の発光領域１０１に対応する有機ＥＬ素子２９と該有機ＥＬ素子を駆動する駆動用ＴＦＴ（以下、単に「ＴＦＴ」と称する。）１１２の断面を表示し、スイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０は図示を省略している。以下、素子基板１０側から順に説明する。
【００２８】
ＴＦＴ１１２は素子基板１０上に形成されている。なお、素子基板１０との界面に別途保護層を形成してもよい。ＴＦＴ１１２は、半導体層３１と、走査線１０３と同一の層をパターニングして形成されたゲート電極３３、及び、半導体層３１とゲート電極３３との間に形成されたゲート絶縁層７０等からなる。半導体層３１のうちゲート電極３３と重なる領域がチャネル領域３８であり、該チャネル領域の両側にソース領域３５とドレイン領域３６とが形成されている。
【００２９】
なお、ゲート電極３３は、素子基板１０側から順にＴｉ（チタン）とＡｌＣｕ（アルミニウム・銅合金）とＴｉＮ（窒化チタン）とが積層された構造を有している。また、ソース電極５３とドレイン電極５４とは、素子基板１０側から順にＴｉとＡｌＣｕとＴｉとが積層された構造を有している。
【００３０】
ＴＦＴ１１２の対向基板１１側には、窒化シリコン、又は酸化シリコンからなる層間絶縁層７１が形成されている。なお、以下の記載において、「対向基板１１側」を「上面」又は「上層」と表記する。ソース領域３５は、層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール（符号無し）を介してソース電極５３と電気的に接続されており、同様にドレイン領域３６は層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール（符号無し）を介してドレイン電極５４と電気的に接続されている。
【００３１】
ソース電極５３とドレイン電極５４との上層には、窒化シリコンからなる第１の保護層７３と平坦化層７２とが順に積層されている。平坦化層７２の層厚は、略２．０μｍであり、形成材料にはアクリル樹脂等の有機系材料を用いることが好ましい。
【００３２】
平坦化層７２の上層における所定の領域には反射層２８が形成されている。上記「所定の領域」とは、将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域を含む領域である。反射層２８は、有機ＥＬ素子２９の発光を上層方向に反射する機能を果たしている。したがって、反射層２８は将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域を少なくとも含むように形成される必要がある。反射層２８の形成材料量は、反射率が高く加工性（パターニング性）に優れた材料が好ましい。したがって、反射層２８は、Ａｌ（アルミニウム）等で形成することが好ましい。反射層２８の上面は、窒化シリコンからなる第２の保護層７４で覆われている。該第２の保護層は、後述する第１の電極としての画素電極（陽極）２５の形成時に反射層２８を保護する機能を果たしている。
【００３３】
反射層２８の形成領域を含む平坦化層７２の上面には、該反射層を覆うように画素電極２５が、ＴＦＴ１１２毎に形成されている。画素電極２５は、後述する第２の電極としての陰極２７よりも仕事関数が高く、かつ、導電性を有していることが必要である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１では、画素電極２５を透明導電材料であるＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）で形成している。なお、画素電極２５を反射性の金属材料で形成した場合、反射層２８は必要とされない。
【００３４】
隣り合う画素電極２５間には、隔壁７７が形成されている。隔壁７７は、層厚略２．０μｍの樹脂層を図示するように若干テーパーがつくようにパターニングして形成されている。該パターニングにより生じる開口領域（符号無し）すなわち画素電極２５が露出する領域が、将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域である。上述したように、有機ＥＬ素子２９が形成される領域は、有機ＥＬ層内で生じた光が射出される領域、すなわち発光領域１０１（Ｒ，Ｇ，Ｂ）である。そして、有機ＥＬ装置１においては、隔壁７７の幅（本図においてはＸ方向の寸法）は区画される発光領域１０１の色により異なっている。すなわち、赤色発光領域１０１Ｒと青色発光領域１０１Ｂとを区画する隔壁７７は幅が広く形成されており、赤色発光領域１０１Ｒと緑色発光領域１０１Ｇとを区画する隔壁７７、及び緑色発光領域１０１Ｇと青色発光領域１０１Ｂとを区画する隔壁７７、は、幅が狭く形成されている。
【００３５】
上述したように、そして図２に示すように、３種類の発光領域１０１（Ｒ，Ｇ，Ｂ）で１つのユニットとなる。したがって、該ユニット間を区画する隔壁７７は幅が広く形成されている。なお、Ｙ方向に隣り合う同色の発光領域１０１間の隔壁７７も、広い幅（この場合はＹ方向の寸法）で形成されている。
【００３６】
隔壁７７、及び該隔壁のパターニングにより露出した画素電極２５の上層には、発光機能層２６が形成されている。発光機能層２６は、素子基板１０側から順に正孔注入層と正孔輸送層と有機ＥＬ層と電子輸送層と電子注入層との計５層が積層されて形成されている。本実施形態の有機ＥＬ装置１の有機ＥＬ層は白色光を発光する層であり、上述の３種類の有機ＥＬ画素（Ｒ，Ｇ，Ｂ）間で共通である。
【００３７】
そして、上述の広い幅を有する隔壁７７の上層には、発光機能層２６を介して補助陰極配線（本図においては第２の補助陰極配線２２）が形成されている。なお、以下の記載の文章において、第２の補助陰極配線２２と後述する第１の補助陰極配線２１（図４参照）との総称を、単に「補助陰極配線」と符号を付けずに表記する。
【００３８】
補助陰極配線の形成材料は低抵抗性が必要であり、本実施形態の有機ＥＬ装置１においてはＡｌ等で形成されている。また、補助陰極配線は、外光の反射を抑制する機能を有することが好ましいので、Ａｌの上層にクロム等の低反射性材料の層を積層してもよい。補助陰極配線は隣り合う発光領域１０１を区画する隔壁７７上に形成され、発光領域１０１内には形成されていない。したがって、透明性を必要とせず、充分な層厚で形成して低抵抗化を果たすことができる。
【００３９】
補助陰極配線が形成された発光機能層２６の上面には、第２の電極としての陰極２７が形成されている。有機ＥＬ装置１はトップエミッション型の有機ＥＬ装置であるため、陰極２７は導電性と共に、透明性又は半透過反射性を有することが必要である。一方で、陰極２７は画素電極２５の形成材料よりも仕事係数が低い材料で形成される必要がある。したがって、層厚数ｎｍ〜十数ｎｍのＡｌ（アルミニウム）あるいはＭｇＡｇ（マグネシウム・銀）合金等で形成することが好ましい。
【００４０】
陰極２７は共通電極であり、素子基板１０の表示領域１００の全域に形成されている。したがって、隔壁７７で囲まれた領域内において画素電極２５と発光機能層２６と陰極２７の積層体が形成される。かかる積層体が有機ＥＬ素子２９である。陰極２７は、表示領域１００（図１参照）の全域において０電位となっている。したがって、画素電極２５に電圧が印加されると該電圧に応じた電流が発光機能層２６に流れる。そして発光機能層２６は、該電流量に応じて発光する。ここで、陰極２７は、発光機能層２６及び隔壁７７の広い幅を有する部分においては補助陰極配線の上層に形成されるため、補助陰極配線と電気的に接続されている。したがって、陰極２７は上述の隔壁７７の広い幅を有する部分においては層厚が厚くなっており、低抵抗化されていると考えることができる。
【００４１】
上述の発光機能層に流れる電流は電圧降下をもたらし、画素電極２５と陰極２７との間に印加される電圧を低下させる作用が生じる。かかる現象は、表示領域１００の中央近傍において特に著しい。補助陰極配線は、陰極２７の透明性を要しない領域において層厚を実質的に増加させて低抵抗化することで、かかる現象を抑制する機能を果たしている。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は、補助陰極配線が表示領域１００内の縦横に、すなわち第１の方向としてのＸ方向と第２の方向としてのＹ方向の双方に延在するように形成されていることが特徴である。かかる態様は、後述する図４に示す。
【００４２】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１における補助陰極配線は、隔壁７７の上層において発光機能層２６と陰極２７との間に形成されている。しかし、補助陰極配線は、隔壁７７の上層において陰極２７と後述するパシベーション層８５との間に形成することも可能である。補助陰極配線と陰極２７とは直接的に積層されていれば電気的な導通は得られるため、どちらが先に形成されていても本実施形態に記載する効果を得ることができる。
【００４３】
陰極２７の上層には、有機ＥＬ素子２９等を保護するためにパシベーション層８５が形成されている。そして、該パシベーション層まで形成された素子基板１０は、接着層７８及び周辺シール材１３（図２参照）を介して対向基板１１と貼り合わされている。対向基板１１の素子基板１０と対向する側の面にカラーフィルター層７６が配置されており、上記の面の反対側の面には、上述したように外光反射を抑制するための円偏光板８８が配置されている。カラーフィルター層７６は、３種類（３色）のカラーフィルター７５（赤色カラーフィルター７５Ｒと緑色カラーフィルター７５Ｇと青色カラーフィルター７５Ｂ）と、カラーフィルター７５間に形成されたブラックマトリクス７５Ｋと、からなる。各々の有機ＥＬ素子２９で形成された光、は該カラーフィルターにより３原色のいずれかの色の光とされて、発光４８として対向基板１１側に射出される。
【００４４】
上述したように、ブラックマトリクス７５Ｋが形成されている領域は隔離領域１０２であり、カラーフィルター７５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が形成されている領域が発光領域１０１である。また、隔離領域１０２は隔壁７７が形成されている領域であり、発光領域１０１は有機ＥＬ素子２９が形成されている領域でもある。上述したように補助陰極配線は隔壁７７の上層に形成されているため、上述の発光４８の射出を妨げることはない。
【００４５】
図４は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１の、表示領域１００内における補助陰極配線の、平面視での態様を示す図である。上述したように、３種類（３色）の発光領域１０１（Ｒ，Ｇ，Ｂ）で形成されるユニット間は幅の広い隔離領域１０２となっている。そして、かかる隔離領域１０２内に第１の方向としてのＸ方向に延在する第１の補助陰極配線２１と第２の方向としてのＹ方向に延在する第２の補助陰極配線２２とが形成されている。各発光領域１０１は矩形であるため、上述の双方の補助陰極配線の延在方向は互いに略直交している。そして、第１の補助陰極配線２１は表示領域１００内を間隙（切れ目）なく延在している。
【００４６】
一方、第２の補助陰極配線２２は、該第２の補助陰極配線の延在方向が第１の補助陰極配線２１の延在方向と交差する部分において、第１の補助陰極配線２１により分割されている。すなわち、第２の補助陰極配線２２は、所定の間隔を持ってＹ方向に並んでいる、Ｙ方向の寸法が発光領域１０１のＹ方向の寸法と略一致する複数の細長い矩形のパターンからなる。したがって、第１の補助陰極配線２１と第２の補助陰極配線２２とは、格子状に形成されている隔壁７７上、すなわち同一平面上に形成されているにもかかわらず、平面視的に互いに分離しており、該双方の補助陰極配線の間には間隙２３が形成されている。
【００４７】
かかる第２の補助陰極配線２２は、互いに分割された矩形のパターン、すなわち互いに独立する矩形のパターンの集合であるにもかかわらず、陰極２７のＹ方向の面抵抗を低減できる。上述したように、陰極２７は表示領域１００の全域に形成されている。したがって、第２の補助陰極配線２２自体は互いに独立していても、陰極２７を介することで電気的に接続されている。同様に、第１の補助陰極配線２１と第２の補助陰極配線２２とは、陰極２７によって電気的に接続されている。
【００４８】
上述の、陰極２７を介して接続されている領域、すなわち平面視で第１の補助陰極配線２１と第２の補助陰極配線２２との双方が形成されていない領域は、若干高い抵抗（面抵抗）値を有している。しかし、かかる領域は一部に過ぎないため、本実施形態の有機ＥＬ装置１の陰極２７は、表示領域１００の全域に形成された薄膜部と、隔壁７７と重なるように格子状に形成された厚膜部と、からなる構造と略等価である。したがって、表示領域１００に画像を形成する際の陰極電流は、Ｘ方向とＹ方向とに略均一に流れることとなり、陰極２７の面抵抗を実質的に大きく低減される。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は、表示領域１００の中央近傍における電圧降下を低減でき、該中央近傍における表示品質の劣化（例えば輝度の低下等）を抑制できる。
【００４９】
かかる第１の補助陰極配線２１と第２の補助陰極配線２２とは、後述するように、従来のＸ方向とＹ方向のどちらか一方に延在する補助陰極配線の形成工程と同一の工程で一括形成できる。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は、製造コストを増加させることなく、表示領域１００の中央近傍における表示品質の劣化が低減された、高品質の画像を表示できる。
【００５０】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態として、上述の第１の補助陰極配線２１と第２の補助陰極配線２２とを一括形成する方法を示す。図５は、本実施形態にかかる補助陰極配線の形成に用いる蒸着マスク４０を模試的に示す図である。蒸着マスク４０は、所定の領域に第１の補助陰極配線２１に対応する第１の開口部４１と第２の補助陰極配線２２に対応する第２の開口部４２とが設けられた板状部材である。
【００５１】
第１の開口部４１はＸ方向に間隙（切れ目）なく延在している。一方、第２の開口部４２は、Ｙ方向を長手方向とする矩形のパターンである。複数の第２の開口部４２は、互いに間隔を空けてＹ方向に並んでいる。かかる間隔があるため、全周囲を開口部で囲まれる領域は存在していない。そのため、延在方向が互いに直交する２種類の開口部（第１の開口部４１と第２の開口部４２の総称）を有しているにもかかわらず、蒸着マスク４０は１つの板状部材として成立している。
【００５２】
図６は、補助陰極配線の形成時における、蒸着マスク４０の開口部と隔壁７７との位置関係を模式的に示す斜視図である。隔壁７７上の２点鎖線で囲まれた領域が、開口部が位置する領域である。Ｘ方向に延在する隔壁７７には第１の開口部４１が位置しＹ方向に延在する隔壁７７の内、赤色発光領域１０１Ｒと青色発光領域１０１Ｂとを隔てる幅の広い隔壁７７上に第２の開口部４２が位置するように、蒸着マスク４０は素子基板１０（図３参照）に密着させられる。図示するように、開口部の幅は隔壁７７の幅よりも若干狭く設定されており、発光領域１０１に後述するＡｌ粒子４５（図７参照）が堆積することが抑制される。
【００５３】
図７は、補助陰極配線の形成方法を模式的に示す工程断面図である。以下、順に説明する。まず、図７（ａ）に示すように、隔壁７７まで形成された素子基板１０上に、図６に示したように隔壁７７上に開口部が位置するように蒸着マスク４０を密着させる。本図はＺ方向に垂直な断面図であるため、隔壁７７上に第２の開口部４２が位置している。なお、隔壁７７間の領域は、発光領域１０１である。
【００５４】
次に、図７（ｂ）に示すように、図示しない蒸着源より、導電材料粒子としてのＡｌ粒子４５を素子基板１０に向けて飛翔させる。そして、隔壁７７上の開口部（本図では第２の開口部４２）が位置する領域にＡｌ粒子４５を堆積させる。
【００５５】
次に、図７（ｃ）に示すように、蒸着マスク４０を素子基板１０から分離する。隔壁７７上の開口部が位置していた領域、すなわち図６における２点鎖線で囲まれた領域にＡｌからなる補助陰極配線（２１，２２）が形成される。なお、上述したように補助陰極配線を２層以上に異なる材料を積層して形成する場合も在り得る。かかる場合は、図７（ｂ）に示す積層工程を、同一の蒸着マスク４０を密着させたままで複数回繰り返す。
【００５６】
次に、図７（ｄ）に示すように、素子基板１０の全面にスパッタ法等により、陰極２７を形成する。陰極２７の形成材料は、上述したようにＡｌあるいはＭｇＡｇ合金等が好ましい。補助陰極配線は導電材料粒子の積層体であるため、陰極２７は形成時において補助陰極配線と電気的に接続される。以上の工程により、表示領域１００の全域に形成された陰極２７と略格子状の補助陰極配線との積層体を形成できる。かかる積層体は、実質的に発光領域１０１（すなわち有機ＥＬ素子２９が形成される領域）に対応する薄膜部と隔壁７７に対応する略格子状の厚膜部との積層体であり、発光領域１０１から射出される発光４８（図３参照）を妨げることなく陰極２７の面抵抗を、Ｘ方向とＹ方向の双方において低減できる。
【００５７】
なお、上述したように、補助陰極配線の形成工程と陰極２７の形成工程の順序を逆にしてもよい。すなわち、上述の工程断面図において、先に図７（ｄ）に示すように素子基板１０の全面に陰極２７を形成した後、図７（ａ）〜図７（ｃ）に示す工程を実施して補助陰極配線を形成することも可能である。どちらを先に形成しても互いの電気的な接続は得られるため、上述の効果を発揮できる。また、補助陰極配線の形成は、蒸着法以外にイオンプレーティング法、スパッタリング法、イオンビーム法等を用いることもできる。上記いずれの方法においても、蒸着マスク４０と同様のマスクを用いることで、第１の補助陰極配線２１と第２の補助陰極配線２２とを一括形成できる。
【００５８】
（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の補助陰極配線の態様、すなわち平面視での形状を示す図である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置は第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置と略同一の構成を有しており、補助陰極配線の態様のみが異なっている。そこで、上述の図１〜３に対応する図は省略し、補助陰極配線の態様のみを示す。
【００５９】
本実施形態にかかる有機ＥＬ装置が備える補助陰極配線の特徴は、Ｘ方向に延在する第１の補助陰極配線２１とＹ方向に延在する第２の補助陰極配線２２の双方が、間隙２３を有していることである。
【００６０】
本実施形態の有機ＥＬ装置の発光領域１０１は、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１の発光領域１０１と同様に、３種類の発光領域１０１（Ｒ，Ｇ，Ｂ）で一つのユニットを形成しており、補助陰極配線は該ユニット間の隔離領域１０２に形成されている。かかるユニットを１つの矩形のパターンと仮定した場合、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置が備える補助陰極配線は、第１の補助陰極配線２１はＸ方向の寸法が該ユニットのＸ方向の辺と同一又は若干短い矩形のパターンであり、第２の補助陰極配線２２はＹ方向の寸法が該ユニットのＹ方向の辺と同一又は若干短い矩形のパターンとなっている。したがって、上記双方の補助陰極配線の延在方向の交点近傍の領域が、双方の補助陰極配線に共通の間隙２３となっている。
【００６１】
上述したように、陰極２７（図３参照）は、補助陰極配線が形成される領域を含む表示領域１００の全面に形成されている。したがって、第１の補助陰極配線２１は間隙２３を有しているにもかかわらず、該陰極のＸ方向の抵抗を低減できる。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の補助陰極配線は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１の補助陰極配線と同様に、表示領域１００の中央近傍における電圧降下を低減でき、該中央近傍における表示品質の劣化を抑制できる。
【００６２】
そして、本実施形態の有機ＥＬ装置の補助陰極配線は、形成に用いる蒸着マスク４０の強度を向上させる効果がある。本実施形態の有機ＥＬ装置の第１の補助陰極配線２１は間隙２３を有しているため、形成に用いる蒸着マスク４０の第１の開口部４１（図５参照）は細かい矩形のパターンに分割されており、表示領域１００の全域を横切ることがない。したがって、蒸着マスク４０の強度が向上し、撓み等の変形が抑制される。そのため、補助陰極配線の形成時により一層隔壁７７に密着させることができ、補助陰極配線のパターン精度を向上できる。かかるパターン精度の向上を利用すると、同一の隔離領域１０２に対してより一層幅（短辺側の寸法）の広い補助陰極配線を形成できる。そのため、陰極２７の面抵抗をより一層低減できる。
【００６３】
（第４の実施形態）
図９は、第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の補助陰極配線の態様、すなわち平面視での形状を示す図である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置と同様に、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置と略同一の構成を有しており、補助陰極配線の態様のみが異なっている。そこで、上述の図１〜３に対応する図は省略し、補助陰極配線の態様のみを示す。
【００６４】
本実施形態にかかる有機ＥＬ装置が備える補助陰極配線の特徴は、第１の補助陰極配線２１と第２の補助陰極配線２２の双方が間隙２３を有しており、かつ該間隙が２つのユニット（上述の３種類の発光領域１０１（Ｒ，Ｇ，Ｂ）で形成されるユニット）毎に形成されていることである。そして、上記双方の補助陰極配線は表示領域１００内において千鳥状に形成されている。したがって、上記双方の補助陰極配線の長軸方向（長手方向）の寸法は上述のユニットの一辺の長さよりも長いにもかかわらず、上記双方の補助陰極配線で完全に囲まれた領域は形成されない。したがって、本実施形態の補助陰極配線は、１つの蒸着マスク４０で一括形成できる。
【００６５】
そして、本実施形態の有機ＥＬ装置の補助陰極配線は、陰極２７の面抵抗をより一層低減する効果がある。本実施形態の補助陰極配線は、上記第３の実施形態の補助陰極配線と同一の幅（長手方向ではない方向の寸法）であり、かつ表示領域１００内の間隙２３の密度は略１／２である。したがって、該間隙の部分における電圧降下がより一層抑制されている。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置は、表示領域１００の中央近傍における電圧降下をより一層低減でき、該中央近傍における表示品質の劣化をより一層抑制できる。
【００６６】
（第５の実施形態）
図１０は、第５の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の補助陰極配線の態様、すなわち平面視での形状を示す図である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置と同様に、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置と略同一の構成を有しており、補助陰極配線の態様のみが異なっている。そこで、上述の図１〜３に対応する図は省略し、補助陰極配線の態様のみを示す。
【００６７】
本実施形態にかかる有機ＥＬ装置が備える補助陰極配線は、上述の第４の実施形態の補助陰極配線と略共通している。すなわち、第１の補助陰極配線２１と第２の補助陰極配線２２の双方は、２つのユニット毎に形成された間隙２３を有しており、かつ、表示領域１００内において千鳥状に形成されている。ただし、どちらか一方の補助陰極配線が上述のユニット１つ分ずれているため、双方の補助陰極配線が交差する部分が上述のユニット１つおきに、すなわち２つのユニットにつき１つの割合で生じている。
【００６８】
かかる態様の補助陰極配線は、間隙２３の形成に余裕が生じるという特徴がある。本実施形態の補助陰極配線の間隙２３は、一点に向けて四方から補助陰極配線が延在するようにして形成されるため、１つの補助陰極配線が多少突き出ていても間隙２３は確実に形成される。一方、どちらか一方の補助陰極配線の長辺側に、もう一方の補助陰極配線が直角の方向から突き当たる寸前まで延在する態様では、該もう一方の補助陰極配線の長手方向の寸法が僅かに変動しただけで、間隙２３が形成されない場合も在り得る。本実施形態の補助陰極配線は間隙２３が余裕をもって形成されるため、蒸着マスク４０の形成が容易であるという特徴がある。また、該蒸着マスクと隔壁７７との密着が多少損われていても確実に間隙２３を形成できるという特徴がある。
【００６９】
（電子機器）
次に、上述の第１〜第５の実施形態にかかる有機ＥＬ装置のいずれかを、電子機器に適用した例について説明する。図１３は、電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの斜視図である。パーソナルコンピューター９０は、各種の画像を表示する表示部９２と、キーボード９４等が設置された本体部９１とを具備する。そして、キーボード９４を用いて入力された内容等の様々な情報等を、表示部９２に表示する。
【００７０】
ここで、表示部９２は、内部に、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１（あるいは第３〜５の実施形態にかかるいずれかの有機ＥＬ装置）を備えており、該有機ＥＬ装置により表示を行なっている。上述したように有機ＥＬ装置１は、第１の補助陰極配線２１と、該第１の補助陰極配線と略直交する第２の補助陰極配線２２とを備えており、表示領域１００（図２参照）の中央近傍における電圧降下を低減できる。したがって、パーソナルコンピューター９０は、表示部９２に、周縁部と中央部とで品質の差の少ない高品質の画像を表示できる。
【００７１】
（変形例１）
図１１は、変形例１にかかる有機ＥＬ装置の補助陰極配線の態様を示す図である。本変形例の有機ＥＬ装置は上述の各実施形態の有機ＥＬ装置とは異なり、全ての発光領域１０１（Ｒ，Ｇ，Ｂ）がＸ方向にも等間隔で配置されている。したがって、上述した３種類の発光領域１０１からなるユニットは形成されていない。その他の点は、上述の各実施形態にかかる有機ＥＬ装置と略同一である。個々の発光領域１０１の発光を独立に制御するアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置であり、対向基板１１（図３参照）側に発光４８（図３参照）を射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。
【００７２】
発光領域１０１（Ｒ，Ｇ，Ｂ）がＸ方向にも等間隔で配置されているため、図示するように、第２の補助陰極配線２２は各発光領域１０１間に形成されている。そしてＸ方向に延在する第１の補助陰極配線２１は、第１の実施形態の有機ＥＬ装置の補助陰極配線と同様にＸ方向に間隙２３（切れ目）を有さずに形成されている。かかる構成は、隣り合う全ての発光領域１０１間に隔離領域１０２を形成する必要がある有機ＥＬ装置において該隔離領域を有効に利用でき、陰極２７の面抵抗を充分に低減できる。
【００７３】
（変形例２）
図１２は、変形例２にかかる有機ＥＬ装置の補助陰極配線の態様を示す図である。本変形例の有機ＥＬ装置は、上述の各実施形態の有機ＥＬ装置とは異なり発光領域１０１（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が千鳥状に配置されている。したがって、Ｘ方向に延在する隔離領域１０２は直線状であるが、Ｙ方向に延在する隔離領域１０２は階段状に形成されている。そしてかかる隔離領域１０２の配置に合わせて、補助陰極配線も、Ｘ方向に間隙２３を設けることなく延在する第１の補助陰極配線２１と、千鳥状に形成されたＹ方向に延在する第２の補助陰極配線２２と、が組み合わされている。
【００７４】
間隙２３により、本変形例の有機ＥＬ装置は、上述の各実施形態と同様に補助陰極配線で囲まれた領域を有していない。したがって、かかる態様の補助陰極配線は１つの蒸着マスク４０を用いて一括形成でき、かつ、陰極２７（図３参照）の面抵抗を充分に低減できる。
【００７５】
（変形例３）
上述の各実施形態及び各変形例の有機ＥＬ装置における補助陰極配線は、表示領域１００内に均一の密度で形成されている。しかし、補助陰極配線の密度、あるいは間隙２３の形成密度は、表示領域１００の中央近傍と外周部とで異ならせることもできる。例えば、中央近傍の領域に補助陰極配線を高い密度で形成し、間隙２３の形成密度は低下させることができる。かかる態様であれば、該中央近傍における電圧降下をより一層低減でき、表示領域１００内の周辺部と中央近傍との表示品質の差をより一層低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の全体構成を示す回路構成図。
【図２】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の概略を示す斜視図。
【図３】第１の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図４】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の補助陰極配線の態様を示す図。
【図５】蒸着マスクを模試的に示す図。
【図６】蒸着マスクの開口部と隔壁との位置関係を模式的示す斜視図。
【図７】補助陰極配線の形成方法を模式的に示す工程断面図。
【図８】第３の実施形態の補助陰極配線の態様を示す図。
【図９】第４の実施形態の補助陰極配線の態様を示す図。
【図１０】第５の実施形態の補助陰極配線の態様を示す図。
【図１１】変形例１の補助陰極配線の態様を示す図。
【図１２】変形例２の補助陰極配線の態様を示す図。
【図１３】電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの斜視図。
【符号の説明】
【００７７】
１…第１の実施形態の有機ＥＬ装置、１０…素子基板、１１…対向基板、１３…周辺シール材、２１…第１の補助陰極配線、２２…第２の補助陰極配線、２５…第１の電極としての画素電極、２６…発光機能層、２７…第２の電極としての陰極、２８…反射層、２９…有機ＥＬ素子、３０…有機ＥＬ画素、３０Ｒ…赤色有機ＥＬ画素、３０Ｇ…緑色有機ＥＬ画素、３０Ｂ…青色有機ＥＬ画素、３１…半導体層、３３…ゲート電極、３５…ソース領域、３６…ドレイン領域、３８…チャネル領域、４０…蒸着マスク、４１…第１の開口部、４２…第２の開口部、４５…導電材料粒子としてのＡｌ粒子、５３…ソース電極、５４…ドレイン電極、７０…ゲート絶縁層、７１…層間絶縁層、７２…平坦化層、７３…第１の保護層、７４…第２の保護層、７５Ｂ…青色カラーフィルター、７５Ｇ…緑色カラーフィルター、７５Ｋ…ブラックマトリクス、７５Ｒ…赤色カラーフィルター、７６…カラーフィルター層、７７…隔壁、７８…接着層、８５…パシベーション層、８８…円偏光板、９０…電子機器としてのパーソナルコンピューター、９１…本体部、９２…表示部、９４…キーボード、１００…表示領域、１０１…発光領域、１０１Ｂ…青色発光領域、１０１Ｇ…緑色発光領域、１０１Ｒ…赤色発光領域、１０２…隔離領域、１０３…走査線、１０４…信号線、１０６…電源線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…信号線駆動回路、１４０…同期信号線。
【図１】
2010153070.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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