(57)【要約】【課題】主磁極と光導波路とがコア幅方向において相互に位置ずれを生じないように形成することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法は、基板上に薄膜を順次積層して形成した基体上に、光導波路層１７を形成する工程と、前記光導波路層１７の上に、絶縁層３４を形成する工程と、前記絶縁層３４の上に、鍍金下地層１８を形成する工程と、前記鍍金下地層１８の上に、逆台形状に主磁極１９を形成する工程と、前記主磁極１９を基準として前記鍍金下地層１８の所定領域を除去した後、該主磁極１９および該鍍金下地層１８をマスクとするドライエッチングによって、前記絶縁層３４および前記光導波路層１７を所定形状に形成する工程とを備える。【選択図】図９
2010049735.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜を順次積層して形成した基体上に、光導波路層を形成する工程と、
前記光導波路層の上に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に、鍍金下地層を形成する工程と、
前記鍍金下地層の上に、所定形状の主磁極を形成する工程と、
前記主磁極を基準として前記鍍金下地層の所定領域を除去した後、該主磁極および該鍍金下地層をマスクとするドライエッチングによって、前記絶縁層および前記光導波路層を所定形状に形成する工程と、を備えること
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
基板上に薄膜を順次積層して形成した基体上に、光導波路となる光導波路層を形成する工程と、
前記光導波路層の上に、第１のマスク層を形成する工程と、
前記第１のマスク層をマスクとして、第１のドライエッチングによって、前記光導波路層の所定領域を除去する工程と、
前記光導波路層の上面と高さが一致するまで、前記除去が行われた領域に第１の保護層を形成する工程と、
前記光導波路層および前記第１の保護層の上に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に、鍍金下地層を所定形状に形成する工程と、
前記鍍金下地層の上に、所定形状の主磁極を形成する工程と、
前記主磁極をマスクとして、第２のドライエッチングによって、前記鍍金下地層の所定領域を除去する工程と、
前記主磁極および前記所定領域が除去された鍍金下地層をマスクとして、第３のドライエッチングによって、前記絶縁層の所定領域を除去する工程と、
前記主磁極、前記所定領域が除去された鍍金下地層、および前記所定領域が除去された絶縁層をマスクとして、第４のドライエッチングによって、前記光導波路層および前記第１の保護層の所定領域を除去する工程と、を備えること
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
基板上に薄膜を順次積層して形成した基体上に、光導波路となる光導波路層を形成する工程と、
前記光導波路層の上に、第１のマスク層を形成する工程と、
前記第１のマスク層をマスクとして、第１のドライエッチングによって、前記光導波路層の所定領域を除去する工程と、
前記光導波路層の上面と高さが一致するまで、前記除去が行われた領域に第１の保護層を形成する工程と、
前記光導波路層および前記第１の保護層の上に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に、鍍金下地層を所定形状に形成する工程と、
前記鍍金下地層の上に、所定形状の主磁極を形成する工程と、
前記主磁極の周囲に第２の保護層を形成する工程と、
前記第２の保護層をマスクとして、第２のドライエッチングによって、前記鍍金下地層の所定領域を除去する工程と、
前記主磁極および前記所定領域が除去された鍍金下地層をマスクとして、第３のドライエッチングによって、前記絶縁層の所定領域を除去する工程と、
前記主磁極、前記所定領域が除去された鍍金下地層、および前記所定領域が除去された絶縁層をマスクとして、第４のドライエッチングによって、前記光導波路層および前記第１の保護層の所定領域を除去する工程と、を備えること
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第３のドライエッチングによって所定領域が除去された前記絶縁層の媒体対向面位置におけるコア幅方向の長さが、
前記第１のドライエッチングによって所定領域が除去された前記光導波路層の媒体対向面位置におけるコア幅方向の長さよりも短くなるように、前記各ドライエッチングが行われること
を特徴とする請求項２または請求項３記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第３のドライエッチングによって所定領域が除去された前記絶縁層の媒体対向面位置における形状が台形状となるように、前記第３のドライエッチングが行われること
を特徴とする請求項２〜４のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記光導波路層は、光が透過可能な材料を用いてスパッタリングによって形成されること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記主磁極を形成する工程は、
前記鍍金下地層の上に、逆台形状の溝を有するレジスト層を形成する工程と、
鍍金プロセスによって、前記溝内に前記主磁極となる磁性層を形成する工程と、
リフトオフプロセスによって、前記レジスト層を除去する工程と、を備えること
を特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
所定温度まで加熱されることによって保磁力が低下する材料からなる記録部を有する記録媒体に情報を記録する情報記憶装置であって、
光源と、
請求項１〜７のいずれか一項記載の磁気ヘッドと、を備え、
前記光源からの光を、前記光導波路層を通過させて前記記録媒体の記録部に照射し、該記録部を昇温させた状態で、前記主磁極から該記録部に記録用磁界を印加することによって、該記録部に情報を記録すること
を特徴とする情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドの製造方法および情報記憶装置に関し、さらに詳細には、いわゆる光（熱）アシスト磁気記録方式の磁気ヘッドの製造方法、および当該磁気ヘッドを用いた情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光磁気記憶装置に代表される光メモリ、およびハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤと示す）に代表される磁気メモリの記録密度は、装置の小型軽量化等の要望に応えるために、著しく高密度化されてきている。
【０００３】
例えば、高密度磁気記録再生技術の一つとして、略室温に補償点を有するｎ形フェリ磁性体の磁気記録媒体およびこれを用いたレーザ光による光磁気記録再生方式が開示されている(特許文献１)。
上記光磁気記録再生方式では、磁気記録媒体の記録領域にレーザ光を照射して昇温させ、その照射部分の保磁力を十分に低下させた状態で、磁気記録素子によって外部磁場を加え、所望の情報を磁気情報として記録媒体に記録している。
このような記録方式は、一般に、光（熱）アシスト磁気記録方式と呼ばれ、その中にも、光変調方式と磁界変調方式とがあるが、いずれにしても、記録を行うための外部磁界を印加する手段が必要である。
したがって、記録媒体に対して記録を行なうための装置には、記録媒体の表面にレーザ光を照射してレーザスポットを形成するための第１の機能と、上記したように記録時に外部磁界を与えるための第２の機能とが少なくとも必要である。従来、第１の機能を達成するための光学ヘッドと、第２の機能を達成するための磁気ヘッドとは別々に形成されていた。一例として、基板（スライダ）上に光照射素子を形成し、その上部に磁気記録素子と磁気センサとを順次形成した複合ヘッドが開示されている(特許文献２)。
【０００４】
しかしながら、光学ヘッドと、磁気ヘッドとが別々に形成される構成においては、製造工程においてコア幅方向の位置ずれが生じ得るため、光導波路から記録媒体に光を照射して昇温させた箇所に、記録用磁極から外部磁界を印加して記録を行う際に、光照射領域の中心が磁界印加領域の中心とずれてしまうといった課題があった。
すなわち、光照射領域の中心が磁界印加領域の中心とずれてしまった場合には、記録領域の昇温が十分に行われないため、記録不良が発生する可能性が高まる。逆に、あるいは、その対策として昇温領域を広くした場合には、記録ビットの形成が狭い領域で可能という光（熱）アシスト磁気記録方式の利点が薄れてしまう。
【０００５】
したがって、記録用磁極に対して光導波路を如何に位置ずれを生じさせずに形成するかという点が、非常に重要となっている。なお、光導波路の形成方法に関する従来技術が開示されている（特許文献３、特許文献４）。
【０００６】
【特許文献１】特開平４−１７６０３４号公報
【特許文献２】特開２００１−３１９３６５号公報
【特許文献３】特開２００４−６３５０６号公報
【特許文献４】特開平２−１４６５０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、主磁極と光導波路とがコア幅方向において相互に位置ずれを生じないように形成することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。
【０００９】
この磁気ヘッドの製造方法は、基板上に薄膜を順次積層して形成した基体上に、光導波路層を形成する工程と、前記光導波路層の上に、絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に、鍍金下地層を形成する工程と、前記鍍金下地層の上に、所定形状の主磁極を形成する工程と、前記主磁極を基準として前記鍍金下地層の所定領域を除去した後、該主磁極および該鍍金下地層をマスクとするドライエッチングによって、前記絶縁層および前記光導波路層を所定形状に形成する工程と、を備えることを要件とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、主磁極と光導波路層とがコア幅方向において相互に位置ずれを生じないように、それらを備える磁気ヘッドを製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について詳しく説明する。図１は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッド１の構成例を示す概略図である。図２は、その磁気ヘッド１の光導波路層１７の構成を示す概略図である。図３〜図１０は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。図１１、図１２は、本発明の実施の形態に係る情報記憶装置５０の例を示す概略図である。図１３は、従来の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における課題を説明するための説明図である。
なお、各図において、磁気記録ヘッド１のコア幅方向および磁気記録媒体５１のクロストラック方向をＸ、磁気記録ヘッド１の膜厚方向および磁気記録媒体５１のダウントラック方向をＹ、磁気記録ヘッド１の素子高さ方向をＺで表示する。
【００１２】
本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド１は、磁気記録媒体の記録層に光を照射して昇温させ、その照射部分の保磁力を十分に低下させた状態で、記録用の磁極から外部磁界を印加して、所望の情報を磁化情報として当該記録媒体に記録を行うものである。
以下、磁気ヘッド１の構成について、垂直記録型の磁気ヘッドを例にとり説明する。ただし、あくまでも一例示に過ぎず、当該構成に限定されるものではない。
【００１３】
また、磁気ヘッド１は、一つの実施形態として、図１に示すように、再生ヘッド部２と記録ヘッド部３とを備える複合型磁気ヘッドとして構成される。なお、本発明の適用を当該複合型磁気ヘッドに限定するものではない。
ここで、図中の符合５は浮上面を表すが、本来、浮上面は、積層工程が完了した後に、研磨工程を経て形成されるものであるため、途中工程においては、浮上面形成予定位置と考えるべきものである。
【００１４】
先ず、再生ヘッド部２の構成例を説明する。図１に示すように、ベースとなるウエハ基板１１上に、下部シールド層１２が形成される。さらに、下部シールド層１２の上層には、再生素子１３が形成される。ここで、再生素子１３には、例えば、ＴＭＲ素子もしくはＧＭＲ素子等の磁気抵抗効果素子が用いられるが、その膜構成としては、種々の構成を採用することができる。なお、符合３０は、Ａｌ２Ｏ３等からなる絶縁層である。
【００１５】
また、再生素子１３および絶縁層３０上に、上部シールド層１４が形成される。なお、上部シールド層１４、下部シールド層１２共に、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて構成される。
【００１６】
次に、記録ヘッド部３の構成例を説明する。前記上部シールド層１４上に絶縁層３１が形成される。さらに、絶縁層３１上に、第１リターンヨーク１５が形成される。
第１リターンヨーク１５上にＡｌ２Ｏ３等を用いて絶縁層３２が形成され、絶縁層３２上には導電材料を用いて、平面螺旋状に第１コイル１６が形成される。
第１コイル１６の層間および上層には、Ａｌ２Ｏ３等を用いて絶縁層３３が形成される。
【００１７】
なお、本実施形態においては、ウエハ基板１１から、絶縁層３３で構成される層に至るまでの積層構造を「基体」という（図中、符号６）。ただし、基体については種々の構成を採用することができ、上記構成はあくまでも一例示に過ぎない。
【００１８】
絶縁層３３上に、光導波路として作用する所定形状の光導波路層１７が形成される（詳細は後述）。
ここで光導波路層１７は、透明もしくは半透明で光が透過可能な材料を用いて形成される。当該材料として、例えば、Ｔａ２Ｏ５や、ＳｉＯ２等が用いられる。
なお、光導波路層１７の最終的な形状は、例えば図２に示すように、膜厚方向と直交する断面形状として、媒体対向面側の微細開口部１７ａのコア幅方向長さＤ１＝２００［ｎｍ］、反媒体対向面側の光入力部１７ｂのコア幅方向長さＤ２＝２〜５［μｍ］、絞り角θ＝１〜１０［°］に形成される。なお、膜厚は１［μｍ］程度である。ただし、この形状はあくまでも一例であって、その他に様々な形状を採用し得る。
ここで、本実施の形態においては、光導波路層１７に入射する光として、波長λ＝４００ｎｍのレーザ光を用いる。なお、図１中の符号６１がレーザ光を発生させる光源であり、符号６２のレンズを通過させて集光した後、光導波路層１７の光入力部１７ｂに入射される。
【００１９】
さらに、光導波路層１７上に、Ａｌ２Ｏ３等を用いて絶縁層３４が形成される。
【００２０】
また、絶縁層３４上に、鍍金下地層１８が形成され、その上に磁性材料からなる主磁極１９が形成される（詳細は後述）。
なお、鍍金下地層１８、および主磁極１９は、共に単層構造に限られず、異なる材料を積層させる多層構造を採用することも考えられる。また、主磁極１９の下層に、いわゆる盛上層が設けられる構成とすることも考えられる。
【００２１】
主磁極１９の作用として、主磁極１９から第１リターンヨーク１５および第２リターンヨーク２３に向かう方向および逆の方向に磁界を発生させる。つまり、当該磁界が磁気記録媒体５１に記録用外部磁界として作用することとなる。
【００２２】
主磁極１９の後端側には、磁性材料からなるバックギャップ２２が形成されると共に、主磁極１９上にＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層３５が形成され、さらに絶縁層３５上に、バックギャップ２２を取り巻くように導電材料からなる第２コイル２０が形成される。また、主磁極１９の先端部の上方には、主磁極１９と間隔（トレーリングギャップと呼ばれる）を空けて、磁性材料からなるトレーリングシールド２１が形成される。さらに、第２コイル２０の層間および上層にレジスト等の絶縁材料からなる絶縁層３６が形成されると共に、さらにその上層に、バックギャップ２２およびトレーリングシールド２１に連結する磁性材料からなる第２リターンヨーク２３が形成される。
【００２３】
さらに、第２リターンヨーク２２上に保護層（不図示）等の形成が行われて、磁気記録ヘッド１が所定の積層構造として完成される。
【００２４】
なお、第１リターンヨーク１５、主磁極１９、トレーリングシールド２１、バックギャップ２２、第２リターンヨーク２３を構成する磁性材料としては、ＢＳ（飽和磁束密度）が高く且つμ（透磁率）が低い磁性材料（軟磁性材）を用いることが記録特性向上の観点から好適であり、一例として、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ等が挙げられる。
【００２５】
続いて、本実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、本実施形態に特徴的な記録ヘッド部３の形成工程から説明を行う。
【００２６】
先ず、ウエハ基板１１上に薄膜を順次積層し、前記絶縁層３３で構成される層に至るまでの積層構造、すなわち基体６を形成する。
次いで、絶縁層３３の上に、後の工程で所定形状に加工されることとなる光導波路層１７を全面に形成する。一例として、光導波路層１７は、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ２等を用いて、スパッタリングにより、厚さ１［μｍ］程度に形成する。
次いで、光導波路層１７の上に、後のエッチング工程でマスクとして機能することとなるマスク層（第１のマスク層）４１を形成する。一例として、マスク層４１は、レジスト材料を用いて、公知のフォトリソグラフィプロセスにより所定形状に形成する。ここで、所定形状とは、下層の光導波路層１７においてエッチングによる除去を行わない領域に対応させた形状である。
ここまでの形成が完了した状態を図３（ａ）〜（ｃ）に示す。ここで、図３（ａ）は、積層体を膜厚方向の上層側から下層側に向かって視た図であり、図３（ｂ）は素子部領域（図３（ａ）中の破線領域）の拡大図であり、図３（ｃ）は積層体を媒体対向面５側から視た端面図（断面図）であって、絶縁層３３よりも下層は図示を省略している。なお、この図示方法は、図４〜図１０までの各図における（ａ）〜（ｃ）について共通である。
【００２７】
次いで、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、所定形状に形成されたマスク層４１をマスクとして、ドライエッチング（第１のドライエッチング）プロセスによって、光導波路層１７の所定領域を除去する。一例として、当該ドライエッチングプロセスには、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）プロセスを用いる。ただし、この段階では、光導波路層１７の微細開口部１７ａは最終形状よりもコア幅方向に長い状態となるように、いわゆるラフ形成を行っておく。一例として、媒体対向面側の微細開口部１７ａのコア幅方向長さＤ０＝０．５〜１［μｍ］程度に形成する。
【００２８】
次いで、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、光導波路層１７の所定領域が除去された箇所の絶縁層３３の上に、保護層（第１の保護層）４２を形成する。一例として、保護層４２は、絶縁材料であるＡｌ２Ｏ３を用いて、スパッタリングにより形成する。なお、図４（ｃ）に示すように保護層４２の上面と光導波路層１７の上面とが一致するように、平坦に形成する。
【００２９】
次いで、図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、絶縁層４２および光導波路層１７の上に、絶縁層３４を形成する。一例として、絶縁層３４は、絶縁材料であるＡｌ２Ｏ３を用いて、スパッタリングにより形成する。
【００３０】
次いで、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、絶縁層３４の上に、逆台形状に主磁極１９を形成する。
ここで、主磁極１９を形成する方法は複数考えられるが、例えば、鍍金プロセスを用いて形成する場合は、先に鍍金下地層１８を形成し、その上にレジスト材により逆台形状の溝を有するマスク（不図示）を形成したうえで、電解鍍金によって溝内にＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ等の磁性材料を鍍金形成して、主磁極１９を形成する。なお、鍍金下地層１８は、一例として、下層から順にＴａ（タンタル）層、Ｒｕ（ルテニウム）層、ＮｉＦｅ層の３層構造等が採用される。
次いで、主磁極１９をマスクとして、ドライエッチング（第２のドライエッチング）プロセスによって、鍍金下地層１８の所定領域を除去する（図７（ｃ）参照）。一例として、当該ドライエッチングプロセスには、イオンミルプロセスを用いる。これによれば、主磁極１９をマスクとするため、当該主磁極１９とエッチング後の鍍金下地層１８とのコア幅方向の相互の位置ずれが生じない。なお、あらかじめ当該エッチングによるスリム化を考慮して、主磁極１９を大きめに形成しておく必要がある。
一方、鍍金下地層１８の所定領域を除去する工程の変形例として、主磁極１９周囲に、保護層（第２の保護層）となるレジスト層（不図示）を形成した後に、当該ドライエッチングを行って、鍍金下地層１８の所定領域の除去を行い、当該レジスト層を除去する工程としてもよい。その場合、主磁極１９のエッチングが防止される。
【００３１】
次いで、図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、主磁極１９および上記工程で所定領域が除去された鍍金下地層１８をマスクとして、ドライエッチング（第３のドライエッチング）プロセスによって、絶縁層３４の所定領域を除去する。一例として、当該ドライエッチングプロセスには、イオンミルプロセスを用いる。これによれば、主磁極１９、および当該主磁極１９を基準にエッチング形成された鍍金下地層１８をマスクとするため、主磁極１９とエッチング後の絶縁層３４とのコア幅方向の相互の位置ずれが生じない。
なお、図８（ｃ）に示すように、エッチング後の絶縁層３４の媒体対向面位置における形状が台形状となるように当該ドライエッチングを行う。
【００３２】
次いで、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、主磁極１９、上記工程で所定領域が除去された鍍金下地層１８、および上記工程で所定領域が除去された絶縁層３４をマスクとして、ドライエッチング（第４のドライエッチング）プロセスによって、光導波路層１７の所定領域を除去する。なお、光導波路層１７をコア幅方向に挟む絶縁層４２の一部も同時に除去される。一例として、当該ドライエッチングプロセスには、ＲＩＥプロセスを用いる。これによれば、主磁極１９、当該主磁極１９を基準にエッチング形成された鍍金下地層１８、および当該主磁極１９を基準にエッチング形成された絶縁層３４をマスクとするため、主磁極１９とエッチング後の光導波路層１７とのコア幅方向の相互の位置ずれが生じない。
このように、エッチング形成された絶縁層３４が、光導波路層１７をドライエッチングする際の直上のマスクとなるため、前記の第３のドライエッチングによって所定領域が除去された絶縁層３４の媒体対向面位置におけるコア幅方向の長さが、前記の第１のドライエッチングによって所定領域が除去されてラフ形成された光導波路層１７の媒体対向面位置におけるコア幅方向の長さよりも短くなるように、エッチング形成後の各層の寸法を考慮して各ドライエッチングを行う必要がある。
【００３３】
次いで、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、前記第２のドライエッチング、前記第３のドライエッチング、および前記第３のドライエッチングによって除去が行われた領域に、保護層（第３の保護層）４３を形成する。一例として、保護層４３は、絶縁材料であるＡｌ２Ｏ３を用いて、スパッタリングにより形成する。なお、図１０（ｃ）に示すように保護層４３の上面と主磁極１９の上面とが一致するように、平坦に形成する。
【００３４】
図１０（ａ）〜（ｃ）に示される工程の実施後は、前述の所定層を上層に積層する工程（不図示）を実施して、最終的に図１に示す磁気ヘッド１に形成される。
【００３５】
なお、上記の各ドライエッチングプロセスは、一例であって、材料等の条件に応じて、イオンミリングプロセス、ＲＩＥプロセス、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）プロセス等を適宜選択し得る。
【００３６】
上記の本実施の形態に係る製造方法によれば、従来の製造方法（図１３参照）では光導波路層１１７と主磁極１１９とを個々に形成していたため、コア幅方向の位置ずれが生じ得ることは不可避であったのに対し、本製造方法では主磁極１９を基準のマスクとして、光導波路層１７のエッチングが行われるため、コア幅方向の位置ずれが発生しないという顕著な効果が得られる。すなわち、本製造方法により製造される磁気ヘッド１を用いることによって、光照射領域の中心と磁界印加領域の中心とを一致させることが可能となり、位置ずれに起因する記録不良の解消、および高記録密度化の達成が可能となる。
【００３７】
続いて、本発明の実施の形態に係る情報記憶装置、すなわち本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッド１を備える磁気記録装置５０の概略構成図を図１１に示す。この磁気記録装置５０は光（熱）アシスト磁気記録方式のＨＤＤである。
基本構成として、前記の磁気記録ヘッド１は、磁気記録媒体（磁気記録ディスク）５１との間で情報を記録し、情報を再生するヘッドスライダ５２に組み込まれる。さらに、ヘッドスライダ５２は、ヘッドサスペンション５３のディスク面に対向する面に取り付けられ、該サスペンション５３の端部を固定し、回動自在なアクチュエータアーム５４と、該サスペンション５３および該アクチュエータアーム５４上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気抵抗効果素子１３に電気的に接続され、磁気記録ディスク５１に記録された情報を読み取るための電気信号を検出する回路とを有する記憶装置として構成される。
熱アシスト磁気記録方式であるため、磁気情報の記録時には、光源６１から集光用のレンズ６２（図１参照）を通過させて集光した光によって、磁気記録媒体５１を昇温させた状態で、主磁極１９から磁界を印加して記録を行う。なお、光源６１、集光用のレンズ６２の設置構造としては、公知の種々の構造を採用し得る。
【００３８】
ここで、磁気記録媒体５１の記録部すなわち記録層５１ａは、外部磁界による情報記録が、常温においては保磁力Ｈｃが高く記録不可能であって、且つ所定温度まで加熱されて保磁力Ｈｃが低下することによって記録可能となる材料を用いて形成される。当該材料として、例えば、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜、Ｃｏ３Ｐｔ合金膜、ＣｏＰｔ３合金膜、ＦｅＰｄ合金膜、ＣｏＰｔ合金膜、ＦｅＰｔ合金膜等を用いることが考えられる。
【００３９】
次に、情報記憶装置５０における磁気情報の記録作用について説明する。図１２に示すように、矢印Ｒ方向に回転する磁気記録媒体５１に対して情報を記録する場合、光源６１から集光用のレンズ６２を通過して、光導波路層１７の光入力部１７ｂに光７が入射され、光導波路層１７の微細開口部１７ａから出射された光７が磁気記録媒体５１に照射されて磁気記録媒体５１の記録部を所定温度まで昇温させて当該領域の保持力を低下させると同時に、主磁極１９から発生する（もしくは主磁極１９に入る）記録磁界８を磁気記録媒体５１に印加することによって記録を行うため、比較的小さな磁界強度で磁気記録媒体５１に情報を記録することができる。
特に、組み込まれる磁気ヘッド１は、主磁極１９と光導波路層１７とがコア幅方向に位置ずれなく形成されているため、前述の光照射領域と記録磁界印加領域との位置ずれの課題の解決を図り、高密度記録且つ高精度記録が可能な情報記憶装置の実現が可能となる。
【００４０】
なお、本実施の形態に係る情報記憶装置として光（熱）アシスト磁気記録方式のＨＤＤを例にとり説明したが、これに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッドの構成例を示す概略図である。
【図２】図１の磁気ヘッドの光導波路層の構成を示す概略図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る情報記憶装置の例を示す概略図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る情報記憶装置の例を示す概略図である。
【図１３】従来の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における課題を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  磁気ヘッド
２  再生ヘッド部
３  記録ヘッド部
５  媒体対向面
６  基体
１１  ウエハ基板
１２  下部シールド層
１３  磁気抵抗効果型再生素子
１４  上部シールド層
１５  下部リターンヨーク
１７、１１７  光導波路層
１９、１１９  主磁極
２１  トレーリングシールド
２３  上部リターンヨーク
３３、３４、１３３、１３４  絶縁層
４２、４３、１４２、１４３  保護層
５０  情報記憶装置（磁気ディスク装置）
５１  磁気記録媒体
【図１】
2010049735.tif 000003
【図２】
2010049735.tif 000004
【図３】
2010049735.tif 000005
【図４】
2010049735.tif 000006
【図５】
2010049735.tif 000007
【図６】
2010049735.tif 000008
【図７】
2010049735.tif 000009
【図８】
2010049735.tif 000010
【図９】
2010049735.tif 000011
【図１０】
2010049735.tif 000012
【図１１】
2010049735.tif 000013
【図１２】
2010049735.tif 000014
【図１３】
2010049735.tif 000015