(57)【要約】【課題】一時待機空間の気圧がウエハ搬送空間の気圧よりも高くなる所望の気圧分布を実現できる半導体製造装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ロードロック１０により区画された一時待機空間が設けられ、その一時待機空間から内部（処理空間）へ移動された半導体ウエハに対して処理を実行する処理装置１と、ウエハ収納容器２が設置されるローダー３と、半導体ウエハが搬送されるウエハ搬送空間へ清浄化された気体を供給する清浄化装置６と、清浄化装置６から噴出する気体を一時待機空間とウエハ搬送空間へ分けて送るとともに、一時待機空間の気圧がウエハ搬送空間の気圧よりも高くなるように、一時待機空間とウエハ搬送空間へ送り出す気体の量を制御する気流制御装置１４と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一時待機空間が設けられ、前記一時待機空間から処理空間へ移動された半導体ウエハに対して処理を実行する処理装置と、
ウエハ収納容器が設置されるローダーと、
半導体ウエハが搬送されるウエハ搬送空間へ清浄化された気体を供給する清浄化装置と、
前記清浄化装置から噴出する気体を前記一時待機空間と前記ウエハ搬送空間へ分けて送るとともに、前記一時待機空間の気圧が前記ウエハ搬送空間の気圧よりも高くなるように、前記一時待機空間と前記ウエハ搬送空間へ送り出す気体の量を制御する気流制御装置と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記気流制御装置は、前記一時待機空間の気圧が前記ウエハ搬送空間の気圧よりも０．４Ｐａ以上高くなるように、前記一時待機空間と前記ウエハ搬送空間へ送り出す気体の量を制御する機構を備えていることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記気流制御装置は、前記一時待機空間へ送り出した気体の気流が前記一時待機空間内で層流になるように、前記一時待機空間への気体の送り出し角度を制御する機構を備えていることを特徴とする請求項1もしくは２のいずれかに記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハの周辺環境のみを局所的に清浄化する局所クリーン化技術を採用した半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高集積度の半導体装置は、クラス１もしくはそれ以下のレベルの環境で製造することが要求されている。米国連邦規格で定められたクラス１は、１フィート立方当たりに存在する０．５μｍ以上のゴミの数が１個以下の環境である。さらに昨今は、半導体装置の集積度がますます進み、その微細化レベルは０．１μｍ以下になってきており、半導体ウエハ（以下、単にウエハと称す。）の周辺環境には高レベルな清浄度が求められている。このような要求に対し、クリーンルーム全体を高清浄度に保つ従来のクリーン化技術では、膨大な空調設備が必要となり、そのために膨大な施設投資と消費電力が必要となる。
【０００３】
そこで近年は、局所クリーン化技術という新しい技術が導入されている。これは、ウエハを完全密閉のウエハ収納容器に入れて搬送するとともに、ウエハに対して半導体製造のための加工処理や検査処理等の処理を実行する半導体製造装置の内部のみを局所的に高清浄度に保つ技術である。このように、ウエハが存在する局所的な環境のみを高清浄度に保つことで、工場全体のクリーン度はそれほど高くする必要がなくなり、設備と運用コストを大幅に低減することが可能となる。昨今の地球規模での環境問題やエネルギー問題を踏まえ、クリーンルームの清浄度は落としていかざるを得ない状況であり、その状況下でさらなる集積度を追求するためには、局所クリーン化技術の発展は半導体事業を継続する上でなくてはならない位置づけになってきている。
【０００４】
この局所クリーン化技術としてすでに規格化されているものに、ＳＭＩＦ方式（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）とＦＯＵＰ方式（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）がある。前者は２００ｍｍまでのウエハサイズを対象とし、後者は３００ｍｍのウエハサイズを対象としている。
【０００５】
標準化されたＳＭＩＦ方式とＦＯＵＰ方式の機械的なインターフェースの概念を図５に示す。図５に示す半導体製造装置は、ウエハに対して半導体製造のための加工処理や検査処理等の処理を実行する処理装置１と、ウエハを収納するウエハ収納容器２が設置されるローダー３と、ウエハを搬送する搬送装置４を備える。
【０００６】
処理装置１には、ウエハが一時的に待機するステージ５が設けられている。処理装置１は、ウエハに対する処理を実行するとき、搬送装置４によりステージ５に載置されたウエハを処理装置１の内部（処理空間）へ搬入する。一方、処理後は、処理空間からステージ５へウエハを搬出する。
【０００７】
ＳＭＩＦ方式では、ウエハ収納容器２は内部に、ウエハを所要枚数収納したウエハカセットを備えている。処理前のローディング動作時には、ウエハカセットが搬送装置４により、ローダー３で開かれたウエハ収納容器２内からステージ５まで搬送される。ＳＭＩＦ方式では、ウエハが一時的に待機するステージ５としてカセットステージが設置されている。処理後のアンローディング動作時は、逆の搬送がなされる。
【０００８】
ＦＯＵＰ方式では、処理前のローディング動作時に搬送装置４が、ローダー３で開かれたウエハ収納容器２内からステージ５へウエハを直接搬送する。ＦＯＵＰ方式では、ウエハが一時的に待機するステージ５としてウエハバッファーが設置されている。処理後のアンローディング動作時は、逆の搬送がなされる。
【０００９】
処理装置１の内部空間、ステージ５が設置されている一時待機空間、ウエハ収納容器２の内部空間、およびローダ３に設置されたウエハ収納容器２と処理装置１との間のウエハ搬送空間は外部環境から隔てられている。一般的に、それらの空間のみを局所的に清浄化する技術が局所クリーン化技術であり、その局所的に清浄化された空間をミニマムエンバイロメントもしくはミニエンと呼ぶ。
【００１０】
図５に示す半導体製造装置は、上方からウエハ搬送空間へ清浄化された空気を供給する清浄化装置６と、ローダー３側からウエハ搬送空間へ清浄化された空気を供給する清浄化装置７と、処理装置１の内部空間へ清浄化された空気を供給する清浄化装置８と、ウエハ搬送空間に設置された排気装置９を備える。
【００１１】
この半導体製造装置は、清浄化装置８から噴出する空気が処理装置１の内部空間を介して一時待機空間へ流れ、その一時待機空間へ流れてきた空気がウエハ搬送空間へ流れる構成となっており、排気装置９は、清浄化装置６〜８が噴出する気流が層流になるように気圧を制御している。
【００１２】
ミニエンは外部環境すなわちクリーン度を落としたクリーンルーム環境よりも陽圧に保つことが必用であり、清浄化装置６〜８や排気装置９によって、ミニエンの陽圧が実現されている。
【００１３】
以上説明したような局所クリーン化技術は、例えば特許文献１に記載されている。しかしながら、上記した従来の半導体製造装置では、図５に示す通常構成の半導体製造装置においては所望の気圧分布が実現できるが、図６に示すロードロック機構を備えた半導体製造装置においては、所望の気圧分布が実現できず、ウエハにパーティクルが付着するという問題があった。
【００１４】
ロードロック機構を備えた半導体製造装置とは、処理装置がウエハに対する処理を高真空状態で実行する半導体製造装置のことである。ロードロック機構を備えた半導体製造装置は、高真空状態で処理を行うために、図６に示すように、一時待機空間を区画するロードロック１０が処理装置１に設けられており、ロードロック１０にウエハが搬送された後にゲート１１を閉め、ロードロック１０の内部空間（一時待機空間）が真空状態となってから、ロードロック１０から処理装置１の処理空間へウエハを搬入する機構となっている。ロードロック１０とウエハ収納容器２との間でウエハを搬送しているときには、ゲート１１は開いており、ロードロック１０の片側だけが開放されている。
【００１５】
所望の気圧分布とは、ミニエン内がクリーンルームよりも陽圧になるとともに、一時待機空間がウエハ搬送空間よりも陽圧になる状態のことである。この気圧分布を実現することができない状態、すなわちウエハ搬送空間が一時待機空間よりも陽圧になる状態では、ウエハ搬送空間においてウエハを搬送する搬送装置の動作で少なからず発生するパーティクルや、清浄化装置で捕獲しきれなかったパーティクルが、排気装置から排出されず、一時待機空間に滞留して、ウエハに付着する。
【００１６】
図７に、搬送装置から発生するパーティクル１２と、清浄化装置から発生するパーティクル１３を電子顕微鏡で撮影した写真、並びにパーティクルの成分分析結果を示す。図７に示すように、搬送装置から発生するパーティクルは主に炭素Ｃ、鉄Ｆｅ、シリコンＳｉであり、清浄化装置から発生するパーティクルは主に炭素ＣとシリコンＳｉである。
【００１７】
図５に示す通常構成の半導体製造装置においては、処理装置１に設置された清浄化装置８から噴出する気流が、処理装置１の内部空間から一時待機空間へ流れ、さらに一時待機空間からウエハ搬送空間へ流れるため、一時待機空間はウエハ搬送空間よりも陽圧となる。よって、パーティクルは一時待機空間に滞留せずに排気装置９より外部へ排出されるので、ウエハにパーティクルが付着するという問題は発生しない。
【００１８】
これに対し、図６に示すロードロック機構を備えた半導体製造装置においては、処理装置１に設置された清浄化装置８から噴出する気流が、ロードロック１０で区画された一時待機空間やウエハ搬送空間へ流れないため、一時待機空間（ロードロック１０の内部空間）はウエハ搬送空間よりも陰圧になり、上記した搬送装置から発生するパーティクルや、清浄化装置から発生するパーティクルが一時待機空間に滞留して、ウエハに付着することで、歩留まりが低下するという問題が発生する。
【特許文献１】特開２００３−２６４２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明は、上記従来の問題に鑑み、一時待機空間がウエハ搬送空間よりも陽圧になる所望の気圧分布を実現できる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の請求項１記載の半導体製造装置は、一時待機空間が設けられ、前記一時待機空間から処理空間へ移動された半導体ウエハに対して処理を実行する処理装置と、ウエハ収納容器が設置されるローダーと、半導体ウエハが搬送されるウエハ搬送空間へ清浄化された気体を供給する清浄化装置と、前記清浄化装置から噴出する気体を前記一時待機空間と前記ウエハ搬送空間へ分けて送るとともに、前記一時待機空間の気圧が前記ウエハ搬送空間の気圧よりも高くなるように、前記一時待機空間と前記ウエハ搬送空間へ送り出す気体の量を制御する気流制御装置と、を備えることを特徴とする。
【００２１】
本発明の請求項２記載の半導体製造装置は、請求項１記載の半導体製造装置であって、前記気流制御装置は、前記一時待機空間の気圧が前記ウエハ搬送空間の気圧よりも０．４Ｐａ以上高くなるように、前記一時待機空間と前記ウエハ搬送空間へ送り出す気体の量を制御する機構を備えていることを特徴とする。
【００２２】
本発明の請求項３記載の半導体製造装置は、請求項１もしくは２のいずれかに記載の半導体製造装置であって、前記気流制御装置は、前記一時待機空間へ送り出した気体の気流が前記一時待機空間内で層流になるように、前記一時待機空間への気体の送り出し角度を制御する機構を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の好ましい形態によれば、一時待機空間の気圧がウエハ搬送空間の気圧よりも高くなる所望の気圧分布を実現できる。よって、ウエハ搬送空間においてウエハを搬送する搬送装置の動作により発生するパーティクルや、清浄化装置で捕獲しきれなかったパーティクルを一時待機空間に滞留させずに排出することができ、ウエハへのパーティクルの付着の防止や歩留まりの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の半導体製造装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１に、本発明の実施の形態に係る半導体製造装置を示す。この半導体製造装置は、ウエハに対して半導体製造のための加工処理や検査処理等の処理を実行する処理装置１と、ウエハを収納するウエハ収納容器２が設置されるローダー３と、ウエハを搬送する搬送装置４を備える。
【００２５】
処理装置１は、ウエハに対する処理を高真空状態で行う。そのため、処理装置１には、一時待機空間を区画するロードロック１０が設けられている。ロードロック１０に設けられたゲート１１は、ロードロック１０とウエハ収納容器２との間でウエハが搬送されているときには開いている。搬送装置４は、ウエハ収納容器２と片側だけが開放されているロードロック１０との間でウエハを搬送する。
【００２６】
ＳＭＩＦ方式では、ウエハ収納容器２は内部に、ウエハを所要枚数収納したウエハカセットを備えている。処理前のローディング動作時には、ウエハカセットが搬送装置４により、ローダー３で開かれたウエハ収納容器２内からロードロック１０に設置されたカセットステージまで搬送される。処理後のアンローディング動作時は、逆の搬送がなされる。一方、ＦＯＵＰ方式では、処理前のローディング動作時に搬送装置４が、ローダー３で開かれたウエハ収納容器２内からロードロック１０に設置されたウエハバッファーへウエハを直接搬送する。処理後のアンローディング動作時は、逆の搬送がなされる。本実施の形態に係る半導体装置は、ＳＭＩＦ方式とＦＯＵＰ方式のいずれについても適応することができる。
【００２７】
搬送装置４によりロードロック１０にウエハに載置された後、ゲート１１は閉じる。ゲート１１が閉じた後に、ロードロック１０の内部空間（一時待機空間）が真空引きされる。処理装置１は、ロードロック１０の内部空間が真空状態となってから、ロードロック１０で待機しているウエハを、予め真空状態となっている処理装置１の内部（処理空間）へ搬入し、その搬入されたウエハに対して処理を実行する。ゲート１１は、ロードロック１０の内部空間の真空引き時や、処理装置１において処理が実行されるときには閉じている。
【００２８】
この半導体製造装置では、処理装置１の内部空間、ロードロック１０により区画されている一時待機空間、ウエハ収納容器２の内部空間、およびローダ３に設置されたウエハ収納容器２と処理装置１との間のウエハ搬送空間が外部環境（クリーンルーム環境）から隔てられており、それらの空間が清浄化されている。したがって、それらの空間がこの半導体装置におけるミニエンである。
【００２９】
この半導体製造装置は、クリーンルームの空気を清浄化して上方からウエハ搬送空間へ供給する清浄化装置６と、クリーンルームの空気を清浄化してローダー３側からウエハ搬送空間へ供給する清浄化装置７と、ウエハ搬送空間に設置され、ウエハ搬送空間の空気をクリーンルームへ排気する排気装置９を備える。排気装置９は、清浄化装置６、７が噴出する気流がウエハ搬送空間において層流になるように気圧を制御している。また、空調装置６、７および排気装置９の少なくとも一方により、ウエハ搬送空間の気圧がクリーンルームよりも陽圧となるように制御されている。
【００３０】
また、クリーンルームの空気を清浄化して処理装置１の内部空間へ供給する清浄化装置８が処理装置１に設置されている。例えば、処理装置１の内部に処理室が設置されている場合には、処理装置１の内部空間（処理室の内部空間を含む）を清浄化された空気雰囲気にしておき、真空状態移行時に処理室から空気を抜いて処理室の内部空間を真空状態とし、定常状態移行時には処理室の内部へ清浄化された空気を引き入れるようにしてもよい。
【００３１】
さらに、この半導体装置は、清浄化装置６から噴出する空気（清浄化された気体の一例）をロードロック１０の内部空間（一時待機空間）とウエハ搬送空間へ分けて送るとともに、ロードロック１０の内部空間がウエハ搬送空間よりも陽圧となるように、ロードロック１０の内部空間とウエハ搬送空間へ送り出す空気量を制御する気流制御装置１４を備える。
【００３２】
上記した構成によって、ロードロック１０の内部空間（一時待機空間）の気圧がウエハ搬送空間の気圧よりも高く、さらにウエハ搬送空間の気圧がクリーンルームの気圧よりも高くなるという所望の気圧分布を実現することができる。よって、搬送装置の動作で少なからず発生するパーティクルや、清浄化装置で捕獲しきれなかったパーティクルがロードロック１０に滞留せずに排気されるため、ウエハへのパーティクルの付着の防止を図ることができる。
【００３３】
続いて、ＳＭＩＦ方式を適用した本実施の形態に係るロードロックタイプの半導体製造装置と、従来のカセットステージタイプの半導体製造装置それぞれのＰＷＰ（Ｐａｒｔｉｃｌｅｓ  Ｐｅｒ  Ｗａｆｅｒ Ｐａｓｓ）試験の結果について説明する。ＰＷＰ試験とは、ウエハ収納容器と処理装置との間でウエハ搬送を繰り返し行い、搬送前と搬送後のウエハ上のパーティクル増加数を測定する試験である。
【００３４】
本実験においては、繰り返し搬送回数は１００回往復とした。また、０．１６μｍ以上の粒径のパーティクルを測定対象とした。ウエハは、ウエハカセットに６枚（１スロット、５スロット、１０スロット、１５スロット、２０スロット、２５スロット）挿入した。実験で得られた結果から、次に示す式によってＰＷＰ値を求めた。
ＰＷＰ値＝各ウエハのパーティクル増加数の合計÷６枚×１００搬送
【００３５】
得られたＰＷＰ値を表１に示す。例えば、ＰＷＰ値＝０．６０とは、１００回往復搬送した場合、１枚のウエハ上に１往復搬送あたり０．６０個のパーティクルが付着することを表している。ＰＷＰ値は‘０’を目標値として、小さければ小さいほど良い。
【００３６】
【表１】
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表１において、差圧は、一時待機空間とウエハ搬送空間の気圧差を表す。例えば、一時待機空間とウエハ搬送空間それぞれの動圧を、ピトー管を用いた一般的な差圧計により測定し、それら測定した動圧の差を差圧とすればよい。
【００３７】
表１に示すように、処理装置１に設置した清浄化装置８からの気流が一時待機空間へ流れるカセットステージタイプについては、差圧が０．３Ｐａ以上でＰＷＰ値が‘０．００’となり、目標値‘０’へ限りなく近づくという結果を得た。
【００３８】
一方、ロードロックタイプについては、処理装置１に設置した清浄化装置８からの気流が一時待機空間へ流れない。そのため、ウエハ搬送空間の上方に設置された清浄化装置６から噴出する空気を、ウエハ搬送空間とロードロック１０の内部空間（一時待機空間）へ送り分けしない状態では、ロードロック１０の内部空間はウエハ搬送空間に対して０．５Ｐａの負圧になり、ＰＷＰ値は‘０．６０’となった。
【００３９】
例えば昨今のシステムＬＳＩを製造するプロセスフローは１０００ステップ近くになってきており、それはすなわち往復搬送が１０００回実施されることを意味する。したがって、ＰＷＰ値が‘０．０６’の場合、１０００ステップ後に６００個のパーティクルがウエハ上に付着することになる。チップ面積やプロセスノードにもよるが、最大６００個の不良チップが発生することになる。
【００４０】
本実験では、気流制御装置１４からロードロック１０の内部空間へ噴出する気流の流量を増やし、差圧が０．４Ｐａ以上になると、ＰＷＰ値が‘０．００’となり、目標値‘０’へ限りなく近づくことを確認した。
【００４１】
したがって、気流制御装置１４により、ロードロック１０の内部空間（一時待機空間）の気圧がウエハ搬送空間の気圧よりも０．４Ｐａ以上高くなるように、ロードロック１０の内部空間とウエハ搬送空間へ送り出す空気の量を制御することが好ましい。このようにすれば、搬送装置の動作で少なからず発生するパーティクルや、清浄化装置で捕獲しきれなかったパーティクルがロードロック１０に滞留せずに排気されるので、ウエハへのパーティクルの付着の防止を図ることができる。
【００４２】
なお、差圧を大きくすればするほど清浄化装置の消費電力が大きくなるとともに、清浄化装置の交換周期すなわち寿命が低下するので、一時待機空間とウエハ搬送空間の気圧差（差圧）はできるだけ小さい方が好ましい。したがって、差圧が０．４Ｐａとなるように、ロードロック１０の内部空間とウエハ搬送空間へ送り出す空気の量を制御するのがより好ましい。このようにすれば、より省エネルギーで、ウエハへのパーティクルの付着の防止を図ることができる。
【００４３】
また、気流制御装置１４からロードロック１０の内部空間へ噴出する気流が、ロードロック１０の内部空間において乱流になると、搬送装置の動作で少なからず発生するパーティクルや、清浄化装置で捕獲しきれなかったパーティクルが乱流により巻き上がりウエハに付着してしまう。
【００４４】
したがって、気流制御装置１４により、ロードロック１０の内部空間（一時待機空間）へ送り出した空気の気流がその内部空間で層流になるように、ロードロック１０への空気の送り出し角度を制御することが好ましい。このようにすれば、気流制御装置１４からロードロック１０へ噴出する気流は、ロードロック１０の内部空間を一定方向に流れる層流になり、搬送装置の動作で少なからず発生するパーティクルや、清浄化装置で捕獲しきれなかったパーティクルがロードロック１０の内部空間で巻き上がりウエハへ付着することを防止できる。
【００４５】
続いて、気流制御装置１４の一例について説明する。図２は本発明の実施の形態における気流制御装置の一例を示す側面図、図３はその気流制御装置の平面図をそれぞれ示す。また図４に、その気流制御装置を備えた半導体製造装置を示す。
【００４６】
図２〜図４に示すように、この気流制御装置１４は、多数の通気孔１５が貫通された平板と、その平板に連続する傾斜板からなり、傾斜板がロードロック１０側へ傾斜するように、清浄化装置６の下方に設置される。なお、図４には、気流制御装置を清浄化装置の筐体外側の下方に設置した場合について示しているが、無論、清浄化装置の筐体内側に設置してもよい。この気流制御装置１４によれば、ウエハ搬送空間へ通気孔１５から空気を供給し、ロードロック１０の内部空間へ傾斜板から空気を供給することができる。
【００４７】
また、この気流制御装置１４によれば、平板に設ける通気孔１５の径や数等により、ロードロック１０の内部空間とウエハ搬送空間へ送り出す空気量を制御することができる。図３には、一定の径の通気孔１５が一定の間隔で設けられている場合について示しているが、無論、この場合に限定されるものではない。
【００４８】
また、この気流制御装置１４によれば、傾斜板の平板に対する角度により、ロードロック１０への空気の送り出し角度を制御することができる。図２には、傾斜板の平板に対する角度が１５７度である場合について示している。この場合、ロードロック１０へ送る気流の噴出し角度は１５７度であり、これにより気流がロードロックへ２３度の方向に噴出する。なお、無論、傾斜板の平板に対する角度は１５７度に限定されるものではない。
【００４９】
以上のように、この気流制御装置１４によれば、清浄化装置６から噴出する空気をロードロック１０の内部空間とウエハ搬送空間へ分けて送るとともに、ロードロック１０の内部空間がウエハ搬送空間よりも陽圧となるように、ロードロック１０の内部空間とウエハ搬送空間へ送り出す空気量を制御し、かつロードロック１０の内部空間へ送り出した空気の気流がその内部空間で層流になるように、ロードロック１０への空気の送り出し角度を制御することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明にかかる半導体製造装置は、ウエハへのパーティクルの付着の防止や歩留まりの向上を図ることができ、半導体装置の製造装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の構成の一例を示す概念図
【図２】本発明の実施の形態に係る気流制御装置の一例を示す側面図
【図３】図２に示す気流制御装置の平面図
【図４】図２および図３に示す気流制御装置を備えた半導体製造装置の構成の一例を示す概念図
【図５】従来の半導体製造装置の概念図
【図６】従来のロードロック機構を備えた半導体製造装置の概念図
【図７】パーティクルを電子顕微鏡で撮影した写真、並びにパーティクルの成分分析結果を示す図
【符号の説明】
【００５２】
１      処理装置
２      ウエハ収納容器
３      ローダー
４      搬送装置
５      ステージ
６〜８      清浄化装置
９      排気装置
１０      ロードロック
１１      ゲート
１２      搬送装置から発生するパーティクル
１３      清浄化装置から発生するパーティクル
１４      気流制御装置
１５      通気孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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