(57)【要約】【課題】露光不良を抑制できるマスク、ステージ装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】マスクステージ１のマスク保持部３は、第１保持部材８と、第２保持部材９とを備える。第１保持部材８の熱膨張率と第２保持部材９の熱膨張率とは、異なる。第１保持部材８の熱膨張率と第２保持部材９の熱膨張率の差により、マスクＭを変形させる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状物体を保持するステージ装置であって、
前記板状物体を保持する保持部を備え、
前記保持部の前記板状物体との接触面は、第１熱膨張率の第１部材の表面の少なくとも一部を含む第１領域と、前記第１熱膨張率と異なる第２熱膨張率の第２部材の表面の少なくとも一部を含む第２領域とを含むステージ装置。
【請求項２】
前記板状物体が前記保持部に保持された状態において、前記第１領域は、前記第２領域よりも前記板状物体の中央部に近い請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記第１領域と前記第２領域とが異なる面積である請求項１または請求項２のいずれか一項に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記第１部材と前記第２部材とが同じ素材である請求項１〜３のいずれか一項に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記第１熱膨張率は、前記第２熱膨張率よりも低い請求項１〜４のいずれか一項に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記第２熱膨張率は、前記板状物体の熱膨張率よりも高い請求項１~５のいずれか一項に記載のステージ装置。
【請求項７】
前記保持部は第１空間を有し、
前記板状物体を前記保持部に載置することで、前記第１空間をほぼ閉空間とするとともに、前記第１空間を減圧にすることにより前記板状物体を前記接触面で吸着する請求項１〜６のいずれか一項に記載のステージ装置。
【請求項８】
マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系を含む露光装置であって
請求項１〜７のいずれか一項に記載のステージ装置を備えた、露光装置。
【請求項９】
前記板状物体は、前記マスクまたは前記基板を含む請求項８に記載の露光装置
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項１１】
マスク本体がパターン領域を有するリソグラフィ用のマスクであって、
前記パターン領域の第１側に、第１熱膨張率の第１部材の表面の少なくとも一部を含む第１領域と、前記第１熱膨張率と異なる第２熱膨張率の第２部材の表面の少なくとも一部を含む第２領域とを含むマスク。
【請求項１２】
前記第１領域は、前記第２領域よりも前記パターン領域の中央部に近い請求項１１に記載のマスク。
【請求項１３】
前記第１熱膨張率は、前記第２熱膨張率よりも低い請求項１１または請求項１２のいずれか一項に記載のマスク。
【請求項１４】
前記第２熱膨張率は、前記マスク本体の熱膨張率よりも高い請求項１１~１３のいずれか一項に記載のマスク。
【請求項１５】
請求項１１〜１４に記載のマスクを用いて基板を露光することと、前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク、ステージ装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置は、マスクを露光光で照明し、そのマスクを介した露光光で基板を露光する。マスクには、基板に投影する所定のパターンが形成されている。露光装置は、特許文献1に開示されているような、マスクを保持するステージ装置を備え、そのステージ装置に保持されたマスクを介して、露光光で基板を露光する。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／０２４８７４４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
マスクが変形した場合、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００４】
本発明の態様は、マスクの変形等に起因する露光不良の発生を抑制できるマスク、ステージ装置及び露光装置を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できる露光方法及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、板状物体を保持する保持部を備え、保持部の板状物体との接触面は、第１熱膨張率の第1部材の表面の少なくとも一部を含む第1領域と、第1熱膨張率とは異なる第２熱膨張率の第２部材の表面の少なくとも一部を含む第２領域とを含むステージ装置が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様に従えば、マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系を含む露光装置であって、第１の態様のステージ装置を備えた露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様に従えば、第２の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第４の態様に従えば、パターン領域を有するリソグラフィ用のマスクであって、パターン領域の第１側に、第１熱膨張率の第１部材の表面の少なくとも一部を含む第１領域と、第１熱膨張率と異なる第２熱膨張率の第２部材の表面の少なくとも一部を含む第２領域とを含むマスクが提供される。
【０００９】
本発明の第５の態様に従えば、第４の態様のマスクを用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の態様によれば露光不良の発生を抑制できる。また、本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板ステージ２に保持されている基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、を備えている。
【００１２】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式である。
【００１３】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態において、マスクＭは、例えばガラス板等の透明板にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。
【００１４】
マスクＭは、マスク本体ＭＨと、パターン領域ＡＰとを含む。本実施形態において、マスク本体ＭＨは、図４に示すように、ＸＹ平面において、矩形であり、Ｚ軸方向に厚さを有するプレート状の部材である。パターン領域ＡＰは、図４に示すように、ＸＹ平面において、マスク本体ＭＨのほぼ中央に、矩形に形成されている。パターン領域ＡＰは、本実施形態において、マスクＭの裏面Ｍｂに形成されている。また、本実施形態では、マスク本体ＭＨは、石英ガラスで形成されており、露光光ＥＬに対して透明である。
【００１５】
本実施形態において、照明系ＩＬは、パターン領域ＡＰをマスクＭの表面Ｍａ側より露光光ＥＬで照明する。
【００１６】
本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレ−ザ光を用いる。
【００１７】
マスクステ−ジ１は、マスクＭの裏面Ｍｂ（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持可能である。マスクステ−ジ１は、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。
【００１８】
投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパタ−ンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５または１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸とほぼ平行である。
【００１９】
基板ステ−ジ２は、基板Ｐの表面Ｐａ（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持可能である。基板ステ−ジ２は、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２０】
Ｘ軸方向、及びＹ軸方向におけるマスクステ−ジ１及び基板ステ−ジ２のそれぞれの位置情報は、レ−ザ干渉計を含む干渉計システム（不図示）で計測される。また、基板ステ−ジ２に保持された基板Ｐの表面の位置情報が、フォ−カス・レベリング検出システム（不図示）に検出される。
【００２１】
本実施形態において、基板Ｐは、デバイスを製造するための円形の基板であり、感光材（フォトレジスト）Ｒｇの膜を含む。
【００２２】
次に、図２および図３を参照しながら、マスクステージ１に関して説明する。図２は、本実施形態に係るマスクステージ１の一例を示す側断面図である。なお、図２においては、マスクＭがマスクステージ１に保持されている。図３は、本実施形態に係るマスクステージ１を上方（＋Ｚ側）から見た平面図の一例である。なお、図３にはマスクＭがマスクステージ１に保持されていない。
【００２３】
マスクステージ１は、マスクステージ本体ＳＴと、マスク保持部３と、透過領域ＴＡとを含む。
【００２４】
本実施形態において、マスクステージ本体ＳＴは、図３に示すように、ＸＹ平面において矩形であり、Ｚ軸方向に厚さを有するプレート状の部材である。透過領域ＴＡは、図３に示すように、ＸＹ平面において、マスクステージ本体ＳＴのほぼ中央に形成され、Ｙ軸方向を長手方向とする矩形の開口である。また、本実施形態において、マスクステージ本体ＳＴは、マスク保持部３及び透過領域ＴＡの周囲に形成された上面１ａを有する。上面１ａの一部は、マスク保持部３に保持されたマスクＭの裏面Ｍｂと対向する。
【００２５】
本実施形態において、マスク保持部３は、図２に示すように、マスクＭの裏面Ｍｂ（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを脱着可能に保持する。本実施形態において、マスク保持部３は、マスクＭの裏面Ｍｂ側でマスクＭを保持することができる。
【００２６】
本実施形態において、マスク保持部３は、第１マスク保持部３ａおよび第２マスク保持部３ｂを有する。図３に示すように、ＸＹ平面において、マスクステージ１の透過領域ＴＡ近傍の＋Ｘ側に第１マスク保持部３ａが設けられ、−Ｘ側に第２マスク保持部３ｂが設けられている。
【００２７】
次に、図２および図３を参照しながら、第１マスク保持部３ａについて詳細に説明する。第１マスク保持部３ａは、図２に示すように、マスクステージ本体ＳＴの上面１ａに設けられた凹部Ｏｕを含む。第１マスク保持部３ａの凹部Ｏｕは、図３に示すように、Ｙ軸方向とほぼ平行に延びている。第１マスク保持部３ａの凹部Ｏｕは、上面１ａの下方（−Ｚ軸方向）に設けられた矩形の底面５ａと、底面５ａの周囲に設けられた周壁Ｈとを含む。周壁Ｈは、底面５ａの外縁に沿って矩形環状に形成され、Ｚ軸方向とほぼ平行に底面５ａから上面１ａまで、延びている。底面５ａは、ＸＹ平面とほぼ平行であり、平坦である。また、第１マスク保持部３ａは、底面５ａに設けられた複数の吸引口４を含む。Ｘ軸方向において、底面５ａのほぼ中央に、Ｙ軸方向に沿って複数の吸引口４が配置されている。本実施形態においては、５つの吸引口４が底面５ａに設けられている。
なお、吸引口４の数は、５個に限られない。吸引口４の位置は、底面５ａの中央に限られない。複数の吸引口４のそれぞれは、第１マスク保持部３ａの下方にＺ軸方向とほぼ平行に延びるようにマスクステージ本体ＳＴに設けられた吸引流路１０ａと連通する。複数の吸引流路１０ａそれぞれは、図２に示すように吸引ポンプなどを含む真空システム１０と接続可能である。すなわち、吸引口４は、吸引流路１０ａを介して真空システム１０に接続可能である。
【００２８】
また、本実施形態において、第１マスク保持部３ａは、第１保持部材８と第２保持部材９とを有する。本実施形態において、図２、及び図３に示すように、第１マスク保持部３ａの凹部Ｏｕの−Ｘ側に第１保持部材８が配置され、＋Ｘ側に第２保持部材９が設けられている。凹部Ｏｕ内において、第１保持部材８と第２保持部材９との間にはギャップＧが形成されており、吸引口４は、第１保持部材８と第２保持部材９との間の空間（ギャップＧ）に面している。第１保持部材８と第２保持部材９のそれぞれは、図３に示すように、Ｙ軸方向とほぼ平行に延びている。また第１保持部材８と第２保持部材９のそれぞれは、図３に示すように、Ｙ軸方向において、凹部Ｏｕとほぼ同じ長さである。また、第１保持部材８と第２保持部材９のそれぞれは、図２および図３に示すように、Ｚ軸方向に厚さを有する部材である。
【００２９】
第１保持部材８は、側面８ｂと、側面８ｃと、側面８ｄと、側面８ｅと、マスクＭの裏面Ｍｂと接触する第１保持面８ａと、底面８ｆと、を含む。本実施形態において、第１保持部材８の＋Ｘ側に側面８ｂ、−Ｘ側に側面８ｃ、＋Ｙ側に側面８ｄ、−Ｙ側に側面８ｅが設けられている。側面８ｂは、吸引口４の−Ｘ側に、Ｚ軸方向とほぼ平行に底面５ａから第１保持面８ａまで延びている。側面８ｂは、ＹＺ平面において、ほぼ平行であり、平坦である。側面８ｃは、周壁Ｈと接触し、Ｚ軸方向とほぼ平行に底面５ａから第１保持面８ａまで延びている。側面８ｃは、ＹＺ平面において、ほぼ平行であり、平坦である。
側面８ｄは、周壁Ｈと接触し、Ｚ軸方向とほぼ平行に底面５ａから第１保持面８ａまで延びている。側面８ｄは、ＸＺ平面において、ほぼ平行であり、平坦である。側面８ｅは、周壁Ｈと接触し、Ｚ軸方向とほぼ平行に底面５ａから第１保持面８ａまで延びている。側面８ｅは、ＸＺ平面において、ほぼ平行であり、平坦である。底面８ｆは、底面５ａと接触している。底面８ｆは、ＸＹ平面において、ほぼ平行であり、平坦である。
【００３０】
第１保持面８ａは、側面８ｂの上端と、側面８ｃの上端と、側面８ｄの上端と、側面８ｅの上端との間に形成され、ＸＹ平面とほぼ平行に延びている。第１保持面８ａは、ＸＹ平面において、平坦である。第１保持面８ａは、マスクステージ本体ＳＴの上面１ａと面一である。第２保持部材９は、第１保持部材８と同じ形状である。第１保持部材８と同様に、第２保持部材９は、側面９ｂと、側面９ｃと、側面９ｄと、側面９ｅと、マスクＭの裏面Ｍｂと接触する第２保持面９ａと、底面９ｆと、を含み、＋Ｘ側に側面９ｂ、−Ｘ側に側面９ｃ、＋Ｙ側に側面９ｄ、−Ｙ側に側面９ｅが設けられている。第２保持部材８は、側面９ｂは、周壁Ｈと接触し、側面９ｃが、吸引口４の＋Ｘ側に延びている。側面９ｄおよび側面９ｅは、周壁Ｈと接触し、底面９ｆは、底面５ａと接触している。第１保持面８ａと同様、第２保持面９ａも、マスクステージ本体ＳＴの上面１ａと面一である。したがって、第２保持面９ａと第１保持面８ａと面一である。
【００３１】
本実施形態においては、図３に示すように、ＸＹ平面において、第１保持部材８は＋Ｙ側の端部と−Ｙ側の端部のそれぞれに＋Ｘ軸方向へ突出する突出部を有している。また、同様に、第２保持部材９は、＋Ｙ側端部と−Ｙ側端部のそれぞれに−Ｘ軸方向へ突出する突出部を有している。さらに、本実施形態では、第１保持部材８の＋Ｙ側の突出部と第２保持部材９の＋Ｙ側の突出部とが接触している。また、本実施形態では、第１保持部材８の−Ｙ側の突出部と第２保持部９の−Ｙ側の突出部とが接触している。したがって、本実施形態では、凹部Ｏｕの周壁Ｈに沿って矩形の枠が形成されるように、第１保持部材８と第２保持部材９とが凹部Ｏｕ内に配置されている。なお、本実施形態において、第１保持部８は、＋Ｙ側と、−Ｙ側とで＋Ｘ側に突出したが、突出させなくても良い。また、第１保持部材８と第２保持部材９とが接触していなくてもよい。
【００３２】
本実施形態において、第１保持面８ａの面積と第２保持面９ａの面積とは同じである。   本実施形態において、第１保持部材８の熱膨張率と第２保持部材９の熱膨張率とが異なる。本実施形態においては、第１保持部材８は、第１熱膨張率を有するセラミックスで形成され、第２保持部材９は、第１熱膨張率と異なる第２熱膨張率を有するセラミックスで形成されている。また、本実施形態において、第１保持部材８の熱膨張率は、第２保持部材９の熱膨張率と比較して低い。さらに、本実施形態において、第２保持部材９の熱膨張率は、マスク本体ＭＨ（石英）の熱膨張率よりも高い。
【００３３】
上述したように、透過領域ＴＡの−Ｘ側には第２マスク保持部３ｂが配置されている。第２マスク保持部３ｂと第１マスク保持部３ａとの違いは、図２および図３に示すように、第２マスク保持部３ｂの凹部の−Ｘ側に第１保持部材８が配置され、＋Ｘ側に第１保持部材８よりも熱膨張率が高い第２保持部材９が配置されている点にある。第２マスク保持部３ｂのその他の構成は、第１マスク保持部３ａとほぼ同一又は同等であり、その詳細説明を省略する。
【００３４】
次に、図２を参照しながら、マスクＭがマスクステージ１のマスク保持部３に保持された状態に関して説明する。
【００３５】
第１マスク保持部３ａにマスクＭが載置された状態において、図２に示すように、マスクＭの裏面Ｍｂの一部と、第１保持部材８の側面８ｂと、第２保持部材９の側面９ｃと、凹部Ｏｕの底面５ａとで囲まれた第１空間Ｓ１が形成される。上述したように、吸引口４は、吸引流路１０ａを介して真空システム１０に接続可能である。したがって、真空システム１０は、第１空間Ｓ１の気体を、吸引口４を介して吸引（排気）することが可能である。すなわち、真空システム１０を動作させることによって、第１マスク保持部３ａに、マスクＭが吸着保持される。真空システム１０による吸引動作を停止することにより、第１マスク保持部３ａから、マスクＭを外すことが可能になる。詳細説明を省略するが、第２マスク保持部材３ｂも同様にマスクＭを吸着保持することができる。すなわち、真空システム１０を動作させることによって、マスク保持部３に、マスクＭが吸着保持することができ、真空システム１０による吸引動作を停止することにより、マスク保持部３から、マスクＭを外すことが可能になる。
【００３６】
次に、本実施形態に係る露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。
【００３７】
マスクＭがマスクステージ１にロードされると、マスク保持部３とマスクＭの裏面Ｍｂとで囲まれた第１空間Ｓ１の気体が、吸引口４を介して真空システム１０により排気される。これにより、第１空間Ｓ１が負圧になり、マスクＭは、マスク保持部３に吸着保持される。
【００３８】
次に、露光前の基板Ｐは、所定の搬送装置を用いて、基板ステージ２にロードされ、基板Ｐは、基板ステージ２に保持される。
【００３９】
次に、照明系ＩＬより露光光ＥＬが射出される。照明系ＩＬからの露光光ＥＬは、マスクＭを照明する。これにより、マスクＭのパターンの像が投影光学系ＰＬによって基板Ｐの表面Ｐａに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、図４（ｂ）に示すように、照明系ＩＬからの露光光ＥＬの照明領域ＩＲは、マスクＭのパターン領域ＰＡの全域を覆うように設定されているので、マスクＭと基板Ｐとがほぼ静止した状態で、基板Ｐ上の第１ショット領域の露光が終了する。第１ショットの露光が終了すると、マスクＭと基板Ｐとを相対的に移動し、基板Ｐ上の第２ショット領域の露光を開始する。このようにして、基板Ｐ上の複数のショット領域にマスクＭのパターンが順次転写される。
【００４０】
次に、図５、図６および図７を参照しながら、マスクＭの変形に関して説明する。図５〜図７は、ＸＹ平面における、マスクＭの熱膨張（変形）の状態を説明するための図である。なお、図５〜７においては、膨張（変形）を誇張して図示している。
【００４１】
マスクＭに露光光ＥＬを照射すると、マスクＭの温度が上昇する。マスクＭの温度が上昇すると、マスクＭが熱により膨張する。例えば、マスクＭがマスク保持部に吸着保持されていない状態で、図４（ｂ）に示すようにマスクＭに露光光ＥＬを照射した場合、図５に示すように、マスクＭが熱膨張によって変形する。図５に示す例においては、マスクＭの熱膨張によって、矩形の形状Ｍ０（点線）から、マスクＭの各辺がマスクＭの中心に対してマスクＭの外側へ湾曲した形状Ｍ１（実線）に変形する。
【００４２】
また、マスクＭがマスク保持部に吸着保持されている場合には、マスク保持部に吸着保持されている部分（吸着部）においてマスクＭの変形が抑制される。図６は、マスクＭが、パターン領域ＡＰの＋Ｘ側と−Ｘ側の吸着部Ｖで吸着保持されている状態で熱膨張した例を示している。パターン領域ＡＰの＋Ｘ側と−Ｘ側との吸着部Ｖにおいて、マスクＭの変形が部分的に抑制されているため、パターン領域ＡＰの＋Ｘ側、及び−Ｘ側においては、マスクＭの中心へ向かう力が作用する。
【００４３】
したがって、マスクＭは、図６に示すように、マスクＭの＋Ｘ側の辺および−Ｘ側の辺が、マスクＭの中心に向かって湾曲した形状Ｍ２（実線）となる。一方、パターン領域ＡＰの＋Ｙ側と−Ｙ側には、マスク保持部に保持（固定）される吸着部が存在しないため、マスクＭは、図６に示すように、マスクＭの＋Ｙ側の辺、及び−Ｙ側の辺が、マスクＭの中心に対して外側へ湾曲した形状Ｍ２（実線）となる。
【００４４】
図５に示すように、マスクＭの各辺がほぼ同等に変形するようにマスクＭが熱膨張する場合には、投影光学系ＰＬの調整などによって、ほぼ所望の形状のパターン像を基板Ｐ上に投影することが可能であるが、図６に示すように、マスクＭの各辺の変形が大きく異なるようにマスクＭの熱膨張が生じた場合には、基板Ｐ上に投影されるパターン像を所望の形状で投影することが困難となり、露光不良が発生する可能性がある。
【００４５】
そこで、本実施形態では、マスク保持部３に熱膨張率の異なる第１保持部材８と第２保持部材９とが備えられている。
【００４６】
図７は、本実施形態のマスク保持部３に保持された状態でマスクＭが熱膨張した例を説明するための図である。なお、図７において、マスクＭと共に、マスク保持部３（３ａ，３ｂ）を図示している。以下、図７を参照しながら、本実施形態の第１マスク保持部３ａにマスクＭを保持した状態に関して説明する。
【００４７】
マスクＭがマスクステージ１に保持されている状態で、マスクＭの温度が上昇すると、マスクＭからの熱によって第１マスク保持部３ａの第１保持部材８と第２保持部材９の温度が上昇し、第１保持部材８と第２保持部材９とが熱膨張する。本実施形態において、第１保持部材８の熱膨張率は、第２保持部材９の熱膨張率よりも低く、第２保持部材９よりも第１保持部材８の熱膨張が大きいので、第１マスク保持部３ａは、図７に示すように、＋Ｘ軸方向に凸状に変形する。第１保持部３ａはマスクＭを吸着保持（固定）しているので、第１マスク保持部３ａの変形に伴い、マスクＭの＋Ｘ側の吸着部の近傍に＋Ｘ軸方向の力を作用させることができる。すなわち、第１マスク保持部３ａが熱膨張すると、マスクＭの＋Ｘ側の吸着部に、マスクＭの中心に対してマスクＭの外側へ向かう力（＋Ｘ軸方向の力）が作用し、マスクＭが＋Ｘ軸方向に引き伸ばされる。同様に、第２マスク保持部３ｂが−Ｘ軸方向に凸状に変形することによって、マスクＭの−Ｘ側の吸着部に−Ｘ軸方向の力が作用し、マスクＭが−Ｘ軸方向に引き伸ばされる。
【００４８】
したがって、本実施形態においては、マスクＭが熱膨張した場合にも、マスクＭのＸ軸方向の辺とＹ軸方向の辺の変形が大きく異なる形状Ｍ２（点線）ではな
く、各辺がほぼ同等に変形した形状Ｍ３（実線）にマスクＭを変形させることが可能である。図７に示すように、形状Ｍ３では、各辺がほぼ同等に変形しているので、投影光学系ＰＬの調整などによって、ほぼ所望の形状のパターン像を基板Ｐの上に投影することが可能である。したがって、露光不良を抑制することが可能である。
【００４９】
以上、説明したように、マスク保持部３に熱膨張率の異なる第１保持部材８と第２保持部材９とが備えられているので、マスクＭが熱膨張した場合にも、マスクＭの各辺がほぼ同等に変形した形状に変形することができる。したがって、露光不良を抑制することができる。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００５０】
第２実施形態においても、マスクＭを第１実施形態のマスクステージ１のマスク保持部３に保持する。なお、第２実施形態においては、マスクステージ１のマスク保持部３に熱膨張率の異なる部材を使用しなくてもよい。
【００５１】
第２実施形態においては、マスクＭの構成（構造）が第１実施形態と異なっている。図８は、本実施形態に係るマスクＭの裏面Ｍｂを上方（＋Ｚ側）から見た平面図である。図９は、本実施形態に係るマスクＭの側断面図である。
【００５２】
図８および図９を参照しながら、本実施形態のマスクＭに関して説明する。
【００５３】
本実施形態のマスクＭは、マスク本体ＭＨと、パターン領域ＡＰと、マスク吸着部２０とを含む。マスク保持部３は、裏面ＭｂとＸＹ平面とがほぼ平行になるように、マスク吸着部２０を脱着可能に保持する。
【００５４】
本実施形態において、マスク吸着部２０は、第１マスク吸着部２０ａおよび第２マスク吸着部２０ｂを有する。図８に示すように、ＸＹ平面において、マスクＭのパターン領域ＡＰ近傍の＋Ｘ側に第１マスク吸着部２０ａが設けられ、−Ｘ側に第２マスク吸着部２０ｂが設けられている。
【００５５】
次に、図８および図９を参照しながら、第１マスク吸着部２０ａについて詳細に説明する。第１マスク吸着部２０ａは、図９に示すように、マスク本体ＭＨの裏面Ｍｂに設けられた凹部Ｕｂを含む。第１マスク吸着部２０ａの凹部Ｕｂは、図８に示すように、Ｙ軸方向とほぼ平行に延びている。第１マスク吸着部２０ａの凹部Ｕｂは、裏面Ｍｂの下方（−Ｚ軸方向）に設けられた矩形の底面３０ａと、底面３０ａの周囲に設けられた周壁Ｋとを含む。周壁Ｋは、底面３０ａの外縁に沿って矩形環状に形成され、Ｚ軸方向とほぼ平行に底面３０ａから裏面Ｍｂまで延びている。底面３０ａは、ＸＹ平面とほぼ平行であり、平坦である。
【００５６】
また、本実施形態において、第１マスク吸着部２０ａは、第１熱膨張部材２１と、第２熱膨張部材２２とを有する。本実施形態において、図８、及び図９に示すように、第１マスク吸着部２０ａの凹部Ｕｂの−Ｘ側に第１熱膨張部材２１が配置され、＋Ｘ側に第２熱膨張部材２２が設けられている。凹部Ｕｂ内において、第１熱膨張部材２１と第２熱膨張部材２２との間にはギャップは形成されておらず、第１熱膨張部材２１と第２熱膨張部材２２とが密接している。なお、第１熱膨張部材２１と第２熱膨張部材２２との間にギャップを設けても構わない。
【００５７】
第１熱膨張部材２１と第２熱膨張部材２２のそれぞれは、図８および図９に示すように、Ｚ軸方向に厚さを有する部材である。
【００５８】
第１熱膨張部材２１は、側面２１ｂと、側面２１ｃと、側面２１ｄと、側面２１ｅと、マスクステージ１の第１マスク保持部３ａの第１保持面８ａで保持される第１吸着部２１ａと、底面２１ｆと、を含む。本実施形態において、図８および図９に示すように、第１熱膨張部材２１の＋Ｘ側に側面２１ｂ、−Ｘ側に側面２１ｃ、第１熱膨張部材２１の＋Ｙ側に側面２１ｄ、−Ｙ側に側面２１ｅ、−Ｚ側に底面２１ｆが設けられている。側面２１ｂは、第２熱膨張部材２２の側面２２ｃと接触し、Ｚ軸方向とほぼ平行に底面３０ａから第１吸着部２１ａまで延びている。側面２１ｂは、ＹＺ平面においてほぼ平行である。側面２１ｃは、周壁Ｋと接触し、Ｚ軸方向とほぼ平行に底面３０ａから第１吸着部２１ａまで延びている。側面２１ｃは、ＹＺ平面においてほぼ平行である。側面２１ｄは、周壁Ｋと接触し、Ｚ軸方向とほぼ平行に底面３０ａから第１吸着部２１ａまで延びている。側面２１ｄは、ＸＺ平面においてほぼ平行である。側面２１ｅは、周壁Ｋと接触し、Ｚ軸方向とほぼ平行に底面３０ａから第１吸着部２１ａまで延びている。側面２１ｅは、ＸＺ平面においてほぼ平行である。底面２１ｆは、底面３０ａと接触している。底面２１ｆは、ＸＹ平面において、ほぼ平行であり、平坦である。
【００５９】
第１吸着部２１ａは、側面２１ｂの上端と、側面２１ｃの上端と、側面２１ｄの上端と、側面２１ｅの上端との間に形成され、ＸＹ平面とほぼ平行に延びている。第１吸着部２１ａは、マスクＭの裏面Ｍｂと面一である。
【００６０】
第２熱膨張部材２２は、側面２２ｂと、側面２２ｃと、側面２２ｄと、側面２２ｅと、マスクステージ１の第1マスク保持部３ａの第２保持面９ａで保持される第２吸着部２２ａと、底面２２ｆと、を含む。第２熱膨張部材２２は、第１熱膨張部材２１と同じ形状である。第１熱膨張部材２１と同様に、第２熱膨張部材２２は、＋Ｘ側に側面２２ｂ、−Ｘ側に側面２２ｃ、＋Ｙ側に側面２２ｄ、−Ｙ側に側面２２ｅ、−Ｚ側に底面２２ｆが設けられている。
【００６１】
第２熱膨張部材２２は、側面２２ｂは、周壁Ｋと接触し、側面２２ｃは、第１熱膨張部材２１の側面２１ｂと接触している。側面２２ｄは、周壁Ｋと接触し、側面２２ｅは、周壁Ｋと接触し、底面２２ｆは、底面３０ａと接触している。第１吸着部２１ａと同様に、第２吸着部２２ａは、マスクＭの裏面Ｍｂと面一である。すなわち、第２吸着部２２ａと第１吸着部２１ａとは、面一である。
【００６２】
本実施形態において、第１吸着部２１ａの面積と第２吸着部２２ａの面積とは同じである。本実施形態において、第１熱膨張部材２１の熱膨張率と第２熱膨張部材２２の熱膨張率とが異なる。また、本実施形態において、第1熱膨張部材２１の熱膨張率は、第２熱膨張部材２２の熱膨張率と比較して低い。
【００６３】
上述したように、パターン領域ＡＰの−Ｘ側には第２マスク吸着部２０ｂが配置されている。第１マスク吸着部２０ａと第２マスク吸着部２０ｂの違いは、図８および図９に示すように、第２マスク吸着部２０ｂの凹部Ｕｂの−Ｘ側に第１熱膨張部材２１が配置され、＋Ｘ側に第２熱膨張部材２２が配置されている点にある。第２マスク吸着部２０ｂのその他の構成は、第１マスク吸着部２０ａとほぼ同一又は同等であり、その詳細説明を省略する。
【００６４】
本実施形態において、マスクＭがマスクステージ１のマスク保持部３に保持された状態に関して説明する。
【００６５】
マスク保持部３（３ａ、３ｂ）にマスクＭが載置された状態において、第１吸着部２１ａの一部は、第１保持面８ａと接触し、第２吸着部２２ａの一部は、第２保持面９ａと接触する。詳細説明を省略するが、マスク吸着部２０とマスク保持部３とで第１空間Ｓ１が形成される。上述したように、真空システム１０を動作させることによって、マスク保持部３に、マスクＭが吸着保持することができ、真空システム１０による吸引動作を停止することにより、マスク保持部３から、マスクＭを外すことが可能になる。
【００６６】
次に、上記構成のマスクＭを用いた露光処理に関して説明する。
【００６７】
上述したように、パターン領域ＡＰの＋Ｘ側と−Ｘ側とでマスクＭを吸引による保持している状態でマスクＭが熱膨張すると、図６に示すようにマスクＭが形状Ｍ２（実線）に変形する可能性がある。形状Ｍ２（実線）は、マスクＭのＸ側の辺とＹ側の辺の形状が大きく異なるので、基板Ｐ上の投影されるパターン像を所望の形状で投影することが困難となり、露光不良が発生する可能性がある。
【００６８】
そこで、本実施形態では、マスク吸着部２０に熱膨張率の異なる第１熱膨張部材２１と第２熱膨張部材２２が備えられている。
【００６９】
第１マスク保持部３ａにマスクＭの第１マスク吸着部２０ａを保持した状態に関して説明する。
【００７０】
上述したように、マスクＭに露光光ＥＬを照射すると、マスクＭの温度が上昇する。マスクＭの温度が上昇すると、第１マスク吸着部２０ａの第１熱膨張部材２１と第２熱膨張部材２２が熱膨張する。本実施形態において、第１熱膨張部材２１の熱膨張率は、第２熱膨張部材２２の熱膨張率よりも低いので、第１マスク保持部３ａと同様、第１マスク吸着部２０ａは、＋Ｘ軸方向に凸状に変形する。第１マスク吸着部２０ａの変形に伴い、マスクＭの第１マスク吸着部２０ａの近傍に＋Ｘ軸方向の力を作用させることができる。同様に、第２マスク吸着部２０ｂの近傍に−Ｘ軸方向の力を作用させることができる。本実施形態においては、マスク保持部３の変形（熱膨張）だけでなく、第１マスク吸着部２０ａと第２マスク吸着部２０ｂの変形（熱膨張）によって、それらの近傍に力を作用させることができるので、マスクＭが熱膨張した場合にも、マスクＭの各辺をほぼ同等の形状に変形することができる。
【００７１】
以上、説明したように、本実施形態においては、マスク吸着部２０に熱膨張率の異なる第１熱膨張部材２１と第２熱膨張部材２２とが備えられているので、マスクＭが熱膨張した場合にも、マスクＭの各辺をほぼ同等の形状に変形することができる。したがって、露光不良を抑制することができる。
【００７２】
第１熱膨張部材２１および第２熱膨張部材２２には、金属、有機材料、無機材料、もしくはそれらの混合物など、適宜最適なものを選択するのが望ましい。また、上述の実施形態では、熱膨張率の違う二種類の素材（材料）を用いたが、素材の種類は二種類に限らない。例えば、第１熱膨張部材２１と第２熱膨張部材２２に同一の素材を用い、密度などの物性を変えて、第１熱膨張部材２１の熱膨張率と第２熱膨張部材２２の熱膨張率を異なるようにしてもよい。
【００７３】
上述の実施形態では、パターン領域ＡＰの＋Ｘ側に第１マスク吸着部２０ａと−Ｘ側に第２マスク吸着部２０ｂとが設けられているが、＋Ｙ側と−Ｙ側とに設けられていてもよい。また、マスク吸着部２０は、パターン領域ＡＰの近傍の少なくとも一つの側に、少なくとも一つのマスク吸着部２０が設けられていればよい。
【００７４】
なお、上述の実施形態では、第１吸着部２１ａの面積と第２吸着部２２ａの面積とが同じであったが、異なっていても構わない。
すなわち、第１熱膨張部材２１および第２熱膨張部材２２の長さ、幅、厚さは適宜最適なものを選択するのが望ましい。
【００７５】
また、上述の実施形態において、第１吸着部２１ａおよび第２吸着部２２ａとマスクＭの裏面Ｍｂを面一にしたが、第１吸着部２１ａのＺ軸方向の位置および第２吸着部２２ａのＺ軸方向の位置とマスクＭの裏面ＭｂのＺ軸方向の位置は、異なっていてもよい。また、第１熱膨張部材２１および第２熱膨張部材２２はマスクＭの一部分埋設されているが、マスクＭに貫通孔を設け埋設しても構わない。また、マスクＭの裏面Ｍｂもしくは表面Ｍａに当接（接着）また、埋設と当接を併用していても構わない。
【００７６】
なお、上述の実施形態では、第２熱膨張部材２２の熱膨張率をマスクＭの熱膨張率よりも高くしたが、第２熱膨張部材２２の熱膨張率をマスクＭの熱膨張率と同等もしくは低くしても構わない。また、第１熱膨張部材２１の熱膨張率をマスクＭの熱膨張率よりも高くしても構わない。すなわち、第１熱膨張部材２１および第２熱膨張部材２２は、適宜最適な熱膨張率を有するものを選択するのが望ましい。
【００７７】
なお、上述の実施形態では、第１マスク吸着部２０ａの近傍に＋Ｘ側に力を作用させ、マスクＭを所望の形状に変化させたが、第１マスク吸着部２０ａの凹部Ｕｂの−Ｘ側に第２熱膨張部材２２を配置し、＋Ｘ側に第１熱膨張部材２１を設け、第１マスク吸着部２０ａの近傍に−Ｘ側に力を作用させ、マスクＭを所望の形状に変化させても良い。すなわち、第１熱膨張部材２１、第２熱膨張部材２２は、適宜最適に配置するのが望ましい。
【００７８】
なお、上述の実施形態において、第１保持部材８および第２保持部材９にセラミックスを用いたが、これに限られない。第１保持部材８、第２保持部材９、には、金属、有機材料、無機材料、もしくはそれらの混合物など、適宜最適なものを選択することが望ましい。
また、上述の実施形態では、熱膨張率の違う二種類の素材（材料）を用いたが、素材の種類は二種類に限らない。例えば、第１保持部材８と第２保持部材９に同一の素材を用い、密度などの物性を変えて、第１保持部材８の熱膨張率と第２保持部材９の熱膨張率を異なるようにしてもよい。
【００７９】
また、上述の各実施形態においては、透過領域ＴＡ近傍の＋Ｘ側に第１マスク保持部３ａと−Ｘ側に第２マスク保持部３ｂとが設けられているが、＋Ｙ側と−Ｙ側とに設けられていてもよい。また、マスク保持部３は、マスクステージ１の透過領域ＴＡの近傍の少なくとも１つの側に、少なくとも１つのマスク保持部３が設けられていればよい。
【００８０】
なお、上述の実施形態では、第１保持面８ａの面積と第２保持面９ａの面積とが同じであったが、異なっていても構わない。すなわち、第１保持部材８および第２保持部材９の長さ、幅、厚さは適宜最適なものを選択するのが望ましい。
【００８１】
なお、上述の実施形態において、第１保持部材８と第２保持部材９との間にギャップが設けてあるが、第１保持部材８と第２保持部材９の間にギャップを設けなくてもよい。例えば、第１保持部材８と第２保持部材９を隣接させるとともに、第２保持部材９と周壁Ｈとの間にギャップを設け、吸引口４をそのギャップに面するように配置してもよい。
【００８２】
また、上述の実施形態において、第１保持面８ａおよび第２保持面９ａとマスクステージ１の上面１ａを面一にしたが、第１保持面８ａのＺ軸方向の位置および第２保持面９ａのＺ軸方向の位置とマスクステージ１の上面１ａのＺ軸方向の位置は、異なっていてもよい。
【００８３】
また、上述の実施形態では、第２保持部材９の熱膨張率をマスクＭの熱膨張率よりも高くしたが、第２保持部材９の熱膨張率をマスクＭの熱膨張率と同等もしくは低くしても構わない。また、第１保持部材８の熱膨張率をマスクＭの熱膨張率よりも高くしても構わない。すなわち、第１保持部材８および第２保持部材９は、適宜最適な熱膨張率を有するものを選択するのが望ましい。
【００８４】
なお、上述の実施形態では、第１マスク保持部３ａの近傍に＋Ｘ側に力を作用させ、マスクＭを所望の形状に変化させたが、第１マスク保持部３ａの凹部Ｏｕの−Ｘ側に第２保持部材９を配置し、＋Ｘ側に第１保持部材８を設け、第１マスク保持部３ａの近傍に−Ｘ側に力を作用させ、マスクＭを所望の形状に変化させても良い。すなわち、第１保持部材８、第２保持部材９は、適宜最適に配置するのが望ましい。
【００８５】
なお、マスク保持部３は、ピンチャック構造を含でもよい。ピンチャック構造を含むマスク保持部３は、例えば、欧州特許出願公開第１７１３１１５号明細書に記載されている。
【００８６】
また、本実施形態において、マスクＭの吸着部の近傍に熱膨張率の差により力を作用させたが、発生する力はこれに限らない。例えば、熱膨張率の同じ第１保持部材８と第２保持部材９を用い、第１保持面８ａのＸ軸方向の幅より第２保持部面９ａのＸ軸方向の幅を薄くし、Ｘ軸方向の幅の差により力を発生しても構わない。
【００８７】
また、上述の実施形態では、第１マスク保持部３ａと第２マスク保持部３ｂのそれぞれを同一の真空システム１０に接続可能にし、第１マスク保持部３ａと第２マスク保持部３ｂを同時に制御可能としているが、第１マスク保持部３ａと第２マスク保持部３ｂを独立した真空システムに接続し、第１マスク保持部３ａと第２マスク保持部３ｂを独立に制御してもよい。なお、真空システム１０は、露光装置ＥＸが備えていてもよいし、露光装置ＥＸが設置される工場などの設備であってもよい。
【００８８】
なお、本実施形態では、マスク本体ＭＨに石英ガラスを用いたが、マスク本体ＭＨに、石英ガラスの他に、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウムまたは水晶など、適宜最適なものを選択することが望ましい。
【００８９】
また、上述の第１実施形態および第２実施形態では、マスクＭを変形させたが、他の板状物体（例えば、基板Ｐ）でも構わない。
【００９０】
また、上述の第１実施形態および第２実施形態では、マスクＭを減圧吸着し、マスクステージ１に保持したが、例えば、静電吸着、あるいは減圧吸着と静電吸着を併用して、マスクＭをマスクステージ１に保持してもよい。
【００９１】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００９２】
なお、露光装置ＥＸとしては、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置を用いたが、これに限らない。例えば、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）のにも適用することができる。
【００９３】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００９４】
また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【００９５】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００９６】
更に、例えば対応米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
【００９７】
更に、例えば対応米国特許出願公開第２００５／０２１９４８８号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７３８５６号明細書等に開示されているように、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置にも適用できる。
【００９８】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００９９】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【０１００】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、反射型マスクでも構わない。また、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。
【０１０１】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。
【０１０２】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１０３】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１０４】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１０に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１０５】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係るマスクステージ１の一例を示す側断面図である。
【図３】本実施形態に係るマスクステージ１の一例を示す平面図である。
【図４】マスクＭの一例を示す平面図である。
【図５】マスクＭの熱膨張の様子を説明する図である。
【図６】マスクＭの形状を示す図である。
【図７】本実施形態に係るマスクＭの形状を示す図である。
【図８】本実施形態に係るマスクＭの一例を示す平面図である。
【図９】本実施形態に係るマスクＭの一例を示す側断面図である。
【図１０】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート。
【符号の説明】
【０１０７】
１---マスクステージ、１ａ---上面、２---基板ステージ、３---マスク保持部、３ａ---第１マスク保持部、３ｂ---第２マスク保持部、４---吸引口、５ａ---上面、８---第１保持部材、８ａ---第１保持面、８ｂ---側面、８ｃ---側面、８ｄ---側面、８ｅ---側面、８ｆ---底面、９---第２保持部材、９ａ---第２保持面、９ｂ---側面、９ｃ---側面、９ｄ---側面、９ｅ---側面、９ｆ---底面、１０---真空システム、１０ａ---吸引流路、２０---マスク吸着部、２０ａ---第１マスク吸着部、２０ｂ---第２マスク吸着部、２１---第１熱膨張部材、２１ａ---第１吸着部、２１ｂ---側面、２１ｃ---側面、２１ｄ---側面、２１ｅ---側面、２１ｆ---底面、２２---第２熱膨張部材、２２ａ---第２吸着部、２２ｂ---側面、２２ｃ---側面、２２ｄ---側面、２２ｅ---側面、２２ｆ---底面、３０ａ---上面、ＡＰ---パターン領域、ＡＸ---光軸、ＥＬ---露光光、ＥＸ---露光装置、Ｇ---ギャップ、Ｈ---周壁、ＩＬ---照明系、ＩＲ---照明領域、Ｋ---周壁、Ｍ---マスク、Ｍａ---表面、Ｍｂ---裏面、ＭＨ---マスク本体、Ｍ０---形状、Ｍ１---形状、Ｍ２---形状、Ｍ３---形状、Ｏｕ---凹部、Ｐ---基板、Ｐａ---表面、ＰＬ---投影光学系、ＰＲ---投影領域、Ｒｇ---感光材、Ｓ1---第１空間、ＳＴ---ステージ本体、ＴＡ---透過領域、Ｕｂ---凹部、Ｖ---吸着部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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