(57)【要約】      （修正有）【課題】窪みの底面に形成した貫通孔に導電ペーストを容易に充填でき、裏面の平坦化も容易であり、電子素子の実装も容易となる電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】窪み３と、その窪み３の底面を貫通する貫通孔４とを有する基板７０を形成する工程と、窪み３が形成された窪み面側から貫通孔４を塞ぐ位置に弾性を有する弾性部材７４を配置する工程と、窪み３側とは逆の平面側から貫通孔４に導電ペースト１２を充填する工程と、窪み３が形成された窪み３側面から弾性部材７４を除去する工程と、導電ペースト１２に導通するように電子素子７７を実装する工程と、を含む。【選択図】図１
2010182967.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、基板に実装された電子素子と、を備える電子部品の製造方法において、
窪みと、当該窪みの底面を貫通する貫通孔とを有する基板を形成する工程と、
前記窪みが形成された窪み面側から前記貫通孔を塞ぐ位置に弾性を有する弾性部材を配置する工程と、
前記窪み側とは逆の平面側から前記貫通孔に導電ペーストを充填する工程と、
前記窪みが形成された窪み面側から前記弾性部材を除去する工程と、
前記導電ペーストに導通するように前記電子素子を実装する工程と、を含む電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記基板を形成する工程は、前記窪みにテーパーを形成することを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記基板を形成する工程は、前記貫通孔にテーパーを形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記導電ペーストを充填する工程は、スクリーン印刷方式により行なわれることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記導電ペーストを充填する工程は、ディスペンサ方式により行なわれることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記基板を形成する工程は、前記基板に複数の前記窪みと複数の前記貫通孔を形成し、
複数の前記窪みのそれぞれに対応し、複数の前記貫通孔を塞ぐ位置に配置される複数の前記弾性部材は一体に形成されたことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージと、そのパッケージに実装した電子素子とを有する電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＲＦデバイス、光デバイスや、半導体素子を載置した回路基板等が使用される電子デバイスの分野において、基板の表面から裏面にかけて貫通する貫通電極が形成されている。特に、ＲＦデバイスや光デバイスにおいては、小型化、低抵抗化及び熱伝導性の向上が求められる。
【０００３】
図１５は、貫通電極が形成された基板を使用した静電容量型圧力センサの断面構造を表す（特許文献１）。この圧力センサは、ガラス基板５５の上に、凹部が形成された半導体基板５１を、凹部側をガラス基板側にして陽極接合した構造を有する。半導体基板５１の凹部は密閉空間となっており、この密閉空間のガラス基板５５側にはメタライズ層６３と固定電極５４からなる積層電極が形成されている。密閉空間の半導体基板５１側の凹部には変位電極５３が形成されている。ガラス基板５５には金属線６０が埋め込まれて貫通電極が形成され、積層電極と裏面に形成されたバンプ６４との間の導通がとられている。同様に、半導体基板５１の上面にはアルミ配線６２が形成され、そのアルミ配線６２が半導体基板５１を貫通して延在し、変位電極５３と電気的に接続されている。このように、基板を貫通する貫通電極を形成することにより、実装面積が小さく、信頼性の高いデバイスを提供することができる、というものである。
【０００４】
上記ガラス基板５５に金属線６０を埋め込む方法は次の通りである。ガラス材料を約１５００〜１６００℃に加熱して溶融する。次に、２６００℃以上の高融点金属、例えばモリブデンやタングステンをこの溶融ガラスに埋め込んで除冷する。これをスライスして切り出し、切り出した板を研磨して貫通電極入りのガラス基板とする。
【０００５】
また、上記の他に、基板に貫通電極を形成する方法としては、基板に貫通孔を形成し、この貫通孔の側壁にメッキ処理を施してＣｕやＮｉ等の金属膜を堆積する方法、或いは、導電性フィラーと樹脂バインダーを混練した導電性ペーストを貫通孔に充填し、比較的低温で焼成して貫通電極とする方法などが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２０１４１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載される貫通電極の形成方法では、貫通孔が形成されているガラス基板は、その貫通孔が形成された表面及び裏面が平面である。そのため、貫通孔に導電ペーストを充填し易く、その後においても研磨工程などの平坦化処理を施すことにより、不要箇所の導電ペーストを除去し、平坦な表面を形成することが容易である。しかし、貫通孔が形成されているガラス基板５５に窪みが形成されていると、貫通電極の形成が容易ではない。
【０００８】
例えば、導電ペーストを貫通孔にスクリーン印刷法等により充填する場合、窪みが形成された側から印刷すると、貫通孔以外の窪みの内壁や底面にも導電ペーストが印刷されてしまう。更に、この内壁や底面に印刷された導電ペーストを除去することも難しい。また、窪みが形成されていない側から印刷すると、貫通孔に充填された導電ペーストの窪みの側の表面が窪みの底面に達しなかったり、窪みの底面から突出したりして、導電ペーストの表面を窪みの底面に一致させることが難しい。また、ディスペンサを用いて窪みの側から貫通孔に導電ペーストを充填すると、導電ペーストがそのチクソ性の影響で尾を引き、表面に角状の突起が残ってしまう。この突起は、その上に実装する電子部品に局所的な応力を加え、実装の際に電子部品が割れる等の原因となった。また、窪みの底面に突起が残ると、これを平坦化するのも容易でない。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明においては、上記課題を解決するために、以下の構成とした。
【００１０】
（１）  基板と、基板に実装された電子素子と、を備える電子部品の製造方法において、窪みと、当該窪みの底面を貫通する貫通孔とを有する基板を形成する工程と、前記窪みが形成された窪み面側から前記貫通孔を塞ぐ位置に弾性を有する弾性部材を配置する工程と、前記窪み側とは逆の平面側から前記貫通孔に導電ペーストを充填する工程と、前記窪みが形成された窪み面側から前記弾性部材を除去する工程と、前記導電ペーストに導通するように前記電子素子を実装する工程と、を含む電子部品の製造方法とした。
【００１１】
（２）  （１）に記載の電子部品の製造方法において、前記基板を形成する工程は、前記窪みにテーパーを形成するようにした。
【００１２】
（３）  （１）又は（２）のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、前記基板を形成する工程は、前記貫通孔にテーパーを形成するようにした。
【００１３】
（４）  （１）から（３）のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、前記導電ペーストを充填する工程は、スクリーン印刷方式により行なわれるようにした。
【００１４】
（５）  （１）から（３）のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、前記導電ペーストを充填する工程は、ディスペンサ方式により行なわれるようにした。
【００１５】
（６）  （１）から（５）のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、前記基板を形成する工程は、前記基板に複数の前記窪みと複数の前記貫通孔を形成し、複数の前記窪みのそれぞれに対応し、複数の前記貫通孔を塞ぐ位置に配置される複数の前記弾性部材は一体に形成されるようにした。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、基板に窪みと、その窪みの底面に貫通孔を形成し、窪みが形成された面側から貫通孔を塞ぐ位置に弾性部材を配置し、基板の裏面側から貫通孔に導電ペーストを充填して貫通電極を形成した。これにより、窪みの底面に形成した貫通孔に導電ペーストを容易に充填でき、更には、裏面の研磨処理等によりその平坦化も容易である。加えて、窪みの底面と、その底面に露出する貫通電極の表面とを略同一平面に平坦化することができるので、電子部品の実装が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を説明するための模式図である。
【図２】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。
【図３】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。
【図４】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。
【図５】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。
【図６】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。
【図７】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。
【図８】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。
【図９】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。
【図１０】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。
【図１１】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す模式図である。
【図１２】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。
【図１３】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。
【図１４】本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す模式図である。
【図１５】従来公知の発光デバイスの断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の電子部品の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明に係る電子部品の製造方法の基本的な工程を説明するための図である。図１（ａ）は、窪み３と貫通孔４を形成した基板７０の断面模式図であり、（ｂ）は、窪み３の底面７１に弾性部材７４を当接した状態の断面模式図であり、（ｃ）は、貫通孔４に導電ペースト１２を充填する状態の断面模式図であり、（ｄ）は、窪み３の底面７１から弾性部材７４を除去した基板７０の断面模式図であり、（ｅ）は、窪み３の底面７１に電子素子７７を実装した基板７０の断面模式図である。
【００２０】
まず、図１（ａ）に示すように、窪み３と窪み３の底面７１から裏面７２にかけて貫通する貫通孔４を有する基板７０を準備する。基板７０として、ガラス基板やセラミックス基板、あるいはプラスチック基板を使用することができる。窪み３や貫通孔４は、基板７０の成形プレス法により形成することができる。また、基板７０は、予め窪み３を形成した基板と貫通孔４を形成した基板を接合して形成することができる。また、サンドブラストやエッチングにより窪み３や貫通孔４を形成してもよい。貫通孔４は、１個や２個であってもよいし、３個以上の多数個であってもよい。
【００２１】
窪み３の内壁は、底面７１から表面７３に向けてテーパーを有している。実装する電子素子７７としてＬＥＤ素子を使用する場合に、テーパーを有する内壁に反射面を形成することにより、ＬＥＤ素子から発光した光を効率よく上方に出射させることができる。また、窪み３にテーパーを形成することにより、型を用いた成形法で窪み３を形成する場合に、形の離型性を向上させることができる。また、図１（ａ）に示すように、貫通孔４の縦断面は、裏面７２から底面７１に末広状に形成した。これにより、貫通孔４を、型を用いた成形法により形成する場合に、基板７０からの型の離型性を向上させることができる。また、後に貫通孔４に充填する貫通電極６の裏面側への抜けを防止することができる。なお、貫通孔４は、底面７１から裏面７２に末広状に形成することに限定されず、その逆の裏面７２から底面７１に向けて末広状に形成してもよいし、厚み方向の中央部の開口径を絞った形状、即ち、貫通孔４の中央部から底面７１及び裏面７２に向けて両方向に末広状となる形状としてもよい。貫通孔４を両方向に末広状となる形状にすれば、後に充填する貫通電極６は、基板７０の裏面７２側にも、窪み３の底面７１側にも抜け難くすることができる。
【００２２】
次に、図１（ｂ）に示すように、基板７０の上下を反転し、窪み３が形成された表面７３側から貫通孔４を塞ぐ位置に弾性を有する弾性部材７４を設置する。弾性部材７４の上面７５は窪み３の底面７１に当接して貫通孔４の開口部を塞いでいる。弾性部材７４としては、シリコンゴムを使用することができる。また、シリコンゴムに代えて、他のゴム、ポリエチレンフィルムや他の弾性を有する材料を使用することができる。貫通孔４に導電ペーストを充填したときに、弾性部材７４の上面７５と窪み３の底面７１の間から漏れでない程度に、上面７５と底面７１とを密着させる。
【００２３】
次に、図１（ｃ）に示すように、基板７０の裏面７２側から貫通孔４にディスペンサ４６により導電ペースト１２を充填する。導電ペースト１２の充填は、ディスペンサ法に代えて印刷法により充填することができる。導電ペースト１２として、導電性フィラーと樹脂バインダーを混練した材料を使用することができる。導電性フィラーとして、Ａｕ、Ａｇ又はＣｕ、或いはＡｇにより被覆されたＣｕを使用することができる。導電ペースト１２の充填を真空中で行うことができる。基板７０の底面７１と弾性部材７４の上面７５との間の気密性が高い場合は、貫通孔４の弾性部材７４側に気泡が残留して、導電ペースト１２を弾性部材７４の上面７５まで充填できなくなる恐れがある。この場合、真空雰囲気中で導電ペースト１２を充填すれば、内部に空気が密閉されないので、導電ペースト１２を弾性部材７４の上面７５まで達するように容易に充填することができる。また、導電ペースト１２内に混入する気泡を脱泡できるので、貫通電極６の信頼性を向上させることができる。
【００２４】
次に、図１（ｄ）に示すように、弾性部材７４を窪み３から除去する。弾性部材７４の上面７５が窪み３の底面７１に当接していたので、貫通電極６の窪み３側に露出する表面は、窪み３の底面７１と略同一の平面を構成している。また、貫通電極６の裏面７２側に露出する表面も、裏面７２と略同一の平面を構成している。特に、窪み３側の貫通電極６の表面は底面７１と略同一の平面となるので、その上に実装される電子素子が、割れたり、長期的に不均一な応力が加えられたりすることがない。それ故、実装した電子素子の信頼性を確保することができる。また、貫通電極６が基板７０の裏面７２から突出した場合でも、もともと裏面７２は平坦面なので研磨処理を行うことができ、平坦化することが容易である。
【００２５】
次に、図１（ｅ）に示すように、窪み３の底面７１に露出する貫通電極６の上部に、ダイボンディング材２４を介して電子素子７７の図示しない電極と電気的に接続させて固定する。また、電子素子７７の上面に形成した図示しない電極と他の貫通電極６とをワイヤー２５により電気的に接続する。更に、必要に応じて、電子素子７７やワイヤー２５を封止する封止材を塗布し、基板７０の裏面７２に裏面電極を形成することができる。
【００２６】
図２〜図１１は、本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を表す模式図である。以下、電子部品として発光デバイス１を用いた製造方法を詳細に説明する。
【００２７】
図２は、定盤３１と型３２の間にガラス材３３を挿入した状態を表す断面模式図である。図３は、成形後のパッケージ基板２の断面模式図である。最初に、定盤３１の上にパッケージ材料としてガラス材３３を設置し、ガラス材３３が軟化する温度３００℃〜８００℃に加熱する。型３２の表面に、凸部３４やテーパー３５等が形成されている。凸部３４は、貫通孔４を形成するための部分であり、テーパー３５は窪み３の内壁面にテーパーを形成するための部分である。型３２も温度３００℃〜８００℃に加熱して、下部のガラス材３３に押圧することによって、図３に示すように、窪み３及び貫通孔４を有するパッケージ基板２を形成する。
【００２８】
なお、窪み３は、平面的形状が円形のすり鉢状の形状を有しており、貫通孔４は、その口径が裏面から表面に向けて末広状に拡大するように形成されている。つまり、パッケージ基板２を形成する際には、窪み３、貫通孔４にテーパーを形成する。これは、型３２をパッケージ基板２にプレスした後の離型が容易になり、更には貫通電極６の裏面側への離脱を抑制するためである。また、具体的な寸法の一例としては、貫通孔４は、その表面側の直径がφ４００μｍ、その裏面側の直径がφ２００μｍの略逆円錐台形としている。また、貫通孔４の平面的形状は、円形や楕円形、多角形、矩形等のどのような形状であってもよい。また、５個の貫通孔４を有するパッケージ基板２を形成したが、その数は限定されない。
【００２９】
また、このような熱プレス法に代えてサンドブラスト法やエッチング法により貫通孔４を形成することができる。ただし、サンドブラスト法では個々に孔を形成しなければならず、またエッチング法ではフォトマスクの形成等、工程数が増加する。なお、パッケージ基板２として、ガラス基板に代えてセラミックス基板を使用することができ、その場合には、焼結前のグリーンシートにプレス法により孔を形成し、焼結して貫通孔４付のセラミックス板を得ることができる。
【００３０】
図４は、窪み３の下部にシリコンゴム９を設置した状態を示す断面模式図である。図５は、窪み３の底面に突起部９ａの上面を当接した状態を示す断面模式図である。図４に示すように、パッケージ基板２を上下反転し、裏面を上方に向け、表面を下方に向け、窪み３の底面にシリコンゴム９に形成した突起部９ａの上面を当接する。シリコンゴム９に形成した突起部９ａは、複数の貫通孔４の全ての開口部を塞ぐ形状とする。具体的な寸法としては、パッケージ基板２は、その窪み３の深さＡが５００μｍ、底面から裏面までの深さＢが４００μｍ、窪み３の底面の直径がφ２．５ｍｍとなっており、シリコンゴム９の突起部９ａの上面は直径がφ２．５ｍｍ以下で、貫通孔４の全ての開口部を塞ぐ大きさを備え、高さが１ｍｍとなっている。
【００３１】
シリコンゴム９は、Ｓｉを主成分とする合成樹脂から構成されており、弾性を有する。このシリコンゴム９の硬度は、パッケージ基板２を上側から配置した場合にその重みでパッケージ基板２との密着性が高まる程度が好適であり、具体的には、４５〜１３Ｈｓ（ＪＩＳ  Ｋ  ６３０１  スプリング式Ａ型）が好適である。
【００３２】
そして、このようなシリコンゴム９にパッケージ基板２を載置することによって、図５に示すように、パッケージ基板２によりシリコンゴム９の突起部９ａが押圧され、変形し、シリコンゴム９の突起部９ａがパッケージ基板２の窪み３の底面に密着し、貫通孔４を表面側から塞ぐこととなる。
【００３３】
図６及〜図８は、印刷法により導電ペースト１２を貫通孔４に充填する様子及び充填した状態を表す模式図であり、図９は、シリコンゴム９を貫通孔から除去した状態を示す模式図である。次に、図６に示すように、パッケージ基板２の裏面に導電ペースト１２を付着し、貫通孔４に導電材料を充填する。この導電材料の充填はスクリーン印刷法により行う。スキージ１３を移動して導電ペースト１２を貫通孔４に充填する。導電ペースト１２は導電性フィラーと樹脂バインダーを含有する。また、セラミックスやガラスに対して密着性のよい低融点ガラス粉を含有させてもよい。導電フィラーとして、Ａｕ、Ａｇ又はＣｕ、或いはＡｇにより被覆されたＣｕを使用する。また、図６及び図７に示すように、スキージ１３をパッケージ基板２の裏面に対して進行方向に１７〜２０度の角度で傾斜し、往復する。これを繰り返し往復してスキージ１３を移動することによって、図８に示すように、貫通孔４に導電ペースト１２を充填する。次に温度約８０℃で仮乾燥を行い導電ペースト１２を仮硬化しシリコンゴム９を窪み３から離脱する。そして、図９に示すように、シリコンゴム９を窪み３から離脱した状態で、ペースト材料に応じて温度約２００℃から約５００℃で焼成し、貫通電極６ａ，６ｂとして固化する。また、貫通電極６ａと貫通電極６ｂとは、電気的に分離している。
【００３４】
図１０は、裏面電極２７及び反射膜２６を形成したパッケージ基板２の断面模式図であり、図１１（ａ）は、ＬＥＤ素子２３の実装及び封止を行った発光デバイス１の断面模式図であり、（ｂ）はその上面図である。次に、図１０に示すように、パッケージ基板２の裏面に裏面電極２７ａ、２７ｂを形成する。パッケージ基板２の裏面に、Ａｇ等の導電材料が混入したインキをスクリーン印刷法により印刷する。次に、加熱焼成を行って固化する。印刷により裏面電極２７ａ、２７ｂを形成するので、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を必要とせず、製造コストを低減させることができる。
【００３５】
また、スクリーン印刷法に代えて、他の方法、例えばスパッタリング法や蒸着法、或いはメッキ法により金属膜を堆積して、裏面電極２７ａ、２７ｂを形成してもよい。金属の蒸着やスパッタリング法、或いはメッキ法により裏面電極２７を形成する場合は、密着性を向上させるためにＴｉ層、その上にバリア層、その上にＰｔ層、或いはＮｉ層、さらに表面酸化を防止するためにＡｕ層を形成することができる。また、先にレジスト膜をパターニングしておきその上に金属膜を堆積し、その後レジスト膜を除去するリフトオフ法により、裏面電極２７ａ、２７ｂを形成することができる。
【００３６】
また、窪み３のテーパーに反射膜２６を形成する。この反射膜２６は、導電ペーストのメタライズや、金属材料のスパッタリング又は蒸着により形成することができる。反射膜２６は、窪み３の底面にも形成してもよい。
【００３７】
次に、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、パッケージ基板２の窪み３にＬＥＤ素子２３を実装する。ＬＥＤ素子２３を、ダイボンディング材２４を介在して貫通電極６ａの露出面に載置し、加熱しながら押圧して接着する。ダイボンディング材２４は導電性であり、ＬＥＤ素子２３の裏面には図示しない電極が形成されており、貫通電極６ａとＬＥＤ素子２３とを機械的及び電気的に接続する。ダイボンディング材２４は、半田バンプや金バンプを使用することができる。また、ダイボンディング材２４として、導電性接着材を使用することができる。
【００３８】
また、ＬＥＤ素子２３と貫通電極６ｂとをワイヤー２５により接続する。ＬＥＤ素子２３の上面には図示しない電極が形成されている。ワイヤー２５として金の細線を使用することができる。なお、ワイヤー２５を使用して接続することに代えて、ＬＥＤ素子２３を貫通電極６ｂまで延在し、ＬＥＤ素子２３の裏面に貫通電極６ａ、６ｂを対応させ２つの電極を形成し、面実装により一括して電気的及び機械的に接続してもよい。
【００３９】
そして、窪み３に封止材２８を充填してＬＥＤ素子２３を封止する。この封止材２８として、絶縁性の透明樹脂材を使用することができる。また、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを重合・硬化させたシリコン酸化物を形成することができる。特に、金属アルコキシド又はポリメタロキサンから作成した金属酸化物を封止材２８とした場合は、ガラスからなるパッケージ基板２もシリコン酸化物であることから、熱膨張係数が近似し、良好な接着性及び封止性を得ることができる。
【００４０】
このように、ＬＥＤ素子２３の下部に貫通電極６ａを設け、この貫通電極６ａに裏面電極２７ａが接続するようにしたので、ＬＥＤ素子２３の発光により発生した熱は、貫通電極６ａ及び裏面電極２７ａを介して外部へ効率よく放熱することができる。そのため、一つの窪み３に複数のＬＥＤ素子２３を設けて発光輝度を向上させる場合でも、加熱による発光効率の低下を防ぐことができる。また、窪み３を下部から上部に向けてその口径が末広状に拡大する形状としたので、ＬＥＤ素子２３から発光した光に指向性を付与することができる。
【００４１】
以上説明してきたように、本発明の発光デバイスの製造方法によれば、パッケージ基板２に窪み３が形成された構成であっても、その窪み３の底面に形成された貫通孔４を、窪み３が形成された表面側から塞ぐようにシリコンゴム９を載置して、窪み３形成されていない裏面側から導電ペースト１２を充填した。これにより、窪み３の底面に形成した貫通孔４に導電ペースト１２を容易に充填でき、更には、裏面の研磨処理等によりその平坦化も容易である。加えて、窪み３の底面と、その底面に露出する貫通電極６ａ、６ｂの表面とを略同一平面に平坦化することができるので、ＬＥＤ素子２３の実装が容易となり、また、ＬＥＤ素子２３の信頼性も確保することができる。
【００４２】
なお、上述した実施例においては、パッケージ基板２を成形法により成形した例を説明したが、これに限定されない。例えば、パッケージ基板２に貫通電極６を形成した板状体と、窪み３を構成するための枠を当該板状体に貼り合わせた構造とすることもできる。また、パッケージ基板２の窪み３をサンドブラスト法やエッチング法により形成してもよい。
【００４３】
また、上述した実施例においては、（１）ガラス材料の成形→（２）貫通電極の形成→（３）裏面電極の形成→（４）発光素子の実装→（５）封止材の形成の順であるが、この工程順に限定されない。例えば、（２）貫通電極を形成後に、（４）発光素子の実装→（５）封止材の形成→（３）裏面電極の形成の順であっても良い。
【００４４】
また、上記実施例においては、スクリーン印刷方式で導電ペースト１２を充填したが、これに限定されない。図１２は、ディスペンサにより貫通孔に導電ペーストを充填する様子を示す模式図である。図１２に示すように、ディスペンサ方式（具体的には、エア式やジェット式等）で導電ペーストを充填してもよい。この場合、上述した実施例と同じように、窪み３が形成された表面側からシリコンゴム９で貫通孔４を塞いだ状態で、ディスペンサ４６のノズル４７から導電ペーストを出射し、貫通孔４に導電ペーストを充填する。また、導電ペーストの表面に形成される角状の突起は、パッケージ基板２の裏面を研磨して平坦化すればよい。
【００４５】
また、上記実施例においては、窪み３と貫通孔４との口径が裏面から表面に向けて末広状に拡大するように形成されているが、この形状に限定されない。図１３は、貫通孔４が他の断面形状を有する電子部品の断面模式図である。図１３に示すように、窪み３の口径は窪みの底面から表面に向けて末広状に拡大する。貫通孔４は、窪み３の底面と裏面の中間部で口径が絞られている。この貫通孔４は、表面側と裏面側から２回に分けて成形することにより形成することができる。この貫通孔４に充填された貫通電極６は、貫通孔４から抜け落ちることがない。
【００４６】
また、上述した実施例においては、１つの発光デバイス１に対して１箇所の窪み３を形成し、１箇所の窪み３に対して、複数の貫通孔４を形成し、１個のＬＥＤ素子２３を配置した構成であったが、これに限定されず、例えば、１箇所の窪み３に対して複数のＬＥＤ素子２３を配置してもよい。また、例えば、１箇所の窪み３に対して１箇所の貫通孔４が形成する構成であってもよい。また、例えば、１つの発光デバイス１に対して複数箇所の窪み３を形成する構成であってもよい。
【００４７】
また、発光デバイス１の多数個取りを行うことも可能である。図１４は、発光デバイス１の多数個取りを説明するための図であり、（ａ）がウエハ４０の模式的な裏面図であり、（ｂ）が１個の発光デバイス１の模式的な拡大離面図である。図１４に示す製造方法では、１枚のウエハ４０から８６個の発光デバイス１を同時に製造する。図１４に示すように、パッケージ基板２の裏面に形成した裏面電極２７ａ、２７ｂのパターンを配している
【００４８】
また、図１４（ｂ）に示すように、ＬＥＤ素子２３の領域に４個の貫通電極６ａが、ＬＥＤ素子２３の外側に１個の貫通電極６ｂが形成されている。ＬＥＤ素子２３の領域に４個の貫通電極６ａを形成することにより、ＬＥＤ素子２３で発生する熱を効果的に放熱することができる。裏面電極２７は、電極分離領域４３を境にして、裏面電極２７ａと２７ｂに電気的に分離している。
【００４９】
１個のパッケージ基板２は、縦切断ライン４１、及び、横切断ライン４２により区画されており、それら縦切断ライン４１及び横切断ライン４２に沿って個々の発光デバイス１に分離する。分離は、ダイシング又はスクライブ等により行うことができる。なお、取り個数は８６個に限定されない。また、貫通電極６ａ、６ｂの個数や径は、ＬＥＤ素子２３の数、供給する電流、放熱量等により適宜設定すればよい。
【００５０】
このように、ウエハ４０（パッケージ基板２）に複数の窪み３を形成し、それら複数の窪み３のそれぞれに貫通孔４を形成する。そして、複数の窪み３のそれぞれに対応し、複数の貫通孔４を塞ぐ位置に複数の突起部９ａを一体に形成されたシリコンゴム９を用いて製造することとなる。従って、複数の窪み３における複数の貫通孔４を表面側からシリコンゴム９で塞ぐことができ、多くの発光デバイス１を容易に形成することができる。また、このシリコンゴム９は、複数の突起部９ａが一体に形成されているため、容易な取り扱いで多くの貫通孔４を塞ぐことができる。
【００５１】
また、上記実施例においては、パッケージ基板２の表面側からシリコンゴム９を配置し、貫通孔４を塞ぎ、パッケージ基板２の裏面側から導電ペースト１２を充填させたが、これに限定されない。例えば、パッケージ基板２の表面側から弾性を有するポリエチレンフィルム等からなるプラスチックフィルムを加圧、加熱して貼り付け、貫通孔４を塞ぎ、パッケージ基板２の裏面側から導電ペースト１２を充填させてもよい。
【００５２】
また、導電ペーストを貫通孔４に充填させる際に、その貫通孔４を真空状態とし、この貫通孔４に導電ペーストを注入する。例えば、貫通孔４への導電ペーストの充填を真空チャンバー内で行う。これにより、導電ペースト内に気泡が混入して断線等の不良発生を防止することができる。
【００５３】
また、上記実施例においては、パッケージ基板２を通常のガラス材料から作成したが、これに限定されず、例えば、樹脂やセラミック等から作成してもよい。また、上記実施例においては、電子部品として発光デバイスを採用したが、これに限定されず、他の電子部品を採用してもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１  発光デバイス
２  パッケージ基板
３  窪み
４  貫通孔
６  貫通電極
９  シリコンゴム
９ａ  突起部
１２  導電ペースト
１３  スキージ
２３  ＬＥＤ素子
７０  基板
７４  弾性部材
７７  電子素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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