(57)【要約】【課題】半導体集積回路の電気的特性検査用の治具に用いられるプローブカードを正確、迅速、且つ容易にメンテナンスすることができるプローブカードのメンテナンス方法を提供する。【解決手段】プローブカード及びプローブカードに設置されたプローブを電気的特性検査における検査温度と同一の温度まで加熱し、プローブカード及び複数のプローブを当該検査温度に維持しつつ、複数のプローブのそれぞれの位置調整を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路が形成されたウエハの電気的特性検査に用いられるプローブカードのメンテナンス方法であって、
プローブカード及び前記プローブカードに設置された複数のプローブを前記電気的特性検査における検査温度と同一の温度まで加熱する加熱工程と、
前記プローブカード及び前記複数のプローブを前記検査温度に維持しつつ、前記複数のプローブのそれぞれの位置調整を行う調整工程と、を有することを特徴とするプローブカードのメンテナンス方法。
【請求項２】
前記調整工程は、前記複数のプローブの各々に対応した複数のアライメントマークが記されたガラスマスクを準備し、前記プローブカードに前記ガラスマスクを対向させ、前記複数のアライメントマークと前記複数のプローブの先端とを一致させることを特徴とする請求項１に記載のプローブカードのメンテナンス方法。
【請求項３】
前記加熱工程は、ヒーターが設けられたメンテナンス台に前記プローブカードを載置することを特徴する請求項２に記載のプローブカードのメンテナンス方法。
【請求項４】
前記調整工程は、前記複数のプローブのそれぞれの位置調整を行った後に、前記複数のプローブの先端を清掃する清掃工程を含むことを特徴とする請求項３に記載のプローブカードのメンテナンス方法。
【請求項５】
前記調整工程は、前記位置調整後であって前記清掃工程前に、前記プローブカード及び前記複数のプローブに追加加熱を施す追加加熱工程を含むことを特徴とする請求項４に記載のプローブカードのメンテナンス方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ上に形成された複数の半導体集積回路の電気的特性検査用の治具に用いられるプローブカードのメンテナンス方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、ウエハ上に複数の半導体集積回路が形成されると、ダイシングによって当該ウエハが個片化される前に、ウエハ状態で半導体集積回路の電気的特性検査の実施が行われている。かかる電気的特性検査の実施方法としては、複数の半導体集積回路が形成されたウエハをプローバの測定ステージに載置し、半導体集積回路上の外部電極引出し用パッドに、プローブカードに設置されたプローブが接触させられ、半導体集積回路の電気的特性が測定される。当該測定によって、半導体集積回路ごと（すなわち、チップごと）の良否判定が可能になる。かかる良否判定に基づいて、不良品の半導体集積回路のスクリーニングが行われることになる。
【０００３】
上述したプローバによる測定においては、複数回に亘って外部電極引出し用パッドにプローブが接触させられるので、プローブ先端の屈曲及び位置ずれが生じることがある。かかるプローブ先端の屈曲及び位置ずれによって、半導体集積回路の電気的特性を正確に測定することができなくなる。
【０００４】
また、上述したプローバによる測定は、高温下（例えば、摂氏１００度（１００℃）以上）で行われるので、測定を繰り返すことによって外部電極引出し用パッドの半田粒（バンプ屑）などのゴミがプローブに付着することがある。このようなゴミが付着した状態においても、半導体集積回路の電気的特性を正確に測定することができなくなる。
【０００５】
このような問題に対応した検査装置（プローバ）及びクリーニング方法が特許文献１及び特許文献２に開示されている。特許文献１には、検査装置内においてプローブの位置を検出し、検出結果に応じてウエハとプローブカードとを正確且つ迅速にアライメントする技術が開示されている。また、特許文献１においては、検査装置内においてプローブの位置を検出していることから、検査時の状態（すなわち、高温下）のプローブの位置を検出することができる。特許文献２には、検査装置内においてプローブが加熱され、プローブに付着したバンプ屑を溶融してプローブの研磨を行う技術が開示されている。特許文献２においては、プローブの先端をバンプ屑が溶融する温度まで加熱することで、容易にバンプ屑の除去を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−７９２５３
【特許文献２】特開平１０−９２８８５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来から知られている技術においては、プローブカードとウエハとのアライメントを正確且つ迅速に行うことは可能であるが、各プローブの屈曲及び位置ずれを正確、迅速、且つ容易に修正及び保守管理を行うことは困難である。
【０００８】
本発明は、以上の如き事情に鑑みてなされたものであり、半導体集積回路の電気的特性検査用の治具に用いられるプローブカードを正確、迅速、且つ容易にメンテナンスすることができるプローブカードのメンテナンス方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するために、本発明のプローブカードのメンテナンス方法は、プローブカード及び当該プローブカードに設置された複数のプローブを、集積回路が形成されたウエハの電気的特性検査における検査温度と同一の温度まで加熱する加熱工程と、プローブカード及び複数のプローブを当該検査温度に維持しつつ、複数のプローブのそれぞれの位置調整を行う調整工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のプローブカードのメンテナンス方法によれば、プローブカード及びプローブカードに設置された複数のプローブを、集積回路が形成されたウエハの電気的特性検査における検査温度と同一の温度まで加熱し、プローブカード及び複数のプローブを当該検査温度に維持しつつ、複数のプローブのそれぞれの位置調整を行うので、プローブカードを正確、迅速、且つ容易にメンテナンスすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明であるプローブカードのメンテナンス方法を利用した半導体ウエハの検査フローである。
【図２】本発明の実施例で使用されるプローバの断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の実施例で使用されるメンテナンス台の斜視図であり、（ｂ）は図３（ａ）の線３ｂ−３ｂにおける断面図である。
【図４】本発明であるプローブカードのメンテナンス工程における断面図である。
【図５】本発明であるプローブカードのメンテナンス工程における断面図である。
【図６】本発明であるプローブカードのメンテナンス方法を利用したプローブカードの受け入れ検査フローである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【実施例】
【００１３】
図１及び図６を参照しつつ、本発明の実施例であるプローブカードのメンテナンス方法について説明する。
（実施例１）
先ず、第１の実施例として、図１乃至図５を参照しつつウエハの検査時におけるプローブカードのメンテナンス方法について説明する。図１は、ウエハの検査フローを示した図である。図２は、ウエハ上に形成された半導体集積回路の電気的特性を測定するためのプローバの断面図である。図３（ａ）、（ｂ）は、プローブカードのメンテナンス時にプローブカードを保持する保持台の斜視図及び断面図である。図４及び図５は、プローブカードのメンテナンス時の断面図である。
【００１４】
先ず、複数の半導体集積回路が形成されたウエハＷの電気的特性を測定するために、測定機器であるプローバ１０内にウエハＷが配置される（図１：ステップＳ１）。以下に、具体的なウエハＷの配置について説明する。
【００１５】
先ず、図２を参照しつつ測定機器であるプローバ１０の構成を説明する。図２に示されているように、プローバ１０は、ウエハＷを搬送するローダ室１１と、ローダ室１１に隣接し且つウエハＷの電気的特性の測定が行われるプローバ室１２とから構成されている。ローダ室１１には、ウエハＷを保持するカセット１３を収納するカセット収納部１４と、ウエハ搬送機構（図示せず）とが設けられている。一方、プローバ室１２には、ウエハＷが載置される載置台１５と、載置台１５を支持する支持台１６と、載置台１５及び支持台１６の上方に配置されたプローブカード１７と、プローブカード１７を着脱自在に保持するヘッドプレート１８とが設けられている。また、プローブカード１７の中央部分には、複数のプローブ１９が設けられている。更に、プローブカード１７にはテストヘッド２０が接続されている。更に、載置台１５及びヘッドプレート１８には、例えばヒーター及び冷却ジャケット等の温度調節機構（図示せず）が内蔵されている。かかる温度調節機構によってウエハＷ及びプローブカード１７が所望の測定温度に調整される。また、載置台１５は昇降機能を有しているので、上下方向（垂直方向）に移動自在である。更に、支持台１６は、ウエハＷの表面と平行面内（すなわち、水平面内）において移動自在である。
【００１６】
具体的なウエハＷの配置方法としては、先ず、複数のウエハＷがカセット１３に保持される。次に、複数のウエハＷを保持した状態のカセット１３が、ローダ室１１のカセット収納部１４に収納される。続いて、カセット１３に保持されたウエハＷのうちの一枚がウエハ搬送機構によってプローバ室１２に搬送され、ウエハＷが載置台１５上に載置される。以上の工程を経て、プローバ１０内へのウエハＷの配置が完了する。
【００１７】
次に、ウエハＷ及びプローブカード１７が、所望の測定温度まで加熱される（図１：ステップＳ２）。ここで、ウエハＷが載置台１５に内蔵された温度調節機構によって加熱され、プローブカード１７がヘッドプレート１８に内蔵された温度調節機構によって加熱される。なお、プローバ室１２内の温度調節を可能とする温度調節機構をプローバ室１２内に設け、プローバ室１２内の温度調節によってウエハＷ及びプローブカード１７を所定の測定温度に調整しても良い。
【００１８】
ウエハＷ及びプローブカード１７の加熱が完了すると、ウエハＷ上に形成された半導体集積回路（図示せず）の電気的特性の測定（ウエハのテスト）が開始される（図１：ステップＳ３）。具体的には、支持台１６が水平面内において移動することにより、ウエハＷとプローブカード１７との位置調整が行われる。続いて、載置台１５がプローブカード１７に近づき（すなわち、上方へ移動）、半導体集積回路の外部電極引出し用パッド（図示せず）と、プローブ１９とが接触し、電気的特性の測定が可能な状態になる。プローブカード１７には、テストヘッド２０を介してテスタ（図示せず）が接続されており、かかるテスタからの測定用信号がプローブ１９を介してウエハＷ上の外部電極引出し用パッドに印加され、ウエハＷに形成された半導体集積回路の電気的特性が測定される。
【００１９】
次に、本実施例においては、上述したウエハＷのテスト工程においてウエハＷ上の外部電極引出し用パッドとプローブ１９との接触不良が発生する（図１：ステップＳ４）。かかる接触不良によって、ウエハＷに形成された半導体集積回路の電気的特性が正確に測定することができない。例えば、かかる接触不良の原因は、プローブカード１７が複数回使用されることによるプローブ１９の屈曲及び位置ずれである。このような屈曲及び位置ずれがプローブ１９の各々に発生すると、支持台１６の水平面内の移動だけではプローブカード１７とウエハＷとの位置合せを正確に行うことは困難である。これは、屈曲及び位置ずれしているプローブ１９に合せて位置合せを行うと、屈曲及び位置ずれの無いプローブ１９が外部電極引出し用パッドに接触しなくなる可能性があるからである。なお、不良の原因としては、プローブ１９に外部電極引出し用パッドの半田粒（バンプ屑）等のゴミの付着による場合もある。
【００２０】
このような、プローブ１９の屈曲及び位置ずれに伴った接触不良を解消するために、プローブカード１７に以下に説明するようなメンテナンスが施される。先ず、載置台１５が下降することでプローブ１９からウエハＷが離間され、プローブカード１７がヘッドプレート１８から取り外される（図１：ステップＳ５）。ここで、プローブカード１７はヘッドプレート１８にネジ等の固定部材によって着脱自在であるので、容易にヘッドプレート１８からプローブカード１７が取り外されることになる。
【００２１】
次に、取り外されたプローブカード１７が、メンテナンス台３０に載置される（図１：ステップＳ６）。以下に、具体的なプローブカード１７の載置について説明する。
【００２２】
先ず、図３（ａ）、（ｂ）を参照しつつプローブカード１７が載置されるメンテナンス台３０の構成を説明する。図３（ａ）はメンテナンス台３０の斜視図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の線３ｂ−３ｂ（一点鎖線で示す）における断面図である。図３（ａ）、（ｂ）に示されているように、メンテナンス台３０は、プローブカード支持部３１、ヒーター固定部３２及びヒーター３３から構成されている。プローブカード支持部３１は、筒状の側面部３１ａと中央分が開口した底部３１ｂから構成された形状である。プローブカード支持部３１の底部３１ａには、ヒーター固定部３２が接続されている。更に、ヒーター固定部３２の中央部分には、ヒーター３３が設置されている。ヒーター３３、例えば、矩形状である。このように、ヒーター３３の周囲をプローブカード支持部３１が囲んでいるので、ヒーター３３で発生する熱の放熱を防止し、効率よくプローブカード１７及びプローブ１９を加熱することができる。また、ヒーター３３には制御装置（図示せず）が接続され、かかる制御装置によってヒーター３３の温度調節が行われている。
【００２３】
具体的なプローブカード１７の載置方法としては、図４に示すように、プローブカード１７のプローブ１９の設置面とは逆側の面がメンテナンス台３０に接するように、プローブカード１７が載置される。ここで、プローブカード１７は、例えば中央分に開口を有している。また、当該開口の上方にプローブ１９の先端が位置するように、プローブ１９がプローブカード１７の表面に対して傾斜して設置されている。更に、プローブ１９が設置された面とは逆側面であって、プローブカード１７の開口を覆うように、補強版４１が設けられている。更に、補強版４１の周囲には、リレー又は抵抗等の部品４２が設けられている。従って、上述したような構成のプローブカード１７においては、プローブカード１７の縁部とメンテナンス台３０のプローブカード支持部３１とが接触し、且つ、補強版４１とヒーター３３とが接触した状態で、プローブカード１７がメンテナンス台３０に載置される（図５（ａ））。
【００２４】
プローブカード１７がメンテナンス台３０に載置されると、ヒーター３３から補強版４１を介してプローブカード１７に熱が供給され、プローブカード１７及びプローブ１９が加熱される（図１：ステップＳ７）。プローブカード１７及びプローブ１９の加熱は、ヒーター３３に接続された制御装置によって制御されている。例えば、制御装置は、プローブカード１７及びプローブ１９の温度がウエハのテスト時と同じ温度（例えば、約１００℃）になるようにヒーター３３を制御する。また、プローブカード１７が加熱されることにより、プローブカードに設置されているリレー又は抵抗等の部品４２も加熱される。なお、補強版４１を加熱せずに、プローブカード１７を直接的に加熱するようにヒーター３３を配置しても良い。
【００２５】
プローブカード１７及びプローブ１９が加熱され、プローブカード１７及びプローブ１９が所望の温度に到達すると、かかる温度を保持しつつステップＳ４において接触不良となったプローブ１９の外観確認及び位置調整が施される。以下に、プローブ１９の外観確認及び位置調整の具体例を説明する。
【００２６】
先ず、プローブ１９の外観確認が行われる（図１：ステップＳ８）。具体的には、プローブ１９の先端が本来位置すべき場所であるアライメントマークが記されているガラスマスクを利用し、ブローブ１９の先端の位置確認が行われる。かかる位置確認においては、プローブカード検査装置（例えば、ＰＲＶＸ：Precision Point Vision X）又は顕微鏡等の装置が使用される。また、プローブカード検査装置又は顕微鏡等の装置を使用して、プローブ１９の先端における破損等の有無の確認も行われる。ここで、プローブ１９の温度は、上述した工程における加熱によって到達した温度で保たれているので、プローブ１９の使用環境に近い状態における外観確認、すなわち高精度の外観確認の実施が可能になる。
【００２７】
次に、プローブ１９の位置調整が行われる（図１：ステップＳ９）。プローブ１９の位置調整の方法としては、プローブカード１７と同じ形状のガラスマスク５０が使用される。ガラスマスク５０の表面には、プローブ１９の先端が本来位置すべき場所であるアライメントマーク５１が記されている。このガラスマスク５０とプローブカード１７とを対向させ、当該接触不良となったプローブ１９の先端がガラスマスク５０のアライメントマーク５１と一致するようにプローブ１９の位置調整が行われる。具体的には、プローブ１９とアライメントマーク５１とが顕微鏡で確認されつつ、ピンセット等の治具が使用されることで、プローブ１９の位置調整が行われる。かかる位置調整により、屈曲又は位置ずれしたプローブ１９が電気的特性の測定を行える本来の状態に調整されることになる。本工程におけるプローブ１９の位置調整はウエハのテスト時と同じ温度で行われるので、ウエハのテスト時におけるプローブカード１７及びプローブ１９の熱膨張を考慮した正確な位置調整が可能になる。
【００２８】
プローブ１９の位置調整が完了すると、プローブ１９の清掃が施される（図１：ステップＳ１０）。プローブ１９の清掃は、例えば、刷毛又はピンセット等の治具によって行われる。また、プローブ１９の清掃は、エアーブローによるものでも良い。本工程のプローブ１９の清掃もウエハのテスト時と同じ温度で行われるので、一旦溶融してプローブ１９の先端に付着したバンプ屑等のゴミが再び溶融することになる。これによって、プローブ１９の先端に付着したバンプ屑等のゴミが容易にプローブ１９から除去されることになる。また、プローブカード１７に設置された部品４２も加熱されているため、部品４２に等に付着したごみ等も容易に除去することができる。これにより、プローブカード１７全体への不要な容量等が除去され、ウエハのテストが正確且つ高精度に実施されることになる。
【００２９】
なお、プローブ１９の位置調整工程において設定された温度ではバンプ屑が溶融しない場合には、ヒーターから熱の供給を増加し、プローブカード１７及びプローブ１９の温度を更に上げても良い。このようなプローブカード１７及びプローブ１９の追加加熱によって、ウエハのテスト時の温度では除去できないバンプ屑等のゴミも、容易に除去することができる。
【００３０】
プローブ１９の清掃が終了すると、プローブカード１７が再びプローバ１０に取り付けられる（図１：ステップＳ１１）。上述したように、プローブカード１７はヘッドプレート１８にネジ等の固定部材によって着脱自在であるので、容易にプローブカード１７がヘッドプレート１８に取り付けられることになる。
【００３１】
次に、ウエハＷ及びプローブカード１７が、所望の測定温度まで再び加熱される（図１：ステップＳ１２）。上述したウエハＷとプローブカード１７の加熱工程（ステップＳ２）と同様に、ウエハＷが載置台１５に内蔵された温度調節機構によって加熱され、プローブカード１７がヘッドプレート１８に内蔵された温度調節機構によって加熱される。ここで、ウエハＷは、プローバ１０内で加熱された状態で保管されている。また、プローブカード１７は、上述した位置調整工程及び清掃工程において加熱された状態でメンテナンスされている。このため、従来のような常温においてプローブカード１７がメンテナンスされ、当該常温におけるメンテナンス後にプローブカード１７がプローバ１０に取り付けられる場合よりも、ウエハＷ及びプローブカード１７の再加熱時間を短縮することができる。
【００３２】
ウエハＷ及びプローブカード１７の再加熱が完了すると、ウエハのテストが再び開始される（図１：ステップＳ１３）。上述したウエハのテスト（ステップＳ３）と同様に、支持台１６が水平面内において移動することにより、ウエハＷとプローブカード１７との位置調整が行われる。続いて、載置台１５がプローブカード１７に近づき、半導体集積回路の外部電極引出し用パッドにプローブ１９が接触し、電気的特性の測定が可能な状態になる。更に、テスタからの測定用信号がプローブ１９を介してウエハＷ上の外部電極引出し用パッドに印加され、ウエハＷに形成された半導体集積回路の電気的特性が測定される。
【００３３】
以上のように、本発明のプローブカードのメンテナンス方法においては、プローブカード１７及びプローブカード１７に設置されたプローブ１９をウエハＷの電気的特性検査時の検査温度と同一温度まで加熱し、プローブカード１７及びプローブ１９の温度を検査温度で維持しつつプローブ１９のそれぞれの位置調整を行うこととした。このような工程を有するので、本発明のプローブカードのメンテナンス方法によれば、プローブカード及びプローブの熱膨張を考慮した正確なメンテナンスを行うことができる。また、本発明のプローブカードのメンテナンス方法によれば、プローブカード１７をプローバ１０に取り付ける必要がないので、迅速、且つ容易にプローブカードのメンテナンスを行うことができる。
【００３４】
なお、上述した実施例においては、ヒーター３３が設けられたメンテナンス台３０にプローブカード１７が載置されることによりプローブカード１７が加熱されていたが、プローブカード１７及びプローブ１９が加熱可能であればこのような加熱方法に限定されることは無い。例えば、ヒーターを有しない固定台にプローブカード１７が固定された状態において、プローブカード１７の周囲からヒーター等によって間接的にプローブカード１７及びプローブ１９が加熱されても良い。
（実施例２）
第１の実施例においては、ウエハのテスト工程におけるプローブカード１７のメンテナンスを説明したが、本発明のプローブカードのメンテナンス方法は、例えば、プローブカード１７の入荷時にも利用することができる。以下に、図６を参照しつつ、本発明であるプローブカード１７のメンテナンス方法を利用したプローブカードの受け入れ検査のフローを説明する。
【００３５】
先ず、プローブカード１７が入荷される（図６：ステップＳ１０１）。次に、入荷されたプローブカードが、メンテナンス台３０に載置される（図６：ステップＳ１０２）。具体的なプローブカード１７の載置方法は第１の実施例と同様であるので、その説明については省略する。
【００３６】
プローブカード１７がメンテナンス台３０に載置されると、ヒーター３３から補強版４１を介してプローブカード１７に熱が供給され、プローブカード１７及びプローブ１９が加熱される（図６：ステップＳ１０３）。ここで、プローブカード１７及びプローブ１９の加熱は、ヒーター３３に接続された制御装置によって制御されている。例えば、制御装置は、プローブカード１７及びプローブ１９の温度がウエハのテスト時と同じ温度になるようにヒーター３３を制御する。
【００３７】
プローブカード１７及びプローブ１９が加熱され、プローブカード１７及びプローブ１９が所望の温度に到達すると、プローブ１９の外観確認が行われる（図６：ステップＳ１０４）。具体的なプローブ１９の外観確認の方法は、第１の実施例と同様であるので、その説明については省略する。ここで、プローブ１９の温度は、上述した工程における加熱よって到達した温度で保たれているので、プローブ１９の使用環境に近い状態における外観確認、すなわち高精度の外観確認の実施が可能になる。
【００３８】
次に、上述した加熱により到達した温度を保持しつつプローブ１９の位置調整が施される（図６：ステップＳ１０５）。具体的なプローブ１９の調整方法は、ガラスマスク５０を使用した第１の実施例と同様であるので、その説明については省略する。なお、本工程におけるプローブ１９の位置調整は、第１の実施例と同様にウエハのテスト時と同じ温度で行われるので、ウエハのテスト時におけるプローブカード１７及びプローブ１９の熱膨張を考慮した正確な位置調整が可能になる。
【００３９】
すべてのプローブ１９の位置調整が完了すると（図６：ステップＳ１０６）、プローブ１９の清掃が施される（図６：ステップＳ１０７）。プローブ１９の清掃方法は第１の実施例と同様に、例えば、刷毛又はピンセット等の治具の使用、若しくはエアーブローによるものである。本工程においけるプローブ１９の清掃もウエハのテスト時と同じ温度で行われるので、プローブ製造時に付着した金属片等のゴミを容易に除去することができる。
【００４０】
以上の工程により、プローブカード１７の受け入れ検査が完了する。受け入れ検査が完了したプローブカード１７は、第１の実施例と同様に、プローバ１０に取り付けられても良い。また、受け入れ検査が完了したプローブカード１７は、プローバ１０に取り付けられることなく、常温又は高温（例えば、１００℃以上）で保管されても良い。
【００４１】
以上のように、プローブカード１７の入荷後に本発明であるプローブカードのメンテナンスを実施することにより、プローバ１０等の装置にプローブカード１７を取り付けることなく、プローブカードのメンテナンスを正確、迅速、且つ容易に行うことができる。すなわち、プローバ１０にプローブカード１７を取り付ける前に不良プローブの修正及びゴミ等の除去といったメンテナンスを行うことができ、良好な状態のプローブカードをプローバ１０に取り付けることができる。
【００４２】
なお、第２の実施例において説明したステップＳ１０１〜ステップＳ１０７までの工程を、プローブカード１７の出荷直前に行っても良い。これによって、良好な状態のプローブカード１７のみを出荷することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１０  プローバ
１１  ローダ室
１２  プローバ室
１３  カセット
１４  カセット収納部
１５  載置台
１６  支持台
１７  プローブカード
１８  ヘッドプレート
１９  プローブ
３０  メンテナンス台
３１  プローブカード支持部
３２  ヒーター固定部
３３  ヒーター
５０  ガラスマスク
Ｗ  ウエハ
【図１】
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【図２】
2010182874.tif 000004
【図３】
2010182874.tif 000005
【図４】
2010182874.tif 000006
【図５】
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【図６】
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