(57)【要約】【課題】自立薄膜の振動特性に悪影響を及ぼすことなく、その両側の空間を連通させて、両側の空間の気圧差に伴う製造工程での自立薄膜の破損を防止し、製造工程の自由度の向上を図る。【解決手段】キャビティ４０を有する支持体１と、キャビティを塞ぐように支持体１で支持された自立薄膜２０と、自立薄膜によって仕切られたキャビティ内の第１の空間７１と、キャビティ外の第２の空間７２とを有するとともに、第１の空間と第２の空間とを連通させる複数の連通部１１，１２を有し、連通部１１，１２のそれぞれの開口８１ａ．８２ａは自立薄膜の位置を基準として配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティを有する支持体と、前記キャビティを塞ぐように前記支持体で支持された自立薄膜と、前記自立薄膜によって仕切られた前記キャビティ内の第１の空間と、前記キャビティ外の第２の空間とを有するとともに、
前記第１の空間と第２の空間とを連通させる複数の連通部を有し、前記複数の連通部の開口は、前記支持体の自立薄膜配置面に前記自立薄膜の位置を基準として配列されている、電子デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の電子デバイスにおいて、前記連通部の開口は、前記自立薄膜の面方向に定義される中心線を基準とした線対称位置にある、電子デバイス。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子デバイスにおいて、前記連通部の開口は、前記自立薄膜の面方向に定義される２本の中心線の交点を基準とした点対称位置にある、電子デバイス。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の電子デバイスにおいて、前記連通部の開口は、前記キャビティを塞ぐ前記自立薄膜の外形から外れた位置にあり、前記連通部は前記キャビティを有する支持体と前記自立薄膜との接合面以外の何れかの部分で、前記キャビティに連通している孔である、電子デバイス。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載の電子デバイスにおいて、前記連通部の開口は、前記キャビティを塞ぐ前記自立薄膜の外形に対して、前記キャビティの開口形状が部分的に突出することで形成されている、電子デバイス。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の電子デバイスにおいて、前記第２の空間は、前記キャビティ外で且つ外部雰囲気から隔離されており、前記連通部によって前記第１の空間と前記第２の空間とは同一の気圧を維持する、電子デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載の電子デバイスにおいて、前記気圧は減圧雰囲気である、電子デバイス。
【請求項８】
請求項６に記載の電子デバイスにおいて、前記第１の空間と第２の空間は不活性ガスにより充填されている、電子デバイス。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の電子デバイスにおいて、前記自立薄膜は、圧電膜である、電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電膜などの自立薄膜（メンブレン）を有する電子デバイスに係り、とくにＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタ等の製造に適した構造の電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＡＷ素子に代わり、近年注目を集めている素子として、ＢＡＷフィルタがあり、これは、ＡｌＮやＺｎＯなどの圧電膜をＭｏなどの電極層で挟み込んだ構造の共振器を使うフィルタである。ＳＡＷフィルタは表面弾性波を利用するのに対してＢＡＷフィルタはバルク弾性波と呼ぶ圧電膜自体の共振振動を利用する。
【０００３】
ＢＡＷフィルタには、例えばＦＢＡＲ型（Film Bulk Acoustic Resonator）やＳＭＲ（Solidmounted Resonator）型がある。ＦＢＡＲ型は共振器の下部に空洞（キャビティ）を設けることで、圧電膜を自由に振動させる構成である。
【０００４】
ＢＡＷフィルタの圧電膜は、ＡｌＮなどを材料とした膜で、基材を持たないために自立薄膜（メンブレン）とも呼ばれる。膜厚は５０００〜７０００Å（０．５〜０．７μｍ）であり、可撓性や柔軟性は期待できない。また膜両面に電極を有することもあり、圧電膜自身や電極を酸化や腐食から防止するために密閉状態とすることが望ましい。
【０００５】
図１１は基本的なＢＡＷフィルタの１例であり、キャビティとなる穴を有する支持基板１０の主面（自立薄膜配置面）には自立薄膜（メンブレン）２０が形成されており、支持基板１０の反対面にキャップ３０が接合一体化されている。支持基板１０とこれと一体のキャップ３０とでキャビティ４０を有する支持体１が構成される。
【０００６】
自立薄膜２０は膜両面に電極２１，２２を有する圧電膜であり、各電極２１，２２に電気的に接続している金属バンプ２が支持基板１０の主面に設けられている。このバンプ２は自立薄膜２０の外形の外側に位置する。
【０００７】
そして、底面に外部接続用電極（ユーザ電極）５１を有するベース基板５０の上面の電極パッド（図示せず）がバンプ２に電気的に接続することでベース基板５０上に自立薄膜２０を有する支持体１が自立薄膜２０を下向きにして固定、一体化される（いわゆるフェースダウンボンディング）。このとき、自立薄膜２０とベース基板５０との間には隙間が設けられている。外部接続用電極５１はベース基板５０の上面の電極パッドに電気的に接続しており、バンプ２を経由して自立薄膜２０の電極２１，２２にそれぞれ接続している。
【０００８】
支持体１とベース基板５０とが一体化された後、樹脂等の封止材６０にてベース基板５０上の支持体１を覆うように封止（好ましくは気密封止）する。このとき、封止材６０は自立薄膜２０の配置領域に回り込まないようにする。この結果、ベース基板５０と封止材６０で囲まれた内部は、自立薄膜２０によってキャビティ４０内の第１の空間７１と、キャビティ外の第２の空間７２とに仕切られる。
【０００９】
ＢＡＷフィルタは、圧電膜である自立薄膜自身が自由に振動するための空間が必要となる。そこで自立薄膜の支持部分を除く両面には各々空間が形成されている。図１１ではキャビティ側を第１の空間７１、反対側の空間を第２の空間７２と呼び、第１の空間７１は図１１における支持基板１０とキャップ３０および自立薄膜２０によって形成される空間で、第２の空間７２は封止材６０を用いた封止工程後に形成される。
【００１０】
これらの空間は前述の酸化や腐食を避けるために、
・水分除去（ドライエア）  通常レベル
・不活性ガス充填          望ましいレベル  
・減圧状態                理想的レベル
を実現することが望ましい。特に減圧状態にすると、断熱効果も期待できる。しかし、図１１の基本的な構成では、第１の空間７１を形成する工程と第２の空間７２を形成する工程（封止）を共に上記環境下で行なう必要がある。
【００１１】
しかし、前記空間を減圧状態とした製品を作る場合、自立薄膜は前述の通り薄く壊れやすいため、第１の空間と第２の空間に気圧差が生じると自立薄膜が破損するという問題が発生する。これを防ぐためには第１の空間を形成する工程から第２の空間を形成する工程までを減圧状態で維持する必要があり、製造コストは高価なものとなる。
【００１２】
また、前記空間をドライエアあるいは不活性ガス雰囲気とした製品を作る場合でも、一方の空間（第１の空間と考えてよい）を形成した後に減圧雰囲気下には置くことができない。昨今の電子部品製造は分子レベルでのコントロールが必要な場合が多く、減圧雰囲気の工程が使えないという制限は、工程を構築する障害と成り得る。
【００１３】
その対策として、第１の空間と第２の空間での気圧差を生じさせないように、キャビティ内外を連通する調圧を目的とした気体流路を設けるという手法が下記特許文献１に開示されている。
【００１４】
【特許文献１】特開２００６−１０１００５号公報  しかしながら、この特許文献１では気体流路を設けたことに起因する圧電膜の振動特性への悪影響に対する考察がなされていないきらいがある。例えば、気体流路の開口配置が不適切な場合、スプリアス共振による特性低下や応力分布のムラによる圧電膜のクラック発生等の原因となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明はこうした状況を認識してなされたものであり、その目的は、圧電膜などの自立薄膜（メンブレン）を有する電子デバイスにおいて、連通部によって自立薄膜の両側の空間を連通させる場合に、連通部の開口配置を適切にして自立薄膜の応力分布を良好に維持することで振動特性に悪影響を及ぼすことなくかつ自立薄膜のクラック発生を防止するとともに、前記両側の空間の気圧差に伴う製造工程での自立薄膜の破損を防止し、製造工程の自由度の向上（例えば減圧雰囲気の工程構築を可能とする等）を図ることのできる電子デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のある態様の電子デバイスは、キャビティを有する支持体と、前記キャビティを塞ぐように前記支持体で支持された自立薄膜と、前記自立薄膜によって仕切られた前記キャビティ内の第１の空間と、前記キャビティ外の第２の空間とを有するとともに、
前記第１の空間と第２の空間とを連通させる複数の連通部を有し、前記複数の連通部の開口は、前記支持体の自立薄膜配置面に前記自立薄膜の位置を基準として配列されていることを特徴としている。
【００１７】
前記態様の電子デバイスにおいて、前記連通部の開口は、前記自立薄膜の面方向に定義される中心線を基準とした線対称位置にあってもよい。
【００１８】
前記態様の電子デバイスにおいて、前記連通部の開口は、前記自立薄膜の面方向に定義される２本の中心線の交点を基準とした点対称位置にあってもよい。
【００１９】
前記態様の電子デバイスにおいて、前記連通部の開口は、前記キャビティを塞ぐ前記自立薄膜の外形から外れた位置にあり、前記連通部は前記支持体と前記自立薄膜との接合面以外の何れかの部分で、前記キャビティに連通している孔であってもよい。
【００２０】
前記態様の電子デバイスにおいて、前記連通部の開口は、前記キャビティを塞ぐ前記自立薄膜の外形に対して、前記キャビティの開口形状が部分的に突出することで形成されていてもよい。
【００２１】
前記態様の電子デバイスにおいて、前記第２の空間は、前記キャビティ外で且つ外部雰囲気から隔離されており、前記連通部によって前記第１の空間と前記第２の空間とは同一の気圧を維持する構成でもよい。
【００２２】
前記態様の電子デバイスにおいて、前記気圧は減圧雰囲気であってもよい。
【００２３】
前記態様の電子デバイスにおいて、前記第１の空間と第２の空間は不活性ガスにより充填されていてもよい。
【００２４】
前記態様の電子デバイスにおいて、前記自立薄膜は、圧電膜であってもよい。
【００２５】
なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法やシステムなどの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、自立薄膜で仕切られたキャビティとその外部空間とを連通させる連通部を複数設け、各連通部の開口を、前記自立薄膜の位置を基準として所定位置関係（例えば、線対称、或いは点対称、或いは線対称且つ点対称の位置関係）に配置することによって、前記自立薄膜の応力分布を良好に維持して前記開口を設けたことによる振動特性への悪影響や応力分布のムラに起因する前記自立薄膜のクラックを防止できる。この結果、電子デバイスとしての所望の特性を得ることができる。また、前記開口が複数あることで、キャビティとその外部空間との連通路の断面積の総和が大きくなり、短時間でキャビティ内外空間の気圧を同一にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照しながら本発明に係る電子デバイスの好適な実施の形態を詳述する。なお、各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理等には同一の符号を付し、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は発明を限定するものではなく例示であり、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
【００２８】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）は第１の実施の形態の全体構成の正断面図、同図（Ｂ）はIB-IB断面図、同図（Ｃ）はIC-IC断面図、同図（Ｄ）はID-ID断面図である。図２（Ａ）は第１の実施の形態の場合の自立薄膜（メンブレン）の応力分布、同図（Ｂ）は比較例１の場合の自立薄膜の応力分布の例である。
【００２９】
支持基板１０及びキャップ３０からなる支持体１は例えばＳｉ等であり、支持基板１０の主面に形成される自立薄膜２０は膜両面に電極（図示省略）を有する圧電膜である。電極材料はＭｏ，Ａｌ，Ｐｔ等である。支持基板１０には、キャビティ４０となる穴と、その穴の長手面近傍位置に貫通孔８１，８２とが形成されている。貫通孔８１，８２は支持基板１０と自立薄膜２０との接合面から外れた部分に位置しており、図２（Ａ）のように、支持基板１０の主面における貫通孔８１，８２の開口８１ａ，８２ａの配置は、キャビティ４０を塞ぐ自立薄膜２０の外形から外れた位置にあり、かつ自立薄膜２０の面方向に定義される中心線Ｘ（図示の場合、方形の自立薄膜２０の短辺の２等分線）を基準とした線対称位置である。
【００３０】
キャップ３０には貫通孔８１，８２に一端部が接続する溝部８３，８４が形成されており、溝部８３，８４の他端部はキャビティ４０の底面に開口している。この結果、自立薄膜２０によって隔離された（仕切られた）キャビティ４０内の第１の空間７１と、キャビティ外の第２の空間７２とを連通させる第１の連通部１１が貫通孔８１と溝部８３とにより構成され、同様に第２の連通部１２が貫通孔８２と溝部８４とにより構成される。なお、その他の構成は図１１の基本構成と同様である。
【００３１】
図２（Ａ）は第１の実施の形態、つまり２つの連通部１１，１２の開口８１ａ，８２ａが自立薄膜２０の面方向に定義される中心線Ｘに対して線対称の位置に形成されているときの自立薄膜の応力分布、同図（Ｂ）は比較例１であって、１個の開口８２ａのみのときの応力分布である。自立薄膜の応力分布とは、自立薄膜の面方向に働く応力の分布で、張力のようなもの（厳密には異なる）と考えてよく、自立薄膜の振動特性はこの応力分布によって変化する。図２（Ｂ）の比較例１（開口１個のみ）は応力分布にムラが多く（ピーク（山）とディップ（谷）の差が大きく）、図２（Ａ）の第１の実施の形態は応力分布にムラが少ない（ピークとディップの差が少なくなだらかである）ことを表している。このような結果となる理由は、支持基板１０に開口を有する連通部を加工する工程が自立薄膜形成後にキャビティ４０の加工と同時に行われるため、支持基板１０の内部応力の変化に伴い、開口に近い自立薄膜にも同様の内部応力の変化を与えるからと考えられる。
【００３２】
自立薄膜の応力分布にムラが多いと、スプリアス共振が発生し易くなる。また、自立薄膜にクラックが発生しやすくなる。スプリアス共振とは、目的とする信号周波数以外の不要な共振であり、ひずみや回路間の干渉によって生じる。このスプリアス共振が本来必要な信号に加わったり打ち消して、製品の特性に影響を及ぼす。例えば、図３のＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタの周波数特性において、曲線ａは自立薄膜の応力分布が良好（ピークとディップの差が少なくなだらか）で理想に近いフィルタ特性のときを示している。これに対し、曲線ｂは自立薄膜の応力分布にムラが多い（ピークとディップの差が大きい）ことに起因してクラックが自立薄膜２０に生じ、全体の挿入損失の増加と共にスプリアス共振により不要ピークが発生してフィルタ特性を劣化させている。
【００３３】
即ち、自立薄膜の応力分布はムラがないことが理想的で、ムラがあったとしても少ないほど良い。図２（Ｂ）は前述の開口形成により自立薄膜の応力分布が悪化した例で、図２（Ａ）の第１の実施の形態は同図（Ｂ）と比較して応力分布が良好である（ムラがなく平坦に近く、ピークとディップの差が少ない）ことを表している。ここで言う応力分布とは、自立薄膜の所定の場所に働く所定の応力であり、自立薄膜全体に平均的に働く応力そのものの値とは別である。即ち、自立薄膜に働く応力に応じた応力分布のムラが自立薄膜の振動に影響し、電気信号にスプリアス共振が発生する、というメカニズムである。
【００３４】
これらの結果から、開口８１ａ，８２ａが自立薄膜２０の中心線Ｘに対して線対称の位置ある第１の実施の形態の方が、１個の開口の比較例１よりも開口を設けたことによる影響を軽減でき、スプリアス共振を抑制して理想的な振動特性に近づけることが可能であり、さらに自立薄膜２０のクラック発生のおそれも少ないことがわかる。
【００３５】
第１の実施の形態によれば、下記の効果を奏することができる。
【００３６】
(1) 自立薄膜２０を有する電子デバイスにおいて、自立薄膜２０の中心線Ｘに対して線対称の位置に連通部１１，１２の開口８１ａ，８２ａを配置することで、自立薄膜２０の応力分布を良好にでき、自立薄膜２０の振動特性に悪影響を及ぼすことなく、かつ自立薄膜２０のクラック発生を防止して、自立薄膜２０の両側の第１及び第２の空間７１，７２を連通させることができる。
【００３７】
(2) これにより、両側の空間７１，７２を同一気圧に維持でき、両空間の気圧差に伴う製造工程での自立薄膜２０の破損を防止し、製造工程の自由度の向上を図ることができる。例えば、減圧雰囲気の工程構築を可能としたり、封止材６０にて封止する封止工程において空間７１，７２内に不活性ガスを充填したりすることが可能となる。
【００３８】
(3) 自立薄膜２０の外形から外れた位置の支持基板１０の主面に開口８１ａ，８２ａが形成されているから、自立薄膜２０自体に貫通孔を設けたり、自立薄膜２０の外形内側の支持基板主面に切欠溝を設けたりする必要が無く、自立薄膜２０の振動特性への影響が少ない。
【００３９】
（第２の実施の形態）
図４（Ａ）は第２の実施の形態における第１及び第２の連通部１１，１２の開口配置及び自立薄膜（メンブレン）の応力分布、同図（Ｂ）は比較例２の場合の自立薄膜の応力分布を示す。この第２の実施の形態では、第１及び第２の連通部１１，１２の開口８１ａ，８２ａは、自立薄膜２０の面方向に定義される相互に直交する中心線Ｘ，Ｙの交点Ｏに対して点対称の位置に形成されている（但し、中心線Ｙは、図示の場合、方形の自立薄膜２０の長辺の２等分線）。やはり、自立薄膜２０の応力分布のピークとディップの差が少なく、全体にムラの少ないなだらかな（平坦に近い）応力分布になっている。
【００４０】
これに反し、図４（Ｂ）の開口８１ａが１個のみの比較例１では、自立薄膜２０の応力分布のピークとディップの差が大きく、しかも応力分布のピークが多数あらわれている。この第２の実施の形態の効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００４１】
（第３の実施の形態）
図５は第３の実施の形態であって、第１及び第２の連通部１１，１２の開口８１ａ，８２ａが自立薄膜２０の中心線Ｙ上に対称配置されており、開口８１ａ，８２ａは中心線Ｘに対して線対称位置で、かつ中心線Ｘ，Ｙの交点Ｏに対して点対称位置にある。この第３の実施の形態によれば、第１又は第２の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４２】
（第４の実施の形態）
図６は第４の実施の形態であって、第１及び第２の連通部１１，１２の開口８１ａ，８２ａが自立薄膜２０の中心線Ｘ上に対称配置されており、開口８１ａ，８２ａは中心線Ｙに対して線対称位置で、かつ中心線Ｘ，Ｙの交点Ｏに対して点対称位置にある。この第４の実施の形態によっても、第３の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４３】
（第５の実施の形態）
図７（Ａ）は第５の実施の形態の全体構成の正断面図、同図（Ｂ）はVIIB-VIIB断面図、同図（Ｃ）はVIIC-VIIC断面図である。この場合、第１及び第２の連通部１１，１２はキャビティ４０の側壁面に形成された縦溝部で構成され、それぞれの開口９１ａ，９２ａは、図７（Ｂ）のように、キャビティ４０を塞ぐ自立薄膜２０の外形に対して、前記縦溝部を設けたことに起因してキャビティの開口形状が部分的に突出することで形成されている。開口９１ａ，９２ａの配置は、自立薄膜２０の面方向に定義される中心線Ｘに対して線対称の位置に形成されている。
【００４４】
この第５の実施の形態では、第１及び第２の連通部１１，１２の開口９１ａ，９２ａを設けたことにより自立薄膜２０の一部が保持されなくなるため、第１の実施の形態に比較して開口形成による自立薄膜２０の振動特性に影響が及び易いが、開口９１ａ，９２ａを線対称配置とすることで、その影響を軽減可能である。つまり、支持基板１０にキャビティ４０に縦溝部を形成することで開口９１ａ，９２ａを設ける場合、支持基板１０の加工応力が自立薄膜２０の応力分布に影響を与えると考えられるが、支持基板１０に複数の開口９１ａ，９２ａを対称位置に設けることで応力分布が改善される。その効果は第１の実施の形態に準ずる。
【００４５】
（第６の実施の形態）
図８は第６の実施の形態の開口配置を示しており、第１及び第２の連通部１１，１２の開口９１ａ，９２ａは、自立薄膜２０の面方向に定義される相互に直交する中心線Ｘ，Ｙの交点Ｏに対して点対称の位置に形成されている。この第６の実施の形態の効果は第５の実施の形態と同様である。
【００４６】
（第７の実施の形態）
図９は第７の実施の形態の開口配置を示しており、第１及び第２の連通部１１，１２の開口９１ａ，９２ａは、自立薄膜２０の中心線Ｘ上に対称配置されており、開口９１ａ，９２ａは中心線Ｙに対して線対称位置で、かつ中心線Ｘ，Ｙの交点Ｏに対して点対称位置にある。この第７の実施の形態によれば、よりいっそう応力分布が改善され、第５又は第６の実施の形態と同等以上の効果が期待される。
【００４７】
（第８の実施の形態）
図１０は第８の実施の形態の開口配置を示しており、連通部が３個ある場合を示す。この場合、第１、第２及び第３の連通部１１，１２，１３の開口８１ａ，８２ａ，８３ａは、自立薄膜２０の中心線Ｘに対して線対称となる配置である。開口８３ａは中心線Ｘに対して上半分と下半分とが線対称である。
【００４８】
このように、自立薄膜２０の振動に悪影響を及ぼさない限り、連通部の開口は偶数個に限定されず、奇数個であってもよい。
【００４９】
以上、実施の形態を例に本発明を説明したが、実施の形態の各構成要素や各処理プロセスには請求項に記載の範囲で種々の変形が可能であることは当業者に理解されるところである。以下、変形例について触れる。
【００５０】
第１〜第７の実施の形態では連通部が２個（つまり開口が２個）、第８の実施の形態では連通部が３個（つまり開口が３個）の場合を例示したが、自立薄膜２０の振動に悪影響を及ぼさない限り連通部は４個以上の偶数又は奇数個のどちらでもよい。
【００５１】
支持体１とベース基板５０との接続、一体化のための構造や封止構造は適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係る電子デバイスの第１の実施の形態であって、（Ａ）は全体構成の正断面図、（Ｂ）はIB-IB断面図、（Ｃ）はIC-IC断面図、（Ｄ）はID-ID断面図である。
【図２】自立薄膜（メンブレン）の応力分布であって、（Ａ）は第１の実施の形態の場合の自立薄膜の応力分布の説明図、（Ｂ）は開口が１個の比較例１の場合の自立薄膜の応力分布の説明図である。
【図３】ＢＡＷフィルタの理想に近いフィルタ特性と、自立薄膜にクラック発生が発生しまたスプリアス共振が発生したときのフィルタ特性とを対比した挿入損失の周波数特性図である。
【図４】本発明に係る電子デバイスの第２の実施の形態であって、（Ａ）は第２の実施の形態の場合の自立薄膜の応力分布の説明図、（Ｂ）は開口が１個の比較例２の場合の自立薄膜の応力分布の説明図である。
【図５】本発明に係る電子デバイスの第３の実施の形態であって、ベース基板及び封止材を省略して連通部の開口配置を示す底面図である。
【図６】本発明に係る電子デバイスの第４の実施の形態であって、ベース基板及び封止材を省略して連通部の開口配置を示す底面図である。
【図７】本発明に係る電子デバイスの第５の実施の形態であって、（Ａ）は全体構成の正断面図、（Ｂ）はVIIB-VIIB断面図、（Ｃ）はVIIC-VIIC断面図である。
【図８】本発明に係る電子デバイスの第６の実施の形態であって、ベース基板及び封止材を省略して連通部の開口配置を示す底面図である。
【図９】本発明に係る電子デバイスの第７の実施の形態であって、ベース基板及び封止材を省略して連通部の開口配置を示す底面図である。
【図１０】本発明の第８の実施の形態であって、ベース基板及び封止材を省略して連通部の開口配置を示す底面図である。
【図１１】自立薄膜を有する電子デバイスの基本的構成を示す正断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  支持体
１０  支持基板
１１，１２，１３  連通部
２０  自立薄膜
３０  キャップ
４０  キャビティ
５０  ベース基板
５１  外部接続用電極
６０  封止材
７１  第１の空間
７２  第２の空間
８１，８２  貫通孔
８１ａ．８２ａ，８３ａ，９１ａ，９２ａ  開口
８３，８４  溝部
Ｏ  交点
Ｘ，Ｙ  中心線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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