(57)【要約】【課題】フォトレジストパターン除去用組成物及びこれを利用した金属パターンの形成方法を提供すること。【解決手段】フォトレジストパターンの除去力及びフォトレジストパターンの除去信頼性を向上させたフォトレジストパターン除去用組成物及びこれを利用した金属パターンの形成方法が開示される。フォトレジストパターンの残留量を最少化させることによって、フォトレジストパターンの除去信頼性を向上されることができるフォトレジストパターン除去用組成物は、アミノエトキシエタノール、ポリアルキレンオキサイド化合物、グリコールエテール化合物、及び残部として含窒素非プロトン性極性溶媒を含む。これによって、基板からフォトレジストパターンを容易に除去できるため、フォトレジストパターンの除去力を向上させることができ、フォトレジストパターンの残留量を最少化させることによって、フォトレジストパターンの除去信頼性を向上させることができる。【選択図】図２
2010153851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アミノエトキシエタノール５重量％〜２０重量％と、
ポリアルキレンオキサイド化合物２重量％〜１０重量％と、
グリコールエテール化合物１０重量％〜３０重量％と、
残部として含窒素非プロトン性極性溶媒と、を含むことを特徴とするフォトレジストパターン除去用組成物。
【請求項２】
前記ポリアルキレンオキサイド化合物は、重量平均分子量が５０〜５００であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストパターン除去用組成物。
【請求項３】
前記ポリアルキレンオキサイド化合物は、下記の化学式１に示す
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストパターン除去用組成物。
【化１】
2010153851.tif 000008
（前記化学式１で、前記Ｒは、炭素数が１〜４の炭化水素を示し、ｎは、１〜５０の自然数を示す。）
【請求項４】
前記グリコールエテール化合物は、
ジエチレングリコールモノメチルエテール、ジエチレングリコールモノエチルエテール、ジエチレングリコールモノブチルエテール、及びジプロピレングリコールモノエチルエテールからなる群より選択された少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストパターン除去用組成物。
【請求項５】
前記含窒素非プロトン性極性溶媒は、
Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、及びＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）からなる群から選択された少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストパターン除去用組成物。
【請求項６】
腐食防止剤としてトリアゾール系化合物を０．１重量％〜３重量％をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストパターン除去用組成物。
【請求項７】
基板上の金属層上にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを利用して、前記金属層をパターニングする段階と、
アミノエトキシエタノール５重量％〜２０重量％、ポリアルキレンオキサイド化合物２重量％〜１０重量％、グリコールエテール化合物１０重量％〜３０重量％、及び残部として含窒素非プロトン性極性溶媒を含むフォトレジストパターン除去用組成物を利用して前記フォトレジストパターンを除去する段階を含むことを特徴とする金属パターンの形成方法。
【請求項８】
前記フォトレジストパターンを除去する段階は、
前記フォトレジストパターンが形成された基板上にフォトレジストパターン除去用組成物を噴射する段階と、
前記フォトレジストパターン除去用組成物に溶解された前記フォトレジストパターンを純水を利用して除去することによって基板を洗浄する段階と、を含むことを特徴とする請求項７に記載の金属パターンの形成方法。
【請求項９】
前記フォトレジストパターン除去用組成物を噴射した後、前記基板を洗浄する前に、前記基板に高圧ガスを噴射する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の金属パターンの形成方法。
【請求項１０】
前記金属層は、
銅、アルミニウム、及びモリブデンからなる群から選択された少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９に記載の金属パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトレジストパターン除去用組成物及びこれを利用した金属パターンの形成方法に関し、より詳しくは、薄膜トランジスタ製造に利用されるフォトレジストパターン除去用組成物及びこれを利用した金属パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、フォトリソグラフィー工程は、マスク（ｍａｓｋ）に設計されたパターンを、加工する薄膜が形成された基板上に転写させる一連の写真工程である。フォトリソグラフィー工程は、集積回路、高集積回路などを含む半導体装置、液晶表示装置、平板表示装置などにような画像表示装置などを製造するのに利用される。
【０００３】
フォトリソグラフィー工程は、感光性物質であるフォトレジストを薄膜が形成されたガラス基板上に塗布（ｃｏａｔｉｎｇ）し、前記フォトレジストが塗布された基板上にマスクを配置し、光を照射する露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）を行った後、前記フォトレジストを現象（ｄｅｖｅｌｏｐ）してフォトレジストパターンを形成する。前記薄膜は、例えば、金属膜、絶縁膜などであってもよい。前記フォトレジストパターンをエッチング防止膜として利用して前記薄膜をエッチングした後、前記フォトレジストパターンをフォトレジストパターン除去用組成物であるストリッパー（ｓｔｒｉｐｐｅｒ）を利用して基板上から除去する。これによって、前記薄膜がパターニングされて薄膜パターンを形成することができる。
【０００４】
前記フォトレジストパターンの除去工程は、一般的に高温で行われるが、前記ストリッパーは前記高温により、前記フォトレジストパターンを除去するだけでなく、前記薄膜パターンと反応して、前記薄膜パターンに損傷を与えてしまう。また、液圧など液を利用した液切り方式（hydraulic cutting process）で前記ストリッパーを利用して前記フォトレジストパターンを除去する場合、液切り工程で前記ストリッパーによって、前記基板から分離された前記フォトレジストパターンが再び前記基板に再付着する問題点がある。また、前記薄膜パターンは、基板に残留するストリッパー及び前記ストリッパーに溶解されたフォトレジストパターンを完全に除去するための洗浄工程で利用される洗浄液によっても損傷を受けることがある。
【０００５】
上述の問題点を解決するために、前記ストリッパーに腐食防止剤を添加して前記薄膜パターンの腐食を防止するか、または界面活性剤を添加してフォトレジストパターンの再付着を防ごうとしている。しかし、上述のような腐食防止剤、界面活性剤などの多量の添加剤の添加によって、却ってストリッパーのフォトレジストパターンの除去力が低下する可能性があり、前記ストリッパーの性能を向上させることに限界がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平7-64297号公報
【特許文献２】韓国特許出願公開2007-0114038号明細書
【特許文献３】韓国特許出願公開2006-0117667号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は上記従来の液晶表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、下部薄膜パターンの損傷を防ぎ、フォトレジストパターンの除去力を向上させ、前記薄膜パターンに前記フォトレジストパターンが再付着されることを防ぐフォトレジストパターン除去用組成物を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、前記フォトレジストパターン除去用組成物を利用した金属パターンの形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するためになされた実施形態によるフォトレジストパターン除去用組成物は、約５重量％〜約２０重量％のアミノエトキシエタノール、約２重量％〜約１０重量％のポリアルキレンオキサイド化合物、約１０重量％〜約３０重量％のグリコールエテール化合物、及び残部として含窒素非プロトン性極性溶媒を含む。
【００１０】
一実施形態において、前記ポリアルキレンオキサイド化合物は、重量平均分子量が約５０〜約５００であってもよい。
【００１１】
一実施形態において、前記グリコールエテール化合物の例としては、ジエチレングリコールモノメチルエテール、ジエチレングリコールモノエチルエテール、ジエチレングリコールモノブチルエテール、ジプロピレングリコールモノエチルエテールなどを挙げることができる。
【００１２】
一実施形態において、前記含窒素非プロトン性極性溶媒の例としては、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、及びＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）などを挙げることができる。
【００１３】
一実施形態において、前記フォトレジストパターン除去用組成物は、腐食防止剤としてトリアゾール系化合物をさらに含んでもよい。前記トリアゾール系化合物の含量は約０．１重量％〜約３重量％であってもよい。
【００１４】
上記他の目的を達成するためになされた本発明による金属パターンの形成方法が提供される。フォトレジストパターンを基板上の金属層上に形成する。前記フォトレジストパターンを利用して、前記金属層をパターニングし、前記フォトレジストパターンを除去することによって、金属パターンを形成することができる。前記フォトレジストパターンを除去する段階で、前記フォトレジストパターンは、アミノエトキシエタノール５重量％〜２０重量％、ポリアルキレンオキサイド化合物化合物２重量％〜１０重量％、グリコールエテール化合物１０重量％〜３０重量％、及び残部として含窒素非プロトン性極性溶媒を含むフォトレジストパターン除去用組成物を利用して除去することができる。
【００１５】
前記フォトレジストパターンを除去する段階で、前記フォトレジストパターンが形成された基板上に前記フォトレジストパターン除去用組成物を噴射し、湿式洗浄を通じて前記フォトレジストパターン除去用組成物及び前記フォトレジスト除去用組成物に溶解された前記フォトレジストパターンを除去することができる。
【００１６】
前記フォトレジストパターン除去用組成物を噴射した後、前記基板を湿式洗浄をする前に、前記フォトレジストパターン除去用組成物及び前記フォトレジストパターン除去用組成物に溶解された前記フォトレジストパターンを除去するように高圧ガスを噴射することができる。
【００１７】
一実施形態において、前記フォトレジストパターン除去用組成物は、腐食防止剤としてトリアゾール系化合物０．１重量％〜３重量％をさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００１８】
このようなフォトレジストパターン除去用組成物及びこれを利用した金属パターンの形成方法によると、フォトレジストパターンを除去する工程で前記フォトレジストパターンの下部に形成された下部薄膜パターンの損傷を最少化できる。また、液切り工程で前記薄膜パターンから分離された前記フォトレジストパターンが再び前記薄膜パターンの再付着することを防ぐことができる。よって、フォトレジストパターンの除去力及びフォトレジストパターンの除去信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態によるゲートパターンを形成する段階を説明するための断面図である。
【図２】本発明の一実施形態によるゲートパターンを形成する段階を説明するための断面図である。
【図３】フォトレジストパターンを除去する段階を説明するためのフォトレジスト除去用装置を概略的に示す図である。
【図４】本発明の一実施形態によるソースパターンを形成する段階を説明するための断面図である。
【図５】本発明の一実施形態によるソースパターンを形成する段階を説明するための断面図である。
【図６】本発明の一実施形態によるソースパターンを形成する段階を説明するための断面図である。
【図７】本発明の一実施形態によるソースパターンを形成する段階を説明するための断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による画素電極を形成する段階を説明するための断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の表示装置の望ましい実施例をより詳しく説明する。本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるため、特定実施例を図面に例示し、本明細書に詳しく説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に対して限定しようとすることではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、ないしは代替物を含むことと理解されるべきである。各図面を説明しながら類似する参照符号を、類似する構成要素に対して使用した。添付図面において、構造物のサイズは本発明の明確性に基づくために実際より拡大して示した。第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するにあたって使用することができるが、各構成要素は使用される用語によって限定されるものではない。各用語は１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使用されるものであって、例えば、明細書中において、第１構成要素を第２構成要素に書き換えることも可能であり、同様に第２構成要素を第１構成要素とすることができる。単数表現は文脈上、明白に異なる意味を有しない限り、複数の表現を含む。
【００２１】
本明細書において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、１つまたはそれ以上の別の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないことと理解されるべきである。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとする場合、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合のみでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。反対に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「下に」あるとする場合、これは他の部分の「すぐ下に」ある場合のみでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。
【００２２】
フォトレジストパターン除去用組成物
フォトレジストパターン除去用組成物は、ａ）アミノエトキシエタノール、ｂ）ポリアルキレンオキサイド化合物、ｃ）グリコールエテール化合物、及びｄ）含窒素非プロトン性極性溶媒を含む。前記フォトレジストパターン除去用組成物は、ｅ）腐食防止剤をさらに含んでもよい。以下、本発明のフォトレジストパターン除去用組成物の各成分について具体的に説明する。
【００２３】
ａ）アミノエトキシエタノール
前記アミノエトキシエタノールは、薄膜のエッチング工程、フォトレジストパターンのアッシング工程またはイオン注入工程などを経ている間に変質されて、架橋構造のフォトレジストパターンの高分子マトリックスに強力に浸透することによって、前記フォトレジストパターンを構成する分子の間の引力または分子内の結合を壊し得る。よって、前記フォトレジストパターン内部の構造的に弱い部分に空き空間を形成し、前記フォトレジストパターンを非晶質型高分子ゲル（ｇｅｌ）状態に変形されることによって、前記フォトレジストパターンを基板から分離させることができる。
【００２４】
前記フォトレジストパターン除去用組成物が、アミノエトキシエタノールではない、２次アミン及び／または３次アミンを含む場合、前記フォトレジスト除去用組成物が前記フォトレジストパターンに浸透する程度がアミノエトキシエタノールを含む場合に比べて相対的に低いことがある。
【００２５】
前記アミノエトキシエタノールの含量が、約５重量％未満である場合、フォトレジストパターンのアッシング工程またはイオン注入工程などを経ている間に変質されて架橋構造のフォトレジストパターンに浸透する程度が低く、前記フォトレジストパターンを除去することが容易ではないことがある。また、前記アミノエトキシエタノールの含量が、約２０重量％超過の場合、前記フォトレジストパターンの下部に形成された下部薄膜が容易に損傷を受けてしまう。従って、前記アミノエトキシエタノールの含量は、約５重量％〜約２０重量％であることが望ましい。
【００２６】
ｂ）ポリアルキレンオキサイド化合物
前記ポリアルキレンオキサイド化合物は、液切り工程で前記フォトレジストパターン除去用組成物が完全に乾燥することを防ぐことによって、前記フォトレジストパターン除去用組成物によって溶解されたフォトレジストパターンが前記基板上に再付着することを防ぐことができる。特に、前記ポリアルキレンオキサイド化合物は、水との親水性が非常に強くて、純水を利用した洗浄工程で前記基板から容易に除去できる。
【００２７】
前記ポリアルキレンオキサイド化合物は、下記の化学式１にて示すことができる。
【００２８】
【化１】
2010153851.tif 000003
【００２９】
前記化学式１で、前記Ｒは、炭素数が１〜４の炭化水素を示し、ｎは、１〜５０の自然数を示す。例えば、前記Ｒは、-（ＣＨ２）-、-（ＣＨ２）２-、-（ＣＨ２）３-、-（ＣＨ２）４-であり得る。
【００３０】
前記Ｒは、炭素数が５以上である場合には、純水を利用した洗浄工程で前記ポリアルキレンオキサイド化合物が前記純水に溶解されなくて前記基板に残留することがある。前記ポリアルキレンオキサイド化合物の例としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどを挙げることができる。
【００３１】
前記ポリアルキレンオキサイド化合物の含量が約２重量％未満である場合、前記フォトレジストパターンを除去した後、前記基板上に前記ポリアルキレンオキサイド化合物が残留する量が極めて少なくて前記フォトレジストパターンを完全に除去することが難しい場合がある。また、前記ポリアルキレンオキサイド化合物の含量が、約１０重量％超過の場合、前記フォトレジストパターン除去用組成物の前記フォトレジストパターンの除去力を低下させることがある。従って、前記ポリアルキレンオキサイド化合物の含量は、約２重量％〜約１０重量％であることが望ましい。
【００３２】
前記ポリアルキレンオキサイド化合物の平均分子量は、約３０〜約６００であることが望ましい。前記ポリアルキレンオキサイド化合物の重量平均分子量が約５０未満である場合には、液切り工程で前記基板上に残留する前記ポリアルキレンオキサイド化合物の量が極めて少なくて、前記フォトレジストパターン除去用組成物によって溶解されていた前記フォトレジストパターンが固化されて前記基板上に再付着され得る。前記ポリアルキレンオキサイド化合物の重量平均分子量が、約５００超過である場合には、前記フォトレジストパターン除去用組成物の粘度を高めて前記フォトレジストパターンの前記フォトレジストパターンの除去力を低下させ得る。従って、前記ポリアルキレンオキサイド化合物の平均分子量は、約５０〜約５００であることがさらに望ましい。
【００３３】
ｃ）グリコールエテール化合物
前記グリコールエテール化合物は、極性（ｐｏｌａｒｉｔｙ）及びプロトン性（ｐｒｏｔｉｃ）を有する。前記アミノエトキシエタノールによってゲル（ｇｅｌ）化されたフォトレジストパターンが前記グリコールエテール化合物に溶解されてもよい。また、前記フォトレジストパターン除去用組成物が前記フォトレジストパターンの除去工程で揮発されることを防ぐことができる。従って、前記フォトレジストパターン除去用組成物の初期組成比と、工程進行後のフォトレジストパターン除去用組成物の組成比が一定に維持できる。
【００３４】
前記グリコールエテール化合物の例としては、エチレングリコールメチルエテール、エチレングリコールエチルエテール、エチレングリコールブチルエテール、ジエチレングリコールメチルエテール、ジエチレングリコールエチルエテール、ジエチレングリコールブチルエテール、ジエチレングリコールプロピルエテール、トリエチレングリコールメチルエテール、トリエチレングリコールエチルエテール、トリエチレングリコールブチルエテールなどを挙げることができる。
【００３５】
前記グリコールエテール化合物の含量が約１０重量％未満である場合、前記フォトレジストパターンに対する濡れ度が低下して均一な剥離特性を得ることが容易ではない場合がある。また、前記グリコールエテール化合物の含量が、約３０重量％を超過する場合、前記フォトレジストパターン除去用組成物で前記ポリアルキレンオキサイド化合物及び／または前記アミノエトキシエタノールの含量が相対的に少なくなるため、前記フォトレジストパターンの除去力が低下することがある。従って、前記フォトレジストパターン除去用組成物は、約１０重量％〜約３０重量％の前記グリコールエテール化合物を含む。
【００３６】
ｄ）含窒素非プロトン性極性溶媒
前記含窒素非プロトン性極性溶媒は、前記基板から分離された前記フォトレジストパターンを単位分子で分離させて前記フォトレジストパターン除去用組成物に溶解させることができる。特に、前記含窒素非プロトン性極性溶媒は、分子内機能基（functional group）が窒素を含むことによって、前記アミノエトキシエタノールが前記フォトレジストパターン内部に浸透して、前記フォトレジストパターンをゲル状に変換して除去することを補助し得る。また、前記含窒素非プロトン性極性溶媒は、前記アミノエトキシエタノールと親和性があるため、前記フォトレジストパターンを除去する工程で揮発による前記フォトレジストパターン除去用組成物の組成変化を最少化させることができる。
【００３７】
前記含窒素非プロトン性極性溶媒の例としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、アセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’−ジエチルアセトアミド、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミダゾール、Ｎ−アリルホルムアミド、Ｎ−ブチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、Ｎ−ペンチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどを挙げることができる。前記含窒素非プロトン性極性溶媒の粘度が低い場合、前記フォトレジストパターン除去用組成物の流れ性が向上してフォトレジストパターンの除去力が向上する。また、前記含窒素非プロトン性極性溶媒の分子量が少ない場合、同一体積当たりの分子数が増大するために、一定量のフォトレジストパターン除去用組成物で処理できる基板の数を増加させることができる。従って、前記含窒素非プロトン性極性溶媒の粘度は、約０．０１ｃＰ（ｃｅｎｔｉ  ｐｏｉｓｅ）〜約２ｃＰであることが望ましく、前記含窒素非プロトン性極性溶媒の分子量は、約５０〜約１００であることが望ましい。これによる、前記含窒素非プロトン性極性溶媒としては、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、またはＮ−メチルピロリドンなどを利用することが望ましい。
【００３８】
前記含窒素非プロトン性極性溶媒の含量が約８０重量％を超過する場合、前記フォトレジストパターン除去用組成物の表面張力が上昇することによって、前記フォトレジストパターンに対する濡れ度が低下して均一な剥離特性を得ることが容易ではない。従って、前記含窒素非プロトン性極性溶媒の含量は、約８０重量％以下であることが望ましい。より詳しくは、前記含窒素非プロトン性極性溶媒の含量は、約３０重量％〜約８０重量％である。
【００３９】
ｅ）腐食防止剤
前記腐食防止剤は、非共有電子対を有する、-Ｎ-、-Ｓ-、-Ｏ-などの原子を含む化合物で、特に、水酸基（-ＯＨ）、硫化水素−ＳＨなどを含む。前記腐食防止剤の反応基が金属と物理的、化学的に吸着して前記金属を含む金属薄膜の腐食を防ぐことができる。
【００４０】
前記腐食防止剤は、トリアゾール系化合物を含む。前記トリアゾール系化合物の具体的な例としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾールなどを挙げることができる。
【００４１】
前記腐食防止剤の含量が約０．１重量％未満である場合、前記フォトレジストパターン除去用組成物の前記フォトレジストパターンの下部薄膜に対する腐食を防ぐことができない。前記腐食防止剤の含量が約３重量％を超過する場合、前記腐食防止剤が前記基板上に非常に吸着されて前記基板に残留するか、または前記フォトレジストパターン除去用組成物の前記フォトレジストパターンの除去力を低下させる。従って、前記腐食防止剤の含量は、約０．１重量％〜約３重量％であると良い。
【００４２】
以下では、実施形態と比較例を通じて本発明をより詳しく説明する。但し、下記の実施形態は、本発明を例示するためだけであって、本発明の内容はそれらに限定するのではない。
【００４３】
フォトレジストパターン除去用組成物の実施形態１〜１５
下記の表１に従って、フォトレジストパターン除去用組成物を準備する。
【００４４】
【表１】
2010153851.tif 000004
【００４５】
前記表１で、Ｃは成分の含量を重量％で示す。ＡＥＥは、２−（２-アミノエトキシ）エタノール、ＤＭＡｃはＮ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、ＮＭＦはＮ−メチルホルムアミド、ＮＭＰはＮ−メチル−２−ピロリドン、ＭＤＧはジエチレングリコールモノメチルエテール、ＥＤＧはジエチレングリコールモノエチルエテール、ＢＤＧはジエチレングリコールモノブチルエテール、ＤＰＧＭＥはジプロピレングリコールモノメチルエテール、ＰＥＧ−２００は重量平均分子量が２００のポリエチレンオキサイド重合体、ＰＥＧ−３００は重量平均分子量が３００のポリアルキレンオキサイド重合体、ＰＥＧ−５００は重量平均分子量が５００のポリエチレンオキサイド重合体、ＰＥＧ−７００は重量平均分子量が７００のポリアルキレンオキサイド重合体、ＢＴはベンゾトリアゾールをそれぞれ示す。
【００４６】
フォトレジストパターン除去用組成物の比較例１〜９
下記表２に従ったフォトレジストパターン除去用組成物を準備した。
【００４７】
【表２】
2010153851.tif 000005
【００４８】
前記表２で、ＡＥＥは、２−（２-アミノエトキシ）エタノール、ＭＥＡはモノエタノールアミン、ＭＩＰＡはモノイソプロパノールアミン、ＤＥＡはジエタノールアミン、ＴＥＡはトリエタノールアミン、ＮＭＦはＮ−メチルホルムアミド、ＮＭＰは、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ＤＰＧＭＥはジプロピレングリコールモノメチルエテール、ＤＭＳＯはジメチルスルホキシド、ｓｕｌｆｏｌａｎｅは、２，３，４，５−テトラヒドロチオフェン−１，１−ダイオクサイド、ＰＥＧ−２００は重量平均分子量が２００のポリエチレンオキサイド重合体、ＢＴはベンゾトリアゾールをそれぞれ示す。
【００４９】
実験試片の製造
アルミニウム層及び前記アルミニウム層上に形成されたモリブデン層を含む金属薄膜が形成された基板上にフォトレジスト組成物をコーティングした後、露光及び現象工程を経てフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンをエッチング防止膜として利用して前記金属薄膜をエッチングして金属パターンを形成することによって、実験試片を完成する。
【００５０】
実験１−フォトレジストパターンの除去力評価
約６０℃で維持された実施形態１〜１５及び比較例１〜９のフォトレジストパターン除去用組成物のそれぞれに実験試片を約１分間浸漬した後、純水で約３０秒間洗浄し、窒素ガスを利用して乾燥させた。前記乾燥された実験試片を約２００倍率の光学顕微鏡と、約２０００〜約５０００倍率の電界放射型走査電子顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＦＥ−ＳＥＭ）でフォトレジストパターンの残留可否を確認し、その結果を下記の表３に示した。
【００５１】
実験２−フォトレジストパターン除去用組成物の処理容量評価
実施形態１〜１５及び比較例１〜９のフォトレジストパターン除去用組成物のそれぞれに前記フォトレジストパターン除去用組成物重量を基準に乾燥されたフォトパターンを約０．５％を溶解させた後、前記フォトレジストパターン除去用組成物を約６０℃で維持させた。前記フォトパターンが溶解された前記フォトレジストパターン除去用組成物のそれぞれに実験試片を約１分間浸漬した後、純水で約３０秒間洗浄し、窒素ガスを利用して乾燥した。前記乾燥された実験試片を、約２００倍率の光学顕微鏡と、約２０００〜約５０００倍率の電界放射型走査電子顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＦＥ−ＳＥＭ）でフォトレジストパターンの残留可否を確認し、その結果を下記の表３に示した。
【００５２】
前記実験２を通じて、既にある程度のフォトパターンがフォトレジストパターン除去用組成物に溶解された状態で、実験試料に含まれたフォトレジストパターンが除去される度合いに基づいて、フォトレジストパターン除去用組成物の処理容量を確認しようとした。つまり、フォトレジストパターンの残留が無い場合が、フォトレジストパターンが残留する場合に比べて相対的に処理容量が多いことを意味する。
【００５３】
実験３−フォトレジストパターンの再付着性評価
実施形態１〜１５及び比較例１〜９のフォトレジストパターン除去用組成物のそれぞれに前記フォトレジストパターン除去用組成物重量を基準に乾燥されたフォトパターンを約０．１％溶解させた後、前記フォトレジストパターン除去用組成物を約６０℃に維持させた。前記フォトレジストパターンが溶解された前記フォトレジストパターン除去用組成物のそれぞれに実験試片を約２分間浸漬させた後、一定の圧力の窒素ガスで約１０秒間乾燥させ（液切り工程）、純水で約３０秒間洗浄した後、窒素ガスを利用して乾燥させた。前記乾燥された実験試片を、約２００倍率の光学顕微鏡と、約２０００〜約５０００倍率の電界放射型走査電子顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＦＥ−ＳＥＭ）でフォトレジストパターンの残留可否を確認し、その結果を下記の表３に示した。
【００５４】
前記実験３を通じて、既にある程度のフォトパターンがフォトレジストパターン除去用組成物に溶解された状態で実験試片を浸漬することによって、前記フォトレジストパターン除去用組成物が液切り工程の高圧気体によって影響を受けて、前記フォトパターンが基板に付着される度合いを確認しようとした。つまり、フォトレジストパターンの残留が無い場合には、前記フォトパターンが溶解されたフォトレジストパターン除去用組成物が前記フォトレジストパターンを前記基板から分離させ、液切り工程を経たとしても前記フォトパターン及び／または前記フォトレジストパターンが前記基板に再び付着しないことを意味する。また、フォトレジストパターンが残留する場合には、前記フォトレジストパターンが前記フォトレジストパターン除去用組成物に溶解されても前記液切り工程によって前記フォトレジストパターン及び／または前記フォトパターンが前記基板にある程度再び付着することを意味する。
【００５５】
表３において、「◎」はフォトレジストパターンが残留しないことを、「○」はフォトレジストパターンがほぼ残留しないことを、「△」は若干のフォトレジストパターンが残留することを、「×」は大量のフォトレジストパターンが残留することを示す。
【００５６】
【表３】
2010153851.tif 000006
【００５７】
実験４−下部薄膜の腐食評価
約６０℃で維持された実施形態１〜１５及び比較例のフォトレジストパターン除去用組成物のそれぞれにアルミニウム薄膜を含む第１試片、モリブデン薄膜を含む第２試片及び銅薄膜を含む第３試片を約１０分間浸漬した後、純水で約３０秒間洗浄し、窒素ガスを利用して約１０秒間乾燥した。前記乾燥された実験試片を、約２００倍率の光学顕微鏡と、約２０００〜約５０００倍率の電界放射型走査電子顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＦＥ−ＳＥＭ）で前記第１〜第３試片の表面及び断面を確認し、その結果を下記の表４に示した。
【００５８】
表４において、「◎」は金属薄膜パターンの表面及び側面から腐食が観察されない、「○」は金属薄膜パターンの表面及び側面から若干の腐食が観察される、「△」は金属薄膜パターンの表面及び側面から部分的に腐食が観察される、「×」は金属薄膜パターンの表面及び側面から全体的な腐食が観察されることを示す。
【００５９】
【表４】
2010153851.tif 000007
【００６０】
前記表３を参照すると、実施形態１〜１５によるフォトレジストパターン除去用組成物は、それぞれ前記フォトレジストパターンを前記基板からほぼ除去することができ、フォトレジストパターンの処理容量が大きいことがわかる。また、実施形態１〜１５によるフォトレジストパターン除去用組成物を利用してフォトレジストパターンを除去する時、前記液切り工程を経たとしても前記フォトレジストパターンが前記基板にほぼ再付着しないことがわかる。
【００６１】
但し、実施形態１５によるフォトレジストパターン除去用組成物は、フォトレジストパターンの除去力及び処理容量は、良好であるが、フォトレジストパターンの一部が再付着されて前記フォトレジストパターンの除去工程が終了しても前記基板にフォトレジストパターンの一部が残留することがわかる。つまり、ポリアルキレンオキサイド化合物の重量平均分子量が、約７００である場合、重量平均分子量が、約２００、約３００、及び約５００である場合に比べて相対的に容易にフォトレジストパターンが再付着することがあるため、本発明のポリアルキレンオキサイド化合物の重量平均分子量は、約５００以下が望ましい。
【００６２】
前記表４を参照すると、実施形態１〜１５によるフォトレジストパターン除去用組成物は、それぞれ銅薄膜、アルミニウム薄膜、及びモリブデン薄膜をほぼ腐食させなず、銅薄膜パターン、アルミニウム薄膜パターン、及びモリブデン薄膜パターンが形成できることがわかる。
【００６３】
反面、比較例１〜比較例２によるフォトレジストパターン除去用組成物は、フォトレジストパターンの除去力及び処理容量が良好で、金属薄膜の腐食性が少ないことがわかるが、ポリアルキレンオキサイド化合物を含まないか、または約１重量％の少量を含むことによって、フォトレジストパターンの再付着性が実施形態１〜１５によるフォトレジストパターン除去用組成物に比べて高い問題点があることがわかる。
【００６４】
比較例３によるフォトレジストパターン除去用組成物は、フォトレジストパターンの再付着性が低く、金属薄膜の腐食性が少ないことがわかるが、約１２重量％の大量のポリアルキレンオキサイド化合物を含むことによって、フォトレジストパターンの除去力及び処理容量が実施形態１〜１５によるフォトレジストパターン除去用組成物に比べて相対的に低い問題点があることがわかる。
【００６５】
比較例４及び５によるフォトレジストパターン除去用組成物は、フォトレジストパターンの除去力がよく、フォトレジストパターンの再付着性が低く、金属薄膜の腐食性が少ないことがわかるが、極性溶媒としてそれぞれ、ジメチルスルホキシド及び２，３，４，５−テトラヒドロチオフェン−１，１−ダイオクサイドを利用することによって、実施形態１〜１５によるフォトレジストパターン除去用組成物に比べて相対的にフォトレジストパターンの処理容量が低い問題点があることがわかる。
【００６６】
比較例６及び比較例７によるフォトレジストパターン除去用組成物は、それぞれフォトレジストパターンの除去力及び処理容量がよく、フォトレジストパターンの再付着性が低いことがわかるが、アルカノールアミン化合物として、それぞれモノエタノールアミン及びモノイソプロパノールアミンを利用することによって、実施形態１〜１５によるフォトレジストパターン除去用組成物に比べて相対的に金属薄膜の腐食性が高い問題点があることがわかる。
【００６７】
比較例８及び比較例９によるフォトレジストパターン除去用組成物は、それぞれフォトレジストパターンの再付着性が低く、金属薄膜の腐食性が低いことがわかるが、アルカノールアミン化合物としてそれぞれジエタノールアミン及びトリエタノールアミンを利用することによって実施形態１〜１５によるフォトレジストパターン除去用組成物に比べて相対的にフォトレジストパターンの除去力及び処理容量が低い問題点があることがわかる。
【００６８】
以上、上述の詳しい説明によると、本発明によるフォトレジストパターン除去用組成物は、フォトレジストパターンを除去する工程で前記フォトレジストパターンの下部に形成された下部薄膜パターンの損傷を最少化させることができる。また、液切り工程で前記薄膜パターンより分離された前記フォトレジストパターンが再び前記薄膜パターンに再付着されることを防ぐことができる。よって、フォトレジストパターンの除去力及びフォトレジストパターンの除去信頼性を向上させることができる。
【００６９】
以下において、図１〜図８を参照して、本発明によるフォトレジストパターン除去用組成物を利用して金属パターンを形成する段階を含む表示基板の製造方法について説明する。前記金属パターンは、前記表示基板のゲートパターン及び／またはソースパターンであってもよい。
【００７０】
表示基板の製造方法
図１及び図２は、本発明の一実施形態によるゲートパターンを形成する段階を説明するための断面図である。
【００７１】
図１を参照すると、ベース基板１１０上にゲート金属層１２０を形成する。前記ゲート金属層１２０を形成する物質の例としては、銅、モリブデン、アルミニウムなどを挙げることができる。これらは単独または混合して使用してもよい。
【００７２】
前記ゲート金属層の１２０上に第１フォトレジスト膜１３０を形成する。前記第１フォトレジスト膜１３０は、前記ゲート金属層１２０が形成されたベース基板１１０上にフォトレジスト組成物滴下し、滴下されたフォトレジスト組成物をコーティングすることによって形成してもよい。前記フォトレジスト組成物をコーティングする方法としてはスリット及び／またはスピンコーティング法を利用してもよい。前記フォトレジスト組成物は、例えば、露光される領域が現象液によって除去されるポジティブタイプであってもよい。
【００７３】
図２を参照すると、前記第１フォトレジスト膜１３０が形成された前記ベース基板１１０の上部に第１マスク（ＭＡＳＫ１）を配置させる。前記第１マスク（ＭＡＳＫ１）の上部から前記第１フォトレジスト膜１３０に向かって光を照射し、前記第１フォトレジスト膜１３０を現象して第１フォトレジストパターン１３２を形成する。
【００７４】
前記第１フォトレジストパターン１３２をエッチング防止膜として利用して、前記ゲート金属層１２０をエッチングしてゲートパターンＧＰを形成する。前記ゲートパターンＧＰは、ゲートラインＧＬ及びゲート電極ＧＥを含んでもよい。前記ゲートラインＧＬは、前記ベース基板１１０の一方向に延長してもよい。前記ゲート電極ＧＥは、前記ゲートラインＧＬと接続して形成されてもよい。
【００７５】
続いて、前記ゲート電極ＧＰ上に形成された前記第１フォトレジストパターン１３２をフォトレジストパターン除去用組成物を利用して除去する。前記フォトレジストパターン除去用組成物は、アミノエトキシエタノール５重量％〜２０重量％、ポリアルキレンオキサイド化合物２重量％〜１０重量％、グリコールエテール化合物１０重量％〜３０重量％、及び残部として含窒素非プロトン性極性溶媒を含む。前記フォトレジストパターン除去用組成物は前記説明した本発明によるフォトレジストパターン除去用組成物と実質的に同一である。従って、繰り返される説明は省略する。以下において、前記第１フォトレジストパターン１３２を除去する段階をフォトレジストパターン除去用装置と共に説明する。
【００７６】
図３は、フォトレジストパターンを除去する段階を説明するためのフォトレジストパターン除去用装置を概略的に示す図である。
【００７７】
図３を参照すると、前記ゲートパターンＧＰ上に形成された前記フォトレジストパターン１３２を除去するために前記ベース基板１１０をフォトレジスト除去用装置に投入する。前記フォトレジストパターン除去用装置は、チャンバ３００と、基板をロード部２００から前記チャンバ３００を介してアップロード部４００に移送する移送装置ＣＢを含んでもよい。前記チャンバ３００は役割によって、第１バス（ｂａｔｈ）３１０、第２バス３２０、第３バス３３０、及び第４バス３４０に区画することができる。前記基板は前記移送装置ＣＢによって、前記チャンバ３００内へ連続的に移動でき、各バスで一定時間停止した後、次のバスに移動できる。
【００７８】
前記ロード部２００に最初に安着される基板を「第１処理基板」と定義する。前記第１処理基板Ｐ１は、前記ゲートパターンＧＰ及び前記第１フォトレジストパターン１３２を含む。
【００７９】
前記第１バス３１０は、前記第１バス３１０へ投入された前記第１処理基板Ｐ１に前記フォトレジストパターン除去用組成物を噴射する空間である。前記ロード部２００から前記第１バス３１０に提供された基板を「第２処理基板」と定義する。前記第２処理基板Ｐ２に噴射された前記フォトレジストパターン除去用組成物は、重力によって前記第１バス３１０の床に流れ、一部は前記第２処理基板Ｐ２に残留する。前記フォトレジストパターン除去用組成物は、前記第２処理基板Ｐ２の前記第１フォトレジストパターン１３２を溶解させることができる。前記フォトレジストパターン除去用組成物は、前記第２処理基板Ｐ２の前記ゲートパターンＧＰを損傷させずに、前記第１フォトレジストパターン１３２のみを溶解させることができる。
【００８０】
前記第２バス３２０は、前記第１バス３１０と前記第３バス３３０との間に配置され、前記第１バス３１０と第３バス３３０を接続することができる。前記第１バス３１０から前記第２バス３２０に提供された基板を「第３処理基板」と定義する。前記第２バスは、前記フォトレジストパターン除去用組成物の一部を除去するように前記第３処理基板Ｐ３に高圧ガスを噴射する空間である。前記第３処理基板Ｐ３に高圧ガスが噴射されても前記フォトレジストパターン除去用組成物が乾燥しすぎないため、前記第１フォトレジストパターン１３２が前記第３処理基板Ｐ３に再び付着することを防ぐことができる。よって、次の工程である第３バス３３０で、前記第１フォトレジストパターン１３２を容易に除去することができるようにする。
【００８１】
前記第３バス３３０は、前記第２バス３２０と前記第４バスとの間に配置されて、前記第２バス３２０と第４バス３４０を接続することができる。前記第２バス３２０から前記第３バス３３０に提供された基板を「第４処理基板」と定義する。前記第３バスは、純水を利用して前記第１フォトレジストパターン１３２が溶解された前記フォトレジストパターン除去用組成物を前記第４処理基板Ｐ４から除去することによって、基板を洗浄する空間である。前記フォトレジストパターン除去用組成物は、前記純水との親和力が大きいため、前記第３バス３３０内で前記第４処理基板Ｐ４から容易に除去できる。前記フォトレジストパターン除去用組成物が前記第４処理基板Ｐ４から除去されることによって、前記第１フォトレジストパターン１３２も同時に除去できる。また、前記第４処理基板Ｐ４に純水が供給される時、前記フォトレジストパターン除去用組成物は、前記純水と化学反応をする成分を含んでいないため、化学反応の結果として表れる気泡の発生を防ぐことができる。つまり、洗浄工程で前記第４処理基板Ｐ４の表面にマダラ（斑）を形成する原因である気泡の発生を源泉的に防ぐことができる。
【００８２】
前記第４バス３４０は、純水による洗浄工程後、基板を乾燥する空間である。前記第３バス３３０から前記第４バス３４０に提供された基板を「第５処理基板」と定義する。前記第５処理基板Ｐ５にガスを供給して、前記第５処理基板Ｐ５を乾燥させることができる。よって、前記ベース基板１１０から前記第１フォトレジストパターン１３２が除去できる。
【００８３】
前記第１フォトレジストパターン１３２が除去されて、専ら前記ゲートパターンＧＰのみを含む基板を「第６処理基板」と定義する。前記第６処理基板Ｐ６が前記第４バス３４０から前記アンロード部４００に提供されることによって、前記第１フォトレジストパターン１３２を除去する工程が完了できる。
【００８４】
図４〜図７は、本発明の一実施形態によるソースパターンを形成する段階を説明するための断面図である。
【００８５】
図４を参照すると、前記ゲートパターンＧＰを含む前記ベース基板１１０上にゲート絶縁層１４０、半導体層１５２、オーム接触層１５４、及びソース金属層１６０を順次に形成する。前記ソース金属層１６０上には第２フォトレジスト膜１７０を形成する。前記ソース金属層１６０を形成する物質の例として、銅、モリブデン、アルミニウムなどを挙げることができる。これらは、それぞれ単独または混合して利用できる。本発明の実施形態による前記第２フォトレジスト膜１７０は、ポジティブ型であってもよい。
【００８６】
図５を参照すると、第２マスク（ＭＡＳＫ２）を前記第２フォトレジスト膜１７０が形成されたベース基板１１０上に配置させ、光を照射して第２フォトレジストパターン１７２を形成する。前記第２マスク（ＭＡＳＫ２）は、透光部８２、遮光部８４、及び半透光部８６を含む。
【００８７】
前記透光部８２に対応する前記第２フォトレジスト膜１７０は、現象液によって除去され、前記遮光部８４に対応する前記第２フォトレジストパターン１７０は、現象前と実質的に同じ厚さの第１厚部ｄ１を形成し、前記半透光部８６に対応する前記第２フォトレジスト膜１７０は、前記第１厚部ｄ１の厚さより薄い第２厚部ｄ２を形成する。よって、前記ソース金属層１６０上に前記第１厚部ｄ１及び前記第２厚部ｄ２を含む前記第２フォトレジストパターン１７２を形成することができる。
【００８８】
図６を参照すると、前記第２フォトレジストパターン１７２をエッチング防止膜として利用して、前記ソース金属層１６０をエッチングして第１ソースパターンを形成する。前記第１ソースパターンは、データラインＤＬ及び前記データラインＤＬと接続されたスイッチングパターン１６２を含んでもよい。前記データラインＤＬは、前記ゲートラインＧＬの延長方向と異なる方向に延長して前記ゲートラインＧＬと交差できる。
【００８９】
具体的に、前記第１ソースパターンは、前記ソース金属層１６０をエッチング液を利用した湿式エッチング工程でパターニングして形成することができる。前記第２フォトレジストパターン１７２及び前記スイッチングパターン１６２をエッチング防止膜として利用して前記オーム接触層１５４、及び前記半導体層１５２をエッチングする。前記第２フォトレジストパターン１７２をアッシング工程に導入することで、前記第２厚部ｄ２が除去され、前記第１厚部ｄ１の厚さが薄くなった残留フォトパターン（図示せず）を形成する。
【００９０】
図７を参照すると、前記残留フォトパターンをエッチング防止膜として利用し、前記第２厚部ｄ２と対応する領域を介して露出された前記スイッチングパターン１６２を除去することができる。従って、前記データラインＤＬと接触されたソース電極ＳＥ及び前記ソース電極ＳＥと離隔されたドレイン電極ＤＥが形成できる。つまり、前記ゲート絶縁層１４０上に前記データラインＤＬ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレイン電極ＤＥを含むソースパターンＤＰを形成することができる。
【００９１】
前記ソースパターンＤＰ及び前記残留フォトパターンをエッチング防止膜として利用して前記ソース電極ＳＥと前記ドレイン電極ＤＥとの間に露出された前記オーム接触層１５４を除去する。よって、チャネルＣＨが形成されることができる。
【００９２】
続いて、前記残留フォトパターンが形成されたベース基板１１０の図３に示した前記フォトレジストパターン除去用装置を利用して前記残留フォトパターンを除去することができる。前記残留フォトパターンは、前記第１フォトレジストパターンを除去するのに利用した前記フォトレジストパターン除去用組成物を利用して除去できる。前記残留フォトパターンを除去する工程は、前記第１フォトレジストパターンを除去する工程と実質的に同一である、従って、繰り返される説明は省略する。
【００９３】
前記残留フォトパターンは、前記フォトレジスト除去用組成物を利用することによって、容易に除去することができ、前記残留フォトパターンが再び前記ベース基板１１０上に付着することを防ぐことができる。また、前記フォトレジストパターン除去用組成物は、前記残留フォトパターンが除去される工程で前記ソースパターンＤＰの損傷も最少化させることができる。
【００９４】
前記ソースパターンＤＰが形成されたベース基板１１０上にパッシベーション層１８０を形成する。前記パッシベーション１８０上にポジティブ組成物を塗布してホール１９２を含む第３フォトレジスト膜１９０を形成する。前記ホール１９２を介して前記ドレイン電極ＤＥ上に形成された前記パッシベーション層１８０が露出される。
【００９５】
図８は、本発明の一実施形態による画素電極を形成する段階を説明するための断面図である。
【００９６】
図８を参照すると、前記第３フォトレジスト膜１９０をエッチング防止膜として利用して前記パッシベーション層１８０をエッチングしてコンタクトホールＣＮＴを形成する。前記コンタクトホールＣＮＴを介して前記ドレイン電極ＤＥの一端部が露出される。続いて、前記第３フォトレジスト膜１９０を前記フォトレジスト除去用装置内で本発明の前記フォトレジストパターン除去用組成物を利用して除去することができる。前記第３フォトレジスト膜１９０を除去する工程は、前記第１フォトレジストパターンを除去する工程と実質的に同一である。従って、繰り返される説明は省略する。
【００９７】
前記コンタクトホールＣＮＴを含む前記パッシベーション層１８０上に透明電極層（図示せず）を形成し、前記透明電極層上に第４フォトレジスト膜を形成した後、前記第４フォトレジスト膜をパターニングして第４フォトレジストパターンを形成する。前記第４フォトレジストパターンをエッチング防止膜として利用して前記透明電極層をパターニングすることによって、前記ドレイン電極ＤＥと電気的に接続された画素電極ＰＥが形成される。続いて、前記第４フォトレジストパターンを前記フォトレジスト除去用装置内で、本発明の前記フォトレジストパターン除去用組成物を利用して除去することができる。前記第４フォトレジストパターンを除去する工程は、前記第１フォトレジストパターンを除去する工程と実質的に同一である。従って、繰り返される説明は省略する。
【００９８】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特徴請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明のフォトレジストパターン除去用組成物は、半導体装置、液晶表示装置、平板表示装置などのような画像表示装置などを製造するためのフォトリソグラフィー工程に利用することができる。本発明のフォトレジストパターン除去用組成物は、銅、モリブデン、アルミニウムなどを含む金属薄膜の腐食を最少化させながら、フォトリソグラフィー工程に利用することができる。
【符号の説明】
【０１００】
１１０ベース基板
１２０ゲート金属層
１３０第１フォトレジスト膜
ＧＰ  ゲートパターン
１６０ソース金属層
１７０第２フォトレジスト膜
１７２第２フォトレジストパターン
ＤＰ         ソースパターン
１８０パッシベーション層
１９０第３フォトレジスト膜
ＰＥ         画素電極
【図１】
2010153851.tif 000009
【図２】
2010153851.tif 000010
【図３】
2010153851.tif 000011
【図４】
2010153851.tif 000012
【図５】
2010153851.tif 000013
【図６】
2010153851.tif 000014
【図７】
2010153851.tif 000015
【図８】
2010153851.tif 000016