(57)【要約】【課題】チャンバー外部の全方位にある装置に熱の輻射による熱ダメージを与えることなく、チャンバー内部の高温雰囲気かつ腐食性のあるガスが、例え流れ出しても、全方位ではなく一方向のみから流れ出すように抑えることができる気相成長装置を提供する。【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体１７およびチャンバー蓋１９の密着部周縁に沿って形成される開口１２ａを、外側から覆うガード７を有している。ガード７の上下方向の長さは、基板２１を搬送する搬送経路の部分が、それ以外の部分よりも短い。【選択図】図１
2010153408.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体と、中央部にガス導入管が挿通される挿通口が形成された蓋とで少なくとも構成され、前記本体および蓋はこれらの一部が互いに気密密着することにより閉空間となるとともに、互いに離反することにより密着部周縁の少なくとも一部が開口されるチャンバーを形成するようになっており、
さらに、前記本体および／または前記蓋を上下動させる駆動手段と、
前記開口を介して、外部と前記チャンバーとの間で被搬送物を搬送する搬送装置とを備えた気相成長装置において、
前記本体および／または前記蓋に、密着部周縁に沿って前記開口を外側から覆うガードを有し、前記ガードの上下方向の長さは、被搬送物を搬送する搬送経路の部分が、それ以外の部分よりも短いことを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
前記挿通口の上縁と前記ガス導入管との間に、伸縮部材が気密に取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
前記ガードは、柔軟性を有する材質からなることを特徴とする請求項１または２に記載の気相成長装置。
【請求項４】
前記ガードは、前記蓋に装着されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の気相成長装置。
【請求項５】
前記ガードを上下動させるガード昇降手段をさらに備え、前記ガードは前記ガード昇降手段に装着されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被搬送物である例えば基板上に、例えば半導体薄膜を堆積させる気相成長装置に関するものであり、特に、本体と蓋とから構成されるチャンバーと、本体と蓋とが離反することにより密着部周縁の少なくとも一部が開口し、当該開口を介して外部と前記チャンバーとの間で被搬送物を搬送する搬送装置とを備えた気相成長装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
気相成長装置として、サセプタ側に配置されて反サセプタ側が開口したチャンバー本体と、チャンバー本体の開口に気密に装着されるチャンバー蓋とに分割形成されたチャンバーを備え、そのチャンバー蓋を上下動可能に形成した気相成長装置が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、チャンバー蓋が、ガス導入管のチャンバー本体との位置関係を保持した状態で上下動して開閉されることから、ガス導入管の設置位置が変わることがなく、チャンバー蓋を開閉して基板の搬送やチャンバーの保守などを行った後でも、原料ガスの導入状態を常に保つことができる気相成長装置が記載されている。
【０００４】
また、特許文献２には、チャンバー側面の一方向に被処理基板の受け渡し口があり、被処理基板搬送時以外はシャッターで塞がれていて、チャンバー内部に搬送路方向にのみ開口した気流区画部材（遮熱機能有）と、これを挟む一対（内と外）の第２側壁とがあり、シャッター開時に第２側壁を上下動させることにより被搬送物が通過可能となる熱処理装置が記載されている。
【特許文献１】特開２００８−１５３４０９号公報（２００８年７月３日公開）
【特許文献２】特開平１１−５４４９６号公報（１９９９年２月２６日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された気相成長装置では、サセプタの温度が高温時にチャンバーの蓋が上がると、チャンバー外部の全方位の装置に熱の輻射による熱ダメージが生じるので、当該熱ダメージの防止策が必要になる。また、全方位にチャンバー内部の高温雰囲気かつ腐食性のあるガス（例えば、アンモニア）が流れるおそれがあるため、チャンバー外部の全方位の装置に高温雰囲気かつ腐食性のあるガス対策が必要となる。
【０００６】
さらに、特許文献２に記載された気相成長装置のように、搬送方向に開口を持つ気流区画部材（遮熱ガード）をチャンバー内部に設けると、その分チャンバー内部が大きくなり（例えば、直径が２割大きくなれば、面積で凡そ４．４割増す）、真空引きや温度昇降に時間を要するのでタクトタイムの低下、ポンプ駆動や加熱・冷却のエネルギーの増大を招く。また、受け渡し口（搬送口）から被処理基板の配置箇所までの距離がその分遠くなるので、被処理基板（被搬送物）の位置合わせ精度が要求され、振動による位置ずれ度は距離（ハンド）が長くなることにより大きくなる。また、作業機械では困難な作業のために人の手をチャンバー内部に入れる必要がある場合は、手が届かなくなると、メンテナンス時に装置を分解せねばならず、稼動率が著しく低下する。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、サセプタの温度が高温時にチャンバーの蓋が上がっても、チャンバー外部の全方位にある装置に熱の輻射による熱ダメージを与えることなく、また、チャンバー内部の高温雰囲気かつ腐食性のあるガスが例え流れ出したとしても、全方位ではなく一方向にのみ流れるような対策を、チャンバーを大きくすること無く行うことができる気相成長装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る気相成長装置は、上記課題を解決するために、本体と、中央部にガス導入管が挿通される挿通口が形成された蓋とで少なくとも構成され、前記本体および蓋はこれらの一部が互いに気密密着することにより閉空間となるとともに、互いに離反することにより密着部周縁の少なくとも一部が開口されるチャンバーを形成するようになっており、さらに、前記本体および／または前記蓋を上下動させる駆動手段と、前記開口を介して、外部と前記チャンバーとの間で被搬送物を搬送する搬送装置とを備えた気相成長装置において、前記本体および／または前記蓋に、密着部周縁に沿って前記開口を外側から覆うガードを有し、前記ガードの上下方向の長さは、被搬送物を搬送する搬送経路の部分が、それ以外の部分よりも短いことを特徴としている。
【０００９】
上記構成によれば、チャンバーが本体および蓋に分割され、駆動手段により本体および／または蓋の上下動を制御し、ガードによりチャンバーの本体と蓋とを離反することにより形成される開口を覆うことができる。したがって、チャンバー内部の高温雰囲気かつ腐食性のあるガスが全方位から漏れることを抑え、サセプタの温度が高温時にチャンバーの蓋が上がっても、チャンバー外部の全方位にある装置に熱の輻射による熱ダメージを与えることを防止することができる。さらに、搬送経路の部分ではガードの上下方向の長さがそれ以外の部分よりも短いので、被搬送物の搬送には影響を与えない。
【００１０】
また、上記構成によれば、チャンバー内部の容量を増やすことがないので、タクトタイムを下げず、エネルギーのムダが無い。搬送経路についても、搬送口から配置箇所までの距離が長くなることはないので、搬送精度・振動位置ずれ・装置分解による稼働率などについて、問題を生じることはない。さらに、ガードがチャンバーの内側に配置されて高温雰囲気かつ腐食性のあるガスと長期間にわたって接触する場合と比べ、ガードを長期間にわたって使用することができ、長寿命を確保することができる。
【００１１】
また、本発明に係る気相成長装置では、前記挿通口の上縁と前記ガス導入管との間に、伸縮部材が気密に取り付けられていることが好ましい。
【００１２】
上記構成によれば、ガス導入管の設置位置が変わることなく、チャンバーを開閉してガスの導入状態を常に適正に保つことができるため、繰り返しの成膜操作における再現性を高めるという効果を奏する。
【００１３】
また、本発明に係る気相成長装置では、前記ガードは、柔軟性を有する材質からなることが好ましい。
【００１４】
上記構成によれば、ガードが触れた場合においても、被搬送物あるいは被搬送物上に成長された薄膜に影響を与えないようにすることができる。
【００１５】
さらに、本発明に係る気相成長装置では、前記ガードは、前記蓋に装着されていることが好ましい。
【００１６】
これにより、駆動手段によりチャンバーの蓋の上下動を制御することで、ガードの上下動も同時に制御することができる。すなわち、チャンバー本体とガス導入管との位置関係を変えることなく、被搬送物の搬送を行うことができる。
【００１７】
また、本発明に係る気相成長装置では、前記ガードを上下動させるガード昇降手段をさらに備え、前記ガードは前記ガード昇降手段に装着されていることが好ましい。
【００１８】
上記構成によれば、ガード昇降手段を前記駆動手段の動作に合わせて制御し、ガード昇降手段によりガードの上下動を制御することができる。また、ガードがチャンバーに装着されていないので、例えばチャンバーの製作後にガードを後付けで取り付けができる。このため、メンテナンス時でチャンバーの状態に関係なく、ガードを取り替えることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る気相成長装置は、以上のように、チャンバーの開口を外側から覆うガードを有することにより、サセプタの温度が高温時にチャンバーの蓋が上がっても、チャンバー外部の全方位にある装置に熱の輻射による熱ダメージを与えることを防止することができる。また、チャンバー内部の高温雰囲気かつ腐食性のあるガスは例え流れ出したとしても、全方位ではなく被搬送物の搬送経路にのみ流れるため、チャンバー外部における被搬送物の搬送経路の装置にのみ高温雰囲気かつ腐食性のあるガス対策をすればよい。また、搬送経路の部分ではガードの上下方向の長さがそれ以外の部分よりも短いので、被搬送物に影響を与えることなく搬送することができる。
【００２０】
また、ガードが無い構成と比べ、チャンバー内部の温度が下がらなくなり、チャンバーへの外部からの空気の流入が少なくなるため、被搬送物である例えば基板が汚染されず、成長した膜の特性が上がるという効果も奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の実施の一形態について、図１ないし図４に基づいて説明すると以下の通りである。
【００２２】
まず、図１〜図３は、本発明に係る気相成長装置の第１形態例を示すものである。図１は、気相成長装置の正面断面図である。図２は、図１の気相成長装置を９０°回転移動したところから見た側面断面図である。図３は、図１の気相成長装置における搬送動作中の正面断面図である。
【００２３】
図１に示すように、気相成長装置１００は、上部中央に多重管（ガス導入管）３を配設した偏平円筒状のチャンバー１２内部に、円盤状のサセプタ１３と、該サセプタ１３の外周部分の同心円上に等間隔で配置された複数の基板ホルダー１４と、前記サセプタ１３の上方に対向配置されてチャンバー１２内部を上下に区画し、サセプタ１３側に反応室１５を形成する隔壁である天井板１６とを備えている。
【００２４】
チャンバー１２は、チャンバー本体（本体）１７と、該チャンバー本体１７の周壁上部にＯリング１８を介して気密に装着されるチャンバー蓋（蓋）１９とに分割形成されている。チャンバー本体１７およびチャンバー蓋１９は、これらの一部が互いに気密密着することにより閉空間を形成する。本実施形態において、チャンバー本体１７およびチャンバー蓋１９は、フランジ式に形成されており、接合部にそれぞれ凸縁１７ａおよび凸縁１９ａを有し、凸縁１７ａおよび凸縁１９ａを互いに気密密着して密着部とすることによりチャンバー１２内部に閉空間を形成する。
【００２５】
なお、分割形成されたチャンバー本体１７とチャンバー蓋１９とを離反することにより、凸縁１７ａおよび凸縁１９ａの少なくとも一部が距離を開けて、開口１２ａ（図３を参照）を形成する。
【００２６】
チャンバー本体１７の底部中央部には、サセプタ１３を回転させるための回転駆動軸２０が設けられ、該回転駆動軸２０でサセプタ１３を回転させることにより、基板（被搬送物）２１が載置された基板トレイ２を保持した前記基板ホルダー１４が、サセプタ１３の中心に対して公転するとともに、サセプタ１３の外周に設けられた自転歯車機構２２によって自転するようになっている。
【００２７】
また、基板ホルダー１４の下方には、基板２１を加熱するための加熱手段として、リフレクタ２３に収納されたヒーター８がリング状に配設され、リフレクタ２３の下部には、冷却水配管が接続された冷却水通路１１が設けられている。さらに、前記サセプタ１３の外周側にはリング状の排気通路６が設けられている。
【００２８】
チャンバー蓋１９の中央部には、前記多重管３を挿通するための挿通口５が突設して設けられている。挿通口５と多重管３の上部に設けた上部フランジ４との間には、底無円筒状の伸縮部材であるベローズ２６が気密に取り付けられている。つまり、チャンバー本体１７とチャンバー蓋１９とが密着された場合、挿通口５の上縁と上部フランジ４との間をベローズ２６で気密に囲むことで、チャンバー１２の内部の閉空間を形成する。
【００２９】
ここで、多重管３は、径が互いに異なる複数の管を同心円状に配置して複数のガス流路を形成したもので、多重管３の上部には多重管３内部の各流路に所定の原料ガスをそれぞれ導入するための図示しないガス導入継手が設けられている。
【００３０】
チャンバー蓋１９の上方には覗き窓９が設けられており、覗き窓９から反応室１５内部の状況を確認できるようになっている。したがって、反応室１５の上部に設置した天井板１６は、少なくともその一部が透明材料で製造されている。なお、チャンバー蓋１９には、冷却水通路１０が設けられている。
【００３１】
チャンバー蓋１９は、図２に示すように、外周部に設けられた複数のブラケット２５を介して昇降手段２４に取り付けられている。昇降手段２４には、スクリュー等の任意の直線移動装置を採用することができる。この複数のブラケット２５と昇降手段２４とを駆動手段として、チャンバー蓋１９の昇降を制御するようになっている。
【００３２】
また、気相成長装置１００は、基板２１を搬送するための搬送装置１を備えている。図２および図３に示すように、搬送装置１は、昇降手段２４を上方向に作動させて、ブラケット２５とともにチャンバー蓋１９を上昇させたときに、チャンバー１２の外部から基板２１が載置された基板トレイ２をチャンバー１２内部の基板ホルダー１４に搬送したり、チャンバー１２内部の基板ホルダー１４から、基板２１が載置された基板トレイ２をチャンバー１２の外部へ搬送したりすることができるようになっている。
【００３３】
図１〜図３に示すように、チャンバー蓋１９には、ガード７が装着されている。このガード７は、チャンバー蓋１９の凸縁１９ａに沿って、チャンバー本体１７とチャンバー蓋１９とが離反することにより、凸縁１７ａ・１９ａの少なくとも一部が距離を空けることによって形成される上記開口１２ａを、チャンバー１２の外側から覆っている。
【００３４】
ガード７の上下方向の長さは、基板トレイ２がチャンバー１２内外を通る搬送経路の部分が、それ以外の部分よりも短くなっている。これは、全方位を上下方向の長さが全て同じであるガードで覆うと、基板トレイ２の搬送のためには、チャンバー蓋１９を搬送経路よりもさらに上の方に上げなければならず、輻射された熱や高温雰囲気や腐食性のあるガスが全方位に流出してしまうからである。それゆえ、輻射された熱や高温雰囲気や腐食性のあるガスの流出をより少なくするために、搬送経路の部分におけるガード７の長さを、それ以外の部分よりも短くしている。
【００３５】
本実施形態においては、ガード７を断面形状が倒立のＬ形状になるようにして、その一端（上端）をチャンバー蓋１９の凸縁１９ａの上面に固定し、他端（下端）をチャンバー本体１７とチャンバー蓋１９とが離反することで密着部周縁の少なくとも一部が開口してなる開口１２ａを覆うように、チャンバー本体１７の凸縁１７ａの下方へ垂下設置している。
【００３６】
上記ガード７の材質は、輻射された熱や高温雰囲気かつガスの腐食性に耐えられるものであればよい。さらに、ガード７は、上記開口１２ａの高さが所定の高さよりも低く、ガード７が触れた場合においても、基板２１あるいは基板２１上に成長された薄膜に影響を与えないように、ある程度の柔軟性のあるもので製作することが好ましい。
【００３７】
上記ガード７の材質としては、例えば、ステンレス、グラファイト、タンタル、モリブデンを使用することが好ましい。ガード７に水冷装置等の冷却装置が設けられている場合には、アルミニウム、銅でも使用することができる。
【００３８】
この気相成長装置１００を用いて基板２１上に薄膜を成長させる際には、基板トレイ２に載置された基板２１を基板ホルダー１４に保持し、チャンバー本体１７の上部にＯリング１８を介してチャンバー蓋１９を気密に取り付ける。その後、排気通路６を介してチャンバー１２内部を排気し、回転駆動軸２０および自転歯車機構２２を作動させてサセプタ１３を回転させることにより基板２１を自公転させながら、ヒーター８を作動させて基板２１を所定温度に加熱するとともに、多重管３を介して所定の原料ガスを供給することによって行う。なお、多重管３に供給する原料ガスの種類は特に限定されるものではなく、薄膜形成する薄膜の種類に応じて任意に選択することができる。また、本数等の多重管３の構成は、導入する原料ガスの種類、その他の薄膜形成条件に応じて適宜、設定することができる。
【００３９】
多重管３から反応室１５内部に導入された原料ガスは、サセプタ１３と天井板１６との間を中央部から外周部に向かって流れ、高温に加熱されたサセプタ１３の部分で原料ガス中の反応成分が熱分解し、基板２１の表面に所定の薄膜を堆積させる。未反応の原料ガスは、サセプタ１３の外周から排気通路６を通じてチャンバー１２外部へ排出されて回収される。これにより、基板２１の表面に所定の薄膜が形成される。
【００４０】
薄膜形成後、サセプタ１３の温度を下げ、所定の温度になったときに基板２１を外部に搬送する。基板２１を搬送する際に、図２に示す昇降手段２４を上方向に作動させてブラケット２５とともにチャンバー蓋１９を上昇させると、天井板１６やサセプタ１３を含むチャンバー本体１７側の部品及び多重管３は移動することなく、チャンバー蓋１９のみがベローズ２６を縮めながら上昇する。
【００４１】
図３に示すように、ガード７は、チャンバー蓋１９の凸縁１９ａに沿って装着されており、当該ガード７は上下方向の長さが、基板２１の搬送経路の部分が、それ以外の部分よりも短くなっている。このため、チャンバー蓋１９を上昇させる高さは、搬送装置１が開口１２ａを通過することができる高さであればよい。このとき、搬送経路以外の部分におけるチャンバー本体１７の凸縁１７ａとチャンバー蓋１９の凸縁１９ａとの間に形成された開口１２ａは、ガード７の上下方向の長さが長いため、外部に開放されることを防止することができる。したがって、チャンバー１２の全方位からの高温雰囲気や腐食性ガスの流出を防ぐことができる。つまり、チャンバー１２外部の全方位ではなく、基板２１の搬送経路の装置にのみ、高温雰囲気かつ腐食性のあるガス対策をすればよい。
【００４２】
チャンバー蓋１９を上昇後、自動搬送時においては、チャンバー１２の外側にある搬送装置１が起動し、チャンバー１２の外部からチャンバー１２内部に移動して、薄膜が形成された基板２１を載置した基板トレイ２を掴み、チャンバー１２の内部からチャンバー１２の外部へ搬送する。
【００４３】
そして、サセプタ１３に搭載されている上記基板トレイ２を取り出した後、次回の薄膜形成のために、チャンバー１２の外部から薄膜を形成する前の基板２１を載置した基板トレイ２を、チャンバー１２の内部に搬送する。
【００４４】
基板２１を交換した後、図２に示す昇降手段２４を下方向に作動させ、チャンバー蓋１９を下降させてチャンバー本体１７に気密に密着させる。このチャンバー蓋１９が下降する際には、ベローズ２６が伸びることによってチャンバー蓋１９のみが下降して、薄膜形成の準備を整える。
【００４５】
また、チャンバー１２内部の保守点検や装置トラブルで、人の手をチャンバー１２内部に入れたい場合は、図２に示す昇降手段２４を、自動搬送時に比べて、さらに上方向に作動させて、ブラケット２５とともにチャンバー蓋１９を上昇させる。これにより、人の手がチャンバー１２内部に入るようになり、チャンバー１２内部の保守点検や装置トラブルの対応を容易に行うことができる。
【００４６】
図４は、本発明に係る気相成長装置の第２形態例を示すものであり、気相成長装置２００の断面正面図（搬送装置を正面にした場合）である。なお、第１形態例の構成と同様の構成には、同一の符号を付して、その詳細は省略する。
【００４７】
この第２形態例では、チャンバー蓋１９の凸縁１９ａにおける密着部周縁に沿ってガードを装着する代りに、ガード昇降手段２７を設けて、当該ガード昇降手段２７にガード７を装着している。したがって、ガード昇降手段２７におけるガード７が装着された部材を上下動させることにより、ガード７が上下動するようになっている。
【００４８】
また、チャンバー蓋１９の上下動と、ガード７の上下動とは、互いに連動するようになっている。つまり、ブラケット２５を介しガード昇降手段２７によってチャンバー蓋１９を上昇させると、ガード昇降手段２７によってガード７が上昇するようになっている。あるいは、ガード昇降手段２７によってガード７を所定距離だけ上昇させてから、さらにチャンバー蓋１９の凸縁１９ａがガード７に接触するまで、当該チャンバー蓋１９を上昇させることもできる。下降させる際には、チャンバー蓋１９を下降させると、同時にガード７が下降するようになっている。あるいは、上昇時の順序と逆に、チャンバー蓋１９およびガード７を下降させることもできる。
【００４９】
この形態例では、チャンバー１２の製作後にガード７を後付けで装着することができるため、メンテナンス時にはチャンバー１２の状態に関係なく、ガード７を取り替えることができる。
【００５０】
なお、上記実施形態では、昇降手段２４をチャンバー１２の外周部に設けた複数のブラケット２５を介してチャンバー蓋１９に取り付けた場合を説明したが、昇降手段２４の取付位置はこれに限定されるものではない。例えば、昇降手段２４をチャンバー１２の外周部に設けた複数のブラケット２５を介してチャンバー本体１７に取り付けて、チャンバー本体１７を上下動させることで、チャンバー１２の開閉を制御することもできる。
【００５１】
あるいは、昇降手段２４を、チャンバー１２のチャンバー本体１７およびチャンバー蓋１９にそれぞれ取り付けて、チャンバー本体１７およびチャンバー蓋１９を同時に上下動させることでチャンバー１２の開閉を制御することもできる。
【００５２】
また、ガード７の形状および装着方式は、上記説明の形状および方式に限定されるものではなく、チャンバー本体１７およびチャンバー蓋１９の形状に応じて、チャンバー本体１７とチャンバー蓋１９とが離反することにより密着部周縁の少なくとも一部が離隔されてなる開口１２ａを、チャンバー１２の外側から覆うことができるような形状および方式であればよい。
【００５３】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる形態例にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても、本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、ガードを外付けすることによって、チャンバー内部から輻射された熱や高温雰囲気や腐食性のあるガスが全方位に流出してしまうことを防止することができるので、分割型の気相成長装置として適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一つの実施形態に係る気相成長装置の正面断面図である。
【図２】図１に示した気相成長装置の側面断面図である。
【図３】図１に示した気相成長装置における搬送動作中の正面断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る気相成長装置の側面断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  搬送装置
２  基板トレイ
３  多重管（ガス導入管）
４  上部フランジ
５  挿通口
６  排気通路
７  ガード
８  ヒーター
９  覗き窓
１０  冷却水通路
１１  冷却水通路
１２  チャンバー
１３  サセプタ
１４  基板ホルダー
１５  反応室
１６  天井板
１７  チャンバー本体（本体）
１８  Ｏリング
１９  チャンバー蓋（蓋）
２０  回転駆動軸
２１  基板（被搬送物）
２２  自転歯車機構
２３  リフレクタ
２５  ブラケット（駆動手段）
２４  昇降手段（駆動手段）
２６  ベローズ（伸縮部材）
２７  ガード昇降手段
【図１】
2010153408.tif 000003
【図２】
2010153408.tif 000004
【図３】
2010153408.tif 000005
【図４】
2010153408.tif 000006