(57)【要約】      （修正有）【課題】ワイヤボンディング処理に適し、小型化を実現でき、回路設計容易な半導体素子および半導体キャリアを提供する。【解決手段】半導体キャリア６と半導体素子１とがワイヤ９で電気的に接続される構造の半導体装置において、半導体キャリア６の電極４と半導体素子１の電極２を、隣接間の距離およびワイヤ間の最小距離が、ワイヤボンディング処理に必要な距離以上であり、かつ、半導体素子１の電極２の一部が同一直線上にない位置に配置することにより、半導体素子１を小型化する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体キャリアと半導体素子とがワイヤで電気的に接続される構造の半導体装置であって、
前記半導体キャリアは、隣接間の距離がワイヤボンディング処理に必要な距離以上で配置された複数の電極を備え、
前記半導体素子は、前記半導体キャリアの複数の電極とそれぞれ接続するため、前記半導体素子の側辺に沿って、隣接間の距離および隣接ワイヤ間の最小距離が前記ワイヤボンディング処理に必要な距離以上で配置された複数の電極を備え、
前記半導体素子の同一側辺に沿って配置された前記半導体素子の複数の電極は、一部が同一直線上に配置され、当該一部以外の他部の電極は当該同一直線にない位置に配置されることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記半導体キャリアの複数の電極の一部または全部と、前記半導体素子の複数の電極は、互いに平行な２つの線上のそれぞれに配置され、相等しい長さの前記ワイヤで接続されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体キャリアの複数の電極は、互いに平行な複数の線上のいずれかに配置され、
前記半導体素子の複数の電極は、前記互いに平行な複数の線に平行な１つの線上に配置され、
前記半導体キャリアの複数の電極と、前記半導体素子の複数の電極とは、前記半導体キャリアの電極が配置される前記互いに平行な複数の線ごとに相等しい長さの前記ワイヤで接続されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子は高周波半導体素子であることを特徴とする、請求項２または３記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体キャリアと半導体素子とがワイヤで電気的に接続される構造の半導体装置の電極の設計方法であって、
前記半導体キャリアに、隣接間の距離がワイヤボンディング処理に必要な距離以上である条件で、複数の電極の配置を決定する半導体キャリア電極設計工程と、
前記半導体素子に、前記半導体キャリアの複数の電極とそれぞれ接続するため、前記半導体素子の側辺に沿って、隣接間の距離および隣接ワイヤ間の最小距離が前記ワイヤボンディング処理に必要な距離以上であり、前記半導体素子の同一側辺に沿って配置された前記半導体素子の複数の電極は、一部が同一直線上に配置され、当該一部以外の他部の電極は当該同一直線にない位置に配置される条件で、複数の電極の配置を決定する半導体素子電極設計工程とを含むことを特徴とする、半導体装置の設計方法。
【請求項６】
前記半導体キャリア電極設計工程は、さらに、前記半導体キャリアの複数の電極の一部または全部が、互いに平行な２つの線のうち第１の線上に配置される条件で、前記半導体キャリアの複数の電極の配置を決定し、
前記半導体素子電極設計工程は、さらに、前記半導体素子の複数の電極が、前記互いに平行な２つの線のうち第２の線上に配置され、前記第１の線上に配置される前記半導体キャリアの電極と接続する前記ワイヤの長さが相等しい条件で、前記半導体素子の複数の電極の配置を決定することを特徴とする、請求項５に記載の半導体装置の設計方法。
【請求項７】
前記半導体キャリア電極設計工程は、さらに、前記半導体キャリアの複数の電極が、複数の互いに平行な線上のいずれかに配置される条件で、前記半導体キャリアの複数の電極の配置を決定し、
前記半導体素子電極設計工程は、前記半導体素子の複数の電極が、前記複数の互いに平行な線に平行な１つの線上に配置され、かつ、前記半導体キャリアの複数の電極と接続する前記ワイヤの長さは、前記半導体キャリアの電極が配置される前記互いに平行な複数の線ごとに相等しい条件で、前記半導体素子の複数の電極の配置を決定することを特徴とする、請求項５に記載の半導体装置の設計方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、とくに半導体装置の製造工程におけるワイヤボンディング処理に適し、かつ、小型化および回路設計容易化を実現できる半導体素子および半導体キャリアの電極の配置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、一般に、半導体キャリアに半導体素子を設置し、半導体素子の電極と半導体キャリアの電極とをワイヤボンディング処理によって接続し、半導体キャリアおよび半導体素子を樹脂封止することにより製造されている。ワイヤボンディング処理においては、ボンディングキャピラリが先にボンディングされたワイヤと接触して当該ワイヤを倒し短絡不良を起こすことがないようにするため、隣接するワイヤ間の距離を一定以上確保することが必要とされている。
【０００３】
通常、半導体キャリアの電極のほうが半導体素子の電極より大きいため、ワイヤは、一般に半導体素子から半導体キャリアに向けて放射状に配置、形成されることになる。また、半導体キャリアの電極間は、ボンディング処理上必要な距離が確保されている。したがって隣接するワイヤ間の距離は、半導体素子の隣接する電極間の距離、または半導体素子の電極から隣接する電極に接続されたワイヤまで垂線が下ろせる場合は当該垂線の長さで定まる。半導体素子の電極を直線状に等間隔に配置した場合、隣接するワイヤとの距離が上述の垂線の長さで定まる場合が多く、半導体素子の電極間の距離より小さくなる。とくにコーナー部に近いワイヤは、この傾向が強い。すなわち、半導体素子のコーナー部に近い電極にワイヤボンディングする際、ボンディングキャピラリが先にボンディングされたワイヤと接触して倒し、ボンディングされたワイヤどうしが接触してしまうおそれが高い。図１１を用いて、このことを説明する。図１１では、簡単のため、半導体素子１の１つの側辺に沿った電極２の一部と、これと接続して信号のやり取りを行う半導体キャリア６の信号線の電極４とにのみ着目し、図示している（他の図でも同様に、適宜、図示を省略する）。図１１（ａ）に示すように、半導体素子１の電極２を直線状に等間隔に配置した場合、半導体キャリア６の電極４へのワイヤ９間の距離ｄ０は、半導体キャリア６の電極４へのワイヤ９と直線とがなす角度θが小さくなるのにともなって小さくなる。一般に半導体素子１のコーナー部に近くの電極２に接続されたワイヤ９ほど、角度θが小さくなり、隣接するワイヤ９との距離も小さくなる。図１１（ｂ）に示すように、ワイヤボンディング処理を行う際、この距離が小さいと、ボンディングキャピラリ８が先にボンディングされた半導体キャリア６の電極４へのワイヤ９と接触して当該ワイヤ９を倒してしまい、その結果、図１１（ｃ）に示すように倒れたワイヤ９と隣接したワイヤ９が接触することで短絡不良が発生する。
【０００４】
半導体キャリア６が図１１で示した信号線の電極４だけでなく、電源またはグランドのいずれかに接続可能な、電源の電極リングまたはグランドの電極リングと呼ばれる電極３を有する場合でも上述同様の短絡不良が発生するおそれがある。図１２および図１３を用いて、このことを説明する。図１２（ａ）に示すように、半導体キャリア６は電極４と、電極４より半導体素子１に近い位置に電極３とを備えている。図１２（ｂ）に示すように、まず、半導体素子１の電極２から半導体キャリア６の電極３へのワイヤボンディングが行われる。その後、図１３（ａ）に示すように、半導体素子１の電極２から半導体キャリア６の電極４へワイヤボンディングが行われる。その際、先にワイヤボンディングされた半導体キャリア６の電極３へのワイヤ５にボンディングキャピラリ８が接触すると、当該ワイヤ５を倒してしまう。その結果、図１３（ｂ）に示すように倒れたワイヤ５と隣接したワイヤ９との間で短絡不良が発生する。
【０００５】
半導体装置の高機能化、多機能化により、半導体素子の多ピン化が進む状況下で、隣接するワイヤ間の距離を一定量確保し、上述した短絡不良を防ぐため、従来、特許文献１が開示する技術が知られている。以下、従来の半導体装置を図１４を参照して説明する。
【特許文献１】特公昭５９−５１７４８号公報
【０００６】
従来の半導体装置においては、図１４に示すように、半導体素子１の電極２および半導体キャリア６の電極４がそれぞれ、半導体素子１の側辺に平行な直線上に配置されている。また、隣接する半導体素子の電極２の間隔が半導体素子１の中央部では小さく、半導体素子１のコーナー部に近づくにつれて大きくなるように設定されている。
【０００７】
これにより、半導体キャリア６の電極４へのワイヤ９が、半導体素子１から放射状に配置、形成される場合でも、コーナー部周辺の隣接するワイヤ９間の距離が小さくなるのを防ぎ、ワイヤボンディング処理を行うことを可能にしている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、半導体素子の機能部（有効素子領域）の面積が小さくなり、半導体素子１のサイズを決定する因子が電極２の間隔になりつつあり、電極配置の高集積化が要望されている。しかし、従来の半導体装置は、半導体素子１の電極２の間隔をコーナー部に近づくにつれて大きくなるように設定しているため、電極２の配置される幅方向のサイズが大きくなり、半導体素子１や半導体装置の小型化を阻害していた。
【０００９】
また、従来の半導体装置においては、図１４から分かるように、ワイヤ９の長さが不均一であった。ワイヤ９の長さが不均一だと、各ワイヤ９の使用量が異なり、その結果ワイヤループ高さの不均一が生ずる。ワイヤループ高さが、想定より低いと半導体素子との短絡不良が発生し、想定より高いと封止樹脂した時のワイヤ露出が発生してしまうという課題があった。また、樹脂封止工程において発生するワイヤ流れについても、ワイヤ９が短いと小さく、長いと大きく流れるためワイヤ流れ性も不均一になる。その結果、樹脂封止時に流れ性の異なるワイヤ９どうしが接触し短絡不良が発生するという課題があった。また、ワイヤ９による回路の特性変動についても不均一となり、ワイヤ特性を考慮した回路設計が困難であり、とくに、高周波特性が必要とされる回路の設計が困難であるという課題があった。
【００１０】
従来の半導体装置のように、半導体素子１の電極２および半導体キャリア６の電極４がそれぞれ直線上に配置されている場合、ワイヤ９の長さを均一にしようとすると図１５に示すように、半導体素子のすべての電極２間の距離を、半導体キャリア６の電極４の幅にまで、さらに広げる必要があった。しかし、これでは、半導体素子の電極が配置される幅方向のサイズがさらに大きくなり、半導体素子１や半導体装置の小型化がますます阻害されるという課題があった。
【００１１】
それ故に、本発明の目的は、ワイヤボンディング処理に適し、小型化を実現でき、回路設計容易な半導体素子および半導体キャリアを実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の１態様は、半導体キャリアと半導体素子とがワイヤで電気的に接続される構造の半導体装置であって、半導体キャリアは、隣接間の距離がワイヤボンディング処理に必要な距離以上で配置された複数の電極を備え、半導体素子は、半導体キャリアの複数の電極とそれぞれ接続するため、半導体素子の側辺に沿って、隣接間の距離および隣接ワイヤ間の最小距離がワイヤボンディング処理に必要な距離以上で配置された複数の電極を備え、半導体素子の同一側辺に沿って配置された半導体素子の複数の電極は、一部が同一直線上に配置され、当該一部以外の他部の電極は当該同一直線にない位置に配置されることを特徴とする。
【００１３】
本発明の他の態様は、半導体キャリアの複数の電極の一部または全部と、半導体素子の複数の電極は、互いに平行な２つの線上のそれぞれに配置され、相等しい長さのワイヤで接続されることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の他の態様は、半導体キャリアの複数の電極は、互いに平行な複数の線上のいずれかに配置され、半導体素子の複数の電極は、互いに平行な複数の線に平行な１つの線上に配置され、半導体キャリアの複数の電極と、半導体素子の複数の電極とは、半導体キャリアの電極が配置される互いに平行な複数の線ごとに相等しい長さのワイヤで接続されることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の他の態様は、半導体素子は高周波半導体素子であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ワイヤボンディング処理に適し、小型化を実現でき、回路設計容易な半導体素子および半導体キャリアを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置について図１を参照しながら説明する。ワイヤボンディング処理のために、必要な隣接ワイヤ間の最小距離をｄ１とすると、本発明の半導体装置においては、図１に示すように、半導体素子１の最端部の電極２ないし最端部から５つ目の電極２は、半径６×ｄ１の円弧上に配置され、それ以外の電極２は半導体素子１の１つの側辺に平行な直線上に配置されている。また円弧の中心は半導体素子１の最端部から６つ目の電極２から当該直線に垂直方向に半径分の距離の位置にある。また、多層配線基板である半導体キャリア６には、電極４が当該直線に平行な直線上に間隔をｄ１以上確保して配置されている。すなわち、本実施形態において、前記半導体キャリア６の電極４は、ワイヤボンディング処理上必要な間隔を隔てるという条件を満たして一直線上に配置されるよう設計され、前記半導体素子１上の電極２は、互いの距離および各ワイヤ間の最小距離がワイヤボンディング処理に必要な距離以上であり、かつ、一部は、同一直線上にあり、他は、当該同一直線上にないという条件を満たして配置されるよう設計されている。
【００１８】
次に、本実施形態において、半導体素子１の電極２の配置の詳細について、図２を参照して説明する。図２は、半導体素子１のコーナー部を拡大し、本実施形態に係る半導体装置の半導体素子１の電極２およびワイヤ９を実線で表示し、従来の半導体素子１の電極１６およびこれに接続されたワイヤ１７を点線で重ねて表示した図である。その他については、配置に差異がないものとし、実線で表示してある。従来の半導体装置のすべての電極１６は、ワイヤ１７間の距離がｄ１となるよう直線上に形成されている。一方、本実施形態に係る半導体装置の半導体素子１の端部の５つの電極２は、上述した円弧上に配置されている。また、半導体素子１の電極２は、すべて、ワイヤ９間の最小距離がｄ１となるように互いに隔てられている。したがって、本実施の形態に係る半導体装置の半導体素子１はワイヤボンディング可能となっている。また、本実施の形態に係る半導体装置の半導体素子１の電極２の配置される幅は、従来の半導体装置の半導体素子１の電極１６の配置される幅より、ΔＷ１ほど小さくできていることが分かる。
【００１９】
ワイヤボンディング処理は図３（ａ）に示すように半導体素子１の電極２から半導体キャリア６の電極４へ向けて行われる。この際、先にワイヤボンディングされていたワイヤ９と、ボンディングキャピラリ８とは、一定の距離が確保されているため、接触が回避される。このようにして、図３（ｂ）に示すように、すべてのワイヤボンディング処理が完了する。
【００２０】
本実施形態によると、ワイヤボンディング工程におけるワイヤ短絡不良を回避しつつ、半導体素子の電極が配置された幅方向の小型化を図ることができる。図４は小型化の効果を従来の半導体装置の半導体素子１と比較した例である。ここでは、半導体素子１の向かい合う２つの側辺に沿って、電極が配置されており、４つのコーナー部に上述のような電極配置を行った場合を考える。点線で示した従来の半導体装置に比べ、本実施形態の半導体素子１は２×ΔＷ１ほど、幅が小型化できる。なお、本実施形態では、半導体素子１の電極２が配置される線は、一部が円弧であり、残りが直線であるとしたが、本発明の要旨を逸脱しない限り、楕円や他の曲線でも、複数の直線や曲線の組み合わせであってもよい。なお、全体が曲線上に配置されている場合でも、「半導体素子１の電極２の一部は、同一直線上にあり、他は、当該同一直線上にない」という条件を満たしている。なぜなら、半導体素子１の電極２がいかなる線上に配置されても、結果的には常に少なくとも２つの電極２を通る直線が存在するからである。
【００２１】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置について第１の実施形態と異なる点について図５を参照しながら説明する。
【００２２】
本実施形態は、図５に示すとおり、図１に示した半導体装置において、直線上に配置されている半導体素子１の電極２の間隔を、半導体キャリア６の電極４の間隔と等しくし、円弧上に配置されている半導体素子１の電極２とワイヤ９で接続される半導体キャリア６の電極４も円弧上に配置し、隣接するワイヤ９間の距離ｄ１を確保するとともにワイヤ９の長さを均一にしたものである。半導体キャリア６の電極４が配置される円弧は、半導体素子１の電極２が配置されている円弧と中心が同じであり、半径は、ワイヤ９の長さ分だけ大きい。すなわち、本実施形態において、第１の実施形態が満たす条件に加えて、前記半導体キャリア６の電極４は、平行な２つの線の一方に配置されるという条件をさらに満たして設計され、前記半導体素子１の電極２は、平行な２つの線の他方に配置され、かつ、前記ワイヤ９の長さは相等しいという条件をさらに満たすよう設計されている。
【００２３】
図６に、第２の実施の形態に係る半導体装置の半導体キャリア６、その電極４、半導体素子１およびその電極２の配置を実線で示し、従来の半導体装置の半導体キャリア６、その電極７、半導体素子１およびその電極１８の配置を点線で示す。ここでは、従来の半導体装置において、ワイヤ１７の長さを均一にするため、半導体素子１の電極１８は、半導体キャリア６の電極７の間隔と同じ間隔で配置されているとする。図６から分かるように、直線上に半導体キャリア６の電極７が配置されている場合に比べて、半導体素子１の電極２の配置される幅は、ΔＷ２ほど小さくなり、半導体キャリア６の電極４の配置される幅は、ΔＷ３ほど小さくなる。半導体素子１および半導体キャリア６を、ワイヤ長の均一性を保ち、ワイヤループ高さおよびワイヤ流れ性の均一性を維持しつつ、小型化することができ、小型の半導体装置を提供することができる。
【００２４】
図７は本実施の形態に係る半導体装置の小型化の効果を示す図である。ここでは、半導体素子１の向かい合う２つの側辺に沿って、電極２が配置されており、４つのコーナー部に上述のような電極配置を行った場合を考える。半導体キャリア６は、点線で示した従来のワイヤ長の均一性を保持した半導体装置に比べ、本実施形態の半導体キャリア６の場合、２×ΔＷ３ほど、幅が小型化でき、これにともない、半導体装置の幅も同じだけ小型化できる。
【００２５】
なお、半導体キャリア６のコーナー部の電極４および半導体素子１の電極２が配置される各線は、本発明の要旨を逸脱しない限り、楕円や他の曲線でも、複数の直線や曲線の組み合わせであってもよい。例えば図８のように、半導体素子１の１つの側辺に沿って配置される電極２の全体およびこれらの電極２と接続される半導体キャリア６の電極４全体を同心円弧上に配置してもよい。この例では、これらの円弧の中心は当該側辺に向かい合う側辺の中点であり、半導体素子１の電極２が配置される円弧は、半径が、半導体素子１の当該側辺の隣の側辺の長さより、電極２を当該側辺の縁から配置加工する上で必要な距離だけ小さくし、半導体キャリア６の電極４が配置される円弧は、半径が、これよりワイヤ９の長さ分大きい。また、隣接するワイヤ９間の距離がワイヤボンディング処理上必要な距離が確保できるよう、半導体素子１の電極２の間隔が設けられている。すなわち、この例においても、第１の実施形態が満たす条件に加えて、前記半導体キャリア６の電極４は、平行な２つの線の一方に配置されるという条件をさらに満たして設計され、前記半導体素子１の電極２は、平行な２つの線の他方に配置され、かつ、前記ワイヤ９の長さは相等しいという条件をさらに満たすよう設計されている。この場合でも、図８から分かるように、半導体装置の小型化の効果が得られることが分かる。
【００２６】
このように、本実施形態によると半導体装置が小型化できることに加え、ワイヤ９の長さが均一化されることによりワイヤによる特性変動が一定となる。したがって、特性変動の想定が容易化でき、ワイヤ特性を考慮した回路設計も容易となる。とくに、高周波特性を必要とする半導体素子の回路設計の容易化の効果は大きい。
【００２７】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態において第２の実施形態と異なる点について図９を参照しながら説明する。
【００２８】
第３の実施形態においては、半導体キャリア６は、電源の電極リングおよびグランドの電極リングと呼ばれる電極３を、さらに備えている。また、半導体キャリア６の電極３は、半導体素子１の電極２とワイヤ５で接続され、隣接するワイヤ９またはワイヤ５との距離が、ワイヤボンディング処理上必要な距離だけ確保されている。本実施形態では図８で示した実施形態において、半導体キャリア６の電極３が、半導体素子１の電極２が配置された円弧より、半径がワイヤ５の長さ分だけ大きい同心円弧上に配置されている。このことにより、半導体キャリア６の電極４へのワイヤ９が第１の長さで均一化されることに加え、半導体キャリア６の電源の電極３へのワイヤ５も第２の長さで均一化される。すなわち、本実施形態は、第１の実施形態が満たす条件に加えて、半導体キャリア６の電極３および電極４は、複数の互いに平行な線上のいずれかに配置されるという条件をさらに満たして設計され、前記半導体素子１の電極２は、半導体キャリア６の電極３および電極４が配置された線に平行な１つの線上にあって、かつ、一方の線上に配置された半導体キャリア６の電極４と接続されるワイヤ９どうし、および、他方の線上に配置された半導体キャリア６の電極３と接続されるワイヤ５どうしは、それぞれ相等しい長さとなるように配置されるという条件を満たすよう設計されている。
【００２９】
このように、本実施形態によると半導体装置が小型化できることに加え、半導体キャリア６が、電源の電極リングおよびグランドの電極リングと呼ばれる電極３をさらに備えている場合でも、ワイヤ９およびワイヤ５の長さがそれぞれ均一化されることによりワイヤによる特性変動が一定となる。したがって、特性変動の想定が容易化でき、ワイヤ特性を考慮した回路設計も容易となる。とくに、高周波特性を必要とする半導体素子の回路設計の容易化の効果は大きい。
【００３０】
以下に、半導体キャリア６が、このように電極３をさらに備える場合のワイヤボンディング処理について以下に説明する。図１０（ａ）に示すように半導体素子１の電極２から、まず、半導体キャリア６の電源の電極リングおよびグランドの電極リング３へワイヤボンディングを行う。次に図１０（ｂ）に示すように電極４へワイヤボンディングを行う。この際、先にワイヤボンディングされていた電源の電極リングおよびグランドの電極リングへのワイヤ５と、ボンディングキャピラリ８とは、ワイヤボンディング処理上必要な距離が確保されており、接触が回避される。このようにして、図１０（ｃ）に示すように、すべてのワイヤボンディング処理が完了する。
【００３１】
本実施形態では、半導体素子１の電極２、半導体キャリア６の電極４および半導体キャリア６の電源の電極リングおよびグランドの電極リング３がそれぞれ同心円弧上に配置されているとしたが、本発明の要旨を逸脱しない限り、円の代わりに楕円や他の曲線でもよく、１つ以上の直線や曲線の組み合わせであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明は、製造工程においてワイヤボンディング処理を行う半導体装置等に有用であり、とくに、小型化および回路設計の容易化等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置のワイヤボンディング処理を示す図
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図
【図９】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す図
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置のワイヤボンディング処理を示す図
【図１１】従来の半導体装置のワイヤボンディング処理の課題を示す図
【図１２】従来の半導体装置のワイヤボンディング処理の課題を示す図
【図１３】従来の半導体装置のワイヤボンディング処理の課題を示す図
【図１４】従来の半導体装置を示す図
【図１５】従来の半導体装置を示す図
【符号の説明】
【００３４】
１  半導体素子
２、１６、１８  電極
３  半導体キャリアの電源の電極リングおよびグランドの電極リング
４、７  半導体キャリアの信号線の電極
５、９、１７  ワイヤ
６  半導体キャリア
８  ボンディングキャピラリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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