(57)【要約】【課題】膜欠損を生じさせることなく発光層を形成することができ、製造が容易で、得られる素子の寿命特性を良好なものとすることのできる有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ素子、照明装置、面状光源、及び表示装置を提供する。【解決手段】本発明の有機ＥＬ素子は、基板上に、陰極、陽極、前記陰極と陽極との間に配置された発光層、および前記陽極および前記発光層の間に配置された金属ドープモリブデン酸化物層を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記基板の厚み方向の一方から見て前記発光層が設けられる画素領域を囲って隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記基板に対して前記隔壁が設置された側から、有機溶媒によって表面を処理する表面処理工程と、前記表面処理工程の後、前記隔壁に囲まれた画素領域に有機発光材料を含むインキを供給して前記発光層を形成する発光層形成工程と、を含む。【選択図】          なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられ、かつ陽極、金属ドープモリブデン酸化物層、発光層、および陰極が基板側からこの順に配置されて構成される有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
陽極が形成された基板を用意する工程と、
金属ドープモリブデン酸化物層を形成する工程と、
前記基板の厚み方向の一方から見て前記発光層が設けられる画素領域を囲うように隔壁を形成する隔壁形成工程と、
基板上に隔壁が形成された素子前駆体の表面を有機溶媒によって処理する表面処理工程と、
前記表面処理工程の後、前記隔壁に囲まれる画素領域に有機発光材料を含むインキを供給して前記発光層を形成する発光層形成工程と、
陰極を形成する工程と、
を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記金属ドープモリブデン酸化物層を形成する工程では、酸化モリブデンとドーパント金属とを同時に堆積することにより前記金属ドープモリブデン酸化物層を形成する、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記金属ドープモリブデン酸化物層に含まれるドーパント金属が、遷移金属、周期表１３族の金属及びこれらの混合物からなる群より選択される請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記ドーパント金属がアルミニウムである請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記金属ドープモリブデン酸化物層に含まれるドーパント金属の割合が、０．１〜２０．０ｍｏｌ％である請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記表面処理工程では、前記素子前駆体の表面に有機溶媒を接触させる工程であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記表面処理工程では、スピンコーティング法によって、前記素子前駆体の表面に有機溶媒を接触させることを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
前記表面処理工程では、有機溶媒を表面に接触させた後、該有機溶媒を乾燥させることを特徴とする請求項６または７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
前記有機溶媒がインキ用溶媒の一種もしくは二種以上であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
前記有機溶媒が前記有機発光材料用の溶媒の一種もしくは二種以上であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１１】
前記有機溶媒がアニソールであることを特徴とする請求項９または１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１２】
前記発光層形成工程では、印刷法により、前記隔壁に囲まれる画素領域に有機発光材料を含むインキを供給することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を用いて得られた有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする照明装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする面状光源。
【請求項１６】
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という場合がある）、該有機ＥＬ素子の製造方法、該有機ＥＬ素子を用いた照明装置、面状光源、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、一対の電極と、発光層とを含んで構成される。有機ＥＬ素子は、電圧を印加すると、各電極から正孔および電子がそれぞれ注入され、注入された正孔と電子が発光層において再結合することによって発光する。無機エレクトロルミネッセンス素子に比べると、有機ＥＬ素子は低電圧での駆動が可能であり、輝度が高い。そのため、有機ＥＬ素子を表示装置や照明装置に用いることが検討されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子を用いた表示装置では、それぞれ１つの画素として機能する多数の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置された表示パネルが用いられる。かかる表示パネルでは、多数の画素を確保するために、前記第１の電極が微細なパターンに形成され、このパターン化された第１の電極（陽極または陰極）上に多数の画素領域を形成するために格子状の隔壁が形成される。この隔壁は、前記第１の電極パターン上にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜をフォトリソグラフィー技術を用いてパターン化することにより形成される。多数の隔壁により囲まれた画素領域には、第１の電極が露出している。
【０００４】
前記隔壁は、そのフォトレジストに撥インキ性（撥水性）物質が添加されて形成されるか、あるいは隔壁成形後にその表面が選択的に撥インキ性物質により被覆されることによって、表面に撥インキ性が付与される。次に、これら画素領域には発光層が形成されるが、その前に、一層もしくは２層以上の有機材料層が形成される場合もある。
【０００５】
１００ｎｍオーダーの膜厚の発光層を各画素領域に形成する方法としては、真空蒸着法を用いる方法もあるが、通常、高精度かつ効率的な層形成（成膜）が可能であることから、塗布法が用いられている。この塗布法は、有機発光材料を溶媒に溶かして塗布液とし、この塗布液を前記画素領域に選択的に塗布する方法であり、例えば凸版印刷法、インクジェットプリント法などが用いられている。
【０００６】
従来、上記凸版印刷方法を用いた発光層の形成方法としては、例えば、特許文献１に開示の方法が知られている。この特許文献１に開示の方法の特徴は、フォトレジストに撥インキ性物質を混入した隔壁材料を用いて隔壁を形成することにより、隔壁の表面に撥インキ性を付与する点と、撥インキ性の隔壁により画成された画素領域への塗布液の選択的な供給を凸版印刷により行うことにより発光層を形成する点にある。
【０００７】
隔壁の表面に撥インキ性が付与されているので、発光層形成用の有機発光インキを凸版印刷により画素領域に供給する際に、有機発光インキが隔壁に付着することがあっても、撥インク性の隔壁表面によりはじかれるので、隣接画素領域間の有機発光材料の混色を防止することができる。
【０００８】
特許文献１に記載のように、表面が撥インキ性の隔壁により画成された画素領域に有機発光インキを凸版印刷法を用いて供給して発光層を形成する方法は、有機ＥＬ素子を効率的に製造するに適した方法であるが、本発明者らの検討によれば、以下のような解決すべき問題点があることが判明した。
【０００９】
すなわち、例えば凸版印刷により有機発光インキを各画素領域内に選択的に供給したときに、画素領域の周縁だけでなく画素領域内において有機発光インキがはじかれることがあり、有機発光インキを画素領域全域に塗布することができず、実際に発光する画素領域の面積が設計値以下となってしまうことがある。かかる塗布不良の存在する画素の発光量は、設計値以下となり、場合によっては、発光不能となる場合もある。その結果、発光にむらが生じ、発光品質が著しく低下することになる。
【００１０】
また有機ＥＬ素子は、上記発光層とは異なる所定の層（電子注入層および正孔注入層等）を電極間に設けることによって性能を向上させることができる。これまでに、有機ＥＬ素子の性能を向上させるための様々な検討がなされている。例えば電子注入層又は正孔注入層等に金属酸化物から成る層を用いることが検討されており、高効率な電子注入層として、発光層と電子注入電極との間に酸化モリブデン等の無機酸化物層を設けた有機ＥＬ素子がある（例えば特許文献２参照）。
【００１１】
しかしながら無機酸化物層はウェットプロセスに対して耐性が低いので、隔壁を形成する際、または発光層を形成する際のウェットプロセスにより、酸化モリブデン層に損傷を与えるおそれがあり、また場合によっては酸化モリブデン層が溶出してしまうことがあり、結果として発光特性及び寿命特性の高い有機ＥＬ素子を得ることができないという問題がある。
【００１２】
【特許文献１】特開２００６−２８６２４３号公報
【特許文献２】特開２００２−３６７７８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上記従来技術が有する課題に鑑みてなされたものであり、その課題は、膜欠損を生じさせることなく発光層を形成することができ、製造が容易で、得られる素子の寿命特性を良好なものとすることのできる有機ＥＬ素子の製造方法、該製造方法により得られた有機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を用いた照明装置、面状光源、及び表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した課題を解決するために、本発明は、下記の構成を採用した有機ＥＬ素子の製造方法、該製造方法により得られた有機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を用いた照明装置、面状光源、表示装置を提供する。
【００１５】
［１］  基板上に設けられ、かつ陽極、金属ドープモリブデン酸化物層、発光層、および陰極が基板側からこの順に配置されて構成される有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、陽極が形成された基板を用意する工程と、金属ドープモリブデン酸化物層を形成する工程と、前記基板の厚み方向の一方から見て前記発光層が設けられる画素領域を囲うように隔壁を形成する隔壁形成工程と、基板上に隔壁が形成された素子前駆体の表面を有機溶媒によって処理する表面処理工程と、前記表面処理工程の後、前記隔壁に囲まれる画素領域に有機発光材料を含むインキを供給して前記発光層を形成する発光層形成工程と、陰極を形成する工程と、を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１６】
[２]  前記金属ドープモリブデン酸化物層を形成する工程では、酸化モリブデンとドーパント金属とを同時に堆積することにより前記金属ドープモリブデン酸化物層を形成する、上記[１]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１７】
[３]  前記金属ドープモリブデン酸化物層に含まれるドーパント金属が、遷移金属、周期表１３族の金属及びこれらの混合物からなる群より選択される、上記[１]または[２]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１８】
[４]  前記ドーパント金属がアルミニウムである、上記[３]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１９】
[５]  前記金属ドープモリブデン酸化物層に含まれるドーパント金属の割合が、０．１〜２０．０ｍｏｌ％である、上記[１]〜[４]のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２０】
[６]  前記表面処理工程では、前記素子前駆体の表面に有機溶媒を接触させる工程であることを特徴とする、上記[１]〜[５]のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２１】
[７]  前記表面処理工程では、スピンコーティング法によって、前記素子前駆体の表面に有機溶媒を接触させることを特徴とする、上記[６]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２２】
[８]  前記表面処理工程では、有機溶媒を表面に接触させた後、該有機溶媒を乾燥させることを特徴とする、上記[６]または[７]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２３】
[９]  前記有機溶媒がインキ用溶媒の一種もしくは二種以上であることを特徴とする、上記[１]〜[８]のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２４】
[１０]  前記有機溶媒が前記有機発光材料用の溶媒の一種もしくは二種以上であることを特徴とする、上記[１]〜[９]のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２５】
[１１]  前記有機溶媒がアニソールであることを特徴とする、上記[９]または[１０]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２６】
[１２]  前記発光層形成工程では、印刷法により、前記隔壁に囲まれる画素領域に有機発光材料を含むインキを供給することを特徴とする、上記[１]〜[１１]のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２７】
[１３]  上記[１]〜[１２]のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を用いて得られた有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２８】
[１４]  上記[１３]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする照明装置。
【００２９】
[１５]  上記[１３]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする面状光源。
【００３０】
[１６]  上記[１３]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、製造が容易であり、しかも発光特性及び寿命特性が良好な、有機ＥＬ素子を提供することが可能となる。また、本発明にかかる有機ＥＬ素子の製造方法は、隔壁に囲まれた画素領域に有機発光材料を含むインキ（以下、有機発光インキという場合がある）を塗布する前に、該有機発光インキの塗布される表面を有機溶媒で処理することで撥インキ性が緩和されるため、画素領域への有機発光インキを塗布した際の塗布性が改善され、有機発光インキの塗布不良を大幅に改善することができるという効果を奏する。したがって、本発明によれば、発光面における発光むらが低減された発光特性に優れた有機ＥＬ素子を提供することが可能となる。
したがって、本発明の有機ＥＬ素子は、照明装置、バックライトとしての面状光源、フラットパネルディスプレイ等の表示装置として好ましく使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の有機ＥＬ素子をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
【００３３】
本発明にかかる有機ＥＬ素子は、基板上に設けられ、かつ陽極、金属ドープモリブデン酸化物層、発光層、および陰極が基板側からこの順に配置されて構成される有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、陽極が形成された基板を用意する工程と、金属ドープモリブデン酸化物層を形成する工程と、前記基板の厚み方向の一方から見て前記発光層が設けられる画素領域を囲うように隔壁を形成する隔壁形成工程と、基板上に隔壁が形成された素子前駆体の表面を有機溶媒によって処理する表面処理工程と、前記表面処理工程の後、前記隔壁に囲まれる画素領域に有機発光材料を含むインキを供給して前記発光層を形成する発光層形成工程と、陰極を形成する工程と、を含む。
【００３４】
以下に、本発明方法が対象とする有機ＥＬ素子の構造の一実施形態について説明し、その後、本発明にかかる有機ＥＬ素子の製造方法の一実施形態について説明する。
【００３５】
（基板）
基板としては、有機ＥＬ素子を形成する工程において変化しないもの、すなわち、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、リジッド基板でも、フレキシブル基板でもよく、例えば、ガラス板、プラスチック板、およびシリコン板、並びにこれらを積層した積層板などが好適に用いられる。さらに、プラスチック、高分子フィルムなどに低透水化処理を施したものを用いることもできる。前記基板としては、市販のものが使用可能である。また前記基板を公知の方法により製造することもできる。
【００３６】
発光層からの光を基板側から取出すボトムエミッション型の有機ＥＬ素子では、基板は、可視光領域の光の透過率が高いものが好適に用いられる。
なお、発光層からの光を陰極側から取出すトップエミッション型の有機ＥＬ素子では、基板は、透明のものでも、不透明のものでもよい。
【００３７】
（陽極）
本実施形態における陽極は、発光層からの光を透過させる透明電極であるが、他の形態として、陰極を透明な電極から構成した有機ＥＬ素子も可能である。陽極には、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜を用いることができ、透過率が高いものが好適に利用でき、発光層の構成材料に応じて適宜選択して用いることができる。透明な陽極の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：インジウム亜鉛酸化物）、金、白金、銀、銅等の薄膜が用いられる。これらの中でも、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化スズが好ましい。
【００３８】
また、陽極の構成材料として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。
【００３９】
また、発光層への電荷注入を容易にするという観点から、陽極の発光層側の表面上に、フタロシアニン誘導体、ポリチオフェン誘導体等の導電性高分子、Ｍｏ酸化物、アモルファスカーボン、フッ化カーボン、ポリアミン化合物等の１〜２００ｎｍの層、或いは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚１０ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【００４０】
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して適宜選択することができ、例えば５ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは２０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００４１】
陽極を形成させる方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
また、陽極を電気的に分離させた複数のセルに仕切る方法としては、例えば、陽極を形成した後に、フォトレジストを用いたエッチング法によりパターン形成する方法が挙げられる。
【００４２】
（金属ドープモリブデン酸化物層）
本実施形態では、必須の構成要素として、陽極と発光層との間に金属ドープモリブデン酸化物層を有する。すなわち、陽極と発光層との間に設けられる層が金属ドープモリブデン酸化物層のみから構成されているか、あるいは金属ドープモリブデン酸化物層を含む積層体によって構成されている。陽極と発光層との間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられ、金属ドープモリブデン酸化物層がこれらの層の少なくとも１つとして機能する。
【００４３】
上記正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。
上記正孔輸送層とは、陽極、正孔注入層または陽極により近い正孔輸送層らの正孔注入を改善する機能を有する層である。
電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお正孔注入層、及び／又は正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。
電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。
【００４４】
前記金属ドープモリブデン酸化物層は、モリブデン酸化物及びドーパント金属を含むものであり、好ましくはモリブデン酸化物及びドーパント金属から実質的になる。より具体的には、金属ドープモリブデン酸化物層を単層で成膜した場合、層を構成する物質全量中における、モリブデン酸化物及びドーパント金属の合計が占める割合が、好ましくは９８質量％以上、より好ましくは９９質量％以上、さらに好ましくは９９．９質量％以上である。
【００４５】
前記金属ドープモリブデン酸化物層は、正孔注入層であるか、または発光層もしくは正孔注入層に直接接して設けられる。金属ドープモリブデン酸化物層のより具体的な配置を以下の（ｉ）〜（ｖ）に示す。
（ｉ）陽極および正孔輸送層に接して設けられる
（ｉｉ）陽極および電子ブロック層に接して設けられる
（ｉｉｉ）正孔注入層および発光層に接して設けられる
（ｉｖ）正孔注入層および電子ブロック層に接して設けられる
（ｖ）陽極および発光層に接して設けられる
【００４６】
前記金属ドープモリブデン酸化物層の可視光透過率は、５０％以上であることが好ましい。５０％以上の可視光透過率を有することにより、前記金属ドープモリブデン酸化物層を透過して発光する形式の有機ＥＬ素子に好適に用いることができる。
【００４７】
前記金属ドープモリブデン酸化物層に含まれるドーパント金属は、好ましくは遷移金属、周期表の１３族金属又はこれらの混合物であり、より好ましくはアルミニウム、ニッケル、銅、クロム、チタン、銀、ガリウム、亜鉛、ネオジム、ユーロピウム、ホルミウム、セリウムであり、さらに好ましくはアルミニウムである。これに対して、モリブデン酸化物としてはＭｏＯ３を採用することが好ましい。ＭｏＯ３を真空蒸着等の蒸着法により成膜する場合、蒸着された膜においてＭｏとＯの化学量論的な組成比がＭｏＯ３から外れる場合もありうるが、その場合でも本実施形態の有機ＥＬ素子に好ましく用いることができる。
【００４８】
前記金属ドープモリブデン酸化物層に含まれるドーパント金属の割合が、０．１〜２０．０ｍｏｌ％であることが好ましい。ドーパント金属の含有割合が上記範囲内であることにより、良好な耐プロセス性を有する金属ドープモリブデン酸化物層を得ることができる。
【００４９】
前記金属ドープモリブデン酸化物層の厚さは、特に限定されないが１〜１００ｎｍであることが好ましい。
【００５０】
（正孔注入層）
正孔注入層は、上述のように、陽極と正孔輸送層との間、または陽極と発光層との間に設けることができる。金属ドープモリブデン酸化物とは異なる部材により正孔注入層を構成する場合、正孔注入層を構成する材料としては、公知の材料を適宜用いることができ、特に制限はない。例えば、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
【００５１】
正孔注入層の成膜方法としては、例えば、正孔注入層となる材料（正孔注入材料）を含む溶液からの成膜を挙げることができる。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔注入材料を溶解させるものであれば特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水を挙げることができる。
【００５２】
溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法を挙げることができる。
【００５３】
また、正孔注入層の厚みとしては、５〜３００ｎｍ程度であることが好ましい。この厚みが５ｎｍ未満では、製造が困難になる傾向があり、他方、３００ｎｍを超えると、駆動電圧、および正孔注入層に印加される電圧が大きくなる傾向となる。
【００５４】
（正孔輸送層）
正孔輸送層を金属ドープモリブデン酸化物とは異なる部材で構成する場合、正孔輸送層を構成する材料としては、特に制限はないが、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）等の芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。
【００５５】
これらの中でも、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【００５６】
正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。
【００５７】
溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒などを挙げることができる。
溶液からの成膜方法としては、前述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法を挙げることができる。
【００５８】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収の弱いものが好適に用いられ、例えばポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどを挙げることができる。
【００５９】
正孔輸送層の厚みは、特に制限されないが、目的とする設計に応じて適宜変更することができ、１〜１０００ｎｍ程度であることが好ましい。この厚みが前記下限値未満となると、製造が困難になる、または正孔輸送の効果が十分に得られないなどの傾向があり、他方、前記上限値を超えると、駆動電圧および正孔輸送層に印加される電圧が大きくなる傾向がある。したがって正孔輸送層の厚みは、上述のように、好ましくは、１〜１０００ｎｍであるが、より好ましくは、２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは、５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００６０】
（発光層）
発光層は、通常、主として蛍光または燐光を発光する有機物を有する。発光層は、有機物として低分子化合物及び／又は高分子化合物を含んでおり、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１０３〜１０８である高分子化合物を含むことが好ましい。また、さらにドーパント材料を含んでいてもよい。この実施形態において用いることができる発光層を形成する材料としては、例えば、以下のものが挙げられる。なお、陽極と陰極との間には、一層の発光層に限らず、複数の発光層が配置されてもよい。
【００６１】
（色素系材料）
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
【００６２】
（金属錯体系材料）
金属錯体系材料としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、ＢｅなどまたはＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。
【００６３】
（高分子系材料）
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
【００６４】
上記発光材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることが出来る。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
【００６５】
（ドーパント材料）
発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することができる。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、発光層７の厚さは、通常約２０〜２０００Åである。
【００６６】
（陰極と発光層との間に設けられる層）
前記発光層と陰極との間に、必要に応じて、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等の層が積層される。
【００６７】
陰極と発光層との間に、一層のみが設けられる場合には、該層を電子注入層という。また陰極と発光層との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に接する層を電子注入層といい、この電子注入層を除く層を電子輸送層という。
電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。
電子輸送層は、陰極、電子注入層または陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。
正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層、及び／又は電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。
正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。
【００６８】
（電子注入層）
電子注入層は、電子輸送層と陰極との間、または発光層と陰極との間に設けられる。電子注入層としては、発光層の種類に応じて、アルカリ金属やアルカリ土類金属、あるいは前記金属を一種類以上含む合金、あるいは前記金属の酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物、あるいは前記物質の混合物などが挙げられる。
【００６９】
前記アルカリ金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等が挙げられる。
【００７０】
前記アルカリ土類金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどが挙げられる。
【００７１】
さらに、金属、金属酸化物、金属塩をドーピングした有機金属化合物、および有機金属錯体化合物、またはこれらの混合物も、電子注入層の材料として用いることができる。
【００７２】
この電子注入層は、２層以上を積層した積層構造を有していても良い。具体的には、Ｌｉ／Ｃａなどが挙げられる。この電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。
この電子注入層の膜厚としては、１ｎｍ〜１μｍ程度が好ましい。
【００７３】
（電子輸送層）
電子輸送層を形成する材料としては、公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。
【００７４】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【００７５】
なお、電子注入層および正孔注入層を総称して電荷注入層と言う場合があり、電子輸送層および正孔輸送層を総称して電荷輸送層と言う場合がある。
【００７６】
（陰極）
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易な材料が好ましい。また陰極の材料としては電気伝導度が高く、可視光反射率の高い材料が好ましい。かかる陰極材料としては、具体的には、金属、金属酸化物、合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の無機半導体などを挙げることができる。
【００７７】
上記金属としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属や周期表の１３族金属等を用いることができる。これら金属の具体的例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等を挙げることができる。
【００７８】
また、合金としては、上記金属の少なくとも一種を含む合金を挙げることができ、具体的には、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。
【００７９】
陰極は、例えば、陰極側から光を取出す場合などのように、必要に応じて光透過性を有する電極とされる。このような光透過性を有する陰極の材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの導電性酸化物；ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの導電性有機物を挙げることができる。
【００８０】
なお、陰極を２層以上の積層構造としてもよい。また、電子注入層が陰極として用いられる場合もある。
【００８１】
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００８２】
陰極を形成させる方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が挙げられる。なお、陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
【００８３】
本実施の形態の有機ＥＬ素子において、陽極から陰極までの層構成の組み合わせ例を以下に示す。
ａ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｃ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｅ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｆ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｇ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｈ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｉ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｊ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｋ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
以上の層構成において、陽極と発光層との間に設けられる正孔注入層または正孔輸送層が金属ドープモリブデン酸化物層に相当する。
【００８４】
また、本実施の形態の有機ＥＬ素子は、２層以上の発光層を有していてもよく、２層の発光層を有する有機ＥＬ素子としては、以下のｍ）に示す層構成を挙げることができる。
ｍ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／電荷発生層／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
また、３層以上の発光層を有する有機ＥＬ素子としては、具体的には、（電荷発生層／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層）を一つの繰り返し単位として、以下のｎ）に示す前記繰り返し単位を２つ以上含む層構成を挙げることができる。
ｎ）  陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／（該繰り返し単位）／（該繰り返し単位）／・・・／陰極
上記層構成ｍ）およびｎ）において、陽極、電極、陰極、発光層以外の各層は必要に応じて削除することができる。
ここで、電荷発生層とは電界を印加することにより、正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。
有機ＥＬ素子においては、通常基板側に陽極が配置されるが、基板側に陰極を配置するようにしてもよい。
【００８５】
本実施の形態の有機ＥＬ素子は、さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入性の改善のために、電極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよい。また界面での密着性向上や混合の防止などのために、前述した各層間に薄いバッファー層を挿入してもよい。
【００８６】
（保護層）
上述のように陰極が形成された後、基本構造として（陽極）−（陽極と発光層との間の層）−（発光層）−（必要に応じて設けられる発光層と陰極との間の層）−（陰極）を有してなる発光機能部を保護するために、該発光機能部を封止する保護層（上部封止膜）が形成される。この保護層は、通常、少なくとも一つの無機層と少なくとも一つの有機層を有する。積層数は、必要に応じて決定され、基本的には、無機層と有機層は交互に積層される。
【００８７】
なお、プラスチック基板はガラス基板に比べて、ガスおよび液体の透過性が高く、また発光層などの発光物質は酸化されやすく、水と接触することにより劣化しやすいため、前記基板としてプラスチック基板が用いられる場合には、基板および保護層により発光機能部が被包されていても経時変化し易いので、プラスチック基板上にガスおよび液体に対するバリア性の高い下部封止膜を積層し、その後、この下部封止膜の上に上記発光機能部を積層する。この下部封止膜は、通常、上記保護層（上部封止膜）と同様の構成、同様の材料にて形成される。
【００８８】
上述の実施形態の有機ＥＬ素子は、発光層からの光を透明な陽極を透過させて透明な基板から外部へ出射するボトムエミッション型の素子であったが、発光層からの光を透明な陰極を透過させて透明な保護層から外部へ出射するトップエミッション型の他の形態についても、本発明は同様に適用することができる。
【００８９】
上記他の実施形態では、発光層からの光を透過させる透明な陰極には、例えば陰極電極として例示した金属薄膜を透明陰極として用いることができる。なお透明陰極に用いられる金属薄膜は、光が透過可能な程度に薄膜に形成されるので、シート抵抗が高くなる。したがって、透明陰極は、金属箔膜状にＩＴＯ薄膜などの透明電極を積層させた積層体によって構成されることが好ましい。また、陰極と基板との間に、例えば銀などの反射率の高い反射膜を設けることが好ましく、このような反射膜を設けることによって、基板側に向かう光を透明陰極側に反射することができ、光の取出し効率を向上させることができる。
【００９０】
［有機ＥＬ素子の製造方法］
以下、本発明にかかる有機ＥＬ素子の製造方法について、さらに詳しく説明する。
【００９１】
（陽極形成工程）
前述のいずれかの基板材料からなる基板を準備する。ガスおよび液体の透過性が高いプラスチック基板を用いる場合は、必要に応じて、基板上に下部封止膜を形成しておく。
【００９２】
次に、準備した基板上に前述のいずれかの陽極材料を用いて、陽極をパターン形成する。この陽極を透明電極とする場合には、前述のように、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の透明電極材料を使用する。電極のパターン形成は、例えば、ＩＴＯを用いる場合、スパッタリング法により基板上に均一な堆積膜として形成され、続いて、フォトリソグラフィーによりライン状にパターニングされる。
【００９３】
（隔壁形成工程）
ライン状の陽極を形成後、陽極が形成された基板上に感光性材料を塗布してフォトレジスト膜を積層する。次に、このフォトレジスト膜を、フォトリソグラフィーにより格子状にパターニングして絶縁性隔壁を形成する。この格子状の隔壁に覆われた矩形状の領域が画素領域となり、この画素領域には、前記パターン形成された陽極が露出する。
【００９４】
上記絶縁性隔壁を形成する絶縁性の感光性材料は、ポジ型レジスト、ネガ型レジストのどちらであってもよい。隔壁は、絶縁性を示すことが重要であり、絶縁性を有さない場合には、互いに異なる画素間に電流が流れてしまい表示不良が発生するおそれがある。
【００９５】
この隔壁を構成する感光性材料としては、具体的には、ポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系の各感光性化合物を用いることができる。なお、この感光性材料には、有機ＥＬ素子の表示品位を上げる目的で、光遮光性を示す材料を含有させてもよい。
【００９６】
この絶縁性隔壁の表面に撥インキ性を付与するために、隔壁形成用の感光性材料に撥インキ性物質を加えても良い。あるいは、絶縁性隔壁を形成した後、その表面に撥インキ性物質を被覆させることにより、隔壁表面に撥インキ性を付与しても良い。この撥インク性は、後述の発光層以外の層のインキに対しても、発光層用のインキに対しても、撥性であることが好ましい。
【００９７】
前記感光性材料に撥インキ性物質を添加する場合に用いる撥インキ性化合物としては、シリコーン系化合物またはフッ素含有化合物が用いられる。これらの撥インキ性化合物は、後述の発光層形成に用いる有機発光インキ（塗布液）と、正孔輸送層などの発光層以外の層の有機材料インキ（塗布液）の両方に撥インキ性を示すため、好適に用いることができる。
【００９８】
隔壁を形成した後に隔壁の表面に撥インキ性被膜を形成する方法としては、撥インキ性成分を含む塗布液を隔壁表面に塗布する方法、隔壁表面の有機材料の官能基をフッ素で置換することにより表面を改質する方法、撥インキ性成分を気化させて隔壁表面に堆積させる方法などを挙げることができる。後者の気相法による堆積方法として、具体的には、ＣＦ４ガスを導入ガスとして用いるプラズマ処理を挙げることができる。基板および電極などに比べると、有機物の隔壁はＣＦ４ガスによってフッ化され易く、プラズマ処理を行うことで隔壁表面を選択的に撥インキ化することができる。
【００９９】
上記絶縁性隔壁を形成するための感光性材料（フォトレジスト組成物）は、スピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター、スリットコーター等を用いたコーティング法により塗布することができる。塗布膜は、硬化後、慣用のフォトリソグラフィーを用いて、所望寸法の格子状にパターニングする。
【０１００】
（金属ドープモリブデン酸化物層形成工程）
絶縁性隔壁形成後、後続の表面処理工程の前に、前記画素領域に正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等の層を設ける。陽極と発光層との間に設けられる層は、先の素子構造の説明において述べたように、金属ドープモリブデン層のみから構成してもよいし、金属ドープモリブデン酸化物層を含む積層体であってもよい。金属ドープモリブデン酸化物層の材料および積層の組み合わせ構成は、先の素子構造の説明において述べた選択が可能である。
【０１０１】
前記金属ドープモリブデン酸化物層を成膜する方法としては、特に限定されないが、金属ドープモリブデン酸化物層が積層される層上に、酸化モリブデン及びドーパント金属を同時に堆積するいわゆる共蒸着法を好ましい方法の一つとして例示することができる。例えば、基板上に設けられた陽極又は陰極の層上に堆積を行ない、電極に直接接した金属ドープモリブデン酸化物層を得ることができる。または、基板上に電極を設けた後、電極上に、発光層、電荷注入層、電荷輸送層又は電荷ブロック層といった他の層を１層以上設け、さらにその上に堆積を行い、この層に直接接した金属ドープモリブデン酸化物層を得ることができる。
【０１０２】
堆積は、真空蒸着、分子線蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティング、イオンビーム蒸着等により行うことができる。成膜チャンバー内にプラズマを導入することによって、反応性や成膜性を向上させたプラズマアシスト真空蒸着法なども用いることができる。真空蒸着法の蒸発源としては、抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波誘導加熱、レーザビーム加熱などが上げられる。より簡便な方法として、抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波誘導加熱が好ましい。スパッタリング法にはＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、コンベンショナル・スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビーム・スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法などがありいずれの方式も用いることができる。金属ドープモリブデン酸化物層の下層にダメージを与えないためにもマグネトロンスパッタリング法、イオンビーム・スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法を用いることが好ましい。
【０１０３】
なお、成膜時において、雰囲気中に酸素や酸素元素を含むガスを導入して蒸着を行うこともできる。また、酸化モリブデン及びドーパント金属材料として、通常ＭｏＯ３や単金属を用いるが、ＭｏＯ２やドーパント金属の酸化物、ドーパント金属とＭｏの合金、あるいはこれらの混合物などを用いることができる。
【０１０４】
堆積された金属ドープモリブデン酸化物層は、そのまま、または任意に、加熱、ＵＶ−Ｏ３処理、大気暴露等の他の工程に供する。
【０１０５】
前記加熱は、５０〜３５０℃で１〜１２０分間の条件で行うことができる。前記ＵＶ−Ｏ３処理は、紫外線を１〜１００ｍＷ／ｃｍ２の強度で５秒〜３０分間照射し、オゾン濃度０．００１〜９９％の雰囲気下で処理することにより行うことができる。前記大気暴露は、湿度４０〜９５％、温度２０〜５０℃の大気中に、１〜２０日間放置することにより行うことができる。
【０１０６】
上述の形成プロセスから明らかなように、形成された金属ドープモリブデン層は、耐液性が非常に高いという特性を有する。したがって、発光層などの該金属ドープモリブデン層の上に形成される層を、成膜時の制御が容易で簡易な工程であるウエットプロセスにより形成することが可能となる。
【０１０７】
陽極と発光層との間に設けられる層を、金属ドープモリブデン酸化物層を含む積層体から構成する場合、金属ドープモリブデン酸化物層以外の他の層の成膜方法としては特に制限はないが、低分子材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０１０８】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０１０９】
上記溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法などの塗布法を用いることができる。パターン形成が容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの印刷法が好ましい。
【０１１０】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。かかる高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【０１１１】
上記塗布方法により塗布液を基板全面に塗布した場合、塗布液が上記隔壁上に塗布される場合があるが、その場合、隔壁上の塗布液は、撥インキ性を示す隔壁の表面によりはじかれて、隔壁により区分けされた画素領域内に落ち込み、各画素領域内に塗布膜として形成される。各画素領域内の塗布膜は、その後、乾燥されることにより所定の層となり、その機能を発揮する。
【０１１２】
（表面処理工程）
従来の有機ＥＬ素子の製造方法では、上述のように、必要に応じて設けられる層を形成した後に発光層を形成するが、本発明では、発光層形成前に、基板に対して隔壁の設置された側から、有機溶媒によってその表面（基板上に隔壁が形成された素子前駆体の表面）を処理する。
【０１１３】
この表面処理工程は、基板に対して隔壁の設置された側から、有機溶媒を表面に接触させることにより実現される。有機溶媒の接触は、少なくとも隔壁の表面に対して実施されることが必要であり、基板全面でなくても良いが、素子前駆体の表面の全面に対して行うことが好ましい。
【０１１４】
基板表面への有機溶媒の接触方法としては、回転中の基板に有機溶媒を滴下して基板全面に有機溶媒を接触させるスピンコーティング法、傾斜させた基板に有機溶媒を塗布もしくは噴霧する方法、さらに有機溶媒中に基板を浸漬した後、基板を引き上げる方法等が用いられる。いずれかの方法によって有機溶媒を基板全面あるいは隔壁及び画素領域表面に接触させた後、好ましくは、有機溶媒の液滴が残存しないように、表面を接触させた有機溶媒を乾燥させることが好ましい。乾燥方法としては、加熱乾燥、自然乾燥、およびエアーブローなどがある。
【０１１５】
使用する有機溶媒としては、インキ用溶媒の一種もしくは二種以上であることが好ましく、インキ用溶媒の中でも、後述の有機発光材料用の溶媒の一種もしくは二種以上であることがさらに好ましい。かかる有機発光材料用の溶媒の具体例としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等、またはこれらの混合溶媒が挙げられ、アニソールが好ましい。
【０１１６】
なお、有機溶媒による表面処理により、隔壁表面の撥インキ性は幾分緩和されるものの、撥インキ性が損なわれることはない。すなわち、有機溶媒により隔壁の表面処理が実行された後で、隔壁上に有機発光インキが塗布した場合にも、その隔壁上の有機発光インキをはじく性能が損なわれるには到らず、必要とされる撥インキ性は健在のままである。
【０１１７】
（発光層形成工程）
上述の表面処理工程が終了した後、発光層の形成工程が実行される。
発光層に使用される有機発光材料としては、前述の高分子有機発光材料及び／又は低分子有機発光材料が用いられる。
【０１１８】
高分子発光材料を用いる場合、高分子材料を溶媒に溶解または安定に分散させて、有機発光材料の塗布液（有機発光インキ）を調製する。この有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の単独またはこれらの混合溶媒が挙げられる。中でも、トルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が、有機発光材料の良好な溶解性を有することから好ましい。また、有機発光材料のインキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等を添加してもよい。
【０１１９】
有機発光材料を含む塗布液（有機発光インキ）を前記隔壁に囲まれた画素領域に供給する方法としては、有機ＥＬ素子が照明装置に用いる単色発光である場合には、選択的塗布を考慮しなくてよいので、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、コールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法を用いてもよい。有機ＥＬ素子がカラー表示装置に用いる多色発光である場合には、各画素領域に、所定の有機発光インキを選択的に塗布し、混色を避ける必要がある。そのような選択的な塗布には、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法を用いることができる。これらの中でも、より正確に隔壁に囲まれた画素領域に有機発光インキを塗布するためには、インクジェットプリント法、フレキソ印刷法が好ましく、特にフレキソ印刷法が好ましい。
【０１２０】
上記いずれかの方法により隔壁に囲まれた画素領域に有機発光インキを塗布した場合、従来の方法では、撥インキ性の隔壁の側面、および陽極または必要に応じて設けられる層の表面で塗布液がはじかれ、塗膜に欠損（塗布むら）が生じることがあるが、本実施形態では、発光層形成工程の前に有機溶媒を用いた表面処理工程を行うので、撥インキ性が適度に緩和されることで塗布むらが防止され、有機発光インキは、設計値通りの画素領域の全面に行き渡るようにして塗布され、画素領域全面に塗膜が形成される。このように塗布むらが生じることなく各画素領域に形成された有機発光塗膜は、必要に応じて乾燥工程を経て、発光層となり、その機能を発揮する。
【０１２１】
（発光層と陰極との間の層の形成工程）
上記発光層の形成後、必要に応じて、正孔輸送層や正孔注入層などの層を形成する。
正孔輸送層や正孔注入層などの層の形成方法は、電子輸送層の場合、特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が例示され、高分子電子輸送材料では、溶液または溶融状態からの成膜による方法が例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する方法と同様の成膜法を用いることができる。
また、電子注入層の場合、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等を用いて形成される。
【０１２２】
（陰極形成工程）
陰極は、前述のいずれかの材料を用い、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法、および金属薄膜を圧着するラミネート法などにより形成する。
【０１２３】
陰極を形成した後、基本構造として陽極−発光層−陰極を有してなる発光機能部を保護するために、上部封止膜を形成する。この上部封止膜は、必要に応じて、少なくとも一つの無機層と少なくとも一つの有機層とから構成する。これらの積層数は、必要に応じて決定し、基本的には、無機層と有機層は交互に積層する。
【０１２４】
なお、金属ドープモリブデン酸化物層は、隔壁を形成する前に成膜してもよい。隔壁を形成した後に金属ドープモリブデン酸化物層を形成する場合には、金属ドープモリブデン酸化物を各画素領域に選択的に形成する必要があるが、隔壁を形成する前に金属ドープモリブデン酸化物層を形成する場合には、複数の画素領域に跨って、例えば基板全面に金属ドープモリブデン酸化物層を形成してもよく、工程を簡易化することができる。特に、金属ドープモリブデン酸化物層はウェットプロセスに対する耐性が高いので、ウェットプロセスを必要とする隔壁の形成においても、金属ドープモリブデン酸化物層が受ける損傷は小さい。したがってこのように隔壁を形成する前に金属ドープモリブデン酸化物層を形成することにより、簡易な工程で性能の高い有機ＥＬ素子を形成することができる。
【０１２５】
以上説明したような本発明の実施形態の有機ＥＬ素子は、曲面状や平面状の照明装置、例えばスキャナの光源として用いられる面状光源、および表示装置に好適に用いることができる。
【０１２６】
有機ＥＬ素子を備える表示装置としては、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置などを挙げることができる。ドットマトリックス表示装置には、アクティブマトリックス表示装置およびパッシブマトリックス表示装置などがある。有機ＥＬ素子は、アクティブマトリックス表示装置、パッシブマトリックス表示装置において、各画素を構成する発光素子として用いられる。また有機ＥＬ素子は、セグメント表示装置において、各セグメントを構成する発光素子として用いられ、液晶表示装置において、バックライトとして用いられる。
【実施例】
【０１２７】
以下、作製例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の作製例に限定されるものではない。
【０１２８】
以下の作製例１〜６及び比較例１，２では、陽極と発光層との間に金属ドープモリブデン酸化物層を設けることによる効果を確認するために、有機発光インクの供給前に基板に対して隔壁が設置された側から有機溶媒によって処理する表面処理工程を行わず、陽極と発光層との間に金属ドープモリブデン酸化物層を設けた有機ＥＬ素子を製造した。
【０１２９】
（作製例１）
（Ａ：真空蒸着法による、ガラス基板へのＡｌドープＭｏＯ３の蒸着）
複数のガラス基板を用意し、その片面を蒸着マスクを用いて部分的に被覆し、蒸着チャンバー内に基板ホルダーを用いて取り付けた。
【０１３０】
ＭｏＯ３粉末（アルドリッチ社製、純度９９．９９％）を、ボックスタイプの昇華物質用のタングステンボードに詰め、材料が飛び散らないように穴の開いたカバーで覆い、蒸着チャンバー内にセットした。Ａｌ（高純度化学社製、純度９９．９９９％）は坩堝に入れ、蒸着チャンバー内にセットした。
【０１３１】
蒸着チャンバー内の真空度を３×１０−５Ｐａ以下とし、ＭｏＯ３は抵抗加熱法により徐々に加熱し十分に脱ガスを行い、Ａｌは電子ビームにより坩堝内で溶かし込みを行い、十分に脱ガスを行なってから、蒸着に供した。蒸着中の真空度は９×１０−５Ｐａ以下とした。膜厚及び蒸着速度は水晶振動子で常時モニターした。ＭｏＯ３の蒸着速度が約０．２８ｎｍ／秒、Ａｌの蒸着速度が約０．０１ｎｍ／秒となった時点でメインシャッターを開き、基板への成膜を開始した。蒸着中は基板を回転させ、膜厚が均一になるようにした。蒸着速度を上記速度に制御して約３６秒間成膜を行ない、膜厚約１０ｎｍの共蒸着膜が設けられた基板を得た。膜中のＭｏＯ３及びＡｌの合計に対するＡｌの組成比は約３．５ｍｏｌ％であった。
【０１３２】
（Ｂ：耐久性試験）
成膜後、得られた基板を大気中に取り出し、光学顕微鏡（５００倍）で膜表面を観察したところ、結晶構造が認められず、アモルファス状態であることが確認された。
得られた基板を純水に１分間曝し、光学顕微鏡で再び観察したところ、変化は無く、表面は溶けていなかった。この基板をさらに純水に３分間曝し続けるか、又は純水を含ませた不織布（商品名「ベンコット」、小津産業株式会社製）で膜を拭いた後、目視で観察したところ、いずれの場合も膜は変化無く残っていた。
また上記純水に曝した基板とは別の得られた基板をアセトンに１分間曝し、光学顕微鏡で観察したところ変化は無く、表面が溶けていなかった。この基板をさらにアセトンに３分間曝し続けるか、又はアセトンを含ませた不織布で膜を拭いた後、目視で確認したところ、いずれの場合も膜は変化無く残っていた。
【０１３３】
（Ｃ：透過率の測定）
また、成膜後の蒸着膜の透過率を、透過率・反射率測定装置（Scientific Computing International社製、商品名「FilmTek  3000」）を用いて測定した。結果を後出の（表１）に示す。光の波長約３００ｎｍぐらいから透過スペクトルが立ち上がり、波長３２０ｎｍにおける透過率が２１．６％、３６０ｎｍにおける透過率が５６．６％であった。後述する比較例１と比較して、３２０ｎｍにおいて３．６倍、３６０ｎｍにおいて１．６倍の透過率を有していた。
【０１３４】
（作製例２）
蒸着中に、チャンバーに酸素を導入した他は作製例１の（Ａ）と同様に操作し、共蒸着膜が設けられた基板を得た。酸素量はマスフローコントローラーにより１５ｓｃｃｍに制御した。蒸着中の真空度は約２．３×１０−３Ｐａであった。得られた共蒸着膜の膜厚は約１０ｎｍであり、膜中のＭｏＯ３及びＡｌの合計に対するＡｌの組成比は約３．５ｍｏｌ％であった。
【０１３５】
成膜後、得られた基板の耐久性を作製例１の（Ｂ）と同様に評価した。純水及びアセトンのいずれに曝した場合においても変化は観察されなかった。
【０１３６】
（作製例３）
蒸着速度を、ＭｏＯ３については約０．３７ｎｍ／秒、Ａｌについては約０．００１ｎｍ／秒に制御した他は作製例１の（Ａ）と同様に操作し、共蒸着膜が設けられた基板を得た。得られた共蒸着膜の膜厚は約１０ｎｍであり、膜中のＭｏＯ３及びＡｌの合計に対するＡｌの組成比は約１．３ｍｏｌ％であった。
【０１３７】
成膜後、得られた基板の耐久性を作製例１の（Ｃ）と同様に評価した。純水及びアセトンのいずれに曝した場合においても変化は観察されなかった。
【０１３８】
（作製例４）
作製例１の（Ａ）で得られた基板を、大気雰囲気のクリーンオーブンに入れ、２５０℃で６０分間加熱処理した。冷却後、蒸着膜の透過率を作製例１の（Ｃ）と同様に測定した。結果を後出の（表１）に示す。波長３２０ｎｍにおける透過率が２８．９％、３６０ｎｍにおける透過率が７６．２％であった。下記比較例１と比較して、３２０ｎｍにおいて４．７倍、３６０ｎｍにおいて２．２倍の透過率を有していた。
【０１３９】
（比較例１）
Ａｌを蒸着せず、ＭｏＯ３のみを約０．２８ｎｍ／秒で蒸着した他は作製例１と同様に操作し、膜厚約１０ｎｍの蒸着膜が設けられた基板を得た。
成膜後、得られた基板を大気中に取り出し、光学顕微鏡（５００倍）で膜表面を観察したところ、結晶構造が認められずアモルファス状態であることが確認された。
【０１４０】
得られた基板を純水に１分間曝し、光学顕微鏡で再び観察したところ、にじみ模様が認められ、表面が溶けていることが観察された。この基板をさらに純水に３分間曝し続けるか、又は純水を含ませた不織布で膜を拭いた後、目視で観察したところ、いずれの場合も膜が消失していた。
【０１４１】
別の得られた基板をアセトンに１分間曝し、光学顕微鏡で観察したところ、にじみ模様が認められ、表面が溶けていることが観察された。この基板をさらにアセトンに３分間曝し続けるか、又はアセトンを含ませた不織布で膜を拭いた後、目視で確認したところ、いずれの場合も膜は消失していた。
【０１４２】
また、成膜後の蒸着膜の透過率を、作製例１の（Ｃ）と同様に測定した。結果を下記（表１）に示す。波長３２０ｎｍにおける透過率が６．１％、３６０ｎｍにおける透過率が３５．４％であり、透過率が低いことが認められた。
【０１４３】
【表１】
2010147180.tif 000002
【０１４４】
（合成例１）
攪拌翼、バッフル、長さ調整可能な窒素導入管、冷却管、温度計をつけたセパラブルフラスコに  ２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン１５８．を２９重量部、ビス−（４−ブロモフェニル）−４−（１−メチルプロピル）−ベンゼンアミン１３６．を１１重量部、トリカプリルメチルアンモニウムクロリド（ヘンケル社製  Ａｌｉｑｕａｔ３３６）を２７重量部、トルエンを１８００重量部を仕込み、窒素導入管より窒素を流しながら、攪拌下９０℃まで昇温した。
【０１４５】
次に、酢酸パラジウム（ＩＩ）を０．０６６重量部、トリ（ｏ−トルイル）ホスフィンを０．４５重量部加えた後、１７．５％炭酸ナトリウム水溶液（５７３重量部）を１時間かけて滴下した。滴下終了後、窒素導入管を液面より引き上げ、還流下で７時間保温した後、フェニルホウ酸を３．６重量部加え、１４時間還流下保温し、室温まで冷却した。
【０１４６】
反応液水層を除いた後、反応液油層をトルエンで希釈し、３％酢酸水溶液、イオン交換水で洗浄した。分液油層にＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物を１３重量部加え、４時間攪拌した。その後、活性アルミナとシリカゲルの混合カラムに通液し、トルエンを通液してカラムを洗浄した。
【０１４７】
上記濾液および洗液を混合した後、メタノールに滴下して、ポリマーを沈殿させた。得られたポリマー沈殿を濾別し、メタノールで沈殿を洗浄した後、真空乾燥機でポリマーを乾燥させ、ポリマー１９２重量部を得た。得られたポリマーを高分子化合物Ｐ１と記す。この高分子化合物Ｐ１のポリスチレン換算重量平均分子量および数平均分子量を下記のＧＰＣ分析法により求めたところ、ポリスチレン換算重量平均分子量は、３．７×１０５であり、数平均分子量は８．９×１０４であった。
【０１４８】
（ＧＰＣ分析法）
ポリスチレン換算重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求めた。ＧＰＣの検量線の作成にはポリマーラボラトリーズ社製標準ポリスチレンを使用した。測定する重合体は、約０．０２重量％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣ装置に１０μＬ注入した。
【０１４９】
ＧＰＣ装置は島津製作所製ＬＣ−１０ＡＤｖｐを用いた。カラムは、ポリマーラボラトリーズ社製のカラム（「ＰＬｇｅｌ」１０μｍ  ＭＩＸＥＤ−Ｂ  カラム（３００×７．５ｍｍ））を２本直列に接続して用い、移動相としてテトラヒドロフランを２５℃、１．０ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。検出器はＵＶ検出器を用い、２２８ｎｍの吸光度を測定した。
【０１５０】
（作製例５）
（有機ＥＬ素子の作製）
基板としてＩＴＯの薄膜が表面にパターニングされたガラス基板を用い、このＩＴＯ薄膜上に、作製例１と同様の手順で、膜厚１０ｎｍのＡｌドープＭｏＯ３層を真空蒸着法により蒸着した。
【０１５１】
成膜後、基板を大気中に取り出し、その蒸着膜上にスピンコート法により、合成例１で得た高分子化合物Ｐ１を成膜し、膜厚２０ｎｍのインターレイヤー層を形成した。取り出し電極部分及び封止エリアに成膜されたインターレイヤー層を除去し、ホットプレートで２００℃、２０分間ベイクを行った。
【０１５２】
その後、インターレイヤー層上に、高分子発光有機材料（ＲＰ１５８  サメイション社製）をスピンコート法により成膜し、膜厚９０ｎｍの発光層を形成した。取り出し電極部分及び封止エリアに成膜された発光層を除去した。
【０１５３】
これ以降の封止までのプロセスは、真空中あるいは窒素中で行い、プロセス中の素子が大気に曝されないようにした。
【０１５４】
真空の加熱室において、基板を基板温度約１００℃で６０分間加熱した。その後蒸着チャンバーに基板を移し、発光部及び取り出し電極部に陰極が成膜されるように、発光層面上に陰極マスクをアライメントした。さらにマスクと基板を回転させながら陰極を蒸着した。陰極として、金属Ｂａを抵抗加熱法にて加熱し蒸着速度約０．２ｎｍ／秒、膜厚５ｎｍにて蒸着し、その上に電子ビーム蒸着法を用いてＡｌを蒸着速度約０．２ｎｍ／秒、膜厚１５０ｎｍにて蒸着した。
【０１５５】
その後、基板を、予め用意しておいた、ＵＶ硬化樹脂が周辺に塗布されている封止ガラスと貼り合わせ、真空に保ち、その後大気圧に戻し、ＵＶを照射することで固定し、発光領域が２×２ｍｍの有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子は、ガラス基板／ＩＴＯ膜／ＡｌドープＭｏＯ３層／インターレイヤー層／発光層／Ｂａ層／Ａｌ層／封止ガラスの層構成を有していた。
【０１５６】
（有機ＥＬ素子の評価）
作製した素子に、輝度が１０００ｃｄ／ｍ２となるよう通電し、電流−電圧特性を測定した。また、１０ｍＡで定電流駆動し、初期輝度約２０００ｃｄ／ｍ２で発光を開始させてから、そのまま発光を持続させ、発光寿命を測定した。結果を後出の（表２）及び（表３）に示す。後述する比較例２と比較して、最大電力効率が若干高く、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の駆動電圧が低下し、寿命が約１．６倍延長している。
【０１５７】
（作製例６）
ＡｌドープＭｏＯ３層を、作製例３と同様の手順で成膜した他は、作製例５と同様に操作し、有機ＥＬ素子を作製し、電流−電圧特性及び発光寿命を測定した。発光寿命は、１０ｍＡで定電流駆動し、初期輝度約２０００ｃｄ／ｍ２で発光を開始させてからそのまま発光を持続させて測定した。結果を下記（表２）及び（表３）に示す。下記比較例２と比較して、最大電力効率が若干高く、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の駆動電圧が低下し、寿命が約２．４倍延長している。
【０１５８】
（比較例２）
ＡｌドープＭｏＯ３層を成膜する代わりに、比較例１と同様の手順でＭｏＯ３層を成膜した他は、作製例５と同様に操作し、有機ＥＬ素子を作製し、電流−電圧特性及び発光寿命を測定した。発光寿命は、１０ｍＡで定電流駆動し、初期輝度約２０００ｃｄ／ｍ２で発光を開始させてから、そのまま発光を持続させて測定した。結果を下記（表２）及び（表３）に示す。
【０１５９】
【表２】
2010147180.tif 000003
【０１６０】
【表３】
2010147180.tif 000004
【０１６１】
（作製例７）
以下に示す作製例７では、陽極と発光層の間の層として正孔注入層を設けたが、金属ドープモリブデン酸化物層は設けず、また、発光層と陰極との間の層も設けない積層構造の有機ＥＬ素子を作製した。本発明の特徴は、素子前駆体の表面の有機溶媒による表面処理工程を有する点にあるので、以下の作製例に示す積層構造以外の他の全ての種類の積層構造の有機ＥＬ素子に対しても同様に本発明を適用でき、同様の作用効果を得ることができる。
【０１６２】
（基板の準備および陽極の形成）
まず、２００ｍｍ（縦）×２００ｍｍ（横）×０．７ｍｍ（厚み）の透明ガラス板上にＩＴＯ薄膜を形成し、さらにパターニングを行ってストライプ状の陽極を形成した。陽極の繰り返し間隔（ピッチ）は、８０μｍで、陽極（ライン）の幅７０μｍに対して陽極間の間隔（スペース）は１０μｍであった（ライン／スペース＝７０μｍ／１０μｍ）。基板の厚み方向の一方から見て画素の形成される画素領域は、一方向に伸びるＩＴＯ薄膜上において、前記一方向に所定の間隔をあけて島状に設定される。
【０１６３】
（隔壁の形成）
次に、上記基板上の全面に、ポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製、商品名「ＯＦＰＲ−８００」）をスピンコーティング法により塗布し、この塗膜を乾燥させて、膜厚１μｍのフォトレジスト層を形成した。
次に、基板の厚み方向の一方から見て画素の形成される画素領域を除く領域を紫外線から遮蔽するように設計されたフォトマスクを、上記フォトレジスト層の上に配置し、アライメント露光機（大日本スクリーン製造社製、商品名「ＭＡ１３００」）から前記フォトマスクを介して前記フォトレジスト層に紫外線を照射した（露光工程）。
前記露光工程に続いて、レジスト現像液（東京応化工業（株）製、商品名「ＮＭＤ−３」）を用いて、前記フォトレジスト層の露光部を除去した（現像工程）。
続いて、上記ガラス基板をホットプレート上で２３０℃で１時間加熱処理を行なって、上記現像後のフォトレジスト層を完全に加熱硬化させた（熱硬化工程）。
【０１６４】
上記一連のフォトリソグラフィー工程により、画素領域を囲う隔壁（有機絶縁層）が形成され、この隔壁に囲まれた画素領域で陽極が露出する。得られた隔壁ラインの幅寸法は、２０μｍであり、高さ寸法は、２μｍであった。また、各画素領域は６０μｍ×１８０μｍの矩形であった。
【０１６５】
次に、ＣＦ４ガスを用いた真空プラズマ装置（サムコインターナショナル研究所製、商品名「ＲＩＥ−２００Ｌ」）を用いて、隔壁に撥インキ化処理を行った。
【０１６６】
（正孔注入層の形成）
次に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ社製、商品名「ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３」）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した。この濾過液をノズルコート法により上記画素領域に塗布した。続いて、この塗布層を２００℃×２０分間、加熱処理して、６０ｎｍ厚の正孔注入層を形成した。
【０１６７】
（隔壁側の基板表面の溶媒による処理）
次に、上記基板上に合計量３０ｍＬのアニソールを連続的に滴下し、スピンコーティング法によりアニソールを基板上の全表面に接触（塗布）した。その後、約３０分間エアーブロー処理を行うことにより基板を乾燥させた。
【０１６８】
（発光層の形成）
アニソールとシクロヘキシルベンゼンとを重量比１：１で混合した混合溶媒に有機発光材料として高分子発光材料（サメイション社製、商品名「ＲＰ１５８」）を溶解させた有機発光インキ（高分子発光材料の濃度：１重量％）を準備した。この有機発光インキ（粘度：２８ｃｐ）を、フレキソ印刷法を用いて、前記アニソールによる表面処理後の絶縁性の隔壁に囲まれた画素領域に塗布した。この塗膜を乾燥して画素領域内に６０ｎｍ厚の発光層を形成した。なお、前記アニソールによる表面処理完了から有機発光インキの印刷開始までの時間は、約３０分であった。
【０１６９】
ここで、各画素領域に形成された発光層の状態を光学顕微鏡（株式会社ニコン社製、商品名「オプチフォト８８」、対物レンズ倍率：５０倍）にて観察したところ、隔壁および正孔注入層から有機発光インキがはじかれた痕跡はなく、発光層が画素領域の全域に成膜されていることを確認した。
【０１７０】
（陰極の形成）
次に、上記発光層の上に、陰極として、カルシウムを１００Åの厚さで蒸着し、さらに、酸化保護層としてアルミニウムを２０００Åの厚さで蒸着した。これにより、ボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子を作製した。
【０１７１】
上述のようにして得た有機ＥＬ素子を発光させたところ、発光強度は、発光面全面に亘って均一であった。
【０１７２】
（比較例３）
上記作製例７において発光層を形成する前の（隔壁側の基板表面の溶媒による処理）を実施しなかったことを除いて、作製例７と同様にして有機ＥＬ素子を製造した。
【０１７３】
発光層を形成した直後、光学顕微鏡（株式会社ニコン社製、商品名「オプチフォト８８」、対物レンズ倍率：５０倍）にて各画素領域内に形成された発光層の状態を観察したところ、隔壁や正孔注入層表面で有機発光インキがはじかれることで、基板の厚み方向の一方から見て隔壁に囲まれた画素領域において発光層が形成されていない領域の存在する欠損部分が点在していることを確認した。
【０１７４】
このようにして得られた有機ＥＬ素子を発光させたところ、発光面に発光むらが発生した。