(57)【要約】【課題】  半導体モジュールの不具合によるシステム不起動が生じた場合でも、不具合の原因を検出できるようにする。【解決手段】  半導体装置ソケットは、半導体記憶装置を備えた半導体モジュールの挿入部を受けるソケット部と、システムへの挿入部と、半導体記憶装置の代わりに使用可能な代替半導体記憶装置と、半導体モジュールの半導体記憶装置と代替半導体装置との間でシステムとの接続を切り替える切替スイッチと、を備える。【選択図】図１
2010217953.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体記憶装置を備えた半導体モジュールの挿入部を受けるソケット部と、
前記半導体モジュールを使用するシステムへの挿入部と、
前記半導体記憶装置の代わりに使用可能な代替半導体記憶装置と、
前記半導体モジュールの半導体記憶装置と前記代替半導体装置との間で前記システムとの接続を切り替える切替スイッチと、
を備えることを特徴とする半導体装置ソケット。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置ソケットにおいて、
前記切替スイッチは、前記半導体モジュールの半導体記憶装置と前記代替半導体装置との間で、前記システムとの接続線の一部を切り替えることを特徴とする半導体装置ソケット。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置ソケットにおいて、
前記切替スイッチが、信号の種類に応じて複数設けられていることを特徴とする半導体装置ソケット。
【請求項４】
請求項１，２又は３に記載の半導体装置ソケットにおいて、
前記代替半導体記憶装置の数が前記半導体モジュールの半導体記憶装置の数よりも少ないことを特徴とする半導体装置ソケット。
【請求項５】
半導体記憶装置を備えた半導体モジュールが接続される第１のコネクタと、
前記半導体モジュールを使用するシステムが接続される第２のコネクタと、
前記半導体記憶装置の代わりに使用できる代替半導体記憶装置と、
前記第１のコネクタに含まれる共通信号用コンタクトと前記第２のコネクタに含まれる共通信号用コンタクトとの間を接続するとともに、前記代替半導体記憶装置の共通信号用外部接続端子に接続される接続線と、
前記第１のコネクタに含まれる個別信号用コンタクトを、前記第２のコネクタに含まれる個別信号用コンタクト又は前記代替半導体記憶装置の個別信号用外部接続端子に選択的に接続する切替スイッチと、
を備えることを特徴とする半導体装置ソケット。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置ソケットにおいて、
前記切替スイッチが、個別信号の種類に応じて複数設けられていることを特徴とする半導体装置ソケット。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の半導体装置ソケットにおいて、
前記代替半導体記憶装置の数が前記半導体モジュールの半導体記憶装置の数よりも少ないことを特徴とする半導体装置ソケット。
【請求項８】
半導体記憶装置を備える半導体モジュールと前記半導体記憶装置を使用するシステムとの間に、前記半導体記憶装置の代わりに使用可能な代替半導体記憶装置と切替スイッチとを備えた半導体装置ソケットを介在させ、前記切替スイッチを操作して前記半導体記憶装置の所定の外部接続端子及び前記代替半導体記憶装置の所定の外部接続端子のいずれか一方を前記システムに電気的に接続して、前記システムを起動させることを特徴とする半導体モジュールの試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置ソケットに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、ウエハ状態で良品か否かテストされ、さらに複数の半導体装置をモジュールに搭載した状態でも良品か否かテストされる。このようなテストは、通常、専用テスト装置を用いて行われている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３７２５６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
テスト装置を用いた試験において良品であると評価された半導体装置であっても、実機（特定の構成のパソコン等）に装着した場合、特定の機種に依存してシステム（実機）が起動しないことがある。このような場合、システムが不起動であるがゆえに、モジュールに搭載された半導体装置の中から不具合を有する半導体装置を特定することができない。したがって、不具合を検出するには、全てのチップ（半導体装置）に対して詳細な解析を行う必要があり、多大な時間が必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一形態による半導体装置ソケットは、半導体記憶装置を備えた半導体モジュールの挿入部を受けるソケット部と、システムへの挿入部と、前記半導体記憶装置の代用として利用可能な代用半導体記憶装置と、前記半導体モジュールの半導体記憶装置と前記代用半導体装置との間で前記システムとの接続を切替える切替スイッチと、を備える。
【発明の効果】
【０００６】
システムに半導体モジュールの半導体記憶装置と代用半導体記憶装置とを切替接続できるようにしたことで、不具合が発生した半導体記憶装置を特定することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置ソケットの概略図である。
【図２】図１の使用方法を説明するための図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置ソケットの概略図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置ソケットの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【０００９】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置ソケット１０の概略図である。この半導体装置ソケット１０は、所定の規格に準拠する半導体モジュール（ここでは、ＤＩＭＭ（Dual In-line Memory Module））と組み合わせて用いられるように構成されている。
【００１０】
詳述すると、半導体装置ソケット１０は、図示のように、ＤＩＭＭソケット部１１とＤＩＭＭ部１２と、を有している。
【００１１】
ＤＩＭＭソケット部１１は、上述した所定の規格に準拠するＤＩＭＭ（図２参照）の挿入部（カード・エッジ・コネクタ）を挿入接続することができるように構成されている。即ち、ＤＩＭＭソケット部１１は、半導体モジュールが接続される第１のコネクタとして機能する。
【００１２】
ＤＩＭＭ部１２は、ＤＩＭＭの挿入部と同一構成の挿入部１２１を有している。挿入部１２１は、半導体モジュールを使用するシステムに接続される第２のコネクタとして機能する。
【００１３】
また、ＤＩＭＭ部１２は、ＤＩＭＭに搭載されている半導体記憶装置（ここでは、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory））と同一構成の半導体記憶装置を代替半導体記憶装置として少なくとも１個（ここでは４個、即ち第０ＤＲＡＭ１２２−０〜第３ＤＲＡＭ１２２−３）有している。
【００１４】
さらに、ＤＩＭＭ部１２は、挿入部１２１に形成されたコンタクトのうちの一部に接続された少なくとも１個（ここでは４個）の切替スイッチ１２３−０〜１２３−３を有している。
【００１５】
挿入部１２１に形成されている複数のコンタクトは、ＤＩＭＭソケット部１１に形成されている複数のコンタクトと一対一に対応している。挿入部１２１のコンタクトのうち、コマンド・アドレス系信号（ＣＬＫ，ＣＳ，ＲＡＳ，ＣＡＳ，ＷＥ）に用いられる共通信号用コンタクトは、ＤＩＭＭソケット部１１の対応する共通信号用コンタクトに、接続線（信号線）を用いて直接接続されている。また、これらの接続線は、分岐され、半導体記憶装置１２２の各々の対応する共通信号用外部接続端子に接続されている。
【００１６】
一方、挿入部１２１のコンタクトのうち、データ系信号（ＤＱＳ，／ＤＱＳ，ＤＱ）に用いられる個別信号用コンタクトは、切替スイッチ１２３−０〜１２３−３のいずれかに接続されている。ここでは、これらの個別信号用コンタクトは、ＤＩＭＭに搭載される４個のＤＲＡＭに対応する信号群毎に、切替スイッチ１２３−０〜１２３−３に接続されている。
【００１７】
切替スイッチ１２３−０〜１２３−３の各々は、２つの接点Ａ及びＢを有しており、接点Ａには、第０ＤＲＡＭ１２２−０〜第３ＤＲＡＭ１２２−３のいずれかの個別信号用外部接続端子が接続されている。また、接点Ｂには、ＤＩＭＭソケット部１１の対応する個別信号用コンタクトが接続されている。
【００１８】
ここで、全ての切替スイッチ１２３−０〜１２３−３が接点Ｂ側に切り替えられているとする。このとき、半導体装置ソケット１０は、挿入部１２１の全コンタクトとＤＩＭＭソケット部１１の対応するコンタクトとを互いに電気的に接続する接続延長装置のように働く。
【００１９】
切替スイッチ１２３−０〜１２３−３が接点Ｂ側に切り替えられると、第０ＤＲＡＭ１２２−０〜第３ＤＲＡＭ１２２−３の個別信号用外部接続端子が挿入部１２１の個別信号用コンタクトに電気的に接続される。全ての切替スイッチ１２３−０〜１２３−３が接点Ｂ側に切り替えられた状態で、この半導体装置ソケット１０は、ＤＩＭＭと同様に動作する。
【００２０】
次に、図２をも参照して図１の半導体装置ソケット１０の使用方法について説明する。
【００２１】
図２に示すように、半導体装置ソケット１０は、所定の規格に準拠するＤＩＭＭ２０と、それを受けるべくシステム上に搭載されたＤＩＭＭソケット２５との間に接続される。
【００２２】
ＤＩＭＭ２０は、カード・エッジ・コネクタである挿入部２０１を有し、第０ＤＲＡＭ〜第３ＤＲＡＭ２０２を搭載している。システム上のＤＩＭＭソケット２５は、このＤＩＭＭ２０の挿入部２０１に対応している。即ち、ＤＩＭＭ２０は、ＤＩＭＭソケット２５に直接挿入接続できる。しかし、本実施の形態では、ＤＩＭＭ２０の挿入部２０１が半導体装置ソケット１０のＤＩＭＭソケット部１１に挿入接続され、半導体装置ソケット１０の挿入部１２１がシステム上のＤＩＭＭソケット２５に挿入接続される。
【００２３】
上述したように、切替スイッチ１２３が全て接点Ｂ側に切り替えられているとき、半導体装置ソケット１０は接続延長装置のように働き、ＤＩＭＭ２０がＤＩＭＭソケット２５に直接挿入接続された状態とみなすことができる。この状態でシステムを起動させようとした場合に、システムが起動しなかったならば、ＤＩＭＭ２０のどこかに不具合があることになる。
【００２４】
システムが起動しない場合、切替スイッチ１２３−０〜１２３−３のうちの一つ、例えば切替スイッチ１２３−０を接点Ａ側に切り替える。これにより、挿入部１２１のＤＱＳ０，／ＤＱＳ０，ＤＱ０〜ＤＱ１５用コネクタをＤＩＭＭソケット部１１の対応するコネクタに接続していた接続線が、半導体装置ソケット１０の第０ＤＲＡＭ１２２−０に接続する接続線に切り替えられる。つまり、ＤＩＭＭ２０の第０ＤＲＡＭが半導体装置ソケット１０の第０ＤＲＡＭ１２２−０に置き換えられた状態になる。この状態で、システムを起動して、正常にシステムが起動したならば、ＤＩＭＭ２０の第０ＤＲＡＭに不具合の原因があると判定することができる。
【００２５】
切替スイッチ１２３−０を接点Ａ側に切り替えた状態でシステムが起動しなければ、切替スイッチ１２３−０を接点Ｂ側に戻し、他の切替スイッチ、例えば、切替スイッチ１２３−１を接点Ａ側に切り替える。これにより、挿入部１２１のＤＱＳ１，／ＤＱＳ１，ＤＱ１６〜ＤＱ３１用コネクタをＤＩＭＭソケット部１１の対応するコネクタに接続していた接続線が、半導体装置ソケット１０の第１ＤＲＡＭ１２２−０に接続する接続線に切り替えられる。つまり、ＤＩＭＭ２０の第１ＤＲＡＭが、半導体装置ソケット１０の第１ＤＲＡＭ１２２−１に置き換えられた状態になる。この状態で、システムを起動して、正常にシステムが起動したならば、ＤＩＭＭ２０の第１ＤＲＡＭに不具合の原因があると判定できる。ＤＩＭＭ２０の第２、第３ＤＲＡＭ１２２−２，１２２−３に不具合の原因がある場合も、上記と同様に切替スイッチを切り替えることにより検出することができる。
【００２６】
以上のように、本実施の形態に係る半導体装置ソケット１０を用いることで、ＤＩＭＭに不具合があるときでもシステムを起動することができ、その原因を特定することができる。
【００２７】
次に、図３を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置ソケットについて説明する。
【００２８】
図３の半導体装置ソケット１０ａは、信号の種類に応じて切替スイッチ１２３を有している点で図１の半導体装置ソケット１０と異なっている。即ち、半導体装置ソケット１０ａは、切替スイッチ１２３−０〜１２３−３に代えて、ＤＱＳ信号用の切替スイッチ１２３−０１，１１３−１１，１２３−２１及び１２３−３１と、／ＤＱＳ信号用の切替スイッチ１２３−０２，１２３−１２，１２３−２２及び１２３−３２と、ＤＱ信号用の切替スイッチ１２３−０３，１２３−１３，１２３−２３及び１２３−３３と、を備えている。
【００２９】
本実施の形態では、ＤＩＭＭ上のいずれかのＤＲＡＭを半導体装置ソケット１０ａの対応するＤＲＡＭにそっくり置き換えてしまうのではなく、その一部の信号のみを置き換えることができる。例えば、図３のように、ＤＱＳ信号用の切替スイッチ１２３−０１を接点Ａ側に切り替え、他の全ての切替スイッチを接点Ｂ側に切り替えれば、ＤＩＭＭの第０ＤＲＡＭからのＤＱＳ信号が、半導体装置ソケット１０ａの第０ＤＲＡＭのＤＱＳ信号に置き換えられる。全ての切替スイッチを接点Ｂ側に切り替えたとき起動せず、図３のように切り替えたとき起動したならば、不具合の原因は、ＤＩＭＭの第０ＤＲＡＭからのＤＱＳ信号にあることになる。このように、本実施の形態では、システムが起動しない場合の原因を信号単位で検出することができる。
【００３０】
次に、図４を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置ソケットについて説明する。
【００３１】
第１の実施の形態に係る半導体装置ソケット１０は、ＤＩＭＭに搭載されたＤＲＡＭに一対一で対応するＤＲＡＭを備えている。これに対して、本実施の形態に係る半導体装置ソケット１０ｂは、ＤＩＭＭに搭載された複数（ここでは２個）のＤＲＡＭに対して１個のＤＲＡＭ、合計２個の第０及び第１ＤＲＡＭ１２２−１０及び１２２−２０を有している。各ＤＲＡＭには、２つの切替スイッチ１２３−０及び１２３−１、又は１２３−２及び１２３−３の接点Ａが共通に接続されている。
【００３２】
本実施の形態では、切替スイッチ１２３−０を接点Ａ側に切り替え、他の切替スイッチ１２３−１〜１２３−３を接点Ｂ側に切り替えることにより、ＤＩＭＭの第０ＤＲＡＭを半導体装置ソケット１０の第０ＤＲＡＭ１２２−１０に置き換えることができる。また、切替スイッチ１２３−１を接点Ａ側に切り替え、他の切替スイッチ１２３−０，１２３−２，及び１２３−３を接点Ｂ側に切り替えることにより、ＤＩＭＭの第１ＤＲＡＭを半導体装置ソケット１０の第０ＤＲＡＭ１２２−１０に置き換えることができる。第１ＤＲＡＭ１２２−２０についても同様である。
【００３３】
以上のように、本実施の形態によれば、簡易な構成で、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００３４】
以上、本発明についていくつかの実施の形態に即して説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では半導体モジュールがＤＩＭＭである場合について説明したが、本発明の半導体装置ソケットは、他の半導体モジュールに対応するように構成されてもよい。また、上記実施の形態では４個のＤＲＡＭが搭載されているＤＩＭＭに対応する場合について説明したが、本発明の半導体装置ソケットは、４個より多い又は少ないＤＲＡＭが搭載されたＤＩＭＭに対応するように構成されてもよい。なお、本発明の半導体装置ソケットに搭載されるＤＲＡＭの数は、少なくとも一つあればよい。また、本発明の半導体装置ソケットに搭載されるＤＲＡＭの数が、ＤＩＭＭに搭載されたＤＲＡＭと数よりも少ない場合にも、信号の種類に応じて切替スイッチを設けることができる。
【符号の説明】
【００３５】
１０，１０ａ，１０ｂ    半導体装置ソケット
１１    ＤＩＭＭソケット部
１２    ＤＩＭＭ部
２５    システム側ソケット
１２１    挿入部
１２２，１２２−０，１２２−１，１２２−２，１２２−３，１２２−１０，１２２−２０    ＤＲＡＭ
１２３−０，１２３−１，１２３−２，１２３−３，１２３−０１，１２３−０２，１２３−０３，１２３−１１，１２３−１２，１２３−１３，１２３−２１，１２３−２２，１２３−２３，１２３−３１，１２３−３２，１２３−３３    切替スイッチ
２０１    挿入部
２０２    ＤＲＡＭ
【図１】
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【図２】
2010217953.tif 000004
【図３】
2010217953.tif 000005
【図４】
2010217953.tif 000006