(57)【要約】      （修正有）【課題】有機発光表示装置の表示品質向上を図る。【解決手段】主面に複数の画素１がマトリクス状に配置された第１の基板１０と、主面に封止樹脂層２１を介して多数の微小粒子からなる光取出し層２２が設けられた第２の基板２０と、前記複数の画素１と前記光取出し層２２との間に介在され、前記第１の基板１０と前記第２の基板２０とを接着する接着層３０とを有し、前記複数の画素１の各々は、発光領域２と、これをを囲む非発光領域３とからなり、前記非発光領域３にバンク層１７が形成され、前記発光領域２に発光材料層１８と、これを挟持する下部電極１５及び上部電極１９が設けられ、前記上部電極１９は前記バンク層１７の上層に前記各画素１に及んで形成される有機発光表示装置であって、前記非発光領域３は、前記第１の基板１０の主面から前記上部電極１９の上面までの高さが第１の高さからなる第１の部分と、前記第１の高さよりも低い第２の部分とを含む。【選択図】図６
2010153282.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に複数の画素が第１の方向及び前記第１の方向と直交する第２の方向にマトリクス状に配置された第１の基板と、
主面に封止樹脂層を介して多数の微小粒子からなる光取出し層が設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の前記複数の画素と前記第２の基板の前記光取出し層との間に介在され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着層とを有し、
前記複数の画素の各々は、発光領域と前記発光領域を囲む非発光領域とからなり、前記非発光領域にバンク層が形成され、前記発光領域に発光材料層と前記発光材料層を挟持する下部電極及び上部電極が設けられ、
前記上部電極は前記バンク層の上層に前記各画素に及んで形成される有機発光表示装置であって、
前記非発光領域は、前記第１の基板の主面から前記上部電極の上面までの高さが第１の高さからなる第１の部分と、前記第１の高さよりも低い第２の部分とを含むことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機発光表示装置において、
前記非発光領域の前記第１の部分は、前記第１の方向に互いに隣接する前記画素の前記発光領域間における前記非発光領域と、前記第１の方向及び前記第２の方向に互いに隣接する４つの前記画素の前記発光領域で囲まれた前記非発光領域であり、
前記非発光領域の前記第２の部分は、前記第２の方向に互いに隣接する前記画素の前記発光領域間における前記非発光領域であることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の有機発光表示装置において、
前記非発光領域の前記第１の部分は、前記第１の方向に互いに隣接する前記画素の前記発光領域間における前記非発光領域であり、
前記非発光領域の前記第２の部分は、前記第２の方向に互いに隣接する前記画素の前記発光領域間における前記非発光領域と、前記第１の方向及び前記第２の方向に互いに隣接する４つの前記画素の前記発光領域で囲まれた前記非発光領域であることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の有機発光表示装置において、
前記第１の基板の主面から前記発光領域における前記上部電極の上面までの高さは、前記非発光領域の前記第１の部分の前記第１の高さよりも低いことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載の有機発光表示装置において、
走査信号線と、映像信号線とを有し、
前記第１の方向は、前記走査信号線の延在方向であり、
前記第２の方向は、前記映像信号線の延在方向であることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の有機発光表示装置において、
走査信号線と、映像信号線とを有し、
前記第１の方向は、前記映像信号線の延在方向であり、
前記第２の方向は、前記走査信号線の延在方向であることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載の有機発光表示装置において、
前記非発光領域の前記第１の部分と前記第２の部分との高低差は、前記バンク層の厚さによって構成されていることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項８】
請求項１に記載の有機発光表示装置において、
前記非発光領域の前記第１の部分と前記第２の部分との高低差は、前記第１の基板と前記バンク層との間の絶縁膜のパターンによって構成されていることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項９】
請求項１に記載の有機発光表示装置において、
前記下部電極は、前記発光材料層で発光した光を反射する機能を有し、
前記上部電極は、前記発光材料層で発光した光を透過する機能を有することを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の有機発光表示装置において、
前記上部電極は、前記接着層と接していることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の有機発光表示装置において、
前記上部電極は、前記接着層と接する絶縁膜で覆われていることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の有機発光表示装置において、
前記第２の基板の前記封止樹脂層と前記光取出し層との間に、前記複数の画素の各々の前記発光領域に対応してカラーフィルタ層、前記非発光領域に対応して遮光層が設けられていることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項１３】
主面に複数の画素がマトリクス状に配置された第１の基板と、
主面に封止樹脂層を介して多数の微小粒子からなる光取出し層が設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の前記複数の画素と前記第２の基板の前記光取り出し層との間に介在され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着層とを有し、
前記複数の画素の各々は、発光領域と前記発光領域を囲む非発光領域とからなり、前記非発光領域にバンク層が形成され、前記発光領域に発光材料層と前記発光材料層を挟持する下部電極及び上部電極が設けられ、
前記上部電極は前記バンク層の上層に前記各画素に及んで形成される有機発光表示装置であって、
前記第２の基板の前記封止樹脂層と前記光取出し層との間に、凹凸層が設けられ、
前記凹凸層の凹部の幅は、前記光取出し層の微小粒子の直径よりも小さいことを特徴とする有機光発光表示装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の有機発光表示装置において、
前記凹凸層の前記光取出し層側の表面は、フッ素化処理されていることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の有機発光表示装置において、
前記下部電極は、前記発光材料層で発光した光を反射する機能を有し、
前記上部電極は、前記発光材料層で発光した光を透過する機能を有することを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項１６】
主面に複数の画素がマトリクス状に配置された第１の基板と、
主面に封止樹脂層を介して多数の微小粒子からなる光取出し層が設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の前記複数の画素と前記第２の基板の前記光取り出し層との間に介在され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着層とを有し、
前記複数の画素の各々は、発光領域と前記発光領域を囲む非発光領域とからなり、前記非発光領域にバンク層が形成され、前記発光領域に発光材料層と前記発光材料層を挟持する下部電極及び上部電極が設けられ、
前記上部電極は前記バンク層の上層に前記各画素に及んで形成される有機発光表示装置であって、
前記光取出し層の前記接着層側の表面は、フッ素化処理されていることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の有機発光表示装置において、
前記下部電極は、前記発光材料層で発光した光を反射する機能を有し、
前記上部電極は、前記発光材料層で発光した光を透過する機能を有することを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項１８】
主面に複数の画素がマトリクス状に配置された第１の基板と、
主面に封止樹脂層を介して多数の微小粒子からなる光取出し層が設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の前記複数の画素と前記第２の基板の前記光取り出し層との間に介在され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着層とを有し、
前記複数の画素の各々は、発光領域と前記発光領域を囲む非発光領域とからなり、前記非発光領域にバンク層が形成され、前記発光領域に発光材料層と前記発光材料層を挟持する下部電極及び上部電極が設けられ、
前記上部電極は前記バンク層の上層に前記各画素に及んで形成される有機発光表示装置であって、
前記光取出し層は、前記複数の画素の前記発光領域に対応して選択的に形成されていることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の有機発光表示装置において、
前記下部電極は、前記発光材料層で発光した光を反射する機能を有し、
前記上部電極は、前記発光材料層で発光した光を透過する機能を有することを特徴とする有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関し、特に、トップエミッション型有機発光表示装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光表示装置（有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置）が次世代平面型表示装置として注目されている。この有機発光表示装置は、自発光、広視野角、高速応答特性などの優れた特性を有する。
【０００３】
通常、有機発光素子は、ガラス基板上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極と、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等からなる有機ＥＬ層（発光材料層）と、低仕事関数の反射電極とが積層された構造になっており、発光光は電極を透過して、ガラス基板裏面から取出される。
【０００４】
このような有機発光表示装置では、発光層で発光した光は素子外部に放出される以外、有機ＥＬ層或いはガラス基板内を伝播する。そのため、素子外部に取り出される光は内部で発光した光の凡そ２０−３０％程度であることが、下記の非特許文献１に開示されている。そのため、この内部を面内方向に伝播する光を外部に取り出す方法が検討され、下記の非特許文献１、特許文献１，２などに開示されている。
【０００５】
一方、有機発光表示装置においては、薄膜トランジスタを駆動スイッチとして用いたアクティブ駆動の開発が盛んに行われてきている。アクティブ駆動の有機発光表示装置では、発光部を出来るだけ広く取るため、光を薄膜トランジスタの反対側に取り出す、所謂トップエミッション型が主流である。しかしながら、前記の光取出し効率向上技術をトップエミッション型有機発光表示装置に用いる際に必要な技術は開示されていない。
【０００６】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては、上記の非特許文献１、特許文献１，２以外に下記の特許文献３がある。
【０００７】
【非特許文献１】Jpn. J. Appl. Phys., 44(6A),  3669(2005)
【特許文献１】特開2004-296437号公報
【特許文献２】特開2005-353367号公報
【特許文献３】特開2003-229247号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明者は、光取出し層を有するトップエミッション型有機発光表示装置について検討した結果、以下の問題点を見出した。
【０００９】
本発明者が検討したトップエミッション型有機発光表示装置は、主面に複数の画素がマトリクス状に配置された第１の基板と、主面に封止樹脂層を介して多数の微小粒子からなる光取出し層が設けられた第２の基板とを、前記複数の画素と前記光取出し層との間に接着層を介在させて接着した構造になっている。そして、前記複数の画素は、前記第１の基板側から下部電極、有機ＥＬ層（発光材料層）、上部電極が順次積層された構造になっており、前記下部電極は、前記有機ＥＬ層の発光層で発光した光を反射する機能を有し、前記上部電極は、前記有機ＥＬ層の発光層で発光した光を透過する機能を有する。
【００１０】
このように構成されたトップエミッション型有機発光表示装置においては、第１の基板側の複数の画素と第２の基板側の光取出し層との間に接着層が介在される。有機ＥＬ層の発光層で発光した光は接着層中を伝播するが、接着層の厚さが厚いと、接着層中を横方向（平面方向）に伝播した光により、異なる色の画素間で混色が起き易くなる。この異なる色の画素間での混色は、色再現性が低下する等の表示品質が著しく低下する要因となるため、接着層の厚さを出来るだけ薄くする必要がある。そこで、本発明者は、基板の主面から画素の接着層と接する面までの高さに着目し、本発明をなした。
【００１１】
また、このように構成されたトップエミッション型有機発光表示装置においては、接着層と光取出し層とを密着する際に、光取出し層の空隙が埋まってしまい、光取出し効果が低下してしまう。
【００１２】
本発明の目的は、有機発光表示装置の光取出し効率向上を図るとともに表示品質向上を図ることが可能な技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）主面に複数の画素が第１の方向及び前記第１の方向と直交する第２の方向にマトリクス状に配置された第１の基板と、
主面に封止樹脂層を介して多数の微小粒子からなる光取出し層が設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の前記複数の画素と前記第２の基板の前記光取出し層との間に介在され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着層とを有し、
前記複数の画素の各々は、発光領域と前記発光領域を囲む非発光領域とからなり、前記非発光領域にバンク層が形成され、前記発光領域に発光材料層と前記発光材料層を挟持する下部電極及び上部電極が設けられ、
前記上部電極は前記バンク層の上層に前記各画素に及んで形成される有機発光表示装置であって、
前記非発光領域は、前記第１の基板の主面から前記上部電極の上面までの高さが第１の高さからなる第１の部分と、前記第１の高さよりも低い第２の部分とを含むことを特徴とする。
（２）主面に複数の画素がマトリクス状に配置された第１の基板と、
主面に封止樹脂層を介して多数の微小粒子からなる光取出し層が設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の前記複数の画素と前記第２の基板の前記光取り出し層との間に介在され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着層とを有し、
前記複数の画素の各々は、発光領域と前記発光領域を囲む非発光領域とからなり、前記非発光領域にバンク層が形成され、前記発光領域に発光材料層と前記発光材料層を挟持する下部電極及び上部電極が設けられ、
前記上部電極は前記バンク層の上層に前記各画素に及んで形成される有機発光表示装置であって、
前記第２の基板の前記封止樹脂層と前記光取出し層との間に、凹凸層が設けられ、
前記凹凸層の凹部の幅は、前記光取出し層の微小粒子の直径よりも小さいことを特徴とする。
（３）主面に複数の画素がマトリクス状に配置された第１の基板と、
主面に封止樹脂層を介して多数の微小粒子からなる光取出し層が設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の前記複数の画素と前記第２の基板の前記光取り出し層との間に介在され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着層とを有し、
前記複数の画素の各々は、発光領域と前記発光領域を囲む非発光領域とからなり、前記非発光領域にバンク層が形成され、前記発光領域に発光材料層と前記発光材料層を挟持する下部電極及び上部電極が設けられ、
前記上部電極は前記バンク層の上層に前記各画素に及んで形成される有機発光表示装置であって、
前記光取出し層の前記接着層側の表面は、フッ素化処理されていることを特徴とする。
（４）主面に複数の画素がマトリクス状に配置された第１の基板と、
主面に封止樹脂層を介して多数の微小粒子からなる光取出し層が設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の前記複数の画素と前記第２の基板の前記光取り出し層との間に介在され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着層とを有し、
前記複数の画素の各々は、発光領域と前記発光領域を囲む非発光領域とからなり、前記非発光領域にバンク層が形成され、前記発光領域に発光材料層と前記発光材料層を挟持する下部電極及び上部電極が設けられ、
前記上部電極は前記バンク層の上層に前記各画素に及んで形成される有機発光表示装置であって、
前記光取出し層は、前記複数の画素の前記発光領域に対応して選択的に形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１６】
本発明によれば、有機発光表示装置の光取出し効率向上を図りつつ表示品質向上を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。なお、発明の実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１８】
以下の実施例では、光取出し層を有するトップエミッション型有機発光表示装置に本発明を適用した例について説明する。
【００１９】
また、文字やグラフィックを表示する最小単位のものをドットと呼ぶが、この最小単位のドット（ピクセル）を以下の実施例では画素と呼ぶ。カラー表示においては、一般的に、画素を赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３色に分割するためにＲＧＢの３色を一まとめにして画素（ピクセル）と呼び、ＲＧＢで分割した３分の１（１／３）ドットをサブ画素（サブピクセル）と呼ぶが、以下の実施例ではＲＧＢで分割した３分の１（１／３）ドットも画素と呼ぶ。
【００２０】
［実施例１］
図１乃至図８は、本発明の実施例１である有機発光表示装置に係る図であり、
図１は、有機発光表示装置において、複数の画素の配置状態を示す平面図、
図２は、図１の１つの画素を拡大した平面図、
図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿った断面構造を示す断面図、
図４は、図１を簡略化して示す平面図、
図５は、図４の一部を拡大した平面図、
図６は、図５のＢ−Ｂ’線に沿った断面構造を示す断面図、
図７は、図５のＣ−Ｃ’線に沿った断面構造を示す断面図、
図８は、図６の有機ＥＬ層の発光層を拡大した断面図である。
【００２１】
本実施例１のトップエミッション型有機発光表示装置は、図４乃至図７に示すように、主面に複数の画素１がマトリクス状に配置された第１の基板１０と、主面に封止樹脂層２１を介して多数の微小粒子からなる光取出し層２２が設けられた第２の基板２０とを、複数の画素１と光取出し層２２との間に接着層３０を介在させて接着した構造になっており、第２の基板２０の主面とは反対側の裏面側が観察者側となっている。
【００２２】
また、第１の基板１０の主面には、平面的に見たとき、図１に示すように、Ｘ方向（例えば第１の方向）に延在し、Ｘ方向と直交するＹ方向（例えば第２の方向）に所定の間隔をおいて並設された複数の走査信号線ＧＬと、Ｙ方向に延在し、Ｘ方向に所定の間隔をおいて交互に並設された複数の映像信号線ＤＬ及び電源線ＶＬとが配置されている。
【００２３】
複数の画素１の各々は、図４乃至図７に示すように、発光領域２と、この発光領域２を囲む非発光領域３とで構成されている。非発光領域３には、バンク層ＢＮＫが形成され、発光領域２には、下部電極１５、有機ＥＬ層（発光材料層）１８、上部電極１９がこの順序で積層され配置されている。発光領域２は、下部電極１５と上部電極１９との間に有機ＥＬ層１８を挟持した有機発光素子構造（ＯＬＥＤ（Organic Light-Emitting Diode）構造）になっており、下部電極１５と上部電極１９との間の有機ＥＬ層１８に流れる電流の大小に応じて有機ＥＬ層１８が発光するようになっている。
【００２４】
なお、複数の画素１は、Ｘ方向及びＹ方向においてマトリスク状に配置されており、Ｘ方向に沿って１列で配置された複数の画素１で１表示ラインが構成され、この１表示ラインはＹ方向に複数設けられている。
【００２５】
図３、図６及び図７に示すように、第１の基板１０の主面側には、この第１の基板１０から接着層３０に向かって順に、半導体層（活性層（１１ａ，１１ｂ）），下部容量電極１１ｃ、絶縁膜１２、導電層（ゲート電極（ＧＤ１，ＧＤ２），走査信号線ＧＬ，容量上部電極１０８）、絶縁膜１３、導電層（映像信号線ＤＬ，電源線ＶＬ，配線（ＳＤ１〜ＳＤ４））、絶縁膜１４、下部電極１５，バンク層ＢＮＫ，有機ＥＬ層１８，上部電極１９等が形成されている。
【００２６】
第２の基板２０の主面側には、この第２の基板２０から接着層３０に向かって順に、封止樹脂層２１、光取出し層２２等が形成されている。
【００２７】
複数の画素１の各々は、図２及び図３に示すように、薄膜トランジスタＴＦＴ１及びＴＦＴ２、並びに保持容量素子を有している。この薄膜トランジスタＴＦＴ１及びＴＦＴ２、並びに保持容量素子は、画素１の非発光領域３に配置されている。薄膜トランジスタＴＦＴ１及びＴＦＴ２は、主に、半導体層からなる活性層（１１ａ，１１ｂ）、この活性層（１１ａ，１１ｂ）に形成され、ソース領域及びドレイン領域とした機能する一対の半導体領域、この一対の半導体領域間における活性層（１１ａ，１１ｂ）に形成されたチャネル形成領域、このチャネル形成領域上に絶縁膜１２からなるゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極（ＧＤ１，ＧＤ２）等を有する構成になっている。保持容量素子は、下部容量電極１１ｃ、絶縁膜１２からなる誘電体膜、導電層からなる上部容量電極１０８等を有する構成になっている。
【００２８】
薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース領域及びドレイン領域として機能する一対の半導体領域のうち、一方の半導体領域には配線ＳＤ１を介して映像信号線ＤＬが接続され、他方の半導体領域には薄膜トランジスタのゲート電極ＧＤ２が接続されている。
【００２９】
薄膜トランジスタＴＦＴ２のソース領域及びドレイン領域として機能する一対の半導体領域のうち、一方の半導体領域には配線ＳＤ３を介して下部電極１５が接続され、他方の半導体領域には配線ＳＤ４を介して電源線ＶＬが接続されている。また、薄膜トランジスタＴＦＴ２のゲート電極ＧＤ２は、下部容量電極１１ｃと接続されている。
【００３０】
各画素１において、有機ＥＬ層１８は、図６中、下から順（第１の基板側から順）に、図８に示すように、正孔注入層１８ａ、正孔輸送層１８ｂ、発光層１８ｃ、電子輸送層１８ｄ、電子注入層１８ｅを備えている。
【００３１】
下部電極１５は、発光層１８ｃで発光した光を上部に反射し、且つ有機ＥＬ層１８に正孔を注入する機能を有する。下部電極１５としては例えばＡｌ／ＩＴＯ積層構造を用いており、パターン形成はホトリソグラフィーで行うことができる。下部電極１５の材料はＡｌ／ＩＴＯに限定されない。Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏなどの高反射金属と、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電性薄膜との積層構造を用いることができる。また、Ｃｒ電極単独やＡｌ電極単独でも用いることができる。
【００３２】
上部電極１９は、発光層１８ｃからの発光光を外部に取り出す透明電極であり、発光層１８ｃで発光した光を透過する機能を有する。上部電極１９には、ＩＴＯを用いた。上部電極１９はＩＴＯに限られるわけではなく、ＩＺＯ、ＺｎＯ、薄膜化したＭｇ，Ａｇなども用いることができる。
【００３３】
有機ＥＬ層１８において、正孔注入層１８ａは、正孔を下部電極１５から注入する層である。正孔注入層１８ａには、４，４‘、４“−トリス（ｍ−トシルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）を用いている。正孔注入層１８ａに用いられる材料は、ｍ−ＭＴＤＡＴＡに限られるわけではなく、その他のトリフェニルアミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール系材料、トリフェニルアミン系ポリマーなどの材料を用いることができる。
【００３４】
正孔輸送層１８ｂは、正孔を輸送する層である。正孔輸送層１８ｂには、Ｎ４，Ｎ４'−ジ−ナフタレン−１−イル−Ｎ４，Ｎ４'−ジフェニル−ビフェニル−４，４ジアミン（αＮＰＤ）を用いている。正孔輸送層１８ｂの材料はαＮＰＤに限定されるわけではない。これ以外のフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン系、ポリパラフェニレン系、ポリアリーレン系、ポリカルバゾール系の各種ポリマーを用いることができる。
【００３５】
発光層１８ｃは、注入された正孔、電子が再結合し、材料固有の波長で発光する層である。発光層１８ｃは、ホスト材料と発光ドーパントを含んでいる。ここでは、ホスト材料には下記のｈ−１で表されるＣＢＰ（４，４，’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル）、発光ドーパントには下記のｄ−１で表されるＩｒ錯体を用いた。ホスト材料と発光ドーパントとの重量比は、１０：１とした。
【００３６】
【化１】
2010153282.tif 000003
それぞれの材料は、上記の材料に限定されるわけではない。例えば、ホスト材料としては、４，４’，４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）やＮ，Ｎ‘−ジカルバゾリルー３，５−ベンゼン（ｍＣＰ）などのカルバゾール誘導体や、アルミニウム（III）ビス（２−メチルー８−キノリナト）４−フェニルフェノレート）（Ｂａｌｑ）などのキノリノール錯体やイリジウム錯体も用いることができる。また、これらの材料を２種類以上混合することもできる。また、トリフェニルアミン誘導体のような正孔輸送材料やオキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体などの電子輸送性材料も混合して用いることができる。発光ドーパントとしては、上記のＩｒ錯体だけではなく、その他のＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｏｓ錯体などの燐光発光材料を用いることができる。また、それ以外にもジスチリルアリレン誘導体やクマリン誘導体、キナクリドン誘導体などの蛍光発光材料も用いることができる。
【００３７】
電子輸送層１８ｄは、電子を輸送する層である。電子輸送層１８ｄには、アルミニウム（III）ビス（２−メチルー８−キノリナト）４−フェニルフェノレート）（Ｂａｌｑ）とトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を積層して用いた。電子輸送層１８ｄの材料は、上記に限られるわけではなく、例えば、その他のキノリノール誘導体やオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フラーレン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体などを用いることができる。また、正孔をブロックし、かつ発光層で生成された励起子が電子輸送材料に移動して発光しないようにブロッキング材と電子輸送材料を積層して用いることもできる。
【００３８】
図３、図６及び図７に示すように、上部電極１９は、画素１の発光領域２から非発光領域３に亘って形成され、バンク層ＢＮＫの上層に各画素１に及んで形成されている。
【００３９】
第１の基板１０側の複数の画素１と第２の基板２０側の光取出し層２２との間には、これらの複数の画素１と光取出し層２２とを接着するための接着層３０が介在されている。本実施例１において、上部電極１９がバンク層ＢＮＫの上層に各画素１に及んで形成されおり、更に上部電極１９が第１の基板１０側の最上層となるため、上部電極１９が接着層３０と接している。
【００４０】
接着層３０としては、屈折率を大きくするためＴｉＯ２の超微粒子を分散させたアクリル樹脂を使用した。接着層３０の材料はこれらの材料に限定されない。屈折率を上げるための分散材には、ＴｉＯ２以外にＺｒＯ２、ＩｎＯ２、ＺｎＯ２、ＢａＴｉＯ３などを用いることができる。バインダ樹脂としては、アクリル樹脂以外にエポキシ樹脂などを用いることができる。
【００４１】
光取出し層２２は発光素子から外部に取り出せない光を取り出すための層である。光取出し層２２は基本的に高屈折率の微粒子からなる。高屈折率微粒子としては、ＢａＴｉＯ３を用いた。粒子径は約１００ｎｍのものを用いた。材料はＢａＴｉＯ３に限定されるわけではなく、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＩｎＯ２、ＺｎＯ２などの微粒子を用いることができる。また、粒子径も１００−８００ｎｍの材料が使用可能である。
【００４２】
封止樹脂層２１は第２の基板（対向基板）２０と光取り出し層２２の間を埋めるための層である。封止樹脂層２１にはアクリル樹脂を用いた。封止樹脂層２１の材料はアクリル樹脂に限定されるわけではない。各種のエポキシ樹脂などを用いることもできる。また、この封止樹脂層２１は、吸湿性を有するフィラーを含んでいてもよい。
【００４３】
第２の基板（対向基板）２０は封止樹脂層２１、光取出し層２２を形成するための基板である。第２の基板２０には光透過性を有する基板として例えばガラス基板を用いている。ただし、特にガラス基板に限定されるわけではなく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、などの各種プラスチック基板を用いることができる。また、第２の基板２０は上記の基板単独ではなく、上記の基板上に水分や酸素などの活性成分の進入を除くための層を積層していてもよい。
【００４４】
なお、第１の基板１０としては、例えば第２の基板２０と同様のガラス基板が用いられている。
【００４５】
各画素１の発光色は、有機ＥＬ層１８の発光層１８ｃの材料を変えることよってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の何れかの色に設定することができる。複数の画素１は、１表示ラインにおいて、第１の色（例えばＲ）、第２の色（例えばＧ）、第３の色（例えばＢ）の順に配置された３つの画素１を１つのグループとし、このグループを表示ラインの方向に順次繰り返し配置した画素構成になっている。
【００４６】
図３乃至図７に示すように、各画素１の非発光領域３は、Ｘ方向に互いに隣接する２つの画素１の各々の発光領域２の間における部分３ａと、Ｙ方向に互いに隣接する２つの画素１の各々の発光領域２の間における部分３ｂと、Ｘ方向及びＹ方向に互いに隣接する４つの画素１の各々の発光領域２で囲まれた部分３ｃとを有する構成になっている。
【００４７】
また、各画素１の非発光領域３は、第１の基板１０の主面から上部電極１９の上面までの高さが第１の高さｈ１（図６参照）からなる第１の部分と、この第１の高さｈ１よりも低い第２の高さｈ２（図７参照）からなる第２の部分とを含む構成になっている。即ち、各画素１の非発光領域３では、上部電極１９に高低差を付けている。本実施例１において、第１の高さｈ１からなる第１の部分は、Ｘ方向に互いに隣接する２つの画素１の各々の発光領域２の間における部分３ａ（図５及び図６参照）と、Ｘ方向及びＹ方向に互いに隣接する４つの画素１の各々の発光領域２で囲まれた部分３ｃ（図５、図２及び図３参照）であり、第２の高さｈ２からなる第２の部分は、Ｙ方向に互いに隣接する２つの画素１の各々の発光領域２の間における部分３ｂ（図５及び図７参照）である。
【００４８】
非発光領域３における上部電極１９の高低差（第１の高さｈ１からなる第１の部分と第２の高さｈ２からなる第２の部分）は、バンク層ＢＮＫの厚さを変えることによって構成されている。本実施例では、バンク層ＢＮＫは、図３、図６及び図７に示すように、主に絶縁膜１６と、この絶縁膜１６よりも膜厚が厚い絶縁膜１７とで構成されている。Ｘ方向に互いに隣接する２つの画素１の各々の発光領域２の間における部分３ａでのバンク層ＢＮＫは絶縁膜１７（図６参照）からなり、Ｙ方向に互いに隣接する２つの画素１の各々の発光領域２の間における部分３ｂでのバンク層ＢＮＫは絶縁膜１６（図７参照）からなり、Ｘ方向及びＹ方向に互いに隣接する４つの画素１の各々の発光領域２で囲まれた部分３ｃでのバンク層ＢＮＫは絶縁膜１６及び絶縁膜１７の積層膜（図３参照）からなる。
【００４９】
絶縁膜１６は、Ｘ方向に沿ってストライプ状に延在し、Ｙ方向に所定の間隔をおいて並設された状態で複数配置されており、各画素１の下部電極１５のＹ方向において互いに離隔された各々の周縁部（下部電極１５のＸ方向に延びる周縁部）は絶縁膜１６で覆われている。絶縁膜１７は、Ｙ方向に沿ってストライプ状に延在し、Ｘ方向に所定の間隔をおいて並設された状態で複数配置されており、各画素１の下部電極１５のＸ方向において互いに離隔された各々の周縁部（下部電極１５のＹ方向に延びる周縁部）は絶縁膜１７で覆われている。
【００５０】
バンク層ＢＮＫは、隣接する画素１を分離するものである。絶縁膜１７としてはアクリル系レジスト材料を、絶縁膜１６としてはＳｉＮｘを用いている。パターン形成はいずれもホトリソグラフィーを用いて行った。絶縁膜１７の材料としては、アクリル系材料に限られるわけではなく、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、エポキシ樹脂などの各種高分子材料を用いることができる。また、絶縁膜１７もＳｉＮｘに限定されない。ＳｉＯ２やアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。絶縁膜１７の膜厚は例えば1μｍ、絶縁膜１６の膜厚は例えば３００ｎｍである。
【００５１】
各画素１の発光領域２は、第１の基板１０の主面から上部電極１９の上面までの高さが非発光領域３の第１の高さｈ１からなる第１の部分よりも低くなっており、第１の高さｈ１からなる第１の部分（非発光領域３の部分３ａ及び部分３ｃ）を凸部とし、第２の高さｈ２からなる第２の部分（非発光領域３の部分３ｂ）及び発光領域２を凹部とする溝がＹ方向に沿って連続的に形成されている。
【００５２】
第１の基板１０の主面から発光領域２における上部電極１９の上面までの高さは、第１の高さｈ１からなる第１の部分における上部電極１９の上面よりも低くなっており、本実施例１では、図６に示すように、Ｘ方向に互いに隣接する２つの画素の各々の発光領域２間の部分３ａにおける上部電極１９の上面よりも低くなっている。
【００５３】
また、第１の基板１０の主面から発光領域２における上部電極１９の上面までの高さは、第２の高さｈ２からなる第２の部分における上部電極１９の上面と同一若しくはそれも低くなっており、本実施例１では、図７に示すように、Ｘ方向に互いに隣接する２つの画素の各々の発光領域２間の部分３ａにおける上部電極１９の上面とほぼ同一になっている。
【００５４】
ここで、本実施例１のように、主面に複数の画素１がマトリクス状に配置された第１の基板１０と、主面に封止樹脂層２１を介して多数の微小粒子からなる光取出し層２２が設けられた第２の基板２０とを、複数の画素１と光取出し層２２との間に接着層３０を介在させて接着するトップエミッション型有機発光表示装置においては、図６及び図７に示すように、第１の基板１０側の複数の画素１と第２の基板２０側の光取出し層２２との間に接着層３０が介在されるため、有機ＥＬ層１８の発光層１８ｃで発光した光は接着層３０中を伝播する。接着層３０の厚さが厚いと、接着層３０中を横方向（平面方向）に伝播した光により、異なる色の画素１間で混色が起き易くなる。この異なる色の画素１間での混色は、色再現性が低下する等の表示品質が著しく低下する要因となるため、接着層の厚さを出来るだけ薄くする必要がある。
【００５５】
そこで、本実施例１では、接着層３０の厚さを薄くするため、各画素１の非発光領域３は、第１の基板１０の主面から上部電極１９の上面までの高さが第１の高さｈ１からなる第１の部分と、第１の高さよりも高さが低い第２の高さｈ２からなる第２の部分とを含む構成になっており、第１の高さｈ１からなる第１の部分は、Ｘ方向に互いに隣接する２つの画素１の各々の発光領域２の間における部分３ａと、Ｘ方向及びＹ方向に互いに隣接する４つの画素１の各々の発光領域２で囲まれた部分３ｃであり、第２の高さｈ２からなる第２の部分は、Ｙ方向に互いに隣接する２つの画素１の各々の発光領域２の間における部分３ｂである。
【００５６】
ここで、図１９及び図２０は、比較例１として作成した有機発光表示装置に係る図であり、
図１９は、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図、
図２０は、図５のＣ−Ｃ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【００５７】
本比較例１では、図１９及び図２０に示すように、前述の実施例１で説明した「非発光領域３における上部電極１９に高低差（第１の高さｈ１からなる第１の部分と第２の高さｈ２からなる第２の部分）を付ける」とする構成を設けておらず、それ以外は本実施例１と同様の構成になっている。
【００５８】
本実施例１のトップエミッション型光発光表示装置では、光取出し層なしの場合と比べて、光取出し効率が５０％向上した。また、赤、緑、青の各画素１での混色が見られなかった。一方、比較例１では、光取出し効率が４０％向上したものの、赤、緑、青の各画素間での混色が見られた。本実施例１では、各画素１の非発光領域３は、第１の基板１０の主面から上部電極１９の上面までの高さが第１の高さｈ１からなる第１の部分と、この第１の高さｈ１よりも低い第２の高さｈ２からなる第２の部分とを含む構成、即ち、各画素１の非発光領域３では、上部電極１９に高低差を付けているため、第１の基板１０側の複数の画素１と第２の基板２０側の光取出し層２２との間に接着層３０を介在させて第１の基板１０と第２の基板２０とを接着する際に接着層材料の流動が生じやすく、そのため、接着層３０の膜厚が十分に薄くなり、各色画素間の混色が見られなくなったものと考えられる。
【００５９】
このように、実施例１では、接着層３０の厚さを薄くすることができるため、接着層３０中を横方向（平面方向）に伝播した光に起因して起こる、異なる色の画素１間で混色を抑制することができる。これにより、トップエミッション型有機発光表示装置の表示品質向上を図ることが可能となる。
【００６０】
なお、上記の特許文献３（特開2003-229247号公報）には、本実施例１の「非発光領域３、第１の基板１０の主面から上部電極１９の上面までの高さが第１の高さｈ１からなる第１の部分と、第１の高さｈ１よりも低い第２の高さｈ２からなる第２の部分とを含む」とする構成については、記載されていない。
【００６１】
図９は、本発明の実施例１の変形例である有機発光表示装置において、図２のＡ−Ａ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【００６２】
前述の実施例１では、非発光領域３において、Ｘ方向及びＹ方向に互いに隣接する４つの画素１の各々の発光領域２で囲まれた部分３ｃ（図５、図２及び図３参照）を、第１の高さｈ１からなる第１の部分とする例で説明したが、図９に示すように、部分３ｃを第１の高さｈ１よりも低い第２の高さｈ２からなる第２の部分としてもよい。この場合においても、実施例１と同様の効果が得られる。
【００６３】
［実施例２］
図１０乃至及び図１２は、本発明の実施例２である有機発光表示装置に係る図であり、
図１０は、図２のＡ−Ａ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図
図１１は、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図、
図１２は、図５のＣ−Ｃ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【００６４】
本実施例２の有機発光表示装置は、基本的に前述の実施例１と同様の構成になっており、以下の構成が異なっている。
【００６５】
即ち、前述の実施例１では、非発光領域３の第１の高さｈ１からなる第１の部分は、Ｘ方向に互いに隣接する２つの画素１の各々の発光領域２の間における部分３ａ（図５及び図６参照）と、Ｘ方向及びＹ方向に互いに隣接する４つの画素１の各々の発光領域２で囲まれた部分３ｃ（図５、図２及び図３参照）であり、第１の高さｈ１よりも低い第２の高さｈ２からなる第２の部分は、Ｙ方向に互いに隣接する２つの画素１の各々の発光領域２の間における部分３ｂ（図５及び図７参照）である。
【００６６】
これに対し、本実施例２では、非発光領域３の第１の高さｈ１からなる第１の部分は、Ｙ方向に互いに隣接する２つの画素１の各々の発光領域２の間における部分３ｂ（図５及び図１２参照）と、Ｘ方向及びＹ方向に互いに隣接する４つの画素１の各々の発光領域２で囲まれた部分３ｃ（図５、図２及び図１０参照）であり、第１の高さｈ１よりも低い第２の高さｈ２からなる第２の部分は、Ｘ方向に互いに隣接する２つの画素１の各々の発光領域２の間における部分３ａ（図５及び図１１参照）である。この場合、部分３ｂ及び部分３ｃを凸部とし、部分３ａを凹部とする溝がＸ方向に沿って連続的に形成される。
【００６７】
このように構成された本実施例２においても、前述の実施例１と同様の効果が得られる。
【００６８】
なお、本実施例２では、非発光領域３において、Ｘ方向及びＹ方向に互いに隣接する４つの画素１の各々の発光領域２で囲まれた部分３ｃ（図５、図２及び図３参照）を、第１の高さｈ１からなる第１の部分とする例で説明したが、前述の実施例１の変形例のように、部分３ｃを第１の高さｈ１よりも低い第２の高さｈ２からなる第２の部分としてもよい。この場合においても、実施例１の変形例と同様の効果が得られる。
【００６９】
［実施例３］
図１３は、本発明の実施例３である有機発光表示装置において、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【００７０】
本実施例３の有機発光表示装置は、基本的に前述の実施例１と同様の構成になっており、以下の構成が異なっている。
【００７１】
即ち、前述の実施例１では、上部電極１９が第１の基板１０側の最上層となり、上部電極１９が接着層３０と接している。
【００７２】
これに対し、本実施例３では、図１３に示すように、上部電極１９は接着層３０と接する最上層の絶縁膜３１で覆われている。絶縁膜３０は、下層の上部電極１９の高低差（凹凸）が反映される膜厚で形成されている。
【００７３】
このように構成された本実施例３においても、前述の実施例１と同様の効果が得られる。
【００７４】
［実施例４］
図１４は、本発明の実施例４である有機発光表示装置において、図２のＡ−Ａ’線に対する位置での断面構造を示す断面図である。
【００７５】
本実施例４の有機発光表示装置は、基本的に前述の実施例１と同様の構成になっており、以下の構成が異なっている。
【００７６】
即ち、前述の実施例１では、非発光領域３の第１の高さｈ１からなる第１の部分と、第１の高さｈ１よりも低い第２の高さｈ２からなる第２の部分との高低差は、バンク層ＢＮＫの厚さによって構成されている。
【００７７】
これに対し、本実施例４では、非発光領域３の第１の高さｈ１からなる第１の部分と、第１の高さｈ１よりも低い第２の高さｈ２からなる第２の部分との高低差は、第１の基板１０とバンク層ＢＮＫとの間の絶縁膜のパターンによって構成されている。本実施例４では、絶縁膜１２が映像信号線ＤＬの下部でパターニングされており、そのために、各画素１の非発光領域３は、第１の基板１０の主面から上部電極１９の上面までの高さが第１の高さＨ１からなる第１の部分と、第１の高さｈ１よりも低い第２の高さｈ２からなる第２の部分とを含む構成になっている。本実施例４においては、バンク層ＢＮＫを厚さの異なる絶縁膜で形成しなくても、上部電極１９に高低差を付けることができる。
【００７８】
本実施例４でも、光取出し層がない場合と比較し、効率が４０％向上した。また、赤、緑、青の各画素の混色が見られなかった。これは、上記のように上部電極１９の高低差によって、接着層３０が十分に薄くなったためと考えられる。
【００７９】
［実施例５］
図１５は、本発明の実施例５である有機発光表示装置において、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【００８０】
本実施例５の有機発光表示装置は、基本的に前述の実施例１と同様の構成になっており、以下の構成が異なっている。
【００８１】
即ち、前述の実施例１では、第２の基板２０側において、図６及び図７に示すように、封止樹脂層２１と光取出し層２２との間にカラーフィルタ層及び遮光膜（ブラックマトリクス）が存在しないが、本実施例５では、第２の基板２０側において、図１５に示すように、封止樹脂層２１と光取出し層２２との間にカラーフィルタ層ＣＦ及び遮光膜（ブラックマトリクス）ＢＭが配置されている。
【００８２】
カラーフィルタ層ＣＦは、赤色（Ｒ）のカラーフィルタ層、緑色（Ｇ）のカラーフィルタ層、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層からなり、各色のカラーフィルタ層ＣＦは、複数の画素１の各々の発光領域２及び各々の発光色に対応して配置されている。遮光膜ＢＭは、複数の画素１の各々の非発光領域３に対応して配置されている。
【００８３】
本実施例５においては、光取出し層がない場合と比較して、光取出し効率が５０％向上した。また、赤、緑、青の各画素での混色が見られなかった。一方、比較例２として、本実施例５のように封止樹脂層２１と光取出し層２２との間にカラーフィルタ層ＣＦ及び遮光膜（ブラックマトリクス）ＢＭが配置され、それ以外は比較例１と同一の有機発光表示装置を作成し、この比較例２を評価したところ、比較例２では、効率が４０％向上したものの、赤、緑、青の各画素間で混色が見られた。
【００８４】
本実施例５では、赤、緑、青の各画素上にそれらの発光色の色純度を向上させる、カラーフィルタ層ＣＦがある。この場合とは別に、白色に発光する有機ＥＬ層を全面に形成しても、同様な効果を得ることが出来る。
【００８５】
［実施例６］
図１６は、本発明の実施例６である有機発光表示装置において、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【００８６】
本実施例６は、基本的に前述の比較例１と同様の構成になっており、以下の構成が異なっている。
【００８７】
即ち、本実施例６と比較例１との違いは、図１６に示すように、封止樹脂層２１と光取出し層２２との間に、凹凸層２３が存在することである。この凹凸層２３の凹部の幅は光取出し層２２中の高屈折率粒子の直径以下である。このような構造とすることにより、実施例１と同等に接着層３０を薄くする際、光取出し層２２の空隙が接着層３０の材料で埋められたとしても、凹凸層２３に高屈折率粒子と空隙との界面が残る。そのため、光取出し効果が消失することがない。
【００８８】
このような凹凸層２３はナノプリントなどの極微小なプリンティング技術を用いることにより、形成することが可能である。
【００８９】
また、この凹凸層２３の表面はＳＦ６などのガス中でプラズマ処理することにより、フッ素化処理されている。このことにより、更に凹凸層２３の空隙が接着層３０で埋まりにくくなり、光取出し効率が消失しにくくなる。本実施例６では、光取出し層無しの場合と比べて、効率が４０％向上し、赤、緑、青の混色が見られなかった。
【００９０】
このように、本実施例６では、接着層３０に起因する光取出し効果の消失を抑制することができるため、トップエミッション型有機発光表示装置の光取出し効率向上を図ることができる。
【００９１】
［実施例７］
図１７は、本発明の実施例７である有機発光表示装置において、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【００９２】
本実施例７は、基本的に前述の比較例１と同様の構成になっており、以下の構成が異なっている。
【００９３】
即ち、本実施例７と比較例１との違いは、光取出し層２２の接着層３０側の表面がフッ素化されており、光取り出し層２２の接着層３０側の表面にフッ素原子層２２ａが形成されていることである。これは、ＳＦ６などのガス中でプラズマ処理することにより、フッ素化処理されている。また、フッ素化処理されることにより、光取出し層２２の微小粒子表面にフッ素原子が存在する。このことにより、実施例１と同等に接着層３０を薄くする際、光取出し層２２の空隙が接着層３０で埋まることがなく、光取出し効率向上効果がおこる。本実施例では、光取出し層無しの場合と比べて、光取出し効率が３０％向上した。また、赤、緑、青の混色も見られなかった。
【００９４】
このように、本実施例７においても、接着層３０に起因する光取出し効果の消失を抑制することができるため、トップエミッション型有機発光表示装置の光取出し効率向上を図ることができる。
【００９５】
［実施例８］
図１８は、本発明の実施例８である有機発光表示装置において、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【００９６】
本実施例８は、基本的に前述の比較例１と同様の構成になっており、以下の構成が異なっている。
【００９７】
即ち、本実施例８と比較例１との違いは、本実施例８では、光取出し層２２が発光部の上部のみに存在することである。換言すれば、本実施例８の光取出し層２２は、複数の画素１の各々の発光領域２に対応して選択的に形成されていることである。このことにより、接着層３０の厚みが厚くても、各画素間の混色がおこりにくくなる。
【００９８】
本実施例８では、光取出し層無しの場合と比べて、光取出し効率が40％向上した。また、赤、緑、青の混色も見られなかった。
【００９９】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【０１００】
例えば、実施例１〜８の各々を組み合わせて実施することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の実施例１である有機発光表示装置において、複数の画素の配置状態を示す平面図である。
【図２】図１の１つの画素を拡大した平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図４】図１を簡略化して示す平面図である。
【図５】図４の一部を拡大した平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図７】図５のＣ−Ｃ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図８】図６の発光層を拡大した断面図である。
【図９】本発明の実施例１の変形例である有機発光表示装置において、図２のＡ−Ａ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例２である有機発光表示装置において、図２のＡ−Ａ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施例２である有機発光表示装置において、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施例２である有機発光表示装置において、図５のＣ−Ｃ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施例３である有機発光表示装置において、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施例４である有機発光表示装置において、図２のＡ−Ａ’線に対する位置での断面構造を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施例５である有機発光表示装置において、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施例６である有機発光表示装置において、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【図１７】本発明の実施例７である有機発光表示装置において、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【図１８】本発明の実施例８である有機発光表示装置において、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【図１９】本発明の比較例１である有機発光表示装置において、図５のＢ−Ｂ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【図２０】本発明の比較例１である有機発光表示装置において、図５のＣ−Ｃ’線に対応する位置での断面構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１…画素、２…発光領域、３…非発光領域、３ａ…部分、３ｂ…部分、３ｃ…部分、
１０…第１の基板、１１ａ，１１ｂ…半導体層、１１ｃ…下部容量電極、１２，１３，１４…絶縁膜、１５…下部電極、１６，１７…絶縁膜、１８…発光材料層（有機ＥＬ層）、１８ａ…正孔注入層、１８ｂ…正孔輸送層、１８ｃ…発光層、１８ｄ…電子輸送層、１８ｅ…電子注入層、１９…上部電極、
２０…第２の基板、２１…封止樹脂層、２２…光取出し層、２２ａ…フッ素原子層、２３…凹凸層、
３０…接着層、３１…絶縁膜、
ＢＭ…遮光膜（ブラックマトリクス）、ＢＮＫ…バンク層、ＣＦ…カラーフィルタ層、ＤＤ１，ＤＤ２…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＧＬ…走査信号線、ＧＤ１，ＧＤ２…ゲート電極、ＳＤ１，ＳＤ２…配線、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２…薄膜トランジスタ、ＶＬ…電源線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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