(57)【要約】【課題】画質を向上させる。【解決手段】青色相液晶を使用する液晶表示装置において、画素電極のうちの少なくとも一部は突起と重畳する構造を有し、当該突起及びその上に形成された画素電極を通じて光が透過しないように形成するか、または当該突起の屈折率と青色相液晶の屈折率とが互いに同じ値を有するように形成する。 このように形成された液晶表示装置は、青色相液晶が有する長所以外に、相対的に低い電圧で駆動が可能であり、突起及びその上の電極周辺から光が漏れることを防止して、画質が向上する長所がある。【選択図】図２
2010055091.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に形成され、第１方向に延びるゲート線と、
前記第１方向と交差する第２方向に延び、前記ゲート線と絶縁されて交差する第１データ線及び第２データ線と、
前記ゲート線及び前記第１データ線に接続される第１薄膜トランジスタと、
前記ゲート線及び前記第２データ線に接続される第２薄膜トランジスタと、
前記第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタを覆う保護膜と、
前記保護膜の上に形成され、前記ゲート線、前記第１データ線及び第２データ線、並びに前記第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタに対応する領域に形成されるブラックマトリックスと、
前記保護膜の上に形成され、前記ブラックマトリックスが形成されない領域に位置するカラーフィルタと、
前記カラーフィルタの上に形成される突起と、
前記突起の上に形成される第１線状電極を含み、前記第１薄膜トランジスタと接続される第１画素電極と、
前記突起の上に形成される第２線状電極を含み、前記第２薄膜トランジスタと接続される第２画素電極と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に形成され、無電界で光学的等方性特性を有し、電界印加時に光学的異方性特性を有する青色相液晶とを含み、
前記第１線状電極と前記突起を通じて光が透過せず、前記第２線状電極と前記突起を通じて光が透過しないように形成されている液晶表示装置。
【請求項２】
前記突起は前記ブラックマトリックスと同一物質で形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１線状突起を含む第１画素電極と前記第２線状突起を含む第２画素電極とは、不透明導電体で形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記突起と前記カラーフィルタとの間に形成された不透明メタル層をさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１基板の上に形成された不透明メタル層をさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１画素電極及び前記第２画素電極は、第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールによってそれぞれ第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタと電気的に接続され、
前記第１コンタクトホールは、前記カラーフィルタと前記保護膜に形成され、前記第１薄膜トランジスタのドレイン電極を露出させ、
前記第２コンタクトホールは、前記カラーフィルタと前記保護膜に形成され、前記第２薄膜トランジスタのドレイン電極を露出させる、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１画素電極にデータ電圧が印加される時、前記第２画素電極には、前記データ電圧と極性が反対であり、大きさは同じ電圧が印加される、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
絶縁基板上に有機物質を積層しパターニングして有機膜パターンを形成する段階と、
前記有機膜パターン及び前記絶縁基板上に第１層を積層する段階と、
前記有機膜パターンをマスクとし、紫外線を用いて前記絶縁基板の背面から露光する段階と、
前記第１層をパターニングする段階とを含む表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記有機膜パターンを、ハードベーキングするか、または表面処理を行い、
前記表面処理は、強アルカリ性有機溶剤のＮＭＰ（Ｎ−Ｍｅｔｈｙｌｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ）を用いた表面処理、レジン用有機溶剤のＭＢＫ（Ｍｅｔｙｌ  ｎ−Ｂｕｔｙｌ  Ｋｅｔｏｎｅ）を用いた表面処理、またはアセトン（Ａｃｅｔｏｎｅ）を用いた表面処理のいずれかを含む、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１層を感光性材料を用いて形成し、
前記第１層の上にフォトレジストを積層する段階と、
前記背面から露光する段階の後に前記フォトレジストを現像してパターニングする段階とをさらに含み、
前記第１層をパターニングする段階は、前記パターニングされたフォトレジストをマスクとして前記第１層をエッチングする、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、より詳しくは、青色相（ｂｌｕｅ  ｐｈａｓｅ）液晶を使用した表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在、最も幅広く使用されている平板表示装置の１つであって、画素電極と共通電極など電場生成電極が形成されている２枚の表示板と、その間に入っている液晶層とを含む。液晶表示装置は、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することにより、映像を表わす。
液晶表示装置において、光の透過率は液晶層の整列状態によって決定されるので、整列状態が迅速に変化するためには、液晶層の速い応答速度が要求される。
最近、液晶の状態がネマチックモードと等方性モードとの間に存在する青色相を使用する液晶表示装置が開発されている。青色相液晶の応答速度は約３μｍ程度で、相対的に非常に速いという長所がある。
【０００３】
しかし、青色相液晶を使用する場合には、液晶の駆動電圧が相対的に非常に高く、電極の間から光漏れが発生するという問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、駆動電圧を減少させ、かつ、電極の間から漏れる光を遮断することにより、画質を向上させた液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の好ましい実施形態による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に形成され、第１方向に延びるゲート線と、第２方向に延び、前記ゲート線と絶縁されて交差する第１データ線及び第２データ線と、前記ゲート線及び前記第１データ線と接続する第１薄膜トランジスタと、前記ゲート線及び前記第２データ線と接続される第２薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタを覆う保護膜と、前記保護膜の上に形成され、前記ゲート線、前記第１データ線及び第２データ線、前記第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタに対応する領域に形成されるブラックマトリックスと、前記保護膜の上に形成され、前記ブラックマトリックスが形成されない領域に位置するカラーフィルタと、前記カラーフィルタの上に形成される突起と、前記突起の上に形成される第１線状電極を含み、前記第１薄膜トランジスタと接続される第１画素電極と、前記突起の上に形成される第２線状電極を含み、前記第２薄膜トランジスタと接続される第２画素電極と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に形成される青色相液晶とを含み、前記第１線状電極と前記突起を通じて光が透過せず、前記第２線状電極と前記突起を通じて光が透過しないように形成される。
前記突起は、前記ブラックマトリックスと同一物質で形成できる。
前記第１線状突起を含む第１画素電極、及び前記第２線状突起を含む第２画素電極は、不透明導電体で形成できる。
【０００６】
前記ブラックマトリックスと前記カラーフィルタとを覆うキャッピング層をさらに含むことができる。
【０００７】
前記突起の下であり、前記カラーフィルタの上には、不透明メタル層が形成できる。
前記ブラックマトリックスと前記カラーフィルタとを覆い、前記不透明メタル層の下に形成されるキャッピング層をさらに含むことができる。
前記突起は鐘状の断面を有するか、または半円形断面、半楕円形断面、三角形断面、及び台形断面のうちのいずれか１つの断面を有することができる。
前記突起の側面はテーパ形状を有することができる。
前記青色相液晶は、電界が印加される前にはナノサイズで無秩序なドメインが配列されて光学的に等方性特性を有するが、電界が印加されると電界方向に液晶が配列されて光学的に異方性特性を表すことがある。
【０００８】
前記第１画素電極及び前記第２画素電極は、第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールによって、それぞれ第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタと電気的に接続され、前記第１コンタクトホールは、前記カラーフィルタと前記保護膜に形成され、前記第１薄膜トランジスタのドレイン電極を露出させ、前記第２コンタクトホールは、前記カラーフィルタと前記保護膜に形成され、前記第２薄膜トランジスタのドレイン電極を露出させることができる。
【０００９】
前記第１画素電極にはデータ電圧が印加される時、前記第２画素電極には共通電圧が印加されることがある。
【００１０】
前記第１画素電極にデータ電圧が印加される時、前記第２画素電極には、前記データ電圧と極性が反対であり、同じ大きさの電圧が印加されることがある。
前記突起、前記第１線状電極及び第２線状電極は、前記ゲート線、前記第１データ線及び第２データ線に対し傾斜して形成できる。
【００１１】
前記突起、前記第１線状電極及び第２線状電極は、前記ゲート線に対し４５°の角度をなすことができる。
【００１２】
前記第１基板及び前記第２基板の外側にはそれぞれ第１偏光板及び第２偏光板が付着しており、前記第１偏光板及び前記第２偏光板は透過軸を有し、前記第１偏光板の透過軸及び前記第２偏光板の透過軸は、前記第１線状電極または第２線状電極と４５°の角度を有することができる。
【００１３】
前記ゲート線と平行であり、維持電極を含む維持電極線をさらに含むことができる。
前記第１画素電極は、ボディ部、前記第１線状電極、及び前記維持電極に対応する面電極を含み、前記第１線状電極は、前記ボディ部及び前記面電極から延び出ることがある。
前記第２画素電極は、逆匚状のボディ部及び前記第２線状電極を含み、前記第２線状電極は、前記逆匚状のボディ部から延び出ることがある。
【００１４】
本発明の別の実施形態による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に形成され、第１方向に延びるゲート線と、前記第１方向と交差する第２方向に延び、前記ゲート線と絶縁されて交差する第１データ線及び第２データ線と、前記ゲート線及び前記第１データ線に接続される第１薄膜トランジスタと、前記ゲート線及び前記第２データ線に接続される第２薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタを覆う保護膜と、前記保護膜の上に形成され、前記ゲート線、前記第１データ線及び第２データ線、並びに前記第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタに対応する領域に形成されるブラックマトリックスと、前記保護膜の上に形成され、前記ブラックマトリックスが形成されない領域に位置するカラーフィルタと、前記カラーフィルタの上に形成され、有機膜で形成される突起と、前記突起の上に形成される第１線状電極を含み、前記第１薄膜トランジスタと接続される第１画素電極と、前記突起の上に形成される第２線状電極を含み、前記第２薄膜トランジスタと接続される第２画素電極と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に形成され、無電界で光学的等方性特性を有し、電界印加時、光学的異方性特性を有する青色相液晶とを含み、前記青色相液晶の所定の状態での屈折率と前記突起を形成する有機物質の屈折率とが同一である。
【００１５】
なかでも、前記液晶表示装置がブラックを表わす時の前記青色相液晶の屈折率が、前記突起の屈折率と同一の値を有すると好ましい。
【００１６】
本発明の実施形態による表示装置の製造方法は、絶縁基板上に有機物質を積層し、パターニングして、有機膜パターンを形成する段階と、前記有機膜パターン及び前記絶縁基板の上に第１層を積層する段階と、前記有機膜パターンをマスクとし、紫外線を用いて前記絶縁基板の背面から露光する段階と、前記第１層をパターニングする段階とを有する。
前記有機膜パターンは、ハードベーキングするか、または表面処理することができる。
前記表面処理は、強アルカリ性有機溶剤のＮＭＰ（Ｎ−Ｍｅｔｈｙｌｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ）で表面処理するか、またはレジン用有機溶剤のＭＢＫ（Ｍｅｔｙｌｎ−Ｂｕｔｙｌ  Ｋｅｔｏｎｅ）で表面処理するか、またはアセトン（Ａｃｅｔｏｎｅ）で表面処理する場合を含むことができる。
【００１７】
前記第１層は感光性を有することができる。
【００１８】
前記第１層上にフォトレジストを積層する段階と、前記背面露光後に前記フォトレジストを現像してパターニングする段階とをさらに含み、前記第１層をパターニングする段階は、前記パターニングされたフォトレジストをマスクとして前記第１層をエッチングすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明による液晶表示装置は、駆動電圧が減少し、かつ、電極の間から漏れる光が遮断されることにより、画質が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態による青色相液晶に対する混合比率及び温度に対する図表である。
【図２】本発明の実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】図２及び図３の液晶表示装置のうち、本発明の一実施形態によって薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間段階での配置図である。
【図５】図４の薄膜トランジスタ表示板のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【図６】図２及び図３の液晶表示装置のうち、本発明の一実施形態によって薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間段階での配置図である。
【図７】図６の薄膜トランジスタ表示板のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図である。
【図８】図２及び図３の液晶表示装置のうち、本発明の一実施形態によって薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間段階での配置図である。
【図９】図８の薄膜トランジスタ表示板のＩＸ−ＩＸ線に沿った断面図である。
【図１０】図２及び図３の液晶表示装置のうち、本発明の一実施形態によって薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間段階での配置図である。
【図１１】図１０の薄膜トランジスタ表示板のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図である。
【図１２】図２及び図３の液晶表示装置のうち、本発明の一実施形態によって薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間段階での配置図である。
【図１３】図１２の薄膜トランジスタ表示板のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図１４】図２及び図３の液晶表示装置のうち、本発明の一実施形態によって薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間段階での配置図である。
【図１５】図１４の薄膜トランジスタ表示板のＸＶ−ＸＶ線に沿った断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態による図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図１７】薄膜トランジスタ表示板を製造する工程順序による断面図である。
【図１８】薄膜トランジスタ表示板を製造する工程順序による断面図である。
【図１９】薄膜トランジスタ表示板を製造する工程順序による断面図である。
【図２０】本発明のまた他の実施形態による図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図２１】薄膜トランジスタ表示板を製造する工程順序による断面図である。
【図２２】薄膜トランジスタ表示板を製造する工程順序による断面図である。
【図２３】薄膜トランジスタ表示板を製造する工程順序による断面図である。
【図２４】薄膜トランジスタ表示板を製造する工程順序による断面図である。
【図２５】本発明の他の実施形態による図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図２６】有機物質から形成された突起をマスクとし、その上に画素電極を形成する工程順序による断面図である。
【図２７】有機物質から形成された突起をマスクとし、その上に画素電極を形成する工程順序による断面図である。
【図２８】有機物質から形成された突起をマスクとし、その上に画素電極を形成する工程順序による断面図である。
【図２９】有機物質から形成された突起をマスクとし、その上に画素電極を形成する工程順序による断面図である。
【図３０】有機物質から形成された突起をマスクとし、その上に画素電極を形成する工程順序による断面図である。
【図３１】有機物質から形成された突起をマスクとし、その上に画素電極を形成する工程順序による断面図である。
【図３２】波長に対する有機物質の透過率を示すグラフである。
【図３３】波長に対する有機物質の透過率を示すグラフである。
【図３４】図２２乃至図２４の工程順序を詳細に示す断面図である。
【図３５】図２２乃至図２４の工程順序を詳細に示す断面図である。
【図３６】図２２乃至図２４の工程順序を詳細に示す断面図である。
【図３７】図２２乃至図２４の工程順序を詳細に示す断面図である。
【図３８】図２２乃至図２４の工程順序を詳細に示す断面図である。
【図３９】図２２乃至図２４の工程順序を詳細に示す断面図である。
【図４０】図２２乃至図２４の工程順序を詳細に示す断面図である。
【図４１】図２２乃至図２４の工程順序を詳細に示す断面図である。
【図４２】本発明のまた他の実施形態による図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は種々の異なる形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限られない。
図面において、種々の層及び領域を明確に表すために厚さを拡大して示した。明細書の全体にわたって類似する部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上”にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。
＜第１実施形態＞
青色相（ｂｌｕｅ  ｐｈａｓｅ）液晶について、図１を参照して説明する。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態による青色相液晶に対する混合比率及び温度に対する図表である。
【００２３】
図１の横軸は物質の混合比率を表し、縦軸はケルビン温度（Ｋ）を表す。本発明の実施形態では、液晶に添加する物質として、ＥＨＡ（Ｅｔｈｙｌ  Ｈｅｘｙｌ  Ａｃｒｙｌａｔｅ）及びＲＭ２５７（製品名である）を用いる。
液晶にドーパントとしてねじれ性（ｃｈｉｒａｌｉｔｙ）のある物質を追加すると、液晶が温度によってネマチック（Ｎｅｍａｔｉｃ）モードと等方性（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）モードに変化するようになり、ネマチックモードと等方性モード間の狭い温度範囲内で青色相モードを有する。このような青色相モードは、温度範囲が狭いため液晶表示装置用として用いることは困難である。そのため、液晶にモノマーを少量添加した後、ＵＶを照射して多結晶化（ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）によって青色相液晶を安定化させる。その後、安定化した青色相液晶を使用して液晶表示装置を製造する。
【００２４】
図１では、モノマーとしてＥＨＡ及びＲＭ２５７を用いる場合をを示している。図１において、“Ｎ＊”が表示された領域はネマチックモードを有する領域であり、“Ｉｓｏ”が表示された領域は等方性モードを有する領域であり、“ＢＰ”が表示された領域は青色相を有する領域である。Ａの場合には青色相を有する領域が狭い温度範囲だけで存在することが確認できる。この場合、液晶表示装置に製造すれば、液晶表示装置が使用される環境（特に、温度）によって画像が表示されない問題が生じることがあって、液晶表示装置用としては使用できない。しかし、ＥＨＡとＲＭ２５７との比を６：４乃至８：２で添加し、ＵＶ照射して安定化させた場合（Ｂの場合）には、広い温度範囲において青色相液晶で存在することが確認でき、液晶表示装置用液晶として使用可能である。
青色相液晶は、光学的異方性を有する液晶が無秩序に配列されて、全体的には等方性の特性を有する。ここに、電界を印加すると、当該電界方向に配列される液晶が多くなって、異方性の特性を表すようになる。また、それぞれの液晶が成すドメインの大きさがナノサイズであるので、互いに影響を与えない。
【００２５】
このような青色相液晶の特性により、本発明による液晶表示装置は次のような特徴を有する。
【００２６】
基板の内側に形成される配向膜が必要でない。つまり、青色相液晶は無秩序に配列されているが、電界が印加される前には等方性の性質を有するので、配向膜を形成しなくても良い。
【００２７】
液晶層のセルギャップに他の特性の変化がない。青色相液晶は、一定の厚さ以上に形成すれば良く、液晶層が厚くなっても特性の変化がないので、液晶層の厚さを考慮して表示装置を作る必要がない。
【００２８】
青色相液晶で製造された液晶表示装置を手で押した時にも、画像の色感が変わるブルージング（ｂｒｕｉｓｉｎｇ）現象が発生しない。
【００２９】
液晶自体が全ての方向に対して等方性を有するので、補償フィルムを用いる必要がない。
【００３０】
このように安定化した青色相液晶を使用した液晶表示装置の構造について、図面を参照して詳細に説明する。
【００３１】
図２は、本発明の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【００３２】
最初に、薄膜トランジスタ表示板について説明する。
【００３３】
ガラスなどの透明な絶縁基板１１０の上に、ゲート配線１２１、１２４、１２４−１と、保持容量線１３１が形成されている。
【００３４】
ゲート配線１２１、１２４は横方向に延びるゲート線１２１を含み、ゲート線１２１の一部は上側に突出してゲート電極１２４、１２４−１を成す。ゲート電極１２４、１２４−１は、図２に示すように、１つの画素領域ごとに２つのゲート電極１２４、１２４−１が形成されている。
【００３５】
保持容量線１３１は、ゲート線１２１と平行に形成されており、画素領域内でその幅が広くなって維持電極１３４を成す。
【００３６】
ゲート配線１２１、１２４、１２４−１と保持容量線１３１はゲート絶縁膜１４０によって覆われており、ゲート絶縁膜１４０の上には非晶質ケイ素からなる半導体層１５４、１５４−１が形成されている。半導体層１５４、１５４−１はゲート電極１２４、１２４−１と重畳し、薄膜トランジスタのチャネル部を形成する。半導体層１５４、１５４−１の上には、リンなどのＮ型不純物が高濃度でドーピングされた非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層１６３、１６５、１６３−１、１６５−１が形成されている。
【００３７】
コンタクト層１６３、１６５、１６３−１、１６５−１及びゲート絶縁膜１４０の上には、データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１が形成されている。データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１は、縦方向に延びた２つのデータ線１７１、１７１−１と、これにそれぞれ接続されたソース電極１７３、１７３−１、及びこれらと分離されたドレイン電極１７５、１７５−１を含む。ソース電極１７３、１７３−１は、ゲート電極１２４、１２４−１の上部でデータ線１７１、１７１−１から突出しており、Ｕ字状または馬蹄状を有する。ドレイン電極１７５、１７５−１はソース電極１７３、１７３−１に対向し、一端はソース電極１７３、１７３−１のＵ字状または馬蹄状の内部に位置し、他端は延長してその幅が広く形成されている。
【００３８】
ここで、オーミックコンタクト層１６３、１６５、１６３−１、１６５−１は、半導体層１５４、１５４−１とデータ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１とが重畳する部分にだけ形成されている。ゲート電極１２４、半導体層１５４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５が１つのトランジスタを形成し、これと対称するゲート電極１２４−１、半導体層１５４−１、ソース電極１７３−１、及びドレイン電極１７５−１がまた他の１つのトランジスタを形成する。
【００３９】
データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜の上にはカラーフィルタ２３０及びブラックマトリックス２２０が形成されている。ブラックマトリックス２２０は、ゲート線１２１、データ線１７１、１７１−１、及びトランジスタの上部に形成されている。カラーフィルタ２３０は、ブラックマトリックス２２０が形成されない領域に形成され、ドレイン電極１７５、１７５−１の上部及び維持電極１３４の上部には開口部１８５、１８５−１、１８７が形成されている。ドレイン電極１７５、１７５−１の上部に形成された開口部１８５、１８５−１は、保護膜１８０及びカラーフィルタ２３０に形成され、ドレイン電極１７５、１７５−１が露出する。これに反し、維持電極１３４の上部に形成された開口部１８７はカラーフィルタ２３０にだけ形成され、保護膜１８０は除去されない。
カラーフィルタ２３０の上には突起２２５が形成されている。本実施形態における突起は鐘状の断面を有するが、これとは異なって、半円形、半楕円形、三角形、及び台形などの多様な断面を有することができる。突起２２５の側面はテーパ形状を有することが好ましい。また、突起２２５は、ブラックマトリックス２２０と同一物質で形成され、光を透過させない。
【００４０】
突起２２５の上には第１画素電極 １９０及び第２画素電極１９０−１が形成されている。第１画素電極１９０及び第２画素電極１９０−１は、開口部１８５、１８５−１によってそれぞれドレイン電極１７５、１７５−１と電気的に接続されている。画素電極は、ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電体で形成され、ゲート線１２１及びデータ線１７１、１７１−１に対し斜線方向に延びる第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１を有する。また、第１画素電極１９０及び第２画素電極１９０−１のうち第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は、全て突起２２５の上に形成されている。
【００４１】
次に、第１画素電極１９０の構造について説明する。
【００４２】
第１画素電極１９０は、第１データ線１７１に沿って形成されるボディ部を有し、維持電極１３４の上部には、維持電極１３４に対応して重畳する面電極１９４が位置する。ボディ部と面電極１９４から第１線状電極１９１が斜線に延び出ており、面電極１９４の上部領域では右上方向に第１線状電極１９１が延在し、面電極１９４の下部領域では右下方向に第１線状電極１９１が延在する。第１線状電極１９１は、ゲート線１２１またはデータ線１７１、１７１−１に対して４５°の角度をなす。
【００４３】
一方、第２画素電極１９０−１は、ゲート線１２１に平行である上側及び下側部分と、第２データ線１７１−１に沿って形成される側面部分とで構成されて逆匚状構造のボディ部を有する。逆匚状構造のボディ部から第２線状電極１９１−１が延び出ており、面電極１９４の上部領域では左下方向に第２線状電極１９１−１が延在し、面電極の１９４の下部領域では左上方向に第２線状電極１９１−１が延在する。
第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は突起２２５の上に形成され、互いに平行に形成される。第１線状電極１９１と第２線状電極１９１−１には互いに異なる電圧が印加され、一側には共通電圧が印加され、他側にはデータ電圧が印加できる。これとは異なって、一側にデータ電圧が印加され、他側には極性が反対であるデータ電圧が印加されることも可能である。
【００４４】
一方、上部表示板には別途に形成されるものがない。これは、ブラックマトリックス２２０及びカラーフィルタ２３０などが全て薄膜トランジスタ表示板に形成されているわけである。
【００４５】
薄膜トランジスタ表示板及び上部表示板の外側には、それぞれ偏光板１２、２２が付着している。偏光板１２、２２の吸収軸は互いに垂直方向を有するように形成され、偏光板の吸収軸は第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１に対し４５°の角度を有することができる。
【００４６】
薄膜トランジスタ表示板及び上部表示板の内側には配向膜が形成されておらず、その間に注入された液晶３は青色相液晶である。
【００４７】
以下、図２及び図３に示した液晶表示装置のうち、薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について、図４乃至図１５を参照して詳細に説明する。
【００４８】
図４、図６、図８、図１０、図１２、及び図１４は、図２及び図３の液晶表示装置のうち、薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施形態により製造する方法の中間段階での配置図であり、図５は、図４の薄膜トランジスタ表示板のＶ−Ｖ線に沿った断面図であり、図７は、図６の薄膜トランジスタ表示板のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図であり、図９は、図８の薄膜トランジスタ表示板のＩＸ−ＩＸ線に沿った断面図であり、図１１は、図１０の薄膜トランジスタ表示板のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図であり、図１３は、図１２の薄膜トランジスタ表示板のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿った断面図であり、図１５は、図１４の薄膜トランジスタ表示板のＸＶ−ＸＶ線に沿った断面図である。
図４及び図５に示したように、基板１１０の上に、複数のゲート配線１２１、１２４、１２４−１と保持容量線１３１とを形成する。
【００４９】
ゲート線１２１は、１つの画素領域ごとに２つのゲート電極１２４、１２４−１を含んで形成し、保持容量線１３１は、画素領域内にその幅が広くなる維持電極を含んで形成する。
【００５０】
次に、図６及び図７に示したように、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層、及び不純物非晶質シリコン層の３層膜を連続して積層し、不純物非晶質シリコン層及び真性非晶質シリコン層をフォトエッチングして半導体層１５４、１５４−１を形成する。不純物非晶質シリコン層は、半導体層１５４、１５４−１と同一の形態にエッチングされている。
【００５１】
次に、図８及び図９に示したように、データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１を形成する。ソース電極１７３、１７３−１は、ゲート電極１２４、１２４−１の上部でデータ線１７１、１７１−１から突出しており、Ｕ字状または馬蹄状に形成する。また、ドレイン電極１７５、１７５−１はソース電極１７３、１７３−１に対向し、一端はソース電極１７３、１７３−１のＵ字状または馬蹄状の内部に位置し、他端は延在してその幅を広く形成する。
次に、図１０及び図１１に示したように、データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１を覆う保護膜１８０を形成し、保護膜１８０の上にカラーフィルタ２３０を形成しエッチングして、開口部１８５、１８５−１、１８７を形成する。
【００５２】
次に、図１２及び図１３に示したように、ブラックマトリックス２２０及び突起２２５を形成する。ブラックマトリックス２２０と突起２２５は同一物質で形成し、１つのフォトリソグラフィ工程によって一度に形成することが好ましい。ブラックマトリックス２２０を形成する物質としては黒色有機物質を使用できるが、これを使用する場合、突起２２５が十分な高さに形成されない恐れがあって、追加的にカーボンブラック（Ｃａｒｂｏｎｂｌａｃｋ）などの黒色物質を追加してブラックマトリックス２２０及び突起２２５を共に形成することができる。
【００５３】
次に、図１４及び図１５に示したように、透明な導電体で画素電極１９０、１９０−１を形成する。第１画素電極１９０は、ボディ部、面電極１９４、及び第１線状電極１９１を含み、第２画素電極は、逆匚状のボディ部及び第２線状電極１９１−１を含む。第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は突起２２５の上に形成し、互いに平行に形成する。第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は、ゲート線１２１及びデータ線１７１、１７１−１に対し４５°傾斜するように形成できる。また、画素電極１９１、１９１−１は、突起２２５をマスクとして背面露光によりパターニングできる。
【００５４】
以上のように形成された青色相液晶を使用した液晶表示装置は、電極構造が突起形態を有するので、より低い電圧を印加しても多くの領域の液晶に影響を与えることができ、これによって低電圧駆動が可能である。また、第１データ線１７１に印加する電圧と第２データ線１７１−１に印加する電圧との位相を反対にすれば、より低い電圧でも駆動が可能である。
【００５５】
また、第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１がブラックマトリックスの材料で形成された突起上に形成されるので、光が突起周辺から漏れることを防止する。その結果、画質が向上する。
＜第２実施形態＞
以下、図１６乃至図１９に示す実施形態による液晶表示装置について説明する。
図１６乃至図１９は断面図だけを示し、配置図は図２の実施形態と同様なので省略した。
図１６乃至図１９は、図２乃至図１５の実施形態とは異なって、画素電極１９０、１９０−１を不透明な導電物質で形成し、画素電極の下の突起は透明な有機物質で形成する。次に、図面に基づいて詳細に説明する。
【００５６】
図１６は、本発明の他の実施形態による図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図であり、図１７乃至図１９は、薄膜トランジスタ表示板を製造する工程順序による断面図である。
【００５７】
最初に、図２及び図１６を参照して、薄膜トランジスタ表示板について説明する。
ガラスなどの透明な絶縁基板１１０の上に、ゲート配線１２１、１２４、１２４−１と、保持容量線１３１とが形成されている。
【００５８】
ゲート配線１２１、１２４は、横方向に延びるゲート線１２１を含み、ゲート線１２１の一部は上側に突出してゲート電極１２４、１２４−１をなす。ゲート電極１２４、１２４−１は、図２に示したように、１つの画素領域ごとに２つのゲート電極１２４、１２４−１が形成されている。
【００５９】
保持容量線１３１は、ゲート線１２１と平行に形成され、画素領域内でその幅が広くなって維持電極１３４をなす。
【００６０】
ゲート配線１２１、１２４、１２４−１と保持容量線１３１は、ゲート絶縁膜１４０によって覆われており、ゲート絶縁膜１４０の上には非晶質シリコンからなる半導体層１５４、１５４−１が形成されている。半導体層１５４、１５４−１は、ゲート電極１２４、１２４−１と重畳し、薄膜トランジスタのチャネル部を形成する。半導体層１５４、１５４−１の上には、リンなどのＮ型不純物が高濃度にドーピングされた非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層１６３、１６５、１６３−１、１６５−１が形成されている。
【００６１】
コンタクト層１６３、１６５、１６３−１、１６５−１及びゲート絶縁膜１４０の上には、データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１が形成されている。データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１は、縦方向に延びた２つのデータ線１７１、１７１−１、これらにそれぞれ接続されたソース電極１７３、１７３−１、及びこれらと分離されたドレイン電極１７５、１７５−１を含む。ソース電極１７３、１７３−１は、ゲート電極１２４、１２４−１の上部でデータ線１７１、１７１−１から突出しており、Ｕ字状または馬蹄状を有する。ドレイン電極１７５、１７５−１は、ソース電極１７３、１７３−１に対向し、一端はソース電極１７３、１７３−１のＵ字状または馬蹄状の内部に位置し、他端は延在してその幅が広く形成されている。
【００６２】
ここで、オーミックコンタクト層１６３、１６５、１６３−１、１６５−１は、半導体層１５４、１５４−１とデータ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１とが重畳する部分にだけ形成されている。ゲート電極１２４、半導体層１５４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５が１つのトランジスタを形成し、これに対称するゲート電極１２４−１、半導体層１５４−１、ソース電極１７３−１、及びドレイン電極１７５−１がまた他の１つのトランジスタを形成する。
【００６３】
データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜の上にはカラーフィルタ２３０及びブラックマトリックス２２０が形成され、カラーフィルタ２３０及びブラックマトリックス２２０の上にはシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）などで形成されたキャッピング（ｃａｐｐｉｎｇ）層２３５が設けられる。キャッピング層２３５は、ブラックマトリックス２２０及びカラーフィルタ２３０を保護する役割を果たす。ブラックマトリックス２２０は、ゲート線１２１、データ線１７１、１７１−１、及びトランジスタの上部に形成される。カラーフィルタ２３０は、ブラックマトリックス２２０が形成されない領域に形成される。カラーフィルタ２３０及びキャッピング層２３５でドレイン電極１７５、１７５−１の上部及び維持電極１３４の上部には開口部１８５、１８５−１、１８７が形成される。ドレイン電極１７５、１７５−１が上部に形成された開口部１８５、１８５−１は、保護膜１８０、カラーフィルタ２３０、及びキャッピング層２３５に形成されてドレイン電極１７５、１７５−１が露出する。これに反し、維持電極１３４の上部に形成された開口部１８７は、カラーフィルタ２３０及びキャッピング層２３５にだけ形成されており、保護膜１８０は除去されない。
【００６４】
キャッピング層２３５の上には突起２４０が形成されている。本実施形態における突起は鐘状の断面を有するが、これとは異なり、半円形、半楕円形、三角形、及び台形などの多様な断面を有しても良い。突起２４０の側面はテーパ形状を有することが好ましい。本実施形態における突起２４０は有機膜で形成し、有機膜は光を透過させる。これは、ブラックマトリックス２２０と同一物質で形成する図２乃至図１５の実施形態とは異なる点である。
【００６５】
突起２４０の上には第１画素電極１９０及び第２画素電極１９０−１が形成されている。第１画素電極１９０及び第２画素電極１９０−１は、開口部１８５、１８５−１によってそれぞれドレイン電極１７５、１７５−１と電気的に接続されている。画素電極は、不透明な導電物質で形成され、ゲート線１２１及びデータ線１７１、１７１−１に対し斜線方向に延びる第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１を有する。また、第１画素電極１９０及び第２画素電極１９０−１のうち第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は、全て突起２４０の上に形成されている。画素電極が不透明な導電物質で形成される点も、図２乃至図１５の実施形態とは異なる点である。
【００６６】
次に、第１画素電極１９０の構造について説明する。
【００６７】
第１画素電極１９０は、第１データ線１７１に沿って形成されるボディ部を有し、維持電極１３４の上部には、維持電極１３４に対応して重畳する面電極１９４が位置する。ボディ部と面電極１９４から第１線状電極１９１が斜線に延び出ており、面電極１９４の上部領域では右上方向に第１線状電極１９１が延在し、面電極１９４の下部領域では右下方向に第１線状電極１９１が延在する。第１線状電極１９１は、ゲート線１２１またはデータ線１７１、１７１−１に対し４５°の角度をなす。
一方、第２画素電極１９０−１は、ゲート線１２１に平行である上側及び下側の部分と、第２データ線１７１−１に沿って形成される側面部分とで構成され、逆匚状構造のボディ部を有する。逆匚状構造のボディ部から第２線状電極１９１−１が延び出ており、面電極１９４の上部領域では左下方向に第２線状電極１９１−１が延在し、面電極の１９４の下部領域では左上方向に第２線状電極１９１−１が延在する。
第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は突起２４０の上に形成され、互いに平行に形成されている。第１線状電極１９１と第２線状電極１９１−１には互いに異なる電圧が印加され、一側には共通電圧が印加され、他側にはデータ電圧が印加されることができる。これとは異なり、一側にはデータ電圧が印加され、他側には極性が反対であるデータ電圧が印加されることも可能である。
【００６８】
一方、上部表示板には別途に形成されるものがない。これは、ブラックマトリックス２２０及びカラーフィルタ２３０などが全て薄膜トランジスタ表示板に形成されているわけである。
【００６９】
薄膜トランジスタ表示板及び上部表示板の外側には、それぞれ偏光板１２、２２が付着している。偏光板１２、２２の吸収軸は互いに垂直方向を有するように形成され、偏光板の吸収軸は、第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１に対し４５°の角度を有することができる。
【００７０】
薄膜トランジスタ表示板及び上部表示板の内側には配向膜が形成されず、その間に注入された液晶３は青色相液晶である。
【００７１】
以下、図１６に示した液晶表示装置のうち、薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について、図１７乃至図１９を参照して詳細に説明する。
【００７２】
図１７乃至図１９は、図２乃至図１５の実施形態と同様の部分は省略し、互いに差のある部分を示した図面である。保護膜１８０を形成することまでは図２乃至図１５の実施形態と同様なので省略する。
【００７３】
図１７に示したように、データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１を覆う保護膜１８０を形成し、保護膜１８０の上にブラックマトリックス２２０及びカラーフィルタ２３０を形成する。ブラックマトリックス２２０及びカラーフィルタ２３０の上にはキャッピング層２３５を形成する。キャッピング層２３５は、ブラックマトリックス２２０及びカラーフィルタ２３０を保護する役割を果たす。その後、キャッピング層２３５、カラーフィルタ２３０、及び保護膜１８０をエッチングして開口部１８５、１８５−１、１８７をそれぞれ形成する。
【００７４】
次に、図１８に示したように、キャッピング層２３５の上に突起２４０を形成する。突起２４０は有機物質で形成され、光を透過させることができる。
【００７５】
次に、図１９に示したように、不透明な導電物質で画素電極１９０、１９０−１を形成する。第１画素電極１９０は、ボディ部、面電極１９４、及び第１線状電極１９１を含み、第２画素電極は、逆匚状のボディ部及び第２線状電極１９１−１を含む。第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は突起２４０の上に形成し、互いに平行に形成する。第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は、ゲート線１２１及びデータ線１７１、１７１−１に対し４５°傾斜するように形成できる。
【００７６】
以上のように形成された青色相液晶を使用した液晶表示装置は、電極構造が突起形態を有するので、より低い電圧を印加しても多くの領域の液晶に影響を与えることができ、これにより低電圧駆動が可能である。また、第１データ線１７１に印加する電圧と第２データ線１７１−１に印加する電圧との位相を反対にすれば、より低い電圧でも駆動が可能である。
【００７７】
また、第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１が不透明な導電物質で形成されて突起２４０を覆うので、突起２４０周辺から光が漏れることを防止する。その結果、画質が向上する。
【００７８】
総合すると、図１６乃至図１９の実施形態は、突起２４０を透明な有機物質で形成し、突起２４０の上に形成される画素電極を不透明な導電体で形成することが、図２乃至図１５の実施形態との差異点である。
＜第３実施形態＞
以下、図２０乃至図２４に示す実施形態による液晶表示装置について説明する。
図２０乃至図２４は断面図だけを示し、配置図は図２の実施形態と同様なので省略した。図２０乃至図２４は、図２乃至図１５の実施形態とは異なり突起２４０を透明な有機物質で形成し、突起２４０の下に不透明メタル層２３７を形成する。次に、図面に基づいて詳細に説明する。
【００７９】
図２０は、本発明のまた他の実施形態による図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図であり、図２１乃至図２４は、薄膜トランジスタ表示板を製造する工程順序による断面図である。
【００８０】
最初に、図２及び図２０を参照して、薄膜トランジスタ表示板について説明する。
ガラスなどの透明な絶縁基板１１０の上に、ゲート配線１２１、１２４、１２４−１と、保持容量線１３１とが形成されている。
ゲート配線１２１、１２４は、横方向に延びるゲート線１２１を含み、ゲート線１２１の一部は上側に突出してゲート電極１２４、１２４−１をなす。ゲート電極１２４、１２４−１は、図２に示したように、１つの画素領域ごとに２つのゲート電極１２４、１２４−１が形成されている。
【００８１】
保持容量線１３１は、ゲート線１２１と平行に形成され、画素領域内でその幅が広くなって維持電極１３４をなす。
【００８２】
ゲート配線１２１、１２４、１２４−１と保持容量線１３１はゲート絶縁膜１４０によって覆われており、ゲート絶縁膜１４０の上には非晶質シリコンからなる半導体層１５４、１５４−１が形成されている。半導体層１５４、１５４−１は、ゲート電極１２４、１２４−１と重畳し、薄膜トランジスタのチャネル部を形成する。半導体層１５４、１５４−１の上にはリンなどのＮ型不純物が高濃度にドーピングされた非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層１６３、１６５、１６３−１、１６５−１が形成されている。
【００８３】
コンタクト層１６３、１６５、１６３−１、１６５−１及びゲート絶縁膜１４０の上には、データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１が形成されている。データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１は、縦方向に延びた２つのデータ線１７１、１７１−１、これらにそれぞれ接続されたソース電極１７３、１７３−１、及びこれらと分離されたドレイン電極１７５、１７５−１を含む。ソース電極１７３、１７３−１は、ゲート電極１２４、１２４−１の上部でデータ線１７１、１７１−１から突出しており、Ｕ字状または馬蹄状を有する。ドレイン電極１７５、１７５−１は、ソース電極１７３、１７３−１に対向し、一端はソース電極１７３、１７３−１のＵ字状または馬蹄状の内部に位置し、他端は延在してその幅が広く形成されている。
【００８４】
ここで、オーミックコンタクト層１６３、１６５、１６３−１、１６５−１は、半導体層１５４、１５４−１とデータ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１とが重畳する部分にだけ形成されている。ゲート電極１２４、半導体層１５４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５が１つのトランジスタを形成し、これに対称するゲート電極１２４−１、半導体層１５４−１、ソース電極１７３−１、及びドレイン電極１７５−１がまた他の１つのトランジスタを形成する。
【００８５】
データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜の上にはカラーフィルタ２３０及びブラックマトリックス２２０が形成され、カラーフィルタ２３０及びブラックマトリックス２２０の上にはシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）などで形成されたキャッピング層２３５が設けられる。ブラックマトリックス２２０は、ゲート線１２１、データ線１７１、１７１−１、及びトランジスタの上部に形成されている。カラーフィルタ２３０は、ブラックマトリックス２２０が形成されない領域に形成されている。カラーフィルタ２３０及びキャッピング層２３５でドレイン電極１７５、１７５−１の上部及び維持電極１３４の上部には、開口部１８５、１８５−１、１８７が形成されている。ドレイン電極１７５、１７５−１が上部に形成された開口部１８５、１８５−１は、保護膜１８０、カラーフィルタ２３０、及びキャッピング層２３５に形成されてドレイン電極１７５、１７５−１が露出する。これに反し、維持電極１３４の上部に形成された開口部１８７は、カラーフィルタ２３０及びキャッピング層２３５にだけ形成され、保護膜１８０は除去されない。
【００８６】
キャッピング層２３５の上には不透明メタル層２３７及び突起２４０が形成されている。不透明メタル層２３７は、突起２４０の下部にだけ形成され、不透明なメタルを用いて形成する。図面において、突起は鐘状の断面を有するが、これとは異なり半円形、半楕円形、三角形、及び台形などの多様な断面を有しても良い。突起２４０の側面はテーパ形状を有することが好ましい。本実施形態における突起２４０は有機膜で形成し、有機膜は光を透過させる。不透明メタル層２３７及び突起２４０の構造は、突起をブラックマトリックス２２０と同一物質で形成する図２乃至図１５の実施形態とは異なる点である。
突起２４０の上には第１画素電極１９０及び第２画素電極１９０−１が形成されている。第１画素電極１９０及び第２画素電極１９０−１は、開口部１８５、１８５−１によってそれぞれドレイン電極１７５、１７５−１と電気的に接続されている。画素電極は、ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明な導電物質で形成され、ゲート線１２１及びデータ線１７１、１７１−１に対し斜線方向に延びる第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１を有する。また、第１画素電極１９０及び第２画素電極１９０−１のうち、第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は全て突起２４０の上に形成されている。
【００８７】
第１画素電極１９０の構造について説明する。
【００８８】
第１画素電極１９０は、第１データ線１７１に沿って形成されるボディ部を有し、維持電極１３４の上部には維持電極１３４に対応して重畳する面電極１９４が位置する。ボディ部と面電極１９４から第１線状電極１９１が斜線に延び出ており、面電極１９４の上部領域では右上方向に第１線状電極１９１が延在し、面電極１９４の下部領域では右下方向に第１線状電極１９１が延在する。第１線状電極１９１は、ゲート線１２１またはデータ線１７１、１７１−１に対し４５°の角度をなす。
【００８９】
一方、第２画素電極１９０−１は、ゲート線１２１に平行である上側及び下側の部分と、第２データ線１７１−１に沿って形成される側面部分とで構成され、逆匚状構造のボディ部を有する。逆匚状構造のボディ部から第２線状電極１９１−１が延び出ており、面電極１９４の上部領域では左下方向に第２線状電極１９１−１が延在し、面電極の１９４の下部領域では左上方向に第２線状電極１９１−１が延在する。
【００９０】
第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は、突起２４０の上に形成され、互いに平行に形成されている。第１線状電極１９１と第２線状電極１９１−１には互いに異なる電圧が印加され、一側には共通電圧が印加され、他側にはデータ電圧が印加されることができる。これとは異なり、一側にはデータ電圧が印加され、他側には極性が反対であるデータ電圧が印加されることも可能である。
【００９１】
一方、上部表示板には別途に形成されるものがない。これは、ブラックマトリックス２２０及びカラーフィルタ２３０などが全て薄膜トランジスタ表示板に形成されているわけである。
【００９２】
薄膜トランジスタ表示板及び上部表示板の外側には、それぞれ偏光板１２、２２が付着している。偏光板１２、２２の吸収軸は互いに垂直方向を有するように形成され、偏光板の吸収軸は第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１に対し４５°の角度を有することができる。
【００９３】
薄膜トランジスタ表示板及び上部表示板の内側には、配向膜が形成されず、その間に注入された液晶３は青色相液晶である。
【００９４】
以下、図２０に示した液晶表示装置うち、薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について、図２１乃至図２４を参照して詳細に説明する。
図２１乃至図２４は、図２乃至図１５の実施形態と同様の部分は省略し、互いに差のある部分を示した図面である。保護膜１８０を形成することまでは図２乃至図１５の実施形態と同様なので省略する。
【００９５】
図２１に示したように、データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１を覆う保護膜１８０を形成し、保護膜１８０の上にブラックマトリックス２２０及びカラーフィルタ２３０を形成する。ブラックマトリックス２２０及びカラーフィルタ２３０の上にはキャッピング層２３５を形成する。その後、キャッピング層２３５、カラーフィルタ２３０、及び保護膜１８０をエッチングして開口部１８５、１８５−１、１８７をそれぞれ形成する。
【００９６】
次に、図２２及び図２３に示したように、キャッピング層２３５の上に不透明メタル層２３７及び突起２４０を形成する。不透明メタル層２３７は光が透過できない金属で形成され、突起２４０は有機物質で形成され、光を透過させることができる。先ず、光が透過できない金属を積層した後、フォトリソグラフィ工程によって不透明メタル層２３７を形成する。その後、有機物質を積層し、背面露光を行う。そうすると、不透明メタル層２３７によって覆われた部分の有機物質には光が照射されず、それ以外の部分にだけ光が照射される。その後、現像によって突起２４０が形成される。ここで、有機物質は陽性（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）感光性を有することが好ましいが、実施形態により多様な特性を有することができる。
【００９７】
次に、図２４に示したように、透明な導電物質で画素電極１９０、１９０−１を形成する。第１画素電極１９０は、ボディ部、面電極１９４、及び第１線状電極１９１を含み、第２画素電極は逆匚状のボディ部及び第２線状電極１９１−１を含む。第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は、突起２４０の上に形成し、互いに平行に形成する。第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は、ゲート線１２１及びデータ線１７１、１７１−１に対し４５°傾斜するように形成できる。
【００９８】
以上のように形成された青色相液晶を使用した液晶表示装置は、電極構造が突起形態を有するので、より低い電圧を印加しても多くの領域の液晶に影響を与えることができ、これにより低電圧駆動が可能である。また、第１データ線１７１に印加する電圧と第２データ線１７１−１に印加する電圧との位相を反対にすれば、より低い電圧でも駆動が可能である。
【００９９】
また、第１線状電極１９１、第２線状電極１９１−１、及び突起２４０は、透明な物質で形成されるが、突起２４０の下部に形成された不透明メタル層２３７によって突起周辺から光が漏れることを防止する。その結果、画質が向上する。
総合すれば、図２０乃至図２４の実施形態は、突起２４０を有機物質で形成し、突起２４０の下に不透明メタル層２３７を形成することが、図２乃至図１５の実施形態との差異点である。
＜第４実施形態＞
図２５は、本発明の他の実施形態による図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。図２５において、突起周辺で発生する光漏れ現象は、突起２４０を通過した光が液晶層３に入射する場合、互いに屈折率が異なり、屈折率異方性によって偏光がこわれるため発生する。したがって、有機物質で形成した突起２４０と、青色相液晶層３の屈折率とを一致させることで、光漏れが発生しないようにする。青色相液晶層３は、印加される電圧によって屈折率が変化するが、このうち、特定状態での屈折率を突起２４０を形成する有機物質の屈折率と一致させる。液晶表示装置がブラックを表わす時の青色相液晶層３の屈折率と、突起２４０の屈折率とを一致させることができる。
最初に、図２及び図２５を参照して、薄膜トランジスタ表示板について説明する。
ガラスなどの透明な絶縁基板１１０の上に、ゲート配線１２１、１２４、１２４−１と、保持容量線１３１とが形成されている。
【０１００】
ゲート配線１２１、１２４は、横方向に延びるゲート線１２１を含み、ゲート線１２１の一部は上側に突出してゲート電極１２４、１２４−１をなす。ゲート電極１２４、１２４−１は、図２に示したように、１つの画素領域ごとに２つのゲート電極１２４、１２４−１が形成されている。
【０１０１】
保持容量線１３１は、ゲート線１２１と平行に形成され、画素領域内でその幅が広くなって維持電極１３４をなす。
【０１０２】
ゲート配線１２１、１２４、１２４−１と保持容量線１３１はゲート絶縁膜１４０によって覆われており、ゲート絶縁膜１４０の上には非晶質ケイ素からなる半導体層１５４、１５４−１が形成されている。半導体層１５４、１５４−１はゲート電極１２４、１２４−１と重畳し、薄膜トランジスタのチャネル部を形成する。半導体層１５４、１５４−１の上には、リンなどのＮ型不純物が高濃度にドーピングされた非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層１６３、１６５、１６３−１、１６５−１が形成されている。
【０１０３】
コンタクト層１６３、１６５、１６３−１、１６５−１及びゲート絶縁膜１４０の上には、データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１が形成されている。データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１は、縦方向に延びた２つのデータ線１７１、１７１−１、これにそれぞれ接続されたソース電極１７３、１７３−１、及びこれらと分離されたドレイン電極１７５、１７５−１を含む。ソース電極１７３、１７３−１は、ゲート電極１２４、１２４−１の上部でデータ線１７１、１７１−１から突出しており、Ｕ字状または馬蹄状を有する。ドレイン電極１７５、１７５−１は、ソース電極１７３、１７３−１に対向し、一端はソース電極１７３、１７３−１のＵ字状または馬蹄状の内部に位置し、他端は延在してその幅が広く形成されている。
【０１０４】
ここで、オーミックコンタクト層１６３、１６５、１６３−１、１６５−１は、半導体層１５４、１５４−１とデータ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１とが重畳する部分にだけ形成されている。ゲート電極１２４、半導体層１５４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５が１つのトランジスタを形成し、これに対称するゲート電極１２４−１、半導体層１５４−１、ソース電極１７３−１、及びドレイン電極１７５−１がまた他の１つのトランジスタを形成する。
【０１０５】
データ配線１７１、１７３、１７５、１７１−１、１７３−１、１７５−１の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜の上にはカラーフィルタ２３０及びブラックマトリックス２２０が形成され、カラーフィルタ２３０及びブラックマトリックス２２０の上にはシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）などで形成されたキャッピング層２３５が設けられる。キャッピング層２３５は、ブラックマトリックス２２０及びカラーフィルタ２３０を保護する役割を果たす。ブラックマトリックス２２０は、ゲート線１２１、データ線１７１、１７１−１、及びトランジスタの上部に形成されている。カラーフィルタ２３０は、ブラックマトリックス２２０が形成されない領域に形成されている。カラーフィルタ２３０及びキャッピング層２３５でドレイン電極１７５、１７５−１の上部及び維持電極１３４の上部には、開口部１８５、１８５−１、１８７が形成されている。ドレイン電極１７５、１７５−１が上部に形成された開口部１８５、１８５−１は、保護膜１８０、カラーフィルタ２３０、及びキャッピング層２３５に形成されてドレイン電極１７５、１７５−１が露出する。これに反し、維持電極１３４の上部に形成された開口部１８７は、カラーフィルタ２３０及びキャッピング層２３５にだけ形成され、保護膜１８０は除去されない。
【０１０６】
キャッピング層２３５の上には突起２４０が形成されている。本実施形態における突起は、鐘状の断面を有するが、これとは異なり半円形、半楕円形、三角形、及び台形などの多様な断面を有しても良い。突起２４０の側面はテーパ形状を有することが好ましい。本実施形態における突起２４０は有機膜で形成し、有機膜は光を透過させる。また、突起２４０を形成する有機膜は、青色相液晶層３の特定状態での屈折率と同一の屈折率を有する。ここで、特定状態とは、液晶表示装置がブラックを表わす時であり得る。
突起２４０の上には第１画素電極１９０及び第２画素電極１９０−１が形成されている。第１画素電極１９０及び第２画素電極１９０−１は、開口部１８５、１８５−１によってそれぞれドレイン電極１７５、１７５−１と電気的に接続されている。画素電極は、ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明な導電物質で形成され、ゲート線１２１及びデータ線１７１、１７１−１に対し斜線方向に延びる第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１を有する。また、第１画素電極１９０及び第２画素電極１９０−１のうち、第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は、全て突起２４０の上に形成されている。
【０１０７】
第１画素電極１９０の構造について説明する。
【０１０８】
第１画素電極１９０は、第１データ線１７１に沿って形成されるボディ部を有し、維持電極１３４の上部には維持電極１３４に対応して重畳する面電極１９４が位置する。ボディ部と面電極１９４から第１線状電極１９１が斜線に延び出ており、面電極１９４の上部領域では右上方向に第１線状電極１９１が延在し、面電極１９４の下部領域では右下方向に第１線状電極１９１が延在する。第１線状電極１９１は、ゲート線１２１またはデータ線１７１、１７１−１に対し４５°の角度を有することができる。
【０１０９】
一方、第２画素電極１９０−１は、ゲート線１２１に平行である上側及び下側の部分と、第２データ線１７１−１に沿って形成される側面部分とで構成され、逆匚状構造のボディ部を有する。逆匚状構造のボディ部から第２線状電極１９１−１が延び出ており、面電極１９４の上部領域では左下方向に第２線状電極１９１−１が延在し、面電極の１９４の下部領域では左上方向に第２線状電極１９１−１が延在する。
【０１１０】
第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１は突起２４０の上に形成され、互いに平行に形成されている。第１線状電極１９１と第２線状電極１９１−１には互いに異なる電圧が印加され、一側には共通電圧が印加され、他側にはデータ電圧が印加されることができる。これとは異なり、一側にはデータ電圧が印加され、他側には極性が反対であるデータ電圧が印加されることも可能である。
一方、上部表示板には別途に形成されるものがない。これは、ブラックマトリックス２２０及びカラーフィルタ２３０などが全て薄膜トランジスタ表示板に形成されているわけである。
【０１１１】
薄膜トランジスタ表示板及び上部表示板の外側には、それぞれ偏光板１２、２２が付着している。偏光板１２、２２の吸収軸は互いに垂直方向を有するように形成され、偏光板の吸収軸は、第１線状電極１９１及び第２線状電極１９１−１に対し４５°の角度を有することができる。
【０１１２】
薄膜トランジスタ表示板及び上部表示板の内側には配向膜が形成されず、その間に注入された液晶３は青色相液晶である。青色相液晶の特定状態での屈折率は、突起２４０を形成する有機物質の屈折率と同一である。ここで、特定状態とは、液晶表示装置がブラックを表わす時であり得る。
【０１１３】
以上のように形成された青色相液晶を使用した液晶表示装置は、電極構造が突起形態を有するので、より低い電圧を印加しても多くの領域の液晶に影響を与えることができ、これにより低電圧駆動が可能である。また、第１データ線１７１に印加する電圧と第２データ線１７１−１に印加する電圧との位相を反対にすれば、より低い電圧でも駆動が可能である。
【０１１４】
また、突起２４０を形成する有機物質の屈折率と、青色相液晶層３の特定状態での屈折率とが同一であるので、当該特定状態では突起２４０の周辺から光が漏れない。ここで、特定状態とは、液晶表示装置がブラックを表わす時であり得、特定状態を除いては光が漏れることはあるが、漏れる程度が少なくて、画質が向上する。
【０１１５】
総合すれば、図２５の実施形態は、突起２４０を有機物質で形成し、突起２４０を形成する有機物質の屈折率を青色相液晶の特定状態での屈折率と一致させることであり、これが図２乃至図１５の実施形態、図１６乃至図１９の実施形態、及び図２０乃至図２４の実施形態との差異点である。
＜製造方法＞
図２６乃至図４１を参照して、背面露光を利用して突起２４０及び画素電極１９１、１９１−１を形成する段階について詳細に説明する。
【０１１６】
図２６乃至図３１は、有機物質で形成された突起２４０をマスクとして、その上に画素電極１９１、１９１−１を形成する工程順序による断面図であり、図３２及び図３３は、波長に対する有機物質の透過率を示すグラフである。
【０１１７】
図２乃至図１５の実施形態では、突起２２５を光を遮断する物質で形成したので、背面露光により画素電極１９１、１９１−１をパターニングすることに問題がない。しかし、以下には、図２６乃至図３１を参照して、有機物質で形成された突起２４０をマスクとして、背面露光により画素電極１９１、１９１−１をパターニングする方法について説明する。
【０１１８】
最初に、図３２及び図３３のグラフを参照して、有機物質の波長に対する透過率を説明する。
【０１１９】
図３２では２つの有機物質の波長に対する透過率を示している。図３２において、物質Ｍは有機物質のＳＳ−０１５（製品コード名）であり、物質Ｎは有機物質のＰＣ−４１１Ｂ（製品コード名）である。
【０１２０】
図３２からわかるように、有機物質が、可視領域では光の透過率が９５％を越えるが、紫外線については光の透過率が急激に低下することが確認できる。図３２を通じ、紫外線の波長が小さいほど、さらに透過率が低くなるので、有機物質であるが、紫外線についてはマスクとして使用できることが確認できる。
特に、図３３では、有機物質に一定の処理を行った場合には、透過率がさらに低くなることが確認できる。
【０１２１】
図３３において、ＨＢは有機物質をハードベークしたことを示し、ＩＴＯは有機物質にＩＴＯをかぶせたことを示し、Ｘは有機物質に強アルカリ性有機溶剤のＮＭＰ（Ｎ−Ｍｅｔｈｙｌｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ）で表面処理したことを示し、Ｙは有機物質にレジン用有機溶剤のＭＢＫ（Ｍｅｔｙｌｎ−ＢｕｔｙｌＫｅｔｏｎｅ）で表面処理したことを示し、、Ｚは有機物質にアセトン（Ａｃｅｔｏｎｅ）で表面処理したことを示す。また、図３３で用いた有機物質はＰＣ−４１１Ｂである。
【０１２２】
図３３で示したように、有機物質をハードベーキング（ＨＢ）処理だけを行った場合にも、紫外線領域で光の透過率が減少する。しかし、アセトン、ＮＭＰ、ＭＢＫなどで表面を処理した場合には、透過率が４０％以下まで低下し、マスクとして使用することに問題がないことが分かる。また、図３３では、ＩＴＯが追加的にかぶせられた場合の透過率も示しているが、ＩＴＯが追加的に形成された場合、透過率がさらに低下することが分かる。したがって、有機物質の上にＩＴＯが形成された構造では、より低い透過率を有するので、紫外線に対しマスクの役割を果たすことができる。一方、有機物質に表面処理を行ってＩＴＯ層を積層する方法を共に使用することも可能である。
【０１２３】
その結果、有機物質自体だけでマスクとして使用できるが、それよりも表面処理を行うが、またはＩＴＯ層を追加積層することによって、より低い透過率を有するようにし、マスクとして使用することも可能である。
【０１２４】
次に、以上のように有機物質でマスクを使用する具体的な方法について、図２６乃至図３１を参照して説明する。図２６乃至図３１は、基板１１０のすぐ上に突起２４０が形成されたことを示しているが、突起２４０と基板１１０との間に、図１８及び図１９に示すような他の層が形成されても差し支えない。
【０１２５】
図２６のように基板１１０の上に有機物質で突起２４０を形成する。突起２４０は、有機物質を積層した後、上部でマスク（図示せず）を用いて露光し、現像して形成できる。
その後、図２７に示したように、突起２４０及び基板１１０の上にＩＴＯ層１９３及びフォトレジスト層２５３を順次に積層する。ここで、ＩＴＯ層１９３は透明導電膜を代表する層であって、ＩＺＯによって形成できるが、この場合、図２５の実施形態と同様に、有機物質の屈折率と青色相液晶層３の特定状態での屈折率とを同一に形成することが好ましい。
【０１２６】
その後、図２８に示したように、基板１１０の下側で紫外線を用いて背面露光を行う。突起２４０が、図３２及び図３３に示したように、透過率を低くした状態であるので、マスクとして使用可能であり、その結果、突起２４０の上部に形成されたフォトレジスト層２５３には光が少なく入射され、その性質が変わらない。ここで、フォトレジスト層２５３はポジティブ特性を有することが好ましい。また、突起２４０は、紫外線の透過率が低い有機物質で形成されたり、または透過率を低くする表面処理が行うことができる。
次に、図２９に示したように、フォトレジスト層２５３を現像する。したがって、光に露出した領域のフォトレジスト層２５３は除去され、光が少なく入射されて性質の変わらないフォトレジスト層２５３は残る。
【０１２７】
その後、図３０に示したように、残されたフォトレジスト層２５３をマスクとしてＩＴＯ層１９３をエッチングし、画素電極１９１、１９１−１を形成する。
次に、図３１に示したように、フォトレジスト層２５３を除去し、画素電極１９１、１９１−１パターンを完成する。
【０１２８】
ここで、画素電極１９１、１９１−１が感光性を有しないので、フォトレジスト層２５３を追加的に形成してパターニングしたが、感光性を有する物質をパターニングする場合には、フォトレジスト層２５３を形成せずに、背面露光後に現像して直ちにパターンを形成することができる。
以下、図３４乃至図４１について説明する。
【０１２９】
図３４乃至図４１は、図２２乃至図２４の工程順序を詳細に示した断面図である。
【０１３０】
図３４乃至図４１は、不透明メタル層２３７が基板１１０のすぐ上に形成されたことと示されているが、図２２乃至図２４に示したように、基板１１０と不透明メタル層２３７との間に別途の層が形成されていても差し支えない。実施形態によっては図２２乃至図２４の実施形態とは異なり、不透明メタル層２３７が基板１１０すぐ上に形成されることも可能である。このような実施形態は、不透明メタル層２３７とゲート線１２１とが同時に、同一物質で形成できる。また、不透明メタル層２３７と突起２４０との間にまた他の層がさらに形成されることもある。
【０１３１】
最初に、図３４に示したように、基板１１０の上に不透明メタル層２３７のパターンを形成する。不透明メタル層２３７は、不透明な物質及びフォトレジスト２４３を順次に積層した後、マスクを使用して上部で露光し、現像して、フォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンをマスクとしてエッチングして形成することができる。ここで、フォトレジスト２４３はポジティブ特性を有することが好ましい。
【０１３２】
その後、図３５に示したように、突起用有機物質を積層し、背面から露光する。不透明メタル層２３７によって不透明メタル層２３７の上に形成されたフォトレジスト２４３は露光されず、周辺のフォトレジスト２４３だけが露光される。
【０１３３】
次に、現像して、図３６に示したように、突起２４０パターンを形成する。
【０１３４】
その後、図３７に示したように、突起２４０及び基板１１０の上にＩＴＯ層１９３及びフォトレジスト層２５３を順次に積層する。ここで、ＩＴＯ層１９３は、透明導電膜を代表する層であって、ＩＺＯによっても形成できる。
【０１３５】
次に、図３８に示したように、基板１１０の下側で背面露光を行う。ここで、フォトレジスト層２５３はポジティブ特性を有することが好ましい。
【０１３６】
その後、図３９に示したように、フォトレジスト層２５３を現像する。したがって、光に露出した領域のフォトレジスト層２５３は除去される。
【０１３７】
次に、図４０に示したように、残されたフォトレジスト層２５３をマスクとしてＩＴＯ層１９３をエッチングし、画素電極１９１、１９１−１を形成する。
【０１３８】
その後、図４１に示したように、フォトレジスト層２５３を除去し、画素電極１９１、１９１−１パターンを完成する。
【０１３９】
ここで、画素電極１９１、１９１−１が感光性を有しないので、フォトレジスト層２５３を追加的に形成してパターニングしたが、感光性を有する物質をパターニングする場合には、フォトレジスト層２５３を形成せずに、背面露光後に現像して直ちにパターンを形成することができる。
【０１４０】
以上、背面露光の方法について図２６乃至図４１を参照して詳細に説明した。しかし、これとは異なり、多様な方法によってもパターンを形成することができる。また、有機物質も紫外線を用いる場合マスクとして使用できることが確認できるが、これは必ずしも液晶表示装置に限定されるものではない。
【０１４１】
図４２は、本発明の他の実施形態による図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【０１４２】
図４２は、図２０とは異なり、不透明メタル層２３７とゲート線１２１とは同時に、同一物質で形成される。ゲート線１２１と不透明メタル層２３７とは基板１１０の上に形成される。不透明メタル層２３７とゲート線１２１とを同時に形成するので、フォトリソグラフィ工程が減るという長所がある。
実施形態によっては、突起２４０と不透明メタル層２３７との間に他の層がさらに形成されることもある。
【０１４３】
総合すれば、本発明は、画素電極は突起と重畳する構造を有し、当該突起及びその上に形成された画素電極を通じ光が透過できないようにするか、または当該突起の屈折率と青色相液晶の屈折率とが互いに同じ値を有するようにすることで、画素電極の周辺から光が漏れることを防止することを特徴とし、多様な実施形態が存在する。
また、本発明は、有機物質を用いて積層し、これを背面露光して上部のパターンを形成できる方法についても提示している。つまり、有機物質も紫外線を用いる場合マスクとして使用できる。
【０１４４】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれらに限定されず、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【符号の説明】
【０１４５】
３  液晶層
１１０  第１基板
１２１  ゲートライン
１２４、１２４−１  ゲート電極
１３１  維持電極線
１３４  維持電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５４  半導体層
１７３、１７３−１  ソース電極
１７５、１７５−１  ドレイン電極
１８０  保護膜
１９０、１９０−１  画素電極
２２０  ブラックマトリックス
２２５、２４０  突起
２３０  カラーフィルタ
２３５  キャッピング層
２３７  不透明メタル層
【図１】
2010055091.tif 000003
【図２】
2010055091.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2010055091.tif 000010
【図９】
2010055091.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2010055091.tif 000013
【図１２】
2010055091.tif 000014
【図１３】
2010055091.tif 000015
【図１４】
2010055091.tif 000016
【図１５】
2010055091.tif 000017
【図１６】
2010055091.tif 000018
【図１７】
2010055091.tif 000019
【図１８】
2010055091.tif 000020
【図１９】
2010055091.tif 000021
【図２０】
2010055091.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
2010055091.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
2010055091.tif 000028
【図２７】
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【図２８】
2010055091.tif 000030
【図２９】
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【図３０】
2010055091.tif 000032
【図３１】
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【図３２】
2010055091.tif 000034
【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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