(57)【要約】【課題】  マスクブランクの光学特性に係る仕様の逸脱や、被転写体のパターン欠陥を防止する。【解決手段】  マスクブランク製造部門が、マスクブランク用透明基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成してマスクブランクを製造し、これをマスク製造部門に提供する際、マスクブランク用透明基板の光学特性情報（透過率ばらつき）と、マスクブランクの光学特性情報（透過率ばらつき及び／又は位相差ばらつき）をマスク製造部門に提供する。また、マスクブランク用透明基板の光学特性情報は、マスクブランク用透明基板を製造する素材・加工部門からブランク製造部門に提供される。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板面内の複数個所における露光波長に対する透過率が保証されたマスクブランク用透明基板を準備する工程と、
前記マスクブランク用透明基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項２】
前記マスクブランク用透明基板の基板面内の複数個所における露光波長に対する透過率に基づいて、当該基板に形成する薄膜の選定を行う請求項１に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項３】
前記薄膜に対して露光波長を含む波長の光を照射してマスクブランクの光学特性情報を取得する工程と、
前記マスクブランクと、該マスクブランクの光学特性情報との対応関係を保存し、前記マスクブランクの光学特性を保証するデータを作成する工程と、
を備える請求項１又は２に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
前記マスクブランクの光学特性情報は、薄膜面内の複数個所における露光波長に対する光学特性である請求項３に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項５】
前記光学特性は、透過率及び／又は位相差を含む請求項４に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項６】
基板面内の複数個所における露光波長に対する透過率が保証されたマスクブランク用透明基板上に形成された薄膜を有するマスクブランクを準備する工程と、
前記薄膜をパターニングして前記透明基板上にマスクパターンを形成する工程と、
を備えることを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項７】
前記マスクブランク用透明基板の基板面内の複数個所における露光波長に対する透過率に基づいて、前記透明基板上に形成されるマスクパターンデータの補正又はマスクパターンの形成位置の決定を行う請求項６に記載のマスクの製造方法。
【請求項８】
前記マスクブランクを準備する工程において、前記マスクブランクは、薄膜面内の複数個所における露光波長に対する光学特性が保証されている請求項６又は７に記載のマスクの製造方法。
【請求項９】
前記マスクブランクの薄膜面内の複数個所における露光波長に対する光学特性に基づいて、前記透明基板上に形成されるマスクパターンデータの補正又はマスクパターンの形成位置の決定を行う請求項８に記載のマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記光学特性は、透過率及び／又は位相差を含む請求項９に記載のマスクの製造方法。
【請求項１１】
前記マスクブランク用透明基板の基板面内の複数個所における露光波長に対する透過率、及び／又は前記マスクブランクの薄膜面内の複数個所における露光波長に対する光学特性に基づいて、半導体を製造するデバイス製造部門に対して、マスクの光学特性を保証する請求項６〜１０のいずれかに記載のマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクブランクの光学特性を保証することのできるマスクブランクの製造方法に関し、さらには、被転写体のパターン欠陥を防止できるマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、半導体デバイスの微細化により、使用する露光光源波長の短波長化が進み、露光波長は２００ｎｍ以下に達する。このような露光光源としては、例えば、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（波長１５７ｎｍ）などが挙げられる。これらの露光波長に対して光を遮断する遮光膜や、位相を変化させる位相シフト膜の開発が急速に行われ、様々な膜材料が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。
また、それらの膜を形成する上で、問題が予想される光学特性のばらつき（例えば、透過率や位相差）を抑えた製造方法の提案も幾つかなされており（例えば、特許文献３参照）、膜の光学特性のばらつきも抑えられてきているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１６２７２７号公報
【特許文献２】特開２００３−２８０１６８号公報
【特許文献３】特開２００２−９０９７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、製造されたマスクブランクの光学特性（透過率、反射率等）を測定したところ、光学特性のばらつきに係る仕様を満足しないマスクブランクが一定の割合で含まれるという問題が生じた。
また、露光装置を用いて、マスクに形成されたマスクパターンを被転写体に転写し、転写パターンを形成したところ、マスクに形成されているマスクパターンにパターン欠陥がないにもかかわらず、被転写体にパターン欠陥が発生するという問題が発生した。
【０００５】
本発明者等が様々な点からその原因を突き止めたところ、それは従来問題視されていなかった透明基板自体の吸収による基板面内の透過率ばらつきが原因であることがわかった。
以下、本発明者等の研究により知得した、光学特性ばらつきの仕様から逸脱したマスクブランクが製造される理由、転写パターン欠陥が発生する理由について、それぞれ詳細に説明する。
【０００６】
現在、開発が急速に行われているＡｒＦエキシマレーザーを露光光源とするマスクブランクの基板材料として、合成石英ガラスが使用されている。この合成石英ガラスは、現在実用化されているＫｒＦエキシマレーザーを露光光源とするマスクブランクの基板材料としても利用されている。ＫｒＦエキシマレーザーの露光波長は２４８ｎｍであり、合成石英ガラスの製造ばらつきがあっても、その透過率（板厚方向の透過率）は、６０２５サイズ（板厚６．３５ｍｍ）で８８％以上（波長λ：２４０ｎｍ）であり、問題視されることはなかった。
【０００７】
しかしながら、露光光源の波長が１９３ｎｍといった短波長になると、合成石英ガラスの製造ばらつき等による露光光に対する基板自体の吸収により、その透過率（板厚方向の透過率）が６０２５サイズ（板厚６．３５ｍｍ）で８０％まで低下するものも見られた。
また、現状においては、薄膜形成時の製造ばらつきが完全になくなったわけではなく、上記のように光学特性ばらつきの仕様を満足しないマスクブランクは、基板材料の透過率ばらつきと、薄膜の光学特性ばらつきとが相乗的に作用して仕様を逸脱したものと考えられる。
【０００８】
一方、マスクにおいて、合成石英ガラス基板自体の吸収により透過率が低下した領域は、遮光膜パターン領域内に含まれる場合、被転写体に影響を与えないが、マスクパターンが形成されない領域に露出する場合や、マスクパターンに跨る場合には、本来露光光が遮断されるべきでない箇所が遮光されることになり、被転写体に対する露光光の強度に変化を与えてしまう。これが、マスクにパターン欠陥がないにもかかわらず、被転写体にパターン欠陥が発生する原因と考えられる。
近年では、マスクパターンの微細化、高精細化が進んでおり、被転写体に対するパターン転写に影響のある欠陥をマスク上で特定できたとしても、パターン修正、補正できない場合もあり、その場合においては、マスクを一から作製しなければならない。
【０００９】
本発明は、上記の事情にかんがみなされたものであり、透明基板やマスクブランクの光学特性を保証することにより、マスクブランクの光学特性に係る仕様の逸脱や、被転写体のパターン欠陥を防止することのできるマスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため本発明のマスクブランク提供システムは、マスクブランク製造部門に提供するマスクブランク用透明基板の露光波長に対する光学特性情報を、当該透明基板に関連付けて蓄積する基板情報蓄積手段と、マスク製造部門に提供するマスクブランクの露光波長に対する光学特性情報を、当該マスクブランクに関連付けて蓄積するマスクブランク情報蓄積手段と、前記基板情報蓄積手段に蓄積された前記マスクブランク用透明基板の露光波長に対する光学特性情報を、マスクブランク製造部門及び／又はマスク製造部門に提供する基板情報提供手段と、前記マスクブランク情報蓄積手段に蓄積された前記マスクブランクの露光波長に対する光学特性情報を、マスク製造部門に提供するマスクブランク情報提供手段とを備える構成としてある。
このように構成すれば、透明基板やマスクブランクの露光波長に対する光学特性が保証されるので、光学特性の仕様を逸脱したマスクブランクが製造される問題や、被転写体にパターン欠陥が発生するという問題を解消することができる。
【００１１】
また、本発明のマスクブランク提供システムは、マスクブランク用透明基板を製造する素材・加工部門のサーバと、前記マスクブランク用透明基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成してマスクブランクを製造するマスクブランク製造部門のサーバと、前記マスクブランクの前記薄膜をパターニングしてマスクを製造するマスク製造部門のサーバと、これらのサーバを通信可能に接続する通信回線とを備え、前記素材・加工部門のサーバが、前記基板情報蓄積手段を有し、前記マスクブランク製造部門のサーバが、前記基板情報蓄積手段及び前記マスクブランク情報蓄積手段を有し、前記マスク製造部門のサーバが、前記基板情報蓄積手段と前記マスクブランク情報蓄積手段を有する構成としてある。
このように構成すれば、各製造部門のサーバ間で、透明基板やマスクブランクの光学特性情報を迅速かつ安価にやり取りすることができる。
【００１２】
また、本発明のマスクブランク提供システムは、マスクブランク用透明基板を製造する素材・加工部門の送受信部と、前記マスクブランク用透明基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成してマスクブランクを製造するマスクブランク製造部門の送受信部と、前記マスクブランクの前記薄膜をパターニングしてマスクを製造するマスク製造部門の送受信部と、これらの送受信部と通信回線を介して通信可能なサーバとを備え、前記サーバが、前記基板情報蓄積手段及び前記マスクブランク情報蓄積手段を有する構成としてある。
このように構成すれば、サーバ（各種情報蓄積手段）の共通化を図ることができる。同一企業において上記情報を管理する場合、情報の一元化を図ることができ、特に効果的である。
【００１３】
また、本発明のマスクブランク提供システムは、前記マスクブランク用透明基板の露光波長に対する光学特性情報にもとづいて、当該透明基板に形成する薄膜の選定を行う薄膜選定手段を備える構成としてある。
このように構成すれば、透明基板の光学特性情報を有効に利用して、透明基板と薄膜の不適合による仕様の逸脱を防止できる。
【００１４】
また、本発明のマスクブランク提供システムは、前記マスクブランク用透明基板の露光波長に対する光学特性情報が、露光波長に対する基板面内の透過率ばらつきを含む構成としてある。
このように構成すれば、透明基板の露光波長に対する基板面内の透過率ばらつきを保証し、これに起因する仕様の逸脱を防止できる。
【００１５】
また、本発明のマスクブランク提供システムは、前記マスクブランクの露光波長に対する光学特性情報が、露光波長に対する薄膜面内の透過率ばらつき及び／又は薄膜面内の位相差ばらつきを含む構成としてある。
このように構成すれば、マスクブランクの露光波長に対する面内の透過率ばらつきや位相差ばらつきを保証し、これらに起因する仕様の逸脱を防止できる。
【００１６】
また、本発明のマスクブランク提供方法は、マスクブランク製造部門が、マスクブランク用透明基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成してマスクブランクを製造し、これをマスク製造部門に提供する際、前記マスクブランク用透明基板の露光波長に対する光学特性情報と、前記マスクブランクの露光波長に対する光学特性情報をマスク製造部門に提供する方法としてある。
このような方法にすれば、透明基板やマスクブランクの光学特性を保証し、マスクブランクの仕様逸脱や、被転写体のパターン欠陥を防止することができる。
【００１７】
また、本発明のマスクブランク提供方法は、前記マスクブランク用透明基板の露光波長に対する光学特性情報が、前記マスクブランク用透明基板を製造する素材・加工部門からマスクブランク製造部門内に提供される方法としてある。
このような方法にすれば、マスクブランク製造部門は、透明基板の光学特性を測定することなく、マスク製造部門に透明基板の光学特性情報を提供することができる。
【００１８】
また、本発明のマスクブランク提供方法は、前記マスクブランク用透明基板の露光波長に対する光学特性情報が、露光波長に対する基板面内の透過率ばらつきを含む方法としてある。
このような方法にすれば、透明基板の露光波長に対する基板面内の透過率ばらつきを保証し、これに起因する仕様の逸脱を防止できる。
【００１９】
また、本発明のマスクブランク提供方法は、前記マスクブランクの露光波長に対する光学特性情報が、露光波長に対する薄膜面内の透過率ばらつき及び／又は薄膜面内の位相差ばらつきを含む方法としてある。
このような方法にすれば、マスクブランクの露光波長に対する薄膜面内の透過率ばらつきや位相差ばらつきを保証し、これらに起因する仕様の逸脱を防止できる。
【００２０】
また、本発明のマスクブランク用透明基板の製造方法は、マスクブランク用透明基板の表面を露光波長に対する光学特性を計測できるように鏡面研磨する工程と、前記鏡面研磨した基板表面に露光波長と同じ波長の光を照射して、マスクブランク用透明基板の光学特性情報を取得する工程と、前記マスクブランク用透明基板と、該基板の光学特性情報との対応関係を保存する工程と、を有する方法としてある。
このような製造方法にすれば、透明基板の光学特性を保証し、透明基板の材料起因によるマスクブランクの仕様逸脱や、被転写体のパターン欠陥を防止することができる。
【００２１】
また、本発明のマスクブランク用透明基板の製造方法は、前記マスクブランク用透明基板の光学特性情報が、露光波長に対する基板面内の透過率ばらつきを含む方法としてある。
このような製造方法にすれば、透明基板の露光波長に対する基板面内の透過率ばらつきを保証し、これに起因する仕様の逸脱を防止できる。
【００２２】
また、本発明のマスクブランク用透明基板の製造方法は、前記露光波長を、１４０ｎｍ〜２００ｎｍとしてある。
このような製造方法にすれば、透明基板の材料起因による透過率変化が大きい１４０ｎｍ〜２００ｎｍの短波長域においても基板面内の透過率ばらつきを保証し、それに起因する仕様の逸脱を防止できる。
【００２３】
また、本発明のマスクブランク用透明基板の製造方法は、前記透明基板の材料を、合成石英ガラスとしてある。
このような製造方法にすれば、製造ばらつき起因で光学特性のばらつきが発生する合成石英ガラスであっても基板面内の透過率ばらつきを保証し、これに起因する仕様の逸脱を防止できる。
【００２４】
また、本発明のマスクブランクの製造方法は、上記いずれか記載のマスクブランク用透明基板の製造方法によって得られたマスクブランク用透明基板の製造方法によって得られたマスクブランク用透明基板上に、マスクパターンとなる薄膜を形成する工程と、前記薄膜表面に露光波長と同じ波長の光を照射してマスクブランクの光学特性情報を取得する工程と、前記マスクブランクと、該マスクブランクの光学特性情報との対応関係を保存する工程と、を有することを方法としてある。
このような製造方法にすれば、透明基板の光学特性の保証に加え、マスクブランクを構成する薄膜内の透過率ばらつき及び／または位相差ばらつきを保証してマスクブランクの光学特性を保証し、マスクブランクの仕様逸脱や、被転写体のパターン欠陥を防止することができる。
【００２５】
また、本発明のマスクブランクの製造方法は、前記マスクブランクの光学特性情報が、露光波長に対する薄膜面内の透過率ばらつき及び／又は薄膜面内の位相差ばらつきを含む方法としてある。
このような製造方法にすれば、マスクブランクの露光波長に対する薄膜面内の透過率ばらつきや位相差ばらつきを保証し、これらに起因する仕様の逸脱を防止できる。
【００２６】
また、本発明のマスクブランクの製造方法は、前記マスクブランク用透明基板の光学特性情報に基づいて、当該透明基板に形成する薄膜の選定を行う方法としてある。
このような製造方法にすれば、透明基板と薄膜の不適合による光学特性の仕様の逸脱を防止できる。
【００２７】
また、本発明のマスクブランクの製造方法は、前記露光波長を、１４０ｎｍ〜２００ｎｍとしてある。
このような製造方法にすれば、透明基板の材料起因や薄膜起因による透過率変化が大きい１４０ｎｍ〜２００ｎｍの短波長域においても基板面内の透過率ばらつき、マスクブランクにおける薄膜面内の透過率ばらつき及び／又は位相差ばらつきを保証し、それに起因するマスクブランクの仕様の逸脱を防止できる。
【００２８】
また、本発明におけるマスクの製造方法は、上記のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法により製造されたマスクブランクの薄膜をパターニングして、透明基板上にマスクパターンを形成する方法としてある。
このような製造方法にすれば、透明基板の光学特性が保証されたマスクを製造することができる。これにより、マスクパターンに欠陥がないにもかかわらず、被転写体にパターン欠陥が発生するという問題を解決できる。
【００２９】
また、本発明におけるマスクの製造方法は、前記マスクブランク用透明基板及び／又は前記マスクブランクの露光波長に対する光学特性情報にもとづいて、マスクブランク用透明基板上に形成するマスクパターンデータの補正又はマスクパターンの形成位置を決定する方法としてある。
このような製造方法にすれば、透明基板やマスクブランクの光学特性に起因するマスクのパターン欠陥や転写体のパターン欠陥を確実に防止できる。
【発明の効果】
【００３０】
以上のように、本発明によれば、透明基板やマスクブランクの露光波長に対する光学特性情報を提供し、それらの光学特性を保証することができる。これにより、光学特性の仕様を逸脱したマスクブランクが製造されるという問題や、マスクパターンに欠陥がないにもかかわらず、被転写体にパターン欠陥が発生するという問題を解消できる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】マスクブランク提供システムの構成を示すブロック図である。
【図２】各製造部門間における情報や物のやり取りを示す説明図である。
【図３】光学特性情報の具体例を示す説明図である。
【図４】マスクブランクの製造方法を示す説明図である。
【図５】スパッタリング装置の概略図である。
【図６】スパッタリング装置の要部拡大図である。
【図７】マスクの製造方法を示す説明図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
なお、以下の説明における素材・加工部門、マスクブランク製造部門、マスク製造部門、デバイス製造部門は、同一企業内に有する場合であっても、異なる企業に有する場合であっても良い。そして、異なる企業に有する場合には、それぞれ、素材・加工メーカ、マスクブランクメーカ、マスクメーカ、デバイスメーカと読み替えることができる。
【００３３】
［マスクブランク提供システム］
まず、本発明の実施形態に係るマスクブランクの提供システムについて、図１及び図２を参照して説明する。
図１は、マスクブランク提供システムの構成を示すブロック図、図２は、各製造部門間における情報や物のやり取りを示す説明図である。
【００３４】
図１に示すように、マスクブランク提供システムには、マスクブランク用透明基板１を製造する素材・加工部門（メーカ）のサーバ１０と、マスクブランク２を製造するマスクブランク製造部門（ブランクスメーカ）のサーバ２０と、マスク３を製造するマスク製造部門（マスクメーカ）のサーバ３０と、これらを通信可能に接続する通信回線４０（基板情報提供手段、マスクブランク情報提供手段）とが含まれる。
通信回線４０としては、インターネット、ＷＡＮ、ＬＡＮなどのネットワークや、専用回線を用いることができる。
なお、素材・加工部門、マスクブランク製造部門、マスク製造部門が同一企業内の各部門に相当する場合などには、各サーバ１０，２０，３０を一元化して共通使用するようにしてもよい。
【００３５】
素材・加工部門のサーバ１０は、インターフェース１１、処理部１２、情報蓄積部１３（基板情報蓄積手段）及び送信部１４を備えている。
インターフェース１１は、透過率測定装置１００から入力される透過率測定データ及び透過率を測定した基板の識別番号をデータ変換して処理部１２に送る。
透過率測定装置１００は、マスクブランク用透明基板１の主表面内の複数箇所で透過率を測定し、これらの透過率測定データをインターフェース１１に送る。また、本実施形態の透過率測定装置１００は、マスクブランク用透明基板１に直接付与された識別番号を読み取ってインターフェース１１に送る機能を備える。
なお、マスクブランク用透明基板１の透過率測定データや識別番号は、インターフェース１１に接続される入力装置から手動で入力するようにしてもよい。
【００３６】
処理部１２は、インターフェース１１から受け取った透過率測定データ（光学特性情報）を基板の識別番号に関連付けて情報蓄積部１３に蓄積する。情報蓄積部１３に蓄積される透過率測定データには、測定点番号、測定点Ｘ座標（ｍｍ）、測定点Ｙ座標（ｍｍ）、透過率（％）などが含まれ、これらのデータにもとづいて、マスクブランク用透明基板１の基板面内の透過率ばらつきを特定することができる。
送信部１４は、情報蓄積部１３に蓄積された透過率測定データ及び基板の識別番号を、通信回線４０を介してマスクブランク製造部門のサーバ２０に送る。送信する透過率測定データやその送り先は、マスクブランク用透明基板１の納品情報に含まれる基板の識別番号やサーバアドレスにもとづいて特定される。
【００３７】
マスクブランク製造部門のサーバ２０は、受信部２１、インターフェース２２、処理部２３、情報蓄積部２４（基板情報蓄積手段、マスクブランク情報蓄積手段）、選定部２５（薄膜選定手段）及び送信部２６を備えている。
受信部２１は、素材・加工部門のサーバ１０からマスクブランク用透明基板１の透過率測定データ及び基板の識別番号を受信して処理部２３に送る。
インターフェース２２は、光学特性測定装置２００から入力される測定データ及び基板の識別番号をデータ変換して処理部２３に送る。
光学特性測定装置２００は、マスクブランク２に形成されている薄膜表面の複数箇所で透過率及び／又は位相差を測定し、これらの透過率測定データ及び／又は位相差測定データをインターフェース２２に送る。また、本実施形態の光学特性測定装置２００は、マスクブランク用透明基板１（マスクブランク２）に直接付与された識別番号を読み取ってインターフェース２２に送る機能を備える。
なお、マスクブランク２の測定データや基板の識別番号は、インターフェース２２に接続される入力装置から手動で入力するようにしてもよい。
【００３８】
処理部２３は、受信部２１から受け取ったマスクブランク用透明基板１の透過率測定データ及び基板の識別番号を情報蓄積部２４に蓄積するとともに、インターフェース２２から受け取ったマスクブランク２の透過率測定データ、位相差測定データ及びマスクブランクの識別番号を情報蓄積部２４に蓄積する。このとき、基板の識別番号とマスクブランクの識別番号の照合が行われ、マスクブランク用透明基板１の透過率測定データと、マスクブランク２の透過率測定データ及び／又は位相差測定データが対応付けられる。
情報蓄積部２４に蓄積されるマスクブランク２の測定データには、測定点番号、測定点Ｘ座標（ｍｍ）、測定点Ｙ座標（ｍｍ）、透過率（％）、位相差（度）などが含まれ、これらのデータにもとづいて、マスクブランク２面内の透過率ばらつきや位相差ばらつきを特定することができる。
【００３９】
すなわち、情報蓄積部２４の蓄積データは、マスクブランク用透明基板１やマスクブランク２の光学特性を保証するものであり、様々な利用方法が考えられる。例えば、本実施形態の選定部２５は、マスクブランク用透明基板１上にマスクパターンとなる薄膜を形成する際、素材・加工部門のサーバ１０から受信したマスクブランク用透明基板１の透過率測定データにもとづいて、マスクブランク用透明基板１に形成する薄膜の種類を選定することができる。
送信部２６は、情報蓄積部２４に蓄積されたマスクブランク用透明基板１の透過率測定データ及び（必要に応じて）基板の識別番号、マスクブランク２の透過率測定データ及び／又は位相差測定データ及びマスクブランクの識別番号を、通信回線４０を介してマスク製造部門のサーバ３０に送る。送信する測定データやその送り先は、マスクブランク２の納品情報に含まれる識別番号やサーバアドレスにもとづいて特定される。
【００４０】
マスク製造部門のサーバ３０は、受信部３１、第一のインターフェース３２、第二のインターフェース３３、処理部３４及び情報蓄積部３５（基板情報蓄積手段、マスクブランク情報蓄積手段、マスクパターン情報蓄積手段）を備えている。
受信部３１は、ブランクス製造部門のサーバ２０からマスクブランク用透明基板１の透過率測定データ及び基板の識別番号、マスクブランク２の透過率測定データ及び／又は位相差測定データ及びマスクブランクの識別番号を受信して処理部３４に送る。
第一のインターフェース３２は、マスク製造装置３０１に接続されており、情報蓄積部３５に蓄積された情報をデータ変換してマスク製造装置３０１の制御部３１１に送る。
第二のインターフェース３３は、マスク検査装置３０２に接続されており、マスク検査装置３０２から入力されるマスク３の測定データ及びマスクの識別番号を変換して処理部３４に送る。
【００４１】
処理部３４は、受信部３１から受け取ったマスクブランク用透明基板１の透過率測定データ及び（必要に応じて）基板の識別番号、マスクブランク２の透過率測定データ及び／又は位相差測定データ及びマスクブランクの識別番号を情報蓄積部３５に蓄積する。これらの蓄積データは、マスクブランク用透明基板１及びマスクブランク２の光学特性を保証するものであり、様々な利用方法が考えられる。例えば、これらのデータをマスク製造装置３０１の制御部３１１に送り、マスクパターンの形成位置の決定のため、あるいは、マスクパターンデータの補正などに用いることができる。
【００４２】
マスク製造装置３０１は、情報蓄積手段３５からの情報を制御部３１１に入力し、このデータにもとづいてマスクパターンの形成を行う。また、マスク検査装置３０２は、形成したマスクパターンを検査し、その結果を処理部３４にフィードバックしている。処理部３４は、検査結果を情報蓄積部３５に蓄積するとともに、マスクパターン形成時の補正データとして用いる場合には、マスク製造装置３０１の制御部３１１に送る。
【００４３】
つぎに、本発明のマスクブランク提供方法に係るマスクブランク用透明基板の製造方法及び提供方法、並びに、マスクブランクの製造方法及び提供方法について、図３〜図６を参照して説明する。
図３は、マスクブランク用透明基板の製造方法を示す説明図、図４は、マスクブランクの製造方法を示す説明図、図５は、スパッタリング装置の概略図、図６は、スパッタリング装置の要部拡大図である。
【００４４】
［マスクブランク用透明基板の製造方法］
（工程１−ａ）
まず、合成石英ガラスインゴットを作製し、これを所定寸法（例えば、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．５ｍｍ）に切り出して合成石英ガラス板を作製する。合成石英ガラス板の製造方法としては、例えば、特開平８−３１７２３号公報や特開２００３−８１６５４号公報に記載された公知の方法を用いることができる。
【００４５】
（工程１−ｂ）
つぎに、合成石英ガラス板に面取り加工を施し、合成石英ガラス板の両主表面を含む表面を、露光波長に対する透過率が測定できる程度鏡面になるように研磨する。
【００４６】
（工程１−ｃ）
つぎに、研磨された合成石英ガラス基板の一主表面の複数箇所（例えば、９箇所）に重水素ランプ（波長１９３ｎｍ）を照射し、基板面内の透過率（透過率ばらつき）を測定する。なお、透過率の測定は、例えば、分光光度計（日立製作所社製Ｕ−４１００）を用いて行い、検査光の入射光量と出射光量の差から算出することができる。
このとき、ＡｒＦエキシマレーザー露光用のマスクブランクに求められる光学特性（透過率）の面内ばらつきは、６．０％±０．２％であることから、薄膜の透過率ばらつきを考慮したガラス基板に求められる基板面内の透過率のばらつき（マスクブランク用ガラス基板の仕様）は、９０％±２％と設定することができる。
なお、上述の合成石英ガラス基板の表面を所望の表面粗さに仕上げるために、再度、両主表面が含まれる表面を精密研磨してもよい。
また、基板面内の透過率の測定結果と合成石英ガラス基板の対応付けを可能にするために、ガラス基板の内部に基板の識別番号を付与する。例えば、特開２００４−８３３７７号公報等に記載されているような公知の手法を用いて、識別番号を付与することができる。
【００４７】
（工程１−ｄ）
つぎに、合成石英ガラス基板と上述の測定結果を対応付けする。例えば、ガラス基板に直接識別番号を付与する場合においては、ガラス基板に付与された基板の識別番号と、測定結果が保存されているファイル名との関連付けを行う。また、ガラス基板に直接識別番号を付与しない場合は、後述するマスクブランク用透明基板が複数枚収納可能なガラス基板収納容器に、各ガラス基板に対応する基板の識別番号を付与し、測定結果が保存されているファイル名と関連付けを行っても良い。
【００４８】
（工程１−ｅ）
この得られた合成石英ガラス基板は、公知のガラス基板収納容器（例えば、特開２００３−２６４２２５号公報に記載のもの）に複数枚収納して、マスクブランクを製造するマスクブランク製造部門に提供する。
このとき、合成石英ガラス基板の基板面内の透過率ばらつきも、合成石英ガラス基板とともにブランクス製造部門に提供される。上記の基板面内の透過率ばらつきデータは、前述のように通信回線を介して、マスクブランク製造部門のサーバに提供しても良いし、マスクブランク製造部門側から素材・加工部門のサーバにアクセスしてデータを読み出しても良いし、ファクシミリや電子メールを利用してデータを提供してもよい。
【００４９】
また、基板面内の透過率ばらつきデータは、合成石英ガラス基板が収容されているガラス基板収納容器に添付してマスクブランク製造部門に提供しても良い。この場合、透過率ばらつきデータは、紙媒体や記憶媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ等）に記録され、ガラス基板収納容器に添付される。
なお、上述の説明では示さなかったが、適宜、洗浄工程を設けることもできる。
【００５０】
また、マスクブランク用透明基板の製造方法においては、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザー等のような、露光光源の波長領域が１４０ｎｍ〜２００ｎｍの短波長域においても基板内面の透過率のばらつきを保証することができる。したがって、マスクブランク用透明基板の仕様の逸脱を防止することができる。
【００５１】
［マスクブランク用透明基板の提供方法］
つぎに、素材・加工部門で製造されたマスクブランク用透明基板を、露光波長に対する透明基板面内の透過率ばらつきデータとともにブランクス製造部門に提供するマスクブランク用透明基板の提供方法について説明する。
【００５２】
素材・加工部門で製造されたマスクブランク用透明基板は、透過率測定装置１００で透過率を測定された後、ガラス基板収納容器に複数枚収納してマスクブランク製造部門に提供される。ガラス基板収納容器に収納されているガラス基板には、個々のガラス基板が識別可能なように基板の識別番号が付与されている。この識別番号は、前述したサーバに蓄積されているガラス基板面内の透過率ばらつきデータと対応付けされている。
【００５３】
各ガラス基板の測定データは、測定点番号、測定点座標（Ｘ座標、Ｙ座標）及び透過率を含む表形式のデータであり、測定データ毎にファイル名（例えば、ＡｒＦＱＺ２００４０６０７−０００００１、ＡｒＦＱＺ２００４０６０７−０００００２、…）を付与して保存される。測定データは、表形式に限らず、基板面内の透過率分布を視覚的に示すものであっても良い。また、ファイル名は、測定データ毎に付与することなく、ガラス基板収納容器単位で付与しても良いし、マスクブランク製造部門に提供した複数枚のガラス基板単位で付与しても良い。
【００５４】
測定データが保存されたファイルは、例えば、通信回線を利用してマスクブランク製造部門に送信され、マスクブランク製造部門のサーバに保存される。マスクブランク製造部門では、ガラス基板収納容器に収容されたガラス基板の識別番号をもとに、基板面内の透過率ばらつきデータを特定し、そのガラス基板面内の透過率ばらつきを確認することができる。
【００５５】
ガラス基板面内の透過率ばらつきデータは、単に確認するために利用することもできるし、ガラス基板上に形成する薄膜の種類を選定するための情報として利用しても良いし、マスクブランクに使用される露光波長を選定するための情報として利用しても良いし、マスク製造部門に対してガラス基板の光学特性を保証するための情報として利用しても良い。ただし、透過率ばらつきデータの利用方法は、上記の利用方法に限定されない。
【００５６】
［マスクブランクの製造方法］
（工程２−ａ）
素材・加工部門から提供された、上述の光学特性（基板面内の透過率ばらつきが９０％±２％）が保証されたマスクブランク用ガラス基板を準備する。このガラス基板には、基板面内の透過率ばらつきデータと対応付けが可能な基板の識別番号が基板内部に付与されている。
ガラス基板１の選定は、選定手段２５において、ガラス基板上に形成する薄膜の種類に適した透過率を有するものを検索することによって行う。
【００５７】
（工程２−ｂ）
つぎに、ガラス基板の主表面上にマスクパターンとなる薄膜（ハーフトーン膜）をスパッタリング法により形成する。ハーフトーン膜の成膜は、面内の透過率ばらつき、面内の位相差ばらつきを抑えるために、以下の構成を有するスパッタリング装置で行うことが好ましい。
【００５８】
このスパッタリング装置５０は、図５に示すように、真空槽５１を有しており、この真空槽５１の内部にマグネトロンカソード５２及び基板ホルダ５３が配置されている。マグネトロンカソード５２には、バッキングプレート５４に接着されたスパッタリングターゲット５５が装着されている。バッキングプレート５４は、水冷機構により直接又は間接的に冷却されており、マグネトロンカソード５２とバッキングプレート５４及びスパッタリングターゲット５５は、電気的に結合されている。また、基板ホルダ５３には、透明基板１が装着されている。
【００５９】
なお、スパッタリングターゲット５５と透明基板１は、図６に示すように、対向する面が所定の角度をなすように配置されている。この場合、スパッタリングターゲット５５と透明基板１のオフセット距離（例えば、３４０ｍｍ）、ターゲット−基板間垂直距離（例えば、３８０ｍｍ）、ターゲット傾斜角（例えば、１５°）が適宜定められる。
【００６０】
真空槽５１は、排気口５６を介して真空ポンプにより排気されている。真空槽内の雰囲気が、形成する膜の特性に影響しない真空度まで達した後、ガス導入口５７から窒素を含む混合ガスを導入し、ＤＣ電源５８を用いてマグネトロンカソード５２に負電圧を加え、スパッタリングを行う。ＤＣ電源５８は、アーク検出機能を持ち、スパッタリング中の放電状態を監視できる。真空槽５１内部の圧力は、圧力計５９によって測定されている。透明基板上に形成するハーフトーン膜の透過率は、ガス導入口５７から導入するガスの種類及び混合比により調整する。混合ガスがアルゴンと窒素である場合には、窒素の比率を大きくすることで、透過率が上昇する。窒素の比率を調整するだけでは所望の透過率が得られない場合、窒素を含む混合ガスに酸素を添加することで、さらに透過率を上昇させることが可能である。ハーフトーン膜の位相角は、スパッタリング時間により調整し、露光波長における位相角を約１８０°に調整することができる。
【００６１】
（工程２−ｃ）
つぎに、光学特性測定装置２００によってハーフトーン膜における光学特性を測定する。具体的には、ハーフトーン膜表面の９箇所に重水素ランプ（波長１９３ｎｍ）を照射し、面内の透過率（透過率ばらつき）及び面内の位相差（位相差ばらつき）を測定する。なお、透過率の測定は、分光計（日立製作所社製Ｕ−４１００）を用いて行い、位相差の測定は、位相差測定機（レーザーテック社製ＭＰＭ−１９３）を用いて行うことができる。
このとき、ＡｒＦエキシマレーザー露光用のマスクブランクに求められる光学特性（透過率、位相差）の面内ばらつきは、それぞれ、６．０％±０．２％、１８０°±３°であることから、これらの仕様に合っているか確認を行う。
【００６２】
（工程２−ｄ）
つぎに、ハーフトーン膜付き基板と上述の測定結果を対応付けする。例えば、上述のガラス基板に付与された基板の識別番号を利用して、測定結果が保存されているファイル名との関連付けを行う。ガラス基板に付与された基板の識別番号を利用することにより、ガラス基板面内の透過率ばらつきの測定結果と対応付けをすることができる。または、ハーフトーン膜付きガラス基板に直接又は間接的にマスクブランクの識別番号を付与し、マスクブランクの識別番号とハーフトーン膜の透過率ばらつき、位相差ばらつきの測定結果と対応させ、ガラス基板の識別番号とマスクブランクの識別番号を対応させることで、ガラス基板面内の透過率ばらつきの測定結果を対応付けることができる。
ガラス基板面内の透過率ばらつきと、ハーフトーン膜の透過率、位相差ばらつきは、例えば、ガラス基板のコーナ部に形成されているノッチマークを基準に測定点の座標系を一致させると良い。
【００６３】
（工程２−ｅ）
つぎに、ハーフトーン膜表面にレジスト膜を塗布形成した後、加熱処理してレジスト膜を形成し、マスクブランク（ハーフトーン型位相シフトマスクブランク）を得る。
【００６４】
（工程２−ｆ）
この得られたマスクブランクは、公知のブランクス収納容器（例えば、特公平１−３９６５３号公報等に記載のもの）に複数枚収納して、マスクを製造するマスク製造部門に提供する。
このとき、マスクブランクの面内の透過率ばらつきや位相差ばらつきも、マスクブランクとともにマスク製造部門に提供される。また、ガラス基板面内の透過率ばらつきデータも一緒にマスク製造部門に提供する。これらのデータは、前述のように通信回線を介して、マスク製造部門のサーバに提供しても良いし、マスク製造部門側からマスクブランク製造部門のサーバにアクセスしてデータを読み出しても良いし、ファクシミリや電子メールを利用してデータを提供してもよい。
【００６５】
また、上記のデータは、マスクブランクが収容されているブランクス収納容器に添付してマスク製造部門に提供しても良い。この場合、データは、紙媒体や記憶媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ等）に記録され、ブランクス収納容器に添付される。
なお、ブランクス収納容器に収納されているマスクブランクと、測定データと対応付けするために、ガラス基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成した後、上述のハーフトーン膜や遮光膜、レジスト膜に対してレーザー光を照射して、マスクブランクを個々に特定可能なマスクブランクの識別番号を付与しても良い。
【００６６】
また、マスクブランクの製造方法においては、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザー等のような、露光光源の波長領域が１４０ｎｍ〜２００ｎｍの短波長域においても基板内面の透過率のばらつきを保証することができる。したがって、マスクブランクの仕様の逸脱を防止することができる。
【００６７】
［マスクブランクの提供方法］
つぎに、マスクブランク製造部門で製造されたマスクブランクを、露光波長に対するマスクブランク面内の透過率ばらつきデータ等とともにマスク製造部門に提供するマスクブランクの提供方法について説明する。
【００６８】
ブランクブランク製造部門で製造されたマスクブランクは、ブランクス収納容器に複数枚収納してマスク製造部門に提供される。ブランクス収納容器に収納されているマスクブランクには、個々のマスクブランクが識別可能なようにマスクブランクの識別番号が付与されている。この識別番号は、前述したサーバに保存されているマスクブランク面内の透過率ばらつき、位相差ばらつき等の測定データと対応付けされている。
【００６９】
各マスクブランクの測定データは、測定点番号、測定点座標（Ｘ座標、Ｙ座標）、透過率及び位相差を含む表形式のデータであり、測定データ毎にファイル名（例えば、ＡｒＦＨＴ２００４０６０７−１００００１、ＡｒＦＨＴ２００４０６０７−１００００２、…）を付与し、ガラス基板面内の透過率ばらつきデータと対応付けて保存される。測定データは、表形式に限らず、マスクブランク面内の透過率ばらつきや位相差ばらつきを視覚的に示すものであっても良い。また、ファイル名は、測定データ毎に付与することなく、ブランクス収納容器単位で付与してもよいし、マスク製造部門に提供した複数枚のマスクブランク単位で付与しても良い。
【００７０】
測定データが保存されたファイルは、例えば、通信回線を利用してマスク製造部門に送信され、マスク製造部門のサーバに保存される。マスク製造部門では、ブランクス収納容器に収容されたマスクブランクの識別番号をもとに、薄膜面内の透過率ばらつきデータ及び薄膜面内の位相差ばらつきデータを特定し、そのマスクブランクの薄膜面内の透過率ばらつき及び／又は薄膜面内の位相差ばらつきを確認することができる。
【００７１】
ガラス基板の基板面内の透過率ばらつきデータ、マスクブランクの薄膜面内の透過率ばらつきデータ及び／又は薄膜面内の位相差ばらつきデータは、単に確認するために利用することもできるし、マスク製造装置３０１によってガラス基板上にマスクパターンを形成する際の、マスクパターンの形成位置を決定する情報として利用したり、形成するマスクパターンデータを補正するための情報として利用することもできるし、あるいは、半導体を製造するデバイス製造部門に対してマスクの光学特性を保証するための情報として利用してもよい。ただし、ガラス基板の基板内面の透過率ばらつきデータ、マスクブランクの薄膜面内の透過率のばらつきデータ及び／又は薄膜面内の位相差ばらつきデータの利用方法は、上記の利用方法に限定されない。
【００７２】
なお、上述のマスクブランクは、マスクブランク用ガラス基板上にハーフトーン膜が形成されたハーフトーン型位相シフトマスクブランク、マスクブランク用ガラス基板上にハーフトーン膜と遮光膜が形成されたハーフトーン型位相シフトマスクブランクや、マスクブランク用ガラス基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクマスクブランク、基板掘り込み型位相シフトマスクブランク等、マスクブランク用ガラス基板上にマスクパターンとなる薄膜が形成されたマスクブランクを指す。また、上述の薄膜上にレジスト膜を形成したレジスト膜付きマスクブランクであっても良い。
【００７３】
また、本発明のマスクブランクは、ＡｒＦエキシマレーザー露光用マスクブランク、Ｆ２エキシマレーザー露光用マスクブランク等のように、露光光源の波長領域が１４０ｎｍ〜２００ｎｍのマスクブランクに特に有効である。
また、透明基板の材料としては、合成石英ガラスに限らず、弗素ドープ合成石英ガラス、弗化カルシウム等を用いることができる。
【００７４】
つぎに、本発明に係るマスクの製造方法について、図７を参照して説明する。
図７は、マスクの製造方法を示す説明図である。
【００７５】
［マスクの製造方法］
（工程３−ａ）
上述の光学特性（基板面内の透過率ばらつきが９０％±２％）が保証されたマスクブランク用ガラス基板上に、薄膜面内の透過率ばらつきが６．０％±０．２％、薄膜面内の位相差ばらつきが１８０°±３°と光学ばらつきが保証されたハーフトーン膜とレジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する。
【００７６】
（工程３−ｂ、３−ｃ）
つぎに、マスク製造装置３０１によって、マスクブランクにおけるレジスト膜に所定のパターンを描画・現像処理し、レジストパターンを形成する。なお、このとき、ガラス基板の基板面内の透過率ばらつき、マスクブランクの薄膜面内の透過率ばらつき、位相差ばらつき等のデータからガラス基板上に形成するマスクパターンの形成位置や配置を決定した後、描画・現像処理することもできるし、マスクパターンを設計する段階で被転写体に対する転写パターンが所望のパターン形状となるように、マスクパターンデータを補正した後、描画・現像処理することもできる。
【００７７】
（工程３−ｄ）
つぎに、上記レジストパターンをマスクにして、ハーフトーン膜をドライエッチングし、ハーフトーン膜パターンを形成する。
【００７８】
（工程３−ｅ）
最後に、レジストパターンを除去して、ガラス基板上にハーフトーン膜パターンが形成されたマスクを得る。
この得られたマスクにペリクルを装着し、公知のマスク収納容器に収納して、半導体デバイスを製造するデバイス製造部門に提供する。
【００７９】
［実施例及び比較例］
以下、実施例及び比較例を示し、本発明に係るマスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランク用透明基板の提供方法、マスクブランクの製造方法、マスクブランクの提供方法及びマスクの製造方法を具体的に説明する。
【００８０】
（実施例１）
４塩化珪素＋水素＋酸素の燃焼により作製した合成石英ガラスインゴットから、約１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．５ｍｍに切り出して、合成石英ガラス板１００枚を作製した。
つぎに、合成石英ガラス板に面取り加工を施し、合成石英ガラス板の両主表面を含む表面を、露光波長に対する透過率が測定できるように表面粗さＲａ（算術平均表面粗さ）が０．５ｎｍ以下となるように研磨した。
また、後述する基板面内の透過率の測定データと合成石英ガラス基板の対応付けを可能にするために、ガラス基板の内部に公知の手法を用いて基板の識別番号を付与した。
【００８１】
つぎに、研磨された合成石英ガラス基板の一主表面の９箇所に重水素ランプ（波長１９３ｎｍ）を照射し、基板面内の透過率（透過率ばらつき）を測定した。なお、透過率の測定は、分光光度計（日立製作所社製Ｕ−４１００）を用いて行い、検査光の入射光量と出射光量の差から算出した。
この１００枚の合成石英ガラス基板の基板面の透過率の測定データを、上述のガラス基板の識別番号を対応付けてパソコン等の情報蓄積手段に保存した。
１００枚の合成石英ガラス基板面内の透過率ばらつきは、９０％±２％であった。これはブランクス製造部門から指示された仕様を満足するものであった。
この得られた合成石英ガラス基板は、公知のガラス基板収納容器に５枚ずつ収納した。
【００８２】
合成石英ガラス基板が収納されたガラス基板収納容器をマスクブランク製造部門に提供した。
測定データが保存されたファイルは、通信回線を利用してマスクブランク製造部門内のサーバに提供した。マスクブランク製造部門のサーバには、素材・加工部門から送信されたファイルが保存される。
マスクブランク製造部門は、ガラス基板収納容器に収納されたガラス基板の識別番号を利用して、送信されてきたファイル名と対応付けられた基板面内の透過率ばらつきデータを確認することができる。
【００８３】
マスクブランク製造部門は、素材・加工部門から提供されたガラス基板面内の透過率ばらつきのデータからＡｒＦエキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクブランクに適したガラス基板であるか選定、又は確認する。
【００８４】
つぎに、上述のスパッタリング装置を用い、ＡｒＦエキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを１００枚作製した。
具体的には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝８：９２ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：Ｎ２＝１０％：９０％、圧力：０．１Ｐａ）で、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、合成石英ガラス基板上に窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）のハーフトーン膜（膜厚約６７ｎｍ）を形成した。なお、ハーフトーン膜の膜組成は、Ｍｏ：Ｓｉ：Ｎ＝７：４５：４８である。
【００８５】
上述の工程２−ｃの方法により、作製された１００枚のハーフトーン膜面内の透過率ばらつき、位相差ばらつきを測定したところ、１００枚すべてハーフトーン膜面内の透過率ばらつきは６．０％±０．２％、位相差ばらつきは１８０°±３°であり、仕様に合っていることを確認した。
つぎに、ハーフトーン膜にレーザー光を照射して各ハーフトーン膜付き基板を個々に識別するためのマスクブランクの識別番号を付与した。この識別番号を利用して、上述の測定結果が保存されているファイル名との関連付けを行った。なお、同時にガラス基板に付与された基板の識別番号を利用して、ガラス基板面内の透過率ばらつきの測定結果と対応付けもあわせて行った。
【００８６】
つぎに、回転塗布装置によりレジスト膜を塗布・形成した後、加熱処理して、ハーフトーン膜上に膜厚４００ｎｍのレジスト膜を形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを得た。
この１００枚のマスクブランクのハーフトーン膜面内の透過率、位相差の測定データを、上述のマスクブランクの識別番号と対応付けてサーバに保存した。
１００枚のマスクブランクのハーフトーン膜面内の透過率ばらつきは、６．０％±０．２％、ハーフトーン膜面内の位相差ばらつきは、１８０°±３°であった。これはマスク製造部門から指示された仕様を満足するものであった。
この得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、公知のブランクス収納容器に５枚ずつ収納した。
【００８７】
マスクブランクが収納されたブランクス収納容器をマスク製造部門に提供した。
測定データが保存されたファイルは、通信回線を利用してマスク製造部門のサーバに提供した。マスク製造部門のサーバには、マスクブランク製造部門から送信されたファイルが保存される。
マスク製造部門は、ブランクス収納容器に収納されたマスクブランクの識別番号を利用して、送信されてきたファイル名と対応付けられたハーフトーン膜面内の透過率ばらつき、ハーフトーン膜面内の位相差ばらつきのデータを確認することができる。
【００８８】
マスク製造部門は、マスクブランク製造部門から提供されたガラス基板面内の透過率ばらつき、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクのハーフトーン膜面内の透過率ばらつき、位相差ばらつきのデータを利用し、ガラス基板上に形成するマスクパターンの配置を決定する。具体的には、透過率や位相差の平均値又は中心値と、測定データとの差が比較的大きい領域は、被転写体にマスクパターンを転写するパターンの形成された転写パターン形成領域外になるように基板の向きを変えて決定する。
つぎに、レジスト膜に所定のパターンを描画・現像処理し、レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして、酸素系ガスと弗素系ガスの混合ガス雰囲気によるドライエッチングによりハーフトーン膜パターンを形成した。
最後にハーフトーン膜パターン上に形成しているレジスト膜を除去し、ペリクルを装着してマスクを作製した。
【００８９】
得られたマスクをステッパーに装着し、レジスト膜が形成された半導体基板上にマスクパターンを転写し、半導体基板上に所望のパターンを形成して半導体デバイスを作製した。得られた半導体デバイスには、パターン欠陥はなく良好であった。
【００９０】
（比較例）
精密研磨前における合成石英ガラス板の透過率がある所定以上に保証されたガラス板の表面を精密研磨し、１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ×６．３５ｍｍの合成石英ガラス基板を用意した。
つぎに、実施例１と同様に、上述のスパッタリング装置を用い、ＡｒＦエキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを１００枚作製した。
【００９１】
上述の工程２−ｃ方法により、作製された１００枚のハーフトーン膜面内の透過率ばらつき、位相差ばらつきを測定したところ、透過率ばらつきが６．０％±０．２％、位相差ばらつきが１８０°±３°の仕様に合ったものは、１００枚中９４枚で、６枚が仕様から外れる結果となった。
仕様から外れた６枚について、合成石英ガラス基板からハーフトーン膜を剥がした後、再研磨して合成石英ガラス基板の基板面内の透過率ばらつきを測定したところ、レンジで９０％±１０％と透過率がばらついていたことが確認された。
【００９２】
この比較例のハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用いて、上述の実施例と同様にハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。得られたハーフトーン型位相シフトマスクに形成されているハーフトーン膜からなるマスクパターンには、パターン欠陥はなかった。そして、このハーフトーン型位相シフトマスクをステッパーに装着し、レジスト膜が形成された半導体基板上にマスクパターンを転写し、半導体基板上に所望のパターンを形成して半導体デバイスを作製した。得られた半導体デバイスには、ガラス基板の透過率ばらつきが原因とみられるパターン欠陥が見つかった。
【００９３】
このように、露光波長に対する合成石英ガラス基板面内の透過率ばらつきが保証されていないガラス基板を使用してＡｒＦエキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを作製した場合、一定の割合で仕様に合わないもの、そして半導体デバイスのパターン不良が発生するが、実施例のように、合成石英ガラス基板面内の透過率ばらつきを保証されたガラス基板を使用した場合、作製されたすべてのマスクブランクが仕様を満足する結果となり、半導体デバイスのパターン不良はなく良好であった。
【００９４】
また、上述の実施例では、ＡｒＦエキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの例しか挙げなかったが、これに限らず、Ｆ２エキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクブランクや、透明基板上に遮光膜（レジスト膜を形成しても良い）のみを形成したバイナリ−フォトマスクやクロムレスマスク用のフォトマスクブランクの場合も同様である。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明は、マスクブランク提供システム、マスクブランク提供方法、マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法に適用される。透明基板やマスクブランクの光学特性を保証することにより、マスクブランクの光学特性に係る仕様の逸脱や、被転写体のパターン欠陥を防止でき、特に、露光光源としてＡｒＦエキシマレーザーやＦ２エキシマレーザーを用いる場合に好適である。
【符号の説明】
【００９６】
１  マスクブランク用透明基板
２  マスクブランク
３  マスク
１０  素材・加工部門のサーバ
１３  情報蓄積部
２０  マスクブランク製造部門のサーバ
２４  情報蓄積部
２５  選定部
３０  マスク製造部門のサーバ
３５  情報蓄積部
４０  通信回線
【図１】
2010122711.tif 000003
【図２】
2010122711.tif 000004
【図３】
2010122711.tif 000005
【図４】
2010122711.tif 000006
【図５】
2010122711.tif 000007
【図６】
2010122711.tif 000008
【図７】
2010122711.tif 000009