(57)【要約】【課題】データ率を向上することが可能なレイアウト設計データを生成するマスクパターン生成装置を提供する。【解決手段】マスクパターン生成装置１は、測定部３と、変更部４と、を含む。測定部３は、半導体装置の回路素子を構成する素子パターンと、回路素子を構成しないダミーパターンと、を含むレイアウト設計データに基づいて、ダミーパターンと他のパターンとの間隔を測定する。変更部４は、測定部３にて測定された間隔が予め指定された指定値よりも大きい場合、その間隔を規定しているダミーパターンを拡大して、その間隔が短縮するように、レイアウト設計データを変更する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の回路素子を構成する素子パターンと、前記回路素子を構成しないダミーパターンと、を含むレイアウト設計データに基づいて、前記ダミーパターンと前記ダミーパターンと異なる他のパターンと、の間隔を測定する測定部と、
前記測定部にて測定された前記間隔が、予め指定された指定値よりも大きい場合、当該間隔を規定しているダミーパターンのサイズを拡大して当該間隔が短縮するように、前記レイアウト設計データを変更する変更部と、
を含むマスクパターン生成装置。
【請求項２】
請求項１に記載のマスクパターン生成装置において、
前記変更部は、前記間隔が前記指定値よりも大きい場合、当該間隔を規定しているダミーパターンを拡大して当該間隔が前記指定値になるように、前記レイアウト設計データを変更する、マスクパターン生成装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のマスクパターン生成装置において、
前記ダミーパターンは、多角形のパターンであり、
前記変更部は、前記間隔が前記指定値よりも大きい場合、当該間隔を規定しているダミーパターンが有する複数の辺のうち当該間隔を規定している特定辺のみを移動すると共に、前記特定辺を移動する前に前記特定辺と接していた辺が、前記特定辺を移動した後も前記特定辺と接するように伸長することによって、当該間隔を規定しているダミーパターンを拡大して、当該間隔が短縮するように、前記レイアウト設計データを変更する、マスクパターン生成装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載のマスクパターン生成装置において、
前記変更部は、前記間隔が前記指定値よりも大きい場合、当該間隔を規定しているダミーパターンと他のパターンとの間のスペースに、前記ダミーパターンと接すると共に前記他のパターンとの距離が前記指定値である矩形ダミーパターンを生成し、当該矩形ダミーパターンを前記ダミーパターンに結合することによって、前記ダミーパターンを拡大して、当該間隔が短縮するように、前記レイアウト設計データを変更する、マスクパターン生成装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のマスクパターン生成装置において、
前記他のパターンは、前記素子パターンである、マスクパターン生成装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載のマスクパターン生成装置において、
前記他のパターンは、他のダミーパターンである、マスクパターン生成装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載のマスクパターン生成装置にて生成されたレイアウト設計データに基づいて製造したマスクを用いて製造した半導体装置。
【請求項８】
半導体装置の回路素子を構成する素子パターンと、前記回路素子を構成しないダミーパターンと、を含むレイアウト設計データに基づいて、前記ダミーパターンと該ダミーパターンと異なる他のパターンと、の間隔を測定する測定ステップと、
前記測定ステップにて測定された前記間隔が、予め指定された指定値よりも大きい場合、当該間隔を規定しているダミーパターンのサイズを拡大して当該間隔が短縮するように、前記レイアウト設計データを変更する変更ステップと、
を含むマスクパターン生成方法。
【請求項９】
請求項８に記載のマスクパターン生成方法において、
前記変更ステップは、前記間隔が前記指定値よりも大きい場合、当該間隔を規定しているダミーパターンを拡大して当該間隔が前記指定値になるように、前記レイアウト設計データを変更する、マスクパターン生成方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載のマスクパターン生成方法において、
前記ダミーパターンは、多角形のパターンであり、
前記変更ステップは、前記間隔が前記指定値よりも大きい場合、当該間隔を規定しているダミーパターンが有する複数の辺のうち当該間隔を規定している特定辺のみを移動すると共に、前記特定辺を移動する前に前記特定辺と接していた辺が、前記特定辺を移動した後も前記特定辺と接するように伸長することによって、当該間隔を規定しているダミーパターンを拡大して、当該間隔が短縮するように、前記レイアウト設計データを変更する、マスクパターン生成方法。
【請求項１１】
請求項８または９に記載のマスクパターン生成方法において、
前記変更ステップは、前記間隔が前記指定値よりも大きい場合、当該間隔を規定しているダミーパターンと他のパターンとの間のスペースに、前記ダミーパターンと接すると共に前記他のパターンとの距離が前記指定値である矩形ダミーパターンを生成し、当該矩形ダミーパターンを前記ダミーパターンに結合することによって、前記ダミーパターンを拡大して、当該間隔が短縮するように、前記レイアウト設計データを変更する、マスクパターン生成方法。
【請求項１２】
請求項８から１１のいずれか１項に記載のマスクパターン生成方法において、
前記他のパターンは、前記素子パターンである、マスクパターン生成方法。
【請求項１３】
請求項８から１１のいずれか１項に記載のマスクパターン生成方法において、
前記他のパターンは、他のダミーパターンである、マスクパターン生成方法。
【請求項１４】
請求項８から１３のいずれか１項に記載のマスクパターン生成方法にて生成されたレイアウト設計データに基づいて製造したマスクを用いて製造した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造に用いられるマスクパターンの生成に関し、特に、半導体装置の動作に必要な素子パターンに加えて生成されるダミーパターンの生成に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の平坦化技術が採用されている。このＣＭＰによる平坦化時の過研磨等の問題を回避するために、マスクパターンとして、半導体装置の動作に必要な素子パターンに加えて、半導体装置の本来の動作には無関係なダミーパターンを配置することが行われている。
【０００３】
その１つの例として、特許文献１には、シリコン基板１１に、回路動作に必要な複数個の凸部１２が例えば回路パターンとして配列形成され、凸部１２の配置密度が疎となる領域に、回路動作には無用な第１のダミー凸部１３を配列することが記載されている。ここで、第１のダミー凸部１３は矩形パターン（正方形パターン）をもって周期的に配列される。しかし、第１のダミー凸部１３の規則的な配列では未だ埋められない疎の領域が残るので、更に第１のダミー凸部１３では埋められない領域に、任意形状の第２のダミー凸部１４を配置して平坦化のバラツキを低減することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１１４２５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載されたような手法を用いてダミーパターンを生成する場合、以下のような問題があることを本願発明者は知見した。
【０００６】
つまり、素子パターン（特許文献１における回路パターン）の空きスペースに、第１のダミー凸部１３のような一定サイズのダミーパターンを生成する処理を行っても、素子パターンに依存した空きスペースの形状により、一定サイズのダミーパターンを生成できないことがある。これは、ダミーパターンの生成の際、空きスペースがダミーパターンのサイズと予め設定されたパターン間隔との合計値以下となったとき、ダミーパターンの生成が不可能となるためである。
【０００７】
また、予め複数のサイズのダミーパターンを準備し、複数のサイズのダミーパターンの中に空きスペースの形状に適したサイズのダミーパターンがあれば、そのダミーパターンを、設計データ上の空きスペースに生成することが考えられる。しかしながら、この場合も、予め準備されたダミーパターンの中に、空きスペースの形状に適したサイズのダミーパターンがないと、ダミーパターンを生成することができない空きスペースが残ることになる。
【０００８】
これらの問題は、一般的に、コンピュータを用いたマスクパターン生成装置におけるダミーパターンの生成アルゴリズムに起因して生じる。
【０００９】
さらに、特許文献１には、第１のダミー凸部１３の規則的な配列では未だ埋められない疎の領域に、任意形状の第２のダミー凸部１４を配置することが記載されている。確かに、ダミーパターン同士の間隔やダミーパターンと素子パターンとの間隔が指定値以上の空スペースについて全面をダミーパターンとする方法によれば、データ率を上げることが可能である。しかしながら、大面積のダミーパターンが生成された場合、このダミーパターンの上層または下層に配置される素子パターン（例えば配線）とダミーパターンとの間の寄生容量による容量性カップリングの影響が懸念される。さらに 半導体装置の製造時におけるＣＭＰの際、大面積ダミーパターンの部分はパターンの中央部が多く研磨され、周りが残るという問題もある。
【００１０】
そして、素子パターン（例えば配線）に隣接して延在するダミーパターンにおいては、併走する配線への容量性カップリングによる影響も懸念される。
【００１１】
更に、マスクパターンとしての設計基準（最小寸法）を満足しないようなダミーパターンが生成された場合、幅が不足して、その最小寸法を満足しない部分の修正に工数がかかってしまうという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のマスクパターン生成装置は、半導体装置の回路素子を構成する素子パターンと前記回路素子を構成しないダミーパターンとを含むレイアウト設計データに基づいて、前記ダミーパターンと前記ダミーパターンと異なる他のパターンとの間隔を測定する測定部と、前記測定部にて測定された間隔が予め指定された指定値よりも大きい場合、当該間隔を規定しているダミーパターンのサイズを拡大して当該間隔が短縮するように、前記レイアウト設計データを変更する変更部と、を含む。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ダミーパターンと他のパターンとの間隔が、予め指定された指定値よりも大きい場合、ダミーパターンを拡大して、ダミーパターンと他のパターンとの間隔が短縮するように、マスクパターンのレイアウト設計データを変更する。
【００１４】
このため、ダミーパターンの大きさを、ダミーパターンと他のパターンとの間隔に応じて変更することが可能になる。よって、パターン間の空きスペースごとに、空きスペースに応じたサイズのダミーパターンを生成することが可能になり、データ率を向上することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明のマスクパターン生成装置１を示したブロック図である。
【図２】マスクパターン生成装置１の第１実施形態の動作を説明するためのフローチャートである。
【図３】図２に示した処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図４】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図５】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図６】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図７】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図８】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図９】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図１０】本発明のマスクパターン生成装置１の第２実施形態の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１１】図１０に示した処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図１２】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図１３】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図１４】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図１５】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図１６】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図１７】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図１８】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図１９】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【図２０】変更部４の動作を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を説明する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１は、本発明のマスクパターン生成装置１を示したブロック図である。
【００１８】
図１において、マスクパターン生成装置１は、測定部３と、変更部４と、算出部５と、を含む。
【００１９】
マスクパターン生成装置１は、例えば、コンピュータであり、コンピュータが読み取り可能な記録媒体に記録されたプログラムを読み取り実行することにより、測定部３、変更部４、および、算出部５として機能する。なお、測定部３と、変更部４と、算出部５とのそれぞれは、専用のハードウェアにより実現されてもよい。
【００２０】
本発明の第１実施形態のマスクパターン生成装置１は、素子パターンとダミーパターンをレイアウトした後のマスクパターンのレイアウト設計データについて、他のパターンとの間隔が指定値以上であるダミーパターンの辺を特定し、その辺を移動してダミーパターンを拡大することによって、ダミーパターンと他のパターンとの間隔が指定値となるように、マスクパターンのレイアウト設計データを変更する。
【００２１】
マスクパターン生成装置１は、例えば、半導体装置の回路素子を構成する素子パターンとダミーパターンとのレイアウト情報を含む設計データ６を受け付ける。素子パターンは、例えば、回路を構成する配線のパターン（配線パターン）である。ダミーパターンは、回路を構成するものではなく、回路の本来の動作に無関係なパターンである。本実施形態では、ダミーパターンは、多角形である。
【００２２】
設計データ６は、入力レイアウトデータ６１と、各種設定ファイル６２と、を含む。
【００２３】
入力レイアウトデータ６１は、素子パターンのレイアウト情報である素子パターンデータと、ダミーパターンのレイアウト情報であるダミーパターンデータとが、マージ（結合）されたデータである。
【００２４】
各種設定ファイル６２は、入力レイアウトデータ６１についての、複数の素子パターンおよび複数のダミーパターンからなるマスクパターンのデータ層と、入力レイアウトデータ６１に含まれた素子パターンおよびダミーパターンのサイズと、入力レイアウトデータ６１に含まれた各パターン間の間隔等が設定された数値ファイルと、処理方向が設定された処理方向ファイルと、等を含む。
【００２５】
これらの設計データ６は、記憶部２に格納される。
【００２６】
測定部３は、記憶部２に格納されているダミーパターンと他のパターンとの間隔を測定するが、本実施形態における測定部３は、ダミーパターンと素子パターンとの間隔を測定する。また、測定部３は、ダミーパターン同士の間隔を測定する。
【００２７】
変更部４は、測定部３にて測定された間隔が予め指定された指定値よりも大きい場合、その間隔を規定しているダミーパターンのサイズを拡大して、その間隔が短縮するように、設計データ６を変更する。
【００２８】
本実施形態では、変更部４は、測定部３にて測定された間隔が指定値よりも大きい場合、その間隔を規定しているダミーパターンのサイズを拡大して、その間隔が指定値になるように、設計データ６を変更する。
【００２９】
測定部３にて測定された間隔が指定値よりも大きい場合に、変更部４は、以下のように設計データ６を変更する。
【００３０】
変更部４は、指定値よりも大きい間隔を規定しているダミーパターンの複数の辺のうち、他のパターンとの間隔が指定値よりも大きい辺（以下「特定辺」と称する）のみを移動する。このとき、変更部４は、特定辺が移動する前に特定辺と接していた他の辺が、特定辺を移動した後も特定辺と接するようにダミーパターンの他の辺（２辺）を伸長する。このように、その間隔を規定しているダミーパターンを拡大し、その間隔を短縮するように、変更部４は設計データ６を変更する。
【００３１】
算出部５は、変更部４が変更した設計データ６における素子パターンおよびダミーパターンのレイアウトについてのデータ率を算出する。算出部５は、変更部４が変更した設計データ６と、算出したデータ率と、を出力する。
【００３２】
なお、変更部４が変更した設計データ６を、再度、記憶部２に格納し、格納した設計データ６を用いて算出部５にてデータ率を算出する構成としてもよい。
【００３３】
このように、本実施形態によるマスクパターン生成装置１は、素子パターン及びダミーパターン等の設計データ６を格納する記憶部２と、記憶部２に格納されたダミーパターンと他のパターンとの間隔を測定する測定部３と、測定部３にて測定された間隔が指定値より大きい場合、その間隔を規定しているダミーパターンを拡大して、その間隔が短縮するように、設計データ６を変更する変更部４と、を含む。
【００３４】
また、本実施形態によるマスクパターン生成装置１では、変更部４は、測定部３にて測定された間隔が指定値よりも大きい場合、その間隔を規定しているダミーパターンを拡大して、その間隔を指定値とすることも可能である。
【００３５】
また、本実施形態によるマスクパターン生成装置１では、ダミーパターンは、多角形のパターンであり、変更部４は、測定部３にて測定された間隔が指定値よりも大きい場合、その間隔を規定しているダミーパターンが有する複数の辺のうちその間隔を規定している特定辺のみを移動すると共に、特定辺が移動する前に特定辺と接していた他の辺が、特定辺が移動した後も特定辺と接するようにダミーパターンの他の辺（２辺）を伸長する。これによって、その間隔を規定しているダミーパターンを拡大して、その間隔が短縮するように、変更部４は設計データ６を変更する。
【００３６】
また、本実施形態によるマスクパターン生成装置１において、上記の素子パターンおよび複数のダミーパターンのレイアウト情報を含む設計データ６は、予め、マスクパターン生成装置１のレイアウト処理により生成されたものでも良いし、または、他のマスクパターン生成装置によるレイアウト処理にて生成されたものでも良い。これらレイアウト処理により生成された設計データ６のダミーパターンと他のパターンとの間隔が、測定部３によって測定される。
【００３７】
次に、図面を参照して、動作を説明する。
【００３８】
以下では、各種設定ファイル６２内の数値ファイルに、予め指定された第１指定値ａと予め指定された第２指定値ｂとが設定されているとする。第１指定値ａと第２指定値ｂのそれぞれは、例えば、半導体装置の製造条件等により、レイアウト設計基準として決定される。
【００３９】
図２は、本発明のマスクパターン生成装置１の第１実施形態の動作を説明するためのフローチャートである。図３は、図２に示した処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【００４０】
図２において、マスクパターン生成装置１は、設計データ６を受け付けると、データ率向上処理を行う（ステップＳ１）。
【００４１】
以下、データ率向上処理を説明する。
【００４２】
まず、マスクパターン生成装置１にてデータ率向上処理される設計データ６は記憶部２に格納される。そして、記憶部２に格納された設計データ６は測定部３に提供される。また、記憶部２に格納された設計データ６は変更部４に提供される。
【００４３】
測定部３は、設計データ６の素子パターンとダミーパターンとに基づいて、素子パターンとダミーパターンとの間隔と、ダミーパターン同士の間隔を測定する。測定部３は、測定結果を変更部４に提供する。
【００４４】
変更部４は、設計データ６と測定結果とを受け付けると、まず、設計データ６に対して、素子パターンとダミーパターンとの空きスペースについての処理を行う（ステップＳ１Ａ）。
【００４５】
ここで、素子パターンとダミーパターンとの空きスペースの処理について、図３、図４および図５を参照して説明する。
【００４６】
変更部４は、予め行われたレイアウト処理により生成された設計データ６と測定部３による測定結果とを受け付けると、まず、測定結果に基づいて、素子パターンとダミーパターンとの間隔（図４の水平方向）の中から、第１指定値ａよりも広い間隔（以下「間隔ｃ」と称する）を特定する（ステップ２０１）。
【００４７】
例えば、素子パターン１Ａとダミーパターン２Ａとのレイアウト結果が、図４に示すレイアウトを示す場合、変更部４は、間隔４Ａを間隔ｃとして特定し、間隔が第１指定値ａである間隔３Ａを特定しない。なお、図４において、ｃ＞ａとする。
【００４８】
続いて、変更部４は、間隔ｃごとに、間隔ｃを規定しているダミーパターン２Ａａ〜２Ａｃが有する複数の辺のうち、その間隔ｃを規定している辺を、第１移動対象辺（特定辺）として特定する（ステップ２０２）。
【００４９】
図５を参照すると、変更部４は、図４で特定された間隔ｃを規定しているダミーパターン２Ａａ〜２Ａｃの辺５Ａａ〜５Ａｃを、第１移動対象辺として特定する。
【００５０】
続いて、変更部４は、第１移動対象辺を移動すると共に、第１移動対象辺と接している各ダミーパターンの２辺が、第１移動対象辺と接し続けるようにこれら２辺を伸長することによって、間隔ｃを規定しているダミーパターンが拡大して、間隔ｃが第１指定値ａになるように、設計データ６を変更する（ステップ２０３）。
【００５１】
図５を参照すると、変更部４は、ダミーパターン２Ａａ〜２Ａｃからダミーパターン以外のマスクパターン（素子パターン）１Ａまでの間隔が第１指定値ａになるように、ダミーパターン２Ａａ〜２Ａｃのそれぞれの辺５Ａａ〜５Ａｃを移動して、ダミーパターン２Ａａ〜２Ａｃを拡大する。
【００５２】
以上で、素子パターンとダミーパターンとの空きスペースについての処理が終了する。
【００５３】
なお、ここでは、素子パターンとダミーパターンとの水平方向の空きスペースの処理について説明した。しかしながら、素子パターンとダミーパターンとの縦方向の空きスペースがある指定値（例えば、第１指定値ａ）以上ある場合、同様に、測定部３がダミーパターン辺を移動対象辺として特定し、変更部４が、その移動対象辺を移動する処理を行う。
【００５４】
図２に戻って、続いて、変更部４は、設計データ６に対して、ダミーパターン同士の垂直方向の空きスペースについての処理を行う（ステップＳ１Ｂ）。なお、垂直方向（上下）と水平方向（左右）は、レイアウト結果に対して予め設定される。
【００５５】
ここで、ダミーパターン同士の垂直方向の空きスペースについての処理について、図３、図６および図７を参照して説明する。
【００５６】
変更部４は、上述した素子パターンとダミーパターンとの空きスペースについての処理が終了すると、測定結果に基づいて、ダミーパターン同士の間隔の中から、第２指定値ｂよりも広い間隔（以下「間隔ｄ」と称する）を特定する（ステップ２０４）。
【００５７】
図６を参照すると、変更部４は、間隔６Ａを、間隔ｄとして特定する。つまり、垂直方向（縦方向）での複数の間隔のうち、第２指定値ｂよりも広い間隔（以下「間隔ｄ」と称する）を特定する。なお、図６において、ｄ＞ｂとする。
【００５８】
続いて、変更部４は、間隔ｄごとに、間隔ｄを規定している各ダミーパターンが有する複数の辺のうち、その間隔ｄを規定している辺を特定する。この場合、ダミーパターン同士で間隔ｄを規定しているので、間隔ｄを規定している辺は、ダミーパターンのそれぞれで１つずつ特定される。つまり、１つの間隔ｄに対して、２つの辺が特定される。
【００５９】
続いて、変更部４は、間隔ｄごとに、間隔ｄに対して特定された２つの辺のうち、設計データ６内の各種設定ファイル６２に示された処理方向に対応する辺を、第２移動対象辺（特定辺）として特定する（ステップＳ２０５）。
【００６０】
ここでは処理方向が垂直（縦）方向であり、変更部４は、間隔ｄに対して特定された２つの辺のうち、ダミーパターンの下辺である辺を、第２移動対象辺として特定する。
【００６１】
図７を参照すると、変更部４は、ダミーパターン２Ａｄ〜２Ａｅのそれぞれの辺８Ａｄ〜８Ａｅを、第２移動対象辺として特定する。
【００６２】
続いて、変更部４は、第２移動対象辺を移動すると共に、第２移動対象辺と接している２辺が、第２移動対象辺と接し続けるように２辺を伸長することによって、間隔ｄを規定しているダミーパターンが拡大して、間隔ｄが第２指定値ｂになるように、設計データ６を変更する（ステップＳ２０６）。
【００６３】
図７を参照すると、変更部４は、ダミーパターン２Ａｄとダミーパターン２Ａａとの間隔、ダミーパターン２Ａｅと２Ａｆとの間隔が、それぞれ第２指定値ｂになるように、ダミーパターン２Ａｄ〜２Ａｅのそれぞれの辺８Ａｄ〜８Ａｅを移動して、ダミーパターン２Ａｄ〜２Ａｅを拡大する。
【００６４】
以上で、ダミーパターン同士の垂直方向の空きスペースについての処理が終了する。
【００６５】
図２に戻って、続いて、変更部４は、設計データ６に対して、ダミーパターン同士の水平方向の空きスペースについての処理を行う（ステップＳ１Ｃ）。
【００６６】
ここで、ダミーパターン同士の水平方向の空きスペースについての処理について、図３、図６、図８および図９を参照して説明する。
【００６７】
変更部４は、ダミーパターン同士の垂直方向の空きスペースについての処理が終了すると、ダミーパターン同士の水平（横）方向での複数の間隔のうち、第２指定値ｂよりも広い間隔（以下「間隔ｅ」と称する）を特定する。なお、図６において、ｅ＞ｂとする。
【００６８】
図６を参照すると、変更部４は、間隔７Ａを、間隔ｅとして特定する。
【００６９】
続いて、変更部４は、間隔ｅごとに、間隔ｅを規定している各ダミーパターンが有する複数の辺のうち、その間隔ｅを規定している辺を特定する。この場合も、ダミーパターン同士で間隔ｅを規定しているので、間隔ｅを規定している辺は、ダミーパターンのそれぞれで１つずつ特定される。つまり、１つの間隔ｅに対して、２つの辺が特定される。
【００７０】
続いて、変更部４は、間隔ｅごとに、間隔ｅに対して特定された２つの辺のうち、設計データ６内の各種設定ファイル６２に示された処理方向に対応する辺を、第３移動対象辺（特定辺）として特定する。
【００７１】
ここでは処理方向が水平（横）方向であり、変更部４は、間隔ｅに対して特定された２つの辺のうち、ダミーパターンの左辺である辺を、第３移動対象辺として特定する（ステップＳ２０７）。
【００７２】
図８を参照すると、変更部４は、ダミーパターン２Ａｆ〜２Ａｈのそれぞれの辺９Ａｆ〜９Ａｈを、第３移動対象辺として特定する。
【００７３】
続いて、変更部４は、第３移動対象辺を移動すると共に、第３移動対象辺と接している２辺が、第３移動対象辺と接し続けるように２辺を伸長することによって、間隔ｅを規定しているダミーパターンが拡大して、間隔ｅが第２指定値ｂになるように、設計データ６を変更する（ステップＳ２０８）。
【００７４】
図８および図９を参照すると、変更部４は、ダミーパターン２Ａｆとダミーパターン２Ａａとの間隔と、ダミーパターン２Ａｇとダミーパターン２Ａｂとの間隔と、ダミーパターン２Ａｈとダミーパターン２Ａｃとの間隔が、それぞれ第２指定値ｂになるように、ダミーパターン２Ａｆ〜２Ａｈのそれぞれの辺９Ａｆ〜９Ａｈを移動して、ダミーパターン２Ａｆ〜２Ａｈを拡大する。
【００７５】
以上で、ダミーパターン同士の水平方向の空きスペースについての処理が終了する。
【００７６】
図２に戻って、続いて、変更部４は、ステップＳ１ＡからステップＳ１Ｃまでの処理が施された設計データ６について、デザインルールチェックを実行する（ステップＳ１Ｄ、図３のステップＳ２０９）。
【００７７】
なお、デザインルールチェックは、変更後の設計データ６が示す素子パターンおよびダミーパターンのレイアウトにおいて、素子パターンとダミーパターンとの間隔が第１指定値ａとなっており、ダミーパターン同士の間隔が第２指定値ｂとなっていることを確認するために、実行される。
【００７８】
以上で、図２に示したステップＳ１のデータ率向上処理が終了する。
【００７９】
データ率向上処理が終了すると、算出部５は、変更後の設計データ６が示す素子パターンおよびダミーパターンのレイアウトのデータ率を算出し、そのデータ率と変更後の設計データ（出力レイアウトデータ７）とを出力する（ステップＳ２）。そして、この変更後の設計データには、変更部４で変更された各種設定ファイルも含まれる。
【００８０】
その後、出力レイアウトデータ７に基づいてマスクが製造され、その製造されたマスクを用いて半導体装置が製造される。
【００８１】
なお、図２に示したデータ率向上処理のステップＳ１Ａ、Ｓ１ＢおよびＳ１Ｃの処理順は、説明の便宜上、ステップＳ１Ａ、Ｓ１Ｂ、Ｓ１Ｃの順にしているが、これらのステップは、順番が入れ替えられても同等の結果が得られる。
【００８２】
本実施形態によれば、変更部４は、ダミーパターンと他のパターンとの間隔が、指定値よりも大きい場合、ダミーパターンを拡大して、ダミーパターンと他のパターンとの間隔が短縮するように、設計データ６を変更する。
【００８３】
このため、ダミーパターンの大きさを、ダミーパターンと他のパターンとの間隔に応じて変更することが可能になる。よって、パターン間の空きスペースごとに、空きスペースに応じたサイズのダミーパターンを生成することが可能になり、データ率を向上することが可能になる。
【００８４】
また、本実施形態では、変更部４は、測定部３にて測定された間隔が指定値よりも大きい場合、その間隔を規定しているダミーパターンを拡大して、その間隔が指定値になるように、設計データ６を変更する。
【００８５】
この場合、パターン間隔を予め指定された値に調節することが可能になる。
【００８６】
また、本実施形態では、変更部４は、測定部３にて測定された間隔が指定値よりも大きい場合、その間隔を規定しているダミーパターンが有する複数の辺のうちその間隔を規定している特定辺のみを移動する。このとき、変更部４は、特定辺が移動する前に特定辺と接していた他の辺が、特定辺が移動した後も特定辺と接するようにダミーパターンの他の辺を伸長する。これによって、その間隔を規定しているダミーパターンを拡大して、その間隔が短縮するように、変更部４は設計データ６を変更する。
【００８７】
この場合、ダミーパターンは、必要な個所だけ拡張する。よって、拡張の必要のないダミーパターンの部分が拡張することを防止することが可能になる。
【００８８】
また、測定部３によってダミーパターンとの間隔が測定される他のパターンが、例えば、素子パターンである場合、ダミーパターンと素子パターンとの間隔を調節することが可能になる。
【００８９】
また、測定部３によってダミーパターンとの間隔が測定される他のパターンが、例えば、他のダミーパターンである場合、ダミーパターン同士の間隔を調節することが可能になる。
【００９０】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態のマスクパターン生成装置の構成は、基本的に第１実施形態のマスクパターン生成装置１と同様であるが、変更部４によるダミーパターンの拡大の手法が、第１実施形態のマスクパターン生成装置１と異なる。
【００９１】
第２実施形態で用いられる変更部４は、ダミーパターンと他のパターンとの間隔が指定値よりも大きい場合、ダミーパターンと他のパターンとの間のスペースに、ダミーパターンと接すると共に他のパターンとの距離が指定値である矩形ダミーパターンを生成し、その矩形ダミーパターンをダミーパターンに結合することによって、ダミーパターンを拡大して、ダミーパターンと他のパターンとの間隔が短縮するように、設計データ６を変更する。
【００９２】
なお、第２実施形態で用いられる変更部４は、第１実施形態のマスクパターン生成装置内の変更部４と同様に、ダミーパターンと他のパターンとの間隔が、指定値よりも大きい場合、ダミーパターンを拡大して、ダミーパターンと他のパターンとの間隔が短縮するように、設計データ６を変更するものである。
【００９３】
さらに言えば、第２実施形態で用いられる変更部４は、測定部３にて測定された間隔が指定値よりも大きい場合、その間隔を規定しているダミーパターンを拡大して、その間隔が指定値になるように、設計データ６を変更するものである。
【００９４】
次に、第２実施形態のマスクパターン生成装置１の動作を説明する。
【００９５】
図１０は、本発明のマスクパターン生成装置１の第２実施形態の動作を説明するためのフローチャートである。図１１は、図１０に示した処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【００９６】
図１０において、マスクパターン生成装置１は、設計データ６を受け付けると、データ率向上処理を行う（ステップＳ１０）。
【００９７】
以下、データ率向上処理を説明する。なお、データ率向上処理での設計データ６の記憶部２への格納と測定部３の動作は、第１実施形態と同様なので説明は省略する。
【００９８】
変更部４は、設計データ６と測定部３での測定結果とを受け付けると、まず、設計データ６に対して、素子パターンとダミーパターンとの空きスペースについての処理を行う（ステップＳ１０Ａ）。
【００９９】
ここで、素子パターンとダミーパターンとの空きスペースの処理について、図１１〜図１４を参照して説明する。
【０１００】
変更部４は、予め行われたレイアウト処理により生成された設計データ６と測定部３での測定結果とを受け付けると、まず、測定結果に基づいて、ダミーパターンと素子パターンとの間隔が第１指定値ａ以上である空きスペースに矩形パターンを設定する（ステップＳ３０１）。この矩形パターンは、空きスペースを挟んで対向するダミーパターンと素子パターンの２つの辺に接するように設定される。
【０１０１】
例えば、素子パターン１Ａとダミーパターン２Ａとのレイアウト結果が、図１２に示すレイアウトを示す場合、変更部４は、素子パターン１Ａとダミーパターン２Ａａの間の空きスペースに矩形パターン１０Ａａを設定し、素子パターン１Ａとダミーパターン２Ａｂの間の空きスペースに矩形パターン１０Ａｂを設定し、素子パターン１Ａとダミーパターン２Ａｃの間の空きスペースに矩形パターン１０Ａｃを設定する。なお、図１２において、間隔ｆは第１指定値ａより大きい（ｆ＞ａ）とする。
【０１０２】
続いて、変更部４は、素子パターン１Ａを第１指定値ａ分オーバーサイズしたデータを形成する（ステップ３０２）。
【０１０３】
図１３を参照すると、変更部４は、素子パターン１Ａを第１指定値ａ分オーバーサイズしたデータ１１Ａを形成する。
【０１０４】
続いて、変更部４は、ステップ３０１で設定した矩形パターンから、その矩形パターンとステップ３０２で形成したデータとの一致部分を差し引く（ステップ３０３）。
【０１０５】
図１４を参照すると、変更部４は、矩形パターン１０Ａａ〜１０Ａｃから、矩形パターン１０Ａａ〜１０Ａｃとデータ１１との一致部分を差し引くこと（差分処理）を行って、図１５に示す各データ（矩形ダミーパターン）１２Ａａ〜１２Ａｃを残す。
【０１０６】
続いて、変更部４は、設計データ６に、ステップ３０３で作成したデータ（矩形ダミーパターン）をマージ（統合）する（ステップ３０４）。
【０１０７】
図１６を参照すると、変更部４は、ダミーパターン２Ａａにデータ１２Ａａが結合され、ダミーパターン２Ａｂにデータ１２Ａｂが結合され、かつ、ダミーパターン２Ａｃにデータ１２Ａｃが結合されるように、設計データ６を変更する。
【０１０８】
例えば、ダミーパターン２Ａａは、データ（矩形ダミーパターン）１２Ａａが結合されることによって拡大し、ダミーパターン２Ａａの拡大によって、ダミーパターン２Ａａと素子パターン（他のパターン）１Ａとの空きスペースが間隔ａに短縮される。
【０１０９】
以上で、素子パターンとダミーパターンとの空きスペースについての処理が終了する。
【０１１０】
図１０に戻って、続いて、変更部４は、設計データ６に対して、ダミーパターン同士の水平方向の空きスペースについての処理を行う（ステップＳ１０Ｂ）。なお、本実施形態でも、垂直方向（上下）と水平方向（左右）は、レイアウト結果に対して予め設定される。
【０１１１】
次に、ダミーパターン同士の水平方向の空きスペースについての処理について、図１１、図１７および図１８を参照して説明する。
【０１１２】
変更部４は、前述した素子パターンとダミーパターンとの空きスペースについての処理が終了すると、測定部３での測定結果に基づいて、ダミーパターン同士の間隔が第２指定値ｂ以上である空きスペースに矩形パターンを設定する（ステップＳ３０５）。この矩形パターンは、空きスペースを規定しているダミーパターンのそれぞれと接している。
【０１１３】
図１７を参照すると、変更部４は、ダミーパターン２Ａａとダミーパターン２Ａｆの間の空きスペースに矩形パターン１３Ａｆを設定し、ダミーパターン２Ａｂとダミーパターン２Ａｇの間の空きスペースに矩形パターン１３Ａｇを設定し、ダミーパターン２Ａｃとダミーパターン２Ａｈの間の空きスペースに矩形パターン１３Ａｈを設定する。
【０１１４】
また、変更部４は、ダミーパターン２Ａａとダミーパターン２Ａｄの間の空きスペースに矩形パターン１４Ａｄを設定し、ダミーパターン２Ａｆとダミーパターン２Ａｅの間の空きスペースに矩形パターン１４Ａｅを設定する。なお、図１７において、間隔ｇおよび間隔ｈは、第２指定値ｂより大きい（ｇ＞ｂ、ｈ＞ｂ）とする。
【０１１５】
続いて、変更部４は、水平方向（横方向）の間隔を基準としてステップ３０５で設定された矩形パターンを、第１矩形パターンとして特定する。
【０１１６】
図１７を参照すると、矩形パターン１３Ａｆ、１３Ａｇおよび１３Ａｈが、第１矩形パターンとして特定される。
【０１１７】
続いて、変更部４は、第１矩形パターン１３Ａｆ、１３Ａｇおよび１３Ａｈの夫々について、第１矩形パターンの辺のうちダミーパターン２Ａｆ、２Ａｇおよび２Ａｈと接している辺の中から、設計データ６内の各種設定ファイル６２に示された処理方向に対応する辺（以下では「左辺」とする）を、第４移動対象辺として特定する。
【０１１８】
続いて、変更部４は、第４移動対象辺と接していたダミーパターンの辺と第４移動対象辺との間隔が、第２指定値ｂとなるように、第１矩形パターンを縮小する。
【０１１９】
図１７を参照すると、例えば、第１矩形パターン１３Ａｆの４辺のうち、ダミーパターン２Ａａと接している辺（左辺）が、第４移動対象辺として特定され、この辺が、矢印１３Ａｆ１方向に第２指定値ｂ分だけ移動される。その結果、図１８に示す第１矩形パターン（矩形ダミーパターン）１５Ａｆが生成される。
【０１２０】
続いて、変更部４は、第１矩形パターン（矩形ダミーパターン）を、第１矩形パターンと接しているダミーパターンに結合することによって、そのダミーパターンが拡大するように、設計データ６を変更する（ステップＳ３０６）。
【０１２１】
図１８を参照すると、例えば、第１矩形パターン（矩形ダミーパターン）１５Ａｆがダミーパターン２Ａｆに結合される。ダミーパターン２Ａｆは、第１矩形パターン１５Ａｆが結合されることによって拡大し、ダミーパターン２Ａｆの拡大によって、ダミーパターン２Ａｆとダミーパターン２Ａａとの間隔が第２指定値ｂに短縮される。第１矩形パターン１５Ａｇ、１５Ａｈ（矩形ダミーパターン）についても、それぞれ、ダミーパターン２Ａｇ、２Ａｈに結合することによって、そのダミーパターンが拡大し、同様に間隔が第２指定値ｂに短縮される。
【０１２２】
以上で、ダミーパターン同士の水平方向の空きスペースについての処理が終了する。
【０１２３】
図１０に戻って、続いて、変更部４は、設計データ６に対して、ダミーパターン同士の垂直方向の空きスペースについての処理を行う（ステップＳ１０Ｃ）。
【０１２４】
次に、ダミーパターン同士の垂直方向の空きスペースについての処理について、図１１、図１９および図２０を参照して説明する。
【０１２５】
変更部４は、前述したダミーパターン同士の水平方向の空きスペースについての処理が終了すると、垂直方向（縦方向）の間隔を基準としてステップ３０５で設定された矩形パターンを、第２矩形パターンとして特定する。
【０１２６】
図１９を参照すると、矩形パターン１４Ａｄおよび１４Ａｅが、第２矩形パターンとして特定される。
【０１２７】
続いて、変更部４は、第２矩形パターンごとに、第２矩形パターンが有する辺のうちダミーパターンと接している辺の中から、設計データ６内の各種設定ファイル６２に示された処理方向に対応する辺（以下では「下辺」とする）を、第５移動対象辺として特定する。
【０１２８】
続いて、変更部４は、第５移動対象辺と接していたダミーパターンの辺と第５移動対象辺との間隔が、第２指定値ｂとなるように、第２矩形パターンを縮小する。
【０１２９】
図１９を参照すると、例えば、第２矩形パターン１４Ａｄの４辺のうち、ダミーパターン２Ａａと接している辺（下辺）が、第５移動対象辺として特定され、この辺が、矢印１４Ａｄ１方向に第２指定値ｂ分だけ移動される。その結果、図２０に示す第２矩形パターン（矩形ダミーパターン）１６Ａｄが生成される。
【０１３０】
続いて、変更部４は、第２矩形パターン（矩形ダミーパターン）を、第２矩形パターンと接しているダミーパターンに結合することによって、そのダミーパターンが拡大するように、設計データ６を変更する（ステップＳ３０７）。
【０１３１】
図２０を参照すると、例えば、第２矩形パターン１６Ａｄがダミーパターン２Ａｄに結合される。ダミーパターン２Ａｄは、第２矩形パターン１６Ａｄが結合されることによって拡大し、ダミーパターン２Ａｄの拡大によって、ダミーパターン２Ａｄとダミーパターン２Ａａとの間隔が第２指定値ｂとなるように短縮される。第２矩形パターン１６Ａｅ（矩形ダミーパターン）についても、ダミーパターン２Ａｅに結合することによって、そのダミーパターンが拡大し、同様にダミーパターン２Ａｅとダミーパターン２Ａｆとの間隔が第２指定値ｂとなるように短縮される。
【０１３２】
以上で、ダミーパターン同士の垂直方向の空きスペースについての処理が終了する。
【０１３３】
図１０に戻って、続いて、変更部４は、ステップＳ１０ＡからステップＳ１０Ｃまでの処理が施された設計データ６について、デザインルールチェックを実行する（ステップＳ１０Ｄ、図１１のステップＳ３０８）。
【０１３４】
以上で、ステップＳ１０のデータ率向上処理が終了する。
【０１３５】
データ率向上処理が終了すると、算出部５は、変更後の設計データ６が示す素子パターンおよびダミーパターンのレイアウトのデータ率を算出し、そのデータ率と変更後の設計データ（出力レイアウトデータ７）とを出力する（ステップＳ２）。そして、この変更後の設計データには、変更部４で変更された各種設定ファイルも含まれる。
【０１３６】
その後、出力レイアウトデータ７に基づいてマスクが製造され、その製造されたマスクを用いて半導体装置が製造される。
【０１３７】
なお、図１０に示したデータ率向上処理のステップＳ１０Ａ、Ｓ１０ＢおよびＳ１０Ｃの処理順は、説明の便宜上、ステップＳ１０Ａ、Ｓ１０Ｂ、Ｓ１０Ｃの順にしているが、これらのステップは、順番が入れ替えられても同等の結果が得られる。
【０１３８】
本実施形態によれば、ダミーパターンと他のパターンとの間隔が指定値よりも大きい場合、ダミーパターンと他のパターンとの間のスペースに、ダミーパターンと接すると共に他のパターンとの距離が指定値である矩形ダミーパターンを生成し、その矩形ダミーパターンをダミーパターンに結合することによって、ダミーパターンが拡大して、ダミーパターンと他のパターンとの間隔が短縮するように、設計データ６を変更する。
【０１３９】
この場合、ダミーパターンは、必要な個所だけ拡張する。よって、拡張の必要のないダミーパターンの部分を拡張することを防止することが可能になる。
【０１４０】
なお、上記各実施形態において、変更部４は、空スペース側へ移動するダミーパターンの辺の最大移動距離を、[(ダミーパターンの辺の長さ)×２＋ダミーパターンの指定間隔]未満とすれば、極端に大きなダミーパターンになくことはなくなる。このため、大面積のダミーパターンが形成されることを回避することが可能になる。なお、ダミーパターンの指定間隔は、設計データ６内の各種設定ファイルに設定される。
【０１４１】
また、指定間隔以上の空スペースに臨むダミーパターンの辺のみ移動するので、他のダミーパターンの形状は維持される。
【０１４２】
以上説明した各実施形態において、図示した構成は単なる一例であって、本発明はその構成に限定されるものではない。
【符号の説明】
【０１４３】
１      マスクパターン生成装置
２      記憶部
３      測定部
４      変更部
５      算出部
【図１】
2010217368.tif 000003
【図２】
2010217368.tif 000004
【図３】
2010217368.tif 000005
【図４】
2010217368.tif 000006
【図５】
2010217368.tif 000007
【図６】
2010217368.tif 000008
【図７】
2010217368.tif 000009
【図８】
2010217368.tif 000010
【図９】
2010217368.tif 000011
【図１０】
2010217368.tif 000012
【図１１】
2010217368.tif 000013
【図１２】
2010217368.tif 000014
【図１３】
2010217368.tif 000015
【図１４】
2010217368.tif 000016
【図１５】
2010217368.tif 000017
【図１６】
2010217368.tif 000018
【図１７】
2010217368.tif 000019
【図１８】
2010217368.tif 000020
【図１９】
2010217368.tif 000021
【図２０】
2010217368.tif 000022