(57)【要約】【課題】基板の周縁部に形成された処理膜を除去する基板処理装置において、基板単位の処理時間を短縮し、処理膜形成のスループットを向上すると共に、歩留まりの低下を抑制する。【解決手段】基板Ｇを基板搬送路に沿って平流しに搬送する基板搬送手段２１と、前記基板搬送手段により第一の搬送方向に搬送される前記基板Ｇの、搬送方向に沿った両側縁部の処理膜を除去する第一の除去手段５ｂと、前記第一の除去手段により前記両側縁部の処理膜が除去された基板の搬送方向を、前記第一の搬送方向に直交する第二の搬送方向に転換する搬送方向転換手段７と、前記基板搬送手段により第二の搬送方向に搬送される前記基板Ｇの、搬送方向に沿った両側縁部の処理膜を除去する第二の除去手段６ｂとを備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
方形状の被処理基板に形成された処理膜のうち、基板周縁部に形成された処理膜を除去する基板処理装置であって、
前記基板を基板搬送路に沿って平流しに搬送する基板搬送手段と、
前記基板搬送手段により第一の搬送方向に搬送される前記基板の、搬送方向に沿った両側縁部の処理膜を除去する第一の除去手段と、
前記第一の除去手段により前記両側縁部の処理膜が除去された基板の搬送方向を、前記第一の搬送方向に直交する第二の搬送方向に転換する搬送方向転換手段と、
前記基板搬送手段により第二の搬送方向に搬送される前記基板の、搬送方向に沿った両側縁部の処理膜を除去する第二の除去手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板搬送路において、前記第一の除去手段と第二の除去手段のそれぞれ上流には、搬送される前記基板の両側端部に当接し、該基板の搬送位置を調整する基板ガイド手段が設けられていることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項３】
前記基板ガイド手段は、前記基板搬送路の両側において回転自在に軸支されたサイドローラであって、
前記サイドローラのローラ面が、搬送される前記基板の両側端部に当接することを特徴とする請求項２に記載された基板処理装置。
【請求項４】
前記第一の除去手段と第二の除去手段は、処理膜の溶剤を吐出するノズルを備え、
平流しに搬送される前記基板の搬送方向に沿った両側縁部に対し、前記ノズルから処理膜の溶剤が供給されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された基板処理装置。
【請求項５】
前記ノズルは、平流しに搬送される前記基板の搬送方向に沿った両側縁部に対し、上方及び下方から前記処理膜の溶剤を吐出する上下一対のノズルであって、
前記第一の除去手段と第二の除去手段は、前記基板の縁部近傍の雰囲気を基板側方から吸引排気する吸引手段を備えることを特徴とする請求項４に記載された基板処理装置。
【請求項６】
前記第一の除去手段と第二の除去手段は、平流しに搬送される前記基板の両側縁部を所定の高さ位置に調整する高さ位置調整手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された基板処理装置。
【請求項７】
前記高さ位置調整手段は、前記基板搬送路の両側に設けられ、回転自在に軸支された支持ローラであって、
前記支持ローラのローラ面が、前記基板の両側縁部の下面に当接し、前記基板の両側縁部が支持されることを特徴とする請求項６に記載された基板処理装置。
【請求項８】
前記基板搬送路において、前記第一の除去手段と第二の除去手段のそれぞれ下流には、前記基板の縁部近傍の雰囲気を基板側方から吸引排気し、前記基板の両側縁部を乾燥させる乾燥手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載された基板処理装置。
【請求項９】
前記乾燥手段は、さらに前記基板の両側縁部に不活性ガスを吹き付けるブロー手段を備えることを特徴とする請求項８に記載された基板処理装置。
【請求項１０】
前記請求項１乃至請求項９のいずれかに記載された基板処理装置を用い、基板周縁部に形成された処理膜を除去する基板処理方法であって、
前記基板搬送手段により第一の搬送方向に搬送される前記基板の、搬送方向に沿った両側縁部の処理膜を除去するステップと、
前記両側縁部の処理膜が除去された基板の搬送方向を、前記第一の搬送方向に直交する第二の搬送方向に転換するステップと、
前記基板搬送手段により第二の搬送方向に搬送される前記基板の、搬送方向に沿った両側縁部の処理膜を除去するステップとを実行することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）等に用いられるガラス基板に形成された処理膜（例えばレジスト膜）のうち、その周縁部に形成された処理膜を除去する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＦＰＤの製造においては、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成する。
【０００３】
このフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布の工程は、スキャン塗布法やスピンコーティング法等が採用されている。これらの方法によってレジストを塗布した場合、塗布直後における膜厚は均一であるが、時間が経つに従い、表面張力の影響により基板周縁部でレジストが盛り上がるように厚くなってしまう。このように基板の周縁部に形成された不均一な厚い膜や裏面に付着したレジストは、その後の基板の搬送過程等において、パーティクル発生の原因となる。また、基板を搬送する機器を汚す原因にもなる。
【０００４】
そこで従来、基板の表面にレジストを塗布した後、基板の周縁部や裏面に付着した不要なレジスト膜を除去する処理（ＥＲ処理と呼ぶ）が行われている。
特許文献１（特開２００４−１７９５１３号）に開示の従来のＥＲ処理について図１０に基づき説明する。図１０は、ＥＲ処理を行うエッジリムーバ（ＥＲ）の平面図である。
【０００５】
図１０に示すようにエッジリムーバ５０は、ステージ（図示せず）上に保持された基板Ｇの周囲に、方形状の基板Ｇの四辺のそれぞれに沿って移動するノズル５１、５２、５３、５４を配置している。
このうちノズル５１、５３は、モータ５５の駆動により移動機構５６、５７が稼働し、基板Ｇの縁部Ｌ１、Ｌ３にそれぞれ沿って移動するようになされている。また、ノズル５２、５４は、モータ５８の駆動により移動機構５９、６０が稼働し、基板Ｇの縁部Ｌ２、Ｌ４にそれぞれ沿って移動するようになされている。
【０００６】
各ノズル５１〜５４は、それぞれ基板周縁部を所定の隙間を空けて挟み込むようコの字形状に形成され、基板周縁の上下面にレジストの溶剤を吹き付けるように構成されている。
即ち、このエッジリムーバ５０においては、ノズル５１?５４を基板Ｇの周縁部に沿って移動させながら、基板周縁部の上下面にレジスト溶剤を吹き付け、余分なレジストを除去するようになされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１７９５１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記のように従来のエッジリムーバ（ＥＲ）５０は、一枚ずつ基板Ｇを搬入出して処理を施す枚葉式の装置構成であった。
このため、一枚の基板Ｇの処理を完了するまでに、搬送アームによる基板の搬入出工程、基板Ｇを載置するステージの昇降移動工程、基板Ｇの位置合わせ（アラインメント）工程、ノズル５１〜５４の移動工程等の多くの工程が必要となり、スループットが低下するという課題があった。
また、エッジリムーバ５０にあっては、各ノズル５１〜５４を移動させる等の駆動機構が多いため、パーティクルが発生しやすく、基板Ｇへの付着により歩留まりが低下する虞があった。さらに、駆動機構が多いために装置寿命が短くなるという課題があった。
【０００９】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、基板の周縁部に形成された処理膜を除去する基板処理装置において、基板単位の処理工程時間を短縮し、処理膜形成のスループットを向上すると共に、歩留まりの低下を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、方形状の被処理基板に形成された処理膜のうち、基板周縁部に形成された処理膜を除去する基板処理装置であって、前記基板を基板搬送路に沿って平流しに搬送する基板搬送手段と、前記基板搬送手段により第一の搬送方向に搬送される前記基板の、搬送方向に沿った両側縁部の処理膜を除去する第一の除去手段と、前記第一の除去手段により前記両側縁部の処理膜が除去された基板の搬送方向を、前記第一の搬送方向に直交する第二の搬送方向に転換する搬送方向転換手段と、前記基板搬送手段により第二の搬送方向に搬送される前記基板の、搬送方向に沿った両側縁部の処理膜を除去する第二の除去手段とを備えることに特徴を有する。
このような構成によれば、平流しに搬送される基板の基板搬送方向を転換するため、基板を搬送しながら基板周縁の処理膜を除去することができる。
これにより基板単位の処理時間を大幅に短縮することができ、処理膜形成のスループットを向上することができる。
また、基板を搬送する駆動装置が基板搬送手段のみであり、枚葉式のように多くの駆動装置を必要としないため、基板に対するパーティクルの影響を極力低減することができ、歩留まりの低下を抑制することができる。また、装置寿命を延命することができる。
【００１１】
また、前記基板搬送路において、前記第一の除去手段と第二の除去手段のそれぞれ上流には、搬送される前記基板の両側端部に当接し、該基板の搬送位置を調整する基板ガイド手段が設けられていることが望ましい。尚、前記基板ガイド手段は、前記基板搬送路の両側において回転自在に軸支されたサイドローラであって、前記サイドローラのローラ面が、搬送される前記基板の両側端部に当接することが好ましい。
このように基板ガイド手段を設けることにより、基板を平流ししながらアラインメント作業を行うことができる。
【００１２】
また、前記第一の除去手段と第二の除去手段は、処理膜の溶剤を吐出するノズルを有し、平流しに搬送される前記基板の搬送方向に沿った両側縁部に対し、前記ノズルから処理膜の溶剤が供給されることが望ましい。尚、前記ノズルは、平流しに搬送される前記基板の両側縁部に対し、上方及び下方から前記処理膜の溶剤を吐出する上下一対のノズルであって、前記第一の除去手段と第二の除去手段は、前記基板の縁部近傍の雰囲気を基板側方から吸引排気する吸引手段を備えることが好ましい。
このように平流しに搬送される基板の縁部にノズルから処理膜の溶剤を供給することにより基板縁部の処理膜を除去することができる。また、吸引手段を設けることにより、ガス化した溶剤を排気することができる。
【００１３】
また、前記第一の除去手段と第二の除去手段は、平流しに搬送される前記基板の両側縁部を所定の高さ位置に調整する高さ位置調整手段を備えることが望ましい。尚、前記高さ位置調整手段は、前記基板搬送路の両側に設けられ、回転自在に軸支された支持ローラであって、前記支持ローラのローラ面が、前記基板の両側縁部の下面に当接し、前記基板の両側縁部が支持されることが望ましい。
このように高さ位置調整手段を設けることにより、基板縁部に対して供給される処理膜の溶剤を均等にし、基板縁部において除去する処理膜の幅を均一化することができる。
【００１４】
また、前記基板搬送路において、前記第一の除去手段と第二の除去手段のそれぞれ下流には、前記基板の縁部近傍の雰囲気を基板側方から吸引排気し、前記基板の両側縁部を乾燥させる乾燥手段を備えることが望ましい。
さらに、前記乾燥手段は、さらに前記基板の両側縁部に不活性ガスを吹き付けるブロー手段を備えることが望ましい。
このように乾燥手段を設けることにより、基板縁部に残る溶剤を効果的に乾燥させることができる。
【００１５】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理方法は、前記基板処理装置を用い、基板周縁部に形成された処理膜を除去する基板処理方法であって、前記基板搬送手段により第一の搬送方向に搬送される前記基板の、搬送方向に沿った両側縁部の処理膜を除去するステップと、前記両側縁部の処理膜が除去された基板の搬送方向を、前記第一の搬送方向に直交する第二の搬送方向に転換するステップと、前記基板搬送手段により第二の搬送方向に搬送される前記基板の、搬送方向に沿った両側縁部の処理膜を除去するステップとを実行することに特徴を有する。
このような方法によれば、平流しに搬送される基板の基板搬送方向を転換するため、基板を搬送しながら基板周縁の処理膜を除去することができる。
これにより基板単位の処理時間を大幅に短縮することができ、処理膜形成のスループットを向上することができる。
また、基板を搬送する駆動装置が基板搬送手段のみであり、枚葉式のように多くの駆動装置を必要としないため、基板に対するパーティクルの影響を極力低減することができ、歩留まりの低下を抑制することができる。また、装置寿命を延命することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、基板の周縁部に形成された処理膜を除去する基板処理装置において、基板単位の処理時間を短縮し、処理膜形成のスループットを向上すると共に、歩留まりの低下を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法が適用されるエッジリムーバを具備するレジスト処理ユニットのレイアウト構成を模式的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１のレジスト処理ユニットが備えるレジスト塗布装置（ＣＴ）の平面図である。
【図３】図３は、図１のレジスト処理ユニットが備える減圧乾燥装置（ＤＰ）の平面図である。
【図４】図４は、図１のレジスト処理ユニットが備えるエッジリムーバの平面図である。
【図５】図５は、図４のエッジリムーバが有するノズル機構の側面図である。
【図６】図６は、図４のエッジリムーバが有するノズル機構の背面図である。
【図７】図７は、図４のエッジリムーバが有するノズル機構の平面図である。
【図８】図８は、図４のエッジリムーバが有する搬送方向転換装置による基板搬送方向の転換方法を説明するための図である。
【図９】図９は、図４のエッジリムーバにおける基板処理を説明するための図である。
【図１０】図１０は、従来のエッジリムーバの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法が適用されるエッジリムーバを具備するレジスト処理ユニットのレイアウト構成を模式的に示す平面図である。
図示するレジスト処理ユニット１００は、例えばＦＰＤ用のガラス基板（被処理基板）に処理液であるフォトレジストを塗布するレジスト塗布装置（ＣＴ）１と、レジスト塗布装置１により基板上に塗布されたレジストを減圧乾燥させる減圧乾燥装置（ＤＰ）２と、基板周縁部の余分なレジスト膜を除去するエッジリムーバ（ＥＲ）３とを基板搬送路Ａ（Ｘ軸の正方向）に沿って順に配置している。
【００１９】
エッジリムーバ（ＥＲ）３は、基板搬送路Ａを平流しに搬送される方形状のガラス基板に対し、その搬送路方向（第一の搬送方向）に沿った両側縁部のレジスト膜を除去する第一の除去装置５と、基板搬送路Ａに直交する基板搬送路Ｂを平流しに搬送される基板に対し、その搬送路方向（第二の搬送方向）に沿った両側縁部のレジスト膜を除去する第二の除去装置６とを備えている。
前記のように基板搬送方向Ａ，Ｂは直交しており、第一の除去装置５と第二の除去装置６との間には、基板搬送方向をＸ軸方向からＹ軸方向に転換する搬送方向転換装置７（搬送方向転換手段）が設けられている。尚、この搬送方向転換装置７の構成については、前記第一の除去装置５と第二の除去装置６の構成説明と共に、より詳しく後述する。
【００２０】
また、第二の除去装置６の搬送路下流において、基板搬送路Ｂは、これに直交する基板搬送路Ｃ（Ｘ軸負方向）に転換され、この基板搬送路Ｃ上に、基板に所定の熱処理を行う加熱処理装置４が設けられている。
第二の除去装置６と前記加熱処理装置４との間には、基板搬送方向をＹ軸方向からＸ軸負方向に転換する搬送方向転換装置８が設けられている。
このようなレイアウト配置となされたレジスト処理ユニット１００においては、基板搬送路Ａ，Ｂ，Ｃに沿って基板が平流しに搬送され、各装置における処理が施される。
【００２１】
続いて、レジスト処理ユニット１００を構成する各装置について、より詳細に説明する。
レジスト塗布装置（ＣＴ）１は、例えば図２に示すように基板Ｇを浮上搬送するためのステージ１０と、ステージ１０上で基板ＧをＸ方向に搬送する基板搬送機構１１と、ステージ１０上で浮上搬送される基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジストノズル１２と、レジストノズル１２を洗浄等するためのノズル洗浄ユニット１３とを備えている。
基板搬送機構１１は、基板の両側端部を支持する基板支持部１１ａと、基板支持部１１ａを基板搬送方向に沿って移動させるためのレール１１ｂを有している。
また、レジストノズル１２は、基板幅方向に延びるスリット状のノズル口（図示せず）を有しており、そのノズル口から帯状にレジスト液を吐出することにより、基板Ｇ上にレジスト液を供給するようになされている。
【００２２】
尚、ステージ１０の上面には、上方（Ｚ方向）に向かって所定のガスを噴射するための多数のガス噴射口１０ａと、吸気を行うための多数の吸気口１０ｂとが夫々、Ｘ方向とＹ方向に一定間隔で直線上に並ぶように交互に設けられている。そして、ガス噴射口１０ａから噴射されるガス噴射量と吸気口１０ｂからの吸気量との圧力負荷を一定とすることによって、基板Ｇをステージ１０の表面から一定の高さに浮上させるようになされている。
このレジスト塗布装置１において、ステージ１０上に浮上された基板Ｇの両側を基板搬送機構１１の基板支持部１１ａにより支持すると共に、基板支持部１１ａをレール１１ｂに沿ってＸ軸方向に移動させることにより基板搬送がなされる。
そして、搬送される基板Ｇがレジストノズル１２の下方を通過するタイミングで、スリット状のノズル口からレジスト液が吐出され、基板上にレジスト液の膜が形成されるようになされている。
【００２３】
減圧乾燥装置（ＤＰ）２は、図３に示すように基板Ｇを載置するための載置台１５と、載置台１５及び載置台１５に載置された基板Ｇを収容するチャンバ１６とを備えている。
また、レジスト塗布装置１から減圧乾燥装置２を通って後段の第一の除去装置５へ基板Ｇを搬送するために、基板搬送路の両側に基板搬送アーム２０が設けられ、レジスト塗布装置１と第一の除去装置５との間を往復自在になされている。この基板搬送アーム２０は、基板Ｇの左右両側から基板側部に対し進退可能に設けられており、基板Ｇを装置間移動のために支持する際には、基板Ｇの左右両側縁部を下方から支持するようになされている。
この減圧乾燥装置２においては、レジスト塗布装置１によりレジスト液が塗布された基板Ｇが基板搬送アーム２０により載置台１５上に載置され、チャンバ１６内が密閉される。そして、チャンバ内が減圧され、レジスト液が減圧乾燥され、基板Ｇ上にレジスト膜が形成されるようになされている。
【００２４】
続いて図４に基づき、エッジリムーバ（ＥＲ）３の構成について詳細に説明する。図４はエッジリムーバ３の平面図である。
図４に示す第一の除去装置５は、前記のように基板搬送路Ａを平流しに搬送される基板Ｇに対して、搬送路に沿った基板両側縁部のレジスト膜を除去するものである。
この第一の除去装置５は、搬送される基板Ｇの幅方向の位置調整を行うアラインメント部５ａと、アラインメント部５ａにより位置調整された基板Ｇの両側縁部にレジストの溶剤を供給し、基板縁部のレジスト膜を除去する除去処理部（第一の除去手段）５ｂとにより構成される。
また、第一の除去装置５において、基板搬送路Ａは搬送方向に沿って敷設された複数の搬送コロ２１によって構成される。前記複数の搬送コロ２１は、これらを一方向に回転させる駆動装置（図示せず）により駆動される。尚、搬送コロ２１とその駆動装置により基板搬送手段が構成される。
【００２５】
アラインメント部５ａは、基板ガイド手段として基板搬送路Ａの両側に並べて設けられた複数のサイドローラ２２を備えている。これらのサイドローラ２２は、鉛直軸周りに回転自在に軸支され、そのローラ面が搬送される基板Ｇの高さに合わせ設けられている。
搬送される基板Ｇの側方において横並びに設けられた複数のサイドローラ２２は、図示するように基板幅方向の距離が徐々に狭くなるよう平面視で傾斜がつけられている。このため、基板Ｇが除去処理部５ｂに移動する際には、基板Ｇの両側端部にローラ面が当接し、基板Ｇの両側のサイドローラ２２の設置位置によって決められた所定位置を搬送されるようになされている。
尚、基板Ｇが除去処理部５ｂに移動した後も、所定位置を通過するよう搬送される基板Ｇの両側方には、鉛直軸周りに回転自在に軸支されたサイドローラ２３が所定間隔毎に複数設けられている。
【００２６】
除去処理部５ｂにおいては、基板搬送路Ａの両側に並べて設けられ、レジスト膜の溶剤を吐出する複数（図では３つ）のノズル機構２４（ノズル）と、レジスト膜が除去された基板縁部にノズルから不活性ガスを吹き付けることにより乾燥させる乾燥機構２５（乾燥手段）とを有する。
図５に一つのノズル機構２４の側面図、図６に背面図、図７に平面図を示す。各ノズル機構２４は、図５に示すように、基板Ｇの縁部の上下両面を覆う断面略Ｌ字状の上部ノズル２６と下部ノズル２７を備えている。前記上部ノズル２６及び下部ノズル２７は、ノズル支持部３４に対しボルト３７で固定され、それらによりノズル部４８が構成されている。
上下一対に設けられた上部ノズル２６と下部ノズル２７との間には、隙間２８が形成されており、基板Ｇの搬送時にはその縁部が非接触の状態でこの隙間２８に挿入されるようになされている（図５にのみ基板Ｇが挿入された状態を示す）。
【００２７】
基板Ｇの縁部が前記隙間２８に対し非接触となるのは、基板縁部を下方から支持する回転自在に軸支された支持ローラ２９が設けられ、ノズル部４８（上部ノズル２６及び下部ノズル２７）に対する支持ローラ２９の高さ位置（Ｚ軸方向位置）が微調整可能に構成されているためである。具体的には、ノズル部４８の高さ位置と支持ローラ２９の高さ位置は、それぞれ独立した調整機能により位置決め可能な構成となされている。
【００２８】
ノズル機構２４は、図６に示すように、基板搬送路Ａに沿って設けられたＸ軸フレーム４５に固定されたＺ軸フレーム４６に対し、ボルト４２によって取り付けられている。このため、ノズル部４８の高さ位置を調整する場合、先ず前記ボルト４２を緩め、次いでＺ軸調整ボルト４３を左右いずれかの方向に回転させることにより、Ｚ軸フレーム４６に対しノズル機構２４を上下移動させることができる（調整後はボルト４２を締める）。
【００２９】
また、支持ローラ２９は、図５、図７に示すようにノズル機構２４に設けられたローラ支持部材４４に対しボルト３８によって固定されている。支持ローラ２９の高さ位置を微調整する場合、先ず前記ボルト３８を緩め、次いでセットスクリュ３９を左右いずれかの方向に回転させることにより支持ローラ２９を上下移動させることができる（調整後はボルト３８を締める）。
【００３０】
尚、このようにノズル機構２４において、ノズル部４８と支持ローラ２９とが一体的に構成されているため、定期的なメンテナンスの際、ノズル機構２４を解体し、洗浄後に組み付けた後でも、ノズル部４８と支持ローラ２９の高さ位置の相関関係が崩れることがない。
さらには、ノズル部４８と支持ローラ２９の高さ位置が相対的に調整終了していれば、その後、定期的メンテナンスのためにノズル部４８のみの取り外し、洗浄、及び取り付けを行ったとしても、ノズル部４８と支持ローラ２９は、同一の母体に取り付けされているため、個々の位置関係が崩れることがない。
【００３１】
また、前記ノズル部４８は、ノズル機構２４内において基板幅方向（Ｙ軸方向）の位置を微調整可能に設けられている。図７に示すようにノズル部４８は、ノズル機構２４においてボルト４０によって固定されている。
前記ノズル部４８の基板幅方向の位置を微調整する場合、先ず前記ボルト４０を緩め、次いでＹ軸調整ボルト４１を左右いずれかの方向に回転させることによりノズル部４８を基板幅方向に沿って移動させることができる（調整後はボルト４０を締める）。
このようにノズル部４８の基板幅方向に沿った位置を設定することにより、レジスト膜の除去幅を微調整できるようになされている。
【００３２】
また、ノズル部４８において、上部ノズル２６には、隙間２８に挿入された基板Ｇの縁部上面に向かってレジストの溶剤を吹きつけるための吹き出し孔２６ａが設けられている。下部ノズル２７には、隙間２８に挿入された基板Ｇの縁部下面に向かってレジストの溶剤を吹きつけるための吹き出し孔２７ａが設けられている。
上部ノズル２６には、例えば基板搬送方向に沿って全部で９箇所に吹き出し孔２６ａが設けられている。一方、下部ノズル２７には、例えば基板搬送方向に沿って全部で４箇所に吹き出し孔２７ａが設けられている。
これら吹き出し孔２６ａ、２７ａには、溶剤供給源３０から溶剤３３が供給され、その溶剤３３が吹き出し孔２６ａ、２７ａから吐出され基板Ｇの縁部上下面に吹きつけられるようになっている。
【００３３】
さらに、ノズル機構２４のほぼ中央には、隙間２８内における基板Ｇの縁部近傍の雰囲気を基板側方に吸引排気するための吸引孔３１（吸引手段）が設けられている。この吸引孔３１は、吸引ポンプ（図示せず）により排気を行うための排気管３２に接続されている。
また、乾燥機構２５にあっては、ノズル機構２４と略同等の構成であるが、上部ノズル２６と下部ノズル２７から溶剤ではなく不活性ガス（Ｎ2）を基板縁部上下面に吹き付けるよう構成されている。即ち、ノズルを不活性ガスのブロー手段として機能させるようになされている。このように不活性ガスを基板縁部に吹き付けることにより、速くに基板縁部の乾燥処理を行うことができる。
また、乾燥機構２５において、隙間２８内における基板Ｇの縁部近傍の雰囲気を基板側方に吸引排気するための吸引孔３１が設けられるが、前記ノズルブローを行わずに、この吸引排気処理のみでも基板縁部の乾燥処理を行うことができる。
【００３４】
このように構成された除去処理部５ｂを基板Ｇが搬送される際には、平流しで搬送されながら、サイドローラ２３により基板幅方向の位置調整がなされ、支持ローラ２９により基板縁部の高さ位置調整がなされる。
そして、基板搬送方向Ａに沿った基板両側縁部が、並べて設けられた複数のノズル機構２４の隙間２８を非接触に通過し、そのときに上部ノズル２６と下部ノズル２７から溶剤が基板縁部上下面に供給されるようになされている。
尚、第一の除去装置５の下流に位置する第二の除去装置６は、基板搬送方向が搬送方向Ａと直交する搬送方向Ｂである以外は、その構成は第一の除去装置５と同等である。
このため、図４において第一の除去装置５と同等の機能を有するものは同一の符号で示しており、その詳細な説明は省略する。
【００３５】
また、基板搬送方向を転換する搬送方向転換装置７は、第一の除去装置５から搬送されてきた基板Ｇをそのまま基板搬送路Ａに沿って搬入する第一搬送部３５と、第一搬送部３５によって搬入された基板Ｇを基板搬送路Ｂに搬出する第二搬送部３６とを備える。これら搬送部は、例えばベルトコンベア或いは搬送コロにより構成することができる。
第一搬送部３５と第二搬送部３６とは、それぞれ独立した昇降機構（図示せず）を有する。具体的には、第一搬送部３５が基板搬送路Ａの高さ位置にあるとき、第二搬送部３６は基板Ｇに非接触となるよう下降した状態となされる。一方、第二搬送部３６が基板搬送路Ｂの高さ位置にあるとき、第一搬送部３５は基板Ｇに非接触となるよう下降した状態となされる。
【００３６】
図８に基づき、搬送方向転換装置７による基板搬送方向の転換方法を説明する。第一の除去装置５から搬送方向転換装置７に、基板搬送路Ａに沿って基板Ｇが搬送されてくると、搬送方向転換装置７においては、第一搬送部３５が基板搬送路Ａの高さ位置に合わせ調整され、第二搬送部３６は基板Ｇと非接触の位置に下降して退避した状態となされる（図８（ａ））。
基板Ｇが第一搬送部３５によって搬送方向転換装置７に搬入されると、第二搬送部３６が基板搬送路Ｂの高さ位置に合わせ調整され、第一搬送部３５は基板Ｇと非接触の位置に下降して退避した状態となされる（図８（ｂ））。
そして基板Ｇは、第二搬送部３６により基板搬送路Ｂ（Ｙ軸方向）に沿って搬送方向転換装置７から搬出される。
【００３７】
尚、エッジリムーバ３での処理後に、基板Ｇの搬送方向を基板搬送路Ｃに転換する搬送方向転換装置８の構成は、前記搬送方向転換装置７と同様に構成することで、搬送方向転換処理を実現可能である。このため、その詳細な説明は省略する。
また、加熱処理装置４は、例えば搬送コロを敷設した基板搬送路Ｃにおいて、その上方及び下方に、基板Ｇの上下面を加熱する赤外線ヒータ等の加熱手段（図示せず）を設けることにより実現される。この加熱処理装置４において、平流しに搬送される基板Ｇを加熱することにより、基板Ｇ上に残るレジスト膜を定着させることができる。
【００３８】
このように構成されたレジスト処理ユニット１００によれば、基板Ｇに対しレジスト塗布装置１によりレジスト液が塗布され、次いで、減圧乾燥装置２により減圧環境下での乾燥処理が行われる。この減圧乾燥処理により、図９（ａ）に示すように基板Ｇ上にレジスト膜Ｒが形成される。
基板搬送路Ａを搬送される基板Ｇが第一の除去装置５に搬送されると、図９（ｂ）に示すように、その搬送方向（第一の搬送方向）に沿った基板両側縁部のレジスト膜Ｒの除去処理が行われる。
次いで、搬送方向転換装置７において搬送方向が基板搬送路Ａに直交する基板搬送路Ｂに転換され、図９（ｃ）に示すように、その搬送方向（第二の搬送方向）に沿った基板両側縁部、即ち未除去処理の側縁部のレジスト膜Ｒの除去処理が行われる。
このようにして、基板Ｇにおける周縁部のレジスト膜の除去作業（ＥＲ処理）が完了することとなる。
また、ＥＲ処理が完了した基板Ｇは、加熱処理装置４に搬入され、所定の加熱処理によりレジスト膜の定着処理が施される。
【００３９】
以上のように本発明の実施の形態によれば、平流しに搬送される基板Ｇの基板搬送方向を転換することにより、基板Ｇを搬送しながら基板周縁のレジスト膜を除去することができる。
これにより基板単位の処理時間を大幅に短縮することができ、レジスト膜形成のスループットを向上することができる。
また、第一の除去装置（ＥＲ１）５と第二の除去装置（ＥＲ２）６において基板周辺に設けられる駆動系が搬送コロ２１を駆動する駆動装置のみであるため、基板Ｇに対するパーティクルの影響を極力低減することができ、歩留まりの低下を抑制することができる。また、装置寿命を延命することができる。
【００４０】
尚、前記実施の形態において、平流しされる基板Ｇの幅方向位置を調整する基板ガイド手段として、基板搬送路の両側に並べて設けられた複数のサイドローラ２２を示したが、本発明の基板処理装置にあっては、それに限定されるものではなく、他の形態でもよい。
例えば、前記基板ガイド手段として、基板搬送路の左右両側に対配置され、平面視で基板幅方向の距離が徐々に狭くなるような勾配を形成するベルト状のガイド部材を用いてもよい。その場合、例えば基板搬送路の左右両側において、それぞれ回転駆動される無端ベルトのベルト面が基板端部に臨む状態で直線状に張架され、基板搬送方向に回転移動するベルト面が、搬送される基板Ｇの側端部に当接することによって基板幅方向の位置調整がなされる。
【符号の説明】
【００４１】
１          レジスト塗布装置
２          減圧乾燥装置
３          エッジリムーバ（基板処理装置）
４          加熱処理装置
５          第一の除去装置
５ａ        アラインメント部
５ｂ        除去処理部（第一の除去手段）
６          第二の除去装置
６ａ        アラインメント部
６ｂ        除去処理部
７          搬送方向転換装置（搬送方向転換手段）
８          搬送方向転換装置
２１        搬送コロ（基板搬送手段）
２２        サイドローラ（基板ガイド手段）
２３        サイドローラ
２４        ノズル機構
２５        乾燥機構（乾燥手段）
２６        上部ノズル（ノズル、ブロー手段）
２７        下部ノズル（ノズル、ブロー手段）
２９        支持ローラ（高さ位置調整手段）
３１        吸引孔（吸引手段、乾燥手段）
３２        排気管
３３        溶剤
３４        ノズル支持部
３５        第一搬送部
３６        第二搬送部
３７        ボルト
３８        ボルト
３９        セットスクリュ
４０        ボルト
４１        Ｙ軸調整ボルト
４２        ボルト
４３        Ｚ軸調整ボルト
４４        ローラ支持部材
４５        Ｘ軸フレーム
４６        Ｚ軸フレーム
１００      レジスト処理ユニット
Ｇ          基板（被処理基板）
Ｒ          レジスト（処理液、処理膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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