(57)【要約】【課題】終端抵抗の放熱性を向上させて電気特性の劣化を抑えることのできる２ポート型の非可逆回路素子を得る。【解決手段】永久磁石４１により直流磁界が印加されるフェライト３２と、該フェライト３２に配置された第１中心電極及び第２中心電極と回路基板２０を備えた非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）。さらに、整合用コンデンサ及び終端抵抗Ｒを備えている。終端抵抗Ｒは、絶縁基板の少なくとも一面に抵抗体膜を形成したチップ型であり、該抵抗体膜を回路基板２０の表面に対向させて回路基板２０上に実装されている。終端抵抗Ｒの発熱は回路基板２０を介して放熱される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記フェライトに互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された第１中心電極及び第２中心電極と、
前記永久磁石、前記フェライトを搭載するための回路基板と、
を備え、
前記第１中心電極は、一端が入力ポートに電気的に接続され、他端が出力ポートに電気的に接続され、
前記第２中心電極は、一端が出力ポートに電気的に接続され、他端がグランドポートに電気的に接続され、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に第１整合容量が電気的に接続され、
前記出力ポートと前記グランドポートとの間に第２整合容量が電気的に接続され、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に終端抵抗が電気的に接続され、
前記終端抵抗は、絶縁基板の少なくとも一面に抵抗体膜を形成したチップ型であり、該抵抗体膜を前記回路基板の表面に対向させて該回路基板上に実装されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
第２中心電極は前記フェライトの周囲に２ターン以上巻回されていることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記終端抵抗はその電極を前記回路基板の表面に形成した端子電極にはんだ付けされており、かつ、前記抵抗体膜と回路基板の表面の間に熱伝導性を有する樹脂材が充填されていること、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記回路基板は通信機の配線回路基板であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非可逆回路素子、特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。この特性を利用して、例えば、アイソレータは、自動車電話、携帯電話などの移動体通信機器の送信回路部に使用されている。
【０００３】
この種の非可逆回路素子としては、特許文献１などに記載されている３ポート型アイソレータ、特許文献２などに記載されている２ポート型アイソレータが知られている。この種のアイソレータでは、逆方向に入力した高周波信号は終端抵抗で発熱拡散される。終端抵抗の放熱性が悪いと、温度上昇に伴ってアイソレータの電気特性が劣化してしまう。従って、終端抵抗は過剰な発熱を避けるために良好な放熱性を確保する必要がある。
【０００４】
そのため、特許文献１に記載のアイソレータでは、チップ型抵抗器のグランド側の電極面積を大きくすることで終端抵抗の放熱性を改善している。グランド側電極を回路基板の表面に設けたグランド端子電極にはんだ付けし、抵抗体膜はこの実装面とは反対側に配置される。しかし、このアイソレータでは、終端抵抗として、汎用品ではなく、グランド側電極を大きくした専用品を用いているため、コストが高くつき、設計変更に柔軟に対応できないという問題点を有している。
【０００５】
なお、特許文献１に記載の３ポート型のアイソレータでは、終端抵抗はグランド電極に接続されているために放熱性に対してはそれほど厳しく考慮する必要はない。これに対して、特許文献２に記載の２ポート型のアイソレータは、低挿入損失を達成するために、フェライトに第１及び第２中心電極を互いに絶縁状態で交差して巻回したものである。終端抵抗は入出力ポート間に第１中心電極と並列に接続されているため、終端抵抗はグランド電極に接続されることはなく、そのままでは放熱性が悪く、温度上昇に伴ってアイソレータの電気特性が劣化してしまう。
【特許文献１】特許第３６８２７９７号公報
【特許文献２】国際公開第２００７／０４６２９９号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、終端抵抗の放熱性を向上させて電気特性の劣化を抑えることのできる２ポート型の非可逆回路素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明の一形態である非可逆回路素子は、
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記フェライトに互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された第１中心電極及び第２中心電極と、
前記永久磁石、前記フェライトを搭載するための回路基板と、
を備え、
前記第１中心電極は、一端が入力ポートに電気的に接続され、他端が出力ポートに電気的に接続され、
前記第２中心電極は、一端が出力ポートに電気的に接続され、他端がグランドポートに電気的に接続され、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に第１整合容量が電気的に接続され、
前記出力ポートと前記グランドポートとの間に第２整合容量が電気的に接続され、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に終端抵抗が電気的に接続され、
前記終端抵抗は、絶縁基板の少なくとも一面に抵抗体膜を形成したチップ型であり、該抵抗体膜を前記回路基板の表面に対向させて該回路基板上に実装されていること、
を特徴とする。
【０００８】
前記非可逆回路素子において、逆方向の信号が入力されたとき、その電力は終端抵抗で消費される。終端抵抗はその抵抗体膜が回路基板の表面に対向して実装されているため、抵抗体膜の発熱は回路基板を通じて放熱され、耐電圧特性が向上し、終端抵抗の焼損などの故障を未然に防止できる。終端抵抗は特別な加工や処理が必要ではなく汎用品を使用できる。また、放熱経路の増大によって非可逆回路素子自体の小型化が可能になる。さらに、終端抵抗の温度上昇が抑えられることから、終端抵抗の発熱による抵抗値の変動が小さくなり、アイソレーション特性の劣化が回避される。とりわけ、低挿入損失とするために第２中心電極をフェライトに複数回巻回した２ポート型アイソレータにおいては、終端抵抗に１００〜５００Ω程度の高い抵抗値のものを使用することになる。このアイソレータにおいては、逆方向の高周波信号の電力消費を終端抵抗の放熱性を改善することで好ましい電気特性を維持でき、効果的である。
【０００９】
また、抵抗体膜を回路基板の表面に対向させることにより、抵抗体膜を従来と同様に回路基板の表面とは反対側に配置することに比べて、終端抵抗に寄生する等価直列インダクタンス成分が減少し、アイソレーション帯域を広帯域化できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、終端抵抗の放熱性を改善することができ、２ポート型アイソレータにおいて、抵抗値が高くかつグランド電極に接続されることのない終端抵抗の発熱が緩和され、電気特性の劣化を抑えることができ、小型化にも寄与する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る非可逆回路素子の実施例について添付図面を参照して説明する。
【００１２】
（第１実施例、図１〜図９参照）
本発明に係る非可逆回路素子の第１実施例である２ポート型アイソレータの分解斜視図を図１に示す。この２ポート型アイソレータは、集中定数型アイソレータであり、概略、平板状ヨーク１０と、回路基板２０と、フェライト３２と永久磁石４１とからなるフェライト・磁石素子３０と、で構成されている。
【００１３】
フェライト３２には、図２に示すように、表裏の主面３２ａ，３２ｂに互いに電気的に絶縁された第１中心電極３５及び第２中心電極３６が形成されている。ここで、フェライト３２は互いに対向する平行な第１主面３２ａ及び第２主面３２ｂを有する直方体形状をなしている。
【００１４】
また、永久磁石４１はフェライト３２に対して直流磁界を主面３２ａ，３２ｂに略垂直方向に印加するように主面３２ａ，３２ｂに対して、例えば、エポキシ系の接着剤４２を介して接着され（図４参照）、フェライト・磁石素子３０を形成している。永久磁石４１の主面４１ａは前記フェライト３２の主面３２ａ，３２ｂと同一寸法であり、互いの外形が一致するように主面３２ａ，４１ａ、主面３２ｂ，４１ａどうしを対向させて配置されている。
【００１５】
第１中心電極３５は導体膜にて形成されている。即ち、図２に示すように、この第１中心電極３５は、フェライト３２の第１主面３２ａにおいて右下から立ち上がって２本に分岐した状態で左上に長辺に対して比較的小さな角度で傾斜して形成され、左上方に立ち上がり、上面の中継用電極３５ａを介して第２主面３２ｂに回り込み、第２主面３２ｂにおいて第１主面３２ａと透視状態で重なるように２本に分岐した状態で形成され、その一端は下面に形成された接続用電極３５ｂに接続されている。また、第１中心電極３５の他端は下面に形成された接続用電極３５ｃに接続されている。このように、第１中心電極３５はフェライト３２に１ターン巻回されている。そして、第１中心電極３５と以下に説明する第２中心電極３６とは、間に絶縁膜が形成されて互いに絶縁された状態で交差している。
【００１６】
第２中心電極３６は導体膜にて形成されている。この第２中心電極３６は、まず、０．５ターン目３６ａが第１主面３２ａにおいて右下から左上に長辺に対して比較的大きな角度で傾斜して第１中心電極３５と交差した状態で形成され、上面の中継用電極３６ｂを介して第２主面３２ｂに回り込み、この１ターン目３６ｃが第２主面３２ｂにおいてほぼ垂直に第１中心電極３５と交差した状態で形成されている。１ターン目３６ｃの下端部は下面の中継用電極３６ｄを介して第１主面３２ａに回り込み、この１．５ターン目３６ｅが第１主面３２ａにおいて０．５ターン目３６ａと平行に第１中心電極３５と交差した状態で形成され、上面の中継用電極３６ｆを介して第２主面３２ｂに回り込んでいる。以下同様に、２ターン目３６ｇ、中継用電極３６ｈ、２．５ターン目３６ｉ、中継用電極３６ｊ、３ターン目３６ｋ、中継用電極３６ｌ、３．５ターン目３６ｍ、中継用電極３６ｎ、４ターン目３６ｏ、がフェライト３２の表面にそれぞれ形成されている。また、第２中心電極３６の両端は、それぞれフェライト３２の下面に形成された接続用電極３５ｃ，３６ｐに接続されている。なお、接続用電極３５ｃは第１中心電極３５及び第２中心電極３６のそれぞれの端部の接続用電極として共用されている。
【００１７】
即ち、第２中心電極３６はフェライト３２に螺旋状に４ターン巻回されていることになる。ここで、ターン数とは、中心電極３６が第１又は第２主面３２ａ，３２ｂをそれぞれ１回横断した状態を０．５ターンとして計算している。そして、中心電極３５，３６の交差角は必要に応じて設定され、入力インピーダンスや挿入損失が調整されることになる。
【００１８】
また、接続用電極３５ｂ，３５ｃ，３６ｐや中継用電極３５ａ，３６ｂ，３６ｄ，３６ｆ，３６ｈ，３６ｊ，３６ｌ，３６ｎはフェライト３２の上下面に形成された凹部３７（図３参照）に銀、銀合金、銅、銅合金などの電極用導体を塗布又は充填して形成されている。また、上下面には各種電極と平行にダミー凹部３８も形成され、かつ、ダミー電極３９ａ，３９ｂ，３９ｃが形成されている。この種の電極は、マザーフェライト基板に予めスルーホールを形成し、このスルーホールを電極用導体で充填した後、スルーホールを分断する位置でカットすることによって形成される。なお、各種電極は凹部３７，３８に導体膜として形成したものであってもよい。
【００１９】
フェライト３２としてはＹＩＧフェライトなどが用いられている。第１及び第２中心電極３５，３６や各種電極は銀や銀合金の厚膜又は薄膜として印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成することができる。中心電極３５，３６の絶縁膜としてはガラスやアルミナなどの誘電体厚膜、ポリイミドなどの樹脂膜などを用いることができる。これらも印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成することができる。
【００２０】
なお、フェライト３２を絶縁膜及び各種電極を含めて磁性体材料にて一体的に焼成することが可能である。この場合、各種電極を高温焼成に耐えるＣｕ、Ａｇ、Ｐｄ又はＰｄ／Ａｇを用いることになる。
【００２１】
永久磁石４１は、通常、ストロンチウム系、バリウム系、ランタン−コバルト系のフェライトマグネットが用いられる。永久磁石４１とフェライト３２とを接着する接着剤４２としては、一液性の熱硬化型エポキシ接着剤を用いることが最適である。
【００２２】
回路基板２０は、複数枚の誘電体シート上に所定の電極を形成して積層し、焼結した積層型基板であり、その内部には、等価回路である図５及び図６や内部構成図である図７に示すように、整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，ＣＳ１，ＣＳ２，ＣＰ１が内蔵され、チップ型素子である終端抵抗Ｒ（図１参照）が回路基板２０上に外付けされている。なお、図５は第１回路例、図６は第２回路例を示し、図７は図６の回路構成に対応している。また、表面には端子電極２５ａ〜２５ｅが、裏面（実装面）には外部接続用端子電極２６，２７，２８がそれぞれ形成されている。
【００２３】
前記フェライト・磁石素子３０は、回路基板２０上に載置され、フェライト３２の下面の接続用電極３５ｂ，３５ｃ，３６ｐが回路基板２０上の端子電極２５ａ，２５ｂ，２５ｃとリフローはんだ付けされて一体化されるとともに、永久磁石４１の下面が回路基板２０上に接着剤にて一体化される。
【００２４】
平板状ヨーク１０は、電磁シールド機能を有するもので、前記フェライト・磁石素子３０の直上に配置されている。そして、図１に示すように、回路基板２０とヨーク１０との間であってフェライト・磁石素子３０の周囲には樹脂材１１が充填されている。終端抵抗Ｒも樹脂材１１にて覆われている。この樹脂材１１は、例えば、主成分としてシリカ、フェノール樹脂、エポキシ樹脂を混合した樹脂である。
【００２５】
整合用回路素子と前記第１及び第２中心電極３５，３６との接続関係は、例えば、第１回路例である図５及び第２回路例である図６に示すとおりである。ここでは、図６に示す第２回路例に基づいて図７を参照して説明する。
【００２６】
回路基板２０の裏面に形成された外部接続用端子電極２６は整合用コンデンサＣＳ１を介して端子電極２５ａ（入力ポートＡ）に接続され、かつ、整合用コンデンサＣ１と終端抵抗Ｒとに接続されている。また、端子電極２５ａはフェライト３２の下面に形成された接続用電極３５ｂを介して第１中心電極３５の一端に接続されている。
【００２７】
第１中心電極３５の他端及び第２中心電極３６の一端は、フェライト３２の下面に形成された接続用電極３５ｃ及び回路基板２０の表面に形成された端子電極２５ｂ（出力ポートＢ）を介して終端抵抗Ｒ及びコンデンサＣ１，Ｃ２に接続され、かつ、コンデンサＣＳ２を介して回路基板２０の裏面に形成された外部接続用端子電極２７に接続されている。また、終端抵抗Ｒは回路基板２０の表面に形成された端子電極２５ｄ，２５ｅに接続されている。
【００２８】
第２中心電極３６の他端は、フェライト３２の下面に形成された接続用電極３６ｐ及び回路基板２０の表面に形成された端子電極２５ｃ（グランドポートＣ）を介してコンデンサＣ２及び回路基板２０の裏面に形成された外部接続用端子電極２８と接続されている。また、入力側端子電極２５ａ（入力ポートＡ）とコンデンサＣＳ１の接続点には接地されたインピーダンス調整用のコンデンサＣＰ１が接続されている。
【００２９】
なお、図５に示す第１回路例は図６及び図７に示す第２回路例における一部の素子（コンデンサＣＳ１，ＣＳ２，ＣＰ１）を省略した基本タイプである。
【００３０】
以上の構成からなる２ポート型アイソレータにおいては、第１中心電極３５の一端が入力ポートＡに接続され他端が出力ポートＢに接続され、第２中心電極３６の一端が出力ポートＢに接続され他端がグランドポートＣに接続されているため、動作時において、第２中心電極３６に大きな高周波電流が流れ、第１中心電極３５にはほとんど高周波電流が流れない。それゆえ、挿入損失の小さな２ポート型の集中定数型アイソレータとすることができる。
【００３１】
また、第２中心電極３６はフェライト３２に２ターン以上巻回されているため、第２中心電極３６はインダクタンス値及びＱ値が高く、アイソレータとしての特性が向上する。
【００３２】
ところで、外部接続用端子電極２７から逆方向の高周波信号が入力された場合、その電力のほとんどは終端抵抗Ｒにて消費され、そのままでは終端抵抗Ｒが過剰に発熱することになる。そこで、本第１実施例では、図８（Ａ）に示すように、チップ型の終端抵抗Ｒをその抵抗体膜を回路基板２０の表面に対向させて実装するようにした。
【００３３】
終端抵抗Ｒは、アルミナ基板６１の両端部に電極６２を形成するとともに一面に抵抗体膜６３を形成し、該抵抗体膜６３を保護層６４で被覆したものである。材料を例示すると、電極６２はガラスを添加した銀からなる厚膜であり、抵抗体膜６３は酸化金属を主成分としてガラスを添加した誘電体からなる厚膜であり、保護層６４はガラスからなる。電極６２が回路基板２０上の端子電極２５ｄ，２５ｅ上にはんだ６５にて接合されている。
【００３４】
前記２ポート型アイソレータにおいて、逆方向の信号が入力されたとき、その電力は終端抵抗Ｒで消費され、終端抵抗Ｒが発熱する。終端抵抗Ｒはその抵抗体膜６３が回路基板２０の表面に対向して実装されているため、抵抗体膜６３の発熱は回路基板２０を通じて放熱され、耐電圧特性が向上し、終端抵抗Ｒの焼損などの故障を未然に防止できる。特に、回路基板２０が樹脂系材料と比較してセラミックやガラスセラミック複合材料など熱伝導の良好な材料で形成されている場合に効果が大きい。しかも、終端抵抗Ｒは特別な加工や処理が必要ではなく汎用品を使用できる。さらに、放熱経路の増大によって非可逆回路素子自体の小型化が可能になる。
【００３５】
さらに、終端抵抗Ｒの温度上昇が抑えられることから、終端抵抗Ｒの発熱による抵抗値の変動が小さくなり、アイソレーション特性の劣化が回避される。とりわけ、低挿入損失とするために第２中心電極３６をフェライト３２に複数回巻回した２ポート型のアイソレータにおいては、終端抵抗に１００〜５００Ω程度の高い抵抗値のものと使用することになる。このアイソレータにおいては、終端抵抗Ｒの放熱性を改善することで好ましい電気特性を維持でき、効果的である。
【００３６】
終端抵抗Ｒの抵抗値は、所定の温度特性を有し、温度によって変化する。抵抗値が所定の値から変化するとアイソレーションが減少する。また、終端抵抗Ｒは繰り返して高温状態に曝されることで抵抗値が増大し、アイソレーションが減少する。しかし、本第１実施例では終端抵抗Ｒの発熱を低減できるので、本アイソレータを搭載した通信機が動作中におけるアイソレーションの減少がなく、通信機の動作状況の影響を受けにくく、長期にわたって電気特性が安定化する。
【００３７】
一方、図８（Ｂ）に示すように、抵抗体膜６３を従来と同様に回路基板２０の表面とは反対側に配置すると、抵抗体膜６３と端子電極２５ｄ，２５ｅとの間に等価直列インダクタンス成分ＬＳ１，ＬＳ２が寄生する。図９はこのインダクタンス成分ＬＳ１，ＬＳ２を等価回路として示している。本第１実施例では、抵抗体膜６３を回路基板２０の表面に対向させているので、終端抵抗Ｒに寄生する等価直列インダクタンス成分が減少し、アイソレーション帯域を広帯域化できる。具体的には、本第１実施例では、等価直列インダクタンス値が約１ｎＨ低下し、アイソレーションが２０ｄＢ以上である帯域幅が０．６％増大した。
【００３８】
以下に、図６の第２回路例における回路定数を示す。
第１中心電極３５：インダクタンス値１．７ｎＨ
第２中心電極３６：インダクタンス値２２ｎＨ
コンデンサＣ１：４ｐＦ、アイソレーションの周波数を決定する役割を持つ。動作周波数帯でアイソレーションが最大となる値とすることが好ましい。
コンデンサＣ２：０．３ｐＦ、通過周波数を決定する役割を持つ。動作周波数帯で挿入損失が最小となる値とすることが好ましい。
コンデンサＣＳ１：２．５ｐＦ、アイソレータを５０Ωの特性インピーダンスに整合させる役割を持つ。動作周波数帯で挿入損失が最小となる値とすることが好ましい。
コンデンサＣＳ２：３．５ｐＦ、アイソレータを５０Ωの特性インピーダンスに整合させる役割を持つ。動作周波数帯で挿入損失が最小となる値とすることが好ましい。
終端抵抗Ｒ：３９０Ω、アイソレータの終端抵抗として逆方向電力を吸収する役割を持つ。動作周波数帯でアイソレーションが最大となる値とすることが好ましい。
コンデンサＣＰ１：０．０５ｐＦ、アイソレータを５０Ωの特性インピーダンスに整合させる役割を持つ。動作周波数帯で入力リターンロスが最大、挿入損失が最小となる値とすることが好ましい。
【００３９】
（変形例、図１０参照）
図１０に、終端抵抗の実装形態としての変形例を示す。ここでは、終端抵抗Ｒを樹脂材１１で封入する前に、終端抵抗Ｒのはんだ付け部分を樹脂材１２で覆うようにしている。樹脂材１２は、アルミナなどのセラミック、窒化アルミニウム、ガラス、酸化シリコンなどをエポキシ樹脂に添加したもので、熱伝導性を有している。
【００４０】
樹脂材１２は、通常、アンダーフィル樹脂と呼ばれるもので、基板と部品の接合強度の向上のために、密着性や浸透性の高い樹脂が用いられる。アンダーフィル樹脂として熱伝導性を有する樹脂材１２を用いることにより、樹脂材１２が抵抗体膜６３と回路基板２０の表面との間に充填されるので、両者の熱的結合が高くなり、抵抗体膜６３の放熱性がより向上する。
【００４１】
（第２実施例、図１１参照）
本発明に係る非可逆回路素子の第２実施例である２ポート型アイソレータは、図１１に示すように、集中定数型アイソレータであり、概略、上ヨーク７０と回路基板８０と永久磁石９０と第１及び第２中心電極９５，９６を設けたフェライト９１と下ヨーク１００とで構成されている。
【００４２】
下ヨーク１００には樹脂ケース部１０１が一体的に形成されており、該樹脂ケース部１０１に外部接続用端子（ＩＮ）１０２、外部接続用端子（ＯＵＴ）１０３、外部接続用端子（ＧＮＤ）１０４が取り付けられている。上ヨーク７０、回路基板８０、永久磁石９０、フェライト９１、第１及び第２中心電極９５，９６の作用は前記第１実施例で示した平板状ヨーク１０、回路基板２０、永久磁石４１、フェライト３２、第１及び第２中心電極３５，３６の作用と基本的に同じである。また、回路構成は図５又は図６に示した第１回路例又は第２回路例と同様であり、回路基板８０の内部構成も図７に示したものと基本的に同じである。本第２実施例は、永久磁石９０とフェライト９１とのそれぞれの主面を回路基板８０の表面に対して平行に、いわゆる横置きに配置したものである。
【００４３】
本第２実施例においても、終端抵抗Ｒはその抵抗体膜が回路基板８０の表面に対向させて実装されている。従って、その作用効果は前記第１実施例と同様である。
【００４４】
（第３実施例、図１２参照）
本発明に係る非可逆回路素子の第３実施例であるアイソレータは、図１２に示すように、モジュール化したフェライト・磁石素子３０と終端抵抗ＲとコンデンサＣ１，Ｃ２，ＣＳ１，ＣＳ２，ＣＰ１を通信機の配線回路基板５０上に形成した端子電極５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅ，５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ，５４ａ，５４ｂ，５５ａ，５５ｂ，５６ａ，５６ｂ上にはんだ付けして搭載したものである。回路構成は図６に示したとおりであり、配線回路基板５０内での接続関係は、基本的に図７と同様である。
【００４５】
本第３実施例においても、終端抵抗Ｒはその抵抗体膜が配線回路基板５０の表面に対向させて実装されている。よって、その作用、効果は第１実施例と同様である。
【００４６】
（他の実施例）
なお、本発明に係る非可逆回路素子は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００４７】
例えば、永久磁石のＮ極とＳ極を反転させれば、入力ポートと出力ポートが入れ替わる。また、整合回路の構成は任意であり、図５及び図６の等価回路以外の回路構成も可能である。また、第１及び第２中心電極の構成、フェライトに対する巻回数も任意である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】第１実施例である非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）を示す分解斜視図である。
【図２】中心電極付きフェライトを示す斜視図である。
【図３】前記フェライトを示す斜視図である。
【図４】フェライト・磁石素子を示す分解斜視図である。
【図５】２ポート型アイソレータの第１回路例を示す等価回路図である。
【図６】２ポート型アイソレータの第２回路例を示す等価回路図である。
【図７】前記第２回路例における回路基板の内部構成を示すブロック図である。
【図８】（Ａ）は第１実施例における終端抵抗の実装状態を示す断面図、（Ｂ）は従来例における終端抵抗の実装状態を示す断面図である。
【図９】終端抵抗に寄生的に発生する等価直列インダクタンス成分を示す等価回路図である。
【図１０】終端抵抗の実装状態の変形例を示す断面図である。
【図１１】第２実施例である非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）を示す分解斜視図である。
【図１２】第３実施例である非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００４９】
１２…アンダーフィル樹脂
２０，８０…回路基板
３０…フェライト・磁石素子
３２，９１…フェライト
３５，９５…第１中心電極
３６，９６…第２中心電極
４１，９０…永久磁石
５０…配線回路基板
６１…絶縁基板
６３…抵抗体膜
Ｃ１，Ｃ２…整合用コンデンサ
Ｒ…終端抵抗
Ａ…入力ポート
Ｂ…出力ポート
Ｃ…グランドポート
【図１】
2010147853.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2010147853.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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