(57)【要約】【課題】電気泳動素子の自己消去を防止するとともに、高周波数のパルス入力による表示を可能とした電気泳動表示装置の駆動方法を提供する。【解決手段】本発明の電気泳動表示装置の駆動方法は、画素電極に第１の電位（ハイレベル；Ｈ）を入力し、共通電極に第２の電位（ローレベル；Ｌ）を入力することで電気泳動素子を駆動する素子駆動ステップＳ１を実行した後、次の素子駆動ステップＳ１を実行する前に、第２の電極の電位を、電気泳動素子に印加される電圧が電気泳動素子の閾値電圧以下の電圧となる一定速度で変化させ、第２の電位から第１の電位に移行させる電位復帰ステップＳ２を有することを特徴とする。【選択図】図６
2010217285.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板との間に電気泳動粒子を含む電気泳動素子を挟持してなり、前記第１の基板の前記電気泳動素子側に形成された第１の電極と、前記第１の電極と前記電気泳動素子との間に形成された絶縁層と、前記第２の基板の前記電気泳動素子側に形成された第２の電極とを有する電気泳動表示装置の駆動方法であって、
前記第１の電極に第１の電位を入力し、前記第２の電極に第２の電位を入力することで前記電気泳動素子を駆動する素子駆動ステップを実行した後、次の前記素子駆動ステップを実行する前に、
前記第２の電極の電位を、前記電気泳動素子に印加される電圧が前記電気泳動素子の閾値電圧以下の電圧となる一定速度で変化させ、前記第２の電位から前記第１の電位に移行させる電位復帰ステップを有することを特徴とする電気泳動表示装置の駆動方法。
【請求項２】
前記電位復帰ステップにおいて、
前記第２の電極の電位変化速度を、前記電気泳動素子に印加される電圧が前記電気泳動素子の閾値電圧以下となる最大の速度とすることを特徴とする請求項１に記載の電気泳動表示装置の駆動方法。
【請求項３】
第１の基板と第２の基板との間に電気泳動粒子を含む電気泳動素子を挟持してなり、前記第１の基板の前記電気泳動素子側に形成された第１の電極と、前記第１の電極と前記電気泳動素子との間に形成された絶縁層と、前記第２の基板の前記電気泳動素子側に形成され複数の前記第１の電極と対向する第２の電極とを有する電気泳動表示装置の駆動方法であって、
前記第１の電極に第１の電位を入力し、前記第２の電極に前記第１の電位と第２の電位とを繰り返すパルスを入力することで当該第１の電極と前記第２の電極との間の前記電気泳動素子を駆動し、
前記第２の電極の電位を前記第１の電位から前記第２の電位に移行させる際に、前記電気泳動素子に印加される電圧が前記電気泳動素子の閾値電圧以下の電圧となる一定速度で変化させることを特徴とする電気泳動表示装置の駆動方法。
【請求項４】
前記電気泳動素子が前記電気泳動粒子と電気泳動分散液とを封入してなるカプセルを有しており、前記絶縁層が前記カプセルの壁膜を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電気泳動表示装置の駆動方法。
【請求項５】
前記絶縁層が、前記第１の電極と前記電気泳動素子との間に設けられた接着層を含むことを特徴とする請求項４に記載の電気泳動表示装置の駆動方法。
【請求項６】
第１の基板と第２の基板との間に電気泳動粒子を含む電気泳動素子を挟持してなり、前記第１の基板の前記電気泳動素子側に形成された第１の電極と、前記第１の電極と前記電気泳動素子との間に形成された絶縁層と、前記第２の基板の前記電気泳動素子側に形成された第２の電極とを有し、前記電気泳動素子に駆動電圧を印加する電圧制御部を備えた電気泳動表示装置であって、
前記電圧制御部は、前記電気泳動素子を駆動して画像を表示させるに際して、
前記第１の電極に第１の電位を入力し、前記第２の電極に第２の電位を入力することで前記電気泳動素子を駆動して画像を形成した後、次の前記画像を形成する前に、
前記第２の電極の電位を、前記電気泳動素子に印加される電圧が前記電気泳動素子の閾値電圧以下の電圧となる一定速度で変化させ、前記第２の電位から前記第１の電位に移行させる電位復帰動作を実行することを特徴とする電気泳動表示装置。
【請求項７】
第１の基板と第２の基板との間に電気泳動粒子を含む電気泳動素子を挟持してなり、前記第１の基板の前記電気泳動素子側に形成された第１の電極と、前記第１の電極と前記電気泳動素子との間に形成された絶縁層と、前記第２の基板の前記電気泳動素子側に形成された第２の電極とを有し、前記電気泳動素子に駆動電圧を印加する電圧制御部を備えた電気泳動表示装置であって、
前記電圧制御部は、前記電気泳動素子を駆動して画像を表示させるに際して、
前記第１の電極に第１の電位を入力し、前記第２の電極に前記第１の電位と第２の電位とを繰り返すパルスを入力することで当該第１の電極と前記第２の電極との間の前記電気泳動素子を駆動して画像を形成し、
前記第２の電極の電位を前記第１の電位から前記第２の電位に移行させる際に、前記電気泳動素子に印加される電圧が前記電気泳動素子の閾値電圧以下の電圧となる一定速度で変化させることを特徴とする電気泳動表示装置。
【請求項８】
前記電気泳動素子が前記電気泳動粒子と電気泳動分散液とを封入してなるカプセルを有しており、前記絶縁層が前記カプセルの壁膜を含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の電気泳動表示装置。
【請求項９】
前記絶縁層が、前記第１の電極と前記電気泳動素子との間に設けられた接着層を含むことを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の電気泳動表示装置。
【請求項１０】
請求項６から９のいずれか１項に記載の電気泳動表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気泳動表示装置の駆動方法、電気泳動表示装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気泳動表示装置として、一対の基板間に液相分散媒と電気泳動粒子とを有する電気泳動素子を挟持した構成のものが知られている。この種の電気泳動表示装置では、電気泳動素子を挟持する一対の電極に電圧を印加することで電気泳動粒子の分布状態を変化させて表示を行う（例えば特許文献１参照）。
さらに、特許文献１に記載の電気泳動表示装置の駆動方法では、電極の表面に絶縁性部材を設けた構成における電気泳動素子の自己消去を防止するために、電極への印加電圧を切断するときの波形を鈍らせることで電気泳動素子に逆極性の電圧が印加されないようにしていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１４０１９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１記載の駆動方法によれば、電気泳動素子を駆動する際に、電極に逆進性の電圧が印加されるのを防止でき、画像書き込み時における自己消去を防止することができる。しかし、本発明者がさらに検討を行ったところ、一方の基板に複数の画素電極が形成され、他方の基板に共通電極が形成された電気泳動表示装置において、共通電極の電位をフレームごとに変化させて駆動すると、電気泳動素子に対する書き込み動作の後であっても、自己消去が起こる場合があることが判明した。
【０００５】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、電気泳動素子への書き込み後にも自己消去を防止することができる電気泳動表示装置の駆動方法を提供することを目的の一つとする。また本発明は、画像保持特性に優れた電気泳動表示装置を提供することを目的の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気泳動表示装置の駆動方法は、上記課題を解決するために、第１の基板と第２の基板との間に電気泳動粒子を含む電気泳動素子を挟持してなり、前記第１の基板の前記電気泳動素子側に形成された第１の電極と、前記第１の電極と前記電気泳動素子との間に形成された絶縁層と、前記第２の基板の前記電気泳動素子側に形成された第２の電極とを有する電気泳動表示装置の駆動方法であって、前記第１の電極に第１の電位を入力し、前記第２の電極に第２の電位を入力することで前記電気泳動素子を駆動する素子駆動ステップを実行した後、次の前記素子駆動ステップを実行する前に、前記第２の電極の電位を、前記電気泳動素子に印加される電圧が前記電気泳動素子の閾値電圧以下の電圧となる一定速度で変化させ、前記第２の電位から前記第１の電位に移行させる電位復帰ステップを有することを特徴とする。
【０００７】
この駆動方法によれば、電位復帰ステップにおいて、第２の電極の電位を、所定の一定速度で第２の電位から第１の電位に移行させ、電気泳動素子に印加される電圧を電気泳動素子の閾値電圧以下に保持する。これにより、第２の電極への電圧印加を停止する際に絶縁層に流れる電流を抑えることができ、電気泳動素子に素子駆動ステップとは逆極性の電圧が印加されるのを防止することができる。その結果、電気泳動素子への画像書き込み後にも自己消去を防止することができる電気泳動表示装置の駆動方法を提供することができる。ここで、電気泳動素子の閾値電圧とは、電気泳動素子に印加される電圧のうち、電気泳動粒子が移動せず電気泳動素子のコントラストが維持される最大の電圧をいう。したがって、閾値電圧を超える電圧が電気泳動素子に印加された場合には、電気泳動粒子が移動し、コントラストが変化する。
【０００８】
前記電位復帰ステップにおいて、前記第２の電極の電位変化速度を、前記電気泳動素子に印加される電圧が前記電気泳動素子の閾値電圧以下となる最大の速度とすることが好ましい。
このような駆動方法とすることで、自己消去によるコントラスト低下を抑制しつつ、画像表示後の第１の電極の電位を短時間で安定させることができる。
【０００９】
本発明の電気泳動表示装置の駆動方法は、第１の基板と第２の基板との間に電気泳動粒子を含む電気泳動素子を挟持してなり、前記第１の基板の前記電気泳動素子側に形成された第１の電極と、前記第１の電極と前記電気泳動素子との間に形成された絶縁層と、前記第２の基板の前記電気泳動素子側に形成され複数の前記第１の電極と対向する第２の電極とを有する電気泳動表示装置の駆動方法であって、前記第１の電極に第１の電位を入力し、前記第２の電極に前記第１の電位と第２の電位とを繰り返すパルスを入力することで当該第１の電極と前記第２の電極との間の前記電気泳動素子を駆動し、前記第２の電極の電位を前記第１の電位から前記第２の電位に移行させる際に、前記電気泳動素子に印加される電圧が前記電気泳動素子の閾値電圧以下の電圧となる一定速度で変化させることを特徴とする。
【００１０】
この駆動方法によれば、画像を表示する際に第２の電極の電位を第２の電位から第１の電位へ移行させても電気泳動素子に印加される電位が閾値電圧以下に保持することができる。したがって、駆動されていない領域の電気泳動素子に素子駆動時とは逆極性の電圧が印加されるのを防止することができる。その結果、画像書き込み中に、駆動されていない電気泳動素子における自己消去を防止することが可能な電気泳動表示装置の駆動方法を提供することができる。
【００１１】
前記電気泳動素子が前記電気泳動粒子と電気泳動分散液とを封入してなるカプセルを有しており、前記絶縁層が前記カプセルの壁膜を含むことを特徴とする。すなわち、本発明に係る絶縁層は、電気泳動素子と第１の電極との間に設けられる絶縁物質の層のみならず、電気泳動粒子を封入したカプセルの壁膜を含むものとすることができる。換言すれば、本発明に係る電気泳動表示装置の駆動方法は、電気泳動素子が上記カプセルを含むものである一方、第１の電極と電気泳動素子との間に絶縁膜や接着剤が設けられていない電気泳動表示装置にも好適に用いることができる方法である。
【００１２】
前記絶縁層が、前記第１の電極と前記電気泳動素子との間に設けられた接着層を含むことを特徴とする。すなわち本発明の駆動方法は、電気泳動素子と第１の電極とが接着層を介して貼り合わされている電気泳動表示装置にも好適に用いることができる。
【００１３】
次に、本発明の電気泳動表示装置は、第１の基板と第２の基板との間に電気泳動粒子を含む電気泳動素子を挟持してなり、前記第１の基板の前記電気泳動素子側に形成された第１の電極と、前記第１の電極と前記電気泳動素子との間に形成された絶縁層と、前記第２の基板の前記電気泳動素子側に形成された第２の電極とを有し、前記電気泳動素子に駆動電圧を印加する電圧制御部を備えた電気泳動表示装置であって、前記電圧制御部は、前記電気泳動素子を駆動して画像を表示させるに際して、前記第１の電極に第１の電位を入力し、前記第２の電極に第２の電位を入力することで前記電気泳動素子を駆動して画像を形成した後、次の前記画像を形成する前に、前記第２の電極の電位を、前記電気泳動素子に印加される電圧が前記電気泳動素子の閾値電圧以下の電圧となる一定速度で変化させ、前記第２の電位から前記第１の電位に移行させる電位復帰動作を実行することを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、電位復帰動作において、第２の電極の電位を、所定の一定速度で第２の電位から第１の電位に移行させ、電気泳動素子に印加される電圧を電気泳動素子の閾値電圧以下に保持する。これにより、第２の電極への電圧印加を停止する際に絶縁層に流れる電流を抑えることができ、電気泳動素子に素子駆動動作時とは逆極性の電圧が印加されるのを防止することができる。その結果、電気泳動素子への画像書き込み後にも自己消去を防止し、画像保持特性に優れた電気泳動表示装置を提供することができる。
【００１５】
本発明の電気泳動表示装置は、第１の基板と第２の基板との間に電気泳動粒子を含む電気泳動素子を挟持してなり、前記第１の基板の前記電気泳動素子側に形成された第１の電極と、前記第１の電極と前記電気泳動素子との間に形成された絶縁層と、前記第２の基板の前記電気泳動素子側に形成された第２の電極とを有し、前記電気泳動素子に駆動電圧を印加する電圧制御部を備えた電気泳動表示装置であって、前記電圧制御部は、前記電気泳動素子を駆動して画像を表示させるに際して、前記第１の電極に第１の電位を入力し、前記第２の電極に前記第１の電位と第２の電位とを繰り返すパルスを入力することで当該第１の電極と前記第２の電極との間の前記電気泳動素子を駆動して画像を形成し、前記第２の電極の電位を前記第１の電位から前記第２の電位に移行させる際に、前記電気泳動素子に印加される電圧が前記電気泳動素子の閾値電圧以下の電圧となる一定速度で変化させることを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、画像を表示する際に第２の電極の電位を第２の電位から第１の電位へ移行させても電気泳動素子に印加される電位が閾値電圧以下に保持することができる。したがって、駆動されていない領域の電気泳動素子に素子駆動時とは逆極性の電圧が印加されるのを防止することができる。その結果、画像書き込み中に、駆動されていない電気泳動素子における自己消去を防止することが可能な電気泳動表示装置を提供することができる。
【００１７】
前記電気泳動素子が前記電気泳動粒子と電気泳動分散液とを封入してなるカプセルを有しており、前記絶縁層が前記カプセルの壁膜を含むことを特徴とする。
すなわち、本発明に係る絶縁層は、電気泳動素子と第１の電極との間に設けられる絶縁物質の層のみならず、電気泳動粒子を封入したカプセルの壁膜を含むものとすることができる。換言すれば、本発明に係る電気泳動表示装置は、電気泳動素子が上記カプセルを含むものである一方、第１の電極と電気泳動素子との間に絶縁膜や接着剤が設けられていない電気泳動表示装置であってもよい。
【００１８】
前記絶縁層が、前記第１の電極と前記電気泳動素子との間に設けられた接着層を含むことを特徴とする。すなわち本発明の電気泳動表示装置は、電気泳動素子と第１の電極とが接着層を介して貼り合わされた構成であってもよい。
【００１９】
本発明の電子機器は、先に記載の電気泳動表示装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、画像保持特性に優れ、表示品位に優れた表示手段を具備した電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施形態に係る電気泳動表示装置１００の概略構成図。
【図２】（ａ）１画素における電気泳動表示装置の部分断面図、（ｂ）マイクロカプセルの断面図。
【図３】電気泳動素子の動作説明図。
【図４】画素の回路構成図。
【図５】第１の実施形態に係る駆動方法を示すタイミングチャート。
【図６】第１の実施形態に係る駆動方法の作用説明図。
【図７】変形例に係る駆動方法を示すタイミングチャート。
【図８】第２の実施形態に係る駆動方法を示すタイミングチャート。
【図９】第２の実施形態に係る駆動方法の作用説明図。
【図１０】電子機器を例示する斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を用いて本発明における電気泳動表示装置について説明する。なお本実施形態では、アクティブマトリクス方式により駆動される電気泳動表示装置について説明する。
なお、本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、図面を見やすくするために実際の構成とは適宜異ならせて表示している。
【００２２】
［第１の実施形態］
図１は、本実施形態の第１の実施形態に係る電気泳動表示装置１００の概略構成図である。
電気泳動表示装置１００は、複数の画素４０がマトリクス状に配列された表示部５を備えている。表示部５の周辺には、走査線駆動回路６１、データ線駆動回路６２が配置されている。また表示部５には、走査線駆動回路６１から延びる複数の走査線３６と、データ線駆動回路６２から延びる複数のデータ線３８とが形成されており、これらの交差位置に対応して画素４０が設けられている。画素４０は、走査線３６及びデータ線３８と接続された選択トランジスタ４１と、選択トランジスタ４１と接続された画素電極３５（第１の電極）とを有する。
【００２３】
走査線駆動回路６１は、ｍ本の走査線３６（Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ）を介して各々の画素４０に接続されている。走査線駆動回路６１は、これら１行目からｍ行目までの走査線３６を順次選択し、画素４０に設けられた選択トランジスタ４１のオンタイミングを規定する選択信号を、選択した走査線３６を介して供給する。
データ線駆動回路６２は、ｎ本のデータ線３８（Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ）を介して各々の画素４０に接続されており、画素４０の各々に対して画素データを規定する画像信号を供給する。
【００２４】
次に、図２（ａ）は、表示部５に設けられた１つの画素４０における電気泳動表示装置１００の部分断面図である。電気泳動表示装置１００は、素子基板（第１の基板）３０と対向基板（第２の基板）３１との間に、複数のマイクロカプセル２０を配列してなる電気泳動素子３２を挟持した構成を備えている。
【００２５】
表示部５において、素子基板３０の電気泳動素子３２側には、選択トランジスタ４１と、選択トランジスタと接続された画素電極３５（第１の電極）、走査線３６、及びデータ線３８が形成されている。選択トランジスタ４１、走査線３６、データ線３８、及び画素電極３５を覆って、絶縁膜３４が形成されている。
【００２６】
素子基板３０は、ガラスやプラスチック等からなる基板であり、画像表示面とは反対側に配置されるため透明なものでなくてもよい。特に本実施形態の場合、選択トランジスタ４１が後述する有機トランジスタであるため、安価で軽量、かつ柔軟性に優れたプラスチック基板を用いることができる。
【００２７】
画素電極３５は電気泳動素子３２に駆動電圧を印加する電極であり、Ｃｕ（銅）箔上にニッケルメッキと金メッキとをこの順番で積層したものや、Ａｌ、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）などを用いて形成される。さらに、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｄやそれらの合金、ＩｎＯ２、ＳｎＯ２等の導電性酸化物、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン等の導電性高分子、導電性高分子に塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、ＰＦ６、ＡｓＦ５、ＦｅＣｌ３等のルイス酸、ヨウ素等のハロゲン原子、ナトリウムカリウム等の金属原子等のドーパントを添加したもの、カーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料等を用いてもよい。
走査線３６及びデータ線３８は、上記した画素電極３５と同様の材料を用いて形成することができる。
【００２８】
選択トランジスタ４１は、半導体層４１ａと、ゲート絶縁膜４１ｂと、ソース電極４１ｃと、ドレイン電極４１ｄと、ゲート電極４１ｅとを有する。本実施形態の場合、ソース電極４１ｃはデータ線３８の一部を用いて形成され、ドレイン電極４１ｄは画素電極３５の一部を用いて形成され、ゲート電極４１ｅは走査線３６の一部を用いて形成されている。
【００２９】
半導体層４１ａは、有機半導体材料を含む有機半導体層である。半導体層４１ａは、一部をソース電極４１ｃ及びドレイン電極４１ｄに乗り上げるようにして素子基板３０上に形成されている。
【００３０】
有機半導体材料としては、例えば、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）（ＰＴＶ）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＦＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）（ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール）（ＢＴ）、フルオレン−トリアリルアミン共重合体、トリアリルアミン系ポリマー、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェン）（Ｆ８Ｔ２）のようなフルオレン−ビチオフェン共重合体等のポリマー有機半導体材料、またＣ６０あるいは金属フタロシアニンあるいはそれらの置換誘導体、あるいは、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン等のアセン分子材料、あるいは、α−オリゴチオフェン類、具体的にはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）、オクタチオフェンのような低分子系有機半導体のうち１種または２種以上を混合して用いることができる。
【００３１】
有機半導体の成膜方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、プラズマ重合法、電解重合法、化学重合法、イオンプレーティング法、スピンコート法、キャスト法、引き上げ法、ラングミュアブロジェット法、スプレー法、インクジェット法、ロールコート法、バーコート法、ディスペンス法、シルクスクリーン法、デイップコート法等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。例えば、素子基板３０上にパターン状に穴の空いたマスクを合わせた後にこれらの方法を用いて成膜を行うことや、一様に成膜された有機半導体層を部分的にエッチングすることにより、部分的に膜厚の異なる半導体層１３の形成が可能である。これらの方法の中でも、インクジェット法やディスペンス法を用いて溶液材料から半導体層を塗布形成する方法が、最も簡便に膜厚をコントロールすることが可能であるという点から好ましい。
【００３２】
ゲート絶縁膜４１ｂは、半導体層４１ａを覆う平面領域に選択的に形成されている。ゲート絶縁膜４１ｂの形成材料としては、絶縁性を有する材料であれば種類は特に限定されない。かかる絶縁材料としては、有機材料、無機材料のいずれも使用可能であるが、一般に有機絶縁膜は有機半導体層と良好な界面を形成しやすいことから、有機絶縁材料が好ましく採用される。一般的に良好な電気特性が得られるゲート絶縁膜４１ｂとしては、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリスチレン、ポリメタクリル酸メチル、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリカーボネート、あるいはパラキシリレン膜が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３３】
ゲート電極４１ｅは、ゲート絶縁膜４１ｂを介して半導体層４１ａのチャネル領域（ソース電極４１ｃとドレイン電極４１ｄとに挟まれた領域）と対向する位置に形成されている。ゲート電極４１ｅ（走査線３６）は、上述した材料の導電膜をエッチングして形成することができる。あるいは、所定形状に穴のあいたメタルスルーマスクを通して素子基板３０上に導電膜の蒸着処理を行うことにより形成することができる。さらには、金属微粒子、グラファイトなどの導電性粒子を含む溶液を、インクジェット法などにより選択的に塗布して形成してもよい。
【００３４】
絶縁膜３４は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機絶縁膜、あるいは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の有機絶縁膜とすることができる。絶縁膜３４は、選択トランジスタ４１や画素電極３５による素子基板３０上の凹凸を平坦化する機能を奏する。絶縁膜３４を形成することで、選択トランジスタ４１と電気泳動素子３２との距離が長くなるので、選択トランジスタ４１の駆動時に生じる電界が電気泳動素子３２に作用するのを防止できるという効果も得られる。
【００３５】
一方、対向基板３１の電気泳動素子３２側には複数の画素電極３５と対向する平面形状の共通電極３７（第２の電極）が形成されており、共通電極３７上に電気泳動素子３２が設けられている。
対向基板３１はガラスやプラスチック等からなる基板であり、画像表示側に配置されるため透明基板とされる。共通電極３７は、画素電極３５とともに電気泳動素子３２に電圧を印加する電極であり、ＭｇＡｇ（マグネシウム銀）、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）などから形成された透明電極である。
【００３６】
本実施形態の場合、電気泳動素子３２は、あらかじめ対向基板３１側に形成され、素子基板３０と接着するための接着層３３までを含めた電気泳動シートとして構成されている。そして、電気泳動シートの接着層３３と、素子基板３０上の絶縁膜３４とが接着されることで、電気泳動表示装置１００が構成されている。
なお、接着層３３は、マイクロカプセル２０間の間隙に充填されていてもよく、対向基板３１上に形成された電気泳動素子３２を覆う接着剤の層として形成されていてもよい。
【００３７】
図２（ｂ）は、マイクロカプセル２０の模式断面図である。マイクロカプセル２０は、例えば５０μｍ程度の粒径を有しており、内部に分散媒２１と、複数の白色粒子（電気泳動粒子）２７と、複数の黒色粒子（電気泳動粒子）２６とを球状の壁膜２０ａ（外殻）に封入した構成を備える。マイクロカプセル２０は、図２（ａ）に示すように共通電極３７と画素電極３５とに挟持され、１つの画素４０内に１つ又は複数のマイクロカプセル２０が配置される。
【００３８】
マイクロカプセル２０の壁膜２０ａは、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチルなどのアクリル樹脂、ユリア樹脂、アラビアゴムなどの透光性を持つ高分子樹脂などを用いて形成される。
分散媒２１は、白色粒子２７と黒色粒子２６とをマイクロカプセル２０内に分散させる液体である。分散媒２１としては、水、アルコール系溶媒（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブなど）、エステル類（酢酸エチル、酢酸ブチルなど）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど）、脂肪族炭化水素（ぺンタン、ヘキサン、オクタンなど）、脂環式炭化水素（シクロへキサン、メチルシクロへキサンなど）、芳香族炭化水素（ベンゼン、トルエン、長鎖アルキル基を有するベンゼン類（キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼンなど））、ハロゲン化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなど）、カルボン酸塩などを例示することができ、その他の油類であってもよい。これらの物質は単独又は混合物として用いることができ、さらに界面活性剤などを配合してもよい。
【００３９】
白色粒子２７は、例えば、二酸化チタン、亜鉛華、三酸化アンチモン等の白色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば負に帯電されて用いられる。黒色粒子２６は、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック等の黒色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば正に帯電されて用いられる。
これらの顔料には、必要に応じ、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンドなどの粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤などを添加することができる。
また、黒色粒子２６及び白色粒子２７に代えて、例えば赤色、緑色、青色などの顔料を用いてもよい。かかる構成によれば、表示部５に赤色、緑色、青色などを表示することができる。
【００４０】
以上の構成を備えた電気泳動表示装置１００では、画素電極３５と電気泳動素子３２との間に、いずれも絶縁材料からなる絶縁膜３４と接着層３３とが形成されている。また、電気泳動素子３２を構成するマイクロカプセル２０の壁膜２０ａも絶縁材料により構成されている。したがって、本実施形態では、絶縁膜３４、接着層３３、及びマイクロカプセル２０の壁膜２０ａが、本発明に係る絶縁層ＩＮＳ（図４参照）を構成している。
【００４１】
なお、本実施形態では、絶縁膜３４は画素電極３５を覆って形成されているが、絶縁膜３４の画素電極３５上の領域に開口部を形成し、画素電極３５を露出させた構成としてもよい。あるいは、画素電極３５を絶縁膜３４上に形成するとともに、絶縁膜３４を貫通してドレイン電極４１ｄに達するコンタクトホールを形成し、かかるコンタクトホールを介して画素電極３５とドレイン電極４１ｄとを接続してもよい。これらの場合には、本発明に係る絶縁層ＩＮＳは、接着層３３と、マイクロカプセル２０の壁膜２０ａとにより構成される。
【００４２】
さらに、接着層３３を設けず、他の手段で素子基板３０と対向基板３１とを固定している場合には、本発明に係る絶縁層ＩＮＳは、マイクロカプセル２０の壁膜２０ａのみにより構成されることとなる。
【００４３】
図３は、電気泳動素子の動作説明図である。図３（ａ）は、画素４０を白表示する場合、図３（ｂ）は、画素４０を黒表示する場合をそれぞれ示している。
図３（ａ）に示す白表示の場合には、共通電極３７が相対的に高電位、画素電極３５が相対的に低電位に保持される。これにより、負に帯電した白色粒子２７が共通電極３７に引き寄せられる一方、正に帯電した黒色粒子２６が画素電極３５に引き寄せられる。その結果、表示面側となる共通電極３７側からこの画素を見ると、白色（Ｗ）が認識される。
図３（ｂ）に示す黒表示の場合、共通電極３７が相対的に低電位、画素電極３５が相対的に高電位に保持される。これにより、正に帯電した黒色粒子２６が共通電極３７に引き寄せられる一方、負に帯電した白色粒子２７が画素電極３５に引き寄せられる。その結果、共通電極３７側からこの画素を見ると黒色（Ｂ）が認識される。
【００４４】
次に、上記の構成を備えた電気泳動表示装置１００の駆動方法について図４から図６を参照して説明する。
図４は、画素４０の回路構成図である。図５は、１つの画素４０を黒表示させる場合のタイミングチャートである。図６は、本実施形態に係る駆動方法の作用説明図である。
【００４５】
図４（ａ）に示すように、選択トランジスタ４１はＰチャネルトランジスタであり、選択トランジスタ４１のドレイン端子に、絶縁層ＩＮＳ（壁膜２０ａ、接着層３３、絶縁膜３４）を介して画素電極３５が接続されている。また、図４（ｂ）に示すように、絶縁層ＩＮＳは、静電容量Ｃｉｎｓと電気抵抗Ｒｉｎｓとを並列接続した回路として表され、電気泳動素子３２は、静電容量Ｃｅｐと電気抵抗Ｒｅｐとを並列接続した回路として表される。
図５には、図４に示す選択トランジスタのゲート電極４１ｅの電位Ｇａｔｅ、ソース電極４１ｃ（データ線３８）の電位ＤＡＴＡ、共通電極３７の電位ＣＯＭ、及び画素４０の表示面における反射率が示されている。
【００４６】
表示部５に画像を表示するには、画像表示部分の画素４０に属する画素電極３５と共通電極３７とにそれぞれ所定の電位を入力することで、電気泳動素子３２（マイクロカプセル２０）に駆動電圧を印加する。図５に示す画像表示動作開始時（時刻ｔ０）において、選択トランジスタ４１のゲート電極４１ｅの電位Ｇａｔｅはハイレベル（Ｈ；例えば４０Ｖ）であり、ソース電極４１ｃの電位ＤＡＴＡはローレベル（Ｌ；例えば０Ｖ；第２の電位）である。また、共通電極３７の電位ＣＯＭはハイレベル（Ｈ；例えば４０Ｖ）である。このとき、画素４０は高反射率（Ｈ）の状態であり、白表示されている。
【００４７】
画像表示動作が開始されたならば、時刻ｔ１において共通電極３７の電位ＣＯＭがローレベル（Ｌ；例えば０Ｖ；第２の電位）とされ、その後の時刻ｔ２においてデータ線３８に矩形波状のパルスが入力されてハイレベル（Ｈ；例えば４０Ｖ；第１の電位）とされる。
【００４８】
その後、時刻ｔ３から時刻ｔ４にかけて、選択トランジスタ４１のゲート電極４１ｅの電位Ｇａｔｅがローレベル（Ｌ；例えば０Ｖ）に設定され、選択トランジスタ４１がオン状態となる。すなわち、時刻ｔ３から時刻ｔ４の期間にソース電極４１ｃの電位ＤＡＴＡが画素電極３５に入力される。
【００４９】
より詳しくは、時刻ｔ２から時刻ｔ５の期間に、電位ＤＡＴＡがハイレベルとされ、オン状態の選択トランジスタ４１を介して電位ＤＡＴＡ（ハイレベル；第１の電位）が画素電極３５に入力される（素子駆動ステップＳ１）。これにより、画素電極３５（ハイレベル；第１の電位）と共通電極３７（ローレベル；第２の電位）との電位差に相当する電圧が電気泳動素子３２に印加され、図３（ｂ）に示したように、電気泳動素子３２の黒色粒子２６が共通電極３７側に引き寄せられて画像表示動作が実行される。
【００５０】
その後、時刻ｔ６から時刻ｔ７の期間に共通電極３７の電位ＣＯＭをローレベル（第２の電位）からハイレベル（第１の電位）に一様な傾きで徐々に変化させる（電位復帰ステップＳ２）。このとき、電位ＣＯＭの波形の傾きは、電気泳動素子３２に印加される電圧が電気泳動素子３２の閾値電圧Ｖｔｈを超えない範囲とされる。
なお、電位ＣＯＭの波形の傾きについては後段で詳細に説明する。
【００５１】
以上の本実施形態の駆動方法によれば、電気泳動素子３２の自己消去を防止し、表示画像のコントラストを良好に保持することができる。以下、かかる作用効果について詳細に説明する。
【００５２】
図６は、本発明に係る駆動方法の作用説明図である。図６（ａ）は、本実施形態の駆動方法における画素４０のそれぞれの位置における波形を示し、図６（ｂ）は、共通電極３７に矩形波（方形波）を入力して駆動した場合の波形を示している。図６（ａ）、図６（ｂ）は、ゲート電極４１ｅの電位Ｇａｔｅ、ソース電極４１ｃの電位ＤＡＴＡ、共通電極３７の電位ＣＯＭ、画素電極３５の電位ＰＩＸ、及び反射率を示している。
【００５３】
図６（ａ）と図６（ｂ）とを比較すれば明らかなように、電気泳動素子３２への画像書込み後、矩形波を入力して共通電極３７の電位を立ち上げると（図６（ｂ））、画素電極３５の電位ＰＩＸにスパイクが発生して、ハイレベル以上の電位となる。これによって、選択トランジスタ４１のドレイン電極４１ｄとソース電極４１ｃとの間に４０Ｖ以上の大きな電位差が生じ、選択トランジスタ４１が誤作動してオン状態となる。そして、ドレイン電極４１ｄからソース電極４１ｃに向かう方向に電流が発生する。そうすると、電気泳動素子３２では、白色粒子２７が共通電極３７側に、黒色粒子２６が画素電極３５側に引き寄せられ、黒表示させるべき電気泳動素子３２のコントラストが低下してしまう。
【００５４】
図６（ｂ）に示す電位ＣＯＭの立ち上がりにおいて電気泳動粒子（白色粒子２７、黒色粒子２６）が逆流するのは、以下の理由による。電気泳動素子３２と画素電極３５との間に絶縁層ＩＮＳが介在する電気泳動表示装置１００では、通常、リーク電流を低減するために絶縁層ＩＮＳの静電容量Ｃｉｎｓと電気抵抗Ｒｉｎｓの積Ｃｉｎｓ・Ｒｉｎｓは、電気泳動素子３２の静電容量Ｃｅｐと電気抵抗Ｒｅｐの積Ｃｅｐ・Ｒｅｐよりも大きくされる。このような構成において、図６（ｂ）に示すように共通電極３７に矩形波を入力すると、絶縁層ＩＮＳにおける電位変化は微分的となり、電位ＣＯＭを変化させた瞬間に大きな電圧が現れる。
【００５５】
これに対して、本実施形態の駆動方法のように共通電極３７に台形波を入力し、電位ＣＯＭの立ち上がりに傾きを持たせると、絶縁層ＩＮＳの静電容量Ｃｉｎｓにおける電荷移動が遅くなり、絶縁層ＩＮＳに流れる電流が小さくなる。その結果、絶縁層ＩＮＳにおける電位変動を抑えることができる。そして、絶縁層ＩＮＳに流れる電流は、共通電極３７の電位変化速度に応じて変化するので、電位ＣＯＭの傾きを調整することで、電位ＣＯＭを立ち上げる際の絶縁層ＩＮＳの電位変化幅を調整することが可能である。
【００５６】
具体的には、絶縁層ＩＮＳの電位変化幅が電気泳動素子３２の閾値電圧Ｖｔｈよりも小さくなるように電位ＣＯＭの傾きを設定している。これにより、図６（ａ）に示すように、電位ＣＯＭの立ち上げ時に電気泳動素子３２の表示状態が変化するのを防止することができる。その結果、図５に示したように、画像書き込み後においても画素４０の反射率は変化せず、コントラストが良好に保持される。
【００５７】
上述したように、電気泳動素子３２の自己消去現象は、電位ＣＯＭを変化させる際の電位変化速度を大きくするほど生じやすく、電位変化速度を小さくするほど自己消去が生じにくくなる。そこで、本実施形態における電位ＣＯＭの立ち上げ時の電位変化速度は、自己消去が生じない範囲でなるべく大きい値に設定することが好ましい。これにより、自己消去によるコントラスト変化を抑えつつ、共通電極３７の電位を短時間で安定させることができ、優れた画像保持性を得ることができる。
【００５８】
特許文献１記載の駆動方法では、電極電位を立ち下げる際の波形を鈍らせているため、完全に電位が立ち下がるまでに比較的長い時間を有する。これに対して本実施形態では、電位ＣＯＭを一定速度で変化させるため、特許文献１記載の駆動方法と同等の作用効果を得つつ、共通電極３７の電位の立ち上げ時間を短縮することができる。
したがって、本実施形態の駆動方法によれば、共通電極３７に入力するパルスの周波数を、従来の駆動方法に比して高めることができ、電気泳動素子３２に対して効率良く電圧を印加することができる。
【００５９】
（変形例）
上記の実施形態においては、選択トランジスタ４１がＰＭＯＳ（Positive Metal Oxide Semiconductor）である場合について説明した。選択トランジスタ４１がＰＭＯＳである場合、黒画像表示された後はソース電極４１ｃの電位ＤＡＴＡがローレベルに設定されている。そのため、画像表示後に共通電極３７の電位ＣＯＭを立ち上げた際の画素電極３５の電位ＰＩＸの急激な電位上昇によって、選択トランジスタ４１が誤動作を起こす。
【００６０】
これに対して、選択トランジスタ４１がＮＭＯＳで構成された場合、白画像表示された後はソース電極４１ｃの電位がハイレベルに設定されている。そのため、画像表示後に共通電極３７の電位ＣＯＭを立ち下げた際の画素電極３５の電位ＰＩＸの急激な電位下降によって、選択トランジスタ４１が誤動作を起こす。そこで、本変形例では白画像表示に係る駆動方法について説明する。
【００６１】
図７は、選択トランジスタ４１がＮＭＯＳで構成された電気泳動表示装置の駆動方法を説明するタイミングチャートである。
図７は、選択トランジスタ４１のゲート電極４１ｅの電位Ｇａｔｅ、ソース電極４１ｃの電位ＤＡＴＡ、共通電極３７の電位ＣＯＭ、画素電極３５の電位ＰＩＸ、及び表示部５における反射率を示している。
【００６２】
ＮＭＯＳで構成された選択トランジスタ４１は、ゲート電極４１ｅにハイレベルが入力された期間にオン状態となるので、図８に示すように、画素４０を白表示させる場合の時刻ｔ０において、ゲート電極４１ｅの電位Ｇａｔｅはローレベル、ソース電極４１ｃの電位ＤＡＴＡはハイレベル、共通電極３７の電位ＣＯＭはローレベルとされている。画素４０は低反射率（Ｌ）の状態であり、黒表示されている。
【００６３】
画像表示動作が開始されたならば、時刻ｔ１において、共通電極３７の電位ＣＯＭがハイレベルとされ、時刻ｔ２においてソース電極４１ｃの電位ＤＡＴＡがローレベルとされる。
続く時刻ｔ３において、ゲート電極４１ｅの電位Ｇａｔｅがハイレベルに移行して選択トランジスタ４１がオン状態とされ、画素電極３５にソース電極４１ｃの電位ＤＡＴＡが入力されてローレベルとされる。そして、ローレベルである画素電極３５とハイレベルである共通電極３７との間の電位差により電気泳動素子３２が駆動される（素子駆動ステップＳ１）。これにより、画素４０の反射率が上昇し、高反射率（Ｈ）の状態（白表示）への移行が開始される。
【００６４】
そして、時刻ｔ４において、ゲート電極４１ｅの電位Ｇａｔｅがハイレベルとされ、選択トランジスタ４１がオフ状態となり画素４０における画像表示動作が終了する。
その後の時刻ｔ５において、ソース電極４１ｃの電位ＤＡＴＡをローレベル（第１の電位）からハイレベル（第２の電位）に変化させる。
【００６５】
その後、時刻ｔ６から時刻ｔ７の期間に、共通電極３７の電位ＣＯＭをハイレベル（第２の電位）からローレベル（第１の電位）に一定速度で徐々に変化させる（電位復帰ステップＳ２）。
【００６６】
このように、共通電極３７に台形波を入力し、電位ＣＯＭの立ち下がりに傾きを持たせることによって、絶縁層ＩＮＳの電位変動幅を小さくすることができる。
具体的には、絶縁層ＩＮＳの電位変化幅が電気泳動素子３２の閾値電圧Ｖｔｈよりも小さくなるように電位ＣＯＭの傾きを設定している。これにより、画素電極３５の電位ＰＩＸの電位が急激に低下するスパイクの発生が抑えられ、電位ＣＯＭの立ち下げ時に電気泳動素子３２の表示状態が変化するのを防止することができる。その結果、画像書き込み後においても、画素４０の白表示が保持されてコントラストが良好に保たれる。
【００６７】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図８は、本実施形態に係るタイミングチャートである。図８では、図１に示した走査線３６（Ｇ１〜Ｇｍ）と接続された選択トランジスタ４１のゲート電極４１ｅの電位ＧＡＴＥ１〜ＧＡＴＥｍ、ソース電極４１ｃの電位ＤＡＴＡ、及び共通電極３７の電位ＣＯＭを示している。
【００６８】
本実施形態では、図８に示すように、共通電極３７にハイレベル（第１の電位）とローレベル（第２の電位）とを周期的に繰り返すパルスを入力する。共通電極３７の電位をローレベルからハイレベルに移行する際には、電気泳動素子３２に印加される電圧が電気泳動素子３２の閾値電圧Ｖｔｈを超えないように、一様な傾きで徐々に変化させる。本実施形態のように、共通電極３７にハイレベルとローレベルとを周期的に繰り返すパルスを入力することによって画像表示を行うことを、以下ではコモン振り駆動と称する。
【００６９】
共通電極３７にパルスが入力された状態で、走査線３６（Ｇ１）にローレベルを入力し、走査線３６（Ｇ１）と接続された選択トランジスタ４１をオン状態にする。これにより、ソース電極４１ｃとドレイン電極４１ｄとが接続され、ソース電極４１ｃから画素電極３５に電位が入力される。そして、走査線３６（Ｇ１）をハイレベルにして選択トランジスタ４１をオフ状態にする。
このような動作を走査線３６（Ｇ２，…Ｇｍ）と接続された選択トランジスタ４１に対して順次実行することですべての画素電極３５に対して電位を入力する。
【００７０】
画素電極３５にハイレベルの電位が入力された画素４０では、共通電極３７にローレベルが入力された期間に画素電極３５と共通電極３７との間に電位差が生じ、黒色粒子２６が共通電極３７側に引き寄せられ、白色粒子２７が画素電極３５側に引き寄せられる。
一方、共通電極３７にハイレベルが入力された期間では、画素電極３５と共通電極３７との間に電位差が生じないため、黒色粒子２６及び白色粒子２７をそれぞれの電極に引き寄せるための引力が発生しない。
共通電極３７に入力したパルスによってこれらの動作を繰り返すと、共通電極３７に黒色粒子２６が集まり、画素電極３５に白色粒子２７が集まって画素４０が黒表示される。
【００７１】
これに対して、画素電極３５にローレベルの電位が入力された画素４０では、共通電極３７にハイレベルが入力された期間に画素電極３５と共通電極３７との間に電位差が生じ、白色粒子２７が共通電極３７側に引き寄せられ、黒色粒子２６が画素電極３５側に引き寄せられる。
一方、共通電極３７にローレベルが入力された期間では、画素電極３５と共通電極３７との間に電位差が生じないため、黒色粒子２６及び白色粒子２７をそれぞれの電極に引き寄せるための引力が発生しない。
共通電極３７に入力したパルスによってこれらの動作を繰り返すと、共通電極３７に白色粒子２７が集まり、画素電極３５に黒色粒子２６が集まって画素４０が白表示される。
このように、コモン振り駆動によれば、異なる画素４０において黒表示と白表示とが同時に実行される。
【００７２】
本実施形態では、共通電極３７の電位をローレベル（第２の電位；Ｌ）からハイレベル（第１の電位；Ｈ）へ移行させる際に、傾きを持った一定の速度で変化させることによって電気泳動素子３２に印加される電位を閾値以下に保持している。これにより、共通電極３７の電位をハイレベルに移行させたときの画素電極３５の電位変化を抑えることができる。
したがって、コモン振り駆動によって画像表示を行った場合でも、画素電極３５がハイレベル以上の電位となって画像表示が行われていない画素４０のオフ状態の選択トランジスタ４１が誤作動するのを防止することができるので、それぞれの電極に集まった電気泳動粒子が逆流して表示画像が自己消去されるのを防止し、コントラストの低下を抑えることができる。
【００７３】
また、本実施形態の駆動方法によれば、黒表示が実行されている画素においてもコントラストの低下を抑えることができる。以下、かかる作用効果について説明する。
図９は、本実施形態に係る駆動方法の作用説明図である。図９（ａ）は、本実施形態の駆動方法における画素４０のそれぞれの位置における波形を示し、図９（ｂ）は、共通電極３７に矩形波を周期的に入力して駆動した場合の波形を示している。
図９（ａ）、図９（ｂ）は、ゲート電極４１ｅの電位Ｇａｔｅ、ソース電極４１ｃの電位ＤＡＴＡ、共通電極３７の電位ＣＯＭ、画素電極３５の電位ＰＩＸ、及び反射率を示している。
【００７４】
図９（ｂ）に示すように、矩形波を入力して共通電極３７の電位を立ち上げると、画素電極３５の電位ＰＩＸにスパイクが発生してハイレベル以上の電位まで一時的に上昇した後、ハイレベルの電位を保持する。そして、共通電極３７の電位を立ち下げると、画素電極３５の電位は一時的に低下した後再び上昇する。このような動作を繰り返しながら、画素電極３５の電位ＰＩＸは、共通電極３７に矩形波が入力されるごとにハイレベルに向けて徐々に上昇する。
画素電極３５にスパイクが発生すると同時に、黒表示を行っている画素内の電気泳動粒子が逆流して反射率が上昇し、表示画像のコントラストが低下するいわゆるキックバックと呼ばれる現象が発生する。すなわち、このような駆動方法では、黒表示を行う際に、共通電極３７の電位が立ち上がるたびに輝度が少しずつ戻ってしまう（上昇してしまう）ため、ゲート電極４１ｅの電位がハイレベルに戻って書き込みが終了した際においても輝度が十分に低下せず、高いコントラストが得られないという問題が生じる。
また、ゲート電極４１ｅの電位がハイレベルに戻った後においても、共通電極３７の電位の立ち上がりの際に画素電極３５の電位にはスパイクが生じうる。このとき、画素電極３５の電位がゲート電極４１ｅの電位を上回ると選択トランジスタ４１が誤動作し、さらにコントラストを下げる方向の電界が生じてしまうおそれがある。
【００７５】
これに対して、図９（ａ）に示すように、本実施形態の駆動方法では、共通電極３７に台形波を入力し電位ＣＯＭの立ち上がに傾きを持たせることによって、画素電極３５の電位ＰＩＸのスパイクを抑えている。これにより、黒表示を行っている画素内の電気泳動粒子の逆流を防止してキックバックの発生が抑えられる。したがって、表示画像のコントラストの低下が抑えられ、画像表示の際に画面がちらつくことはない。
【００７６】
（電子機器）
次に、上記実施形態の電気泳動表示装置１００を、電子機器に適用した場合について説明する。
図１０（ａ）は電子ペーパー１１００の構成を示す斜視図である。電子ペーパー１１００は、上記実施形態の電気泳動表示装置１００を表示領域１１０１に備えている。電子ペーパー１１００は可撓性を有し、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体１１０２を備えて構成されている。
【００７７】
図１０（ｂ）は、電子ノート１２００の構成を示す斜視図である。電子ノート１２００は、上記の電子ペーパー１１００が複数枚束ねられ、カバー１２０１に挟まれているものである。カバー１２０１は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力する図示は省略の表示データ入力手段を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容の変更や更新を行うことができる。
【００７８】
以上の電子ペーパー１１００及び電子ノート１２００によれば、本発明に係る電気泳動表示装置１００が採用されているので、画像保持特性に優れ、表示品位に優れた表示部を備えた電子機器となる。
なお、上記の電子機器は、本発明に係る電子機器を例示するものであって、本発明の技術範囲を限定するものではない。例えば、携帯電話、携帯用オーディオ機器などの電子機器の表示部にも、本発明に係る電気泳動表示装置は好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００７９】
１００  電気泳動表示装置、５  表示部、２０  マイクロカプセル、２０ａ  壁膜、３０  素子基板、３１  対向基板、３２  電気泳動素子、３３  接着層、３４  絶縁膜、３５  画素電極、３６  走査線、３７  共通電極、３８  データ線、４０  画素、４１  選択トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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