(57)【要約】【課題】サセプタの貫通孔内においてリフトピンを滑らかに昇降させることのできる構成を有する電気光学装置の製造装置を提供する。【解決手段】チャンバー６０と、チャンバー６０内に設けられ、基板１０’が載置されると共に、貫通孔６３が設けられたサセプタ６１と、貫通孔６３内に挿通され、基板１０’を昇降自在に支持するリフトピン６２と、リフトピン６２における下端６２ｉ側の外周面６２ｇに形成された、貫通孔６３の内周面６３ｎに接触する接触部位６２ｐ１と、リフトピン６２における上端６２ｔ側の外周面６２ｇに貫通孔６３の長さよりも短く形成された、貫通孔６３の内周面６３ｎに対し非接触となる非接触部位６２ｐ２と、リフトピン６２の下端６２ｉに当接した状態でリフトピン６２を昇降させ、リフトピン６２の上端６２ｔに支持された基板１０’を昇降させるリフトバー６５と、を具備していることを特徴とする。【選択図】図３
2010182711.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する電気光学装置の製造装置であって、
前記基板が搬入されるチャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、前記基板が載置されると共に、厚さ方向に貫通孔が設けられたサセプタと、
前記貫通孔内に挿通され、前記基板を前記サセプタの前記厚さ方向に昇降自在に支持すると共に、前記厚さ方向に前記サセプタよりも長く形成されたリフトピンと、
前記リフトピンにおける前記一端側の外周面に形成された、前記貫通孔の内周面に接触する接触部位と、
前記リフトピンにおける前記他端側の外周面に、前記厚さ方向における前記貫通孔の長さよりも短く形成された、前記貫通孔の内周面に対し非接触となる非接触部位と、
前記リフトピンの前記厚さ方向の一端に当接した状態で、前記リフトピンを前記厚さ方向に昇降させ、前記リフトピンの前記厚さ方向の他端に支持された前記基板を昇降させるリフトバーと、
を具備していることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項２】
前記非接触部位は、前記リフトピンの前記他端側の外周面が、前記一端側から前記他端側に向かうに従い前記リフトピンの外径が小さくなるようテーパー状を有していることにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項３】
前記非接触部位は、前記リフトピンにおける前記他端側の外径が前記一端側の外径よりも小さくなるよう、前記リフトピンの前記他端側の外周面に設けられた段差部により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項４】
前記貫通孔は、前記サセプタに対し前記厚さ方向に沿って嵌入された口金部材内に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項５】
前記リフトピンの前記一端に、該一端と前記リフトバーとの当接面積を前記リフトピンの外径よりも大きくする部材が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する電気光学装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスター(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層による光学応答を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜は、層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィー工程を繰り返すことによって形成されるのである。
【０００４】
ここで、ＴＦＴ基板または対向基板等の電気光学装置に用いる基板に対し、成膜工程やフォトリソグラフィー工程等の処理を行う電気光学装置の製造装置としては、例えば基板を１枚単位で処理する枚葉式の処理装置が周知であり、例えば特許文献１に開示されている。
【０００５】
特許文献１に開示された処理装置は、密閉可能な反応チャンバー内にサセプタが設けられており、該サセプタ上で基板を所定温度に加熱しながら処理を施す構成を有している。
【０００６】
具体的には、特許文献１に開示された処理装置は、反応チャンバーと、例えば電熱ヒーターのような発熱体が内蔵された熱伝導率の高い金属若しくはセラミックス製の円盤体から構成されたサセプタと、該サセプタの厚さ方向に貫通された３本の貫通孔にそれぞれ遊嵌状態で嵌入された上端で基板を支持する円柱状のリフトピンと、該各リフトピンの下端にネジ等によって連結された各リフトピンをサセプタの厚さ方向に昇降させるリフトバーとによって主要部が構成されている。
【０００７】
尚、各リフトピンは、基板が搬送装置により反応チャンバー内に搬入される際は、リフトバーにより上昇されて上端によって搬入された基板を支持した後、リフトバーによって降下されてサセプタ上に基板を載置するとともに、処理済みの基板を反応チャンバー外に搬出する際は、再びリフトバーにより上昇されて上端によって基板を支持する。その後、基板は搬送装置によって、反応チャンバー外に搬出される。
【０００８】
特許文献１に開示された処理装置では、上述のように各リフトピンを昇降させるリフトバーが、各リフトピンの下端にネジ等によって固定されていることにより、各リフトピンの昇降の際、各貫通孔に対して各リフトピンが引っ掛かってしまうことを防止している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に開示された処理装置の構成においては、リフトピンは、長期使用により、リフトピンの表面が削れたり荒れたり等、表面状態が変化してしまうと、リフトピンを昇降させる際、リフトピンの外周面と貫通孔の内周面との接触により、貫通孔にリフトピンが引っ掛かってしまう場合があり、その結果、リフトピンの上端に支持された基板に引っ掛かりによる振動が付与されて基板が位置ずれしてしまうといった問題があった。
【００１０】
また、特許文献１に開示された処理装置のリフトピンは、円柱形状を有しているため、即ち、リフトピンの外周面全体が貫通孔の内周面に接触しているため、リフトピンの昇降の際、より貫通孔の内周面にリフトピンが引っ掛かりやすいといった問題があった。
【００１１】
さらに、特許文献１に開示された処理装置においては、リフトピンの下端に、リフトバーがネジ等により固定されているが、本構成を、チャンバー内を高温にして各種処理を行う装置に適用した場合、ネジの増し締め等のメンテナンスを行う際、チャンバー内の温度を室温まで下げる必要が生じるため作業時間が増加する他、ヒーター等、チャンバー内部品に熱サイクルを与え劣化を生じさせてしまう場合があるといった問題があった。
【００１２】
このような問題に鑑み、リフトピンの下端とリフトバーとを固定せずに、リフトピンの外径を、貫通孔の内径よりも小さくすることによって、貫通孔の内周面に非接触で、リフトピンを昇降させる構成も周知ではあるが、この場合、リフトピンとリフトバーとの接触状態によっては、貫通孔内において、リフトピンが傾いてしまい、昇降の際、貫通孔にリフトピンが引っ掛かってしまうといった問題があった。
【００１３】
本発明は上記問題点に着目してなされたものであり、サセプタの貫通孔内においてリフトピンを滑らかに昇降させることのできる構成を有する電気光学装置の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造装置は、基板を処理する電気光学装置の製造装置であって、前記基板が搬入されるチャンバーと、前記チャンバー内に設けられ、前記基板が載置されると共に、厚さ方向に貫通孔が設けられたサセプタと、前記貫通孔内に挿通され、前記基板を前記サセプタの前記厚さ方向に昇降自在に支持すると共に、前記厚さ方向に前記サセプタよりも長く形成されたリフトピンと、前記リフトピンにおける前記一端側の外周面に形成された、前記貫通孔の内周面に接触する接触部位と、前記リフトピンにおける前記他端側の外周面に、前記厚さ方向における前記貫通孔の長さよりも短く形成された、前記貫通孔の内周面に対し非接触となる非接触部位と、前記リフトピンの前記厚さ方向の一端に当接した状態で、前記リフトピンを前記厚さ方向に昇降させ、前記リフトピンの前記厚さ方向の他端に支持された前記基板を昇降させるリフトバーと、を具備していることを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、リフトピンの他端側の外周面に、貫通孔の内周面に対し非接触となる非接触部位が形成されていることにより、リフトバーを用いて厚さ方向にリフトピンを昇降させる際、リフトピンの外周面と貫通孔の内周面との接触面積が従来よりも低減するため、貫通孔の内周面にリフトピンの外周面が引っ掛かってしまい、リフトピンの動作不良が発生してしまうことを従来よりも低減させることができる。また、非接触部位が、厚さ方向において貫通孔よりも短く形成されていることにより、即ち、リフトピンの一端側の外周面の接触部位が貫通孔の内周面に接触していることにより、リフトピンの昇降の際、接触部位によって、貫通孔内においてリフトピンが厚さ方向から傾いてしまうことを防ぐことができるため、よりリフトピンの引っ掛かりを低減させることができる。以上から、サセプタの貫通孔内においてリフトピンを滑らかに昇降させることのできる構成を有する電気光学装置の製造装置を提供することができるといった効果を有する。
【００１６】
また、前記非接触部位は、前記リフトピンの前記他端側の外周面が、前記一端側から前記他端側に向かうに従い前記リフトピンの外径が小さくなるようテーパー状を有していることにより形成されていることを特徴とする。
【００１７】
さらに、前記非接触部位は、前記リフトピンにおける前記他端側の外径が前記一端側の外径よりも小さくなるよう、前記リフトピンの前記他端側の外周面に設けられた段差部により形成されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、リフトピンの他端側の外周面に、貫通孔の内周面に対し非接触となるテーパー状のまたは段差部を有する非接触部位が形成されていることにより、リフトバーを用いて厚さ方向にリフトピンを昇降させる際、リフトピンの外周面と貫通孔の内周面との接触面積が従来よりも低減するため、貫通孔の内周面にリフトピンの外周面が引っ掛かってしまい、リフトピンの動作不良が発生してしまうことを従来よりも低減させることができる。また、テーパー状のまたは段差部を有する非接触部位が、厚さ方向において貫通孔よりも短く形成されていることにより、即ち、リフトピンの一端側の外周面の接触部位が貫通孔の内周面に接触していることにより、リフトピンの昇降の際、接触部位によって、貫通孔内においてリフトピンが厚さ方向から傾いてしまうことを防ぐことができるため、よりリフトピンの引っ掛かりを低減させることができる。以上から、サセプタの貫通孔内においてリフトピンを滑らかに昇降させることのできる構成を有する電気光学装置の製造装置を提供することができるといった効果を有する。
【００１９】
また、前記貫通孔は、前記サセプタに対し前記厚さ方向に沿って嵌入された口金部材内に形成されていることを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、貫通孔を、より潤滑性が高い口金部材内に形成することができるため、即ち、リフトピンの外周面と接触する貫通孔の内周面をより滑らかに形成できるため、よりリフトピンの引っ掛かりを低減させることができる。以上から、サセプタの貫通孔内においてリフトピンを滑らかに昇降させることのできる構成を有する電気光学装置の製造装置を提供することができるといった効果を有する。
【００２１】
さらに、前記リフトピンの前記一端に、該一端と前記リフトバーとの当接面積を前記リフトピンの外径よりも大きくする部材が設けられていることを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、リフトピンとリフトバーとの当接面積を従来よりも大きくすることができるため、リフトピンが厚さ方向から傾くことなく、リフトバーによってリフトピンを昇降させることができることから、よりリフトピンの引っ掛かりを低減させることができる。以上から、サセプタの貫通孔内においてリフトピンを滑らかに昇降させることのできる構成を有する電気光学装置の製造装置を提供することができるといった効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施の形態の電気光学装置の製造装置によって製造される液晶装置の平面図。
【図２】図１中のII-II線に沿って切断した液晶装置の断面図。
【図３】本実施の形態を示す電気光学装置の製造装置を、処理される基板とともに概略的に示す部分断面図。
【図４】図３のリフトピンを降下させ基板をサセプタ上に載置した状態を、部分的に拡大して示す断面図。
【図５】図３のサセプタ上に載置された処理基板を示す平面図。
【図６】図４のリフトピンにおいて、サセプタの貫通孔の内周面への非接触部位が厚さ方向に貫通孔よりも長く形成されている場合、リフトピンの昇降に伴い、リフトピンが傾いてしまう例を示す部分断面図。
【図７】サセプタに対し厚さ方向に沿って嵌入された口金部材内に貫通孔が形成された変形例を示す部分拡大断面図。
【図８】リフトピンの下端に、リフトバーとの当接面積を、図３よりも大きくする部材を設けた変形例を示す部分拡大断面図。
【図９】リフトピンの非接触部位の形状の変形例を示す断面図。
【図１０】リフトピンの非接触部位の形状の別の変形例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置に用いる一対の基板の内、一方の基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板を例に挙げて説明する。
【００２５】
先ず、本実施の形態の電気光学装置の製造装置によって製造される液晶装置の全体の構成について説明する。図１は、本実施の形態の電気光学装置の製造装置によって製造される液晶装置の平面図、図２は、図１中のII-II線に沿って切断した液晶装置の断面図である。
【００２６】
図１、図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英基板、ガラス基板を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板２０との間の内部空間に、液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００２７】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａがマトリクス状に配置されている。
【００２８】
また、対向基板２０の基板上の全面に、対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、対向電極２１の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００２９】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えばポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００３０】
また、ＴＦＴ基板１０の画素領域においては、複数本の図示しない走査線と複数本の図示しないデータ線とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線との各交差部分に対応してトランジスターであるＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００３１】
ＴＦＴ３０は走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００３２】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００３３】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。
【００３４】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。
【００３５】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０のデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバーであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００３６】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線及び図示しないゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバーである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００３７】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００３８】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００３９】
また、ＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ３０や画素電極９ａの他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。尚、この積層構造、及び積層された各層の機能は周知であるため、その説明は省略する。
【００４０】
次に、このように構成された電気光学装置の製造装置について、図３〜図６を用いて説明する。図３は、本実施の形態を示す電気光学装置の製造装置を、処理される基板とともに概略的に示す部分断面図、図４は、図３のリフトピンを降下させ基板をサセプタ上に載置した状態を、部分的に拡大して示す断面図、図５は、図３のサセプタ上に載置された処理基板を示す平面図、図６は、図４のリフトピンにおいて、サセプタの貫通孔の内周面への非接触部位が厚さ方向に貫通孔よりも長く形成されている場合、リフトピンの昇降に伴い、リフトピンが傾いてしまう例を示す部分断面図である。
【００４１】
尚、以下、電気光学装置の製造装置としては、基板に対し、成膜処理またはフォトリソグラフィー処理等の処理を行う装置を例に挙げて説明する。
【００４２】
図３に示すように、電気光学装置の製造装置（以下、単に製造装置と称す）１は、処理される基板１０’が搬入されるチャンバー６０を具備している。尚、チャンバー６０の外壁には、図示しないが、基板１０’の搬入搬出口や、製造装置１が成膜装置の場合、チャンバー６０の内部６０ｉに成膜ガスを導入するガス導入口や、チャンバー６０の内部６０ｉに導入されたガスを排出する排出口等が設けられているが、周知であるためその説明は省略する。
【００４３】
また、図５に示すように、基板１０’は、上述したＴＦＴ基板１０または対向基板２０が複数構成される、石英、ガラス等から構成された大板基板から構成されていても構わないし、上述したＴＦＴ基板１０または対向基板２０が１つ構成される、石英、ガラス等から構成された基板から構成されていても構わない。
【００４４】
図３に戻って、チャンバー６０の内部６０ｉに、処理される基板１０’が上面６１ｓに載置されるサセプタ６１が設けられている。サセプタ６１には、該サセプタ６１の厚さ方向Ａに沿って、例えば３本の貫通孔６３（図３では、２本のみ図示）が形成されている。尚、貫通孔６３の本数は３本に限定されない。
【００４５】
また、貫通孔６３の厚さ方向Ａの上部には、後述するリフトピン６２の抜け止め部材６４が嵌入自在な貫通孔６３よりも大径の抜け止め部材嵌入部６３ｈが形成されている。さらに、サセプタ６１の内部には、上面６１ｓに載置された基板１０’を処理温度まで加熱する図示しないヒーター等の発熱体が設けられている。
【００４６】
また、サセプタ６１の各貫通孔６３には、厚さ方向Ａにサセプタ６１よりも長く形成されたリフトピン６２がそれぞれ挿通されている。また、リフトピン６２の他端である厚さ方向Ａの上端６２ｔに、リフトピン６２よりも大径の抜け止め部材６４が設けられている。３本のリフトピン６２は、抜け止め部材６４にて、載置された基板１０’を３点支持する。
【００４７】
さらに、チャンバー６０の内部６０ｉに、リフトピン６２の厚さ方向Ａの一端である下端６２ｉに当接した状態で、貫通孔６３内に対しリフトピン６２を厚さ方向Ａに昇降させることにより、リフトピン６２の抜け止め部材６４に支持された基板１０’を、厚さ方向Ａに昇降させるリフトバー６５が設けられている。
【００４８】
尚、リフトバー６５は、図示しないが、チャンバー６０の内部６０ｉに設けられた図示しない昇降装置によって支持されている。また、リフトバー６５は、３本のリフトピン６２の各下端６２ｉに当接することにより、３本のリフトピン６２を同時に昇降させる。さらに、リフトバー６５とリフトピン６２の各下端６２ｉとは、固定されておらず、リフトバーの上昇に伴い当接自在となっている。
【００４９】
リフトピン６２は、リフトバー６５によって、厚さ方向Ａに昇降自在なことにより、抜け止め部材６４に支持された基板１０’を、厚さ方向Ａに昇降させるものである。リフトピン６２は、抜け止め部材６４が、図３に示すように、サセプタ６１の上面６１ｓから厚さ方向Ａの上方に離間した上昇位置において、チャンバー６０の内部６０ｉに搬入された基板１０’が抜け止め部材６４上に載置され、図４に示すように、抜け止め部材６４が、抜け止め部材嵌入部６３ｈに嵌入された降下位置において、基板１０’を、サセプタ６１の上面６１ｓに載置する。尚、抜け止め部材６４が、抜け止め部材嵌入部６３ｈに嵌入された位置が、リフトピン６２の最降下位置となっている。よって、該最降下位置からリフトバー６５がさらに降下された場合、リフトバー６５は、リフトピン６２の下端６２ｉから離間する。
【００５０】
また、リフトピン６２の外周面６２ｇにおいて、下端６２ｉ側に、貫通孔６３の内周面６３ｎに接触する接触部位６２ｐ１が形成されているとともに、上端６２ｔ側に、内周面６３ｎに対し非接触となる非接触部位６２ｐ２が、厚さ方向Ａにおける貫通孔６３の長さＨ２よりも短い長さＨ１（Ｈ１＜Ｈ２）に形成されている。
【００５１】
尚、非接触部位６２ｐ２は、図３、図４に示すように、下端６２ｉ側から上端６２ｔ側に向かうに従い、リフトピン６２の外径が叙々に小さくなっていくよう、外周面６２ｇがテーパー状を有して形成されている。
【００５２】
また、非接触部位６２ｐ２が、貫通孔６３の長さＨ２よりも短い長さＨ１（Ｈ１＜Ｈ２）に形成されているのは、図６に示すように、仮に非接触部位６２ｐ２が、貫通孔６３の長さＨ２よりも長い長さＨ３（Ｈ２＜Ｈ３）に形成されていると、リフトバー６５によってリフトピン６２を昇降させる際、貫通孔６３内において、リフトピン６２の中心軸が、厚さ方向Ａに平行な軸Ｊ１から傾いた軸Ｊ２に沿って傾いてしまう場合があり、貫通孔６３の内周面６３ｎにリフトピン６２が引っ掛かってしまい、リフトピン６２に支持された基板１０’が位置ずれしてしまう場合があるためである。
【００５３】
このように、本実施の形態においては、サセプタ６１の貫通孔６３に挿通される、基板１０’を厚さ方向Ａに昇降させるリフトピン６２の外周面６２ｇにおいて、下端６２ｉ側に貫通孔６３の内周面６３ｎに接触する接触部位６２ｐ１が形成されているとともに、上端６２ｔ側に、貫通孔６３の内周面６３ｎに対し非接触となる非接触部位６２ｐ２が、厚さ方向Ａにおける貫通孔６３の長さＨ２よりも短い長さＨ１（Ｈ１＜Ｈ２）に形成されていると示した。
【００５４】
また、非接触部位６２ｐ２は、下端６２ｉ側から上端６２ｔ側に向かうに従い、リフトピン６２の外径が叙々に小さくなっていくよう、外周面６２ｇがテーパー状を有して形成されていると示した。
【００５５】
このことによれば、リフトバー６５を用いて厚さ方向Ａにリフトピン６２を昇降させる際、リフトピン６２の外周面６２ｇと貫通孔６３の内周面６３ｎとの接触面積が、従来のリフトピン６２が円柱状に形成され外周面６２ｇの全面が内周面６３ｎに接触する構成よりも低減するため、貫通孔６３の内周面６３ｎにリフトピン６２の外周面６２ｇが引っ掛かってしまい、リフトピン６２の動作不良が発生してしまうことを従来よりも低減させることができる。
【００５６】
また、リフトピン６２の下端６２ｉ側の外周面６２ｇの接触部位６２ｐ１が貫通孔６３の内周面６３ｎに接触していることにより、リフトピン６２の昇降の際、接触部位６２ｐ１によって、図６に示すように、貫通孔６３内においてリフトピン６２が厚さ方向Ａから傾いてしまうことを防ぐことができるため、よりリフトピン６２の引っ掛かりを低減させることができる。
【００５７】
以上から、サセプタ６１の貫通孔６３内においてリフトピン６２を滑らかに昇降させることのできる構成を有する電気光学装置の製造装置１を提供することができる。
【００５８】
尚、以下、変形例を、図７を用いて示す。図７は、サセプタに対し厚さ方向に沿って嵌入された口金部材内に貫通孔が形成された変形例を示す部分拡大断面図である。
【００５９】
上述した本実施の形態においては、サセプタ６１に対し、厚さ方向Ａに沿って、リフトピン６２が挿通される貫通孔６３が形成されていると示した。
【００６０】
これに限らず、図７に示すように、サセプタ６１に、上述した貫通孔６３よりも大径な貫通孔６６を形成し、該貫通孔６６内に、セラミック等の潤滑性の高い部材から形成された口金部材６７を嵌入し、該口金部材６７内に、リフトピン６２が挿通される貫通孔６７ｈが形成されていても構わない。
【００６１】
このことによれば、貫通孔を、サセプタ６１よりも潤滑性が高い口金部材内に形成することができるため、即ち、リフトピン６２の外周面６２ｇと接触する貫通孔６７ｈの内周面をより滑らかに形成できるため、よりリフトピン６２の引っ掛かりを低減させることができる。
【００６２】
以上から、サセプタ６１の貫通孔内においてリフトピンを滑らかに昇降させることのできる構成を有する電気光学装置の製造装置１を提供することができる。
【００６３】
また、以下、別の変形例を、図８を用いて示す。図８は、リフトピンの下端に、リフトバーとの当接面積を、図３よりも大きくする部材を設けた変形例を示す部分拡大断面図である。
【００６４】
本実施の形態においては、リフトバー６５がリフトピン６２の下端６２ｉに当接して厚さ方向Ａに昇降することにより、リフトピン６２を昇降させると示した。
【００６５】
これに限らず、図８に示すように、リフトピン６２の下端６２ｉに、リフトバー６５との当接面積を、リフトピン６２の外径よりも大きくする部材６８が設けられ、部材６８にリフトバー６５が当接することにより、リフトピン６２を昇降させてもよい。尚、この場合、サセプタ６１の厚さ方向Ａの下面に、リフトピン６２が上昇した際、部材６８が嵌入する嵌入部７３が形成されていても構わない。
【００６６】
このことによれば、リフトピン６２とリフトバー６５との当接面積を本実施の形態によりも部材６８によって大きくすることができるため、より確実にリフトピン６２が厚さ方向Ａから傾くことなく、リフトバー６５によってリフトピン６２を昇降させることができることから、よりリフトピン６２の引っ掛かりを低減させることができる。
【００６７】
以上から、サセプタ６１の貫通孔内においてリフトピン６２を滑らかに昇降させることのできる構成を有する電気光学装置の製造装置１を提供することができる。
【００６８】
尚、以下、さらに別の変形例を、図９、図１０を用いて示す。図９は、リフトピンの非接触部位の形状の変形例を示す断面図、図１０は、リフトピンの非接触部位の形状の別の変形例を示す断面図である。
【００６９】
本実施の形態においては、非接触部位６２ｐ２は、下端６２ｉ側から上端６２ｔ側に向かうに従い、リフトピン６２の外径が叙々に小さくなっていくよう、外周面６２ｇがテーパー状を有して形成されていると示した。
【００７０】
これに限らず、非接触部位６２ｐ２は、リフトピン６２における上端６２ｔ側の外径Ｒ２が、下端６２ｉ側の外径Ｒ１よりも小さくなるよう（Ｒ２＜Ｒ１）、リフトピン６２の上端６２ｔ側の外周面６２ｇに設けられた段差部７０によって形成されていても構わない。
【００７１】
具体的には、図９に示すように、テーパー部７９により段差部７０が形成されていても構わないし、図１０に示すように、厚さ方向Ａに略垂直な切り欠き８０によって段差部７０が形成されていても構わない。また、段差部７０に限定されず、非接触部位は、貫通孔の内周面と接触しない形状であれば、どのような形状に形成されていても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスター）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置であっても構わない。
【００７３】
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【００７４】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスターを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【００７５】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【符号の説明】
【００７６】
１…電気光学装置の製造装置、１０’…基板、６０…チャンバー、６１…サセプタ、６２…リフトピン、６２ｇ…リフトピンの外周面、６２ｐ１…リフトピンの接触部位、６２ｐ２…リフトピンの非接触部位、６２ｉ…リフトピンの一端（下端）、６２ｔ…リフトピンの他端（上端）、６３…貫通孔、６３ｎ…貫通孔の内周面、６５…リフトバー、６７…口金部材、６７ｈ…貫通孔、６８…当接面積を大きくする部材、７０…段差部、Ａ…厚さ方向、Ｒ１…リフトピンの下端側の外径、Ｒ２…リフトピンの上端側の外径。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００７７】
【特許文献１】特開２００３−０６００１２号公報
【図１】
2010182711.tif 000003
【図２】
2010182711.tif 000004
【図３】
2010182711.tif 000005
【図４】
2010182711.tif 000006
【図５】
2010182711.tif 000007
【図６】
2010182711.tif 000008
【図７】
2010182711.tif 000009
【図８】
2010182711.tif 000010
【図９】
2010182711.tif 000011
【図１０】
2010182711.tif 000012