(57)【要約】      （修正有）【課題】析出板の厚みばらつきを容易に減少させることができる基板および析出板の製造方法を提供する。【解決手段】基板９の第１の表面２２には、１つの辺に平行に延びるスリット３１が、一定の間隔を空けて複数設けられる。基板９は、スリット３１が、溶融原料への浸漬方向に対して直交するように保持される。基板９の前方部が溶融原料に浸漬したときに、未だ浸漬されていない後方部への熱の移動は、基板９のスリット３１を除く基板実体部２７を介して行われる。このため、スリット３１が構成されない基板と比較して、後方部が浸漬する時点での局所温度と、前方部が浸漬する時点での局所温度との差が減少するので、基板９の材料を変更することなく析出板の浸漬方向におけるばらつきを減少できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶湯に臨む第１の面が溶湯表面に対して傾斜した姿勢で、溶湯への浸漬を開始し、前記第１の面に溶湯の一部を凝固析出させて析出板を形成する基板において、
溶湯への浸漬方向前方部から後方部までの見かけの熱拡散率が、均一な材料および均一な厚さで仮想的に構成された仮想基板の熱拡散率よりも小さくなるように構成されていることを特徴とする基板。
【請求項２】
前記第１の面にスリットを有し、
前記スリットは、前記溶湯への浸漬方向に対して直交するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記第１の面に凹凸部を有し、
前記スリットは、前記凹凸部の凹部を構成することを特徴とする請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記第１の面の反対側の面である第２の面にスリットを有し、
前記第２の面が有するスリットは、前記溶湯への浸漬方向に対して直交するように設けられ、
前記第１の面が有するスリットと、前記第２の面が有するスリットとは、前記前記溶湯への浸漬方向に対して交互に設けられていることを特徴とする請求項２または３記載の基板。
【請求項５】
前記第１の面を有する析出層と、前記析出層を保持する保持層とからなり、
前記保持層を構成する材料は、前記析出層を構成する材料よりも熱拡散率が小さいことを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項６】
前記第１の面に垂直な方向の厚さが、前記溶湯への浸漬方向前方部から後方部に向かって大きくなるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項７】
請求項１〜６のうちのいずれか１つに記載の基板を、
溶湯に臨む第１の面が溶湯表面に対して傾斜した姿勢で、溶湯への浸漬を開始し、
前記第１の面が溶湯に浸漬された基板を溶湯から引き上げることによって、基板の前記第１の面に溶湯の一部を凝固析出させて析出板を形成することを特徴とする析出板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、析出板原料を溶湯とし、この溶湯に基板を浸漬することによって、溶融原料を基板の表面に凝固成長させて析出板を製造するための基板および析出板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
析出板原料を溶湯とし、この溶湯に基板を浸漬することによって、溶融原料を基板の表面に凝固成長させて析出板を製造する析出板の製造方法においては、析出板の面内における厚さ分布を均一にする必要がある。
【０００３】
特許文献１に開示されている析出板製造装置は、析出用基板が溶湯に浸漬するときの基板面の温度と、浸漬時間により析出板の厚さが決定されるとし、そのため析出用基板が溶湯に浸漬するときの基板面の温度および温度分布を常に一定にすることのできる析出板製造装置である。
【０００４】
また、浸漬前の析出用基板に対する予熱機構を備え、この予熱機構は、平面的に巻かれた２以上の渦巻きコイルを同一仮想平面内に配置することにより形成された予熱板と、予熱板内の互いに隣り合うコイルに流れる電流の回転方向を反対向きとするように電流を供給する電流供給手段とを有する。
【０００５】
析出用基板と予熱板とを所定間隔離して互いに対向するように配置し、電流供給手段によって、予熱板内の互いに隣り合うコイルに流れる電流の回転方向が反対向きとなるように電流を供給することにより、析出用基板は電磁誘導加熱される。
【０００６】
この製造装置はコイルを２個以上備えるので、析出用基板における電力密度の高い部分と低い部分との間隔を短くするように配置することができ、析出用基板を均一に加熱することができる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−５１３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に開示される析出板製造装置では、基板面内の温度分布を均一にするために上記のような予熱機構を備えている。
【０００９】
しかしながら、基板の表面部を溶湯表面に対して傾斜した姿勢で溶湯への浸漬を開始するため、基板の進行方向後方部においては先に溶湯と接触を開始した前方部からの熱伝導により温度が上昇し、後方部が浸漬する時点での後方部の局所温度は、前方部が浸漬する時点での前方部の局所温度と比較して高い。
【００１０】
ここで、基板表面の温度と溶湯の凝固点との差が増大すると、析出板の厚さは増大するため、局所温度が高くなった後方部においては溶湯の凝固点との差が小さくなり、前方部と比較すると後方部での析出板の厚さが小さくなる。
【００１１】
また予熱機構は、予熱板と、電流供給手段に加え、予熱板と析出用基板との対向位置を所定時間間隔で相対的に変化させる手段、または、一つの析出用基板に対して２以上の予熱板が用意され、所定時間間隔でこれらの予熱板の間に一つの析出用基板を移動させる移動手段を設けている。このような予熱機構を備えることにより、特許文献１記載の析出板製造装置は構成が複雑である。
【００１２】
本発明の目的は、析出板の厚みばらつきを容易に減少させることができる基板および析出板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、溶湯に臨む第１の面が溶湯表面に対して傾斜した姿勢で、溶湯への浸漬を開始し、前記第１の面に溶湯の一部を凝固析出させて析出板を形成する基板において、
溶湯への浸漬方向前方部から後方部までの見かけの熱拡散率が、均一な材料および均一な厚さで仮想的に構成された仮想基板の熱拡散率よりも小さくなるように構成されていることを特徴とする基板である。
【００１４】
また本発明は、前記第１の面にスリットを有し、
前記スリットは、前記溶湯への浸漬方向に対して直交するように設けられていることを特徴とする。
【００１５】
また本発明は、前記第１の面に凹凸部を有し、
前記スリットは、前記凹凸部の凹部を構成することを特徴とする。
【００１６】
また本発明は、前記第１の面の反対側の面である第２の面にスリットを有し、
前記第２の面が有するスリットは、前記溶湯への浸漬方向に対して直交するように設けられ、
前記第１の面が有するスリットと、前記第２の面が有するスリットとは、前記前記溶湯への浸漬方向に対して交互に設けられていることを特徴とする。
【００１７】
また本発明は、前記第１の面を有する析出層と、前記析出層を保持する保持層とからなり、
前記保持層を構成する材料は、前記析出層を構成する材料よりも熱拡散率が小さいことを特徴とする。
【００１８】
また本発明は、前記第１の面に垂直な方向の厚さが、前記溶湯への浸漬方向前方部から後方部に向かって大きくなるように構成されていることを特徴とする。
【００１９】
また本発明は、上記の基板を、
溶湯に臨む第１の面が溶湯表面に対して傾斜した姿勢で、溶湯への浸漬を開始し、
前記第１の面が溶湯に浸漬された基板を溶湯から引き上げることによって、基板の前記第１の面に溶湯の一部を凝固析出させて析出板を形成することを特徴とする析出板の製造方法である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、溶湯への浸漬方向前方部から後方部までの見かけの熱拡散率が、均一な材料および均一な厚さで仮想的に構成された仮想基板の熱拡散率よりも小さくなるように構成される。
【００２１】
このような基板を用いることによって、先に溶湯との接触を開始した前方部から後方部に伝わる熱量による後方部における温度上昇が低く抑えられるので、後方部が浸漬する時点での局所温度と、前方部が浸漬する時点での局所温度の差は減少する。
【００２２】
したがって、予熱機構などの装置を用いることなく、基板の浸漬方向における析出板の厚さのばらつきを減少することができる。
【００２３】
また本発明によれば、前記第１の面に、前記溶湯への浸漬方向に対して直交するようにスリットを設ける。
【００２４】
基板の浸漬方向前方部から後方部に伝わる熱量は、スリットを迂回する基板内の熱伝導とスリットを横断する熱伝達とにより伝わるため、基板の浸漬方向前方部から後方部までの見かけの熱伝導率が、基板の材料を変更することなく容易に小さくすることができる。また、スリットの位置または大きさの変化を最適化することで、基板が浸漬する時点の局所温度を浸漬方向において均一にすることができる。
【００２５】
また本発明によれば、前記第１の面に凹凸部を有し、スリットは、前記凹凸部の凹部を構成する。
【００２６】
これにより、析出板の結晶成長は、前記凹凸部の凸部からの結晶成長であるため、スリットにより結晶の成長が妨げられることが無い。
【００２７】
また本発明によれば、前記第１の面の反対側の面である第２の面にスリットを有し、前記第２の面が有するスリットは、前記溶湯への浸漬方向に対して直交するように設けられる。さらに、前記第１の面が有するスリットと、前記第２の面が有するスリットとは、前記前記溶湯への浸漬方向に対して交互に設けられている。
【００２８】
これにより、スリットを迂回することで、熱伝導の、基板の浸漬方向前方部から後方部までの経路長が大きく増大するので、浸漬方向前方部から後方部までの見かけの熱伝導率が、より小さくなっており、基板の材料を変更することなく見かけの熱拡散率をより小さくすることができる。
【００２９】
また本発明によれば、前記第１の面を有する析出層と、前記析出層を保持する保持層とからなり、前記保持層を構成する材料は、前記析出層を構成する材料よりも熱拡散率が小さい。
【００３０】
これにより、析出層における凝固析出に適した材料と、保持層における伝熱に適した材料とを組み合わせて用いることができる。たとえば、保持層を熱拡散率の小さい材料で構成しても、析出層には溶湯のぬれが良く、析出板との熱変形の差が小さいような材料を用いることができる。
【００３１】
また本発明によれば、前記第１の面に垂直な方向の厚さが、前記溶湯への浸漬方向前方部から後方部に向かって大きくなるように構成されている。
【００３２】
基板の浸漬方向後方部における厚さが、直方体形状の場合と比較して大きい場合、基板の後方部においては、見かけの比熱が大きくなるので、後方部における見かけの熱拡散率が小さくなる。
【００３３】
また本発明によれば、上記の基板を、溶湯に臨む第１の面が溶湯表面に対して傾斜した姿勢で、溶湯への浸漬を開始し、前記第１の面が溶湯に浸漬された基板を溶湯から引き上げることによって、基板の前記第１の面に溶湯の一部を凝固析出させて析出板を形成する。
【００３４】
これにより、先に溶湯との接触を開始した前方部から後方部に伝わる熱量による後方部における温度上昇が低く抑えられるので、後方部が浸漬する時点での局所温度と、前方部が浸漬する時点での局所温度の差は減少する。
【００３５】
したがって、予熱機構などの装置を用いることなく、基板の浸漬方向における析出板の厚さのばらつきを減少することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
図１は、析出板製造装置１の構成を示す概略断面図である。析出板製造装置１は、チャンバ２の内部空間である処理空間において、その床面に設置される加熱溶解装置３と加熱溶解装置３の上方に設けられる浸漬装置４とを含み、チャンバ２の外部にこれらの動作を制御する制御装置５とを含んで構成される。
【００３７】
加熱溶解装置３は、溶融原料６を貯留するるつぼ７と、るつぼ７を外囲するように設置され、るつぼ７およびるつぼ７に貯留される溶融原料６を加熱する加熱装置８を備える。
【００３８】
浸漬装置４は、基板９を保持する基板保持部１０と、基板保持部１０を鉛直方向１７に移動させる昇降機構１１と、基板保持部１０を水平方向１８に移動させる横行機構１２と、基板保持部１０を、鉛直方向１７および水平方向１８に対して垂直な方向の軸線まわりに回転させて基板９を傾斜させるチルト機構１３とを備える。
【００３９】
チャンバ２は、チャンバ２壁面に開口として形成される基板搬入口１４と基板搬出口１５を備える。チャンバ２内部の処理空間は、非活性雰囲気であることが好ましく、たとばアルゴンや窒素などを処理空間に充填させることで非活性雰囲気とすることができる。
【００４０】
溶融原料６としては、主としてシリコンが用いられる。ただし、るつぼ７内に収容可能であって、基板９を浸漬することで基板９の表面に析出して析出板１６を得ることができるものであれば、材料はシリコンに限らない。たとえば、アルミニウムやニッケルなどの金属材料や、ガリウムヒ素などの半導体材料でもよい。
【００４１】
るつぼ７は、基板９を浸漬するために深さ方向及び水平方向に十分な内部空間を備える。加熱装置８としては、たとえば誘導加熱コイルが用いられる。この場合、溶融原料６としては電気抵抗の大きい材料が好ましい。加熱装置８とるつぼ７との間には、図示しない耐熱性および断熱性の高い材料が設置され、加熱装置８とるつぼ７とを覆って保持する。なお、加熱装置８としては抵抗加熱装置であってもよい。
【００４２】
基板９を構成する材料としては、溶融原料６が溶湯となる温度において熱拡散率が小さく、かつ機械的強度と耐熱衝撃性とが高く、かつ溶融原料６との反応性に乏しいものが好ましい。このような材料としては、グラファイト、炭化ケイ素、窒化ケイ素などが挙げられ、その中でもグラファイトが好適に用いられる。基板９の材質は、これに限定されず、溶湯原料６の種類などに応じて広い範囲から適宜選択することができる。
【００４３】
図２は、図１に示す析出板製造装置１を用いた析出板製造方法を示す模式図である。浸漬装置４の動作を説明するために、浸漬中の浸漬装置１９を実線で示し、浸漬開始前の状態にある浸漬装置２０を破線で示し、浸漬終了後の状態にある浸漬装置２１を一点差線で示す。
【００４４】
まず、基板９は、チャンバ２の外部に設置される図示しない基板搬送手段から基板搬入口１４を通って、基板保持部１０に受け渡される。基板保持部１０は、横行機構１２による水平方向１８前方への移動、昇降機構１１による下降、チルト機構１３による図２の紙面に垂直な軸線周りの回転により溶融原料６の上方にまで移動される。
【００４５】
基板保持部１０は、基板９の第１の表面２２が溶融原料６の液面２４に対向するとともに水平方向に対して傾斜し、基板９の浸漬方向２３前方部が、後方部よりも下側になるように基板９を保持する。浸漬方向２３は、矩形状に構成される基板９の第１の表面２２の一辺に直交し、この一辺に直交する他辺に平行な方向である。
【００４６】
次に、基板保持部１０は横行機構１２により水平方向１８前方に移動すると同時に昇降機構１１により下降して、基板の第１の表面２２の浸漬２３前方部の端面から溶融原料６の液面２４に接触するように移動され、浸漬を開始する。
【００４７】
浸漬中に、基板保持部１０は、浸漬方向２３と、第１の表面２２に垂直な方向２５を含む仮想平面と、基板９の第１の表面２２との交線の垂直二等分線上の点を中心とする楕円軌道を描いて移動される。具体的には横行機構１２により水平方向１８に移動すると同時に昇降機構１１により下降し、同時にチルト機構１３により第１の表面２２の浸漬方向２３前方部が上昇し、浸漬方向２３後方部が下降するように移動される。
【００４８】
基板保持部１０は、基板９の第１の表面２２の浸漬方向２３前方部が後方部に対して上側に配置されるように傾斜した姿勢で、基板９の第１の表面２２の浸漬方向２３前方部の端面から溶融原料表面２４から離間するように基板９を引き上げる。
【００４９】
そして、基板９は、昇降機構１１による上昇と、横行機構１２による水平方向１８前方への移動と、チルト機構１３による図２の紙面に垂直な軸線周りの回転により基板搬出口１５へと移動され、基板搬出口１５を通ってチャンバ２外部に設置される図示しない基板搬送手段に受け渡される。
【００５０】
上記のように、基板９は、第１の表面２２を溶融原料６の液面２４に対向するようにして浸漬方向２３前方部の端部から溶融原料６の液面２４に接触するように移動され浸漬を開始するので、浸漬方向２３後方部には、先に溶融原料６と接触を開始した浸漬方向２３前方部からの熱伝導により熱量が伝わる。
【００５１】
本発明では、基板９の浸漬方向２３前方部から後方部までの見かけの熱拡散率が小さくなるように構成されている。熱拡散率の比較対象となるのは、基板９と同じ材料で均一にかつ、基板９と同じ厚さで均一に仮想的に構成された仮想基板の熱拡散率である。
【００５２】
したがって、このような基板９を用いることにより、溶融原料６から基板９の浸漬方向２３前方部へと伝わる熱量が同じであっても、基板９内を、前方部から後方部へと伝導する熱量は小さくなるので、基板９の浸漬方向２３後方部での温度上昇は低く抑えられる。このため、後方部が浸漬する時点での局所温度と、前方部が浸漬する時点の局所温度の差は小さいので、析出板１６の厚さのばらつきが小さくなる。
【００５３】
以下では、本発明の基板９の具体的な構成について説明する。
図３は、基板９の構成の一例を示す斜視図である。図３（ａ）は、基板９の第１の表面２２を上に向けたときの斜視図であり、図３（ｂ）は、基板９の第１の表面２２を下に向けたときの斜視図である。
【００５４】
基板９の第１の表面２２とは反対側の第２の表面３２には、基板保持部１０に着脱可能に保持される突起部２８が設けられる。
【００５５】
図３に示すように、基板９の第１の表面２２には、１つの辺に平行に延びるスリット３１が、一定の間隔を空けて複数設けられる。
【００５６】
このような基板９が基板保持部１０に保持されたときには、スリット３１が、溶融原料６への浸漬方向２３に対して直交するように保持される。
【００５７】
基板９の寸法は、たとえば、厚みが１６〜２４ｍｍ、縦が１８０〜２４０ｍｍ、横が３５０〜４５０ｍｍである。このときスリット３１は、幅ｗが０．２〜１．０ｍｍ、長さｌが３５０〜４５０ｍｍ、深さｄが６〜１２ｍｍであり、隣接するスリット３１同士の間隔Ｐは５〜１５ｍｍである。
【００５８】
基板９の前方部が溶融原料６に浸漬したときに、未だ浸漬されていない後方部への熱の移動は、基板９のスリット３１を除く基板実体部２７を介して行われる。すなわち、第１の表面２２とは反対側の第２の表面３２側に回り込むようにして熱が移動するため、スリット３１が設けられない仮想基板と比較して熱伝導の経路が長く、溶融原料６と基板９の浸漬方向前方部とが接触を開始してから後方部が浸漬する時点までの後方部に移動した熱量が少なく、後方部での温度上昇を低く抑えられる。
【００５９】
このため、スリット３１が構成されない基板と比較して、後方部が浸漬する時点での局所温度と、前方部が浸漬する時点での局所温度との差が減少するので、基板９の材料を変更することなく析出板１６の浸漬方向におけるばらつきを減少できる。
【００６０】
図３に示した例では、設けられた複数のスリット３１の各寸法は全て等しく、間隔Ｐも同じに形成されているが、これらの寸法および間隔は互いに異なっていても良い。
【００６１】
このような基板９は、スリット３１を有さない元基板を第１の表面２２側からダイシングによりスリット３１を形成することで得られる。
【００６２】
たとえば切断砥石によって表面２２に垂直に切削加工を行うことで、スリット３１の幅を０．５ｍｍ以下に形成することができ、表面２２における析出板１６の成長にスリット３１が与える影響を抑制することができる。
【００６３】
図４は、基板９の構成の他の例を示す斜視図である。図４（ａ）は、基板９の第１の表面２２を上に向けたときの斜視図であり、図４（ｂ）は、基板９の第１の表面２２を下に向けたときの斜視図である。
【００６４】
図３に示した例と異なる構成は、基板実体部２７の表面に凸部３４が設けられているこことのみである。
【００６５】
凸部３４は、浸漬方向２３および方向２５を含む平面での断面形状が三角形に構成される三角柱が、１つの稜線スリット３１に平行となるように基板実体部２７上に設けられている。したがって、浸漬方向に対してスリット３１と凸部３４とが交互に設けられ、スリット３１が凹部となって基板９に凹凸部が形成される。
【００６６】
このような基板９においては、析出板の成長は凸部３４の稜線４０から開始されるが、スリット３１が凹凸部の凹部に形成されるので、結晶成長の開始が妨げられない。
【００６７】
図４に示した例では、設けられた複数のスリット３１の各寸法は全て等しく、間隔Ｐも同じに形成されているが、これらの寸法および間隔は互いに異なっていても良い。また、複数の凸部３４も全て同じ形状に形成されているが、これらは互いに異なっていてもよい。
【００６８】
図５は、基板９の構成の他の例を示す斜視図である。図５（ａ）は、基板９の第１の表面２２を上に向けたときの斜視図であり、図５（ｂ）は、基板９の第１の表面２２を下に向けたときの斜視図である。
【００６９】
図３に示した例と異なる構成は、第１の表面２２の反対側の第２の表面３２にもスリット４１が設けられていることである。
【００７０】
図５に示すように、第２の表面３２に設けられたスリット４１は、第１の表面２２に設けられたスリット３１とほぼ同じである。異なるのは、第２の表面３２に設けられている点と、スリット３１の間に設けられている点、すなわち、浸漬方向２３に対して交互に設けられている点である。
【００７１】
基板９の第１の表面２２が前方から溶融原料６に接触すると、熱は熱伝達により溶融原料６から基板９の前方部に伝わり、前方部から第２の表面３２および後方部に向かって熱伝導で伝わる。
【００７２】
この際、浸漬方向２３の先端部から後端部に向かう熱伝導は、全てのスリット３１，４１においてスリット底部４２を回りこむため、スリット３１，４１が構成されない場合と比較して熱伝導の経路が長く、溶融原料６が基板９の浸漬方向２３前方部と接触を開始してから後方部と接触する時点までの後方部における温度上昇は低く抑えられる。
【００７３】
このため、スリット３１，４１が設けられない場合と比較して、基板９の後方部が浸漬する時点の局所温度と、前方部が浸漬する時点での局所温度との差は減少するので、析出板１６の浸漬方向２３における厚さばらつきを図３に示した基板９を用いた場合よりもさらに減少できる。
【００７４】
図５に示した構成の基板９は、設けられるスリットが多く、その分図３，４に示した構成の基板９よりも基板９の剛性が低いため、スリット３１，４１の深さは、基板９の厚みに対して十分に小さい、たとえば、厚みの１／２以下であることが好適である。
【００７５】
図６は、基板９の構成の他の例を示す斜視図である。図６（ａ）は、基板９の第１の表面２２を上に向けたときの斜視図であり、図６（ｂ）は、基板９の第１の表面２２を下に向けたときの斜視図である。
【００７６】
図３に示した例と異なる構成は、第１の表面２２を有する析出層５０と、析出層５０を保持する保持層５１とから構成される２層構造とし、保持層５１を構成する材料が析出層５０を構成する材料よりも熱拡散率が小さいことである。
【００７７】
析出層５０を構成する材料としては、グラファイトが好ましい。
保持層５１を構成する材料としては、溶融原料６が保持される温度において析出層５０を構成する材料よりも熱拡散率が小さく、かつ機械的強度と耐熱衝撃性とが高いものが好ましい。このような材料としては、グラファイト、炭化ケイ素、窒化ケイ素などが挙げられ、その中でも窒化ケイ素が好適に用いられる。保持層５１の材料は、これに限定されず、溶湯原料６の種類や析出層５０を構成する材料に応じて広い範囲から適宜選択することができる。
【００７８】
スリット３１は、図３に示した例と同様に設けられる。析出層５０と保持層５１との厚みは、析出層５０がより薄く、さらにスリット３１の深さよりも小さく、たとえば、保持層５１の厚みに対して１／３以下とすることが好ましい
基板９の浸漬方向前方部から溶融原料６に接触すると、熱は熱伝達により溶融原料６から基板９の前方部に伝わり、基板９の前方部から第２の表面３２および後方部に向かって熱伝導で伝わる。この際、浸漬方向２３前方部から後方部に向かう熱伝導は、スリット３１が形成されているために、熱拡散率の小さい材料で構成される保持層５１を経由する。これにより、基板９を構成する材料が均一な場合と比較して、溶融原料６が基板９の浸漬方向前方部と接触を開始してから後方部と接触する時点までの後方部における温度上昇は低く抑えられる。
【００７９】
このため、図３に示した基板９のように材料が均一な場合の基板９と比較して、後方部が浸漬する時点での局所温度と、前方部が浸漬する時点での局所温度との差は減少するので、析出板１６の浸漬方向２３における厚みばらつきを減少できる。
【００８０】
また、このような２層構造の基板９は、保持層５１に対して、板状の析出層５０を機械的に締結するか、または保持層５１の表面に析出層５０をコーティングにより設けることで得られる。
【００８１】
図７は、基板９の構成の他の例を示す斜視図である。図７（ａ）は、基板９の第１の表面２２を上に向けたときの斜視図であり、図７（ｂ）は、基板９の第１の表面２２を下に向けたときの斜視図である。
【００８２】
図３などに示した他の例と異なる構成は、スリットは設けず、方向２５の厚さが、浸漬方向２３前方部から後方部に向かって大きくなるように構成されていることである。
【００８３】
前方部の厚みをＴｆ、後方部の厚みをＴｒとすると、ＴｆはＴｒ／２以下とすることが好ましい。
【００８４】
基板９の前方部から溶融原料６に接触すると、熱は熱伝達により溶融原料６から基板９の浸漬方向２３前方部に伝わり、基板９の前方部から第２の表面３２および後方部に向かって熱伝導で伝わる。後方部において厚みが大きいことから、前方部の厚みと同じ厚みで均一とした仮想基板と比較して熱拡散率が小さく、溶融原料６から前方部に伝わる熱量が同じであっても、溶融原料６が前方部と接触を開始してから後方部と接触する時点までの後方部における温度上昇は低く抑えられる。
【００８５】
このため、前方部の厚みと同じ厚みで均一とした仮想基板と比較して、後方部が浸漬する時点での局所温度と、前方部が浸漬する時点での局所温度との差は減少するので、析出板１６の浸漬方向２３における厚みばらつきを減少できる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】析出板製造装置１の構成を示す概略断面図である。
【図２】図１に示す析出板製造装置１を用いた析出板製造方法を示す模式図である。
【図３】基板９の構成の一例を示す斜視図である。
【図４】基板９の構成の他の例を示す斜視図である。
【図５】基板９の構成の他の例を示す斜視図である。
【図６】基板９の構成の他の例を示す斜視図である。
【図７】基板９の構成の他の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８７】
１  析出板製造装置
２  チャンバ
３  加熱溶解装置
４  浸漬装置
５  制御装置
６  溶融原料
７  るつぼ
８  加熱装置
９  基板
１０  基板保持部
１１  昇降機構
１２  横行機構
１３  チルト機構
３１，４１  スリット
５０  析出層
５１  保持層
【図１】
2010006661.tif 000003
【図２】
2010006661.tif 000004
【図３】
2010006661.tif 000005
【図４】
2010006661.tif 000006
【図５】
2010006661.tif 000007
【図６】
2010006661.tif 000008
【図７】
2010006661.tif 000009