(57)【要約】【課題】簡素な構造および製造方法を用いて、中点電圧偏差を小さくするとともに中点電圧の温度特性を良好にできる磁気検出回路素子を実現する。【解決手段】半絶縁性基板１１上には、半導体膜１３Ａを有する磁気抵抗素子ＭＲ１と半導体膜１３Ｂを有する磁気抵抗素子ＭＲ２とが長尺状に形成されるとともに、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６が形成される。グランド接続用電極１５は半導体膜１３Ｂと接続電極１７Ｂを介して接続され、出力電圧用電極１６は半導体膜１３Ａ，１３Ｂと接続電極１７Ｃを介して接続される。接続電極１７Ｂには補正用電極１８１が接続され、接続電極１７Ｃには補正用電極１８２が接続される。補正用電極１８１，１８２は、互いの先端間に生じるリーク抵抗Ｒｃ１が、グランド接続用電極１５と出力電圧用電極１６との間のリーク抵抗による中点電圧偏差を抑制する抵抗値となるように形成される。【選択図】図１
2010133854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束密度の変化に応じて抵抗値が変化する複数の磁気抵抗素子の直列回路と、第１接続電極により前記直列回路へ接続して該直列回路へ検出用入力電圧を印加する入力電圧用電極と、第２接続電極により前記直列回路をグランドに接続するためのグランド接続用電極と、第３接続電極により前記直列回路を構成する複数の磁気抵抗素子同士の接続点に接続し、該複数の磁気抵抗素子による分圧に基づく検出電圧を出力する出力電圧用電極と、が半絶縁性基板の一主面上に形成されてなる磁気検出回路素子であって、
前記第３接続電極と第１接続電極または前記第２接続電極との間で、前記検出用入力電圧の印加により前記半絶縁性基板を介して所定のリーク電流が流れるように形成された補正用電極を備えた磁気検出回路素子。
【請求項２】
前記補正用電極は、
前記第３接続電極に連続する第１補正用電極と、前記第１接続電極または前記第２接続電極に連続する第２補正用電極とを備え、
前記第１補正用電極と前記第２補正用電極との間で前記リーク電流が流れるように、形状および配置位置で決定されている、請求項１に記載の磁気検出回路素子。
【請求項３】
前記補正用電極は、
前記第１接続電極、前記第２接続電極、および前記第３接続電極のいずれにも連続しない形状からなる島状補正用電極であり、
該島状補正用電極を介して前記第３接続電極と前記第１接続電極または前記第２接続電極との間で前記リーク電流が流れるように、形状および配置位置で決定されている、請求項１または請求項２に記載の磁気検出回路素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の磁気検出回路素子を備えるとともに、
該磁気検出回路素子を永久磁石に対する被検出体側で且つ前記一主面が被検出体側になるように配置する筐体と、
該筐体内に設けられ、前記磁気検出回路素子の前記入力電圧用電極、前記出力電圧用電極、前記グランド接続用電極のいずれかに接続する接続導体と、を備えた磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、被検出体の通過によって生じる磁束密度の変化により被検出体を検出する磁気検出回路素子、およびこれを用いた磁気センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、各種の回転センサが利用されている中、磁気を利用した回転センサが存在する。そして、このような回転センサは、筐体内に永久磁石を配置し、該永久磁石の被検出体側に磁気抵抗素子を有する磁気検出回路素子を配置した構造を有する。この磁気検出回路素子では、一般的にＳｉ等の半絶縁性基板上に、磁束密度の変化により抵抗値が変化するＩｎＳｂ等の半導体膜を長尺状に形成し、さらに半導体膜の上面に導体からなる短絡電極を長尺方向に沿って複数形成することで磁気抵抗素子を構成する。そして、磁気検出回路素子は、複数（例えば一対）の磁気抵抗素子を直列接続し、当該直列回路に一定値からなる直流電圧を印加し続け、複数の磁気抵抗素子同士の接続点での分圧電圧を検出電圧信号として出力する。したがって、このような磁気検出回路素子は、直流電圧を印加させるための入力電圧用電極、グランドに接続させるためのグランド接続用電極、検出電圧信号を出力するための出力電圧用電極が半絶縁性基板上に形成された構成となる。
【０００３】
ここで、上述のように半絶縁性基板としてＳｉを用い、半導体膜としてＩｎＳｂを用いる場合のように、半絶縁性基板と半導体膜との抵抗値比が小さい場合で、且つ、出力電圧用電極が入力電圧用電極やグランド接続用電極に近接して配置されている場合には、半導体膜に流れるべき電流が半絶縁性基板内を流れてしまいリーク電流が発生する。このため、磁気抵抗素子の接続点（中点）から得られる検出電圧信号の電圧値（以下、「中点電圧」と称する。）の初期値が、リーク電流の発生しない前提からなる設計値に対してズレるという問題が発生する。以下、この問題を、「中点電圧偏差」が大きくなると称する。さらに、半絶縁性基板の抵抗温度特性と半導体膜の抵抗温度特性とが異なることにより、中点電圧が温度により変化するという問題も発生する。
【０００４】
そこで、従来、「中点電圧偏差」が大きくなる問題を解決するため、特許文献１では、半絶縁性基板であるＳｉ基板の比抵抗や厚みを規制したり、半絶縁性基板とは異なる特性の層を設けたり、半絶縁性基板に溝を設けたりすることで、半絶縁性基板へのリーク電流の流れを防止している。
【０００５】
また、中点電圧の温度特性に関する問題を解決するため、特許文献２では、半導体膜に対して意図的に不純物をドーピングして半導体膜の温度による抵抗値の変化が少なくなるようにしている。
【特許文献１】特開平９−１６２４５９号公報
【特許文献２】特開２００５−３２７８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１，２に示す構成や方法では、半絶縁性基板に対して新たな層を挿入したり、半絶縁性基板に物理的な加工を行なったり、半導体膜の形成時に不純物をドーピングするため、磁気検出回路素子全体として形成が容易でなかったり、複雑な工程を経由しなければ形成できない、という問題が生じる。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、簡素な構造および製造方法を用いて、中点電圧偏差を小さくするとともに中点電圧の温度特性を良好にすることができる磁気検出回路素子を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の磁気検出回路素子は、複数の磁気抵抗回路素子の直列回路、入力電圧用電極、グランド接続用電極、出力電圧用電極、および、これらを電気的に接続する第１接続電極、第２接続電極、第３接続電極が半絶縁性基板の一主面上に形成されてなる。磁気抵抗素子は、それぞれが磁束密度の変化に応じて抵抗値が変化する。入力電圧用電極は、第１接続電極により直列回路へ接続して該直列回路へ検出用入力電圧を印加する。グランド接続用電極は、第２接続電極により直列回路をグランドに接続する。出力電圧用電極は、第３接続電極により直列回路を構成する複数の磁気抵抗素子同士の接続点に接続し、該複数の磁気抵抗素子による分圧に基づく検出電圧を出力する。そして、この磁気検出回路素子は、第３接続電極と第１接続電極または第２接続電極との間で検出用入力電圧の印加により半絶縁性基板を介して所定のリーク電流が流れるように、補正用電極が形成されている。
【０００９】
この構成では、補正用電極により出力電圧用電極と、グランド接続用電極または入力電圧用電極との間に、リーク電流が流れる。このように、補正用電極の形成前に生じるリーク電流に加えて補正用電極の形成によるリーク電流を加えることで、リーク電流全体により中点電圧偏差に与える影響が変化する。ここで、補正用電極の形成に基づくリーク電流による中点電圧偏差への影響を利用して、補正用電極の形成前のリーク電極による中点電圧偏差への影響を相殺する形状の補正用電極を用いることで、中点電圧偏差が小さくなる。さらに、リーク電流同士が相殺されることで、半絶縁性基板と半導体膜との抵抗温度特性の相違による中点電圧の温度特性が安定化される。この際、補正用電極は、他の電極のパターニングと同時に行うことができるので、形成が容易となる。
【００１０】
また、この発明の磁気検出回路素子の補正用電極は、第３接続電極に連続する第１補正用電極と、第１接続電極または第２接続電極に連続する第２補正用電極とを備える。そして、第１補正用電極と第２補正用電極との間でリーク電流が流れるように、補正用電極の形状および配置位置で決定されている。
【００１１】
この構成では、上述のリーク電流を意図的に発生させる補正用電極のより具体的な形状として、接続電極に対して形状的に連続する構造を用いている。これにより、いずれの接続電極間でリーク電流を発生させるかを視覚的に容易に判断することができる。
【００１２】
また、この発明の磁気検出回路素子の補正用電極は、第１接続電極、第２接続電極、および第３接続電極のいずれにも連続しない形状からなる島状補正用電極である。そして、島状補正用電極を介して第３接続電極と第１接続電極または第２接続電極との間でリーク電流が流れるように、形状および配置位置で決定されている。
【００１３】
この構成では、上述のリーク電流を意図的に発生させる補正用電極のより具体的な形状として、接続電極に対して形状的に連続しない構造を用いている。これにより、補正用電極を接続電極に対して形状的に連続させなければならないという設計上に制約がなくなり、設計自由度が向上する。
【００１４】
また、この発明の磁気センサは、上述の磁気検出回路素子を備えるとともに、該磁気検出回路素子を永久磁石に対する被検出体側で且つ一主面が被検出体側になるように配置する筐体と、該筐体内に設けられ、磁気検出回路素子の入力電圧用電極、出力電圧用電極、グランド接続用電極のいずれかに接続する接続導体と、を備える。
【００１５】
この構成では、上述の磁気検出回路素子を用いることで、中点電圧偏差が小さく、温度変化による影響を抑制した磁気センサが実現される。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、簡素な構造で且つ複雑な製造工程を用いなくても、中点電圧偏差を小さくできるとともに中点電圧の温度による変化を抑制できる磁気検出回路素子を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の第１の実施形態に係る磁気検出回路素子および磁気センサについて図を参照して説明する。
図１（Ａ）は本実施形態の磁気検出回路素子１１の構成を示す平面図であり、図１（Ｂ）は当該磁気検出回路素子１１の概念を説明するための等価回路図である。なお、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す点線からなる回路部分は、実際にディスクリート部品や電極パターンのような有形の部材が設置されたものを表しているのではなく、磁気検出回路素子１１の特性上、点線で表現される機能が存在することを示している。
【００１８】
磁気検出回路素子１１は、Ｓｉ，ＧａＡｓ等を基材とする所定厚みを有する半絶縁性基板１２を備える。ここでいう半絶縁性基板とは、不純物を含まない基板において高抵抗（比抵抗が数ＭΩ）を示す半導体基板のことをいう。半絶縁性基板１２の一方の主面（本発明の「一主面」に相当する。）には、ＩｎＳｂ，ＧａＡｓ，ＮｉＳｂ，ＩｎＡｓ等を材料とする半導体膜１３Ａ，１３Ｂが形成されている。半導体膜１３Ａ，１３Ｂは、平面視した状態で長尺状に形成されており、長尺方向が平行になるように配置されている。半導体膜１３Ａ，１３Ｂの表面には、導電性材料からなる短絡電極が長尺方向に沿って所定の間隔パターンで形成されている。この短絡電極の形成パターンにより半導体膜１３Ａ，１３Ｂの被検体の通過による磁束密度の変化に対する感度、すなわち、磁束密度の変化量に応じて抵抗値が変化する割合が設定される。そしてこのように短絡電極が形成された半導体膜１３Ａ，１３Ｂにより磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２が構成される。なお、以下の説明では、特別な記載をしない限り、短絡電極付きの半導体膜を単に半導体膜として取り扱う。
【００１９】
入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６は、半導体膜１３Ａ，１３Ｂの長尺方向に沿って、半絶縁性基板１２の一方端（図１（Ａ）を見た左端）から、グランド接続用電極１５、入力電圧用電極１４、出力電圧用電極１６の順で配列して形成されている。ここで、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６は、半絶縁性基板１２上における半導体膜１３Ａ，１３Ｂの形成領域外の領域で、且つ半導体膜１３Ａ側の領域に形成されている。
【００２０】
入力電圧用電極１４は、導電性材料からなる接続電極１７Ａにより半導体膜１３Ａの長尺方向の一方端に接続する。グランド接続用電極１５は、接続電極１７Ｂにより半導体膜１３Ｂの長尺方向の一方端に接続する。出力電圧用電極１６は、接続電極１７Ｃにより半導体膜１３Ａおよび半導体膜１３Ｂの長尺方向の他方端に接続する。
【００２１】
このような構成とすることで、磁気検出回路素子１１は、図１（Ｂ）の実線で示すように、磁気抵抗素子ＭＲ１と磁気抵抗素子ＭＲ２とを、入力電圧用電極１４（Ｖｉｎ）とグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）との間に直列接続し、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の接続点を出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）へ接続した回路構成を実現している。このような構成の磁気検出回路素子１１の入力電圧用電極１４へ例えば５．０Ｖ等の直流電圧を印加すると、理想的には出力電圧用電極１６から、磁気抵抗素子ＭＲ１と磁気抵抗素子ＭＲ２による分圧比に応じた電圧値の直流電圧が出力される。
【００２２】
しかしながら、上述の従来技術に示したように、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６の内の隣り合う電極間でリーク電流が流れる。すなわち、図１のＲｒ１，Ｒｒ２に示すように、隣り合う電極間にリーク抵抗が接続されたような回路構成となる。これにより、等価回路的には、図１（Ｂ）の実線部分および点線部分におけるリーク抵抗Ｒｒ１，Ｒｒ２が接続される回路部に示すように、入力電圧用電極１４（Ｖｉｎ）とグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）との間にリーク抵抗Ｒｒ１が接続され、入力電圧用電極１４（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ１とリーク抵抗Ｒｒ２との並列回路が接続され、出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）とグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ２が接続された構成となる。
【００２３】
そこで、本実施形態の磁気検出回路素子１１では、さらに、接続電極１７Ｂに対して形状的に連続するライン状電極からなる第１補正用電極１８１と、接続電極１７Ｃに対して形状的に連続するライン状電極からなる第２補正用電極１８２とが、半絶縁性基板１２上に形成されている。第１補正用電極１８１および第２補正用電極１８２は、半導体膜１３Ａ，１３Ｂの形成領域を挟んで、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６の形成領域と反対側の領域に形成されている。
【００２４】
第１補正用電極１８１は、接続電極１７Ｂに対して形状的に連続し、半導体膜１３Ａ，１３Ｂの長尺方向に直交する方向に延びる部分ライン電極１８１Ａを備える。また、第１補正用電極１８１は、部分ライン電極１８１Ａに対して形状的に連続し、前記長尺方向に沿って延びる部分ライン電極１８１Ｂを備える。
【００２５】
第２補正用電極１８２は、接続電極１７Ｃに対して形状的に連続し、前記長尺方向に直交する方向に延びる部分ライン電極１８２Ａを備える。また、第２補正用電極１８２は、部分ライン電極１８２Ａに対して形状的に連続し、前記長尺方向に沿って延びる部分ライン電極１８２Ｂを備える。
【００２６】
第１補正用電極１８１における接続電極１７Ｂに対して反対側の端部と、第２補正用電極１８２における接続電極１７Ｃに対して反対側の端部とは、所定間隔で離間されている。この間隔は、検出用入力電圧が入力電圧用電極１４から印加されている状態で、第１補正用電極１８１と第２補正用電極１８２との間でリーク電流が流れ、リーク抵抗Ｒｃ１が発生する距離に設定されている。これにより、接続電極１７Ｂ，１７Ｃ間、すなわちグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）と出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ１が挿入された回路構成となる。
【００２７】
すなわち、図１（Ｂ）に示すように、入力電圧用電極１４（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ１とリーク抵抗Ｒｒ２との並列回路が接続され、出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）とグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ２とリーク抵抗Ｒｃ１との並列回路が接続され、入力電圧用電極１４（Ｖｉｎ）とグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）との間にリーク抵抗Ｒｒ１が接続された構成となる。
【００２８】
ここで、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２との分圧比に対して、リーク抵抗Ｒｒ２とリーク抵抗Ｒｃ１との分圧比が一致するように、第１補正用電極１８１および第２補正用電極１８２の形状および形成位置を設定する。例えば、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の抵抗値が一致する場合であれば、リーク抵抗Ｒｒ２の抵抗値と、リーク抵抗Ｒｃ１の抵抗値とが一致するように、第１補正用電極１８１および第２補正用電極１８２の形状および形成位置を設定する。これにより、第１補正用電極１８１および第２補正用電極１８２が形成されていない状態の電極パターンに起因して生じるリーク抵抗Ｒｒ２による中点電圧偏差を抑制して小さくすることができる。この際、リーク抵抗Ｒｒ２とリーク抵抗Ｒｃ１とによる直列合成抵抗値は、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の直列合成抵抗値に対して、大幅に大きい値（例えば、１００倍以上）にするとよい。これにより、入力電圧用電極１４から与えられた直流電圧による電流は、主として、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２側に流れ、リーク抵抗Ｒｒ２の並列回路およびリーク抵抗Ｒｃ１側には流れない。したがって、検出感度を低下させることがなく、磁束密度の変化を検出することができる。
【００２９】
このように本実施形態の構成を用いることで、中点電圧偏差を小さく抑えることができるとともに、中点電圧の温度変化を抑制する磁気検出回路素子を実現することができる。この際、補正用電極による各リーク抵抗の抵抗値を適宜大きく設定することで、検出感度を下げることなく検出を行うことができる。さらに、補正用電極は、入力電圧用電極、出力電圧用電極、グランド接続用電極、および接続電極と同じ材料で形成可能であり、半絶縁性基板１２の一主面に形成された電極パターンの一部と見なすことができるので、入力電圧用電極、出力電圧用電極、グランド接続用電極、および接続電極と同時にパターニングすることができ、簡素な構造および簡素な製造方法で形成することができる。
【００３０】
さらに、各補正用電極１８１，１８２は、グランド接続用電極１５に接続する接続電極１７Ｂや出力電圧用電極１６に接続する接続電極１７Ｃに対して形状的に連続しているので、当該補正用電極１８１，１８２がグランド接続用電極１５と出力電圧用電極１６との間でリーク電流を発生させていることを、視覚的に容易に判断することができる。すなわち、本実施形態の構成を用いれば、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５のいずれかと出力電圧用電極１６との間でリーク抵抗を挿入させる場合に、視覚的に容易に判断することができ、リーク抵抗を必要とする電極同士が分かれば、容易に補正用電極を設計することができる。また、補正用電極をライン状電極で形成し、当該ライン状電極の先端間距離でリーク抵抗を設定するので、先端間距離を変化させるという簡素な方法で、リーク抵抗を調整することもできる。
【００３１】
なお、本実施形態に示した補正用電極は一例であり、接続電極に対して形状的に連続しており、所定のリーク抵抗が得られる形状であれば、他の形状であってもよい。
【００３２】
このような磁気検出回路素子１１は、図２に示すような磁気センサ１に搭載される。
【００３３】
図２は、磁気センサ１の主要構成を示す側面図であり、構造が分かりやすいように断面図形式で示している。
【００３４】
磁気センサ１は、絶縁性材料からなる略直方体形状の筐体２を備え、当該筐体２内に永久磁石３が設置されている。永久磁石３の被検出体側には、上述の磁気検出回路素子１１が配置されている。磁気検出回路素子１１は、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２が形成される面（一主面）が半絶縁性基板１２を基準にして永久磁石３と反対側になるように配置されている。磁気検出回路素子１１の入力電圧用電極、出力電圧用電極、グランド接続用電極（図２には図示せず）は、接続導体６により外部接続用端子５にそれぞれ接続されている。
【００３５】
磁気検出回路素子１１の一主面のさらに上面には、絶縁シート７が設置されており、カバー４から磁気検出回路素子１１の一主面上の各部を電気的に絶縁している。カバー４は、磁気センサ１を構成する各部材を覆う形状からなる。
【００３６】
このように、上述の構成からなる磁気検出回路素子を用いることで、中点電圧偏差が小さく、中点電圧の温度変化が抑制された磁気センサを、簡素な構造で実現することができる。
【００３７】
次に、第２の実施形態に係る磁気検出回路素子について図を参照して説明する。
図３（Ａ）は本実施形態の本実施形態の磁気検出回路素子２１の構成を示す平面図であり、図３（Ｂ）は当該磁気検出回路素子２１の概念を説明するための等価回路図である。
本実施形態の磁気検出回路素子２１は補正用電極の形状が異なるのみで、他の構成は、第１の実施形態に示した磁気検出回路素子１１と同じである。したがって、本実施形態では、補正用電極に関する部分のみを説明する。
【００３８】
本実施形態の磁気検出回路素子２１では、接続電極１７Ｂに対して所定距離離間してなる島状の第３補正用電極１９１と、接続電極１７Ｃに対して所定距離離間してなる島状の第４補正用電極１９２とが、半絶縁性基板１２上に形成されている。この際、第３補正用電極１９１および第４補正用電極１９２は、半導体膜１３Ａ，１３Ｂの形成領域を挟んで、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６の形成領域と反対側の領域に形成されている。
【００３９】
第３補正用電極１９１は、長方形であり、接続電極１７Ｂに対して所定距離離間した位置に形成されている。この際、第３補正用電極１９２と接続電極１７Ｂとの間隔および位置関係は、接続電極１７Ｂと第３補正用電極１９１との間でリーク電流が流れ、リーク抵抗Ｒｃ２２が発生するように設定されている。
【００４０】
第４補正用電極１９２は、長方形であり、接続電極１７Ｃに対して所定距離離間した位置に形成されている。この際、第４補正用電極１９２と接続電極１７Ｃとの間隔および位置関係は、接続電極１７Ｃと第４補正用電極１９２との間でリーク電流が流れ、リーク抵抗Ｒｃ２３が発生するように設定されている。
【００４１】
また、第３補正用電極１９１と第４補正用電極１９２は、これらの電極間でリーク電流が流れ、リーク抵抗Ｒｃ２１が発生するように設定されている。
【００４２】
このような構成とすることで、接続電極１７Ｂ，１７Ｃ間、すなわちグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）と出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）との間に新たなリーク抵抗Ｒｃ２２，Ｒｃ２１，Ｒｃ２３の直列回路が挿入された回路構成となる。
【００４３】
すなわち、図３（Ｂ）に示すように、入力電圧用電極１４（Ｖｉｎ）と出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ１とリーク抵抗Ｒｒ２との並列回路が接続され、出力電圧用電極１６（Ｖｏｕｔ）とグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）との間に、磁気抵抗素子ＭＲ２とリーク抵抗Ｒｃ２２，Ｒｃ２１，Ｒｃ２３の直列抵抗回路との並列回路が接続され、入力電圧用電極１４（Ｖｉｎ）とグランド接続用電極１５（ＧＮＤ）との間にリーク抵抗Ｒｒ１が接続された構成となる。
【００４４】
ここで、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２との分圧比に対して、リーク抵抗Ｒｒ２とリーク抵抗Ｒｃ２２，Ｒｃ２１，Ｒｃ２３の直列抵抗回路との分圧比が一致するように、第３補正用電極１９１および第４補正用電極１９２の形状および形成位置を設定する。例えば、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の抵抗値が一致する場合であれば、リーク抵抗Ｒｒ２の抵抗値と、リーク抵抗Ｒｃ２２，Ｒｃ２１，Ｒｃ２３の直列抵抗回路の合成抵抗値とが一致するように、第３補正用電極１９１および第４補正用電極１９２の形状および形成位置を設定する。これにより、第３補正用電極１９１および第４補正用電極１９２が形成されていない状態の電極パターンに起因して生じるリーク抵抗Ｒｒ２による中点電圧偏差を抑制して小さくすることができる。この際、リーク抵抗Ｒｒ２とリーク抵抗Ｒｃ２２，Ｒｃ２１，Ｒｃ２３の直列抵抗回路とによる直列合成抵抗値は、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の直列合成抵抗値に対して、大幅に大きい値（例えば、１００倍以上）にするとよい。これにより、入力電圧用電極１４から与えられた直流電圧による電流は、主として、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２側に流れ、リーク抵抗Ｒｒ２およびリーク抵抗Ｒｃ２２，Ｒｃ２１，Ｒｃ２３の直列回路側には流れない。したがって、検出感度を低下させることがなく、磁束密度の変化を検出することができる。
【００４５】
このように本実施形態の構成を用いることでも、中点電圧偏差を小さく抑えることができるとともに、中点電圧の温度変化を抑制する磁気検出回路素子を実現することができる。この際、補正用電極による各リーク抵抗の抵抗値を適宜大きく設定することで、検出感度を下げることなく検出を行うことができる。さらに、補正用電極は、入力電圧用電極、出力電圧用電極、グランド接続用電極、および接続電極と同じ材料で形成可能であり、半絶縁性基板１２の一主面に形成された電極パターンの一部と見なすことができるので、入力電圧用電極、出力電圧用電極、グランド接続用電極、および接続電極と同時にパターニングすることができ、簡素な構造および簡素な製造方法で形成することができる。
【００４６】
さらに、各補正用電極１９１，１９２は、半絶縁性基板１２上の他の電極から形状的に離間された島状であるので、他の電極に接続させなればならない場合よりも設計自由度が向上する。
【００４７】
なお、本実施形態に示した補正用電極は一例であり、接続電極に対して形状的に連続しせず、所定のリーク抵抗が得られる形状であれば、他の形状であってもよい。また、本実施形態の説明では、長方形の島状からなる補正用電極を例にしたが、上述のリーク抵抗が得られれば他の形状であってもよい。
【００４８】
上述の説明では、磁気センサ１に磁気検出回路素子１１を装着した例を示したが、もちろん、第２の実施形態に示した磁気検出回路素子２１を装着しても、磁気センサとして同様の作用効果を得ることができる。
【００４９】
また、上述の説明では、接続電極に対して形状的に連続する補正用電極か、接続電極に対して離間されている補正用電極のいずれかを用いる例を示したが、これらを組み合わせて所定のリーク抵抗を得るようにしてもよい。
【００５０】
また、上述の説明では、検出電圧の出力が一つの磁気検出回路素子を例に示したが、入力電圧一つに対して、複数の検出電圧が得られる磁気検出回路素子、すなち、磁気抵抗素子の直列回路による差分電圧出力回路が複数並列に形成された磁気検出回路素子に対しても、上述の各構成を適用して、上述の作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】第１の実施形態の磁気検出回路素子１１の構成を示す平面図、および、当該磁気検出回路素子１１の概念を説明するための等価回路図である。
【図２】磁気センサ１の主要構成を示す側面図である。
【図３】第２の実施形態の磁気検出回路素子２１の構成を示す平面図、および、当該磁気検出回路素子２１の概念を説明するための等価回路図である。
【符号の説明】
【００５２】
１−磁気センサ、２−筐体、３−永久磁石、４−カバー、５−外部接続用端子、６−接続導体、７−絶縁シート、
１１，２１−磁気検出回路素子、１２，２２−半絶縁性基板、１３Ａ，１３Ｂ−半導体膜、１４−入力電圧用電極、１５−グランド接続用電極、１６−出力電圧用電極、１７Ａ〜１７Ｃ−接続電極、１８１，１８２，１９１，１９２−補正用電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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