(57)【要約】【課題】ウェハの被処理面に対する裏面の汚染が被処理面側へ回り込んでしまうことを抑制し、且つ、ウェハの被処理面に対する処理を清浄な処理液によって十分に且つ均一に行う。【解決手段】ウェハ１を保持するウェハ保持部３と、内部に貯留している処理液１９によりウェハ１の被処理面１５に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽２とを備える。処理槽２の上端２ｂから処理液１９がオーバーフローするように処理液１９を処理槽２へ供給する処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１からなる）を備える。処理槽の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成されている。ウェハ保持部３は、ウェハ１の被処理面１５を下向きにして保持し、その被処理面１５を処理槽２に貯留されている処理液１９に浸漬させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハをその被処理面を下向きにして保持するウェハ保持部と、
上端が開口した容器形状に形成され、内部に処理液を貯留し、該貯留している処理液により前記ウェハの前記被処理面に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽と、
前記処理槽の前記上端から前記処理液がオーバーフローするように前記処理液を前記処理槽へ供給する処理液供給手段と、
を備え、
前記処理槽の前記上端の開口は前記ウェハよりも大径に形成され、
前記ウェハ保持部は、該ウェハ保持部により保持されている前記ウェハの前記被処理面が前記処理槽に貯留されている前記処理液に浸漬される処理位置へ、移動可能に構成されていることを特徴とするウェット処理装置。
【請求項２】
前記処理位置は、前記被処理面を下向きにして該ウェハ保持部により保持されている前記ウェハの前記被処理面が、前記処理槽の前記上端よりも下方に位置するような位置であることを特徴とする請求項１に記載のウェット処理装置。
【請求項３】
前記処理位置は、前記被処理面を下向きにして該ウェハ保持部により保持されている前記ウェハの全体が、前記処理槽に貯留されている前記処理液の液面よりも下方に位置するような位置であることを特徴とする請求項１に記載のウェット処理装置。
【請求項４】
前記ウェハ保持部を昇降させるウェハ保持部昇降機構を備え、
前記ウェハ保持部昇降機構は、前記ウェハ保持部を下降させることによって前記ウェハ保持部を前記処理位置へ移動させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のウェット処理装置。
【請求項５】
前記ウェハ保持部は、前記ウェハの前記被処理面に対する裏面に密着して該裏面に対する前記処理液の接触を妨げるシール部を備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のウェット処理装置。
【請求項６】
前記シール部は、
本体部と、
前記本体部の下面に設けられ、前記ウェハの前記裏面の周縁部に沿って密着する密着部材と、
を備えることを特徴とする請求項５に記載のウェット処理装置。
【請求項７】
前記ウェハ保持部は、
前記ウェハの周縁部が載置される載置面を有する載置部と、
前記載置部に対して相対的に前記シール部を昇降させるシール部昇降機構と、
を備え、
前記載置部における前記載置面よりも内側には、該載置部を上下に貫通する開口が形成され、
前記載置面には前記ウェハの前記被処理面の周縁部に沿って密着する第２密着部材が設けられ、
前記ウェハ保持部は、前記第２密着部材が前記ウェハの前記被処理面の周縁部に沿って位置するよう前記ウェハが前記載置面上に載置された状態で、前記シール部昇降機構が前記シール部を下降させることにより、前記第２密着部材と前記密着部材とにより前記ウェハの周縁部を表裏から挟んで該ウェハを保持することを特徴とする請求項６に記載のウェット処理装置。
【請求項８】
前記処理槽及び前記処理液供給手段は、前記処理槽内に前記処理液の噴流が上向きに形成されるような態様で前記処理液を前記処理槽内へ導入するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のウェット処理装置。
【請求項９】
前記処理槽は、前記処理槽内へ前記処理液を上向きに導入するための導入口を、前記載置部の前記開口の下方に備え、
前記処理液供給手段は、前記処理槽内に前記処理液の噴流が上向きに形成されるように、前記導入口を介して前記処理液を前記処理槽内へ供給することを特徴とする請求項７に記載のウェット処理装置。
【請求項１０】
前記処理液供給手段は、前記処理液を前記処理槽内へ連続的に供給することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のウェット処理装置。
【請求項１１】
上端がウェハよりも大径に開口した容器形状に形成され、内部に処理液を貯留し、該貯留している処理液により前記ウェハの被処理面に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽へ、前記処理槽の前記上端から前記処理液がオーバーフローするように前記処理液を供給する工程と、
前記ウェハの前記被処理面を下向きにして、前記処理槽に貯留されている前記処理液に前記被処理面を浸漬させる工程と、
を並行して行うことを特徴とするウェット処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェット処理装置及びウェット処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェット処理としては、例えば、半導体製造工程の一工程として行われる酸剥離処理がある。酸剥離処理は、レジストをマスクとして半導体基板へ注入処理を行った後で、不要となったレジストを処理液により溶解させて除去する目的で行われる。
【０００３】
酸剥離処理を実施するための酸剥離処理装置は、半導体の製造に際して繰り返し使用されるため、レジスト剥離機能の他にパーティクルをウェハに付着させないことも要求される。
【０００４】
かつては薬液洗浄と超音波洗浄とを併用してウェハ上のパーティクルを除去していたが、近年では配線パターンの微細化に伴い、超音波によるダメージを受けて配線が倒れる（配線倒れが発生する）可能性があることから、超音波洗浄を採用しにくいという事情がある。
【０００５】
このような事情もあって、如何にしてパーティクルを付着させずにレジストを剥離するか、ということが課題となっている。
【０００６】
例えば、特許文献１の基板処理装置は、その図１に示すように、処理液貯留槽内の処理液に浸漬されるようにスピンベースを設け、螺旋状の溝が外周に形成された複数本のピンをスピンベースの上面に立設し、これら複数本のピンによりウェハをスピンベースの上方において水平に保持する構成となっている。そして、これらピンを回転させることによって、スピンベースの上方でウェハを昇降させ、ウェハの全体を処理液に浸漬させる動作と処理液から引き上げる動作とが可能となっている。特許文献１には、これらの動作によって、ウェハ表裏を処理液により均一に処理できる旨の記載がある。
【０００７】
また、特許文献２の基板処理装置は、その図１に示すように、ウェハを水平に保持して回転するスピンチャックと、スピンチャックの回転軸の上端に固定されたオーバーフロートレイと、を備える。オーバーフロートレイ内には、スピンチャックの回転軸に挿入された処理液供給管を介して処理液が供給され、この処理液はオーバーフロートレイの外周縁部からオーバーフローするようになっている。スピンチャックは、オーバーフロートレイの外側に立設された基板保持ピンにより、オーバーフロートレイの上側でウェハを保持する。オーバーフロートレイはウェハよりも小径に形成されている。この基板処理装置は、オーバーフロートレイを昇降可能であり、オーバーフロートレイを上昇させることにより、該オーバーフロートレイ内の処理液からなる液膜をウェハの下面（被処理面）に対し接触させ、該下面に対する処理を行う。すなわち、オーバーフロートレイよりも大径であるウェハの周縁部を、オーバーフロートレイの外周よりも外側にはみ出させた状態で、該オーバーフロートレイ内の処理液によって、該ウェハの下面に対する処理を行う。
【特許文献１】特開２００５−２４３８１２号公報
【特許文献２】特開２００５−２６００８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の技術では、スピンベースやウェハの下面から処理液貯留槽の処理液中に拡散したパーティクルが処理液とともにウェハの上面に回り込んでしまうため、ウェハの上面がパーティクルによって汚染され、歩留まり低下の原因となってしまうという課題がある。
【０００９】
特許文献２の技術では、オーバーフロートレイ内の処理液がウェハの上面（被処理面に対する裏面）には接しない構造であるため、ウェハの上面の汚染が処理液中に拡散し、ウェハの下面（被処理面）側へ回り込むことは防ぐことができると考えられる。
【００１０】
しかし、特許文献２の技術では、オーバーフロートレイがウェハよりも小径であるため、ウェハをオーバーフロートレイ内に入り込ませることができない。よって、オーバーフロートレイ内に供給された処理液のうち、該処理液の流体粘性ないしは表面張力によってオーバーフロートレイの上端よりも上側に位置する処理液しか、ウェハに接触させることができない。このため、ウェハの下面に対して処理液を十分に接触させることが困難であり、ウェハの下面に対する処理が不均一となってしまうことがあるという課題がある。特に、オーバーフロートレイとウェハとがそれぞれ完全に水平に配置されない場合には、ウェハの下面に対して処理液を十分に接触させることが、なおさら困難となる。
【００１１】
加えて、特許文献２の技術では、オーバーフロートレイよりも大径のウェハによって、オーバーフロートレイの上端の開口を閉塞するような態様で、ウェハの下面に対する処理を行う。すなわち、オーバーフロートレイの上端とウェハの下面との間隔を、極めて小さい間隔に狭めた状態で、処理を行う。このため、オーバーフロートレイからの処理液のオーバーフローをスムーズに行うことが困難である。よって、処理によって処理液中に混入する不純物（剥離されたレジスト等）を処理液とともにスムーズにオーバーフロートレイ外へ排出することが困難である。従って、常に清浄な処理液を用いて処理を行うことが難しく、ウェハの下面が汚染される或いは処理が不均一になるなどの課題がある。
【００１２】
このように、ウェハの被処理面に対する裏面の汚染が被処理面側へ回り込んでしまうことを抑制し、且つ、ウェハの被処理面に対する処理を清浄な処理液によって十分に且つ均一に行うことは困難だった。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、ウェハをその被処理面を下向きにして保持するウェハ保持部と、上端が開口した容器形状に形成され、内部に処理液を貯留し、該貯留している処理液により前記ウェハの前記被処理面に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽と、前記処理槽の前記上端から前記処理液がオーバーフローするように前記処理液を前記処理槽へ供給する処理液供給手段と、を備え、前記処理槽の前記上端の開口は前記ウェハよりも大径に形成され、前記ウェハ保持部は、該ウェハ保持部により保持されている前記ウェハの前記被処理面が前記処理槽に貯留されている前記処理液に浸漬される処理位置へ、移動可能に構成されていることを特徴とするウェット処理装置を提供する。
【００１４】
このウェット処理装置によれば、ウェハ保持部は、被処理面を下向きにして該ウェハ保持部により保持されているウェハの被処理面が処理槽に貯留されている処理液に浸漬される処理位置へ移動可能であるので、ウェハ保持部を処理位置へ移動させることにより、ウェハの被処理面を処理液に浸漬させて該被処理面に対して処理を行うことができる。また、処理槽の上端の開口はウェハよりも大径に形成されているので、ウェハの被処理面を処理液に対して十分に浸漬させることができ、該被処理面に対する処理を十分に且つ均一に行うことができる。
【００１５】
しかも、処理槽は上端が開口した容器形状に形成されている一方で、処理液供給手段は処理槽の上端から処理液がオーバーフローするように処理液を処理槽へ供給するので、ウェハの被処理面に対する裏面の汚染（パーティクル等）が処理液中に拡散したとしても、その汚染された処理液は処理槽からオーバーフローさせることができるため、その汚染された処理液が被処理面側に回り込んでしまうことを好適に抑制できる。つまり、ウェハの被処理面に対する裏面の汚染が被処理面側へ回り込んでしまうことを抑制することができる。
【００１６】
加えて、処理槽の上端の開口はウェハよりも大径に形成されているため、処理槽の開口の内周縁部とウェハとの間隔を介して、ウェハよりも下側（被処理面側）の処理液をスムーズに処理槽からオーバーフローさせることができる。よって、処理によって処理液中に混入する不純物（剥離されたレジスト等）を処理液とともにスムーズに処理槽から排出することができる。従って、常に清浄な処理液を用いて被処理面に対する処理を行うことができ、ウェハの被処理面が汚染されたり処理が不均一になってしまったりすることを好適に抑制できる。
【００１７】
このように、ウェハの被処理面に対する裏面の汚染が被処理面側へ回り込んでしまうことを抑制し、且つ、ウェハの被処理面に対する処理を清浄な処理液によって十分に且つ均一に行うことができる。
【００１８】
また、本発明は、上端がウェハよりも大径に開口した容器形状に形成され、内部に処理液を貯留し、該貯留している処理液により前記ウェハの被処理面に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽へ、前記処理槽の前記上端から前記処理液がオーバーフローするように前記処理液を供給する工程と、前記ウェハの前記被処理面を下向きにして、前記処理槽に貯留されている前記処理液に前記被処理面を浸漬させる工程と、を並行して行うことを特徴とするウェット処理方法を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ウェハの被処理面に対する裏面の汚染が被処理面側へ回り込んでしまうことを抑制し、且つ、ウェハの被処理面に対する処理を清浄な処理液によって十分に且つ均一に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００２１】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係るウェット処理装置の好適な一例としての酸剥離処理装置１００の全体構成を示す模式的な正面図、図２は酸剥離処理装置１００のブロック構成を示す図、図３は酸剥離処理装置１００による半導体ウェハ（以下、単にウェハ）１の保持態様の例を示す平断面図である。
【００２２】
本実施形態に係る酸剥離処理装置１００は、ウェハ１をその被処理面１５を下向きにして保持するウェハ保持部３と、上端２ｂが開口した容器形状に形成され、内部に処理液１９を貯留し、該貯留している処理液１９によりウェハ１の被処理面１５に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理（本実施形態の場合、例えば、酸剥離処理）が行われる処理槽２と、処理槽２の上端２ｂから処理液１９がオーバーフローするように処理液１９を処理槽２へ供給する処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１からなる）とを備える。処理槽２の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成されている。ウェハ保持部３は、該ウェハ保持部３により保持されているウェハ１の被処理面１５が処理槽２に貯留されている処理液１９に浸漬される処理位置へ、移動可能に構成されている。また、本実施形態に係るウェット処理方法では、上端２ｂがウェハ１よりも大径に開口した容器形状に形成され、内部に処理液１９を貯留し、該貯留している処理液１９によりウェハ１の被処理面１５に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理（本実施形態の場合、例えば、酸剥離処理）が行われる処理槽２へ、処理槽２の上端２ｂから処理液１９がオーバーフローするように処理液１９を供給する工程と、ウェハ１の被処理面１５を下向きにして、処理槽２に貯留されている処理液１９に被処理面１５を浸漬させる工程と、を並行して行う。以下、詳細に説明する。
【００２３】
先ず、酸剥離処理装置１００の構成を説明する。
【００２４】
本実施形態に係る酸剥離処理装置１００は、例えば、ウェット処理としての酸剥離処理を行うための装置であり、ウェハ１に対して処理を行うための処理液として、レジスト除去用の薬液を用いる。酸剥離処理装置１００は、例えば、ウェハ１に対する処理を枚葉式で行う。
【００２５】
ウェハ保持部３は、例えば、１枚のウェハ１の外周端を挟むようにして、該ウェハ１をその被処理面１５を下向きにして水平状態で保持する複数（例えば、図３に示すように、３つ）の保持部材１７を備える。ここで、「下向き」は、例えば、鉛直下向きであることが好ましい一例であるが、鉛直下向きに対して若干傾いた方向も、この「下向き」に含まれるものとする。ウェハ保持部３は、更に、例えば、この保持部材１７を介してウェハ１を処理槽２の上側から吊り下げるようにして保持する本体部３ａと、保持部材開閉機構４３（図２）と、を備えている。
【００２６】
保持部材開閉機構４３は、例えばモータからなる保持部材開閉アクチュエータ４４（図２）を備える。保持部材開閉機構４３は、保持部材開閉アクチュエータ４４の動作に伴い複数の保持部材１７どうしの間隔を広げたり（開いたり）狭めたり（閉じたり）する。このように複数の保持部材１７に開閉動作を行わせることにより、ウェハ１を放したり保持したりする動作を、これら複数の保持部材１７に行わせる。
【００２７】
保持部材１７は、処理液１９に浸るため、処理液１９に対する耐性（耐薬品性）をもつ材質（例えば、フッ素樹脂）により構成されているか、或いは、その材質のコーティングが施されている。
【００２８】
酸剥離処理装置１００は、更に、ウェハ保持部３を水平面内において回転させるウェハ保持部回転機構４と、ウェハ保持部３を上方及び下方に昇降させるウェハ保持部昇降機構５と、を備える。
【００２９】
このうちウェハ保持部回転機構４は、例えば、回転モータ４２（図２）を備え、この回転モータ４２の回転に伴わせてウェハ保持部３を回転させる。このようにウェハ保持部３が回転するのに伴い、保持部材１７により保持されたウェハ１は、水平面内で回転する。
【００３０】
また、ウェハ保持部昇降機構５は、例えばモータからなる保持部昇降アクチュエータ４１（図２）を備える。ウェハ保持部昇降機構５は、この保持部昇降アクチュエータ４１の動作に伴わせて、ウェハ保持部３を昇降させるとともに、該ウェハ保持部３の保持部材１７により保持されたウェハ１も昇降させる。
【００３１】
また、処理槽２は、上端２ｂが開口した容器形状に形成され、内部に処理液１９を貯留する。処理槽２の上端２ｂは、例えば、１つの平面内に含まれるような形状に形成されている。そして、処理槽２は、例えば、その上端２ｂが水平となるように配置されている。また、処理槽２の平面形状は、例えば、ウェハ１の外周に沿うような円形であり、処理槽２の上端２ｂも円形をなしている。処理槽２の上端２ｂの開口２ｃは、ウェハ１よりも大径に形成されている。より詳細には、開口２ｃは、ウェハ１を保持した保持部材１７もこの開口２ｃの内側に入り込むことが可能な寸法に設定されている。
【００３２】
処理槽２の下部（具体的には、例えば、下端）には、該処理槽２内へ処理液１９を導入するための導入口２ａが形成されている。この導入口２ａは、平面視において、例えば、処理槽２の中央に配置されている。導入口２ａは、例えば、中心軸が鉛直方向となるように配置された筒型形状をなしている。
【００３３】
この導入口２ａを介して処理液１９が処理槽２内へある程度の勢いで導入されることにより、該処理槽２内では処理液１９の噴流が上向きに形成されるようになっている。ここで、「上向き」は、例えば、鉛直上向きであることが好ましい一例であるが、鉛直上向きに対して若干傾いた方向も、この「上向き」に含まれるものとする。なお、導入口２ａが上述の配置とされていることにより、この噴流が形成される位置は、例えば、平面視において処理槽２の中央部となる。
【００３４】
ウェハ保持部３は、例えば、平面視においてウェハ１の中心と処理槽２の中心とがほぼ一致するように、ウェハ１を保持するようになっている。このため、処理槽２の中央に形成される処理液１９の噴流は、例えば、ウェハ１の被処理面のほぼ中央に当たるようになっている。
【００３５】
酸剥離処理装置１００は、更に、処理槽２へ供給される処理液１９を前段において貯留する貯液槽８を備える。
【００３６】
ここで、処理液として用いるレジスト除去用の薬液としては、例えば、硫酸と過酸化水素とを混合した薬液を用いる。このため、貯液槽８には、硫酸供給配管１０を介して硫酸が、過酸化水素供給配管１８を介して過酸化水素が、それぞれ供給されるようになっている。そして、貯液槽８内で硫酸と過酸化水素とが所定の混合比（例えば、３〜１０：１）で混合されることにより、上記薬液が生成されるようになっている。
【００３７】
また、例えば、貯液槽８の内部には、処理液１９を所定温度に調温するためのヒータ９が配置されている。
【００３８】
貯液槽８内の処理液１９は、処理槽２の導入口２ａと貯液槽８とを相互に接続する供給配管５１を介して、導入口２ａへ供給されるようになっている。すなわち、供給配管５１には、循環ポンプ７が介装され、この循環ポンプ７によって、貯液槽８内の処理液１９を導入口２ａ側へ圧送するようになっている。なお、循環ポンプ７及び供給配管５１により、処理液供給手段が構成されている。
【００３９】
循環ポンプ７は、処理槽２内に上述の噴流が形成されるような圧送力で、処理液１９を処理槽２へ供給する。すなわち、処理槽２及び処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１からなる）は、処理槽２内に処理液１９の噴流が上向きに形成されるような態様で処理液１９を処理槽２内へ導入するように構成されている、といえる。
【００４０】
供給配管５１には、更に、該供給配管５１内を流れる処理液１９中の不純物（パーティクルなど）を除去するフィルタ６が、例えば、循環ポンプ７の後段において介装されている。このため、処理槽２には、フィルタ６によって不純物が除去された後の処理液１９が供給されるようになっている。
【００４１】
処理槽２へ供給される処理液１９のうち、該処理槽２に貯留しきれない処理液１９は、該処理槽２の上端２ｂから溢れ出る（オーバーフローする）。処理槽２からオーバーフローする処理液１９は、具体的には、処理槽２の上端２ｂにおける外周端から処理槽２の外側に流れ出す。
【００４２】
酸剥離処理装置１００は、更に、このように処理槽２からオーバーフローする処理液１９を回収する回収樋１４を備える。
【００４３】
この回収樋１４は、例えば、処理槽２の上端２ｂの外周端におけるいずれの部位からオーバーフローした処理液１９も回収できるように、処理槽２の周囲を囲むように該処理槽２の外周面に設けられている。このような回収樋１４により回収された処理液１９は、回収樋１４の下端部に形成された回収口１２と、この回収口１２に接続された回収配管１３と、をこの順に介して貯液槽８へ供給される（戻される）。具体的には、例えば、貯液槽８は回収樋１４よりも下方に配置されているとともに、回収配管１３は回収口１２の下側に接続されており、回収樋１４内に回収された処理液１９は、回収口１２及び回収配管１３をこの順に流下して貯液槽８に流れ込むようになっている。なお、回収樋１４及び回収配管１３により、処理液回収手段が構成されている。
【００４４】
なお、酸剥離処理装置１００では、次に説明するような構成により、処理液１９中の硫酸及び過酸化水素の濃度を一定範囲に保つようにしている。先ず、供給配管５１には、支流配管５２が接続されている。この支流配管５２は、処理液１９中の硫酸及び過酸化水素の濃度検出用に、供給配管５１を流れる処理液１９の一部をサンプリングするためのものである。この支流配管５２は、供給配管５１から一旦分岐した後、その分岐部の下流側で供給配管５１と合流するように、供給配管５１に接続されている。この支流配管５２には、処理液１９中の硫酸及び過酸化水素の濃度を検出する濃度検出装置５３が介装されている。この濃度検出装置５３は、例えば分光光度計からなる。また、硫酸供給配管１０には硫酸供給弁１０ａが、過酸化水素供給配管１８に過酸化水素供給弁１８ａが、それぞれ設けられている。濃度検出装置５３による検出結果に応じて、後述する制御部４０が硫酸供給弁１０ａ及び過酸化水素供給弁１８ａを動作制御することにより、処理液１９中の硫酸及び過酸化水素の濃度が一定範囲となるよう、硫酸及び過酸化水素が貯液槽８へ随時に補充される。
【００４５】
酸剥離処理装置１００は、更に、制御部４０（図２）を備える。制御部４０は、例えば、各種の演算処理並びに制御動作を行うＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）と、このＣＰＵの動作用プログラムを格納したＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）と、このＣＰＵの作業領域などとして機能するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）と、を備えて構成されている。
【００４６】
制御部４０には、濃度検出装置５３による検出結果が入力される。制御部４０は、この入力される検出結果に応じて、硫酸供給弁１０ａ及び過酸化水素供給弁１８ａを動作制御することにより、処理液１９中の硫酸及び過酸化水素の濃度が一定範囲となるように、硫酸及び過酸化水素の貯液槽８への供給量（補充量）を調節する。
【００４７】
更に、酸剥離処理装置１００は、例えば、オペレータによる操作を受け付ける操作部４５を備える。制御部４０は、例えば、操作部４５に対する操作に応じて、保持部昇降アクチュエータ４１、回転モータ４２、保持部材開閉アクチュエータ４４、循環ポンプ７及びヒータ９の動作制御を行う。
【００４８】
次に、動作を説明する。
【００４９】
処理槽２で酸剥離処理を行う前に、予め、貯液槽８内で硫酸と過酸化水素を所定の混合比（例えば、３〜１０：１）で混合することにより処理液１９を生成しておき、この処理液１９をヒータ９により所定温度（例えば、８０℃〜１６０℃）に調温しておく。
【００５０】
そして、このように生成及び調温された処理液１９を、循環ポンプ７によって、供給配管５１を介して処理槽２内に連続的に供給する。これにより、処理槽２内には、処理液１９の噴流が上向きに形成されるとともに、処理槽２に貯留しきれない処理液１９が処理槽２の上端２ｂから常時オーバーフローする状態となる。
【００５１】
この状態で、例えば、以下に説明するようにして、処理槽２での酸剥離処理を行う。
【００５２】
先ず、ウェハ保持部３により、被処理面１５を下向きにしてウェハ１を保持する。すなわち、ウェハ保持部３をウェハ保持部昇降機構５により上昇させて、ウェハ保持部３の保持部材１７を処理液１９の液面１９ａよりも上側に位置させる。また、ウェハ保持部３の複数の保持部材１７どうしの間隔を、保持部材開閉機構４３の保持部材開閉アクチュエータ４４によって開いた状態とする。この状態で、ウェハ１の被処理面１５（例えば、ウェハ１の表側の面）を下向きにして、該ウェハ１をウェハ保持部３の複数の保持部材１７の間に配置する。次に、保持部材開閉機構４３の保持部材開閉アクチュエータ４４によって、複数の保持部材１７どうしの間隔を閉じる。これにより、複数の保持部材１７によってウェハ１をその被処理面１５を下向きにして保持した状態となる。
【００５３】
次に、ウェハ保持部３をウェハ保持部昇降機構５により所定の処理位置まで下降させることによって、該ウェハ保持部３により保持されているウェハ１も下降させる。これにより、ウェハ１を処理槽２に貯留されている処理液１９に浸漬させる。なお、この状態で、保持部材１７も処理液１９に浸漬される。
【００５４】
詳細には、ここでは、例えば、被処理面１５が処理槽２の上端２ｂよりも下方に位置する状態となるまでウェハ１を下降させる。或いは、ウェハ１の全体が処理槽２に貯留されている処理液１９の液面１９ａよりも下方に位置する状態となるまでウェハ１を下降させる。
【００５５】
これにより、ウェハ１の被処理面１５を処理液１９に十分に浸漬させる。すなわち、酸剥離処理装置１００の処理槽２の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成されているので、このようにウェハ１の被処理面１５を処理液１９に対して十分に浸漬させることができる。よって、被処理面１５に対する処理を十分に且つ均一に行うことができる。従って、被処理面１５に形成されているレジストを十分に且つ均一に剥離することができる。
【００５６】
なお、このように処理液１９によって被処理面１５に対して行う処理は、例えば、ウェハ保持部回転機構４によりウェハ１を水平面内で回転させながら行う。
【００５７】
また、処理槽２の中央部には、処理液１９の噴流が上向きに形成されているとともに、処理槽２に貯留しきれない処理液１９が処理槽２の上端２ｂから常時オーバーフローしている。このため、被処理面１５の近傍においては、例えば、被処理面１５の中心から放射状に外に向かうような処理液１９の流れが形成されている。
【００５８】
よって、ウェハ１の被処理面１５に対する裏面１６側にも処理液１９が回り込み、裏面１６の汚染（パーティクル等）が処理液１９中に拡散したとしても、この汚染された処理液１９は、被処理面１５側の処理液１９の流れに伴い、処理槽２の上端２ｂからオーバーフローする。このため、裏面１６側の（汚染を含む）処理液１９が被処理面１５側に回り込んでしまうことを好適に抑制できる。よって、被処理面１５の汚染を抑制でき、ウェハ１の歩留まりを向上させることができる。
【００５９】
加えて、処理槽２の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成されているため、処理槽２の開口２ｃの内周縁部とウェハ１との間隔を介して、ウェハ１よりも下側（被処理面１５側）の処理液１９をスムーズに処理槽２からオーバーフローさせることができる。よって、処理によって処理液１９中に混入する不純物（剥離されたレジスト等）を処理液１９とともにスムーズに処理槽２から排出することができる。従って、常に清浄な処理液１９を用いて被処理面１５に対する処理を行うことができ、ウェハ１の被処理面１５が汚染されたり処理が不均一になってしまったりすることを好適に抑制できる。
【００６０】
本実施形態では、このように、ウェハ１の被処理面１５に対する裏面１６の汚染が被処理面１５側へ回り込んでしまうことを抑制し、且つ、ウェハ１の被処理面１５に対する処理を清浄な処理液１９によって十分に且つ均一に行うことができる。
【００６１】
ウェハ１の被処理面１５に対する処理が終わると、例えば、ウェハ保持部３をウェハ保持部昇降機構５により上昇させて、ウェハ保持部３の保持部材１７を処理液１９の液面１９ａよりも上側に位置させる。次に、保持部材開閉機構４３により保持部材１７どうしの間隔を広げ、ウェハ１を保持部材１７から放す。
【００６２】
また、処理槽２からオーバーフローした処理液１９は、回収樋１４内に回収された後、該回収樋１４の回収口１２と、この回収口１２に接続されている回収配管１３と、をこの順に通って、貯液槽８へと流下する。
【００６３】
従って、貯液槽８内の処理液１９には、剥離したレジストや、ウェハ１に付着していたパーティクル等の不純物が含まれるが、これらの不純物は、貯液槽８内の処理液１９が循環ポンプ７により処理槽２へと圧送される過程でフィルタ６を通過することにより、該処理液１９から除去される。
【００６４】
このため、処理槽２には、常に、フィルタ６を通過することにより清浄化された処理液１９が供給され続ける。よって、処理槽２内の処理液１９の一部は、常時、この清浄な処理液１９へと入れ替わり続ける。
【００６５】
本実施形態では、このように、処理槽２からオーバーフローした処理液１９を回収した後、フィルタ６を通して処理槽２へ再供給するため、処理液１９の消費量を低減することができる。
【００６６】
また、硫酸供給弁１０ａと過酸化水素供給弁１８ａとを適宜に開閉し、貯液槽８内に適宜に硫酸と過酸化水素とを随時に補充することにより、処理液１９中の硫酸と過酸化水素の濃度は常に一定範囲に保たれる。
【００６７】
以上のような第１の実施形態によれば、ウェハ１をその被処理面１５を下向きにして保持するウェハ保持部３と、上端２ｂが開口した容器形状に形成され、内部に処理液１９を貯留し、該貯留している処理液１９によりウェハ１の被処理面１５に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理（本実施形態の場合、例えば、酸剥離処理）が行われる処理槽２と、処理槽２の上端２ｂから処理液１９がオーバーフローするように処理液１９を処理槽２へ供給する処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１からなる）とを備え、処理槽２の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成され、ウェハ保持部３は、該ウェハ保持部３により保持されているウェハ１の被処理面１５が処理槽２に貯留されている処理液１９に浸漬される処理位置へ、移動可能に構成されているので、ウェハ保持部３を処理位置へ移動させることにより、ウェハ１の被処理面１５を処理液１９に浸漬させて、該被処理面１５に対して処理を行うことができる。また、処理槽２の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成されているので、ウェハ１の被処理面１５を処理液１９に対して十分に浸漬させることができ、該被処理面１５に対する処理を十分に且つ均一に行うことができる。
【００６８】
しかも、処理槽２は上端２ｂが開口した容器形状に形成されている一方で、処理液供給手段（循環ポンプ７及び供給配管５１）は処理槽２の上端２ｂから処理液１９がオーバーフローするように処理液１９を処理槽２へ供給するので、ウェハ１の被処理面１５に対する裏面１６の汚染（パーティクル等）が処理液１９中に拡散したとしても、その汚染された処理液１９は処理槽２からオーバーフローさせることができるため、その汚染された処理液１９が被処理面１５側に回り込んでしまうことを好適に抑制できる。つまり、ウェハ１の被処理面１５に対する裏面１６の汚染が被処理面１５側へ回り込んでしまうことを抑制することができる。
【００６９】
加えて、処理槽２の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成されているため、処理槽２の開口２ｃの内周縁部とウェハ１との間隔を介して、ウェハ１よりも下側（被処理面１５側）の処理液１９をスムーズに処理槽２からオーバーフローさせることができる。よって、処理によって処理液１９中に混入する不純物（剥離されたレジスト等）を処理液１９とともにスムーズに処理槽２から排出することができる。従って、常に清浄な処理液１９を用いて被処理面１５に対する処理を行うことができ、ウェハ１の被処理面１５が汚染されたり処理が不均一になってしまったりすることを好適に抑制できる。
【００７０】
このように、本実施形態では、ウェハ１の被処理面１５に対する裏面１６の汚染が被処理面１５側へ回り込んでしまうことを抑制し、且つ、ウェハ１の被処理面１５に対する処理を清浄な処理液１９によって十分に且つ均一に行うことができる。また、上述のように簡素な構成の供給配管５１により、これらを両立させることができる。
【００７１】
また、ウェハ保持部３の上記処理位置は、例えば、被処理面１５を下向きにして該ウェハ保持部３により保持されているウェハ１の被処理面１５が、処理槽２の上端２ｂよりも下方に位置する位置であるので、ウェハ１の被処理面１５を処理液１９に十分に浸漬させることができ、該被処理面１５に対する処理を十分に且つ均一に行うことができる。
【００７２】
或いは、ウェハ保持部３の上記処理位置は、例えば、被処理面１５を下向きにして該ウェハ保持部３により保持されているウェハ１の全体が、処理槽２に貯留されている処理液１９の液面１９ａよりも下方に位置する位置であるので、ウェハ１の被処理面１５を処理液１９に十分に浸漬させることができ、該被処理面１５に対する処理を十分に且つ均一に行うことができる。
【００７３】
また、ウェハ保持部３を昇降させるウェハ保持部昇降機構５を備え、ウェハ保持部昇降機構５は、ウェハ保持部３を下降させることによってウェハ保持部３を処理位置へ移動させるので、ウェハ保持部３を処理位置へ移動させる動作を機械化することができる。更に、ウェハ保持部昇降機構５の動作制御を行う制御部４０を備えるので、ウェハ保持部３を処理位置へ移動させる動作を自動的に行うことができる。
【００７４】
また、処理槽２及び処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１からなる）は、処理液１９の噴流が上向きに形成されるような態様で処理液１９を処理槽２内へ導入するように構成されているので、ウェハ１の被処理面１５に新たな処理液１９を供給することができる。
【００７５】
また、処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１からなる）は、処理槽２内に処理液１９を連続的に供給するので、処理液１９を処理槽２から常時オーバーフローさせることができる。
【００７６】
また、酸剥離処理装置１００は、処理槽２へ供給される処理液１９を貯留する貯液槽８と、処理槽２からオーバーフローした処理液１９を回収し、貯液槽８へ供給する処理液回収手段（例えば、回収樋１４及び回収配管１３からなる）と、フィルタ６と、を備え、この処理液供給手段は、貯液槽８内の処理液１９を、フィルタ６を通して処理槽２へ供給するので、オーバーフローした処理液１９を再利用することができる。よって、処理液１９の消費量を低減することができる。
【００７７】
〔第２の実施形態〕
図４は第２の実施形態に係るウェット処理装置の好適な一例としての酸剥離処理装置２００の全体構成を示す模式的な正面図、図５は酸剥離処理装置２００が備えるシール機構１１の模式的な斜視図、図６は酸剥離処理装置２００のブロック構成を示す図、図７は酸剥離処理装置２００のシール機構１１によるウェハ１の保持動作を説明するための図であり、それぞれシール機構１１の正面断面を示す。
【００７８】
先ず、酸剥離処理装置２００の構成を説明する。
【００７９】
第２の実施形態に係る酸剥離処理装置２００のウェハ保持部３は、保持部材１７（図１、図３）及び保持部材開閉機構４３（図２：保持部材開閉アクチュエータ４４（図２）を含む）に代えて、シール機構１１を備える点で、上記の第１の実施形態に係る酸剥離処理装置１００と相違し、その他の点は酸剥離処理装置１００と同様に構成されている。
【００８０】
図５に示すように、本実施形態の場合のウェハ保持部３のシール機構１１は、シール機構本体部２０と、このシール機構本体部２０内において昇降可能となるように該シール機構本体部２０内に配設されたシール部３０と、このシール部３０をシール機構本体部２０に対して相対的に昇降させるシール部昇降機構４７（図６）と、を備えて構成されている。
【００８１】
このうち、シール部３０は、ウェハ１の被処理面１５に対する裏面１６に密着し、該裏面１６に対する処理液１９の接触を妨げるものである。
【００８２】
このシール部３０は、例えば、シール部本体部２１と、このシール部本体部２１の下面に設けられ、ウェハ１の裏面１６の周縁部に沿って密着する密着部材２９（図７）と、を備える。
【００８３】
シール部本体部２１は、例えば、図５及び図７に示すように、円柱形状に形成されている。このシール部本体部２１の直径は、例えば、ウェハ１と同等に設定されている。このシール部本体部２１の下面の周縁部に沿って、密着部材２９が設けられている。密着部材２９は、例えば、円環状のＯリングである。この密着部材２９は、後述する第２密着部材２３との協働で、ウェハ１の周縁部を表裏から挟んで保持する。
【００８４】
また、シール機構本体部２０は、例えば、ウェハ１の周縁部が載置される載置面２２を有する載置部３２を備えている。載置部３２における載置面２２よりも内側には、該載置部３２を上下に貫通するウェハ浸漬用開口（開口）２５が形成されている。載置面２２にはウェハ１の被処理面１５の周縁部に沿って密着する第２密着部材２３が設けられている。この第２密着部材２３は、密着部材２９と同様のものである。なお、密着部材２９と第２密着部材２３とは、相互に対向する配置とされている。
【００８５】
なお、図５及び図７は、シール機構１１の各部の水平方向及び上下方向の実際の寸法比を示すものではない。載置部３２の厚さ（上下寸法）は、該載置部３２が、ウェハ１を支持でき、且つ、シール部３０との協働でウェハ１を保持できるような強度を確保できる限りにおいて、なるべく薄くすることが好ましい。
【００８６】
シール機構本体部２０は、他に、例えば、ウェハ保持部３の本体部３ａ（図４）に対して固定されている上部３１と、この上部３１から垂下するように形成されて該上部３１と載置部３２とを相互に接続し該載置部３２を吊り下げるように支持する一対の支持部２６と、を備えている。このため、本実施形態では、ウェハ保持部３の本体部３ａは、シール機構１１を介して処理槽２の上側から吊り下げるようにしてウェハ１を保持する。
【００８７】
このうち上部３１には、例えば、シール部昇降機構４７の少なくとも一部が配設されるシール部昇降機構用開口２８が形成されている。シール部昇降機構４７は、例えば、このシール部昇降機構用開口２８を介してシール部３０の（シール部本体部２１の）上面と本体部３ａ（図４）とを相互に接続するように設けられている。
【００８８】
シール部昇降機構４７は、例えばモータからなるシール部昇降アクチュエータ４８（図６）を備えている。シール部昇降機構４７のシール部昇降アクチュエータ４８の動作に伴いシール部３０を本体部３ａに対して相対的に昇降させることにより、このシール部３０を載置部３２に対しても相対的に昇降させることができるようになっている。
【００８９】
また、一対の支持部２６の内面は、シール部３０が昇降する際に、該シール部３０の側面の一部をガイドするガイド面２７を構成している。すなわち、このガイド面２７は、シール部３０の側面の一部に沿うような凹曲面に形成されている。
【００９０】
また、シール機構本体部２０の前面には、ウェハ１をシール機構１１の外部から載置面２２上に搬入したり、該載置面２２上からシール機構１１の外部へ搬出したりする際にウェハ１を通過させるための、ウェハ出入用開口２４が形成されている。
【００９１】
なお、シール部本体部２１の下面と、載置面２２は、それぞれ平坦であり、それぞれ水平に配置されている。
【００９２】
また、シール機構本体部２０及びシール部本体部２１は、処理液１９に浸るため、処理液１９に対する耐性（耐薬品性）をもつ材質（例えば、フッ素樹脂）により構成されているか、或いは、その材質のコーティングが施されている。また、密着部材２９及び第２密着部材２３は、処理液１９に浸る上、ウェハ１に対して密着してシール機能を発揮する必要があるため、処理液１９に対する耐性（耐薬品性）を持ち、且つ、軟質で弾性を有する材質（例えば、軟質のフッ素樹脂）からなる。
【００９３】
また、シール機構１１は、処理槽２の導入口２ａの上方にウェハ浸漬用開口２５が位置するように配置されている。すなわち、本実施形態の場合、処理槽２は、処理槽２内へ処理液１９を上向きに導入するための導入口２ａを、載置部３２のウェハ浸漬用開口２５の下方に備え、処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１）は、処理槽２内に処理液１９の噴流が上向きに形成されるように、導入口２ａを介して処理液１９を処理槽２内へ供給する。
【００９４】
なお、本実施形態の場合、処理槽２の開口２ｃは、ウェハ１を保持したシール機構１１の一部がこの開口２ｃの内側に入り込むことにより、ウェハ１の被処理面１５を処理液１９に浸漬できるような寸法に設定されている。
【００９５】
次に、動作を説明する。
【００９６】
上記の第１の実施形態と同様に、処理槽２で酸剥離処理を行う前に、予め貯液槽８内で処理液１９を生成及び調温し、この処理液１９を循環ポンプ７によって供給配管５１を介して処理槽２内に連続的に供給する。これにより、処理槽２内に処理液１９の噴流を上向きに形成するとともに、処理液１９を処理槽２の上端２ｂから常時オーバーフローさせる。
【００９７】
この状態で、例えば、以下に説明するようにして、処理槽２での酸剥離処理を行う。
【００９８】
先ず、ウェハ保持部３により、被処理面１５を下向きにしてウェハ１を保持する。すなわち、ウェハ保持部３をウェハ保持部昇降機構５により上昇させて、ウェハ保持部３のシール機構１１を処理液１９の液面１９ａよりも上側に位置させる。また、シール機構１１のシール部３０を載置部３２に対し相対的に上昇させることにより、シール部３０と載置部３２との間にウェハ１の挿入空間を形成する（図７（ａ））。この状態で、シール機構１１の外部からウェハ出入用開口２４を介してウェハ１を載置面２２上へ搬入する。この際、第２密着部材２３がウェハ１の被処理面１５の周縁部に沿って位置するように、ウェハ１を配置する（図７（ｂ））。この状態で、シール部昇降機構４７がシール部３０を下降させる。その結果、第２密着部材２３はウェハ１の被処理面１５の周縁部に沿って密着し、密着部材２９はウェハ１の裏面１６の周縁部に沿って密着するので、これら密着部材２９及び第２密着部材２３により、ウェハ１の周縁部を表裏から挟んで該ウェハ１を保持した状態となる。すなわち、ウェハ保持部３がウェハ１をその被処理面１５を下向きにして保持した状態となる（図７（ｃ））。
【００９９】
次に、ウェハ保持部３をウェハ保持部昇降機構５により下降させることによって、該ウェハ保持部３により保持されているウェハ１も下降させる。これにより、ウェハ１を処理槽２に貯留されている処理液１９に浸漬させる。
【０１００】
詳細には、例えば、被処理面１５が処理槽２の上端２ｂよりも下方に位置する状態となるまでウェハ１を下降させる。或いは、ウェハ１の全体が処理槽２に貯留されている処理液１９の液面１９ａよりも下方に位置する状態となるまでウェハ１を下降させる。
【０１０１】
これにより、ウェハ浸漬用開口２５を介してウェハ１の被処理面１５を処理液１９に十分に浸漬させることができるので、被処理面１５に対する処理を十分且つ均一に行うことができる。よって、被処理面１５に形成されているレジストを剥離することができる。
【０１０２】
また、本実施形態の場合、ウェハ浸漬用開口２５の下方に、上向きの処理液１９の噴流が形成されているので、ウェハ浸漬用開口２５を介してウェハ１の被処理面１５を処理液１９に十分に浸漬させることができる。
【０１０３】
また、本実施形態の場合、シール部３０がウェハ１の裏面１６に密着して該裏面１６に対する処理液１９の接触を妨げているので、裏面１６の汚染（パーティクル等）が処理槽２に貯留されている処理液１９中に拡散してしまうことを好適に抑制できる。よって、汚染された処理液１９が被処理面１５側に回り込んでしまうことを、上記の第１の実施形態よりも好適に抑制することができる。
【０１０４】
ウェハ１の被処理面１５に対する処理が終わると、例えば、ウェハ保持部３をウェハ保持部昇降機構５により上昇させて、ウェハ保持部３のシール機構１１を処理液１９の液面１９ａよりも上側に位置させる。次に、シール機構１１のシール部３０を載置部３２に対し相対的に上昇させる。次に、載置面２２上のウェハ１をウェハ出入用開口２４を介してシール機構１１の外部へ搬出する。
【０１０５】
その他の動作は、上記の第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【０１０６】
以上のような第２の実施形態によれば、ウェハ保持部３は、ウェハ１の被処理面１５に対する裏面１６に密着して該裏面１６に対する処理液１９の接触を妨げるシール部３０を備えるので、裏面１６の汚染（パーティクル等）が処理槽２に貯留されている処理液１９中に拡散してしまうことを好適に抑制できる。よって、汚染された処理液１９が被処理面１５側に回り込んでしまうことを、上記の第１の実施形態よりも好適に抑制することができる。
【０１０７】
また、シール部３０は、シール部本体部２１と、シール部本体部２１の下面に設けられ、ウェハ１の裏面１６の周縁部に沿って密着する密着部材２９と、を備えるので、ウェハ１の裏面１６の周縁部より内側の部分に対して処理液１９が接触してしまうことを好適に妨げることができる。
【０１０８】
また、酸剥離処理装置２００のウェハ保持部３は、ウェハ１の周縁部が載置される載置面２２を有する載置部３２と、載置部３２に対して相対的にシール部３０を昇降させるシール部昇降機構４７と、を備え、載置部３２における載置面２２よりも内側には、該載置部３２を上下に貫通するウェハ浸漬用開口２５が形成され、載置面２２にはウェハ１の被処理面１５の周縁部に沿って密着する第２密着部材２３が設けられ、ウェハ保持部３は、第２密着部材２３がウェハ１の被処理面１５の周縁部に沿って位置するようウェハ１が載置面２２上に載置された状態で、シール部昇降機構４７がシール部３０を下降させることにより、第２密着部材２３と密着部材２９とによりウェハ１の周縁部を表裏から挟んで該ウェハ１を保持するので、シール部３０によって裏面１６に対する処理液１９の接触を妨げる構成を好適に実現することができる。また、載置部３２のウェハ浸漬用開口２５を介して被処理面１５を処理液１９に浸漬させることができる。
【０１０９】
また、処理槽２は、処理槽２内へ処理液１９を上向きに導入するための導入口２ａを、載置部３２のウェハ浸漬用開口２５の下方に備え、処理液供給手段（循環ポンプ７及び供給配管５１）は、処理槽２内に処理液１９の噴流が上向きに形成されるように、導入口２ａを介して処理液１９を処理槽２内へ供給するので、その噴流の影響がウェハ浸漬用開口２５を介してウェハ１の被処理面１５に及ぶようにでき、被処理面１５に対する処理を好適に行うことができる。
【０１１０】
上記の各実施形態では、枚葉式のウェット処理装置を説明したが、複数枚のウェハに対して一度にウェット処理を行う構成としても良い。具体的には、例えば、平面形状がドーナツ形状の処理槽２と、その処理槽２に沿って環状に配列された複数のウェハ保持部３と、を備え、処理槽２の外周端及び内周端からそれぞれ処理液１９をオーバーフローさせるようにしても、上記と同様の効果が得られる。なお、処理槽２内の処理液１９を清浄に保つという観点からは、枚葉式の方が好ましい。
【０１１１】
また、上記の各実施形態では、ウェット処理として酸剥離処理を行う酸剥離処理装置１００、２００を例示したが、本発明は、ウェット処理として、酸剥離処理以外の剥離処理、洗浄処理、又はエッチング処理を行うウェット処理装置にも同様に適用することができる。
【０１１２】
また、上記の第２の実施形態では、シール部３０のシール部本体部２１が円柱形状である例を説明したが、シール部本体部２１は、例えば、筒型の壁状体であっても良いし、下向きに開口する半筐体であっても良い。なお、シール部本体部２１が筒型の壁状体である場合、シール部本体部２１の上下寸法は、ウェハ保持部３によりウェハ１を処理槽２に貯留されている処理液１９に浸漬させた状態で、シール部本体部２１の上端が処理液１９の液面１９ａよりも上に位置するような寸法に設定する。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】第１の実施形態に係るウェット処理装置の好適な一例としての酸剥離処理装置の全体構成を示す模式的な正面図である。
【図２】図１の酸剥離処理装置のブロック構成を示す図である。
【図３】図１の酸剥離処理装置によるウェハの保持態様の例を示す平断面図である。
【図４】第２の実施形態に係るウェット処理装置の好適な一例としての酸剥離処理装置の全体構成を示す模式的な正面図である。
【図５】図４の酸剥離処理装置が備えるシール機構の要部を示す模式的な斜視図である。
【図６】図４の酸剥離処理装置のブロック構成を示す図である。
【図７】図４の酸剥離処理装置のシール機構によるウェハの保持動作を説明するための図であり、それぞれシール機構の正面断面を示す。
【符号の説明】
【０１１４】
１  ウェハ
２  処理槽
２ａ  導入口
２ｂ  上端
２ｃ  開口
３  ウェハ保持部
３ａ  本体部
４  ウェハ保持部回転機構
５  ウェハ保持部昇降機構
６  フィルタ
７  循環ポンプ
８  貯液槽
９  ヒータ
１０  硫酸供給配管
１０ａ  硫酸供給弁
１１  シール機構
１２  回収口
１３  回収配管
１４  回収樋
１５  被処理面
１６  裏面
１７  保持部材
１８  過酸化水素供給配管
１８ａ  過酸化水素供給弁
１９  処理液
１９ａ  液面
２０  シール機構本体部
２１  シール部本体部（本体部）
２２  載置面
２３  第２密着部材
２４  ウェハ出入用開口
２５  ウェハ浸漬用開口（開口）
２６  支持部
２７  ガイド面
２８  シール部昇降機構用開口
２９  密着部材
３０  シール部
３１  上部
３２  載置部
４０  制御部
４１  保持部昇降アクチュエータ
４２  回転モータ
４３  保持部材開閉機構
４４  保持部材開閉アクチュエータ
４５  操作部
４７  シール部昇降機構
４８  シール部昇降アクチュエータ
５１  供給配管
５２  支流配管
５３  濃度検出装置
１００  酸剥離処理装置（ウェット処理装置）
２００  酸剥離処理装置（ウェット処理装置）
【図１】
2010153653.tif 000003
【図２】
2010153653.tif 000004
【図３】
2010153653.tif 000005
【図４】
2010153653.tif 000006
【図５】
2010153653.tif 000007
【図６】
2010153653.tif 000008
【図７】
2010153653.tif 000009