(57)【要約】【課題】パッケージ底部に均一な耐応力性を有し、内圧が真空に保たれることにより高品質な電子部品パッケージ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】端子電極１１および１２と電気的に接続された複数に分離された金属膜２０および２１と、金属膜の分離された部分を封止材３０および３１にて封止した封止部と、によって接続された内部に密閉空間を有し、どちらか一方に端子電極２０および２１を有する第一のパッケージ部材および第二のパッケージ部材と、を備える電子部品パッケージとした。【選択図】図１
2010147054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に密閉空間を有し、端子電極と電気的に接続された複数に分離された金属膜及び、
前記金属膜の分離された部分を封止材にて封止した封止部によって互いに接続された
どちらか一方に前記端子電極を有する第一のパッケージ部材と第二のパッケージ部材と、を備える電子部品パッケージ
【請求項２】
前記第一のパッケージ部材もしくは前記第二のパッケージ部材の少なくとも一方の外側側面に導電部材を固着し、前記金属膜と電気接続している請求項１記載の電子部品パッケージ。
【請求項３】
前記封止部は、前記第一のパッケージ部材もしくは前記第二のパッケージ部材の少なくとも一方の対向する二辺の一部を削除した部位である請求項２記載の電子部品パッケージ。
【請求項４】
前記封止部は、前記第一のパッケージ部材が前記第二のパッケージ部材と比較して幅もしくは長さが短く、前記第二のパッケージ部材の前記第一のパッケージ部材との接合面の内、前記第一のパッケージ部材に覆われていない部位の少なくとも一部である請求項３記載の電子部品パッケージ。
【請求項５】
前記第一のパッケージ部材もしくは前記第二のパッケージ部材が透光性材料である請求項４記載の電子部品パッケージ。
【請求項６】
前記導電部材が前記金属膜を被覆して固着しており、前記金属膜が外部に露出しない構造である請求項５記載の電子部品パッケージ。
【請求項７】
前記封止材が低融点ガラスである請求項５記載の電子部品パッケージ。
【請求項８】
キャビティを有する容器状部材であるパッケージ部材と、前記キャビティ周囲の側壁上部を接合部として接合することにより前記キャビティを密閉空間とするベース部材とを有する電子部品パッケージの製造方法であって、
前記ベース部材の前記側壁上部に対応する部位の一部を削除する工程、もしくは、前記パッケージ部材の前記側壁の一部を削除する工程と、
前記側壁上部もしくは前記ベース部材の前記接合部に金属膜を成膜する工程と、
前記ベース部材と前記パッケージ部材とを前記金属膜により接合する工程と、
前記削除部位に封止材を塗布、硬化する工程と、
前記削除部位と前記キャビティの間の金属膜を酸化もしくは蒸発させる工程
とを含む電子部品パッケージの製造方法。
【請求項９】
第一のガラスウェハに複数の前記キャビティを形成する工程と、
前記第一のガラスウェハの前記キャビティ以外の部位に複数貫通孔を形成する工程と、
前記第一のガラスウェハの前記キャビティ以外の部位に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を接合部として前記第一のガラスウェハと前記第二のガラスウェハを接合する工程と、
前記貫通孔に封止材を埋め込み、硬化する工程と、
前記貫通孔と前記キャビティの間の前記金属膜を酸化もしくは蒸発させる工程と、
前記金属膜及び前記封止材を含む部位でウェハを切断する工程とから成り、
前記貫通孔の形成部位が前記接合部に囲まれる部位である請求項８記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記第二のガラスウェハの、前記キャビティ及び前記貫通孔に合致する部位以外の部位に貫通部を作製する工程と、
前記貫通部側壁に導電膜を形成し、前記金属膜と電気接続する工程と、
を含む請求項９記載の電子部品のパッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記第二のガラスウェハの、前記キャビティ及び前記貫通孔に合致する部位以外の部位に貫通部を作製する工程と、
前記貫通部側壁に導電部材を埋め込み、前記金属膜と電気接続する工程と、
を含む請求項９記載の電子部品のパッケージの製造方法。
【請求項１２】
第一のガラスウェハに複数の前記キャビティを形成する工程と、
第二のガラスウェハに複数貫通孔を形成する工程と、
前記第二のガラスウェハに金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を接合部として前記第一のガラスウェハと前記第二のガラスウェハを接合する工程と、
前記貫通孔に封止材を埋め込み、硬化する工程と、
前記貫通孔と前記キャビティの間の前記金属膜を酸化もしくは蒸発させる工程と、
前記金属膜及び前記封止材を含む部位でウェハを切断する工程とから成り、
前記貫通孔の形成部位が前記接合部に囲まれる部位である請求項８記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記第一のガラスウェハの、前記第一のガラスウェハの前記キャビティ、及び、前記第二のガラスウェハの前記貫通孔に合致する部位を除く部位に貫通部を作製する工程と、
前記貫通部側壁に導電膜を形成し、前記金属膜と電気接続する工程と、
を含む請求項１２記載の電子部品のパッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記第一のガラスウェハの、前記第一のガラスウェハの前記キャビティ、及び、前記第二のガラスウェハの前記貫通孔に合致する部位を除く部位に貫通部を作製する工程と、
前記貫通部側壁に導電部材を埋め込み、前記金属膜と電気接続する工程と、
を含む請求項１２記載の電子部品のパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、内部にIC、MEMSデバイス、水晶振動子などを実装する電子部品パッケージ及び電子部品パッケージの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ICや水晶振動子、ダイオード、抵抗、コンデンサなど電子部品は、部品の外部刺激からの保護、機能部品の状態の安定化、実装基板への実装の容易化などの目的でパッケージに覆われている。近年では各種パッケージにおいて小型薄型化が要求されており、それに伴いパッケージ内部の機能部品、取り付け部位なども非常に小型化が進んでいる。
【０００３】
小型化が進められている電子部品パッケージの例として、水晶振動子のパッケージがある（例えば特許文献１参照）。このパッケージは、水晶振動板を実装するベース部材と、水晶振動子を密閉するためにベース部材に被せるキャップ部材から成り、ベース部材には、水晶振動板と電気接続するためにパッケージ内部に形成された端子電極と、外部接続用のためにパッケージ外部に形成された外部端子とを有し、この端子電極と外部端子とを電気接続するためにベース部材を貫通し、導電部材や金属部材を埋め込んだ貫通電極が形成されている。
【０００４】
またこういったベース部材とキャップ部材の接合では、金属による溶接、樹脂封止材、低融点ガラスなどが使われてきた。
【特許文献１】特開２００２−１２４８４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような従来の電子部品パッケージでは、貫通電極周囲のパッケージ部材が応力に弱く、基板実装後にパッケージ部材にクラックが発生するという問題があった。また、貫通電極内部の金属部材と貫通電極周囲との間で剥離が生じるという問題があった。これらは、パッケージ底部がパッケージ部材、金属部材といった強度の異なる部材で構成されているために、基板実装時にパッケージ底部にかかる応力が均一にならず、貫通電極やその周囲に集中して起きる現象である。またその他の原因として、金属部材とパッケージ部材との接合不良、貫通電極作製時のパッケージ部材への熱応力の蓄積、更に単純に貫通電極が無い部位より貫通電極の周囲の強度が低いといったことなども挙げられる。従ってこれらの問題を解決するには、パッケージ底部に均一な耐応力性を持たせる必要がある。
【０００６】
また従来の接合方法によれば、封止時の脱ガスによりパッケージ内部の圧力を低下できないという問題があった。特に樹脂封止材や低融点ガラスでは溶媒が揮発するために生じる問題である。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、高品質の電子部品パッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、端子電極と電気的に接続された複数に分離された金属膜と、金属膜の分離された部分を封止材にて封止した封止部と、によって接続された内部に密閉空間を有し、どちらか一方に端子電極を有する第一のパッケージ部材および第二のパッケージ部材と、を備える電子部品パッケージである。
【０００９】
これにより、金属膜をリードとしてパッケージの内外を電気的に連絡することができるようになった。従って貫通孔を形成する必要が無く、パッケージ部材のクラック発生を防止できるようになる。
【００１０】
本発明の第２の態様は、第一のパッケージ部材もしくは第二のパッケージ部材の少なくとも一方の外側側面に導電部材を固着し、金属膜と電気接続していることを特徴とする第１の態様の電子部品パッケージである。
【００１１】
これにより、第一のパッケージ部材もしくは第二のパッケージ部材の導電部材を固着した側面を持つ部材を実装基板側にしてパッケージを実装すれば、導電部材を通して実装基板に信号を取り出すことが出来るようになる。勿論第一のパッケージ部材及び第二のパッケージ部材の両方の側面に導電部材を固着していても良い。また、パッケージの底面に外部端子電極を形成して、導電部材と電気接続しても良い。
【００１２】
本発明の第３の態様は、封止部は、第一のパッケージ部材もしくは第二のパッケージ部材の少なくとも一方の対向する二辺の一部を削除した部位であることを特徴とする第２の態様の電子部品パッケージである。
【００１３】
これにより、封止材を所定位置に塗布することが容易になり、歩留まり良く封止できるようになる。
【００１４】
本発明の第４の態様は、封止部は、前記第一のパッケージ部材が第二のパッケージ部材と比較して幅もしくは長さが短く、第二のパッケージ部材の第一のパッケージ部材との接合面の内、第一のパッケージ部材に覆われていない部位の少なくとも一部であることを特徴とする第３の態様の電子部品パッケージである。
【００１５】
これにより、封止材を所定位置に塗布することが容易になり、歩留まり良く封止できるようになる。
【００１６】
本発明の第５の態様は、第一のパッケージ部材もしくは第二のパッケージ部材が透光性材料であることを特徴とする第４の態様の電子部品パッケージである。
【００１７】
これにより、金属膜の切断部の場所が判別し易くなる。またレーザーによる切断部の作製が可能となる。
【００１８】
本発明の第６の態様は、導電部材が金属膜を被覆して固着しており、金属膜が外部に露出しない構造であることを特徴とする第５の態様の電子部品パッケージである。
【００１９】
これにより、金属膜が導電部材により外部と隔離されるため、外部環境による金属膜の劣化を抑制することができるようになる。
【００２０】
本発明の第７の態様は、封止材が低融点ガラスであることを特徴とする第５の態様の電子部品パッケージである。
【００２１】
これにより、切断部における封止能を高くすることが可能となる。
【００２２】
本発明の第８の態様は、キャビティを有する容器状部材であるパッケージ部材と、キャビティ周囲の側壁上部を接合部として接合することによりキャビティを密閉空間とするベース部材とを有する電子部品パッケージの製造方法であって、
ベース部材の前記側壁上部に対応する部位の一部を削除する工程、もしくは、パッケージ部材の前記側壁の一部を削除する工程と、
側壁上部もしくはベース部材の接合部に金属膜を成膜する工程と、
ベース部材と前記パッケージ部材とを前記金属膜により接合する工程と、
削除部位に封止材を塗布、硬化する工程と、
削除部位と前記キャビティの間の金属膜を酸化もしくは蒸発させる工程
とを含むことを特徴とする電子部品パッケージの製造方法である。
【００２３】
これにより、該パッケージの内外の電気接続を金属膜にて行えるようになる。また、予め金属膜で接合した後に封止材の塗布硬化を行うため、封止材から発生する気体が該パッケージ内部に入らなくなる。
【００２４】
本発明の第９の態様は、第一のガラスウェハに複数のキャビティを形成する工程と、
第一のガラスウェハのキャビティ以外の部位に複数貫通孔を形成する工程と、
第一のガラスウェハのキャビティ以外の部位に金属膜を形成する工程と、
金属膜を接合部として前記第一のガラスウェハと前記第二のガラスウェハを接合する工程と、
貫通孔に封止材を埋め込み、硬化する工程と、
貫通孔と前記キャビティの間の金属膜を酸化もしくは蒸発させる工程と、
金属膜及び前記封止材を含む部位でウェハを切断する工程とから成り、
貫通孔の形成部位が前記接合部に囲まれる部位であることを特徴とする第８の態様の電子部品パッケージの製造方法である。
【００２５】
特に限定するわけではないが、第一のガラスウェハと第二のガラスウェハの接合は陽極接合が好ましい。アウトガスが少ないためである。また、金属膜の酸化はスポットヒータにより金属膜を部分加熱をしてパッケージ内部の酸素や水蒸気と反応させて行い、また、金属膜の蒸発はレーザーを所定部位に照射して行うことが可能である。金属膜の酸化もしくは蒸発させることにより密閉空間に閉じ込められた酸素、水蒸気などをゲッタリングができ、真空度を上げることが出来るようになる。
【００２６】
本発明の第１０の態様は、第二のガラスウェハの、キャビティ及び貫通孔に合致する部位以外の部位に貫通部を作製する工程と、
貫通部側壁に導電膜を形成し、金属膜と電気接続する工程とを含むことを特徴とする第９の態様の電子部品のパッケージの製造方法である。
【００２７】
本発明の第１１の態様は、第二のガラスウェハの、キャビティ及び貫通孔に合致する部位以外の部位に貫通部を作製する工程と、
貫通部側壁に導電部材を埋め込み、金属膜と電気接続する工程とを含むことを特徴とする第９の態様の電子部品のパッケージの製造方法である。
【００２８】
本発明の第１２の態様は、第一のガラスウェハに複数のキャビティを形成する工程と、
第二のガラスウェハに複数貫通孔を形成する工程と、
第二のガラスウェハに金属膜を形成する工程と、
金属膜を接合部として第一のガラスウェハと第二のガラスウェハを接合する工程と、
貫通孔に封止材を埋め込み、硬化する工程と、
貫通孔とキャビティの間の金属膜を酸化もしくは蒸発させる工程と、
金属膜及び封止材を含む部位でウェハを切断する工程とから成り、
貫通孔の形成部位が接合部に囲まれる部位であることを特徴とする第８の態様の電子部品パッケージの製造方法である。
【００２９】
本発明の第１３の態様は、第一のガラスウェハの、第一のガラスウェハのキャビティ、及び、第二のガラスウェハの貫通孔に合致する部位を除く部位に貫通部を作製する工程と、
貫通部側壁に導電膜を形成し、金属膜と電気接続する工程とを含むことを特徴とする第１２の態様の電子部品のパッケージの製造方法である。
【００３０】
本発明の第１４の態様は、第一のガラスウェハの、第一のガラスウェハのキャビティ、及び、第二のガラスウェハの貫通孔に合致する部位を除く部位に貫通部を作製する工程と、
貫通部側壁に導電部材を埋め込み、金属膜と電気接続する工程とを含むことを特徴とする第１２の態様の電子部品のパッケージの製造方法である。
【００３１】
以上により、ウェハでのバッチ処理が可能となり、大量生産が可能となる。
【発明の効果】
【００３２】
かかる本発明では、金属膜をリードとしてパッケージの内外を電気的に連絡することができるようになったため、貫通孔を形成する必要が無く、パッケージ部材のクラック発生を防止できるようになった。またパッケージ内部の圧力を低下でき、且つ、気密性を高く出来たため、高品質の電子部品パッケージを提供できるようになった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３４】
（実施形態１）
図１は本発明の実施形態１に係る電子部品パッケージの概略構成を示すベース部材１０の上面での平面図である。
【００３５】
図１に示すように、本実施形態は、矩形のベース部材１０上に端子電極１１、１２が形成してあり、ベース部材１０の外周に沿って金属膜２０、２１、封止材３０、３１が固着されている。封止材３０、３１は、金属膜２０と金属膜２１の間に固着しており、また、端子電極１１は金属膜２０と、端子電極１２は金属膜２１と連結している。更にベース部材１０の側面に沿って、金属膜２０に連結して導電部材４０が、金属膜２１に連結して導電部材４１が夫々固着されている。また機能部品設置箇所５０を図中点線で示したが、これはパッケージ内部にICやセンサ、水晶振動子などを設置する際の設置箇所の例を示している。但し端子電極１１、１２、機能部品設置箇所５０は、図１の形状や場所に拘るものではない。
【００３６】
図２は本発明の実施形態１に関わる電子部品パッケージの概略構成を示す断面図である。
【００３７】
図２に示すように、本実施形態は、ベース部材１０とパッケージ部材１３とが金属膜２０、２１により接合されており、パッケージ部材１３に形成したキャビティが密閉空間５３となっている。密閉空間５３内にはベース部材１０上面に端子電極１１が金属膜２０に連結して形成しており、端子電極１１上に実装部５２を介して、機能部品５１が実装されている。またパッケージ側面には金属膜２０に連結して導電部材４０が、また、金属膜２１に連結して導電部材４１が夫々固着されている。更にベース部材１０底面に、導電部材４０に連結して外部端子１４が、導電部材４１に連結して外部端子１５が固着されている。図示していないが、機能部品５１は端子電極１２とも電気接続されている。また封止材３０、３１はベース部材１０とパッケージ部材１３との間に狭持されて固着されている。      
【００３８】
本実施形態では、金属膜２０、２１をアルミニウムにて形成した。ベース部材１０とパッケージ部材１３の接合は陽極接合によった。また第一の封止材３０、３１は低融点ガラス、樹脂接着剤などを用いた。導電部材４０、４１は、導電性接着剤の硬化、もしくは、クロム、金といった金属膜の成膜によって作製した。
【００３９】
図１、図２に示した通り、密閉空間５３は、金属膜２０、２１、封止材３０、３１によって外部と遮断されており、気密性が高い密閉空間５３を得ることができた。また、ベース部材１０とパッケージ部材１３とを接合する金属膜２０、２１とは独立しており、機能部品５１の一方の極性は、端子電極１１、金属膜２０、導電部材４０を介して外部端子１４と電気接続されており、また機能部品５１の他方の極性は、端子電極１２、金属膜２１、導電部材４１を介して外部端子１５と電気接続されている。つまり、金属膜２０、２１をパッケージ内外を電気接続するリードとして用いることが可能となった。貫通電極を用いずに電気接続が可能となったため、強度が高いパッケージが得られた。
（実施形態２）
図３（ａ）〜図３（ｆ）は、本発明の実施形態２に係る電子部品パッケージの概略構成を示す図である。
【００４０】
図３（ａ）は電子部品パッケージの平面図、図３（ｂ）はパッケージ部材の平面図、図３（ｃ）は電子部品パッケージの図３（ａ）のＡ−Ａ'部における断面図、図３（ｄ）〜（ｆ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ'部における断面図である。
【００４１】
本実施形態は、概略構成は図２と同様であり、ベース部材１０とパッケージ部材１３とを金属膜にて接合し、内部に密閉空間５３を有すると共に、パッケージ内部の端子電極と外部端子電極とを金属膜と導電部材によって電気接続したものである。実施形態１とは封止材の封止構造が異なっており、後述するが、本実施形態ではパッケージ部材１３に形成された削除部１６、１７に、封止材３０、３１を塗布し、封止したところが特徴である。
【００４２】
図３（ａ）はパッケージ部材１３側から見た平面図であるが、パッケージ部材１３に被覆された部位の構造を示すために、端子電極１１、１２、金属膜２０、２１を点線で示した。図３（ａ）に示すとおり、本実施形態は、密閉空間５３内面に端子電極１１、１２を形成しており、端子電極１１に連結してベース部材１０外周に沿う位置に金属膜２０を形成しており、また、端子電極１２に連結してベース部材１０の外周に沿う位置で、且つ、金属膜２０とは異なる位置に金属膜２１を形成している。また金属膜２０、２１に夫々連結して導電部材４０、４１が固着されている。金属膜２０、２１はベース部材１０とパッケージ部材１３とを接合しており、金属膜２０と金属膜２１との間の隙間は封止材３０、３１とで封止している。
【００４３】
図３（ｂ）はパッケージ部材１３の平面形状を示しており、本図の通り、対向する二辺の一部に、削除部１６、１７を形成している。
【００４４】
図３（ｃ）は、図３（ａ）の一点鎖線Ａ−Ａ’でパッケージを切断したときの切断面の断面図である。ベース部材１０とパッケージ部材１３に挟まれる部位に密閉空間５３があり、内部には機能部品５１が実装されている。本図のパッケージ部材１３の側面は、図３（ｂ）による削除部１６、１７に相当する位置なので、パッケージ部材１３の方がベース部材１０より小さく、この位置ではベース部材１０が露出することになる。そこで、この部位に封止材３０、３１が塗布され、密閉空間５３を封止している。
【００４５】
図３（ｄ）は、図３（ａ）の一点鎖線Ｂ−Ｂ’でパッケージを切断したときの切断面の断面図である。ベース部材１０上に端子電極１１と、図３（ａ）の端子電極１２（本図には図示していない）を有し、夫々金属膜２０、２１と電気接続した。そして、金属膜２０、２１は、それぞれパッケージ外側で導電部材４０、４１と電気接続されており、更に、これらの導電部材は外部端子１４、１５と電気接続されている。
【００４６】
本実施例では、導電部材４０、４１は、ベース部材１０側面に形成されており、外部端子１４、１５をベース部材１０底面に形成した。
【００４７】
図３（ｅ）は、図３（ａ）の一点鎖線Ｂ−Ｂ’でパッケージを切断したときの切断面の断面図であり、図３（ｄ）とは異なる構造の場合を示す図である。導電部材４０、４１をパッケージ部材１３側面に、外部端子１４、１５をパッケージ部材１３上底面に形成した。
【００４８】
図３（ｆ）は、図３（ａ）の一点鎖線Ｂ−Ｂ’でパッケージを切断したときの切断面の断面図であり、図３（ｄ）、（ｅ）とは異なる構造の場合を示す図である。パッケージ部材１３のキャビティ内に端子電極１１と、図３（ａ）の端子電極１２（本図には図示していない）を有し、夫々金属膜２０、２１と電気接続した。機能部品５１は端子電極１１、１２に実装されているため、本図では機能部品５１は密閉空間５３上部に実装されている。また導電部材４０、４１をベース部材１０及びパッケージ部材１３の側面に形成した。
【００４９】
上記の通り、端子電極１１、１２の形成箇所は、ベース部材１０とパッケージ部材１３のどちらでも良い。また、導電部材４０、４１、外部端子１４、１５の形成箇所についても同様である。これらの形成箇所によって機能面で変化がないためである。
【００５０】
以上、パッケージ部材１３の対向する二辺の一部を削り取り削除部１６、１７を設けることにより、パッケージ部材１３とベース部材１０とを接合した際に接合面上にベース部材１０露出部が生じ、この部位を封止材３０、３１の封止位置とした。封止構造を簡便に得られ、且つ、ベース部材１０とパッケージ部材１３の接合に用いる金属膜２０、２１をリードとして用いることができるようになった。
（実施形態３）
図４は、本発明の実施形態３に係る電子部品パッケージの概略構成を示す平面図である。
【００５１】
図４はパッケージ部材１３側から見た平面図であるが、パッケージ部材１３に被覆された部位の構造を示すために、金属膜２０、２１を点線で示した。図４に示す通り、本実施形態は、ベース部材１０と、ベース部材１０より幅が狭いパッケージ部材１３とから成り、ベース部材１０とパッケージ部材１３とは金属膜２０、２１とで接合し、金属膜２０と金属膜２１の間の接合されていない部位を含むパッケージ部材１３側面及びベース部材１０上面に封止材３０、３１を固着させた。導電部材４０、４１を電子部品パッケージ側面に形成し、金属膜２０は導電部材４０と、また、金属膜２１は導電部材４１と電気接続した。これにより、金属膜２０、２１を通してパッケージ内外を電気接続できるようになった。
【００５２】
ここで、封止材３０、３１固着部は、ベース部材１０よりパッケージ部材１３の幅が狭いために生じる、ベース部材１０の接合面側露出部である。実際に封止材３０、３１を固着する部位は、この露出部全体でも一部でも良い。全体であれば全体に均一な強度が得られるため好ましい構造である。しかし封止に関しては、ベース部材１０とパッケージ部材１３に挟まれた部位の内、金属膜２０、２１が形成されていない部位に封止材が固着されていれば良く、露出部の一部でも封止されていれば良い。
【００５３】
本実施例では、金属膜２０の外側側面全体に導電部材４０を、また、金属膜２１の外側側面全体に導電部材４１を形成した。そのため金属膜２０、２１は外部に接しておらず、外部環境の影響を受けにくい構造となった。
（実施形態４）
図５は、本発明の実施形態４に関わる電子部品パッケージの概略構成を示す平面図である。
【００５４】
図５はパッケージ部材１３側から見た平面図であるが、パッケージ部材１３に被覆された部位の構造を示すために、金属膜２０、２１、２２、２３を点線で示した。図５に示す通り、本実施形態は、ベース部材１０とパッケージ部材１３とから成り、パッケージ部材１３には全ての辺に、部材の一部を切り取る削除部を設けて、ベース部材１０とパッケージ部材１３を接合後に封止材３０、３１、３２、３３を塗布した。金属膜２０、２１、２２、２３は、この電子部品パッケージ側面に形成された導電部材４０、４１、４２、４３と夫々電気接続されている。
【００５５】
以上の通り、金属膜を介して四電極を外部に取り出すことができるようになった。本実施形態は、実施形態１〜３と併せて、取り出す電極数が独立した金属膜の数であり、電極数に関わらず本発明の構造をとることができることを主張するものである。
（実施形態５）
図６は、本発明の実施形態５に係る電子部品パッケージの製造フローである。また、図７は、本発明の実施形態５に係る電子部品パッケージの製造工程を説明する図である。
【００５６】
図６及び図７に沿って、本発明の製造工程を説明する。
【００５７】
まず図６（１−１）および図７（１−１）に示す通り、第一のガラスウェハ６０にエッチング、ホットプレス、サンドブラストなどによりキャビティ５４を形成する。尚、図７（１−１）は上段が第一のガラスウェハの平面図、下段が断面図である。
【００５８】
次に図６（１−２）および図７（１−２）に示す通り、第一のガラスウェハ６０のキャビティ５４の両側に、エッチング、ホットプレス、サンドブラストなどにより貫通孔１８を形成する。貫通孔１８の形状は長穴でも円でも良く、また断面形状は垂直でもすり鉢上でも良い。尚、図７（１−２）は上段が第一のガラスウェハの平面図、下段が側面断面図である。本工程は図６（１−１）および図７（１−１）で示したキャビティ５４の形成工程と同時に行うことも可能である。
【００５９】
次に図６（１−３）および図７（１−３）に示す通り、第一のガラスウェハ６０のキャビティ５４側の面に、キャビティ５４以外の場所に金属膜２４と端子電極を成膜する。次に端子電極にＩＣ、センサ、水晶振動子などの機能部品を実装する。ここで図６（２−１）、図６（２−２）に示す通り、端子電極と機能部品の実装を、第二のガラスウェハ６１に行っても良い。金属膜２４は後工程の接合時の接合膜となるものである。本実施形態ではアルミニウムをスパッタして成膜した。
【００６０】
次に図６（５）および図７（５）に示す通り、金属膜２４にて第一のガラスウェハ６０と第二のガラスウェハ６１を接合する。本実施形態では陽極接合で実施した。
【００６１】
次に図６（６）および図７（６）に示す通り、貫通孔１８に封止材３４を埋め込み、硬化した。本実施形態では低融点ガラスを用いた。
【００６２】
次に図６（７）に示す通り、封止材３４に隣接する位置にある金属膜２４を酸化、もしくは、蒸発させた。本実施形態ではガラスウェハを用いているため、レーザーにより蒸発させた。
【００６３】
次に図６（８）および図７（８）に示す通り、第二のガラスウェハ６１上面に外部端子電極１９を形成した。
【００６４】
次に図６（９）および図７（９）に示す通り、ダイシングしてチップを取り出した。
【００６５】
最後に図６、図７には示していないが、金属膜２４と外部端子電極１９とを接続するために、チップ側面に金属膜を側面電極として成膜した。
【００６６】
上記方法によれば、金属膜２４によりキャビティ５４周囲を封止した後に低融点ガラスを硬化するために、低融点ガラス硬化時のアウトガスがキャビティ内部に流入しない。また、レーザーにて金属膜２４のアルミニウムを蒸発させるために、キャビティ５４内部のガスをゲッタリングできる効果がある。
【００６７】
図８はチップ側面の導電部材を形成する方法を説明する平面図である。第二のガラスウェハ６１に貫通部３５を設けている。貫通部３５の位置は、点線で示した第一のガラスウェハ６０に形成した貫通孔１８、キャビティ５４とは異なる位置で、キャビティ５４の両側に合致する位置である。
【００６８】
上記では最後に側面電極を形成する方法を示したが、これを図６（９）および図７（９）に示したダイシング工程よりも前のプロセスで行うことが可能である。つまり、貫通部３５側面に金属を成膜するか、貫通部３５内部に導電性ペーストを埋め込み、ダイシング工程時に貫通部３５を切断することにより、チップ化前に側面電極を形成することができる。金属成膜もしくは導電性ペースト埋め込みは、貫通部３５形成直後に行うこともできるが、外部端子電極１９を形成時に同時に行っても良い。また貫通部３５を第一のガラスウェハに形成しても良い。この場合、第一のガラスウェハ６０に外部端子電極１９を形成することとなる。以上の方法によればウェハプロセスで側面電極を形成できるため、少なくとも機能部品の実装以外の全工程をバッチ処理できるようになる。
（実施形態６）
図９は、本発明の実施形態６に係る電子部品パッケージの製造フローである。また、図１０は、本発明の実施形態６に係る電子部品パッケージの製造工程を説明する図である。      
【００６９】
図９及び図１０に従って説明する。
【００７０】
まず図９（１−１）および図１０（１−１）に示す通り、第一のガラスウェハ６０にエッチング、ホットプレス、サンドブラストなどによりキャビティ５４を形成する。尚、図１０（１−１）は上段が第一のガラスウェハの平面図、下段が断面図である。
【００７１】
次に図９（２−１）および図１０（２−１）に示す通り、第二のガラスウェハ６１に貫通孔１８を形成する。貫通孔１８に位置は、第一のガラスウェハのキャビティ５４（図１０ではキャビティに合致する位置５４ｂを示した）の両側であり、エッチング、ホットプレス、サンドブラストなどで形成可能である。また貫通孔１８の形状は長穴でも円でも良く、また断面形状は垂直でもすり鉢上でも良い。尚、図１０（２−１）は上段が第二のガラスウェハ６１の平面図、下段が断面図である。
【００７２】
次に図９（２−２）および図１０（２−２）に示す通り、第二のガラスウェハ６１に金属膜２４と端子電極を成膜する。金属膜２４は後工程の接合時の接合膜となるものである。本実施形態ではアルミニウムをスパッタして成膜した。尚、本実施例では、キャビティに合致する位置５４ｂに成膜しなかった。
【００７３】
次に図９（２−３）の通り、端子電極にＩＣ、センサ、水晶振動子などの機能部品を実装する。ここで図９（１−２）、図９（１−３）に示す通り、端子電極と機能部品の実装を、第一のガラスウェハ６０に行っても良い。
【００７４】
次に図９（４）および図１０（４）に示す通り、金属膜２４にて第一のガラスウェハ６０と第二のガラスウェハ６１を接合する。本実施形態では陽極接合で実施した。
【００７５】
次に図９（５）および図１０（５）に示す通り、貫通孔１８に封止材３４を埋め込み、硬化した。本実施形態では低融点ガラスを用いた。
【００７６】
次に図９（６）に示す通り、封止材３４に隣接する位置にある金属膜２４を酸化、もしくは、蒸発させた。本実施形態ではガラスウェハを用いているため、レーザーにより蒸発させた。
【００７７】
次に図９（７）および図１０（７）に示す通り、第一のガラスウェハ６０底面に外部端子電極１９を形成した。
【００７８】
次に図９（８）および図１０（８）に示す通り、ダイシングしてチップを取り出した。
【００７９】
最後に図９、図１０には示していないが、金属膜２４と外部端子電極１９とを接続するために、チップ側面に金属膜を側面電極として成膜した。
【００８０】
上記方法によれば、金属膜２４によりキャビティ５４周囲を封止した後に低融点ガラスを硬化するために、低融点ガラス硬化時のアウトガスがキャビティ内部に流入しない。また、レーザーにて金属膜２４のアルミニウムを蒸発させるために、キャビティ５４内部のガスをゲッタリングできる効果がある。
【００８１】
図１１はチップ側面の導電部材を形成する方法を説明する平面図である。第二のガラスウェハ６１に貫通部３５を設けている。貫通部３５の位置は、貫通孔１８、及び、点線で示した第二のガラスウェハに形成したキャビティ５４とは異なる位置で、キャビティ５４の両側である。
【００８２】
上記では最後に側面電極を形成する方法を示したが、これを図９（８）および図１０（８）に示したダイシング工程よりも前のプロセスで行うことが可能である。つまり、貫通部３５側面に金属を成膜するか、貫通部３５内部に導電性ペーストを埋め込み、ダイシング工程時に貫通部３５を切断することにより、チップ化前に側面電極を形成することができる。金属成膜もしくは導電性ペースト埋め込みは、貫通部３５形成直後に行うこともできるが、外部端子電極１９を形成時に同時に行っても良い。また貫通部３５を第一のガラスウェハ６０に形成しても良い。この場合、第一のガラスウェハ６０に外部端子電極１９を形成することとなる。以上の方法によればウェハプロセスで側面電極を形成できるため、少なくとも機能部品の実装以外の全工程をバッチ処理できるようになる。
【００８３】
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。また、上述の各実施形態の構成を組み合わせてもよいことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の実施形態１に係る電子部品パッケージの概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に関わる電子部品パッケージの概略構成を示す断面図である。
【図３（ａ）】本発明の実施形態２に係る電子部品パッケージの平面図である。
【図３（ｂ）】本発明の実施形態２に係る電子部品パッケージ部材の平面図
【図３（ｃ）】本発明の実施形態２に係る電子部品パッケージの図３（ａ）のＡ−Ａ'部における断面図
【図３（ｄ）】本発明の実施形態２に係る電子部品パッケージの図３（ａ）のＢ−Ｂ'部における断面図である。
【図３（ｅ）】本発明の実施形態２に係る電子部品パッケージの図３（ａ）のＢ−Ｂ'部における断面図である。
【図３（ｆ）】本発明の実施形態２に係る電子部品パッケージの図３（ａ）のＢ−Ｂ'部における断面図である。
【図４】本発明の実施形態３に係る電子部品パッケージの概略構成を示す平面図である。
【図５】本発明の実施形態４に関わる電子部品パッケージの概略構成を示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態５に係る電子部品パッケージの製造フローである。
【図７】本発明の実施形態５に係る電子部品パッケージの製造工程を説明する図である。
【図８】チップ側面の導電部材を形成する方法を説明する平面図である。
【図９】本発明の実施形態６に係る電子部品パッケージの製造フローである。
【図１０】本発明の実施形態６に係る電子部品パッケージの製造工程を説明する図である。
【図１１】チップ側面の導電部材を形成する方法を説明する平面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１０  ベース部材
１１、１２  端子電極
１３  パッケージ部材
１４、１５、  外部端子
１６、１７  削除部
１８  貫通孔
１９  外部端子電極
２０、２１、２２、２３、２４  金属膜
３０、３１、３２、３３、３４  封止材
３５  貫通部
４０、４１、４２、４３、４４  導電部材
５０  機能部品設置箇所
５１  機能部品
５２  実装部
５３  密閉空間
５４  キャビティ
５４ｂ  キャビティに対向する位置
６０  第一のガラスウェハ
６１  第二のガラスウェハ
【図１】
2010147054.tif 000003
【図２】
2010147054.tif 000004
【図３（ａ）】
2010147054.tif 000005
【図３（ｂ）】
2010147054.tif 000006
【図３（ｃ）】
2010147054.tif 000007
【図３（ｄ）】
2010147054.tif 000008
【図３（ｅ）】
2010147054.tif 000009
【図３（ｆ）】
2010147054.tif 000010
【図４】
2010147054.tif 000011
【図５】
2010147054.tif 000012
【図６】
2010147054.tif 000013
【図７】
2010147054.tif 000014
【図８】
2010147054.tif 000015
【図９】
2010147054.tif 000016
【図１０】
2010147054.tif 000017
【図１１】
2010147054.tif 000018