(57)【要約】【課題】ウェーハとサセプタとの間のスティッキングによるエピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減しながら、リフトピンの存在によるエピタキシャルウェーハの平坦度の低下を防止するようなエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の製造方法は、半導体ウェーハの裏面に酸化膜からなる親水部を形成させる酸化膜形成工程Ｓ１と、前記酸化膜の一部を前記半導体ウェーハと同心の円形状に除去して、半導体ウェーハの裏面が露出してなる疎水部を設けるエッチング工程Ｓ２と、前記半導体ウェーハの裏面を下側にして、前記半導体ウェーハを前記ウェーハ載置部に載置するウェーハ載置工程Ｓ３と、前記半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ４と、を備え、サセプタの底面に円周上に設けられたリフトピンからなるリフトピン設置円周が前記疎水部の直径よりも小さいことを特徴とする。【選択図】図３
2010153433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に半導体ウェーハを載置する略円形で凹状のウェーハ載置部を有するとともに、底面に前記半導体ウェーハを昇降させるリフトピンを挿通させる貫通孔を前記ウェーハ載置部と同心であるリフトピン設置円周の上に複数有するサセプタを備えた気相成長装置を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記半導体ウェーハの裏面に酸化膜からなる親水部を形成させる酸化膜形成工程と、
前記酸化膜形成工程の後、前記酸化膜の一部を前記半導体ウェーハと同心の円形状に除去して、半導体ウェーハの裏面が露出してなる疎水部を設けるエッチング工程と、
前記エッチング工程の後、前記半導体ウェーハの裏面を下側にして、前記半導体ウェーハを前記ウェーハ載置部に載置するウェーハ載置工程と、
前記ウェーハ載置工程の後、前記半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長工程と、を備え、
前記リフトピン設置円周の直径は、前記疎水部の直径よりも小さいことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記親水部は、前記半導体ウェーハの裏面のうち、少なくとも前記ウェーハ載置部と接する箇所に設けられている請求項１記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記ウェーハ載置部は、前記サセプタの上面から下側に凹んだ円形の第一凹部と、前記第一凹部よりも小径で前記第一凹部の底面から下側に凹んでおりかつ前記第一凹部と同心の円形の第二凹部と、からなり、前記第二凹部の外周縁側の位置に前記第一凹部の底面で前記半導体ウェーハを支持する半導体ウェーハ支持部が形成され、
前記貫通孔は、前記第二凹部の底面に設けられ、
前記ウェーハ載置工程では、前記半導体ウェーハの裏面の外周縁部が前記半導体ウェーハ支持部に支持されるように、前記半導体ウェーハを前記ウェーハ支持部に載置する請求項１又は請求項２記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記親水部は、前記半導体ウェーハの裏面のうち、前記半導体ウェーハの外周縁より５ｍｍ内周側に位置する前記半導体ウェーハと同心の円周と、前記半導体ウェーハの外周縁と、の間に少なくとも設けられている請求項１から請求項３のいずれか１項記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長装置を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エピタキシャルウェーハは、半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させたものである。近年、半導体デバイスの集積度、デザインルール（微細化パターン）の微細化等に伴い、高平坦度で高精細なエピタキシャルウェーハが求められている。エピタキシャルウェーハを製造するために、エピタキシャル層を半導体ウェーハの主表面に成長させる気相成長装置が使用されている。
【０００３】
気相成長装置によれば、例えば、以下の手順により半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させることができる。まず、内部に円盤状のサセプタを有し、内部に反応ガスを供給可能な反応容器におけるサセプタの上に半導体ウェーハを載置する。ここで、サセプタの上面は凹状のウェーハ載置部となっている。その後、反応容器の外面に配置したヒーターにより半導体ウェーハを加熱しながら、反応容器の内部を通過する反応ガスと半導体ウェーハとを反応させ、半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させる。
【０００４】
しかし、半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させる際、半導体ウェーハの裏面の外周縁部にエピタキシャル層が成長される傾向がある。
【０００５】
また、半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させる際、半導体ウェーハの裏面とサセプタとの接触痕（スティッキング）が半導体ウェーハの裏面の外周縁部に残る場合がある。さらに、このようなスティッキングが半導体ウェーハの裏面とサセプタとの間に存在すると、ヒーターの昇降温時及び高温状態における半導体ウェーハとサセプタとの間の膨張率の差異により半導体ウェーハの裏面に歪みが発生する場合がある。このような歪みが存在すると、例えば、半導体デバイスの作製工程における多結晶シリコンのフォトリソグラフィー処理前の熱処理において、ランダムな方向に補正困難なパターンのずれが発生するために、フォトリソグラフィー処理におけるアライメント不良が発生するという問題があった。
【０００６】
そこで、例えば、エピタキシャルウェーハの形状品質について、エピタキシャルウェーハの主表面及び裏面の面形状をエピタキシャルウェーハの径方向に沿って測定し、測定した面形状のデータの所定領域から基準線を算出し、この基準線と面形状データとの間の厚さ方向における差を示すローカルスロープを求めることで、エピタキシャルウェーハの面形状を評価する方法が提案されている（例えば、特許文献１等を参照）。
【特許文献１】特開２００６−５１６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１ではエピタキシャルウェーハの面形状を評価する方法のみが開示されており、エピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減させる方法については具体的に開示されていない。
【０００８】
このような状況下、本発明者らは、エピタキシャル層を成長させようとする半導体ウェーハの裏面に予めシリコンの酸化膜を形成させることにより、エピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減させることができることを見出し、エピタキシャルウェーハの製造方法を改善する手法として活用してきた。
【０００９】
ここで、サセプタの上面に存在する凹状のウェーハ載置部の底面には、半導体ウェーハ及びエピタキシャルウェーハ（以下、これらをまとめて単に「ウェーハ」と呼ぶこともある。）を着脱するためのリフトピンが内蔵されている。リフトピンは、頭部が拡径され、この頭部がウェーハ載置部の底面に設けられた貫通孔のテーパ状側壁部にぶら下がるように設置されており、サセプタを下降させてリフトピンの下部が反応容器の底部と当接すると、リフトピンが付勢されてその頭部がウェーハの裏面に突き当たり、ウェーハがウェーハ載置部から上方に持ち上がる。
【００１０】
このように、リフトピンは、サセプタのウェーハ載置部からウェーハを取り出すために必要とされる部品である。しかしながら、リフトピンは、通常、サセプタとは熱伝導率の異なる材質で構成されるため、サセプタに収納されたウェーハの表面の温度分布を不均一化させる要因にもなる。そして、本発明者らの製造試験の結果、このようにウェーハの表面の温度分布が不均一な場合、上述のように半導体ウェーハの裏面の全面にシリコンの酸化膜を形成させてエピタキシャル成長を行うと、エピタキシャルウェーハのＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ  ｆｌａｔｎｅｓｓ  Ｆｒｏｎｔ  ｓｉｄｅ  ｌｅａｓｔ  ｓＱｕａｒｅ  ｆｉｔ  Ｒａｎｇｅ）、すなわち平坦度が低下することが判明した。この場合、エピタキシャルウェーハの裏面のうち、リフトピンの存在していた箇所のみＳＦＱＲが顕著に低下することになる。上述のように、デザインルールの微細化等に伴い、高平坦度で高精細なエピタキシャルウェーハが求められており、このように部分的に平坦度が低下したエピタキシャルウェーハは、半導体デバイスの作製において歩留まりが低下する要因となる。
【００１１】
本発明は、以上の状況に鑑みてなされたものであり、ウェーハとサセプタとの間のスティッキングによるエピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減しながら、リフトピンの存在によるエピタキシャルウェーハの平坦度の低下を防止することができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、エピタキシャル成長させようとする半導体ウェーハの裏面全面に半導体の酸化膜を設けた後に、当該酸化膜の一部を半導体ウェーハと同心の円形状に除去すること、すなわち、サセプタとの間にスティッキングを発生しやすい外周部に半導体の酸化膜を残しつつ、ウェーハ載置部に収納された際にリフトピンの上方に位置する箇所には半導体の酸化膜を存在させないことにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
（１）本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、上面に半導体ウェーハを載置する略円形で凹状のウェーハ載置部を有するとともに、底面に前記半導体ウェーハを昇降させるリフトピンを挿通させる貫通孔を前記ウェーハ載置部と同心であるリフトピン設置円周の上に複数有するサセプタを備えた気相成長装置を用い、前記半導体ウェーハの裏面に酸化膜からなる親水部を形成させる酸化膜形成工程と、前記酸化膜形成工程の後、前記酸化膜の一部を前記半導体ウェーハと同心の円形状に除去して、半導体ウェーハの裏面が露出してなる疎水部を設けるエッチング工程と、前記エッチング工程の後、前記半導体ウェーハの裏面を下側にして、前記半導体ウェーハを前記ウェーハ載置部に載置するウェーハ載置工程と、前記ウェーハ載置工程の後、前記半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長工程と、を備え、前記リフトピン設置円周の直径は、前記疎水部の直径よりも小さいことを特徴とする。
【００１４】
（２）前記親水部は、前記半導体ウェーハの裏面のうち、少なくとも前記ウェーハ載置部と接する箇所に設けられていることが好ましい。
【００１５】
（３）前記ウェーハ載置部は、前記サセプタの上面から下側に凹んだ円形の第一凹部と、前記第一凹部よりも小径で前記第一凹部の底面から下側に凹んでおりかつ前記第一凹部と同心の円形の第二凹部と、からなり、前記第二凹部の外周縁側の位置に前記第一凹部の底面で前記半導体ウェーハを支持する半導体ウェーハ支持部が形成され、前記貫通孔は、前記第二凹部の底面に設けられ、前記ウェーハ載置工程では、前記半導体ウェーハの裏面の外周縁部が前記半導体ウェーハ支持部に支持されるように、前記半導体ウェーハを前記ウェーハ支持部に載置することが好ましい。
【００１６】
（４）前記親水部は、前記半導体ウェーハの裏面のうち、前記半導体ウェーハの外周縁より５ｍｍ内周側に位置する前記半導体ウェーハと同心の円周と、前記半導体ウェーハの外周縁と、の間に少なくとも設けられていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ウェーハとサセプタとの間のスティッキングによるエピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減しながら、リフトピンの存在によるエピタキシャルウェーハの平坦度の低下を防止することができるエピタキシャルウェーハの製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施態様について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施態様で使用される気相成長装置を模式的に示す断面図である。図２は、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施態様で使用されるサセプタを示す図で、（ａ）はサセプタの平面図であり、（ｂ）はサセプタの縦断面図である。
【００１９】
［気相成長装置］
まず、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施態様で使用される気相成長装置について説明する。本実施態様で使用される気相成長装置１は、図１に示すように、シリコンウェーハからなる半導体ウェーハＷの主表面にエピタキシャル層ＥＰを気相成長させて、エピタキシャルウェーハＥＷを製造する装置である。この気相成長装置１は、サセプタ２と、反応容器３と、加熱装置４と、リフトピン５とを備える。
【００２０】
反応容器３は、その内部にサセプタ２が設置され、かつその内部に反応ガスを供給することが可能なように構成されている。そして、反応容器３は、サセプタ２の上に載置された半導体ウェーハＷに反応ガスを供給することで、半導体ウェーハＷの主表面にエピタキシャル層ＥＰを成長させる。この反応容器３は、上側ドーム３１と、下側ドーム３２と、ドーム取付体３３、サセプタ支持部３４とを備える。
【００２１】
上側ドーム３１及び下側ドーム３２は、石英等の透光性部材から構成されている。
【００２２】
ドーム取付体３３は、上方及び下方が開放された略筒状部材から構成され、上方側の開口部分及び下方側の開口部分にて上側ドーム３１及び下側ドーム３２を支持する。
【００２３】
このドーム取付体３３の側面には、反応ガス供給管３３１が設けられており、反応ガス供給管３３１に対向するドーム取付体３３の側面には、反応ガス排出管３３２が設けられている。反応ガス供給管３３１及び反応ガス排出管３３２は、反応容器３の内部と反応容器３の外部を連通するように形成されている。
【００２４】
反応ガス供給管３３１からは、反応ガスが反応容器３の内部に供給される。反応ガスは、例えば、ＳｉＨＣｌ３等のＳｉソースを水素ガスで希釈し、それにドーパントガスを微量混合してなる。供給された反応ガスは、サセプタ２に載置された半導体ウェーハＷの主表面を水平に通過した後、反応ガス排出管３３２から反応容器３の外に排出される。
【００２５】
サセプタ２は、半導体ウェーハＷを載置する部材であり、反応容器３の内部に設置される。サセプタ２は、回転軸Ｒに連なるサセプタ支持部３４によって、その下面が支持され、回転軸Ｒの駆動により回転する。また、サセプタ２は、サセプタ支持部３４が昇降することにより昇降する。サセプタ２の材質は特に限定されないが、例えば炭素基材の表面にＳｉＣ被膜をコーティングしたものが好ましい。
【００２６】
図１及び図２に示すように、サセプタ２の上面には、半導体ウェーハＷの直径よりも大きい径で略円形の凹部からなるウェーハ載置部２１が形成されている。ここで、略円形の形状は、真円形状に限定されず、楕円形状や真円に類似する形状が含まれる。このウェーハ載置部２１は、第一凹部２１１と、第二凹部２１２とからなる。第一凹部２１１は、サセプタ２の上面から下側に凹んだ円形の凹部である。第二凹部２１２は、第一凹部２１１よりも小径で第一凹部２１１の底面から下側に凹んでおり、かつ、第一凹部２１１と同心の円形の凹部である。また、サセプタ２には、第二凹部２１２の外周縁側の位置に、第一凹部２１１の底面で半導体ウェーハＷを支持するウェーハ支持部２１３が形成されている。
【００２７】
半導体ウェーハＷは、ウェーハ支持部２１３に支持されることでウェーハ載置部２１の内側に載置される。なお、ウェーハ支持部２１３は、第一凹部２１１の外周側から第二凹部２１２の外周側にかけて下方に傾斜する形状にして半導体ウェーハＷの外周縁部を線接触で支持するようにしてもよく、あるいは、ウェーハ支持部２１３の上面に凹凸を設けて半導体ウェーハＷの外周縁部を点接触で支持するようにしてもよい。
【００２８】
サセプタ２へ半導体ウェーハＷを搬入する際、又はサセプタ２から半導体ウェーハＷを搬出する際は、半導体ウェーハＷの下面をリフトピン５で支持してリフトピン５の昇降により半導体ウェーハＷを昇降させる。
【００２９】
リフトピン５は、サセプタ２に内蔵される。リフトピン５は、頭部５１が拡径され、この頭部５１が半導体ウェーハＷを載置するためのウェーハ載置部２１の第二凹部２１２の底面に設けられた貫通孔２２のテーパ状側壁部にぶら下がるように設置されている。
【００３０】
リフトピン５による半導体ウェーハＷの着脱は、サセプタ２の昇降により行う。例えば、半導体ウェーハＷをサセプタ２から取り外す場合、サセプタ２を下降させ、リフトピン５の尾部を反応容器３の下側ドーム３２に当接させる。これによって付勢されたリフトピン５がその頭部５１において半導体ウェーハＷの裏面に突き当たり、半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１の上方に持ち上がる。この後、サセプタ２と半導体ウェーハＷとの間にハンドラ（図示せず）が挿入され、半導体ウェーハＷは、ハンドラに支えられて持ち上げられる。半導体ウェーハＷは、ハンドラに支えられた状態で搬送され、次の工程に供される。
【００３１】
サセプタ支持部３４は、石英等の透光性部材から構成され、図１に示すように、反応容器３の下側ドーム３２の略中央部分から反応容器３の内部に突出し、サセプタ２を水平状態で反応容器３の内部に支持する。そして、サセプタ支持部３４は、例えば、制御装置（図示せず）による制御のもと、回転軸Ｒを中心として回転自在、かつ回転軸Ｒの鉛直方向に昇降自在に構成されている。
【００３２】
加熱装置４は、反応容器３の上方側及び下方側にそれぞれ配設され、反応容器３の上側ドーム３１及び下側ドーム３２を介して、サセプタ２及びその上に設置された半導体ウェーハＷを放射熱により加熱し、半導体ウェーハＷを所定温度に設定するものである。この加熱装置４としては、例えば、ハロゲンランプや赤外ランプ等を採用できる。また、加熱装置４としては、放射熱により加熱するものの他、誘導加熱により半導体ウェーハＷを加熱する高周波加熱方式を採用してもよい。
【００３３】
［エピタキシャルウェーハの製造方法］
次に、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施態様について説明する。図３は、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施態様の工程を示す工程フロー図である。図４は、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜を形成させる前の半導体ウェーハＷを示す図で、（ａ）は底面図、（ｂ）は縦断面図である。図５は、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の全体に酸化膜Ｏｘを形成させた半導体ウェーハＷを示す図で、（ａ）は底面図、（ｂ）は縦断面図である。図６は、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の外周部分に酸化膜Ｏｘを形成させた半導体ウェーハＷを示す図で、（ａ）は底面図、（ｂ）は縦断面図である。
【００３４】
本実施態様のエピタキシャルウェーハの製造方法は、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜Ｏｘからなる親水部を形成させる酸化膜形成工程Ｓ１と、酸化膜形成工程Ｓ１の後、酸化膜Ｏｘの一部を半導体ウェーハＷと同心の円形状に除去して、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２が露出してなる疎水部Ｈｐを設けるエッチング工程Ｓ２と、エッチング工程Ｓ２の後、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２を下側にして、半導体ウェーハをウェーハ載置部２１の内部に存在する半導体ウェーハ支持部２１３に載置するウェーハ載置工程Ｓ３と、ウェーハ載置工程Ｓ３の後、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ４と、を備える。
【００３５】
本実施態様において使用される半導体ウェーハＷは、以下で説明する酸化膜形成工程Ｓ１の前に、シリコン単結晶インゴットを所定の厚さにスライシングして作製される。半導体ウェーハＷの直径は、例えば、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍ等である。スライシングした半導体ウェーハＷは、表面がエッチング処理され、その後、主表面Ｗ１及び裏面Ｗ２に鏡面加工が施される。その後、以下に述べるように、酸化膜形成工程Ｓ１、エッチング工程Ｓ２、ウェーハ載置工程Ｓ３及びエピタキシャル成長工程Ｓ４が施される。
【００３６】
＜酸化膜形成工程（Ｓ１）＞
まず本実施態様の酸化膜形成工程Ｓ１について説明する。酸化膜形成工程Ｓ１は、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の全面に酸化膜Ｏｘからなる親水部を形成させる工程である。具体的には、図４に示すような半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２を酸化作用のある薬液で処理することにより、図５に示すように半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の全体に酸化膜Ｏｘを形成させる工程である。
【００３７】
酸化膜Ｏｘは、バッチ式の洗浄装置や枚葉式の洗浄装置等を使用して、酸化作用のある薬液で処理することにより形成させる。酸化作用のある薬液（以下、単に「薬液」ともいう。）としては、半導体ウェーハＷの裏面に酸化膜Ｏｘを形成させることができれば特に限定されないが、例えば、純水にオゾンを含有させたオゾン水の他、ＳＣ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ）−１液、ＳＣ−２液、ＨＦ−ＨＮＯ３液、ＨＦ−Ｈ２Ｏ２液等、酸化作用のある各種洗浄液等が挙げられる。なお、ＳＣ−１液とは、ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５の容量比で混合されている混合液である。また、ＳＣ−２液とは、ＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５の容量比で混合されている混合液である。
【００３８】
酸化膜Ｏｘは、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に設けられるが、必要に応じて、主表面Ｗ１に設けてもよい。この場合、裏面Ｗ２及び主表面Ｗ１に対して同時に酸化膜Ｏｘを設けてもよいし、裏面Ｗ２及び主表面Ｗ１に対して別々に酸化膜Ｏｘを設けてもよい。
【００３９】
酸化膜形成工程Ｓ１を経ることにより、例えば半導体ウェーハＷがシリコンウェーハの場合、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２は、疎水性のシリコン（Ｓｉ）から、親水性の酸化シリコン（ＳｉＯ２）に変化する。このとき、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に対する水の接触角は、２０度以下であることが好ましく、１０度以下であることがより好ましい。半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に対する水の接触角が上限値以下であることにより、後に説明するエピタキシャル成長工程Ｓ４において、半導体ウェーハＷとサセプタ２とが固着するスティッキング現象が効果的に防止され、エピタキシャルウェーハＥＷの外周部の歪みを抑制することができる。なお、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に自然酸化膜等が存在することにより、酸化膜形成工程Ｓ１を行う前に、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に対する水の接触角が上記の値を示す場合には、酸化膜形成工程Ｓ１が既に実施されたものとみなして、次のエッチング工程Ｓ２へ進んでもよい。
【００４０】
なお、半導体ウェーハＷに酸化膜Ｏｘを設ける際、薬液の温度は、常温（室温）〜９０℃であることが好ましい。また、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に対する接触角は、薬液の濃度、処理時間、薬液の温度等を調整することによって適宜変更することができる。
【００４１】
＜エッチング工程（Ｓ２）＞
次に本実施態様のエッチング工程Ｓ２について説明する。エッチング工程Ｓ２は、酸化膜形成工程Ｓ１で半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に設けた酸化膜Ｏｘからなる親水部の一部を、図６に示すように、半導体ウェーハＷと同心の円形状に除去する工程である。エッチング工程Ｓ２を経ることにより、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に設けられた酸化膜Ｏｘからなる親水部は、半導体ウェーハＷの外周部分だけを残して除去される。
【００４２】
エッチング工程Ｓ２は、例えばバッチ式の洗浄装置を使用して、半導体の酸化物（例えばＳｉＯ２）に対して腐食性のあるエッチング液で半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２を処理することにより行われる。ここで使用されるバッチ式の洗浄装置は、半導体ウェーハＷを回転させる回転手段を備え、半導体ウェーハＷを回転させながら、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２側の中心付近に設けられた薬液吐出機構よりエッチング液を吐出させることができる。半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の中心付近に吐出されたエッチング液は、半導体ウェーハＷが回転するのに伴って、半導体ウェーハＷの中心部から半導体ウェーハＷの外周部に向かって、半導体ウェーハＷと同心の円を描くように広がりながら移動する。このような作用により、半導体ウェーハＷの内周側に存在する酸化膜Ｏｘからなる親水部が半導体ウェーハＷと同心の円形状に除去され、酸化膜Ｏｘの下層に存在する疎水性の半導体（例えばＳｉ）表面が露出する。
【００４３】
上述のように、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に設けられた酸化膜Ｏｘは、全面がエッチング液によって除去されるのではなく、半導体ウェーハＷの内周側部分のみがエッチング液により除去され、半導体ウェーハＷの外周側部分が残される。半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に設けられた酸化膜Ｏｘをこのように除去するには、バッチ式の洗浄装置における半導体ウェーハＷの回転数を、通常の洗浄工程における回転数よりも小さく設定すればよい。半導体ウェーハＷの回転数をどの程度に設定するかは、半導体ウェーハＷの外周部に残される酸化膜Ｏｘの大きさ、エッチング液の噴射量、エッチング液の粘度等によって変化するため、適宜条件に合わせて設定すればよい。半導体ウェーハＷの外周部にどの程度酸化膜Ｏｘを残すかについては、後述する。
【００４４】
半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に設けられた酸化膜Ｏｘを除去するためのエッチング液としては、半導体の酸化物（例えばＳｉＯ２）に対して腐食性のあるものであれば特に限定されない。このようなエッチング液としては、弗酸（ＨＦ）水溶液が例示される。エッチング液として使用される弗酸水溶液の濃度は、０．１〜１０．０質量％が好ましく、０．５〜５．０質量％がより好ましい。
【００４５】
既に述べたように、酸化膜Ｏｘからなる親水部が除去されると、酸化膜Ｏｘの下層に存在する疎水性の半導体（例えばＳｉ）が露出して疎水部Ｈｐを形成する。疎水部Ｈｐでは、水の接触角が酸化膜Ｏｘからなる親水部よりも大きくなるので、エッチング液により酸化膜Ｏｘがどの程度の深さまで除去されたのかは、水の半導体表面に対する接触角を測定することにより把握することができる。酸化膜Ｏｘが除去された後の半導体ウェーハ裏面Ｗ２の接触角としては、２０度を超えることが好ましく、３０度以上であることがより好ましい。接触角を上記の下限値以上とすることにより、サセプタ２に内蔵されたリフトピン５によるエピタキシャルウェーハＥＷの平坦度の低下が抑制される。
【００４６】
次に、酸化膜形成工程Ｓ１によって半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に設けられた酸化膜Ｏｘのうち、エッチング工程Ｓ２で除去する範囲について説明する。既に述べたように、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に設けられた酸化膜Ｏｘは、半導体ウェーハＷの外周部分を残して内周部分が除去される。
【００４７】
半導体ウェーハＷの内周部分の酸化膜Ｏｘを除去する理由は、ウェーハ載置部２１に半導体ウェーハＷが載置された際、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、ウェーハ載置部２１の第二凹部２１２に内蔵されたリフトピン５の上部にあたる箇所に酸化膜Ｏｘが存在すると、作製されたエピタキシャルウェーハＥＷにおいて当該箇所の平坦度が低下するためである。すなわち、酸化膜Ｏｘは、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２へのプロセスガスの流入によって局所的にエッチングされる可能性があり、このような作用により半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の平坦性の低下をもたらすおそれがある。このため、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に設けられた酸化膜Ｏｘのうち、リフトピン５の上部に位置する酸化膜Ｏｘを除去する必要がある。
【００４８】
リフトピン５と酸化膜Ｏｘとの位置関係について図２及び図７を使用して説明する。図７は、サセプタ２に半導体ウェーハＷが載置された状態を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図である。
【００４９】
リフトピン５は、ウェーハ載置部２１の第二凹部２１２に、サセプタ２の中心から同一半径をなすように複数本（本実施態様の装置では３本）設けられる。したがって、複数本のリフトピン５は、第二凹部２１２の底面にサセプタ２と同心の仮想的なリフトピン設置円周ＬＣを描くように設けられることになる。また、リフトピン５は、第二凹部２１２に設けられた貫通孔２２に昇降可能に挿通されている。すなわち、第二凹部２１２の底面には、半導体ウェーハＷを昇降させるリフトピン５を挿通させる貫通孔２２がウェーハ載置部２１と同心であるリフトピン設置円周ＬＣの上に複数設けられることになる。
【００５０】
このとき、リフトピン設置円周ＬＣの直径は、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に設けられた疎水部Ｈｐの直径よりも小さい。したがって、リフトピン５の上部にあたる箇所には、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に設けられた疎水部Ｈｐが存在する。このため、リフトピン５の上部に当たる箇所に酸化膜Ｏｘが存在することに伴うエピタキシャルウェーハＥＷの平坦度の低下が抑制される。
【００５１】
ここで、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の外周部に残される酸化膜Ｏｘは、親水性を有する親水部でもある。本実施態様において、酸化膜Ｏｘからなる親水部は、サセプタ２と半導体ウェーハＷとの間のスティッキングを防止するため、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の外周部に十分な領域をもって設けられる。具体的には、酸化膜Ｏｘからなる親水部が、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、少なくともウェーハ載置部２１の内部に存在する半導体ウェーハ支持部２１３と接する箇所に設けられることが好ましい。
【００５２】
半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、酸化膜Ｏｘからなる親水部が残される領域は、具体的には、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、半導体ウェーハＷの外周縁より５ｍｍ内周側に位置する半導体ウェーハＷと同心の円周と、半導体ウェーハＷの外周縁との間の領域であることが好ましい。具体的には、図６において示される距離ｄが５ｍｍとなる領域に酸化膜Ｏｘからなる親水部が残されることが好ましい。
【００５３】
さらに具体的に説明するために、半導体ウェーハＷの直径が３００ｍｍ（半径１５０ｍｍ）である場合を例にとって説明する。この場合、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、頭部５１が約１２ｍｍに膨出したリフトピン５の中心部は、半径１１４ｍｍ付近に位置する。すなわち、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、リフトピン５の上部にあたる箇所は、半導体ウェーハＷの中心から１０８〜１２０ｍｍの領域になる。したがって、半導体ウェーハＷの中心から半径１２０ｍｍの領域には、少なくとも酸化膜Ｏｘが除去された疎水部Ｈｐが設けられる。そして、半導体ウェーハＷとサセプタ２とのスティッキングを防止するために、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、半導体ウェーハＷの中心から１４５〜１５０ｍｍの領域に酸化膜Ｏｘからなる親水部が設けられる。残りの領域である、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、半導体ウェーハＷの中心から１２０〜１４５ｍｍの領域は、酸化膜Ｏｘからなる親水部であっても疎水部Ｈｐであってもよい。
【００５４】
＜ウェーハ載置工程（Ｓ３）＞
次に本実施態様のウェーハ載置工程Ｓ３について説明する。ウェーハ載置工程Ｓ３は、エッチング工程Ｓ２の後に行われる。この工程では、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２を下側にして半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１に載置する。このとき、既に述べたように、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の外周部に設けられた酸化膜Ｏｘがウェーハ支持部２１３に接触するように、半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１に載置する。
【００５５】
半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１に載置する方法は、特に限定されず、公知の種々の方法で半導体ウェーハＷを載置させることができる。
【００５６】
＜エピタキシャル成長工程（Ｓ４）＞
エピタキシャル成長工程Ｓ４は、ウェーハ載置工程Ｓ３の後に行う。エピタキシャル成長は、反応ガスを反応ガス供給管３３１から反応容器３の内側へ導入し、１０００〜１２００℃の高温に熱せられた半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１に、反応ガスの熱分解又は還元によって生成された、例えばシリコン（Ｓｉ）を０．５〜６．０μｍ／分で成長させることにより行われる。反応ガスは、例えばＳｉソースであるＳｉＨＣｌ３を水素ガスに混合させることにより調製される。反応ガスには、必要に応じてドーパントガスが添加される。
【００５７】
これにより、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１にエピタキシャル層ＥＰが成長し、エピタキシャルウェーハＥＷが得られる。
【００５８】
エピタキシャル成長工程Ｓ４の後、エピタキシャルウェーハＥＷの裏面Ｗ２の外周部に酸化膜Ｏｘが形成されたままで次工程を行う。または、エピタキシャル成長工程Ｓ４の後、エピタキシャルウェーハＥＷの裏面Ｗ２の酸化膜ＯｘをＨＦ溶液、ＢＨＦ溶液、ＤＨＦ溶液等を用いて洗浄し、酸化膜Ｏｘを除去してもよい。これにより、酸化膜Ｏｘを有していないエピタキシャルウェーハＥＷが作製される。
【００５９】
本実施態様のエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、以下の効果が奏される。
【００６０】
本実施態様のエピタキシャルウェーハの製造方法は、上面に半導体ウェーハＷを載置する略円形で凹状のウェーハ載置部２１を有するとともに、底面に半導体ウェーハＷを昇降させるリフトピン５を挿通させる貫通孔２２をウェーハ載置部２１と同心であるリフトピン設置円周ＬＣの上に複数有するサセプタ２を備えた気相成長装置１を用い、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜Ｏｘからなる親水部を形成させる酸化膜形成工程Ｓ１と、酸化膜形成工程Ｓ１の後、酸化膜Ｏｘの一部を半導体ウェーハＷと同心の円形状に除去して、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２が露出してなる疎水部Ｈｐを設けるエッチング工程Ｓ２と、エッチング工程Ｓ２の後、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２を下側にして、半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１に載置するウェーハ載置工程Ｓ３と、ウェーハ載置工程Ｓ３の後、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１にエピタキシャル層ＥＰを成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ４と、を備え、リフトピン設置円周ＬＣの直径は、疎水部Ｈｐの直径よりも小さい。
【００６１】
そのため、半導体ウェーハＷの外周部分に酸化膜Ｏｘが存在し、エピタキシャル成長工程Ｓ４における半導体ウェーハＷとサセプタ２との間のスティッキングが防止される。したがって、スティッキングが存在することに伴う半導体ウェーハＷとサセプタ２との間の熱膨張率の違いを原因とする半導体ウェーハＷの歪みが防止される。また、ウェーハ載置部２１に内蔵されたリフトピン５の上部に、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に設けられた酸化膜Ｏｘは存在しないので、作製されたエピタキシャルウェーハＥＷの平坦性が良好に維持される。
【００６２】
また、本実施態様のエピタキシャルウェーハの製造方法は、酸化膜Ｏｘからなる親水部が半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、少なくともウェーハ載置部２１と接する箇所に設けられる。
【００６３】
そのため、半導体ウェーハＷは、常に酸化膜Ｏｘからなる親水部でサセプタ２と接することになるので、半導体ウェーハＷとサセプタ２との間のスティッキングが防止される。したがって、スティッキングが存在することに伴う半導体ウェーハＷとサセプタ２との間の熱膨張率の違いを原因とする半導体ウェーハＷの歪みが防止される。
【００６４】
以上、本発明の実施態様について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、以上の実施態様に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内において、適宜変更を加えて実施することができる。
【００６５】
例えば、サセプタ２のウェーハ載置部２１は、第二凹部２１２を有していなくてもよい。すなわち、ウェーハ載置部２１は、１段の凹部でもよい。この場合、当該凹部の底面にリフトピン及びリフトピンを挿通するための貫通孔が設けられることになる。
【００６６】
また、上記実施態様は、半導体の例としてシリコンを用いて説明したが、本発明で使用される半導体は、シリコンに制限されない。
【実施例】
【００６７】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６８】
［実施例１］
両面が研磨された直径３００ｍｍでｐ型のシリコンウェーハを枚葉式の洗浄機に設置し、酸化膜形成工程として、そのシリコンウェーハを１０００ｒｐｍで回転させながら主表面及び裏面にオゾン水溶液（濃度２０ｐｐｍ）を流量１ＳＬＭで１分間噴射させることにより、シリコンウェーハの主表面及び裏面に酸化膜を形成させた。次に、エッチング工程として、シリコンウェーハの回転数を１０ｒｐｍとし、裏面に弗酸水溶液（濃度１質量％）を流量１ＳＬＭで１分間噴射して、シリコンウェーハの裏面に形成させた酸化膜を、シリコンウェーハの外周部分を残して除去した。その後、シリコンウェーハの主表面及び裏面に純水を噴射して洗浄した。なお、オゾン水溶液及び弗酸水溶液の噴出ノズルは、シリコンウェーハの略中心部に設置されており、これらのノズルとシリコンウェーハの裏面との間の距離は、５ｍｍである。
【００６９】
上記処理により、シリコンウェーハの裏面の酸化膜は、シリコンウェーハの中心から１２５〜１５０ｍｍの領域（すなわち、シリコンウェーハの外周２５ｍｍの領域）を残して除去された。酸化膜が残された箇所の水の接触角は１０度以下（中心から１４８ｍｍ）であり、酸化膜が除去された箇所の水の接触角は４０度（中心から１１４ｍｍであり、サセプタ上のリフトピンが存在する箇所）であった。
【００７０】
上記処理により得られたシリコンウェーハを、裏面が下側になるように、エピタキシャル成長装置に設けられたサセプタのウェーハ載置部に載置して、シリコンウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させた。エピタキシャル成長用の反応ガスは、ＳｉＨＣｌ３と水素ガスとを混合したガスに、ｐ型ドーパントとしてＢ２Ｈ６を添加したものを使用し、反応ガス供給管から反応容器の内部に導入した。シリコンウェーハを１１３０℃に熱し、エピタキシャル層を反応速度２．５μｍ／ｍｉｎで、３μｍの厚さに成長させた。
【００７１】
得られたエピタキシャルウェーハの裏面の外周部歪みをＳＩＲＤ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  ＩｎｆｒａＲｅｄ  Ｄｅｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）（テプラ社製ＳＩＲＤ  Ａ３００）を用いて測定したところ、外周部歪みが存在しないことが確認された。
【００７２】
また、得られたエピタキシャルウェーハの平坦性をＷａｆｅｒＳｉｇｈｔ（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて測定したところ、良好な平坦性を有することが確認され、リフトピンが存在することに伴う平坦性の低下現象が防止されたことを確認した。
【００７３】
［実施例２］
エッチング工程の条件を、シリコンウェーハの回転数を３０ｒｐｍ、弗酸水溶液の噴射時間を１分間としたこと以外は、実施例１と同じ条件にて酸化膜形成工程及びエッチング工程を行った。
【００７４】
上記処理により、シリコンウェーハの裏面の酸化膜は、シリコンウェーハの中心から１４５〜１５０ｍｍの領域（すなわち、シリコンウェーハの外周５ｍｍの領域）を残して除去された。酸化膜が残された箇所（中心から１４８ｍｍ）の水の接触角は１０度以下であり、酸化膜が除去された箇所（中心から１１４ｍｍであり、サセプタ上のリフトピンが存在する箇所）の水の接触角は４０度であった。
【００７５】
上記処理により得られたシリコンウェーハを、実施例１と同じ条件によりエピタキシャル成長させ、外周部歪み及び平坦性の評価を行った。その結果、実施例１と同様に、得られたエピタキシャルウェーハの裏面の外周部歪み及び平坦性は良好だった。
【００７６】
［比較例１］
エッチング工程の条件を、シリコンウェーハの回転数を５０ｒｐｍ、弗酸水溶液の噴射時間を１０分間としたこと以外は、実施例１と同じ条件にて酸化膜形成工程及びエッチング工程を行った。
【００７７】
上記処理により、シリコンウェーハの裏面の水の接触角がシリコンウェーハの裏面全面に亘り４０度以上となり、シリコンウェーハの裏面の酸化膜は全て剥離されたことが確認された。
【００７８】
上記処理により得られたシリコンウェーハを、実施例１と同じ条件によりエピタキシャル成長させ、外周部歪み及び平坦性の評価を行った。その結果、得られたエピタキシャルウェーハの裏面の外周部歪みは不良であることが確認されたが、平坦性は良好だった。
【００７９】
［比較例２］
酸化膜形成工程を行った後、エッチング工程を行わなかったこと以外は、実施例１と同じ条件によりエピタキシャル成長させ、外周部及び平坦性の評価を行った。その結果、得られたエピタキシャルウェーハの裏面の外周部歪みは良好であったが、平坦性はリフトピンの存在箇所にて不良だった。
【００８０】
以上の結果、エピタキシャル成長を行う前に、シリコンウェーハの裏面の外周部だけに酸化膜を形成させる前処理を行うことにより、エピタキシャルウェーハの外周部歪みの発生防止と、リフトピンが存在する箇所における平坦性の低下の防止とが両立可能なことが示された。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施態様で使用される気相成長装置を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施態様で使用されるサセプタを示す図で、（ａ）はサセプタの平面図であり、（ｂ）はサセプタの縦断面図である。
【図３】本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施態様の工程を示す工程フロー図である。
【図４】半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜を形成させる前の半導体ウェーハＷを示す図で、（ａ）は底面図、（ｂ）は縦断面図である。
【図５】半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の全体に酸化膜Ｏｘを形成させた半導体ウェーハＷを示す図で、（ａ）は底面図、（ｂ）は縦断面図である。
【図６】半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の外周部分に酸化膜Ｏｘを形成させた半導体ウェーハＷを示す図で、（ａ）は底面図、（ｂ）は縦断面図である。
【図７】サセプタ２に半導体ウェーハＷが載置された状態を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１      気相成長装置
２      サセプタ
２１    ウェーハ載置部
２１１  第一凹部
２１２  第二凹部
２１３  ウェーハ支持部
２２    貫通孔
３      反応容器
５      リフトピン
ＥＰ    エピタキシャル層
ＥＷ    エピタキシャルウェーハ
Ｈｐ    疎水部
ＬＣ    リフトピン設置円周
Ｏｘ    酸化膜（親水部）
Ｓ１    酸化膜形成工程
Ｓ２    エッチング工程
Ｓ３    ウェーハ載置工程
Ｓ４    エピタキシャル成長工程
Ｗ      半導体ウェーハ
Ｗ１    主表面
Ｗ２    裏面
【図１】
2010153433.tif 000003
【図２】
2010153433.tif 000004
【図３】
2010153433.tif 000005
【図４】
2010153433.tif 000006
【図５】
2010153433.tif 000007
【図６】
2010153433.tif 000008
【図７】
2010153433.tif 000009