(57)【要約】【課題】  クロストークを防止する。【解決手段】画素回路（Ｐ１）は、第１電極（１３１）及び第２電極（１３２）からなる電気光学素子（１３）と、第１期間においてデータ電位が供給される第１データ線及び第１電極間に設けられる第１スイッチング素子（ＳＷ１０１）と、第２期間においてデータ電位が供給される第２データ線及び第２電極間に設けられる第２スイッチング素子（ＳＷ１０２）と、第１・第２スイッチング素子がオフ状態である場合において、前記第１又は第２データ線の電位の変動によって、前記第１電極が受ける電位変動の影響、及び、前記第２電極が受ける電位変動の影響、の双方を等しくするクロストーク防止手段とを備える。図中、当該手段は、第１〜第４コンデンサー（Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２）からなり、これらの容量値はすべて等しい。【選択図】図２
2010217483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、第２電極、並びに前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質を有する電気光学素子と、
第１データ線と前記第１電極との間に設けられる第１スイッチング素子と、
第２データ線と前記第２電極との間に設けられる第２スイッチング素子と、
前記第１電極、前記第１データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第１容量要素と、
前記第１電極、前記第２データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第２容量要素と、
前記第２電極、前記第１データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第３容量要素と、
前記第２電極、前記第２データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第４容量要素と、
を含み、
前記第１容量要素の容量値は前記第３容量要素の容量値と略等しく、
前記第２容量要素の容量値は前記第４容量要素の容量値と略等しい、
ことを特徴とする画素回路。
【請求項２】
前記第１乃至第４容量要素それぞれの容量値はすべて略等しい、
ことを特徴とする請求項１に記載の画素回路。
【請求項３】
第１電極、第２電極、並びに前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質を有する電気光学素子と、
第１期間において表示すべき階調に応じたデータ電位が供給される第１データ線と、前記第１電極との間に設けられる第１スイッチング素子と、
第２期間において前記データ電位が供給される第２データ線と、前記第２電極との間に設けられる第２スイッチング素子と、
前記第１及び第２スイッチング素子がオフ状態である場合において、前記第１又は第２データ線の電位の変動によって、前記第１電極が受ける電位変動の影響、及び、前記第２電極が受ける電位変動の影響、の双方を略等しくするクロストーク防止手段と、
を備えることを特徴とする画素回路。
【請求項４】
第１データ線と、第２データ線と、これら第１及び第２データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素回路と、を具備する電気光学装置であって、
前記画素回路は、
第１電極、第２電極、並びに前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質を有する電気光学素子と、
前記第１データ線と前記第１電極との間に設けられる第１スイッチング素子と、
前記第２データ線と前記第２電極との間に設けられる第２スイッチング素子と、
前記第１電極、前記第１データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第１容量要素と、
前記第１電極、前記第２データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第２容量要素と、
前記第２電極、前記第１データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第３容量要素と、
前記第２電極、前記第２データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第４容量要素と、
を有し、
前記第１容量要素の容量値は前記第３容量要素の容量値と略等しく、
前記第２容量要素の容量値は前記第４容量要素の容量値と略等しい、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
第１走査線と、第２走査線と、第１データ線と、第２データ線と、第１画素回路と、第２画素回路と、を具備する電気光学装置であって、
前記第１及び第２画素回路の各々は、
第１電極、第２電極、並びに前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質を有する電気光学素子と、
第１データ線と前記第１電極との間に設けられる第１スイッチング素子と、
第２データ線と前記第２電極との間に設けられる第２スイッチング素子と、
前記第１電極、前記第１データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第１容量要素と、
前記第１電極、前記第２データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第２容量要素と、
前記第２電極、前記第１データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第３容量要素と、
前記第２電極、前記第２データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第４容量要素と、
を備え、
前記第１画素回路の第１及び第２スイッチング素子は、前記第１走査線に供給される第１制御信号により制御され、
前記第２画素回路の第１及び第２スイッチング素子は、前記第２走査線に供給される第２制御信号により制御され、
一方の電極が前記第２走査線に接続され、他方の電極が前記第１電極に接続された第１保持容量と、
一方の電極が前記第２走査線に接続され、他方の電極が前記第２電極に接続された第２保持容量と、
前記第１保持容量の前記他方の電極と前記第１電極を接続する配線と、前記第１データ線との間に設けられた第５容量要素と、
前記第２保持容量の前記他方の電極と前記第２電極を接続する配線と、前記第２データ線との間に設けられた第６容量要素と、
を有し、
前記第１及び第５容量要素の容量値の和は、前記第３容量要素の容量値に略等しく、
前記第４及び第６容量要素の容量値の和は、前記第２容量要素の容量値に略等しい、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
前記第１及び第５容量要素の容量値の和、前記第３容量要素の容量値、前記第４及び第６容量要素の容量値の和、及び前記第２容量要素の容量値はすべて略等しい、
ことを特徴とする請求項５に記載の画素回路。
【請求項７】
複数の走査線と、
各々が第１及び第２データ線の組からなる、複数のデータ線と、
前記複数の走査線及び前記複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素回路と、
第１期間において、前記第１データ線に表示すべき階調に応じたデータ電位を供給し、第２期間において、前記第２データ線に前記データ電位を供給するデータ線駆動回路と、
を備え、
前記複数の画素回路の各々は、
第１電極、第２電極、並びに前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質を有する電気光学素子と、
前記第１データ線と前記第１電極との間に設けられる第１スイッチング素子と、
前記第２データ線と前記第２電極との間に設けられる第２スイッチング素子と、
前記第１及び第２スイッチング素子がオフ状態である場合において、前記第１又は第２データ線の電位の変動によって、前記第１電極が受ける電位変動の影響、及び、前記第２電極が受ける電位変動の影響、の双方を略等しくするクロストーク防止手段と、
を備える、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素回路、液晶等を含む電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学物質として液晶等を含む電気光学装置が提供されている。この電気光学装置では、液晶等に、画像データに応じた電位差を与えることで、その光透過率等の電気光学特性の変更が可能である。これを、当該液晶等を含む電気光学素子の複数の各々に個別的に適用すれば、画像の表示が可能となる。なお、前記電位差の液晶等への付与にあたっては、例えば、適当な形状、配置をもつ電極が利用される。
【０００３】
この電位差の液晶等への付与の仕方には様々な方法が提案されている。その中には、液晶等へ、一定の期間ごとに前とは逆極性の電位差を与える方法がある。これを実現するためには、例えば、２つの電極を用意するとともに、その双方の電極の各々に電気的に接続される２本のデータ線（それぞれ、前記画像データを供給する）を用意し、かつ、これら２組のデータ線及び電極間の導通・非導通を司る２つのスイッチング素子を設ける構成が知られている。これによると、ある期間において、一方のデータ線から一方の電極に対して画像データを供給するときは、他方の電極を接地電位等の基準電位に維持し、また、別の期間において、他方のデータ線から他方の電極に対して画像データを供給するときは、一方の電極を前記基準電位に維持する、等といった動作が行われる。これにより、液晶等へは交互に逆極性の電位差が与えられることになる。
このような電気光学装置としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０６５３０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述したような電気光学装置においては、いわゆるクロストークの問題がある。
すなわち、上述の電気光学装置においては、液晶素子等の電気光学素子をマトリクス状に配列することが行われているが、その場合、前記画像データの供給は、その配列中のある特定の電気光学素子（例えば、ある特定の行に位置する電気光学素子）ごとに行われるのが一般的である。この場合、供給されてきた画像データに（いわば）反応すべきは、当該特定の電気光学素子だけであるべきことが当然想定されている。
しかしながら、この際、当該特定の電気光学素子以外の電気光学素子が、当該画像データに意図に反して反応してしまうことがある。これは、前記データ線が通常、マトリクス状配列の各行を貫くように延在していること、また、そのデータ線と当該電気光学素子との間に意図に沿わない寄生容量が形成されること、等を主要因とする。これが、クロストークである。
【０００６】
このような現象は、当然、画質に影響を与える。
特に、上述したような構成、即ち、それぞれ２つずつの電極、データ線及びスイッチング素子を備える電気光学装置においては、各データ線が時宜に応じていわば交互に利用されるようなかたちとなること（ここで「利用」とは、現に画像データ供給用の配線として機能することを意味する）、また、各データ線と各電極との配置関係の設定如何、等々の要因が、前記主要因に重畳すること等によって、問題をより複雑にするおそれがある。
【０００７】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
また、本発明は、かかる態様の電気光学装置、あるいは電子機器に関連する課題を解決可能な、電気光学装置、あるいは電子機器を提供することをも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）  本発明に係る画素回路は、上述した課題を解決するため、第１電極、第２電極、並びに前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質を有する電気光学素子と、第１データ線と前記第１電極との間に設けられる第１スイッチング素子と、第２データ線と前記第２電極との間に設けられる第２スイッチング素子と、前記第１電極、前記第１データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第１容量要素と、前記第１電極、前記第２データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第２容量要素と、前記第２電極、前記第１データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第３容量要素と、前記第２電極、前記第２データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第４容量要素と、を含み、前記第１容量要素の容量値は前記第３容量要素の容量値と略等しく、前記第２容量要素の容量値は前記第４容量要素の容量値と略等しい。
【０００９】
本発明によれば、例えば、第１期間においては、第１電極がデータ電位、第２電極が基準電位となり、第２期間においては、その逆に、第１電極が基準電位、第２電極がデータ電位となることが可能である。これを連続させれば、液晶等の電気光学物質に、交互に逆極性の電位差が与えられる。このような構成によると、まず、スイッチング素子が２つ備えられていることから、その制御信号のＯＮ・ＯＦＦ間の遷移に応じたフィードスルー（電気光学素子に印加される電圧の変化）の影響が第１及び第２電極に関してちょうど相殺されるかのようになることによるフリッカ低減効果、あるいは、電気光学素子に印加すべき電位差は原理的には１種だけ準備すればよいことによる消費電力低減効果等々の各種効果が享受される。
そして、本発明では特に、第１データ線からみて、第１及び第２電極双方に関する容量要素の容量値が揃えられることになるから、当該第１データ線の電位変動の影響は、原理的には、これら第１及び第２電極に等しく及ぶ。第２データ線についても同様である。
したがって、本発明によれば、「画素回路」が複数存在するような場合において、他の画素回路にデータ電位を供給しているにもかかわらず、第１及び第２スイッチング素子がオフ状態にある画素回路に含まれる第１及び第２電極が意図しない挙動を示すことが未然に防止される。
【００１０】
なお、本発明において、「構成される」とあるのは、例えば、「第１容量要素」が、第１電極、第１データ線及びこれらに挟まれた空間からなる“寄生容量”である場合を含むほか、場合によっては、「第１容量要素」がいわば意図的に形成されるような場合をも含む。後者には、例えば、第１電極に電気的に接続された電極と、これに対向する、第１データ線に電気的に接続された電極とを設ける場合等が含まれる。同じことは、「第２容量要素」から「第４容量要素」、並びに後に登場する「第５容量要素」及び「第６容量要素」に関して使用される「構成される」という用語についても同様にいえる。
また、本発明において「略等し」いというのは、例えば、第１及び第３容量要素の容量値が厳密に一致している場合を含むほか、若干の差がある場合をも含む。この差は、例えば製造上許容される誤差範囲、あるいは、製造後の測定上の誤差範囲に起因して生じるものが含まれる。なお、この場合、許容される差の限界を画するにあたって重要な事項の１つは、“第１及び第２電極が受ける影響の双方”を等しくするという観点である。以上と同じことは、後に登場する「略等しく」あるいは「略等しい」という用語についても同様にいえる。
さらに、本発明にいう「電気光学素子」の具体的な構造や材料は基本的に自由に定められ得るが、例えば、既に言及した液晶素子のほか、場合によっては有機ＥＬ材料や無機ＥＬ材料からなる発光層を電極間に介在させた素子が本発明の「電気光学素子」として採用され得る。
【００１１】
（２）  この発明の画素回路では、前記第１乃至第４容量要素それぞれの容量値はすべて略等しい、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述した本発明に係る効果が更に実効的に奏される。
【００１２】
（３）  本発明の他の観点に係る画素回路は、上述した課題を解決するため、第１電極、第２電極、並びに前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質を有する電気光学素子と、第１期間において表示すべき階調に応じたデータ電位が供給される第１データ線と、前記第１電極との間に設けられる第１スイッチング素子と、第２期間において前記データ電位が供給される第２データ線と、前記第２電極との間に設けられる第２スイッチング素子と、前記第１及び第２スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を指令する制御信号を、これら第１及び第２スイッチング素子に供給する走査線と、前記第１及び第２スイッチング素子がオフ状態である場合において、前記第１又は第２データ線の電位の変動によって、前記第１電極が受ける電位変動の影響、及び、前記第２電極が受ける電位変動の影響、の双方を略等しくするクロストーク防止手段と、を備える。
【００１３】
本発明によれば、上述したようなクロストーク防止手段が備えられているので、前記不具合の発生は未然に回避される。すなわち、本発明によれば、「画素回路」が複数存在するような場合において、他の画素回路にデータ電位を供給しているにもかかわらず、第１及び第２スイッチング素子がオフ状態にある画素回路に含まれる第１及び第２電極が意図しない挙動を示すことが未然に防止される。
なお、念のため、本発明において、「双方」とあるのは、〔Ｉ〕「第１…データ線の電位の変動によって、…第１電極が受ける電位変動の影響」及び「第１…データ線の電位の変動によって、……第２電極が受ける電位変動の影響」の双方を指し、あるいは、〔ＩＩ〕「…第２データ線の電位の変動によって、…第１電極が受ける電位変動の影響」及び「…第２データ線の電位の変動によって、……第２電極が受ける電位変動の影響」の双方を指す。つまり、前記〔Ｉ〕〔ＩＩ〕の少なくとも一方について、「略等しく」という条件が満たされる以上は、本発明の範囲内にある。
【００１４】
（４）  一方、本発明に係る電気光学装置は、上述した課題を解決するため、第１データ線と、第２データ線と、これら第１及び第２データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素回路と、を具備する電気光学装置であって、前記画素回路は、第１電極、第２電極、並びに前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質を有する電気光学素子と、前記第１データ線と前記第１電極との間に設けられる第１スイッチング素子と、前記第２データ線と前記第２電極との間に設けられる第２スイッチング素子と、前記第１電極、前記第１データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第１容量要素と、前記第１電極、前記第２データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第２容量要素と、前記第２電極、前記第１データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第３容量要素と、前記第２電極、前記第２データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第４容量要素と、を有し、前記第１容量要素の容量値は前記第３容量要素の容量値と略等しく、前記第２容量要素の容量値は前記第４容量要素の容量値と略等しい。
【００１５】
本発明によれば、上述した本発明に係る「画素回路」を実質的に含んでなるので、上述したのと同様、他の画素回路にデータ電位を供給しているにもかかわらず、第１及び第２スイッチング素子がオフ状態にある画素回路に含まれる第１及び第２電極が意図しない挙動を示すことが未然に防止される。すなわち、クロストークあるいはそれに起因する不具合の発生が未然に防止される。
【００１６】
（５）  また、本発明の他の観点に係る電気光学装置は、上述した課題を解決するため、第１走査線と、第２走査線と、第１データ線と、第２データ線と、第１画素回路と、第２画素回路と、を具備する電気光学装置であって、前記第１及び第２画素回路の各々は、第１電極、第２電極、並びに前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質を有する電気光学素子と、第１データ線と前記第１電極との間に設けられる第１スイッチング素子と、第２データ線と前記第２電極との間に設けられる第２スイッチング素子と、前記第１電極、前記第１データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第１容量要素と、前記第１電極、前記第２データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第２容量要素と、前記第２電極、前記第１データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第３容量要素と、前記第２電極、前記第２データ線、及びこれら両者間の空間から構成される第４容量要素と、を備え、前記第１画素回路の第１及び第２スイッチング素子は、前記第１走査線に供給される第１制御信号により制御され、前記第２画素回路の第１及び第２スイッチング素子は、前記第２走査線に供給される第２制御信号により制御され、一方の電極が前記第２走査線に接続され、他方の電極が前記第１電極に接続された第１保持容量と、一方の電極が前記第２走査線に接続され、他方の電極が前記第２電極に接続された第２保持容量と、前記第１保持容量の前記他方の電極と前記第１電極を接続する配線と、前記第１データ線との間に設けられた第５容量要素と、前記第２保持容量の前記他方の電極と前記第２電極を接続する配線と、前記第２データ線との間に設けられた第６容量要素と、を有し、前記第１及び第５容量要素の容量値の和は、前記第３容量要素の容量値に略等しく、前記第４及び第６容量要素の容量値の和は、前記第２容量要素の容量値に略等しい。
【００１７】
本発明によれば、まず、第１及び第２保持容量が備えられているので、電気光学素子への電圧印加がより安定的に行われ得る。
そして、本態様では特に、第１保持容量と第１電極とを結ぶ配線と、第１データ線とから構成される第５容量要素に着目し、その容量値と前記第１容量要素の容量値の和と、第３容量要素の容量値とが等しくされる。したがって、本態様によっても、上述した本発明に係る効果が同様に奏されることになる。以上のことは、第２保持容量と第２電極とを結ぶ配線、及び、この第２配線と第２データ線とから構成される第６容量要素についても同様にあてはまる。
【００１８】
（６）  この発明の電気光学装置では、前記第１及び第５容量要素の容量値の和、前記第３容量要素の容量値、前記第４及び第６容量要素の容量値の和、及び前記第２容量要素の容量値はすべて略等しい、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述した本発明に係る効果が更に実効的に奏される。
【００１９】
（７）  本発明の更に別の観点に係る電気光学装置は、上述した課題を解決するため、複数の走査線と、各々が第１及び第２データ線の組からなる、複数のデータ線と、前記複数の走査線及び前記複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素回路と、第１期間において、前記第１データ線に表示すべき階調に応じたデータ電位を供給し、第２期間において、前記第２データ線に前記データ電位を供給するデータ線駆動回路と、を備え、前記複数の画素回路の各々は、第１電極、第２電極、並びに前記第１及び第２電極間の印加電圧に応じて光学特性が変化する電気光学物質を有する電気光学素子と、前記第１データ線と前記第１電極との間に設けられる第１スイッチング素子と、前記第２データ線と前記第２電極との間に設けられる第２スイッチング素子と、前記第１及び第２スイッチング素子がオフ状態である場合において、前記第１又は第２データ線の電位の変動によって、前記第１電極が受ける電位変動の影響、及び、前記第２電極が受ける電位変動の影響、の双方を略等しくするクロストーク防止手段と、を備える。
【００２０】
本発明によれば、上述した本発明の他の観点に係る「画素回路」を実質的に含んでなるので、上述したのと同様、他の画素回路にデータ電位を供給しているにもかかわらず、第１及び第２スイッチング素子がオフ状態にある画素回路に含まれる第１及び第２電極が意図しない挙動を示すことが未然に防止される。すなわち、クロストークあるいはそれに起因する不具合の発生が未然に防止される。
【００２１】
（８）  加えて、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種態様の電気光学装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を備えてなるので、クロストークに起因する不具合の発生が未然に防止されること等によって、より高品質な画像を表示することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態に係る電気光学装置を示すブロック図である。
【図２】図１の電気光学装置を構成する画素回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図２と同趣旨の図であり、同図とは異なる態様の画素回路の詳細を示す回路図である。
【図４】本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図５】本発明に係る電気光学装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。
【図６】本発明に係る電気光学装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下では、本発明に係る実施の形態について図１及び図２を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１及び図２に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
【００２４】
本発明の実施形態に係る電気光学装置は、電気光学材料として液晶を用いる。電気光学装置１は、主要部として液晶パネルＡＡ（電気光学パネルの一例）を備える。液晶パネルＡＡは、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor;「ＴＦＴ」）を形成した素子基板と対向基板とを互いに対向させ、かつ一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶を挟持している。
【００２５】
図１は本実施形態に係る電気光学装置１の全体構成を示すブロック図である。この電気光学装置１は、液晶パネルＡＡ、制御回路３００、及び画像処理回路４００を備える。この液晶パネルＡＡは透過型であるが、半透過型であってもよいしあるいは反射型であってもよい。
液晶パネルＡＡは、その素子基板上に画像表示領域Ａ、走査線駆動回路１００、及びデータ線駆動回路２００を備える。制御回路３００は、Ｘ転送開始パルスＤＸ及びＸクロック信号ＸＣＫを生成してデータ線駆動回路２００に供給するとともに、Ｙ転送開始パルスＤＹ及びＹクロック信号ＹＣＫを生成して走査線駆動回路１００に供給する。
画像表示領域Ａには、複数の画素回路Ｐ１がマトリクス状に形成されており、画素回路Ｐ１ごとに透過率を制御することができる。バックライト（図示略）からの光は、画素回路Ｐ１を介して射出される。これによって、光変調による階調表示が可能となる。また、画像処理回路４００は入力画像データＤｉｎに画像処理を施して出力画像データＤｏｕｔを生成し、これをデータ線駆動回路２００に出力する。
【００２６】
次に、画像表示領域Ａについて説明する。画像表示領域Ａには、ｍ（ｍは２以上の自然数）本の走査線３が、Ｘ方向に沿って平行に配列して形成される一方、ｎ（ｎは２以上の自然数）組の第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂが、Ｙ方向に沿って平行に配列して形成されている。くわえて、基準電位ＧＮＤを供給する電位線（図１において不図示。ただし、図２の符号３０参照）がＸ方向に沿って平行に配列して形成される。そして、走査線３と第１データ線６ａ及び第２データ線６ｂとの交差に対応して、ｍ（行）×ｎ（列）個の画素回路Ｐ１が配置される。
【００２７】
ｎ本の第１データ線６ａには第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａが各々供給され、ｎ本の第２データ線６ｂには第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂが各々供給される。また、各走査線３には、走査信号Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍが、パルス的に線順次で印加される。ｉ（ｉは１≦ｉ≦ｍの自然数）行、ｊ（ｊは１≦ｊ≦ｎの自然数）列の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）は、ｉ行の走査線３の走査信号Ｙｉがアクティブになると、第１データ線６ａを介して供給される第１電位Ｘｊａ及び第２データ線６ｂを介して供給される第２電位Ｘｊｂを取り込む。
【００２８】
図２にｉ行ｊ列の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）の回路図を示す。なお、他の画素回路Ｐ１も同様に構成されている。この図に示すように画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）は、導電型がｎチャネルの第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２、第１保持容量Ｃｓｔｇ１、第２保持容量Ｃｓｔｇ２、第３保持容量Ｃｓｔｇ３、並びに電気光学素子１３等を備える。
【００２９】
電気光学素子１３は、第１電極１３１と第２電極１３２の間に電気光学物質を挟持して構成される。電気光学物質は、印加電圧に応じて光学特性が変化するものであればいかなるものであってもよいが、この例では、液晶ＬＣを用いる。
電気光学素子１３の第１電極１３１は第１ノードＺａに接続される一方、その第２電極１３２が第２ノードＺｂに接続される。また、第１ノードＺａと電位線３０との間には第１保持容量Ｃｓｔｇ１が設けられ、第２ノードＺｂと電位線３０との間には第２保持容量Ｃｓｔｇ２が設けられる。
さらに、電気光学素子１３と並列に第３保持容量Ｃｓｔｇ３が設けられる。
ここで、第１乃至第３保持容量Ｃｓｔｇ１、Ｃｓｔｇ２、及びＣｓｔｇ３の一部又は全部は、容量素子として形成してもよいし、あるいは、第１電極１３１と第２電極１３２との間に付随する寄生容量や第１ノードＺａ又は第２ノードＺｂと電位線３０との間に発生する寄生容量であってもよい。
【００３０】
第１トランジスターＳＷ１０１は、第１ノードＺａと第１データ線６ａとの間に設けられており、第２トランジスターＳＷ１０２は、第２ノードＺｂと第２データ線６ｂとの間に設けられている。
これら第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２のゲートは走査線３と接続される。走査信号Ｙｉがハイレベル（アクティブ）になると、第１トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２は共にオン状態となる。すると、第１電位Ｘｊａが電気光学素子１３の第１電極１３１に印加されるとともに第１保持容量Ｃｓｔｇ１によって保持される。また、第２電位Ｘｊｂが電気光学素子１３の第２電極１３２に印加されるとともに第２保持容量Ｃｓｔｇ２によって保持される。これによって、電気光学物質たる液晶ＬＣに電圧が印加され、透過率が制御される。
【００３１】
このような透過率制御を基本として、本実施形態に係る画素回路Ｐ１は特に、以下のように動作する（図２の下方参照）。
〔ｉ〕最初の期間では、走査線駆動回路１００は、走査線３にハイレベルの走査信号Ｙｉを供給することによって、第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２をともにオン状態とする。この際、データ線駆動回路２００は、第１データ線６ａに前記第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａとしてデータ電位Ｖｄａｔａを供給するとともに、第２データ線６ｂに前記第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂとして基準電位ＧＮＤを供給する。これによって、電気光学素子１３においては、その第１電極１３１がデータ電位Ｖｄａｔａ、第２電極１３２が基準電位ＧＮＤとなり、液晶ＬＣに所定の電位差が与えられる。
〔ｉｉ〕次の期間でも、走査線駆動回路１００に起因する第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２のオン状態への遷移は同様に行われる。ただ、この場合、前記の〔ｉ〕とは逆に、データ線駆動回路２００は、第１データ線６ａに前記第１電位Ｘ１ａ〜Ｘｎａとして基準電位ＧＮＤを供給するとともに、第２データ線６ｂに前記第２電位Ｘ１ｂ〜Ｘｎｂとしてデータ電位Ｖｄａｔａを供給する。これによって、電気光学素子１３においては、その第１電極１３１が基準電位ＧＮＤ、第２電極１３２がデータ電位Ｖｄａｔａとなり、液晶ＬＣに所定の電位差が与えられる。このように、仮に、データ電位Ｖｄａｔａと基準電位ＧＮＤとの差が前記〔ｉ〕の場合と同じであったとしても、少なくともその極性は反転することになる（もちろん当該差が同じでなくても、その極性は同様に反転する。）。
〔ｉｉｉ〕以後は、以上の〔ｉ〕〔ｉｉ〕の動作が繰り返し行われる（図２の下方参照）。
なお、以上の場合において、データ電位Ｖｄａｔａは、各画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）別に応じて、それぞれ固有の具体的な値を持ちうることは言うまでもない。その具体的な値は、主に入力画像データＤｉｎの値如何による。
【００３２】
このような画素回路Ｐ１は、上述した要素のほか、図２に示すように、第１電極１３１及び第２電極１３２に関して、第１〜第４コンデンサーＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２をもつ。
第１コンデンサーＣ１１は、第１電極１３１と第１データ線６ａとの間に構成される容量要素であり、第２コンデンサーＣ１２は、第１電極１３１と第２データ線６ｂとの間に構成される容量要素である。
他方、第３コンデンサーＣ２１は、第２電極１３２と第１データ線６ａとの間に構成される容量要素であり、第４コンデンサーＣ２２は、第２電極１３２と第２データ線６ｂとの間に構成される容量要素である。
これら第１〜第４コンデンサーＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の一部又は全部は、容量素子として形成してもよいし、あるいは、第１電極１３１及び第１データ線６ａ等の形成によって自ずと付随する寄生容量であってもよい。
なお、これら第１〜第４コンデンサーＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２は、本発明にいう「クロストーク防止手段」の一具体例に該当する。
【００３３】
これら第１〜第４コンデンサーＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２に関しては、そのそれぞれの容量値γ１，γ２，γ３，γ４について以下の条件が満たされる。
γ１＝γ３  ……  （１）
γ２＝γ４  ……  （２）
前者は、第１データ線６ａとの関係において、第１及び第２電極１３１及び１３２との間それぞれで形成される容量要素の容量値の一致を図り、後者は、第２データ線６ｂとの関係において、第１及び第２電極１３１及び１３２との間それぞれで形成される容量要素の容量値の一致を図ることを意味している。
【００３４】
以上に述べたような電気光学装置１ないし画素回路Ｐ１によれば、クロストークの発生、あるいはそれによってもたらされる悪影響が実効的に抑制される。
すなわち、本実施形態の電気光学装置１を構成する全画素回路Ｐ１（図１参照）は、上述のように、走査線３が線順次に選択されていく過程を通じて駆動されるが、この場合、本来であれば、選択の対象となっている画素回路Ｐ１以外の画素回路Ｐ１は、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂを介して供給されてくるデータ信号Ｖｄａｔａに反応してはならない。しかしながら、図２に示したような、第１〜第４コンデンサーＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２は、第１又は第２データ線６ａ又は６ｂの電位変動を、第１又は第２電極１３１又は１３２の電位変動にいわば中継してしまうおそれがある。これは、同図に示す第１及び第２トランジスターＳＷ１０１及びＳＷ１０２がオフ状態にあったとしても同様である。そしてこの際、これら第１〜第４コンデンサーＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各容量値は一般にバラバラであることが考えられるから、第１電極１３１及び第２電極１３２の電位（さらには、液晶ＬＣへの印加電圧）は、意図しない変動をこうむるおそれがある。特に、図２に示すような第１及び第２電極１３２を回路基板上に実際上配置する上では、これら双方と第１データ線６ａとの物理的距離、あるいは第２データ線６ｂとの物理的距離等について相違がほぼ必然的に生じる可能性が高いから、上述した懸念はより一層強まる。
しかしながら、本実施形態においては、これら第１〜第４コンデンサーＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の容量値γ１，γ２，γ３，γ４に関して、前述した（１）式及び（２）式が成立することから、以上に述べたような懸念は殆ど払拭される。すなわち、仮に第１データ線６ａの電位変動が第１及び第２電極１３１及び１３２に影響を及ぼすとしても、γ１＝γ３が成立することから、両者間に当該影響の差異は生じないのである。第２データ線６ｂとの関係においても同様である。
このように、本実施形態によれば、クロストークの発生、あるいはそれによってもたらされる悪影響が実効的に抑止されるようになっているのである。
【００３５】
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る電気光学装置ないし画素回路は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１）  上記実施形態においては、前述した（１）式及び（２）式がともに成立することについて言及しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、場合によっては、前記（１）式及び（２）式のいずれか一方のみが成立する場合でも、本発明はその範囲内に収める。現実の回路配置状況等によっては、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂの一方に起因するクロストークの発生について特に懸念する必要がないという場合も絶対にあり得ないではないから、そのような場合、無理に前記（１）式又は（２）式双方の成立を図る必要はない。
あるいは、これとは逆に、前記（１）式及び（２）式に加えて、γ３＝γ４の成立も要求する場合も、本発明の範囲内に含まれる。この場合、要するに、γ１＝γ２＝γ３＝γ４が成立することになるが、これによれば、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂどちらのデータ線によっても、第１及び第２電極１３１及び１３２に与えられる影響は同じになる。したがって、前述したクロストーク低減効果が更に実効的に奏されることとなることは言うまでもない。
【００３６】
（２）  これに関連して、上述のような、（１）式、（２）式、あるいはγ１＝γ２＝γ３＝γ４等々を成立させるためには、前記第１〜第４コンデンサーＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２に係る誘電率の調整等について考慮が払われてよい。例えば、前述の、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂ、第１電極１３１、並びに第２電極１３２が、相互の間に層間絶縁膜を挟みながら積層構造を形作る場合、第１及び第２データ線６ａ及び６ｂと第１電極１３１との間の層間絶縁膜の誘電率ε１、第１電極１３１と第２電極１３２との間の層間絶縁膜の誘電率ε２は、第１〜第４コンデンサーＣ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２が寄生容量である場合において、それら各々に係る誘電率がどうなるかに強く関わることになる。そして、これら２つの層間絶縁膜の誘電率ε１及びε２と、その厚さｄ１及びｄ２との関係を適当に調整することによって、容量値γ１及びγ２、並びに、容量値γ３及びγ４は調整可能である。
つまり、上述のような構造の場合においては、前記２つの層間絶縁膜の材料選択（即ち、誘電率ε１及びε２の設定）や、その成膜厚さの設定（即ち、厚さｄ１及びｄ２の設定）を通じて、（１）式、（２）式、あるいはγ１＝γ２＝γ３＝γ４等々を成立さることが可能である。
本発明にいう「クロストーク防止手段」には、このような層間絶縁膜の材料選択、成膜厚さ調整等の手法が行われることによって、第１及び第２電極が受ける電位変動の影響の双方が等しくされる場合が含まれる。
【００３７】
なお、上記実施形態における（１）式、（２）式、あるいはγ１＝γ２＝γ３＝γ４等々における等号は、厳密一致の場合を当然含むほか、若干の差がある場合をも含む。その差は、５％以内であることが望ましい。
【００３８】
（３）  上記実施形態においては、第１及び第２保持容量Ｃｓｔｇ１及びＣｓｔｇ２を設けるために、電位線３０が設けられる形態について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、図３に示すように、図２に示す第１及び第２保持容量Ｃｓｔｇ１及びＣｓｔｇ２相当の第１及び第２保持容量は、電位線３０に電気的に接続されるのではなく、前行に位置する画素回路Ｐ１に対応する走査線３に電気的に接続されてもよい（図中符号Ｃｓｔｇ１[ｉ]及びＣｓｔｇ２[ｉ]参照）。なお、図３においては、前行に位置する画素回路Ｐ１を表現するために記号[ｉ−１]が、その直後の行に位置する画素回路Ｐ１を表現するために記号[ｉ]が利用されている。
このような形態によれば、電位線３０を設ける必要がなくなるから、その分のコスト低減が可能となり、あるいは、その設置スペース分の画素開口率の向上等を図ることも可能となる、など様々な利点が得られる。
【００３９】
ただし、この場合において、第１及び第２保持容量Ｃｓｔｇ１[ｉ]及びＣｓｔｇ２[ｉ]を意図的に形成する容量素子として備える場合には、画素回路Ｐ１[ｉ]に含まれる電気光学素子１３[ｉ]の第１及び第２電極１３１[ｉ]及び１３２[ｉ]から、前行に位置する画素回路Ｐ１[ｉ−１]に対応する走査線３に至るまで、何らかの配線を引く必要が生じる。そして、そうすると、当該配線と第１及び第２データ線６ａ及び６ｂとの間には新たに、図３に示すように、第５及び第６コンデンサーＣ３１[ｉ]及びＣ３２[ｉ]が少なくとも寄生容量として発生することになる。この第５及び第６コンデンサーＣ３１[ｉ]及びＣ３２[ｉ]は、第１及び第２電極１３１[ｉ]及び１３２[ｉ]の電位変動をもたらす（即ち、クロストークをもたらす）新たな原因となり得る。
【００４０】
そこで、このような場合においては、前述した（１）式及び（２）式に代えて、第１〜第４コンデンサーＣ１１[ｉ]，Ｃ１２[ｉ]，Ｃ２１[ｉ]，Ｃ２２[ｉ]、並びに、第５及び第６コンデンサーＣ３１[ｉ]及びＣ３２[ｉ]（これらの容量値をそれぞれγ５，γ６とする。）に関して、以下の条件が満たされるようにするとよい。
γ１＋γ５＝γ３  ……  （３）
γ４＋γ６＝γ２  ……  （４）
これら（３）式及び（４）式の狙いは、前述の（１）式と（２）式と同様である。すなわち、（３）式は、第１データ線６ａとの関係において、第１及び第２電極１３１及び１３２との間の容量値の一致を図り、（４）式は、第２データ線６ｂとの関係において、第１及び第２電極１３１及び１３２との間の容量値の一致を図ることを意味している。
このような配慮を払っておけば、図３に示すような形態によっても、上記実施形態によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏されることになる。
なお、この場合においても、前記（１）に述べたのと同様、（３）式＝（４）式、即ち、γ１＋γ５＝γ３＝γ４＋γ６＝γ２が成立することが要求されてよい。
【００４１】
（４）  上記実施形態においては、画素回路Ｐ１の動作について、〔ｉ〕から〔ｉｉｉ〕までの段階に分けて説明を行ったが、これに関連して、データ電位Ｖｄａｔａ及び基準電位ＧＮＤの切替えの態様ないしタイミングには、様々なものが想定される。
例えば、データ電位Ｖｄａｔａと基準電位ＧＮＤとの切替えはフレーム単位で行われてよい。この場合には、図１に示す全画素回路Ｐ１が一通り駆動されるまでは、当該全画素回路Ｐ１に関し、例えば第１データ線６ａには常にデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには常に基準電位ＧＮＤが供給されるなどということになる（Ｖ反転方式）。
あるいは、当該切替えはデータ線ごと（列ごと）に行われてもよい。この場合には、あるフレーム期間中において、ある画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）に対応する第１データ線６ａにはデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには基準電位ＧＮＤが供給されるが、その隣の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ＋１）に対応する第１データ線６ａには基準電位ＧＮＤ、第２データ線６ｂにはデータ電位Ｖｄａｔａが供給されるなどということになる（Ｓ反転方式）。
あるいは更に、当該切替えは走査線ごと（行ごと）に行われてもよい。この場合には、あるフレーム期間中において、ある行に位置する画素回路Ｐ１（ｉ，１），…，Ｐ１（ｉ，ｎ）の複数を駆動する場合には第１データ線６ａにはデータ電位Ｖｄａｔａ、第２データ線６ｂには基準電位ＧＮＤが供給されるが、次の行に位置する画素回路Ｐ１（ｉ＋１，１），…，Ｐ１（ｉ＋１，ｎ）の複数を駆動する場合には第１データ線６ａには基準電位ＧＮＤ、第２データ線６ｂにはデータ電位Ｖｄａｔａが供給されるなどということになる（Ｈ反転方式）。
あるいは加えて、前記のＳ反転方式及びＨ反転方式を併用したドット反転方式が行われてもよい。
【００４２】
いずれにしても、このようなデータ電位Ｖｄａｔａ及び基準電位ＧＮＤの切替えの態様等は、ある特定の１個の画素回路Ｐ１に着目するとき、それ自身に対応する第１及び第２データ線６ａ及び６ｂ以外のデータ線の電位変動が、当該画素回路Ｐ１に含まれる第１及び第２電極１３１及び１３２に与える影響に相違をもたらす可能性がある。前述した各コンデンサー（Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２，Ｃ３１，Ｃ３２）の容量値及びその関係を決定するにあたっては、場合により、このような事情への配慮が加えられると好適である。
【００４３】
＜応用＞
次に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した電子機器について説明する。
図４は、上記実施形態に係る電気光学装置１を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての電気光学装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図５に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
図６に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１に表示される。
【００４４】
本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図４から図６に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００４５】
１……電気光学装置、１００……走査線駆動回路、２００……データ線駆動回路、Ｐ１……画素回路、１３……電気光学素子、１３１……第１電極、１３２……第２電極、３……走査線、３０……電位線、６ａ……第１データ線、６ｂ……第２データ線、Ｃｓｔｇ１，Ｃｓｔｇ２，Ｃｓｔｇ３……第１〜第３保持容量、ＳＷ１０１……第１トランジスター、ＳＷ１０２……第２トランジスター、Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２……第１〜第４コンデンサー、Ｃ３１，Ｃ３２……第５・第６コンデンサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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