(57)【要約】【課題】ナノインプリント装置におけるインプリント時のレジスト層の残渣を無くして、微細なパターンの形成、高密度なビットパターンド媒体を製作する。【解決手段】レジストの表面に微小な凹凸パターンを有するモールド４１を押し当てることによって、モールド４１上の突起部４７で凹凸をレジストの表面に転写するナノインプリント装置において、モールド４１の突起部４７の頂面に連続する溝部４８を設けておき、モールド４１をレジストに押し当てる時に、レジストの一部がこの溝部４８内に収容されるようにして、レジスタの残渣が少なくなるようにしたナノインプリント装置である。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写成型材の表面に微小な凹凸パターンを有するモールドを押し当てることによって、前記モールド上の凹凸を前記被転写成型材の表面に転写するナノインプリント装置において、
前記モールドの凸部の頂面に、前記モールドの前記被転写成型材への押し当て時に、前記被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設けたことを特徴とするナノインプリント装置。
【請求項２】
前記溝部が、前記凸部の頂面に連続して設けられていることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリント装置。
【請求項３】
前記モールドの裏面側を吸引手段に接続し、前記モールドの前記被転写成型材への押し当て時に、前記モールドによって押し出された前記被転写成型材を、前記吸引手段によって吸引するようにしたことを特徴とする請求項１又は２に記載のナノインプリント装置。
【請求項４】
前記ナノインプリント装置が、ディスク状の基板の上に、軟磁性裏打ち層、中間層、磁性層、下地層、及び前記被転写成型材が積層されたディスク媒体に対して転写を行うように構成されていることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載のナノインプリント装置。
【請求項５】
ナノインプリント装置を用いた記憶媒体の製造方法であって、
ディスク状の基板の両面に、軟磁性裏打ち層、中間層、磁性層、下地層、及び前記被転写成型材を積層してディスク媒体を製造し、
前記ナノインプリント装置に備えられた微小な凹凸パターンを有するモールドを、紫外線透過部材で構成すると共に、その凸部の頂面に前記被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設け、
各ディスク媒体の両面に前記モールドを押し当てることによって、前記モールド上の凹凸を前記被転写成型材の表面に転写すると共に、前記溝部に前記凸部によって押し退けられた前記被転写成型材の一部を収容し、
前記モールドの裏面側から紫外線を照射して前記被転写成型材を硬化させ、
前記モールドを取り外した後の前記ディスク状媒体に対して、アッシングを行って、前記溝部によって形成されたダミーパターンを除去すると共に、前記被転写成型材と下地層を除去して前記磁性層に前記モールド上の凹部のパターンを形成して記憶媒体を製造することを特徴とする記憶媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この出願は、微細なパターンを樹脂によって形成するナノインプリント装置に関する。特に、インプリント時にレジストの残渣が発生しないモールドを使用するナノインプリント装置の構造、及びこのナノインプリント装置を用いて製作した、ハードディスク装置などの情報記録再生装置で使用する記憶媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録再生装置（ＨＤＤ）の小型・大容量化は急速に進んでいる。本出願の１年前の時点では、市場に供給されているＨＤＤの磁気記憶媒体は、スパッタ法等により、ガラスもしくは、アルミ合金基板に磁性材料が積層された構造をとっていた。記録磁性材料は、磁性粒子を小さくするためにさまざまな工夫がなされ、磁気粒子単位は、大凡８ｎｍ程度まで小さくなっている。この磁気粒子の微細化は、記憶媒体の低ノイズ化に寄与するところが大きい。ところが、この微細化にも製膜プロセスや熱揺らぎの観点から限界がある。この打開策として、所謂ディスクリートトラック媒体、ビットパターンド媒体と呼ばれる媒体が考えられている。これらの媒体は、記録磁性材料の膜をパターンニングすることが特徴である。ディスクリートトラック媒体の場合は、半径方向のトラックがパターンニングされている。また、ビットパターンド媒体は、円周方向、径方向ともにパターンニングされている（特許文献１参照）。
【０００３】
このようなビットパターンド媒体の製造は、半導体のリソグラフィ技術を記憶媒体に適用することにより製造される。ビットパターンド媒体の量産手法のひとつに、ナノインプリントと呼ばれる手法がある（非特許文献１参照）。これは、微細な押し型を媒体に塗布した被転写成型材である樹脂に転写し、その樹脂をマスクとして、磁性材料を削る手法である。ナノインプリント装置の押し型は、一般に、モールド、原盤、テンプレートなどと呼ばれ、紫外線硬化型（ＵＶ硬化型）の樹脂を用いる場合は、ガラスの押し型になる。また、熱硬化型樹脂を用いる場合もある。一般的に、ＵＶ硬化型の樹脂を用いるほうが、熱膨張によるパターンへの影響を無視できるため、微細なパターンに適している。
【０００４】
【特許文献１】特開平３−０２２２１１号公報（第１図）
【０００５】
【非特許文献１】論文  S. Y. Chou, et all. Appl.Phys. Vol.76,6673(1994)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、ＵＶ硬化型の樹脂によりナノインプリントしたパターンには、押し型のために樹脂に必ず「押し残り」が存在する。この「押し残り」はレジスト残渣と呼ばれる。レジスト残渣は、レジスト直下の材料をエッチングする場合に邪魔になる。そこで一般的には、パターンニングの前に、残渣抜き、底出し等と呼ばれる、残渣を取り去るプロセスが行われるが、このプロセスが製造プロセスの工程、コスト、環境負荷等の増大を招くという課題があった。
【０００７】
そこでこの出願は、ＵＶ硬化型の樹脂によりナノインプリントしたパターンに残渣を無くす、或いは残渣を限りなく無くすことにより、ナノインプリント装置における残渣を取り去るプロセスを省略して製造プロセスの工程の削減、コストの削減、環境負荷の低減を図ることを目的としている。
更に、この出願は、ＵＶ硬化型の樹脂によりナノインプリントしたパターンに残渣を無くす、或いは残渣を限りなく無くすことによるレジストパターンの変形（エッジの丸み）を小さくし、忠実な転写を行い、高密度化も図ることも目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するこの出願のナノインプリント装置は、被転写成型材の表面に微小な凹凸パターンを有するモールドを押し当てることによって、モールド上の凹凸を被転写成型材の表面に転写するナノインプリント装置において、モールドの凸部の頂面に、モールドの被転写成型材への押し当て時に、被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設けたことを特徴としている。
【０００９】
また、前記目的を達成するナノインプリント装置を用いた記憶媒体の製造方法は、ディスク状の基板の両面に、軟磁性裏打ち層、中間層、磁性層、下地層、及び被転写成型材を積層してディスク媒体を製造し、ナノインプリント装置に備えられた微小な凹凸パターンを有するモールドを、紫外線透過部材で構成すると共に、その凸部の頂面に被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設け、各ディスク媒体の両面にモールドを押し当てることによって、モールド上の凹凸を被転写成型材の表面に転写すると共に、溝部に凸部によって押し退けられた被転写成型材の一部を収容し、モールドの裏面側から紫外線を照射して被転写成型材を硬化させ、モールドを取り外した後のディスク状媒体に対して、酸素ガスを導入したアッシングを行って、溝部によって形成されたダミーパターンを除去すると共に、被転写成型材と下地層を除去して磁性層にモールド上の凹部のパターンを形成して記憶媒体を製造することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
この出願によれば、ＵＶ硬化型の樹脂によりナノインプリントしたパターンに残渣が無くなる、或いは殆ど無くなるので、残渣を取り去るプロセスを省略して製造プロセスの工程の削減、コストの削減、環境負荷の低減を図ることができる。また、ＵＶ硬化型の樹脂によりナノインプリントしたパターンの残渣を無くすことにより、レジストパターンの変形（エッジの丸み）を小さくでき、忠実な転写、高密度化も図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付図面を用いてこの出願の実施の形態を、具体的な実施例に基づいて詳細に説明するが、その前に、従来技術の問題点について図を用いて説明する。
【００１２】
図１（ａ）は、従来のビットパターンド媒体１（以後、ディスク１と言う）の外形と、そのビットパターンの一例を拡大して示すものである。ディスク１を構成する非磁性基板（ディスク基板）２の上には、磁性体から構成される単磁区微粒子（ドット）が円周方向に並んでトラック数だけ設けられている。このようなディスク１は、図１（ｂ）から（ｄ）に示すような工程で製造される。
【００１３】
図１（ｂ）はビットパターンが形成される前のディスク１と、ディスク１にビットパターンを形成する押し型である従来のモールド９の構成を示すものであるが、ディスク１の構成は簡略化して記載してある。この例では、磁性層５の上面にレジスト層７が設けられた構成を示している。一方、モールド９は局部断面を示してあるが、実際には略格子状の突起部４７がモールド９には形成されている。
【００１４】
図１（ｃ）は、図１（ｂ）の状態からモールド９をレジストに押し付けた後に、元の位置に戻した状態を示すものである。モールド９の突起部４７により押された部分のレジスト７には溝部５７が形成されるが、モールド９の突起部４７の先端部は磁性層５まで届かないので、ディスク１の上にはレジスト７の押し残り１７が発生する。この押し残り１７はレジスト残渣と呼ばれる。このレジスト残渣は、レジスト直下の磁性層５をエッチングする際に邪魔になるため、磁性層５のパターニング前に残渣抜きと呼ばれる処理が施される。
【００１５】
図１（ｄ）は、磁性層５のパターニング前に残渣抜き処理が施された状態を示すものである。残渣抜き処理が行われると、レジスト７の頂面のエッジが垂直に切り立たず、エッジに丸みが生じてしまい、この後に行われる磁性層５のパターニングにおいて、磁性層５のパターンのエッジ部が鈍り、高密度化が図れなくなる虞があった。この出願は、このような課題を解消するためになされたものである。
【００１６】
図２は、この出願に係るナノインプリント装置１０の概略構成を示すものである。ナノインプリント装置１０には洗浄部１２、検査部１４、密着層形成部１６、樹脂部形成部１８、インプリント部２０、及び制御部２２がある。２４は、後にその構造を詳述するディスクホルダであり、複数枚のディスク１、例えば２０数枚のディスク１を保持できるようになっている。ナノインプリント装置１０は、ディスクホルダ２４に保持された複数枚のディスク１を入口部１１から受け入れ、洗浄からインプリントまでインライン式に処理して出口部１３から排出する。
【００１７】
洗浄部１２では、ディスクホルダ２４に保持されたディスク１に、インプリント部２０で欠陥が生じないようにゴミの除去を行う。ディスクの洗浄にはドライ方式とウェット方式があるが、どちらの方式でなければならないということはない。検査部１４では、パーティクルの検査を光学的に行う。密着層形成部１６では、ディスク基板と紫外線硬化型レジストの密着性を向上させる密着層の形成処理を行う。そして、樹脂部形成部１８では、ディスク基板に紫外線硬化型レジストを塗布する処理を行う。
【００１８】
図３（ａ）は、図２に示したナノインプリント装置１０のインプリント部２０の構造の一例を示すものである。インプリント部２０には、制御装置２１、ホルダ移動機構２２、昇降ロッド２５を備えたディスクリフタ２３、ディスクホルダ２４、２台の紫外線照射装置２６、真空吸引装置２７、２つのモールド装置３０Ｌ，３０Ｒがある。制御装置２１はホルダ移動機構２２、ディスクリフタ２３、ディスクホルダ２４、紫外線照射装置２６、真空吸引装置２７、及びモールド装置３０Ｌ，３０Ｒの動作を制御する。制御装置２１はこの実施例のようにインプリント部２０内に設けてもよいが、図２に示した制御部２２が制御装置２１の代わりをすることも可能である。
【００１９】
ホルダ移動機構２２は、複数枚のディスク１を保持するディスクホルダ２４を移動させるものであり、ディスクホルダ２４に保持されたディスク１を順番にディスクリフタ２３の真上に位置させる。ディスクリフタ２３は、昇降ロッド２５を上昇させてディスクホルダ２４に保持されたディスク１を１枚ずつモールド装置３０Ｌ，３０Ｒの間の空間まで押し上げてインプリント処理を行わせる。また、ディスクリフタ２３は、インプリント処理の終了したディスクをディスクホルダ２４に戻す動作も行う。モールド装置３０Ｌ，３０Ｒは、ディスク１の両面に後述するモールドを用いてインプリント処理を施す。モールドは紫外線を透過する部材から構成されており、紫外線照射装置２６はモールドを透過させて紫外線をディスク１の両面に照射することにより、ディスク基板に塗布されたレジストを硬化させる。真空吸引装置２７は、モールド装置３０Ｌ，３０Ｒの動作時に発生する余分なレジストを吸引して余分なレジストをなくす。
【００２０】
図３（ｂ）は（ａ）のモールド装置３０Ｌ，３０Ｒの一方の構成の一実施例を示すものである。モールド装置３０Ｌ，３０Ｒの構造は同じであるので、１つのモールド装置３０の構成について説明する。モールド装置３０は、円筒状の本体３１の先端部に円筒状のピエゾ素子３２が取り付けられており、本体３１の後端部にはモータ３６の回転軸３７に取り付けられた制御弁３８が設けられている。本体３１の回転軸３７が取り付けられる部位は、金属筒とすることができる。本体３１の後端部は、制御弁３８を介して図示しない管路で真空吸引装置２７の真空ポンプ２７Ｐに接続されている。
【００２１】
制御弁３８は制御装置２１からの開閉信号ＶＳによって開閉し、制御弁３８が開いた時にビエゾ素子３２側が吸引される。ピエゾ素子３２の両端部には電極３３，３４があり、一方の電極は接地されているが、他方の電極３４はスイッチ３５を介して電源＋Ｂに接続されている。そして、制御装置２１からの信号Ｓによってスイッチ３５が閉じると、ピエゾ素子３２の両端部に印加された電圧によってビエゾ素子３２が伸張し、例えば図の破線の位置までピエゾ素子３２の先端部が移動する。ピエゾ素子３２の先端部の移動距離は、例えば０．４ｍｍ程度である。
【００２２】
図４（ａ）は、図２に示したナノインプリント装置１０のインプリント部２０で使用する第１の実施例のモールド４１の構成を示す部分的に拡大して示すものであり、（ｂ）は（ａ）のＡ‐Ａ線における局部断面を示すものである。第１の実施例のモールド４１は、ベース板４６と、このベース板４６の上に格子壁状に突設された突起部４７、及び突起部４７の頂面に設けられた溝部４８とから構成される。溝部４８はこの実施例では、断面が矩形であり、突起部４７の頂面に連続して設けられているが、溝部４８は不連続でも構わない。
【００２３】
なお、図４（ａ）では、ベース板４６の上に突設された突起部４７の形状を格子壁状として説明したが、実際にはディスクの半径方向の突起部４７は放射状に延伸されており、ディスクの円周方向の突起部は４７は、円弧状に延伸されている。
【００２４】
溝部４８は、後述するレジストの余分な部分が全てこの溝部４８に収容されるようにするものである。溝部４８の深さは突起部４７のベース板４６からの高さよりも小さく、溝部４８に入り込んだレジストによって残るパターンが、本来のパターニングの妨げにならないようにする。例えば、ディスク基板／軟磁性裏打ち層／中間層／磁性膜／カーボン層（下地層）／紫外線硬化レジスト層の構造のディスクに、紫外線レジスト層とカーボン層の２層マスクにより磁性膜をパターンニングする場合を考える。この場合は、紫外線レジスト層とカーボン層の選択比を、カーボン層を１としたときにレジスト層を１．２にした場合、カーボン層よりレジスト層の方が早く削れるため、溝部４８の深さはカーボンの厚さと同じにしておけば良い。また、溝部４８の配置は突起部４７の中央の位置に配置しておくことが望ましい。
【００２５】
なお、磁性層をエッチングする際に、レジストマスクのみで行うか、もしくはメタルマスクを用いるかで下地層の構成が異なる。前述のカーボンは、レジストマスクのみで行う場合に、ダミー高さを吸収する目的で用いられるものである。なお、後述する実施例ではメタルマスクのプロセスが記載されるので、下地層としてクロムが記載される。
【００２６】
また、突起部４７の頂面には、図４（ｃ）に示す第２の実施例のモールド４２のように、断面が半円のような溝部４８Ａを設けるようにしても良い。なお、第１、第２の実施例のモールド４１，４２は、紫外線を透過する材料、例えばガラスから構成されており、この場合には、その厚さは２００μｍ程度で良い。また、第１、第２の実施例のモールド４１，４２は、ビットパターンを形成するので格子状の突起部４７を備えているが、ディスクリートトラック媒体の場合は、突起部４７の形状は同心円状になる。
【００２７】
図５（ａ）は、図２に示したナノインプリント装置１０のインプリント部２０で使用する第３の実施例のモールド４３の構成を示す部分的に拡大して示すものであり、構造を分かり易くするために、一部を切り欠いてある。また、（ｂ）は（ａ）のＢ‐Ｂ線における局部断面を示すものである。第３の実施例のモールド４３は第１の実施例のモールド４１と同様に、ベース板４６と、このベース板４６の上に格子壁状に突設された突起部４７、及び突起部４７の頂面に設けられた溝部４８とから構成される。
【００２８】
第３の実施例のモールド４３が第１の実施例のモールド４１と異なる点は、溝部４８の底面に、ベース板４６を貫通する貫通孔４９が設けられている点である。貫通孔４９は溝部４８の底面全面に設ける必要はなく、例えば所定間隔毎に設ければ良い。この貫通孔４９は、溝４８に侵入したレジストをベース板４６の裏面側に逃がす働きをする。ベース板４６の裏面側に逃げたレジストは、図３で説明した真空吸引装置２７で吸引される。また、貫通孔４９、溝部４８内のレジストも真空吸引装置２７で吸引されるので、第３の実施例では、モールド４３を外した後にダミーパターンが発生しない。
【００２９】
図６は、図３（ｂ）に示したモールド装置３０のピエゾ素子３２の先端部に、図４に示した第１の実施例のモールド４１を取り付ける構成を示すものである。モールド装置３０には、前述した円筒状の本体３１、その先端部に取り付けられたピエゾ素子３２、後端部に設けられた制御弁３８に加えて、モールド４０がピエゾ素子３２の端部に設けられている。本体３１の後端部は、制御弁３８を介して図示しない管路で真空吸引装置２７の真空ポンプ２７Ｐに接続されている。
【００３０】
この実施例のモールド４０には、ピエゾ素子３２の端面に取り付けるためのフランジ部４０Ｆがある。このフランジ部４０Ｆの直径はピエゾ素子３２の外径よりも小さく、このフランジ部４０Ｆがリング状のモールド抑え３９によってピエゾ素子３２の端面に固定される。この図にはピエゾ素子３２の電極の図示は省略してある。また、この実施例のモールド４０の直径は、ディスク１の直径と略同じであり、モールド抑え３９に設けられた孔３９Ａの内径はディスク１とモールド４０を収容できる大きさである。
【００３１】
ここで、以上のように構成されたナノインプリント装置１０のインプリント部２０の動作を、図７及び図８を用いて説明する。
【００３２】
図７（ａ）は、図３（ａ）に示したディスクホルダ２４の構造の一例を示しており、ディスクホルダ２４の長手方向の断面図である。また、図７（ｂ）は（ａ）に示したディスクホルダ２４の短手方向の断面図である。ディスクホルダ２４には複数枚のディスク１を立てた状態で保持する保持溝２４Ｂが設けられており、ディスク１はこの保持溝２４Ｂに保持されており、保持溝２４Ｂの下部には貫通孔２４Ａが設けられている。ここでは説明を簡単にするために、ディスク１にはディスク基板２の上にレジスト層７が形成されたものを図示してある。ディスクホルダ２４は、図３（ａ）で説明したホルダ移動機構２２により、貫通孔２４Ａがディスクリフタ２３の昇降ロッド２５の真上に来るように、インプリント部内で移動させられる。昇降ロッド２５の先端部には、ディスク１を保持するための保持部２５Ａが設けられている。
【００３３】
図７（ｃ）は、昇降ロッド２５が上昇して、ディスクホルダ２４内のディスク１をインプリント位置まで引き上げる様子を示すものである。そして、インプリント位置まで引き上げられたディスク１は、図７（ｄ）に示すように、両側からモールド装置３０Ｌ，３０Ｒによって挟まれる。このとき、図３（ｂ）で説明した制御弁３８は半開状態（開度約２０％）となっている。これは、レジストの揮発を促進するために、制御弁３８は常時少しだけ（開度２０％）開けてあり、真空引きを行っているからである。モールド装置３０Ｌ，３０Ｒのモールド４０は、上側からディスク１に接触してゆき、ディスク１は図６で説明したリング状のモールド抑え３９の孔３９Ａにはめ込まれる。
【００３４】
図８（ａ）は、ディスク１が両側からモールド装置３０Ｌ，３０Ｒのモールド４０によって完全に挟まれた状態を示すものである。この状態で、図３（ｂ）で説明したスイッチ３５がオンにされるのでピエゾ素子３２が伸張し、モールド４０によってディスク１のレジスト層がインプリントされる。この時、ドットにならないレジスト層のレジストは、モールド４０の溝部に収容される。レジストが完全にパターン化されるために、この状態は一定時間保持され、この時制御弁３８は全開状態になり、残渣が吸引される。制御弁３８は、レジストを広げる時間と同じ時間全開として残渣を吸引するのである。
【００３５】
この後、制御弁３８が半開状態（開度約２０％）にされ、紫外線照射装置２６から紫外線照射が行われ、紫外線（ＵＶ光）がモールド４０を透過してレジスト層に当たり、レジストが硬化する。ＵＶ光の照射時間は、例えば５秒程度である。この結果、ディスク１のレジスト層に、モールド４０による凹凸パターンが形成される。
【００３６】
ディスク１のレジスト層に凹凸パターンが形成されると、図８（ｂ）に示すように、モールド装置３０Ｌ，３０Ｒのモールド４０がディスク１を下側から開放し、ディスク１は再び昇降ロッド２５に保持される。この後、昇降ロッド２５は降下し、ディスクホルダ２４の保持溝２４Ｂに凹凸パターンの形成されたディスク１を戻す。ディスク１がディスクホルダ２４に戻ると、ホルダ移動機構２２（図３（ａ）参照）によりディスクホルダ２４が移動し、隣のディスク１がディスクリフタ２５の真上に位置するようになる。
【００３７】
図８（ｃ）に示される状態は、図７（ａ）に示した状態からディスク１が１枚分ずれた状態と同じであり、この後、次のディスク１に対して、図７（ｃ）、（ｄ）、図８（ａ）〜（ｃ）で説明した動作が繰り返し実行される。この動作は、ディスクホルダ２４に保持された全てのディスク１に対して行われ、全てのディスク１に凹凸パターンが形成されると、ディスクホルダ２４がインプリント部２０から排出される。
【００３８】
以上、インプリント部２０におけるホルダ移動機構２２、ディスクリフタ２３、ディスクホルダ２４、モールド装置３０Ｌ，３０Ｒ、及び紫外線照射装置２６の動作について説明した。次に、以上説明したディスク１に凹凸パターンを形成するディスクの製造工程を、ディスク１側から見た処理として、図９及び図１０を用いて説明する。
【００３９】
図９（ａ）はディスク１が、図４（ａ）、（ｂ）で説明した第１の実施例のモールド４１によって押される前の状態を示すものである。ディスク１は、内径２０ｍｍ、外径６５ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラスで構成されたディスク基板２を備える。ガラス基板２の上には下から順に、軟磁性裏打ち葬３、中間層４、磁性層５、エッチングのマスク層のクロム（又はカーボン）６、レジスト層７が、図示しないスパッタ装置を用いて成膜されている。そして、成膜したディスク１に、第１の実施例のモールド４１によってインプリントを行う。
【００４０】
第１の実施例のモールド４１は、ディスク１のデータトラックが、例えば１００ｎｍピッチで形成されている場合に、データトラックに対応する突起部４７と突起部４７の間の距離Ｔが７０ｎｍ、磁性体をエッチングする突起部４７の幅Ｅが３０ｎｍとすれば良い。また、インプリントした際の残渣を収容するモールド４１の溝部４８の深さは、クロム６の厚さと同程度にしておけば良い。これは、レジスト層７とカーボン６の選択比を、カーボンを１、レジスト層を１．２とした場合、カーボン６よりレジスト層７の方が早く削れるためである。カーボン６よりレジスト層７の方が早く削れると、溝部４８によって形成された残渣パターン（ダミーのパターン）が先になくなり、カーボン６のエッチングに影響を与えない。
【００４１】
図９（ｂ）は、（ａ）の状態からモールド４１をレジスト層７に押し付けた状態を示すものである。この時、モールド４１の突起部４７に押されたレジスト層７のレジストは、モールド４１の溝部４８に収容される。この状態で、モールド４１の背面から前述のように紫外線照射が行われ、モールド層７が硬化する。この後、モールド４１をディスク１から引き離せば、図９（ｃ）に示す状態になる。レジスト層７には溝部５７が形成され、溝部５７の中にモールド４１によってインプリントされたダミーパターン５８が残る。なお、前述の第３の実施例のモールド４３を使用した場合には、ダミーパターン５８は発生しない。
【００４２】
酸素ガスに対する下層のクロム６は、酸素で削られない。よって、図９（ｃ）の状態から酸素ガスを導入したアッシングを行うと、図１０（ａ）に示すように、ダミーパターン５８は消失し、アッシングを続けることにより、図１０（ｂ）に示すようにレジスト層７が剥離されて磁性層５とクロム６からなるドットパターンが形成される。
【００４３】
なお、以上説明した実施例では、ダミーパターンをトラック間に配置したが、ハードディスク装置では、ディスクが区画に分けられているので、モールドによってその区画毎にダミーパターンを配置するようにしても良い。また、ダミーパターンは、ハードディスク装置のディスクの最外周部、及び最内周部に配置することもできる。
【００４４】
更に、以上説明した実施例において残ったダミーパターンは、揮発性であり、その後のプロセスで特に意識しなくてもなくなる。一方、図３（ａ）、（ｂ）に示したインプリント部２０の構成のように、インプリント直後にモールドに収容されたレジストを、真空吸引装置で真空吸引することにより、気化させてなくすこともできる。よって、モールドによって形成されたダミーパターンが、インプリントされることはない。真空吸引により気化しきれなかったレジストは裏面に吸い出されるが、この時に、窒素ガスによるブローを行うことにより、レジストを完全に気化させることができる。
【００４５】
以上のようなディスクの製造方法により、レジスト残渣は極力薄くすることができるので、ディスク製造工程の負荷が減る。また、レジスト残渣によるレジストパターンの形状の変形（エッジの丸み）も少なくすることができる。更に、モールドとして第３の実施例のモールド４３を使用し、モールド４３の裏面から真空吸引することにより、モールドの裏面に染みだした余分なレジストを吸引することができる。こうすることで、ダミーパターンを設けなくても、残渣をなくすことができる。また、モールドの裏面に染みだした余分なレジストは、窒素ガスのブローによっても揮発させることができる。
【００４６】
図１１（ａ）は、図２に示したナノインプリント装置１０のインプリント部２０で使用する、従来の別の構成のモールド１９と、モールドされたレジスト７の形状を示すものである。この例のモールド１９に設けられる凹部５１と突起部５３のピッチは大きい。このような場合、この出願では、隣接する凹部５１の間のモールド１９の部分に、図１１（ｂ）に示す第４の実施例のように、レジスト溜り５２を形成してモールド４４とする。第４の実施例のモールド４４では、インプリント時に余分なレジストをレジスト溜り５２に引き込むことができるので、インプリント時にレジスト残渣が発生しない。
【００４７】
図１１（ｃ）は、（ｂ）に示した第４の実施例のモールド４４の変形実施例である、この出願の第５の実施例のモールド４５の構成を示すものである。第５の実施例のモールド４５が第４の実施例のモールド４４と異なる点は、突起部５３の先端部に、第１の実施例と同様の溝部５４が形成されている点である。第５の実施例のモールド４５では、インプリント時に余分なレジストをレジスト溜り５２に引き込むことができると共に、溝部５４によってダミーパターン５８をディスク基板２の上に形成することができる。ダミーパターン５８の除去方法は、第１の実施例と同じである。
【００４８】
本出願のモールド、及びこのモールドを用いたディスクの製造方法では、インプリントしてパターンニングした際の残渣を限りなく少なくすることができ、パターンの高精度・微細化が可能になるだけでなく、工程への負荷が減ることによるコストダウンの効果も期待できる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上、この出願のナノインプリント装置を、ＨＤＤに使用するパターンドメディアの製造について説明した。一方、この出願のナノインプリント装置におけるナノインプリント技術は、バイオチップにおける抽出する分子の寸法に合わせた柱の形成や、ＬＳＩのゲート寸法の決定にも応用することができる。
【００５０】
以上、本出願を特にその好ましい実施の形態を参照して詳細に説明した。本出願の容易な理解のために、本出願の具体的な形態を以下に付記する。
【００５１】
（付記１）  被転写成型材の表面に微小な凹凸パターンを有するモールドを押し当てることによって、前記モールド上の凹凸を前記被転写成型材の表面に転写するナノインプリント装置において、
前記モールドの凸部の頂面に、前記モールドの前記被転写成型材への押し当て時に、前記被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設けたことを特徴とするナノインプリント装置。
（付記２）  前記モールドの凸部が格子状をしていることを特徴とする付記１に記載のナノインプリント装置。
（付記３）  前記モールドの凸部が同心円状をしていることを特徴とする付記１に記載のナノインプリント装置。
（付記４）  前記溝部が、前記凸部の頂面に連続して設けられていることを特徴とする付記１から３の何れかに記載のナノインプリント装置。
（付記５）  前記溝部が、前記凸部の頂面に断続して設けられていることを特徴とする付記１から３の何れかに記載のナノインプリント装置。
【００５２】
（付記６）  前記溝部の底面の所定位置に、前記モールドの裏面側に連通する貫通孔が設けられていることを特徴とする付記１から５の何れかに記載のナノインプリント装置。
（付記７）  前記モールドが紫外線透過部材から構成されており、前記モールドの裏面側に、紫外線照射装置が設けられていることを特徴とする付記１から６の何れかに記載のナノインプリント装置。
（付記８）  前記モールドの裏面側を吸引手段に接続し、前記モールドの前記被転写成型材への押し当て時に、前記モールドによって押し出された前記被転写成型材を、前記吸引手段によって吸引するようにしたことを特徴とする付記６に記載のナノインプリント装置。
（付記９）  前記ナノインプリント装置が、ディスク状の基板の上に、軟磁性裏打ち層、中間層、磁性層、下地層、及び前記被転写成型材が積層されたディスク媒体に対して転写を行うように構成されていることを特徴とする付記１から８の何れかに記載のナノインプリント装置。
（付記１０）  前記前記溝部の深さが、前記下地層の厚さとほぼ等しいことを特徴とする付記９に記載のナノインプリント装置。
【００５３】
（付記１１）  前記モールドの凸部の割合が凹部に対して大きい場合に、前記溝部を、前記凹部よりも容積が大きく転写パターンに関与しない大型の溝部としたことを特徴とする付記１に記載のナノインプリント装置。
（付記１２）  前記ナノインプリント装置が、ディスク状の基板の上に、軟磁性裏打ち層、中間層、磁性層、下地層、及び前記被転写成型材が積層されたディスク媒体に対して転写を行うように構成されていることを特徴とする付記１１に記載のナノインプリント装置。
（付記１３）  被転写成型材の表面に微小な凹凸パターンを有するモールドを押し当てることによって、前記モールド上の凹凸を前記被転写成型材の表面に転写するナノインプリント装置に使用するモールドであって、
前記モールドの凸部の頂面に、前記モールドの前記被転写成型材への押し当て時に、前記被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設けたことを特徴とするモールド。
（付記１４）  前記モールドの凸部が格子状をしていることを特徴とする付記１３に記載のモールド。
（付記１５）  前記モールドの凸部が同心円状をしていることを特徴とする付記１３に記載のモールド装置。
【００５４】
（付記１６）  前記溝部が、前記凸部の頂面に連続して設けられていることを特徴とする付記１３から１５の何れかに記載のモールド。
（付記１７）  前記溝部が、前記凸部の頂面に断続して設けられていることを特徴とする付記１３から１５の何れかに記載のモールド。
（付記１８）  前記溝部の底面の所定位置に、前記モールドの裏面側に連通する貫通孔が設けられていることを特徴とする付記１３ら１７の何れかに記載のモールド。
（付記１９）  前記モールドが紫外線透過部材から構成されていることを特徴とする付記１３ら１８の何れかに記載のモールド。
（付記２０）  ナノインプリント装置を用いた記憶媒体の製造方法であって、
ディスク状の基板の両面に、軟磁性裏打ち層、中間層、磁性層、下地層、及び前記被転写成型材を積層してディスク媒体を製造し、
前記ナノインプリント装置に備えられた微小な凹凸パターンを有するモールドを、紫外線透過部材で構成すると共に、その凸部の頂面に前記被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設け、
各ディスク媒体の両面に前記モールドを押し当てることによって、前記モールド上の凹凸を前記被転写成型材の表面に転写すると共に、前記溝部に前記凸部によって押し退けられた前記被転写成型材の一部を収容し、
前記モールドの裏面側から紫外線を照射して前記被転写成型材を硬化させ、
前記モールドを取り外した後の前記ディスク状媒体に対して、アッシングを行って、前記溝部によって形成されたダミーパターンを除去すると共に、前記被転写成型材と下地層を除去して前記磁性層に前記モールド上の凹部のパターンを形成して記憶媒体を製造することを特徴とする記憶媒体の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】（ａ）は従来のビットパターン媒体の外形とそのビットパターンの一例を示す斜視図、（ｂ）から（ｄ）は従来のビットパターンド媒体の作成方法の初期段階を示す工程図である。
【図２】この出願に係るナノインプリント装置の概略構成を示すブロック構成図である。
【図３】（ａ）は図２に示したナノインプリント装置のインプリント部の構造の一例を示すブロック構成図、（ｂ）は（ａ）のモールド装置の内部構成の一例を示す構成図である。
【図４】（ａ）は図２に示したナノインプリント装置のインプリント部で使用するモールドの第１の実施例の構成を示す部分拡大斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ‐Ａ線における局部断面図、（ｃ）は図２に示したナノインプリント装置のインプリント部で使用するモールドの第２の実施例の、図３（ｂ）と同じ部位の局部断面図である。
【図５】（ａ）は図２に示したナノインプリント装置のインプリント部で使用するモールドの第３の実施例の構成を示す部分拡大斜視図、（ｂ）は（ａ）のＢ‐Ｂ線における局部断面図である。
【図６】図３（ｂ）に示したモールド装置に、図４に示した第１の実施例のモールドを取り付ける構成を示す組立斜視図である。
【図７】（ａ）は図３（ａ）に示したカセットの構造の一例を示すディスクホルダの長手方向の断面図、（ｂ）は（ａ）に示したディスクホルダの短手方向の断面図、（ｃ）は図３（ａ）に示した昇降ロッドがディスクホルダから１枚のディスクをリフトする状態を示す断面図、（ｄ）はリフトされたディスクが両側からモールド装置によって挟まれる状態を説明する図である。
【図８】（ａ）はリフトされたディスクが両側からモールド装置によって挟まれてモールドされ、紫外線がモールドの裏面側から照射される状態を示す図、（ｂ）は（ａ）の状態からモールド装置がディスクを開放する状態を示す図、（ｃ）はカセット移動機構によってカセットが次のディスクをディスクリフタの動作位置に移動させる状態を示す図である。
【図９】ディスク媒体の製造工程を示すものであり、（ａ）はディスク媒体がモールドによって押される前の状態を示す図、（ｂ）はディスク媒体がモールドによって成型されている状態を示す図、（ｃ）はモールドが元の位置に戻った状態を示す図である。
【図１０】ディスク媒体の製造工程を示すものであり、（ａ）は図９（ｃ）の状態からアッシングによってレジストが剥離されていく状態を示す図、（ｂ）はレジストが薄利されてドットパターンが形成された状態を示す図である。
【図１１】（ａ）は図２に示したナノインプリント装置のインプリント部で使用するモールドの従来の構成とモールドされたレジストの形状を示す断面図、（ｂ）は図２に示したナノインプリント装置のインプリント部で使用するモールドのこの出願の第４の実施例の構成とモールドされたレジストの形状を示す断面図、（ｃ）は図２に示したナノインプリント装置のインプリント部で使用するモールドのこの出願の第５の実施例の構成とモールドされたレジストの形状を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１    ビットパターンド媒体
２    ディスク基板
３    裏打ち層
７    レジスト層
９    従来のモールド
１０    ナノインプリント装置
２０    インプリント部
２１    制御装置
２２    ホルダ移動機構
２３    ディスクリフタ
２４    ディスクホルダ
２５    昇降ロッド
２６    紫外線照射装置
２７    真空吸引装置
３０    モールド装置
３２    ピエゾ素子
３３，３４    電極
３８    制御弁
４０    モールド
４１    第１実施例のモールド
４２    第２実施例のモールド
４３    第３実施例のモールド
４４    第４実施例のモールド
４５    第５実施例のモールド
４７、５３    突起部
４８、５４，５７    溝部
４９    貫通孔
５１    凹部
５８    ダミーパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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