(57)【要約】【課題】複数の透過パターン介しての露光処理を効率的に行う技術を提供する。【解決手段】透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２のそれぞれは、副走査方向に等間隔で規則的に配置された同数のスロットＳＬａまたはスロットＳＬｂを有する。副走査方向において、スロットＳＬａは、スロットＳＬｂに比べて、比較的幅の狭い矩形形状を有する。パターン描画装置１００は、マスク３６１を備えた露後部３０を、基板９に対して主走査方向の（＋Ｙ）側へ走査させる場合、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２とを同時に介して基板９のレジスト層を露光する。この露光走査によれば、透過パターンＳＬＧ１を透過したパルス光が照射された領域には、所定時間経過後に、透過パターンＳＬＧ２を透過したパルス光が照射される。つまり、一方向への露光走査において、２つの透過パターンを同時に介して同一領域が露光される、重畳的露光が行われる。【選択図】図４
2010122619.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに形成された光を透過する透過パターンを介して、基板に形成された感光性材料層を間欠的に露光することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画するパターン描画装置であって、
第１透過パターンと、当該第１透過パターンに対して所定の主走査方向の側に配置される第２透過パターンとが形成されたマスクを含み、基板に形成された感光性材料層を間欠的に露光する露光部と、
前記露光部を前記基板に対して前記主走査方向に相対移動させることにより、前記露光部を前記基板に対して露光走査させる移動機構と、
を備え、
前記露光部は、
前記マスクに形成された前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して基板に形成された感光性材料層を露光走査することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画することを特徴とするパターン描画装置。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン描画装置であって、
前記露光部は、
前記主走査方向の一方向についての露光走査において、前記第１透過パターンを介して露光した露光領域について、前記第２透過パターンを介して重畳的に露光することを特徴とするパターン描画装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のパターン描画装置であって、
前記第１透過パターンは、所定の副走査方向に沿って設けられた１以上の第１透過部を有し、前記第２透過パターンは、前記１以上の第１透過部のそれぞれに対して主走査方向に沿う位置に、第２透過部を有することを特徴とするパターン描画装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載のパターン描画装置であって、
前記第１透過パターンは、第２透過パターンとは異なる形状のパターン光を透過させることを特徴とするパターン描画装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のパターン描画装置であって、
前記第１透過パターンは、前記第２透過パターンに対して前記主走査方向の一方側に配置され、
前記マスクには、前記第１透過パターンと略同一のパターン光を透過させる第３透過パターンと、当該第３透過パターンに対して前記主走査方向の一方側に配置され、前記第２透過パターンと略同一のパターン光を透過させる第４透過パターンとがさらに形成されており、
前記露光部は、
前記基板に対して主走査方向の一方側へ向けて露光走査するときは、前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光するとともに、
前記基板に対して主走査方向の他方側へ向けて露光走査するときは、前記第３透過パターンと前記第４透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光することを特徴とするパターン描画装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載のパターン描画装置であって、
前記第１透過パターンは、前記第２透過パターンに対して前記主走査方向の一方側に配置され、
前記マスクには、前記第２透過パターンの前記主走査方向の他方側の位置に前記第１透過パターンと略同一のパターン光を透過させる第３透過パターンがさらに形成されており、
前記露光部は、
前記基板に対して主走査方向の一方側へ向けて露光走査するときは、前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光するとともに、
前記基板に対して主走査方向の他方側へ向けて露光走査するときは、前記第２透過パターンと前記第３透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光することを特徴とするパターン描画装置。
【請求項７】
マスクに形成された光を透過する透過パターンを介して、基板に形成された感光性材料層を間欠的に露光することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画するパターン描画方法であって、
(a) 第１透過パターンと、前記第１透過パターンに対して所定の主走査方向側に配置された第２透過パターンとが形成されたマスクを有する露光部を、基板に対して前記主走査方向に相対移動させる工程と、
(b) 前記(a)工程において、前記基板に対して前記主走査方向へ相対移動する前記露光部から、前記基板に形成された感光性材料層に向けて、前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを透過させた透過光を照射することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画する工程と、
を含むことを特徴とするパターン描画方法。
【請求項８】
基板に対して所定の主走査方向へ相対移動しつつ、前記基板に形成された感光性材料層に所定のパターンを描画するための光を透過させる透過パターンが形成されたパターン描画用のマスクであって、
前記マスクは、
第１透過パターンと、当該第１透過パターンに対して所定の主走査方向側に配置された第２透過パターンとが形成されており、
前記主走査方向に沿って移動したときに、所定の光源から照射された光を前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して基板に形成された感光性材料層に照射して、前記感光性材料層に所定パターンを描画することを特徴とするパターン描画用のマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マスクを用いたパターン描画に関する技術であり、特に基板の主面に形成された感光性材料層を複数の透過パターンを用いて露光する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に具備されるカラーフィルタ用基板、液晶表示装置やプラズマ表示装置等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用ガラス基板、半導体基板、プリント基板等の各種基板の製造において、感光性材料（レジスト等）の層が形成された基板に光を照射して露光し、所定パターンを描画するパターン描画装置が知られている。
【０００３】
ここで、露光処理及び現像処理等により基板に形成するレジスト膜の断面形状を任意に調整する（例えば、凸型、凹型等に調整する）ために、例えば、基板に塗布するレジストの組成を変更することで、膜の断面形状を制御することが考えられるが、目的に沿うように組成をチューニングするには多大な時間とコストがかかってしまう。
【０００４】
そこで、レジストの組成を調整する代わりに、レジスト層に照射する光の露光量（積算露光量）を調整することによって、基板に形成される膜の断面形状を目的に応じて制御する技術がこれまでに提案されている（例えば特許文献１，２）。
【０００５】
具体的に、特許文献１では、デフォーカス露光を行うことにより、所定の領域内で露光強度を部分的に調整することで、形成される膜厚を制御する技術が開示されている。また、特許文献２では、マスクに形成された透過領域についての光の透過量を中央部分と縁部分とで変化させることにより、形成される膜の断面形状を制御する（例えば、中央部分を比較的厚くし、縁部分を比較的薄くすることで、断面形状を凸型とする）技術が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−１５９８１５号公報
【特許文献２】特開２００７−１２１８００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、より複雑に膜の断面形状を制御したり、あるいは、膜形状を多層化したりする場合に、１の透過パターンのみを介しての露光走査では非常に困難であるため、複数の透過パターンを介する露光走査が行われている。
【０００８】
しかし、従来では、複数の透過パターンを介して基板を露光するためには、当該複数の透過パターンごとの露光走査を必要としていた。すなわち、１の透過パターンを用いて基板全体にパターンを描画した後に、当該１の透過パターンを別の透過パターンに置き換えて再び基板全体にパターンを描画するといったように、複数の透過パターンのそれぞれについて、個別の露光走査を行っていた。したがって、露光処理の時間が透過パターンの数に応じて増大してしまい、基板製造のスループット（単位時間あたりの基板の処理枚数）が大幅に低下してしまうという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数の透過パターン介しての露光処理を効率的に行う技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するため、第１の態様に係るパターン描画装置は、マスクに形成された光を透過する透過パターンを介して、基板に形成された感光性材料層を間欠的に露光することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画するパターン描画装置であって、第１透過パターンと、当該第１透過パターンに対して所定の主走査方向の側に配置される第２透過パターンとが形成されたマスクを含み、基板に形成された感光性材料層を間欠的に露光する露光部と、前記露光部を前記基板に対して前記主走査方向に相対移動させることにより、前記露光部を前記基板に対して露光走査させる移動機構とを備え、前記露光部は、前記マスクに形成された前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して基板に形成された感光性材料層を露光走査することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画することを特徴とする。
【００１１】
また、第２の態様に係るパターン描画装置は、第１の態様に係るパターン描画装置であって、前記露光部は、前記主走査方向の一方向についての露光走査において、前記第１透過パターンを介して露光した露光領域を、前記第２透過パターンを介して重畳的に露光することを特徴とする。
【００１２】
また、第３の態様に係るパターン描画装置は、第１または２の態様に係るパターン描画装置であって、前記第１透過パターンは、所定の副走査方向に沿って設けられた１以上の第１透過部を有し、前記第２透過パターンは、前記１以上の第１透過部のそれぞれに対して主走査方向に沿う位置に、第２透過部を有することを特徴とする。
【００１３】
また、第４の態様に係るパターン描画装置は、第１から３のいずれか１の態様に係るパターン描画装置であって、前記第１透過パターンは、第２透過パターンとは異なる形状のパターン光を透過させることを特徴とする。
【００１４】
また、第５の態様に係るパターン描画装置は、第１から４のいずれか１の態様に係るパターン描画装置であって、前記第１透過パターンは、前記第２透過パターンに対して前記主走査方向の一方側に配置され、前記マスクには、前記第１透過パターンと略同一のパターン光を透過させる第３透過パターンと、当該第３透過パターンに対して前記主走査方向の一方側に配置され、前記第２透過パターンと略同一のパターン光を透過させる第４透過パターンとがさらに形成されており、前記露光部は、前記基板に対して主走査方向の一方側へ向けて露光走査するときは、前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光するとともに、前記基板に対して主走査方向の他方側へ向けて露光走査するときは、前記第３透過パターンと前記第４透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光することを特徴とする。
【００１５】
また、第６の態様に係るパターン描画装置は、第１から４のいずれか１の態様に係るパターン描画装置であって、前記第１透過パターンは、前記第２透過パターンに対して前記主走査方向の一方側に配置され、前記マスクには、前記第２透過パターンの前記主走査方向の他方側の位置に前記第１透過パターンと略同一のパターン光を透過させる第３透過パターンがさらに形成されており、前記露光部は、前記基板に対して主走査方向の一方側へ向けて露光走査するときは、前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光するとともに、前記基板に対して主走査方向の他方側へ向けて露光走査するときは、前記第２透過パターンと前記第３透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光することを特徴とする。
【００１６】
また、第７の態様に係るパターン描画方法は、マスクに形成された光を透過する透過パターンを介して、基板に形成された感光性材料層を間欠的に露光することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画するパターン描画方法であって、(a)第１透過パターンと、前記第１透過パターンに対して所定の主走査方向側に配置された第２透過パターンとが形成されたマスクを有する露光部を、基板に対して前記主走査方向に相対移動させる工程と、(b)前記(a)工程において、前記基板に対して前記主走査方向へ相対移動する前記露光部から、前記基板に形成された感光性材料層に向けて、前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを透過させた透過光を照射することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画する工程とを含むことを特徴とする。
【００１７】
また、第８の態様に係るパターン描画用のマスクは、基板に対して所定の主走査方向へ相対移動しつつ、前記基板に形成された感光性材料層に所定のパターンを描画するための光を透過させる透過パターンが形成されたパターン描画用のマスクであって、前記マスクは、第１透過パターンと、当該第１透過パターンに対して所定の主走査方向側に配置された第２透過パターンとが形成されており、前記主走査方向に沿って移動したときに、所定の光源から照射された光を前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して基板に形成された感光性材料層に照射して、前記感光性材料層に所定パターンを描画することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
第１の態様に係るパターン描画装置によれば、一方向への露光走査ごとに、主走査方向に並列配置された第１透過パターンと第２透過パターンとを介して基板を露光できる。したがって、露光走査の回数を増加させることなく、複数の透過パターンを介して露光できるため、効率的なパターン描画を実現できる。
【００１９】
また、第２の態様に係るパターン描画装置によれば、第１透過パターンと第２透過パターンを介して同一の領域を重畳的に露光する重畳的露光を、露光走査の回数を増やすことなく効率的に行うことができる。
【００２０】
また、第３の態様に係るパターン描画装置によれば、第１透過パターンと第２透過パターンが有する第１透過部と第２透過部とを、主走査方向に沿う位置に形成することで、第１透過パターンを介して露光した部分が第２透過パターンを介して露光されるため、重畳的な露光を高効率に行うことができる。
【００２１】
また、第４の態様に係るパターン描画装置によれば、第１透過パターンと第２透過パターンとで透過させるパターン光を異ならせることにより、基板上に種々の形状のパターンを形成させるためのパターン描画を効率的に実行できる。
【００２２】
また、第５の態様に係るパターン描画装置によれば、主走査方向の一方側への露光走査と他方側への露光走査とで、露光条件を一致させることができる。したがって、基板に対して露光部を相対的に往復移動させて露光させたときのパターン描画を均一に行うことができる。
【００２３】
また、第６の態様に係るパターン描画装置によれば、マスクの加工コストを抑えつつ、基板に対して露光部を相対的に往復移動させて露光させたときのパターン描画を均一に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
＜１．第１実施形態＞
＜１．１．  パターン描画装置の構成及び機能＞
以下、第１実施形態に係るパターン描画装置１００について説明する。
【００２５】
図１は、本発明の第１実施形態に係るパターン描画装置１００の構成を示す側面図である。また、図２は、第１実施形態に係るパターン描画装置１００の上面図である。パターン描画装置１００は、液晶表示装置のカラーフィルタ用基板を製造する工程において、ガラス基板（以下、単に「基板」と称する。）９の主面に形成された感光性材料（ここでは、カラーレジスト）の層（以下、レジスト層と称する。）に、所定パターンを描画するための装置である。なお、本実施形態では、非露光部分が後の現像処理により溶解するタイプ（いわゆるネガ型）のカラーレジストを使用する場合について説明する。
【００２６】
パターン描画装置１００は、基台１０と、その上面にて基板９を水平姿勢で保持するステージ１１と、基台１０に対してステージ１１を駆動する駆動部２０と、複数の露光部３０と、を主に備える。
【００２７】
以下の説明においては、方向及び向きを示す際に、図中に示すＸＹＺ直交座標を用いる。このＸＹＺ軸は、基台１０に対して相対的に固定されており、Ｘ軸及びＹ軸方向が水平方向、Ｚ軸方向が鉛直方向を示す。また、パターン描画装置１００における主走査方向は、Ｙ軸方向に対応し、副走査方向は、Ｘ軸方向に対応する。
【００２８】
＜ステージ１１＞
ステージ１１は、平板状の外形を有し、その上面に載置された基板９を略水平姿勢に保持する保持部として機能する。ステージ１１の上面には、複数の吸引孔（図示省略）が形成されている。これらの吸引孔の吸引圧により、ステージ１１上に載置された基板９は、ステージ１１の上面に固定保持される。
【００２９】
＜駆動部２０＞
駆動部２０は、基台１０に対してステージ１１を主走査方向（Ｙ軸方向）、副走査方向（Ｘ軸方向）に移動させるとともに、Ｚ軸を回転軸として回転させる駆動機構である。具体的に、駆動部２０は、ステージ１１を回転させる回転機構２１と、ステージ１１を下面側から支持する支持プレート２２と、支持プレート２２を副走査方向に移動させる副走査機構２３と、副走査機構２３を介して支持プレート２２を支持するベースプレート２４と、ベースプレート２４を主走査方向に移動させる主走査機構２５とを有している。
【００３０】
回転機構２１は、ステージ１１の（−Ｙ）側端部に取り付けられた移動子と、支持プレート２２の上面に設けられた固定子とにより構成されるリニアモータ２１ａを有する。また、回転機構２１は、ステージ１１の中央部下面側と支持プレート２２との間に、回転軸２１ｂを有する。リニアモータ２１ａを動作させることにより、固定子に沿って移動子がＸ軸方向に移動し、支持プレート２２上の回転軸２１ｂを中心としてステージ１１が所定角度の範囲内で回動する。
【００３１】
副走査機構２３は、支持プレート２２の下面に取り付けられた移動子とベースプレート２４の上面に敷設された固定子とにより構成されたリニアモータ２３ａを有している。また、副走査機構２３は、支持プレート２２とベースプレート２４との間に、副走査方向に延びる一対のガイド部２３ｂを有している。このため、リニアモータ２３ａを動作させると、ベースプレート２４上のガイド部２３ｂに沿って支持プレート２２が副走査方向に移動する。ステージ１１は支持プレート２２に支持されているため、副走査機構２３は、基台１０に対してステージ１１を副走査方向に移動させることができる。
【００３２】
主走査機構２５は、ベースプレート２４の下面に取り付けられた移動子と基台１０上に設けられた固定子とにより構成されるリニアモータ２５ａを有する。また、主走査機構２５は、ベースプレート２４と基台１０との間に、主走査方向に延びる一対のガイド部２５ｂを有している。リニアモータ２５ａを動作させることにより、基台１０上のガイド部２５ｂに沿ってベースプレート２４が主走査方向に移動する。ステージ１１は支持プレート２２及びベースプレート２４に支持されるため、主走査機構２５は、基台１０に対してステージ１１を主走査方向に移動させることになる。
【００３３】
複数の露光部３０は、ステージ１１上に載置された基板９の上面にパルス光を照射し、基板９を露光して規則的なパターンを描画する。基台１０には、基台１０の（−Ｘ）側端部から副走査方向に沿って（＋Ｘ）側端部まで掛け渡されており、ステージ１１及び駆動部２０を跨ぐ架橋構造のフレーム３１が固定されている。複数の露光部３０は、このフレーム３１において、副走査方向に沿って同一ピッチで配列するように取り付けられている。したがって、本実施形態では、複数の露光部３０の位置は、基台１０に対して固定されている。
【００３４】
駆動部２０の主走査機構２５及び副走査機構２３は、基台１０に対してステージ１１を移動させる。すなわち、主走査機構２５を駆動するとステージ１１上に載置された基板９に対して複数の露光部３０が主走査方向に相対的に移動し、副走査機構２３を駆動するとステージ１１上に載置された基板９に対して複数の露光部３０が副走査方向に相対的に移動することになる。
【００３５】
各露光部３０には、照明光学系３２を介してパルス光の光源である１つのレーザ発振器３３が接続されており、また、レーザ発振器３３にはレーザ駆動部３４が接続されている。そのため、レーザ駆動部３４を動作させると、レーザ発振器３３からパルス光が発振され、発振されたパルス光は照明光学系３２を介して各露光部３０内に導かれる。
【００３６】
各露光部３０の内部には、照明光学系３２により導かれたパルス光を下方へ向けて出射するための出射部３５と、パルス光を部分的に遮光して所定形状の光束を形成するためのマスクユニット３６と、当該光束を基板９の上面に照射するための投影光学系３７とが設けられている。
【００３７】
詳細には、出射部３５から出射されたパルス光は、マスクユニット３６を通過する際に、後述のパターン描画用のマスク３６１により部分的に遮光され、所定形状に成形されて投影光学系３７へ入射する。そして、投影光学系３７を通過した所定形状のパルス光の光束が基板９の上面に照射されることにより、基板９に形成されたレジスト層が感光する。
【００３８】
なお、本実施形態に係るパターン描画装置１００は、基本的には、レジスト層を過剰に露光しないように、パターン光を２回照射することにより、レジスト層を露光する。具体的には、パターン描画装置１００は、カラーフィルターのサブ画素となる各部分について、中強度のパルス光を１回照射した後、再び中強度のパルス光を重畳的に照射することで、レジスト層にカラーフィルター用のパターンを描画する。
【００３９】
＜マスクユニット３６＞
図３は、第１実施形態に係るマスクユニット３６の構成を示す上面図である。マスクユニット３６は、光を遮る加工が施されたガラス板や、金属板等で構成されるマスク３６１と、当該マスク３６１の水平面内における位置を調整するマスク移動機構３６２とを主に有する。
【００４０】
マスクユニット３６において、マスク３６１の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側の端部は、一対の保持部３６２ａに保持されている。また、一対の保持部３６２ａは、主走査方向に沿って敷設された第１駆動部３６２ｂに接続されている。このため、第１駆動部３６２ｂを動作させると、一対の保持部３６２ａとマスク３６１とが一体として主走査方向に移動する。
【００４１】
また、第１駆動部３６２ｂの下部には、副走査方向にのびる一対のガイドレール３６２ｃと、リニアモータ等により構成された第２駆動部３６２ｄとが設けられている。第２駆動部３６２ｄを動作させることにより、第１駆動部３６２ｂ、保持部３６２ａ及びマスク３６１が副走査方向へ一体的に移動する。
【００４２】
このように、本実施形態に係るマスクユニット３６は、第１駆動部３６２ｂ及び第２駆動部３６２ｄを動作させることによりマスク３６１を移動させ、マスク３６１の主走査方向および副走査方向の位置を調整できる。
【００４３】
＜マスク３６１＞
図４は、第１実施形態に係るマスク３６１を示す上面図である。マスク３６１には、光を透過させる複数のスロットＳＬａと複数のスロットＳＬｂが、それぞれ副走査方向において等間隔となるように、規則的に配置されており、これら複数のスロットＳＬａまたはスロットＳＬｂにより、４つの透過パターン（透過パターンＳＬＧ１〜ＳＬＧ４）が形成されている。
【００４４】
透過パターンＳＬＧ１〜ＳＬＧ４は、主走査方向の長さが等しいスロットＳＬａまたはスロットＳＬｂを有している。透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ３は、副走査方向において比較的幅の広い矩形形状のスロットＳＬａを複数個有しており、また、透過パターンＳＬＧ２，ＳＬＧ４は、副走査方向において比較的幅の狭い矩形形状のスロットＳＬｂを複数個有している。そして、透過パターンＳＬＧ１〜ＳＬＧ４のそれぞれは、同じ数量のスロットＳＬａまたはスロットＳＬｂを有している。
【００４５】
透過パターンＳＬＧ１は、透過パターンＳＬＧ２に対して主走査方向の（＋Ｙ）に設けられており、また、透過パターンＳＬＧ４は、透過パターンＳＬＧ３に対して主走査方向の（−Ｙ）側に設けられている。
【００４６】
透過パターンＳＬＧ２は、透過パターンＳＬＧ１を構成するスロットＳＬａのそれぞれに対して主走査方向の（−Ｙ）側に配置されたスロットＳＬｂにより構成される。また、透過パターンＳＬＧ１の各スロットＳＬａと、透過パターンＳＬＧ２の各スロットＳＬｂとは、主走査方向に平行な軸（例えば、軸Ｑ１）上に沿ってそれぞれ配置されている。すなわち、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２のスロットＳＬａ，ＳＬｂは、マスク３６１上において、主走査方向に沿って１対１に対応づけられて形成されている。
【００４７】
また、透過パターンＳＬＧ４は、透過パターンＳＬＧ３を構成するスロットＳＬａのそれぞれに対して主走査方向の（＋Ｙ）側に配置されたスロットＳＬｂにより構成される。また、透過パターンＳＬＧ３の各スロットＳＬａと、透過パターンＳＬＧ４の各スロットＳＬｂとは、主走査方向に平行な軸（例えば、軸Ｑ１）上に沿ってそれぞれ配置されている。すなわち、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４のスロットＳＬａ，ＳＬｂは、マスク３６１上において、主走査方向に沿って１対１に対応づけられて形成されている。
【００４８】
また、照明光学系３２を介して露光部３０へ入射させたパルス光が透過パターンＳＬＧ３を透過して得られる光束（パターン光）の形状は、透過パターンＳＬＧ１を透過したときと同一の形状（ここでは、主走査方向において比較的幅の広い矩形形状の光束が、副走査方向に沿って等間隔となるように規則的に並べられた形状）となる。また、露光部３０へ入射させたパルス光が透過パターンＳＬＧ４を透過して得られる光束の形状は、透過パターンＳＬＧ２を透過したときと同一の形状となる。
【００４９】
さらに、本実施形態では、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２と、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４とは、互いに、透過パターンＳＬＧ２と透過パターンＳＬＧ３との間の副走査方向に平行な軸Ｑ２を通るＸＺ平面を鏡像面とする鏡像関係にある。すなわち、光を透過パターンＳＬＧ１,ＳＬＧ２に同時に透過させたときに得られる光束形状と、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４に透過させたときに得られる光束形状とが、上記鏡像面に対して互いに鏡像関係となる。
【００５０】
また、詳細は後述するが、本実施形態に係るパターン描画装置１００は、基板９に対して露光部３０を主走査方向の（＋Ｙ）側と（−Ｙ）側とへ相対的に往復移動させつつ、基板９の所定領域（描画対象領域９１、図７参照）を露光する。この往復移動のうち、主走査方向の（＋Ｙ）側へ相対移動させて露光する「往路側の露光走査」では、パターン描画装置１００は、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２を介して基板９を露光する。一方、主走査方向の（−Ｙ）側へ相対移動させて露光する「復路側の露光走査」では、パターン描画装置１００は、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４を介して基板９を露光する。この透過パターン群からの特定の透過パターンの選択については、後述の制御部５０がマスク移動機構３６２を制御することにより、マスク３６１を所定位置へ移動させることで実現される。
【００５１】
＜制御部５０＞
図５は、第１実施形態に係る制御部５０を含むパターン描画装置１００の構成を概念的に示すブロック図である。パターン描画装置１００は、装置全体を制御するとともに、各種の演算処理を行う制御部５０を備える。制御部５０は、ＣＰＵ及びメモリ等を備えたコンピュータによって構成され、予めメモリに記憶されたプログラムに従ってＣＰＵが演算処理を行うことにより、装置各部の制御機能や各種の演算機能が実現される。図５に示すように、上述の回転機構２１、副走査機構２３、主走査機構２５及びレーザ駆動部３４、マスク移動機構３６２等は、制御部５０と電気的に接続され、制御部５０により制御される。
【００５２】
また、パターン描画装置１００は、ユーザの各種の操作を受け付ける操作部５１、及び、パターンの描画に必要な描画用のデータを入力するデータ入力部５２をさらに備える。データ入力部５２は、例えば、記録媒体を読み取る読取装置や、外部装置との間でデータ通信を行う通信装置などとして構成される。これら操作部５１及びデータ入力部５２も制御部５０と電気的に接続される。操作部５１の操作内容は、所定形式の信号として制御部５０に入力されるとともに、データ入力部５２に入力された描画用のデータが制御部５０のメモリに記憶される。
【００５３】
＜１．２．  パターン描画装置の動作＞
次に、パターン描画装置１００の動作について図６〜図９を参照しつつ説明する。
【００５４】
図６は、第１実施形態に係るパターン描画装置１００の動作を示す流れ図である。まず、予めレジスト（カラーレジスト）が塗布された基板９が、搬送ロボットなどにより搬入され、ステージ１１の上面に載置される。基板９は、ステージ１１の上面に形成された吸着口により吸着保持され、ステージ１１の上面に略水平姿勢で保持される（ステップＳ１）。
【００５５】
基板９の吸着保持が完了すると、複数の露光部３０は、描画用のデータにより定められる所定の露光開始位置に相対移動され（ステップＳ２）、パターン描画装置１００によるパターン描画が開始される。なお、説明は省略するが、ステップＳ２が実行される前に、基板９の位置を所定位置に合わせる位置合わせ（アライメント）が適宜行われてもよい。
【００５６】
図７〜図９は、第１実施形態に係るパターン描画装置１００がパターン描画するときの基板９の露光状態を示す図である。なお、図７〜図９に示す描画対象領域９１は、パターン描画が行われるべき領域（ここでは、カラーフィルターが形成されるべき領域）であり、制御部５０のメモリに予め記憶された描画用のデータに基づいて定められる。そして、同図では、各露光部３０が基板９に対して静止した状態で露光可能な（すなわち、パターンを描画可能な）範囲を、描画範囲８０として図示している。
【００５７】
前述のように、複数の露光部３０は、副走査方向に沿って同一ピッチ（例えば、２００ｍｍ）で配列されているため、複数の露光部３０のそれぞれに対応する複数の描画範囲８０も、副走査方向に沿ってこれと同一のピッチＨ（例えば、２００ｍｍ）で配列されている。
【００５８】
各露光部３０は、（＋Ｘ）側に隣り合う露光部３０までの基板９上の領域（幅Ｈの領域）を複数回に分けて走査しつつ露光する。そのため、パターン描画装置１００は、まず、描画用のデータに応じて、所定の移動開始位置に複数の露光部３０を相対移動させる。これにより、描画範囲８０が露光開始位置に相対移動する（図７参照）。
【００５９】
次に、図８に示すように、露光部３０（すなわち、描画範囲８０）が、基板９に対して主走査方向の（＋Ｙ）側に一定速度で相対移動される。この際、露光部３０からは、パルス光が所定の時間周期で（すなわち、間欠的に）出射される。これにより、主走査方向に沿って延びる基板９上の所定領域（走査領域Ａｓ）を対象に、描画すべきレジスト層の部分に対する露光が露光部３０ごとに実行される。
【００６０】
本実施形態では、この露光走査により露光される走査領域Ａｓに、規則的なパターンが描画される（図６、ステップＳ３）。このパターンが描画された領域を、図８では斜線のハッチングにより示している。
【００６１】
主走査方向への露光走査が完了すると、パターン描画装置１００は、次の露光走査が必要か否かを判定する（図６、ステップＳ４）。この判定は、制御部５０が描画用のデータを参照することにより実現される。
【００６２】
次の露光走査が必要であると判定された場合（ステップＳ４にてＹＥＳ）、パターン描画装置１００は、次の露光走査を行うために、露光部３０（すなわち、描画範囲８０）を基板９に対して所定幅（ここでは、描画範囲８０の幅）だけ副走査方向の（＋Ｘ）側に相対移動させる（ステップＳ５）。
【００６３】
副走査方向への相対移動が完了すると、パターン描画装置１００は、図９に示すように、基板９に対して露光部３０（すなわち、描画範囲８０）を主走査方向の（−Ｙ）側へ一定速度で相対移動させる。これにより、露光部３０ごとに、前回の露光走査で対象となった走査領域Ａｓとは異なる（ここでは、（＋Ｘ）側に隣接する）走査領域Ａｓを対象とした露光走査が実行される（ステップＳ３）。このように、パターン描画装置１００は、描画対象領域９１全体についてのパターンの描画が完了するまで、ステップＳ３からステップＳ５までの工程を繰り返し実行する。
【００６４】
ステップＳ４において、次の露光走査が不要であると判定された場合、すなわち、描画対象領域９１全体についてのパターンの描画が完了した場合には、基板９は、搬送ロボット等によりステージ１１の上面から搬出される（ステップＳ４にてＮＯ、ステップＳ６）。
【００６５】
基板９に描画された所定パターンの各部分は、後の工程にて現像処理及び熱硬化処理されて、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色を有するカラーフィルタのサブ画素となる。このようなサブ画素の形成（露光処理、現像処理及び熱硬化処理）は、Ｒ，Ｇ，Ｂのそれぞれについて実行される。
【００６６】
以上が、パターン描画装置１００のパターン描画における基本的な動作についての説明である。次に、本実施形態に係るパターン描画の詳細について、まず往路側の露光走査について説明し、その次に、復路側の露光走査について説明する。
【００６７】
＜往路側の露光走査＞
図１０〜図１２は、往路側の露光走査における基板９の露光状況を説明するための図である。なお、図１０〜図１２は、基板９の描画対象領域９１の一部分を示している。また、要素領域９２は、カラーフィルターのサブ画素に相当する領域である。
【００６８】
前述のように、パターン描画装置１００は、基板９に対して露光部３０を主走査方向の（＋Ｙ）側へ一定速度で相対移動させつつ露光する場合（すなわち、往路側の露光走査の場合）、マスク３６１に形成された透過パターン群のうちの透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２を介して基板９を露光する。
【００６９】
そこで、図１０〜図１２では、マスク３６１に形成された透過パターンＳＬＧ１に含まれるスロットＳＬａを透過したパルス光が照射される領域を照射領域８１として図示している。また、マスク３６１に形成された透過パターンＳＬＧ２に含まれるスロットＳＬｂを透過したパルス光が照射される領域を照射領域８２として図示している。上述のように、スロットＳＬｂは、スロットＳＬａよりも副走査方向における幅が狭いため（図４参照）、照射領域８２は、照射領域８１よりも副走査方向の幅が狭くなっている。
【００７０】
また、図１１は、図１０に示す照射領域８１，８２が基板９に対して１サブ画素分（＋Ｙ）側へ相対移動した後の状態を示している。そして、図１２は、図１１に示す照射領域８１，８２を基板９に対して１サブ画素分（＋Ｙ）側へ相対移動した後の状態を示している。
【００７１】
本実施形態では、上述の透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２が有するスロットＳＬａとスロットＳＬｂの主走査方向における離間距離は、マスク３６１上において、主走査方向に隣り合うスロットＳＬａ，ＳＬｂを透過した光が照射される領域（すなわち、主走査方向において隣り合う照射領域８１，８２）が主走査方向において互いに隣り合う要素領域９２のそれぞれに一致するように設定されている。
【００７２】
したがって、図１０〜１２に示すように、副走査方向に沿う複数の要素領域９２の各列が、主走査方向の（−Ｙ）側から（＋Ｙ）側へ向かう順（すなわち、図１０〜１２中、列Ａ１、列Ａ２、列Ａ３の順）に照射領域８１と重なって、中強度での１回分の露光量が付与されることとなる。一方、列Ａ１の各要素領域９２は、照射領域８１が列Ａ２の各要素領域９２と重なるときに照射領域８２と重なって、要素領域９２の一部分（中央部分）についての２回目の露光が行われる（図１１参照）。同様に、列Ａ２の各要素領域９２は、照射領域８１が列Ａ３の要素領域９２と重なるときに、照射領域８２と重なって２回目の露光が行われる（図１２参照）。
【００７３】
すなわち、列Ａ１〜Ａ３の各要素領域９２は、まず透過パターンＳＬＧ１を介して露光され、さらに露光部３０が基板９に対して１サブ画素分相対移動した後に、透過パターンＳＬＧ２を介して露光されることとなる。このような往路側の露光走査により、基板９の走査領域Ａｓのうちの各サブ画素に相当する部分（要素領域９２）のが、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２を透過したパルス光により重畳的に露光されることとなる。
【００７４】
なお、重畳的に露光された部分（図１０〜１２中、比較的密な斜線ハッチングで示す。）は、１回分の露光がなされた部分（図１０〜１２中、比較的疎な斜線ハッチングで示す。）よりも副走査方向において狭い範囲となる。したがって、本実施形態では、往路側の露光走査による基板９上の露光部分には、後工程の現像処理直後において、ＸＺ平面の断面形状が中央部分で鉛直方向に突出する凸型形状のカラーフィルタのサブ画素が形成されることとなる。以上が、往路側の露光走査についての説明である。次に、復路側の露光走査について説明する。
【００７５】
＜復路側の露光走査＞
図１３〜図１５は、復路側の露光走査における基板９の露光状況を説明するための図である。なお、図１３〜図１５は、図１０〜１２と同様に、基板９の描画対象領域９１の一部分を示している。
【００７６】
前述のように、パターン描画装置１００は、基板９に対して露光部３０を主走査方向の（−Ｙ）側へ一定速度で相対移動させつつ露光する場合（すなわち、復路側の露光走査の場合）、マスク３６１に形成された透過パターン群のうちの透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４を介して基板９を露光する。
【００７７】
そこで、図１３〜図１５では、マスク３６１に形成された透過パターンＳＬＧ３に含まれるスロットＳＬａを透過したパルス光が照射される領域を、照射領域８３として図示している。また、マスク３６１に形成された透過パターンＳＬＧ４に含まれるスロットＳＬｂを透過したパルス光が照射される領域を照射領域８４として図示している。照射領域８３は、照射領域８１と同サイズの矩形領域であり、また、照射領域８４は、照射領域８２と同サイズの矩形領域となっている。
【００７８】
また、図１４は、図１３に示す照射領域８３，８４が基板９に対して１サブ画素分（−Ｙ）側へ相対移動した後の状態を示している。また、図１５は、図１４に示す照射領域８３，８４が基板９に対して１サブ画素分（−Ｙ）側へ相対移動した後の状態を示している。
【００７９】
本実施形態では、上述の透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４が有するスロットＳＬａとスロットＳＬｂの主走査方向における離間距離は、マスク３６１上において、主走査方向に隣り合うスロットＳＬａ，ＳＬｂを透過した光が照射される領域（すなわち、主走査方向において隣り合う照射領域８３，８４）が主走査方向において互いに隣り合う要素領域９２と一致するように設定されている。
【００８０】
したがって、図１３〜１５に示すように、副走査方向に沿う複数の要素領域９２の各列が、時系列的に主走査方向の（＋Ｙ）側から（−Ｙ）側へ向かう順（すなわち、図１３〜１５中、列Ｂ１、列Ｂ２、列Ｂ３の順）に照射領域８３と重なり、中間強度での１回分の露光量が付与されることとなる。一方で、列Ｂ１の各要素領域９２は、照射領域８３が列Ｂ２の各要素領域９２と重なるときに、照射領域８４と重なって２回目の露光が行われる（図１４参照）。同様に、列Ｂ２の各要素領域９２については、照射領域８３が列Ｂ３の要素領域９２と重なるときに、照射領域８４と重なって２回目の露光が行われる（図１５参照）。
【００８１】
すなわち、列Ｂ１〜Ｂ３の各要素領域９２は、まず透過パターンＳＬＧ３を介して露光され、さらに露光部３０が基板９に対して１サブ画素分相対移動した後に、透過パターンＳＬＧ４を介して露光されることとなる。このような復路側の露光走査により、基板９の走査領域Ａｓのうちの各サブ画素に相当する部分（要素領域９２）が、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４を透過したパルス光により重畳的に露光されることとなる。
【００８２】
なお、重畳的に露光された部分（図１３〜１５中、比較的密な斜線ハッチングで示す。）は、一回分の露光がなされた部分（図１３〜１５中、比較的疎な斜線ハッチングで示す。）よりも副走査方向において狭くなっている。したがって、復路側の露光走査における基板９上の露光部分についても、往路側の露光走査における露光部分と同様に、後工程の現像処理によって、ＸＺ平面の断面形状が中央部分で鉛直方向に突出する凸型形状のカラーフィルタのサブ画素が形成されることとなる。
【００８３】
以上のように、本実施形態に係るパターン描画装置１００では、主走査方向の（＋Ｙ）方向（または、−Ｙ方向）についての一回の露光走査で、マスク３６１上の主走査方向に沿って並列的に形成された透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２（または、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４）を介して基板９を露光する。したがって、従来のように、透過パターンごとに露光部３０を基板９に対して走査させる（すなわち、基板９の描画対象領域９１全面を少なくとも２回走査させる）ことと同様の露光を実現できる。したがって、複数の透過パターンを介した露光処理を効率的に実行できる。
【００８４】
また、本実施形態に係るマスク３６１は、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２と、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４とが、軸Ｑ２を通るＸＺ平面を鏡面とする鏡像関係となるように形成されている。そしてパターン描画装置１００は、往路側の露光走査では、透過パターンＳＬＧ１,ＳＬＧ２を介して露光し、復路側の露光走査では、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４を介して露光する。したがって、レジスト層の露光されるべき部分は、常に、スロットＳＬａを透過したパルス光が照射された後に、スロットＳＬｂを透過したパルス光が照射されることとなる。これにより、往路側の露光走査と復路側の露光走査とで、露光条件を一致させることができるため、描画対象領域９１の全面に亘って、パターン描画を均一に行うことができる。
【００８５】
＜２．第２実施形態＞
第１実施形態では、マスク３６１において、透過パターンＳＬＧ２を、透過パターンＳＬＧ１の主走査方向の（−Ｙ）側に配置するとともに、透過パターンＳＬＧ４を、透過パターンＳＬＧ３の主走査方向の（＋Ｙ）側に配置するとしているが、透過パターン群の設け方は、これに限られるものではない。
【００８６】
＜マスク３６１ａ＞
図１６は、本発明の第２実施形態に係るマスク３６１ａを示す上面図である。なお、本実施形態の説明において、第１実施形態と同様の機能を有する要素については同一符号を付してその説明を省略する。
【００８７】
本実施形態に係るマスク３６１ａは、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２，ＳＬＧ３が、主走査方向の（＋Ｙ）側から（−Ｙ）側に向かってこの順に形成されているものの、透過パターンＳＬＧ４が省略されている点で第１実施形態に係るマスク３６１と異なる。なお、透過パターンＳＬＧ１と透過パターンＳＬＧ２との間の距離は、第１実施形態に係るマスク３６１に形成されている透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２間の距離と同じである。また、透過パターンＳＬＧ２と透過パターンＳＬＧ３との間の距離は、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２間の距離と一致している。
【００８８】
本実施形態では、露光部３０が、往路側の露光走査のときには、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２を介して基板９を露光し、復路側の露光走査のときには、透過パターンＳＬＧ２，ＳＬＧ３を介して露光するように、マスク３６１ａの露光部３０における配置位置がマスク移動機構３６２により調整される。
【００８９】
すなわち、本実施形態においても、第１実施形態と同様に、往路側及び復路側の露光走査で、スロットＳＬａを透過したパルス光が投射された要素領域９２に対して、所定時間経過後に、スロットＳＬｂを透過したパルス光が照射される。したがって、往路側及び復路側の露光走査において、露光条件を一致させることができるため、描画対象領域９１の全面に亘って、均一なパターンの描画を実現できる。
【００９０】
また、本実施形態に係るマスク３６１ａについては、第１実施形態に係るマスク３６１に設けた透過パターンＳＬＧ４の加工が不要となるとともに、マスク上に占める透過パターン領域を小さくすることができる。
【００９１】
また、マスク上に占める透過パターン領域を小さくすることができることから、１のマスクにおいて、別の透過パターンを形成する領域を確保できるため、種々の透過パターンを同一マスク上に形成することも可能となる。この場合、照射すべきパターン光を形成する透過パターンを適宜に選択できるようにマスクユニットを構成することで、マスクを交換する手間を省きつつ、様々な種類のパターン光での露光処理を実現できる。
【００９２】
＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００９３】
例えば、第１実施形態では、往路側の露光走査では、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２を使用し、復路側の露光走査では、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４を使用すると説明した。しかし、露光走査時に使用する透過パターンの組み合わせは、このようなものに限られない。
【００９４】
すなわち、往路側の露光走査において、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４を使用し、復路側の露光走査において、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２を使用するようにしてもよい。あるいは、往路側の露光走査において、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ４（または、透過パターンＳＬＧ２，ＳＬＧ３）を使用し、復路側の露光走査において、透過パターンＳＬＧ２，ＳＬＧ３（または、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ４）を使用してもよい。
【００９５】
また、第１実施形態では、透過パターンＳＬＧ１〜ＳＬＧ４の全てを同一のマスク３６１に形成されているが、必ずしも同一のマスク３６１上に形成されている必要はない。すなわち、透過パターンＳＬＧ１〜ＳＬＧ４のうちのいずれかを別のマスクに形成するとともに、往路側（あるいは、復路側）の露光走査において、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２（あるいは、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４）を選択可能とするマスク移動機構を適宜に設けることで、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９６】
また、第１実施形態では、使用する透過パターンの組み合わせを、往路側と復路側との露光走査で変更するとしているが、往路側と復路側との露光走査で、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２（または、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４）のみを使用してもよい。また、マスク３６１の代わりに、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２（あるいは、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４）のみが形成されたマスクを使用して、露光部３０が往路側及び復路側の露光走査をするようにしてもよい。
【００９７】
また、上記実施形態では、スロットＳＬａ及びスロットＳＬｂを介して、主走査方向において隣り合う要素領域９２を同時に照射するように、スロットＳＬａ，ＳＬｂの主走査方向の配置位置を設定しているが、スロットＳＬａ，ＳＬｂの配置位置はこれに限られるものではない。例えば、主走査方向においてＮ個分（ただし、Ｎは２以上の整数）の要素領域９２を間に挟んで離間する２つの要素領域９２のそれぞれに、スロットＳＬａ，ＳＬｂを介したパターン光を照射するように、主走査方向のスロットＳＬａ，ＳＬｂ間の離間距離が設定されてもよい。この場合、マスクを介して照射される照射領域８１，８２（または、照射領域８３，８４）が主走査方向において要素領域９２のＮ個分離間することとなるが、（＋Ｙ）側または（−Ｙ）側への１回分の露光走査で、各要素領域９２を照射領域８１，８２（または、照射領域８３，８４）が通過するため、結果的には、複数の透過パターンを介しての重畳的露光が行われることとなる。
【００９８】
また、上記実施形態では、パターン描画装置１００は、マスク３６１，３６１ａに形成された２種類の透過パターン群を介して、所定形状のパターン光を基板９に照射しているが、例えば、互いに同一または異なる形状のパターン光を透過する３以上の透過パターン群をマスクに設け、これら３以上の透過パターン群を同時に介して基板９を露光するようにしてもよい。この場合には、より複雑な条件での露光が可能となるため、露光走査回数を増やすことなく、パターン描画の自由度を高めることができる。
【００９９】
また、上記実施形態では、副走査方向におけるスロットＳＬｂの幅を、スロットＳＬａに比べて短くすることで、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２（または、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４）のそれぞれを透過させるパターン光の形状を異ならせている。しかし、これに限られず、透過部について、幾何学的な形状（矩形、十字型、鉤型、円形（楕円形を含む）等）の違いや、配置方向の違い（縦横の向きが異なる）等によって、透過させるパターン光の形状を異ならせることも妨げられない。
【０１００】
図１７は、変形例に係るスロット（透過部）を示す上面図である。すなわち、種々の幾何学的形状を持つ透過部の例として、矩形のスロットＳＬａ，ＳＬｂの他、図１７に示すような、十字型のスロットＳＬｃ、鉤型のスロットＳＬｄ、楕円形のスロットＳＬｅ等が挙げられる。また、配置方向の違いの例としては、図１７に示すスロットＳＬｂと、これを回転配置したスロットＳＬｆなど、所定角度回転させて配置する場合等が挙げられる。
【０１０１】
また、上記実施形態では、スロットＳＬａ，ＳＬｂを主走査方向の同軸上に配置することで、重畳的な露光を行うようにしているが、スロットＳＬａ，ＳＬｂを副走査方向において互いにずらした位置に配置して、各スロットＳＬａ，ＳＬｂのそれぞれを透過したパターン光が、互いに副走査方向にずれた状態でレジスト層に照射されるようにしてもよい。この場合、主走査方向の（＋Ｙ）側または（−Ｙ）側への1回の露光走査で、照射領域８１，８２（８３，８４）が異なる直線上を走査することとなるため、重畳的な露光がなされなくなるが、複数の透過パターンを介した効率的なパターン描画を実現できる。もちろん、この場合の複数の透過パターンは、互いに異なるパターン光を成形するものあってもよいし、同一のパターン光を成形するものであってもよい。
【０１０２】
また、上記実施形態では、マスク３６１，３６１ａを単一の構成としているが、例えば、複数のマスクを上下に組み合わせて、これら複数のマスクを水平方向に相対移動させて各スロットの縦横長さを調整することで、レジスト層に照射するパターン光の形状を任意に調整できるようにしてもよい。
【０１０３】
また、上記実施形態では、ネガ型のカラーレジストを用いる場合について説明したが、ポジ型のカラーレジストを用いる場合には、マスク３６１，３６１ａに形成された透過部分と遮光部分とを逆転させたマスクを用いることにより、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０４】
また、上記実施形態では、スロットＳＬａ，ＳＬｂの領域は、パルス光をそのまま透過させているが、スロット（透過部）の構成は、このようなものに限られない。
【０１０５】
図１８は、その他の変形例に係るスロット（透過部）を示す上面図である。すなわち、各スロットＳＬａ，ＳＬｂの領域の内側の一部に遮光部分（不透明性部分）を設けることで、スロットが、内側で部分的に遮光されたパターン光を成形するようにしてもよい。例えば、図１８に示すスロットＳＬｇのように、内部に光を遮断する不透明性部分Ｍ１を設けた場合には、帯状の光束を得ることが可能となる。
【０１０６】
また、スロットＳＬａ，ＳＬｂの領域の内側の一部または全部に、所定の透過率を有する半透明性部分を設けることにより、レジスト層に照射するパルス光の強度を当該透過率で部分的に調整することも妨げられない。例えば、図１８に示すスロットＳＬｈのように、内部に半透明性部分Ｍ２を設けた場合、周辺部分と中央部分とで露光強度の異なるパターン光を得ることができる。
【０１０７】
また、上記実施形態では、カラーフィルタ用の基板を製造する場合について説明したが、パターン描画装置１００は、このようなものに限られるものではなく、透過パターン群が形成されたマスクを用いて所定パターンを描画する（潜像を形成する）種々の装置に変形利用できる。
【０１０８】
さらに、上記各実施形態及び変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜に組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るパターン描画装置の構成を示す側面図である。
【図２】第１実施形態に係るパターン描画装置の上面図である。
【図３】第１実施形態に係るマスクユニットの構成を示す上面図である。
【図４】第１実施形態に係るマスクを示す上面図である。
【図５】第１実施形態に係る制御部を含むパターン描画装置の構成を概念的に示すブロック図である。
【図６】第１実施形態に係るパターン描画装置の動作を示す流れ図である。
【図７】第１実施形態に係るパターン描画装置がパターン描画するときの基板の露光状態を示す図である。
【図８】第１実施形態に係るパターン描画装置がパターン描画するときの基板の露光状態を示す図である。
【図９】第１実施形態に係るパターン描画装置がパターン描画するときの基板の露光状態を示す図である。
【図１０】往路側の露光走査における基板の露光状況を説明するための図である。
【図１１】往路側の露光走査における基板の露光状況を説明するための図である。
【図１２】往路側の露光走査における基板の露光状況を説明するための図である。
【図１３】復路側の露光走査における基板の露光状況を説明するための図である。
【図１４】復路側の露光走査における基板の露光状況を説明するための図である。
【図１５】復路側の露光走査における基板の露光状況を説明するための図である。
【図１６】第２実施形態に係るマスクを示す上面図である。
【図１７】変形例に係るスロット（透過部）を示す上面図である。
【図１８】その他の変形例に係るスロット（透過部）を示す上面図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１００  パターン描画装置
２０  駆動部（移動機構）
２３  副走査機構
２５  主走査機構
３０  露光部
３６  マスクユニット
３６１，３６１ａ  マスク
３６２  マスク移動機構
８１〜８４  照射領域
９  基板
９１  描画対象領域
９２  要素領域
Ａｓ  走査領域
ＳＬＧ１，ＳＬＧ２，ＳＬＧ３，ＳＬＧ４  透過パターン
ＳＬａ〜ＳＬｈ  スロット（透過部）
【図１】
2010122619.tif 000003
【図２】
2010122619.tif 000004
【図３】
2010122619.tif 000005
【図４】
2010122619.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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