(57)【要約】      （修正有）【課題】外部汚染から電子デバイスを保護するとともに、電子デバイス表面における帯電防止効果を向上させ、信頼性に優れた電子デバイスパッケージを提供する。【解決手段】電子デバイスパッケージ１Ａ（１）は、半導体基板１１、前記半導体基板の一方の面上に配された複数の電極１２、及び前記半導体基板の一方の面上に配され、前記電極と電気的に接続された機能素子１３を少なくとも備える電子デバイス１０が、筐体２内に配され、前記電極と前記筐体に配された複数の外部端子３とが電気的に接続されてなる電子デバイスパッケージであって、前記電子デバイスにおいて、前記機能素子及び電極が配された前記半導体基板の一面の少なくとも一部を覆うように絶縁性の第一保護層１５と第二保護層１６とが順に積層されており、前記第二保護層は導電性を有し、該第二保護層と、前記外部端子の一部とが電気的に接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板、前記半導体基板の一方の面上に配された複数の電極、及び前記半導体基板の一方の面に配され、前記電極と電気的に接続された機能素子を少なくとも備える電子デバイスが、筐体内に配され、前記電極と前記筐体に配された複数の外部端子とが電気的に接続されてなる電子デバイスパッケージであって、
前記電子デバイスにおいて、前記機能素子及び電極が配された前記半導体基板の一面の少なくとも一部を覆うように絶縁性の第一保護層と第二保護層とが順に積層されており、
前記第二保護層は導電性を有し、該第二保護層と、前記外部端子の一部とが電気的に接続されていることを特徴とする電子デバイスパッケージ。
【請求項２】
前記半導体基板の一面上に導電層が配されており、前記導電層と前記第二保護層とが特定の金属ワイヤにより電気的に接続され、かつ、該特定の金属ワイヤが前記第二保護層のみによって覆われる構成とされていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスパッケージ。
【請求項３】
前記半導体基板の一面上に導電層が配されており、前記導電層と前記第二保護層とが特定の金属ワイヤにより電気的に接続され、かつ、該特定の金属ワイヤが前記第一保護層と第二保護層を通過し、前記筐体に設けられた特定の外部端子を介してグランドと電気的に接続する構成とされていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスパッケージ。
【請求項４】
特定の金属ワイヤの一端が前記筐体に設けられた特定の外部端子を介してグランドと電気的に接続され、該特定の金属ワイヤの他端が前記第二保護層と電気的に接続する構成とされていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子デバイスを備えた電子デバイスパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスやＭＥＭＳデバイスは、その目的により様々な環境で使用される。それらの環境では、外部の汚染によりデバイスの特性に影響を与える可能性がある。よってそれらの影響からデバイスを保護する目的で、デバイスをモールド樹脂等で保護するのが一般的である。
【０００３】
しかしながら、外部環境を測定するような電子デバイス、例えば圧力センサにおいては、そのセンシング部を外部にさらす必要があり、上記とは別の方法でデバイスを保護する必要がある。例えば、特許文献１においては、圧力センサのダイアフラム部にシリコーンゲルからなる保護層を形成している。
また、特許文献２においては、デバイス表面の帯電防止を目的としたシールド電極の形成について記載されている。デバイスを汚染や帯電から保護しようとした際、デバイスの回路上にシールド電極を形成後、その上にシリコーンゲルで保護する構造が考えられる。
【０００４】
しかしながら、静電気は物や空気が接触した際に発生するため、デバイスの最表面に帯電しやすい。これらの構造では最表面にあるゲルの帯電を防ぐことはできず、デバイスに何らかの影響を与える可能性がある。また、圧力センサにおいてはセンシング部上にシールド電極を形成すると、感度の低下を招く可能性がある。
【特許文献１】特表２００２−５１４３０７号公報
【特許文献２】特許第３３３０８３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、外部汚染から電子デバイスを保護するとともに、電子デバイス表面における帯電防止効果を向上させ、信頼性に優れた電子デバイスパッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１に記載の電子デバイスパッケージは、半導体基板、前記半導体基板の一方の面上に配された複数の電極、及び前記半導体基板の一方の面に配され、前記電極と電気的に接続された機能素子を少なくとも備える電子デバイスが、筐体内に配され、前記電極と前記筐体に配された複数の外部端子とが電気的に接続されてなる電子デバイスパッケージであって、前記電子デバイスにおいて、前記機能素子及び電極が配された前記半導体基板の一面の少なくとも一部を覆うように絶縁性の第一保護層と第二保護層とが順に積層されており、前記第二保護層は導電性を有し、該第二保護層と、前記外部端子の一部とが電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の電子デバイスパッケージは、請求項１において、前記半導体基板の一面上に導電層が配されており、前記導電層と前記第二保護層とが特定の金属ワイヤにより電気的に接続され、かつ、該特定の金属ワイヤが前記第二保護層のみによって覆われる構成とされていることを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の電子デバイスパッケージは、請求項１において、前記半導体基板の一面上に導電層が配されており、前記導電層と前記第二保護層とが特定の金属ワイヤにより電気的に接続され、かつ、該特定の金属ワイヤが前記第一保護層と第二保護層を通過し、前記筐体２に設けられた特定の外部端子を介してグランドと電気的に接続する構成とされていることを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の電子デバイスパッケージは、請求項１において、特定の金属ワイヤの一端が前記筐体に設けられた特定の外部端子を介してグランドと電気的に接続され、該特定の金属ワイヤの他端が前記第二保護層と電気的に接続する構成とされていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明では、電子デバイス上に第一保護層を配し、さらにその上に導電性の第二保護層を配し、この第二保護層が外部と電気的に導通をとる構造としている。これにより本発明の電子デバイスパッケージは、外部汚染から電子デバイスを保護するとともに、第二保護層に帯電した静電気を除去することができる。その結果、本発明では、電子デバイス表面における帯電防止効果を向上させ、電気的特性が安定し信頼性に優れた電子デバイスパッケージを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明に係る電子デバイスパッケージの一実施形態を図面に基づいて説明する。
【０００９】
＜第一実施形態＞
図１は、本発明の電子デバイスパッケージ１Ａ（１）の一構成例を模式的に示す図であり、（ａ）と（ｂ）は断面図を、（ｃ）は平面図を表している。図１（ａ）は図１（ｃ）のＡａ−Ａａ部分の断面に、図１（ｂ）は図１（ｃ）のＡｂ−Ａｂ部分の断面に、それぞれ相当する。
この電子デバイスパッケージ１Ａ（１）は、半導体基板１１、前記半導体基板１１の一面上に配された電極１２、及び前記半導体基板１１の一面上に配され、前記電極１２と電気的に接続された機能素子１３を少なくとも備える電子デバイス１０が、筐体２内に配されている。図１の場合は、前記電極１２のうち、３つの電極１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ（１２）が個別に、前記筐体２に配された３つの外部端子３Ａ、３Ｂ、３Ｃ（３）と、金属ワイヤ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ（４）によって電気的に接続されてなる。
【００１０】
そして本発明の電子デバイスパッケージ１Ａ（１）は、前記電子デバイス１０において、前記機能素子１３及び電極１２が配された前記半導体基板１１の一面を覆うように第一保護層１５と第二保護層１６とが順に積層されており、前記第二保護層１６は導電性を有し、該第二保護層１６と、前記外部端子３の一部とが電気的に接続されていることを特徴とする［図１（ａ）］。その際、外部端子３の一部３Ｅは、機能素子１３と電気的に接続されていない特定の電極１４と金属ワイヤ４Ｅ（４）によって電気的に接続されており、特定の電極１４は、第二保護層１６のみによって覆われる構成とする［図１（ｂ）］。
【００１１】
図７に示すように、従来の電子デバイスパッケージ１２０では、外部環境の汚染から電子デバイス１１０を保護する目的で、ゲル等からなる保護層１１６が表面に形成されている。しかしながら、静電気は物や空気が接触した際に発生するため、電子デバイス１１０の最表面（保護層１１６の表面）に帯電しやすい傾向があった。すなわち、この構造では保護層表面の帯電は防止できず、デバイスの特性に影響を与える虞があった。
【００１２】
なお、従来の電子デバイスパッケージ１１０は、半導体基板１１１、前記半導体基板１１１の一面上に配された電極１１５、及び前記半導体基板１１１の一面上に配され、前記電極１１５と電気的に接続された機能素子１１２を少なくとも備える電子デバイス１１０が、筐体１２２内に配され、前記電極１１５と前記筐体１２２に配された外部端子１２４とが金属ワイヤ１２３によって電気的に接続されてなる構成を備えるものとする。
【００１３】
そこで、本発明においては、電子デバイス１０上に第一保護層１５を配し、さらにその上に導電性の第二保護層１６を配し、この第二保護層１６が外部と電気的に導通をとる構造とした。これにより本発明の電子デバイスパッケージ１Ａ（１）は、外部汚染から電子デバイス１０を保護するとともに、第二保護層１６により、デバイス表面に帯電した静電気（電荷）を除去することができる。その結果、本発明の電子デバイスパッケージ１Ａ（１）は、電子デバイス１０表面における帯電防止効果を向上させ、電気的特性が安定し信頼性に優れたものとなる。
【００１４】
図１（ａ）に示すように、本発明において、電子デバイス１０は、例えば平板状の半導体基板１１を基材とし、この半導体基板１１の一面上に機能素子１３が配されてなる。また、前記一面において、外縁域には、前記機能素子１３と電気的に接続された電極（パッド部）１２が配されている。
このような電子デバイス１０は、半導体基板１１の一面側を上にして、反対側の面（底面）を接着剤５等により筐体２に固定されている。また、電極１２は金属ワイヤ４を介して筐体２に設けられた外部端子３に実装され、電子デバイスパッケージ１Ａ（１）を構成する。
【００１５】
そして本実施形態の電子デバイスパッケージ１Ａ（１）においては、図１（ａ）に示すように、電子デバイス１０の上面を覆うように第一保護層１５を配し、第一保護層１５の上に導電性の第二保護層１６を形成している。また、この際、第二保護層１６は導電性であるため、金属ワイヤ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ（４）も含め電子デバイス１０の回路部に接してはならない。金属ワイヤ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ（４）は、第一保護層１５の中を通過して、電子デバイス１０の電極１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ（１２）へ個別に接続されている。
【００１６】
そして、第二保護層１６は外部と電気的に導通をとっている。例えば本実施形態では、図１（ｂ）に示すように、前記半導体基板１１の一面上に電極１２とは別の導電層１４が配されており、前記導電層１４と前記第二保護層１６とが電気的に接続されている。
【００１７】
図１（ｃ）は、電子デバイス１０の一例を模式的に示す平面図であり、ここでは、電極１２及び導電層１４と、第一保護層１５及び第二保護層１６との重なり合いを模式的に示している。
図１（ｃ）から明らかなように、電子デバイス１０のうち、該導電層１４を除く部位に第一保護層１５を配し、電子デバイス１０の全面に第二保護層１６を配している。すなわち、導電層１４は第一保護層１５から露出しており、第二保護層１６は該導電層１４上に直接配されている。これにより前記第二保護層１６は前記導電層１４と電気的に接続されたものとなる。
【００１８】
前記導電層１４は、金属ワイヤ４Ｅ（４）を用いることにより、前記筐体２に設けられた外部端子３Ｅ（３）を介してグランド（不図示）と電気的に接続されている。これにより、第二保護層１６に帯電した静電気を除去することができ、電子デバイス１０側に発生した電気的不具合を抑制できる。ゆえに、本実施形態の電子デバイスパッケージ１Ａ（１）では、金属ワイヤ４Ｅ（４）のことを、特に「グランド用金属ワイヤ」とも呼ぶ。
なお、図１（ｃ）は、導電層１４を電極１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ（１２）と同様に、半導体基板１１上に配した構成を例示しているが、導電層１４のみ半導体基板１１とは別体をなす他の基板上に設けてなる構成としてもよい。
【００１９】
第一保護層１５としては、絶縁性を備えるとともに、耐環境特性に優れたシリコーンゲル等が用いられる。
また、第二保護層１６としては、導電性を備えた、イオン性の高分子導電性ゲル、ゲル中に導電性粒子（たとえば、カーボン等）を含むもの等が用いられる。
このような構造を有する保護層は、電子デバイス１０上にシリコーンゲル等をディスペンス後、硬化させることにより第一保護層１５を形成し、その後、第一保護層１５の上から、イオン性の高分子導電性ゲルや、ゲル中に導電性粒子を含むもの等をディスペンスし硬化させることにより第二保護層１６を形成することができる。
【００２０】
＜第二実施形態＞
図２は、本発明の電子デバイスパッケージ１Ｂ（１）の一構成例を模式的に示す図であり、（ａ）と（ｂ）は断面図を、（ｃ）は平面図を表している。図２（ａ）は図２（ｃ）のＡａ−Ａａ部分の断面に、図２（ｂ）は図２（ｃ）のＡｂ−Ａｂ部分の断面に、それぞれ相当する。
なお、以下に示す説明では、上述した第一実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第一実施形態と同様の部分については、その説明を省略する。
【００２１】
上述した第一実施形態では、第一保護層１５が電子デバイス１０の上面にのみ配されていたが（図１参照）、本実施形態の電子デバイスパッケージ１Ｂ（１）では、第一保護層１５を電子デバイス１０と筐体２との間を埋めるとともに、電子デバイス１０を全て覆うように、パッケージ内部に充填させた構造としている。そして、筐体２に配された３つの外部端子３Ａ、３Ｂ、３Ｃ（３）と、電子デバイス１０の電極１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ（１２）とを各々接続する金属ワイヤ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ（４）は、その全て（全長に亘って）が第一保護層１５の内部に埋設された構成をとる。
【００２２】
これに対して、導電層１４と接続された金属ワイヤ４Ｅ（４）は、第一保護層１５と第二保護層１６を通過し、筐体２に設けられた外部端子３Ｅ（３）を介してグランド（不図示）と電気的に接続されている。これにより、第二保護層１６に帯電した静電気を除去することができ、電子デバイス１０側に発生する電気的不具合を抑制できる。ゆえに、本実施形態の電子デバイスパッケージ１Ｂ（１）では、金属ワイヤ４Ｅ（４）のことを、特に「グランド用金属ワイヤ」とも呼ぶ。
【００２３】
ゆえに、本実施形態の電子デバイスパッケージ１Ｂ（１）によれば、第二保護層１６は、第一保護層１５の上面の一部又は全部を覆うように設けられているので、第二保護層１６がデバイスの回路部に接することを確実に防ぐことができる。
なお、図２（ｃ）は、導電層１４を電極１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ（１２）と同様に、半導体基板１１上に配した構成を例示しているが、導電層１４のみ半導体基板１１とは別体をなす他の基板（不図示）上に設けてなる構成としてもよい。
【００２４】
＜第三実施形態＞
図３は、本発明の電子デバイスパッケージ１Ｃ（１）の一構成例を模式的に示す図であり、（ａ）と（ｂ）は断面図を、（ｃ）は平面図を表している。図３（ａ）は図３（ｃ）のＡａ−Ａａ部分の断面に、図３（ｂ）は図３（ｃ）のＡｂ−Ａｂ部分の断面に、それぞれ相当する。
なお、以下に示す説明では、上述した実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第一実施形態と同様の部分については、その説明を省略する。
【００２５】
本実施形態の電子デバイスパッケージ１Ｃ（１）では、筐体２に外部端子３Ａ、３Ｂ、３Ｃ（３）に加えて外部端子６を設け、この外部端子６と第二保護層１６とを、金属ワイヤ７を介して電気的に接続している。この場合、金属ワイヤの一端は外部端子６と接続され、他端は第二保護層１６上または内部に配される。そして、この外部端子６を例えばグランドに接続することにより、第二保護層１６に帯電した静電気を逃がすことが可能となる。特に、このようにグランドに接続した構成においては、金属ワイヤ７をグランド用金属ワイヤと呼ぶことにする。
【００２６】
一方、筐体２に配された３つの外部端子３Ａ、３Ｂ、３Ｃ（３）と、電子デバイス１０の電極１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ（１２）とを各々接続する金属ワイヤ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ（４）は、その全て（全長に亘って）が第一保護層１５の内部に埋設された構成をとる。
このような構造により、第二保護層１６に帯電した静電気をより確実に除去することができ、電子デバイス１０側に発生した電気的不具合を抑制できる。
【００２７】
次に、本発明を半導体圧力センサパッケージに適用した例について説明する。
図４は、半導体圧力センサパッケージ３０の一構成例を模式的に示す図であり、（ａ）と（ｂ）は断面図を、（ｃ）は平面図を表している。図４（ａ）は図４（ｃ）のＡａ−Ａａ部分の断面に、図４（ｂ）は図４（ｃ）のＡｂ−Ａｂ部分の断面に、それぞれ相当する。
なお、以下に示す説明では、上述した実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第一実施形態と同様の部分については、その説明を省略する。
【００２８】
この半導体センサ２０は、シリコン等からなる半導体基板２１の一部が薄く加工されてなるダイアフラム部２２（感圧部）と、圧力による該ダイアフラム部２２の歪抵抗の変化を測定するために複数配された、感圧素子としての歪ゲージ２３と、前記一面において、前記ダイアフラム部２２を除いた外縁域に配され、前記歪ゲージ２３ごとに電気的に接続された電極（パッド部）２４と、半導体基板２１と接合されたガラス基板等からなる台座基板２５等を備えている。
【００２９】
そして、半導体センサ２０は、ダイアフラム部２２が配された面を上にして、反対側の面（底面）を接着剤３１等により筐体３２に固定されている。また、金属ワイヤ３３を介して筐体３２に設けられた外部端子３４に実装され、パッケージ３０に内蔵される。このパッケージ３０は、圧力導入口３５を備えている。これによりこの半導体センサ２０は、相対圧型の圧力センサとして機能する。
【００３０】
このような半導体センサ２０は、ダイアフラム部２２が圧力を受けて撓むと、各歪ゲージ２３にダイアフラム部２２の歪み量に応じた応力が発生し、この応力に応じて歪ゲージ２３の抵抗値が変化する。この抵抗値変化を電気信号として取り出すことにより、半導体センサ２０は圧力を検出する。
【００３１】
このような半導体圧力センサパッケージ３０では、半導体センサ２０を覆うように第一保護層２６が配され、さらにその上に導電性の第二保護層２７が配されており、この第二保護層２７が外部と電気的に導通をとる構造とされている。これにより外部汚染から半導体センサ２０を保護するとともに、第二保護層２７に帯電した静電気を除去することができる。その結果、この半導体圧力センサパッケージ３０は、センサ表面における帯電防止効果を向上させ、センサ電気的特性が安定し信頼性に優れたものとなる。
【００３２】
なお、上述した説明では、相対圧型の半導体圧力センサパッケージを例に挙げて説明したが、本発明は、絶対圧型の半導体圧力センサパッケージや、特殊型の半導体圧力センサパッケージに適用することもできる。
図５は、本発明を絶対圧型の半導体圧力センサパッケージに適用した場合の一構成例を模式的に示す断面図であり、（ａ）と（ｂ）は断面図を、（ｃ）は平面図を表している。図５（ａ）は図５（ｃ）のＡａ−Ａａ部分の断面に、図５（ｂ）は図５（ｃ）のＡｂ−Ａｂ部分の断面に、それぞれ相当する。
なお、以下に示す説明では、上述した実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第一実施形態と同様の部分については、その説明を省略する。
【００３３】
この半導体センサ４０は、シリコン等からなる半導体基板４１の一部が薄く加工されてなるダイアフラム部４２を有し、該半導体基板４１と、ガラス基板等からなる台座基板４３とを接合することで形成される空間部４４と、圧力による該ダイアフラム部４２の歪抵抗の変化を測定するために複数配された、感圧素子としての歪ゲージ４５と、前記一面において、前記ダイアフラム部４２を除いた外縁域に配され、前記歪ゲージ４５ごとに電気的に接続された電極（パッド部）４６等を備えている。
【００３４】
そして、半導体センサ４０は、ダイアフラム部４２が配された面を上にして、反対側の面（底面）を接着剤５１等により筐体５２に固定されている。また、金属ワイヤ５３を介して筐体５２に設けられた外部端子５４に実装され、パッケージ５０に内蔵される。
【００３５】
この場合においても、半導体センサ４０を覆うように第一保護層４７が配され、さらにその上に導電性の第二保護層４８が配されており、この第二保護層４８が外部と電気的に導通をとる構造とされている。これにより外部汚染から半導体センサ４０を保護するとともに、第二保護層４８に帯電した静電気を除去することができる。その結果、この半導体圧力センサパッケージ５０は、センサ表面における帯電防止効果を向上させ、センサ電気的特性が安定し信頼性に優れたものとなる。
【００３６】
また、図６は、本発明を特殊型の半導体圧力センサパッケージに適用した場合の一構成例を模式的に示す断面図であり、（ａ）と（ｂ）は断面図を、（ｃ）は平面図を表している。図６（ａ）は図６（ｃ）のＡａ−Ａａ部分の断面に、図６（ｂ）は図６（ｃ）のＡｂ−Ａｂ部分の断面に、それぞれ相当する。
なお、以下に示す説明では、上述した実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第一実施形態と同様の部分については、その説明を省略する。
【００３７】
この半導体センサ６０は、半導体基板６１の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行して広がる、基準圧力室としての空間部６２と、該空間部６２の一方側に位置する薄板化された領域によりなるダイアフラム部６３と、圧力による該ダイアフラム部６３の歪抵抗の変化を測定するために複数配された、感圧素子としての歪ゲージ６４と、前記一面において、前記ダイアフラム部６３を除いた外縁域に配され、前記歪ゲージ６４ごとに電気的に接続された電極（パッド部）６５等を備えている。
【００３８】
そして、半導体センサ６０は、ダイアフラム部６３が配された面を上にして、接着剤７１等により筐体７２に固定されている。また、金属ワイヤ７３を介して筐体７２に設けられた外部端子７４に実装され、パッケージ７０に内蔵される。
【００３９】
この場合においても、半導体センサ６０を覆うように第一保護層６６が配され、さらにその上に導電性の第二保護層６７が配されており、この第二保護層６７が外部と電気的に導通をとる構造とされている。これにより外部汚染から半導体センサ６０を保護するとともに、第二保護層６７に帯電した静電気を除去することができる。その結果、この半導体圧力センサパッケージ７０は、センサ表面における帯電防止効果を向上させ、センサ電気的特性が安定し信頼性に優れたものとなる。
【００４０】
なお、図５〜図６では、図１に示したものと同様の構成を有するものを例として挙げたが、図２〜図３に示したものと同様の構成としてもよい。
【００４１】
以上、本発明の電子デバイスパッケージについて説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、各種電子デバイスがパッケージ内に配されてなる電子デバイスパッケージに広く適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る電子デバイスパッケージの一例を示す図。
【図２】本発明に係る電子デバイスパッケージの他の一例を示す図。
【図３】本発明に係る電子デバイスパッケージの他の一例を示す図。
【図４】半導体圧力センサパッケージ（相対圧型）に適用した一例を示す図。
【図５】半導体圧力センサパッケージ（絶対圧型）に適用した一例を示す図。
【図６】半導体圧力センサパッケージ（特殊型）に適用した一例を示す図。
【図７】従来の電子デバイスパッケージの一例を示す断面図。
【符号の説明】
【００４４】
１Ａ〜１Ｄ（１）  電子デバイスパッケージ、２  筐体、３  外部端子、４  金属ワイヤ、１０  電子デバイス、１１  半導体基板、１２  電極、１３  機能素子、１５  第一保護層、１６  第二保護層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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