(57)【要約】【課題】小型且つ低コストなフラッシュライトを提供する。【解決手段】フラッシュライト１において、電源Ｐ１から電力が供給される一次巻線Ｎ１と、一次巻線Ｎ１と共に共振回路ＲＣを構成するキャパシタＣ２と、一次巻線Ｎ１と共にトランスＴ１を構成する二次巻線Ｎ２と、二次巻線Ｎ２に生じる起電力により電荷が蓄積されるキャパシタＣ３と、キャパシタＣ３から電力が供給されるキセノン管Ｘｅと、キセノン管Ｘｅに封入されたキセノンガスをイオン化するトリガ回路ＴＴと、オン状態のときに電源Ｐ１及び共振回路ＲＣを含む第１の電流ループを閉じると共にキャパシタＣ３及びキセノン管Ｘｅを含む第２の電流ループを閉じ、オフ状態のときに第１の電流ループを開くと共に第２の電流ループを開くスイッチング素子Ｑ１と、を設ける。【選択図】図１
2010049821.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源から電力が供給される一次巻線と、
前記一次巻線と共に共振回路を構成する第１のキャパシタと、
前記一次巻線と共にトランスを構成する二次巻線と、
前記二次巻線に生じる起電力により電荷が蓄積される第２のキャパシタと、
前記第２のキャパシタから電力が供給されるキセノン管と、
前記キセノン管に封入されたキセノンガスをイオン化するトリガ回路と、
オン状態のときに前記電源及び前記共振回路を含む第１の電流ループを閉じると共に前記第２のキャパシタ及び前記キセノン管を含む第２の電流ループを閉じ、オフ状態のときに前記第１の電流ループを開くと共に前記第２の電流ループを開くスイッチング素子と、
を備えたことを特徴とするフラッシュライト。
【請求項２】
電源に接続される一次巻線と、
前記電源及び前記一次巻線に対して直列に接続された第１のキャパシタと、
前記一次巻線及び前記第１のキャパシタからなる共振回路と前記電源との間に接続され、前記電源及び前記共振回路と共に第１の電流ループを形成するスイッチング素子と、
前記一次巻線と共にトランスを構成する二次巻線と、
一方の電極が前記二次巻線に接続され、他方の電力が前記スイッチング素子に接続された第２のキャパシタと、
前記二次巻線と前記第２のキャパシタとの間に接続されたダイオードと、
前記スイッチング素子及び前記第２のキャパシタと共に第２の電流ループを形成するキセノン管と、
前記キセノン管に封入されたキセノンガスをイオン化するトリガ回路と、
を備えたことを特徴とするフラッシュライト。
【請求項３】
前記スイッチング素子は絶縁ゲートバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項１または２に記載のフラッシュライト。
【請求項４】
前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタにはライフタイム制御を導入する処理が施されていないことを特徴とする請求項３記載のフラッシュライト。
【請求項５】
前記トリガ回路は、
前記二次巻線に対して並列に接続された第３のキャパシタと、
一端が前記第３のキャパシタの一方の電極に接続された他の一次巻線と、
前記他の一次巻線の他端と前記第３のキャパシタの他方の電極との間に接続されたサイリスタと、
前記他の一次巻線と共にトランスを形成する他の二次巻線と、
前記他の二次巻線に接続され、前記キセノン管に対して固定されたトリガ電極と、
を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のフラッシュライト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュライトに関し、特に、キセノン管を備えたフラッシュライトに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的なカメラ用のフラッシュライトにおいては、発光手段としてキセノン管が設けられている。キセノン管においては、密閉されたガラス管の内部にキセノンガスが封入されており、一対の電極が導入されている。また、キセノン管の外部にはトリガ電極が配置されている。そして、この一対の電極間に、キセノンガスが通常の状態であるときはアーク放電が発生しない程度の電圧、例えば３００Ｖ程度の電圧を印加した状態で、カメラのシャッタに連動させてトリガ電極に例えば２ｋＶ程度の高電圧を印加して、キセノンガスをイオン化させる。これにより、キセノン管のブレークダウン電圧が急激に低下し、一対の電極間でアーク放電が発生する。このとき、アーク放電の電流を制御することにより、発光量及び発光タイミング等を制御する。
【０００３】
このように、フラッシュライトにおいては、キセノン管と、例えば数Ｖのカメラの電源電圧からキセノン管に印加する例えば３００Ｖの電圧を生成する昇圧回路と、キセノン管に流れる電流を制御することにより光量を制御する光量制御回路と、トリガ電極に対して例えば２ｋＶ程度のイオン化電圧を供給するトリガ回路とが必要である（例えば、特許文献１参照。）。そして、昇圧回路、光量制御回路及びトリガ回路には、それぞれスイッチング素子を設ける必要がある。スイッチング素子には、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）が用いられている。
【０００４】
しかしながら、近年、カメラ、特にデジタルスチルカメラの小型化及び低コスト化が進み、デジタルスチルカメラに搭載されるフラッシュライトにも小型化及び低コスト化が要求されている。また、近年、カメラ付き携帯電話機にもフラッシュライトを搭載する要求が高まっており、フラッシュライトのより一層の小型化及び低コスト化が求められている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１９３３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、小型且つ低コストなフラッシュライトを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、電源から電力が供給される一次巻線と、前記一次巻線と共に共振回路を構成する第１のキャパシタと、前記一次巻線と共にトランスを構成する二次巻線と、前記二次巻線に生じる起電力により電荷が蓄積される第２のキャパシタと、前記第２のキャパシタから電力が供給されるキセノン管と、前記キセノン管に封入されたキセノンガスをイオン化するトリガ回路と、オン状態のときに前記電源及び前記共振回路を含む第１の電流ループを閉じると共に前記第２のキャパシタ及び前記キセノン管を含む第２の電流ループを閉じ、オフ状態のときに前記第１の電流ループを開くと共に前記第２の電流ループを開くスイッチング素子と、を備えたことを特徴とするフラッシュライトが提供される。
【０００８】
本発明の他の一態様によれば、電源に接続される一次巻線と、前記電源及び前記一次巻線に対して直列に接続された第１のキャパシタと、前記一次巻線及び前記第１のキャパシタからなる共振回路と前記電源との間に接続され、前記電源及び前記共振回路と共に第１の電流ループを形成するスイッチング素子と、前記一次巻線と共にトランスを構成する二次巻線と、一方の電極が前記二次巻線に接続され、他方の電力が前記スイッチング素子に接続された第２のキャパシタと、前記二次巻線と前記第２のキャパシタとの間に接続されたダイオードと、前記スイッチング素子及び前記第２のキャパシタと共に第２の電流ループを形成するキセノン管と、前記キセノン管に封入されたキセノンガスをイオン化するトリガ回路と、を備えたことを特徴とするフラッシュライトが提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、小型且つ低コストなフラッシュライトを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係るフラッシュライトを例示する回路図である。
図１に示すように、本実施形態に係るフラッシュライト１は、例えばデジタルスチルカメラ等の機器に搭載され、この機器に内蔵された電池Ｖ１から電力が供給され、この機器の制御回路（図示せず）から制御信号が入力されて動作する発光装置である。電池Ｖ１は、例えば、１個のリチウム電池、又は直列若しくは並列に接続された複数個のリチウム電池によって構成されている。１個のリチウム電池の電圧は例えば３．７Ｖであり、３個直列に接続された場合の電圧は例えば１１．１Ｖである。
【００１１】
フラッシュライト１が搭載された機器においては、キャパシタＣ１が電池Ｖ１に対して並列に接続されている。又は、キャパシタＣ１は機器のスイッチ（図示せず）を介して電池Ｖ１に接続されるようになっている。電池Ｖ１及びキャパシタＣ１により、電源Ｐ１が構成されている。
【００１２】
フラッシュライト１においては、一次巻線Ｎ１が設けられており、その一端は電源Ｐ１の正極に接続されており、他端にはキャパシタＣ２（第１のキャパシタ）の一方の電極が接続されている。すなわち、キャパシタＣ２は電源Ｐ１及び一次巻線Ｎ１に対して直列に接続されている。一次巻線Ｎ１とキャパシタＣ２により共振回路ＲＣが構成されている。
【００１３】
また、キャパシタＣ２の他方の電極にはスイッチング素子Ｑ１のアノードが接続されており、スイッチング素子Ｑ１のカソードは電源Ｐ１の負極に接続されている。すなわち、スイッチング素子Ｑ１は、共振回路ＲＣと電源Ｐ１との間に接続されており、電源Ｐ１、共振回路ＲＣ及びスイッチング素子Ｑ１により、第１の電流ループが形成されている。スイッチング素子Ｑ１は、１５０Ａ程度の電流を流すことができ、４００Ｖ程度の耐圧を有するパワー素子であり、例えばＩＧＢＴであり、例えばライフタイム制御を導入する処理が施されていないＩＧＢＴである。なお、ライフタイム制御とは、正孔と電子との再結合を促進させるものであり、例えば、電子線照射又は重金属拡散を実施することにより意図的に生成された格子欠陥である。スイッチング素子Ｑ１の制御電極、例えば、ＩＧＢＴの場合にはゲート電極には、機器の制御回路（図示せず）から制御信号が入力されるようになっている。
【００１４】
更に、フラッシュライト１には、一次巻線Ｎ１と共にトランスＴ１を構成する二次巻線Ｎ２が設けられている。トランスＴ１は、電源Ｐ１の電源電圧を、後述するキセノン管を発光させるための電圧、例えば、３００Ｖ程度の電圧まで昇圧させる昇圧回路である。トランスＴ１における一次巻線Ｎ１及び二次巻線Ｎ２の巻数比は、一次巻線Ｎ１に数Ｖの電源電圧が印加されたときに、二次巻線Ｎ２に例えば約３００Ｖの電圧が発生するような巻数比である。一次巻線Ｎ１、二次巻線Ｎ２及びキャパシタＣ２により、電流共振型のコンバータが構成されている。
【００１５】
二次巻線Ｎ２の一端にはダイオードＤ１のアノードが接続されており、二次巻線Ｎ２の他端は電源Ｐ１の負極に接続されている。ダイオードＤ１のカソードと二次巻線Ｎ２の他端との間にはキャパシタＣ３（第２のキャパシタ）が接続されている。換言すれば、キャパシタＣ３は、二次巻線Ｎ２に対して並列に接続されており、二次巻線Ｎ２とキャパシタＣ３との間にダイオードＤ１が接続されている。これにより、二次巻線Ｎ２の起電力に起因する交流電流がダイオードＤ１によって整流され、キャパシタＣ３に電荷が蓄積される。なお、キャパシタＣ３の負極は電源Ｐ１の負極及びスイッチング素子Ｑ１のカソードにも接続されている。
【００１６】
更にまた、フラッシュライト１には、キセノン管Ｘｅが設けられている。キセノン管Ｘｅにおいては、密閉されたガラス管が設けられており、このガラス管の内部には、キセノンガスが封入されていると共に、一対のアノード電極及びカソード電極が引き込まれている。キセノン管Ｘｅのアノード電極はキャパシタＣ３の正極、すなわち、ダイオードＤ１に接続されている方の電極に接続されており、キセノン管Ｘｅのカソード電極はスイッチング素子Ｑ１のアノードに接続されている。これにより、キャパシタＣ３、キセノン管Ｘｅ及びスイッチング素子Ｑ１により、第２の電流ループが形成されている。
【００１７】
このように、スイッチング素子Ｑ１は、上述の第１の電流ループ及び第２の電流ループの双方に介在している。そして、スイッチング素子Ｑ１がオン状態のときは、第１及び第２の電流ループを閉じ、オフ状態のときは、第１及び第２の電流ループを開く。
【００１８】
更にまた、フラッシュライト１には、キセノン管Ｘｅに封入されたキセノンガスをイオン化するトリガ回路ＴＴが設けられている。トリガ回路ＴＴにおいては、一端がダイオードＤ１のカソードに接続された抵抗Ｒ１が設けられており、抵抗Ｒ１の他端と電源Ｐ１の負極との間にはキャパシタＣ４（第３のキャパシタ）が接続されている。これにより、抵抗Ｒ１及びキャパシタＣ４は、二次巻線Ｎ２及びキャパシタＣ３に対して並列に接続されている。
【００１９】
また、キャパシタＣ４の正極、すなわち、抵抗Ｒ１に接続された方の電極には、一次巻線Ｎ３の一端が接続されており、一次巻線Ｎ３の他端にはサイリスタＳＣＲ１（他のスイッチング素子）のアノードが接続されている。サイリスタＳＣＲ１のカソードはキャパシタＣ４の負極に接続されている。サイリスタＳＣＲ１の耐圧は例えば３００Ｖ以上であり、サイリスタＳＣＲ１の動作は制御回路によって制御される。
【００２０】
更に、一次巻線Ｎ３の他端には、この一次巻線Ｎ３と共にトランスＴ２を構成する二次巻線Ｎ４の一端が接続されている。二次巻線Ｎ４の他端はトリガ電極ＥＴに接続されている。トリガ電極ＥＴはキセノン管Ｘｅに対して固定されており、例えば、キセノン管Ｘｅのガラス管におけるカソード電極寄りの部分の外面に接触するように配置されている。
【００２１】
次に、本実施形態に係るフラッシュライト１の動作について説明する。
先ず、キャパシタＣ３の充電動作について説明する。
フラッシュライト１が搭載された機器のスイッチ（図示せず）がオンになると、電池Ｖ１によりキャパシタＣ１が充電され、キャパシタＣ１の両電極間には電池Ｖ１と同じ電圧が発生する。これにより、電池Ｖ１及びキャパシタＣ１が電源Ｐ１として機能する。
【００２２】
この状態で、機器の制御回路から出力される制御信号により、スイッチング素子Ｑ１を周期的にオン状態及びオフ状態とする。このオン／オフの切替周期は例えば２０ｋＨｚとする。これにより、電源Ｐ１、共振回路ＲＣ及びスイッチング素子Ｑ１を含む第１の電流ループが周期的に開閉し、電源Ｐ１から一次巻線Ｎ１に断続的に電力が供給され、共振周波数ｆＲ＝１／√（２πＬＣ）（Ｈｚ）となるように、トランスＴ１の相互インダクタンス及び共振用キャパシタＣ２の定数を設定した場合、共振回路ＲＣが完全電流共振する。
【００２３】
なお、仮に共振回路を設けないと、スイッチング素子Ｑ１を構成するＩＧＢＴはキャリアライフタイムが長くターンオフ速度が遅いため、高速でスイッチングさせると大きなスイッチング損失が発生する。例えば、スイッチング素子Ｑ１を２０ｋＨｚの周期でオン／オフさせると、１周期は５０マイクロ秒となるが、ライフタイム制御を導入していないＩＧＢＴのキャリアライフタイムは例えば３マイクロ秒程度であり、この３マイクロ秒間は電力が消費されるため、大きなスイッチング損失が発生する。しかし、本実施形態においては、一次巻線Ｎ１及びキャパシタＣ２からなる共振回路ＲＣが完全電流共振するため、いずれの瞬間においても電流及び電圧のうちの一方はゼロとなる。このため、スイッチング損失を抑えることができる。
【００２４】
また、仮にキャパシタＣ１を設けないと、電池Ｖ１から直接一次巻線Ｎ１に電力を供給することになり、一次巻線Ｎ１に電流が流れることにより、電池Ｖ１の電源電圧が変動する。これにより、電池Ｖ１から電力の供給を受けている機器内の他の装置が影響を受けてしまう。しかし、本実施形態においては、キャパシタＣ１を電源Ｖ１にデカップリングさせて電源Ｐ１を構成しているため、電池Ｖ１の電源電圧が変動しにくい。
【００２５】
そして、上述の如く、一次巻線Ｎ１に断続的に電流が流れることにより、二次巻線Ｎ２に例えば３００Ｖ程度の交流電圧が発生し、この交流電圧がダイオードＤ１によって整流されることにより、キャパシタＣ３に電荷が蓄積される。これにより、キャパシタＣ３におけるダイオードＤ１のカソードに接続された電極が正極となり、電源Ｖ１の負極に接続された電極が負極となって、両電極間に３００Ｖ程度の電圧が発生する。この結果、キセノン管Ｘｅの発光が可能な状態となり、その旨が機器の表示手段に表示される。また、キャパシタＣ３と同時にキャパシタＣ４にも電荷が蓄積される。
【００２６】
次に、キセノン管Ｘｅの発光動作について説明する。
キャパシタＣ３が充電されると、キセノン管Ｘｅのアノードには例えば３００Ｖ程度の電位が印加される。また、スイッチング素子Ｑ１をオン状態とすることにより、上述の第２の電流ループが閉じ、キセノン管Ｘｅのカソードには接地電位（０Ｖ）が印加される。これにより、キセノン管Ｘｅのアノード−カソード間には３００Ｖ程度の電圧が印加されるが、キセノンガスがイオン化しない限り、キセノン管Ｘｅのブレークダウン電圧は３００Ｖよりも高いため、アーク放電が発生してしまうことはない。
【００２７】
そして、キセノン管Ｘｅを発光させたいときには、機器の制御回路がサイリスタＳＣＲ１をオン状態とする。これにより、キャパシタＣ４に蓄積された電荷がトランスＴ２の一次巻線Ｎ３に流れ、二次巻線Ｎ４において２ｋＶ程度の高電圧が発生し、トリガ電極ＥＴに印加される。この結果、トリガ電極ＥＴとキセノン管Ｘｅのカソード電極との間に高電圧が印加され、この高電圧がキセノン管Ｘｅのアノード−カソード間に印加されている電圧に重畳されることにより、キセノンガスがイオン化する。これにより、キセノン間Ｘｅのインピーダンスが低下し、キャパシタＣ３によりキセノン管Ｘｅのアノード−カソード間に印加されている３００Ｖ程度の電圧によってアーク放電が生じ、キセノン管Ｘｅが発光する。
【００２８】
このとき、キャパシタＣ３に蓄積されていた電荷による電流が、上述の第２の電流ループを流れる。すなわち、電流は、「キャパシタＣ３の正極→キセノン管Ｘｅのアノード→キセノン管Ｘｅのカソード→スイッチング素子Ｑ１のアノード→スイッチング素子Ｑ１のカソード→キャパシタＣ３の負極」の経路で流れる。そして、スイッチング素子Ｑ１を制御することにより、この電流を制御し、キセノン管Ｘｅの発光量及び発光タイミングを制御する。例えば、キセノン管Ｘｅに６０Ａ程度の電流を流して赤目防止のプリ発光をさせた後、一旦電流を遮断して消灯し、その後、１５０Ａ程度の電流を流して写真撮影用の本発光をさせる。
【００２９】
なお、十分な発光量を得るためには、キセノン管Ｘｅを数ミリ秒〜数十ミリ秒程度の期間発光させる必要があり、その間、スイッチング素子Ｑ１をオン状態とする必要がある。この場合、仮にキャパシタＱ２が設けられていないと、トランスＴ１の相互インダクタンスが飽和し、電源Ｐ１の正極と負極とが実質的に短絡する。この結果、電池Ｖ１、一次巻線Ｎ１及びスイッチング素子Ｑ１からなる電流経路に、電池Ｖ１の内部抵抗で決まる大きな直流電流が流れることになり、電池Ｖ１に大きな負荷を与えると共に、電源電圧が低下し、機器内の他の装置に悪影響を及ぼしてしまう。しかし、本実施形態においては、キャパシタＣ２が設けられているため、上述の電流経路に直流電流が流れることはない。
【００３０】
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態に係るフラッシュライト１によれば、一次巻線Ｎ１に流れる電流を制御することにより昇圧回路であるトランスＴ１の動作を制御する昇圧制御と、キセノン管Ｘｅに流れる電流を制御することにより発光量及び発光タイミングを制御する発光制御とを、１つのスイッチング素子Ｑ１で行うことができる。これにより、従来のフラッシュライトと比較して部品数を減らし、低コスト化を図ると共に、小型化を図ることができる。
【００３１】
また、上述の如く、キャパシタＣ２を設けることにより、一次巻線Ｎ１との間で共振回路が形成され、この共振回路が電流共振することにより、一次巻線Ｎ１に断続的に電流を流すことができる。このとき、トランスＴ１の相互インダクタ、キャパシタＣ２の容量及びスイッチング素子Ｑ１の駆動時間を最適化することにより、完全電流共振型のコンバータを実現することができ、ターンオフ時の電流をゼロにすることができる。このため、スイッチング素子Ｑ１にターンオフ速度が遅い素子、例えば、ライフタイム制御を導入する処理をしていないＩＧＢＴを用いても、スイッチング損失を抑えることができる。この結果、Ｅ級動作を実現することができる。
【００３２】
なお、キャパシタＣ２を設けなくても、スイッチング素子Ｑ１として、ターンオフ速度が速いパワー素子、例えば、ライフタイム制御を導入したＩＧＢＴを用いれば、キャリアライフタイムを１００〜１５０ナノ秒程度まで短縮することができ、スイッチング損失を抑えることができる。しかし、この場合は、スイッチ時の電圧変化率が高くなるため、ラッチアップが発生しやすくなる。これを改善するためにはチップを大きくする必要があり、コストが増大する。換言すれば、本実施形態においては、キャパシタＣ２を設けることにより、スイッチング素子Ｑ１としてライフタイム制御が導入されていないＩＧＢＴを用いることが可能となり、コストを低減できる。
【００３３】
更に、本実施形態においては、キャパシタＣ２を設けることにより、キセノン管Ｘｅを発光させるためにスイッチング素子Ｑ１をオン状態としたときに、電源Ｐ１、一次巻線Ｎ１及びスイッチング素子Ｑ１からなる第１の電流ループに直流電流が流れることを防止できる。
【００３４】
更にまた、本実施形態においては、トリガ回路ＴＴのスイッチング素子としてサイリスタＳＣＲ１を用いることにより、高価なＩＧＢＴ又はＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）を設ける場合と比較して、コストを低減することができる。
【００３５】
次に、本実施形態の比較例について説明する。
図２は、本比較例に係るフラッシュライトを例示する回路図である。
図２に示すように、本比較例に係るフラッシュライト１０１は、前述の本発明の実施形態に係るフラッシュライト１（図１参照）と比較して、以下の点が異なっている。すなわち、フラッシュライト１０１においては、発光制御専用のスイッチング素子Ｑ２が設けられており、スイッチング素子Ｑ１は昇圧制御専用とされている。そして、キセノン管Ｘｅのカソードは昇圧制御用のスイッチング素子Ｑ１ではなく、発光制御用のスイッチング素子Ｑ２に接続されている。昇圧制御用のスイッチング素子Ｑ１は例えばＭＯＳＦＥＴであり、発光制御用のスイッチング素子Ｑ２は例えばＩＧＢＴである。
【００３６】
また、フラッシュライト１０１においては、トランスＴ２の二次巻線Ｎ４もスイッチング素子Ｑ２に接続されており、スイッチング素子Ｑ２はトリガ制御用のスイッチング素子も兼ねている。従って、トリガ制御専用のサイリスタＳＣＲ１（図１参照）は設けられていない。更に、フラッシュライト１０１においては、一次巻線Ｎ１とスイッチング素子Ｑ１との間にキャパシタＣ２（図１参照）が設けられていない。
【００３７】
本比較例においては、昇圧制御用のスイッチング素子Ｑ１と発光制御用のスイッチング素子Ｑ２とが別個に設けられている。このとき、スイッチング素子Ｑ１には、１０Ａ程度の電流を流すことができ、オン抵抗が低く、耐圧が一次巻線Ｎ１に生じる最大電圧以上、例えば、５０Ｖ程度のパワー素子を用いる必要があり、スイッチング素子Ｑ２には、１５０Ａ程度の電流を流すことをでき、耐圧が４００Ｖ程度のパワー素子を用いる必要である。このため、これらのスイッチング素子には、ＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴ等の比較的高価なパワー素子が必要である。
【００３８】
これに対して、前述の本発明の実施形態によれば、昇圧制御と発光制御を１つのスイッチング素子で行うことができる。また、トリガ制御用には比較的低コストなサイリスタＳＣＲ１を用いることができる。このため、本発明の実施形態に係るフラッシュライト１においては、ＩＧＢＴ等の比較的高価なパワー素子は１個のみ設ければよい。これにより、本発明の実施形態に係るフラッシュライト１は、比較例に係るフラッシュライト１０１よりも、コストを低減することができる。
【００３９】
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。例えば、前述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【００４０】
例えば、前述の実施形態において、本発光の間、スイッチング素子Ｑ１を断続的にオン状態とすることにより、キセノン管を間欠的に発光させて、発光光度を時間的に均一化するフラット発光を行ってもよい。これにより、フラッシュライト１をスリット式のシャッタを用いたカメラに搭載した場合に、撮影領域の明るさを均一にすることができる。このとき、一次巻線Ｎ１にも断続的に電流が流れるため、キャパシタＣ３を充電することができる。
【００４１】
また、前述の実施形態においては、フラッシュライトの電源には、フラッシュライトが搭載される機器、例えばカメラ等の電源を利用する例を示したが、本発明はこれに限定されず、例えば、フラッシュライトが独自の電源を備えていてもよい。更に、前述の実施形態においては、スイッチング素子としてＩＧＢＴを用いる例を示したが、本発明はこれに限定されず、十分な電流駆動能力と耐圧を持つパワー素子であればよく、例えばＭＯＳＦＥＴであってもよい。更にまた、前述の実施形態においては、昇圧回路をトランスにより構成する例を示したが、昇圧回路をインダクタにより構成し、このインダクタに電流を流すスイッチング素子をオフ状態としたときに、このインダクタの開放エネルギーにより昇圧してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施形態に係るフラッシュライトを例示する回路図である。
【図２】本実施形態の比較例に係るフラッシュライトを例示する回路図である。
【符号の説明】
【００４３】
１、１０１  フラッシュライト、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４  キャパシタ、Ｄ１  ダイオード、ＥＴ  トリガ電極、Ｎ１、Ｎ３  一次巻線、Ｎ２、Ｎ４  二次巻線、Ｐ１  電源、Ｑ１、Ｑ２  スイッチング素子、Ｒ１  抵抗、ＲＣ  共振回路、ＳＣＲ１  サイリスタ、Ｔ１、Ｔ２  トランス、ＴＴ  トリガ回路、Ｖ１  電池、Ｘｅ  キセノン管
【図１】
2010049821.tif 000003
【図２】
2010049821.tif 000004