(57)【要約】【課題】実際のプロセスを考慮してプロセスマージン等を評価する。【解決手段】投影光学系を介してウエハ上にパターンを形成するデバイス製造プロセスの評価方法であって、その投影光学系に対するフォーカス位置を変えながら、その投影光学系を介して評価用のウエハＷ１〜Ｗｉ３の複数の領域に評価用パターンを形成し、ウエハＷ１〜Ｗｉ３の複数の領域に形成されたその評価用パターンの形成状態が許容範囲外となる確率の累積密度関数の情報を求め、その累積密度関数の情報に合わせてその許容範囲外となる確率の密度関数の平均値等を求め、その平均値等に基づいてプロセスを評価する。【選択図】図５
2010182892.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
学系を介して基板上にパターンを形成するデバイス製造プロセスの評価方法であって、
前記光学系の光軸方向における前記光学系の像面と評価用基板との相対位置を変えながら、前記光学系を介して前記評価用基板上の複数の領域にパターンを形成する工程と、
前記評価用基板上の複数の領域に形成されたパターンの形成状態が許容範囲外となる確率の累積密度関数の情報を前記相対位置に対応させて求める工程と、
前記累積密度関数の情報に合わせて前記許容範囲外となる確率の密度関数の情報を求める工程と、
前記密度関数の情報に基づいてプロセスを評価する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造プロセスの評価方法。
【請求項２】
前記密度関数の平均値から前記光学系の焦点深度情報を評価することを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造プロセスの評価方法。
【請求項３】
前記密度関数の偏差情報から前記光学系の光軸方向で前記光学系と前記基板との位置決めを行う工程に起因する誤差情報を評価することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のデバイス製造プロセスの評価方法。
【請求項４】
前記密度関数は正規分布関数であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のデバイス製造プロセスの評価方法。
【請求項５】
光学系を介して基板上にパターンを形成する露光装置の評価方法であって、
前記光学系の光軸方向における前記光学系の像面と評価用基板との相対位置を変えながら、前記光学系を介して前記評価用基板上の複数の領域にパターンを形成する工程と、
前記評価用基板上の複数の領域に形成されたパターンの形成状態が許容範囲外となる確率の累積密度関数の情報を前記相対位置に対応させて求める工程と、
前記累積密度関数の情報に合わせて前記許容範囲外となる確率の密度関数の情報を求める工程と、
前記密度関数の情報に基づいて前記露光装置を評価する工程と、
を含むことを特徴とする露光装置の評価方法。
【請求項６】
前記密度関数の平均値から前記光学系の焦点深度情報を評価することを特徴とする請求項５に記載の露光装置の評価方法。
【請求項７】
前記密度関数の偏差情報から前記光学系の光軸方向で前記光学系と前記基板との位置決めを行うステージ装置に起因する誤差情報を評価することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の露光装置の評価方法。
【請求項８】
前記密度関数は正規分布関数であることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の露光装置の評価方法。
【請求項９】
請求項５から８のいずれか一項に記載の露光装置の評価方法によって評価された露光装置を用いて、基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学系を介して物体上にパターンを形成するデバイス製造プロセスの評価方法、光学系を介して物体上にパターンを形成する露光装置の評価方法、及びこの評価方法で評価された露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイス製造プロセス中のフォトリソグラフィ工程においては、フォトレジストが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）を例えば投影光学系を備えた露光装置を用いて露光し、そのフォトレジストを現像することによって、ウエハ上にレジストパターンが形成される。この工程においては、露光量及び投影光学系に対するフォーカス位置の許容範囲（余裕度又はマージン）であるプロセスマージンを正確に評価することが求められている。
【０００３】
従来は、一例として露光量の複数の設定値とフォーカス位置の複数の設定値との組み合わせ毎に、ウエハ上に形成されるレジストパターンの寸法を計算し、そのレジストパターンの寸法が目標値に対して所定の誤差範囲内にあるときのフォーカス位置の範囲をフォーカス位置の許容範囲（焦点深度）として、そのときの露光量の範囲を露光量の許容範囲としていた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１２８１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のプロセスマージンの評価方法においては、同一の露光量及び同一のフォーカス位置ではウエハ上に同じ寸法のパターンが形成されるものとして、フォーカス位置及び露光量の許容範囲を求めていた。しかしながら、実際のプロセスでは、例えば同じ露光量及びフォーカス位置の設定値のもとで露光しても、ウエハ上の全部のショット領域に形成されるレジストパターンの寸法が互いに同じになることはなく、レジストパターンの寸法には或る程度のばらつきがある。即ち、実際のプロセスでは、形成されるレジストパターンの寸法は所定の確率密度分布に従って変化する。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑み、実際のプロセスを考慮してプロセスマージン等を評価できるデバイス製造プロセス及び露光装置の評価方法、並びにこの評価方法で評価された露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によるデバイス製造プロセス（又は露光装置）の評価方法は、光学系を介して基板上にパターンを形成するデバイス製造プロセス（又は露光装置）の評価方法であって、その光学系の光軸方向におけるその光学系の像面と評価用基板との相対位置を変えながら、その光学系を介してその評価用基板上の複数の領域に例えば評価用のパターンを形成する工程と、その評価用基板上の複数の領域に形成されたパターンの形成状態が許容範囲外となる確率の累積密度関数の情報をその相対位置に対応させて求める工程と、その累積密度関数の情報に合わせてその許容範囲外となる確率の密度関数の情報を求める工程と、その密度関数の情報に基づいてプロセス（又はその露光装置）を評価する工程と、を含むものである。
【０００８】
また、本発明によるデバイス製造方法は、本発明の露光装置の評価方法によって評価された露光装置を用いて、基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成された基板を処理することと、を含むものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、評価用基板上に形成されるパターンの形成状態が許容範囲外となる確率の累積密度関数の情報を求めているため、実際のプロセスを考慮して、例えば投影光学系のフォーカス位置の許容範囲等のプロセスマージンを評価できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態の一例で使用される露光装置を示す斜視図である。
【図２】デバイス製造プロセスの評価動作の一例を示すフローチャートである。
【図３】（Ａ）はテストレチクルのパターンの一例を示す平面図、（Ｂ）は図３（Ａ）の一部のパターンを示す拡大図である。
【図４】（Ａ）は評価用のウエハを示す平面図、（Ｂ）は図４（Ａ）の一つのショット領域に形成されるレジストパターンを示す拡大図、（Ｃ）はレジストパターンを示す拡大図、（Ｄ）はブリッジ部を含むレジストパターンを示す拡大図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び（Ｄ）は、フォーカス位置が変化するときのウエハ上の規格外ショットの分布の変化の一例を示す図である。
【図６】（Ａ）は累積密度関数及び密度関数を示す図、（Ｂ）は規格化された累積密度関数及び密度関数を示す図である。
【図７】（Ａ）は計測結果に応じた累積密度関数及び密度関数を示す図、（Ｂ）は計測結果に応じた規格化された累積密度関数及び密度関数を示す図、（Ｃ）は図７（Ａ）と図７（Ｂ）との対応関係を示す図である。
【図８】規格外ショットが生じる確率に基づいた焦点深度の一例を示す図である。
【図９】（Ａ）は第１の露光装置の焦点深度を示す図、（Ｂ）は第２の露光装置の焦点深度を示す図である。
【図１０】密度関数の平均値等を決定するための別の方法の説明図である。
【図１１】電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態の一例につき図１〜図８を参照して説明する。本実施形態は、投影光学系を備えた露光装置で露光を行う場合に本発明を適用したものである。
図１は、本実施形態に係るスキャニングステッパー（スキャナー）よりなる走査露光型の露光装置１００の概略構成を示す。図１において、露光装置１００は、露光光源（不図示）と、この露光光源からの露光用の照明光（露光光）ＩＬによりレチクルＲ（マスク）のパターン面（物体面）の照明領域１８Ｒを照明する照明光学系１０とを備えている。さらに、露光装置１００は、レチクルＲを移動するレチクルステージＲＳＴと、照明光ＩＬのもとでレチクルＲの照明領域１８Ｒ内のパターンの像をフォトレジスト（感光材料）が塗布されたウエハＷ（基板）上の露光領域１８Ｗに形成する投影光学系ＰＬと、ウエハＷの位置決め及び移動を行うウエハステージＷＳＴと、装置全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系２と、その他の駆動系等とを備えている。
【００１２】
以下、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面（本実施形態ではほぼ水平面に平行）内の直交する２方向にＸ軸及びＹ軸を取り、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸に平行な軸の周りの回転（傾斜）方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明を行う。本実施形態では、Ｙ軸に平行な方向（Ｙ方向）が、走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向である。
【００１３】
上記の露光光源としては、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が使用されている。露光光源としては、その他にＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）などの紫外パルスレーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、固体レーザ（半導体レーザなど）の高調波発生装置、又は水銀ランプ等の放電ランプなども使用することができる。
照明光学系１０は、例えば特開２００１−３１３２５０号公報（対応する米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書）などに開示されるように、オプティカルインテグレータ（フライアイレンズ、ロッドインテグレータ、回折光学素子など）等を含む照度均一化光学系、固定及び可変のレチクルブラインド、並びにコンデンサ光学系等を含んでいる。
【００１４】
照明光学系１０は、レチクルＲのパターン面（ここでは下面）のパターン領域ＰＡの照明領域１８Ｒを、照明光ＩＬによりほぼ均一な照度分布で照明する。照明領域１８Ｒは一例としてＸ方向（非走査方向）に細長い長方形である。また、通常照明、２極若しくは４極照明、又は輪帯照明等の照明条件に応じて、照明光学系１０内の瞳面における照明光ＩＬの光量分布が、不図示の設定機構によって光軸を中心とする円形領域、光軸から偏心した２つ若しくは４つの部分領域、又は光軸を中心とする輪帯状領域等に切り換えられる。
【００１５】
また、レチクルＲのパターン領域ＰＡをＸ方向に挟むようにアライメントマーク１６Ａ，１６Ｂが形成されている。アライメントマーク１６Ａ，１６Ｂの位置に基づいてレチクルＲのアライメントを行うことができる。
レチクルＲはレチクルホルダ（不図示）を介してレチクルステージＲＳＴ上に吸着保持され、レチクルステージＲＳＴはレチクルベース１２のＸＹ平面に平行な上面にエアベアリングを介して載置されている。レチクルステージＲＳＴは、レチクルベース１２上でＹ方向に一定速度で移動可能であり、かつＸ方向、Ｙ方向の位置、及びθｚ方向の回転角の微調整を行うことができる。レチクルステージＲＳＴの少なくともＸ方向、Ｙ方向の位置、及びθｚ方向の回転角を含む２次元的な位置の情報（位置情報）は、Ｘ軸のレーザ干渉計１４Ｘと、Ｙ軸の２軸のレーザ干渉計１４ＹＡ，１４ＹＢとを含むレチクル側干渉計システムによって計測されて、ステージ駆動系４及び主制御系２に供給される。ステージ駆動系４は、その位置情報及び主制御系２からの制御情報に基づいて、不図示の駆動機構（リニアモータなど）を介してレチクルステージＲＳＴの位置、速度、及び回転角を制御する。
【００１６】
照明光ＩＬのもとで、レチクルＲの照明領域１８Ｒ内のパターン（回路パターン）は、両側テレセントリックの投影光学系ＰＬを介して所定の投影倍率β（例えば１／４，１／５等の縮小倍率）で、ウエハＷ上の一つのショット領域ＳＡ上の露光領域１８Ｗ（照明領域１８Ｒと共役な領域）に投影される。投影光学系ＰＬは屈折系であるが、反射屈折系等も使用可能である。ウエハＷは、直径が例えば２００ｍｍ又は３００ｍｍ等の円板状のシリコン半導体等の基材上にフォトレジストを塗布したものである。
【００１７】
一方、ウエハＷは、ウエハホルダ２０を介してウエハステージＷＳＴ上に吸着保持され、ウエハステージＷＳＴは、ウエハベース２６のＸＹ平面に平行な上面をエアベアリングを介してＸ方向、Ｙ方向に移動するＸＹステージ２４と、Ｚチルトステージ２２とを備えている。ウエハホルダ２０を有するＺチルトステージ２２は、例えばＺ方向に変位可能な３箇所のＺ駆動部（不図示）を個別に駆動して、Ｚチルトステージ２２（ウエハＷ）の光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）の位置（フォーカス位置）、及びθｘ、θｙ方向の回転角を制御する。Ｚチルトステージ２２の３箇所のＺ駆動部は、それぞれ駆動点におけるＺ方向の変位を計測できる変位センサ（不図示）を備えている。
【００１８】
また、露光装置１００が、例えば国際公開第２００４／０５３９５５号パンフレット、又は欧州特許出願公開第１４２０２９８号明細書等に開示されている液浸型露光装置である場合には、ウエハＷの露光中に液体供給装置（不図示）から投影光学系ＰＬの先端の光学素子とウエハＷとの間の局所的な領域に、照明光ＩＬを透過する液体（例えば純水）が供給されて回収される。この液浸型の場合には、液体を供給しない場合（ドライ露光）に比べて解像度を微細化して、かつ焦点深度を深くできる。
【００１９】
さらに、投影光学系ＰＬの側面に、例えば特開平６−２８３４０３号公報（対応する米国特許第５，４４８，３３２号明細書）等に開示されるものと同様の構成の、投射系３７Ａ及び受光系３７Ｂを含む斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ３７が設けられている。オートフォーカスセンサ３７によって、ウエハＷの露光面の投影光学系ＰＬの像面に対するＺ方向へのデフォーカス量、及びθｘ、θｙ方向の傾斜角が求められて、ステージ駆動系４に供給される。ステージ駆動系４は、通常の露光時には、そのオートフォーカスセンサの計測結果に基づいて、ウエハＷの露光面が投影光学系ＰＬの像面に合焦されるように、Ｚチルトステージ２２を駆動する。また、例えば後述のプロセス及び／又は露光装置の評価時には、ステージ駆動系４は、露光対象のウエハの露光面を投影光学系ＰＬの像面（ベストフォーカス位置）から任意の量だけデフォーカスさせるように、Ｚチルトステージ２２を駆動することも可能である。
【００２０】
ウエハステージＷＳＴの２次元的な位置の情報（位置情報）を計測するために、ウエハステージＷＳＴのＺチルトステージ２２のＸ軸及びＹ軸にほぼ垂直な側面は鏡面加工された反射面とされ、その反射面が移動鏡として使用される。なお、その反射面の代わりにロッド状の移動鏡を使用してもよい。Ｘ軸のレーザ干渉計３６ＸＰ及びＹ軸の２軸のレーザ干渉計３６ＹＡ，３６ＹＢを含むウエハ側干渉計システムによって、Ｚチルトステージ２２（ウエハＷ）の少なくともＸ方向、Ｙ方向の位置、及びθｚ方向の回転角を含む２次元的な位置の情報（位置情報）が計測されて、ステージ駆動系４及び主制御系２に供給される。その位置情報はアライメント制御系６にも供給される。ステージ駆動系４は、その位置情報及び主制御系２からの制御情報に基づいて、不図示の駆動機構（リニアモータなど）を介して、ウエハステージＷＳＴのＸＹステージ２４の２次元的な位置及び速度を制御する。
【００２１】
また、投影光学系ＰＬの＋Ｙ方向の側面において、ウエハＷ上のアライメントマークの位置を計測するオフアクシス方式で例えば画像処理方式のウエハアライメント系３８が不図示のフレーム機構に保持されている。ウエハアライメント系３８の計測結果はアライメント制御系６に供給され、アライメント制御系６は、その計測結果に基づいてウエハＷの全部のショット領域の配列座標の算出（ウエハのアライメント）を行い、算出結果を主制御系２に供給する。
【００２２】
ウエハステージＷＳＴのＺチルトステージ２２上には平板状の基準部材２８が固定され、基準部材２８上にＸ方向に所定間隔の１対の２次元のスリットパターン３０Ａ，３０Ｂと２次元の基準マーク３２とが形成されている。基準部材２８の上面の高さは、ウエハＷの露光面とほぼ同じ高さに設定されている。Ｚチルトステージ２２内の基準部材２８の底面に、スリットパターン３０Ａ，３０Ｂを通過した光束を受光する空間像計測系３４が収納され、空間像計測系３４の検出信号がアライメント制御系６に供給されている。レチクルＲのアライメントマーク１６Ａ，１６Ｂ等の投影光学系ＰＬによる像の位置又はコントラストを空間像計測系３４で計測できる。また、基準マーク３２をウエハアライメント系３８で検出することによって、レチクルＲのパターン領域ＰＡの像の中心（露光中心）とウエハアライメント系３８の検出中心との位置関係（ベースライン）を求めることができる。
【００２３】
上記のウエハＷ上の全部のショット領域の配列座標及びベースラインの情報に基づいて主制御系２は、ウエハＷの各ショット領域の走査露光時（重ね合わせ露光時）に、当該ショット領域とレチクルＲのパターン領域ＰＡのパターンの像とが正確に重なり合うように、ステージ駆動系４を介してレチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴを同期して制御する。
【００２４】
即ち、露光装置１００によるウエハＷの露光時には、主制御系２の制御のもとで、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとを同期駆動して、照明光ＩＬが照射される照明領域１８Ｒに対してＹ方向にレチクルＲのパターン領域ＰＡを移動するとともに、投影光学系ＰＬの露光領域１８Ｗに対してウエハＷ上のショット領域ＳＡを対応する方向（Ｙ方向）に移動する走査露光動作によって、当該ショット領域ＳＡにレチクルＲのパターンの像が露光される。そして、ウエハステージＷＳＴを駆動してウエハＷ上の次のショット領域を走査開始位置に移動するステップ移動動作と、上記の走査露光動作とを繰り返すことによって、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の全部のショット領域にレチクルＲのパターンの像を露光できる。
【００２５】
さて、この露光装置１００を用いるウエハの露光（露光工程）は、例えば半導体デバイスを製造するための一連の製造プロセスの一部であるフォトリソグラフィ工程中で実行される。以下、そのフォトリソグラフィ工程におけるプロセスマージンの一つである、露光装置１００が有する投影光学系ＰＬの像面に対するウエハの露光面のＺ方向の位置（フォーカス位置）の許容範囲を評価する動作の一例につき、図２のフローチャートを参照して説明する。この評価動作においては、露光装置１００の他に、ウエハに対するフォトレジストの塗布及び現像を行うコータ・デベロッパ（不図示）と、ウエハの各ショット領域に形成されるレジストパターンの線幅又は欠陥等の検査を行う走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（不図示）とが使用される。
【００２６】
先ず、図２のステップ１０１において、レチクルステージＲＳＴ上に図３（Ａ）に示すテストレチクルＲ１をロードし、テストレチクルＲ１のアライメントマーク１６Ａ，１６Ｂの像の位置を空間像計測系３４によって計測し、この計測結果に基づいてテストレチクルＲ１の位置及び回転角を調整する（レチクルのアライメント）。
図３（Ａ）に示すように、テストレチクルＲ１のパターン領域ＰＡには、Ｘ方向及びＹ方向に所定配置（例えば評価対象の工程で製造対象となる実デバイスの各ショット領域内の複数のダイの配置）で複数の評価用パターン４０が形成されている。図３（Ｂ）に示すように、各評価用パターン４０は、Ｘ方向に所定周期のライン・アンド・スペースパターン（以下、Ｌ＆Ｓパターンという。）４０Ｘ及びＹ方向に所定周期のＬ＆Ｓパターン４０Ｙを含んでいる。Ｌ＆Ｓパターン４０Ｘ，４０Ｙのライン部及びスペース部の投影像の周期方向の幅は、一例として投影光学系ＰＬの解像限界に近い５０〜１００ｎｍ程度である。なお、テストレチクルＲ１の代わりに実デバイス用のレチクルを使用することも可能である。
【００２７】
また、このテストレチクルＲ１のアライメントが終了した時点では、ウエハステージＷＳＴのＺチルトステージ２２の３箇所のＺ駆動部の駆動量は、その上のウエハの露光面が投影光学系ＰＬの像面に平行で、かつその露光面のＺ方向の位置（フォーカス位置）が投影光学系ＰＬのベストフォーカス位置（光軸ＡＸ上の像面の位置）に合致するように設定されているものとする。なお、投影光学系ＰＬの像面は、Ｚチルトステージ２２の上面のＺ方向の位置を変えながら、例えば図３（Ａ）のテストレチクルＲ１の複数の評価用パターン４０の像のコントラストを基準部材２８及び空間像計測系３４を介して計測し、各評価用パターン４０の像毎にそれぞれ最もコントラストが高くなるときのフォーカス位置を求めることによって計測できる。また、基準部材２８の上面をその像面に設定し、その上面のフォーカス位置をオートフォーカスセンサ３７で計測し、この計測値をリセットすることで、オートフォーカスセンサ３７の計測値が像面に対するデフォーカス量を表すようになる。
【００２８】
以下では、Ｚチルトステージ２２は、その上のウエハの露光面を投影光学系ＰＬの像面に平行にして、その露光面のフォーカス位置のみを変化させるように駆動される。また、ウエハの光軸ＡＸ上の露光面がそのベストフォーカス位置にあるときのＺチルトステージ２２のフォーカス位置を基準として、一例としてその基準位置から投影光学系ＰＬの光学的に計算される焦点深度ＤＯＦ（depth of focus）の１．５倍程度−Ｚ方向に降下した位置をＺチルトステージ２２の下限と呼び、その基準位置からその焦点深度ＤＯＦの１．５倍程度＋Ｚ方向に上昇した位置をＺチルトステージ２２の上限と呼ぶ。
【００２９】
そして、ウエハステージＷＳＴのＺチルトステージ２２のフォーカス位置を上記の下限まで降下させる（ステップ１０２）。次に、ウエハステージＷＳＴ上にフォトレジストが塗布された未露光のｉ番目のウエハ（これをＷｉと呼ぶ）をロードする（ステップ１０３）。なお、ｉは整数で、ここではｉ＝１である。ウエハＷｉは例えばその外形を基準としてプリアライメントが行われている。この場合、重ね合わせ露光ではないため、高精度なウエハアライメントを行う必要はない。次のステップ１０４において、図４（Ａ）に示すように、ウエハＷｉのＸ方向、Ｙ方向に所定周期で配列された全部のショット領域ＳＡｊ（ｊ＝１，２，…，Ｊ）に、テストレチクルＲ１のパターンの像を投影光学系ＰＬを介して走査露光する。ウエハＷｉ上のショット領域ＳＡｊの個数Ｊは例えば１００程度又はこれ以上であることが好ましい。
【００３０】
ウエハＷｉの露光時のＺチルトステージ２２のフォーカス位置ｚｉは、ウエハＷｉの番号ｉと対応させて主制御系２の記憶装置に記憶される。なお、そのフォーカス位置ｚｉは、露光中にオートフォーカスセンサ３７によって実際に計測した値でもよい。その後、ウエハＷｉはアンロードされて、コータ・デベロッパ（不図示）に搬送される（ステップ１０５）。
【００３１】
次のステップ１０６で、主制御系２は、Ｚチルトステージ２２のフォーカス位置が上記の上限に達したかどうかを判定し、上限に達していない場合にはステップ１０７に移行する。そして、ステージ駆動系４はＺチルトステージ２２のフォーカス位置をδＺだけ高くする。このＺ方向への変位δＺは、一例として投影光学系ＰＬの焦点深度ＤＯＦの１／１０程度又はこれより小さく設定される。例えば焦点深度ＤＯＦが２００ｎｍ程度であれば、変位δＺは２０ｎｍ程度又はこれより小さい。
【００３２】
その後、動作はステップ１０３に戻り、ウエハステージＷＳＴ上にフォトレジストが塗布された未露光のｉ番目（ここではｉ＝２）のウエハＷｉがロードされ、このウエハＷｉの全部のショット領域ＳＡｊにもテストレチクルＲ１のパターンの像が露光される（ステップ１０４）。そして、Ｚチルトステージ２２のフォーカス位置をδＺだけ高くして、次の未露光のｉ番目のウエハＷｉを露光するという動作が、Ｉ番目のウエハＷＩまで繰り返される。一例として変位δＺが焦点深度ＤＯＦの約１／１０であれば、整数Ｉは約３０であり、３０枚程度のウエハＷｉが露光される。
【００３３】
その後、ステップ１０６で、Ｚチルトステージ２２のフォーカス位置が上限に達したときに、動作はステップ１０８に移行し、コータ・デベロッパ（不図示）においてそれまでに露光されたＩ枚のウエハＷｉのフォトレジストが現像される。この現像後に、図４（Ａ）の各ウエハＷｉの全部のショット領域ＳＡｊには、図４（Ｂ）に示すように、テストレチクルＲ１の複数の評価用パターン４０の像に対応する複数のレジストパターン４０Ｗが形成される。なお、現像後においても、ウエハＷｉ上の座標を露光装置上での座標（Ｘ，Ｙ）を用いて表している。
【００３４】
図４（Ｂ）において、ショット領域ＳＡｊ上のＸ方向、Ｙ方向に所定間隔で配列された計測位置Ｐ（ix，iy）（ix＝１〜ＩＸ；jx＝１〜ＩＹ）にそれぞれレジストパターン４０Ｗが形成され、レジストパターン４０Ｗは、Ｘ方向に所定周期のＬ＆Ｓパターン４０ＸＷ及びＹ方向に所定周期のＬ＆Ｓパターン４０ＹＷ（図４（Ｃ）参照）を含んでいる。
次のステップ１０９において、現像後のＩ枚のウエハＷｉを走査型電子顕微鏡（不図示）に搬送し、各ウエハＷｉ（ｉ＝１〜Ｉ）について、その上の全部のショット領域ＳＡｊ（ｊ＝１〜Ｊ）上の互いに同じ計測位置Ｐ（ix，jy）（例えば計測位置Ｐ（３，３））にあるレジストパターン４０Ｗの形状を計測し、その形状が所定の規格内か否かを判定する。この場合、一例として、走査型電子顕微鏡では各ウエハＷｉのレジストパターン４０Ｗの形状のみを計測し、この計測結果を図１の主制御系２に供給し、主制御系２内の判定部においてその形状がその規格内かどうかを判定する。
【００３５】
また、その所定の規格の一例は、レジストパターンの線幅の許容範囲である。即ち、図４（Ｃ）は、図４（Ｂ）の一つのレジストパターン４０Ｗの拡大図である。図４（Ｃ）において、走査型電子顕微鏡では、例えばＸ方向のＬ＆Ｓパターン４０ＸＷの中央のライン部の線幅ｄｘ及びＹ方向のＬ＆Ｓパターン４０ＹＷの中央のライン部の線幅ｄｙを計測し、線幅ｄｘ及びｄｙの少なくとも一方が所定の許容範囲（ｄ±Δｄ）を超えていれば、当該ショット領域ＳＡｊは規格外であると判定する。このようにして、各ウエハＷｉ（ｉ＝１〜Ｉ）について、その中の全部のショット領域ＳＡｊ（ｊ＝１〜Ｊ）のうちで規格外とされたショット領域（規格外ショット）の割合ＲＰＷｉ（％）を求める。その割合ＲＰＷｉは全部のショット領域ＳＡｊのうちで規格外ショットが生じている確率とみなすことができる。
【００３６】
この場合、フォーカス位置が上記の下限にあるときに露光されたウエハＷ１では、図５（Ａ）に示すように、全部のショット領域ＳＡｊが規格外ショット４２ＮＧとなる。そして、露光時のフォーカス位置ｚｉがベストフォーカス位置に近づくに従って、図５（Ｂ）のウエハＷｉ１、図５（Ｃ）のウエハＷｉ２、及び図５（Ｄ）のウエハＷｉ３で示すように、次第に規格内のショット領域４２Ｇが増加し規格外ショット領域４２ＮＧが減少し、規格内のショット領域に対する規格外ショットの割合ＲＰＷｉが減少する。その後、ウエハのフォーカス位置がベストフォーカス位置の上方に離れると、規格外ショットの割合ＲＰＷｉは再び増加する。そこで、本実施形態では、その規格外ショットの割合ＲＰＷｉに基づいて投影光学系ＰＬに対するフォーカス位置の許容範囲を求める。
【００３７】
次のステップ１１０において、主制御系２内の演算部は、ベストフォーカス位置の上方のフォーカス位置で露光された各ウエハＷｉについて、露光時のフォーカス位置ｚｉ（ｎｍ）と上記の規格外ショットの割合ＲＰＷｉ（％）とを、図７（Ａ）の折れ線グラフ４３Ｇで表される関係として求める。図７（Ａ）の横軸はウエハのフォーカス位置ｚ（ｎｍ）をベストフォーカス位置（ｚ＝０）を基準として表しており、折れ線グラフ４３Ｇ中の一連の計測点４３が実際の計測結果である。本実施形態では、その折れ線グラフ４３Ｇを、規格外ショットの割合をフォーカス位置ｚの関数で表した累積密度関数ＲＰ（ｚ）に対する或る程度の誤差（計測誤差又はウエハ上のショット領域の数が少ないことに起因する誤差）を含む近似値であるとみなす。
【００３８】
また、その累積密度関数ＲＰ（ｚ）とは、フォーカス位置ｚにおいて新たに規格外ショットが生じる確率である点線で示す密度関数Ｒｆ（ｚ）をフォーカス位置ｚに関して積分したものである。なお、以下では、フォーカス位置ｚがベストフォーカス位置の上方にある場合を扱うものとする。
本実施形態では、その密度関数Ｒｆ（ｚ）は、図６（Ａ）に示すように、平均値μ及び標準偏差σの正規分布関数であると仮定する。これらの密度関数Ｒｆ（ｚ）及び累積密度関数ＲＰ（ｚ）は次のように表すことができる。
【００３９】
2010182892.tif 000003
さらに、図７（Ａ）の折れ線グラフ４３Ｇの計測値からその平均値μ及び標準偏差σの値を決定するために、その密度関数Ｒｆ（ｚ）を規格化した図６（Ｂ）に示す密度関数ｆ（Ｚ）（規格化されたフォーカス位置Ｚの関数）を想定する。規格化された密度関数ｆ（Ｚ）の平均値は０、標準偏差は１であり、密度関数ｆ（Ｚ）は次の式（２Ａ）で表される。また、規格化されたフォーカス位置Ｚは、規格化前のフォーカス位置ｚに対して次の式（２Ｃ）で表される。さらに、規格化された密度関数ｆ（Ｚ）を積分した規格化された累積密度関数Ｐ（Ｚ）（図６（Ｂ）参照）は、次の式（２Ｂ）の関数Ｐ（Ｚ≦Ｚ１）においてＺ１の代わりにＺと置いた式に相当する。
【００４０】
2010182892.tif 000004
なお、式（２Ｂ）中の関数ｅｒｆ（Ｚ）は、以下の式（４Ｂ）で定義されている。この場合、密度関数Ｒｆ（ｚ）及びｆ（Ｚ）の全範囲での積分値はそれぞれ次のように１である。
【００４１】
2010182892.tif 000005
また、式（２Ｂ）中の関数Ｐ（Ｚ≦Ｚ１）は次の式（４Ａ）で表される。
【００４２】
2010182892.tif 000006
次のステップ１１１において、主制御系２内の演算部は、図７（Ａ）の折れ線グラフ４３Ｇで表される規格外ショットの割合（最大値が１００％）を、図７（Ｂ）の折れ線グラフ４３ＢＧのように最大値が１となるように規格化するものとする。図７（Ｂ）の横軸は、実際のフォーカス位置ｚから式（２Ｃ）に従って計算される規格化されたフォーカス位置Ｚであり、図７（Ｂ）には規格化された密度関数ｆ（Ｚ）及び累積密度関数Ｐ（Ｚ）も表示されている。この場合、図７（Ｂ）の規格化された折れ線グラフ４３ＢＧ上の一連の計測点４３Ｂが、図７（Ａ）の折れ線グラフ４３Ｇ上の一連の計測点４３（フォーカス位置ｚｉ）に対応しているが、このままでは計測点４３Ｂのフォーカス位置Ｚｉは定まらない。そこで、図７（Ｂ）において、折れ線グラフ４３ＢＧ上の計測点４３Ｂと同じ値の累積密度関数Ｐ（Ｚ）上の点４３ＢＰを特定し、この点４３ＢＰに対応するフォーカス位置Ｚｉを計測点４３Ｂの規格化されたフォーカス位置とみなす。
【００４３】
このようにして、図７（Ａ）の計測点４３のフォーカス位置ｚｉを縦軸に、図７（Ｂ）の計測点４３Ｂに対応するフォーカス位置Ｚｉを横軸に表したものが、図７（Ｃ）の一連の点４４である。この一連の点４４を近似する直線４４Ｇは、式（２Ｃ）の平均値μ及び標準偏差σを用いて次のように表される。
ｚｉ＝σＺｉ＋μ  …（５）
本実施形態では、図７（Ｃ）の一連の点４４のデータ（Ｚｉ，ｚｉ）を用いて最小自乗法によって平均値μ（この値をμ１とする）及び標準偏差σの値を決定する。
【００４４】
図８の密度関数Ｒｆ１（ｚ）は、ステップ１１１で決定された投影光学系ＰＬのベストフォーカス位置Ｂ．Ｆ．（ｚ＝０）の上方の平均値μ１及び標準偏差σで規定される規格外ショットの確率であり、累積密度関数ＲＰ１（ｚ）は密度関数Ｒｆ１（ｚ）を積分した関数である。
次のステップ１１２において、ベストフォーカス位置の下方のフォーカス位置で露光された複数のウエハに関してステップ１１０及び１１１と同様の動作を実行して、規格外ショットが生じる確率を示す図８の密度関数Ｒｆ２（ｚ）の平均値μ２及び標準偏差σを求める。ここでは、一例として２つの密度関数Ｒｆ１（ｚ）及びＲｆ２（ｚ）の標準偏差は同じσであるとするが、それらは異なっていてもよい。図８の累積密度関数ＲＰ２（ｚ）は、密度関数Ｒｆ２（ｚ）を−ｚ方向に積分したものであり、ベストフォーカス位置の下方ではデフォーカス量が大きくなるほど規格外ショットの割合が大きくなることを意味している。
【００４５】
次のステップ１１３において、本実施形態では、図８の２つの密度関数Ｒｆ１（ｚ）及びＲｆ２（ｚ）の平均値μ１，μ２及び標準偏差σを用いて、規格外ショットが生じる確率に基づいて定められる焦点深度であるＭＤＯＦを次のように定義する。
ＭＤＯＦ＝μ１−μ２−６σ  …（６）
そこで、主制御系２内の演算部は、式（６）から焦点深度ＭＤＯＦを計算し、この計算結果を主制御系２内の記憶装置に記憶させるとともにステージ駆動系４に供給する。さらに、その演算部は、その２つの平均値μ１，μ２の差分ＣＣＺ（＝μ１−μ２）を求め、この差分ＣＣＺもフォーカス位置の許容範囲を大まかに表すデータとして、主制御系２内の記憶装置に記憶させる。これによって、フォーカス位置の許容範囲の評価動作が終了する。
【００４６】
その焦点深度ＭＤＯＦは、規格外ショットの割合が、累積密度関数ＲＰ１（ｚ）の３σの範囲外（ほぼ０．１％以下）にあり、かつ累積密度関数ＲＰ２（ｚ）の３σの範囲外（ほぼ０．１％以下）にあるときのフォーカス位置ｚの範囲を示している。従って、焦点深度ＭＤＯＦは、規格外ショットの割合が多くともほぼ０．２％以下であるフォーカス位置ｚの範囲を表している。この焦点深度ＭＤＯＦが、本実施形態における投影光学系ＰＬの像面に対するウエハＷの露光面のフォーカス位置の許容範囲（プロセスマージンの一つ）の一例である。
【００４７】
また、図８の２つの密度関数Ｒｆ１（ｚ）及びＲｆ２（ｚ）の標準偏差σは、露光装置１００のウエハアライメント系３８のフォーカス位置の計測誤差及びＺチルトステージ２２のＺ方向の駆動誤差等のランダム誤差を評価するための指標として使用可能である。
その後の露光工程では、ステージ駆動系４は、ウエハＷの露光面が投影光学系ＰＬの像面に対してその焦点深度ＭＤＯＦの範囲内に収まるようにＺチルトステージ２２を制御する。これによって、レチクルＲのパターンの像が常に高い解像度でウエハＷ上に露光される。
【００４８】
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
（１）本実施形態の半導体デバイスの製造プロセスの評価方法は、投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上にレジストパターンを形成するデバイス製造プロセスの評価方法であって、投影光学系ＰＬの光軸方向において投影光学系ＰＬの像面に対する評価用のウエハＷｉのフォーカス位置ｚｉを変えながら、投影光学系ＰＬを介してウエハＷｉ上の複数のショット領域ＳＡｊにテストレチクルＲ１のパターンの像を露光し、現像によってそのショット領域ＳＡｊにレジストパターン４０Ｗを形成するステップ１０３〜１０８と、ウエハＷｉ上の複数のショット領域ＳＡｊに形成されたレジストパターン４０Ｗの例えば線幅（形成状態）が規格外（許容範囲外）となる確率の累積密度関数ＲＰ（ｚ）の情報である割合ＲＰＷｉをそのフォーカス位置ｚｉに対応させて求めるステップ１０９，１１０と、その累積密度関数の情報に合わせてその規格外となる確率の密度関数Ｒｆ１（ｚ），Ｒｆ２（ｚ）の平均値μ１，μ２及び標準偏差σを求めるステップ１１１，１１２と、その平均値μ１，μ２及び標準偏差σに基づいてプロセスを評価するステップ１１３と、を含むものである。
【００４９】
また、その評価方法は、露光装置１００の投影光学系ＰＬのフォーカス位置の許容範囲等の評価方法とみなすことも可能である。
本実施形態によれば、評価用のウエハＷｉ上に形成されるレジストパターン４０Ｗの線幅が規格外となる確率の累積密度関数の情報を求めているため、実際の確率的なデバイス製造プロセスを考慮して、例えば投影光学系のフォーカス位置の許容範囲等のプロセスマージンを評価できる。
【００５０】
なお、本実施形態では、ウエハＷｉに形成されるレジストパターン４０Ｗの形成状態として線幅を考慮しているため、評価が容易である。
（２）なお、そのレジストパターン４０Ｗの形成状態を評価する規格（許容範囲）として、図４（Ｄ）に示すように、Ｌ＆Ｓパターン４０ＸＷ中にブリッジ部４１Ｘがあるか、及びＬ＆Ｓパターン４０ＹＷ中にブリッジ部４１Ｙがあるかどうかを判定してもよい。この場合、Ｌ＆Ｓパターン４０ＸＷ及び４０ＹＷの少なくとも一方にブリッジ部４１Ｘ，４１Ｙがあると、当該ショット領域ＳＡｊは規格外と判定される。また、ブリッジ部４１Ｘ，４１Ｙ以外の欠陥の有無によって規格外ショットであるかどうかを判定してもよい。
【００５１】
（３）また、本実施形態では、平均値μ１，μ２を用いて式（６）から計算される焦点深度ＭＤＯＦによって投影光学系ＰＬに対するフォーカス位置の許容範囲を評価しているため、フォーカス位置の許容範囲を確率の密度関数に基づいて容易に評価できる。
なお、平均値μ１，μ２の差分ＣＣＺの大小によってそのフォーカス位置の許容範囲を評価してもよい。
【００５２】
（４）また、密度関数の標準偏差σによって、露光工程（ステップ１０４）中の投影光学系ＰＬとウエハＷｉとのＺ方向の位置決めを行うステップ１０７に起因するランダム誤差を評価している。従って、焦点深度に影響する要因を分離できる。
（５）また、上記の密度関数Ｒｆ（ｚ）等は、正規分布関数であるため、計算が容易である。
【００５３】
なお、密度関数Ｒｆ（ｚ）等として、正規分布関数以外の関数、例えばポアッソン分布関数等を使用することも可能である。
（６）また、本実施形態では、ウエハＷｉのフォーカス位置ｚｉを下限から上限にほぼ所定間隔で次第に変化させているが、そのフォーカス位置ｚｉは不定間隔で変化させてもよく、さらに不規則に変化させてもよい。また、図８において、ベストフォーカス位置Ｂ．Ｆ．の近傍のフォーカス位置では累積密度関数ＲＰ１（ｚ），ＲＰ２（ｚ）の値はほぼ０である。従って、ベストフォーカス位置Ｂ．Ｆ．の近傍では、フォーカス位置の設定間隔を広くするか、又は規格外ショットの割合の計測を省略してもよい。これによって、計測精度を実質的に低下させることなく、計測時間を短縮できる。
【００５４】
なお、上記の実施形態では、１台の露光装置１００を用いる場合のプロセスを評価しているが、複数台の露光装置を用いる場合のプロセスを評価する場合に本発明を適用してもよい。一例として第１及び第２の露光装置を用いてミックス・アンド・マッチ方式で露光する場合を想定する。先ず、図２の評価方法によって、第１の露光装置に関して、図９（Ａ）に示すように密度関数Ｒｆ１（ｚ），Ｒｆ２（ｚ）に基づいて、式（６）からフォーカス位置の許容範囲に相当する焦点深度ＭＤＯＦ１を求め、平均値μ１，μ２の差分ＣＣＺ１を求める。次に、図２の評価方法によって、第２の露光装置に関して、図９（Ｂ）に示すように密度関数Ｒｆ１（ｚ），Ｒｆ２（ｚ）に基づいて、式（６）から焦点深度ＭＤＯＦ２を求め、平均値μ１，μ２の差分ＣＣＺ２を求める。
【００５５】
このとき、焦点深度ＭＤＯＦ１が焦点深度ＭＤＯＦ２より広いとして、その露光工程中にウエハの各ショット領域の表面の段差がより大きい工程がある場合に、その表面の段差がより大きい工程でその第１の露光装置を用いるようにする。これによって、その工程における歩留まりが向上し、全体として高いスループットで高精度にデバイスを製造できる。
【００５６】
なお、この場合にも、平均値の差分ＣＣＺ１，ＣＣＺ２がより大きい露光装置を、フォーカス位置の許容範囲が広い露光装置と評価してもよい。
また、上記の実施形態では、図７（Ａ）に示すように、規格外ショットの割合ＲＰＷｉに関する計測点４３の個数が２よりかなり多いため、最小自乗法で平均値μ及び標準偏差σを求めている。しかしながら、未知数は２であるため、その計測点はベストフォーカス位置の上方及び下方でそれぞれ２点でもよい。
【００５７】
このようにウエハのフォーカス位置ｚｉに対応させてウエハ上の規格外ショットの割合を求めたデータ（計測点）が、例えばベストフォーカス位置の上方で２つである場合には、図１０に示すように、２つのフォーカス位置ｚ１，ｚ２において、累積密度関数ＲＰ（ｚ）の値の近似値ＲＰ（ｚ１），ＲＰ（ｚ２）が計測される。この場合にも、累積密度関数ＲＰ（ｚ）及びこれに対応する密度関数Ｒｆ（ｚ）を規格化した関数を想定し、その近似値ＲＰ（ｚ１），ＲＰ（ｚ２）に対応する規格化された累積密度関数の規格化されたフォーカス位置Ｚ１，Ｚ２を求める。
【００５８】
従って、フォーカス位置ｚ１，ｚ２とＺ１，Ｚ２とを対応させる関係式は次の式（７Ａ）及び（７Ｂ）ようになる。
【００５９】
2010182892.tif 000007
式（７Ｂ）において、値ｚ１，ｚ２及び値Ｚ１，Ｚ２が既知であるため、単純な計算によって平均値μ及び標準偏差σを求めることができる。この方法によれば、テストレチクルＲ１のパターンの像を露光するウエハは４枚でよいため、評価時間を短縮できる。
【００６０】
また、上記の実施形態では、各フォーカス位置で１枚のウエハの全部のショット領域にテストレチクルのパターンの像を露光している。しかしながら、例えば１枚のウエハの露光面を複数のショット領域群に分割し、これらの複数のショット領域群をそれぞれ異なるフォーカス位置に設定してテストレチクルのパターンの像を露光してもよい。この場合には、露光対象のウエハの枚数に比べてフォーカス位置の設定値を細かくできる。
【００６１】
また、上記の実施形態では、フォーカス位置を変えてウエハを露光しているが、各フォーカス位置において、さらに露光量を適正露光量を中心として複数段階に変えて複数のウエハにテストレチクルのパターンの像を露光してもよい。この場合、図７（Ａ）の横軸を露光量とした累積密度関数の情報が計測されるため、上記の実施形態と同様に、露光量の許容範囲に相当する密度関数の平均値μ及び標準偏差σを求めることができる。これらの平均値μ及び標準偏差σを用いて例えば式（６）から露光量のマージンを求めることができる。
【００６２】
また、上記の実施形態の評価方法でフォーカス位置の許容範囲が評価された露光装置１００を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（又はマイクロデバイス）を製造する場合、電子デバイスは、図１１に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたレチクル（マスク）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造してレジストを塗布するステップ２２３、前述した実施形態の露光装置１００によりレチクルのパターンを基板（感光基板）に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。
【００６３】
言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の方法で評価された露光装置１００を用いてレチクルのパターンの像を基板（ウエハ）に転写することと、転写された基板をそのパターンの像に応じて処理すること（ステップ２２４）とを含んでいる。この際に、上記の実施形態によれば、フォーカス位置の許容範囲を実際のプロセスに基づいて高精度に評価できるため、高い歩留まりが得られる。従って、高いスループットで電子デバイスを安価に製造できる。
【００６４】
なお、本発明は、上述の走査露光型の露光装置で露光する場合の他に、ステッパー等の一括露光型の露光装置で露光する場合にも適用できる。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems)、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の露光工程にも適用することができる。
【００６５】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【符号の説明】
【００６６】
Ｒ…レチクル、ＲＳＴ…レチクルステージ、ＰＬ…投影光学系、ＷＳＴ…ウエハステージ、Ｒ１…テストレチクル、Ｗｉ…評価用のウエハ、２…主制御系、４…ステージ駆動系、４０…評価用パターン、４０Ｗ…レジストパターン、４２ＮＧ…規格外ショット
【図１】
2010182892.tif 000008
【図２】
2010182892.tif 000009
【図３】
2010182892.tif 000010
【図４】
2010182892.tif 000011
【図５】
2010182892.tif 000012
【図６】
2010182892.tif 000013
【図７】
2010182892.tif 000014
【図８】
2010182892.tif 000015
【図９】
2010182892.tif 000016
【図１０】
2010182892.tif 000017
【図１１】
2010182892.tif 000018