(57)【要約】【課題】フォトマスク上のパターンの寸法を増大させるように再生することができるフォトマスクのパターン再生方法を提供する。【解決手段】フォトマスク１０の基板１上にクロム又はモリブデンシリサイドを用いて形成されたパターン２を再生するためのフォトマスクのパターン再生方法は、パターン２にフッ化アルゴンレーザ３を露光する露光工程を備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクの基板上にクロム又はモリブデンシリサイドを用いて形成されたパターンを再生するためのフォトマスクのパターン再生方法であって、前記パターンにフッ化アルゴンレーザを露光する露光工程を備えることを特徴とするフォトマスクのパターン再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク上のパターンを再生するパターン再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
石英ガラス等の基板上にクロム（Ｃｒ）等を用いて所定のパターンが形成されたフォトマスク（例えば、特許文献１参照。）は、半導体素子等の製造過程で広く用いられている。
【特許文献１】特開２００８−２０３３９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
通常、フォトマスクの基板上に形成された上述のパターンは、フォトマスクの製造過程におけるエッチングプロセスやクリーニングプロセスにさらされることによってその寸法は減少する（細る）方向にのみ変化していく。しかしながら、パターンの寸法を大きくする方法は今のところ存在しない。
【０００４】
したがって、上述のようにパターンが細ったとき、あるいは、新規フォトマスクの製造工程やウェハ露光に使用中のフォトマスクに対するペリクル貼り替え時において、パターンが細った結果、その寸法が所定の規格範囲から外れてしまうと、フォトマスク自体を再度作製しなければならないという問題がある。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、フォトマスク上のパターンの寸法を増大させるように再生することができるフォトマスクのパターン再生方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、フォトマスクの基板上にクロム又はモリブデンシリサイドを用いて形成されたパターンを再生するためのフォトマスクのパターン再生方法であって、前記パターンにフッ化アルゴン（ＡｒＦ）レーザを露光する露光工程を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のフォトマスクのパターン再生方法によれば、フォトマスク上のパターンの寸法を増大させるように再生することができ、フォトマスク再作製の頻度等を著しく低下させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の第１実施形態について、図１ないし図３を参照して説明する。図１及び図２は、本実施形態のフォトマスクのパターン再生方法（以下、単に「パターン再生方法」と称する。）の一過程を示す図である。
【０００９】
図１に示すように、フォトマスク１０は、基板１上に遮光のためのパターン２が形成されて構成されている。本発明の方法で再生可能なパターン２の材料は、Ｃｒ又はモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）である。基板１の材質は特に限定されず、例えば一般的な石英ガラス等を使用可能である。
【００１０】
上記のように構成されたフォトマスク１０のパターン２に対して、空気の存在する雰囲気下で図１に示すようにＡｒＦレーザ３による露光をパターン２の全面に対して行う（露光工程）。すると、ＡｒＦレーザ３によって空気中の水分が分解して水酸基（ＯＨ−）が発生し、当該水酸基がパターン２の表面で化学反応することにより、図２に示すように、パターン２が厚さ方向及び水平方向にほぼ均一に寸法が増大して再生される。
【００１１】
再生されたパターン２の寸法増大部分の成分を調べると、パターン２がＣｒで形成される場合は酸化クロムの薄膜であり、パターン２がＭｏＳｉで形成される場合は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の薄膜であることが確認された。すなわち、上述したように、空気中の水分の分解によって生じた水酸基が反応してパターン２の表面に酸化膜が形成されることによってパターン２が再生されたことが確認された。
【００１２】
ＡｒＦレーザ露光によるパターン２の再生速度や再生量は、パターン２に対するＡｒＦレーザ３の総露光エネルギー（積算量）や、反応物である水分（湿度）や酸素の濃度等によって変化する。特に、図３に示すように、パターン２の再生量とＡｒＦレーザ３の総露光量とは概ね比例関係にあるので、総露光量を適宜調整することで、所望の寸法だけパターン２が再生されるように制御することが可能である。
【００１３】
なお、パターン２がＭｏＳｉからなる場合の再生部分の材質ＳｉＯ２はＭｏＳｉよりも高い光透過性を有するため、過度に再生を進めると、パターン２の遮光性能に影響を及ぼす可能性があるため注意する。
【００１４】
本実施形態のパターン再生方法によれば、基板１上のパターン２全体の寸法を増大させることができるので、例えば繰り返し洗浄を行ってパターン２の寸法が全体的に小さくなってしまった等の場合に、好適にパターン２を再生させることによって、フォトマスク１０の延命を図ることが可能になる。その結果、フォトマスク１０の再作製の頻度を著しく低下させることができ、フォトマスク１０を用いた半導体素子等の製造コスト低減に大きく貢献することができる。
【００１５】
次に、本発明の第２実施形態について、図４ないし図７を参照して説明する。本実施形態のパターン再生方法と、上述の第１実施形態のパターン再生方法との異なるところは、ＡｒＦレーザがパターンの一部に照射される点である。なお、上述の第１実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【００１６】
図４及び図５は、本実施形態のフォトマスクのパターン再生方法の一過程を示す図である。図４に示すように、パターン２上の任意の箇所２Ａ、２ＢにＡｒＦレーザ３の露光を行うと、図５に示すように、パターン２Ａ、２Ｂの部分のみにおいて、パターン２の再生が行われる。
【００１７】
再生箇所は任意に設定されてよいが、再生のための核となるパターン２の材料が存在しないと酸化膜が形成されないため、ＡｒＦレーザ３の照射範囲の少なくとも一部にパターン２が存在することが必要である。
【００１８】
本実施形態のパターン再生方法によれば、任意の一部分のみを再生させることができるので、パターンの他の部位の寸法精度に影響を与えることなく所望の部位の再生や補強を行うことができる。
【００１９】
さらに、図６及び図７に示す変形例のように、パターンの欠損部位４及びその周囲のパターン２ＣにＡｒＦレーザ３を照射して露光することによって、周囲のパターン２Ｃを再生させて欠損部位４を塞ぐことも可能である。
このようにすれば、微小なミスサイズ、欠け、ピンホール等のパターン欠陥をある程度修復することが可能となる。したがって、フォトマスクの製造における収率を向上させることができ、フォトマスクの製造コスト低減や製造工期の短縮にも大きく貢献することができる。
【００２０】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００２１】
例えば、本発明のパターン再生方法は、パターン再生以外の目的にも応用することが可能である。
具体例を挙げると、パターンの寸法が変化しない程度の露光エネルギー量でＡｒＦレーザ露光を行い、パターンの表面にごく薄い酸化膜を形成することによりパターンの表面を強化することが可能である。このようにすれば、洗浄に対するパターンの耐性を向上させたり、当該酸化膜をいわゆるエッチングストッパ層として利用したりすることが可能である。
【００２２】
また、ＭｏＳｉを用いたパターンの場合、形成されるＳｉＯ２層が、ＭｏＳｉ材に比べて高い光透過性を有することはすでに説明したが、これを利用して単一の材料で形成されたパターンでありながら、部位によって遮光度が異なるようにグラデーションを形成することも可能である。この場合、従来のようにドットパターン等を用いなくても、遮光パターンに容易にグラデーション性を付与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態のフォトマスクのパターン再生方法の一過程を示す図である。
【図２】同パターン再生方法の一過程を示す図である。
【図３】ＡｒＦレーザの露光量とパターン再生量との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の第２実施形態のフォトマスクのパターン再生方法の一過程を示す図である。
【図５】同パターン再生方法の一過程を示す図である。
【図６】同実施形態の変形例のパターン再生方法の一過程を示す図である。
【図７】同パターン再生方法の一過程を示す図である。
【符号の説明】
【００２４】
１  基板
２  パターン
３  フッ化アルゴンレーザ
１０  フォトマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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