(57)【要約】【課題】本発明の主たる目的は、複数枚の接続基板を一括積層してなる多層基板およびこれを立体成型加工してなる立体型多層基板を効率的にかつ位置精度良く製造する方法を提供することである。【解決手段】上方に開口部を有する第１のキャビティが形成されたステージと、前記第１のキャビティの開口部に対向する位置で下方に開口部を有する第２のキャビティが形成され、上下方向に稼働可能なチャンバーと、前記第１および第２のキャビティ内に設置され、対向するプレス面が熱盤である一対のプレス体と、前記プレス体内それぞれに設置され、前記熱盤がそれぞれステージ又はチャンバーの温度上昇に寄与しないようにするための断熱部と、を少なくとも備えることを特徴とするプレス装置。【選択図】図７
2010153916.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上方に開口部を有する第１のキャビティが形成されたステージと、
前記第１のキャビティの開口部に対向する位置で下方に開口部を有する第２のキャビティが形成され、上下方向に稼働可能なチャンバーと、
前記第１および第２のキャビティ内に設置され、対向するプレス面が熱盤である一対のプレス体と、
前記プレス体内それぞれに設置され、前記熱盤がそれぞれステージ又はチャンバーの温度上昇に寄与しないようにするための断熱部と、
を少なくとも備えることを特徴とするプレス装置。
【請求項２】
前記プレス体のプレス面が所望の立体形状を有することを特徴とする請求項１記載のプレス装置。
【請求項３】
プレス時に前記チャンバーが下降して、前記第１および第２のキャビティが１つの閉じた系を形成し、該閉じた系内において、減圧下、プレス体により披プレス体の両面をほぼ同時に高温プレスすることを特徴とする請求項１または２記載のプレス装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載のプレス装置を用いることを特徴とする多層基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の製造方法により製造されたことを特徴とする多層基板。
【請求項６】
立体型多層基板であることを特徴とする請求項５記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プレス装置、多層基板の製造方法、および多層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、我々を取り巻く社会環境は、情報通信網の進展と共に大きく変化している。その中に、携帯機器の成長があり、小型・高機能化と共にその市場は拡大している。このため、半導体パッケージの更なる小型化と、それらを高密度に実装できる多層配線基板が要求され、高密度配線が可能な層間接続、すなわち高密度多層化技術が重要となっている。
【０００３】
主な多層化方法としては、ドリル穴明けとめっきプロセスを組み合わせたスルーホール接続があり、広く一般に知られているが、全ての層にわたって穴があくので、配線収容量に限界がある。
【０００４】
そこで、接続部の穴体積を減らすため、絶縁樹脂組成物層の形成−穴あけ−回路形成を繰り返すビルドアップ技術が主流となりつつある。このビルドアップ技術は、大別して、レーザ法とフォトリソ法があり、レーザ法は、絶縁樹脂組成物層に穴をあけるのにレーザ照射を行うものであり、一方、フォトリソ法は、絶縁樹脂組成物層に感光性の硬化剤（光開始剤）を用い、フォトマスクを重ねて、露光・現像して穴を形成するものである。
【０００５】
一方、ますます進展する情報・電子機器の小型・高機能化に対応し、半導体パッケージでは高密度実装技術の開発が加速されている。このため、多層基板のみならず、半導体実装用基板にも、薄型化とともに高密度配線形成技術が要求されている。その一つに、直上ビア構造形成の要求がある。これは、フリップチップ実装に対応した配線設計の自由度を改善したり、ビルドアップ層へのワイヤボンディング性を向上するなどを目的としている（非特許文献１参照）。
【０００６】
これらの要求から、新規な基板製造方法として、一括積層技術が注目されている。一括積層技術は、絶縁樹脂層上に配線層が形成され、絶縁樹脂層内に導電接続部が形成された部材を準備し、それら部材を位置あわせして、熱プレスにより一括で成型加工と同時に層間を導通接続するものである。この技術により、直上ビア構造形成の実現だけでなく、コアレスによる薄型化が図れると考えられる。製造面では、大幅な納期短縮も期待できる。このため、各社から、一括積層技術が発表されている（非特許文献２〜１１参照）。
【０００７】
主だった工法を見ると、絶縁樹脂には、熱硬化系樹脂または熱可塑系樹脂が用いられ、導電接続部には導電ペーストもしくは、めっき銅にはんだをめっきしたものが用いられている。配線層は、あらかじめ絶縁層に設けた金属層からエッチングで形成するもの、導電部上に配線を転写する方法が開発されている。
【０００８】
また、発明者は、層間接続部の形成に必要な穴明け工程を省略した一括積層法を発明（特許文献１参照）し、さらに接続基板を効率良く製造するための仮固定方法および該接続基板の複数枚を一括積層する工程の前に行う位置決め固定方法を発明（特許文献２参照）した。これらのなかで、熱可塑系樹脂である液晶ポリマーを使用した接続基板を例にとりあげ、従来の技術として説明する。
【０００９】
この接続基板は、三層クラッド箔からエッチングで形成したバンプ群を液晶ポリマーに埋設後、研磨により露出した電極を有する。その反対面には、ハーフエッチングで薄くした金属層からエッチングで形成した配線層を有し、電極と配線の表面には金めっき層などが形成されている。これら部材を位置あわせしたのち、高温で一括積層することで、樹脂は再溶融し、バンプと配線またはバンプ同士の表面においては固相金属拡散により合金化して層方向に導通接続させることができる。さらに、複数の接続基板をガイドピンを有する冶工具を用いて位置決めし、所定箇所を熱溶融で位置決め固着した後、これをプレスすることで、複数の接続基板を位置精度良く一括積層することができる。
【００１０】
さらに近年、立体回路形成が注目されている。立体回路が形成され、様々な形状に対応しうる立体型プリント配線板は、従来、先に樹脂を立体成形した後、配線を形成することで製造されている。しかしながら、この方法だと、高価なプロセス装置が必要となる他、適用可能な対象が片面または両面板に制限される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特願２００１−３９１７９９号公報
【特許文献２】特願２００２−３７０９３３号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】板谷、他４名、「ヴィアポスト型ビルドアップ配線板のワイヤボンディング性」、第７回マイクロエレクトロ二クスシンポジウム、Ｐ１５７−１６０、１９９７年１０月
【非特許文献２】田野倉、他１名、「もう、プリント基板じゃない・第２部一括積層でコスト半減部品内蔵で機能のみ込む」、日経エレクトロ二クス、Ｐ１２０−１２７、２００２年４月
【非特許文献３】竹ノ内、他１名、「ポリイミドフィルム多層基板の開発、第１０回回路実装学術講演大会、Ｐ８１−８２、１９９６年３月
【非特許文献４】石野、他３名、「テープ状フィルムの一括積層方式による多層配線板の開発」、エレクトロ二クス実装学会誌、Ｖｏｌ．１、No．２、Ｐ１２４−１２９、１９９８年
【非特許文献５】榎本、他２名、「一括積層プレス法による全層ＩＶＨ配線板の開発」、第１３回エレクトロ二クス実装学術講演大会、Ｐ２０３−２０４  、１９９９年３月
【非特許文献６】林、「一括硬化多層配線基板とその応用」、エレクトロ二クス実装学会２０００特別セミナーテキスト、Ｐ１５−２２、２０００年
【非特許文献７】大石、「多層基板の低コスト化技術・積水化学が新型テープ開発」、日経エレクトロ二クス、Ｐ２６−２７、２００２年３月
【非特許文献８】岡田、他４名、「鉛フリー半田による、一括多層・微細層間接続技術」、化学工学会第３５回秋季大会講演、Ｂ３１４、Ｐ７４、２００２年９月
【非特許文献９】近藤、「ＰＡＬＡＰの最新技術開発動向と今後の課題と展望」、ＰＷＢ−１０、プリント配線板ＥＸＰＯ、２００３年１月
【非特許文献１０】唐沢、「インプラント法による一括積層全層ＩＶＨ構造配線板の開発」、ＰＷＢ−１０、プリント配線板ＥＸＰＯ、２００３年１月
【非特許文献１１】榎本、「一括積層全層ＩＶＨ構造配線板の最新技術の総括と今後の課題と展望」、ＰＷＢ−１０、プリント配線板ＥＸＰＯ、２００３年１月
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記を鑑みて、本発明の主たる目的は、複数枚の接続基板を一括積層してなる多層基板、およびこれを成型加工してなる立体型多層基板を効率的にかつ位置精度良く製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
発明者は、複数枚の接続基板をあらかじめ位置決め治具などにより位置決めして重ね、これを熱融着により位置決め固着しておくことで、その後の高温プレスによる一括多層化およびその立体成型加工を行うことができ、結果として多層基板や立体型多層基板を効率的にかつ位置精度良く製造できること、ならびに、高温プレス時に後述するプレス装置を用いることで、より効率的に多層基板や立体型多層基板を製造できることを見出し、本発明を為すに至った。
【００１５】
すなわち、本発明は、以下（１）〜（６）の記載をその特徴とする。
【００１６】
（１）上方に開口部を有する第１のキャビティが形成されたステージと、
前記第１のキャビティの開口部に対向する位置で下方に開口部を有する第２のキャビティが形成され、上下方向に稼働可能なチャンバーと、
前記第１および第２のキャビティ内に設置され、対向するプレス面が熱盤である一対のプレス体と、
前記プレス体内それぞれに設置され、前記熱盤がそれぞれステージ又はチャンバーの温度上昇に寄与しないようにするための断熱部と、
を少なくとも備えることを特徴とするプレス装置。
【００１７】
（２）前記プレス体のプレス面が所望の立体形状を有することを特徴とする前記（１）記載のプレス装置。
【００１８】
（３）プレス時に前記チャンバーが下降して、前記第１および第２のキャビティが１つの閉じた系を形成し、該閉じた系内において、減圧下、プレス体により披プレス体の両面をほぼ同時に高温プレスすることを特徴とする前記（１）または（２）記載のプレス装置。
【００１９】
（４）前記（１）〜（３）のいずれか記載のプレス装置を用いることを特徴とする多層基板の製造方法。
【００２０】
（５）前記（４）の製造方法により製造されたことを特徴とする多層基板。
【００２１】
（６）立体型多層基板であることを特徴とする前記（５）記載の多層基板。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、複数枚の接続基板、特に３層以上積層された接続基板を一括積そうしてなる多層基板、およびこれを成型加工してなる立体型多層基板を効率的にかつ位置精度良く製造することができる。また、特定のプレス装置を用いることで、より効率的に多層基板や立体型多層基板を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に用いる接続基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図２】図１で得た接続基板の接続用導体にガイド穴を形成した状態を示す図である。
【図３】本発明に用いる位置あわせ治具の概略を示す断面図および上面図である。
【図４】図３の位置あわせ治具を用いて４枚の接続基板を位置決め固着し、本発明の多層基板を製造する過程を示す断面図である。
【図５】本発明の多層基板の一形態を示す断面図である。
【図６】あらかじめ穴あけされた接続基板を含む４枚の接続基板が位置決め固着された状態を示す断面図である。
【図７】プレス装置の好ましい形態を説明するための断面図である。
【図８】図７のプレス装置を用いて披プレス体を加熱加圧するプロセスを説明するための断面図である。
【図９】実施例４における金型の配置図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明について図を参照して詳細に説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。
【００２５】
まず、本発明に用いる接続基板の製造方法を説明する。
【００２６】
支持基材の片面もしくは両面に、少なくともキャリアとなる第２の金属層と該第２の金属層と除去条件の異なる第１の金属層とを含む複合金属層を、前記第２の金属層側が前記支持基材側となるように配置し、加熱加圧して仮固定する。図１（ａ）では、上記支持基材として、離型基材４５１、接着樹脂４５２、離型基材４５１の順に重ねて配置された支持基材４５を用い、上記支持基材４５の両面に複合金属層として、第１の金属層４１と、第２の金属層４２と、当該第１の金属層４１および当該第２の金属層４２の間に位置し、これらと除去条件の異なる第３の金属層４３とからなる３層の複合金属層４を配置した図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の複合金属層４と支持基材４５を加熱加圧して仮固定された状態の図である。
【００２７】
上記支持基材４５としては、例えば、図１（ａ）に示すように離型基材４５１、接着樹脂４５２、離型基材４５１の順に重ねて配置されたものなどを用いることができる。離型基材としては、例えば、電解銅箔、圧延銅箔等を用いる事ができ、さらに、その面積は複合金属層と接着樹脂のそれより小さくしておく。このようにすることで、離型基材の周囲にて接着樹脂の溶融により複合金属板４を接着することができる。また、接着樹脂としては、半硬化および／または硬化した熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
【００２８】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、アラミド樹脂、エポキシ変成ポリイミド樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、シリコーン変性ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などのうちから選択された１種以上と、必要な場合に、その硬化剤、硬化促進剤などを混合したものを加熱し半硬化状にしたもの、あるいは、硬化したものが使用できる。
【００２９】
上記光硬化性樹脂としては、例えば、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、シリコーンアクリレート樹脂、エポキシアクリレート樹脂、などのうちから選択された１種以上と、必要な場合に、その光開始剤、硬化剤、硬化促進剤などを混合したものを露光あるいは加熱し半硬化状にしたもの、あるいは硬化したものが使用できる。
【００３０】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、四フッ化ポリエチレン樹脂、六フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリオキシベンゾエート樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、液晶ポリマーなどのうちから選択された１種以上と、必要な場合に、その硬化剤、硬化促進剤などを混合したものを加熱し半硬化状にしたもの、あるいは硬化したものが使用できる。
【００３１】
これらの樹脂は、異種の樹脂の混合体からなる樹脂組成物であってもよく、さらに、充填剤としてシリカや金属酸化物などの無機フィラーを含むものでもよい。無機フィラーとしては、例えば、ニッケル、金、銀などの導電粒子、あるいはこれらの金属をめっきした樹脂粒子等を用いることができる。また、ガラス織布、不織布に接着樹脂を含浸させ半硬化又は硬化させたものを用いてもよい。ただし、充填材を添加する場合、樹脂組成物の剛性および樹脂組成物と複合金属層との密着力を保持できる範囲とすることが重要である。
【００３２】
また、上記複合金属層は、少なくともキャリアとなる第２の金属層と該第２の金属層と除去条件の異なる第１の金属層とを含む複合金属層を用いることが好ましく、図１（ａ）に示すような３層の複合金属層４を用いることが経済的により好ましい。
【００３３】
というのも、第１の金属層には経済的な理由から銅や圧延銅を用いることが好ましく、その銅とエッチング除去条件の異なる第２の金属層には、ニッケルやその合金を用いることが考えられるが、ニッケルやその合金は銅に比べて高価である。しかし、複合金属層が２層からなる場合、第１の金属層から形成される接続用導体の支えとなる第２の金属層には、高い機械的強度が要求されるため、一定の厚みを必要とし、高価な金属を多く使用せざるをえない。その点、第３の金属層として、第１及び第２の金属層とエッチング除去条件が異なる高価な金属層をこれらの間に比較的薄く形成して得られる３層の複合金属層は、第２の金属層を第１の金属層と同じ安価な銅や圧延銅とすることができるため、経済的でありかつ機械的強度にも優れている。
【００３４】
このような３層からなる複合金属層の第３の金属層の厚みは上記の通り薄い方がよく、０．０５〜５μｍの範囲であることが好ましい。０．０５μｍ未満であると、ニッケルやその合金の層を形成するめっき膜に析出欠陥があると薄いために十分にめっき膜で覆われないので、いわゆるピット（めっき欠け）が発生し、第１の金属層をエッチング除去するときに、第２の金属層を浸食したり、そのエッチング液が残り、接続の信頼性が低下するおそれがある。５μｍを越えても工程上では支障がないが、材料の費用が高くなり、経済的でない。
【００３５】
また、第１の金属層の厚さは、接続用導体を形成するため、所望の絶縁層厚さより厚めに形成する事が望ましい。その程度は、絶縁樹脂組成物層の研磨工程で第１の金属層が研磨除去される量に応じて決めなければならないが、５〜１００μｍの範囲であることが好ましい。厚さが５μｍ未満であると、接続しようとする導体回路の距離が小さくなり、絶縁性が低下することがあり、厚さが１００μｍを越えると、金属箔の不要な箇所をエッチング除去するときの加工精度が低下し、好ましくない。より好ましくは、２０〜８０μｍの範囲である。
【００３６】
また、第２の金属層の厚さは、５〜１００μｍの範囲であることが好ましい。厚さが５μｍ未満であると機械的強度が低下し、第１の金属層をエッチング除去したときに折れたり曲がりやすくなり、１００μｍを越えると、その後に第２の金属層を除去する場合に時間がかかり経済的でない。より好ましくは１０〜８０μｍの範囲である。
【００３７】
次に、第１の金属層を部分的に除去して接続用導体を形成するが、図１のように３層からなる複合金属層４を用いている場合には、第１の金属層４１を部分的に除去した後に、エッチングレジストを除去し、引き続き第３の金属層４３を部分的に除去すればよい。図１（ｃ）は、支持基材４５の両面に仮固定された複合金属層４の、接続用導体を形成する箇所にエッチングレジスト４４が形成された状態を示す図であり、図１（ｄ）は、第１の金属層４１および第３の金属層４３が順次部分的に除去され、接続用導体１３が形成された状態を示す図である。
【００３８】
次いで、図１（ｅ）に示すように、少なくとも接続用導体１３の周囲を覆うように１又は２以上の絶縁樹脂組成物層１２１を形成する。
【００３９】
この絶縁樹脂組成物層は、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の絶縁性樹脂を少なくとも含む組成物が半硬化および／または硬化した層である。
【００４０】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、アラミド樹脂、エポキシ変性ポリイミド樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、シリコーン変性ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、などのうちから選択された１種以上と、必要な場合に、その硬化剤、硬化促進剤などを混合したものを加熱し半硬化状にしたもの、あるいは、硬化したものが使用できる。
【００４１】
上記光硬化性樹脂としては、例えば、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、シリコーンアクリレート樹脂、エポキシアクリレート樹脂、などのうちから選択された１種以上と、必要な場合に、その光開始剤、硬化剤、硬化促進剤などを混合したものを露光あるいは加熱し半硬化状にしたもの、あるいは硬化したものが使用できる。
【００４２】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、四フッ化ポリエチレン樹脂、六フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリオキシベンゾエート樹脂、（全）芳香族ポリエステル樹脂、液晶ポリマーなどのうちから選択された１種以上を使用することができる。さらに、上記熱可塑性樹脂の少なくとも１種以上を加熱し、成型・冷却してフィルム化したものも使用できる。
【００４３】
本発明絶縁樹脂組成物層には、上記のような絶縁樹脂を単独で用いても、異種の絶縁樹脂の混合体を用いてもよく、さらに、充填剤として無機フィラーを含むものを用いてもよい。無機フィラーとしては、従来公知のものを用いることができ、特に限定されないが、例えば、ニッケル、金、銀などの導電粒子、シリカ、金属酸化物、あるいはこれらを金属めっきした樹脂粒子等を挙げられる。また、ガラス織布、不織布に絶縁樹脂を含浸させ半硬化又は硬化させたものを用いることもできる。望ましくは、絶縁樹脂組成物の絶縁性を確保するために、不導体のものがよい。
【００４４】
また、本発明の接続基板に用いる絶縁樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含むことが、多層化する際に基板表面に改めて樹脂を塗布する手間を省くことができ、好ましい。より好ましくは熱可塑性樹脂である液晶ポリマーを含む絶縁樹脂組成物である。液晶ポリマーを含む絶縁樹脂組成物を用いた場合、その線膨張係数を銅の線膨張係数に近付けることができるため、接続用導体の接続と同時に絶縁樹脂組成物を一括積層する上で効果的である。本発明において用いられる液晶ポリマーとしては、スメクチック相からネマチック相への相転移温度が１８０℃以上のものが好ましく、２８０℃以上のものが鉛レスはんだのリフロー処理温度に耐えられる点でより好ましい。具体的には、Ｘｙｄａｒ  ＳＲＴ−３００、ＳＲＴ−５００、ＦＳＲ−３１５、ＲＣ−２１０、ＦＣ−１１０、ＦＣ−１２０、ＦＣ−１３０（以上、日本石油化学（株）製、商品名）、エコノールＥ２０００（住友化学工業（株）製、商品名）シリーズ、エコノールＥ６０００（住友化学工業（株）製、商品名）シリーズ、ベクトラＡ９５０、ベクトラＡ１３０、ベクトラＣ１３０、ベクトラＡ２３０、ベクトラＡ４１０（以上、ポリプラスチックス（株）製、商品名）、ＥＰＥ−２４０Ｇ３０（三菱化成（株）製、商品名）、ロッドランＬＣ−５０００Ｈ（ユニチカ（株）製、商品名）、ノバキュレートＥ３２２Ｇ３０、Ｅ３３５Ｇ３０、ＥＰＥ−２４０Ｇ３０（以上、三菱化学（株）製、商品名）、ＢＩＡＣ（ジャパンゴアテックス（株）製、商品名）などがある。
【００４５】
また、絶縁樹脂組成物層を形成する方法としては、直接、接続用導体を形成した基板面に絶縁樹脂組成物を塗布して形成することもできるが、ポリエチレンテレフタレートフィルムのようなプラスチックフィルムや銅箔、アルミニウム箔のような金属箔をキャリアとし、その表面に絶縁樹脂組成物を塗布し、加熱乾燥してドライフィルム状にした接着剤シートを必要な大きさに切断し、接続用導体を形成した基板にラミネートやプレスすることで形成することもできる。
【００４６】
また、絶縁樹脂組成物層の厚さは、１〜１００μｍの範囲であることが好ましい。１μｍ未満では、絶縁樹脂組成物を接着強度が低下しない程度に均一な厚さに形成するのが困難となり、１００μｍを越えると、接続用導体を露出させることが困難になる。より好ましくは、３〜７０μｍの範囲である。
【００４７】
また、接続用導体を覆う絶縁性樹脂組成物層中に気泡が巻き込まれていると、接続信頼性の上で好ましくないため、できる限り気泡が存在しないようにすることがより好ましい。
【００４８】
また、絶縁性樹脂組成物層は１層でも２層以上でもよいが、２層以上形成することが、加圧や研磨等の工程で基板表面に発生する熱的な応力を緩和し、接続基板の反りを低減することができるため、好ましい。また、２層以上の絶縁樹脂組成物層を形成する場合、用いる絶縁樹脂組成物の種類は勿論、成形後の樹脂の硬さや成形後の樹脂の厚さ、分子の配向性の違い、充填剤の有無、充填剤の種類或いはその含有量、充填剤の平均粒径、充填剤の粒子形状、充填剤の比重などによって区別されるものであることが好ましい。また、上記のように絶縁樹脂組成物層を多層構造とするのに液晶ポリマーを用いる場合、成形した際に分子配向性に基づいて自ら多層構造を形成し易いという性質を利用し、液晶ポリマーを単独で用いて多層構造とすることもできる。
【００４９】
また、絶縁樹脂組成物層を形成する前に（図１（ｄ）参照）、露出した第２の金属層の表面を粗化処理することが絶縁樹脂組成物との密着強度を向上させる上で、好ましい。
【００５０】
また、絶縁樹脂組成物層は絶縁樹脂組成物よりなる接着剤シートを用いて形成することが効率的で好ましく、異種又は同種のシートを複数枚重ねて用いてもよい。
【００５１】
次に、図１（ｆ）に示すように、接続用導体１３が露出するように絶縁樹脂組成物層１２１を研磨した後、接続用導体１３が絶縁樹脂組成物層１２１の厚さ方向に貫くように形成された前記複合金属層４を前記支持基材４５から剥離することで、図１（ｇ）に示すような接続基板１１を得ることができる。さらに、第２の金属層４２を部分的に除去することで図１（ｈ）に示すような導体回路１０３を有する接続基板とすることができる。ここで、接続用導体が少なくとも導体回路の接続する箇所に絶縁樹脂組成物層を厚さ方向に貫くように形成されていることが重要である。
【００５２】
また、絶縁樹脂組成物層を研磨して露出した接続用導体の表面および／または該接続用導体表面上に形成された導体回路の表面には、さらに金属箔を重ねたり、金属めっき、エッチング等の処理を行うことで、導体回路を追加形成もしくは金属皮膜を施すことができる。図１（ｉ）は、図１（ｈ）の接続基板１１の接続用導体表面１３および導体回路１０３の表面に金属被膜２１を形成した図である。金属皮膜２１は、例えば、パラジウム付与後に無電解銅めっきを施す方法、銅スパッタやクロム下地銅スパッタ等の真空製膜法、銀ペースト等の金属ペースト印刷、置換金めっき、ニッケル／金の電解または無電解めっき、ニッケル／パラジウム／金めっきの電解または無電解めっき、錫もしくは錫合金の無電解めっきなどのめっきによって形成することが出来る。
【００５３】
また、接続用導体に接続された導体回路上にバンプと呼ばれる突起状の導体を形成してもよい。このバンプを本発明の接続基板に形成するには、比較的厚い導体の突起部分以外の個所を厚さ方向にハーフエッチングして突起の部分を形成し、さらに薄くなった導体回路部分と突起部分を残してほかの部分をエッチング除去することによって形成できる。別の方法では、回路を形成した後に、接続端子の個所だけめっきによって厚くする方法でも形成できる。
【００５４】
また、接続用導体の露出の状態は、絶縁樹脂組成物層の表面から突出してもよいし、絶縁樹脂組成物層の表面から、内部に入り込んでいてもよい。前者は、後述のように平坦に研磨後、新たに金属層を追加するなどして突出させることができる。後者は、例えば、エッチング液でエッチバックすることで可能である。
【００５５】
また、接続用導体の厚みは、５〜１００μｍの範囲であることが好ましい。厚さが５μｍ未満であると、接続しようとする導体回路の層間距離が小さくなり、絶縁性が低下することがあり、厚さが１００μｍを越えると、金属箔の不要な箇所をエッチング除去するときの加工精度が低下し、好ましくない。より好ましくは、２０〜８０μｍの範囲である。
【００５６】
また、複合金属層は支持基板に接着していないので、第２の金属層が接する前記支持基材面の全てが前記離型基材となるように裁断することで、接続基板を支持基板から容易に離脱させることができ、非常に効率的に接続基板を製造することができる。
【００５７】
次に、上記のようにして得られた接続基板を複数用いて本発明の多層基板および立体型多層基板を製造する方法を説明する。
【００５８】
図２は、図１（ｉ）の接続基板の、一部の接続用導体にガイド穴２２をあけた状態を示す図である。
【００５９】
このガイド穴２２は、後述する治具を用いて接続基板１１を多層化する際にガイドピンを通し、位置あわせするためのものである。勿論、当該ガイド穴２２は接続用導体１３以外に設けてもよいが、上記のように接続用導体１３に形成することで、ガイド穴２２が補強され、位置あわせの精度を向上させることができ、好ましい。ガイド穴２２を接続用導体１３に形成する場合には、接続用導体１３の、絶縁樹脂組成物層１２１より露出している部分の面積よりもガイド穴の穴面積を小さくする必要があり、その形成には、特に限定されないが、接続用導体１３に接して設けられた配線層のランド部分を画像処理し、正確な位置に穴明けすることができるＮＣドリルを用いることが好ましい。また、ガイド穴数が多い場合は、初めに２個所のガイド穴を形成し、そこにガイドピンを立て、ついでこれを基準としてＮＣドリルを配置し、他のガイド穴を形成することが、穴位置精度を向上させることができ、好ましい。
【００６０】
次に、ガイド穴が正確に設けられた位置あわせ治具を用いて、複数枚の接続基板を挟む。図４（ａ）は、４枚の接続基板を位置あわせ治具で挟んだ状態を示す図である。
【００６１】
本発明に用いる位置あわせ治具は、図３（ａ）に示すように、ガイドピン３１１が溶接された台座３１、ならびにガイドピン３１１を通すガイド穴を有する位置補正用中間板３２、下受けシート３３、上置きシート３４、および押さえ治具３５を有し、複数枚の接続基板を下受けシート３３および上置きシート３４の間に挟んで位置あわせを行うものである。ここで、位置補正用中間板３２はガイドピン揺らぎや繰り返し使用で発生する位置精度の狂いを根元から補正するものであり、また、上置きシート３４および押さえ治具３５は、図３（ｂ）および図３（ｃ）に示すように、四角形の各辺に切欠部３６を有している。
【００６２】
ついで、４枚の接続基板１１を挟んだ図４（ａ）の状態で、上置きシート３４および押さえ治具３５に形成された切欠部３６（図３（ｂ）（ｃ）参照）にて、はんだ鏝等を用いて４枚の接続基板を熱融着させた後（図４（ｂ））、これを位置あわせ治具から取り外すことで、図４（ｃ）に示すような、熱融着部４４４により位置決め固着された複数の接続基板を得ることができる。
【００６３】
ここでは、一例としてはんだ鏝をあげているが、これ以外にも、加熱した金属棒、レーザ等の熱源を用いることができ、接続基板の上方ばかりでなく下方、又は上下両方から加熱することもできる。
【００６４】
さらに、上記で得た複数の接続基板の両面にポリイミドフィルムなどの離型用フィルムを載置し、加熱・加圧して一括積層した後、離型用フィルムを剥離することで、図５（ａ）に示すような本発明の多層基板１０を得ることができる。さらに、一括積層工程の後、多層基板１０の両側に所望立体形状の金型を配置し、高温プレスを行うことで、本発明の立体型多層基板を得ることができる。また、一括積層の際、例えば、図５（ｂ）に示すように、各層の接続用導体が接続基板を貫く方向の延長線上にない、クランク状の構造をとる場合が生じうるが、この場合、導体回路に変形が発生し、接続抵抗の安定性を損なう恐れがある。そこで、多層基板の内側となる接続基板の絶縁樹脂組成物層には弾性率が高い絶縁樹脂組成物を用いることが好ましい。絶縁樹脂組成物層が２層以上からなる場合には、導体回路に接している樹脂層の弾性率が高いことが望ましい。弾性率の具体的な数値としては、加熱時の温度で０．０００１ＧＰａ以上あることが好ましく、０．０
０１ＧＰａ以上であることがより好ましく、０．０１ＧＰａ以上あることが特に好ましい。なお、絶縁樹脂組成物の動的弾性率はレオメトリック社製ＡＲＥＳ（パラレルプレート、周波数１Ｈｚ、５℃／ｍｉｎ．で昇温）を用いて測定することができる。
【００６５】
また、接続基板と共に導体回路および／または金属箔を有する基板を一括積層して多層基板を製造してもよい。さらに、一括積層後、多層基板の最外層にめっきやエッチングにより外層回路を形成してもよい。
【００６６】
また、多層基板の最外層となる絶縁樹脂組成物層は熱可塑性樹脂を含む絶縁樹脂組成物を用いることが好ましく、液晶ポリマーを含むものであることがより好ましい。
【００６７】
以上のように４層までの接続基板を位置決め固着し、これを加熱加圧して多層基板を製造する場合には、上記のような方法により位置精度よく一括積層することができ、金−金、金−錫、錫−錫の合金化による導通接続も確認することができるが、同様方法により５層以上の多層基板を製造しようとすると、接続基板の熱融着時に基板に穴があいてしまったり、下層まで十分に熱融着されないなどの不具合が生じる場合があり、安定した位置決め固着を行うことができない。
【００６８】
そこで、この４層の試作を例に改善方法を検討した。すなわち、熱融着部分の層数を４層以下とし、かつ全層にわたり位置決め固着されるように、接続基板の熱融着箇所から選択的に、あらかじめ、ＮＣドリル穴あけ機等で穴あけすることとした。このような穴あけを行うことで、同時に同じ箇所を５層以上熱融着させることがなくなり、全層を安定して位置決め固着することが可能となる。図６には、このような穴あけ行い、４枚の接続基板を位置決め固着した複数の接続基板の一例を示す。基本的にこの方法は、層数が４層以下でも使えるので、ここでは全層数を４層としてその断面を示した。
【００６９】
図６（ａ）では、Ａ層６１の選択された箇所にあらかじめ穴６１１を設け、その下部となるＢ層６２、Ｃ層６３、Ｄ層６４の３層を熱融着させている。あらかじめあける穴の大きさは、熱融着させる時に用いる熱源より大きな径であればよく、特に限定されない。さらに、全層にわたって位置決め固着するためには、少なくともＡ層の上記以外の所定箇所とその他の層の所定箇所とを熱融着させることが必要である。図６（ａ）では、Ａ層、Ｂ層、Ｃ層、およびＤ層の４層の所定箇所を熱融着させている。
【００７０】
また、積層する接続基板の間に、絶縁樹脂組成物層が熱硬化系樹脂である接続基板があった場合には、当該接続基板から選択的に穴あけすることが好ましい。例えば、Ｂ層が熱硬化系樹脂を用いた接続基板である場合、図６（ｂ）に示すように、Ｂ層６６の選択された箇所に穴をあけ、その上下に位置するＡ層６５、Ｃ層６７、Ｄ層６８の３層の所定箇所を熱融着させる。当然、全層にわたって位置決め固着するためには、少なくともＢ層の上記以外の箇所とその他の層の箇所とを熱融着させることが必要である。図６（ｂ）では、Ａ層とＢ層を熱融着させている。
【００７１】
このような方法により、４層まではもちろん、５層以上の接続基板をも安定して位置決め固着することができ、位置精度の良い多層基板を製造することができる。
【００７２】
次に、位置決め固着された複数の接続基板を従来技術のそれと比較して効率よく一括積層して、多層基板を製造することのできる本発明のプレス装置ついて説明する。
【００７３】
本発明のプレス装置は、上方に開口部を有する第１のキャビティが形成されたステージと、第１のキャビティの開口部に対向する位置で下方に開口部を有する第２のキャビティが形成され、上下方向に稼働可能なチャンバーと、第１および第２のキャビティ内に設置され、対向するプレス面が熱盤であるプレス体と、を少なくとも備えることをその特徴としており、プレス時には、チャンバーが下降して、第１および第２のキャビティが１つの閉じた系を形成し、該閉じた系内において、減圧下、プレス体により披プレス体の両面をほぼ同時に高温プレスすることが好ましい。一括積層時や立体成型加工時にこのプレス装置を用いることで効率よく多層基板を製造することが可能である。
【００７４】
図７（ａ）は、プレス装置の好ましい形態を示す断面図であり、ステージ７１１、該ステージ７１１に形成され、上方に開口部を有する第１のキャビティ７１２、該キャビティ７１２内に設置され、下型熱盤７１３と該下型熱盤７１３がステージの温度上昇に寄与しないようにするための下型断熱部７１４とを有する下型プレス体、下型プレス体と接続された稼動部兼熱供給部７１５、ステージ７１１上において披プレス体を搬送する搬送部７１６、ステージ７１１の上方に位置するチャンバー７２１、該チャンバー７２１に形成され、下方に開口部を有する第２のキャビティ７２２、該キャビティ７２２内設置され、上型熱盤７２３とこの上型熱盤７２３がチャンバー７２１の温度上昇に寄与しないようにするための上型断熱部７２４とを有する上型プレス体、該上型プレス体と接続された熱供給部７２５、チャンバーが下降して形成される１つの閉じた系内を減圧するための減圧経由穴７２６、該系内を大気圧に戻すためのリーク穴７２７、および該系内を密閉状態に保つためのシール部７１７を備えている。
【００７５】
また、搬送部７１６に載せられた被プレス体７３１は、位置決め固着された複数枚の接続基板およびその両面にポリイミドフィルム等の絶縁樹脂組成物層を少なくとも構成として含む。この披プレス体７３１の両側に所望立体形状の金型を配置し、これをプレス体で加熱加圧することで、本発明の立体型多層基板を得ることができる。その他、例えばＳＵＳ板などの金属板、あるいはＳＵＳ板の外側にクッション材を配置したもの（７３２）、これらを固定する冶工具を含めたものなどを被プレス体の両側に配置してもよい。また、上記プレス体のプレス面が所望の立体形状を有していると、上記のように別途金型で被プレス体を挟む必要がなくなり、より効率的に本発明の立体型多層基板の製造することが可能である。
【００７６】
被プレス体の移動を横から見た図７（ａ）が示すように、上記プレス装置は、チャンバーが側壁にあり開放するものではなく、上からチャンバーが降りてきて、下にあるステージがチャンバーの蓋代わりになる構成であり、且つ、被プレス体の移動方向から見た図７（ｂ）が示すように、被プレス体がすでに昇温している熱盤を有するプレス体によりほぼ同時に加熱加圧される機構を有する。これによりプレス体の昇温時間がプロセス時間から削除できる。また、この構成により、チャンバー自体の容積も大幅にさげられ、真空度到達時間および大気圧まで戻す時間も大幅に改善される。
【００７７】
次に、位置決め固着された複数の接続基板を披プレス体として、図７のプレス装置を使用してこれを加熱加圧するプロセスを図８を参照して説明する。
【００７８】
図８（ａ）は、左から投入する被プレス体７３１を待機させている状態を示している。この披プレス体７３１を図８（ｂ）に示すように、搬送部７１６により第１のキャビティ７１２の中にある搬送部上に搬入する。図７（ｂ）に示すように、搬送部７１６には、搬送部軸７１６１があり、待機の搬送部と連動が可能である。
【００７９】
次に図８（ｃ）に示すように、チャンバー７２１が降下し、第２のキャビティ７２２と第１のキャビティ７１２が閉じた系を形成する。このとき、被プレス体と上型熱盤７２３との間は、あらかじめ被プレス体７３１の厚さを決めておけば、接触しないように近距離にもっていける。チャンバーの周辺は、ステージのシール部７１７に押し付けられる。閉じた系が形成された後、減圧経由穴７２６からローターリーポンプ等で減圧する。ロータリーポンプは常に稼動させておき、チャンバーの下降終了と合わせて、電磁弁で減圧を開始することができる。これまでのプレス装置では、ロータリーポンプでの荒引き、およびメカニカルポンプによる高真空引きをしても真空度１３．３Ｐａとするのに１０分以上を要していたが、ここに示すようなプレス装置によれば、真空とする体積が小さくてすむので、小型のロータリーポンプのみで真空度１３．３Ｐａまで約６０秒で到達することができる。
【００８０】
次に、図８（ｄ）に示すように、稼動部兼熱供給部７１５が上昇し、被プレス体を搬送部から持ち上げ、上型熱盤７２３に押し付けるとともに、タイムラグはあるもののほぼ同時にこれを加熱・加圧する。
【００８１】
次に、図８（ｅ）に示すように、加熱加圧終了後、稼動部兼熱供給部７１５を下降させることで、被プレス体を、順次、上型熱盤７２３から離し、搬送部載せ、下型熱盤７１３から離すことができる。これによりタイムラグはあるもののほぼ同時に、加熱加圧を終了することができる。
【００８２】
次に、図８（ｆ）に示すように、稼動部兼熱供給部７１５の下降終了時と連動してリーク穴７２７に接続して設けたリーク用電磁弁を作動させて、キャビティが閉じた系内を大気圧に戻し、リーク時間もしくは圧力計と連動させて、チャンバーを元の位置に上昇させる。本装置によれば、前述したように、減圧している部分の体積が小さいので、１分程度で大気圧まで戻すことができる。
【００８３】
最後に、図８（ｇ）に示すように、チャンバー上昇終了と連動して、ステージ内チャンバーの搬送部と搬出方向の搬送部を稼動させて、被プレス体を搬出する。このとき、被プレス体は熱いままなので、搬出方向の搬送部には耐熱性のある部材を使用する。また、搬出方向の搬送部から先に、披プレス体が自動的に冷却リボルバーに格納され、自然冷却される機構を設けてもよい。
【００８４】
このプレス装置によれば、加熱加圧すべき披プレス体をプレス装置に投入してから搬出までの時間が大幅に短縮することができる。具体的には、３時間〜４時間かかっていたものを、１０分以下にすることができる。
【００８５】
以上述べたような製造方法によれば、効率的にかつ位置精度よく多層基板および立体型多層基板を製造することができる。また、この他にも１）スルーホール形成などの穴あけ工程を省略できる。２）強固なフィルドビア構造ができる。３）一括積層であるため、薄型化ができる。４）微細配線回路に対応できる。５）反りを抑制できる。６）低コスト化ができる。７）寸法安定性を向上できる。８）複合箔の配線層における初期厚さを低減できる。９）絶縁樹脂を形成する前の粗化処理工程で、配線層側の粗化を防止できる。１０）高位置精度の多層化が可能となる。１１）配線が絶縁樹脂に転写され、配線間の絶縁性が向上する。１２）均一な構造であるため、熱履歴にともなう断線が激減できる。１３）高周波特性に優れるなどの効果を得ることができる。
【実施例】
【００８６】
（実施例１）
＜接続基板の製造＞
図１（ａ）に示すように、第１の金属層４１が厚さ７０μｍの銅であり、第３の金属層４３が厚さ０．２μｍのニッケルであり、第２の金属層４２が厚さ１８μｍの銅からなる複合金属層４を、第一の金属層４１が外側になるようにして、間に、離型基材として電解銅箔ＹＧＰ−１８Ｒ（日本電解製、商品名）４５１、液晶ポリマーＢＩＡＣフィルム１００μｍ（ジャパンゴアテックス社製、商品名）４５２を３枚、離型基材として電解銅箔ＹＧＰ−１８Ｒ（日本電解製、商品名）４５１の順に配置する。この時、電解銅箔４５１は平滑面を外側にした。また、電解銅箔４５１は、図中に示すように、複合箔よりも寸法を小さくしておく。このような構成の両面にポリイミドフィルム（宇部興産製、図示せず）を、少なくともこれら構成を含む様にして、３３３℃の温度と４ＭＰａの圧力を５分間加えて、加熱・加圧して仮固定した後、ポリイミドフィルムを手で剥離し、図１（ｂ）に示すような構造体を得た。
【００８７】
次に、図１（ｃ）に示すように、第１の金属層４１の表面に、接続用導体１３の形状にエッチングレジスト４４を形成した。このエッチングレジスト４４は、レジストＮＣＰ２２５またはＮＩＴ２２５（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）を用い、ロール温度１１０℃、ロール速度は０．６ｍ／ｍｉｎの条件でレジストをラミネートし、積算露光量約８０ｍＪ／ｃｍ２の露光条件で焼き付け、炭酸ナトリウム溶液で現像し、レジストの密着を確実なものとするために２００ｍＪ／ｃｍ２で後露光した。
【００８８】
次に、ニッケルを浸食しないエッチング液であるアルカリエッチングＡプロセス液（メルテックス社製、商品名）をスプレー噴霧して、第１の金属層４１を部分的にエッチング除去して、接続用導体１３を形成した。この後、水酸化ナトリウム溶液でエッチングレジスト４４を剥離・除去した。ついで、ニッケルのエッチング液であるメルストリップＮ９５０（メルテックス社製、商品名）を用いて、第３の金属層４３をエッチング除去し、表面処理液ＣＰＥ９００（三菱ガス化学社製）をスプレー噴霧して、露出した銅表面の粗化処理を行い、図１（ｄ）に示す接続用導体１３が形成された複合金属層４６が両面に仮固定された構造体を得た。この構造体は、仮固定の基材が吸水しているので、１２０℃で３０分以上乾燥して水分をとばしておく必要がある。
【００８９】
次に、この複合金属層４６の両側に絶縁樹脂組成物として液晶ポリマーＢＩＡＣシート（ジャパンゴアテックス社製）の７５μｍ厚さのものを載置し、さらにポリイミドフィルム（宇部興産製）を液晶ポリマーシートを覆うようにして載置して、その両側から３３３℃の温度と４ＭＰａの圧力を５分間加えて、加熱・加圧し、この後、ポリイミドフィルムを手で剥離し、図１（ｅ）に示す絶縁樹脂組成物層１２１が形成された構造体を得た。
【００９０】
その後に、図１（ｅ）に示す構造体を図１（ｆ）に示すように回転する研磨ロール４７の間隙を荷重および回転速度を調整して、両面を一度に通過研磨した。研磨は１パス４μｍの減厚条件で、４回から５回のパスで接続用導体１３の先端が全面露出した。従って研磨量は、片面それぞれ２０μｍであった。研磨後、構成の中にある離型基材である電解銅箔より内側を裁断することにより、支持基板の界面から接続基板を離脱した。これにより図１（ｇ）に示すように金属層と導通し接続用導体が内蔵された接続基板を得ることができた。この後、第２の金属層４２を選択的にエッチングして図１（ｈ）に示すような導体回路１０３をさらに形成した接続基板を得た。さらに、図１（ｈ）の接続基板の、接続用導体１３の表面および導体回路１０３の表面に、無電解ニッケル、無電解パラジウム、無
電解金めっきの順で金属被膜２１を形成し、図１（ｉ）に示す接続基板を得た。
【００９１】
（実施例２）
＜複数の接続基板の位置決め固着＞
実施例１で得た図１（ｉ）に示す接続基板の、一部の接続用導体に、図２に示すように、φ３．０ｍｍのガイド穴２２を形成した。ここでは、ガイド穴があけられた接続用導体に接して設けられた配線層にランド部分を画像処理し、正確な穴あけを可能とする、自動整合ドリリングマシン（株式会社小野測器製ＴＮ−７５０）を用いて穴あけを行った。
【００９２】
次に、図４（ａ）に示すように、台座３１に溶接されたガイドピン３１１を、補正用中間板３２、下受けシート３３、上記で得られた４枚の接続基板、上置きシート３４および押さえ治具３５の順に、これらに形成されたガイド穴を通して重ねた。ここで、下受けシート３３および上置きシート３４はともに０．１ｍｍの厚さのテフロン（登録商標）基板であり、０．３ｍｍより少し大き目の穴を形成してある。また、下受けシート３３が真四角であるのに対し、上置きシート３４および押さえ治具３５は、図３（ｂ）および図３（ｃ）に示すような切り欠き部を有している。
【００９３】
図４（ｂ）に示すように、上置きシート３４および押さえ治具３５の切欠部であって、接続基板が露出した部分内で、２６５℃に熱したはんだ鏝の先端を数箇所に数秒間押し付け、接続基板間を熱溶融で位置決め固着した。
【００９４】
その後、図４（ｃ）に示すように、押さえ治具３５を除去し、下受けシート３３から上を持ち上げて、位置あわせ用治具から、４枚の接続基板が高い精度で位置あわせされ、かつ所定箇所が熱溶融により位置決め固着された複数の接続基板を取り外した。ついで、この複数の接続基板の両面にポリイミドフィルム（宇部興産製）を絶縁樹脂組成物層を覆うようにして載置して、少なくともこれら構成を含む様にして、その両側から３３３℃の温度と４ＭＰａの圧力を５分間加えて、加熱・加圧して積層一体化し、この後、ポリイミドフィルムを手で剥離し、図５（ａ）に示す４層の多層基板を得た。また、接続用導体が同一直線上ではなく、図５(ｂ)に示すクランク状に導通接続されたものも作製できた。
【００９５】
さらに、得られた多層基板の金−金の合金化による導通接続を確認できた。また、接続基板への表面めっきに無電解錫めっき（置換タイプまたは還元タイプ）を用いた場合でも、同様に多層基板が作製できた。また、最外層の接続基板の表面めっきに、無電解ニッケル、無電解パラジウム、無電解金めっきを用い、内層の接続基板の表面めっきに、無電解錫めっき（置換タイプまたは還元タイプ）を用いた、表面めっきの種類が異なる接続基板を用いても同様に多層基板を作製することができ、その接続部では、金−錫や錫−錫の合金化による導通接続が確認できた。また、最外層の配線が絶縁樹脂組成物層に転写されており、基板の表面に段差のない平滑な面が確認できた。本発明を具体的に実施し、確認できた特徴のある構造である。
【００９６】
また、５層以上の多層基板についても、接続基板の熱融着箇所から選択的にあらかじめ穴あけして位置決め固着を行うことで、上記４層の場合と同様の、位置精度の高い多層基板を得ることができた。
【００９７】
（実施例３）
実施例１、２において、第一の金属層４１が圧延銅であり、第２の金属層も圧延銅である複合金属層４を用いた。また、図１（ｈ）の接続基板の接続用導体１３の表面および導体回路１０３の表面に、金属皮膜として、錫コバルト合金めっき、スズ銀合金めっき、スズ銅合金めっきを施した。この場合においても、実施例１、２と同様に導通接続が確認できた。また、接続信頼性も−６５℃に１５分放置と１５０℃に１５分放置を１サイクルとする熱サイクル試験で１０００サイクルを合格した。
【００９８】
（実施例４）
実施例１〜３で得た多層基板を、表１に示す各金型を図９のように配置して挟み、高温プレスすることによって立体成型加工を行った。プレス時の温度は、１９０℃〜３００℃の範囲である。得られた立体型多層基板の接続信頼性を調べた結果、−６５℃に１５分放置と１５０℃に１５分放置を１サイクルとする熱サイクル試験において、すべてが１０００サイクルをクリアした。また、１枚の接続基板に、圧延銅を、接続用導体が露出している側にプレスした後、回路形成した両面板を同様に金型で挟んでプレスしても立体成型加工することができ、同様の接続信頼性を得た。図１の多層基板の中に、上記両面板を使用しても同様の結果を得ることができた。
【００９９】
【表１】
2010153916.tif 000003
【符号の説明】
【０１００】
１０：多層基板
１１：接続基板
１２１：絶縁樹脂組成物層
１３：接続用導体
１０１、１０２：金属箔
１０３：導体回路
２１：金属被膜
２２：ガイド穴
３１：台座
３１１：ガイドピン
３２：位置補正用中間板
３３：下受けシート
３４：上置きシート
３５：押え治具
３６：切欠部
４：複合金属層
４１：第１の金属層
４２：第２の金属層
４３：第３の金属層
４４：エッチングレジスト
４４４：熱融着部
４５：支持基材
４５１：離型基材
４５２：接着樹脂
４６：複合金属箔
４７：研磨ロール
６１：Ａ層
６１１：穴
６２：Ｂ層
６３：Ｃ層
６４：Ｄ層
６５：Ａ層
６６：Ｂ層
６６１：穴
６６６：Ａ層とＢ層の熱融着部
６７：Ｃ層
６８：Ｄ層
７１１：ステージ
７１２：キャビティ
７１３：下型熱盤
７１４：下型断熱部
７１５：稼動部兼熱供給部
７１６：搬送部
７１６１：搬送部軸
７１７：シール部
７２１：チャンバー
７２２：キャビティ
７２３：上型熱盤
７２４：上型断熱部
７２５：熱供給部
７２６：減圧経由穴
７２７：リーク穴
７３１：被プレス体
７３２：金属板あるいはクッション材
【図１】
2010153916.tif 000004
【図２】
2010153916.tif 000005
【図３】
2010153916.tif 000006
【図４】
2010153916.tif 000007
【図５】
2010153916.tif 000008
【図６】
2010153916.tif 000009
【図７】
2010153916.tif 000010
【図８】
2010153916.tif 000011
【図９】
2010153916.tif 000012