(57)【要約】【課題】清掃対象物上に異物が残留しにくい清掃装置を提供する。【解決手段】ウエハを保持して少なくともＸＹ平面に沿って移動可能なウエハホルダＷＨの清掃を行う清掃装置であって、ウエハホルダＷＨ上に載置可能な砥石３３と、砥石３３をウエハホルダＷＨ上へ載置する上下動機構３４と、砥石３３がウエハホルダＷＨ上に載置されている期間内に、砥石３３とウエハホルダＷＨとを連続的に相対移動するウエハステージＷＳＴと、を備える。【選択図】図１
2010153407.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を保持して少なくとも平面に沿って移動可能な物体保持部材の清掃を行う清掃装置であって、
前記物体保持部材上に載置可能な清掃部材と、
前記清掃部材を前記物体保持部材上へ載置する可動部材と、
前記清掃部材が前記物体保持部材上に載置されている期間内に、前記清掃部材と前記物体保持部材とを連続的に相対移動する移動機構と、
を備えることを特徴とする清掃装置。
【請求項２】
前記移動機構は、前記物体保持部材に対して前記清掃部材を螺旋状に相対移動することを特徴とする請求項１に記載の清掃装置。
【請求項３】
前記移動機構は、前記清掃部材が前記物体保持部材から離れる際にも、前記清掃部材と前記物体保持部材との相対移動を継続することを特徴とする請求項２に記載の清掃装置。
【請求項４】
前記移動機構は、前記物体保持部材が固定されて前記平面に沿って移動するステージ装置であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の清掃装置。
【請求項５】
前記物体保持部材上の異物を吸引する吸引装置を備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の清掃装置。
【請求項６】
物体を保持して少なくとも平面に沿って移動可能な物体保持部材の清掃を行う清掃装置であって、
前記物体保持部材上に載置可能な清掃部材と、
前記清掃部材を前記物体保持部材上へ載置する可動部材と、
前記清掃部材が前記物体保持部材上に載置されている期間内に、前記清掃部材と前記物体保持部材とを相対移動する移動機構と、
前記物体保持部材上の異物を吸引する吸引装置と、
を備えることを特徴とする清掃装置。
【請求項７】
前記清掃部材に開口が設けられ、
前記吸引装置は、前記清掃部材の前記開口を通して前記物体保持部材上の異物を吸引することを特徴とする請求項５又は６に記載の清掃装置。
【請求項８】
前記清掃部材の前記物体保持部材との接触面に複数の吸引孔が設けられ、
前記吸引装置は、前記清掃部材の複数の前記吸引孔を通して前記物体保持部材上の異物を吸引することを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の清掃装置。
【請求項９】
前記物体保持部材の前記清掃部材が載置される物体保持面に複数の凸部が設けられ、
前記吸引装置は、前記物体保持部材の複数の前記凸部の間にある異物を吸引することを特徴とする請求項５から８のいずれか一項に記載の清掃装置。
【請求項１０】
前記清掃部材は導電性材料から形成されることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の清掃装置。
【請求項１１】
前記清掃部材は、曲げ強度、破壊靱性、及び硬度の少なくとも１つを含む機械特性が前記物体保持部材よりも小さいことを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の清掃装置。
【請求項１２】
物体を保持して少なくとも平面に沿って移動可能な物体保持部材の清掃を行う清掃方法であって、
前記物体保持部材上に清掃部材を載置し、
前記清掃部材が前記物体保持部材上に載置されている期間内に、前記清掃部材と前記物体保持部材とを相対移動し、
前記物体保持部材上の異物を吸引する
ことを特徴とする清掃方法。
【請求項１３】
前記清掃部材に開口が設けられ、
前記物体保持部材上の異物を吸引する際に、前記清掃部材の前記開口を通して前記異物を吸引することを特徴とする請求項１２に記載の清掃方法。
【請求項１４】
前記清掃部材と前記物体保持部材とが相対移動しているときに、前記清掃部材を前記物体保持部材から離して、前記異物の吸引を停止することを特徴とする請求項１２又は１３に記載の清掃方法。
【請求項１５】
パターンを物体上に形成する露光方法において、
請求項１から１０のいずれか一項に記載の清掃装置を用いて前記物体保持部材の前記物体との接触面の清掃を行う工程と、
前記物体保持部材上に前記物体を載置し、前記物体保持部材を平面に沿って移動し、前記物体上に前記パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項１６】
パターンを物体上に形成する露光装置において、
前記物体を保持する物体保持部材と、
前記物体保持部材に保持された前記物体にパターンを形成する光学系と、
前記物体保持部材を清掃するための請求項１から１１のいずれか一項に記載の清掃装置と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光基板等の物体を保持する部材の清掃を行う清掃技術、この清掃技術を用いる露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイス等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するためのリソグラフィ工程中で使用されるステッパー等の一括露光型の投影露光装置又はスキャニングステッパー等の走査露光型の投影露光装置等の露光装置においては、露光を継続すると、露光対象のウエハ（又はガラスプレート等）に塗布されたフォトレジストから剥落したレジスト残滓がウエハホルダに付着して、ウエハの局所的な平面度が低下することがある。このような場合に、ウエハホルダを清掃するために、ウエハホルダ上に清掃部材を効果させる機構を含む清掃装置を備えた露光装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この清掃装置によれば、ウエハホルダ上に清掃部材を接触させて、ウエハステージを介してウエハホルダを移動することで、ウエハホルダのウエハとの接触面を自動的に清掃できる。
【特許文献１】特開２００８−１６６６１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の清掃装置を用いてウエハホルダの清掃を行うと、ウエハホルダ上に清掃部材の形にならって配置された僅かな異物（清掃部材の跡）が残る恐れがあった。
また、通常、ウエハホルダのウエハとの接触面には多数のピンが配置されており、清掃装置でピン上から除去された異物は、ウエハホルダ上面のピンの間の凹部に残留する。このように残留した異物は、再びピン上に付着する恐れがあった。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑み、清掃対象物上に異物が残留しにくい清掃技術、この清掃技術を用いる露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による第１の清掃装置は、物体を保持して少なくとも平面に沿って移動可能な物体保持部材の清掃を行う清掃装置であって、その物体保持部材上に載置可能な清掃部材と、その清掃部材をその物体保持部材上へ載置する可動部材と、その清掃部材がその物体保持部材上に載置されている期間内に、その清掃部材とその物体保持部材とを連続的に相対移動する移動機構と、を備えるものである。
【０００６】
本発明による第２の清掃装置は、物体を保持して少なくとも平面に沿って移動可能な物体保持部材の清掃を行う清掃装置であって、その物体保持部材上に載置可能な清掃部材と、その清掃部材をその物体保持部材上へ載置する可動部材と、その清掃部材がその物体保持部材上に載置されている期間内に、その清掃部材とその物体保持部材とを相対移動する移動機構と、その物体保持部材上の異物を吸引する吸引装置と、を備えるものである。
【０００７】
また、本発明による清掃方法は、物体を保持して少なくとも平面に沿って移動可能な物体保持部材の清掃を行う清掃方法であって、その物体保持部材上に清掃部材を載置し、その清掃部材がその物体保持部材上に載置されている期間内に、その清掃部材とその物体保持部材とを相対移動し、その物体保持部材上の異物を吸引するものである。
また、本発明による露光方法は、パターンを物体上に形成する露光方法において、本発明の清掃装置を用いてその物体保持部材のその物体との接触面の清掃を行う工程と、その物体保持部材上にその物体を載置し、その物体保持部材を平面に沿って移動し、その物体上にそのパターンを形成する工程と、を含むものである。
【０００８】
本発明による露光装置は、パターンを物体上に形成する露光装置において、その物体を保持する物体保持部材と、その物体保持部材に保持されたその物体にパターンを形成する光学系と、その物体保持部材を清掃するための本発明の清掃装置と、を備えるものである。
また、本発明によるデバイス製造方法は、本発明の露光方法又は露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成された基板を処理することと、を含むものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、その清掃部材がその物体保持部材上に載置されている期間内に、その清掃部材とその物体保持部材とを連続的に相対移動するか、又はその物体保持部材上の異物を吸引することによって、その物体保持部材（清掃対象物）上に異物が残留しにくくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の好ましい実施形態の一例につき図１〜図６を参照して説明する。
図１は本実施形態の露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、転写用のパターンが形成されたマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像をウエハＷ上の投影領域ＡＲ１に投影する投影光学系ＰＬと、ウエハＷを支持するウエハステージＷＳＴと、露光装置ＥＸ全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる制御装置ＣＯＮＴと、液浸法の適用のためにウエハＷ上に液体Ｌｑを供給する液体供給機構１０と、ウエハＷ上に供給された液体Ｌｑを回収する液体回収機構２０と、ウエハステージＷＳＴのウエハＷを保持するウエハホルダＷＨを清掃する清掃装置３０とを備えている。
【００１１】
露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像をウエハＷ上に転写している間、液体供給機構１０から供給した液体Ｌｑにより、投影光学系ＰＬの像面側終端部の光学素子（本実施形態では底面がほぼ平坦な平凸レンズ）２と、その像面側に配置されたウエハＷの表面との間の局所的な空間を満たす。液体Ｌｑは、ウエハＷ上の投影領域ＡＲ１を含む液浸領域ＡＲ２に供給されて回収される。
【００１２】
また、本実施形態では、露光装置ＥＸとして、マスクＭとウエハＷとを所定の走査方向に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンをウエハＷに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパー）を使用する場合を例にして説明する。以下、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内でマスクＭとウエハＷとの同期移動方向（走査方向）に沿ってＸ軸を、その走査方向に垂直な方向（非走査方向）に沿ってＹ軸を取って説明する。本実施形態では、ＸＹ平面は水平面にほぼ平行である。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸周りの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θｘ、θｙ、及びθｚ方向とする。また、本実施形態のウエハＷは、例えば直径が２００ｍｍから４５０ｍｍ程度の円板状の半導体ウエハ上に感光剤であるレジストを所定の厚さ（例えば２００ｎｍ程度）で塗布したものを含み、マスクＭは、ウエハＷ上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。
【００１３】
先ず、照明光学系ＩＬは、露光用光源、この露光用光源から射出される露光光ＥＬの照度を均一化するためのオプティカルインテグレータ、このオプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスクＭ上の所定の照明領域は照明光学系ＩＬにより均一な照度分布の露光光ＥＬで照明される。露光光ＥＬとしては、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられている。その他に露光光ＥＬとして、水銀ランプからの紫外域の輝線、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、又は固体レーザ（半導体レーザ等）の高調波等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。
【００１４】
また、マスクステージＭＳＴは、マスクＭを吸着保持して、不図示のマスクベース上のＸＹ平面内で２次元移動可能及びθｚ方向に微小回転可能である。マスクステージＭＳＴは、リニアモータ等のマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤにより駆動される。マスクステージＭＳＴ上の移動鏡５５Ａに対向して配置されたレーザ干渉計５６Ａは、実際には３軸以上の計測ビームを有し、レーザ干渉計５６ＡによりマスクステージＭＳＴ（マスクＭ）の少なくともＸ方向、Ｙ方向の位置及びθｚ方向の回転角が計測され、計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはその計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤを駆動することでマスクステージＭＳＴ（マスクＭ）の移動又は位置決めを行う。
【００１５】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンを所定の投影倍率β（βは例えば１／４，１／５等の縮小倍率）でウエハＷ上に投影露光するものであって、ウエハＷ側（像面側）の終端部に設けられた光学素子２を含む複数の光学素子から構成されている。なお、投影光学系ＰＬは縮小系のみならず、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬの先端部の光学素子２には液浸領域ＡＲ２の液体Ｌｑ（例えば純水）が接触する。ウエハＷに塗布されたレジストは、一例として液体Ｌｑをはじく撥液性を持っている。
【００１６】
また、ウエハステージＷＳＴの上部にはウエハテーブルＷＴが固定され、ウエハテーブルＷＴの上部に、ウエハＷを例えば真空吸着で保持するウエハホルダＷＨが固定されている。後述の図２（Ａ）に示すように、ウエハホルダＷＨの上面には、ウエハＷの裏面を支持する多数の同じ高さのピン（凸部）３７が形成され、これらのピン３７を囲むようにピン３７と同じ高さの側壁部ＷＨａが形成されている。また、ウエハホルダＷＨ上部の多数のピン３７の間に複数の吸着孔ＷＨｂが形成され、これらの吸着孔ＷＨｂが排気孔及び可撓性を持つ配管部１８を介して外部の真空ポンプ等を含む吸引装置１７に接続されている。吸引装置１７から吸着孔ＷＨｂを介して側壁部ＷＨａの内側及びウエハＷの裏面の空間を排気して負圧にすることで、ウエハＷがウエハホルダＷＨ上に保持される。
【００１７】
図１において、ウエハステージＷＳＴは、ウエハテーブルＷＴ（ウエハＷ）のＺ方向の位置（フォーカス位置）及びθｘ，θｙ方向の傾斜角を制御するＺステージ部と、このＺステージ部を支持して移動するＸＹステージ部とを備え、このＸＹステージ部がベース５４上のＸＹ平面に平行な面上にＸ方向、Ｙ方向に移動できるようにエアベリング（気体軸受け）を介して載置されている。ウエハステージＷＳＴ（Ｚステージ部及びＸＹステージ部）はリニアモータ等のウエハステージ駆動装置ＷＳＴＤにより駆動される。
【００１８】
ウエハステージＷＳＴ上のウエハテーブルＷＴの側面の反射面（又は移動鏡）に対向する位置にはレーザ干渉計５６Ｂが設けられている。レーザ干渉計５６Ｂも複数軸の計測ビームを有し、レーザ干渉計５６Ｂは、ウエハテーブルＷＴ（ウエハＷ）の少なくともＸ方向、Ｙ方向の位置、及びθｚ方向の回転角を計測し、計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはその計測結果、及びウエハＷ表面のＺ方向の位置を計測するオートフォーカスセンサ（不図示）の計測結果に基づいてウエハステージ駆動装置ＷＳＴＤを駆動することでウエハステージＷＳＴに支持されているウエハテーブルＷＴ（ウエハＷ）の移動又は位置決めを行う。
【００１９】
また、マスクステージＭＳＴの上方にマスクＭのアライメントマークの位置を計測するマスクアライメント系９０が配置され、投影光学系ＰＬの側面にウエハＷのアライメントマークの位置を計測するアライメント系９１が配置され、これらのアライメント系９０，９１によってマスクＭ及びウエハＷのアライメントが行われる。また、ウエハステージＷＳＴ上には、ベースライン（マスクＭのパターンの像とアライメント系９１の検出中心との位置関係）を計測するための基準マーク部材（不図示）等が設けられている。なお、ウエハステージＷＳＴとは別に、投影光学系ＰＬの結像特性を計測するための計測装置等を搭載した計測ステージを配置してもよい。
【００２０】
また、図１のウエハテーブルＷＴ上にウエハホルダＷＨ上のウエハＷを囲むように、環状で平面の撥液性のプレート部９７が設けられている。プレート部９７の上面は、ウエハホルダＷＨに保持されたウエハＷの表面とほぼ同じ高さの平坦面である。ウエハＷのエッジとプレート部９７との間には０．１〜１ｍｍ程度の隙間があるが、通常、ウエハＷに塗布されているレジストは撥液性であり、液体Ｌｑには表面張力があるため、その隙間に液体Ｌｑが流れ込むことはほとんどなく、ウエハＷの周縁近傍を露光する場合にも、プレート部９７と投影光学系ＰＬとの間に液体Ｌｑを保持することができる。
【００２１】
次に、図１の液体供給機構１０及び液体回収機構２０を含む局所液浸機構の構成につき説明する。液体供給機構１０は、液体Ｌｑを送出可能な液体供給部１１と、液体供給部１１にその一端部を接続する供給管１２とを備えている。また、液体回収機構２０は、液体Ｌｑを回収可能な液体回収部２１と、液体回収部２１にその一端部が接続された回収管２２とを備えている。そして、投影光学系ＰＬの終端部の光学素子２の近傍にはノズル部材（流路形成部材）１５が配置されている。ノズル部材１５は、ウエハＷ（ウエハステージＷＳＴ）の上方において光学素子２の先端部の周りを囲むように設けられた環状部材である。ノズル部材１５は液体供給機構１０及び液体回収機構２０の一部を構成している。
【００２２】
投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１がウエハＷ上にある状態で、ノズル部材１５は、一例として光学素子２の側面に対向するように配置された供給口１３及び１４と、内部の供給流路８２Ａ，８２Ｂとを備えている。供給流路８２Ａの一端部は供給口１３に接続し、その供給流路８２Ａの途中に供給流路８２Ｂを介して供給口１４が接続され、供給流路８２Ａの他端部は供給管１２を介して液体供給部１１に接続している。更に、ノズル部材１５は、ウエハＷの表面に対向するように配置された矩形又は円形の枠状の回収口２４を備え、回収口２４を覆うように網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタ２５が嵌め込まれている。回収口２４は、ノズル部材１５内の回収流路８４及び回収管２２を介して液体回収部２１に接続されている。回収口２４で囲まれた領域が、ほぼ液体Ｌｑが供給される液浸領域ＡＲ２である。
【００２３】
液体供給機構１０及び液体回収機構２０を含む局所液浸機構の詳細な構成は例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレット等で開示されている。なお、局所液浸機構のノズル部材１５としては、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレット、又は国際公開第２００５／１２２２１８号パンフレットに開示されているような他の種々の構成の部材が使用可能である。
【００２４】
図１において、液体供給部１１及び液体回収部２１の動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。制御装置ＣＯＮＴは、液体供給部１１によるウエハＷ上に対する単位時間当たりの液体供給量を制御可能であり、液体回収部２１による単位時間当たりの液体回収量を制御可能である。液体供給部１１から送出された液体Ｌｑは、供給管１２及びノズル部材１５の供給流路８２Ａ，８２Ｂ及び供給口１３，１４を介してウエハＷ上の液浸領域ＡＲ２に供給される。そして、液浸領域ＡＲ２の液体Ｌｑは、ノズル部材１５の回収口２４からメッシュフィルタ２５を介して回収された後、ノズル部材１５の回収流路８４及び回収管２２を介して液体回収部２１に回収される。
【００２５】
そして、露光装置ＥＸによるウエハＷの露光時には、投影光学系ＰＬによる投影領域ＡＲ１にマスクＭの一部のパターンの像が投影光学系ＰＬを介して投影され、投影光学系ＰＬに対して、マスクＭがＸ方向に速度Ｖで移動するのに同期して、ウエハステージＷＳＴを介してウエハＷがＸ方向に速度β・Ｖ（βは投影倍率）で移動する。そして、ウエハＷ上の１つのショット領域への露光終了後に、ウエハステージＷＳＴのステップ移動によってウエハＷ上の次のショット領域が走査開始位置に移動する。このようにして、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の全部のショット領域に対してマスクＭのパターン像が露光される。
【００２６】
この露光処理を行うに際し、制御装置ＣＯＮＴは液体供給機構１０を駆動し、ウエハＷ上に対する液体供給動作を開始する。液体供給機構１０の液体供給部１１から送出された液体Ｌｑは、供給管１２を流通した後、ノズル部材１５内の供給流路８２Ａ，８２Ｂ及び供給口１３，１４を介してウエハＷ上に供給される。ウエハＷ上に供給された液体Ｌｑは、ウエハＷの動きに合わせて投影光学系ＰＬの下を流れる。例えば、あるショット領域の露光中にウエハＷが＋Ｘ方向に移動しているときには、液体ＬｑはウエハＷと同じ方向である＋Ｘ方向に、ほぼウエハＷと同じ速度で、投影光学系ＰＬの下を流れる。この状態で、照明光学系ＩＬより射出されマスクＭを通過した露光光ＥＬが投影光学系ＰＬの像面側に照射され、マスクＭのパターンの像が投影光学系ＰＬ及び液浸領域ＡＲ２の液体Ｌｑを介してウエハＷに露光される。
【００２７】
制御装置ＣＯＮＴは、露光光ＥＬが投影光学系ＰＬの像面側に照射されているときに、すなわちウエハＷの露光動作中に、液体供給機構１０によるウエハＷ上への液体Ｌｑの供給を行う。一方、制御装置ＣＯＮＴは、一例として、露光光ＥＬが投影光学系ＰＬの像面側に照射されているときに、すなわちウエハＷの露光動作中に、液体回収機構２０によるウエハＷ上の液体Ｌｑの回収を行わない。制御装置ＣＯＮＴは、一例として、ウエハＷ上のある１つのショット領域の露光完了後であって、次のショット領域の露光開始までの一部の期間（ウエハＷのステップ移動期間の少なくとも一部）において、液体回収部２１によりウエハＷ上の液体Ｌｑの回収を行う。
【００２８】
さて、このようにして多数のウエハに露光を行うと、ウエハホルダＷＨの多数のピン３７（図２（Ａ）参照）上に次第にレジスト残滓のような微小な異物が残留し、その上に載置されるウエハの局所的な平面度（ローカルフラットネス）が低下して、ウエハ上に露光されるマスクのパターン像の解像度等が部分的に劣化する。そこで、本実施形態の露光装置ＥＸは、ウエハホルダＷＨ上の異物を除去するための清掃装置３０を備えている。
【００２９】
清掃装置３０は、ウエハホルダＷＨ上の異物を検出するために、ウエハホルダＷＨ上部の像を撮像する撮像装置３２と、ウエハホルダＷＨ上に載置される円板状の砥石３３と、砥石３３をＺ方向に昇降（移動）する上下動機構３４と、砥石３３の開口を通して吸引される異物が通過する可撓性を持つ配管３５と、配管３５を介して吸引を行う吸引装置３６と、清掃装置３０の全体の動作を統括制御する清掃制御系３１とを備えている。撮像装置３２及び上下動機構３４は、不図示のフレームに支持されている。清掃制御系３１内には、撮像装置３２で撮像される画像を処理してウエハホルダＷＨ上の異物の分布及び量等を解析する画像処理部と、制御部とが設けられている。清掃制御系３１内の制御部は、その画像処理部で検出される異物情報、及び制御装置ＣＯＮＴからの制御情報等に基づいて、上下動機構３４及び吸引装置３６の動作を制御し、必要に応じてウエハステージＷＳＴ（ウエハホルダＷＨ）をＸＹ平面内で所定の軌跡に沿って移動するための駆動情報を制御装置ＣＯＮＴに供給する。この場合、ウエハステージＷＳＴは、砥石３３とウエハホルダＷＨとをＸＹ平面に平行な面内で相対移動するための機構でもあり、ウエハステージＷＳＴは清掃装置３０の一部とみなすことも可能である。
【００３０】
図２（Ａ）は、図１のウエハホルダＷＨからウエハＷをアンロードして、かつウエハホルダＷＨを清掃装置３０の上下動機構３４の下方に移動した状態を示す断面図である。図２（Ａ）において、上下動機構３４は、下端部が円筒状のガイド部となった本体部材３４ａと、そのガイド部の内側にＺ方向に円滑に移動可能に収納されて、砥石３３を保持するスライド部材３８と、本体部材３４ａの中心にＺ方向に移動可能に配置された駆動軸３９と、駆動軸３９をＺ方向に移動する駆動モータ４０とを有する。この場合、スライド部材３８の中心に開口３８ａが形成され、砥石３３の中心に開口３８ａよりも大きい開口３３ａが形成され、駆動軸３９の下端に、開口３３ａよりも小さく、かつ開口３８ａよりも大きいヘッド部３９ａが連結されている。駆動軸３９の下端にヘッド部３９ａを介してスライド部材３８及び砥石３３が吊り下げられている。砥石３３の下端のウエハホルダＷＨとの接触部は輪帯状の平面である。
【００３１】
さらに、駆動軸３９内にヘッド部３９ａの中心から排気孔３９ｂが設けられ、本体部材３４ａ内にも排気孔３９ｂに一端が連通するように排気孔３４ｂが設けられ、排気孔３４ｂの他端に図１の吸引装置３６に連結される配管３５が接続されている。駆動軸３９がＺ方向に移動しても排気孔３９ｂと排気孔３４ｂとが常に連通するように、本体部材３４ａ内の排気孔３４ｂが形成されている。
【００３２】
また、本実施形態では、砥石３３は、或る程度の導電性を有する導電性材料から形成されている。導電性材料としては、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）が使用可能であり、それ以外のアルチック又はジルコニア等のセラミックスも使用可能である。なお、砥石３３は、高抵抗体の表面に導電性材料を積層して形成してもよい。このように砥石３３を導電性材料から形成した場合には、砥石３３がウエハホルダＷＨから離れる際に剥離帯電及び摩擦帯電によってウエハホルダＷＨに静電気が帯電することが少なくなる。この結果、清掃後にウエハホルダＷＨのピン３７の間に残留している異物がピン３７の上に移動することがほぼなくなるため、清掃後にウエハホルダＷＨ上のウエハのローカルフラットネスが低下することがほぼなくなる。
【００３３】
また、砥石３３の材料は、ウエハホルダＷＨの材料に比べて曲げ強度、破壊靱性（割れにくさ）、及び硬度の少なくとも１つを含む機械特性が小さいことが好ましい。ウエハホルダＷＨが例えば超硬合金（例えばコバルト６．５％）である場合、超硬合金の曲げ強度は２０００（ＭＰａ）以上であり、破壊靱性は１２（ＭＮ／ｍ３／２）程度である。従って、曲げ強度に着目した場合、砥石３３の材料としては、炭化ケイ素（曲げ強度３５０ＭＰａ）又はジルコニア（曲げ強度１１００ＭＰａ）等が使用できる。また、破壊靱性に着目した場合、砥石３３の材料としては、炭化ケイ素（破壊靱性３（ＭＮ／ｍ３／２）程度）又はジルコニア（破壊靱性６（ＭＮ／ｍ３／２）程度）等が使用できる。同様に、硬度に着目した場合にも、砥石３３の材料の硬度がウエハホルダＷＨの材料の硬度よりも小さいことが好ましい。なお、これらの場合にも、砥石３３は、例えば高抵抗体等の上にそのような曲げ強度、破壊靱性、及び硬度の少なくとも１つがウエハホルダＷＨの材料よりも小さい材料を積層又は添加して形成してもよい。このように材料を選択すると、砥石３３でウエハホルダＷＨの表面を清掃する際に、砥石３３との接触によってウエハホルダＷＨのピン３７の割れ等が生じない。
【００３４】
次に、図１の吸引装置３６は、一例として図３（Ａ）に示すように、圧縮空気が供給されている圧縮空気配管４２に接続されている。図３（Ａ）において、吸引装置３６は、圧縮空気配管４２から圧縮空気Ｂ１を取り込むレギュレータ３６ａと、圧縮空気Ｂ１の圧力を計測する圧力計３６ｂと、レギュレータ３６ａに接続される真空エジェクタ３６ｃと、砥石３３の開口及び配管３５を介して吸引される空気Ｂ２から異物を除去するフィルタ３６ｄとを有し、フィルタ３６ｄを通過した空気Ｂ２は、真空エジェクタ３６ｃに供給される。この場合、圧縮空気Ｂ１が真空エジェクタ３６ｃ内を通過することによって、配管３５側に負圧が生じるため、配管３５側の空気Ｂ２も圧縮空気Ｂ１とともに混合空気Ｂ３として排気される。吸引装置３６は、混合空気Ｂ３から異物を除去するフィルタ３６ｅと、フィルタ３６ｅを通過した空気を低圧にして排気するサイレンサ３６ｆとを有する。この場合、圧縮空気配管４２は、通常の工場に一般に備えられているため、特に吸引用の真空ポンプ等を設ける必要がない。
【００３５】
なお、吸引装置３６の代わりに、例えば図３（Ｂ）に示す吸引装置３６Ａも使用可能である。図３（Ｂ）において、吸引装置３６Ａは、負圧の真空排気管４３に接続されるレギュレータ３６ａと、圧力計３６ｂと、砥石３３の開口及び配管３５を介して吸引される空気Ｂ４から異物を除去するフィルタ３６ｄとを有し、空気Ｂ４はレギュレータ３６ａを介して真空排気管４３側に吸引される。この吸引装置３６Ａは、真空排気管４３が必要であるが、吸引装置３６に比べて構成が簡略である。
【００３６】
次に、図１の露光装置ＥＸにおいて、清掃装置３０を用いてウエハホルダＷＨの清掃を行う動作の一例につき図４のフローチャートを参照して説明する。この動作は制御装置ＣＯＮＴ及び清掃制御系３１によって制御される。
先ず、図４のステップ１０１において、ウエハステージＷＳＴをローディング位置に移動し、不図示のウエハローダ系を介して、ウエハホルダＷＨ上にレジストが塗布された未露光のウエハＷをロードし、図２（Ａ）の吸引装置１７によってウエハＷを真空吸着する。次のステップ１０２において、アライメント系９１を用いてウエハＷのアライメントを行った後、上述のように液浸法でかつ走査露光方式でウエハＷ上の各ショット領域にマスクＭのパターンの像を露光する。その後、ウエハステージＷＳＴをアンローディング位置に移動し、不図示のウエハローダ系を介して、ウエハＷをウエハホルダＷＨからアンロードする。
【００３７】
次に露光終了かどうかを判定し（ステップ１０４）、露光対象のウエハがある場合にはステップ１０５に移行して、ウエハホルダＷＨの清掃を行うかどうかを判定する。この判定は、例えばその前に露光したウエハＷに関してオートフォーカスセンサ（不図示）で計測されているウエハＷ表面の凹凸情報に基づいて行うことも可能であり、又は撮像装置３２でウエハホルダＷＨの上面を観察した結果に基づいて行うことも可能である。ステップ１０５でウエハホルダＷＨの清掃を行わないと判定した場合には、動作はステップ１０１に戻り、次のウエハに対する露光が行われる。
【００３８】
一方、ステップ１０５でウエハホルダＷＨの清掃を行うと判定した場合には、動作はステップ１０６に移行して、ウエハステージＷＳＴの中心を上下動機構３４の下方の清掃位置に移動する。この結果、ウエハステージＷＳＴ上のウエハホルダＷＨの中心は、図２（Ａ）に示すように上下動機構３４で支持されている砥石３３の中心のほぼ下方に移動する。それに続くステップ１０７で、上下動機構３４の駆動軸３９を−Ｚ方向（ここでは鉛直方向）に降下させ、砥石３３の底面がウエハホルダＷＨのピン３７の上面よりも僅かに高い位置で、砥石３３を静止させる。この状態からウエハステージＷＳＴを低速で−Ｘ方向に移動して、ウエハステージＷＳＴの推力に変化があるときにウエハステージＷＳＴを停止して、ウエハステージＷＳＴの座標を制御装置ＣＯＮＴが読み込む。このようにウエハステージＷＳＴの推力が変化するのは、図５に示すように、砥石３３が相対的にウエハステージＷＳＴ上のプレート部９７の内周壁９７ａに接触する位置Ｃ１に達したことを意味する。
【００３９】
同様に、ウエハステージＷＳＴを＋Ｘ方向、−Ｙ方向、及び＋Ｙ方向に順次低速で移動することによって、図５において、砥石３３が相対的にプレート部９７の内周壁９７ａに接触する位置Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４に達したときのウエハステージＷＳＴの座標を制御装置ＣＯＮＴで読み込む。このように砥石３３がウエハステージＷＳＴ上のプレート部９７の内周壁９７ａのＸ方向、Ｙ方向の端部に接触するときのウエハステージＷＳＴの座標を読み込むことで、制御装置ＣＯＮＴは、砥石３３の側面が実質的にウエハテーブルＷＴの一部とみなすことが可能な内周壁９７ａに例えば１ｍｍ程度の間隔を隔てて接触しない範囲での、ウエハステージＷＳＴのＸ方向、Ｙ方向の可動範囲を計算（計測）する。これ以降、ウエハホルダＷＨの清掃中には、ウエハステージＷＳＴはその可動範囲内で移動するため、清掃中に砥石３３が内周壁９７ａに衝突することが防止できる。また、その可動範囲の情報を記憶しておくことによって、その可動範囲は次にウエハホルダＷＨの清掃を行う際にも使用可能である。
【００４０】
次のステップ１０８において、ウエハステージＷＳＴを駆動してウエハホルダＷＨの中心を砥石３３の中心の下方に移動した後、図２（Ｂ）に示すように、上下動機構３４の駆動軸３９を矢印Ａ１で示すように−Ｚ方向に降下させて、砥石３３の底面をウエハホルダＷＨの中心部の複数のピン３７の上部に載置する（接触させる）。この際に、駆動軸３９のヘッド部３９ａは、スライド部材３８から離れて砥石３３の開口内に移動するため、砥石３３は自重によってウエハホルダＷＨ上に載置される。また、スライド部材３８は本体部材３４ａのガイド部内に収納されているため、砥石３３のＸ方向、Ｙ方向の位置は固定されている。
【００４１】
その直後から、図１の吸引装置３６によって、図２（Ｂ）の砥石３３の開口、駆動軸３９内の排気孔３９ｂ、本体部材３４ａ内の排気孔３４ｂ、及び配管３５を介してウエハホルダＷＨ上部の異物を含む空気の吸引を開始する。この動作とともに、図６（Ａ）の起点ＳＴ１ａから始まる点線の軌跡ＳＴ１で示すように、ウエハホルダＷＨに対して砥石３３の中心が相対的に螺旋状に外側に連続的に移動するように、ウエハステージＷＳＴをＸ方向、Ｙ方向に連続的に駆動する。
【００４２】
その後、ステップ１０９において、図６（Ａ）の軌跡ＳＴ１の終点ＳＴ１ｂで示すように、砥石３３がウエハホルダＷＨの周辺部に達したときに、砥石３３が相対的にウエハホルダＷＨの周辺部の円周に沿って移動している状態で、上下動機構３４の駆動軸３９を＋Ｚ方向に上昇させて砥石３３をウエハホルダＷＨから離して上昇させて、吸引装置３６による吸引を停止する。このように砥石３３とウエハホルダＷＨとが接触して相対移動しているときに、砥石３３をウエハホルダＷＨから離すことによって、ウエハホルダＷＨのピン３７上に僅かな異物が砥石３３の形状にならって砥石跡として残留することが防止される。
【００４３】
この場合、ステップ１０８の途中では、図２（Ｃ）に示すように、砥石３３に対してウエハホルダＷＨが例えば矢印Ａ２で示すように次第に内側に移動するため、或るピン３７上の異物４１が砥石３３によって除去されて、複数のピン３７の間に剥落する。また、図２（Ｄ）で示すように、さらにウエハホルダＷＨが矢印Ａ３で示すように移動すると、異物４１は砥石３３の開口内に移動して、吸引される空気Ａ５とともに配管３５側に排出される。その後、砥石３３の側面がプレート部９７の内周壁９７ａに接触する前に、駆動軸３９が矢印Ａ４の方向に上昇して砥石３３も図２（Ａ）の位置まで上昇する。従って、ウエハホルダＷＨ上に残留する異物が減少し、清掃後の露光中にウエハホルダＷＨのピン３７の間に残留する異物がピン３７上に移動することが少なくなるため、ウエハホルダＷＨ上のウエハのローカルフラットネスは平坦に維持される。
【００４４】
その後のステップ１１０において、例えばウエハステージＷＳＴを駆動して、撮像装置３２でウエハホルダＷＨの全部のピン３７の上面を撮像することで、異物が許容範囲を超えて残っているかどうかを判定する。そして、異物が許容範囲を超えて残っている場合には、ステップ１０８及び１０９を繰り返して砥石３３でウエハホルダＷＨの上面を再度清掃する。また、ステップ１１０で異物が許容範囲内である場合には、ステップ１０１に移行して、次のウエハに対する露光を行う。このように本実施形態によれば、ウエハホルダＷＨの清掃後に異物がほとんど残留しないため、その後の露光を高精度に行うことができる。
【００４５】
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
（１）本実施形態の清掃装置３０は、第１の観点では、ウエハを保持して少なくともＸＹ平面に沿って移動可能なウエハホルダＷＨの清掃を行う清掃装置であって、ウエハホルダＷＨ上に載置可能な砥石３３（清掃部材）と、砥石３３をウエハホルダＷＨ上へ載置する駆動軸３８と、砥石３３がウエハホルダＷＨ上に載置されている期間内に、砥石３３とウエハホルダＷＨとを連続的に相対移動するウエハステージＷＳＴ（移動機構）と、を備えている。
【００４６】
この清掃装置によれば、ウエハホルダＷＨ上に僅かな異物が砥石３３の形に残留することがほぼなくなるため、ウエハホルダＷＨ上に異物が残留しにくくなる。従って、その後でウエハホルダＷＨの清掃を開始するまでの期間を長くすることができ、露光工程のスループットを高めることができる。
この場合、ウエハステージＷＳＴを介して、ウエハホルダＷＨに対して砥石３３を螺旋状に相対移動しているため、砥石３３とウエハホルダＷＨとを連続的に移動しながら砥石３３でウエハホルダＷＨの上面の全面を清掃できる。
【００４７】
なお、図６（Ｂ）の点線の軌跡ＳＴ２で示すように、ウエハホルダＷＨに対して砥石３３の中心が周辺部の位置ＳＴ２ａから中心部の位置ＳＴ２ｂまで相対的に螺旋状に、かつ連続的に移動するように、ウエハステージＷＳＴを駆動してもよい。この場合には、中心部の位置ＳＴ２ｂでウエハホルダＷＨと砥石３３とが相対移動しているときに、砥石３３がウエハホルダＷＨから離れるように上下動機構３４が駆動される。また、ウエハホルダＷＨと砥石３３とは例えば蛇行するように相対的に移動してもよい。
【００４８】
また、ウエハステージＷＳＴは、砥石３３がウエハホルダＷＨから離れる際にも、砥石３３とウエハホルダＷＨとの相対移動を継続しているため、さらにウエハホルダＷＨ上に異物が残留しにくくなる。
また、清掃装置３０は、ウエハホルダＷＨ上の例えば複数のピン３７の間の異物を吸引する吸引装置３６を備えている。従って、砥石３３によってピン３７から剥落した異物を効率的に回収できる。
【００４９】
この場合、吸引装置３６は、砥石３３の開口３３ａを通して異物を吸引しているため、砥石３３によって削り取られた異物を効率的に回収できる。
ただし、この第１の観点の清掃装置３０においては、吸引装置３６は必ずしも設ける必要はない。
（２）また、本実施形態の清掃装置３０は、第２の観点では、ウエハを保持して少なくともＸＹ平面に沿って移動可能なウエハホルダＷＨの清掃を行う清掃装置であって、ウエハホルダＷＨ上に載置可能な砥石３３と、砥石３３をウエハホルダＷＨ上へ載置する駆動軸３９と、砥石３３がウエハホルダＷＨ上に載置されている期間内に、砥石３３とウエハホルダＷＨとを相対移動するウエハステージＷＳＴと、ウエハホルダＷＨ上の異物を吸引する吸引装置３６と、を備えている。
【００５０】
この清掃装置によれば、砥石３３によってウエハホルダＷＨのピン３７から落下した異物が吸引によって排出されるため、ウエハホルダＷＨ上に異物が残留しにくくなる。従って、その後でウエハホルダＷＨの清掃を開始するまでの期間を長くすることができ、露光工程のスループットを高めることができる。
また、吸引装置３６は、砥石３３の開口３３ａを通して異物を吸引しているため、砥石３３によって削り取られた異物を効率的に回収できる。
【００５１】
また、ウエハホルダＷＨ上の砥石３３が載置される面に多数のピン３７（凸部）が設けられ、吸引装置３６は、複数のピン３７の間にある異物を吸引している。従って、ピン３７の間の異物がピン３７上に再付着することが防止される。
ただし、この第２の観点の清掃装置３０においては、清掃中に砥石３３とウエハホルダＷＨとを連続的に相対移動する必要は必ずしもない。
【００５２】
（３）上記の第１の観点及び第２の観点の清掃装置３０においては、砥石３３は導電性材料から形成されている。従って、清掃中にウエハホルダＷＨの帯電が防止され、ウエハホルダＷＨへの異物の再付着が抑制される。
なお、砥石３３は、必ずしも導電性材料から形成する必要はなく、高抵抗体から形成することも可能である。
【００５３】
（４）また、本実施形態の清掃装置３０を用いた清掃方法は、ウエハを保持して少なくともＸＹ平面に沿って移動可能なウエハホルダＷＨの清掃を行う清掃方法であって、ウエハホルダＷＨ上に砥石３３を載置し（ステップ１０８の最初）、砥石３３がウエハホルダＷＨ上に載置されている期間内に、砥石３３とウエハホルダＷＨとを相対移動し（ステップ１０８、１０９）、ウエハホルダＷＨ上の異物を吸引する（ステップ１０８、１０９）ものである。
【００５４】
この清掃方法によれば、砥石３３によってウエハホルダＷＨのピン３７から落下した異物が吸引によって排出されるため、ウエハホルダＷＨ上に異物が残留しにくくなる。
また、砥石３３とウエハホルダＷＨとが相対移動しているときに、砥石３３をウエハホルダＷＨから離して、異物の吸引を停止しているため（ステップ１０８）、ウエハホルダＷＨ上に砥石３３の跡形に異物が残留しにくいとともに、ウエハホルダＷＨ上の異物を効率的に回収できる。
【００５５】
なお、この清掃方法においても、砥石３３がウエハホルダＷＨに接触している期間内に、砥石３３とウエハホルダＷＨとを連続的に相対移動している必要は必ずしもない。
（５）また、本実施形態の露光方法は、パターン（例えばマスクＭのパターンの潜像）をウエハＷ上に形成する露光方法において、上記の実施形態の清掃装置３０を用いてウエハホルダＷＨのウエハＷとの接触面の清掃を行うステップ１０６〜１０９と、ウエハホルダＷＨ上にウエハＷを載置し、ウエハホルダＷＨをＸＹ平面に沿って移動し、ウエハＷ上にそのパターンを形成するステップ１０１、１０２と、を含むものである。
【００５６】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、パターンをウエハＷ上に形成する露光装置において、ウエハＷを保持するウエハホルダＷＨと、ウエハホルダＷＨに保持されたウエハＷにパターンを形成する投影光学系ＰＬと、ウエハホルダＷＨを清掃するための清掃装置３０と、を備えるものである。
これらの露光方法又は露光装置によれば、ウエハホルダＷＨ上の異物が減少するため、ウエハＷのローカルフラットネスが良好に維持され、ウエハＷの全面に高精度に露光を行うことができる。また、ウエハホルダＷＨの清掃間隔を延ばすことが可能になり、露光工程のスループットが向上する。
【００５７】
なお、上記の実施形態では、次のような変形が可能である。
（１）上記の実施形態で、吸引装置３６によってウエハホルダＷＨ上の異物を吸引する場合、砥石３３の中央の開口３３ａから異物を吸引するとともに、又はその代わりに、砥石３３のウエハホルダＷＨとの接触面に設けた複数の吸引孔を通してウエハホルダＷＨ上の異物を吸引してもよい。また、砥石３３のウエハホルダＷＨとの接触面の形状は他の形状でもよい。
【００５８】
図７（Ａ）〜図７（Ｈ）は図２（Ａ）の砥石３３の代わりに使用可能な種々の砥石３３Ａ，３３，３３Ｂ，３３Ｃを示す。図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示す砥石３３Ａは、ウエハホルダＷＨとの接触面３３Ａｂが幅の狭い輪帯状で、中央の開口３３Ａａ及び接触面３３Ａｂの複数の吸引孔３３Ａｃを通して異物を吸引する。図７（Ｃ）及び図７（Ｄ）に示す砥石３３は、図２（Ａ）の砥石３３の接触面３３ｂに複数の吸引孔３３ｃを設けたものである。
【００５９】
図７（Ｅ）及び図７（Ｆ）に示す砥石３３Ｂは、ウエハホルダＷＨとの接触面３３Ｂｂが多数の矩形の格子状であり、中央の開口３３Ｂａ及び接触面３３Ｂｂの一部に設けた複数の吸引孔３３Ｂｃを通して異物を吸引する。図７（Ｇ）及び図７（Ｈ）に示す砥石３３Ｃは、ウエハホルダＷＨとの接触面３３Ｃｂが多数の放射状の凸部であり、中央の開口３３Ｃａ及び接触面３３Ｃｂの一部に設けた複数の吸引孔３３Ｃｃを通して異物を吸引する。
【００６０】
（２）上記の実施形態の清掃装置３０において、ウエハホルダＷＨ上の異物を吸引する際に、砥石３３の開口を通して吸引装置３６によって上方に異物を吸引している。この代わりに、ウエハホルダＷＨの清掃中に、図２（Ａ）のウエハを真空吸着するための吸引装置１７を駆動して、ウエハホルダＷＨの排気孔ＷＨｂを通して異物を吸引（排出）してもよい。
【００６１】
（３）上記の実施形態では、砥石３３とウエハホルダＷＨとを相対移動するためにウエハステージＷＳＴを駆動している。その代わりに、例えばロボットハンド等を用いて、静止しているウエハホルダＷＨに対して砥石３３側を移動してもよい。
（４）また、上記の実施形態では、ウエハホルダＷＨを清掃するために砥石３３を使用しているが、砥石３３の代わりにブラシ状部材等も使用可能である。
【００６２】
また、上記の実施形態の露光装置ＥＸ又は露光方法を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（又はマイクロデバイス）を製造する場合、電子デバイスは、図８に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいてマスク（レチクル）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造してレジストを塗布するステップ２２３、前述した実施形態の露光装置又は露光方法によりマスクのパターンを基板（感光基板）に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。
【００６３】
言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置又は露光方法を用いて基板（ウエハ）上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成された基板を処理すること（ステップ２２４）とを含んでいる。この際に、上記の実施形態によれば、高精度に高いスループットで露光を行うことができるため、高いスループットで高精度に電子デバイスを製造できる。
【００６４】
なお、本発明は、上述の走査露光型の露光装置で露光する場合の他に、ステッパー等の一括露光型の露光装置で露光する場合にも適用できる。さらに、本発明は、ドライ露光型の露光装置、又はプロキシミティ方式の露光装置等で露光する場合にも同様に適用することができる。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems)、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の露光工程にも適用することができる。
【００６５】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】実施形態の一例で使用される露光装置を示す一部を切り欠いた図である。
【図２】（Ａ）は図１中の清掃装置３０の要部及びウエハホルダＷＨを示す断面図、（Ｂ）は砥石３３をウエハホルダＷＨに接触させた状態を示す断面図、（Ｃ）はウエハホルダＷＨを移動している状態を示す断面図、（Ｄ）は砥石３３をウエハホルダＷＨから離す直前の状態を示す断面図である。
【図３】（Ａ）は吸引装置３６の構成例を示すブロック図、（Ｂ）は別の吸引装置を示すブロック図である。
【図４】露光中にウエハホルダＷＨの清掃を行う動作の一例を示すフローチャートである。
【図５】砥石３３とプレート部９７の内周壁９７ａとの相対位置関係を示す平面図である。
【図６】（Ａ）はウエハホルダＷＨと砥石３３とを相対移動している状態の要部を示す斜視図、（Ｂ）はウエハホルダＷＨと砥石３３との相対移動の別の例を示す平面図である。
【図７】（Ａ）は砥石３３Ａの底面を示す斜視図、（Ｂ）は砥石３３Ａの底面図、（Ｃ）は砥石３３の底面を示す斜視図、（Ｄ）は砥石３３の底面図、（Ｅ）は砥石３３Ｂの底面を示す斜視図、（Ｆ）は砥石３３Ｂの底面図、（Ｇ）は砥石３３Ｃの底面を示す斜視図、（Ｈ）は砥石３３Ｃの底面図である。
【図８】電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６７】
Ｍ…マスク、ＭＳＴ…マスクステージ、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、ＷＳＴ…ウエハステージ、ＷＴ…ウエハテーブル、ＷＨ…ウエハホルダ、ＣＯＮＴ…制御装置、３０…清掃装置、３１…清掃制御系、３３…砥石、３４…上下動機構、３５…配管、３６…吸引装置、３７…ピン、３９…駆動軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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