(57)【要約】【課題】信号書き込みを信号保持状態よりも高い温度で行う熱アシスト記録方式の磁気記録装置に用いる磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性基板１上に少なくとも軟磁性裏打ち層３、磁気記録層５、保護層６をこの順に備える磁気記録媒体において、二層の放熱層２−１，２−２が前記軟磁性裏打ち層３を挟んだ層構成を有する。【選択図】        図１
2010182386.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号書き込みを信号保持状態よりも高い温度で行う磁気記録装置に用いられ、非磁性基体上に軟磁性裏打ち層、磁気記録層、保護層をこの順に備える磁気記録媒体において、二層の放熱層が前記軟磁性裏打ち層を挟んだ層構成を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記放熱層及び前記軟磁性裏打ち層が共に複数の層からなり、当該複数の層の各放熱層と各軟磁性裏打ち層とが交互に積層される層構成を有することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記放熱層のうち最上層の放熱層の上に非磁性の反強磁性結合層を挟む二層の軟磁性裏打ち層を備え、該二層の軟磁性裏打ち層が前記反強磁性結合層を介して磁気的に相互に結合していることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記放熱層の熱伝導率が前記軟磁性裏打ち層の熱伝導率よりも高いことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記放熱層の室温３００Ｋにおける熱伝導率が１００（Ｗ／（ｍ・Ｋ））よりも大きいことを特徴とする請求項４記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記放熱層がＷ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃから選ばれるいずれかの元素からなる高熱伝導率材料または前記いずれかの元素を含む合金を主要成分とすることを特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記軟磁性裏打ち層がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉから選ばれるいずれかの元素を主成分とする層であって、非晶質または微結晶構造を有することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記反強磁性結合層が、Ｖ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒから選ばれるいずれかの元素からなる金属または該いずれかの元素を主成分とする合金であることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は各種磁気記録装置に搭載される磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録の高記録密度を実現する技術として、「垂直磁気記録方式」が、最近実用化された。この方式は、記録磁化が記録媒体の面内方向に対して垂直なものであり、従来の記録磁化が面内方向に対して平行である長手磁気記録方式と置き換わるものである。磁気記録に用いられる垂直磁気記録媒体は主に、硬質磁性材料の磁気記録層と、磁気記録層の記録磁化を垂直方向に配向させるための下地層、磁気記録層の表面を保護する保護層、そしてこの記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性裏打ち層などの主要層から構成される。
【０００３】
高密度化のための媒体設計の指針の一つとして、磁気記録層を構成する磁性粒子の磁気的な分離度を高め、磁化反転単位を小さくすることが挙げられる。基本的に、磁気記録層の膜厚は媒体面内方向に一様であるため、磁化反転単位を小さくしていくことは、磁化反転単位の高さが一定で断面積を小さくすることに対応するので、磁化反転単位が小さくなると、それ自身に作用する反磁界が小さくなり、反転磁界は大きくなる。このような関係が磁化反転単位の形状、サイズにあるので、記録密度を高めると、より大きな書き込み磁界が必要となる。一方で、記録信号の長期安定性のためには、熱エネルギーｋＴに対する粒子のエネルギーＫｕＶの値を十分に高める必要があることが知られている（ここで、ｋはボルツマン定数、Ｋは絶対温度、Ｋｕは結晶磁気異方性、Ｖは活性化体積）。前述の磁化反転単位サイズの低減は、Ｖの低下を意味し、この影響により信号不安定性、いわゆる”熱揺らぎ”の問題が生じる。これを回避するためにはＫｕを増大する必要あるが、一般にＫｕと反転磁界は比例関係にあるため、これも書き込み磁界の増大を招く結果となる。
【０００４】
このような課題を解決する方法として、熱アシスト記録という記録方式が提案されている。これは、磁性材料におけるＫｕの温度依存性、すなわち高温ほどＫｕが小さいという特性を利用したものである。すなわち、磁気記録層を加熱して一時的にＫｕ、すなわち反転磁界を低減させ、その間に書き込みを行うというものである。温度が戻った（下がった）後はＫｕが元の高い値に戻るため、安定して記録信号を保持できる。
【０００５】
この新しい記録方式では、例えばレーザ光や近接場光を照射し、局所的に記録層の温度を上昇させる。この場合、隣接するトラックへの影響が問題となってくる。隣接トラックが加熱、減磁されてしまうと、トラック密度を高めることができないからである。これに対し、ヘッド側の対策の一つである、加熱スポットを小さくすることは、小さくするほどその問題は緩和されるものの、限界がある。一方、媒体側の対策としては、熱伝導率の高い材料である放熱層を付与する手法がある。
【０００６】
このような放熱層は一般的に金属層であり、熱伝導率の高い材料として金属層を記録層の下側に形成する際、放熱性を高めるためには金属層の厚さを厚くすることが好ましいが、放熱層の厚さを厚くすればするほど、放熱層の表面は、ボコボコと粒径状に荒れ不均一になりやすくなり、その上の記録層の表面にも影響が現れるという趣旨のことが記載されている公知文献がある（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＷＯ２００４／０３８７１５号パンフレット（明細書の２頁２３〜２４行）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
放熱層は加熱スポットに応じた膜厚を要するが、前述のように、放熱効果としては厚ければ厚いほど効果は大きい。しかしながら、放熱層の膜厚を増加させると、一般的には表面凹凸が大きくなる。表面凹凸が大きくなると、上層の記録層の微細構造、特に結晶配向性や磁性結晶粒子のサイズ制御に影響を及ぼし、結晶配向性を悪化させ、粒子サイズのばらつきを大きくする。その結果、高密度化の障害になる。また、放熱層の材質が結晶或いは微結晶質である場合も、厚膜化により結晶成長が促進されるので、やはり前記高密度化にとって障害になり易い。
【０００９】
軟磁性裏打ち層は、本来の役割であるヘッド磁束を集中させる効果を大きくするは、厚膜化が好ましい。しかし、この軟磁性裏打ち層の厚膜化についても放熱層と同様、厚くすると表面凹凸を増大させることが問題となる。この問題に対しては、結晶構造を非晶質とし、極力結晶成長を抑える材料組成を選択することにより回避できる。ただし、軟磁性裏打ち層の厚膜化の弊害はもう一つある。軟磁性裏打ち層の磁化成分はノイズとして磁気ヘッドの再生信号に検出されるので、厚膜化すると、軟磁性裏打ち層の磁化量が増え、ノイズ成分が増大することである。
【００１０】
このように、従来の記録方式を熱アシスト記録方式に換えると、従来の記録方式の場合の限界を打破できる可能性があるので、磁気記録装置の高密度化のためには好ましい。しかし、この熱アシスト記録方式に対応するために、加熱スポットサイズを小さくして隣接トラックへの影響を抑えて良好な記録性能を持つことができ、かつ低ノイズでもある媒体を必要とするという課題が新たに発生する。
【００１１】
本発明は前述の新たな課題が発生することを鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、信号書き込みを信号保持状態よりも高い温度で行う熱アシスト記録方式の磁気記録装置に用いる磁気記録媒体を提供することである。詳しくは、表面凹凸や結晶成長を抑え、記録層の微細構造などへの影響を小さくするとともに、従来の構成と同等の放熱効果と書き込み性能を維持しつつ、軟磁性裏打ち層に由来するノイズを低減することができる磁気記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による磁気記録媒体は、前記目的を達成するために、信号書き込みを信号保持状態よりも高い温度で行う磁気記録装置に用いられ、非磁性基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層、磁気記録層、保護層をこの順に備える磁気記録媒体において、二層の放熱層が前記軟磁性裏打ち層を挟んだ層構成を有することを特徴とする。好ましくは、前記放熱層及び前記軟磁性裏打ち層が共に複数の層からなり、当該複数の層の各放熱層と各軟磁性裏打ち層とが交互に積層される層構成を有することを特徴とする。さらに好ましくは、前記放熱層及び前記軟磁性裏打ち層が共に複数の層からなり、当該複数の層の各放熱層と各軟磁性裏打ち層とが交互に積層される層構成を有することを特徴とする。
【００１３】
さらに、前記放熱層の熱伝導率が前記軟磁性裏打ち層の熱伝導率よりも高い磁気記録媒体とすることも好ましい。
さらに、前記放熱層の室温３００Ｋにおける熱伝導率が１００（Ｗ／（ｍ・Ｋ））よりも大きくすることも好ましい。
またさらに、前記放熱層がＷ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃから選ばれるいずれかの元素からなる高熱伝導率材料または前記いずれかの元素を含む合金を主要成分とすることもできる。
【００１４】
またさらに、前記軟磁性裏打ち層がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉから選ばれるいずれかの元素を主成分とする層であって、かつ非晶質或いは微結晶構造を有することもよい。
また、前記反強磁性結合層が、Ｖ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒから選ばれるいずれかの元素からなる金属または該いずれかの元素を主成分とする合金であってよい。
【発明の効果】
【００１５】
放熱層と軟磁性裏打ち層を、従来よりも薄い膜厚で積層した構造とする。これにより記録層の表面凹凸や結晶成長を抑え、記録層の微細構造などへの影響を小さくする一方、従来の構成と同等の放熱効果と書き込み性能を維持しつつ、軟磁性裏打ち層に由来するノイズを低減することができる。これにより、熱アシスト記録方式に適した媒体が提供され、高密度記録が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る実施例１の磁気記録媒体の断面模式図である。
【図２】本発明に係る実施例２〜４の磁気記録媒体の断面模式図である。
【図３】本発明に係る実施例５の磁気記録媒体の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１〜図３は、それぞれ本発明であるが、異なる層構成を有する磁気記録媒体を説明するための断面模式図である。最初に層構造について説明する。図１に示す磁気記録媒体は、非磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層３を挟む放熱層２−１と放熱層２−２、下地層４、磁気記録層５、保護層６がこの順に積層された構造を有している。後述の実施例１で各層を構成する材料について説明する。図２に示す磁気記録媒体は、非磁性基板１上に、放熱層２、軟磁性裏打ち層３、下地層４、磁気記録層５、保護層６がこの順に積層される層構成を有し、特に放熱層２と軟磁性裏打ち層３が少なくとも２回以上交互に繰り返えされる積層構造とされる層構成にされる。放熱層２と軟磁性裏打ち層３をそれぞれ１０回、５回、２回交互に繰り返えされる積層構造を後述の実施例２、実施例３、実施例４で採りあげて説明する。図３に示す磁気記録媒体は、後述の実施例５でも説明するように前記図２の積層構造に加え、さらに、二層の軟磁性裏打ち層３−Ａ、３−Ｂの間に、反強磁性結合層７が挿入される積層構造を有する。
【００１８】
次に、図３を参照して、本発明の磁気記録媒体の実施の形態について説明する。本発明の磁気記録媒体において、非磁性基板１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金基板や強化ガラス基板或いは結晶化ガラス基板等を用いることができる。成膜時や記録時の基板温度を１００℃程度以内に抑えることのできる場合は、ポリカーボネイト、ポリオレフィン等の樹脂からなるプラスチック基板を用いることもできる。その他、Ｓｉ基板も用いることもできる。
【００１９】
放熱層２は、熱伝導率の高い材料が好ましく用いられる。放熱層としての役割を果たすため、軟磁性裏打ち層よりも高い熱伝導率を有することが好ましい。熱伝導率としては、室温３００Ｋにおける熱伝導率が１００［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］よりも大きいことが好ましく、２００［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］よりも大きいことがさらに好ましい。そのような高熱伝導率材料としては、Ｗ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｚｎなどの金属またはこれらの金属を含む合金が好ましく用いられ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃなどのいずれかの金属材料またはグラファイトなどの高熱伝導率材料またはこれらの材料を主成分として含む合金がさらに好ましく用いられる。
【００２０】
軟磁性裏打ち層３は、現行の垂直磁気記録方式と同様、磁気ヘッドからの磁束を制御して記録・再生特性を向上することを目的とした層である。前記軟磁性裏打ち層３はの材料としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのいずれかが主成分とであるものが好ましく用いられる。結晶構造としては、非晶質、微結晶質、非晶質のいずれとしてもよく、直上の下地層の結晶配向性を勘案して適宜選択されることが好ましい。下地層の結晶配向への影響を小さくするには、非晶質が好ましい。軟磁性裏打ち層にも結晶配向制御の役割を持たせる場合、微結晶質或いは結晶質材料を用いるのが好ましい。また、数種類の軟磁性層材料を用いて、多層構造とすることも可能である。例えば、結晶質材料としてＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＮｉ合金を用いることができ、微結晶化或いは非晶質化させるために、前記合金に対してＢ、Ｓｉ、Ｃ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｐ、Ｔａなどの微量添加物を用いたものとしたものも好ましく用いられる。その他、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの単金属に添加物を施した、例えばＦｅＴａＣなども用いることができる。記録能力を向上するためには、軟磁性裏打ち層３の飽和磁化は大きい方が好ましい。なお、軟磁性裏打ち層３における各層の膜厚、及び総合膜厚の最適値は、記録に用いるヘッドの構造や特性によって変化するが、１００ｎｍ以下であることが望ましい。成膜方法としては、通常用いられるスパッタ法で形成することができる。
【００２１】
軟磁性裏打ち層３に由来するノイズ成分を抑制するため、軟磁性裏打ち層３を二層にして、二層間に非磁性の反強磁性結合層７を挿入することができる。反強磁性結合層７の上下に配した軟磁性裏打ち層３−Ａ、３−Ｂが、反強磁性結合層７を介して磁気的に反平行に結合し、外部へ出力する磁化成分を相殺することにより、ノイズを抑制することができる。従って、上下の軟磁性裏打ち層３−Ａ、３−Ｂは磁化量を等しくする、すなわち飽和磁化Ｍｓと膜厚の積を等しくすることが好ましい。反強磁性結合層７の材料としては、Ｖ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒのうちから選ばれる元素、あるいはこれらの内の少なくとも一つの元素を主成分とする合金が好ましく用いられる。膜厚は、反強磁性結合を示し、かつ交換結合エネルギーが比較的大きい点を考慮して設定することが好ましく、用いる材料により最適値は異なるが、通常２ｎｍ以下にされることが好ましい。
【００２２】
下地層４は、第一に、上層磁気記録層５の材料の結晶粒子径や結晶配向を制御する目的で、第二には軟磁性裏打ち層３と磁気記録層５との磁気的な結合を防ぐ目的で、用いられる層である。従って、非磁性であることが好ましく、結晶構造は上層の磁気記録層５の材料に合わせて適宜選択することが必要であるが、非晶質構造でも用いることは可能である。例えば、直上の磁気記録層５に、六方最密充填（ｈｃｐ）構造を取るＣｏを主体とした磁気記録層材料を用いる場合は、同じｈｃｐ構造もしくは面心立方（ｆｃｃ）構造をとる材料が好ましく用いられる。具体的には、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｃｏ或いはこれらを含む合金材料が好ましく用いられる。膜厚は、薄いほど書き込み容易性は向上するが、前記第一、第二の目的を考慮すれば、ある程度の膜厚が必要で、３〜３０ｎｍの範囲内とすることが好ましい。
【００２３】
磁気記録層５は、結晶系の磁性層材料を用いることができる。Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉなどの磁性元素を主体とした直径数ｎｍの柱状の結晶粒子が、サブｎｍ程度の厚さの非磁性体で隔てられた構造をとることが好ましい。例えば、磁性結晶粒としては、ＣｏＰｔ合金やＦｅＰｔ合金に、Ｃｒ、Ｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕなどの金属を添加した材料、非磁性体としてはＳｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｂの酸化物や窒化物などを添加したものや、Ｃ或いは炭化物も好ましく用いられる。成膜方法としては、例えばマグネトロンスパッタリング法などが挙げられる。前記下地層４上の結晶部分に磁性結晶粒がエピタキシャル成長し、下地層４の粒界部分に前記非磁性体が配するような、１対１の結晶成長をする構造としてもよい。この他にも、光磁気記録で用いられる例えばＴｂＦｅＣｏなどの非晶質材料や、ＣｏとＰｔ、或いはＣｏとＰｄをそれぞれ２ｎｍ以下の薄い膜厚で交互に積層した多層積層膜を用いることも可能である。さらに、前記結晶系と組み合わせた積層構造として用いることも可能である。また、磁気記録層５は、物理的に加工された構造であってもよい。すなわち、例えば、ハードディスクで用いられる円盤形状の記録媒体の場合、周方向のトラック毎に記録層を物理的に分離したディスクリートトラック媒体や、さらにビット方向にも記録層を分断したビットパターン媒体にも、本発明の層構造を適用することができる。
【００２４】
保護層６は、従来使用されている保護膜を用いることができ、例えば、カーボンを主体とする保護膜である。単層ではなく、例えば異なる性質の二層カーボンや、金属膜とカーボン膜、酸化膜とカーボンの積層膜とすることもできる。
以下、本発明の磁気記録媒体の製造方法の実施例について詳細に説明する。なお、これらの実施例は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を好適に説明するための代表例に過ぎず、これらに限定されるものではない。
【実施例】
【００２５】
（実施例１）
実施例１で説明する磁気記録媒体を図１の断面模式図に示す。非磁性基板１として表面が平滑な円盤状のガラス基板を用いる。このガラス基板を洗浄後、スパッタリング装置内に導入し、Ｃｕターゲットを用いてＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ（１３３．３２２Ｐａ）下で放熱層２−１としてＣｕを膜厚３０ｎｍ形成する。引き続いてＣｏ44Ｆｅ39Ｚｒ8Ｎｉ5Ｚｒ4ターゲットを用いてＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ（１３３．３２２Ｐａ）下で、軟磁性裏打ち層３としてＦｅＣｏＺｒＮｉＮｂを膜厚５０ｎｍ形成する。引き続いてＣｕ79Ｃ20Ｃｒ1ターゲットを用いてＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ（１３３．３２２Ｐａ）下で、放熱層２−２としてＣｕＣＣｒを膜厚２０ｎｍ形成し、Ｃｕ／ＣｏＦｅＺｒＮｉＮｂ／ＣｕＣＣｒである放熱層２−１／軟磁性裏打ち層３／放熱層２−２を形成した。
【００２６】
続いて、Ｒｕターゲットを用いＡｒガス圧３０ｍＴｏｒｒ（１３３．３２２Ｐａ）下でＲｕ下地層４を膜厚２０ｎｍで成膜する。その後、（Ｃｏ75Ｐｔ20Ｎｉ5）91（ＴｉＯ2）9ターゲットを用いて、Ａｒガス圧６０ｍＴｏｒｒ（１３３．３２２Ｐａ）にてＣｏＰｔＮｉ−ＴｉＯ2磁性層を１５ｎｍ成膜し、磁気記録層５を形成した。次に、ＣＶＤ法によりカーボンからなる保護層６を膜厚３ｎｍに成膜後、真空装置から取り出した。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層の膜厚２ｎｍをディップ法により形成し、磁気記録媒体とした。なお、スパッタリングにおいては、磁性層の成膜にはパルスＤＣマグネトロンスパッタリング、その他の層はＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて行った。
【００２７】
（実施例２）
実施例２で説明する磁気記録媒体を図２の断面模式図に示す。非磁性基板１上に、放熱層２としてＣｕを膜厚５ｎｍ形成し続いて軟磁性裏打ち層３としてＣｏＦｅＺｒＮｉＮｂを膜厚５ｎｍ形成することを、１０回繰り返し、［Ｃｕ／Ｃｏ44Ｆｅ39Ｚｒ8Ｎｉ5Ｚｒ4］10である放熱層２／軟磁性裏打ち層３の１０回繰り返し層を形成する。前記実施例１におけるＣｕ／ＣｏＦｅＺｒＮｉＮｂ／ＣｕＣＣｒである放熱層２−１／軟磁性裏打ち層３／放熱層２−２の部分のみを、前述の１０回繰り返し層に置き換え、他の層は全て実施例１と同様にして磁気記録媒体とした。
【００２８】
（実施例３）
実施例３で説明する磁気記録媒体を図２の断面模式図に示す。非磁性基板１上に、放熱層２としてＣｕを膜厚１０ｎｍ形成し、続いてｅＣｏＺｒＮｉＮｂを膜厚１０ｎｍ形成することを、５回繰り返し、［Ｃｕ／Ｃｏ44Ｆｅ39Ｚｒ8Ｎｉ5Ｚｒ4］5である放熱層２／軟磁性裏打ち層３の５回繰り返し層を形成する。実施例１におけるＣｕ／ＣｏＦｅＺｒＮｉＮｂ／ＣｕＣＣｒである放熱層２−１／軟磁性裏打ち層３／放熱層２−２の部分のみを、前述の５回繰り返し層に置き換え、他の層は全て実施例１と同様にして磁気記録媒体とした。
【００２９】
（実施例４）
実施例４で説明する磁気記録媒体を図２の断面模式図に示す。非磁性基板１上に、放熱層２としてＣｕを膜厚２５ｎｍ形成し、続いてＦｅＣｏＺｒＮｉＮｂを膜厚２５ｎｍ形成することを、２回繰り返し、［Ｃｕ／Ｃｏ44Ｆｅ39Ｚｒ8Ｎｉ5Ｚｒ4］2である放熱層２／軟磁性裏打ち層３の２回繰り返し層を形成する。実施例１におけるＣｕ／ＣｏＦｅＺｒＮｉＮｂ／ＣｕＣＣｒである放熱層２−１／軟磁性裏打ち層３／放熱層２−２の部分のみを、前述の２回繰り返し層に置き換え、他の層は全て実施例１と同様にして磁気記録媒体とした。
【００３０】
（実施例５）
実施例５で説明する磁気記録媒体を図３の断面模式図に示す。非磁性基板１上に、放熱層２としてＣｕを膜厚２５ｎｍ、軟磁性裏打ち層３としてＣｏ44Ｆｅ39Ｚｒ8Ｎｉ5Ｚｒ4を膜厚２５ｎｍ、放熱層２としてＣｕを膜厚２５ｎｍ、軟磁性裏打ち層３−ＡとしてＣｏ44Ｆｅ39Ｚｒ8Ｎｉ5Ｚｒ4を膜厚１２．５ｎｍ形成する。引き続いてＲｕターゲットを用いＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ（１３３．３２２Ｐａ）下でＲｕ反強磁性結合層７を膜厚０．８ｎｍで形成し、軟磁性裏打ち層３−ＢとしてＦｅ44Ｃｏ38Ｚｒ8Ｎｉ6Ｚｒ4を膜厚１２．５ｎｍ成膜する。実施例１におけるＣｕ／ＣｏＦｅＺｒＮｉＮｂ／ＣｕＣＣｒである放熱層２−１／軟磁性裏打ち層３／放熱層２−２の部分のみを、前述の複数層に置き換え、他の層は全て実施例１と同様にして磁気記録媒体とした。前述の置き換え複数層のうち、放熱層２と軟磁性裏打ち層３の連続層は複数回の繰り返し層としてもよい。
【００３１】
（比較例１）
非磁性基板上に、放熱層としてＣｕを膜厚５０ｎｍ形成し、続いて軟磁性裏打ち層としてＦｅＣｏＺｒＮｉＮｂを膜厚５０ｎｍ形成し、Ｃｕ／Ｃｏ44Ｆｅ39Ｚｒ8Ｎｉ5Ｚｒ4である放熱層／軟磁性裏打ち層を形成する。実施例１におけるＣｕ／ＣｏＦｅＺｒＮｉＮｂ／ＣｕＣＣｒである放熱層２−１／軟磁性裏打ち層３／放熱層２−２の部分のみを、前述の放熱層と軟磁性裏打ち層に置き換え、他の層は全て実施例１と同様にして磁気記録媒体とした。
【００３２】
（比較例２）
非磁性基板上に、放熱層としてＣｕＣＣｒを膜厚５０ｎｍ形成し、続いて軟磁性裏打ち層としてＦｅＣｏＺｒＮｉＮｂを膜厚５０ｎｍ形成し、Ｃｕ79Ｃ20Ｃｒ1／Ｃｏ44Ｆｅ39Ｚｒ8Ｎｉ5Ｚｒ4である放熱層／軟磁性裏打ち層を形成する。実施例１におけるＣｕ／ＣｏＦｅＺｒＮｉＮｂ／ＣｕＣＣｒである放熱層２−１／軟磁性裏打ち層３／放熱層２−２の部分のみを、前述の放熱層と軟磁性裏打ち層に置き換え、他の層は全て実施例１と同様にして磁気記録媒体とした。
【００３３】
以上の実施例１〜５及び比較例１〜２は、比較を容易にするため、軟磁性裏打ち層と放熱層の膜厚の総和が１００ｎｍかつ、軟磁性裏打ち層膜厚の総和と放熱層膜厚の総和の比率が１：１となるように設定されている。
以下、本実施例１〜５及び比較例１〜１の磁気記録媒体の性能評価結果について説明する。下記表１には、各実施例及び比較例の表面粗さ（Ｒａ）、電磁変換特性（重ね書き（ＯＷ）と信号雑音比（ＳＮＲ））、隣接トラックへの影響（信号減衰割合）の結果をまとめて示す。
【００３４】
【表１】
2010182386.tif 000003
なお、Ｒａの評価にはＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用い、電磁変換特性評価は、レーザースポット加熱機構を搭載したスピンスタンドテスターにて、ＧＭＲヘッドを用いて行った。レーザーパワーは記録層温度２００℃となるように設定し、記録時にレーザーパワーをＯＮし、読み出し時はレーザーパワーＯＦＦで行った。ヘッドは、記録トラック幅１４０ｎｍ、再生トラック幅９０ｎｍのものを用いた。隣接トラックへの影響は、読み出しトラックに隣接する両側のトラックにそれぞれ書き込みを行った後の信号出力減衰割合を評価した。
【００３５】
比較例１、比較例２を比較することにより、放熱層２材料の比較ができる。比較例１は比較例２に比して表面粗さは大きくて悪いが、隣接トラックの出力減衰は小さく優れる。この結果から、比較例１で用いた放熱層（Ｃｕ）は、比較例２で用いた放熱層（ＣｕＣＣｒ）に比して熱伝導性は高いが、結晶成長しやすく表面凹凸が大きいことを示している。なお、比較例１、２間の表面凹凸の差を反映し、Ｒａが低い比較例２の方がＳＮＲ（信号雑音比）は高くて良い。
【００３６】
この事実を踏まえて、実施例１と比較例１及２と比較する。放熱層２を二層に分けた実施例１では、比較例１及び２のそれぞれに対してＲａ（表面粗さ）が大幅に小さく、その結果を反映してＳＮＲは大きく向上している。実施例１の下地層４直下の放熱層のＣｕ、ＣｕＣＣｒが二層に分けられたことにより、それぞれの放熱層２−１、２−２が比較例１、２の膜厚５０ｎｍよりも薄くなった効果が現れている。
【００３７】
ＯＷ（重ね書き）は、磁気スペーシング（軟磁性裏打ち層３の最表面と磁気ヘッドの距離）が比較例１及び２に対して大きくなるためやや劣化している一方、放熱層２が磁気記録層５に近づくことで分熱の分布が抑えられ、隣接トラックへの影響が小さくなっていることがわかる。
総合的に見ると、前記実施例１で説明した図１に示す磁気記録媒体はＳＮＲの増加によるノイズ低減効果が非常に大きく、前述の熱アシスト記録方式に適した磁気記録媒体とすることができる。
【００３８】
次に、実施例２、実施例３、実施例４、比較例１を比較する。Ｒａ（表面粗さ）の大きさは、実施例２＝実施例３＜実施例４＜比較例１であり、ＳＮＲ（信号雑音比）は実施例２、実施例３、実施例４、比較例１の順に高いから低いとなっている。隣接トラックの信号出力減衰も、この順で小さくなっている。ＯＷ（重ね書き）は同程度の値であった。この結果から、放熱層一層当たりの膜厚を低減することにより、表面粗さの増大を抑えて記録層の特性劣化を防ぎつつ、書き込み性能と放熱効果を維持していることがわかる。また、実施例２と実施例３を比較すると、Ｒａが等しいにも関わらず実施例２の方のＳＮＲが高いことから、実施例２では実施例３に比して軟磁性裏打ち層に由来するノイズが小さいことがわかる。以上のことから、前記実施例２、３、４で説明した図２の磁気記録媒体は前述の熱アシスト記録方式に適した磁気記録媒体とすることができる。
【００３９】
続いて、実施例４と実施例５を比較すると、Ｒａ及び隣接トラックへの影響は同等であるが、実施例５の方がＳＮＲに優れている。これは軟磁性裏打ち層のノイズが抑制されているためである。ＯＷはやや悪化しているものの、総合的には隣接トラックへの影響を抑え、ＳＮＲが高いことから、熱アシスト記録方式には適用することができる。以上のことから、前記実施例５で説明した図３の磁気記録媒体は前述の熱アシスト記録方式に適した磁気記録媒体とすることができる。
【００４０】
以上のように、本発明の軟磁性裏打ち層と放熱層の構造を用いれば、厚膜化による表面凹凸の増加・結晶成長を抑え、記録層の微細構造などへの影響を小さくする一方、従来の構成と同等の放熱効果と書き込み性能を維持しつつ、軟磁性裏打ち層に由来するノイズを低減する効果を得ることも可能である。これにより、前述の熱アシスト記録方式に適した磁気記録媒体とすることができ、媒体が提供され、高密度記録が可能となる。
【符号の説明】
【００４１】
１          非磁性基板
２          放熱層
２−１      放熱層
２−２      放熱層
３          軟磁性裏打ち層
３−Ａ      軟磁性裏打ち層
３−Ｂ      軟磁性裏打ち層
４          下地層
５          磁気記録層
６          保護層
７          反強磁性結合層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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