(57)【要約】【課題】多面付け基板の絶縁検査に要する時間を一層短縮する。【解決手段】Ｎ個（この例では、４個）の回路基板１１０ａ〜１１０ｄが面付けされた多面付け基板１００を検査対象として検査するときに、回路基板１１０ａ〜１１０ｄ毎の第１の導体パターンＰおよび第２の導体パターンＰの間の絶縁状態を、Ｎ組（この例では、４組）の検査用プローブを使用して第１の導体パターンＰ同士を互いに同電位（Ｈ電位）にすると共に第２の導体パターンＰ同士を互いに同電位（Ｌ電位）にした状態で各回路基板１１０ａ〜１１０ｄに対して同時に検査する第１の検査処理を各導体パターンＰに対する一対の検査用プローブの接触態様を変更して複数回（この例では、第１〜４５回の計４５回）に亘って実行する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象の複数の回路基板が面付けされた多面付け基板における当該各回路基板に形成されている複数の導体パターンに一対の検査用プローブを接触させると共に、当該一対の検査用プローブのうちの一方を電圧供給部における高電位を出力する高電位出力部に接続し、かつ、当該一対の検査用プローブのうちの他方を電圧供給部における低電位を出力する低電位出力部に接続した状態において、当該一対の検査用プローブを介して前記電圧供給部から検査用電圧を供給して前記各導体パターンのうちの前記一方の検査用プローブを接触させた第１の導体パターンと当該各導体パターンのうちの前記他方の検査用プローブを接触させた第２の導体パターンとの間の電気的パラメータを測定し、当該測定した電気的パラメータに基づいて当該第１の導体パターンおよび当該第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を前記各導体パターンに対する前記一対の検査用プローブの接触態様を変更して複数回に亘って実行することによって当該各導体パターンの間の絶縁状態をそれぞれ検査する絶縁検査方法であって、
Ｎ個（Ｎは、２以上の自然数）の前記回路基板が面付けされた前記多面付け基板を検査対象として検査するときに、前記複数回の検査処理として、当該Ｎ個の回路基板毎の前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を、Ｎ組の前記検査用プローブを使用して当該第１の導体パターン同士を互いに同電位にすると共に当該第２の導体パターン同士を互いに同電位にした状態で当該各回路基板に対して同時に検査する第１の検査処理を前記接触態様を変更して複数回に亘って実行する絶縁検査方法。
【請求項２】
前記第１の検査処理時において前記絶縁状態を不良と検査したときに、前記各回路基板毎に前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する第２の検査処理を実行する請求項１記載の絶縁検査方法。
【請求項３】
検査対象の複数の回路基板が面付けされた多面付け基板における当該各回路基板に形成されている複数の導体パターンに一対の検査用プローブを接触させるプローブ移動機構と、前記一対の検査用プローブを介して当該各導体パターンに検査用電圧を供給する電圧供給部と、前記検査用電圧を供給させた状態において前記各導体パターンのうちの前記電圧供給部における高電位を出力する高電位出力部に接続された前記検査用プローブが接触している第１の導体パターンと当該各導体パターンのうちの当該電圧供給部における低電位を出力する低電位出力部に接続された前記検査用プローブが接触している第２の導体パターンとの間の電気的パラメータを測定して当該測定した電気的パラメータに基づいて当該第１の導体パターンおよび当該第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する検査部とを備え、当該検査部が前記プローブ移動機構を制御して前記各導体パターンに対する前記一対の検査用プローブの接触態様を変更させると共に前記電圧供給部を制御して前記検査用電圧を供給させて複数回の前記検査処理を実行することによって前記各導体パターンの間の絶縁状態をそれぞれ検査する絶縁検査装置であって、
前記検査部は、Ｎ個（Ｎは、２以上の自然数）の前記回路基板が面付けされた前記多面付け基板を検査対象として検査するときに、前記複数回の検査処理として、当該Ｎ個の回路基板毎の前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を、Ｎ組の前記検査用プローブを使用して当該第１の導体パターン同士を互いに同電位にすると共に当該第２の導体パターン同士を互いに同電位にした状態で当該各回路基板に対して同時に検査する第１の検査処理を前記接触態様を変更して複数回に亘って実行する絶縁検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の回路基板が面付けされた多面付け基板における各回路基板に形成されている各導体パターンの間の絶縁状態を検査する絶縁検査方法および絶縁検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の絶縁検査方法に従って検査処理を実行可能に構成された絶縁検査装置として、出願人は、特開２００３−９８２１６号公報において回路基板検査装置を開示している。出願人が開示しているこの回路基板検査装置では、第１Ｘ−Ｙ移動機構および第２Ｘ−Ｙ移動機構（以下、区別しないときには「移動機構」ともいう）に第１検査プローブおよび第２検査プローブ（以下、区別しないときには「検査プローブ」ともいう）がそれぞれ取り付けられると共に、制御装置が両移動機構を制御して載置台上の回路基板に両検査プローブを接触させて電気的に検査する構成が採用されている。具体的には、出願人が開示している回路基板検査装置では、図４に示すように、一例として、回路基板１１０ａ〜１１０ｄの４個（以下、区別しないときには「回路基板１１０」ともいう）が面付けされた多面付け基板１００（図３参照）を検査対象として検査する際に、両検査プローブを導体パターンＰ１〜Ｐ４０（以下区別しないときには「導体パターンＰ」ともいう）に対して順次接触させ、両プローブを接触させた導体パターンＰ，Ｐの間の電気的信号のレベルに基づいて絶縁状態を検査する。なお、図４では、出願人が開示している回路基板検査装置の図示しない検査部における電圧供給部の高電位出力部に接続されている検査プローブを「Ｈ」として図示すると共に、電圧供給部の低電位出力部に接続されている検査プローブを「Ｌ」として図示している。
【０００３】
さらに具体的には、第１回の検査として、一方の検査プローブを多面付け基板１００における回路基板１１０ａの導体パターンＰ１に接触させると共に他方の検査プローブを導体パターンＰ２に接触させた状態において、電圧供給部から両検査プローブを介して導体パターンＰ１，Ｐ２の間に検査用電圧を供給し、その状態において測定した電気的信号のレベルに基づいて導体パターンＰ１，Ｐ２の間の絶縁状態を検査する。次いで、第２回の検査として、一方の検査プローブを導体パターンＰ１に接触させた状態を維持すると共に他方の検査プローブを導体パターンＰ３に接触させて絶縁状態を検査する。続いて、第３回の検査として、一方の検査プローブを導体パターンＰ１に接触させた状態を維持すると共に他方の検査プローブを導体パターンＰ４に接触させて絶縁状態を検査する。また、第４４回の検査として、一方の検査プローブを導体パターンＰ８に接触させると共に他方の検査プローブを導体パターンＰ１０に接触させて絶縁状態を検査した後に、第４５回の検査として、一方の検査プローブを導体パターンＰ９に接触させると共に他方の検査プローブを導体パターンＰ１０に接触させて絶縁状態を検査する。これにより、多面付け基板１００における１枚目の回路基板１１０ａについての検査が完了する。
【０００４】
次いで、第４６回の検査として、一方の検査プローブを回路基板１１０ｂの導体パターンＰ１１に接触させると共に他方の検査プローブを導体パターンＰ１２に接触させて絶縁状態を検査した後に、第４７回の検査として、一方の検査プローブを導体パターンＰ１１に接触させた状態を維持すると共に他方の検査プローブを導体パターンＰ１３に接触させて絶縁状態を検査する。この後、第４８回から第９０回の検査として、上記の回路基板１１０ａに対する第３回から第４５回の検査時と同様の手順で導体パターンＰ１１〜Ｐ２０の相互間の絶縁状態をそれぞれ検査する。これにより、多面付け基板１００における２枚目の回路基板１１０ｂについての検査が完了する。この後、第９１回から第１３５回の検査によって３枚目の回路基板１１０ｃに形成されている導体パターンＰ２１〜Ｐ３０の絶縁状態を検査すると共に、第１３６回から第１８０回の検査によって４枚目の回路基板１１０ｄに形成されている導体パターンＰ３１〜Ｐ４０の絶縁状態を検査する。
【０００５】
このように、出願人が開示している回路基板検査装置では、多面付け基板１００を構成する各回路基板１１０に形成されている各導体パターンＰに対する両検査プローブの接触態様を変更して複数回に亘って絶縁状態を検査し、回路基板１１０上のすべての導体パターンＰの絶縁状態が良好であったときには、その回路基板１１０を良品と検査する。この場合、出願人が開示している回路基板検査装置において各回路基板１１０に対して実施される上記の検査方法は、「総当たりスキャン検査」として、下記の非特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００３−９８２１６号公報（第５−８頁、第１図）
【非特許文献１】編集委員長  原靖彦、「高密度実装における検査技術・装置ハンドブック」、社団法人国際都市コミュニケーションセンター編集事務局、２００１年９月１日、ｐ．８７−８８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、出願人が開示している回路基板検査装置には、以下の改善すべき課題がある。すなわち、出願人が開示している回路基板検査装置では、各導体パターンＰに対する一対の検査プローブの接触態様を変更して複数回に亘って導体パターンＰ，Ｐ間の絶縁状態を検査することによって各回路基板１１０の良否を検査している。この場合、この検査方法では、各回路基板１１０内のＭ個の導体パターンがすべて良好であると検査するのに必要な（検査対象の多面付け基板が良品であると検査するのに必要な）検査回数Ｃが、「Ｃ＝Ｍ（Ｍ−１）／２」との式によって表される。したがって、「Ｍ＝１０」の上記の回路基板１１０に形成されているすべての導体パターンＰの絶縁状態を検査するためには、検査回数Ｃ＝１０（１０−１）／２＝４５回の検査が必要となっている。また、上記の多面付け基板１００では、回路基板１１０ａ〜１１０ｄの４個が面付けされているため、１枚の多面付け基板１００に形成されているすべての導体パターンＰの絶縁状態を検査するためには、４５×４＝１８０回の検査が必要となっている。このため、多面付け基板を構成する各回路基板上に形成される導体パターンＰの数が徐々に増加する傾向がある今日、多面付け基板の１枚当りに要する検査時間の一層の短縮を図りたいとの要求があり、この点を改善するのが好ましい。
【０００７】
本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、多面付け基板の絶縁検査に要する時間を短縮し得る絶縁検査方法および絶縁検査装置を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく請求項１記載の絶縁検査方法は、検査対象の複数の回路基板が面付けされた多面付け基板における当該各回路基板に形成されている複数の導体パターンに一対の検査用プローブを接触させると共に、当該一対の検査用プローブのうちの一方を電圧供給部における高電位を出力する高電位出力部に接続し、かつ、当該一対の検査用プローブのうちの他方を電圧供給部における低電位を出力する低電位出力部に接続した状態において、当該一対の検査用プローブを介して前記電圧供給部から検査用電圧を供給して前記各導体パターンのうちの前記一方の検査用プローブを接触させた第１の導体パターンと当該各導体パターンのうちの前記他方の検査用プローブを接触させた第２の導体パターンとの間の電気的パラメータを測定し、当該測定した電気的パラメータに基づいて当該第１の導体パターンおよび当該第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を前記各導体パターンに対する前記一対の検査用プローブの接触態様を変更して複数回に亘って実行することによって当該各導体パターンの間の絶縁状態をそれぞれ検査する絶縁検査方法であって、Ｎ個（Ｎは、２以上の自然数）の前記回路基板が面付けされた前記多面付け基板を検査対象として検査するときに、前記複数回の検査処理として、当該Ｎ個の回路基板毎の前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を、Ｎ組の前記検査用プローブを使用して当該第１の導体パターン同士を互いに同電位にすると共に当該第２の導体パターン同士を互いに同電位にした状態で当該各回路基板に対して同時に検査する第１の検査処理を前記接触態様を変更して複数回に亘って実行する。
【０００９】
請求項２記載の絶縁検査方法は、請求項１記載の絶縁検査方法において、前記第１の検査処理時において前記絶縁状態を不良と検査したときに、前記各回路基板毎に前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する第２の検査処理を実行する。
【００１０】
請求項３記載の絶縁検査装置は、検査対象の複数の回路基板が面付けされた多面付け基板における当該各回路基板に形成されている複数の導体パターンに一対の検査用プローブを接触させるプローブ移動機構と、前記一対の検査用プローブを介して当該各導体パターンに検査用電圧を供給する電圧供給部と、前記検査用電圧を供給させた状態において前記各導体パターンのうちの前記電圧供給部における高電位を出力する高電位出力部に接続された前記検査用プローブが接触している第１の導体パターンと当該各導体パターンのうちの当該電圧供給部における低電位を出力する低電位出力部に接続された前記検査用プローブが接触している第２の導体パターンとの間の電気的パラメータを測定して当該測定した電気的パラメータに基づいて当該第１の導体パターンおよび当該第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する検査部とを備え、当該検査部が前記プローブ移動機構を制御して前記各導体パターンに対する前記一対の検査用プローブの接触態様を変更させると共に前記電圧供給部を制御して前記検査用電圧を供給させて複数回の前記検査処理を実行することによって前記各導体パターンの間の絶縁状態をそれぞれ検査する絶縁検査装置であって、前記検査部が、Ｎ個（Ｎは、２以上の自然数）の前記回路基板が面付けされた前記多面付け基板を検査対象として検査するときに、前記複数回の検査処理として、当該Ｎ個の回路基板毎の前記第１の導体パターンおよび前記第２の導体パターンの間の絶縁状態を、Ｎ組の前記検査用プローブを使用して当該第１の導体パターン同士を互いに同電位にすると共に当該第２の導体パターン同士を互いに同電位にした状態で当該各回路基板に対して同時に検査する第１の検査処理を前記接触態様を変更して複数回に亘って実行する。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１記載の絶縁検査方法および請求項３記載の絶縁検査装置によれば、Ｎ個の回路基板が面付けされた多面付け基板を検査対象として検査するときに、Ｎ個の回路基板毎の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を、Ｎ組の検査用プローブを使用して第１の導体パターン同士を互いに同電位にすると共に第２の導体パターン同士を互いに同電位にした状態で各回路基板に対して同時に検査する第１の検査処理を各導体パターンに対する一対の検査用プローブの接触態様を変更して複数回に亘って実行することにより、第１の検査処理時に各回路基板内の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態をすべての回路基板に対して同時に検査する分だけ、１枚の多面付け基板を検査するのに要する検査処理の回数を十分に低減することができる。したがって、この絶縁検査方法および絶縁検査装置によれば、すべての導体パターンの相互間における絶縁状態の良否を検査しつつ多面付け基板の絶縁検査に要する時間を十分に短縮することができる。
【００１２】
また、請求項２記載の絶縁検査方法によれば、第１の検査処理時において絶縁状態を不良と検査したときに、各回路基板毎に第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する第２の検査処理を実行することにより、多面付け基板の絶縁検査に要する時間を十分に短縮しつつ、絶縁不良の生じている導体パターンを確実に特定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に係る絶縁検査方法および絶縁検査装置の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１４】
最初に、絶縁検査装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００１５】
図１に示す絶縁検査装置１は、本発明に係る絶縁検査装置の一例であって、本発明に係る絶縁検査方法に従って図３に示す多面付け基板（多面取り基板）１００における各回路基板１１０ａ〜１１０ｄの良否を検査可能に構成されている。この場合、多面付け基板１００は、本発明における多面付け基板の一例であって、前述したように、一例として、導体パターンＰ１〜Ｐ１０が形成されている回路基板１１０ａ、導体パターンＰ１１〜Ｐ２０が形成されている回路基板１１０ｂ、導体パターンＰ２１〜Ｐ３０が形成されている回路基板１１０ｃ、および導体パターンＰ３１〜Ｐ４０が形成されている回路基板１１０ｄの４個（本発明における「Ｎ」が「４」の例：以下、区別しないときには「回路基板１１０」ともいう）が面付けされている。なお、同図では、本発明についての理解を容易とするために、多面付け基板１００の一方の面側だけを図示すると共に、導体パターンＰ１〜Ｐ４０（以下、区別しないときには「導体パターンＰ」ともいう）について、各回路基板１１０内において隣り合う各導体パターンＰ，Ｐの間隔を等間隔で図示している。一方、図１に示すように、絶縁検査装置１は、プローブ機構２、接続切替部３、電圧供給部４、測定部５、操作部６、表示部７、制御部８および記憶部９を備えている。
【００１６】
プローブ機構２は、移動機構１１Ｈ１〜１１Ｈ４，１１Ｌ１〜１１Ｌ４（以下、区別しないときには「移動機構１１」ともいう）と、検査用プローブ１２Ｈ１〜１２Ｈ４，１２Ｌ１〜１２Ｌ４（本発明における「Ｎ組」が「４組」の例：以下、区別しないときには「検査用プローブ１２」ともいう）とを備えている。各移動機構１１は、制御部８からの制御信号Ｓ２に従って各検査用プローブ１２を多面付け基板１００における各回路基板１１０上の各導体パターンＰ（各検査ポイント）に対して接触させる。また、各検査用プローブ１２は、一例としてピン状の伸縮型プローブで構成されている。この場合、この例では、検査用プローブ１２Ｈ１〜１２Ｈ４（以下、これらを総称して「検査用プローブ１２Ｈ」ともいう）が本発明における「一方の検査用プローブ」に相当し、接続切替部３によって電圧供給部４における高電位（以下、「Ｈ電位」ともいう）を出力する高電位出力部４Ｈに接続されている。また、この例では、検査用プローブ１２Ｌ１〜１２Ｌ４（以下、これらを総称して「検査用プローブ１２Ｌ」ともいう）が本発明における「他方の検査用プローブ」に相当し、電圧供給部４における低電位（一例として、接地電位：以下、「Ｌ電位」ともいう）を出力する低電位出力部４Ｌに接続されている。接続切替部３は、制御部８からの制御信号Ｓ１に従って、上記の各検査用プローブ１２を電圧供給部４の高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌのいずれかに接続する。
【００１７】
電圧供給部４は、本発明における電圧供給部の一例であって、制御部８からの制御信号Ｓ３に従って図示しない定電圧源から上記の高電位出力部４Ｈ（Ｈ電位）および低電位出力部４Ｌ（Ｌ電位）の間に検査用電圧（直流定電圧）Ｖを印加することにより、上記の各検査用プローブ１２を介して各回路基板１１０における各導体パターンＰに検査用電圧Ｖを供給する。測定部５は、電圧測定部５ａおよび電流測定部５ｂを備えて、制御部８および接続切替部３と相俟って本発明における検査部を構成する。電圧測定部５ａは、電圧供給部４からの検査用電圧Ｖの供給によって生じる各導体パターンＰ，Ｐ（検査用プローブ１２Ｈが接続された導体パターンＰ、および検査用プローブ１２Ｌが接続された導体パターンＰ）の間の電圧（電位差：本発明における電気的パラメータの一例）を検出して、その電圧値を示す測定データＤｖを制御部８に出力する。電流測定部５ｂは、電圧供給部４からの検査用電圧Ｖの供給によって上記の導体パターンＰ，Ｐ間を導通する電流を検出して、その電流値（本発明における電気的パラメータの他の一例）を示す測定データＤｉを制御部８に出力する。操作部６は、電源スイッチや検査開始スイッチ等の各種のスイッチを備えて構成されて、各スイッチの操作に対応する操作信号を出力する。表示部７は、制御部８の制御に従って検査結果等の各種の画像を表示する。
【００１８】
制御部８は、絶縁検査装置１を総括的に制御する。具体的には、制御部８は、操作部６から出力される操作信号に従って絶縁検査処理を実行することにより、多面付け基板１００上（各回路基板１１０上）の導体パターンＰ，Ｐ間の絶縁状態を検査する。より具体的には、制御部８は、後述するようにして、記憶部９に記憶されている検査手順データＤｔに従って接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌと各検査用プローブ１２との接続を切り替えさせる。また、制御部８は、プローブ機構２の各移動機構１１に制御信号Ｓ２を出力することによって各検査用プローブ１２を多面付け基板１００における各回路基板１１０上の各導体パターンＰにそれぞれ接触させると共に、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって各検査用プローブ１２を介して導体パターンＰ，Ｐの間に検査用電圧Ｖを供給させる。さらに、制御部８は、測定部５を制御して測定処理を実行させる。また、制御部８は、電圧測定部５ａから出力される測定データＤｖおよび電流測定部５ｂから出力される測定データＤｉに基づいて導体パターンＰ，Ｐの間の抵抗値を演算すると共に、その演算結果と記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｃ（基準抵抗値）とを比較して各回路基板１１０の良否（各導体パターンＰ，Ｐの間の絶縁状態）を検査する。
【００１９】
記憶部９は、上記の検査手順データＤｔや検査用基準データＤｃなどを記憶する。この場合、この絶縁検査装置１では、上記の検査手順データＤｔは、図２に示すように、多面付け基板１００上の導体パターンＰ１〜Ｐ４０のすべてを各回路基板１１０毎にグループ分けして、本発明における第１の検査処理を実行するためのデータで構成されている。具体的には、検査手順データＤｔとしては、多面付け基板１００に対する複数回の検査処理時に各導体パターンＰをどのようにグループ分けして検査するか（各導体パターンＰがいずれの回路基板１１０上の導体パターンＰであるか）を特定可能なデータと、検査用プローブ１２Ｈ，１２Ｌをいずれの導体パターンＰに接触させるか（各検査処理時に一対の導体パターンＰ，ＰをＨ電位およびＬ電位のいずれの電位と同電位とするか）を特定可能なデータとで構成されている。なお、図２では、検査用プローブ１２Ｈを「Ｈ」として図示すると共に、検査用プローブ１２Ｌを「Ｌ」として図示している。この場合、この絶縁検査装置１では、後述するようにして、本発明における第１の検査処理時において、出願人が開示している回路基板検査装置において各回路基板１１０に対して順次実行していた検査方法（総当たりスキャン検査）を各回路基板１１０に対して同時に実行して各回路基板１１０内の各導体パターンＰ間の絶縁状態を検査する。
【００２０】
次に、絶縁検査装置１を用いて多面付け基板１００における各回路基板１１０の良否（各回路基板１１０上の導体パターンＰの絶縁状態）を検査する絶縁検査方法およびその際の絶縁検査装置１の動作について、図面を参照して説明する。
【００２１】
まず、検査対象の多面付け基板１００を図外の基板保持部に保持させた後に、操作部６を操作して検査開始を指示する。この際には、制御部８が、操作部６から出力された操作信号に従って、絶縁検査処理を開始する。この絶縁検査処理では、制御部８は、まず、接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、各検査用プローブ１２Ｈを電圧供給部４の高電位出力部４Ｈ（Ｈ電位）に共通的に接続させると共に、各検査用プローブ１２Ｌを電圧供給部４の低電位出力部４Ｌ（Ｌ電位）に共通的に接続させる。この場合、この絶縁検査装置１では、各検査用プローブ１２Ｈ，１２Ｌを電圧供給部４の高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌに対して共通的に接続して１つの測定部５によって以下の測定処理を実行する構成を採用している。したがって、例えば、検査用プローブ１２Ｈ１，１２Ｌ１用の電圧供給部４および測定部５と、検査用プローブ１２Ｈ２，１２Ｌ２用の電圧供給部４および測定部５と、検査用プローブ１２Ｈ３，１２Ｌ３用の電圧供給部４および測定部５と、検査用プローブ１２Ｈ４，１２Ｌ４用の電圧供給部４および測定部５とをそれぞれ用意して各回路基板１１０毎の導体パターンＰ，Ｐ間の絶縁検査を並行して実行する構成と比較して、絶縁検査装置１の製造コストを十分に低減することが可能となっている。
【００２２】
次いで、制御部８は、記憶部９に記憶されている検査手順データＤｔに従い、図２に示すように、多面付け基板１００に対する第１回の検査処理として、移動機構１１Ｈ１，１１Ｌ１を制御して回路基板１１０ａに形成されている導体パターンＰ１，Ｐ２に検査用プローブ１２Ｈ１，１２Ｌ１を接触させ、移動機構１１Ｈ２，１１Ｌ２を制御して回路基板１１０ｂに形成されている導体パターンＰ１１，Ｐ１２に検査用プローブ１２Ｈ２，１２Ｌ２を接触させ、移動機構１１Ｈ３，１１Ｌ３を制御して回路基板１１０ｃに形成されている導体パターンＰ２１，Ｐ２２に検査用プローブ１２Ｈ３，１２Ｌ３を接触させ、移動機構１１Ｈ４，１１Ｌ４を制御して回路基板１１０ｄに形成されている導体パターンＰ３１，Ｐ３２に検査用プローブ１２Ｈ４，１２Ｌ４を接触させる。
【００２３】
続いて、制御部８は、各回路基板１１０毎の検査用プローブ１２Ｈを接触させた導体パターンＰ（本発明における第１の導体パターン）と検査用プローブ１２Ｌを接触させた導体パターンＰ（本発明における第２の導体パターン）との間の絶縁状態をすべての回路基板１１０に対して同時に検査する検査処理（本発明における第１の検査処理）を実行する。具体的には、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって検査用電圧Ｖの供給を開始させる。この際に、測定部５では、電圧測定部５ａが、上記の第１の導体パターンと第２の導体パターンとの間の電位差を測定して測定データＤｖを出力すると共に、電流測定部５ｂが、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間を導通する電流の電流値を測定して測定データＤｉを出力する。
【００２４】
また、制御部８は、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算する。さらに、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力して検査用電圧Ｖの供給を停止させると共に、演算した絶縁抵抗値と、記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｃ（基準抵抗値）とを比較して、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各回路基板１１０に対して同時に検査する。この際に、演算した絶縁抵抗値が基準抵抗値以上のときには、制御部８は、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態が良好と判定して、その判定結果を記憶部９に記憶させる。一方、演算した絶縁抵抗値が基準抵抗値に満たないときには、制御部８は、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間に絶縁不良が生じていると判定して、その判定結果を記憶部９に記憶させる。これにより、多面付け基板１００に対する第１回の検査処理が完了する。
【００２５】
続いて、制御部８は、多面付け基板１００に対する第２回の検査処理として、移動機構１１Ｈ１〜１１Ｈ４を制御して検査用プローブ１２Ｈ１〜１２Ｈ４を導体パターンＰ１，Ｐ１１，Ｐ２１，Ｐ３１に接触させた状態を維持させると共に、移動機構１１Ｌ１〜１１Ｌ４を制御して検査用プローブ１２Ｌ１〜１２Ｌ４を導体パターンＰ３，Ｐ１３，Ｐ２３，Ｐ３３にそれぞれ接触させる。次いで、制御部８は、電圧供給部４を制御して検査用電圧Ｖの供給を開始させ、これに応じて、測定部５が上記したように測定データＤｖ，Ｄｉを出力する。また、制御部８は、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算する。また、制御部８は、演算結果と検査用基準データＤｃとを比較して、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各回路基板１１０に対して同時に検査して検査結果（判定結果）を記憶部９に記憶させる。これにより、多面付け基板１００に対する第２回の検査処理が完了する。
【００２６】
次いで、制御部８は、多面付け基板１００に対する第３回〜第９回までの各検査処理として、移動機構１１Ｈ１〜１１Ｈ４を制御して検査用プローブ１２Ｈ１〜１２Ｈ４を導体パターンＰ１，Ｐ１１，Ｐ２１，Ｐ３１に接触させた状態を維持させると共に、移動機構１１Ｌ１〜１１Ｌ４を制御して検査用プローブ１２Ｌ１〜１２Ｌ４を接触させる導体パターンＰを導体パターンＰ４，Ｐ１４，Ｐ２４，Ｐ３４から導体パターンＰ１０，Ｐ２０，Ｐ３０，Ｐ４０に向かってそれぞれ１つずつ順に変更させる。また、制御部８は、上記の第１回および第２回の両検査処理時と同様にして、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各回路基板１１０に対して同時に検査して検査結果（判定結果）を記憶部９に記憶させる。さらに、制御部８は、多面付け基板１００に対する第１０回〜第１７回までの各検査処理時には、移動機構１１Ｈ１〜１１Ｈ４を制御して検査用プローブ１２Ｈ１〜１２Ｈ４を導体パターンＰ２，Ｐ１２，Ｐ２２，Ｐ３２に接触させてその状態を維持させると共に、移動機構１１Ｌ１〜１１Ｌ４を制御して検査用プローブ１２Ｌ１〜１２Ｌ４を接触させる導体パターンＰを導体パターンＰ３，Ｐ１３，Ｐ２３，Ｐ３３から導体パターンＰ１０，Ｐ２０，Ｐ３０，Ｐ４０に向かってそれぞれ１つずつ順に変更させ、その都度、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各回路基板１１０に対して同時に検査して検査結果（判定結果）を記憶部９に記憶させる。
【００２７】
この後、制御部８は、多面付け基板１００に対する第１８回〜第４５回までの各検査処理として、各検査用プローブ１２Ｈ，１２Ｌを接触させる導体パターンＰを検査手順データＤｔに従って変更させて（各導体パターンＰに対する検査用プローブ１２Ｈ，１２Ｌの接触態様を変更させて）、その都度、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を各回路基板１１０に対して同時に検査して検査結果（判定結果）を記憶部９に記憶させる。これにより、多面付け基板１００に対する４５回の第１の検査処理が完了し、この第４５回の第１の検査処理の完了時点において、各回路基板１１０を構成する回路基板１１０ａ〜１１０ｄのすべてについて、導体パターンＰ，Ｐの間に絶縁不良が生じているか否かの検査が完了する。したがって、４５回の検査処理のすべてにおいて、絶縁状態が良好であったときには、制御部８は、その多面付け基板１００を良品の多面付け基板１００と判定して、一連の検査処理を終了する。
【００２８】
この場合、１枚の多面付け基板に対する第１の検査処理の処理回数（検査回数）Ｃは、前述したように、各回路基板１１０に形成されている導体パターンＰの数を「Ｍ」としたときに、「Ｃ＝Ｍ（Ｍ−１）／２」との式によって表される。したがって、回路基板１１０に形成されている導体パターンＰの数が１０（すなわち、「Ｍ＝１０」）のこの例では、各回路基板１１０毎のすべての導体パターンＰの絶縁状態を検査するためには、上記したように、検査回数Ｃ＝１０（１０−１）／２＝４５回の検査（第１の検査処理）が必要となっている。また、出願人が開示している回路基板検査装置による検査方法では、前述したように、各回路基板１１０に対して上記の４５回の検査処理を順次実行するため、１枚の多面付け基板１００の良否を検査するのに要する検査処理の回数は、上記の４５回に、多面付け基板１００を構成している回路基板１１０の数（この例では、「４」）を乗じた１８０回となっている。これに対して、この絶縁検査装置１による絶縁検査方法では、上記したように、各回路基板１１０に対する４５回の第１の検査処理を各回路基板１１０に対して同時に実行しているため、１枚の多面付け基板１００が良品であると検査するのに要する検査処理の回数が４５回（出願人が開示している回路基板検査装置による検査方法の回数に対して１／４）となっている。
【００２９】
一方、この絶縁検査装置１では、上記の４５回の第１の検査処理時のいずれかにおいて絶縁状態を不良と検査したときには、各回路基板１１０毎に上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する検査処理（本発明における第２の検査処理）を実行する。
【００３０】
具体的には、例えば第４４回の検査処理時に絶縁不良が生じていると検査したときには、制御部８は、一例として、まず、上記の回路基板１１０ａに対する第２の検査処理を実行する。より具体的には、制御部８は、移動機構１１Ｈ１，１１Ｌ１を制御して検査用プローブ１２Ｈ１，１２Ｌ１を導体パターンＰ８（本発明における第１の導体パターン）および導体パターンＰ１０（本発明における第２の導体パターン）にそれぞれ接触させた状態において、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する。この際に、絶縁状態が良好と検査したときには、制御部８は、回路基板１１０ｂに対する第２の検査処理を実行する。具体的には、移動機構１１Ｈ２，１１Ｌ２を制御して検査用プローブ１２Ｈ２，１２Ｌ２を導体パターンＰ１８（本発明における第１の導体パターン）および導体パターンＰ２０（本発明における第２の導体パターン）にそれぞれ接触させた状態において、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する。
【００３１】
この際に、絶縁不良が生じていると検査したときには、制御部８は、導体パターンＰ１８，Ｐ２０の間に絶縁不良が生じている（回路基板１１０ｂが不良である）との検査結果（判定結果）を記憶部９に記憶させた後に、回路基板１１０ｃ，１１０ｄに対する第２の検査処理をそれぞれ実行し、導体パターンＰ２８，Ｐ３０の間の絶縁状態、および導体パターンＰ３８，Ｐ４０の間の絶縁状態をそれぞれ検査して検査結果（判定結果：一例として、良好との検査結果）を記憶部９に記憶させる。この後、制御部８は、導体パターンＰ１８，Ｐ２０の間に絶縁不良が生じた不良の多面付け基板１００として、この多面付け基板１００についての一連の検査処理を終了する。なお、この例では、多面付け基板１００についての第２の検査処理を４回に亘って実行しているため、多面付け基板１００を構成する各回路基板１１０のうちのいずれの導体パターンＰ，Ｐの間に不良が生じているかを特定するのに要した検査回数が４９回となっている。
【００３２】
このように、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、Ｎ個（この例では、Ｎ＝４個）の回路基板１１０ａ〜１１０ｄが面付けされた多面付け基板１００を検査対象として検査するときに、各回路基板１１０毎の本発明における第１の導体パターン（検査用プローブ１２Ｈが接触している導体パターンＰ）および本発明における第２の導体パターン（検査用プローブ１２Ｌが接触している導体パターンＰ）の間の絶縁状態を、Ｎ組（この例では、Ｎ＝４組）の検査用プローブ１２Ｈ，１２Ｌを使用して第１の導体パターン同士を互いに同電位（この例では、Ｈ電位）にすると共に第２の導体パターン同士を互いに同電位（この例では、Ｌ電位）にした状態で各回路基板１１０に対して同時に検査する検査処理（第１の検査処理）を各導体パターンＰに対する各検査用プローブ１２Ｈ，１２Ｌの接触態様を変更して複数回に亘って実行することにより、第１の検査処理時に各回路基板１１０内の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態をすべての回路基板１１０に対して同時に検査する分だけ、１枚の多面付け基板１００を検査するのに要する検査処理の回数を十分に低減することができる。したがって、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、すべての導体パターンＰ１〜Ｐ４０の相互間における絶縁状態の良否を検査しつつ多面付け基板１００の絶縁検査に要する時間を十分に短縮することができる。
【００３３】
また、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、本発明における第１の検査処理時において絶縁状態を不良と検査したときに、各回路基板１１０毎に本発明における第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を個別的に検査する検査処理（第２の検査処理）を実行することにより、多面付け基板１００の絶縁検査に要する時間を十分に短縮しつつ、絶縁不良の生じている導体パターンＰ，Ｐを確実に特定することができる。
【００３４】
なお、本発明は、上記の構成に限定されない。例えば、４個の回路基板１１０ａ〜１１０ｄが面付けされた多面付け基板１００を検査対象として検査する例について説明したが、検査対象の多面付け基板を構成する回路基板の数（本発明における「Ｎ」）は「４」に限定されず、「２」、「３」または「５以上」の個数の回路基板が面付けされた多面付け基板（図示せず）を検査対象として検査することができる。また、本発明における第１の検査処理において絶縁状態を不良と検査したときに、本発明における第２の検査処理を実行することなく、例えば第１の検査処理を完了した時点において、多面付け基板を不良として一連の検査処理を終了する方法および構成や、第１の検査処理時に不良と検査した時点において、他のすべての検査処理を実行することなく、多面付け基板を不良として一連の検査処理を終了する方法および構成を採用することができる。このような方法および構成を採用することにより、不良の多面付け基板についての検査時間を一層短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】絶縁検査装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】絶縁検査装置１による多面付け基板１００の絶縁検査方法について説明するための説明図である。
【図３】多面付け基板１００（回路基板１１０ａ〜１１０ｄ）の平面図である。
【図４】多面付け基板１００を検査対象とする従来の絶縁検査方法について説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００３６】
１  絶縁検査装置
２  プローブ機構
３  接続切替部
４  電圧供給部
４Ｈ  高電位出力部
４Ｌ  低電位出力部
５  測定部
８  制御部
１１Ｈ１〜１１Ｈ４，１１Ｌ１〜１１Ｌ４  移動機構
１２Ｈ１〜１２Ｈ４，１２Ｌ１〜１２Ｌ４  検査用プローブ
１００  多面付け基板
１１０ａ〜１１０ｄ  回路基板
Ｄｔ  検査手順データ
Ｐ１〜Ｐ４０  導体パターン
Ｓ１〜Ｓ３  制御信号
Ｖ  検査用電圧
【図１】
2010133819.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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