(57)【要約】【課題】映像信号線とコモン電極間が異物によってショートした場合に、レーザカットによってショートを開放する際の成功率を向上させる。【解決手段】映像信号線２００に沿って、コモン電極１０８と画素電極１１０が存在している。コモン電極１０８が映像信号線２００に近いので、コモン電極１０８と映像信号線２００との間に異物２０等が存在すると、コモン電極１０８と映像信号線２００との間がショートする。異物２０をレーザカット３０によって除去する際、金属で形成された映像信号線２００の一部が蒸発するが、その際の金属の残渣が、コモン電極１０８と映像信号線２００を再びショートすることを防止するために、コモン電極１０８に切り欠き１０を形成し、切り欠き１０をレーザカット３０の始点および終点とする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在し、第２の方向に特定ピッチで配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に特定ピッチで配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素が形成されたＴＦＴ基板を有する液晶表示装置であって、
前記画素内にはコモン電圧が印加されるコモン電極と映像信号が印加される画素電極が形成され、前記コモン電極と前記映像信号線との距離は前記画素電極と前記映像信号線との距離よりも小さく、前記コモン電極の前記映像信号線と対向する辺には、切り欠きが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記切り欠きは、前記コモン電極の前記映像信号線と対向する辺に、複数形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記切り欠きの形状は３角形であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記切り欠きの形状は矩形であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記コモン電極は絶縁膜を介して前記画素電極よりも下層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
第１の方向に延在し、第２の方向に特定ピッチで配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に特定ピッチで配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素が形成されたＴＦＴ基板を有する液晶表示装置であって、
前記画素内にはコモン電圧が印加されるコモン電極と映像信号が印加される画素電極が形成され、前記コモン電極と前記映像信号線との距離は前記画素電極と前記映像信号線との距離よりも小さく、前記画素電極には複数のスリットが形成され、前記コモン電極の前記映像信号線と対向する辺には、切り欠きが形成されており、
前記コモン電極に形成された前記切り欠きは、前記画素電極に形成された前記複数のスリットが存在しない部分に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記切り欠きは、前記コモン電極の前記映像信号線と対向する辺に、複数形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記コモン電極の前記映像信号線と対向する辺の中央に、前記切り欠きが形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
第１の方向に延在し、第２の方向に特定ピッチで配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に特定ピッチで配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向して、コモン電極が形成された対向基板とを有する液晶表示装置であって、
前記画素内には画素電極が形成され、前記画素電極の前記映像信号線と対向する辺には切り欠きが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
前記画素電極の前記映像信号線と対向する辺には複数の切り欠きが形成されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に工程において、配線等のショート不良が発生した場合の、修復を可能とする液晶表示装置の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、ＴＶ等の大型表示装置から、携帯電話やＤＳＣ（Digital Still Camera）等、色々な分野で用途が広がっている。
【０００３】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００４】
各画素は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を介して映像信号線から映像信号が供給される。また、ＴＦＴのＯＮ、ＯＦＦは走査線から走査信号を供給することによって行われる。ＴＦＴが不良となると、対応する画素も不良となり、画面欠陥となる。画面欠陥が一定数を超えると液晶表示パネル自体が不良となる。
【０００５】
したがって、たとえ、ＴＦＴが不良となってもなんらかの方法でこれを補償する手段が存在すれば、液晶表示パネルの製造歩留まりが向上し、ひいては液晶表示装置のコストを削減することが出来る。液晶表示装置を高輝度化しようとすると、バターン間の間隔を小さくする必要がある。パターン間の間隔が小さくなると、配線間のショート不良が増大する。
【０００６】
「特許文献１」には、画素電極を複数の領域に分け、画素電極に不具合が生じた場合に、画素電極のうちの不具合が生じた部分を他の領域から切り離して、画素の欠陥を最小限に抑える構成が記載されている。また、画素電極において、複数の領域に分けられた領域間には、幅の狭い部分を設け、レーザによるカットを容易とする構成が記載されている。
【０００７】
「特許文献２」には、画素電極への映像信号の供給のためのスイッチングを行う薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に不良が生じた場合、画素電極を複数の領域に分割して欠陥の影響を最小限に抑える構成が記載されている。「特許文献２」では、画素電極の複数の部分にくびれを設け、レーザによる切断を容易にする構成が記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２１０８７号公報
【特許文献２】特開２０００−３３８５１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
「特許文献１」および「特許文献２」に記載の技術では、画素欠陥を目立たなくするために、レーザによって画素電極を複数の領域に分断する技術が記載されている。画素電極には透明導電膜であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）が使用されている。ＩＴＯはレーザを照射すると、比較的蒸発しやすい。
【００１０】
配線あるいは導電膜のショートは例えば、映像信号線等の金属による配線と画素電極あるいはコモン電極等のＩＴＯ膜との間のショートも多い。なお、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）方式や、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式では、コモン電極は対向基板に形成されているが、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式では、コモン電極もＴＦＴ基板に形成され、かつ、映像信号線との距離は画素電極よりもコモン電極のほうが小さい。
【００１１】
例えば、ＩＰＳ方式において、金属で形成されている映像信号線とＩＴＯで形成されているコモン電極の間に異物が存在して、ショートが発生した場合、レーザを照射することによってショート部分をカットすることが行われる。以後これをレーザカットという。この部分におけるレーザカットは、ＩＴＯの蒸発と、映像信号線の蒸発を行わなければならない。
【００１２】
コモン電極を構成するＩＴＯは比較的蒸発しやすいが、映像信号線を構成するＡｌ等の金属膜は蒸発しにくく、レーザ照射によって形成されたホールの壁等に付着しやすい。そうすると、この付着した金属膜によって新たなショート不良を発生するという問題点がある。
【００１３】
したがって、従来のレーザカットにおいては、十分な歩留まりでレーザカットを行うことができなかった。言い換えると、レーザカットの成功率は、特定の割合にとどまっていた。また、確実にショートを無くそうとすると、金属膜が付着しても問題がない領域まで、広くレーザカットする必要があり、レーザカットによる除去範囲が大きくなるという問題があった。
【００１４】
本発明は以上のような問題点を克服するものであり、レーザカットによるショート部分の修復の成功率の向上と、レーザカットによる除去範囲が大きくなることを防止するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１６】
（１）第１の方向に延在し、第２の方向に特定ピッチで配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に特定ピッチで配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素が形成されたＴＦＴ基板を有する液晶表示装置であって、前記画素内にはコモン電圧が印加されるコモン電極と映像信号が印加される画素電極が形成され、前記コモン電極と前記映像信号線との距離は前記画素電極と前記映像信号線との距離よりも小さく、前記コモン電極の前記映像信号線と対向する辺には、切り欠きが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１７】
（２）前記切り欠きは、前記コモン電極の前記映像信号線と対向する辺に、複数形成されていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１８】
（３）前記切り欠きの形状は３角形であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１９】
（４）前記切り欠きの形状は矩形であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００２０】
（５）前記コモン電極は絶縁膜を介して前記画素電極よりも下層に形成されていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００２１】
（６）第１の方向に延在し、第２の方向に特定ピッチで配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に特定ピッチで配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素が形成されたＴＦＴ基板を有する液晶表示装置であって、前記画素内にはコモン電圧が印加されるコモン電極と映像信号が印加される画素電極が形成され、前記コモン電極と前記映像信号線との距離は前記画素電極と前記映像信号線との距離よりも小さく、前記画素電極には複数のスリットが形成され、前記コモン電極の前記映像信号線と対向する辺には、切り欠きが形成されており、前記コモン電極に形成された前記切り欠きは、前記画素電極に形成された前記複数のスリットが存在しない部分に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００２２】
（７）前記切り欠きは、前記コモン電極の前記映像信号線と対向する辺に、複数形成されていることを特徴とする（６）に記載の液晶表示装置。
【００２３】
（８）前記コモン電極の前記映像信号線と対向する辺の中央に、前記切り欠きが形成されていることを特徴とする（６）に記載の液晶表示装置。
【００２４】
（９）第１の方向に延在し、第２の方向に特定ピッチで配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に特定ピッチで配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向して、コモン電極が形成された対向基板とを有する液晶表示装置であって、前記画素内には画素電極が形成され、前記画素電極の前記映像信号線と対向する辺には切り欠きが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００２５】
（１０）前記画素電極の前記映像信号線と対向する辺には複数の切り欠きが形成されていることを特徴とする（９）に記載の液晶表示装置。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、コモン電極と映像信号線とがショートした場合であって、レーザ照射によるレーザカットによってショート部を開放して欠陥を除去する際、レーザカットに起因する新たなショートを防止することが出来るので、レーザカットによるショート修復の歩留まりを向上させることが出来る。
【００２７】
また、本発明の他の側面によれば、ＴＮ方式あるいはＶＡ方式において、画素電極と映像信号線との間にショートが発生した場合であって、レーザ照射によるレーザカットによってショート部を開放して欠陥を除去する際、レーザカットに起因する新たなショートを防止することが出来るので、レーザカットによるショート修復の歩留まりを向上させることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明は、映像信号線２００等の金属配線と、画素電極１１０あるいはコモン電極１０８等の透明導電膜との間のショート、あるいは、金属配線同士のショート等をレーザカットによって修復する場合の修復を容易に、かつ、歩留まり良く行うことである。以下の説明では、ＩＰＳ方式の液晶表示装置を例にとって説明するが、本発明は、駆動方法によらず、全ての液晶表示装置に適用することが出来る。
【００２９】
ＩＰＳ方式の液晶表示装置は、液晶表示装置の問題点の一つである、視野角特性を改善することが出来る。従来から使用されてきたＴＮ方式の液晶では、画素電極１１０が形成されたＴＦＴ基板１００とコモン電極１０８が形成された対向基板との間に映像信号による電界を印加し、液晶を垂直方向に傾けて液晶層を透過する光の量を制御する。一方、ＩＰＳ方式では、画素電極１１０とコモン電極１０８を同じＴＦＴ基板１００の上に形成し、基板と平行方向の電界によって、液晶分子を基板と平行方向に回転させることによって液晶層を透過する光の量を制御する。
【００３０】
本発明の具体的な実施例を説明する前に、特にＴＦＴ付近における液晶表示装置の断面について、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式を例にとって説明する。図１はＩＰＳ方式のＴＦＴ付近の断面図である。図１において、ガラスで形成されるＴＦＴ基板１００の上に、ゲート電極１０１が形成されている。ゲート電極１０１は走査線３００と同層で形成されている。ゲート電極１０１はＡｌ合金で形成されている。走査線３００と平行してコモン電極１０８にコモン電圧を供給するためのコモン配線１０８１が形成されている。コモン電極１０８にコモン電圧を供給するためである。コモン配線１０８１はゲート配線と同じＡｌ合金で形成されている。
【００３１】
コモン配線１０８１と並列して、コモン電極１０８が画素部全体に、平面状に形成されている。コモン電極１０８は透明電極であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）によって形成されている。後で述べる画素電極１１０に映像信号を印加すると、コモン電極１０８との間に図のような電気力線が発生し、液晶分子４００を回転させて液晶層を透過する光の量を制御する。
【００３２】
ゲート電極１０１、コモン配線１０８１、コモン電極１０８等を覆って、ゲート絶縁膜１０２がＳｉＮによって形成される。ゲート絶縁膜１０２の上に、ゲート電極１０１と対向する位置に半導体層１０３がａ−Ｓｉによって形成されている。ａ−ＳｉはプラズマＣＶＤによって形成される。ａ−ＳｉはＴＦＴのチャネル部を形成するが、チャネル部を挟んでａ−Ｓｉ上にｎ＋Ｓｉ層が形成される。ソース電極１０４およびドレイン電極１０５とオーミックコンタクトを取るためである。ｎ＋Ｓｉ層の上にソース電極１０４とドレイン電極１０５が形成される。
【００３３】
ドレイン電極１０５は映像信号線２００に接続され、ソース電極１０４はスルーホール１１１を介して画素電極１１０と接続される。ソース電極１０４もドレイン電極１０５も同層で同時に形成される。本実施例では、ソース電極１０４あるいはドレイン電極１０５はＡｌ合金で形成される。
【００３４】
ＴＦＴを覆って無機パッシベーション膜１０６がＳｉＮによって形成される。無機パッシベーション膜１０６はＴＦＴの、特にチャネル部を不純物から保護する。無機パッシベーション膜１０６の上には画素電極１１０が形成される。画素電極１１０は先端が閉じた櫛歯状の電極であり、透明導電膜であるＩＴＯによって形成される。画素電極１１０に映像信号を印加すると、図のようにコモン電極１０８との間に電気力線を発生して、液晶分子４００を回転させ、液晶層を透過する光の量を制御する。
【００３５】
無機パッシベーション膜１０６にはスルーホール１１１が形成され、スルーホール１１１内にも画素電極１１０を形成するＩＴＯがスパッタリングによって形成される。これによってＴＦＴのソース電極１０４と画素電極１１０が導通し、映像信号が画素電極１１０に供給される。画素電極１１０の上には配向膜１２０が形成される。配向膜１２０にはラビング処理が施され、液晶分子４００の初期配向を決める。
【００３６】
以下、実施例にしたがって、本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００３７】
図２は本発明の第１の実施例を示す平面図である。図２において、映像信号線２００が縦方向に延在し、走査線３００が横方向に延在している。画素は縦方向に延在し、横方向に一定ピッチで配列した映像信号線２００と横方向に延在し、縦方向に一定ピッチで配列した走査線３００とで囲まれた領域に形成される。図２においては、映像信号線２００および走査線３００の片側だけが表示されている。
【００３８】
走査線３００の上にはＴＦＴが形成されている。すなわち、走査線３００の上に半導体層１０３が形成されている。したがって、ＴＦＴのゲート電極１０１は走査線３００が兼ねている。映像信号線２００から分岐した配線がＴＦＴのドレイン電極１０５を形成している。映像信号線２００と同層で形成されたソース電極１０４が画素電極１１０に延在している。画素電極１１０とソース電極１０４とは、スルーホール１１１によって導通している。
【００３９】
画素電極１１０には、図２では省略されているが、図９に示すようなスリット１１０１が形成されている。画素電極１１０は、先端の閉じた櫛歯電極状となっている。スリット１１０１を通して画素電極１１０から下層に形成されたコモン電極１０８に電気力線が発生し、液晶分子を回転させて液晶層を透過する光を制御する。
【００４０】
画素電極１１０の下層には、無機パッシベーション膜１０６およびゲート絶縁膜１０２を介して平面ベタで形成されたコモン電極１０８が形成されている。コモン電極１０８には図１に示すコモン配線１０８１からコモン電圧が供給されるが、図２ではコモン配線１０８１は省略されている。コモン電極１０８と映像信号線２００との距離は、画素電極１１０と映像信号線２００との距離よりも小さい。コモン電極１０８が映像信号線２００に近いので、コモン電極１０８が映像信号線２００に対するシールド効果を有し、画素電極１１０の電位が映像信号線２００の影響を受けて変動することを防止することが出来る。
【００４１】
コモン電極１０８の映像信号線２００と対向する辺には切り欠き１０が形成されている。映像信号線２００とコモン電極１０８との端部は非常に近いので、この部分に異物２０が存在したり、金属のエッチング残り等が存在したりすると、映像信号線２００とコモン電極１０８とがショートしてしまう。このショートを開放するために、ショート部分にレーザを照射してレーザカットを行う。このときのレーザカットの成功率を上げるために、コモン電極１０８に図２のような切り欠き１０が形成されている。
【００４２】
図３は、図２のＡ−Ａ断面図であり、図２における映像信号線２００を挟んだ断面図である。図３において、ＴＦＴ基板１００の上にコモン電極１０８がＩＴＯによって形成されている。コモン電極１０８と覆ってゲート絶縁膜１０２が形成されている。ゲート絶縁膜１０２の上に映像信号線２００がＡｌ合金によって形成されている。映像信号線２００を覆って無機パッシベーション膜１０６が形成されている。無機パッシベーション膜１０６の上に、画素電極１１０が形成されているが、図３における画素電極１１０は櫛歯電極部分の断面図として記載している。画素電極１１０を覆って配向膜１２０が形成されている。
【００４３】
図３に示すように、コモン電極１０８と映像信号線２００との距離は非常に近い。ただし、通常は、ゲート絶縁膜１０２が存在しているので、コモン電極１０８と映像信号線２００との絶縁は保たれている。しかしながら、図４に示すように、映像信号線２００とコモン電極１０８との間に異物２０が存在したりすると、映像信号線２００とコモン電極１０８との距離が近いので、映像信号線とコモン電極１０８はショートしてしまう。
【００４４】
この場合、このショート不良を解消するために、図４のＬＡで示すように、レーザを照射して、ショートしている部分をカットする。しかしながら、このレーザカットを行うと、異物２０を飛ばすと同時に、画素電極１１０の一部と映像信号線２００の一部が飛ばされる。画素電極１１０はＩＴＯによって形成されているが、ＩＴＯは容易に蒸発して、レーザカット部に残渣として残ることは少ない。これに対して、映像信号線２００を形成しているＡｌ合金等の金属は蒸発はするが、残渣として残り易い。
【００４５】
映像信号線２００を形成するＡｌ合金がレーザカット後に残渣として残ると、その残渣がコモン電極１０８と映像信号線２００との間のショートの原因となり、レーザカットをした効果が得られない場合がある。このような、Ａｌ合金の残渣により映像信号線２００とコモン電極１０８とのショートはレーザ照射の始点あるいは終点において生じやすい。
【００４６】
このような、レーザカットの不良を対策するために、図５に示すような手段がある。図５は、異物２０が映像信号線２００とコモン電極１０８の間に存在して映像信号線２００とコモン電極１０８をショートしていることを示している。そして、この異物２０をレーザカットによって除去してショートを解消しようとするものである。図５において、３０はレーザカットした部分である。
【００４７】
すなわち、図５では、コモン電極１０８の映像信号線２００に対向する辺を全てレーザカット３０によって取り去っている。図５においては、レーザカット３０の始点と終点を映像信号線２００とコモン電極１０８との距離が近くない部分を選定することが出来る。しかし、この場合は、該画素においては、コモン電極１０８が画素電極１１０に対する映像信号線２００に対するシールド効果を持たなくなり、画素電極１１０の電位が映像信号によってゆらぐという問題を生ずる。また、図５のように、画素の長辺に沿ってコモン電極１０８および映像信号線２００の間をカットすると、工程ばらつきによって、レーザによって映像信号線２００を切断してしまうという危険が生ずる。
【００４８】
図６は本発明におけるレーザカットを示す平面図である。図６における３０はレーザカットである。図６において、コモン電極１０８の映像信号線２００に対向する辺には、三角形状の切り欠き１０が形成されている。図６の切り欠き１０と切り欠き１０の間に異物２０が存在して、コモン電極１０８と映像信号線２００とをショートしているとする。図６において、コモン電極１０８の切り欠き１０では、コモン電極１０８と映像信号線２００との距離が大きいので、例え、レーザカット３０において、映像信号線２００を形成するＡｌ合金の残渣が生じたとしても、コモン電極１０８と映像信号線２００とをショートする危険は小さい。したがって、切り欠きを、レーザカットの始点をとする。そして、レーザカット３０の終点はもう一つの切り欠き１０とすることによってレーザカット３０の、始点および終点におけるショートの危険を小さくすることが出来る。
【００４９】
図６において、レーザカット３０の範囲は、切り欠き１０から切り欠き１０の部分である。つまり、コモン電極１０８の映像信号線２００に対するシールド効果が失われるのは、コモン電極１０８の長辺の一部である。したがって、画素電極１１０の電位が映像信号線２００によって影響を受ける程度を限定的とすることが出来る。また、レーザカット３０の範囲も、コモン電極１０８の長辺の一部なので、レーザカットによって映像信号線２００を断線させる危険も小さい。
【００５０】
切り欠き１０の数は、コモン電極１０８の長辺当たり一個でも効果は上げられるが、複数あったほうが効果は大きい。図２、図６等では、切り欠き１０は長辺当たり３個形成されている。切り欠き１０のある部分はコモン電極１０８によるシールド効果が無くなるので、シールド効果とレーザカットの可能性との兼ね合いで、切り欠き１０の数を決めることになる。
【００５１】
以上のように、本発明によれば、映像信号線２００とコモン電極１０８とのショートをレーザカットによって修正するさいの、修正歩留まりを向上させることが出来、かつ、レーザカットによる映像信号線２００の断線の危険も減少させることが出来る。また、本発明によれば、コモン電極１０８による映像信号線２００に対するシールド効果をある程度維持しつつレーザカットによる修正を行うことが出来る。
【実施例２】
【００５２】
実施例１におけるコモン電極１０８に形成する切り欠き１０の形状は３角形である。切り欠き１０の拡大図を図７に示す。図７において、映像信号線２００に沿ってコモン電極１０８と画素電極１１０が延在している。コモン電極１０８が映像信号線２００により近い。コモン電極１０８には３角形状の切り欠き１０が形成されている。
【００５３】
映像信号線２００とコモン電極１０８あるいは画素電極１１０との間には、矢印のように、映像信号による電界が発生している。矢印が双方向となっているのは、映像信号線２００と、コモン電極１０８あるいは画素電極１１０とのいずれが高い電位になるかわからないからである。映像信号線からの電気力線の終点は、コモン電極１０８か画素電極１１０のいずれか映像信号線２００に近いほうである。
【００５４】
図７に示すように、コモン電極１０８に形成された３角形状の切り欠き１０と映像信号線２００との間の電気力線は画素電極１１０の辺に対して斜め方向となっている。このように、画素電極１１０の辺に対して斜め方向となっている電気力線は画素電極１１０上に液晶分子に対して不規則な回転を与える。そうするとこの部分において、光の抜けが生じ、画面が黒表示のときは、輝点を形成して画面欠陥となる場合がある。
【００５５】
本実施例では、コモン電極１０８に形成する切り欠き１０の形状を図８に示すように矩形とすることによって、映像信号線２００と、画素電極１１０あるいはコモン電極１０８との間に発生する電気力線を画素電極１１０の辺と垂直の向きとすることによって、液晶分子の不規則な動きを防止する。
【００５６】
図８において、映像信号線２００に沿ってコモン電極１０８および画素電極１１０が形成されている。コモン電極１０８には、矩形状の切り欠き１０が形成されている。この矩形状の切り欠き１０は、実施例１で説明したレーザカットの始点あるいは終点になる部分である。
【００５７】
レーザカットを行わない状態においても、コモン電極１０８に切り欠き１０が形成された部分は、距離はわずかではあるが、コモン電極１０８のシールド効果はないので、画素電極１１０に映像信号線２００の影響がおよぶことになる。しかし、映像信号線２００からの電気力線は画素電極１１０の辺に垂直な方向なので、液晶分子に対する不規則な回転に起因する輝点を形成することはない。
【００５８】
このように、本実施例における切り欠き１０形状とすれば、切り欠き１０に起因する輝点の発生の可能性を防止することが出来る。
【実施例３】
【００５９】
図９は本発明の第３の実施例を示す平面図である。図９において、映像信号線２００に沿ってコモン電極１０８および画素電極１１０が形成されている。コモン電極１０８には、切り欠き１０が形成されている。画素電極１１０には、スリット１１０１が形成されている。画素電極１１０の下に、無機パッシベーション膜１０６およびゲート絶縁膜１０２を介してコモン電極１０８が形成されている。画素電極１１０からはスリット１１０１を通過して電気力線がコモン電極１０８に向かい、液晶分子を回転させて液晶層を通過する光に量を制御することによって画像を形成する。その他、ＴＦＴが走査線３００の上に形成されている等の構成は図２で説明したのと同様である。
【００６０】
図９に示すように、コモン電極１０８に形成されている切り欠き１０は、画素電極１１０のスリット１１０１とスリット１１０１の間に存在している。画素電極１１０において、スリット１１０１が形成されていない部分は、液晶分子に対する影響が小さい部分なので、切り欠き１０を形成したことによる画像への影響を小さくすることが出来る。
【００６１】
図９において、画素電極１１０に形成されたスリット１１０１の向きは画素の上半分と下半分では逆の向きとなっている。このように、スリット１１０１の向きを傾けるのは、画像に対する視野角の影響をより均一にするためである。図９において、画素の中心付近では、スリット１１０１が形成されていない部分の面積が大きい。したがって、図９のような画素電極１１０の構成の場合は、画素の中心付近に少なくとも一個の切り欠き１０を形成することが有利である。もちろん、切り欠き１０は画素の中央に限る必要はなく、スリット１１０１とスリット１１０１の間であれば、切り欠き１０の画像に対する影響を軽減することが出来る。
【実施例４】
【００６２】
以上の実施例はＩＰＳ方式の液晶表示装置について説明した。本発明は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置のみでなく、他の液晶表示装置、例えば、ＴＮ方式あるいはＶＡ方式等の液晶表示装置においても適用することが出来る。ＴＮ方式あるいはＶＡ方式等がＩＰＳ方式と大きく異なる点は、ＴＮ方式あるいはＶＡ方式等では、コモン電極１０８がＴＦＴ基板１００ではなく、対向基板に形成されている点である。したがって、ＴＮ方式あるいはＶＡ方式等においては、コモン電極１０８と映像信号線２００とのショートは問題にならない。
【００６３】
ＴＮ方式あるいはＶＡ方式等で問題となるのは、映像信号線２００と画素電極１１０の間のショートである。液晶表示パネルにおける透過率を上げて、液晶表示装置の画面の明るさを大きくするには、画素電極１１０の面積を大きくする必要があるが、この場合、画素電極１１０と映像信号線２００との距離が小さくなり、映像信号線２００と画素電極１１０の間のショートが問題となる。
【００６４】
図１０はこの様子を示す、ＴＮ方式あるいはＶＡ方式等の液晶表示装置での、ＴＦＴ基板における断面模式図である。図１０において、ＴＦＴ基板１００上にゲート絶縁膜１０２が形成され、ゲート絶縁膜１０２の上には映像信号線２００が形成されている。映像信号線２００を覆って無機パッシベーション膜が形成され、その上に画素電極１１０が形成されている。画素電極１１０は映像信号線２００によって挟まれた位置に存在している。
【００６５】
光の透過率を上げるためには、画素電極１１０を映像信号線２００にできるだけ近づける必要がある。画素電極１１０と映像信号線２００との間に図１０に示すような異物２０が存在すると、画素電極１１０と映像信号線２００とのショートが生ずる。このショートを開放するために、レーザを照射してレーザカットを行う。映像信号線２００はＡｌ合金等の金属で形成されているために、レーザカット時のＡｌ等の残渣が生じ、この残渣によって画素電極１１０と映像信号線２００とのショートが開放できない場合が生ずることは実施例１において説明したのと同様である。
【００６６】
したがって、本実施例においては、画素電極１１０の映像信号線２００と対向する辺に、切り欠き１０を形成することによって、レーザカットにより、ショートの原因となる異物２０を除去してショートを開放する際の歩留まりを向上させることが出来る。また、切り欠き１０の数は画素電極１１０の映像信号線２００と対向する辺に複数形成することがより効果的であることも実施例１等と同様である。
【００６７】
本実施例においては、画素電極１１０の映像信号線２００との対向する辺に、実施例１あるいは実施例２で示したような切り欠き１０を形成することによって、レーザカットによる画素電極１１０と映像信号線２００との開放の成功率を上げることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】ＩＰＳ方式の液晶表示装置の断面図である。
【図２】実施例１の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】異物が存在する場合の図２のＡ−Ａ断面図である。
【図５】本発明を使用しない場合の修正プロセスを示す平面図である。
【図６】実施例１での修正プロセスを示す平面図である。
【図７】切り欠き部分の詳細図である。
【図８】実施例２の切り欠き部分の詳細図である。
【図９】実施例３の平面図である。
【図１０】ＴＮ方式またはＶＡ方式における画素電極と映像信号線とのショートの状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０…切り欠き、  ２０…異物、  ３０…レーザカット、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…ゲート電極、  １０２…ゲート絶縁膜、  １０３…半導体層、  １０４…ソース電極、  １０５…ドレイン電極、  １０６…無機パッシベーション膜、  １０８…コモン電極、  １１０…画素電極、  １１１…スルーホール、  １２０…配向膜、  ２００…映像信号線、  ３００…走査線、  ４００…液晶分子、  １０８１…コモン配線、  １１０１…スリット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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