(57)【要約】【課題】電子輸送層への電子の注入量を増大できる有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、発光層ＥＭＴと、正孔輸送層ＨＴと、電子輸送層ＥＴと、電子注入層ＥＩとを有している。電子注入層ＥＩは、陰極及び電子輸送層ＥＴ間に配置され、リチウムと、リチウムイオンを移動させる物質とを含んでいる。【選択図】      図３
2010153647.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前記陽極及び陰極間に配置され、光を放出する発光層と、
前記陽極及び発光層間に配置され、前記発光層に正孔を輸送する正孔輸送層と、
前記陰極及び発光層間に配置され、前記発光層に電子を輸送する電子輸送層と、
前記陰極及び電子輸送層間に配置され、リチウムと、リチウムイオンを移動させる物質と、を含んだ電子注入層と、を備えている有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記陽極及び陰極間に配置され、光を放出する発光層と、
前記陽極及び発光層間に配置され、前記発光層に正孔を輸送する正孔輸送層と、
前記陰極及び発光層間に配置され、前記発光層に電子を輸送する電子輸送層と、
前記陰極及び電子輸送層間に配置され、リチウムと、リチウムイオンを捕捉し前記リチウムイオンに対する親和性が前記電子輸送層より弱い物質と、を含み、前記陰極側より前記電子輸送層側の方がリチウムイオン濃度の高い電子注入層と、を備えている有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記リチウムイオンを移動させる物質は、大環状ポリアミン化合物又は大環状ポリエーテル化合物である請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記大環状ポリアミン化合物は、Cyclen 5、Cyclam 6、porphyrin、Gly-Gly-His又はspermineである請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記大環状ポリエーテル化合物は、12-Crown-4、15-Crown-5又は18-Crown-6である請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記電子注入層は、フッ化リチウム又は酸化リチウムを主成分とする材料で形成されている請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置として、有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置等が用いられている。有機ＥＬ表示装置は液晶表示装置と異なりバックライトユニットが不要であるため、製品の薄型化、軽量化、低消費電力化、低コスト化及び水銀レス化が可能である。有機ＥＬ表示装置は自発光型の表示装置であることから、高視野角及び高速応答といった特徴を有している。上記したことから、有機ＥＬ表示装置は、ノートＰＣ（パーソナルコンピュータ）、モニタ及びビューワ等の静止画向け製品だけでなく、テレビジョン受像機等の動画向け製品としても注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板を備えている。アレイ基板は、ガラス基板と、このガラス基板上にマトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子とを有している。各有機ＥＬ素子は、１つの画素を形成している。各有機ＥＬ素子は、陽極と、陽極に対向した陰極と、これら陽極及び陰極間に挟持された発光層（有機ＥＬ層）と、陽極及び発光層間に挟持され陽極から正孔が注入される正孔輸送層と、陰極及び発光層間に挟持され陰極から電子が注入される電子輸送層とを有している。発光層は、発光機能を有する有機化合物を含み、赤色、緑色及び青色の何れかの発光色に発光可能である。
【０００４】
さらに、陰極及び電子輸送層間に絶縁薄膜を介在させて有機ＥＬ素子を形成する技術も知られている（例えば、特許文献１参照）。そして、上記のように有機ＥＬ素子を形成した場合、絶縁薄膜を介在させずに有機ＥＬ素子を形成した場合に比べ、電子輸送層への電子の注入量が増大することが知られている。これにより、発光効率が向上するものである。
【特許文献１】特開２０００−４０５９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように絶縁薄膜を設けることで電子注入量の増大は可能であるが、僅かである。そこで、電子注入量を一層増大させるため、絶縁薄膜をより厚くすることが考えられる。しかしながら、絶縁薄膜を厚くしすぎると電流を伝えなくなるため、電流が流れなくなってしまう。このため、電子注入量を一層増大できる技術が求められている。  
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、電子輸送層への電子の注入量を増大できる有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係る有機ＥＬ表示装置は、
前記陽極及び陰極間に配置され、光を放出する発光層と、
前記陽極及び発光層間に配置され、前記発光層に正孔を輸送する正孔輸送層と、
前記陰極及び発光層間に配置され、前記発光層に電子を輸送する電子輸送層と、
前記陰極及び電子輸送層間に配置され、リチウムと、リチウムイオンを移動させる物質と、を含んだ電子注入層と、を備えている。
【０００７】
また、本発明の他の態様に係る有機ＥＬ表示装置は、
前記陽極及び陰極間に配置され、光を放出する発光層と、
前記陽極及び発光層間に配置され、前記発光層に正孔を輸送する正孔輸送層と、
前記陰極及び発光層間に配置され、前記発光層に電子を輸送する電子輸送層と、
前記陰極及び電子輸送層間に配置され、リチウムと、リチウムイオンを捕捉し前記リチウムイオンに対する親和性が前記電子輸送層より弱い物質と、を含み、前記陰極側より前記電子輸送層側の方がリチウムイオン濃度の高い電子注入層と、を備えている。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、電子輸送層への電子の注入量を増大できる有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置について詳細に説明する。  
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬパネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。有機ＥＬパネルＤＰは、マトリクス状に設けられた複数の画素ＰＸを有している。
【００１０】
画素ＰＸとしては、赤色を発光する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含んだ赤画素、緑色を発光する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含んだ緑画素及び青色を発光する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含んだ青画素がある。画素ＰＸは、駆動トランジスタＤＲも含んでいる。有機ＥＬパネルＤＰは、ガラス基板などの透明で絶縁性を有する基板ＳＵＢを含んでいる。
【００１１】
基板ＳＵＢ上には、走査信号線ＳＬ及び映像信号線ＶＬが形成されている。走査信号線ＳＬは、各々が画素ＰＸの行方向Ｘに延びており、画素ＰＸの列方向Ｙに配列している。走査信号線ＳＬは、例えばＭｏＷなどからなる。映像信号線ＶＬは、各々が列方向Ｙに延びており、行方向Ｘに配列している。走査信号線ＳＬ及び映像信号線ＶＬは、複数の画素ＰＸに接続されている。
【００１２】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、この例では、基板ＳＵＢ上にＣＯＧ（chip on glass）実装されている。映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＶＬが接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬが接続されている。
【００１３】
図２に示すように、この図では、有機ＥＬ表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が上方を向き、背面が下方を向くように描いている。有機ＥＬ表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。
【００１４】
基板ＳＵＢ上には、アンダーコート層ＵＣが形成されている。アンダーコート層ＵＣは、例えば、基板ＳＵＢ上にＳｉＮＸ層とＳｉＯＸ層とをこの順に積層してなる。
【００１５】
アンダーコート層ＵＣ上では、半導体層ＳＣが配列している。半導体層ＳＣは、例えば、ｐ型領域とｎ型領域とを含んだポリシリコン層である。半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成することができる。
【００１６】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、ゲート電極Ｇ等が形成されている。ゲート電極Ｇは、ゲート絶縁膜ＧＩ上に設けられ、半導体層ＳＣのチャネル領域に重なっている。ゲート絶縁膜ＧＩ及びゲート電極Ｇは、層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯＸなどからなる。
【００１７】
層間絶縁膜ＩＩ上には、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥがさらに形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩ及びゲート絶縁膜ＧＩに設けられたコンタクトホールを介して半導体層ＳＣのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されている。
【００１８】
半導体層ＳＣ、ゲート電極Ｇ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、駆動トランジスタＤＲを構成している。この例では、駆動トランジスタＤＲは、トップゲート型のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）であり、Ｐチャネル型のＴＦＴである。
【００１９】
ソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、パッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮＸなどからなる。パッシベーション膜ＰＳ上では、電極層Ｌが配列している。
【００２０】
電極層Ｌは、パッシベーション膜ＰＳに設けたコンタクトホールを介して、駆動トランジスタＤＲのドレイン電極ＤＥに接続されている。
【００２１】
電極層Ｌは、この例では、ＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド）の導電膜と、Ａｌ（アルミニウム）の導電膜と、ＩＴＯの導電膜とを積層して形成され、３層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）を採っている。
【００２２】
電極層Ｌの上層のＩＴＯの導電膜は、画素電極ＰＥである。ここでは、画素電極ＰＥは、陽極である。
【００２３】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩは、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔を有している。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成されている。
【００２４】
画素電極ＰＥ上には、有機物層ＯＲＧが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、対向電極ＣＥで被覆されている。この例では、対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で互いに接続された電極，すなわち共通電極である。また、この例では、対向電極ＣＥは、陰極である。対向電極ＣＥは、光透過性の電極である。画素電極ＰＥ、有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成している。
【００２５】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ上には、保護膜２０が設けられている。より詳しくは、保護膜２０は、対向電極ＣＥ上に成膜されている。保護膜２０は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水や酸素の進入を抑制し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの特性の劣化を抑制するものである。
【００２６】
図３に示すように、反射膜ＲＥは、画素電極ＰＥの下層に形成されている。反射膜ＲＥは、光を反射する光反射性を有する材料で形成されている。反射膜ＲＥは、電極層Ｌの中間に位置したＡｌ導電膜で形成されている。
【００２７】
画素電極ＰＥ上には、活性層として、発光層（有機ＥＬ層）ＥＭＴを含んだ有機物層ＯＲＧが形成されている。発光層ＥＭＴは、例えば、発光色が赤色、緑色又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。
【００２８】
次に、上記対向電極ＣＥについて詳述する。  
対向電極ＣＥは、画素電極ＰＥに対向配置され、光出射面側に位置している。対向電極ＣＥは、有機物層ＯＲＧ上方に位置し、銀（Ａｇ）又は銀を主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ合金）で形成されている。この実施の形態において、対向電極ＣＥは、ＭｇとＡｇとの比率が２０対８０のＭｇＡｇ合金で形成されている。Ｍｇより光吸収率の低いＡｇの割合が多いため、対向電極ＣＥは、発光層ＥＭＴから放出される光を良好に透過させることができる。
【００２９】
次に、上記有機物層ＯＲＧについて詳述する。  
有機物層ＯＲＧは、発光層ＥＭＴと、正孔輸送層ＨＴと、電子輸送層ＥＴと、電子注入層ＥＩとを有している。
【００３０】
正孔輸送層ＨＴは、画素電極ＰＥ及び発光層ＥＭＴ間に配置されている。正孔輸送層ＨＴには、画素電極ＰＥから正孔が注入される。正孔輸送層ＨＴは、発光層ＥＭＴに正孔を輸送するものである。
【００３１】
電子輸送層ＥＴは、対向電極ＣＥ及び発光層ＥＭＴ間に配置されている。電子輸送層ＥＴには、対向電極ＣＥから電子が注入される。電子輸送層ＥＴは、発光層ＥＭＴに電子を輸送するものである。なお、発光層ＥＭＴで電子及び正孔が再結合することにより、発光層ＥＭＴから光が放出される。
【００３２】
電子注入層ＥＩは、対向電極ＣＥ及び電子輸送層ＥＴ間に配置されている。電子注入層ＥＩは、リチウム（Ｌｉ）と、リチウムイオン（Ｌｉ＋）を移動させる物質とを含んでいる。電子注入層ＥＩを設けることにより、電子輸送層ＥＴへの電子注入量を増大させることができる。この実施の形態において、電子注入層ＥＩは、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を主成分とする材料で形成されている。電子注入層ＥＩの厚みは、例えば１０Åである。
【００３３】
図４は、電子注入層ＥＩ付近を概略的に示す図である。図に示すように、本実施の形態では、リチウムイオンを移動させる物質は、大環状ポリエーテル化合物１００（例えば、18-Crown-6）である。このため、電子注入層ＥＩにおいて、ホスト材料がフッ化リチウムであり、ドーパント材料が大環状ポリエーテル化合物１００である。電子注入層ＥＩを形成する際は、例えば、フッ化リチウムと大環状ポリエーテル化合物１００とを共蒸着法を用いて形成することができる。
【００３４】
次に、電子注入層ＥＩが電子輸送層ＥＴへの電子注入量を増大させることができる原理について説明する。  
電子注入層ＥＩ中のフッ素が対向電極ＣＥ中のマグネシウムと結合される。すると、対向電極ＣＥ側の電子注入層ＥＩにリチウムイオン（Ｌｉ＋）が出現する。なお、リチウムイオン自体は、電子注入層ＥＩ中に均一な密度分布を採るように存在しようとする性質を有する。
【００３５】
電子注入層ＥＩ中の大環状ポリエーテル化合物１００は、リチウムイオンに対して強い親和性を示す。このため、大環状ポリエーテル化合物１００は、リチウムイオンを捕捉する。リチウムイオンを捕捉した大環状ポリエーテル化合物１００は、電子注入層ＥＩ内を移動し易くなる。
【００３６】
すると、リチウムイオンを捕捉した大環状ポリエーテル化合物１００は、電子輸送層ＥＴ側にも移動することになる。ここで、電子輸送層ＥＴは、リチウムイオンに対して大環状ポリエーテル化合物１００より強い親和性を示す。このため、リチウムイオンに対する親和性の点において、電子輸送層ＥＴが大環状ポリエーテル化合物１００を上回ったところで、大環状ポリエーテル化合物１００は、捕捉したリチウムイオンを放出する。
【００３７】
これにより、電子輸送層ＥＴ側において、電子注入層ＥＩ中にリチウムイオンが移動することになる。このため、電子注入層ＥＩ内におけるリチウムイオンの濃度は、電子輸送層ＥＴ側の方が対向電極ＣＥに比べて高くなることになる。電子注入層ＥＩにおいて、電子輸送層側界面にリチウムイオンが到達することにより、電子注入層との電子注入障壁が下がり、電子が注入され易くなる。
【００３８】
また、電子輸送層ＥＴ側において、リチウムイオンは電子と結合し、リチウムとなって対向電極ＣＥ側に移動することができる。リチウムとなって対向電極ＣＥ側に移動する量は、電子注入層ＥＩ内の電子輸送層ＥＴ側のリチウムイオンの濃度が高い程、大きい。  
上記したことから、電子注入層ＥＩは、対向電極ＣＥから与えられた電子を電子輸送層ＥＴに注入することができる。
【００３９】
ここで、リチウムイオンを移動させる物質としては、大環状ポリアミン化合物又は大環状ポリエーテル化合物を利用することができる。大環状ポリアミン化合物としては、Cyclen 5、Cyclam 6、porphyrin、Gly-Gly-His、spermineが挙げられる。大環状ポリエーテル化合物としては、18-Crown-6、12-Crown-4、15-Crown-5が挙げられる。  
次にCyclen 5の式を示す。
【００４０】
【化１】
2010153647.tif 000003
【００４１】
次にCyclam 6の式を示す。
【００４２】
【化２】
2010153647.tif 000004
【００４３】
次にporphyrinの式を示す。  
【００４４】
【化３】
2010153647.tif 000005
【００４５】
次にGly-Gly-Hisの式を示す。  
【００４６】
【化４】
2010153647.tif 000006
【００４７】
次にspermineの式を示す。
【００４８】
【化５】
2010153647.tif 000007
【００４９】
次に12-Crown-4の式を示す。
【００５０】
【化６】
2010153647.tif 000008
【００５１】
次に15-Crown-5の式を示す。
【００５２】
【化７】
2010153647.tif 000009
【００５３】
次に18-Crown-6の式を示す。
【００５４】
【化８】
2010153647.tif 000010
【００５５】
図５に示すように、ソース電極ＳＥは、高電位電源ＰＶＤＤに電気的に接続されている。対向電極ＣＥは、低電位電源ＰＶＳＳに電気的に接続されている。駆動トランジスタＤＲ及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、高電位電源ＰＶＤＤ及び低電位電源ＰＶＳＳ間で直列に接続されている。
【００５６】
以上のように構成された有機ＥＬ表示装置によれば、有機ＥＬ表示装置は、複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、高電位電源及び低電位電源間で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと直列に接続されたＰチャネル型の駆動トランジスタＤＲを備えている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、陽極として使用される画素電極ＰＥと、陰極として使用される対向電極ＣＥと、発光層ＥＭＴと、正孔輸送層ＨＴと、電子輸送層ＥＴと、電子注入層ＥＩとを有している。
【００５７】
電子注入層ＥＩは、リチウムと、リチウムイオンを移動させる物質とを含んでいる。このため、電子注入層ＥＩを設けない場合や、フッ化リチウムのみで電子注入層を形成した場合に比べ、電子輸送層ＥＴへの電子注入量を増大させることができる。
【００５８】
Ｐチャネル型の駆動トランジスタＤＲの半導体層ＳＣにおいて、正孔密度は電子密度より大きい。この場合、発光層ＥＭＴに電子より正孔が多く注入されることになり、発光効率が悪くなってしまう。しかしながら、この実施の形態において、上記電子注入層ＥＩを設け、電子輸送層ＥＴへの電子注入量を増大させることができる。これにより、Ｐチャネル型の駆動トランジスタＤＲを用いても電子輸送層ＥＴに電子を注入することができるため、電子注入層ＥＩは発光効率の向上に寄与することができる。
【００５９】
対向電極ＣＥは、ＭｇＡｇ合金で形成され、Ｍｇより光吸収率の低いＡｇの割合が多い。このため、対向電極ＣＥは、発光層ＥＭＴから放出される光を良好に透過させることができる。
【００６０】
ところで、Ｍｇの割合を少なくするほど、電子輸送層ＥＴへの電子注入量は減少してしまう。しかしながら、この実施の形態において、上記電子注入層ＥＩを設け、電子輸送層ＥＴへの電子注入量を増大させることができる。これにより、Ｍｇの割合が少なくなっても電子輸送層ＥＴに電子を注入することができるため、電子注入層ＥＩは発光効率の向上に寄与することができる。  
上記したことから、電子輸送層ＥＴへの電子の注入量を増大でき、発光効率の向上を図ることができる有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００６１】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【００６２】
例えば、電子注入層ＥＩの厚みは、１０Åに限定されるものではなく種々変形可能であり、例えば２０Åや３０Åであっても良い。  
電子注入層ＥＩは、フッ化リチウムに限らず、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を主成分とする材料で形成されていても良く、この場合も上述した効果を得ることができる。  
画素電極ＰＥ自体が光反射機能を有している場合、反射膜ＲＥ無しに形成することができ、この場合も上述した効果を得ることができる。
【００６３】
画素電極ＰＥが陰極で、対向電極ＣＥが陽極であっても良く、この場合も上述した効果を得ることができる。この場合、陰極（画素電極）、電子注入層ＥＩ、電子輸送層ＥＴ、発光層ＥＭＴ、正孔輸送層ＨＴ及び陽極（対向電極）が、基板ＳＵＢ上にこの順に積層して形成されていれば良い。  
この発明は、上面発光型の有機ＥＬ表示装置に限らず、下面発光型の有機ＥＬ表示装置に適用することも可能である。この場合、対向電極ＣＥは、例えば光反射機能を有する導電材料で形成されていても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】上記有機ＥＬ表示装置の一部を示す拡大断面図であり、特に駆動トランジスタ及び有機ＥＬ素子を示す断面図。
【図３】図２に示した有機ＥＬ表示装置の一部をさらに拡大して示す断面図であり、特に、画素電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び対向電極を示す図。
【図４】図３に示した電子輸送層、電子注入層及び対向電極を示す概略図であり、特に、電子輸送層への電子注入量が増大する仕組みを説明するための図。
【図５】図１に示した画素の一部を示す等価回路であり、特に、駆動トランジスタ、有機ＥＬ素子、高電位電源及び低電位電源を示す図。
【符号の説明】
【００６５】
ＤＰ…有機ＥＬパネル、ＳＵＢ…基板、ＶＬ…映像信号線、ＰＸ…画素、ＤＲ…駆動トランジスタ、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＳＣ…半導体層、ＲＥ…反射膜、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…対向電極、ＯＲＧ…有機物層、ＥＭＴ…発光層、ＨＴ…正孔輸送層、ＥＴ…電子輸送層、ＥＩ…電子注入層、ＰＶＤＤ…高電位電源、ＰＶＳＳ…低電位電源。
【図１】
2010153647.tif 000011
【図２】
2010153647.tif 000012
【図３】
2010153647.tif 000013
【図４】
2010153647.tif 000014
【図５】
2010153647.tif 000015