(57)【要約】【課題】多結晶シリコンウェハであっても欠陥を適切かつ明確に検出することができるシリコンウェハ欠陥検査装置を提供する。【解決手段】被検体７に赤外レーザー光線を照射する赤外レーザー光源１と、被検体７を透過した赤外レーザー光線を受光する開口部４を有し、その内部で赤外レーザー光を拡散させる中空の受光ユニット２と、受光ユニット２の空間部２ｂに検出部を露出し、被検体７を透過した赤外レーザー光の光量を検出する赤外光検出センサー３とを備え、赤外光検出センサー３は、被検体７を透過し、開口部４を通じて受光ユニット２内に入射され、受光ユニット２の内部で拡散された赤外レーザー光の光量を検出することで、検出結果を画像に変換した際に、多結晶シリコンウェハの結晶の粒界７ａの明暗模様が著しく軽減され、欠陥を明確に検出することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体７に赤外レーザー光線を照射する赤外レーザー光源１と、
前記被検体７を透過した赤外レーザー光を受光する開口部４を有し、その内部で赤外レーザー光を拡散させる中空の受光ユニット２と、
前記受光ユニット２の空間部２ｂの赤外レーザー光の光量を検出する赤外光検出センサー３と、
を備えたシリコンウェハ欠陥検査装置であって、
前記受光ユニット２の内部での赤外レーザー光の光量の変化を検出することでシリコンウェハのクラック等の欠陥を検出することを特徴とするシリコンウェハ欠陥検査装置。
【請求項２】
前記赤外レーザー光源１から照射された赤外レーザー光線を第一の方向に走査させる走査機構と、
被検体７を第一の方向と略直交する第二の方向に搬送可能な搬送手段６と、
前記赤外光検出センサー３によって検出された光量信号を二次元画像に変換する画像処理手段を備えた制御手段と、
を備えたシリコンウェハ欠陥検査装置であって、
走査機構による赤外レーザー光線の走査動作と同期して、被検体７を透過した赤外レーザー光の光量を検出する工程と、被検体７が赤外レーザー光線の照射径と略同幅の移動距離をもって第二の方向に搬送される工程からなる一連の工程が、前記被検体７の検査範囲内で連続して行われ、前記赤外光検出センサー３によって検出された光量信号とともに赤外レーザー光線照射位置の情報が画像処理手段に入力され、二次元画像に変換されることを特徴とする請求項１記載のシリコンウェハ欠陥検査装置。
【請求項３】
前記赤外レーザー光線の波長は、１〜１５μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１又は２記載のシリコンウェハ欠陥検査装置。
【請求項４】
前記赤外レーザー光線の照射径は、被検体７の厚さと略同幅以下とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のシリコンウェハ欠陥検査装置。
【請求項５】
前記赤外光検出センサー３で検出された光量が閾値より低い場合、前記被検体７の赤外レーザー光線照射箇所にクラック１１又は異物が存在すると判定する判定手段を備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のシリコンウェハ欠陥検査装置。
【請求項６】
前記赤外光検出センサー３で検出された光量が閾値より高い場合、前記被検体７の赤外レーザー光線照射箇所に貫通クラック又はピンホール１４が存在すると判定する判定手段を備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のシリコンウェハ欠陥検査装置。
【請求項７】
前記被検体７が多結晶シリコンウェハであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のシリコンウェハ欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、赤外レーザー光線を利用したシリコンウェハの欠陥検査装置に係るものであり、特にウェハ内に発生したクラック等の欠陥の有無を検出する欠陥検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、単結晶や多結晶の結晶系太陽電池素子の基板等として用いられるシリコンウェハは、コストダウンやシリコン材料の削減等の理由により薄型化が進められており、そのため、シリコンウェハを製造する工程やセル工程においてクラックが発生し易くなっている。
【０００３】
例えば、太陽電池素子においては、複数枚の太陽電池素子を組み合わせてモジュール化した場合、クラックのある太陽電池素子が１枚でも存在すると、そのモジュールの出力電力を大きく低下させてしまうことになる。また小さなクラックにおいても、太陽電池素子の製造工程が進むに連れてクラックが拡大し、致命的なサイズに至ることもある。このため太陽電池素子をモジュール化する以前にクラックの有無を精度良く検出し、欠陥のある太陽電池素子を除去しておくことが重要である。
【０００４】
シリコンウェハのクラックの検出方法の第一の従来技術としては、シリコンウェハに衝撃を加えて振動を発生させ、この振動周波数を、センサーを介して電気信号に変換し、この振動周波数のパワースペクトラムを解析してクラックの有無を検出する方法がある。
【０００５】
また、第二の従来技術としては、赤外光をシリコンウェハに照射し、その反射光あるいは透過光による赤外線画像をＣＣＤカメラで検出し、微小なクラックを検出する検査方法がある。詳しくは、赤外光をシリコンウェハに照射した際、クラック等の欠陥の無い部分においては、赤外光が一様な光量で反射あるいは透過するが、クラック等の欠陥が存在する部分では、赤外光の吸収及び散乱が局所的に起こって光量に変化が生じ、赤外線画像において影として出現するので、画像処理によって微小なクラックが視覚化され、クラックを発見できるという検出方法である（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−２１８６３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら第一の従来技術では作業員によって打音検査を行うため、ウェハの薄型化に伴い、人手によるハンドリングが困難になりつつある。
【０００７】
また、第二の従来技術では、結晶表面に複数の面方位を有するような多結晶シリコンウェハの検査を行う場合、シリコンウェハ表面に照射され、透過した赤外光は、照射角度と同角度を保持したまま透過した正透過光と、不規則に並ぶ結晶の面方位によって拡散された拡散透過光とに分かれるが、この拡散透過光の進行方向が結晶の面方位によって異なるため、透過光量が面方位毎に異なることとなる。この状態で、焦点距離を３０ｃｍ程度としたＣＣＤカメラで撮像すると、面方位毎に光量の異なる透過光を直接撮像することとなり、撮像画像に結晶の粒界の明暗模様が顕著に現れる。なお、シリコンウェハ表面に赤外光を照射し、反射光を撮像した場合でも同様に結晶の粒界の明暗模様が顕著に現れる。そのため、結晶の粒界の明暗模様とクラックとを明確に区別することが困難となり、誤検出あるいは見逃しを発生させるといった課題があった。
【０００８】
この発明は、上記従来の課題を解決するためになされたものであって、その目的は、多結晶シリコンウェハであっても欠陥を適切かつ明確に検出することができるシリコンウェハ欠陥検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこでこの発明のシリコンウェハ欠陥検査装置は、被検体７に赤外レーザー光線を照射する赤外レーザー光源１と、前記被検体７を透過した赤外レーザー光を受光する開口部４を有し、その内部で赤外レーザー光を拡散させる中空の受光ユニット２と、前記受光ユニット２の空間部２ｂの赤外レーザー光の光量を検出する赤外光検出センサー３とを備えたシリコンウェハ欠陥検査装置であって、前記受光ユニット２の内部での赤外レーザー光の光量の変化を検出することでシリコンウェハのクラック等の欠陥を検出することを特徴としている。
【００１０】
また、前記赤外レーザー光源１から照射された赤外レーザー光線を第一の方向に走査させる走査機構と、被検体７を第一の方向と略直交する第二の方向に搬送可能な搬送手段６と、前記赤外光検出センサー３によって検出された光量信号を二次元画像に変換する画像処理手段を備えた制御手段とを備えたシリコンウェハ欠陥検査装置であって、走査機構による赤外レーザー光線の走査動作と同期して、被検体７を透過した赤外レーザー光の光量を検出する工程と、被検体７が赤外レーザー光線の照射径と略同幅の移動距離をもって第二の方向に搬送される工程からなる一連の工程が、前記被検体７の検査範囲内で連続して行われ、前記赤外光検出センサー３によって検出された光量信号とともに赤外レーザー光線照射位置の情報が画像処理手段に入力され、二次元画像に変換されることを特徴としている。
【００１１】
さらに、前記赤外レーザー光線の波長は、１〜１５μｍの範囲内であることを特徴としている。
【００１２】
さらにまた、前記赤外レーザー光線の照射径は、被検体７の厚さと略同幅以下とすることを特徴としている。
【００１３】
また、前記赤外光検出センサー３で検出された光量が閾値より低い場合、前記被検体７の赤外レーザー光線照射箇所にクラック１１又は異物が存在すると判定する判定手段を備えていることを特徴としている。
【００１４】
さらに、前記赤外光検出センサー３で検出された光量が閾値より高い場合、前記被検体７の赤外レーザー光線照射箇所に貫通クラック又はピンホール１４が存在すると判定する判定手段を備えていることを特徴としている。
【００１５】
さらにまた、前記被検体７が多結晶シリコンウェハであることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
この発明のシリコンウェハ欠陥検査装置によれば、単結晶シリコンウェハの赤外レーザー光線照射箇所にクラック等の欠陥が生じていた場合、照射された赤外レーザー光線が欠陥によって吸収あるいは拡散され、受光ユニットの開口部から受光ユニット内に入射する透過光量が変化することから欠陥を明確に検出することができる。
【００１７】
また、被検体が複数の面方位を有する多結晶シリコンウェハであっても、受光ユニットに設けられた開口部によって、照射角度と同角度を保持したまま透過した正透過光とともに、不規則に並ぶ結晶の面方位によって拡散された拡散透過光を受光ユニット内に入射させることができるため、受光ユニット内に入射される透過光量が結晶の面方位によって殆ど変化することなく、ほぼ一定の光量となる。そして、正透過光と拡散透過光の双方を受光ユニットの内部で一様に拡散させた後、透過光量を検出することで結晶の面方位による影響を受けにくくなる。
【００１８】
そして、走査機構による赤外レーザー光線の走査動作と同期して、被検体を透過した赤外レーザー光の光量を検出する工程と、被検体が赤外レーザー光線の照射径と略同幅の移動距離をもって第二の方向に搬送される工程からなる一連の工程が、被検体の検査範囲内で連続して行われ、赤外光検出センサーによって検出された光量信号とともに赤外レーザー光線照射位置の情報が画像処理手段に入力され、二次元画像に変換された場合、受光ユニット内に入射される透過光量が、結晶の面方位によって殆ど変化することなく、ほぼ一定の光量であるため、誤検出や見逃しの原因となっていた結晶の粒界の明暗模様が著しく軽減され、その結果、クラック等の欠陥の有無や大きさ、欠陥箇所を明確に検出することが可能になる。
【００１９】
また、赤外レーザー光源から被検体に向けて照射される赤外レーザー光線の波長を１〜１５μｍの範囲内としていることによって、被検体であるシリコンウェハを十分に透過させることができ、シリコンウェハ内部に生じた欠陥を検出することができる。
【００２０】
さらに、赤外レーザー光源から被検体に向けて照射される赤外レーザー光線の照射径を被検体の厚さと略同幅以下とすることで、被検体内に形成された被検体の厚みより小さなクラック等の欠陥及び欠陥箇所を精確に検出することができる。
【００２１】
さらにまた、赤外光検出センサーで検出された赤外レーザー光の光量が閾値より低い場合、被検体の赤外レーザー光線照射箇所にクラック又は異物が存在すると判定する判定手段を備えていることで、被検体に存在する欠陥を明確に検出することができる。
【００２２】
また、赤外光検出センサーで検出された光量が閾値より高い場合、被検体の赤外レーザー光線照射箇所に貫通クラック又はピンホールが存在すると判定する判定手段を備えていることで、被検体に存在する欠陥を明確に検出することができる。
【００２３】
さらにまた、前記被検体が多結晶シリコンウェハであっても、結晶の面方位による透過光量の変化の影響を殆ど受けないため、赤外光検出センサーによって検出された光量信号を二次元画像に変換した場合、誤検出あるいは見逃しの原因となる結晶の粒界の明暗模様が著しく軽減され、被検体に存在する欠陥のみを明確に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に、この発明のシリコンウェハ欠陥検査装置の具体的な実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。この発明の実施形態に係るシリコンウェハ欠陥検査装置は、図１に示すように、被検体であるシリコンウェハ７を載置及び搬送可能な搬送装置６と、赤外レーザー光線をシリコンウェハ７に照射する赤外レーザースキャナー１と、赤外レーザースキャナー１から照射され、シリコンウェハ７を透過した赤外レーザー光線を受光する中空箱型の受光ユニット２と、受光ユニット２内の空間部２ｂに検出部を露出させた赤外光検出センサー３と、赤外光検出センサー３に接続され、赤外光検出センサー３で検出された赤外レーザー光量に応じた電気信号を適当な信号電圧値に増幅するセンサー信号増幅器１３と、赤外レーザースキャナー１と搬送装置６の制御及びセンサー信号増幅器１３によって増幅された電気信号を二次元的な画像に変換し、クラック１１等の欠陥の検出を行う画像処理基板（画像処理手段及び判定手段）を備えたコンピュータ５（制御手段）から構成されている。
【００２５】
本実施形態で用いられる赤外レーザースキャナー１の光源は、被検体となる単結晶あるいは多結晶のシリコンウェハ７が、概ね１〜１５μｍの赤外線を透過することから、その範囲での波長を照射できるものが用いられる。また、赤外レーザースキャナー１から照射された出射光８のシリコンウェハ７上でのスポットサイズ（照射径）は、シリコンウェハ７の厚みと同程度かそれ以下となるよう調節されている。なお、光源は、入手の容易さ等から例えば波長１．３〜１．５μｍの半導体レーザーが適宜である。
【００２６】
赤外レーザースキャナー１は、シリコンウェハ７に対して、斜め上方から赤外レーザー光線を照射できるよう、被検体であるシリコンウェハ７の上方に設置されており、シリコンウェハ７の移動方向（後述する搬送装置６のレールと平行方向）の直交方向に赤外レーザー光線を走査可能なレーザー走査機構を備えている。なお、レーザー走査機構として、例えばポリゴンミラー、ガルバノメータ、ＭＥＭＳスキャナー等があるが、シリコンウェハ７を包括できる長さの走査領域を持っていれば手段は問わない。
【００２７】
搬送装置６は、赤外レーザースキャナー１の下方に設置され、互いに略平行に配設された２本のレールを備えており、被検体であるシリコンウェハ７は２本のレールに跨るように載置され、赤外レーザースキャナー１の照射位置となる受光ユニット２の上方へと搬送可能となっている。
【００２８】
受光ユニット２は、図２及び図３に示すように、平面視略長方形でかつ中空箱型であり、搬送装置６のレールと直交する方向に長手方向を向けて、シリコンウェハ７及び搬送装置６の下方に、シリコンウェハ７と１〜数ｍｍ程度の隙間をあけて設置されている。また、受光ユニット２の上面には、搬送装置６のレールと直行する方向に、シリコンウェハ７の略同幅以上の幅を持つスリット状の開口部４が形成されている。
【００２９】
受光ユニット２の開口部４は、赤外レーザースキャナー１と対向する位置に設けられており、赤外レーザースキャナー１から照射され、シリコンウェハ７を透過した赤外レーザー光線を受光ユニット２内に入射できるように形成されている。
【００３０】
受光ユニット２の内側面２ａは、赤外レーザー光線の反射率の高い材料で作製され、積分球（積分受光器）のように、シリコンウェハ７を透過して開口部４から入射された赤外レーザー光線を一様に拡散（及び反射）できるようになっている。なお、受光ユニット２の内側面２ａを赤外レーザー光線の反射率の高い材料で形成する代わりに、例えば硫酸バリウム等の反射率の高い白色粉体を噴霧又は塗布し、受光ユニット２の内側面２ａに微小な凹凸を形成しても良い。
【００３１】
また、受光ユニット２の内側面２ａには、赤外光検出センサー３の検出部を受光ユニット２の空間部２ｂに露出させるための開口部４ａが設けられており、赤外光検出センサー３が、この開口部４ａを塞ぐようにして受光ユニット２の外側面に取り付けられている。
【００３２】
赤外光検出センサー３は、赤外レーザースキャナー１の光源に使用された赤外線波長を検出可能な例えば半導体フォトダイオードまたは光電子増倍管から構成されており、赤外レーザー光の光量の正確な検出が可能となっている。また、赤外光検出センサー３は、センサー信号増幅器１３と信号伝達可能な状態に接続されており、センサー信号増幅器１３においては、赤外レーザースキャナー１と搬送装置６と赤外光検出センサー３とセンサー信号増幅器１３の制御を行い、画像処理基板が内蔵されたコンピュータ５と信号伝達可能な状態に接続されている。
【００３３】
上記に各部位の詳細な説明を行ったが、次にシリコンウェハ７の検査手順について詳細に説明する。被検体であるシリコンウェハ７は、搬送装置６の互いに略平行に設置された２本のレールに跨るようにして載置され、レールと平行方向に移動し、赤外レーザースキャナー１の赤外レーザー光線照射位置へと搬送される。照射位置へと搬送されたシリコンウェハ７に対して、赤外レーザー光線が、赤外レーザースキャナー１からシリコンウェハ７の上面に対し、例えば４５度程度の斜め方向から照射される。つまり、照射された出射光８（赤外レーザー光線）は、シリコンウェハ７に対して斜め方向から入射することとなる。そして、出射光８は、図２に示すように、シリコンウェハ７の表面で反射する反射光９と、シリコンウェハ７を透過する透過光１０に分かれる。
【００３４】
被検体が多結晶のシリコンウェハ７の場合、結晶表面に複数の結晶の面方位を有するため、シリコンウェハ７を通過した透過光１０は、図２に示すように、照射角度と同角度を保持したまま透過した正透過光１０ａと、結晶の面方位に従った方向に拡散された拡散透過光１０ｂに分かれることとなる。
【００３５】
シリコンウェハ７を透過した正透過光１０ａ及び拡散透過光１０ｂは、受光ユニット２の上面に設けられ、正透過光１０ａ及び拡散透過光１０ｂを受光し得る十分な大きさで形成された開口部４を通って、受光ユニット２の空間部２ｂに入射される。そのため、結晶の面方位によって透過光１０の透過光量が殆ど変動することなく、ほぼ一定の光量が受光ユニット２の空間部２ｂに入射することとなる。なお、赤外レーザースキャナー１と受光ユニット２の位置関係は図１の形態にこだわらず上下配置が逆でも良い。
【００３６】
受光ユニット２の内側面２ａは、赤外レーザー光線の反射率の高い材料で作製され、表面に微小な凹凸が形成されているか、あるいは硫酸バリウム等の反射率の高い白色粉体が微小な凹凸を形成するように受光ユニット２の内側面２ａに噴霧又は塗布されており、受光ユニット２の開口部４から入射した正透過光１０ａ及び拡散透過光１０ｂは、受光ユニット２の内側面２ａの微小な凹凸によって一様に拡散（及び反射）される。なお、受光ユニット２の空間部２ｂの形状は、透過光１０を一様に拡散できれば十分であることから、球型、円筒型、直方体型等のいずれでも良い。
【００３７】
そして、受光ユニット２の空間部２ｂに検出部を露出させるようにして設置された赤外光検出センサー３が、受光ユニット２の内側面２ａの微小な凹凸で一様に拡散（及び反射）された透過光１０の光量を検出し、光量の強度を電気信号に変換して、信号をセンサー信号増幅器１３へと送信する。
【００３８】
センサー信号増幅器１３は、赤外光検出センサー３から送られてきた信号を適当な信号電圧値に増幅した後、コンピュータ５に送信する。
【００３９】
コンピュータ５は、赤外レーザースキャナー１からの出射光８の走査と同期してセンサー信号増幅器１３から送られてきた透過光１０の光量変化信号を取り込み、同時に搬送装置６によってシリコンウェハ７を移動させる。そして、赤外レーザー光線の照射、透過光量の検出、シリコンウェハ７の移動からなる一連の動作を、シリコンウェハ７表面の全域に亘って行い、出射光８の走査方向を水平方向（搬送装置６のレールと直行方向）とし、搬送装置６によるシリコンウェハ７の移動方向を垂直方向（搬送装置６のレールと平行方向）として、透過光１０の光量変化信号とともに赤外レーザー光線照射位置の情報をコンピュータ５に内蔵された画像処理基板に入力し、二次元的な画像として取り込む。この際、上記に示したように、受光ユニット２内に入射される透過光１０の光量は、結晶の面方位に左右されることが殆ど無く、ほぼ一定に保たれていることから、結晶の粒界７ａの明暗模様が著しく軽減され、コンピュータ５で画像処理を行うことによって、透過光１０のクラック１１等の欠陥による光量変化のみを濃淡で視覚化でき、シリコンウェハ７に存在するクラック１１等の欠陥の有無及び欠陥箇所を判定し、検査を完了する。
【００４０】
上記にシリコンウェハ７の検査手順を示したが、次に、シリコンウェハ７に欠陥が存在した場合における欠陥検出の基本原理を詳細に説明する。上記に示したように、赤外レーザースキャナー１の出射光８は、４５度程度の斜め方向からシリコンウェハ７に入射し、出射光８の一部はシリコンウェハ７表面での反射光９となってしまうが、シリコンウェハ７の内部を透過した光は透過光１０として受光ユニット２に入り込み、受光ユニット２内で一様に拡散された後、赤外光検出センサー３によって検出される。一方、クラック１１が存在する箇所に出射光８が入射すると、図３に示すように、入射光８の一部がクラック１１の界面で反射してクラック界面反射光１２となり、受光ユニット２の開口部４に入射されないことから、クラック１１の有無によって赤外光検出センサー３で検出される透過光１０の光量強度が変化することになり、図４（ａ）に示すように、クラック１１が存在した箇所だけ透過光１０は減衰し、ピークが現れる。この透過光１０の光量変化信号を二次元的な画像として取り込み、コンピュータ５で画像処理を行った場合、欠陥の無い箇所と比べて暗部として鮮明に現れる。
【００４１】
また、本実施形態は、クラック１１の他に、シリコンウェハ７に存在する異物の検出にも有効な手段となり得る。異物が存在すると、異物によって出射光８が反射あるいは吸収されて、クラック１１と同様に赤外光検出センサー３で検出される透過光１０の光量強度は減衰し、透過光１０の光量変化信号を二次元的な画像として取り込み、画像処理を行った場合、欠陥の無い箇所に比べて暗部として鮮明に現れることになる。
【００４２】
さらに、シリコンウェハ７にピンホール１４あるいは極めて巨大な貫通クラック欠陥が存在する場合にも有効な検出手段となる。それらの欠陥の場合は、出射光８が、シリコンウェハ７の材料を介在せずに直接通過して受光ユニット２の開口部４に入射するため、図４（ｂ）に示すように、赤外光検出センサー３で検出される透過光１０の光量強度の変化は明るい方向になり、透過光１０の光量変化信号を二次元的な画像として取り込み、画像処理を行った場合、欠陥の無い箇所に比べて明部として鮮明に現れることになる。
【００４３】
上記実施形態のシリコンウェハ欠陥検査装置によれば、被検体７が多結晶シリコンウェハであっても、正透過光１０ａとともに、結晶の粒界による明暗模様の原因となる結晶の面方位によって拡散された拡散透過光１０ｂを、受光ユニット２に設けられた開口部４を通して受光ユニット２内に入射させることができるため、結晶の面方位に殆ど左右されること無く、ほぼ一定の透過光量を受光ユニット２内に入射させることができる。受光ユニット２内に入射された正透過光１０ａと拡散透過光１０ｂは、受光ユニット２の内部で一様に拡散された後、赤外光検出センサー３によって検出されるため、検出結果を二次元的な画像として取り込んだ場合、結晶の粒界７ａの明暗模様は著しく軽減され、クラック１１等の欠陥による濃淡のみが画像に現れることから、クラック１１等の欠陥を明確に検出することができる。
【００４４】
以上にこの発明の具体的な実施の形態について説明したが、この発明は上記形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、赤外レーザースキャナーから照射された出力光のシリコンウェハ上のスポットサイズは、好ましくはシリコンウェハの厚みと同程度かそれ以下であるが、シリコンウェハの厚み以上であっても欠陥を検出することができる。また、搬送装置のレールは２本に限らず、１本若しくは３本以上であっても良いし、レールを使用しない搬送機構を用いても良い。さらに、例えば被検体ではなく、赤外レーザースキャナーを移動させる機構とする等、検査装置を被検体の検査箇所に対して相対的に移動させる機構であれば欠陥検査は可能である。さらにまた、被検体を多結晶シリコンウェハとしていたが、単結晶シリコンウェハにおいても本発明は有効であり、欠陥を明確に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】この発明のシリコンウェハ欠陥検査装置の一実施形態を示すブロック図である。
【図２】同じくその被検体を多結晶シリコンウェハとした要所断面図である。
【図３】同じくその欠陥検出の基本原理を示した要所断面図である。
【図４】同じくその欠陥部位における検出信号を示した検出結果である。
【符号の説明】
【００４６】
１・・赤外レーザースキャナー、２・・受光ユニット、２ａ・・内側面、２ｂ・・空間部、３・・赤外光検出センサー、４・・開口部、５・・コンピュータ、６・・搬送装置、７・・シリコンウェハ（被検体）、１１・・クラック、１４・・ピンホール
【図１】
2010122145.tif 000003
【図２】
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【図３】
2010122145.tif 000005
【図４】
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