(57)【要約】【課題】Ｑ値を向上させた高品質な半導体装置を低コストで製造する方法を提供すること。【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に形成された絶縁膜と、スパイラル状の配線層と、を備えた半導体装置を製造する方法であって、半導体基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程Ｓ１０と、絶縁膜上に、第１の金属膜と第２の金属膜とが積層された積層パターンを形成する積層パターン形成工程Ｓ２０と、上層の第２の金属膜に対して下層の第１の金属膜が選択的にエッチングされる条件でエッチングを行い、積層パターンのうちの第１の金属膜を除去することにより、第２の金属膜を絶縁膜から剥離する金属膜剥離工程Ｓ３０と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法とした。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
絶縁膜と、
スパイラル状の配線層と、を備えた半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体基板上に前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上に、第１の金属膜と第２の金属膜とが積層された積層パターンを形成する積層パターン形成工程と、
上層側の前記第２の金属膜に対して下層側の前記第１の金属膜が選択的にエッチングされる条件でエッチングを行い、前記積層パターンのうちの前記第１の金属膜を除去することにより、前記第２の金属膜を前記絶縁膜から剥離して前記絶縁膜から離間した前記第２の金属膜からなる前記配線層を形成する金属膜剥離工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記積層パターン形成工程において前記積層パターンの両端にパッドを形成し、
前記パッドにワイヤーをボンディングするワイヤーボンディング工程をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ワイヤーボンディング工程の後、少なくとも１つの前記パッドを前記絶縁膜から剥離するパッド剥離工程を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記パッド剥離工程において、前記半導体基板を前記半導体基板の面方向に振動させることによりパッドを剥離することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記パッド剥離工程において、前記ワイヤーを前記絶縁膜の上方に引き上げることによりを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記パッド剥離工程において、前記パッドと前記絶縁膜との間に圧縮空気を供給することによりパッドを剥離することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記パッド剥離工程において、前記パッドと前記絶縁膜との間に板状部材を挿入することによりパッドを剥離することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記パッド剥離工程において、前記半導体基板の前記絶縁膜と反対側から前記パッドにレーザーを照射することによりパッドを剥離することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記パッド剥離工程において、前記パッドと前記絶縁膜との間にエッチング液を供給することによりパッドを剥離することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯情報端末をはじめ、各種の携帯型電子機器の普及が著しい。このような電子機器においては、携帯性の向上や高機能化が強く求められる技術傾向にあることから、電子機器に実装される半導体装置においても、一層の小型、軽量、薄型化が要望されている。
【０００３】
このような要望に応えるべく、パッケージの外形寸法を半導体基板（半導体チップ）の寸法とほぼ等しくしたチップサイズパッケージ（Chip Size Package）に搭載されたインダクターを備えた半導体装置が実用化されている（特許文献１〜３を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２２８９２７号公報
【特許文献２】特開２００６−３０２９９２号公報
【特許文献３】特開２００４−３９９２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、半導体基板上にインダクターを形成すると、インダクターは、半導体基板との間に形成される寄生容量、半導体基板に発生する渦電流などによる影響を大きく受ける。これによって、インダクターの性能を表すＱ値（Ｑ＝（１／Ｒ）・（Ｌ／Ｃ）１／２）、Ｒ：抵抗、Ｃ：容量、Ｌ：インダクタンス）が低下して、インダクターの品質が低下する。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、Ｑ値を向上させた高品質な半導体装置を製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、スパイラル状の配線層と、を備えた半導体装置を製造する方法であって、前記半導体基板上に前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に、第１の金属膜と第２の金属膜とが積層された積層パターンを形成する積層パターン形成工程と、上層の前記第２の金属膜に対して下層の前記第１の金属膜が選択的にエッチングされる条件でエッチングを行い、前記積層パターンのうちの前記第１の金属膜を除去することにより、前記第２の金属膜を前記絶縁膜から剥離する金属膜剥離工程と、を有することを特徴とする。
【０００７】
これによれば、積層パターン形成工程において形成された積層パターンのうちの第１の金属膜が金属膜剥離工程において除去されることで、第２の金属膜を絶縁膜から離間された上方空間に位置させることができるので、第２の金属膜と半導体基板との電気的干渉を抑え、Ｑ値を向上させた高品質な半導体装置を製造する方法を提供することができる。
【０００８】
前記積層パターン形成工程において、前記積層パターンの両端にパッドを形成し、前記パッドにワイヤーをボンディングするワイヤーボンディング工程を有することが好ましい。
これによれば、第２の金属膜がワイヤーを介して外部の回路と接続されるので、外部の回路から電気信号を供給することが可能な半導体装置を提供することができる。
【０００９】
前記ワイヤーボンディング工程の後、少なくとも１つの前記パッドを前記絶縁膜から剥離するパッド剥離工程を有することが好ましい。
これによれば、絶縁膜から引き剥がされたパッドを、ワイヤーによって絶縁膜の上方空間に引き上げることができるので、パッドと絶縁膜との間隔を広げることができる。また、金属膜剥離工程においてパッドと絶縁膜との間に第１の金属膜が残留してパッドと絶縁膜とが接続された場合であっても、パッドを絶縁膜から剥離させ、パッドの部分の第２の金属膜も絶縁膜の上方空間に引き上げることができるので、Ｑ値を向上させた高品質な半導体装置を確実に製造する方法を提供することができる。
【００１０】
前記パッド剥離工程において、前記半導体基板を前記半導体基板の面方向に振動させることが好ましい。
これによれば、半導体基板を支持する半導体装置製造装置によって半導体基板を振動させればよいので、パッド剥離工程に係る装置を別途設けなくてもよく、Ｑ値を向上させた高品質な半導体装置を低コストで製造する方法を提供することができる。
【００１１】
前記パッド剥離工程において、前記ワイヤーを前記絶縁膜の上方に引き上げることが好ましい。
これによれば、ワイヤーボンディング工程で用いられるワイヤーボンダーによってワイヤーを引き上げればよいので、パッド剥離工程に係る装置を別途設けなくてもよく、Ｑ値を向上させた高品質な半導体装置を低コストで製造する方法を提供することができる。
【００１２】
前記パッド剥離工程において、前記パッドと前記絶縁膜との間に圧縮空気を供給することが好ましい。
これによれば、パッドとワイヤーとの接続面に生じる応力を低減させて絶縁膜をパッドから引き剥がすことができるので、パッドとワイヤーとの接続不具合に起因する製造不良の発生を抑えて半導体装置を製造する方法を提供することができる。
【００１３】
前記パッド剥離工程において、前記パッドと前記絶縁膜との間に板状部材を挿入することが好ましい。
これによれば、パッドとワイヤーとの接続面に生じる応力を低減させて絶縁膜をパッドから引き剥がすことができるので、パッドとワイヤーとの接続不具合に起因する製造不良の発生を抑えて半導体装置を製造する方法を提供することができる。
【００１４】
前記パッド剥離工程において、前記半導体基板の前記絶縁膜と反対側から前記パッドにレーザーを照射することが好ましい。
これによれば、パッドとワイヤーとの接続面に生じる応力を低減させて絶縁膜をパッドから引き剥がすことができるので、パッドとワイヤーとの接続不具合に起因する製造不良の発生を抑えて半導体装置を製造する方法を提供することができる。
【００１５】
前記パッド剥離工程において、前記パッドと前記絶縁膜との間にエッチング液を供給することが好ましい。
これによれば、パッドの部分の第１の金属膜をエッチングで除去することによってパッドを絶縁膜から引き剥がすので、パッドとワイヤーとの接続面に生じる応力を低減させて絶縁膜をパッドから引き剥がすことができる。したがって、パッド剥離工程において、パとワイヤとの接続不具合に起因する製造不良の発生を抑えて半導体装置を製造する方法を提供することができる。
また、パッド剥離工程では、積層パターン形成工程及び金属膜剥離工程で使用するものと同じエッチング液を使用すればよいので、製造コストを抑えて半導体装置を製造する方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】半導体装置の模式平面図である。
【図２】半導体装置の模式側面図である。
【図３】半導体装置の製造工程のフローチャート図である。
【図４】半導体装置の製造工程の一例を示す模式側面図である。
【図５】半導体装置の製造工程の一例を示す模式側面図である。
【図６】半導体装置の製造工程の一例を示す模式斜視図である。
【図７】半導体装置の製造工程のその他の例を示す模式斜視図である。
【図８】半導体装置の製造工程のその他の例を示す模式斜視図である。
【図９】半導体装置の製造工程のその他の例を示す模式斜視図である。
【図１０】半導体装置の製造工程のその他の例を示す模式斜視図である。
【図１１】半導体装置の製造工程のその他の例を示す模式斜視図である。
【図１２】半導体装置のその他の実施形態を示す模式側面図である。
【図１３】半導体装置の模式側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下図面を用いて、本発明に係る半導体装置の製造方法について説明する。
なお、以下の実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせている。
【００１８】
まず、本発明の製造工程によって製造される半導体装置について説明する。
図１は、半導体装置１００の平面図である。図２は、図１における半導体装置１００の側面図である。
図１，図２に示すように、半導体装置１００は、半導体基板１０と、絶縁膜２０と、インダクター（第２の金属膜）３０とを有する。
【００１９】
半導体基板１０は、シリコン基板から構成されている。半導体基板１０の表面１０ａには、半導体基板１０を保護するパッシベーション膜１５が形成されている。パッシベーション膜１５は、ＳｉＯ２，ＳｉＮなどから形成されている。
【００２０】
絶縁膜２０は、パッシベーション膜１５上に形成されている。絶縁膜２０の材質としては、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ＢＣＢ（benzocyclobutene）、ＰＢＯ（polybenzoxazole）などの樹脂、及びその他の絶縁性を有する材質を採用することができる。
【００２１】
インダクター３０は、その全体が絶縁膜２０の半導体基板１０と反対側に離間して、絶縁膜２０の上方空間に位置している。すなわち、中空に浮いている。インダクター３０は平面視でスパイラル状に形成されており、インダクター３０の外周側の配線の端部にはパッド（第２の金属膜）３５ａが形成され、インダクター３０の内周側の配線の端部にはパッド（第２の金属膜）３５ｂが形成されている。
パッド３５ａ，３５ｂの絶縁膜２０側の面には、第１の金属膜３１ａ，３１ｂがそれぞれ形成されている。パッドは２層構造の金属層で形成されている。ただし、下層側の金属層（第１の金属膜３１ａ，３１ｂ）は、上層側の金属層よりも寸法が小さくなっている。それ以外の配線部は、１層の金属層で形成されている。
【００２２】
インダクター３０、及びパッド３５ａ，３５ｂの材質としては、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）などを挙げることができる。第１の金属膜３１ａ，３１ｂの材質としては、例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）、チタン（Ｔｉ）などを挙げることができる。したがって、１層目と２層目とでは材質が異なる。
【００２３】
パッド３５ａ，３５ｂには、導電性の材質からなるワイヤー３６がボンディングされている。ワイヤー３６は、半導体装置１００を実装する図示略の実装部と、インダクター３０とを電気的に接続するとともに、インダクター３０を絶縁膜２０の上方空間で保持している。
【００２４】
次に、半導体装置１００の製造方法について説明する。
図３は、半導体装置１００の製造工程のフローチャート図である。
【００２５】
図３に示すように、半導体装置１００の製造工程においては、半導体基板１０上に絶縁膜２０を形成する絶縁膜形成工程Ｓ１０と、絶縁膜２０上に第１及び第２の金属膜を積層し、第１及び第２の金属膜をパターニングして、第１及び第２の金属膜が積層されたインダクター３０及びパッド３５ａ，３５ｂの積層パターンを形成する積層パターン形成工程Ｓ２０と、第２の金属膜に対して第１の金属膜が選択的にエッチングされる条件でエッチングを行い、積層パターンのうちの第１の金属膜を除去し、インダクター３０と絶縁膜２０とを剥離させる金属膜剥離工程Ｓ３０と、半導体装置を実装部（図示は省略）に実装し、パッド３５ａ，３５ｂと実装部とをワイヤー３６で接続するワイヤーボンディング工程Ｓ４０と、パッド３５ａ，３５ｂを絶縁膜２０から剥離し、インダクター３０及びパッド３５ａ，３５ｂを絶縁膜２０の上方空間に引き上げるパッド剥離工程Ｓ５０とを有する。
【００２６】
図４，５は、半導体装置１００の製造工程の一例を示す模式側面図である。図６は、半導体装置１００の製造工程のうちのパッド剥離工程Ｓ５０の具体例を示す模式斜視図であって、パッド３５ａ（３５（ｂ））付近を拡大して示した図である。
【００２７】
まず、絶縁膜形成工程Ｓ１０について説明する。絶縁膜形成工程Ｓ１０では、パッシベーション膜１５が形成された半導体基板１０（図４（ａ））の表面１０ａ側のほぼ全面に、印刷法などを用いてポリアミド酸を含んだ溶液を塗布する。そして、塗布したポリアミド酸溶液を乾燥させた後、熱処理を行ってポリイミド樹脂からなる絶縁膜２０を形成する（図４（ｂ））。
【００２８】
次に、積層パターン形成工程Ｓ２０に移行する。
積層パターン形成工程Ｓ２０では、まず、絶縁膜２０上のほぼ全面に、チタンタングステン（ＴｉＷ）からなる第１の金属膜３１をスパッタ法で形成する。さらに、第１の金属膜３１上に、銅（Ｃｕ）からなる第２の金属膜３２をめっき法により形成する（図４（ｃ））。このとき、第１の金属膜３１は、第２の金属膜３２をめっきする際のシード層として機能させている。
【００２９】
そして、第２の金属膜３２上にフォトレジスト３３をパターン形成した後、第１及び第２の金属膜３１，３２をエッチングして、インダクター３０及びパッド３５ａ，３５ｂの配線パターンを有する積層パターン３４を形成する。本実施形態においては、インダクター３０とパッド３５ａ，３５ｂとが一体で形成されており、積層パターン形成工程Ｓ２０がパッド形成工程を兼ねている。
【００３０】
本実施形態において使用されるエッチング液は、第２の金属膜３２に対して第１の金属膜３１が選択的にエッチングするものを採用する。すなわち、第１の金属膜３１と第２の金属膜３２とを同時にエッチングしたときの相対的なエッチングレートが、第１の金属膜３１のほうが第２の金属膜３２よりも大きいエッチング液を使用する。
すなわち、第２の金属膜３２をエッチングしてインダクター３０及びパッド３５ａ，３５ｂの配線パターンを形成した後は、第１の金属膜３１がオーバーエッチングされる（図４（ｄ））。
【００３１】
なお、第２の金属膜３２をパターニングする際に使用するエッチング液と、第１の金属膜３１をオーバーエッチングする際に使用するエッチング液とを異ならせてもよい。このようにエッチング液を使い分けると、第１の金属膜３１をオーバーエッチングする際に、第２の金属膜３２がエッチングされないようにすることができる。
【００３２】
引き続いて金属膜剥離工程Ｓ３０に移行する。金属膜剥離工程Ｓ３０では、上述の積層パターン形成工程Ｓ２０と同じエッチング液を用いて、積層パターン３４のうちの第１の金属膜３１を選択的に除去して、インダクター３０と絶縁膜２０とを離間させる。
このとき、パッド３５ａ，３５ｂとインダクター３０の線幅の関係で、パッド３５ａ，３５ｂと絶縁膜２０との間には第１の金属膜３１が自然に残る。
そして、インダクター３０及びパッド３５ａ，３５ｂ上のフォトレジスト３３を除去する（図４（ｅ））。
【００３３】
次に、ワイヤーボンディング工程Ｓ４０に移行する。ワイヤーボンディング工程Ｓ４０では、金属膜剥離工程Ｓ３０においてインダクター３０と絶縁膜２０とを離間させた半導体基板１０を、図示略の実装部に実装する。実装部としては、例えば、パッケージ用のリードフレームや、プリント基板などを挙げることができる。
そして、半導体基板１０を実装部に実装した後、パッド３５ａ，３５ｂと実装部とをつなぐワイヤー３６を接続する（図５（ａ））。
【００３４】
次に、パッド剥離工程Ｓ５０に移行する。パッド剥離工程Ｓ５０は、パッド３５ａ，３５ｂを絶縁膜２０から引き剥がす工程である。具体的には、パッド３５ａ，３５ｂと絶縁膜２０との間の第１の金属膜３１ａ，３１ｂを絶縁膜２０から引き剥がす。
パッド３５ａ，３５ｂを絶縁膜２０から剥離させる方法の一例としては、半導体基板１０を半導体基板１０の面方向に振動させる。具体的には、半導体基板１０を支持する半導体製造装置によって、半導体基板１０を面方向に振動させる。これにより、パッド３５ａ，３５ｂと絶縁膜２０との間に応力が生じ、第１の金属膜３１ａ，３１ｂと絶縁膜２０とが引き剥がされる。
【００３５】
このようにして、第１の金属膜３１ａ，３１ｂが絶縁膜２０から剥離されると、ワイヤー３６の弾性力によって、インダクター３０及びパッド３５ａ，３５ｂが絶縁膜２０の上方空間に引き上げられる。
【００３６】
上述の製造工程においては、ワイヤーボンディング工程Ｓ４０と、パッド剥離工程Ｓ５０とをそれぞれ別工程で実施する例について説明したが、ワイヤーボンディング工程Ｓ４０の中で、パッド剥離工程Ｓ５０を並行して実施するようにしてもよい。
具体的に説明すると、図６に示すように、ワイヤー３６をパッド３５ａ，３５ｂにボンディングした後、回路側にボンディングする前に、半導体基板１０を振動させてパッド３５ａ，３５ｂを絶縁膜２０から剥離させる引き剥がす。
【００３７】
その際、ワイヤー３６をパッド３５ａ，３５ｂ側に引き出すためにキャピラリー９０に与えている超音波の振動方向（図示でＸ軸方向）とは異なる方向に、半導体基板１０を振動させることが好ましい。例えば、半導体基板１０の面方向であって、超音波の振動方向と直交する方向（図示でＹ軸方向）に半導体基板１０を振動させると、パッド３５ａ，３５ｂと絶縁膜２０との間に効果的に応力が生じる。
【００３８】
半導体装置１００の製造工程が、このような工程を有することによって以下の効果を得ることができる。
まず、このような製造工程を有することで、インダクター３０を絶縁膜２０と離間させることができるので、インダクター３０と半導体基板１０との間の電気的干渉を抑え、Ｑ値を向上させた高品質な半導体装置を製造することができる。
【００３９】
また、第１の金属膜３１ａ，３１ｂを絶縁膜２０から剥離させて、パッド３５ａ，３５ｂ、及びインダクター３０を絶縁膜２０の上方空間に引き上げることができるので、インダクター３０と絶縁膜２０との間隔を広げることができる。したがって、インダクター３０と半導体基板１０との間の電気的干渉を抑え、Ｑ値を向上させた高品質な半導体装置を製造することができる。
【００４０】
また、半導体基板１０を支持する半導体製造装置によって半導体基板１０を振動させればよいので、パッド剥離工程Ｓ５０に係る装置を別途設けなくてもよく、Ｑ値を向上させた高品質な半導体装置を低コストで製造する方法を提供することができる。
そして、パッド３５ａ，３５ｂにワイヤー３６をボンディングした後、外部の回路側にワイヤー３６をボンディングする前に半導体基板１０を振動させてパッド３５ａ，３５ｂを絶縁膜２０から剥離させるようにして、ワイヤーボンディング工程Ｓ４０とパッド剥離工程Ｓ５０とを並行して実施することができるので、製造工程におけるタクトタイムを短縮し、製造効率を向上させることができる。
【００４１】
また、積層パターン形成工程Ｓ２０及び金属膜剥離工程Ｓ３０において同一のエッチング液を採用していることで、半導体装置１００の製造に係る原材料の種類を減らし、製造コストを低減した半導体装置を製造することができる。
【００４２】
また、パッド剥離工程Ｓ５０においては、図６に示した半導体基板１０を振動させる以外の方法によって、パッド３５ａ，３５ｂを絶縁膜２０から剥離させるようにしてもよい。
図７〜１２は、パッド剥離工程５０におけるその他の実施形態を示す模式斜視図である。
【００４３】
図７では、パッド３５ａ，３５ｂにワイヤー３６をボンディングした後、キャピラリー９０への超音波の供給を一時的に停止するとともに、ワイヤー３６をワイヤー固定部９１で固定する。そして、ワイヤー固定部９１とともにワイヤー３６を半導体基板１０の面方向と垂直方向（絶縁膜２０の上方空間側）に引き上げることによって、パッド３５ａ、３５ｂを絶縁膜２０から剥離させる。
【００４４】
このようにしてパッド３５ａ，３５ｂを絶縁膜２０から剥離させるようにすれば、パッド剥離工程Ｓ５０用の装置を別途用意しなくてもよいので、Ｑ値を向上させた高性能な半導体装置を低コストで製造することができる。
【００４５】
図８では、パッド３５ａ，３５ｂと絶縁膜２０との間に圧縮空気を供給して、パッド３５ａ，３５ｂを剥離する例を示している。
【００４６】
このようにしてパッド３５ａ，３５ｂを絶縁膜２０から剥離させるようにすれば、パッド３５ａ，３５ｂとワイヤー３６との接続面に与える負荷を低減させることができるので、パッド３５ａ，３５ｂとワイヤー３６との接続不具合に起因する製造不良の発生を抑えて半導体装置を製造することができる。
【００４７】
図９では、パッド３５ａ，３５ｂと絶縁膜２０との間に板状部材９２を挿入してパッド３５ａ，３５ｂを剥離する例を示している。
【００４８】
このようにしてパッド３５ａ，３５ｂを絶縁膜２０から剥離させるようにすれば、パッド３５ａ，３５ｂとワイヤー３６との接続面に与える負荷を低減させることができるので、パッド３５ａ，３５ｂとワイヤー３６との接続不具合に起因する製造不良の発生を抑えた半導体装置を低コストで製造することができる。
【００４９】
図１０では、パッド３５ａ，３５ｂと絶縁膜２０とが接続された領域に、半導体装置１０の絶縁膜２０と反対側の裏面１０ｂ側からレーザーを照射してパッドを剥離する例を示している。
【００５０】
半導体基板１０の裏面１０ｂから照射されたレーザーは、半導体基板１０を透過し、パッド３５ａ，３５ｂと絶縁膜２０とが接続された領域の絶縁膜２０をレーザーアブレーションにより蒸発させて、ワイヤー３６による弾性力によってパッド３５ａ，３５ｂ、及びインダクター３０を絶縁膜２０から引き上げる。
【００５１】
このようにしてパッド３５ａ，３５ｂを絶縁膜２０から剥離させるようにすれば、パッド３５ａ，３５ｂとワイヤー３６との接続面に与える負荷を低減させることができるので、パッド３５ａ，３５ｂとワイヤー３６との接続不具合に起因する製造不良の発生を抑えて半導体装置を製造することができる。
【００５２】
図１１では、パッド３５ａ，３５ｂと絶縁膜２０との間にエッチング液９３を供給し、パッド３５ａ，３５ｂと絶縁膜２０との間の第１の金属膜３１ａ，３１ｂをエッチングで除去してパッド３５ａ，３５ｂを剥離する例を示している。
【００５３】
パッド３５ａ，３５ｂの周囲に配置したエッチング液９３は、パッド３５ａ，３５ｂの周縁部が浮いているので、毛細管現象によってパッド３５ａ，３５ｂと絶縁膜２０との間に吸収される。そして、吸収されたエッチング液９３によって、第１の金属膜３１ａ，３１ｂがエッチングされて除去される。
【００５４】
このようにしてパッド３５ａ，３５ｂを絶縁膜２０から剥離させるようにすれば、積層パターン形成工程Ｓ２０及び金属膜剥離工程Ｓ３０で使用したものと同じエッチング液を使用すればよいので、製造コストを抑えて半導体装置を製造することができる。
また、第１の金属膜３１ａ，３１ｂをエッチングする際に、インダクター３０及びワイヤー３６に対して負荷がかからないので、パッド３５ａ，３５ｂとワイヤー３６との接続不具合に起因する製造不良の発生を抑えて半導体装置を製造することができる。
【００５５】
上記実施形態においては、パッド３５ａ，３５ｂを絶縁膜２０の上方空間に引き上げることによって、インダクター３０と絶縁膜２０とを離間させているが、図１２に示す半導体装置１００のように、パッド３５ａ，３５ｂの一方が絶縁膜３０と接続した状態にし、他方を絶縁膜２０の上方空間に引き上げることで、インダクター３０と絶縁膜２０とを離間させてもよい。
【００５６】
また、図１３に示す半導体装置１００Ａのように、応力緩和層の方の絶縁膜を省略し、半導体基板１０の上方空間にインダクター３０を引き上げることで、インダクター３０と絶縁膜２０とを離間させてもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１０…半導体基板、１５…パッシベーション膜、２０…絶縁膜、３０…インダクター（第２の金属膜）、３１，３１ａ，３１ｂ…第１の金属膜、３４…積層パターン、３５ａ，３５ｂ…パッド（第２の金属膜）、３６…ワイヤー、９３…エッチング液、１００，１００Ａ…半導体装置、Ｓ１０…絶縁膜形成工程、Ｓ２０…積層パターン形成工程、Ｓ３０…金属膜剥離工程、Ｓ４０…ワイヤーボンディング工程、Ｓ５０…パッド剥離工程
【図１】
2010182910.tif 000003
【図２】
2010182910.tif 000004
【図３】
2010182910.tif 000005
【図４】
2010182910.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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