(57)【要約】【課題】回路間の信号伝達に係わらない電源の導電パターンを伝搬する信号に起因するノイズの発生を抑制する。【解決手段】導電パターン群３４は、導電パターン３０Ａをｘ方向に間隔５０Ａを隔てて複数個隣接させて配列された導電パターン列３２が、隣接する導電パターン列３２がｘ方向に間隔５０Ｂずつずらしてｘ方向と交差するｙ方向に間隔５０Ｃを隔てて複数列隣接させて配列されており、導電パターン３０Ａよりも小さい複数の導電パターン３０Ｂによって、ｘ方向に隣接する導電パターン３０Ａの各々がｘ方向に接続され、導電パターン３０Ａよりも小さい複数の導電パターン３０Ｃによって、ｙ方向に隣接する導電パターン３０Ａの各々がｙ方向に接続される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電パターンを第１の方向に第１の間隔を隔てて複数個隣接させて配列した導電パターン列を、隣接する前記導電パターン列が前記第１の方向に第２の間隔ずつずらして前記第１の方向と交差する第２の方向に第３の間隔を隔てて複数列隣接させて配列した第１の導電パターン群と、
前記第１の方向に隣接する前記第１の導電パターンの各々を前記第１の方向に接続する前記第１の導電パターンよりも小さい複数の第２の導電パターンと、
前記第２の方向に隣接する前記第１の導電パターンの各々を前記第２の方向に接続する前記第１の導電パターンよりも小さい複数の第３の導電パターンと、
を備えた印刷配線基板。
【請求項２】
前記第１の導電パターンの形状を一辺が前記第１の方向を向いた正方形状とすると共に、前記第１の間隔及び前記第２の間隔を当該第１の導電パターンの一辺に相当する間隔とし、前記第２の導電パターンの形状を前記一辺の長さに相当する長さを備えた方形状とした請求項１記載の印刷配線基板。
【請求項３】
前記第１の導電パターンの形状を円形状とすると共に、前記第１の間隔及び前記第２の間隔を当該第１の導電パターンの直径に相当する間隔とし、前記第２の導電パターンの形状を前記直径の長さに相当する長さを備えた方形状とした請求項１記載の印刷配線基板。
【請求項４】
第１の導電パターンを第１の方向に第１の間隔を隔てて複数個隣接させて配列した導電パターン列を、隣接する前記導電パターン列が前記第１の方向に第２の間隔ずつずらして前記第１の方向と交差する第２の方向に第３の間隔を隔てて複数列隣接させて配列した第１の導電パターン群と、
前記導電パターン列の一端に位置する第１の導電パターンを、前記第２の方向に隣接する一つの他の前記第１の導電パターンと前記第２の方向に接続し、前記一端に位置する第１の導電パターン以外の前記第１の導電パターンを、前記第２の方向に隣接する２つの他の前記第１の導電パターンと前記第２の方向に接続する前記第１の導電パターンよりも小さい複数の第２の導電パターンと、
を備えた印刷配線基板。
【請求項５】
前記第１の導電パターンの形状を一辺が前記第１の方向を向いた正方形状とすると共に、前記第１の間隔及び前記第２の間隔を当該第１の導電パターンの一辺に相当する間隔とし、前記第２の導電パターンの形状を方形状とした請求項４記載の印刷配線基板。
【請求項６】
第１の導電パターンを第１の方向に第１の間隔を隔てて複数個隣接させて配列した導電パターン列を、隣接する前記導電パターン列の前記第１の導電パターンの一部分が前記第１の間隔内に挿入されるように前記第１の方向と交差する第２の方向に隣接させて配列した第１の導電パターン群と、
隣接する導電パターン列の一方の列の前記第１の導電パターンの前記一部分と他方の列の第１の導電パターンの前記一部分とを、前記第１の方向に接続する前記第１の導電パターンよりも小さい複数の第２の導電パターンと、
を備えた印刷配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、印刷配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
異なる２つの回路を備える印刷配線基板において、一方の回路によって生成された信号がノイズとして他方の回路に伝搬し、当該他方の回路の特性が悪化する場合がある。そのため、２つのサイズの異なる導電パターンを組み合わせたＥＢＧ（Electromagnetic Band Gap）パターンを上記印刷配線基板の電源層の上記２つの回路間に敷き詰めることで、一方の回路によって生成された信号がノイズとして他方の回路に伝搬することを抑制している。
【０００３】
特許文献１には、バックプレーンバス用マザーボードにおいて、モジュール間に伝搬する信号の透過量を低減させるために、信号伝達に係わらない電源層の一部分に、２つの異なる導電パターンを有する配線で形成されたＥＢＧパターンを周期的に３列以上配置する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−３０２９８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、回路間の信号伝達に係わらない層を伝搬する信号の透過量の増加を抑制しつつ、当該信号に起因して放射される電磁波を低減させることができる印刷配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は第１の導電パターンを第１の方向に第１の間隔を隔てて複数個隣接させて配列した導電パターン列を、隣接する前記導電パターン列が前記第１の方向に第２の間隔ずつずらして前記第１の方向と交差する第２の方向に第３の間隔を隔てて複数列隣接させて配列した第１の導電パターン群と、前記第１の方向に隣接する前記第１の導電パターンの各々を前記第１の方向に接続する前記第１の導電パターンよりも小さい複数の第２の導電パターンと、前記第２の方向に隣接する前記第１の導電パターンの各々を前記第２の方向に接続する前記第１の導電パターンよりも小さい複数の第３の導電パターンと、を備えている。
【０００６】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第１の導電パターンの形状を一辺が前記第１の方向を向いた正方形状とすると共に、前記第１の間隔及び前記第２の間隔を当該第１の導電パターンの一辺に相当する間隔とし、前記第２の導電パターンの形状を前記一辺の長さに相当する長さを備えた方形状とする。
【０００７】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第１の導電パターンの形状を円形状とすると共に、前記第１の間隔及び前記第２の間隔を当該第１の導電パターンの直径に相当する間隔とし、前記第２の導電パターンの形状を前記直径の長さに相当する長さを備えた方形状とする。
【０００８】
また、上記目的を達成するために、請求項４に記載の発明は、第１の導電パターンを第１の方向に第１の間隔を隔てて複数個隣接させて配列した導電パターン列を、隣接する前記導電パターン列が前記第１の方向に第２の間隔ずつずらして前記第１の方向と交差する第２の方向に第３の間隔を隔てて複数列隣接させて配列した第１の導電パターン群と、前記導電パターン列の一端に位置する第１の導電パターンを、前記第２の方向に隣接する一つの他の前記第１の導電パターンと前記第２の方向に接続し、前記一端に位置する第１の導電パターン以外の前記第１の導電パターンを、前記第２の方向に隣接する２つの他の前記第１の導電パターンと前記第２の方向に接続する前記第１の導電パターンよりも小さい複数の第２の導電パターンと、を備えている。
【０００９】
また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記第１の導電パターンの形状を一辺が前記第１の方向を向いた正方形状とすると共に、前記第１の間隔及び前記第２の間隔を当該第１の導電パターンの一辺に相当する間隔とし、前記第２の導電パターンの形状を方形状とする。
【００１０】
さらに、上記目的を達成するために、請求項６に記載の発明は、第１の導電パターンを第１の方向に第１の間隔を隔てて複数個隣接させて配列した導電パターン列を、隣接する前記導電パターン列の前記第１の導電パターンの一部分が前記第１の間隔内に挿入されるように前記第１の方向と交差する第２の方向に隣接させて配列した第１の導電パターン群と、隣接する導電パターン列の一方の列の前記第１の導電パターンの前記一部分と他方の列の第１の導電パターンの前記一部分とを、前記第１の方向に接続する前記第１の導電パターンよりも小さい複数の第２の導電パターンと、を備えている。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１，４，６に記載の発明によれば、本発明を適用しない場合に比較して、回路間の信号伝達に係わらない層を伝搬する信号の透過量の増加を抑制しつつ、当該信号に起因して放射される電磁波を低減させることができる、という優れた効果を有する。
【００１２】
また、請求項２，３，５に記載の発明によれば、本発明を適用しない場合に比較して、上記信号に起因して放射される電磁波をより低減させることができる、という優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、本実施の形態では、本発明に係る印刷配線基板を、複数の回路基板がコネクタを介して接続され、接続された回路基板に電力を供給するマザーボードに適用した場合について説明する。
【００１４】
［第１の実施の形態］
まず、図１を参照して、本実施の形態に係るマザーボード１０の外観上の構成を説明する。
【００１５】
マザーボード１０は基板１２及び複数のコネクタ１４を備えている。
【００１６】
基板１２は信号層、電源層、及び接地層が各々絶縁層を挟んで積層されている。
【００１７】
コネクタ１４は、予め定められた機能を有する回路基板２０に備えられているコネクタ２２と電気的かつ機械的に接続可能とされている。なお、本実施の形態に係るマザーボード１０は、コネクタ１４の数として２つを適用しているが、コネクタ１４の数を２つ以上としてもよいことは言うまでもない。
【００１８】
回路基板２０は、コネクタ２２がコネクタ１４に電気的かつ機械的に接続されると、基板１２の電源層を介して電力供給部から電力が供給されると共に接地層を介して接地される。また、他のコネクタ１４に電気的かつ機械的に接続された他の回路基板２０と信号層を介して信号の送受信が可能とされる。
【００１９】
しかし、コネクタ１４を介してマザーボード１０に複数の回路基板２０が接続されると、一方の回路基板２０で生成した信号が原因となり、他方の回路基板２０で生成する信号にノイズが生じる場合がある。
【００２０】
従来、上記ノイズを低減させるために、一例として図２（Ａ）に示すように、基板１２に形成される電源層の電源配線として、複数の導電パターン３０Ａをｘ方向に間隔を隔てて複数個隣接させて配列した導電パターン列３２を、ｘ方向と交差するｙ方向に間隔を隔てて複数列隣接させて配列した導電パターン群３４と、ｘ方向に隣接する導電パターン３０Ａの各々をｘ方向に接続する導電パターン３０Ａよりも小さい複数の導電パターン３０Ｂと、ｙ方向に隣接する導電パターン３０Ａの各々をｙ方向に接続する導電パターン３０Ａよりも小さい複数の導電パターン３０Ｃと、で構成されるＥＢＧパターン（以下、「従来型ＥＢＧパターン」という。）が適用されていた。なお、図２（Ａ）に示される従来型ＥＢＧパターン４０は、導電パターン３０Ａの形状が正方形状に形成されている。
【００２１】
一方、図２（Ｂ）に示される電源配線としてのＥＢＧパターンは、図２（Ａ）の導電パターン３０Ａに比較して一辺の長さが短い複数の導電パターン３０Ａと導電パターン３０Ｂ，３０Ｃとで構成される従来型ＥＢＧパターン４０’である。
【００２２】
このように、ＥＢＧパターンを構成する導電パターン３０Ａの一辺の長さをより短くすることで、信号が電源層を伝搬することにより放射される電磁波は低減し、電磁妨害（ＥＭＩ：Electromagnetic Interference）は抑制されるが、一方で、電源層を伝搬する信号の透過量（以下、「Ｓ２１」という。）が大きくなっていた（図４も参照）。
【００２３】
そこで、本実施の形態に係るマザーボード１０では、図３に示すように、基板１２の電源層の電源配線として、導電パターン３０Ａをｘ方向に間隔５０Ａを隔てて複数個隣接させて配列した導電パターン列３２を、各々ｘ方向に間隔５０Ｂずつずらしてｙ方向に間隔５０Ｃを隔てて複数列隣接させて配列した導電パターン群３４と、ｘ方向に隣接する導電パターン３０Ａの各々をｘ方向に接続する複数の導電パターン３０Ｂと、ｙ方向に隣接する導電パターン３０Ａの各々をｙ方向に接続する複数の導電パターン３０Ｃと、で構成されるＥＢＧパターン（以下、「シフト型ＥＢＧパターン」という。）を適用する。
【００２４】
なお、本実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２では、導電パターン３０Ａは、ｘ方向に隣接する他の導電パターン３０Ａと図３の右側の辺の上端部において導電パターン３０Ｂによって各々接続され、ｙ方向に隣接する他の導電パターン３０Ａと図３の下側の辺の左端部において導電パターン３０Ｃによって各々接続される。
【００２５】
さらに、本実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２は、導電パターン３０Ａの形状を一辺がｘ方向を向いた正方形状とすると共に、間隔５０Ａ及び間隔５０Ｂを導電パターン３０Ａの一辺に相当する間隔とし、導電パターン３０Ｂの形状を導電パターン３０Ａの一辺の長さに相当する長さを備えた方形状とする。これにより、隣接する導電パターン列３２の導電パターン３０Ａがｙ方向で対向せず、導電パターン３０Ａが対向することにより生じる寄生容量が小さくなる。
【００２６】
また、本実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２では、間隔５０Ｃも導電パターン３０Ａの一辺に相当する間隔とし、導電パターン３０Ｃの形状も導電パターン３０Ａの一辺の長さに相当する長さを備えた方形状とする。
【００２７】
図４（Ａ）に、図３に示されるシフト型ＥＢＧパターン４２、図２に示される従来型ＥＢＧパターン４０，４０’において、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示し、図４（Ｂ）に信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示す。
【００２８】
なお、以下の説明において、ＥＢＧパターンを伝搬させた信号の周波数に対するＳ２１並びに放射電界強度の変化の測定に用いた基板１２は、コネクタ１４、及び信号配線等の他のパターンは設けられずに、導電パターン３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃにより構成されるＥＢＧパターンが形成された基板である。
【００２９】
また、図４（Ａ），（Ｂ）に示される測定結果は、一例として、図２（Ａ），（Ｂ）に示すように導電パターン３０Ａがｘ方向に６つ配列された導電パターン列３２がｙ方向に３列隣接して配列された従来型ＥＢＧパターン４０，４０’、及び図３に示すように導電パターン３０Ａがｘ方向に５つ配列された導電パターン列３２がｙ方向に間隔５０Ｃを隔てて３列隣接して配列されたシフト型ＥＢＧパターン４２において測定された結果である。
【００３０】
なお、本測定における従来型ＥＢＧパターン４０の導電パターン３０Ａの形状は、一辺の長さが１５ｍｍの正方形状に形成され、導電パターン３０Ｂ，３０Ｃの形状は、導電パターン３０Ａと接触しない辺の長さ（以下、単に「長さ」という。）が０．５ｍｍ及び導電パターン３０Ａと接触する辺の長さ（以下、「幅」という。）が１ｍｍとされている一方、本測定における従来型ＥＢＧパターン４０’の導電パターン３０Ａの形状は、一辺の長さが８ｍｍの正方形状に形成され、導電パターン３０Ｂ，３０Ｃの形状は、長さが７．５ｍｍ及び幅が１ｍｍの方形状に形成されている。
【００３１】
また、本測定におけるシフト型ＥＢＧパターン４２の導電パターン３０Ａの形状は、一辺の長さが８ｍｍの正方形状に形成され、導電パターン３０Ｂ，３０Ｃの形状は、長さが７．５ｍｍ及び幅が１ｍｍの方形状に形成されている。
【００３２】
さらに、従来型ＥＢＧパターン４０，４０’、シフト型ＥＢＧパターン４２が形成されている基板１２の形状は、長辺の長さが９２．５ｍｍ及び短辺の長さが４６ｍｍの長方形状に形成されている。
【００３３】
そして、図４において、一点鎖線は従来型ＥＢＧパターン４０の測定結果を示し、実線は従来型ＥＢＧパターン４０’ の測定結果を示し、破線はシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示している。
【００３４】
図４（Ａ）に示すように、従来型ＥＢＧパターン４０におけるＳ２１の値は、他のＥＢＧパターンに比較して低く、次にシフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値が低いため、シフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の特性は、従来型ＥＢＧパターン４０’におけるＳ２１の特性よりも改善されている。
【００３５】
一方、図４（Ｂ）に示すように、シフト型ＥＢＧパターン４２における放射電界強度の値は、他のＥＢＧパターンに比較して低く、シフト型ＥＢＧパターン４２における放射電界の特性は、従来型ＥＢＧパターン４０，４０’における放射電界の特性よりも改善されている。
【００３６】
次に、図５を参照して、図４に示した測定結果の対象とした従来型ＥＢＧパターン４０，４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２に比較して、基板１２及び導電パターン３０Ａの大きさが小さい従来型ＥＢＧパターン４０，４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２において測定された、信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化、及び放射電界強度の変化を説明する。
【００３７】
なお、本測定の対象とする従来型ＥＢＧパターン４０，４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２が形成されている基板の形状は、長辺の長さが６２．５ｍｍ及び短辺の長さが３０ｍｍの長方形状に形成されている。
【００３８】
また、本測定の対象とする従来型ＥＢＧパターン４０の導電パターン３０Ａの形状は、一辺の長さが１０ｍｍの正方形状に形成され、導電パターン３０Ｂ，３０Ｃの形状は、長さが０．５ｍｍ及び幅が１ｍｍとされており、従来型ＥＢＧパターン４０’の導電パターン３０Ａの形状は、一辺の長さが６ｍｍの正方形状に形成され、導電パターン３０Ｂ，３０Ｃの形状は、長さが４．５ｍｍ及び幅が１ｍｍの方形状に形成されている。そして、シフト型ＥＢＧパターン４２の導電パターン３０Ａの形状は、一辺の長さが６ｍｍの正方形状に形成され、導電パターン３０Ｂ，３０Ｃの形状は、長さが４．５ｍｍ及び幅が１ｍｍの方形状に形成されている。
【００３９】
図５（Ａ）に、上記シフト型ＥＢＧパターン４２、従来型ＥＢＧパターン４０，４０’における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示し、図５（Ｂ）に信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示す。
【００４０】
なお、図５において、実線は従来型ＥＢＧパターン４０の測定結果を示し、破線は従来型ＥＢＧパターン４０’の測定結果を示し、一点鎖線はシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示している。
【００４１】
図５（Ａ）に示すように、従来型ＥＢＧパターン４０におけるＳ２１の値が他のＥＢＧパターンに比較して低く、次にシフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値が低い、また、図５（Ｂ）に示すように、シフト型ＥＢＧパターン４２における放射電界強度の値が他のＥＢＧパターンに比較して低い。このことから、基板１２及び導電パターン３０Ａの大きさを変えても、従来型ＥＢＧパターン４０，４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の特性及び放射電界の特性の変化は同様であることがわかる。
【００４２】
次に、図６を参照して、導電パターン３０Ａの大きさが異なる２種類のシフト型ＥＢＧパターン４２において測定された、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化、及び放射電界強度の変化を説明する。
【００４３】
なお、本測定における２種類のシフト型ＥＢＧパターン４２は、共に図３に示すように導電パターン３０がｘ方向に５つ配列された導電パターン列３２がｙ方向に３列隣接して配列されており、シフト型ＥＢＧパターン４２が形成されている基板１２の形状は、長辺の長さが９２．５ｍｍ及び短辺の長さが４６ｍｍの長方形状に形成されている。
【００４４】
また、一方のシフト型ＥＢＧパターン４２の導電パターン３０Ａの形状は、一辺の長さが８ｍｍの正方形状に形成され、導電パターン３０Ｂ，３０Ｃの形状は、長さが７．５ｍｍ及び幅が１ｍｍの方形状に形成されている。一方、他方のシフト型ＥＢＧパターン４２の導電パターン３０Ａの形状は、一辺の長さが７．５ｍｍの正方形状に形成され、導電パターン３０Ｂ，３０Ｃの形状は、長さが８ｍｍ及び幅が１ｍｍの方形状に形成されている。
【００４５】
図６（Ａ）に、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２、及び一辺７．５ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示し、図６（Ｂ）に信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示す。
【００４６】
そして、図６において、実線は、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示し、破線は、一辺７．５ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示している。
【００４７】
図６（Ａ）に示すように、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値は、一辺７．５ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２に比較して低くなっている。
【００４８】
一方、図６（Ｂ）に示すように、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２における放射電界の特性と、一辺７．５ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２における放射電界の特性とは同等となっている。
【００４９】
次に、図７〜１１を参照して、導電パターン３０Ａの一辺の長さを１０ｍｍとした従来型ＥＢＧパターン４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２、並びに導電パターン３０Ａの一辺の長さを８ｍｍとした従来型ＥＢＧパターン４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２において測定された、信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化、及び放射電界強度の変化を説明する。
【００５０】
本測定の対象とする導電パターン３０Ａの一辺の長さを８ｍｍとした従来型ＥＢＧパターン４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２の構造は、各々図２（Ｂ）、図３に示される構造と同じである。
【００５１】
一方、図７に、本測定の対象とする導電パターン３０Ａの一辺の長さを１０ｍｍとした従来型ＥＢＧパターン４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２の構造を示す。
【００５２】
なお、従来型ＥＢＧパターン４０’は、導電パターン３０Ａがｘ方向に６つ配列された導電パターン列３２がｙ方向に３列隣接して配列され，シフト型ＥＢＧパターン４２は、導電パターン３０Ａがｘ方向に５つ配列された導電パターン列３２がｙ方向に３列隣接して配列されている。また、基板１２の形状は、長辺の長さが９２．５ｍｍ及び短辺の長さが４６ｍｍの長方形状に形成されている。
【００５３】
図７（Ａ）に示す従来型ＥＢＧパターン４０’、図７（Ｂ）に示すシフト型ＥＢＧパターン４２の導電パターン３０Ａの形状は、一辺の長さが１０ｍｍの正方形状に形成され、導電パターン３０Ｂ，３０Ｃの形状は、長さが５．５ｍｍ及び幅が１ｍｍの方形状に形成されている。
【００５４】
なお、図７（Ｂ）に示すシフト型ＥＢＧパターン４２の導電パターン３０Ｂの長さは、導電パターン３０Ａの一辺の長さ相当ではないため、ｙ方向に隣接する導電パターン３０Ａの対向する領域が、図３に示す上記シフト型ＥＢＧパターン４２に比較して大きい。
【００５５】
図８（Ａ）に、導電パターン３０Ａの一辺の長さを１０ｍｍとした従来型ＥＢＧパターン４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示し、図８（Ｂ）に、導電パターン３０Ａの一辺の長さを８ｍｍとした従来型ＥＢＧパターン４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示す。
【００５６】
図８（Ａ）において、実線は、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示し、破線は、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａの従来型ＥＢＧパターン４０’の測定結果を示している。
【００５７】
図８（Ａ）に示すように、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａでは、従来型ＥＢＧパターン４０’におけるＳ２１の値は、シフト型ＥＢＧパターン４２に比較して低くなっている。
【００５８】
一方、図８（Ｂ）において、実線は、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示し、破線は、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａの従来型ＥＢＧパターン４０’の測定結果を示している。
【００５９】
図８（Ｂ）に示すように、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａでは、シフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値は、従来型ＥＢＧパターン４０’に比較して低くなっている。
【００６０】
図９（Ａ）に、導電パターン３０Ａの一辺の長さを８ｍｍとしたシフト型ＥＢＧパターン４２及び導電パターン３０Ａの一辺の長さを１０ｍｍとしたシフト型ＥＢＧパターン４２における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示し、図９（Ｂ）に、導電パターン３０Ａの一辺の長さを８ｍｍとしたシフト型ＥＢＧパターン４２及び導電パターン３０Ａの一辺の長さを１０ｍｍとした従来型ＥＢＧパターン４０’における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示す。
【００６１】
図９（Ａ）において、実線は、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示し、破線は、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示している。
【００６２】
図９（Ａ）に示すように、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値は、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２に比較して低くなっている。
【００６３】
一方、図９（Ｂ）において、実線は、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａの従来型ＥＢＧパターン４０’の測定結果を示し、破線は、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示している。
【００６４】
図９（Ｂ）に示すように、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値は、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａの従来型ＥＢＧパターン４０’に相当する。
【００６５】
図１０（Ａ）に、導電パターン３０Ａの一辺の長さを１０ｍｍとした従来型ＥＢＧパターン４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示し、図１０（Ｂ）に、導電パターン３０Ａの一辺の長さを８ｍｍとした従来型ＥＢＧパターン４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示す。
【００６６】
図１０（Ａ）において、実線は、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示し、破線は、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａの従来型ＥＢＧパターン４０’の測定結果を示している。
【００６７】
図１０（Ａ）に示すように、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａでは、シフト型ＥＢＧパターン４２における放射電界強度の値は、従来型ＥＢＧパターン４０に比較して低くなっている。
【００６８】
一方、図１０（Ｂ）において、実線は、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示し、破線は、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａの従来型ＥＢＧパターン４０’の測定結果を示している。
【００６９】
図１０（Ｂ）に示すように、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａでは、シフト型ＥＢＧパターン４２における放射電界強度の値は、従来型ＥＢＧパターン４０に比較して低くなっている。
【００７０】
図１１（Ａ）に、導電パターン３０Ａの一辺の長さを８ｍｍとしたシフト型ＥＢＧパターン４２及び導電パターン３０Ａの一辺の長さを１０ｍｍとしたシフト型ＥＢＧパターン４２における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示し、図１１（Ｂ）に、導電パターン３０Ａの一辺の長さを８ｍｍとしたシフト型ＥＢＧパターン４２及び導電パターン３０Ａの一辺の長さを１０ｍｍとした従来型ＥＢＧパターン４０’における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示す。
【００７１】
図１１（Ａ）において、実線は、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示し、破線は、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示している。
【００７２】
図１１（Ａ）に示すように、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２における放射電界強度の値と、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２における放射電界強度の値とは、同等となっている。
【００７３】
一方、図１１（Ｂ）において、実線は、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａの従来型ＥＢＧパターン４０’の測定結果を示し、破線は、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示している。
【００７４】
図１１（Ｂ）に示すように、一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２における放射電界強度の値は、一辺１０ｍｍの導電パターン３０Ａの従来型ＥＢＧパターン４０’に比較して低くなっている。
【００７５】
表１に、上述した図８〜１１に示した測定結果に基づいた各ＥＢＧパターン毎のＳ２１の特性及び放射電界強度の特性を示す。
【００７６】
なお、表１において、「○」で示されるＥＢＧパターンは、Ｓ２１又は放射電界強度の値が他のＥＢＧパターンに比較して低い値であることを示し、「×」で示されるＥＢＧパターンは、Ｓ２１又は放射電界強度の値が他のＥＢＧパターンに比較して低い値であることを示す。すなわち、「○」の多いＥＢＧパターンほど、測定点ａから測定点ｂまで伝搬されるノイズやＥＢＧパターンからの放射電界を抑制しており、表１は、それが図３に示す構造の一辺８ｍｍの導電パターン３０Ａのシフト型ＥＢＧパターン４２であることを示している。
【００７７】
【表１】
2010147403.tif 000003
次に、図１２，１３を参照して、ｙ方向に信号を伝搬させた場合の従来型ＥＢＧパターン４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２における、信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化、及び放射電界強度の変化を説明する。
【００７８】
なお、本測定の対象とする従来型ＥＢＧパターン４０’及びシフト型ＥＢＧパターン４２は、図２（Ｂ）に示される従来型ＥＢＧパターン４０’、及び図３に示されるシフト型ＥＢＧパターン４２と同じ形状であり、導電パターン３０Ａの形状は、一辺の長さが８ｍｍの正方形状に形成され、導電パターン３０Ｂ，３０Ｃの形状は、長さが７．５ｍｍ及び幅が１ｍｍの方形状に形成されている。
【００７９】
図１２（Ａ）に、上記シフト型ＥＢＧパターン４２、従来型ＥＢＧパターン４０’における、信号を測定点ａから測定点ｃまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示し、図１２（Ｂ）に信号を測定点ａから測定点ｃまで伝搬させたときの周波数に対する発生する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示す。
【００８０】
図１２（Ａ），（Ｂ）において、実線は従来型ＥＢＧパターン４０の測定結果を示し、破線はシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示している。
【００８１】
図１２（Ａ）に示すように、シフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値は、従来型ＥＢＧパターン４０におけるＳ２１の値に比較して低くなっていないが、図１２（Ｂ）に示すように、放射電界強度の値に関しては６〜８ＧＨｚで低くなっている。
【００８２】
図１３（Ａ）に、上記シフト型ＥＢＧパターン４２、従来型ＥＢＧパターン４０’における、信号を測定点ｅから測定点ｆまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示し、図１３（Ｂ）に信号を測定点ｅから測定点ｆまで伝搬させたときの周波数に対する発生する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示す。
【００８３】
図１３（Ａ），（Ｂ）において、実線は従来型ＥＢＧパターン４０の測定結果を示し、破線はシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示している。
【００８４】
図１３（Ａ）に示すように、シフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値は、従来型ＥＢＧパターン４０におけるＳ２１の値に比較して低くなっておらず、また、図１３（Ｂ）に示すように、放射電界強度の値に関して差異がない。
【００８５】
［第２の実施の形態］
本第２の実施の形態では、導電パターン３０Ａの形状を円形状とする場合の形態例について説明する。なお、本第２の実施の形態に係るマザーボード１０の構成は、第１の実施の形態に係るもの（図１参照。）と同様であるので説明を省略する。
【００８６】
図１４に、本第２の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２の構造を示す。なお、図１４における図３と同一の構成部分については図３と同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００８７】
同図に示すように、本第２の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２は、導電パターン３０Ａ’の形状を円形状とすると共に、間隔５０Ａ及び間隔５０Ｂを当該導電パターン３０Ａ’の直径に相当する間隔とし、導電パターン３０Ｂの形状を上記直径の長さに相当する長さを備えた方形状とする。なお、本第２の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２では、導電パターン３０Ｃの形状も、上記直径の長さに相当する長さを備えた方形状とする。
【００８８】
なお、本第２の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２では、導電パターン３０Ａ’の直径を８ｍｍとし、導電パターン３０Ａ’がｘ方向に５つ配列された導電パターン列３２をｙ方向に３列隣接して配列したＥＢＧパターンを適用する。また、基板１２の形状として、長辺の長さが９２．５ｍｍ及び短辺の長さが４６ｍｍの長方形状を適用する。
【００８９】
図１５（Ａ）に、図１４に示される導電パターン３０Ａ’の形状を直径８ｍｍの円形状としたシフト型ＥＢＧパターン４２、及び図２（Ｂ）に示される導電パターン３０Ａの形状を一辺８ｍｍの正方形状とした従来型ＥＢＧパターン４０’における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示し、図１５（Ｂ）に信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示す。
【００９０】
図１５（Ａ），（Ｂ）において、実線は、導電パターン３０Ａが一辺８ｍｍの正方形状の従来型ＥＢＧパターン４０’の測定結果を示し、破線は、導電パターン３０Ａ’が直径８ｍｍの円形状のシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示している。
【００９１】
図１５（Ａ）に示すように、導電パターン３０Ａ’が直径８ｍｍの円形状のシフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値は、導電パターン３０Ａが一辺８ｍｍの正方形状の従来型ＥＢＧパターン４０’におけるＳ２１の値に比較して低くなっていないが、図１６（Ｂ）に示すように放射電界強度の値は、６〜７ＧＨｚにおいて低くなっている。
【００９２】
［第３の実施の形態］
本第３の実施の形態では、導電パターン３０Ａと隣接する他の導電パターン３０Ａとを導電パターン３０Ｃによってｙ方向でのみ接続させる場合の形態例について説明する。なお、本第３の実施の形態に係るマザーボード１０の構成は、第１の実施の形態に係るもの（図１参照。）と同様であるので説明を省略する。
【００９３】
図１６に、本第３の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２の構造を示す。なお、図１６における図３と同一の構成部分については図３と同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００９４】
同図に示すように、本第３の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２は、導電パターン３０Ａによって、導電パターン列３２の一端に位置する導電パターン３０Ａが、ｙ方向に隣接する一つの他の導電パターン３０Ａとｙ方向に接続され、上記一端に位置する導電パターン３０Ａ以外の導電パターン３０Ａが、ｙ方向に隣接する２つの他の導電パターン３０Ａとｙ方向に接続される。
【００９５】
また、本第３の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２は、導電パターン３０Ａの形状を一辺がｘ方向を向いた正方形状とすると共に、間隔５０Ａ及び間隔５０Ｂを導電パターン３０Ａの一辺に相当する間隔とし、導電パターン３０Ｃの形状を方形状とする。また、本第３の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２は、間隔５０Ｃとしても導電パターン３０Ａの一辺に相当する間隔とし、導電パターン３０Ｃの長さを導電パターン３０Ａの一辺の長さに相当する長さとする。
【００９６】
なお、本第３の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２では、導電パターン３０Ａの一辺を８ｍｍとし、導電パターン３０Ａがｘ方向に５つ配列された導電パターン列３２をｙ方向に３列隣接して配列したＥＢＧパターンを適用する。また、基板１２の形状として、長辺の長さが９２．５ｍｍ及び短辺の長さが４６ｍｍの長方形状を適用する。
【００９７】
図１７（Ａ）に、図１６に示される導電パターン３０Ａがｙ方向でのみ接続されたシフト型ＥＢＧパターン４２、及び図２（Ｂ）に示される従来型ＥＢＧパターン４０’における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示し、図１７（Ｂ）に信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示す。
【００９８】
図１７（Ａ），（Ｂ）において、実線は、図２（Ｂ）に示される従来型ＥＢＧパターン４０’の測定結果を示し、破線は、導電パターン３０Ａがｙ方向でのみ接続されたシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示している。
【００９９】
図１７（Ａ）に示すように、導電パターン３０Ａがｙ方向に接続されたシフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値は、図２（Ｂ）に示される従来型ＥＢＧパターン４０’におけるＳ２１の値に比較して低くなっていないが、図１７（Ｂ）に示すように放射電界強度の値は、６〜７ＧＨｚにおいて低くなっている。
【０１００】
［第４の実施の形態］
本第４の実施の形態では、隣接する導電パターン３０Ａを千鳥状に配列する場合の形態例について説明する。なお、本第２の実施の形態に係るマザーボード１０の構成は、第１の実施の形態に係るもの（図１参照。）と同様であるので説明を省略する。
【０１０１】
図１８（Ａ）に、本第４の実施の形態に係る従来型ＥＢＧパターン４０の構造を示し、図１８（Ｂ）に、本第４の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２の構造を示す。なお、図１８における図３と同一の構成部分については図３と同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０１０２】
図１８（Ａ）に示す従来型ＥＢＧパターン４０は、導電パターン３０Ａをｘ方向に複数個配列隣接して配列した1列の導電パターン列３２と、隣接する導電パターン３０Ａの各々を接続する導電パターン３０Ｂとで構成されている。
【０１０３】
一方、図１８（Ｂ）に示すシフト型ＥＢＧパターン４２は、導電パターン３０Ａをｘ方向に間隔５０Ａを隔てて複数個隣接させて配列した導電パターン列３２を、隣接する導電パターン列３２の導電パターン３０Ａの一部分が間隔５０Ａ内に挿入されるようにｙ方向に複数隣接させて配列した導電パターン群３４と、隣接する導電パターン列３２の一方の列の導電パターン３０Ａの上記一部分と他方の列の導電パターン３０Ａの上記一部分とを、ｘ方向に接続する複数の導電パターン３０Ｂとで構成され、導電パターン３０Ａが千鳥状に配列されている。
【０１０４】
なお、本第４の実施の形態に係る従来型ＥＢＧパターン４０、及びシフト型ＥＢＧパターン４２では、導電パターン３０Ａの形状として、一辺の長さが１５ｍｍの正方形状を適用し、導電パターン３０Ｂの形状として長さが０．５ｍｍ及び幅が１ｍｍの方形状を適用する。また、基板１２の形状として、長辺の長さが９２．５ｍｍ及び短辺の長さが４６ｍｍの長方形状を適用する。
【０１０５】
さらに、本第４の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン４２では、導電パターン３０Ａがｘ方向に３つ配列された導電パターン列３２をｙ方向に２列隣接して配列したＥＢＧパターンを適用する。
【０１０６】
図１９（Ａ）に、図１８（Ａ）に示される従来型ＥＢＧパターン４０、及び図１８（Ｂ）に示されるシフト型ＥＢＧパターン４２における、信号を測定点ａから測定点ｂ及び測定点ａから測定点ｃまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示し、図１９（Ｂ）に信号を測定点ａから測定点ｂ及び測定点ａから測定点ｃまで伝搬させたときの周波数に対する発生する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示す。
【０１０７】
図１９（Ａ），（Ｂ）において、実線は、従来型ＥＢＧパターン４０における測定点ａから測定点ｂまでの測定結果を示し、一点鎖線は、シフト型ＥＢＧパターン４２における測定点ａから測定点ｂまでの測定結果を示し、破線は、シフト型ＥＢＧパターン４２における測定点ａから測定点ｃまでの測定結果を示している。
【０１０８】
図１９（Ａ）に示すように、シフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値は、従来型ＥＢＧパターン４０におけるＳ２１の値に比較して低くなっており、特に、シフト型ＥＢＧパターン４２における測定点ａから測定点ｃまでの測定結果がより低くなっている。
【０１０９】
また、図１９（Ｂ）に示すように、シフト型ＥＢＧパターン４２における放射電界強度の値は、従来型ＥＢＧパターン４０におけるＳ２１の値に比較して７〜８ＧＨｚにおいて低くなっている。
【０１１０】
次に、図２０，２１を参照して、導電パターン３０Ａの数を、図１８に示したＥＢＧパターンに比較して減らした場合について説明する。
【０１１１】
図２０（Ａ）に示す従来型ＥＢＧパターン４０では、導電パターン３０Ａがｘ方向に４つ配列された１列の導電パターン列３２を適用しており、図２０（Ａ）に示すシフト型ＥＢＧパターン４２では、導電パターン３０Ａがｘ方向に２つ配列された導電パターン列３２をｙ方向に２列隣接して配列したＥＢＧパターンを適用している。
【０１１２】
なお、図２０に示す従来型ＥＢＧパターン４０、及びシフト型ＥＢＧパターン４２では、導電パターン３０Ａの形状として、一辺の長さが１５ｍｍの正方形状を適用し、導電パターン３０Ｂの形状として長さが０．５ｍｍ及び幅が１ｍｍの方形状を適用する。また、基板１２の形状として、長辺の長さが６１．５ｍｍ及び短辺の長さが４６ｍｍの長方形状を適用する。
【０１１３】
図２１（Ａ）に、図２０（Ａ）に示す従来型ＥＢＧパターン４０、及び図２０（Ｂ）に示すシフト型ＥＢＧパターン４２における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示し、図２１（Ｂ）に信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示す。
【０１１４】
図２１（Ａ），（Ｂ）において、実線は上記従来型ＥＢＧパターン４０の測定結果を示し、破線は上記シフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示している。
【０１１５】
図２１（Ａ）に示すように、シフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値は、従来型ＥＢＧパターン４０’におけるＳ２１の値に比較して低くなっている一方、図１７（Ｂ）に示すように放射電界強度の値に差異はない。
【０１１６】
以上、本発明を上記各実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記各実施の形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記各実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、当該変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【０１１７】
また、上記各実施の形態は、クレーム（請求項）にかかる発明を限定するものではなく、また実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における組み合わせにより種々の発明を抽出できる。上記各実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【０１１８】
例えば、上記各実施の形態で適用した基板１２、導電パターン３０Ａ，３０Ｂの大きさ、導電パターン列３２を構成する導電パターン３０Ａの数、及び導電パターン列３２の数等は一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１１９】
また、上記各実施の形態では、本発明に係る印刷配線基板を複数の回路基板２０をコネクタ１４を介して着脱可能なマザーボード１０に適用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図２２に示すように複数の回路６０Ａ，６０Ｂを設けた基板１２’に適用し、当該基板１２’の電源層にシフト型ＥＢＧパターン４２を形成する形態としてもよい。
【０１２０】
その他、上記各実施の形態で説明したＥＢＧパターンの構成（図３、図７、図１４等参照。）は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において不要な部分を削除したり、新たな部分を追加したりすることができることは言うまでもない。
【０１２１】
例えば、図２３（Ａ）に示すように、ｙ方向に隣接する導電パターン３０Ａの各々をｙ方向に対して傾けた導電パターン３０Ｃによって接続させるシフト型ＥＢＧパターン４２としてもよい。
【０１２２】
図２４（Ａ）に、図２３（Ａ）に示されるシフト型ＥＢＧパターン４２における、信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示し、図２４（Ｂ）に信号を測定点ａから測定点ｂまで伝搬させたときの周波数に対する発生する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示す。なお、図２４（Ａ），（Ｂ）には、図２３（Ｂ）に示される導電パターン３０Ａと他の導電パターン３０Ａとを導電パターン３０Ｃによってｙ方向でのみ接続させるシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果の一例も示す。
【０１２３】
なお、測定に用いた図２３に示す２つのシフト型ＥＢＧパターン４２では、導電パターン３０Ａの形状として、一辺の長さが８ｍｍの正方形状を適用し、導電パターン３０Ｂの形状として長さが７．５ｍｍ及び幅が１ｍｍの方形状を適用した。また、基板１２の形状として、長辺の長さが９２．５ｍｍ及び短辺の長さが４６ｍｍの長方形状を適用した。
【０１２４】
図２４（Ａ），（Ｂ）において、実線は図２３（Ｂ）に示すシフト型ＥＢＧパターン４０の測定結果を示し、破線は図２３（Ａ）に示すシフト型ＥＢＧパターン４２の測定結果を示している。
【０１２５】
図２４（Ａ）に示すように、図２３（Ａ）に示すシフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値は、図２３（Ｂ）に示すシフト型ＥＢＧパターン４２におけるＳ２１の値に比較して、６〜９ＧＨｚで低くなっている。また、図２４（Ｂ）に示すように、図２３（Ａ）に示すシフト型ＥＢＧパターン４２における放射電界強度の値は、図２３（Ｂ）に示すシフト型ＥＢＧパターン４２における放射電界強度の値に比較して、７ＧＨｚで低くなっている。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】実施の形態に係るマザーボードの外観上の構成を示す外観図である。
【図２】従来のＥＢＧパターンの構造を示す模式図である。
【図３】実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターンの構造を示す模式図である。
【図４】実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン及び従来型ＥＢＧパターンにおける信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１並びに放射電界強度の変化の測定結果の一例を示しグラフである。
【図５】実施の形態に係る他の形状のシフト型ＥＢＧパターン及び従来型ＥＢＧパターンにおける信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１並びに放射電界強度の変化の測定結果の一例を示しグラフである。
【図６】実施の形態に係る他の形状のシフト型ＥＢＧパターン及び従来型ＥＢＧパターンにおける信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１並びに放射電界強度の変化の測定結果の一例を示しグラフである。
【図７】実施の形態に係る導電パターンＡの一辺の長さを１０ｍｍとした従来型ＥＢＧパターン及びシフト型ＥＢＧパターンの構造を示す模式図である。
【図８】実施の形態に係る一辺１０ｍｍの導電パターンＡの従来型ＥＢＧパターン及びシフト型ＥＢＧパターン、並びに一辺８ｍｍの導電パターンＡの従来型ＥＢＧパターン及びシフト型ＥＢＧパターンにおける、信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示すグラフである。
【図９】実施の形態に係る一辺１０ｍｍの導電パターンＡのシフト型ＥＢＧパターン及び一辺８ｍｍの導電パターンＡのシフト型ＥＢＧパターン、並びに一辺１０ｍｍの導電パターンＡの従来型ＥＢＧパターン及び一辺８ｍｍの導電パターンＡのシフト型ＥＢＧパターンにおける、信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１の変化の測定結果の一例を示すグラフである。
【図１０】実施の形態に係る一辺１０ｍｍの導電パターンＡの従来型ＥＢＧパターン及びシフト型ＥＢＧパターン、並びに一辺８ｍｍの導電パターンＡの従来型ＥＢＧパターン及びシフト型ＥＢＧパターンにおける、信号を伝搬させたときの周波数に対する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示すグラフである。
【図１１】実施の形態に係る一辺１０ｍｍの導電パターンＡのシフト型ＥＢＧパターン及び一辺８ｍｍの導電パターンＡのシフト型ＥＢＧパターン、並びに一辺１０ｍｍの導電パターンＡの従来型ＥＢＧパターン及び一辺８ｍｍの導電パターンＡのシフト型ＥＢＧパターンにおける、信号を伝搬させたときの周波数に対する放射電界強度の変化の測定結果の一例を示すグラフである。
【図１２】実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン及び従来型ＥＢＧパターンにおける、ｙ方向に信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１並びに放射電界強度の変化の測定結果の一例を示すグラフである。
【図１３】実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン及び従来型ＥＢＧパターンにおける、ｙ方向に信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１並びに放射電界強度の変化の測定結果の他の一例を示すグラフである。
【図１４】第２の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターンの構造を示す模式図である。
【図１５】第２の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン及び従来型ＥＢＧパターンにおける、信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１並びに放射電界強度の変化の測定結果の一例を示すグラフである。
【図１６】第３の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターンの構造を示す模式図である。
【図１７】第３の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン及び従来型ＥＢＧパターンにおける、信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１並びに放射電界強度の変化の測定結果の一例を示すグラフである。
【図１８】第４の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン並びに従来型ＥＢＧパターンの構造を示す模式図である。
【図１９】第４の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン及び従来型ＥＢＧパターンにおける、信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１並びに放射電界強度の変化の測定結果の一例を示すグラフである。
【図２０】第４の実施の形態に係るシフト型ＥＢＧパターン並びに従来型ＥＢＧパターンの他の構造を示す模式図である。
【図２１】第４の実施の形態に係る他のシフト型ＥＢＧパターン及び従来型ＥＢＧパターンにおける、信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１並びに放射電界強度の変化の測定結果の一例を示すグラフである。
【図２２】他の形態に係る基板の構造を示す模式図である。
【図２３】他の形態に係るシフト型ＥＢＧパターンの構造を示す模式図である。
【図２４】他の形態に係るシフト型ＥＢＧパターンにおける、信号を伝搬させたときの周波数に対するＳ２１並びに放射電界強度の変化の測定結果の他の一例を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１２７】
１０    基板
３０Ａ  導電パターン
３０Ｂ  導電パターン
３０Ｃ  導電パターン
３２    導電パターン列
３４    導電パターン群
【図１】
2010147403.tif 000004
【図２】
2010147403.tif 000005
【図３】
2010147403.tif 000006
【図４】
2010147403.tif 000007
【図５】
2010147403.tif 000008
【図６】
2010147403.tif 000009
【図７】
2010147403.tif 000010
【図８】
2010147403.tif 000011
【図９】
2010147403.tif 000012
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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