(57)【要約】【課題】半導体ウエハに使用するメッキレジスト液が、半導体ウエハの集積回路部分へ流れ込むことがなく、かつ、半導体ウエハが有する裏面電極の保護のために十分な厚さを有するメッキレジストの液膜が形成できるための半導体ウエハの形状を提供することを目的とする。【解決手段】主面１２ａに設けた半導体集積回路１７と、裏面１２ｂに設けた裏面電極１５とを有する半導体ウエハ１２であって、半導体ウエハ１２の裏面１２ｂの周縁部の形状が、周縁部の最外端１３から１ｍｍ以内で、かつ、裏面電極１５を有さない領域において、前記半導体ウエハの周縁に沿って、１つ若しくは複数の段差又はテーパの形状を有することを特徴とする。【選択図】図１Ａ
2010182757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に設けた半導体集積回路と、裏面に設けた裏面電極とを有する半導体ウエハであって、
該半導体ウエハの裏面の周縁部の形状が、前記周縁部の最外端から１ｍｍ以内で、かつ、前記裏面電極を有さない領域において、前記半導体ウエハの周縁に沿って、１つ若しくは複数の段差又はテーパの形状を有することを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項２】
主面に設けた半導体集積回路と、裏面に設けた裏面電極とを有する半導体ウエハであって、
該半導体ウエハの主面の周縁部の形状が、前記半導体集積回路を有さない領域において、前記半導体ウエハの周縁に沿って、複数の段差を有することを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項３】
主面に設けた半導体集積回路と、裏面に設けた裏面電極とを有する半導体ウエハであって、
該半導体ウエハの主面の周縁部の形状が、前記半導体集積回路を有さない領域において、前記半導体ウエハの周縁に沿って、１つ若しくは複数の突起物及び／又は溝を有することを特徴とする半導体ウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路を有する半導体ウエハの形状に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な電子機器に応用される半導体集積回路が、電子機器に設けられる際に、配線基板等に結合されるための半導体パッケージ技術が重要な役割を果たす。シリコンウエハを母体とする半導体集積回路に、更にメッキ処理を施して電子機器との金属的接点を形成する場合等には、半導体ウエハのメッキ処理に関する技術的対応が必要となる。特に、メッキ処理用薬液に対するレジスト層の形成に関しては、半導体ウエハ製品の品質の維持向上のため、液膜の厚さ、形状についての精度を向上させることが重要である。
【０００３】
半導体ウエハに接する液の、液膜の厚さ、形状の精度向上については、例えば、ウエハ周縁部のレジスト層の厚さをウエハ中心部の厚さと同一に保つための、端部断面の傾斜角度を設定する技術（特許文献１）、ウエハ表面へのメッキを行う前に、ウエハのエッジにメッキ液付着防止のためのレジストを塗布する技術（特許文献２）、電解液遮断のためのＯリングについて、ウエハに対する接地面積を大きくとるための、ウエハ周縁部の段差を設定する技術（特許文献３）等が提案されている。また、レジスト膜から一部露出したシリコン基板周縁部へのメッキ金属付着を防止するための酸化膜の形成の技術等（特許文献４）が開示されている。更に、基板表面の周辺部に所定の幅及び深さの段差を設けることにより、平坦なレジスト膜を形成することを特徴とする半導体基板の技術等（特許文献５）が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１―２９１６４９号公報
【特許文献２】特開平４―３１５４３５号公報
【特許文献３】特開２００１―３３８８５２号公報
【特許文献４】特開２００７−１５０１８５号公報
【特許文献５】昭６１−３２４２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体ウエハのメッキ処理に際して、メッキ用薬液の流動不良による半導体集積回路へのメッキ金属の付着不良が生じたり、メッキ用薬液が半導体ウエハの裏面電極の端部付近に染み込むことによって裏面電極の剥離が生じたりすることがある。半導体ウエハの裏面電極が剥離すると、メッキ後のウエハの処理工程において、例えば個々の半導体チップに分離するダイシングの工程において、剥離した裏面電極がパーティクル（ダスト）となって半導体チップの製品に付着し、コンタミネーション混入等製品の歩留まり落ちの一因となる等の不具合を生じる場合があるので、裏面電極の剥離を防止する必要がある。
【０００６】
係る裏面電極の剥離を防止するには、裏面電極の端部付近の保護のためのメッキレジスト液の膜厚を厚くして、メッキ薬液の染み込みを防止する必要がある。しかし、メッキレジスト液の膜厚を厚くするためにメッキレジストの薬液の塗布量を増加すると、半導体の集積回路のメッキを施そうとする部分へメッキレジスト液が流れ込み、半導体集積回路へのメッキ処理が行えない部分が生じることがある。従って、メッキレジスト液の十分な液膜の膜厚の保持と流れ込み防止を同時に可能とする、半導体ウエハの形状を備える必要がある。
【０００７】
しかしながら、従来の技術においては、メッキレジストの形成に関して上記の先行技術文献の発明に見られるように、半導体集積回路への流れ込みを防ぎ、かつ、裏面電極の端部を十分保護することができる技術又はその示唆を見出すことができなかった。
【０００８】
そこで、本発明は、メッキレジスト液が、半導体ウエハの集積回路部分へ流れ込むことがなく、かつ、半導体ウエハが有する裏面電極の保護のために十分な厚さを有するメッキレジストの液膜が形成できる半導体ウエハの形状に関する技術を提供して、製品品質を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、第１の発明は、主面に設けた半導体集積回路と、裏面に設けた裏面電極とを有する半導体ウエハであって、該半導体ウエハの裏面の周縁部の形状が、前記周縁部の最外端から１ｍｍ以内で、かつ、前記裏面電極を有さない領域において、前記半導体ウエハの周縁に沿って、１つ若しくは複数の段差又はテーパの形状を有することを特徴とする。
【００１０】
また、上記目的を達成するため、第２の発明は、主面に設けた半導体集積回路と、裏面に設けた裏面電極とを有する半導体ウエハであって、該半導体ウエハの主面の周縁部の形状が、前記半導体集積回路を有さない領域において、前記半導体ウエハの周縁に沿って、複数の段差を有することを特徴とする。
【００１１】
また、上記目的を達成するため、第３の発明は、主面に設けた半導体集積回路と、裏面に設けた裏面電極とを有する半導体ウエハであって、該半導体ウエハの主面の周縁部の形状が、前記半導体集積回路を有さない領域において、前記半導体ウエハの周縁に沿って、１つ若しくは複数の突起物及び／又は溝を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、メッキレジスト液が、半導体ウエハの集積回路部分へ流れ込むことがなく、かつ、半導体ウエハが有する裏面電極の保護のために十分な厚さを有するメッキレジストの液膜が形成できるための半導体ウエハの形状に関する技術を提供して、製品品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図１Ｂ】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図１Ｃ】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図１Ｄ】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図１Ｅ】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図２Ａ】本発明の第２の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図２Ｂ】本発明の第２の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図３Ａ】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図３Ｂ１】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図３Ｂ２】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図３Ｃ】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図３Ｄ】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図３Ｅ】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図３Ｆ】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハを例示する図である。
【図４Ａ】本発明の第４の実施の形態に係る半導体ウエハの機械加工の状態を例示する図である。
【図４Ｂ】本発明の第４の実施の形態に係る半導体ウエハの機械加工の状態を例示する図である。
【図４Ｃ】本発明の第４の実施の形態に係る半導体ウエハの機械加工の状態を例示する図である。
【図４Ｄ】本発明の第４の実施の形態に係る半導体ウエハの機械加工の状態を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
【００１５】
（第１の実施の形態）
本発明に係る第１の実施の形態は、主面に半導体集積回路が形成されているシリコンウエハの裏面電極が形成されている裏面に、裏面電極を有さない領域において、半導体ウエハの周縁に沿って１つ若しくは複数の段差又はテーパの形状を有することを特徴とする半導体ウエハの例示である。
【００１６】
図１Ａ〜図１Ｅにおいて、半導体ウエハの裏面の周縁に沿った形状が、段差又はテーパの形状を有する半導体ウエハを例示している。
【００１７】
図１Ａは、１段の段差１１を有する半導体ウエハ１２を例示する図である。段差１１は、半導体ウエハ１２の最外端１３から距離ｄ１が１ｍｍ以下の範囲に、半導体ウエハの周縁に沿って設けられる。段差１１の深さｈ１は、以下のような諸条件に応じて、設定する。レジスト膜を形成する際の液剤の粘度、半導体ウエハの表面の粗度又は濡れ性に影響を与える表面の性質によって、段差付近に付着する液剤１４の液量及び厚さが変化するので、状況を比較して、最適な値を設定する。ｈ１の値は、例えば、３０〜５０μｍ（代表値）である。
【００１８】
段の水平方向の距離ｄ１は１ｍｍ以下に設定する。その理由は、形成されたレジスト膜の形状が、距離ｄ１が１ｍｍ以下の範囲において、盛り上がり状態を示し、同位置において、裏面電極を保護することができ、従って、裏面電極の端面の剥離が生じないからである。
【００１９】
（第１の実施の形態の効果）
レジスト膜が最も剥離しやすい半導体ウエハの縁辺の部分を、塗布のときのレジスト液を盛り上げることによって、シリコン基体の裏面に形成された裏面電極１５の端部１６を保護し、電極の剥離を防止することができる。更に、レジスト液の塗布の際に、レジスト液が半導体集積回路面１７に流れ込んで、損傷を与えることもない。従って、半導体ウエハの、ダイシング等のメッキ後の工程において、ダスト又は異物の混入を生じることがなく、半導体チップ製品の品質の向上を図ることができる。
【００２０】
（第１の実施の形態の第１の変形例）
図１Ｂは、２段の段差１０１を有する半導体ウエハ１０２を例示する図である。段差１０１は、半導体ウエハ１０２の最外端１０３から距離ｄ１が１ｍｍ以下の範囲に、半導体ウエハ１０２の周縁に沿って設けられる。段差１０１の深さｈ２１及びｈ２２は、（第１の実施の形態）において記載したと同様な液剤、半導体ウエハの表面等の諸条件に応じて、選択する。ｈ２１＋ｈ２２の値は、例えば、３０〜５０μｍ（代表値）である。
【００２１】
（第１の実施の形態の第１の変形例の効果）
上記（第１の実施の形態）で示した段差１１に比較して、段数を多く設定することができるので、レジスト液の一層良好な付着状態を得ることができるため、（第１の実施の形態の効果）を更に向上させることができる。
【００２２】
（第１の実施の形態の第２の変形例）
半導体ウエハの周縁に沿って設けられる段差の段数を、さらに増加させた半導体ウエハの端面を形成することができる。レジストの液剤と、半導体ウエハの表面の性質によって、レジスト液の更に良好な付着状態を得ることができる。
【００２３】
図１Ｃは、段差１０４の数が３段の半導体ウエハ１０５を例示する図である。段差１０４は、上記の段差が１，２段の場合と同じく、距離ｄ１が１ｍｍ以下の範囲に、半導体ウエハ１０５の周縁に沿って設けられる。段差１０４の深さｈ３１，ｈ３２及びｈ３３は、上記の段差が１，２段の場合と同様に、液剤、半導体ウエハの表面等の諸条件に応じて、選択する。ｈ３１＋ｈ３２＋ｈ３３の値は、例えば、３０〜５０μｍ（代表値）である。また、段差の段数は、更に増加させることが可能である。
【００２４】
（第１の実施の形態の第２の変形例の効果）
第１の変形例より更にきめ細かくレジスト膜を形成をすることができ、品質の向上を図ることができる。
【００２５】
（第１の実施の形態の第３の変形例及び効果）
図１Ｄは、半導体ウエハの周縁の裏面電極１５を有する裏面に、段差の代わりにテーパ形状１０７を施すことによって、レジスト液の良好な付着状態を得ることができることを例示する図である。レジスト液の半導体ウエハの端面への付着の状態によっては、端面に１つのテーパ面のみを設け、テーパ面の傾き角度θを調整することによって、十分なレジスト液の膜厚を維持し裏面電極の剥離を防止できるので、半導体ウエハ端面の研削、研磨工程の工程を簡素化することができる。テーパ面の半導体ウエハに対する傾き角度θは、例えば１５度，３０度又は４５度等の角度をレジスト液の流動状態に応じて設定することができる。
【００２６】
（第１の実施の形態の第４の変形例及び効果）
半導体ウエハのオリエンテーションフラットの部分又はウエハのノッチの部分付近の段差又はテーパ形状に関して、他の、円弧状の周縁部分と同様の形状を形成することができる。しかし、係るオリエンテーションフラットの部分又はノッチの部分の直近に、製品の半導体チップとして採取すべき半導体集積回路が存在しない半導体ウエハの場合には、オリエンテーションフラットの部分又はノッチの部分に、段差又はテーパ形状を設けないでメッキ加工工程を実施することが可能である。半導体集積回路の領域までレジスト液が流れ込むことがなく、半導体集積回路へのメッキ加工に支障を生じないからである。
【００２７】
図１Ｅは、半導体ウエハ１０６の裏面において、円弧を描く周縁部にはテーパ形状１０７を有し、オリエンテーションフラットの部分１０８にはテーパ形状を設けない状態を例示する図である。係る場合には、半導体ウエハ端面のオリエンテーションフラットの部分１０８の研削、研磨工程の工程を簡素化することができる。
【００２８】
（第２の実施の形態）
本発明に係る第２の実施の形態は、半導体ウエハの主面の周縁部の形状が、半導体集積回路を有さない領域において、半導体ウエハの周縁に沿って、複数の段差を有することを特徴とする半導体ウエハの例示である。
【００２９】
図２Ａにおいて、半導体ウエハの半導体集積回路が形成されている主面に、半導体ウエハの周縁の円弧以外のオリエンテーションフラットの部分等をも含めて、周縁に沿って、複数の段差を有することを特徴とする半導体ウエハを例示している。
【００３０】
図２Ａは、２段の段差２１を有する半導体ウエハ２２を例示する図である。レジスト膜を形成するレジスト液２３が、段差２１の水平面２４ａ及び２４ｂに広く付着し、裏面電極１５の端部２５を保護するのに十分な膜厚となる液量を確保することができるので、裏面電極の端部の剥離を防止することができる。段差の段数を３段以上とすることも可能である。
【００３１】
図２Ｂは、半導体ウエハ２８の、周縁の円弧の部分には段差２１を有し、オリエンテーションフラットの部分２９においては、段差を有さない状態を例示した平面図である。オリエンテーションフラットの部分２９の付近に、半導体集積回路を有さない半導体ウエハの場合には、レジスト液の流れ込みの懸念もなく、半導体集積回路へのメッキ加工に支障を生じない。係る場合には、オリエンテーションフラットの部分２９の付近には段差を要しない。
【００３２】
（第２の実施の形態による効果）
レジスト膜を形成する液剤が、段差の広い水平面に付着し、裏面電極の端部を保護するのに十分な膜厚となる液量を確保することができるので、裏面電極の端部の剥離を防止することができ、半導体チップ製品の品質の向上を図ることができる。
【００３３】
（第３の実施の形態）
本発明に係る第３の実施の形態は、半導体ウエハの主面の周縁に、半導体集積回路を有さない領域において、１つ若しくは複数の突起物及び／又は溝を有することを特徴とする半導体ウエハの例示である。周縁の円弧以外のオリエンテーションフラットの部分等をも含めて、突起物、溝を有する例である。
【００３４】
図３Ａ〜図３Ｆにおいて、半導体ウエハの主面の周縁に突起物又は溝を有する半導体ウエハの断面を例示している。
【００３５】
図３Ａは、半導体ウエハ３０の周縁部３１に沿って、矩形の断面を有する突起物３２が設けられた状態を示している。レジスト液３３の塗布時に、突起物３２が、レジスト液３３の半導体集積回路面１７への流れ込みを防止することができるので、半導体ウエハ３０の周縁部３１におけるレジスト液３３の膜厚が厚く保たれ、裏面電極の端部付近３４の剥離からの保護を十分に行うことができる。
【００３６】
図３Ｂ１は、突起物の断面が三角形の場合を例示している。三角形の断面は、その垂直面３５が半導体ウエハの周縁の方向を向いている。また、図３Ｂ２に示すように、垂直面３６が半導体ウエハの中心方向に向いていてもよく、レジスト液の周縁部における流動状態に応じて、断面形状を選択する。また、突起物の断面形状は、これらの形状に限ることなく、液の塗布の状況に応じて、様々な形状をとることが可能である。
【００３７】
図３Ｃは、突起物の上面３７に溝３８を設けた形状を例示している。突起物の上面３７におけるレジスト液の液膜を分離することによって、半導体集積回路面１７へのレジスト液の流れ込み防止について、一層の防止効果を狙った例である。
【００３８】
図３Ｄは、半導体ウエハ３０の周縁部３１に沿って、溝３９を設けた例である。半導体ウエハ３０の周縁部３１におけるレジスト液の膜厚を薄く制御できる場合には、突起物を設けるまでもなく、溝３９による液溜まりの効果によって、半導体集積回路面１７へのレジスト液の流れ込みを防ぐことが可能である。
【００３９】
図３Ｅは、溝３９に沿って、更に半導体ウエハの中心側に突起物３０１を設けた場合の例示である。レジスト液３３の膜厚を厚くして、半導体集積回路面１７への液の流れ込みを防止することができ、かつ、裏面電極１５の端部付近３４の保護を十分に行うことができる。
【００４０】
（第３の実施の形態の効果）
半導体ウエハの裏面電極剥離防止のため、レジスト液の塗布量を増加した場合であっても、レジスト液の半導体集積回路部分への流れ込みを防止することができ、半導体チップの製品の品質向上を図ることができる。
【００４１】
（第３の実施の形態の変形例）
本発明の第３の実施の形態の変形例は、半導体ウエハの周縁の一部に突起物及び溝を有しない半導体ウエハの例示である。
【００４２】
先に示した（第３の実施の形態）の半導体ウエハにおいては、半導体ウエハのオリエンテーションフラットの部分においても、半導体ウエハの周縁の最外端から一定の位置に、突起物又は溝が、図３Ａ又は図３Ｅに示されるように、形成されている。しかし、オリエンテーションフラットの付近に、半導体集積回路を有さない場合には、レジスト液の半導体集積回路への流れ込みの懸念もなく、オリエンテーションフラットの付近については、突起物又は溝の形成を必要としない。
【００４３】
図３Ｆは、半導体ウエハ３０２の主面の、オリエンテーションフラットの部分３０４において、突起物を有しない状態を例示した平面図である。半導体ウエハ３０２の半導体集積回路が形成されている主面において、円弧を描く周縁部には突起物３０３を有し、オリエンテーションフラットの部分３０４には突起物を有さない状態を例示する図である。
【００４４】
（第３の実施の形態の変形例の効果）
オリエンテーションフラットの部分等についての半導体ウエハの突起物等の端面処理工程を省くことができるので、工程の簡素化を図ることができる。
【００４５】
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態は、研削及び研磨の機械加工を用いて、半導体ウエハの周縁に沿った段差又はテーパ形状を形成する、半導体ウエハの製造方法の例示である。
【００４６】
図４Ａ〜図４Ｄは、半導体ウエハの周縁の段差又はテーパ形状を機械加工により形成している状態を例示する図である。以下、半導体ウエハの段差及びテーパ形状の形成について、図４Ａ〜図４Ｄを参照しながら、工程のステップの順を追って製造方法を説明する。
【００４７】
（準備ステップ）
半導体集積回路が形成された半導体ウエハを準備する。半導体ウエハの直径は、６，８，１２インチ等が使用される。
【００４８】
（ステップ１：研削）
研削盤等（図示せず）を使用して、半導体ウエハの周縁について所定の加工を行う。
【００４９】
図４Ａは、裏面電極が形成されている裏面４０に関して、回転する半導体ウエハ４１の周縁４２ａに、周縁部の最外端から１ｍｍ以内の領域において、結合した第１の砥石４３及び第２の砥石４４を押し当てて、２段の段差を研削加工により設ける工程を例示した図である。第１の砥石４３及び第２の砥石４４は、固定されているが、研削の条件によっては、これらの結合した砥石をも回転させて、研削してもよい。
【００５０】
（ステップ２：研磨）
研削された段差の表面性状を、レジスト液との濡れ性等を指標として、表面研磨することにより調整する。濡れ性は、裏面電極を保護するレジスト液の膜の厚さに影響する。半導体ウエハのメッキ加工工程においてレジスト膜を形成するときのレジスト液の挙動が、付着する相手の半導体ウエハの表面との濡れ性によって影響を受け、従ってレジスト液の膜厚が変化するからである。
【００５１】
図４Ｂは、回転する半導体ウエハ４１の周縁４２ｂに、ガイドローラ４５に支持された研磨布４６を押し当てて、２段の段差の表面を研磨している工程を例示した図である。
【００５２】
以上のステップを実施することによって、半導体ウエハの周縁に沿った段差を形成し、段差の表面性状を調整することができ、裏面電極の剥離を防止するために十分なレジスト膜の膜厚を確保することができる。
【００５３】
また、他の方法として、半導体ウエハの周縁のテーパ形状を形成することにより、段差の形成と同様に、裏面電極の剥離防止のための十分なレジスト膜の膜厚を確保することができる。
【００５４】
図４Ｃは、テーパ形状を得るための砥石使用の状態を例示した図である。裏面電極１５が形成されている裏面４０に関して、回転する半導体ウエハ４１の周縁部４２ｃに、周縁部の最外端から１ｍｍ以内の領域において、砥石４７を押し当ててテーパ形状を形成する。図４Ｃにおける角度θは、形成されたテーパ面が、半導体ウエハの裏面電極１５が形成されている裏面４０とのなす角度を示している。砥石４７は固定された状態を示しているが、研削の条件によっては、回転させて研削してもよい。
【００５５】
図４Ｄは、回転する半導体ウエハ４１の周縁４２ｄに、ガイドローラ４８に支持された研磨布４９を押し当てて、テーパ形状の表面を研磨している工程を例示した図である。
【００５６】
以上のステップを実施することによって、半導体ウエハの周縁に沿ったテーパ形状を形成し、テーパ形状の表面性状を調整することができ、裏面電極の剥離を防止するために十分なレジスト膜の膜厚を確保することができる。
【００５７】
（第４の実施の形態の応用例）
第４の実施の形態の応用例は、半導体ウエハの主面についての、周縁に沿った段差又は溝の製造方法の例示である。
【００５８】
図４Ａ〜図４Ｄにおいては、半導体ウエハの裏面電極が形成されている裏面についての段差又はテーパ形状の形成について示されているが、半導体ウエハの半導体集積回路が形成されている主面についての、周縁に沿った段差又は溝を設ける場合の工程も、上記の（第４の実施の形態）に示した（準備ステップ）から（ステップ２：研磨）のステップと同様の、研削及び研磨の機械加工を用いて、実現することができる。
【００５９】
（第５の実施の形態）
本発明の第５の実施の形態は、半導体ウエハの主面に、周縁に沿って突起物を形成する製造方法を例示するものである。周知のフォトリソグラフィの方法によって、突起物を形成することができる。材料としては、例えば、ポリシリコン又はポリイミドを半導体ウエハの主面の全面に堆積させた後、周縁に形成されるべき突起物に対応する部分のみを残して、他の部分を除去する方法を用いることができる。そして、周知技術を用いて、例えば、フォトレジスト膜塗布、露光、現像、ポストベーク、エッチング、フォトレジスト剥離の各ステップにより、半導体ウエハの主面の周縁に沿った突起物を形成することができる。また、エッチングする際には、ウエットエッチング又はドライエッチングを使用することができる。
【００６０】
（第５の実施の形態の変形例）
本発明の第５の実施の形態の変形例は、半導体ウエハの主面に、周縁に沿って突起物を設ける場合に、上記の（第５の実施の形態）に示したフォトリソグラフィの方法の他に、ポリイミド等の材料を用いて、ポッティング法の封止方法により、図３Ａ又は図３Ｅに示すと同様の樹脂の突起物を形成する例である。同一の形状であるため図示を省く。
【００６１】
（第６の実施の形態）
本発明の第６の実施の形態は、半導体ウエハの主面に、周縁に沿って溝を設ける場合にフォトリソグラフィの方法によって行う製造方法の例示である。フォトリソグラフィの方法によって、半導体ウエハの主面の周縁に沿った溝を形成することができる。周知技術を用いて、例えば、フォトレジスト膜塗布、露光、現像、ポストベーク、エッチング、フォトレジスト剥離の各ステップにより、半導体ウエハの主面の周縁に沿った溝を形成することができる。エッチングする際には、ウエットエッチング又はドライエッチングを使用することができる。
【００６２】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００６３】
例えば、上記の実施の形態においてはシリコン半導体のウエハへの発明の適用について説明したが、対象の基板としては、シリコン半導体のウエハに限ることなく、ＧａＡｓ基板、樹脂基板、ガラス基板、金属の基板等様々な基板に、本発明の適用が可能である。
【符号の説明】
【００６４】
１１，２１，１０１，１０４    段差
１２，２２，２８，３０，４１，１０２，１０５，１０６，３０２    半導体ウエハ
１２ａ    半導体ウエハ１２の主面
１２ｂ    半導体ウエハ１２の裏面
１３，１０３    半導体ウエハの最外端
１４    液剤
１５    裏面電極
１６    裏面電極の端部
１７    半導体集積回路面
２３，３３    レジスト液
２４ａ，２４ｂ    段差２１の水平面
２５    裏面電極１５の端部
２９，１０８，３０４  オリエンテーションフラットの部分
３１    半導体ウエハの周縁部
３２，３０１，３０３    突起物
３４    裏面電極１５の端部付近
３５，３６    垂直面
３７    突起物の上面
３８，３９    溝
４０    半導体ウエハの裏面
４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ    半導体ウエハ４１の周縁部
４３    第１の砥石
４４    第２の砥石
４５，４８    ガイドローラ
４６，４９    研磨布
４７    砥石
１０７  テーパ形状
ｄ１    距離
ｈ１，ｈ２１，ｈ２２，ｈ３１，ｈ３２，ｈ３３    段差の深さ
θ      形成されたテーパ面が、半導体ウエハの裏面４０となす角度
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ１】
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【図３Ｂ２】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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