(57)【要約】【課題】複数のウエハーを搬送し、真空処理するための手段を提供する。【解決手段】本発明の真空処理装置によれば、複数の指１５６を有するハンド部１５５を搬入用真空槽１１２ａ内に設けておき、大気雰囲気中で各指１５６上に複数の基板３１を両端をはみ出した状態で配置し、搬入用真空槽１１２ａ内を真空排気し、処理用真空槽１１３と接続してハンド部１５５を処理用真空槽内に移動させる。処理用真空槽１１３内には複数の横棒１６２を有する昇降機構１６１を設けておき、横棒１６２を上方に移動させ、一本の指上の基板の両端を二本の横棒に載せて降下させ、載置台１６５に載せて真空処理を行う。ピンやトレイを使用せずに搬出入できる。【選択図】図１
2010153654.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理用真空槽と、前記処理用真空槽にそれぞれ接続された搬入用真空槽と搬出用真空槽とを有し、前記搬入用真空槽と前記処理用真空槽と前記搬出用真空槽とを真空排気し、前記搬入用真空槽に配置された複数の基板を前記処理用真空槽に移動させて前記処理用真空槽内で真空処理した後、前記搬出用真空槽に移動させる真空処理装置であって、
前記搬入用真空槽と前記搬出用真空槽には、
行列状に配置された複数の基板を非接触の状態で吸着する吸着部と、
前記吸着部を上下移動させる吸着部移動装置と、
が設けられ、
前記吸着部に吸着される前記基板の行数と同数の細長の指部が、前記基板の行間隔と同間隔で同方向に水平面内に配置されたハンド部と、
前記ハンド部を水平方向に移動させるハンド移動装置と、
前記ハンド部を、前記指部が前記吸着部に吸着される前記基板の各行の真下で静止する第一の移載位置と、前記処理用真空槽内の所定の第二の移載位置の間を往復移動させるハンド移動装置とがそれぞれ設けられ、
前記処理用真空槽には、
前記ハンド部よりも低い位置に配置され、複数の基板を載置可能な載置台と、
前記載置台の表面に形成され、前記指部が伸びる方向と同方向に延設された前記指部よりも一本以上多い溝と、
前記各溝の伸びる方向と同方向に延設され、前記各溝内にそれぞれ静止可能な複数の横棒と、
前記横棒を前記溝内の位置と前記指部表面の高さよりも高い位置との間で上下移動させる上下移動装置と、
が設けられ、
前記指部の幅は、隣接する溝に配置される前記横棒間の隙間よりも小さく形成され、
前記指部が前記第二の移載位置で静止したときに、前記指部は横棒間の隙間の真上に位置するように形成された真空処理装置。
【請求項２】
前記吸着部は、鉛直下方に向けられた吸着面と、前記吸着面に形成され、吸着する前記基板と同間隔の行列状に配置された複数の凹部と、前記各凹部内に複数個ずつ配置され、気体の噴出が可能な噴出孔と、前記凹部の外側に配置された突起とを有する請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記上下移動装置は、前記載置台の外部に位置して前記横棒の端部に鉛直に取り付けられ、前記横棒を上下移動させる支持部を有する請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
真空処理の技術分野に関し、特に、大気中から真空雰囲気に複数の基板を搬入する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板を真空雰囲気中で一枚ずつ処理する枚葉式の真空処理装置が広く用いられているが、太陽電池などの技術分野では、小型の基板に対して成膜処理が行われるため、複数枚の基板を一緒に処理して処理速度を向上させたいという要求がある。
【０００３】
この場合、各基板を処理する際に、ハンドとピンとの間で基板を受け渡し、ハンドから真空処理室内の載置台上に基板を移載しようとすると、基板の枚数に応じてピンが増えるため、載置台上に形成するピンが出入りする穴も増加し、載置台中にヒータを設けることも困難となり、また、基板と載置台との間の接触面積が減少する。また、小径の基板がピン上から脱落する虞もある。
【０００４】
複数の基板をトレイ上に配置し、トレイを一枚の基板と見て搬送すると、従来と同じ構造の装置が使用でき、脱落の問題も解消できるが、トレイを基板と一緒に大気中に取り出すと大気が吸着し、トレイと共に基板を真空雰囲気中に搬入すると、トレイから吸着ガスが放出される。
また、トレイも一緒に成膜処理されるため、トレイに薄膜が付着し、パーティクル発生を防止するため、トレイの洗浄が必要となる。
【０００５】
真空雰囲気中で基板を搬送する装置は例えば下記文献に記載されている。
【特許文献１】特開２００６−１９５４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記従来技術の問題を解決するために創作されたものであり、複数枚の基板を大気雰囲気から真空槽内に一緒に移動させる技術を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明は、処理用真空槽と、前記処理用真空槽にそれぞれ接続された搬入用真空槽と搬出用真空槽とを有し、前記搬入用真空槽と前記処理用真空槽と前記搬出用真空槽とを真空排気し、前記搬入用真空槽に配置された複数の基板を前記処理用真空槽に移動させて前記処理用真空槽内で真空処理した後、前記搬出用真空槽に移動させる真空処理装置であって、前記搬入用真空槽と前記搬出用真空槽には、行列状に配置された複数の基板を非接触の状態で吸着する吸着部と、前記吸着部を上下移動させる吸着部移動装置と、が設けられ、前記吸着部に吸着される前記基板の行数と同数の細長の指部が、前記基板の行間隔と同間隔で同方向に水平面内に配置されたハンド部と、前記ハンド部を水平方向に移動させるハンド移動装置と、前記ハンド部を、前記指部が前記吸着部に吸着される前記基板の各行の真下で静止する第一の移載位置と、前記処理用真空槽内の所定の第二の移載位置の間を往復移動させるハンド移動装置とがそれぞれ設けられ、前記処理用真空槽には、前記ハンド部よりも低い位置に配置され、複数の基板を載置可能な載置台と、前記載置台の表面に形成され、前記指部が伸びる方向と同方向に延設された前記指部よりも一本以上多い溝と、前記各溝の伸びる方向と同方向に延設され、前記各溝内にそれぞれ静止可能な複数の横棒と、前記横棒を前記溝内の位置と前記指部表面の高さよりも高い位置との間で上下移動させる上下移動装置と、が設けられ、前記指部の幅は、隣接する溝に配置される前記横棒間の隙間よりも小さく形成され、前記指部が前記第二の移載位置で静止したときに、前記指部は横棒間の隙間の真上に位置するように形成された真空処理装置である。
また本発明は、前記吸着部は、鉛直下方に向けられた吸着面と、前記吸着面に形成され、吸着する前記基板と同間隔の行列状に配置された複数の凹部と、前記各凹部内に複数個ずつ配置され、気体の噴出が可能な噴出孔と、前記凹部の外側に配置された突起とを有する真空処理装置である。
また本発明は、前記上下移動装置は、前記載置台の外部に位置して前記横棒の端部に鉛直に取り付けられ、前記横棒を上下移動させる支持部を有する真空処理装置である。
【０００８】
本発明は、処理用真空槽と、前記処理用真空槽に接続された搬入用真空槽とを有し、前記搬入用真空槽と前記処理用真空槽を真空排気し、前記搬入用真空槽に配置された複数の基板を前記処理用真空槽に移動させて前記処理用真空槽内で真空処理する真空処理装置であって、前記搬入用真空槽には、行列状に配置された複数の基板を非接触の状態で吸着する吸着部と、前記吸着部を上下移動させる吸着部移動装置と、が設けられ、前記吸着部に吸着される前記基板の行数と同数の細長の指部が、前記基板の行間隔と同間隔で同方向に水平面内に配置されたハンド部と、前記ハンド部を水平方向に移動させるハンド移動装置と、前記ハンド部を、前記指部が前記吸着部に吸着される前記基板の各行の真下で静止する第一の移載位置と、前記処理用真空槽内の所定の第二の移載位置の間を往復移動させるハンド移動装置とがそれぞれ設けられ、前記処理用真空槽には、前記ハンド部よりも低い位置に配置され、複数の基板を載置可能な載置台と、前記載置台の表面に形成され、前記指部が伸びる方向と同方向に延設された前記指部よりも一本以上多い溝と、前記各溝の伸びる方向と同方向に延設され、前記各溝内にそれぞれ静止可能な複数の横棒と、前記横棒を前記溝内の位置と前記指部表面の高さよりも高い位置との間で上下移動させる上下移動装置と、が設けられ、前記指部の幅は、隣接する溝に配置される前記横棒間の隙間よりも小さく形成され、前記指部が前記第二の移載位置で静止したときに、前記指部は横棒間の隙間の真上に位置するように形成された真空処理装置であってもよい。
また、本発明は、基板の行数よりも多い指部を有していてもよいし、また、指部が一本であってもよい。
【発明の効果】
【０００９】
基板表面が一貫して上方に向けられており、成膜面である表面が吸着装置や搬送装置に接触しない。
複数の基板がトレイを用いずに一緒に搬送されるから、真空処理の効率が高く、また、トレイの清掃が不要である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１の符号１０は、本発明の真空処理装置である。
この真空処理装置１０は、搬入受渡室１０２ａと、処理室１０３と、搬出受渡室１０２ｂとを有している。搬入受渡室１０２ａと、処理室１０３と、搬出受渡室１０２ｂは、搬入用真空槽１１２ａと、処理用真空槽１１３と、搬出用真空槽１１２ｂとをそれぞれ有している。
【００１１】
搬入用真空槽１１２ａと処理用真空槽１１３とは搬入用仕切弁１２３によって接続され、処理用真空槽１１３と搬出用真空槽１１２ｂとは搬出用仕切弁１２４によって接続されている。
搬入用真空槽１１２ａと大気雰囲気との間には搬入用扉１２２が設けられ、搬出用真空槽１１２ｂと大気雰囲気との間には搬出用扉１２５が設けられている。
【００１２】
各真空槽１１２ａ、１１２ｂ、１１３には、真空排気装置１８１ａ、１８１ｂ、１８２がそれぞれ接続されており、搬入用扉１２２と搬出用扉１２５を閉じ、真空排気装置１８１ａ、１８１ｂ、１８２によって各真空槽１１２ａ、１１２ｂ、１１３内を真空排気して真空雰囲気にすると、搬入用及び搬出用仕切弁１２３、１２４を開閉することで、処理用真空槽１１３の真空雰囲気を維持した状態で、搬入用真空槽１１２ａと搬出用真空槽１１２ｂとを処理用真空槽１１３に接続できるように構成されている。
【００１３】
他方、搬入用仕切弁１２３と搬出用仕切弁１２４を閉じた状態で、搬入用扉１２２と搬出用扉１２５を開け、乾燥大気又はＮ2ガスを導入すると、処理用真空槽１１３内部の真空雰囲気を維持した状態で、搬入用真空槽１１２ａの内部と搬出用真空槽１１２ｂの内部を乾燥した大気雰囲気(又はＮ2雰囲気)にすることができる。
【００１４】
ここでは、搬入用扉１２２と搬出用扉１２５の外側には、大気雰囲気に置かれた搬入室１０１ａと搬出室１０１ｂがそれぞれ配置されており、搬入用扉１２２と搬出用扉１２５が開けられると、搬入用真空槽１１２ａの内部と搬出用真空槽１１２ｂの内部は、それぞれ搬入室１０１ａの内部と搬出室１０１ｂの内部に接続されるようになっている。
【００１５】
搬入室１０１ａ内と搬出室１０１ｂ内には、第一、第二の大気側搬入装置１４１がそれぞれ配置されている。第一、第二の大気側搬入装置１４１は、基板を載置可能な移動板１４５と、移動板１４５を水平方向に移動させる移動装置１４３を有しており、図２に示すように、搬入室１０１ａ内の第一の大気側搬入装置１４１の移動板１４５上に基板３１を行列状に配置し、搬入用扉１２２を開けて搬入受渡室１０２ａの搬入用真空槽１１２ａの内部に移動板１４５を搬入する。
【００１６】
搬入受渡室１０２ａの内部には、第一の吸着装置１３１ａと第一の搬送装置１５１ａが設けられている。
搬出受渡室１０２ｂの内部にも、第二の吸着装置１３１ｂと第二の搬送装置１５１ｂが設けられており、第一の吸着装置１３１ａと第二の吸着装置１３１ｂは同じ構成であり、同じ部材には同じ符号を付して一緒に説明する。
第一、第二の吸着装置１３１ａ、１３１ｂは、吸着部１３５と、吸着部１３５を上下移動させる吸着部移動装置１３３とを有している。
【００１７】
図３に示すように、行列状の基板３１が移動板１４５上に配置されて搬入用真空槽１１２ａ内部に搬入されると、移動板１４５は、吸着部１３５本体の下方位置で静止される。
吸着部１３５の鉛直下方を向いた吸着面１３７には、基板３１より小径の凹部１３６が複数個形成されており、図１５に示すように、各凹部１３６の内周面には、凹部１３６一個毎にそれぞれ複数個の気体噴出孔１３８が配置され、各凹部１３６の外側には、凹部１３６一個毎に複数個の突起１７０が配置されている。
【００１８】
各凹部１３６は行列状に配置されており、移動板１４５上の基板３１は、凹部１３６の行列と同じ行列状に配置されている。凹部１３６の行列と基板の行列は、水平面内で同方向に向けられており、各凹部１３６の真下位置に基板３１が一枚ずつ配置される位置で移動板１４５は停止される。
その状態で吸着部移動装置１３３によって吸着部１３５を下降させると、凹部１３６が基板３１に接近する。
【００１９】
図１３は、一枚の基板の拡大図である。この基板３１は、太陽電池用の基板であり、正方形の四隅が円形の一部を形成するように丸められている。
ここでは突起１７０は凹部１３６毎に四個ずつ設けられており、各凹部１３６周辺の突起１７０は、凹部１３６に基板３１が接近したときに、基板３１の四辺に近接した四辺よりも外側位置に配置されるように形成されている。
【００２０】
従って、基板３１に凹部１３６が接近すると、図１６に示すように基板３１は突起１７０の間に入り込む。
吸着部１３５の降下は、突起１７０間に基板３１が入った後、吸着面が基板３１の表面に接触する前に停止される。
【００２１】
搬入用真空槽１１２ａの外部には気体供給系１７２が設けられており、この気体供給系１７２から各気体噴出孔１３８に気体が供給されると、基板３１と吸着部１３５が非接触の状態で、基板３１と凹部１３６の間に気体が噴出される。気体噴出孔１３８からの気体の噴出方向は、半径方向とは垂直な方向であり、一個の凹部１３６の縁の円周上では気体は円周の同一方向に噴出される。
【００２２】
この気体により基板３１には回転力が印加されるが、基板３１の一部が突起１７０に当接し、回転は制止される。基板３１が停止した状態では基板３１表面と凹部１３６表面との間で気体の渦１３９が形成され、凹部１３６内が負圧になり、大気圧との差圧によって基板３１が凹部１３６に吸着される。
【００２３】
このとき、基板３１と吸着面１３７との間には、噴出気体の流束が形成されており、基板３１が吸着面に接触しようとすると圧縮された流束の反発力によって押し戻され、基板３１は吸着面と接触しないで凹部１３６に吸着された状態が維持される。
【００２４】
従って、図４に示すように、吸着部移動装置１３３によって吸着部１３５を上方に移動させると、各基板３１は凹部１３６に非接触の状態で、吸着部１３５に吸着されて吸着部１３５と一緒に上方に移動されるので、基板３１は移動板１４５上から除去される。
【００２５】
第一、第二の搬送装置１５１ａ、１５１ｂは、ハンド部１５５と、ハンド部１５５を水平方向に移動させるハンド移動装置１５３を有している。ハンド部１５５は、搬入用真空槽１１２ａや搬出用真空槽１１２ｂ内に搬入される移動板１４５の下方に位置しており、移動板１４５が搬入用真空槽１１２ａ内や搬出用真空槽１１２ｂ内から除去されると、吸着部１３５の真下に位置している。
【００２６】
ハンド部１５５には、図１４（ａ）に示すような、行列状に配置された凹部１３６の行の数又は列の数と同じ本数の指部１５６が設けられている。各指部１５６は細長に形成され、凹部１３６の行又は列が伸びる方向と同方向に延設されている。
【００２７】
ここでは基板３１は、搬入用真空槽１１２ａから搬出用真空槽１１２ｂに、処理用真空槽１１３を通って向きを変えずに移動しており、凹部１３６の行又は列の一方が基板３１の移動方向に沿って配置され、他方がそれと直角の方向に沿って配置されており、凹部１３６及び基板３１の行列のうち、基板３１の移動方向を行とすると、各指部１５６は行に沿った方向に延設されている。
【００２８】
基板３１の各行の真下を第一の移載位置とすると、ハンド部１５５は、指部１５６が第一の移載位置に位置するように静止している。
その状態で吸着部１３５が降下すると、一行中の基板３１が一本の指部１５６に接近する。吸着部移動装置１３３は、基板３１が指部１５６に接触するか接触する直前に停止するように制御されており、その状態で気体の噴出が停止され、吸着が解除されると、図１４（ｂ）に示すように、一行中の基板３１が一本の指部１５６上に乗り、図５に示すように、基板３１がハンド部１５５上に載置される。
【００２９】
吸着装置１３５への基板３１の吸着は、搬入用真空槽１１２ａ内や搬出用真空槽１１２ｂ内が大気圧又はそれに近い圧力の状態で行われており、搬入用真空槽１１２ａ内の第一の吸着装置１３１ａの吸着が解除された後、搬入用真空槽１１２ａと搬入室１０１ａの間の搬入用扉１２２が閉じられ、搬入用真空槽１１２ａ内が真空排気される。
【００３０】
処理用真空槽１１３は真空雰囲気に置かれており、搬入用真空槽１１２ａ内が所定圧力に真空排気され、処理室１０３用真空槽と同程度の圧力になった後、搬入用仕切弁１２３が開き、ハンド移動装置１５３によってハンド部１５５を移動させ、搬入用仕切弁１２３を通して処理用真空槽１１３内に搬入する。なお、ハンド部１５５は、アーム部１５４を介して、ハンド移動装置１５３に接続されており、アーム部１５４は真空槽内をスライド移動し、ハンド部１５５はアーム部１５４上をアーム部１５４に対してスライド移動することで、搬入用真空槽１１２ａや搬出用真空槽１１２ｂ内から処理用真空槽１１３にハンド部１５５を進入及び退去できるようになっている。
【００３１】
処理用真空槽１１３内には、載置台１６５と移載機構１６１とが設けられている。
図１７に示すように、移載機構１６１は、指部１５６よりも一本以上多い本数の横棒１６２と、各横棒１６２の端部に一本ずつ接続された支持部１６３と、前記支持部１６３を上下移動させる上下移動装置１６４とを有している。
【００３２】
各支持部１６３は鉛直に配置され、各横棒１６２は支持部１６３によって支持されており、上下移動装置１６４が支持部１６３を上下移動させると、各横棒１６２は支持部１６３と共に上下移動する。
各横棒１６２は指部１５６の伸びる方向と同方向に延設されており、水平面内で互いに平行に離間して配置されている。
【００３３】
ハンド部１５５が処理用真空槽１１３に進入する前に、横棒１６２はハンド部１５５よりも低い位置に位置しており、図６に示すように、ハンド部１５５は、ハンド移動装置１５３により、指部１５６が横棒１６２と横棒１６２の隙間の真上に位置するように静止される。
【００３４】
横棒１６２がハンド部１５５の指部１５６の間を通って、ハンド部１５５の下方から上方に移動できるハンド部１５５の位置を第二の移載位置とすると、第二の移載位置は、平面図の図１８（ａ）とその側面図の図１８（ｂ）に示すように、指部１５６が、横棒１６２と横棒１６２の間の隙間の真上に位置する位置である。
【００３５】
また、第二の移載位置は、指部１５６がハンド部１５５本体に接続された根本である掌部１５７が、横棒１６２部よりも、各ハンド部１５５のハンド移動装置１５３が配置された真空槽に近い位置である。
横棒１６２の幅は、指部１５６と指部１５６の隙間の幅よりも小さく形成されており、横棒１６２が上昇したときに横棒１６２は、掌部１５７に衝突せず指部１５６の間を通って指部１５６よりも上方に移動できる。
【００３６】
図１４（ｂ）に示すように、各基板３１は指部１５６の幅よりも大きく、各基板３１の両側の一部が指部１５６からはみ出して配置されており、横棒１６２が下方から上昇すると、一本の指部１５６上の各基板３１の裏面は、指部１５６の片側に露出した部分が同じ横棒１６２に接触し、他の片側に露出した部分が他の同じ横棒１６２に接触する。
【００３７】
図７に示すように横棒１６２が指部１５６の表面よりも上方に移動すると、一本の指部１５６上に載置されていた一行中の基板３１は、二本の横棒１６２上に乗る。
このように各基板３１が横棒１６２に移載されると、各基板３１は指部１５６から離間しており、指部１５６は横棒１６２の支持部１６３の間に位置しており、ハンド部１５５を搬入用真空槽１１２ａ内に戻すとともに、横棒１６２をハンド部１５５が静止していた位置よりも下方に移動させることができる。
【００３８】
横棒１６２の下方への移動先には載置台１６５が配置されている。
この載置台１６５は、横棒１６２の延伸方向と同じ方向の長さが横棒１６２よりも短く形成されており、各横棒１６２の端部に取り付けられた支持部１６３は、載置台１６５の外部に位置し、載置台１６５には支持部１６３を挿通させる貫通孔は形成されていない。
【００３９】
平面図の図１９（ａ）とその側面図の図１９（ｂ）に示すように、各横棒１６２の真下位置には、溝１６８がそれぞれ形成されている。各溝１６８は、横棒１６２よりも短く、両端が載置台１６５の外周に開口しており、横棒１６２が降下すると、各横棒１６２は溝１６８の内部に進入する。
【００４０】
溝１６８は、進入する横棒１６２の厚み以上の深さに形成されており、図８と平面図の図２０（ａ）とその側面図の図２０（ｂ）に示すように、横棒１６２の表面が載置台１６５の表面以下の高さになるまで降下すると、横棒１６２上の各基板３１の裏面は載置台１６５表面と接触する。
【００４１】
載置台１６５の内部にはヒータ１６６が配置されており、予めこのヒータ１６６に通電して発熱させ、載置台１６５を昇温させておくと、載置台１６５に接触した基板３１は載置台１６５からの熱伝導によって加熱される。横棒１６２をハンド部１５５の下方に位置させるとき、横棒１６２を溝１６８内に収容し、昇温させておき、基板３１の裏面を溝１６８内の横棒１６２と接触させると、基板３１は横棒１６２からの熱伝導によっても加熱される。
【００４２】
載置台１６５の上方には、シャワープレート１７１が配置されている。処理用真空槽１１３の外部にはガス導入系が配置されており、第一の搬送装置１５１ａのハンド部１５５を搬入用真空槽１１２ａ内に戻し、搬入用仕切弁１２３を閉じて搬入用真空槽１１２ａと処理用真空槽１１３とを分離し、ガス導入系からシャワープレート１７１に薄膜の原料ガスを供給し、シャワープレート１７１から処理用真空槽１１３内に原料ガスを散布させながらシャワープレート１７１に電圧を印加すると、載置台１６５上の基板３１表面の上方で原料ガスのプラズマが形成され、化学反応により基板３１表面に薄膜が形成される。
【００４３】
ここでは原料ガスとして、Ｓｉを含む化合物のガスとそれと反応する化合物のガスが供給され、処理用真空槽１１３内では基板３１表面にＳｉの薄膜が形成される。
他方、搬入用真空槽１１２ａ側では、ハンド部１５５が搬入用真空槽１１２ａ内に戻って搬入用仕切弁１２３が閉じられた後、搬入用真空槽１１２ａ内に大気が導入され、搬入用扉１２２が開けられる。
【００４４】
搬入室１０１ａ内の大気側搬送ロボットには、新しい基板３２が行列状に配置されて移動板１４５に乗せられており、その移動板１４５が搬入用真空槽１１２ａ内に搬入され、処理用真空槽１１３内で基板３１表面に薄膜が成長している間に、上述したように、基板３２は移動板１４５上からハンド部１５５の指部１５６上に移載され、移動板１４５が搬入室１０１ａに戻された後、搬入用扉１２２が閉じられ、未処理の基板３２がハンド上に配置されたまま、搬入用真空槽１１２ａ内が真空排気される。
【００４５】
処理用真空槽１１３内では、基板３１表面に所定膜厚の薄膜が形成されたら、電圧を停止してプラズマを消滅させる。
次に、横棒１６２を上昇させ、載置台１６５表面から横棒１６２上に基板３１を移載し、搬出用真空槽１１２ｂ内のハンド部１５５の移動高さよりも高い位置で静止させる。
【００４６】
次に、図９に示すように、搬出用仕切弁１２４を開け、搬出用真空槽１１２ｂ内のハンド部１５５を処理用真空槽１１３内に移動させる。
横棒１６２を支持する支持部１６３は横棒１６２の両端位置で横棒１６２に取り付けられているため、搬出用真空槽１１２ｂ内の第二の搬送装置１５１ｂのハンド部１５５は、指部１５６が根本位置から先端に伸びる方向が、搬入用真空槽１１２ａ内の第一の搬送装置１５１ａのハンド部１５５の指部１５６とは逆向き、すなわち、第二の搬送装置１５１ｂのハンド部１５５が処理用真空槽１１３内に移動したときに、搬出用真空槽１１２ｂに近い方が根本の掌部１５７にされており、処理用真空槽１１３に進入すると、指部１５６が支持部１６３の間を通って横棒１６２間の隙間の下方まで移動し、指部１５６の根本部分が支持部１６３に当接する前に停止する。
【００４７】
横棒１６２上では基板３１の両端が横棒１６２上に乗せられており、その状態で横棒１６２を降下させると、図１０に示すように、各基板３１は、中央部分が指部１５６上に乗る。
このように、横棒１６２上から第二の搬送装置１５１ｂのハンド部１５５上に基板３１が移載された後、ハンド部１５５は、基板３１を乗せた状態で横棒１６２上から移動し、搬出用真空槽１１２ｂ内に戻り、搬出用仕切弁１２４は閉じられる。
【００４８】
このとき、未処理の基板３２は、第一の搬送装置１５１ａのハンド上に乗せられて待機しており、搬入用真空槽１１２ａ内が所定圧力まで真空排気された後、搬入用仕切弁１２３が開けられ、上記と同様の手順により、行列状に配置された未成膜の基板３２が載置台１６５上に配置され、薄膜の形成が開始される。
【００４９】
第二の搬送装置１５１ｂのハンド部１５５は、薄膜を形成した基板３１を配置した状態で、第二の吸着装置１３１ｂの真下に位置しており、搬出用仕切弁１２４を閉じた後、搬出用真空槽１１２ｂ内に大気を導入し、大気圧になった後、搬出用扉１２５を開け、第二の吸着装置１３１ｂを降下させて、指部１５６上の基板３１を非接触で吸着部１３５に吸着する。
【００５０】
図１１に示すように、第二の吸着装置１３１ｂの吸着部１３５を上方に移動させた後、搬出用扉１２５を開け、搬出室１０１ｂから搬出用真空槽１１２ｂ内に第二の大気側搬入装置１４１の移動板１４５を挿入し、吸着装置の真下に位置させる。
【００５１】
吸着装置を降下させ、基板３１の裏面が移動板１４５と接触するか又はその直前のときに降下を停止させ、吸着を解除すると図１２に示すように、基板３１は移動板１４５上に乗せられ、移動板１４５を搬出室１０１ｂに戻すと、真空処理が行われた基板３１を真空処理装置１０の外部に取り出すことができる。
【００５２】
このとき、処理用真空槽１１３内では、搬入された基板３２の表面に薄膜が成長されており、この薄膜が所定膜厚に形成された後、上記と同じ手順によって、搬出室１０１ｂに搬送され、真空処理装置１０の外部に取り出され、他方、処理用真空槽１１３内には、搬入室１０１ａから搬入された基板３３が真空処理される。
【００５３】
このように、本発明はトレイを使用せずに複数の基板を一緒に真空処理することが可能であり、トレイ洗浄は不要であり、また、ピンの先端上に基板を配置しないので、基板が脱落する危険性も少ない。
なお、上記実施例では、真空処理が基板上に薄膜を形成する成膜処理であったが、本発明はそれに限定されるものではなく、真空雰囲気内で行われる真空処理を広く含む。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の真空処理装置の一例について説明する断面図
【図２】本発明の真空処理装置の一例について基板の真空槽搬入前における状態を説明する断面図
【図３】本発明の真空処理装置の一例について基板の搬入用真空槽搬入時における状態を説明する断面図
【図４】本発明の真空処理装置の一例について基板が第一の搬送装置へ載置される前の時点における状態を説明する断面図
【図５】本発明の真空処理装置の一例について基板が第一の搬送装置へ載置された時点における状態を説明する断面図
【図６】本発明の真空処理装置の一例について基板を第一の搬送装置に載置して横棒を配置した移載機構の真上に移動させた時点における状態を説明する断面図
【図７】本発明の真空処理装置の一例について基板が第一の搬送装置から横棒を配置した移載機構に移載された時点における状態を説明する断面図
【図８】本発明の真空処理装置の一例について横棒を配置した移載機構に移載された基板が成膜されている時間における状態を説明する断面図
【図９】本発明の真空処理装置の一例について成膜処理された基板が横棒を配置した移載機構から第二の搬送装置に移載される前の時点における状態を説明する断面図
【図１０】本発明の真空処理装置の一例について成膜処理された基板が横棒を配置した移載機構から第二の搬送装置に移載された時点における状態を説明する断面図
【図１１】本発明の真空処理装置の一例について成膜処理された基板が第二の搬送装置から離れて搬出される前の時点における状態を説明する断面図
【図１２】本発明の真空処理装置の一例について成膜処理された基板が大気側搬入装置に移載されて搬出される時点における状態を説明する断面図
【図１３】本発明の処理対象である基板の一例を説明する平面図
【図１４】（ａ）、（ｂ）本発明の搬送装置部材に設けられた部材の一例の一状態を説明する平面図
【図１５】本発明の吸着装置部材に設けられた部材の一例の一状態を説明する平面図
【図１６】本発明の吸着装置部材に設けられた部材の一例の別の状態を説明する平面図
【図１７】本発明の移載機構部材に設けられた部材の一例の一状態を説明する平面図
【図１８】（ａ）、（ｂ）本発明における処理対象基板を移載する時点での一状態を説明する平面図
【図１９】（ａ）、（ｂ）本発明における処理対象基板を移載する時点での別の状態を説明する平面図
【図２０】（ａ）、（ｂ）本発明において処理対象基板の成膜前後における状態を説明する平面図
【符号の説明】
【００５５】
１１２ａ……搬入用真空槽    １１３……処理用真空槽
１１２ｂ……搬出用真空槽    １３３……吸着部移動装置
１３５……吸着部    １３６……凹部    １７０……突起
１３８……噴出孔    １５３……ハンド移動装置    １５５……ハンド部
１６２……横棒    １６３……支持部    １６４……上下移動装置
１６５……載置台    １６８……溝
３１……基板
【図１】
2010153654.tif 000003
【図２】
2010153654.tif 000004
【図３】
2010153654.tif 000005
【図４】
2010153654.tif 000006
【図５】
2010153654.tif 000007
【図６】
2010153654.tif 000008
【図７】
2010153654.tif 000009
【図８】
2010153654.tif 000010
【図９】
2010153654.tif 000011
【図１０】
2010153654.tif 000012
【図１１】
2010153654.tif 000013
【図１２】
2010153654.tif 000014
【図１３】
2010153654.tif 000015
【図１４】
2010153654.tif 000016
【図１５】
2010153654.tif 000017
【図１６】
2010153654.tif 000018
【図１７】
2010153654.tif 000019
【図１８】
2010153654.tif 000020
【図１９】
2010153654.tif 000021
【図２０】
2010153654.tif 000022