(57)【要約】【課題】反り成分を含むワークをテープ拡張によってチップに分割しても、チップの全面をテープに貼着された状態として反りチップ３Ａを解消する。【解決手段】ウェーハ１の裏面に貼着したテープを拡張してウェーハ１を多数のチップに分割した後、端部がテープから剥離して反りチップ３Ａとなったチップを表面側から押圧プレート５３で押圧して平らにし、ＤＡＦを介してチップの裏面全面をテープに密着させる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有するフレームを保持する保持手段と、
前記フレームの前記開口部に、貼着されたテープを介して支持され、分割予定ラインによって複数のチップが形成された板状のワークを、前記フレームに対して該ワークの面に直交する方向に相対的に移動させるテープ拡張手段とを含むテープ拡張装置により、該ワークを前記分割予定ラインに沿って分割するワーク分割方法であって、
前記ワークは内部応力による反り成分を含んでおり、
前記テープ拡張手段によって前記テープとともに前記ワークを拡張することにより、該ワークを前記分割予定ラインに沿って複数の反りチップに分割するワーク分割工程と、
該反りチップを前記テープに向けて押圧して該テープに該反りチップのテープ貼着面全面を密着させて貼着させるチップ貼着工程と、を含むことを特徴とするワーク分割方法。
【請求項２】
前記ワークの内部には、前記分割予定ラインに沿って、強度を低下させる変質層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のワーク分割方法。
【請求項３】
前記チップ貼着工程の後に、前記チップをスピン洗浄するスピン洗浄工程が行われることを特徴とする請求項１または２に記載のワーク分割方法。
【請求項４】
前記テープは紫外線硬化型の粘着材によって前記ウェーハに貼着され、
前記チップ貼着工程の後に、該テープに紫外線を照射する紫外線照射工程が行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のワーク分割方法。
【請求項５】
開口部を有するフレームを保持する保持手段と、
前記フレームの前記開口部に、貼着されたテープを介して支持され、分割予定ラインによって複数のチップが形成された板状のワークを、前記フレームに対して該ワークの面に直交する方向に相対的に移動させることにより、該ワークを前記複数のチップに分割するテープ拡張手段とを含むテープ拡張装置であって、
前記ワークは内部応力による反り成分を含んでおり、
前記拡張手段によって前記複数のチップに分割された分割済みワークが、前記テープを介して載置されるワーク載置面を有するワーク載置手段と、
前記ワーク載置面に載置された前記分割済みワークを、該ワーク載置面に向けて押圧する押圧手段と、を含むことを特徴とするテープ拡張装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウェーハ等のワークを多数の半導体チップに分割する方法と、該方法を好適に実施し得るテープ拡張装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、円板状の半導体ウェーハの表面に格子状の分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、これら矩形領域の表面にＩＣやＬＳＩ等の電子回路を形成し、次いで裏面を研削した後に研磨するなど必要な処理をしてから、全ての分割予定ラインを切断する、すなわちダイシングして、多数の半導体チップを得ている。このようにして得られた半導体チップは、裏面にエポキシ樹脂等からなる厚さが例えば数μｍ〜１００μｍ程度のＤＡＦ（Die Attach Film）と称されるダイボンディング用のフィルム状接着剤が貼着され、このＤＡＦを介して、半導体チップを支持するダイボンディングフレームに対し加熱することによりボンディングされる。
【０００３】
一方、半導体ウェーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、近年にあっては、レーザ光線を、被加工物の内部に集光点を合わせて照射するレーザ加工方法が試みられている。このレーザ加工方法を用いた分割方法は、透過性を有する赤外光領域のパルスレーザ光線を被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて照射して、被加工物の内部に分割予定ラインに沿った変質層を連続的に形成し、この変質層で強度が低下した分割予定ラインに外力を加えることによって被加工物を分割するものである（特許文献１参照）。外力を加える手段としては、被加工物の裏面に貼着した保護テープ等のテープを拡張することにより半導体ウェーハも同時に拡張させるといった手段が採られている（特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特許３４０８８０５号公報
【特許文献２】特開２００７−２７２５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、研削により薄化されたウェーハは内部に反り成分が含まれる場合がある。反り成分を含んだウェーハは、分割前はテープの粘着層に全面が貼着して保持されていたものが、チップに分割されると粘着層の保持力よりも反り成分の応力の方が強くなってチップに反りが生じ、チップの端部がテープの粘着層から離れてしまうという問題が生じる。このように反りが生じたチップ（以下、反りチップと言う）がテープに貼着した状態では、後の洗浄工程でチップがテープから離脱するチップ飛びといった不都合な現象を招くおそれがある。
【０００６】
また、テープの粘着層を形成する粘着材に紫外線硬化型樹脂を用い、テープからチップをピックアップする際に紫外線をテープに照射して粘着層を硬化させ、チップをテープから剥離しやすくすることが行われている。ところが、紫外線を照射する際にチップが反っていて端部がテープから離れていると紫外線照射時に粘着層が十分に硬化せず、ピックアップ時にチップがテープから剥離しにくくなるといった不具合を招くことがある。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、反り成分を含むワークをテープ拡張によってチップに分割しても、チップの全面をテープに貼着された状態として、反りチップのままでは何らかの不具合が起こる分割工程の後の工程でその不具合が起こらず無事にその工程を遂行することができるワーク分割方法およびテープ拡張装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のワーク分割方法は、開口部を有するフレームを保持する保持手段と、フレームの開口部に、貼着されたテープを介して支持され、分割予定ラインによって複数のチップが形成された板状のワークを、フレームに対して該ワークの面に直交する方向に相対的に移動させるテープ拡張手段とを含むテープ拡張装置により、該ワークを分割予定ラインに沿って分割するワーク分割方法であって、ワークは内部応力による反り成分を含んでおり、テープ拡張手段によってテープとともにワークを拡張することにより、該ワークを分割予定ラインに沿って複数の反りチップに分割するワーク分割工程と、該反りチップをテープに向けて押圧して該テープに該反りチップのテープ貼着面全面を密着させて貼着させるチップ貼着工程とを含むことを特徴としている。
【０００９】
本発明のワーク分割方法によると、チップ貼着工程で、反りチップを押圧することにより、チップの反りが矯正されてチップが平坦になり、チップのテープ貼着面の全面がテープに密着して貼着した状態となる。したがって反りチップが解消され、この後に行われる工程（例えば洗浄やチップのピックアップ等）では、反りチップであったことによる不具合が起こらない。
【００１０】
本発明では、分割予定ラインに強度を低下させる加工が施されていることにより、テープ拡張によってワークが複数のチップに分割される。強度低下を生じさせる加工としては、ワークの内部に、分割予定ラインに沿って、強度を低下させる変質層を形成する加工が挙げられる。
【００１１】
また、本発明は、上記チップ貼着工程の後に、チップをスピン洗浄するスピン洗浄工程が行われることを含む。本発明では反りチップが解消されるため、このスピン洗浄工程でチップ飛びが起こることを防ぐことができる。
【００１２】
また、本発明は、テープは紫外線硬化型の粘着材によってウェーハに貼着され、上記チップ貼着工程の後に、該テープに紫外線を照射する紫外線照射工程が行われることを含む。本発明では反りチップが解消されるため、この紫外線照射工程でテープの粘着材が確実に硬化してチップが剥離しやすくなり、テープからのピックアップを確実に行うことができる。
【００１３】
次に、本発明のテープ拡張装置は、開口部を有するフレームを保持する保持手段と、フレームの開口部に、貼着されたテープを介して支持され、分割予定ラインによって複数のチップが形成された板状のワークを、フレームに対して該ワークの面に直交する方向に相対的に移動させることにより、該ワークを複数のチップに分割するテープ拡張手段とを含むテープ拡張装置であって、ワークは内部応力による反り成分を含んでおり、拡張手段によって複数のチップに分割された分割済みワークが、テープを介して載置されるワーク載置面を有するワーク載置手段と、ワーク載置面に載置された分割済みワークを、該ワーク載置面に向けて押圧する押圧手段とを含むことを特徴としている。本発明のテープ拡張装置によれば、上記本発明のワーク分割方法を好適に実施し得る。
【００１４】
なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えばシリコンウェーハ等の半導体ウェーハであって、多数のチップに区画する分割予定ラインに溝や内部変質層が形成されたもの、またはこのようなウェーハに上記ＤＡＦが貼着されたもの、さらにこのようなウェーハであって分割予定ラインがフルカットされていてＤＡＦがハーフカット（厚さの途中までカットされている状態）のものなどが挙げられる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、反り成分を含むワークをテープ拡張によってチップに分割しても、チップの全面をテープに貼着された状態として、反りチップのままでは何らかの不具合が起こる分割工程の後の工程でその不具合が起こらず無事にその工程を遂行することができるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
（１）ウェーハ
図１の符号１は一実施形態でのワークである円板状の半導体ウェーハ（以下、ウェーハと略称）を示している。このウェーハ１はシリコンウェーハ等であって、厚さが例えば１００〜７００μｍ程度であり、外周部の一部には結晶方位を示すマークとしてオリエンテーションフラット１ａが形成されている。ウェーハ１の表面には、格子状に形成された分割予定ライン２により多数の矩形状の半導体チップ（以下、チップと略称）３が区画されている。各チップ３の表面には、図示せぬＩＣやＬＳＩ等の電子回路が形成されている。図１（ｂ）に示すように、ウェーハ１の裏面にはダイボンディング用の上記ＤＡＦ４が貼着されている。
【００１７】
裏面にＤＡＦ４が貼着されたウェーハ１は、環状のフレーム５の内側の開口部５ａに同心状に配設され、ＤＡＦ４側に貼着された粘着テープ（以下、テープと略称）６を介してフレーム５に一体に支持されている。テープ６の、ウェーハ１の外縁とフレーム５の内縁との間の環状の領域は、弛み領域６ａとされる。ウェーハ１は反り成分を含んでいるが、テープ６に貼着されることにより平坦化されている。なお、以下の説明では、図１で示したようにテープ６を介してウェーハ１を支持しているフレーム５をウェーハ付きフレーム７と称する。ウェーハ１はこのようにフレーム５に支持された状態で、分割予定ライン２にダイシング加工が施されている。ダイシング加工はウェーハ１を個々のチップ３に分割するために行われるもので、レーザ加工が採用される。
【００１８】
上記テープ６は、常温では伸縮性を有し、かつ、所定温度（例えば７０℃）以上に加熱されると収縮する性質を有する基材の片面に、粘着層が形成されたものが用いられる。基材としては、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリオレフィン等の合成樹脂シートが挙げられる。また、粘着層を形成する粘着材は、紫外線の照射を受けることにより硬化する紫外線硬化型の樹脂が用いられる。
【００１９】
上記レーザ加工によるダイシング加工は、透過性を有するパルスレーザ光線をウェーハ１の内部に集光点を合わせて照射することにより分割予定ライン２に沿って変質層を形成し、分割予定ライン２の強度を低下させる加工である。
【００２０】
ダイシング加工が施されたウェーハ１は、次に説明するテープ拡張装置でテープ６が拡張されることにより、分割予定ライン２が切断されて個々のチップ３に分割されるとともに、ＤＡＦ４もチップ３ごとに破断される。これにより、裏面にＤＡＦ４が貼着された多数のチップ３（ＤＡＦ付きチップ）が得られる。
【００２１】
（２）テープ拡張装置の構成および動作
以下、図２〜図６を参照して、テープ拡張装置の構成および動作を説明する。
図２はテープ拡張装置１０の全体を示しており、符号１５で示す装置台上には、カセット台１６、テープ拡張手段２０、熱付与手段３０、洗浄手段４０、押圧手段５０、ＵＶ（紫外線）照射手段６０が所定箇所に配設されている。また、装置台１１上には、ウェーハ付きフレーム７を搬送する第１〜第３搬送手段７１〜７３も配設されている。
【００２２】
上記ウェーハ付きフレーム７は、図２に示すカセット１７内に、ウェーハ１を上側にしてチップ３の表面を露出した状態で収納される。カセット１７には、多数のウェーハ付きフレーム７が水平、かつ上下方向に積層されて収納される。多数のウェーハ付きフレーム７が収納されたカセット１７は、カセット台１６にセットされる。カセット台１６は昇降可能なエレベータ式であり、昇降することによってカセット１７内の１つのウェーハ付きフレーム７が所定の搬出位置に位置付けられるようになっている。
【００２３】
該搬出位置に位置付けられたウェーハ付きフレーム７のフレーム５は第１搬送手段７１によってＹ方向奥側に引き出され、一対のＹ方向に延びる断面Ｌ字状の第１ガイドレール１１上に架け渡された状態で載置される。第１搬送手段７１はクランプでフレーム５を把持し、Ｙ方向に移動することでウェーハ付きフレーム７を第１ガイドレール１１上に搬送する。第１ガイドレール１１はＸ方向に同期して互いに近付いたり離れたりするように動き、ウェーハ付きフレーム７が載置されてから互いに近付くことにより、フレーム５の端縁に係合してウェーハ付きフレーム７を所定の搬送開始位置に位置決めするものである。
【００２４】
第１ガイドレール１１で搬送開始位置に位置決めされたウェーハ付きフレーム７は、次いで、水平旋回するアーム７２ａの先端に負圧吸着式の吸着パッドが取り付けられた第２搬送手段７２により、もう一方の一対の第２ガイドレール１２上に載置される。第２搬送手段７２では、吸着パッドの下面にフレーム５が吸着、保持され、アーム７２ａが旋回することにより、ウェーハ付きフレーム７が第２ガイドレール１２上に移される。第２ガイドレール１２上でウェーハ付きフレーム７はＸ方向の位置決めがなされ、次いでウェーハ付きフレーム７は、第１搬送手段７１と同様の構成の第３搬送手段７３によって、テープ拡張手段２０に搬送される。
【００２５】
（２−１）テープ拡張によるウェーハ分割
テープ拡張手段２０は、図２のカバー２０Ａ内に配設されており、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、フレーム押さえプレート２１と、フレーム保持台２２と、突き上げテーブル２３を備えている。フレーム押さえプレート２１とフレーム保持台２２は、互いに同心状の水平な環状のもので、それぞれの円形状の開口部２１ａ，２２ａの径は、フレーム５の内径程度に設定されている。フレーム押さえプレート２１は固定されており、フレーム保持台２２はエアシリンダ等の図示せぬ昇降手段によって昇降させられる。
【００２６】
フレーム保持台２２は、図３（ａ）に示すフレーム押さえプレート２１から下方に離れた受け取り位置に位置付けられた状態で、第３搬送手段７３からウェーハ付きフレーム７のフレーム５が載置されてウェーハ付きフレーム７を受け取る。次にフレーム保持台２２が上昇し、図３（ｂ）に示すように、フレーム５がフレーム保持台２２とフレーム押さえプレート２１とに挟まれて固定される。次に、図３（ｃ）に示すように、突き上げテーブル２３が上昇してウェーハ１をテープ６とともに上方に突き上げる。
【００２７】
突き上げテーブル２３は、軸心が上下方向に沿った円筒状のもので、フレーム保持台２２にフレーム５が保持されたウェーハ付きフレーム７の下方に、フレーム押さえプレート２１やフレーム保持台２２の開口部２１ａ，２２ａと同心状に配設されている。突き上げテーブル２３の上面の直径は、拡張後のウェーハ１の直径と同等以上に設定されている。また、突き上げテーブル２３の上面の周縁には、突き上げ時にテープ６との摩擦を緩和する複数のコロ部材２４が回転自在に取り付けられている。
【００２８】
突き上げテーブル２３は、図示せぬ昇降手段によって昇降させられ、突き上げテーブル２３が上昇すると、ウェーハ１の裏面に貼着されているテープ６が放射方向に引っ張られる力を受けて拡張する。そしてテープ６が放射方向に拡張するに伴い、ウェーハ１は、ダイシング加工が施されている分割予定ライン２に沿って分断され、個々のチップ３に分割される。また、ウェーハ１の裏面に貼着されているＤＡＦ４も、個々のチップ３に貼着した状態で、チップ３ごとに破断される。したがってテープ６上には、多数のＤＡＦ付きのチップ３が貼着しており、隣接するチップ３およびＤＡＦ４の間には、テープ６の拡張によって隙間が空いた状態となっている。
【００２９】
ところで、ウェーハ１は反り成分を含んでいたことにより、分割されると各チップ３には図３（ｃ）に示すように反りが生じ、この反りチップ３Ａの端部はＤＡＦ４とともにテープ６から剥離してしまう。各チップ３の反りは、テープ６の粘着層の保持力よりも反り成分の応力の方が強くなるために起こる。また、拡張されたテープ６の上記弛み領域６ａは弛みが生じており、次に弛み領域６ａの弛みが熱付与手段３０によって収縮される。
【００３０】
（２−２）テープの弛み領域の収縮
ウェーハ１が多数のチップ３（反りチップ３Ａ）に分割されたら、突き上げテーブル２３が下降し、フレーム保持台２２が上記受け取り位置まで下降する。次にウェーハ付きフレーム７は、第３搬送手段７３によってフレーム保持台２２から上記第２ガイドレール１２上に引き出され、次いで第２搬送手段７２によって熱付与手段３０に搬送される。
【００３１】
熱付与手段３０では、図３（ｄ）に示すように、負圧吸着式の吸着テーブル３１上に分割済みのウェーハ１がテープ６を介して吸着、保持され、フレーム５は吸着テーブル３１の外側のフレーム保持テーブル３２上に支持される。そして、環状のヒータ３３により弛み領域６ａが加熱され、これによって弛み領域６ａは収縮し、フレーム５内のウェーハ１の弛みが抑制されてチップ３どうしの接触が防止される。ヒータ３３は、上下方向に延びるロッド３４の下端に円板状のフランジ３５を介して設けられており、ロッド３４が下降すると弛み領域に近付き、加熱運転されることにより弛み領域６ａが加熱される。ヒータ３３は、例えば赤外線を下方に向けて照射して加熱する形式のものが好適に用いられる。
【００３２】
（２−３）チップ貼着工程
テープ６の弛み領域６ａを収縮させたら、ウェーハ付きフレーム７は、次に、第２搬送手段７２によって洗浄手段４０に搬送される。洗浄手段４０では、負圧吸着式のスピンナテーブル４１の上面４１ａにテープ６を介してウェーハ１が吸着、保持され、スピンナテーブル４１が所定の洗浄速度で回転し、回転するウェーハ１に洗浄水が噴出されてウェーハ１が洗浄される。また、洗浄手段４０は、乾燥エアをウェーハ１に吹き付ける機能も有している。
【００３３】
ウェーハ付きフレーム７は、洗浄手段４０のスピンナテーブル４１上に吸着、保持されるが、ここではまだウェーハ１の洗浄はされず、押圧手段５０によって、各反りチップ３Ａを上から押圧し、チップ３をテープ６に貼着するチップ貼着工程が行われる。押圧手段５０はスピンナテーブル４１の上方に配設されており、図４に示すように、シリンダ駆動部５１とモータ駆動部５２とによって円板状の押圧プレート５３が上下動可能に設けられた構成のものである。
【００３４】
シリンダ駆動部５１は、シリンダ５１ａから下方に延びるピストンロッド５１ｂが伸縮するもので、シリンダ５１ａは図示せぬ固定部に固定されている。ピストンロッド５１ｂの下端には、モータ駆動部５２のモータ５２ａが固定されている。モータ５２ａの下端からは、軸方向が上下方向に延びる駆動ねじ部５２ｂが突出しており、モータ５２ａが運転されると駆動ねじ部５２ｂが正転したり逆転したりして押圧プレート５３の高さ位置の微調整がなされる。モータ５２ａは円板状の第１ブラケット５４の中心を貫通してこの第１ブラケット５４に固定されている。
【００３５】
駆動ねじ部５２ｂは第２ブラケット５５に螺合している。第２ブラケット５５は、第１ブラケット５４の下面に形成された円筒部５４ａの内面に、上下動ガイド５６を介して、回転不能、かつ上下動は可能なように支持されている。そして第２ブラケット５５の下面に、押圧プレート５３が同心状、かつ、水平に固定されている。押圧プレート５３は、ウェーハ１よりも大きい直径を有しており、下面の押圧面５３ａが、ＳＵＳや硬質樹脂等の適度に硬い材質で構成されている。押圧手段５０は、押圧プレート５３がスピンナテーブル４１と同心状になるようにスピンナテーブル４１の上方に配設されている。
【００３６】
押圧手段５０では、まず、シリンダ駆動部５１が作動してピストンロッド５１ｂが下方に伸び、押圧面５３ａが分割済みのウェーハ１に近接するまで押圧プレート５３が下降する。次にモータ５２ａが運転され、駆動ねじ部５２ｂが、第２ブラケット５５が下降する方向に回転させられる。これにより、押圧プレート５３は下方に微動し、押圧面５３ａが反りチップ３Ａの表面に接触し、さらに押圧プレート５３が下降することにより、図５に示すように、反っていたチップ３が平らになり、ＤＡＦ４の全面がテープ６に貼着される。この後、モータ５２ａを逆転させて押圧面５３ａがチップ３から離れるまで押圧プレート５３を上昇させ、次いでピストンロッド５１ｂを縮小させて押圧プレート５３を上方の待機位置まで上昇させる。
【００３７】
（２−４）ウェーハのスピン洗浄工程
反りチップ３Ａをテープ６側に押圧して平らにし、ＤＡＦ４の全面をテープ６に貼着したら、チップ３を吸着、保持しているスピンナテーブル４１を所定の洗浄速度で回転させ、回転するウェーハ１に洗浄水を噴出してウェーハ１を洗浄する。この時、フレーム５はスピンナテーブル４１に設けられた遠心力により作動するクランプ４２で保持される（図２参照）。洗浄水による洗浄後、洗浄水の供給を停止してからもスピンナテーブル４１の回転を続行し、チップ３から水分を吹き飛ばすとともに乾燥エアを吹き付けてチップ３を乾燥させる。
【００３８】
（２−５）ＵＶ照射工程
ウェーハ１（チップ３）の洗浄、乾燥を終えたら、ウェーハ付きフレーム７は、第２搬送手段７２によって第１ガイドレール１１上に載置されてから、第１搬送手段７１によってＵＶ照射手段６０に搬送される。ＵＶ照射手段６０は、図２のカバー６０Ａ内に配設されており、図６に示すように、ＵＶランプ６１が内蔵された筐体６２の上部にガラス製のステージ６３が設けられたもので、ウェーハ付きフレーム７は第１搬送手段７１で押されてステージ６３上に載置される。ウェーハ付きフレーム７がステージ６３上に載置されるとテープ６の下面にＵＶランプ６１から紫外線（紫外光）が照射され、テープ６の、紫外線硬化型樹脂からなる粘着層が硬化する。
【００３９】
紫外線照射によりテープ６の粘着層が硬化されたら、ウェーハ付きフレーム７は第１搬送手段７１で把持されて第１ガイドレール１１上に引き出され、一旦第１ガイドレール１１上に載置される。次いで第１搬送手段７１がやや上昇してからＵＶ照射手段６０側へ戻り、この第１搬送手段７１によってウェーハ付きフレーム７は押されて、カセット１７内に収納される。
【００４０】
以上の一連の動作が、カセット１７内の全てのウェーハ付きフレーム７に対して遂行される。そして、カセット１７内のウェーハ１が全て分割済みのものになったら、カセット１７が次のチップピックアップ工程に搬送され、テープ６から各チップ３がピックアップされて個々のチップ３を得る。
【００４１】
（３）実施形態の作用効果
上記実施形態では、チップ貼着工程で、反りチップ３Ａを表面側からテープ６に向けて押圧することにより、反りが矯正されて反りチップ３が平坦になり、チップ３の裏面全面がＤＡＦ４を介してテープ６に密着して貼着した状態となる。このようにして反りチップ３Ａが解消されることにより、スピン洗浄工程でチップ飛びは起こらず、全てのチップ３を確実に洗浄することができる。
【００４２】
また、ＵＶ照射工程では、テープがＤＡＦ４と離れていることによる硬化不良が起こらず、テープ６の粘着層を十分に硬化させることができる。このため、テープ６からチップ３をピックアップする工程でチップ３がテープ６から容易に剥離し、ピックアップ作業を円滑に遂行することができる。
【００４３】
（４）他の実施形態
上記実施形態では、押圧手段５０は洗浄手段４０に付加されているが、押圧プレート５３の荷重を受けるプレート状の部材があれば（洗浄手段４０ではスピンナテーブル４１である）、そのような部材を備える手段に押圧手段５０を付加させることができる。例えば図６はＵＶ照射手段６０の上方に押圧手段５０を配設し、ステージ６３上の反りチップ３Ａを押圧プレート５３で押圧する構成を示している。この場合には、ＵＶ照射手段６０を利用しての反りチップ３Ａの押圧によるテープ貼着工程の後、スピン洗浄、ＵＶ照射によるテープ６の硬化といった手順となる。
【００４４】
このようにＵＶ照射手段６０に押圧手段５０を付設した場合は、チップ３を押圧した状態でテープ６への紫外線の照射が可能であり、こうすることによりテープ６の粘着層をより確実に硬化させることができる。また、押圧手段５０は、洗浄手段４０やＵＶ照射手段６０のいずれか一方に付設することに限られず、押圧手段５０を洗浄手段４０とＵＶ照射手段６０の双方に付設してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態でのワークである半導体ウェーハがテープを介してフレームに支持されている状態を示す（ａ）平面図、（ｂ）断面図である。
【図２】一実施形態に係るテープ拡張装置の全体斜視図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）はテープ拡張によるウェーハ分割の過程を示す側面図、（ｄ）はテープの弛み領域を収縮する過程を示す側面図である。
【図４】一実施形態に係る押圧手段の一部断面側面図である。
【図５】押圧手段で反りチップを押圧した状態を示す側面図である。
【図６】ＵＶ照射手段を示す断面図（上方に押圧手段が配設されている）である。
【符号の説明】
【００４６】
１…ウェーハ（ワーク）
２…分割予定ライン
３…チップ
３Ａ…反りチップ
５…フレーム
５ａ…フレームの開口部
６…テープ
１０…テープ拡張装置
２０…テープ拡張手段
２２…フレーム保持台（保持手段）
４１…スピンナテーブル（ワーク載置手段）
４１ａ…スピンナテーブルの上面（ワーク載置面）
５０…押圧手段
【図１】
2010153692.tif 000003
【図２】
2010153692.tif 000004
【図３】
2010153692.tif 000005
【図４】
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【図５】
2010153692.tif 000007
【図６】
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