(57)【要約】      （修正有）【課題】トランスファモールドにおけるモールド時の加熱により生じる熱膨張や、成形金型の上型と下型によりクランプされることにより生じる応力などにより発生する配線基板の歪みを防止する。【解決手段】複数の製品形成部７のそれぞれに半導体チップが搭載された状態で成形金型のキャビティ内に配置され、前記複数の製品形成部を一括して覆う封止体が形成される配線基板１Ａであって、前記成形金型に当接する領域に２以上のスリット８が形成されている。【選択図】図１
2010153466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の製品形成部のそれぞれに半導体チップが搭載された状態で成形金型のキャビティ内に配置され、前記複数の製品形成部を一括して覆う封止体が形成される配線基板において、
前記成形金型に当接する領域に、２以上のスリットが形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
複数の製品形成部のそれぞれに半導体チップが搭載された状態で成形金型のキャビティ内に配置され、前記複数の製品形成部を一括して覆う封止体が形成される配線基板において、
前記封止体が形成されるモールドエリアよりも外側であって、前記成形金型に当接する領域に、２以上のスリットが形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
複数の製品形成部のそれぞれに半導体チップが搭載された状態で上型と下型とからなる成形金型のキャビティ内に配置され、前記複数の製品形成部を一括して覆う封止体が形成される配線基板において、
前記封止体が形成されるモールドエリアよりも外側であって、前記上型と前記下型とによって挟まれる領域に、２以上のスリットが形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
前記スリットは、前記モールドエリアを取り囲むように配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記キャビティ内に配置されたときに、前記キャビティのエアベント側に位置する前記スリットの開口面積が、前記キャビティのゲート側に位置する前記スリットの開口面積よりも大きいこと特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記モールドエリアのコーナー部の近傍に配置された前記スリットは、前記コーナー部の形状に沿った形状を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
前記モールドエリアのコーナー部の近傍に配置された前記スリットは、Ｔ字形又はＬ字形の形状を有することを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
【請求項８】
前記複数のスリットの少なくとも一部は、前記配線基板の端面において外部に開放されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の配線基板。
【請求項９】
前記複数のスリットの少なくとも一部には、それらスリットを前記配線基板の端面に連通させて外部に開放させる開放部が連設されており、前記開放部は、連設されたスリットの長手方向と交差する方向に延びて前記配線基板の前記端面に連通していることを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記配線基板の少なくとも一辺に沿って複数の前記スリットが一列に配列されてスリット列を形成しており、前記スリット列を形成している複数のスリットのうち、配列方向両端のスリットの長さが他のスリットの長さよりも長いことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１１】
前記配線基板の少なくとも一辺に沿って複数の前記スリットが一列に配列されたスリット列が少なくとも２列以上平行に配置されて多重スリット列を形成していることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１２】
前記複数のスリットの少なくとも一部は、前記配線基板を位置決めするための位置決め部を含むことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１３】
前記複数のスリットのうち、前記配線基板の長辺に沿って配置されたスリットの幅が、前記配線基板の短辺に沿って配置されたスリットの幅よりも広いことを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１４】
前記複数のスリットの少なくとも一部のスリット上には、前記配線基板を吸着して搬送するための吸着部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１５】
前記スリットは、前記配線基板の縁よりも１．０[mm]以上内側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１６】
前記スリットは、前記モールドエリアの縁よりも１．０[mm]以上外側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１５のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１７】
隣接するスリット同士は、１．０[mm]以上離間していることを特徴とする請求項１乃至請求項１６のいずれかに記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の製品形成部のそれぞれに半導体チップが搭載された後に、成形金型のキャビティ内に配置され、前記複数の製品形成部を一括して覆う封止体が形成される配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体装置は、配線基板上の設けられた複数の製品形成部のそれぞれに半導体チップを搭載し、半導体チップが搭載された複数の製品形成部を封止体によって一括して覆った後に、配線基板を個々の製品形成部毎に分割して個片化するＭＡＰ（Mold Array Process）方式によって製造されている。ここで、上記封止体は次のようにして形成される。すなわち、トランスファモールド装置の上型と下型の間に半導体チップが搭載された配線基板をセットし、上下の型の間に形成されたキャビティ内に封止樹脂を充填し、充填された封止樹脂を熱硬化させる。従って、モールド時の加熱により生じる配線基板の熱膨張や上型と下型により配線基板がクランプされることにより生じる応力などにより、配線基板に変形（歪み）が発生してしまう。結果、配線基板に内部応力が残留し、モールド後の配線基板や個々の製品形成部（分割後された半導体装置）に変形が発生する。より具体的には、配線基板や半導体装置に反りが発生し、かつ、その反りのバラツキが大きくなる。半導体装置に大きな反りが発生すると、半導体装置の実装基板への２次実装の際、さらにはＰｏＰ（Package on Package）のような他の半導体装置に別の半導体装置を積層搭載する際に、良好なバンプ接続が得られなくなり、半導体装置の２次実装の信頼性が低下する虞がある。
【０００３】
そこで、特許文献１には、半導体装置が搭載された複数の素子搭載領域（上記製品形成部に相当する。）を樹脂封止で一括封止する前に、複数の素子搭載領域を区画する区画ラインに沿って基板にスリット状の貫通穴を形成する技術が開示されている。特許文献１によれば、上記貫通穴によって、樹脂封止時に生じる内部応力が分散される、とのことである。
【０００４】
また、特許文献２、特許文献３には、短冊状の導電箔に、多数の搭載部が形成される複数のブロックを離間させて並べ、各ブロック間にスリットを設ける技術が記載されている。特許文献２、特許文献３によれば、上記スリットによって、モールド工程等での加熱処理で発生する導電箔の応力が吸収される、とのことである。
【特許文献１】特開２０００−１２４１６３号公報（段落[0020]、[0038]、図２Ｂ）
【特許文献２】特開２００２−７６１８６号公報（段落[0031]、図２Ｂ）
【特許文献３】特開２００３−３７１２５号公報（段落[0030]、図１Ｂ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載されている技術では、配線基板の区画ライン上にスリットが形成されるが、樹脂封止の際（モールド時）には、区画ラインよりも外側が金型によってクランプされる。そして、配線基板のうち、金型によってクランプされる部分の温度が最も高温となり、熱膨張が最大となる。よって、特許文献１に記載されている技術では、配線基板において熱膨張が最も大きな部分における応力を該基板に設けたスリットによって十分に緩和することはできない。さらに、区画ライン上にスリットを形成することは、樹脂封止領域内にスリットを形成することを意味する。すると、樹脂封止時にスリット内にボイドが残存する可能性が高くなる。スリット内へのボイドの残存によっては、半導体装置のリフロー時にパッケージクラックを引き起こす虞がある。さらに封止樹脂がスリットを通じて配線基板の裏面側に漏れ出し、外部端子を覆ってしまう虞もある。
【０００６】
特許文献２、３には、モールド金型と導電箔との関係が明確に示されていない。一方で、特許文献２の段落[0037]には、枠状パターン６６はモールド金型との嵌合に使用し、」との記載がある。かかる記載及び添付の図４Ｂにおける図示に照らせば、各ブロック６２間のスリット６３はモールド金型の外に配置されると解される。従って、特許文献１に記載されている技術と同様に、配線基板において熱膨張が最も大きな部分における応力を該基板に設けたスリットによって十分に緩和することはできない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の配線基板の一つは、複数の製品形成部のそれぞれに半導体チップが搭載された状態で成形金型のキャビティ内に配置され、前記複数の製品形成部を一括して覆う封止体が形成される配線基板において、前記成形金型に当接する領域に、２以上のスリットが形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の配線基板の他の一つは、複数の製品形成部のそれぞれに半導体チップが搭載された状態で成形金型のキャビティ内に配置され、前記複数の製品形成部を一括して覆う封止体が形成される配線基板において、前記封止体が形成されるモールドエリアよりも外側であって、前記成形金型に当接する領域に、２以上のスリットが形成されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の配線基板の他の一つは、複数の製品形成部のそれぞれに半導体チップが搭載された状態で上型と下型とからなる成形金型のキャビティ内に配置され、前記複数の製品形成部を一括して覆う封止体が形成される配線基板において、前記封止体が形成されるモールドエリアよりも外側であって、前記上型と前記下型とによって挟まれる領域に、２以上のスリットが形成されていることを特徴とする。
【００１０】
配線基板のうち、成形金型に当接する領域は、封止体形成時（モールド時）に最も高温となり、熱膨張が最大となる。よって、その領域にスリットを設けることにより、熱膨張による応力を可及的に十分に緩和することができる。
【発明の効果】
【００１１】
モールド時の熱膨張により応力が十分に緩和されるので、変形による歪みにより起因して発生するモールド後の変形や個片切断後の半導体パッケージの反りが低減される。また、半導体パッケージ反りが低減されるので、実装基板や他の半導体装置への２次実装の信頼性も向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（実施形態１）
以下、本発明の配線基板の実施形態の一例について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る配線基板１Ａの概略構成を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。本実施形態に係る配線基板１Ａは、ＢＧＡ型の半導体装置の製造に用いられる配線基板である。
【００１３】
配線基板１Ａは、厚みが０．１４[ｍｍ]の略矩形のガラスエポキシ配線基板であって、その表面には複数の製品形成部２がマトリックス状に設けられている。具体的には、４×４（合計１６個）の製品形成部２からなる製品形成部群（以下「エリア」）が２つ設けられている。各エリアの各製品形成部２には、それぞれ所定の配線パターン（不図示）が形成され、それら配線は部分的に絶縁膜（例えばソルダーレジスト）で覆われている。また、各製品形成部２の間の境界線は、後に各製品形成部２を分割して個片化する際のダイシングラインとなる。
【００１４】
製品形成部２の一面に形成されている配線のうち、ソルダーレジストなどの絶縁膜に覆われていない部分には、複数の接続パッド３が形成されている。また、製品形成部２の他面に形成されている配線のうち、ソルダーレジストなどの絶縁膜に覆われていない部分には、複数のランド４が形成されている。そして、接続パッド３とこれに対応するランド４とは、配線基板１Ａの内部に形成された配線を介してそれぞれ電気的に接続されている。
【００１５】
ここで、上記２つのエリアは、配線基板１Ａの縁よりも内側に、該基板１の長手方向に並んで配置されている。さらに、隣接する２つのエリアの間には隙間が設けられている。結果、２つのエリアの周囲には、枠状の周縁部（以下「枠部５」という。）が存在している。枠部５には所定の間隔で位置決め孔６が設けられ、搬送・位置決めが可能となっている。
【００１６】
さらに、枠部５の所定位置、本実施形態ではそれぞれのエリアを一括的に覆う封止体が形成されるモールドエリア７の周囲に、配線基板１Ａの表裏面に貫通する複数のスリット８が形成されている。換言すれば、配線基板１Ａの縁よりも内側であって、モールドエリア７の縁よりも外側に、モールドエリア７の各辺に沿って複数のスリット８が配置されている。各スリット８の幅は１[ｍｍ]程度で、モールドエリア７の縁から１〜２[ｍｍ]離間し、かつ配線基板１Ａの縁から１[ｍｍ]以上離間した位置に配置されている。また、長手方向に隣接するスリット同士は、１〜３[ｍｍ]程度離間しており、隣接するスリット間の隙間部分は、配線基板１Ａの搬送時の吸着箇所として利用される。
【００１７】
後に詳述するように、配線基板１Ａの各製品形成部２には半導体チップが搭載され、半導体チップが搭載された複数の製品形成部２は封止体によって一括して覆われる。具体的には、各製品形成部２に半導体チップが搭載された配線基板１Ａを上型と下形からなる成形金型のキャビティ内に配置し、該キャビティに溶融させた封止樹脂を充填して上記封止体を形成する。そこで、配線基板１Ａに設けられ複数のスリット８のうち、配線基板１Ａを成形金型のキャビティ内に配置したときに、該キャビティに封止樹脂が流入するゲート側に位置するスリット８ａは、ゲート位置に合わせて配置されている。さらに、隣接するスリット８ａ同士の間の間隔は、他のスリット８同士の間の間隔に比べて広くしてある。これは、ゲート位置を避けてスリット８ａを設けることで、封止樹脂のスリット８ａへの漏れ出しを回避し、封止樹脂の注入を良好に行うためである。さらに、成形金型のエアベント側に位置するスリット８ｂの開口面積は、ゲート側に位置するスリット８ａの開口面積よりも大きくしてある。これは、封止樹脂の注入により配線基板１Ａにかかる圧力でエアベント側の応力がゲート側より大きくなることを回避するためである。
【００１８】
次に、配線基板１Ａを用いたＢＧＡ型半導体装置の製造方法について説明する。
【００１９】
まず、図１（ａ）及び（ｂ）に示す配線基板１Ａを準備する。次に、ダイボンディング工程を実行する。具体的には、図２に示すように、配線基板１Ａの各製品形成部２（図１）に半導体チップ１０を搭載する。半導体チップ１０は、その一面に論理回路、或いは記憶回路等が形成されたＳｉ基板を有し、該Ｓｉ基板の周辺近傍位置には複数の電極パッドが形成されている。また、電極パッドを除く半導体チップ１０の一面には、回路形成面を保護するパッシベーション膜が形成されている。ダイボンディング工程では、図示しないダイボンディング装置を用いて、配線基板１Ａの各製品形成部２（図１）の略中央部に、上記構成を有する半導体チップ１０の他面（上記電極パッドが形成された面と反対の面）を絶縁性の接着材やＤＡＦ（Die Attached Film）等を介して接着固定する。全ての製品形成部２に半導体チップ１０を搭載し終えたらワイヤボンディング工程に移行する。
【００２０】
ワイヤボンディング工程では、半導体チップ１０の一面に形成されている電極パッドと、それに対応する製品形成部２の接続パッド３とを導電性のワイヤ１１を介して接続する。かかるワイヤ１１は例えばＡｕ或いはＣｕ等からなる。また、ワイヤボンディングには、図示しないワイヤボンディング装置が用いられる。具体的には、溶融され、ボールが形成されたワイヤ１１の一端を半導体チップ１０の電極パッドに超音波熱圧着した後、ワイヤ１１の他端を配線基板１Ａ上の対応する接続パッド３に超音波熱圧着する。なお、ワイヤ１１は、半導体チップ１０の角との干渉を避けるために所定のループ形状を描くように形成される。なお、図２は、全ての製品形成部２へのワイヤ接続が完了した後の配線基板１Ａの状態を示している。より具体的には、図２（ａ）は、ワイヤボンディング工程が終了した後の配線基板１Ａの平面図であり、図２（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。図２に示す状態となった配線基板１Ａは封止工程に移される。
【００２１】
図３は、封止工程を示す断面図である。封止工程で用いられるトランスファモールド装置（成型装置２０）は、上型２１と下型２２からなる成形金型を有している。上型２１にはキャビティ２３が形成されており、下型２２には配線基板１Ａを搭載するための凹部２４が形成されている。キャビティ２３はＭＡＰ方式で構成されており、図１及び図２に点線で示したように、複数の製品形成部２を一括して覆うモールドエリア７が形成される。また、本実施形態では、配線基板１Ａ上に、分割された２つのエリアが設けられているので、キャビティ２３も２つに分割されている。尚、モールドエリア７を分割することで、封止後の配線基板１Ａの反りが緩和される。
【００２２】
ワイヤボンディング工程が完了した配線基板１Ａは、図３（ａ）（ｂ）に示すように、下型２２の凹部２４にセットされる。そして上型２１と下型２２で配線基板１Ａの枠部５をクランプすることで、配線基板１Ａの上方に所定の大きさのキャビティ２３やゲート２５が形成される。
【００２３】
先に述べたように、配線基板１Ａのモールドエリア７の周囲には複数のスリット８が形成されている。そして、図３（ｂ）に示すように、スリット８の１[ｍｍ]程度内側にキャビティ２３が形成される。すなわち、スリット８を含む配線基板１Ａの枠部５が上型２１と下型２２でクランプされる。換言すれば、スリット８は、上型２１と下型２２でクランプされる領域に設けられている。
【００２４】
成形装置は加熱機構を有しており、成形金型は所定の温度（例えば１８０度）程度に加熱されている。従って、上型２１と下型２２でクランプされた配線基板１Ａも所定温度（例えば１８０度）程度まで加熱される。しかし、配線基板１Ａでは、上記クランプ位置に複数のスリット８が設けられているので、成形金型と直接接触し、一番高温となり、熱膨張の大きい部位で、配線基板１Ａの熱膨張及び成形金型でクランプされることにより発生する配線基板１Ａの変形が緩和される。
【００２５】
その後、下型２２のポットに熱硬化性の封止樹脂（例えばエポキシ樹脂）のタブレットを供給し、供給した封止樹脂を加熱溶融させる。次いで、図３（ｃ）に示すように、溶融した封止樹脂をプランジャー２６によりゲート２５からキャビティ２３内に注入する。キャビティ２３内に封止樹脂２７を充填した後、所定の温度（例えば１８０℃）でキュアすることで、封止樹脂２７を硬化させ、封止体を形成する。本実施形態では、キャビティ２３の１[ｍｍ]程度外側にスリット８が配置されている為、図３（ｄ）に示すように、キャビティ２３からスリット８への封止樹脂２７の漏れ出しがなく、封止樹脂２７をキャビティ２３に良好に充填できる。また、既述のように、ゲート位置を避けてスリット８（８ａ）が設けられているので、封止樹脂２７のスリット８（８ａ）への漏れ出しもなく、封止樹脂２７の充填がさらに良好に行える。さらに、配線基板１Ａのゲート側のスリット８（８ａ）よりエアベント側のスリット８（８ｂ）の開口面積が大きいので、封止樹脂２７の注入により配線基板１Ａにかかる圧力でエアベント側の応力がゲート側より大きくなることが回避される。
【００２６】
その後、成形金型から配線基板１Ａを取り出し、所定の温度（例えば１８０℃）でベークすることで封止体を完全に硬化させる。これにより、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線基板１Ａ上の２つのエリアに、各エリアを一括して覆う封止体２８がそれぞれ形成される。また、配線基板１Ａの封止体２８に接続されたゲート、ランナー及びカルの封止樹脂は除去する。
【００２７】
次に、ボールマウント工程に移行する。具体的には、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線基板１Ａの他面に格子状に配置された複数のランド４の上に、導電性の半田ボール２９を搭載し、外部端子となるバンプ電極を形成する。ボールマウント工程では、配線基板１Ａ上のランド４の配置に合わせて複数の吸着孔が形成された不図示のボールマウンターが用いられる。具体的には、例えば半田等からなる半田ボール２９を前記吸着孔に保持し、前記保持された半田ボール２９を、フラックスを介して、配線基板１Ａのランド４に一括搭載する。
【００２８】
全ての製品形成部２への半田ボール２９の搭載が終了したら、配線基板１Ａをリフローしてバンプ電極（外部端子）を形成する。本実施形態では、配線基板１Ａの上に封止体２８を分割形成すると共に、モールドエリア７を囲むように複数のスリット８を配置することで、樹脂封止後の配線基板１Ａの反りを低減することができるため、良好に半田ボール２９を搭載できる。
【００２９】
次に、基板ダイシング工程に移行する。具体的には、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線基板１Ａを上記ダイシングラインで切断し、各製品搭載部２を分離する。基板ダイシング工程では、配線基板１Ａの封止体２側をダイシングテープ３０に接着し、ダイシングテープ３０によって配線基板１Ａを支持する。その後、配線基板１Ａを図示しないダイシング装置のダイシングブレードにより縦横にダイシングラインに沿って切断して各製品形成部２ごとに分離する。切断分離後、ダイシングテープ３０からピックアップすることで、図７に示すような半導体装置３１が得られる。
【００３０】
本実施形態では、配線基板１Ａの上に封止体２８を分割形成すると共に、モールドエリア７を囲むように複数のスリット８を配置することで、樹脂封止後の配線基板１Ａの反りを低減することができるため、配線基板１Ａを精度よく良好に切断できる。
【００３１】
また、配線基板１Ａのクランプ位置に複数のスリット８を配置することで、モールド時の加熱による配線基板１Ａの熱膨張、及び成形金型でクランプされることにより発生する配線基板１Ａの変形を緩和しているため、切断分離後、その基板変形の歪みがパッケージに内部応力として残ることなく、パッケージの反り形状のばらつきが低減される。さらに、半導体装置のパッケージ反りが低減される為、実装基板や他の半導体装置への２次実装の信頼性が向上する。
（実施形態２）
以下、本発明の配線基板の実施形態の他例について説明する。図８は、本実施形態に係る配線基板１Ｂの概略構成を示す平面図である。
【００３２】
図８に示す配線基板１Ｂの基本構成は、実施形態１に係る配線基板１Ａと同一である。本実施形態に係る配線基板１Ｂは、モールドエリア７のコーナー部の近傍に配置されるスリット８の形状が、モールドエリア７のコーナー部の形状に沿った形状とされている点で実施形態１に係る配線基板１Ａと異なる。具体的には、本実施形態に係る配線基板１Ｂには、モールドエリア７のコーナー部に、該コーナー部に沿ったＬ字形のスリット８ｃとＴ字形のスリット８ｄとが形成されている。
【００３３】
本実施形態に係る配線基板１Ｂでは、実施形態１に係る配線基板１Ａと同様の効果が得られると共に、モールドエリア７のコーナー部に、該コーナー部に沿った形状のスリット８（８ｃ、８ｄ）を形成することで、ＸＹ方向での応力が集中するモールドエリア７のコーナー部における応力が良好に緩和される。図９（ａ）に常温時のスリット８ｃの状態を示し、同図（ｂ）にモールド（クランプ）時のスリット８ｃの状態を示す。図９（ｂ）に示すように、モールド時には、ＸＹ方向に応力が集中するが、スリット８ｃの変形によってその応力が良好に吸収される。
【００３４】
本実施形態に係る配線基板１Ｂを用いた半導体装置の製造方法は、実施形態１において説明した方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。
（実施形態３）
以下、本発明の配線基板の実施形態の他例について説明する。図１０は、本実施形態に係る配線基板１Ｃの概略構成を示す平面図である。
【００３５】
図１０に示す配線基板１Ｃの基本構成は、実施形態１に係る配線基板１Ａと同一である。本実施形態に係る配線基板１Ｃは、複数のスリット８のうちの少なくとも一部が開放されている点で実施形態１に係る配線基板１Ａと異なる。具体的には、配線基板１Ｃの周縁に、該基板１の各辺に沿って配置されている各スリット８ｅは、その長手方向一端が配線基板１Ｃの端面に連通して開放されている。一方、２つのエリアの間に配置されているスリット８ｆは開放されていない。スリット８ｅのように開放されているスリットは、スリット８ｆのように閉塞されているスリットに比べて変形が容易である。従って、開放されているスリット８ｅを複数有する本実施形態の配線基板１Ｃでは、モールド時のクランプによる応力がさらに良好に緩和される。図１１（ａ）に常温時のスリット８ｅの状態を示し、同図（ｂ）にモールド（クランプ）時のスリット８ｅの状態を示す。図１１（ｂ）に示すように、スリット８ｅは、その幅方向内側に特に変形しやすく、モールド時の応力が効果的に吸収される。
【００３６】
本実施形態に係る配線基板１Ｃを用いた半導体装置の製造方法は、実施形態１において説明した方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。
（実施形態４）
以下、本発明の配線基板の実施形態の他例について説明する。図１２は、本実施形態に係る配線基板１Ｄの概略構成を示す平面図である。
【００３７】
図１０に示す配線基板１Ｄの基本構成は、実施形態１に係る配線基板１Ａと同一である。本実施形態に係る配線基板１Ｄは、次の点において実施形態１に係る配線基板１Ａと異なる。すなわち、配線基板１Ｄでは、該基板１Ｄの対向する２つの短辺の近傍に、それぞれの短辺に沿って並べられた複数のスリット８からなる第１のスリット列８１、第２のスリット列８２が形成されている。また、２つのエリアの間には、第１及び第２のスリット列８１、８２と同一構成の第３のスリット列８３が第１及び第２のスリット列８１、８２と平行に形成されている。さらに、配線基板１Ｄの対向する２つの長辺の近傍には、それぞれの長辺に沿って並べられた複数のスリット８からなる第４のスリット列８４、第５のスリット列８５が形成されている。
【００３８】
上記複数のスリット列のうち、第１〜第４のスリット列８１〜８４においては、各列の両端部に位置するスリット８の長さが、それらスリット８よりも内側に位置するスリット８の長さに比べて長い。具体的には、第１のスリット列８１では、その両端部に位置するスリット８１ａ、８１ｂのスリット長が、これらスリット８１ａ、８１ｂよりも内側に位置するスリット８１ｃのスリット長よりも長い。以下同様に、第２のスリット列８２では、その両端部に位置するスリット８２ａ、８２ｂのスリット長が、これらスリット８２ａ、８２ｂよりも内側に位置するスリット８２ｃのスリット長よりも長く、第３のスリット列８３では、その両端部に位置するスリット８３ａ、８３ｂのスリット長が、これらスリット８３ａ、８３ｂよりも内側に位置するスリット８３ｃのスリット長よりも長い。
【００３９】
また、第４のスリット列８４では、その両端部に位置するスリット８４ａ、８４ｂと、これらスリット８４ａ、８４ｂの内側に位置するスリット８４ｃ、８４ｄのスリット長が、スリット８４ｃ、８４ｄよりもさらに内側に位置するスリット８４ｅのスリット長よりも長い。なお、第４のスリット列８４は、配線基板１Ｄを成形金型のキャビティ内に配置したときに、該キャビティのエアベント側に位置する。また、スリット８４ｃ、８４ｄのスリット長は、スリット８４ａ、８４ｂのスリット長よりも短くてもよく、例えば、スリット８４ｅのスリット長と同一であってもよい。
【００４０】
上記構成を有する配線基板１Ｄによれば、実施形態１に係る配線基板１Ａと同様な効果が得られる。さらには、モールド時には配線基板１Ｄの中央側よりも端部側の方が熱膨張による伸びが大きい。そこで、配線基板１Ｄの各辺の端部に位置するスリット８が各辺の中央部に位置するスリット８よりも長く（大きく）形成されている配線基板１Ｄでは、モールド時の熱膨張及びクランプによる端部側の熱膨張による応力がより良好に緩和される。
【００４１】
本実施形態に係る配線基板１Ｄを用いた半導体装置の製造方法は、実施形態１において説明した方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。
（実施形態５）
以下、本発明の配線基板の実施形態の他例について説明する。図１３は、本実施形態に係る配線基板１Ｅの概略構成を示す平面図である。
【００４２】
図１３に示す配線基板１Ｅの基本構成は、実施形態１に係る配線基板１と同一である。本実施形態に係る配線基板１Ｅは、該基板１Ｅの各辺に沿ってスリット列が二重に形成されている点で実施形態１に係る配線基板１Ａと異なる。
【００４３】
本実施形態に係る配線基板１Ｅによれば、実施形態１に係る配線基板１Ａと同様な効果が得られると共に、モールド時のクランプによる応力がより良好に緩和される。
【００４４】
本実施形態に係る配線基板１Ｅを用いた半導体装置の製造方法は、実施形態１において説明した方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。
（実施形態６）
以下、本発明の配線基板の実施形態の他例について説明する。図１４は、本実施形態に係る配線基板１Ｆの概略構成を示す平面図である。
【００４５】
図１４に示す配線基板１Ｆの基本構成は、実施形態２に係る配線基板１Ｂと同一である。本実施形態に係る配線基板１Ｆは、図８に示すＬ字形のスリット８ｃ中とＴ字形のスリット８ｄ中とに、同図に示す位置決め孔６に相当する位置決め部６１が形成されている点で実施形態２に係る配線基板１Ｂと異なる。
【００４６】
本実施形態に係る配線基板１Ｆによれば、実施形態２に係る配線基板１Ｂと同様な効果が得られると共に、枠部５の面積を減らすことができる。これにより、配線基板の小型化、或いは製品形成部の面積を増やすことができる。製品形成部の面積が増えれば、一つの配線基板からの製品の取数を増やすことができ、製造コストを低減することが可能となる。
【００４７】
本実施形態に係る配線基板１Ｆを用いた半導体装置の製造方法は、実施形態１において説明した方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。
（実施形態７）
以下、本発明の配線基板の実施形態の他例について説明する。図１５は、本実施形態に係る配線基板１Ｇの概略構成を示す平面図である。
【００４８】
図１５に示す配線基板１Ｇの基本構成は、実施形態１に係る配線基板１Ａと同一である。本実施形態に係る配線基板１Ｇは、幅の異なる少なくとも２種類のスリット８を有する点で実施形態１に係る配線基板１Ａと異なる。具体的には、配線基板１Ｇでは、該基板１Ｇの長辺に沿って配置されたスリット８ｇの幅よりも、短辺に沿って配置されたスリット８ｈの幅の方が広く形成されている。
【００４９】
本実施形態に係る配線基板１Ｇによれば、実施形態１に係る配線基板１Ａと同様な効果が得られる。さらに、モールド時には、配線基板の長辺側よりも短辺側の方が熱膨張による伸びが大きい。よって、短辺に沿って配置されたスリット８ｈの幅が長辺に沿って配置されたスリット８ｇの幅より広い本実施形態の配線基板１Ｇによれば、モールド時の熱膨張及びクランプによる端部側の熱膨張による応力がさらに良好に緩和される。
【００５０】
本実施形態に係る配線基板１Ｇを用いた半導体装置の製造方法は、実施形態１において説明した方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。
（実施形態８）
以下、本発明の配線基板の実施形態の他例について説明する。図１６は、本実施形態に係る配線基板１Ｈの概略構成を示す平面図である。
【００５１】
図１６に示す配線基板１Ｈの基本構成は、実施形態１に係る配線基板１Ａと同一である。本実施形態に係る配線基板１Ｈは、モールドエリア７の周囲に、該エリア７の三辺に沿って、各辺と同等の長さのスリット８ｉが形成されている点で実施形態１に係る配線基板１Ａと異なる。また、各スリット８ｉの上にシート部材を貼り付けることで、配線基板１Ｈの搬送用の吸着部３２が設けられている点でも実施形態１に係る配線基板１Ａと異なる。なお、配線基板１Ｈを成形金型のキャビティ内に配置したときに、該キャビティのゲート側となるモールドエリア７の一辺に沿って形成されているスリット８ｊは、配線基板１Ａにおいて同位置に形成されているスリット８ａと同一の形状及び寸法を有する。
【００５２】
本実施形態に係る配線基板１Ｈによれば、実施形態１に係る配線基板１Ａと同様な効果が得られる。さらに、モールドエリア７の周囲に該エリア７と同等の長さのスリット８ｉが配置されると共に、スリット８ｉ上に吸着部３２が設けられているので、スリット８ｉを分割することなく、モールドエリア７の周囲に十分な大きさのスリット８が配置され、モールド時の熱膨張及びクランプによる端部側の熱膨張による応力がより良好に緩和される。
【００５３】
本実施形態に係る配線基板１Ｈを用いた半導体装置の製造方法は、実施形態１において説明した方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。
（実施形態９）
以下、本発明の配線基板の実施形態の他例について説明する。図１７は、本実施形態に係る配線基板１Ｊの概略構成を示す平面図である。
【００５４】
図１７に示す配線基板１Ｊの基本構成は、実施形態１に係る配線基板１Ａと同一である。本実施形態に係る配線基板１Ｊは、モールドエリア７の縁に沿って複数のスリット８が配置されると共に、それらスリット８の少なくとも一部が配線基板１Ｊの端面において開放されている点で実施形態１に係る配線基板１Ａと異なる。具体的には、モールドエリア７の縁と配線基板１Ｊの縁との間に配置されている各スリット８ｋからは、それらスリット８ｋの長手方向と直交する方向に開放部３３が延びており、該開放部３３は配線基板１Ｉの端面に連通している。換言すれば、各スリット８ｋは、開放部３３を介して開放されている。なお、モールドエリア７の縁に沿って配置されているスリット８のうち、２つのモールドエリア７の間に配置されているスリット８ｍは開放されていない。
【００５５】
開放されたスリット８ｋは、開放されていないスリット８ｍに比べて変形が容易であるので、かかるスリット８ｋを有する配線基板１Ｊでは、モールド時の熱膨張及びクランプによる端部側の熱膨張による応力がより良好に緩和される。特に、相対的に変形が容易なスリット８ｋが熱膨張の大きいな配線基板１Ｊの周囲に配置されているので、熱膨張による応力がより一層良好に緩和される。
【００５６】
本実施形態に係る配線基板１Ｊを用いた半導体装置の製造方法は、実施形態１において説明した方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００５７】
以上、本発明の実施形態のいくつかについて説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５８】
例えば、本明細書では、配線基板に一つの半導体チップが搭載された半導体装置に本発明を適用する場合について説明したが、本発明は複数の半導体チップが並置あるいは積層搭載された半導体装置に適用することもできる。また、ＢＧＡ型の半導体装置以外の、ＬＧＡ型の半導体装置等、ＭＡＰ方式を用いる半導体装置にも本発明は適用可能である。
【００５９】
さらに、配線基板と半導体チップとの接続をワイヤボンディングする場合について説明したが、フリップチップ接続してもよい。また、ガラスエポキシ基材からなる配線基板について説明したが、配線基板には、ポリイミド基材からなるフレキシブルな配線基板等も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】実施形態１に係る配線基板を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図２】ワイヤボンディング工程が終了した後の配線基板を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図３】封止工程を示す断面図である。
【図４】２つのエリアにそれぞれ封止体が形成された配線基板を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図５】ボールマウント工程が終了した後の配線基板を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図６】基板ダイシング工程における配線基板を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図７】製造された半導体装置の構成を示す断面図である。
【図８】実施形態２に係る配線基板を示す平面図である。
【図９】図８に示すスリット８ｃの拡大図であって、（ａ）は常温時の状態を示す拡大図、（ｂ）はモールド時の状態を示す拡大図である。
【図１０】実施形態３に係る配線基板を示す平面図である。
【図１１】図１０に示すスリット８ｅの拡大図であって、（ａ）は常温時の状態を示す拡大図、（ｂ）はモールド時の状態を示す拡大図である。
【図１２】実施形態４に係る配線基板を示す平面図である。
【図１３】実施形態５に係る配線基板を示す平面図である。
【図１４】実施形態６に係る配線基板を示す平面図である。
【図１５】実施形態７に係る配線基板を示す平面図である。
【図１６】実施形態８に係る配線基板を示す平面図である。
【図１７】実施形態９に係る配線基板を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、１Ｊ  配線基板
２  製品形成部
３  接続パッド
４  ランド
５  枠部
６  位置決め孔
７  モールドエリア
８  スリット
８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅ、８ｆ、８ｇ、８ｈ、８ｉ、８ｊ、８ｋ、８ｍ  スリット
８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、８２ａ、８２ｂ、８２ｃ、８３ａ、８３ｂ、８３ｃ、８４ａ、８４ｂ、８４ｃ、８４ｅ、８４ｄ  スリット
１０  半導体チップ
１１  ワイヤ
２０  成型装置
２１  上型
２２  下型
２３  キャビティ
２４  凹部
２５  ゲート
２６  プランジャー
２７  封止樹脂
２８  封止体
２９  半田ボール
３０  ダイシングテープ
３１  半導体装置
３２  吸着部
３３  開放部
６１  位置決め部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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