(57)【要約】【課題】  特に、無電解メッキ法を用いて、従来に比べて半田転写の改善や接触抵抗の安定性等を図ることが可能な表面層を弾性変形部に形成することが可能な接触子の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  弾性変形部を備える接触子の製造方法において、固定部２１と、前記固定部２１から延出形成された前記弾性変形部２２とを有する芯部２３を形成する工程、前記芯部２３の表面に、無電解メッキ法にて、白金族金属層２８をメッキ形成する工程、前記白金族金属層２８の表面に、無電解メッキ法にて、Ａｕ層２９をメッキ形成する工程、加熱処理を施して、最表面層に、白金族元素とＡｕとの合金層を形成する工程、を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性変形部を備える接触子の製造方法において、
固定部と、前記固定部から延出形成された前記弾性変形部とを有する芯部を形成する工程、
少なくとも前記弾性変形部を構成する前記芯部の表面に、無電解メッキ法にて、白金族金属層をメッキ形成する工程、
前記白金族金属層の表面に、無電解メッキ法にて、Ａｕ層をメッキ形成する工程、
加熱処理を施して、最表面層に、白金族元素とＡｕとの合金層を形成する工程、
を有することを特徴とする接触子の製造方法。
【請求項２】
前記固定部にも、無電解メッキ法による前記白金族金属層及び前記Ａｕ層のメッキ形成、及び加熱処理を施して、前記合金層を形成する請求項１記載の接触子の製造方法。
【請求項３】
個々に分離された複数の前記芯部を形成し、支持シートに支持された全ての前記芯部に対して、前記無電解メッキ工程及び加熱処理工程を施して、前記合金層を備える複数の前記接触子を形成する請求項１又は２に記載の接触子の製造方法。
【請求項４】
前記加熱処理工程を、前記弾性変形部を立体成形した状態で行う請求項１ないし３のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項５】
前記Ａｕ層を、前記白金族金属層よりも薄く形成するか、あるいは同等の膜厚で形成する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項６】
前記芯部を、銅又は銅合金で形成された導電部の表面に、無電解メッキ法にて、Ｎｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅ，Ｂのいずれか一種以上）からなる弾性部をメッキした積層構造で形成する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項７】
前記芯部を、Ｎｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅ，Ｂのいずれか一種以上）にて電鋳形成する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項８】
前記加熱温度を、１５０℃〜３００℃の範囲内で調整する請求項１ないし７のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣパッケージなどの電子部品の電極と当接する、弾性変形部を備えた接触子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下の特許文献１には、弾性変形部（弾性腕）を備える接触子を、複数備えた接続装置が開示されている。ＩＣパッケージなどの電子部品の底面には複数の球状の電極が設けられており、それぞれの電極が前記弾性変形部に弾圧されて、電極と接触子とが一対一の関係で個別に接続される。
【０００３】
特許文献１には、芯部の表面に、白金族金属層から成る被覆層が形成された形態が開示されている。さらに、前記被覆層の表面にＡｕ層が形成された形態も開示されている。
【特許文献１】特開２００８−７８０３２号公報
【特許文献２】特開平１１−２６０９８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、最表面にＡｕ層が露出している形態では、電子部品の電極が半田で形成されているとき、接触子を前記電極に繰り返し接触させると、電極と接触子との間で金属間化合物が生成され、接触子側へ半田転写が生じるという問題があった。このため接触信頼性に欠け、接続装置の短命化が問題となった。
【０００５】
また、最表面に白金族金属層が露出する形態では、表面に酸化層を作る等して接触抵抗が安定しない。さらに、触媒作用により、使用環境によっては有機物汚染等が生じ、潤滑油を併用できない等、使用環境が限定されてしまう問題があった。また、最表面層にＰｄ等の白金族元素を用いた場合、接触子を支持固定する固定面と接触子間を適切に半田接合できないといった問題があった。
【０００６】
上記した特許文献２に記載の発明には、リードフレームの製造方法が開示されている。特許文献２には、リードフレームの表面にＡｕ−Ｐｄ合金めっきを形成し、さらに、Ａｕ−Ｐｄ合金めっきに封孔処理を施すことが開示されている。
【０００７】
しかしながら特許文献２に記載の発明は、そもそも、ＩＣ等の電子部品の電極と繰り返し当接する弾性変形部を備えた接触子でなく、上記した半田転写の従来課題は存在しない。
【０００８】
また、上記した弾性変形部を備える各接触子は、夫々、電気的に接続しておらず、個々分離している。よってこれら接触子に被覆層をメッキ形成する場合、電解メッキ法が使用できず、無電解メッキ法を用いて行う。
【０００９】
しかしながら特許文献２に記載されたＡｕ−Ｐｄめっきは無電解メッキ法にて形成できないから、特許文献２に記載された形態を直接、採用することは出来ない。
【００１０】
そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、無電解メッキ法を用いて、従来に比べて半田転写の改善や接触抵抗の安定性等を図ることが可能な表面層を弾性変形部に形成することが可能な接触子の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、弾性変形部を備える接触子の製造方法において、
固定部と、前記固定部から延出形成された前記弾性変形部とを有する芯部を形成する工程、
少なくとも前記弾性変形部を構成する前記芯部の表面に、無電解メッキ法にて、白金族金属層をメッキ形成する工程、
前記白金族金属層の表面に、無電解メッキ法にて、Ａｕ層をメッキ形成する工程、
加熱処理を施して、最表面層に、白金族元素とＡｕとの合金層を形成する工程、
を有することを特徴とするものである。
【００１２】
本発明では、無電解メッキ法を用いて、適切且つ容易に、弾性変形部の芯部の表面に白金族元素とＡｕとの合金層を形成できる。よって、従来に比べて、半田転写を抑制でき、接触抵抗の安定性等を図ることが可能な弾性変形部を備える接触子を形成することが可能である。
【００１３】
本発明では、前記固定部にも、無電解メッキ法による前記白金族金属層及び前記Ａｕ層のメッキ形成、及び加熱処理を施して、前記合金層を形成することが好ましい。これにより、固定部を基板のランド部上に半田接合するとき、半田の吸い上がりを抑制しつつ良好な半田接合性を確保できる。
【００１４】
また本発明では、個々に分離された複数の前記芯部を形成し、支持シートに支持された全ての前記芯部に対して、前記無電解メッキ工程及び加熱処理工程を施して、前記合金層を備える複数の前記接触子を形成することが好ましい。このように、個々に分離された複数の芯部に対してメッキを施すには無電解メッキ法を用いることが必要であるが、本発明によれば、個々、分離された複数の接触子に対して白金族元素とＡｕとの合金層を適切且つ容易に形成することが可能である。
【００１５】
また本発明では、前記加熱処理工程を、前記弾性変形部を立体成形した状態で行うことが好ましい。これにより、白金族元素とＡｕとの合金層の形成とともに、適切に弾性力を発揮できる立体形状の弾性変形部を形成出来る。
【００１６】
また本発明では、前記Ａｕ層を、前記白金族金属層よりも薄く形成するか、あるいは同等の膜厚で形成することが好ましい。これにより、白金族元素とＡｕとの合金層を適切に形成できる。また、白金族元素がリッチな合金層に形成でき、半田転写をより効果的に改善できる。また、Ａｕ層を、白金族金属層よりも薄く形成すれば特に、加熱処理後、芯部と前記合金層との間に白金族金属層を残しやすくなるが、これにより、弾性変形部の機械的強度を上げることが出来る。
【００１７】
また本発明では、前記芯部を、銅又は銅合金で形成された導電部の表面に、無電解メッキ法にて、Ｎｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅ，Ｂのいずれか一種以上）からなる弾性部をメッキした積層構造で形成することが出来る。
【００１８】
あるいは、本発明では、前記芯部を、Ｎｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅ，Ｂのいずれか一種以上）にて電鋳形成することが出来る。
【００１９】
本発明では、前記加熱温度を、１５０℃〜３００℃の範囲内で調整することが好ましい。特に上記したＮｉ−Ｘから成る弾性部に対して、あまりに高温の加熱処理を施すと結晶化が進み、ばね特性が低下する。また加熱温度が低すぎると、白金族元素とＡｕとの合金層を適切に形成できない。よって、加熱温度を１５０℃〜３００℃の範囲内で調整することとした。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、無電解メッキ法を用いて、適切且つ容易に、弾性変形部の芯部の表面に白金族元素とＡｕとの合金層を形成できる。よって、従来に比べて、半田転写を抑制でき、接触抵抗の安定性等を図ることが可能な弾性変形部を備える接触子を形成することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は、本実施形態における多数の接続子を備えた接触子シートの製造方法を示す工程図（断面図）、図２（ａ）は、多数の接触子シートを配列したワークシートの平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）の丸Ａで囲んだ一つの接触子シートの拡大平面図、図２（ｃ）は、図２（ｂ）の丸Ｂで囲んだ一つの接触子の拡大平面図、図３は、図２（ｃ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し矢印方向から見た弾性変形部の拡大断面図（加熱処理前の状態を示す）、図４（ａ）は、加熱処理前における弾性変形部の部分拡大断面図、図４（ｂ）は、加熱処理後における弾性変形部の部分拡大断面図、である。
【００２２】
図１（ａ）に示す工程では、図２（ｃ）に示す接触子２０の形状の芯部２３を図２（ｂ）に示すように多数個、配列して形成し、個々、分離して形成された前記芯部２３を樹脂シート（支持シート）２４で固定支持した状態を示している。
【００２３】
芯部２３を図３のように、例えば、導電部３１と、弾性部３２との積層構造で形成する。
【００２４】
前記導電部３１は、銅（Ｃｕ）または銅を含む合金の単層である。銅合金は、高い電気導電度と高い機械的強度を有するＣｕ，Ｓｉ，Ｎｉを有するコルソン合金が好ましく使用される。コルソン合金は、例えばＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｇで、Ｃｕが９６．２質量％、Ｎｉが３．０質量％、Ｓｉが０．６５質量％、Ｍｇが０．１５質量％のものが使用される。
【００２５】
銅板あるいは銅合金板をエッチング加工して図２（ｃ）に示す平面形状から成る多数の導電部３１を形成する。このとき、各導電部３１は分離された状態にあるため、個々の導電部３１を樹脂シート２４に固定支持して接触子シート２５を得る。なお、図２（ｃ）に示すように、接触子２０（導電部３１）は、固定部２１と、前記固定部２１から延出して形成された弾性変形部２２とを有する形状である。そして、樹脂シート２４には穴２４ａが形成されており、前記穴２４ａの位置に弾性変形部２２を対向させて、個々の導電部３１を樹脂シート２４に固定する（図１（ａ）参照）。固定の方法は例えば接着剤を用いて行う。図２（ｃ）の接触子２０の平面形状は一例である。図２（ｃ）では弾性変形部２２がスパイラル状に形成されているが、この形状に限定されるものでない。
【００２６】
そして、図２（ａ）に示すように多数の接触子シート２５を支持板２６に支持した状態のワークシート２７を得る。
【００２７】
図２（ａ）に示すワークシート２７を第１メッキ浴に入れて、このとき、無電解メッキ法にて、各導電部３１の周囲を覆うようにＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｂのいずれか１種以上）から成る弾性部３２をメッキ形成する（図３参照）。前記弾性部３２のメッキ工程では、各導電部３１が分離した状態であるため、電解メッキ法は使用できず、無電解メッキ法にて、弾性部３２の形成を行う。
【００２８】
続いて図１（ｂ）に示す工程では、ワークシート２７を第１メッキ浴から取り出した後、第２メッキ浴に入れて、このとき、無電解メッキ法にて、導電部３１と弾性部３２からなる接触子形状の各芯部２３の周囲を覆うように白金族金属層２８をメッキ形成する（図３も参照）。ここでは白金族金属層２８をＰｄ層で形成することが好適である。
【００２９】
続いて、図１（ｃ）に示す工程では、ワークシート２７を第２メッキ浴から取り出した後、第３メッキ浴に入れて、このとき、無電解メッキ法にて、各白金族金属層２８の周囲を覆うようにＡｕ層２９をメッキ形成する（図３も参照）。このとき、Ａｕ層２９の膜厚を白金族金属層２８の膜厚より薄く形成することが好ましい。
【００３０】
図１（ｄ）に示す工程では、ワークシート２７を第３メッキ浴から取り出し、続いて、各接触子２０の各弾性変形部２２を、治具３０を用いて突き上げた状態に維持しながら加熱処理を施す。加熱処理後、前記治具３０を取り除く。この加熱処理で内部の残留応力が除去され、接触子２０は立体形状で弾性力を発揮できるようになる。
【００３１】
また、この加熱処理により、白金族金属層２８を構成する白金族元素とＡｕ層２９のＡｕとが元素拡散して、図４（ｂ）に示すように、白金族元素とＡｕとの合金層３３が形成される。図４（ａ）は、加熱処理前の状態を示す断面図であり、白金族金属層２８の膜厚はＨ１、Ａｕ層２９の膜厚はＨ２である。図４（ｂ）に示すように加熱処理を施すと、Ａｕ層２９の膜厚Ｈ２よりもやや厚い膜厚Ｈ３の合金層３３が最表面層に形成され、また、合金層３３と芯部２３との間に図４（ａ）の加熱処理前に比べて膜厚Ｈ４が薄い白金族金属層２８が残される。
【００３２】
本実施形態では、加熱温度を１５０℃〜３００℃の範囲内で調整することが好適である。加熱温度が１５０℃を下回ると、白金族金属層２８とＡｕ層２９との元素拡散が十分に起こらず合金層３３を適切に形成できない。また、加熱温度が３００℃を超えると、Ｎｉ−Ｘで形成された弾性部３２が結晶化する。Ｎｉ−Ｘで形成された弾性部３２はアモルファス状態を保っていることが高い弾性係数と高い引っ張り強度を得ることができ、ばね特性を向上できる。ここで「アモルファス状態」とは、全体がアモルファスである状態、支配的なアモルファスと、アモルファス中に結晶（結晶粒は３ｎｍ〜１５ｎｍであることが好ましい）が散在した状態、支配的なアルファスと、アモルファス中に、直径が１ｎｍ以下の超微細析出物（エンプリオ）が散在した状態、支配的なアモルファスと、アモルファス中に前記結晶及び前記超微細析出物が混在した状態のいずれかを指す。また「支配的なアモルファス」とは、膜中に６０体積％以上含有することを指し、好ましくは８０体積％以上、さらに好ましくは９０体積％以上の含有率を指す。
【００３３】
以上により本実施形態では、加熱温度を１５０℃〜３００℃の範囲内とした。また加熱時間は１分から１時間の範囲内が好ましい。一例を示すと、加熱温度を２５０℃、加熱時間を１０分とすることで、弾性変形部２２を適切に立体成形できるとともに、白金族元素とＡｕ２９との合金層３３を適切に形成することが出来る。
【００３４】
上記の各工程を経て形成された接触子シート２５は、図６に示す接続装置１内に設置される。図６に示す接続装置１は、基台１０を有している。基台１０の平面形状は例えば四角形状であり、基台１０の４辺のそれぞれにはほぼ垂直に立ち上がる側壁部１０ａが形成されている。４辺の側壁部１０ａで囲まれた領域は凹部であり、その底部１０ｂの上面が固定面１２である。そして固定面１２の上に、前記接触子シート２５が設置される。
【００３５】
図７に示すように、接触子シート２５に配列された多数の接触子２０は、その固定部２１が、固定面１２上に形成されたランド部１３上に半田層１４を介して接合されている。半田層１４は、鉛を含まない半田で形成されており、例えばスズ・ビスマス合金や、スズ・銀合金である。
【００３６】
図６に示すように、接続装置１には、電子部品４０が設置される。電子部品４０は、ＩＣパッケージなどであり、ＩＣベアチップなどの各種電子素子が本体部４１内に密閉されている。本体部４１の底面４１ａには、複数の突出電極４２が設けられており、それぞれの突出電極４２が本体部４１内の回路に導通している。この実施の形態の電子部品４０は、突出電極４２が球形状である。また、突出電極４２は裁頭円錐形状などであってもよい。
【００３７】
突出電極４２は、スズを含む導電性の合金で形成されている。すなわち、鉛を含まない半田で形成されており、例えばスズ・ビスマス合金や、スズ・銀合金である。
【００３８】
本実施形態の接続装置１は、例えば、電子部品４０の検査用であり、図６に示すように、被検査物である電子部品４０が、基台１０の凹部内に装着される。このとき、電子部品４０は、本体部４１の底面４１ａに設けられた個々の突出電極４２が接触子２０の上に設置されるように位置決めされる。基台１０の上には図示しない押圧用の蓋体が設けられており、この蓋体を基台１０上に被せると、この蓋体により電子部品４０が矢印Ｆ方向へ押圧される。この押圧力により、それぞれの突出電極４２が弾性変形部２２に押し付けられ、立体形状の弾性変形部２２が押しつぶされて、突出電極４２と弾性変形部２２とが個別に導通させられる。
【００３９】
接続装置１がいわゆるバーン・イン検査に使用される場合には、所定の温度に設定された状態で、外部の検査用の回路から接触子２０を経て突出電極４２に電流が与えられて、電子部品４０の本体部４１内の回路が断線しているか否かの検査が行われる。あるいは、接触子２０から突出電極４２に所定の信号が与えられて、本体部４１内の回路の動作試験が行われる。
【００４０】
検査が完了した電子部品４０は、接続装置１から取り出され、次に検査すべき電子部品４０が接続装置１内に設置されて、同様にして検査が行われる。この検査が繰り返される。そのため、接触子２０の弾性変形部２２には、新たな電子部品４０の突出電極４２が次々に接触することになる。
【００４１】
本実施形態の接触子２０は図１に示す工程を経て形成されたものであり、製造工程後における弾性変形部２２の最表面層には、図４（ｂ）に示す白金族元素とＡｕとの合金層３３が形成されている。白金族金属層２８はＰｄであることが好ましく、よって合金層３３はＡｕ−Ｐｄであることが好適である。
【００４２】
本実施形態では、無電解メッキ法を用いて、前記合金層３３を、適切且つ容易に形成できる。本実施形態では、図１（ａ）及び図２（ｂ）に示すように各接触子２０は個々、分離された状態である。よって、以後のメッキ工程は無電解メッキ法を用いなければならない。そこで本実施形態では、図１（ｂ）に示す工程で、まず、無電解メッキ法を用いて白金族金属層２８を芯部２３の周囲にメッキ形成し、さらに、図１（ｃ）に示す工程で、無電解メッキ法を用いてＡｕ層２９を白金族金属層２８の周囲にメッキ形成し、最後に、図１（ｄ）に示す工程で、加熱処理を施した。加熱処理により、白金族金属層２８を構成する白金族元素とＡｕ層２９を構成するＡｕとが元素拡散を起こし、図４（ｂ）に示すように、弾性変形部２２の最表面層に、白金族元素とＡｕとの合金層３３を形成することができる。
【００４３】
このように、電解メッキ法でなく、無電解メッキ法を用いても、上記工程を経ることで、白金族元素とＡｕとの合金層３３を形成できる。そして前記合金層３３が弾性変形部２２の最表面層に形成されることで、図６、図７に示すように、弾性変形部２２が電子部品４０の突出電極４２と繰り返し接触し、このとき前記突出電極４２が半田材で形成されていても、Ａｕ層２９が最表面に露出する従来の形態に比べて半田転写を効果的に抑制できる。また、合金層３３には、白金族元素のみならずＡｕも含まれることで、白金族金属層２８が最表面に露出する従来の形態に比べて接触抵抗を低く且つ安定化できる。また、弾性変形部２２の最表面での触媒作用は抑制され、酸化力が大きい原子状酸素の発生等を効果的に抑制できる。これにより、接触子２０の長寿命化を図ることが出来る。
【００４４】
本実施形態では、接触子２０は弾性変形部２２と固定部２１とが一体に形成され、前記固定部２１から弾性変形部２２が延出した形態である（図２（ｃ）参照）。よって図１（ａ）では、弾性変形部２２と固定部２１の一体形状に芯部２３を形成し、図１（ｂ）の無電解メッキ法による白金族金属層２８の形成、図１（ｃ）の無電解メッキ法によるＡｕ層２９の形成、図１（ｄ）の加熱処理工程により、固定部２１の最表面層にも白金族元素とＡｕとの合金層３３を形成することが出来る。
【００４５】
これにより、図７に示すように、固定部２１を基台１０の固定面１２に半田層１４を介して接合するとき、最表面がＡｕ層である場合に比べて、半田の吸い上がりを抑制でき、しかも最表面が白金族金属層である場合に比べて、良好な半田接合を確保することが出来る。
【００４６】
また本実施形態では、図１（ｄ）の加熱処理工程を、弾性変形部２２を突き上げた状態で行って、前記弾性変形部２２を立体成形している。これにより、白金族元素とＡｕとの合金層３３の形成とともに、弾性変形部２２の立体成形を同時に行なうことが出来る。このとき、加熱温度は１５０℃〜３００℃の範囲内で調整することが好ましい。なお、弾性変形部２２を立体成形せず平面形態とする場合には、図１（ｃ）の形態に対して、加熱処理を施せばよい。
【００４７】
また本実施形態では、図３（ａ）に示すようにＡｕ層２９の膜厚Ｈ２を白金族金属層２８の膜厚Ｈ１よりも薄く形成している。Ａｕ層２９の膜厚Ｈ２を、０．０１〜０．６μｍ程度で形成し、白金族金属層２８の膜厚Ｈ１を、０．１〜１μｍ程度で形成することが好ましい。Ａｕ層２９は、フラッシュＡｕメッキ程度の薄い膜厚で足りる。また、芯部２３の膜厚及び幅寸法を共に１０μｍ以上で１００μｍ以下とする。
【００４８】
Ａｕ層２９の膜厚を白金族金属層２８の膜厚より厚くすると加熱処理を施しても最表面にＡｕ層２９が残りやすく、半田転写を効果的に抑制できないため好ましくない。
【００４９】
これに対して、Ａｕ層２９の膜厚Ｈ２を白金族金属層２８の膜厚Ｈ１よりも薄く形成することで、白金族元素とＡｕとの合金層３３を最表面に適切に形成できる。また、白金族元素がリッチな合金層３３に形成でき、合金層３３中に占める白金族元素の含有量を５０体積％より大きく９９体積％以下に調整できる。これにより半田転写をより効果的に改善できる。
【００５０】
また図４（ａ）のように、Ａｕ層２９を白金族金属層２８より薄く形成することで、図４（ｂ）に示すように、加熱処理後、芯部２３と合金層３３の間に白金族金属層２８が残りやすくなるが、このように一部の白金族金属層２８を残すことで弾性変形部２２の機械的強度を向上させることができる。
【００５１】
なお、白金族金属層２８の膜厚Ｈ１とＡｕ層２９の膜厚Ｈ２とが同等であってもよく、加熱処理後、芯部２３表面に直接、合金層３３が形成された形態、すなわち図４（ｂ）と異なって加熱処理により白金族金属層２８が残らない形態にしてもよい。
【００５２】
図３に示す芯部２３の形態は一例であって他の形態であってもよい。ただし、図３のように、芯部２３を、導電部３１の周囲の全周が弾性部３２で覆われた形態とすることが好ましい。このとき、弾性部３２を、導電性であり且つ高い機械的強度と高い曲げ弾性係数を発揮する金属材料として、Ｎｉ−Ｘ合金（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅ，Ｂのいずれか一種以上）で形成することが好適である。このとき、弾性部３２を、Ｎｉ−Ｐ合金で形成することが好適である。Ｎｉ−Ｐ合金では、リン（Ｐ）の濃度を１０ａｔ％以上で３０ａｔ％以下（より好ましくは１７〜２５ａｔ％）とすることにより、弾性部３２をアモルファス状態に適切に保つことができ、高い弾性係数と高い引っ張り強度を得ることができる。あるいは、弾性部３２をＮｉ−Ｗ合金で形成してもよい。この場合もタングステン（Ｗ）の濃度を１０ａｔ％以上で３０ａｔ％以下とすることにより、弾性部３２をアモルファス状態に適切に保つことができ、高い弾性係数と高い引っ張り強度を得ることができる。
【００５３】
図３において、弾性部３２の断面積は、芯部２３の断面積の２０％以上で８０％以下であることが好ましい。この範囲であると、芯部２３が導電性とばね性の双方の機能を発揮できる。
【００５４】
あるいは図５（加熱処理後の状態を示している）に示すように、芯部２３をＮｉ−Ｘにて電鋳形成した単層構造としてもよい。これにより接触子２０全体の更なる小型化と弾性変形部２２のばね性とを適切に保つことが出来る。
【００５５】
なお上記のように電鋳で芯部２３を形成し、このとき、弾性変形部２２を立体成形する場合には、表面に立体形状（例えば円錐状）に突出した突出部を備える基板を用い、前記突出部の表面に弾性変形部２２を電鋳形成すれば、前記弾性変形部２２を立体成形できる。そして、このように弾性変形部２２を立体成形した状態で、図１（ｄ）で説明した加熱処理を施す。
【００５６】
なお、接触子２０の配列ピッチは、例えば２ｍｍ以下であり、あるいは１ｍｍ以下である。接触子２０の外形寸法の最大値も２ｍｍ以下であり、あるいは１ｍｍ以下である（図２（ｂ）（ｃ）参照）。
【００５７】
このように接触子２０の大きさは非常に小さく、また、各接触子２０は電気的に接続しておらず、個々分離した状態である。よって、各接触子に均一且つ安定してメッキを施すことは比較的大きなリード部の表面にメッキを施す場合等と異なって非常に難しい。本実施形態では、無電解メッキ法を用いて、白金族金属層２８及びＡｕ層２９のメッキ形成を行い、続いて加熱処理にて、白金族元素とＡｕとを元素拡散させて、合金層３３を形成するので、各接触子２０に対して均一且つ安定して合金層３３の形成を行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本実施形態における多数の接続子を備えた接触子シートの製造方法を示す工程図（断面図）、
【図２】図２（ａ）は、多数の接触子シートを配列したワークシートの平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）の丸Ａで囲んだ一つの接触子シートの拡大平面図、図２（ｃ）は、図２（ｂ）の丸Ｂで囲んだ一つの接触子の拡大平面図、
【図３】図２（ｃ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し矢印方向から見た弾性変形部の拡大断面図（加熱処理前の状態を示す）、
【図４】図４（ａ）は、加熱処理前における弾性変形部の部分拡大断面図、図４（ｂ）は、加熱処理後における弾性変形部の部分拡大断面図、
【図５】他の実施形態の弾性変形部の拡大断面図（加熱処理後の状態を示す）、
【図６】本実施形態である接続装置の部分断面図、
【図７】図６に示す接続装置の接触子付近を示す拡大断面図（接触子は側面図で示す）、
【符号の説明】
【００５９】
１  接続装置
１０  基台
１２  固定面
１４  半田層
２０  接触子
２１  固定部
２２  弾性変形部
２３  芯部
２４  樹脂シート
２５  接触子シート
２７  ワークシート
２８  白金族金属層
２９  Ａｕ層
３０  治具
３１  導電部
３２  弾性部
３３  合金層
４０  電子部品
４２  突出電極
【図１】
2010153236.tif 000003
【図２】
2010153236.tif 000004
【図３】
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【図４】
2010153236.tif 000006
【図５】
2010153236.tif 000007
【図６】
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【図７】
2010153236.tif 000009