(57)【要約】      （修正有）【課題】発光量を増加させた積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータおよびその製造方法を提供する。【解決手段】バンドギャップが異なるＺｎＯ系半導体の積層体を製造し、バンドギャップが小さい層をα線や電子線などの電離放射線が侵入できる厚みである５μｍ〜５０μｍにすることで、積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータ１１０の発光量を大幅に増加させる。ＺｎＯ系単結晶の組成は（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏ[０≦ｘ≦０．１４５、０≦ｙ≦０．０７]である。【選択図】図１
2010280826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンドギャップが異なる２層以上のＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏの積層体であり、バンドギャップがより小さいＺｎＯ系混晶体層が、電離放射線の照射面を有しかつ５μｍ〜５０μｍの厚みを有し、０≦ｘ≦０．１４５、０≦ｙ≦０．０７であることを特徴とする、積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータ。
【請求項２】
前記電離放射線がα線であることを特徴とする、請求項１に記載する積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータ。
【請求項３】
前記電離放射線が電子線であることを特徴とする、請求項１に記載する積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータ。
【請求項４】
Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｈ、Ｆおよびランタノイドからなる群より選択される１以上を含有する、請求項１から３のいずれかに記載する積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータ。
【請求項５】
バンドギャップが異なる２層以上のＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏの積層体であり、バンドギャップがより小さいＺｎＯ系混晶体層が、電離放射線の照射面を有しかつ５μｍ〜５０μｍの厚みを有し、０≦ｘ≦０．１４５、０≦ｙ≦０．０７であることを特徴とする積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータの製造方法であって、
前記積層体の少なくとも一層が、溶質であるＺｎＯ、ＭｇＯおよびＣｄＯと溶媒であるＰｂＯおよびＢｉ2Ｏ3との混合・溶融物に、基板を直接接触させることにより、ＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏを基板上に成長させる液相エピタキシャル成長法により作製されることを特徴とする、積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータの製造方法。
【請求項６】
前記溶質と溶媒との混合比が、ＺｎＯのみに換算した溶質：溶媒＝５〜３０ｍｏｌ％：９５〜７０ｍｏｌ％であり、溶媒であるＰｂＯとＢｉ2Ｏ3との混合比がＰｂＯ：Ｂｉ2Ｏ3＝０．１〜９５ｍｏｌ％：９９．９〜５ｍｏｌ％である、請求項５に記載する積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータの製造方法。
【請求項７】
バンドギャップが異なる２層以上のＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏの積層体であり、バンドギャップがより小さいＺｎＯ系混晶体層が、電離放射線の照射面を有しかつ５μｍ〜５０μｍの厚みを有し、０≦ｘ≦０．１４５、０≦ｙ≦０．０７であることを特徴とする積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータの製造方法であって、
前記積層体の少なくとも一層が、溶質であるＺｎＯ、ＭｇＯおよびＣｄＯと溶媒であるＰｂＦ2およびＰｂＯとの混合・溶融物に、基板を直接接触させることにより、ＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏを基板上に成長させる液相エピタキシャル成長法により作製されることを特徴とする、積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータの製造方法。
【請求項８】
前記溶質と溶媒との混合比が、ＺｎＯのみに換算した溶質：溶媒＝２〜２０ｍｏｌ％：９８〜８０ｍｏｌ％であり、溶媒であるＰｂＦ2とＰｂＯとの混合比がＰｂＦ2：ＰｂＯ＝８０〜２０ｍｏｌ％：２０〜８０ｍｏｌ％である、請求項７に記載する積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータの製造方法。
【請求項９】
ＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏを基板として該ＺｎＯ系混晶体とは異なる組成のＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏを成長させることで積層体を製造した後、バンドギャップがより小さいＺｎＯ系混晶体層の厚みを研磨またはエッチングにより５μｍ〜５０μｍとすることを特徴とする、請求項５から８のいずれかに記載する積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シンチレーション検出器におけるシンチレータとして用いる積層型ＺｎＯ系単結晶に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線を計測するためのデバイスとして、シンチレーション検出器がある。典型的なシンチレーション検出器の構成を図１に示す。図１において、放射線がシンチレーション検出器１００に入射すると、シンチレータ結晶１１０で入射した放射線に応じた蛍光が生じ、この光を光電子倍増管や半導体検出器１２０で検出することで、放射線を検出することができる。
【０００３】
次世代シンチレータ・デバイスの候補として、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ）方式が提案されフッ化物を中心に検討が進められている。時間分解を行うためには、蛍光寿命が短ければ短いほど分解能を向上させることが可能であり、ＢａＦ2が最も理想に近いとされてきた。しかしながら、ＢａＦ2は発光量が少ない、発光波長が短いため石英窓を具備する高価な光電子倍増管（ＰＭＴ）が必要になり、汎用のＰＭＴが使用できないなどの問題点を抱えている。
【０００４】
そこで、ＢａＦ2に替わる蛍光寿命が短いシンチレータとして、ワイドバンドギャップ化合物半導体の励起子発光シンチレータが提案されている。ＺｎＯ、ＣｄＳなどの化合物半導体をシンチレータとして用いれば、蛍光寿命が短く、発光波長も３７０ｎｍとなり、汎用的なＰＭＴや半導体検出器が使用可能となる。
【０００５】
一方、シンチレーション応用として汚染物質の放射能分布の確認用途がある。従来は、この確認にオードジオグラフィー（ＡＲＧ）やイメージングプレートが利用されてきた。これらは数十年にわたり使用されてきているため動作が安定している利点はあるが、前者は現像フィルムが必要で、かつフィルムからでは放射能強度がわからないという問題を持つ。後者はプレートそのものは使いやすいが、大型の測定装置にかけて解析する必要がある。また、両者とも測定対象物（汚染物）から測定試料を作製し、装置にセットする必要があるとともに、事前に露光時間を決定する（適切な露光時間を推測する）必要があるため、その場での確認はできずに、結果が出るまでに時間を要するという問題点がある。
【０００６】
これらパッシブな計測装置に対し、リアルタイムに放射線を検知したら発光し、それを電気信号に変換することができれば、放射能汚染の早期発見、迅速対応に活かすことが可能となる。
【０００７】
上記問題点を解決する手段として、ワイドバンドギャップ化合物半導体の励起子発光シンチレータがＤｅｒｅｎｚｏらによって提案されている（非特許文献１；Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｉｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａ５０５ （２００３） １１１−１１７、特許文献１；米国特許出願公開第２００６／２１９９２８号明細書）。
【０００８】
ＺｎＯ、ＣｄＳなどのワイドギャップ型化合物半導体をシンチレータとして用いれば、蛍光寿命が短く、発光波長も３７０〜３８０ｎｍとなり、汎用的なＰＭＴや半導体検出器が使用可能となる。同文献によれば、Ｘ線励起による蛍光寿命は０．１１ｎｓｅｃ〜０．８２ｎｓｅｃと蛍光寿命が短い。しかしながら、これらの文献に記載されたシンチレータ材料は多結晶体である。多結晶体の場合、微結晶の向きなどにより発光強度のムラが生ずることがあり、粒径により空間分解能が左右されるという欠点を有する。高空間分解能および効率的なシンチレータ発光のためにはシンチレータは単結晶である方が好ましい。
【０００９】
また、ＩＩＩ族およびランタノイドを１ｐｐｍ〜１０ｍｏｌ％程度ドープしたＺｎＯ単結晶の励起子発光型シンチレータ応用が提案されている（特許文献２；国際公開第２００７／０９４７８５号パンフレット、非特許文献２；Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｉｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａ５０５ （２００３） ８２−８４）。
【００１０】
同文献によれば、ＩｎドープＺｎＯ単結晶において蛍光寿命が０．６ｎｓｅｃと記載されている。しかしながら、これらの文献に記載されたシンチレータ材料は“Ｈｉｇｈ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｄｉｒｅｃｔ ｍｅｌｔｉｎｇ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ"法で作製されている。同法では、高圧かつ高温が必要で結晶成長コストが高い上、単結晶部分と多結晶部分の混在するため、前記多結晶体と同様の不具合が存在する。
【００１１】
上記多結晶体の問題点を解決する手法として、ワイドバンドギャップ型ＺｎＯ単結晶の励起子発光を利用したシンチレータが提案されている（特許文献３；国際公開第２００５／１１４２５６号パンフレット、非特許文献３；独立行政法人  新エネルギー・産業技術総合開発機構  平成１７年度研究成果報告書“実用型ＴＯＦ検出器用超高速シンチレータ単結晶材料の開発”）。
【００１２】
同報告では、ＺｎＯ単結晶成長法としてＰｔ内式のオートクレーブを用いて水熱合成法を採用している。同成長法を用いると、高い結晶性を有する大型のＩＩＩ族ドープＺｎＯ単結晶を成長することが可能となる。しかしながら、ＺｎＯなどを用いた励起子発光型シンチレータには、自己吸収が原因となって発光量が少ないという問題点があった。すなわち、励起子発光波長域では、結晶そのものが吸収体となるため、特に透過型シンチレータデバイスではシンチレータ発光量が少なくなっていた。したがって、ＺｎＯ系励起子発光型シンチレータの発光量は、一般的なシンチレータであるＢｉ4Ｇｅ3Ｏ12（ＢＧＯ）の約１０〜１５％程度に留まっていた（非特許文献４；高エネルギーニュース  Ｖｏｌ．２１  Ｎｏ．２  ４１−５０  ２００２）。
【００１３】
一方、レーザパルス堆積法（ＰＬＤ）、ＭＢＥおよびＭＯＣＶＤ法などの気相成長法を用いると高品質なＺｎＯ単結晶が成長可能であるが、気相成長法では製膜速度が遅く、１μｍ以上の膜厚を有するＺｎＯ単結晶を成長させるためには多大な時間が掛かる欠点を有していた。ＺｎＯ単結晶の場合、α線や電子線では５〜５０μｍ程度の侵入深さがあり、ＺｎＯ単結晶だけでα線や電子線を阻止するのに十分な厚みを気相成長法では短時間で成長できない問題点を有していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／２１９９２８号明細書
【特許文献２】国際公開第２００７／０９４７８５号パンフレット
【特許文献３】国際公開第２００５／１１４２５６号パンフレット
【特許文献４】特開平２００８−２３０９０６号公報
【非特許文献】
【００１５】
【非特許文献１】Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｉｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａ５０５ （２００３） １１１−１１７
【非特許文献２】Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｉｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａ５０５ （２００３） ８２−８４
【非特許文献３】独立行政法人  新エネルギー・産業技術総合開発機構  平成１７年度研究成果報告書“実用型ＴＯＦ検出器用超高速シンチレータ単結晶材料の開発”
【非特許文献４】高エネルギーニュース  Ｖｏｌ．２１  Ｎｏ．２  ４１−５０  ２００２
【非特許文献５】Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ７８ １２３７ （２００１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
上述するような状況において、発光量を増加させた積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータおよびその製造方法の開発が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明者らは、Ｍｇを含有するＺｎＯ系半導体を含む積層体について出願している（特許文献４；特開平２００８−２３０９０６号公報）。同出願の方法を用いれば、バンドギャップが異なるＺｎＯ系単結晶積層体を製造することができる。本発明者らは鋭意研究の結果、バンドギャップが異なるＺｎＯ系半導体の積層体を製造し、バンドギャップが小さい層をα線や電子線などの電離放射線が侵入できる厚みにすることで発光量を大幅に増加させることができることを見出し、本発明に至った。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の好ましい実施形態によれば、バンドギャップが異なるＺｎＯ系半導体の積層体を製造し、バンドギャップが小さい層をα線や電子線などの電離放射線が侵入できる厚みにすることで発光量を大幅に増加させた積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータおよびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、典型的なシンチレーション検出器の構成である。
【図２】図２は、本発明の第３〜５の実施形態において使用する一般的なＬＰＥ（Ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ：ＬＰＥ）成長炉である。
【図３】図３は、実施例で用いたＬＰＥ成長炉の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明について詳細に説明する。ＺｎＯなどの化合物半導体は、α線や電子線などの電離放射線を照射するとバンドギャップに応じた励起子発光を発生する。ＺｎＯ単体のバンドギャップは３．３０ｅＶ程度である。励起子発光自体はＺｎＯ自身にほとんど吸収され、電離放射線を照射した面の反対側にはほとんど透過しない。したがって、シンチレータの発光量に寄与するのは、基本的に、励起子発光の長波長成分が照射面の反対側に透過したシンチレータ光だけであり、励起子発光型シンチレータの発光量は比較的少ないことになる。本発明は、この原理に限定されるわけではないが、この自己吸収を緩和することでシンチレータ発光量を増加させる。
【００２１】
＜第１の実施形態＞
本発明の第１の実施形態は、バンドギャップが異なる２層以上のＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏの積層体であり、バンドギャップがより小さいＺｎＯ系混晶体層が、電離放射線の照射面を有しかつ５μｍ〜５０μｍの厚みを有し、０≦ｘ≦０．１４５、０≦ｙ≦０．０７であることを特徴とする、積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータである。
【００２２】
本発明者らが出願しているようにＺｎとＭｇを混晶化することでバンドギャップを３．３０〜３．５４ｅＶまで制御することができる。一方、ＺｎとＣｄを混晶化することでバンドギャップを３．００〜３．３０ｅＶまで制御することができる（非特許文献５；Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ７８ １２３７ （２００１））。したがって、バンドギャップが異なる２層以上のＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏの積層体を形成し、バンドギャップがより小さい層の表面（照射面）から電離放射線を照射し、電離放射線を照射する（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏ層の厚みを電離放射線が侵入できる５μｍ〜５０μｍにするにより、電離放射線をバンドギャップが小さい層で吸収してシンチレータ光に変換する。電離放射線が照射される層から数えて２層目以降は、シンチレータ光が発生する層（第１層）よりバンドギャップが大きいので、より多くのシンチレータ光を透過できることになる。
【００２３】
電離放射線を照射する層の厚みは、５μｍ〜５０μｍであり、好ましくは１０μｍ〜４５μｍであり、好ましくは２０μｍ〜４０μｍである。電離放射線を照射する層の厚みが５μｍ未満では、２層目（またはそれ以降の層）まで電離放射線が侵入してしまい、電離放射線の一部が２層目以降でシンチレータ光を発生することになる。しかしながら、２層目以降で発生したシンチレータ光は２層目以降の各層のバンドギャップに応じた波長となるため、結局自己吸収が発生してトータルの発光量が低下するので好ましくない。また、電離放射線を照射する層の厚みが５０μｍを超えると、この第１層目で電離放射線の全てが吸収されるが、発生したシンチレータ光が第１層を進むことになるため、結局自己吸収が発生して好ましくない。
【００２４】
また、積層するＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏの積層数は３層以上を選択することができるが、この場合はバンドギャップが小さい層から順番に積層する方が発光量増加の面で好ましい。
【００２５】
励起子発光型のシンチレータ単結晶の発光量を多くするためには、結晶性の高い単結晶が必要となる。液相エピタキシャル法（Ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ：ＬＰＥ法）は熱平衡成長に近いため、比較的結晶性の高いＺｎＯ系単結晶を成長させることができる。その反面、平衡固溶限界以上のＭｇやＣｄを固溶することは困難となる。本発明者らが特許文献４に記載しているようにＺｎＯに対するＭｇＯの平衡固溶量は、０≦ｘ≦０．１４５となる。ｘが０．１４５を超えると、ＭｇＯ単相が析出するので好ましくない。また、非特許文献４に記載されるようにＺｎＯに対するＣｄＯの平衡固溶量は、０≦ｙ≦０．０７となる。ｙが０．０７を超えるとＣｄＯ単相が析出するので好ましくない。
【００２６】
具体的には、高品質かつ大面積で供給されている水熱合成ＺｎＯ単結晶基板を種結晶基板として、該基板上にＺｎＯよりバンドギャップが大きい（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ混晶体を厚膜成長させ、基板に用いた水熱合成ＺｎＯ単結晶をエッチングまたは研磨することで、目的とするバンドギャップが異なるＺｎＯ系単結晶積層体を製造することができる。また、水熱合成ＺｎＯ単結晶基板上にＺｎＯよりバンドギャップが小さい（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｏ混晶体を成長させた後、目的とする厚みまで（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｏ層をエッチングまたは研磨することでも目的とするバンドギャップが異なるＺｎＯ系単結晶積層体を製造することができる。
【００２７】
積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータに照射される電離放射線としては、α線、γ線、電子線、Ｘ線、中性子線などが挙げられる。
【００２８】
＜第２の実施形態＞
本発明の第２の実施形態は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｈ、Ｆおよびランタノイドからなる群より選択される１以上を含有する、上記積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータである。
【００２９】
ＺｎＯ系単結晶には、格子間亜鉛や酸素空孔などのｎ型結晶欠陥が存在し、この結晶欠陥にα線や電子線などの電離放射線が照射されると４５０〜６００ｎｍの波長域で減衰寿命が長い発光が生じる。このような長波長発光は蛍光寿命が長いため、放射線検出の弁別機能の安定性を害するという欠点を有していた。
【００３０】
これに対して、本実施形態のように、ＩＩＩ族元素、水素、フッ素およびランタノイド元素をドープしたＺｎＯ単結晶を用いると、４５０〜６００ｎｍの発光が少ない励起子発光型ＺｎＯ単結晶を製造することができる。α線および電子線などの電離放射線による励起時の蛍光寿命が短い励起子発光のみが支配的となり、蛍光寿命が長い発光成分が低減され、放射線検出の弁別機能を安定化することが可能となる。本実施形態で得られたＺｎＯ単結晶シンチレータは、高速のα線や電子線などの検出器に応用が可能となる。
【００３１】
＜第３の実施形態＞
本発明の第３の実施形態は、バンドギャップが異なる２層以上のＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏの積層体であり、バンドギャップがより小さいＺｎＯ系混晶体層が、電離放射線の照射面を有しかつ５μｍ〜５０μｍの厚みを有し、０≦ｘ≦０．１４５、０≦ｙ≦０．０７であることを特徴とする積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータの製造方法であって、前記積層体の少なくとも一層が、溶質であるＺｎＯ、ＭｇＯおよびＣｄＯと溶媒であるＰｂＯおよびＢｉ2Ｏ3との混合・溶融物に、基板を直接接触させることにより、ＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏを基板上に成長させる液相エピタキシャル成長法により作製されることを特徴とする、積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータの製造方法である。
【００３２】
すなわち、溶質であるＺｎＯ、ＭｇＯおよびＣｄＯと、溶媒であるＰｂＯおよびＢｉ2Ｏ3とを混合して融解させた後、得られた融液に種結晶または基板を直接接触させ、さらに温度を降下させることで過飽和となった融液中に析出するＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏを、基板上に成長させるＬＰＥ法により、バンドギャップが異なる２層以上のＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏの積層体を製造する方法である。
【００３３】
この実施形態によれば、結晶成長法として熱平衡成長に近いＬＰＥ法を用い、さらにＺｎＯ結晶内へ取込まれづらいイオン半径の大きい元素で構成される融剤であるＰｂＯおよびＢｉ2Ｏ3を用いることにより、結晶内への不純物の混入が少ない高品質なＺｎＯ単結晶を製造することができる。特に、フッ素不純物の混入を低減した高品質なＺｎＯ単結晶を製造することができる。この実施形態で得られたバンドギャップが異なる２層以上のＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏの積層体は、高速のα線や電子線などの検出器に応用が可能となり、発光量を増加させることができる。
【００３４】
溶媒組成としては、ＰｂＯ：Ｂｉ2Ｏ3＝０．１〜９５ｍｏｌ％：９９．９〜５ｍｏｌ％が好ましい。より好ましくは、ＰｂＯ：Ｂｉ2Ｏ3＝３０〜９０ｍｏｌ％：７０〜１０ｍｏｌ％であり、特に好ましくは、ＰｂＯ：Ｂｉ2Ｏ3＝６０〜８０ｍｏｌ％：４０〜２０ｍｏｌ％である。ＰｂＯもしくはＢｉ2Ｏ3単独溶媒では、液相成長温度が高くなるので、上記のような混合比を有するＰｂＯとＢｉ2Ｏ3との混合溶媒が好適である。
【００３５】
溶質であるＺｎＯ、ＭｇＯおよびＣｄＯと溶媒であるＰｂＯおよびＢｉ2Ｏ3との混合比は、ＺｎＯのみに換算した溶質：溶媒＝５〜３０ｍｏｌ％：９５〜７０ｍｏｌ％であることが好ましい。より好ましくは、溶質濃度が５ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％である。溶質濃度が、５ｍｏｌ％未満では成長速度が遅く、３０ｍｏｌ％を超えると成長温度が高くなることがある。なお、「ＺｎＯのみに換算した溶質」とは、［ＺｎＯ（ｍｏｌ）］／（［ＺｎＯ（ｍｏｌ）］＋［ＰｂＯ（ｍｏｌ）］＋［Ｂｉ2Ｏ3（ｍｏｌ）］）である。
【００３６】
＜第４の実施形態＞
本発明の第４の実施形態は、バンドギャップが異なる２層以上のＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏの積層体であり、バンドギャップがより小さいＺｎＯ系混晶体層が、電離放射線の照射面を有しかつ５μｍ〜５０μｍの厚みを有し、０≦ｘ≦０．１４５、０≦ｙ≦０．０７であることを特徴とする積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータの製造方法であって、前記積層体の少なくとも一層が、溶質であるＺｎＯ、ＭｇＯおよびＣｄＯと溶媒であるＰｂＦ2およびＰｂＯとの混合・溶融物に、基板を直接接触させることにより、ＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏを基板上に成長させる液相エピタキシャル成長法により作製されることを特徴とする、積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータの製造方法である。
【００３７】
すなわち、溶質であるＺｎＯ、ＭｇＯおよびＣｄＯと、溶媒であるＰｂＦ2およびＰｂＯとを混合して融解させた後、得られた融液に種結晶または基板を直接接触させ、さらに温度を降下させることで過飽和となった融液中に析出するＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏを、基板上に成長させるＬＰＥ法により、バンドギャップが異なる２層以上のＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏの積層体を製造する方法である。
【００３８】
溶媒組成としては、ＰｂＦ2：ＰｂＯ＝８０〜２０ｍｏｌ％：２０〜８０ｍｏｌ％が好ましい。より好ましくは、ＰｂＦ2：ＰｂＯ＝７０〜３０ｍｏｌ％：３０〜７０ｍｏｌ％であり、特に好ましくは、ＰｂＦ2：ＰｂＯ＝６０〜４０ｍｏｌ％：４０〜６０ｍｏｌ％である。溶媒の混合比が上記範囲内であると、溶媒であるＰｂＦ2とＰｂＯの蒸発量を抑制でき、その結果、溶質濃度の変動が少なくなるので、安定的にＺｎＯ系混晶単結晶を成長させることができる。
【００３９】
溶質であるＺｎＯ、ＭｇＯおよびＣｄＯと溶媒であるＰｂＦ2とＰｂＯとの混合比は、ＺｎＯのみに換算した溶質：溶媒＝２〜２０ｍｏｌ％：９８〜８０ｍｏｌ％であることが好ましい。より好ましくは、溶質濃度が５ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％である。溶質濃度が５ｍｏｌ％未満では実効的成長速度が遅く、２０ｍｏｌ％を超えると溶質成分を溶解させる温度が高くなり、溶媒蒸発量が多くなることがある。
【００４０】
＜第５の実施形態＞
本発明の第５の実施形態は、ＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏを基板として該ＺｎＯ系混晶体とは異なる組成のＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏを成長させることで積層体を製造した後、バンドギャップがより小さいＺｎＯ系混晶体層の厚みを研磨またはエッチングにより５μｍ〜５０μｍとすることを特徴とする、上記積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータの製造方法である。
【００４１】
第１の実施形態で説明したように、水熱合成ＺｎＯ単結晶基板を種結晶基板として、該基板上にＺｎＯよりバンドギャップが大きい（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ混晶体を厚膜成長させ、基板に用いた水熱合成ＺｎＯ単結晶をエッチングまたは研磨することで、目的とするバンドギャップが異なるＺｎＯ系単結晶積層体を製造することができる。また、水熱合成ＺｎＯ単結晶基板上にバンドギャップが小さい（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｏ混晶を成長させた後、目的とする厚みまで（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｏ層をエッチングまたは研磨することでも目的とするバンドギャップが異なるＺｎＯ系単結晶積層体を製造することができる。これらの方法では、ＬＰＥ成長が１度ですむため、工数の削減および低コスト化の面で優れている。
【００４２】
しかしながら、水熱合成基板では、α線や電子線を用いた励起の場合、４５０〜６００ｎｍの範囲で蛍光寿命が長い発光が生じる問題点がある。したがって、まず第１の実施形態で説明した方法により水熱合成基板上に（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏ層を形成して、さらにＬＰＥ成長に用いた水熱合成基板をエッチングまたは研磨で完全に除去した後、次に該ＬＰＥ成長膜を基板として、バンドギャップが異なる別の（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏ層を形成してもよい。このとき、α線や電子線などの電離放射線が入射する層については、ＩＩＩ族元素やランタノイド元素などをドープして長波長発光成分の発生を抑制することも可能になる。
【００４３】
＜本発明に適当な結晶成長法＞
ＺｎＯ単結晶を成長させる方法としては、大別して気相成長法と液相成長法が用いられてきた。気相成長法としては、化学気相輸送法（特開２００４−１３１３０１号公報参照）、分子線エピタキシーや有機金属気相成長法（特開２００４−８４００１号公報参照）、昇華法（特開平５−７０２８６号公報参照）などが用いられてきたが、転移、欠陥などが多く、結晶品質が不十分であった。
【００４４】
一方、液相成長法では、原理的に熱平衡で結晶育成が進行するため、気相成長法より高品質な結晶を製造しやすい利点を有する。しかしながら、ＺｎＯは融点が１９７５℃程度と高温である上、蒸発しやすいことから、シリコン単結晶などで採用されているチョクラルスキー法を用いてＺｎＯ単結晶を成長させることは困難であった。そのため、ＺｎＯ単結晶を成長させる方法としては、目的物質を適当な溶媒に溶解し、その混合溶液を降温して飽和状態とし、目的物質を融液から成長させる静置徐冷法、水熱合成法、フラックス法、フローティングゾーン法、トップシードソリューショングロース（ＴＳＳＧ）法、溶液引上法およびＬＰＥ成長法などが用いられてきた。
【００４５】
本発明におけるＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏの単結晶成長法としては、液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）、フラックス法、ＴＳＳＧ法および溶液引上法などを用いることができる。これらの様々な方法の中でも、ＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏを成長させる方法としては、比較的低コストかつ大面積成長が可能であり、特にシンチレータなどへの応用を考慮すると、機能別の層構造を形成しやすいＬＰＥ法が好適である。特に、結晶性が高く大面積基板を容易に得ることができる水熱合成法で製造されたＺｎＯ単結晶を基板として、ＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏ単結晶をＬＰＥ法で成長させる方法（液相ホモエピタキシャル成長法）が好適である。
【００４６】
＜本発明に適当なＬＰＥ成長炉＞
本発明の第３〜５の実施形態において使用する一般的なＬＰＥ成長炉を図２に示す。ＬＰＥ成長炉内には、原料を溶融し融液として収容する白金るつぼ４が、ムライト（アルミナ＋シリカ）製のるつぼ台９の上に載置されている。白金るつぼ４の外側にあって側方には、白金るつぼ４内の原料を加熱して溶融する３段の側部ヒーター（上段ヒーター１、中央部ヒーター２、下段ヒーター３）が設けられている。ヒーターは、それらの出力が独立に制御され、融液に対する加熱量が独立して調整される。ヒーターと製造炉の内壁との間にムライト製の炉心管１１が、炉心管１１上部にはムライト製の炉蓋１２が設けられている。白金るつぼ４の上方には引上げ機構が設けられている。引上げ機構にアルミナ製の引上軸５が固定され、その先端には、基板ホルダー６とホルダーで固定された基板７が設けられている。引上軸５上部には、軸を回転させる機構が設けられている
【００４７】
従来、ＬＰＥ炉を構成する部材において、上記るつぼ台９、炉心管１１、引上軸５および炉蓋１２にはアルミナやムライトが専ら使用されてきた。したがって、ＬＰＥ成長温度や原料溶解温度である７００〜１１００℃の温度域では、アルミナやムライト炉材からＡｌ成分が揮発し、溶媒内に溶解して、これがＺｎＯ単結晶薄膜内に混入していると考えられる。
【００４８】
本発明ではＩＩＩ族のドープ量の制御が重要である。ＩＩＩ族のドープ量は仕込み組成で制御することが望ましい。したがって、ＬＰＥ炉を構成する炉材を非Ａｌ系材料にすることで、ＬＰＥ成長ＺｎＯ単結晶薄膜へのＡｌ不純物混入を低減することができる。非Ａｌ系炉材としては、ＺｎＯ炉材が最適であるが、市販されていないことを考慮すると、ＺｎＯ薄膜に混入してもキャリヤとして働かない材料としてＭｇＯが好適である。また、アルミナとシリカで構成されるムライト製炉材を使用してもＬＰＥ膜中のＳｉ不純物濃度が増えないＳＩＭＳ分析結果を考慮すると、石英炉材も好適である。その他には、カルシヤ、シリカ、ＺｒＯ2およびジルコン（ＺｒＯ2＋ＳｉＯ2）、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4なども利用可能である。
【００４９】
以上より、本発明の好ましい実施形態では、非Ａｌ系の炉材としてＭｇＯおよび／または石英から構成されるＬＰＥ成長炉を用いてＺｎＯ系混晶体（Ｚｎ1-x-yＭｇxＣｄy）Ｏを製造する。さらに、成長炉が、るつぼを載置するためのるつぼ台、該るつぼ台の外周を取り囲むように設けられた炉心管、該炉心管の上部に設けられ、炉内の開閉を行う炉蓋、および種結晶または基板を上下させるための引上軸を備え、これらの部材が、それぞれ独立に、ＭｇＯまたは石英によって作製されている態様も好ましい。
【００５０】
＜本発明に適当なその他の要件＞
本発明の第３〜５の実施形態において、ＺｎＯ溶解度やＰｂＦ2とＰｂＯの蒸発量あるいはＰｂＯとＢｉ2Ｏ3の蒸発量が大きく変化しない範囲で、ＬＰＥ成長温度の制御、溶媒粘性の調整を目的として、溶媒に第三成分を１種または２種以上添加することができる。例えば、第三成分としては、Ｂ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、ＭｏＯ3、ＷＯ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＢａＯなどが挙げられる。また、本発明の第４の実施形態の溶媒に、第三成分としてＢｉ2Ｏ3を添加してもよい。
【００５１】
本発明の第３〜５の実施形態において用いられる基板としては、ＺｎＯと同類の結晶構造を有し、成長薄膜と基板とが反応しないものであれば特に限定されず、格子定数が近いものが好適に用いられる。例えば、サファイヤ、ＬｉＧａＯ2、ＬｉＡｌＯ2、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3、ＺｎＯなどが挙げられる。本発明における目的単結晶がＺｎＯであることを考慮すると、基板と成長結晶の格子整合度が高いＺｎＯが最適である。
【実施例】
【００５２】
以下、本発明の一実施態様に係るドープＺｎＯ単結晶の育成法としてＺｎＯ基板単結晶上にＺｎＯ混晶薄膜をＬＰＥ法で製膜する方法について説明する。本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではない。実施例で用いたＬＰＥ成長炉の構成図を図３に示す。
【００５３】
＜ＬＰＥ成長炉の運転条件の概要＞
実施例で用いたＬＰＥ成長炉の構成図を図３に示す。単結晶製造炉内には原料を溶融し融液として収容する白金るつぼ４がるつぼ台９’の上に設けられている。白金るつぼ４の外側にあって側方には、白金るつぼ４内の原料を加熱して溶融する３段の側部ヒーター（上段ヒーター１、中央部ヒーター２、下段ヒーター３）が設けられている。ヒーターは、それらの出力が独立に制御され、融液に対する加熱量が独立して調整される。ヒーターと製造炉の内壁との間には、炉心管１１’が設けられ、炉心管１１’の上部には炉内の開閉を行う炉蓋１２’が設けられている。白金るつぼ４の上方には引上げ機構が設けられている。引上げ機構には石英製の引上軸５’が固定され、その先端には、基板ホルダー６とホルダーで固定された種結晶または基板７が設けられている。石英製の引上軸５’上部には、引上軸５’を回転させる機構が設けられている。白金るつぼ４の下方には、るつぼ内の原料を溶融するための熱電対１０が設けられている。
【００５４】
白金るつぼ内の原料を溶融するため、原料が溶融するまで製造炉を昇温する。好ましくは８００〜１１００℃まで昇温し、２〜３時間静置して原料融液を安定化させる。Ｐｔ製攪拌羽根で攪拌することで、静置時間を短縮してもよい。このとき、３段ヒーターにオフセットを掛け、融液表面よりるつぼ底が数度高くなるよう調節する。好ましくは、−１００℃≦Ｈ１オフセット≦０℃、０℃≦Ｈ３オフセット≦１００℃、さらに好ましくは、−５０℃≦Ｈ１オフセット≦０℃、０℃≦Ｈ３オフセット≦５０℃である。
【００５５】
るつぼ底温度が７００〜９５０℃の種付け温度になるよう調節し、融液の温度が安定化した後、基板を５〜１２０ｒｐｍで回転させながら、引上軸を下降させることで基板を融液表面に接液する。基板を融液になじませた後、温度一定または、０．０２５〜１．０℃／ｈｒで温度降下を開始し、基板面に目的とするＭｇ含有（またはＣｄ含有）ＺｎＯ系混晶単結晶を成長させる。成長時も基板は引上軸の回転によって５〜３００ｒｐｍで回転しており、一定時間ごとに逆回転させる。
【００５６】
３０分から１００時間程度かけて結晶成長させた後、基板を融液から切り離し、引上軸を２００〜３００ｒｐｍ程度の高速で回転させることで、融液成分を分離させる。その後、室温まで１〜２４時間かけて冷却して目的のＭｇ含有（またはＣｄ含有）ＺｎＯ系混晶単結晶薄膜を得る。また、成長膜厚によっては、経時的あるいは連続的に石英軸を引上げながら成長させることもできる。
【００５７】
＜実施例１〜４、比較例１〜３＞
以下の工程により、Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ単結晶を液相エピタキシャル成長法で作製した。
【００５８】
内径７５ｍｍφ、高さ７５ｍｍｈ、厚さ１ｍｍの白金るつぼに、原料としてＺｎＯ、ＭｇＯ、ＰｂＯおよびＢｉ2Ｏ3をそれぞれ、３２．９４ｇ、１．８１ｇ、８００．６１ｇおよび８３４．３９ｇ仕込んだ。このときの溶質であるＺｎＯの濃度は７ｍｏｌ％で、ＭｇＯ／（ＺｎＯ＋ＭｇＯ）＝１０ｍｏｌ％、溶媒であるＰｂＯおよびＢｉ2Ｏ3の濃度は、ＰｂＯ：Ｂｉ2Ｏ3＝６６．７０ｍｏｌ％：３３．３０ｍｏｌ％となる。
【００５９】
原料を仕込んだるつぼを図３に示す炉に設置し、るつぼ底温度約９００℃で１時間保持しＰｔ攪拌冶具で攪拌し溶解させた。その後、るつぼ底温度が約８０８℃になるまで降温してから、水熱合成法で育成した＋ｃ面方位でサイズが１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍｔのＺｎＯ単結晶基板を種結晶として接液し、引上軸を６０ｒｐｍで回転させながら同温度で４８時間成長させた。このとき、軸回転方向は２分おきに反転させた。その後、引上軸を上昇させることで、融液から切り離し、１００ｒｐｍで軸を回転させることで、融液成分を振り切り、無色透明のＺｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ単結晶膜２５０μｍを得た。このときの成長速度は約５．２μｍ／ｈｒであった。
【００６０】
得られたＺｎ0.9Ｍｇ0.1ＯのＰＬ発光波長から求めたバンドギャップは３．４６ｅＶであった。また、（００２）面のロッキングカーブ半値幅は６０ａｒｃｓｅｃであり、結晶性が十分に高いことを確認した。
【００６１】
得られたＺｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ（２５０μｍ）／水熱合成ＺｎＯ基板（５００μｍ）の両面にラップとポリッシュを施し、Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ（２２０μｍ）／水熱合成ＺｎＯ基板（７０μｍ）のＺｎＯ系混晶積層体に加工した（比較例１の積層体）。バンドギャップが小さい水熱合成ＺｎＯ基板側からα線を照射し、シンチレータ発光量をＢＧＯ（Ｂｉ4Ｇｅ3Ｏ12）および水熱合成基板と比較した。その後、水熱合成基板側の研磨量を増やして、該基板の厚みを５０μｍ、３０μｍ、１０μｍ、５μｍ、３μｍに加工し（それぞれ実施例１〜４、比較例２の積層体）、その都度シンチレータ特性測定を行った。
【００６２】
シンチレータ特性として、α線励起シンチレータ発光量の測定を実施した。α線源として241Ａｍを用いた。受光素子としてＰＭＴ（Ｒ７６００：浜松ホトニクス製）を用い、研磨した積層体の５面をテフロン（登録商標）テープで覆い、シンチレーション光を１面のみから得られるようにした。その際、α線通過用に１ｍｍ角の窓を残した。シンチレーション光が出る面にＰＭＴを設置し、ＰＭＴに高電圧をかけてシグナルを増幅して読み出しを行った。波高値はｐｒｅ−ａｍｐで増幅し、Ｐｕｌｓｅ ｓｈａｐｅ ａｍｐで波形を整え、ｍｕｌｔｉ ｃｈａｎｎｅｌ ａｎａｌｙｚｅｒを経てコンピューターに信号として取得して発光量とし、ＢＧＯと比較した。その結果を表１に示す。
【００６３】
【表１】
2010280826.tif 000003
【００６４】
表１から分かるように、Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ（２２０μｍ）／水熱合成ＺｎＯ基板の積層体のＺｎＯ基板面からα線を照射したときの発光量は、バンドギャップが小さいＺｎＯ基板の厚みが５μｍ〜５０μｍのとき、比較例３の水熱合成基板単独における発光量を超え、ＢＧＯ比７０％〜９８％となり、従来ＺｎＯシンチレータの発光量を増加させることができた。一方、比較例１に示すようにバンドギャップが小さいＺｎＯ基板側の厚みが５０μｍを超える場合では、発光量が水熱合成基板と同程度であった。また、バンドギャップが小さいＺｎＯ基板側の厚みが５μｍより小さい比較例２では、α線が第一層を突き抜け、第一層および第二層でシンチレータ発光が起こり、発光量分布が２ピーク発生し、エネルギー分解能が低下した。
【００６５】
＜実施例５〜８、比較例４〜６＞
実施例１と同様の方法で水熱合成ＺｎＯ基板の厚みを変化させたＺｎＯ系混晶積層体を作製し、電子線（加速電圧数１０〜数千Ｖ）を照射したときの発光量を表２に示す。
【００６６】
【表２】
2010280826.tif 000004
【００６７】
表２から分かるように、Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ（２２０μｍ）／水熱合成ＺｎＯ基板の積層体のＺｎＯ基板面から電子線を照射したときの発光量は、バンドギャップが小さいＺｎＯ基板の厚みが５μｍ〜５０μｍのとき、比較例６の水熱合成基板単独における発光量を超え、ＢＧＯ比８０％〜１０１％となり、従来ＺｎＯシンチレータの発光量を増加させることができた。一方、比較例４に示すようにバンドギャップが小さいＺｎＯ基板側の厚みが５０μｍを超える場合では、発光量が水熱合成基板と同程度であった。また、バンドギャップが小さいＺｎＯ基板側の厚みが５μｍより小さい比較例５では、α線が第一層を突き抜け、第一層および第二層でシンチレータ発光が起こり、発光量分布が２ピーク発生し、エネルギー分解能が低下した。
【００６８】
＜実施例９〜１３および比較例７＞
実施例１に順ずる方法により、本実施例では水熱合成ＺｎＯ基板層（厚み：３０μｍ）とＺｎＯ系混晶層（厚み：２２０μｍ）の各層の厚みは変化させず、バンドギャップが大きいＺｎＯ系混晶層のバンドギャップのみを変化させた。それぞれの積層体の組成、バンドギャップおよび発光量を表３に示す。
【００６９】
【表３】
2010280826.tif 000005
【００７０】
表３から分かるように、作製したＺｎ1-xＭｇxＯ（２２０μｍ）／水熱合成ＺｎＯ基板（３０μｍ）の積層体において、０≦ｘ≦０．１４５の範囲で作製したＺｎ1-xＭｇxＯ混晶層を用いた積層体（実施例９〜１３）では、バンドギャップを水熱合成ＺｎＯ基板より高めることが可能となる。その結果、水熱合成ＺｎＯ基板側からα線を照射した場合、発光量をＢＧＯ比７０〜１１９％まで高めることが可能となる。比較例７のようにｘ組成が０．１４５を超えるとＭｇＯ単相が析出してしまい、混晶層のみをＬＰＥ成長させることができなかった。
【００７１】
＜実施例１４〜１７および比較例８＞
実施例１に順ずる方法により、本実施例では水熱合成ＺｎＯ基板層（厚み：５００μｍ）とＺｎＯ系混晶層（厚み：３０μｍ）の各層の厚みは変化させず、バンドギャップが小さいＺｎＯ系混晶層のバンドギャップのみを変化させた。それぞれの積層体の組成、バンドギャップおよび発光量を表４に示す。
【００７２】
【表４】
2010280826.tif 000006
【００７３】
表４から分かるように、作製したＺｎ1-yＣｄyＯ（３０μｍ）／水熱合成ＺｎＯ基板（５００μｍ）の積層体において、０≦ｙ≦０．０７の範囲で作製したＺｎ1-yＣｄyＯ混晶層を用いた積層体（実施例１４〜１７）では、バンドギャップを水熱合成ＺｎＯ基板より小さくすることが可能となる。その結果、Ｚｎ1-yＣｄyＯ混晶層からα線を照射した場合、発光量をＢＧＯ比７５〜１３５％まで高めることが可能となる。比較例８のようにｙ組成が０．０７を超えるとＣｄＯ単相が析出してしまい、混晶層のみをＬＰＥ成長させることができなかった。
【００７４】
＜実施例１８＞
実施例１と同様に水熱合成ＺｎＯ基板上でＺｎ0.9Ｍｇ0.1ＯのＬＰＥ成長を行った後、水熱合成ＺｎＯ基板を研磨で完全に除去して、単独のＺｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ薄膜を得た。次に、これを基板として、ＺｎＯに対しＧａ2Ｏ3を５９ｐｐｍドープしたＧａドープＺｎＯ層のＬＰＥ成長を行った。その後、再度研磨を施し、Ｚｎ0.9Ｍｇ0.1Ｏ層（２２０μｍ）／ＧａドープＺｎＯ層（３０μｍ）の積層体を得た。
【００７５】
バンドギャップが小さいＧａドープＺｎＯ層を照射面として、α線を照射した時の発光量は実施例１と同様ＢＧＯ比９０％となった。また、当該積層体のα線照射透過スペクトルを測定したところ、４５０〜６００ｎｍ域の長波長発光成分はほとんど見られなかった。以上の結果から、ＺｎＯ系積層体を形成し、α線などの電離放射線を照射する層の厚みを５μｍ〜５０μｍとすることで電離放射線を照射した時の発光量をＢＧＯ比で９０％程度と高めることができる。また、α線などの電離放射線を照射するＺｎＯ単結晶にＧａなどのＩＩＩ族元素を添加すると、４５０〜６００ｎｍの長波長発光も低減できるため、α線などの電離放射線の弁別機能を高めることが可能となる。
【符号の説明】
【００７６】
１・・・上段ヒーター
２・・・中央部ヒーター
３・・・下段ヒーター
４・・・白金るつぼ
５・・・引上軸
６・・・基板ホルダー
７・・・基板
９・・・るつぼ台
１１・・・炉心管
１２・・・炉蓋
【図１】
2010280826.tif 000007
【図２】
2010280826.tif 000008
【図３】
2010280826.tif 000009