(57)【要約】【課題】簡易な封止工程を用いるにもかかわらず水分やガスに対して十分なバリア性を確保した発光装置、この発光装置の製造方法、およびこの発光装置を組み込んだ信頼性の高い発光装置及び発光装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】陽極３を有する基板２と、基板２上に高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を用いて形成された発光部ＬＳと、この発光部ＬＳを覆う陰極７と、少なくとも陰極７に接着し、陰極７より広い範囲を覆う、紫外線硬化性樹脂で構成された封止部１０を有し、封止基板９の全体が封止部１０の陰極７との接着部と反対側に接着され、封止部１０に吸水性を有する無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を含有するように構成した。【選択図】図１
2010055861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の電極を有する第一の基板と、前記第一の基板上に高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を用いて形成された発光部と、この発光部を覆う第二の電極と、少なくとも前記第二の電極に接着し、前記第二の電極より広い範囲を覆う、紫外線硬化性樹脂で構成された封止部を有し、第二の基板の全体が前記封止部の第二の電極との接着部と反対側に接着され、前記封止部に吸水性を有する無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を含有するように構成したことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記封止部を挟んで前記第二の電極に対向する前記第二の基板は前記第二の電極より広い範囲を覆い、前記第二の基板の面積が前記第二の電極よりも大きく、前記封止部よりも小さく構成したことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第二の基板が紫外線透過性を有する基板で構成されたことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項４】
第一の電極を有する第一の基板上に高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を用いて発光部を形成する工程と、前記発光部を覆う第二の電極を形成する工程と、少なくとも前記第二の電極より広い範囲を覆う無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を含有した紫外線硬化性樹脂から構成された封止部を、第一の基板上へ接着する工程と、第二の基板を接着する工程と、接着した紫外線硬化性樹脂を硬化する工程を有し、前記封止部を構成する樹脂を基板上へ接着する工程の中に、少なくとも熱処理の工程を有する発光装置の製造方法。
【請求項５】
基板上に高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を塗布した後、第一の熱処理の工程と、封止部を構成する無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を含有した紫外線硬化性樹脂を基板上へ接着する工程での第二の熱処理の工程を有し、第二の熱処理の温度は第一の熱処理の温度より低温としたことを特徴とする請求項４記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子を設けた発光装置及び発光装置の製造方法に係り、これに加えこの発光装置を組み込んだ露光装置及びこの露光装置を搭載した画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネッセンス素子とは固体蛍光性物質の電界発光を利用した発光デバイスであり、現在無機系材料を発光体として用いた無機エレクトロルミネッセンス素子が実用化され、液晶ディスプレイのバックライトやフラットディスプレイなどへの応用展開が一部で図られている。しかし無機エレクトロルミネッセンス素子は発光させるために必要な電圧が１００Ｖ以上と高くしかも青色発光が難しいため、ＲＧＢの三原色によるフルカラー化が困難である。また無機エレクトロルミネッセンス素子は発光体として用いる材料の屈折率が非常に大きいため、界面での全反射などの影響を強く受け、実際の発光に対する空気中への光の取り出し効率が１０〜２０％程度と低く高効率化が困難である。
【０００３】
一方、有機材料を用いたエレクトロルミネッセンス素子に関する研究も古くから注目され様々な検討が行われてきたが、発光効率が非常に悪いことから本格的な実用化研究へは進展しなかった。しかし１９８７年にコダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ氏らにより、発光層を構成する有機材料を正孔輸送層と発光層の２層に分けた機能分離型の積層構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子が提案され、１０Ｖ以下の低電圧にもかかわらず１０００ｃｄ／ｍ2以上の高い発光輝度が得られることが明らかとなった（非特許文献１）。
【０００４】
これ以降、有機エレクトロルミネッセンス素子が俄然注目され始め、現在も同様な機能分離型の積層構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子についての研究が盛んに行われており、特に有機エレクトロルミネッセンス素子の実用化のためには不可欠である高効率化・長寿命化についても十分検討がなされており、近年有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたディスプレイなどが実現されるようになった。
【０００５】
図９は従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を示す断面図である。
【０００６】
以降、従来の一般的な有機エレクトロルミネッセンス素子の構造について図９を用いて説明する。
【０００７】
図９に示すように、有機エレクトロルミネッセンス素子１１は、例えばガラス基板１２上にスパッタ法や抵抗加熱蒸着法などにより形成されたＩＴＯ（酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）に数％の酸化スズ（ＳｎＯ2）を添加した化合物のこと。英文名は，Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ。）などの透明な導電性膜からなる陽極１３と、陽極１３上に同じく抵抗加熱蒸着法などにより形成されたＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−１、１′−ジフェニル−４，４′−ジアミン（以下、ＴＰＤと略称する。）などからなる正孔輸送層１４と、正孔輸送層１４上に抵抗加熱蒸着法などにより形成された８−Ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ（以下Ａｌｑ3と略称する）などからなる有機材料層１５と、有機材料層１５上に抵抗加熱蒸着法などにより形成された１００〜３００ナノメートル程度の厚みの金属膜からなる陰極１７とを備えている。
【０００８】
尚、正孔輸送層１４と有機材料層１５は便宜上一括して単に発光層１６と呼称される。この場合、発光層１６には正孔輸送層１４、有機材料層１５の他に図示しない正孔注入層、電子注入層、電子輸送層、電子ブロック層（ともに図示せず）などが含まれていてもよい。以下の説明についてもこの例に倣う。
【０００９】
１８は例えばバスタブ形状を有するガラスによって構成される封止部である。封止部１８は少なくとも有機エレクトロルミネッセンス素子１１の全面を覆うように設けられ、その外周部はガラス基板１２などに接着剤を用いて接着されている。
【００１０】
上記構成を有する有機エレクトロルミネッセンス素子１１の陽極１３をプラス極として、また陰極１７をマイナス極として、図示しない電気回路を介して直流電圧又は直流電流を印加すると、陽極１３から正孔輸送層１４を介して有機材料層１５に正孔が注入され、陰極１７から有機材料層１５に電子が注入される。この結果、陽極１３と陰極１７とに挟まれた発光層１６を構成する有機材料層１５では正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成される励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現象が起こる（このように少なくとも陽極１３と陰極１７に挟まれ、実質的に発光に寄与する部分を以降「発光部」と呼称する。）。
【００１１】
そして、このような有機エレクトロルミネッセンス素子１１において、発光部を構成する有機材料層１５中の蛍光体から出射される光は蛍光体を中心とした全方位に出射され、正孔輸送層１４、陽極１３、ガラス基板１２を経由して光取り出し方向（ガラス基板１２方向）から空気中へ出射される。あるいは一旦光取り出し方向とは逆方向へ向かい、陰極１７で反射され、発光層１６、陽極１３、ガラス基板１２を経由して空気中へ出射される。
【００１２】
以上述べたように、有機エレクトロルミネッセンス素子１１は非常に簡易な構造を有しており、大量生産が可能であり、低コスト化やディスプレイなどの表示装置の大面積化が期待できる技術として注目されている。
【００１３】
しかし、その一方で有機エレクトロルミネッセンス素子１１の有する課題の一つとして、水分の影響を受けると経時的に発光領域の収縮（シュリンキング）が生じることや、発光領域内に非発光部位（ダークスポット）が生じることが知られている。シュリンキングやダークスポットの発生や拡大を防止するためには、有機エレクトロルミネッセンス素子１１を低湿度状態に保つことが必要であり、前述のごとく有機エレクトロルミネッセンス素子１１をガラスなどの封止部１８により封止し、封止領域の内部空間を真空状態に保持することや、低湿度の不活性ガスを充填するなどの方法が用いられている。また封止の効果をより一層高めるために、バスタブ状の空間に乾燥剤を設けるような場合もある。
【００１４】
さて、最近では例えば樹脂からなる有機物層と金属酸化物などからなる無機物層を積層構造とした、いわゆるガスバリア性積層材を有機エレクトロルミネッセンス素子１１の封止部１８として用いる研究開発も行なわれている。
【００１５】
このようなガスバリア性積層材の例としては、（特許文献１）に開示される製造方法が知られている。（特許文献１）では「（前略）無機膜、有機膜の単体層または有機膜／無機膜ガスバリア層の積層化などに多くの検討がなされてきたが、それだけでは決して満足のいくガスバリア性を発現させることはできなかった。」としてフィルムなどの基材上に金属酸化膜または金属窒化膜または金属膜を設け、その上に熱硬化性樹脂からなる有機層を積層し、更にこの有機層の上に第２の金属酸化膜または金属窒化膜または金属膜を設けたガスバリア性積層材において、中間層である有機層を積層した直後に１２０℃〜１８０℃の範囲で第１の硬化を行ない、第２の金属酸化膜または金属窒化膜または金属膜を設けた後に１８０℃〜２４０℃の範囲で第２の熱硬化を行なうものであり、これによって無機膜、有機膜の単体層または有機膜／無機膜ガスバリア層の積層化などでは発現が困難であったガスバリア性を獲得することができるとしている。
【００１６】
また封止技術に関する他のアプローチとして、例えば（特許文献２）に開示される発光装置の製造方法が知られている。（特許文献２）ではガラス基板１２と封止部１８を貼り合わせるための封止接着剤として、熱硬化性（あるいは熱可塑性）を有する樹脂に光熱変換物質（即ち赤外線または近赤外線を吸収する物質）を含有させ、これにレーザ光を照射して封止部を接着すべき部位を局所的に加熱することで、一般に１００℃〜１２０℃の耐熱しかない有機エレクトロルミネッセンス素子にダメージを与えないで封止を行なうことができるとしている。
【非特許文献１】タン（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ）、ヴァンスリク（Ｓ．Ａ．Ｖａｎｓｌｙｋｅ），「アプライドフィジックスレター（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）」（米国），第５１巻，１９８７年，ｐ．９１３
【特許文献１】特開２００４−１８１７９３号公報
【特許文献２】特開２００１−２３７０６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
有機エレクトロルミネッセンス素子はその製造工程がシンプルなため、有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した発光装置、主に自発光型ディスプレイや液晶ディスプレイ用のバックライトや面発光型の照明や、更には有機エレクトロルミネッセンス素子を光源として応用した露光装置などのアプリケーションは低コスト化に有利だと言われている。
【００１８】
しかし、その製造工程において、封止工程に（特許文献１）にあるような複数の温度管理を有する工程が存在することは生産性を低下させ、ひいてはコストアップに直結する。製造コストに関してはレーザ光を用いて局所的な封止を行なう（特許文献２）の製造方法も、やはり製造設備などが大掛かりとなりコスト的には課題を有している。
【００１９】
また発光装置の実際の構成において例えば発光装置を構成する基板上には有機エレクトロルミネッセンス素子、例えばＴＦＴによって構成される駆動回路、引き回し配線などが形成、配置され、封止部はこれらの構造物を被覆することとなる。
上記の（特許文献１）及び（特許文献２）には、このことの重要性は示唆すらされていないが、いわゆるガスバリア性などの封止性能は接着の対象となる構造物の表面状態に大きく左右されるため、いずれの構造物に封止部の外周が接し接着されるかは確実に封止を行なうための重要な要素である。
【００２０】
本発明は、封止部の材料として紫外線硬化性樹脂を用い簡易な工程で封止を行うことが可能で、熱によって有機エレクトロルミネッセンス素子にダメージを与えることもなく、樹脂を硬化させるための時間が短く、更に簡易な封止工程を用いるにもかかわらず水分やガスに対して十分なバリア性を確保した発光装置及び発光装置の製造方法、及びこの発光装置を組み込んだ信頼性の高い露光装置を提供するとともに、この露光装置を搭載した高画質な画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の発光装置は、上記課題に鑑みてなされたもので、第一の電極を有する第一の基板と、前記第一の基板上に高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を用いて形成された発光部と、この発光部を覆う第二の電極と、少なくとも前記第二の電極に接着し、前記第二の電極より広い範囲を覆う、紫外線硬化性樹脂で構成された封止部を有し、第二の基板の全体が前記封止部の第二の電極との接着部と反対側に接着され、前記封止部に吸水性を有する無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を含有するように構成したものである。
【発明の効果】
【００２２】
封止部の部材として紫外線硬化性樹脂を使用したことにより、紫外線を照射するだけで樹脂の硬化が可能になり、熱保持により硬化させる熱硬化性樹脂と比較して樹脂を硬化させるための硬化時間が短くなることで、タクトタイムが短くなり、安価な封止が可能となる。また、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料は長い分子鎖が複雑に絡み合っており、高温環境に晒されても結晶化が進まないため特性劣化が非常に少ない。
【００２３】
しかしながら、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を用いて形成された発光部に対して熱硬化性樹脂からなる封止部を設けると、封止部を硬化する際に加えられる熱によって有機エレクトロルミネッセンス素子が、わずかながらダメージを受けてしまう。封止部に樹脂を硬化するための加熱を必要としない紫外線硬化性樹脂を用いることで高分子有機エレクトロルミネッセンス素子に熱によるダメージのない封止が可能となり、より信頼性の高い封止が可能となる。
【００２４】
更にこの封止部で有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う第二の電極より広い範囲を覆い、直接第二の電極全体に封止部が接着することで、封止部には空間が生じることがなく、封止性能の向上が可能となる。また、直接接着することで封止部が電極または第一の基板上に配置された配線部の凹凸を隙間無く埋めることができ、封止部と第一の基板との接着面積が大きくなることから接着強度を向上することが可能となり、封止性能のみならず外力に対する信頼性を向上させることが可能となる。
【００２５】
また、第二電極との接着部と反対側に第二基板を接着することで、封止部が外部にむき出しになる部分が樹脂の厚さ分のみとなり、それにより有機エレクトロルミネッセンス素子を劣化させる水分の浸入経路を最小限にすることが可能となり、水分やガスに対するバリア性をより一層高めることが可能となる。また、第二の基板を封止部の上部から接着させることで、封止部の厚さを均一にすることが可能となり、内部応力の均一な分散が可能となり、内部応力に対する信頼性の向上が可能となる。
【００２６】
更に封止部に吸水性を有する無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を含有することで封止部を構成する樹脂内部を通り抜けてきた微量の水分が、発光部に到達する前に無機多孔質材料の空孔にファンデルワールス力により物理的に吸着されるため、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００２７】
また有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う電極は、後述のように例えばアルミニウムや銀などの金属材料（即ちバリア性の高い材料）で構成されるから、これら封止部の良好なバリア性と相まって、非常に高い封止性能を発揮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の発光装置は、第一の電極を有する第一の基板と、前記第一の基板上に高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を用いて形成された発光部と、この発光部を覆う第二の電極と、少なくとも前記第二の電極に接着し、前記第二の電極より広い範囲を覆う、紫外線硬化性樹脂で構成された封止部を有し、第二の基板の全体が前記封止部の第二の電極との接着部と反対側に接着され、前記封止部に吸水性を有する無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を含有するように構成したものである。
【００２９】
封止部の部材として紫外線硬化性樹脂を使用したことにより、紫外線を照射するだけで樹脂の硬化が可能になり、熱保持により硬化させる熱硬化性樹脂と比較して樹脂を硬化させるための硬化時間が短くなることで、タクトタイムが短くなり、安価な封止が可能となる。また、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料は長い分子鎖が複雑に絡み合っており、高温環境に晒されても結晶化が進まないため特性劣化が非常に少ない。
【００３０】
しかしながら、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を用いて形成された発光部に対して熱硬化性樹脂からなる封止部を設けると、封止部を硬化する際に加えられる熱によって有機エレクトロルミネッセンス素子が、わずかながらダメージを受けてしまう。封止部に樹脂を硬化するための加熱を必要としない紫外線硬化性樹脂を用いることで高分子有機エレクトロルミネッセンス素子に熱によるダメージのない封止が可能となり、より信頼性の高い封止が可能となる。
【００３１】
更に、この封止部で有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う第二の電極より広い範囲を覆い、直接第二の電極全体に封止部が接着することで、封止部には空間が生じることがなく、封止性能の向上が可能となる。
【００３２】
また、直接接着することで封止部が電極または第一の基板上に配置された配線部の凹凸を隙間無く埋めることができ、封止部と第一の基板との接着面積が大きくなることから接着強度を向上することが可能となり、封止性能のみならず外力に対する信頼性を向上させることが可能となる。
【００３３】
また、第二電極との接着部と反対側に第二基板を接着することで、封止部が外部にむき出しになる部分が樹脂の厚さ分のみとなり、それにより有機エレクトロルミネッセンス素子を劣化させる水分の浸入経路を最小限にすることが可能となり、水分やガスに対するバリア性をより一層高めることが可能となる。
【００３４】
また、第二の基板を封止部の上部から接着させることで、封止部の厚さを均一にすることが可能となり、内部応力の均一な分散が可能となり、内部応力に対する信頼性の向上が可能となる。
【００３５】
更に、封止部に吸水性を有する無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を含有することで封止部を構成する樹脂内部を通り抜けてきた微量の水分が、発光部に到達する前に無機多孔質材料の空孔にファンデルワールス力により物理的に吸着されるため、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００３６】
また本発明は、封止部を挟んで第二の電極に対向する第二の基板は第二の電極より広い範囲を覆い、第二の基板の面積が第二の電極よりも大きく、封止部よりも小さく構成したものである。
【００３７】
これによって、第二の基板を封止部に接着した際に、樹脂が第二基板の側面にも回りこむように接着され、その結果、第二の基板が樹脂に埋もれる形状になるよう構成され、基板と封止部との接着面の数が増加し、封止部と第二基板との接着強度を向上させることから、封止性能のみならず外力に対する信頼性を向上させることが可能となる。
【００３８】
更に、第二の基板を封止部の上部から接着させることで、封止部の厚さを均一にすることが可能となり、内部応力の均一な分散が可能となり、内部応力に対する信頼性の向上が可能となる。
【００３９】
また本発明は、第二の基板が紫外線透過性を有する基板で構成したものである。これによって、封止部の紫外線硬化性樹脂を硬化させる際に、第一基板の上部より、紫外線を照射することが可能となり、封止部全体が均一に硬化することが可能となり、内部応力の発生を緩和することが可能となり、内部応力に対する信頼性の向上が可能となる。
【００４０】
また、第一基板の下部から紫外線を照射した場合、発光部の高分子有機エレクトロルミネッセンス材料にも紫外線が照射され、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料の劣化が生じてしまう。
【００４１】
一方、第二の基板の上部から紫外線を照射した場合、発光部は金属層である第二の電極に覆われているため、発光部の高分子有機エレクトロルミネッセンス材料には劣化を引き起こす紫外線は照射されないことから、紫外線からのダメージをなくすことが可能となる。
【００４２】
また本発明は、封止部に含有される無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の微細孔の空孔径の大きさが２．８〜４．２オングストロームとなるよう構成したものである。これによって、ダークスポット、シュリンキングの原因となる酸素分子や水分子を、効果的に無機多孔質材料の微細孔に物理的に吸着することが可能となり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。また酸化カルシウム、五酸化二リンを吸水材料として用いた場合、吸水の化学反応における発熱、潮解してしまう。また封止部の紫外線硬化性樹脂との化学反応を起こし、封止部へのダメージを与えてしまう。
【００４３】
一方、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の吸水の場合、化学的吸着とは異なり、酸素分子や水分子は微細孔にファンデルワールス力により物理的に吸着されることから、発熱を伴う化学反応は起らず、紫外線硬化性樹脂との反応も起らないことから、封止部へのダメージを与えない吸水が可能となる。
【００４４】
更に、物理吸着により吸水をするシリカゲルや活性炭等はその孔径が５０〜１０００オングストロームと大きいことから、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）と比較して低温域で吸着物の脱離が起こるが、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の場合、高温域でも吸着物の脱離が起らず、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００４５】
更に、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）はシリカゲルや活性炭等の様に吸着性能の湿度依存性が無く、低湿度域でも十分な吸着能力を保持できる。封止部はそもそも樹脂で埋尽くされ、相対湿度が低い状態であることから、低湿度状態で吸着能力を維持できる、湿度に依存しない信頼性の高い封止が可能となる。
【００４６】
また本発明は、封止部に含有される無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の微細孔の有効直径が３〜５オングストロームとなるよう構成したものである。これによって、ダークスポット、シュリンキングの原因となる、酸素分子や水分子を効果的に無機多孔質材料の微細孔に物理的に吸着することが可能となり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。有効直径とは分子の伸縮と運動エネルギーのため、微細孔の実際の大きさよりも若干大きくなった径のことで、微細孔の実際の大きさより若干大きい有効直径サイズの分子が吸着された場合、微細孔より小さい分子に比較して脱離し難いため、封止性能を大幅に向上することが可能となる。また酸化カルシウム、五酸化二リンを吸水材料として用いた場合、吸水の化学反応における発熱、潮解を生じてしまう。また封止部の紫外線硬化性樹脂との化学反応を起こし、封止部へのダメージを与えてしまう。
【００４７】
一方、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の吸水の場合、化学的吸着とは異なり、酸素分子や水分子は微細孔にファンデルワールス力により物理的に吸着されることから、発熱を伴う化学反応は起らず、紫外線硬化性樹脂との反応も起らないことから、封止部へのダメージを与えない吸水が可能となる。
【００４８】
更に、物理吸着により吸水をするシリカゲルや活性炭等はその孔径が５０〜１０００オングストロームと大きいことから、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）と比較して低温域で吸着物の脱離が起こるが、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の場合、高温域でも吸着物の脱離が起らず、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００４９】
更に、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）はシリカゲルや活性炭等の様に吸着性能の湿度依存性が無く、低湿度域でも十分な吸着能力を保持できる。封止部はそもそも樹脂で埋尽くされ、相対湿度が低い状態であることから、低湿度状態で吸着能力を維持できる、湿度に依存しない信頼性の高い封止が可能となる。
【００５０】
また本発明は、封止部に含有される無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）は（数１）で示される構造であり、
【００５１】
【数１】
2010055861.tif 000003
【００５２】
金属カチオンであるＭがカリウムイオン、ナトリウムイオン、カルシウムイオンとなるよう構成したものである。これによって、ダークスポット、シュリンキングの原因となる、酸素分子や水分子を効果的に無機多孔質材料の微細孔に物理的に吸着することが可能となり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００５３】
更に結晶格子中の金属カチオンの静電引力による吸着とファンデルワールス力の物理吸着とが相まって吸着性を強めることで、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００５４】
また、酸化カルシウム、五酸化二リンを吸水材料として用いた場合、吸水の化学反応における発熱、潮解を生じてしまう。また封止部の紫外線硬化性樹脂との化学反応を起こし、封止部へのダメージを与えてしまう。
【００５５】
一方、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の吸水の場合、化学的吸着とは異なり、酸素分子や水分子は微細孔にファンデルワールス力により物理的に吸着されることから、発熱を伴う化学反応は起らず、紫外線硬化性樹脂との反応も起らないことから、封止部へのダメージを与えない吸水が可能となる。
【００５６】
更に、物理吸着により吸水をするシリカゲルや活性炭等はその孔径が５０〜１０００オングストロームと大きいことから、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）と比較して低温域で吸着物の脱離が起こるが、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の場合、高温域でも吸着物の脱離が起らず、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００５７】
更に、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）はシリカゲルや活性炭等の様に吸着性能の湿度依存性が無く、低湿度域でも十分な吸着能力を保持できる。封止部はそもそも樹脂で埋め尽くされ、相対湿度が低い状態であることから、低湿度状態で吸着能力を維持できる、湿度に依存しない信頼性の高い封止が可能となる。
【００５８】
また本発明は、封止部に含有される無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の微細孔の空孔径の大きさが４．２オングストロームとなるよう構成したものである。これによって、ダークスポット、シュリンキングの原因となる、分子の大きさが３．４６オングストロームの酸素分子や、分子の大きさが３．８オングストロームの水分子のみを選択的にかつ効果的に無機多孔質材料の微細孔に物理的に吸着することが可能となり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００５９】
また、酸化カルシウム、五酸化二リンを吸水材料として用いた場合、吸水の化学反応における発熱、潮解を生じてしまう。
【００６０】
また、封止部の紫外線硬化性樹脂との化学反応を起こし、封止部へのダメージを与えてしまう。
【００６１】
一方、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の吸水の場合、化学的吸着とは異なり、酸素分子や水分子は微細孔にファンデルワールス力により物理的に吸着されることから、発熱を伴う化学反応は起らず、紫外線硬化性樹脂との反応も起らないことから、封止部へのダメージを与えない吸水が可能となる。
【００６２】
更に、物理吸着により吸水をするシリカゲルや活性炭等はその孔径が５０〜１０００オングストロームと大きいことから、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）と比較して低温域で吸着物の脱離が起こるが、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の場合、高温域でも吸着物の脱離が起こらず、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００６３】
更に、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）はシリカゲルや活性炭等の様に吸着性能の湿度依存性が無く、低湿度域でも十分な吸着能力を保持できる。封止部はそもそも樹脂で埋尽くされ、相対湿度が低い状態であることから、低湿度状態で吸着能力を維持できる、湿度に依存しない信頼性の高い封止が可能となる。
【００６４】
また本発明は、封止部に含有される無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の微細孔の有効直径が５オングストロームとなるよう構成したものである。
【００６５】
これによって、ダークスポット、シュリンキングの原因となる、分子の大きさが３．４６オングストロームの酸素分子や、分子の大きさが３．８オングストロームの水分子のみを選択的にかつ効果的に無機多孔質材料の微細孔に物理的に吸着することが可能となり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００６６】
有効直径とは分子の伸縮と運動エネルギーのため、微細孔の実際の大きさよりも若干大きくなった径のことで、その実際の大きさと有効直径間の大きさの分子が吸着された場合、微細孔より小さい分子に比較して脱離し難いため、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００６７】
また、酸化カルシウム、五酸化二リンを吸水材料として用いた場合、吸水の化学反応における発熱、潮解を生じてしまう。また、封止部の紫外線硬化性樹脂との化学反応を起こし、封止部へのダメージを与えてしまう。
【００６８】
一方、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の吸水の場合、化学的吸着とは異なり、酸素分子や水分子は微細孔にファンデルワールス力により物理的に吸着されることから、発熱を伴う化学反応は起らず、紫外線硬化性樹脂との反応も起らないことから、封止部へのダメージを与えない吸水が可能となる。
【００６９】
更に、物理吸着により吸水をするシリカゲルや活性炭等はその孔径が５０〜１０００オングストロームと大きいことから、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）と比較して低温域で吸着物の脱離が起こるが、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の場合、高温域でも吸着物の脱離が起らず、封止性能を大幅に向上することが可能となる。更に、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）はシリカゲルや活性炭等の様に吸着性能の湿度依存性が無く、低湿度域でも十分な吸着能力を保持できる。封止部はそもそも樹脂で埋尽くされ、相対湿度が低い状態であることから、低湿度状態で吸着能力を維持できる、湿度に依存しない信頼性の高い封止が可能となる。
【００７０】
また本発明は、封止部に含有される無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）は（数１）で示される構造であり、金属カチオンであるＭがカルシウムイオンとなるよう構成したものである。
【００７１】
これによって、ダークスポット、シュリンキングの原因となる、分子の大きさが３．４６オングストロームの酸素分子や、分子の大きさが３．８オングストロームの水分子のみを選択的にかつを効果的に無機多孔質材料の微細孔に物理的に吸着することが可能となり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。更に結晶格子中の金属カチオンがカルシウムになることにより、最外殻の電子いわゆる価電子が二個になることで、価電子が一個のカリウム、ナトリウムに比較して静電引力による吸着性がより強まり、静電引力による吸着とファンデルワールス力の物理吸着とが相まって吸着性を強めることで、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００７２】
また酸化カルシウム、五酸化二リンを吸水材料として用いた場合、吸水の化学反応における発熱、潮解を生じてしまう。また封止部の紫外線硬化性樹脂との化学反応を起こし、封止部へのダメージを与えてしまう。一方、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の吸水の場合、化学的吸着とは異なり、酸素分子や水分子は微細孔にファンデルワールス力により物理的に吸着されることから、発熱を伴う化学反応は起らず、紫外線硬化性樹脂との反応も起らないことから、封止部へのダメージを与えない吸水が可能となる。更に、物理吸着により吸水をするシリカゲルや活性炭等はその孔径が５０〜１０００オングストロームと大きいことから、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）と比較して低温域で吸着物の脱離が起こるが、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の場合、高温域でも吸着物の脱離が起らず、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００７３】
更に、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）はシリカゲルや活性炭等の様に吸着性能の湿度依存性が無く、低湿度域でも十分な吸着能力を保持できる。封止部はそもそも樹脂で埋尽くされ、相対湿度が低い状態であることから、低湿度状態で吸着能力を維持できる、湿度に依存しない信頼性の高い封止が可能となる。
【００７４】
また本発明は、封止部に含有される無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の粒子の平均直径が３〜１０マイクロメートルとなるよう構成したものである。これによって電極と封止部の接着の際に、粒子が電極を破壊することで生じるダークスポットの発生を低減することが可能となり、信頼性の高い封止が可能となる。
【００７５】
更に、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の粒子が大きいと電極と封止部の接着の際、粒子の押圧によって、電極表面を押し込み、電極部に凹凸が生じてしまう。電極部の凸部は凹部に比べ、相対的に高分子有機エレクトロルミネッセンス材料の膜が薄くなり、発光部に電流を印加した際、凸部に電流集中が起こり、その部分のみ発光強度が強くなり、発光の均一性を欠いてしまう。
【００７６】
また、その部分のみ明るく発光しているため、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料が局所的に劣化してしまう。
【００７７】
更には、押圧により高分子有機エレクトロルミネッセンス材料の膜を突き破ってしまうことで、電極間の短絡が生じることもある。粒子の平均直径を揃え、かつ小さくすることで、発光の均一性の向上、局所劣化の防止、電極間の短絡防止が可能となり、結果的に長期に渡って安定な発光装置が可能となる。
【００７８】
更に、封止部を構成する樹脂内部を透過する水分やガス等の浸入経路が非常に長くなり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００７９】
また本発明は、封止部における紫外線硬化性樹脂の厚さが３０〜２５０マイクロメートルとなるよう構成したものである。封止部の厚さを３０マイクロメートル以上にすることで、紫外線硬化性樹脂の硬化時に生じる硬化収縮での応力の緩和が可能となり、結果的に封止部の接着強度を向上することが可能となる。
【００８０】
更に、封止部に含有される無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の絶対量を確保することが可能となり、封止性能を向上することが可能となる。
【００８１】
一方、封止部の厚さを２５０マイクロメートル以下にすることで、封止部の断面積を小さくし、封止部に浸入する水分やガス等の浸入口を小さくすることが可能となり、封止性能を向上することが可能となる。
【００８２】
また本発明は、封止部における紫外線硬化性樹脂の厚さが５０〜１００マイクロメートルとなるよう構成したものである。封止部の厚さを５０マイクロメートル以上にすることで、紫外線硬化性樹脂の硬化時に生じる硬化収縮での応力の更なる緩和が可能となり、結果的に封止部の接着強度を向上することが可能となる。
【００８３】
更に、封止部に含有される無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の絶対量を十分に確保することが可能となり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００８４】
更には、基板上の構造物の凹凸を十分に緩和することが可能となり、有機エレクトロルミネッセンス素子の短絡を防ぐことが可能となる。
【００８５】
一方、封止部の厚さを１００マイクロメートル以下にすることで、封止部の断面積を応力緩和に必要最小限とし、封止部に浸入する水分やガス等の浸入口を極限にまで小さくすることが可能となり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。また、封止部の厚さが均等になることで内部応力や外力を均等に緩和することが可能となり、局所的な応力による封止部の剥離を防ぐことが可能となる。
【００８６】
また本発明は、封止部を構成する紫外線硬化性樹脂へ含有される無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の添加量が紫外線硬化性樹脂の重量に対し、１０〜５０重量パーセントとなるよう構成したものである。無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の添加量を１０重量パーセント以上にすることで、吸水物質の絶対量を確保することが可能となり、封止性能を向上することが可能となる。
【００８７】
一方、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の添加量を５０重量パーセント以下にすることで、樹脂を基板上へ接着する際の粘性の確保が可能となり、基板への濡れ性、樹脂内に含まれる気体の脱泡し易さが向上することによって、接着面積の向上による接着強度の向上が可能となる。また封止部を構成する樹脂のハンドリング性の向上が可能となり、大掛かりな装置を必要としない簡便な封止が可能となる。
【００８８】
また本発明は、封止部を構成する紫外線硬化性樹脂へ含有される無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の添加量が紫外線硬化性樹脂の重量に対し、３０〜４０重量パーセントとなるよう構成したものである。無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の添加量を３０重量パーセント以上にすることで、吸水物質の絶対量を十分に確保することが可能となり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００８９】
一方、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の添加量を４０重量パーセント以下にすることで、樹脂を基板上へ接着する際の粘性の確保が可能となり、基板への濡れ性、樹脂内に含まれる気体の脱泡し易さが向上することによって、接着面積の向上による接着強度の向上が可能となる。また封止部を構成する樹脂のハンドリング性の向上が可能となり、大掛かりな装置を必要としない簡便な封止が可能となる。
【００９０】
更には、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を紫外線硬化性樹脂に均一に含有させることができ、封止部に均等に無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を均等に配置させることが可能となり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。また、均一に配置されることによって、封止部の接着界面も均一になることから、内部応力の緩和が可能となり、封止部の局所的な剥離を防ぐことが可能となる。
【００９１】
また本発明は、封止部を構成する紫外線硬化性樹脂が、吸水性を有する無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）と劈開性を有する無機充填剤の両方を含有するように構成したものである。劈開とは結晶がある決まった方向に容易に割れるか、あるいは剥離して平滑な面（劈開面）が現れることをいい、これによって封止部を構成する樹脂内部を透過する水分やガス等の浸入経路が非常に長くなり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００９２】
更に、浸入経路が非常に長くなったため、酸素分子や水分子が無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）に吸着される機会が多くなり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００９３】
また本発明は、封止部を構成する紫外線硬化性樹脂が、吸水性を有する無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）と劈開性を有する無機充填剤の両方を含有し、樹脂へ対する無機多孔質材料の添加量が無機充填剤の添加量よりも多くなるよう構成したものである。劈開とは結晶がある決まった方向に容易に割れるか、あるいは剥離して平滑な面（劈開面）が現れることをいい、これによって封止部を構成する樹脂内部を透過する水分やガス等の浸入経路が非常に長くなり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００９４】
更に、浸入経路が非常に長くなったため、酸素分子や水分子が無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）に吸着される機会が多くなり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００９５】
更に、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の絶対量が多くなったことから、酸素分子や水分子を吸着する量が増加することで、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【００９６】
また本発明は、基板上に、発光部を駆動するＴＦＴで構成された駆動回路を設け、駆動回路を封止部で覆うように構成したものである。駆動回路に外部からの応力等によってクラック等が発生すると、発光装置は駆動不能という致命的なダメージを受けるが、駆動回路部分を封止部で覆うことで、駆動回路は外部応力等から保護され、発光装置の信頼性を向上することが可能となる。
【００９７】
本発明の露光装置は、上述の発光装置を搭載し複数の発光部を独立して点灯／消灯可能に構成したものである。本発明の発光装置は非常に簡易な構造で十分な封止性能を発揮するものであるから、これを搭載した露光装置は長期にわたって信頼性が高いものとなり、更に露光装置を小型化、低コスト化することが可能となる。
【００９８】
また本発明は、発光部を基板上に設けたアクティブマトリクス回路で駆動するようにしたものである。アクティブマトリクス回路における電極（後に説明する陰極）はパッシブマトリクス回路と異なりストライプ状に構成する必要がなく、電極と封止部の間に多数の空間が生じないため、封止性能を向上させることが可能となる。
【００９９】
また本発明の発光装置の製造方法は、第一の電極を有する第一の基板上に高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を用いて発光部を形成する工程と、前記発光部を覆う第二の電極を形成する工程と、少なくとも前記第二の電極より広い範囲を覆う無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を含有した紫外線硬化性樹脂から構成された封止部を、第一の基板上へ接着する工程と、第二の基板を接着する工程と、接着した紫外線硬化性樹脂を硬化する工程を有し、前記封止部を構成する樹脂を基板上へ接着する工程の中に少なくとも熱処理の工程を有するようにしたものである。
【０１００】
これによって、封止部を構成する樹脂を基板上へ接着する際に、樹脂の粘性を下げることが可能となる。粘性を下げることで接着時の応力の緩和が可能となり、封止部の接着強度の向上が可能となる。また粘性を下げることで樹脂に含有される無機多孔質材料による電極への押圧を低減することが可能となり、発光の均一性の向上、局所劣化の防止、電極間の短絡防止が可能となり、結果的に発光装置を長期に渡って安定させることが可能となる。
【０１０１】
また、粘性を下げることで、基板への濡れ性、樹脂内に含まれる気体の脱泡し易さが向上することによって、接着面積の向上による接着強度の向上が可能となる。また大掛かりな装置を必要としない簡便な工程で封止を行なうことが可能となる。
【０１０２】
また本発明は、基板上に高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を塗布した後、第一の熱処理の工程と、封止部を構成する無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を含有した紫外線硬化性樹脂を基板上へ接着する工程での第二の熱処理の工程を有し、第二の熱処理の温度は第一の熱処理の温度より低温としたものである。
【０１０３】
これによって、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を溶解したトルエンやキシレンといった有機溶媒を十分に揮発させ、発光部である有機エレクトロルミネッセンス素子の性能を安定させることが可能となる。
【０１０４】
更に、封止部を構成する樹脂の粘性を下げると同時に第二の熱処理による高分子有機エレクトロルミネッセンス材料へのダメージを低減することが可能となり、封止の性能と有機エレクトロルミネッセンス素子の性能を長期に安定させることが可能となる。
【０１０５】
本発明の画像形成装置は、上述の露光装置と、この露光装置によって潜像が形成される感光体と、この感光体上に形成された潜像を現像して顕画化する現像ステーションと、この現像ステーションによって顕画化された画像を記録紙に転写する転写手段と、この転写手段によって転写された画像を定着する定着器を有するものである。
【０１０６】
本発明の露光装置は、高信頼性、小型、低コストといった特徴を有しているから、これを搭載した画像形成装置は長期にわたって高画質を維持することが可能であるとともに、画像形成装置を小型化、低コスト化することができる。
【実施例】
【０１０７】
以降、本発明に係る発光装置について詳細に説明するが、以下の全ての実施例において、様々な構造物が形成された発光素子基板７０が、本発明に係る発光装置に該当する。
【０１０８】
（実施例１）
以下、本発明の実施例１について、図１を用いて実施例１における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造を詳細に説明する。図１は本発明の実施例１の発光素子基板における有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を示す断面図である。
【０１０９】
ｉ）基板
基板２としては、例えば透明または半透明のソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどの、無機酸化物ガラス、無機フッ化物ガラスなどの無機ガラスを用いることができる。
【０１１０】
その他の材料を基板２として採用することも可能であり、例えば透明または半透明のポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリオレフィン、フッ素系樹脂ポリシロキサン、ポリシランなどのポリマー材料を用いた高分子フィルムなど、或いは透明または半透明のＡｓ2Ｓ3、Ａｓ40Ｓ10、Ｓ40Ｇｅ10などのカルコゲノイドガラス、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、ＨｆＯ2、ＴｉＯ2などの金属酸化物及び窒化物などの材料、或いは発光領域から出射される光を基板を介さずに取り出す場合には、不透明のシリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウム砒素、窒化ガリウムなどの半導体材料、或いは顔料などを含んだ前述の透明基板材料、表面に絶縁処理を施した金属材料などから適宜選択して用いることができ、複数の基板材料を積層した積層基板を用いることもできる。
【０１１１】
尚、以降の説明において、基板２の上に形成されるＴＦＴ１０２や有機エレクトロルミネッセンス素子１などの構造物を説明していくが、基板２及びこの上に構成される全ての構造物を統括して発光素子基板７０と呼称する（上述したように、これが即ち「発光装置」である）。
【０１１２】
ｉｉ）ＴＦＴ
１０１は基板２上の面Ａに形成されたベースコート層であり、例えば窒化シリコンと酸化シリコンとを積層することで構成される。ベースコート層１０１の上には多結晶シリコン（ポリシリコン）から成るＴＦＴ１０２が形成されている。実施例１においてはＴＦＴ１０２として多結晶シリコンを用いているが、非結晶シリコン（アモルファスシリコン）を用いてもよい。非結晶シリコンはトランジスタを構成した際の移動度が低く（０．５ｃｍ2／Ｖｓ程度）デザインルールや駆動周波数の点で移動度の高い多結晶シリコン（１００〜２００ｃｍ2／Ｖｓ）と比べて不利ではあるが、製造プロセスが安価であり、コストメリットがある。
【０１１３】
１０３は例えば１００ナノメートル程度の厚みをもつ酸化シリコンからなるゲート絶縁層であり、ＴＦＴ１０２とモリブデンなどの金属で構成されたゲート電極１０４を所定の間隔で離間、絶縁する。
【０１１４】
１０５は例えば酸化シリコン及び窒化シリコンを積層することで構成され、総計３５０ナノメートル程度の厚みを有する中間層である。中間層１０５はゲート電極１０４を被うとともに、この表面に沿ってＡｌなどの金属で構成されるソース電極１０６及びドレイン電極１０７を支持している。
【０１１５】
ソース電極１０６及びドレイン電極１０７は中間層１０５及びゲート絶縁層１０３に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴ１０２に接続されており、ソース電極１０６とドレイン電極１０７の間に所定の電位差を付与した状態でゲート電極１０４に所定の電位を付与することで、ＴＦＴ１０２はスイッチングトランジスタとして動作する。
【０１１６】
１０８は窒化シリコンなどで構成されたＴＦＴ保護層であり、ソース電極１０６を完全に被うとともにドレイン電極１０７の一部に開口部、即ちコンタクトホール１０９を形成する。通常ＴＦＴ保護層１０８の厚みは３００ナノメートル程度に形成されるが、その上面にレジンなどによるオーバーコート層（図示せず）を形成しない場合は若干厚く形成してもよい。
【０１１７】
陽極３は、実施例１では第一の電極としてＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を用いている。陽極３としてはＩＴＯの他にＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＡＴＯ（ＳｂをドープしたＳｎＯ2）、ＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3などを用いることができる。陽極３は真空蒸着法などによっても形成できるがスパッタ法あるいはＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相成長法）により形成することが望ましい。この陽極３はコンタクトホール１０９にてドレイン電極１０７と接続されている。
【０１１８】
尚、図１に図示するように、有機エレクトロルミネッセンス素子１を駆動する駆動回路であるＴＦＴ１０２は、封止部１０によって完全に被覆されている。駆動回路に外部からの応力等によってクラック等が発生すると、発光装置は駆動不能という致命的なダメージを受けるが、駆動回路部分を封止部１０で覆うことで、駆動回路であるＴＦＴ１０２には外部の応力が直接的に作用しなくなり、発光装置の信頼性を向上することが可能となる。
【０１１９】
ｉｉｉ）画素規制部
背景技術における説明でも定義したように、以降の説明においても少なくとも陽極と陰極とに挟まれ、実質的に発光に寄与する部分を「発光部」と呼称する。また図示を要する場合は「発光部ＬＳ」として説明する。
【０１２０】
８は陽極３の一部を覆うことで発光に寄与する発光部ＬＳの位置、形状、サイズなどを規制する画素規制部である。実施例１では画素規制部８として窒化シリコンを用いているが酸化シリコンを用いてもよい。画素規制部８は例えばこれらの金属酸化物あるいは金属窒化物を蒸着法やスパッタ法により一様形成し、その後にフォトマスクを用いてパターンニング、現像、エッチングによって形成される。また画素規制部８はマスクを介してスパッタ法にて形成してもよい。これらの金属酸化物あるいは金属窒化物によって構成される画素規制部８の厚みは５０ナノメートル以上２マイクロメートル以下とするとよい。画素規制部８の厚みが５０ナノメートルを下回ると膜に欠陥が生じて本来発光すべきところでない部分が発光する確率が高くなる。
【０１２１】
一方、画素規制部８の厚みが２マイクロメートルを上回ると、陽極３側に突出した画素規制部８の端部において陽極３と画素規制部８の間に段差が大きくなり、後述する湿式プロセスで形成された発光部ＬＳにおける発光輝度の均一性が損なわれることとなる。
【０１２２】
さて、陽極３を画素規制部８で規制して発光部ＬＳを構成する理由はさまざまであるが、例えば露光装置を想定した場合は発光面の位置と形状を正確に決めるために行われる。もちろん有機エレクトロルミネッセンス素子１は前述した原理によって対向する陽極３と陰極７の重なった部位が発光するため、陽極３と陰極７の位置及び形状によって発光部ＬＳの形状などを規制することも可能であるが、例えば露光装置ではアプリケーション側の要求として発光部ＬＳのサイズ及びその配置ピッチが極めて小さなもの｛例えば６００ｄｐｉ（ｄｏｔ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）、即ち発光部ＬＳは図１の紙面と垂直な方向（主走査方向）に３５マイクロメートル程度のサイズを有し、これが４２．３マイクロメートルのピッチで配置される｝となるため、これを陽極３と陰極７といった電極のみで規制するには製造プロセス上の位置合わせに高い精度が必要となる。
【０１２３】
また、個々の電極線が細くなりすぎ、結果的に抵抗値が増大するという問題も生じる。よって、抵抗値が大きくならないようある程度の幅の電極を作製した上で、その一部を画素規制部８によって規制して発光面を規制するという方法が一般的に用いられている。
【０１２４】
ｉｖ）発光層
発光層６は、実施例１では後述の高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を用い、工程がシンプルで低コスト化が可能な湿式プロセスの１つであるスピンコート法を採用して発光層６を塗布によって形成している。
【０１２５】
一般に、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料とはスピンコート法などの湿式プロセスにて製膜される有機エレクトロルミネッセンス材料を指し、低分子有機エレクトロルミネッセンス材料とは真空蒸着法などの乾式プロセスにて製膜される有機エレクトロルミネッセンス材料を指すものとされるが、厳密には真空蒸着法などの乾式プロセスを適用できないものを高分子有機エレクトロルミネッセンス材料という。
【０１２６】
尚、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料に真空蒸着法が適用できないのは、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料は気化する前に自己分子運動が生じ、主鎖が切断されてしまうからである。即ち、これによって低分子化が起こり、材料本来の能力が低下するのである。
【０１２７】
スピンコート法により高分子材料からなる発光層６を塗布形成するにあたり、実施例１では高分子有機エレクトロルミネッセンス材料としてトルエンに溶解したＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチレンヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（ｎ≧５））を用い、膜厚は１２０ナノメートルとしている。
【０１２８】
ＭＥＨ−ＰＰＶは高分子有機エレクトロルミネッセンス材料として一般的であり、例えば日本シーベルヘグナー社にて購入可能である。高分子有機エレクトロルミネッセンス材料としてはこの他にスチレン系共役デンドリマーなどを用いることが可能である。
【０１２９】
発光層６を上述のスピンコート法によって塗布した場合、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料は発光層６を形成する以前に発光素子基板７０に形成された全ての構造物の上に塗布されることとなる。
【０１３０】
このような場合は、後述する陰極７を蒸着法によって形成する前に、例えばトルエンやキシレンといった溶剤を再塗布し、溶融した高分子有機エレクトロルミネッセンス材料とともに回収する製造設備によって所定の領域のみ拭き取られる。
【０１３１】
この拭き取り工程は、例えばレーザアブレーション法によって行なうことも可能である。またインクジェット技術を用いたフラッドプリント法のごとき所定の領域にのみ高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を塗布することが可能な工法を採用した場合は、上述の拭き取り工程は不要となる。
【０１３２】
いずれにしても、発光素子基板７０の全面に高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を塗布した状態で、後に説明する封止部１０を形成すると、塗布された発光層６を通じて徐々に有機エレクトロルミネッセンス素子１（図１参照）の内部に水分が侵入するため、発光部ＬＳ（図１参照）のシュリンキングやダークスポットの拡大が進行しやすいことが確認されている。少なくとも封止部１０の外周部において高分子有機エレクトロルミネッセンス材料は取り除かれている必要がある。
【０１３３】
この拭き取り工程の後に、発光素子基板７０は約１３０℃の環境下に約１時間おかれ、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を溶解した溶媒であるトルエンやキシレンといった有機溶媒を十分に揮発させる（ベイク工程）。以降、ベイク工程における温度をベイク温度と呼称する。
【０１３４】
さて、本発明に係る発光素子基板７０は、陽極３を有する基板２と、この基板２上に高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を用いて形成された発光部ＬＳと、この発光部ＬＳを覆う第二の電極（後に説明する陰極７）と、少なくとも陰極７に接着し、陰極７より広い範囲を覆う、紫外線硬化性樹脂で構成された封止部（後に説明する封止部１０）を有し、第二の基板（後に説明する封止基板９）の全体が封止部１０の陰極７との接着部と反対側に接着され、封止部１０に吸水性を有する無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を含有することを特徴としており、発光部ＬＳを構成する発光層６の材料として高分子有機エレクトロルミネッセンス材料を用いることが大きなポイントとなっている。以下に、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料の特性について、従来の低分子有機エレクトロルミネッセンス材料との比較を通じ詳細に説明する。
【０１３５】
有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する発光材料のうち、従来多用されてきた低分子有機エレクトロルミネッセンス材料は一般にその有機化合物群が真空蒸着によって製膜され、アモルファス薄膜になっているために高温環境に弱いことが知られ、その耐熱温度は高々百数十℃とされている。これは高温環境に晒されたときに低分子有機化合物の結晶化が進行してしまい、発光材料としての特性が劣化するからである。
【０１３６】
これに対し、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料は長い分子鎖を複雑に絡み合わせることで薄膜を構成しており、明確な結晶化温度は存在せず、ガラス転移点という軟化開始温度とも言うべき指標が存在するのみである。
【０１３７】
更に、多くの高分子有機エレクトロルミネッセンス材料では明確なガラス転移点すら観察されないことがある。つまり、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料は分子が絡み合った構成上、自由に動いて結晶化することができないのである。
【０１３８】
このような高分子有機エレクトロルミネッセンス材料の特徴は、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料が有機エレクトロルミネッセンス素子に応用されるときに、高耐熱性という大きな優位性となって現れる。この耐熱温度は既に説明したＨＥＭ−ＰＰＶも含め２００℃を十分超えるものである。この高い耐熱性という大きな特徴を有する高分子有機エレクトロルミネッセンス材料によって構成された発光部ＬＳは、後に説明する紫外線硬化性樹脂を用いた封止での熱処理の工程によっても発光特性が劣化することはなく、封止部の水分やガスに対する高いバリア性を有効に活かすことができる。
【０１３９】
但し、真空蒸着法などの乾式プロセスを用いて製膜される低分子有機エレクトロルミネッセンス材料であっても、分子量が大きくガラス点移転が比較的高いオリゴマー、より具体的にはＰＰＶオリゴマーなどは例外的に高い耐熱性を有するとともに湿式プロセスを容易に適用でき、これらを高分子有機エレクトロルミネッセンス材料の代替として本発明の発光素子基板７０に応用することが可能である。
【０１４０】
さて、実施例１では発光層６をＭＥＨ−ＰＰＶからなる単層膜としたが、これはいくつかの材料からなる積層膜であってもよい。例えばＭＥＨ−ＰＰＶ層内に注入された電荷を閉じ込め、再結合効率を向上させるために、電子ブロック機能やホールブロック機能をもった材料からなる層を追加するのは、素子の特性向上につながり望ましい。
【０１４１】
具体的には、発光層６を陽極３の側から順に正孔輸送層／電子ブロック層／上述した有機発光材料（ともに図示せず）の３層構造としてもよいし、発光層６を陰極７の側から順に電子輸送層／有機発光材料（ともに図示せず）の２層構造、あるいは陽極３の側から順に正孔輸送層／有機発光材料の２層構造（ともに図示せず）、あるいは陽極３の側から順に正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロック層／有機発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／電子注入層のごとく７層構造（ともに図示せず）としてもよい。このように実施例１において発光層６と呼称する場合は、発光層６が正孔輸送層、電子ブロック層、電子輸送層などの機能層を有する多層構造である場合も含んでいる。
【０１４２】
発光層６に含まれる正孔輸送層としては、正孔移動度が高く透明で製膜性の良いものが好ましく、背景技術において説明したＴＰＤの他に、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイドなどのポリフィリン化合物や、１，１−ビス｛４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）フェニル｝シクロヘキサン、４，４′，４′′−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（Ｐ−トリル）−Ｐ−フェニレンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−Ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、４，４′−ビス（ジメチルアミノ）−２−２′−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノビフェニル、Ｎ、Ｎ′−ジフェニル−Ｎ、Ｎ′−ジ−ｍ−トリル−４、４′−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾ−ルなどの芳香族第三級アミンや、４−ジ−Ｐ−トリルアミノスチルベン、４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベンなどのスチルベン化合物、トリアゾール誘導体、オキサジザゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アニールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系アニリン系共重合体、高分子オリゴマー、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポリ−３，４エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、テトラジヘクシルフルオレニルビフェニル（ＴＦＢ）あるいはポリ３−メチルチオフェン（ＰＭｅＴ）といったポリチオフェン誘導体などの有機材料が用いられる。
【０１４３】
また、ポリカーボネートなどの高分子中に低分子の正孔輸送層用の有機材料を分散させた、高分子分散系の正孔輸送層も用いられる。また、ＭｏＯ3、Ｖ2Ｏ5、ＷＯ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ、ＭｇＯなどの無機酸化物を用いることもある。また、これらの正孔輸送材料は電子ブロック材料として用いることもできる。
【０１４４】
上述した発光層６における電子輸送層としては、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）などのオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、シロール誘導体からなるポリマー材料など、あるいは、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−（パラ−フェニルフェノレート）Ａｌ（ＢＡｌｑ）、バソフプロイン（ＢＣＰ）などが用いられる。また、これらの電子輸送層を構成可能な材料は正孔ブロック材料として用いることもできる。
【０１４５】
以上、実施例１における発光層６について詳細に説明したが、発光層６を構成する高分子有機エレクトロルミネッセンス材料としては、上述したＭＥＨ−ＰＰＶに限定されるものではなく、可視領域で蛍光または燐光特性を有し、かつ製膜性の良いものが選択可能であり、例えばポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンなどのポリマー発光材料などを用いることができる。
【０１４６】
更に、現在様々な特性と発光色を持った高分子系有機エレクトロルミネッセンス材料が提案されており、これらの中から適宜選択して発光層６を構成することができる。
【０１４７】
ｖ）陰極
陰極７は、例えばＡｌなどの金属材料を例えば真空蒸着法によって形成している。有機エレクトロルミネッセンス素子１の陰極７としては仕事関数の低い金属もしくは合金、例えばＡｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ａｇなどの金属や、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金などのＭｇ合金や、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ａｌ−Ｓｒ合金、Ａｌ−Ｂａ合金などのＡｌ合金が用いられる。あるいはＢａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃｓなどの金属、あるいはＬｉＦ、ＣａＯといったこれら金属のフッ化物や酸化物からなる有機物層に接触する電子注入電極層と、その上に形成されるＡｌ、Ａｇ、Ｉｎなどの金属材料からなる保護電極とからなる金属の積層構造を用いることもできる。
【０１４８】
陰極７は発光部ＬＳに電荷を供給する必要性から少なくとも発光部ＬＳの全面を覆っている必要があるが、発光部ＬＳの全面を金属から構成される陰極７で被覆することで、外部からの水分の浸入を防ぐ封止の機能も併せ持たせることができる。
【０１４９】
実施例１では、ガスや水分に対して高いバリア性を有する金属から構成される陰極７によって有機エレクトロルミネッセンス素子を覆い、更に後述のように陰極７の全体を覆うようにした封止部１０によって発光装置を構成している。
【０１５０】
以上説明した構造、工程によって基板２に有機エレクトロルミネッセンス素子１が形成される。ＴＦＴ１０２は個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１に対して１：１の関係で形成されており、電気的には所謂アクティブマトリクス回路を構成する。
【０１５１】
ソース電極１０６を正極とし、ソース電極１０６と陰極７間に所定の電位差を設け、更にゲート電極１０４を所定の電位に制御することで、正孔がソース電極１０６、ＴＦＴ１０２、ドレイン電極１０７、陽極３を経て発光層６に注入され、一方、陰極７から発光層６に電子が注入される。発光層６では正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成される励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現象が起こる。
【０１５２】
このように、実施例１の発光装置はアクティブマトリクス構成を有しており、上述の陰極７は複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１の全面に跨って形成されることになる。パッシブマトリクス構成とした場合、陰極はストライプ状に形成する必要があり、多数の陰極に起因する段差が生じることになるが、アクティブマトリクス構成とした場合には陰極間の段差が封止性能に悪影響を与えることもない。このことも封止性能を改善する要因の一つである。
【０１５３】
発光層６から放出された光は、陽極３、中間層１０５、ゲート絶縁層１０３、ベースコート層１０１及び基板２を透過し、基板２の面Ａとは反対の面から射出され図示しない感光体を露光する。
【０１５４】
ｖｉ）封止部
封止部１０は無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）２０１や無機充填剤２０２を含有する紫外線硬化性樹脂で構成され、封止基板９は紫外線透過性を有する基板で構成されている。封止部１０は図示するごとく少なくとも陰極７に接着しており、画素規制部８でサイズ、形状を規制された発光部ＬＳを完全に被覆している。
【０１５５】
また、封止基板９は全体が封止部１０の陰極７との接着部と反対側に接着されている。後に図２を用いて詳細に説明するように、封止部１０は更に陰極７を完全に覆い、封止基板９は陰極７よりも大きく、封止部１０よりも小さく構成されている。
【０１５６】
さて、紫外線硬化性樹脂としてはエポキシ系樹脂とアクリル系樹脂が一般的であるが、実施例１においては硬化収縮性が小さい点と脱ガスが少ない点を考慮してエポキシ系樹脂を採用している。発光素子基板７０上に封止部１０を形成するにあたっては、ディスペンサーを用いて発光素子基板７０上に形成された陰極７の上面に紫外線硬化性樹脂が塗布されるが、ディスペンサーの塗布速度と圧力によって供給量を調整することができる。また紫外線硬化性樹脂の塗布方法としては、上述のディスペンサーに限定されるものではない。
【０１５７】
実施例１では紫外線硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を採用したが、他にポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、メチルフタレート単独重合体、または共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート、アクリロニトリル／スチレン共重合体、ポリ（−４−メチルペンテン−１）、フェノール樹脂、シアナート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。またこれらをポリビニルブチラール、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、多官能性アクリレート化合物等で変性したものや、架橋ポリエチレン樹脂、架橋ポリエチレン／エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル／シアナート樹脂等も使用できる。また上記に挙げたような複数種の樹脂を併用して用いてもよい。
【０１５８】
封止部１０として用いたエポキシ系樹脂に関しては、紫外線硬化性樹脂と熱硬化性樹脂の二つのタイプが存在する。前者には紫外線反応性の光架橋開始剤が加えられており、硬化反応は紫外線照射によって瞬時に開始され、比較的短時間で硬化反応は終了されることから、封止プロセスのタクトタイムが短くなり、安価な封止が可能となる。また、樹脂の硬化に加熱を必要としないため高分子有機エレクトロルミネッセンス素子に熱によるダメージのない封止が可能となり、より信頼性の高い封止が可能となる。
【０１５９】
これに対して、後者の熱硬化性樹脂は硬化反応を加熱によって開始され、その硬化に必要な熱は百数十度となり、高分子有機エレクトロルミネッセンス素子に熱によるダメージを与えてしまう。また、熱保持により硬化させるため、たとえ硬化反応が終了した段階でも急激な温度変化により、基板、樹脂の熱応力が加わり、封止部の剥離を招くおそれがあるため、応力緩和のための冷却工程を行なわなければならない。そのため、封止プロセスに時間がかかってしまうため、封止にかかるタクトタイムが長くなる。
【０１６０】
また、この封止部１０で有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う陰極７より広い範囲を覆い、直接陰極７全体に封止部１０が接着することで、封止部１０には空間が生じることがなく、封止性能の向上が可能となる。
【０１６１】
また、直接接着することで封止部１０が陰極７または基板２上に配置された配線部の凹凸を隙間無く埋めることができ、封止部１０と基板２との接着面積が大きくなることから、接着強度を向上することが可能となり、封止性能のみならず外力に対する信頼性を向上させることが可能となる。
【０１６２】
封止基板９としては、紫外線透過性を有する基板であれば、いずれのものでもよく、ｉ
）基板で既に述べたような無色透明な基板と用いることができる。封止部１０の陰極７との接着部と反対側に封止基板９を接着することで、封止部１０における外部との接触部が樹脂の厚さ分のみとなり、それにより有機エレクトロルミネッセンス素子を劣化させる水分の浸入経路を最小限にすることが可能となり、水分やガスに対するバリア性をより一層高めることが可能となる。また、封止基板９を封止部１０の上部から接着させることで、封止部１０の厚さを均一にすることが可能となり、内部応力の均一な分散が可能となり、内部応力に対する信頼性の向上が可能となる。
【０１６３】
また、紫外線透過性を有する封止基板９を用いることで、封止部１０の紫外線硬化性樹脂を硬化させる際に、基板２の上部（封止基板９の上部）より、紫外線を照射することが可能となり、封止部全体が均一に硬化することが可能となり、内部応力の発生を緩和することが可能となり、内部応力に対する信頼性の向上が可能となる。
【０１６４】
これに対して、基板２の下部より紫外線を照射するとｉｉ）ＴＦＴで既に述べたように、光を透過しない金属で構成されたゲート電極やソース電極の影ができてしまい、その影にはし紫外線が照射されず、樹脂の硬化が開始されない。そのため樹脂の均一な硬化ができず、内部応力の発生の原因となる。更には、発光部の高分子有機エレクトロルミネッセンス材料にも紫外線が照射され、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料の劣化が生じてしまう。
【０１６５】
一方、封止基板９の上部から紫外線を照射した場合、発光部は金属層である陰極７に覆われているため、発光部の高分子有機エレクトロルミネッセンス材料には劣化を引き起こす紫外線は照射されず、紫外線からのダメージを受けない。
【０１６６】
封止部１０に吸水性を有する無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）を含有することで封止性能を大幅に向上することが可能となる。この無機多孔質材料は、予め３００℃以上で数時間、加熱炉で加熱され完全に吸着物を脱離したうえで、紫外線硬化性樹脂に含有される。また、加熱後の冷却の際も大気、特に水分に触れることなく冷却されなければならない。また、紫外線硬化性樹脂も大気、特に水分に触れることのない環境になければならない。紫外線硬化性樹脂へ吸着物の脱離を終えた無機多孔質材料を含有する際も大気、水分に触れることなく行なわなければならない。例えば、窒素やアルゴンにて置換されたボックス内で行なうのが望ましい。更には封止部を形成する全工程を窒素やアルゴンにて置換されたボックス内で行なうのが望ましい。いわゆる不活性環境下にて行なうのが望ましい。
【０１６７】
無機多孔質材料を加えることによって、樹脂内部を通り抜けてきた微量の水分が無機多孔質材料の表面に形成された微細孔にファンデルワールス力により物理的に吸着され、発光部に到達する前に捕獲される。更には樹脂からの脱ガス成分も吸着することから高分子有機エレクトロルミネッセンスへのダメージを抑えることが可能となる。
【０１６８】
この無機多孔質材料は、結晶性のゼオライトが良く、例えば合成ゼオライトから構成されるモレキュラーシーブスなどが良く、（数１）で示される構造であり、金属カチオンであるＭがカリウムイオン、ナトリウムイオン、カルシウムイオンとなるよう構成したものがよい。そのなかでもカルシウムイオンとしたほうが封止性能を向上させる。これは、結晶格子中の金属カチオンの静電引力による吸着とファンデルワールス力の物理吸着とが相まって吸着性を強めることで、更に吸水能力を向上することが可能となり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【０１６９】
また、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の微細孔の空孔径の大きさが２．８〜４．２オングストロームとなるよう構成したものがよく、なかでも空孔径の大きさが４．２オングストロームとなるよう構成したものがより封止性能を向上させる。
【０１７０】
また、微細孔の有効直径が３〜５オングストロームとなるよう構成したものがよく、なかでも微細孔の有効直径が５オングストロームとなるよう構成したものがより封止性能を向上させる。これは、ダークスポット、シュリンキングの原因となる、分子の大きさが３．４６オングストロームの酸素分子や、分子の大きさが３．８オングストロームの水分子のみを選択的にかつ効果的に無機多孔質材料の微細孔に物理的に吸着することが可能となることで、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【０１７１】
また、化学的吸着で知られる酸化カルシウム、五酸化二リンを吸水材料として用いた場合、封止内部を通りぬけてきた微量の水分との化学反応により吸水作用を起こす。これらの物質は水分との化学反応に伴い発熱し、潮解を生じてしまい、高分子有機エレクトロルミネッセンス素子にダメージを与えてしまう。また、封止部の紫外線硬化性樹脂との化学反応を起こし、封止部へのダメージを与えてしまう。
【０１７２】
一方、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の吸水の場合、化学的吸着とは異なり、酸素分子や水分子は微細孔にファンデルワールス力により物理的に吸着されることから、発熱を伴う化学反応は起らず、紫外線硬化性樹脂との反応も起らないことから、封止部へのダメージを与えないことから封止部の劣化のない封止が可能となる。
【０１７３】
物理吸着により吸水をするモレキュラーシーブスの細孔径の大きなものもあるが、例えば１０オングストロームのものは、その細孔径がダークスポット、シュリンキングの原因となる、分子の大きさが３．４６オングストロームの酸素分子や、分子の大きさが３．８オングストロームの水分子よりも大きいため、ダークスポット、シュリンキングの原因とはならない物質までも吸着してしまうため、封止部へ含有したところで、封止性能を大幅に向上するまでの吸水効果は確認されなかった。
【０１７４】
物理吸着により吸水をするシリカゲルや活性炭等はその孔径が５０〜１０００オングストロームと大きいことから、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）と比較して低温域で吸着物の脱離が起ってしまい。最終的に封止性能の向上につながらない。
【０１７５】
一方、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の場合、高温域でも吸着物の脱離が起らず、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【０１７６】
更に、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）はシリカゲルや活性炭等の様に吸着性能の湿度依存性が無く、低湿度域でも十分な吸着能力を保持できる。封止部はそもそも樹脂で埋め尽くされ、相対湿度が低い状態であることから、低湿度状態で吸着能力を維持できる無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）のほうが信頼性の高い封止が可能となる。
【０１７７】
また、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の粒子の平均直径が３〜１０マイクロメートルとなるよう構成するとよい。これによって陰極７と封止部１０の接着の際に、粒子が陰極７を破壊することで生じるダークスポットの発生を低減することができる。
【０１７８】
無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の粒子が大きいと、陰極７と封止部１０の接着の際に粒子の押圧によって陰極７表面を押し込み、陰極７に凹凸が生じてしまう。この陰極７の凸部は、凹部に比べて相対的に高分子有機エレクトロルミネッセンス材料の膜が薄くなり、発光部に電流を印加した際、凸部に電流集中が起こり、その部分のみ発光強度が強くなり、発光の均一性を欠いてしまう。いわゆる発光輝点ができてしまう。
【０１７９】
また、その部分のみ明るく発光しているため、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料が局所的に劣化してしまう。更には粒子の押圧により陰極７の凸部が高分子有機エレクトロルミネッセンス材料の膜を突き破ってしまうことで、電極間の短絡が生じることもある。
【０１８０】
粒子の平均直径を揃え、かつ小さくすることで、上述した発光輝点の防止、発光の均一性の向上、局所劣化の防止、電極間の短絡防止につながり、結果的に長期に渡って安定な発光装置が可能となる。
【０１８１】
また、これらの無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の添加量も重要なファクターである。本発明に用いられる紫外線硬化性樹脂において、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の含有量を１０重量パーセント以上、５０重量パーセント以下とすることで、封止部１０の透湿性を顕著に低下させることが可能である。更には３０重量パーセント以上、４０重量パーセント以下が望ましい。
【０１８２】
無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の添加量を１０重量パーセント以上にすることで、吸水物質の絶対量を確保することが可能となり、封止性能を向上することが可能となる。
一方、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の添加量を１０重量パーセント以下とすると、吸水物質の絶対量が少なく、封止部を通過してくる水分の全てを吸着することができず、ダークスポット、シュリンキングの成長を早めてしまう。
【０１８３】
また、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の添加量を５０重量パーセント以下にすることで、樹脂を基板上へ接着する際の粘性の確保が可能となり、基板への濡れ性、樹脂内に含まれる気体の脱泡し易さが向上することによって、接着面積の向上による接着強度の向上が可能となる。
【０１８４】
また、封止部を構成する樹脂のハンドリング性の向上が可能となり、大掛かりな装置を必要としない簡便な封止が可能となる。
【０１８５】
一方、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の添加量を５０重量パーセント以上とすると、樹脂の粘性が極端に上がってしまい、陰極７上への塗布が困難になってしまう。このことから無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の含有量を１０重量パーセント以上、５０重量パーセント以下とすることがよく。更には３０重量パーセント以上、４０重量パーセント以下が望ましい。
【０１８６】
更に、樹脂の透湿性を改善するために樹脂自体に無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）と無機物の充填剤（フィラー）の両方を加えてもよい。劈開性を有する無機物の充填剤を加えることによって、樹脂内部を透過する水分やガス等の浸入経路を長くすることができる。更に、浸入経路が非常に長くなったため、酸素分子や水分子が無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）に吸着される機会が多くなり、封止性能を大幅に向上することが可能となる。
【０１８７】
また、樹脂からの脱ガスにより高分子有機エレクトロルミネッセンス素子へのダメージを極力抑えるため、溶媒や反応開始剤といったものは少ないほうが望ましい。
【０１８８】
この無機物の充填剤は、例えば板状無機充填剤、鱗片状無機充填剤とすることが望ましい。板状無機充填剤、鱗片状無機充填剤とはその殆どの場合において劈開性を有する無機充填剤である。劈開とは結晶がある決まった方向に容易に割れるかあるいははがれて平滑な面（劈開面）が現れることをいう。つまり結果的に劈開性を有していれば充填剤の個々の粒子は板状か鱗片状となる。このような無機充填剤の例としてはタルク、マイカ、雲母などがあるが、形状の要件さえ満たせばガラスフレークでもよく、特に限定されるものではない。
【０１８９】
また、これらの無機充填剤の添加量も重要なファクターである。本発明に用いられる紫外線硬化性樹脂において、無機多孔質材料の添加量を板状無機充填剤または鱗片状無機充填剤からなる無機充填剤の添加量より多くすることで、酸素分子や水分子が無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）に吸着される機会が更に多くなり、封止部１０の透湿性を顕著に低下させることが可能である。
【０１９０】
封止部１０に必要とされる厚みについて封止部１０の厚さを３０マイクロメートル以上にすることで、紫外線硬化性樹脂の硬化時に生じる硬化収縮での応力の緩和が可能となり、結果的に封止部の接着強度を向上することが可能となる。
【０１９１】
更に、封止部１０に含有される無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の絶対量を確保することが可能となり、封止性能を向上することが可能となる。一方、封止部１０の厚さが３０マイクロメートル以下になると硬化収縮での応力を吸収できず、封止部の剥離の原因となってしまう。
【０１９２】
封止部１０の厚さを２５０マイクロメートル以下にすることで、封止部１０の断面積を小さくし、封止部１０に浸入する水分やガス等の浸入口を小さくすることが可能となり、封止性能を向上することが可能となる。
【０１９３】
一方、封止部１０の厚さを２５０マイクロメートル以上にすることで、水分やガス等の浸入口が大きくなり、含有する無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）の吸水能力では足りなくなり、水分が高分子有機エレクトロルミネッセンス素子へ到達してしまう。更に透湿性を顕著に低下させることで封止性能の向上を図るには封止部１０の厚さを５０マイクロメートル以上、１００マイクロメートル以下にするのが望ましい。
【０１９４】
封止部１０を構成する紫外線硬化性樹脂は、上述したように不活性環境下にて、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）と無機充填材料とを含有したのち、ディスペンサーを用いて発光素子基板７０上に形成された陰極７の上面に紫外線硬化性樹脂が塗布されるが、ディスペンサーの塗布速度と圧力によって供給量を調整することができる。
【０１９５】
本発明では紫外線硬化性樹脂を陰極７に塗布した後、その上部から封止基板９を紫外線硬化性樹脂に接着する際に所定の熱処理を加える工程を有している。所定の熱処理を加えることによって、無機多孔質材料（結晶性ゼオライト）と無機充填材料とを含有することで、粘性の高くなった紫外線硬化性樹脂の粘性を十分に下げることができ、粘性を下げることで接着時の応力の緩和が可能となり、封止部の接着強度の向上が可能となる。
【０１９６】
また、基板２上に形成された配線等の凹凸までにも十分に接着することができる。そのため封止部１０の基板２における接着面積が大きくなり、接着強度の向上が可能となる。
【０１９７】
また、また粘性を下げることで樹脂に含有される無機多孔質材料や無機充填材料による陰極７への押圧を低減することが可能となり、発光輝点の防止、発光の均一性の向上、局所劣化の防止、電極間の短絡防止につながり、結果的に長期に渡って安定な発光装置が可能となる。
【０１９８】
更には、粘性を下げることで、樹脂内に含まれる気体の脱泡し易くなるが樹脂の厚さの均一性が保たれる。その結果、内部応力の緩和が可能となる。また樹脂内に含まれていた気体が無くなることから接着面積が大きくなり接着強度の向上が可能となる。また、粘性が十分に下げられることで、ハンドリング性が向上し、大掛かりな装置を必要としない簡便な工程で封止を行なうことが可能となる。また、ハンドリング性の向上として、紫外線硬化性樹脂を陰極７に塗布する前に、予めディスペンサー等の塗布装置を加熱しておいてもよい。
【０１９９】
さて、本発明では所定の熱処理としての加熱温度を、ｉｖ）発光層で説明したように高分子有機エレクトロルミネッセンス材料によって構成された発光層６に対するベイク温度は１３０℃よりも低い温度に管理してある。具体的には６０℃〜８０℃に設定するのが望ましい。
【０２００】
これによって、封止部１０を構成する樹脂の粘性を下げると同時に封止工程での熱処理による高分子有機エレクトロルミネッセンス材料へのダメージを低減することが可能となり、封止の性能と有機エレクトロルミネッセンス素子の性能を長期に安定させることが可能となる。
【０２０１】
ｉｖ）発光層で説明したように、高分子有機エレクトロルミネッセンス材料は、低分子有機エレクトロルミネッセンス材料と比較して遥かに耐熱温度が高い。通常、有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光層６を低分子材料で構成した場合、８０℃といった加熱環境下で封止部１０を加熱処理すると、発光層６を構成する低分子材料が結晶化し、発光機能が喪失されてしまう。
【０２０２】
更に、一旦結晶化すると温度を下げても分子状態が復元することはない。これに対し、既に説明した高分子材料を用いた場合は、このような加熱環境下においても分子状態は変化せず発光機能は維持される。従って、発光層６を高分子有機エレクトロルミネッセンス材料で構成した場合は、封止部１０を形成する工程において加熱処理が可能となる。
【０２０３】
また、紫外線硬化性樹脂の変わりに熱硬化性樹脂を使用すると、この樹脂の粘性を下げる目的であるはずの加熱処理によって樹脂の硬化が開始されることで、樹脂の十分な粘性の低下が得られず、結果として安定な封止工程が難しくなる。また、６０℃〜８０℃では硬化しない熱硬化性樹脂を使用すると、粘性の低下は得られるが、硬化温度が高くなり、結果として加熱による高分子有機エレクトロルミネッセンス材料へのダメージを与えてしまう。
【０２０４】
ｖｉｉ）封止部外周部分
図２は本発明の実施例１の発光素子基板における封止部の外周部分の構成を示す断面図である。
【０２０５】
以降、図２を用いて封止部１０の外周部分の構成を詳細に説明する。
【０２０６】
図２において、矢印Ｐは発光素子基板７０を構成する構造物（即ち基板２、ベースコート層１０１、ゲート絶縁層１０３、中間層１０５、ＴＦＴ保護層１０８、画素規制部８、発光層６、陰極７、封止基板９、封止部１０）が図１の矢印Ｐから引き続き形成されていることを示し、矢印Ｑについても同様である。
【０２０７】
但し、矢印Ｐや矢印Ｑの位置で図１と図２が直ちに連結するものではなく、図示しない若干の空間を介して連結されている。また矢印Ｑの場合は、図２を紙面の左右方向に反転させた構造が図１の矢印Ｑの位置から引き続き形成されていることを示している。
【０２０８】
図２に図示するように、本発明は、封止部１０を挟んで陰極７に対向する封止基板９は陰極７より広い範囲を覆い、封止基板９の面積が陰極７よりも大きく、封止部１０よりも小さく構成したものであって、封止部１０の外周部分をＴＦＴ保護層１０８に接着するように構成している。
【０２０９】
これによって、封止基板９を封止部１０に接着した際に、紫外線硬化性樹脂が封止基板９の側面にも回りこむように接着され、その結果、封止基板９が樹脂に埋もれる形状になるよう構成され、封止基板９と封止部１０との接着面の数が増加し、封止部１０と封止基板９との接着強度を向上させることから、封止性能のみならず外力に対する信頼性を向上させることが可能となる。
【０２１０】
更に、封止基板９を封止部の上部から接着させることで、封止部１０の厚さを均一にすることが可能となり、内部応力の均一な分散が可能となり、内部応力に対する信頼性の向上が可能となる。
【０２１１】
ｉｖ）発光層で説明したベイク工程の後に、真空蒸着法によって少なくとも発光部ＬＳ（図１参照）の全面を覆うように陰極７が形成される。陰極７を形成する範囲は真空蒸着におけるマスクによって比較的高い自由度をもって調整することができる。
【０２１２】
陰極７を形成した後にｖｉ）封止部で説明した工程によって封止部１０が形成される。このとき封止部１０の外周部ＰＯはＴＦＴ保護層１０８と接着されている。ＴＦＴ保護層１０８は酸化シリコンなどの極めて緻密な材料で構成されるとともに、かつ十分厚く形成することができるため、ＴＦＴ保護層１０８の表面はその下部の構造物による凹凸の影響を受けず極めて平滑度が高くなる。これによってＴＦＴ保護層１０８の上に形成された封止部１０はＴＦＴ保護層１０８に安定に接着される。
【０２１３】
さて、このようにＴＦＴ保護層１０８と封止部１０が強固に接着し、内部の有機エレクトロルミネッセンス素子１を密封状態にしたとしても、極めて微量の水分が有機エレクトロルミネッセンス素子１まで侵入することがある。これを極力抑え、発光素子基板７０の長期にわたる信頼性を確保するためには、拭き取られた（拭き取り工程についてはｉｖ）発光層の記述を参照）発光層６の端部と封止部１０の最外周の距離Ｌｆ（封止しろ）をなるべく長く確保することが必要となる。封止しろＬｆとしては少なくとも０．５ミリメートル以上は必要であり２ミリメートルあれば十分な封止性能を確保することができる。
【０２１４】
通常、発光素子基板７０を構成するＴＦＴ１０２（図１参照）に係る構造においては、ＴＦＴ保護層１０８の周辺部にＴＦＴ１０２を駆動するため制御信号を入力するインタフェースを構成する。具体的にはＴＦＴ保護層１０８の周辺部に外部回路とコンタクトするためのコンタクトホール（図示せず）を形成するが、コンタクトホール及びコンタクトホールに接続された外部配線（図示せず）には凹凸が存在するが、ｖｉ）封止部でも述べたように、紫外線硬化性樹脂の粘性を下げることによって、その凹凸も十分にカバーでき、逆に接着面積の増大につながる。また強固な封止を保つための封止しろＬｆも十分に確保できる。
【０２１５】
図３は本発明の実施例１の発光素子基板において封止部を外部回路とのコンタクトホール及び外部配線の領域まで拡大した場合の断面図である。
【０２１６】
以降、図３を用いて封止部１０を外部回路とのコンタクトホール及び外部配線の領域まで拡大した場合の構成について説明する。尚、図３においては図２に記載した発光層６や陰極７は図示していないが、これは発光層６の端部と封止部１０の最外周の距離を示す封止しろＬｆが十分大きく、図３に図示する領域には発光層６や陰極７が存在しないためである。
【０２１７】
図３において、１１９はゲート絶縁層１０３上に設けられた配線パターンである。１１０はＴＦＴ保護層１０８に開口として設けられ外部回路（図示せず）との接続を図るコンタクトホールであり、１２０はコンタクトホール１１０に接続され配線パターン１１９と外部回路（図示せず）とを結ぶ外部配線である。図３においてコンタクトホール１１０及び外部配線１２０はそれぞれ一つのみを示しているが、実際の発光素子基板７０ではこれらは紙面と垂直な方向に複数設けられている。従って、ＴＦＴ保護層１０８の表面には、外部配線１２０の有無による凹凸が存在している。
【０２１８】
実施例１では発光素子基板７０に少なくとも発光部ＬＳ（図１参照）の駆動に係る制御信号を入力する配線部（外部配線１２０）を有し、この外部配線１２０を覆うように、封止部１０を接着するように構成している。
【０２１９】
ＴＦＴ保護層１０８の上に形成された外部配線１２０はＩＴＯをベースとし、その上に配線抵抗を低減するために、例えばモリブデンなどの金属層を設けた多層構造を有しており、例えばスパッタ法などによって形成することができる。このようにして形成される外部配線の厚みは１５０〜２００ナノメートル程度である。
【０２２０】
高々２００ナノメートル程度の厚みしかない外部配線１２０が形成する凹凸は封止部１０によって完全に埋められ、結果的にコンタクトホール１１０及び外部配線１２０によってできた凹凸は逆に基板２と封止部１０の接着面積を増加させる作用となる。またＴＦＴ保護層１０８の形成にあたってはスパッタ法などの乾式プロセスを採用しているため、ＴＦＴ保護層１０８を構成する金属酸化物や金属窒化物は極めて密に埋まり、水分やガスに対する透過性を生じることはない。
【０２２１】
実施例１ではこのようにして形成されたＴＦＴ保護層１０８の上に、少なくとも封止部１０の外周部を接着するようにしたことから、封止部１０はＴＦＴ保護層１０８に極めて安定に接着される。
【０２２２】
ｖｉｉｉ）発光素子基板の全体構成
図４（ａ）は本発明の実施例１の発光素子基板の上面図であり、図４（ｂ）は本発明の実施例１の発光素子基板の要部拡大図である。以降、図４を用いて実施例１における発光素子基板７０の構成について詳細に説明する。
【０２２３】
図４において発光素子基板７０は厚みが約０．７ミリメートルの、少なくとも長辺と短辺を有する長方形形状の基板であり、その長辺方向（主走査方向）には発光素子である複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１が列状に形成されている。有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光部（図示せず）は高分子有機エレクトロルミネッセンス材料から構成されていることは既に述べたとおりである。
【０２２４】
実施例１では発光素子基板７０の長辺方向には少なくともＡ４サイズ（２１０ミリメートル）の露光に必要な発光素子が配置され、発光素子基板７０の長辺方向は後述する駆動制御部７８の配置スペースを含め２５０ミリメートルとしている。また実施例１では簡単のために発光素子基板７０を長方形として説明するが、発光素子基板７０を後に説明する露光装置の筐体Ａ７４ａに取り付ける際の位置決め用などのために、発光素子基板７０の一部に切り欠きを設けるような変形を伴っていてもよい。
【０２２５】
７８は発光素子基板７０の外部から供給される制御信号（有機エレクトロルミネッセンス素子１を駆動するための信号）を受け取り、この制御信号に基づいて有機エレクトロルミネッセンス素子１の駆動を制御する駆動制御部であり、後述するように制御信号を発光素子基板７０の外部から受け取るインタフェース手段（ＦＰＣ８０）とインタフェース手段を介して受け取った制御信号に基づき発光素子の駆動を制御するＩＣチップ（ソースドライバ８１）を含んでいる。
【０２２６】
８０は中継基板７２のコネクタＡ７３ａと発光素子基板７０とを接続するインタフェース手段としてのＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）であり、コネクタなどを介さず発光素子基板７０に設けられた図示しない回路パターンに直接接続されている。既に説明したように露光装置３３に外部から供給された、画像データ、光量補正データ、クロック信号やライン同期信号などの制御信号、制御回路の駆動電源、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子１の駆動電源は、図２に示す中継基板７２を一旦経由した後にＦＰＣ８０を介して発光素子基板７０に供給される。
【０２２７】
実施例１では後述する露光装置の光源としての有機エレクトロルミネッセンス素子１は、発光素子基板７０の長手方向（主走査方向）に６００ｄｐｉの解像度で５１２０個が列状に形成されており、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１はそれぞれ独立に後述のＴＦＴ回路によって点灯／消灯を制御される。
【０２２８】
８１は有機エレクトロルミネッセンス素子１の駆動を制御するＩＣチップとして供給されるソースドライバであり、発光素子基板７０上にフリップチップ実装されている。ガラス面へ表面実装を行うことを考慮しソースドライバ８１はベアチップ品を採用している。ソースドライバ８１には露光装置３３の外部からＦＰＣ８０を介して、電源、クロック信号、ライン同期信号などの制御関連信号及び光量補正データ（例えば８ビットの多値データ）が供給される。ソースドライバ８１は後に詳細に説明するように、有機エレクトロルミネッセンス素子１に対する駆動パラメータ設定手段であり、より具体的にはＦＰＣ８０を介して受け渡された光量補正データに基づき個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１の駆動電流値を設定するためのものである。
【０２２９】
発光素子基板７０においてＦＰＣ８０の接合部とソースドライバ８１は、例えば表面にメタルを形成したＩＴＯの回路パターン（図示せず）を介して接続されており、駆動パラメータ設定手段たるソースドライバ８１にはＦＰＣ８０を介して光量補正データ、クロック信号、ライン同期信号などの制御信号が入力される。このようにインタフェース手段としてのＦＰＣ８０及び駆動パラメータ設定手段としてのソースドライバ８１は駆動制御部７８を構成している。
【０２３０】
１０８は既に説明したＴＦＴ保護層であり、ＴＦＴ保護層１０８の表面下には図示しないＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）回路が形成されている。ＴＦＴ回路はシフトレジスタ、データラッチ部など、発光素子の点灯／消灯のタイミングを制御するゲートコントローラ、及び個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１に駆動電流を供給する駆動回路（以降ピクセル回路と呼称する）とを含んでいる。ピクセル回路は各有機エレクトロルミネッセンス素子１に対して１つずつ設けられ、有機エレクトロルミネッセンス素子１が形成する発光素子列と並列に配置されている。後に詳述するように駆動パラメータ設定手段であるソースドライバ８１によって、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１を駆動するための駆動電流値がピクセル回路に設定される。
【０２３１】
ＴＦＴ回路（図示せず）には露光装置（図示せず）の外部からＦＰＣ８０を介して、電源、クロック信号、ライン同期信号などの制御信号及び画像データ（１ビットの２値データ）が供給され、ＴＦＴ回路（図示せず）はこれらの電源及び信号に基づいて個々の発光素子の点灯／消灯タイミングを制御する。
【０２３２】
ＴＦＴ保護層１０８にはコンタクトホール１１０が形成され、コンタクトホール１１０には外部配線１２０が接続されている。図４では説明を容易にするために、有機エレクトロルミネッセンス素子１、コンタクトホール１１０、外部配線１２０を目視可能に描いているが、これらは封止部１０によって被覆されているため実際は目視することはできない。
【０２３３】
尚、図４に示しているのは、封止部１０がコンタクトホール１１０の全てと外部配線１２０の一部を被覆する構成とした場合であり、図３を用いて説明した構成に相当している。
【０２３４】
実施例１では、図４に示すようにＴＦＴ保護層１０８に開口としてコンタクトホール１１０を設け、ＩＴＯ＋メタルによる外部配線１２０を介してソースドライバ８１と接続するように構成したが、ＴＦＴ保護層１０８をソースドライバ８１の配置領域まで拡張し、ＩＣチップ（ベアチップ）であるソースドライバ８１の信号端子（バンプ部位）に相当する位置にコンタクトホール１１０の開口を設け、ここに直接ソースドライバ８１を接合するように構成してもよい。
【０２３５】
こうすることで、外部配線１２０をＴＦＴ回路を作成する過程で同時に形成することが可能となり、発光素子基板７０の製造工程をシンプルにすることができる。また同様にＦＰＣ８０の接合部とソースドライバ８１の間の配線もＴＦＴ保護層１０８の下に設けることもできる。
【０２３６】
７７はアモルファスシリコンなどで構成される複数の光量センサを発光素子基板７０に沿って主走査方向に配置した光量センサユニットである。光量センサユニット７７によって個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光光量が計測される。光量センサユニット７７の出力は図示しない配線によって一旦ＴＦＴ回路（図示せず）に取り込まれ増幅、アナログ−ディジタル変換などの信号処理を経た後、ＦＰＣ８０を介して発光素子基板７０の外部に出力される。
【０２３７】
この信号は後述のコントローラ６１（図５参照）にて受信・処理されて光量補正データ（例えば８ビット）が生成され、全ての有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光光量が略等しくなるように制御される。
【０２３８】
さて、実施例１では発光素子基板７０において駆動制御部７８を構成するインタフェース手段たるＦＰＣ８０、及び駆動パラメータ設定手段たるソースドライバ８１を、有機エレクトロルミネッセンス素子１が形成する発光素子列の延長線上（ＥＬ＿ｄｉｒ）の位置に設けるようにした。
【０２３９】
このような配置とすると、発光素子基板７０の長辺方向（主走査方向）の任意位置において、駆動制御部７８は発光素子列とオーバーラップしない位置に配置されることとなる。同時にこの構成では、発光素子基板７０の長辺方向（主走査方向）の任意位置において、駆動制御部７８は発光素子列と並列に形成されたＴＦＴ回路（図示せず）ともオーバーラップしない位置に配置されることとなる。
【０２４０】
更に、封止部１０は従来の技術のようにバスタブ状のガラス板などを使用せず、発光素子基板７０の必要な領域のみが封止に供されるため、上述した駆動制御部７８の配置との相乗効果によって発光素子基板７０のサイズ、特に副走査方向のサイズを小さくすることが可能となる。
【０２４１】
一般に、ガラス基板などにＴＦＴ回路を構成した場合は、その製造プロセスの簡素化もさることながら、所定サイズのマザーガラスからの基板取れ数がコストにもっとも影響を与える。従って、発光素子基板７０のサイズを小さくすることで、発光素子基板７０の製造コストを劇的に下げることが可能となる。
【０２４２】
ｉｘ）有機エレクトロルミネッセンス素子の点灯制御と発光素子基板のサイズ
図５は本発明の実施例１の発光素子基板に係る回路図である。以降、図５を用いてＴＦＴ回路及びソースドライバ８１による点灯制御についてより詳細に説明する。
【０２４３】
図５において８２は発光素子基板７０上に構成されたＴＦＴ回路である。６１は画像形成装置に組み込まれたコントローラであり、図示しないコンピュータなどからの画像データを受信しプリント可能な画像データを生成するとともに、上述したように発光素子基板７０に配置された光量センサユニット７７（図４参照）の出力に基づいて光量補正データを生成する。
【０２４４】
８５はイメージメモリであり、図示しないコンピュータなどから転送されたコマンドに基づきコントローラ６１によって生成された２値の画像データが格納されている。８６は光量補正データを格納した光量補正データメモリである。光量補正データメモリ８６は例えばＥＥＰＲＯＭなどの書き換え可能な不揮発性メモリである。露光装置３３の製造工程には、個々の露光装置３３に対して全ての有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光光量及び発光輝度分布を計測し、これらの計測結果に基づいて各有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光光量を略等しくするための光量補正データを生成する工程が含まれており、光量補正データメモリ８６には、この光量補正データの値が格納されている。
【０２４５】
コントローラ６１は、この光量補正データを上述した光量センサユニット７７（図４参照）の出力に基づいて新たに生成した光量補正データに更新することができる。
【０２４６】
８７はタイミング生成部であり、発光素子基板７０に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子１を駆動するためのタイミングに係る制御信号を生成する。イメージメモリ８５に格納されている画像データ、及び光量補正データメモリ８６に格納（あるいは図示しない他の高速メモリに事前に複製）された光量補正データは、タイミング生成部８７が生成するクロック信号、ライン同期信号などに基づいて、後に図６に基づき説明するケーブル７６、コネクタＢ７３ｂ、中継基板７２、コネクタＡ７３ａ、ＦＰＣ８０を介して発光素子基板７０に供給される。
【０２４７】
更に、発光素子基板７０に供給された画像データとタイミング信号は、発光素子基板７０上に形成された例えばＩＴＯ上にメタル層を形成した配線によってＴＦＴ回路８２に供給されると共に、光量補正データとタイミング信号も同様にソースドライバ８１に供給される。
【０２４８】
さて、ＴＦＴ回路８２はピクセル回路８９とゲートコントローラ８８とに大別されている。ピクセル回路８９は個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１に対して一つずつ設けられており、有機エレクトロルミネッセンス素子１のＭ画素分を一つのグループとして、発光素子基板７０上にＮグループ設けられている。実施例１においては一つのグループを８画素（即ちＭ＝８）とし、このグループを６４０個としている。従って、全画素数は、８×６４０＝５１２０画素となる。
【０２４９】
各ピクセル回路８９は有機エレクトロルミネッセンス素子１に電流を供給して駆動するドライバ部９０と、有機エレクトロルミネッセンス素子１を点灯制御するにあたってドライバが供給する電流値（即ち有機エレクトロルミネッセンス素子１の駆動電流値）を内部に含むコンデンサに記憶させる、いわゆる電流プログラム部９１を有しており、予め所定のタイミングでプログラムされた駆動電流値に従って有機エレクトロルミネッセンス素子１を定電流駆動することができる。
【０２５０】
ゲートコントローラ８８は入力された２値の画像データを順次シフトするシフトレジスタと、シフトレジスタと並列に設けられシフトレジスタに所定の画素数の入力が完了した後にこれらを一括して保持するラッチ部と、これらの動作タイミングを制御する制御部からなる（共に図示せず）。更にゲートコントローラ８８はＳＣＡＮ＿Ａ及びＳＣＡＮ＿Ｂ信号を出力し、これによってピクセル回路８９に接続された有機エレクトロルミネッセンス素子１の点灯／消灯を行う期間及び、駆動電流を設定する電流プログラム期間のタイミングを制御する。
【０２５１】
一方、ソースドライバ８１は内部に有機エレクトロルミネッセンス素子１のグループ数Ｎに相当する数（実施例１では６４０個）のＤ／Ａコンバータ９２を有しており、ソースドライバ８１はＦＰＣ８０を介して供給された光量補正データ（例えば８ビット）に基づいて、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１に対する駆動電流を設定することで各有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光輝度が略等しくなるように制御する。
【０２５２】
次に、発光素子基板７０のサイズについて、図５に図４、図２を併用して説明する。発光素子基板７０を搭載した露光装置において、主走査方向に６００ｄｐｉの解像度にてＡ４サイズ（約２１０ミリメートル）の露光範囲を得ようとすると、既に述べたように５１２０個の有機ＥＬ素子６３が必要となるが、これらの画素を駆動するためのＴＦＴ回路８２の規模は、本発明者等の検討によれば約５０万ゲートである。これを４．５マイクロメートルのプロセスルールで形成すると、ゲートコントローラ８８に含まれるシフトレジスタ、ラッチ部、その他の制御系の回路は約１０００マイクロメートル、ピクセル回路８９は２００マイクロメートルの幅となり、これだけの長さを副走査方向に必要とする。
【０２５３】
ソースドライバ８１からピクセル回路８９への配線は、例えばＴＦＴ回路８２が形成された中間層１０５（図１参照）における引き回しを多層化することで１５００マイクロメートルに抑えることが可能であり、これらを合計すると副走査方向のＴＦＴ回路の幅は２７００マイクロメートル程度にすることができる。即ち、ＴＦＴ回路８２は図４において有機エレクトロルミネッセンス素子１からコンタクトホール１１０の方向に２７００マイクロメートルの幅をもって形成される。
【０２５４】
図２を用いて説明したように実施例１の発光素子基板７０においては、封止しろＬｆは２０００マイクロメートルで十分な封止性能を発揮する。従って、図４に示すように有機エレクトロルミネッセンス素子１から光量センサユニット７７の方向における封止しろＬｆも２０００マイクロメートルとすると、ＴＦＴ回路８２と封止しろＬｆのいずれかが存在する副走査方向の幅は４７００マイクロメートル程度となる。これに図４に示す外部配線１２０の領域などを加味すると、発光素子基板７０の副走査方向のサイズは約５ミリメートル程度で実現できる。
【０２５５】
一方、ソースドライバ８１の副走査方向の幅は、６４０個のＤ／Ａコンバータ７２を搭載した場合には３０００マイクロメートル程度に抑えることができる（主走査方向の幅は１６０００マイクロメートル程度となる）。既に述べたように、ソースドライバ８１は発光素子基板７０において発光素子列の延長線上の位置に実装されるため、ソースドライバ８１の幅が発光素子基板７０の副走査方向のサイズに制約を与えることはない。
【０２５６】
以上より、実施例１の発光素子基板７０は副走査方向のサイズが非常に小さなものとなり、後に述べるように露光装置のサイズが小さくなり、更に画像形成装置のサイズを小さくすることが可能となる。
【０２５７】
ｘ）露光装置
図６は本発明の実施例１における発光素子基板を搭載した露光装置の構成図である。以降露光装置の構造について図６を用いて詳細に説明する。
【０２５８】
図６において、３３は画像形成装置に搭載された露光装置であり、既に説明した発光素子基板７０が搭載されている。発光素子基板７０には発光素子、即ち露光光源として有機エレクトロルミネッセンス素子１（図１参照）が図面と垂直な方向（主走査方向）に６００ｄｐｉ（ｄｏｔ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）の解像度で形成されている。
【０２５９】
７１はプラスティックまたはガラスで構成される棒レンズ（図示せず）を列状に配置したレンズアレイであり、発光素子基板７０上に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子１の出射光を正立等倍の像として、潜像が形成される感光体２８の表面に導く。レンズアレイ７１の一方の焦点は発光素子基板７０を構成する基板２の面Ａであり、もう一方の焦点は感光体２８の表面となるように発光素子基板７０、レンズアレイ７１、感光体２８の位置関係が調整されている。即ち、基板２の面Ａからレンズアレイ７１の近い方の面までの距離Ｌ１と、レンズアレイ７１の他方の面と感光体２８の表面までの距離Ｌ２とするとき、Ｌ１＝Ｌ２となるように設定される。
【０２６０】
７２は、例えばガラスエポキシ基板を用いた中継基板である。７３ａはコネクタＡ、７３ｂはコネクタＢであり、中継基板７２には少なくともコネクタＡ７３ａ及びコネクタＢ  ７３ｂが実装されている。中継基板７２は例えばフレキシブルフラットケーブルなどのケーブル７６によって露光装置３３に外部から供給される画像データや光量補正データ、及びその他の制御信号をコネクタＢ７３ｂを介して一旦中継し、これらの信号を発光素子基板７０に渡す。
【０２６１】
発光素子基板７０を構成する基板２の表面にコネクタを直接実装することは、接合強度や露光装置３３が置かれる多様な環境における信頼性を考慮すると困難であるため、実施例１では中継基板７２のコネクタＡ７３ａと発光素子基板７０との接続手段としてＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）を採用し（図示せず）、発光素子基板７０とＦＰＣの接合は例えばＡＣＦ（異方性導電フィルム）を用いて、予め発光素子基板７０上に形成された、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）電極に直接接続する構成としている。
【０２６２】
一方、コネクタＢ７３ｂは、露光装置３３を外部と接続するためのコネクタである。一般的にＡＣＦなどによる接続は接合強度が問題となる場合が多いが、このように中継基板７２上にユーザが露光装置３３を接続するためのコネクタＢ７３ｂを設けることで、ユーザが直接アクセスするインタフェースに十分な強度を確保することができる。
【０２６３】
７４ａは筐体であり、金属板を例えば折り曲げ加工により成型したものである。筐体７４ａの感光体２８に対向する側にはＬ字状部位７５が形成されており、Ｌ字状部位７５に沿って発光素子基板７０及びレンズアレイ７１が配設されている。筐体７４ａの感光体２８側の端面とレンズアレイ７１の端面を同一面に合わせ、更に筐体７４ａによって発光素子基板７０の一端部を支持する構造とすることで、Ｌ字状部位７５の成型精度を確保すれば、発光素子基板７０とレンズアレイ７１の成す位置関係を精度よく合わせ込むことが可能となる。
【０２６４】
このように筐体７４ａは寸法精度を要求されるため、金属にて構成することが望ましい。また筐体７４ａを金属製とすることで、発光素子基板７０に形成されたＴＦＴなどを用いた制御回路及び発光素子基板７０上に表面実装されるＩＣチップなどの電子部品へのノイズの影響を抑制することが可能である。
【０２６５】
７４ｂは樹脂を成型して得られる筐体である。筐体７４ｂのコネクタ７３ｂの近傍には切欠き部（図示せず）が設けられており、ユーザはこの切欠き部からコネクタ７３ｂにアクセスが可能となっている。コネクタ７３ｂに接続されたケーブル７６を介して露光装置３３の外部から露光装置３３に画像データ、光量補正データ、クロック信号やライン同期信号などの制御信号、制御回路の駆動電源、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源などが供給される。
【０２６６】
さて、既にｉｘ）有機エレクトロルミネッセンス素子の点灯制御と発光素子基板のサイズで説明したように、実施例１の発光素子基板７０（図４参照）の副走査方向の幅は５ミリメートル程度とすることができるから、この発光素子基板７０を搭載した露光装置３３の厚みＺは筐体Ａ７４ａ、筐体Ｂ７４ｂの肉厚を１ミリメートル弱とすることで７ミリメートル以下とすることができる。
【０２６７】
ｘｉ）画像形成装置の構成
図７は本発明の実施例１の発光素子基板を応用した露光装置を搭載した画像形成装置の構成図である。
【０２６８】
図７において、画像形成装置２１は装置内にイエロー現像ステーション２２Ｙ、マゼンタ現像ステーション２２Ｍ、シアン現像ステーション２２Ｃ、ブラック現像ステーション２２Ｋの４色分の現像ステーションを縦方向に階段状に配列し、その上方には記録紙２３が収容される給紙トレイ２４を配置すると共に、各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋに対応した箇所には給紙トレイ２４から供給された記録紙２３の搬送路となる記録紙搬送路２５を上方から下方の縦方向に配置したものである。
【０２６９】
現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋは、記録紙搬送路２５の上流側から順に、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのトナー像を形成するものであり、イエロー現像ステーション２２Ｙは感光体２８Ｙ、マゼンタ現像ステーション２２Ｍには感光体２８Ｍ、シアン現像ステーション２２Ｃには感光体２８Ｃ、ブラック現像ステーション２２Ｋには感光体２８Ｋが含まれ、更に各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋには図示しない現像スリーブ、帯電器など、一連の電子写真方式における現像プロセスを実現する部材が含まれている。
【０２７０】
更に、各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋの下部には感光体２８Ｙ〜２８Ｋの表面を露光して静電潜像を形成するための露光装置３３Ｙ、３３Ｍ、３３Ｃ、３３Ｋが配置されている。
【０２７１】
さて、現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋは充填された現像剤の色が異なっているが、構成は現像色に関わらず同一であるため、以降の説明を簡単にするため特に必要がある場合を除いて、現像ステーション２２、感光体２８、露光装置３３のごとく特定の色を明示せずに説明する。
【０２７２】
図８は本発明の実施例１の画像形成装置における現像ステーションの周辺を示す構成図である。図８において現像ステーション２２の内部にはキャリアとトナーを混合物である現像剤２６が充填されている。２７ａ、２７ｂは現像剤２６を攪拌する攪拌パドルであり、攪拌パドル２７ａと２７ｂの回転によって現像剤２６中のトナーはキャリアとの摩擦によって所定の電位に帯電されると共に、現像ステーション２２の内部を巡回することでトナーとキャリアが十分に攪拌混合される。感光体２８は図示しない駆動源によって方向Ｄ３に回転する。
【０２７３】
２９は帯電器であり、感光体２８の表面を所定の電位に帯電する。３０は現像スリーブ、３１は薄層化ブレードである。現像スリーブ３０は内部に複数の磁極が形成されたマグネットロール３２を有している。薄層化ブレード３１によって現像スリーブ３０の表面に供給される現像剤２６の層厚が規制されると共に、現像スリーブ３０は図示しない駆動源によって方向Ｄ４に回転し、この回転及びマグネットロール３２の磁極の作用によって現像剤２６は現像スリーブ３０の表面に供給され、後述する露光装置によって感光体２８に形成された静電潜像を現像するとともに、感光体２８に転写されなかった現像剤２６は現像ステーション２２の内部に回収される。
【０２７４】
３３は既に説明した露光装置である。既に述べたように、露光装置３３に搭載された発光素子基板７０（図４参照）は優れた封止性能を有し、長期に亘って安定に潜像を形成できるため、露光装置としての製品寿命が長く、更に所望の形状の静電潜像を長期にわたって得られるために常に高画質の画像を形成することができる。
【０２７５】
さて、実施例１における露光装置３３は既に述べたように有機エレクトロルミネッセンス素子１を６００ｄｐｉ（ｄｏｔ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）の解像度で直線状に配置したものであり、帯電器２９によって所定の電位に帯電した感光体２８に対し、画像データに応じて選択的に有機エレクトロルミネッセンス素子をＯＮ／ＯＦＦすることで、最大Ａ４サイズの静電潜像を形成する。この静電潜像部分に現像スリーブ３０の表面に供給された現像剤２６のうちトナーのみが付着し、静電潜像が顕画化される。
【０２７６】
感光体２８に対し、記録紙搬送路２５と対向する位置には転写ローラ３６が設けられており、図示しない駆動源により方向Ｄ５に回転する。転写ローラ３６には所定の転写バイアスが印加されており、感光体２８上に形成されたトナー像を、記録紙搬送路２５を搬送されてきた記録紙２３に転写する。
【０２７７】
以降、図７に戻って説明を続ける。
【０２７８】
これまで説明してきたように、実施例１における画像形成装置２１は複数の現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋを縦方向に階段状に配列したタンデム型のカラー画像形成装置であり、カラーインクジェットプリンタと同等クラスのサイズを目指すものである。現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋは複数のユニットが配置されるため、画像形成装置２１の小型化を図るためには現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋそのものの小型化と共に、現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋの周辺に配置される作像プロセスに関与する部材を小さくし、現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋの配置ピッチを極力小さくする必要がある。
【０２７９】
オフィスなどにおいてデスクトップに画像形成装置２１を設置した際のユーザの使い勝手、特に給紙時や排紙時の記録紙２３へのアクセス性を考慮すると、画像形成装置２１の底面から給紙口６５までの高さは２５０ミリメートル以下にすることが望ましい。これを実現するためには画像形成装置２１の全体の構成の中で現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋ全体の高さを１００ミリメートル程度に抑える必要がある。しかしながら既存の例えばＬＥＤヘッドは厚みが１５ミリメートル程度あり、これを現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋ間に配置すると目標を達成することが困難である。
【０２８０】
本発明者等の検討結果によれば露光装置３３の厚みを７ミリメートル以下とすると、現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋ間の隙間に露光装置３３Ｙ〜３３Ｋを配置しても現像ステーション全体の高さを１００ミリメートル以下に抑えることが可能である。ｘ）露光装置にて説明したように、実施例１の露光装置３３の厚みＺは７ミリメートルを下回るから、現像ステーション全体の高さを１００ミリメートル以下とし、非常に小型の画像形成装置２１を構成することが可能となる。
【０２８１】
３７はトナーボトルであり、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのトナーが格納されている。トナーボトル３７から各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋには、図示しないトナー搬送用のパイプが配設され、各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋにトナーを供給している。
【０２８２】
３８は給紙ローラであり、図示しない電磁クラッチを制御することで方向Ｄ１に回転し、給紙トレイ２４に装填された記録紙２３を記録紙搬送路２５に送り出す。
【０２８３】
給紙ローラ３８と最上流のイエロー現像ステーション２２Ｙの転写部位との間に位置する記録紙搬送路２５には、入口側のニップ搬送手段としてレジストローラ３９、ピンチローラ４０対が設けられている。レジストローラ３９、ピンチローラ４０対は、給紙ローラ３８により搬送された記録紙２３を一時的に停止させ、所定のタイミングでイエロー現像ステーション２２Ｙの方向に搬送する。この一時停止によって記録紙２３の先端がレジストローラ３９、ピンチローラ４０対の軸方向と平行に規制され、記録紙２３の斜行を防止する。
【０２８４】
４１は記録紙通過検出センサである。記録紙通過検出センサ４１は反射型センサ（フォトリフレクタ）によって構成され、反射光の有無で記録紙２３の先端及び後端を検出する。
【０２８５】
さて、レジストローラ３９の回転を開始すると（図示しない電磁クラッチによって動力伝達を制御し、回転ＯＮ／ＯＦＦを行う）記録紙２３は記録紙搬送路２５に沿ってイエロー現像ステーション２２Ｙの方向に搬送されるが、レジストローラ３９の回転開始のタイミングを起点として、各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋの近傍に配置された露光装置３３Ｙ〜３３Ｋによる静電潜像の書き込みタイミングが独立して制御される。
【０２８６】
最下流のブラック現像ステーション２２Ｋの更に下流側に位置する記録紙搬送路２５には出口側のニップ搬送手段として定着器４３が設けられている。定着器４３は加熱ローラ４４と加圧ローラ４５から構成されている。加熱ローラ４４は表面から近い順に、発熱ベルト、ゴムローラ、芯材（共に図示せず）から構成されている多層構造のローラである。このうち発熱ベルトは更に３層構造を有するベルトであり、表面に近い方から離型層、シリコンゴム層、基材層（共に図示せず）から構成される。離型層は厚み約２０〜３０マイクロメートルのフッ素樹脂からなり、加熱ローラ４４に離型性を付与する。シリコンゴム層は約１７０マイクロメートルのシリコンゴムで構成され、加圧ローラ４５に適度な弾性を与える。基材層は鉄・ニッケル・クロムなどの合金である磁性材料によって構成されている。
【０２８７】
２６は励磁コイルが内包された背面コアである。背面コア４６の内部には表面が絶縁された銅製の線材（図示せず）を所定本数束ねた励磁コイルを加熱ローラ４４の回転軸方向に延伸し、かつ加熱ローラ４４の両端部において、加熱ローラ４４の周方向に沿って周回して形成されている。励磁コイルに半共振型インバータである励磁回路（図示せず）から約３０ｋＨｚの交流電流を印加すると、背面コア４６と加熱ローラ４４の基材層によって構成される磁路に磁束が生じる。この磁束によって加熱ローラ４４の発熱ベルトの基材層に渦電流が形成され基材層が発熱する。基材層で生じた熱はシリコンゴム層を経て離型層まで伝達され、加熱ローラ４４の表面が発熱する。
【０２８８】
４７は加熱ローラ４４の温度を検出するための温度センサである。温度センサ４７は金属酸化物を主原料とし、高温で焼結して得られるセラミック半導体であり、温度に応じて負荷抵抗が変化することを応用して接触した対象物の温度を計測することができる。温度センサ４７の出力は図示しない制御装置に入力され、制御装置は温度センサ４７の出力に基づいて背面コア４６内部の励磁コイルに出力する電力を制御し、加熱ローラ４４の表面温度が約１７０℃となるように制御する。
【０２８９】
この温度制御がなされた加熱ローラ４４と加圧ローラ４５によって形成されるニップ部に、トナー像が形成された記録紙２３が通紙されると、記録紙２３上のトナー像は加熱ローラ４４と加圧ローラ４５によって加熱及び加圧され、トナー像が記録紙２３上に定着される。
【０２９０】
４８は記録紙後端検出センサであり、記録紙２３の排出状況を監視するものである。５２はトナー像検出センサである。トナー像検出センサ５２は発光スペクトルの異なる複数の発光素子（共に可視光）と単一の受光素子を用いた反射型センサユニットであり、記録紙２３の地肌と画像形成部分とで、画像色に応じて吸収スペクトルが異なることを利用して画像濃度を検出するものである。またトナー像検出センサ５２は画像濃度のみならず、画像形成位置も検出できるため、実施例１における画像形成装置２１ではトナー像検出センサ５２を画像形成装置２１の幅方向に２ヶ所設け、記録紙２３上に形成した画像位置ずれ量検出パターンの検出位置に基づき、画像形成タイミングを制御している。
【０２９１】
５３は記録紙搬送ドラムである。記録紙搬送ドラム５３は表面を２００マイクロメートル程度の厚さのゴムで被覆した金属製ローラであり、定着後の記録紙２３は記録紙搬送ドラム５３に沿って方向Ｄ２に搬送される。このとき記録紙２３は記録紙搬送ドラム５３によって冷却されると共に、画像形成面と逆方向に曲げられて搬送される。これによって記録紙全面に高濃度の画像を形成した場合などに発生するカールを大幅に軽減することができる。その後、記録紙２３は蹴り出しローラ５５によって方向Ｄ６に搬送され、排紙トレイ５９に排出される。
【０２９２】
５４はフェイスダウン排紙部である。フェイスダウン排紙部５４は支持部材５６を中心に回動可能に構成され、フェイスダウン排紙部５４を開放状態にすると、記録紙２３は方向Ｄ７に排紙される。このフェイスダウン排紙部５４は閉状態では記録紙搬送ドラム５３と共に記録紙２３の搬送をガイドするように、背面に搬送経路に沿ったリブ５７が形成されている。
【０２９３】
５８は駆動源であり、実施例１ではステッピングモータを採用している。駆動源５８によって、給紙ローラ３８、レジストローラ３９、ピンチローラ４０、感光体（２８Ｙ〜２８Ｋ）、及び転写ローラ（３６Ｙ〜３６Ｋ）を含む各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋの周辺部、定着器４３、記録紙搬送ドラム５３、蹴り出しローラ５５の駆動を行っている。
【０２９４】
６１はコントローラであり、外部のネットワークを介して図示しないコンピュータなどからの画像データを受信し、プリント可能な画像データを展開、生成する。
【０２９５】
６２はエンジン制御部である。エンジン制御部６２は画像形成装置２１のハードウェアやメカニズムを制御し、コントローラ６１から転送された画像データに基づいて記録紙２３にカラー画像を形成すると共に、画像形成装置２１の制御全般を行っている。
【０２９６】
６３は電源部である。電源部６３は、露光装置３３Ｙ〜３３Ｋ、駆動源５８、コントローラ６１、エンジン制御部６２へ所定電圧の電力供給を行なうと共に、定着器４３の加熱ローラ４４への電力供給を行っている。また感光体２８の表面の帯電、現像スリーブ（図８における符号３０を参照）に印加する現像バイアス、転写ローラ３６に印加する転写バイアスなどのいわゆる高圧電源系もこの電源部に含まれている。
【０２９７】
また電源部６３には電源監視部６４が含まれ、少なくともエンジン制御部６２に供給される電源電圧をモニタできるようになっている。このモニタ信号はエンジン制御部６２おいて検出され、電源スイッチのオフや停電などの際に発生する電源電圧の低下を検出している。
【０２９８】
以上の説明においては本発明をカラー画像形成装置に適用した場合について説明したが、例えばブラックなど単色の画像形成装置に適用することもできる。また、カラー画像形成装置に適用した場合、現像色はイエロー、マゼンタ、シアン及びブラックの４色に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【０２９９】
本発明の発光装置及びそれを用いた露光装置ならびに画像形成装置は、簡易な構成にもかかわらず有機エレクトロルミネッセンス素子を外部雰囲気中の水分やガスから確実に保護し、シュリンキングやダークスポットの発生及び拡大を有効に防止することが可能であるから、長期にわたって安定な発光を得ることが必要な種々の装置において利用でき、例えば複写機、マルチファンクションプリンタ、プリンタ、ファクシミリなどに適用が可能である。また有機エレクトロルミネッセンス素子は有機発光材料の選定によってＲｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの三原色を得ることができるから、例えばＲＧＢそれぞれの色にて露光する露光装置を用いれば、印画紙を直接露光するタイプの画像形成装置に適用することもできる。また本発明の発光装置は単に露光装置や画像形成装置のみに応用が可能なものでなく、有機エレクトロルミネッセンス素子などの発光素子が形成され、封止を必要とするあらゆる発光装置、例えばディスプレイなどの表示装置にも適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０３００】
【図１】本発明の実施例１の発光素子基板における有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を示す断面図
【図２】本発明の実施例１の発光素子基板における封止部の外周部分の構成を示す断面図
【図３】本発明の実施例１の発光素子基板において封止部を外部回路とのコンタクトホール及び外部配線の領域まで拡大した場合の断面図
【図４】（ａ）本発明の実施例１の発光素子基板の上面図、（ｂ）本発明の実施例１の発光素子基板の要部拡大図
【図５】本発明の実施例１の発光素子基板に係る回路図
【図６】本発明の実施例１における発光素子基板を搭載した露光装置の構成図
【図７】本発明の実施例１の発光素子基板を応用した露光装置を搭載した画像形成装置の構成図
【図８】本発明の実施例１の画像形成装置における現像ステーションの周辺を示す構成図
【図９】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を示す断面図
【符号の説明】
【０３０１】
１    有機エレクトロルミネッセンス素子
２    基板
３    陽極
６    発光層
７    陰極
８    画素規制部
９    封止基板
１０    封止部
１１    有機エレクトロルミネッセンス素子
１２    ガラス基板
１３    陽極
１４    正孔輸送層
１５    有機材料層
１６    発光層
１７    陰極
１８    封止部
２１    画像形成装置
２２，２２Ｙ，２２Ｍ，２２Ｃ，２２Ｋ    現像ステーション
２３    記録紙
２５    記録紙搬送路
２８，２８Ｙ，２８Ｍ，２８Ｃ，２８Ｋ    感光体
３３，３３Ｙ，３３Ｍ，３３Ｃ，３３Ｋ    露光装置
６１    コントローラ
６２    エンジン制御部
７０    発光素子基板
７１    レンズアレイ
７８    駆動制御部
８０    ＦＰＣ
８１    ソースドライバ
８２    ＴＦＴ回路
８５    イメージメモリ
８６    光量補正データメモリ
８７    タイミング生成部
８８    ゲートコントローラ
８９    ピクセル回路
１０１    ベースコート層
１０２    ＴＦＴ
１０３    ゲート絶縁層
１０５    中間層
１０８    ＴＦＴ保護層
１１０    コンタクトホール
１１９    配線パターン
１２０    外部配線
２０１    無機多孔質材料
２０２    無機充填材料
【図１】
2010055861.tif 000004
【図２】
2010055861.tif 000005
【図３】
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【図４】
2010055861.tif 000007
【図５】
2010055861.tif 000008
【図６】
2010055861.tif 000009
【図７】
2010055861.tif 000010
【図８】
2010055861.tif 000011
【図９】
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