(57)【要約】      （修正有）【課題】工業的に効率のよいヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法を提供する。【解決手段】パラジウム化合物、無機塩基及び有機アミンの存在下。ブロモフェノール類とアクリル酸エステル類を反応させて製造することを特徴とする一般式(ＩＶ)で表されるヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。2010120894.tif 000020【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
パラジウム化合物、無機塩基及び下記一般式（Ｉ）で表される有機アミンの存在下、下記一般式（II）で表されるブロモフェノール類と下記一般式（III）で表されるアクリル酸エステル類を反応させて下記一般式（IV）で表される化合物を製造することを特徴とするヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【化１】
2010120894.tif 000015
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は炭素原子数２〜１８のアルキル基、炭素原子数３〜１０のシクロアルキル基又は炭素原子数６〜１４のアリール基を表す。また、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。］
【化２】
2010120894.tif 000016
［式中、Ｒ４はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アシルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、ハロゲン原子、アルキニル基、複素環基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、ホスホノ基、アシル基、カルバモイル基、スルファモイル基、スルホンアミド基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、複素環オキシ基、シロキシ基、アシルオキシ基、スルホン酸基、スルホン酸の塩、アミノカルボニルオキシ基、アミノ基、アニリノ基、イミド基、ウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、複素環チオ基、チオウレイド基、カルボキシル基、カルボン酸の塩、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基から選ばれる基を表し、ｎは０〜４の整数を表す。また、ｎが２〜４の整数のとき、複数のＲ４は同じであっても異なっていてもよい。］
【化３】
2010120894.tif 000017
［式中、Ｒ５は炭素原子数１〜１８のアルキル基、炭素原子数３〜１０のシクロアルキル基又は炭素原子数６〜１４のアリール基を表す。］
【化４】
2010120894.tif 000018
［式中、Ｒ４、Ｒ５及びｎは前記一般式（II）及び（III）におけるＲ４、Ｒ５及びｎと同義である。］
【請求項２】
前記ブロモフェノール類が下記一般式（Ｖ）で表されるブロモフェノール類であることを特徴とする請求項１に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【化５】
2010120894.tif 000019
［式中、Ｒ６は炭素原子数１〜１８のアルキル基、炭素原子数３〜１０のシクロアルキル基又は炭素原子数６〜１４のアリール基を表す。また、ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２〜４の整数のとき、複数のＲ６は同じであっても異なっていてもよい。］
【請求項３】
前記ブロモフェノール類がｏ−ブロモフェノール類であることを特徴とする請求項１又は２に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【請求項４】
前記無機塩基が炭酸水素金属塩であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【請求項５】
前記炭酸水素金属塩が炭酸水素ナトリウムであることを特徴とする請求項４に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【請求項６】
前記一般式（Ｉ）で表される有機アミンにおいて、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が炭素原子数２〜１８のアルキル基であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【請求項７】
前記パラジウム化合物が塩化パラジウム又は酢酸パラジウムであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【請求項８】
前記パラジウム化合物が塩化パラジウムであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法に関する。詳しくはブロモフェノール類とアクリル酸エステル類を反応させてヒドロキシ桂皮酸エステル類を工業的に効率よく製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ヒドロキシ桂皮酸類は、紫外線吸収作用、酸化防止作用、抗菌作用等の効果を持つため、食品添加剤、化粧品、抗酸化剤、抗菌剤、農産物鮮度保持剤、医薬中間体等の用途に使用されている。
【０００３】
近年、パラジウム化合物と塩基の存在下、ブロモフェノール類とアクリル酸類からヘック反応によってヒドロキシ桂皮酸類を製造する方法が試みられている。
【０００４】
例えば、パラジウム化合物と無機塩基の存在下、ブロモフェノール類とアクリル酸エステル類を反応させ、ヒドロキシ桂皮酸エステル類を製造する方法が提案されて（例えば、特許文献１、２及び非特許文献１参照）いる。しかし、これらの製造方法では、高温を必要とするため、副生成物が多く、純度が低くなることが判明した。また、パラジウム化合物と無機塩基及びＮ，Ｎ−ジメチル−β−アラニンの存在下、ｐ−ブロモフェノールとアクリル酸エステル類を反応させ、ヒドロキシ桂皮酸類を製造する方法が提案されているが（例えば、非特許文献２参照）、収率の点で満足のできるものではなかった。
【特許文献１】特開２００４−１４９４３８号公報
【特許文献２】特開２００６−２１９４０２号公報
【非特許文献１】Ｍａｒｉｅ  Ｆｅｕｅｒｓｔｅｉｎ；Ｓｙｎｌｅｔｔ，１２，１９８０（２００１）
【非特許文献２】Ｘｉｎ  Ｃｕｉ；Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，８，２４６７（２００６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、ブロモフェノール類とアクリル酸エステル類からヒドロキシ桂皮酸エステル類を製造する方法において、工業的に効率のよいヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成することができる。
【０００７】
１．パラジウム化合物、無機塩基及び下記一般式（Ｉ）で表される有機アミンの存在下、下記一般式（II）で表されるブロモフェノール類と下記一般式（III）で表されるアクリル酸エステル類を反応させて下記一般式（IV）で表される化合物を製造することを特徴とするヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【０００８】
【化１】
2010120894.tif 000002
【０００９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は炭素原子数２〜１８のアルキル基、炭素原子数３〜１０のシクロアルキル基又は炭素原子数６〜１４のアリール基を表す。また、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。］
【００１０】
【化２】
2010120894.tif 000003
【００１１】
［式中、Ｒ４はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アシルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、ハロゲン原子、アルキニル基、複素環基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、ホスホノ基、アシル基、カルバモイル基、スルファモイル基、スルホンアミド基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、複素環オキシ基、シロキシ基、アシルオキシ基、スルホン酸基、スルホン酸の塩、アミノカルボニルオキシ基、アミノ基、アニリノ基、イミド基、ウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、複素環チオ基、チオウレイド基、カルボキシル基、カルボン酸の塩、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基から選ばれる基を表し、ｎは０〜４の整数を表す。また、ｎが２〜４の整数のとき、複数のＲ４は同じであっても異なっていてもよい。］
【００１２】
【化３】
2010120894.tif 000004
【００１３】
［式中、Ｒ５は炭素原子数１〜１８のアルキル基、炭素原子数３〜１０のシクロアルキル基又は炭素原子数６〜１４のアリール基を表す。］
【００１４】
【化４】
2010120894.tif 000005
【００１５】
［式中、Ｒ４、Ｒ５及びｎは前記一般式（II）及び（III）におけるＲ４、Ｒ５及びｎと同義である。］
２．前記ブロモフェノール類が下記一般式（Ｖ）で表されるブロモフェノール類であることを特徴とする前記１に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【００１６】
【化５】
2010120894.tif 000006
【００１７】
［式中、Ｒ６は炭素原子数１〜１８のアルキル基、炭素原子数３〜１０のシクロアルキル基又は炭素原子数６〜１４のアリール基を表す。また、ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２〜４の整数のとき、複数のＲ６は同じであっても異なっていてもよい。］
３．前記ブロモフェノール類がｏ−ブロモフェノール類であることを特徴とする前記１又は２に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【００１８】
４．前記無機塩基が炭酸水素金属塩であることを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【００１９】
５．前記炭酸水素金属塩が炭酸水素ナトリウムであることを特徴とする前記４に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【００２０】
６．前記一般式（Ｉ）で表される有機アミンにおいて、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が炭素原子数２〜１８のアルキル基であることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【００２１】
７．前記パラジウム化合物が塩化パラジウム又は酢酸パラジウムであることを特徴とする前記１〜６のいずれか１項に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【００２２】
８．前記パラジウム化合物が塩化パラジウムであることを特徴とする前記１〜７のいずれか１項に記載のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の方法を用いることによって、工業的に効率よくヒドロキシ桂皮酸エステル類を製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明を更に詳しく説明する。
【００２５】
本発明において、前記一般式（II）で表されるブロモフェノール類について説明する。前記一般式（II）において、Ｒ４はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アシルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、ハロゲン原子、アルキニル基、複素環基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、ホスホノ基、アシル基、カルバモイル基、スルファモイル基、スルホンアミド基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、複素環オキシ基、シロキシ基、アシルオキシ基、スルホン酸基、スルホン酸の塩、アミノカルボニルオキシ基、アミノ基、アニリノ基、イミド基、ウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、複素環チオ基、チオウレイド基、カルボキシル基、カルボン酸の塩、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基から選ばれる基を表し、ｎは０〜４の整数を表す。
【００２６】
Ｒ４として更に詳しく述べると、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、オクタデシル基、トリフルオロメチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基等）、アシルアミノ基（例えば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、２−プロペニル基、３−ブテニル基、１−メチル−３−プロペニル基、３−ペンテニル基、１−メチル−３−ブテニル基、４−ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、アルキニル基（例えば、プロパルギル基等）、複素環基（例えば、ピリジル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イミダゾリル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基等）、アリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基等）、アルキルスルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基等）、アリールスルフィニル基（例えば、フェニルスルフィニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、スルホンアミド基（例えば、メタンスルホンアミド基、ベンゼンスルホンアミド基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、複素環オキシ基、シロキシ基、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基等）、アニリノ基（例えば、フェニルアミノ基、クロロフェニルアミノ基、トルイジノ基、アニシジノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、イミド基、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、アルコキシカルボニルアミノ基（例えば、メトキシカルボニルアミノ基、フェノキシカルボニルアミノ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボニル基等）、等を挙げることができる。
【００２７】
Ｒ４は同様の置換基によって更に置換されていてもよい。また、ｎが２〜４の場合、それぞれのＲ４は、同じでも異なってもよく、可能な場合には互いに結合して環を形成してもよい。
【００２８】
前記一般式（II）において、Ｒ４はアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であることが好ましく、アルキル基であることが特に好ましい。
【００２９】
以下に本発明の前記一般式（II）で表される化合物の代表的具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００３０】
【化６】
2010120894.tif 000007
【００３１】
前記一般式（II）において、臭素原子の置換位置に特に制限は無いが、ｏ−ブロモフェノール類を用いることがより好ましい。
【００３２】
本発明において、前記一般式（Ｖ）で表されるブロモフェノール類について説明する。前記一般式（Ｖ）において、Ｒ６はアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であることが好ましく、アルキル基であることが特に好ましく、これらの基は更に前記一般式（II）におけるＲ４と同様の置換基を有してもよい。また、ｎが２〜４の場合、それぞれのＲ６は、同じでも異なってもよく、可能な場合には互いに結合して環を形成してもよい。
【００３３】
本発明の前記一般式（Ｖ）で表される化合物の代表的具体例としては、前期一般式（II）の例示化合物II−１、II−２、II−３、II−４、II−５、II−６、II−７、II−８、II−９が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００３４】
本発明において、前記一般式（III）で表されるアクリル酸エステル類について説明する。前記一般式（III）において、Ｒ５は炭素原子数１〜１８のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリフルオロメチル基、オクタデシル基等）、炭素原子数３〜１０のシクロアルキル基（例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等）又は炭素原子数６〜１４のアリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基等）を表し、これらの基は更に前記一般式（II）におけるＲ４と同様の置換基を有していてもよい。前記一般式（III）で表されるアクリル酸エステルの具体例としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸アダマンチル等が挙げられる。
【００３５】
本発明において用いる前記一般式（III）で表されるアクリル酸エステル類の量は、一般式（II）で表されるブロモフェノール類１モルに対して、通常０．９〜２．０モル使用されるが、１．０５〜１．５モル使用することが好ましく、１．１〜１．３モル使用することが特に好ましい。
【００３６】
本発明において、前記一般式（IV）で表されるヒドロキシ桂皮酸エステル類について説明する。前記一般式（IV）において、Ｒ４、Ｒ５及びｎは前記一般式（II）及び（III）におけるＲ４、Ｒ５及びｎと同義である。前記一般式（IV）において、Ｒ４はアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であることが好ましく、アルキル基であることが特に好ましく、これらの基は更に前記一般式（II）におけるＲ４と同様の置換基を有してもよい。また、ｎ＝２〜４の場合、それぞれのＲ４は、同じでも異なってもよく、可能な場合には互いに結合して環を形成してもよい。
【００３７】
以下に本発明の前記一般式（IV）で表される化合物の代表的具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００３８】
【化７】
2010120894.tif 000008
【００３９】
【化８】
2010120894.tif 000009
【００４０】
本発明において用いるパラジウム化合物は、パラジウムの酸化状態が０価又は２価の化合物である。酸化状態が０価又は２価のパラジウム化合物の具体例としては、塩化パラジウム（II）、酢酸パラジウム（II）、アリルパラジウム（II）クロリド、ビス（２，４−ペンタンジオナト）パラジウム（II）、ビス（ベンゾニトリル）パラジウム（II）ジクロリド、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、ビス（エチレンジアミン）パラジウム（II）ジクロリド、ビス（トリ−ｏ−トリルホスフィン）パラジウム（II）ジクロリド、ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム（II）ジクロリド、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）ジアセタート、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）ジクロリド、ビス［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム（０）、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム（II）、パラジウム／炭素、水酸化パラジウム／炭素、テトラクロロパラジウム（II）酸ナトリウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、［１，１′−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）ジクロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム（II）ジクロリド、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］パラジウム（II）ジクロリド、［１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン］パラジウム（II）ジクロリド等が挙げられる。中でも特に、塩化パラジウム又は酢酸パラジウムが好ましく、塩化パラジウムを用いることがより好ましい。用いるパラジウム化合物の量は、特に制限は無いが、前期一般式（II）で表されるブロモフェノール類１モルに対して、パラジウム化合物０．００００１〜０．０１モルであることが好ましく、０．００００１〜０．００１モルであることがより好ましく、０．００００５〜０．０００５モルであることが特に好ましい。
【００４１】
本発明において用いる無機塩基は、アルカリ金属、アルカリ土類金属又はアンモニアの炭酸水素塩、炭酸塩、リン酸塩又は酢酸塩などが好ましい。中でも炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素カルシウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸リチウム又は炭酸アンモニウムが好ましく、炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウムがより好ましく、炭酸水素ナトリウムが特に好ましい。用いる無機塩基の量は、前記一般式（II）で表されるブロモフェノール類１モルに対して１〜１０モル使用することが好ましく、１．５〜８モル使用することがより好ましく、２〜５モル使用することが特に好ましい。
【００４２】
本発明において、前記一般式（Ｉ）で表される有機アミンについて説明する。前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は炭素原子数２〜１８のアルキル基、炭素原子数３〜１０のシクロアルキル基又は炭素原子数６〜１４のアリール基を表し、これらは更に前記一般式（II）におけるＲ４と同様の置換基を有してもよい。また、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。前記一般式（Ｉ）で表される有機アミンの具体例としては、トリエチルアミン、トリｎ−プロピルアミン、トリｎ−ブチルアミン、トリエタノールアミン、トリシクロヘキシルアミン、Ｎ−エチルピロリジン、Ｎ−エチルピペリジン、Ｎ−エチルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、トリフェニルアミン等が挙げられる。中でもトリｎ−ブチルアミンが特に好ましい。用いる有機アミンの量は、前記一般式（II）で表されるブロモフェノール類１モルに対して、前記一般式（Ｉ）で表される有機アミン０．００１〜１．０モルであることが好ましく、０．００５〜０．５モルであることがより好ましく、０．０１〜０．３モルであることが特に好ましい。
【００４３】
本発明において用いられる溶媒は、特に制限は無いが、非プロトン性極性溶媒が好ましい。非プロトン性極性溶媒の具体例としては、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、スルホラン等が挙げられる。中でも、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド又はＮ−メチル−２−ピロリジノンが好ましく、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド又はＮ−メチル−２−ピロリジノンがより好ましい。
【００４４】
本発明において、ブロモフェノール類とアクリル酸エステル類の反応は、６０〜１５０℃で行うことが好ましく、９０〜１３０℃の温度で行うことがより好ましく、１００〜１２０℃の温度で行うことが特に好ましい。
【００４５】
本発明において、ブロモフェノール類とアクリル酸エステル類の反応は、大気中、不活性ガス（窒素又はアルゴン）雰囲気下のどちらでも行うことができるが、大気中で反応を行うことが好ましい。
【実施例】
【００４６】
以下に本発明のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法を実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。
【００４７】
実施例１
＜Ｒｕｎ１＞  例示化合物IV−１の合成
ｏ−ブロモフェノール１７．３ｇ（０．１ｍｏｌ）、アクリル酸ｔ−ブチル１６．０ｇ（０．１５ｍｏｌ）塩化パラジウム１．８ｍｇ（０．０１ｍｍｏｌ）、炭酸水素ナトリウム２１．０ｇ（０．２５ｍｏｌ）、トリ−ｎ−ブチルアミン１．８ｇ（０．０１ｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド５２ｍｌを含む混合物を、１１０℃で３時間攪拌した。攪拌後、室温まで冷却し、酢酸エチルと水を加え、有機層を分離した。有機層を水で２回洗浄した後、減圧濃縮した。濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ｎ−ヘキサン混合液）で分離精製して例示化合物IV−１を得た（収率９５％）。なお、得られた例示化合物IV−１の純度を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、純度１００％であった。
【００４８】
＜Ｒｕｎ２〜１４＞
Ｒｕｎ１の反応試薬を表１に示すように変えた以外は全く同様にして、Ｒｕｎ２〜１４を行い、Ｒｕｎ１と同様に例示化合物IV−１、IV−２、IV−３の収率を求めた。なお、得られた例示化合物IV−１、IV−２、IV−３の純度を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、いずれも純度１００％であった。
【００４９】
表１において、
比較化合物１：Ｎ，Ｎ−ジメチル−β−アラニン
ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリジノン
ＤＭＦ：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、である。
【００５０】
【表１】
2010120894.tif 000010
【００５１】
表１から明らかのように、ブロモフェノールとアクリル酸ｔ−ブチルからヒドロキシ桂皮酸ｔ−ブチルを製造する反応において、無機塩基及び一般式（Ｉ）で表される有機アミンの存在下で反応を行うことで、高収率でヒドロキシ桂皮酸ｔ−ブチルが得られることが判明した。さらに、無機塩基として炭酸水素ナトリウムを用いると、ほぼ定量的に反応が進行することがわかった。一方、無機塩基を用いないＲｕｎ１０では、ヒドロキシ桂皮酸ｔ−ブチルがほとんど得られず、一般式（Ｉ）で表される有機アミンを加えないＲｕｎ１１及び１２では、低収率であった。また、比較化合物１を用いたＲｕｎ１３及び１４も、低収率であった。
【００５２】
実施例２
＜Ｒｕｎ１５〜１８＞
実施例１のＲｕｎ１におけるｏ−ブロモフェノールを表２に示すように変えた以外は全く同様にして、Ｒｕｎ１５〜１８を行い、Ｒｕｎ１と同様に例示化合物IV−４、IV−５、IV−６、IV−７の収率を求めた。なお、得られたヒドロキシ桂皮酸ｔ−ブチル類の純度を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、いずれも純度１００％であった。
【００５３】
【表２】
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【００５４】
表２から明らかなように、本発明のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法を用いると、原料のブロモフェノール類の種類によらず、高収率でヒドロキシ桂皮酸エステル類が得られた。
【００５５】
実施例３
＜Ｒｕｎ１９〜２２＞
実施例１のＲｕｎ１におけるトリｎ−ブチルアミンを表３に示すように変えた以外は全く同様にして、Ｒｕｎ１９〜２２を行い、Ｒｕｎ１と同様に例示化合物IV−１の収率を求めた。なお、得られた例示化合物IV−１の純度を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、いずれも純度１００％であった。
【００５６】
【表３】
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【００５７】
表３から明らかなように、ブロモフェノールとアクリル酸ｔ−ブチルからヒドロキシ桂皮酸ｔ−ブチルを製造する反応において、一般式（Ｉ）で表される有機アミンを添加することで、高収率でヒドロキシ桂皮酸ｔ−ブチルが得られることが判明した。
【００５８】
実施例４
＜Ｒｕｎ２３〜２６＞
実施例１のＲｕｎ１、３、１１、１２における反応温度及び反応時間を１４０℃、２時間に変えた以外は全く同様にして、Ｒｕｎ２３〜２６を行い、反応開始から２時間経過後の反応液中のヒドロキシ桂皮酸ｔ−ブチル、ブロモフェノール、副生成物１及びその他不純物の濃度を高速液体クロマトグラフィーで測定した。
【００５９】
【表４】
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【００６０】
【化９】
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【００６１】
表４から明らかなように、一般式（Ｉ）で表される有機アミンを添加する本発明のヒドロキシ桂皮酸エステル類の製造方法では、温度１４０℃でも副生成物の量が少ないことがわかった。一方、Ｒｕｎ２５及び２６のように、一般式（Ｉ）で表される有機アミンを添加しない場合には、副生成物が多量に生成し、ヒドロキシ桂皮酸ｔ−ブチルの生成量が少なくなることが判明した。