(57)【要約】【課題】成膜処理後、確実にリフトピン及び貫通孔内に付着した成膜処理後の堆積物やクリーニングの際に発生する堆積物等を除去することができる電気光学装置の製造装置のクリーニング方法を提供する。【解決手段】チャンバー内においてサセプタに載置された基板を成膜処理後、チャンバー外に搬出する基板搬出工程と、チャンバー内に設けられた、前記サセプタの厚さ方向に沿った貫通孔から厚さ方向に昇降自在なリフトピンの少なくとも一部を突出させるリフトピン突出工程と、リフトピンの少なくとも一部が貫通孔から突出した状態で、チャンバー内にフッ素系ガスを導入し、プラズマ処理にて、リフトピン及び貫通孔内に成膜処理後に付着した異物を除去するクリーニング工程と、を具備したことを特徴とする。【選択図】図６
2010182712.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を成膜処理する電気光学装置の製造装置のクリーニング方法であって、
チャンバー内においてサセプタに載置された前記基板を成膜処理後、前記チャンバー外へと搬出する基板搬出工程と、
前記チャンバー内に設けられた前記サセプタの厚さ方向に沿った貫通孔から、前記厚さ方向に昇降自在なリフトピンの少なくとも一部を突出させるリフトピン突出工程と、
前記リフトピンの少なくとも一部が前記貫通孔から突出した状態で、前記チャンバー内にフッ素系ガスを導入し、プラズマ処理にて、前記リフトピン及び前記貫通孔内に前記成膜処理後に付着した異物を除去するクリーニング工程と、
を具備したことを特徴とする電気光学装置の製造装置のクリーニング方法。
【請求項２】
前記クリーニング工程は、前記プラズマ処理の際、前記リフトピンまたは前記サセプタを前記厚さ方向に昇降させて行うことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置のクリーニング方法。
【請求項３】
前記クリーニング工程は、前記プラズマ処理の際、前記貫通孔から前記リフトピンの少なくとも一部を突出させた状態から、前記リフトピンを段階的に降下させるか、前記貫通孔内に位置する前記リフトピンを、前記貫通孔から少なくとも一部が突出するよう段階的に上昇させるかのいずれかにより行うことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造装置のクリーニング方法。
【請求項４】
前記クリーニング工程は、前記プラズマ処理の際、前記貫通孔から前記リフトピンの少なくとも一部を一定時間突出させた状態から、前記リフトピンを前記貫通孔内に降下させて行うことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造装置のクリーニング方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか1項に記載の電気光学装置の製造装置のクリーニング方法を実行することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を成膜処理する電気光学装置の製造装置のクリーニング方法、電気光学装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスター(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層による光学応答を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜は、層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィー工程を繰り返すことによって形成されるのである。
【０００４】
ここで、ＴＦＴ基板または対向基板等の電気光学装置に用いる基板に対し、成膜工程等の処理を行う電気光学装置の製造装置としては、例えば基板を１枚単位で成膜処理する枚葉式の成膜装置が周知であり、例えば特許文献１に開示されている。
【０００５】
特許文献１に開示された成膜装置は、密閉可能なチャンバー内にＥＳＣが設けられており、該ＥＳＣ上で基板を所定温度に加熱しながら、チャンバー内に反応ガスを導入して、プラズマを発生させることにより、基板に成膜処理を施す構成を有している。
【０００６】
また、特許文献１に開示された成膜装置のチャンバー内に、ＥＳＣの厚さ方向に複数貫通されたリフトピン収容孔にそれぞれ遊嵌状態で嵌入された上端で基板を支持する数本のリフトピンと、該各リフトピンの下端に当接自在な、各リフトピンをリフトピン収容孔内においてＥＳＣの厚さ方向に昇降させるピンフォルダーとによって主要部が構成されたウエハリフト装置が設けられている。
【０００７】
ウエハリフト装置は、基板が搬送装置によりチャンバー内に搬入される際は、各リフトピンがピンフォルダーにより上昇されて上端によって搬入された基板を支持した後、各リフトピンがピンフォルダーによって降下されることによりＥＳＣ上に基板を載置するとともに、成膜処理済みの基板をチャンバー外に搬出する際は、再び各リフトピンがピンフォルダーにより上昇されて上端によって基板を支持する機能を有している。その後、基板は搬送装置によって、チャンバー外に搬出される。
【０００８】
ここで、基板に対して成膜処理を行い、基板をチャンバー外に搬出した後、チャンバーの内壁等には、成膜処理の際、基板に付着しなかった膜等の異物（以下、堆積物と称す）が付着している。よって、複数枚の基板に対する成膜条件を毎回一定にするためには、基板の成膜処理後、チャンバーの内壁等に付着した堆積物を、基板の成膜処理毎または一定枚数の基板に対し成膜処理をした後、除去する必要が生じる。
【０００９】
このような事情に鑑み、特許文献２には、成膜処理後、チャンバー内にフッ素系のクリーニングガスを導入してプラズマを発生させることにより、ドライクリーニングにて、チャンバー内に付着した堆積物を除去する構成が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、成膜処理後は、堆積物は、特許文献１に開示されたリフトピン収容孔の内部及びリフトピンにも付着してしまう。しかしながら、特許文献２に開示されたドライクリーニングを行っても、リフトピン収容孔の内部及びリフトピンに付着した堆積物は、除去し難いといった問題があった。さらに、クリーニング後、クリーニングの際に発生する堆積物が、リフトピン収容孔の内部及びリフトピンに付着してしまうといった問題もあった。
【００１１】
リフトピン収容孔の内部及びリフトピンの外周に堆積物が付着したままであると、リフトピンをピンフォルダーによって昇降させる際、堆積物によってリフトピンの動作不良が発生してしまう場合がある他、次の基板を成膜処理する際、成膜不良が発生してしまう場合があるため、確実にリフトピン収容孔の内部及びリフトピンに付着した堆積物を除去できるクリーニング方法及び成膜装置が望まれていた。
【００１２】
本発明は上記事情に着目してなされたものであり、成膜処理後、確実にリフトピン及び貫通孔内に付着した成膜処理後の堆積物やクリーニングの際に発生する堆積物等を除去することができる電気光学装置の製造装置のクリーニング方法、電気光学装置の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造装置のクリーニング方法は、基板を成膜処理する電気光学装置の製造装置のクリーニング方法であって、チャンバー内においてサセプタに載置された前記基板を成膜処理後、前記チャンバー外へと搬出する基板搬出工程と、前記チャンバー内に設けられた前記サセプタの厚さ方向に沿った貫通孔から、前記厚さ方向に昇降自在なリフトピンの少なくとも一部を突出させるリフトピン突出工程と、前記リフトピンの少なくとも一部が前記貫通孔から突出した状態で、前記チャンバー内にフッ素系ガスを導入し、プラズマ処理にて、前記リフトピン及び前記貫通孔内に前記成膜処理後に付着した異物を除去するクリーニング工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、クリーニング工程において、リフトピンを貫通孔から突出させた状態でフッ素系ガスを用いてプラズマ処理を行うことにより、リフトピンを、フッ素系ガスに晒すことができるとともに、貫通孔内にフッ素系ガスを導入することができるので、確実にリフトピン及び貫通孔内に付着した成膜処理後の異物やクリーニングの際に発生する異物等を除去することができる電気光学装置の製造装置のクリーニング方法を提供することができるといった効果を有する。
【００１５】
また、前記クリーニング工程は、前記プラズマ処理の際、前記リフトピンまたは前記サセプタを前記厚さ方向に昇降させて行うことを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、クリーニング工程において、リフトピンを貫通孔内に降下させた状態では、サセプタの基板載置面や貫通孔の内周面の開口近傍部位を、フッ素系ガスに晒すことができ、また、リフトピンを貫通孔から突出させた状態では、リフトピンをフッ素系ガスに晒すことができるとともに、貫通孔内にフッ素系ガスを導入することができることから、確実にリフトピン及び貫通孔内に付着した成膜処理後の異物やクリーニングの際に発生する異物等を除去することができる電気光学装置の製造装置のクリーニング方法を提供することができるといった効果を有する。
【００１７】
さらに、前記クリーニング工程は、前記プラズマ処理の際、前記貫通孔から前記リフトピンの少なくとも一部を突出させた状態から、前記リフトピンを段階的に降下させるか、前記貫通孔内に位置する前記リフトピンを、前記貫通孔から少なくとも一部が突出するよう段階的に上昇させるかのいずれかにより行うことを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、クリーニング工程において、リフトピンを段階的に昇降させることにより、リフトピンに付着した異物を、段階的に除去することができるといった効果を有する。
【００１９】
また、前記クリーニング工程は、前記プラズマ処理の際、前記貫通孔から前記リフトピンの少なくとも一部を一定時間突出させた状態から、前記リフトピンを前記貫通孔内に降下させて行うことを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、貫通孔からリフトピンを一定時間突出させた状態で、クリーニング工程を行うことから、リフトピンに付着した異物を、一定時間突出させているときに確実に除去することができるといった効果を有する。
【００２１】
また、本発明に係る電気光学装置の製造装置は、請求項１〜４のいずれか1項に記載の電気光学装置の製造装置のクリーニング方法を実行することを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、確実にリフトピン及び貫通孔内に付着した成膜処理後の異物やクリーニングの際に発生する異物等を除去することができるクリーニング方法を具備する電気光学装置の製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施の形態の電気光学装置の製造装置によって製造される液晶装置の平面図。
【図２】図１中のII-II線に沿って切断した液晶装置の断面図。
【図３】本実施の形態を示す電気光学装置の製造装置を、リフトピンの上端に処理される基板を支持した状態で概略的に示す部分断面図。
【図４】図３のリフトピンを降下させ基板をサセプタ上に載置し、成膜処理を行う状態を概略的に示す部分断面図。
【図５】図３のサセプタ上に載置された処理基板を示す平面図。
【図６】本実施の形態のクリーニング方法を概略的に示すフローチャート。
【図７】リフトピンの少なくとも一部をサセプタの貫通孔から突出させた状態で、プラズマ処理を行う状態を概略的に示す部分断面図。
【図８】図７中のVIII線で囲った位置の部分拡大断面図。
【図９】貫通孔内にリフトピンを降下させた状態でクリーニング工程を行う状態を、概略的に示す部分拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置に用いる一対の基板の内、一方の基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板を例に挙げて説明する。
【００２５】
先ず、本実施の形態の電気光学装置の製造装置によって製造される液晶装置の全体の構成について説明する。図１は、本実施の形態の電気光学装置の製造装置によって製造される液晶装置の平面図、図２は、図１中のII-II線に沿って切断した液晶装置の断面図である。
【００２６】
図１、図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英基板、ガラス基板を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板２０との間の内部空間に、液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００２７】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａがマトリクス状に配置されている。
【００２８】
また、対向基板２０の基板上の全面に、対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、対向電極２１の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００２９】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えばポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００３０】
また、ＴＦＴ基板１０の画素領域においては、複数本の図示しない走査線と複数本の図示しないデータ線とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線との各交差部分に対応してトランジスターであるＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００３１】
ＴＦＴ３０は走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００３２】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００３３】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。
【００３４】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。
【００３５】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０のデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバーであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００３６】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線及び図示しないゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバーである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００３７】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００３８】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００３９】
また、ＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ３０や画素電極９ａの他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。尚、この積層構造、及び積層された各層の機能は周知であるため、その説明は省略する。
【００４０】
次に、このように構成された電気光学装置の製造装置について、図３〜図６を用いて説明する。図３は、本実施の形態を示す電気光学装置の製造装置を、リフトピンの上端に処理される基板を支持した状態で概略的に示す部分断面図、図４は、図３のリフトピンを降下させ基板をサセプタ上に載置し、成膜処理を行う状態を概略的に示す部分断面図、図５は、図３のサセプタ上に載置された処理基板を示す平面図である。
【００４１】
尚、以下、電気光学装置の製造装置としては、基板に対し、成膜処理を行うプラズマＣＶＤ装置を例に挙げて説明する。
【００４２】
図３に示すように、プラズマＣＶＤ装置１は、処理される基板１０’が搬入されるチャンバー６０を具備している。チャンバー６０の壁部に、図示しない基板１０’の搬入搬出口が設けられており、また、チャンバー６０の壁部に、チャンバー６０の内部６０ｉに成膜ガスＧ１を導入するガス導入口６８や、チャンバー６０の内部６０ｉに導入された成膜ガスＧ１を排出する図示しない排出口等が設けられている。さらに、チャンバー６０の壁部における内壁の天面に、プラズマ励起用の電極（以下、上部電極と称す）６７が設けられている。
【００４３】
また、図５に示すように、基板１０’は、上述したＴＦＴ基板１０または対向基板２０が複数構成される、石英、ガラス等から構成された大板基板から構成されていても構わないし、上述したＴＦＴ基板１０または対向基板２０が１つ構成される、石英、ガラス等から構成された基板から構成されていても構わない。
【００４４】
チャンバー６０の内部６０ｉに、処理される基板１０’が、図４に示すように上面６１ｓに載置されるサセプタ６１が設けられている。サセプタ６１には、該サセプタ６１の厚さ方向Ａに沿って、例えば３本の貫通孔６３（図３、図４では、２本のみ図示）が形成されている。尚、貫通孔６３の本数は３本に限定されない。
【００４５】
また、サセプタ６１の内部には、上面６１ｓに載置された基板１０’を成膜処理温度まで加熱するヒーター等の発熱体６９が設けられている。さらに、サセプタの上面６１ｓに、上述した上部電極６７と略平行に、プラズマ励起用の電極（以下、下部電極と称す）６６が設けられている。
【００４６】
また、サセプタ６１の各貫通孔６３には、厚さ方向Ａにサセプタ６１よりも長く形成された厚さ方向Ａに昇降自在なリフトピン６２がそれぞれ挿通されている。３本のリフトピン６２は、厚さ方向Ａの上端６２ｔにて、載置された基板１０’を３点支持する。
【００４７】
さらに、チャンバー６０の内部６０ｉに、リフトピン６２の厚さ方向Ａの下端６２ｉに当接した状態で、貫通孔６３内に対しリフトピン６２を厚さ方向Ａに昇降させることにより、リフトピン６２の上端６２ｔに支持された基板１０’を、厚さ方向Ａに昇降させるリフトバー６５が設けられている。
【００４８】
尚、リフトバー６５は、図示しないが、チャンバー６０の内部６０ｉに設けられた図示しない昇降装置に支持されている。また、リフトバー６５は、３本のリフトピン６２の各下端６２ｉに当接することにより、３本のリフトピン６２を同時に昇降させる。
【００４９】
リフトピン６２は、リフトバー６５によって、厚さ方向Ａに昇降自在なことにより、上端６２ｔに支持された基板１０’を、厚さ方向Ａに昇降させるものである。
【００５０】
図３に示すように、リフトピン６２が貫通孔６３から厚さ方向Ａの上方に少なくとも一部が突出した上昇位置において、リフトピン６２には、上端６２ｔにチャンバー６０の内部６０ｉに搬入された基板１０’が載置される。また、リフトピン６２は、図４に示すように、上端６２ｔが貫通孔に嵌入した降下位置において、基板１０’を、サセプタ６１の上面６１ｓに載置する。
【００５１】
このように構成されたＣＶＤ装置を用いて基板１０’に成膜を行う際は、図４に示すように、サセプタ６１の上面６１ｓに、基板１０’を載置した状態において、発熱体６９で基板１０’を成膜温度まで加熱しながら、チャンバー６０の内部６０ｉに、ガス導入口６８から成膜ガスＧ１を導入して、上部電極６７と下部電極６６との間にプラズマＰを励起することにより、所謂既知のプラズマ処理によって成膜処理を行う。
【００５２】
成膜処理後は、図３に示すように、基板１０’を支持した各リフトピン６２を、リフトバー６５を用いて上昇位置まで上昇させた後、成膜処理後の基板１０’が、図示しない搬入搬出口から、チャンバー６０の外部に搬出される。
【００５３】
ここで、成膜処理後は、チャンバー６０の内壁や、サセプタ６１の上面６１ｓ、リフトピン６２の上端６２ｔや外周面６２ｇ、貫通孔６３の内周面６３ｎ等に、上述した堆積物が付着している。尚、以下、成膜後、チャンバー内の堆積物を除去するクリーニング方法について、図６〜図８を用いて説明する。
【００５４】
図６は、本実施の形態のクリーニング方法を概略的に示すフローチャート、図７は、リフトピンの少なくとも一部をサセプタの貫通孔から突出させた状態で、プラズマ処理を行う状態を概略的に示す部分断面図、図８は、図７中のVIII線で囲った位置の部分拡大断面図である。
【００５５】
図６に示すように、先ず、ステップＳ１において、上述したように、成膜処理後の基板１０’を、チャンバー６０外に搬出する基板搬出工程を行う。
【００５６】
次いで、ステップＳ２において、図７に示すように、サセプタ６１の貫通孔６３からリフトピン６２の少なくとも一部を、厚さ方向Ａの上方に突出させるリフトピン突出工程を行う。
【００５７】
最後に、ステップＳ３において、リフトピン６２の少なくとも一部が貫通孔６３から突出した状態で、チャンバー６０の内部６０ｉに、ガス導入口６８からフッ素系ガス等のクリーニングガスＧ２を導入して、上部電極６７と下部電極６６との間にプラズマＰ’を励起することにより、プラズマ処理によってクリーニングを行うクリーニング工程を行う。
【００５８】
その結果、クリーニングガスＧ２が、チャンバー６０の内壁に当たることにより、内壁に付着した堆積物が除去される他、図８に示すように、クリーニングガスＧ２が、サセプタ６１の上面６１ｓ、リフトピン６２の上端６２ｔ及び外周面６２ｇに当たることにより、サセプタ６１の上面６１ｓ、リフトピン６２の上端６２ｔ及び外周面６２ｇに付着した堆積物が除去される。さらに、クリーニングガスＧ２が、貫通孔６３の内周面６３ｎとリフトピン６２の外周面６２ｇとの間の間隙から貫通孔６３内に導入されることにより、内周面６３ｎに付着した堆積物も除去される。
【００５９】
尚、上述したステップＳ１〜ステップＳ３に示したクリーニング方法は、基板１０’に対し、成膜処理が行われ、基板が搬出される毎に行っても構わないし、数枚の基板１０’に対し成膜処理が行われた後に行っても構わない。
【００６０】
このように、本実施の形態においては、チャンバー６０内のクリーニングを行う際、サセプタ６１の貫通孔６３からリフトピン６２の少なくとも一部を突出させた状態で、チャンバー６０内にクリーニングガスＧ２を導入し、励起したプラズマＰ’を用いたプラズマ処理によって、チャンバー６０の内壁のみならず、サセプタ６１の上面６１ｓおよびリフトピン６２、貫通孔６３の内周面６３ｎに付着した堆積物を除去すると示した。
【００６１】
このことによれば、リフトピン６２を、クリーニングガスＧ２に晒すことができるとともに、貫通孔６３内にクリーニングガスＧ２を導入することができるので、確実にリフトピン６２及び貫通孔６３内に付着した堆積物を除去することができる電気光学装置の製造装置のクリーニング方法を提供することができる。
【００６２】
尚、以下、変形例を、上述した図８と、図９を用いて示す。図９は、貫通孔内にリフトピンを降下させた状態でクリーニング工程を行う状態を、概略的に示す部分拡大断面図である。
【００６３】
本実施の形態においては、貫通孔６３からリフトピン６２の少なくとも一部を突出させた状態で、クリーニング工程を行うと示した。
【００６４】
これに限らず、図８に示すように、貫通孔６３からリフトピン６２の少なくとも一部を突出させた状態と、図９に示すように、貫通孔６３内のリフトピン６２を降下させた状態とにリフトピン６２を昇降させながら、クリーニング工程を行っても構わない。
【００６５】
このことによれば、上述した本実施の形態の効果に加え、図９に示すように、リフトピン６２を貫通孔６３内に降下させた状態では、サセプタ６１の上面６１ｓや貫通孔６３の内周面６３ｎにおける開口近傍部位６３ｎ１を、クリーニングガスＧ２に晒すことができることから、より確実にリフトピン６２及び貫通孔６３内に付着した成膜処理後の堆積物を除去することができる電気光学装置の製造装置のクリーニング方法を提供することができる。
【００６６】
また、以上に限らず、図８に示す位置から図９に示す位置にリフトピン６２を段階的に降下させるか、図９に示す位置から図８に示す位置にリフトピン６２を段階的に上昇させるかによって、クリーニング工程を行っても構わない。
【００６７】
このことによれば、リフトピン６２に付着した堆積物を、段階的に除去することができる。
【００６８】
さらに、図８に示す位置において、リフトピン６２を一定時間突出させた状態から、図９に示す位置にリフトピン６２を降下させることを繰り返すことによって、リフトピン６２を昇降させて、クリーニング工程を行っても構わない。
【００６９】
このことによれば、リフトピン６２に付着した堆積物を、一定時間突出させているときに確実に除去することができることから、単にリフトピンを昇降させる場合よりも、より確実に堆積物を除去することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスター）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置であっても構わない。
【００７１】
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【００７２】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスターを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【００７３】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【００７４】
さらに、電気光学装置の製造装置は、プラズマＣＶＤ装置に限定されず、他の成膜装置のクリーニング方法に適用しても構わない。
【符号の説明】
【００７５】
１…プラズマＣＶＤ装置（電気光学装置の製造装置）、１０’…基板、６０…チャンバー、６１…サセプタ、６２…リフトピン、６３…貫通孔、Ａ…厚さ方向、Ｇ２…クリーニングガス（フッ素系ガス）、Ｐ’…プラズマ。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００７６】
【特許文献１】特開２００７−８１１７０号公報
【特許文献２】特開平９−６４０１３号公報
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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