(57)【要約】      （修正有）【課題】サンプリングバルブを開いたまま濃度チェックのリトライを行えるようにしてできる限り装置を停止させないようにすることで、装置の稼働率向上可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】複数のステップから構成されるレシピの作成を行うための操作画面と、この操作画面を有する表示部と、レシピを実行して基板を処理する制御部とを有し、レシピは、複数の基板を保持した状態で基板保持具を処理炉内に搬入する工程と、処理炉内で前記複数の基板を処理するために準備する第１の準備工程と、基板に所定の処理を施す工程と、処理後に前記基板保持具を搬出するために準備する第２の準備工程と、基板保持具を処理炉内より搬出する工程と、を有し、第１の準備工程では、基板を処理する際に使用される第１のガスと化学反応を起す第２のガスの濃度を検知し、第２の準備工程では、基板を処理する際に使用される第１のガスの濃度を検知する。【選択図】図５
2010153602.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のステップから構成されるレシピの作成を行うための操作画面と、この操作画面を有する表示部と、前記レシピを実行して基板を処理する制御部とを有し、
前記レシピは、
複数の基板を保持した状態で基板保持具を処理炉内に搬入する工程と、
前記処理炉内で前記複数の基板を処理するために準備する第１の準備工程と、
前記基板に所定の処理を施す工程と、
前記処理後に前記基板保持具を搬出するために準備する第２の準備工程と、
前記基板保持具を処理炉内より搬出する工程と、を有し、
前記第１の準備工程では、基板を処理する際に使用される第１のガスと化学反応を起す第２のガスの濃度を検知し、
前記第２の準備工程では、基板を処理する際に使用される第１のガスの濃度を検知する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板やガラス基板等を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の縦型拡散装置のＨ２アニール装置において、Ｈ２（水素）、Ｏ２（酸素）のガス濃度チェックを実施中（監視中）に、プロセスレシピのステップ設定にてサンプリングバルブ（処理炉内のガスであるＨ２、Ｏ２のガス濃度をチェックする為にガス濃度検知器に導入するバルブ）を開いてＨ２，Ｏ２のガス濃度チェックが開始される。ガス濃度検知器にチェックさせた結果はシーケンサ経由でコントローラに取り込まれる。プロセスレシピのステップは、Ｏ２ガス濃度チェックＯＫ後にＨ２アニールステップへ、Ｈ２ガス濃度チェックＯＫ後にボートアンロードステップへと遷移する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、従来の縦型拡散装置においては、ガス濃度チェックのステップ時間が達したら最後に受信したガス濃度チェック結果でＯＫかＮＧかを判断し、ガス濃度チェック結果がＯＫであってもＮＧであってもサンプリングバルブを閉める。すなわち、ガス濃度チェック結果がガス濃度チェック時間のステップ時間を過ぎる場合、既にサンプリングバルブが閉められているので処理を一旦中止するしかなく、レシピ実行中に何度も装置を停止せざるを得ず、装置の稼働率が悪かった。
【０００４】
そこで、本発明は、サンプリングバルブを開いたまま濃度チェックのリトライを行えるようにしてできる限り装置を停止させないようにすることで、装置の稼働率を向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、複数のステップから構成されるレシピの作成を行うための操作画面と、この操作画面を有する表示部と、前記レシピを実行して基板を処理する制御部とを有し、前記レシピは、複数の基板を保持した状態で基板保持具を処理炉内に搬入する工程と、前記処理炉内で前記複数の基板を処理するために準備する第１の準備工程と、前記基板に所定の処理を施す工程と、前記処理後に前記基板保持具を搬出ために準備する第２の準備工程と、前記基板保持具を処理炉内より搬出する工程と、を有し、前記第１の準備工程では、基板を処理する際に使用される第１のガスと化学反応を起す第２のガスの濃度を検知し、前記第２の準備工程では、基板を処理する際に使用される第１のガスの濃度を検知する基板処理装置が提供される。
【０００６】
好ましくは、前記第１の準備工程又は前記第２の準備工程において、前記第1のガスの濃度又は前記第２のガスの濃度を検知するガス濃度検知手段はサンプリングバルブであり、前記サンプリングバルブが開の間、繰り返しガスの濃度は検知される。したがって、ガス濃度検知手段であるサンプリングバルブを開いたままガス濃度の検知ができ、適当でない場合にはリトライができるので、装置の稼働率を向上させることができる。
【０００７】
好ましくは、前記第１の準備工程又は前記第２の準備工程において、前記第1のガスの濃度と前記第２のガスの濃度を検知するガス濃度検知手段はサンプリングバルブであり、前記サンプリングバルブが開の間、前記表示部において前記ガス濃度検知手段により検知された結果を示す濃度検知結果信号が変動した場合に繰り返しガスの濃度は検知される。したがって、濃度検知結果信号がチャタリング（ガス濃度ＯＫ、ＮＧが短時間の間に交互に状態変化）した場合でも濃度が適当であるか検知を繰り返すことで、チャタリング中にガス濃度をＯＫと受信してしまい、ガス濃度がＮＧであっても次のステップへ移行してしまうといった問題を防止することができる。
【０００８】
好ましくは、前記サンプリングバルブの開閉は、レシピに規定されている。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、複数のステップから構成されるレシピの作成を行うための操作画面と、この操作画面を有する表示部と、前記レシピを実行して基板を処理する制御部とを有し、前記レシピは、複数の基板を保持した状態で基板保持具を処理炉内に搬入する工程と、前記処理炉内で前記複数の基板を処理するために準備する第１の準備工程と、前記基板に所定の処理を施す工程と、前記処理後に前記基板保持具を搬出するために準備する第２の準備工程と、前記基板保持具を処理炉内より搬出する工程と、を有し、前記第１の準備工程又は前記第２の準備工程では、所定のガスの濃度を検知するガス濃度検知工程を含み、前記ガス濃度検知工程において、前記操作画面を所定の操作で前記検知結果表示画面に切替え、該検知結果表示画面上で検知結果と、サンプリングバルブを開いた後に処理炉内のガスを濃度計へ流す時間である遅れ時間と、濃度検知中であることを示す安定待ち時間と、を表示する基板処理装置が提供される。したがって、レシピに設定されたガス濃度ステップ時間に対してガス濃度監視時間（遅れ時間＋安定待ち時間）が十分でない場合には、濃度検知結果をアボート表示し、再度ガス濃度チェックを実施しないと次のステップへ遷移しないようにすることで、プロセスロットアウトを防ぎ、Ｈ２残ガスによる爆発を未然に防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る基板処理装置によれば、サンプリングバルブを開いたまま濃度チェックのリトライを行えるようにしてできる限り装置を停止させないようにすることで、装置の稼働率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０を含む基板処理システム１の構成を示す図である。
図１に示すように、基板処理システム１は、基板処理装置１０及びホスト装置２０を有する。基板処理装置１０及びホスト装置２０は、例えばＬＡＮやＷＡＮなどのネットワーク１２を介して接続されている。したがって、基板処理装置１０及びホスト装置２０は、ネットワーク１２を介してデータの送信及び受信を行う。なお、基板処理システム１には、複数の基板処理装置１０が含まれてもよい。
【００１２】
基板処理装置１０において、入出力装置１６は、基板処理装置１０と一体に、又はネットワーク１２を介して接続して設けられており、操作画面１８を表示する。操作画面１８には、ユーザにより所定のデータが入力される入力画面及び装置の状況等を示す表示画面などが表示される。また、基板処理装置１０内には、プロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ：Process module controller）１４が設けられ、該ＰＭＣ１４により、基板処理装置１０内の各装置が制御される。
【００１３】
基板処理装置１０は、一例として、半導体装置の製造方法における処理装置を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置を適用した実施例について述べる。
【００１４】
図２は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の斜視図を示す。
また、図３は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の側面透視図を示す。
図２及び図３に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下ポッドという。）１１０が使用されている本発明の実施形態に係る基板処理装置１０は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。
【００１５】
筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。
【００１６】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
【００１７】
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。
【００１８】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００１９】
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図２に模式的に示されているようにウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部との間に設置されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００２０】
移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。
【００２１】
図２に模式的に示されているように、耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の待機部１２６右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
【００２２】
図２に模式的に示されているように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。
【００２３】
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５及びウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。
【００２４】
次に、基板処理装置１０の構成要素を制御するＰＭＣ１４について説明する。
図４は、ＰＭＣ１４を中心としたコントローラ構成を示す。
ＰＭＣ１４は、ＣＰＵ１４０、ＲＯＭ（read-only memory）１４２、ＲＡＭ（random-access memory）１４４、入出力装置１６との間でのデータの送受信を行う送受信処理部１４６、温度制御部１５０、Ｎ２ガス制御部１５２、圧力制御部１５４、搬送制御部（図示せず）、Ｏ２ガス濃度検知部１５１、Ｏ２ガス制御部１５３、Ｈ２ガス濃度検知部１５５、Ｈ２ガス制御部１５７及び温度制御部１５０等とのＩ／Ｏ制御を行うＩ／Ｏ制御部１４８を有する。ＣＰＵ１４０は、ＲＡＭ１４４等に記憶されているレシピに基づいて、基板を処理するための制御データ（制御指示）を、温度制御部１５０、Ｎ２ガス制御部１５２、圧力制御部１５４及び搬送制御部（図示せず）に対して出力する。なお、ＣＰＵ１４０は、Ｏ２ガス濃度検知部１５１、Ｏ２ガス制御部１５３、Ｈ２ガス濃度検知部１５５、Ｈ２ガス制御部１５７に対しても同様に制御指示を出力する。
【００２５】
ＲＯＭ１４２又はＲＡＭ１４４には、シーケンスプログラム、複数のレシピや入出力装置１６より入力される入力データ、レシピのコマンド、レシピ実行時の履歴データ及びＨ２アニールのモニタデータ等が格納される。なお、ＰＭＣ１４には、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等により実現される記憶装置（不図示）が含まれてもよく、この場合、該記憶装置には、ＲＡＭ１４４に格納されるデータと同様のデータが格納される。このように、ＲＯＭ１４２又はＲＡＭ１４４は基板を処理する手順が記載されているレシピやＨ２アニールのモニタデータを記憶する記憶手段として用いられる。入力指示（入力データ）は、入出力装置１６の操作画面１８（図４で不図示）からの指示をいう。入力指示（入力データ）は、レシピを実行させる指示のほか、Ｈ２アニール処理を設定する指示などがその一例として挙げられるが、これに限定されない。
【００２６】
入出力装置１６は、操作画面１８からのユーザの入力指示を受け付ける入力部１６０、ＲＡＭ１４４等に格納されているデータ等を表示する表示部１６２、入力部１６０に受け付けられた入力指示が後述する表示制御部１６４により送受信処理部１４６に送信されるまでの間記憶する一時記憶部１６６、入力部１６０からの入力指示を受け付け、該入力指示を表示部１６２もしくは送受信処理部１４６に送信する表示制御部１６４を有する。なお、後述するように、表示制御部１６４は、送受信処理部１４６を介してＲＯＭ１４２又はＲＡＭ１４４に格納された複数のレシピのうち任意のレシピをＣＰＵ１４０により実行させる指示（制御指示）を受け付けるようになっており、また表示部１６２は、表示制御部１６４からの指示により指示された任意のレシピを操作画面１８に表示するようになっている。さらに表示部１６２は、後述するように、Ｈ２アニールモニタ画面やレシピを編集するための編集画面等を操作画面１８に表示する。また、操作画面１８は、所定の操作で処理炉２０２内のガス濃度の検知結果を表示する検知結果表示画面１９に切り替えることができる。
【００２７】
温度制御部１５０は、上述した処理炉２０２の外周部に設けられたヒータ３３８により該処理炉２０２内の温度を制御する。Ｎ２ガス制御部１５２は、処理炉２０２のＮ２ガス配管３４０に設けられたＭＦＣ（マスフローコントローラ）３４２ｃからの出力値に基づいて処理炉２０２内に供給するパージガスの供給量等を制御する。圧力制御部１５４は、処理炉２０２の排気配管３４４に設けられた圧力センサ３４６の出力値に基づいてバルブ３４８を開閉することにより処理炉２０２内の圧力を制御する。このように、温度制御部１５０等のサブコントローラは、ＣＰＵ１４０からの制御指示に基づいて基板処理装置１０の各部（ヒータ３３８、ＭＦＣ３４２ｃ及びバルブ３４８等）の制御を行う。
【００２８】
Ｏ２ガス濃度検知部１５１は、サンプリングバルブ１００ａを介して濃度計１０２ａに接続されることで、処理炉２０２内のＯ２ガスの濃度を検知する。
Ｏ２ガス制御部１５３は、処理炉２０２のＯ２ガス配管３４１に設けられたＭＦＣ３４２ａからの出力値に基づいて処理炉内に供給するＯ２ガスの供給量等を制御する。
Ｈ２ガス濃度検知部１５５は、サンプリングバルブ１００ｂを介して濃度計１０２ｂに接続されることで、処理炉２０２内のＨ２ガスの濃度を検知する。
Ｈ２ガス制御部１５７は、処理炉２０２のＨ２ガス配管３４３に設けられたＭＦＣ３４２ｂからの出力値に基づいて処理炉内に供給するＨ２ガスの供給量等を制御する。
【００２９】
例えば、入出力装置１６の操作画面１８を介して入力部１６０により、レシピを設定する為のデータが入力されると、該入力データ（入力指示）は、記憶部１６６に格納されると共に表示制御部１６４を介して表示部１６２に表示され、さらに表示制御部１６４によりＰＭＣ１４の送受信処理部１４６に送信される。ＣＰＵ１４０は、該入力データをＲＡＭ１４４に格納し、例えばＲＯＭ１４２に格納されたレシピを確定させる。ＣＰＵ１４０は、シーケンスプログラムを起動し、該シーケンスプログラムに従って、例えばＲＡＭ１４４に格納されたレシピのコマンドを呼び込み実行することで、ステップが逐次実行され、Ｉ／Ｏ制御部１４８を介して温度制御部１５０、Ｎ２ガス制御部１５２、圧力制御部１５４、搬送制御部（図示せず）、Ｏ２ガス濃度検知部１５１、Ｏ２ガス制御部１５３、Ｈ２ガス濃度検知部１５５及びＨ２ガス制御部１５７に対して基板を処理するための制御指示が送信される。温度制御部１５０等のコントローラは、ＣＰＵ１４０からの制御指示に従って基板処理装置１０内の各部（ヒータ３３８、ＭＦＣ３４２ａ、３４２ｂ、３４２ｃ、バルブ３４８、サンプリングバルブ１００ａ、１００ｂ等）の制御を行う。これにより、上述したウエハ２００の処理が行われる。
【００３０】
次に、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の動作について説明する。
図２及び図３に示されているように、ポッド１１０がロードポット１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
【００３１】
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００３２】
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。
【００３３】
ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、図示しないノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、移載室１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ１１０をボート２１７に装填する。
【００３４】
この一方（上段又は下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段又は上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
【００３５】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇（ボートアップ）されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。
【００３６】
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、図示しないノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００及びポッド１１０は筐体の外部へ払出（ボートアンロード）される。
【００３７】
次に、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０を用いて基板を処理するために準備する第１の準備工程について図５に基づいて説明する。
第1の準備工程では、Ｈ２アニール処理（基板処理）をする際に使用される第1のガスであるＨ２（水素）ガスを処理炉２０２内に導入する前にＨ２ガスと化学反応を起す第２のガスであるＯ２（酸素）ガスの濃度をＯ２ガス濃度検知部１５１によりチェックする。
Ｈ２ガスを処理炉２０２内に導入する前に、Ｎ２（窒素）ガスにてプレパージを実施するが、このＮ２パージの時間積算流量が不足した場合や、プレパージ実行中にＨ２インターロックの１つであるＯ２ガスバルブを開いた場合、処理炉２０２内において、Ｈ２ガスとＯ２ガスが反応を起こしてしまう恐れがある。そこで、プレパージ完了時に処理炉２０２内のＯ２濃度を監視する。Ｏ２濃度はシーケンサにて常時監視し、Ｏ２濃度結果をシグナルポートから取り込み、濃度チェックがＯＫかＮＧかを判断する。
【００３８】
まず、ステップ１００（Ｓ１００）において、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入される（ボートアップ）。
【００３９】
ステップ１０２（Ｓ１０２）において、シールキャップ２１９に装着された２重Ｏリング部を真空引きする。
【００４０】
ステップ１０４（Ｓ１０４）において、処理炉２０２内を真空引きする場合にはステップ１０６（Ｓ１０６）の処理に進み、しない場合にはステップ１１０（Ｓ１１０）の処理に進む。
【００４１】
ステップ１０６（Ｓ１０６）において、処理炉２０２内を真空引きする。
【００４２】
ステップ１０８（Ｓ１０８）において、リークチェックをする。
【００４３】
ステップ１１０（Ｓ１１０）において、処理炉２０２内を大気に戻す。
【００４４】
ステップ１１２（Ｓ１１２）において、Ｎ２ガスにてプレパージをする。
【００４５】
ステップ１１４（Ｓ１１４）において、Ｎ２プレパージの積算流量を測定する。積算流量が適当であれば、ステップ１１５（Ｓ１１５）の処理に進み、そうでない場合にはステップ１１２（Ｓ１１２）の処理に戻る。
【００４６】
ステップ１１５（Ｓ１１５）において、サンプリングバルブ１００ａを開き、処理炉２０２内のガスを濃度計１０２ａへ流す。
【００４７】
ステップ１１６（Ｓ１１６）において、Ｏ２ガス濃度検知部１５１によりＯ２ガスの濃度を測定する。Ｏ２の濃度が適当であればステップ１１７（Ｓ１１７）の処理に進む。そうでない場合にはステップ１１２（Ｓ１１２）の処理に戻り、積算モニタ値をリセットして、再度Ｎ２プレパージ積算チェックを実施しながらも、Ｏ２濃度チェックを実施し、積算流量チェック中にＯ２濃度チェックがＯＫとなった場合には、積算流量チェックＯＫとし、ステップ１１７（Ｓ１１７）の処理に進む。
【００４８】
ステップ１１７（Ｓ１１７）において、サンプリングバルブ１００ａを閉める。
【００４９】
ステップ１１８（Ｓ１１８）において、基板を処理するＨ２アニール処理へ進む。
【００５０】
次に、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０を用いて基板処理後に基板保持具であるボート２１７を搬出（ボートアンロード）するために準備する第２の準備工程について図６及び図７に基づいて説明する。
第２の準備工程では、Ｈ２アニール処理（基板処理）をする際に使用される第１のガスであるＨ２（水素）ガスの濃度をＨ２ガス濃度検知部１５５によりチェックする。
Ｈ２ガスを排出する場合に、処理炉２０２内をＮ２ガスにてアフターパージするが、このＮ２パージの時間積算流量が不足すると、処理炉２０２内にはＨ２ガスが残留している場合があり、この残留Ｈ２ガスによりボートアンロードにおいて、Ｏ２ガスと反応を起こしてしまう恐れがあった。そこで、アフターパージ完了後に処理炉２０２内のＨ２濃度を監視し、ＮＧの場合にはアフターパージを再実行させる。このＨ２濃度はシーケンサにて常時監視し、Ｈ２濃度結果をシグナルポートから取り込み、濃度チェックがＯＫかＮＧかを判断する。
【００５１】
図６は、Ｈ２濃度チェックをＮ２アフターパージ後に実施した場合の工程を示し、図７は、Ｈ２濃度チェックを処理炉２０２内を一度大気に戻した後にＮ２アフターパージをし、その後に実施した場合の工程を示す。
【００５２】
図６に示すように、ステップ１１８（Ｓ１１８）において、Ｈ２アニール処理（基板処理）がなされた後、ステップ１２２（Ｓ１２２）において、Ｎ２ガスによりアフターパージをする。
【００５３】
ステップ１２４（Ｓ１２４）において、Ｎ２アフターパージの積算流量を測定する。積算流量が適当であれば、ステップ１２５（Ｓ１２５）の処理に進み、そうでない場合にはステップ１２２（Ｓ１２２）の処理に戻り、積算流量モニタ値を保持して再度積算チェックを実施する。
【００５４】
ステップ１２５（Ｓ１２５）において、サンプリングバルブ１００ｂを開き、処理炉２０２内のガスを濃度計１０２ｂへ流す。
【００５５】
ステップ１２６（Ｓ１２６）において、Ｈ２ガス濃度検知部１５５によりＨ２の濃度を測定する。Ｈ２の濃度が適当であればステップ１２７（Ｓ１２７）の処理に進む。そうでない場合にはステップ１２２（Ｓ１２２）の処理に戻り、積算モニタ値をリセットして、再度Ｎ２アフターパージ積算チェックを実施しながらも、Ｈ２濃度チェックを実施し、積算流量チェック中にＨ２濃度チェックがＯＫとなった場合には、積算流量チェックＯＫとし、ステップ１２７（Ｓ１２７）の処理に進む。
【００５６】
ステップ１２７（Ｓ１２７）において、サンプリングバルブ１００ｂを閉める。
【００５７】
ステップ１２８（Ｓ１２８）において、シールキャップ２１９に装着された２重Ｏリング部を大気に戻す。
【００５８】
ステップ１３０（Ｓ１３０）において、ボート２１７が処理炉２０２外へ搬出される（ボートアンロード）。
【００５９】
図７に示すように、処理炉２０２内を一度大気に戻した後にＮ２アフターパージをして、その後にＨ２濃度チェックを実施する場合について説明する。
ステップ１１８（Ｓ１１８）において、Ｈ２アニール処理（基板処理）がなされた後、ステップ１１９（Ｓ１１９）において、処理炉２０２内を真空引きする。
【００６０】
ステップ１２０（Ｓ１２０）において処理炉２０２内を大気に戻す。
ここで、ボートアンロード直前に処理炉２０２内を真空引きをするシステムの場合は、大気返還後にＨ２濃度チェックを実施することが必須である。
【００６１】
ステップ１２２（Ｓ１２２）において、Ｎ２ガスによりアフターパージする。
【００６２】
ステップ１２４（Ｓ１２４）において、Ｎ２アフターパージの積算流量を測定する。積算流量が適当であれば、ステップ１２５（Ｓ１２５）の処理に進み、そうでない場合にはステップ１２２（Ｓ１２２）の処理に戻り、積算流量モニタ値を保持して再度積算チェックを実施する。
【００６３】
ステップ１２５（Ｓ１２５）において、サンプリングバルブ１００ｂを開き、処理炉２０２内のガスを濃度計１０２ｂへ流す。
【００６４】
ステップ１２６（Ｓ１２６）において、Ｈ２ガス濃度検知部１５５によりＨ２の濃度を測定する。Ｈ２の濃度が適当であればステップ１２７（Ｓ１２７）の処理に進む。そうでない場合にはステップ１２２（Ｓ１２２）の処理に戻り、積算モニタ値をリセットして、再度Ｎ２アフターパージ積算チェックを実施しながらも、Ｈ２濃度チェックを実施し、積算流量チェック中にＨ２濃度チェックがＯＫとなった場合には、積算流量チェックＯＫとし、ステップ１２７（Ｓ１２７）の処理に進む。
【００６５】
ステップ１２７（Ｓ１２７）において、サンプリングバルブ１００ｂを閉める。
【００６６】
ステップ１２８（Ｓ１２８）において、シールキャップ２１９に装着された２重Ｏリング部を大気に戻す。
【００６７】
ステップ１３０（Ｓ１３０）において、ボート２１７が処理炉２０２外へ搬出される（ボートアンロード）。
【００６８】
図８は、第１の準備工程であるＯ２濃度チェックの詳細な動作を示し、ＰＭＣ１４による制御フローを示すフローチャートである。
【００６９】
まず、ステップ１３２（Ｓ１３２）において、Ｏ２濃度検知用バルブ（サンプリングバルブ１００ａ）を開き、処理炉２０２内のガスを濃度計１０２ａへ流す。
【００７０】
ステップ１３４（Ｓ１３４）において、Ｏ２ガスが濃度計１０２ａを流れて、濃度遅れ時間のカウントが開始される。
【００７１】
ステップ１３６（Ｓ１３６）において、Ｏ２濃度遅れ時間のカウント＝０であれば次のステップ１３８（Ｓ１３８）の処理に進み、そうでない場合にはステップ１３６（Ｓ１３６）の処理に戻る。
【００７２】
ステップ１３８（Ｓ１３８）において、Ｏ２濃度遅れ時間のカウントが終了する。
【００７３】
ステップ１４０（Ｓ１４０）において、安定待ち時間のカウントが開始される。
【００７４】
ステップ１４２（Ｓ１４２）において、安定待ち時間＝０であれば次のステップ１４４（Ｓ１４４）の処理に進み、そうでない場合にはステップ１４２（Ｓ１４２）の処理に戻る。
【００７５】
ステップ１４４（Ｓ１４４）において、Ｏ２ガスの濃度チェックをする。
【００７６】
ステップ１４６（Ｓ１４６）において、Ｏ２ガスの濃度がＯＫであれば次のステップ１４８（Ｓ１４８）の処理に進み、そうでない場合にはステップ１３４（Ｓ１３４）の処理に戻る。
【００７７】
ステップ１４８（Ｓ１４８）において、Ｏ２濃度検知用バルブ（サンプリングバルブ１００ａ）を閉じる。
【００７８】
Ｏ２濃度チェックが終了し、次のレシピステップ（Ｈ２アニール処理）へ進む。
【００７９】
なお、第２の準備工程であるＨ２濃度チェックも上述の第１の準備工程であるＯ２濃度チェックの動作と同様である。
【００８０】
図９は、第１の準備工程であるＯ２濃度チェック時のサンプリングバルブ開閉信号１０６、濃度検知結果信号１０７、アラーム１０８の動作を例示するタイミングチャートである。
サンプリングバルブ開閉信号１０６は、ＯＮによりサンプリングバルブ１００ａを開き、ＯＦＦによりサンプリングバルブ１００ａを閉める。
濃度検知結果信号１０７は、濃度計１０２ａにより検知した結果が適当であればＯＫ、不適当であればＮＧとし、検知結果表示画面１９へ信号を送信する。
アラーム１０８は、ガス濃度チェック中にアラームを発生させ、再度のガス濃度チェックを促す。
サンプリングバルブ開閉信号１０６がＯＮのとき、Ｏ２濃度検知用バルブ（サンプリングバルブ１００ａ）は開かれている。そして、Ｏ２濃度チェックが開始されると、Ｏ２ガス濃度検知結果信号１０７がＯＫとなるまで繰り返す。Ｏ２ガス濃度結果信号１０７がＯＫでアラーム１０８していない状態が安定待ち期間継続されると、サンプリングバルブ開閉信号１０６はＯＦＦとなり、Ｏ２濃度検知用バルブ（サンプリングバルブ１００ａ）は閉められ、次のステップレシピ（Ｈ２アニール処理）へ進む。
【００８１】
[期間１]
時間Ｔ１からＴ２であり、Ｏ２濃度遅れ期間である。時間Ｔ１において、サンプリングバルブ開閉信号１０６をＯＮにしてサンプリングバルブ１００ａが開かれ、時間Ｔ２において、処理炉２０２内のガスが濃度計１０２ａに流し込み完了する。このとき、例えばＯ２ガス濃度検知結果信号１０７はＮＧ、アラーム１０８はＯＦＦの状態である。
【００８２】
[期間２]
時間Ｔ２からＴ３であり、安定待ち期間である。安定待ち期間は、濃度検知中であることを示す。このとき、例えばＯ２ガス濃度検知結果信号１０７はＮＧ、アラーム１０８はＯＦＦの状態である。
【００８３】
[期間３]
時間Ｔ３において、期間２でＯ２ガス濃度検知結果信号１０７がＮＧであったのを受けて、アラーム１０８がＯＮの状態となる。
【００８４】
[期間４]
時間Ｔ４において、Ｏ２ガス濃度検知結果信号１０７がＯＫとなったのを受けて、安定待ち期間に入る。アラーム１０８はＯＮの状態である。
【００８５】
[期間５]
時間Ｔ５において、アラーム１０８は時間Ｔ４でＯ２ガス濃度検知結果信号１０７がＯＫとなってから安定待ち期間がＯＦＦの状態となる。
【００８６】
[期間６]
時間Ｔ６において、Ｏ２ガス濃度検知結果信号１０７がＮＧとなったのを受けて、安定待ち期間に入る。アラーム１０８はＯＦＦの状態である。
【００８７】
[期間７]
時間Ｔ７において、Ｏ２ガス濃度検知結果信号１０７はＮＧであるため、アラーム１０８はＯＮの状態となる。
【００８８】
[期間８]
その後、サンプリングバルブ開閉信号１０６がＯＦＦとなることで、サンプリングバルブ１００ａが閉められる。しかしながら、次のレシピへ進むための条件が満たされていないので、時間Ｔ９において、再度サンプリングバルブ開閉信号１０６がＯＮとなり、サンプリングバルブが開けられる。また、アラーム１０８もＯＦＦとなり、時間Ｔ１と同様にＯ２ガス濃度チェックが再開される。
【００８９】
以上より、Ｏ２ガス濃度チェック状態がチャタリングしても、Ｏ２ガス濃度チェックを再度実施し、ガス濃度チェック時間経過後のＯ２ガス濃度結果信号がＯＫになるまで次のステップへ遷移しない。
なお、第２の準備工程であるＨ２ガス濃度チェックにおいてもサンプリングバルブ開閉信号１０６、濃度検知結果信号１０７及びアラーム１０８の動作は、上述のＯ２ガス濃度チェック時の動作と同様である。
【００９０】
図１０は、ガス濃度結果を表示する検知結果表示画面１９を例示する図であり、本発明の実施形態におけるコントローラのモニタ画面を例示する。
Ｏ２ガス濃度検知表示部３０２ａは、Ｏ２ガス濃度の遅れ時間表示部３０４、Ｏ２ガス濃度安定待ち時間表示部３０６及びＯ２濃度チェック結果表示部３０８を有する。
Ｈ２ガス濃度検知表示部３１０ａは、Ｈ２ガス濃度の遅れ時間表示部３１２、Ｈ２ガス濃度安定待ち時間表示部３１４及びＨ２濃度のチェック結果表示部３１６を有する。
遅れ時間表示部３０４、３１２はガス濃度の遅れ時間をカウントダウンし、安定待ち時間表示部３０６、３１４はガス濃度の安定待ち時間をカウントダウンする。
【００９１】
したがって、遅れ時間表示部３０４、３１２及び安定待ち時間表示部３０６、３１４を確認することで、ガス濃度のチェックが遅延中なのかチェック中なのか状態を確認することができる。
また、チェック結果表示部３０８、３１６は上述のガス濃度のチェック結果を表示し、ボートロード後、一度もガス濃度チェックが実施されていない状態においては「未実施」、ガス濃度チェック結果がＯＫの場合においては「ＯＫ」、ガス濃度チェック結果がＮＧの場合においては「ＮＧ」、ガス濃度チェック中（遅延中またはチェック中）に、サンプリングバルブ開閉信号がＯＦＦとなりサンプリングバルブ１００が閉められた場合には「ＡＢＯＲＴ」を表示する。なお、「ＡＢＯＲＴ」時には、ガス濃度チェック中にアラームを発生させて再度ガス濃度チェックを行うよう促す。この状態の時には、Ｈ２アニールやボートアンロードの次のステップには移行しない。
【００９２】
図１１は、ガス濃度検知結果を表示する検知結果表示画面１９を例示する図であり、従来技術であるコントローラのモニタ画面を例示する。
Ｏ２ガス濃度検知表示部３０２ｂは、Ｏ２のガス濃度がＯＫかＮＧかを表示し、Ｈ２ガス濃度検知表示部３１０ｂは、Ｈ２のガス濃度がＯＫかＮＧかを表示する。
Ｏ２ガス濃度検知表示部３０２ｂは、Ｏ２ガス濃度がＯＫであれば、緑色となり、ＮＧであれば、他色となる。
同様に、Ｈ２ガス濃度検知表示部３１０ｂも、Ｈ２ガス濃度がＯＫであれば、緑色となり、ＮＧであれば、他色となる。
また、Ｏ２ガス待ち時間表示部３１８は、Ｏ２ガスの置換待ち時間（ＯＫ待ち時間）を表示し、Ｈ２ガス待ち時間表示部３２０は、Ｈ２ガスの置換待ち時間（ＯＫ待ち時間）を表示する。
置換待ち時間終了時（カウントダウン終了時）に、Ｏ２ガス待ち時間表示部３１８又はＨ２ガス待ち時間表示部３２０は緑色となる。
【００９３】
したがって、図１１の従来技術における検知結果表示画面１９においては、ガス濃度チェックにおいて遅延中（遅延時間カウントダウン中）及びチェック中（監視時間カウントダウン中）が存在するが、遅延中の状態が分からないという欠点があった。また、ステップ時間が終了すると監視時間カウントダウン中にサンプリングバルブ開閉信号１０６がＯＦＦとなり、サンプリングバルブ１００が閉められ、最後に受信したガス濃度結果で濃度結果がＯＫであってもＮＧであってもガス濃度チェックが終了してしまい、装置を停止せざるを得ず、装置の稼働率が悪かった。
【００９４】
本発明によれば、ガス濃度監視時間である遅れ時間と安定待ち時間をそれぞれ表示部に表示し、ガス濃度ステップ時間に対してガス濃度監視時間が十分でない場合には、濃度検知結果をアボート表示し、再度ガス濃度チェックを実施しないと次のステップへ遷移しないようにすることで、プロセスロットアウトを防ぎ、Ｈ２残ガスによる爆発を防止することができる。さらに、サンプリングバルブを開いたまま濃度チェックのリトライを行えるようにしてできる限り装置を停止させないようにすることで、装置の稼働率を向上させることができる。
【００９５】
なお、本発明に係る基板処理装置１０は、半導体装置だけでなくＬＣＤ装置などのガラス基板を処理する装置にも適用される。すなわち、オペレータが例えばキーボード、操作画面等の入力手段を用いて入力する操作画面を有する半導体基板、ガラス基板等の基板処理装置であって、Ｈ２を含むガスやＯ２を含むガスを供給する装置であれば適用できる。さらに、本発明に係る基板処理装置１０は、炉内の処理に限定しないが、特に酸化処理や水素アニール処理に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置１０を含む基板処理システム１の構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の側面透視図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板処理装置１０のＰＭＣ１４を中心としたハードウェア構成を示す。
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理装置１０により実行される第１の準備工程前後の動作のフローを示す。
【図６】本発明の実施形態に係る基板処理装置１０により実行される第２の準備工程前後の動作のフローを示す。
【図７】本発明の実施形態に係る基板処理装置１０により実行される第２の準備工程前後の第２の動作のフローを示す。
【図８】本発明の実施形態に係る基板処理装置１０により実行されるＯ２濃度チェックの動作のフローを示す。
【図９】第１の準備工程における、サンプリングバルブ開閉信号、濃度検知結果信号及びアラームの動作を例示するタイミングチャートである。
【図１０】本発明の実施形態に係る基板処理装置１０により実行される検知結果表示画面１９を例示する図である。
【図１１】従来の基板処理装置１０により実行される検知結果表示画面１９を例示する図である。
【符号の説明】
【００９７】
１      基板処理システム
１０    基板処理装置
１２    ネットワーク
１４    ＰＭＣ
１６    入出力装置
１８    操作画面
１９    検知結果表示画面
１００  サンプリングバルブ
１０２  濃度計
１０６  サンプリングバルブ開閉信号
１０７  濃度検知結果信号
１０８  アラーム
１４０  ＣＰＵ
１５１  Ｏ２ガス濃度検知部
１５３  Ｏ２ガス制御部
１５５  Ｈ２ガス濃度検知部
１５７  Ｈ２ガス制御部
１６０  入力部
１６２  表示部
２０２  処理炉
３０２  Ｏ２ガス濃度検知表示部
３１０  Ｈ２ガス濃度検知表示部
【図１】
2010153602.tif 000003
【図２】
2010153602.tif 000004
【図３】
2010153602.tif 000005
【図４】
2010153602.tif 000006
【図５】
2010153602.tif 000007
【図６】
2010153602.tif 000008
【図７】
2010153602.tif 000009
【図８】
2010153602.tif 000010
【図９】
2010153602.tif 000011
【図１０】
2010153602.tif 000012
【図１１】
2010153602.tif 000013