(57)【要約】【課題】３層の基板を積層した積層体、および該積層体から分離しにくい樹脂部材を有する圧電振動子を提供すること。【解決手段】本発明にかかる圧電振動子１００は、下側基板１０と、下側基板１０の上に設けられた中間基板２０と、中間基板２０の上に設けられた上側基板３０と、少なくとも、上側基板３０の上面３０ａおよび側面３０ｂと、中間基板２０の側面２０ｂと、を覆う樹脂部材４０と、を有し、上側基板３０の下面３０ｃよりも下方、かつ、下側基板１０の上面１０ａよりも上方、かつ、上側基板３０の平面視における輪郭３０ｒよりも内側の領域に、樹脂部材４０の一部が存在する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下側基板と、
前記下側基板の上に設けられ、振動部を有する中間基板と、
前記中間基板の上に設けられた上側基板と、
少なくとも、前記上側基板の上面および側面と、前記中間基板の側面と、を覆う樹脂部材と、
を有し、
前記上側基板の下面よりも下方、かつ、前記下側基板の下面よりも上方、かつ、前記上側基板の平面視における輪郭よりも内側の領域に、前記樹脂部材の一部が存在する、圧電振動子。
【請求項２】
請求項１において、
平面視において、前記下側基板の輪郭は、前記上側基板の輪郭よりも外側にある、圧電振動子。
【請求項３】
請求項１において、
平面視において、前記中間基板および前記下側基板の輪郭が一致している、圧電振動子。
【請求項４】
請求項１において、
平面視において、前記下側基板の輪郭は、前記中間基板の輪郭よりも内側にある、圧電振動子。
【請求項５】
下側基板と、
前記下側基板の上に設けられ、振動部を有する中間基板と、
前記中間基板の上に設けられた上側基板と、
少なくとも、前記上側基板の上面および側面と、前記中間基板の側面と、前記下側基板の側面と、を覆う樹脂部材と、
を有し、
前記中間基板の下面よりも下方、かつ、前記下側基板の下面よりも上方、かつ、前記中間基板の平面視における輪郭よりも内側の領域に、前記樹脂部材の一部が存在する、圧電振動子。
【請求項６】
下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程と、
前記下側基板、前記中間基板、および前記上側基板を積層して積層基板を形成する工程と、
前記積層基板の、少なくとも前記上側基板を切削し、前記上側基板側から前記下側基板の上面まで連通する孔を形成するハーフダイシング工程と、
前記上側基板側から樹脂原料を付与して、前記上側基板の上面、側面および下面と、前記中間基板の側面と、前記下側基板の上面と、を覆うように樹脂層を形成する工程と、
前記下側基板および前記樹脂層を切断して個片を形成するダイシング工程と、
を有し、
前記ダイシング工程で用いるブレードの厚みは、前記ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄い、圧電振動子の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記中間基板は、板状の枠部を有し、
前記ハーフダイシング工程では、前記上側基板および前記枠部を切断し、前記上側基板側から前記下側基板の上面まで連通する孔を形成する、圧電振動子の製造方法。
【請求項８】
下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程と、
前記下側基板、前記中間基板、および前記上側基板を積層して積層基板を形成する工程と、
前記積層基板を、前記上側基板側から切削し、第１溝を形成する第１ハーフダイシング工程と、
前記上側基板側から樹脂原料を付与して、前記上側基板の上面、および前記第１溝の内部に第１樹脂層を形成する工程と、
前記積層基板を、前記下側基板側から切削し、前記下側基板側に前記第１樹脂層を露出させる第２溝を形成する第２ハーフダイシング工程と、
前記下側基板側から前記樹脂原料を付与して、前記第２溝の内部に、前記第１樹脂層に連続する第２樹脂層を形成する工程と、
前記第１樹脂層および前記第２樹脂層を切断して、個片を形成するダイシング工程と、
を有し、
前記第１ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みは、前記第２ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄く、
前記ダイシング工程で用いるブレードの厚みは、前記第１ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄い、圧電振動子の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記中間基板は、板状の枠部を有し、
前記第１ハーフダイシング工程では、前記上側基板および前記枠部を切断し、前記上側基板側から前記下側基板の上面まで連通する孔を形成する、圧電振動子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電振動子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に伴い、水晶振動子等の圧電振動子は、より一層の小型化が要求されている。素子の小型化を実現するための技術として、たとえば水晶振動子を有する水晶基板を、上下方向から同様の形状の基板で挟んで３層の基板を互いに接合することにより封止する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、このような技術を適用することにより、複数の水晶振動子を有する水晶基板を用いた場合には、上下方向から基板を接合した後に基板を切断することにより、小型の複数の圧電デバイスを得ることができ、工程数の削減を図ることができる。
【０００４】
一方、このような圧電振動子は、たとえば圧電振動子を保護する目的から、樹脂モールドが施されることがある。
【特許文献１】特開２００６−０９４３７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、圧電振動子に樹脂モールドを施す場合は、両者の接着性が不足することがあった。また、圧電振動子および樹脂モールドは、材質が互いに異なり熱膨張係数も異なる。そのため、温度変化等があると、より界面の剥離が生じやすくなっていた。このような接着性の不足や界面の剥離（デラミネーション）が生じると、圧電振動子および樹脂モールドの分離に至る場合があった。
【０００６】
本発明にかかるいくつかの態様の目的の１つは、３層の基板を積層した積層体、および該積層体から分離しにくい樹脂部材を有する圧電振動子を提供することにある。
【０００７】
本発明にかかるいくつかの態様の目的の１つは、３層の基板を積層した積層体に分離しにくい樹脂部材が形成された圧電振動子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明にかかる圧電振動子は、
下側基板と、
前記下側基板の上に設けられ、振動部を有する中間基板と、
前記中間基板の上に設けられた上側基板と、
少なくとも、前記上側基板の上面および側面と、前記中間基板の側面と、を覆う樹脂部材と、
を有し、
前記上側基板の下面よりも下方、かつ、前記下側基板の下面よりも上方、かつ、前記上側基板の平面視における輪郭よりも内側の領域に、前記樹脂部材の一部が存在する。
【０００９】
このような圧電振動子は、３層の基板を積層した積層体、および該積層体と分離しにくい樹脂部材を有する。
【００１０】
本発明にかかる圧電振動子において、
平面視において、前記下側基板の輪郭は、前記上側基板の輪郭よりも外側にあることができる。
【００１１】
本発明にかかる圧電振動子において、
平面視において、前記中間基板および前記下側基板の輪郭が一致していることができる。
【００１２】
本発明にかかる圧電振動子において、
平面視において、前記下側基板の輪郭は、前記中間基板の輪郭よりも内側にあることができる。
【００１３】
本発明にかかる圧電振動子は、
下側基板と、
前記下側基板の上に設けられ、振動部を有する中間基板と、
前記中間基板の上に設けられた上側基板と、
少なくとも、前記上側基板の上面および側面と、前記中間基板の側面と、前記下側基板の側面と、を覆う樹脂部材と、
を有し、
前記中間基板の下面よりも下方、かつ、前記下側基板の下面よりも上方、かつ、前記中間基板の平面視における輪郭よりも内側の領域に、前記樹脂部材の一部が存在する。
【００１４】
このような圧電振動子は、３層の基板を積層した積層体、および該積層体と分離しにくい樹脂部材を有する。
【００１５】
本発明にかかる圧電振動子の製造方法は、
下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程と、
前記下側基板、前記中間基板、および前記上側基板を積層して積層基板を形成する工程と、
前記積層基板の、少なくとも前記上側基板を切削し、前記上側基板側から前記下側基板の上面まで連通する孔を形成するハーフダイシング工程と、
前記上側基板側から樹脂原料を付与して、前記上側基板の上面、側面および下面と、前記中間基板の側面と、前記下側基板の上面と、を覆うように樹脂層を形成する工程と、
前記下側基板および前記樹脂層を切断して個片を形成するダイシング工程と、
を有し、
前記ダイシング工程で用いるブレードの厚みは、前記ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄い。
【００１６】
このようにすれば、３層の基板を積層した積層体に分離しにくい樹脂部材が形成された圧電振動子を容易に製造することができる。
【００１７】
本発明にかかる圧電振動子の製造方法において、
前記中間基板は、板状の枠部を有し、
前記ハーフダイシング工程では、前記上側基板および前記枠部を切断し、前記上側基板側から前記下側基板の上面まで連通する孔を形成することができる。
【００１８】
本発明にかかる圧電振動子の製造方法は、
下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程と、
前記下側基板、前記中間基板、および前記上側基板を積層して積層基板を形成する工程と、
前記積層基板を、前記上側基板側から切削し、第１溝を形成する第１ハーフダイシング工程と、
前記上側基板側から樹脂原料を付与して、前記上側基板の上面、および前記第１溝の内部に第１樹脂層を形成する工程と、
前記積層基板を、前記下側基板側から切削し、前記下側基板側に前記第１樹脂層を露出させる第２溝を形成する第２ハーフダイシング工程と、
前記下側基板側から前記樹脂原料を付与して、前記第２溝の内部に、前記第１樹脂層に連続する第２樹脂層を形成する工程と、
前記第１樹脂層および前記第２樹脂層を切断して、個片を形成するダイシング工程と、
を有し、
前記第１ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みは、前記第２ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄く、
前記ダイシング工程で用いるブレードの厚みは、前記第１ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄い。
【００１９】
このようにすれば、３層の基板を積層した積層体に分離しにくい樹脂部材が形成された圧電振動子を容易に製造することができる。
【００２０】
本発明にかかる圧電振動子の製造方法において、
前記中間基板は、板状の枠部を有し、
前記第１ハーフダイシング工程では、前記上側基板および前記枠部を切断し、前記上側基板側から前記下側基板の上面まで連通する孔を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本発明の一例として説明するものである。
【００２２】
１．圧電振動子
図１は、本実施形態にかかる圧電振動子１００の一例を模式的に示す断面図である。図２は、圧電振動子１００を模式的に示す平面図である。なお、図１および図２においては、中間基板２０の詳細は省略して描いてある。
【００２３】
圧電振動子１００は、下側基板１０と、中間基板２０と、上側基板３０と、樹脂部材４０とを有する。
【００２４】
１．１．下側基板および上側基板
下側基板１０は、本実施形態の圧電振動子１００の下部に設けられる基板である。下側基板１０の上には、中間基板２０が設けられる。下側基板１０の平面的な形状は、たとえば、図２に示すような矩形とすることができる。下側基板１０の形状は、中間基板２０が後述する段差構造を有する場合は、図１に示すような平板状の形状を有することができる。また、中間基板２０が段差構造を有さない場合、中間基板２０に形成される圧電振動部２１の動作を阻害しないように、下側基板１０の上面１０ａには、適宜凹部が形成されてもよい。下側基板１０および中間基板２０は、平面的に見て環状の接触面を有するように積層されることができる。下側基板１０の上面１０ａは、中間基板２０および上側基板３０が積層された状態において、内部に形成される空洞の下部壁となることができる。
【００２５】
上側基板３０は、中間基板２０の上に設けられる。上側基板３０の平面的な形状は、たとえば、図２に示すような矩形の形状とすることができる。上側基板３０の形状は、中間基板２０が後述する段差構造を有する場合は、図１に示すような平板状の形状を有することができる。また中間基板２０が段差構造を有さない場合、中間基板２０に形成される圧電振動部２１の動作を阻害しないように、上側基板３０の下面３０ｃには、適宜凹部が形成されてもよい。上側基板３０および中間基板２０は、平面的に見て環状の接触面を有するように積層されることができる。上側基板３０の下面３０ｃは、中間基板２０および下側基板１０が積層された状態において、内部に形成される空洞の上部壁となることができる。
【００２６】
このように、下側基板１０および上側基板３０は、中間基板２０を挟むように設けられる。そして積層された３つの基板の内部には、空洞が形成される。この空洞は、中間基板２０に形成される圧電振動部２１が動作するための空間である。また、この空洞は、密閉されることができるため、圧電振動部２１を減圧空間や不活性ガス雰囲気に設置することができる。
【００２７】
下側基板１０および上側基板３０の材質としては、絶縁性の材質であれば特に限定されず、水晶、ガラス等を用いることができる。下側基板１０および上側基板３０の材質は、中間基板２０の熱膨張率と同一の熱膨張率を有する材質が好ましく、中間基板１０と同一の材質であることが好ましい。したがって、たとえば、中間基板２０が水晶で形成される場合には、下側基板１０および上側基板３０は、水晶からなることが好ましい。
【００２８】
１．２．中間基板
図３および図４は、本実施形態にかかる圧電振動子１００に用いられる中間基板２０の一例を模式的に示す上面図および下面図である。図５〜図７は、本実施形態にかかる中間基板２０を模式的に示す断面図であり、図５は、図３および図４におけるＩＩＡ−ＩＩＡ切断面に対応する模式図であり、図６は、図３および図４におけるＩＩＢ−ＩＩＢ切断面に対応する模式図であり、図７は、図３および図４におけるＩＩＣ−ＩＩＣ切断面に対応する模式図である。
【００２９】
中間基板２０は、下側基板３０の上に設けられる。中間基板２０は、上側基板３０の下に設けられる。すなわち、中間基板２０は、下側基板１０および上側基板３０に挟まれるように設けられる。中間基板２０は、圧電振動部２１を有する。圧電振動子１００が中間基板２０を下側基板１０および上側基板３０によって挟持される構成を採る限り、圧電振動部２１は、どのような振動片であってもよい。圧電振動部２１の振動片の態様としては、ＡＴ振動片、音叉型振動片、ウォーク型振動片などを例示することができる。本実施形態では、中間基板２０に圧電振動部２１としてＡＴ振動片が形成された態様を例示する。
【００３０】
中間基板２０は、たとえば、図示のように、圧電振動部２１と、圧電振動部２１の周囲を取り囲む枠部２２と、圧電振動部２１と枠部２２とを接続する接続部２５ａ、２５ｂと、圧電振動部２１の上面に設けられた第１励振電極５０と、圧電振動部２１の下面に設けられた第２励振電極５２と、第１励振電極５０と電気的に接続されている第１配線５４と、第２励振電極と電気的に接続されている第２配線５６と、を有することができる。
【００３１】
中間基板２０は、段差構造や傾斜構造を有していてもよい。たとえば、図５〜図７に示すように、中間基板２０の枠部２２の領域が上下方向（厚み方向）に厚く、枠部２２から内側に向かってしだいに薄くなり、圧電振動部２１の領域が他の部分よりも薄く形成されることができる。一方、接続部２５ａ、２５ｂは、圧電振動部２１と同じ厚さでもよく、圧電振動部２１から枠部２２にかけて中間基板２０の上下面において傾斜して徐々に厚くなっていてもよい。また、圧電振動部２１は、段差構造を採る場合、枠部２２の上下方向において中心に位置することができる。中間基板２０が、このような段差構造や傾斜構造を有すれば、下側基板１０および上側基板３０が平板状の形状であっても、下側基板１０と上側基板３０との間に空洞を形成することができ、圧電振動部２１は、他の部材に干渉することなく振動することができる。
【００３２】
また、中間基板２０は、段差構造等を有さなくてもよい。中間基板２０が段差構造等を有さない場合は、下側基板１０および上側基板３０の中間基板２０に接する側の面に凹部を設けることにより、積層したときに空洞を形成することができる。これにより圧電振動部２１の振動を可能にすることができる。なお、以下の説明では、図５〜図７に従い、中間基板２０が段差構造を有する場合について説明する。
【００３３】
中間基板２０は、接続部２５ａ、２５ｂ以外の領域が圧電振動部２１に接触しないように、図に例示するようなＣ字型のスリット２６ａを有する。中間基板２０において、スリット２６ａの内側の領域は、圧電振動部２１として機能し、スリット２６ａの外側の領域は、下側基板１０および上側基板３０と接合するための枠部２２として機能する。２箇所に設けられた接続部２５ａ、２５ｂの間にはスリット２６ｂが形成されている。このように、圧電振動部２１は、−Ｘ軸方向の２つの端部のうちの一方が接続部２５ａ、２５ｂに支持された片持ち梁状の形状を有する。これにより、下側基板１０と上側基板３０との間に形成される空洞内で圧電振動部２１が保持され圧電振動部２１の振動が可能となる。
【００３４】
枠部２２は、中間基板２０の外周に環状に形成される。枠部２２は、枠部２２の内側から外側に連通する第１凹部２８ａおよび第２凹部２８ｂを有することができる。これらの凹部が設けられると、該凹部に配線等を配置することができ、圧電振動子１００の外部と電気的な接続をとるために利用することができる。図示の例では、第１凹部２８ａおよび第２凹部２８ｂは、枠部２２の下面であって、かつ圧電振動部２１を挟んで相互に対向する位置に設けられている。詳しくは、第２凹部２８ｂは、枠部２２において接続部２５ａ側に設けられており、第１凹部２８ａは、圧電振動部２１を挟んで第２凹部２８ｂと対向する位置に設けられている。これらの凹部が形成された場合は、配線または必要に応じて樹脂等により各凹部を埋めることにより、枠部２２の表面を、平坦（面一）にすることができる。
【００３５】
中間基板２０の材質は、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料からなることができる。圧電振動部２１は、上述したように中間基板２０に一体的に形成されるため、中間基板２０と同じ材質とすることができる。圧電振動部２１、接続部２５ａ、２５ｂ、および枠部２２は、水晶基板からなることが好ましく、たとえば、基板面がＸ軸に平行でＸ軸の回りに回転切断して作製されるＡＴカットの水晶基板であることがより好ましい。
【００３６】
第１励振電極５０は、圧電振動部２１の上面に設けられる。第２励振電極５２は、圧電振動部２１の下面に設けられる。第１励振電極５０は、接続部２５ａ上に設けられた第１配線５４によって引き出されて、枠部２２の内側面に延出している。そして、第１配線５４は、さらに圧電振動部２１の周囲を回るように設けられ、枠部２２の下面であって、接続部２５ａ、２５ｂが設けられた側と対向する側の内側面を通って第１凹部２８ａ内に延びている。第２励振電極５２は、接続部２５ｂの下面に設けられた第２配線５６によって引き出されて、枠部２２の内側面に延出し、枠部２２の下面であって、接続部２５ａ、２５ｂが設けられた側の内側面を通って第２凹部２８ｂ内に延びている。
【００３７】
第１励振電極５０、第２励振電極５２、第１配線５４、および第２配線５６の材質としては、たとえば下地としてＣｒ膜を用い、その上にＡｕ膜を有する多層構造を例示することができる。
【００３８】
１．３．積層体
下側基板１０、中間基板２０および上側基板３０は、積層され互いに接着されて積層体となる。下側基板１０と中間基板２０、および、上側基板３０と中間基板２０の接着は、たとえば、プラズマ溶接、シーム溶接、超音波接合、また接着剤等を用いて行われることができる。ここに例示した基板間の接着は、各基板と樹脂部材４０との接着よりも相対的に強固である。そのため、基板間の接着強度は、以下に述べる樹脂部材４０と各基板との接着強度に比較して大きい。したがって、圧電振動子１００に各部材を剥離するような外力が加わった場合には、樹脂部材４０と各基板との剥離のほうが、基板間における剥離よりも優先して生じると考えることができる。
【００３９】
１．４．樹脂部材
樹脂部材４０は、少なくとも、上側基板３０の上面３０ａおよび側面３０ｂと、中間基板２０の側面２０ｂと、を覆うように設けられる。図１に示す例では、樹脂部材４０は、上側基板３０の上面３０ａ、側面３０ｂおよび下面３０ｃと、中間基板２０の側面１０ｂと、下側基板１０の上面１０ａと、を覆っている。樹脂部材４０の機能の一つとしては、各基板を覆うことにより、外部から加わる衝撃等から各基板を保護することが挙げられる。また、樹脂部材４０は、圧電振動子１００を封止（モールド）する機能を有することができる。
【００４０】
図１に示すように、樹脂部材４０は、上側基板３０の下面３０ｃよりも下方、かつ、下側基板１０の下面１０ｃよりも上方、かつ、上側基板１０の平面視における輪郭３０ｒよりも内側の領域に、樹脂部材４０の一部が存在するように設けられる。以下、このような樹脂部材４０の一部のことを「ツメ４２」と称することがある。このような樹脂部材４０のツメ４２は、圧電振動子１００から樹脂部材４０を取り外すような外力に対して、取り外されることに抵抗する引っかかり（ツメ）の役割を有する。したがって、樹脂部材４０に、ツメ４２が存在することによって、各基板を覆う樹脂部材４０が、圧電振動子１００から外れにくくなる。すなわち、樹脂部材４０は、下側基板１０、中間基板２０および上側基板３０の３層を積層した積層体と分離しにくい。そして、仮に、温度変化等によって樹脂部材４０と各基板との界面が剥離するようなことがあったとしても、樹脂部材４０が圧電振動子１００から外れることを抑制することができる。
【００４１】
ツメ４２の形状および平面的な配置について、図１、図２、図８、図９を用いて説明する。図８は、本実施形態にかかる圧電振動子１００の一例を模式的に示す断面図であり、ツメ４２を例示している。図９は、本実施形態にかかる圧電振動子１００の一例を模式的に示す平面図であり、ツメ４２を例示している。
【００４２】
ツメ４２の形状は、図１の例では、中間基板２０の厚み（枠部２２の厚み）と同じ厚みを有する形状であるが、これに限定されず、図８に示した２種の例のように、中間基板２０の側面の一部に切欠６２が設けられ、この切欠６２の内部に樹脂部材４０の一部が埋められることによってツメ４２が形成されていてもよい。このようなツメ４２の形状は、本明細書におけるいずれの態様においても適用することができる。
【００４３】
また、ツメ４２の平面的な配置としては、上側基板３０の平面視における輪郭３０ｒよりも内側の領域に、少なくとも１箇所形成されていれば、上記の効果を奏することができる。なお、ツメ４２は、上側基板３０の平面視における輪郭３０ｒよりも内側の領域に、２箇所以上形成されるほうがより好ましい。具体的には、図９に例示するように、ツメ４２を２箇所に形成することができる。また、ツメ４２が２箇所に形成される場合は、図９に示すように、樹脂部材４０を平面的に見たときに一方のツメ４２に対向する位置に形成されることがさらに好ましい。また、ツメ４２の平面的な配置としては、図２に例示するように中間基板２０の周囲を取り囲むように形成されてもよい。以上例示した形状および配置のツメ４２によれば、樹脂部材４０が各基板から外れにくくなる効果を奏することができる。このようなツメ４２の平面的な配置は、本明細書におけるいずれの態様においても適用することができる。
【００４４】
一方、樹脂部材４０は、少なくとも、上側基板３０の上面３０ａおよび側面３０ｂと、中間基板２０の側面２０ｂと、下側基板１０の側面１０ｂと、を覆うように設けることもできる。図１０〜図１３は、本実施形態にかかる圧電振動子１００の例を模式的に示す断面図である。図１０〜図１３の圧電振動子１００は、少なくとも、上側基板３０の上面３０ａおよび側面３０ｂと、中間基板２０の側面２０ｂと、下側基板１０の側面１０ｂと、を覆っている。これらの例のうち、図１０に示す例では、樹脂部材４０は、上側基板３０の上面３０ａおよび側面３０ｂと、中間基板２０の側面２０ｂおよび下面２０ｃと、下側基板１０の側面１０ｂと、を覆って設けられている。図１０に示す例では、樹脂部材４０は、中間基板２０の下面２０ｃよりも下方、かつ、下側基板１０の下面１０ｃよりも上方、かつ、中間基板２０の平面視における輪郭２０ｒよりも内側の領域に、樹脂部材４０の一部が存在するように設けられている。この例においても、樹脂部材４０の一部（ツメ４２）は、圧電振動子１００から樹脂部材４０を取り外すような外力に対して、取り外されることに抵抗する引っかかり（ツメ）の役割を有することができる。この例におけるツメ４２の形状および平面的な配置は、前述に準じることができる。なお、図１１〜図１３に例示する圧電振動子１００においても、樹脂部材４０は、中間基板２０の下面２０ｃよりも下方、かつ、下側基板１０の下面１０ｃよりも上方、かつ、中間基板２０の平面視における輪郭２０ｒよりも内側の領域に、樹脂部材４０の一部（ツメ４２）が存在するように設けられている。
【００４５】
樹脂部材４０の材質としては、各基板からなる積層体を衝撃等から保護できる材質、すなわち、各基板よりも剛性の小さい材質であれば特に限定されない。このような材質としては、たとえば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を挙げることができる。
【００４６】
樹脂部材４０が封止材（モールド）として機能する場合は、樹脂部材４０は、少なくとも、上側基板３０の上面および側面と、中間基板２０の側面と、に密着して設けられる。そのため、樹脂部材４０のツメ４２の形状は、下側基板１０、中間基板２０、および上側基板３０の外形に依存することになる。図１１〜図１３の例については、次項において、下側基板１０、中間基板２０、および上側基板３０の形状とともに説明する。
【００４７】
１．５．下側基板、中間基板、および上側基板の形状
圧電振動子１００の下側基板１０、中間基板２０および上側基板３０は、樹脂部材４０にツメ４２を形成するために、以下のような形状とすることができる。以下、樹脂部材４０の形状、ならびに上側基板３０、中間基板２０、および下側基板１０の形状の関係について説明する。なお、樹脂部材４０におけるツメ４２の形状および平面的な配置については、既述のとおりであり説明を省略する。
【００４８】
まず、樹脂部材４０が、下側基板１０の下面１０ｃよりも上方、かつ、上側基板３０の下面３０ｃよりも下方、かつ、上側基板１０の平面視における輪郭３０ｒよりも内側の領域に、ツメ４２を有する場合について述べる。このような例としては、図１、図８、図１１、および図１２に示した圧電振動子１００が挙げられる。これらの圧電振動子１００は、中間基板２０の側方に樹脂部材４０のツメ４２が形成されている。すなわち、中間基板２０の輪郭２０ｒが上側基板３０の輪郭３０ｒよりも内側に形成されている。
【００４９】
図１、図８、図１１、および図１２に例示された圧電振動子１００は、中間基板２０の側方にツメ４２が形成されることにより、ツメ４２が上側基板３０にかかり、樹脂部材４０を積層体から外れにくくなっている。そのため、この場合、下側基板１０の形状は任意である。たとえば、平面視において、下側基板１０の輪郭１０ｒは、上側基板３０の輪郭３０ｒの外側にあることができる（図１、図２および図８参照）。また、下側基板１０の輪郭１０ｒは、中間基板２０の輪郭２０ｒと一致していることができる（図１１参照）。さらに、下側基板１０の輪郭１０ｒは、中間基板２０の輪郭２０ｒよりも内側にあることができる（図１２参照）。下側基板１０の大きさは、たとえば、圧電振動子１００の製造プロセスにおけるダイシング工程の数を節減する等の目的に応じて適宜設定することができる。
【００５０】
次に、樹脂部材４０が、下側基板１０の下面１０ｃよりも上方、かつ、中間基板２０の下面２０ｃよりも下方、かつ、中間基板２０の平面視における輪郭２０ｒよりも内側の領域に、ツメ４２を有する場合（図１０、図１２、図１３等）について述べる。図１０、図１２、図１３に例示された圧電振動子１００は、下側基板１０の側方に樹脂部材４０のツメ４２が形成されている。
【００５１】
図１０、図１２、図１３に例示された圧電振動子１００は、下側基板１０の側方にツメ４２が形成されることにより、ツメ４２が中間基板２０にかかり、樹脂部材４０を積層体から外れにくくなっている。そのため、この場合、上側基板３０の形状は任意である。たとえば、平面視において、上側基板３０の輪郭３０ｒは、中間基板２０の輪郭２０ｒの外側にあることができる（図１２参照）。また、上側基板３０の輪郭３０ｒは、中間基板２０の輪郭２０ｒと一致していることができる（図１０参照）。さらに、上側基板３０の輪郭３０ｒは、下側基板１０の輪郭１０ｒと一致していることができる（図１３参照）。上側基板３０の大きさは、たとえば、圧電振動子１００の製造プロセスにおけるダイシング工程の数を節減する等の目的に応じて適宜設定することができる。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態にかかる圧電振動子１００は、中間基板２０および上側基板３０の少なくとも一方にかかるツメ４２を有する樹脂部材４０を有する。すなわち、下側基板１０、中間基板２０および上側基板３０の３層の基板を積層した積層体と、樹脂部材４０とが分離しにくい構造である。これにより、圧電振動子１００は、たとえば温度変化等によって、仮に基板と樹脂部材４０との界面において剥離が生じることがあっても、樹脂部材４０が分離しにくい。したがって本実施形態にかかる圧電振動子１００は、信頼性が高い。
【００５３】
２．圧電振動子の製造方法
本実施形態にかかる圧電振動子１００の製造方法について説明する。図１４〜図２４は、本実施形態にかかる圧電振動子１００の製造工程を示す模式図である。本実施形態では、圧電振動子１００の各基板が、いずれも水晶からなる場合を例示する。
【００５４】
２．１．第１の態様
まず、下側基板１０の上面よりも上方にのみ樹脂部材４０が存在する圧電振動子１００（図１、図８等）を製造する工程について述べる。本態様における圧電振動子１００の製造方法は、下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程と、積層基板を形成する工程と、ハーフダイシング工程と、樹脂層を形成する工程と、ダイシング工程と、を有する。
【００５５】
２．１．１．下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程
以下、下側基板１０、振動部２１を有する中間基板２０、および上側基板３０のそれぞれが切り出される水晶基板を、それぞれ、下側水晶板１１０、中間水晶板１２０、および上側水晶板１３０と称する。
【００５６】
図１４は、各水晶板の模式図であり、これらを積層する様子を示す概略図である。本工程において、下側水晶板１１０（下側基板）、中間水晶板１２０（中間基板）、および上側水晶板１３０（上側基板）を準備する。下側水晶板１１０、中間水晶板１２０、および上側水晶板１３０は、それぞれ複数の下側基板１０、中間基板２０、および上側基板３０が複数行複数列に配列された構造を有する。各水晶板に配列される基板の個数は任意である。１つの水晶板に配列される基板の個数は、他の水晶板に配列される基板の個数と同じであることが好ましい。
【００５７】
下側水晶板１１０および上側水晶板１３０は、切断することによって、「１．１．下側基板および上側基板」の項で述べた下側基板１０および上側基板３０を形成することができる。下側水晶板１１０および上側水晶板１３０には、各水晶板が積層された際に内部に形成される空洞を減圧するための穴や、電極を外部に接続するための穴などが形成されていてもよい。
【００５８】
図１５は、中間水晶板１２０の下面を示す概略図である。図１６は、中間水晶板１２０を概略的に示す断面図である。図１６は、図１５のＶ−Ｖ線断面に対応する。中間水晶板１２０は、切断することによって、「１．２．中間基板」の項で述べた中間基板２０を形成することができる。図１５に示すように、中間水晶板１２０は、圧電振動部２１と、接続部２５ａ、２５ｂと、第１励振電極５０と、第２励振電極５２と、第１配線５４と、第２配線５６と、圧電振動部２１の周囲形成された枠部２２と、が形成された領域（切断された際に中間基板２０となる領域）を複数有する。中間基板２０となる領域は、たとえば、中間水晶板１２０に、複数行複数列に配列されることができる。
【００５９】
本態様では、中間基板２０の枠部２２の外周は、上側基板３０の外周、すなわち上側水晶板１３０の切断ラインＬ３１、Ｌ３２の端から離間して形成される。枠部２２は、隣り合って配列した枠部２２との間に、両者を連結する連結部１２２を有する。連結部１２２は、中間水晶板１２０を一枚の部材として取り扱うことができるようにする機能を有する。連結部１２２は、たとえば、図１５に示す連結部１２２ａのように枠部２２と隣り合う枠部２２との間の領域全体に形成されていてもよい。この場合、連結部１２２の厚みは、枠部２２の厚みよりも薄く形成されることができる。また、図１５に示す連結部１２２ｂのように、連結部１２２は、枠部２２と隣り合う枠部２２との間の領域の一部に形成され、該領域内の連結部１２２ｂ以外の部分の中間水晶板１２０が除去されていてもよい。この場合、連結部１２２ｂは、枠部２２と同じ厚みに形成されていてもよい。
【００６０】
本態様の中間水晶板１２０の作製方法の一例について説明する。まず、水晶板を準備し、圧電振動部２１が形成される領域、および必要に応じて枠部２２と隣り合う枠部２２との間の領域を薄化し、段差構造を形成する。この工程は、たとえばフォトリソグラフィ技術によって、ウェットエッチングにより行うことができる。
【００６１】
次に、薄化した領域に、スリット２６ａ、２６ｂとなる領域、および必要に応じて枠部２２と隣り合う枠部２２との間の連結部１２２ｂとなる領域以外の領域の水晶を除去して、圧電振動部２１および枠部２２を形成する。この工程は、たとえばフォトリソグラフィ技術を利用したウェットエッチングによって行うことができる。
【００６２】
次に、第１励振電極５０、第２励振電極５２、第１配線５４および第２配線５６をたとえばフォトリソグラフィ技術を利用したエッチング、蒸着法やスパッタ法により形成する。この時点で、必要に応じて、圧電振動部２１の周波数を調整することができる。周波数の調整は、たとえば、圧電振動部２１を振動させて周波数を検出しながら、第１励振電極５０または第２励振電極５２の厚みを変えることにより行うことができる。
【００６３】
以上の工程により中間水晶板１２０を作製することができ、振動部を有する中間水晶板１２０（中間基板）が準備される。
【００６４】
２．１．２．切断ライン
図１４に例示するように、各水晶板における切断ラインは、直交する格子状に設けられる。この例では、各水晶板の切断ラインの中心線は、平面視において、各水晶板が積層されたときに一致している。切断ラインの幅は、ダイシングの際のブレードの厚みに対応している。
【００６５】
本態様では、下側水晶板１１０における切断ラインＬ１１、Ｌ１２は、上側水晶板１３０の切断ラインＬ３１、Ｌ３２、および中間水晶板１２０の切断ラインＬ２１、Ｌ２２よりも細い。
【００６６】
本態様では、上側水晶板１３０における切断ラインＬ３１、Ｌ３２は、中間水晶板１２０の切断ラインＬ２１、Ｌ２２と同じ幅を有する。ただし、平面視において、切断ラインＬ３１、Ｌ３２は、中間水晶基板１２０の枠部２２の外周から離間して設けられる。
【００６７】
中間水晶板１２０における切断ラインＬ２１、Ｌ２２は、枠部２２と隣り合う枠部２２との間の領域に設けられる。そのため、後の工程を経ることでツメ４２を有する樹脂部材４０を形成することができる。換言すると、中間水晶板１２０において、枠部２２と、切断ラインＬ２１、Ｌ２２の端と、の間に間隙が存在する。そのため、後の工程でこの空隙に樹脂が侵入し、中間基板２０の側方にツメ４２が形成されることができる。
【００６８】
２．１．３．積層基板を形成する工程
本工程において、下側水晶板１１０（下側基板）、中間水晶板１２０（中間基板）および上側水晶板１３０（上側基板）を積層して積層基板２００を形成する。図１７は、本態様の積層基板２００を概略的に示す斜視図である。本工程において、各水晶板の切断ラインは、互いに重なるように積層される。各水晶板間の接合は、プラズマ溶接を適用することが好ましい。具体的には、接合する２枚の水晶板のうち少なくとも一方の接合部にプラズマを照射し、当該接合部を活性化させる。その後、２枚の基板を常温で張り合わせて接合することにより、加熱による応力の発生を軽減して振動数の安定した積層体を形成することができる。この工程により、内部に複数の圧電振動部２１を有し、水晶板が３層積層された、積層基板２００を形成することができる。
【００６９】
２．１．４．ハーフダイシング工程
次に、積層基板２００の少なくとも上側水晶板１３０（上側基板）を切削し、上側基板側から下側水晶板１１０（下側基板）の上面まで連通する孔を形成する。図１８は、本工程を模式的に示す断面図である。図１８に示すように、上側水晶板１３０をハーフダイシングにより切断して上側基板３０を形成する。ここで、ハーフダイシングとは、切断対象（ここでは積層基板２００）を切り離して個片を形成することなく、切断対象の厚み方向の途中までダイシング（切削）することをいう。この工程では、下側水晶板１１０が切断されない限り、積層基板２００の厚み方向の任意の位置までハーフダイシングすることができる。本工程は、一般的なダイシング装置によって行うことができる。ダイシングの際のブレードの厚みは、切断ラインの幅と一致している。
【００７０】
本工程を経ると、少なくとも上側水晶板１３０の切断ラインＬ３１、Ｌ３２内の水晶が除去される。これにより、上側基板側から下側水晶板１１０（下側基板）の上面まで連通する孔が形成される。上側基板側から下側水晶板１１０（下側基板）の上面まで連通する孔が形成される限り、中間水晶板１２０は、切削されなくてもよい。また、本工程では、少なくとも下側水晶板１１０は、切断されないため、以降の工程における積層基板２００の取り扱いを容易に行うことができる。
【００７１】
図１９は、中間水晶板１２０の連結部が、図１６に示す連結部１２２ａのように隣り合う枠部２２の間の領域全体に形成されている状態を表す断面図である。このような連結部１２２ａを有する中間水晶板１２０の場合は、本ハーフダイシング工程では、上側水晶板１３０に加えて中間水晶板１２０（連結部１２２ａ）も切断する。図１９は、連結部１２２ａの一部が除去される様子を示しており、想像線で囲まれた領域の連結部１２２ｃが除去される。このようにすれば、上側基板側から下側水晶板１１０（下側基板）の上面まで連通する孔を形成することができる。
【００７２】
２．１．５．樹脂層を形成する工程
次に、上側基板３０側から樹脂原料を付与して、上側基板３０の上面３０ａ、側面３０ｂおよび下面３０ｃと、中間基板２０の側面２０ｂと、下側基板１０の上面１０ａと、を覆うように樹脂層４０ａを形成する。図２０は、樹脂層４０ａが形成された状態を模式的に示す断面図である。樹脂原料としては、流動性を有するものであれば限定されないが、たとえば、エポキシ樹脂の前駆体等が挙げられる。本工程は、たとえば、樹脂原料を上側基板３０側に塗布することによって行うことができる。塗布方法は、特に限定されない。本工程は、積層基板２００を減圧状態に設置して行うことができる。このようにすれば、より確実に上側基板側から下側水晶板１１０（下側基板）の上面まで連通する孔の内部に樹脂原料を侵入させることができる。本工程において、樹脂原料が付与された後、たとえば加熱等により硬化反応を行って樹脂層４０ａが形成される。
【００７３】
２．１．６．ダイシング工程
次に、下側水晶板１１０（下側基板）および樹脂層４０ａを切断して圧電振動子１００の個片を形成する。本工程は、下側水晶板１１０の切断ラインＬ１１、Ｌ１２の内側の部材（下側水晶板１１０および樹脂層４０ａ）を除去して行われる（図２０参照）。本工程により積層基板２００が切断され、下側基板１０の上面よりも上方にのみ樹脂部材４０が存在する圧電振動子１００（図１、図８等参照）が形成される。本工程は、一般的なダイシング装置によって行うことができる。
【００７４】
ダイシングの際のブレードの厚みは、切断ラインの幅と一致している。本工程で用いるダイシング装置のブレードの厚みは、「２．１．３．ハーフダイシング工程」で用いるダイシング装置のブレードの厚みよりも薄い。本工程において、このようなブレードを用いることにより中間基板２０および上側基板３０の側方に樹脂部材４０が形成された圧電振動子１００を形成することができる。また、本工程で使用するブレードの厚みが薄いほど、樹脂部材４０の強度が増加する。
【００７５】
以上のようにして、第１の態様にかかる下側基板１０の上面よりも上方にのみ樹脂部材４０が存在する圧電振動子１００（図１、図８等）を製造することができる。本態様の圧電振動子の製造方法によれば、３層の基板を積層した積層体に分離しにくい樹脂部材が形成された圧電振動子を容易に製造することができる。
【００７６】
２．２．第２の態様
次に、下側基板１０の側方に樹脂部材４０が存在する圧電振動子１００（図１０〜図１３等）を製造する工程について述べる。本態様における圧電振動子１００の製造方法は、下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程と、積層基板を形成する工程と、第１ハーフダイシング工程と、第１樹脂層を形成する工程と、第２ハーフダイシング工程と、第２樹脂層を形成する工程と、ダイシング工程と、を有する。
【００７７】
２．２．１．下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程
本工程は、第１の態様の「２．１．１．下側基板、振動部を有する中間基板、および上側基板を準備する工程」と同様であるため、説明を省略する。
【００７８】
２．２．２．切断ライン
図２１に例示するように、本態様においても、各水晶板における切断ラインは、直交する格子状に設けられる。この例においても、各水晶板の切断ラインの中心線は、平面視において、各水晶板が積層されたときに一致している。切断ラインの幅は、ダイシングの際のブレードの厚みに対応している。
【００７９】
下側水晶板１１０における切断ラインＬ１１、Ｌ１２は、中間水晶板１２０の切断ラインＬ２１、Ｌ２２および上側水晶板１３０の切断ラインＬ３１、Ｌ３２の少なくとも一方よりも太い。そのため、後の工程を経ることでツメ４２を有する樹脂部材４０を形成することができる。
【００８０】
上側水晶板１３０における切断ラインＬ３１、Ｌ３２の太さは、下側水晶板１１０の切断ラインＬ１１、Ｌ１２が、中間水晶板１２０の切断ラインＬ２１、Ｌ２２よりも太い場合、特に制限がない。この場合、上側水晶板１３０の切断ラインＬ３１、Ｌ３２は、中間水晶板１２０の切断ラインＬ２１、Ｌ２２と一致していることができる。
【００８１】
また、上側水晶板１３０における切断ラインＬ３１、Ｌ３２は、下側水晶板１１０の切断ラインＬ１１、Ｌ１２が、中間水晶板１２０の切断ラインＬ２１、Ｌ２２よりも細い場合、中間水晶板１２０の切断ラインＬ２１、Ｌ２２よりも細く設けられる。この場合、上側水晶板１３０の切断ラインＬ３１、Ｌ３２は、たとえば、下側水晶板１１０の切断ラインＬ１１、Ｌ１２と一致していることができる。
【００８２】
中間水晶板１２０における切断ラインＬ２１、Ｌ２２の太さは、下側水晶板１１０および上側水晶板１３０の切断ラインの太さにより、適宜設定される。
【００８３】
２．２．３．積層基板を形成する工程
本工程は、第１の態様の「２．１．３．積層基板を形成する工程」と同様であるため、説明を省略する。
【００８４】
２．２．４．第１ハーフダイシング工程
本工程では、積層基板２００の、上側水晶板１３０（上側基板）側を切削し、第１溝７０を形成する。この工程は、第１の態様の「２．１．４．ハーフダイシング工程」と同様であるため、詳細な説明を省略する。この工程では、下側水晶板１１０が切断されない限り、積層基板２００の厚み方向の任意の位置までハーフダイシングすることができる。この工程により、たとえば、図２２に示される構造が形成される。本工程で用いるダイシング装置のブレードの厚みは、後述の第２ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄い。これにより、樹脂部材４０にツメ４２を形成することができる。また、本工程では、積層基板２００は、切断されないため、以降の工程における積層基板２００の取り扱いを容易に行うことができる。
【００８５】
２．２．５．第１樹脂層を形成する工程
次に、図２３に示すように、上側基板３０の上面および第１溝７０の内部に、第１樹脂層４０ｂを形成する。本工程は、第１の態様の「２．１．５．樹脂層を形成する工程」と実質的に同様であるため、詳細な説明を省略する。本工程は、積層基板２００を減圧状態に設置して行うことができる。このようにすれば、より確実に第１ハーフダイシングによって形成された第１溝７０の内部に樹脂原料を侵入させることができる。
【００８６】
２．２．６．第２ハーフダイシング工程
次に、少なくとも下側水晶板１１０を切削し、下側基板側に第１樹脂層４０ｂを露出させる第２溝７２を形成する。図２４は、本工程を模式的に示す断面図である。図２４に示すように、下側水晶板１１０の側からハーフダイシングを行い、第１樹脂層４０ｂを露出させる。この工程では、積層基板２００が切断されない限り、積層基板２００の厚み方向の任意の位置までハーフダイシングすることができる。本工程は、一般的なダイシング装置によって行うことができる。本工程を経ると、少なくとも下側水晶板１１０の切断ラインＬ１１、Ｌ１２内の水晶が除去される。これにより、下側基板側に第１樹脂層４０ｂが露出する。本工程で用いるダイシング装置のブレードの厚みは、上述の第１ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも厚い。これにより、樹脂部材４０にツメ４２を形成することができる。また、本工程では、積層基板２００は、切断されないため、以降の工程における積層基板２００の取り扱いを容易に行うことができる。
【００８７】
２．２．７．第２樹脂層を形成する工程
次に、下側基板１０側から樹脂原料を付与して、第２溝７２の内部に、第１樹脂層４０ｂに連続する第２樹脂層４０ｃを形成する。図２５は、第２樹脂層４０ｃが形成された状態を模式的に示す断面図である。樹脂原料としては、第１樹脂層４０ｂを形成するために用いたものを用いることが、第１樹脂層４０ｂと第２樹脂層４０ｃとの接着性を高める点で好ましい。本工程は、たとえば、樹脂原料を下側基板１０側に塗布することによって行うことができる。塗布方法は、特に限定されない。本工程は、積層基板２００を減圧状態に設置して行うことができる。このようにすれば、より確実に第２ハーフダイシングによって形成された第２溝７２の内部に樹脂原料を侵入させることができる。本工程において、樹脂原料が付与された後、たとえば加熱等により硬化反応を行って、第１樹脂層４０ｂと連続する第２樹脂層４０ｃが形成される。
【００８８】
２．２．８．ダイシング工程
本工程は、第１樹脂層４０ｂと、第２樹脂層４０ｃとを切断する工程である。したがって、下側水晶板１１０の代わりに第２樹脂層４０ｃを切断すること以外は、第１の態様の「２．１．６．ダイシング工程」と同様であるため、詳細な説明は省略する。図２５の想像線で示すように、本工程により積層基板２００が切断され、下側基板１０の側方に樹脂部材４０が存在する圧電振動子１００（図１１〜図１４等）が製造される。本工程は、一般的なダイシング装置によって行うことができる。
【００８９】
本工程で用いるダイシング装置のブレードの厚みは、第１ハーフダイシング工程で用いるブレードの厚みよりも薄い（図２５参照）。本工程において、このようなブレードを用いることにより上面および側面に樹脂部材４０が形成された圧電振動子１００を形成することができる。
【００９０】
以上のようにして、第２態様にかかる下側基板１０の側方に樹脂部材４０が存在する圧電振動子１００（図１１〜図１４等）を製造することができる。本態様の圧電振動子の製造方法によれば、３層の基板を積層した積層体に分離しにくい樹脂部材が形成された圧電振動子を容易に製造することができる。
【００９１】
上記圧電振動子１００の製造方法において例示した態様において、適宜、中間基板２０に形成された配線等に電気的に接続する外部端子等を形成する工程を含んでもよい。
【００９２】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。たとえば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（たとえば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】実施形態にかかる圧電振動子１００の例を模式的に示す断面図。
【図２】実施形態にかかる圧電振動子１００の例を模式的に示す平面図。
【図３】実施形態にかかる中間基板２０を模式的に示す上面図。
【図４】実施形態にかかる中間基板２０を模式的に示す下面図。
【図５】実施形態にかかる中間基板２０を模式的に示す断面図。
【図６】実施形態にかかる中間基板２０を模式的に示す断面図。
【図７】実施形態にかかる中間基板２０を模式的に示す断面図。
【図８】実施形態にかかる圧電振動子１００の例を模式的に示す断面図。
【図９】実施形態にかかる樹脂部材４０のツメ４２の例を模式的に示す平面図。
【図１０】実施形態にかかる圧電振動子１００の例を模式的に示す断面図。
【図１１】実施形態にかかる圧電振動子１００の例を模式的に示す断面図。
【図１２】実施形態にかかる圧電振動子１００の例を模式的に示す断面図。
【図１３】実施形態にかかる圧電振動子１００の例を模式的に示す断面図。
【図１４】実施形態にかかる各水晶基板を模式的に示す斜視図。
【図１５】実施形態にかかる中間水晶基板１２０を模式的に示す平面図。
【図１６】実施形態にかかる中間水晶基板１２０を模式的に示す断面図。
【図１７】実施形態にかかる積層基板２００の例を模式的に示す斜視図。
【図１８】実施形態にかかる圧電振動子１００の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１９】実施形態にかかる圧電振動子１００の製造工程を模式的に示す断面図。
【図２０】実施形態にかかる圧電振動子１００の製造工程を模式的に示す断面図。
【図２１】実施形態にかかる積層基板２００の例を模式的に示す斜視図。
【図２２】実施形態にかかる圧電振動子１００の製造工程を模式的に示す断面図。
【図２３】実施形態にかかる圧電振動子１００の製造工程を模式的に示す断面図。
【図２４】実施形態にかかる圧電振動子１００の製造工程を模式的に示す断面図。
【図２５】実施形態にかかる圧電振動子１００の製造工程を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００９４】
１０…下側基板、２０…中間基板、３０…上側基板、１０ａ，２０ａ，３０ａ…上面、
１０ｂ，２０ｂ，３０ｂ…側面、１０ｃ，２０ｃ，３０ｃ…下面、
１０ｒ，２０ｒ，３０ｒ…輪郭、２１…圧電振動部、２２…枠部、
２５ａ，２５ｂ…接続部、２６ａ，２６ｂ…スリット、２８ａ…第１溝部、
２８ｂ…第２溝部、４０…樹脂部材、４０ａ…樹脂層、４０ｂ…第１樹脂層、
４０ｃ…第２樹脂層、４２…ツメ、５０…第１励振電極、５２…第２励振電極、
５４…第１配線、５６…第２配線、６２…切欠、７０，７２…溝、１００…圧電振動子、
１１０…下側水晶基板、１２０…中間水晶基板、１３０…上側水晶基板、
２００…積層基板、Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ３１，Ｌ３２…切断ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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