(57)【要約】 【課題】マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを有する電力増幅器で生ずるＲＦ動作の不安定性を抑制し、大出力でも安定して動作する電力増幅器を提供する。【解決手段】シリコン基板と、このシリコン基板内に形成されるＮウェルと、このＮウェル内に形成される独立した複数のＰウェルと、これらのＰウェル上に形成されるマルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴと、外部よりグラウンド電位を与えるための単数または複数のグラウンド電極パッドと、上述の複数のＰウェルの各々とグラウンド電極パッド間の配線経路に設けられるインダクターを備えることを特徴とする電力増幅器。【選択図】図１
2010147639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、
前記シリコン基板内に形成されるＮウェルと、
前記Ｎウェル内に形成される独立した複数のＰウェルと、
前記Ｐウェル上に形成されるマルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴと、
外部よりグラウンド電位を与えるための単数または複数のグラウンド電極パッドと、
前記複数のＰウェルの各々と前記グラウンド電極パッド間の配線経路に設けられるインダクターを、
備えることを特徴とする電力増幅器。
【請求項２】
前記インダクターが多層配線層を構成する複数のビアコンタクトと複数の配線を用いて形成されることを特徴とする請求項１記載の電力増幅器。
【請求項３】
前記インダクターが螺旋状に形成されることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電力増幅器。
【請求項４】
前記マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを囲むように、前記Ｐウェル上に前記グラウンド電極パッドと接続するためのＰウェルコンタクトが複数形成されることを特徴とする請求項１ないし請求項３いずれか一項に記載の電力増幅器。
【請求項５】
前記インダクターが、前記Ｐウェルと前記Ｎウェル間、または、前記Ｐウェルと前記ソース電極間の配線経路に設けられることを特徴とする請求項１ないし請求項４いずれか一項に記載の電力増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを備える電力増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力増幅器を実現させるためには、大電流を安定して流せることが不可欠である。このため、ゲートをくし型に配置し、ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極の繰り返しパターンであり、隣接するゲート間で、ソース電極とドレイン電極を共用するレイアウトが広く使われている。このレイアウトは、一般的に、マルチフィンガーレイアウトと称される。
【０００３】
マルチフィンガーレイアウトは、総ゲート幅が大きくなると、ドレイン電極より取り出す各電流間に位相差を生じる。そして、位相差が生じることにより、電流合成時に負性抵抗成分が生じ、この負性抵抗成分に起因するＲＦ動作の不安定性が問題となる。
【０００４】
このＲＦ動作の不安定性を解決するために、特許文献１には半導体チップを正方形に近づけ、フィンガーパターンの長さを抑制することで、位相差を小さくする技術が開示されている。また、従来、グラウンド電位（ＧＮＤ電位）が与えられるＰウェル、Ｎウェル、ソース電極等は、電位の安定化のため最短のパスでグラウンド電極パッドに接続されるよう設計されている。
【特許文献１】特開２００６−９４５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の技術は、比較的ゲート幅が小さい電力増幅器においてはＲＦ動作を安定させる上で有効である。しかし、例えば、３００ｍＷ以上の出力電力が要求されるゲート幅の大きな電力増幅器においては、必ずしも十分にＲＦ動作の不安定性を解決することができない。
【０００６】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを有する電力増幅器で生ずるＲＦ動作の不安定性を抑制し、大出力でも安定して動作する電力増幅器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の電力増幅器は、シリコン基板と、前記シリコン基板内に形成されるＮウェルと、前記Ｎウェル内に形成される独立した複数のＰウェルと、前記Ｐウェル上に形成されるマルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴと、外部よりグラウンド電位を与えるための単数または複数のグラウンド電極パッドと、前記複数のＰウェルの各々と前記グラウンド電極パッド間の配線経路に設けられるインダクターを、備えることを特徴とする。
【０００８】
上記態様の電力増幅器において、前記インダクターが多層配線層を構成する複数のビアコンタクトと複数の配線を用いて形成されることが望ましい。
【０００９】
上記態様の電力増幅器において、前記インダクターが螺旋状に形成されることが望ましい。
【００１０】
上記態様の電力増幅器において、前記マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを囲むように前記Ｐウェル上に前記グラウンド電極パッドと接続するためのＰウェルコンタクトが複数形成されることが望ましい。
【００１１】
上記態様の電力増幅器において、前記インダクターが、前記Ｐウェルと前記Ｎウェル間、または、前記Ｐウェルと前記ソース電極間の配線経路に設けられることが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを有する電力増幅器で生ずるＲＦ動作の不安定性を抑制し、大出力でも安定して動作する電力増幅器を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
電力増幅器を、ＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いて実現する場合、大電流を流せるマルチフィンガーレイアウトは不可欠である。しかし、このマルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴの総ゲート幅が２ｍｍ（２０００μｍ）を越えるあたりより、上述のように電力増幅器のＲＦ動作が安定しなくなる現象が知られている。もっとも、その不安定性が生ずるメカニズムについては必ずしも明らかになっていない。
【００１４】
図２は、マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを有する電力増幅器のテストパターンの評価結果である。このテストパターンは、ゲート幅３２００μｍのＭＩＳＦＥＴのゲート電極を、８個のくし型に分割するマルチフィンガーレイアウトを有している。そして、Ｎウェル内に形成される独立した８個のＰウェルに、分割されたゲート電極が配置されている。以後、このような分割された個々のＰウェルおよびゲート電極を総称してブロックと称することとする。
【００１５】
図２は、横軸が入力電力、縦軸が出力電力（Ｐｏｕｔ）、ゲイン（Ｇａｉｎ）、増幅効率（Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）である。図２に示すように、入力電力に対し出力電力が飽和する飽和電力に近い領域で、出力電力、ゲイン、増幅効率にＲＦ動作の不安定性がキンク現象として現われている。なお、ここでは約２．５ＧＨｚの周波数で測定を行っている。
【００１６】
図２に示すような不安定性が生ずるメカニズムとして、ＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン間に、ＲＦ的にもＤＣ的にも同様に印加される高電界によるホットキャリアの関与が考えられる。すなわち、ソース・ドレイン間に印加される高電界により、ドレイン電極端で、インパクトイオン化が進み、ホットキャリアとして多くの電子とホール（正孔）が排出される。
【００１７】
一部の電子は、ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜に移動するが、ホールのほとんどが基板（Ｐウェル）へ流れ込み、基板電位を上昇させる。この基板電位の上昇に伴い、基板→ソース電極に順方向のダイオードが形成され、ＲＦ電流路が完成する。
【００１８】
そして、このＲＦ電流路がマルチフィンガー間で生じ、その結果、電流ベクトルの位相差の異なる電流同士が加算した場合、位相差が逆の場合、打ち消しあいドレイン電流が減少したと同じ現象、すなわち負性抵抗効果が生じ、ＲＦ特性においてキンク状の不安定性が発生する。そして、このキンク状の不安定性が、出力電力等の線形性を著しく劣化させ、ＣＭＯＳパワーアンプの正常動作を阻害するのである。
【００１９】
発明者らが、上述のようなＲＦ動作の不安定性メカニズムに関する仮説をもとに、電力増幅器の基板電流・電位、すなわちＰウェル電流・電位の変動に着目して完成させたのが本発明である。
【００２０】
以下、本発明の実施の形態の半導体装置について、図面を参照しつつ説明する。
【００２１】
（第１の実施の形態）
本実施の形態の電力増幅器は、シリコン基板と、シリコン基板内に形成されるＮウェルと、Ｎウェル内に形成される独立した複数のＰウェルと、Ｐウェル上に形成されるマルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴと、外部よりグラウンド電位を与えるための単数または複数のグラウンド電極パッドと、複数のＰウェルの各々とグラウンド電極パッド間の配線経路に設けられるインダクターを備える。ここでは、ＭＩＳＦＥＴの絶縁膜にシリコン酸化膜を適用したいわゆるＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用い、同一基板上にｎ型ＭＯＳＦＥＴおよびｐ型ＭＯＳＦＥＴが形成されるＣＭＯＳパワーアンプを例に説明する。
【００２２】
なお、本明細書中、「インダクター」とは、インダクタンスを有する構造物を意味し、例えば、コイル、メアンダ形状の導体等を総称する用語である。
【００２３】
図１は、本実施の形態および従来技術の電力増幅器の概略模式断面図である。図１（ａ）は本実施の形態の電力増幅器、図１（ｂ）は比較例としてあげる従来技術の電力増幅器である。
【００２４】
図１（ａ）に示すように、本実施の形態の電力増幅器１０は、例えばｐ型のシリコン基板１２上に形成されている。そして、このシリコン基板１２内に、ｎ型の不純物がドープされたＮウェル１４が形成されている。
【００２５】
さらに、Ｎウェル１４内に形成される、ｐ型の不純物がドープされた独立した２個のＰウェル１６ａ、１６ｂが形成されている。そして、このＰウェル１６ａ、１６ｂ上にマルチフェンガーレイアウトのＭＯＳＦＥＴが形成されている。このＭＯＳＦＥＴは、くし型のゲート電極１８ａ、１８ｂ、ソース電極２０ａ、２０ｂおよびドレイン電極２２ａ、２２ｂを備えている。このように電力増幅器１０は、２個のブロックで構成されている。
【００２６】
また、電力増幅器１０は、電力増幅器の外部より、グラウンド電位（ＧＮＤ電位）を与えるためのグラウンド電極パッド２４を有している。このグラウンド電極パッド２４には、配線によりＮウェル１４、Ｐウェル１６ａ、１６ｂ、ソース電極２０ａ、２０ｂがそれぞれ接続される。これによって、Ｎウェル１４、Ｐウェル１６ａ、１６ｂ、ソース電極２０ａ、２０ｂには外部よりグラウンド電位が与えることが可能となる。
【００２７】
そして、２個のＰウェル１６ａ、１６ｂの各々とグラウンド電極パッド２４間の配線経路には、それぞれのＰウェルに対応して１個ずつインダクター２６ａ、２６ｂが設けられている。この構成により、例えば、Ｐウェル１６ａと、他のグラウンド電位が与えられる領域、すなわち、Ｎウェル１４、Ｐウェル１６ｂ、ソース電極２０ａ、２０ｂとの間の配線経路にインダクター２６ａが配置されていることになる。同様に、Ｐウェル１６ｂと、他のグラウンド電位が与えられる領域、すなわち、Ｎウェル１４、Ｐウェル１６ａ、ソース電極２０ａ、２０ｂとの間の配線経路にインダクター２６ｂが配置されていることになる。
【００２８】
さらに、電力増幅器１０は、電力増幅器の外部より、ドレイン電位を与えるためのドレイン電極パッド２８と、ゲート電位を与えるためのゲート電極パッド３０とを有している。ドレイン電極パッド２８には、配線によりドレイン電極２２ａ、２２ｂが接続される。ゲート電極パッド３０には、配線によりゲート電極１８ａ、１８ｂが接続されている。
【００２９】
一方、図１（ｂ）に示すように、従来技術の電力増幅器１００においては２個のＰウェル１６ａ、１６ｂの各々とグラウンド電極パッド２４間の配線経路にインダクターが設けられていない点において、本実施の形態の電力増幅器１０と異なっている。また、インダクターが設けられていないため、配線によりＮウェル１４、Ｐウェル１６ａ、１６ｂ、ソース電極２０ａ、２０ｂ、グラウンド電極パッド２４がそれぞれ短い経路で短絡されている。
【００３０】
以下、本実施の形態の電力増幅器の作用・効果について説明する。図３は、本実施の形態および比較例のマルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを有する電力増幅器のテストパターンの評価結果である。図３（ａ）がＡＣ評価結果、図３（ｂ）がＤＣ評価結果である。
【００３１】
用いたテストパターンは、比較例に関しては、図２の評価に用いたものと同様である。また、測定条件等も同様である。
【００３２】
そして、本実施の形態については、８つのブロック各々のＰウェルに、インダクタンスを介してグラウンド電位を与えている。それ以外は比較例と同様の条件で評価している。
【００３３】
図３（ａ）、図３（ｂ）ともに、実線が本実施の形態の評価結果、点線が比較例の評価結果である。図３（ａ）から明らかなように、比較例では、特に増幅効率（Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）で顕著な不安定性があらわれる。しかし、本実施の形態の場合には、比較例のような不安定性は認められない。
【００３４】
また、図３（ｂ）から明らかように、比較例ではＤＣ的に見ても、ＡＣで見られるような不安定性が同一の入力電力近傍で発現している。このことからも、ＡＣ動作で見られる不安定性が、ＭＩＳＦＥＴのＤＣ動作と関連していることが示唆される。
【００３５】
本実施の形態のようにインピーダンスを、各Ｐウェルとグラウンド電極パッドやＰウェル以外の領域との配線経路間に設けることにより、ＲＦ動作の不安定性が抑制されるのは、以下のように考察される。図１（ｂ）に示すように従来技術では、Ｎウェル１４、Ｐウェル１６ａ、１６ｂ、ソース電極２０ａ、２０ｂ、グラウンド電極パッド２４がそれぞれ短い経路で短絡されてグラウンド電位が与えられる。この場合、配線抵抗による電位降下が抑制されるため、ＤＣ的には安定する。もっとも、ＲＦ的には、ＲＦ基板電流路、あるいは、ＲＦ基板電流ループがマルチフィンガーゲートのいたるところで起きはじめ、不安定性を誘発する。
【００３６】
これに対し、本実施の形態では、図１（ａ）に示すように、Ｐウェルと他の領域やグラウンド電極パッド２４を短絡させず、ブロック毎にＰウェル２２ａ、２２ｂを、インダクター２６ａ、２６ｂを経由させて、他の領域やグラウンド電極パッド２４と接続させている。これによって、ブロック単位で、ＲＦ基板電流が周辺の他の領域に流れ込むことを抑制し、ＲＦでの不安定性を抑制する。
【００３７】
以上のように、本実施の形態の電力増幅器１０は上記構成を備えることで、マルチフィンガーレイアウトで発生するＡＣホットエレクトロンに起因するＲＦ基板電流・基板電位の変動を抑制することが出来る。したがって、大出力でも安定して動作する電力増幅器を提供することが可能となる。また、周囲への漏れ基板電流も抑制することができるため、本実施の形態の電力増幅器とデジタル・アナログ回路を混在して同一基板上に配置可能となり、集積小型化の促進が可能となる。
【００３８】
図４は、本実施の形態の第１の変形例の電力増幅器の概略模式断面図である。この電力増幅器４０は、グラウンド電極パッド２４以外に、Ｎウェル電極パッド３２、ソース電極パッド３４を備えている。Ｎウェル電極パッド３２には、配線によりＮウェル１４が接続される。ソース電極パッド３４には、配線によりソース電極２０ａ、２０ｂが接続される。その他の構成は、電力増幅器１０と同様である。
【００３９】
本変形例によれば、Ｎウェル１４にグラウンド電位以外の電位を印加することが可能となる。また、Ｎウェル１４、Ｐウェル１６ａ、１６ｂ、ソース電極２０ａ、２０ｂ、すべてを共通化させる配線を形成することが不要となり、配線構造を簡略化できる。なお、ＲＦ動作の不安定性を抑制する効果が得られることは、電力増幅器１０と同様である。
【００４０】
図５は、本実施の形態の第２の変形例の電力増幅器の概略模式断面図である。この電力増幅器５０は、第１の変形例の電力増幅器５０に対して、グラウンド電極パッドが２個、すなわちグラウンド電極パッド２４ａ、２４ｂを備えている。グラウンド電極パッド２４ａには、配線によりＰウェル１６ａが接続される。グラウンド電極パッド２４ｂには、配線によりＰウェル１６ｂが接続される。その他の構成は、電力増幅器４０と同様である。
【００４１】
本変形例によれば、Ｐウェル１６ａ、１６ｂを共通化させる配線を形成することが不要となり、配線構造を簡略化できる。なお、ＲＦ動作の不安定性を抑制する効果が得られることは、電力増幅器１０と同様である。
【００４２】
なお、図１（ａ）、図４、図５では、Ｐウェルが２個の場合、ずなわち、ブロックが２個の場合を例に説明したが、ブロックの数は３個以上であってもかまわない。
【００４３】
（第２の実施の形態）
本実施の形態の電力増幅器は、インダクターが多層配線層を構成する複数のコンタクトと複数の配線を用いて螺旋状に形成されている。さらに、マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを囲むように、Ｐウェル上にグラウンド電極パッドと接続するためのＰウェルコンタクトが複数形成されている。本実施の形態は、第１の実施の形態で記載したインダクターの素子内での具体的構成の一例を示すものである。
【００４４】
図６は、本実施の形態の電力増幅器の１ブロックの概略斜視図である。図に示すように、本実施の形態の電力増幅器６０は、Ｐウェル６２上に、マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴのゲート電極６４が形成されている。
【００４５】
そして、インダクターが、多層配線層を構成する複数のビアコンタクト６６ａ、６６ｂ、６６ｃと、複数の配線６８ａ、６８ｂ、６８ｃ、６８ｄを用いて螺旋状に形成されている。また、マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを囲むように、Ｐウェル６２上に、インダクターを介してグラウンド電極パッド（図示せず）と接続するためのＰウェルコンタクト７０が形成されている。
【００４６】
本実施の形態によれば、素子で用いられる多層配線構造を使っているため、インダクターを形成するために追加の材料、あるいは製造する際の追加のプロセスも不要である。したがって、効率よくインダクターを形成することが可能となる。また、マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを囲むようにＰウェルコンタクト７０を設けるため、介在するＰウェル抵抗が減少し、ＲＦ基板電流・電位の変動をより効果的に抑制することが可能となる。
【００４７】
なお、隣接するＰウェル間、すなわち、隣接するブロック間に設けられるインダクターの螺旋構造を反対巻きにすることが望ましい。これによりインダクターから発生する磁界が相殺され、より安定な動作が実現できるからである。
【００４８】
また、螺旋の巻き数、配線の長さ、配線やコンタクトの数等は、要求される特性に応じて適宜変更可能である。また、螺旋状のインダクターの位置もブロック直上に限らず素子のレイアウト構成上、最適な位置に配置すればよい。
【００４９】
また、ビアコンタクトと配線は同一の材料で一体形成される構造であっても構わない。
【００５０】
ここで、図６の構造で実際のインダクタンスおよびインピーダンスを計算した例を示す。配線を図６のように４層、配線材料をＡｌ、配線の短辺を５０μｍ、長辺を２５０μｍ、配線幅を０．３μｍ、配線間の層間膜厚をシリコン酸化膜換算で４００ｎｍとした場合、インダクタンスは、４５ｎＨ程度となる。これは、周波数が例えば、１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚの領域では、５０〜１００ｏｈｍ程度のインピーダンスとなる。したがって、この現実的な多層配線構造パラメータを用いた試算からも、本実施の形態によって、基板電流の安定化を実現するだけのインダクターが構成可能と考えられる。
【００５１】
なお、多層配線構造を利用することで、配線を用いたインダクター、配線間容量を用いたキャパシタを組み合わせ、所望のＬＣフィルタを構成することも可能である。このＬＣフィルタを用いて、不安定動作を抑制する最適な構造を実現することも可能である。
【００５２】
（第３の実施の形態）
本実施の形態の電力増幅器は、インダクターが単層の配線で形成される電力増幅器である。本実施の形態は、第１の実施の形態で記載したインダクターの素子内での具体的構成の別の一例を示すものである。
【００５３】
図７は、本実施の形態の電力増幅器の１ブロックの概略斜視図である。図に示すように、本実施の形態の電力増幅器８０は、Ｐウェル６２上に、マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴのゲート電極６４が形成されている。
【００５４】
そして、インダクターが単層の配線６８ａで、メアンダ（蛇行）状に形成されている。また、Ｐウェル６２上に、このインダクターを介してグラウンド電極パッド（図示せず）と接続するためのＰウェルコンタクト７０が形成されている。
【００５５】
本実施の形態によれば、素子で用いられる配線構造を使っているため、追加の材料、あるいは製造する際の追加のプロセスも不要であり、効率よくインダクターを形成することが可能となる。また、単層の配線を用いるため、他の配線を用いた回路接続のレイアウト上の妨げにならないという利点がある。
【００５６】
なお、ここではインダクターが単層の配線で、メアンダ（蛇行）状に形成される場合について説明したが、単層の配線で螺旋状に形成することも可能である。
【００５７】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。上記、実施の形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、実施の形態の説明においては、電力増幅器等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる電力増幅器等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。
【００５８】
また、各実施の形態の要素を、他の実施の形態の要素と組み合わせることも可能である。
【００５９】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての電力増幅器は本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲およびその均等物の範囲によって定義されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１の実施の形態および従来技術の電力増幅器の概略模式断面図である。
【図２】マルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを有する電力増幅器のテストパターンの評価結果である。
【図３】第１の実施の形態および比較例のマルチフィンガーレイアウトのＭＩＳＦＥＴを有する電力増幅器のテストパターンの評価結果である。
【図４】第１の実施の形態の第１の変形例の電力増幅器の概略模式断面図である。
【図５】第２の実施の形態の第２の変形例の電力増幅器の概略模式断面図である。
【図６】第２の実施の形態の電力増幅器の１ブロックの概略斜視図である。
【図７】第３の実施の形態の電力増幅器の１ブロックの概略斜視図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０          電力増幅器
１２          シリコン基板
１４          Ｎウェル
１６ａ、ｂ    Ｐウェル
１８ａ、ｂ    ゲート電極
２０ａ、ｂ    ソース電極
２２ａ、ｂ    ドレイン電極
２４          グラウンド電極パッド
２４ａ、ｂ    グラウンド電極パッド
２６ａ、ｂ    インダクター
２８          ドレイン電極パッド
３０          ゲート電極パッド
３２          Ｎウェル電極パッド
３４          ソース電極パッド
４０          電力増幅器
５０          電力増幅器
６０          電力増幅器
６２          Ｐウェル
６４          ゲート電極
６６ａ〜ｃ    ビアコンタクト
６８ａ〜ｄ    配線
７０          Ｐウェルコンタクト
８０          電力増幅器
１００        電力増幅器
【図１】
2010147639.tif 000003
【図２】
2010147639.tif 000004
【図３】
2010147639.tif 000005
【図４】
2010147639.tif 000006
【図５】
2010147639.tif 000007
【図６】
2010147639.tif 000008
【図７】
2010147639.tif 000009