(57)【要約】【課題】加熱処理により低抵抗化することができ、かつ耐熱性に優れ、容易に製造可能な電極を有するプラズマディスプレイパネル用電極基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板１と、ガラス基板１の上に形成された電極３とを備えるプラズマディスプレイパネル用電極基板１０であって、電極３は、ガラス基板１上に形成され、Ｃｒ（クロム）とＣｕ（銅）の酸化物からなる第１電極層４と、第１電極層４の上に形成され、ＣｒとＣｕの合金からなる第２電極層５とを有し、第１電極層４中におけるＣｒ及びＣｕの合計に対するＣｒの比〔Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）〕が、原子比で０．１〜０．５の範囲内であり、第２電極層５中におけるＣｒ及びＣｕの合計に対するＣｒの比〔Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）〕が、原子比で０．２〜０．５の範囲内であることを特徴としている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と、前記ガラス基板の上に形成された電極とを備えるプラズマディスプレイパネル用電極基板であって、
前記電極は、前記ガラス基板上に形成され、Ｃｒ（クロム）とＣｕ（銅）の酸化物からなる第１電極層と、前記第１電極層の上に形成され、ＣｒとＣｕの合金からなる第２電極層とを有し、
前記第１電極層中におけるＣｒ及びＣｕの合計に対するＣｒの比〔Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）〕が、原子比で０．１〜０．５の範囲内であり、
前記第２電極層中におけるＣｒ及びＣｕの合計に対するＣｒの比〔Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）〕が、原子比で０．２〜０．５の範囲内であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用電極基板。
【請求項２】
前記第１電極層の厚みが、０．０２〜１μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用電極基板。
【請求項３】
前記第２電極層の厚みが、０．５〜７μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネル用電極基板。
【請求項４】
前記第１電極層及び前記第２電極層が、フォトリソグラフィ法によりパターニングして形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル用電極基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル用電極基板を製造する方法であって、
前記ガラス基板の上にＣｒとＣｕの酸化物からなる金属酸化物層を形成する工程と、
前記金属酸化物層の上にＣｒとＣｕの合金からなる合金層を形成する工程と、
前記合金層の上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして、前記合金層及び前記金属酸化物層をエッチングしてパターニングし、前記第１電極層及び前記第２電極層を形成する工程とを備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用電極基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの各画素内に設けられる電極がガラス基板上に形成されたプラズマディスプレイパネル用電極基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、ガス放電型の表示装置であり、一般に、複数の電極対が形成された前面板と、前面板に対し所定の間隔を隔てて対向して配置された背面板とを備えている。面放電型のプラズマディスプレイパネルでは、前面板に形成された各電極対間における面放電により表示動作が行われる。
【０００３】
図１１は、従来のプラズマディスプレイパネルの前面板を形成するための電極基板を示す断面図である。
【０００４】
図１１に示すように、ガラス基板１０１の上には、遮光性のあるブラックストライプ１０２が設けられており、ブラックストライプ１０２で区切られた画素Ｐ内のガラス基板１０１の上には、一対の透明電極１０４が設けられている。透明電極１０４は、所定の間隔を隔てて設けられており、この間隔により放電ギャップＤが形成されている。
【０００５】
透明電極１０４の上には、金属から形成された一対のバス電極１０５が設けられている。バス電極１０５を透明電極１０４上に形成することにより、透明電極１０４とバス電極１０５から構成される電極１０３全体の抵抗値が下げられている。
【０００６】
透明電極１０４は、インジウム・錫酸化膜（ＩＴＯ膜）等の透明導電膜をスパッタリング法や蒸着法で成膜し、フォトリソグラフィ法でパターニングすることにより形成されている。バス電極１０５は、銀や、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの金属積層膜などから形成されている。銀電極の場合、一般に、感光性銀ペーストを用いた印刷法などより形成されている。感光性銀ペーストを、透明電極１０４の上に印刷し、これをフォトリソグラフィ法等でパターニングして形成されている。Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜の場合、Ｃｒ層、Ｃｕ層、及びＣｒ層の順にスパッタリング法で成膜しているが、Ｃｒ層及びＣｕ層は、エッチング液が異なるため同時にパターニングすることができない。そのため、各層を成膜した後に、それぞれフォトリソグラフィ法によりパターニングして形成している。
【０００７】
図１１に示す電極基板を形成した後、全面上に誘電体ペースト層を塗布し、例えば６００℃程度に焼成して、誘電体層を形成し、誘電体層を形成した後、その上にＭｇＯなどからなる保護膜を形成して、プラズマディスプレイパネルの前面板としている。尚、バス電極として銀を使用した場合には、銀が誘電体層へ拡散し、着色することが問題となっている。
【０００８】
以上のように、従来のプラズマディスプレイパネル用電極基板においては、インジウム・錫酸化膜などからなる透明電極を用いている。しかしながら、インジウム・錫酸化膜は、高温焼成により抵抗率が上昇する傾向がある。また、Ｉｎは、枯渇懸念のあるレアメタルであり、近年価格が高騰しており、コストアップの一因となっている。
【０００９】
また、プラズマディスプレイパネルにおいては、フルスペックのハイビジョンに対応できるものが求められており、高精細化により、画素Ｐの幅が狭くなってきている。上述のように、一対の透明電極１０４により放電ギャップが形成されているが、画素Ｐの幅が狭くなり、画素Ｐの幅における放電ギャップＤの占める割合が相対的に大きくなると、透明電極１０４によって開口率を高める必要のある領域が相対的に少なくなるため、透明電極１０４を形成する意味が失われてくる。しかしながら、従来のバス電極１０５は、透明電極１０４の有無に関わらず、上述したように、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜の場合、Ｃｒ層とＣｕ層のエッチング液が異なるため、同時にパターニングできないという問題や、銀電極の場合、誘電体層やガラス基板への銀の拡散による着色の問題がある。さらに、透明電極を使用せず銀電極を用いた場合には、銀電極が放電ギャップを決めるため、その直線性及び電極間距離の精密さが不十分であることによる放電特性の劣化を招くという問題がある。
【００１０】
特許文献１においては、金属電極のみを用いるセル構造のプラズマディスプレイパネルが提案されている。しかしながら、具体的な金属電極の詳細については開示されておらず、金属電極に使用する材料やその構造については明らかにされていない。
【００１１】
特許文献２及び特許文献３においては、基板の上に金属酸化物からなる第１の層を形成し、その上に金属材料を主成分とする第２の層を形成し、その上に透明導電膜からなる第３の層を形成して、電極を３層構造にすることが開示されている。しかしながら、放電ギャップを決める電極は透明導電膜からなる第３の層であり、上述の高温焼成により抵抗率が上昇するという問題や、レアメタルであるのでコスト上昇を伴うという問題を有している。
【００１２】
特許文献４においては、Ｃｕと２０〜５０原子％の他の金属との合金層、または該合金層とＣｕ層との積層体を少なくとも含む金属層を形成し、金属層を熱処理することにより、金属層の表面に、表面以外の部分より他の金属を多く含む被膜を有する電極を形成する電極の形成方法が開示されている。しかしながら、ここでも、ガラス基板の上に透明導電膜を形成し、透明導電膜の上にこのような金属からなる層を形成しており、上記と同様の問題を有している。
【特許文献１】特開２００４−７９３１４号公報
【特許文献２】特開２００６−２７８１４６号公報
【特許文献３】特開２００６−２７８１４７号公報
【特許文献４】特開２００１−１１８４９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、加熱処理により低抵抗化することができ、かつ耐熱性に優れ、容易に製造可能な電極を有するプラズマディスプレイパネル用電極基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、ガラス基板と、ガラス基板の上に形成された電極とを備えるプラズマディスプレイパネル用電極基板であって、電極は、ガラス基板上に形成され、Ｃｒ（クロム）とＣｕ（銅）の酸化物からなる第１電極層と、第１電極層の上に形成され、ＣｒとＣｕの合金からなる第２電極層とを有し、第１電極層中におけるＣｒ及びＣｕの合計に対するＣｒの比〔Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）〕が、原子比で０．１〜０．５の範囲内であり、第２電極層中におけるＣｒ及びＣｕの合計に対するＣｒの比〔Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）〕が、原子比で０．２〜０．５の範囲内であることを特徴としている。
【００１５】
本発明において、第１電極層は、ＣｒとＣｕの酸化物からなり、ガラス基板上に形成される。また、第２電極層は、ＣｒとＣｕの合金からなり、第１電極層の上に形成される。
【００１６】
本発明において、ＣｒとＣｕの合金からなる第２電極層は、ＣｒとＣｕの酸化物からなる第１電極層を介してガラス基板上に形成されている。第１電極層は、ガラス基板に対して良好な接着性を有するので、本発明によれば、第２電極層を良好な接着性でガラス基板上に設けることができる。また、第１電極層は、ＣｒとＣｕの酸化物からなり、黒色系の色を有しているので、ガラス基板側からの光の反射を低減させることができる。
【００１７】
本発明において、第１電極層中におけるＣｒ及びＣｕの合計に対するＣｒの比〔Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）〕は、原子比で０．１〜０．５の範囲内である。この比率が０．１未満であると、Ｃｕの含有割合が相対的に多くなるため、エッチングの際、第１電極層がガラス基板から剥離され易くなり好ましくない。また、この比率が０．５を越えると、第２電極層のエッチング液と同じエッチング液を用いて第１電極層をエッチングした場合に、エッチングレートが第２電極層におけるエッチングレートよりも大きくなり、エッチングが困難となる。
【００１８】
本発明において、第２電極層中におけるＣｒ及びＣｕの合計に対するＣｒの比〔Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）〕は、原子比で０．２〜０．５の範囲内である。このような範囲内とすることにより、電極を加熱処理によって低抵抗化することができる。上述のように、プラズマディスプレイパネル用電極基板において、誘電体層は、一般に、焼成して形成される。従って、焼成のための加熱処理の際に、電極の抵抗値を低くして、良好な導電性を有する電極にすることができる。
【００１９】
また、上記比率を０．２〜０．５の範囲内とすることにより、耐熱性に優れた電極とすることができる。すなわち、上記比率が０．２未満であると、加熱処理を施した際に、第２電極層が第１電極層から剥離するという問題が生じ、良好な耐熱性が得られない。また、上記比率を０．２〜０．５の範囲内とすることにより、高いエッチングレートでエッチングすることができる。また、この比率が０．５を越えると、第１電極層のエッチング液と同じエッチング液を用いて第２電極層をエッチングした場合に、エッチングレートが第１電極層におけるエッチングレートよりも小さくなり、エッチングが困難となる。従って、第１電極層と第２電極層を同一のエッチング工程でエッチングすることができ、容易に製造可能な電極とすることができる。
【００２０】
第１電極層中におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）の比のさらに好ましい範囲は、０．１２８〜０．４９の範囲内であり、第２の電極層中におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）の比のさらに好ましい範囲は、０．２２６〜０．４９の範囲内である。
【００２１】
本発明において、第１電極層中におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）の比は、第２電極層中におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）の比と実質的に同一であってもよい。スパッタリング法によって成膜した場合、これらの比率を実質的に同一にすることにより、雰囲気ガスのみを変えるだけで、第１電極層と第２電極層を形成することが可能となる。例えば、第１電極層を酸素を含む雰囲気で形成することにより、ＣｒとＣｕの酸化物を形成することができ、第２電極層を酸素を含まない雰囲気で形成することにより、ＣｒとＣｕの合金層を形成することができる。従って、例えば、同一のターゲットを用いて第１の電極層と第２の電極層を形成することが可能となる。なお、実質的に同一とは、第１の電極層における上記比率が、第２電極層における上記比率の±１０％以内であることを意味している。
【００２２】
しかしながら、本発明においては、第１電極層中における上記比率と、第２電極層中における上記比率は、必ずしも実質的に同じである必要はなく、各電極層におけるそれぞれの比率の範囲内であればよい。
【００２３】
本発明において、第１の電極層の厚みは、０．０２〜１μｍの範囲内であることが好ましい。第１電極層の厚みが、０．０２μｍ未満であると、第２電極層の密着性が低下し、剥離しやすくなる。また、第１電極層は、厚くなるほど黒さが増しガラス基板からの光の反射が低減しやすいため好ましいが、１μｍを越えても、黒さが変化しないため経済的でない。第１の電極層のさらに好ましい厚みの範囲は、０．０２〜０．７μｍであり、特に好ましい厚みの範囲は０．０５〜０．５μｍである。
【００２４】
また、本発明において、第２電極層の厚みは、０．５〜７μｍの範囲内であることが好ましい。第２電極層の厚みが０．５μｍ未満であると、抵抗値が高くなるため好ましくない。また、第２電極層の厚みが７μｍを越えると、誘電体層の平滑性が悪くなるため好ましくない。第２電極層のさらに好ましい厚みの範囲は、２〜７μｍであり、特に好ましい厚みの範囲は、２．５〜５μｍである。
【００２５】
本発明において、第１電極層及び第２電極層は、フォトリソグラフィ法によりパターニングして形成されていることが好ましい。これにより、ＩＴＯ等の透明電極が無くても、電極の直線性及び電極間距離の精密さが不十分であることによる放電特性の劣化を招くことがない。さらに好ましくは、第１の電極層及び第２の電極層が、同一のエッチング工程によりエッチングしてパターニングされていることが好ましい。これにより、製造工程を簡略化することができる。
【００２６】
本発明の製造方法は、上記本発明のプラズマディスプレイパネル用電極基板を製造することができる方法であり、ガラス基板の上にＣｒとＣｕの酸化物からなる金属酸化物層を形成する工程と、金属酸化物層の上にＣｒとＣｕの合金からなる合金層を形成する工程と、合金層の上にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜をマスクとして、合金層及び金属酸化物層をエッチングしてパターニングし、第１電極層及び第２電極層を形成する工程とを備えることを特徴としている。
【００２７】
本発明の製造方法によれば、合金層及び金属酸化物層をエッチングしてパターニングすることにより、第１電極層及び第２電極層を形成することができるので、加熱処理により低抵抗化することができ、かつ耐熱性に優れた電極を有するプラズマディスプレイパネル用電極基板を、効率良く容易に製造することができる。
【００２８】
本発明における電極は、加熱処理により低抵抗化することができるものであるので、プラズマディスプレイパネルを製造する工程において、加熱処理することが好ましい。このような加熱処理は、上述のように、誘電体層を形成する際の加熱処理であってもよいし、誘電体層を形成する際の加熱処理とは別工程の加熱処理であってもよい。加熱処理の温度としては、５６０〜６２０℃の範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは５７０〜６１０℃の範囲内である。また、加熱処理の時間は、１０分〜６０分の範囲が一般的である。
【００２９】
また、本発明の電極は、ＣｒとＣｕの酸化物からなる第１電極層を下地層として有するものであり、第１電極層は上述のように、黒色系の色を有するものであるので、本発明における第１電極層と第２電極層の積層構造を、ブラックストライプとして用いることも可能である。この場合、上記合金層及び金属酸化物層のエッチングの際に、電極をパターニングするとともに、ブラックストライプをパターニングし、第１電極層、第２電極層、及びブラックストライプを同時に形成することができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、加熱処理により低抵抗化することができ、かつ耐熱性に優れ、容易に製造可能な電極を有するプラズマディスプレイパネル用電極基板とすることができる。
【００３１】
また、本発明の製造方法によれば、加熱処理により低抵抗化することができ、かつ耐熱性に優れた電極を有するプラズマディスプレイパネル用電極基板を効率良く容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明を具体的な実施形態により説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３３】
図１は、本発明に従う一実施形態のプラズマディスプレイパネル用電極基板１０を示す断面図である。
【００３４】
図１に示すように、画素Ｐ内のガラス基板１の上には、一対の電極３が形成されている。電極３は、ガラス基板１上に形成される第１電極層４と、第１電極層４の上に形成される第２電極層５から構成されている。
【００３５】
第１電極層４は、ＣｒとＣｕの酸化物から形成されており、第２電極層５は、ＣｒとＣｕの合金から形成されている。第１電極層４中におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）の比は、原子比で０．１〜０．５の範囲内である。また、第２電極層５中におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）の比は、原子比で０．２〜０．５の範囲内である。
【００３６】
電極３は、上記の組成からなる第１電極層４と第２電極層５から形成されているので、加熱処理により低抵抗化することができる。また、金属酸化物からなる第１電極層４を介してガラス基板１上に第２電極層５が形成されているので、ガラス基板１に対して良好な密着性を有する。
【００３７】
また、上記組成の範囲内で、第１電極層４及び第２電極層５が形成されているので、加熱処理によって、第１電極層４と第２電極層５が剥離することがなく、良好な耐熱性を有している。
【００３８】
また、上記組成の範囲内で第１電極層４及び第２電極層５が形成されているので、エッチング工程におけるエッチング性能に優れており、電極３を容易に製造することができる。
【００３９】
図２は、図１に示すプラズマディスプレイパネル用電極基板を用いて作製した、プラズマディスプレイパネルの前面板２０を示す断面図である。
【００４０】
図２に示すように、画素Ｐの境界部分には、ブラックストライプ２が形成されている。ブラックストライプ２は、例えば、ガラス粉末を５０〜８０質量％、黒色顔料粉末を１０〜４０質量％、セラミックス粉末を０〜１５質量％含有した複合剤や、金属Ｃｒなどから形成することができる。ガラス粉末としては、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラス粉末等を使用することができる。黒色顔料粉末としては、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｍｎ系顔料、Ｆｅ−Ｍｎ系顔料などを用いることができる。セラミック粉末としては、アルミナ、シリカ、ジルコニア、チタニア、コージェライト等の粉末を用いることができる。
【００４１】
ブラックストライプ２は、例えば、印刷法やスパッタリング法を用いて形成することができる。なお、ブラックストライプ２は、予めプラズマディスプレイパネル用電極基板に形成されていてもよい。
【００４２】
上記のようにしてブラックストライプ２を形成した後、ブラックストライプ２、電極３、及びガラス基板１の上を覆うように、誘電体ペーストを塗布する。塗布後、例えば５６０〜６２０℃の範囲内の温度で焼成することにより、誘電体層６を形成する。誘電体層６を形成した後、誘電体層６の上に、例えばＭｇＯからなる保護層７を形成して、図２に示すプラズマディスプレイパネルの前面板２０を作製することができる。
【００４３】
図３は、ガラス基板１上のブラックストライプ２及び電極３の平面形状を示す平面図である。図３に示すように、ブラックストライプ２及び電極３はストライプ状に延びるように形成されており、一対の電極３間の間隔が、放電ギャップＤとなるように形成されている。従って、電極３の形状は、良好な直線性を有し、電極間の距離が精密に制御されていることが求められる。
【００４４】
本発明においては、電極３を、フォトリソグラフィ法によるパターニングで形成することができるので、ＩＴＯ等の透明電極を用いなくても、良好な直線性及び電極間距離の精密さを電極３に付与することができ、放電特性の劣化を招くことがない。
【００４５】
図４〜図６は、図１に示す本実施形態のプラズマディスプレイパネル用電極基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【００４６】
図４に示すように、ガラス基板１の上に、ＣｒとＣｕの酸化物からなる金属酸化物層１１を、スパッタリング法や蒸着法などにより形成する。
【００４７】
次に、図５に示すように、金属酸化物層１１の上に、ＣｒとＣｕの合金からなる合金層１２を、スパッタリング法や蒸着法などにより形成する。
【００４８】
次に、図６に示すように、合金層１２の上に、レジスト膜１３を形成する。レジスト膜１３は、合金層１２の上にレジスト材料層を形成した後、フォトリソグラフィ法によりパターニングして形成する。レジスト膜１３は、電極３を形成する領域にパターニングして形成する。
【００４９】
次に、レジスト膜１３をマスクとして、エッチング液を用いたウェットエッチングにより、レジスト膜１３が形成されていない領域における金属酸化物層１１及び合金層１２をエッチングして除去する。なお、ウェットエッチングに代えて、ドライエッチングによりエッチング除去してもよい。
【００５０】
以上のようにして、レジスト膜１３が形成されている領域以外の領域の金属酸化物層１１及び合金層１２をエッチング工程で除去し、レジスト膜１３を取り除くことにより、図１に示すプラズマディスプレイパネル用電極基板１０を作製することができる。
【００５１】
図２に示す前面板２０は、さらに以下の工程を実施することにより作製することができる。
【００５２】
図７に示すように、ブラックストライプ２を形成する。次に、図８に示すように、電極３、ブラックストライプ２、及び基板１の上に誘電体層６を形成する。誘電体層６は、例えば、誘電体ペーストを塗布した後、所定の温度で焼成することにより形成することができる。この誘電体層６の形成のための焼成の際に、電極３に対して加熱処理を施すことができ、電極３の抵抗値を低下させることができる。
【００５３】
次に、誘電体層６の上に保護層７を形成することにより、図２に示すプラズマディスプレイパネルの前面板２０を作製することができる。
【００５４】
（他の実施形態）
図１０は、本発明に従う他の実施形態のプラズマディスプレイパネル用電極基板を示す断面図である。図１０においては、誘電体層６及び保護層７を形成した前面板の形態で示している。
【００５５】
上述のように、本発明における電極３の第１電極層４は、ＣｒとＣｕの酸化物から形成されており、黒色系の色を有している。このため、本発明における第１電極層４及び第２電極層５の積層構造は、ブラックストライプとして用いることが可能である。
【００５６】
図１０に示す実施形態においては、ブラックストライプ２を、第１電極層４及び第２電極層５から形成している。このようなブラックストライプ２は、図６に示すエッチング工程において、ブラックストライプ２を形成する領域に、レジスト膜１３を設けることにより形成することができる。
【００５７】
このようにしてブラックストライプ２を第１電極層４及び第２電極層５から形成することにより、ブラックストライプ２を形成するための工程を簡略化することができ、さらに効率良くプラズマディスプレイ用パネルを製造することができる。
【００５８】
上記実施形態においては、プラズマディスプレイパネルの前面板に、本発明のプラズマディスプレイパネル用電極基板を用いる例を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、プラズマディスプレイパネルの背面板に、本発明を適用してもよい。
【実施例】
【００５９】
以下、本発明をさらに具体的な実施例により説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００６０】
〔比抵抗値及び密着性の評価〕
ガラス基板の上に、表１に示すＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比でＣｒ及びＣｕを含有する金属酸化物からなる第１電極層と、表１に示すＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比のＣｒとＣｕの合金からなる第２電極層とを積層させた電極を形成した。電極の形成方法としては、上記実施形態と同様の方法を用い、金属酸化物層及び合金層はスパッタリング法により形成した。第１電極層の厚みは５００ｎｍとし、第２電極層の厚みは５０００ｎｍとした。
【００６１】
表１に示す第１電極層及び第２電極層は、ＣｒとＣｕの２種類のターゲットを使用し、それらに印加する電力を変化させることによってＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比を変化させて形成した。表１に示すように、第１電極層におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比と、第２電極層におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比が同一となるように、各電極層を形成した。なお、表１に示す比率は、原子比である。また、表１に示すＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比は、波長分散型Ｘ線分光器（ＷＤＸ）を用いて分析した。
【００６２】
作製したガラス基板上の電極に対して、５８０℃１時間の加熱処理を行い、加熱処理前及び加熱処理後の電極の比抵抗値、加熱処理後の密着性を以下のようにして評価した。
【００６３】
（比抵抗値の測定）
抵抗率測定器（ロレスタＭＣＰ−Ｔ３６０）を用いて、比抵抗値を測定した。測定結果を表１に示す。
【００６４】
なお、第１電極層の比抵抗値が大きいため、電極の比抵抗値は、第２電極層の比抵抗値の影響を大きく受ける。
【００６５】
（密着性の評価）
電極に、ガラスカッターで傷を入れ、その部分に粘着テープを貼り付け、貼り付けた粘着テープを剥がしたときに、電極に剥離が生じるか否かを以下の基準で評価した。
【００６６】
○：剥離が全く生じない。
【００６７】
△：一部剥離が生じる。
【００６８】
×：剥離が生じる。
【００６９】
加熱処理後の密着性の評価結果を表１に示す。なお、加熱処理前の密着性は、全て○であった。
【００７０】
【表１】
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【００７１】
図９に、第１電極層及び第２電極層におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比と、加熱処理前及び加熱処理後の比抵抗値との関係を示す。なお、図９における●は加熱処理前の比抵抗値であり、■は加熱処理後の比抵抗値である。また、▲は、加熱処理により第１電極層と第２電極層の間で剥離が生じ、測定不能であることを示している。
【００７２】
表１及び図９から明らかなように、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比が０．２以上０．８以下の範囲で、比抵抗値が加熱処理により大幅に低下していることがわかる。プラズマディスプレイパネル用電極としては、比抵抗値が１０μΩ・ｃｍ以下であることが好ましいので、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）は、０．２〜０．５の範囲であることが好ましい。上述のように、電極の比抵抗値は、第２電極層の影響を受けるものであるので、第２電極層におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比は０．２〜０．５の範囲内であることが好ましい。さらには０．２２６〜０．４９の範囲内であることがより好ましい。より低い抵抗値を得るという観点からは、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比は、０．２〜０．４の範囲内であることが好ましい。
【００７３】
Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比が０の場合、及び０．１２８の場合において、加熱処理後の比抵抗値が「測定不能」となっている。これは、加熱処理により、第１電極層と第２電極層との間で剥離が生じ、測定することができなかったものである。このような第１電極層と第２電極層との間における剥離により、表１に示す密着性では×の評価となっている。
【００７４】
以上のように、電極の導電性及び耐熱性の観点からは、第１電極層及び第２電極層中におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）は、０．２〜０．５の範囲内であることが好ましい。
【００７５】
〔エッチング性能の評価〕
第１電極層及び第２電極層をそれぞれ単独でガラス基板上に形成し、以下のようにしてエッチング性能を評価した。
【００７６】
まず、ガラス基板上に第１電極層を厚さ５００ｎｍとなるように形成し、この第１電極層についてエッチング性能を評価した。なお、第１電極層におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比は、表２に示す通りとした。
【００７７】
エッチング液としては、第２塩化鉄水溶液を用い、エッチングレート（ｎｍ／ｓｅｃ）を測定した。なお、温度は、３５℃とした。表２に結果を示す。
【００７８】
【表２】
2010049875.tif 000004
【００７９】
次に、ガラス基板上に第２電極層を形成し、第２電極層のエッチング性能を評価した。第２電極層の厚みは５０００ｎｍとし、第１電極層の場合と同様にしてエッチングレートを測定した。表３に結果を示す。
【００８０】
【表３】
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【００８１】
表２に示すように、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）が０である第１電極層においてはエッチングの際にガラス基板から第１電極層が剥離した。これは、酸化銅が還元されて、基板から剥離したものと思われる。
【００８２】
また、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比が０．５９０以上になると、エッチングレートが著しく大きくなっている。第１電極層は、第２電極層とガラス基板の間に位置しており、第１電極層の厚みは、一般に第２電極層の厚みよりも薄くなるように設定される。このため、第１電極層のエッチングレートが第２電極層のエッチングレートより著しく大きくなると、第２電極層のエッチング除去が十分になされる前に、第１電極層が過剰にエッチングされてしまい、所望のパターニング形状を得ることができない場合がある。従って、第１電極層におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比は０．５９０未満であることが好ましく、さらに好ましくは０．５以下である。
【００８３】
なお、第１電極層におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比が０．７６８である場合及び１である場合については、０．５９０及び０．６８６の場合と同様に、エッチングレートが著しく大きいことが予想されるため、エッチング性能を評価していない。
【００８４】
表３から明らかなように、第２電極層において、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比が０の場合及び０．１２８の場合には、第２電極層がガラス基板から剥離した。また、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比が０．７６８である場合及び１である場合においては、エッチングが不可能であった。
【００８５】
以上の結果より、エッチング性能の観点からは、第１電極層におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比は、０．１〜０．５の範囲であることが好ましく、さらに好ましくは０．１２８〜０．４９の範囲である。
【００８６】
また、エッチング性能の観点から、第２電極層におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比は、０．２〜０．７の範囲であることが好ましく、さらに好ましくは０．２２６〜０．６８６の範囲である。
【００８７】
以上の結果、電極の比抵抗値、耐熱性、及びエッチング性能を考慮すれば、第２電極層におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比は、０．２〜０．５の範囲内であることが好ましく、０．２２６〜０．４９の範囲内であることがさらに好ましいことがわかる。また、第１電極層におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比は、０．１〜０．５の範囲内であることが好ましく、０．１２８〜０．４９の範囲内であることがさらに好ましいことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明に従う一実施形態のプラズマディスプレイパネル用電極基板を示す断面図。
【図２】本発明に従うプラズマディスプレイパネル用電極基板を用いた前面板を示す断面図。
【図３】図２における電極及びブラックストライプを示す平面図。
【図４】図１に示す実施形態のプラズマディスプレイパネル用電極基板を製造する工程を示す断面図。
【図５】図１に示す実施形態のプラズマディスプレイパネル用電極基板を製造する工程を示す断面図。
【図６】図１に示す実施形態のプラズマディスプレイパネル用電極基板を製造する工程を示す断面図。
【図７】図２に示すプラズマディスプレイパネルの前面板を製造する工程を示す断面図。
【図８】図２に示すプラズマディスプレイパネルの前面板を製造する工程を示す断面図。
【図９】第１電極層及び第２電極層におけるＣｒ／（Ｃｒ＋Ｃｕ）比と、加熱処理前及び加熱処理後の比抵抗値との関係を示す図。
【図１０】本発明に従う他の実施形態を示す断面図。
【図１１】従来のプラズマディスプレイパネルの前面板を示す断面図。
【符号の説明】
【００８９】
１…ガラス基板
２…ブラックストライプ
３…電極
４…第１電極層
５…第２電極層
６…誘電体層
７…保護層
１０…プラズマディスプレイパネル用電極基板
１１…金属酸化物層
１２…合金層
１３…レジスト膜
２０…プラズマディスプレイパネルの前面板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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