(57)【要約】【課題】圧電層の結晶性を向上させることができ且つ製造歩留まりを向上させることができるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供する。【解決手段】支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。支持基板１における空洞形成予定領域に、空洞２を形成する際に用いるエッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａを形成する。その後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を保護するレジスト層６を形成し、レジスト層６の開孔部７および各エッチングホール５を通してエッチング液を導入し支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞２を形成する。【選択図】図１
2010147871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板、支持基板の一表面側に形成され下部電極と上部電極との間にＰＺＴ系材料もしくはＫＮＮ系材料からなる圧電層を有する共振子と、支持基板の前記一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において共振子を全周に亘って取り囲んで共振子を保持した絶縁層とを備え、支持基板に共振子の下部電極および絶縁層における支持基板側の表面を露出させる空洞が形成されるとともに、絶縁層に、空洞に連通する空洞形成用のエッチングホールが形成されてなるＢＡＷ共振装置の製造方法であって、支持基板の前記一表面上に下部電極を形成する下部電極形成工程と、下部電極形成工程の後で支持基板の前記一表面側に圧電層を形成する圧電層形成工程と、圧電層形成工程の後で圧電層および下部電極をそれぞれ第１の所定形状、第２の所定形状にパターニングする圧電層・下部電極パターニング工程と、圧電層・下部電極パターニング工程の後で支持基板の前記一表面側に圧電層の一部を露出させる開孔部および支持基板の前記一表面側を露出させる前記エッチングホールを有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層形成工程の後で上部電極を形成する上部電極形成工程と、上部電極形成工程の後で支持基板の前記一表面側に上部電極および絶縁層を覆い且つエッチングホールに対応する部位に開孔部を有するレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、レジスト層形成工程の後でレジスト層の開孔部および絶縁層のエッチングホールを通してエッチング液を導入し支持基板における空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞を形成する空洞形成工程とを備え、空洞形成工程よりも前に、支持基板における前記空洞形成予定領域のうち少なくとも前記エッチングホールに対応する部分に前記エッチング液によりエッチングされやすい変質部を形成する変質部形成工程を設けてなることを特徴とするＢＡＷ共振装置の製造方法。
【請求項２】
前記変質部形成工程では、前記支持基板にレーザ光を照射することにより前記変質部を形成することを特徴とする請求項１記載のＢＡＷ共振装置の製造方法。
【請求項３】
前記変質部形成工程では、前記圧電層形成工程よりも後で前記支持基板の他表面側からレーザ光を照射することを特徴とする請求項２記載のＢＡＷ共振装置の製造方法。
【請求項４】
前記変質部形成工程では、前記支持基板の前記一表面側を逆スパッタすることにより前記変質部を形成することを特徴とする請求項１記載のＢＡＷ共振装置の製造方法。
【請求項５】
前記変質部形成工程では、前記圧電層形成工程よりも前で前記支持基板の前記共振子の形成予定領域以外の領域にのみ前記変質部を形成することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項４記載のＢＡＷ共振装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電層の厚み方向の縦振動モードを利用する共振子を備えたＢＡＷ（Bulk  Acoustic  Wave）共振装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、携帯電話機などの移動体通信機器の分野において、２ＧＨｚ以上の高周波帯で利用する高周波フィルタに適用可能なＦＢＡＲ（Film  Bulk  Acoustic  Resonator）型のＢＡＷ共振装置が各所で研究開発されている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
ここで、この種のＢＡＷ共振装置では、例えば、ＵＷＢ（Ultra  Wide  Band）用フィルタに応用する場合に、圧電層の材料として、帯域幅が中心周波数に対して４〜５％しか広帯域化できないＡｌＮに比べて中心周波数に対して１０％程度の帯域幅を得ることが可能なＰＺＴ系材料（例えば、ＰＺＴ、ＰＭＮ−ＰＺＴなど）やＫＮＮなどを採用することが考えられており、上記特許文献１には、圧電層の結晶性を向上させるために下部電極と圧電層と上部電極との積層構造を有する共振子を支持する支持基板として単結晶ＭｇＯ基板や単結晶ＳＴＯ（：ＳｒＴｉＯ３）基板を採用することが記載されている。
【０００４】
ここにおいて、上記特許文献１に開示されたＢＡＷ共振装置は、例えば、図６（ｄ）に示すように、単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板１’と、支持基板１’の一表面側に形成されＰｔ膜からなる下部電極３１’、ＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２’、Ｐｔ膜からなる上部電極３３’の積層構造を有する共振子３’とを備え、支持基板１’の上記一表面と共振子３’との間に空洞２’が形成されている。なお、上記特許文献１には、支持基板１’の上記一表面側に共振子３’を複数個形成してフィルタ（ＢＡＷフィルタ）を構成することも記載されている。
【０００５】
以下、図６（ｄ）に示した構成のＢＡＷ共振装置の製造方法について図６を参照しながら説明する。
【０００６】
まず、単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板１’の上記一表面側の全面にＭｇＯ層からなる犠牲層２０’をＲＦマグネトロンスパッタ法により形成し、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して犠牲層２０’を所定形状にパターニングすることによって、図６（ａ）に示す構造を得る。
【０００７】
その後、支持基板１’の上記一表面側の全面にＰｔ膜からなる下部電極３１’をＲＦマグネトロンスパッタ法により形成し、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して下部電極３１’を所定形状にパターニングすることによって、図６（ｂ）に示す構造を得る。ここで、下部電極３１’は、支持基板１’の上記一表面と犠牲層２０’の表面とに跨って残るようにパターニングする。
【０００８】
その後、支持基板１’の上記一表面側の全面にＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２’をＲＦマグネトロンスパッタ法により形成し、引き続いて、支持基板１’の上記一表面側の全面にＰｔ膜からなる上部電極３３’をＲＦマグネトロンスパッタ法により形成し、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上部電極３３’を所定形状にパターニングすることによって、図６（ｃ）に示す構造を得る。
【０００９】
その後、圧電層３２’に、厚み方向に貫通し犠牲層２０’を露出させるエッチングホール（図示せず）を形成してから、当該エッチングホールを通して燐酸溶液からなるエッチング液を導入し犠牲層２０’を選択的にエッチングすることで空洞２’を形成することによって、図６（ｄ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得る。
【００１０】
これに対して、上記特許文献２に開示されたＢＡＷ共振装置は、図７（ｇ）に示すように、単結晶Ｓｉ基板からなる支持基板１”と、支持基板１”の一表面上に形成されたＡｌ２Ｏ３層からなる支持層２２”と、支持層２２”の表面側に形成されＭｏ膜からなる下部電極３１”、ＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２”、Ｍｏ膜からなる上部電極３３”の積層構造を有する共振子３”とを備え、支持層２２”の一部を除去することで支持基板１”の上記一表面と共振子３”との間に空洞２”が形成されている。
【００１１】
以下、図７（ｇ）に示した構成のＢＡＷ共振装置の製造方法について図７を参照しながら説明する。
【００１２】
まず、単結晶Ｓｉ基板からなる支持基板１”の上記一表面側の全面にＡｌ膜からなる下地層２１”をスパッタ法などにより形成することによって、図７（ａ）に示す構造を得る。
【００１３】
その後、下地層２１”における空洞２”の形成予定領域を覆うレジスト層２３”を形成してから、下地層２１”のうちレジスト層２３”で覆われていない部分を陽極酸化処理してＡｌ２Ｏ３に変質させることでＡｌ２Ｏ３層からなる支持層２２”を形成することによって、図７（ｂ）に示す構造を得る。
【００１４】
その後、レジスト層２３”を除去してから、支持基板１”の上記一表面側の全面にＭｏ膜からなる下部電極３１”をスパッタ法などにより形成することによって、図７（ｃ）に示す構造を得る。
【００１５】
続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して下部電極３１”を所定形状にパターニングし（ここで、下部電極３１”は、支持層２２”の表面と下地層２１”の表面とに跨って残り、且つ、下地層２１”の一部が露出するようにパターニングする）、その後、支持基板１”の上記一表面側の全面にＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２”をスパッタ法などにより形成することによって、図７（ｄ）に示す構造を得る。
【００１６】
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電層３２”を所定形状にパターニングし（ここで、圧電層３２”は、下地層２１”の一部が露出するようにパターニングする）、更にその後、支持基板１”の上記一表面側の全面にＭｏ膜からなる上部電極３３”をスパッタ法などにより形成することによって、図７（ｅ）に示す構造を得る。
【００１７】
続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上部電極３３”を所定形状にパターニングしてから（ここで、上部電極３３”は、下地層２１”の一部が露出するようにパターニングする）、支持基板１”の上記一表面側の全面にパッド４１”，４３”（図７（ｇ）参照）の基礎となる金属膜４０”を形成することによって、図７（ｆ）に示す構造を得る。
【００１８】
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して金属膜４０”をパターニングすることで各パッド４１”，４３”を形成し、続いて、下地層２１”の露出部位から所定のエッチング液（例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混合液）により犠牲層である下地層２１”を選択的にエッチングすることで空洞２”を形成することによって、図７（ｇ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得る。
【特許文献１】特開２００３−１６３５６６号公報
【特許文献２】特開２００８−２１９５２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、図６を参照しながら説明したＢＡＷ共振装置の製造方法では、ＭｇＯ層からなる犠牲層２０’を燐酸溶液からなるエッチング液によりエッチングする際に、エッチングレートが１〜５μｍ／ｍｉｎ程度と遅いので、ＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２’が上記エッチング液により侵食されて歩留まりが低下してしまう。
【００２０】
また、上述の図６を参照しながら説明したＢＡＷ共振装置の製造方法では、圧電層３２’を、支持基板１’と所定形状にパターニングされた下部電極３１’とに跨る形で形成するので、結晶性の良好な圧電層３２’を得るのが難しく、圧電層３２’の結晶性の改善による電気機械結合係数（ｋeff）および機械的品質係数（Ｑ値）の向上が望まれていた。
【００２１】
また、上述の図７を参照しながら説明したＢＡＷ共振装置の製造方法では、支持基板１”として単結晶Ｓｉ基板を用いているので、結晶性の良好な圧電層３２”を得るのが難しかった。また、支持基板１”として単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板を用いるとしても、Ａｌ２Ｏ３層からなる支持層２２”の表面とＡｌ層からなる下地層２１”の表面とに跨って所定形状の下部電極３１”を形成してから、支持基板１”の上記一表面側に圧電層３２”を形成しているので、結晶性の良好な圧電層３２”を得るのが難しかった。
【００２２】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、圧電層の結晶性を向上させることができ且つ製造歩留まりを向上させることができるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
請求項１の発明は、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板、支持基板の一表面側に形成され下部電極と上部電極との間にＰＺＴ系材料もしくはＫＮＮ系材料からなる圧電層を有する共振子と、支持基板の前記一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において共振子を全周に亘って取り囲んで共振子を保持した絶縁層とを備え、支持基板に共振子の下部電極および絶縁層における支持基板側の表面を露出させる空洞が形成されるとともに、絶縁層に、空洞に連通する空洞形成用のエッチングホールが形成されてなるＢＡＷ共振装置の製造方法であって、支持基板の前記一表面上に下部電極を形成する下部電極形成工程と、下部電極形成工程の後で支持基板の前記一表面側に圧電層を形成する圧電層形成工程と、圧電層形成工程の後で圧電層および下部電極をそれぞれ第１の所定形状、第２の所定形状にパターニングする圧電層・下部電極パターニング工程と、圧電層・下部電極パターニング工程の後で支持基板の前記一表面側に圧電層の一部を露出させる開孔部および支持基板の前記一表面側を露出させる前記エッチングホールを有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層形成工程の後で上部電極を形成する上部電極形成工程と、上部電極形成工程の後で支持基板の前記一表面側に上部電極および絶縁層を覆い且つエッチングホールに対応する部位に開孔部を有するレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、レジスト層形成工程の後でレジスト層の開孔部および絶縁層のエッチングホールを通してエッチング液を導入し支持基板における空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞を形成する空洞形成工程とを備え、空洞形成工程よりも前に、支持基板における前記空洞形成予定領域のうち少なくとも前記エッチングホールに対応する部分に前記エッチング液によりエッチングされやすい変質部を形成する変質部形成工程を設けてなることを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、圧電層および下部電極それぞれのパターニングは支持基板の一表面側に圧電層を形成する圧電層形成工程の後で行われるので、圧電層の形成時に下地に段差がなく、しかも、支持基板が単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板であるので、ＰＺＴ系材料もしくはＫＮＮ系材料からなる圧電層の結晶性を向上できて電気機械結合係数および機械的品質係数を向上でき、また、支持基板における空洞形成予定領域をエッチングするエッチング液を導入するためのエッチングホールを、共振子を全周に亘って取り囲んで共振子を保持した絶縁層に形成しているので、エッチングホールを形成することで圧電層が露出することもなく、その上、空洞形成工程よりも前に、支持基板における前記空洞形成予定領域のうち少なくとも前記エッチングホールに対応する部分に前記エッチング液によりエッチングされやすい変質部を形成する変質部形成工程を設けてあるので、空洞形成工程のエッチング時間を短縮することができて、空洞形成工程で用いるエッチング液により圧電層が侵食されるのを防止することができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００２５】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記変質部形成工程では、前記支持基板にレーザ光を照射することにより前記変質部を形成することを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、前記変質部形成工程を設けるタイミングの自由度が高くなる。
【００２７】
請求項３の発明は、請求項２の発明において、前記変質部形成工程では、前記圧電層形成工程よりも後で前記支持基板の他表面側からレーザ光を照射することを特徴とする。
【００２８】
この発明によれば、前記圧電層形成工程よりも前に前記変質部形成工程を行う場合に比べて、前記圧電層の結晶性を向上させることができる。
【００２９】
請求項４の発明は、請求項１の発明において、前記変質部形成工程では、前記支持基板の前記一表面側を逆スパッタすることにより前記変質部を形成することを特徴とする。
【００３０】
この発明によれば、前記変質部の表面を粗面化することができ、前記空洞形成工程でのエッチング開始時に前記変質部における前記エッチング液の接触面積を大きくすることができる。
【００３１】
請求項５の発明は、請求項１または請求項２または請求項４の発明において、前記変質部形成工程では、前記圧電層形成工程よりも前で前記支持基板の前記共振子の形成予定領域以外の領域にのみ前記変質部を形成することを特徴とする。
【００３２】
この発明によれば、前記支持基板の前記共振子の形成予定領域にも前記変質部を形成する場合に比べて、前記圧電層の結晶性を向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００３３】
請求項１の発明では、圧電層の結晶性を向上させることができ且つ製造歩留まりを向上させることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
（実施形態１）
本実施形態におけるＢＡＷ共振装置は、図１（ｇ）に示すように、支持基板１と、支持基板１の一表面側に形成され下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する共振子３と、支持基板１の上記一表面側に形成されて支持基板１に支持され平面視において共振子３を取り囲んで共振子３を保持した絶縁層４とを備え、支持基板１に、共振子３の下部電極３１および絶縁層４における支持基板１側の表面を露出させる空洞２が形成されるとともに、絶縁層４に、空洞２に連通する空洞形成用の複数のエッチングホール５が形成されている。要するに、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、下部電極３１と下部電極３１直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることにより支持基板１側へのバルク弾性波のエネルギの伝搬を抑制するようにしたＦＢＡＲを構成している。
【００３５】
上述の共振子３は、下部電極３１が支持基板１側に形成され、下部電極３１における支持基板１側とは反対側に圧電層３２が形成され、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側に上部電極３３が形成されている。
【００３６】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、上述の絶縁層４に、上部電極３３と圧電層３２との接触面積を規定する開孔部４ａが形成されており、圧電層３２のうち下部電極３１と上部電極３３との両方と接する領域が共振領域を構成している。
【００３７】
本実施形態のＢＡＷ共振装置は、圧電層３２の材料（圧電材料）として、ＰＺＴを採用しており、圧電層３２は、（００１）配向のＰＺＴ薄膜からなる圧電薄膜により構成されている。なお、ＰＺＴ薄膜は、単結晶膜もしくは単一配向膜であればよく、配向は（００１）配向に限らず、例えば、（１１１）配向でもよい。
【００３８】
また、本実施形態では、圧電層３２の圧電材料として、ＰＺＴを採用しているが、ＰＺＴ系材料であれば、ＰＺＴに限らず、不純物を添加したＰＺＴやＰＭＮ−ＰＺＴなどでもよく、圧電材料がＡｌＮやＺｎＯである場合に比べて、電気機械結合係数を大きくすることができる。また、圧電層３２の圧電材料としては、ＰＺＴ系材料に限らず、例えば、鉛フリーのＫＮＮ（Ｋ０．５Ｎａ０．５ＮｂＯ３）や、ＫＮ（ＫＮｂＯ３）、ＮＮ（ＮａＮｂＯ３）、ＫＮＮに不純物（例えば、Ｌｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｃｕなど）を添加したものなどのＫＮＮ系材料を用いてもよく、ＰＺＴ系材料を用いる場合に比べて、環境負荷を軽減できるという利点がある。
【００３９】
また、支持基板１としては、上記一表面である主表面が（００１）面の単結晶ＭｇＯ基板を用いているが、支持基板１としては、上記一表面である主表面が（００１）面の単結晶ＳＴＯ基板を用いてもよい。
【００４０】
ところで、圧電層３２は、平面視における全領域が下部電極３１上に形成されており、圧電層３２の外周線は、下部電極３１の外周線よりも内側に位置しているが、圧電層３２の平面視のパターンを下部電極３１の平面視のパターンと同じとしてもよい。
【００４１】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、下部電極３１の金属材料としてＰｔを採用しているが、下部電極３１の材料はＰｔに限定するものではなく、支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングして空洞２を形成する際のエッチング液に対して耐性を有し、圧電層３２の圧電材料との格子整合性の良い材料であればよく、例えば、ＳＲＯ（：ＳｒＲｕＯ３）やＩｒなどを採用してもよい。また、上部電極３３の金属材料としてＡｌを採用しているが、Ａｌに限らず、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｐｔなどを採用すれば、上部電極３３の金属材料が代表的な電極材料であるＡｕの場合に比べて、上部電極３３の機械的品質係数を高めることができ、共振子３全体の機械的品質係数を高めることが可能となる。
【００４２】
また、絶縁層４の材料としては、ＳｉＯ２を採用しているが、ＳｉＯ２に限らず、例えば、Ｓｉ３Ｎ４を採用してもよい。また、絶縁層４は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、ＳｉＯ２からなる第１の絶縁膜とＳｉ３Ｎ４膜からなる第２の絶縁膜との積層膜でもよい。
【００４３】
なお、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、共振子３の共振周波数を４ＧＨｚに設定してあり、下部電極３１の厚みを１００ｎｍ、圧電層３２の厚みを３００ｎｍ、上部電極３３の厚みを１００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、共振周波数を３ＧＨｚ〜５ＧＨｚの範囲で設計する場合には、圧電層３２の厚みは２００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲で適宜設定すればよい。
【００４４】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、上述のように、絶縁層４に、厚み方向に貫通し空洞２に連通する複数（本実施形態では、２つ）のエッチングホール５，５が形成されているが、これらのエッチングホール５，５は、平面視における共振子３の中心までの距離が略等しくなるような位置に形成することが望ましい。また、各エッチングホール５の開口形状は矩形状（ここでは、正方形状）となっているが、開口形状は特に限定するものではない。
【００４５】
以下、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法について図１を参照しながら説明する。
【００４６】
まず、上記一表面が（００１）面の単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板１の上記一表面側の全面に例えばＰｔ膜からなる下部電極３１をスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する下部電極形成工程を行い、続いて、支持基板１の上記一表面側の全面にＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２をスパッタ法、ゾルゲル法、ＣＶＤ法などにより形成する圧電層形成工程を行うことによって、図１（ａ）に示す構造を得る。なお、上述の下部電極形成工程と圧電層形成工程とで成膜方法としてスパッタ法を採用するようにすれば、下部電極３１と圧電層３２とを連続的に形成することが可能となる。また、下部電極形成工程では、下部電極３１としてＰｔ膜の代わりに、ＳＲＯ膜やＩｒ膜を形成してもよい。
【００４７】
上述の圧電層形成工程の後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電層３２を第１の所定形状にパターニングする第１のパターニング工程を行い、さらに、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して下部電極３１を第２の所定形状にパターニングする第２のパターニング工程を行うことによって、図１（ｂ）に示す構造を得る。なお、本実施形態では、第１のパターニング工程と第２のパターニング工程とで、圧電層３２および下部電極３１をそれぞれ第１の所定形状、第２の所定形状にパターニングする圧電層・下部電極パターニング工程を構成している。ここで、圧電層３２の平面視のパターンを下部電極３１の平面視のパターンと同じに設定してある場合には、圧電層３２のパターニングと下部電極３１のパターニングとを同一のマスクを利用し一括して行うことができる。
【００４８】
上述の第２のパターニング工程の後、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよび支持基板１の上記一表面側の一部を露出させる各エッチングホール５を有する絶縁層４を形成する絶縁層形成工程を行うことによって、図１（ｃ）に示す構造を得る。ここにおいて、絶縁層形成工程では、支持基板１の上記一表面側の全面に例えばＳｉＯ２からなる絶縁層４をスパッタ法やＣＶＤ法などにより形成してからフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して絶縁層４に開孔部４ａおよび各エッチングホール５を同時に形成している。なお、絶縁層形成工程では、開孔部４ａおよび各エッチングホール５の形成予定領域にレジスト層を形成してから絶縁層４をスパッタ法などにより成膜してレジスト層および当該レジスト層上の絶縁層４を除去するリフトオフを行うことにより開孔部４ａおよび各エッチングホール５を有する絶縁層４を形成するようにしてもよい。
【００４９】
上述の絶縁層形成工程の後、支持基板１の上記一表面側にＡｌ膜からなる上部電極３３を形成する上部電極形成工程を行うことによって、図１（ｄ）に示す構造を得る。ここにおいて、上部電極形成工程では、支持基板１の上記一表面側の全面に上部電極３３をスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成し、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上部電極３３を第３の所定形状にパターニングしている。なお、上部電極形成工程では、上部電極３３としてＡｌ膜に代えて、Ｍｏ膜、Ｗ膜、Ｉｒ膜、Ｃｒ膜、Ｒｕ膜、Ｐｔ膜などを形成してもよい。
【００５０】
上述の上部電極形成工程の後、支持基板１における空洞形成予定領域に、空洞２を形成する際に用いるエッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａ（ここでは、支持基板１に比べてエッチングレートの速い変質部１ａ）を形成する変質部形成工程を行うことによって、図１（ｅ）に示す構造を得る。ここにおいて、変質部形成工程では、支持基板１にレーザ光を照射することにより変質部１ａを形成するようにしており、支持基板１の他表面側からレーザ光を照射して支持基板１の一部を変質（改質）させることで変質部１ａを形成している。ここにおいて、変質部形成工程では、支持基板１の上記他表面側に変質部１ａの形成予定領域に対応する部分が開口された金属膜からなるマスク１１を形成した後、支持基板１の上記他表面側からレーザ光を照射する。また、変質部形成工程で用いるレーザとしては、変質部１ａの周辺への熱ダメージの発生を抑制するためにフェムト秒レーザを用いることが好ましく、この種のフェムト秒レーザとしては、例えば、波長が６００ｎｍ〜１０００ｎｍで可変のＴｉ：サファイアレーザを用いればよい。この場合、パルスレーザ光のパルス幅を１０〜５００ｆｓの範囲で、出力を１０〜１０００ｍＷの範囲で、パルスレーザ光の繰り返し周波数を１０〜５００ＭＨｚの範囲で、それぞれ適宜設定すればよい。なお、変質部形成工程において用いるレーザは、多光子吸収による変質部１ａの形成が可能なものであればよく、Ｔｉ：サファイアレーザに限らず、例えば、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＦＨＧ−ＹＡＧレーザなどの固体レーザの高調波発振を用いたものや、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザなどを用いてもよい。
【００５１】
上述の変質部形成工程の後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を覆い且つ各エッチングホール５に対応する部位に開孔部７を有するレジスト層６を形成するレジスト層形成工程を行い、続いて、レジスト層６の開孔部７およびエッチングホール５を通してエッチング液を導入し支持基板１の空洞形成予定領域（ここでは、変質部１ａを含む）をエッチングすることにより空洞２を形成する空洞形成工程を行うことによって、図１（ｆ）に示す構造を得る。
【００５２】
その後、レジスト層６を除去するレジスト層除去工程を行うことによって、図１（ｇ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得る。ここで、支持基板１として、上述のように単結晶ＭｇＯ基板を用いている場合には、エッチング液として例えば燐酸水溶液などを用いることにより、エッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングを行うことができる。
【００５３】
上述のＢＡＷ共振装置の製造にあたっては、上述の支持基板１としてウェハを用いてウェハレベルで多数のＢＡＷ共振装置を形成した後、ダイシング工程で個々のＢＡＷ共振装置に分割すればよい。なお、上述のＢＡＷ共振装置の製造方法では、圧電層３２をＰＺＴ薄膜により構成する例について説明したが、圧電層３２をＫＮＮにより構成してもよい。
【００５４】
以上説明した本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、圧電層３２および下部電極３１それぞれのパターニングは支持基板１の上記一表面側の全面に圧電層３２を形成する圧電層形成工程の後で行われるので、圧電層３２の形成時に当該圧電層３２の下地が下部電極３１表面のみとなるから下地に段差がなく、しかも、支持基板１が単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板であるので、ＰＺＴ系材料もしくはＫＮＮ系材料からなる圧電層３２の結晶性を向上できて電気機械結合係数および機械的品質係数を向上できる。
【００５５】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングするエッチング液を導入するためのエッチングホール５を、共振子３を全周に亘って取り囲んで共振子３を保持した絶縁層４に形成しているので、エッチングホール５を形成することで圧電層３２が露出することもなく、その上、空洞形成工程よりも前に、支持基板１における空洞形成予定領域に上記エッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａを形成する変質部形成工程を設けてあるので、空洞形成工程のエッチング時間を短縮することができて、空洞形成工程で用いる上記エッチング液により圧電層３２が侵食されるのを防止することができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、空洞形成工程において、上部電極３３および絶縁層４における各エッチングホール５以外の部位がレジスト層６により覆われており、上部電極３３に上記エッチング液が到達するのを防止できるので、上部電極３３の材料の選択肢が多くなるという利点もある。
【００５６】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法では、圧電層３２の材料がＰＺＴ系材料もしくはＫＮＮ系材料であるので、圧電層３２の材料がＡｌＮやＺｎＯである場合に比べて、電気機械結合係数を大きくすることができる。
【００５７】
なお、また、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、変質部形成工程は、圧電層形成工程よりも後で支持基板１の上記他表面側からレーザ光を照射するので、圧電層形成工程よりも前に変質部形成工程を行う場合に比べて、圧電層３２の結晶性を向上させることができる。
【００５８】
上述のＢＡＷ共振装置は、支持基板１の上記一表面側に共振子３が１個だけ形成されたものであるが、共振子３を支持基板１の上記一表面側に複数個形成して、図２に示すように、これら複数個の共振子３が例えばラダー型フィルタを構成するように接続すれば、２ＧＨｚ以上の高周波帯においてカットオフ特性が急峻で且つ帯域幅の広いフィルタ、例えば、ＵＷＢ用フィルタとして用いることができる。
【００５９】
図２に示した構成のＢＡＷ共振装置は、下部電極３１同士が電気的に接続された２個１組の共振子３の組を複数組（図示例では、９組）備えており、各組の２個の共振子３では、下部電極３１と圧電層３２とが連続して形成される一方で上部電極３３同士が絶縁分離されるようにパターニングされている。ここにおいて、隣り合う組間では、隣接する２個の共振子３の上部電極３３同士が上部電極３３と連続して形成された金属配線３４を介して電気的に接続されている。また、各組の２個の共振子３に跨って形成された圧電層３２のうち下部電極３１と上部電極３３との両方と接する領域が各共振領域を構成している。なお、エッチングホール５の数やレイアウトは、共振子３の配置に応じて適宜設定すればよい。
【００６０】
（実施形態２）
図３（ｇ）に示す本実施形態のＢＡＷ共振装置の構成は実施形態１と同じであり、製造方法が相違するだけなので、以下、製造方法について図３を参照しながら説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略し、実施形態１と同様の工程についても説明を適宜省略する。
【００６１】
まず、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板１における空洞形成予定領域に、空洞２を形成する際に用いるエッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａを形成する変質部形成工程を行うことによって、図３（ａ）に示す構造を得る。ここにおいて、変質部形成工程では、支持基板１の上記一表面側から支持基板１をＡｒガスなどのプラズマを用いて逆スパッタすることにより変質部１ａを形成しているが、支持基板１の上記一表面側から実施形態１と同様のレーザ光を照射することにより変質部１ａを形成するようにしてもよいし、適宜のイオンを注入することにより変質部１ａを形成するようにしてもよい。ここにおいて、変質部形成工程では、支持基板１の上記一表面側に変質部１ａの形成予定領域に対応する部分が開口されたレジスト層からなるマスク１２を形成した後、支持基板１の上記一表面側から逆スパッタを行う。
【００６２】
上述の変質部形成工程の後、支持基板１の上記一表面側の全面に例えばＰｔ膜からなる下部電極３１をスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する下部電極形成工程を行い、続いて、支持基板１の上記一表面側の全面にＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２をスパッタ法、ゾルゲル法、ＣＶＤ法などにより形成する圧電層形成工程を行うことによって、図３（ｂ）に示す構造を得る。
【００６３】
上述の圧電層形成工程の後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電層３２を第１の所定形状にパターニングする第１のパターニング工程を行い、さらに、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して下部電極３１を第２の所定形状にパターニングする第２のパターニング工程を行うことによって、図３（ｃ）に示す構造を得る。
【００６４】
その後、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよび支持基板１の上記一表面側の一部（ここでは、変質部１ａの一部）を露出させる各エッチングホール５を有する絶縁層４を形成する絶縁層形成工程を行うことによって、図３（ｄ）に示す構造を得る。
【００６５】
続いて、支持基板１の上記一表面側にＡｌ膜からなる上部電極３３を形成する上部電極形成工程を行うことによって、図３（ｅ）に示す構造を得る。
【００６６】
その後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を覆い且つ各エッチングホール５に対応する部位に開孔部７を有するレジスト層６を形成するレジスト層形成工程を行い、続いて、レジスト層６の開孔部７およびエッチングホール５を通してエッチング液を導入し支持基板１の空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞２を形成する空洞形成工程を行うことによって、図３（ｆ）に示す構造を得る。
【００６７】
その後、レジスト層６を除去するレジスト層除去工程を行うことによって、図３（ｇ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得る。
【００６８】
上述のＢＡＷ共振装置の製造にあたっては、上述の支持基板１としてウェハを用いてウェハレベルで多数のＢＡＷ共振装置を形成した後、ダイシング工程で個々のＢＡＷ共振装置に分割すればよい。なお、上述のＢＡＷ共振装置の製造方法では、圧電層３２をＰＺＴ薄膜により構成する例について説明したが、圧電層３２をＫＮＮにより構成してもよい。
【００６９】
以上説明した本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、圧電層３２および下部電極３１それぞれのパターニングは支持基板１の上記一表面側の全面に圧電層３２を形成する圧電層形成工程の後で行われるので、圧電層３２の形成時に当該圧電層３２の下地が下部電極３１表面のみとなるから下地に段差がなく、しかも、支持基板１が単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板であるので、ＰＺＴ系材料もしくはＫＮＮ系材料からなる圧電層３２の結晶性を向上できて電気機械結合係数および機械的品質係数を向上できる。
【００７０】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングするエッチング液を導入するためのエッチングホール５を、共振子３を全周に亘って取り囲んで共振子３を保持した絶縁層４に形成しているので、エッチングホール５を形成することで圧電層３２が露出することもなく、その上、空洞形成工程よりも前に、支持基板１における空洞形成予定領域に上記エッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａを形成する変質部形成工程を設けてあるので、空洞形成工程のエッチング時間を短縮することができて、空洞形成工程で用いる上記エッチング液により圧電層３２が侵食されるのを防止することができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、空洞形成工程において、上部電極３３および絶縁層４における各エッチングホール５以外の部位がレジスト層６により覆われており、上部電極３３に上記エッチング液が到達するのを防止できるので、上部電極３３の材料の選択肢が多くなるという利点もある。
【００７１】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、変質部形成工程では、支持基板１の上記一表面側を逆スパッタすることにより変質部１ａを形成するので、変質部１ａの表面を粗面化することができ、空洞形成工程でのエッチング開始時に変質部１ａにおけるエッチング液の接触面積を大きくすることができる。
【００７２】
ところで、本実施形態における変質部形成工程では、圧電層形成工程よりも前に、支持基板１の共振子３の形成予定領域（最終的に共振子３と重なる領域）と共振子３の形成予定領域以外の領域とに跨るように変質部１ａを形成しているが、支持基板１の共振子３の形成予定領域以外の領域にのみ変質部１ａを形成するようにすれば、支持基板１の共振子３の形成予定領域にも変質部１ａを形成する場合に比べて、圧電層３２の結晶性を向上させることが可能となる。
【００７３】
（実施形態３）
図４（ｇ）に示す本実施形態のＢＡＷ共振装置の構成は実施形態１と同じであり、製造方法が相違するだけなので、以下、製造方法について図４を参照しながら説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略し、実施形態１と同様の工程についても説明を適宜省略する。
【００７４】
まず、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板１の一表面側の全面に例えばＰｔ膜からなる下部電極３１をスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する下部電極形成工程を行い、続いて、支持基板１の上記一表面側の全面にＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２をスパッタ法、ゾルゲル法、ＣＶＤ法などにより形成する圧電層形成工程を行うことによって、図４（ａ）に示す構造を得る。
【００７５】
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電層３２を第１の所定形状にパターニングする第１のパターニング工程を行い、さらに、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して下部電極３１を第２の所定形状にパターニングする第２のパターニング工程を行うことによって、図４（ｂ）に示す構造を得る。
【００７６】
その後、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよび支持基板１の上記一表面側の一部を露出させる各エッチングホール５を有する絶縁層４を形成する絶縁層形成工程を行うことによって、図４（ｃ）に示す構造を得る。
【００７７】
続いて、支持基板１の上記一表面側にＡｌ膜からなる上部電極３３を形成する上部電極形成工程を行うことによって、図４（ｄ）に示す構造を得る。
【００７８】
その後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を覆い且つ各エッチングホール５に対応する部位に開孔部７を有するレジスト層６を形成するレジスト層形成工程を行い、続いて、支持基板１における空洞形成予定領域に、空洞２を形成する際に用いるエッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａを形成する変質部形成工程を行うことによって、図４（ｅ）に示す構造を得る。ここにおいて、変質部形成工程では、支持基板１の上記一表面側から支持基板１をＡｒガスなどのプラズマを用いて逆スパッタすることにより変質部１ａを形成しているが、支持基板１の上記一表面側から実施形態１と同様のレーザ光を照射することにより変質部１ａを形成するようにしてもよいし、適宜のイオンを注入することにより変質部１ａを形成するようにしてもよい。
【００７９】
その後、レジスト層６の開孔部７およびエッチングホール５を通してエッチング液を導入し支持基板１の空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞２を形成する空洞形成工程を行うことによって、図４（ｆ）に示す構造を得る。
【００８０】
その後、レジスト層６を除去するレジスト層除去工程を行うことによって、図４（ｇ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得る。
【００８１】
上述のＢＡＷ共振装置の製造にあたっては、上述の支持基板１としてウェハを用いてウェハレベルで多数のＢＡＷ共振装置を形成した後、ダイシング工程で個々のＢＡＷ共振装置に分割すればよい。なお、上述のＢＡＷ共振装置の製造方法では、圧電層３２をＰＺＴ薄膜により構成する例について説明したが、圧電層３２をＫＮＮにより構成してもよい。
【００８２】
以上説明した本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、圧電層３２および下部電極３１それぞれのパターニングは支持基板１の上記一表面側の全面に圧電層３２を形成する圧電層形成工程の後で行われるので、圧電層３２の形成時に当該圧電層３２の下地が下部電極３１表面のみとなるから下地に段差がなく、しかも、支持基板１が単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板であるので、ＰＺＴ系材料もしくはＫＮＮ系材料からなる圧電層３２の結晶性を向上できて電気機械結合係数および機械的品質係数を向上できる。
【００８３】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングするエッチング液を導入するためのエッチングホール５を、共振子３を全周に亘って取り囲んで共振子３を保持した絶縁層４に形成しているので、エッチングホール５を形成することで圧電層３２が露出することもなく、その上、空洞形成工程よりも前に、支持基板１における空洞形成予定領域に上記エッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａを形成する変質部形成工程を設けてあるので、空洞形成工程のエッチング時間を短縮することができて、空洞形成工程で用いる上記エッチング液により圧電層３２が侵食されるのを防止することができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、空洞形成工程において、上部電極３３および絶縁層４における各エッチングホール５以外の部位がレジスト層６により覆われており、上部電極３３に上記エッチング液が到達するのを防止できるので、上部電極３３の材料の選択肢が多くなるという利点もある。
【００８４】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、変質部形成工程では、支持基板１の上記一表面側を逆スパッタすることにより変質部１ａを形成するので、変質部１ａの表面を粗面化することができ、空洞形成工程でのエッチング開始時に変質部１ａにおけるエッチング液の接触面積を大きくすることができる。
【００８５】
（実施形態４）
図５（ｇ）に示す本実施形態のＢＡＷ共振装置の構成は実施形態１と同じであり、製造方法が相違するだけなので、以下、製造方法について図５を参照しながら説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略し、実施形態１と同様の工程についても説明を適宜省略する。
【００８６】
まず、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板１の一表面側の全面に例えばＰｔ膜からなる下部電極３１をスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する下部電極形成工程を行い、続いて、支持基板１の上記一表面側の全面にＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２をスパッタ法、ゾルゲル法、ＣＶＤ法などにより形成する圧電層形成工程を行うことによって、図５（ａ）に示す構造を得る。
【００８７】
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電層３２を第１の所定形状にパターニングする第１のパターニング工程を行い、さらに、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して下部電極３１を第２の所定形状にパターニングする第２のパターニング工程を行うことによって、図５（ｂ）に示す構造を得る。
【００８８】
その後、支持基板１における空洞形成予定領域に、空洞２を形成する際に用いるエッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａを形成する変質部形成工程を行うことによって、図５（ｃ）に示す構造を得る。ここにおいて、変質部形成工程では、支持基板１の上記一表面側に下部電極３１および圧電層３２を覆い且つ変質部形成予定領域に対応する部位に開孔部９を有するレジスト層からなるマスク８を形成し、支持基板１の上記一表面側から支持基板１をＡｒガスなどのプラズマを用いて逆スパッタすることにより変質部１ａを形成しているが、支持基板１の上記一表面側から実施形態１と同様のレーザ光を照射することにより変質部１ａを形成するようにしてもよいし、適宜のイオンを注入することにより変質部１ａを形成するようにしてもよい。
【００８９】
上述の変質部形成工程の後、レジスト層８を除去するレジスト層除去工程を行ってから、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよび支持基板１の上記一表面側の一部（ここでは、変質部１ａの一部）を露出させる各エッチングホール５を有する絶縁層４を形成する絶縁層形成工程を行うことによって、図５（ｄ）に示す構造を得る。
【００９０】
続いて、支持基板１の上記一表面側にＡｌ膜からなる上部電極３３を形成する上部電極形成工程を行うことによって、図５（ｅ）に示す構造を得る。
【００９１】
その後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を覆い且つ各エッチングホール５に対応する部位に開孔部７を有するレジスト層６を形成するレジスト層形成工程を行い、続いて、レジスト層６の開孔部７およびエッチングホール５を通してエッチング液を導入し支持基板１の空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞２を形成する空洞形成工程を行うことによって、図５（ｆ）に示す構造を得る。
【００９２】
その後、レジスト層６を除去するレジスト層除去工程を行うことによって、図５（ｇ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得る。
【００９３】
上述のＢＡＷ共振装置の製造にあたっては、上述の支持基板１としてウェハを用いてウェハレベルで多数のＢＡＷ共振装置を形成した後、ダイシング工程で個々のＢＡＷ共振装置に分割すればよい。なお、上述のＢＡＷ共振装置の製造方法では、圧電層３２をＰＺＴ薄膜により構成する例について説明したが、圧電層３２をＫＮＮにより構成してもよい。
【００９４】
以上説明した本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、圧電層３２および下部電極３１それぞれのパターニングは支持基板１の上記一表面側の全面に圧電層３２を形成する圧電層形成工程の後で行われるので、圧電層３２の形成時に当該圧電層３２の下地が下部電極３１表面のみとなるから下地に段差がなく、しかも、支持基板１が単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板であるので、ＰＺＴ系材料もしくはＫＮＮ系材料からなる圧電層３２の結晶性を向上できて電気機械結合係数および機械的品質係数を向上できる。
【００９５】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングするエッチング液を導入するためのエッチングホール５を、共振子３を全周に亘って取り囲んで共振子３を保持した絶縁層４に形成しているので、エッチングホール５を形成することで圧電層３２が露出することもなく、その上、空洞形成工程よりも前に、支持基板１における空洞形成予定領域に上記エッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａを形成する変質部形成工程を設けてあるので、空洞形成工程のエッチング時間を短縮することができて、空洞形成工程で用いる上記エッチング液により圧電層３２が侵食されるのを防止することができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、空洞形成工程において、上部電極３３および絶縁層４における各エッチングホール５以外の部位がレジスト層６により覆われており、上部電極３３に上記エッチング液が到達するのを防止できるので、上部電極３３の材料の選択肢が多くなるという利点もある。
【００９６】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、変質部形成工程では、支持基板１の上記一表面側を逆スパッタすることにより変質部１ａを形成するので、変質部１ａの表面を粗面化することができ、空洞形成工程でのエッチング開始時に変質部１ａにおけるエッチング液の接触面積を大きくすることができる。また、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法では、圧電層３２をパターニングする第２のパターニング工程の後で、支持基板１の上記一表面側に下部電極３１および圧電層３２を覆い且つ変質部形成予定領域に対応する部位に開孔部９を有するレジスト層からなるマスク８を形成し、支持基板１の上記一表面側から支持基板１をＡｒガスなどのプラズマを用いて逆スパッタすることにより変質部１ａを形成しているので、実施形態３のように絶縁層４および上部電極３３を形成した後でレジスト層６の開孔部７およびエッチングホール５を通して支持基板１に変質部１ａを形成する場合に比べて、より広い領域に変質部１ａを形成することができ、空洞形成工程でのエッチング時間を短縮することができる。
【００９７】
なお、上記各実施形態の説明から分かるように、変質部形成工程において支持基板１にレーザ光を照射することにより変質部１ａを形成するようにすれば、製造工程において変質部形成工程を設けるタイミングの自由度が高くなる（プロセス設計の自由度が高くなる）。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】実施形態１のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図２】同上のＢＡＷ共振装置の他の構成例を示す要部概略平面図である。
【図３】実施形態２のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図４】実施形態３のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図５】実施形態４のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図６】従来例のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図７】他の従来例のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【符号の説明】
【００９９】
１  支持基板
１ａ  変質部
２  空洞
３  共振子
４  絶縁層
４ａ  開孔部
５  エッチングホール
６  レジスト層
７  開孔部
３１  下部電極
３２  圧電層
３３  上部電極
【図１】
2010147871.tif 000003
【図２】
2010147871.tif 000004
【図３】
2010147871.tif 000005
【図４】
2010147871.tif 000006
【図５】
2010147871.tif 000007
【図６】
2010147871.tif 000008
【図７】
2010147871.tif 000009