(57)【要約】【課題】検査対象基板の絶縁検査に要する時間を短縮する。【解決手段】（（Ｍ−１）＜ｌｏｇ２Ｎ≦Ｍ）の条件を満たすＭ回の各検査処理時に電圧供給部の高電位出力部に接続する各検査用プローブ（第１の導体パターンに接触させる検査用プローブ）および電圧供給部の低電位出力部に接続する各検査用プローブ（第２の導体パターンに接触させる検査用プローブ）の間の静電容量が小さい切替え状態の検査処理から順にＭ回の検査処理を実行すると共に（ステップ２４）、各検査処理時において、静電容量の大きさに応じて長く各検査処理毎に規定した待機時間を検査用電圧の供給開始後に待機した後に電気的パラメータを測定し、かつ、各第１の導体パターンおよび各第２の導体パターンの間の絶縁状態が不良と判定したときに（ステップ２５）検査中の検査対象基板に対する検査を終了する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象基板に形成されたＮ本（Ｎは、４以上の自然数）の導体パターンにＮ本の検査用プローブを介して検査用電圧をそれぞれ供給する電圧供給部と、当該電圧供給部における高電位出力部および低電位出力部と前記各検査用プローブとの接続を切り替える切替え処理を実行する接続切替部と、前記各導体パターンのうちの前記高電位出力部に接続された前記各検査用プローブが接触している複数の第１の導体パターンおよび当該各導体パターンのうちの前記低電位出力部に接続された前記各検査用プローブが接触している複数の第２の導体パターンの間の電気的パラメータを測定する測定部と、前記接続切替部を制御して前記切替え処理を（（Ｍ−１）＜ｌｏｇ２Ｎ≦Ｍ（Ｍは自然数））の条件を満たすＭ回実行させると共に各切替え状態において前記測定部を制御して測定させた前記電気的パラメータに基づいて前記各第１の導体パターンおよび前記各第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行してＭ回の当該検査処理によって前記検査対象基板の良否を検査する制御部とを備えた絶縁検査装置であって、
前記測定部は、前記各検査処理時に前記第１の導体パターンに接触させられる前記検査用プローブおよび前記第２の導体パターンに接触させられる前記検査用プローブの間の静電容量の大きさに応じて長く前記各切替え状態毎に規定された待機時間を前記検査用電圧の供給開始後に待機した後に前記電気的パラメータを測定し、
前記制御部は、前記静電容量が小さい前記切替え状態の前記検査処理から順に前記Ｍ回の検査処理を実行すると共に、前記各第１の導体パターンおよび前記各第２の導体パターンの間の前記絶縁状態が不良と判定したときに検査中の前記検査対象基板に対する検査を終了する絶縁検査装置。
【請求項２】
前記各切替え状態毎の前記静電容量を測定する容量測定部を備え、
前記制御部は、前記容量測定部によって測定された前記静電容量が小さい前記切替え状態の前記検査処理から順に実行する請求項１記載の絶縁検査装置。
【請求項３】
前記Ｍ回の検査処理の実行順序を特定可能な検査手順データを記憶する記憶部を備え、
前記制御部は、前記記憶部に前記検査手順データが記憶されているときには、当該記憶されている検査手順データに従って前記Ｍ回の検査処理を実行し、当該記憶部に当該検査手順データが記憶されていないときには、前記容量測定部を制御して前記各切替え状態毎の前記静電容量を測定させると共に当該測定された静電容量が小さい前記切替え状態の前記検査処理から順に前記Ｍ回の検査処理を実行する実行順序を規定して当該検査手順データを生成して当該記憶部に記憶させる請求項２記載の絶縁検査装置。
【請求項４】
検査対象基板に形成されたＮ本（Ｎは、４以上の自然数）の導体パターンに対してＮ本の検査用プローブを介して検査用電圧をそれぞれ供給する電圧供給部における高電位出力部および低電位出力部と当該各検査用プローブとの接続を切り替える切替え処理を（（Ｍ−１）＜ｌｏｇ２Ｎ≦Ｍ（Ｍは自然数））の条件を満たすＭ回実行すると共に、各切替え状態において、前記電圧供給部から前記検査用電圧を供給しつつ、前記各導体パターンのうちの前記高電位出力部に接続した前記各検査用プローブを接触させた複数の第１の導体パターンおよび当該各導体パターンのうちの前記低電位出力部に接続した前記各検査用プローブを接触させた複数の第２の導体パターンの間の電気的パラメータを測定して、当該測定した電気的パラメータに基づいて前記各第１の導体パターンおよび前記各第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行してＭ回の当該検査処理によって前記検査対象基板の良否を検査する絶縁検査方法であって、
前記各検査処理時に前記第１の導体パターンに接触させる前記検査用プローブおよび前記第２の導体パターンに接触させる前記検査用プローブの間の静電容量が小さい前記切替え状態の当該検査処理から順に前記Ｍ回の検査処理を実行すると共に、当該各検査処理時において、前記静電容量の大きさに応じて長く前記各検査処理毎に規定した待機時間を前記検査用電圧の供給開始後に待機した後に前記電気的パラメータを測定し、かつ、前記各第１の導体パターンおよび前記各第２の導体パターンの間の前記絶縁状態が不良と判定したときに検査中の前記検査対象基板に対する検査を終了する絶縁検査方法。
【請求項５】
前記各切替え状態毎の前記静電容量を測定し、当該測定した前記静電容量が小さい前記切替え状態の当該検査処理から順に実行する請求項４記載の絶縁検査方法。
【請求項６】
前記Ｍ回の検査処理の実行順序を特定可能な検査手順データが存在しないときに前記各切替え状態毎の前記静電容量を測定すると共に当該測定した静電容量が小さい前記切替え状態の前記検査処理から順に前記Ｍ回の検査処理を実行する実行順序を規定して当該検査手順データを生成し、生成した検査手順データに従って当該Ｍ回の検査処理を実行する請求項５記載の絶縁検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査対象基板に形成された各導体パターンの間の絶縁状態を検査する絶縁検査装置および絶縁検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の絶縁検査装置および絶縁検査方法として、本願出願人は、下記の特許文献１において絶縁検査装置および絶縁検査方法を開示している。この絶縁検査装置および絶縁検査方法では、検査すべきＮ本の導体パターンが形成された基板を検査する際に、ｌｏｇ２Ｎ以上であってｌｏｇ２Ｎに最も近い整数を検査回数（Ｍ回）として規定して検査を行う検査方法を採用することで、基板についての検査時間の短縮を図っている。なお、この検査方法については、いわゆるマルチプル方法として、下記の非特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００８−５８２５４号公報（第３−１１頁、第１−７図）
【非特許文献１】編集委員長  原靖彦、「高密度実装における検査技術・装置ハンドブック」、社団法人国際都市コミュニケーションセンター編集事務局、２００１年９月１日、ｐ．８７−８８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、このマルチプル方法を採用した絶縁検査装置および絶縁検査方法には、以下のような解決すべき課題が存在している。すなわち、マルチプル方法を採用した絶縁検査装置および絶縁検査方法では、Ｍ回の各検査処理時に複数本の導体パターンについてその他の導体パターンとの間の絶縁状態を一括して検査することによって、１枚の検査対象基板の検査に要する検査処理の回数を低減している。しかしながら、検査対象基板の１枚当りに要する検査時間の一層の短縮を図りたいとの要求がある一方で、従来の絶縁検査装置による絶縁検査方法では、ｌｏｇ２Ｎ以下の検査回数よりも少ない回数の検査処理によってすべての導体パターン間の絶縁状態を検査することができないため、検査時間の一層の短縮が困難となっているという課題がある。
【０００４】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、検査対象基板の絶縁検査に要する時間を短縮し得る絶縁検査装置および絶縁検査方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成すべく請求項１記載の絶縁検査装置は、検査対象基板に形成されたＮ本（Ｎは、４以上の自然数）の導体パターンにＮ本の検査用プローブを介して検査用電圧をそれぞれ供給する電圧供給部と、当該電圧供給部における高電位出力部および低電位出力部と前記各検査用プローブとの接続を切り替える切替え処理を実行する接続切替部と、前記各導体パターンのうちの前記高電位出力部に接続された前記各検査用プローブが接触している複数の第１の導体パターンおよび当該各導体パターンのうちの前記低電位出力部に接続された前記各検査用プローブが接触している複数の第２の導体パターンの間の電気的パラメータを測定する測定部と、前記接続切替部を制御して前記切替え処理を（（Ｍ−１）＜ｌｏｇ２Ｎ≦Ｍ（Ｍは自然数））の条件を満たすＭ回実行させると共に各切替え状態において前記測定部を制御して測定させた前記電気的パラメータに基づいて前記各第１の導体パターンおよび前記各第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行してＭ回の当該検査処理によって前記検査対象基板の良否を検査する制御部とを備えた絶縁検査装置であって、前記測定部が、前記各検査処理時に前記第１の導体パターンに接触させられる前記検査用プローブおよび前記第２の導体パターンに接触させられる前記検査用プローブの間の静電容量の大きさに応じて長く前記各切替え状態毎に規定された待機時間を前記検査用電圧の供給開始後に待機した後に前記電気的パラメータを測定し、前記制御部が、前記静電容量が小さい前記切替え状態の前記検査処理から順に前記Ｍ回の検査処理を実行すると共に、前記各第１の導体パターンおよび前記各第２の導体パターンの間の前記絶縁状態が不良と判定したときに検査中の前記検査対象基板に対する検査を終了する。
【０００６】
請求項２記載の絶縁検査装置は、請求項１記載の絶縁検査装置において、前記各切替え状態毎の前記静電容量を測定する容量測定部を備え、前記制御部が、前記容量測定部によって測定された前記静電容量が小さい前記切替え状態の前記検査処理から順に実行する。
【０００７】
請求項３記載の絶縁検査装置は、請求項２記載の絶縁検査装置において、前記Ｍ回の検査処理の実行順序を特定可能な検査手順データを記憶する記憶部を備え、前記制御部が、前記記憶部に前記検査手順データが記憶されているときには、当該記憶されている検査手順データに従って前記Ｍ回の検査処理を実行し、当該記憶部に当該検査手順データが記憶されていないときには、前記容量測定部を制御して前記各切替え状態毎の前記静電容量を測定させると共に当該測定された静電容量が小さい前記切替え状態の前記検査処理から順に前記Ｍ回の検査処理を実行する実行順序を規定して当該検査手順データを生成して当該記憶部に記憶させる。
【０００８】
請求項４記載の絶縁検査方法は、検査対象基板に形成されたＮ本（Ｎは、４以上の自然数）の導体パターンに対してＮ本の検査用プローブを介して検査用電圧をそれぞれ供給する電圧供給部における高電位出力部および低電位出力部と当該各検査用プローブとの接続を切り替える切替え処理を（（Ｍ−１）＜ｌｏｇ２Ｎ≦Ｍ（Ｍは自然数））の条件を満たすＭ回実行すると共に、各切替え状態において、前記電圧供給部から前記検査用電圧を供給しつつ、前記各導体パターンのうちの前記高電位出力部に接続した前記各検査用プローブを接触させた複数の第１の導体パターンおよび当該各導体パターンのうちの前記低電位出力部に接続した前記各検査用プローブを接触させた複数の第２の導体パターンの間の電気的パラメータを測定して、当該測定した電気的パラメータに基づいて前記各第１の導体パターンおよび前記各第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行してＭ回の当該検査処理によって前記検査対象基板の良否を検査する絶縁検査方法であって、
前記各検査処理時に前記第１の導体パターンに接触させる前記検査用プローブおよび前記第２の導体パターンに接触させる前記検査用プローブの間の静電容量が小さい前記切替え状態の当該検査処理から順に前記Ｍ回の検査処理を実行すると共に、当該各検査処理時において、前記静電容量の大きさに応じて長く前記各検査処理毎に規定した待機時間を前記検査用電圧の供給開始後に待機した後に前記電気的パラメータを測定し、かつ、前記各第１の導体パターンおよび前記各第２の導体パターンの間の前記絶縁状態が不良と判定したときに検査中の前記検査対象基板に対する検査を終了する。
【０００９】
請求項５記載の絶縁検査方法は、請求項４記載の絶縁検査方法において、前記各切替え状態毎の前記静電容量を測定し、当該測定した前記静電容量が小さい前記切替え状態の当該検査処理から順に実行する。
【００１０】
請求項６記載の絶縁検査方法は、請求項５記載の絶縁検査方法において、前記Ｍ回の検査処理の実行順序を特定可能な検査手順データが存在しないときに前記各切替え状態毎の前記静電容量を測定すると共に当該測定した静電容量が小さい前記切替え状態の前記検査処理から順に前記Ｍ回の検査処理を実行する実行順序を規定して当該検査手順データを生成し、生成した検査手順データに従って当該Ｍ回の検査処理を実行する。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１記載の絶縁検査装置および請求項４記載の絶縁検査方法によれば、各検査処理時に第１の導体パターンに接触させる検査用プローブおよび第２の導体パターンに接触させる検査用プローブの間の静電容量が小さい切替え状態の検査処理から順にＭ回の検査処理を実行すると共に、各検査処理時において、静電容量の大きさに応じて長く各検査処理毎に規定した待機時間を検査用電圧の供給開始後に待機した後に電気的パラメータを測定し、かつ、各第１の導体パターンおよび各第２の導体パターンの間の絶縁状態が不良と判定したときに検査中の検査対象基板に対する検査を終了することにより、Ｍ回目の検査処理時以外において各第１の導体パターンおよび各第２の導体パターンの間の絶縁状態が不良と判定したときに検査中の検査対象基板の検査を終了することで、不良の検査対象基板についての不要な検査処理を実行しない分だけ、その不良の検査対象基板についての検査に要する時間を十分に短縮することができると共に、静電容量が小さい切替え状態の検査処理から順にＭ回の検査処理を実行することで、静電容量が大きい切替え状態の検査処理から順にＭ回の検査処理を実行する場合と比較して、Ｍ回目以前の検査処理時において各第１の導体パターンおよび各第２の導体パターンの間の絶縁状態を不良と判定したときに、既に実行した検査処理時の待機時間（複数回の検査処理を完了している場合においては、各検査処理時の待機時間の合計時間）が短い分だけ、その不良の検査対象基板についての検査に要する時間を一層短縮することができる。
【００１２】
また、請求項２記載の絶縁検査装置および請求項５記載の絶縁検査方法によれば、各切替え状態毎の静電容量を測定し、測定した静電容量が小さい切替え状態の検査処理から順に実行することにより、例えば検査対象基板や絶縁検査装置の設計情報に基づいて算出した静電容量の理論値に基づいてＭ回の検査処理の実行順序を規定する方法と比較して、検査対象基板や絶縁検査装置の実際の状態に即した静電容量に基づいてＭ回の検査処理の実行順序を規定することができるため、不良の検査対象基板についての検査に要する時間を確実に短縮することができる。
【００１３】
さらに、請求項３記載の絶縁検査装置および請求項６記載の絶縁検査方法によれば、Ｍ回の検査処理の実行順序を特定可能な検査手順データが存在しないときに各切替え状態毎の静電容量を測定すると共に測定した静電容量が小さい切替え状態の検査処理から順にＭ回の検査処理を実行する実行順序を規定して検査手順データを生成し、生成した検査手順データに従ってＭ回の検査処理を実行することにより、各検査対象基板毎に各切替え状態毎の静電容量を測定して、その度にＭ回の検査処理の実行順序を規定するのと比較して、同種の検査対象基板については、静電容量の測定処理を１回実行して検査手順データを生成するだけで、その後は、生成した検査手順データに従って絶縁検査処理を実行することができるため、同種の検査対象基板を数多く検査するときに要する検査時間を一層短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る絶縁検査装置および絶縁検査方法の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１５】
最初に、絶縁検査装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００１６】
図１に示す絶縁検査装置１は、本発明に係る絶縁検査装置の一例であって、本発明に係る絶縁検査方法に従って図５〜７に示す回路基板１００等の各種回路基板の絶縁状態を検査可能に構成されている。この場合、回路基板１００は、本発明における検査対象基板の一例であって、複数の導体パターンが形成されている。なお、実際の回路基板１００には数十本〜数百本の導体パターンが形成されているが、本発明についての理解を容易とするために、一例として、回路基板１００に導体パターンＰａ〜Ｐｈの８本（本発明における「Ｎ本」が「８本」の例：以下、区別しないときには「導体パターンＰ」ともいう）が形成されると共に、この８本の導体パターンＰを対象として、その絶縁状態を検査する例を以下に説明する。
【００１７】
一方、図１に示すように、絶縁検査装置１は、プローブ機構２、接続切替部３、電圧供給部４、測定部５、操作部６、表示部７、制御部８および記憶部９を備えている。プローブ機構２は、回路基板１００における各導体パターンＰ上に規定された各検査ポイントの位置に応じてプローブ保持部１１に植設された複数の検査用プローブ１２ａ〜１２ｈ（本発明における「Ｎ本」が「８本」の例：以下、区別しないときには「検査用プローブ１２」ともいう）と、制御部８からの制御信号Ｓ２に従ってプローブ保持部１１を移動させることによって各検査用プローブ１２を回路基板１００における各導体パターンＰ（各検査ポイント）に対して接触または離間させる移動機構１３とを備えている。この場合、各検査用プローブ１２は、信号ケーブル１５ａ〜１５ｈ（以下、区別しないときには「信号ケーブル１５」ともいう）を介して接続切替部３にそれぞれ接続されている。なお、実際の絶縁検査装置１では、回路基板１００上の導体パターンＰの数に応じて数十本〜数百本の検査用プローブ１２がプローブ保持部１１に植設されている。
【００１８】
接続切替部３は、本発明における接続切替部の一例であって、制御部８からの制御信号Ｓ１に従って、電圧供給部４における高電位出力部４Ｈ（Ｈ電位）および低電位出力部４Ｌ（Ｌ電位：一例として、接地電位）と上記の各検査用プローブ１２（各検査用プローブ１２に接続された信号ケーブル１５）との接続を切り替える切替え処理を実行する。電圧供給部４は、本発明における電圧供給部の一例であって、図示しない定電圧源を備えて、制御部８からの制御信号Ｓ３に従って高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌから検査用電圧Ｖを出力することにより、接続切替部３、各信号ケーブル１５および各検査用プローブ１２を介して回路基板１００の各導体パターンＰに検査用電圧（直流定電圧）Ｖを供給する。
【００１９】
測定部５は、電圧測定部５ａ、電流測定部５ｂおよび静電容量測定部５ｃを備えている。電圧測定部５ａは、電圧供給部４からの検査用電圧Ｖの供給によって生じる各導体パターンＰ，Ｐの間（高電位出力部４Ｈに接続された検査用プローブ１２が接続された各導体パターンＰ（本発明における第１の導体パターン）および低電位出力部４Ｌに接続された検査用プローブ１２が接続された各導体パターンＰ（本発明における第２の導体パターン）の間）の電圧（電位差：本発明における電気的パラメータの一例）を検出して、その電圧値を示す測定データＤｖを制御部８に出力する。電流測定部５ｂは、電圧供給部４からの検査用電圧Ｖの供給によって上記の各第１の導体パターンＰおよび上記の各第２の導体パターンＰの間を導通する電流を検出して、その電流値（本発明における電気的パラメータの他の一例）を示す測定データＤｉを制御部８に出力する。
【００２０】
静電容量測定部５ｃは、本発明における容量測定部の一例であって、後述するようにして、制御部８の制御に従って、回路基板１００についての各検査処理時に本発明における第１の導体パターンに接触させる検査用プローブ１２、および本発明における第２の導体パターンに接触させる検査用プローブ１２の間の静電容量を測定する。具体的には、制御部８は、回路基板１００についての各検査処理時に高電位出力部４Ｈに接続する各検査用プローブ１２と低電位出力部４Ｌに接続する各検査用プローブ１２との間の静電容量、すなわち、高電位出力部４Ｈに接続される信号ケーブル１５および検査用プローブ１２や、その検査用プローブ１２が接触させられる導体パターンＰ（以下、これらを合わせて「Ｈ電位部位」ともいう）と、低電位出力部４Ｌに接続される信号ケーブル１５および検査用プローブ１２や、その検査用プローブ１２が接触させられる導体パターンＰ（以下、これらを合わせて「Ｌ電位部位」ともいう）との間の静電容量（合成容量）を、電圧供給部４に対する検査用プローブ１２の接続の切替え状態毎にそれぞれ測定する。また、制御部８は、その測定結果を測定データＤｃとして出力する。なお、静電容量の測定処理については、後に詳細に説明する。
【００２１】
この場合、上記の静電容量が大きい切替え状態では、検査用電圧Ｖの供給を開始してから上記のＨ電位部位およびＬ電位部位の間の静電容量に対する充電を完了するまでに要する時間（導体パターンＰ，Ｐ間を導通する電流等が安定する（一定値に収束する）までに要する時間）が長くなる。したがって、この絶縁検査装置１では、後述するようにして、静電容量測定部５ｃによって測定された静電容量の大きさに応じて長くなるように各切替え状態毎（各検査処理毎）の待機時間を規定して、検査用電圧Ｖの供給を開始してから、規定した待機時間が経過するまで待機した後に、電圧測定部５ａおよび電流測定部５ｂによって電圧値および電流値を測定する構成が採用されている。この結果、電圧値や電流値等が安定した状態において測定される結果、導体パターンＰ，Ｐ間の正確な絶縁抵抗値を演算することが可能となっている。
【００２２】
操作部６は、電源スイッチや検査開始スイッチ等の各種のスイッチを備えて構成されて、各スイッチの操作に対応する操作信号を出力する。表示部７は、制御部８の制御に従って検査結果等の各種の画像を表示する。制御部８は、本発明における制御部の一例であって、絶縁検査装置１を総括的に制御する。具体的には、制御部８は、操作部６から出力された操作信号に従って図２に示す絶縁検査処理２０を開始することにより、測定部５（静電容量測定部５ｃ）を制御して、Ｍ回の各検査処理時の各切替え状態毎に、上記のＨ電位部位およびＬ電位部位の間の静電容量を測定する測定処理を実行する。また、制御部８は、測定した静電容量の大きさに応じて長く各切替え状態毎（各検査処理毎）の待機時間を規定すると共に、測定した静電容量が小さい切替え状態の検査処理から順に上記のＭ回の検査処理を実行するように検査手順データＤｔを生成して記憶部９に記憶させる。
【００２３】
この場合、この絶縁検査装置１では、検査対象の導体パターンＰの本数をＮ本としたときに、後述するようにして、電圧供給部４に対する各検査用プローブ１２の接続を切り替える切替え処理を（（Ｍ−１）＜ｌｏｇ２Ｎ≦Ｍの条件を満たすＭ回（Ｍは自然数）実行させると共に各切替え状態において測定した上記の電気的パラメータに基づいて上記の各第１の導体パターンＰおよび各第２の導体パターンＰの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する。したがって、本発明におけるＮ本が８本のこの例では、１枚の回路基板１００に対してＭ＝３回の検査処理を実行することによって上記の各導体パターンＰの間の絶縁状態がそれぞれ検査されて１枚の回路基板１００の良否が検査される。
【００２４】
具体的には、制御部８は、後述するようにして、プローブ機構２の移動機構１３に制御信号Ｓ２を出力することによって各検査用プローブ１２を回路基板１００の各導体パターンＰに接触させる。また、制御部８は、検査手順データＤｔに従って接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、電圧供給部４における高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌと各検査用プローブ１２との接続を切り替えさせる。さらに、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって各検査用プローブ１２を介して回路基板１００（導体パターンＰ）に検査用電圧Ｖを供給させる。また、制御部８は、測定部５を制御して測定処理を実行させる。さらに、制御部８は、電圧測定部５ａから出力される測定データＤｖおよび電流測定部５ｂから出力される測定データＤｉに基づいて導体パターンＰ，Ｐの間の抵抗値を演算すると共に、その演算結果と記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｓ（基準抵抗値）とを比較して回路基板１００の良否（各導体パターンＰ，Ｐの間の絶縁状態）を検査する。
【００２５】
この場合、この絶縁検査装置１では、上記のＭ回の検査処理（この例では、３回）のうちのいずれかの検査処理時において導体パターンＰ，Ｐ間の絶縁状態が不良と判定したときに、残りの検査処理を実行することなく、その時点において、検査中の回路基板１００が不良と検査して絶縁検査処理２０を終了する。したがって、複数枚の回路基板１００を検査する際に、導体パターンＰ，Ｐ間の絶縁状態が不良となっている不良の回路基板１００が存在する場合において、不良の回路基板１００についての不要な検査処理を実行しない分だけ、１枚の回路基板１００に要する平均検査時間が十分に短縮される。記憶部９は、上記の検査手順データＤｔや検査用基準データＤｓなどを記憶する。
【００２６】
次に、絶縁検査装置１を用いて回路基板１００の絶縁状態を検査する絶縁検査方法およびその際の絶縁検査装置１の動作について、図面を参照して説明する。
【００２７】
まず、検査対象基板の回路基板１００を図外の基板保持部に保持させた後に、操作部６を操作して検査開始を指示する。この際には、制御部８が、操作部６から出力された操作信号に従って、図２に示す絶縁検査処理２０を開始する。この絶縁検査処理２０では、制御部８は、まず、検査対象の回路基板１００についての検査手順データＤｔが記憶部９に記憶されているか否かを判別する（ステップ２１）。この際に、回路基板１００に対する最初の検査時には、制御部８は、回路基板１００についての検査手順データＤｔを生成する処理を実行する。具体的には、制御部８は、まず、１枚の回路基板１００についてのＭ＝３回の検査処理毎（各検査処理時の電圧供給部４に対する各検査用プローブ１２の接続の切替え状態毎）の静電容量を測定する処理を実行する（ステップ２２）。
【００２８】
より具体的には、制御部８は、まず、移動機構１３に制御信号Ｓ２を出力することにより、各検査用プローブ１２を回路基板１００上の各導体パターンＰ（検査ポイント）に接触させる（回路基板１００に対するプロービングの実行）。次いで、制御部８は、接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、図５に示す切替え状態（図３に示す「検査処理Ａ」の切替え状態）となるように、電圧供給部４の高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌと各検査用プローブ１２（信号ケーブル１５）とをそれぞれ接続させる。この際には、検査用プローブ１２ａ，１２ｃ，１２ｅ，１２ｇが信号ケーブル１５ａ，１５ｃ，１５ｅ，１５ｇを介して高電位出力部４Ｈに接続されて、検査用プローブ１２ａ，１２ｃ，１２ｅ，１２ｇが接触させられている導体パターンＰａ，Ｐｃ，Ｐｅ，ＰｇがＨ電位に接続されると共に、検査用プローブ１２ｂ，１２ｄ，１２ｆ，１２ｈが信号ケーブル１５ｂ，１５ｄ，１５ｆ，１５ｈを介して低電位出力部４Ｌに接続されて、検査用プローブ１２ｂ，１２ｄ，１２ｆ，１２ｈが接触させられている導体パターンＰｂ，Ｐｄ，Ｐｆ，ＰｈがＬ電位に接続される。なお、上記の「検査処理Ａ」（図５に示す切替え状態での検査処理）は、従来の一般的なマルチプル方法を採用したＭ＝３回の検査処理時における１回目の検査処理に相当する。
【００２９】
次いで、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって検査用電圧Ｖの供給を開始させると共に、測定部５（静電容量測定部５ｃ）を制御して、Ｈ電位部位とＬ電位部位との間の静電容量Ｃ１０を測定させる。この際には、Ｈ電位に接続されている信号ケーブル１５ａ，１５ｃ，１５ｅ，１５ｇとＬ電位に接続されている信号ケーブル１５ｂ，１５ｄ，１５ｆ，１５ｈとの間の静電容量、Ｈ電位に接続されている検査用プローブ１２ａ，１２ｃ，１２ｅ，１２ｇとＬ電位に接続されている検査用プローブ１２ｂ，１２ｄ，１２ｆ，１２ｈとの間の静電容量、および検査用プローブ１２ａ，１２ｃ，１２ｅ，１２ｇが接触させられている導体パターンＰａ，Ｐｃ，Ｐｅ，Ｐｇと検査用プローブ１２ｂ，１２ｄ，１２ｆ，１２ｈが接触させられている導体パターンＰｂ，Ｐｄ，Ｐｆ，Ｐｈとの間の静電容量などの各種静電容量を合成した値（合成容量）が静電容量Ｃ１０として測定される。
【００３０】
この場合、上記の「Ｈ電位部位とＬ電位部位との間の静電容量Ｃ１０を測定する」との処理は、「Ｈ電位に接続されている検査用プローブ１２ａ，１２ｃ，１２ｅ，１２ｇ（本発明における「第１の導体パターンに接触させる検査用プローブ」）と、Ｌ電位に接続されている検査用プローブ１２ｂ，１２ｄ，１２ｆ，１２ｈ（本発明における「第２の導体パターンに接触させる検査用プローブ」）との間の静電容量を測定する」との処理を意味している。また、「Ｈ電位に接続されている検査用プローブ１２ａ，１２ｃ，１２ｅ，１２ｇと、Ｌ電位に接続されている検査用プローブ１２ｂ，１２ｄ，１２ｆ，１２ｈとの間の静電容量を測定する」との処理は、実際には、「各信号ケーブル１５を介して各検査用プローブ１２が接続されている接続切替部３内の所定の配線間の静電容量を測定する」との処理として実行される。以下、本発明についての理解を容易とするために、静電容量の測定処理に関しては、「Ｈ電位部位とＬ電位部位との間の静電容量を測定する」として説明する。
【００３１】
続いて、制御部８は、接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、図６に示す切替え状態（図３に示す「検査処理Ｂ」の切替え状態）となるように、電圧供給部４の高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌと各検査用プローブ１２（信号ケーブル１５）とをそれぞれ接続させる。この際には、検査用プローブ１２ａ，１２ｂ，１２ｅ，１２ｆが信号ケーブル１５ａ，１５ｂ，１５ｅ，１５ｆを介して高電位出力部４Ｈに接続されて、検査用プローブ１２ａ，１２ｂ，１２ｅ，１２ｆが接触させられている導体パターンＰａ，Ｐｂ，Ｐｅ，ＰｆがＨ電位に接続されると共に、検査用プローブ１２ｃ，１２ｄ，１２ｇ，１２ｈが信号ケーブル１５ｃ，１５ｄ，１５ｇ，１５ｈを介して低電位出力部４Ｌに接続されて、検査用プローブ１２ｃ，１２ｄ，１２ｇ，１２ｈが接触させられている導体パターンＰｃ，Ｐｄ，Ｐｇ，ＰｈがＬ電位に接続される。なお、上記の「検査処理Ｂ」（図６に示す切替え状態での検査処理）は、従来の一般的なマルチプル方法を採用したＭ＝３回の検査処理時における２回目の検査処理に相当する。
【００３２】
次いで、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって検査用電圧Ｖの供給を開始させると共に、測定部５（静電容量測定部５ｃ）を制御して、Ｈ電位部位とＬ電位部位との間の静電容量Ｃ２０を測定させる。この際には、Ｈ電位に接続されている信号ケーブル１５ａ，１５ｂ，１５ｅ，１５ｆとＬ電位に接続されている信号ケーブル１５ｃ，１５ｄ，１５ｇ，１５ｈとの間の静電容量、Ｈ電位に接続されている検査用プローブ１２ａ，１２ｂ，１２ｅ，１２ｆとＬ電位に接続されている検査用プローブ１２ｃ，１２ｄ，１２ｇ，１２ｈとの間の静電容量、および検査用プローブ１２ａ，１２ｂ，１２ｅ，１２ｆが接触させられている導体パターンＰａ，Ｐｂ，Ｐｅ，Ｐｆと検査用プローブ１２ｃ，１２ｄ，１２ｇ，１２ｈが接触させられている導体パターンＰｃ，Ｐｄ，Ｐｇ，Ｐｈとの間の静電容量などの各種静電容量を合成した値が静電容量Ｃ２０として測定される。
【００３３】
続いて、制御部８は、接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、図７に示す切替え状態（図３に示す「検査処理Ｃ」の切替え状態）となるように、電圧供給部４の高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌと各検査用プローブ１２（信号ケーブル１５）とをそれぞれ接続させる。この際には、検査用プローブ１２ａ〜１２ｄが信号ケーブル１５ａ〜１５ｄを介して高電位出力部４Ｈに接続されて、検査用プローブ１２ａ〜１２ｄが接触させられている導体パターンＰａ〜ＰｄがＨ電位に接続されると共に、検査用プローブ１２ｅ〜１２ｈが信号ケーブル１５ｅ〜１５ｈを介して低電位出力部４Ｌに接続されて、検査用プローブ１２ｅ〜１２ｈが接触させられている導体パターンＰｅ〜ＰｈがＬ電位に接続される。なお、上記の「検査処理Ｃ」（図７に示す切替え状態での検査処理）は、従来の一般的なマルチプル方法を採用したＭ＝３回の検査処理時における３回目の検査処理に相当する。
【００３４】
次いで、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって検査用電圧Ｖの供給を開始させると共に、測定部５（静電容量測定部５ｃ）を制御して、Ｈ電位部位とＬ電位部位との間の静電容量Ｃ３０を測定させる。この際には、Ｈ電位に接続されている信号ケーブル１５ａ〜１５ｄとＬ電位に接続されている信号ケーブル１５ｅ〜１５ｈとの間の静電容量、Ｈ電位に接続されている検査用プローブ１２ａ〜１２ｄとＬ電位に接続されている検査用プローブ１２ｅ〜１２ｈとの間の静電容量、および検査用プローブ１２ａ〜１２ｄが接触させられている導体パターンＰａ〜Ｐｄと検査用プローブ１２ｅ〜１２ｈが接触させられている導体パターンＰｅ〜Ｐｈとの間の静電容量などの各種静電容量を合成した値が静電容量Ｃ３０として測定される。
【００３５】
この場合、この絶縁検査装置１では、移動機構１３によるプローブ保持部１１の移動に際して各信号ケーブル１５に引っ掛かりが生じる事態を回避するために、各信号ケーブル１５が結束バンドで結束されたり編み込まれたりして１本の太いケーブル状に束ねられている。したがって、上記の各静電容量Ｃ１０，Ｃ２０，Ｃ３０のうちの各信号ケーブル１５間の容量成分は、各切替え状態においてほぼ等しい容量となっている。しかしながら、各検査用プローブ１２間の容量成分や各導体パターンＰ間の容量成分については、Ｈ電位となる部位とＬ電位となる部位とが極く近距離で隣接している箇所が多い切替え状態ほど大きな容量となる。したがって、この例では、「静電容量Ｃ３０」＜「静電容量Ｃ２０」＜「静電容量Ｃ１０」との容量が測定される。なお、上記の各信号ケーブル１５として、いわゆる平ケーブルを採用した場合には、上記の各静電容量Ｃ１０，Ｃ２０，Ｃ３０のうちの各信号ケーブル１５間の容量成分は、Ｈ電位となる部位とＬ電位となる部位とが極く近距離で隣接している箇所が多い切替え状態ほど大きな容量となるため、「静電容量Ｃ３０」＜「静電容量Ｃ２０」＜「静電容量Ｃ１０」との傾向が一層顕著となる。
【００３６】
次いで、制御部８は、測定された各静電容量Ｃ１０〜Ｃ３０に応じて、各検査処理の実行順序、および各検査処理時の待機時間を決定して検査手順データＤｔを生成する（ステップ２３）。具体的には、制御部８は、測定された容量が小さい静電容量Ｃ１０の切替え状態において実行する「検査処理Ｃ」から順に「検査処理Ｂ」および「検査処理Ａ」をこの順で実行するように検査手順データＤｔを生成する。この場合、図４に示すように、制御部８は、検査用電圧Ｖを供給した際にＨ電位部位およびＬ電位部位の間の静電容量に対する充電に要する時間が最も長い静電容量Ｃ３０の切替え状態において実行する「検査処理Ａ」の待機時間Ｔ３を最も長く規定し、充電に要する時間が最も短い静電容量Ｃ１０の切替え状態において実行する「検査処理Ｃ」の待機時間Ｔ１を最も短く規定して検査手順データＤｔを生成する。したがって、生成した検査手順データＤｔに従って各検査処理Ａ〜Ｃを実行することにより、静電容量が小さいことで待機時間が短く規定された検査処理ほど早く実行されることとなる。
【００３７】
続いて、制御部８は、生成した検査手順データＤｔに従って、回路基板１００に対するＭ＝３回の検査処理のうちの第１回目の検査処理を実行する（ステップ２４）。具体的には、制御部８は、接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、図７に示す切替え状態（図４に示す「検査処理Ｃ」の切替え状態）となるように、高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌと各検査用プローブ１２（信号ケーブル１５）とをそれぞれ接続させる。次いで、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって検査用電圧Ｖの供給を開始させる。この際に、測定部５では、制御部８の制御に従って、検査用電圧Ｖの供給が開始されてから上記の待機時間Ｔ１だけ待機した後に、電圧測定部５ａが、導体パターンＰａ〜Ｐｄ（本発明における第１の導体パターン）と導体パターンＰｅ〜Ｐｈ（本発明における第２の導体パターン）との間の電位差を測定して測定データＤｖを出力すると共に、電流測定部５ｂが上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間を導通する電流の電流値を測定して測定データＤｉを出力する。
【００３８】
また、制御部８は、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算する。さらに、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力して検査用電圧Ｖの供給を停止させると共に、演算した絶縁抵抗値と、記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｓ（基準抵抗値）とを比較して、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する。この際に、演算した絶縁抵抗値が基準抵抗値に満たないときには、制御部８は、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間に絶縁不良が生じていると判定して（ステップ２５）、Ｍ＝３回の検査処理のうちの残りの検査処理（この例では、「検査処理Ｂ」および「検査処理Ａ」の２つ）を実行することなく、その回路基板１００を不良と検査してこの絶縁検査処理２０を終了する。したがって、不良の回路基板１００についての残りの２回の検査処理を実行しない分だけ、この不良の回路基板１００についての検査時間が短縮される。
【００３９】
また、従来の一般的なマルチプル方法を採用した場合には、検査用電圧Ｖの供給を開始してから測定部５による電圧および電流の測定を開始するまでの待機時間Ｔ３が最も長い「検査処理Ａ」をＭ＝３回の検査処理時における１回目の検査処理として実行するのに対して、この絶縁検査装置１では、待機時間Ｔ１が最も短い「検査処理Ｃ」をＭ＝３回の検査処理時における１回目の検査処理として実行している。したがって、１回目の検査処理時に絶縁不良が検出された場合において、その不良の回路基板１００の検査に要する検査時間は、検査処理Ｃの待機時間Ｔ１が検査処理Ａの待機時間Ｔ３よりも短い分だけ、従来の一般的なマルチプル方法を採用したとき（この例では、検査処理Ａを最初に実行する構成を採用したとき）よりも絶縁検査装置１による絶縁検査方法を採用したとき（この例では、検査処理Ｃを最初に実行する構成を採用したとき）の方が短くなる。
【００４０】
一方、上記の「検査処理Ｃ」において演算した絶縁抵抗値が基準抵抗値以上のときには、制御部８は、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態が良好と判定して（ステップ２５）、その判定結果を記憶部９に記憶させる。また、制御部８は、Ｍ＝３回の検査処理のすべてを完了していないと判別し（ステップ２６）、回路基板１００に対する第２回目の検査処理を実行する（ステップ２４）。具体的には、制御部８は、接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、図６に示す切替え状態（図４に示す「検査処理Ｂ」の切替え状態）となるように、高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌと各検査用プローブ１２（信号ケーブル１５）とをそれぞれ接続させる。次いで、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって検査用電圧Ｖの供給を開始させる。この際に、測定部５では、制御部８の制御に従って、検査用電圧Ｖの供給が開始されてから上記の待機時間Ｔ２だけ待機した後に、電圧測定部５ａが、導体パターンＰａ，Ｐｂ，Ｐｅ，Ｐｆ（本発明における第１の導体パターン）と導体パターンＰｃ，Ｐｄ，Ｐｇ，Ｐｈ（本発明における第２の導体パターン）との間の電位差を測定して測定データＤｖを出力すると共に、電流測定部５ｂが上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間を導通する電流の電流値を測定して測定データＤｉを出力する。
【００４１】
また、制御部８は、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算すると共に、演算した絶縁抵抗値と、記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｓ（基準抵抗値）とを比較して、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する。この際に、演算した絶縁抵抗値が基準抵抗値に満たないときには、制御部８は、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間に絶縁不良が生じていると判定して（ステップ２５）、Ｍ＝３回の検査処理のうちの残りの検査処理（この例では、「検査処理Ａ」）を実行することなく、その回路基板１００を不良と検査してこの絶縁検査処理２０を終了する。したがって、不良の回路基板１００についての残りの１回の検査処理を実行しない分だけ、この不良の回路基板１００についての検査時間が短縮される。
【００４２】
また、従来の一般的なマルチプル方法を採用した場合には、上記したように、待機時間Ｔ３が最も長い「検査処理Ａ」をＭ＝３回の検査処理時における１回目の検査処理として実行するのに対して、この絶縁検査装置１では、待機時間Ｔ１が最も短い「検査処理Ｃ」をＭ＝３回の検査処理時における１回目の検査処理として実行している。したがって、２回目の検査処理時に絶縁不良が検出された場合において、その不良の回路基板１００の検査に要する検査時間は、検査処理Ｃの待機時間Ｔ１と検査処理Ｂの待機時間Ｔ２との合計時間が検査処理Ａの待機時間Ｔ３と検査処理Ｂの待機時間Ｔ２との合計時間よりも短い分だけ、従来の一般的なマルチプル方法を採用したとき（この例では、検査処理Ａを最初に実行する構成を採用したとき）よりも絶縁検査装置１による絶縁検査方法を採用したとき（この例では、検査処理Ｃを最初に実行する構成を採用したとき）の方が短くなる。
【００４３】
一方、上記の「検査処理Ｂ」において演算した絶縁抵抗値が基準抵抗値以上のときには、制御部８は、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態が良好と判定して（ステップ２５）、その判定結果を記憶部９に記憶させる。また、制御部８は、Ｍ＝３回の検査処理のすべてを完了していないと判別し（ステップ２６）、回路基板１００に対する第３回目の検査処理を実行する（ステップ２４）。具体的には、制御部８は、接続切替部３に制御信号Ｓ１を出力することにより、図５に示す切替え状態（図４に示す「検査処理Ａ」の切替え状態）となるように、高電位出力部４Ｈおよび低電位出力部４Ｌと各検査用プローブ１２（信号ケーブル１５）とをそれぞれ接続させる。次いで、制御部８は、電圧供給部４に制御信号Ｓ３を出力することによって検査用電圧Ｖの供給を開始させる。この際に、測定部５では、制御部８の制御に従って、検査用電圧Ｖの供給が開始されてから上記の待機時間Ｔ３だけ待機した後に、電圧測定部５ａが、導体パターンＰａ，Ｐｃ，Ｐｅ，Ｐｇ（本発明における第１の導体パターン）と導体パターンＰｂ，Ｐｄ，Ｐｆ，Ｐｈ（本発明における第２の導体パターン）との間の電位差を測定して測定データＤｖを出力すると共に、電流測定部５ｂが上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間を導通する電流の電流値を測定して測定データＤｉを出力する。
【００４４】
また、制御部８は、測定部５から出力された測定データＤｖ，Ｄｉに基づいて、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の抵抗値（絶縁抵抗値）を演算すると共に、演算した絶縁抵抗値と、記憶部９に記憶されている検査用基準データＤｓ（基準抵抗値）とを比較して、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態を検査する。この際に、演算した絶縁抵抗値が基準抵抗値に満たないときには、制御部８は、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間に絶縁不良が生じていると判定して（ステップ２５）、その回路基板１００を不良と検査してこの絶縁検査処理２０を終了する。また、制御部８は、上記の「検査処理Ａ」において演算した絶縁抵抗値が基準抵抗値以上のときには、第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間の絶縁状態が良好と判定して（ステップ２５）、その判定結果を記憶部９に記憶させて、この絶縁検査処理２０を終了する。これにより、回路基板１００に対する一連の検査処理が完了する。
【００４５】
このように、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法では、各検査処理時に本発明における第１の導体パターンに接触させる検査用プローブ１２および本発明における第２の導体パターンに接触させる検査用プローブ１２の間の静電容量（すなわち、Ｈ電位部位およびＬ電位部位の間の静電容量）が小さい切替え状態の検査処理（この例では、検査処理Ｃ）から順にＭ回（この例では、３回）の検査処理Ａ〜Ｃを実行すると共に、各検査処理時Ａ〜Ｃにおいて、静電容量Ｃ１０〜Ｃ３０の大きさに応じて長く各検査処理毎に規定した待機時間Ｔ１〜Ｔ３を検査用電圧Ｖの供給開始後に待機した後に電気的パラメータ（この例では、電圧値および電流値）を測定し、かつ、上記の第１の導体パターンおよび第２の導体パターンの間（Ｈ電位に接続した各導体パターンＰおよびＬ電位に接続した各導体パターンＰの間）の絶縁状態が不良と判定したときに検査中の回路基板１００の検査を終了する。
【００４６】
したがって、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、Ｍ回目の検査処理時以外において各第１の導体パターンＰおよび各第２の導体パターンＰの間の絶縁状態が不良と判定したときに検査中の回路基板１００の検査を終了することで、不良の回路基板１００についての不要な検査処理を実行しない分だけ、その不良の回路基板１００についての検査に要する時間を十分に短縮することができると共に、静電容量が小さい切替え状態の検査処理（この例では、検査処理Ｃ）から順にＭ回の検査処理を実行することで、静電容量が大きい切替え状態の検査処理（この例では、検査処理Ａ）から順にＭ回の検査処理を実行する場合と比較して、Ｍ回目以前の検査処理時において各第１の導体パターンＰおよび各第２の導体パターンＰの間の絶縁状態を不良と判定したときに、既に実行した検査処理時の待機時間（複数回の検査処理を完了している場合においては、各検査処理時の待機時間の合計時間）が短い分だけ、その不良の回路基板１００についての検査に要する時間を一層短縮することができる。
【００４７】
また、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、各切替え状態毎の静電容量Ｃ１０〜Ｃ３０をそれぞれ測定し、測定した静電容量が小さい切替え状態の検査処理（この例では、検査処理Ｃ）から順に実行することにより、例えば回路基板１００や絶縁検査装置１の設計情報に基づいて算出した静電容量の理論値に基づいてＭ回の検査処理の実行順序を規定する方法と比較して、回路基板１００や絶縁検査装置１の実際の状態に即した静電容量に基づいてＭ回の検査処理の実行順序を規定することができるため、不良の回路基板１００についての検査に要する時間を確実に短縮することができる。
【００４８】
さらに、この絶縁検査装置１、および絶縁検査装置１による絶縁検査方法によれば、Ｍ回の検査処理の実行順序を特定可能な検査手順データＤｔが存在しないときに各切替え状態毎の静電容量Ｃ１０〜Ｃ３０を測定すると共に測定した静電容量Ｃ１０〜Ｃ３０が小さい切替え状態の検査処理から順にＭ回の検査処理を実行する実行順序を規定して検査手順データＤｔを生成し、生成した検査手順データＤｔに従ってＭ回の検査処理を実行することにより、各回路基板１００毎に各切替え状態毎の静電容量Ｃ１０〜Ｃ３０を測定して、その度にＭ回の検査処理の実行順序を規定するのと比較して、同種の検査対象基板（回路基板１００）については、静電容量Ｃ１０〜Ｃ３０の測定処理を１回実行して検査手順データＤｔを生成するだけで、その後は、生成した検査手順データＤｔに従って絶縁検査処理を実行することができるため、同種の検査対象基板（回路基板１００）を数多く検査するときに要する検査時間を一層短縮することができる。
【００４９】
なお、本発明は、上記の構成に限定されない。例えば、上記の絶縁検査装置１では、本発明における容量測定部として、電圧測定部５ａおよび電流測定部５ｂとは別個に静電容量測定部５ｃ備えて構成しているが、本発明に係る絶縁検査装置の構成はこれに限定されず、電圧測定部５ａ、電流測定部５ｂおよび制御部８によって本発明における容量測定部を構成して、制御部８が電圧測定部５ａからの測定データＤｖや電流測定部５ｂからの測定データＤｉ等に基づいて上記の静電容量Ｃ１０〜Ｃ３０等を演算する構成を採用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】絶縁検査装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】絶縁検査処理２０のフローチャートである。
【図３】各検査処理Ａ〜Ｃにおける導体パターンＰ（検査用プローブ１２、信号ケーブル１５）の電位および静電容量Ｃ１０〜Ｃ３０について説明するための説明図である。
【図４】各検査処理Ａ〜Ｃにおける導体パターンＰ（検査用プローブ１２、信号ケーブル１５）の電位、待機時間Ｔ１〜Ｔ３および各検査処理の実行順序について説明するための説明図である。
【図５】検査処理Ａにおける導体パターンＰ（検査用プローブ１２、信号ケーブル１５）の電位および静電容量Ｃ１０について説明するための説明図である。
【図６】検査処理Ｂにおける導体パターンＰ（検査用プローブ１２、信号ケーブル１５）の電位および静電容量Ｃ２０について説明するための説明図である。
【図７】検査処理Ｃにおける導体パターンＰ（検査用プローブ１２、信号ケーブル１５）の電位および静電容量Ｃ３０について説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  絶縁検査装置
３  接続切替部
４  電圧供給部
４Ｈ  高電位出力部
４Ｌ  低電位出力部
５  測定部
５ａ  電圧測定部
５ｂ  電流測定部
５ｃ  静電容量測定部
８  制御部
１２ａ〜１２ｈ  検査用プローブ
１５ａ〜１５ｈ  信号ケーブル
２０  絶縁検査処理
１００  回路基板
Ｃ１０，Ｃ２０，Ｃ３０  静電容量
Ｄｃ，Ｄｉ，Ｄｖ  測定データ
Ｐａ〜Ｐｈ  導体パターン
Ｔ１〜Ｔ３  待機時間
Ｖ  検査用電圧
【図１】
2010133817.tif 000003
【図２】
2010133817.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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