(57)【要約】【課題】加工形状を安定して保持できるエッチングの量産処理方法を提供する。【解決手段】真空処理室と、ガス供給装置と、プラズマを生成するプラズマ生成手段と、プラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する装置を備え、前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施し、ウエハの量産処理を一時中断する装置未稼働時間（アイドリングＳＳ）が発生するエッチングの量産処理方法において、アイドリングＳＳ前後のクリーニングＳ２、Ｓ２’において、リアクタ最表面の反応生成堆積状態と温度の情報を含む前記プラズマ中の発光強度ＳｉＦ（１）、ＳｉＦ（２）をモニタし、これらの発光スペクトルを基にデーターベースＳ４を参照して、アイドリングＳＳ後のプラズマヒーティング工程Ｓ３の時間を調整してリアクタを加熱し、プラズマ加熱Ｓ３後に次の試料をエッチングＳ２する。【選択図】図６
2010153508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段とを備えたエッチング装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング工程とクリーニング工程を繰り返してエッチング処理を行う試料のエッチング処理方法において、
試料の量産処理時に、
前記クリーニング工程時における発光強度（１）を取得する工程と、
前記量産処理時アイドリングが発生した場合、該アイドリング後のクリーニング工程時における発光強度（２）を取得する工程と、
前記取得した発光強度（１）と発光強度（２）との差もしくはその比を算出する工程と、
該算出した結果と事前に取得したデーターベースを基に算出した加熱時間で真空処理室をプラズマ加熱する加熱工程とを備え、
該プラズマ加熱後に次の試料をエッチングする
ことを特徴とする試料のエッチング処理方法。
【請求項２】
真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段とを備えたエッチング装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング工程とクリーニング工程を繰り返してエッチング処理を行う試料のエッチング処理方法において、
試料の量産処理時に、
前記クリーニング工程時における発光強度（１）を取得する工程と、
前記量産処理時アイドリングが発生した場合、該アイドリング後のクリーニング工程時における発光強度（２）を取得する工程と、
前記取得した発光強度（１）と発光強度（２）との差が０、もしくは比が１か否かを判断する工程と、
該判断工程でその差が０、もしくは比が１に達しない場合、事前に設定した加熱時間で真空処理室をプラズマ加熱する加熱工程とを備え、
前記判断工程でその差が０、もしくは比が１に達するまで、前記加熱工程とアイドリング後のクリーニング工程を繰り返し、その差が０、もしくは比が１となった場合に、次の試料をエッチングする
ことを特徴とする試料のエッチング処理方法。
【請求項３】
真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段とを備えたエッチング装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング工程とクリーニング工程を繰り返してエッチング処理を行う試料のエッチング処理方法において、
試料の量産処理時、アイドリングの発生が予想される場合、
前記クリーニング工程後に加熱兼クリーニング（１）を行い発光強度（１）を取得する工程と、
前記アイドリングが発生した場合、該アイドリング後に加熱兼クリーニング（２）を行い発光強度（２）を取得する工程と、
前記取得した発光強度（１）と発光強度（２）との差が０、もしくは比が１か否かを判断する工程と、
該判断工程でその差が０、もしくは比が１に達しない場合、前記加熱兼クリーニング（２）を行い、再度発光強度（２）を取得し、
前記判断工程でその差が０、もしくは比が１に達するまで、前記加熱兼クリーニング（２）を繰り返し、その差が０、もしくは比が１に達した場合に、次の試料をエッチングする
ことを特徴とする試料のエッチング処理方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のエッチング処理方法において、
前記アイドリング前後の前記クリーニング工程もしくは前記ヒーティング兼クリーニング工程の導入ガスに、少なくともＣＦ４、ＳｉＦ４、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３ガスを含む、もしくは少なくともＨＣｌ、Ｃｌ２、ＣＨ２Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３ガスを含む
ことを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項５】
該請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のエッチングの量産処理方法において、
モニタする前記発光強度の発光種としてＳｉＦ、ＳｉＣｌ、Ｓｉ、Ｏ、Ｆ、Ｃ２、ＳｉＣｌ、Ｃｌ、Ｃｌ２、Ｈの何れかを用いる
ことを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項６】
請求項１のエッチングの量産処理方法において、
前記発光強度の差に係数αをかけて定数Ｃ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ）を足した値が０となるように、もしくは発光強度の比に係数αをかけて定数Ｃを足した値が１となるように、該ヒーティング工程の時間を決定する
ことを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項７】
請求項２または請求項３記載のエッチング処理方法において、
前記発光強度の差に係数αをかけて定数Ｃ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ）を足した値が０に達する場合、もしくは発光強度の比に係数αをかけて定数Ｃを足した値が１に達する場合に、量産再着工前の前記ヒーティング工程とクリーニング工程を繰り返すことを止める、もしくは前記ヒーティング兼クリーニング工程の終了を決定する
ことを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のエッチング処理方法において、
前記発光強度差もしくは発光強度比として用いる算出元の発光強度（１）および発光強度（２）は、前記クリーニング工程中或いは加熱兼クリーニング工程中の発光強度が時間変化を示さなくなる点と同じか、この点よりも時間的に後の発光強度とする
ことを特徴とするエッチング処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子また正孔をキャリアとするＭＯＳ（ Metal Oxide Semiconductor ）トランジスタを含む半導体装置の製造方法に関わり、特に量産時エッチング処理を一時中断してアイドリングが発生した場合でも、アイドリング後に加工形状を安定させてエッチングを行うことのできる試料のエッチング処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体集積回路の高集積化及び高速化に伴い、ゲート電極の更なる微細化が要求されている。しかし、わずかなゲート電極の寸法変動がソース／ドレイン電流やスタンバイ時のリーク電流値を大きく変動させるため、ゲート電極の寸法（ＣＤ：Critical Dimension ）精度や加工形状の安定化は、非常に重要な要件となる。
【０００３】
加工形状に影響を与えるエッチングリアクタ内のプラズマ中のラジカル状態の変化は、主に以下二つのような要因で起こることが多い。
一つ目の要因は、エッチングしてリアクタ最表面へ反応生成物が物理付着した場合やリアクタ内の最表面が化学変化した場合である。この場合、同じ条件でプラズマを生成しても、リアクタ最表面でラジカルの消費量やラジカルの再結合確率が変わることになり、当然ながらプラズマ中のラジカル密度は変化する。
２つ目の要因は、リアクタ材料の最表面温度が変化した場合である。この場合、プラズマ中で生成されるエッチング性ラジカルや堆積性ラジカルや反応性生物のリアクタ最表面での吸着係数や反応速度が異なるため、リアクタ部材の最表面を削る速度や堆積速度も変化する。その結果、リアクタ最表面に消費されるラジカルや反応生成物のバランスが変化して、やはりプラズマ中のラジカル密度が変化する。
【０００４】
つまり、加工形状を安定に保つには、（１）リアクタ最表面の物理化学状態を一定に保つこと、及び、（２）リアクタ材料の最表面温度を一定に保つことの２つの要件が重要である。しかしながら、エッチング装置を用いた半導体量産現場では、量産を続けると共にリアクタ最表面の物理化学状態が変化することもあれば、量産処理を一時中断しなければならないことがある。
【０００５】
従来、上記（１）の要件に対しては、リアクタ最表面の物理化学状態を維持するために、クリーニングによる反応生成物の除去や、カーボン系の堆積性ガスを用いたコーティングが行われてきた。特許文献１には、ｉｎ−ｓｉｔｕ（その場）にて反応生成物をクリーニングした後に、カーボン系皮膜を堆積させて加工形状の安定化を図ることが示されている。
【０００６】
また、上記（２）の要件に対し特許文献２には、リアクタ最表面の温度を維持するために、プラズマ処理履歴に従って予め設定した処理条件でプラズマを生成しリアクタ最表面の温度を制御して加工形状の安定化を図ることが示されている。
【特許文献１】特表２００３−５１８３２８号公報
【特許文献２】特開２００５−２４４０６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に示される装置では、処理室内に堆積する反応生成物の除去は可能だが、上記（２）の要件に対しては加工形状の安定化を図ることができない。また、特許文献２に示される装置では、上記（１）、（２）の要件に対応可能だが、量産前に予め温度計測器を装置に取り付けオフラインにて温度を測定する、もしくはシミュレーションを必要とする。温度計測器の設置は、設置に手間や時間がかかるだけでなく計測器をプラズマにさらすことで金属汚染や異物の原因を招く可能性があるため、容易には実施できない。さらに、オフラインの温度データーベースを参照したヒーティング技術や、シミュレーションによる温度予測ではリアクタ最表面の情報そのものをリアルタイムに監視していないため、アイドリング後の加工形状の再現精度にも限界がある。すなわち、（１）、（２）の要件に対して限界がある。
【０００８】
本発明は、これらの問題点に着目して、量産半導体装置の加工形状を安定して保持することのできるエッチングの量産処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、真空処理室を形成する真空処理容器と、前記真空処理容器内にガスを供給するガス供給装置と、該真空装置処理室内に電磁エネルギを供給し処理室内に供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器とその発光スペクトルを蓄積する装置を備えたプラズマ処理装置を用いて前記真空処理容器内に搬入した試料の処理をするエッチングの量産処理方法において、リアクタ最表面の反応生成堆積状態と温度の情報を含む前記プラズマ中の発光をモニタし、これらの発光を基にリアクタを加熱するアイドリング後のヒーティング工程の時間を決定、またはクリーニング工程とヒーティング工程の繰り返しを終了することを決定、またはヒーティング兼クリーニング工程の終了を決定する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
［実施例１］図１のフローチャートを用いて、本発明の第１の実施形態にかかわる、アイドリング前後における真空処理室の壁面のクリーニング工程中の発光強度をもとに、アイドリング後のヒーティング工程の時間を決定する手法を説明する。
【００１１】
実施例１では、プラズマを用いたエッチングの量産処理を続けてリアクタ壁面が十分に加熱された状態を説明の出発点とする。この点から、量産処理を続けて、製品エッチングを実施する（Ｓ１）。次に、製品エッチング中にリアクタ壁面に付着した反応生成物を除去するため、ウエハ処理毎にプラズマを用いたクリーニング工程を実施する（Ｓ２）。量産処理では、この製品エッチング工程（Ｓ１）とリアクタ表面のプラズマクリーニング工程（Ｓ２）が繰返される。プラズマクリーニング工程（Ｓ２）ではダミーウエハの使用有無は問わないが（ウエハレスでも良い）、プラズマクリーニング工程（Ｓ２）にリアクタ内に導入するガスは、Ｆ系ガス（ＣＦ４、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ６、ＮＦ３）を含むのが望ましい。理由は後述する。
【００１２】
リアクタ表面のプラズマクリーニング工程（Ｓ２）後、装置メンテナンス等の理由で量産処理を一時中断してアイドリング状態が作られる（ＳＳ）と、プラズマ中で高温となるイオンやラジカルのリアクタ壁面への熱の流入がなくなるため、アイドリングの時間が長くなるとともにリアクタ壁面の温度は下降していく。
【００１３】
次に、アイドリング（ＳＳ）を終了してから量産処理を再開する手順の説明に移る。製品をエッチングする前には、リアクタ壁面のプラズマクリーニング工程（Ｓ２’）を用いる。この工程の目的は、アイドリング中にリアクタ壁面の最表面が温度下降したことや、エッチング中とは異なる環境下に長時間置かれたことで物理化学変化したリアクタ壁面の最表面層を取り除くことである。クリーニング工程後（Ｓ２’）には、アイドリング中に低下したリアクタ壁面の最表面温度を再び上昇させるために、プラズマを発生させて加熱する（Ｓ３）。これをプラズマヒーティング工程と呼び、この直後に再び製品エッチング処理（Ｓ１’）を開始し、リアクタ壁面のプラズマクリーニング工程（Ｓ２）→製品エッチング処理（Ｓ１’）の量産処理を続ける。
【００１４】
ここで、図１のフローチャートにおいて、プラズマヒーティング工程（Ｓ３）のヒーティング時間が０の場合のΔＣＤ、すなわち、（製品エッチングＳ１’時のＣＤ）−（製品エッチングＳ１時のＣＤ）に対するアイドリング時間依存性グラフを図２に示した。ＣＤはエッチング後にＣＤ−ＳＥＭ（ Critical Dimension-Scanning Electron Microscope ）にて測定した。３００ｍｍウエハ面内１６７点の同一ラインを測定した結果の、平均値を示した。この製品では、アイドリング時間が増すほどアイドリング前よりも後のＣＤが大きくなることがわかる。
【００１５】
また、アイドリング後のクリーニング工程（Ｓ２’）中のＳｉＦの発光強度（図１のＳｉＦ（２）：４４０ｎｍ）からアイドリング前のクリーニング工程Ｓ２のＳｉＦの発光強度（図１のＳｉＦ（１））を引いた値をΔＳｉＦ＝ＳｉＦ（２）−ＳｉＦ（１）と定義し、これにある係数αを掛けたαΔＳｉＦに対するアイドリング時間の依存性も図２の中に示した。また、本検討では、ＳｉＦの波長として４４０ｎｍを使用した。このグラフから、アイドリングの時間を増す毎にαΔＳｉＦの値が大きくなることがわかる。そして、ΔＣＤの値とαΔＳｉＦは非常に良い一致を示す。
【００１６】
実施例１の実験では、αの値は負となった。ＳｉＦの発光源は、Ｆを含んだクリーニングガスとリアクタ壁面材料として用いられる石英部品（シャワープレート、石英内筒、サセプタ等）との反応生成物である。一般的に石英部品の温度が高温であるほど石英部品のエッチング速度も上昇するため、ΔＳｉＦはリアクタ最表面の温度差と共に変化する。さらに、石英部品の表面にクリーニングできない石英以外の物質が覆う場合には、Ｆとの反応面積が減少するため、その量に応じてＳｉＦの発光強度が小さくなる。つまり、ＳｉＦの発光強度は石英部品の最表面の露出面積も同時に含むため、ΔＳｉＦはリアクタの温度差と石英部品の露出面積の差を関数とするリアクタ環境を定量的に示す指標として考えて良い。したがって、ΔＳｉＦを制御することは、エッチング中のリアクタ内のラジカル状態（リアクタ環境）の違いを制御することになり、言い換えると製品エッチングのＣＤを制御することができる。この様な特徴から、アイドリング前後のＣＤ差を最小にするためには、ΔＳｉＦを指標とする方法が理想的といえる。
【００１７】
ここでプラズマクリーニング工程中（Ｓ２またはＳ２’）のＳｉＦ発光強度の好適なデータ抽出方法とクリーニング工程の終了方法について説明する。図３（ａ）は、ある製品ウエハをエッチングした直後のクリーニング工程中のＳｉＦ発光強度の時間変化の例を示した。代表例として、リアクタにＳｉが残留する場合のクリーニング波形３０１と、Ｓｉが残留しない場合のクリーニング波形３０２を示した。この例では、Ｓｉ残留有の場合にクリーニング波形が約７秒間変化し、その後の発光強度は残留Ｓｉが無い場合の時間変化に一致する。すなわち、７秒以前はリアクタ内の残留Ｓｉの量に応じた発光強度の変化を含むため、ＳｉＦの発光強度が時間変化を示さない７秒〜３０秒の間の発光強度３０３を前記ＳｉＦ（１）ないしＳｉＦ（２）の値として適用するのが望ましい。以上は、リアクタにＳｉ系以外の残留堆積物が残らない場合である。この場合、７秒の点３０４でクリーニング工程を終了しても良い。
【００１８】
図３（ｂ）は、図３（ａ）とは異なり、Ｃ系の残留堆積物が残りやすい製品ウエハをエッチングした直後のクリーニング工程中のＳｉＦとＣ２の発光強度の時間変化の例を示した。この場合、Ｃ２の波形３０５が約１５秒の点３０６まで変化し、その後の発光強度は時間変化が小さく、ほぼ一定値と考えることができる。このように、Ｓｉ系以外の残留堆積物がある場合には、１５秒の点３０６でクリーニング工程を終了しても良い。ただし、この場合でも、７秒〜１５秒の間の発光強度３０３を発光強度ＳｉＦ（１）または発光強度ＳｉＦ（２）の値として適用できる。また、例えばクリーニングを３０秒の時間固定とするならば、７秒〜３０秒の間の発光強度３０３を発光強度ＳｉＦ（１）または発光強度ＳｉＦ（２）の値として適用できる。
【００１９】
図４は、ΔＣＤの許容値を求めることを目的としたアイドリング時間とヒーティング時間の関係を求めるためのフローチャートである。図４のフローチャートは、図１のフローチャートに比較して、アイドリング（ＳＳ）後のリアクタ壁面のプラズマクリーニング（Ｓ２’）とリアクタ壁面のプラズマヒーティング（Ｓ３）の順序が入れ替っている点で相違している。図５は、図４のフローチャートを用いてプラズマヒーティング工程の条件をＡｒ流量１００ｃｃ、圧力０．５Ｐａ、マイクロ波パワー１０００Ｗ、ウエハバイアス０Ｗとし、図２にて求めたαを用いてαΔＳｉＦのヒーティング時間依存性を取得した実験結果のグラフである。ＣＤＳＥＭを用いたΔＣＤの実測値は実線（●、▲、■）プロットで、発光から算出したαΔＳｉＦは点線（○、△、□）プロットにてそれぞれ示した。また、アイドリング（ＳＳ）時間を３０分、２時間と８時間の場合に分けてデータを取得した。ヒーティング工程のガス条件としてＡｒを選択した理由は、（１）リアクタ内の部品を腐食させることのない不活性ガスであるため、（２）エッチングに用いられる一般的なガス種毎に加熱効率を調べた結果、Ａｒガスが良かったためである。
【００２０】
この結果から、アイドリング時間に依らずヒーティング時間が長いほど、ΔＣＤと予測されるΔＣＤともに小さくなることがわかった。さらに、アイドリング２時間ではヒーティング１３０秒前後、アイドリング８時間ではヒーティング１８０秒前後、アイドリング３０分ではヒーティング３０秒前後でΔＣＤが略０となることがわかった。一般的に、アイドリング時間が長いほど、αΔＳｉＦの絶対値は大きくなる傾向にあり、同時にΔＣＤを略０とするのに必要なヒーティング時間も長くなる。また、この実験でもαΔＳｉＦとΔＣＤは良い一致を示し、あらためてαΔＳｉＦはＣＤ制御の良い指標であることを確認できる。ここで着目すべきなのは、このようなグラフを用いると、ヒーティング時間が０のときのαΔＳｉＦから必要なヒーティング時間を参照できることである。よって、αΔＳｉＦとヒーティング時間のアイドリング時間依存を取得し、予めデーターベースとして蓄積すれば、ヒーティング時間が０のときのαΔＳｉＦから必要なヒーティング時間を参照し、アイドリング前後のＣＤ差を最小にすることができる。
【００２１】
図６のフローチャートを用いて、量産運用時の本発明の処理の流れを説明する。図６のフローチャートでは、図１のフローチャートにαΔＳｉＦとヒーティング時間の関係を持つデーターベース（Ｓ４）部（例えば、図５）が加わっている。図７は、図６のフローチャートを用いて量産運用した場合のアイドリングが１分以上発生し、最長では装置故障によりアイドリングが３日間発生した場合を含むアイドリング発生回数とそのときのΔＣＤの関係を示すグラフである。この結果、本方法を用いれば、アイドリングが発生してもΔＣＤ＝±０．２ｎｍ以内で運用できることがわかった。すなわち、アイドリング（Ｓ２）の後、リアクタ壁面にプラズマクリーニングを実施し（Ｓ２’）、その後、ΔＳｉＦ＝ＳｉＦ（２）−ＳｉＦ（１）が略０となる加熱時間リアクタ壁面をプラズマヒーティング（Ｓ３）し、その後、製品エッチング（Ｓ１’）に移行することにより、長時間のアイドリングが発生してもΔＣＤ＝±０．２ｎｍ以内とすることができる。
【００２２】
ここで、好適なデーターベースの構築方法を説明する。図７（ｂ）は、データーベースの構築を容易にするパソコン上のユーザーインターフェイスの例である。画面上部にΔＣＤを取得するアイドリング時間の入力設定ＢＯＸ７ｂ０１がある。所望のアイドリング時間を（１）、（２）、（３）、（４）・・・の項目に順番に入力する。項目数は場合に応じて増やして良い。最後にマウスで選択されたアイドリング時間については、取得するヒーティング時間の入力設定ＢＯＸ７ｂ０２が可能となる。これらを設定後、製品ウエハとダミーウエハを処理装置にドックし、データ取得ボタン７ｂ０４をクリックすることで、エッチングが開始される。エッチング後の製品ウエハは、ＣＤ−ＳＥＭやＯＣＤ（ Optical Critical Dimension ）にて計測され、計測値がネットワークを介してエッチング装置に転送される。結果は、アイドリング時間毎のΔＣＤとヒーティング時間の関係グラフ７ｂ０５に示される。エッチング装置とＣＤ計測装置がネットワークで接続されていない場合には、オフラインＣＤ値入力ＢＯＸ７ｂ０３に値を入力することができる。また、取得したデータは保存７ｂ０７し、読出し７ｂ０６ができる。これにより、対象とする製品毎の管理が可能となる。
【００２３】
実施例１では、アイドリング前後の発光強度の差ΔＳｉＦが略０となるヒーティング時間を求めたが、ΔＳｉＦの代わりに、アイドリング前後の発光強度の比（ＳｉＦ（２）／ＳｉＦ（１））が略1となるヒーティング時間を求めても良い。また、アイドリング前後の発光種としてＳｉＦを用いたが、その他の発光種を用いても良い。例えば、図８は、クリーニング工程の導入ガスとしてＦ系ガスを導入、解離されたフッ素（Ｆ）８０１とリアクタ部材の石英（ＳｉＯ２）８０２との反応過程を示す模式図である。先ず、石英８０２とＦ８０１の反応過程で酸素（Ｏ）８０３が生成される。次にＦ８０１と石英８０２の反応生成物（ＳｉＦ４）８０４が再解離してＦ８０５とＳｉＦ８０６が生成される。最後にＳｉＦ８０６が再解離してＳｉ８０７とＦが生成される。つまり、これらの発光種を用いてもΔＳｉＦ同様にΔＣＤを制御することができる。クリーニング工程の導入ガスにＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ８を含む場合には、発光種にＣ2を用いることもできる。
【００２４】
さらに、ＨＣｌ、Ｃｌ２のようにＣｌ系ガスをクリーニングに用いて、同様にＳｉＣｌ、Ｏ、Ｃｌ、Ｓｉ、Ｈの発光種を用いることもできる。
【００２５】
以上、実施例１では、アイドリング前後のΔＣＤを小さくするために、予めαΔＳｉＦ≒０となるヒーティング時間の関係を取得し、データーベース化してアイドリング後のＣＤの安定化を図ることができる。
【００２６】
さらに実施例１は、リアルタイムにリアクタ最表面の情報をモニタし、アイドリング後の加工形状を安定して保持することのできる試料のエッチング処理方法を提供することができる。
【００２７】
［実施例２］図９のフローチャートを用いて、本発明の実施例２にかかわる、アイドリング後のヒーティング工程の終点をデーターベース無しにクリーニング工程中の発光強度を基に決定する方法を説明する。実施例２では、実施例１の図６に示したデーターベース（Ｓ４）部が必要なくなり、代わりにΔＳｉＦ＝０の判定制御部（Ｓ５）が加わっている。
【００２８】
アイドリング（ＳＳ）の直後にプラズマクリーニング（Ｓ２’）が入るところまでは、実施例１と同様で、このアイドリング後のプラズマクリーニングの発光ＳｉＦ（２）を用いてΔＳｉＦ＝ＳｉＦ（２）−ＳｉＦ（１）が略０に達するまで（Ｓ５）ヒーティング工程（Ｓ３）とプラズマクリーニング工程（Ｓ２’）を繰り返す。但し、ヒーティング工程（Ｓ３）を得て繰り返されるプラズマクリーニング工程は、リアクタ内部品の消耗を促進する影響があるため、これを考慮すると、１〜６０秒のように短時間が望ましい。ただし、実施例１にて説明したように最低限リアクタ内のＳｉ残留物が除去され、ＳｉＦの発光強度が変化を示さなくなる程度の実施時間が必要である。
【００２９】
図１０のグラフを用いて、図９のフローチャートにより量産運用した場合のアイドリングが１分以上発生したときのアイドリング発生回数とそのときのΔＣＤの関係を説明する。運用条件は、プラズマヒーティング工程（Ｓ３）の時間を２０秒、プラズマヒーティング工程後のプラズマクリーニング工程（Ｓ２’）５秒である。この結果、実施例２の方法を用いれば、アイドリングが発生してもΔＣＤを±０．３ｎｍ以内で運用できることがわかった。
【００３０】
実施例２は、実施例１の結果と比較してＣＤ制御性が良くないが、これはプラズマヒーティング工程（Ｓ２’）の時間設定に依存するものである。プラズマヒーティング工程の時間は、短いほどＣＤの制御性が良くなる反面、プラズマクリーニング回数が増えることによって前述のようにリアクタ内部品の消耗とスループットの低下を招く。したがって、製品によってその都度ヒーティング工程の時間を適切に調整することが望ましい。ＩＴＲＳ（ International Technology Roadmap For Semiconductors ）２００７年版によれば、例えば２０１２年のゲートエッチングに許容されるＣＤバラツキは３σ＝０．８４ｎｍである。したがって、本実施例のΔＣＤ＝±０．３ｎｍでも許容範囲内での運用ができている。ただし、長期的な連続処理に対するＣＤ変動を考慮すると、アイドリング時のＣＤ変動はさらに小さい方が良いことには違いない。
【００３１】
実施例２ではΔＳｉＦ≒０に達した場合にアイドリング後のプラズマヒーティング工程を終了した。今回エッチングした製品ではΔＳｉＦ≒０の点でΔＣＤが略０となった。しかし、プラズマの発光はリアクタ内で分布を持つため、リアクタ部材の昇温分布にも隔たりが出る。よって、発光採取の観測位置に依存してＳｉＦの発光強度も異なるため、アイドリング前後のΔＳｉＦが０のときにΔＣＤが０とならない場合が出てくる。このような場合は、例えば、αΔＳｉＦ＋Ｃ（Ｃは、Constant ）のように、定数を加えた補正値を用いてこの値が０となる場合にプラズマヒーティング工程の終了を決定することが適当となる。この補正は、実施例１でも必要な場合がある。
【００３２】
以上、実施例２では、アイドリング後のヒーティング工程の終了をデーターベース無しにクリーニング中の発光強度を基に決定することができる。
【００３３】
［実施例３］図１１のフローチャートを用いて、本発明の第３の実施例に係わるＣＤ制御方法を説明する。実施例３は、実施例２にて示した図９のプラズマクリーニング工程（Ｓ２）の後に、プラズマヒーティング兼プラズマクリーニング工程（１）（Ｓ２３）が入り、プラズマヒーティング工程（Ｓ３）がプラズマヒーティング兼プラズマクリーニング工程（２）（Ｓ３’）に代わる。アイドリング（ＳＳ）前のプラズマヒーティング兼プラズマクリーニング工程（１）（Ｓ２３）はリアクタのヒーティングが目的ではなく、アイドリング後のプラズマヒーティング兼プラズマクリーニング工程（２）（Ｓ３’）中の発光強度（ＳｉＦ（２））と併せてΔＳｉＦを算出するために用いる発光強度（ＳｉＦ（１））を得るためである。したがって、プラズマヒーティング兼プラズマクリーニング工程は、製品エッチングの処理予約状況からアイドリングに入ることがわかった場合に必ずアイドリング前に実施する必要がある。さらに、プラズマヒーティング兼プラズマクリーニング工程（１）（Ｓ２３）は、プラズマヒーティング兼プラズマクリーニング工程（２）（Ｓ３’）と同じもしくは似た条件で、かつ１〜６０秒程度の短時間の放電が望ましい。また、アイドリング時間が短く、図３の残留Ｓｉ無３０２時のように時間に対して発光強度が殆ど変化しない場合には、本実施例のプラズマクリーニング工程（Ｓ２’）は必要ない場合がある。
【００３４】
プラズマヒーティング兼プラズマクリーニング工程（１）（Ｓ２３）とプラズマヒーティング兼プラズマクリーニング工程（２）（Ｓ３’）に用いるガスとしては、不活性ガスであるＡｒをベースとしてＣＦ４等のＦ系ガス（ＳＦ６、ＮＦ３、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８）を含むことが望ましい。プラズマヒーティング兼プラズマクリーニング工程（２）（Ｓ３’）において、ＳｉＦの発光強度（ＳｉＦ（２））をリアルタイムにモニタし、ΔＳｉＦが略０になると共に本工程を終了する。
【００３５】
終点判定の手法を示すグラフである図１２を用いて、プラズマヒーティング兼プラズマクリーニング工程（２）（Ｓ３’）の終点判定の例を説明する。アイドリングＳＳに入る前のプラズマヒーティング兼プラズマクリーニング（１）（Ｓ２３）で取得した発光強度ＳｉＦ（１）がターゲット１２０１となり、アイドリング後に位置するプラズマヒーティング兼プラズマクリーニング（２）（Ｓ３’）中のＳｉＦ（２）の発光強度変化１２０２がターゲット値に一致或いは達した場合に本工程の終点１２０３とし（Ｓ５）、この直後に製品エッチング（Ｓ１’）を開始する。
【００３６】
また実施例３でも実施例２と同様に、αΔＳｉＦ＋Ｃ＝０（ＣはＣｏｎｓｔａｎｔ）のように、定数を加えた補正値を用いてヒーティング工程の終点を判定した方が良い場合がある。また、アイドリング前後の発光強度の比（ＳｉＦ（２）／ＳｉＦ（１）＝１）を使う場合には、同様に定数を加えた補正値（ＳｉＦ（２）／ＳｉＦ（１）＋Ｃ＝１）を用いた方が良い場合がある。
【００３７】
実施例３は、アイドリング前後に試料のエッチング処理後にプラズマヒーティング兼プラズマクリーニング処理におけるリアクタ最表面の情報をリアルタイムにモニタして、アイドリング後の加工形状を安定して保持することのできる試料のエッチング処理方法を提供することができる。
【００３８】
さらに、本発明の試料のエッチング処理方法では、ΔＣＤ＝αΔＳｉＦ＋Ｃのように線形性が成り立ったが、他関数を適用した方が良い場合もある。したがって、製品毎に実験値とよく合う関数を選び出すことが適当である。
【００３９】
さらに、本発明の実施例１〜３においては、アイドリング（ＳＳ）前後のクリーニング工程（Ｓ２、Ｓ２’）もしくはプラズマヒーティング兼プラズマクリーニング工程（Ｓ２３、Ｓ３’）で処理室内に導入するガスとして、少なくともＣＦ４、ＳｉＦ４、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３ガスを含むガス、もしくは少なくともＨＣｌ、Ｃｌ２、ＣＨ２Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３ガスを含むガスを用いることができる。さらに、クリーニング（Ｓ２、Ｓ２’）もしくはプラズマヒーティング兼プラズマクリーニング工程（Ｓ２３、Ｓ３’）でモニタする発光強度の発光種として、ＳｉＦ、ＳｉＣｌ、Ｓｉ、Ｏ、Ｆ、Ｃ２、ＳｉＣｌ、Ｃｌ、Ｃｌ２、Ｈの何れかを用いることができる。
【００４０】
本発明が適用されるエッチング装置の例として、図１３に示すエッチング装置を用いることができる。エッチング装置は、処理容器内にウエハ１３１０を載置する電極と、ガス供給口と、シャワープレート１３４０と、ソレノイド１３４１と、高周波電源１３５０と、ＲＦバイアス電源１３６１と整合機１３６２と、サーキュレータ１３７０と、発光分光器１３８０と、発光分光器１３８０から得られる発光スペクトルやデータを蓄積する装置（例えば、ＰＣ）１３８１を有している。処理ウエハ１３１０の下に内電極１３２１と外電極１３２２を装備する。ガス供給口は内側ガス供給口１３３２と外側ガス供給口１３３１からなる。ウエハを配置するウエハステージの温度および温度分布を制御するには複数冷媒の使用、裏面Ｈｅ圧力の制御、ヒータの利用等がある。例えば図１３に示すエッチング装置は、ウエハ１３１０の下に内電極１３２１と外電極１３２２を装備する。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施例１に係わる、アイドリング前後のクリーニング中の発光強度をもとに、アイドリング後のヒーティング工程の時間を決定するための前段階となる処理を説明するフローチャート。
【図２】図１におけるΔＣＤ＝（製品エッチングＳ１’時のＣＤ）−（製品エッチングＳ１時のＣＤ）に対するアイドリング時間依存性を説明するグラフ。
【図３（ａ）】ある製品ウエハをエッチングした直後のクリーニング工程中のＳｉＦ発光強度の時間変化を説明するグラフ。
【図３（ｂ）】Ｃ系の残留堆積物が残りやすい製品ウエハをエッチングした直後のクリーニング工程中のＳｉＦとＣ２の発光強度の時間変化を説明するグラフ。
【図４】ΔＣＤとヒーティング時間の関係を求めるための処理を説明するフローチャート。
【図５】図３のフローチャートを用いてヒーティング工程の条件をＡｒ流量１００ｃｃ、圧力０．５Ｐａ、マイクロ波パワー１０００Ｗ、ウエハバイアス０Ｗとし、先ほど求めたαを用いてαΔＳｉＦのヒーティング時間依存性を取得した実験結果を説明するグラフ。
【図６】量産運用時の本発明の実施例１の処理を説明するフローチャート。
【図７（ａ）】図６のフローチャートを用いて量産運用した場合のアイドリングが１分以上発生し、最長では装置故障によりアイドリングが３日間発生した場合を含むアイドリング発生回数とそのときのΔＣＤの関係を示すグラフ。
【図７（ｂ）】データーベースの構築を容易にするパソコン上のユーザーインターフェイスを説明する図。
【図８】クリーニングガスとしてＦ系ガスを導入し、解離されたＦ８０１と石英（ＳｉＯ２）８０２の反応過程を説明する模式図。
【図９】本発明の実施例２に係わる、アイドリング後のヒーティング工程の終点をデーターベース無しにクリーニング中の発光強度を基に決定する処理を説明するフローチャート。
【図１０】図８のフローチャートを用いて量産運用した場合のアイドリングが１分以上発生したときのアイドリング発生回数とそのときのΔＣＤの関係を示すグラフ。
【図１１】本発明の実施例３に係わる処理を説明するフローチャート。
【図１２】図１１におけるプラズマヒーティング工程兼プラズマクリーニング工程（２）の終点判定の手法を説明するグラフ。
【図１３】本発明が適用されるエッチング装置の構成を説明する図。
【符号の説明】
【００４２】
３０１：Ｓｉが残留する場合のクリーニング波形
３０２：Ｓｉが残留しない場合のクリーニング波形
３０３：ＳｉＦの発光強度が時間変化を示さない７秒〜３０秒の間
３０４：７秒の点
３０５：Ｃ２の波形
３０６：１５秒の点
７ｂ０１：アイドリング時間の入力設定ＢＯＸ
７ｂ０２：ヒーティング時間の入力設定ＢＯＸ
７ｂ０３：オフラインＣＤ値入力ＢＯＸ
７ｂ０４：データ取得ボタン
７ｂ０５：アイドリング時間毎のΔＣＤとヒーティング時間の関係グラフ
７ｂ０６：読出し
７ｂ０７：保存
８０１：Ｆ
８０２：石英
８０３：Ｏ
８０４：ＳｉＦ４
８０５：反応生成物ＳｉＦ４７０４が再解離したＦ
８０６：ＳｉＦ
８０７：ＳｉＦ７０６が再解離したＳｉ
１２０１：ターゲット
１２０２：ヒーティング中のＳｉＦ（２）の発光強度変化
１２０３：本工程の終点
１３２１：内電極
１３２２：外電極
１３１０：ウエハ
１３３１：外側ガス供給口
１３３２：内側ガス供給口
１３４０：シャワープレート
１３４１：電磁石
１３５０：プラズマソースパワー
１３６１：ＲＦバイアス電源
１３６２：ＲＦ整合機
１３７０：サーキュレータ
１３８０：発光分光器
１３８１：発光スペクトルやデータを蓄積する装置
【図１】
2010153508.tif 000003
【図２】
2010153508.tif 000004
【図３（ａ）】
2010153508.tif 000005
【図３（ｂ）】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７（ａ）】
2010153508.tif 000010
【図７（ｂ）】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
該請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のエッチング処理方法において、
モニタする前記発光強度の発光種としてＳｉＦ、ＳｉＣｌ、Ｓｉ、Ｏ、Ｆ、Ｃ２、ＳｉＣｌ、Ｃｌ、Ｃｌ２、Ｈの何れかを用いる
ことを特徴とするエッチング処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１のエッチング処理方法において、
前記発光強度の差に係数αをかけて定数Ｃ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ）を足した値が０となるように、もしくは発光強度の比に係数αをかけて定数Ｃを足した値が１となるように、該ヒーティング工程の時間を決定する
ことを特徴とするエッチング処理方法。