(57)【要約】【課題】エッチングストッパー層の圧縮応力に起因した反りという転写マスクの致命的欠陥を大幅に低減することができ、優れた転写精度を有する転写マスクを得ること。【解決手段】本発明の転写マスク２９は、単結晶シリコンからなり開口部２６が形成されている支持層２１と、支持層２１の表面に形成され開口部２６と連通している荷電粒子線透過孔２８が形成されている薄膜層２４と、を具備する。本発明の転写マスクの製造方法は、単結晶シリコンの支持層２１のメンブレン形成領域において熱酸化法により酸化シリコンのエッチングストッパー層２３を形成する工程と、支持層２１の表面に薄膜層２４を形成する工程と、メンブレン形成領域における支持層２１を裏面から除去して開口部２６を形成する工程と、支持層２１の開口部２６を介してエッチングストッパー層２３を除去する工程と、薄膜層２４に荷電粒子線透過孔２８を形成する工程と、を少なくとも具備する。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコンからなる支持層におけるメンブレン形成領域において表面から所定の深さまでの領域に熱酸化法により酸化シリコンからなるエッチングストッパー層を形成する工程と、
前記エッチングストッパー層が形成された前記支持層の表面に薄膜層を形成する工程と、
前記エッチングストッパー層及び前記薄膜層が形成された前記支持層のうちメンブレン形成領域における前記支持層を裏面から除去して開口部を形成する工程と、
前記支持層の前記開口部を介して前記エッチングストッパー層を除去する工程と、
前記薄膜層に前記開口部と連通する荷電粒子線透過孔を形成する工程と、
を少なくとも具備することを特徴とする転写マスクの製造方法。
【請求項２】
単結晶シリコンからなる支持層を用意する工程と、
前記支持層の表面のメンブレン形成領域を除く領域及び前記支持層の裏面の全体に熱酸化用マスクをパターニング方法により形成する工程と、
前記支持層における前記メンブレン形成領域において表面から所定の深さまでの領域に熱酸化法により酸化シリコンからなるエッチングストッパー層を形成する工程と、
前記エッチングストッパー層が形成された前記支持層の表面に薄膜層を形成する工程と、
前記エッチングストッパー層及び前記薄膜層が形成された前記支持層のうちメンブレン形成領域における前記支持層を裏面から除去して開口部を形成する工程と、
前記支持層の開口部を介して前記エッチングストッパー層を除去する工程と、
前記薄膜層に前記開口部と連通する荷電粒子線透過孔を形成する工程と、
を少なくとも具備することを特徴とする転写マスクの製造方法。
【請求項３】
前記エッチングストッパー層を形成する工程の後に、前記エッチングストッパー層を研磨する工程を具備することを特徴とする請求項１及び請求項２のいずれかに記載の転写マスクの製造方法。
【請求項４】
前記支持層表面に薄膜層を形成する工程の後に、前記薄膜層を研磨する工程を備えることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の転写マスクの製造方法。
【請求項５】
前記薄膜層は、単結晶シリコン層及び多結晶シリコン層のいずれかであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の転写マスクの製造方法。
【請求項６】
単結晶シリコンからなり開口部が形成されている支持層と、
前記支持層の表面に形成され前記開口部と連通している荷電粒子線透過孔が形成されている薄膜層と、
を具備していることを特徴とする転写マスク。
【請求項７】
前記薄膜層は、単結晶シリコン層及び多結晶シリコン層のいずれかであることを特徴とする請求項６に記載の転写マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子線又はイオンビーム等の荷電粒子線の露光に用いられる転写マスクの製造方法及び転写マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩ等の微細化が急速に進み、これらの素子の更なる微細な回路パターンを形成するためのリソグラフィー技術の開発が進められている。特に、線幅６５ｎｍ以下のパターン形成においては、従来のＡｒＦエキシマレーザーを露光光源として用いた露光方式では解像限界に達している。これに代わるリソグラフィー技術として、レンズと露光対象ウェハ間を空気よりも屈折率の高い媒体で満たし、実効的な解像度を向上させる液浸リソグラフィー法が主流となっている。
【０００３】
しかし、液浸リソグラフィー法を用いた場合、実効的な解像度は向上させることが可能であるが焦点深度が低くなるため、高アスペクト比のホールパターンの形成が困難である。また、液浸リソグラフィー法によっても４５ｎｍノード以下の微細パターンに対しては解像限界に達する可能性がある。この問題を解決する方法のひとつに荷電粒子線リソグラフィーが挙げられる。
【０００４】
荷電粒子線リソグラフィーは、従来用いられてきたＡｒＦやＫｒＦ等のエキシマレーザーの代わりに、電子線やイオンビーム等の荷電粒子線を露光光源として利用する技術である。
【０００５】
荷電粒子線リソグラフィーでは露光光源となる荷電粒子線を所望の荷電粒子線透過孔パターンが形成された転写マスクに照射し、ウエハ上のレジストを感光させ微細パターンの形成が行われる。この方法は、従来のエキシマレーザーを用いた露光方法に比べて焦点深度及び解像度の向上が期待できる。
【０００６】
従来、荷電粒子線露光に用いられる転写マスクの製造にはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハが多く用いられている。図１１に示すように、ＳＯＩウエハ（１４）は、単結晶シリコンからなる支持層１１の上にシリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層１２が形成され、このエッチングストッパー層１２の上に単結晶シリコンからなる薄膜層１３が形成された３層構造となっている。
【０００７】
ＳＯＩウエハを用いた転写マスク１７の構造例を図１２に示す。支持層１１には、荷電粒子線を透過させるための開口部１５が形成され、薄膜層１３には荷電粒子線を微細パターンに形成するための荷電粒子線透過孔１６が形成されている。なお、薄膜層１３は単層自立膜（以下、メンブレンと記述）となっている。メンブレンの厚さは、露光に使用する荷電粒子線の加速電圧や露光方式により異なるが、荷電粒子線透過孔１６を透過する荷電粒子線以外はメンブレンにより遮蔽もしくは散乱され、荷電粒子線透過孔１６を透過した荷電粒子線によってレジストが露光される。
【０００８】
通常転写マスクの製造では、荷電粒子線透過孔と開口部を別個に形成するため、荷電粒子線透過孔及び開口部を形成する際にエッチングストッパー層が必要となる。転写マスクの製造にＳＯＩウエハを使用する利点は、薄膜層をメンブレンとして、シリコン酸化膜をエッチングストッパー層として利用することが可能である点である。シリコンウエハ上に薄膜層及びエッチングストッパー層をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成する場合、各層の膜厚の精密な制御や、膜欠陥の管理が必要となり、転写マスク製造にかかる工程数と製造コストが増加する。
【０００９】
これに対し、技術完成度の高いＳＯＩウエハを転写マスク製造用ウエハとして用いることで、転写マスク製造にかかる工程数とコストを削減することが可能となる。このためＳＯＩウエハは荷電粒子線露光用の転写マスク製造用基板として多く用いられている。
【００１０】
予め、薄膜層やエッチングストッパー層が形成されたＳＯＩウエハを用いることで転写マスクの製造自体は容易となる一方で、ＳＯＩウエハ全体にエッチングストッパー層が有する圧縮応力に起因した反りが発生するという問題がある。一般に、薄膜の応力は引っ張り応力と圧縮応力に分けられ、引っ張り応力は膜自体が収縮する方向に力が働き、引っ張り応力を有する薄膜が形成された基板は薄膜側に凹型に反る。圧縮応力は薄膜自身が伸長する方向に力が働くため、成膜後の基板は薄膜側に凸型に反る。
【００１１】
ＳＯＩウエハの反りの原因となるシリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層は圧縮応力であり、この圧縮応力はエッチングストッパー層側に凸型に反った変形を発生させる。この反り量はＳＯＩウエハの製造方法により多少のばらつきは生じるが、概ねエッチングストッパー層の応力と膜厚により決定する。エッチングストッパー層を構成するシリコン酸化膜は加熱処理により形成される熱酸化膜であり、その応力は約３００ＭＰａの圧縮応力である。
【００１２】
ＳＯＩウエハ全体の反り量はエッチングストッパー層の応力の他にＳＯＩウエハを構成する各層の膜厚や口径等によっても異なるが、例えば薄膜層の膜厚が２μｍであり、エッチングストッパー層の膜厚が１μｍであり、支持層の膜厚が７２５μｍである８インチＳＯＩウエハでは、ＳＯＩウエハ全体で薄膜層側に８５μｍ程度膨らんだ形の反りが発生することが予想される。
【００１３】
ＳＯＩウエハに上記のような大きな反りが発生した場合、メンブレンに形成される荷電粒子線透過孔の位置精度に悪影響を及ぼす。例えば、転写マスクは静電チャック方式のマスクホルダーに設置された状態で、露光機の中に設置されるが、大きな反りを有する転写マスクをマスクホルダーに設置すると、転写マスク全体に変形が生じる。この変形は再現性及び規則性がなく、変形を予測して荷電粒子線透過孔の位置を決定する等の回避手段を採ることができない。
【００１４】
また、このＳＯＩウエハの反りは、転写マスクの製造の際にも悪影響を及ぼす。例えば、メンブレン上に形成される荷電粒子線透過孔は、荷電粒子線描画により形成されたレジストパターンをエッチングマスクとしてプラズマエッチングにより形成されるが、荷電粒子線描画機にＳＯＩウエハを設置する際に、露光機の場合と同様にＳＯＩウエハ自体再現性のない変形が発生するため、メンブレン上に形成される荷電粒子線透過孔のレジストパターンの位置精度も悪化することになる。
【００１５】
このため、転写精度の高い転写マスクを製造し、かつ、露光機に設置されたマスクの転写精度の悪化を防止するためには反り変形の少ないＳＯＩウエハを用いて転写マスクを製造することが必要となる。
【００１６】
ＳＯＩウエハの反りを緩和する方法としては、例えば、予めＳＯＩウエハの支持層裏面に形成されているシリコン酸化膜を反り調整層として用いる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法は効果があるものの、シリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層を除去する際に、同時に上記反り調整層として用いるシリコン酸化膜がエッチングされないよう対策をとる必要が生じる。また、この方法は、転写マスク裏面に絶縁性のシリコン酸化膜が残存することになるため、実際の荷電粒子線描画時に転写マスク裏面に荷電粒子線が照射されると、転写マスク自体がチャージアップし、荷電粒子線が偏向して転写精度が大幅に悪化するという問題も発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２００２−１５１３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、エッチングストッパー層の圧縮応力に起因した反りという転写マスクの致命的欠陥を大幅に低減することができ、優れた転写精度を有する転写マスクを得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
請求項１の発明に係る転写マスクの製造方法は、単結晶シリコンからなる支持層におけるメンブレン形成領域において表面から所定の深さまでの領域に熱酸化法により酸化シリコンからなるエッチングストッパー層を形成する工程と、前記エッチングストッパー層が形成された前記支持層の表面に薄膜層を形成する工程と、前記エッチングストッパー層及び前記薄膜層が形成された前記支持層のうちメンブレン形成領域における前記支持層を裏面から除去して開口部を形成する工程と、前記支持層の前記開口部を介して前記エッチングストッパー層を除去する工程と、前記薄膜層に前記開口部と連通する荷電粒子線透過孔を形成する工程と、を少なくとも具備することを特徴とする。
【００２０】
請求項２の発明に係る転写マスクの製造方法は、単結晶シリコンからなる支持層を用意する工程と、前記支持層の表面のメンブレン形成領域を除く領域及び前記支持層の裏面の全体に熱酸化用マスクをパターニング方法により形成する工程と、前記支持層における前記メンブレン形成領域において表面から所定の深さまでの領域に熱酸化法により酸化シリコンからなるエッチングストッパー層を形成する工程と、前記エッチングストッパー層が形成された前記支持層の表面に薄膜層を形成する工程と、前記エッチングストッパー層及び前記薄膜層が形成された前記支持層のうちメンブレン形成領域における前記支持層を裏面から除去して開口部を形成する工程と、前記支持層の前記開口部を介して前記エッチングストッパー層を除去する工程と、前記薄膜層に前記開口部と連通する荷電粒子線透過孔を形成する工程と、を少なくとも具備することを特徴とする。
【００２１】
請求項３の発明に係る転写マスクの製造方法は、請求項１及び請求項２のいずれかの発明において、前記エッチングストッパー層を形成する工程の後に、前記エッチングストッパー層を研磨する工程を具備することを特徴とする。
【００２２】
請求項４の発明に係る転写マスクの製造方法は、請求項１から請求項３のいずれかの発明において、前記支持層表面に薄膜層を形成する工程の後に、前記薄膜層を研磨する工程を備えることを特徴とする。
【００２３】
請求項５の発明に係る転写マスクの製造方法は、請求項１から請求項４のいずれかの発明において、前記薄膜層が、単結晶シリコン層及び多結晶シリコン層のいずれかであることを特徴とする。
【００２４】
請求項６の発明に係る転写マスクは、単結晶シリコンからなり開口部が形成されている支持層と、前記支持層の表面に形成され前記開口部と連通している荷電粒子線透過孔が形成されている薄膜層と、を具備していることを特徴とする。
【００２５】
請求項７の発明に係る転写マスクは、請求項６の発明において、前記薄膜層が、単結晶シリコン層及び多結晶シリコン層のいずれかであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、大きな圧縮応力を有するシリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層が残存しない転写マスクを製造することができため、エッチングストッパー層の圧縮応力に起因した反りという転写マスクの致命的欠陥を大幅に低減することができ、優れた転写精度を有する転写マスクを得ることができる。
【００２７】
したがって、本発明の転写マスクの製造方法によって作製された転写マスクを用いると、半導体デバイス等のパターンの製造を高い歩留りで行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法の工程を示す略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法の他の工程を示す略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法の他の工程を示す略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法の他の工程を示す略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法の他の工程を示す略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法の他の工程を示す略断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法の他の工程を示す略断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法の他の工程を示す略断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法の他の工程を示す略断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法の他の工程を示す略断面図である。
【図１１】従来のＳＯＩウエハの一例を示す略断面図である。
【図１２】従来の転写マスクの一例を示す略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。図１〜図１０は、本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法の工程を示す略断面図である。
【００３０】
まず、図１に示すように、単結晶シリコンからなる支持層（基板）２１が用意される。なお、支持層２１における薄膜層を形成する面を表面とし、前記表面と反対側の面を裏面とする。ここで、後に実施する薄膜層２４の加工を精度良く行うために、支持層２１は、できるだけ小さい反りを有するものを用いることが望ましい。
【００３１】
次に、支持層２１の表面におけるメンブレン形成領域Ａを除く領域及び支持層２１の裏面の全体に、周知のパターニング方法を用いて熱酸化用マスク２２が形成される（図２参照）。
【００３２】
次に、熱酸化用マスク２２が形成された支持層２１に対して熱酸化処理を施すことにより、支持層２１におけるメンブレン形成領域Ａにおいて、表面から所定の深さまでの領域に酸化シリコンからなるエッチングストッパー層２３が形成される。その後、不要となった熱酸化用マスク２２が除去される（図３参照）。
【００３３】
ここで、単結晶シリコンからなる支持層２１の表面に、熱酸化法により酸化シリコンからなるエッチングストッパー層２３が形成された場合、通常エッチングストッパー層２３の表面部は支持層２１の表面から盛り上がる。これにより、後に形成する薄膜層の膜厚に分布が生じることがある。そのため、薄膜層の膜厚をできるだけ均一にする必要がある場合には、支持層２１の表面にエッチングストッパー層２３が形成される工程の後に、エッチングストッパー層２３の表面部が研磨されることが望ましい（図４参照）。
【００３４】
次に、エッチングストッパー層が２３が形成された支持層２１の表面にＣＶＤ法等により薄膜層２４が形成される（図５参照）。
【００３５】
ここで、薄膜層２４を形成する材料としては、例えば、ＳＯＩウエハを用いて作製される従来の転写マスクにおける加工技術を適用できるため、単結晶シリコンを好適に用いることができる。しかし、支持層２１の表面に単結晶シリコン層を形成することが困難な場合には、代わりに多結晶シリコンを好適に用いることができる。
【００３６】
また、支持層２１の表面に形成する薄膜層２４の膜厚は、後にこの薄膜層２４の研磨を行う場合には、所望の膜厚よりも大きくしておく必要がある。
【００３７】
また、支持層２１の表面に薄膜層２４が形成される工程において、後にこの薄膜層２４がメンブレンとなった際に基板の反りができるだけゼロに近くなるように、薄膜層２４の応力を制御することが望ましい。
【００３８】
また、後に形成される薄膜層２４からなるメンブレンの膜厚をできるだけ均一にする必要がある場合には、薄膜層２４を研磨することが望ましい（図６参照）。
【００３９】
次に、支持層２１の裏面にフォトレジスト等をスピンナー等で塗布して感光層が形成され、パターン露光及び現像等のパターニング処理を行って、エッチングマスク２５が形成される（図７参照）。
【００４０】
次に、エッチングマスク２５を用いてドライエッチング等により、メンブレン形成領域Ａに形成されたエッチングストッパー層２３に到達するまで支持層２１のエッチング加工を行って開口部２６が形成される。その後、メンブレン形成領域Ａに残存するエッチングストッパー層２３及びエッチングマスク２５が除去され、メンブレン形成領域Ａが薄膜層２４からなるメンブレンとされる（図８参照）。
【００４１】
次に、薄膜層２４からなるメンブレンの上に電子線レジスト等をスピンナー等で塗布して感光層が形成され、電子ビーム描画及び現像等のパターニング処理を行って、エッチングマスク２７が形成される（図９参照）。
【００４２】
次に、エッチングマスク２７を用いてドライエッチング等によるエッチング加工により、メンブレンに荷電粒子線透過孔２８が形成される。その後、残存するエッチングマスク２７が除去されることにより転写マスク２９が得られる（図１０参照）。
【００４３】
なお、上記実施の形態１においては、支持層２１に開口部２６が形成された後に、薄膜層２４からなるメンブレンに荷電粒子線透過孔２８が形成されたが、逆に、薄膜層２４に荷電粒子線透過孔２８が形成された後に支持層２１に開口部２６が形成されても良い。
【００４４】
上述の本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法によると、ＳＯＩウエハを用いて作製される従来の転写マスクと異なり、大きな圧縮応力を有するシリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層が残存しない転写マスクを製造することができる。すなわち、上述の本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法によると、ＳＯＩウエハを用いて作製される従来の転写マスクに比べ、転写マスクの致命的欠陥である反りが大幅に低減され、優れた転写精度を有する転写マスクを得ることができる。その結果、本発明の実施の形態１に係る転写マスクの製造方法によって作製された転写マスクを用いると、半導体デバイス等のパターンの製造を高い歩留りで行うことができる。
【００４５】
（実施例１）
以下、本発明の転写マスクの製造方法の実施例１について説明する。
【００４６】
まず、７２５μｍ厚の単結晶シリコンからなる２００ｍｍΦの支持層（基板）２１が用意された。なお、支持層２１における薄膜層を形成する面が表面とされ、前記表面と反対側の面が裏面とされる。
【００４７】
ここで、前記基板が有する反り量は、測定したところ＋２．０μｍであった。なお、反り量の符号は、支持層２１の表面側に膨らんでいる場合が＋（プラス）と定義され、裏面側に膨らんでいる場合が−（マイナス）と定義される。また、基板の自重による影響を除外するため、支持層２１の表面側を上面にして測定した反り量と支持層２１の裏面側を上面にして測定した反り量の差の１／２が基板の反り量とされた（図１参照）。
【００４８】
次に、支持層２１における表裏両面にＣＶＤ法により５００ｎｍ厚のシリコン窒化膜が形成された。その後、支持層２１の表面に形成したシリコン窒化膜をフォトリソグラフィー及びフロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングを用いて加工することにより、支持層２１の裏面の全体及びメンブレン形成領域Ａを除く表面にシリコン窒化膜からなる熱酸化用マスク２２が形成された（図２参照）。
【００４９】
次に、熱酸化用マスク２２が形成された支持層２１に対して、酸素を含む雰囲気中で１０００℃に加熱する熱酸化法により、メンブレン形成領域Ａにおける支持層２１の表面に酸化シリコンからなるエッチングストッパー層２３が形成された。その後、前記基板をリン酸溶液に浸漬することにより、不要となった熱酸化用マスク２２が除去された（図３参照）。
【００５０】
次に、エッチングストッパー層２３の表面部を研磨することにより、エッチングストッパー層２３の表面が支持層２１の表面に対して平坦な面とされた。この結果、エッチングストッパー層２３の膜厚は１．０μｍとなった（図４参照）。
【００５１】
次に、エッチングストッパー層２３が形成された支持層２１の表面にＣＶＤ法により多結晶シリコンからなる薄膜層２４が形成された（図５参照）。
【００５２】
次に、薄膜層２４の表面部を研磨することにより、薄膜層２４の表面が平坦な面とされた。この結果、薄膜層２４の膜厚は２．０μｍとなった（図６参照）。
【００５３】
次に、支持層２１の裏面にフォトレジストをスピンナーで塗布して５０μｍ厚の感光層が形成され、パターン露光及び現像等のパターニング処理を行って、エッチングマスク２５が形成された（図７参照）。
【００５４】
次に、エッチングマスク２５を用いてフロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングにより、メンブレン形成領域Ａに形成されたエッチングストッパー層２３に到達するまで支持層２１のエッチング加工を行い、開口部２６が形成された。その後、メンブレン形成領域Ａに残存するエッチングストッパー層２３及びエッチングマスク２５がそれぞれフッ化水素酸溶液及びレジスト剥離液により除去され、メンブレン形成領域Ａが薄膜層２４からなるメンブレンとされた（図８参照）。
【００５５】
次に、薄膜層２４からなるメンブレンの上に電子線レジストをスピンナーで塗布して１．０μｍ厚の感光層が形成され、電子ビーム描画及び現像等のパターニング処理を行って、エッチングマスク２７が形成された（図９参照）。
【００５６】
次に、エッチングマスク２７を用いてフロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングにより、メンブレンに荷電粒子線透過孔２８が形成された。その後、残存するエッチングマスク２７を除去することにより転写マスク２９が得られた（図１０参照）。
【００５７】
以上の方法により作製した転写マスク２９が有する反り量は−１．５μｍであって転写マスク２９の面は非常に平坦であった。また、転写マスク２９を用いて電子線露光を行い、パターン転写精度を測定したところ、同一パターンが設けられたＳＯＩウエハを用いて作製された従来構造の転写マスクを用いた場合に比べ、転写パターンの位置精度が大幅に向上していることが確認された。
【符号の説明】
【００５８】
２１  支持層
２２  熱酸化用マスク
２３  エッチングストッパー層
２４  薄膜層
２５  エッチングマスク
２６  開口部
２７  エッチングマスク
２８  荷電粒子線透過孔
２９  転写マスク
Ａ  メンブレン形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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