(57)【要約】    【課題】  パッドと半田バンプとの接続信頼性を高めることができるプリント配線板を提供する。    【解決手段】  パッド７６の樹脂絶縁層４２に埋設している埋設部分７６Ａよりも樹脂絶縁層４２から突出している突出部分７６Ｂが小さい。このため、平坦な形状と比べてパッドの表面積が大きくなる。これによりパッド７６と半田バンプ７８との接触面積が多くなり、パッド７６と半田バンプ７８との接合強度が上がるため、半田バンプ７８の接続信頼性を高めることができる。【選択図】  図９
2010153863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と第１面とは反対側の第２面とを有し第１のビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の第１面側に形成されている電子部品を搭載するためのパッドと、
前記樹脂絶縁層の第２面側に形成されている第１の導体回路と、
前記第１のビア導体用の開口に形成され、前記パッドと前記第１の導体回路とを接続する第１のビア導体と、からなるプリント配線板において、
前記パッドは、前記樹脂絶縁層内に埋まっている部分と前記樹脂絶縁層から突出している部分とからなり、
前記埋まっている部分の外形は、前記突出している部分の外形より大きい。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板において、
さらに、前記樹脂絶縁層の第２面下に配置され、第１面と第１面とは反対側の第２面とを有し第２のビア導体用の開口を有する下層の樹脂絶縁層と、
前記下層の樹脂絶縁層の第２面側に形成されている第２の導体回路と、
前記下層の樹脂絶縁層の開口に形成され、前記第１の導体回路と前記第２の導体回路または第１のビア導体と前記第２の導体回路とを接続する第２のビア導体とを有し、
前記下層の樹脂絶縁層の第２面側に形成されている第２の導体回路または第２のビア導体は、外部基板との接続用の外部接続端子を含んでいる。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記突出している部分の表面には、めっきからなる被覆層が形成されている。
【請求項４】
請求項３に記載のプリント配線板において、前記被覆層は、スズめっき層から成る。
【請求項５】
請求項３に記載のプリント配線板において、前記被覆層は前記パッド上のニッケルめっき層と該ニッケルめっき層上のスズめっき層とからなる。
【請求項６】
請求項１に記載のプリント配線板において、さらに、前記パッド上に形成された半田バンプを有する。
【請求項７】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記突出している部分の表面と前記突出する部分から露出している前記埋まっている部分の上面に被覆層が形成されている。
【請求項８】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記突出する部分と前記埋まっている部分は直接接続している。
【請求項９】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記埋まっている部分の側面は樹脂絶縁層に接している。
【請求項１０】
請求項７に記載の配線板において、前記埋まっている部分の上面に形成されている被覆層の側面は樹脂絶縁層に接している。
【請求項１１】
請求項１に記載の配線板において、前記埋まっている部分の上面は前記樹脂絶縁層の第１面に対し凹んでいる。
【請求項１２】
金属膜上に第１のめっきレジストを形成することと、
前記第１のめっきレジストから露出している金属膜上にめっき膜を形成することと、
前記第１のめっきレジストを除去することと、
前記めっき膜上に、該めっき膜の外周が露出するように第２のめっきレジストを形成することと、
めっきにより、前記第２のめっきレジストから露出している金属膜上に被覆層を形成することと、
前記被覆層上に、めっきによりパッドを形成することと、
前記第２のめっきレジストを除去することと、
前記めっき膜と前記パッド上に第１面と第１面とは反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層を形成することと、
前記金属膜と前記めっき膜を除去することで、前記樹脂絶縁層から前記パッドの一部を突出させることと、
前記樹脂絶縁層の第２面から前記パッドに至る第１のビア導体用の開口を形成することと、
前記樹脂絶縁層の第２面に第１の導体回路を形成することと、
前記樹脂絶縁層の開口に前記第１の導体回路と前記パッドとを接続するビア導体を形成すること、とからなるプリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法において、前記被覆層の厚さは前記めっき膜の厚さより薄い。
【請求項１４】
請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法において、さらに、前記樹脂絶縁層の第２面上に下層の樹脂絶縁層を形成することと、前記下層の樹脂絶縁層に前記第１の導体回路または第１のビア導体に至る第２のビア導体用の開口を形成することと、前記下層の樹脂絶縁層上に第２の導体回路を形成することと、前記第２のビア導体用の開口に前記第１の導体回路と前記第２の導体回路または第１のビア導体と前記第２の導体回路とを接続する第２のビア導体を形成することとを有している。
【請求項１５】
請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法において、前記金属膜は剥離層を介して支持板上に形成されている。
【請求項１６】
請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法において、前記被覆層は、スズめっきから成る。
【請求項１７】
請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法において、前記被覆層は、パッド上のニッケルめっき膜とニッケルめっき膜上のスズめっき膜とから成る。
【請求項１８】
請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法において、さらに、前記パッド上に半田バンプを形成することを有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂絶縁層の上面側に形成されている半導体素子等の電子部品を搭載するためのパッドと、樹脂絶縁層の下面側に形成され外部基板と接続するための導体回路（外部接続端子を含む）と、樹脂絶縁層に形成されパッドと外部接続端子とを接続するビア導体とを有するプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、コア基板を用いず、樹脂絶縁層と導体層を交互に積層するプリント配線板（多層基板）を開示している。特許文献１の多層基板においては、上面側に半導体素子用のパッドが形成され、下面側に外部接続端子用のパッドが形成されている。半導体素子用のパッドは、上面側の最外層の絶縁層内に埋まっている。該半導体素子用のパッドの表面は、該最外層の表面と同一のレベルか、または、最外層の表面に対してへこんでいる。一方、下面側に外部接続端子用のパッドは、下面側の最外層の絶縁層の上に形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３２３６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の多層基板は、高剛性のコア基板を有していないので、反り易いと考えられる。また、特許文献１では、半導体素子を搭載するためのパッドの上面が平坦であるので、半導体素子を搭載するためのパッドと該パッド上に形成される半田バンプ間の接続強度が低くなると考えられる。このため、特許文献１の多層基板に半田バンプを介して半導体素子を搭載すると、多層基板と半導体素子との接続信頼性が低くなると考えられる。特に、半導体素子の外周部の電極と多層基板の外周部のパッド間の接続信頼性が低いと考えられる。その理由は、多層基板の反りに半導体素子が追従し難いからであると考えられる。また、特許文献１の多層基板では、パッドの表面が、最外層の表面と同一のレベルか、または、最外層の表面に対してへこんでいるので、半田バンプの高さを高くすることが難しいと考えられる。このため、半導体素子と多層基板との熱膨張係数差に起因する応力を高さの高い半田バンプで吸収し難くなったり、多層基板と半導体素子間にアンダーフィル樹脂を充填し難くなったりすると考えられる。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、パッドと半田バンプとの接続信頼性を高めることができるプリント配線板及び該プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本願発明は、第１面と第１面とは反対側の第２面とを有し第１のビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の第１面側に形成されている電子部品を搭載するためのパッドと、
前記樹脂絶縁層の第２面側に形成されている第１の導体回路と、
前記第１のビア導体用の開口に形成され、前記パッドと前記第１の導体回路とを接続する第１のビア導体と、からなるプリント配線板において、
前記パッドは、前記樹脂絶縁層内に埋まっている部分と前記樹脂絶縁層から突出している部分とからなり、
前記埋まっている部分の外形は、前記突出している部分の外形より大きい。
【発明の効果】
【０００７】
本願発明の実施形態では、パッドが、樹脂絶縁層に埋まっている部分（埋設部分）と樹脂絶縁層から突出している部分（突出部分）とからなっている。突出している部分の外形が埋まっている部分の外形よりも小さい。このため、上面が平坦な形状のパッドと比べて、本願発明の実施形態ではパッドの表面積が大きくなる。これによりパッドと半田バンプとの接触面積が多くなり、パッドと半田バンプとの接合強度が上がる。そのため、半田バンプとパッド間の接続信頼性を高くすることができる。なお、パッドが突出部分を有すると、突出部分の周囲にも半田バンプが形成されるので、半田バンプの径がパッドより大きくなりやすい。そのため、隣接する半田バンプ間のショートを防止するため、隣接するパッド間の間隔を広げなければならない。しかし、本願発明の実施形態では突出部分が埋設部分よりも小さいため、半田バンプはパッドの外形よりも大きく成り難い。その結果、隣接するパッド間のピッチを小さくできる。パッドが突出部分を有しているので、半田バンプの高さを高くすることができる。パッドとパッド上に搭載するＩＣチップの電極との間の距離が広がる。そのため、ＩＣチップ等の電子部品とプリント配線板との間に発生する応力を半田バンプで緩和することができる。また、ＩＣチップとプリント配線板間にアンダーフィルを充填しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図２】第１実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図３】第１実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図４】第１実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図５】第１実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図６】第１実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図７】第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図８】第１実施形態に係る多層プリント配線板にＩＣチップを載置した状態を示す断面図である。
【図９】図７中の多層プリント配線板のパッドを拡大して示す断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１１】本発明の第３実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１２】めっき膜３６上に形成した第２のめっきレジストの説明図である。
【図１３】図１３（Ａ）は、被覆層で形成される空間と第２のめっきレジストで形成される空間を示す説明図であり、図１３（Ｂ）は、第２のめっきレジストで形成される空間の一部をめっきで充填している例を示す説明図である。
【図１４】本願実施形態の多層プリント配線板のパッドを拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
先ず、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板１０の構成について、図１〜図８を参照して説明する。図７は、該多層プリント配線板１０の断面図を示す。図８は、図７に示す多層プリント配線板１０にＩＣチップ９０を実装し、多層プリント配線版１０をマザーボード９４へ搭載した状態を示している。多層プリント配線板１０は、上面側にＩＣチップ等の電子部品９０との接続用のパッド７６を有し、下面側にマザーボード９４への接続用のパッド（外部接続端子）２５８Ｐを有している。上面側のパッド７６は、樹脂絶縁層（最上層の樹脂絶縁層）５０に埋まっている部分（埋設部分）７６Ａと樹脂絶縁層５０から突出している部分（突出部分）７６Ｂとから成る。埋設部分の側壁は樹脂絶縁層と接している。突出部分７６Ｂの表面（上面と側面）には、被覆層３８が形成されている。被覆層はめっき膜からなることが好ましい。第１実施形態の被覆層はスズめっき膜である。被覆層上には半田バンプ７８が形成され、該半田バンプ７８を介してＩＣチップ９０の電極９２に接続されている。被覆層として、スズめっき膜がパッド上に形成されると、パッドと半田バンプとの相性がよくなる。他方、多層プリント配線板の下面側には、最下層の樹脂絶縁層２５０が形成され、最下層の樹脂絶縁層の第２面（外部接続端子が形成されている側の面）にはパッド（外部接続端子）２５８Ｐを含む導体回路２５８が形成されている。最下層の樹脂絶縁層２５０には、ビア導体２６０が形成されている。最下層の樹脂絶縁層２５０の第２面上に開口７０ａを有するソルダーレジスト層７０が形成されている。ソルダーレジスト層７０の開口７０ａから露出する導体回路２５８やビア導体２６０の部位が外部接続端子２５８Ｐとして機能する。該外部接続端子２５８Ｐに設けられた半田バンプ７９を介して、マザーボード９４やピンに接続されている。
【００１０】
上面側のＩＣチップ接続用のパッド７６と、下面側のマザーボード接続用のパッド２５８Ｐは、樹脂絶縁層５０に設けられたビア導体６０と樹脂絶縁層２５０に設けられたビア導体２６０を介して接続されている。
【００１１】
図７中の円Ｃ内に示すパッド７６を図９に拡大して示す。第１実施形態の多層プリント配線板１０では、上面側のパッド７６が、樹脂絶縁層５０に埋まっている部分（埋設部分）７６Ａと樹脂絶縁層５０から突出している部分（突出部分）７６Ｂとからなる。上面側のパッド７６はＩＣなどの電子部品を搭載するためのパッドである。第１実施形態の多層プリント配線板では突出部分７６Ｂの外形Ｄ２が埋設部分７６Ａの外形Ｄ１よりも小さい。半田バンプは突出部分の表面と埋設部分の上面に形成される。このため、半田バンプと接する面が平坦な形状のパッドと比べて第１実施形態では、パッドの表面積が大きくなる。これによりパッド７６と半田バンプ７８との接触面積が多くなる。そのため、第１実施形態の多層プリント配線板１０ではパッド７６と半田バンプ７８との接合強度が上がる。その結果、パッド７６と半田バンプ７８の接続信頼性を高めることができる。
【００１２】
第１実施形態の多層プリント配線板１０を構成している樹脂絶縁層５０、２５０は樹脂とシリカなどの無機粒子とから成る。シリカ以外の無機粒子としては、アルミナ、硫酸バリウム、酸化マグネシウムなどを挙げることができる。そのため、第１実施形態のプリント配線板では反りやうねりが生じ易い。このようなプリント配線板に電子部品を搭載しようとすると、電子部品の電極とパッド間の距離が各パッド間で異なりやすい。そのため、電子部品の実装歩留まりや電子部品とプリント配線板間の接続信頼性が低下しやすい。しかしながら、第１実施形態のプリント配線板では、パッド７６が突出部分７６Ｂを有しているので、半田バンプ７８の高さを高めることができる。このため、第１実施形態のプリント配線板では、電子部品の実装歩留まりや実装信頼性を高くすることができる。第１実施形態の多層プリント配線板の樹脂絶縁層はガラス繊維などの心材を有していないが、反りの改善のため、心材を有する樹脂絶縁層を使用することができる。特に、樹脂絶縁層が４層以下の場合、１層は無機粒子と心材と樹脂からなる樹脂絶縁層であることが好ましい。樹脂絶縁層が４層以上の場合、全ての樹脂絶縁層が無機粒子と樹脂からなる樹脂絶縁層であることが好ましい。心材は、ガラスクロスやガラス不織布、アラミド不織布などである。
【００１３】
第１実施形態のプリント配線板では、突出部分７６Ｂの表面にスズめっき膜３８が形成されているため、半田バンプとパッドとの濡れ性を良くする事ができる。突出部分から露出している埋設部分（埋設部分の上面）にも被覆層が形成されていることが好ましい。また、半田バンプをリフローする際に、スズめっき膜３８が半田バンプ内に溶け込む。そのため、パッドと半田バンプの接続信頼性を高くすることができる。突出部で覆われていない埋設部分（突出部分から露出している埋設部分）の上面は樹脂絶縁層の第１面から凹んでいることが好ましい（図１４参照）。図１４では、被覆層が半田バンプ内に溶け込んだ状態を示している。バンプがパッド上に直接形成されている。また、被覆層として、ニッケルと金からなる被覆層を形成するより廉価、簡易に形成することができる。
【００１４】
引き続き、図７を参照して上述した多層プリント配線板１０の製造方法について図１〜図６を参照して説明する。
（１）キャリア付金属膜３００を準備する（図１（Ａ））。このキャリア付金属膜はキャリア（支持板）３０とキャリア上の金属膜２６とからなり、金属膜は剥離層２４を介してキャリアの両面に積層されている。キャリアとしては、４０μｍから８００μｍ厚みのガラス繊維で強化された基板や両面銅張積層板を用いることができる。金属膜としては、３μｍから５０μｍ厚みの銅箔やニッケル箔、アルミニウム箔等を用いることができる。剥離層２４としては、Ｎｉ、Ｃｒなどからなる金属系の剥離層やカルボキシベンゾトリアゾール(CBTA)、N',N'-ビス（ベンゾトリアゾリルメチル）ユリア（ＢＴＤ−Ｕ）および3-アミノ-1Ｈ-1,2,4-トリアゾール（ＡＴＡ）などからなる有機系の剥離層を用いることができる。
キャリアと金属膜を接着剤３０１で固定する（図１（Ｂ））。
このキャリア付金属膜３００の金属膜２６上にめっきレジスト（第１のめっきレジスト）３４を形成する（図１（Ｃ））。そして、めっきレジスト３４非形成部の金属膜（第１のめっきレジストから露出している金属膜）上にめっき膜（厚さ：ｔ１μｍ）３６を形成する（図１（Ｄ））。具体的には金属膜２６をシードとして、電解めっきにより銅やニッケル、金、銀などの電解めっき膜を形成する。めっき膜３６は金属膜２２と同一の金属からなることが好ましい。金属膜が銅箔、めっき膜が電解銅めっき膜であることが好ましい。次に、めっきレジスト３４を除去する。（図１（Ｅ））。
【００１５】
（２）めっき膜３６上に第２のめっきレジスト３２を形成する（図１（Ｆ））。このとき、めっき膜３６の外周は第２のめっきレジストから露出していることが好ましい（図１２参照）。図１２は図１Ｅの状態の基板を上から見た平面図である。めっき膜の外周部３６ｂが露出している。
【００１６】
（３）第２のめっきレジストから露出している金属膜２６上に被覆層（厚さ：ｔ２μｍ）３８を形成する（図１（Ｇ））。ｔ２とｔ１の関係はｔ２≦ｔ１である。被覆層３８はめっき膜３６とは異なる金属からなることが好ましい。さらに、被覆層３８は金属膜２６とも異なる金属であることが好ましい。被覆層としては、無電解めっき膜や電解めっき膜、スパッタ膜からなる金属層を挙げることができる。被覆層を構成する金属としては、すず、ニッケル、金、銀、パラジウム、白金、半田などを挙げることができる。被覆層は２層以上の金属層を有していても良い。被覆層が２層の金属層からなる場合、金属膜上に形成される第１の金属層としては、すず、半田、金であり、第１の金属層上に形成される第２の金属層としては、ニッケル、パラジウムである。被覆層が２層の金属層からなる場合、第１、第２の金属層の順で、すずとニッケルの組み合わせや半田とニッケルの組み合わせ、金とニッケルの組み合わせが好ましい。被覆層が３層の金属層からなる場合、金属膜上に形成される第１の金属層としては、すず、半田、金であり、第１の金属層上に形成される第２の金属層としては、パラジウムであり、第２の金属層上に形成される第３の金属層はニッケルである。めっき膜３６の外周部３６ｂが第２のめっきレジストから露出している場合、被覆層は第２のめっきレジストから露出している金属膜上とめっき膜の側壁とめっき膜の外周部３６ｂに形成されることが好ましい。
【００１７】
（４）めっきにより、被覆層上にめっき導体からなるパッド７６を形成する（図２（Ａ））。めっきとしては電解めっきや無電解めっきを利用することができる。第１実施形態のめっきは電解銅めっきである。パッドは電解銅めっき膜からなることが好ましい。図２（Ａ）、図１３（Ａ）に示すように、パッドは被覆層で形成される空間を充填している。さらに、パッドは第２のめっきレジストで形成される空間の一部もしくは全てをめっきで充填している。図２（Ａ）は第２のめっきレジストで形成される空間をめっきで充填している例を示している。図１３（Ｂ）は第２のめっきレジストで形成される空間の一部をめっきで充填している例を示している。パッドの底面は平坦であることが好ましい。
【００１８】
（５）めっきレジスト３２を除去し、パッド７６を露出させる（図２（Ｂ））。パッドの表面を粗化面としてもよい。
【００１９】
（６）第１面と第１面とは反対側の第２面を有する樹脂フィルムを準備する。
【００２０】
（７）パッド７６とめっき膜３６上に樹脂フィルムの第１面が対向するように樹脂フィルムを積層する。その後、樹脂フィルムを硬化することで、パッド７６とめっき膜３６上に樹脂絶縁層５０を形成する（図３（Ａ））。樹脂絶縁層は第１面と第１面とは反対側の第２面を有している。樹脂絶縁層の第１面はパッド７６が形成されている側の面である。パッド７６の側壁の一部は樹脂絶縁層５０と接している。
【００２１】
（８）次に、ＣＯ２レーザにて樹脂絶縁層５０にパッド７６に至る第１のビア導体用の開口５０ａを形成する（図３（Ｂ））。パッド７６に至る第１のビア導体用の開口５０ａはパッドの底面を露出する。
【００２２】
（９）開口５０ａの内壁を含む樹脂絶縁層５０の表面に粗化面（図示せず）を形成する。その後、開口５０ａの内壁を含む樹脂絶縁層５０の表面に触媒を付与する。
【００２３】
（１０）次に、触媒を付与した基板を無電解めっき液に浸漬して、開口５０ａの内壁を含む樹脂絶縁層５０の表面に無電解めっき膜５２を形成する（図３（Ｃ））。無電解めっき膜としては無電解銅めっき膜や無電解ニッケル膜が可能である。無電解銅めっき膜が好ましい。
【００２４】
（１１）無電解めっき膜５２が形成された基板にめっきレジスト５４を形成する（図４（Ａ））。
【００２５】
（１２）ついで、めっきレジスト５４非形成部に電解めっき膜５６を形成する（図４（Ｂ））。電解めっき膜としては電解銅めっき膜が好ましい。
【００２６】
（１３）さらに、めっきレジスト５４を除去した後、電解めっき膜間に存在する無電解めっき膜をエッチング処理して溶解除去し、独立の導体回路５８及び第１のビア導体６０を形成する（図４（Ｃ））。ついで、導体回路５８と第１のビア導体６０の表面に粗化面（図示せず）を形成する。
【００２７】
（１４）上記（７）〜（１３）の処理を繰り返し、最外のビア導体（第２のビア導体）２６０、最外の導体回路（第２の導体回路）２５８を有する樹脂絶縁層（下層の樹脂絶縁層）２５０を形成する（図５（Ａ））。中間基板１０００が完成する。第１の実施形態は樹脂絶縁層が２層の場合である。樹脂絶縁層が３層以下なので、樹脂絶縁層もしくは下層の樹脂絶縁層は心材を有することが好ましい。さらに、上記（７）〜（１３）の処理を繰り返すことで多層化することで、樹脂絶縁層が３層以上のプリント配線板を製造することが可能である。４層以上の場合、全ての樹脂絶縁層がシリカなどの無機粒子と樹脂とからなり、心材を有さない樹脂絶縁層であることが好ましい。
【００２８】
（１５）次に、中間基板の両面に開口７０ａを有するソルダーレジスト層７０を形成する（図５（Ｂ））。開口７０ａにより露出する最外の導体回路や最外のビア導体が外部接続端子となる。
【００２９】
（１６）次に、外部接続端子上にニッケル膜とニッケル膜上の金膜とからなる保護膜（図示せず）を形成する。ソルダーレジスト層７０と保護膜上に保護層７４を積層する。中間基板１０００に保護層７４を形成した基板の端部を図中Ｘ−Ｘで切断する（図５（Ｃ））。次いで、支持板から剥離層２４により上面側及び下面側の中間体１０を分離させる（図６（Ａ））。
【００３０】
（１７）エッチングを行いめっき膜（電解銅めっき膜）３６及び金属膜（銅箔）２６を除去し、パッド７６の上部を樹脂絶縁層５０から露出させる（図６（Ｂ））。パッド７６は突出部分と埋設部分とからなり、樹脂絶縁層５０の第１面から突出している部分が突出部分７６Ｂであり、樹脂絶縁層５０に埋まっている部分が埋設部分７６Ａである。突出部分から露出する埋設部分の上面は樹脂絶縁層の表面（第１面）から凹んでいることが好ましい。隣接するパッド上のバンプ間でショートが発生し難くなる。エッチングの際、銅からなるパッド７６表面の被覆層（スズめっき膜）３８が、ストッパーとして機能する。
被覆層は突出部分の上面と側面に形成されていることが好ましい。さらに、被覆層はパッドの突出部分から露出している埋設部分の上面に形成されていることが好ましい。埋設部分の上面に形成されている被覆層の側壁は樹脂絶縁層と接していると、パッドの埋設部分がエッチングされ難くなる。
めっき膜と金属膜が同種の金属からなり、被覆層がめっき膜とは異なる金属からなる場合、エッチング液を選択することにより、被覆層を実質的にエッチングすることなくめっき膜と金属膜を選択的にエッチングにより除去することが可能となる。
被覆層を構成する金属がスズや半田であって、めっき膜と金属膜が銅からなる場合、エッチング液にメルテックス社製のエープロセスを使用することができる。被覆層を構成する金属が銅であって、めっき膜と金属膜がニッケルからなる場合、エッチング液にメック社製のＮＨ−１８６０シリーズを使用することができる。被覆層を構成する金属が金であって、めっき膜と金属膜が銅からなる場合、エッチング液に塩化鉄や塩化銅を使用することができる。被覆層を構成する金属がニッケルであって、めっき膜と金属膜が銅からなる場合、エッチング液にメック社製のメックブライトＶＥ−７１００を使用することができる。
【００３１】
（１８）その後、保護層７４を剥離する。多層プリント配線板１０ａが完成する。外部接続端子上に保護膜が形成されていない場合、外部接続端子２５８Ｐには防錆用のＯＳＰを形成することが好ましい（図６（Ｃ））。
【００３２】
（１８）引き続き、上面のパッド７６の上部にスズ−鉛を含有するはんだペーストを印刷する。その後、２００℃でリフローすることによりパッド上にはんだバンプ（はんだ体）を形成し、はんだバンプ７８を有する多層プリント配線板を製造する（図７）。
【００３３】
上面の半田バンプ７８を介してＩＣチップ９０を取り付ける。そして、下面の半田バンプ７９を介してマザーボード９４へ取り付ける（図８）。
【００３４】
[第２実施形態]
本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法について、図１０を参照して説明する。
図１０（Ｃ）は、第２実施形態の多層プリント配線板１０の断面を示している。図７を参照して上述した第１実施形態では、上面のパッド７６の突出部分７６Ｂにずずめっき膜３８を被覆し、スズめっき膜３８に半田バンプ７８を形成している。これに対して、第２実施形態では、銅めっきから成るパッド７６上にニッケルめっき膜（金属層）８０とニッケル膜上のスズめっき膜（金属層）３８とからなる被覆層が形成されている。銅めっきからなるパッドとスズからなる金属層の間にニッケルからなる金属層を介在させることで、スズと銅からなる合金層が形成され難くなる。同様に、銅めっきからなるパッドとスズを含むバンプの間にニッケルからなる金属層を有する被覆層を介在させることで、スズと銅からなる合金層が形成され難くなる。その結果、パッドとバンプの接合強度が高くなる。
【００３５】
第２実施形態の多層プリント配線板では、パッド７６の突出部分７６Ｂの表面にニッケルめっき層８０とスズめっき膜３８とから成る被覆層が形成されている。ニッケルの耐食性が高いため、長期に渡り、半田バンプとパッド間の接続信頼性を確保することができる。
【００３６】
第２実施形態の多層プリント配線板の製造方法について説明する。
上述した（１）〜（３）の工程で、無電解スズめっき、または、電解スズめっきにより、第２のめっきレジスト３２から露出している金属膜２６上にスズめっき膜３８を形成する（図１（Ｇ））。その後、電解ニッケルめっき、または、無電解ニッケルめっきを行い、スズめっき膜３８の上面にニッケルめっき膜８０を形成する（図１０（Ａ））。スズめっきとニッケルめっきは共に電解めっきが好ましい。スズめっき膜は第２のめっきレジストから露出しているめっき膜３６の側壁とめっき膜３６の上面に形成されることが好ましい。スズめっき膜３８はニッケルめっき膜８０で被覆されることが好ましい。
【００３７】
そして、図２（Ａ）を参照して上述した第１実施形態と同様に、電解めっきにより、被覆層と第２のめっきレジストで形成される空間にパッドを形成する（図１０（Ｂ））。パッドの底面は平坦であることが好ましい。以降の工程は図２（Ｂ）以降を参照して上述した第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００３８】
[第３実施形態]
本発明の第３実施形態に係る多層プリント配線板について図１１を参照して説明する。
上述した第１実施形態では、パッド上に半田ペーストを印刷し、リフローを行い半田バンプを形成する。これに対して、第３実施形態では、図１１（Ｃ）に示すように、パッド７６にめっきにより半田めっき膜３９を形成する。該半田めっき膜をリフローすることで、図１１（Ｄ）に示すように半田バンプ７８を形成する。
【００３９】
第３実施形態の多層プリント配線板の製造方法について説明する。
上述した第１実施形態の（２）の工程で、図１（Ｆ）を参照して上述したようにめっき膜３６上に第２のめっきレジスト３２を形成する。めっき膜３６の外周は第２のめっきレジストから露出することが好ましい。そして、無電解半田めっき、または、電解半田めっきにより、金属膜２６上に半田めっき膜３９を形成する（図１１（Ａ））。半田めっき膜は、厚みが１０〜５０μｍであって、第２のめっきレジストから露出している金属膜とめっき膜３６の側壁とめっき膜３６の上面に形成されることが好ましい。半田めっき膜の厚みが１０〜５０μｍであると、半田バンプの高さがＩＣなどの電子部品を搭載するために適当な高さになる。
【００４０】
そして、図２（Ａ）を参照して上述した第１実施形態と同様に、電解めっきにより、半田めっき膜３９と第２のめっきレジストで形成される空間にパッド７６を形成する（図１１（Ｂ））。パッドは半田めっき膜上に直接形成されるのではなく、被覆層を介して半田めっき膜上に形成されてもよい。例えば、半田めっき膜上にニッケルめっき膜を形成することができる。樹脂絶縁層から露出するパッドの上面に存在する被覆層を介して半田めっき膜は形成される。被覆層は１層の金属層からなる場合や複数の金属層からなる場合がある。被覆層が１層のスズ膜から成る場合、パッドと半田の濡れ性がよくなる。また、半田めっき膜とパッドの間にスズ膜とニッケル膜からなる被覆層を介在させることができる。被覆層がパッド上のニッケル膜とニッケル膜上の金膜からなる場合、パッドと半田バンプの接合強度が高くなる。以降の工程は図２（Ｂ）以降を参照して上述した第１実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。リフローにより、半田めっき膜は半田バンプになる。第３実施形態では、半田バンプは直接パッド上に形成されているが、ニッケルなどの被覆層を有する場合、半田バンプは被覆層を介してパッド上に形成される。
【００４１】
[実施例]
以下に、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明は実施例の範囲に限定されるものではない。
実施例の多層プリント配線板１０の製造方法について図１〜図６を参照して説明する。（１）出発材料として、厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂からなる絶縁性基板２０の両面に３５μｍの銅箔２２がラミネートされている銅張積層板（キャリア）２０Ａ上に、Ｎｉ、Ｃｒなどからなる剥離層２４を介して銅箔からなる金属膜２６が積層されたキャリア付金属膜３００を準備する（図１（Ａ））。図１（Ｂ）に示すように、キャリア付金属膜３００の端面に接着剤３０１を塗布することで、金属膜とキャリアを固定する。このキャリア付金属膜３００の銅箔２６上に、市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１１０ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジスト（第１のめっきレジスト）３４を形成する（図１（Ｃ））。そして、電解めっきを施し、めっきレジスト３４非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜からなるめっき膜３６を形成する（図１（Ｄ））。めっきレジスト３４を５％ＫＯＨで除去する（図１（Ｅ））。
【００４２】
（２）市販の感光性ドライフィルムをめっき膜３６上に張り付け、マスクを載置して、１１０ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっき膜３６上に厚さ２５μｍの第２のめっきレジスト３２を形成する（図１（Ｆ））。図１（Ｆ）と図１２に示すように、めっき膜３６の外周部が第２のめっきレジスト３２から露出している。図１２は第２のめっきレジスト形成後の基板を第２のめっきレジスト側から見た平面図である。
【００４３】
（３）金属膜（銅箔）２６とめっき膜（電解銅めっき膜）３６をシードとして、電解スズめっきにより、第２のめっきレジストから露出している銅箔上と電解銅めっき膜の側壁と電解めっき膜上に０．１〜１．０μｍの電解スズめっき膜からなる被覆層３８を形成する（図１（Ｇ））。
【００４４】
（４）電解銅めっきにより、被覆層３８上に電解銅めっき膜からなるパッド７６を形成する（図２（Ａ））。図２（Ａ）に示すように、被覆層により形成されている空間（図１３（Ａ）参照）と第２のめっきレジストにより形成されている空間（図１３（Ｂ）参照）の一部は電解銅めっき膜３６で充填され、電解めっき膜３６の底面は平坦になる。
【００４５】
（５）第２のめっきレジスト３２を５％ＫＯＨで除去し、パッド７６を露出させる（図２（Ｂ））。パッドの表面に粗面を形成する（図示せず）。
【００４６】
（６）樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）を用意する。
【００４７】
（７）パッド７６と金属膜上に樹脂絶縁層用樹脂フィルムを真空ラミネーター装置を用いて貼り付ける。その際の条件は真空度６７Ｐａ、圧力０．４７ＭＰａ、温度８５℃、圧着時間６０秒である。その後、１７０℃で４０分間熱硬化させることにより第1面と第１面とは反対側の第２面を有する樹脂絶縁層５０を形成する（図３（Ａ））被覆層の側壁とパッドの埋設部分の側壁は樹脂絶縁層５０に接している。また、パッドの埋設部分の底面も樹脂絶縁層５０に接している。パッドは第１面と第１面とは反対側の第２面（底面）を有していて、パッドの第1面は被覆層と接している側の面である。
【００４８】
（８）次に、ＣＯ2 ガスレーザにて、樹脂絶縁層の第２面側から樹脂絶縁層５０にパッドの底面に至るビア用開口５０ａを形成する（図３（Ｂ））。
【００４９】
（９）ビア用開口５０ａを形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、樹脂絶縁層５０の表面に存在する粒子を除去することにより、ビア用開口５０ａの内壁を含む樹脂絶縁層５０の表面に粗化面（図示せず）を形成する。
【００５０】
（１０）次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液（スルカップＰＥＡ）中に、触媒を付与した基板を浸漬して、ビア用開口５０ａの内壁を含む樹脂絶縁層５０の表面に０．３〜３．０μｍの無電解銅めっき膜５２を形成する（図３（Ｃ））。
〔無電解めっき条件〕
３４℃の液温度で４５分
【００５１】
（１１）無電解銅めっき膜５２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１１０ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジスト５４を設ける（図４（Ａ））。
【００５２】
（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト５４非形成部に、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜５６を形成する（図４（Ｂ））。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ７０  分
温度                        ２２±２  ℃
【００５３】
（１３）めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで除去する。その後、電解銅めっき膜の間の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の導体回路５８及びビア導体６０を形成する（図４（Ｃ））。ついで、導体回路５８とビア導体６０の表面に粗化面（図示せず）を形成する。
【００５４】
（１４）上記（７）〜（１３）の処理を繰り返し、ビア導体２６０、導体回路２５８を有する樹脂絶縁層（下層の樹脂絶縁層）２５０をビルドアップする（図５（Ａ））。中間基板１０００が完成する。
【００５５】
（１５）次に、ビア導体２６０と導体回路２５８、下層の樹脂絶縁層２５０上に、市販のソルダーレジスト組成物７０を２０μｍの厚さで塗布する。その後、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行うことで、ビア導体２６０と導体回路２５８、樹脂絶縁層２５０上にソルダーレジスト膜を形成する。その後、ソルダーレジスト膜に露光と現像処理を行うことで、ソルダーレジスト膜に導体回路２５８やビア導体２６０を露出する開口７０ａを形成する。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト膜を硬化させ、開口７０ａを有し、その厚さが１５〜２５μｍのソルダーレジスト層７０を形成する（図５（Ｂ））。ソルダーレジスト層は中間基板１０００の両面に形成される。開口７０ａから露出する導体回路２５８やビア導体２６０が外部接続端子になる。
【００５６】
（１６）次に、ソルダーレジスト層７０と外部接続端子上に保護層７４を積層する。続いて、中間基板１０００の端部を図中Ｘ−Ｘで切断する（図５（Ｃ））。この時、切断する箇所はキャリア付金属膜に形成されている接着剤３０１より内側である。その後、両面銅張り積層板２０Ａから剥離層２４により上面側及び下面側の中間体１０を分離する（図６（Ａ））。
【００５７】
（１７）メルテックス社製のメルストリップＣｕ−３９３１を用いてエッチングを行い、電解銅めっき膜３６及び銅箔２６を除去し、パッド７６の上部を樹脂絶縁層５０の第１面から露出させる（図６（Ｂ））。パッド７６の樹脂絶縁層５０の第１面から突出した部分が突出部分７６Ｂに、樹脂絶縁層５０に埋まっている部分が埋設部分７６Ａとなる。埋設部分の上面は樹脂絶縁層の表面から凹んでいる。埋設部分の側面と埋設部分上に形成されている被覆層の側面は樹脂絶縁層５０に接している。この際、銅からなるパッド７６表面のスズめっき膜３８が、ストッパーとして機能する。被覆層と金属膜が異種金属であり、被覆層とめっき膜が異種金属なので、金属膜とめっき膜を選択的にエッチングで除去できる。被覆層であるスズからなる金属膜３８はメルストリップＣｕ−３９３１（エッチング液）に実質的に溶解せず、銅からなるめっき膜３６と金属膜２６が選択的にメルストリップＣｕ−３９３１（エッチング液）に溶解する。そのため、被覆層でエッチングがストップし、被覆層で覆われているパッドはエッチング液に実質的に溶解しない。
【００５８】
（１８）その後、保護層７４を剥離し、下面側のパッド２５８Ｐには防錆用のＯＳＰを塗布する（図６（Ｃ））。多層プリント配線板１０aが完成する。
【００５９】
（１８）引き続き、上面のパッド７６の上部にスズ−鉛を含有するはんだペーストを印刷し、２００℃でリフローすることによりはんだバンプ（はんだ体）を形成し、はんだバンプ７８を有する多層プリント配線板１０を製造する（図７）。ここで、スズ−鉛半田の代わりに、スズ−アンチモン、スズ−銀半田を用いることもできる。なお、上面のパッド７６上に半田ペーストを印刷すると同時に、下面のソルダーレジスト層７０の開口７０ａにスズ−アンチモンを含有するはんだペーストを印刷した後、２３０℃でリフローすることによりはんだバンプ（はんだ体）を形成し、上面及び下面にバンプを有する多層プリント配線板を製造することもできる。
【００６０】
上面の半田バンプ７８を介してＩＣチップ９０を取り付ける。そして、下面の半田バンプ７９を介してドータボード９４へ取り付ける（図８）。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
上述した実施形態では、本発明のパッド構造をコア基板を有しないビルドアップ多層配線板に適用した例を挙げたが、本発明のパッド構成は、種々のプリント配線板に適用可能である。
【符号の説明】
【００６２】
３８  スズめっき層
５０、２５０  樹脂絶縁層
５８、２５８  導体回路
６０、２６０  ビア導体
７６  バンプ
７６Ａ  埋設部分
７６Ｂ  突出部分
７８  半田バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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