(57)【要約】【課題】島状に独立した遮光パターンを有するフォトマスクにおいて、静電破壊によるパターンの変形を防ぐことができるフォトマスクを提供する。【解決手段】基体と、基体に金属材料による遮光パターンが形成されている複数のチップパターン領域と、チップパターン領域同士の間に形成されている遮光パターンからなるスクライブ領域とを備えるフォトマスクを構成する。そして、フォトマスクに、チップパターン領域を囲み、金属材料が形成されていない領域であるスリットを設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体に、金属材料による遮光パターンが形成されている複数のチップパターン領域と、
前記チップパターン領域同士の間に形成されている前記遮光パターンからなるスクライブ領域と、
前記チップパターン領域を囲み、前記金属材料が形成されていないスリットと
を備えるフォトマスク。
【請求項２】
前記スリットが、前記チップパターン領域の前記スクライブ領域に隣接する部分に形成されている請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記スリットが、前記スクライブ領域内に形成されている請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記スリットが、前記スクライブ領域の前記チップパターン領域に隣接する部分に形成されている請求項３に記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記基体のほぼ全面に前記遮光パターンが形成され、前記遮光パターンから島状に分離された島状孤立遮光パターンが形成されている請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記島状孤立遮光パターンが、前記スクライブ領域の一部に形成されている請求項５に記載のフォトマスク。
【請求項７】
前記チップパターン領域には、半導体装置を製造するための遮光パターンが形成されている請求項１に記載のフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法で適用されるフォトリソグラフィ工程で使用される、遮光パターンが形成された露光装置用のフォトマスクに係わる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等を製造するためのフォトリソグラフィ工程では、金属等の遮光パターンにより半導体装置の素子配置や回路パターン等のレイアウトが形成された多面付けフォトマスクを使用する（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
図５に、半導体装置製造用の多面付けのフォトマスクの概略構成を示す。
図５に示すフォトマスク５０では、形成する半導体装置のレイアウトに合わせて、フォトマスクにクロム（Ｃｒ）等の金属材料による遮光パターンが形成されている。フォトマスク５０には、ほぼ全面に遮光パターン５１が形成されている。
また、フォトマスク５０には、破線で示すチップパターン領域５３が複数形成されている。また、それぞれのチップパターン領域５３を分離するために、チップパターン領域同士の間にスクライブ領域５２が設けられている。
チップパターン領域５３には、このフォトマスク５０を用いて形成される半導体装置の素子配置や回路パターン等のレイアウトに従って、遮光パターン５１が形成されている。
フォトマスク５０のチップパターン領域５３の拡大図を図６に示す。チップパターン領域５３では、例えば、半導体装置等に独立した島状のレイアウトが形成される場合には、この半導体装置等のレイアウトに合わせて、透光パターン５７に囲まれた島状の孤立遮光パターン５５が形成されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平３−１２１４５６号公報
【特許文献２】特開平５−１９４４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図５に示す、ほぼ全面に遮光パターン５１が形成されたフォトマスク５０を露光装置に装填する場合に、フォトマスク５０を取り扱う人間の静電気の放出や、露光装置内での摩擦により、遮光パターンを形成する金属材料が帯電する。
このとき、図６に示すチップパターン領域５３においても、島状の孤立遮光パターン５５と、この島状の孤立遮光パターン５５の周囲に形成された遮光パターン５１とがそれぞれ帯電する。しかし、孤立遮光パターン５５と、隣接する周囲の遮光パターン５１とは面積比が大きく、その面積の差により帯電量が異なる。このため、孤立遮光パターン５５と遮光パターン５１との間で電位差が大きくなる。この帯電量の差は、パターンの面積比に依存して大きくなる。そして、孤立遮光パターン５５と遮光パターン５１との間の電位差が大きくなり、ある閾値を超えると両パターン間で放電する。この放電で発生する熱により、金属材料が溶融して図７に示すように、遮光パターン５１と孤立遮光パターン５５との間の透光パターン５７上に、短絡部５６が発生する。
上述のように、図５に示すフォトマスク５０では、孤立遮光パターン５５の静電破壊が発生する。
そして、静電破壊により発生した孤立遮光パターン５５の短絡部５６により、フォトマスク５０に形成される所定の遮光パターン５１の形状が変形する。このため、静電破壊が起きたフォトマスクを用いて露光を行うと、半導体装置等を製造する際に所定のパターンを形成することができない。
【０００５】
上述した問題の解決のため、本発明においては、島状に独立した遮光パターンを有するフォトマスクにおいて、静電破壊によるパターンの変形を防ぐことができるフォトマスクを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のフォトマスクは、基体と、基体に金属材料による遮光パターンが形成されている複数のチップパターン領域と、チップパターン領域同士の間に形成されている遮光パターンからなるスクライブ領域とを備える。そして、チップパターン領域を囲み、金属材料が形成されていない領域であるスリットを備える。
【０００７】
本発明のフォトマスクでは、チップパターン領域の周囲に金属材料が形成されていない領域であるスリットを形成する。このため、基体に形成されている複数のチップパターン領域同士がそれぞれスリットにより分離される。従って、例えば、チップパターン領域内に島状の孤立遮光パターンが形成されている場合にも、この孤立遮光パターンと、孤立遮光パターンの周囲に形成されている遮光パターンとの面積比を小さくすることができる。
このように、孤立遮光パターンとその周囲のパターンとの面積比を小さくすることにより、静電気等により遮光パターンを形成する金属材料が帯電した場合にも、各パターン間での電位差を小さくすることができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、島状の孤立遮光パターンが形成されている場合でも、島状の孤立遮光パターンとその周囲の遮光パターンとの間での静電破壊によるパターンの変形を防ぐことができるフォトマスクを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための最良の形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
本実施の形態は、以下の順序で説明する。
１．第１のフォトマスクの実施の形態
２．第２のフォトマスクの実施の形態
３．第３のフォトマスクの実施の形態
４．第４のフォトマスクの実施の形態
【００１０】
〈１．第１のフォトマスクの実施の形態〉
以下本発明のフォトマスクの第１の実施の形態について説明する。
図１Ａに、第１の実施形態のフォトマスクの概略構成図を示す。また、図１Ｂに、図１Ａに示したＡ−Ａ’線での断面図を示す。
【００１１】
図１Ａに示すフォトマスク１０は、半導体装置製造用の多面付けフォトマスクである。
フォトマスク１０には、ほぼ全面にクロムモリブデン、タングステン、アルミ、ニッケル等の金属材料からなる遮光パターン１１が形成されている。また、フォトマスク１０は、基体上の半導体装置のレイアウトに合わせて、複数のチップパターン領域１３を備える。このチップパターン領域１３を、図１Ａに破線で示す。チップパターン領域１３には、フォトマスク１０を用いて形成される半導体装置の素子配置や回路パターン等のレイアウトに沿って、遮光パターン１１が形成されている。
また、それぞれのチップパターン領域１３の間には、チップパターン領域１３を分離するためのスクライブ領域１２が、遮光パターン１１により形成されている。このスクライブ領域１２は、基体上に形成される複数の半導体装置をチップ毎にダイシングするための領域であるスクライブラインに合わせてフォトマスク１０に形成されている。
【００１２】
また、図１Ｂに示すようにフォトマスク１０は、基体１５上にクロム等の金属材料からなる遮光パターン１１が形成されている。基体１５は、半導体装置等を製造する際に使用する露光装置の特定の波長を透過する絶縁性の材料、例えば石英、低膨張ガラス等の材料で構成されている。
そして、この基体１５上に、複数のチップパターン領域１３と、チップパターン領域１３の間のスクライブ領域１２とが、遮光パターン領域１１により形成されている。
【００１３】
図１Ａ及び図１Ｂに示すフォトマスク１０は、図中に破線で示すチップパターン領域１３内でスクライブ領域１２と隣接する部分に、遮光パターン１１が形成されない領域であるスリット１４を備える。
スリット１４は、チップパターン領域１３を囲んで形成される。そして、スリット１４により、フォトマスク１０上において、隣接するチップパターン領域１３内の遮光パターン領域１１が、互いに電気的に分離される。
また、スリット１４は、０．５μｍ程度の幅で連続して形成されている。
スリット１４は、チップパターン領域１３において、半導体装置の回路パターン等のレイアウトに沿った遮光パターン１１が形成されない部分に設ける。つまり、チップパターン領域１３内の周りの部分に半導体装置の回路パターン等のレイアウトを形成するための遮光パターンを形成しない場合に使用する。
【００１４】
上述のフォトマスク１０は、例えば、以下の方法により作製する。
まず、石英等からなる基体上の全面に、遮光パターンとなるクロム等の金属材料層を形成する。さらに、金属材料層上にフォトレジスト層を形成する。
次に、フォトレジスト層を露光、現像して、フォトマスクに形成する遮光パターンと逆のフォトレジストパターンを形成する。そして、形成したフォトレジストパターンをマスクにして下地の金属材料層をエッチングする。
以上の方法により、所定の遮光パターンを有するフォトマスクを形成することができる。
【００１５】
スリット１４が形成されることにより、チップパターン領域１３が、フォトマスク１０の他の部分に形成された遮光パターン１１と分離される。このため、例えば、チップパターン領域１３内において、島状の孤立遮光パターンが形成されている場合にも、孤立遮光パターンと、この孤立遮光パターン周囲に形成されたチップパターン領域１３内の遮光パターンとの面積比を小さくすることができる。そして、フォトマスク１０の遮光パターン１１を形成する金属材料が帯電した場合にも、孤立遮光パターンと、孤立遮光パターンの周囲の遮光パターンとの帯電量の差を小さくすることにより、両者の間の電位差を小さくすることができる。この結果、孤立遮光パターンと、孤立遮光パターンの周囲の遮光パターンとの間での放電が起こり難くなる。
従って、上述の構成によれば、遮光パターンと孤立遮光パターンとの間に発生する短絡部が発生し難い遮光パターンが形成され、静電破壊が起こり難いフォトマスクを提供することができる。
【００１６】
図１Ａに示したフォトマスク１０の遮光パターン１０及びスリット１４の形状では、チップパターン領域１３内にスリット１４が形成されている。一般的に、静電破壊による短絡が発生しやすい島状の孤立遮光パターンは、このチップパターン領域１３内に形成される場合が多い。
また、チップパターン領域１３内にスリット１４を形成することにより、チップパターン領域１３の外側、例えばスクライブ領域１２にスリットを形成した場合よりも、チップパターン領域１３の遮光パターン１１が形成される面積を小さくすることができる。このため、チップパターン領域１３内に形成される孤立遮光パターンと、その周囲の遮光パターンとの面積比を小さくすることができる。
このように、チップパターン領域１３内にスリット１４を形成することにより、孤立遮光パターンと、孤立遮光パターン周囲の遮光パターンとの面積比をより小さくすることができる。このため、孤立遮光パターンの静電破壊を抑制することができる。
従って、チップパターン領域内に島状の孤立遮光パターンが形成される場合には、チップパターン領域内にスリットを形成することによりチップパターン領域の遮光パターンの面積を小さくすることができ、効果的に静電破壊を抑制することができる。
【００１７】
〈２．第２のフォトマスクの実施の形態〉
次に、図２に第２の実施の形態のフォトマスクの概略構成図を示す。なお、図１Ａ及び図１Ｂに示すフォトマスク１０の構成と同様の構成には、同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００１８】
図２に示すフォトマスク２０は、図１Ａに示すフォトマスク１０と同様に、半導体装置製造用の多面付けフォトマスクである。
また、フォトマスク２０には、ほぼ全面に、クロム等の金属材料からなる遮光パターン１１が形成されている。また、フォトマスク２０は、基体上の半導体装置のレイアウトに合わせて、複数のチップパターン領域１３を備える。このチップパターン領域１３を、図２において破線で示す。また、チップパターン領域１３には、フォトマスク２０を用いて形成される半導体装置の素子配置や回路パターン等のレイアウトにそって遮光パターン１１が形成されている。
【００１９】
そして、フォトマスク２０では、チップパターン領域１３同士の間にチップパターン領域１３を分離するためのスクライブ領域１２が遮光パターン１１により形成されている。また、スクライブ領域１２の中央に、フォトマスク２０内の遮光パターン１１を、チップパターン領域１３毎に分離するスリット２４が形成されている。スリット２４は、０．５μｍ程度の幅で連続して形成されている。
さらに、フォトマスク２０には、スクライブ領域内のスリット２４とは異なる位置に、透光パターン２７に囲まれた島状の孤立遮光パターン２６が形成されている。
【００２０】
図２に示すフォトマスク２０のように、チップパターン領域１３の周囲のスクライブ領域１２に島状の孤立遮光パターン２６が形成される場合には、孤立遮光パターン２６とその周囲の遮光パターン１１との面積比を小さくする必要がある。この場合、図１に示すフォトマスク１０のスリット１４の構成のように、チップパターン領域１３内にスクライブ領域１２に隣接するスリットを設けても、孤立遮光パターン２６との面積比が大きくなってしまう。このため、孤立遮光パターン２６の静電破壊が起こりやすい。
従って、図２に示すように、スクライブ領域１２の中央付近に連続したスリット２４を形成し、フォトマスク２０に形成されている複数のチップパターン領域１３を、チップパターン領域１３の周辺の島状の孤立遮光パターン２６と共に、それぞれ分離する。
フォトマスク２０に形成するスリット２４の構成を上述のようにすることで、孤立遮光パターン２６と、孤立遮光パターン２６の周囲の遮光パターン１１との面積比を小さくすることができる。
このため、フォトマスク２０の遮光パターン１１を形成する金属材料が帯電した場合にも、孤立遮光パターン２６と、孤立遮光パターン２６の周囲の遮光パターンとの帯電量の差を小さくすることができる。そして、両者の間の電位差を小さくすることにより、孤立遮光パターン２６の周囲の遮光パターンとの間での放電が起こり難くなる。従って、遮光パターン２６の静電破壊を抑制することができる。
【００２１】
また、スリット２４により、チップパターン領域１３がその周囲の遮光パターン１１と共に、それぞれ分離される。このため、例えば、チップパターン領域１３内に島状の孤立遮光パターンが形成されている場合にも、チップパターン領域１３内の孤立遮光パターンと、周囲に形成されたチップパターン領域１３内の遮光パターンとの面積比を小さくすることができる。
従って、フォトマスク２０の遮光パターン１１を形成する金属材料が帯電した場合にも、チップパターン領域１３内の孤立遮光パターンと、この孤立遮光パターンの周囲の遮光パターンとの帯電量の差を小さくすることができる。そして、両者の間の電位差を小さくすることにより、孤立遮光パターンと、孤立遮光パターンの周囲の遮光パターンとの間での放電が起こり難くなる。従って、チップパターン領域１３内の孤立遮光パターンの静電破壊を抑制することができる。
【００２２】
図２に示すフォトマスク２０では、スリット２４をスクライブ領域１２に形成することにより、チップパターン領域１３内とは異なる位置に形成している。このため、図１Ａに示すフォトマスク１０のようにチップパターン内にスリットを形成するよりも、露光工程でのフォトマスクの位置ずれ等による、半導体装置等のへの画像形成に影響を与えにくい。
半導体装置等を製造する際の露光工程において、フォトマスクの位置ずれによる半導体装置の素子配置や回路パターンへの影響は、チップパターン領域１３にスリットが形成されている場合の方が大きくなる。チップパターン領域には、半導体装置の素子配置や回路パターン等のレイアウトが遮光パターンによる形成されているため、フォトマスクの位置ずれにより、スリットが半導体装置の回路パターン等のレイアウトに影響を与える。従って、スクライブ領域１２にスリット２４を形成することにより、フォトマスクの位置ずれによる半導体装置の画像形成に影響を与え難くなる。
【００２３】
〈３．第３のフォトマスクの実施の形態〉
次に、図３に第３の実施の形態のフォトマスクの概略構成図を示す。なお、図１Ａ及び図１Ｂに示すフォトマスク１０の構成と同様の構成には、同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００２４】
図３に示すフォトマスク３０は、図１Ａに示すフォトマスク１０と同様に、半導体装置製造用の多面付けフォトマスクである。
また、フォトマスク３０には、ほぼ全面に、クロム等の金属材料からなる遮光パターン１１が形成されている。また、フォトマスク３０は、基体上の半導体装置のレイアウトに合わせて、複数のチップパターン領域１３を備える。このチップパターン領域１３を、図３において破線で示す。また、チップパターン領域１３には、フォトマスク３０を用いて形成される半導体装置の素子配置や回路パターン等のレイアウトに合わせて遮光パターン１１が形成されている。また、フォトマスク３０では、チップパターン領域１３同士の間にチップパターン領域１３を分離するためのスクライブ領域１２が遮光パターン１１により形成されている。
【００２５】
また、フォトマスク３０には、チップパターン領域１３に隣接するスクライブ領域１２に、チップパターン領域１３を他の遮光パターンと分離するスリット３４が形成されている。このスリット３４は、チップパターン領域１３を囲み、０．５μｍ程度の幅で連続して形成されている。
【００２６】
フォトマスク３０の構成によれば、図１に示すフォトマスク１０の構成と同様の効果を得ることができる。つまり、スリット３４が形成されることにより、チップパターン領域１３がフォトマスク３０の他の部分に形成された遮光パターン１１と分離される。このため、例えば、チップパターン領域１３内において、島状の孤立遮光パターンが形成されている場合にも、孤立遮光パターンと、周囲に形成されたチップパターン領域１３内の遮光パターンとの面積比を小さくすることができる。そして、フォトマスク１０の遮光パターン１１を形成する金属材料が帯電した場合にも、孤立遮光パターンと、孤立遮光パターンの周囲の遮光パターンとの帯電量の差を小さくすることにより、両者の間の電位差を小さくすることができる。この結果、孤立遮光パターンと、孤立遮光パターンの周囲の遮光パターンとの間での放電が起こり難くなる。
【００２７】
図３に示すフォトマスク３０では、例えば、スクライブ領域１２にアライメントマーク等の所定の遮光パターン又は透光パターンを形成するため、スクライブ領域１２の中央付近に図２に示すようなスリット２４を形成できない場合に適用することができる。また、チップパターン領域１３の端に半導体装置の回路パターン等に沿って遮光パターンが形成されている場合に、適用することができる。
【００２８】
図３に示すように、チップパターン領域１３に隣接するアライメント領域１２に、スリット３４を形成することにより、チップパターン領域１３を確実に分離することができる。また、スリット３４により分離されるチップパターン領域１３を含む領域が、図２に示すフォトマスク２０の場合よりも小さくなる。このため、チップサイズ領域１３内に形成される島状の孤立遮光パターン領域と、その周囲の遮光パターン１１との面積比を小さくすることができる。この結果、島状の孤立遮光パターンの静電破壊を抑制することができる。さらに、スクライブ領域１２内のスリットが形成されている位置が、スクライブ領域１２の端部であるため、スクライブ領域１２にアライメントマーク等の所定の遮光パターン１１を形成する際の設計の自由度が向上する。
【００２９】
〈４．第４のフォトマスクの実施の形態〉
次に、図４に第４の実施の形態のフォトマスクの概略構成図を示す。なお、図１〜図３に示すフォトマスク１０，２０，３０の構成と同様の構成には、同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００３０】
図４に示すフォトマスク４０は、図１Ａに示すフォトマスク１０と同様に、半導体装置製造用の多面付けフォトマスクである。
また、フォトマスク４０には、ほぼ全面に、クロム等の金属材料からななる遮光パターン１１が形成されている。また、フォトマスク４０は、基体上の半導体装置のレイアウトに合わせて、複数のチップパターン領域１３を備える。このチップパターン領域１３を、図４において破線で示す。また、チップパターン領域１３には、フォトマスク３０を用いて形成される半導体装置の素子配置や回路パターン等のレイアウトに合わせて遮光パターン１１が形成されている。また、フォトマスク３０では、チップパターン領域１３同士の間にチップパターン領域１３を分離するためのスクライブ領域１２が遮光パターン１１により形成されている。
【００３１】
また、フォトマスク４０には、チップパターン領域の設計や、スクライブ領域のパターンの設計等に応じて、チップパターン領域１３を他の遮光パターンと分離するスリット１４，２４，３４が形成されている。このスリット１４，２４，３４は、図１〜３に示すフォトマスク１０，２０，３０で形成したスリット１４，２４，３４の構成を組み合わせることにより形成されている。
【００３２】
図４に示すように、図１〜３に示したフォトマスク１０，２０，３０のスリット１４，２４，３４の構成を組み合わせて、フォトマスク４０を構成してもよい。このような構成によれば、図１〜図３で示した構成のフォトマスク１０，２０，３０と同様の効果を得ることができる。つまり、スリット１４，２４，３４を形成することにより、チップパターン領域１３が、フォトマスク１０の他の部分に形成された遮光パターン１１と分離される。
このため、例えば、チップパターン領域１３内において、島状の孤立遮光パターンが形成されている場合にも、孤立遮光パターンと、この孤立遮光パターン周囲に形成されたチップパターン領域１３内の遮光パターンとの面積比を小さくすることができる。そして、フォトマスク１０の遮光パターン１１を形成する金属材料が帯電した場合にも、孤立遮光パターンと、孤立遮光パターンの周囲の遮光パターンとの帯電量の差を小さくすることにより、両者の間の電位差を小さくすることができる。この結果、孤立遮光パターンと、孤立遮光パターンの周囲の遮光パターンとの間での放電が起こり難くなる。
従って、図４に示す構成によれば、遮光パターンと孤立遮光パターンとの間に発生する短絡部が発生し難い遮光パターンが形成され、静電破壊が起こり難いフォトマスクを提供することができる。
【００３３】
また、一つのパターンマスクに異なる形状のチップパターン領域が形成された場合や、スクライブ領域１２の一部に島状の孤立遮光パターン２６が形成されるフォトマスクにも、スリット１４，２４，３４を組み合わせることで対応することができる。
【００３４】
なお、上述の実施の形態において、フォトマスク及びチップパターン領域はすべて矩形状で表しているが、本願発明においてこれらの形状は特に矩形状に限定されない。フォトマスクを用いて製造する半導体装置の形状等に応じて、本発明のフォトマスクの各構成の形状を変更することができる。
また、上述の実施の形態において、フォトマスクに形成するチップパターン領域を縦横３個ずつ合計９個としたが、フォトマスクに形成するチップパターン領域の配置及び総数はこれに限られない。つまり、必要に応じてフォトマスクに形成するチップパターン領域の配置及び総数を任意に変更することができる。この場合にも、それぞれのチップパターン領域を囲み、チップパターン領域をそれぞれ分離させるスリットを形成することにより、静電破壊による遮光パターンの変形を抑制することができる。
【００３５】
なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】Ａは、本発明の第１の実施の形態のフォトマスクの概略構成図である。Ｂは、図１Ａに示したフォトマスクのＡ−Ａ’線断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態のフォトマスクの概略構成図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態のフォトマスクの概略構成図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態のフォトマスクの概略構成図である。
【図５】従来のフォトマスクの概略構成図である。
【図６】従来のフォトマスクのチップパターン領域の拡大図である。
【図７】従来のフォトマスクにおける静電破壊が発生したチップパターン領域の拡大図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０，２０，３０，４０，５０  フォトマスク、１１，５１  遮光パターン、１２，５２  スクライブ領域、１３，５３  チップパターン領域、１４，２４，３４  スリット、１５  基体、２６，５５  孤立遮光パターン、２７，５７  透光パターン、５６  短絡部
【図１】
2010122396.tif 000003
【図２】
2010122396.tif 000004
【図３】
2010122396.tif 000005
【図４】
2010122396.tif 000006
【図５】
2010122396.tif 000007
【図６】
2010122396.tif 000008
【図７】
2010122396.tif 000009