(57)【要約】【課題】  誘電体共振器を用いるバンドパスフィルタにおいて、低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となるようにする。【解決手段】  ＢＰＦ１０において、共振器１０ａの内導体Ｓ１０ａは、キャパシタンスＣ１４を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、インダクタンスＬ１４を介して共振器１０ｂの内導体Ｓ１０ｂに接続され、内導体Ｓ１０ｂはインダクタンスＬ１５を介して共振器１０ｃの内導体Ｓ１０ｃに接続され、内導体Ｓ１０ｃは出力端子ＯＵＴにキャパシタンスＣ１５を介して接続されている。ＢＰＦ１０の４つの結合素子はキャパシタンスの数とインダクタンスの数とが同数とされていることから、通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となる。【選択図】  図２１
2010288179.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体共振器を少なくとも１段備えるバンドパスフィルタであって、
誘電体と、該誘電体に形成された貫通孔の内周面に形成された導電膜からなる内導体と、該誘電体の外面に形成された導電膜からなる外導体とを有する前記誘電体共振器と、
初段の前記誘電体共振器の前記内導体と入力端子との間、終段の前記誘電体共振器の前記内導体と出力端子との間、前記誘電体共振器が２段以上備えられている場合は、前記誘電体共振器の前記内導体と次段の前記誘電体共振器の前記内導体との間を接続する結合素子とを備え、
前記結合素子は、キャパシタンス結合素子とインダクタンス結合素子のいずれかとされ、前記結合素子数が偶数とされている場合はキャパシタンス結合素子数とインダクタンス結合素子数とが同数とされ、前記結合素子数が奇数とされている場合はキャパシタンス結合素子数とインダクタンス結合素子数との差が１とされていることを特徴とするバンドパスフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接続素子により共振器間を接続して構成したバンドパスフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＴＥＭ（Transverse Electro Magnetic）モード共振器を用いたバンドパスフィルタ（以下、「ＢＰＦ」という）は、共振器と外部回路とが電気的に結合して構成されている。また、２個以上の共振器を多段に設けたＢＰＦにおいては、さらに共振器間も電気的に結合されている。共振器間の結合方法は、キャパシタンス結合、インダクタンス結合、電磁界結合に大きく分類できるが、金属パイプや金属板を加工して共振器の筐体を作るＴＥＭモード共振器を用いた半同軸型ＢＰＦにおいては、主に結合用ループを用いたり共振器の隔壁に穴をあける方法により共振器間を結合させる電磁界結合を採用することが多い。一方、最近では製品の小型化を図る目的等で、誘電体共振器を用いる誘電体フィルタが移動用・可搬用として用いられている。誘電体フィルタにおいては、誘電体共振器が同軸構造のセラミックスで作られており、全長は通過周波数近傍の約１／４波長に誘電体の材質で決まる比誘電率から求めた短縮率を乗じた長さとなっており、片方の端面が短絡されて、他方の端面が開放された構造となっている。この場合、ＢＰＦを製作するに当たり、開放面に露出した内部導体と入出力端子あるいは隣接する誘電体共振器の内部導体同士を電気的に結合させる必要がある。この結合では、物理的な制約から電磁界結合を採用しづらいことから、キャパシタンス結合やインダクタンス結合を用いることが多くされている。
【０００３】
キャパシタンス結合やインダクタンス結合における結合素子とされるキャパシタンスやインダクタンスは誘電体共振器に対し直列に接続されるため、その等価回路の類似性から、キャパシタンス結合の場合はＨＰＦ（高域通過型フィルタ）傾向の減衰特性となり、反対にインダクタンス結合の場合は、ＬＰＦ（低域通過型フィルタ）傾向の減衰特性となる。すなわち、キャパシタンス結合では、通過帯域より低域側減衰量の立ち下がり特性が急峻となる反面、高域側の減衰量の立ち下がり特性は緩慢となる。これに対しインダクタンス結合の場合は逆の特性となる。この傾向は、段数が多くなるほど直列接続される結合素子が増えることから顕著となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１６２２０９号公報
【特許文献２】特開平１１−２７００６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
将来の通信システムは現在よりさらに高速大容量になると予想されるが、誘電体フィルタの利点を生かせるＶＨＦ・ＵＨＦ帯でもその傾向は同様である。例えば地上波デジタル放送移行後に空く１７０ＭＨｚ帯においても、モバイルWiMAX方式あるいはＬＴＥ（Long Term Evolution）方式の導入が計画されており、従来の通信方式よりもさらに広い占有周数帯域幅が必要になると予想される。広帯域を必要とする通信システムの場合には、近接周波数帯域を使用する放送や通信との相互干渉を避けるために、周波数帯域の低域側および高域側においてガードバンドが設定される。このような広周波数帯域を通過させるＢＰＦは、急峻な減衰特性を有する多段構成とされた広帯域な通過周波数特性のＢＰＦとされる。誘電体共振器を用いるＢＰＦは、前述したように低域側と高域側の減衰特性が非対称になり、特に、誘電体共振器を多段に接続した構成のＢＰＦでは非対称が顕著になるという問題点があった。このように、減衰特性が非対称となると、ガードバンドを介して隣接する他の放送・通信周波数帯域との間に相互干渉が起きやすくなってしまうことになる。
そこで、本発明は、誘電体共振器を用いるバンドパスフィルタにおいて、低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となるバンドパスフィルタを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のバンドパスフィルタは、誘電体共振器を少なくとも１段備えるバンドパスフィルタであって、誘電体と、該誘電体に形成された貫通孔の内周面に形成された導電膜からなる内導体と、該誘電体の外面に形成された導電膜からなる外導体とを有する前記誘電体共振器と、初段の前記誘電体共振器の前記内導体と入力端子との間、終段の前記誘電体共振器の前記内導体と出力端子との間、前記誘電体共振器が２段以上備えられている場合は、前記誘電体共振器の前記内導体と次段の前記誘電体共振器の前記内導体との間に接続された結合素子とを備え、前記結合素子は、キャパシタンス結合素子とインダクタンス結合素子のいずれかとされ、前記結合素子数が偶数とされている場合はキャパシタンス結合素子数とインダクタンス結合素子数とが同数とされ、前記結合素子数が奇数とされている場合はキャパシタンス結合素子数とインダクタンス結合素子数との差が１とされていることを最も主要な特徴としている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、共振器と入出力端子間および２段以上備えられている共振器間を接続するキャパシタンス結合素子数とインダクタンス結合素子数とが同数、あるいは、両者の差が１となるようにされていることから、低域側と高域側の減衰特性をほぼ対称とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明のバンドパスフィルタと対比するための１段構成のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図２】図１に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図３】本発明のバンドパスフィルタと対比するための他の１段構成のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図４】図３に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図５】本発明の第１実施例の１段構成のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図６】本発明にかかる１段構成のバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図７】図１、図３および図５に示す１段構成のバンドパスフィルタの電気的特性を対比して示す図表である。
【図８】本発明のバンドパスフィルタと対比するための２段構成のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図９】図８に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図１０】本発明のバンドパスフィルタと対比するための２段構成のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図１１】図１０に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図１２】本発明の第２実施例の２段構成のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図１３】本発明にかかる２段構成のバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図１４】本発明の第２実施例の２段構成の他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図１５】本発明にかかる２段構成の他のバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図１６】図８、図１０、図１２および図１４に示す２段構成のバンドパスフィルタの電気的特性を対比して示す図表である。
【図１７】本発明のバンドパスフィルタと対比するための３段構成のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図１８】図１７に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図１９】本発明のバンドパスフィルタと対比するための３段構成の他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図２０】図１９に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図２１】本発明の第３実施例の３段構成のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図２２】本発明にかかる３段構成のバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図２３】本発明にかかる３段構成の他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図２４】本発明にかかる３段構成の他のバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図２５】本発明にかかる３段構成のさらに他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図２６】本発明にかかる３段構成のさらに他のバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図２７】本発明にかかる３段構成のさらに他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図２８】本発明にかかる３段構成のさらに他のバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図２９】図１７、図１９，図２１、図２３、図２５および図２７に示す３段構成のバンドパスフィルタの電気的特性を対比して示す図表である。
【図３０】本発明のバンドパスフィルタと対比するための４段構成のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図３１】図３０に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図３２】本発明のバンドパスフィルタと対比するための４段構成の他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図３３】図３２に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図３４】本発明の第４実施例の４段構成のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図３５】本発明にかかる４段構成のバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図３６】本発明にかかる４段構成の他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図３７】本発明にかかる４段構成の他のバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図３８】本発明にかかる４段構成のさらに他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図３９】本発明にかかる４段構成のさらに他のバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図４０】本発明にかかる４段構成のさらに他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図４１】本発明にかかる４段構成のさらに他のバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図４２】図３０、図３２、図３４、図３６，図３８および図４０に示す４段構成のバンドパスフィルタの電気的特性を対比して示す図表である。
【図４３】本発明のバンドパスフィルタと対比するための５段構成のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図４４】図４３に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図４５】本発明のバンドパスフィルタと対比するための５段構成の他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図４６】図４５に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図４７】本発明のバンドパスフィルタと対比するための５段構成のさらに他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図４８】図４７に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図４９】本発明のバンドパスフィルタと対比するための５段構成のさらに他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図５０】図４９に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図５１】本発明のバンドパスフィルタと対比するための５段構成のさらに他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図５２】図５１に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図５３】本発明のバンドパスフィルタと対比するための５段構成のさらに他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図５４】図５３に示すバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図５５】本発明の第５実施例の５段構成の他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図５６】本発明にかかる５段構成のバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図５７】本発明にかかる４段構成の他のバンドパスフィルタの回路構成を示す図である。
【図５８】本発明にかかる４段構成の他のバンドパスフィルタの減衰特性およびリターンロス特性を示す図である。
【図５９】図４３、図４５、図４７、図４９、図５１、図５３、図５５および図５７に示す５段構成のバンドパスフィルタの電気的特性を対比して示す図表である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の第１実施例のバンドバスフィルタを図１ないし図７を参照しながら説明する。なお、図１に示す１段構成のバンドパスフィルタ（以下、「ＢＰＦ」という）１および図３に示す１段構成のＢＰＦ２は、図５に示す本発明の１段構成のＢＰＦ３と対比するためのＢＰＦとされている。
本発明の第１実施例のＢＰＦ３は、図５に示すように共振器３ａを１段用いた１段構成のＢＰＦとされている。共振器３ａは誘電体共振器とされ、酸化チタン系、酸化バリウム系等の誘電体セラミック材料を円筒状の形状になるよう焼結して構成されている。共振器３ａにはほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ３ａが形成されている。共振器３ａの上面を除く外面の全体には導電膜からなる外導体が形成されている。共振器３ａの下面において内導体Ｓ３ａと外導体とが短絡されて、下面は短絡面とされており、共振器３ａの上面は導電膜が形成されておらず開放面とされている。短絡面はアースされている。共振器３ａの電気長は、その共振周波数における波長λの約λ／４とされている。すなわち、共振器３ａの物理長は、約λ／４に誘電体材料の材質で決まる比誘電率から求めた短縮率を乗じた長さとされている。共振器３ａの開放面に露出している内導体Ｓ３ａは、キャパシタンスＣ３を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ３を介して接続されている。
【００１０】
図５に示す本発明の第１実施例における１段構成のＢＰＦ３は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器３ａの特性インピーダンスＺ3aが約１６．６６７Ωとされ、共振周波数ｆ3aが通過周波数と同じ約１５０．００ＭＨｚとされ、キャパシタンスＣ３は約４．０８ｐＦとされ、インダクタンスＬ３は約２７５．９ｎＨとされている。このようなＢＰＦ３の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図６に示されている。図６を参照すると、通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約２１．７ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約２１．６ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．１ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約１９．７ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約１９．７ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．０ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約１７．２ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約１７．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．１ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約１３．７ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約１３．７ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．０ｄＢとなっている。
【００１１】
次に、図１に示す１段構成のＢＰＦ１は、共振器１ａを１段用いた１段構成のＢＰＦとされている。共振器１ａは共振器３ａと同様の構成とされていることからその説明は省略するが、共振器１ａのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ１ａが形成されている。また、共振器１ａの開放面に露出している内導体Ｓ１ａは、キャパシタンスＣ１を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、出力端子ＯＵＴにキャパシタンスＣ２を介して接続されている。図１に示す１段構成のＢＰＦ１は、ＢＰＦ１の通過周波数を１５０．０ＭＨｚとした際に、共振器１ａの特性インピーダンスＺ1aが約１６．６６７Ωとされ、共振周波数ｆ1aが約１６２．３２４ＭＨｚとされ、キャパシタンスＣ１およびキャパシタンスＣ２が約３．９４６ｐＦとされている。このようなＢＰＦ１の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図２に示されている。
【００１２】
図２を参照すると、ＢＰＦ１は通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約２５．０ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約１８．９ｄＢとなり、両減衰量の差分は６．１ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約２２．３ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約１７．４ｄＢとなり、両減衰量の差分は４．９ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約１９．１ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約１５．５ｄＢとなり、両減衰量の差分は３．６ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約１４．９ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約１２．６ｄＢとなり、両減衰量の差分は２．３ｄＢとなっている。
【００１３】
また、図３に示す１段構成のＢＰＦ２は、共振器２ａを１段用いた１段構成のＢＰＦとされている。共振器２ａは共振器３ａと同様の構成とされていることからその説明は省略するが、共振器２ａのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ２ａが形成されている。また、共振器２ａの開放面に露出している内導体Ｓ２ａは、インダクタンスＬ１を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ２を介して接続されている。図３に示す１段構成のＢＰＦ２は、ＢＰＦ２の通過周波数を１５０．０ＭＨｚとした際に、共振器２ａの特性インピーダンスＺ2aが約１６．６６７Ωとされ、共振周波数ｆ2aが約１３８．６７４ＭＨｚとされ、インダクタンスＬ１およびインダクタンスＬ２が約２６３．５ｎＨとされている。このようなＢＰＦ２の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図４に示されている。
【００１４】
図４を参照すると、ＢＰＦ２は周波数１５０．０ＭＨｚにおいて５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約１８．５ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約２４．５ｄＢとなり、両減衰量の差分は６．０ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約１７．２ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約２２．０ｄＢとなり、両減衰量の差分は４．８ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約１５．４ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約１８．９ｄＢとなり、両減衰量の差分は３．５ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約１２．６ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約１４．９ｄＢとなり、両減衰量の差分は２．３ｄＢとなっている。
【００１５】
１段構成とされた図１に示すＢＰＦ１および図３に示すＢＰＦ２と、本発明にかかる１段構成とされた図５に示すＢＰＦ３の減衰特性の図表を図７に示す。図７を参照すると、結合素子がＣ１+Ｃ２のキャパシタンスのみとされているＢＰＦ１においては、差分の合計が１６．９ｄＢとなっており、ＢＰＦ１の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性が非対称となっていることが分かる。また、結合素子がＬ１+Ｌ２のインダクタンスのみとされているＢＰＦ２においても、差分の合計が１６．６ｄＢとなっており、ＢＰＦ２の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性が非対称となっていることが分かる。これに対して、結合素子がＣ３+Ｌ３のキャパシタンスとインダクタンスとの組み合わせとされている第１実施例のＢＰＦ３においては、差分の合計が０．２ｄＢとなっており、ＢＰＦ３の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となっていることが分かる。このように、結合素子におけるキャパシタンスの数とインダクタンスの数とを同数として組み合わせることにより、ＢＰＦ３の減衰特性をほぼ対称とすることができる。
【００１６】
次に、本発明の第２実施例のバンドバスフィルタを図８ないし図１６を参照しながら説明する。なお、図８に示す２段構成のＢＰＦ４および図１０に示す２段構成のＢＰＦ５は、図１２および図１４に示す本発明の２段構成のＢＰＦ６およびＢＰＦ７と対比するためのＢＰＦとされている。
本発明の第２実施例のＢＰＦ６は、図１２に示すように共振器６ａと共振器６ｂとを２段接続した２段構成のＢＰＦとされている。共振器６ａと共振器６ｂとは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器６ａおよび共振器６ｂのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ６ａおよび内導体Ｓ６ｂが形成されている。また、共振器６ａの開放面に露出している内導体Ｓ６ａは、キャパシタンスＣ７を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、インダクタンスＬ７を介して共振器６ｂの内導体Ｓ６ｂに接続され、内導体Ｓ６ｂは出力端子ＯＵＴにキャパシタンスＣ８を介して接続されている。
【００１７】
図１２に示す本発明の第２実施例における２段構成のＢＰＦ６は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器６ａおよび共振器６ｂの特性インピーダンスＺ6aおよび特性インピーダンスＺ6bが共に約１６．６６７Ωとされ、共振周波数ｆ6aおよび共振周波数ｆ6bが共に約１３８．１７ＭＨｚとされ、キャパシタンスＣ７およびキャパシタンスＣ８は共に約６．５３ｐＦとされ、インダクタンスＬ７は約５８４ｎＨとされている。このようなＢＰＦ６の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図１３に示されている。図１３を参照すると、リターンロスは双峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約２８ｄＢのリターンロスが得られ、最大５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約３４．５ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約３１．３ｄＢとなり、両減衰量の差分は３．２ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約３０．１ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約２７．６ｄＢとなり、両減衰量の差分は２．５ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約２４．６ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約２２．８ｄＢとなり、両減衰量の差分は１．８ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約１７．２ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約１６．０ｄＢとなり、両減衰量の差分は１．２ｄＢとなっている。
【００１８】
次に、本発明の第２実施例の他のＢＰＦ７の構成が図１２に示されている。このＢＰＦ７は、共振器７ａと共振器７ｂとを２段接続した２段構成のＢＰＦとされている。共振器７ａと共振器７ｂとは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器７ａおよび共振器７ｂのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ７ａおよび内導体Ｓ７ｂが形成されている。また、共振器７ａの開放面に露出している内導体Ｓ７ａは、インダクタンスＬ８を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、キャパシタンスＣ９を介して共振器７ｂの内導体Ｓ７ｂに接続され、内導体Ｓ７ｂは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ９を介して接続されている。
【００１９】
また、図１４に示す本発明の第２実施例における２段構成の他のＢＰＦ７は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器７ａおよび共振器７ｂの特性インピーダンスＺ7aおよび特性インピーダンスＺ7bが共に約１６．６６７Ωとされ、共振周波数ｆ7aおよび共振周波数ｆ7bが共に約１４３．９８ＭＨｚとされ、インダクタンスＬ８およびインダクタンスＬ９は共に約１６６ｎＨとされ、キャパシタンスＣ９は約２．０７ｐＦとされている。このようなＢＰＦ７の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図１５に示されている。図１５を参照すると、リターンロスは双峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約２８ｄＢのリターンロスが得られ、最大５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約３１．６ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約３４．４ｄＢとなり、両減衰量の差分は２．８ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約２７．８ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約３０．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は２．３ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約２３．０ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約２４．７ｄＢとなり、両減衰量の差分は１．７ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約１６．２ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約１７．３ｄＢとなり、両減衰量の差分は１．１ｄＢとなっている。
【００２０】
次に、図８に示す２段構成のＢＰＦ４は、共振器４ａと共振器４ｂとを２段接続した２段構成のＢＰＦとされている。共振器４ａと共振器４ｂとは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器４ａおよび共振器４ｂのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ４ａおよび内導体Ｓ４ｂが形成されている。また、共振器４ａの開放面に露出している内導体Ｓ４ａは、キャパシタンスＣ４を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、キャパシタンスＣ５を介して共振器４ｂの内導体Ｓ４ｂに接続され、内導体Ｓ４ｂは出力端子ＯＵＴにキャパシタンスＣ６を介して接続されている。図８に示す２段構成のＢＰＦ４は、ＢＰＦ４の通過周波数を１５０．０ＭＨｚとした際に、共振器４ａおよび共振器４ｂの特性インピーダンスＺ4aおよび特性インピーダンスＺ4bが共に約１６．６６７Ωとされ、共振周波数ｆ4aおよび共振周波数ｆ4bが共に約１６２．７０ＭＨｚとされ、キャパシタンスＣ４およびキャパシタンスＣ６は共に約６．４９ｐＦとされ、キャパシタンスＣ５は約１．９０ｐＦとされている。このようなＢＰＦ４の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図９に示されている。
【００２１】
図９を参照すると、リターンロスは双峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約２８ｄＢのリターンロスが得られ、最大５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約３７．５ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約２８．２ｄＢとなり、両減衰量の差分は９．３ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約３２．４ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約２５．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は７．３ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約２６．３ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約２０．８ｄＢとなり、両減衰量の差分は５．５ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約１８．２ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約１４．７ｄＢとなり、両減衰量の差分は３．５ｄＢとなっている。
【００２２】
また、図１０に示す２段構成の他のＢＰＦ５は、共振器５ａと共振器５ｂとを２段接続した２段構成のＢＰＦとされている。共振器５ａと共振器５ｂとは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器５ａおよび共振器５ｂのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ５ａおよび内導体Ｓ５ｂが形成されている。また、共振器５ａの開放面に露出している内導体Ｓ５ａは、インダクタンスＬ４を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、インダクタンスＬ５を介して共振器５ｂの内導体Ｓ５ｂに接続され、内導体Ｓ５ｂは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ６を介して接続されている。図１０に示す２段構成のＢＰＦ５は、ＢＰＦ５の通過周波数を１５０．０ＭＨｚとした際に、共振器５ａおよび共振器５ｂの特性インピーダンスＺ5aおよび特性インピーダンスＺ5bが共に約１６．６６７Ωとされ、共振周波数ｆ5aおよび共振周波数ｆ5bが共に約１３８．１７ＭＨｚとされ、インダクタンスＬ４およびインダクタンスＬ６は共に約１５９ｎＨとされ、インダクタンスＬ５は約５０５ｎＨとされている。このようなＢＰＦ５の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図１１に示されている。
【００２３】
図１１を参照すると、リターンロスは双峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約２８ｄＢのリターンロスが得られ、最大５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約２７．８ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約３７．０ｄＢとなり、両減衰量の差分は９．２ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約２４．８ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約３２．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は７．３ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約２０．７ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約２６．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は５．４ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約１４．６ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約１８．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は３．５ｄＢとなっている。
【００２４】
２段構成とされた図８に示すＢＰＦ４および図１０に示すＢＰＦ５、並びに、本発明にかかる２段構成とされた図１２に示すＢＰＦ６および図１４に示すＢＰＦ７の減衰特性の図表を図１６に示す。図１６を参照すると、結合素子がＣ４+Ｃ５+Ｃ６のキャパシタンスのみとされているＢＰＦ４においては、差分の合計が２５．６ｄＢとなっており、ＢＰＦ４の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性が非対称となっていることが分かる。また、結合素子がＬ４+Ｌ５+Ｌ６のインダクタンスのみとされているＢＰＦ５においても、差分の合計が２５．４ｄＢとなっており、ＢＰＦ５の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性が非対称となっていることが分かる。これに対して、結合素子がＣ７＋Ｌ７＋Ｃ８のキャパシタンスとインダクタンスの組み合わせとされている第２実施例のＢＰＦ６においては、差分の合計が８．７ｄＢとなっており、ＢＰＦ６の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となっていることが分かる。さらに、結合素子がＬ８＋Ｃ９＋Ｌ９のインダクタンスとキャパシタンスの組み合わせとされている第２実施例の他のＢＰＦ７においても、差分の合計が７．９ｄＢとなっており、ＢＰＦ６の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となっていることが分かる。このように、結合素子をキャパシタンスの数とインダクタンスの数との差が１となるように組み合わせることにより、ＢＰＦ６およびＢＰＦ７の減衰特性をほぼ対称とすることができる。なお、本発明の第２実施例における２段構成のＢＰＦ６，ＢＰＦ７の３ｄＢ帯域幅は約８．５ＭＨｚが得られており、１段構成のＢＰＦより２段構成のＢＰＦとすることにより通過帯域幅を広帯域化できると共に急峻な減衰特性とできることがわかる。
【００２５】
次に、本発明の第３実施例のバンドバスフィルタを図１７ないし図２９を参照しながら説明する。なお、図１７に示す３段構成のＢＰＦ８および図１９に示す３段構成のＢＰＦ９は、図２１、図２３、図２５および図２７に示す本発明にかかる３段構成のＢＰＦ１０，ＢＰＦ１１，ＢＰＦ１２およびＢＰＦ１３と対比するためのＢＰＦとされている。
本発明の第３実施例のＢＰＦ１０は、図２１に示すように共振器１０ａと共振器１０ｂと共振器１０ｃとを３段接続した３段構成のＢＰＦとされている。共振器１０ａ，共振器１０ｂおよび共振器１０ｃは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器１０ａ，共振器１０ｂおよび共振器１０ｃのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ１０ａ，内導体Ｓ１０ｂおよび内導体Ｓ１０ｃが形成されている。また、共振器１０ａの開放面に露出している内導体Ｓ１０ａは、キャパシタンスＣ１４を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、インダクタンスＬ１４を介して共振器１０ｂの内導体Ｓ１０ｂに接続され、内導体Ｓ１０ｂはインダクタンスＬ１５を介して共振器１０ｃの内導体Ｓ１０ｃに接続され、内導体Ｓ１０ｃは出力端子ＯＵＴにキャパシタンスＣ１５を介して接続されている。
【００２６】
図２１に示す本発明の第３実施例における３段構成のＢＰＦ１０は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器１０ａ，共振器１０ｂおよび共振器１０ｃの特性インピーダンスＺ10a，特性インピーダンスＺ10bおよび，特性インピーダンスＺ10cが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器１０ａの共振周波数ｆ10aおよび共振器１０ｃの共振周数ｆ10cが共に約１５７．８９ＭＨｚとされ、共振器１０ｂの共振周数ｆ10bが約１４３．７２ＭＨｚとされている。キャパシタンスＣ１４およびキャパシタンスＣ１５は共に約８．２２ｐＦとされ、インダクタンスＬ１４およびインダクタンスＬ１５は共に約４９２ｎＨとされている。このようなＢＰＦ１０の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図２２に示されている。図２２を参照すると、リターンロスは三峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約４５．９ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約４５．９ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．０ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約３９．８ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約３９．９ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．１ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約３２．１ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約３２．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．０ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約２１．２ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約２１．２ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．０ｄＢとなっている。
【００２７】
また、本発明の第３実施例の他のＢＰＦ１１の構成が図２３に示されている。このＢＰＦ１１は、共振器１１ａと共振器１１ｂと共振器１１ｃとを３段接続した３段構成のＢＰＦとされている。共振器１１ａ，共振器１１ｂおよび共振器１１ｃは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器１１ａ，共振器１１ｂおよび共振器１１ｃのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ１１ａ，内導体Ｓ１１ｂおよび内導体Ｓ１１ｃが形成されている。また、共振器１１ａの開放面に露出している内導体Ｓ１１ａは、インダクタンスＬ１６を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、キャパシタンスＣ１６を介して共振器１１ｂの内導体Ｓ１１ｂに接続され、内導体Ｓ１１ｂはキャパシタンスＣ１７を介して共振器１１ｃの内導体Ｓ１１ｃに接続され、内導体Ｓ１１ｃは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ１７を介して接続されている。
【００２８】
図２３に示す本発明の第３実施例における３段構成の他のＢＰＦ１１は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器１１ａ，共振器１１ｂおよび共振器１１ｃの特性インピーダンスＺ11a，特性インピーダンスＺ11bおよび特性インピーダンスＺ11cが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器１１ａの共振周波数ｆ11aおよび共振器１１ｃの共振周数ｆ11cが共に約１４２．５６ＭＨｚとされ、共振器１１ｂの共振周数ｆ11bが約１５６．７９ＭＨｚとされている。インダクタンスＬ１６およびインダクタンスＬ１７は共に約１３２ｎＨとされ、キャパシタンスＣ１６およびキャパシタンスＣ１７は共に約２．２５ｐＦとされている。このようなＢＰＦ１１の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図２４に示されている。図２４を参照すると、リターンロスは三峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約４７．０ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約４６．５ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．５ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約４０．８ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約４０．４ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．４ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約３３．０ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約３２．７ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．３ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約２２．０ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約２１．８ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．２ｄＢとなっている。
【００２９】
さらに、本発明の第３実施例のさらに他のＢＰＦ１２の構成が図２５に示されている。このＢＰＦ１２は、共振器１２ａと共振器１２ｂと共振器１２ｃとを３段接続した３段構成のＢＰＦとされている。共振器１２ａ，共振器１２ｂおよび共振器１２ｃは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器１２ａ，共振器１２ｂおよび共振器１２ｃのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ１２ａ，内導体Ｓ１２ｂおよび内導体Ｓ１２ｃが形成されている。また、共振器１２ａの開放面に露出している内導体Ｓ１２ａは、キャパシタンスＣ１８を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、インダクタンスＬ１８を介して共振器１２ｂの内導体Ｓ１２ｂに接続され、内導体Ｓ１２ｂはキャパシタンスＣ１９を介して共振器１２ｃの内導体Ｓ１２ｃに接続され、内導体Ｓ１２ｃは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ１９を介して接続されている。
【００３０】
図２５に示す本発明の第３実施例における３段構成のさらに他のＢＰＦ１２は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器１２ａ，共振器１２ｂおよび共振器１２ｃの特性インピーダンスＺ12a，特性インピーダンスＺ12bおよび特性インピーダンスＺ12cが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器１２ａの共振周波数ｆ12aが約１５８．１０ＭＨｚとされ共振器１２ｂの共振周数ｆ12bが約１５０．１２ＭＨｚとされ、共振器１２ｃの共振周数ｆ12cが共に約１４２．５５ＭＨｚとされている。キャパシタンスＣ１８は約８．４２ｐＦとされ、インダクタンスＬ１８は約４９０ｎＨとされ、キャパシタンスＣ１９は約２．３７ｐＦとされ、インダクタンスＬ１９は約１２９ｎＨとされている。このようなＢＰＦ１２の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図２６に示されている。図２６を参照すると、リターンロスは三峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約４８ｄＢのリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約４５．６ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約４５．３ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．３ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約３９．５ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約３９．３ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．２ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約３１．７ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約３１．５ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．２ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約２０．８ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約２０．７ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．１ｄＢとなっている。
【００３１】
次に、本発明の第３実施例のさらに他のＢＰＦ１２の構成が図２７に示されている。このＢＰＦ１３は、共振器１３ａと共振器１３ｂと共振器１３ｃとを３段接続した３段構成のＢＰＦとされている。共振器１３ａ，共振器１３ｂおよび共振器１３ｃは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器１３ａ，共振器１３ｂおよび共振器１３ｃのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ１３ａ，内導体Ｓ１３ｂおよび内導体Ｓ１３ｃが形成されている。また、共振器１３ａの開放面に露出している内導体Ｓ１３ａは、キャパシタンスＣ２０を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、キャパシタンスＣ２１を介して共振器１３ｂの内導体Ｓ１３ｂに接続され、内導体Ｓ１３ｂはインダクタンスＬ２０を介して共振器１３ｃの内導体Ｓ１３ｃに接続され、内導体Ｓ１３ｃは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ２１を介して接続されている。
【００３２】
図２７に示す本発明の第３実施例における３段構成のさらに他のＢＰＦ１３は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器１３ａ，共振器１３ｂおよび共振器１３ｃの特性インピーダンスＺ13a，特性インピーダンスＺ13bおよび特性インピーダンスＺ13cが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器１３ａの共振周波数ｆ13aが約１６５．２２ＭＨｚとされ共振器１３ｂの共振周数ｆ13bが約１４９．５５ＭＨｚとされ、共振器１３ｃの共振周数ｆ13cが共に約１３５．９６ＭＨｚとされている。キャパシタンスＣ２０は約８．０８ｐＦとされ、キャパシタンスＣ２１は約２．２５ｐＦとされ、インダクタンスＬ２０は約４４４ｎＨとされ、インダクタンスＬ２１は約１１９ｎＨとされている。このようなＢＰＦ１３の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図２８に示されている。図２８を参照すると、リターンロスは三峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約３５ｄＢのリターンロスが得られ、最大約４１ｄＢのリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約４５．２ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約４５．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．１ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約３９．１ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約３９．０ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．１ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約３１．３ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約３１．３ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．０ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約２０．４ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約２０．４ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．０ｄＢとなっている。
【００３３】
次に、図１７に示す３段構成のＢＰＦ８は、共振器８ａと共振器８ｂと共振器８ｃとを３段接続した３段構成のＢＰＦとされている。共振器８ａ，共振器８ｂおよび共振器８ｃは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器８ａ，共振器８ｂおよび共振器８ｃのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ８ａ，内導体Ｓ８ｂおよび内導体Ｓ８ｃが形成されている。また、共振器８ａの開放面に露出している内導体Ｓ８ａは、キャパシタンスＣ１０を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、キャパシタンスＣ１１を介して共振器８ｂの内導体Ｓ８ｂに接続され、内導体Ｓ８ｂはキャパシタンスＣ１２を介して共振器８ｃの内導体Ｓ８ｃ接続され、内導体Ｓ８ｃは出力端子ＯＵＴにキャパシタンスＣ１３を介して接続されている。図１７に示す３段構成のＢＰＦ８は、ＢＰＦ８の通過周波数を１５０．０ＭＨｚとした際に、共振器８ａ，共振器８ｂおよび共振器８ｃの特性インピーダンスＺ8a，特性インピーダンスＺ8bおよび特性インピーダンスＺ8cが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器８ａの共振周波数ｆ8aおよび共振器８ｃの共振周数ｆ8cが共に約１６５．１４ＭＨｚとされ、共振器８ｂの共振周数ｆ8bが約１５６．８０ＭＨｚとされている。キャパシタンスＣ１０およびキャパシタンスＣ１３は共に約８．１０ｐＦとされ、キャパシタンスＣ１１およびキャパシタンスＣ１２は共に約２．１７ｐＦとされとされている。このようなＢＰＦ８の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図１８に示されている。
【００３４】
図１８を参照すると、リターンロスは三峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約４８ｄＢのリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約５２．５ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約４０．０ｄＢとなり、両減衰量の差分は１２．５ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約４５．０ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約３５．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は９．９ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約３５．８ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約２８．５ｄＢとなり、両減衰量の差分は７．３ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約２３．６ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約１８．９ｄＢとなり、両減衰量の差分は４．７ｄＢとなっている。
【００３５】
また、図１９に示す３段構成のＢＰＦ９は、共振器９ａと共振器９ｂと共振器９ｃとを３段接続した３段構成のＢＰＦとされている。共振器９ａ，共振器９ｂおよび共振器９ｃは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器９ａ，共振器９ｂおよび共振器９ｃのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ９ａ，内導体Ｓ９ｂおよび内導体Ｓ９ｃが形成されている。また、共振器９ａの開放面に露出している内導体Ｓ９ａは、インダクタンスＬ１０を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、インダクタンスＬ１１を介して共振器９ｂの内導体Ｓ９ｂに接続され、内導体Ｓ９ｂはインダクタンスＬ１２を介して共振器９ｃの内導体Ｓ９ｃ接続され、内導体Ｓ９ｃは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ１３を介して接続されている。図１９に示す３段構成のＢＰＦ９は、ＢＰＦ９の通過周波数を１５０．０ＭＨｚとした際に、共振器９ａ，共振器９ｂおよび共振器９ｃの特性インピーダンスＺ9a，特性インピーダンスＺ9bおよび特性インピーダンスＺ9cが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器９ａの共振周波数ｆ9aおよび共振器９ｃの共振周数ｆ9cが共に約１３６．２９ＭＨｚとされ、共振器９ｂの共振周数ｆ9bが約１４２．８５ＭＨｚとされている。インダクタンスＬ１０およびインダクタンスＬ１３は共に約１２５ｎＨとされ、インダクタンスＬ１１およびインダクタンスＬ１２は共に約４５１ｎＨとされとされている。このようなＢＰＦ９の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図２０に示されている。
【００３６】
図２０を参照すると、リターンロスは三峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約５０ｄＢのリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約３９．５ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約５１．８ｄＢとなり、両減衰量の差分は１２．３ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約３４．８ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約４４．６ｄＢとなり、両減衰量の差分は９．８ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約２８．３ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約３５．７ｄＢとなり、両減衰量の差分は７．４ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約１８．８ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約２３．６ｄＢとなり、両減衰量の差分は４．８ｄＢとなっている。
【００３７】
３段構成とされた図１７に示すＢＰＦ８および図１９に示すＢＰＦ９、並びに、本発明にかかる３段構成とされた図２１に示すＢＰＦ１０、図２３に示すＢＰＦ１１、図２５に示すＢＰＦ１２および図２７に示すＢＰＦ１３の減衰特性の図表を図２９に示す。図２９を参照すると、結合素子がＣ１０+Ｃ１１+Ｃ１２+Ｃ１３のキャパシタンスのみとされているＢＰＦ８においては、差分の合計が３４．４ｄＢとなっており、ＢＰＦ８の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性が非対称となっていることが分かる。また、結合素子がＬ１０+Ｌ１１+Ｌ１２+Ｌ１３のインダクタンスのみとされているＢＰＦ９においても、差分の合計が３４．３ｄＢとなっており、ＢＰＦ９の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性が非対称となっていることが分かる。これに対して、結合素子がＣ１４＋Ｌ１４＋Ｌ１５＋Ｃ１５のキャパシタンスとインダクタンスの組み合わせとされている第３実施例のＢＰＦ１０においては、差分の合計が０．１ｄＢとなっており、ＢＰＦ１０の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となっていることが分かる。
【００３８】
さらに、結合素子がＬ１６＋Ｃ１６＋Ｃ１７＋Ｌ１７のインダクタンスとキャパシタンスの組み合わせとされている第３実施例の他のＢＰＦ１１においても、差分の合計が１．４ｄＢとなっており、ＢＰＦ１１の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となっていることが分かる。さらにまた、結合素子がＣ１８＋Ｌ１８＋Ｃ１９＋Ｌ１９のインダクタンスとキャパシタンスの組み合わせとされている第３実施例のさらに他のＢＰＦ１２においても、差分の合計が０．８ｄＢとなっており、ＢＰＦ１２の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となっていることが分かる。さらにまた、結合素子がＣ２０＋Ｃ２１＋Ｌ２０＋Ｌ２１のインダクタンスとキャパシタンスの組み合わせとされている第３実施例のさらに他のＢＰＦ１３においても、差分の合計が０．２ｄＢとなっており、ＢＰＦ１３の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となっていることが分かる。このように、４つの結合素子をキャパシタンスの数とインダクタンスの数とを同数として組み合わせることにより、ＢＰＦ１０ないしＢＰＦ１３の減衰特性をほぼ対称とすることができる。また、キャパシタンスとインダクタンスとの接続素子の接続順により若干減衰特性は変化するが、いずれのＢＰＦにおいてもほぼ対称の減衰特性が得られていることから、接続順は任意の接続順とすることができる。なお、本発明の第３実施例における３段構成のＢＰＦ１０ないしＢＰＦ１３の３ｄＢ帯域幅は約１０ＭＨｚが得られており、２段構成のＢＰＦより３段構成のＢＰＦとすることにより通過帯域幅を広帯域化できると共により急峻な減衰特性とできることがわかる。
【００３９】
次に、本発明の第４実施例のバンドバスフィルタを図３０ないし図４２を参照しながら説明する。なお、図３０に示す４段構成のＢＰＦ１４および図３２に示す４段構成のＢＰＦ１５は、図３４、図３６、図３８および図４０に示す本発明にかかる４段構成のＢＰＦ１６，ＢＰＦ１７，ＢＰＦ１８およびＢＰＦ１９と対比するためのＢＰＦとされている。
本発明の第４実施例のＢＰＦ１６は、図３４に示すように共振器１６ａと共振器１６ｂと共振器１６ｃと共振器１６ｄとを４段接続した４段構成のＢＰＦとされている。共振器１６ａ，共振器１６ｂ，共振器１６ｃおよび共振器１６ｄは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器１６ａ，共振器１６ｂ，共振器１６ｃおよび共振器１６ｄのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ１６ａ，内導体Ｓ１６ｂ，内導体Ｓ１６ｃおよび内導体Ｓ１６ｄが形成されている。また、共振器１６ａの開放面に露出している内導体Ｓ１６ａは、キャパシタンスＣ３５を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、インダクタンスＬ３５を介して共振器１６ｂの内導体Ｓ１６ｂに接続され、内導体Ｓ１６ｂはインダクタンスＬ３６を介して共振器１６ｃの内導体Ｓ１６ｃに接続され、内導体Ｓ１６ｃはインダクタンスＬ３７を介して共振器１６ｄの内導体Ｓ１６ｄに接続され、内導体Ｓ１６ｄは出力端子ＯＵＴにキャパシタンスＣ３６を介して接続されている。
【００４０】
図３４に示す本発明の第４実施例における４段構成のＢＰＦ１６は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器１６ａ，共振器１６ｂ，共振器１６ｃおよび共振器１６ｄの特性インピーダンスＺ16a，特性インピーダンスＺ16b，特性インピーダンスＺ16cおよび特性インピーダンスＺ16dが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器１６ａの共振周波数ｆ16aおよび共振器１６ｄの共振周数ｆ16dが共に約１５８．３１ＭＨｚとされ、共振器１６ｂの共振周数ｆ16bおよび共振器１６ｃの共振周数ｆ16cが共に約１４３．６０ＭＨｚとされている。キャパシタンスＣ３５およびキャパシタンスＣ３６は共に約９．１６ｐＦとされ、インダクタンスＬ３５およびインダクタンスＬ３７は共に約４２５ｎＨとされ、インダクタンスＬ３６は約５６３ｎＨとされている。このようなＢＰＦ１６の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図３５に示されている。図３５を参照すると、リターンロスは四峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約２７ｄＢのリターンロスが得られ、最大５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約５９．４ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約６２．７ｄＢとなり、両減衰量の差分は３．３ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約５１．６ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約５４．２ｄＢとなり、両減衰量の差分は２．６ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約４１．６ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約４３．５ｄＢとなり、両減衰量の差分は１．９ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約２７．１ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約２８．３ｄＢとなり、両減衰量の差分は１．２ｄＢとなっている。
【００４１】
また、本発明の第４実施例の他のＢＰＦ１７は、図３６に示すように共振器１７ａと共振器１７ｂと共振器１７ｃと共振器１７ｄとを４段接続した４段構成のＢＰＦとされている。共振器１７ａと共振器１７ｂと共振器１７ｃと共振器１７ｄは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器１７ａと共振器１７ｂと共振器１７ｃと共振器１７ｄのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ１７ａ，内導体Ｓ１７ｂ，内導体Ｓ１７ｃおよび内導体Ｓ１７ｄが形成されている。また、共振器１７ａの開放面に露出している内導体Ｓ１７ａは、インダクタンスＬ３８を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、キャパシタンスＣ３７を介して共振器１７ｂの内導体Ｓ１７ｂに接続され、内導体Ｓ１７ｂはキャパシタンスＣ３８を介して共振器１７ｃの内導体Ｓ１７ｃに接続され、内導体Ｓ１７ｃはキャパシタンスＣ３９を介して共振器１７ｄの内導体Ｓ１７ｄに接続され、内導体Ｓ１７ｄは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ３９を介して接続されている。
【００４２】
図３６に示す本発明の第４実施例における４段構成のＢＰＦ１７は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器１７ａと共振器１７ｂと共振器１７ｃと共振器１７ｄの特性インピーダンスＺ17a，特性インピーダンスＺ17b，特性インピーダンスＺ17cおよび特性インピーダンスＺ17dが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器１７ａの共振周波数ｆ17aおよび共振器１７ｄの共振周数ｆ17dが共に約１４２．１７ＭＨｚとされ、共振器１７ｂの共振周数ｆ17bおよび共振器１７ｃの共振周数ｆ17cが共に約１５６．６８ＭＨｚとされている。インダクタンスＬ３８およびインダクタンスＬ３９は共に約１１８ｎＨとされ、キャパシタンスＣ３７およびキャパシタンスＣ３９は共に約２．６３ｐＦとされ、キャパシタンスＣ３８は約１．８２ｐＦとされている。このようなＢＰＦ１７の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図３７に示されている。図３７を参照すると、リターンロスは四峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約２７ｄＢのリターンロスが得られ、最大５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約６３．８ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約６０．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は３．７ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約５５．２ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約５２．３ｄＢとなり、両減衰量の差分は２．９ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約４４．３ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約４２．２ｄＢとなり、両減衰量の差分は２．１ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約２９．０ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約２７．７ｄＢとなり、両減衰量の差分は１．３ｄＢとなっている。
【００４３】
さらに、本発明の第４実施例のさらに他のＢＰＦ１８は、図３８に示すように共振器１８ａと共振器１８ｂと共振器１８ｃと共振器１８ｄとを４段接続した４段構成のＢＰＦとされている。共振器１８ａと共振器１８ｂと共振器１８ｃと共振器１８ｄは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器１８ａと共振器１８ｂと共振器１８ｃと共振器１８ｄのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ１８ａ，内導体Ｓ１８ｂ，内導体Ｓ１８ｃおよび内導体Ｓ１８ｄが形成されている。また、共振器１８ａの開放面に露出している内導体Ｓ１８ａは、キャパシタンスＣ４０を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、インダクタンスＬ４０を介して共振器１８ｂの内導体Ｓ１８ｂに接続され、内導体Ｓ１８ｂはキャパシタンスＣ４１を介して共振器１８ｃの内導体Ｓ１８ｃに接続され、内導体Ｓ１８ｃはインダクタンスＬ４１を介して共振器１８ｄの内導体Ｓ１８ｄに接続され、内導体Ｓ１８ｄは出力端子ＯＵＴにキャパシタンスＣ４２を介して接続されている。
【００４４】
図３８に示す本発明の第４実施例における４段構成のＢＰＦ１８は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器１８ａと共振器１８ｂと共振器１８ｃと共振器１８ｄの特性インピーダンスＺ18a，特性インピーダンスＺ18b，特性インピーダンスＺ18cおよび特性インピーダンスＺ18dが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器１８ａの共振周波数ｆ18aおよび共振器１８ｄの共振周数ｆ18dが共に約１５８．４４ＭＨｚとされ、共振器１８ｂの共振周数ｆ18bおよび共振器１８ｃの共振周数ｆ18cが共に約１４９．０８ＭＨｚとされている。キャパシタンスＣ４０およびキャパシタンスＣ４２は共に約９．１８ｐＦとされ、キャパシタンスＣ４１は約１．９２ｐＦとされ、インダクタンスＬ４０およびインダクタンスＬ４１は共に約４３３ｎＨとされている。このようなＢＰＦ１８の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図３９に示されている。図３９を参照すると、リターンロスは四峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約２７ｄＢのリターンロスが得られ、最大５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約６２．７ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約５９．６ｄＢとなり、両減衰量の差分は３．１ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約５４．２ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約５１．８ｄＢとなり、両減衰量の差分は２．４ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約４３．４ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約４１．６ｄＢとなり、両減衰量の差分は１．８ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約２８．２ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約２７．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は１．１ｄＢとなっている。
【００４５】
さらにまた、本発明の第４実施例のさらに他のＢＰＦ１９は、図４０に示すように共振器１９ａと共振器１９ｂと共振器１９ｃと共振器１９ｄとを４段接続した４段構成のＢＰＦとされている。共振器１９ａと共振器１９ｂと共振器１９ｃと共振器１９ｄは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器１９ａと共振器１９ｂと共振器１９ｃと共振器１９ｄのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ１９ａ，内導体Ｓ１９ｂ，内導体Ｓ１９ｃおよび内導体Ｓ１９ｄが形成されている。また、共振器１９ａの開放面に露出している内導体Ｓ１９ａは、インダクタンスＬ４２を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、キャパシタンスＣ４３を介して共振器１９ｂの内導体Ｓ１９ｂに接続され、内導体Ｓ１９ｂはインダクタンスＬ４３を介して共振器１９ｃの内導体Ｓ１９ｃに接続され、内導体Ｓ１９ｃはキャパシタンスＣ４４を介して共振器１９ｄの内導体Ｓ１９ｄに接続され、内導体Ｓ１９ｄは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ４４を介して接続されている。
【００４６】
図４０に示す本発明の第４実施例における４段構成のＢＰＦ１９は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器１９ａと共振器１９ｂと共振器１９ｃと共振器１９ｄの特性インピーダンスＺ19a，特性インピーダンスＺ19b，特性インピーダンスＺ19cおよび特性インピーダンスＺ19dが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器１９ａの共振周波数ｆ19aおよび共振器１９ｄの共振周数ｆ19dが共に約１４２．１２４ＭＨｚとされ、共振器１９ｂの共振周数ｆ19bおよび共振器１９ｃの共振周数ｆ19cが共に約１５１．１５ＭＨｚとされている。インダクタンスＬ４２およびインダクタンスＬ４４は共に約１１５ｎＨとされ、インダクタンスＬ４３は約５８８ｎＨとされ、キャパシタンスＣ４３およびキャパシタンスＣ４４は共に約２．７４ｐＦとされている。このようなＢＰＦ１９の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図４１に示されている。図４１を参照すると、リターンロスは四峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約２７ｄＢのリターンロスが得られ、最大５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約５９．７ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約６２．０ｄＢとなり、両減衰量の差分は２．３ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約５１．８ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約５３．６ｄＢとなり、両減衰量の差分は１．８ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約４１．６ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約４２．９ｄＢとなり、両減衰量の差分は１．３ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約２７．０ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約２７．８ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．８ｄＢとなっている。
【００４７】
次に、図３０に示す４段構成のＢＰＦ１４は、共振器１４ａと共振器１４ｂと共振器１４ｃと共振器１４ｄとを４段接続した４段構成のＢＰＦとされている。共振器１４ａと共振器１４ｂと共振器１４ｃと共振器１４ｄは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器１４ａと共振器１４ｂと共振器１４ｃと共振器１４ｄのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ１４ａ，内導体Ｓ１４ｂ，内導体Ｓ１４ｃおよび内導体Ｓ１４ｄが形成されている。また、共振器１４ａの開放面に露出している内導体Ｓ１４ａは、キャパシタンスＣ３０を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、キャパシタンスＣ３１を介して共振器１４ｂの内導体Ｓ１４ｂに接続され、内導体Ｓ１４ｂはキャパシタンスＣ３２を介して共振器１４ｃの内導体Ｓ１４ｃに接続され、内導体Ｓ１４ｃはキャパシタンスＣ３３を介して共振器１４ｄの内導体Ｓ１４ｄに接続され、内導体Ｓ１４ｄは出力端子ＯＵＴにキャパシタンスＣ３４を介して接続されている。
【００４８】
図３０に示す４段構成のＢＰＦ１４は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器１４ａと共振器１４ｂと共振器１４ｃと共振器１４ｄの特性インピーダンスＺ14a，特性インピーダンスＺ14b，特性インピーダンスＺ14cおよび特性インピーダンスＺ14dが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器１４ａの共振周波数ｆ14aおよび共振器１４ｄの共振周数ｆ14dが共に約１６６．９０ＭＨｚとされ、共振器１４ｂの共振周数ｆ14bおよび共振器１４ｃの共振周数ｆ14cが共に約１５６．８８ＭＨｚとされている。キャパシタンスＣ３０およびキャパシタンスＣ３４は共に約９．０９ｐＦとされ、キャパシタンスＣ３１およびキャパシタンスＣ３３は共に約２．５４ｐＦとされ、キャパシタンスＣ３２は約１．８７ｐＦとされている。このようなＢＰＦ１４の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図３１に示されている。図３１を参照すると、リターンロスは四峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約２７ｄＢのリターンロスが得られ、最大５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約６８．８ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約５３．２ｄＢとなり、両減衰量の差分は１５．６ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約５８．９ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約４６．５ｄＢとなり、両減衰量の差分は１２．４ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約４６．７ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約３７．５ｄＢとなり、両減衰量の差分は９．２ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約３０．１ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約２４．２ｄＢとなり、両減衰量の差分は５．９ｄＢとなっている。
【００４９】
また、図３２に示す４段構成のＢＰＦ１５は、共振器１５ａと共振器１５ｂと共振器１５ｃと共振器１５ｄとを４段接続した４段構成のＢＰＦとされている。共振器１５ａと共振器１５ｂと共振器１５ｃと共振器１５ｄは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器１５ａと共振器１５ｂと共振器１５ｃと共振器１５ｄのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ１５ａ，内導体Ｓ１５ｂ，内導体Ｓ１５ｃおよび内導体Ｓ１５ｄが形成されている。また、共振器１５ａの開放面に露出している内導体Ｓ１５ａは、インダクタンスＬ３０を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、インダクタンスＬ３１を介して共振器１５ｂの内導体Ｓ１５ｂに接続され、内導体Ｓ１５ｂはインダクタンスＬ３２を介して共振器１５ｃの内導体Ｓ１５ｃに接続され、内導体Ｓ１５ｃはインダクタンスＬ３３を介して共振器１５ｄの内導体Ｓ１５ｄに接続され、内導体Ｓ１５ｄは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ３４を介して接続されている。
【００５０】
図３２に示す４段構成のＢＰＦ１５は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器１５ａと共振器１５ｂと共振器１５ｃと共振器１５ｄの特性インピーダンスＺ15a，特性インピーダンスＺ15b，特性インピーダンスＺ15cおよび特性インピーダンスＺ15dが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器１５ａの共振周波数ｆ15aおよび共振器１５ｄの共振周数ｆ15dが共に約１３４．９２ＭＨｚとされ、共振器１５ｂの共振周数ｆ15bおよび共振器１５ｃの共振周数ｆ15cが共に約１４２．８７ＭＨｚとされている。インダクタンスＬ３０およびインダクタンスＬ３４は共に約１０９ｎＨとされ、インダクタンスＬ３１およびインダクタンスＬ３３は共に約３８０ｎＨとされ、インダクタンスＬ３２は約５４６ｎＨとされている。このようなＢＰＦ１５の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図３３に示されている。図３３を参照すると、リターンロスは四峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約２７ｄＢのリターンロスが得られ、最大５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約５２．４ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約６７．７ｄＢとなり、両減衰量の差分は１５．３ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約４６．０ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約５８．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は１２．１ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約３７．２ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約４６．２ｄＢとなり、両減衰量の差分は９．０ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約２４．０ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約２９．８ｄＢとなり、両減衰量の差分は５．８ｄＢとなっている。
【００５１】
４段構成とされた図３０に示すＢＰＦ１４および図３２に示すＢＰＦ１５、並びに、本発明にかかる４段構成とされた図３４に示すＢＰＦ１６、図３６に示すＢＰＦ１７、図３８に示すＢＰＦ１８および図４０に示すＢＰＦ１９の減衰特性の図表を図４２に示す。図４２を参照すると、結合素子がＣ３０+Ｃ３１+Ｃ３２+Ｃ３３+Ｃ３４のキャパシタンスのみとされているＢＰＦ１４においては、差分の合計が４３．１ｄＢとなっており、ＢＰＦ１４の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性が非対称となっていることが分かる。また、結合素子がＬ３０+Ｌ３１+Ｌ３２+Ｌ３３＋Ｌ３４のインダクタンスのみとされているＢＰＦ１５においても、差分の合計が４２．２ｄＢとなっており、ＢＰＦ１５の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性が非対称となっていることが分かる。これに対して、結合素子がＣ３５＋Ｌ３５＋Ｌ３６＋Ｌ３７＋Ｃ３６のキャパシタンスとインダクタンスの組み合わせとされている第４実施例のＢＰＦ１６においては、差分の合計が９．０ｄＢとなっており、ＢＰＦ１６の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となっていることが分かる。
【００５２】
さらに、結合素子がＬ３８＋Ｃ３７＋Ｃ３８＋Ｃ３９＋Ｌ３９のインダクタンスとキャパシタンスの組み合わせとされている第４実施例の他のＢＰＦ１７においても、差分の合計が１０．０ｄＢとなっており、ＢＰＦ１７の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となっていることが分かる。さらにまた、結合素子がＣ４０＋Ｌ４０＋Ｃ４１＋Ｌ４１＋Ｃ４２のインダクタンスとキャパシタンスの組み合わせとされている第４実施例のさらに他のＢＰＦ１８においても、差分の合計が８．４ｄＢとなっており、ＢＰＦ１８の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となっていることが分かる。さらにまた、結合素子がＬ４２＋Ｃ４３＋Ｌ４３＋Ｃ４４＋Ｌ４４のインダクタンスとキャパシタンスの組み合わせとされている第４実施例のさらに他のＢＰＦ１９においても、差分の合計が６．２ｄＢとなっており、ＢＰＦ１９の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となっていることが分かる。このように、結合素子をキャパシタンスの数とインダクタンスの数との差が１となるように組み合わせることにより、ＢＰＦ１６ないしＢＰＦ１９の減衰特性をほぼ対称とすることができる。また、キャパシタンスとインダクタンスとの接続素子の接続順により若干減衰特性は変化するが、いずれのＢＰＦにおいてもほぼ対称の減衰特性が得られていることから、接続順は任意の接続順とすることができる。なお、本発明の第４実施例における４段構成のＢＰＦ１６ないしＢＰＦ１９の３ｄＢ帯域幅は約１１ＭＨｚが得られており、３段構成のＢＰＦより４段構成のＢＰＦとすることにより通過帯域幅を広帯域化できると共により急峻な減衰特性とできることがわかる。
【００５３】
次に、本発明の第５実施例のバンドバスフィルタを図４３ないし図５９を参照しながら説明する。なお、図４３、図４５、図４７、図４９、図５１、図５３に示す５段構成のＢＰＦ２０ないし５段構成のＢＰＦ２５は、図５５および図５７に示す本発明にかかる５段構成のＢＰＦ２６およびＢＰＦ２７と対比するためのＢＰＦとされている。
本発明の第５実施例のＢＰＦ２６は、図５５に示すように共振器２６ａと共振器２６ｂと共振器２６ｃと共振器２６ｄと共振器２６ｅを５段接続した５段構成のＢＰＦとされている。共振器２６ａと共振器２６ｂと共振器２６ｃと共振器２６ｄと共振器２６ｅは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器２６ａと共振器２６ｂと共振器２６ｃと共振器２６ｄと共振器２６ｅのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ２６ａ，内導体Ｓ２６ｂ，内導体Ｓ２６ｃ，内導体Ｓ２６ｄおよび内導体Ｓ２６ｅが形成されている。また、共振器２６ａの開放面に露出している内導体Ｓ２６ａは、キャパシタンスＣ６８を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、インダクタンスＬ６８を介して共振器２６ｂの内導体Ｓ２６ｂに接続され、内導体Ｓ２６ｂはキャパシタンスＣ６９を介して共振器２６ｃの内導体Ｓ２６ｃに接続され、内導体Ｓ２６ｃはインダクタンスＬ６９を介して共振器２６ｄの内導体Ｓ２６ｄに接続され、内導体Ｓ２６ｄはキャパシタンスＣ７０を介して共振器２６ｅの内導体Ｓ２６ｅに接続され、内導体Ｓ２６ｅは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ７０を介して接続されている。
【００５４】
図５５に示す本発明の第５実施例における５段構成のＢＰＦ２６は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器２６ａと共振器２６ｂと共振器２６ｃと共振器２６ｄと共振器２６ｅの特性インピーダンスＺ26a，特性インピーダンスＺ26b，特性インピーダンスＺ26c，特性インピーダンスＺ26dおよび特性インピーダンスＺ26eが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器２６ａの共振周波数ｆ26aが約１５８．６１ＭＨｚとされ、共振器２６ｂの共振周数ｆ26bが約１４８．８０ＭＨｚとされ、共振器２６ｃの共振周数ｆ26cが約１５０．０２ＭＨｚとされ、共振器２６ｄの共振周数ｆ26dが約１５１．４５ＭＨｚとされ、共振器２６ｅの共振周数ｆ26eが約１４１．８８ＭＨｚとされている。キャパシタンスＣ６８は約９．６４ｐＦとされ、インダクタンスＬ６８は約４０１ｎＨとされ、キャパシタンスＣ６９は約１．９４ｐＦとされ、インダクタンスＬ６９は約５８５ｎＨとされ、キャパシタンスＣ７０は約２．９５ｐＦとされ、インダクタンスＬ７０は約１０８ｎＨとされている。このようなＢＰＦ２６の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図５６に示されている。図５６を参照すると、リターンロスは五峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約４１ｄＢのリターンロスが得られ、最大４６ｄＢのリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約７８．２ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約７７．８ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．４ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約６８．０ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約６７．６ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．４ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約５４．８ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約５４．６ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．２ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約３５．９ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約３５．８ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．１ｄＢとなっている。
【００５５】
また、本発明の第５実施例の他のＢＰＦ２７は、図５７に示すように共振器２７ａと共振器２７ｂと共振器２７ｃと共振器２７ｄと共振器２７ｅを５段接続した５段構成のＢＰＦとされている。共振器２７ａと共振器２７ｂと共振器２７ｃと共振器２７ｄと共振器２７ｅは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器２７ａと共振器２７ｂと共振器２７ｃと共振器２７ｄと共振器２７ｅのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ２７ａ，内導体Ｓ２７ｂ，内導体Ｓ２７ｃ，内導体Ｓ２７ｄおよび内導体Ｓ２７ｅが形成されている。また、共振器２７ａの開放面に露出している内導体Ｓ２７ａは、キャパシタンスＣ７１を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、キャパシタンスＣ７２を介して共振器２７ｂの内導体Ｓ２７ｂに接続され、内導体Ｓ２７ｂはキャパシタンスＣ７３を介して共振器２７ｃの内導体Ｓ２７ｃに接続され、内導体Ｓ２７ｃはインダクタンスＬ７１を介して共振器２７ｄの内導体Ｓ２７ｄに接続され、内導体Ｓ２７ｄはインダクタンスＬ７２を介して共振器２７ｅの内導体Ｓ２７ｅに接続され、内導体Ｓ２７ｅは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ７３を介して接続されている。
【００５６】
図５７に示す本発明の第５実施例における５段構成のＢＰＦ２７は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器２７ａと共振器２７ｂと共振器２７ｃと共振器２７ｄと共振器２７ｅの特性インピーダンスＺ27a，特性インピーダンスＺ27b，特性インピーダンスＺ27c，特性インピーダンスＺ27dおよび特性インピーダンスＺ27eが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器２７ａの共振周波数ｆ27aが約１６７．８３ＭＨｚとされ、共振器２７ｂの共振周数ｆ27bが約１５７．１８ＭＨｚとされ、共振器２７ｃの共振周数ｆ27cが約１４９．８６ＭＨｚとされ、共振器２７ｄの共振周数ｆ27dが約１４２．７７ＭＨｚとされ、共振器２７ｅの共振周数ｆ27eが約１３４．４６ＭＨｚとされている。キャパシタンスＣ７１は約９．６３ｐＦとされ、キャパシタンスＣ７２は約２．７３ｐＦとされ、キャパシタンスＣ７３は約１．９２ｐＦとされ、インダクタンスＬ７１は約５６１ｎＨとされ、インダクタンスＬ７２は約３５７ｎＨとされ、インダクタンスＬ７３は約１０５ｎＨとされている。このようなＢＰＦ２６の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図５６に示されている。図５８を参照すると、リターンロスは五峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約３８ｄＢのリターンロスが得られ、最大４０ｄＢのリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約７７．８ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約７７．７ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．１ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約６７．６ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約６７．５ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．１ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約５４．４ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約５４．３ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．１ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約３５．５ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約３５．４ｄＢとなり、両減衰量の差分は０．１ｄＢとなっている。
【００５７】
次に、図４３に示す５段構成のＢＰＦ２０は、共振器２０ａと共振器２０ｂと共振器２０ｃと共振器２０ｄと共振器２０ｅを５段接続した５段構成のＢＰＦとされている。共振器２０ａと共振器２０ｂと共振器２０ｃと共振器２０ｄと共振器２０ｅは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器２０ａと共振器２０ｂと共振器２０ｃと共振器２０ｄと共振器２０ｅのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ２０ａ，内導体Ｓ２０ｂ，内導体Ｓ２０ｃ，内導体Ｓ２０ｄおよび内導体Ｓ２０ｅが形成されている。また、共振器２０ａの開放面に露出している内導体Ｓ２０ａは、キャパシタンスＣ５０を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、キャパシタンスＣ５１を介して共振器２０ｂの内導体Ｓ２０ｂに接続され、内導体Ｓ２０ｂはキャパシタンスＣ５２を介して共振器２０ｃの内導体Ｓ２０ｃに接続され、内導体Ｓ２０ｃはキャパシタンスＣ５３を介して共振器２０ｄの内導体Ｓ２０ｄに接続され、内導体Ｓ２０ｄはキャパシタンスＣ５４を介して共振器２０ｅの内導体Ｓ２０ｅに接続され、内導体Ｓ２０ｅは出力端子ＯＵＴにキャパシタンスＣ５５を介して接続されている。
【００５８】
図４３に示す５段構成のＢＰＦ２０は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器２０ａと共振器２０ｂと共振器２０ｃと共振器２０ｄと共振器２０ｅの特性インピーダンスＺ20a，特性インピーダンスＺ20b，特性インピーダンスＺ20c，特性インピーダンスＺ20dおよび特性インピーダンスＺ20eが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器２０ａの共振周波数ｆ20aおよび共振器２０ｅの共振周波数ｆ20eが共に約１６７．７３ＭＨｚとされ、共振器２０ｂの共振周数ｆ20bおよび共振器２０ｄの共振周波数ｆ20dが約１５７．１６ＭＨｚとされ、共振器２０ｃの共振周数ｆ20cが約１５５．７５ＭＨｚとされている。キャパシタンスＣ５０およびキャパシタンスＣ５５は共に約９．６２ｐＦとされ、キャパシタンスＣ５１およびキャパシタンスＣ５４は共に約２．７３ｐＦとされ、キャパシタンスＣ５２およびキャパシタンスＣ５３は共に約１．８８ｐＦとされている。このようなＢＰＦ２０の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図４４に示されている。図４４を参照すると、リターンロスは五峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約８７．４ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約６８．８ｄＢとなり、両減衰量の差分は１８．６ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約７５．０ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約６０．３ｄＢとなり、両減衰量の差分は１４．７ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約５９．８ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約４８．９ｄＢとなり、両減衰量の差分は１０．９ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約３８．８ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約３２．０ｄＢとなり、両減衰量の差分は６．８ｄＢとなっている。
【００５９】
また、図４５に示す５段構成のＢＰＦ２１は、共振器２１ａと共振器２１ｂと共振器２１ｃと共振器２１ｄと共振器２１ｅを５段接続した５段構成のＢＰＦとされている。共振器２１ａと共振器２１ｂと共振器２１ｃと共振器２１ｄと共振器２１ｅは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器２１ａと共振器２１ｂと共振器２１ｃと共振器２１ｄと共振器２１ｅのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ２１ａ，内導体Ｓ２１ｂ，内導体Ｓ２１ｃ，内導体Ｓ２１ｄおよび内導体Ｓ２１ｅが形成されている。また、共振器２１ａの開放面に露出している内導体Ｓ２１ａは、インダクタンスＬ５０を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、インダクタンスＬ５１を介して共振器２１ｂの内導体Ｓ２１ｂに接続され、内導体Ｓ２１ｂはインダクタンスＬ５２を介して共振器２１ｃの内導体Ｓ２１ｃに接続され、内導体Ｓ２１ｃはインダクタンスＬ５３を介して共振器２１ｄの内導体Ｓ２１ｄに接続され、内導体Ｓ２１ｄはインダクタンスＬ５４を介して共振器２１ｅの内導体Ｓ２１ｅに接続され、内導体Ｓ２１ｅは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ５５を介して接続されている。
【００６０】
図４５に示す５段構成のＢＰＦ２１は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器２１ａと共振器２１ｂと共振器２１ｃと共振器２１ｄと共振器２１ｅの特性インピーダンスＺ21a，特性インピーダンスＺ21b，特性インピーダンスＺ21c，特性インピーダンスＺ21dおよび特性インピーダンスＺ21eが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器２１ａの共振周波数ｆ21aおよび共振器２１ｅの共振周波数ｆ21eが共に約１３４．３７ＭＨｚとされ、共振器２１ｂの共振周数ｆ21bおよび共振器２１ｄの共振周波数ｆ21dが約１４２．６３ＭＨｚとされ、共振器２１ｃの共振周数ｆ21cが約１４４．１９ＭＨｚとされている。インダクタンスＬ５０およびインダクタンスＬ５５は共に約１０３．２ｎＨとされ、インダクタンスＬ５１およびインダクタンスＬ５４は共に約３５５ｎＨとされ、インダクタンスＬ５２およびインダクタンスＬ５３は共に約５５０ｎＨとされとされている。このようなＢＰＦ２１の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図４６に示されている。図４６を参照すると、リターンロスは五峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約６８．１ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約８６．５ｄＢとなり、両減衰量の差分は１８．４ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約６０．０ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約７４．５ｄＢとなり、両減衰量の差分は１４．５ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約４８．９ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約５９．６ｄＢとなり、両減衰量の差分は１０．７ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約３２．０ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約３８．９ｄＢとなり、両減衰量の差分は６．９ｄＢとなっている。
【００６１】
さらに、図４７に示す５段構成のＢＰＦ２２は、共振器２２ａと共振器２２ｂと共振器２２ｃと共振器２２ｄと共振器２２ｅを５段接続した５段構成のＢＰＦとされている。共振器２２ａと共振器２２ｂと共振器２２ｃと共振器２２ｄと共振器２２ｅは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが、共振器２２ａと共振器２２ｂと共振器２２ｃと共振器２２ｄと共振器２２ｅのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ２２ａ，内導体Ｓ２２ｂ，内導体Ｓ２２ｃ，内導体Ｓ２２ｄおよび内導体Ｓ２２ｅが形成されている。また、共振器２２ａの開放面に露出している内導体Ｓ２２ａは、キャパシタンスＣ５６を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、インダクタンスＬ５６を介して共振器２２ｂの内導体Ｓ２２ｂに接続され、内導体Ｓ２２ｂはインダクタンスＬ５７を介して共振器２２ｃの内導体Ｓ２２ｃに接続され、内導体Ｓ２２ｃはインダクタンスＬ５８を介して共振器２２ｄの内導体Ｓ２２ｄに接続され、内導体Ｓ２２ｄはインダクタンスＬ５９を介して共振器２２ｅの内導体Ｓ２２ｅに接続され、内導体Ｓ２２ｅは出力端子ＯＵＴにキャパシタンスＣ５７を介して接続されている。
【００６２】
図４７に示す５段構成のＢＰＦ２１は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器２２ａと共振器２２ｂと共振器２２ｃと共振器２２ｄと共振器２２ｅの特性インピーダンスＺ22a，特性インピーダンスＺ22b，特性インピーダンスＺ22c，特性インピーダンスＺ22dおよび特性インピーダンスＺ22eが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器２２ａの共振周波数ｆ22aおよび共振器２２ｅの共振周波数ｆ22eが共に約１５６．３９ＭＨｚとされ、共振器２２ｂの共振周数ｆ22bおよび共振器２２ｄの共振周波数ｆ22dが約１４３．４１ＭＨｚとされ、共振器２２ｃの共振周数ｆ22cが約１４４．４２ＭＨｚとされている。キャパシタンスＣ５６およびキャパシタンスＣ５７は共に約９．４９ｐＦとされ、インダクタンスＬ５６およびインダクタンスＬ５９は共に約４０１ｎＨとされ、インダクタンスＬ５７およびインダクタンスＬ５８は共に約５６４ｎＨとされとされている。このようなＢＰＦ２２の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図４８に示されている。図４８を参照すると、リターンロスは五峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約５０ｄＢのリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約７５．５ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約８１．９ｄＢとなり、両減衰量の差分は６．４ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約６６．０ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約７１．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は５．１ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約５３．６ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約５７．４ｄＢとなり、両減衰量の差分は３．８ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約３５．５ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約３７．９ｄＢとなり、両減衰量の差分は２．４ｄＢとなっている。
【００６３】
さらにまた、図４９に示す５段構成のＢＰＦ２３は、共振器２３ａと共振器２３ｂと共振器２３ｃと共振器２３ｄと共振器２３ｅを５段接続した５段構成のＢＰＦとされている。共振器２３ａと共振器２３ｂと共振器２３ｃと共振器２３ｄと共振器２３ｅは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが共振器２３ａと共振器２３ｂと共振器２３ｃと共振器２３ｄと共振器２３ｅのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ２３ａ，内導体Ｓ２３ｂ，内導体Ｓ２３ｃ，内導体Ｓ２３ｄおよび内導体Ｓ２３ｅが形成されている。また、共振器２３ａの開放面に露出している内導体Ｓ２３ａは、インダクタンスＬ６０を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、キャパシタンスＣ５８を介して共振器２３ｂの内導体Ｓ２３ｂに接続され、内導体Ｓ２３ｂはキャパシタンスＣ５９を介して共振器２３ｃの内導体Ｓ２３ｃに接続され、内導体Ｓ２３ｃはキャパシタンスＣ６０を介して共振器２３ｄの内導体Ｓ２３ｄに接続され、内導体Ｓ２３ｄはキャパシタンスＣ６１を介して共振器２３ｅの内導体Ｓ２３ｅに接続され、内導体Ｓ２３ｅは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ６１を介して接続されている。
【００６４】
図４９に示す５段構成のＢＰＦ２３は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器２３ａと共振器２３ｂと共振器２３ｃと共振器２３ｄと共振器２３ｅの特性インピーダンスＺ23a，特性インピーダンスＺ23b，特性インピーダンスＺ23c，特性インピーダンスＺ23dおよび特性インピーダンスＺ23eが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器２３ａの共振周波数ｆ23aおよび共振器２３ｅの共振周波数ｆ23eが共に約１４１．９８ＭＨｚとされ、共振器２３ｂの共振周数ｆ23bおよび共振器２３ｄの共振周波数ｆ23dが約１５７．０８ＭＨｚとされ、共振器２３ｃの共振周数ｆ23cが約１５５．５８ＭＨｚとされている。インダクタンスＬ６０およびインダクタンスＬ６１は共に約１１０．６ｎＨとされ、キャパシタンスＣ５８およびキャパシタンスＣ６１は共に約２．８５ｐＦとされとされ、キャパシタンスＣ５９およびキャパシタンスＣ６０は共に約１．８５ｐＦとされている。このようなＢＰＦ２３の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図５０に示されている。図５０を参照すると、リターンロスは五峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約４７ｄＢのリターンロスが得られ、最大５０ｄＢ以上のリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約８２．４ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約７５．４ｄＢとなり、両減衰量の差分は７．０ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約７１．４ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約６５．８ｄＢとなり、両減衰量の差分は５．６ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約５７．４ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約５３．３ｄＢとなり、両減衰量の差分は４．１ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約３７．８ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約３５．１ｄＢとなり、両減衰量の差分は２．７ｄＢとなっている。
【００６５】
さらにまた、図５１に示す５段構成のＢＰＦ２４は、共振器２４ａと共振器２４ｂと共振器２４ｃと共振器２４ｄと共振器２４ｅを５段接続した５段構成のＢＰＦとされている。共振器２４ａと共振器２４ｂと共振器２４ｃと共振器２４ｄと共振器２４ｅは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが共振器２４ａと共振器２４ｂと共振器２４ｃと共振器２４ｄと共振器２４ｅのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ２４ａ，内導体Ｓ２４ｂ，内導体Ｓ２４ｃ，内導体Ｓ２４ｄおよび内導体Ｓ２４ｅが形成されている。また、共振器２４ａの開放面に露出している内導体Ｓ２４ａは、キャパシタンスＣ６２を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、インダクタンスＬ６２を介して共振器２４ｂの内導体Ｓ２４ｂに接続され、内導体Ｓ２４ｂはキャパシタンスＣ６３を介して共振器２４ｃの内導体Ｓ２４ｃに接続され、内導体Ｓ２４ｃはキャパシタンスＣ６４を介して共振器２４ｄの内導体Ｓ２４ｄに接続され、内導体Ｓ２４ｄはインダクタンスＬ６３を介して共振器２４ｅの内導体Ｓ２４ｅに接続され、内導体Ｓ２４ｅは出力端子ＯＵＴにキャパシタンスＣ６５を介して接続されている。
【００６６】
図５１に示す５段構成のＢＰＦ２４は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器２４ａと共振器２４ｂと共振器２４ｃと共振器２４ｄと共振器２４ｅの特性インピーダンスＺ24a，特性インピーダンスＺ24b，特性インピーダンスＺ24c，特性インピーダンスＺ24dおよび特性インピーダンスＺ24eが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器２４ａの共振周波数ｆ24aおよび共振器２４ｅの共振周波数ｆ24eが共に約１５８．６３ＭＨｚとされ、共振器２４ｂの共振周数ｆ24bおよび共振器２４ｄの共振周波数ｆ24dが約１４８．７８ＭＨｚとされ、共振器２４ｃの共振周数ｆ24cが約１５５．７６ＭＨｚとされている。キャパシタンスＣ６２およびキャパシタンスＣ６５は共に約９．６８ｐＦとされとされ、インダクタンスＬ６２およびインダクタンスＬ６３は共に約４０１ｎＨとされ、キャパシタンスＣ６３およびキャパシタンスＣ６４は共に約１．９１ｐＦとされている。このようなＢＰＦ２４の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図５２に示されている。図５２を参照すると、リターンロスは五峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約４８ｄＢのリターンロスが得られ、最大５０ｄＢのリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約８１．３ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約７５．２ｄＢとなり、両減衰量の差分は６．１ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約７０．３ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約６５．５ｄＢとなり、両減衰量の差分は４．８ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約５６．５ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約５３．０ｄＢとなり、両減衰量の差分は３．５ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約３７．０ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約３４．７ｄＢとなり、両減衰量の差分は２．３ｄＢとなっている。
【００６７】
さらにまた、図５３に示す５段構成のＢＰＦ２５は、共振器２５ａと共振器２５ｂと共振器２５ｃと共振器２５ｄと共振器２５ｅを５段接続した５段構成のＢＰＦとされている。共振器２５ａと共振器２５ｂと共振器２５ｃと共振器２５ｄと共振器２５ｅは共振器３ａと同様の構成とされていることから、その詳細な説明は省略するが共振器２５ａと共振器２５ｂと共振器２５ｃと共振器２５ｄと共振器２５ｅのほぼ中央軸に沿って貫通孔が形成されており、貫通孔の内周面には導電膜からなる内導体Ｓ２５ａ，内導体Ｓ２５ｂ，内導体Ｓ２５ｃ，内導体Ｓ２５ｄおよび内導体Ｓ２５ｅが形成されている。また、共振器２５ａの開放面に露出している内導体Ｓ２５ａは、インダクタンスＬ６４を介して入力端子ＩＮに接続されると共に、キャパシタンスＣ６６を介して共振器２５ｂの内導体Ｓ２５ｂに接続され、内導体Ｓ２５ｂはインダクタンスＬ６５を介して共振器２５ｃの内導体Ｓ２５ｃに接続され、内導体Ｓ２５ｃはインダクタンスＬ６６を介して共振器２５ｄの内導体Ｓ２５ｄに接続され、内導体Ｓ２５ｄはキャパシタンスＣ６７を介して共振器２５ｅの内導体Ｓ２５ｅに接続され、内導体Ｓ２５ｅは出力端子ＯＵＴにインダクタンスＬ６７を介して接続されている。
【００６８】
図５３に示す５段構成のＢＰＦ２５は、通過周波数を１５０ＭＨｚとした際に、共振器２５ａと共振器２５ｂと共振器２５ｃと共振器２５ｄと共振器２５ｅの特性インピーダンスＺ25a，特性インピーダンスＺ25b，特性インピーダンスＺ25c，特性インピーダンスＺ25dおよび特性インピーダンスＺ25eが共に約１６．６６７Ωとされ、共振器２５ａの共振周波数ｆ25aおよび共振器２５ｅの共振周波数ｆ25eが共に約１４１．９７ＭＨｚとされ、共振器２５ｂの共振周数ｆ25bおよび共振器２５ｄの共振周波数ｆ25dが約１５１．３６ＭＨｚとされ、共振器２５ｃの共振周数ｆ25cが約１４４．４８ＭＨｚとされている。インダクタンスＬ６４およびインダクタンスＬ６７は共に約１０９ｎＨとされ、キャパシタンスＣ６６およびキャパシタンスＣ６７は共に約２．９５ｐＦとされとされ、インダクタンスＬ６５およびインダクタンスＬ６６は共に約５７０ｎＨとされとされている。このようなＢＰＦ２５の減衰特性およびリターンロスの周波数特性が図５４に示されている。図５４を参照すると、リターンロスは五峰特性とされ通過周波数１５０．０ＭＨｚにおいて約４８ｄＢのリターンロスが得られ、最大５０ｄＢのリターンロスが得られている。また、通過周波数より２５ＭＨｚ低い１２５ＭＨｚにおける減衰量が約７５．１ｄＢとなり、通過周波数より２５ＭＨｚ高い１７５ＭＨｚにおける減衰量が約８０．４ｄＢとなり、両減衰量の差分は５．３ｄＢとなっている。さらに、通過周波数より２０ＭＨｚ低い１３０ＭＨｚにおける減衰量が約６５．５ｄＢとなり、通過周波数より２０ＭＨｚ高い１７０ＭＨｚにおける減衰量が約６９．７ｄＢとなり、両減衰量の差分は４．２ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１５ＭＨｚ低い１３５ＭＨｚにおける減衰量が約５３．０ｄＢとなり、通過周波数より１５ＭＨｚ高い１６５ＭＨｚにおける減衰量が約５６．０ｄＢとなり、両減衰量の差分は３．０ｄＢとなっている。さらにまた、通過周波数より１０ＭＨｚ低い１４０ＭＨｚにおける減衰量が約３４．７ｄＢとなり、通過周波数より１０ＭＨｚ高い１６０ＭＨｚにおける減衰量が約３６．６ｄＢとなり、両減衰量の差分は１．９ｄＢとなっている。
【００６９】
５段構成とされた図４３に示すＢＰＦ２０、図４５に示すＢＰＦ２１、図４７に示すＢＰＦ２２、図４９に示すＢＰＦ２３、図５１に示すＢＰＦ２４および図５３に示すＢＰＦ２５、並びに、本発明にかかる５段構成とされた図５５に示すＢＰＦ２６，図５７に示すＢＰＦ２７の減衰特性の図表を図５９に示す。図５９を参照すると、結合素子がＣ５０+Ｃ５１+Ｃ５２+Ｃ５３+Ｃ５４＋Ｃ５５のキャパシタンスのみとされているＢＰＦ２０においては、差分の合計が５１．０ｄＢとなっており、ＢＰＦ２０の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性が非対称となっていることが分かる。また、結合素子がＬ５０+Ｌ５１+Ｌ５２+Ｌ５３＋Ｌ５４＋Ｌ５５のインダクタンスのみとされているＢＰＦ２１においても、差分の合計が５０．５ｄＢとなっており、ＢＰＦ２１の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性が非対称となっていることが分かる。さらに、結合素子がＣ５６＋Ｌ５６＋Ｌ５７＋Ｌ５８＋Ｌ５９＋Ｃ５７のキャパシタンスとインダクタンスの組み合わせとされているＢＰＦ２２７においては、差分の合計が１７．７ｄＢと減少しているが、ＢＰＦ２２の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性はやや非対称となっていることが分かる。さらにまた、結合素子がＬ６０＋Ｃ５８＋Ｃ５９＋Ｃ６０＋Ｃ６１＋Ｌ６１のインダクタンスとキャパシタンスの組み合わせとされているＢＰＦ２３においても、差分の合計が１９．４ｄＢと減少しているが、ＢＰＦ２３の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性はやや非対称となっていることが分かる。さらにまた、結合素子がＣ６２＋Ｌ６２＋Ｃ６３＋Ｃ６４＋Ｌ６３＋Ｃ６５のインダクタンスとキャパシタンスの組み合わせとされているＢＰＦ２４においても、差分の合計が１６．７ｄＢと減少しているが、ＢＰＦ２４の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性はやや非対称となっていることが分かる。さらにまた、結合素子がＬ６４＋Ｃ６６＋Ｌ６５＋Ｌ６６＋Ｃ６７＋Ｌ６７のインダクタンスとキャパシタンスの組み合わせとされているＢＰＦ２４においても、差分の合計が１４．４ｄＢと減少しているが、ＢＰＦ２４の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性はやや非対称となっていることが分かる。
【００７０】
これに対して、結合素子がＣ６８＋Ｌ６８＋Ｃ６９＋Ｌ６９＋Ｃ７０＋Ｌ７０のキャパシタンスとインダクタンスの組み合わせとされている第５実施例のＢＰＦ２６においては、差分の合計が１．１ｄＢとなっており、ＢＰＦ２６の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となっていることが分かる。さらに、結合素子がＣ７１８＋Ｃ７２＋Ｃ７３＋Ｌ７１＋Ｌ７２＋Ｌ７３のインダクタンスとキャパシタンスの組み合わせとされている第４実施例の他のＢＰＦ２７においても、差分の合計が０．４ｄＢとなっており、ＢＰＦ２７の通過周波数を挟んだ低域側と高域側の減衰特性がほぼ対称となっていることが分かる。このように、結合素子をキャパシタンスの数とインダクタンスの数とを同数として組み合わせることにより、ＢＰＦ２６およびＢＰＦ２７の減衰特性をほぼ対称とすることができる。また、結合素子をキャパシタンスの数とインダクタンスの数との差が２となるように組み合わせると、ＢＰＦ２２ないしＢＰＦ２５の減衰特性を対称に近づけることはできるが、ほぼ対称とすることまではできない。なお、本発明の第５実施例における５段構成のＢＰＦ２６およびＢＰＦ２７の３ｄＢ帯域幅は約１１ＭＨｚが得られており、４段構成のＢＰＦより５段構成のＢＰＦとするとより急峻な減衰特性とできることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
以上説明した本発明のバンドパスフィルタにおいては、共振器を１段ないし５段で構成したバンドパスフィルタとしたが、これに限ることはなく共振器を６段以上で構成したバンドパスフィルタとすることができる。この場合、結合素子はインダクタンスとキャパシタンスの組み合わせとすると共に、インダクタンスの結合素子数とキャパシタンスの結合素子数とを同数あるいは両者の差が１となるように組み合わせる。ただし、インダクタンスとキャパシタンスの結合素子の接続順は任意の接続順とすることができる。また、本発明のバンドパスフィルタにおける上記した通過帯域幅は、一例を示したものであり多段に接続された共振器の共振周波数や接続素子の値を変更することにより、所定の範囲内において通過帯域幅を変更することが可能となる。さらに、本発明のバンドパスフィルタにおいては、共振器は誘電体セラミック材料を焼結して円筒状に形成していたが、これに限ることはなく共振器を角柱状等に形成するようにしても良い。
【符号の説明】
【００７２】
１〜２７  ＢＰＦ、１ａ〜２７ａ  共振器、４ｂ〜２７ｂ  共振器、８ｃ〜２７ｃ  共振器、１４ｄ〜２７ｄ  共振器、２０ｅ〜２７ｅ  共振器、Ｓ１ａ〜Ｓ２７ａ  内導体、Ｓ４ｂ〜Ｓ２７ｂ  内導体、Ｓ８ｃ〜Ｓ２７ｃ  内導体、Ｓ１４ｄ〜Ｓ２７ｄ  内導体、Ｓ２０ｅ〜Ｓ２７ｅ  内導体、ＩＮ  入力端子、ＯＵＴ  出力端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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