(57)【要約】【課題】導体線１１の抵抗値が低くＱ値が高いスパイラルインダクタを提供する。【解決手段】スパイラルインダクタは、平板状の絶縁基板１０と、絶縁基板１０の主表面に配置されたらせん形状を有する導体線１１とを有する。導体線１１は線分状の複数の要素Ｐ１〜Ｐ１２を直列に接続した多角形に近似した形状を有する。要素Ｐ１〜Ｐ１２同士の接続箇所において導体線１１の外側の角部を切り欠いたベンド部Ｃ１〜Ｃ１１をそれぞれ形成することにより、高周波の分野において導体線１１の外側の角部で発生する反射を抑制することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の絶縁基板と、前記絶縁基板の主表面に配置されたらせん形状を有する導体線とを有するスパイラルインダクタであって、
前記導体線は、線分状の複数の要素を直列に接続した多角形に近似した形状を有し、前記要素同士の接続箇所において前記導体線の外側の角部を切り欠いたベンド部が形成されていることを特徴とするスパイラルインダクタ。
【請求項２】
前記導体線は、線幅方向に並べられ且つ電気的に絶縁された複数の細線からなることを特徴とする請求項１に記載のスパイラルインダクタ。
【請求項３】
前記導体線の線幅は前記導体線の外側の端部から内側の端部へ向けて広くなっていることを特徴とする請求項１または２に記載のスパイラルインダクタ。
【請求項４】
隣接する前記導体線の隙間は前記導体線の外側の端部から内側の端部へ向けて狭くなっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のスパイラルインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多角形に近似した形状を有するスパイラルインダクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体等を微細に加工して半導体素子を製造する技術の進歩によって、様々なタイプのトランジスタやダイオード、抵抗体、及びキャパシタなどの回路素子の小型化が進んでいるが、インダクタの小型化においては依然として多くの課題が残されている。
【０００３】
例えば、半導体基板上方の金属配線層に形成されたらせん状の金属配線からなるスパイラルインダクタが従来から知られているが、らせん状の金属配線の抵抗が高いため、スパイラルインダクタのＱ値が低下してしまう。
【０００４】
そこで、インダクタンスを大きくしてＱ値を向上させるために、金属配線の間隔を等しくした状態で、外側に位置する金属配線の線幅よりも内側に位置する金属配線の線幅を狭くしたスパイラル状のインダクタが提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
また、自己共振周波数の低下を抑えてＱ値を向上させるために、渦巻状の内側に位置する金属配線の間隔を渦巻状の外側に位置する金属配線の間隔よりも狭くしたスパイラルインダクタが提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００２−１３４３１９号公報
【特許文献２】特開２００５−３２９７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、いずれの提案においても、金属配線は多角形に近似した平面形状を有するため、スパイラルインダクタを高周波回路で使用する場合、金属配線の角部において反射が発生しやすくなる。この反射により金属配線の抵抗は高くなり、スパイラルインダクタのＱ値は低下してしまう。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みて成されたものであり、その目的は、導体線の抵抗値が低くＱ値が高いスパイラルインダクタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明の特徴は、平板状の絶縁基板と、絶縁基板の主表面に配置されたらせん形状を有する導体線とを有するスパイラルインダクタであって、導体線が線分状の複数の要素を直列に接続した多角形に近似した形状を有し、要素同士の接続箇所において導体線の外側の角部を切り欠いたベンド部が形成されていることである。
【０００９】
本発明の特徴によれば、要素同士の接続箇所において導体線の外側の角部を切り欠いたベンド部を形成することにより、高周波の分野において導体線の外側の角部で発生する反射を抑制し、導体線の抵抗値を下げることができる。これにより、スパイラルインダクタのＱ値を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のスパイラルインダクタによれば、導体線の抵抗値が下げてＱ値を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図面の記載において同一部分には同一符号を付している。
【００１２】
先ず、図１（ａ）を参照して、本発明の実施の形態に係わるスパイラルインダクタが有する導体線１１の平面形状を説明する。本発明の実施の形態に係わるスパイラルインダクタは、らせん形状の導体線１１を有する。導体線１１は、更に、正方形に近似した形状を有する。「正方形に近似した形状」とは、具体的に、導体線１１の最外周が、略等しい長さの線分状の要素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４を直列に接続した形状を有し、且つ最外周の内側の一周が、要素Ｐ１〜Ｐ４に沿って配置された４つの要素Ｐ５〜Ｐ８を直列に接続し、更にその内側の一周が、要素Ｐ５〜Ｐ８に沿って配置された４つの要素Ｐ９〜Ｐ１２を直列に接続した形状を有していることである。
【００１３】
要素Ｐ１〜Ｐ１２同士は直角を成して接続され、要素Ｐ１〜Ｐ１２同士の各接続箇所において導体線１１の外側の角部を切り欠いたベンド部Ｃ１〜Ｃ１１がそれぞれ形成されている。ベンド部Ｃ１〜Ｃ１１の詳細については図２を参照して後述する。
【００１４】
導体線１１の線幅は導体線１１の外側端部Ｔｏｕｔから内側端部Ｔｉｎへ向けて広くなっている。ここで、内側端部Ｔｉｎはらせん形状の内側に位置する導体線１１の内側の端部であり、外側端部Ｔｏｕｔはらせん形状の外側に位置する導体線１１の外側の端部である。具体的には、要素Ｐ１〜Ｐ４、要素Ｐ５〜Ｐ８及び要素Ｐ９〜Ｐ１２のそれぞれの線幅は等しく、要素Ｐ５〜Ｐ８の線幅は要素Ｐ１〜Ｐ４の線幅よりも広く、要素Ｐ９〜Ｐ１２の線幅は要素Ｐ５〜Ｐ８の線幅よりも広い。このように、導体線１１の線幅は、一周毎に段階的に変化している。例えば、特定の周に対してその外側に隣接する周の線幅は、特定の周の線幅に対して増加率Ｒで増加する。すなわち、内側から数えて第Ｎ周の線幅をＷＮとすると、ＷＮ＝Ｒ・ＷＮ−１である。但し、０＜Ｒ＜１である。
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、図１（ａ）のＡ−Ａ切断面には導体線１１の要素Ｐ２、Ｐ４、Ｐ６、Ｐ８、Ｐ１０及びＰ１２が表出している。導体線１１は、平板状の絶縁基板１０の主表面に配置されている。絶縁基板１０は、半導体基板１と、半導体基板１の上に配置された酸化ケイ膜（ＳｉＯ２）あるいは窒化ケイ素膜（Ｓｉ３Ｏ４）からなる絶縁膜２とを備える。導体線１１は絶縁膜２の上に配置されている。導体線１１及び絶縁膜２の上には、更に酸化ケイ膜や窒化ケイ素膜などの積層膜からなる保護膜３が配置される。
【００１６】
本発明の実施の形態において、導体線１１の巻数は３、内径は１００μｍ、外径は１５２μｍ、導体線１１同士の隙間は２μｍ、膜厚は０．５７μｍである。導体線１１の線幅は内側から外側に向けて一周毎に増加率Ｒ＝０．７の割合で減少していく。具体的には、導体線１１の最内周に位置する要素Ｐ９〜Ｐ１２の線幅を１０μｍとすると、要素Ｐ５〜Ｐ８の線幅は１０μｍ×７０％＝７μｍ、要素Ｐ１〜Ｐ４の線幅は７μｍ×７０％＝４．９μｍである。導体線１１は、例えば、アルミニウム、銅などの金属や高濃度の不純物が添加された半導体を含む導体からなる。
【００１７】
図２に示すように、要素Ｐ１と要素Ｐ２との接続箇所において導体線１１の外側の角部を切り欠いたベンド部Ｃ１が形成されている。なお、図２を参照してベンド部Ｃ１の構成を説明するが、他のベンド部Ｃ２〜Ｃ１１の構成も、ベンド部Ｃ１の構成と同様である。
【００１８】
角部の切り欠き量ｍは、ｍ＝Ｘ／Ｄで定義される。ここで、「Ｄ」はベンド部Ｃ１を形成していない状態、つまり図２の点線で示した角部が残されている状態において、要素Ｐ１と要素Ｐ２との接続箇所における外側の角部から内側の角部までの距離である。一方、「Ｘ」は、要素Ｐ１と要素Ｐ２との接続箇所における外側の角部からベンド部Ｃ１までの距離である。本発明の実施の形態に係わるスパイラルインダクタの角部の切り欠き量ｍは、総てのベンド部Ｃ１〜Ｃ１１で等しく０．２である。
【００１９】
ベンド部Ｃ１の切り欠き方向は、例えば、要素Ｐ１と要素Ｐ２との接続箇所における外側の角部と内側の角部を結ぶ直線に対して直角を成している。
【００２０】
図１（ｂ）に示したスパイラルインダクタは、既知の半導体製造技術を用いて製造することができる。例えば、J. N. Burghartz, M. Soyuer, and K. A. Jenkins, “Integrated RF and Microwave Components in BiCMOS Technology,” IEEE Trans. Electron Devices, vol.43, no.9, pp.1559-1570. に記載されている半導体製造技術を用いて製造することができる。スパイラルインダクタの製造方法の具体的な一例を以下に示す。
【００２１】
先ず、シリコン基板等の半導体基板１を用意し、半導体基板１上に化学的気相成長法（ＣＶＤ法）によって酸化ケイ素膜からなる絶縁膜２を積層する。絶縁膜２の上に、スパッタ法によりアルミニウムと銅の合金（ＡｌＣｕ）の金属膜を堆積する。フォトリソグラフィ法により導体線１１の平面形状に相当するレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）などの異方性エッチング法を用いて金属膜を選択的にエッチングして導体線１１を形成する。そして、導体線１１の上に、ＣＶＤ法を用いて保護膜３を形成する。以上の半導体製造プロセスを経て、図１（ｂ）に示したスパイラルインダクタが完成する。
＜第１の比較例＞
図３に示すように、第１の比較例に関わるスパイラルインダクタはらせん形状の導体線６１を有する。図１（ａ）の導体線１１には、導体線１１の外側の角部を切り欠いたベンド部Ｃ１〜Ｃ１１が形成されていたが、図３の導体線６１にはベンド部が形成されておらず、導体線６１の外側の角部Ｇ１〜Ｇ４は残されたままである。
【００２２】
なお、図１（ａ）の導体線１１と同じようにして、導体線６１は正方形状に近似した形状を有し、導体線６１の線幅は導体線６１の外側端部Ｈｏｕｔから内側端部Ｈｉｎへ向けて広く形成されている。その他の導体線６１の平面構成及び第１の比較例に関わるスパイラルインダクタの断面構成は、図１（ａ）及び図１（ｂ）を参照して説明した導体線１１及びスパイラルインダクタと同じであり、図示及び説明を省略する。
＜第２の比較例＞
図４に示すように、第２の比較例に関わるスパイラルインダクタはらせん形状の導体線７１を有する。図１（ａ）の導体線１１には、導体線１１の外側の角部を切り欠いたベンド部Ｃ１〜Ｃ１１が形成されていたが、図４の導体線７１にはベンド部が形成されておらず、導体線７１の外側の角部Ｊ１〜Ｊ４は残されたままである。
【００２３】
また、図１（ａ）の導体線１１の線幅は導体線１１の外側端部Ｔｏｕｔから内側端部Ｔｉｎへ向けて広くなっていたが、図４の導体線７１の線幅は、導体線７１の外側端部Ｋｏｕｔから内側端部Ｋｉｎにかけて均一である。
【００２４】
更に、導体線１１の内径は１００μｍであったが、導体線７１の内径はそれよりも小さい。
【００２５】
なお、図１（ａ）の導体線１１と同じようにして、導体線７１は正方形状に近似した形状を有する。その他の導体線７１の平面構成及び第２の比較例に関わるスパイラルインダクタの断面構成は、図１（ａ）及び図１（ｂ）を参照して説明した導体線１１及びスパイラルインダクタと同じであり、図示及び説明を省略する。
【００２６】
図５及び図６は、高周波帯域における、本発明の実施の形態に係わるスパイラルインダクタ、第１の比較例に係わるスパイラルインダクタ、及び第２の比較例に係わるスパイラルインダクタのＱ値及びインダクタンス（Ｌ）の分布を示すグラフであり、発明者が計算機を用いて行ったシミュレーションの結果を示すものである。図５及び図６において、「図１（本発明）」は、本発明の実施の形態に係わるスパイラルインダクタを示し、「図３（第１の比較例）」は、第１の比較例に係わるスパイラルインダクタを示し、「図４（第２の比較例）」は、第２の比較例に係わるスパイラルインダクタを示す。
【００２７】
図５に示すように、ベンド部が形成されていない導体線６１、７１をそれぞれ有する第１及び第２の比較例に関わるスパイラルインダクタのＱ値に比べて、ベンド部Ｃ１〜Ｃ１１が形成された導体線１１を有する本発明の実施の形態に関わるスパイラルインダクタのＱ値は高くなる。
【００２８】
また、線幅が等しい導体線７１を有する第２の比較例に関わるスパイラルインダクタのＱ値に比べて、線幅が外側から内側へ向けて広くなる導体線６１を有する第１の比較例に関わるスパイラルインダクタのＱ値は高くなる。
【００２９】
図６に示すように、外側端部Ｋｏｕｔから内側端部Ｋｉｎにかけて線幅が均一である導体線７１を有する第２の比較例に関わるスパイラルインダクタのインダクタンス（Ｌ）に比べて、外側端部から内側端部にかけて線幅が広くなる導体線１１、６１を有する本発明の実施の形態及び第１の比較例に関わるスパイラルインダクタのインダクタンス（Ｌ）は高くなる。
【００３０】
ここで、スパイラルインダクタのＱ値は次に示す（１）式によって定義される。（１）式において、ωは周波数（Ｈｚ）を示し、Ｌはスパイラルインダクタの自己インダクタンス（Ｈ）を示し、Ｒはスパイラルインダクタに寄生する抵抗値（Ω）を示す。
【００３１】
Ｑ＝ωＬ／Ｒ                    ・・・（１）
スパイラルインダクタのＱ値を向上させるためには、導体線１１の抵抗値を下げる必要がある。ところが、高周波帯域でスパイラルインダクタを使用する場合、方形状に近似した形状を有する導体線１１の角部では、インピーダンスが変化することにより反射が起りやすくなる。この反射により導体線１１の抵抗は高くなり、スパイラルインダクタのＱ値は低下してしまう。また、この反射は導体線１１の角部が鋭角になるほど大きくなる。したがって、方形状に近似した形状を有する導体線１１の角数が多くなるほどＱ値が向上する。しかしながら、角数が増加して曲線に近づくほど、上記した半導体製造方法において使用するエッチングマスクを作成するときに必要な座標データ量が増大するため、エッチングマスク作成のスループットが低下し、結果的に製造コストが上昇してしまう。
【００３２】
以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、以下の作用効果が得られる。
【００３３】
要素Ｐ１〜Ｐ１２同士の接続箇所において導体線１１の外側の角部を切り欠いたベンド部Ｃ１〜Ｃ１１を形成することにより、高周波の分野において導体線１１の外側の角部で発生する反射を抑制し、伝送効率を高めて導体線１１の抵抗値を下げることができる。これにより、スパイラルインダクタのＱ値を向上させることができる。前述したように、この反射は導体線１１の角部が鋭角になるほど大きくなるので、四角形に近似した形状を有する導体線１１にベンド部Ｃ１〜Ｃ１１を設けることにより、Ｑ値向上の効果は増大する。
【００３４】
また、ベンド部Ｃ１〜Ｃ１１を形成することにより、図６に示したように、インダクタンスも同等或いは向上させることができるので、インダクタンスを高く維持したまま導体線１１の外径を小さくすることができる。
【００３５】
スパイラルインダクタの内側では、外側に比べてより強く磁界の影響を受けるため、渦電流が発生しやすくなる。そこで、導体線１１の外側端部Ｔｏｕｔから内側端部Ｔｉｎへ向けて導体線１１の線幅を広くすることにより、スパイラルインダクタの内側における導体線１１の抵抗を下げてＱ値の低下を抑制することができる。
（第１の変形例）
第１の変形例に関わるスパイラルインダクタは、図７に示すように、線幅方向に並べられ且つ電気的に絶縁された複数の細線１１ａ〜１１ｆからなる導体線１１を備える。複数の細線１１ａ〜１１ｆは、所定の間隔をおいて平行に配置され、図示しない外側端部Ｔｏｕｔ及び内側端部Ｔｉｎの少なくともいずれか一方において並列に接続されている。また、図７に示すように、複数の細線１１ａ〜１１ｆは、ベンド部Ｃ４において切り欠き方向に沿って配列されている。
【００３６】
なお、図７にはベンド部Ｃ４を示したが、その他のベンド部Ｃ１〜Ｃ３、Ｃ５〜Ｃ１１についても同様な構成を有することは勿論である。
【００３７】
その他の導体線１１の平面構成及び第１の変形例に関わるスパイラルインダクタの断面構成は、図１（ａ）及び図１（ｂ）を参照して説明した導体線１１及びスパイラルインダクタと同じであり、図示及び説明を省略する。
【００３８】
磁束が導体と交差すると渦電流が発生し、渦電流は抵抗となり、スパイラルインダクタのＱ値を下げる要因となる。そこで、導体線１１にスリットを設ける、すなわち導体線１１を線幅方向に並べられ且つ電気的に絶縁された複数の細線１１ａ〜１１ｆで構成することにより、渦電流は複数の細線１１ａ〜１１ｆへ分散され、導体線１１の抵抗を下げることができる。よって、スパイラルインダクタのＱ値を向上させることができる。
（第２の変形例）
第２の変形例に関わるスパイラルインダクタは、らせん形状の導体線２１を有する。隣接する導体線２１の隙間は導体線２１の外側端部Ｔｏｕｔから内側端部Ｔｉｎへ向けて狭くなっている。具体的には、要素Ｐ１〜Ｐ４と要素Ｐ５〜Ｐ８との隙間、及び要素Ｐ５〜Ｐ８と要素Ｐ９〜Ｐ１２との隙間はそれぞれ等しく、要素Ｐ５〜Ｐ８と要素Ｐ９〜Ｐ１２との隙間は要素Ｐ１〜Ｐ４と要素Ｐ５〜Ｐ８との隙間よりも狭い。このように、隣接する導体線２１の隙間は、一周毎に段階的に変化している。
【００３９】
その他の導体線２１の平面構成及び第２の変形例に関わるスパイラルインダクタの断面構成は、図１（ａ）及び図１（ｂ）を参照して説明した導体線１１及びスパイラルインダクタと同じであり、図示及び説明を省略する。
【００４０】
第２の変形例によれば、隣接する導体線２１の隙間が導体線２１の外側端部Ｔｏｕｔから内側端部Ｔｉｎへ向けて狭くなっているので、導体線２１の内側において、隣接する導体線２１間の結合が密になると共に巻き径が大きくなるので、インダクタンス（Ｌ）が大きくなり、これによりＱ値が向上する。
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は、１つの実施形態及びその変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００４１】
導体線１１、２１が正方形に近似した形状を有する場合について説明したが、その他の多角形に近似した形状、例えば、正方形以外の四角形や、３或いは５以上の多角形を有していても構わない。
【００４２】
導体線１１、２１の線幅が一周毎に段階的に変化している場合を示したが、導体線１１、２１の線幅は要素Ｐ１〜Ｓ１２毎に変化していてもよいし、連続的に変化していてもよい。同様に、導体線２１同士の隙間が一周毎に段階的に変化している場合を示したが、導体線２１同士の隙間は要素Ｐ１〜Ｐ１２毎に変化していてもよいし、連続的に変化していてもよい。
【００４３】
「平板状の絶縁基板１０」の一例として、半導体基板１とその上に積層された絶縁膜２とからなる構成を示したが、平板状の絶縁基板１０は、その他の構成、例えば、基板全体がガラスなどからなるガラス基板や、プリント配線基板であっても構わない。
【００４４】
本発明の実施の形態に係わるスパイラルインダクタの角部の切り欠き量ｍは、導体線１１、２１の線幅によらず、総てのベンド部Ｃ１〜Ｃ１１で等しく０．２であった。しかし、角部の切り欠き量ｍは、導体線１１、２１の線幅及びスパイラルインダクタが使用される周波数帯域に応じて適宜変更しても構わない。これにより、スパイラルインダクタのＱ値を更に向上させることができる。例えば、各ベンド部Ｃ１〜Ｃ１１において接続される要素Ｐ１〜Ｐ１２の線幅に応じて、角部の切り欠き量ｍを適宜設定してもよい。
【００４５】
図２に示したように、ベンド部Ｃ１〜Ｃ１１の切り欠き方向は、外側の角部と内側の角部を結ぶ直線に対して直角を成している場合に限らず、直角以外の角度を成していても構わないし、複数の角度を組み合わせて外側の角部を切り欠いても良い。また、図２には外側の角部を直線状に切り欠いた場合を示したが、曲線状に切り欠いても構わない。
【００４６】
第１の変形例で示した細線の数は６本である場合に限らず、２以上のその他の数であってもよい。
【００４７】
第１の変形例と第２の変形例とを組み合わせて実施しても構わない。
【００４８】
スパイラルインダクタは、１つの導体線１１を備える場合について説明したが、導体線の数は２以上であっても構わない。この場合、スパイラルインダクタは、複数の配線層のそれぞれに形成された略同一のらせん形状を有する複数の導体線と、複数の導体線の間に配置された絶縁膜と、当該絶縁膜を貫通して積層方向に隣接する２つの導体線の間を並列に接続する複数のビアとを備える。これにより、スパイラルインダクタの占有面積を増やすことなく導体線の抵抗を低減してＱ値を向上させることができる。
【００４９】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１（ａ）は本発明の実施の形態に係わるスパイラルインダクタが有する導体線１１の平面形状を示す上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ切断面に沿った断面図である。
【図２】図１（ａ）のベンド部Ｃ１を拡大した平面図である。
【図３】第１の比較例に関わるスパイラルインダクタが有する導体線６１の平面形状を示す上面図である。
【図４】第２の比較例に関わるスパイラルインダクタが有する導体線７１の平面形状を示す上面図である。
【図５】高周波帯域における、本発明の実施の形態に係わるスパイラルインダクタ、第１の比較例に係わるスパイラルインダクタ、及び第２の比較例に係わるスパイラルインダクタの各Ｑ値の分布を示すグラフである。
【図６】高周波帯域における、本発明の実施の形態に係わるスパイラルインダクタ、第１の比較例に係わるスパイラルインダクタ、及び第２の比較例に係わるスパイラルインダクタの各インダクタンス（Ｌ）の分布を示すグラフである。
【図７】第１の変形例に関わるスパイラルインダクタのベンド部Ｃ４を拡大して示す上面図である。
【図８】第２の変形例に関わるスパイラルインダクタが有する導体線２１の平面形状を示す上面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１      半導体基板
２      絶縁膜
３      保護膜
１０    絶縁基板
１１、２１、６１、７１    導体線
１１ａ〜１１ｆ  細線
Ｃ１〜Ｃ１１    ベンド部
Ｇ１〜Ｇ４、Ｊ１〜Ｊ４    角部
Ｈｉｎ、Ｋｉｎ、Ｔｉｎ  内側端部
Ｈｏｕｔ、Ｋｏｕｔ、Ｔｏｕｔ  外側端部
Ｐ１〜Ｐ１２    要素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2010153416.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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