(57)【要約】【課題】第１配線基板と第２配線基板との空間部内に、はんだボールの接続を維持し、溶融モールド樹脂の均一充填が困難な従来のモールド成形方法の課題を解消する。【解決手段】複数の第１配線基板が造り込まれた基板１１の搭載面に、前記第１配線基板に対応する第２配線基板１６がはんだボール１８で接続された半導体装置をキャビティ３２内に挿入し、第２配線基板１６にリリースフィルム３１を介して当接する駒板３４が、第２配線基板１６に対し独立して接離するモールド金型を用い、第２配線基板１６に対し、基板１１と第２配線基板１６との間隔が充填された溶融モールド樹脂の圧力での拡大を許容する第１圧力をバネ３６で駒板３４に加え、基板１１と第２配線基板１６との空隙内にモールド樹脂を充填した後、はんだボール１８の接続が剥離されることを防止すべく、ストッパー４０，４０に当接した駒板３４から第１圧力よりも高圧の第２圧力を第２配線基板１６に加えて、キャビティ３２内にモールド樹脂を注入する。【選択図】図１
2010153497.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線基板の搭載面に搭載された半導体素子と前記搭載面との間にアンダーフィル剤が充填され、且つ前記第１配線基板の搭載面に第２配線基板がはんだボールによって電気的に接続されて積層されている半導体装置を、モールド金型のキャビティ内に挿入して、前記第１配線基板と第２配線基板との空隙にモールド樹脂を充填する際に、
前記モールド金型として、前記キャビティ内に挿入された半導体装置の第２配線基板の表面側にリリースフィルムを介して当接する駒板が、前記第２配線基板に対し独立して接離可能に設けられているモールド金型を用い、
前記モールド金型のキャビティ内に挿入した前記半導体装置の第２配線基板に対し、前記第１配線基板と第２配線基板との間隔が充填されたモールド樹脂の圧力で拡大することを許容する所定の第１圧力を前記駒板から加えつつ、モールド樹脂を前記キャビティ内に充填して、前記半導体装置の第１配線基板と第２配線基板との空隙内にモールド樹脂を充填した後、
前記第１配線基板と第２配線基板との間隔が充填されたモールド樹脂の圧力で拡大して前記はんだボールの接続が剥離されることを防止できるように、前記第１圧力よりも高圧の第２圧力を前記駒板から第２配線基板に加えつつ、前記キャビティ内にモールド樹脂を注入することを特徴とするモールド樹脂成形方法。
【請求項２】
第２配線基板に第１圧力を駒板から加えつつ、モールド樹脂を第１配線基板と第２配線基板との空隙内に充填したとき、前記第１配線基板と第２配線基板との間隔の拡大に伴って前記駒板がストッパに近接し、
前記ストッパに駒板が当接したとき、前記第１圧力よりも高圧の第２圧力を前記駒板から第２配線基板に加える請求項１記載のモールド樹脂成形方法。
【請求項３】
半導体装置として、複数の第１配線基板が造り込まれた基板の搭載面に、前記第１配線基板に対応する第２配線基板が銅コアはんだボールによって電気的に接続されて積層されている半導体装置を用いる請求項１又は請求項２記載のモールド樹脂成形方法。
【請求項４】
第１配線基板の搭載面に搭載された半導体素子と前記搭載面との間にアンダーフィル剤が充填され、且つ前記第１配線基板の搭載面に第２配線基板がはんだボールによって電気的に接続されて積層されている半導体装置を、キャビティ内に挿入して、前記第１配線基板と第２配線基板との空隙にモールド樹脂を充填するモールド金型を具備するモールド装置であって、
前記モールド金型には、前記キャビティ内に挿入された半導体装置の第２配線基板の表面側にリリースフィルムを介して当接し、前記第２配線基板に対し独立して接離可能に設けられている駒板と、
前記モールド金型のキャビティ内に挿入した前記半導体装置の第２配線基板に対し、前記第１配線基板と第２配線基板との間隔が充填されたモールド樹脂の圧力で拡大することを許容する所定の第１圧力を前記駒板から加える第１圧力付与手段と、
前記第１配線基板と第２配線基板との間隔が充填されたモールド樹脂の圧力で拡大して前記はんだボールの接続が剥離されることを防止できるように、前記第１圧力よりも高圧の第２圧力を前記駒板から第２配線基板に加える第２圧力付与手段とを具備することを特徴とするモールド樹脂成形装置。
【請求項５】
第２圧力付与手段が、モールド樹脂を第１配線基板と第２配線基板との空隙内に充填したとき、前記第１配線基板と第２配線基板との間隔の拡大に伴って前記駒板が当接し、前記第１圧力よりも高圧の第２圧力を前記駒板から第２配線基板に加えるストッパである請求項４記載のモールド樹脂成形装置。
【請求項６】
半導体装置が、複数の第１配線基板が造り込まれた基板の搭載面に、前記第１配線基板に対応する第２配線基板が銅コアはんだボールによって電気的に接続されて積層されている半導体装置である請求項４又は請求項５記載のモールド樹脂成形装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はモールド成形方法及びモールド成形装置に関し、更に詳細には半導体装置のモールド成形方法及びモールド成形装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置として、下記特許文献１には、図６に示す半導体装置が提案されている。かかる半導体装置は、第１配線基板１０の搭載面に搭載された半導体素子１２と、この搭載面との間にアンダーフィル剤１４が充填され、且つ第１配線基板１０の搭載面に第２配線基板１６が、コア部分が銅から成るはんだボール１８，１８・・によって電気的に接続されて積層されている。かかる第１配線基板１０及び第２配線基板１６の表面には、外部接続端子が装着されるパッド２０，２０・・の各パッド面が露出している。
更に、半導体装置の第１配線基板１０と第２配線基板１６との空間内には、モールド樹脂２２が充填されている。
図６に示す半導体装置の製造工程において、第１配線基板１０と第２配線基板１６との空間内にモールド樹脂を充填する際には、図７に示す様に、半導体素子１２が搭載された第１配線基板１０と第２配線基板１６とが、はんだボール１８，１８・・によって電気的に接続されて積層されている半導体装置を、モールド金型のキャビティ内に挿入してモールド成形を行う。
【０００３】
かかるモールド成形に用いられているモールド金型を図８に示す。図８に示すモールド金型のキャビティ１００内に挿入された半導体装置は、第１配線基板１０が複数個造り込まれた基板１１（例えば、短冊状の多数個取り基板）の各第１配線基板１０に対応する部分の各々に、半導体素子１２が搭載されていると共に、第２配線基板１６がはんだボール１８，１８・・によって電気的に接続されて積層されている。
かかる図８に示すモールド金型では、キャビティ１００内に挿入された複数個の第２配線基板１６，１６・・が搭載された基板１１は、その半導体素子１２，１２・・が搭載された搭載面がキャビティ１００の底面を形成し、且つ第２配線基板１６，１６・・の表面側にリリースフィルム１０２を介して当接する駒板１０４が、第２配線基板１６，１６・・に対して独立して接離可能に設けられている。
更に、所定の圧力をモールド成形中に第２配線基板１６，１６・・に加えるべく、駒板１０４をバネ１０６，１０６・・によって第２配線基板１６，１６・・に弾発している。
かかるモールド成形金型のキャビティ１００内に、ゲート１０８からモールド樹脂を注入することによって、基板１１と第２配線基板１６，１６・・の各々との空間部内モールド樹脂を注入できる。
【特許文献１】特開２００８−１０８８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図８に示すモールド金型のキャビティ１００内に挿入された基板１１と第２配線基板１６，１６・・の各々との空間部にモールド樹脂を注入した後、注入したモールド樹脂を冷却してから図９に示す成形品を得ることができる。
図９に示す成形品は、基板１１と第２配線基板１６，１６・・の各々との空間部にモールド樹脂２２が充填されている。かかる成型品について、図９に示す点線の箇所で切断することによって、図６に示す半導体装置を得ることができる。
しかし、図８に示す如く、モールド成形を通じて一定の圧力を第２配線基板１６，１６・・に加えていると、その圧力の調整が極めて困難であることを知った。
すなわち、駒板に加える圧力が過少である場合、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との各空間内にモールド樹脂を容易に充填できるものの、空間内に充填されたモールド樹脂の圧力によって、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との間隔が過大に拡大され、はんだボール１８の接続が剥離することが生じ易くなることが判明した。
一方、駒板に加える圧力が過大である場合、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との間隔が過大に拡大され、はんだボール１８の接続が剥離することを防止できるものの、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との間隔が狭くなって、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との空間部に均一にモールド樹脂が充填されず、未充填部分や基板のうねりが発生し易い。
そこで、本発明は、第１配線基板と第２配線基板との空間部内に、はんだボールの接続を維持しつつ、モールド樹脂の均一充填が困難な従来のモールド成形方法及びモールド成形装置の課題を解消し、第１配線基板と第２配線基板との空間部内に、はんだボールの接続を維持しつつ、モールド樹脂を容易に均一充填できるモールド成形方法及びモールド成形装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者等は、前記課題を解決するには、キャビティ内に挿入した半導体装置の第２配線基板の表面側にリリースフィルムを介して当接する駒板を、第２配線基板に対し独立して接離可能に設けられているモールド金型を用い、モールド樹脂の充填の途中で、駒板に加える圧力を変更することが有効であると考え検討した結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、第１配線基板の搭載面に搭載された半導体素子と前記搭載面との間にアンダーフィル剤が充填され、且つ前記第１配線基板の搭載面に第２配線基板がはんだボールによって電気的に接続されて積層されている半導体装置を、モールド金型のキャビティ内に挿入して、前記第１配線基板と第２配線基板との空隙にモールド樹脂を充填する際に、前記モールド金型として、前記キャビティ内に挿入された半導体装置の第２配線基板の表面側にリリースフィルムを介して当接する駒板が、前記第２配線基板に対して独立して接離可能に設けられているモールド金型を用い、前記モールド金型のキャビティ内に挿入した前記半導体装置の第２配線基板に対し、前記第１配線基板と第２配線基板との間隔が充填されたモールド樹脂の圧力で拡大することを許容する所定の第１圧力を前記駒板から加えつつ、モールド樹脂を前記キャビティ内に充填して、前記半導体装置の第１配線基板と第２配線基板との空隙内にモールド樹脂を充填した後、前記第１配線基板と第２配線基板との間隔が充填したモールド樹脂の圧力で拡大して前記はんだボールの接続が剥離されることを防止できるように、前記第１圧力よりも高圧の第２圧力を前記駒板から第２配線基板に加えつつ、前記キャビティ内にモールド樹脂を注入することを特徴とするモールド樹脂成形方法にある。
【０００６】
また、本発明は、第１配線基板の搭載面に搭載された半導体素子と前記搭載面との間にアンダーフィル剤が充填され、且つ前記第１配線基板の搭載面に第２配線基板がはんだボールによって電気的に接続されて積層されている半導体装置を、キャビティ内に挿入して、前記第１配線基板と第２配線基板との空隙にモールド樹脂を充填するモールド金型を具備するモールド装置であって、前記モールド金型には、前記キャビティ内に挿入された半導体装置の第２配線基板の表面側にリリースフィルムを介して当接し、前記第２配線基板に対し独立して接離可能に設けられている駒板と、前記モールド金型のキャビティ内に挿入した前記半導体装置の第２配線基板に対し、前記第１配線基板と第２配線基板との間隔が充填されたモールド樹脂の圧力で拡大することを許容する所定の第１圧力を前記駒板から加える第１圧力付与手段と、前記第１配線基板と第２配線基板との間隔が充填されたモールド樹脂の圧力で拡大して前記はんだボールの接続が剥離されることを防止できるように、前記第１圧力よりも高圧の第２圧力を前記駒板から第２配線基板に加える第２圧力付与手段とを具備することを特徴とするモールド樹脂成形装置でもある。
【０００７】
かかる本発明において、第２圧力付与手段として、モールド樹脂を第１配線基板と第２配線基板との空隙内に充填したとき、前記第１配線基板と第２配線基板との間隔の拡大に伴って前記駒板が当接し、前記第１圧力よりも高圧の第２圧力を前記駒板から第２配線基板に加えるストッパを採用することによって、モールド金型の構造を複雑化することなく所定の圧力の第２圧力を駒板に発生させることができる。
また、半導体装置として、複数の第１配線基板が造り込まれた基板の搭載面に、前記第１配線基板に対応する第２配線基板が銅コアはんだボールによって電気的に接続されて積層されている半導体装置を用いることによって、モールド成形品を個片に切断することによって複数の所望の半導体装置を得ることができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明で用いる半導体装置は、第１配線基板の搭載面に搭載された半導体素子とこの搭載面との間にアンダーフィル剤が充填され、且つ第１配線基板の搭載面に第２配線基板がはんだボールによって電気的に接続されて積層されている半導体装置である。このため、搭載された半導体素子と第２配線基板との間が、第１配線基板と第２配線基板との間隔よりも狭い狭間隙となっている。
しかも、半導体素子が搭載された近傍には、はんだボール等の両配線基板の間隔を保持する支承体が存在しない。従って、第２配線基板に対して第１配線基板側への外力を付加することによって、第２配線基板は容易に第１配線基板側に反るため、半導体素子と第２配線基板との狭間隙が更に狭くなる。
また、第１配線基板には、半導体素子と第１配線基板との空隙がアンダーフィル剤によって充填されているため、アンダーフィル剤の収縮等によって第１配線基板が第２配線基板側に反り易い。更に、第２配線基板は、はんだボールによって第１配線基板側に反り易い。このため、半導体素子と第２配線基板との狭間隙が更に一層狭くなる。
【０００９】
この点、本発明では、モールド金型のキャビティ内に挿入した半導体装置の第２配線基板に対し、第１配線基板と第２配線基板との間隔が充填されたモールド樹脂の圧力で拡大することを許容する所定の第１圧力を駒板から加えつつ、モールド樹脂をキャビティ内に充填して、半導体装置の第１配線基板と第２配線基板との空隙内にモールド樹脂を充填する。
この様に、第２配線基板に駒板から加えられる第１圧力は、充填されたモールド樹脂の圧力によって第１配線基板と第２配線基板との間隔が拡大する圧力である。このため、充填されたモールド樹脂の圧力で第１配線基板と第２配線基板との間隔を拡大し、第１配線基板と第２配線基板との空間内にモールド樹脂を速やかに充填できる。
特に、第1配線基板に搭載された半導体素子と第２配線基板との狭間隙も、充填されたモールド樹脂の圧力によって間隙が拡大される。このため、この狭間隙を、モールド樹脂が容易に通過して、第１配線基板と第２配線基板との空間内をモールド樹脂によって均一に充填できる。
【００１０】
かかる第１圧力を第２配線基板に加えたモールド樹脂の充填を続行すると、第１配線基板と第２配線基板との間隔が充填されたモールド樹脂の圧力で拡大してはんだボールの接続が剥離されるおそれがある。
このため、本発明では、第１圧力よりも高圧の第２圧力を駒板から第２配線基板に加え、第１配線基板と第２配線基板との間隔が充填されたモールド樹脂の圧力で拡大することによってはんだボールの接続が剥離されることを防止しつつ、モールド樹脂の充填を続行する。
この様に、本発明では、第１配線基板と第２配線基板との空間内に、第２配線基板に加えられる圧力を変更してモールド樹脂を充填するため、はんだボールの接続を確保しつつ、第１配線基板と第２配線基板との空間内にモールド樹脂を均一に充填できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明で用いるモールド金型の一例を図１に示す。図１に示すモールド金型の下型３０ａと上型３０ｂとによって形成されたキャビティ３２内に挿入された、半導体装置を形成する基板１１は下型３０ａに載置されている。かかる基板１１には、複数の第１配線基板１０が造り込まれており、基板１１の各第１配線基板１０に対応する部分の各々に、半導体素子１２が搭載されていると共に、第２配線基板１６が、コア部分が銅から成る銅コアはんだボール１８，１８・・（以下、単にはんだボール１８と称することがある）によって電気的に接続されて積層されている。このはんだボール１８としては、コア部分が樹脂から成る樹脂コアはんだボールであってもよい。
かかる図１に示すモールド金型では、下型３０ａに載置された基板１１の半導体素子１２，１２・・が搭載された搭載面がキャビティ３２の底面を形成している。この基板１１の所定箇所に積層された第２配線基板１６，１６・・の表面側には、リリースフィルム３１を介して当接する駒板３４が、上型３０ｂに形成された凹部３８内に第２配線基板１６，１６・・に対し、独立して接離可能に設けられている。
更に、上型３０ｂの凹部３８内には、所定の圧力をモールド成形中に第２配線基板１６，１６・・に加えるべく、駒板３４をバネ３６，３６・・によって第２配線基板１６，１６・・方向に弾発している。
かかるバネ３６，３６・・は、駒板３４の自重を加えた第１圧力を、リリースフィルム３１を介して第２配線基板１６，１６・・の各々に加える第１圧力付与手段である。
【００１２】
かかる第１圧力は、ゲート４２からキャビティ３２内に注入されたモールド樹脂が、リリースフィルム３１と第２配線基板１６，１６・・の表面との間に進入することを防止するものの、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との空間内に充填されたモールド樹脂の圧力によって、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との間隔が拡大することを許容する圧力に調整する。かかる第１圧力の調整は、バネ３６，３６・・の弾発力を調整することによって行うことができる。
また、上型３０ｂの凹部３８内には、駒板３４の上限位置を規制するストッパ４０，４０が設けられている。
かかるストッパ４０，４０の位置は、充填したモールド樹脂の圧力によって基板１１と第２配線基板１６，１６・・との間隔が拡大するに伴って移動した駒体３４が当接したとき、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との間隔の拡大を防止して、はんだボール１８，１８・・の接続が剥離されることを防止でき、且つ駒板３４から第２配線基板１６，１６・・に加えられる第２圧力を、第１圧力よりも高圧にできる位置である。  従って、ストッパ４０，４０は、第２圧力付与手段である。
【００１３】
図１に示すモールド成形金型のキャビティ３２内に、ポット（図示せず）内で溶融したモールド樹脂を、ピストン（図示せず）を所定速度で移動してゲート４２から注入し、基板１１と第２配線基板１６，１６・・の各々との空間内にモールド樹脂を充填する。この際の、キャビティ３２内の圧力変化を図２に示す。
図２に示す様に、モールド樹脂の注入開始時には、バネ３６，３６・・及び駒板３４によって第２配線基板１６，１６・・に加えられるモールド樹脂の圧力は第１圧力と等しくなる。このため、キャビティ３２内に注入されたモールド樹脂は、リリースフィルム３１と第２配線基板１６，１６・・の表面との間に進入することなく、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との空間内に充填される。
しかも、かかる第１圧力は、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との空間内に充填されたモールド樹脂の圧力によって、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との間隔が拡大すること、換言すればキャビティ３２の容量の拡大を許容する圧力であるため、モールド樹脂は基板１１と第２配線基板１６，１６・・との間隔、特に半導体素子１２と第２配線基板１６との狭間隙を拡大して充填できる。このため、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との空間内にモールド樹脂を均一に充填できる。
【００１４】
この様に、第１圧力下でモールド樹脂を基板１１と第２配線基板１６，１６・・との空間内に充填すると、充填されたモールド樹脂の圧力によって基板１１と第２配線基板１６，１６・・との間隔が拡大し、駒板３４がストッパ４０，４０に近接する。
かかる駒板３４がストッパ４０，４０に当接する位置３４′に到達したとき、駒板３４の移動が停止するため、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との間隔は一定となる。このため、基板１１と第２配線基板１６，１６・・との間隔が拡大して、はんだボール１８，１８・・の接続が剥離されることを防止できる。
一方、駒板３４の移動が停止することによって、キャビティ３２の容量は一定となるため、キャビティ３２内のモールド樹脂の圧力は、図２に示す様に、第１圧力よりも高い第２圧力となる。
更に、ポット（図示せず）内で溶融したモールド樹脂の残りを、ピストン（図示せず）によってゲート４２から注入し、キャビティ３２内の圧力を更に昇圧する。かかる昇圧によって、第２基板１１と第２配線基板１６，１６・・の各々との空間内に充填したモールド樹脂内の気泡を消去する。
尚、キャビティ３４内の気泡を消去する手段としては、モールド樹脂注入後、駒板３４に加重を加えて押し下げて（例えば、駒板３４を４０〜５０μｍ押し下げ）キャビティ３２内の圧力を高めて所定時間保持（例えば数秒〜数分間保持）することによって、キャビティ３２内から気泡を排出してもよい。
【００１５】
この様にしてキャビティ３２内へのモールド樹脂の充填が終了した後、モールド樹脂を硬化してから下型３０ａと上型３０ｂとを型開きして、図９に示すモールド成形品を取り出すことができる。
得られたモールド成形品を、図９に示す点線位置で切断することによって、図６に示す半導体装置を得ることができる。
得られた半導体装置は、第１配線基板１０と第２配線基板１６とがはんだボール１８，１８・・によって電気的に接続され、且つ第１配線基板１０と第２配線基板１６との間がモールド樹脂２２によって均一に充填されている。
更に、第１配線基板１０及び第２配線基板１６の表面には、モールド樹脂が進入して形成されるフラッシュが存在しなく、外部接続端子が装着されるパッド２０，２０・・の各パッド面が露出している。
【００１６】
図１に示すモールド金型では、第１圧力付与手段としてバネ３６，３６を用いているが、図３に示すモールド金型の様に、第１圧力付与手段としてバネ３６，３６に代えてシリンダ装置５０を用いてもよい。
また、図４に示すモールド金型の様に、駒板３４を厚くして、駒板３４の自重によって第２配線基板１６，１６・・に所定の第１圧力を付加できるようにしてもよい。この場合、駒板３４が第１圧力付与手段である。
更に、図５に示すモールド金型の様に、シリンダ装置５０を第１圧力付与手段及び第２圧力付与手段として用いてもよい。図５に示すモールド金型では、シリンダ装置５０によって、キャビティ３２内の圧力制御を行う。
つまり、図５に示すモールド金型では、駒板３４に第２配線基板１６，１６・・に加えられる圧力を検知した圧力センサー５２，５２からの信号に基づいて、制御部からシリンダ装置５０に駆動信号を発信して、駒板３４の位置を制御する。かかる駒板３４の位置によって、キャビティ３２内の圧力を図２に示す第１圧力と第２圧力とを制御できる。
尚、図１〜図５に示すモールド金型では、複数の第１配線基板１０，１０・・を造り込んだ一枚の基板１１上に複数の第２配線基板１６，１６・・が配設された半導体装置を用いてモールドを施していたが、第１配線基板１０と第２配線基板とから成る個片に分割された半導体装置を用いてモールドを行ってもよいことは勿論のことである。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明で用いるモールド金型の一例を説明するための概略図である。
【図２】図１に示すモールド金型のキャビティ内の圧力を説明するグラフである。
【図３】本発明で用いるモールド金型の他の例を説明するための概略図である。
【図４】本発明で用いるモールド金型の他の例を説明するための概略図である。
【図５】本発明で用いるモールド金型の他の例を説明するための概略図である。
【図６】本発明でモールドした半導体装置の断面図である。
【図７】本発明でモールドする半導体装置の断面図である。
【図８】従来のモールド金型を説明する概略図である。
【図９】図８に示すモールド金型でモールドして得られた成形品の概略を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００１８】
１０，１６  配線基板
１１  基板
１２  半導体素子
１４  アンダーフィル剤
１８  はんだボール
２０  パッド
２２  モールド樹脂
３０ａ  下型
３０ｂ  上型
３１  リリースフィルム
３２  キャビティ
３４  駒体
３６  バネ
３８  凹部
４０  ストッパ
４２  ゲート
５０  シリンダ装置
５２  圧力センサー
【図１】
2010153497.tif 000003
【図２】
2010153497.tif 000004
【図３】
2010153497.tif 000005
【図４】
2010153497.tif 000006
【図５】
2010153497.tif 000007
【図６】
2010153497.tif 000008
【図７】
2010153497.tif 000009
【図８】
2010153497.tif 000010
【図９】
2010153497.tif 000011