(57)【要約】【目的】高速で信頼性の高いデータ処理の検証方法を提供することを目的とする。【構成】描画データに対するデータ処理の検証方法は、少なくとも１つの図形から構成される複数のセルがチップ領域に定義されたレイアウトデータを入力し、レイアウトデータを分散処理する複数の処理領域の処理領域毎に、第１の基準位置からの位置関係によって複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出し、複数の処理領域の各処理領域とそれぞれ対応する同位置に設定される複数の検証用領域の検証用領域毎に、第１の基準位置とは異なる第２の基準位置からの位置関係によって複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出し、処理領域毎に、当該処理領域と当該処理領域に対応する検証用領域との間で、抽出された対応するセル同士の位置が互いに一致するかどうかを比較し、比較された結果を出力することを特徴とする。【選択図】図３
2010147100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの図形から構成される複数のセルがチップ領域に定義されたレイアウトデータを入力する工程と、
前記レイアウトデータを分散処理する複数の処理領域の処理領域毎に、第１の基準位置からの位置関係によって前記複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する工程と、
前記複数の処理領域の各処理領域とそれぞれ対応する同位置に設定される複数の検証用領域の検証用領域毎に、前記第１の基準位置とは異なる第２の基準位置からの位置関係によって前記複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する工程と、
処理領域毎に、当該処理領域と当該処理領域に対応する検証用領域との間で、抽出された対応するセル同士の位置が互いに一致するかどうかを比較する工程と、
比較された結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする描画データに対するデータ処理の検証方法。
【請求項２】
処理領域毎に、当該処理領域において抽出されたセル内の図形データと、対応する検証用領域において抽出されたセル内の図形データとが一致するかどうかを比較する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の描画データに対するデータ処理の検証方法。
【請求項３】
各検証用領域においてセルを抽出する際に、
当該検証用領域を細分化した複数の検証用小領域の検証用小領域毎に、前記第２の基準位置からの位置関係によって前記複数のセルのうち内部に配置されることになるセルが抽出され、
前記複数の検証用小領域をマージ処理することによって、前記検証用領域におけるセルが抽出されることを特徴とする請求項１又は２記載の描画データに対するデータ処理の検証方法。
【請求項４】
少なくとも１つの図形から構成される複数のセルがチップ領域に定義されたレイアウトデータを入力する工程と、
前記レイアウトデータを分散処理する複数の処理領域の処理領域毎に、第１の基準位置からの位置関係によって前記複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する工程と、
当該処理領域の周囲に設定される付加領域毎に、前記第１の基準位置からの位置関係によって前記複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する工程と、
前記処理領域と当該処理領域の周囲に設定された付加領域とをマージ処理する工程と、
前記複数の処理領域の各処理領域と当該処理領域の付加領域と合わせた複数の拡張領域とそれぞれ対応する同位置に設定される複数の検証用領域の検証用領域毎に、前記第１の基準位置とは異なる第２の基準位置からの位置関係によって前記複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する工程と、
拡張領域毎に、マージ処理により当該拡張領域と当該拡張領域に対応する検証用領域との間で、抽出された対応するセル同士の位置が互いに一致するかどうかを比較する工程と、
比較された結果を出力する工程と、
を備え、
前記付加領域の幅は、許容される範囲内において当該幅方向に延びる前記処理領域の辺の長さに所定の割合を乗じた値に設定されることを特徴とする描画データに対するデータ処理の検証方法。
【請求項５】
少なくとも１つの図形から構成される複数のセルがチップ領域に定義されたレイアウトデータを入力し、記憶する記憶部と、
前記レイアウトデータを分散処理する複数の処理領域の処理領域毎に、第１の基準位置からの位置関係によって前記複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する第１の抽出部と、
前記複数の処理領域の各処理領域とそれぞれ対応する同位置に設定される複数の検証用領域の検証用領域毎に、前記第１の基準位置とは異なる第２の基準位置からの位置関係によって前記複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する第２の抽出部と、
処理領域毎に、当該処理領域と当該処理領域に対応する検証用領域との間で、抽出された対応するセル同士の位置が互いに一致するかどうかを比較する比較部と、
比較された結果、セル同士の位置が一致した処理領域のデータを用いて、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画データに対するデータ処理の検証方法及び描画装置に関する。例えば、電子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画装置及びかかる装置用の描画データに対するデータ処理の検証方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図１６は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。まず、第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口４２１の一部を通過して、ステージ上に搭載されたレジスト材が塗布された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動している。このように、開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、試料３４０の描画領域に描画される。開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
かかる電子ビーム描画を行なうにあたり、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータが生成される。レイアウトデータは、チップの層、チップ領域を細分化したフレームの層、セルの層、そして図形の層といったように階層化されたデータ構造となっている場合が多い。そして、試料となる基板に複数のチップを描画する際には、複数のチップがマージ処理され、所定の条件のもとで１つのチップ領域に変換される。このようにして生成されたレイアウトデータに定義されたパターンを描画するにあたって、まずは、データ処理を分散処理にて行うための複数の処理領域にチップ領域が仮想分割される。そして、処理領域毎に内部に配置されるセルが抽出及び定義され、そして後段のデータ処理へと進んでいく。このようなローカライズ処理を行う際に、不適切な処理、例えば、誤ったセルの配置、セル抜け、誤ったセル内の図形データの定義等が発生してしまう場合があり得る。このような不適切なデータ処理が行われると、描画する際に多重露光やパターン抜け等のエラーを引き起こすことになってしまうといった問題がある。そのため、適切にローカライズ処理がおこなわれているかどうかを診断する機能が必要となる。
【０００５】
従来、例えば、ローカライズ処理後のデータのフォーマットが所定のフォーマットに合っているかどうかを検証するフォーマットチェックや、ローカライズ処理後のデータを排他的論理和（ＸＯＲ）演算にかけるチェック等が行われてきた。しかし、前者では検証時間は短くて済む反面、フォーマット自体しか検証されないためセルの欠落やセルの位置の不整合等の検証には不十分であった。また、後者では厳密なチェックが可能である反面、演算に膨大な時間が必要となってしまうといった欠点があった。そのため、後者の方法を描画装置に組み込むとデータ処理工程でのスループットが大幅に低下してしまい、描画動作との間で許容されるリアルタイム処理が困難になってしまうといった問題があった。
【０００６】
ここで、処理領域にセルを分配することに関連して、２つの処理領域に跨るセルについて、パターン抜けを解消するために、重複して定義し、境界でセルを分割した上で自己の処理領域に属するＳＦ内の部分だけ定義するように分配するといった技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−２４２８２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、描画データに対して適切にローカライズ処理がおこなわれているかどうかを診断する機能が必要となる。しかし、フォーマットチェックではセルの欠落やセルの位置の不整合等の検証には不十分であり、ＸＯＲ演算によるチェックでは演算に膨大な時間が必要となってしまうといった問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、高速で信頼性の高いデータ処理の検証方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様における描画データに対するデータ処理の検証方法は、
少なくとも１つの図形から構成される複数のセルがチップ領域に定義されたレイアウトデータを入力する工程と、
レイアウトデータを分散処理する複数の処理領域の処理領域毎に、第１の基準位置からの位置関係によって複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する工程と、
複数の処理領域の各処理領域とそれぞれ対応する同位置に設定される複数の検証用領域の検証用領域毎に、第１の基準位置とは異なる第２の基準位置からの位置関係によって複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する工程と、
処理領域毎に、当該処理領域と当該処理領域に対応する検証用領域との間で、抽出された対応するセル同士の位置が互いに一致するかどうかを比較する工程と、
比較された結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
かかる構成により、セルを抽出するための基準位置が異なる２つの領域に定義されるセル同士を比較することができる。その結果、処理領域での抽出が正しいかどうかを検証することができる。
【００１１】
また、処理領域毎に、当該処理領域において抽出されたセル内の図形データと、対応する検証用領域において抽出されたセル内の図形データとが一致するかどうかを比較する工程をさらに備えると好適である。
【００１２】
また、各検証用領域においてセルを抽出する際に、
当該検証用領域を細分化した複数の検証用小領域の検証用小領域毎に、第２の基準位置からの位置関係によって複数のセルのうち内部に配置されることになるセルが抽出され、
複数の検証用小領域をマージ処理することによって、検証用領域におけるセルが抽出されると好適である。
【００１３】
本発明の他の態様における描画データに対するデータ処理の検証方法は、
少なくとも１つの図形から構成される複数のセルがチップ領域に定義されたレイアウトデータを入力する工程と、
レイアウトデータを分散処理する複数の処理領域の処理領域毎に、第１の基準位置からの位置関係によって複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する工程と、
当該処理領域の周囲に設定される付加領域毎に、第１の基準位置からの位置関係によって複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する工程と、
処理領域と当該処理領域の周囲に設定された付加領域とをマージ処理する工程と、
複数の処理領域の各処理領域と当該処理領域の付加領域と合わせた複数の拡張領域とそれぞれ対応する同位置に設定される複数の検証用領域の検証用領域毎に、第１の基準位置とは異なる第２の基準位置からの位置関係によって複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する工程と、
拡張領域毎に、マージ処理により当該拡張領域と当該拡張領域に対応する検証用領域との間で、抽出された対応するセル同士の位置が互いに一致するかどうかを比較する工程と、
比較された結果を出力する工程と、
を備え、
付加領域の幅は、許容される範囲内において当該幅方向に延びる処理領域の辺の長さに所定の割合を乗じた値に設定されることを特徴とする。
【００１４】
本発明の一態様における描画装置は、
少なくとも１つの図形から構成される複数のセルがチップ領域に定義されたレイアウトデータを入力し、記憶する記憶部と、
レイアウトデータを分散処理する複数の処理領域の処理領域毎に、第１の基準位置からの位置関係によって複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する第１の抽出部と、
複数の処理領域の各処理領域とそれぞれ対応する同位置に設定される複数の検証用領域の検証用領域毎に、第１の基準位置とは異なる第２の基準位置からの位置関係によって複数のセルのうち内部に配置されることになるセルを抽出する第２の抽出部と、
処理領域毎に、当該処理領域と当該処理領域に対応する検証用領域との間で、抽出された対応するセル同士の位置が互いに一致するかどうかを比較する比較部と、
比較された結果、セル同士の位置が一致した処理領域のデータを用いて、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、セルや図形の欠落や位置ずれを検出することができる。よって、描画装置の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、各実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム描画装置の一例として、特に、可変成形型の電子ビーム描画装置について説明する。以下、電子ビーム描画装置を一例として説明するが、これに限るものではなく、レーザマスク描画装置についても同様に当てはめることができる。
【００１７】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画装置１００は、試料１０１に所定のパターンを描画する。描画部１５０は、描画室１０３と描画室１０３の上部に配置された電子鏡筒１０２を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８及び副偏向器２０９を有している。そして、描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置され、ＸＹステージ１０５上に描画対象となる試料１０１が配置される。試料１０１として、例えば、半導体装置が形成されるウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、このマスクは、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。
【００１８】
制御部１６０は、制御計算機ユニット１２０，１３０、記憶装置１４０，１４２，１４４、及び制御回路１４６を有している。制御計算機ユニット１２０，１３０、記憶装置１４０，１４２，１４４、及び制御回路１４６は、図示しないバスにより互いに接続されている。制御計算機ユニット１２０内には、分散処理領域設定部１０、分散処理領域用セル抽出部１２、分散処理領域用データ出力部１４、比較検証領域設定部２０、比較検証領域用セル抽出部２２、比較検証領域用データ出力部２４、セル比較部３０、判定部３２、図形データ比較部４０、判定部４２，４４、及び出力部４６が配置されている。また、制御計算機ユニット１３０内には、複数のＣＰＵ１３２と複数のメモリ１３４が配置されている。記憶装置１４０，１４２，１４４は、記憶媒体であればよく、例えば、磁気ディスク装置を用いることができる。
【００１９】
ここで、制御計算機ユニット１２０内の分散処理領域設定部１０、分散処理領域用セル抽出部１２、分散処理領域用データ出力部１４、比較検証領域設定部２０、比較検証領域用セル抽出部２２、比較検証領域用データ出力部２４、セル比較部３０、判定部３２、図形データ比較部４０、判定部４２，４４、及び出力部４６の各機能の処理をソフトウェアにより実施させても構わない。或いは、分散処理領域設定部１０、分散処理領域用セル抽出部１２、分散処理領域用データ出力部１４、比較検証領域設定部２０、比較検証領域用セル抽出部２２、比較検証領域用データ出力部２４、セル比較部３０、判定部３２、図形データ比較部４０、判定部４２，４４、及び出力部４６の各機能は、電気的な回路によるハードウェアにより構成されても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、ソフトウェアにより、或いはソフトウェアとの組合せにより実施させる場合には、制御計算機ユニット１２０内には、図示しない少なくとも１つのＣＰＵと少なくとも１つのメモリ（好ましくは、複数のＣＰＵと複数のメモリ）が配置される。そして、制御計算機ユニット１２０に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報は、その都度、制御計算機ユニット１２０内に配置された少なくとも１つのメモリに記憶される。
【００２０】
図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
【００２１】
また、図１では、記憶装置１４０及び制御計算機ユニット１２０を描画装置１００の内部構成として記載しているが、記憶装置１４０及び制御計算機ユニット１２０と同様の構成を描画装置１００のオフライン（外部装置）として構成しても好適である。かかる場合には、オフラインで制御計算機ユニット１２０により演算されたデータ或いは演算結果、或いは両者を描画装置１００が入力すればよい。
【００２２】
上述したように、電子ビーム描画を行なうにあたり、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータ（描画データ）が生成される。試料となる基板に複数のチップを描画する際には、複数のチップがマージ処理され、１つのチップ領域に変換される。このようにして生成されたレイアウトデータに定義されたパターンを描画するにあたって、まずは、データ処理を分散処理にて行うための複数の処理領域が設定される。そして、かかる複数の処理領域にレイアウトデータがローカライズされ、処理領域毎に描画のためのデータ処理が行われることになる。
【００２３】
図２は、実施の形態１における分散処理領域の一部と分散処理領域に定義されるセルの一例を示す概念図である。
図２において、チップ領域６０は、レイアウトデータ処理を分散処理するための複数の分散処理領域６２に仮想分割される。描画装置１００は、ｘ方向に向かって分散処理領域６２毎に描画を行ない、ｘ方向最後の分散処理領域６２まで描画した後に、ｙ方向に移動し、次のｘ方向に並ぶ分散処理領域６２列を順に描画する。そのため、分散処理領域６２のｙ方向の幅寸法は主偏向器２０８の偏向可能なサイズにすると好適である。そして、分散処理領域６２には、領域内に位置する、少なくとも１つの図形から構成されるセルが抽出され、該当する分散処理領域６２に配置される。ここでは、分散処理領域６２内に全体が入る６つのセル７２と隣の分散処理領域６２にも跨る４つのセル７４が配置される場合を示している。また、分散処理領域６２から完全に外れた点線で示すセル７６は定義されないことになる。実施の形態１では、まず、分散処理領域６２毎に、領域内に位置するセルを抽出し、該当する分散処理領域６２にセルパターンデータを定義していくローカライズ処理が適正に実行されるかどうかを検証する。そして、適正に実行されることが検証された後に、分散処理領域６２毎に、実際のローカライズ処理を進めていく。そして、複数段のデータ処理の後、描画が行われる。よって、描画装置１００では、描画のためのデータ処理及び描画処理とリアルタイムでローカライズ処理の検証も行っていく。
【００２４】
図３は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。まず、描画装置１００には、レイアウトデータが外部より入力される。そして、入力されたレイアウトデータは記憶装置１４０に格納（記憶）される。記憶装置１４０，１４２，１４４は、記憶部の一例となる。レイアウトデータでは、少なくとも１つの図形から構成される複数のセルがチップ領域に定義されている。そして、制御計算機ユニット１２０において、まず、描画データに対するデータ処理（ローカライズ処理）の検証が行われる。
【００２５】
ステップ（Ｓ）１０２において、分散処理領域設定工程として、分散処理領域設定部１０は、図２において示したように、チップ領域６０を、レイアウトデータを分散処理するための複数の分散処理領域６２に仮想分割して、複数の分散処理領域６２を設定する。
【００２６】
Ｓ１０４において、分散処理領域用セル抽出工程として、分散処理領域用セル抽出部１２は、分散処理領域６２毎に、レイアウトデータから該当する分散処理領域６２内部に配置されることになるセルを抽出する。セルを抽出する際、予め設定された基準位置（第１の基準位置）からの位置関係によって該当する分散処理領域６２内部に配置されることになるセルを抽出する。図２の例では、分散処理領域６２内に全体が入る６つのセル７２と隣の分散処理領域６２にも跨る４つのセル７４とを抽出する。そして、抽出されたセルのセルパターンデータは、該当する分散処理領域６２に定義される。
【００２７】
Ｓ１０６において、分散処理領域用データ出力工程として、分散処理領域用データ出力部１４は、分散処理領域６２毎に、該当する分散処理領域６２に定義された分散処理領域用データをセル比較部３０に出力する。
【００２８】
Ｓ２０２において、比較検証領域設定工程として、比較検証領域設定部２０は、複数の分散処理領域６２の各分散処理領域６２とそれぞれ対応する同位置に設定される複数の比較検証領域（検証用領域）を設定する。
【００２９】
図４は、実施の形態１におけるセルが抽出された分散処理領域と比較検証領域との一例を示す図である。図４において、比較検証領域６４は、分散処理領域６２と同じサイズで設定される。
【００３０】
Ｓ２０４において、比較検証領域用セル抽出工程として、比較検証領域用セル抽出部２２は、比較検証領域６４毎に、レイアウトデータから該当する比較検証領域６４内部に配置されることになるセルを抽出する。セルを抽出する際、分散処理領域６２でセルの抽出に用いた基準位置とは異なる、予め設定された基準位置（第２の基準位置）からの位置関係によって該当する比較検証領域６４内部に配置されることになるセルを抽出する。図４の例では、比較検証領域６４内に全体が入る６つのセル７２と隣の比較検証領域６４にも跨る４つのセル７４とを抽出する。そして、抽出されたセルのセルパターンデータは、該当する比較検証領域６４に定義される。ここでは、抽出用の基準位置を分散処理領域６２でセルの抽出に用いた基準位置とあえて別にすることで、抽出条件を変えることができる。
【００３１】
Ｓ２０６において、比較検証領域用データ出力工程として、比較検証領域用データ出力部２４は、比較検証領域６４毎に、該当する比較検証領域６４に定義された比較検証領域用データをセル比較部３０に出力する。
【００３２】
Ｓ４０２において、セル座標比較工程として、セル比較部３０は、分散処理領域６２毎に、当該分散処理領域６２と当該分散処理領域６２に対応する比較検証領域６４との間で、抽出された対応するセル同士の位置が互いに一致するかどうかを比較する。ここでは、対応するセル同士の座標が一致するかどうかを比較する。上述したように、分散処理領域６２での抽出と比較検証領域６４での抽出とでは、基準位置が異なるので、抽出条件が異なっている。そのため、抽出条件が異なる２つの対応する領域同士でセル同士が一致すれば、分散処理領域６２での抽出が適正に行われた可能性が高いと判断することができる。セル比較部３０は、分散処理領域６２毎に、すべてのセル同士について同様に比較する。
【００３３】
Ｓ４０４において、判定工程として、判定部３２は、分散処理領域６２毎に、すべてのセル同士について座標が一致したかどうかを判定する。そして、すべてのセル同士について座標が一致した場合にはＳ４０６へ進む。他方、すべてのセル同士について座標が一致しなかった、すなわち、一部でも座標が一致しなかったセルが存在した場合には、ＮＧと判定する。そして、ＮＧの際には、出力部４６がその結果を記憶装置１４２に出力する。ＮＧの際には、セルの欠落やセルの位置ずれが検出されたことになる。よって、制御計算機ユニット１３０は、記憶装置１４２から検証結果を入力し、ＮＧの際にはデータ処理エラーとして、その後の描画動作を停止する。このように、ＮＧの際には描画中であってもリアルタイムで描画動作を停止することができる。また、オフラインで実行していた場合には、そもそもの描画動作を開始しないで済む。
【００３４】
Ｓ４０６において、判定工程として、判定部４２は、図形データ比較を行うかどうかを判定する。図形データ比較の有無は予め描画装置１００に設定しておけばよい。すなわち、ローカライズ処理はセル内の図形データを加工していないので、セル比較だけでも十分な精度で検証できているが、実施の形態１では、オプションとして、さらに、高精度な検証をも可能とする機能を持たせている。図形データ比較を行わない場合には検証ＯＫとして、出力部４６が分散処理領域６２毎にその結果と分散処理領域データとを記憶装置１４２に出力する。図形データ比較を行う場合にはＳ４０８に進む。
【００３５】
Ｓ４０８において、図形データ比較工程として、図形データ比較部４０は、分散処理領域６２毎に、当該分散処理領域６２において抽出されたセル内の図形データと、対応する比較検証領域６４において抽出されたセル内の図形データとが一致するかどうかを比較する。
【００３６】
図５は、実施の形態１における分散処理領域用データのフォーマットの一部を示す概念図である。図５において、分散処理領域用データ８０には、当該分散処理領域６２に配置される各セルのセルパターンデータ（１）、セルパターンデータ（２）、・・・セルパターンデータ（Ｎ）が定義される。そして、セルパターンデータ８１内には、セルパターンデータの長さ、セルパターンデータ数、セルサイズ（Ｘ方向）、セルサイズ（Ｙ方向）、セル内の図形を示すパターンデータ（１）、パターンデータ（２）、・・・パターンデータ（ｋ）が定義される。
【００３７】
ここで、図形データ同士の比較を厳密に行うとその処理時間が膨大なものになってしまう。そこで、セル毎に、パターン数や図形データの「データ量比較」や「パリティチェック」等を行うことで図形データの比較を行うと好適である。例えば、図５に示した「セルパターンデータの長さ」を比較することで図形データの「データ量比較」を行うことができる。また、図５に示した「セルパターンデータ数」を比較することで「パターン数」を比較することができる。ここでは、分散処理領域６２内のすべてのセルについて、同様に図形データの比較を行う。
【００３８】
Ｓ４１０において、判定工程として、判定部４４は、分散処理領域６２毎に、対応する図形データ同士がすべて一致したかどうかを判定する。そして、対応する図形データ同士がすべて一致した場合には、検証ＯＫとして、出力部４６が分散処理領域６２毎にその結果と分散処理領域データとを記憶装置１４２に出力する。他方、対応する図形データ同士がすべて一致しなかった、すなわち、一部でも図形データ同士が一致しなかったセルが存在した場合には、ＮＧと判定する。そして、ＮＧの際には、出力部４６がその結果を記憶装置１４２に出力する。ＮＧの際には、図形の欠落や図形の位置ずれが検出されたことになる。よって、制御計算機ユニット１３０は、記憶装置１４２から検証結果を入力し、ＮＧの際にはデータ処理エラーとして、その後の描画動作を停止する。このように、ＮＧの際には描画中であってもリアルタイムで描画動作を停止することができる。また、オフラインで実行していた場合には、そもそもの描画動作を開始しないで済む。
【００３９】
以上のように、ローカライズ処理の検証を行えば、従来のＸＯＲ演算による検証と比べて短時間で、かつ、ローカライズ処理で特に問題となるセルや図形の欠落および位置ずれの有無といった必要な精度での検証結果を得ることができる。また、従来のフォーマットチェックによる検証では困難であった上述したセルや図形の欠落および位置ずれを検証することができる。よって、オフラインでかかる検証を行った場合には、描画装置１００にデータ入力前のテスト段階において、短時間でテストのカバレッジを上げることができる。また、描画装置１００内においてオンラインでかかる検証を行った場合には、描画中、もしくは検査中にデータ処理の異常を検出することができるため装置の信頼性を大幅に向上させることができる。
【００４０】
Ｓ５００において、分散処理工程として、制御計算機ユニット１３０は、分散処理領域６２毎に、記憶装置１４２から分散処理領域データを読み出し、分散処理領域６２毎に定義されたセルのデータを分散処理する。具体的には、複数のＣＰＵ１３２と各ＣＰＵ１３２に対応するメモリ１３４とで、並列処理すればよい。そして、データ処理されて装置内フォーマットに変換されたデータ（ショットデータ）は記憶装置１４４に出力され、格納される。そして、制御回路１４６は、記憶装置１４４からショットデータを読み出し、描画部１５０を制御して描画を行うことになる。
【００４１】
Ｓ５０２において、描画工程として、描画部１５０は、データ処理後の出力データに基づいて、電子ビームを用いて試料１０１にパターンを描画する。具体的には以下のように動作する。
【００４２】
ここで、まず、チップ領域６０には、分散処理領域６２より小さい副偏向器２０９の偏向可能サイズで図示しないサブフィールド（ＳＦ）領域が設定される。ＳＦ領域は、分散処理領域６２よりも小さいサイズでチップ領域６０が仮想分割された領域であり、いずれかの分散処理領域６２に属するように定義される。
【００４３】
そして、電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８により所望する分散処理領域６２中の所望するＳＦ領域上に偏向され、副偏向器２０９によりＳＦ領域中の所望する位置に偏向されることにより所望する位置に照射される。以上のようにして、試料１０１上にパターンが描画される。
【００４４】
実施の形態２．
実施の形態１では、ローカライズ処理の検証のために、分散処理領域６２と同じサイズの比較検証領域６４を設定し、比較検証領域６４毎にセルを抽出していた。実施の形態２では、さらに、検証精度を向上させるべく、以下のように構成する。実施の形態２では、以下に説明する内容以外は、実施の形態１と同様である。
【００４５】
図６は、実施の形態２における描画装置の構成を示す概念図である。
図６において、制御計算機ユニット１２０内の比較検証領域設定部２０、比較検証領域用セル抽出部２２、及び比較検証領域用データ出力部２４の代わりに、検証用小領域設定部２１、検証用小領域用セル抽出部２３、検証用小領域用データ出力部２５、及びマージ処理部２６を備えた点以外は、図１と同様である。また、実施の形態１と同様、制御計算機ユニット１２０内の分散処理領域設定部１０、分散処理領域用セル抽出部１２、分散処理領域用データ出力部１４、検証用小領域設定部２１、検証用小領域用セル抽出部２３、検証用小領域用データ出力部２５、マージ処理部２６、セル比較部３０、判定部３２、図形データ比較部４０、判定部４２，４４、及び出力部４６の各機能の処理をソフトウェアにより実施させても構わない。或いは、かかる各機能は、電気的な回路によるハードウェアにより構成されても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、ソフトウェアにより、或いはソフトウェアとの組合せにより実施させる場合には、制御計算機ユニット１２０内には、図示しない少なくとも１つのＣＰＵと少なくとも１つのメモリ（好ましくは、複数のＣＰＵと複数のメモリ）が配置される。そして、制御計算機ユニット１２０に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報は、その都度、制御計算機ユニット１２０内に配置された少なくとも１つのメモリに記憶される。
【００４６】
図６では、本実施の形態２を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
【００４７】
図７は、実施の形態２における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図７において、比較検証領域設定工程（Ｓ２０２）、比較検証領域用セル抽出工程（Ｓ２０４）、及び比較検証領域データ出力工程（Ｓ２０６）の代わりに、検証用小領域設定工程（Ｓ２１２）、検証用小領域用セル抽出工程（Ｓ２１４）、検証用小領域データ出力工程（Ｓ２１６）、及び検証用小領域データマージ処理工程（Ｓ２１８）を備えた点以外は、図３と同様である。よって、分散処理領域設定工程（Ｓ１０２）〜分散処理領域データ出力工程（Ｓ１０６）までの各工程の内容は実施の形態１と同様である。
【００４８】
Ｓ２１２において、検証用小領域設定工程として、検証用小領域設定部２１は、実施の形態１で説明した比較検証領域６４を細分化した複数の検証用小領域を設定する。
【００４９】
図８は、実施の形態２におけるセルが抽出された分散処理領域と検証用小領域と比較検証領域との一例を示す図である。図８において、比較検証領域６４を細分化した複数の検証用小領域６６（ａ〜ｄ）が設定される。
【００５０】
Ｓ２１４において、検証用小領域用セル抽出工程として、検証用小領域用セル抽出部２３は、検証用小領域６６毎に、レイアウトデータから該当する検証用小領域６６内部に配置されることになるセルを抽出する。セルを抽出する際、分散処理領域６２でセルの抽出に用いた基準位置とは異なる、予め設定された基準位置からの位置関係によって該当する検証用小領域６６内部に配置されることになるセルを抽出する。ここで、抽出用の基準位置は、実施の形態１で説明した比較検証領域６４での抽出用の基準位置と同じであっても異なっていてもよい。ここでは、分散処理領域６２でセルの抽出に用いた基準位置と異なっていればよい。図８において、検証用小領域６６ａでは、検証用小領域６６ａ内に全体が入る３つのセル７２と隣の検証用小領域６６にも跨る１つのセル７４とを抽出する。また、検証用小領域６６ｂでは、検証用小領域６６ｂ内に全体が入る１つのセル７２を抽出する。また、検証用小領域６６ｃでは、隣の検証用小領域６６にも跨る２つのセル７４を抽出する。また、検証用小領域６６ｄでは、検証用小領域６６ｄ内に全体が入る２つのセル７２と隣の検証用小領域６６にも跨る１つのセル７４とを抽出する。そして、抽出されたセルのセルパターンデータは、該当する検証用小領域６６に定義される。ここでは、抽出用の基準位置を分散処理領域６２でセルの抽出に用いた基準位置とあえて別にすることで、抽出条件を変えることができる。また、さらに、実施の形態１での比較検証領域６４を細分化してサイズや位置を別にすることで、抽出条件を変えることができる。
【００５１】
Ｓ２１６において、検証用小領域用データ出力工程として、検証用小領域用データ出力部２５は、検証用小領域６６毎に、該当する検証用小領域６６に定義された検証用小領域用データをマージ処理部２６に出力する。
【００５２】
Ｓ２１８において、検証用小領域用データマージ処理工程として、マージ処理部２６は、１つの比較検証領域６４分の検証用小領域６６のデータが出力された段階で、１つの比較検証領域６４分の検証用小領域６６をマージ処理して、１つの比較検証領域６４用データとしてセル比較部３０に出力する。
【００５３】
セル座標比較工程（Ｓ４０２）以降の各工程の内容は、実施の形態１と同様である。以上のように、実施の形態２では、比較検証領域６４用のセルを抽出する際に、まず、検証用小領域６６用のセルを抽出し、これらをマージする。かかる処理により、実施の形態１よりもさらに、検証用の領域の抽出条件と分散処理領域での抽出条件との差異が大きくなる。その結果、比較対象となるセル抽出後のデータ同士で差異が生じやすくなる。よって、実施の形態１よりも検証漏れを低減することができ、実施の形態１よりもさらにローカライズ処理の検証精度を向上させることができる。
【００５４】
実施の形態３．
上述した実施の形態１，２では、いずれも分散処理領域とサイズを合わせた領域で比較していたが、実施の形態３では、分散処理領域に付加領域を付加した後の領域で比較する構成について説明する。実施の形態３では、以下に説明する内容以外は実施の形態１と同様である。
【００５５】
図９は、実施の形態３における描画装置の構成を示す概念図である。
図９において、制御計算機ユニット１２０内に、付加領域設定部５０、付加領域用セル抽出部５２、付加領域用データ出力部５４、及びマージ処理部５６が追加された点以外は、図１と同様である。また、実施の形態１と同様、制御計算機ユニット１２０内の各機能の処理をソフトウェアにより実施させても構わない。或いは、かかる各機能は、電気的な回路によるハードウェアにより構成されても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、ソフトウェアにより、或いはソフトウェアとの組合せにより実施させる場合には、制御計算機ユニット１２０内には、図示しない少なくとも１つのＣＰＵと少なくとも１つのメモリ（好ましくは、複数のＣＰＵと複数のメモリ）が配置される。そして、制御計算機ユニット１２０に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報は、その都度、制御計算機ユニット１２０内に配置された少なくとも１つのメモリに記憶される。
【００５６】
図９では、本実施の形態３を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
【００５７】
図１０は、実施の形態３における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図１０において、付加領域設定工程（Ｓ１１２）、付加領域用セル抽出工程（Ｓ１１４）、付加領域データ出力工程（Ｓ１１６）、及びマージ処理工程（Ｓ１１８）を追加した点以外は、図３と同様である。よって、分散処理領域設定工程（Ｓ１０２）〜分散処理領域データ出力工程（Ｓ１０６）までの各工程の内容は実施の形態１と同様である。
【００５８】
Ｓ１１２において、付加領域設定工程として、付加領域設定部５０は、分散処理領域毎に、当該分散処理領域の周囲に付加領域を設定する。
【００５９】
図１１は、実施の形態３におけるセルが抽出された分散処理領域と付加領域と比較検証領域との一例を示す図である。図１１において、分散処理領域６２毎に、当該分散処理領域６２の周囲に所定のマージン幅で付加領域６３が設定される。
【００６０】
Ｓ１１４において、付加領域用セル抽出工程として、付加領域用セル抽出部５２は、付加領域６３毎に、レイアウトデータから該当する付加領域６３内部に配置されることになるセルを抽出する。セルを抽出する際、分散処理領域６２でセルの抽出に用いた基準位置からの位置関係によって該当する付加領域６３内部に配置されることになるセルを抽出する。或いは、独自の基準位置からの位置関係によって該当する付加領域６３内部に配置されることになるセルを抽出しても構わない。図１１において、付加領域６３では、付加領域６３内に全体が入る１つのセル７２と付加領域６３からはみ出す７つのセル７４とを抽出する。
【００６１】
Ｓ１１６において、付加領域データ出力工程として、付加領域データ出力部５４は、付加領域６３毎に、該当する付加領域６３に定義された付加領域６３用データをマージ処理部５６に出力する。
【００６２】
Ｓ１１８において、マージ処理工程として、マージ処理部５６は、分散処理領域６２と当該分散処理領域６２の周囲に設定された付加領域６３とをマージ処理する。そして、合わせた拡張領域６５用データとしてセル比較部３０に出力する。マージ処理の際、分散処理領域６２と付加領域６３とで共通するセルについては１つにマージされることは言うまでもない。
【００６３】
Ｓ２０２において、比較検証領域設定工程として、比較検証領域設定部２０は、複数の拡張領域６５の各拡張領域６５とそれぞれ対応する同位置に設定される複数の比較検証領域（検証用領域）を設定する。ここでは、比較検証領域６８は拡張領域６５のサイズに合わせて設定される。
【００６４】
Ｓ２０４において、比較検証領域用セル抽出工程として、比較検証領域用セル抽出部２２は、比較検証領域６８毎に、レイアウトデータから該当する比較検証領域６８内部に配置されることになるセルを抽出する。セルを抽出する際、分散処理領域６２や付加領域６３でセルの抽出に用いた基準位置とは異なる、予め設定された基準位置（第２の基準位置）からの位置関係によって該当する比較検証領域６８内部に配置されることになるセルを抽出する。図１１の例では、比較検証領域６８内に全体が入る１１個のセル７２と隣の比較検証領域６８にも跨る３つのセル７４とを抽出する。そして、抽出されたセルのセルパターンデータは、該当する比較検証領域６８に定義される。ここでは、抽出用の基準位置を分散処理領域６２や付加領域６３でセルの抽出に用いた基準位置とあえて別にすることで、抽出条件を変えることができる。
【００６５】
Ｓ２０６において、比較検証領域用データ出力工程として、比較検証領域用データ出力部２４は、比較検証領域６８毎に、該当する比較検証領域６８に定義された比較検証領域用データをセル比較部３０に出力する。
【００６６】
判定工程（Ｓ４０６）及び判定工程（Ｓ４１０）において、「検証ＯＫとして、出力部４６が分散処理領域６２毎にその結果と分散処理領域データとを記憶装置１４２に出力する」点を除いて、セル座標比較工程（Ｓ４０２）〜判定工程（Ｓ４１０）までの各工程における分散処理領域（或いは分散処理領域６２）を拡張領域（或いは拡張領域６５）と読み替える点以外の内容は実施の形態１と同様である。また、判定工程（Ｓ４１０）の後の各工程の内容は実施の形態１と同様である。
【００６７】
以上のように、実施の形態３では、実施の形態１よりもさらに、検証用の領域のサイズを大きくすることでセルの抽出漏れを抑制することができる。よって、実施の形態１よりも検証漏れを低減することができ、実施の形態１よりもさらにローカライズ処理の検証精度を向上させることができる。
【００６８】
次に、付加領域６３のマージン幅のサイズについて説明する。
【００６９】
図１２は、実施の形態３における付加領域の幅が一定のサイズである場合の一例を示す概念図である。図１２（ａ）では、Ｘ１×Ｙ１のサイズの分散処理領域８２が示されている。図１２（ｂ）では、Ｘ２×Ｙ２のサイズの分散処理領域８４が示されている。図１２（ｃ）では、Ｘ３×Ｙ３のサイズの分散処理領域８６が示されている。このように、分散処理領域を設定するにあたり、異なるサイズで設定しても構わない。或いは、チップ領域内では一定のサイズとするがチップ領域毎にサイズを変えて設定するようにしても構わない。図１２の例では、かかるサイズが異なる分散処理領域８２，８４，８６であっても同じ幅ａでそれぞれの付加領域９２，９４，９６を設定する。このように、同じ幅で付加領域を設定しても構わない。或いは、以下のようにサイズを変更しても好適である。
【００７０】
図１３は、実施の形態３における付加領域の幅が可変のサイズである場合の一例を示す概念図である。図１３（ａ）では、Ｘ１×Ｙ１のサイズの分散処理領域８２が示されている。図１３（ｂ）では、Ｘ２×Ｙ２のサイズの分散処理領域８４が示されている。図１３（ｃ）では、Ｘ３×Ｙ３のサイズの分散処理領域８６が示されている。このようなサイズが異なる分散処理領域８２，８４，８６に付加領域を設定する場合に、分散処理領域のサイズに比例係数ｒを乗じた値に付加領域の幅を変更しても好適である。図１３の例では、図１３（ａ）に示す分散処理領域８２用には、Ｘ方向の幅がｒ・Ｘ１及びＹ方向の幅がｒ・Ｙ１、すなわち、幅が（ｒ・Ｘ１，ｒ・Ｙ１）となる付加領域９１を設定される。同様に、図１３（ｂ）に示す分散処理領域８４用には、Ｘ方向の幅がｒ・Ｘ２及びＹ方向の幅がｒ・Ｙ２、すなわち、幅が（ｒ・Ｘ２，ｒ・Ｙ２）となる付加領域９３を設定される。また、図１３（ｃ）に示す分散処理領域８６用には、Ｘ方向の幅がｒ・Ｘ３及びＹ方向の幅がｒ・Ｙ３、すなわち、幅が（ｒ・Ｘ３，ｒ・Ｙ３）となる付加領域９５を設定される。このように、分散処理領域のサイズに応じて幅を変えて付加領域を設定しても構わない。
【００７１】
ここで、分散処理領域のサイズに応じて無限に幅を変えてしまうと都合の悪い場合も生じ得る。例えば、付加領域の幅が大きくなるとそれに応じてデータ処理量も増えるので検証時間も長くなる。逆に、付加領域の幅が小さすぎると付加領域を付加する効果が発揮されない場合も生じ得る。よって、付加領域の幅について上限と下限を設けると好適である。
【００７２】
図１４は、実施の形態３における分散処理領域サイズと付加領域サイズとの関係を示す図である。図１４に示すように、分散処理領域サイズに応じて付加領域サイズも比例するが、付加領域サイズに上限と下限を設定する。
【００７３】
図１５は、実施の形態３における付加領域の幅が可変のサイズである場合の他の一例を示す概念図である。図１５（ａ）では、Ｘ１×Ｙ１のサイズの分散処理領域８２が示されている。図１５（ｂ）では、Ｘ２×Ｙ２のサイズの分散処理領域８４が示されている。図１５（ｃ）では、Ｘ３×Ｙ３のサイズの分散処理領域８６が示されている。このようなサイズが異なる分散処理領域８２，８４，８６に付加領域を設定する場合に、分散処理領域のサイズに比例係数ｒを乗じた値に付加領域の幅を変更する際、上限と下限の許容範囲内で付加領域の幅を設定すると好適である。図１５の例では、図１５（ａ）に示す分散処理領域８２用には、図１３（ａ）と同じサイズの付加領域９１が設定される。すなわち、付加領域９１の幅は、分散処理領域８２のサイズに対して許容範囲内のサイズであることを示している。また、図１５（ｂ）に示す分散処理領域８４用には、図１３（ｂ）と同じサイズの付加領域９３が設定される。すなわち、付加領域９３の幅も、分散処理領域８４のサイズに対して許容範囲内のサイズであることを示している。しかし、図１５（ｃ）に示す分散処理領域８６用には、図１３（ｃ）と同じサイズの付加領域９５よりも小さい幅の付加領域９８が設定される。すなわち、付加領域９５の幅は、分散処理領域８６のサイズに対して上限を超えるサイズであることを示している。かかる場合には、上限値の幅の付加領域９８が設定される。
【００７４】
以上のように、付加領域の幅は、許容される範囲内において当該幅方向に延びる分散処理領域の辺の長さに所定の割合を乗じた値に設定されると好適である。ここで、上限と下限は、ＳＦサイズ、図示していないクラスタサイズ、チップ領域内に存在するセルの最大サイズ等によって決定すると好適である。具体的には処理時間が許容する範囲よりも短くなるように設定するとよい。また、制御計算機ユニット１２０内のメモリ使用量が対応可能な量となる範囲で設定するとよい。
【００７５】
また、以上の説明において、「〜部」或いは「〜工程」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の記録媒体に記録される。
【００７６】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、図３では、分散処理領域設定工程（Ｓ１０２）〜分散処理領域データ出力工程（Ｓ１０６）までの工程グループと、比較検証領域設定工程（Ｓ２０２）〜比較検証領域データ出力工程（Ｓ２０６）までの工程グループとを並列で記載したが、一方を先に他方がそれに続くようにシリーズで実施しても構わない。同様に、図７では、分散処理領域設定工程（Ｓ１０２）〜分散処理領域データ出力工程（Ｓ１０６）までの工程グループと、検証用小領域設定工程（Ｓ２１２）〜検証用小領域データマージ処理工程（Ｓ２１８）までの工程グループとを並列で記載したが、一方を先に他方がそれに続くようにシリーズで実施しても構わない。また、図１０では、分散処理領域設定工程（Ｓ１０２）〜分散処理領域データ出力工程（Ｓ１０６）までの工程グループと、付加領域設定工程（Ｓ１１２）〜付加領域データ出力工程（Ｓ１１６）までの工程グループとを並列で記載したが、一方を先に他方がそれに続くようにシリーズで実施しても構わない。また、これらと、比較検証領域設定工程（Ｓ２０２）〜比較検証領域データ出力工程（Ｓ２０６）までの工程グループとを並列で記載したが、一方を先に他方がそれに続くようにシリーズで実施しても構わない。
【００７７】
また、実施の形態３は、実施の形態１の構成に付加領域を付加しているが、これに限るものではなく、実施の形態２の構成において、付加領域を付加する構成にしても構わない。
【００７８】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００７９】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての描画データに対するデータ処理の検証方法、描画方法及び描画装置は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における分散処理領域の一部と分散処理領域に定義されるセルの一例を示す概念図である。
【図３】実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図４】実施の形態１におけるセルが抽出された分散処理領域と比較検証領域との一例を示す図である。
【図５】実施の形態１における分散処理領域用データのフォーマットの一部を示す概念図である。
【図６】実施の形態２における描画装置の構成を示す概念図である。
【図７】実施の形態２における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図８】実施の形態２におけるセルが抽出された分散処理領域と検証用小領域と比較検証領域との一例を示す図である。
【図９】実施の形態３における描画装置の構成を示す概念図である。
【図１０】実施の形態３における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図１１】実施の形態３におけるセルが抽出された分散処理領域と付加領域と比較検証領域との一例を示す図である。
【図１２】実施の形態３における付加領域の幅が一定のサイズである場合の一例を示す概念図である。
【図１３】実施の形態３における付加領域の幅が可変のサイズである場合の一例を示す概念図である。
【図１４】実施の形態３における分散処理領域サイズと付加領域サイズとの関係を示す図である。
【図１５】実施の形態３における付加領域の幅が可変のサイズである場合の他の一例を示す概念図である。
【図１６】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【符号の説明】
【００８１】
１０  分散処理領域設定部
１２  分散処理領域用セル抽出部
１４  分散処理領域用データ出力部
２０  比較検証領域設定部
２１  検証用小領域設定部
２２  比較検証領域用セル抽出部
２３  検証用小領域用セル抽出部
２４  比較検証領域用データ出力部
２５  検証用小領域用データ出力部
２６，５６  マージ処理部
３０  セル比較部
３２，４２，４４  判定部
４０  図形データ比較部
４６  出力部
５０  付加領域設定部
５２  付加領域用セル抽出部
５４  付加領域用データ出力部
６０  チップ領域
６２，８２，８４，８６  分散処理領域
６３，９１，９２，９３，９４，９５，９６，９８  付加領域
６４，６８  比較検証領域
６５  拡張領域
６６  検証用小領域
７２，７４，７６  セル
８０  分散処理領域用データ
８１  セルパターンデータ
１００  描画装置
１０１，３４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１２０，１３０  制御計算機ユニット
１３２  ＣＰＵ
１３４  メモリ
１４０，１４２，１４４  記憶装置
１４６  制御回路
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５  偏向器
２０７  対物レンズ
２０８  主偏向器
２０９  副偏向器
３３０  電子線
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
2010147100.tif 000003
【図２】
2010147100.tif 000004
【図３】
2010147100.tif 000005
【図４】
2010147100.tif 000006
【図５】
2010147100.tif 000007
【図６】
2010147100.tif 000008
【図７】
2010147100.tif 000009
【図８】
2010147100.tif 000010
【図９】
2010147100.tif 000011
【図１０】
2010147100.tif 000012
【図１１】
2010147100.tif 000013
【図１２】
2010147100.tif 000014
【図１３】
2010147100.tif 000015
【図１４】
2010147100.tif 000016
【図１５】
2010147100.tif 000017
【図１６】
2010147100.tif 000018