(57)【要約】【課題】導管を備える流体ハンドリング構造が提供される。【解決手段】導管は流体を（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給するように構成されている。流体は、第１相流体と第２相流体とを含む。導管は第１相流体を通過させる第１相流体の開口と第２相流体を通過させる第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える。また、このような導管を備えるテーブルとリソグラフィ装置並びに導管を使用する方法が開示される。【選択図】図７
2010147466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体ハンドリング構造であって、流体を（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）該空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給するように構成された導管を備え、前記流体が第１相流体と第２相流体とを含み、前記導管が前記第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と前記第２相流体を通過させる第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える、流体ハンドリング構造。
【請求項２】
前記第１相流体の開口が第１相流体透過部材に関連付けられ、前記第２相流体の開口が第２相流体透過部材に関連付けられる、請求項１に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項３】
前記第１相流体透過部材及び／又は前記第２相流体透過部材が、メンブレン及び／又はふるいを備える、請求項２に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項４】
前記第１相流体の開口が前記第１相流体を実質的に排他的に通過させるように構成され、前記第２相流体の開口が前記第２相流体を実質的に排他的に通過させるように構成される、前記請求項のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項５】
前記導管が前記第１相流体透過部材の下流側に別の透過部材を含み、該別の透過部材がそれを通過する前記流体のフローを平滑化するように構成される、請求項２から４のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項６】
前記第２相流体透過部材が前記第１相流体透過部材より上に配置される、請求項２から５のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項７】
前記第２相流体透過部材が液浸システムの導管、少なくとも導管の一部の実質的に最も高いポイントに置かれる、請求項６に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項８】
前記導管が、液浸液を供給するように構成される、前記請求項のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項９】
前記第１相流体が液体で、前記第２相流体がガスである、前記請求項のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項１０】
前記開口が、前記導管に関して出口である、前記請求項のいずれか１項に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項１１】
液浸リソグラフィ装置のためのテーブルであって、流体をテーブル及び／又は基板の上面に供給するように構成された導管を備え前記流体が第１相流体と第２相流体とを含み、前記導管が前記第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と前記第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える、テーブル。
【請求項１２】
流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置であって、該流体ハンドリング構造が導管を備え、該導管が流体を（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）該空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給するように構成され、前記流体が第１相流体と第２相流体とを含み、前記導管が前記第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と前記第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える、リソグラフィ装置。
【請求項１３】
テーブルを備える液浸リソグラフィ装置であって、該テーブルが導管を備え、該導管が流体をテーブル及び／又は基板の上面に供給するように構成され、前記流体が第１相流体と第２相流体とを含み、前記導管が前記第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と前記第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える、液浸リソグラフィ装置。
【請求項１４】
デバイス製造方法であって、流体を（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）該空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給することを含み、該供給することが流体ハンドリング構造の導管を通して流体を供給することを含み、該流体が第１相流体と第２相流体とを含み、前記導管が前記第１相流体を通過させる第１相流体の開口と前記第２相流体を通過させる第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える、デバイス製造方法。
【請求項１５】
デバイス製造方法であって、流体を液浸リソグラフィ装置のテーブルの上面及び／又は基板の上面に供給することを含み、該供給することが前記テーブルの導管を通して流体を供給することを含み、該流体が前記第１相流体と第２相流体とを含み、前記導管が第１相流体を通過させる第１相流体の開口と前記第２相流体を通過させる第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、流体ハンドリング構造、テーブル、リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は例えば蒸留水でよいが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に有用である。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。
【０００４】
[0004]  基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005]  液浸装置内では、液浸液が流体ハンドリングシステム、構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給することができ、それにより、流体供給システムであってもよい。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めることができ、したがって、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体へのバリアを形成でき、それにより、流体閉じ込め構造のようなバリア部材であってもよい。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、例えば液浸流体のフロー及び／又は位置を制御する際に助けになるように、ガスのフローを生成又は使用することができる。ガスのフローは液浸流体を閉じ込める封止を形成でき、したがって、流体ハンドリングシステムを封止部材と呼んでもよい。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液が液浸流体として使用される。その場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記の説明に関し、本節で流体に関連して定義された特徴は、液体に関連して定義された特徴を含むものと理解してよい。
【０００６】
[0006]  提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口によって基板Ｗ上に、望ましくは最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給され、投影システムＰＳの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板Ｗが−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは両側に出口を持つ４組の入口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。液体供給及び液体回収デバイス内の矢印は、液体のフローの方向を示す。
【０００７】
[0007]  局所液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口及び出口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口及び出口は動作しない）。図４の断面図では、矢印は、入口及び出口から流入及び排出される液体のフローの方向を示す。
【０００８】
[0008]  欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを備える。第１の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第２の位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。
【０００９】
[0009]  ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板を覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。
【００１０】
[00010]  液浸システム内の気泡は望ましくない。投影システムの最終要素と基板との間の空間内の気泡は、結像エラー、例えば、基板上に形成されるパターンの欠陥を引き起こす場合があるので望ましくない。例えば、すべてのオールウェットシステムで、液浸空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面の気泡によって上面のディウェッテングが引き起こされることがある。そうした、又はその他の場合、気泡は、現場で形成されるか又は液浸システムに供給される液体内に存在する可能性がある。液浸システムに供給される液体内の気泡は、投影システムの最終要素と基板との間の空間又は液浸空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に侵入することがある。これら又は他の場所では、気泡は、上記の結像及び／又はディウェッティングの問題を引き起こすことがある。
【発明の概要】
【００１１】
[00011]  したがって、気泡が（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に侵入する可能性が解消はされないにせよ低減される流体供給システムを提供することが望ましい。こうして、空間内及び／又は上面の気泡の存在が回避できる。
【００１２】
[00012]  本発明のある実施形態によれば、流体を（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給するように構成された導管を備える流体ハンドリング構造であって、流体が第１相流体と第２相流体とを含み、導管が第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える流体ハンドリング構造が提供される。
【００１３】
[00013]  本発明のある実施形態によれば、流体を基板及び／又は基板テーブルの上面に供給するように構成された導管を備えるリソグラフィ装置ためのテーブルであって、流体が第１相流体と第２相流体とを含み、導管が第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備えるテーブルが提供される。
【００１４】
[00014]  本発明のある実施形態によれば、流体ハンドリング構造を有するリソグラフィ装置が提供される。流体ハンドリング構造は導管を備える。導管は、流体を（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給するように構成されている。流体は、第１相流体と第２相流体とを含む。導管は、第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える。
【００１５】
[00015]  本発明のある実施形態によれば、テーブルを備えるリソグラフィ装置が提供される。テーブルは導管を備える。導管は、流体を基板及び／又は基板テーブルの上面に供給するように構成されている。流体は、第１相流体と第２相流体とを含む。導管は、第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える。
【００１６】
[00016]  本発明のある実施形態によれば、流体を（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給することを含むデバイス製造方法が提供される。供給ことは、流体ハンドリング構造の導管を通して流体を供給することを含む。流体は、第１相流体と第２相流体とを含む。導管は、第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える。
【００１７】
[00017]  本発明のある実施形態によれば、流体を液浸リソグラフィ装置のテーブルの表面及び／又は基板の上面に供給することを含むデバイス製造方法が提供される。供給ことは、テーブルの導管を通して流体を供給することを含む。流体は、第１相流体と第２相流体とを含む。導管は、第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
[00018]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【００１９】
【図１】[00019]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[00020]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。
【図３】[00020]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。
【図４】[00021]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。
【図５】[00022]リソグラフィ装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。
【図６】[00023]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。
【図７】[00024]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。
【図８】[00025]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムの平面図である。
【図９】[00026]図８に示す液体供給システムの一部の断面図である。
【図１０】[00027]本発明のある実施形態の導管の略断面図である。
【図１１】[00028]本発明のある実施形態の異なる導管の略断面図である。
【図１２】[00029]本発明のある実施形態の異なる導管の略断面図である。
【図１３】[00030]本発明のある実施形態の異なる導管の略断面図である。
【図１４】[00031]本発明のある実施形態の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
[00032]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
[00033]−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[00034]−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[00035]−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[00036]−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００２１】
[00037]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２２】
[00038]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２３】
[00039]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００２４】
[00040]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２５】
[00041]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００２６】
[00042]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２７】
[00043]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２８】
[00044]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２９】
[00045]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＭを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００３０】
[00046]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、投影システムＰＳを通過し、これは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブラインアラインメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３１】
[00047]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３２】
[00048]  １．ことモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ことモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３３】
[0049]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３４】
[00050]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３５】
[00051]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３６】
[00052]  投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、少なくとも２つの一般的なカテゴリーに分類される。これらは、浴槽タイプ（又は浸漬）構成といわゆる局所液浸システムである。浸漬構成では、基板の実質的に全部とオプションとして基板テーブルの一部が液体内に、例えば、浴槽内又は液体膜の下に浸漬される。局所液浸システムは、基板の局所領域に液体を提供する液体供給システムを使用する。後者のカテゴリーでは、液体によって充填される空間は、平面視で基板の上面より小さい。基板を覆う空間内の液体の量は、基板がその空間の下を移動する間、投影システムに対して実質的に静止している。
【００３７】
[00053]  本発明のある実施形態が狙いとする別の構成は、液体が閉じ込められるオールウェット構成である。この構成では、基板上面の実質的に全部と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。図２〜図５の液体供給装置のいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、液体供給装置内には封止特徴部が存在しないか、動作されていないか、通常のものより効率が落ちるか、その他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない。図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図２〜図４に開示された液体供給システムについては上記の通りである。
【００３８】
[00054]  図５は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材又は流体閉じ込め構造１２を備えた局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造を概略的に示す。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルの表面も指すことに留意されたい。）流体閉じ込め構造１２は、投影システムに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、流体閉じ込め構造と基板Ｗの表面との間には封止が形成され、封止は、ガスシール又は流体封止などの非接触封止でよい。
【００３９】
[00055]  流体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間内に閉じ込められるように、基板Ｗへの非接触封止１６を投影システムの画像フィールドの周囲に形成することができる。空間は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置し、それを取り囲む流体閉じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムの下方の空間、さらに液体入口１３などの開口を通して流体閉じ込め構造１２内に流し込まれる。液体は、液体出口１３などの開口を通して除去することができる。流体閉じ込め構造１２は、投影システムの最終要素から上に少し突き出すことができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、流体閉じ込め構造１２は、上端で投影システム又はその最終要素の形状にぴったりと一致する例えば円形の内周を有する。底部で、内周は、画像フィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。
【００４０】
[00056]  液体は、使用時に流体閉じ込め構造１２の底と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシール１６は、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ２又はその他の不活性ガスによって形成される。ガスシール内のガスは、入口１５などの開口を介して流体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間の空隙に加圧下で提供される。ガスは、出口１４などの開口を介して取り出される。液体を内側に閉じ込める高速のガスフロー１６が存在するように、ガス入口１５上の過剰圧力、出口１４上の真空レベル及び空隙の幾何構造が配置されている。流体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間の液体上のガスの力で液体は、空間１１内に封じ込められる。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的又は不連続的であってもよい。ガス１６の流れは、液体を空間１１内に封じ込める効果がある。そのようなシステムが米国特許出願第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００４１】
[00057]  本発明のある実施形態は、液浸装置で使用される任意のタイプの流体ハンドリングシステムに適用できる。図５の例は、液体が任意の１回で基板Ｗの上面の局所領域にのみ供給される局所領域構成である。
【００４２】
[00058]  例えば、米国特許出願ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示された単相抽出器（２相モードで動作するか否かを問わず）を使用する流体ハンドリングシステムを含むその他の構成及び変形形態も可能である。この点に関して、単相抽出器のある実施形態は、２相モードで動作可能であることに留意されたい。ある実施形態では、単相抽出器は、板の形の多孔質の部材などの多孔質の材料で覆われた入口を含んでいてもよい。多孔質の材料は、単一液相の液体抽出を可能にするためにガスから液体を分離するために使用される。多孔質の材料の下流にあるチャンバはわずかに圧力がかかった状態に保たれ、液体で満たされている。チャンバ内の負圧は、多孔質の材料の穴に形成されたメニスカスによって周囲ガスがチャンバ内に引き込まれない程度の大きさである。しかし、多孔質の表面が液体に接触すると、フローを制限するメニスカスは存在せず、液体はチャンバ内に自由に流入できる。多孔質の材料は、例えば５〜５０μｍの範囲の直径の多数の小さい孔を有する。ある実施形態では、多孔質の材料は、少なくともわずかに親液性（例えば、水の存在に対する親水性）であり、すなわち、水などの液浸液に対して９０°未満の接触角を有する。
【００４３】
[00059]  別の構成又は変形形態は、気体抵抗原理に基づいて動作する。いわゆる気体抗力原理は、例えば、２００８年５月８日出願の米国特許出願ＵＳ２００８−０２１２０４６号及び米国特許出願ＵＳ６１／０７１，６２１号に記載されている。そのシステムでは、抽出開口（例えば、孔）が望ましくは角を有する形状に配置されている。角は、こと及びスキャン方向に整列していてもよい。これによって、２つの出口がスキャン方向に垂直に整列していた場合と比較して、基板テーブルＷＴ（基板Ｗを含む）と流体閉じ込め構造との間のこと又はスキャン方向の所与の相対速度について流体ハンドリング構造の表面の２つの開口の間のメニスカスにかかる力が低減する。
【００４４】
[00060]  本発明のある実施形態は、オールウェット液浸装置で使用される流体ハンドリング構造に適用できる。オールウェット実施形態では、例えば、投影システムの最終要素と基板との間に液体を閉じ込める閉じ込め構造から液体が漏出できるようにすることで、流体は、基板テーブルの上面の実質的に全部を覆うことができる。オールウェット実施形態の流体ハンドリング構造の一例は、２００８年９月２日出願の米国特許出願ＵＳ６１／１３６，３８０号に記載されている。
【００４５】
[00061]  その他の構成も可能であり、以下の説明から明らかになるように、どのタイプの液体供給システム又は液体閉じ込めシステムを使用するか、又はそのようなシステムの正確な構造は重要ではない。
【００４６】
[00062]  図６は、図１にＩＨとして示す流体ハンドリングシステム１２の略断面図を示す。流体ハンドリングシステム１２は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間１１に液体を閉じ込めるのを助ける。流体ハンドリングシステム１２は、液浸空間１１に液体を提供することができる。図を見やすくするために、液浸空間１１に液体を流入させ、及び／又はそこから排出する開口（入口及び出口）は図示していない。開口は、単相抽出器、多孔質のプレート、ガス抵抗及びオールウェット構成に関する上述のいかなる適切なタイプ及び構成であってもよい。流体ハンドリングシステム１２が液浸液を局所領域に閉じ込めるためのタイプである場合、１つ又は複数の封止特徴部２０が流体閉じ込め構造１２の下面２２上にあってもよい。下面２２は、使用時に基板及び／又は基板テーブルＷＴと対向する。下面２２は、基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗの上面に実質的に平行であってもよい。
【００４７】
[00063]  封止特徴部２０は、いかなるタイプ、例えば、いかなるガスシール、ガスナイフ、液体抽出構成、及び／又はメニスカスピニングフィーチャであってもよい。メニスカスピニングフィーチャは、液体メニスカスを固定するように構成されたポイントを有してもよい。封止特徴部２０は、オールウェット実施形態では、なくてもよく、効率が落ちるか、また活性化されていなくてもよい。
【００４８】
[00064]  流体ハンドリングシステム１２内には、開口３０（すなわち、入口又は出口あるいはその両方）が存在する。開口３０は、使用時に、流体のフローが基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗの方へ誘導されるように構成されていてもよい。開口３０を用いて矢印３５の方向に液体が提供される。開口３０は、基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗの上面に実質的に垂直な方向に液体のフローを誘導するように流体ハンドリング構造の表面に構成され配置されていてもよい。開口は、下面２２に画定されていてもよい。開口３０は、下面２２に画定された凹部５０内に形成されていてもよい。
【００４９】
[00065]  図７に流体ハンドリング構造１００の断面が示されている。流体ハンドリング構造１００は、非閉じ込め（又はオールウェット）構成用に設計されている。オールウェット構成では、流体ハンドリング構造１００は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ（基板Ｗ、基板テーブルＷＴ、又はその両方が投影システムＰＳの下に位置するかに応じて）との間の空間１１に液体を供給する。液浸液は、内側開口１１０（例えば、入口）を通して空間に供給される。液浸液は、内側開口１１２（例えば、出口）を通して空間から除去することができる。
【００５０】
[00066]  流体ハンドリング構造１００は、投影システムＰＳの下側ではない基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面に液体を供給する。したがって、流体ハンドリング構造１００は、空間１１から半径方向外側に基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面に液体を供給する。したがって、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面の実質的に全部が、露光中に液浸液、例えば、液浸液の薄膜で覆われる。
【００５１】
[00067]  図７に示す流体ハンドリング構造１００は、本体１０５を備える。本体１０５は、部分的に空間１１を画定する表面を形成する内部表面１０６を有する。したがって、空間１１は、側面で本体１０５の表面１０６と境界を接し、上面で投影システムＰＳの最終要素と境界を接し、底面で基板Ｗ（及び／又は基板テーブルＷＴ又はシャッター部材と境界を接している。シャッター部材は、例えば、基板の交換、すなわち、露光のための投影システムの下への別の基板の配置の間に流体閉じ込め構造の下に配置することができる特徴部である。例えば、基板の交換時に空間１１を部分的に画定するシャッター部材の表面は、液浸液が空間内に保持するのを助ける。）本体１０５は液体閉じ込め部材１２と考えられる。
【００５２】
[00068]  本体１０５は、流体ハンドリング構造１００の一部でもよいバリア１３０を有する。バリア１３０は、基板Ｗに最も近い特徴部（流体ハンドリング構造１００に関連付けられた）である。バリア１３０は、空間（及びそれ故、内側開口１１０）から半径方向外側に（パターン付ビームが露光時にたどる投影システムＰＳから基板Ｗへ液体閉じ込め部材１２を通過する光軸に対して）液浸液のフローを阻止するバリアであってもよい。バリア１３０は、対向する表面、例えば、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上方にある時に液浸液のフローへの制限として機能する。
【００５３】
[00069]  流体ハンドリング構造の本体１０５は、半径方向外側の表面と、基板の露光中に基板に対向する下面１１１とを有する。半径方向外側の表面及び／又は下面には外側開口１２０、１２５（又は第２の開口）が画定されている。半径方向外側の開口１２５は、半径方向外側の表面１０９に画定されている。下側の外側開口１２０は、下面１１１に画定されている。
【００５４】
[00070]  外側開口１２０、１２５を通して液浸液を供給することができる。液浸液は、空間１１から半径方向外側に基板テーブルＷＴ及び／又は基板の表面を覆うように供給される。空間１１内の液浸液の半径方向外側の液浸液は、バルク液浸液１１３と呼ばれる。外側開口から流出するバルク液浸液内の液体のフローをバルクフローと呼んでもよい。
【００５５】
[00071]  望ましくは、バリア１３０は、外側開口１２０、１２５から供給された液体が空間１１内に流入することを実質的に防止するように構成されている。バリア１３０は、空間１１に供給される液浸液がバリア１３０と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間の空間１１から半径方向外側に流出するのを制限／防止するように構成されていてもよい。また、バリア１３０は、液浸空間１１内の液体と外側開口１２０、１２５からの液体が大幅に混ざり合うのを防止してもよい。
【００５６】
[00072]  バリア１３０の底面と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間に空隙１０７が存在する。バリア１３０によって大きいフロー抵抗が生成される。これは、空隙１０７の高さを小さく、例えば、５０〜２５０μｍにすることで達成できる。空隙１０７の高さは、望ましくは０．１〜０．２ｍｍである。これは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の約２〜４ｍｍの距離に匹敵する。空隙１０７は、空間１１からの液体を制限するために小さく保たれている。すなわち、本体１０５のバリア１３０は、流体ハンドリング構造１００と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間の空間１１からの液体のフローに抵抗する。
【００５７】
[00073]  図７に示すように、外部抽出開口１２２（又は第３の開口）があってもよい。第３の開口１２２は、出口であってもよい。第３の開口１２２は、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの上面から液体を抽出するように構成されていてもよい。このような抽出された液浸液は、投影システムＰＳの下に存在しなかったであろう。第３の開口１２２を通して液体を抽出することで、バルクフローの速度、例えば、流体ハンドリング構造（基板を覆うバルク液体は、流体ハンドリング構造に対して移動することがあるため）及び／又は基板（流体ハンドリング構造から供給されるフローは、供給時に基板に対して移動することがあるため）に対する流体ハンドリング構造１００からのバルクフローの供給速度を制御するのを助ける。
【００５８】
[00074]  液浸液を供給する別の構成が、本明細書に組み込むものとする２００８年６月２日出願の米国特許出願ＵＳ６１／１２９，０６１号に開示されている。図８に示すように、基板テーブルＷＴに画定された１つ又は複数の開口（例えば、出口）は、基板テーブルＷＴの上面に液浸液を提供する。基板テーブルＷＴの上面に開口３００、４００を画定してもよい。液浸液をバルクフローに供給してもよい。これは、空間１１に液体を提供しバルクフローを提供することができる液体ハンドリングシステムによって供給される液浸液への追加分である。開口からのフローは、外側開口１２０、１２５から供給されるバルク液浸液のフローから独立していてもよい。開口３００、４００は、特に、ディウェッティングのリスクが高い領域の隣接する（又は近接する）場所にあってもよい。そのような領域は、使用時に基板Ｗが配置される基板支持体１０１の縁部、及び／又は基板テーブルＷＴの縁部４９０の隣接する（又は近接する）領域を含む。
【００５９】
[00075]  図８は、基板テーブルＷＴの平面図である。図９は、図８に示す基板テーブルの一部の断面図である。凹部の縁部１０２によって基板テーブルＷＴの表面に凹部が画定される。基板支持体１０１が、凹部１０２内に提供される。凹部の縁部１０２の周囲に、基板支持体１０１の半径方向外側に、液浸流体を基板テーブルＷＴの上面へ供給するための凹部の開口３００が画定される。
【００６０】
[00076]  開口３００は、基板支持体１０１を取り囲む。ある実施形態では、開口３００は実質的に環状である。ある実施形態では、開口３００は、連続的（すなわち、単一のスリット）又は不連続的（すなわち、ある実施形態では一連の緊密に離間した環状の開口である離散的開口）であってもよい。開口３００は、基板支持体１０１及び／又は基板Ｗの形状と同じ形状であってもよい。
【００６１】
[00077]  凹部の開口３００に、追加的に又は代替的に縁部の開口４００を提供してもよい。開口４００は、基板テーブルＷＴの縁部４９０の隣接する（又は近接する）基板テーブルＷＴの上面に画定される。開口４００は、例えば、平面視で（例えば、基板テーブルの表面に平行な平面内で）基板テーブルＷＴの縁部と実質的に同じ形状であってもよい。開口４００は、環状であってもよい。ある実施形態では、開口４００は、連続的（すなわち、単一のスリット）又は不連続的（すなわち、ある実施形態では、一連の緊密に離間した環状の開口である離散的開口）であってもよい。
【００６２】
[00078]  各開口３００、４００は、それぞれ基板支持体１０１の一部及び基板の縁部４９０に隣接して（例えば、周囲に）あってもよい。例えば、ある実施形態では、液体は、基板テーブルＷＴの限られた数の縁部４９０、例えば、２つの（望ましくは対向する）縁部の上を流れることができる。その場合、開口４００は、特定の縁部、例えば、液体がその上を流れることができる２つの縁部に隣接してあってもよい。
【００６３】
[00079]  液浸システムに供給される液体内の気泡、例えば、ガスは、露光中に空間１１に侵入することがあり、又は空間１１から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に侵入することがある。これらの場所のいずれか又は両方で、気泡は、前述した問題を引き起こすことがある。これらの場所の各々への液体は、開口、例えば、３０、１１０、１２０、１２５、３００、４００と開口に接続された導管を通して供給される。
【００６４】
[00080]  各々が別の流体相を通過させるように構成された少なくとも２つの開口に導管を提供して液浸液内の気泡が液浸システムに供給されないようにすることができることが望ましい。導管は、第１相流体の開口と第２相流体の開口を有してもよい。第１相流体の開口は、ガスなどの第１相流体を通過させるように構成されている。第２相流体の開口は、液体などの第２相流体を通過させるように構成されている。
【００６５】
[00081]  液浸液として液浸システムに供給される液体は、液浸液内の気泡として又は液浸液内に溶解したガスを含んでいてもよい。上記構成によって液体が液浸システムに提供される前に液体からガスを除去することができるため、この構成は望ましい。それ故、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間内及び／又は基板及び／又は基板テーブルの上面に液浸空間の半径方向外側の気泡の存在を防止するのを助けることで、上記又は他の問題の１つ以上が緩和される。
【００６６】
[00082]  本発明のある実施形態による導管が図１０に示されている。導管２０１は、流体を（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）空間１１から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給するように構成されている。流体は、第１相流体２０２と、第２相流体２０３とを含む。導管は、少なくとも２つの開口、すなわち、第１相流体２０２を通過させるように構成された第１相流体の開口２０４と、第２相流体２０３を通過させるように構成された第２相流体の開口２０５とを備える。両方の開口２０４、２０５は、導管に関して出口である。
【００６７】
[00083]  第１相流体の開口２０４を通過する流体２０６は、（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給される。（液体は空間１１、次いで空間１１から半径方向外側に供給されることに留意されたい。これは、第１相流体の開口２０４が第１相流体を空間に供給する一方の開口と、空間１１から半径方向外側に第１相流体を供給する他方の開口の２つの異なる開口を備えることができるためである）。第１相流体の開口２０４は、液浸液を供給することができ、したがって、液浸空間１１などの液浸システムに対しては、入口である。第２相流体の開口２０５を通過する流体２０７（例えば、ガス）は、上記の空間及び／又は上面に供給されない。流体２０７は、例えば、ガス抽出デバイスに供給されるか又はステージ環境に排出される。
【００６８】
[00084]  第１相流体２０２は、液浸液などの流体であってもよい。前述したように、液浸液は、水、高開口率の液体、又はその他の任意の液体もしくは液体混合物であってもよい。第２相流体２０３は、空気などのガスであってもよい。第２相流体２０３及び第１相流体２０２は、それぞれ液浸液内の気泡として導管１０１内に存在できる。第２相流体２０３は、液体内に溶解したガスとして存在できる。溶解したガスは、例えば、液体の圧力が低減した時にガスの気泡として放出されることがある。液浸液が液浸システムに供給されるまでに、溶解したガスは、例えば、圧力の変化が原因で放出されることがある。液体が供給されるリモートシステムと液体が供給される開口との間にこの液体の速度の増減などの変動による圧力の差が存在する。以下、第１相流体の開口２０４と第２相流体の開口２０５を液体の開口２０４とガスの開口２０５と呼ぶ場合がある。本発明のある実施形態は、上記の位相が液相及び／又は気相とは異なる状況に適用できる。
【００６９】
[00085]  液体の開口２０４及びガスの開口２０５に選択的な透過性部材を関連付けることができる。以下、第１相流体透過部材２０９を液体透過性部材又は多孔質の部材と呼ぶ。以下、第２相流体透過部材２１０を、流体相の一方を透過させるが、他方は透過させないメンブレン及び／又はふるい（sieveシーブ）などのガス透過部材と呼ぶ。代替的に又は追加的に、多孔質の部材２０９は、親液性であってよく、ガラス又は石英製であってもよい。例えば、孔の内部の液体の毛細管現象による負圧が多孔質の部材２０９全体での圧力低下より大きくなるように、液体は、多孔質の部材２０９に対して９０度未満の接触角を有してもよい。ガス透過部材２１０は、疎液性であってもよく、例えば、ポリ（テトラフルオロエチレン）（ＰＦＴＥ）、例えば、ゴアテックスなどのテフロン（登録商標）製であってもよい。例えば、孔の内部の液体の毛細管現象による過圧がガス透過部材２１０全体での圧力低下より大きくなるように、液体は、ガス透過部材２１０に対して９０度より大きい接触角を有してもよい。多孔質の部材又はガス透過部材の親液性、疎液性及び／又は所望の接触角は、部材を構成する材料の結果又は部材上の被膜によって達成される結果である。
【００７０】
[00086]  図１０に示すように、多孔質の部材２０９は、液体の開口２０４を通過する液体のフロー内の液体の開口２０４より上流側に位置していてもよい。ガス透過部材２１０は、ガスの開口２０５を通過する流体のフロー内のガスの開口２０５より上流側に位置していてもよい。
【００７１】
[00087]  図１１に示すように、多孔質の部材２０９は、液体の開口２０４内にあってもよい。ガス透過部材２１０は、ガスの開口２０５内にあってもよい。ある実施形態では、多孔質の部材２０９は、液体の開口２０４を覆っていてもよい。ガス透過部材２１０は、ガスの開口２０５を覆っていてもよい。
【００７２】
[00088]  図１２に、ガス透過部材２１０がガスの開口２０５内にあり、ガスの開口２０５が導管２０１の分岐２１４内にあるある実施形態を示す。多孔質の部材２０９は、液体の開口２０４内にあってもよい。液体の開口２０４は、導管２０１の分岐（図１１には示さず）内にあってもよい。
【００７３】
[00089]  上記の構成の組み合わせを含めて、多孔質の部材と液体の開口との間の他の相対位置及びガス透過部材とガスの開口との間の他の相対位置も可能である。
【００７４】
[00090]  各々の流体透過部材の導管の下流側（流体のフローの方向の）にある部分の１つ以上は、各々、親液性又は疎液性であってよく、一定の（例えば、所定の）接触角を有してもよい。例えば、多孔質の部材２０９の下流側の導管部分は親液性であってもよく、これは、導管の表面に適当な被膜を塗布し、及び／又は導管のこの部分に適当な材料を使用することで達成できる。代替的に又は追加的に、多孔質の部材２０９の下流側の導管部分は、７０°未満、より具体的には３０°未満の接触角を有してもよい。
【００７５】
[00091]  導管２０１の全部、実質的に全部、又は特定の部分は、親液性又は疎液性であってよく、所望の接触角を有してもよい。
【００７６】
[00092]  代替的に又は追加的に、開口を取り囲む導管の表面、例えば、液体の開口２０４を取り囲む導管の表面及び／又はガスの開口２０５を取り囲む導管の表面の１つ以上は、各々、親液性又は疎液性であってよく、所望の（例えば、一定の）接触角を有してもよい。例えば、液体の開口２０４を取り囲む導管の表面は、親液性であってもよく、７０°未満、望ましくは３０°未満の接触角を有してもよい。代替的に又は追加的に、ガスの開口を取り囲む導管の表面は、疎液性であってもよく、９０°より大きい、望ましくは１００°より大きい接触角を有してもよい。
【００７７】
[00093]  多孔質の部材２０９上にかかる圧力の差は比較的高いことが望ましい。この構成は、第２相流体２０３として流体のフロー内に存在するガスがガス開口２０５を通して確実に放出されるように、多孔質の部材２０９の上流側で一定の圧力の蓄積（すなわち、圧力しきい値を超える圧力差分）を得る助けになる。多孔質の部材２０９にかかる一定の圧力差（すなわち、圧力しきい値を超える圧力差分）は、多孔質の部材２０９の機能の助けになり得る。例えば、多孔質の部材２０９が親液性の表面を有する場合、多孔質の部材は、適正に機能するには一定の圧力差がかかる必要がある。第２相流体２０３として流体のフロー内に存在するガスが親液性の多孔質の部材を確実に通過しないようにするには、一定の圧力差が必要である。多孔質の部材２０９にかかる圧力差を増大させる１つの方法は、孔の数を制限し、及び／又は各々の孔の面積を制限し、及び／又は多孔質の部材に存在する孔の総面積を制限することである。
【００７８】
[00094]  図１０〜図１２に示す導管２０１は、空間内、及び／又は基板及び／又は基板テーブル上の空間から半径方向外側の気泡の存在を防止するのを助けることが望ましい。主として液浸液などの第１相流体２０２だけが上記空間及び／又は上面に供給され、ガスなどの第２相流体２０３が供給されないように、導管は、第１相流体２０２を第２相流体２０３から分離するため、このことは望ましい。
【００７９】
[00095]  図１０〜図１２に示す導管２０１の構成の変形形態が本発明の範囲内にある。例えば、図１０に示すように、液体の開口２０４は、ガスの開口２０５の下流側に位置する。一変形形態では、液体の開口２０４は、ガスの開口２０５の上流側（流体フロー内）に位置する。ある実施形態では、ガス及び液体の開口は、導管の実質的に同じポイント（流体のフロー内）にある。すなわち、これらの開口は、互いに対して下流側にも上流側にも位置していない。
【００８０】
[00096]  ある実施形態では、ガスブリードとみなされるガスの開口をガスが自然に集まる導管内の場所に配置することが望ましい。周囲の液体によって印加される過圧及び導管上の液体の開口の配置の観点から、そのような位置は、導管の上を向いた側（例えば、図１３を参照）である。ガスが蓄積する傾向がある場所にガスの開口を配置することは、例えば液体出口のすぐ上流側のガス及び液体の開口の間の流体のフロー内にあるガスの量を低減する助けになる。この構成は、流体の開口のすぐ下流側にある望ましくないガスの量を低減する助けになる。
【００８１】
[00097]  図１３は、導管２０１の側面図である。図１３に示すように、ガス透過部材２１０は、多孔質の部材２０９より高い位置にあってもよい。これは、第２相流体２０３、例えばガスが第１相流体２０２、例えば液浸液より密度が低い場合に望ましい。密度が低い流体、例えば、ガスは、密度が高い流体、例えば、液浸液よりも上に上昇する傾向があるため、このことは望ましい。ガス透過部材２１０を多孔質の部材２０９より上に配置することで、ガス透過部材２１０に付近に蓄積する液浸液の量は減り、ガス透過部材を通過する流体は液体を封じ込めることがより少ない。追加的に又は代替的に、ガス及び液体の開口２０４、２０５の構成の結果、多孔質の部材２０９の付近に蓄積するガスの量は減り、多孔質の部材を通過する流体は、ガスを含むことがより少なくなる。ガスの開口２０５を導管２０１を通るフローの方向の流体の開口２０４の上方且つそれに先行する位置に置くことでシステムの効率は増大する。代替的に又は追加的に、ガス透過部材２１０を導管２０１の実質的に最も高い位置に置いてもよく、及び／又は多孔質の部材２０９を実質的に最も低い位置に置いてもよく、又は導管の少なくとも一部が液浸システム内にあってもよい。
【００８２】
[00098]  ある実施形態では、導管は、開口の１つ以上より先の下流側に延在していてもよい。したがって、導管は、ガス及び／又は液体の開口の先の下流側で突然に終了しなくてもよい。導管は、ガス及び／又は液体の開口の先の別の開口まで延在してもよい。別の開口は、液体の開口２０４によって供給される以外の液浸システムの一部分に液体２０６を直接供給することができる。例えば、液体の開口が空間１１に供給し、別の開口が空間から半径方向外側に液体を基板及び／又は基板テーブルの上面に供給してもよい。開口の１つ以上は、各々複数の開口を備える。開口が複数の開口を有する場合、それらの複数の開口の各々の開口は、液浸システムの異なる部分に供給してもよく、例えば、複数の開口の１つの開口は、流体のフロー内の複数の開口の別の開口の下流側にあってもよい。
【００８３】
[00099]  導管の変形形態は、複数の開口の配置で実施される。液浸システム、例えば、離間した隣接する開口を備えた流体ハンドリング構造の特徴部の周囲（例えば、円周）に離散的ガスの開口を配置してもよい。開口は、等間隔に又は不均一な間隔に離間していてもよい。２つの近接する開口を光軸などの特徴部の軸に関する角変位によって離間させることができる。角変位は、５、１０、２０、４５、９０、又は１８０度であってもよい。導管は、流体ハンドリング構造の周囲に複数の、例えば、２個、４個、８個、１６個、３２個の液体の開口を備えていてもよい。
【００８４】
[000100]  多孔質の部材２０９が流体２０６が通過できる制限された数の孔だけを有する場合、多孔質の部材２０９のすぐ下流側で噴流が形成されることがある。これは、特に多孔質の部材２０９を通過する質量のフローが大量である時に発生する。上記のように、制限された数の孔は多孔質の部材上の比較的高い圧力差を確保するために望ましい。しかし、例えば、液浸空間への液浸液の供給は、望ましくはスムーズなフローで徐々に実行されるため、流体のフロー内の噴流の存在は望ましくない。図１４に示すように、流体のフロー内の多孔質の部材２０９の下流側に別の多孔質の部材２１１を備えることで、液体のフローから噴流を除去する助けになる。下流側の多孔質の部材２１１は、供給フローを平滑化するために、多孔質の部材２０９よりも孔の数が多く、及び／又は孔のサイズが大きくてもよい。
【００８５】
[000101]  多孔質の部材２０９の孔は、下流側の多孔質の部材２１１の領域に向かって流体を誘導してもよい。下流側の多孔質の部材２１１の孔は、例えば、多孔質の部材２０９の孔と位置合わせされていなくてもよい。多孔質の部材２０９の複数の孔は、下流側の多孔質の部材２１１の孔と重ならないように画定してもよい。これは、多孔質の部材２０９の孔を通過する液体のフローを阻害するのに有効であり、結果的に下流側の多孔質の部材２１１の孔を通過するフローは以前よりも増大する。結果として生まれるフロー、例えば、液浸空間への液浸液のフローは、ゆるやかでスムーズである。望ましくは、フローは層流である。追加の情報は、参照により本明細書に組み込むものとする２００８年５月８日出願の米国特許出願ＵＳ６１／０７１，６２１号に記載されている。
【００８６】
[000102]  上記の導管とその多くの可能な変形形態は、デバイス製造方法に使用することができる。デバイス製造方法は、流体を（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給することを含む。上記供給ことは、導管を通して流体を供給することを含む。流体は、第１相流体、例えば液浸液と第２相流体、例えばガスを含む。導管は、少なくとも２つの開口、すなわち、例えば、液浸液を通過させる液体の開口と、ガスを通過させるガスの開口とを備える。この方法は、本発明の１つ又は複数の実施形態で適用できる。開口は、ある流体相だけを通過させるように構成することができる。例えば、液体の開口は、液浸液だけを通過させるように構成することができ、ガスの開口はガスだけを通過させるように構成することができる。
【００８７】
[000103]  上記導管とその多くの可能な変形形態はさまざまな実施形態に使用することができる。
【００８８】
[000104]  ある実施形態では、導管は、流体ハンドリング構造内に含まれていてもよい。この流体ハンドリング構造は、特に浴槽タイプの構成、局所液浸構成、又はオールウェット構成を収容するように配置することができる。これらすべての構成で、投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間に液体を供給するように導管の液体の開口の１つ以上を構成することができる。オールウェット構成及び浴槽タイプの構成に関しては、代替的に又は追加的に、空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に液体を供給するように導管を構成することができる。
【００８９】
[000105]  追加及び／又は代替実施形態では、図８に関連して説明するように（例えば、オールウェット構成に関して）、導管は、液浸液を供給する構成内に含めることができる。基板テーブルＷＴの少なくとも１つの開口３００、４００が液浸液を基板テーブルＷＴの上面に提供する。開口３００、４００は、基板テーブルＷＴの上面にあってもよい。開口３００、４００は、基板テーブルＷＴの上面に画定されている場合、導管は、開口から供給される流体のフロー内の上流側にあってもよい。導管は、基板テーブルＷＴ内にあってもよい。各導管とそれに関連する開口３００、４００を用いて基板テーブルＷＴの上面に液浸液を供給することができる。
【００９０】
[000106]  本発明のある実施形態を適用することで、流体供給システムを操作して、投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブル及び上面に気泡が侵入するリスクを低減するか、解消することができる。
【００９１】
[000107]  ある実施形態では、例えば、上記流体ハンドリング構造及び／又は上記基板テーブルＷＴ内に導管を備えるリソグラフィ装置がある。別の実施形態は、流体を供給する導管と、流体を供給する導管を備えるリソグラフィ装置である。上記実施形態のすべてではないにせよその大半がデバイス製造方法に適用できることが理解されよう。
【００９２】
[000108]  ある場合には、上記説明は疎水性又は親水性の材料又は被膜に言及していることを理解されたい。これは、液浸液が水であるケースに関連する。しかし、液浸液として別の液体又は流体を使用してもよい。この場合、疎水性の又は親水性のという用語は、疎液性の又は親液性の、あるいは疎油性の又は親油性のと読み替える必要がある。疎水性のとは、９０°より大きい、望ましくは１００、１２０、１３０又は１４０°より大きい後退接触角を意味する。ある実施形態では、接触角は、１８０°より小さい。親水性のとは、９０°未満、望ましくは８０°未満、７０°未満、６０°未満、又は５０°未満の後退接触角を意味する。一実施形態では、接触角は０°より大きく、望ましくは１０°より大きい。これらの角度は、室温（２０℃）及び大気圧の条件下で測定できる。
【００９３】
[000109]  上記の任意の特徴を任意の他の特徴と併用することができ、本出願で対象とされるのは、明示的な組合せに限定されないことを理解されたい。
【００９４】
[000110]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００９５】
[000111]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか１つ、又はその組合せを指す。
【００９６】
[000112]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
【００９７】
[000113]  １つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを格納するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令に従って動作することができる。
【００９８】
[000114]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が浴槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、これに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができないか、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
【００９９】
[000115]  本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組み合わせを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、又は空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは、任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。
【０１００】
[000116]  ある実施形態では、導管を備える流体ハンドリング構造が提供される。導管は、流体を（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給するように構成されている。流体は、第１相流体と第２相流体とを含む。導管は、第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える。
【０１０１】
[000117]  第１相流体の開口は、第１相流体透過部材に関連付けることができ、第２相流体の開口は、第２相流体透過部材に関連付けることができる。第１相流体透過部材及び／又は第２相流体透過部材は、メンブレン及び／又はふるいを含んでいてもよい。
【０１０２】
[000118]  第１相流体の開口は、第１相流体を実質的に排他的に通過させるように構成することができ、第２相流体の開口は、第２相流体を実質的に排他的に通過させるように構成することができる。
【０１０３】
[000119]  導管は、第１相流体透過部材の下流側に別の透過部材を備えることができ、別の透過部材は、それを通過する流体のフローを平滑化するように構成することができる。
【０１０４】
[000120]  第２相流体透過部材は、第１相流体透過部材より上に配置することができる。第２相流体透過部材は、液浸システムの導管、少なくとも導管の一部の実質的に最も高いポイントに置くことができる。
【０１０５】
[000121]  導管は、液浸液を供給するように構成することができる。第１相流体は、液体であってもよく、第２相流体は、ガスであってもよい。開口は、導管に関して出口であってもよい。
【０１０６】
[000122]  ある実施形態では、リソグラフィ装置ためのテーブルが提供される。テーブルは、流体を基板及び／又は基板テーブルの上面に供給するように構成された導管を備える。流体は、第１相流体と第２相流体とを含む。導管は、第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える。
【０１０７】
[000123]  第１相流体の開口は、第１相流体透過部材に関連付けることができ、第２相流体の開口は、第２相流体透過部材に関連付けることができる。第１相流体の開口は、第１相流体を実質的に排他的に通過させるように構成することができ、第２相流体の開口は、第２相流体を実質的に排他的に通過させるように構成することができる。第２相流体透過部材は、第１相流体透過部材より上に配置してもよい。
【０１０８】
[000124]  導管は、液浸液を供給するように構成することができる。第１相流体は液体であってもよく、第２相流体はガスであってもよい。
【０１０９】
[000125]  ある実施形態では、導管を備える流体ハンドリング構造を有するリソグラフィ装置が提供される。導管は、流体を（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給するように構成されている。流体は、第１相流体と第２相流体とを含む。導管は、第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える。
【０１１０】
[000126]  ある実施形態では、導管を備えるテーブルを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。導管は、流体を基板及び／又は基板テーブルの上面に供給するように構成されている。流体は、第１相流体と第２相流体とを含む。導管は、第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える。
【０１１１】
[000127]  ある実施形態では、流体を（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給することを含むデバイス製造方法が提供される。供給ことは、流体ハンドリング構造の導管を通して流体を供給することを含む。流体は、第１相流体と第２相流体とを含む。導管は、第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える。
【０１１２】
[000128]  ある実施形態では、流体を液浸リソグラフィ装置のテーブルの表面及び／又は基板の上面に供給することを含むデバイス製造方法が提供される。供給ことは、テーブルの導管を通して流体を供給することを含む。流体は、第１相流体と第２相流体とを含む。導管は、第１相流体を通過させるように構成された第１相流体の開口と第２相流体を通過させるように構成された第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える。
【０１１３】
[000129]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【外国語明細書】
2010147466000001.pdf