(57)【要約】【課題】第１の基板とそれに実装され巻線を有する第２の基板との接続部の接続不良や破壊を防止することができ、薄型化並びに小型化を実現することができる電子回路装置を提供する。【解決手段】電子回路装置１において、第１の絶縁基材１１１と第１の導電体１１２、１１３とを有し、第１の絶縁基材１１１の表面１１Ａの第１の領域にトランジスタ、ダイオード、コンデンサのいずれか１つの電子部品が実装され、第１の領域と異なる第２の領域に開口１５が配設された第１の基板１１と、第１の絶縁基材１１１と同一材料の第２の絶縁基材１２１と巻線を構成する第２の導電体１２２とを有し、第１の基板１１の開口１５内に配設され、第１の導電体１１２に第２の導電体１２２が電気的に接続される第２の基板１２と、第１の基板１１及び第２の基板１２を気密封止する樹脂封止体１７とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁基材と第１の導電体とを有し、前記第１の絶縁基材の表面の第１の領域にトランジスタ、ダイオード、コンデンサのいずれか１つの電子部品が実装され、前記第１の領域と異なる第２の領域に開口が配設された第１の基板と、
前記第１の絶縁基材と同一材料の第２の絶縁基材と巻線を構成する第２の導電体とを有し、前記第１の基板の前記開口内に一部が配設され、前記第１の導電体に前記第２の導電体が電気的に接続される第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板を気密封止する樹脂封止体と、
を備えたことを特徴とする電子回路装置。
【請求項２】
前記第１の基板の前記第１の絶縁基材の線膨張係数と前記第２の基板の前記第２の絶縁基材の線膨張係数との差が、前記第１の絶縁基材の線膨張係数の±１０％以内に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の電子回路装置。
【請求項３】
前記第１の基板の前記第１の絶縁基材の線膨張係数と前記樹脂封止体の線膨張係数との差が、前記第１の絶縁基材の線膨張係数の±１０％以内に設定されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子回路装置。
【請求項４】
前記第１の絶縁基材、前記第２の絶縁基材、前記樹脂封止体はいずれもエポキシ樹脂であり、前記第１の絶縁基材の線膨張係数及び前記第２の絶縁基材の線膨張係数はＸＹ方向の線膨張係数であることを特徴とする請求項３に記載の電子回路装置。
【請求項５】
前記第２の基板は、複数積層された前記第２の絶縁基材と、複数積層された前記第２の絶縁基材の表面に配設された前記第２の導電体のそれぞれを電気的に直列に接続した巻線と、前記巻線に沿って配設されたコアと、を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項６】
前記第１の基板の前記第１の導電体と前記第２の基板の前記第２の導電体との接続箇所において、前記第２の基板にその厚さを減少する段差が配設され、この段差に前記第１の基板を嵌め合わせたことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項７】
前記第１の基板の前記第１の導電体と前記第２の基板の前記第２の導電体との接続箇所において、前記第２の基板の複数積層されたうちの一部の前記第２の絶縁基材を取り除いて前記第２の基板にその厚さを減少する段差が配設され、この段差に前記第１の基板を嵌め合わせたことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項８】
前記第２の基板は前記第１の基板の前記開口内に嵌め込まれ、前記第２の基板の前記第２の導電体と前記第１の基板の前記第１の導電体とがストラップリードにより電気的かつ機械的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項９】
前記開口内壁面がテーパ面により構成され、前記第２の基板の端面が前記開口内壁面に当接する逆テーパ面により構成されていること特徴とする請求項８に記載の電子回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路装置に関し、特に電源ユニットに組み込まれ電源モジュールとして使用される電子回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば汎用テレビジョンの電源ユニットには、直流−直流（ＤＣ−ＤＣ）コンバータが組み込まれている。ＤＣ−ＤＣコンバータは、例えば一般家庭用１００Ｖの交流電圧から変換された直流電圧を、更に制御回路ユニット、駆動回路ユニット等に使用される直流電圧に変換する。ＤＣ−ＤＣコンバータは、最終的に１２Ｖや２４Ｖの直流電圧を生成する。
【０００３】
薄型化並びに大画面化の傾向にある液晶テレビジョン、プラズマテレビジョン等の汎用テレビジョンの開発には電源ユニットの薄型化並びに小型化が重要な課題になっている。下記特許文献１には、このような課題を解決することが可能な電子回路装置が開示されている。
【０００４】
この電子回路装置は、コア挿入部を有するプリント配線板と、このプリント配線板のコア挿入部に挿入された線輪部品とを備えている。線輪部品は、コイルブロックと、コイルブロックの中央を貫通する中央コア部を有しコイルブックの上面、下面及び側面の一部を取り囲むコアと、コイルブロックのコアから露出した部分に設けられた接続用電極とを備えている。プリント配線板の表面には回路パターンに接続されたはんだランドが設けられ、コア挿入部に挿入された線輪部品の接続用電極ははんだランドにはんだを介して電気的かつ機械的に接続されている。
【０００５】
このように構成される電子回路装置においては、プリント配線板のコア挿入部に線輪部品を挿入し、プリント配線板の厚さに線輪部品の厚さの一部を重ね合わせ、プリント配線板に線輪部品を装着した全体の厚さを減少することができる。つまり、電子回路装置の薄型化並びに小型化を実現することができる。
【特許文献１】実開平６−６０１１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に開示された電子回路装置においては、以下の点について配慮がなされていなかった。電子回路装置において、プリント配線板はガラスエポキシ基板により構成され、線輪部品のコイルブロックは積層セラミックス基板により構成され、双方の線膨張係数差が大きい。電子回路装置の電圧変換動作においては特に線輪部品の発熱が大きく、この電圧変換動作の繰り返しに伴い発生する温度サイクルによって、プリント配線板のはんだランド、はんだ並びに線輪部品の接続用電極のそれぞれに繰り返し応力が発生する。このため、プリント配線板と線輪部品との接続部に接続不良や破壊が発生する。
【０００７】
本発明は上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、第１の基板とそれに実装され巻線を有する第２の基板との接続部の接続不良や破壊を防止することができ、薄型化並びに小型化を実現することができる電子回路装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の実施の形態に係る特徴は、電子回路装置において、第１の絶縁基材と第１の導電体とを有し、第１の絶縁基材の表面の第１の領域にトランジスタ、ダイオード、コンデンサのいずれか１つの電子部品が実装され、第１の領域と異なる第２の領域に開口が配設された第１の基板と、第１の絶縁基材と同一材料の第２の絶縁基材と巻線を構成する第２の導電体とを有し、第１の基板の開口内に少なくとも一部が配設され、第１の導電体に第２の導電体が電気的に接続される第２の基板と、第１の基板及び第２の基板を気密封止する樹脂封止体とを備える。
【０００９】
更に、実施の形態の特徴に係る電子回路装置において、第１の基板の第１の絶縁基材の線膨張係数と第２の基板の第２の絶縁基材の線膨張係数との差が、第１の絶縁基材の線膨張係数の±１０％以内に設定されていることが好ましい。
【００１０】
実施の形態の特徴に係る電子回路装置において、第１の基板の第１の絶縁基材の線膨張係数と樹脂封止体の線膨張係数との差が、第１の絶縁基材の線膨張係数の±１０％以内に設定されていることが好ましい。
【００１１】
実施の形態の特徴に係る電子回路装置において、第１の絶縁基材、第２の絶縁基材、樹脂封止体はいずれもエポキシ樹脂であり、第１の絶縁基材の線膨張係数及び第２の絶縁基材の線膨張係数はＸＹ方向の線膨張係数であることが好ましい。
【００１２】
実施の形態の特徴に係る電子回路装置において、第２の基板は、複数積層された第２の絶縁基材と、複数積層された第２の絶縁基材の表面に配設された第２の導電体のそれぞれを電気的に直列に接続した巻線と、巻線に沿って配設されたコアとを更に備えることが好ましい。
【００１３】
実施の形態の特徴に係る電子回路装置において、第１の基板の第１の導電体と第２の基板の第２の導電体との接続箇所において、第２の基板にその厚さを減少する段差が配設され、この段差に第１の基板を嵌め合わせることが好ましい。
【００１４】
実施の形態の特徴に係る電子回路装置において、第１の基板の第１の導電体と第２の基板の第２の導電体との接続箇所において、第２の基板の複数積層されたうちの一部の第２の絶縁基材を取り除いて第２の基板にその厚さを減少する段差が配設され、この段差に第１の基板を嵌め合わせることが好ましい。
【００１５】
実施の形態の特徴に係る電子回路装置において、第２の基板は第１の基板の開口内に嵌め込まれ、第２の基板の第２の導電体と第１の基板の第１の導電体とがストラップリードにより電気的かつ機械的に接続されていることが好ましい。
【００１６】
更に、実施の形態の特徴に係る電子回路装置において、開口内壁面がテーパ面により構成され、第２の基板の端面が開口内壁面に当接する逆テーパ面により構成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、第１の基板とそれに実装され巻線を有する第２の基板との接続部の接続不良や破壊を防止することができ、薄型化並びに小型化を実現することができる電子回路装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１９】
また、以下に示す実施の形態はこの発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００２０】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態は、汎用テレビジョンの電源ユニットに組み込まれる電源モジュールとしての電子回路装置に本発明を適用した例を説明するものである。ここでは、電子回路装置はＤＣ−ＤＣコンバータである。
【００２１】
［電子回路装置のシステムブロック構成］
図６に示すように、第１の実施の形態に係る電子回路装置１は、ＤＣ−ＤＣコンバータを１つの電源モジュール（電子部品）として構築している。この電子回路装置１は、トランジスタ部２、第１のトランス３、コンデンサ４１、４２、４３、ダイオード５、制御部６、第２のトランス７及び温度検出部８を少なくとも備えている。また、電子回路装置１においては、入力端子Ｖin+、Ｖin-、出力端子Ｖout+、Ｖout-、直流電圧端子ＤＣＩＮ、切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦ、出力電圧調整端子ＴＲＭが配設されている。
【００２２】
トランジスタ部２は、第１の絶縁ゲート型トランジスタ（以下、単にＩＧＦＥＴ（insulated gate field effect transistor）という。）２１と、第２のＩＧＦＥＴ２２と、ダイオード２３及び２４とを備えている。ここで、ＩＧＦＥＴとは、ＭＯＳＦＥＴ（metal oxide semiconductor field effect transistor）、ＭＩＳＦＥＴ（metal insulated semiconductor field effect transistor）のいずれも含む意味において使用される。なお、トランジスタ部２においては、同等の機能を有していれば、ＩＧＦＥＴに限定されるものではなく、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、バイポーラトランジスタ等を使用することができる。
【００２３】
第１のＩＧＦＥＴ２１の主電極の一端は入力端子Ｖin+に接続され、主電極の他端は第２のＩＧＦＥＴ２２の主電極の一端に接続され、ゲート電極は第２のトランス７に接続されている。第１のＩＧＦＥＴ２１の主電極の一端と他端との間には逆バイアス方向にダイオード２３が設けられている。第２のＩＧＦＥＴ２２の主電極の他端は入力端子Ｖin-に接続され、ゲート電極は第２のトランス７に接続されている。第２のＩＧＦＥＴ２２の主電極の一端と他端との間には逆バイアス方向にダイオード２４が設けられている。また、入力端子Ｖin+とＶin-との間にはコンデンサ４２が挿入されている。
【００２４】
第１のトランス３は、一次側巻線（コイル）３１、二次側巻線（コイル）３２及びコア３３を備えている。一次側巻線３１の一端はトランジスタ部２の出力つまり第１のＩＧＦＥＴ２１の主電極の他端及び第２のＩＧＦＥＴ２２の主電極の一端に接続され、他端はコンデンサ４１を電気的に直列に介在させて入力端子Ｖin-に接続されている。二次側巻線３２の一端はダイオード５を電気的に直列に介在させて出力端子Ｖout+に接続され、他端は出力端子Ｖout-に接続されている。
【００２５】
出力端子Ｖout+とＶout-との間には、コンデンサ４３、温度検出部８のそれぞれが電気的に並列に挿入されている。温度検出部８は、電子回路装置１の温度を検出し、その検出結果を制御部６に出力する。制御部６においては、温度検出部８からの検出結果に基づき予め設定された温度上昇が検出された場合には、第２のトランス７を介してトランジスタ部２の動作を停止させる制御を行うことができる。
【００２６】
制御部６は、図示しないが、制御用ＩＣとフォトカプラとを少なくとも備えている。この制御部６は、切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦから入力される切換信号に基づき、この電子回路装置１のＤＣ−ＤＣコンバータ動作の制御を行う。
【００２７】
［電子回路装置の動作］
図６に示す第１の実施の形態に係る電子回路装置１において、まず入力端子Ｖin+、Ｖin-間に変換前の直流電圧が与えられ、更に直流電圧端子ＤＣＩＮには直流電圧例えば１２Ｖが供給され、切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦには電子回路装置１の切換信号（起動信号）が与えられる。切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦにＯＮ信号が与えられると、制御部６は、第２のトランス７を介してトランジスタ部２の第１のＩＧＦＥＴ２１をＯＮ動作させ、第２のＩＧＦＥＴ２２をＯＦＦ動作させる。第１のＩＧＦＥＴ２１のＯＮ動作によって、トランジスタ部２（第１のＩＧＦＥＴ２１の主電極の他端）から第１のトランス３の一次側巻線３１に直流電流が流れる。この一次側巻線３１に直流電流が流れると、電磁誘導作用によって二次側巻線３２に直流電流が発生する。この直流電圧は出力端子Ｖout+、Ｖout-間に変換後の直流電圧として出力される。
【００２８】
第１の実施の形態に係る電子回路装置１においては、変換前の直流電圧は例えば３８５Ｖであり、変換後の直流電圧は例えば１２Ｖ又は２４Ｖである。
【００２９】
［電子回路装置の第１の基板の構造］
図１乃至図５に示すように、第１の実施の形態に係る電子回路装置１は、第１の絶縁基材１１１と第１の導電体１１２、１１３とを有し、第１の絶縁基材１１１の表面の第１の領域に電子部品が実装され、第１の領域と異なる第２の領域に開口１５が配設された第１の基板１１と、第１の絶縁基材１１１と同一材料の第２の絶縁基材１２１と巻線を構成する第２の導電体１２２とを有し、第１の基板１１の開口１５内に少なくとも一部が配設され、第１の導電体１１２に第２の導電体１２２が電気的に接続される第２の基板１２と、第１の基板１１及び第２の基板１２を気密封止する樹脂封止体１７とを備える。すなわち、電子回路装置１は、電子部品が実装された第１の基板の開口１５内に巻線を有する第２の基板１２（第１のトランス３）が実装され、第１の基板１１及び第２の基板１２を樹脂封止体１７によりモールドパッケージングを行った１つの電源モジュールとして構築されている。
【００３０】
特に図１に示すように、第１の基板１１は、特に積層枚数を限定するものではないが、第１の実施の形態において、第１の絶縁基材１１１を有する単層構造により構成されている。第１の絶縁基材１１１の上側表面上には第１の導電体１１２が配設され、第１の絶縁基材１１１の上側表面に対向する下側表面上には第１の導電体１１３が配設されている。ここでは、第１の絶縁基板１１１は、単層構造を有するが、２層以上の多層構造を有していてもよい。
【００３１】
第１の基板１１の第１の絶縁基材１１１は、第１の実施の形態において、プリント配線板に多用されているガラスエポキシ樹脂により構成されている。詳細には、図７に示すように、ガラス転移温度Ｔｇが例えば１７５℃、ＸＹ方向の線膨張係数が例えば１３×１０-6／℃、Ｚ方向の線膨張係数が例えば６０×１０-6／℃の性質を有するガラスエポキシ樹脂を実用的に使用することができる。ガラスエポキシ樹脂はガラス繊維を有しているので、ＸＹ方向に伸縮しにくく、Ｚ方向には伸縮しやすい異方性を備えている。ここで、ＸＹ方向とは第１の基板１１の実装部品が搭載された面と同一の面方向であり、Ｚ方向とは第１の基板１１の厚さ方向又は実装部品が搭載された面に対して法線方向である。必ずしもこの数値に限定されるものではないが、第１の基板１１は、長辺を例えば６０ｍｍ−６２ｍｍに設定し、短辺を例えば４２ｍｍ−４４ｍｍに設定した長方形の平面形状を有する。第１の基板１１の厚さは例えば例えば０．８ｍｍ−１．６ｍｍに設定されている。
【００３２】
第１の基板１１の第１の導電体１１３、１１４、１１５は、第１の実施の形態において、銅（Ｃｕ）、Ｃｕ合金、金（Ａｕ）等の導電性に優れた材料により構成されている。例えば、Ｃｕが使用される場合、ラミネート法やプレス成形法により貼り付けられたＣｕ箔か又はそのＣｕ箔の表面にめっき法によりＣｕめっき層を積層した複合膜により形成される。単層のＣｕ箔の場合、その膜厚は例えば３０μｍ−４０μｍに設定されている。また、複合膜の場合、Ｃｕ箔の膜厚は例えば１５μｍ−２０μｍに設定され、Ｃｕめっき層は例えば１５μｍ−２５μｍに設定されている。
【００３３】
第１の基板１１の第１の導電体１１２が配設された側の表面１１Ａには、電子部品として、前述の図６に示すトランジスタ部２、第１のトランス３、コンデンサ４２、４３、ダイオード５、制御部６、第２のトランス７及び温度検出部８が実装されている。第１の基板１１の表面１１Ａと対向する導電体１１３側の表面（裏面）１１Ｂには、電子部品として、例えばコンデンサ４１が実装されている。
【００３４】
トランジスタ部２は、第１のＩＧＦＥＴ２１及びダイオード２３を有する半導体チップを樹脂封止体により封止した半導体装置と、同様に第２のＩＧＦＥＴ２２及びダイオード２４を有する半導体チップを樹脂封止体により封止した半導体装置とを備え、構築されている。トランジスタ部２は、第１の基板１１の表面１１Ａにおいて、図４中、周辺領域（第１の領域）の右下側に配設されている。
【００３５】
コンデンサ４２は例えばコンデンサ本体を樹脂封止体により封止して構成されている。樹脂封止体には第１の実施の形態においてガラスエポキシ樹脂を実用的に使用することができる。コンデンサ４２は、目的とする容量値によりその搭載個数は限定されるものではないが、第１の基板１１の表面１１Ａにおいて、図４中、周辺領域（第１の領域）の右下側に４個配設されている。コンデンサ４３は例えばコンデンサ本体を樹脂封止体により封止して構成されている。コンデンサ４３は、同様に目的とする容量値によりその搭載個数は限定されるものではないが、第１の基板１１の表面１１Ａにおいて、図４中、周辺領域（第１の領域）の左下側に６個配設されている。
【００３６】
ダイオード５は例えばダイオード本体を樹脂封止体により封止して構成されている。ダイオード５は、目的とする整流特性によりその搭載個数は限定されるものではないが、第１の基板１１の表面１１Ａにおいて、図４中、周辺領域（第１の領域）の左側に（第１の基板１１の左辺に沿って）６個配設されている。
【００３７】
制御部６は、トランジスタ、論理回路、抵抗、容量等、少なくともトランジスタ部２の制御を行う回路を有する半導体チップを樹脂封止体により封止した半導体装置（制御用ＩＣ）６１と、フォトカプラ６２及び６３とを備え、構築されている。制御部６の半導体装置６１は、第１の基板１１の表面１１Ａにおいて、図４中、周辺領域（第１の領域）の右上側に配設されている。フォトカプラ６２及び６３は、第１の基板１１の表面１１Ａにおいて、図４中、左上側に配設されている。
【００３８】
温度検出部８は、第１の基板１１の表面１１Ａにおいて、図４中、周辺領域（第１の領域）の左上側であって、ダイオード５とフォトカプラ６２及び６３との間に配設されている。
【００３９】
第１のトランス３は、図１に示すように、第１の基板１１の表面１１Ａの、図４中、中央領域（第２の領域）において、開口１５内に挿入されて配設されている。開口１５は、第１の実施の形態において、第１の基板１１の表面１１Ａからそれに対向する表面１１Ｂに貫通する貫通穴として構成されている。第１のトランス３の詳細な構造並びに開口１５内への挿入状態に関しては後述する。第２のトランス７は、第１の基板１１の表面１１Ａの、図４中、周辺領域（第１の領域）において、開口１６内に挿入されて配設されている。開口１６の構造は開口１５と同様である。また、第２のトランス７の詳細な構造並びに開口１６内への挿入状態に関しては、第１のトランス３の詳細な構造並びに開口１５内への挿入状態と同様であるので、その説明を持って省略する。
【００４０】
また、コンデンサ４１は、前述のコンデンサ４２及び４３と同様に、例えばコンデンサ本体を樹脂封止体により封止して構成されている。コンデンサ４１は、目的とする容量値によりその搭載個数は限定されるものではないが、第１の基板１１の表面（裏面）１１Ｂにおいて、図５中、周辺領域（第１の領域）の左下側に５個配設されている。このコンデンサ４１はコンデンサ４２の配置位置に対向する位置に配置されている。
【００４１】
［第２の基板（第１のトランス）の構造］
第１の実施の形態に係る電子回路装置１の第１のトランス３はシートトランス構造を採用する。すなわち、第１のトランス３は、図１及び図８に示すように、一次側巻線３１及び二次側巻線３２を有し、中央部分に貫通穴１２５を有する第２の基板１２と、第２の基板１２の表面１２Ａ、それに対向する表面（裏面）１２Ｂ及び側面１２Ｃの一部に沿って配設されたコア３３とを備えている。
【００４２】
第２の基板１２は、図８に示すように、対向する２つの長辺と対向する２つの短辺とを有する長方形形状の平面形状を有する板状の基板である。この第２の基板１２は、図９に示すように、主に第２の絶縁基材１２１を複数層積層して構成されている。第１の実施の形態においては必ずしもこの積層枚数に限定されるものではないが、第２の基板１２は、最上層の第２の絶縁基材１２１（１）から最下層の第２の絶縁基材１２１（５）まで、合計５層の第２の絶縁基材１２１を積層して構成されている。
【００４３】
第１の実施の形態においては、最上層の第２の絶縁基材１２１（１）の、第２の基板１２の表面１２Ａ側の表面には接着層１２４を介在して二次側巻線３２を構築する一部の第２の導電体１２２（２１）が配設されている。つまり、接着層１２４の表面上に第２の導電体１２２（２１）が配設されている。また、第２の導電体１２２の平面形状並びに接続位置は若干異なるものの、接着層１２４の表面上に配設された第２の導電体１２２（２１）と同様に、中間層例えば第２の絶縁基材１２１（３）の表面に二次側巻線３２を構築する一部の第２の導電体１２２（２１）及びそれに対向する第２の基板１２の表面１２Ｂ側の表面（裏面）に第２の導電体１２２（２２）が配設されている。更に、最下層の第２の絶縁基材１２１（５）の表面（裏面）上には接着層１４を介して二次側巻線３２を構築する一部の第２の導電体１２２（２２）が配設されている。この接着層１４の表面上並びに第２の絶縁基板１２１（３）に配設された第２の導電体１２２（２１）と１２２（２２）とは第２の絶縁基材１２１の一方の短辺側に沿って配設された接続孔配線１２６（３）を通して電気的に接続されている。つまり、各層の第２の導電体１２２（２１）及び１２２（２２）は、接続孔配線１２６（３）を通して電気的に直列にかつ開口１２５を中心として螺旋形状を描くように接続され、二次側巻線３２を構築する。
【００４４】
一方、最上層の第２の絶縁基材１２１（１）の、第２の基板１２の表面１２Ａ側の表面には一次側巻線３１を構築する一部の第２の導電体１２２（１１）が配設されている。第２の絶縁基材１２１（１）の、第２の基板１２の表面１２Ｂ側の表面（裏面）には、同様に、一次側巻線３１を構築する一部の第２の導電体１２２（１２）が配設されている。この第２の絶縁基材１２１（１）の表面の両方に配設された第２の導電体１２２（１１）と１２２（１２）とは第２の絶縁基材１２１（１）の他方の短辺側に沿って配設された接続孔配線１２６（１）並びにこの他方の短辺と開口１２５との間に配設された接続孔配線１２６（２）を通して電気的に接続されている。
【００４５】
また、第２の導電体１２２の平面形状並びに接続孔配線１２６（１）及び１２６（２）を用いた接続位置は若干異なるものの、最上層から２層目の第２の絶縁基材１２１（２）の表面には一次側巻線３１を構築する一部の第２の導電体１２２（１１）が配設され、裏面には一次側巻線３１を構築する一部の第２の導電体１２２（１２）が配設されている。この第２の絶縁基材１２１（２）の表面の両方に配設された第２の導電体１２２（１１）と１２２（１２）とは接続孔配線１２６（１）並びに１２６（２）を通して電気的に接続されている。
【００４６】
更に、最上層から４層目の第２の絶縁基材１２１（４）並びに最下層の第２の絶縁基材１２１（５）の表面には一次側巻線３１を構築する一部の第２の導電体１２２（１１）が配設され、裏面には一次側巻線３１を構築する一部の第２の導電体１２２（１２）が配設されている。この第２の絶縁基材１２１（４）並びに１２１（５）の表面の両方に配設された第２の導電体１２２（１１）と１２２（１２）とは接続孔配線１２６（１）並びに１２６（２）を通して電気的に接続されている。つまり、各層の第２の導電体１２２（１１）及び１２２（１２）は、接続孔配線１２６（１）及び１２６（２）を通して電気的に直列にかつ開口１２５を中心として螺旋形状を描くように接続され、一次側巻線３１を構築する。
【００４７】
第２の基板１２の第２の絶縁基材１２１は、第１の実施の形態において、第１の基板１１の第１の絶縁基材１１１と同一材料であるガラスエポキシ樹脂により構成されている。詳細には、図７に示すように、ガラス転移温度Ｔｇが例えば１７５℃、ＸＹ方向の線膨張係数が例えば１２×１０-6／℃−１４×１０-6／℃、Ｚ方向の線膨張係数が例えば５０×１０-6／℃の性質を有するガラスエポキシ樹脂を実用的に使用することができる。
【００４８】
電子回路装置１の製造方法において、樹脂封止体１７をトランスファモールド法により成形する際に第１のトランス３には熱が加わる。この熱による第２の基板１２の変形量を極力減少し、第１のトランス３の特性を維持するために、第２の基板１２の第２の絶縁基材１２１のガラス転移温度Ｔｇは樹脂封止体１７のガラス転移温度Ｔｇよりも高く設定されている。第１の実施の形態においては、第２の基板１２の第２の絶縁基材１２１のガラス転移温度Ｔｇは第１の基板１１の第１の絶縁基材１１１のガラス転移温度Ｔｇと同一に設定されている。
【００４９】
第１の実施の形態に係る電子回路装置１においては、温度サイクルに伴う応力の発生を極力減少するために、第１の基板１１の第１の絶縁基材１１１の線膨張係数と第２の基板１２の第２の絶縁基材１２１の線膨張係数との差が、第１の絶縁基材１１１の線膨張係数の０．９２−１．０８倍で、概ね±１０％以内に小さく設定されている。すなわち、第２の基板１２は、その第２の絶縁基材１２１の線膨張係数と第１の基板１１の第１の絶縁基材１１１の線膨張係数とを実質的に一致させ、第１の基板１１との間に温度サイクルに伴う応力を生じないようになっている。
【００５０】
第１の実施の形態に係る電子回路装置１においては、必ずしもこの数値に限定されるものではないが、第２の基板１２の第２の絶縁基材１２１（１）−１２１（５）は、いずれも長辺を例えば３２ｍｍ−３４ｍｍに設定し、短辺を例えば１５ｍｍ−１７ｍｍに設定した長方形の平面形状を有する。第２の絶縁基材１２１（１）−１２１（５）のそれぞれの厚さは例えば例えば５５μｍ−６５μｍに設定され、第２の基板１２の全体の厚さは後述するレジスト層１２３及び接着層１２４を含め例えば１．５ｍｍ−１．７ｍｍに設定されている。
【００５１】
第２の基板１２の第２の導電体１２２は、第１の実施の形態において、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｕ等の導電性に優れた材料により構成されている。更に、例えばＣｕが使用される場合、第１の実施の形態においては、最上層、最下層のそれぞれの接着層１２４の表面上に配設された第２の導電体１２２（２１）及び１２２（２２）は、ラミネート法又はプレス成形法により貼り付けられたＣｕ箔とその表面にめっき法により成膜されたＣｕめっき層とを積層した複合膜により形成されている。この複合膜のＣｕ箔の膜厚は例えば１５μｍ−２０μｍに設定され、Ｃｕめっき層は例えば１５μｍ−２５μｍに設定されている。
【００５２】
また、第２の絶縁基材１２１（１）−１２１（５）のそれぞれの第２の導電体１２２（１１）、１２２（１２）、１２２（２１）及び１２２（２２）はラミネート法又はプレス成形法により貼り付けられたＣｕ箔により形成されている。このＣｕ箔の膜厚は例えば３０μｍ−４０μｍに設定されている。
【００５３】
第２の基板１２の表面１２Ａ側の接着層１２４及び第２の導電体１２２（２１）の表面上並びに表面１２Ｂ側の接着層１２４及び第２の導電体１２２（２２）の表面上にはレジスト層１２３が配設されている。このレジスト層１２３には、第２の導電体１２２の保護、はんだの付着の防止等を目的として、ソルダーレジスト層を使用することができる。このソルダーレジスト層は例えば２５μｍ−３５μｍの膜厚に設定されている。
【００５４】
更に、第２の基板１２の第２の絶縁基材１２１の各層の間には上下の第２の絶縁基材１２１間を接着する接着層１２４が配設されている。接着層１２４には例えばエポキシ系接着剤、ガラス繊維を折り込み接着剤を含ませたガラスクロス等を使用することができる。例えばエポキシ系接着剤が使用される場合、このエポキシ系接着剤の膜厚は例えば５０μｍ−１４０μｍに設定されている。
【００５５】
図８及び図９に示すように、第２の基板１２の中央部に配設された貫通穴１２５は、一次側巻線３１及び二次側巻線３２の中心を貫通しかつこれらに沿って配設され、最上層の第２の絶縁基材１２１（１）から最下層の第２の絶縁基材１２１（５）に渡って形成されている。貫通穴１２５は、第２の基板１２の接続孔配線１２６（２）と１２６（３）との間の中央部分に配設され、第１の実施の形態において第２の基板１２の長辺に沿って細長い長円形状の平面形状を有している。
【００５６】
図１、図８、図１０、図１２及び図１３に示すように、第１の実施の形態に係る電子回路装置１においては、第１の基板１１の第１の導電体１１２と第２の基板１２の第２の導電体１２２との接続箇所において、第２の基板１２の複数積層されたうちの一部の第２の絶縁基材１２１を取り除いて第２の基板１２にその厚さを部分的に減少する段差１２Ｄが配設されている。段差１２Ｄは、ここでは第２の基板１２の表面（裏面）２Ｂのそれぞれの角部において、個数に限定されるものではないが、図８及び図１０に示すように、例えば２個分の接続孔配線１２６（１）、２個分の接続孔配線１２６（３）の配設領域に相当する部分の第２の絶縁基材１２１を取り除いて形成されている。そして、段差１２Ｄは、例えば最下層の第２の絶縁基材１２１（５）及びその前段の第２の絶縁基材１２１（４）の一部を取り除き（切欠き）、中間層の第２の絶縁基材１２１（３）の裏面並びにその裏面に配設された第２の導電体１２２（２２）又は接続孔配線１２６（１）か１２６（３）を露出して形成されている。段差１２Ｄの製作には、例えばエッチング加工、レーザ加工、ウォータジェット加工等の加工技術を使用することができる。
【００５７】
［コア（第１のトランス）の構造］
図８及び図９に示すように、第１のトランス３のコア３３は、第１の実施の形態において、第２の基板２の中央部分を挟み込む一方の第１のコアブロック（下側コアブロック）３３１と他方の第２のコアブロック（上側コアブロック）３３２とを備えている。第１のコアブロック３３１は、第２の基板１２の表面（裏面）１２Ｂ及び第２の基板１２の長辺側の対向する側面１２Ｃに沿いこれらを覆って配設され、表面１２Ｂの中央部において第２の基板１２の貫通穴１２５に挿入されトロイダルコアの磁心として使用されるコア中心部３３１Ｃを有する。このコア中心部３３１Ｃは第１のコアブロック３３１に一体に成形されている。コア中心部３３１Ｃは第２の基板１２の貫通穴１２５の平面形状と同様に長円形状の平面形状を有し、このコア中心部３３１Ｃの平面形状は貫通穴１２５に挿入するために貫通穴１２５の平面形状に対して若干小さく形成されている。第２のコアブロック３３２は、第２の基板１２の表面１２Ａに沿いこれを覆って配設されている。第１のコアブロック３１１と第２のコアブロック３１２との間は、図示しないが、接着剤により接着されている。
【００５８】
第１のコアブロック３３１の図８に示すＦ１−Ｆ１切断線で切断した断面形状、つまり第２の基板１２の長辺側の一方の側面１２Ｃに沿う部分からコア中心部３１１Ｃを通過し他方の側面１２Ｃに沿う部分に渡る切断面がＥ型形状により構成されている。第２のコアブロック３３１の図８に示すＦ２−Ｆ２切断線で切断した断面形状、つまり第２の基板１２の長辺側の一方の側面１２Ｃ側から他方の側面１２Ｃ側に渡る切断面がＩ型形状により構成されている。すなわち、第１の実施の形態において、コア３３はＥ−Ｉ型コア形状を有する。
【００５９】
第１のコアブロック３１１及び第２のコアブロック３１２は例えば金属酸化物の強磁性体をセラミックとして燒結したフェライト磁性材により形成されている。また、第１のコアブロック３１１及び第２のコアブロック３１２は他にアモルファス磁性材料により形成してもよい。
【００６０】
この数値に必ずしも限定されるものではないが、第１の実施の形態において、コア３３の第２の基板１２の長辺と対向する長さが例えば１５ｍｍ−１７ｍｍに設定され、短辺と対向する長さが例えば１９ｍｍ−２１ｍｍに設定され、第１のコアブロック３１１及び第２のコアブロック３１２を含めた厚さが例えば５．０ｍｍ−５．６ｍｍに設定されている。
【００６１】
なお、第１の実施の形態においては、コア３３は、必ずしもＥ−Ｉ型コア形状である必要はなく、第１のコアブロック３１１及び第２のコアブロック３１２のいずれもＥ型形状とするＥ−Ｅ型コア形状であってもよい。
【００６２】
［第１のトランスの実装構造］
図１乃至図５、図８、図１０乃至図１２に示すように、第１の実施の形態に係る電子回路装置１は、第１の基板１１の開口１５内に第１のトランス３の厚さ方向の一部を挿入した状態において実装されている。開口１５は、ここでは第１の基板１１の表面１１Ａから対向する表面（裏面）１１Ｂに達する貫通穴により構成されている。開口１５は少なくとも第１のトランス３のコア３３並びに段差１２Ｄ部分を除く第２の基板１２を挿入することができる平面形状により構成され、開口１５内部に第１のトランス３のコア３３の厚さ方向の一部が挿入されている。換言すれば、第１の基板１１の厚さに第１のトランス３の厚さを重ね合わせ、第１の基板１１の表面１１Ａ上に単純に第１のトランス３を実装した場合に比べて、全体の厚さを減少することができる。
【００６３】
更に、第１のトランス３の第２の基板１２には第１の基板１１との接続箇所において第２の基板１２の厚さを減少する段差１２Ｄが配設され、この段差１２Ｄにおいて第２の絶縁基材１２１（例えば１２１（３））の表面に配設された第２の導電体１２２（例えば１２２（２２）又は接続孔配線１２６（１）若しくは１２６（３））が端子として露出されている。第１の基板１１においては、第２の基板１２の段差１２Ｄの領域と重複し、接続箇所における双方の電気的な接続を確実に行い、かつ第２の基板１２を支持する（取り付ける）ために、開口１５の角部が開口１５内に向かって突出されている。この突出された領域には第１の導電体１１２により形成された端子が露出して配設されている。
【００６４】
第１のトランス３は、第１の基板１１の開口１５の角部に配設された端子（第１の導電体１１２）に、第２の基板１２の段差１２Ｄから露出する端子（例えば１２２（２２）又は接続孔配線１２６（１）若しくは１２６（３））を電気的に接続することにより実装されている。この電気的な接続には導電性接着材１３、例えばはんだが使用されている。
【００６５】
［第２のトランスの構造並びにその実装構造］
第２のトランス７は、第１のトランス３に対して誘導起電力並びに全体のサイズは小さいが、第１のトランス３の構造と同様にシートトランス構造により構成されている。また、第１のトランス３の第１の基板１１への実装方法と同様に、第２のトランス７は、第１の基板１１に配設された開口１６に挿入された状態において実装されている。
【００６６】
［樹脂封止体の構造］
図２（図２においては破線で示す）乃至図５に示すように、第１の実施の形態に係る電子回路装置１は、前述のように第１のトランス３等の電子部品を実装した第１の基板１１を樹脂封止体１７により気密封止している。樹脂封止体１７はトランスファモールド法により成形されている。第１の実施の形態に係る電子回路装置１は、ＤＣ−ＤＣコンバータを１つの部品としてフルモールド化したものであり、小型化並びに薄型化に適し、信頼性が高く、使い易さを高めている。
【００６７】
樹脂封止体１７は、第１の実施の形態において、第１の基板１１の第１の絶縁基材１１１、第２の基板１２の第２の絶縁基材１２１のそれぞれと同一材料であるガラスエポキシ樹脂により構成されている。詳細には、図７に示すように、ガラス転移温度Ｔｇが例えば１７５℃、線膨張係数が例えば１２×１０-6／℃の性質を有するガラスエポキシ樹脂を実用的に使用することができる。第１の実施の形態に係る電子回路装置１においては、温度サイクルに伴う応力の発生を極力減少するために、樹脂封止体１７の線膨張係数と第１の基板１１の第１の絶縁基材１１１の線膨張係数との差が、第１の絶縁基材１１１の線膨張係数の１．０８倍で、概ね±１０％以内に小さく設定されている。すなわち、樹脂封止体１７は、その線膨張係数と第１の基板１１の第１の絶縁基材１１１の線膨張係数とを実質的に一致させ、第１の基板１１との間に温度サイクルに伴う応力を生じないようになっている。また、樹脂封止体１７には第２の基板１２の第２の絶縁基材１２２と同一材料であるガラスエポキシ樹脂が使用されているので、樹脂封止体１７と第２の基板１２との間に温度サイクルに伴う応力が生じないようになっている。
【００６８】
必ずしもこの数値に限定されるものではないが、第１の実施の形態において、樹脂封止体１７の長辺の長さは例えば６８ｍｍ−７２ｍｍに設定され、短辺の長さは例えば４６ｍｍ−５０ｍｍに設定されている。樹脂封止体１７の厚さは、かなり薄く、例えば６．５ｍｍ−６．９ｍｍに設定されている。
【００６９】
図２に示すように、樹脂封止体１７の長辺に沿った側面には、リード（アウターリード）１８１−１８８、１９１−１９５のそれぞれがその側面から突出して配列されている。図２中、手前側のリード１８１は直流電圧端子ＤＣＩＮとして使用され、リード１８２は切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦとして使用され、リード１８３は入力端子Ｖin+として使用され、リード１８４は入力端子Ｖin-として使用され、リード１８５は出力端子Ｖout+として使用され、リード１８６は出力電圧調整端子ＴＲＭとして使用され、リード１８７は出力端子Ｖout-として使用されている。リード１８８は空き端子ＮＣである。また、図２中、奥側のリード１９１−１９５は空き端子ＮＣである。
【００７０】
［第１の実施の形態に係る特徴］
前述の第１の実施の形態に係る電子回路装置１においては、第１のトランス３の第２の基板１２に段差１２Ｄを備え、第１のトランス３を開口１５内に挿入し、第１のトランス３の第２の基板１２を開口１５内に段差１２Ｄを利用して嵌め込み、第１のトランス３を第１の基板１１に実装したので、第１の基板１１の厚さの一部に第１のトランス３の第２の基板１２及びコア３の厚さの一部を重ね合わせ、第１の基板１１に第１のトランス３を実装した状態の厚さを薄くすることができるので、樹脂封止体１７の厚さを薄くすることができる。この結果、電子回路装置１の薄型化並びに小型化を実現することができる。この特徴は第２のトランス７においても同様である。
【００７１】
更に、第１の実施の形態に係る電子回路装置１においては、第１の基板１１、第２の基板のそれぞれを同一材料、詳細には第１の基板１１の第１の絶縁基材１１１と第２の基板１２の第２の絶縁基材１２１とを熱硬化型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂により形成したので、双方の線膨張係数差を減少し、双方の接合部分の熱サイクルに伴う応力の発生を減少することができる。加えて、電子回路装置１においては、第１の基板１１の第１の絶縁基材１１１、第２の基板１２の第２の絶縁基材１２１、樹脂封止体１７のそれぞれが同一材料であるエポキシ樹脂により形成されているので、これらの線膨張係数差を減少し、特に第１の基板１１と第２の基板１２との接合部分の熱サイクルに伴う応力の発生を減少することができる。従って、電子回路装置１において、第１の基板１１と第１のトランス３の第２の基板１２との間の電気的かつ機械的な接続不良や破壊を防止することができる。
【００７２】
第１の実施の形態に係る電子回路装置１においては、第１のトランス３の誘導起電力が第２のトランス７の誘導起電力に比べて大きいので、動作によって発生する熱量が大きい。加えて、第１の基板１１及び第１のトランス３全体が樹脂封止体１７により被覆されているので、第１のトランス３の動作によって発生した熱が逃げにくく、樹脂封止体１７は第１の基板１１、第２の基板１２のそれぞれとの間に応力が発生し易い。このような理由から、電子回路装置１において、第１の基板１１、第２の基板１２及びそれらを被覆する樹脂封止体１７の線膨張係数を一致させることが重要である。
【００７３】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態は、第１の実施の形態に係る電子回路装置１において、第１のトランス３の第１の基板１１への実装方法の他の例を説明するものである。
【００７４】
第２の実施の形態に係る電子回路装置１は、図１４に示すように、第１の基板１１の開口１５内に第１のトランス３を挿入し、第１の基板１１の開口１５内壁に第１のトランス３の第２の基板１２側面を当接させて嵌め込み、第１の基板１１の第１の導電体１１２と第２の基板１２の第２の導電体１２２との間をストラップリード１９６により電気的かつ機械的に接続している。
【００７５】
ストラップリード１９６の一端は第１の基板１１の第１の導電体１１２に導電性接着材１３を介して接合され、他端は第２の基板１２の第２の導電体１２２に同様に導電性接着材１３を介して接合されている。ストラップリード１９６は例えばリード１８１等と同様の導電性材料により形成されている。つまり、ストラップリード１９６には例えばＣｕ板、Ｃｕ合金板、鉄ニッケル合金（Ｆｅ−Ｎｉ）板等を実用的に使用することができる。導電性接着材１３には例えば前述のようにはんだが使用されている。
【００７６】
このように構成される第２の実施の形態に係る電子回路装置１においては、第１のトランス３を第１の基板１１の開口１５内に挿入し、第１の基板１１の開口１５内壁面に第１のトランス３の第２の基板１２の端部を当接させて嵌め込み、第１のトランス３を第１の基板１１に実装したので、第１の基板１１の厚さの一部に第１のトランス３の第２の基板１２及びコア３の厚さの一部を重ね合わせ、第１の基板１１に第１のトランス３を実装した状態の厚さを薄くすることができるので、樹脂封止体１７の厚さを薄くすることができる。この結果、電子回路装置１の薄型化並びに小型化を実現することができる。この特徴は第２のトランス７においても同様である。
【００７７】
それ以外の第２の実施の形態に係る電子回路装置１の作用効果は、前述の第１の実施の形態に係る電子回路装置１により得られる作用効果と同様である。
【００７８】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態は、第２の実施の形態に係る電子回路装置１において、第１のトランス３の第１の基板１１への実装方法の他の例を説明するものである。
【００７９】
第３の実施の形態に係る電子回路装置１は、図１５に示すように、第１の基板１１の開口１５内に第１のトランス３を挿入し、第１の基板１１の開口１５内壁に配設された段差（テーパ面）１５Ｄに第１のトランス３の第２の基板１２の側面１２Ｃに配設された段差１５Ｄとは逆の断面形状を有する段差１２Ｄを当接させて嵌め込み、第１の基板１１の第１の導電体１１２と第２の基板１２の第２の導電体１２２との間をストラップリード１９６により電気的かつ機械的に接続している。
【００８０】
第１の基板１１の段差１５Ｄは第１の基板１１の表面１１Ａから対向する他の表面（裏面）１１Ｂに向かって開口１５サイズが減少するテーパ面であり、第１のトランス３の開口１５内における落下を防止しかつ支持することができる。第２の基板１２の段差１２Ｄは第２の基板１２の側面１２Ｃから第２の基板１２の中心部に向かって厚さが徐々に厚くなる、段差１５Ｄとは逆の断面形状を有する逆テーパ面である。
【００８１】
ストラップリード１９６の材質、導電性接着材１３の具体例等は前述の第２の実施の形態に係る電子回路装置１と同様である。
【００８２】
このように構成される第３の実施の形態に係る電子回路装置１においては、第１の基板１１の開口１５内壁面に段差１５Ｄを備え、第１のトランス３の第２の基板１２の側面１２Ｃに逆断面形状を有する段差１２Ｄを備え、第１のトランス３を第１の基板１１の開口１５内に挿入し、双方の段差１５Ｄと段差１２Ｄとを当接させて嵌め込み、第１のトランス３を第１の基板１１に実装したので、第１の基板１１の厚さの一部に第１のトランス３の第２の基板１２及びコア３の厚さの一部を重ね合わせ、第１の基板１１に第１のトランス３を実装した状態の厚さを薄くすることができるので、樹脂封止体１７の厚さを薄くすることができる。この結果、電子回路装置１の薄型化並びに小型化を実現することができる。この特徴は第２のトランス７においても同様である。
【００８３】
それ以外の第３の実施の形態に係る電子回路装置１の作用効果は、前述の第１の実施の形態に係る電子回路装置１により得られる作用効果と同様である。
【００８４】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は複数の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。例えば、前述の実施の形態に係る電子回路装置１は、第１の基板１１に第１のトランス３及び第２のトランス７を電子部品として搭載している例を説明したが、本発明は、巻線により構成されたインダクタを搭載する第２の基板を第１の基板に実装した電子回路装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電子回路装置の要部拡大断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る電子回路装置の斜視図である。
【図３】図２に示す電子回路装置の側面図である。
【図４】図２に示す電子回路装置の平面図である。
【図５】図２に示す電子回路装置の底面図である。
【図６】図２に示す電子回路装置のシステムブロック図である。
【図７】図２に示す電子回路装置の基板、樹脂封止体のそれぞれのガラス転移温度及び線膨張係数を説明するための図である。
【図８】図２に示す電子回路装置の第１のトランスの分解斜視図である。
【図９】図８に示す第１のトランスの要部拡大断面図である。
【図１０】図２に示す電子回路装置の第１のトランスを実装した状態を示す拡大平面図である。
【図１１】図２に示す電子回路装置の第１のトランスを実装していない状態を示す拡大平面図である。
【図１２】図２に示す電子回路装置の第１のトランスの概略的な側面図である。
【図１３】図１２に示す第１のトランスを第１の基板に実装した状態を示す電子回路装置の概略的な断面図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る電子回路装置の要部拡大断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態に係る電子回路装置の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
【００８６】
１…電子回路装置
１１…第１の基板
１１１…第１の絶縁基材
１１２、１１３…第１の導電体
１２…第２の基板
１２１…第２の絶縁基材
１２２…第２の導電体
１２５…貫通穴
１２６…接続孔配線
１２Ｄ、１５Ｄ…段差
１５…開口
１７…樹脂封止体
２…トランジスタ部
２１…第１のＩＧＦＥＴ
２２…第２のＩＧＦＥＴ
３…第１のトランス
３１…一次側巻線
３２…二次側巻線
３３…コア
３３１…第１のコアブロック
３３１Ｃ…コア中心部
３３２…第２のコアブロック
４１−４３…コンデンサ
５…ダイオード
６…制御部
７…第２のトランス
８…温度検出部
【図１】
2010147171.tif 000003
【図２】
2010147171.tif 000004
【図３】
2010147171.tif 000005
【図４】
2010147171.tif 000006
【図５】
2010147171.tif 000007
【図６】
2010147171.tif 000008
【図７】
2010147171.tif 000009
【図８】
2010147171.tif 000010
【図９】
2010147171.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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