(57)【要約】【課題】支持基板に空洞を形成する際のエッチャントによる圧電層の浸食を防止することが可能なＢＡＷ共振装置を提供する。【解決手段】単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１の一表面側に、Ｐｔ膜からなる下部電極３１とＰｔ膜からなる上部電極３３との間にＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２を有する共振子３が形成され、支持基板１の上記一表面側に形成されて支持基板１に支持され平面視において共振子３を全周に亘って取り囲んで共振子３を保持したＳｉＯ２膜からなる保持層４を備えるとともに、支持基板１に、共振子３の下部電極３１における支持基板１側の表面３１ａを露出させる空洞１ａが形成されている。下部電極３１における上記表面３１ａの周部と保持層４とに跨って形成され支持基板１に空洞１ａを形成する際のエッチャントによる圧電層３２の浸食を防止するＳｉＯ２膜からなる浸食防止膜２１を備えている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の一表面側に下部電極と上部電極との間に圧電層を有する共振子が形成され、支持基板の前記一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において共振子を全周に亘って取り囲んで共振子を保持した保持層を備えるとともに、支持基板に、共振子の下部電極における支持基板側の表面を露出させる空洞が形成されてなるＢＡＷ共振装置であって、下部電極における前記表面の周部と保持層とに跨って形成され支持基板に空洞を形成する際のエッチャントによる圧電層の浸食を防止する浸食防止膜を備えることを特徴とするＢＡＷ共振装置。
【請求項２】
前記保持層は、絶縁材料により形成された絶縁層であり、前記浸食防止膜は、当該絶縁層と同じ絶縁材料により形成されてなることを特徴とする請求項１記載のＢＡＷ共振装置。
【請求項３】
前記圧電層の平面パターンと前記下部電極の平面パターンとが同一であることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＢＡＷ共振装置。
【請求項４】
前記空洞は、前記支持基板の他表面側から前記支持基板の厚み方向に貫設されてなり、前記保持層は、前記圧電層の材料と同じ材料で前記圧電層と連続一体に形成されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＢＡＷ共振装置。
【請求項５】
前記圧電層の材料は、ＰＺＴ系材料もしくはＫＮＮ系材料であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電層の厚み方向の縦振動モードを利用する複数の共振子を備えたＢＡＷ（Bulk  Acoustic  Wave）共振装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、携帯電話機などの移動体通信機器の分野において、１ＧＨｚ以上の高周波帯で利用する高周波フィルタに適用可能なＦＢＡＲ（Film  Bulk  Acoustic  Resonator）型のＢＡＷ共振装置として、図５（ｉ）に示すように支持基板１’の一表面側に、下部電極３１’と上部電極３３’との間に圧電層３２’を有する共振子３’が形成され、支持基板１’に、下部電極３１’における圧電層３２’側とは反対側の表面を露出させる空洞１ａ’が形成されてなるＢＡＷ共振装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。なお、上記特許文献１には、支持基板１’の上記一表面側に共振子３’を複数個形成してフィルタ（ＢＡＷフィルタ）を構成することも記載されている。
【０００３】
以下、図５（ｉ）に示した構成のＢＡＷ共振装置の製造方法について図５（ａ）〜（ｉ）に基づいて簡単に説明する。
【０００４】
まず、図５（ａ）に示す単結晶Ｓｉ基板からなる支持基板１’の上記一表面側の全面に下部電極３１’をスパッタ法などにより形成し（図５（ｂ）参照）、続いて、フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を利用して下部電極３１’をパターニングする（図５（ｃ）参照）。
【０００５】
その後、支持基板１’の上記一表面側の全面に圧電層３２’をスパッタ法などにより形成し（図５（ｄ）参照）、その後、支持基板１’の上記一表面側の全面に上部電極３３’をスパッタ法などにより形成し（図５（ｅ）参照）、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上部電極３３’をパターニングする（図５（ｆ）参照）。続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上部電極３３’のうち共振子３’とならない部分を途中までエッチングして薄くする（図５（ｇ）参照）。
【０００６】
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電層３２’をパターニングする（図５（ｈ）参照）。
【０００７】
更にその後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して支持基板１’の他表面側から支持基板１’のうち空洞１ａ’に対応する部分をドライエッチングすることにより空洞１ａ’を形成する（図５（ｉ）参照）。
【０００８】
ところで、上記特許文献１に開示されたＢＡＷ共振装置では、圧電層３２’の圧電材料としてＡｌＮなどを採用し、支持基板１’の材料としてＳｉなどを採用しているが、２ＧＨｚ以上の高周波帯で利用する高周波フィルタ、例えば、ＵＷＢ（Ultra  Wide  Band）用フィルタに応用する場合、圧電層３２’の圧電材料として、帯域幅が中心周波数に対して４〜５％しか広帯域化できないＡｌＮに比べて中心周波数に対して１０％程度の帯域幅を得ることが可能な鉛系圧電材料（例えば、ＰＺＴ、ＰＭＮ−ＰＺＴなど）を採用し、圧電層３２’の結晶性を向上させるために支持基板１’の材料としてＭｇＯもしくはＳｒＴｉＯ３を採用することが考えられる。
【０００９】
ここで、上記特許文献１に開示されたＢＡＷ共振装置では、支持基板１’として単結晶Ｓｉ基板を用いているので、空洞１ａ’をドライエッチングにより形成する工程を含む上述の製造方法を採用することができるが、単結晶ＭｇＯ基板は単結晶Ｓｉ基板に比べてドライエッチングによるエッチングレートが非常に遅く（例えば、６μｍ／ｈ程度）、上述の製造方法を採用するのが難しい。
【００１０】
そこで、支持基板１’として単結晶ＭｇＯ基板を用いる場合には、空洞１ａ’をウェットエッチングにより形成することが考えられる。
【００１１】
また、この種のＢＡＷ共振装置と類似の構造を有する焦電型赤外線検出素子として、例えば、図６に示すように、単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１０１と、支持基板１０１の一表面側に形成されＰｔ膜からなる下部電極１３１、ＰＬＴ（チタン酸鉛）薄膜からなる強誘電体薄膜（焦電薄膜）１３２、ＮｉＣｒ膜からなる上部電極１３３の積層構造を有する赤外線検出部１３０と、支持基板１０１の上記一表面側に形成されて支持基板１０１に支持され平面視において赤外線検出部１３０を全周に亘って取り囲んで赤外線検出部１３０を保持した有機膜（例えば、ポリイミド膜）からなる保持層１４０を備えるとともに、支持基板１０１に、赤外線検出部１３０の下部電極１３１における支持基板１０１側の表面を露出させる空洞１０１ａが形成されてなるものが提案されている（例えば、特許文献２参照）。ここにおいて、図６に示した焦電型赤外線検出素子の製造にあたっては、単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１０１の上記一表面側に赤外線検出部１３０および保持層１４０を形成してから、保持層１４０に設けたエッチングホールを通してエッチャント（例えば、濃度が１０ｖｏｌ％、液温が８０℃の燐酸）を導入し支持基板１０１における空洞１０１ａの形成予定領域をエッチングすることにより、空洞１０１ａを形成している。
【００１２】
上述の図６に示した構成の焦電型赤外線検出素子をＢＡＷ共振装置に応用する場合、強誘電体薄膜１３２をＰＺＴ薄膜により構成するとともに、上部電極１３３をＰｔ膜により構成し、下部電極１３１、強誘電体薄膜１３２、上部電極１３３それぞれの膜厚を適宜変更すればよい。
【特許文献１】特開２００８−１０９４１４号公報（段落〔００１８〕−〔００２１〕、および図４−図７）
【特許文献２】特開平８−２７１３４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記特許文献１に開示された図５（ｉ）の構成のＢＡＷ共振装置において、支持基板１’として単結晶ＭｇＯ基板を用い、空洞１ａ’を形成するためのエッチャントとして上記特許文献２に開示されている燐酸を用いた場合、空洞１ａ’を形成する際に、圧電層３２’がエッチャントにより浸食されてしまうという問題が生じる。
【００１４】
また、図６に示した構成において、強誘電体薄膜１３２をＰＺＴ薄膜とし、空洞１０１ａを形成するためのエッチャントとして燐酸を用いた場合、空洞１０１ａを形成する際に、支持基板１０１の上記一表面側における下部電極１３１と保持層１４０との境界の隙間からエッチャントが浸入してＰＺＴ薄膜が浸食され、特性の劣化や信頼性の低下の原因となってしまう恐れがあった。
【００１５】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、支持基板に空洞を形成する際のエッチャントによる圧電層の浸食を防止することが可能なＢＡＷ共振装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１の発明は、支持基板の一表面側に下部電極と上部電極との間に圧電層を有する共振子が形成され、支持基板の前記一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において共振子を全周に亘って取り囲んで共振子を保持した保持層を備えるとともに、支持基板に、共振子の下部電極における支持基板側の表面を露出させる空洞が形成されてなるＢＡＷ共振装置であって、下部電極における前記表面の周部と保持層とに跨って形成され支持基板に空洞を形成する際のエッチャントによる圧電層の浸食を防止する浸食防止膜を備えることを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、下部電極における支持基板側の表面の周部と保持層とに跨って形成され支持基板に空洞を形成する際のエッチャントによる圧電層の浸食を防止する浸食防止膜を備えているので、空洞を形成する際に用いるエッチャントが支持基板側から圧電層に到達するための浸入経路が長くなり、支持基板に空洞を形成する際のエッチャントによる圧電層の浸食を防止することが可能である。
【００１８】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記保持層は、絶縁材料により形成された絶縁層であり、前記浸食防止膜は、当該絶縁層と同じ絶縁材料により形成されてなることを特徴とする。
【００１９】
この発明によれば、前記浸食防止膜の線膨張係数と前記保持層の線膨張係数とが同じになるので、前記エッチャントの液温が室温よりも高い場合でも前記浸食防止膜と前記保持層との線膨張係数差に起因して両者の境界に隙間が生じるのを防止することができ、前記圧電層の浸食をより確実に防止することが可能となる。
【００２０】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記圧電層の平面パターンと前記下部電極の平面パターンとが同一であることを特徴とする。
【００２１】
この発明によれば、前記圧電層の平面サイズを大きくすることができて堅牢化を図れ、また、製造時に前記圧電層と前記下部電極とを同時にパターニングすることが可能となり、製造コストの低減を図れる。
【００２２】
請求項４の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記空洞は、前記支持基板の他表面側から前記支持基板の厚み方向に貫設されてなり、前記保持層は、前記圧電層の材料と同じ材料で前記圧電層と連続一体に形成されてなることを特徴とする。
【００２３】
この発明によれば、前記保持層が、前記圧電層の材料と同じ材料で前記圧電層と連続一体に形成されているので、堅牢化を図れ、また、製造時に前記圧電層をパターニングする工程が不要となるので、製造コストの低減を図れる。
【００２４】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４の発明において、前記圧電層の材料は、ＰＺＴ系材料もしくはＫＮＮ系材料であることを特徴とする。
【００２５】
この発明によれば、前記圧電層の材料がＡｌＮである場合に比べて電気機械結合係数を大きくすることができる。
【発明の効果】
【００２６】
請求項１の発明では、支持基板に空洞を形成する際のエッチャントによる圧電層の浸食を防止することが可能であるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
（実施形態１）
本実施形態のＢＡＷ共振装置は、図１に示すように、支持基板１の一表面側に下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する複数個の共振子３が形成され、支持基板１の上記一表面側に形成されて支持基板１に支持され平面視において各共振子３を全周に亘って取り囲んで共振子３を保持した保持層４を備えるとともに、支持基板１に、各共振子３の下部電極３１における支持基板１側の表面３１ａを露出させる空洞１ａが形成されている。ここにおいて、支持基板１の空洞１ａは、当該支持基板１の厚み方向に貫設されている。
【００２８】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、上述の複数個の共振子３がラダー型フィルタを構成するように接続されており、２ＧＨｚ以上の高周波帯においてカットオフ特性が急峻で且つ帯域幅の広いフィルタ、例えば、ＵＷＢ用フィルタとして用いることができる。
【００２９】
各共振子３は、支持基板１の上記一表面側に形成された下部電極３１と、下部電極３１における支持基板１側とは反対側に形成された圧電層３２と、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側に形成された上部電極３３とを有しており、下部電極３１と下部電極３１直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることにより支持基板１側へバルク弾性波のエネルギの伝搬を抑制するようにしてある。要するに、本実施形態の各共振子３は、下部電極３１と下部電極３１直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることにより支持基板１側へのバルク弾性波のエネルギの伝搬を抑制するようにしたＦＢＡＲを構成している。
【００３０】
図１に示した例では、下部電極３１同士が電気的に接続された２個１組の共振子３の組を複数組（図示例では、９組）備えており、各組の２個の共振子３では、下部電極３１と圧電層３２とが連続して形成される一方で上部電極３３同士が絶縁分離されるようにパターニングされている。ここにおいて、隣り合う組間では、隣接する２個の共振子３の上部電極３３同士が上部電極３３と連続して形成された金属配線３４を介して電気的に接続されている。また、各組の２個の共振子３に跨って形成された圧電層３２のうち下部電極３１と上部電極３３との両方と接する領域が各共振領域を構成している。
【００３１】
本実施形態のＢＡＷ共振装置は、圧電層３２の圧電材料として、ＰＺＴを採用しており、支持基板１としては、単結晶ＭｇＯ基板を用いているが、これに限らず、単結晶ＳＴＯ（：ＳｒＴｉＯ３）基板を用いてもよい。なお、単結晶ＭｇＯ基板や単結晶ＳＴＯ基板としては、例えば、上記一表面である主表面が（００１）面のものを用いればよいが、面方位は特に限定するものではない。
【００３２】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、下部電極３１および上部電極３３の金属材料としてＰｔを採用しているが、これらの金属材料は特に限定するものではなく、支持基板１に空洞１ａを形成する際のエッチャントに対してエッチング耐性を有し且つ圧電層３２との格子整合性の良い材料であればよく、例えば、Ａｌや他の金属材料を採用してもよく、例えば、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｕの群から選択される少なくとも一種を採用すれば、下部電極３１および上部電極３３それぞれの金属材料が代表的な電極材料であるＡｕの場合に比べて、下部電極３１および上部電極３３それぞれの機械的品質係数を高めることができ、共振子３全体の機械的品質係数を高めることが可能となる。なお、下部電極３１と上部電極３３とは必ずしも同じ金属材料を採用する必要はない。
【００３３】
また、圧電層３２は、ＰＺＴ薄膜からなる圧電薄膜により構成されている。ここで、図１には図示していないが、下部電極３１と圧電層３２との間に、圧電層３２の配向を制御するためのシード層としてＳＲＯ層を形成してもよい。なお、本実施形態では、圧電層３２の圧電材料として、ＰＺＴを採用しているが、ＰＺＴに限らず、不純物を添加したＰＺＴやＰＭＮ−ＰＺＴなどのＰＺＴ系材料であればよく、圧電層３２の材料がＡｌＮやＺｎＯである場合に比べて、電気機械結合係数を大きくすることができる。また、圧電層３２の材料は、ＰＺＴ系材料に限らず、例えば、鉛フリーのＫＮＮ（Ｋ０．５Ｎａ０．５ＮｂＯ３）や、不純物（例えば、Ｌｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｃｕなど）を添加したＫＮＮなどのＫＮＮ系材料や、ＫＮ（ＫＮｂＯ３）、ＮＮ（ＮａＮｂＯ３）などでもよく、ＫＮＮ系材料を用いた場合、圧電層３２の材料がＡｌＮやＺｎＯである場合に比べて、電気機械結合係数を大きくすることができ、しかも、ＰＺＴ系材料を用いる場合に比べて環境負荷を軽減できる。
【００３４】
また、保持層４は、絶縁材料からなる絶縁層により構成してあり、当該絶縁層の絶縁材料としては、ＳｉＯ２を採用しているが、ＳｉＯ２に限らず、例えば、Ｓｉ３Ｎ４を採用してもよい。また、保持層４は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、ＳｉＯ２からなる第１の絶縁膜とＳｉ３Ｎ４膜からなる第２の絶縁膜との積層膜でもよい。
【００３５】
なお、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、共振子３の共振周波数を４ＧＨｚに設定してあり、下部電極３１の厚みを１００ｎｍ、圧電層３２の厚みを３００ｎｍ、上部電極３３の厚みを１００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、共振周波数を３ＧＨｚ〜５ＧＨｚの範囲で設計する場合には、圧電層３２の厚みは２００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲で適宜設定すればよい。
【００３６】
ところで、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、下部電極３１における支持基板１側の表面３１ａの周部と保持層４とに跨って形成され支持基板１に空洞１ａを形成する際のエッチャントによる圧電層３２の浸食を防止する浸食防止膜２１を備えている。ここにおいて、本実施形態では、浸食防止膜２１の材料として、空洞１ａを形成する際に用いるエッチャントに対してエッチング耐性を有するＳｉＯ２を採用しており、浸食防止膜２１の材料と保持層４の材料とが同じなので、浸食防止膜２１の線膨張係数が保持層４の線膨張係数と同じ値となっている。
【００３７】
本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法にあたっては、単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１の上記一表面側に所定形状の浸食防止膜２１を形成する浸食防止膜形成工程を行ってから、支持基板１の上記一表面側の全面に下部電極３１をスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する下部電極形成工程を行い、続いて、支持基板１の上記一表面側の全面に圧電層３２をスパッタ法やＣＶＤ法やゾルゲル法などにより形成する圧電層形成工程を行う。その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電層３２をパターニングする圧電層パターニング工程を行い、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して下部電極３１をパターニングする下部電極パターニング工程を行う。その後、支持基板１の上記一表面の全面に例えばＳｉＯ２膜からなる保持層４をスパッタ法やＣＶＤ法などにより形成してからフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して保持層４をパターニングする保持層形成工程を行い、その後、支持基板１の上記一表面側の全面側に上部電極３３および金属配線３４の基礎となる金属膜（例えば、Ｐｔ膜など）をスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する金属膜形成工程を行い、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して金属膜をパターニングすることにより上部電極３３および金属配線３４を形成する金属膜パターニング工程を行う。その後、支持基板１の上記一表面側の全面にレジスト層を形成するとともに支持基板１の他表面側に空洞１ａに対応する部位が開口されたレジスト層を形成するレジスト層形成工程を行い、上記各レジスト層をマスクとして支持基板１の上記他表面側から支持基板１をウェットエッチングすることにより支持基板１に空洞１ａを形成する空洞形成工程を行う。ここで、空洞形成工程において用いるエッチャントについては、支持基板１が単結晶ＭｇＯ基板の場合には、例えば、液温が８０〜９０℃程度の燐酸水溶液を用いればよい。また、支持基板１が単結晶ＳＴＯ基板の場合には、保持層４および浸食防止膜２１の材料をＳｉ３Ｎ４として、空洞形成工程において、エッチャントとして、例えば、液温が室温（例えば、２５℃）で濃度が３ｗｔ％のフッ酸水溶液を用いればよい。
【００３８】
上述のＢＡＷ共振装置の製造にあたっては、上述の支持基板１としてウェハを用いてウェハレベルで多数のＢＡＷ共振装置を形成した後、ダイシング工程で個々のＢＡＷ共振装置に分割すればよい。
【００３９】
以上説明した本実施形態のＢＡＷ共振装置によれば、下部電極３１における支持基板１側の表面３１ａの周部と保持層４とに跨って形成され支持基板１に空洞１ａを形成する際のエッチャントによる圧電層３２の浸食を防止する浸食防止膜２１を備えているので、空洞１ａを形成する際に用いるエッチャントが支持基板１側から圧電層３２に到達するための浸入経路が長くなり、支持基板１に空洞１ａを形成する際のエッチャントによる圧電層３２の浸食を防止することが可能となり、特性の劣化や信頼性の低下を防止することができる。
【００４０】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、保持層４が、絶縁材料により形成された絶縁層であり、浸食防止膜２１は、当該絶縁層からなる保持層４と同じ絶縁材料により形成されているので、浸食防止膜２１の線膨張係数と保持層４の線膨張係数とが同じになる。しかして、支持基板１に空洞１ａを形成する際に用いるエッチャントの液温が室温よりも高い場合でも浸食防止膜２１と保持層４との線膨張係数差に起因して両者の境界に隙間が生じるのを防止することができ、圧電層３２の浸食をより確実に防止することが可能となる。
【００４１】
（実施形態２）
本実施形態のＢＡＷ共振装置の基本構成は実施形態１と略同じであり、図２に示すように、圧電層３２の平面パターンと下部電極３１の平面パターンとが同一である点が相違するだけである。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４２】
しかして、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、実施形態１に比べて、圧電層３２の平面サイズを大きくすることができて堅牢化を図れ、また、製造時に圧電層３２と下部電極３１とを同時にパターニングすることが可能となり、製造コストの低減を図れる。
【００４３】
（実施形態３）
本実施形態のＢＡＷ共振装置の基本構成は実施形態１と略同じであり、図３に示すように、保持層４が圧電層３２の材料と同じ材料で圧電層３２と連続一体に形成されており、保持層４における支持基板１側とは反対側に上部電極３３が圧電層３２に接する領域を規定するためにパターニングされたＳｉＯ２膜からなる絶縁膜６を備えている点が相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４４】
しかして、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、保持層４が、圧電層３２の材料と同じ材料で圧電層３２と連続一体に形成されているので、実施形態１，２に比べて堅牢化を図れ、また、製造時に圧電層３２をパターニングする工程が不要となるので、実施形態１に比べて製造コストの低減を図れる。
【００４５】
ところで、上記各実施形態のＢＡＷ共振装置は、空洞１ａが支持基板１の厚み方向に貫設されているが、図４に示すように、支持基板１の上記一表面側の保持層４に空洞形成用のエッチングホール５が形成され、エッチングホール５を通して上記エッチャントを導入し支持基板１を異方性エッチングすることで支持基板１の上記一表面側に、空洞（図示せず）が形成されたものでもよい。なお、エッチングホール５の数やレイアウトは、共振子３の配置に応じて適宜設定すればよい。
【００４６】
また、上記各実施形態のＢＡＷ共振装置は、支持基板１の上記一表面側に複数個の共振子３が形成されているが、共振子３の数は１個でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施形態１のＢＡＷ共振装置を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は要部概略断面図である。
【図２】実施形態２のＢＡＷ共振装置の要部概略断面図である。
【図３】実施形態３のＢＡＷ共振装置の要部概略断面図である。
【図４】ＢＡＷ共振装置の他の構成例を示す概略平面図である。
【図５】従来例のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図６】他の従来例を示す焦電型赤外線検出素子の概略断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  支持基板
１ａ  空洞
３  共振子
４  保持層
２１  浸食防止膜
３１  下部電極
３１ａ  表面
３２  圧電層
３３  上部電極
【図１】
2010147872.tif 000003
【図２】
2010147872.tif 000004
【図３】
2010147872.tif 000005
【図４】
2010147872.tif 000006
【図５】
2010147872.tif 000007
【図６】
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