(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体ウェハの半導体集積回路素子に対し電気特性の試験を行い、その試験で不良であると判断された半導体集積回路素子の電極端子を絶縁性樹脂で覆ったのちにウェハバーンインを行い、半導体装置を製造すると、製造歩留まりが低下する場合があり、製造歩留低下を抑制するための半導体装置及び製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体集積回路素子を備えている。半導体集積回路素子では、半導体基板３の上面の中央に半導体集積回路５が形成されており、半導体基板３の上面の周縁に複数の接続用電極端子７１，及び検査用電極端子７３が設けられている。半導体基板３の上面上には各電極端子の上面を露出する保護膜９を備えている。そして、検査用電極端子７３は、肉薄部７４、及び肉厚部７２を有している。肉薄部の上面７４ａは、肉厚部の上面７２ａ（又は接続用電極端子７１の上面）よりも下に位置している。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と
前記半導体基板の上面の中央に形成された半導体集積回路と、
前記半導体基板の前記上面の周縁に形成された前記複数の電極端子と、
前記半導体基板の前記上面上に設けられ、前記複数の電極端子のそれぞれの上面を露出する保護膜とを備え、
前記複数の電極端子には、肉薄部を有する電極端子が存在しており、
前記肉薄部の上面は、前記複数の電極端子のうち前記肉薄部を有する電極端子以外の電極端子の上面よりも下に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記保護膜の上面上であって前記半導体集積回路の上に位置する部分には、樹脂膜が設けられており、
前記肉薄部を有する電極端子は、前記肉薄部と、前記肉薄部に接続された肉厚部とからなり、
前記肉薄部は、前記半導体基板の前記上面の前記周縁から前記中央へ向かう方向において、前記肉厚部よりも前記樹脂膜寄りに位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記複数の電極端子には、前記肉薄部からなる電極端子が存在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一つの半導体装置において、
前記肉薄部を有する電極端子は、前記バーンインを行うときに使用される電極端子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体基板と
前記半導体基板の上面の中央に形成された半導体集積回路と、
前記半導体基板の前記上面の周縁に形成された前記複数の電極端子と、
前記半導体基板の前記上面上に設けられた保護膜とを備え、
前記保護膜には、前記複数の電極端子の上面を露出させる開口が形成されており、
前記保護膜の上面には、少なくとも一つの前記開口に連通する溝が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記保護膜の上面上であって前記半導体集積回路の上に位置する部分には、樹脂膜が設けられており、
前記溝は、前記樹脂膜へ向かって延びていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記溝は、前記樹脂膜の側面に達していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記樹脂膜の前記側面には、前記溝に連通する凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記樹脂膜の前記側面から前記樹脂膜の内側へ向かうにつれて幅が広くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記溝に連通する本体部と、前記本体部から枝分かれして前記樹脂膜の内側へ延びる枝部とを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項５から１０の何れか一つに記載の半導体装置において、
前記溝は、前記バーンインを行うときに使用される電極端子の上面を露出させる開口に連通していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
それぞれが複数の電極端子を有する半導体集積回路素子が互いに隣り合うように形成された半導体ウェハを準備する工程（ａ）と、
前記半導体ウェハにおける前記半導体集積回路素子に対して電気特性の試験を行う工程（ｂ）と、
前記電気特性の試験において前記電気特性が不良であると判断された前記半導体集積回路素子が有する電極端子を絶縁性樹脂で覆う工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）の後に、前記半導体ウェハにおける前記半導体集積回路素子に対して一括してバーンインを行う工程（ｄ）と、
前記工程（ｄ）の後に、前記半導体ウェハをダイシングする工程（ｅ）とを備え、
前記工程（ａ）において準備された前記半導体ウェハでは、
前記複数の電極端子には、肉薄部を有する電極端子が存在しており、
前記肉薄部の上面は、前記複数の電極端子のうち前記肉薄部を有する電極端子以外の電極端子の上面よりも下に位置しており、
保護膜が前記複数の電極端子のそれぞれの上面を露出するように前記半導体ウェハの上面上に設けられている半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、半導体ウェハにおける複数の半導体集積回路素子に対して一括してバーンインを行うことにより製造された半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置は、半導体集積回路素子とリードフレームのリードとがボンディングワイヤによって電気的に接続された後、半導体集積回路素子とリードフレームのリードとが樹脂又はセラミックスにより封止されることにより製造される。このような半導体装置は、プリント基板に実装されて電子機器に組み込まれる。
【０００３】
ところで、電子機器の低価格化が要求されている。よって、半導体装置には低コスト化が要求されている。従って、品質が保証された半導体装置を低価格で供給することが望まれている。
【０００４】
半導体装置の品質を保証するために、通常、バーンインを行っている。このバーンインの方法としていくつかの方法が挙げられているが、半導体ウェハにおける複数の半導体集積回路素子に対して一括してバーンインを行う（以下では、「ウェハバーンイン」と記す場合がある）ことが好ましい。これにより、バーンインに要するコストを抑えることができる。また、バーンインに使用する装置の低コスト化を図ることができる。
【０００５】
このようなウェハバーンインは、プローブ端子を有するコンタクタを用いて行われる。半導体ウェハ上に形成された複数の半導体集積回路素子のそれぞれには検査用電極端子が設けられており、検査用電極端子はウェハバーンインを行うときにプローブ端子に接続される。
【０００６】
ウェハバーンインを行うときには、複数の半導体集積回路素子のそれぞれに設けられた各検査用電極端子に、電源電圧、接地電圧又は信号を印加する必要がある。複数の半導体集積回路素子のそれぞれに設けられた各検査用電極に電源電圧、接地電圧又は信号を個別に印加しようとすると、著しく多数の配線をコンタクト上又は半導体ウェハ上に引き回さなければならなくなる。そのため、現実的ではない。そこで、コンタクタ上又は半導体ウェハ上に共通の電源電圧線、接地電圧線又は信号線（以下、これらを共通配線と総称する。）を設け、該共通配線と各検査用電極とを電気的に接続するという方法が提案されている。これにより、著しく多数の配線を引き回すという事態を避けることができる。
【０００７】
しかし、このようにコンタクタ上又は半導体ウェハ上に共通配線を設けた場合、半導体ウェハにおける一部の半導体集積回路素子の内部に電気的短絡が発生していれば、その不良の半導体集積回路素子を介して共通の電源電圧線と共通の接地電圧線又は共通の信号線とが短絡を起こす。この不具合を解消するため、特許文献１には次に示す検査方法が開示されている。ウェハバーンインを行なう前に、各半導体集積回路素子の電気特性の検査を行う。電気特性の検査において不良と判断された半導体集積回路素子の検査用電極端子に不導体樹脂を塗布する。その後、ウェハバーンインを行う。
【特許文献１】特開平０７−１６９８０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ウェハバーンインを行った後には、通常、バックグラインド工程を行う。バックグラインド工程では、上記半導体ウェハの上面上にバックグラインドシートを設けた後に半導体ウェハの上下を反転させて半導体ウェハを研磨用台の上に設置し、砥石を用いて半導体ウェハの下面を研磨する。これにより、半導体ウェハの厚みを薄くすることができる。
【０００９】
ところで、特許文献１に開示された検査方法に従って半導体集積回路素子の電気特性を試験した場合、不良の半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上には不導体樹脂が設けられるが、良好な半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上には不導体樹脂が設けられない。不良の半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上における不導体樹脂の高さは１０μｍ程度であるので、不導体樹脂は半導体集積回路素子を構成するどんな部材よりも半導体ウェハの上面から突出していることとなる。そのため、半導体ウェハの上面は、凸凹している。このような半導体ウェハに対してバックグラインド工程を行うと、次に示す不具合が生じる。
【００１０】
不導体樹脂が半導体集積回路素子を構成するどんな部材よりも半導体ウェハの上面から突出しているため、上記半導体ウェハの上面上にバックグラインドシートを設けた後にその半導体ウェハの上下を反転させて研磨用台の上面上に設置すると、絶縁性樹脂のうち研磨用台に接触する部分のみがウェハを支える点となる。このような状態の半導体ウェハに対してバックグラインド工程を行うと、不導体樹脂に大きな力がかかり、その結果、半導体ウェハの割れを招来する。
【００１１】
また、昨今、半導体装置の薄型化が要求されているため、半導体集積回路素子の厚み（つまり、半導体ウェハの厚み）を薄くすることが要求されている。具体的には、半導体集積回路素子の厚みを１００μｍ程度にまで薄くすることが望まれている。しかし、半導体集積回路素子の厚みが薄くなればなるほど、半導体集積回路素子の厚みに対する検査用電極端子の上面上に設けられた不導体樹脂の高さの割合が高くなる。そのため、半導体集積回路素子の厚みが薄くなればなるほど、検査用電極端子の上面上に設けられた不導体樹脂がバックグラインド工程における半導体ウェハの割れに大きな影響を与える。
【００１２】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体ウェハにおける半導体集積回路素子に対して電気特性の試験を行い、その試験において不良であると判断された半導体集積回路素子が有する電極端子を絶縁性樹脂で覆ったのちにウェハバーンインを行うことにより製造された半導体装置及びその製造方法であって、半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制するということである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板を有している。半導体基板の上面の中央には半導体集積回路が形成されており、半導体基板の上面の周縁には複数の電極端子が形成されており、さらに、半導体基板の上面上には各電極端子の上面を露出する保護膜が形成されている。
【００１４】
本発明の第１の半導体装置では、複数の電極端子には肉薄部を有する電極端子が存在しており、肉薄部の上面は複数の電極端子のうち肉薄部を有する電極端子以外の電極端子の上面よりも下に位置している。
【００１５】
上記構成により、保護膜のうち開口（各電極端子の上面を保護膜から露出させるための開口）の側壁を構成する部分には、相対的に低い部分（低地部）を形成することができる。よって、肉薄部を有する電極端子の上面上に絶縁性樹脂を設けたときには、絶縁性樹脂が乾燥する前にその絶縁性樹脂の一部をその電極端子の上面上から保護膜の低地部の上面上へ流動させることができる。
【００１６】
保護膜の上面上であって半導体集積回路の上に位置する部分に樹脂膜が設けられており、且つ、肉薄部を有する電極端子が肉薄部と肉薄部に接続された肉厚部とからなる場合には、肉薄部は半導体基板の上面の周縁から中央へ向かう方向において肉厚部よりも樹脂膜寄りに位置していることが好ましい。これにより、絶縁性樹脂と樹脂膜との間に働く親和力を利用して、絶縁性樹脂を電極端子の上面上から樹脂膜へ流動させることができる。
【００１７】
さらに好ましくは、複数の電極端子には肉薄部からなる電極端子が存在することである。これにより、保護膜のうち開口の側壁を構成する部分の高さを全体的に低くすることができる。よって、電極端子が肉薄部を有する場合に比べて、より多くの絶縁性樹脂を電極端子の上面上から保護膜の低地部の上面上へ流動させることができる。
【００１８】
後述の好ましい実施形態では、肉薄部を有する電極端子は、バーンインを行うときに使用される電極端子である。
【００１９】
本発明の第２の半導体装置では、保護膜には、複数の電極端子の上面を露出させる開口が形成されており、保護膜の上面には、少なくとも一つの開口に連通する溝が形成されている。
【００２０】
上記構成により、保護膜のうち溝の下に位置する部分に低地部を形成することができる。よって、電極端子の上面上に絶縁性樹脂を設けたときには、絶縁性樹脂が乾燥する前にその絶縁性樹脂の一部を電極端子の上面上から保護膜の低地部の上面上へ流動させることができる。
【００２１】
保護膜の上面上であって半導体集積回路の上に位置する部分に樹脂膜が設けられているときには、溝は、樹脂膜へ向かって延びていることが好ましい。これにより、絶縁性樹脂と樹脂膜との間に働く親和力を利用して、絶縁性樹脂を電極端子の上面上から保護膜の低地部の上面上へ流動させることができる。
【００２２】
好ましくは、溝は、樹脂膜の側面に達していることであり、さらに好ましくは、樹脂膜の側面には、溝に連通する凹部が形成されていることである。
【００２３】
凹部は、樹脂膜の側面から樹脂膜の内側へ向かうにつれて幅が広くなるように形成されていてもよく、溝に連通する本体部と、本体部から枝分かれして樹脂膜の内側へ延びる枝部とを有していてもよい。後者の場合には、絶縁性樹脂は、毛細管現象により樹脂膜の凹部内に滲入する。
【００２４】
後述の好ましい実施形態では、溝は、バーンインを行うときに使用される電極端子の上面を露出させる開口に連通している。
【００２５】
本発明の半導体装置の製造方法は、それぞれが複数の電極端子を有する半導体集積回路素子が互いに隣り合うように形成された半導体ウェハを準備する工程（ａ）と、半導体ウェハにおける半導体集積回路素子に対して電気特性の試験を行う工程（ｂ）と、電気特性の試験において電気特性が不良であると判断された半導体集積回路素子が有する電極端子を絶縁性樹脂で覆う工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に半導体ウェハにおける半導体集積回路素子に対して一括してバーンインを行う工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に半導体ウェハをダイシングする工程（ｅ）とを備えている。工程（ａ）において準備された半導体ウェハでは、複数の電極端子には肉薄部を有する電極端子が存在しており、肉薄部の上面は複数の電極端子のうち肉薄部を有する電極端子以外の電極端子の上面よりも下に位置しており、保護膜が前記複数の電極端子のそれぞれの上面を露出するように前記半導体ウェハの上面上に設けられている。
【００２６】
上記製造方法では、肉薄部を有する電極端子を絶縁性樹脂で覆うので、絶縁性樹脂が乾燥する前にその絶縁性樹脂の一部をその電極端子の上面上から保護膜の低地部の上面上へ流動させることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明では、半導体ウェハにおける半導体集積回路素子に対して電気特性の試験を行い、その試験において電気特性が不良であると判断された半導体集積回路素子が有する電極端子を絶縁性樹脂で覆ったのちにウェハバーンインを行うことにより半導体装置を製造する場合において、半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の実施形態を説明する前に、本願発明者が本願発明を完成させるに至った経緯を説明する。
【００２９】
本願発明者は、検査用電極端子の上面上に設けられた絶縁性樹脂の高さを１０μｍよりも小さくすることができれば（例えばその高さを７μｍ以下にすることができれば）、バックグラインド工程において半導体ウェハに割れが生じることを防止できると考え、また、半導体集積回路素子の厚みが薄くなっても検査用電極端子の上面上に設けられた絶縁性樹脂の高さがバックグラインド工程における半導体ウェハの割れに大きな影響を与えることを防止できると考えた。そこで、本願発明者は、検査用電極端子の上面上に設けられた絶縁性樹脂の高さが１０μｍ程度となる理由を検討した。
【００３０】
半導体ウェハでは、通常、電極端子が半導体集積回路素子の上面上に設けられており、保護膜が半導体集積回路素子の上面上に設けられている。なお、保護膜には開口が設けられており、これにより電極端子の上面が保護膜から露出している。
【００３１】
絶縁性樹脂を用いて半導体ウェハの電極端子を被覆すると、絶縁性樹脂は保護膜の開口内に設けられる。しかし、開口の側壁を構成する保護膜の高さは高いので、絶縁性樹脂が乾燥する前に絶縁性樹脂の一部を電極端子の上面上から保護膜の上面上へ流動させることは困難である。そのため、電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さが高くなる。その結果、バックグラインド工程において半導体ウェハに割れが生じる等の不具合が発生する。
【００３２】
そこで、本願発明者は、開口の側壁を構成する保護膜の高さを低くすることができれば、絶縁性樹脂が乾燥する前に絶縁性樹脂の一部を電極端子の上面上から保護膜の上面上へ流動させることができると考え、本願発明を完成させた。
【００３３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下に示す実施形態に限定されない。また、以下の実施形態では、同一の部材に対して同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【００３４】
《発明の実施形態１》
図１は、本実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【００３５】
本実施形態では、半導体装置の一例としてウエハレベルチップサイズパッケージ（Wafer-level Chip Size Package，以下では「ＷＬ−ＣＳＰ」と記す）を挙げている。その構成を簡単に示すと、半導体集積回路素子１のうち電極端子７，７，…が設けられた面が封止樹脂１０１で封止されている。各電極端子７には再配線層１０７が電気的に接続されており、封止樹脂１０１の厚み方向には複数の突起電極１０３，１０３，…が貫設されており、各突起電極１０３が封止樹脂１０１から露出する部分には半田ボール１０５が設けられている。半導体集積回路素子１の各電極端子７は、再配線層１０７及び突起電極１０３を介して、半田ボール１０５に電気的に接続されている。
【００３６】
図２は、本実施形態における半導体集積回路素子１の上面図である。
【００３７】
本実施形態における半導体集積回路素子１は、半導体基板３を有している。半導体基板３の上面の中央には半導体集積回路５が形成されており、半導体基板３の上面の周縁には複数の電極端子７，７，…が互いに間隔を開けて配置されており、各電極端子７は半導体集積回路５に電気的に接続されている。このような半導体基板３の上面上には保護膜９が設けられており、保護膜９には複数の開口が形成されており、これにより各電極端子７の上面は保護膜９から露出している。保護膜９の上面上であって半導体集積回路５の上に位置する部分には樹脂膜１１が設けられており、樹脂膜１１は半導体集積回路５を保護する機能を有している。ここで、各電極端子７は、例えばＡｌからなることが好ましい。保護膜９は例えばＳｉＮからなることが好ましく、その厚みは１μｍ以下（例えば８５０ｎｍ）である。樹脂膜１１は例えばポリベンゾオキサゾールからなることが好ましく、その厚みは４μｍ程度である。
【００３８】
図３（ａ）は図２に示すIIIA−IIIA線における断面図であり、図３（ｂ）は図２に示すIIIB−IIIB線における断面図である。
【００３９】
本実施形態における電極端子７，７，…には、図３（ａ）に示す接続用電極端子７１，７１，…と、図３（ｂ）に示す検査用電極端子７３，７３，…とが存在している。
【００４０】
各接続用電極端子７１は、実装基板（半導体装置が電気的に接続される基板）等に設けられた電極に電気的に接続される電極端子である。各接続用電極端子７１の厚みはＷ１であり、各接続用電極端子７１の上面は面一である。そのため、各開口１３（開口１３は各接続用電極端子７１の上面を露出する）の側壁を構成する保護膜９の上面の高さは、場所に寄らず、一定である。
【００４１】
各検査用電極端子７３は、バーンイン検査を行う際に使用される電極端子であり、肉厚部（厚みがＷ１）７２と肉薄部（厚みがＷ２（＜Ｗ１））７４とを有している。各検査用電極端子７３では、肉薄部７４は、半導体基板３の上面の周縁から中央へ向かう方向（図２の横方向，以下では「第１の方向」と記す。）において、肉厚部７２よりも樹脂膜１１寄りに位置している。また、各肉薄部７４の上面７４ａは、各肉厚部７２の上面７２ａよりも下（半導体基板３の上面寄り）に位置している。これにより、各開口１５（開口１５は各検査用電極端子７３の上面を露出する）の側壁を構成する保護膜９のうち肉厚部７２の上面７２ａに接続された部分の高さ（Ｈ１）よりも、各開口１５の側壁を構成する保護膜９のうち肉薄部７４の上面７４ａに接続された部分の高さ（Ｈ２）の方が低くなる。つまり、保護膜９のうち各開口１５の側壁を構成する部分には相対的に低い部分（以下では「低地部」と記す）９ａが形成され、各低地部９ａは開口１５から樹脂膜１１へ向かって延びている。
【００４２】
各肉薄部７４の厚み（Ｗ２）は、各肉厚部７２（又は各接続用電極端子７１）の厚み（Ｗ１）の５／６倍以下であれば良く、各肉厚部７２（又は各接続用電極端子７１）の厚み（Ｗ１）の３／８倍以上５／６倍以下であれば好ましく、各肉厚部７２（又は各接続用電極端子７１）の厚み（Ｗ１）の１／２倍であればさらに好ましい。通常、各接続用電極端子７１の厚み（Ｗ１）は１２００ｎｍであり、この場合には、各肉厚部７２の厚み（Ｗ１）は１２００ｎｍであり、各肉薄部７４の厚み（Ｗ２）は、１０００ｎｍ以下であればよく４５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であれば好ましく６００ｎｍであればさらに好ましい。
【００４３】
図４は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。なお、以下では、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子を電気的に絶縁する工程及びバックグラインド工程については、従来と比較しながら説明する。図５（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、従来及び実施形態における電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子を電気的に絶縁する工程を説明する断面図である。図６（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、従来及び実施形態におけるバックグラインド工程を説明する断面図である。
【００４４】
なお、図５（ａ）及び図６（ａ）では、電気特性が不良である半導体集積回路素子、その接続用電極端子及びその検査用電極端子には順に９０１Ａ、９７１Ａ及び９７３Ａを付け、電気特性が良好である半導体集積回路素子、その接続用電極端子及びその検査用電極端子には順に９０１Ｂ、９７１Ｂ及び９７３Ｂを付けている。同様に、図５（ｂ）及び図６（ｂ）では、電気特性が不良である半導体集積回路素子、その接続用電極端子及びその検査用電極端子には順に１Ａ、７１Ａ及び７３Ａを付け、電気特性が良好である半導体集積回路素子、その接続用電極端子及びその検査用電極端子には順に１Ｂ、７１Ｂ及び７３Ｂを付けている。
【００４５】
まず、ステップＳ３０１において、ダイシングラインにより複数の領域に区画された半導体ウェハを準備し、各領域内に半導体集積回路素子１を形成する（工程（ａ））。具体的には、各領域の中央に半導体集積回路５を形成する。その後、半導体ウェハの上面上全体に電極材料からなる膜を形成し、その膜をエッチングする。これにより、膜厚が互いに等しい複数の電極端子が各領域の周縁に互いに間隔を開けて形成される。その後、複数の電極端子のうち検査用電極端子７３となる電極端子をさらにエッチングする。このとき、検査用電極端子７３となる電極端子の上面のうち半導体集積回路５寄りに位置する部分をエッチングする。これにより、肉薄部７４を有する検査用電極端子７３が形成される。その後、半導体ウェハの上面上に保護膜９となる膜を形成した後、保護膜９となる膜の上面上であって半導体集積回路５の上に位置する部分に樹脂膜１１を形成する。
【００４６】
次に、ステップＳ３０２において、半導体ウェハの各半導体集積回路素子１の電気特性を試験する（工程（ｂ））。そして、ステップＳ３０３において、電気特性が不良であると判断された半導体集積回路素子１Ａの検査用電極端子７３Ａの上面上に絶縁性樹脂１７を設ける一方、電気特性が良好であると判断された半導体集積回路素子１Ｂの検査用電極端子７３Ｂの上面上には絶縁性樹脂１７を設けない（工程（ｃ））。絶縁性樹脂１７としては、導電性を有しない樹脂であれば良いが、塗布後の乾燥において体積収縮率が大きい方が好ましい。絶縁性樹脂１７の具体例としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂などを挙げることができる。これにより、電気特性が不良であると判断された半導体集積回路素子１Ａの検査用電極端子７３Ａのみを電気的に絶縁することができる。
【００４７】
このとき、従来では、検査用電極端子９７３Ａ，９７３Ｂは肉薄部を有していないので、保護膜９０９には低地部が形成されていない。そのため、電気特性が不良である半導体集積回路素子９０１Ａの検査用電極端子９７３Ａの上面上に絶縁性樹脂９１７を設けると、絶縁性樹脂９１７の殆どは保護膜９の上面上へ流動することなく検査用電極端子９７３Ａの上面上で乾燥する。そのため、絶縁性樹脂９１７の高さは高く例えば１０μｍ程度となる。保護膜９０９の厚みが１μｍ以下であること及び樹脂膜９１１の厚みが４μｍ程度であることを考慮すると、絶縁性樹脂９１７は、樹脂膜９１１の上面よりも５μｍ以上も上に突出する。
【００４８】
一方、本実施形態では、検査用電極端子７３Ａ，７３Ｂはそれぞれ肉薄部７４を有しているので、各開口１５の側壁を構成する保護膜９には低地部９ａが存在している。よって、電気特性が不良である半導体集積回路素子１Ａの検査用電極端子７３Ａの上面上に絶縁性樹脂１７を設けると、絶縁性樹脂１７の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子７３Ａの上面上から低地部９ａの上面上へ流動する。従って、検査用電極端子７３Ａの上面上における絶縁性樹脂１７の高さを従来よりも低くすることができ、例えば４〜７μｍにすることができる。その結果、本実施形態では、絶縁性樹脂１７は、樹脂膜１１の上面よりも若干上に突出しているに過ぎない、又は樹脂膜１１の上面よりも低くなる。
【００４９】
また、本実施形態では、各肉薄部７４は第１の方向において肉厚部７２よりも樹脂膜１１寄りに位置しているので、保護膜９の各低地部９ａは開口１５から樹脂膜１１へ向かって延びている。従って、電気特性が不良である半導体集積回路素子１Ａの検査用電極端子７３Ａの上面上に絶縁性樹脂１７を設けると、絶縁性樹脂１７の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子７３Ａの上面上から低地部９ａの上面上を流動して樹脂膜１１へ到達する。絶縁性樹脂１７が樹脂膜１１に接触すると、樹脂膜１１と絶縁性樹脂１７との間に親和力が働くので、さらに多くの絶縁性樹脂１７が乾燥する前に検査用電極端子７３Ａの上面上から樹脂膜１１へ流動する。従って、本実施形態のように各肉薄部７４が第１の方向において肉厚部７２よりも樹脂膜１１寄りに位置していれば、各肉薄部７４がそれ以外の位置に設けられている場合に比べて検査用電極端子７３Ａの上面上における絶縁性樹脂１７の高さを低くすることができる。
【００５０】
続いて、ステップＳ３０４において、複数の半導体集積回路素子に対して一括してバーンインを行う（工程（ｄ））。これにより、半導体ウェハを分割してから半導体集積回路素子のそれぞれに対してバーンインを行う場合に比べてバーンインに要するコストを削減することができる。また、電気特性が不良であると判断された半導体集積回路素子にはバーンインが行われないので、バーンイン時におけるプローブカードの電気的な破壊を抑止することができる。
【００５１】
続いて、ステップＳ３０５において、バックグラインド工程を行う。具体的には、半導体ウェハ１９の上下を反転させて研磨用台２１の上面上に設け、砥石などを用いて半導体ウェハ１９の下面を研磨する。
【００５２】
このとき、従来では、検査用電極端子９７３Ａ，９７３Ｂが肉薄部を有していないので、絶縁性樹脂９１７は樹脂膜１１の上面よりも５μｍ以上も上に突出している。そのため、半導体ウェハ９１９の上面上にバックグラインドシート１０００を設けた後に半導体ウェハ９１９の上下を反転させて研磨用台９２１の上面上に設置すると、絶縁性樹脂９１７のうち研磨用台９２１に接触する部分のみがウェハを支える点となる。樹脂膜９１１の上面（図６（ａ）では下に位置する面）は研磨用台９２１の上面よりも５μｍ以上も上に位置することとなる。このような状態の半導体ウェハに対してバックグラインド工程を行うと、、非常に大きな力が絶縁性樹脂９１７にかかる。その結果、半導体ウェハ９１９にひび割れが発生する。
【００５３】
一方、本実施形態では、検査用電極端子７３が肉薄部７４を有しているので、絶縁性樹脂１７は樹脂膜１１の上面よりも若干上に突出しているに過ぎない。よって、半導体ウェハ１９の上面上にバックグラインドシート１００を設けた後に半導体ウェハ１９の上下を反転させて研磨用台２１の上面上に設置すると、樹脂膜１１の上面（図６（ｂ）では下に位置する面）と研磨用台２１の上面との距離を従来よりも短くすることができる。従って、半導体ウェハ１９が研磨用台２１の上でぐらつくことを防止でき、半導体ウェハ１９を研磨用台２１の上に安定して設置することができる。これにより、非常に大きな力が研磨中に絶縁性樹脂１７にかかることを防止できるので、半導体ウェハ１９がひび割れを起こすことを防止できる。
【００５４】
続いて、半導体ウェハ１９の上下を再反転させる。そして、公知の方法に従って再配線層１０７の形成、封止樹脂１０１の形成、突起電極１０３の形成及び半田ボール１０５の設置を行う。これにより、各領域内に半導体装置を製造することができる。
【００５５】
それから、ステップＳ３０６において、ダイシングラインに沿って半導体ウェハ１９を分割する（工程（ｅ））。これにより、本実施形態に係る半導体装置を製造することができる。
【００５６】
また、図１では、半田ボール１０５は、それぞれ、突起電極１０３のうち封止樹脂１０１から露出する部分に設けられているが、接続用電極端子の上面上に設けられる場合がある。この場合には、半田ボールは次に示す方法に従って各接続用電極端子の上面上に設置される。図７（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、従来及び本実施形態において半田ボールを接続用電極端子の上面上に設置する方法を示す断面図である。なお、図７（ａ）では、電気特性が不良である半導体集積回路素子、その接続用電極端子及びその検査用電極端子には順に９０１Ａ、９７１Ａ及び９７３Ａを付け、電気特性が良好である半導体集積回路素子、その接続用電極端子及びその検査用電極端子には順に９０１Ｂ、９７１Ｂ及び９７３Ｂを付けている。また、図７（ｂ）では、電気特性が不良である半導体集積回路素子、その接続用電極端子及びその検査用電極端子には順に１Ａ、７１Ａ及び７３Ａを付け、電気特性が良好である半導体集積回路素子、その接続用電極端子及びその検査用電極端子には順に１Ｂ、７１Ｂ及び７３Ｂを付けている。
【００５７】
まず、半導体ウェハ１９の上面上にメタルマスク２３を設置する。このメタルマスク２３には複数の孔２３ａ，２３ａ，…が形成されており、各孔２３ａにより接続用電極端子の上面が露出している。次に、各孔２３ａ内に半田ボール１０５を設置し、その後、メタルマスク２３を取り除く。これにより、各接続用電極端子の上面上に半田ボールを接続させることができる。
【００５８】
このとき、従来では、検査用電極端子９７３Ａ，９７３Ｂが肉薄部を有していないので、絶縁性樹脂９１７は樹脂膜１１の上面よりも５μｍ以上も上に突出している。そのため、半導体ウェハ９１９の上面上にメタルマスク９２３を設置すると、メタルマスク９２３を半導体ウェハ９１９の上面上に安定して設置することができない。別の言い方をすると、電気特性が良好である半導体集積回路素子９０１Ｂの接続用電極端子９７１Ｂの上面上に孔９２３ａが位置するように、メタルマスク９２３を半導体ウェハ９１９の上面上に設置することができない。その結果、半田ボール９０５の接続位置は、電気特性が良好である半導体集積回路素子９０１Ｂの接続用電極端子９７１Ｂの上面からずれる。
【００５９】
また、従来では、半導体集積回路素子９０１Ｂの接続用電極端子９７１Ｂの上面上に孔９２３ａが位置するようにメタルマスク９２３を半導体ウェハ９１９の上面上に設置しようとすると、検査用電極端子９７３Ａの上面上における絶縁性樹脂９１７によりメタルマスク９２３が破壊されてしまう。
【００６０】
一方、本実施形態では、検査用電極端子７３Ａ，７３Ｂが肉薄部７４を有しているので、絶縁性樹脂１７は樹脂膜１１の上面よりも若干上に突出しているに過ぎない。よって、半導体ウェハ１９の上面上にメタルマスク２３を設置すると、メタルマスク２３を半導体ウェハ１９の上面上に安定して設置することができる。つまり、電気特性が良好である半導体集積回路素子１Ｂの接続用電極端子７１Ｂの上面上に孔２３ａが位置するように、メタルマスク２３を半導体ウェハ１９の上面上に設置することができる。これにより、電気特性が良好である半導体集積回路素子１Ｂの接続用電極端子７１Ｂの上面上に半田ボール１０５を接続することができる。
【００６１】
また、本実施形態では、検査用電極端子７３Ａの上面上における絶縁性樹脂１７の高さを従来よりも低くすることができる。よって、メタルマスク２３の破壊を伴うことなく、電気特性が良好である半導体集積回路素子１Ｂの接続用電極端子７１Ｂの上面上に孔２３ａが位置するようにメタルマスク２３を半導体ウェハ１９の上面上に設置することができる。
【００６２】
以上をまとめると、本実施形態における検査用電極端子７３を有する半導体集積回路素子が複数形成された半導体ウェハ１９を用いて上述の方法に従って半導体装置を製造すれば、電気特性が不良である半導体集積回路素子１Ａの検査用電極端子７３Ａの上面上における絶縁性樹脂１７の高さを従来よりも低くすることができる。よって、バックグラインド工程において半導体ウェハ１９が割れることを防止できる。接続用電極端子７１の上面上に半田ボール１０５を設置する場合には、接続用電極端子７１の上面からずれることなく半田ボール１０５を設置することができる。また、この場合には、メタルマスク２３の破壊を伴うことなく半田ボール１０５を設置することができる。従って、本実施形態では、半導体装置の製造歩留まりを従来よりも向上させることができる。
【００６３】
また、本実施形態における各検査用電極端子７３では、肉薄部７４は、第１の方向において肉厚部７２よりも樹脂膜１１寄りに位置している。よって、本実施形態における検査用電極端子７３を有する半導体集積回路素子が複数形成された半導体ウェハ１９を用いて上述の方法に従って半導体装置を製造すれば、肉薄部７４が本実施形態における位置とは異なる位置に設けられている場合よりも、電気特性が不良である半導体集積回路素子１Ａの検査用電極端子７３Ａの上面上における絶縁性樹脂１７の高さを低くすることができる。従って、本実施形態では、肉薄部７４が本実施形態における位置とは異なる位置に設けられている場合よりも、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【００６４】
なお、本実施形態は、以下に示す構成であってもよい。
【００６５】
検査用電極端子の肉薄部は、後述の第１〜第４の変形例において示す位置に設けられていてもよい。また、接続用電極端子及び検査用電極端子は、それぞれ、後述の第５の変形例における接続用電極端子及び検査用電極端子であっても良い。何れの場合であっても検査用電極端子が肉薄部を有しているので、肉薄部を有していない検査用電極端子の上面上に絶縁性樹脂を設けた場合に比べて検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを低くすることができる。しかし、本実施形態における肉薄部、後述の第１の変形例における肉薄部及び後述の第２の変形例における肉薄部を比較すると、本実施形態のように肉薄部が第１の方向において肉厚部よりも樹脂膜寄りに位置していれば、樹脂膜と絶縁性樹脂との間に働く親和力を利用してより多くの絶縁性樹脂を検査用電極端子の上面上から樹脂膜の上面上へ流動させることができる。よって、本実施形態では、後述の第１及び第２の変形例に比べて、検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを低くするという効果を有効に得ることができる。
【００６６】
本実施形態では、検査用電極端子と接続用電極端子とを別々に設けたが、１つの電極端子が検査用電極端子と接続用電極端子とを兼用していてもよい。１つの電極端子が検査用電極端子と接続用電極端子とを兼用する場合には、複数の電極端子の全てが本実施形態における接続用電極端子の構成を有していることが好ましい。このことは、後述の第１〜第６の変形例においても言える。
【００６７】
本実施形態では、ＷＬ−ＣＳＰの構成が図１に示す構成に限定されないことは言うまでもない。また、本実施形態に係る半導体装置は、後述の第６の変形例で示すようにボールグリッドアレイパッケージ（ball grid array package，以下ではＢＧＡと記す）であっても良い。しかし、ＷＬ−ＣＳＰであれば、バックグラインド工程において半導体ウェハの割れを防止することができるという効果以外に、半田ボールをずらすことなく接続用電極端子の上面上に設けることができるという効果も得ることができる。
【００６８】
本実施形態では、電極端子（接続用電極端子及び検査用電極端子）、保護膜並びに樹脂膜の材料としてそれぞれ一例を記載したにすぎず、これらの材料は上記材料に限定されない。保護膜及び樹脂膜の膜厚として一例を記載したにすぎず、これらの膜厚は上記数値に限定されない。接続用電極端子、検査用電極端子及び電極端子は、図２に記載の個数に限定されず、また、図２に示す位置に限定されない。半導体集積回路の構成の記載を省略しているが、その構成としては公知の構成を用いることができる。これらのことは、後述の第１〜第６の変形例、後述の実施形態２及び後述の第７〜第１１の変形例においても言える。
【００６９】
（第１の変形例）
図８（ａ）は第１の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）に示すVIIIB−VIIIB線における断面図である。本変形例と上記実施形態１とでは、肉薄部の位置が互いに異なる。以下では、上記実施形態１とは異なる箇所を重点的に説明する。
【００７０】
本変形例における各検査用電極端子１７３では、肉薄部７４は、第１の方向において肉厚部７２よりも半導体基板３の上面の周縁寄りに位置している。よって、本変形例における保護膜９の各低地部９ａは、開口１５から半導体基板３の周縁へ向かって延びている。
【００７１】
このような各検査用電極端子１７３の上面上に絶縁性樹脂を設けると、絶縁性樹脂の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子１７３の上面上から半導体基板３の周縁へ向かって保護膜９の低地部９ａの上面上を流動する。よって、本変形例における検査用電極端子１７３を有する半導体集積回路素子が複数形成された半導体ウェハを用いて上記実施形態１に記載の方法に従って半導体装置を製造すれば、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを従来よりも低くすることができる。従って、本変形例では、上記実施形態１で説明したように、半導体装置の製造歩留まりを従来よりも向上させることができる。
【００７２】
（第２の変形例）
図９（ａ）は第２の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）に示すIXB−IXB線における断面図である。本変形例と上記実施形態１とでは、肉薄部の位置が互いに異なる。以下では、上記実施形態１とは異なる箇所を重点的に説明する。
【００７３】
本変形例における各検査用電極端子２７３では、肉厚部７２は、肉薄部７４よりもその検査用電極端子２７３の隣りに位置する電極端子寄りに位置しており、肉薄部７４は、肉厚部７２よりもその検査用電極端子２７３の反対隣りに位置する電極端子（図９（ａ）及び（ｂ）では例示的に接続用電極端子７１としている）寄りに位置している。よって、本変形例における保護膜９の各低地部９ａは、開口１５から検査用電極端子２７３の隣りに位置する電極端子へ向かって延びている。
【００７４】
このような各検査用電極端子２７３の上面上に絶縁性樹脂を設けると、絶縁性樹脂の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子２７３の上面上からその検査用電極端子２７３の隣りに位置する電極端子へ向かって保護膜９の低地部９ａの上面上を流動する。よって、本変形例における検査用電極端子２７３を有する半導体集積回路素子が複数形成された半導体ウェハを用いて上記実施形態１に記載の方法に従って半導体装置を製造すれば、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを従来よりも低くすることができる。従って、本変形例では、上記実施形態１で説明したように、半導体装置の製造歩留まりを従来よりも向上させることができる。
【００７５】
（第３の変形例）
図１０（ａ）は第３の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示すXB−XB線における断面図である。本変形例と上記実施形態１とでは、肉薄部の位置が互いに異なる。以下では、上記実施形態１とは異なる箇所を重点的に説明する。
【００７６】
本変形例における各検査用電極端子３７３は、肉薄部のみからなる。よって、本変形例における保護膜９の各低地部９ａは、検査用電極端子３７３を囲むように形成されている。別の言い方をすると、本変形例では、開口１５の側壁を構成する保護膜９は、全体的に従来よりも低い。
【００７７】
このような各検査用電極端子３７３の上面上に絶縁性樹脂を設けると、その絶縁性樹脂の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子３７３の上面上から樹脂膜１１へ向かって保護膜９の低地部９ａの上面上を流動するだけでなく、検査用電極端子３７３の上面上から半導体基板３の周縁へ向かって保護膜９の低地部９ａの上面上を流動し、さらには、検査用電極端子３７３の上面上から検査用電極端子３７３の両隣りに位置する電極端子へ向かって保護膜９の低地部９ａの上面上を流動する。よって、本変形例における検査用電極端子３７３を有する半導体集積回路素子が複数形成された半導体ウェハを用いて上記実施形態１に記載の方法に従って半導体装置を製造すれば、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを上記実施形態１よりも低くすることができる。従って、本変形例では、半導体装置の製造歩留まりを上記実施形態１よりも向上させることができる。
【００７８】
（第４の変形例）
図１１（ａ）は第４の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）に示すXIBから見た斜視図である。本変形例と上記実施形態１とでは、肉薄部の位置が互いに異なる。以下では、上記実施形態１とは異なる箇所を重点的に説明する。
【００７９】
本変形例における各検査用電極端子４７３では、肉薄部７４は、第１の方向において肉厚部７２よりも樹脂膜１１寄りに位置しており、さらに、第１の方向に対して垂直な方向（図１１（ａ）の縦方向）における一部分に設けられている。別の言い方をすると、本変形例における各検査用電極端子４７３の上面には、樹脂膜１１へ向かって延びる凹部４７５が形成されており、各肉薄部７４は、検査用電極端子４７３のうち凹部４７５の下に位置する部分である。よって、保護膜９の各低地部９ａは、上記実施形態１と同じく、開口から樹脂膜１１へ向かって延びている。
【００８０】
このような各検査用電極端子４７３の上面上に絶縁性樹脂を設けると、その絶縁性樹脂の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子４７３の上面上から樹脂膜１１へ向かって保護膜９の低地部９ａの上面上を流動する。よって、本変形例における検査用電極端子４７３を有する半導体集積回路素子が複数形成された半導体ウェハを用いて上記実施形態１に記載の方法に従って半導体装置を製造すれば、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを従来よりも低くすることができる。従って、本変形例では、上記実施形態１で説明したように、半導体装置の製造歩留まりを従来よりも向上させることができる。
【００８１】
なお、本変形例は、上記第１及び第２の変形例に適用することができる。つまり、上記第１の変形例における肉薄部を第１の方向に対して垂直な方向における一部分にのみ形成しても良いし、上記第２の変形例における肉薄部を第１の方向における一部分にのみ形成しても良い。
【００８２】
（第５の変形例）
図１２（ａ）は第５の変形例における接続用電極端子の断面図であり、図１２（ｂ）は本変形例における検査用電極端子の断面図である。本変形例と上記実施形態１とでは、肉薄部の位置が互いに異なる。本変形例と上記実施形態１とでは、接続用電極端子の形状及び検査用電極端子の形状が互いに異なる。以下では、上記実施形態１とは異なる箇所を重点的に説明する。
【００８３】
本変形例における各接続用電極端子５７１は、上記実施形態１等とは異なり、２層からなる。接続用電極端子５７１の下層の幅は、接続用電極端子５７１の上層の幅よりも狭い。接続用電極端子５７１の上層の周囲は保護膜９に囲まれている一方、接続用電極端子５７１の下層の周囲は保護膜９の下に設けられた保護膜９’に囲まれている。接続用電極端子５７１の下層の厚みと接続用電極端子５７１の上層の厚みとを合算すると、上記実施形態１等で記載したように、Ｗ１となる。
【００８４】
本変形例における各検査用電極端子５７３は肉厚部７２と肉薄部７４とを有しており、各肉薄部７４は第１の方向において肉厚部７２よりも樹脂膜１１寄りに位置している。具体的には、検査用電極端子５７３は、接続用電極端子５７１から接続用電極端子５７１の上層のうち樹脂膜１１寄りに位置する部分が取り除かれた形状からなり、接続用電極端子５７１の上層のうち取り除かれた部分の下に位置する部分が肉薄部７４である。よって、保護膜９の各低地部９ａは、上記実施形態１と同じく、開口１５から樹脂膜１１へ向かって延びている。
【００８５】
このような検査用電極端子５７３の上面上に絶縁性樹脂を設けると、その絶縁性樹脂の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子５７３の上面上から樹脂膜１１へ向かって保護膜９の低地部９ａの上面上を流動する。よって、本変形例における検査用電極端子５７３を有する半導体集積回路素子が複数形成された半導体ウェハを用いて上記実施形態１に記載の方法に従って半導体装置を製造すれば、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを従来よりも低くすることができる。従って、本変形例では、上記実施形態１で説明したように、半導体装置の製造歩留まりを従来よりも向上させることができる。それだけでなく、本変形例では以下に示す効果を得ることができる。
【００８６】
半導体装置の中には、Ｃｕ層６が半導体基板のうち電極端子の下に位置する部分に設けられている場合がある。この場合、Ｃｕ層６の上に上記実施形態１等における接続用電極端子７１及び検査用電極端子７３を設けるときには、半導体ウェハの上面上に電極材料からなる層（例えばＡｌ層）を設けた後にその層をエッチングする。このエッチングでは、電極材料からなる層の上面上にマスクを形成して、電極材料からなる層のうちマスクから露出する部分のみをエッチングする。しかし、このエッチングにおいて、接続用電極端子７１又は検査用電極端子７３となる部分の下に位置するＣｕ層６（特にＣｕ層６の周縁部分）がエッチングされる虞がある。そして、電極材料からなる層をエッチングするチャンバー内にＣｕが放出されると、電極材料からなる層のエッチングがストップしてしまう。
【００８７】
一方、本変形例では、Ｃｕ層６の上面の中央部分は接続用電極端子５７１又は検査用電極端子５７３で覆われているが、Ｃｕ層６の上面の中央部分は保護膜９’で覆われている。よって、電極材料からなる層をエッチングするときには、Ｃｕ層６の周縁部分がエッチングされることを防止できる。従って、電極材料からなる層を所望の形状にエッチングすることができる。
【００８８】
（第６の変形例）
図１３は、第６の変形例に係る半導体装置の断面図である。なお、図１３では、本変形例における半導体集積回路素子の詳細な構成を省略している。本変形例と上記実施形態１とでは、半導体装置の構成が互いに異なるに過ぎない。
【００８９】
本変形例に係る半導体装置は、ＢＧＡである。ＢＧＡでは、上記実施形態１における半導体集積回路素子１が配線基板２０１の上面上に設けられている。配線基板２０１では、上面上に複数の電極（不図示）が設けられており、厚み方向に複数の貫通電極（不図示）が貫設されており、下面上に複数の半田ボール２０３，２０３，…が設けられている。各電極（配線基板２０１の上面上に設けられた電極）は、貫通電極を介して半田ボール２０３に接続されており、また、導電性細線２０５を介して半導体集積回路素子１の電極端子７に接続されている。半導体集積回路素子１及び導電性細線２０５，２０５，…は、封止樹脂２０７に封止されている。
【００９０】
このような半導体装置は、次に示す方法に従って製造される。まず、上記実施形態１で記載した方法に従って電気特性の試験、ウェハバーンイン及びバックグラインド工程を順に行い、それから、ダイシングラインに沿って半導体ウェハを分割する。これにより、半導体集積回路素子１を形成することができる。この半導体集積回路素子１を配線基板２０１の上面上に設け、各導電性細線２０５を用いて半導体集積回路素子１の電極端子７と配線基板２０１の電極とを電気的に接続し、その後、封止樹脂２０７により配線基板２０１の上面を封止する。これにより、図１３に示す半導体装置を製造することができる。
【００９１】
上記実施形態１又は上記第１〜上記第５の変形例の何れかを本変形例に係る半導体装置に適用すれば、上記実施形態１で説明したようにバックグラインド工程における半導体ウェハの割れを防止することができる。
【００９２】
なお、本変形例では、ＢＧＡの構成が図１３に示す構成に限定されないということは言うまでもない。
【００９３】
《発明の実施形態２》
図１４（ａ）は実施形態２における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）に示すXIVB−XIVB線における断面図である。
【００９４】
本実施形態では、各検査用電極端子７７は、肉薄部を有しておらず、接続用電極端子７１と同一の膜厚を有している。また、保護膜９の上面には各溝９ｂが形成されている。以下では、上記実施形態１とは異なる点を重点的に説明する。
【００９５】
本実施形態では、保護膜９には、各接続用電極端子７１の上面を露出させるための開口と、各検査用電極端子７７の上面を露出させるための開口２５とが形成されている。各溝９ｂは、開口２５に連通しており、開口２５から樹脂膜１１へ向かって延びている。このような各溝９ｂが保護膜９の上面に形成されているので、保護膜９のうち各溝９ｂの下に位置する部分が低地部９ａとなる。
【００９６】
各溝９ｂの深さ（Ｄ２）は、保護膜９の厚み（Ｄ１）の１／４倍以上であれば良く、保護膜９の厚み（Ｄ１）の１／４倍以上４／５倍以下であれば好ましく、保護膜９の厚み（Ｄ１）の１／２倍であればさらに好ましい。通常、保護膜９の厚み（Ｄ１）は８５０ｎｍであり、この場合には、各溝９ｂの深さ（Ｄ２）は、２００ｎｍ以上であればよく、２００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下であれば好ましく、４００ｎｍであればさらに好ましい。
【００９７】
本実施形態における半導体装置は、上記実施形態１で説明した半導体装置の製造方法に従って製造される。具体的には、まず、ダイシングラインにより複数の領域に区画された半導体ウェハを準備し、各領域内に半導体集積回路素子を形成する。複数の電極端子を形成するときには、半導体ウェハの上面上全体に電極材料からなる膜を形成した後、エッチングする。これにより、膜厚が互いに等しい複数の電極端子が各領域の周縁に互いに間隔を開けて形成される。また、保護膜９となる膜を形成するときには、半導体ウェハの上面上に保護膜９となる膜を形成した後、その膜をエッチングする。これにより、保護膜９となる膜には、各開口２５及び各溝９ｂが形成される。なお、各溝９ｂは、保護膜９となる膜に複数の開口を形成する際に同時に形成されても良く、保護膜９となる膜に複数の開口を形成する工程とは別に形成されても良い。
【００９８】
次に、半導体ウェハの各半導体集積回路素子の電気特性を試験する。そして、電気特性が不良であると判断された半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上に絶縁性樹脂を設ける。
【００９９】
このとき、従来では、保護膜の上面には、開口に連通する溝が形成されていない。そのため、保護膜には低地部が形成されていない。よって、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上に絶縁性樹脂を設けると、絶縁性樹脂の殆どは保護膜の上面上へ流動することなく検査用電極端子の上面上で乾燥する。従って、検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さは高く例えば１０μｍ程度となり、絶縁性樹脂は樹脂膜の上面よりも５μｍ以上も上に突出する。
【０１００】
一方、本実施形態では、保護膜９の上面には溝９ｂが形成されており、溝９ｂは開口２５に連通している。よって、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上に絶縁性樹脂を設けると、絶縁性樹脂の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子の上面上から低地部９ａの上面上へ流動する。従って、上記実施形態１と同じく、検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを従来よりも低くすることができる。
【０１０１】
また、本実施形態では、各溝９ｂは開口２５から樹脂膜１１へ延びているので、保護膜９の各低地部９ａは開口２５から樹脂膜１１へ向かって延びている。従って、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上に絶縁性樹脂を設けると、絶縁性樹脂の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子の上面上から低地部９ａの上面上を流動して樹脂膜１１へ到達する。絶縁性樹脂が樹脂膜１１に接触すると、樹脂膜１１と絶縁性樹脂との間に親和力が働くので、さらに多くの絶縁性樹脂が乾燥する前に検査用電極端子の上面上から樹脂膜１１へ流動する。従って、本実施形態のように各溝９ｂが開口２５から樹脂膜１１へ延びていれば、各溝９ｂがそれ以外の位置に設けられている場合に比べて検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを低くすることができる。
【０１０２】
続いて、複数の半導体集積回路素子に対して一括してバーンインを行う。
【０１０３】
続いて、バックグラインド工程を行う。
【０１０４】
このとき、従来では、絶縁性樹脂が樹脂膜の上面よりも５μｍ以上も上に突出している。そのため、半導体ウェハの上面上にバックグラインドシートを設けた後に半導体ウェハの上下を反転させて研磨用台の上面上に設置すると、絶縁性樹脂のうち研磨用台に接触する部分のみがウェハを支える点となる。よって、半導体ウェハを研磨用台の上に安定して設置することが難しく、半導体ウェハは研磨用台の上でぐらつく。従って、研磨中には非常に大きな力が絶縁性樹脂にかかり、その結果、半導体ウェハにひび割れが発生する。
【０１０５】
一方、本実施形態では、絶縁性樹脂の高さは従来よりも低い。よって、半導体ウェハの上面上にバックグラインドシートを設けた後に半導体ウェハの上下を反転させて研磨用台の上面上に設置すると、半導体ウェハが研磨用台の上でぐらつくことを防止できる。これにより、非常に大きな力が研磨中に絶縁性樹脂にかかることを防止できるので、半導体ウェハがひび割れを起こすことを防止できる。
【０１０６】
続いて、公知の方法に従って再配線層の形成、封止樹脂の形成、突起電極の形成及び半田ボールの設置を行う。これにより、各領域内に半導体装置を製造することができる。その後、ダイシングラインに沿って半導体ウェハを分割する。これにより、本実施形態における半導体装置を製造することができる。
【０１０７】
また、半田ボールが接続用電極端子の上面上に設けられる場合、従来では、絶縁性樹脂が樹脂膜の上面よりも５μｍ以上も上に突出している。そのため、電気特性が良好である半導体集積回路素子の接続用電極端子の上面上にメタルマスクの孔が位置するように、メタルマスクを半導体ウェハの上面上に設置することができない。よって、半田ボールの接続位置は、電気特性が良好である半導体集積回路素子の接続用電極端子の上面からずれる。また、従来では、メタルマスクが破壊する場合がある。
【０１０８】
一方、本実施形態では、絶縁性樹脂の高さは従来よりも低い。よって、電気特性が良好である半導体集積回路素子の接続用電極端子の上面上にメタルマスクの孔が位置するように、メタルマスクを半導体ウェハの上面上に設置することができる。これにより、電気特性が良好である半導体集積回路素子の接続用電極端子の上面上に半田ボールを接続することができる。また、本実施形態では、メタルマスクの破壊を伴うことなく、電気特性が良好である半導体集積回路素子の接続用電極端子の上面上にメタルマスクの孔が位置するようにメタルマスクを半導体ウェハの上面上に設置することができる。
【０１０９】
以上をまとめると、本実施形態における溝９ｂが形成された保護膜９となる膜が形成された半導体ウェハを用いて上述の方法に従って半導体装置を製造すれば、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを従来よりも低くすることができる。よって、バックグラインド工程において半導体ウェハが割れることを防止できる。接続用電極端子７１の上面上に半田ボールを設置する場合には、接続用電極端子７１の上面からずれることなく半田ボールを設置することができる。また、この場合には、メタルマスクの破壊を伴うことなく半田ボールを設置することができる。従って、本実施形態では、半導体装置の製造歩留まりを従来よりも向上させることができる。
【０１１０】
また、本実施形態における保護膜９の各溝９ｂは、開口２５から樹脂膜１１へ向かって延びている。よって、本実施形態における溝９ｂが形成された保護膜９となる膜が形成された半導体ウェハを用いて上述の方法に従って半導体装置を製造すれば、溝９ｂが本実施形態における位置とは異なる位置に設けられている場合よりも、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを低くすることができる。従って、本実施形態では、溝９ｂが本実施形態における位置とは異なる位置に設けられている場合よりも、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【０１１１】
なお、本実施形態では、以下に示す構成であってもよい。溝は、後述の第７〜第９の変形例における溝であっても良い。また、樹脂膜には、後述の第１０及び第１１の変形例における凹部が形成されていても良い。ここで、本実施形態における溝、後述の第７の変形例における溝及び後述の第８の変形例における溝を比較すると、本実施形態のように溝が樹脂膜へ向かって延びていれば、樹脂膜の絶縁性樹脂との間に働く親和力を利用してさらに多くの絶縁性樹脂を検査用電極端子の上面上から樹脂膜へ流動させることができる。よって、本実施形態では、後述の第７及び第８の変形例に比べて、検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを低くするという効果を有効に得ることができる。
【０１１２】
本実施形態では、検査用電極端子と接続用電極端子とを別々に設けたが、１つの電極端子が検査用電極端子と接続用電極端子とを兼用していてもよい。１つの電極端子が検査用電極端子と接続用電極端子とを兼用する場合には、溝は、保護膜に形成された全ての開口に連通していることが好ましい。このことは、以下に示す第７〜第１１の変形例においても言える。
【０１１３】
本実施形態に係る半導体装置は、上記実施形態１で説明したＷＬ−ＣＳＰであっても良く、上記第６の変形例で説明したＢＧＡであっても良い。このことは、後述の第７〜第１１の変形例においても言える。
【０１１４】
（第７の変形例）
図１５（ａ）は第７の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）に示すXVB−XVB線における断面図である。本変形例と上記実施形態２とでは、溝の位置が互いに異なる。以下では、上記実施形態２とは異なる点を重点的に説明する。
【０１１５】
本変形例では、各溝９ｂは、開口２５に連通しており、開口２５から半導体基板３の周縁へ向かって延びている。よって、保護膜１０９の各低地部９ａは、開口２５から半導体基板３周縁へ向かって延びている。
【０１１６】
本変形例では、各検査用電極端子７７の上面上に絶縁性樹脂を設けると、その絶縁性樹脂の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子７７の上面上から半導体基板３の周縁へ向かって保護膜１０９の低地部９ａ上を流動する。よって、本変形例における溝９ｂが形成された保護膜１０９となる膜を有する半導体集積回路素子が複数形成された半導体ウェハを用いて上記実施形態２に記載の方法に従って半導体装置を製造すれば、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを従来よりも低くすることができる。従って、本変形例では、上記実施形態２で説明したように、半導体装置の製造歩留まりを従来よりも向上させることができる。
【０１１７】
なお、本変形例では、各溝は、検査用電極端子の上面を露出する開口から半導体基板の周縁までに亘って形成されていても良い。
【０１１８】
（第８の変形例）
図１６（ａ）は第８の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、図１６（ｂ）は図１６（ａ）に示すXVIB−XVIB線における断面図である。本変形例と上記実施形態２とでは、溝の位置が互いに異なる。以下では、上記実施形態２とは異なる点を重点的に説明する。
【０１１９】
本変形例では、各溝９ｂは、開口２５に連通しており、開口２５から検査用電極端子７７の隣りに位置する電極端子（図１６（ａ）及び（ｂ）では例示的に接続用電極端子７１としている）へ向かって延びている。よって、保護膜２０９の各低地部９ａは、開口２５から検査用電極端子７７の隣りに位置する電極端子へ向かって延びている。
【０１２０】
本変形例では、各検査用電極端子７７の上面上に絶縁性樹脂を設けると、その絶縁性樹脂の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子７７の上面上から検査用電極端子７７の隣りに位置する電極端子へ向かって保護膜２０９の低地部９ａの上面上を流動する。よって、本変形例における溝９ｂが形成された保護膜２０９となる膜を有する半導体集積回路素子が複数形成された半導体ウェハを用いて上記実施形態２に記載の方法に従って半導体装置を製造すれば、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを従来よりも低くすることができる。従って、本変形例では、上記実施形態２で説明したように、半導体装置の製造歩留まりを従来よりも向上させることができる。
【０１２１】
なお、本変形例では、各溝は、検査用電極端子の上面を露出する開口と、その開口の隣りに位置する開口とを互いにつなぐように形成されていても良い。
【０１２２】
また、上記実施形態２、上記７の変形例及び本変形例を組み合わせることが好ましい。別の言い方をすると、溝は、検査用電極端子の上面を露出する開口から放射状に形成されていることが好ましい。この場合、保護膜の低地部は検査用電極端子から放射状に形成されるので、上記実施形態２、上記第７の変形例及び上記第８の変形例よりも半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【０１２３】
（第９の変形例）
図１７（ａ）は第９の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、図１７（ｂ）は図１７（ａ）に示すXVIIB−XVIIB線における断面図である。以下では、上記実施形態２とは異なる点を重点的に説明する。
【０１２４】
本変形例では、各溝９ｂは、開口２５に連通しており、開口２５から樹脂膜１１の側面へ達している。よって、保護膜３０９の各低地部９ａは、開口２５から樹脂膜１１の側面へ達している。
【０１２５】
本変形例では、各検査用電極端子７７の上面上に絶縁性樹脂を設けると、その絶縁性樹脂の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子７７の上面上から樹脂膜１１へ向かって保護膜３０９の低地部９ａ上を流動し、やがて樹脂膜１１に到達する。よって、本変形例における溝９ｂが形成された保護膜３０９となる膜を有する半導体集積回路素子が複数形成された半導体ウェハを用いて上記実施形態２に記載の方法に従って半導体装置を製造すれば、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを上記実施形態２よりも低くすることができる。従って、本変形例では、半導体装置の製造歩留まりを上記実施形態２よりも向上させることができる。
【０１２６】
（第１０の変形例）
図１８（ａ）は第１０の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）に示すXVIIIB−XVIIIB線における断面図である。以下では、上記実施形態２とは異なる点を重点的に説明する。
【０１２７】
本変形例では、上記第９の変形例と同じく、各溝９ｂは、開口２５に連通しており、開口２５から樹脂膜３１１の側面へ達している。よって、保護膜３０９の各低地部９ａは、開口２５から樹脂膜３１１の側面へ達している。
【０１２８】
それだけでなく、本変形例では、樹脂膜３１１の側面に凹部３１１ａが形成されている。凹部３１１ａは、溝９ｂに連通しており、凹部３１１ａの深さ方向に進むにつれて幅が広くなるように形成されている。
【０１２９】
本変形例では、各検査用電極端子７７の上面上に絶縁性樹脂を設けると、その絶縁性樹脂の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子７７の上面上から保護膜３０９の低地部９ａ上を流動して樹脂膜３１１に到達し、凹部３１１ａ内に滲入する。よって、本変形例における溝９ｂが形成された保護膜３０９となる膜と本変形例における樹脂膜３１１とを有する半導体ウェハを用いて上記実施形態２に記載の方法に従って半導体装置を製造すれば、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを上記第９の変形例よりも低くすることができる。従って、本変形例では、半導体装置の製造歩留まりを上記第９の変形例よりも向上させることができる。
【０１３０】
なお、凹部は、樹脂膜の厚み方向に貫通するように形成されていなくても良く、樹脂膜の厚み方向の一部分であって溝に連通する部分に形成されていればよい。
【０１３１】
（第１１の変形例）
図１９（ａ）は第１１の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、図１９（ｂ）は図１９（ａ）に示すXIXB−XIXB線における断面図である。以下では、上記実施形態２とは異なる点を重点的に説明する。
【０１３２】
本変形例では、上記第９の変形例と同じく、各溝９ｂは、開口２５に連通しており、開口２５から樹脂膜４１１の側面へ達している。よって、保護膜３０９の各低地部９ａは、開口２５から樹脂膜４１１の側面へ達している。
【０１３３】
それだけでなく、本変形例では、樹脂膜４１１の側面に凹部４１１ａが形成されている。凹部４１１ａは本体部４１１ｂと枝部４１１ｃとを有しており、本体部４１１ｂは溝９ｂに連通しており、枝部４１１ｃは本体部４１１ｂから枝分かれして樹脂膜４１１の内側へ延びている。枝部４１１ｃは、本体部４１１ｂから遠ざかるにつれて先細となるように形成されていることが好ましい。
【０１３４】
本変形例では、検査用電極端子７７の上面上に絶縁性樹脂を設けると、その絶縁性樹脂の一部は、乾燥する前に、検査用電極端子７７の上面上から保護膜３０９の低地部９ａ上を流動して樹脂膜４１１に到達し、凹部４１１ａ内に滲入する。ここで、凹部４１１ａは枝部４１１ｃを有しているので、絶縁性樹脂は毛細管現象により樹脂膜４１１の内部へ滲入する。よって、本変形例における溝９ｂが形成された保護膜３０９となる膜と本変形例における樹脂膜４１１とを有する半導体ウェハを用いて上記実施形態２に記載の方法に従って半導体装置を製造すれば、電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子の上面上における絶縁性樹脂の高さを上記第１０の変形例よりも低くすることができる。従って、本変形例では、半導体装置の製造歩留まりを上記第１０の変形例よりも向上させることができる。
【０１３５】
なお、凹部は、本変形例においても、樹脂膜の厚み方向に貫通するように形成されていなくても良く、樹脂膜の厚み方向の一部分であって溝に連通する部分に形成されていればよい。
【０１３６】
以上、実施形態１、第１〜第６の変形例、実施形態２及び第７〜第１１の変形例において本発明を説明したが、これらを組み合わせることができることは言うまでもない。例えば、上記実施形態１と上記第１の変形例とを組み合わせてもよく、上記実施形態１と上記実施形態２とを組み合わせても良く、上記実施形態２と上記第７の変形例とを組み合わせても良く、変形例同士を組み合わせても良い。また、実施形態１、第１〜第５の変形例、実施形態２及び第７〜第１１の変形例に係る半導体装置は、上記第６の変形例に係る半導体装置であっても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１３７】
以上説明したように、本発明は、半導体ウェハに形成された複数の半導体集積回路素子に対して一括してバーンインを行うことにより製造される半導体集積回路素子の電極端子の構造に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】実施形態１における半導体集積回路素子１の上面図である。
【図３】（ａ）は図２に示すIIIA−IIIA線における断面図であり、（ｂ）は図２に示すIIIB−IIIB線における断面図である。
【図４】実施形態１に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。
【図５】（ａ）は従来における電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子を電気的に絶縁する工程を説明する断面図であり、（ｂ）は実施形態１における電気特性が不良である半導体集積回路素子の検査用電極端子を電気的に絶縁する工程を説明する断面図である。
【図６】（ａ）は従来におけるバックグラインド工程を説明する断面図であり、（ｂ）は実施形態１におけるバックグラインド工程を説明する断面図である。
【図７】（ａ）は従来において半田ボールを接続用電極端子の上面上に設置する方法を示す断面図であり、（ｂ）は実施形態１において半田ボールを接続用電極端子の上面上に設置する方法を示す断面図である。
【図８】（ａ）は第１の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すVIIIB−VIIIB線における断面図である。
【図９】（ａ）は検査用の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すIXB−IXB線における断面図である。
【図１０】（ａ）は第３の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すXB−XB線における断面図である。
【図１１】（ａ）は第４の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すXIBから見た斜視図である。
【図１２】（ａ）は第５の変形例における接続用電極端子の断面図であり、（ｂ）は本変形例における検査用電極端子の断面図である。
【図１３】半導体装置の別の一例を示す断面図である。
【図１４】（ａ）は実施形態２における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すXIVB−XIVB線における断面図である。
【図１５】（ａ）は第７の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すXVB−XVB線における断面図である。
【図１６】（ａ）は第８の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すXVIB−XVIB線における断面図である。
【図１７】（ａ）は第９の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すXVIIB−XVIIB線における断面図である。
【図１８】（ａ）は第１０の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すXVIIIB−XVIIIB線における断面図である。
【図１９】（ａ）は第１１の変形例における半導体集積回路素子の要部の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すXIXB−XIXB線における断面図である。
【符号の説明】
【０１３９】
１      半導体集積回路素子 
１Ａ    電気特性が不良な半導体集積回路素子 
１Ｂ    電気特性が良好な半導体集積回路素子 
３      半導体基板 
５      半導体集積回路 
６      Ｃｕ層 
７      電極端子 
９      保護膜 
９’    保護膜 
９ａ    低地部 
９ｂ    溝 
１１      樹脂膜 
１３      開口 
１５      開口 
１７      絶縁性樹脂 
１９      半導体ウェハ 
２１      研磨用台 
２３      メタルマスク 
２３ａ    孔 
７１      接続用電極端子 
７１Ａ    電気特性が不良な半導体集積回路素子の接続用電極端子
７１Ｂ    電気特性が良好な半導体集積回路素子の接続用電極端子
７２      肉厚部 
７２ａ    肉薄部の上面 
７３      検査用電極端子 
７３Ａ    電気特性が不良な半導体集積回路素子の検査用電極端子 
７３Ｂ    電気特性が良好な半導体集積回路素子の検査用電極端子 
７４      肉薄部 
７４ａ    肉薄部の上面 
７７      検査用電極端子 
２７３      検査用電極端子 
３０９      保護膜 
３１１      樹脂膜 
３１１ａ    凹部 
３７３      検査用電極端子 
４１１      樹脂膜 
４１１ａ    凹部 
４１１ｂ    本体部 
４１１ｃ    枝部 
４７３      検査用電極端子 
４７５      凹部 
５７１      接続用電極端子 
５７３      検査用電極端子 
【図１】
2010225678.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010225678.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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