(57)【要約】【課題】表示領域外の陰極および補助配線のインピーダンスを低減させる。【解決手段】基板上に、複数の発光素子と該複数の発光素子に共通接続される電極の少なくとも一部とを有する表示領域１と、表示領域の外側に配置された回路部３と、基板端部に設けられた端子部７と、回路部の外側に少なくとも回路部に沿って設けられるとともに、端子部と接続される第１の配線５，５１と、電極に電気的に接続される第２の配線と、を有し、  第２の配線８は、表示領域の内側で電極に電気的に接続され、回路部の長さ方向と略垂直な方向にそれぞれ延びる複数の配線部からなる第1の領域と、表示領域の外側に形成され、回路部上を通って第１の配線と電気的に接続される第2の領域とを有し、第2の配線の第2の領域の回路部の長さ方向の断面を流れる電流の平均電流密度は、第１の領域の回路部の長さ方向の断面を流れる電流の平均電流密度の最大値よりも小さい。【選択図】  図１
2010107841.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
複数の発光素子と該複数の発光素子に共通接続される電極の少なくとも一部とを有する表示領域と、
前記表示領域の外側に配置された回路部と、
基板端部に設けられた端子部と、
前記回路部の外側に設けられるとともに、前記端子部と接続される第１の配線と、
前記電極に接続される第２の配線と、
を有し、
前記第２の配線は、前記表示領域の内側で前記電極に接続され、前記回路部の長さ方向と略垂直な方向にそれぞれ延びる複数の配線部からなる第１の領域と、前記表示領域の外側に形成され、前記回路部上を通って前記第１の配線と接続される第２の領域とを有し、
前記第２の配線の前記第２の領域の、前記回路部の長さ方向の断面を流れる電流の平均電流密度は、前記第１の領域の前記回路部の長さ方向の断面を流れる電流の平均電流密度の最大値よりも小さいことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
前記複数の配線部を複数の第１の配線部としたとき、
前記第２の領域は、前記第１の領域の前記複数の第１の配線部とそれぞれ接続される複数の第２の配線部を有し、
前記第２の配線部の配線幅は、前記第１の配線部の配線幅よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
前記第２の領域は前記回路部と前記第１の配線の少なくとも一部とを覆っていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも層数の多い層構成を有することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
基板上に、
複数の発光素子と該複数の発光素子に共通接続される電極の少なくとも一部とを有する表示領域と、
前記表示領域の外側に配置された回路部と、
基板端部に設けられた端子部と、
前記回路部の外側に設けられるとともに、前記端子部と接続される第１の配線と、
前記電極に接続される第２の配線と、
を有し、
前記第２の配線は、前記表示領域の内側で前記電極に接続され、前記回路部の長さ方向と略垂直な方向にそれぞれ延びる複数の配線部からなる第１の領域と、前記表示領域の外側に形成され、前記回路部上を通って前記第１の配線と接続される第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも低抵抗な材料からなることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
前記電極は、前記第２の配線を介して前記第１の配線と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項７】
少なくとも、前記発光素子と、前記発光素子の前記電極の接続側とは異なる側に接続されるトランジスタと、で画素が構成され、該画素は２次元に複数配置され、
列方向又は行方向に配列された複数の画素に列ごと又は行ごとに走査信号を供給する複数の走査信号線と、該走査信号により選択された画素列又は画素行に行ごと又は列ごとにデータ信号を供給する複数のデータ信号線と、を有し、
前記回路部は前記複数のデータ信号線にデータ信号を供給する、もしくは前記複数の走査信号線に走査信号を供給する周辺回路を含むことを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項８】
前記回路部は、前記端子部から入力される信号を前記周辺回路に出力する入力回路を含むことを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項９】
前記電極は透明導電膜によって形成されたことを特徴とする、請求項１から８のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１０】
前記電極はＩＴＯもしくはＩＺＯによって形成されたことを特徴とする、請求項９に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス型表示装置と、被写体を撮像する撮像部と、前記撮像部で撮像された信号を処理する映像信号処理部と、を備え、前記映像信号処理部で信号処理された映像信号を前記アクティブマトリクス型表示装置で表示してなるカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアクティブマトリクス型表示装置およびカメラに係わり、特に表示素子として、電流を注入して発光する有機エレクトロルミネッセンス素子（以後、ＥＬ素子と言う）を用いた表示装置およびカメラに好適に用いられるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＥＬ素子を有する各画素がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置が注目されている。画素を構成するＥＬ素子は陽極と陰極に有機層が挟まれたサンドイッチ構造をしており、発光した光の取り出し口を一方の電極としている。例えば、光の取り出し側を陰極とした場合、陰極は透明導電膜によって構成される。特許文献１には、透明導電膜の膜厚が１００nm程度で形成するシート抵抗は１００Ω／□以上となること、そして、透明導電膜の抵抗による電力損失を補い、表示品質を確保するために表示領域に補助配線を形成することが記載されている。また、特許文献２には、表示パネルの表示領域周辺に配置される周辺回路の上部で、端子部に電流を引き出す共通配線と表示パネル一面に形成した陰極層とが電気的接触する構成が記載されている。
【特許文献１】特開2003-316291号公報
【特許文献２】特開2005-258395号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
表示装置を携帯電話やコンパクトカメラ等への製品に搭載する場合、表示品質の向上とともに、狭額縁化や低消費電力化を実現させる必要がある。なかでも、低消費電力化は製品に搭載されるバッテリーによって長時間に渡って、安定した表示を実現させることが要求されている。
【０００４】
特許文献１に記載されている表示パネルは、周辺回路へ入力される信号の減衰や遅延を最小限に抑えるために、端子部を有するパネル辺に表示部を駆動する画素回路にデータ信号や制御信号を供給する周辺回路を配置させている。
【０００５】
しかしながら、表示部に供給する陰極電位は、端子部から周辺回路を回避するように引き回された共通配線や、配線を乗り換えるためのコンタクト部を介して補助配線、陰極に供給されている。さらに、共通配線は画素の陰極に流れる多くの電流が集中する。そのため、引き回された共通配線やコンタクト部のインピーダンスが増加することになる。よって、所望電位を表示部に供給するためには、インピーダンスの増加と多くの電流が流れたことで発生する電圧上昇量を補償した電圧を供給する必要があり、実質的に消費電力を増大させることになる。
【０００６】
さらに、共通配線が周辺回路を回避するように引き回すことによって額縁を増大させることになる。
【０００７】
また、特許文献２に記載されている表示パネルは、画素の陰極に流れる電流が、周辺回路の上部に配置された陰極層を介して、周辺回路外側に配置された共通配線、端子部の順に流れている。
【０００８】
しかしながら、前述したように陰極の導電性透明膜はシート抵抗が大きいため、電流密度が高くなると発熱する。そして、熱によって周辺回路による誤動作を発生させ、表示品質を低下させてしまう危険がある。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、表示装置の低消費電力化と狭額縁化を実現させ、優れた表示品質を安定して提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記課題を鑑みてなされ、上記目的は以下の構成によって達成される。
すなわち本発明は、基板上に、
複数の発光素子と該複数の発光素子に共通接続される電極の少なくとも一部とを有する表示領域と、
前記表示領域の外側に配置された回路部と、
基板端部に設けられた端子部と、
前記回路部の外側に設けられるとともに、前記端子部と接続される第１の配線と、
前記電極に電気的に接続される第２の配線と、
を有し、
前記第２の配線は、前記表示領域の内側で前記電極に電気的に接続され、前記回路部の長さ方向と略垂直な方向にそれぞれ延びる複数の配線部からなる第1の領域と、前記表示領域の外側に形成され、前記回路部上を通って前記第１の配線と電気的に接続される第2の領域とを有し、
前記第2の配線の前記第2の領域の、前記回路部の長さ方向の断面を流れる電流の平均電流密度は、前記第１の領域の前記回路部の長さ方向の断面を流れる電流の平均電流密度の最大値よりも小さいことを特徴とする。
また本発明は、基板上に、
複数の発光素子と該複数の発光素子に共通接続される電極の少なくとも一部とを有する表示領域と、
前記表示領域の外側に配置された回路部と、
基板端部に設けられた端子部と、
前記回路部の外側に設けられるとともに、前記端子部と接続される第１の配線と、
前記電極に接続される第２の配線と、
を有し、
前記第２の配線は、前記表示領域の内側で前記電極に接続され、前記回路部の長さ方向と略垂直な方向にそれぞれ延びる複数の配線部からなる第1の領域と、前記表示領域の外側に形成され、前記回路部上を通って前記第１の配線と接続される第2の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも低抵抗な材料からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、表示装置の低消費電力化と狭額縁化を実現させ、優れた表示品質を安定して提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１（ａ）、（ｂ）は本発明に係わる第１の実施形態におけるアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図及び断面図である。図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ’線の断面図である。
【００１４】
図１（ａ）、（ｂ）に示す表示装置は、薄膜トランジスタや発光素子となるＥＬ素子によって構成された画素が２次元に複数配置された表示領域１を基板上に有する。列方向又は行方向に配列された複数の画素に列ごと又は行ごとに走査信号を供給する複数の走査信号線と、該走査信号により選択された画素列又は画素行に行ごと又は列ごとにデータ信号を供給する複数のデータ信号線とが基板に設けられる。また、同一基板上に薄膜トランジスタによって構成され、Ｂ辺に沿って配置され各画素に接続されたデータ信号線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路２と、各画素に接続された走査信号線に制御信号（走査信号）を供給する走査信号線駆動回路３を有する。本実施形態では、走査線駆動回路が表示領域１の外側に配置された回路部となる。表示領域１には図６に示した画素回路が２次元に配列された画素回路部（図１に図示）が含まれ、画素回路部の各画素のＥＬ素子の一方が陰極１０に共通接続されている。陰極１０は絶縁膜を介して画素回路部上に設けられ、陰極１０はコンタクトホールを介して各画素のＥＬ素子と接続されている。陰極１０は光を透過させるために透明導電膜や薄い導電膜等で形成されるので低インピーダンスの層とすることが難しく、本実施形態では補助配線８を設けている。
【００１５】
映像信号や制御信号または電源を供給する端子部７と、入力された制御信号を表示パネルの動作レベルに変換する入力回路４は図１の構成では基板のＡ辺側に配置される。端子部７は基板端部に設けられる。さらに、封止基板と表示領域１を作成した基板とを貼り合わせて固着させる接着領域６と、各画素のＥＬ素子に電気的に共通接続される共通配線５と、を有する。共通配線５は接続配線５１を介して端子部７と接続される。共通配線５と接続配線５１は第１の配線を構成する。
【００１６】
図２に表示領域１に２次元に配される電流プログラミング型画素回路を示す。制御信号線（走査信号線）に加えられるP1,P2は接続された走査信号線駆動回路３によって制御され、データ線駆動回路２に接続されたデータ信号線から電流データIdataが入力される。発光素子となるEL素子（ＥＬ）の陽極（Ａ）は、電源線Vccと電流駆動用の薄膜トランジスタM1を介して接続されたスイッチとしての薄膜トランジスタM4に接続されており、接地電位CGNDに接続された陰極（Ｋ）は全画素に共通に接続される。すなわち、陰極は光取り出し面とするため、透明導電膜（例えばＩＴＯやＩＺＯなど）によって形成される。そして、陰極は共通配線５に電気的に接続され、EL素子に流れる電流は共通配線５に流れることになる。なお、表示領域１に構成される画素回路は図２に示した画素回路の構成に限定されるものではなく、その他の電流プログラミング型画素回路やデータ信号を電圧として入力される電圧プログラミング型画素回路にも適用ができる。
【００１７】
図２の示す電流プログラミング型画素回路は、プログラミング期間と、それに続く発光期間により発光動作が行われる。プログラミング期間では、制御信号Ｐ１がＨレベル、制御信号Ｐ２がＬベルとされると、トランジスタＭ３、Ｍ２を介してトランジスタＭ１のゲート電位が低下していき、トランジスタＭ１を流れる電流が電流データIdataに近づいていく。トランジスタＭ１のゲート電位は容量Ｃ１に保持される。そして、発光期間において、制御信号Ｐ１がＬレベル、制御信号Ｐ２がＨベルとされると、トランジスタＭ３、Ｍ２がオフ状態、トランジスタＭ４がオン状態となり、トランジスタＭ１、Ｍ４を介してＥＬ素子（ＥＬ）に電流が流れ発光する。
【００１８】
次に、共通配線５と各画素の発光素子となるＥＬ素子との接続について図１（ｂ）及び図３を用いて説明する。
【００１９】
図２ではＥＬ素子、接地電位CGNDは画素回路内部に含めて記述してあるが、図３を用いてその立体的な配置を含めて説明する。図３は本実施形態の表示装置の分解斜視図を示す。なお、図３では、共通配線５は表示領域１の周囲を取り囲むように形成されているように示されている。また、簡単のため、データ線駆動回路２、走査線駆動回路３、入力回路４、接着領域６、端子部７は省略する。
【００２０】
表示領域１には画素回路が形成されており、薄膜トランジスタと接続したＥＬ素子の陽極が形成されている。その陽極上に画素配列に合わせてＥＬ素子９を蒸着し、陽極とＥＬ素子９を接合する。それからＥＬ素子９上に透明導電膜によって陰極１０を成膜している。陰極は表示領域１の周辺に配置された共通配線５の上にも形成される。その際、図１（ｂ）に示されるように、共通配線５上の絶縁膜はコンタクトホールを形成して共通配線５の表面を剥き出し状態にする。こうしてEL素子の陰極１０と共通配線５は電気的接続が取られて接地されることになる。
【００２１】
次に、共通配線５と陰極に電気的接続される補助配線８の配線配置について説明をする。
【００２２】
各画素に配置されたEL素子を流れた電流は、全画素に共通に接続された陰極１０、補助配線８、共通配線５、接続配線５１、端子部７の順で流れていく。図１に示した表示装置の構成は全画素のEL素子に流れる電流が、パネル短辺のＡ辺に配置された端子部７に向かって共通配線５に電流が集中するため、補助配線８を共通配線５と略垂直方向（走査線駆動回路等の回路部の長さ方向と略垂直な方向）に形成している。なお、補助配線８は画素配列に対応して設けられ、必ずしもライン状でなくともよい。
【００２３】
なお、補助配線８は、陰極を構成する透明導電膜より低インピーダンスな材料で形成している。例えば、補助配線８はアルミニウムやモリブデン、タングステン等の低抵抗金属材料であることが望ましい。さらに、Ａ辺に沿って配置された共通配線５は端子部７と接続配線５１を介して接続されている。配線の引き回しによる額縁の増大と電力損失を抑えるために、共通配線５は少なくとも端子部７が配置される１辺に沿って設けて、接続配線５１の引き回しを短くすることが望ましい。また、各々の補助配線８に流れる電流量は共通配線５に流れる電流量よりも小さいため、配線インピーダンスは共通配線５よりも高くてもよい。さらに補助配線８を表示領域１内に配置すると開口率を低下させるため、補助配線８は共通配線５よりも配線幅を細く形成される。
【００２４】
次に、補助配線８の構成について詳しく説明をする。図１の構成における補助配線８は、表示領域の内側に形成された第1の幅を有する第1の領域と表示領域の外側に形成された第2の幅を有する第2の領域を有している。具体的に、補助配線８の第2領域は第1の領域よりも配線幅を大きくしている。表示領域内における第1の領域の補助配線８は、配線幅を大きくすると、画素の開口を低下させることになるため、最小限の配線幅で構成することが望ましい。一方、第2領域の補助配線８は表示領域外なので、開口による制約を考慮する必要がないので、配線幅を大きくできる。そのため、陰極全体のインピーダンスを低減できるので、陰極電位の電圧上昇を抑制することができる。すなわち、端子部７から供給される電源電圧において、陰極電位の電圧上昇量を補償した電位量が小さくてよいことになる。つまり、陰極電位の電圧上昇量が小さいほど、供給する電源電圧を低減させることができるため、低消費電力化に寄与することができる。また、陰極全体のインピーダンスを低減させることは、補助配線8の第2の領域下に配置される周辺回路（走査信号線駆動回路３）において、陰極や補助配線8における発熱を抑制することができ、周辺回路の誤動作を防ぐことができる。つまり、優れた表示品質を安定して供給できる。
【００２５】
なお、補助配線８は表示領域１内の一部に形成しても、表示領域１内にマトリクス状に形成してもよい。また、補助配線８の第２の領域において、補助配線８の第1の領域と比較して低抵抗材料や、例えば陽極を形成する金属電極と多層配線で構成（第１の領域よりも層数の多い層構成）とすることによって、補助配線８の第1の領域の配線幅、もしくはそれ以下の配線幅で実現することもできる。
【００２６】
（第２の実施形態）
図４（ａ）、（ｂ）は本発明に係わる第２の実施形態におけるアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図及び断面図である。図４（ｂ）は図４（ａ）のＸ−Ｘ’線の断面図である。
【００２７】
図１に示す第１の実施形態と本実施形態との違いは、図１の構成では、陰極１０が表示領域１を超えて走査線駆動回路３上を通って共通配線５上まで延びているのに対して、図４に示す本実施形態の構成では、陰極１０が走査線駆動回路３上まで延びていない点である。つまり、本実施形態では、陰極１０は共通配線５と直接接続されず、補助配線８を介して電気的接続がなされる。
【００２８】
（第３の実施形態）
図５（ａ）、（ｂ）は本発明に係わる第３の実施形態におけるアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図及び断面図である。図５（ｂ）は図５（ａ）のＸ−Ｘ’線の断面図である。
【００２９】
第１及び第２の実施形態では補助配線８の第２の領域は第１の領域の複数の配線部（第１の配線部）に対応した複数の配線部（第２の配線部）から構成されていた。しかし本実施形態では、図５に示すように、補助配線８の第２の領域は表示領域１外に面で構成されている。すなわち、第２の領域は回路部（走査信号線駆動回路３）と共通配線５（第１の配線部の一部となる）とを覆っている。
【００３０】
このように、第２の領域を面で構成することで、図１の構成と比較して、陰極全体のインピーダンスをさらに低減できるので、陰極電位の電圧上昇を抑制して一層の低消費電力化と、優れた表示品質を安定して実現できる。
【００３１】
（第４の実施形態）
図６（ａ）、（ｂ）は本発明に係わる第４の実施形態におけるアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図及び断面図である。図６（ｂ）は図６（ａ）のＸ−Ｘ’線の断面図である。
【００３２】
図５に示す第３の実施形態と本実施形態との違いは、図５の構成では、陰極１０が表示領域１を超えて走査線駆動回路３上を通って共通配線５上まで延びているのに対して、図６に示す本実施形態の構成では、陰極１０が走査線駆動回路３上まで延びていない点である。
【００３３】
（第５の実施形態）
図７（ａ）、（ｂ）は本発明に係わる第５の実施形態におけるアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図及び断面図である。図７（ｂ）は図７（ａ）のＸ−Ｘ’線の断面図である。
【００３４】
図７の構成は図６の構成と比べて、パネルの４辺に対して共通配線５を配置した構成となっている。共通配線５は表示パネルの2辺もしくは3辺に配置してもよい。共通配線５を、パネルの４辺、2辺もしくは3辺に配置してもよいことは第１及び第２の実施においても同様である。
【００３５】
以上説明した各実施形態は表示パネルの短辺方向に端子部７を配置した構成について説明をしたが、これらの構成に限定されず、端子部７を表示パネルの長辺方向に配置した構成であってもよい。また、本実施形態は補助配線８の第2の領域が周辺回路とオーバーラップした構成（周辺回路上を通る構成）を説明したが、これらの構成に限定されず、端子部７から入力された信号を周辺回路に出力する入力回路上を第２の領域が通る構成であってもよい。
【００３６】
さらに、ＥＬ素子を用いた表示装置を例にあげて説明したが、それに限らず、例えばＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）やＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等の電流駆動型表示装置に適用可能である。
【００３７】
以上の各実施形態は、補助配線８の第２の領域を第１の領域よりも配線幅を大きくしたり、面領域で構成したり、多層配線とする例について説明した。しかし、これらの構成は言い換えると、補助配線（第2の配線）の第2の領域の、回路部の長さ方向の断面を流れる電流の平均電流密度が、第１の領域の、回路部の長さ方向の断面を流れる電流の平均電流密度の最大値よりも小さくなる構成である。
【００３８】
平均電流密度は以下のように規定される。
【００３９】
補助配線の第１の領域の、回路部の長さ方向の断面を流れる電流が最大値（Ｉ１）となる位置での、第１の領域の、回路部の長さ方向についての断面の面積をＳ１とすると、平均電流密度の最大値はＩ１／Ｓ１となる。
【００４０】
一方、補助配線の第2の領域の、回路部の長さ方向について断面の面積をＳ２とし、その断面を流れる電流をＩ２としたとき、平均電流密度はＩ２／Ｓ２となる。
【００４１】
平均電流密度をこのように規定したとき、上記構成は、（Ｉ１／Ｓ１）＞（Ｉ２／Ｓ２）で表される。
【００４２】
なお、図４の構成のように、陰極１０が回路部上まで形成されず、補助配線を介して電流が第２の領域に流入する場合がある。その場合には、第２の領域に流入する電流が第１の領域からの電流のみとなり、Ｉ１＝Ｉ２となる。しかし、例えば図１の構成のように、陰極１０から第２の領域に電流が流入する場合もあり、この場合はＩ１＜Ｉ２となる。
【００４３】
この構成について、第４の実施形態の構成を例にとって、具体的に以下に説明する。
【００４４】
第４の実施形態の補助配線８の第１の領域と第２領域での電流は図９に示す矢印のように流れる。図９のＸ１−Ｘ１’線、 Ｘ２−Ｘ２’線は図１０のＸ１−Ｘ１’線、 Ｘ２−Ｘ２’線に対応する。
【００４５】
第１の領域の、回路部の長さ方向についての断面の面積Ｓ１は、図１１に示すように、各配線部の断面積Ｓ１１の６倍となる（配線部の総数はここでは６本としているが、実際は画素の解像度に対応して決められる）。この面積Ｓ１を流れる電流は図１０の右部の拡大図に示したように、画素からの流入電流が加わっていくために、一般的には図１０に示すように、第１の領域の第２の領域との境界付近のＸ１−Ｘ１’線断面で最大電流が流れることになる。この最大電流をＩ１とすると、平均電流密度の最大値はＩ１／Ｓ１となる。
【００４６】
一方、第２の領域では流入する電流と流出する電流とはほぼ等しい（電流Ｉ２）と考えられる。そして、第２領域での回路部の長さ方向についての断面の面積は図３の構成のような長方形等の形状であれば、どの位置で切断しても等しい面積Ｓ２（図１１）となる。よって、平均電流密度はＩ２／Ｓ２となる。なお、第２の領域は、場所によって面積Ｓ２が異なるような形状であってもよい。
【００４７】
そして、第４の実施形態では、Ｉ１＝Ｉ２と考えられ、第２の領域は面でＳ２＞Ｓ１なので、（Ｉ１／Ｓ１）＞（Ｉ２／Ｓ２）となる。
【００４８】
図８は、表示パネルとして上述した各実施形態のアクティブマトリクス型表示装置を用いたデジタルスチルカメラシステムの一例のブロック図である。１１１はデジタルスチルカメラシステム、１１２は被写体を撮影する撮影部、１１３は映像信号処理部となる映像信号処理回路、１１４はアクティブマトリクス型表示装置となる表示パネル、１１５はメモリ、１１６はＣＰＵ、１１７は操作部を示す。撮像部１１２で撮影した映像または、メモリ１５に記録された映像を、映像信号処理回路１１１で信号処理し、表示パネル１１２で見ることができる。ＣＰＵ１１６では、操作部１１５からの入力によって、撮影部１１２、メモリ１１５、映像信号処理回路１１３などを制御して、状況に適した撮影、記録、再生、表示を行う。また、表示パネル１１４は、この他にも各種電子機器の表示部として利用できる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
上記構成の表示装置を用いて、情報表示装置を構成することができる。この情報表示装置は携帯電話、携帯コンピュータ、デジタルスチルカメラもしくはビデオカメラのいずれかの形態をとる。もしくはそれらの各機能の複数を実現する装置である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係わる第１の実施形態におけるアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図及び断面図である。
【図２】ＥＬ素子を含んだ電流設定方式の画素回路の一例を示す図である。
【図３】ＥＬ素子と陰極の立体的な配置を説明する図である。
【図４】本発明に係わる第２の実施形態におけるアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図及び断面図である。
【図５】本発明に係わる第３の実施形態におけるアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図及び断面図である。
【図６】本発明に係わる第４の実施形態におけるアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図及び断面図である。
【図７】本発明に係わる第５の実施形態におけるアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図及び断面図である。
【図８】本発明の各実施形態に係る表示装置を用いたデジタルスチルカメラシステムの全体構成を示すブロック図である。
【図９】本実施形態の発明の概念を説明するための斜視図である。
【図１０】本実施形態の発明の概念を説明するための説明図である。
【図１１】本実施形態の発明の概念を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  表示領域
２  データ線駆動回路
３  走査線駆動回路
４  入力回路
５  共通配線
５１  接続配線
６  接着領域
７  端子部
８  補助配線
９  ＥＬ素子
１０  透明導電膜
１１  デジタルスチルカメラシステム
１２  撮影部
１３  映像信号処理回路
１４  表示パネル
１５  メモリ
１６  ＣＰＵ
１７  操作部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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