(57)【要約】【課題】複数のクラスタ分割モジュールにおいてデータを並列してクラスタ分割処理するのに要する総処理時間TATを短縮する。【解決手段】階層化されたデータD1に含まれているセル単位のデータDCA,DCB,…から小グループ単位のデータDGA1,DGA2,…,DGB1,DGB2,…を作成することにより、小グループ単位のデータDGA1,DGA2,…,DGB1,DGB2,…を含むデータD2を作成し、小グループ単位のデータDGA1,DGA2,…,DGB1,DGB2,…をクラスタ分割モジュール10e1,10e2,…に振り分け、小グループ単位のデータDGA1,DGA2,…,DGB1,DGB2,…をクラスタ分割モジュール10e1,10e2,…によって並列してクラスタ分割処理し、クラスタ分割処理された複数の小グループ単位のデータDGA1',DGA2',…,DGB1',DGB2',…を含む、荷電粒子ビーム10a1bによってパターンを描画するための第３段階データD3を作成する。【選択図】図１
2010177489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームによってパターンを描画するための階層化されたデータを作成する荷電粒子ビーム描画データ作成方法において、
階層化された第１段階データに含まれているセル単位のデータから小グループ単位のデータを作成することにより、小グループ単位のデータを含む階層化された第２段階データを作成し、
階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを複数のクラスタ分割モジュールに振り分け、
複数のクラスタ分割モジュールに振り分けられた複数の小グループ単位のデータを、複数のクラスタ分割モジュールによって並列してクラスタ分割処理し、
クラスタ分割処理された複数の小グループ単位のデータを含む、荷電粒子ビームによってパターンを描画するための階層化された第３段階データを作成することを特徴とする荷電粒子ビーム描画データ作成方法。
【請求項２】
各小グループ単位のデータのデータ長が所定値以下になるように、小グループ単位のデータを作成することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画データ作成方法。
【請求項３】
各小グループ単位のデータのデータ長がほぼ均一になるように、小グループ単位のデータを作成することを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子ビーム描画データ作成方法。
【請求項４】
階層化されたデータに基づいて荷電粒子ビームによりパターンを描画するための荷電粒子ビーム描画装置において、
階層化された第１段階データに含まれている複数のセル単位のデータから作成された、階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを振り分けるための振り分け手段と、
振り分けられた複数の小グループ単位のデータを並列してクラスタ分割処理するための複数のクラスタ分割モジュールとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
複数のセル単位のデータから複数の小グループ単位のデータを作成するための小グループ単位データ作成手段を具備することを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項６】
階層化された第１段階データに含まれているセル単位のデータから小グループ単位のデータを作成することにより、小グループ単位のデータを含む階層化された第２段階データを作成する手順と、
階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを複数のクラスタ分割モジュールに振り分ける手順と、
複数のクラスタ分割モジュールに振り分けられた複数の小グループ単位のデータを、複数のクラスタ分割モジュールによって並列してクラスタ分割処理する手順と、
クラスタ分割処理された複数の小グループ単位のデータを含む、荷電粒子ビーム描画装置の荷電粒子ビームによってパターンを描画するための階層化された第３段階データを作成する手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビーム描画データ作成プログラム。
【請求項７】
階層化されたデータに基づいて荷電粒子ビームによりパターンを描画するための荷電粒子ビーム描画装置において、
階層化された第１段階データに含まれている複数のセル単位のデータから作成された、階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを振り分けるための振り分け手段と、
振り分けられた複数の小グループ単位のデータから荷電粒子ビームのショット数を算出するショット数算出処理を並列して行うための複数のショット数算出モジュールとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項８】
階層化された第１段階データに含まれているセル単位のデータから小グループ単位のデータを作成することにより、小グループ単位のデータを含む階層化された第２段階データを作成する手順と、
階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを複数のショット数算出モジュールに振り分ける手順と、
複数のショット数算出モジュールに振り分けられた複数の小グループ単位のデータから荷電粒子ビーム描画装置の荷電粒子ビームのショット数を算出するショット数算出処理を複数のショット数算出モジュールによって並列して行う手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビームのショット数算出プログラム。
【請求項９】
階層化されたデータに基づいて荷電粒子ビームによりパターンを描画するための荷電粒子ビーム描画装置において、
階層化された第１段階データに含まれている複数のセル単位のデータから作成された、階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを振り分けるための振り分け手段と、
振り分けられた複数の小グループ単位のデータを並列して近接効果補正処理するための複数の近接効果補正モジュールとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項１０】
階層化された第１段階データに含まれているセル単位のデータから小グループ単位のデータを作成することにより、小グループ単位のデータを含む階層化された第２段階データを作成する手順と、
階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを複数の近接効果補正モジュールに振り分ける手順と、
複数の近接効果補正モジュールに振り分けられた複数の小グループ単位のデータを、複数の近接効果補正モジュールによって並列して近接効果補正処理する手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正プログラム。
【請求項１１】
階層化された第１段階データに含まれているセル単位のデータから小グループ単位のデータを作成することにより、小グループ単位のデータを含む階層化された第２段階データを作成する手順と、
階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを複数のかぶり補正モジュールに振り分ける手順と、
複数のかぶり補正モジュールに振り分けられた複数の小グループ単位のデータを、複数のかぶり補正モジュールによって並列してかぶり補正処理する手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビーム描画装置のかぶり補正プログラム。
【請求項１２】
階層化された第１段階データに含まれているセル単位のデータから小グループ単位のデータを作成することにより、小グループ単位のデータを含む階層化された第２段階データを作成する手順と、
階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを複数のショット分割モジュールに振り分ける手順と、
複数のショット分割モジュールに振り分けられた複数の小グループ単位のデータを、複数のショット分割モジュールによって並列してショット分割処理する手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビームのショット分割プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画データ作成方法およびプログラム、荷電粒子ビームのショット数算出プログラム、荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正プログラム、荷電粒子ビーム描画装置のかぶり補正プログラム、並びに、荷電粒子ビームのショット分割プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、荷電粒子ビームによってパターンを描画するための階層化されたレイアウトデータ（設計データ）が知られている。この種の階層化されたレイアウトデータ（設計データ）の例としては、例えば特許文献１（特開２００８−４７７２２号公報の図２）に記載されたものがある。
【０００３】
また、レイアウトデータ（設計データ）から作成された荷電粒子ビーム描画装置用の描画データをクラスタ分割処理する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置のクラスタ分割処理の例としては、例えば特許文献２（特開２００８−８５２４８号公報の段落〔００５３〕）に記載されたものがある。
【０００４】
更に、荷電粒子ビーム描画装置用の描画データのクラスタ分割処理を、直列ではなく、並列して行うために、複数のクラスタ分割モジュール（データ変換回路）が設けられている荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の複数のクラスタ分割モジュール（データ変換回路）の例としては、例えば特許文献３（特開２００７−１２８９３３号公報の段落〔００４２〕）に記載されたものがある。
【０００５】
また、特許文献２（特開２００８−８５２４８号公報の段落〔００５３〕）には、クラスタ分割処理が行われる前に、荷電粒子ビーム描画装置用の描画データが振り分けられる旨が記載されている。
【０００６】
つまり、従来においては、階層化されたレイアウトデータ（設計データ）から、階層化された荷電粒子ビーム描画装置用の描画データが作成される。更に、複数のクラスタ分割モジュール（データ変換回路）が荷電粒子ビーム描画装置に設けられている。また、荷電粒子ビーム描画装置に入力された荷電粒子ビーム描画装置用の描画データが、複数のクラスタ分割モジュール（データ変換回路）に振り分けられる。更に、荷電粒子ビーム描画装置用の描画データが、複数のクラスタ分割モジュール（データ変換回路）において、並列してクラスタ分割処理される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−４７７２２号公報の図２
【特許文献２】特開２００８−８５２４８号公報の段落〔００５３〕
【特許文献３】特開２００７−１２８９３３号公報の段落〔００４２〕
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、特許文献１〜３には、荷電粒子ビーム描画装置用の描画データが複数のクラスタ分割モジュールに振り分けられる時に、どのような形式で振り分けられるかについて記載されていない。
【０００９】
一般に、荷電粒子ビーム描画装置用の描画データが複数のクラスタ分割モジュールに振り分けられる場合、荷電粒子ビーム描画装置用の描画データに含まれている複数のセル単位のデータが、複数のクラスタ分割モジュールに振り分けられ、複数のクラスタ分割モジュールにおいて、並列してクラスタ分割処理される。
【００１０】
図４０（Ａ）は荷電粒子ビーム描画装置用の描画データに含まれている複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪと、それらが振り分けられた例えば５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５と、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してクラスタ分割処理するのに要する総処理時間ＴＡＴ’との関係の一例を示した図である。
【００１１】
図４０（Ａ）に示すように、一般に、荷電粒子ビーム描画装置用の描画データに含まれている複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪには、例えばデータＤＣＡのように、クラスタ分割処理に長い時間を要するもの（例えばデータ長が長いもの、図形数が多いものなど）や、例えばデータＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪのように、クラスタ分割処理に短い時間を要するもの（例えばデータ長が短いもの、図形数が少ないものなど）がある。
【００１２】
図４０（Ａ）に示すように、荷電粒子ビーム描画装置用の描画データに含まれている複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪが、例えば５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられる場合、一般に、各クラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５における処理時間ができるだけ均等になるように、複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪが振り分けられる。
【００１３】
つまり、図４０（Ａ）に示すように、一般に、クラスタ分割モジュール１０ｅ１には、例えばデータ長が長い１個のセル単位のデータＤＣＡのみが振り分けられ、クラスタ分割モジュール１０ｅ２には、例えばデータ長が短い３個のセル単位のデータＤＣＢ，ＤＣＦ，ＤＣＪが振り分けられ、クラスタ分割モジュール１０ｅ３には、例えばデータ長が短い２個のセル単位のデータＤＣＣ，ＤＣＧが振り分けられ、クラスタ分割モジュール１０ｅ４には、例えばデータ長が短い２個のセル単位のデータＤＣＤ，ＤＣＨが振り分けられ、クラスタ分割モジュール１０ｅ５には、例えばデータ長が短い２個のセル単位のデータＤＣＥ，ＤＣＩが振り分けられる。
【００１４】
詳細には、図４０（Ａ）に示すように、クラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５におけるクラスタ分割処理が開始される時間ｔ０の時点では、クラスタ分割モジュール１０ｅ１にセル単位のデータＤＣＡが振り分けられ、クラスタ分割モジュール１０ｅ２にセル単位のデータＤＣＢが振り分けられ、クラスタ分割モジュール１０ｅ３にセル単位のデータＤＣＣが振り分けられ、クラスタ分割モジュール１０ｅ４にセル単位のデータＤＣＤが振り分けられ、クラスタ分割モジュール１０ｅ５にセル単位のデータＤＣＥが振り分けられる。
【００１５】
次いで、図４０（Ａ）に示すように、時間ｔ１１の時点では、クラスタ分割モジュール１０ｅ２におけるセル単位のデータＤＣＢのクラスタ分割処理が終了し、クラスタ分割モジュール１０ｅ３におけるセル単位のデータＤＣＣのクラスタ分割処理が終了するため、クラスタ分割モジュール１０ｅ２にセル単位のデータＤＣＦが振り分けられ、クラスタ分割モジュール１０ｅ３にセル単位のデータＤＣＧが振り分けられる。
【００１６】
次いで、図４０（Ａ）に示すように、時間ｔ１２の時点では、クラスタ分割モジュール１０ｅ４におけるセル単位のデータＤＣＤのクラスタ分割処理が終了するため、クラスタ分割モジュール１０ｅ４にセル単位のデータＤＣＨが振り分けられる。
【００１７】
次いで、図４０（Ａ）に示すように、時間ｔ１３の時点では、クラスタ分割モジュール１０ｅ５におけるセル単位のデータＤＣＥのクラスタ分割処理が終了するため、クラスタ分割モジュール１０ｅ５にセル単位のデータＤＣＩが振り分けられる。
【００１８】
次いで、図４０（Ａ）に示すように、時間ｔ１４の時点では、クラスタ分割モジュール１０ｅ２におけるセル単位のデータＤＣＦのクラスタ分割処理が終了するため、クラスタ分割モジュール１０ｅ２にセル単位のデータＤＣＪが振り分けられる。
【００１９】
次いで、図４０（Ａ）に示すように、時間ｔ１５の時点では、クラスタ分割モジュール１０ｅ４におけるセル単位のデータＤＣＨのクラスタ分割処理が終了する。つまり、時間ｔ１５の時点から、クラスタ分割モジュール１０ｅ１におけるセル単位のデータＤＣＡのクラスタ分割処理が終了する時間ｔ１８の時点までの間（時間ｔ１５〜ｔ１８）が、クラスタ分割モジュール１０ｅ４のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。
【００２０】
次いで、図４０（Ａ）に示すように、時間ｔ１６の時点では、クラスタ分割モジュール１０ｅ３におけるセル単位のデータＤＣＧのクラスタ分割処理が終了し、クラスタ分割モジュール１０ｅ５におけるセル単位のデータＤＣＩのクラスタ分割処理が終了する。つまり、時間ｔ１６の時点から、クラスタ分割モジュール１０ｅ１におけるセル単位のデータＤＣＡのクラスタ分割処理が終了する時間ｔ１８の時点までの間（時間ｔ１６〜ｔ１８）が、クラスタ分割モジュール１０ｅ３，１０ｅ５のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。
【００２１】
次いで、図４０（Ａ）に示すように、時間ｔ１７の時点では、クラスタ分割モジュール１０ｅ２におけるセル単位のデータＤＣＪのクラスタ分割処理が終了する。つまり、時間ｔ１７の時点から、クラスタ分割モジュール１０ｅ１におけるセル単位のデータＤＣＡのクラスタ分割処理が終了する時間ｔ１８の時点までの間（時間ｔ１７〜ｔ１８）が、クラスタ分割モジュール１０ｅ２のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。
【００２２】
前記問題点に鑑み、本発明は、複数のクラスタ分割モジュールにおける無駄な待ち時間（アイドルタイム）を低減し、複数のクラスタ分割モジュールにおいてデータを並列してクラスタ分割処理するのに要する総処理時間を短縮することができる荷電粒子ビーム描画データ作成方法およびプログラムを提供することを目的とする。
【００２３】
更に、本発明は、複数のクラスタ分割モジュールにおける無駄な待ち時間（アイドルタイム）を低減し、複数のクラスタ分割モジュールにおいてデータを並列してクラスタ分割処理するのに要する総処理時間を短縮することができる荷電粒子ビーム描画装置を提供することを目的とする。
【００２４】
また、本発明は、複数のショット数算出モジュールにおける無駄な待ち時間（アイドルタイム）を低減し、複数のショット数算出モジュールにおいてデータを並列してショット数算出処理するのに要する総処理時間を短縮することができる荷電粒子ビーム描画装置を提供することを目的とする。
【００２５】
更に、本発明は、複数のショット数算出モジュールにおける無駄な待ち時間（アイドルタイム）を低減し、複数のショット数算出モジュールにおいてデータを並列してショット数算出処理するのに要する総処理時間を短縮することができる荷電粒子ビームのショット数算出プログラムを提供することを目的とする。
【００２６】
また、本発明は、複数の近接効果補正モジュールにおける無駄な待ち時間（アイドルタイム）を低減し、複数の近接効果補正モジュールにおいてデータを並列して近接効果補正処理するのに要する総処理時間を短縮することができる荷電粒子ビーム描画装置を提供することを目的とする。
【００２７】
更に、本発明は、複数の近接効果補正モジュールにおける無駄な待ち時間（アイドルタイム）を低減し、複数の近接効果補正モジュールにおいてデータを並列して近接効果補正処理するのに要する総処理時間を短縮することができる荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正プログラムを提供することを目的とする。
【００２８】
また、本発明は、複数のかぶり補正モジュールにおける無駄な待ち時間（アイドルタイム）を低減し、複数のかぶり補正モジュールにおいてデータを並列してかぶり補正処理するのに要する総処理時間を短縮することができる荷電粒子ビーム描画装置のかぶり補正プログラムを提供することを目的とする。
【００２９】
更に、本発明は、複数のショット分割モジュールにおける無駄な待ち時間（アイドルタイム）を低減し、複数のショット分割モジュールにおいてデータを並列してショット分割処理するのに要する総処理時間を短縮することができる荷電粒子ビームのショット分割プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
本発明の一態様によれば、荷電粒子ビームによってパターンを描画するための階層化されたデータを作成する荷電粒子ビーム描画データ作成方法において、
階層化された第１段階データに含まれているセル単位のデータから小グループ単位のデータを作成することにより、小グループ単位のデータを含む階層化された第２段階データを作成し、
階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを複数のクラスタ分割モジュールに振り分け、
複数のクラスタ分割モジュールに振り分けられた複数の小グループ単位のデータを、複数のクラスタ分割モジュールによって並列してクラスタ分割処理し、
クラスタ分割処理された複数の小グループ単位のデータを含む、荷電粒子ビームによってパターンを描画するための階層化された第３段階データを作成することを特徴とする荷電粒子ビーム描画データ作成方法が提供される。
【００３１】
好ましくは、各小グループ単位のデータのデータ長が所定値以下になるように、小グループ単位のデータが作成される。
【００３２】
また、好ましくは、各小グループ単位のデータのデータ長がほぼ均一になるように、小グループ単位のデータが作成される。
【００３３】
更に、好ましくは、あるクラスタ分割モジュールに振り分けられる複数の小グループ単位のデータのデータ長と、他のクラスタ分割モジュールに振り分けられる複数の小グループ単位のデータのデータ長との差が少なくなるように、複数の小グループ単位のデータが、複数のクラスタ分割モジュールに振り分けられる。
【００３４】
また、好ましくは、小グループ単位のデータのヘッダ内に、小グループ単位のデータのデータ長を示す情報が含められる。
【００３５】
更に、好ましくは、複数の小グループ単位のデータを含むセル単位のデータに、セル単位のデータのデータ長を示す情報を有するヘッダと、各小グループ単位のデータのデータ長を示す情報を有するポインタ列部とが含められる。
【００３６】
本発明の別の一態様によれば、階層化されたデータに基づいて荷電粒子ビームによりパターンを描画するための荷電粒子ビーム描画装置において、
階層化された第１段階データに含まれている複数のセル単位のデータから作成された、階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを振り分けるための振り分け手段と、
振り分けられた複数の小グループ単位のデータを並列してクラスタ分割処理するための複数のクラスタ分割モジュールとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
【００３７】
また、本発明の別の一態様によれば、階層化された第１段階データに含まれているセル単位のデータから小グループ単位のデータを作成することにより、小グループ単位のデータを含む階層化された第２段階データを作成する手順と、
階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを複数のクラスタ分割モジュールに振り分ける手順と、
複数のクラスタ分割モジュールに振り分けられた複数の小グループ単位のデータを、複数のクラスタ分割モジュールによって並列してクラスタ分割処理する手順と、
クラスタ分割処理された複数の小グループ単位のデータを含む、荷電粒子ビーム描画装置の荷電粒子ビームによってパターンを描画するための階層化された第３段階データを作成する手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビーム描画データ作成プログラムが提供される。
【００３８】
更に、本発明の別の一態様によれば、階層化されたデータに基づいて荷電粒子ビームによりパターンを描画するための荷電粒子ビーム描画装置において、
階層化された第１段階データに含まれている複数のセル単位のデータから作成された、階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを振り分けるための振り分け手段と、
振り分けられた複数の小グループ単位のデータから荷電粒子ビームのショット数を算出するショット数算出処理を並列して行うための複数のショット数算出モジュールとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
【００３９】
また、本発明の別の一態様によれば、階層化された第１段階データに含まれているセル単位のデータから小グループ単位のデータを作成することにより、小グループ単位のデータを含む階層化された第２段階データを作成する手順と、
階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを複数のショット数算出モジュールに振り分ける手順と、
複数のショット数算出モジュールに振り分けられた複数の小グループ単位のデータから荷電粒子ビーム描画装置の荷電粒子ビームのショット数を算出するショット数算出処理を複数のショット数算出モジュールによって並列して行う手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビームのショット数算出プログラムが提供される。
【００４０】
更に、本発明の別の一態様によれば、階層化されたデータに基づいて荷電粒子ビームによりパターンを描画するための荷電粒子ビーム描画装置において、
階層化された第１段階データに含まれている複数のセル単位のデータから作成された、階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを振り分けるための振り分け手段と、
振り分けられた複数の小グループ単位のデータを並列して近接効果補正処理するための複数の近接効果補正モジュールとを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
【００４１】
また、本発明の別の一態様によれば、階層化された第１段階データに含まれているセル単位のデータから小グループ単位のデータを作成することにより、小グループ単位のデータを含む階層化された第２段階データを作成する手順と、
階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを複数の近接効果補正モジュールに振り分ける手順と、
複数の近接効果補正モジュールに振り分けられた複数の小グループ単位のデータを、複数の近接効果補正モジュールによって並列して近接効果補正処理する手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正プログラムが提供される。
【００４２】
更に、本発明の別の一態様によれば、階層化された第１段階データに含まれているセル単位のデータから小グループ単位のデータを作成することにより、小グループ単位のデータを含む階層化された第２段階データを作成する手順と、
階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを複数のかぶり補正モジュールに振り分ける手順と、
複数のかぶり補正モジュールに振り分けられた複数の小グループ単位のデータを、複数のかぶり補正モジュールによって並列してかぶり補正処理する手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビーム描画装置のかぶり補正プログラムが提供される。
【００４３】
また、本発明の別の一態様によれば、階層化された第１段階データに含まれているセル単位のデータから小グループ単位のデータを作成することにより、小グループ単位のデータを含む階層化された第２段階データを作成する手順と、
階層化された第２段階データに含まれている複数の小グループ単位のデータを複数のショット分割モジュールに振り分ける手順と、
複数のショット分割モジュールに振り分けられた複数の小グループ単位のデータを、複数のショット分割モジュールによって並列してショット分割処理する手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビームのショット分割プログラムが提供される。
【発明の効果】
【００４４】
本発明によれば、複数のクラスタ分割モジュールにおける無駄な待ち時間（アイドルタイム）を低減し、複数のクラスタ分割モジュールにおいてデータを並列してクラスタ分割処理するのに要する総処理時間を短縮することができる。
【００４５】
更に、本発明によれば、複数のショット数算出モジュールにおける無駄な待ち時間（アイドルタイム）を低減し、複数のショット数算出モジュールにおいてデータを並列してショット数算出処理するのに要する総処理時間を短縮することができる。
【００４６】
また、本発明によれば、複数の近接効果補正モジュールにおける無駄な待ち時間（アイドルタイム）を低減し、複数の近接効果補正モジュールにおいてデータを並列して近接効果補正処理するのに要する総処理時間を短縮することができる。
【００４７】
更に、本発明によれば、複数のかぶり補正モジュールにおける無駄な待ち時間（アイドルタイム）を低減し、複数のかぶり補正モジュールにおいてデータを並列してかぶり補正処理するのに要する総処理時間を短縮することができる。
【００４８】
また、本発明によれば、複数のショット分割モジュールにおける無駄な待ち時間（アイドルタイム）を低減し、複数のショット分割モジュールにおいてデータを並列してショット分割処理するのに要する総処理時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。
【図２】図１に示すＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１の一例を概略的に示した図である。
【図３】図１および図２に示すＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセルＣＬＡに関するセル単位のデータＤＣＡの一例を概略的に示した図である。
【図４】図３に示すフラット（ＦＬ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＦＬの一例を示した図である。
【図５】図４に示す図形ＦＧ１に関するデータＤＣＡＦＧ１の内容を説明するための図である。
【図６】図３に示すフラット（ＦＬ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＦＬの他の例を示した図である。
【図７】図３に示すパタンアレイ（ＰＡ１）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ１の一例を示した図である。
【図８】図７に示すパタンアレイ（ＰＡ１）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ１の内容を説明するための図である。
【図９】図１に示す描画データ作成装置２０を詳細に説明するための図である。
【図１０】図９に示すＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセル単位のデータＤＣＡから、例えば５個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が作成される一例を示した図である。
【図１１】図１０に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１の一例を示した図である。
【図１２】図１０に示す小グループ単位のデータＤＧＡ２の一例を示した図である。
【図１３】図１０に示す小グループ単位のデータＤＧＡ３の一例を示した図である。
【図１４】図１０に示す小グループ単位のデータＤＧＡ４の一例を示した図である。
【図１５】図１０に示す小グループ単位のデータＤＧＡ５の一例を示した図である。
【図１６】図１０に示す小グループ単位のデータＤＧＡ４の他の例を示した図である。
【図１７】セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪを含むＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１から、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を含む描画データ（第２段階データ）Ｄ２が作成される一例を示した図である。
【図１８】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図１９】図１７に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１が図１８に示すクラスタ分割モジュール１０ｅ１によってクラスタ分割処理される一例を示した図である。
【図２０】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図２１】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図２２】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図２３】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図２４】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図２５】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図２６】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図２７】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図２８】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図２９】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図３０】図１７に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３と、それらが振り分けられた例えば５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５と、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を並列してクラスタ分割処理するのに要する総処理時間ＴＡＴとの関係の一例を示した図である。
【図３１】複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してクラスタ分割処理することにより、描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図３２】複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してクラスタ分割処理することにより、描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図３３】複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してクラスタ分割処理することにより、描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図３４】複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してクラスタ分割処理することにより、描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図３５】複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してクラスタ分割処理することにより、描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図３６】複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してクラスタ分割処理することにより、描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図３７】複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してクラスタ分割処理することにより、描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図３８】複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してクラスタ分割処理することにより、描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図３９】複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してクラスタ分割処理することにより、描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。
【図４０】荷電粒子ビーム描画装置用の描画データに含まれている複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪと、それらが振り分けられた例えば５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５と、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してクラスタ分割処理するのに要する総処理時間ＴＡＴ’との関係の一例などを示した図である。
【図４１】図９に示すＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセル単位のデータＤＣＡから、例えば４個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４が作成される一例を示した図である。
【図４２】図９に示すＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセル単位のデータＤＣＡから、例えば４個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４が作成される他の例を示した図である。
【図４３】第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。
【図４４】第１から第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰを説明するための図である。
【図４５】第１から第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０において、例えば描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれる小グループ単位のデータＤＧＡ１に含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数を説明するための図である。
【図４６】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＡＪ３が振り分けモジュール１０ｂによって複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５に振り分けられ、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数を算出するショット数算出処理が並列して行われる一例を示した図である。
【図４７】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＡＪ３が振り分けモジュール１０ｂによって複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５に振り分けられ、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数を算出するショット数算出処理が並列して行われる一例を示した図である。
【図４８】図１７に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３と、それらが振り分けられた例えば５個のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５と、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を並列してショット数算出処理するのに要する総処理時間との関係の一例を示した図である。
【図４９】荷電粒子ビーム描画装置用の描画データに含まれている複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪと、それらが振り分けられた例えば５個のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５と、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してショット数算出処理するのに要する総処理時間との関係の一例などを示した図である。
【図５０】第４の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。
【図５１】近接効果を説明するための一例を示した図である。
【図５２】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＡＪ３が振り分けモジュール１０ｂによって複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５に振り分けられ、近接効果補正処理が並列して行われる一例を示した図である。
【図５３】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＡＪ３が振り分けモジュール１０ｂによって複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５に振り分けられ、近接効果補正処理が並列して行われる一例を示した図である。
【図５４】図１７に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３と、それらが振り分けられた例えば５個の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５と、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を並列して近接効果補正処理するのに要する総処理時間との関係の一例を示した図である。
【図５５】荷電粒子ビーム描画装置用の描画データに含まれている複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪと、それらが振り分けられた例えば５個の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５と、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列して近接効果補正処理するのに要する総処理時間との関係の一例などを示した図である。
【図５６】第５の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。
【図５７】かぶり（フォグング効果）を説明するための一例を示した図である。
【図５８】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＡＪ３が振り分けモジュール１０ｂによって複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５に振り分けられ、かぶり補正処理が並列して行われる一例を示した図である。
【図５９】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＡＪ３が振り分けモジュール１０ｂによって複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５に振り分けられ、かぶり補正処理が並列して行われる一例を示した図である。
【図６０】図１７に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３と、それらが振り分けられた例えば５個のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５と、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を並列してかぶり補正処理するのに要する総処理時間との関係の一例を示した図である。
【図６１】荷電粒子ビーム描画装置用の描画データに含まれている複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪと、それらが振り分けられた例えば５個のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５と、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してかぶり補正処理するのに要する総処理時間との関係の一例などを示した図である。
【図６２】第６の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。
【図６３】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＡＪ３が振り分けモジュール１０ｂによって複数のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５に振り分けられ、ショット分割処理が並列して行われる一例を示した図である。
【図６４】図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＡＪ３が振り分けモジュール１０ｂによって複数のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５に振り分けられ、ショット分割処理が並列して行われる一例を示した図である。
【図６５】図１７に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３と、それらが振り分けられた例えば５個のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５と、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を並列してショット分割処理するのに要する総処理時間との関係の一例を示した図である。
【図６６】荷電粒子ビーム描画装置用の描画データに含まれている複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪと、それらが振り分けられた例えば５個のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５と、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してショット分割処理するのに要する総処理時間との関係の一例などを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
以下、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えばマスク（ブランク）、ウエハなどのような試料Ｍ上に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって、試料Ｍ上に目的のパターンを描画するための描画部１０ａが設けられている。
【００５１】
第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビームとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビームとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
【００５２】
第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｆ，１０ａ１ｉと、偏向器１０ａ１ｆ，１０ａ１ｉによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。
【００５３】
詳細には、第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、例えば試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。更に、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、例えば荷電粒子銃１０ａ１ａと、照明レンズ１０ａ１ｃと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｄと、投影レンズ１０ａ１ｅと、偏向器１０ａ１ｆと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｇと、対物レンズ１０ａ１ｈと、偏向器１０ａ１ｉとが配置されている。
【００５４】
第１の実施形態では、図１に示すように、例えば半導体集積回路などのＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）（第１段階データ）Ｄ１が、描画データ作成装置２０によって変換され、荷電粒子ビーム描画装置１０用の描画データ（第２段階データ）Ｄ２が作成される。
【００５５】
図２は図１に示すＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１の一例を概略的に示した図である。図２に示す例では、第１の実施形態に適用されるＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１が、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。
【００５６】
詳細には、図２に示す例では、例えば、ＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１のチップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、ＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１のフレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、ＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１のフレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ２が、ＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１のブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，ＢＬ１０，ＢＬ２０，ＢＬ３０，ＢＬ４０，ＢＬ５０，ＢＬ０１，ＢＬ１１，ＢＬ２１，ＢＬ３１，ＢＬ４１，ＢＬ５１，ＢＬ０２，ＢＬ１２，ＢＬ２２，ＢＬ３２，ＢＬ４２，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、ＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１のブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ２１が、ＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１のセル階層ＣＬの要素の一部である複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，・・に対応している。また、例えば、ＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１のセル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬＡが、ＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１の図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応している。
【００５７】
図３は図１および図２に示すＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセルＣＬＡに関するセル単位のデータＤＣＡの一例を概略的に示した図である。図３に示す例では、セルＣＬＡ（図２参照）に関するセル単位のデータＤＣＡに、例えば、ヘッダＤＣＡＨと、フラット（ＦＬ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＦＬと、パタンアレイ（ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，ＰＡ４，ＰＡ５，ＰＡ６，ＰＡ７）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ１，ＤＣＡＰＡ２，ＤＣＡＰＡ３，ＤＣＡＰＡ４，ＤＣＡＰＡ５，ＤＣＡＰＡ６，ＤＣＡＰＡ７とが含まれている。
【００５８】
図３において、Ｌｃｅｌｌ’はセル単位のデータＤＣＡ全体のデータ長を示しており、ＬＦＬはフラット（ＦＬ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＦＬのデータ長を示している。ＬＰＡ１はパタンアレイ（ＰＡ１）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ１のデータ長を示しており、ＬＰＡ２はパタンアレイ（ＰＡ２）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ２のデータ長を示している。ＬＰＡ３はパタンアレイ（ＰＡ３）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ３のデータ長を示しており、ＬＰＡ４はパタンアレイ（ＰＡ４）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ４のデータ長を示している。ＬＰＡ５はパタンアレイ（ＰＡ５）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ５のデータ長を示しており、ＬＰＡ６はパタンアレイ（ＰＡ６）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ６のデータ長を示しており、ＬＰＡ７はパタンアレイ（ＰＡ７）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ７のデータ長を示している。
【００５９】
図３に示す例では、セル単位のデータＤＣＡのヘッダＤＣＡＨに、例えば、セル単位のデータＤＣＡ全体のデータ長Ｌｃｅｌｌ’が書き込まれている。また、ヘッダＤＣＡＨ内の「（４）」は、ヘッダＤＣＡＨが占めるバイト数が例えば４バイトであることを示している。
【００６０】
図４は図３に示すフラット（ＦＬ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＦＬの一例を示した図である。図４に示す例では、フラット（ＦＬ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＦＬに、例えば、ヘッダＤＣＡＦＬＨと、図形ＦＧ１（図２参照）に関するデータＤＣＡＦＧ１と、図形ＦＧ２（図２参照）に関するデータＤＣＡＦＧ２と、・・、図形ＦＧｎに関するデータＤＣＡＦＧｎとが含まれている。
【００６１】
図４に示す例では、フラット（ＦＬ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＦＬのヘッダＤＣＡＦＬＨに、例えば、タイプコード、図形コード、および、データＤＣＡＦＬに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・，ＦＧｎの数ｎ（つまり、データ長ＬＦＬを間接的に示す情報）が書き込まれている。また、ヘッダＤＣＡＦＬ内の「タイプコード（１）」は、タイプコードが占めるバイト数が例えば１バイトであることを示している。更に、ヘッダＤＣＡＦＬ内の「図形コード（１）」は、図形コードが占めるバイト数が例えば１バイトであることを示している。また、ヘッダＤＣＡＦＬ内の「図形数：ｎ（２）」は、データＤＣＡＦＬに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・，ＦＧｎの数がｎである旨の記録内容が占めるバイト数が例えば２バイトであることを示している。
【００６２】
図５は図４に示す図形ＦＧ１に関するデータＤＣＡＦＧ１の内容を説明するための図である。図４および図５に示すように、Ｘ１は図形ＦＧ１のＸ方向の位置を示しており、Ｙ１は図形ＦＧ１のＹ方向の位置を示しており、Ｗ１は図形ＦＧ１のＸ方向寸法を示しており、Ｈ１は図形ＦＧ１のＹ方向寸法を示している。
【００６３】
図４に示す例では、データＤＣＡＦＧ１内の「Ｘ１（２）」が、図形ＦＧ１のＸ方向の位置がＸ１である旨の記録内容が占めるバイト数が例えば２バイトであることを示している。また、データＤＣＡＦＧ１内の「Ｙ１（２）」が、図形ＦＧ１のＹ方向の位置がＹ１である旨の記録内容が占めるバイト数が例えば２バイトであることを示している。更に、データＤＣＡＦＧ１内の「Ｗ１（２）」が、図形ＦＧ１のＸ方向寸法がＷ１である旨の記録内容が占めるバイト数が例えば２バイトであることを示している。また、データＤＣＡＦＧ１内の「Ｈ１（２）」が、図形ＦＧ１のＹ方向寸法がＨ１である旨の記録内容が占めるバイト数が例えば２バイトであることを示している。
【００６４】
図６は図３に示すフラット（ＦＬ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＦＬの他の例を示した図である。図４に示す例では、例えばデータＤＣＡＦＬのデータ長ＬＦＬを間接的に示す情報として、データＤＣＡＦＬに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・，ＦＧｎの数ｎが、ヘッダＤＣＡＦＬＨに書き込まれているが、図６に示す例では、代わりに、例えばデータＤＣＡＦＬのデータ長ＬＦＬが、ヘッダＤＣＡＦＬＨに書き込まれている。
【００６５】
図７は図３に示すパタンアレイ（ＰＡ１）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ１の一例を示した図である。図７に示す例では、パタンアレイ（ＰＡ１）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ１に、例えば、ヘッダＤＣＡＰＡ１Ｈが含まれている。
【００６６】
また、図７に示す例では、パタンアレイ（ＰＡ１）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ１のヘッダＤＣＡＰＡ１Ｈに、例えば、タイプコードおよび図形コードが書き込まれている。また、例えば、ヘッダＤＣＡＰＡ１Ｈの総バイト数を４バイトにするために、いわゆるｎｕｌｌ文字によって２バイトが占められている。
【００６７】
図８は図７に示すパタンアレイ（ＰＡ１）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ１の内容を説明するための図である。図４および図５に示すように、フラットタイプのフォーマットのデータＤＣＡＦＧ１には、１個の図形ＦＧ１に関するデータが含まれているが、図７および図８に示すように、パタンアレイタイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ１には、繰り返して配列された同一形状の複数個の図形ＦＧに関するデータが含まれている。詳細には、図７および図８に示すように、Ｘは図形ＦＧのＸ方向の位置を示しており、Ｙは図形ＦＧのＹ方向の位置を示しており、Ｗは図形ＦＧのＸ方向寸法を示しており、Ｈは図形ＦＧのＹ方向寸法を示している。ＰｘはＸ方向に繰り返して配列される図形ＦＧのピッチを示しており、ＰｙはＹ方向に繰り返して配列される図形ＦＧのピッチを示している。Ｎｘは図形ＦＧのＸ方向の繰り返し回数を示しており、Ｎｙは図形ＦＧのＹ方向の繰り返し回数を示している。
【００６８】
図９は図１に示す描画データ作成装置２０を詳細に説明するための図である。第１の実施形態に適用される描画データ作成装置２０では、図９に示すように、例えば、描画データ作成装置２０から出力された描画データ（第２段階データ）Ｄ２を荷電粒子ビーム描画装置１０（図１参照）のクラスタ分割モジュール部１０ｅ（図１参照）でクラスタ分割処理するのに要する総処理時間などのような処理負荷を試算するために、処理負荷試算モジュール２０ｂが設けられている。この処理負荷試算モジュール２０ｂでは、処理負荷試算ルール２０ａに基づいて処理負荷の試算が行われる。この処理負荷試算ルール２０ａには、例えば入力用バッファ部１０ｃ（図１参照）、クラスタ分割モジュール部１０ｅ（図１参照）、出力用バッファ部１０ｆ（図１参照）などの処理負荷を計算するための関数が組み込まれている。
【００６９】
更に、第１の実施形態に適用される描画データ作成装置２０では、図９に示すように、階層化されたＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセル単位のデータＤＣＡ（図３参照），・・から小グループ単位のデータを作成することによって、小グループ単位のデータを含む描画データ（第２段階データ）Ｄ２を作成し、その描画データ（第２段階データ）Ｄ２を出力するために、グルーピングモジュール２０ｃおよび出力モジュール２０ｄが設けられている。
【００７０】
図１０は図９に示すＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセル単位のデータＤＣＡ（図３参照）から、例えば５個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が作成される一例を示した図である。図１０に示す例では、描画データ作成装置２０（図９参照）のグルーピングモジュール２０ｃ（図９参照）によって、階層化されたＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセル単位のデータＤＣＡから、例えば５個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が作成される。
【００７１】
詳細には、図１０に示す例では、フラット（ＦＬ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＦＬを例えば３個に分割することにより、３個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３が作成される。また、パタンアレイ（ＰＡ１）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ１と、パタンアレイ（ＰＡ２）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ２と、パタンアレイ（ＰＡ３）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ３と、パタンアレイ（ＰＡ４）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ４とをまとめることにより、１個の小グループ単位のデータＤＧＡ４が作成される。更に、パタンアレイ（ＰＡ５）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ５と、パタンアレイ（ＰＡ６）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ６と、パタンアレイ（ＰＡ７）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ７とをまとめることにより、１個の小グループ単位のデータＤＧＡ５が作成される。
【００７２】
更に、図１０に示す例では、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５のデータ長が所定値（Ｌｍａｘ）以下になるように、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が作成される。詳細には、例えば入力用バッファ部１０ｃ（図１参照）、出力用バッファ部１０ｆ（図１参照）などの処理負荷が所定値以下になるように、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が作成される。つまり、例えば入力用バッファ部１０ｃ（図１参照）、出力用バッファ部１０ｆ（図１参照）などの容量が所定値以下になるように、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が作成される。
【００７３】
また、図１０に示す例では、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５のデータ長ができるだけ均一になるように、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が作成される。
【００７４】
更に、図１０に示す例では、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が作成される前におけるセル単位のデータＤＣＡのデータ長Ｌｃｅｌｌ’と、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が作成された後におけるセル単位のデータＤＣＡのデータ長Ｌｃｅｌｌとがほぼ等しくなっている。
【００７５】
図１１は図１０に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１の一例を示した図である。図１１に示す例では、小グループ単位のデータＤＧＡ１に、例えば、ヘッダＤＧＡ１Ｈと、図形ＦＧ１（図２参照）に関するデータＤＧＡ１ＦＧ１と、図形ＦＧ２（図２参照）に関するデータＤＧＡ１ＦＧ２と、・・、図形ＦＧ１０に関するデータＤＧＡ１ＦＧ１０とが含まれている。
【００７６】
また、図１１に示す例では、小グループ単位のデータＤＧＡ１のヘッダＤＧＡ１Ｈに、例えば、タイプコード、図形コード、および、データＤＧＡ１に含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・，ＦＧ１０の数１０（つまり、データＤＧＡ１のデータ長を間接的に示す情報）が書き込まれている。
【００７７】
図１２は図１０に示す小グループ単位のデータＤＧＡ２の一例を示した図である。図１２に示す例では、小グループ単位のデータＤＧＡ２に、例えば、ヘッダＤＧＡ２Ｈと、図形ＦＧ１１に関するデータＤＧＡ２ＦＧ１１と、図形ＦＧ１２に関するデータＤＧＡ２ＦＧ１２と、・・、図形ＦＧ２０に関するデータＤＧＡ２ＦＧ２０とが含まれている。
【００７８】
また、図１２に示す例では、小グループ単位のデータＤＧＡ２のヘッダＤＧＡ２Ｈに、例えば、タイプコード、図形コード、および、データＤＧＡ２に含まれる図形ＦＧ１１，ＦＧ１２，・・，ＦＧ２０の数１０（つまり、データＤＧＡ２のデータ長を間接的に示す情報）が書き込まれている。
【００７９】
図１３は図１０に示す小グループ単位のデータＤＧＡ３の一例を示した図である。図１３に示す例では、小グループ単位のデータＤＧＡ３に、例えば、ヘッダＤＧＡ３Ｈと、図形ＦＧ２１に関するデータＤＧＡ３ＦＧ２１と、図形ＦＧ２２に関するデータＤＧＡ３ＦＧ２２と、・・、図形ＦＧｎに関するデータＤＧＡ３ＦＧｎとが含まれている。
【００８０】
また、図１３に示す例では、小グループ単位のデータＤＧＡ３のヘッダＤＧＡ３Ｈに、例えば、タイプコード、図形コード、および、データＤＧＡ３に含まれる図形ＦＧ２１，ＦＧ２２，・・，ＦＧｎの数ｎ−２０（つまり、データＤＧＡ３のデータ長を間接的に示す情報）が書き込まれている。
【００８１】
図１４は図１０に示す小グループ単位のデータＤＧＡ４の一例を示した図である。図１４に示す例では、小グループ単位のデータＤＧＡ４に、例えば、ヘッダＤＧＡ４Ｈと、パタンアレイＰＡ１に関するデータＤＧＡ４ＰＡ１と、パタンアレイＰＡ２に関するデータＤＧＡ４ＰＡ２と、パタンアレイＰＡ３に関するデータＤＧＡ４ＰＡ３と、パタンアレイＰＡ４に関するデータＤＧＡ４ＰＡ４とが含まれている。
【００８２】
また、図１４に示す例では、小グループ単位のデータＤＧＡ４のヘッダＤＧＡ４Ｈに、例えば、タイプコード、図形コード、および、データＤＧＡ４に含まれるパタンアレイＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，ＰＡ４の数４（つまり、データＤＧＡ４のデータ長を間接的に示す情報）が書き込まれている。
【００８３】
図１５は図１０に示す小グループ単位のデータＤＧＡ５の一例を示した図である。図１５に示す例では、小グループ単位のデータＤＧＡ５に、例えば、ヘッダＤＧＡ５Ｈと、パタンアレイＰＡ５に関するデータＤＧＡ４ＰＡ５と、パタンアレイＰＡ６に関するデータＤＧＡ５ＰＡ６と、パタンアレイＰＡ７に関するデータＤＧＡ５ＰＡ７とが含まれている。
【００８４】
また、図１５に示す例では、小グループ単位のデータＤＧＡ５のヘッダＤＧＡ４Ｈに、例えば、タイプコード、図形コード、および、データＤＧＡ５に含まれるパタンアレイＰＡ５，ＰＡ６，ＰＡ７の数３（つまり、データＤＧＡ５のデータ長を間接的に示す情報）が書き込まれている。
【００８５】
図１６は図１０に示す小グループ単位のデータＤＧＡ４の他の例を示した図である。図１６に示す例では、図１４に示す例と同様に、小グループ単位のデータＤＧＡ４に、例えば、ヘッダＤＧＡ４Ｈと、パタンアレイＰＡ１に関するデータＤＧＡ４ＰＡ１と、パタンアレイＰＡ２に関するデータＤＧＡ４ＰＡ２と、パタンアレイＰＡ３に関するデータＤＧＡ４ＰＡ３と、パタンアレイＰＡ４に関するデータＤＧＡ４ＰＡ４とが含まれている。更に、図１６に示す例では、小グループ単位のデータＤＧＡ４のヘッダＤＧＡ４Ｈに、例えば、タイプコード、図形コード、および、データＤＧＡ４のデータ長Ｌが書き込まれている。
【００８６】
図１７はセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪを含むＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１から、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５，ＤＧＡ６，ＤＧＡ７，ＤＧＡ８，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ１６，ＤＧＡ１７，ＤＧＡ１８，ＤＧＡ１９，ＤＧＡ２０，ＤＧＢ１，ＤＧＢ２，ＤＧＣ１，ＤＧＣ２，ＤＧＤ１，ＤＧＤ２，ＤＧＤ３，ＤＧＥ１，ＤＧＥ２，ＤＧＥ３，ＤＧＥ４，ＤＧＦ１，ＤＧＦ２，ＤＧＦ３，ＤＧＧ１，ＤＧＧ２，ＤＧＧ３，ＤＧＧ４，ＤＧＧ５，ＤＧＨ１，ＤＧＨ２，ＤＧＨ３，ＤＧＩ１，ＤＧＩ２，ＤＧＩ３，ＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を含む描画データ（第２段階データ）Ｄ２が作成される一例を示した図である。
【００８７】
図１７に示す例では、描画データ作成装置２０（図９参照）のグルーピングモジュール２０ｃ（図９参照）によって、階層化されたＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセル単位のデータＤＣＡから例えば２０個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５，ＤＧＡ６，ＤＧＡ７，ＤＧＡ８，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ１６，ＤＧＡ１７，ＤＧＡ１８，ＤＧＡ１９，ＤＧＡ２０が作成される。また、セル単位のデータＤＣＢから例えば２個の小グループ単位のデータＤＧＢ１，ＤＧＢ２が作成され、セル単位のデータＤＣＣから例えば２個の小グループ単位のデータＤＧＣ１，ＤＧＣ２が作成され、セル単位のデータＤＣＤから例えば３個の小グループ単位のデータＤＧＤ１，ＤＧＤ２，ＤＧＤ３が作成される。
【００８８】
更に、図１７に示す例では、描画データ作成装置２０（図９参照）のグルーピングモジュール２０ｃ（図９参照）によって、階層化されたＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセル単位のデータＤＣＥから例えば４個の小グループ単位のデータＤＧＥ１，ＤＧＥ２，ＤＧＥ３，ＤＧＥ４が作成され、セル単位のデータＤＣＦから例えば３個の小グループ単位のデータＤＧＦ１，ＤＧＦ２，ＤＧＦ３が作成され、セル単位のデータＤＣＧから例えば５個の小グループ単位のデータＤＧＧ１，ＤＧＧ２，ＤＧＧ３，ＤＧＧ４，ＤＧＧ５が作成される。
【００８９】
また、図１７に示す例では、描画データ作成装置２０（図９参照）のグルーピングモジュール２０ｃ（図９参照）によって、階層化されたＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセル単位のデータＤＣＨから例えば３個の小グループ単位のデータＤＧＨ１，ＤＧＨ２，ＤＧＨ３が作成され、セル単位のデータＤＣＩから例えば３個の小グループ単位のデータＤＧＩ１，ＤＧＩ２，ＤＧＩ３が作成され、セル単位のデータＤＣＪから例えば３個の小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が作成される。
【００９０】
第１の実施形態では、例えば図１７に示すような描画データ（第２段階データ）Ｄ２が、次いで、図１に示すように、荷電粒子ビーム描画装置１０に入力され、読み込みモジュール１０ｂ、入力用バッファ部１０ｃ、振り分けモジュール１０ｄ、クラスタ分割モジュール部１０ｅ、出力用バッファ部１０ｆおよび出力コントローラ１０ｇによって処理され、その結果、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上にパターンを描画するためのマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される。次いで、第１の実施形態では、図１に示すように、マシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が描画制御部１０ｃに入力され、描画制御部１０ｃによって描画部１０ａの制御が行われる。
【００９１】
図１８、図２０〜図２９は図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３が作成される一例を示した図である。図１９は図１７に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１が図１８に示すクラスタ分割モジュール１０ｅ１によってクラスタ分割処理される一例を示した図である。図３０は図１７に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３と、それらが振り分けられた例えば５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５（図１８参照）と、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を並列してクラスタ分割処理するのに要する総処理時間ＴＡＴとの関係の一例を示した図である。
【００９２】
詳細には、図１８は図３０の時間ｔ０の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図１８に示すように、図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２が荷電粒子ビーム描画装置１０（図１参照）に入力されると、描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれているデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・が、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれ、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１または第２バッファ１０ｃ２に格納される。
【００９３】
第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１８に示すように、入力用バッファ部１０ｃに２個のバッファ１０ｃ１，１０ｃ２が設けられている。詳細には、データ長が最も長いセル単位のデータＤＣＡ（図１７参照）を格納可能な容量（例えば２００ＭＢ）を有するバッファ１０ｃ１，１０ｃ２が２個設けられている。
【００９４】
図３０の時間ｔ０の時点においては、図１８に示すように、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれたセル１個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５，ＤＧＡ６，ＤＧＡ７，ＤＧＡ８，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ１６，ＤＧＡ１７，ＤＧＡ１８，ＤＧＡ１９，ＤＧＡ２０が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。更に、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれた例えばセル３個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＢ１，ＤＧＢ２，ＤＧＣ１，ＤＧＣ２，ＤＧＤ１，ＤＧＤ２，ＤＧＤ３が、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている。
【００９５】
また、図３０の時間ｔ０の時点においては、図１８に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【００９６】
詳細には、図１９（Ａ）は小グループ単位のデータＤＧＡ１（図１７および図１８参照）がクラスタ分割モジュール１０ｅ１（図１８参照）によってクラスタ分割処理される前におけるセルＣＬＡ（図２参照）およびそれに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，ＦＧ４，ＦＧ５，ＦＧ６，ＦＧ７，ＦＧ８，ＦＧ９，ＦＧ１０，ＦＧ１１，ＦＧ１２を示している。図１９（Ｂ）はクラスタ分割モジュール１０ｅ１によってクラスタ分割処理される前における小グループ単位のデータＤＧＡ１を示している。図１９（Ｃ）はクラスタ分割モジュール１０ｅ１によりクラスタ分割処理されて生じた例えば４個のクラスタＣＳＡ，ＣＳＢ，ＣＳＣ，ＣＳＤを示している。図１９（Ｄ）はクラスタ分割モジュール１０ｅ１によってクラスタ分割処理された後における小グループ単位のデータＤＧＡ１’を示している。
【００９７】
第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０（図１参照）では、例えば描画部１０ａ（図１参照）において多重描画（例えば特開２００７−５９４２９号公報の段落〔００２１〕等参照）を行うために、図１９に示すようなクラスタ分割処理が行われる。
【００９８】
一方、図１９に示すように、小グループ単位のデータＤＧＡ１’に含まれているクラスタ単位のデータＤＳＡには、例えば、ヘッダＤＳＡＨと、図形ＦＧ１に関するデータＤＳＡＦＧ１と、図形ＦＧ２に関するデータＤＳＡＦＧ２とが含まれている。また、小グループ単位のデータＤＧＡ１’に含まれているクラスタ単位のデータＤＳＢには、例えば、ヘッダＤＳＢＨと、図形ＦＧ３に関するデータＤＳＢＦＧ３と、図形ＦＧ４に関するデータＤＳＢＦＧ４と、図形ＦＧ５に関するデータＤＳＢＦＧ５とが含まれている。更に、小グループ単位のデータＤＧＡ１’に含まれているクラスタ単位のデータＤＳＣには、例えば、ヘッダＤＳＣＨと、図形ＦＧ６に関するデータＤＳＣＦＧ６と、図形ＦＧ７に関するデータＤＳＣＦＧ７と、図形ＦＧ８に関するデータＤＳＣＦＧ８とが含まれている。また、小グループ単位のデータＤＧＡ１’に含まれているクラスタ単位のデータＤＳＤには、例えば、ヘッダＤＳＤＨと、図形ＦＧ９に関するデータＤＳＤＦＧ９と、図形ＦＧ１０に関するデータＤＳＤＦＧ１０と、図形ＦＧ１１に関するデータＤＳＤＦＧ１１と、図形ＦＧ１２に関するデータＤＳＤＦＧ１２とが含まれている。
【００９９】
つまり、図１９（Ｂ）および図１９（Ｄ）に示すように、クラスタ分割処理が行われると、クラスタ分割処理が行われる前よりもヘッダの数が増加するため、ヘッダの数の増加分だけ、クラスタ分割処理が行われた後の小グループ単位のデータＤＧＡ’のデータ長は、クラスタ分割処理が行われる前の小グループ単位のデータＤＧＡのデータ長よりも長くなる。
【０１００】
図２０は図３０の時間ｔ１の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図３０の時間ｔ１の時点においては、図２０に示すように、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５（図１８参照）をクラスタ分割処理することによって作成された小グループ単位のデータＤＧＡ１’，ＤＧＡ２’，ＤＧＡ３’，ＤＧＡ４’，ＤＧＡ５’が、出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ１に格納されている。
【０１０１】
第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２０に示すように、出力用バッファ部１０ｆに１個のバッファ１０ｆ１が設けられている。詳細には、データ長が最も長いセル単位のデータＤＣＡ（図１７参照）を格納可能な容量（例えば２００ＭＢ）を有するバッファ１０ｆ１が１個設けられている。
【０１０２】
更に、図３０の時間ｔ１の時点においては、図２０に示すように、小グループ単位のデータＤＧＡ６，ＤＧＡ７，ＤＧＡ８，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ１６，ＤＧＡ１７，ＤＧＡ１８，ＤＧＡ１９，ＤＧＡ２０が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。更に、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれた例えばセル４個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＢ１，ＤＧＢ２，ＤＧＣ１，ＤＧＣ２，ＤＧＤ１，ＤＧＤ２，ＤＧＤ３，ＤＧＥ１，ＤＧＥ２，ＤＧＥ３，ＤＧＥ４が、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている。
【０１０３】
また、図３０の時間ｔ１の時点においては、図２０に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＡ６，ＤＧＡ７，ＤＧＡ８，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１０が、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１０４】
図２１は図３０の時間ｔ２の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図３０の時間ｔ２の時点においては、図２１に示すように、小グループ単位のデータＤＧＡ６，ＤＧＡ７，ＤＧＡ８，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１０（図２０参照）をクラスタ分割処理することによって作成された小グループ単位のデータＤＧＡ６’，ＤＧＡ７’，ＤＧＡ８’，ＤＧＡ９’，ＤＧＡ１０’が、小グループ単位のデータＤＧＡ１’，ＤＧＡ２’，ＤＧＡ３’，ＤＧＡ４’，ＤＧＡ５’と共に出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ１に格納されている。
【０１０５】
更に、図３０の時間ｔ２の時点においては、図２１に示すように、小グループ単位のデータＤＧＡ１１，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ１６，ＤＧＡ１７，ＤＧＡ１８，ＤＧＡ１９，ＤＧＡ２０が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。更に、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれた例えばセル５個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＢ１，ＤＧＢ２，ＤＧＣ１，ＤＧＣ２，ＤＧＤ１，ＤＧＤ２，ＤＧＤ３，ＤＧＥ１，ＤＧＥ２，ＤＧＥ３，ＤＧＥ４，ＤＧＦ１，ＤＧＦ２，ＤＧＦ３が、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている。
【０１０６】
また、図３０の時間ｔ２の時点においては、図２１に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＡ１１，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１５が、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１０７】
図２２は図３０の時間ｔ３の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図３０の時間ｔ３の時点においては、図２２に示すように、小グループ単位のデータＤＧＡ１１，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１５（図２１参照）をクラスタ分割処理することによって作成された小グループ単位のデータＤＧＡ１１’，ＤＧＡ１２’，ＤＧＡ１３’，ＤＧＡ１４’，ＤＧＡ１５’が、小グループ単位のデータＤＧＡ１’，ＤＧＡ２’，ＤＧＡ３’，ＤＧＡ４’，ＤＧＡ５’，ＤＧＡ６’，ＤＧＡ７’，ＤＧＡ８’，ＤＧＡ９’，ＤＧＡ１０’と共に出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ１に格納されている。
【０１０８】
更に、図３０の時間ｔ３の時点においては、図２２に示すように、小グループ単位のデータＤＧＡ１６，ＤＧＡ１７，ＤＧＡ１８，ＤＧＡ１９，ＤＧＡ２０が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。更に、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれた例えばセル６個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＢ１，ＤＧＢ２，ＤＧＣ１，ＤＧＣ２，ＤＧＤ１，ＤＧＤ２，ＤＧＤ３，ＤＧＥ１，ＤＧＥ２，ＤＧＥ３，ＤＧＥ４，ＤＧＦ１，ＤＧＦ２，ＤＧＦ３，ＤＧＧ１，ＤＧＧ２，ＤＧＧ３，ＤＧＧ４，ＤＧＧ５が、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている。
【０１０９】
また、図３０の時間ｔ３の時点においては、図２２に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＡ１６，ＤＧＡ１７，ＤＧＡ１８，ＤＧＡ１９，ＤＧＡ２０が、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１１０】
図２３は図３０の時間ｔ４の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図３０の時間ｔ４の時点においては、図２３に示すように、小グループ単位のデータＤＧＡ１６，ＤＧＡ１７，ＤＧＡ１８，ＤＧＡ１９，ＤＧＡ２０（図２２参照）をクラスタ分割処理することによって作成された小グループ単位のデータＤＧＡ１６’，ＤＧＡ１７’，ＤＧＡ１８’，ＤＧＡ１９’，ＤＧＡ２０’が、小グループ単位のデータＤＧＡ１’，ＤＧＡ２’，ＤＧＡ３’，ＤＧＡ４’，ＤＧＡ５’，ＤＧＡ６’，ＤＧＡ７’，ＤＧＡ８’，ＤＧＡ９’，ＤＧＡ１０’，ＤＧＡ１１’，ＤＧＡ１２’，ＤＧＡ１３’，ＤＧＡ１４’，ＤＧＡ１５’と共に出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ１に格納され、セル単位（図１７参照）にまとめられて出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１１１】
更に、図３０の時間ｔ４の時点においては、図２３に示すように、小グループ単位のデータＤＧＢ１，ＤＧＢ２，ＤＧＣ１，ＤＧＣ２，ＤＧＤ１，ＤＧＤ２，ＤＧＤ３，ＤＧＥ１，ＤＧＥ２，ＤＧＥ３，ＤＧＥ４，ＤＧＦ１，ＤＧＦ２，ＤＧＦ３，ＤＧＧ１，ＤＧＧ２，ＤＧＧ３，ＤＧＧ４，ＤＧＧ５が、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている。更に、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれた例えばセル１個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＨ１，ＤＧＨ２，ＤＧＨ３が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。
【０１１２】
また、図３０の時間ｔ４の時点においては、図２３に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている小グループ単位のデータＤＧＢ１，ＤＧＢ２，ＤＧＣ１，ＤＧＣ２，ＤＧＤ１が、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１１３】
図２４は図３０の時間ｔ５の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図３０の時間ｔ５の時点においては、図２４に示すように、小グループ単位のデータＤＧＢ１，ＤＧＢ２，ＤＧＣ１，ＤＧＣ２，ＤＧＤ１（図２３参照）をクラスタ分割処理することによって作成された小グループ単位のデータＤＧＢ１’，ＤＧＢ２’，ＤＧＣ１’，ＤＧＣ２’，ＤＧＤ１’が出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ１に格納され、小グループ単位のデータＤＧＢ１’，ＤＧＢ２’がセル単位（図１７参照）にまとめられて出力コントローラ１０ｇを介して出力されると共に、小グループ単位のデータＤＧＣ１’，ＤＧＣ２’がセル単位（図１７参照）にまとめられて出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１１４】
更に、図３０の時間ｔ５の時点においては、図２４に示すように、小グループ単位のデータＤＧＤ２，ＤＧＤ３，ＤＧＥ１，ＤＧＥ２，ＤＧＥ３，ＤＧＥ４，ＤＧＦ１，ＤＧＦ２，ＤＧＦ３，ＤＧＧ１，ＤＧＧ２，ＤＧＧ３，ＤＧＧ４，ＤＧＧ５が、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている。更に、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれた例えばセル２個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＨ１，ＤＧＨ２，ＤＧＨ３，ＤＧＩ１，ＤＧＩ２，ＤＧＩ３が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。
【０１１５】
また、図３０の時間ｔ５の時点においては、図２４に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている小グループ単位のデータＤＧＤ２，ＤＧＤ３，ＤＧＥ１，ＤＧＥ２，ＤＧＥ３が、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１１６】
図２５は図３０の時間ｔ６の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図３０の時間ｔ６の時点においては、図２５に示すように、小グループ単位のデータＤＧＤ２，ＤＧＤ３，ＤＧＥ１，ＤＧＥ２，ＤＧＥ３（図２４参照）をクラスタ分割処理することによって作成された小グループ単位のデータＤＧＤ２’，ＤＧＤ３’，ＤＧＥ１’，ＤＧＥ２’，ＤＧＥ３’が小グループ単位のデータＤＧＤ１’と共に出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ１に格納され、小グループ単位のデータＤＧＤ１’，ＤＧＤ２’，ＤＧＤ３’がセル単位（図１７参照）にまとめられて出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１１７】
更に、図３０の時間ｔ６の時点においては、図２５に示すように、小グループ単位のデータＤＧＥ４，ＤＧＦ１，ＤＧＦ２，ＤＧＦ３，ＤＧＧ１，ＤＧＧ２，ＤＧＧ３，ＤＧＧ４，ＤＧＧ５が、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている。更に、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれた例えばセル３個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＨ１，ＤＧＨ２，ＤＧＨ３，ＤＧＩ１，ＤＧＩ２，ＤＧＩ３，ＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。
【０１１８】
また、図３０の時間ｔ６の時点においては、図２５に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている小グループ単位のデータＤＧＥ４，ＤＧＦ１，ＤＧＦ２，ＤＧＦ３，ＤＧＧ１が、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１１９】
図２６は図３０の時間ｔ７の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図３０の時間ｔ７の時点においては、図２６に示すように、小グループ単位のデータＤＧＥ４，ＤＧＦ１，ＤＧＦ２，ＤＧＦ３，ＤＧＧ１（図２５参照）をクラスタ分割処理することによって作成された小グループ単位のデータＤＧＥ４’，ＤＧＦ１’，ＤＧＦ２’，ＤＧＦ３’，ＤＧＧ１’が小グループ単位のデータＤＧＥ１’，ＤＧＥ２’，ＤＧＥ３’と共に出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ１に格納され、小グループ単位のデータＤＧＥ１’，ＤＧＥ２’，ＤＧＥ３’，ＤＧＥ４’がセル単位（図１７参照）にまとめられて出力コントローラ１０ｇを介して出力されると共に、小グループ単位のデータＤＧＦ１’，ＤＧＦ２’，ＤＧＦ３’がセル単位（図１７参照）にまとめられて出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１２０】
更に、図３０の時間ｔ７の時点においては、図２６に示すように、小グループ単位のデータＤＧＧ２，ＤＧＧ３，ＤＧＧ４，ＤＧＧ５が、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている。更に、小グループ単位のデータＤＧＨ１，ＤＧＨ２，ＤＧＨ３，ＤＧＩ１，ＤＧＩ２，ＤＧＩ３，ＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。
【０１２１】
また、図３０の時間ｔ７の時点においては、図２６に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている小グループ単位のデータＤＧＧ２，ＤＧＧ３，ＤＧＧ４，ＤＧＧ５および入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＨ１が、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１２２】
図２７は図３０の時間ｔ８の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図３０の時間ｔ８の時点においては、図２７に示すように、小グループ単位のデータＤＧＧ２，ＤＧＧ３，ＤＧＧ４，ＤＧＧ５，ＤＧＨ１（図２６参照）をクラスタ分割処理することによって作成された小グループ単位のデータＤＧＧ２’，ＤＧＧ３’，ＤＧＧ４’，ＤＧＧ５’，ＤＧＨ１’が小グループ単位のデータＤＧＧ１’と共に出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ１に格納され、小グループ単位のデータＤＧＧ１’，ＤＧＧ２’，ＤＧＧ３’，ＤＧＧ４’，ＤＧＧ５’がセル単位（図１７参照）にまとめられて出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１２３】
更に、図３０の時間ｔ８の時点においては、図２７に示すように、小グループ単位のデータＤＧＨ２，ＤＧＨ３，ＤＧＩ１，ＤＧＩ２，ＤＧＩ３，ＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。
【０１２４】
また、図３０の時間ｔ８の時点においては、図２７に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＨ２，ＤＧＨ３，ＤＧＩ１，ＤＧＩ２，ＤＧＩ３が、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１２５】
図２８は図３０の時間ｔ９の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図３０の時間ｔ９の時点においては、図２８に示すように、小グループ単位のデータＤＧＨ２，ＤＧＨ３，ＤＧＩ１，ＤＧＩ２，ＤＧＩ３（図２７参照）をクラスタ分割処理することによって作成された小グループ単位のデータＤＧＨ２’，ＤＧＨ３’，ＤＧＩ１’，ＤＧＩ２’，ＤＧＩ３’が小グループ単位のデータＤＧＨ１’と共に出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ１に格納され、小グループ単位のデータＤＧＨ１’，ＤＧＨ２’，ＤＧＨ３’がセル単位（図１７参照）にまとめられて出力コントローラ１０ｇを介して出力されると共に、小グループ単位のデータＤＧＩ１’，ＤＧＩ２’，ＤＧＨＩ’がセル単位（図１７参照）にまとめられて出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１２６】
更に、図３０の時間ｔ９の時点においては、図２８に示すように、小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。
【０１２７】
また、図３０の時間ｔ９の時点においては、図２８に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの３個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３に振り分けられ、３個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１２８】
図２９は図３０の時間ｔ１０の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図３０の時間ｔ１０の時点においては、図２９に示すように、小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図２８参照）をクラスタ分割処理することによって作成された小グループ単位のデータＤＧＪ１’，ＤＧＪ２’，ＤＧＪ３’が出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ１に格納され、小グループ単位のデータＤＧＪ１’，ＤＧＪ２’，ＤＧＪ３’がセル単位（図１７参照）にまとめられて出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１２９】
その結果、クラスタ分割処理された複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１’，ＤＧＡ２’，・・，ＤＧＪ２’，ＤＧＪ３’を含む、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上にパターンを描画するためのマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３（図１参照）が作成される。
【０１３０】
つまり、第１の実施形態における図１７〜図３０に示す例では、図３０の時間ｔ９の時点から、クラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３における小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３のクラスタ分割処理が終了する時間ｔ１０の時点までの間（時間ｔ９〜ｔ１０）が、クラスタ分割モジュール１０ｅ４，１０ｅ５のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になる。
【０１３１】
次に、複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が並列してクラスタ分割処理される第１の実施形態と比較するために、複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）が並列してクラスタ分割処理される一般的な荷電粒子ビーム描画データ作成方法について説明する。
【０１３２】
図３１〜図３９は複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）を並列してクラスタ分割処理することにより、描画データ（第２段階データ）Ｄ２（図１参照）からマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３（図１参照）が作成される一例を示した図である。
【０１３３】
詳細には、図３１は図４０（Ａ）の時間ｔ０の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図３１に示すように、一般的な荷電粒子ビーム描画データ作成方法では、描画データ（第２段階データ）Ｄ２が荷電粒子ビーム描画装置１０（図１参照）に入力されると、描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれているセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・が、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれ、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ２，１０ｃ３，１０ｃ４，１０ｃ５，１０ｃ６，１０ｃ７，１０ｃ８，１０ｃ９，１０ｃ１０に格納される。
【０１３４】
一般的な荷電粒子ビーム描画データ作成方法に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図３１に示すように、クラスタ分割モジュール部１０ｅのクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５の数（５個）の２倍の１０個のバッファ１０ｃ１，１０ｃ２，１０ｃ３，１０ｃ４，１０ｃ５，１０ｃ６，１０ｃ７，１０ｃ８，１０ｃ９，１０ｃ１０が、入力用バッファ部１０ｃに設けられている。詳細には、データ長が最も長いセル単位のデータＤＣＡ（図１７参照）を格納可能な容量（例えば２００ＭＢ）を有するバッファ１０ｃ１，１０ｃ２，１０ｃ３，１０ｃ４，１０ｃ５，１０ｃ６，１０ｃ７，１０ｃ８，１０ｃ９，１０ｃ１０が１０個設けられている。
【０１３５】
図４０（Ａ）の時間ｔ０の時点においては、図３１に示すように、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれた例えばセル５個分に相当するデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥが、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ２，１０ｃ３，１０ｃ４，１０ｃ５に格納されている。更に、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれた例えばセル５個分に相当するデータＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪが、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ６，１０ｃ７，１０ｃ８，１０ｃ９，１０ｃ１０に格納されている。
【０１３６】
また、図４０（Ａ）の時間ｔ０の時点においては、図３１に示すように、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ２，１０ｃ３，１０ｃ４，１０ｃ５に格納されているセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥが、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１３７】
図３２は図４０（Ａ）の時間ｔ１１の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図４０（Ａ）の時間ｔ１１の時点は、図３０および図４０（Ｂ）の時間ｔ２の時点に概略相当する。図４０（Ａ）の時間ｔ１１の時点においては、図３２に示すように、セル単位のデータＤＣＢ，ＤＣＣ（図３１参照）をクラスタ分割処理することによって作成されたセル単位のデータＤＣＢ’，ＤＣＣ’が、出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ２，１０ｆ３に格納され、出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１３８】
一般的な荷電粒子ビーム描画データ作成方法に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図３２に示すように、クラスタ分割モジュール部１０ｅのクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５の数（５個）と同数の５個のバッファ１０ｆ１，１０ｆ２，１０ｆ３，１０ｆ４，１０ｆ５が、各クラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に対応して出力用バッファ部１０ｆに設けられている。詳細には、データ長が最も長いセル単位のデータＤＣＡ（図１７参照）を格納可能な容量（例えば２００ＭＢ）を有するバッファ１０ｆ１，１０ｆ２，１０ｆ３，１０ｆ４，１０ｆ５が５個設けられている。
【０１３９】
更に、図４０（Ａ）の時間ｔ１１の時点においては、図３２に示すように、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪが、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ４，１０ｃ５，１０ｃ６，１０ｃ７，１０ｃ８，１０ｃ９，１０ｃ１０に格納されている。
【０１４０】
また、図４０（Ａ）の時間ｔ１１の時点においては、図３２に示すように、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ４，１０ｃ５，１０ｃ６，１０ｃ７に格納されているセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧが、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１４１】
図３３は図４０（Ａ）の時間ｔ１２の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図４０（Ａ）の時間ｔ１２の時点は、図３０および図４０（Ｂ）の時間ｔ３の時点に概略相当する。図４０（Ａ）の時間ｔ１２の時点においては、図３３に示すように、セル単位のデータＤＣＤ（図３２参照）をクラスタ分割処理することによって作成されたセル単位のデータＤＣＤ’が、出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ４に格納され、出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１４２】
更に、図４０（Ａ）の時間ｔ１２の時点においては、図３３に示すように、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪが、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ５，１０ｃ６，１０ｃ７，１０ｃ８，１０ｃ９，１０ｃ１０に格納されている。
【０１４３】
また、図４０（Ａ）の時間ｔ１２の時点においては、図３３に示すように、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ５，１０ｃ６，１０ｃ７，１０ｃ８に格納されているセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨが、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１４４】
図３４は図４０（Ａ）の時間ｔ１３の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図４０（Ａ）の時間ｔ１３の時点は、図３０および図４０（Ｂ）の時間ｔ４の時点に概略相当する。図４０（Ａ）の時間ｔ１３の時点においては、図３４に示すように、セル単位のデータＤＣＥ（図３３参照）をクラスタ分割処理することによって作成されたセル単位のデータＤＣＥ’が、出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ５に格納され、出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１４５】
更に、図４０（Ａ）の時間ｔ１３の時点においては、図３４に示すように、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪが、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ６，１０ｃ７，１０ｃ８，１０ｃ９，１０ｃ１０に格納されている。
【０１４６】
また、図４０（Ａ）の時間ｔ１３の時点においては、図３４に示すように、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ６，１０ｃ７，１０ｃ８，１０ｃ９に格納されているセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩが、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１４７】
図３５は図４０（Ａ）の時間ｔ１４の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図４０（Ａ）の時間ｔ１４の時点は、図３０および図４０（Ｂ）の時間ｔ５の時点に概略相当する。図４０（Ａ）の時間ｔ１４の時点においては、図３５に示すように、セル単位のデータＤＣＦ（図３４参照）をクラスタ分割処理することによって作成されたセル単位のデータＤＣＦ’が、出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ２に格納され、出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１４８】
更に、図４０（Ａ）の時間ｔ１４の時点においては、図３５に示すように、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪが、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ７，１０ｃ８，１０ｃ９，１０ｃ１０に格納されている。
【０１４９】
また、図４０（Ａ）の時間ｔ１４の時点においては、図３５に示すように、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ７，１０ｃ８，１０ｃ９，１０ｃ１０に格納されているセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪが、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられ、５個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１５０】
図３６は図４０（Ａ）の時間ｔ１５の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図４０（Ａ）の時間ｔ１５の時点は、図３０および図４０（Ｂ）の時間ｔ６の時点に概略相当する。図４０（Ａ）の時間ｔ１５の時点においては、図３６に示すように、セル単位のデータＤＣＨ（図３５参照）をクラスタ分割処理することによって作成されたセル単位のデータＤＣＨ’が、出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ４に格納され、出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１５１】
更に、図４０（Ａ）の時間ｔ１５の時点においては、図３６に示すように、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＧ，ＤＣＩ，ＤＣＪが、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ７，１０ｃ９，１０ｃ１０に格納されている。
【０１５２】
また、図４０（Ａ）の時間ｔ１５の時点においては、図３６に示すように、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ７，１０ｃ９，１０ｃ１０に格納されているセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＧ，ＤＣＩ，ＤＣＪが、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの４個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ５に振り分けられ、４個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１５３】
図３７は図４０（Ａ）の時間ｔ１６の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図４０（Ａ）の時間ｔ１６の時点は、図３０および図４０（Ｂ）の時間ｔ７の時点に概略相当する。図４０（Ａ）の時間ｔ１６の時点においては、図３７に示すように、セル単位のデータＤＣＧ，ＤＣＩ（図３６参照）をクラスタ分割処理することによって作成されたセル単位のデータＤＣＧ’，ＤＣＩ’が、出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ３，１０ｆ５に格納され、出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１５４】
更に、図４０（Ａ）の時間ｔ１６の時点においては、図３７に示すように、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＪが、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ１０に格納されている。
【０１５５】
また、図４０（Ａ）の時間ｔ１６の時点においては、図３７に示すように、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１，１０ｃ１０に格納されているセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＪが、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅの２個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２に振り分けられ、２個のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２によって並列してクラスタ分割処理されている。
【０１５６】
図３８は図４０（Ａ）の時間ｔ１７の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図４０（Ａ）の時間ｔ１７の時点は、図３０および図４０（Ｂ）の時間ｔ８の時点に概略相当する。図４０（Ａ）の時間ｔ１７の時点においては、図３８に示すように、セル単位のデータＤＣＪ（図３７参照）をクラスタ分割処理することによって作成されたセル単位のデータＤＣＪ’が、出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ２に格納され、出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１５７】
更に、図４０（Ａ）の時間ｔ１７の時点においては、図３８に示すように、セル単位のデータＤＣＡが、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１に格納されている。
【０１５８】
また、図４０（Ａ）の時間ｔ１７の時点においては、図３８に示すように、入力用バッファ部１０ｃのバッファ１０ｃ１に格納されているセル単位のデータＤＣＡが、振り分けモジュール１０ｄによってクラスタ分割モジュール部１０ｅのクラスタ分割モジュール１０ｅ１に振り分けられ、クラスタ分割モジュール１０ｅ１によってクラスタ分割処理されている。
【０１５９】
図３９は図４０（Ａ）の時間ｔ１８の時点におけるクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５などの処理状況を示した図である。図４０（Ａ）の時間ｔ１８の時点においては、図３９に示すように、セル単位のデータＤＣＡ（図３８参照）をクラスタ分割処理することによって作成されたセル単位のデータＤＣＡ’が、出力用バッファ部１０ｆのバッファ１０ｆ１に格納され、出力コントローラ１０ｇを介して出力される。
【０１６０】
その結果、クラスタ分割処理された複数のセル単位のデータＤＣＡ’，ＤＣＢ’，・・，ＤＣＩ’，ＤＣＪ’を含む、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上にパターンを描画するためのマシンデータ（第３段階データ）Ｄ３（図１参照）が作成される。
【０１６１】
つまり、一般的な荷電粒子ビーム描画データ作成方法における図３１〜図３９、図４０（Ａ）に示す例では、図４０（Ａ）の時間ｔ１５の時点（図３０および図４０（Ｂ）の時間ｔ６の時点）から、クラスタ分割モジュール１０ｅ１におけるセル単位のデータＤＣＡのクラスタ分割処理が終了する時間ｔ１８の時点までの長い間（時間ｔ１５〜ｔ１８）が、クラスタ分割モジュール１０ｅ４のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。また、図４０（Ａ）の時間ｔ１６の時点（図３０および図４０（Ｂ）の時間ｔ７の時点）から、クラスタ分割モジュール１０ｅ１におけるセル単位のデータＤＣＡのクラスタ分割処理が終了する時間ｔ１８の時点までの長い間（時間ｔ１６〜ｔ１８）が、クラスタ分割モジュール１０ｅ３，１０ｅ５のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。更に、図４０（Ａ）の時間ｔ１７の時点（図３０および図４０（Ｂ）の時間ｔ８の時点）から、クラスタ分割モジュール１０ｅ１におけるセル単位のデータＤＣＡのクラスタ分割処理が終了する時間ｔ１８の時点までの長い間（時間ｔ１７〜ｔ１８）が、クラスタ分割モジュール１０ｅ２のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。
【０１６２】
それに対し、第１の実施形態では、図１７〜図３０に示すように、複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられた複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理される。
【０１６３】
そのため、第１の実施形態では、図３０に示すように、合計のデータ長が短い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ４，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１９，ＤＧＣ２，ＤＧＥ２，ＤＧＦ３，ＤＧＧ５，ＤＧＩ２が振り分けられたクラスタ分割モジュール１０ｅ４におけるクラスタ分割処理、および、合計のデータ長が短い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ５，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ２０，ＤＧＤ１，ＤＧＥ３，ＤＧＧ１，ＤＧＨ１，ＤＧＩ３が振り分けられたクラスタ分割モジュール１０ｅ５におけるクラスタ分割処理が終了した時点（図３０の時間ｔ９）から、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ６，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１６，ＤＧＢ１，ＤＧＤ２，ＤＧＥ４，ＤＧＧ２，ＤＧＨ２，ＤＧＪ１が振り分けられたクラスタ分割モジュール１０ｅ１におけるクラスタ分割処理、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ２，ＤＧＡ７，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１７，ＤＧＢ２，ＤＧＤ３，ＤＧＦ１，ＤＧＧ３，ＤＧＨ３，ＤＧＪ２が振り分けられたクラスタ分割モジュール１０ｅ２におけるクラスタ分割処理、および、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ３，ＤＧＡ８，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１８，ＤＧＣ１，ＤＧＥ１，ＤＧＦ２，ＤＧＧ４，ＤＧＩ１，ＤＧＪ３が振り分けられたクラスタ分割モジュール１０ｅ３におけるクラスタ分割処理が終了する時点（図３０の時間ｔ１０）までの間の待ち時間（アイドルタイム）が、図４０（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビーム描画データ作成方法の待ち時間（アイドルタイム）よりも短くなる。
【０１６４】
つまり、第１の実施形態によれば、図４０（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビーム描画データ作成方法のように、複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられた複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪが、複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理される場合よりも、クラスタ分割モジュール１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５における待ち時間（アイドルタイム）を低減することができる。
【０１６５】
その結果、第１の実施形態によれば、図４０（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビーム描画データ作成方法のように、複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられた複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪが、複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理される場合よりも、並列してクラスタ分割処理を行うのに要する総処理時間（ＴＡＴ’→ＴＡＴ）（図４０参照）を短縮することができる。
【０１６６】
更に、第１の実施形態では、描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれる各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３のデータ長が所定値以下になるように、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を含む描画データ（第２段階データ）Ｄ２が作成される。
【０１６７】
詳細には、第１の実施形態では、例えば図１７〜図３０に示す例のように、描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれる各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３のデータ長が、データ長が最も長いセル単位のデータＤＣＡのｎ分の１以下になるように、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を含む描画データ（第２段階データ）Ｄ２が作成される（ｎはクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５の数）。
【０１６８】
例えば図１７〜図３０に示す例のようにすることにより、第１の実施形態によれば、例えば図３１〜図３９、図４０（Ａ）に示すように、各クラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられたセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，・・が各クラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理される場合よりも、クラスタ分割処理に必要な入力用バッファ部１０ｃおよび出力用バッファ部１０ｆの容量を小さく抑えることができる。
【０１６９】
詳細には、例えば図１７〜図３０に示す例のようにすることにより、第１の実施形態によれば、クラスタ分割処理に必要な入力用バッファ部１０ｃおよび出力用バッファ部１０ｆの容量を、図３１〜図３９、図４０（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビーム描画データ作成方法のｎ分の１に抑えることができる（ｎはクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５の数）。
【０１７０】
また、第１の実施形態では、例えば図１７〜図３０に示す例のように、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３のデータ長がほぼ均一になるように、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が作成される。
【０１７１】
例えば図１７〜図３０に示す例のようにすることにより、第１の実施形態によれば、あるクラスタ分割モジュール１０ｅ１における処理時間が他のクラスタ分割モジュール１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５における処理時間に比べて突出して長くなるのに伴って、並列してクラスタ分割処理を行うのに要する総処理時間ＴＡＴが長くなってしまうのを回避することができる。
【０１７２】
更に、第１の実施形態では、例えば図１７〜図３０に示す例のように、クラスタ分割モジュール１０ｅ１に振り分けられる小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ６，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１６，ＤＧＢ１，ＤＧＤ２，ＤＧＥ４，ＤＧＧ２，ＤＧＨ２，ＤＧＪ１のデータ長と、クラスタ分割モジュール１０ｅ２に振り分けられる小グループ単位のデータＤＧＡ２，ＤＧＡ７，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１７，ＤＧＢ２，ＤＧＤ３，ＤＧＦ１，ＤＧＧ３，ＤＧＨ３，ＤＧＪ２のデータ長と、クラスタ分割モジュール１０ｅ３に振り分けられる小グループ単位のデータＤＧＡ３，ＤＧＡ８，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１８，ＤＧＣ１，ＤＧＥ１，ＤＧＦ２，ＤＧＧ４，ＤＧＩ１，ＤＧＪ３のデータ長と、クラスタ分割モジュール１０ｅ４に振り分けられる小グループ単位のデータＤＧＡ４，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１９，ＤＧＣ２，ＤＧＥ２，ＤＧＦ３，ＤＧＧ５，ＤＧＩ２のデータ長と、クラスタ分割モジュール１０ｅ５に振り分けられる小グループ単位のデータＤＧＡ５，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ２０，ＤＧＤ１，ＤＧＥ３，ＤＧＧ１，ＤＧＨ１，ＤＧＩ３のデータ長との差が少なくなるように、複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けられる。
【０１７３】
例えば図１７〜図３０に示す例のようにすることにより、第１の実施形態によれば、クラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３における処理時間と、クラスタ分割モジュール１０ｅ４，１０ｅ５における処理時間との差を小さくすることができる。
【０１７４】
また、第１の実施形態では、例えば図１１〜図１６に示す例のように、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５のヘッダ内に、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５のデータ長を直接的または間接的に示す情報が含められる。
【０１７５】
例えば図１１〜図１６に示す例のようにすることにより、第１の実施形態によれば、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５のヘッダ内に小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５のデータ長を示す情報が含められない場合よりも、各クラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５における処理時間がほぼ均等になるように複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５・・を複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けるのを容易にすることができる。
【０１７６】
図１０および図１７に示す例では、１個のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・から２個以上の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＢ１，ＤＧＢ２，・・が作成されるが、第１の実施形態では、例えば、セル単位のデータＤＣＡのデータ長が短い場合には、１個のセル単位のデータＤＣＡから１個のみの小グループ単位のデータＤＧＡが作成されることもある。
【０１７７】
図４１は図９に示すＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセル単位のデータＤＣＡから、例えば４個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４が作成される一例を示した図である。図４１に示す例では、描画データ作成装置２０（図９参照）のグルーピングモジュール２０ｃ（図９参照）によって、階層化されたＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセル単位のデータＤＣＡから、例えば４個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４が作成される。
【０１７８】
詳細には、図４１に示す例では、フラット（ＦＬ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＦＬを例えば２個に分割することにより、２個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２が作成される。また、パタンアレイ（ＰＡ１）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ１と、パタンアレイ（ＰＡ２）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ２と、パタンアレイ（ＰＡ３）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ３と、パタンアレイ（ＰＡ４）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ４と、パタンアレイ（ＰＡ５）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＰＡ５とをまとめることにより、１個の小グループ単位のデータＤＧＡ３が作成される。更に、フラット（ＦＬ）タイプまたはパタンアレイ（ＰＡ）タイプのデータＤＣＡＷＰ１と、フラット（ＦＬ）タイプまたはパタンアレイ（ＰＡ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＷＰ２と、フラット（ＦＬ）タイプまたはパタンアレイ（ＰＡ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＷＰ３とをラッパー（ＷＰ）タイプのフォーマットでまとめることにより、１個の小グループ単位のデータＤＧＡ４が作成される。
【０１７９】
フラット（ＦＬ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＦＬに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・は、例えば図５に示すような長方形によって構成されている。それに対し、フラット（ＦＬ）タイプまたはパタンアレイ（ＰＡ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＷＰ１に含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・は、例えば三角形（図示せず）によって構成されている。また、フラット（ＦＬ）タイプまたはパタンアレイ（ＰＡ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＷＰ２に含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・は、例えば台形（図示せず）によって構成されている。更に、フラット（ＦＬ）タイプまたはパタンアレイ（ＰＡ）タイプのフォーマットのデータＤＣＡＷＰ３に含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・は、例えば長方形、台形以外の四角形（図示せず）によって構成されている。
【０１８０】
更に、図４１に示す例では、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４のデータ長が所定値（Ｌｍａｘ）以下になるように、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４が作成される。詳細には、例えば入力用バッファ部１０ｃ（図１参照）、出力用バッファ部１０ｆ（図１参照）などの処理負荷が所定値以下になるように、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４が作成される。つまり、例えば入力用バッファ部１０ｃ（図１参照）、出力用バッファ部１０ｆ（図１参照）などの容量が所定値以下になるように、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が作成される。
【０１８１】
また、図４１に示す例では、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４のデータ長ができるだけ均一になるように、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４が作成される。
【０１８２】
更に、図４１に示す例では、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４が作成される前におけるセル単位のデータＤＣＡのデータ長Ｌｃｅｌｌ’と、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４が作成された後におけるセル単位のデータＤＣＡのデータ長Ｌｃｅｌｌとがほぼ等しくなっている。
【０１８３】
図４２は図９に示すＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセル単位のデータＤＣＡから、例えば４個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４が作成される他の例を示した図である。図４２に示す例では、描画データ作成装置２０（図９参照）のグルーピングモジュール２０ｃ（図９参照）によって、階層化されたＣＡＤデータ（第１段階データ）Ｄ１に含まれているセル単位のデータＤＣＡから、例えば４個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４が作成される。
【０１８４】
図４１に示す例では、例えば４個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４を含むセル単位のデータＤＣＡに、セル単位のデータＤＣＡのデータ長Ｌｃｅｌｌを示す情報を有するヘッダＤＣＡＨが含められているが、図４２に示す例では、例えば４個の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４を含むセル単位のデータＤＣＡに、セル単位のデータＤＣＡのデータ長Ｌｃｅｌｌを示す情報を有するヘッダＤＣＡＨと、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４のデータ長を示す情報を有するポインタ列部とが、含められている。
【０１８５】
詳細には、図４２に示す例では、ポインタ列部が占めるデータ長Ｌｐｔが、ポインタ列部のポインタ列長に書き込まれている。また、セル単位のデータＤＣＡの先頭から小グループ単位のデータＤＧＡ１の末尾までのデータ長ａｄｒｓ１が、ポインタ列部のポインタ（ａｄｒｓ１）に書き込まれている。つまり、セル単位のデータＤＣＡの先頭から小グループ単位のデータＤＧＡ１の末尾までのデータ長ａｄｒｓ１から、ヘッダＤＣＡＨが占めるバイト数４と、ポインタ列部が占めるデータ長Ｌｐｔとを減ずることにより、小グループ単位のデータＤＧＡ１のデータ長を算出することができる。
【０１８６】
更に、図４２に示す例では、セル単位のデータＤＣＡの先頭から小グループ単位のデータＤＧＡ２の末尾までのデータ長ａｄｒｓ２が、ポインタ列部のポインタ（ａｄｒｓ２）に書き込まれている。つまり、データ長ａｄｒｓ２からデータ長ａｄｒｓ１を減ずることにより、小グループ単位のデータＤＧＡ２のデータ長を算出することができる。
【０１８７】
また、図４２に示す例では、セル単位のデータＤＣＡの先頭から小グループ単位のデータＤＧＡ３の末尾までのデータ長ａｄｒｓ３が、ポインタ列部のポインタ（ａｄｒｓ３）に書き込まれている。つまり、データ長ａｄｒｓ３からデータ長ａｄｒｓ２を減ずることにより、小グループ単位のデータＤＧＡ３のデータ長を算出することができる。
【０１８８】
更に、図４２に示す例では、セル単位のデータＤＣＡのデータ長Ｌｃｅｌｌからデータ長ａｄｒｓ３を減ずることにより、小グループ単位のデータＤＧＡ４のデータ長を算出することができる。
【０１８９】
例えば図４２に示す例のようにすることにより、第１の実施形態によれば、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４が実際に読み込まれる前に、セル単位のデータＤＣＡのヘッダＤＣＡＨおよびポインタ列部のみを読み込むことにより、各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４のデータ長を把握することができる。
【０１９０】
つまり、例えば図４２に示す例のようにすることにより、第１の実施形態によれば、セル単位のデータＤＣＡに各小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４のデータ長を示す情報を有するポインタ列部が含められていない場合よりも、例えば各クラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５における処理時間がほぼ均等になるように複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，・・を複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，１０ｅ２，１０ｅ３，１０ｅ４，１０ｅ５に振り分けるのを容易にすることができる。
【０１９１】
図１に示す例では、複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成するための描画データ作成装置２０が荷電粒子ビーム描画装置１０とは別個に設けられているが、他の例では、複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成するための機能を荷電粒子ビーム描画装置１０に含めることも可能である。つまり、この例では、階層化された第１段階データＤ１（図１および図１７参照）に含まれているセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成することにより、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を含む階層化された第２段階データＤ２（図１および図１７参照）を作成する手順と、階層化された第２段階データＤ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，・・，１０ｅ５（図１８参照）に振り分ける手順と、複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，・・，１０ｅ５に振り分けられた複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を、複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，・・，１０ｅ５によって並列してクラスタ分割処理する手順と、クラスタ分割処理された複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１’，ＤＧＡ２’，・・，ＤＧＪ２’，ＤＧＪ３’（図２０〜図２９参照）を含む、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によってパターンを描画するための階層化された第３段階データＤ３（図１参照）を作成する手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビーム描画データ作成プログラムが、描画部１０ａ（図１参照）を有する荷電粒子ビーム描画装置１０に組み込まれている。
【０１９２】
更に他の例では、上述した荷電粒子ビーム描画データ作成プログラムが、描画部１０ａ（図１参照）を有する荷電粒子ビーム描画装置１０（図１参照）に組み込まれるのではなく、例えば、複数のクラスタ分割モジュール１０ｅ１，・・，１０ｅ５（図１８参照）においてデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を並列してクラスタ分割処理するのに要する総処理時間ＴＡＴ（図３０参照）を試算するために、描画部１０ａを有さない総処理時間ＴＡＴ試算用コンピュータに組み込まれている。
【０１９３】
以下、本発明の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０と概略同様に構成されている。
【０１９４】
図４３は第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、振り分けモジュール１０ｄによって振り分けられた描画データ（第２段階データ）Ｄ２がクラスタ分割モジュール部１０ｅに送られるが、第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、図４３に示すように、振り分けモジュール１０ｄによって振り分けられた描画データ（第２段階データ）Ｄ２がショット数算出モジュール部１０ｈに送られる。
【０１９５】
詳細には、第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図４３に示すように、このショット数算出モジュール部１０ｈにおいて、例えば描画データ作成装置２０によって作成された描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれる複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）に含まれる図形（例えば図形ＦＧ１（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照））に対応するパターンを荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数が算出される。
【０１９６】
図４４は第１から第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰを説明するための図である。第１から第３の実施形態では、図１、図４３および図４４（Ａ）に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上にパターンＰ（図４４（Ａ）参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１および図４３参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｄの例えば正方形の開口１０ａ１ｄ’（図４４（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｄの開口１０ａ１ｄ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｄの開口１０ａ１ｄ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの全部または一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｇの開口１０ａ１ｇ’（図４４（Ａ）参照）を透過せしめられる。
【０１９７】
また、第１から第３の実施形態では、図１、図４３および図４４（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｄの開口１０ａ１ｄ’（図４４（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向器１０ａ１ｆ（図１および図４３参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｇの開口１０ａ１ｇ’（図４４（Ａ）参照）を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。
【０１９８】
更に、第１から第３の実施形態では、図１、図４３および図４４（Ａ）に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｇの開口１０ａ１ｇ’（図４４（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍ上の所定の位置に所定のビーム照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｇの開口１０ａ１ｇ’（図４４（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰ（図４４（Ａ）参照）を試料Ｍ上に描画することができる。
【０１９９】
つまり、第１から第３の実施形態では、図１、図４３および図４４（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｄの開口１０ａ１ｄ’（図４４（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向器１０ａ１ｆ（図１および図４３参照）によって偏向される量および向きを制御することにより、例えば、図４４（Ｂ）に示すような最大サイズの概略正方形のパターンＰ、図４４（Ｃ）、図４４（Ｄ）および図４４（Ｅ）に示すような最大サイズのパターンＰ（図４４（Ｂ）参照）よりも小さい概略矩形（正方形または長方形）のパターンＰ、図４４（Ｆ）、図４４（Ｇ）、図４４（Ｈ）および図４４（Ｉ）に示すような最大サイズのパターンＰ（図４４（Ｂ）参照）よりも小さい概略三角形のパターンＰなどを、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができる。
【０２００】
図４５は第１から第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０において、例えば描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれる小グループ単位のデータＤＧＡ１に含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数を説明するための図である。
【０２０１】
第１から第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データ（第２段階データ）Ｄ２（図１および図４３参照）に含まれる小グループ単位のデータＤＧＡ１（図１７および図１９（Ｂ）参照）に含まれる図形ＦＧ１（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照）に対応するパターンＰ１が、最大サイズのパターンＰ（図４４（Ｂ）参照）よりも大きい場合に、図４５に示すように、複数回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図４４（Ａ）参照）のショットが行われる。
【０２０２】
詳細には、図４５に示す例では、例えば、まず最初に、図４５（Ａ）に示すように、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図４４（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図４４（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ０１が試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図４５（Ｂ）に示すように、２回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットにより、最大サイズのパターンＰと同一形状のパターンＰ０２が試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図４５（Ｃ）に示すように、３回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットにより、最大サイズのパターンＰより小さいパターンＰ０３が試料Ｍ上に描画される。
【０２０３】
次いで、例えば、図４５（Ｄ）に示すように、４回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図４４（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図４４（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ０４が試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図４５（Ｅ）に示すように、５回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットにより、最大サイズのパターンＰと同一形状のパターンＰ０５が試料Ｍ上に描画される。次いで、例えば、図４５（Ｆ）に示すように、６回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットにより、最大サイズのパターンＰより小さいパターンＰ０６が試料Ｍ上に描画される。
【０２０４】
次いで、例えば、図４５（Ｇ）に示すように、７回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図４４（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図４４（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ０７が試料Ｍ上に描画される。次いで、図４５（Ｈ）に示すように、８回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットにより、最大サイズのパターンＰより小さいパターンＰ０８が試料Ｍ上に描画される。次いで、図４５（Ｉ）に示すように、９回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットにより、最大サイズのパターンＰより小さいパターンＰ０９が試料Ｍ上に描画される。
【０２０５】
その結果、図４５に示す例では、描画データ（第２段階データ）Ｄ２（図１および図４３参照）に含まれる小グループ単位のデータＤＧＡ１（図１７および図１９（Ｂ）参照）に含まれる図形ＦＧ１（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照）に対応するパターンＰ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図４４（Ａ）参照）によって試料Ｍ上に描画される。
【０２０６】
第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図４３に示すように、描画データ作成装置２０によって作成された描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれる複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）に含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照））に対応するパターンを荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数が、ショット数算出モジュール部１０ｈによって算出される。更に、ショット数算出モジュール部１０ｈによって算出された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数が、描画制御部１０ｃに送られる。
【０２０７】
第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図４３に示すように、試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａの移動中に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に所望のパターンが描画される。更に、第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、試料Ｍに対する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が可動ステージ１０ａ２ａの移動に追従することができ、かつ、スループットを最大にすることができる可動ステージ１０ａ２ａの移動速度が、描画制御部１０ｃにおいて、ショット数算出モジュール部１０ｈによって算出された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数などに基づいて算出される（詳細については、例えば特開２０００−２１７４７号公報の段落〔０００９〕など参照）。更に、第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、算出された移動速度の値になるように、描画制御部１０ｃによって可動ステージ１０ａ２ａの移動速度が制御される。
【０２０８】
図４６および図４７は図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＡＪ３が振り分けモジュール１０ｂによって複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５に振り分けられ、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数を算出するショット数算出処理が並列して行われる一例を示した図である。図４８は図１７に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３と、それらが振り分けられた例えば５個のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５と、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を並列してショット数算出処理するのに要する総処理時間との関係の一例を示した図である。
【０２０９】
詳細には、図４６は図４８の時間ｔ０の時点におけるショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５などの処理状況を示した図である。図４６に示すように、図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２が荷電粒子ビーム描画装置１０（図４３参照）に入力されると、描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれているデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・が、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれ、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１または第２バッファ１０ｃ２に格納される。
【０２１０】
第３の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図４６に示すように、入力用バッファ部１０ｃに２個のバッファ１０ｃ１，１０ｃ２が設けられている。詳細には、データ長が最も長いセル単位のデータＤＣＡ（図１７参照）を格納可能な容量（例えば２００ＭＢ）を有するバッファ１０ｃ１，１０ｃ２が２個設けられている。
【０２１１】
図４８の時間ｔ０の時点においては、図４６に示すように、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれたセル１個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５，ＤＧＡ６，ＤＧＡ７，ＤＧＡ８，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ１６，ＤＧＡ１７，ＤＧＡ１８，ＤＧＡ１９，ＤＧＡ２０が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。更に、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれた例えばセル３個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＢ１，ＤＧＢ２，ＤＧＣ１，ＤＧＣ２，ＤＧＤ１，ＤＧＤ２，ＤＧＤ３が、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている。
【０２１２】
また、図４８の時間ｔ０の時点においては、図４６に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が、振り分けモジュール１０ｄによってショット数算出モジュール部１０ｈの５個のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５に振り分けられ、５個のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５によって並列してショット数算出処理されている。
【０２１３】
図４７は図４８の時間ｔ２９の時点におけるショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５などの処理状況を示した図である。図４８の時間ｔ２９の時点においては、図４７に示すように、小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。
【０２１４】
また、図４８の時間ｔ２９の時点においては、図４７に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、振り分けモジュール１０ｄによってショット数算出モジュール部１０ｈの３個のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３に振り分けられ、３個のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３によって並列してショット数算出処理されている。
【０２１５】
第３の実施形態では、以上のようにして、描画データ（第２段階データ）Ｄ２（図１７および図４３参照）に含まれる複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）に含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照））に対応するパターンを荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図４３参照）によって試料Ｍ（図４３参照）上に描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数が算出される。
【０２１６】
つまり、第３の実施形態における図１７、図４６〜図４８に示す例では、図４８の時間ｔ２９の時点から、ショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３における小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３のショット数算出処理が終了する時間ｔ３０の時点までの間（時間ｔ２９〜ｔ３０）が、ショット数算出モジュール１０ｈ４，１０ｈ５のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になる。
【０２１７】
次に、複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５によって複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が並列してショット数算出処理される第３の実施形態と比較するために、複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）が並列してショット数算出処理される一般的な荷電粒子ビームのショット数算出方法について説明する。
【０２１８】
図４９は荷電粒子ビーム描画装置用の描画データに含まれている複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪと、それらが振り分けられた例えば５個のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５と、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してショット数算出処理するのに要する総処理時間との関係の一例などを示した図である。
【０２１９】
つまり、一般的な荷電粒子ビームのショット数算出方法における図４９（Ａ）に示す例では、図４９（Ａ）の時間ｔ３５の時点（図４８および図４９（Ｂ）の時間ｔ２６の時点）から、ショット数算出モジュール１０ｈ１におけるセル単位のデータＤＣＡのショット数算出処理が終了する時間ｔ３８の時点までの長い間（時間ｔ３５〜ｔ３８）が、ショット数算出モジュール１０ｈ４のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。また、図４９（Ａ）の時間ｔ３６の時点（図４８および図４９（Ｂ）の時間ｔ２７の時点）から、ショット数算出モジュール１０ｈ１におけるセル単位のデータＤＣＡのショット数算出処理が終了する時間ｔ３８の時点までの長い間（時間ｔ３６〜ｔ３８）が、ショット数算出モジュール１０ｈ３，１０ｈ５のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。更に、図４９（Ａ）の時間ｔ３７の時点（図４８および図４９（Ｂ）の時間ｔ２８の時点）から、ショット数算出モジュール１０ｈ１におけるセル単位のデータＤＣＡのショット数算出処理が終了する時間ｔ３８の時点までの長い間（時間ｔ３７〜ｔ３８）が、ショット数算出モジュール１０ｈ２のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。
【０２２０】
それに対し、第３の実施形態では、図４６〜図４８に示すように、複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５に振り分けられた複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５によって並列してショット数算出処理される。
【０２２１】
そのため、第３の実施形態では、図４８に示すように、合計のデータ長が短い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ４，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１９，ＤＧＣ２，ＤＧＥ２，ＤＧＦ３，ＤＧＧ５，ＤＧＩ２が振り分けられたショット数算出モジュール１０ｈ４におけるショット数算出処理、および、合計のデータ長が短い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ５，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ２０，ＤＧＤ１，ＤＧＥ３，ＤＧＧ１，ＤＧＨ１，ＤＧＩ３が振り分けられたショット数算出モジュール１０ｈ５におけるショット数算出処理が終了した時点（図４８の時間ｔ２９）から、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ６，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１６，ＤＧＢ１，ＤＧＤ２，ＤＧＥ４，ＤＧＧ２，ＤＧＨ２，ＤＧＪ１が振り分けられたショット数算出モジュール１０ｈ１におけるショット数算出処理、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ２，ＤＧＡ７，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１７，ＤＧＢ２，ＤＧＤ３，ＤＧＦ１，ＤＧＧ３，ＤＧＨ３，ＤＧＪ２が振り分けられたショット数算出モジュール１０ｈ２におけるショット数算出処理、および、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ３，ＤＧＡ８，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１８，ＤＧＣ１，ＤＧＥ１，ＤＧＦ２，ＤＧＧ４，ＤＧＩ１，ＤＧＪ３が振り分けられたショット数算出モジュール１０ｈ３におけるショット数算出処理が終了する時点（図４８の時間ｔ３０）までの間の待ち時間（アイドルタイム）が、図４９（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビームのショット数算出方法の待ち時間（アイドルタイム）よりも短くなる。
【０２２２】
つまり、第３の実施形態によれば、図４９（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビームのショット数算出方法のように、複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５に振り分けられた複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪが、複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５によって並列してショット数算出処理される場合よりも、ショット数算出モジュール１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５における待ち時間（アイドルタイム）を低減することができる。
【０２２３】
その結果、第３の実施形態によれば、図４９（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビームのショット数算出方法のように、複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５に振り分けられた複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪが、複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４，１０ｈ５によって並列してショット数算出処理される場合よりも、並列してショット数算出処理を行うのに要する総処理時間を短縮することができる。
【０２２４】
図４３に示す例では、複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成するための描画データ作成装置２０が荷電粒子ビーム描画装置１０とは別個に設けられているが、他の例では、複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成するための機能を荷電粒子ビーム描画装置１０に含めることも可能である。つまり、この例では、階層化された第１段階データＤ１（図１７および図４３参照）に含まれているセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成することにより、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を含む階層化された第２段階データＤ２（図１７および図４３参照）を作成する手順と、階層化された第２段階データＤ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，・・，１０ｈ５（図４６参照）に振り分ける手順と、複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，・・，１０ｈ５に振り分けられた複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３から荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図４３参照）のショット数を算出するショット数算出処理を複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，・・，１０ｈ５によって並列して行う手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビームのショット数算出プログラムが、描画部１０ａ（図４３参照）を有する荷電粒子ビーム描画装置１０に組み込まれている。
【０２２５】
更に他の例では、上述した荷電粒子ビームのショット数算出プログラムが、描画部１０ａ（図４３参照）を有する荷電粒子ビーム描画装置１０（図４３参照）に組み込まれるのではなく、例えば、複数のショット数算出モジュール１０ｈ１，・・，１０ｈ５（図４６参照）においてデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を並列してショット数算出処理するのに要する総処理時間（図４８参照）を試算するために、描画部１０ａを有さない総処理時間試算用コンピュータに組み込まれている。
【０２２６】
以下、本発明の第４の実施形態について説明する。第４の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０と概略同様に構成されている。
【０２２７】
図５０は第４の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、試料Ｍとして例えばマスク（ブランク）、ウエハなどが用いられるが、第４の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、試料Ｍとして、レジスト膜が塗布されたマスク（ブランク）が用いられる。また、第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、振り分けモジュール１０ｄによって振り分けられた描画データ（第２段階データ）Ｄ２がクラスタ分割モジュール部１０ｅに送られるが、第４の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、図５０に示すように、振り分けモジュール１０ｄによって振り分けられた描画データ（第２段階データ）Ｄ２が近接効果補正モジュール部１０ｉに送られる。
【０２２８】
詳細には、第４の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図５０に示すように、近接効果補正モジュール部１０ｉにおいて、例えば描画データ作成装置２０によって作成された描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれる複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）に含まれる図形（例えば図形ＦＧ１（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照））に対応するパターンを荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料（マスク）Ｍ上に描画する場合に生じる近接効果を補正するための近接効果補正処理が行われる。
【０２２９】
図５１は近接効果を説明するための一例を示した図である。図５１に示す例では、図５１（Ａ）に示すように、例えば、図形ＦＧ２１および図形ＦＧ２２がセルＣＬＡ（図２参照）に含まれている。また、図５１に示す例では、図５１（Ｂ）に示すように、例えば、ヘッダＤＧＡ２Ｈと、図形ＦＧ２１（図５１（Ａ）参照）に関するデータＤＧＡ２ＦＧ２１と、図形ＦＧ２２（図５１（Ａ）参照）に関するデータＤＧＡ２ＦＧ２２が、小グループ単位のデータＤＧＡ２に含まれている。
【０２３０】
図５１に示す例では、図５１（Ｃ）に示すように、仮に近接効果補正処理が行われることなく、図形ＦＧ２１（図５１（Ａ）参照）に対応するパターンＰ２１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５０参照）によって試料（マスク）Ｍ（図５０参照）上に描画されると共に、図形ＦＧ２２（図５１（Ａ）参照）に対応するパターンＰ２２が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５０参照）によって試料（マスク）Ｍ（図５０参照）上に描画される場合に、パターンＰ２１およびパターンＰ２２の相互近接効果によって、パターンＰ２１に太りＰ２１ａが生じてしまうと共に、パターンＰ２２に太りＰ２２ａが生じてしまう。また、パターンＰ２１の自己近接効果によってパターンＰ２１の角部に細りＰ２１ｂが生じてしまうと共に、パターンＰ２２の自己近接効果によってパターンＰ２２の角部に細りＰ２２ｂが生じてしまう。このように、実際に描画されるパターンＰ２１，Ｐ２２の形状が近接効果によって図形ＦＧ２１，ＦＧ２２（図５１（Ａ）参照）の形状に対応する目標のパターンの形状からずれてしまうのを回避するために、第４の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図５１（Ｄ）に示すような近接効果補正処理が行われる。
【０２３１】
詳細には、第４の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０において行われる近接効果補正処理では、例えば、図５１（Ｄ）に示すように、パターンＰ２１，Ｐ２２がメッシュ状に分割され、各メッシュ内のパターン密度が算出される。次いで、例えば、隣接メッシュ間で面積密度が変化する部分の寸法変動を低減するための平滑化が行われ、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５０参照）の照射量マップ（図示せず）が作成される。更に、例えば、その照射量マップに基づいて、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットの照射量（ビーム照射時間）が決定される（例えば特開２００８−３４７８１号公報参照）。
【０２３２】
つまり、第４の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、このような近接効果補正処理を行うことにより、目標のパターンの形状に対する実際に描画されるパターンの形状のずれを低減することができる。
【０２３３】
第４の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図５０に示すように、描画データ作成装置２０によって作成された描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれる複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）に含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照））についての近接効果補正処理が、近接効果補正モジュール部１０ｉによって行われる。更に、近接効果補正モジュール部１０ｉによって補正されたデータが、描画制御部１０ｃに送られる。
【０２３４】
図５２および図５３は図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＡＪ３が振り分けモジュール１０ｂによって複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５に振り分けられ、近接効果補正処理が並列して行われる一例を示した図である。図５４は図１７に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３と、それらが振り分けられた例えば５個の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５と、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を並列して近接効果補正処理するのに要する総処理時間との関係の一例を示した図である。
【０２３５】
詳細には、図５２は図５４の時間ｔ０の時点における近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５などの処理状況を示した図である。図５２に示すように、図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２が荷電粒子ビーム描画装置１０（図５０参照）に入力されると、描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれているデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・が、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれ、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１または第２バッファ１０ｃ２に格納される。
【０２３６】
第４の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図５２に示すように、入力用バッファ部１０ｃに２個のバッファ１０ｃ１，１０ｃ２が設けられている。詳細には、データ長が最も長いセル単位のデータＤＣＡ（図１７参照）を格納可能な容量（例えば２００ＭＢ）を有するバッファ１０ｃ１，１０ｃ２が２個設けられている。
【０２３７】
図５４の時間ｔ０の時点においては、図５２に示すように、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれたセル１個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５，ＤＧＡ６，ＤＧＡ７，ＤＧＡ８，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ１６，ＤＧＡ１７，ＤＧＡ１８，ＤＧＡ１９，ＤＧＡ２０が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。更に、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれた例えばセル３個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＢ１，ＤＧＢ２，ＤＧＣ１，ＤＧＣ２，ＤＧＤ１，ＤＧＤ２，ＤＧＤ３が、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている。
【０２３８】
また、図５４の時間ｔ０の時点においては、図５２に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が、振り分けモジュール１０ｄによって近接効果補正モジュール部１０ｉの５個の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５に振り分けられ、５個の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５によって並列して近接効果補正処理されている。
【０２３９】
図５３は図５４の時間ｔ４９の時点における近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５などの処理状況を示した図である。図５４の時間ｔ４９の時点においては、図５３に示すように、小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。
【０２４０】
また、図５４の時間ｔ４９の時点においては、図５３に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、振り分けモジュール１０ｄによって近接効果補正モジュール部１０ｉの３個の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３に振り分けられ、３個の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３によって並列して近接効果補正処理されている。
【０２４１】
第４の実施形態では、以上のようにして、描画データ（第２段階データ）Ｄ２（図１７および図５０参照）に含まれる複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）に含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照））についての近接効果補正処理が行われる。
【０２４２】
つまり、第４の実施形態における図１７、図５２〜図５４に示す例では、図５４の時間ｔ４９の時点から、近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３における小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３の近接効果補正処理が終了する時間ｔ５０の時点までの間（時間ｔ４９〜ｔ５０）が、近接効果補正モジュール１０ｉ４，１０ｉ５のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になる。
【０２４３】
次に、複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５によって複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が並列して近接効果補正処理される第４の実施形態と比較するために、複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）が並列して近接効果補正処理される一般的な荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正方法について説明する。
【０２４４】
図５５は荷電粒子ビーム描画装置用の描画データに含まれている複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪと、それらが振り分けられた例えば５個の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５と、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列して近接効果補正処理するのに要する総処理時間との関係の一例などを示した図である。
【０２４５】
つまり、一般的な荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正方法における図５５（Ａ）に示す例では、図５５（Ａ）の時間ｔ５５の時点（図５４および図５５（Ｂ）の時間ｔ４６の時点）から、近接効果補正モジュール１０ｉ１におけるセル単位のデータＤＣＡの近接効果補正処理が終了する時間ｔ５８の時点までの長い間（時間ｔ５５〜ｔ５８）が、近接効果補正モジュール１０ｉ４のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。また、図５５（Ａ）の時間ｔ５６の時点（図５４および図５５（Ｂ）の時間ｔ４７の時点）から、近接効果補正モジュール１０ｉ１におけるセル単位のデータＤＣＡの近接効果補正処理が終了する時間ｔ５８の時点までの長い間（時間ｔ５６〜ｔ５８）が、近接効果補正モジュール１０ｉ３，１０ｉ５のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。更に、図５５（Ａ）の時間ｔ５７の時点（図５４および図５５（Ｂ）の時間ｔ４８の時点）から、近接効果補正モジュール１０ｉ１におけるセル単位のデータＤＣＡの近接効果補正処理が終了する時間ｔ５８の時点までの長い間（時間ｔ５７〜ｔ５８）が、近接効果補正モジュール１０ｉ２のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。
【０２４６】
それに対し、第４の実施形態では、図５２〜図５４に示すように、複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５に振り分けられた複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５によって並列して近接効果補正処理される。
【０２４７】
そのため、第４の実施形態では、図５４に示すように、合計のデータ長が短い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ４，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１９，ＤＧＣ２，ＤＧＥ２，ＤＧＦ３，ＤＧＧ５，ＤＧＩ２が振り分けられた近接効果補正モジュール１０ｉ４における近接効果補正処理、および、合計のデータ長が短い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ５，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ２０，ＤＧＤ１，ＤＧＥ３，ＤＧＧ１，ＤＧＨ１，ＤＧＩ３が振り分けられた近接効果補正モジュール１０ｉ５における近接効果補正処理が終了した時点（図５４の時間ｔ４９）から、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ６，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１６，ＤＧＢ１，ＤＧＤ２，ＤＧＥ４，ＤＧＧ２，ＤＧＨ２，ＤＧＪ１が振り分けられた近接効果補正モジュール１０ｉ１における近接効果補正処理、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ２，ＤＧＡ７，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１７，ＤＧＢ２，ＤＧＤ３，ＤＧＦ１，ＤＧＧ３，ＤＧＨ３，ＤＧＪ２が振り分けられた近接効果補正モジュール１０ｉ２における近接効果補正処理、および、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ３，ＤＧＡ８，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１８，ＤＧＣ１，ＤＧＥ１，ＤＧＦ２，ＤＧＧ４，ＤＧＩ１，ＤＧＪ３が振り分けられた近接効果補正モジュール１０ｉ３における近接効果補正処理が終了する時点（図５４の時間ｔ５０）までの間の待ち時間（アイドルタイム）が、図５５（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正方法の待ち時間（アイドルタイム）よりも短くなる。
【０２４８】
つまり、第４の実施形態によれば、図５５（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正方法のように、複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５に振り分けられた複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪが、複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５によって並列して近接効果補正処理される場合よりも、近接効果補正モジュール１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５における待ち時間（アイドルタイム）を低減することができる。
【０２４９】
その結果、第４の実施形態によれば、図５５（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正方法のように、複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５に振り分けられた複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪが、複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，１０ｉ２，１０ｉ３，１０ｉ４，１０ｉ５によって並列して近接効果補正処理される場合よりも、並列して近接効果補正処理を行うのに要する総処理時間を短縮することができる。
【０２５０】
図５０に示す例では、複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成するための描画データ作成装置２０が荷電粒子ビーム描画装置１０とは別個に設けられているが、他の例では、複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成するための機能を荷電粒子ビーム描画装置１０に含めることも可能である。つまり、この例では、階層化された第１段階データＤ１（図１７および図５０参照）に含まれているセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成することにより、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を含む階層化された第２段階データＤ２（図１７および図５０参照）を作成する手順と、階層化された第２段階データＤ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，・・，１０ｉ５（図５２参照）に振り分ける手順と、複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，・・，１０ｉ５に振り分けられた複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，・・，１０ｉ５によって並列して近接効果補正処理する手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正プログラムが、描画部１０ａ（図５０参照）を有する荷電粒子ビーム描画装置１０に組み込まれている。
【０２５１】
更に他の例では、上述した荷電粒子ビーム描画装置の近接効果補正プログラムが、描画部１０ａ（図５０参照）を有する荷電粒子ビーム描画装置１０（図５０参照）に組み込まれるのではなく、例えば、複数の近接効果補正モジュール１０ｉ１，・・，１０ｉ５（図５２参照）においてデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を並列して近接効果補正処理するのに要する総処理時間（図５４参照）を試算するために、描画部１０ａを有さない総処理時間試算用コンピュータに組み込まれている。
【０２５２】
以下、本発明の第５の実施形態について説明する。第５の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０と概略同様に構成されている。
【０２５３】
図５６は第５の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、試料Ｍとして例えばマスク（ブランク）、ウエハなどが用いられるが、第５の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、試料Ｍとして、レジスト膜が塗布されたマスク（ブランク）が用いられる。また、第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、振り分けモジュール１０ｄによって振り分けられた描画データ（第２段階データ）Ｄ２がクラスタ分割モジュール部１０ｅに送られるが、第５の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、図５６に示すように、振り分けモジュール１０ｄによって振り分けられた描画データ（第２段階データ）Ｄ２がかぶり（フォギング効果）補正モジュール部１０ｊに送られる。
【０２５４】
詳細には、第５の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図５６に示すように、かぶり補正モジュール部１０ｊにおいて、例えば描画データ作成装置２０によって作成された描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれる複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）に含まれる図形（例えば図形ＦＧ１（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照））に対応するパターンを荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料（マスク）Ｍ上に描画する場合に生じるかぶり（フォギング効果）を補正するためのかぶり（フォギング効果）補正処理が行われる。
【０２５５】
図５７はかぶり（フォグング効果）を説明するための一例を示した図である。詳細には、図５７は図５６の一部の概略拡大図である。図５７に示す例では、例えば小グループ単位のデータＤＧＡ１（図１９（Ｂ）参照）に含まれる図形ＦＧ１（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照）に対応するパターンＰ１を描画するために照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂに含まれる一部の荷電粒子１０ａ１ｂ１が、マスク基板Ｍ２上に塗布されたレジスト膜Ｍ１内において前方散乱する。更に、前方散乱した荷電粒子１０ａ１ｂ１のうちの一部の荷電粒子１０ａ１ｂ２が、マスク基板Ｍ２の上面によって反射されて後方散乱し、上述した近接効果の主な原因になる。
【０２５６】
更に、図５７に示す例では、後方散乱した荷電粒子１０ａ１ｂ２のうちの一部の荷電粒子１０ａ１ｂ３がレジスト膜Ｍ１を抜け、例えば対物レンズ１０ａ１ｈなどのような光学鏡筒１０ａ１の下部の部品の下面に到達する。また、光学鏡筒１０ａ１の下部の部品の下面に到達した荷電粒子１０ａ１ｂ３のうちの一部の荷電粒子１０ａ１ｂ４が反射され、広範囲にわたって試料Ｍ上に再照射され、かぶり（フォギング効果）の原因になる。その結果、実際に描画されるパターンＰ１の形状が、図形ＦＧ１（図１９（Ａ）参照）の形状に対応する目標のパターンの形状からずれてしまうおそれがある。
【０２５７】
この点に鑑み、第５の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、実際に描画されるパターンＰ１の形状がかぶり（フォギング効果）によって図形ＦＧ１（図１９（Ａ）参照）の形状に対応する目標のパターンの形状からずれてしまうのを回避するために、かぶり補正モジュール部１０ｊ（図５６参照）においてかぶり補正処理が行われる。具体的には、例えば、再照射される荷電粒子１０ａ１ｂ４のエネルギー分布が算出され、そのエネルギー分布に基づいて、図形ＦＧ１の形状に対応するパターンＰ１を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量などが補正される（例えば特開２００７−２５８６５９号公報参照）。更に、かぶり補正モジュール部１０ｊによって補正されたデータが、描画制御部１０ｃに送られる。
【０２５８】
図５８および図５９は図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＡＪ３が振り分けモジュール１０ｂによって複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５に振り分けられ、かぶり補正処理が並列して行われる一例を示した図である。図６０は図１７に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３と、それらが振り分けられた例えば５個のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５と、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を並列してかぶり補正処理するのに要する総処理時間との関係の一例を示した図である。
【０２５９】
詳細には、図５８は図６０の時間ｔ０の時点におけるかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５などの処理状況を示した図である。図５８に示すように、図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２が荷電粒子ビーム描画装置１０（図５６参照）に入力されると、描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれているデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・が、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれ、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１または第２バッファ１０ｃ２に格納される。
【０２６０】
第５の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図５８に示すように、入力用バッファ部１０ｃに２個のバッファ１０ｃ１，１０ｃ２が設けられている。詳細には、データ長が最も長いセル単位のデータＤＣＡ（図１７参照）を格納可能な容量（例えば２００ＭＢ）を有するバッファ１０ｃ１，１０ｃ２が２個設けられている。
【０２６１】
図６０の時間ｔ０の時点においては、図５８に示すように、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれたセル１個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５，ＤＧＡ６，ＤＧＡ７，ＤＧＡ８，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ１６，ＤＧＡ１７，ＤＧＡ１８，ＤＧＡ１９，ＤＧＡ２０が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。更に、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれた例えばセル３個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＢ１，ＤＧＢ２，ＤＧＣ１，ＤＧＣ２，ＤＧＤ１，ＤＧＤ２，ＤＧＤ３が、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている。
【０２６２】
また、図６０の時間ｔ０の時点においては、図５８に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が、振り分けモジュール１０ｄによってかぶり補正モジュール部１０ｊの５個のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５に振り分けられ、５個のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５によって並列してかぶり補正処理されている。
【０２６３】
図５９は図６０の時間ｔ６９の時点におけるかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５などの処理状況を示した図である。図６０の時間ｔ６９の時点においては、図５９に示すように、小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。
【０２６４】
また、図６０の時間ｔ６９の時点においては、図５９に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、振り分けモジュール１０ｄによってかぶり補正モジュール部１０ｊの３個のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３に振り分けられ、３個のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３によって並列してかぶり補正処理されている。
【０２６５】
第５の実施形態では、以上のようにして、描画データ（第２段階データ）Ｄ２（図１７および図５６参照）に含まれる複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）に含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照））についてのかぶり補正処理が行われる。
【０２６６】
つまり、第５の実施形態における図１７、図５８〜図６０に示す例では、図６０の時間ｔ６９の時点から、かぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３における小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３のかぶり補正処理が終了する時間ｔ７０の時点までの間（時間ｔ６９〜ｔ７０）が、かぶり補正モジュール１０ｊ４，１０ｊ５のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になる。
【０２６７】
次に、複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５によって複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が並列してかぶり補正処理される第５の実施形態と比較するために、複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）が並列してかぶり補正処理される一般的な荷電粒子ビーム描画装置のかぶり補正方法について説明する。
【０２６８】
図６１は荷電粒子ビーム描画装置用の描画データに含まれている複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪと、それらが振り分けられた例えば５個のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５と、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してかぶり補正処理するのに要する総処理時間との関係の一例などを示した図である。
【０２６９】
つまり、一般的な荷電粒子ビーム描画装置のかぶり補正方法における図６１（Ａ）に示す例では、図６１（Ａ）の時間ｔ７５の時点（図６０および図６１（Ｂ）の時間ｔ６６の時点）から、かぶり補正モジュール１０ｊ１におけるセル単位のデータＤＣＡのかぶり補正処理が終了する時間ｔ７８の時点までの長い間（時間ｔ７５〜ｔ７８）が、かぶり補正モジュール１０ｊ４のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。また、図６１（Ａ）の時間ｔ７６の時点（図６０および図６１（Ｂ）の時間ｔ６７の時点）から、かぶり補正モジュール１０ｊ１におけるセル単位のデータＤＣＡのかぶり補正処理が終了する時間ｔ７８の時点までの長い間（時間ｔ７６〜ｔ７８）が、かぶり補正モジュール１０ｊ３，１０ｊ５のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。更に、図６１（Ａ）の時間ｔ７７の時点（図６０および図６１（Ｂ）の時間ｔ６８の時点）から、かぶり補正モジュール１０ｊ１におけるセル単位のデータＤＣＡのかぶり補正処理が終了する時間ｔ７８の時点までの長い間（時間ｔ７７〜ｔ７８）が、かぶり補正モジュール１０ｊ２のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。
【０２７０】
それに対し、第５の実施形態では、図５８〜図６０に示すように、複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５に振り分けられた複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５によって並列してかぶり補正処理される。
【０２７１】
そのため、第５の実施形態では、図６０に示すように、合計のデータ長が短い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ４，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１９，ＤＧＣ２，ＤＧＥ２，ＤＧＦ３，ＤＧＧ５，ＤＧＩ２が振り分けられたかぶり補正モジュール１０ｊ４におけるかぶり補正処理、および、合計のデータ長が短い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ５，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ２０，ＤＧＤ１，ＤＧＥ３，ＤＧＧ１，ＤＧＨ１，ＤＧＩ３が振り分けられたかぶり補正モジュール１０ｊ５におけるかぶり補正処理が終了した時点（図６０の時間ｔ６９）から、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ６，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１６，ＤＧＢ１，ＤＧＤ２，ＤＧＥ４，ＤＧＧ２，ＤＧＨ２，ＤＧＪ１が振り分けられたかぶり補正モジュール１０ｊ１におけるかぶり補正処理、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ２，ＤＧＡ７，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１７，ＤＧＢ２，ＤＧＤ３，ＤＧＦ１，ＤＧＧ３，ＤＧＨ３，ＤＧＪ２が振り分けられたかぶり補正モジュール１０ｊ２におけるかぶり補正処理、および、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ３，ＤＧＡ８，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１８，ＤＧＣ１，ＤＧＥ１，ＤＧＦ２，ＤＧＧ４，ＤＧＩ１，ＤＧＪ３が振り分けられたかぶり補正モジュール１０ｊ３におけるかぶり補正処理が終了する時点（図６０の時間ｔ７０）までの間の待ち時間（アイドルタイム）が、図６１（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビーム描画装置のかぶり補正方法の待ち時間（アイドルタイム）よりも短くなる。
【０２７２】
つまり、第５の実施形態によれば、図６１（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビーム描画装置のかぶり補正方法のように、複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５に振り分けられた複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪが、複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５によって並列してかぶり補正処理される場合よりも、かぶり補正モジュール１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５における待ち時間（アイドルタイム）を低減することができる。
【０２７３】
その結果、第５の実施形態によれば、図６１（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビーム描画装置のかぶり補正方法のように、複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５に振り分けられた複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪが、複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，１０ｊ２，１０ｊ３，１０ｊ４，１０ｊ５によって並列してかぶり補正処理される場合よりも、並列してかぶり補正処理を行うのに要する総処理時間を短縮することができる。
【０２７４】
図５６に示す例では、複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成するための描画データ作成装置２０が荷電粒子ビーム描画装置１０とは別個に設けられているが、他の例では、複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成するための機能を荷電粒子ビーム描画装置１０に含めることも可能である。つまり、この例では、階層化された第１段階データＤ１（図１７および図５６参照）に含まれているセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成することにより、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を含む階層化された第２段階データＤ２（図１７および図５６参照）を作成する手順と、階層化された第２段階データＤ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，・・，１０ｊ５（図５８参照）に振り分ける手順と、複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，・・，１０ｊ５に振り分けられた複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，・・，１０ｊ５によって並列してかぶり補正処理する手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビーム描画装置のかぶり補正プログラムが、描画部１０ａ（図５６参照）を有する荷電粒子ビーム描画装置１０に組み込まれている。
【０２７５】
更に他の例では、上述した荷電粒子ビーム描画装置のかぶり補正プログラムが、描画部１０ａ（図５６参照）を有する荷電粒子ビーム描画装置１０（図５６参照）に組み込まれるのではなく、例えば、複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，・・，１０ｊ５（図５８参照）においてデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を並列してかぶり補正処理するのに要する総処理時間（図６０参照）を試算するために、描画部１０ａを有さない総処理時間試算用コンピュータに組み込まれている。
【０２７６】
以下、本発明の第６の実施形態について説明する。第６の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０と概略同様に構成されている。
【０２７７】
図６２は第６の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０および描画データ作成装置２０の概略的な構成図である。第１の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、振り分けモジュール１０ｄによって振り分けられた描画データ（第２段階データ）Ｄ２がクラスタ分割モジュール部１０ｅに送られるが、第６の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、図６２に示すように、振り分けモジュール１０ｄによって振り分けられた描画データ（第２段階データ）Ｄ２がショット分割モジュール部１０ｋに送られる。
【０２７８】
詳細には、第６の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６２に示すように、例えば、描画データ作成装置２０によって作成された描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれる複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）に含まれる図形（例えば図形ＦＧ１（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照））に対応するパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットにより描画される最大サイズのパターンＰ（図４４（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、ショット分割モジュール部１０ｋにおいて、例えば、複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）に含まれる図形（例えば図形ＦＧ１（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照））に対応するパターンを、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの複数回のショットにより描画される複数のパターンＰ０１，Ｐ０２，Ｐ０３，Ｐ０４，Ｐ０５，Ｐ０６，Ｐ０７，Ｐ０８，Ｐ０９（図４５参照）に分割するためのショット分割処理が行われる（例えば特開２００７−２４２８２３号公報の段落〔０００４〕参照）。更に、ショット分割モジュール部１０ｋによってショット分割処理されたデータが、描画制御部１０ｃに送られる。
【０２７９】
図６３および図６４は図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＡＪ３が振り分けモジュール１０ｂによって複数のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５に振り分けられ、ショット分割処理が並列して行われる一例を示した図である。図６５は図１７に示す小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３と、それらが振り分けられた例えば５個のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５と、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を並列してショット分割処理するのに要する総処理時間との関係の一例を示した図である。
【０２８０】
詳細には、図６３は図６５の時間ｔ０の時点におけるショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５などの処理状況を示した図である。図６３に示すように、図１７に示す描画データ（第２段階データ）Ｄ２が荷電粒子ビーム描画装置１０（図６２参照）に入力されると、描画データ（第２段階データ）Ｄ２に含まれているデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・が、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれ、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１または第２バッファ１０ｃ２に格納される。
【０２８１】
第６の実施形態に適用される荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６３に示すように、入力用バッファ部１０ｃに２個のバッファ１０ｃ１，１０ｃ２が設けられている。詳細には、データ長が最も長いセル単位のデータＤＣＡ（図１７参照）を格納可能な容量（例えば２００ＭＢ）を有するバッファ１０ｃ１，１０ｃ２が２個設けられている。
【０２８２】
図６５の時間ｔ０の時点においては、図６３に示すように、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれたセル１個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５，ＤＧＡ６，ＤＧＡ７，ＤＧＡ８，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ１６，ＤＧＡ１７，ＤＧＡ１８，ＤＧＡ１９，ＤＧＡ２０が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。更に、読み込みモジュール１０ｂによってセル単位で読み込まれた例えばセル３個分に相当する小グループ単位のデータＤＧＢ１，ＤＧＢ２，ＤＧＣ１，ＤＧＣ２，ＤＧＤ１，ＤＧＤ２，ＤＧＤ３が、入力用バッファ部１０ｃの第２バッファ１０ｃ２に格納されている。
【０２８３】
また、図６５の時間ｔ０の時点においては、図６３に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，ＤＧＡ３，ＤＧＡ４，ＤＧＡ５が、振り分けモジュール１０ｄによってショット分割モジュール部１０ｋの５個のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５に振り分けられ、５個のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５によって並列してショット分割処理されている。
【０２８４】
図６４は図６５の時間ｔ８９の時点におけるショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５などの処理状況を示した図である。図６５の時間ｔ８９の時点においては、図６４に示すように、小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている。
【０２８５】
また、図６５の時間ｔ８９の時点においては、図６４に示すように、入力用バッファ部１０ｃの第１バッファ１０ｃ１に格納されている小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、振り分けモジュール１０ｄによってショット分割モジュール部１０ｋの３個のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３に振り分けられ、３個のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３によって並列してショット分割処理されている。
【０２８６】
第６の実施形態では、以上のようにして、描画データ（第２段階データ）Ｄ２（図１７および図６２参照）に含まれる複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）に含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照））についてのショット分割処理が行われる。
【０２８７】
つまり、第６の実施形態における図１７、図６３〜図６５に示す例では、図６５の時間ｔ８９の時点から、ショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３における小グループ単位のデータＤＧＪ１，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３のショット分割処理が終了する時間ｔ９０の時点までの間（時間ｔ８９〜ｔ９０）が、ショット分割モジュール１０ｋ４，１０ｋ５のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になる。
【０２８８】
次に、複数のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５によって複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が並列してショット分割処理される第６の実施形態と比較するために、複数のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５によって複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）が並列してショット分割処理される一般的な荷電粒子ビーム描画装置のショット分割方法について説明する。
【０２８９】
図６６は荷電粒子ビーム描画装置用の描画データに含まれている複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪと、それらが振り分けられた例えば５個のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５と、セル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，ＤＣＣ，ＤＣＤ，ＤＣＥ，ＤＣＦ，ＤＣＧ，ＤＣＨ，ＤＣＩ，ＤＣＪを並列してショット分割処理するのに要する総処理時間との関係の一例などを示した図である。
【０２９０】
つまり、一般的な荷電粒子ビーム描画装置のショット分割方法における図６６（Ａ）に示す例では、図６６（Ａ）の時間ｔ９５の時点（図６５および図６６（Ｂ）の時間ｔ８６の時点）から、ショット分割モジュール１０ｋ１におけるセル単位のデータＤＣＡのショット分割処理が終了する時間ｔ９８の時点までの長い間（時間ｔ９５〜ｔ９８）が、ショット分割モジュール１０ｋ４のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。また、図６６（Ａ）の時間ｔ９６の時点（図６５および図６６（Ｂ）の時間ｔ８７の時点）から、ショット分割モジュール１０ｋ１におけるセル単位のデータＤＣＡのショット分割処理が終了する時間ｔ９８の時点までの長い間（時間ｔ９６〜ｔ９８）が、ショット分割モジュール１０ｋ３，１０ｋ５のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。更に、図６６（Ａ）の時間ｔ９７の時点（図６５および図６６（Ｂ）の時間ｔ８８の時点）から、ショット分割モジュール１０ｋ１におけるセル単位のデータＤＣＡのショット分割処理が終了する時間ｔ９８の時点までの長い間（時間ｔ９７〜ｔ９８）が、ショット分割モジュール１０ｋ２のアイドルタイム（無駄な待ち時間）になってしまう。
【０２９１】
それに対し、第６の実施形態では、図６３〜図６５に示すように、複数のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５に振り分けられた複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３が、複数のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５によって並列してショット分割処理される。
【０２９２】
そのため、第６の実施形態では、図６５に示すように、合計のデータ長が短い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ４，ＤＧＡ９，ＤＧＡ１４，ＤＧＡ１９，ＤＧＣ２，ＤＧＥ２，ＤＧＦ３，ＤＧＧ５，ＤＧＩ２が振り分けられたショット分割モジュール１０ｋ４におけるショット分割処理、および、合計のデータ長が短い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ５，ＤＧＡ１０，ＤＧＡ１５，ＤＧＡ２０，ＤＧＤ１，ＤＧＥ３，ＤＧＧ１，ＤＧＨ１，ＤＧＩ３が振り分けられたショット分割モジュール１０ｋ５におけるショット分割処理が終了した時点（図６５の時間ｔ８９）から、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ６，ＤＧＡ１１，ＤＧＡ１６，ＤＧＢ１，ＤＧＤ２，ＤＧＥ４，ＤＧＧ２，ＤＧＨ２，ＤＧＪ１が振り分けられたショット分割モジュール１０ｋ１におけるショット分割処理、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ２，ＤＧＡ７，ＤＧＡ１２，ＤＧＡ１７，ＤＧＢ２，ＤＧＤ３，ＤＧＦ１，ＤＧＧ３，ＤＧＨ３，ＤＧＪ２が振り分けられたショット分割モジュール１０ｋ２におけるショット分割処理、および、合計のデータ長が長い複数の小グループ単位のデータＤＧＡ３，ＤＧＡ８，ＤＧＡ１３，ＤＧＡ１８，ＤＧＣ１，ＤＧＥ１，ＤＧＦ２，ＤＧＧ４，ＤＧＩ１，ＤＧＪ３が振り分けられたショット分割モジュール１０ｋ３におけるショット分割処理が終了する時点（図６５の時間ｔ９０）までの間の待ち時間（アイドルタイム）が、図６６（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビーム描画装置のショット分割方法の待ち時間（アイドルタイム）よりも短くなる。
【０２９３】
つまり、第６の実施形態によれば、図６６（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビーム描画装置のショット分割方法のように、複数のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５に振り分けられた複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪが、複数のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５によって並列してショット分割処理される場合よりも、ショット分割モジュール１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５における待ち時間（アイドルタイム）を低減することができる。
【０２９４】
その結果、第６の実施形態によれば、図６６（Ａ）に示す一般的な荷電粒子ビーム描画装置のショット分割方法のように、複数のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５に振り分けられた複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪが、複数のショット分割モジュール１０ｋ１，１０ｋ２，１０ｋ３，１０ｋ４，１０ｋ５によって並列してショット分割処理される場合よりも、並列してショット分割処理を行うのに要する総処理時間を短縮することができる。
【０２９５】
図６２に示す例では、複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成するための描画データ作成装置２０が荷電粒子ビーム描画装置１０とは別個に設けられているが、他の例では、複数のセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成するための機能を荷電粒子ビーム描画装置１０に含めることも可能である。つまり、この例では、階層化された第１段階データＤ１（図１７および図６２参照）に含まれているセル単位のデータＤＣＡ，ＤＣＢ，・・，ＤＣＩ，ＤＣＪ（図１７参照）から小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を作成することにより、小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を含む階層化された第２段階データＤ２（図１７および図６２参照）を作成する手順と、階層化された第２段階データＤ２に含まれている複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を複数のショット分割モジュール１０ｋ１，・・，１０ｋ５（図６３参照）に振り分ける手順と、複数のショット分割モジュール１０ｋ１，・・，１０ｋ５に振り分けられた複数の小グループ単位のデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３を複数のかぶり補正モジュール１０ｊ１，・・，１０ｊ５によって並列してショット分割処理する手順とをコンピュータに実行させるための荷電粒子ビームのショット分割プログラムが、描画部１０ａ（図６２参照）を有する荷電粒子ビーム描画装置１０に組み込まれている。
【０２９６】
更に他の例では、上述した荷電粒子ビームのショット分割プログラムが、描画部１０ａ（図６２参照）を有する荷電粒子ビーム描画装置１０（図６２参照）に組み込まれるのではなく、例えば、複数のショット分割モジュール１０ｋ１，・・，１０ｋ５（図６３参照）においてデータＤＧＡ１，ＤＧＡ２，・・，ＤＧＪ２，ＤＧＪ３（図１７参照）を並列してショット分割処理するのに要する総処理時間（図６５参照）を試算するために、描画部１０ａを有さない総処理時間試算用コンピュータに組み込まれている。
【０２９７】
第７の実施形態では、上述した第１から第６の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
【符号の説明】
【０２９８】
１０            荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ          描画部
１０ａ１ｂ      荷電粒子ビーム
１０ｄ          振り分けモジュール
１０ｅ          クラスタ分割モジュール部
２０            描画データ作成装置
【図１】
2010177489.tif 000003
【図２】
2010177489.tif 000004
【図３】
2010177489.tif 000005
【図４】
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【図５】
2010177489.tif 000007
【図６】
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【図７】
2010177489.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2010177489.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
2010177489.tif 000030
【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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