(57)【要約】【課題】加熱硬化後に基板の密着性が高く、また、金属層との密着性が高く、半導体装置の層間絶縁膜等のパターン硬化膜の製造に好適なポジ型の感光性樹脂組成物を提供する。【解決手段】（ａ）アルカリ性水溶液に可溶なポリマーと、  （ｂ）光の照射を受けて酸を発生する化合物と、  （ｃ）ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング化合物と、  （ｄ）ウレア結合を有するシランカップリング化合物と、  を含有してなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）アルカリ性水溶液に可溶なポリマーと、
（ｂ）光の照射を受けて酸を発生する化合物と、
（ｃ）ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング化合物と、
（ｄ）ウレア結合を有するシランカップリング化合物と、
を含有してなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項２】
前記（ａ）成分が、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、及びそれらの前駆体からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項３】
前記（ｂ）成分が、ジアゾナフトキノンであることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項４】
前記（ｃ）成分が、下記一般式（１）で表される化合物であり、
前記（ｄ）成分が、下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【化１０】
2010276631.tif 000013
（式（１）中、ｎは１〜１０の整数、Ｒ１はヒドロキシ基又はグリシジル基を有する１価の有機基、Ｒ２及びＲ３は各々独立の炭素数１〜５のアルキル基、ｐは０〜２の整数を示す。
式（２）中、ｑは１〜１０の整数、Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基、ｒは０〜２である。）
【請求項５】
ＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌ）作製のための無電解メッキを有する電子部品の層間絶縁膜又は表面保護膜に使用されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥して感光性樹脂膜を形成する感光性樹脂膜形成工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する露光工程と、
前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像してパターン樹脂膜を得る現像工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理してパターン硬化膜を得る加熱処理工程と、を含むことを特徴とするパターン硬化膜の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の製造方法により得られるパターン硬化膜に、ＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌ）作製のために無電解メッキする工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の製造方法により得られるパターン硬化膜を、層間絶縁膜層及び／又は表面保護膜層として有することを特徴とする電子部品。
【請求項９】
請求項７に記載の製造方法により得られる電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐熱性に優れたポジ型感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法並びに電子部品及びその製造方法に関し、特に、感度、解像度、耐熱性、耐薬品性及び密着性に優れたポジ型感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法並びに電子部品及びその製造方法に関するものである。また、パターン硬化膜を形成した後、ＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌ）作製等のために、無電解メッキする工程を含む電子部品及びその製造法に用いるのにも適した、ポジ型感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法並びに電子部品及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の表面保護膜、層間絶縁膜には優れた耐熱性と電気特性、機械特性等を併せ持つポリイミド樹脂膜が用いられている。このポリイミド樹脂膜は、一般にはテトラカルボン酸二無水物とジアミンを極性溶媒中で常温常圧において反応させ、ポリイミド前駆体（ポリアミド酸）溶液（いわゆるワニス）をスピンコート等で薄膜化して熱的に脱水閉環（硬化）して形成する（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
近年、ポリイミド樹脂又はその前駆体樹脂自身に感光特性を付与した感光性ポリイミドが用いられてきている。この感光性ポリイミドを用いると、パターン形成工程が簡略化でき、煩雑なパターン製造工程の短縮が行えるという特徴を有する（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００４】
従来、上記感光性ポリイミドの現像には、Ｎ−メチルピロリドン等の有機溶剤が用いられてきたが、最近では、環境やコストの観点からアルカリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂の提案がなされている。
このようなアルカリ現像可能なポジ型の感光性樹脂を得る方法として、ポリイミド前駆体にエステル結合を介してｏ−ニトロベンジル基を導入する方法（例えば、非特許文献２参照）、可溶性ヒドロキシルイミド又はポリベンゾオキサゾール前駆体にナフトキノンジアジド化合物を混合する方法（例えば、特許文献４、５参照）等がある。かかる方法により得られる樹脂には、低誘電率化が期待でき、そのような観点からも感光性ポリイミドとともに感光性ポリベンゾオキサゾールが注目されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭４９−１１５５４１号公報
【特許文献２】特開昭５９−１０８０３１号公報
【特許文献３】特開昭５９−２１９３３０号公報
【特許文献４】特開昭６４−６０６３０号公報
【特許文献５】米国特許第４３９５４８２号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】日本ポリイミド研究会編「最新ポリイミド〜基礎と応用〜」（２００２年）
【非特許文献２】Ｊ．Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｃｉ．，Ｃｈｅｍ．，ｖｏｌ．Ａ２４，１２，１４０７（１９８７年）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
感光性ポリイミド又は感光性ポリベンゾオキサゾールは、近年、半導体装置におけるパッケージ形態の変化に伴い、半導体の表面保護膜や再配線層等の層間絶縁膜として用いられるケースが増えてきた。通常、これら前駆体組成物は各種基板上に塗布され、活性放射線で露光し、続く有機溶剤又はアルカリ水溶液による現像でパターニングを行い、高温加熱処理により最終的にポリイミド膜又はポリベンゾオキサゾール膜とする。しかし、加熱硬化後の膜と基板との接着性が悪く、熱硬化後に行われる薬液処理により、微細パターンが基板から剥がれる事例がしばしば見られる。これらの接着性に関しては、使用する基板を前処理する方法、ベース重合体自身に接着性を持たせる方法、接着助剤を添加する方法等の試みが行われてきているが、工程の煩雑さ、接着性との引き換えに感光特性や膜物性が低下する問題、別化合物の添加による組成物中での析出や組成物の安定性の低下等の問題があるため、満足する性能の組成物が得られていないのが現状である。特にアルミニウム配線層との接着性の改良が急務である。
【０００８】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、その課題は、加熱硬化後に基板の密着性が高く、またアルミニウム配線層をはじめとする金属層との密着性が高く、半導体装置の層間絶縁膜等のパターン硬化膜の製造に好適なポジ型の感光性樹脂組成物を提供することにある。
また、特にＵＢＭ（アンダーバンプメタル）作成のために行われる無電解メッキ工程に用いられる薬品等を含む薬品への耐薬品性にも優れるポジ型の感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明者らは、鋭意、実験、検討を重ねたところ、アルカリ現像可能なポリマーに対し、有機シラン系カップリング剤とウレア結合を有するシランカップリング剤と併せて用いることで、高い耐熱性と機械特性に加えて、加熱硬化後に基板との高い接着性が得られることを、知見するに至った。
【００１０】
本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、前記課題を解決するために、下記構成を採用したポジ型感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品を提供する。
【００１１】
１．（ａ）アルカリ性水溶液に可溶なポリマーと、
（ｂ）光の照射を受けて酸を発生する化合物と、
（ｃ）ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング化合物と、
（ｄ）ウレア結合を有するシランカップリング化合物と、
を含有してなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
２．前記（ａ）成分が、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、及びそれらの前駆体からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする１に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
３．前記（ｂ）成分が、ジアゾナフトキノンであることを特徴とする１又は２に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
４．前記（ｃ）成分が、下記一般式（１）で表される化合物であり、
前記（ｄ）成分が、下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする１〜３のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【化１】
2010276631.tif 000002
（式（１）中、ｎは１〜１０の整数、Ｒ１はヒドロキシ基又はグリシジル基を有する１価の有機基、Ｒ２及びＲ３は各々独立の炭素数１〜５のアルキル基、ｐは０〜２の整数を示す。
式（２）中、ｑは１〜１０の整数、Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基、ｒは０〜２である。）
５．ＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌ）作製のための無電解メッキを有する電子部品の層間絶縁膜又は表面保護膜に使用されることを特徴とする１〜４のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
６．上記１〜５のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥して感光性樹脂膜を形成する感光性樹脂膜形成工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する露光工程と、
前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像してパターン樹脂膜を得る現像工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理してパターン硬化膜を得る加熱処理工程と、を含むことを特徴とするパターン硬化膜の製造方法。
７．上記６記載の製造方法により得られるパターン硬化膜に、ＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌ）作製のために無電解メッキする工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
８．上記６に記載の製造方法により得られるパターン硬化膜を、層間絶縁膜層及び／又は表面保護膜層として有することを特徴とする電子部品。
９．上記７に記載の製造方法により得られる電子部品。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、硬化後の基板接着性、特にアルミニウム基板又はアルミニウム配線との接着性を向上させることができる。
また、本発明のパターン硬化膜の製造方法は、アルカリ水溶液による現像が可能で、感度、解像度に優れるものであり、この製造方法によれば、耐薬品性及び特にアルミニウム基板又はアルミニウム配線を有する基板との接着性に優れた良好な形状のパターンが得られるため、半導体装置の層間絶縁膜に好適な製造法である。
本発明の電子部品は、耐熱性、機械特性及び耐薬品性に優れ、かつアルミニウム基板又はアルミニウム配線を有する基板に対して良好な接着性を有するため、信頼性の高いものである。
さらに、本発明の電子部品は、その構成要素である硬化膜を本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成されるので、良好な形状と耐薬品性、耐熱性に優れたパターン硬化膜を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態による多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態による多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態による多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態による多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態による多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態による無電解めっきを用いたＵＢＭ作製工程に用いる半導体基板の一例を示す構造の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明によるポジ型感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法並びに電子部品及びその製造方法の一実施の形態を詳細に説明する。尚、以下の実施形態に本発明が限定されるものではない。
【００１５】
［ポジ型感光性樹脂組成物］
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、下記の（ａ）〜（ｄ）成分を含有することを特徴とする。
（ａ）アルカリ性水溶液に可溶なポリマー
（ｂ）光の照射を受けて酸を発生する化合物
（ｃ）ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング化合物
（ｄ）ウレア結合を有するシランカップリング化合物
【００１６】
本発明の組成物では、特に、（ｃ）成分及び（ｄ）成分のシラン系カップリング剤を併せて用いることで、高い耐熱性と機械特性、及び加熱硬化後にアルミニウム基板又はアルミニウム配線を有する基板に対しての高い基板接着性が得られる。
以下、各成分について説明する。
【００１７】
（ａ）成分：アルカリ水溶液可溶性のポリマー
本発明で用いる（ａ）成分は、アルカリ水溶液可溶性のポリマーであれば、特に構造上の制限はない。
尚、アルカリ水溶液とは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液、金属水酸化物水溶液、有機アミン水溶液等のアルカリ性の溶液である。一般には、濃度が２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液が用いられるので、（ａ）成分は、この水溶液に対して可溶性であることが好ましい。
【００１８】
本発明の（ａ）成分がアルカリ性現像液で可溶であることの１つの基準を以下に説明する。
（ａ）成分単独あるいは以下に順を追って説明する（ｂ）、（ｃ）の各成分とともに任意の溶剤に溶解して得られたワニスを、シリコンウエハ等の基板上にスピン塗布して形成することにより膜厚５μｍ程度の塗膜とする。これをテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、金属水酸化物水溶液、有機アミン水溶液のいずれか一つに２０〜２５℃において、浸漬する。この結果、均一な溶液として溶解し得る時、その（ａ）成分はアルカリ性現像液で可溶と見なされる。
【００１９】
（ａ）成分であるポリマーは、その主鎖骨格が、ポリイミド系ポリマー又はポリオキサゾール系ポリマー、即ち、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリオキサゾール、ポリアミド、及びこれらの前駆体（例えば、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリヒドロキシアミド等）から選ばれる少なくとも１種の高分子化合物から導入されることが、例えば加工性、耐熱性の点で好ましい。
また、アルカリ水溶液可溶性の点から、（ａ）アルカリ性水溶液に可溶なポリマーは、好ましくは複数のフェノール性水酸基、複数のカルボキシル基、又はこれら両方の基を有するポリマーである。
【００２０】
（ａ）成分は、上述した主鎖骨格を２種以上有する共重合体でもよく、又は２種以上の上記ポリマーの混合物でもよい。
中でもポリイミド、ポリオキサゾール又はそれぞれに対応する前駆体を（ａ）成分に用いれば、本発明の樹脂組成物を用いて得られた硬化膜の耐溶剤性がより高いものとなり好ましい。従って、（ａ）成分としては、ポリイミド、ポリオキサゾール、及びそれらの前駆体からなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましく、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、及びそれらの前駆体からなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることがより好ましく、ポリイミド前駆体又はポリベンゾオキサゾール前駆体から選ばれる少なくとも１種を用いることが特に好ましい。
【００２１】
（ａ）成分として用いることのできるポリマー及び前駆体は、例えば、以下の方法により合成することができる。
上記ポリイミドは、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させ、脱水閉環することにより得ることができる。
上記ポリオキサゾールは、例えば、ジカルボン酸ジクロリドとジヒドロキシジアミンを反応させ、脱水閉環することにより得ることができる。
上記ポリアミドイミドは、例えば、トリカルボン酸とジアミンを反応させ、脱水閉環することにより得ることができる。
上記ポリアミドは、例えば、ジカルボン酸ジクロリドとジアミンを反応させることにより得ることができる。
上記ポリアミド酸（ポリイミド前駆体）は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させることにより得ることができる。
上記ポリアミド酸エステル（ポリイミド前駆体）は、例えば、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドとジアミンを反応させることにより得ることができる。
上記ポリヒドロキシアミド（ポリオキサゾール前駆体）は、例えば、ジカルボン酸ジクロリドとジヒドロキシジアミン（通常アミノ基とフェノール性水酸基が芳香環のオルト位に結合するもの）を反応させることにより得ることができる。
以上のいずれのポリマーの製造方法も、既に知られた方法を用いることができる。
【００２２】
上述の具体的なポリマーのなかでも、現今の電子部品用としては、加熱により閉環してポリベンゾオキサゾールとなるポリヒドロキシアミド（ポリベンゾオキサゾール前駆体）は、耐熱性、機械特性、電気特性に優れるものとして多用されつつある。以下、ポリヒドロキシアミドの例を詳述する。
【００２３】
ポリヒドロキシアミドは、下記一般式（３）：
【化２】
2010276631.tif 000003
（式（３）中、Ｕは４価の有機基を示し、Ｖは２価の有機基を示す）で表される繰り返し単位を有する。
この一般式（３）で表される「ヒドロキシ基を含有するアミドユニット」は、最終的には硬化時の脱水閉環により、耐熱性、機械特性、電気特性に優れるオキサゾール体に変換される。
【００２４】
本発明で用いることができるポリヒドロキシアミドは、前記一般式（３）で表される繰り返し単位を有していればよいが、ポリヒドロキシアミドのアルカリ水溶液に対する可溶性は、フェノール性水酸基に由来するため、一般式（３）で表される「ヒドロキシ基を含有するアミドユニット」が、ある割合以上含まれていることが好ましい。
【００２５】
そのようなものとして、好ましくは、次式（４）：
【化３】
2010276631.tif 000004
（式（４）中、Ｕは４価の有機基を示し、ＶとＷは２価の有機基を示す。ｊとｋは、モル分率を示し、ｊとｋの和は１００モル％であり、ｊが６０〜１００モル％、ｋが４０〜０モル％である。）で表されるポリヒドロキシアミドである。
ここで、式（４）中のｊとｋのモル分率は、ｊ＝８０〜１００モル％、ｋ＝２０〜０モル％であることがより好ましい。
【００２６】
一般式（４）で表される、１種類の構造単位又は２種類の構造単位を有するポリヒドロキシアミドは、一般的にジカルボン酸誘導体とヒドロキシ基含有ジアミン類と、必要に応じて前記以外のジアミン類から合成できる。具体的には、ジカルボン酸誘導体をジハライド誘導体に変換後、前記ジアミン類との反応を行うことにより合成できる。
上記ジハライド誘導体としては、ジクロリド誘導体が好ましい。
【００２７】
上記ジクロリド誘導体は、ジカルボン酸誘導体にハロゲン化剤を作用させて合成することができる。
ハロゲン化剤としては通常のカルボン酸の酸クロリド化反応に使用される、塩化チオニル、塩化ホスホリル、オキシ塩化リン、五塩化リン等が使用できる。
【００２８】
ジクロリド誘導体を合成する方法としては、ジカルボン酸誘導体と上記ハロゲン化剤を溶媒中で反応させるか、過剰のハロゲン化剤中で反応を行った後、過剰分を留去する方法で合成できる。
反応溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン等が使用できる。
【００２９】
これらのハロゲン化剤の使用量は、溶媒中で反応させる場合は、ジカルボン酸誘導体１モルに対して、１．５〜３．０モルが好ましく、１．７〜２．５モルがより好ましく、ハロゲン化剤中で反応させる場合は、４．０〜５０モルが好ましく、５．０〜２０モルがより好ましい。
反応温度は、−１０〜７０℃が好ましく、０〜２０℃がより好ましい。
【００３０】
上記ジクロリド誘導体とジアミン類との反応は、脱ハロゲン化水素剤の存在下に、有機溶媒中で行うことが好ましい。
脱ハロゲン化水素剤としては、通常、ピリジン、トリエチルアミン等の有機塩基が使用される。
また、有機溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等が使用できる。
反応温度は、−１０〜３０℃が好ましく、０〜２０℃がより好ましい。
【００３１】
一般式（４）において、Ｕで表される４価の有機基は、４価の芳香族基が好ましく、炭素原子数としては６〜４０のものが好ましく、炭素原子数６〜４０の４価の芳香族基がより好ましい。４価の芳香族基としては、４個の結合部位がいずれも芳香環上に存在するものが好ましい。また、Ｕで表される４価の有機基は、ポリベンゾオキサゾール前駆体であるために、一般に、ジカルボン酸と反応してポリアミド構造を形成する「２個のヒドロキシ基と２個のアミノ基をそれぞれ芳香環上に有し、ヒドロキシ基とアミノ基がオルト位に位置した構造を２組有するジアミンの残基」である。
【００３２】
このようなジアミン類としては、３，３'−ジアミノ−４，４'−ジヒドロキシビフェニル、４，４'−ジアミノ−３，３'−ジヒドロキシビフェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）スルホン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの化合物は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３３】
一般式（４）において、Ｗで表される２価の有機基とは、一般に、ジカルボン酸と反応してポリアミド構造を形成する「ジアミンの残基」であり、前記Ｕを形成するジアミン以外の残基であり、２価の芳香族基又は脂肪族基が好ましく、炭素原子数としては４〜４０のものが好ましく、炭素原子数４〜４０の２価の芳香族基がより好ましい。
【００３４】
このようなジアミン類としては、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、４，４'−ジアミノジフェニルスルフィド、ベンジシン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、１，５−ナフタレンジアミン、２，６−ナフタレンジアミン、ビス（４−アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（３−アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン等の芳香族ジアミン化合物が挙げられる。さらに、これらの他にも、シリコーン基の入ったジアミンとして、ＬＰ−７１００、Ｘ−２２−１６１ＡＳ、Ｘ−２２−１６１Ａ、Ｘ−２２−１６１Ｂ、Ｘ−２２−１６１Ｃ及びＸ−２２−１６１Ｅ（いずれも信越化学工業株式会社製、商品名）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらの化合物は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３５】
一般式（４）において、Ｖで表される２価の有機基とは、ジアミンと反応してポリアミド構造を形成する、ジカルボン酸の残基であり、２価の芳香族基が好ましく、炭素原子数としては６〜４０のものが好ましく、炭素原子数６〜４０の２価の芳香族基が硬化膜の耐熱性の観点でより好ましい。２価の芳香族基としては、２個の結合部位がいずれも芳香環上に存在するものが好ましい。また、Ｖが炭素数６〜３０の脂肪族直鎖構造を有する２価の有機基の場合は、熱硬化する際の温度を２８０℃以下と低くしても十分な物性が得られる点で好ましい。
【００３６】
このようなジカルボン酸としては、イソフタル酸、テレフタル酸、２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、４，４'−ジカルボキシビフェニル、４，４'−ジカルボキシジフェニルエーテル、４，４'−ジカルボキシテトラフェニルシラン、ビス（４−カルボキシフェニル）スルホン、２，２−ビス（ｐ−カルボキシフェニル）プロパン、５−ｔｅｒｔ−ブチルイソフタル酸、５−ブロモイソフタル酸、５−フルオロイソフタル酸、５−クロロイソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸等の芳香族系ジカルボン酸、１，２−シクロブタンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロペンタンジカルボン酸、脂肪族直鎖構造を有するものとしては、マロン酸、ジメチルマロン酸、エチルマロン酸、イソプロピルマロン酸、ジ−ｎ−ブチルマロン酸、スクシン酸、テトラフルオロスクシン酸、メチルスクシン酸、２，２−ジメチルスクシン酸、２，３−ジメチルスクシン酸、ジメチルメチルスクシン酸、グルタル酸、ヘキサフルオログルタル酸、２−メチルグルタル酸、３−メチルグルタル酸、２，２−ジメチルグルタル酸、３，３−ジメチルグルタル酸、３−エチル−３−メチルグルタル酸、アジピン酸、オクタフルオロアジピン酸、３−メチルアジピン酸、オクタフルオロアジピン酸、ピメリン酸、２，２，６，６−テトラメチルピメリン酸、スベリン酸、ドデカフルオロスベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ヘキサデカフルオロセバシン酸、１，９−ノナン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘキサデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸、ヘンエイコサン二酸、ドコサン二酸、トリコサン二酸、テトラコサン二酸、ペンタコサン二酸、ヘキサコサン二酸、ヘプタコサン二酸、オクタコサン二酸、ノナコサン二酸、トリアコンタン二酸、ヘントリアコンタン二酸、ドトリアコンタン二酸、ジグリコール酸が挙げられ、さらに下記一般式（５）：
【化４】
2010276631.tif 000005
（式（５）中、Ｚは炭素数１〜６の炭化水素基、式中ｎは１〜６の整数である。）で示されるジカルボン酸等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらの化合物を、単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００３７】
（ａ）成分の分子量は、重量平均分子量で３，０００〜２００，０００が好ましく、５，０００〜１００，０００がより好ましい。ここで、分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線より換算して得た値である。
【００３８】
（ｂ）成分：光の照射を受けて酸を発生する化合物
本発明の組成物において、（ａ）成分として用いるアルカリ水溶液可溶性のポリマーとともに、（ｂ）成分として活性光線の照射を受けて酸を発生する化合物（以下、酸発生剤とも記す）を用いる。
【００３９】
（ｂ）成分は、光の照射部のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有するものである。そのような光酸発生剤としては、ジアゾナフトキノン、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等が挙げられ、なかでもジアゾナフトキノンは感度が高く好ましいものとして挙げられる。
【００４０】
上記ジアゾナフトキノンは、例えば、ｏ−キノンジアジドスルホニルクロリド類とヒドロキシ化合物、アミノ化合物等とを脱塩酸剤の存在下で縮合反応させることで得られる。前記ｏ−キノンジアジドスルホニルクロリド類としては、例えば、ベンゾキノン−１，２−ジアジド−４−スルホニルクロリド、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド、ナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホニルクロリド等が使用できる。
【００４１】
上記ヒドロキシ化合物としては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフェノールＡ、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，２'，３'−ペンタヒドロキシベンゾフェノン，２，３，４，３'，４'，５'−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン、４ｂ，５，９ｂ，１０−テトラヒドロ−１，３，６，８−テトラヒドロキシ−５，１０−ジメチルインデノ［２，１−ａ］インデン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等が使用できる。
【００４２】
上記アミノ化合物としては、例えば、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、４，４'−ジアミノジフェニルスルフィド、ｏ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフェノール、３，３'−ジアミノ−４，４'−ジヒドロキシビフェニル、４，４'−ジアミノ−３，３'−ジヒドロキシビフェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン等が使用できる。
【００４３】
上記ｏ−キノンジアジドスルホニルクロリドとヒドロキシ化合物及び／又はアミノ化合物とは、ｏ−キノンジアジドスルホニルクロリド１モルに対して、ヒドロキシ基とアミノ基の合計が０．５〜１当量になるように配合されることが好ましい。脱塩酸剤とｏ−キノンジアジドスルホニルクロリドの好ましい割合は、０．９５／１〜１／０．９５（当量比）の範囲である。
好ましい反応温度は０〜４０℃、好ましい反応時間は１〜１０時間とされる。
【００４４】
上記反応の反応溶媒としては，ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドン等の溶媒が用いられる。脱塩酸剤としては，炭酸ナトリウム，水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン等があげられる。
【００４５】
（ｂ）成分の配合量は、感光時の感度、解像度を良好とするために、（ａ）成分１００重量部に対して、０．０１〜５０重量部とすることが好ましく、０．０１〜２０重量部とすることがより好ましく、０．５〜２０重量部とすることがさらに好ましい。
【００４６】
（ｃ）成分：ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング化合物
本発明における（ｃ）成分としては、ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング化合物であれば特に制限はない。
ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング化合物としては、メチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、ｎ−プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオール、ｎ−ブチルフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、ｔｅｒｔ−ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、エチルメチルフェニルシラノール、ｎ−プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、ｎ−ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、ｔｅｒｔ−ブチルメチルフェニルシラノール、エチルｎ−プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、ｎ−ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、ｔｅｒｔ−ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、ｎ−プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、ｎ−ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシラノール、フェニルシラントリオール、１，４−ビス（トリヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（メチルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（エチルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（プロピルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ブチルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジメチルヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジエチルヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジプロピルヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジブチルヒドロキシシリル）ベンゼン等や、下記一般式（１）で表わされる化合物が挙げられる。
【化５】
2010276631.tif 000006
（式（１）中、ｎは１〜１０の整数、Ｒ１はヒドロキシ基又はグリシジル基を有する１価の有機基、Ｒ２及びＲ３は各々独立の炭素数１〜５のアルキル基、ｐは０〜２の整数を示す。）
【００４７】
上記の化合物のうち、特に一般式（１）で示される化合物が、密着性を向上する効果が高く好ましい。
このようなシランカップリング剤としては、ヒドロキシメチルトリメトキシシラン、ヒドロキシメチルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、４−ヒドロキシブチルトリメトキシシラン、４−ヒドロキシブチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、２−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、２−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、４−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、４−グリシドキシブチルトリエトキシシラン等が挙げられる。
また、その構造中にヒドロキシ基又はグリシジル基と共に、窒素原子を含む基、具体的にはアミノ基やアミド結合を含むシランカップリング剤も好ましく、このようなものとしては、ビス（２−ヒドロキシメチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシメチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ビス（２−グリシドキシメチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシメチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ基を有するシランカップリング剤、
式  Ｘ−（ＣＨ２）m−ＣＯ−ＮＨ−（ＣＨ２）n−Ｓｉ（ＯＲ）３（但し、Ｘは水酸基又はグリシジル基であり、ｍ及びｎは各々独立に１〜３の整数を表し、Ｒはメチル基、エチル基又はプロピル基である）で示される化合物等のアミド結合を有するシランカップリング剤などが挙げられる。
【００４８】
（ｃ）成分の配合量は、（ａ）成分１００重量部に対して、０．１〜２０重量部とすることが好ましく、０．３〜１０重量部とすることがさらに好ましい。
【００４９】
（ｄ）成分：ウレア結合を有するシランカップリング化合物
本発明における（ｄ）成分は、ウレア結合（−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−）を有するシランカップリング化合物であればよい。好ましいものとして、下記一般式（２）で表される化合物が挙げられる。
【化６】
2010276631.tif 000007
（式（２）中、ｑは１〜１０の整数、Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基、ｒは０〜２である）
【００５０】
具体的には、ウレイドメチルトリメトキシシラン、ウレイドメチルトリエトキシシラン、２−ウレイドエチルトリメトキシシラン、２−ウレイドエチルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、４−ウレイドブチルトリメトキシシラン、４−ウレイドブチルトリエトキシシラン等が挙げられる。なかでも３−ウレイドプロピルトリエトキシシランが好ましい。
【００５１】
（ｄ）成分の配合量は、（ａ）成分１００重量部に対して、０．１〜３０重量部とすることが好ましく、４〜２０重量部とすることがさらに好ましい。
【００５２】
本発明のポジ型感光性樹脂組成物において、上記（ａ）〜（ｄ）成分に加えて、（ｅ）熱酸発生剤、（ｆ）溶解促進剤、（ｇ）溶解阻害剤、（ｈ）密着性付与剤、（ｉ）界面活性剤又はレベリング剤、（ｊ）溶剤等の成分を配合しても良い。
【００５３】
（ｅ）成分：熱酸発生剤
本発明において、熱酸発生剤を使用すると、ポリベンゾオキサゾール前駆体のフェノール性水酸基含有ポリアミド構造が脱水反応を起こして環化する際の触媒として効率的に働くので好ましい。また、本発明の約２８０℃の以下での脱水閉環率が高い特定の樹脂に、この酸熱発生剤を併用することにより、脱水環化反応をさらに低温化できるので、低温での硬化でも硬化後の膜の物性が、高温で硬化したものと遜色ない性能が得られる。
【００５４】
上記熱酸発生剤（熱潜在酸発生剤）から発生する酸としては、強酸が好ましく、具体的には、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸のようなアリールスルホン酸、カンファースルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ノナフルオロブタンスルホン酸のようなパーフルオロアルキルスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ブタンスルホン酸のようなアルキルスルホン酸等が好ましい。これらの酸は、ポリベンゾオキサゾール前駆体のフェノール性水酸基含有ポリアミド構造が脱水反応を起こして環化する際の触媒として効率的に働く。これに対して、塩酸、臭素酸、ヨウ素酸や硝酸が出るような酸発生剤では、発生した酸の酸性度が弱く、さらに加熱で揮発し易いこともあって、ポリベンゾオキサゾール前駆体の環化脱水反応には殆ど関与しないと考えられ、本発明の十分な効果が得られにくい。上述の酸は、熱酸発生剤として、オニウム塩としての塩の形やイミドスルホナートのような共有結合の形で本発明の感光性樹脂組成物に添加される。
【００５５】
上記オニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウム塩のようなジアリールヨードニウム塩、ジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム塩のようなジ（アルキルアリール）ヨードニウム塩、トリメチルスルホニウム塩のようなトリアルキルスルホニウム塩、ジメチルフェニルスルホニウム塩のようなジアルキルモノアリールスルホニウム塩、ジフェニルメチルスルホニウム塩のようなジアリールモノアルキルヨードニウム塩等が好ましい。これらが好ましいのは、分解開始温度が１５０〜２５０℃の範囲にあり、２８０℃以下でのポリベンゾオキサゾール前駆体の環化脱水反応に際して効率的に分解するためである。
これに対してトリフェニルスルホニウム塩は、本発明の熱酸発生剤としては望ましくない。トリフェニルスルホニウム塩は熱安定性が高く、一般に分解温度が３００℃を超えているため、２８０℃以下でのポリベンゾオキサゾール前駆体の環化脱水反応に際しては分解が起きず、環化脱水の触媒としては十分に働かないと考えられるためである。
【００５６】
以上の点から、本発明に用いる熱酸発生剤に好適なオニウム塩としては、例えば、アリールスルホン酸、カンファースルホン酸、パーフルオロアルキルスルホン酸又はアルキルスルホン酸のジアリールヨードニウム塩、ジ（アルキルアリール）ヨードニウム塩、トリアルキルスルホニウム塩、ジアルキルモノアリールスルホニウム塩又はジアリールモノアルキルヨードニウム塩が挙げられる。これらは、保存安定性、現像性の点から好ましい。
【００５７】
さらに具体的には、パラトルエンスルホン酸のジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム塩（１％重量減少温度１８０℃、５％重量減少温度１８５℃）、トリフルオロメタンスルホン酸のジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム塩（１％重量減少温度１５１℃、５％重量減少温度１７３℃）、トリフルオロメタンスルホン酸のトリメチルスルホニウム塩（１％重量減少温度２５５℃、５％重量減少温度２７８℃）、トリフルオロメタンスルホン酸のジメチルフェニルスルホニウム塩（１％重量減少温度１８６℃、５％重量減少温度２１４℃）、トリフルオロメタンスルホン酸のジフェニルメチルスルホニウム塩（１％重量減少温度１５４℃、５％重量減少温度１７９℃）、ノナフルオロブタンスルホン酸のジ（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム塩、カンファースルホン酸のジフェニルヨードニウム塩、エタンスルホン酸のジフェニルヨードニウム塩、ベンゼンスルホン酸のジメチルフェニルスルホニウム塩、トルエンスルホン酸のジフェニルメチルスルホニウム塩等を好ましいものとして挙げることができる。
【００５８】
また、上記イミドスルホナートとしては、ナフトイルイミドスルホナートが望ましい。
これに対して、フタルイミドスルホナートは、熱安定性が悪いために、硬化反応よりも前に酸が出て、保存安定性等を劣化させるので望ましくない。
【００５９】
上記ナフトイルイミドスルホナートの具体例としては、例えば、１，８−ナフトイルイミドトリフルオロメチルスルホナート（１％重量減少温度１８９℃、５％重量減少温度２２７℃）、２，３−ナフトイルイミドトリフルオロメチルスルホナート（１％重量減少温度１８５℃、５％重量減少温度２１６℃）等を好ましいものとして挙げることができる。
【００６０】
さらに、上記（ｅ）成分（熱酸発生剤）として、下記の化学式（７）に示すように、Ｒ１Ｒ２Ｃ＝Ｎ−Ｏ−ＳＯ２−Ｒの構造を持つ化合物（１％重量減少温度２０４℃、５％重量減少温度２３５℃）を用いることもできる。ここで、Ｒとしては、例えば、ｐ−メチルフェニル基、フェニル基等のアリール基、メチル基、エチル基、イソプロピル基等のアルキル基、トリフルオロメチル基、ノナフルオロブチル基等のパーフルオロアルキル基等が挙げられる。また、Ｒ１としては、シアノ基、Ｒ２としては、例えば、メトキシフェニル基、フェニル基等が挙げられる。
【化７】
2010276631.tif 000008
【００６１】
また、上記（ｅ）成分（熱酸発生剤）として、下記の化学式（８）に示すように、アミド構造−ＨＮ−ＳＯ２−Ｒをもつ化合物（１％重量減少温度１０４℃、５％重量減少温度２７０℃）を用いることもできる。ここでＲとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、メチルフェニル基、フェニル基等のアリール基、トリフルオロメチル基、ノナフルオロブチル等のパーフルオロアルキル基等が挙げられる。また、−ＨＮ−ＳＯ２−Ｒの結合する基としては、例えば、２，２，−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンや２，２，−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ジ（４−ヒドロキシフェニル）エーテル等が挙げられる。
【化８】
2010276631.tif 000009
【００６２】
さらにまた、本発明で用いる（ｅ）成分（熱酸発生剤）としては、オニウム塩以外の強酸と塩基から形成された塩を用いることもできる。このような強酸としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸のようなアリールスルホン酸、カンファースルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ノナフルオロブタンスルホン酸のようなパーフルオロアルキルスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ブタンスルホン酸のようなアルキルスルホン酸が好ましい。塩基としては、例えば、ピリジン、２，４，６−トリメチルピリジンのようなアルキルピリジン、２−クロロ−Ｎ−メチルピリジンのようなＮ−アルキルピリジン、ハロゲン化−Ｎ−アルキルピリジン等が好ましい。さらに具体的には、ｐ−トルエンスルホン酸のピリジン塩（１％重量減少温度１４７℃、５％重量減少温度１９０℃）、ｐ−トルエンスルホン酸のＬ−アスパラギン酸ジベンジルエステル塩（１％重量減少温度２０２℃、５％重量減少温度２１８℃）、ｐ−トルエンスルホン酸の２，４，６−トリメチルピリジン塩、ｐ−トルエンスルホン酸の１，４−ジメチルピリジン塩等が保存安定性、現像性の点から好ましいものとして挙げられる。これらも２８０℃以下でのポリベンゾオキサゾール前駆体の環化脱水反応に際して分解し、触媒として働くことができる。
【００６３】
（ｅ）成分（熱酸発生剤）の配合量は、（ａ）成分（ベース樹脂）１００重量部に対して０．１〜３０重量部が好ましく、０．２〜２０重量部がより好ましく、０．５〜１０重量部がさらに好ましい。
【００６４】
（ｆ）成分：溶解促進剤
本発明においては、さらに（ａ）成分であるベース樹脂のアルカリ水溶液に対する溶解性を促進させる溶解促進剤、例えば、フェノール性水酸基を有する化合物を含有させることができる。フェノール性水酸基を有する化合物は、本発明の感光性樹脂組成物に加えることで、アルカリ水溶液を用いて現像する際に露光部の溶解速度が増加し感度が上がり、また、パターン形成後の膜の硬化時に、膜の溶融を防ぐことができる。
【００６５】
本発明に使用することのできる上記フェノール性水酸基を有する化合物に特に制限はない。かかるフェノール性水酸基を有する低分子化合物としては、例えば、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、ビスフェノールＡ、Ｂ、Ｃ、Ｅ、Ｆ及びＧ、４，４’，４’’−メチリジントリスフェノール、２，６−［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチルフェノール、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、４，４’−［１−［４−［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、４，４’，４’’−エチリジントリスフェノール、４−［ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル］−２−エトキシフェノール、４，４’−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，３−ジメチルフェノール］、４，４’−［（３−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，６−ジメチルフェノール］、４，４’−［（４−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，６−ジメチルフェノール］、２，２’−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノール］、２，２’−［（４−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノール］、４，４’−［（３，４−ジヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，３，６−トリメチルフェノール］、４−［ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）メチル］−１，２−ベンゼンジオール、４，６−ビス［（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メチル］−１，２，３−ベンゼントリオール、４，４’−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３−メチルフェノール］、４，４’，４’’−（３−メチル−１−プロパニル−３−イリジン）トリスフェノール、４，４’，４’’，４’’’−（１，４−フェニレンジメチリジン）テトラキスフェノール、２，４，６−トリス［（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メチル］−１，３−ベンゼンジオール、２，４，６−トリス［（３，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニル）メチル］−１，３−ベンゼンジオール、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−３，５−ビス［（ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メチル］フェニル］−フェニル］エチリデン］ビス［２，６−ビス（ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メチル］フェノール等挙げることができる。
【００６６】
上記フェノール性水酸基を有する化合物の配合量は、現像時間と、未露光部残膜率の許容幅の点から、（ａ）成分（ベース樹脂）１００重量部に対して１〜３０重量部が好ましく、３〜２５重量部がより好ましい。
【００６７】
（ｇ）成分：溶解阻害剤
本発明においては、さらに（ａ）成分であるベース樹脂のアルカリ水溶液に対する溶解性を阻害する化合物である溶解阻害剤を含有させることができる。かかる溶解阻害剤として、具体的には、ジフェニルヨードニウムニトラート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムニトラート、ジフェニルヨードニウムブロマイド、ジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムヨーダイト等の化合物を挙げることができる。
【００６８】
これら化合物は、発生する酸が揮発し易いこともあり、ポリベンゾオキサゾール前駆体の環化脱水反応には関与しない。しかし、これら化合物は、効果的に溶解阻害を起こし、残膜厚や現像時間をコントロールするのに役立つ。かかる溶解阻害剤の配合量は、感度と現像時の許容幅の点から、（ａ）成分（ベース樹脂）１００重量部に対して０．０１〜５０重量部が好ましく、０．０１〜３０重量部がより好ましく、０．１〜２０重量部がさらに好ましい。
【００６９】
（ｈ）成分：密着性付与剤
本発明の感光性樹脂組成物は、硬化膜の基板との接着性を高めるために、上記（ｃ）成分及び（ｄ）成分以外の有機シラン化合物、アルミキレート化合物等の密着性付与剤を含むことができる。
このような有機シラン化合物としては、例えば、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
また、上記アルミキレート化合物としては、例えば、トリス（アセチルアセトネート）アルミニウム、アセチルアセテートアルミニウムジイソプロピレート等が挙げられる。
上記密着性付与剤を用いる場合は、（ａ）成分（ベース樹脂）１００重量部に対して、０．１〜３０重量部が好ましく、０．５〜２０重量部がより好ましい。
【００７０】
（ｉ）成分：界面活性剤又はレベリング剤
本発明の感光性樹脂組成物には、塗布性、例えばストリエーション（膜厚のムラ）を防いだり、現像性を向上させたりするために、適当な界面活性剤又はレベリング剤を添加することができる。
【００７１】
このような界面活性剤又はレベリング剤としては、例えば、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル等があり、市販品としては、商品名「メガファックスＦ１７１」、「Ｆ１７３」、「Ｒ−０８」（以上、大日本インキ化学工業株式会社製）、商品名「フロラードＦＣ４３０」、「ＦＣ４３１」（以上、住友スリーエム株式会社製）、商品名「オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１」、「ＫＢＭ３０３」、「ＫＢＭ４０３」、「ＫＢＭ８０３」（以上、信越化学工業株式会社製）等が挙げられる。
【００７２】
（ｊ）成分：溶剤
本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、通常、溶剤が含まれ、上記各成分が溶解又は分散している。溶剤は特に制限はなく、γ−ブチロラクトン（ＢＬＯ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、アルコール等が使用できる。
上記溶剤の使用量は、特に制限されないが、好ましくは固形分（溶剤以外の成分）が５〜５０重量％となるように使用する。
【００７３】
［パターン硬化膜の製造方法］
次に、本発明によるパターン硬化膜の製造方法について説明する。
本発明のパターン硬化膜の製造方法は、上述した本発明の感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥して感光性樹脂膜を形成する感光性樹脂膜形成工程、感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する露光工程、前記露光後の感光性樹脂膜を現像してパターン樹脂膜を得る現像工程、及び前記パターン樹脂膜を加熱処理してパターン硬化膜を得る加熱処理工程を有する。
以下、各工程について説明する。
【００７４】
（感光性樹脂膜形成工程）
この工程では、ガラス基板、半導体、金属酸化物絶縁体（例えばＴｉＯ２、ＳｉＯ２等）、窒化ケイ素等の支持基板上に、本発明の感光性樹脂組成物をスピンナー等の塗布法を用いて塗布する。尚、支持基板には、予めパターン電極や層間絶縁膜層等、電子部品の構成部材が形成されていてもよく、これら部材上に組成物を塗布してもよい。
得られた塗膜をホットプレート、オーブン等を用いて乾燥する。これにより、感光性樹脂組成物の被膜である感光性樹脂膜が得られる。
【００７５】
（露光工程）
露光工程では、支持基板上で被膜となった感光性樹脂膜に、所定のパターンを有するマスクを介して紫外線、可視光線、放射線等の活性光線を照射することにより露光を行う。
【００７６】
（現像工程）
現像工程では、露光工程による感光性樹脂膜の露光部を現像液で除去する。露光部の除去によりパターン樹脂膜が得られる。
使用する現像液は、アルカリ性現像液であり、例えば、水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，ケイ酸ナトリウム，アンモニア，エチルアミン，ジエチルアミン，トリエチルアミン，トリエタノールアミン，テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリ水溶液が好ましい。これらのアルカリ水溶液の塩基濃度は、０．１〜１０重量％とすることが好ましい。
上記アルカリ性現像液にアルコール類や界面活性剤を添加して使用することもできる。これらはそれぞれ、アルカリ性現像液１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜１０重量部、より好ましくは０．１〜５重量部の範囲で配合することができる。
【００７７】
（加熱処理工程）
加熱処理工程では、現像により得られたパターン樹脂膜を加熱処理する。これにより、耐熱性の高い樹脂からなるパターン硬化膜を形成することができる。
加熱処理の温度は１６０〜４００℃が好ましい。かかる低温度で、耐熱性の高い樹脂のパターン硬化膜が得られることは、本発明の特徴の一つである。この加熱温度範囲は、従来の加熱温度よりも低いため、支持基板やデバイスへのダメージを小さく抑えることができる。従って、本発明のパターン硬化膜の製造方法を用いることによって、デバイスが歩留り良く製造できる。また、プロセスの省エネルギー化につながる。
【００７８】
加熱時間は、上記温度範囲で、パターン樹脂膜の脱水閉環反応が十分進行するまでの時間であるが、作業効率との兼ね合いから概ね５時間以下である。
【００７９】
上記加熱処理は、石英チューブ炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール、縦型拡散炉、赤外線硬化炉、電子線硬化炉、及びマイクロ波硬化炉等を用いて行う。加熱環境としては、大気中、又は窒素等の不活性雰囲気中いずれを選択することもできるが、窒素下で行う方がパターン樹脂膜の酸化を防ぐことができるので望ましい。
【００８０】
本発明の方法における加熱処理の加熱環境としては、上述のように、通常の窒素置換されたオーブンを用いる以外に、マイクロ波硬化装置や周波数可変マイクロ波硬化装置を用いることもできる。これらを用いることにより、パターン樹脂膜のみを効果的に加熱することが可能である。
【００８１】
［電子部品、及びその製造工程］
次に、本発明のパターン硬化膜を有する電子部品の製造方法の一実施形態として、半導体装置の製造方法を図面に基づいて説明する。
図１〜図５は、多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図であり、第１の工程から第５の工程へと一連の工程を表している。
図１〜図５において、回路素子（図示しない）を有するＳｉ基板等の半導体基板１は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜等の保護膜２で被覆され、露出した回路素子上に第１導体層３が形成されている。半導体基板上にスピンコート法等で層間絶縁膜層４としてのポリイミド樹脂等の膜が形成される（第１の工程、図１）。
【００８２】
次に、塩化ゴム系、フェノールノボラック系等の感光性樹脂層５が、マスクとして層間絶縁膜層４上にスピンコート法で形成され、公知の写真食刻技術によって所定部分の層間絶縁膜層４が露出するように窓６Ａが設けられる（第２の工程、図２）。この窓６Ａに露出する層間絶縁膜層４は、酸素、四フッ化炭素等のガスを用いるドライエッチング手段によって選択的にエッチングされ、窓６Ｂが空けられる。次いで、窓６Ｂから露出した第１導体層３を腐食することなく、感光樹脂層５のみを腐食するようなエッチング溶液を用いて感光樹脂層５が完全に除去される（第３の工程、図３）。
【００８３】
さらに、公知の写真食刻技術を用いて、第２導体層７を形成させ、第１導体層３との電気的接続が完全に行われる（第４の工程、図４）。３層以上の多層配線構造を形成する場合は、上記の工程を繰り返して行い各層を形成することができる。
【００８４】
次に、表面保護膜８を形成する。図１〜図５の例では、この表面保護膜を次のようにして形成する。即ち、本発明の感光性樹脂組成物をスピンコート法にて塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターン樹脂膜を形成する。その後、このパターン樹脂膜を加熱して表面保護膜層８としての感光性樹脂のパターン硬化膜とする（第５の工程、図５）。
この表面保護膜層（感光性樹脂のパターン硬化膜）８は、導体層を外部からの応力、α線等から保護するものであり、得られる半導体装置は信頼性に優れる。この表面保護膜層は、特にアルミニウム基板やアルミニウム配線に対する密着性が高いので、そのような基板や配線の上部に形成するのに好適である。
【００８５】
本発明の電子部品は、上述した半導体装置の例のように、本発明の感光性樹脂組成物を用いて、上記パターン硬化膜の製造方法によって形成されるパターン硬化膜を有する。ここで、電子部品としては、半導体装置や多層配線板、各種電子デバイス等を含む。
本発明のパターン硬化膜は、具体的には、半導体装置等電子部品の表面保護膜や層間絶縁膜、多層配線板の層間絶縁膜等の形成に使用することができる。本発明による電子部品は、感光性樹脂組成物を用いて形成される表面保護膜や層間絶縁膜を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとることができる。
【００８６】
［無電解めっきを用いたＵＢＭ作製工程］
本発明の感光性樹脂組成物は、これを用いて得られるパターン硬化膜に、ＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌ）作製のために無電解メッキする工程を行うことを特徴とする電子部品の製造方法及び該製造方法により得られる電子部品の、層間絶縁膜や表面保護膜用としても好適である。以下、説明する。
【００８７】
半導体装置の小型化に伴って、近年採用されている半導体装置の実装法であるフリップチップ方式は、半導体チップの外部端子（ボンディングパッド）と配線基板の外部端子との間をバンプ電極により電気的に接続しかつ機械的に接合する方式である。フリップチップ方式は、この半導体チップと配線基板との実装に限らず、半導体チップ同士の実装や配線基板同士の実装にも採用されている。
【００８８】
この工程を適用する基板を図６に示す。図６では、シリコン基板１０２上に下地層１０３として複数層の配線等をまとめて示している。この下地層には、複数の配線層、それらの層間に形成される層間絶縁膜の層等が形成されている。下地層１０３上に外部電極端子１０４が形成されている。さらに本発明のポジ型感光性樹脂組成物により形成されたパターン硬化膜による表面保護膜層１０５が形成されている。
【００８９】
この状態の外部電極端子１０４上に無電解めっきを用いてＵＢＭを作製することができる。例えば、外部電極端子１０４がアルミパッドである場合、脱脂剤を用いて脱脂する工程、硫酸等を用いてエッチングして酸化膜を溶解する工程、亜鉛置換剤を用いてアルミニウム上に亜鉛置換する工程、無電解ニッケルめっき液を用いて亜鉛とニッケルの置換反応によりニッケルめっきをする工程、さらに無電解金めっき液を用いてニッケルと金の置換反応により金めっきをする工程を経て、ＵＢＭを作製することができる。
【００９０】
次いでバンプ電極を形成するが、一般的にはんだが使用されている。はんだは、スクリーン印刷法やはんだボールを用いて搭載することができ、その後リフロー工程を経て、形状と密着性の良好なバンプ電極が形成される。
【実施例】
【００９１】
以下、実施例及び比較例に基づき、本発明についてさらに具体的に説明する。尚、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【００９２】
［ポリベンゾオキサゾール前駆体（（ａ）成分）の合成］
合成例１
攪拌機、温度計を備えた０．５リットルのフラスコ中に、４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸１５．４８ｇ（６０ｍｍｏｌ）、Ｎ−メチルピロリドン９０ｇを仕込み、フラスコを５℃に冷却した。その後、塩化チオニル２３．９ｇ（１２０ｍｍｏｌ）を滴下し、３０分間反応させて、４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリドの溶液を得た。
【００９３】
次いで、攪拌機、温度計を備えた０．５リットルのフラスコ中に、Ｎ−メチルピロリドン８７．５ｇを仕込み、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１８．３０ｇ（５０ｍｍｏｌ）を攪拌溶解した。その後、ピリジン９．４８ｇ（１２０ｍｍｏｌ）を添加し、温度を０〜５℃に保ちながら、４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリドの溶液を３０分間で滴下し、３０分間攪拌を続けた。
【００９４】
攪拌した溶液を３リットルの水に投入し、析出物を回収、純水で３回洗浄した後、減圧乾燥してカルボキシル基末端のポリヒドロキシアミドを得た（以下、ポリマー１とする）。ポリマー１を後述の測定条件によるＧＰＣ測定にかけ、得られた測定値をＧＰＣ法標準ポリスチレン換算により重量平均分子量を求めた。得られた重量平均分子量は１７，６００、分散度は１．６であった。
尚、以下の合成例において得られたポリマーについても同様な測定を行い、重量平均分子量を求めている。
【００９５】
・ＧＰＣ法による重量平均分子量の測定条件
測定装置：検出器  株式会社日立製作所社製Ｌ４０００ＵＶ
ポンプ：株式会社日立製作所社製Ｌ６０００
記録計：株式会社島津製作所社製Ｃ−Ｒ４Ａ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｐａｃ
測定条件：カラム  Ｇｅｌｐａｃｋ  ＧＬ−Ｓ３００ＭＤＴ−５  ｘ２本
溶離液：ＴＨＦ／ＤＭＦ＝１／１  （容積比）
ＬｉＢｒ（０．０３ｍｏｌ／Ｌ）、Ｈ３ＰＯ４（０．０６ｍｏｌ／Ｌ）
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ、検出器：ＵＶ２７０ｎｍ
【００９６】
合成例１では、ポリマー０．５ｍｇに対して溶媒［ＴＨＦ／ＤＭＦ＝１／１（容積比）］１ｍＬの溶液を用いて測定した。また、以下の合成例においても、得られたポリマーについて同様の測定を行い、重量平均分子量を求めた。
【００９７】
［ポリベンゾオキサゾール前駆体（（ａ）成分）の合成］
合成例２
ジフェニルエーテルジカルボン酸の代わりにドデカン二酸を用いた他は合成例１と同様にしてポリヒドロキシアミド（以下、ポリマーIIという）を合成した。
得られたポリマーIIの標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は２７，２００であり、分散度は１．９であった。
【００９８】
［ポリイミド前駆体（（ａ）成分）の合成］
合成例３
攪拌機及び温度計を備えた０．２リットルのフラスコ中に、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（ＯＤＰＡ）１０ｇ（３２ｍｍｏｌ）とイソプロピルアルコール３．８７ｇ（６５ｍｍｏｌ）とをＮ−メチルピロリドン４５ｇに溶解し、１，８−ジアザビシクロウンデセンを触媒量添加して、その後、６０℃にて２時間加熱した。続いて室温下（２５℃）で１５時間攪拌し、エステル化を行った。その後、氷冷下で塩化チオニルを７．６１ｇ（６４ｍｍｏｌ）加え、室温に戻し２時間反応を行い、酸クロリドの溶液（以下、酸クロリド溶液Ｉという）を得た。
【００９９】
次に、攪拌機、温度計を備えた０．５リットルのフラスコ中に、Ｎ−メチルピロリドン４０ｇを仕込み、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１０．２５ｇ（２８ｍｍｏｌ）を添加し、攪拌溶解した後、ピリジン７．６２ｇ（６４ｍｍｏｌ）を添加し、温度を０〜５℃に保ちながら、調製した酸クロリド溶液Ｉを３０分間で滴下した後、３０分間攪拌を続けた。攪拌後の反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物を濾別して集め、減圧乾燥することによってカルボキシル基末端のポリアミド酸エステルを得た（以下、ポリマーIIIという）。
ポリマーIIIの重量平均分子量は１９，４００であり、分散度は２．２であった。
【０１００】
実施例１〜９及び比較例１〜３
合成例で調製した（ａ）成分であるポリマー１００重量部、並びに表１の配合量の（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）成分を、γ−ブチロラクトン／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを重量比９：１で混合した溶剤に溶解して、それぞれ感光性樹脂組成物を調製した。
尚、表１において、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）成分の各欄における（）内の数はポリマー１００重量部に対する添加量（重量部）を示す。溶剤の使用量は、いずれもポリマー１００重量部に対して２００重量部である。
【０１０１】
【表１】
2010276631.tif 000010
【０１０２】
表１中の（ｂ）成分であるＢ１及びＢ２、（ｃ）成分であるＣ１及びＣ２、並びに（ｄ）成分であるＤ１、Ｄ２及びＤ３は以下の通りである。
【０１０３】
【化９】
2010276631.tif 000011
【０１０４】
尚、Ｄ３は本発明の（ｄ）成分ではない。即ち、ウレア結合を有するシランカップリング剤ではない。ウレア結合を持たないシランカップリング剤を代わりに用いた比較例のために、便宜上ここではＤ成分に分類して記載した。
【０１０５】
［パターン硬化膜の製造］
実施例１〜９及び比較例１〜３で調製した感光性樹脂組成物を、それぞれシリコンウエハ上にスピンコートして、乾燥膜厚が７〜１２μｍの塗膜を形成した。得られた塗膜に、超高圧水銀灯を光源とし、干渉フィルターを介して、１００から１０００ｍＪ／ｃｍ２まで１０ｍＪ／ｃｍ３刻みでｉ線照射量を変化させ、所定のパターンをウエハに照射して、露光を行った。露光後、１２０℃で３分間加熱し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の２．３８重量％水溶液にて露光部のシリコンウエハが露出するまで現像した後、水でリンスして、パターン樹脂膜をそれぞれ得た。
【０１０６】
パターン樹脂膜形成において、未露光部の残膜率（現像前後の膜厚の比）が８０％となるように現像時間を調整し、露光部のパターンが開口するのに必要な最小露光量を感度と定義した。開口パターンは顕微鏡で観察しながら判断した。結果を表２に示す。実施例のいずれのサンプルも十分な感度特性を示した。
【０１０７】
次に、作製したパターン樹脂膜付きウエハを縦型拡散炉μ−ＴＦ（光洋サーモシステム社製）を用いて窒素雰囲気下、１５０℃で１時間加熱した後、さらに３２０℃で１時間加熱してパターン硬化膜（硬化後膜厚５〜１０μｍ）をそれぞれ得た。
得られた硬化膜について、下記の方法により薬品耐性及び接着性を評価した。
【０１０８】
・薬品耐性の評価方法
硬化膜をメルプレートＦＺ−７３５０（商品名  メルテックス（株）製）の希釈液（ＦＺ−７３５０：水＝１：４）に室温で３０分浸漬させ、１００μｍ正方形開口部から膜内部への染込みを調べた。試験に用いたメルプレートＦＺ−７３５０は染込み性の強い強アルカリ性のメッキ薬液として知られている。
薬液が染込んだ部分は黒色に変色するため、染込みの有無は明確に判断できる。良否の判定は１００ｕｍ正方形開口パターン周辺の染込み形状にて判断した。即ち、染込み量が大きいため正方形パターン周辺に染みが円状に広がったものを×、染込み量が少なく染みの形状が開口部の方形を保っているものを△、染込み量がわずか、もしくは染込みがないものを○と判断した。
【０１０９】
・接着性の評価方法
接着性はスタッドプル試験機を用いて評価した。硬化膜をプレッシャークッカー装置に入れ、１２１℃、２ａｔｍ、１００％ＨＲの条件下で５００時間処理した（ＰＣＴ処理）。ＰＣＴ処理前後の接着強度を、スタッドプル試験機（ＲＯＭＵＬＵＳ、Ｑｕａｄ  Ｇｒｏｕｐ  Ｉｎｃ．社製）を用いて評価した。
具体的には、上記ＰＣＴ条件（１２１℃／１００ＲＨ％／２ａｔｍ）で５００時間処理したパターン硬化膜付きウエハ上の硬化膜に、エポキシ系樹脂のついたアルミ製のピンを立て、オーブンで１５０℃／１時間加熱してエポキシ樹脂のついたスタッドピンを硬化膜に接着させた。このピンを上記スタッドプル試験機を用いて引っ張り、剥がれたときの剥離状態を目視で観察した。
尚、スタッドプル試験では、比較例２以外のいずれの試料でも６００〜８００ｋｇ／ｃｍ２と十分な接着強度を示したが、剥離モード（形態）に違いが見られた。剥離モードは接着強度を見積もる上での重要な指標のひとつである。
剥離モードの評価基準は次の通りとした。アルミニウム／硬化膜界面で剥がれた場合はアルミニウム基板と硬化膜の接着力が十分でないことを示しているため×とし、界面剥離ではなくエポキシ接着剤層が破断した場合は、アルミニウム基板との十分な接着強度を保持しているため○と評価した。
ただし、比較例２は非常に接着力が弱く、スタッドプル試験前に硬化膜が剥離してしまったため測定は不可能であった。結果を表２に示す。
【０１１０】
【表２】
2010276631.tif 000012
【０１１１】
表２から分かるように、実施例の硬化膜は、いずれも実用上問題ない感度を有し、アルミニウム基板上においてめっき液に対する十分な耐性と接着力を持つと分かった。
一方、（ｄ）成分を用いなかった比較例１では、めっき液への染込み耐性が著しく悪化した。また、（ｃ）、（ｄ）成分の両方を用いなかった比較例２では、めっき液の染込み耐性悪化に加えて、ＰＣＴ後の接着性にも著しい悪化が見られた。比較例３では、ウレア結合を持たないシランカップリング化合物を用いたところ、めっき液への染込み耐性が著しく悪化した。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、電子部品の表面保護膜や層間絶縁膜等となるパターン硬化膜の材料として使用できる。
【符号の説明】
【０１１３】
１  半導体基板
２  保護膜
３  第１導体層
４  層間絶縁膜層
５  感光樹脂層
６Ａ、６Ｂ、６Ｃ  窓
７  第２導体層
８  表面保護膜層
１０１  半導体基板
１０２  シリコン基板
１０３  下地層
１０４  外部電極端子
１０５  表面保護膜層
【図１】
2010276631.tif 000014
【図２】
2010276631.tif 000015
【図３】
2010276631.tif 000016
【図４】
2010276631.tif 000017
【図５】
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【図６】
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