(57)【要約】【課題】樹脂成形の材料としての粉粒体を十分に乾燥しつつ、粉粒体の劣化を長時間に亘って防止することのできる粉粒体の乾燥方法、および粉粒体の乾燥装置を提供すること。【解決手段】樹脂成形装置１は、粉粒体が溜められる乾燥ホッパ２と、乾燥ホッパ２内の粉粒体を乾燥するための乾燥装置５とを備えている。乾燥装置５による乾燥ホッパ２内の粉粒体の処理工程は、乾燥ホッパ２内の粉粒体を一定時間加熱乾燥する加熱乾燥工程と、加熱乾燥工程で加熱乾燥された粉粒体を冷却する冷却工程とを含み、冷却工程では、冷却した不活性ガスを粉粒体に供給することにより、粉粒体を冷却する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂成形の材料としての粉粒体を一定時間加熱乾燥する加熱乾燥工程と、
前記加熱乾燥工程で加熱乾燥された前記粉粒体を冷却する冷却工程とを含み、
前記冷却工程では、冷却した不活性ガスを前記粉粒体に供給することにより、前記粉粒体を冷却することを特徴とする、粉粒体の乾燥方法。
【請求項２】
前記加熱乾燥工程では、加熱した不活性ガスを前記粉粒体に供給することにより、前記粉粒体を加熱乾燥することを特徴とする、請求項１に記載の粉粒体の乾燥方法。
【請求項３】
前記冷却工程で冷却された前記粉粒体を、密閉されたホッパ内の空間で保存する保存工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の粉粒体の乾燥方法。
【請求項４】
前記保存工程では、密閉された前記ホッパ内の前記空間が不活性ガスの雰囲気にされていることを特徴とする、請求項３に記載の粉粒体の乾燥方法。
【請求項５】
前記加熱乾燥工程では、前記粉粒体が溜められた乾燥ホッパ内の前記粉粒体を加熱乾燥し、
前記冷却工程では、前記乾燥ホッパ内の前記粉粒体を冷却することを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の粉粒体の乾燥方法。
【請求項６】
前記加熱乾燥工程では、前記粉粒体の温度が一定温度以上になると、前記粉粒体の温度が前記一定温度未満のときよりも前記粉粒体を加熱する度合いを弱めることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の粉粒体の乾燥方法。
【請求項７】
樹脂成形の材料としての粉粒体が溜められるホッパと、
前記ホッパに溜められた前記粉粒体を一定時間加熱乾燥するための加熱装置と、
前記ホッパに溜められ前記加熱装置によって加熱された前記粉粒体を冷却するための冷却装置とを備え、
前記冷却装置は、冷却した不活性ガスを前記粉粒体に供給することにより、前記粉粒体を冷却することを特徴とする、粉粒体の乾燥装置。
【請求項８】
前記加熱装置は、加熱した不活性ガスを前記粉粒体に供給することにより、前記粉粒体を加熱乾燥することを特徴とする、請求項７に記載の粉粒体の乾燥装置。
【請求項９】
前記冷却装置によって冷却された前記粉粒体が溜められる前記ホッパ内の空間を密閉するための密閉装置をさらに備えることを特徴とする、請求項７または８に記載の粉粒体の乾燥装置。
【請求項１０】
前記密閉装置によって密閉されているときの前記ホッパ内の前記空間は、不活性ガスの雰囲気にされていることを特徴とする、請求項９に記載の粉粒体の乾燥装置。
【請求項１１】
前記加熱装置によって加熱乾燥される前記粉粒体が溜められる前記ホッパと、前記冷却装置によって冷却される前記粉粒体が溜められる前記ホッパとは、同一であることを特徴とする、請求項７ないし１０のいずれかに記載の粉粒体の乾燥装置。
【請求項１２】
前記加熱装置は、前記粉粒体の温度が一定温度以上になると、前記粉粒体の温度が前記一定温度未満のときよりも前記粉粒体を加熱する度合いを弱めることを特徴とする、請求項７ないし１１のいずれかに記載の粉粒体の乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粉粒体の乾燥方法および粉粒体の乾燥装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、プラスチック成形などでは、原料となるペレットなどの粉粒体を、ヒータが設けられた乾燥ホッパ内を通過させて乾燥させ、乾燥された粉粒体を射出成形機に投入している（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３０８９２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、携帯電話の部品などの、小型の部品を樹脂成形するシステムでは、単位時間当たりに射出成形機で消費される粉粒体の量が少ない。たとえば、数ｋｇの粉粒体が溜められたホッパから、１時間に数百ｇだけ射出成形機に粉粒体が供給されるような場合、一部の粉粒体は、数時間という長時間、乾燥ホッパ内にとどまる。
乾燥ホッパ内に長時間とどまった粉粒体は、必要以上に加熱された過乾燥状態となり、酸化などによる劣化が生じてしまう。このような劣化した粉粒体を用いて射出成形を行うと、樹脂成形品の色が黄みがかったものになったりするため、好ましくない。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、樹脂成形の材料としての粉粒体を十分に乾燥しつつ、粉粒体の劣化を長時間に亘って防止することのできる粉粒体の乾燥方法、および粉粒体の乾燥装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、粉粒体の乾燥方法であって、樹脂成形の材料としての粉粒体を一定時間加熱乾燥する加熱乾燥工程と、前記加熱乾燥工程で加熱乾燥された前記粉粒体を冷却する冷却工程とを含み、前記冷却工程では、冷却した不活性ガスを前記粉粒体に供給することにより、前記粉粒体を冷却することを特徴としている。
【０００７】
このような構成によると、加熱乾燥工程において、粉粒体を一定時間加熱乾燥することにより、粉粒体を確実に乾燥することができる。また、加熱乾燥された粉粒体を冷却工程で冷却することにより、粉粒体の過乾燥を防止できる。したがって、粉粒体が乾燥されてから長時間消費されないときでも、粉粒体の十分な乾燥状態を達成しつつ、過乾燥による粉粒体の酸化などの劣化を確実に防止できる。さらに、粉粒体を不活性ガスの雰囲気下で冷却することができるので、粉粒体が酸化により劣化することをより確実に防止できる。しかも、粉粒体は、一定時間乾燥後に冷却されるので、粉粒体に均一な熱履歴を付与することができる。したがって、粉粒体の品質を維持することができる。その結果、乾燥開始から長時間経過した粉粒体を用いて樹脂成形品を成形しても、樹脂成形品が、黄みがかったものとなるなどの不具合が生じることを防止できる。その結果、樹脂成形品の品質にばらつきが生じることを防止できる。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記加熱乾燥工程では、加熱した不活性ガスを前記粉粒体に供給することにより、前記粉粒体を加熱乾燥することを特徴としている。
このような構成によると、粉粒体を不活性ガスの雰囲気下で加熱することができる。これにより、粉粒体が酸化により劣化することをより確実に防止できる。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記冷却工程で冷却された前記粉粒体を、密閉されたホッパ内の空間で保存する保存工程をさらに含むことを特徴としている。
このような構成によると、加熱乾燥され、その後冷却された粉粒体が、吸湿や酸化などにより劣化することを、長時間に亘ってより確実に防止することができる。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記保存工程では、密閉された前記ホッパ内の前記空間が不活性ガスの雰囲気にされていることを特徴としている。
このような構成によると、加熱乾燥され、その後冷却された粉粒体を、不活性ガスの雰囲気下で保存しておくことができる。これにより、乾燥された粉粒体が吸湿や酸化などにより劣化することを、長時間に亘ってより一層確実に防止することができる。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の発明において、前記加熱乾燥工程では、前記粉粒体が溜められた乾燥ホッパ内の前記粉粒体を加熱乾燥し、前記冷却工程では、前記乾燥ホッパ内の前記粉粒体を冷却することを特徴としている。
このような構成によると、１つの乾燥ホッパ内で、粉粒体の加熱乾燥および冷却の双方を行うので、加熱乾燥工程と冷却工程とを別々のホッパで行う必要がない。したがって、加熱乾燥工程と冷却工程との間に粉粒体の移し替え工程を設けなくて済み、移送中の吸湿や酸化を防ぐことができ、粉粒体の劣化を抑制することができる。また、加熱乾燥用ホッパと冷却用ホッパとを別々に用意しなくてよく、粉粒体の加熱乾燥および冷却を行うための構成を簡単にできる。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の発明において、前記加熱乾燥工程では、前記粉粒体の温度が一定温度以上になると、前記粉粒体の温度が前記一定温度未満のときよりも前記粉粒体を加熱する度合いを弱めることを特徴としている。
このような構成によると、粉粒体の温度が一定温度以上になると、粉粒体の加熱の度合いが弱くなるので、粉粒体の温度が乾燥に必要な温度を超えて過熱されることを確実に防止できる。その結果、粉粒体の劣化をより確実に防止できる。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、粉粒体の乾燥装置において、樹脂成形の材料としての粉粒体が溜められるホッパと、前記ホッパに溜められた前記粉粒体を一定時間加熱乾燥するための加熱装置と、前記ホッパに溜められ前記加熱装置によって加熱された前記粉粒体を冷却するための冷却装置とを備え、前記冷却装置は、冷却した不活性ガスを前記粉粒体に供給することにより、前記粉粒体を冷却することを特徴としている。
【００１４】
このような構成によると、加熱装置によって、粉粒体を一定時間加熱乾燥することにより、粉粒体を確実に乾燥することができる。また、加熱乾燥された粉粒体を冷却装置で冷却することにより、粉粒体の過乾燥を防止できる。したがって、粉粒体が乾燥されてから長時間消費されないときでも、粉粒体の十分な乾燥状態を達成しつつ、過乾燥による粉粒体の酸化などの劣化を確実に防止できる。さらに、粉粒体を不活性ガスの雰囲気下で冷却することができるので、粉粒体が酸化により劣化することをより確実に防止できる。しかも、粉粒体は、一定時間乾燥後に冷却されるので、粉粒体に均一な熱履歴を付与することができる。したがって、粉粒体の品質を維持することができる。その結果、乾燥開始から長時間経過した粉粒体を用いて樹脂成形品を成形しても、黄みがかったものとなるなどの不具合が生じることを防止できる。その結果、樹脂成形品の品質にばらつきが生じることを防止できる。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記加熱装置は、加熱した不活性ガスを前記粉粒体に供給することにより、前記粉粒体を加熱乾燥することを特徴としている。
このような構成によると、粉粒体を不活性ガスの雰囲気下で加熱することができる。これにより、粉粒体が酸化により劣化することをより確実に防止できる。
【００１６】
請求項９に記載の発明は、請求項７または８に記載の発明において、前記冷却装置によって冷却された前記粉粒体が溜められる前記ホッパ内の空間を密閉するための密閉装置をさらに備えることを特徴としている。
このような構成によると、加熱乾燥され、その後冷却された粉粒体が吸湿や酸化などにより劣化することを、長時間に亘ってより確実に防止することができる。
【００１７】
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記密閉装置によって密閉されているときの前記ホッパ内の前記空間は、不活性ガスの雰囲気にされていることを特徴としている。
このような構成によると、加熱乾燥され、その後冷却された粉粒体を、不活性ガスの雰囲気下で保存しておくことができる。これにより、乾燥された粉粒体が吸湿や酸化などにより劣化することを、長時間に亘ってより一層確実に防止することができる。
【００１８】
請求項１１に記載の発明は、請求項７ないし１０のいずれかに記載の発明において、前記加熱装置によって加熱乾燥される前記粉粒体が溜められる前記ホッパと、前記冷却装置によって冷却される前記粉粒体が溜められる前記ホッパとは、同一であることを特徴としている。
このような構成によると、１つのホッパ内で、粉粒体の加熱乾燥および冷却の双方を行うので、粉粒体の加熱と冷却とを別々のホッパで行う必要がない。したがって、粉粒体を加熱するときと冷却するときとの間で粉粒体の移し替え作業を設けなくて済み、移送中の吸湿や酸化を防ぐことができ、粉粒体の劣化を抑制することができる。また、加熱乾燥用ホッパと冷却用ホッパとを別々に用意しなくてよく、加熱装置および冷却装置を簡素なものにできる。
【００１９】
請求項１２に記載の発明は、請求項７ないし１１のいずれかに記載の発明において、前記加熱装置は、前記粉粒体の温度が一定温度以上になると、前記粉粒体の温度が前記一定温度未満のときよりも前記粉粒体を加熱する度合いを弱めることを特徴としている。
このような構成によると、粉粒体の温度が一定温度以上になると、粉粒体の加熱の度合いが弱くなるので、粉粒体の温度が乾燥に必要な温度を超えて過熱されることを確実に防止できる。その結果、粉粒体の劣化をより確実に防止できる。
【発明の効果】
【００２０】
以上述べたように、請求項１記載の発明によれば、粉粒体が乾燥されてから長時間消費されないときでも、粉粒体の十分な乾燥状態を達成しつつ、過乾燥による粉粒体の酸化などの劣化を確実に防止できる。さらに、粉粒体を不活性ガスの雰囲気下で冷却することができるので、粉粒体が酸化により劣化することをより確実に防止できる。しかも、粉粒体は、一定時間乾燥後に冷却されるので、粉粒体に均一な熱履歴を付与することができる。したがって、粉粒体の品質を維持することができる。
【００２１】
請求項２に記載の発明によれば、粉粒体が酸化により劣化することをより確実に防止できる。
請求項３に記載の発明によれば、乾燥された粉粒体が吸湿や酸化などにより劣化することを、長時間に亘ってより確実に防止することができる。
請求項４記載の発明によれば、乾燥された粉粒体が吸湿や酸化などにより劣化することを、長時間に亘ってより一層確実に防止することができる。
【００２２】
請求項５に記載の発明によれば、加熱乾燥工程と冷却工程との間に粉粒体の移し替え工程を設けなくて済む。また、加熱乾燥用ホッパと冷却用ホッパとを別々に用意しなくてよく、加熱乾燥および冷却を行うための構成を簡単にできる。
請求項６に記載の発明によれば、粉粒体の温度が乾燥に必要な温度を超えて過熱されることを確実に防止できるので、粉粒体の劣化をより確実に防止できる。
【００２３】
請求項７に記載の発明によれば、粉粒体が乾燥されてから長時間消費されないときでも、粉粒体の十分な乾燥状態を達成しつつ、過乾燥による粉粒体の酸化などの劣化を確実に防止できる。さらに、粉粒体を不活性ガスの雰囲気下で冷却することができるので、粉粒体が酸化により劣化することをより確実に防止できる。しかも、粉粒体は、一定時間乾燥後に冷却されるので、粉粒体に均一な熱履歴を付与することができる。したがって、粉粒体の品質を維持することができる。
【００２４】
請求項８に記載の発明によれば、粉粒体が酸化により劣化することをより確実に防止できる。
請求項９に記載の発明によれば、乾燥された粉粒体が吸湿や酸化などにより劣化することを、長時間に亘ってより確実に防止することができる。
請求項１０に記載の発明によれば、乾燥された粉粒体が吸湿や酸化などにより劣化することを、長時間に亘ってより一層確実に防止することができる。
【００２５】
請求項１１に記載の発明によれば、粉粒体を加熱乾燥するときと冷却するときとの間で粉粒体の移し替え作業を設けなくて済む。また、加熱乾燥用ホッパと冷却用ホッパとを別々に用意しなくてよく、乾燥装置を簡素なものにできる。
請求項１２に記載の発明によれば、粉粒体の温度が乾燥に必要な温度を超えて過熱されることを確実に防止できるので、粉粒体の劣化をより確実に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態にかかる乾燥装置の全体構成図である。
【図２】循環ライン内の空気および乾燥ホッパ内の空気を窒素ガスに置換する置換工程、乾燥ホッパ内の粉粒体の加熱乾燥工程、乾燥ホッパ内の粉粒体の冷却工程、および粉粒体を乾燥ホッパ内で保存する保存工程における制御装置の制御の流れを示すフロー図である。
【図３】図２の処理を制御しているときの、時間と、温度センサによって検出される温度（乾燥ホッパ内の粉粒体の温度）との関係を示すグラフ図である。
【図４】本発明の別の実施形態にかかる樹脂成形装置の全体構成図である。
【図５】本発明のさらに別の実施形態の樹脂成形装置の全体構成図である。
【図６】本発明のさらに別の実施形態の樹脂成形装置の全体構成図である。
【図７】本発明のさらに別の実施形態の樹脂成形装置の全体構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の好ましい実施の形態を添付図面を参照しつつ説明する。
図１は、本発明の一実施形態にかかる乾燥装置５の全体構成図である。乾燥装置５は、乾燥ホッパ２に溜められた粉粒体を乾燥するものである。この粉粒体は、たとえば、樹脂ペレット、粉砕材、マスターバッチ、添加剤などの、樹脂成形品の材料である。
乾燥ホッパ２は、上端が開放された箱状に形成されており、下端側は、下方に向かうほど先細りとなる形状とされている。この乾燥ホッパ２は、たとえば、オペレータが持ち運び可能な程度の大きさとされており、１．５ｋｇ程度の粉粒体を溜めておくことができる。乾燥ホッパ２内には、予め計量された所定量の粉粒体が溜められている。乾燥ホッパ２の上端の開口は、開閉可能な蓋６によって塞がれている。射出成形機（図示せず）に取り付けられた状態において、乾燥ホッパ２内の粉粒体は、たとえば、１時間に数百ｇ程度の少量消費される。この場合、乾燥ホッパ２に充填された粉粒体が空になるまでには、数時間以上かかることがある。
【００２８】
なお、本実施形態では、乾燥ホッパ２を乾燥装置５から取り外して上述の射出成形機に直接取り付けることにより、気力輸送装置を用いずに乾燥ホッパ２内の粉粒体を射出成形機に供給することができる。乾燥ホッパ２を乾燥装置５から取り外してから射出成形機に取り付けるまでの間、乾燥ホッパ２の各開口は、図示しない蓋または弁によって塞がれており、乾燥ホッパ２内が後述する窒素ガス雰囲気下に保たれる。
【００２９】
乾燥装置５は、乾燥ホッパ２内の粉粒体を加熱により乾燥させて水分などを除去し、その後、この粉粒体を冷却することで過熱（過乾燥）させないでおくものである。乾燥装置５は、不活性ガスとしての窒素ガスを発生するための窒素発生装置１１と、乾燥ホッパ２に溜められた粉粒体を一定時間加熱乾燥するための加熱装置１２とを備えている。また、乾燥装置５は、乾燥ホッパ２に溜められ加熱装置１２によって加熱された粉粒体を冷却するための冷却装置１３と、制御装置１４と、密封装置５０とを備えている。制御装置１４は、窒素発生装置１１、加熱装置１２、冷却装置１３および密封装置５０を制御する。密封装置５０は、乾燥ホッパ２内の空間Ｓを密閉するためのものである。
【００３０】
窒素発生装置１１は、窒素ガスが通過する窒素供給ライン１５を有している。この窒素供給ライン１５には、圧力安定用のレギュレータ１６、電磁弁１７、ドライヤ１８、窒素発生器１９、仕切弁２０および流量計２１が、窒素供給ライン１５の長手方向に沿って順に設けられている。窒素発生器１９で発生した窒素ガスは、窒素供給ライン１５内に送られ、仕切弁２０および流量計２１を通って後述する循環ライン２２に供給される。
【００３１】
乾燥装置５は、乾燥ホッパ２、加熱装置１２および冷却装置１３を循環する循環ライン２２と、循環ライン２２の途中に設けられる循環ブロワ２６とをさらに含んでいる。循環ライン２２には、循環ブロワ２６の上流側において、窒素供給ライン１５が接続されている。循環ライン２２は、窒素発生装置１１で発生した窒素ガスを、乾燥ホッパ２、加熱装置１２および冷却装置１３に循環させる。循環ライン２２は、窒素ガスを循環ブロワ２６から乾燥ホッパ２へ供給する供給ライン２４と、窒素ガスを乾燥ホッパ２から循環ブロワ２６へ還流する還流ライン２５とを含んでいる。
【００３２】
なお、気体（窒素ガス）の流れ方向Ａにおける供給ライン２４の下流側端部は、乾燥ホッパ２の底壁に接続されている。流れ方向Ａにおける還流ライン２５の上流側端部は、乾燥ホッパ２の胴部に接続されている。なお、以下では、流れ方向Ａにおける上流側を単に「上流側」といい、下流側を単に「下流側」という。供給ライン２４における加熱装置１２の下流側には、温度センサ３０が接続されている。この温度センサ３０により検出される供給ライン２４内の温度に基づいて、加熱装置１２による窒素ガスの加熱量が制御される。
【００３３】
還流ライン２５の上流側端部には、温度センサ２７が接続されている。温度センサ２７は、還流ライン２５内の気体の温度、すなわち、乾燥ホッパ２内の粉粒体の温度を検出する。そのため、温度センサ２７の検出温度が粉粒体の温度とされる。また、還流ライン２５の下流側端部には、ラインフィルタ２８が設けられており、還流ライン２５を通過する気体に含まれる粉塵などが、ラインフィルタ２８で除去される。また、還流ライン２５におけるラインフィルタ２８と循環ブロワ２６との間に、窒素発生装置１１の窒素供給ライン１５が接続されている。
【００３４】
加熱装置１２は、ヒータ２３を含んでいる。ヒータ２３は、たとえば、電熱式の加熱装置であり、循環ブロワ２６の下流側において、供給ライン２４に設けられている。このヒータ２３は、循環ブロワ２６から吐出された気体を加熱する。
冷却装置１３は、クーラ２９と、クーラブロワ３２とを含んでいる。クーラ２９は、還流ライン２５において温度センサ２７とラインフィルタ２８との間に設けられている。クーラブロワ３２は、クーラ２９に接続されている。クーラブロワ３２から吐出された空気は、クーラ２９に供給され、クーラ２９内において、還流ライン２５内の気体の熱を吸収し、その後、クーラ２９から吐き出される。これにより還流ライン２５内の気体が冷却される。
【００３５】
制御装置１４は、ＣＰＵ，ＲＡＭおよびＲＯＭを含んでいる。この制御装置１４は、電磁弁１７、窒素発生器１９、循環ブロワ２６、ヒータ２３、クーラブロワ３２とそれぞれ接続されており、これら各部を制御する。また、制御装置１４は、温度センサ２７および温度センサ３０に接続されている。制御装置１４は、インバータ回路（図示せず）を用いて循環ブロワ２６を制御しており、循環ブロワ２６の回転数を制御することにより、循環ブロワ２６の風量を複数段階に調整する。
【００３６】
密閉装置５０は、供給ライン２４および還流ライン２５にそれぞれ設けられた遮断弁５１，５１を備えている。
供給ライン２４に設けられた遮断弁５１は、ヒータ２３と乾燥ホッパ２との間に配置されている。還流ライン２５に設けられた遮断弁５１は、温度センサ２７とクーラ２９との間に配置されている。
【００３７】
各遮断弁５１，５１は、制御装置１４に接続されており、制御装置１４によって制御される。各遮断弁５１，５１は、たとえば、ソレノイドに通電されていないときに開かれ、ソレノイドに通電されているときには閉じる。通常は、各遮断弁５１，５１に通電されておらず、これらの遮断弁５１，５１は開いている。
図２は、循環ライン２２内の気体および乾燥ホッパ２内の気体を窒素ガスに置換する置換工程、乾燥ホッパ２内の粉粒体の加熱乾燥工程、乾燥ホッパ２内の粉粒体の冷却工程、および粉粒体を乾燥ホッパ２内で保存する保存工程における制御装置１４の制御の流れを示すフロー図である。
【００３８】
次に、粉粒体を乾燥させる処理について述べる。
図２を参照して、乾燥ホッパ２には、予め所定量の粉粒体が溜められている。この状態で、オペレータなどから、制御装置１４に、乾燥ホッパ２内の粉粒体を乾燥する指示信号が入力されると、制御装置１４は、窒素発生器１９を駆動させて窒素ガスを発生させる（Ｓ１）。さらに、循環ライン２２の循環ブロワ２６の運転を開始する（Ｓ２）。循環ブロワ２６の運転が開始されてからの時間ＴＭが所定の第１時間ＴＭ１以上になるまでは（Ｓ３：ＮＯ）、窒素発生器１９および循環ブロワ２６が運転されている状態で待機される。
【００３９】
窒素発生器１９からの窒素ガスは、供給ライン２４に入り、気体（窒素ガス）の流れ方向Ａに沿って、循環ブロワ２６、供給ライン２４、乾燥ホッパ２、還流ライン２５の順に通過する。これにより、循環ライン２２および乾燥ホッパ２内の気体が窒素ガスに置換される（窒素パージ）。循環ライン２２内の空気および乾燥ホッパ２内の空気は、加圧により、たとえば、循環ブロワ２６のシール部分や、乾燥ホッパ２と蓋６との間の隙間などから、外部に放出される。
【００４０】
時間ＴＭが所定の第１時間ＴＭ１以上になることにより（Ｓ３：ＹＥＳ）、窒素パージが完了したと判定されると、加熱装置１２のヒータ２３がオンにされて、温度センサ３０による温度検出が行われながら、ヒータ２３による加熱が開始される（Ｓ４）。
すると、供給ライン２４を通過する窒素ガスがヒータ２３によって加熱される。加熱された窒素ガスは、乾燥ホッパ２に供給される。窒素ガスは、乾燥ホッパ２内の粉粒体を加熱することで粉粒体を乾燥させ、その後、還流ライン２５に排出される。還流ライン２５に排出された窒素ガスは、循環ブロワ２６で再び加圧されて供給ライン２４に送られ、ヒータ２３で加熱され、再度乾燥ホッパ２に送られる。上記のようにして、乾燥ホッパ２内の粉粒体が一定時間連続的に昇温加熱される。
【００４１】
時間ＴＭがたとえば第２時間ＴＭ２となることにより、温度センサ２７によって検出される温度Ｈが一定温度としての第１温度Ｈ１以上になると（Ｓ５：ＹＥＳ）、循環ブロワ２６の出力（供給電力）がｘ％低下される（Ｓ６）。
上記ｘ％の範囲は、０％〜１００％（但し０％および１００％を含まず。０％＜ｘ＜１００％）となる。好ましくは、上記ｘ％の範囲は、０％〜８０％（０％＜ｘ＜８０％）である。より好ましくは、上記ｘ％の範囲は、０％〜５０％（０％＜ｘ＜５０％）である。
【００４２】
循環ブロワ２６の出力を低下させる度合いは、乾燥ホッパ２の容量、乾燥ホッパ２に溜められた粉粒体の質量、粉粒体の種類、粉粒体の大きさ、第１温度Ｈ１、および乾燥ホッパ２を取り巻く雰囲気の温度によって決定される。
たとえば、乾燥ホッパ２の容量が５リットル、乾燥ホッパ２に溜められた粉粒体の質量が２ｋｇ、粉粒体の種類がホットカットされたナイロン、粉粒体の一粒の大きさが２ｍｍ×２ｍｍ×１ｍｍの板状、第１温度Ｈ１が８０℃、および乾燥ホッパ２を取り巻く雰囲気の温度が２４℃である場合、循環ブロワ２６の出力は約３３％低下される。
【００４３】
循環ブロワ２６の出力の低下により、温度Ｈが第１温度Ｈ１未満であったときと比べて、乾燥ホッパ２に供給される単位時間当たりの熱量が低くなり、粉粒体を加熱する度合いが弱められる。その結果、循環ブロワ２６の出力低下前と異なり、温度Ｈは上昇せず、第１温度Ｈ１に保たれる。すなわち、温度Ｈを第１温度Ｈ１に保つために、循環ブロワ２６の出力を低下する制御が行われる。
【００４４】
なお、本実施形態では、温度Ｈを第１温度Ｈ１に保つために、循環ブロワ２６の出力を低下する構成としているが、この構成に限定されない。たとえば、循環ブロワ２６の出力は変更せず、ヒータ２３の温度を低下させることにより、温度Ｈを第１温度Ｈ１に保つようにしてもよい。また、循環ブロワ２６の出力を低下させ、かつ、ヒータ２３の温度を低下させることにより、温度Ｈを第１温度Ｈ１に保つようにしてもよい。
【００４５】
時間ＴＭが所定の第３時間ＴＭ３以上になると（Ｓ７：ＹＥＳ）、ヒータ２３がオフにされ、ヒータ２３による窒素ガスの加熱が停止される（Ｓ８）。上記のようにして、温度Ｈが常温Ｈ０から第１温度Ｈ１に到達するまでの時間と、温度Ｈが第１温度Ｈ１に維持されている時間と、を合わせた一定時間、ヒータ２３で加熱された窒素ガスによって、乾燥ホッパ２内の粉粒体が加熱される。第１温度Ｈ１は、高温ではあるが粉粒体の酸化などの劣化が生じない程度の温度である。
【００４６】
ヒータ２３がオフにされた後、クーラブロワ３２の運転が開始される（Ｓ９）とともに、循環ブロワ２６の出力が、出力低下前の状態に復帰される（Ｓ１０）。クーラブロワ３２の駆動により、クーラ２９内が送風冷却される。すると、クーラ２９内を通過する窒素ガスの熱が吸収されるので、還流ライン２５内の窒素ガスが冷却される。クーラ２９内で冷却された窒素ガスは、循環ブロワ２６で再び加圧されて供給ライン２４に送られ、供給ライン２４から乾燥ホッパ２内に供給されて粉粒体を冷却する。乾燥ホッパ２内の粉粒体の熱を吸収した窒素ガスは、還流ライン２５に排出されクーラ２９で再び冷却される。この窒素ガスは、さらに、循環ブロワ２６および供給ライン２４を通って再度乾燥ホッパ２に供給される。
【００４７】
クーラ２９で冷却された窒素ガスによる粉粒体の冷却は、温度Ｈが所定の第２温度Ｈ２より高い間（Ｓ１１：ＮＯ）、継続される。
クーラ２９で冷却された窒素ガスによって粉粒体が冷却されることにより、温度センサ２７によって検出される温度Ｈが第２温度Ｈ２以下（粉粒体の酸化による劣化を十分に抑制できる程度の低温）になると（Ｓ１１：ＹＥＳ）、クーラブロワ３２の運転が停止される（Ｓ１２）。したがって、クーラ２９による窒素ガスの冷却が停止される。
【００４８】
次いで、循環ブロワ２６の運転が停止される（Ｓ１３）。その結果、窒素ガスによる乾燥ホッパ２内の粉粒体の冷却が停止される。すると、循環ライン２２における窒素ガスの循環が止まる。さらに、供給ライン２４の遮断弁５１および還流ライン２５の遮断弁５１にそれぞれ通電され、これらの遮断弁５１，５１が閉じられる（Ｓ１４）。すると、乾燥ホッパ２内の空間Ｓは、各遮断弁５１，５１によって、窒素ガスの雰囲気の下で密閉され、この空間Ｓ内に粉粒体が保存される。次いで、窒素発生器１９による窒素ガスの発生が停止される（Ｓ１５）。
【００４９】
図３は、図２の処理を制御しているときの、時間ＴＭと、温度センサ２７によって検出される温度Ｈ（乾燥ホッパ２内の粉粒体の温度）との関係を示すグラフ図である。図２の処理制御により、図３に示すように、時間ＴＭがゼロから第１時間ＴＭ１の間の置換工程（Ｓ１〜Ｓ３）では、温度Ｈは常温Ｈ０である。
また、時間ＴＭが第１時間ＴＭ１〜第３時間ＴＭ３までの間は、加熱乾燥工程（Ｓ４〜Ｓ７）である。加熱乾燥工程のうち、時間ＴＭが第１時間ＴＭ１〜第２時間ＴＭ２までの、循環ブロワ２６の出力が相対的に大きくされることで、乾燥ホッパ２内の粉粒体に与える単位時間当たりの熱量が多いとき（Ｓ４，Ｓ５）には、温度Ｈが常温Ｈ０から第１温度Ｈ１まで上昇する。次に、時間ＴＭが第２時間ＴＭ２〜第３時間ＴＭ３までの、循環ブロワ２６の出力が相対的に小さくされることで乾燥ホッパ２内の粉粒体に与える単位時間当たりの熱量が少ないとき（Ｓ６，Ｓ７）には、温度Ｈが第１温度Ｈ１に維持される。
【００５０】
時間ＴＭが第３時間ＴＭ３〜第４時間ＴＭ４までの冷却工程（Ｓ８〜Ｓ１１）では、温度Ｈが、第１温度Ｈ１から第２温度Ｈ２まで、略一定の割合で低下していく。
時間ＴＭが第４時間ＴＭ４以降の保存工程（Ｓ１２〜Ｓ１５）では、乾燥ホッパ２からの自然放熱により、温度Ｈが、冷却工程のときと比べて緩やかな割合で低下していく。
なお、保存工程の後、乾燥ホッパ２のうち、供給ライン２４との接続部や、還流ライン２５との接続部は、図示しない蓋や弁などによって閉じられる。したがって、乾燥ホッパ２が乾燥装置５から取り外されたときでも、乾燥ホッパ２内の空間Ｓは、密閉された状態である。したがって、乾燥ホッパ２内の空間Ｓは密閉され、かつ、窒素ガスの雰囲気である状態が維持される。
【００５１】
乾燥装置５から取り外された乾燥ホッパ２は、図示しない射出成形機に取り付けられる。射出成形機では、乾燥ホッパ２内の乾燥した粉粒体を用いて、樹脂成形が行われる。
以上説明したように、本実施形態によれば、加熱乾燥工程において、乾燥ホッパ２内の粉粒体を一定時間加熱乾燥することにより、この粉粒体を確実に乾燥することができる。また、加熱乾燥された粉粒体を冷却工程で冷却することにより、粉粒体の過熱を防止できる。したがって、乾燥ホッパ２内で、粉粒体が加熱されてから長時間消費されないときでも、粉粒体の十分な乾燥状態を達成しつつ、過乾燥による粉粒体の酸化などの劣化を確実に防止できる。さらに、粉粒体を乾燥ホッパ２内の不活性ガスの雰囲気下で冷却することができるので、粉粒体が酸化により劣化することをより確実に防止できる。しかも、粉粒体は、一定時間乾燥後に冷却されるので、粉粒体に均一な熱履歴を付与することができる。したがって、粉粒体の品質を維持することができる。その結果、乾燥開始から長時間経過した粉粒体を用いて樹脂成形品を成形しても、樹脂成形品が、黄みがかったものとなるなどの不具合が生じることを防止できる。その結果、樹脂成形品の品質にばらつきが生じることを防止できる。
【００５２】
また、乾燥ホッパ２内の樹脂の劣化を防止できるので、過乾燥に起因する品質低下による粉粒体の廃棄をなくすことができ、樹脂成形品の製造コストを低減できる。また、粉粒体の廃棄物が減るので、地球環境保全の観点からも好ましい。
さらに、乾燥ホッパ２内の粉粒体を窒素ガスの雰囲気下で加熱するので、乾燥ホッパ２内の粉粒体が酸化により劣化することをより確実に防止できる。
【００５３】
また、保存工程では、冷却工程で冷却された粉粒体を、密閉装置５０によって密閉された乾燥ホッパ２内の空間Ｓで、窒素ガスの雰囲気の下保存している。これにより、加熱乾燥された後に冷却された粉粒体を、乾燥ホッパ２内の、窒素ガスの雰囲気下で保存しておくことができる。これにより、乾燥された粉粒体が吸湿や酸化などにより劣化することを、長時間に亘ってより確実に防止することができる。
【００５４】
また、１つの乾燥ホッパ２内で、粉粒体の加熱乾燥および冷却の双方を行うので、加熱乾燥工程と冷却工程とを別々のホッパで行う必要がない。したがって、加熱乾燥工程と冷却工程との間に粉粒体の移し替え工程を設けなくて済み、移送中の吸湿や酸化を防ぐことができ、粉粒体の劣化を抑制することができる。また、加熱乾燥用ホッパと冷却用ホッパとを別々に用意しなくてよく、粉粒体の加熱乾燥および冷却を行うための構成を簡単にできる。
【００５５】
さらに、加熱乾燥工程では、温度Ｈが第１温度Ｈ１以上になると、温度Ｈが第１温度Ｈ１未満のときよりも、乾燥ホッパ２内の粉粒体を加熱する度合いを弱めている。このように、乾燥ホッパ２内の粉粒体の温度が第１温度Ｈ１以上になると、粉粒体の加熱の度合いが弱くされるので、乾燥ホッパ２内の粉粒体の温度を第１温度Ｈ１に維持できる。これにより、乾燥ホッパ２内の粉粒体の温度が乾燥に必要な温度を超えて過熱されることを確実に防止できる。その結果、粉粒体の劣化をより確実に防止できる。
【００５６】
図４は、本発明の別の実施形態にかかる樹脂成形装置１の全体構成図である。なお、本実施形態では、図１〜図３に示す実施形態と異なる点について主に説明し、同様の構成には図に同様の符号を付してその説明を省略する。
樹脂成形装置１は、たとえば、樹脂ペレット、粉砕材、マスターバッチ、添加剤などの粉粒体を材料として樹脂成形品を成形する。この樹脂成形装置１は、特に、大きさが数ｍｍ程度の小型の部品の成形に適しており、１時間あたり、数百ｇ程度の粉粒体を消費する。
【００５７】
樹脂成形装置１は、粉粒体が溜められる乾燥ホッパ２と、乾燥ホッパ２の粉粒体を気力によって輸送する気力輸送装置３と、気力輸送装置３によって輸送された粉粒体が受け入れられる射出成形機４と、乾燥ホッパ２に溜められた粉粒体を乾燥する乾燥装置５と、乾燥ホッパ２内の空間Ｓを密閉するための密閉装置５００とを備えている。密閉装置５００は、乾燥装置５の一部である。
【００５８】
なお、本実施形態では、乾燥ホッパ２が乾燥装置５に接続された状態のまま、乾燥ホッパ２内の粉粒体が気力輸送装置３によって射出成形機４に供給される構成である。
気力輸送装置３は、乾燥ホッパ２の下端に接続された吸引輸送管７、ローダホッパ８、フィルタ９および気力源としての吸引式ブロワ１０が、その順に配管された構成を含んでいる。吸引式ブロワ１０の作動によって、吸引輸送管７から乾燥ホッパ２内の粉粒体が吸引され、吸引された粉粒体が、吸引輸送管７を介してローダホッパ８に気力輸送されて溜められ、このローダホッパ８において気体と分離された後、射出成形機４に供給される。ローダホッパ８において粉粒体と分離された気体は、フィルタ９において粉塵が除去された後、吸引式ブロワ１０から戻りライン５５に吐出され、乾燥ホッパ２と後述する遮断弁５１との間において吸引輸送管７に戻される。
【００５９】
射出成形機４は、ローダホッパ８から落下してくる粉粒体を溶融して溶融材料とし、この溶融材料を金型に射出して樹脂成形品を成形する。
密閉装置５００は、供給ライン２４、還流ライン２５、吸引輸送管７および戻りライン５５にそれぞれ設けられた遮断弁５１，５１，５１，５１を備えている。
供給ライン２４に設けられた遮断弁５１は、ヒータ２３と乾燥ホッパ２との間に配置されている。還流ライン２５に設けられた遮断弁５１は、温度センサ２７とクーラ２９との間に配置されている。吸引輸送管７に設けられた遮断弁５１は、乾燥ホッパ２とローダホッパ８との間に配置されている。
【００６０】
各遮断弁５１，５１，５１，５１は、制御装置１４に接続されており、制御装置１４によって制御される。各遮断弁５１，５１，５１，５１は、たとえば、そのソレノイドに通電されていないときに開かれ、ソレノイドに通電されているときには閉じる。通常は、各遮断弁５１，５１，５１，５１に通電されておらず、これらの遮断弁５１，５１，５１，５１は開いている。
【００６１】
この樹脂成形装置１において、粉粒体は、１バッチごとに加熱乾燥、冷却および保存され、その後、射出成形機４に供給される。樹脂成形装置１において、粉粒体を乾燥させる処理は、図２に示すフローと同様である。乾燥ホッパ２内の粉粒体が加熱乾燥、冷却および保存されている間、吸引輸送管７内の遮断弁５１と、戻りライン５５の遮断弁５１とは、閉じられている。
【００６２】
保存工程の後、乾燥ホッパ７からローダホッパ８に粉粒体を輸送するときは、吸引輸送管７および戻りライン５５の遮断弁５１，５１への通電が解除されることにより、これらの遮断弁５１，５１が開かれ、その状態で吸引式ブロワ１０が運転される。
すると、乾燥ホッパ２の粉粒体は、吸引輸送管７を介してローダホッパ８に輸送される。乾燥ホッパ２からローダホッパ８への粉粒体の輸送が終了すると、吸引式ブロワ１０の運転が停止され、吸引輸送管７および戻りライン５５の遮断弁５１，５１は、再び通電されることにより閉じられる。
【００６３】
以上説明したように、本実施形態によれば、乾燥ホッパ２内で加熱乾燥、冷却および保存された粉粒体を気力輸送装置３によって射出成形機４に供給できる。したがって、乾燥ホッパ２から射出成形機４への粉粒体の供給を自動化できる。
本発明は、以上の実施の形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。なお、以下では、図４に示す実施形態と異なる点について主に説明し、同様の構成には図に同様の符号を付してその説明を省略する。
【００６４】
たとえば、クーラブロワ３２を省略するとともに、図５に示すように、還流ライン２５の一部を蛇腹状にすることで冷却装置１３Ａを形成してもよい。この場合、還流ライン２５を通過する気体は、冷却装置１３Ａで還流ライン２５の外側の空気に熱を放出して冷却される。なお、冷却装置１３Ａの冷却能力に比べてヒータ２３の加熱能力が十分に高くされている。したがって、循環ブロワ２６が運転されているときにおいて、ヒータ２３がオンにされている間は、ヒータ２３によって循環ライン２２内の気体が加熱され、冷却装置１３Ａは実質的に機能しない。また、ヒータ２３がオフにされている間は、冷却装置１３Ａが循環ライン２２内の気体を冷却する。
【００６５】
また、図４の冷却装置１３を廃止し、図６に示すように、ローダホッパ８内の粉粒体を冷却する冷却装置１３Ｂと、ローダホッパ８内の空間Ｓ’を密閉する密閉装置５３とを設けてもよい。
この場合、乾燥ホッパ２内に溜められた粉粒体は、加熱装置１２で加熱乾燥される。また、ローダホッパ８内の空間Ｓ’に溜められた粉粒体は、冷却装置１３Ｂで冷却されるとともに、ローダホッパ８の密閉された空間Ｓ’内で窒素ガス雰囲気下で保存される。この場合、ローダホッパ８には、もう１つの循環ライン２２’が設けられる。
【００６６】
もう一つの循環ライン２２’は、ローダホッパ８と、冷却装置１３Ｂとに気体を循環させるものである。もう１つの循環ライン２２’において、循環ブロワ２６’が運転されると、還流ライン２５’内の気体は、循環ブロワ２６’で再び加圧され、供給ライン２４’からローダホッパ８に送られ、再び還流ライン２５’に戻される。冷却装置１３Ｂが介在する循環ライン２２’内の気体は、ローダホッパ８を循環する。
【００６７】
また、窒素発生装置１１の窒素供給ライン１５には、分岐ライン３４が設けられている。分岐ライン３４には、仕切弁２０’および流量計２１’が介装されているとともに、もう１つの循環ライン２２’とは、クーラ２９’とラインフィルタ２８’との間で接続されている。したがって、窒素発生器１９で発生した窒素ガスは、もう１つの循環ライン２２’の還流ライン２５’に供給される。
【００６８】
もう１つの循環ライン２２’の温度センサ２７’、循環ブロワ２６’、およびクーラブロワ３２’がそれぞれ制御装置１４に接続されている。制御装置１４は、もう１つの循環ライン２２’の温度センサ２７’によって検出される、還流ライン２５’内の温度、すなわち、ローダホッパ８内の粉粒体の温度に基づいて、これら循環ブロワ２６’およびクーラブロワ３２’をそれぞれ制御する。
【００６９】
密閉装置５３は、吸引輸送管７に設けられた遮断弁５１と、もう１つの循環ライン２２’の供給ライン２４’に設けられた遮断弁５１と、もう１つの循環ライン２２’の還流ライン２５’に設けられた遮断弁５１と、ローダホッパ８と吸引式ブロワ１０との間に設けられた遮断弁５１と、ローダホッパ８の排出口に設けられた遮断弁５４とを備えている。これらの遮断弁５１，５１，５１，５１，５４は、それぞれ、制御装置１４に接続されており、この制御装置１４によって開閉が制御される。遮断弁５４は、たとえば、ソレノイドにより駆動されるシリンダを含んでおり、遮断弁５１と同様に、そのソレノイドに通電されていないときに遮断弁５４が開かれ、ソレノイドに通電されているときには遮断弁５４が閉じる。これにより、密閉装置５３は、ローダホッパ８を密閉する。冷却された粉粒体は、ローダホッパ８内で、窒素ガスの雰囲気下、密閉保存される。
【００７０】
また、図７に示す構成を採用してもよい。この場合、図４に示す構成と対比して、以下の７点が異なっている。すなわち、（１）乾燥ホッパ２が２つ設けられているとともに、各乾燥ホッパ２のそれぞれに乾燥装置５および密閉装置５００が設けられている点が大きく異なる。さらに、（２）吸引輸送管７に２つの乾燥ホッパ２が接続されている点が異なる。また、（３）吸引式ブロワ１０からの戻りライン５５が、一方の（図７の左側）の乾燥ホッパ２に接続される戻りライン５５ａと他方（図７の右側）の乾燥ホッパ２に接続される戻りライン５５ｂとを含んでおり、かつ、各乾燥ホッパ２と吸引輸送管７との接続部付近のそれぞれにおいて戻りライン５５ａ，５５ｂが吸引輸送管７に接続されている点が異なる。また、（４）１つの窒素発生装置１１から各循環ライン２２，２２の還流ライン２５，２５のそれぞれに窒素ガスを供給する点が異なる。また、（５）各冷却装置１３，１３でクーラブロワ３２が共用されている点が異なる。また、（６）各乾燥装置５，５で制御装置１４が共用されている点が異なる。また、（７）各密閉装置５００，５００で制御装置１４が共用されている点が異なっている。
【００７１】
上記（１）において、一方の（図７の左側の）乾燥ホッパ２を密閉するときは、この乾燥ホッパ２に連なる供給ライン２４および還流ライン２５の遮断弁５１，５１と、吸引輸送管７のうち一方の乾燥ホッパ２の近傍の遮断弁５１と、戻りライン５５ａの遮断弁５１とを閉じる。
また、他方の（図７の右側の）乾燥ホッパ２を密閉するときは、この乾燥ホッパ２に連なる供給ライン２４および還流ライン２５の遮断弁５１，５１と、吸引輸送管７のうち他方の乾燥ホッパ２の近傍の遮断弁５１と、戻りライン５５ｂの遮断弁５１とを閉じる。戻りライン５５ａ，５５ｂのそれぞれに遮断弁５１を配置していることにより、一方の乾燥ホッパ２と他方の乾燥ホッパ２を別々に密閉することができる。
【００７２】
上記（４）について、窒素発生装置１１には、窒素供給ライン１５から分岐する分岐ライン３５が設けられている。分岐ライン３５は、仕切弁２０および流量計２１が設けられているとともに、一方の循環ライン２２の還流ライン２５に、ラインフィルタ２８と循環ブロワ２６との間で接続されている。
上記（５）について、クーラブロワ３２は、各冷却装置１３，１３のクーラ２９に接続されている。
【００７３】
上記（６）および（７）について、制御装置１４には、窒素発生装置１１の電磁弁１７、窒素発生器１９、各循環ブロワ２６，２６、各ヒータ２３，２３、クーラブロワ３２、各温度センサ２７，２７，３０，３０、および各遮断弁５１がそれぞれ接続されている。制御装置１４は、これらの電磁弁１７、窒素発生器１９、各循環ブロワ２６，２６、各ヒータ２３，２３、クーラブロワ３２および各遮断弁５１を制御する。
【００７４】
本実施形態における、各乾燥ホッパ２についての置換工程、加熱乾燥工程、および冷却工程は、図２に示す処理と同様である。
また、吸引輸送管７の２つの遮断弁５１を択一的に開くことで、ローダホッパ８に粉粒体が供給される乾燥ホッパ２を択一的に選択（バッチ切替）できる。
なお、本実施形態では、クーラブロワ３２を各冷却装置１３，１３で共用する構成としたが、各冷却装置１３，１３のそれぞれにクーラブロワ３２を独立して配置し、これらのクーラブロワ３２，３２を制御装置１４で互いに独立して制御してもよい。
【００７５】
また、各上記実施形態において、冷却装置１３，１３Ａ，１３Ｂは、空冷式である構成を説明したが、これらの冷却装置１３，１３Ａ，１３Ｂは、水冷式などの他の冷却方式を用いてもよい。さらに、蛇腹配管からなる冷却装置１３Ａと熱交換器とを併用してもよい。
また、窒素パージは、その開始から一定時間（第１時間ＴＭ１）経過後に完了する構成を説明したが、これに限らない。たとえば、循環ライン２２の還流ライン２５にＯ２センサを設け、Ｏ２センサによって検出される酸素濃度が実質的にゼロになったときに、窒素パージを完了するようにしてもよい。さらに、窒素ガス以外の他の一般の不活性ガスを用いて、粉粒体を加熱乾燥および冷却してもよい。また、乾燥ホッパ２を密閉する密閉装置は、乾燥ホッパ２内の空間Ｓを密閉できればよく、その構成は図１などで説明したものに限らない。同様に、ローダホッパ８内の空間Ｓ’を密閉する密閉装置は、ローダホッパ８内の空間Ｓ’を密閉できればよく、その構成は図６で説明したものに限らない。
【００７６】
また、加熱および乾燥され、その後冷却された粉粒体は、密閉された容器に保存されていればよく、不活性ガス以外の空気などの気体の雰囲気下で保存されてもよい。また、粉粒体の加熱は、不活性ガスによる加熱に限らず、不活性ガス以外の気体による加熱でもよい。
【符号の説明】
【００７７】
２  乾燥ホッパ（ホッパ）
５  乾燥装置
８  ローダホッパ（ホッパ）
１２  加熱装置
１３，１３Ａ，１３Ｂ  冷却装置
５０，５３，５００  密閉装置
Ｈ  粉粒体の温度
Ｈ１  第１温度（一定温度）
Ｓ，Ｓ’  空間
【図１】
2010131986.tif 000003
【図２】
2010131986.tif 000004
【図３】
2010131986.tif 000005
【図４】
2010131986.tif 000006
【図５】
2010131986.tif 000007
【図６】
2010131986.tif 000008
【図７】
2010131986.tif 000009