(57)【要約】【課題】記憶媒体の損傷や障害の発生を低減させることができるヘッドスライダおよび記憶装置を提供する。【解決手段】ヘッドスライダ２２は記憶媒体１４の表面に向き合う。スライダ本体３１のベース面３５にはベース面３５の輪郭との間にレール３７の輪郭に沿って溝４５が形成される。例えば記憶媒体１４の表面に付着した塵埃５８がベース面３５と記憶媒体１４の表面との間に進入すると、塵埃５８は溝４５上でレール３７の側面に衝突する。塵埃５８の衝突時、塵埃５８は記憶媒体１４の表面に沿ってレール３７の側面に跳ね返される。塵埃５８から記憶媒体１４の表面に大きな衝撃は加えられない。記憶媒体１４の記録磁性膜の損傷や記憶媒体１４の表面との接触に基づく摩擦熱の生成は回避される。障害の発生は低減される。【選択図】図１４
2010225204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダ本体と、
前記スライダ本体に規定されるベース面と、
前記ベース面から立ち上がるレールと、
前記ベース面の輪郭との間で前記レールの輪郭に沿って前記ベース面に形成される溝とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項２】
請求項１に記載のヘッドスライダにおいて、前記溝は前記ベース面の側端に沿って延びることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項３】
請求項２に記載のヘッドスライダにおいて、前記レールの空気流入側端に沿って前記ベース面に形成される補助溝を備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項４】
記憶媒体と、
前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダに規定されて、前記記憶媒体の表面に向き合うベース面と、
前記ベース面から立ち上がるレールと、
前記ベース面の輪郭との間で前記レールの輪郭に沿って前記ベース面に形成される溝とを備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項４に記載の記憶装置において、前記溝は前記ベース面の側端に沿って延びることを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
請求項５に記載の記憶装置において、前記レールの空気流入側端に沿って前記ベース面に形成される補助溝を備えることを特徴とする記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶装置に組み込まれるヘッドスライダに関する。
【背景技術】
【０００２】
ヘッドスライダのベース面には空気流入端に沿って所定の高さで例えばフロントレールが形成される。フロントレールの頂上面には空気軸受け面が形成される。空気軸受け面から一段低いレベルでフロントレール上にはステップ面が形成される。フロントレールは例えばイオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）に基づき削り出される。削り出しにあたって、最初に第１マスクが形成される。第１マスクは空気軸受け面の輪郭より僅かに大きい輪郭を象る。第１マスクの外側でヘッドスライダは削り出される。削り出し後、第１マスクは除去される。続いて、空気軸受け面およびステップ面の輪郭を象る第２マスクが形成される。第２マスクは空気軸受け面およびステップ面の輪郭を象る。第２マスクの外側でヘッドスライダは削り出される。削り出し後、第２マスクは除去される。こうしてフロントレールは形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第７１５４７０９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述のように、第１マスクの輪郭は第２マスクの輪郭より一回り大きい。その結果、第１マスクの輪郭および第２マスクの輪郭の間でヘッドスライダは所望の深さまで削り出されない。その結果、フロントレールの輪郭に沿って意図しない加工残りが発生する。例えばヘッドスライダの浮上時、ヘッドスライダと磁気ディスクとの間に塵埃が進入すると、塵埃は加工残りに接触する。塵埃は加工残りに乗り上げる。その結果、塵埃は加工残りおよび磁気ディスクの間に挟み込まれる。塵埃は磁気ディスクの表面に強く押し付けられる。例えば硬い塵埃は磁気ディスクの磁性膜を損傷させる。例えば比較的に柔らかい塵埃は磁気ディスクとの接触に基づき摩擦熱を発生させる。摩擦熱は磁性膜の磁気情報を消失させてしまうといった障害が発生する。
【０００５】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、記憶媒体の損傷や障害の発生を低減させることができるヘッドスライダおよび記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、ヘッドスライダの一具体例は、スライダ本体と、前記スライダ本体に規定されるベース面と、前記ベース面から立ち上がるレールと、前記ベース面の輪郭との間で前記レールの輪郭に沿って前記ベース面に形成される溝とを備える。
【０００７】
こうしたヘッドスライダは記憶媒体の表面に向き合う。スライダ本体のベース面にはベース面の輪郭との間にレールの輪郭に沿って溝が形成される。例えば記憶媒体の表面に付着した塵埃がベース面と記憶媒体の表面との間に進入すると、塵埃は溝上でレールの側面に衝突する。塵埃の衝突時、塵埃は記憶媒体の表面に沿ってレールの側面に跳ね返される。塵埃から記憶媒体の表面に大きな衝撃は加えられない。記憶媒体の記録磁性膜の損傷や記憶媒体の表面との接触に基づく摩擦熱の生成は回避される。障害の発生は低減される。
【０００８】
その一方で、従来のヘッドスライダには溝は形成されない。溝の形成領域ではレールの側面に沿って加工残りが形成される。その結果、塵埃がベース面と記憶媒体との間に進入すると、塵埃はレールの側面に到達する前に加工残りに衝突してしまう。塵埃は加工残りに乗り上げる。その結果、塵埃は加工残りおよび記憶媒体の間に挟み込まれる。塵埃は記憶媒体の表面に強く押し付けられる。その結果、塵埃から記憶媒体の表面に大きな衝撃が加わる。例えば塵埃の食い込みに基づき記憶媒体の記録磁性膜は損傷する。塵埃と記憶媒体の表面との接触に基づき摩擦熱が生じる。摩擦熱に基づき記録磁性膜の磁気情報は消失してしまう。
【０００９】
上記目的を達成するために、記憶装置の一具体例は、記憶媒体と、前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、前記ヘッドスライダに規定されて、前記記憶媒体の表面に向き合うベース面と、前記ベース面から立ち上がるレールと、前記ベース面の輪郭との間で前記レールの輪郭に沿って前記ベース面に形成される溝とを備える。こうした記憶装置によれば、前述と同様の作用効果が実現される。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように開示のヘッドスライダおよび記憶装置によれば、記憶媒体の損傷や障害の発生を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す斜視図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す平面図である。
【図４】図３の４−４線に沿った断面図である。
【図５】図３の５−５線に沿った断面図である。
【図６】媒体対向面の形成にあたってバーの切断面にマスクを形成する工程を概略的に示す平面図である。
【図７】図６の７−７線に沿った断面図であり、バーの切断面にエッチングを施す工程を概略的に示す断面図である。
【図８】媒体対向面の形成にあたってバーの切断面にマスクを形成する工程を概略的に示す平面図である。
【図９】図８の９−９線に沿った断面図であり、バーの切断面にエッチングを施す工程を概略的に示す平面図である。
【図１０】ベース面に加工残りが形成される様子を概略的に示す断面図である。
【図１１】媒体対向面の形成にあたってバーの切断面にマスクを形成する工程を概略的に示す平面図である。
【図１２】ベース面に溝が形成される様子を概略的に示す断面図である。
【図１３】本発明に係る浮上ヘッドスライダのベース面および磁気ディスクの表面の間に塵埃が進入する場面を示す断面図である。
【図１４】本発明に係る浮上ヘッドスライダのベース面および磁気ディスクの表面の間に塵埃が進入する場面を示す断面図である。
【図１５】本発明に係る浮上ヘッドスライダのベース面および磁気ディスクの表面の間に塵埃が進入する場面を示す断面図である。
【図１６】従来の浮上ヘッドスライダのベース面および磁気ディスクの表面の間に塵埃が進入する場面を示す断面図である。
【図１７】従来の浮上ヘッドスライダのベース面および磁気ディスクの表面の間に塵埃が進入する場面を示す断面図である。
【図１８】従来の浮上ヘッドスライダのベース面および磁気ディスクの表面の間に塵埃が進入する場面を示す断面図である。
【図１９】図１０に対応し、ベース面に加工残りが形成される様子を概略的に示す断面図である。
【図２０】本発明の第２実施形態に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す斜視図である。
【図２１】本発明の第２実施形態に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す平面図である。
【図２２】媒体対向面の形成にあたってバーの切断面にマスクを形成する工程を概略的に示す平面図である。
【図２３】ベース面に溝が形成される様子を概略的に示す断面図である。
【図２４】本発明に係る浮上ヘッドスライダのベース面および磁気ディスクの表面の間に塵埃が進入する場面を示す断面図である。
【図２５】本発明に係る浮上ヘッドスライダのベース面および磁気ディスクの表面の間に塵埃が進入する場面を示す断面図である。
【図２６】本発明に係る浮上ヘッドスライダのベース面および磁気ディスクの表面の間に塵埃が進入する場面を示す断面図である。
【図２７】本発明の第３実施形態に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す斜視図である。
【図２８】本発明の第３実施形態に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す平面図である。
【図２９】図２８の２９−２９線に沿った断面図である。
【図３０】図２８の３０−３０線に沿った断面図である。
【図３１】媒体対向面に流れ込む気流の様子を概略的に示す平面図である。
【図３２】媒体対向面の形成にあたってバーの切断面にマスクを形成する工程を概略的に示す平面図である。
【図３３】媒体対向面の形成にあたってバーの切断面にマスクを形成する工程を概略的に示す平面図である。
【図３４】ベース面に加工残りが形成される様子を概略的に示す断面図である。
【図３５】媒体対向面の形成にあたってバーの切断面にマスクを形成する工程を概略的に示す平面図である。
【図３６】ベース面に加工残りが形成される様子を概略的に示す平面図である。
【図３７】媒体対向面の形成にあたってバーの切断面にマスクを形成する工程を概略的に示す平面図である。
【図３８】本発明の第４実施形態に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す斜視図である。
【図３９】本発明の第４実施形態に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す平面図である。
【図４０】媒体対向面の形成にあたってバーの切断面にマスクを形成する工程を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１３】
図１は本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）から構成される。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。
【００１４】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモータ１５の回転軸に装着される。スピンドルモータ１５は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。
【００１５】
収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には、支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００１６】
個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１の先端にはフレキシャが張り合わせられる。フレキシャの働きで浮上ヘッドスライダ２２はヘッドサスペンション２１に対してその姿勢を変化させることができる。浮上ヘッドスライダ２２にはヘッド素子すなわち電磁変換素子が搭載される。
【００１７】
磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２２は浮上し続けることができる。
【００１８】
こういった浮上ヘッドスライダ２２の浮上中にキャリッジ１６が支軸１８回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。
【００１９】
キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２３といった動力源が接続される。このＶＣＭ２３の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。
【００２０】
ヘッドサスペンション２１の先端には、ヘッドサスペンション２１の先端から前方に延びるロードタブ２４が固定される。ロードタブ２４はキャリッジアーム１９の揺動に基づき磁気ディスク１４の半径方向に移動することができる。ロードタブ２４の移動経路上には磁気ディスク１４の外側でランプ部材２５が配置される。ランプ部材２５はベース１３に固定される。ロードタブ２４はランプ部材２５に受け止められる。
【００２１】
ランプ部材２５にはロードタブ２４の移動経路に沿って延びるランプ２５ａが形成される。このランプ２５ａは磁気ディスク１４の中心から遠ざかるにつれて磁気ディスク１４の表面を含む仮想平面から遠ざかる。したがって、キャリッジアーム１９が支軸１８回りで磁気ディスク１４の回転軸から遠ざかると、ロードタブ２４はランプ２５ａを上っていく。こうして浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の表面から引き剥がされる。浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の外側で保持される。
【００２２】
反対に、キャリッジアーム１９が支軸１８回りに磁気ディスク１４の回転軸に向かって揺動すると、ロードタブ２４はランプ２５ａを下っていく。回転中の磁気ディスク１４の表面で浮上ヘッドスライダ２２は浮上する。ランプ部材２５およびロードタブ２４は協働でいわゆるロードアンロード機構を構成する。ランプ部材２５は例えば硬質プラスチック材料から成型されればよい。
【００２３】
図２は本発明の第１実施形態に係る浮上ヘッドスライダ２２を示す。この浮上ヘッドスライダ２２は、例えば平たい直方体に形成される基材すなわちスライダ本体３１を備える。スライダ本体３１の空気流出側端面には絶縁性の非磁性膜すなわち素子内蔵膜３２が積層される。この素子内蔵膜３２に前述の電磁変換素子３３が組み込まれる。スライダ本体３１は例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質の非磁性材料から形成される。素子内蔵膜３２は例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成される。スライダ本体３１は媒体対向面３４で磁気ディスク１４に向き合う。媒体対向面３４には平坦なベース面３５すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１４が回転すると、スライダ本体３１の前端から後端に向かって媒体対向面３４には気流３６が作用する。
【００２４】
媒体対向面３４には、前述の気流３６の上流側すなわち空気流入側でベース面３５から立ち上がる１筋のフロントレール３７が形成される。フロントレール３７は、スライダ本体３１の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。媒体対向面３４にはベース面３５から立ち上がる左右１対のサイドレール３８、３８が形成される。サイドレール３８はフロントレール３７の空気流出端から空気流出側に延びる。サイドレール３８の前端はフロントレール３７の空気流出側端面に接続される。サイドレール３８の後端はスライダ本体３１の空気流出端より空気流入側に配置される。サイドレール３８、３８同士は相互に平行に延びる。
【００２５】
媒体対向面３４には、フロントレール３７より空気流出側でベース面３５から立ち上がるリアセンターレール３９がさらに形成される。リアセンターレール３９は、スライダ本体３１の空気流入端に規定されるスライダ幅方向の中央位置およびスライダ本体３１の空気流出端に規定されるスライダ幅方向の中央位置を結ぶ前後方向中心線Ｌ上に配置される。サイドレール３８、３８の間にリアセンターレール３９が配置される。リアセンターレール３９は素子内蔵膜３２に至る。
【００２６】
フロントレール３７およびリアセンターレール３９の頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）４１、４２が規定される。空気軸受け面４１はフロントレール３７上からサイドレール３８上に延びる。空気軸受け面４１、４２の空気流入端は段差でステップ面４３、４４に接続される。ステップ面４３、４４は空気軸受け面４１、４２よりも一段低いレベルで広がる。ステップ面４３はフロントレール３７の空気流入端でスライダ幅方向に延びる。ステップ面４４はリアセンターレール３９の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。
【００２７】
媒体対向面３４に気流３６が作用すると、段差の働きで空気軸受け面４１には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３７の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。サイドレール３８の働きによれば、スライダ本体３１の左右からフロントレール３７の背後に気流は入り込むことはできない。したがって、気流３６は空気軸受け面４１の通過後にフロントレール３７の背後で容易にディスク面鉛直方向に広がる。こうした気流の急激な広がりに基づき負圧は生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２２の浮上姿勢は確立される。
【００２８】
図３を併せて参照し、ベース面３５には、ベース面３５の輪郭すなわち側端とフロントレール３７の輪郭およびサイドレール３８の輪郭との間で左右１対の溝４５、４５が形成される。すなわち、溝４５は、フロントレール３７の側面およびサイドレール３８の外向き面に沿って内縁を規定する。フロントレール３７の側面およびサイドレール３８の外向き面は同一の平面内に規定される。溝４５の外縁とベース面３５の側端との間にはベース面３５が規定される。溝４５の前端は空気軸受け面４１の空気流入端より空気流入側に規定される。同様に、溝４５の後端は空気軸受け面４１の空気流出端より空気流出側に規定される。
【００２９】
図４を併せて参照し、ベース面３５には、フロントレール３７の空気流出側端面およびサイドレール３８の内向き面に沿って延びる加工残り４６が形成される。加工残り４６は、空気軸受け面４１の輪郭に沿ってベース面３５から立ち上がる突壁から形成される。同様に、リアセンターレール３９の空気流出端および側面に沿ってベース面３５には加工残り４６が形成される。加工残り４６は、空気軸受け面４２の輪郭に沿ってベース面３５から立ち上がる突壁から形成される。加工残り４６の頂上面は、ベース面３５よりも一段高いレベルで広がると同時に、ステップ面４３、４４よりも低いレベルで広がる。こうした加工残り４６は浮上ヘッドスライダ２２の製造時に形成される。
【００３０】
空気軸受け面４２の空気流出側でリアセンターレール３９には電磁変換素子３３が埋め込まれる。電磁変換素子３３は例えば読み出し素子と磁気記録ヘッドすなわち書き込み素子とを備える。電磁変換素子３３は素子内蔵膜３２の表面に読み出し素子の読み出しギャップや書き込み素子の書き込みギャップを臨ませる。ただし、空気軸受け面４２の空気流出側で素子内蔵膜３２の表面には硬質の保護膜が形成されてもよい。こういった硬質の保護膜は素子内蔵膜３２の表面で露出する読み出しギャップや書き込みギャップを覆う。保護膜には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜が用いられればよい。
【００３１】
こうした浮上ヘッドスライダ２２では、空気軸受け面４２に比べて空気軸受け面４１で大きな正圧すなわち浮力が生成される。その結果、図２から明らかなように、スライダ本体３１はピッチ角αの傾斜姿勢で維持される。ここで、ピッチ角αとは、気流３６の流れ方向に沿ったスライダ本体３１前後方向の傾斜角をいう。こうした傾斜姿勢の確立時に、電磁変換素子３３の書き込み素子は磁気ディスク１４に２値情報を書き込む。同様に、電磁変換素子３３の読み出し素子は磁気ディスク１４から２値情報を読み出す。
【００３２】
図５を併せて参照し、ステップ面４３、４４は、空気軸受け面４１、４２を含む基準仮想平面Ｐから第１深さＤ１に設定される。ベース面３５は、基準仮想平面Ｐから第１深さＤ１より大きい第２深さＤ２に設定される。その一方で、溝４５の底面は、図４から明らかなように、基準仮想平面Ｐから第２深さＤ２より大きい第３深さＤ３に設定される。例えば浮上ヘッドスライダ２２の前後方向の長さが１．２５ｍｍに設定される場合、第１深さＤ１は０．３μｍ程度に、第２深さＤ２は２μｍ程度に設定される。ベース面３５から加工残り４６の高さは０．３μｍ程度に、幅は３μｍ程度に設定される。このとき、１００μｒａｄ程度のピッチ角αが確立されると、磁気ディスク１４の表面からベース面３５まで最大で２．２μｍ程度の浮上高さが確立される。
【００３３】
以上のようなＨＤＤ１１では、キャリッジブロック１７が支軸１８回りで回転すると、支軸１８を中心に描かれる仮想円に沿って浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４上を移動する。電磁変換素子３３が最外周および最内周の中間位置の記録トラック上に位置決めされると、スライダ本体３１の前後方向中心線Ｌと記録トラックの中心線との交差角すなわちスキュー角は最小値すなわち０（ゼロ）度に設定される。その一方で、電磁変換素子３３が最内周や最外周の記録トラック上に位置決めされると、スキュー角は最大値に設定される。ここで、スキュー角の最大値は例えば２０度程度に設定される。スキュー角は中間位置から外周側や内周側に向かうにつれて増大する。
【００３４】
次に、浮上ヘッドスライダ２２の製造方法を説明する。まず、アルチック製のウエハの表面に任意の行数および列数で複数個の電磁変換素子３３を含む電磁変換素子群が作り込まれる。ウエハの表面で電磁変換素子群はアルミナ膜に埋め込まれる。その後、ウエハの表面に直交する相互に平行な切断面でウエハからバーが切り出される。こうして個々のバーごとに規定の行数および列数の電磁変換素子３３が切り分けられる。一方の切断面に浮上ヘッドスライダ２２の媒体対向面３４が対応付けられる。その後、バーの切断面にはラッピング処理が施される。こうして電磁変換素子３３に含まれる読み出し素子の寸法は規定値に合わせ込まれる。
【００３５】
切断面には保護膜すなわちダイヤモンドライクカーボンの硬質膜が積層される。切断面では、個々の浮上ヘッドスライダ２２に対応する区画ごとに媒体対向面３４が形作られる。形成にあたって、図６に示されるように、バー５１の切断面５２には所定の輪郭を象る第１マスク５３が形成される。第１マスク５３の輪郭は空気軸受け面４１、４２の輪郭を象る。ただし、第１マスク５３の輪郭は空気軸受け面４１、４２の輪郭より一回り大きく形成される。図７に示されるように、第１マスク５３の外側で切断面５２にはエッチングが施される。エッチングにあたってイオンミリングや反応性イオンエッチングが実施される。バー５１は第１深さＤ１すなわちステップ面４３、４４の深さまで削り出される。その後、第１マスク５３は除去される。
【００３６】
図８に示されるように、切断面５２には第２マスク５４が形成される。第２マスク５４の輪郭はフロントレール３７、サイドレール３８、３８およびリアセンターレール３９の輪郭を象る。第２マスク５４の輪郭は空気軸受け面４１、４２の輪郭に一致する。こうして空気軸受け面４１、４２は正確に削り出される。図９に示されるように、第２マスク５４の外側で切断面５２にはエッチングが施される。バー５１は第１深さＤ１より大きい第２深さＤ２すなわちベース面３５の深さまで削り出される。その後、第２マスク５４は除去される。
【００３７】
その結果、図１０に示されるように、バー５１には、フロントレール３７やサイドレール３８、３８、リアセンターレール３９が形成される。第２マスク５４の輪郭および第１マスク５３の輪郭の間では第１深さＤ１分のエッチングが実施されない。その結果、フロントレール３７の側面および空気流出側端面やサイドレール３８の外向き面および内向き面、リアセンターレール３９の側面および空気流出側端面に沿ってベース面３５には加工残り４６が形成される。加工残り４６は、ベース面３５から第１深さＤ１に対応する高さで頂上面を規定する。こうした加工残り４６は浮上ヘッドスライダ２２の浮上姿勢には影響を及ぼさない。
【００３８】
図１１に示されるように、切断面５２には第３マスク５６が形成される。第３マスク５６には溝４５、４５の輪郭を象る空隙５７、５７が形成される。空隙５７、５７内に加工残り４６が配置される。第３マスク５６の外側でベース面３５には第３深さＤ３までエッチングが施される。その後、第３マスク５６は除去される。その結果、図１２に示されるように、第３マスク５６の外側で切断面５２には溝４５、４５が形成される。溝４５、４５の形成に基づきフロントレール３７の側面およびサイドレール３８の外向き面に沿って加工残り４６は取り除かれる。こうして切断面５２には媒体対向面３４が形作られる。その後、バー５２から個々の浮上ヘッドスライダ２２が切り出される。
【００３９】
いま、浮上ヘッドスライダ２２が媒体対向面３４で磁気ディスク１４の表面に向き合うと、浮上ヘッドスライダ２２は所定のピッチ角αで浮上姿勢を確立する。キャリッジ１６の揺動に基づき浮上ヘッドスライダ２２は例えば２０度のスキュー角で磁気ディスク１４上に位置決めされる。このとき、図１３に示されるように、磁気ディスク１４の表面に付着した塵埃５８の直径がベース面３５と磁気ディスク１４の表面との間の距離より小さい場合、塵埃５８は磁気ディスク１４の回転に基づき浮上ヘッドスライダ２２の側面からベース面３５との間に進入する。こうした塵埃５８には、例えばランプ部材２５のランプ２５ａとロードタブ２４との摩耗に基づく削りカスが含まれる。塵埃５８は例えば２．２μｍ以下の直径を有する。
【００４０】
図１４に示されるように、塵埃５８は溝４５上で例えばフロントレール３７の側面に衝突する。フロントレール３７の側面に沿って溝４５が形成されることから、フロントレール３７の側面に沿って加工残り４６は取り除かれる。その結果、図１５に示されるように、塵埃５８は、フロントレール３７の側面に跳ね返される。塵埃５８は磁気ディスク１４の表面に沿ってベース面３５および磁気ディスク１４の表面の間から外側に弾き出される。その結果、塵埃５８から磁気ディスク１４の表面に大きな衝撃は加えられない。磁気ディスク１４の記録磁性膜の損傷や磁気ディスク１４の表面との接触に基づく摩擦熱の生成は回避される。
【００４１】
その一方で、従来の浮上ヘッドスライダには溝４５、４５は形成されない。すなわち、図１６に示されるように、フロントレール３７の側面やサイドレール３８の外向き面に沿って加工残り４６が形成されてしまう。前述と同様に、磁気ディスク１４の表面に付着した塵埃５８の直径がベース面３５と磁気ディスク１４の表面との間の距離より小さい場合、塵埃５８は磁気ディスク１４の回転に基づき浮上ヘッドスライダ２２の側面からベース面３５との間に進入する。フロントレール３７の輪郭に沿って加工残り４６が形成されることから、加工残り４６と磁気ディスク１４の表面との間で距離は狭まる。その結果、塵埃５８はフロントレール３７に到達する前に加工残り４６の角に衝突してしまう。
【００４２】
図１７に示されるように、塵埃５８の衝突時、塵埃５８は加工残り４６および磁気ディスク１４の表面の間に挟み込まれる。加工残り４６はベース面３５より一段高いレベルに規定されることから、図１８に示されるように、塵埃５８は磁気ディスク１４の表面に向かって強く押し付けられる。塵埃５８は例えば磁気ディスク１４の表面に沿って引きずられる。その結果、塵埃５８から磁気ディスク１４の表面に大きな衝撃が加わる。例えば塵埃５８の食い込みに基づき磁気ディスク１４の記録磁性膜は損傷する。塵埃５８と磁気ディスク１４の表面との接触に基づき摩擦熱が生じる。摩擦熱に基づき記録磁性膜の２値情報は消失してしまう。
【００４３】
なお、図１９に示されるように、浮上ヘッドスライダ２２の製造時、例えばイオンミリングといったエッチングに基づき傾斜面を有する加工残り４６が形成されることがある。傾斜面は例えばフロントレール３７の側面およびベース面３５を接続する。傾斜面はフロントレール３７の側面からベース面３５に向かって下る。こうした加工残り４６は、前述と同様に、溝４５の形成に基づき例えばフロントレール３７の側面やサイドレール３８の外向きに沿ってベース面３５から取り除かれればよい。こうして形成される浮上ヘッドスライダ２２は前述と同様の作用効果を実現することができる。
【００４４】
図２０は本発明の第２実施形態に係る浮上ヘッドスライダ２２ａの構造を概略的に示す。この浮上ヘッドスライダ２２ａでは、前述の浮上ヘッドスライダ２２に比べて、溝４５の内縁がフロントレール３７およびサイドレール３８内に食い込む。図２１を併せて参照し、フロントレール３７の側面およびサイドレール３８の内向き面は部分的に相互に内側に後退する。溝４５の幅は前述の浮上ヘッドスライダ２２に比べて増大すればよい。その他、前述の浮上ヘッドスライダ２２と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。後述のように、こうした浮上ヘッドスライダ２２ａによれば、前述と同様の作用効果が実現される。
【００４５】
浮上ヘッドスライダ２２ａの製造にあたって、前述と同様に、バー５１の切断面５２には第２マスク５４の外側でエッチングが施される。バー５１にはフロントレール３７やサイドレール３８、３８、リアセンターレール３９が形成される。フロントレール３７の側面および空気流出側端面やサイドレール３８の外向き面および内向き面、リアセンターレール３９の側面および空気流出側端面に沿ってベース面３５には加工残り４６が形成される。その後、図２２に示されるように、切断面５２には第３マスク６２が形成される。第３マスク６２には溝４５の輪郭を象る空隙６３が形成される。空隙６３内には加工残り４６やフロントレール３７の一部およびサイドレール３８の一部が配置される。
【００４６】
第３マスク６２の外側でベース面３５には第３深さＤ３までエッチングが施される。その後、第３マスク６２は除去される。その結果、図２３に示されるように、第３マスク６２の外側でベース面３５には溝４５、４５が形成される。溝４５、４５の形成に基づきフロントレール３７の側面およびサイドレール３８の外向き面に沿って加工残り４６は取り除かれる。空隙６３内には加工残り４６に沿ってフロントレール３７の一部およびサイドレール３８の一部が配置されることから、溝４５の内縁はフロントレール３７およびサイドレール３８内に食い込む。したがって、フロントレール３７の側面およびサイドレール３８の外向き面に沿って加工残り４６は確実に取り除かれる。
【００４７】
いま、浮上ヘッドスライダ２２ａが媒体対向面３４で磁気ディスク１４の表面に向き合うと、浮上ヘッドスライダ２２ａは所定のピッチ角αで浮上姿勢を確立する。キャリッジ１６の揺動に基づき浮上ヘッドスライダ２２ａは例えば２０度のスキュー角で磁気ディスク１４上に位置決めされる。このとき、図２４に示されるように、磁気ディスク１４の表面に付着した塵埃５８の直径がベース面３５と磁気ディスク１４の表面との間の距離より小さい場合、塵埃５８は磁気ディスク１４の回転に基づき浮上ヘッドスライダ２２ａの側面からベース面３５との間に進入する。
【００４８】
塵埃５８は溝４５上で例えばフロントレール３７の側面に衝突する。図２５に示されるように、塵埃５８の衝突時、フロントレール３７の側面に沿って溝４５が形成されることから、フロントレール３７の側面に沿って加工残り４６は取り除かれる。その結果、図２６に示されるように、塵埃５８は、フロントレール３７の側面に跳ね返される。塵埃５８は磁気ディスク１４の表面に沿ってベース面３５および磁気ディスク１４の表面の間から外側に弾き出される。その結果、塵埃５８から磁気ディスク１４の表面に大きな衝撃は加えられない。磁気ディスク１４の記録磁性膜の損傷や磁気ディスク１４の表面との接触に基づく摩擦熱の生成は回避される。
【００４９】
図２７は本発明の第３実施形態に係る浮上ヘッドスライダ２２ｂの構造を概略的に示す。この浮上ヘッドスライダ２２ｂでは、媒体対向面３４には空気流入側でベース面３５から立ち上がる１筋のレールすなわちスカート６５が形成される。スカート６５はベース面３５の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。スカート６５は、スカート６５より空気流出側に向かって塵埃といったごみの進入を規制する。同様に、媒体対向面３４にはスカート６５より空気流出側でベース面３５から立ち上がる１筋のフロントレール６６が形成される。フロントレール６６はスライダ幅方向に延びる。スカート６５の空気流出端およびフロントレール６６の空気流入端は所定の間隔で隔てられる。
【００５０】
媒体対向面３４には、フロントレール６６より空気流出側でベース面３５から立ち上がるリアセンターレール６７が形成される。リアセンターレール６７は前後方向中心線Ｌ上に配置される。フロントレール６６より空気流出側でベース面３５から左右１対のリアサイドレール６８、６８がさらに立ち上がる。リアセンターレール６７およびリアサイドレール６８、６８は素子内蔵膜３２に至る。リアサイドレール６８はベース面３５の空気流出端に至る。リアサイドレール６８、６８の間にリアセンターレール６７が配置される。ここでは、リアサイドレール６８、６８はリアセンターレール６７の側端に接続される。リアセンターレール６７上で素子内蔵膜３２に電磁変換素子３３が組み込まれる。
【００５１】
フロントレール６６およびリアセンターレール６７の頂上面には空気軸受け面（ＡＢＳ）６９、７１が規定される。空気軸受け面６９、７１の空気流入端は段差でステップ面７２、７３にそれぞれ接続される。ステップ面７２、７３は空気軸受け面６９、７１よりも一段低いレベルで広がる。ここでは、ステップ面７２はフロントレール６６の空気流入端でスライダ幅方向に延びる。気流３６が流入すると、段差の働きで空気軸受け面６９、７１には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール６６の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２２ｂの浮上姿勢は確立される。
【００５２】
リアサイドレール６８、６８の空気流入端はリアセンターレール６７の空気流入端よりも空気流入側に規定される。リアサイドレール６８には、その輪郭に沿って連続して広がる囲み壁７４が形成される。囲み壁７４はリアサイドレール６８の空気流入端に沿って少なくとも広がる。囲み壁７４の一方の後端はリアセンターレール６７に接続される。囲み壁７４の他方の後端は素子内蔵膜３２より空気流出側に規定される。囲み壁７４の外側でリアサイドレール６８の頂上面はステップ面７３よりもさらに一段低いレベルで広がる。ここでは、スカート６５の頂上面、空気軸受け面６９、７１および囲み壁７４の頂上面は同一の仮想平面に沿って広がる。すなわち、空気軸受け面７１は囲み壁７４上に広がる。こうした浮上ヘッドスライダ２２ｂでは、空気軸受け面７１に比べて空気軸受け面６９で大きな正圧すなわち浮力が生成される結果、スライダ本体３１はピッチ角αの傾斜姿勢で維持される。
【００５３】
図２８を併せて参照し、ベース面３５には、ベース面３５の側端と、スカート６５の側端、フロントレール６６の側端およびリアサイドレール６８の側端との間で左右３対の溝７５、７５、７６、７６、７７、７７が形成される。溝７５は、ベース面３５の空気流入端からスカート６５の側面に沿って延びる。溝７６はフロントレール６６の側面に沿って延びる。溝７７はリアサイドレール６８の側面に沿ってベース面３５の空気流出端まで延びる。溝７５〜７７の外縁とベース面３５の側端との間にはベース面３５が規定される。溝７６の空気流入端には、フロントレール６６の空気流入側端面に沿ってベース面３５に形成される補助溝７８が接続される。同様に、溝７７の空気流入端には、リアサイドレール６８の空気流入側端面に沿ってベース面３５に形成される補助溝７９が接続される。
【００５４】
図２９から明らかなように、スライダ幅方向に規定されるフロントレール６６の幅やリアサイドレール６８の幅はベース面３５に近づくにつれて増大する。その結果、フロントレール６６の側面やリアサイドレール６８の側面は、ベース面３５に所定の傾斜角で交差する傾斜面で規定される。同様に、図３０から明らかなように、スライダ前後方向に規定されるフロントレール６６の長さやリアサイドレール６８の長さはベース面３５に近づくにつれて増大する。その結果、フロントレール６６の空気流入側端面やリアサイドレール６８の空気流入側端面は、ベース面３５に所定の傾斜角で交差する傾斜面で規定される。こうした傾斜面は、前述のように、浮上ヘッドスライダ２２ｂの製造時のエッチングに基づき形成される。
【００５５】
ベース面３５には、スカート６５の空気流出側端面やフロントレール６６の空気流出側端面に沿って延びる加工残り８１が形成される。同様に、囲み壁７４の輪郭、リアセンターレール６７の輪郭に沿って加工残り８１が形成される。加工残り８１は、空気軸受け面６９の輪郭や空気軸受け面７１の輪郭、囲み壁７４の輪郭に沿って形成される突壁から形成される。ベース面３５に形成される加工残り８１の頂上面は、ベース面３５よりも一段高いレベルで広がると同時に、リアサイドレール６８の頂上面より低いレベルで広がる。リアサイドレール６８の頂上面に形成される加工残り８１はリアサイドレール６８の頂上面より一段高いレベルで広がる。
【００５６】
図３０から明らかなように、ステップ面７２、７３は、空気軸受け面６９、７１を含む基準仮想平面Ｐから第１深さＤ１に設定される。リアサイドレール６８の頂上面は、基準仮想平面Ｐから第１深さＤ１より大きい第２深さＤ２に設定される。ベース面３５は、基準仮想平面Ｐから第２深さＤ２より大きい第３深さＤ３に設定される。その一方で、溝７５〜７７や補助溝７８、７９の底面は、基準仮想平面Ｐから第３深さＤ３より大きい第４深さＤ４に設定される。例えば浮上ヘッドスライダ２２ｂの前後方向の長さが１．２５ｍｍに設定される場合、第１深さＤ１は０．３μｍ程度に、第２深さＤ２は１μｍ程度に、第３深さＤ３は２μｍ程度に設定される。加工残り８１の高さは０．３μｍ程度に、幅は３μｍ程度に設定される。１００μｒａｄ程度のピッチ角αが確立されると、磁気ディスク１４の表面からベース面３５まで最大で２．２μｍ程度の高さが確立される。
【００５７】
いま、浮上ヘッドスライダ２２ｂが媒体対向面３４で磁気ディスク１４の表面に向き合うと、浮上ヘッドスライダ２２ｂは所定のピッチ角αで浮上姿勢を確立する。キャリッジ１６の揺動に基づき浮上ヘッドスライダ２２ｂは例えば２０度のスキュー角で磁気ディスク１４上に位置決めされる。塵埃５８は溝７５〜７７上でスカート６５の側面やフロントレール６６の側面、リアサイドレール６８の側面に衝突する。その結果、前述と同様に、塵埃５８はスカート６５の側面やフロントレール６６の側面、リアサイドレール６８の側面に跳ね返される。塵埃５８から磁気ディスク１４の表面に大きな衝撃は加えられない。こうして前述と同様の作用効果が実現される。
【００５８】
しかも、図３１に示されるように、磁気ディスク１４の最外周や最内周で気流３６はスキュー角に基づきベース面３５の側端から媒体対向面３４に流れ込む。その結果、塵埃５８は、スカート６５およびフロントレール６６の間や、フロントレール６６およびリアサイドレール６８の間に進入する。塵埃５８は、補助溝７８、７９上でフロントレール６６の空気流入側端面や囲み壁７４の空気流入側端面に衝突する。補助溝７８、７９の働きで塵埃５８はフロントレール６６の空気流入側端面や囲み壁７４の空気流入側端面に跳ね返される。その結果、塵埃５８から磁気ディスク１４の表面に大きな衝撃は加えられない。こうして前述と同様の作用効果が実現される。
【００５９】
次に、浮上ヘッドスライダ２２ｂの製造方法を説明する。図３２に示されるように、前述と同様に、バー５１の切断面５２には第１マスク８２が形成される。第１マスク８２の輪郭はスカート６５の頂上面および空気軸受け面６９、７１の輪郭を象る。ただし、第１マスク８２の輪郭はスカート６５の頂上面の輪郭や空気軸受け面６９、７１の輪郭より一回り大きく形成される。第１マスク８２の外側で切断面５２にはエッチングが施される。バー５１は第１深さＤ１すなわちステップ面７２、７３の深さまで削り出される。その後、第１マスク８２は除去される。
【００６０】
図３３に示されるように、切断面５２には第２マスク８３が形成される。スカート６５、フロントレール６６、リアセンターレール６７およびリアサイドレール６８の囲み壁７４の輪郭を象る。ただし、第２マスク８３の輪郭は、スカート６５の頂上面および空気軸受け面６９、７１の輪郭を含む領域で第１マスク８２の輪郭より一回り小さく規定される。第２マスク８３の外側で切断面５２にはエッチングが施される。バー５１は第２深さＤ２すなわちリアサイドレール６８の頂上面の深さまで削り出される。第２マスク８３の輪郭および第１マスク８２の輪郭の間では第１深さＤ１分のエッチングが実施されない。その結果、図３４に示されるように、囲み壁７４の輪郭に沿ってリアサイドレール６８の頂上面に加工残り８１が形成される。加工残り８１は、リアサイドレール６８の頂上面から第１深さＤ１に対応する高さで頂上面を規定する。同時に、切断面５２にはリアセンターレール６７が形成される。その後、第２マスク８３は除去される。
【００６１】
図３５に示されるように、切断面５２には第３マスク８４が形成される。第３マスク８４の輪郭はスカート６５、フロントレール６６およびリアサイドレール６８の輪郭を象る。ただし、第３マスク８４の輪郭は、スカート６５の頂上面、空気軸受け面６９、７１の輪郭を含む領域で第１マスク８２の輪郭より一回り小さく規定される。第３マスク８４の外側で切断面５２にはエッチングが施される。バー５１は第２深さＤ２より大きい第３深さＤ３すなわちベース面３５の深さまで削り出される。こうして空気軸受け面６９、７１は正確に削り出される。その後、第３マスク８４は除去される。
【００６２】
その結果、図３６に示されるように、バー５１には、スカート６５やフロントレール６６が形成される。第３マスク８４の輪郭および第１マスク８２の輪郭の間では第１深さＤ１分のエッチングが実施されない。その結果、スカート６５の側面や空気流出側端面、フロントレール６６の側面や空気流出側端面およびリアセンターレール６７の側面や空気流出側端面に沿ってベース面３５に加工残り８１が形成される。加工残り８１は、ベース面３５から第１深さＤ１に対応する高さで頂上面を規定する。こうした加工残り８１は浮上ヘッドスライダ２２ｂの浮上姿勢には影響を及ぼさない。
【００６３】
図３７に示されるように、切断面５２には第４マスク８５が形成される。第４マスク８５には溝７５〜７７および補助溝７８、７９の輪郭を象る空隙８６が形成される。空隙８６内には加工残り８１が配置される。空隙８６内でベース面３５にはエッチングが施される。その後、第３マスク８５は除去される。その結果、第４マスク８５の外側でベース面３５には溝７５〜７７および補助溝７８、７９が形成される。溝７５〜７７および補助溝７８、７９の形成に基づきスカート６５の側面、フロントレール６６の空気流入側端面および側面、並びに、リアサイドレール６８の空気流入側端面および側面に沿って加工残り８１は取り除かれる。こうして切断面５２には媒体対向面３４が形作られる。その後、バー５２から個々の浮上ヘッドスライダ２２ｂが切り出される。
【００６４】
図３８は本発明の第４実施形態に係る浮上ヘッドスライダ２２ｃの構造を概略的に示す。この浮上ヘッドスライダ２２ｃでは、前述の浮上ヘッドスライダ２２ｂに比べて、溝７５〜７７および補助溝７８、７９がスカート６５、フロントレール６６およびリアサイドレール６８内に食い込む。図３９を併せて参照し、スカート６５の側面やフロントレール６６の側面および空気流入側端面、リアサイドレール６８の側面および空気流入側端面は部分的に後退する。その他、前述の浮上ヘッドスライダ２２ｂと均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした浮上ヘッドスライダ２２ｃによれば、前述の浮上ヘッドスライダ２２ｂと同様の作用効果が実現される。
【００６５】
こうした浮上ヘッドスライダ２２ｃの製造にあたって、前述と同様に、バー５１にはスカート６５やフロントレール６６、リアセンターレール６７、リアサイドレール６８、加工残り８１が形成される。図４０に示されるように、切断面５２には第４マスク８７が形成される。第４マスク８７には溝７５〜７７および補助溝７８、７９の輪郭を象る空隙８８が形成される。空隙８８内には加工残り８１やスカート６５の一部、フロントレール６６の一部、リアサイドレール６７の一部が配置される。第４マスク８７の外側でベース面３５にはエッチングが施される。その結果、第４マスク８７の外側でベース面３５には溝７５〜７７および補助溝７８、７９が形成される。スカート６５の側面やフロントレール６６の側面および空気流入側端面、リアサイドレール３８の側面や空気流入側端面に沿って加工残り９２は取り除かれる。溝７５〜７７および補助溝７８、７９はスカート６５、フロントレール６６およびリアサイドレール６８内に食い込む。加工残り８１は確実に取り除かれる。
【符号の説明】
【００６６】
１１  記憶装置（ハードディスク駆動装置）、１４  記憶媒体（磁気ディスク）、２２  ヘッドスライダ（浮上ヘッドスライダ）、３１  スライダ本体、３５  ベース面、３７  レール（フロントレール）、３８  レール（サイドレール）、４５  溝、６５  レール（スカート）、６６  レール（フロントレール）、６８  レール（リアサイドレール）、７５  溝、７６  溝、７７  溝、７８  補助溝、７９  補助溝。
【図１】
2010225204.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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