(57)【要約】      （修正有）【課題】薄層の形成に使用される層と基板との間の界面を形成する工程を含む薄層形成方法を提供する。【解決手段】第１のレベルの機械的強度を有する少なくとも１つの第１の領域（Ｚ１）と、前記第１の領域よりも実質的に低いレベルの機械的強度を有する第２の領域（Ｚ２）とが提供されるように前記界面が形成され、前記第１の領域は前記第２の領域内に含まれることを特徴とする。前記界面は、異なる方法で処理された表面を、前記領域に異なる方法で埋め込まれ脆化する層、または中間多孔質層によって接合させることによって形成することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄層部分を形成することが意図される層と基板との間の分離可能な界面を形成する工程を含む薄層形成方法であって、少なくとも第１の領域（Ｚ１、Ｚ１’）がゼロではない第１のレベルの機械的強度を有し、さらに第２の領域（Ｚ２、Ｚ２’）が前記第１のレベルの機械的強度よりも有意に大きな第２のレベルの機械的強度を有するように前記界面が接合により形成され、前記第１の領域は前記第２の領域に取り囲まれ、前記基板の表面と前記層の表面との間に前記界面が形成され、前記界面を形成する前記工程が、前記表面の少なくとも１つを加工する工程と、加工された前記表面を分子接着接合によって他の表面に接合させる接合工程とを含み、前記分子接着接合が異なる機械的強度レベルの両領域を含むことを特徴とする薄層形成方法。
【請求項２】
前記分離可能な界面の少なくとも一部が前記第１及び第２の領域の少なくとも一部を伴って分離され、前記分離可能な界面の前記一部は前記界面の全体又は一部を表し、前記分離可能な界面の前記一部の周辺部が前記第２の領域に沿って延在することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の領域が、前記第１の領域がコアを構成するウエハの周辺部を構成することを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の領域が複数のフラグメントに分割され、各フラグメントは前記第２の領域によって取り囲まれることを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記界面を形成する前記工程が、前記基板の前記表面と前記層の前記表面との各々を加工する工程を含むことを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記表面を加工する工程が、前記第１の領域において前記表面の粗さを局所的に増大させる処理工程を含むことを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記処理工程が、前記第１の領域における前記表面を局所的に酸エッチングすることを含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記酸エッチングがフッ化水素酸を使用して実施され、前記第２の領域における前記表面は、エッチング後には除去される層によって前記エッチングから保護されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記表面を加工する工程が、前記表面を全体的に粗面化させる工程と、より大きな接合力を得るために一部の粗さを低下させる工程とを含むことを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
化学研磨、機械的処理、または化学的機械的処理、あるいはドライエッチングによって一部の粗さを低下させることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記界面を形成する前記工程に続いて、前記層を前記基板から分離する工程が実施されることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記界面を形成する前記工程の後で、前記第２の領域（Ｚ２’）の一部が前記フラグメントの前記周辺部で前記第１の領域（Ｚ１’）の一部に沿って延在するように前記第１の領域（Ｚ１’）の一部と前記第２の領域（Ｚ２’）の一部とを含む前記層の少なくとも１つのフラグメントを切断する工程が続き、その後、前記基板と前記薄層のリフトオフが行われる分離工程が実施されることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記界面を形成する前記工程と、前記分離工程との間に、前記第２の領域を前記第１の領域に対して切断する工程が存在することを特徴とする、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記界面を形成する前記工程と、前記分離工程との間に、マイクロエレクトロニクス構成要素、光学的構成要素、または機械的構成要素の全体または一部を前記層中に形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１１から１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
より高い機械的強度の前記第２の領域で取り囲まれた低機械強度の前記第１の領域と対面するように各構成要素が形成されることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記界面を形成する前記工程と、前記分離工程との間に、前記層を第２の基板（１６、１６’）に接合させる接合工程が存在することを特徴とする、請求項１１から１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記接合工程が分子接着接合を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記接合工程が接着接合を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記接着接合がＵＶ線によって硬化する接着剤を使用することを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記分離工程が、酸エッチングと機械的応力の付与とによって実施されることを特徴とする、請求項１１から１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記層がシリコン製であることを特徴とする、請求項１から１５のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上の薄層からの構成要素の製造と、この薄層／基板アセンブリの製造と関する。この基板は、初期基板または中間基板であってよく、剥離可能となることができ、すなわち薄層からの分離に適合させることができる。
【背景技術】
【０００２】
構成要素の製造に使用される支持体とは異なる支持体上に構成要素が集積される必要性が高まってきている。
【０００３】
例えば、プラスチック材料基板上または可撓性基板上の構成要素を挙げることができる。構成要素とは、完全または部分的に「処理される」、すなわち完全または部分的に製造されるあらゆるマイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、またはセンサ（例えば、化学的、機械的、熱的、生物学的、または生化学的なセンサ）のデバイスを意味する。
【０００４】
可撓性支持体上に構成要素を集積するために、層を転写する方法を使用することができる。
【０００５】
本来製造に不適当である支持体上に構成要素または層を集積するための好適な解決方法を層転写技術が提供しうる用途の他の例は多数存在する。同様の考え方で、層転写技術は、構成要素を有する場合も有さない場合もある薄層を、例えば後に分離または除去することによって、最初の基板から分離する必要がある場合にも非常に有用である。さらに同様の考え方で、薄層を剥離してこれを別の支持体に転写する方法は、他の方法では不可能となる構造を設計するために有用な自由度を技術者に提供する。薄膜のサンプリングおよび剥離は、通常の状況とは異なりコンデンサが最初に形成され、続いて別のシリコン基板上に転写されてから、新しい基板上に回路の残りの部分が製造されるダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）の埋め込みコンデンサなどの埋め込み構造の形成に使用することができる。別の例はダブルゲート構造と呼ばれるトランジスタ構造の製造に関する。ＣＭＯＳトランジスタの第１のゲートは従来技術を使用して基板上に形成され、続いてこれが剥離されて第２の基板に転写されて第２のゲートが形成されてトランジスタが完成し、これによって構造内に第１のゲートが埋め込まれた状態で残留する（たとえば、Ｋ．スズキ（Ｓｕｚｕｋｉ）、Ｔ．タナカ（Ｔａｎａｋａ）、Ｙ．トサカ（Ｔｏｓａｋａ）、Ｈ．ホリエ（Ｈｏｒｉｅ）およびＴ．スギイ（Ｓｕｇｉｉ）、「高速かつ低出力のｎ＋−ｐ＋ダブルゲートＳＯＩＣＭＯＳ」（Ｈｉｇｈ−ｓｐｅｅｄ  ａｎｄ  Ｌｏｗ−Ｐｏｗｅｒ  ｎ＋−ｐ＋  Ｄｏｕｂｌｅ−Ｇａｔｅ  ＳＯＩ  ＣＭＯＳ）、ＩＥＩＣＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．、ｖｏｌ．Ｅ７８−Ｃ、１９９５、３６０〜３６７ページを参照されたい）。
【０００６】
たとえば、Ｗ．Ｓウォン（Ｗｏｎｇ）ら、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ、１４０９ページ、第２８巻、第１２号、１９９９、およびＩ．ポレンティエ（Ｐｏｌｌｅｎｔｉｅｒ）ら、１０５６ページ、ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．１３６１  新規オプトエレクトロニクスデバイス用途の物理的概念Ｉ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｃｏｎｃｅｐｔｓ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ｆｏｒ  Ｎｏｖｅｌ  Ｏｐｔｏ−ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｉ）（１９９０）の文献に報告されているように、最初の基板から薄層を分離する必要性は発光ダイオード（ＬＥＤ）の分野で遭遇している。ここでの目的の１つは、放出光の抽出制御を向上させることである。別の目的は、この特定の例において、電気絶縁性であるため裏面への電気的接触の形成が妨害されるという理由でエピタキシャルスタックの製造に使用されるサファイア基板は後にかさ高くなるという事実と関連がある。材料の成長相に好都合となるので、後でサファイア基板を除去することができるようにすることが望ましいと思われる。
【０００７】
同様の状況は、例えば電気通信およびマイクロ波に関する用途の分野でも遭遇する。この状況では、通常少なくとも数ｋΩ・ｃｍの高い抵抗率を有する支持体上に構成要素が最後に集積されることが好ましい。しかし、高抵抗率の基板は、通常使用される標準的な基板と同じコストおよび同じ品質で使用できるとは限らない。シリコンの場合、標準的な抵抗率の２００ｍｍおよび３００ｍｍのシリコンウエハが利用できるが、１ｋΩ・ｃｍを超える抵抗率の場合、２００ｍｍサイズでの提供は非常にわずかであり３００ｍｍサイズは全く存在しない。解決法の１つは、標準的な基板上に構成要素を形成した後、最終工程中に構成要素を有する薄層をガラス、石英、サファイヤなどの絶縁性基板に転写することである。
【０００８】
技術的な観点から、これらの転写作業の大きな利点は、構成要素が形成される層の性質と最終的な支持体層の性質との間の関係が重要ではなくなることであり、その結果多くの他の状況で好都合となる。
【０００９】
構成要素の製造に好都合である基板が非常にコストが高いような状況も挙げることができる。たとえば、向上した性能（より高温での使用、最大出力および使用頻度の有意な向上など）が得られるが、シリコンと比較するとコストが非常に高い炭化ケイ素の場合、コストのかかる基板（この場合炭化ケイ素）の薄層を安価な基板（この場合シリコン）に転写し、コストのかかる基板は回収し、場合によっては再生作業の後で再利用すると好都合である。転写作業は、構成要素の製造前、製造中、または製造後に実施することができる。
【００１０】
上記技術は、薄い基板を得ることが最終用途で重要となるすべての分野で好都合となりうることも分かる。特に、基板が薄い場合に熱の排出に関する理由のため、または場合によっては電流が流れる必要があるためのいずれかの場合の電力用途を挙げることができる。可撓性の理由で薄い基板が必要となるスマートカード用途も挙げることができる。これらの用途では、厚いまたは標準的な厚さの基板上に回路が形成され、このような基板は、第１に種々の工程段階における機械抵抗に優れ、第２にある製造装置で使用する場合の規格に適合するという利点を有する。次に、最終的シニングが分離によって実施される。この分離は、別の支持体に転写することによって実施することができる。場合により、特にシニングで目標とされる最終厚さが自立構造を形成するために十分である場合では、別の支持体への転写は不可欠ではない。
【００１１】
ある支持体から別の支持体に層を転写するためには多数の方法を使用することができる。Ｔ．ハマグチ（Ｈａｍａｇｕｃｈｉ）ら、Ｐｒｏｃ．ＩＥＤＭ  １９８５、６８８ページによる１９８５年に開示された技術を例として上げることができる。これらの技術は、ある基板から別の基板にある層を転写することが可能となるので非常に有益であるが、必ず元の基板を消費し（工程中に破壊される）、停止層が存在しなければ薄膜の均一な転写は不可能である（すなわち基板材料中に不均一層が形成される）。
【００１２】
当業者に公知の転写方法では、マイクロエレクトロニクス構成要素の全体または一部を含みうる材料の薄層の転写に使用することも可能である。これらの方法の一部は、１種類以上のガス状物質を導入することによって材料内に埋め込み脆弱層を形成することに基づいている。この主題に関しては、このような方法を開示している米国特許第５、３７４、５６４号（または欧州特許第５３３５５１号）、米国特許第６、０２０、２５２号（または欧州特許第８０７９７０号）、仏国特許第２７６７４１６号（または欧州特許第１０１０１９８号）、仏国特許第２７４８８５０号（または欧州特許第９０２８４３号）、および仏国特許第２７７３２６１号（または欧州特許第９６３５９８）を参照されたい。
【００１３】
これらの方法は、薄膜全体を最初の基板から剥離して支持体上に転写する目的で一般に使用される。こうして得られた薄膜は、最初の基板の一部を含む場合もある。これらの薄膜は、電子または光学的構成要素の製造のための活性層として機能しうる。これらは、構成要素の一部または全体を含みうる。
【００１４】
特に、これらの方法は分離後の基板を再利用することが可能であり、各サイクルで消費される基板は非常にわずかである。これは、移動する厚さは数μｍ以下であることが多いが、基板の厚さは数百μｍであることが多いためである。したがって、特に米国特許第６、０２０、２５２号（または欧州特許第８０７９７０号）に開示される方法の場合には、機械的応力によって「再実装可能な」（すなわち剥離可能な）基板と同様の基板を得ることができる。この特殊な方法は、最終転写の時点で切断される脆弱埋め込み領域を形成するための打ち込みに基づいている。
【００１５】
「リフトオフ」法に基づく別の方法も最初の支持体の残りの部分から薄層を分離するが、この場合には支持体が必ずしも消費されるわけではない。この種の方法は、種々の支持体にＩＩＩ族からＶ族の元素を転写するために非常に広範に使用されている（Ｃ．カンペリ（Ｃａｍｐｅｒｉら）フォトニクス技術におけるＩＥＥＥ会報（ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、第３巻、１２（１９９１）、１１２３を参照されたい）。Ｐ．デミースター（Ｄｅｍｅｅｓｔｅｒ）ら、Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．８（１９９３）、１１２４−１１３５の論文に説明されているように、通常はエピタキシャル成長工程後に実施される転写は、（それぞれ「後加工」または「前加工」による）構成要素の形成前または後に実施することができる。
【００１６】
局所的に分離を行うために、基板の残りの部分よりも機械的強度が低い（あらかじめ存在する）埋め込み層を使用する方法の中では、エルトラン（ＥＬＴＲＡＮ）（登録商標）法を挙げることができる（特開平７−３０２８８９号）。この場合、単結晶シリコンを主成分とするスタックは、多孔質領域を形成することによって局所的に脆弱化される。  他の場合にも一般的となりうる（すなわち任意の特定の剥離効果を追求しない場合に形成される）が、別の解決方法は絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）構造の場合に埋め込み酸化物の存在を利用することである。この構造が別の基板に十分強く接合し、この構造に大きな応力が加わる場合、酸化物に優先的に発生する制御できない局所的破損によって、基板全体の規模で切断作用が発生しうる。文献「ＰＨＩＬＩＰＳ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ」、第４９巻、第１／２号、１９９５の５３〜５５にこの例が示されている。残念ながら、この破損は制御が困難であり、これが生じるためには大きい機械的応力が必要であり、基板が破壊されたり構成要素が損傷したりする危険性はなくならない。
【００１７】
このような埋め込み脆弱層法の利点は、均一性が非常に良好な数十Åから数μｍの範囲の厚さの結晶シリコン（またはＳｉＣ、ＩｎＰ、ＡｓＧａ、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３など）を主成分とする層を形成するためにこの方法を使用できることである。これを超える厚さも実現可能である。
【００１８】
別の支持体または基板に後で層を転写可能となる剥離可能な構造を製造するためには、欧州特許第０７０２６０９  Ａ１号に記載されるように層と基板の間の接合エネルギを制御することが当業者には公知である。
【００１９】
本発明者らは、剥離可能な基板を製造するために、薄層と、後に薄層が剥離される基板とを一時的に互いに組み合わせるための「剥離」表面で存在する接合力の制御を含む方法を使用することも可能であることも発見した。接合が分子接着によって得られるような状況は特に好都合である。分子接合によって得られるアセンブリの分類の中では、これらの接合技術によって得られる絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）基板は特に有用な分類となる。この分類は多数の変形を含んでおり、これらの原理は、書籍「半導体ウエハ接合科学技術」（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｗａｆｅｒ  Ｂｏｎｄｉｎｇ、Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、Ｑ．−Ｙ．トン（Ｔｏｎｇ）およびＵ．ゴーセル（Ｇｏｓｅｌｅ）、ワイリー・インターサイエンス・パブリケーションズ（Ｗｉｌｅｙ  Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ  Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ）、ジョン・ワイリー・アンド・サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ、Ｉｎｃ）に記載されている。ある変形は、接合ＳＯＩ（ＢＳＯＩ）、または接合およびエッチバックＳＯＩ（ＢＥＳＯＩ）として知られている。分子接着を含む接合以外に、これらの変形は、研磨技術および／または化学エッチング技術によって最初の基板を物理的に除去することに基づいている。層転写技術で部分的に前述した他の変形は、分子接着による接合に加えて、米国特許第５、３７４、５６４号（または欧州特許第５３３５５１号）および米国特許第６、０２０、２５２号（または欧州特許第８０７９７０号）（打ち込まれた領域に沿った分離）、または欧州特許第０９２５８８８号（多孔質にした埋め込み層に沿って破壊することによる分離）に記載される方法などによって脆弱化された領域に沿って「切削」による分離に基づいている。厳密にはどの技術が使用されても、これらの変形の胸中の特徴は、分子接合を使用することであり、文献で見いだされたほとんどの場合では接触する表面にシリコン（Ｓｉ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を有する２つの基板の間の分子接合を使用している。その他の材料が使用されていることもある（窒化物、ケイ化物など）。
【００２０】
剥離不可能なＳＯＩ構造が得られる場合は、通常１Ｊ／ｍ２から２Ｊ／ｍ２の高い接合エネルギを得るための表面処理作業が最後に実施されることが意図されており、多くの場合は接合後にアニールも使用される。従来、ＳｉＯ２／ＳｉＯ２接合の場合の標準的な製造作業では、構造の接合エネルギは室温で１００ｍＪ／ｍ２程度になり、４００℃で３０分間アニールした後で５００ｍＪ／ｍ２となる（マザラ（Ｍａｓｚａｒａ）の開発したブレード法で結合エネルギを測定した（マザラ（Ｍａｓｚａｒａ）ら、Ｊ  Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、６４（１０）、４９４３ページ、１９８８）を参照されたい）。この構造を高温（１１００℃）でアニールすると、その接合エネルギは一般に２Ｊ／ｍ２程度になる（Ｃ．マレビル（Ｍａｌｅｖｉｌｌｅ）ら、半導体ウエハ接合、科学技術および応用ＩＶ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｗａｆｅｒ  ｂｏｎｄｉｎｇ、Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ＩＶ）、ＰＶ  ９７−３６、４６、電気化学学会会報シリーズ（Ｔｈｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  Ｓｅｒｉｅｓ）、ニュージャージー州ペニントン（Ｐｅｎｎｉｎｇｔｏｎ、ＮＪ）（１９９８））。接合させる表面にプラズマ（例えば酸素プラズマ）に曝露するなどの接合前の他の処理方法も存在し、常にこのようなアニールを必要としなくても同等の接合エネルギを得ることができる（ＹＡ、リー（Ｌｉ）およびＲ．Ｗ．バウアー（Ｂｏｗｅｒ）、Ｊｐｎ．Ｊ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、第３７巻、７３７ページ、１９９８）。
【００２１】
上記とは対照的に、本発明者らは剥離可能なＳＯＩ構造を意図している。表面の親水性および粗さを調整することによって異なる機械的強度を得られることが分かった。たとえば、Ｏ．レイサック（Ｒａｙｓｓａｃ）らの論文（第２回マイクロエレクトロニクス材料国際会議、ＩＯＭコミュニケーションズ（（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ２ｎｄ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ｆｏｒ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、ＩＯＭ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）、１８３ページ、１９９８）に示されるように、フッ化水素酸エッチングは酸化ケイ素層の粗さを増加させる。この論文は、８０００ÅエッチングによってＲＭＳ粗さが約０．１ｎｍから０．６２５ｎｍまで増大させる方法を記載している。対面する表面のＲＭＳ粗さが０．６２５ｎｍおよび０．６２５ｎｍであるＳｉＯ２／ＳｉＯ２接合は、１１００℃におけるアニールの後に５００ｍＪ／ｍ２程度の最大接合エネルギ値が得られることが確認されている、すなわち前述の標準的な状態よりもはるかに低い値である。本発明者らはこの場合に、粗面化によって、１１００℃までの高温でアニールした後でさえも剥離可能な接合界面が得られることを発見した。接合前の粗面化処理と好適な熱アニーリング処理を慎重に組み合わせることによって、剥離可能なＳＯＩ基板が、アセンブリ界面における早期の剥離が起こらずに、ＣＭＯＳトランジスタ製造工程のほとんどの工程（高温、通常は１１００℃における特定の熱処理、ならびに窒化物層などの強制的な層の付着工程を含む）に耐えることができ、制御された機械的応力を意図的に加えることによって、接合界面で後に分離可能であることが分かった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２２】
【特許文献１】米国特許第５、３７４、５６４号
【特許文献２】欧州特許第５３３５５１号
【特許文献３】米国特許第６、０２０、２５２号
【特許文献４】欧州特許第８０７９７０号
【特許文献５】仏国特許第２７６７４１６号
【特許文献６】欧州特許第１０１０１９８号
【特許文献７】仏国特許第２７４８８５０号
【特許文献８】欧州特許第９０２８４３号
【特許文献９】仏国特許第２７７３２６１号
【特許文献１０】欧州特許第９６３５９８号
【特許文献１１】特開平７−３０２８８９号
【特許文献１２】欧州特許出願公開第０７０２６０９号
【特許文献１３】欧州特許第０９２５８８８号
【非特許文献】
【００２３】
【非特許文献１】Ｋ．スズキ（Ｓｕｚｕｋｉ）、Ｔ．タナカ（Ｔａｎａｋａ）、Ｙ．トサカ（Ｔｏｓａｋａ）、Ｈ．ホリエ（Ｈｏｒｉｅ）およびＴ．スギイ（Ｓｕｇｉｉ）、「高速かつ低出力のｎ＋−ｐ＋ダブルゲートＳＯＩＣＭＯＳ」（Ｈｉｇｈ−ｓｐｅｅｄ  ａｎｄ  Ｌｏｗ−Ｐｏｗｅｒ  ｎ＋−ｐ＋  Ｄｏｕｂｌｅ−Ｇａｔｅ  ＳＯＩ  ＣＭＯＳ）、ＩＥＩＣＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．、ｖｏｌ．Ｅ７８−Ｃ、１９９５、３６０〜３６７ページ
【非特許文献２】Ｗ．Ｓウォン（Ｗｏｎｇ）ら、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ、１４０９ページ、第２８巻、第１２号、１９９９
【非特許文献３】Ｉ．ポレンティエ（Ｐｏｌｌｅｎｔｉｅｒ）ら、１０５６ページ、ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．１３６１  新規オプトエレクトロニクスデバイス用途の物理的概念Ｉ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｃｏｎｃｅｐｔｓ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ｆｏｒ  Ｎｏｖｅｌ  Ｏｐｔｏ−ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｉ）（１９９０）
【非特許文献４】Ｔ．ハマグチ（Ｈａｍａｇｕｃｈｉ）ら、Ｐｒｏｃ．ＩＥＤＭ  １９８５、６８８ページ
【非特許文献５】Ｃ．カンペリ（Ｃａｍｐｅｒｉら）フォトニクス技術におけるＩＥＥＥ会報（ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、第３巻、１２（１９９１）、１１２３
【非特許文献６】Ｐ．デミースター（Ｄｅｍｅｅｓｔｅｒ）ら、Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．８（１９９３）、１１２４−１１３５
【非特許文献７】ＰＨＩＬＩＰＳ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ」、第４９巻、第１／２号、１９９５
【非特許文献８】「半導体ウエハ接合科学技術」（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｗａｆｅｒ  Ｂｏｎｄｉｎｇ、Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、Ｑ．−Ｙ．トン（Ｔｏｎｇ）およびＵ．ゴーセル（Ｇｏｓｅｌｅ）、ワイリー・インターサイエンス・パブリケーションズ（Ｗｉｌｅｙ  Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ  Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ）、ジョン・ワイリー・アンド・サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ、Ｉｎｃ）
【非特許文献９】マザラ（Ｍａｓｚａｒａ）ら、Ｊ  Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、６４（１０）、４９４３ページ、１９８８
【非特許文献１０】Ｃ．マレビル（Ｍａｌｅｖｉｌｌｅ）ら、半導体ウエハ接合、科学技術および応用ＩＶ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｗａｆｅｒ  ｂｏｎｄｉｎｇ、Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ＩＶ）、ＰＶ  ９７−３６、４６
【非特許文献１１】電気化学学会会報シリーズ（Ｔｈｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  Ｓｅｒｉｅｓ）、ニュージャージー州ペニントン（Ｐｅｎｎｉｎｇｔｏｎ、ＮＪ）（１９９８）
【非特許文献１２】ＹＡ、リー（Ｌｉ）およびＲ．Ｗ．バウアー（Ｂｏｗｅｒ）、Ｊｐｎ．Ｊ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、第３７巻、７３７ページ、１９９８
【非特許文献１３】Ｏ．レイサック（Ｒａｙｓｓａｃ）ら、第２回マイクロエレクトロニクス材料国際会議、ＩＯＭコミュニケーションズ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ２ｎｄ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ｆｏｒ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、ＩＯＭ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）、１８３ページ、１９９８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
（本発明による技術的問題および解決方法）
層間剥離は、多層構造の分野、特にマイクロエレクトロニクス構成要素、センサなどの製造技術分野でよく知られている問題である。これは、構成要素の製造、付着および／またはエピタキシャル成長工程に必要な熱処理、化学処理（フッ化水素エッチングなど）、材料を除去するための機械的および／または物理的作業（研磨など）、ならびに不均一スタックの製造中に発生する機械的応力によって、層縁端部での剥離、または構造の縁端部でのリフトオフが発生することが多いからである。たとえばＳＯＩの場合では、Ｓｉ表面の脱酸素に使用される多くのフッ化水素処理が、場合によっては埋め込み酸化物の重要なオーバーエッチングを引き起こすことがあり、それによってウエハ縁端部で表面層が脆弱化しうる。
【００２５】
中間層または脆弱界面（物質の打ち込み、多孔質領域の形成、接合エネルギの調整などのいずれかによる脆弱化による）を形成することによって剥離可能な基板を製造することに基づく層転写技術（構成要素を有するまたは有さない）では、意図的な分離の前の加工が過酷すぎるとタイミングのずれた層間剥離と関連する問題に直面する。亀裂は、構成要素の全体または一部の製造工程中に縁端部で意図せず発生することがあり、歩留りを低下させうる。遠端部で薄膜が剥離することによって活性薄膜の表面積が減少すること以外に、これらの問題はウエハの粒子上汚染物質の増加を引き起こすことがあり、そのため構成要素の製造の歩留まりが大きく低下し、使用するプラントが汚染される（特に加熱炉）。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明の一目的は、所望の時点で容易に分離することと、必要であれば、マイクロエレクトロニクス構成要素、光学的構成要素、または音響的構成要素、あるいはセンサの全体または一部の製造、あるいエピタキシャル成長工程に必要な熱または機械的処理に対して、早期の分離または層間剥離を生じずに耐えられることとを確実に兼ね備える層／基板界面によって前述の欠点を軽減することである。
【００２７】
より一般的には、本発明は、基板上の薄層を含む組み合わせで構成され、制御されたレベルの機械的強度を有する界面または中間層によって前記層が前記基板に連接される。
【００２８】
この目的のため、第１に、薄層と基板との間に界面または中間層を形成する工程を含む薄層の形成方法を提案し、この方法は、第１のレベルの機械的強度を有する第１の領域と、第１のレベルよりも有意に大きな第２のレベルの機械的強度を有する少なくとも１つの第２の領域とを有するように前記界面が形成されることを特徴とする。
【００２９】
言い換えると、本発明は、ある領域の機械的強度が他の領域よりも大きい埋め込み構造（界面または層）を有する構造を形成する方法を提案する。したがって、界面（または中間層）は必要条件に応じて最適化することができ、意図される加工を界面に対して実施することができる。
【００３０】
本明細書全体で、表現「機械的強度」は、「材料の強度」の意味における機械的強度を意味するが、より一般的には、純粋な機械的応力（牽引、曲げ、圧縮、ねじれなど）、熱処理中、または薬品による腐食中、ならびにすべての可能性のある組み合わせのいずれかに対する応答としての、連続または不連続な媒体（層間剥離などが生じうる界面やスタックなど）の破壊または分離に対する感受性を意味しうる。
【００３１】
前述の特定の問題の場合には、早期ではなく正確な時点で層からの基板の剥離が必要な場合、より低い機械的強度を有する第１の領域は、第２の領域内部に含まれる領域である。
【００３２】
ウエハの規模で薄層全体が転写される場合、機械的強度が最大の領域は好ましくはリングであり（円形の基板の場合には環状の輪）、その幅は数百μｍから数ｍｍを変動することができ、場合によっては１ｃｍ程度となりうる。したがって、このリングは、コアがより低い機械的強度を有する円形、正方形、多角形、またはその他の形状の周辺部となりうる。
【００３３】
薄層部分の高さで分離する状況では（ダイごと、構成要素ごと、またはダイのセットおよびサブセットなど）、前記層の形成は、前記層の少なくとも１つのフラグメントが基板から分離され、前記第２の領域が前記フラグメントのの輪郭にそって延在する工程を含むことが好ましい。したがって、第１の領域はフラグメント化されることができ、機械的強度のより大きな領域で各フラグメントは取り囲まれる。
【００３４】
したがって、薄層と基板との間に形成される界面または中間層は、周辺部よりも中央部分が機械的に弱い。このため、早期の層間剥離の危険性が大きく軽減される。
【００３５】
前記界面または埋め込み層は種々の形態をとりうる。特に、
−接合界面（接着剤を有するまたは有さない、例えば分子接着で接合する）、中間層（酸化物、窒化物）を有するまたは有さない、
−微小空隙層（および／または微小気泡および／または小板）、より一般的には欠陥を有する層、
−基板や層とは異なる性質を有する中間層、例えば多孔質シリコン層、機械的強度や、化学エッチング（化学的および機械的）に対する感受性などに関して差が生じうる、
−選択的化学エッチングが起こるように意図された異なる化学組成の中間層、
のように規定することができる。
【００３６】
より高いまたはより低い機械的強度で連接する領域の差、またはその他の種類の連接による差は、
−接合界面の場合には、得られる連接エネルギ、たとえば、接合前の異なる処理（粗さ、異なる親水性、化学的な表面連接状態など）および／または特に接合のための接触の後での熱処理の差、
−微小空隙層の場合には、第２の領域における打ち込み量の減少、または第１の領域における優先的な微小割れの成長、
−多孔質層の場合、第１の領域で多孔度がより高くなるような多孔度の調整、
−選択的化学エッチングが起こるように意図された異なる化学組成の中間層の場合、化学エッチングの感受性のあらゆる変動に関して直接影響するドーピングの差、または半導体物質の組成の比率の差などであってもよい化学組成の変動、
によって生じさせることができる。
【００３７】
より正確に述べると、本発明の好ましい特徴による２つの領域のみが存在する状況では、次のものの組み合わせが可能である（この場合、第２の領域が第１の領域を取り囲む）。
【００３８】
・界面を形成する工程の後、前記第２の領域が前記フラグメントの周辺部に沿って存在するように、前記第１の領域と前記第２の領域とを含む層のフラグメントを分離する工程が実施され、続いて、基板と薄層とがリフトオフされる分離作業が行われ、場合によってはこのリフトオフ工程の前に、第１の領域に対して第２の領域を物理的に範囲を画定する工程を行うと好都合となる場合があり、たとえば、部分的または全体的な切削後、全体的または部分的な化学エッチング、全体的または部分的な機械的破壊によって範囲を画定する。
【００３９】
・基板の表面と層の表面との間に界面が形成され、界面を形成する工程は、これらの表面の少なくとも１つを形成する工程と、分子接着接合によって前記表面を他の表面に接合させる接合工程とを含み、界面を形成する工程は、基板および層の表面のそれぞれについて形成する工程を含むことが好ましく好都合である。表面形成工程は、たとえば前記第１の領域の前記表面の親水性が低くなるか粗さが局所的に増加する処理工程を含むことが好ましく、これはたとえば、この第１の領域の方面の局所的酸エッチングによって実施され、より正確に説明すると、少なくとも１つの表面が酸化物層を含み、フッ化水素酸を使用して酸エッチングが実施されるとさらにより好ましく、この第２の領域の表面は、後に除去される保護（例えば窒化物）層によって塩基エッチングから保護される。別の変法では、２つのウエハの少なくとも一方の表面は全体的に粗面化され、続いて接合力をより強くするためにある部分の粗さが増大するように実質的に改質され、この改質には化学研磨処理、機械的処理または化学的機械的処理、またはイオン処理、あるいはドライエッチングが使用される。
【００４０】
・表面を加工し粗さを制御するために、特に表面のうちの１つが酸化物である場合には、フッ化水素酸を使用する部分的酸エッチングを実施することができる。
【００４１】
・界面を形成する工程は、出発基板の埋め込み層を脆弱化させる工程を含み、それによって少なくとも第１の領域が第２の領域よりも弱くなり、前記埋め込み層は、前記層を形成する部分と前記基板を形成する部分との間にある。好ましくは脆弱化させる工程は、少なくとも１種類の元素、好ましくは気体を注入する工程を含み、注入工程は、第１および第２の領域で別々の方法で実施される。
【００４２】
・界面または中間層を形成する工程は、基板の表面層を多孔質にするよう適合させた処理工程を含み、この処理工程は第１の領域と第２の領域で異なる方法で実施され、続いて、前記多孔質層の上部に層が形成される被覆工程が実施される。基材がシリコンである特殊な場合には、この処理工程がフッ化水素酸媒体中の電気分解を含むと好都合である。
【００４３】
・接合する粗面化表面、多孔質材料、埋め込み欠陥、気体、またはその他の微小空隙のいずれが問題になるかによって、界面または連接層の機械的および／または化学的強度は、別の領域と比較してある領域を選択的に強化または選択的に脆弱化するために不均一な熱処理によって調整される。
【００４４】
・界面を形成する工程の後で、層を基板から分離する工程が実施される。界面を形成する工程と、リフトオフ工程との間に、層を第２の基板に接合する接合工程が実施されると好都合である。前記接合工程は好都合には、分子接着接合または接着接合からなり、後者の場合にはＵＶによって硬化する接着剤、またはポリマー接着剤などが使用される。これらの場合、分離工程は好都合には、酸エッチングおよび／または機械的応力の付与によって実施される。
【００４５】
前記層は、半導体材料（Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＧａＮ、および他の同等の窒化物、ＡｓＧａ、ＩｎＰなど）、あるいは強誘電材料または圧電材料（ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＮｂＯ３）、あるいは処理済みまたは未処理の磁性材料である。
【００４６】
・分離可能な基板上の薄層は、最初の半導体材料基板のシニングによって得た。
【００４７】
・シニングは、機械加工および／または化学的機械的研磨またはその他の研磨および／または化学エッチングによって実施される。
【００４８】
・分離可能な基板上の薄層は、最初の半導体材料基板を切削することによって得た。
【００４９】
・切削は、埋め込み脆弱層の高さで切削することによって行われる。
【００５０】
・埋め込み脆弱層は打ち込みによって得られ、分離は熱処理および／または機械的処理および／または化学処理によって実施される。
【００５１】
・打ち込まれる物質はガス（水素、ヘリウムなど）である。
【００５２】
製品に関して、本発明は、基板上に層を含むアセンブリを提案し、少なくとも第１の選択された領域が第１のレベルの機械的強度を有し、第２の選択された領域が第１のレベルよりも有意に高いレベルの機械的強度を有する界面によって前記層が前記基板と連接され、第２の領域は第１の領域を取り囲む。
【００５３】
好ましい特徴によると、以下のものの組み合わせが可能である。
【００５４】
・フラグメントは、前記第２の領域が前記フラグメントの周囲部に沿って延在するように、前記第１の領域と前記第２の領域とを有する前記層中で完全または部分的に範囲が画定される（切削、エッチングなどによって）。
【００５５】
・界面は、基板の表面と層の表面との間に形成され、分子接着によって接合される。界面の少なくとも１つの表面は、前記第２の領域の方が第１の領域よりも粗さが低い。
【００５６】
・界面は、最初の基板の埋め込み層によって形成され、第１の領域は第２の領域よりも脆弱化される。
【００５７】
・界面は、前記層と前記基板との間の多孔質層によって形成され、前記層は前記第１および第２の領域の間で異なる多孔度を有する。
【００５８】
・前記層は、好都合には分子接着接合、またはＵＶ線によって硬化する接着剤などを使用する接着接合によって第２の基板とさらに接合される。
【００５９】
・接合する粗面化表面、多孔質材料、埋め込み欠陥、気体または非気体の微小空隙のいずれが問題になるかによって、界面または連接層の機械的および／または化学的強度は、別の領域と比較してある領域を選択的に強化または選択的に脆弱化するために、局在かまたは不均一な処理（熱処理、ＵＶ曝露処理、レーザー照射処理など）によって選択的に調整される。
【００６０】
・前記層は、「加工」された、またはされていない半導体材料（Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＧａＮ、および他の同等の窒化物、ＡｓＧａ、ＩｎＰなど）、あるいは強誘電材料または圧電材料（ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＮｂＯ３）、あるいは磁性材料または超伝導材料（ＹｂａＣｕＯ、ＮｂＮなど）である。
【００６１】
本発明の目的、特徴、および利点は、非限定的な代表例によって提供される以下の説明および添付の図面を参照することによって明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】異なる分子接合を有するように２つの領域が加工された表面の概略部分平面図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。
【図３】図１型の界面を有する基板上の薄層を含む組み合わせの図である。
【図４】基板上の薄層全体の断面の概略図である。
【図５】保護層が設けられた基板ウエハの断面図である。
【図６】くぼみを形成した後の図５のウエハの図である。
【図７】酸化物を付着させてくぼみを充填した後の同じウエハの図である。
【図８】研磨後の酸化物付着物で覆われた前記ウエハの図である。
【図９】余分な酸化物コーティングを除去した後のウエハの図である。
【図１０】薄層を取り付けた後か、または厚い層を取り付けてその層をシニングした後かのウエハの図である。
【図１１】図１０の変形であり、酸化物コーティングが基板と薄層とに浸透している。
【図１２】図１０の変形であり、酸化物コーティングが薄層上にある。
【図１３】図１１の変形であり、酸化物は基板内および薄層内の異なる領域を占有している。
【図１４】異なる材料（この例ではＳｉＯ２とＳｉ３Ｎ４）の領域によって形成される層で界面が形成されている変形を示している。
【図１５】図１０の変形であり、酸化物によって形成された複数の領域を示している。
【図１６】図１４の変形であり、異なる材料の複数の領域で形成された中間層を示している。
【図１７】同心で交互に並ぶリングＺ１およびＺ２を示している。
【図１８】全体的な領域Ｚ２内部の領域Ｚ１の配列を示している。
【図１９】表面層を付着させた後の図４のアセンブリの概略図である。
【図２０】最終基板の分子接合後の別の図である。
【図２１】リフトオフ作業を実施した後の別の図である。
【図２２】リフトオフと研磨を行った後に得られるウエハの概略図である。
【図２３】図４型の分離可能なアセンブリの図である。
【図２４】第１のトランジスタゲートなどの構成要素の一部または全部を製造した後の上記アセンブリの図である。
【図２５】酸化物を付着させた後の上記アセンブリの図である。
【図２６】ＣＭＰによって平坦化した後の上記アセンブリの図である。
【図２７】分子接着接合（熱処理を含む）後の上記アセンブリの図である。
【図２８】分離および脱酸素の後の上記アセンブリの図である。
【図２９】図４型の分離可能なアセンブリの図である。
【図３０】構成要素の製造後の上記アセンブリの図である。
【図３１】目標基板には転写せずに、フッ化水素エッチングおよび／または機械力の付与によって分離した後の上記アセンブリの図である。
【図３２】最終基板と再生可能な基板とを分離した後の上記アセンブリの図である。
【図３３】構成要素間にトレンチまたはノッチを切削した後の図３０の変形である。
【図３４】フッ化水素酸エッチング後などにリフトオフされる構成要素を示す上記アセンブリの図である。
【図３５】図４と類似の図である。
【図３６】透明基板を接着接合した後の図３５のアセンブリの断面の概略図である。
【図３７】リフトオフおよび研磨の後のこのアセンブリ上部の図である。
【図３８】リフトオフおよび研磨の後のこのアセンブリ上部の図である。
【図３９】図４と類似のアセンブリの図であり、化学的機械的切削によって除去される領域を示している。
【図４０】上部基板と接合後の上記アセンブリの図である。
【図４１】交互に配列する領域Ｚ１およびＺ２を含むアセンブリの拡大図である。
【図４２】図４と類似のアセンブリの図である。
【図４３】ＧａＮ系エピタキシャルスタックの付着後の上記アセンブリの図である。
【図４４】基板接合後の上記アセンブリの図である。
【図４５】リフトオフ時の上記アセンブリの図である。
【図４６】研磨後の上記アセンブリ上部の図である。
【図４７】スタックの下の層を除去した後の上記アセンブリの図である。
【図４８】埋め込み脆弱層を含む基板の図である。
【図４９】埋め込み脆弱層部分を含む基板の図である。
【発明を実施するための形態】
【００６３】
（１−分子接着接合界面）
詳細な説明のために選択された好ましい実施例は、直径２００ｍｍなどの円形基板の形態で多くの場合入手可能なシリコンに主として関連している。これらの方法は、非限定的な方法で本発明の範囲から逸脱せずに、特にシリコン以外の材料を特徴とする他の系に容易に移行される。
【００６４】
本発明による一部の実施形態は、全体の高さ、すなわち基板全体の規模で基板のリフトオフを促進する傾向にあるが、他の方法では範囲が画定されたフラグメントでリフトオフされる傾向にある。
【００６５】
前者の場合に製造されるアセンブリが図１および２に概略的に示されており、図２に概略的に示される界面または中間層は、局所的な接合の差が生じる領域を示している。これらの図以外に、特に図３は、本発明により機械的強度が異なる２つの領域を有する界面に関与することを意図した表面の加工の例を示している。より正確に言うと、図に示される例では、その目的は、中央領域の周囲の領域Ｚ２の機械的強度Ｅｃ２よりも小さい機械的強度Ｅｃ１を有する中央領域Ｚ１を得ることである。
【００６６】
周囲領域Ｚ２の接合エネルギが中央領域Ｚ１よりも高くなるようにするためには、種々の方法を使用することができる。ＳｉＯ２／ＳｉＯ２接合およびＳｉ／ＳｉＯ２接合の例が考慮される。異なる種類の層の場合（Ｓｉ３Ｎ４は別の従来の例であるが、ケイ化物も存在する）、後述の方法から類推して、好適な化学処理（例えばＳｉの場合のＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（ＳＣ１とも呼ばれる）であり、Ｓｉ３Ｎ４の場合にはＨ３ＰＯ４またはＨＦである）を使用すれば十分である。図４は、基板１１と薄層１４とが単結晶シリコンであり、２つの中間層１２および１３はそれぞれ基板１１および薄層１４に接合される前に形成される例を示している。当然ながら、２つの中間層１２または１３のうち１つだけ存在すれば十分となりうるし、どちらも存在しない場合（すなわちＳｉ／Ｓｉ接合の場合）も考慮する必要がある（すなわち２つの特殊な場合が存在する）。中間層１２および１３が存在しどちらもＳｉＯ２である場合、この系をＳｉＯ２／ＳｉＯ２接合と呼ぶ。２つの中間層のうち１つのみが存在しその層がＳｉＯ２からなる場合、その系をＳｉ／ＳｉＯ２接合と呼ぶ。
【００６７】
分子接着接合に関する特定の態様以外に、図４に示されるような構造の形には多数の方法を使用可能であり、そのような方法としては、剥離不可能なＳＯＩ基板の製造の場合に前述した方法（半導体ウエハ接合科学技術（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｗａｆｅｒ  Ｂｏｎｄｉｎｇ、Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、Ｑ．Ｙ．トン（Ｔｏｎｇ）およびＵ．ゴーセル（Ｇｏｓｅｌｅ）、ワイリー・インターサイエンス・パブリケーションズ（Ｗｉｌｅｙ  Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ  Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ）を参照されたい）が挙げられる。以降、層１４を活性層と呼び、別にエピタキシャル層などが層１４上に付着する特殊な場合を除けばこの層は構成要素を含む層である。本発明ある変形では、化学的および／または機械的な構造のシニングによって薄層が得られる。これらの変形は、接合ＳＯＩ（ＢＳＯＩ）、ならびに接合およびエッチバックＳＯＩ（ＢＥＳＯＩ）として知られている。分子接着接合に加えて、これらの変形は、研磨技術および／または化学エッチング技術によって最初の基板を物理的に除去することに基づいている。層転写技術で部分的に前述した他の変形は、分子接着接合に加えて、米国特許第５、３７４、５６４号（または欧州特許第５３３５５１号）および米国特許第６、０２０、２５２号（または欧州特許第８０７９７０号）に記載される方法のような脆弱化領域に沿った「切削」または分裂による分離、打ち込まれた領域に沿った分離、または欧州特許第０９２５８８８号の方法、多孔質となった埋め込み層に沿って破壊することによる分離に基づいている。
【００６８】
ＳｉＯ２／ＳｉＯ２（またはさらにＳｉ／ＳｉＯ２）接合の場合の、分離可能な基板の製造の場合の接合に関する特定の態様に関して、酸化ケイ素ＳｉＯ２層のリング１２および／または１３のみの上の窒化ケイ素Ｓｉ３Ｎ４などの保護層を付着させるために最初に一時的マスクを使用することができる。酸化物層は数種類の方法（付着、シリコンの熱酸化）によって形成可能であり、用途に応じて異なる厚さを有することができる。この例では、厚さ１μｍの熱酸化物が選択される。たとえば、中央ディスク表面は酸化物のみで形成され、外部リング（通常は）幅が数ｍｍ）の表面は別の保護層（例えば窒化物）で覆われた酸化物で形成される構造が得られる。
【００６９】
これに続いて、酸化物表面を粗面化するためのフッ化水素酸エッチングが行われ、この粗面化は除去される酸化物の厚さを増加させるために必要である。それぞれの用途で、特に、層間剥離が起こらないことが必要な構成要素の製造方法（エピタキシャル成長方法）、および最終的な剥離に適合した方法に依存して粗さを最適化させることができる。通常、数百Åから数千Å程度の厚さの酸化物を除去するフッ化水素酸エッチングが最初のよい妥協点となる。１０００Å程度の厚さの窒化物は下にある酸化物をフッ化水素酸エッチングから保護し、酸化物層１２および／または１３の中央領域の粗さを増大させる。窒化物は、熱（＞１１０℃）オルトリン酸（Ｈ３ＰＯ４）などでエッチングすることによって後に除去される。これは、領域Ｚ１およびＺ２の間で異なる親水性を得るための選択的な湿式または乾式洗浄を併用することができる。これによって得られる効果は、中央で標準的な接合よりも弱い接合が得られ、リングの位置で標準的な接合と同じ接合が得られることである。
【００７０】
除去される酸化が厚い場合、特に用途によってそのような厚さ（特に数千Åの範囲、多くの場合５０００Åが最初のよい妥協点となる）が必要な場合、局所的に粗さを増大させることが要求されるだけでなく、中央領域（フッ化水素酸でエッチングされている）およびリング（このエッチングからは保護されている）の間にある差が生じることも必要である。リングで非常に高品質の接合が得られ、さらに中央領域で十分な品質の接合が得られるようにするためには、場合によっては差をなくすまたは軽減することが必要となりうる。このためには研磨（例えば化学的機械的研磨）を使用すると適切となりうる。差が存在するため、マイクロエレクトロニクス分野の当業者には公知である平坦化作用によって、本来は均一である研磨によって、出現領域、すなわち本発明のリングの領域が優先的に研磨される。しかし、研磨は、リングに意図的に局在化させることもできる。基板が円形の場合、例えば中央に開口部を有する研磨クロスを使用するとリングを優先的に研磨することができ、それによって、フッ化水素酸エッチングが行われた中央領域の高さまでリングの高さを下げることができる。さらに、研磨によって、従来の分子接着接合（研磨は実施せず）の場合よりも高い接合エネルギが得られることが知られている。したがって、これによって２つの作用が組み合わされ、中央で標準的な接合よりも弱い接合が得られ、リングの位置ではより強い接合が得られる。この組み合わせは、図３に示される別の特殊な例である。リングの高さを中央の高さまで下げる別の方法は、局所的なウェットエッチングまたはドライエッチングである。
【００７１】
この変形では、中間層１２および／または１３の全体が粗面化され、すなわちリングは保護されないが、接合強度が有意に増加する局所的な処理がリングに実施される。このような処理としては、たとえば、流動効果によって酸化物の表面の粗さを復元および減少させる目的での酸素プラズマや局所的アニーリングの使用や、あるいはアセンブリの凝集性を増加させるための当業者に公知のあらゆる他の処理が挙げられる。これらの処理は、逃げが全く生じないので好都合である。
【００７２】
別の方法は、接合作業後の局所的熱アニール（レーザービーム、不均一加熱炉、ランプによる加熱など）の使用に関する。Ｃ．マレビル（Ｍａｌｅｖｉｌｌｅ）ら、半導体ウエハ接合、科学技術および応用ＩＶ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｗａｆｅｒ  ｂｏｎｄｉｎｇ、Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ＩＶ）、ＰＶ  ９７−３６、４６、電気化学学会会報シリーズ（Ｔｈｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  Ｓｅｒｉｅｓ）、ニュージャージー州ペニントン（Ｐｅｎｎｉｎｇｔｏｎ、ＮＪ）（１９９８）の報告によると、接合後の１００℃のアニール温度差では、接合エネルギを有意に向上することがあり、特に８００℃を超える温度範囲で向上が起こりうる。この変法は、少なくとも１つの中間層１２または１３の粗面化と併用したり、あるいは単独で実施したり（すなわち粗面化工程は全く実施しない）することができる。非常に特殊な例では、本発明を限定するものと見なすわけでは決してないが、ＳｉＯ２／ＳｉＯ２接合について１０００℃で構造全体のアニールが行われ、リングは選択的に１２００℃まで加熱される。別の方法では１０００℃の温度でのリング全体のアニールは行わない。この選択的なアニール法では、熱伝導現象と、完全な選択性で局所的に加熱する装置を製造するのが困難であることとが理由で、局所的加熱では入熱勾配が生じうることを理解されたい。この場合、アニール温度は、基板の縁端部で最高となり、基板中央に近づくと低下すると見なすことができる。
【００７３】
分離可能な基板を製造する方法の別の変法は、領域Ｚ１と領域Ｚ２の間の化学的性質の差に基づいている非網羅的な例として、Ｚ１＝ＳｉＯ２とＺ２＝Ｓｉ、Ｚ１＝Ｓｉ３Ｎ４とＺ２＝ＳｉＯ２、Ｚ１＝Ｓｉ３Ｎ４とＺ２＝Ｓｉなどの組を挙げることができる。Ｚ１＝ＳｉＯ２とＺ２＝Ｓｉの組のみ本明細書で説明する。
【００７４】
図５に示されるように、幅数ｍｍの保護リング（樹脂、付着ＰＥＣＶＤなど）がシリコン基板上に付着され、領域Ｚ２の大きさが画定される。
【００７５】
この構造は次にエッチングが行われ（ウェットまたはドライ、シリコンのエッチングに従来使用されているあらゆる方法で）、それによって保護されていない領域のみがエッチングされる。機械的作用（粉砕、研磨など）も考慮することができ、その場合にはその構造および／または大きさの工具を使用して中央のみが機械加工される。上記の場合では、保護層を付着させる作業はもはや不可欠ではない。使用される方法とは無関係に（保護リングを除去する工程を含む場合がある）、図６に示すように中央にくぼみを有するシリコンウエハが得られる。
【００７６】
これによって、領域Ｚ１（くぼみを有するディスク）および領域Ｚ２（外部リング）の位置が画定される。
【００７７】
くぼみが形成された基板上にＣＶＤ法によって酸化物を付着させる。付着した酸化物の層の厚さは、くぼみの深さよりもはるかに大きく、図７に示す構造が得られる。
【００７８】
研磨による平坦化によって、リングと構造中央の高さの差がなくなり、さらにこの種の付着に固有の大きな粗さもなくなる（図８参照）。次にフッ化水素酸エッチングによって図９に示す構造が得られる。この場合、シリコンがリングと面一になる時点でフッ化水素酸エッチングを終了する。これによって、「シリコンリングと中央の粗面化酸化物」の構造が形成され、領域Ｚ１とＺ２の間にエネルギ差が生じ、その第１の理由はこれら２つの領域は異なる粗さを有するからであり、第２の理由は材料の性質が異なるからである（異なる分子接着接合特性）。
【００７９】
領域Ｚ１およびＺ２の間に必要なエネルギ差に応じて、「シリコンリングおよび中央の非粗面化酸化物」の構造が得られるように上記一連の工程を修正することができる。この目的のために、例えばフッ化水素酸エッチング工程を省略することができ、シリコンリングの研磨によって面一の表面が得られるように先の研磨工程を延長することができる。この場合、領域Ｚ１およびＺ２の間のエネルギ差は、材料の性質の差によって実質的に決定される。この場合、この差はより小さくなる。
【００８０】
くぼみおよび酸化物の付着物については基板１１上に形成する場合で前述している（図１０の構造は接合後に得られる）。ある変法では、薄層１４の一面（図１２参照）、場合によっては両面（図１１参照）でこれらの作業を実施する。
【００８１】
機械的強度に差が生じるうる材料に関する方法は、少数の追加工程を含みうる。たとえば、Ｚ１＝Ｓｉ３Ｎ４とＺ２＝ＳｉＯ２の組を得ることが目的の場合は、酸化物に加えてＳｉ３Ｎ４を付着させる必要があり、従来のマスキング技術（フォトリソグラフィー、機械的方法など）を使用して構造全体を形成するために必要なリングの画定が行われる。この構造は、優れた化学エッチング（例えばフッ化水素酸エッチング）に対して対象となる２種類の材料の間で選択的となるという利点を有し、このため化学エッチングによって容易かつ選択的にリングが除去されるので分離が容易になりうる。
【００８２】
他の構造としては例えば以下のものが可能である。
【００８３】
−図１３は図１１の変形であり、中央の層は基板中と薄層中とで同じ寸法ではない。
【００８４】
−図１４は、基板と薄層との間の界面層が、周囲部分Ｚ２の材料（ＳｉＯ２）とは異なる材料（Ｓｉ３Ｎ４）の中央部分Ｚ１を有するアセンブリを示しており、これら２つの部分の材料は基板や薄層（この場合Ｓｉ）とは異なる材料である。
【００８５】
−図１５は図１０の変形であり、支持体とは異なる材料の複数の領域Ｚ１が存在する。
【００８６】
−図１６は図１４の変形であり、基板および薄層の材料（この場合Ｓｉ）とは異なる材料（この場合Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉＯ２）の複数の領域Ｚ１と複数の領域Ｚ２とが存在する。
【００８７】
図１５および１６は、図１７および１８が例示する複数の形状（ダイの高さなどで）に対応しうる。
【００８８】
−図１７は、複数の同心の帯Ｚ１またはＺ２を有する構造を示している。
【００８９】
−図１８は、ある種類の領域（ここではＺ１）の配列（行と列で構成される）が別の種類の領域（Ｚ２）全体の中に存在する構造を示している。
【００９０】
分離可能な基板自体の製造以外に、分子接合に基づいた技術を使用して、その使用およびその実施に関するいくつかの手段が存在する。
【００９１】
未処理活性層または処理済み活性層の厚さ（すなわち構成要素のすべてまたは一部を形成するために処理した場合の厚さ）に依存するが、分離可能な基板の利点は、自立層（製造時に分離可能な基板中にすでにその厚さが存在するか、あるいはエピタキシャル成長工程の場合のように製造後の付着工程中にその厚さが得られるかのいずれかによる比較的厚い層）、または一般により薄く目標支持体上に転写される表面層のいずれかを得るために活性層の分離を実施できることであり、後者の支持体は最終支持体であるか、それ自体の剥離が意図された単なる一時的支持体であるかのいずれかである。
【００９２】
種々の方法によって表面層が目標基板に転写される。
【００９３】
最初に、転写は、別の基板に転写されるべき薄層となる層の分子接着結合によって実施することができる。
【００９４】
例として、本明細書では第２のＳＯＩ構造と呼ぶ新しいＳＯＩ構造を形成する場合の分離方法を以下に説明する。この種の方法は、前述の方法よりも直接的ではないが、多数の利点を有する。ここで選択される例は、この種の方法を直接使用して実現するのは困難な厚さである厚さ５００Åの埋め込み酸化物層を有する第２のＳＯＩの形成に関する。
【００９５】
第１の構造は、図４に対応する分離可能な基板を作製するための前述の方法の１つによって得られる。この例では、単結晶シリコン層１４が活性層になる。連接する層の中央領域が接合前に粗面化されており、非常に高温（好ましくは１１００℃未満であり、より好ましくは１０００℃未満であり、さらには９００℃未満である）における強化熱処理が実施されていないこの分離可能な基板の上に、熱酸化によって５００Åの酸化物層１６が形成されて、図２０に示される構造が得られる。この酸化物は、第２のＳＯＩ構造の埋め込み酸化物になる。この例では、分離可能な基板（１１＋１２＋１３＋１４＋１５）は、活性層の最終支持体となるシリコン基板１６に分子接着接合される（図２参照）。得られるスタックは、層１５および１６の界面における第２の接合を強固にするために高温（１１００℃）で安定化させることが好ましい。機械的強度が異なる領域の間に差が存在しないという意味で、この第２の接合は従来の意味を有する。しかし、同じ処理が実施される場合でも、第１の接合は、少なくとも領域Ｚ１に相当する中央部分で第２の接合よりも機械的強度が低い。化学的および／または機械的分離方法を使用することができる。たとえば、上記のようにして得られたスタックは最初にフッ化水素酸浴に浸漬されるが、その一目的はアセンブリの端部の方から酸化物層１２および１３にオーバーエッチイングを生じさせて、領域Ｚ２に対応するリングをなくし領域Ｚ１まで到達することである。２つの界面１２／１３および１５／１６が優先的にエッチングされる。さらに、分離可能な基板の界面１２／１３は好都合には酸化物／酸化物界面である。したがって、酸化物とシリコンとの間の界面１５／１６よりも容易にエッチングが進行する。したがって、機械的強度のより高いリングのこのリフトオフ工程中、分離可能な基板の界面よりも第２の接合の界面の方が表面のエッチングが少ない。酸が低エネルギ領域（中央領域、図２１参照）に到達すると、機械的分離（欧州特許第０９２５８８８号に記載されるような加圧水ジェット、仏国特許第２７９６４９１号に記載されるような圧縮空気ジェット、ＷＯ００／２６０００号に記載されるような牽引、ブレードの挿入などによる）によって、最終構造１３＋１４＋１５＋１６（図２２参照）が完全に分離する。フッ化水素エッチングなどによって酸化物１３を除去すると、最終ＳＯＩ構造が得られる。分離可能な基板内で基板として機能するＳｉウエハ１１は、たとえば別の剥離可能な基板などを作製するために再生して再利用することができる（層１２を除去した後が好ましい）。
【００９６】
領域Ｚ１に到達するためにリングをなくす別の手段は、リングを少なくとも部分的に除去することであってもよい。この目的のために、湿式または乾式化学エッチング法、あるいは他の機械的研磨、レーザー切断などの方法をリングに局在化して使用することができる（図３９および４０参照、第２の基板の接合前の機械的または化学的切削部分の形成に対応している（斜線領域））。
【００９７】
前述のように層１４に形成される厚さ５００Åの埋め込み酸化物層１５は、層１４上に接合させる前に基板１６上に形成することができる。別の変法では、５００Åの厚さが２つの部分に分割され、一方の部分は例えば厚さ２５０Åで基板１６上にあり、もう一方の部分もこの例では厚さ２５０Åであり層１４上にある。
【００９８】
２つの分子接着接合した界面がどちらも酸化物／酸化物型である場合、高温における第２の接合の安定化は、フッ化水素酸エッチングが第１の界面で優先的に起こる様な方法で実施することができる。この方法では、機械的に弱い領域Ｚ１が形成されることによってａ第１の接合界面でスタックが優先的に完全に分離し、領域Ｚ２からは最初に良好な品質の活性層１４が得られ、次に、歩留まりが低下したり、縁端部で薄膜が剥離されることによって活性薄膜の表面が減少することよってウエハの粒子状汚染物質が非常に増加したりする原因となる亀裂の発生が防止される。
【００９９】
本発明による方法の使用の別の例は、ダブルゲートトランジスタ構造の形成に関する。トランジスタの製造に関する第１の作業は、従来技術を使用して分離可能な基板（図２３参照）上に第１のＣＭＯＳトランジスタゲート（図２４参照）を形成することから実質的になり、たとえば、図４に示したような薄い埋め込み酸化物層を有するＳＯＩ構造の形成に関して前述した方法と全く同じである。接合の安定化温度は、９００℃から１０００℃程度の温度範囲に低下させることができる。次に、従来の付着法（例えばＣＶＤ）を使用してこの基板上に厚さが１μｍ程度の酸化物層を付着させる（図２５参照）。従来の化学的機械的研磨法を使用して酸化物の平坦化を行う（図２６参照）。これに続いて、別のシリコン基板１６との分子接着接合が行われる（図２７参照）。この接合は、第１のゲートに形成される構造が高温に耐えられる場合には１０００℃から１１００℃の温度で優先的に安定化され、そうでない場合には９００℃から１０００℃程度の温度で実施される。最後に（図２８参照）、分離は、前述した方法（ブレードの挿入、加圧水ジェット、圧縮空気ジェットなど）と全く同じ方法で実施される。トランジスタ製造工程を再開する前に、特に第２のゲートを形成するために（図２８に示される新しい「基板」上に）、残りの酸化物層１３が化学エッチングで除去される。シリコンに対してエッチング選択的を有することが知られているフッ化水素酸溶液で酸化物のエッチングが行われるため、酸化物が完全にエッチングされると自然にエッチングが停止し、シリコン表面が現れる。打ち込み法などで得られる破壊などに基づく他の方法に対するこの剥離法の大きな利点は、最終研磨作業などでは欠陥が生じる可能性があるということが問題な過度に複雑な仕上順序を必要としないことである。ダブルゲートトランジスタの残りの部分の製造工程は当業者には明らかである。
【０１００】
他の多くの用途に同じ方法を使用することができる。第１のＳＯＩ構造（図４参照）がトランジスタ、回路、または構成要素などの製造に使用される場合、最終的にこれらを多くの種類の専用の支持体に転写することができる。たとえば、マイクロ波および電気通信回路に理想的な支持体を得るためには、基板１６はその電気絶縁性（高抵抗率シリコン、石英、サファイアなど）から選択することができ、それによって基板の損失が制限される。フラットスクリーンに関する用途の場合、透明基板が最終支持体として選択される。
【０１０１】
分離の別の例として、薄い基板上に回路を形成する場合について本明細書で簡潔に説明する（図２９から図３２）。対象となる最終厚さは通常数百μｍ未満であり、数十μｍ程度となる場合もある。これらは、たとえば、電力用途、あるいはスマートカードや、ある程度の可撓性が必要とされる（プラスチック材料支持体、湾曲支持体など）その他の回路などの用途に関する。変法の１つは、目標基板に転写する必要がない種類の分離に関する。この場合の目的は、層１４層が自立型となるために十分な厚さを有するが、集合的回路製造工程で損傷なしに耐えるには薄すぎる場合（通常は数百μｍ未満であり、数十μｍ程度となることもある）に、回路または構成要素Ｃを製造後に層１４を転写せずに剥離を実施することである。分離可能な基板の製造方法は、例えば図４の構造の製造に関して前述した任意の方法のそれぞれと同じである。直径２００ｍｍのシリコンウエハの場合、標準的な基板の厚さは７２５μｍである。最終基板の厚さが８０μｍとなる必要がある用途では、たとえばシリコン基板７２５−８０＝６４５μｍが支持基板１１として選択される。次に、この厚さ６４５μｍの基板は、たとえば７２５μｍのウエハに分子接着接合され、より低い機械的強度の領域が形成される。次に７２５μｍのウエハは、平坦化および化学的機械的研磨などによって必要な厚さ８０μまで厚さを減少させる。したがって、得られるアセンブリは標準的な厚さに相当し、構成要素の一部またはすべての製造工程に十分耐えられる。構成要素の製造後、前述の分離法のうちの１つを使用することができるが（図３１参照、フッ化水素酸エッチングおよび機械的応力）、基板１６は省略することができる。しかし、この基板の存在が有用となる場合もある。分離後、自立層１４単独が、対象となる目標基板となり、構成要素を含めた基板厚さ８０μｍを特徴とする。基板の残りは再生することができる。
【０１０２】
必要であれば、図３３および３４から明らかなように、分離前にダイを切断することができ、図３３は後の分離領域のすぐ下まで延在する構成要素の間での切断を示しており、図３４はフラグメントの１つに接合した引き抜き支持体ＳＡを示しており、必要であればフッ化水素酸エッチング後に引き抜きを行えるように適合させることができる。
【０１０３】
脆弱化パラメータは、機械的応力の性質に応じて、分離前に、分離可能な基板に実施する必要がある技術的作業、特に熱処理および化学処理に適合させる必要がある。たとえば、分離可能な基板が、エピタキシャル成長温度５５０℃（宇宙空間で使用する太陽電池を構成するためのＧａＩｎＡｓの成長の場合には一般的な温度である）に耐える必要があるＳｉＯ２−ＳｉＯ２接合界面を有するゲルマニウム表面層からなる場合、分離可能となる基板のｒｍｓ粗さは好都合には０．４ｎｍとなる必要がある。
【０１０４】
別の使用例は、第１に回路のサイズの増大のため、第２に変形に対する抵抗性がより高いカードが必要とされる傾向にあるために支持体の可撓性が重要となるスマートカードの回路の製造に関する。厚さが約５０μｍを超える単結晶シリコン支持体は、スマートカードに通常発生しうる曲げの力が加わる場合に厚すぎるため、この場合には脆弱性が高すぎる。
【０１０５】
図３５は、図４と同様の出発アセンブリを示しており、出発基板１１’は酸化ケイ素の層１２’で覆われ、層１２’は酸化ケイ素の第２の層１３’と分子接着接合し、層１３’はシリコン層１４’で覆われている。回路はシリコン層１４’内部に形成される。続いて、第２の支持体１６’と組み合わせるため（図３６参照）、接着剤は、非常に薄い層１５を形成するように選択され、さらにこの接合工程後に形成される活性層の構成要素を損傷する危険性がなくなるように例えば＜４００℃の低温で機械的強度が最高となりうるように選択されることが好ましい。これらは、熱またはＵＶ線への曝露（この後者の場合ではＵＶに対して透明である最終基板１６’が選択されると十分である）によって硬化する接着剤であれば好都合となりうる。
【０１０６】
分離可能な基板の脆弱化領域（この場合接合界面１２’／１３’）に沿って切断する場合、ＵＶに対して透明である接着剤および基板（実際では石英製やガラス製）は化合物（フッ化水素酸、溶媒など）に対して全体的に不活性ではないため、純粋に化学的なリフトオフを実施するのは困難となる可能性がある。一方、リングの接合エネルギが接着剤と集積回路を構成する種々の層との強度よりも低くなるのであれば、弱い界面１２’／１３’における構造は純粋な機械的作用によって十分にリフトオフ可能である（これは比較的容易に実施可能である）。この後、分離可能な基板の基板は数回使用することができる。リングの制限された化学エッチング以外に、接着接合後に構造を環状に切断することによってリングを除去することもさらに可能である。この切断は、高接合エネルギ領域と低接合エネルギ領域との境界でレーザーによって実施すると好都合となりうる。リングの幅がわずか数ｍｍまたはそれより狭い場合には、その基板を再利用することが可能である。
【０１０７】
一般に、第１の基板の残分が得られ、基板の支持体はこれ以降「分離可能」と呼ばれ（図３７）、層１２’は好ましくは研磨した後で再利用可能であり、活性層１４’（図３８）は別の支持体１６’上に転写されるか、あるいは層１４’の厚さが適切であれば分離したままで自立層となる。
【０１０８】
上記の例とは異なり、第２の基板１６’は、はるかに長い工程における単なる中間基板であってもよく、中間基板１６’の単純な除去、または多くの場合は基板１６’の除去を伴うさらに別の支持体上への別の層の転写作業のいずれかが続けられる。前述の方法を使用して得られる分離可能な基板は、「処理された」後で中間基板に接合される。中間基板は剛性でも可撓性でもよい（上記例を参照）。基板が剛性である場合、その基板はシリコンであってもよい。
【０１０９】
当業者に公知の接着フィルムを使用することで接着接合、特に、シリコンウエハの切削、および集積回路の封止、あるいは実装またはバックエンドの作業を想定することができる（「ブル・タック」（Ｂｌｕ  Ｔａｋ）、テフロン（Ｔｅｆｌｏｎ）（登録商標）接着フィルムなど）。接着フィルムが両面接着である場合、フィルムの裏面に中間基板を付着させて、切削時にアセンブリを強化するための基板または支持体として機能させることもできる。
【０１１０】
想定されうるリフトオフ法としては、牽引力および／または剪断力および／または屈曲力を加えることが挙げられる。界面の化学エッチング、または超音波などの他の手段により付与される力を併用することもできる。リフトオフされる界面が酸化物型である場合、低エネルギ界面のエッチングは接合界面で促進され、これによって処理された層の中間基板への転写が促進される。これらの条件下では、処理された層が保護されると好都合である（例えばフッ化水素酸エッチングの場合に窒化物をさらに付着させるなどによって）。
【０１１１】
薄膜または中間基板（取扱基板とも呼ぶ）に応力を直接加えることができる。これらは、機械的応力（特に、接合界面へのブレードの挿入による）、および／またはリフトオフ工具の使用（ＷＯ００／２６０００号参照）、および／またはジェット、あるいは仏国特許第２７９６４９１号に記載されるような気流、および／または液体（欧州特許第０９２５８８８号、欧州特許第０９８９５９３号参照）の挿入であってよい。気流（または液体流、例えば、界面が酸化物である場合フッ化水素酸の流れなど）の場合、接合界面に局所的に流体を供給する前に分離可能な基板の処理（例えば化学エッチングによって）を行うと好都合となることがある。これによって、多層構造接合界面において優先的にリフトオフが促進され、この場合、構成要素を有する構造の種々の層を保護することによってリフトオフ行う必要がある。したがって、内部構成要素層の間の接着性が弱い場合でも接合界面のリフトオフが可能である。この点に関しては図３９および４０を参照されたい。
【０１１２】
「取扱層」とも呼ばれる中間基板は、全体的または部分的（ノッチを形成したり、切削前駆体を形成するため）に切削して電子構成要素に対応する素子を形成することができ、これらを異なる支持体に転写することができる。転写は集合的に行うことができ、支持体によってのみ互いに連結している場合でさえも、すべての構成要素の場合に、同一の技術的作業で同時に転写されるか、あるいは構成要素ごと（またはダイごと）に順番に転写される。支持体はスマートカードの場合のようにプラスチック材料であってよく、この場合には接着剤が転写のために好都合に使用される。これらの素子は、他の電子素子または光電子素子を含むウエハ上に転写することも可能であり、この場合も転写は分子接着技術を使用することができる（図４および図１９から図２２参照、層１４に形成された構成要素がさらに存在する状態を想像されたい）。これらの素子はピックアンドプレース手段などの従来手段で転写することもできる。これらの素子は、熱的性質などを向上させるために別の支持体に転写することもできる。
【０１１３】
続いて、応力または局所的な熱（例えばレーザーを使用）を加えることによって、先に最終支持体に接合させた薄層を、機械力の手段によって取扱層から分離（素子ごとに、または全体的に）することができる。
【０１１４】
図１７および１８を参照すれば分かるように、領域Ｚ１およびＺ２は、外部リングＺ２で取り囲まれる中央の円形領域Ｚ１を含む系を画定しない場合がある。多数の他の構造を想定することができる。図１８における正方形の配列は、別の形状（行、列、同心円）の配列で置き換えることができ、それらのピッチおよび他の幾何学的寸法は、用途および使用される分離技術に応じて変動させることができる。配列構造を採用することの利点は、連接する界面に伝達される高い機械的応力（この場合、高い機械的強度の領域で短時間で繰り返されることが好ましい）が構造に加わる場合、あるいは層１４が構造的に穴を有しうるとき、意図的またはそうでない場合もあるが、連接する領域が部分的に露出し、早期の層間剥離の中心がその穴となりうる場合、あるいはダイ製造の場合の方法の単純化のため（例えば個々のダイに切断するため）に好ましくなりうることである。基本的に、高い応力に耐える必要がある構造の場合（たとえば、構造にかなりの張力または圧縮力が加わるヘテロエピタキシーまたはその他の付着または技術的工程）、または小型回路の場合、またはサブミクロン解像のフォトリソグラフィーで製造される回路の場合には、１μｍ程度の大きさが好ましい。逆の状況では、１ｍｍ程度、場合によっては１ｃｍ程度の規模が好ましい。３つ以上の領域の多くの組み合わせも当然ながら想定することができる（Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３など）。特定の機械的強度の領域がばらばらの数で存在するのではなく、機械的強度が連続的に変動することを特徴とする連続した領域も想定することができる。たとえば、縁端部近傍での最大値から、中央部分での最小値まで連続的に減少する機械的強度も想定することができる。この変動は、場合によっては基板の面に対して垂直な軸に関して回転対称であってもよい。使用される幾何学的形状（選択的粗さのための保護層を形成するためのマスクの形状、選択的付着のためのマスクの形状、偏心性リングを優先的に研磨するための研磨布の形状など）が好適であるなら、この種の基板が得られる製造工程、および分離におけるそれらの使用は、図１から図８を参照にした説明とすべての点で同様である。
【０１１５】
上記幾何学的形状は、分離可能な最初の基板１１＋１２＋１３＋１４から目標基板１６に層１４全体を転写できるように適合している。
【０１１６】
全体的、すなわち基板全体の規模で基板からの層の剥離を促進する傾向にある本発明による方法の実施形態とは対照的に、他の方法は、活性層から形成されるべきダイまたは構成要素と明確に関連する形状であるフラグメントの範囲を画定する傾向にある。図４１はこの一例を示しており、後にダイ（またはあらゆる他の構成要素）を収容する領域が拡大されている。最初の基板上に分離される構成要素が存在するだけ、この構造を繰り返すことができる。理想的には、各領域Ｚ２は、領域Ｚ１の各フラグメントの輪郭を取り囲むか単にこれに沿って延在する。構成要素（またはダイなど）の表面積は、領域Ｚ１と正確に対応する場合もあるが、構成要素の表面または領域Ｚ１の表面の一方が他方を含んでいる状況ではこの面積よりも大きくなったり小さくなったりすることもある。採用される構造は、使用される分離技術に依存し、中央ディスクＺ１の周囲にリングＺ２のみを有する基板の分離に関して前述した場合と同様となりうる。興味深い変法の１つは、トレンチ、少なくとも部分的に丸いダイ、フラグメントなどを切断または範囲を画定するために従来の構成要素切断技術（のこ引き、レーザー切断など）を使用する。別の好都合な変法は、フォトリソグラフィー作業と関連する化学エッチングの使用に基づいて、同一のトレンチの形成および／または領域Ｚ２に対応する連接領域の除去が行われる。図４１はある特殊な例を示しており、垂直の破線は必要なフラグメントの輪郭を示している。たとえば、広い面積で分子接着接合を形成した後、示される輪郭で層３および４のみが図の輪郭で切断され、その後、各フラグメントの基板からのリフトオフが考慮される量で、各フラグメントが基板からリフトオフされる（別の方法では、すべての層またはすべてのフラグメントを一度にすべて切断することができる）。切断後に、高い機械的強度領域が周辺部になる程度で、たとえば層３または４の上に電子的、光学的、またはその他の構成要素を製造するための処理工程中の層間剥離の危険性は低下し、一方リフトオフが必要な場合には、中央領域で制御された方法で容易にリフトオフを実施することができる（リフトオフは周辺部で開始してもよい）。
【０１１７】
図４に示されるように基板の高さで外部リングを形成する目的で領域Ｚ１およびＺ２を分布させ、同時に図１３に示されるように各ダイを保護するように分布させることは、有益な組み合わせの１つである。
【０１１８】
当然ながら、上記の実施形態は、単結晶シリコンの場合のみに限定されることはなく、他の半導体材料（Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＧａＮ、およびその他の同等の窒化物、ＡｓＧａＩｎＰなど）、強誘電材料および圧電材料（ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３）、および処理された磁性材料などの多くの材料に拡張することが可能であり、構成要素は剥離前または剥離後に形成される。
【０１１９】
前述したように、剥離可能な基板が、エピタキシャル成長温度５５０℃（宇宙空間で使用する太陽電池を構成するためのＧａＩｎＡｓの成長の場合には一般的な温度である）に耐える必要があるＳｉＯ２−ＳｉＯ２接合界面を有するゲルマニウム表面層からなる場合、分離可能となる基板のｒｍｓ粗さは好都合には０．４ｎｍとなる。
【０１２０】
別の例は、分離可能な基板上でのエピタキシャルスタックのエピタキシャル成長である。この方法は、青色および白色ＬＥＤならびに薄層レーザーダイオード（たとえば、銅またはダイヤモンドなどの熱伝導性の優れた基板に転写することによって、発光の抽出の向上、または熱の排出の向上をはかる）の製造に特に利用される。この場合、関与するエピタキシャルスタックは、ＧａＮから誘導される複合半導体（ＡＩＮ、ＧａＡＩＮ、ＧａＡＩＩｎＮなど）を主成分とする。ある方法は、図４（または図２６または図３５）と同等の分離可能な構造を形成するための方法の１つを使用することからなり、層１４がＳｉＣ６Ｈであり（転写されたＳｉ面は図の上部にある）、層１２および１３は図４の例のように酸化ケイ素であり、基板１１は多結晶ＳｉＣ（またはサファイア）である。窒化物を主成分とするスタック１５”（図４３）は、この構造上でエピタキシャル成長する（図４２）。使用されるエピタキシャル技術は当業者に公知の技術であってよく、たとえば、ある分類の分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、および別の分類の有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）などであってよい。前者の場合、エピタキシャル成長温度が６００℃を超えることはまれであるが、第２の分類における一般的な温度は１０５０℃から１１００℃程度である。上記２つの技術のそれぞれについて、領域Ｚ１、Ｚ２などの組またはセットの選択を最適化する必要がある。第２の場合では、たとえば、フッ化水素酸エッチングによる２つの酸化物層１２および１３の粗面化に基づく前述の方法の１つが選択され、別の変法は基板の縁端部から幅５ｍｍのリングの形成を含む。引き続く、１１００℃におけるこの構造のＭＯＣＶＤエピタキシャル成長によって、厚さが１μｍ程度のスタックが形成される。場合によってはこの構造は、リングの機械的強度を強くするためにエピタキシャル成長段階の前に通常９００℃から１２００℃の温度範囲でアニールが行われる。成長工程の後、アセンブリについて、酸化物の付着、ＣＭＰによる平坦化、利用可能な場合には基板１６の分子接着接合（例えばシリコン基板上）、およびこの後者の接合を強化するための１１００℃におけるアニーリングが行われる。層１６が形成される（図４４）。最後に接合界面で分離される（図４５）。５０％フッ化水素酸浴に数時間浸漬することからなる予備工程を行うと、基板の端部から数ｍｍの深さで側方に酸化物層をエッチングするためには十分であり、この界面は領域Ｚ２に対応し、そのため領域Ｚ１が露出する。この後、ブレードの挿入、加圧水ジェットの使用、または圧縮空気ジェットなどの使用による機械力により、例えば前述した方法を使用して分離が行われる。最後の脱酸素工程によって酸化物層１３残留物が除去される（図４６）。エピタキシャルスタックの核生成層として機能するＳｉｃ層１４は少なくとも、場合によってはエッチングによって除去することができる（図４１）。ダイオードは、最終の転写の前または後に製造することができる。
【０１２１】
（２−微小空隙、マイクロバブル、または小板を含む脆弱埋め込み層）
基板と、「活性層」となる層との間の界面は、微小空隙、マイクロバブル、または小板などで形成される埋め込み脆弱層の形態をとることができる。この方法は多くの半導体および他の材料を使用することができる。
【０１２２】
異なる機械的強度を有する領域間の差は、異なるレベルの脆弱化によって得られ、図１から図３のような場合では、中央領域はより大きな機械的強度の周囲領域で囲まれる必要があり、領域の脆弱化のための物質（例えば水素の注入）を周辺部ではより少量導入することによって周辺部における構造の脆弱化が中央部よりも少なくなるようにすると十分であり、このことは、注入作業の一部の間に層の一部をマスキングするか、あるいは注入中に掃引を変化させることによって実施可能であり、性質が異なる種々の領域で異なる条件下で連続的に注入を行うことによっても実施可能である。領域は異なる熱処理を実施して異なる脆弱化を行うこともでき、それによって異なるレベルの脆弱化が実現される。
【０１２３】
領域Ｚ１およびＺ２の分布（１つのリング、フラグメント、領域の配列、複数の領域など）、これらの構造を分離する技術（機械的応力、化学処理、熱処理、リングおよび領域Ｚ２の選択的除去など）およびこれらの領域を実際に現象させる方法に関しては、分子接着によって形成される界面または中間層に関する第１項に示される要素および例が有効である。
【０１２４】
（３−多孔質層で形成される界面）
特に、単結晶、多結晶、または非晶質の形態のＳｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡＩＡｓ、ＩｎＡｓ、ＡＩＧａＳｂ、ＺｎＳ、ＣｄＴｅ、およびＳｉＧｅの材料から多孔質層を得られることは、特に欧州特許０８４３３４６Ａ２号によって当業者には公知である。
【０１２５】
したがって、単なる例として、本明細書の説明の残りはシリコンに言及する。
【０１２６】
フッ化水素酸中の電気分解によって多孔質シリコンを得ることが可能である。フッ化水素酸濃度や電流を変更することによってＳｉの多孔度を変動可能であることは当業者には公知である。たとえば、フッ化水素酸濃度を５０％から２０％に低下させると、多孔度は２．１ｇ／ｃｍ３から０．６ｇ／ｃｍ３に変化する。
【０１２７】
したがって、  Ｓｉウエハの外部リングを厚い付着物（窒化物、酸化物、または多結晶シリコンなど）で保護すると、シリコン層の中央領域を多孔質にして、周辺部は元の状態を維持することができる。次に、周辺部に付着した層を除去して、ウエハ全体を電気分解すれば十分である。これら２つの電気分解操作の結果、ウエハ中央部は周辺部よりも多孔度が高くなる。
【０１２８】
次に、エピタキシャル成長によってこの多孔質層上に単結晶Ｓｉ層を形成する（図４８参照、この図は、基板２１と、領域Ｚ１とＺ２の間で制御された多孔度の差を有する多孔質層２２と、薄層２３とを含む構造を表している）。エピタキシャル成長工程の前に、孔隙表面少なくとも一部がつまるまで水素アニール型の平滑化アニールを実施すると好都合である。
【０１２９】
同じ成分を有する場合は種々の層の間で連続した結晶格子となってもよい。
【０１３０】
これによって活性層となるこの単結晶層の厚さは、意図する用途に依存する。
【０１３１】
活性層の厚さに依存して、分離後に、その層は自立層（比較的厚い場合）になることができるし、特に層が薄い場合は目標基板に転写することもできる（例えば分子接着によって）。化学的手段、または多孔質層への局所的な流体の導入によって、活性層は基板からリフトオフすることができる。
【０１３２】
別の方法では、わずか数ｍｍの長さで周辺部が多孔質となる（図４９において、基板２１’、一部の領域が多孔質である層２２’、および単結晶層２３’である）。次に、切断（機械的、またはレーザー切断、またはＨＦ／ＨＮＯ３やＴＭＡＨを使用した化学処理によって）によってこのリングを除去することが適切となる。
【０１３３】
領域Ｚ１およびＺ２の分布（１つのリング、フラグメント、領域の配列、複数の領域など）、これらの構造を分離する技術（機械的応力、化学処理、熱処理、リングおよび領域Ｚ２の選択的除去など）およびこれらの領域を実際に現象させる方法に関しては、分子接着によって形成される界面または中間層に関する第１項に示される要素および例が有効である。
【０１３４】
以下のことに注意されたい。
【０１３５】
−界面は、単なる接触面または連接層となりうる。
【０１３６】
−フラグメントは、正方形、線、同心円などの網目構造中に分布しうる。
【０１３７】
−フラグメントの幾何学的画定は、ダイの位置および寸法と関連することが好ましい（最も近い領域Ｚ２または最も近い切断性まで）。
【０１３８】
−接合前の表面処理工程は酸化物層の粗面化を含みうる。
【０１３９】
−接合前の処理は、粗さだけでなく親水性にも影響を与えうる。
【０１４０】
−第２の領域よりも第１の領域で粗さが大きくなるようにするために、両方の領域を粗面化して、第２の領域のみの粗さを低下させることができる。
【０１４１】
−Ｚ１とＺ２の間の差は、局所的な分子接合後の熱処理によって得ることができるし、あるいは接合作業後に局所的な熱アニール（レーザービーム、不均一な加熱炉、ランプによる加熱など）を使用することもできる。
【０１４２】
−界面が、気体元素の注入によって脆弱下埋め込み層である場合、これらの元素は気体のまま残留することが好ましい。
【０１４３】
−リフトオフのために、領域Ｚ２に対応する材料の一部は、化学エッチングおよび／または材料の機械的除去（機械加工）によって除去されると好都合となりうる。
【０１４４】
−リフトオフ工程は、減圧下のエッチングおよび／または応力の付与によって実施可能であり、水、空気、または加圧流体のジェットを使用することができる。
【０１４５】
−以上の説明はシリコン層を強調してきたが、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＧｅ、およびこれらから誘導される半導体も関連がある。
【０１４６】
−分離前に層上でのエピタキシャル成長工程が存在することがあり、同様に構成要素  は分離前に完全または一部を製造することができる。
【０１４７】
−領域Ｚ１およびＺ２とは異なる機械的強度を有する領域Ｚ３、さらにはＺ４も存在しうる。
【０１４８】
−離散的な段階の一定値ではなく、極限値の間で機械的強度が連続的に増加して存在しうる。
【０１４９】
−領域間の機械的強度の差は組成の違いによって生じうる（ある材料のある領域と別の材料の別の領域とを有する層で形成される界面、基板または層の材料の一部と転写した層の一部とで形成される界面）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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