(57)【要約】【課題】一箇所の測定によって、パターンどうしの位置ずれ量のＸ軸方向成分とＹ軸方向成分を測定することができる測長パターンおよび測長方法を提供すること。【解決手段】直線状の第一の目盛軸１１とこの第一の目盛軸１１に直交する直線状の第二の目盛軸１２とを有し、第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２とが略Ｘ字状に交差して形成される第一の測長パターン１ａと、直線状の第一の副軸２１とこの第一の副軸２１に直交する第二の副軸２２とを有し、第一の副軸２１と第二の副軸２２とが略Ｘ字状に交差して形成される第二の測長パターン２ａと、を有し、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａとが重畳するとともに所定の角度をもって交差するように形成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直線状の第一の目盛軸と該第一の目盛軸に直交する直線状の第二の目盛軸とを有し前記第一の目盛軸と前記第二の目盛軸とが略Ｘ字状に交差して形成される第一の測長パターンと、直線状の第一の副軸と該第一の副軸に直交する第二の副軸とを有し前記第一の副軸と前記第二の副軸とが略Ｘ字状に交差して形成される第二の測長パターンと、を有し、前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとが重畳するとともに所定の角度をもって交差するように形成されることを特徴とする測長パターン。
【請求項２】
前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとは、互いに異なるレイヤに形成されることを特徴とする請求項１に記載の測長パターン。
【請求項３】
前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとが交差する角度は４５度であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の測長パターン。
【請求項４】
前記第一の測長パターンは市松模様に形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の測長パターン。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の測長パターンを備えることを特徴とする表示パネル用の基板。
【請求項６】
基板に形成される複数のパターンどうしのズレ量を測定する測長方法であって、直線状の第一の目盛軸と該第一の目盛軸に直交する直線状の第二の目盛軸とを有し前記第一の目盛軸と前記第二の目盛軸とが略Ｘ字状に交差して形成される第一の測長パターンと、直線状の第一の副軸と該第一の副軸に直交する第二の副軸とを有し前記第一の副軸と前記第二の副軸とが略Ｘ字状に交差して形成される第二の測長パターンと、を互いに重畳するとともに所定の角度をもって交差するように形成し、第二の測長パターンの第一の副軸と第一の測長パターンの第一の目盛軸または第二の目盛軸との交点と、第二の測長パターンの第二の副軸と第一の測長パターンの第一の目盛軸または第二の目盛軸との交点とから、第一の測長パターンと第二の測長パターンのズレ量を測定することを特徴とする測長方法。
【請求項７】
前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとは、異なる工程において異なるレイヤに形成されることを特徴とする請求項６に記載の測長方法。
【請求項８】
前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとが交差する角度は４５度であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の測長方法。
【請求項９】
前記第一の測長パターンは市松模様に形成されることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の測長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測長パターンおよび測長方法に関するものであり、詳しくは、基板上に形成される所定のパターンと他の所定のパターンとのズレ量を測定することができる測長パターンおよび測長方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的なアクティブマトリックスタイプの液晶表示パネルは、ＴＦＴアレイ基板と対向基板（カラーフィルタなど）とを備える。そして、これらの基板が所定の微小な間隔をおいて、対向して配設され、これらの基板の間に、液晶が充填封入されるという構成を備える。ＴＦＴアレイ基板の片側表面（対向基板に対向する側の表面）には、ＴＦＴ、データ線（ソース配線とも称する）、走査線（ゲート配線とも称する）ドレイン配線、半導体膜などといった、様々な薄膜状の配線パターンやその他の所定の要素の薄膜パターンが形成される。これらの薄膜状の配線パターンやその他所定の要素の薄膜パターンは、互いに所定の位置関係となるように位置合わせされ、積層するように形成される。
【０００３】
配線パターンおよび所定のパターンの位置合わせや、位置合わせ精度の測定のためには、バーニヤパターン（バーニヤ目盛）が用いられることがある（特許文献１、特許文献２参照）。特許文献１や特許文献２には、ウェハなどの表面の所定の位置に、Ｘ軸方向の位置を測定するバーニヤパターンと、Ｙ軸方向の位置を測定するバーニヤパターンと形成が形成される構成が開示されている。これらのような構成によれば、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のバーニヤパターンのそれぞれの目盛を読み取ることによって、配線パターンや所定のパターンのＸ軸方向の位置ずれ量およびＹ軸方向の位置ずれ量を測長することができる。
【０００４】
しかしながら、バーニヤパターンにより位置ずれ量を測長する構成では、次のような問題が生じることがある。一般的にバーニヤパターンは、所定の一方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向のみ）の位置ずれ量しか測長することができない。したがって、Ｘ軸方向の位置ずれ量およびＹ軸方向の位置ずれ量の両方を測長するためには、それぞれＸ軸方向の位置ずれ測長用のバーニヤパターンと、Ｙ軸方向の位置ずれ量測長用のバーニヤパターンを用い、それぞれ別個に測長を行わなければならない。このように、一点の位置ずれ量の測定に二箇所の目盛の測長が必要となるため、位置ずれ量の測長に時間を要していた。
【０００５】
また、バーニヤパターンを用いて目盛の測長を行う場合、測定者によって目盛の読みとり値に相違が生じることがあった。すなわち、バーニヤパターンの読み取りは、本尺（主尺とも称することがある）の目盛と副尺の目盛とが最も近接しているものどうしを選択し、選択した目盛から位置ずれ量を測定する。このように、バーニヤパターンを用いた測定においては、本尺と副尺のいずれの目盛どうしが最も近接しているかを判断する必要がある。そして、測定者ごとに判断が相違することがある。そうすると、測定者ごとに測定値に相違が生じるおそれがある。
【０００６】
【特許文献１】特開平７−６６１１３号公報
【特許文献２】特開平７−２２６３６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記実情に鑑み、本発明が解決しようとする課題は、一箇所の測定によって、パターンどうしの位置ずれ量のＸ軸方向成分とＹ軸方向成分を測定することができる測長パターンおよび測長方法を提供すること、または測定者の相違による測定値のばらつきを抑制または防止することができる測長パターンおよび測長方法を提供すること、または、測長の精度を向上することができる測長パターンおよび測長方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明は、直線状の第一の目盛軸と該第一の目盛軸に直交する直線状の第二の目盛軸とを有し前記第一の目盛軸と前記第二の目盛軸とが略Ｘ字状に交差して形成される第一の測長パターンと、直線状の第一の副軸と該第一の副軸に直交する第二の副軸とを有し前記第一の副軸と前記第二の副軸とが略Ｘ字状に交差して形成される第二の測長パターンと、を有し、前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとが重畳するとともに所定の角度をもって交差するように形成されることを要旨とするものである。
【０００９】
ここで、前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとは、互いに異なるレイヤに形成されることが好ましい。
【００１０】
また、前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとが交差する角度は４５度が好適に適用できる。
【００１１】
また、前記第一の測長パターンには市松模様が好適に適用できる。
【００１２】
本発明は、基板に形成される複数のパターンどうしのズレ量を測定する測長方法であって、直線状の第一の目盛軸と該第一の目盛軸に直交する直線状の第二の目盛軸とを有し前記第一の目盛軸と前記第二の目盛軸とが略Ｘ字状に交差して形成される第一の測長パターンと、直線状の第一の副軸と該第一の副軸に直交する第二の副軸とを有し前記第一の副軸と前記第二の副軸とが略Ｘ字状に交差して形成される第二の測長パターンと、を互いに重畳するとともに所定の角度をもって交差するように形成し、第二の測長パターンの第一の副軸と第一の測長パターンの第一の目盛軸または第二の目盛軸との交点と、第二の測長パターンの第二の副軸と第一の測長パターンの第一の目盛軸または第二の目盛軸との交点とから、第一の測長パターンと第二の測長パターンのズレ量を測定することを要旨とするものである。
【００１３】
前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとは、異なる工程において異なるレイヤに形成されることが好ましい。
【００１４】
前記第一の測長パターンと前記第二の測長パターンとが交差する角度は４５度が好適に適用できる。
【００１５】
前記第一の測長パターンには、市松模様が好適に適用できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、第一の測長パターンと第二の測長パターンの位置ずれ量を測定することによって、所定のパターンどうしの位置ずれ量のＸ軸方向成分とＹ軸方向成分を測定することができる。したがって、位置ずれ量のＸ軸方向成分とＹ軸方向成分とを別個に測定する構成に比較して、測長に要する手間と時間を短縮することができる。また、本発明によれば、目盛軸の読み取りにより位置ずれ量を測長することができるから、測定者の相違による測長値のばらつきを防止または抑制することができる。また、第一の測長パターンと第二の測長パターンとを相互に傾斜させることにより、実質的に最小目盛間隔を小さくすることができる。したがって、測長精度の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。本発明の実施形態は、所定の薄膜パターンと他の所定の薄膜パターンの位置ずれ量を測長するための測長パターンおよび測長方法に関するものである。
【００１８】
図１は、本発明の実施形態にかかる測長パターンの構成を、模式的に示した平面図である。それぞれ、図１（ａ）は第一の測長パターン１ａの構成を示し、図１（ｂ）は第二の測長パターン２ａの構成を示す。
【００１９】
図１（ａ）に示すように、第一の測長パターン１ａは、第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２とからなる。第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２は、直線状の目盛軸である。そして互いに略Ｘ字状に交差している。第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交差角度は特に限定されるものではないが、Ｘ軸方向の測長とＹ軸方向の測長を、同じ精度で行うことができるように（換言すると、同じ最小目盛寸法で行うことができるように）、９０°であることが好ましい。そして第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２には、互いに交点を原点として測長を行うことができるように、所定の間隔の目盛が形成される。第一の目盛軸１１および第二の目盛軸１２の最小目盛間隔は、測長精度に応じて設定されるものであり、特に限定されるものではない。
【００２０】
図１（ｂ）に示すように、第二の測長パターン２ａは、第一の副軸２１と第二の副軸２２とからなる。第一の副軸２１および第二の副軸２２は直線状の軸である。そして第一の副軸２１と第二の副軸２２とは、互いに略Ｘ字状に交差している。第一の副軸２１と第二の副軸２２の交差角度は特に限定されるものではないが、Ｘ軸方向の測長とＹ軸方向の測長を行うことができるように、９０°であることが好ましい。なお、第一の副軸２１および第二の副軸２２は、それぞれ直線状の軸状のパターンであれば良く、目盛などが形成される必要はない。
【００２１】
図２は、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａとが重畳して形成される状態を示した平面図である。図２に示すように、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａは、異なるレイヤ（層）に形成されるものであって、互いに重畳するように形成される。それぞれ、図２（ａ）は、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交点と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点とが、略一致している状態を示した図であり、図２は、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交点と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点とが、一致していない（すなわち位置ずれしている）状態を示した図である。
【００２２】
図２（ａ）に示すように、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交点の位置と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の位置とが一致している場合には、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａとは、位置が一致している（すなわち、位置ずれ量がゼロである）ものとする。第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａの相対的な位置ずれ量は、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交点の位置と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の位置との位置関係に基づいて測長できる。
【００２３】
第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａとは、所定の角度をもって交差する。すなわち、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１とは、所定の交差角度θをもって交差する。同様に、第一の測長パターン１ａの第二の目盛軸１２と第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２とは、所定の交差角度θをもって交差する。これら所定の交差角度θは、本発明の実施形態においては、それぞれ４５°に設定される。なお、これらの所定の交差角度θは４５°に限定されるものではなく、他の角度であっても良い。ただし、これらの所定の交差角度θを４５°に設定することによって、Ｘ軸方向の位置ずれ量と、Ｙ軸方向の位置ずれ量を、同じ精度で測長することができる。
【００２４】
図２（ｂ）を参照して、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａとが位置ずれをしている場合における、位置ずれ量のＸ軸方向成分とＹ軸方向成分の測長方法について説明する。ここで、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１および第二の目盛軸１２の目盛間隔をａ（μｍ）とする。
【００２５】
位置ずれ量のＸ軸方向成分の測長方法は、次のとおりである。第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２と、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の交点における第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の目盛を読み取る。第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１との交差角度θが４５°である場合、および、第一の測長パターン１ａの第二の目盛軸１２と第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２との交差角度θが４５°である場合には、第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２と第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１の交点の目盛の読み取り値と、第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２と第一の測長パターン１ａの第二の目盛軸１２の交点の目盛の読み取り値とは、同一となる。
【００２６】
図２（ｂ）に示す場合には、６目盛目において、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２と、第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２が交差している。したがって、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交点を基準（原点）とした場合における、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の座標のＸ軸方向成分は、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１で読み取ると、６×ａ×ｃｏｓθとなる。なお、第一の測長パターン１ａの第二の目盛軸１２で読み取ると、６×ａ×ｓｉｎθとなる。θが４５°であれば、ｓｉｎ４５°＝ｃｏｓ４５°＝２１／２／２であり、第一の目盛軸１１で読み取った場合でも、第二の目盛軸１２で読み取った場合でも同じ値となる。
【００２７】
位置ずれ量のＹ軸方向成分の測長方法は次のとおりである。第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の交点における第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の目盛を読み取る。第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１との交差角度θが４５°である場合、および、第一の測長パターン１ａの第二の目盛軸１２と第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２との交差角度θが４５°である場合には、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１および第二の目盛軸１２と第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１との交点の目盛の読み取り値は同一となる。図２（ｂ）に示す場合には、１５目盛目において第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２と、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１とが交差している。したがって、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２の交点を基準（原点）とした場合における、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の座標のＹ軸方向成分は、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１で読み取ると、１５×ａ×ｓｉｎθとなる。なお、第一の測長パターン１ａの第二の目盛軸１２で読み取ると、１５×ａ×ｃｏｓθとなる。
【００２８】
このように、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の座標は、第一の目盛軸１１で読み取った場合には、Ｘ軸方向成分が６×ａ×ｃｏｓθとなり、Ｙ軸方向成分が１５×ａ×ｓｉｎθとなる。また、第二の目盛軸１２で読み取った場合には、Ｘ軸方向成分が６×ａ×ｓｉｎθとなり、Ｙ軸方向成分が１５×ａ×ｃｏｓθとなる。
【００２９】
なお、このような構成によれば、第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の一目盛の長さがａの場合には、第一の目盛軸１１で読み取ると、前記のように、一目盛のＸ軸方向成分はａ×ｃｏｓθとなり、Ｙ軸方向成分はａ×ｓｉｎθとなる。このため、測長には三角関数の計算が必要となる。しかしながら、一目盛の長さを換算容易な寸法に設定することによって、測長において三角関数の計算を不要にすることができる。たとえば、θ＝４５°の場合において、一目盛の長さａ＝２１／２μｍ（≒１．４１μｍ）とすると、２１／２ｓｉｎ４５°（μｍ）＝１μｍとなる。したがって、（一目盛）＝（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の１μｍ）に換算して測長を行うことができ、測長において、三角関数の計算の必要がない。
【００３０】
このように、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の交点座標と、第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２と第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２の交点座標を読み取ることによって、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａとの相対的な位置ずれ（位置関係）が測長できる。このため、従来の構成（Ｘ軸方向の位置を測長するバーニヤパターンおよびＹ軸方向の位置を測長するバーニヤパターンを別個に形成し、Ｘ軸方向成分とＹ軸方向成分とを別個に測長する構成）と相違して、一箇所の測長でＸ軸方向成分とＹ軸方向成分の座標値を読み取ることができる。したがって、測長に要する時間を短縮することができる。
【００３１】
また、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１および第二の目盛軸１２を傾斜させることによって、最小測長寸法を小さくすることができ、測長の精度の向上を図ることができる。すなわち、第一の測長パターン１ａの第一の目盛軸１１と第二の目盛軸１２を、角度θだけ傾斜させると、一目盛の長さａのＸ軸方向成分は、ａ×ｃｏｓθとなり、Ｙ軸方向成分は、ａ×ｓｉｎθとなる。したがって、このような構成によれば、Ｘ軸方向に長さａ×ｃｏｓθの目盛が形成される構成、およびＹ軸方向に、長さａ×ｓｉｎθの目盛が形成される構成に相当する。ｓｉｎθおよびｃｏｓθの絶対値は１以下であるから、第一の目盛軸１１または第二の目盛軸１２に形成される目盛よりも、小さい目盛が形成されている構成に等しくなる。このように、実際に形成される最小目盛を小さくすることなく、最小目盛寸法を実質的に小さくすることができる。したがって、目盛軸を傾斜させない構成に比較して、測長精度の向上を図ることができる。
【００３２】
また、本発明の実施形態にかかる測長方法は、バーニヤパターンを用いた測長方法と異なり、単純に目盛値の読み取りにより測長を行うことができる。すなわち、バーニヤパターンの読み取りは、本尺（主尺とも称することがある）の目盛と副尺の目盛とが最も近接しているものどうしを選択し、選択した目盛から位置ずれ量を測定する。このように、バーニヤパターンを用いた測定においては、本尺と副尺のいずれの目盛どうしが最も近接しているかを判断する必要がある。そして、測定者ごとに判断が相違することがある。そうすると、測定者ごとに測定値に相違が生じるおそれがある。これに対して本発明の実施形態にかかる構成によれば、本尺と副尺のいずれの目盛どうしが最も近接しているかを判断する必要がないから、測定者ごとに測長値に相違が生じることを防止または抑制できる。
【００３３】
このような測長パターンを用いて、所定の薄膜パターンと他の所定の薄膜パターンの位置ずれ量を測定する構成、および位置合わせを行う構成は、次のとおりである。
【００３４】
まず、所定の薄膜パターンを基板表面に形成する。この所定の薄膜パターンを形成する工程において、同時に第一の測長パターン１ａを所定の位置に形成する。たとえば所定の薄膜パターンがフォトリソグラフィ法により形成されるものであれば、所定の薄膜パターンおよび第一の測長パターン１ａのパターンが形成されたフォトマスクを用いて、同一工程において同時に所定の薄膜パターンと第一の測長パターン１ａとを形成する。このように、所定の薄膜パターンと第一の測長パターン１ａの位置関係は、常に同一であるようにする。
【００３５】
次いで、所定の薄膜パターンが形成された基板の表面に他の所定の薄膜パターンを形成する。たとえばフォトリソグラフィ法を用いて形成する方法であれば次のとおりである。まず、所定の薄膜パターンが形成された基板の表面に、他の所定の薄膜パターンの材料となる薄膜の層を形成する。この薄膜の層の形成方法には、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。
【００３６】
形成した他の所定の薄膜パターンの材料となる薄膜の層の表面に、フォトレジスト材料の層を形成する。フォトレジスト材料には、たとえば感光性の樹脂材料（アクリル系の樹脂材料に感光性の樹脂材料を混合した材料）が適用できる。フォトレジスト材料の層の形成方法には、たとえばスピンコータを用いる方法が適用できる。
【００３７】
形成されたフォトレジスト材料の層に、露光処理を施す。具体的には、他の所定の薄膜パターンおよび第二の測長パターン２ａのパターンが形成されたフォトマスクを介して、形成されたフォトレジスト材料の層の所定の領域に光エネルギを照射する。そして、露光処理が施されたフォトレジスト材料の層に、現像処理を施す。フォトレジスト材料がポジ型であれば、露光処理において光エネルギが照射された部分が除去され、遮光された部分が基板上に残る。前記のように、露光処理に用いるフォトマスクには、他の所定の薄膜パターンおよび第二の測長パターン２ａのパターンが形成されているから、現像処理によって、他の所定の薄膜パターンにパターニングされたフォトレジスト材料の層と、第二の測長パターン２ａ（の形状にパターニングされたフォトレジスト材料の層）が、基板の表面に残る。このように、他の所定の薄膜パターンと第二の測長パターン２ａとは、常に同一の位置関係にある。
【００３８】
ここで、すでに形成された所定の薄膜パターンと、他の所定の薄膜パターンにパターニングされたフォトレジスト材料の層との位置ずれを測長する。すなわち、現象処理が完了すると、第一の測長パターン１ａに第二の測長パターン２ａ（この第二の測長パターン２ａはフォトレジスト材料の層により形成される）が重畳したパターンが得られる。そこで、前記のように、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａの位置ずれ量を測長することにより、所定のパターンと、他の所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト材料の層との位置ずれ量を測定できる。
【００３９】
位置ずれ量が許容範囲以内であれば、他の所定の薄膜パターンの材料となる薄膜の層をパターニングする。位置ずれ量が許容範囲を越える場合には、フォトレジスト材料の層（第二の測長パターンを含む）を除去し、フォトレジスト材料の層の形成、露光処理、現像処理をやり直す。また、位置ずれ量をフィードバックすることにより、精度の向上を図ることができる。
【００４０】
そして、パターニングされたフォトレジスト材料の層をマスクとして用いて、他の所定の薄膜パターンの材料となる薄膜の層をパターニングする。たとえば、エッチングなどによって、パターニングを行う。これにより、所定の材料からなる他の所定の薄膜パターンが得られる。その後、洗浄処理などによって、フォトレジスト材料の層を除去する。
【００４１】
このように、第一の測長パターン１ａと第二の測長パターン２ａからなる測長パターンを用いることによって、所定の薄膜パターンと、他の所定の薄膜パターンの位置ずれ量を測長することができる。また、この測長によって、所定の薄膜パターンと他の所定の薄膜パターンとの位置ずれ量を小さくして位置合わせの精度の向上を図ることができる。
【００４２】
次に、本発明の実施形態の変形例について説明する。
【００４３】
図３は、本発明の実施形態の変形例にかかる測長パターンの構成を、模式的に示した平面図である。それぞれ、図３（ａ）は第一の測長パターン１ｂの構成を示し、図３（ｂ）は第二の測長パターン２ｂの構成を示す。
【００４４】
図３（ａ）に示すように、第一の測長パターン１ｂは、市松模様状に形成される。すなわち、微小な正方形がマトリックス状に配列される構成を備える。各正方形の一辺の長さは、測長精度に応じて設定されるものであり、特に限定されるものではない。
【００４５】
図３（ｂ）に示すように、第二の測長パターン２ｂは、前記実施形態にかかる第二の測長パターン２ａと同じ構成を有する。すなわち図３（ｂ）に示すように、第二の測長パターン２ｂは、第一の副軸２１と第二の副軸２２とからなる。第一の副軸２１および第二の副軸２２は直線状の軸である。そして第一の副軸２１と第二の副軸２２とは、互いに略Ｘ字状に交差している。第一の副軸２１と第二の副軸２２の交差角度は特に限定されるものではないが、Ｘ軸方向の測長とＹ軸方向の測長を行うことができるように、９０°であることが好ましい。なお、第一の副軸２１および第二の副軸２２は、それぞれ直線状の軸であれば良く、目盛などが形成される必要はない。
【００４６】
図４は、第一の測長パターン１ｂと第二の測長パターン２ｂとを重畳して形成した状態を示した平面図である。図４に示すように、第一の測長パターン１ｂと第二の測長パターン２ｂは、異なるレイヤ（層）に形成されるものであって、互いに重畳するように形成される。それぞれ、図４（ａ）は、第一の測長パターン１ｂの原点位置と、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点とが、略一致している状態を示した図であり、図４（ｂ）は、第一の測長パターン１ｂの原点位置と、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点とが、一致していない（ずれている）状態を示した図である。
【００４７】
図４（ａ）に示すように、第一の測長パターン１ｂの原点位置と、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の位置とが一致している場合には、第一の測長パターン１ｂと第二の測長パターン２ｂとは、位置が一致している（すなわち、位置ずれ量がゼロである）ものとする。第一の測長パターン１ｂと第二の測長パターン２ｂの相対的な位置ずれ量は、第一の測長パターン１ｂの原点位置と、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の位置との位置関係に基づいて測長できる。
【００４８】
第一の測長パターン１ｂと第二の測長パターン２ｂとは、所定の角度をもって交差する。すなわち、第一の測長パターン１ｂの各正方形の各辺は、所定の交差角度θをもって交差する。この所定の交差角度θは、本発明の実施形態においては、それぞれ４５°に設定される。なお、この所定の交差角度θは４５°に限定されるものではなく、他の角度であっても良い。ただし、この所定の交差角度θを４５°に設定することによって、Ｘ軸方向の位置ずれ量と、Ｙ軸方向の位置ずれ量を、同じ精度で測長することができる。
【００４９】
図４（ｂ）を参照して、第一の測長パターン１ｂと第二の測長パターン２ｂとが位置ずれをしている場合における、位置ずれ量のＸ軸方向成分とＹ軸方向成分の測長方法について説明する。ここで、第一の測長パターン１ｂの微小な正方形の一辺の長さをｂ（μｍ）とする。
【００５０】
位置ずれ量のＸ軸方向成分の測長方法は、次のとおりである。第二の測長パターン２ｂの第二の副軸２２と、第一の測長パターン１ａの原点からの正方形の個数を読み取る。図４（ｂ）に示す場合には、２個目の正方形の辺と、第二の測長パターン２ａの第二の副軸２２が交差している。したがって、第一の測長パターン１ａの原点を基準とした場合における、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の座標のＸ軸方向成分は、２×ｂ×ｃｏｓθとなる。
【００５１】
位置ずれ量のＹ軸方向成分の測長方法は次のとおりである。第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と、第一の測長パターン１ｂの原点からの正方形の個数を読み取る。図４（ｂ）に示す場合には、４個目の正方形の辺と、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１が交差している。したがって、第一の測長パターン１ｂの原点を基準とした場合における、第二の測長パターン２ｂの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の座標のＹ軸方向成分は、４×ｂ×ｓｉｎθとなる。
【００５２】
このように、第二の測長パターン２ａの第一の副軸２１と第二の副軸２２の交点の座標は、Ｘ軸方向成分が２×ｂ×ｃｏｓθとなり、Ｙ軸方向成分が４×ｂ×ｓｉｎθとなる。
【００５３】
このような構成によれば、前記実施形態にかかる測長パターンおよび測長方法と同様の作用効果を奏することができる。すなわち、第一の測長パターン１ｂの各正方形の一辺の長さｂが、目盛軸１１，１２の一目盛の寸法ａに相当する。
【００５４】
次に、このような測長パターンを適用した表示パネル用の基板について説明する。
【００５５】
図５は、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３の構成を、模式的に示した外観斜視図である。図５に示すように、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３は、表示領域３０１（アクティブ領域とも称する）と、パネル額縁領域３０２と、検査端子部３０３とを有する。表示領域３０１（アクティブエリア）には、複数の絵素電極がマトリックス状に配列される。また、各絵素電極を駆動するためのＴＦＴが配列される。パネル額縁領域３０２には、各ＴＦＴに所定の信号を電粗するための所定の配線などが形成される。検査端子部３０３には、表示パネル用の基板３またはこの表示パネル用の基板３を備える表示パネルの検査において、検査用の信号を入力するための端子や所定の配線が形成される。併せてこの検査端子部３０３には、第一の測長パターン１ａ，１ｂおよび第二の測長パターン２ａ，２ｂが形成される（特にＡ部拡大図参照）。
【００５６】
なお、第一の測長パターン１ａ，１ｂおよび第二の測長パターン２ａ，２ｂが形成される位置および形成される数は、特に限定されるものではない。
【００５７】
図６は、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板に配列される複数の絵素電極４０および複数のＴＦＴ３６から、一絵素分の絵素電極４０と一個のＴＦＴ３６の構成を抜き出して拡大して示した平面模式図である。図７は図６のＡ−Ａ線断面図であり、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３の断面構造を模式的に示す図である。
【００５８】
図６と図７のそれぞれに示すように、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３は、透明基板３００と、データ線３２（ソース配線とも称する）と、走査線３３（ゲート配線とも称する）と、ドレイン配線３４と、補助容量信号線３５と、ＴＦＴ３６と、ゲート絶縁膜（第一の絶縁膜）３７と、パッシベーション膜（第二の絶縁膜）３８と、有機絶縁膜（第三の絶縁膜）３９と、絵素電極４０とを有する。ＴＦＴ３６は、ゲート電極３６１と、ソース電極３６２と、ドレイン電極３６３とを有する。
【００５９】
なお、ここでいうドレイン配線３４とは、ＴＦＴ３６のドレイン電極３６３と絵素電極４０とを電気的に接続するための配線をいうものとする。具体的には、ドレイン配線３４の一端部（すなわち基端部）は、ＴＦＴ３６のドレイン電極３６３に電気的に導通している。ドレイン配線３４の他端部（すなわち先端部）は、絵素電極４０に電気的に導通している。このような構成によれば、ドレイン配線３４は、ＴＦＴ３６のドレイン電極３６３から出力される電気信号を、絵素電極４０に伝送することができる。
【００６０】
次に、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３の製造方法について説明する。
【００６１】
図８から図１０は、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３の製造方法の各工程を、模式的に示した断面図である。これらの図は、図６のＡ−Ａ線断面図に相当する。
【００６２】
まず、図８（ａ）に示すように、透明基板の表示領域（アクティブエリア）３０１に、データ線３２、走査線３３、補助容量信号線３５、およびＴＦＴ３６のゲート電極３６１が形成される。この工程において併せて、検査端子部３０３には、第一の測長パターン１ａ，１ｂが形成される。
【００６３】
具体的には、透明基板３００の片側表面に、クロム、タングステン、モリブデン、アルミニウムなどからなる単層または多層の導体膜（第一の導体膜）が形成される。この第一の導体膜の形成方法には、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。また、この第一の導体膜の厚さは特に限定されるものではないが、たとえば３００ｎｍ程度の膜厚が適用できる。
【００６４】
そして、形成された第一の導体膜が、表示領域３０１においては、図８（ａ）に示すように、走査線３３、補助容量信号線３５、ＴＦＴ３６のゲート電極３６１などの形状にパターニングされる。また、検査端子部３０３においては、第一の測長パターン１ａ，１ｂにパターニングされる。この第一の導体膜のパターニングには、公知の各種ウェットエッチングが適用できる。第一の導体膜がクロムからなる構成においては、（ＮＨ４）２［Ｃｅ（ＮＨ３）６］＋ＨＮＯ３＋Ｈ２Ｏ液を用いたウェットエッチングが適用できる。
【００６５】
次に、図８（ｂ）に示すように、前記工程を経た透明基板３００の表示領域３０１には、ゲート絶縁膜３７が形成される。ゲート絶縁膜３７には、厚さ３００ｎｍ程度のＳｉＮｘ（窒化シリコン）などが適用できる。ゲート絶縁膜３７の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法が適用できる。図８（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜３７が形成されると、走査線３３、補助容量信号線３５、ＴＦＴ３６のゲート電極３６１は、ゲート絶縁膜３７により覆われる。
【００６６】
次いで、図９（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜３７の表面の所定の位置に、所定の形状の半導体膜４１が形成される。具体的には、この半導体膜４１は、第一の絶縁膜３７を介してゲート電極３６１に重畳する位置と、第一の絶縁膜３７を介して補助容量信号線３５と重畳する位置に形成される。この半導体膜４１は、本発明の実施形態にかかる測長パターンにより位置決めされて形成される。この半導体膜４１は、第一のサブ半導体膜４１１と第二のサブ半導体膜４１２との二層構造を有する。この工程において併せて、検査端子部３０３には、第二の測長パターン２ａ，２ｂが形成される。第一のサブ半導体膜４１１には、厚さが約１００ｎｍ程度のアモルファスシリコンなどが適用できる。第二のサブ半導体膜４１２には、厚さが約２０ｎｍ程度のｎ＋型のアモルファスシリコンなどが適用できる。
【００６７】
第一のサブ半導体膜４１１は、データ線３２やドレイン配線３４などをエッチングにより形成する工程において、エッチングストッパ層として機能する。第二のサブ半導体膜４１２は、後の工程で形成されるソース電極３６２やドレイン電極３６３とのオーミックコンタクトを良好にするためのものである。
【００６８】
この半導体膜４１（第一のサブ半導体膜４１１と第二のサブ半導体膜４１２）は、プラズマＣＶＤ法とフォトリソグラフィ法を用いることにより形成できる。すなわち、まずプラズマＣＶＤ法を用いて、半導体膜４１（第一のサブ半導体膜４１１と第二のサブ半導体膜４１２）の材料を、前記工程を経た透明基板３００の片側表面に堆積させる。
【００６９】
そして、形成された半導体膜４１（第一のサブ半導体膜４１１と第二のサブ半導体膜４１２）を、フォトリソグラフィ法などを用いることにより、所定の形状にパターニングする。具体的には、形成された半導体膜４１の表面にフォトレジスト材料の層を形成する。フォトレジスト材料の層の形成には、スピンコータなどが適用できる。そして、所定のパターンおよび第二の測長パターン２ａ，２ｂのパターンが形成されたフォトマスクを用いて、形成されたフォトレジスト材料の層に露光処理を施し、その後現像処理を施す。
【００７０】
そうすると、表示領域３０１における半導体膜の表面には、所定のパターンのフォトレジスト材料の層が残る。また、検査端子部３０３には、フォトレジスト材料の層により、第二の測長パターン２ａ，２ｂが形成される。そして、すでに形成されている第一の測長パターン１ａ，１ｂと、フォトレジスト材料の層により形成された第二の測長パターン２ａ，２ｂとを用いて、第一の測長パターン１ａ，１ｂと第二の測長パターン２ａ，２ｂの位置ずれ量を測長する。この測長は、ＴＦＴ３６のゲート電極３６１と、ゲート電極３６１上に形成される半導体膜４１の位置決め精度の測定に相当する。
【００７１】
そして、位置ずれ量が許容範囲以内である場合には、パターニングされたフォトレジスト材料の層をマスクとして用いて、半導体膜４１のパターニングを行う。このパターニングには、たとえばＨＦ＋ＨＮＯ３溶液を用いたウェットエッチングやＣｌ２とＳＦ６ガスを用いたドライエッチングが適用できる。これにより、半導体膜４１（第一のサブ半導体膜４１１と第二のサブ半導体膜４１２）が、第一の絶縁膜３７を介してゲート電極３６１に重畳するように形成されるとともに、補助容量信号線３５に重畳するように形成される。
【００７２】
一方、位置ずれ量が許容範囲を越える場合には、フォトレジスト材料の層を剥離除去し、フォトレジスト材料の層の形成およびパターニングをやり直す。このような構成によれば、ＴＦＴ３６のゲート電極と、その表面に重畳して形成される半導体膜４１の位置決め精度の向上を図ることができ、ＴＦＴ３６の特性のばらつきを防止または抑制することができる。
【００７３】
次に、図９（ｂ）に示すように、データ線（ソース配線）３２、ドレイン配線３４、ＴＦＴ３６のソース電極３６２およびドレイン電極３６３が形成される。まず、前記工程を経た透明基板３００の片側表面に、データ線３２、ドレイン配線３４、ＴＦＴ３６のソース電極３６２およびドレイン電極３６３の材料となる導体膜（この導体膜を「第二の導体膜と称する」）が形成される。その後、形成された第二の導体膜が所定の形状にパターニングされる。
【００７４】
この第二の導体膜は、チタン、アルミニウム、クロム、モリブデンなどからなる二層以上の積層構造を有する。本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３においては、第二の導体膜が二層構造を有する。すなわち、第二の導体膜は、透明基板３００に近い側の第一のサブ導体膜と、絵素電極に近い側の第二のサブ導体膜とからなる二層構造を有する。第一のサブ導体膜には、チタンなどが適用できる。第二のサブ導体膜には、アルミニウムなどが適用できる。
【００７５】
第二の導体膜の形成方法としては、スパッタリング法などが適用できる。第二の導体膜のパターニングには、Ｃｌ２とＢＣｌ３ガスを用いたドライエッチングおよび燐酸、酢酸、硝酸を用いたウェットエッチングが適用できる。このパターニングによって、データ線３２、ドレイン配線３４、ＴＦＴ３６のソース電極３６２およびドレイン電極３６３が形成される。このパターニングにおいては、第一のサブ半導体膜４１１をエッチングストッパ層として、第二のサブ半導体膜４１２もエッチングされる。
【００７６】
以上の工程を経ると、図９（ｂ）に示すように、透明基板３００の表示領域３０１には、ＴＦＴ３６（ゲート電極３６１、ソース電極３６２、ドレイン電極３６３）、データ線３２、走査線３３、ドレイン配線３４、補助容量信号線３５が形成される。
【００７７】
次いで、図１０（ａ）に示すように、前記工程を経た透明基板３００の表示領域３０１にはパッシベーション膜３８と有機絶縁膜３９が形成される。このパッシベーション膜３８には、厚さが３００ｎｍ程度のＳｉＮｘ（窒化シリコン）が適用できる。パッシベーション膜３８の形成方法には、プラズマＣＶＤ法などが適用できる。そして形成されたパッシベーション膜３８の表面には有機絶縁膜３９が形成される。この有機絶縁膜３９には、アクリル系の樹脂材料が適用できる。
【００７８】
形成された有機絶縁膜３９は、フォトリソグラフィ法などによって、所定のパターンにパターニングされる。このパターニングによって、有機絶縁膜３９には、絵素電極４０とドレイン配線３４とを電気的に導通させるための開口部（コンタクトホール）が形成される。
【００７９】
有機絶縁膜３９に開口部（コンタクトホール）が形成されると、この開口部（コンタクトホール）を通じて、パッシベーション膜３８の所定の部分が露出する。パターニングされた有機絶縁膜３９をマスクとして用いて、パッシベーション膜３８がパターニングされる。
【００８０】
このパターニングによって、表示領域３０１においては、パッシベーション膜３８のうち、有機絶縁膜３９の開口部（コンタクトホール）から露出する部分が除去される。これによりパッシベーション膜３８に開口部（コンタクトホール）が形成される。このパッシベーション膜３８、第一の絶縁膜３１および第二の絶縁膜３２のパターニングには、ＣＦ４＋Ｏ２ガスもしくはＳＦ６＋Ｏ２ガスを用いたドライエッチングが適用できる。
【００８１】
次いで、図１１（ａ）に示すように、表示領域３０１においては、絵素電極４０が形成される。絵素電極４０には、たとえば、１００ｎｍ程度の厚さのＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム酸化スズ）が適用できる。また、絵素電極４０の成形方法としては、公知の各種スパッタリング法が適用できる。
【００８２】
以上の工程を経て、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板３が製造される。
【００８３】
以上、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明したが、本発明は前記各実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の改変が可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の実施形態にかかる測長パターンの構成を模式的に示した平面図であり、（ａ）は第一の測長パターンを示し、（ｂ）は第二の測長パターンを示す。
【図２】本発明の実施形態にかかる測長パターンの構成を模式的に示した平面図であり、（ａ）は、第一の測長パターンと第二の測長パターンとが位置ずれせずに重畳している状態を示し、（ｂ）は、第一の測長パターンと第二の測長パターンとが位置ずれしている状態を示す。
【図３】本発明の実施形態の変形例にかかる測長パターンの構成を模式的に示した平面図であり、（ａ）は第一の測長パターンを示し、（ｂ）は第二の測長パターンを示す。
【図４】本発明の実施形態の変形例にかかる測長パターンの構成を模式的に示した平面図であり、（ａ）は、第一の測長パターンと第二の測長パターンとが位置ずれせずに重畳している状態を示し、（ｂ）は、第一の測長パターンと第二の測長パターンとが位置ずれしている状態を示す。
【図５】本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の構成を、模式的に示した外観斜視図である。
【図６】本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板に配列される複数の絵素電極および複数のＴＦＴから、一絵素分の絵素電極と一個のＴＦＴの構成を抜き出して拡大して示した平面模式図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線断面図であり、本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の断面構造を模式的に示す図である。
【図８】本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の工程を、模式的に示した断面図である。
【図９】本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の工程を、模式的に示した断面図である。
【図１０】本発明の実施形態にかかる表示パネル用の基板の製造方法の工程を、模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１ａ，１ｂ  第一の測長パターン
１１  第一の目盛軸
１２  第二の目盛軸
２ａ，２ｂ  第二の測長パターン
２１  第一の副軸
２２  第二の副軸
３  表示パネル用の基板
３００  透明基板
３０１  表示領域
３０２  パネル額縁領域
３２  データ線
３３  走査線
３４  ドレイン配線
３４１  第一のサブ導体膜
３４２  第二のサブ導体膜
３５  補助容量信号線
３６  ＴＦＴ
３６１  ゲート電極
３６２  ソース電極
３６３  ドレイン電極
３７  ゲート絶縁膜
３８  パッシベーション膜
３９  有機絶縁膜
４０  絵素電極
４１  半導体膜
４１１  第一のサブ半導体膜
４１２  第二のサブ半導体膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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