(57)【要約】 【課題】  マイクロ波の出力を制御する必要なく、変形が抑制された寸法制度の高いセラミック焼結体を製造することが可能なセラミック焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】マイクロ波加熱炉内に、マイクロ波加熱用治具に接するように被焼成物を配置して加熱焼成することによりセラミック焼結体を製造する。マイクロ波加熱用治具として、ＳｉＣとＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭｇＯから成り、ＳｉＣが３０〜６５重量％、Ａｌ２Ｏ３が１２〜２３重量％、ＳｉＯ２が１９〜３８重量％、ＭｇＯが４〜９重量％の範囲である治具を用いる。マイクロ波加熱用治具は、かさ密度が１．３〜２．６ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が１０〜５０％であることが好ましい。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波加熱炉内において、マイクロ波加熱用治具に接するように被焼成物を配置して加熱焼成することによりセラミック焼結体を製造する方法であって、前記マイクロ波加熱用治具として、ＳｉＣとＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭｇＯから成り、ＳｉＣが３０〜６５重量％、Ａｌ２Ｏ３が１２〜２３重量％、ＳｉＯ２が１９〜３８重量％、ＭｇＯが４〜９重量％の範囲である部材で構成された治具を用いることを特徴とするセラミック焼結体の製造方法。
【請求項２】
前記マイクロ波加熱用治具を構成する部材は、かさ密度が１．３〜２．６ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１記載のセラミック焼結体の製造方法。
【請求項３】
前記マイクロ波加熱用治具を構成する部材は、見かけ気孔率が１０〜５０％であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック焼結体の製造方法。
【請求項４】
マイクロ波加熱炉内において、被焼成物に接するように配置して加熱焼成することによりセラミック焼結体を製造するための加熱用治具であって、ＳｉＣとＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭｇＯから成り、ＳｉＣが３０〜６５重量％、Ａｌ２Ｏ３が１２〜２３重量％、ＳｉＯ２が１９〜３８重量％、ＭｇＯが４〜９重量％の範囲である部材で構成されることを特徴とするマイクロ波加熱用治具。
【請求項５】
前記部材のかさ密度が１．３〜２．６ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする請求項４に記載のマイクロ波加熱用治具。
【請求項６】
前記部材の見かけ気孔率が１０〜５０％であることを特徴とする請求項４に記載のマイクロ波加熱用治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック焼結体の製造方法およびマイクロ波加熱用治具に関し、特にマイクロ波を用いて加熱焼成されるセラミック焼結体の製造方法およびその加熱焼成の際に用いられるマイクロ波加熱用治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、配線基板に使用される周波数帯域がＧＨｚを超える高周波帯に移行しつつある。高周波信号を高速で伝送する上で、配線層を形成する導体の抵抗が小さいことが要求され、絶縁層にもより低い比誘電率が要求される。
【０００３】
このため、ガラスとセラミックス（無機質フィラー）との混合物を焼成して得られるガラスセラミックスを絶縁層として用いる多層配線基板が注目されている。
【０００４】
ガラスセラミックスは８００〜１０００℃の比較的低温で焼成できるので、配線層としてＡｇやＣｕなどの低抵抗金属を用いることができ、導体抵抗を低くすることができる。また、ガラスセラミックス自体の比誘電率も低いため、配線の容量成分を小さくすることができ、高周波信号に適した多層配線基板を実現できる。
【０００５】
最近では、このようなセラミック配線基板を焼成する際に、マイクロ波加熱を利用することが提案されている。マイクロ波は、被焼成物を直接発熱させるため、被焼成物が焼結する際の温度ばらつきが小さくなるので好ましい。
【０００６】
しかし、ガラス、フィラー、および有機バインダは、特に低温でのマイクロ波吸収率が小さいため、セラミックグリーンシート自体を発熱させることは困難である。そこで、加熱炉内で成形体を配置する載置台（特許文献１参照）、成形体を挟む板（特許文献２参照）の材質を炭化ケイ素（ＳｉＣ）などのマイクロ波吸収率の高い材料を用いることで、熱補助を行う。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−５１４６９号公報
【特許文献２】特開２００４−１６８５７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載されるように被加熱物とほぼ同等のマイクロ波吸収率を有する載置台を使用する方法や、特許文献２に記載されるように加熱補助材料としてＳｉＣ板を用いて焼結する方法では、載置台やＳｉＣ板の発熱量に温度依存性が生じるため、マイクロ波の出力に対して載置台の発熱量が一定とならず、特に８００℃以下の温度領域では昇温速度が高く、８００℃を越える温度領域では昇温速度が低くなる。このように昇温速度が異なると、たとえば８００℃以下の温度領域では、グリーンシートに含まれる有機バインダが急激に燃焼（熱分解）して、焼成後の基板が変形してしまう一方、８００℃を越える温度領域では、昇温速度が低下して、焼成後の基板の緻密化が阻害される、または基板内にボイド（空隙）が形成されるといった問題が生じる。
【０００９】
これを解決するために、マイクロ波の出力を制御することも考えられるが、被加熱物の昇温速度が一定となるようにマイクロ波の出力を制御することは実際には困難である。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、マイクロ波の出力を制御する必要なく、変形が抑制された寸法精度の高いセラミック焼結体を製造することが可能なセラミック焼結体の製造方法およびそのような製造方法において用いるマイクロ波加熱用治具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、マイクロ波加熱炉内において、マイクロ波加熱用治具に接するように被焼成物を配置して加熱焼成することによりセラミック焼結体を製造する方法であって、前記マイクロ波加熱用治具として、ＳｉＣとＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭｇＯから成り、ＳｉＣが３０〜６５重量％、Ａｌ２Ｏ３が１２〜２３重量％、ＳｉＯ２が１９〜３８重量％、ＭｇＯが４〜９重量％の範囲である部材で構成される治具を用いる。
【００１２】
上記セラミック焼結体の製造方法において、マイクロ波加熱用治具を構成する部材は、好ましくは、かさ密度が１．３〜２．６ｇ／ｃｍ３である。
【００１３】
また、上記セラミック焼結体の製造方法において、マイクロ波加熱用治具を構成する部材は、好ましくは、見かけ気孔率が１０〜５０％である。
【００１４】
本発明は、マイクロ波加熱炉内において、被焼成物に接するように配置して加熱焼成することによりセラミック焼結体を製造するための加熱用治具であって、前記加熱用治具はＳｉＣとＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭｇＯから成り、ＳｉＣが３０〜６５重量％、Ａｌ２Ｏ３が１２〜２３重量％、ＳｉＯ２が１９〜３８重量％、ＭｇＯが４〜９重量％の範囲である部材で構成される。
【００１５】
上記加熱用治具を構成する部材は、好ましくは、かさ密度が１．３〜２．６ｇ／ｃｍ３である。
【００１６】
また、上記加熱用治具を構成する部材は、好ましくは、見かけ気孔率が１０〜５０％である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のセラミック焼結体の製造方法によれば、マイクロ波の出力を制御する必要なく、変形の抑制された、より寸法精度の高いセラミック焼結体を得ることができる。
【００１８】
本発明のマイクロ波加熱用治具によれば、被焼成物に接するように配置して加熱焼成することにより、変形の抑制された、より寸法精度の高いセラミック焼結体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、添付の図面を参照して、本発明のセラミック基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本発明のセラミック焼結体の製造方法により製造されたセラミック配線基板の構成例を示す断面図である。セラミック配線基板７は、内部に配線導体による所定回路が形成された積層体基板１を含んで構成され、必要に応じて積層体基板１の主面に表面配線導体４，５、厚膜抵抗体膜、および保護膜などを形成し、さらに、表面配線導体４，５に接合した各種電子部品６などから構成される。
【００２１】
積層体基板１は、セラミック絶縁層（以下では単に「絶縁層」という）１ａ〜１ｅ、内部配線導体２、およびビアホール導体３を含み、所定回路が内装されている。
【００２２】
絶縁層１ａ〜１ｅとしては、たとえば８００〜１０００℃前後の比較的低い温度で焼成可能なガラスセラミック材料が用いられる。
【００２３】
ガラスセラミック材料は、主に無機物フィラーおよびガラス成分を含み、無機物フィラーとしては、コランダム（αアルミナ）、クリストバライト、石英、ムライト、またはコーディエライトなどが例示できる。
【００２４】
また、ガラス成分は、複数の金属酸化物を含む低融点結晶化ガラスからなり、たとえば８００〜１０００℃前後の比較的低い温度で焼成処理することによって、コーディエライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトおよびその置換誘導体の結晶相を少なくとも１種類析出する。
【００２５】
内部配線導体２、およびビアホール導体３は、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）、Ｃｕ系（Ｃｕ単体、Ｃｕ合金）、Ｐｄ系（Ｐｄ単体、Ｐｄ合金）、またはＰｔ（Ｐｔ単体、Ｐｔ合金）などの金属導体からなり、内部配線導体２の厚みは８〜１５μｍ程度であり、ビアホール導体３の直径は任意な値とすることができるが、たとえば５０〜２５０μｍである。
【００２６】
内部配線導体２およびビアホール導体３として上記のような材質を用いることで、配線導体が確実にマイクロ波加熱され、基板の表面と同様に基板の内部も加熱することができる。
【００２７】
表面配線導体４，５は、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）、Ｃｕ系（Ｃｕ単体、Ｃｕ合金）、Ｐｄ系（Ｐｄ単体、Ｐｄ合金）、またはＰｔ（Ｐｔ単体、Ｐｔ合金）などの金属導体から成り、たとえば、焼成処理される前の積層体基板１に既に形成されている。
【００２８】
このような積層体基板１の表面配線導体４，５には、厚膜抵抗体膜および保護膜が形成され、チップ状コンデンサ、チップ状抵抗器、トランジスタ、またはＩＣ（Integrated 
Circuit）などの各種電子部品６などが半田、またはワイヤボンディングなどによって表面配線導体４，５と導通可能に搭載されている。
以下では、セラミック配線基板７の製造方法について説明する。
【００２９】
（グリーンシートおよび導電性ペーストの準備工程）
まず、絶縁層１ａ〜１ｅとなるセラミックグリーンシートを準備し、内部配線導体２、ビアホール導体３、および表面配線導体４，５となる導体膜や導体を形成するための低抵抗金属材料（Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、またはそれらの合金）、比誘電率の高い添加物（ＳｉＣ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＭｇＯ、ＡｌＮ、Ｃｒ２Ｏ２、ＺｎＯおよびＳｉ３Ｎ４から選ばれる１種または２種以上）、ガラスフリット、および有機ビヒクルなどから成る導電性ペーストをそれぞれ準備する。
【００３０】
セラミックグリーンシートは、低融点結晶化ガラスフリット、無機物フィラー、バインダ、および溶剤を均質混練して、ドクターブレード法などでテープ成型し、所定の大きさに裁断されて形成される。
【００３１】
低融点結晶化ガラスフリットとは、上述したように、８００〜１０００℃前後の比較的低い温度で焼成処理することによって、コーディエライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト、およびその置換誘導体の結晶相を少なくとも１種類析出するガラス組成物からなり、平均粒径は、１．０〜６．０μｍ、好ましくは１．５〜３．５μｍである。
【００３２】
特に、アノーサイト、またはセルジアンを析出するガラスフリットを用いれば、より強度の高い積層体基板１を得ることができ、コージェライト、またはムライトを析出するガラスフリットを用いれば、熱膨張率が低い積層体基板１を得ることができ、積層体基板１上にＩＣベアチップなどの熱膨張率が低いシリコンチップを搭載するための積層体基板として有効である。なお、強度が高く、熱膨張率が低い積層体基板１を得るため、アノーサイトおよびコージェライトを同時に析出させるガラス組成物として、たとえば、Ｂ２Ｏ３ 、ＳｉＯ２ 、Ａｌ２Ｏ３ 、ＺｎＯ、またはアルカリ土類金属酸化物が有効である。
【００３３】
無機物フィラーは、積層体基板１の骨剤となるものであり、コランダム（αアルミナ）、クリストバライト、石英、ムライト、またはコージライトなどのセラミックが例示でき、その粒径は１．０〜６．０μｍ、好ましくは１．５〜４．０μｍである。
【００３４】
バインダは、固形成分（ガラスフリット、無機物フィラー）との濡れ性があり、熱分解性の良好なものでなくてはならない。同時にスリップの粘性を決めるものであるため、アクリル酸またはメタクリル酸系重合体のようなカルボキシル基、またはアルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和化合物が好ましい。添加量としては、全固形成分に対して２５ｗｔ％以下であることが好ましい。
【００３５】
溶剤としては、有機系溶剤、または水系溶剤を用いることができるが、水系溶剤を用いる場合、バインダは水溶性である必要がある。水溶性のバインダには親水性の官能基、たとえばカルボキシル基が付加されていることが好ましく、その付加量は酸価で表せば２〜３００ｍｇＫＯＨ／ｇであり、好ましくは５〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇである。
【００３６】
上述のバインダおよび溶剤は、ドクターブレード法による熱乾燥工程および積層体基板の焼成工程の脱バインダ過程で完全に熱分解しなくてはならないが、特に、６００℃以下、好ましくは５００℃以下で分解する材料がよい。
【００３７】
上述の無機物フィラーとガラス成分との構成比率は、無機物フィラーが１０ｗｔ％〜５０ｗｔ％、好ましくは２０ｗｔ％〜３５ｗｔ％であり、ガラス成分が５０ｗｔ％〜９０ｗｔ％、好ましくは６５ｗｔ％〜８０ｗｔ％である。
【００３８】
無機物フィラーが１０ｗｔ％以上、すなわちガラス成分が９０ｗｔ％以下であると、絶縁層中に占めるガラス質の割合が適度であり、積層体基板１の強度が保持され、無機物フィラーが５０ｗｔ％以下、すなわちガラス成分が５０ｗｔ％以上では、積層体基板１の緻密性を良好に保持することができる。
【００３９】
（穴開け加工およびペースト印刷工程）
次に、絶縁層１ａ〜１ｅとなるグリーンシートに、ビアホール導体３が形成される位置を考慮してＮＣパンチ等でスルーホールを形成し、続いて、上述した導電性ペーストを充填することにより、スルーホール内に導体ペーストを充填し、グリーンシート表面には、内部配線導体２となる導体膜を所定の回路形状となるように印刷する。
【００４０】
（積層工程）
スルーホールが充填され配線が印刷されたグリーンシートを、絶縁層１ａ〜１ｅとなるよう積層順序を考慮して積層し、熱圧着して未焼成状態の積層体基板を得る。
【００４１】
（焼成工程）
図２は、未焼成状態の積層体基板を焼成する際に用いるマイクロ波焼成炉の構成を示す図であり、図２（ａ）は、マイクロ波焼成炉の平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の切断面線Ａ−Ａ’における断面図である。
【００４２】
図２に示すように、マイクロ波焼成炉１７は、炉壁１６の内部空間に、断熱材１０で覆われた筐体９が配置される。筐体９の内部空間には、未焼成積層体基板１を載置するための複数の棚板８が、支柱１１によって鉛直方向に所定の間隔をあけて設けられる。筐体９の内部空間は、炉壁１６の外部と、雰囲気ガス供給用ノズル１２および排気用ノズル１４によって連通し、雰囲気ガス１３は、外部から雰囲気ガス供給用ノズル１３を通って筐体９の内部空間に供給され、排気ガス１５は、筐体９の内部空間から排気用ノズル１４を通って外部に放出される。
【００４３】
マイクロ波による焼成方法としては、まず、導波管を通してマイクロ波焼成炉１７内に導入されたマイクロ波により、未焼成積層体基板１自体が自己発熱するとともに、マイクロ波焼成炉１７内に設けられた筐体９や棚板８も同時に自己発熱することにより、積層体基板１が焼結する。
【００４４】
ここで、棚板８はマイクロ波吸収性を有している。この棚板８はＳｉＣとＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭｇＯから成り、ＳｉＣが３０〜６５重量％、Ａｌ２Ｏ３が１２〜２３重量％、ＳｉＯ２が１９〜３８重量％、ＭｇＯが４〜９重量％の範囲である部材で構成されている。
【００４５】
棚板８においてＳｉＣが少なすぎると、棚板８に吸収されるマイクロ波が少なくなるために被焼成物にマイクロ波が比較的多く作用し、脱バインダ不良や温度ムラが発生する。また、セラミック配線基板等の金属配線が含まれるセラミック焼結体を製造する場合には、金属配線にマイクロ波の電界が集中し、スパークによる局部加熱が発生する。ＳｉＣが３０％以上であれば、被焼成物において脱バインダ不良および温度ムラが発生することを抑制することができ、セラミック配線基板等のセラミック焼結体を製造する場合でも、局部加熱を抑制することができる。
【００４６】
また、ＳｉＣは、８００℃以下の比較的低温の領域におけるマイクロ波発熱性が高いという特徴がある。低温領域では無機酸化物からなるセラミック焼結体のマイクロ波発熱特性は低いことから、ＳｉＣが少なすぎると、炉内構成物全体の発熱性が乏しくなるため、加熱効率が悪くなる。ＳｉＣが３０％以上であれば、加熱効率のよい焼成を行うことができる。
【００４７】
一方、ＳｉＣは、８００℃以上の温度領域でマイクロ波発熱特性が低下する特徴があるため、ＳｉＣが多くなりすぎると焼結温度である８００〜１０００℃付近での発熱性が低下する。すなわち、棚板８においてＳｉＣ含有量が多くなりすぎると、高温領域での発熱特性が低下し、低温領域から高温領域まで一定の昇温速度を達成する発熱特性を得ることができない。つまり低温領域では発熱性が高く、高温領域では発熱性が低くなるＳｉＣの特徴がはっきりと現れてしまう。ＳｉＣが６５％以下であれば、高温域での発熱特性の低下を抑制することができる。
【００４８】
なお、ＳｉＣが４０％以上５０％以下である場合には、より顕著に上記効果を得ることができる。
【００４９】
また、アルミナ、シリカ、およびマグネシア成分からなるコーディエライトは、高温領域においてマイクロ波発熱特性が高くなる傾向があるため、棚板８をコーディエライトとＳｉＣとの複合材料とすることにより、低温領域から高温領域にかけて一定の発熱特性を持つ材料とすることができる。
【００５０】
棚板８は、鉱物組成としてはＳｉＣとコーディエライトとなる。アルミナ等の金属酸化物は一般的に温度の上昇とともに誘電損失が高くなるため、ＳｉＣと組み合わせることにより温度依存性の少ない発熱特性を持つ材料を得ることができる。しかしながら、焼成炉に用いられる棚板８には高い熱衝撃抵抗性が必要とされる。アルミナやマグネシアといった酸化物は熱膨張係数が高いため、ＳｉＣと複合化した場合には熱衝撃抵抗性が低下する。そのため、高温領域でマイクロ波発熱特性が高く、熱膨張係数が低いコーディエライトとＳｉＣとを複合化するのがよい。
【００５１】
なお、コーディエライトは、Ａｌ２Ｏ３が１７〜２０重量％、ＳｉＯ２が２７〜３２重量％、ＭｇＯが６〜８重量％の範囲内にあるとき、より顕著に上記効果を得ることができる。
【００５２】
連続炉の場合、冷却帯に持ち出される持ち出し熱量を抑えるために棚板８は軽量であるほうが良い。また、製品から発生するバインダを効率よく排出するため、棚板８を構成する部材の気孔率は高いほうが良い。ただし、セラミック配線基板の焼成は多段積みで行われるため、多段積みに耐えられる十分な強度が必要となる。よって、棚板８を構成する部材のかさ密度は１．３〜２．６ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率は１０〜５０％が好ましい。また、棚板８の気孔率が１０〜５０％であれば、セラミックグリーンシートに含まれる有機バインダの燃焼の際に発生する脱ガスが抜けやすくなる。
ここで、かさ密度および見かけ気孔率は、アルキメデス法により測定した値である。
【００５３】
このような棚板８は、以下のようにして製造することができる。まず、ＳｉＣと、コーディエライト組成になるように調整したＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、粘土、そして気孔率を調整するために添加する気孔形成材といった原料をミキサーにより混合し、適量の水分を添加して混練を行う。そして、混練後の坏土を一軸プレスによって板状に成形する。次に、板状成形体を乾燥した後、ガス炉を用いて８００℃で気孔形成材を燃焼除去し、仮焼体を得る。そして、仮焼体を電気炉にて窒素雰囲気中１２００〜１３００℃で焼成し、焼結体を得る。得られた焼結体を所定の形状に研削加工を行い、最終形状の棚板８を得る。
【００５４】
また、筐体９はマイクロ波発熱性を有している。筐体９の材質としては、誘電損失（ｔａｎδ）が大きく、マイクロ波の吸収性が高いセラミック材料が好適である。また、そのような筐体９を構成するセラミック材料としては、たとえば炭化ケイ素系材料、またはアルミナ系材料等が挙げられる。
【００５５】
また、円筒状の雰囲気ガス供給用ノズル１２から雰囲気ガス１３が筐体９内に供給されることにより、マイクロ波照射により未焼成の積層体基板１に含まれるバインダが熱分解して発生した分解ガスが筐体９内において滞留することなく連続的に対向する側面の排気用ノズル１４から排気ガス１５として炉外に排出される。
【００５６】
焼成雰囲気は、大気（酸化性）雰囲気または中性雰囲気で行われ、たとえば、内部配線導体２などにＣｕ系導体を用いる場合には、還元性雰囲気または中性雰囲気で行われる。
【００５７】
上述の未焼成状態の積層体基板１を焼成処理する焼成工程は、脱バインダ過程と焼結過程からなる。
【００５８】
まず脱バインダ過程では、絶縁層１ａ〜１ｅとなるグリーンシート層、内部配線導体２となる導体膜、ビアホール導体３となるペーストに含まれる有機成分を焼失するためのものであり、たとえば６００℃以下の温度領域で行われる。
【００５９】
次に焼結過程では、絶縁層１ａ〜１ｅとなるグリーンシート層に含まれる結晶化ガラス成分が所定結晶相の析出反応を行うと同時に、無機物フィラーの粒界に均一に分散される。これにより、強固な積層体基板１が得られる。
【００６０】
また、内部配線導体２となる導体膜、ビアホール導体３となるペーストにおいては、たとえばＡｇ系粉末を粒成長させて、低抵抗化させるとともに、絶縁層１ａ〜１ｅと一体化させる。このような焼結過程は、ピーク温度８００〜１０００℃に達する温度領域で行われる。
【００６１】
本実施の形態によるセラミック焼結体の製造方法において、棚板８はＳｉＣとＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭｇＯから成り、ＳｉＣが３０〜６５重量％、Ａｌ２Ｏ３が１２〜２３重量％、ＳｉＯ２が１９〜３８重量％、ＭｇＯが４〜９重量％の範囲である部材で構成される。よって、焼成工程における棚板８の昇温速度が一定となるため、積層体基板１の反りおよび変形を低減できる。
【００６２】
（表面処理工程）
焼成処理された積層体基板１の両主面に表面処理を行う。積層体基板１の上面側主面に、絶縁層１ａ、１ｅに形成したビアホール導体３と接続するように、たとえば銅系導電性ペーストの印刷・乾燥、焼き付けにより、表面配線導体４，５を形成する。
【００６３】
ここで、銅系の表面配線導体４，５と銀系導体のビアホール導体３とが接合することになる。このため、銀と銅との共晶温度を考慮して、銅系の導電性ペーストは低温（たとえば７８０℃以下）で焼成可能なものを選択し、しかも、銅の酸化を抑制するために還元性雰囲気または中性雰囲気下で行う。
【００６４】
その後、必要に応じて、厚膜抵抗膜および保護膜などの焼きつけを行い、各種電子部品６を表面実装する。
【００６５】
なお、上述の実施形態について、積層体基板１の表面配線導体４，５を、たとえば、積層体基板１の焼成工程で同時焼成される導電性ペーストで形成した場合、積層工程中で表面配線導体４，５となる導体膜を形成して、積層体基板１の焼成と一体的に行っても構わない。
【００６６】
また、必要に応じて、未焼成状態の積層体基板に分割溝を形成しておき、焼成直後、または表面処理工程を行ったのちに分割処理を行っても構わない。
【実施例】
【００６７】
以下のようにして本発明の実施例および比較例を作製し、層間剥離、クラック、基板の反り、収縮ばらつきについて評価した。
【００６８】
層間剥離、クラックは目視により確認した。層間剥離、クラックが確認されなかったものは○、確認されたものは×として評価した。
【００６９】
基板の反りについては、画像測定器（株式会社ミツトヨ製）にて測定し、収縮ばらつきについては、３次元形状測定器（株式会社キーエンス製）にて測定した。
【００７０】
（実施例１）
厚みが１５０μｍのグリーンシートを準備し、このグリーンシート上に、Ａｇ系導電性ペーストを用いて導体膜をスクリーン印刷にて形成した後、積層、熱圧着して積層体基板を作製した。
【００７１】
作製した積層体基板をマイクロ波によって自己発熱するＳｉＣ系材料の筐体内に載置し、この筐体内に大気を供給するとともに、２.４５ＧＨｚのマイクロ波を連続照射し有機成分を除去しつつ、９００℃まで焼成した。また、焼成炉内の棚板には、ＳｉＣが４５重量％、Ａｌ２Ｏ３が１８重量％、ＳｉＯ２が３０重量％、ＭｇＯが７重量％であり、かさ密度が２．２ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が２３％の部材を使用した。
【００７２】
焼成後、得られたセラミック基板の反りは３５μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。また、寸法精度（収縮ばらつき）は±０．０５％と良好であった。
【００７３】
（実施例２）
焼成炉内の棚板に、ＳｉＣが３０重量％、Ａｌ２Ｏ３が２３重量％、ＳｉＯ２が３８重量％、ＭｇＯが９重量％であり、かさ密度が２．０ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が２５％の部材を使用したこと以外は、実施例１と同様の方法でセラミック基板を得た。
【００７４】
得られたセラミック基板の反りは４５μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。また、寸法精度（収縮ばらつき）は±０．０８％と良好であった。
【００７５】
（実施例３）
焼成炉内の棚板に、ＳｉＣが６５重量％、Ａｌ２Ｏ３が１２重量％、ＳｉＯ２が１９重量％、ＭｇＯが４重量％であり、かさ密度が２．３ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が２１％の部材を使用したこと以外は、実施例１と同様の方法でセラミック基板を得た。
【００７６】
得られたセラミック基板の反りは５０μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。また、寸法精度（収縮ばらつき）は±０．０９％と良好であった。
【００７７】
（実施例４）
焼成炉内の棚板に、ＳｉＣが３０重量％、Ａｌ２Ｏ３が２３重量％、ＳｉＯ２が３８重量％、ＭｇＯが９重量％であり、かさ密度が１．３ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が５０％の部材を使用したこと以外は、実施例１と同様の方法でセラミック基板を得た。
【００７８】
得られたセラミック基板の反りは４０μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。また、寸法精度（収縮ばらつき）は±０．０９％と良好であった。
【００７９】
（実施例５）
焼成炉内の棚板に、ＳｉＣが６５重量％、Ａｌ２Ｏ３が１２重量％、ＳｉＯ２が１９重量％、ＭｇＯが４重量％であり、かさ密度が２．６ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が１０％の部材を使用したこと以外は、実施例１と同様の方法でセラミック基板を得た。
得られたセラミック基板の反りは５５μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。また、寸法精度（収縮ばらつき）は±０．１０％と良好であった。
【００８０】
（実施例６）
焼成炉内の棚板に、ＳｉＣが５０重量％、Ａｌ２Ｏ３が１７重量％、ＳｉＯ２が２７重量％、ＭｇＯが６重量％であり、かさ密度が２．２ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が２３％の部材を使用したこと以外は、実施例１と同様の方法でセラミック基板を得た。
【００８１】
得られたセラミック基板の反りは４０μｍと非常に良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。また、寸法精度（収縮ばらつき）は±０．０６％と非常に良好であった。
【００８２】
（実施例７）
焼成炉内の棚板に、ＳｉＣが４０重量％、Ａｌ２Ｏ３が２０重量％、ＳｉＯ２が３２重量％、ＭｇＯが８重量％であり、かさ密度が２．０ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が２５％の部材を使用したこと以外は、実施例１と同様の方法でセラミック基板を得た。
【００８３】
得られたセラミック基板の反りは４０μｍと非常に良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。また、寸法精度（収縮ばらつき）は±０．０７％と非常に良好であった。
【００８４】
（比較例１）
焼成炉内の棚板に、ＳｉＣが２５重量％、Ａｌ２Ｏ３が２６重量％、ＳｉＯ２が３９重量％、ＭｇＯが１０重量％であり、かさ密度が２．０ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が２６％の部材を使用したこと以外は、実施例１と同様の方法でセラミック基板を得た。
【００８５】
得られたセラミック基板に層間の剥離やクラックは無かったが、反りが９５μｍと大きく、また、寸法精度（収縮ばらつき）が±０．２１％と大きかった。
【００８６】
（比較例２）
焼成炉内の棚板に、ＳｉＣが７０重量％、Ａｌ２Ｏ３が１０重量％、ＳｉＯ２が１６重量％、ＭｇＯが４重量％であり、かさ密度が２．４ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が２０％の部材を使用したこと以外は、実施例１と同様の方法でセラミック基板を得た。
【００８７】
得られたセラミック基板に層間の剥離やクラックは無かったが、反りが１０５μｍと大きく、また、寸法精度（収縮ばらつき）が±０．２２％と大きかった。
【００８８】
（比較例３）
焼成炉内の棚板に、ＳｉＣが４７重量％、Ａｌ２Ｏ３が１０重量％、ＳｉＯ２が４０重量％、ＭｇＯが３重量％であり、かさ密度が２．１ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が２４％の部材を使用したこと以外は、実施例１と同様の方法でセラミック基板を得た。
【００８９】
得られたセラミック基板の反りは６０μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。また、寸法精度（収縮ばらつき）が±０．２１％と大きかった。
【００９０】
（比較例４）
焼成炉内の棚板に、ＳｉＣが２５重量％、Ａｌ２Ｏ３が３０重量％、ＳｉＯ２が３５重量％、ＭｇＯが１０重量％であり、かさ密度が１．３ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が４５％の部材を使用したこと以外は、実施例１と同様の方法でセラミック基板を得た。
【００９１】
得られたセラミック基板は、層間の剥離やクラックが存在し、反りが１００μｍと大きく、また、寸法精度（収縮ばらつき）が±０．２４％と大きかった。
【００９２】
（比較例５）
焼成炉内の棚板に、ＳｉＣが２５重量％、Ａｌ２Ｏ３が２６重量％、ＳｉＯ２が３９重量％、ＭｇＯが１０重量％であり、かさ密度が１．２ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が６０％の部材を使用したこと以外は、実施例１と同様の方法でセラミック基板を得た。
【００９３】
得られたセラミック基板に層間の剥離やクラックは無かったが、反りが９０μｍと大きく、また、寸法精度（収縮ばらつき）が±０．２０％と大きかった。
【００９４】
（比較例６）
焼成炉内の棚板に、ＳｉＣが７０重量％、Ａｌ２Ｏ３が１１重量％、ＳｉＯ２が１６重量％、ＭｇＯが３重量％であり、かさ密度が２．７ｇ／ｃｍ３、見かけ気孔率が７％の部材を使用したこと以外は、実施例１と同様の方法でセラミック基板を得た。
【００９５】
得られたセラミック基板に層間の剥離やクラックは無かったが、反りが１１０μｍと大きく、また、寸法精度（収縮ばらつき）が±０．２５％と大きかった。
以上の結果をまとめて表１に示す。
【００９６】
【表１】
2010053010.tif 000003
【００９７】
実施例１〜７は、いずれも層間剥離、クラックが見られず、基板の反り、収縮ばらつきも小さく抑えられていた。特に、実施例１は、基板の反り、収縮ばらつきともに最も小さくなった。
【００９８】
比較例１〜６では、いずれも層間剥離、クラックが見られなかったが、収縮ばらつきは大きくなり、比較例３を除いて基板の反りも大きくなった。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明のセラミック焼結体の製造方法により製造されたセラミック配線基板の構成例を示す断面図である。
【図２】未焼成状態の積層体基板を焼成する際に用いるマイクロ波焼成炉の構成を示す図であり、（ａ）は、平面図、（ｂ）は、（ａ）の切断面線Ａ−Ａ’における断面図である。
【符号の説明】
【０１００】
８  棚板
９  筐体
１０  断熱材
１１  支柱
１２  雰囲気ガス供給用ノズル
１３  雰囲気ガス
１４  排気用ノズル
１５  排気ガス
１６  炉壁
【図１】
2010053010.tif 000004
【図２】
2010053010.tif 000005