(57)【要約】【課題】一定の条件の下で基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板処理装置は、複数のガード１４〜１７と、各ガード１４〜１７を個別に昇降させる昇降機構４０〜４３と、制御部１０とを備えている。各ガード１４〜１７は、スピンチャック２の周囲を取り囲む筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａと、筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａの上端部全周から内方に延びる環状の延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂとを有している。各延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは、他の延設部と内径Ｄ１が揃えられ、他の延設部と上下に重なり合うように配置されている。制御部１０は、いずれのガード１４〜１７を基板Ｗの周端面に対向させるときでも、スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１からの内周部１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ、２１ｃの高さが等しくなるように昇降機構４０〜４３を制御する。【選択図】図１
2010177372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板保持手段の周囲を取り囲み、それぞれ独立して昇降可能に設けられた複数のガードと、
各ガードを個別に昇降させることができる昇降手段と、
前記昇降手段を制御する制御手段とを含み、
前記各ガードは、前記基板保持手段の周囲を取り囲む筒状部と、筒状部の上端部全周から内方に延びる環状の延設部とを有するものであり、
前記各ガードの延設部は、他のガードの延設部と内径が揃えられ、他の延設部と上下に重なり合うように配置されたものであり、
前記制御手段は、前記昇降手段を制御することにより、前記複数のガードのうちのいずれかのガードの延設部の内周部を前記基板保持手段に保持された基板よりも上方に位置させて当該ガードを基板の周端面に対向させることにより、基板の周囲に排出される処理液を対向させたガードによって受け止めさせるものであり、いずれのガードを対向させるときでも、前記基板保持手段による基板保持位置から前記延設部の内周部までの高さが等しくなるように前記昇降手段を制御する、基板処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記ガードを前記基板保持手段に保持された基板の周端面に対向させるときに、前記昇降手段を制御して、基板の周端面に対向させるガード以外のガードの延設部の内周部をその下方のガードの延設部の内周部に近接させるものである、請求項１記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板に処理液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この種の基板処理装置の中には、処理液の消費量の低減を図るために、基板の処理に用いた後の処理液を回収して、その回収した処理液を以降の処理に再利用するように構成されたものがある。たとえば下記特許文献１には、複数種の処理液を分別して回収可能な枚葉式の基板処理装置が開示されている。
【０００３】
この特許文献１に係る基板処理装置は、隔壁で区画された処理室内に、１枚の基板を水平に保持して鉛直軸線まわりに回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板に薬液やリンス液などの複数種の処理液を供給するための処理液ノズルと、スピンチャックを収容する有底筒状の処理カップとを備えている。処理カップは、それぞれ筒状をなす３つの構成部材（第１〜第３構成部材）を備えている。
【０００４】
第１構成部材は、スピンチャックの周囲を取り囲む筒状の第１案内部と、第１案内部の下端部に連結された底部とを備えている。底部には、それぞれ環状をなす３つの溝（廃液溝、内側回収溝および外側回収溝）が同心状に形成されている。また、廃液溝の底面には、処理カップ内の雰囲気を排気するための排気口が形成されている。また、第２構成部材は、第１案内部の周囲を取り囲む筒状の第２案内部を備えている。同様に、第３構成部材は、第２案内部の周囲を取り囲む筒状の第３案内部を備えている。
【０００５】
３つの構成部材にそれぞれ設けられた案内部の上端部は、基板の回転軸線に近づく方向に向かって斜め上方に延びている。また、３つの案内部の上端部は、下から第１案内部、第２案内部、第３案内部の順番で上下方向に重なり合うように配置されている。さらに、３つの案内部の上端部の内径は、第１案内部、第２案内部、第３案内部の順番で徐々に小さくなっている。
【０００６】
また、各構成部材には、構成部材ごとに設けられた昇降機構が結合されている。３つの構成部材は、独立して昇降可能に設けられており、各昇降機構は、対応する構成部材を他の構成部材から独立して昇降させることができる。各昇降機構は、上位置と下位置との間で対応する構成部材を昇降させることができる。
各構成部材の上位置は、当該構成部材に設けられた案内部の上端がスピンチャックによる基板保持位置よりも上方に位置する高さに設定されており、各構成部材の下位置は、当該構成部材に設けられた案内部の上端がスピンチャックによる基板保持位置よりも下方に位置する高さに設定されている。各構成部材の上位置は、それぞれ異なる高さに設定されている。
【０００７】
昇降機構は、３つの構成部材をそれぞれの上位置に位置させることにより、スピンチャックに保持された基板の周端面に第１案内部を対向させることができる。また、昇降機構は、第１構成部材を下位置に位置させ、第２および第３構成部材をそれぞれの上位置に位置させることにより、スピンチャックに保持された基板の周端面に第２案内部を対向させることができる。さらに、処理カップは、第１および第２構成部材をそれぞれの下位置に位置させ、第３構成部材を上位置に位置させることにより、スピンチャックに保持された基板の周端面に第３案内部を対向させることができる。
【０００８】
特許文献１に係る基板の処理では、スピンチャックに保持された基板の周端面に第２案内部を対向させた状態で、回転状態の基板の上面中央部に向けて処理液ノズルから第１薬液が吐出される。処理液ノズルから吐出された第１薬液は、基板の上面全域に供給され、第１薬液による薬液処理が基板の上面全域に行われる。また、基板の回転による遠心力によって基板の周囲に飛散する第１薬液は、第２案内部によって受け止められて捕獲される。そして、第２案内部に受け止められた第１薬液は、第２案内部によって内側回収溝に導かれ、回収される。
【０００９】
第１薬液による薬液処理が行われた後は、スピンチャックに保持された基板の周端面に第３案内部を対向させた状態で、回転状態の基板の上面中央部に向けて処理液ノズルから第２薬液が吐出される。処理液ノズルから吐出された第２薬液は、基板の上面全域に供給され、第２薬液による薬液処理が基板の上面全域に行われる。また、基板の回転による遠心力によって基板の周囲に飛散する第２薬液は、第３案内部によって受け止められて捕獲される。そして、第３案内部に受け止められた第２薬液は、第３案内部によって外側回収溝に導かれ、回収される。
【００１０】
第２薬液による薬液処理が行われた後は、スピンチャックに保持された基板の周端面に第１案内部を対向させた状態で、回転状態の基板の上面中央部に向けて処理液ノズルからリンス液が吐出される。処理液ノズルから吐出されたリンス液は、基板の上面全域に供給され、基板の上面全域が洗い流される（リンス処理）。また、基板の回転による遠心力によって基板の周囲に飛散するリンス液は、第１案内部によって受け止められて捕獲される。そして、第１案内部に受け止められたリンス液は、第１案内部によって廃液溝に導かれ、廃液される。
【００１１】
このように、特許文献１に係る基板処理装置は、基板の周囲に飛散する第１薬液および第２薬液をそれぞれ第２案内部および第３案内部によって受け止めて捕獲することができる。これにより、基板の処理に用いられた第１薬液および第２薬液を分別して回収できるようになっている。また、基板の周囲に飛散するリンス液を第１案内部によって受け止めて捕獲することにより、回収された第１および第２薬液に使用済みのリンス液が混入することを防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００６−２８６８３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
スピンチャックに保持された基板の周端面に第１案内部を対向させると、基板の周端面と第１案内部の上端との間には全周にわたって隙間が形成される。同様に、スピンチャックに保持された基板の周端面に第２案内部を対向させると、基板の周端面と第２案内部の上端との間に隙間が形成され、スピンチャックに保持された基板の周端面に第３案内部を対向させると、基板の周端面と第３案内部の上端との間に隙間が形成される。特許文献１に係る基板処理装置では、３つの案内部の上端部の内径がそれぞれ異なる大きさにされているので、基板の周端面と案内部の上端との間の隙間の大きさ（基板の周端面から案内部の上端までの最短距離）は案内部ごとに異なっている。また、特許文献１に係る基板処理装置では、各構成部材の上位置がそれぞれ異なる高さに設定されているので、基板の周端面に案内部を対向させたときの基板から案内部の上端までの高さが案内部ごとに異なっている。そのため、基板の周端面と案内部の上端との間の隙間のばらつきが一層大きくなっている。
【００１４】
一方、処理カップ内の雰囲気を排気するための排気口が第１構成部材の底部に形成されているので、処理カップ内の雰囲気を排気口から排気させると、処理室内の雰囲気が処理カップ内に取り込まれつつ、処理カップ内に下降気流が形成される。このとき、スピンチャックに保持された基板の周端面にいずれかの案内部を対向させていると、処理室内の雰囲気は、基板の周端面と当該基板の周端面に対向する案内部の上端との間を通って処理カップ内に取り込まれる。しかしながら、特許文献１に係る基板処理装置では基板の周端面と案内部の上端との間の隙間の大きさが案内部ごとに異なっているので、排気口から一定の排気量で排気したとしても、基板の周端面と案内部の上端との間を通る雰囲気の流速が案内部ごとに変化してしまう。そのため、処理液を分別して捕獲するときに、一定の排気条件の下で処理カップ内の雰囲気を排気しながら基板の処理を行うことができない。
【００１５】
また、基板の周端面と案内部の上端との間の隙間の大きさが案内部ごとに異なると、当該隙間の大きさが、いずれの案内部を基板の周端面に対向させたときでも最適になるように設定することができない。すなわち、基板の周端面と案内部の上端との間の隙間が大きすぎると、案内部の方から基板側に跳ね返ってくる処理液が当該隙間を通って基板に付着し易くなる。また、基板の周端面と案内部の上端との間の隙間が小さすぎると、基板の周囲に飛散する処理液を案内部によって確実に捕獲できなくなる。したがって、基板の周端面と案内部の上端との間の隙間の大きさには、最適な値がある。しかしながら、特許文献１に係る基板処理装置では、基板の周端面と案内部の上端との間の隙間の大きさが案内部ごとに異なるので、いずれかの案内部を基板の周端面に対向させたときの隙間の大きさを最適化すると、他の案内部を基板の周端面に対向させたときの隙間の大きさが最適な値から外れてしまう。そのため、処理液を分別して捕獲するときに、一定の捕獲条件の下で処理液を捕獲しながら基板の処理を行うことができない。
【００１６】
そこで、この発明の目的は、一定の条件の下で基板を処理することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を水平に保持する基板保持手段（２）と、前記基板保持手段に保持された基板に処理液を供給する処理液供給手段（３、４）と、前記基板保持手段の周囲を取り囲み、それぞれ独立して昇降可能に設けられた複数のガード（１４、１５、１６、１７）と、各ガードを個別に昇降させることができる昇降手段（４０、４１、４２、４３）と、前記昇降手段を制御する制御手段（１０）とを含み、前記各ガードは、前記基板保持手段の周囲を取り囲む筒状部（１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａ）と、筒状部の上端部全周から内方に延びる環状の延設部（１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂ）とを有するものであり、前記各ガードの延設部は、他のガードの延設部と内径（Ｄ１）が揃えられ、他の延設部と上下に重なり合うように配置されたものであり、前記制御手段は、前記昇降手段を制御することにより、前記複数のガードのうちのいずれかのガードの延設部の内周部を前記基板保持手段に保持された基板よりも上方に位置させて当該ガードを基板の周端面に対向させることにより、基板の周囲に排出される処理液を対向させたガードによって受け止めさせるものであり、いずれのガードを対向させるときでも、前記基板保持手段による基板保持位置（Ｐ１）から前記延設部の内周部（１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ、２１ｃ）までの高さ（Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４）が等しくなるように前記昇降手段を制御する、基板処理装置である。なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すものとする。
【００１８】
この発明によれば、基板保持手段によって水平に保持された基板に処理液供給手段から処理液を供給することにより、処理液による処理を基板に施すことができる。また、制御手段によって昇降手段を制御することにより、複数のガードのうちのいずれかのガードを基板の周端面に対向させることができる。したがって、基板保持手段に保持された基板に処理液供給手段から処理液を供給するときに当該基板の周端面にガードを対向させて、基板の周囲に排出される処理液をガードによって受け止めて捕獲することができる。また、基板の周端面に対向させるガードを変えて、基板の周囲に排出される処理液を異なる経路を介して捕獲することができる。したがって、たとえば処理液供給手段から複数種の処理液を基板に順次供給して当該基板を処理するときに、処理液の種類ごとに基板の周端面に対向させるガードを変えて、これらの処理液を分別して捕獲することができる。また、回収手段を設けて捕獲した処理液を当該回収手段に導けば、当該処理液を回収することができる。これにより、複数種の処理液を分別して回収することができる。
【００１９】
また、各ガードが、基板保持手段の周囲を取り囲む筒状部と、筒状部の上端部全周から内方に延びる環状の延設部とからなる構成にされているので、いずれのガードを基板保持手段に保持された基板の周端面に対向させたときでも、基板の周端面と、当該ガードに設けられた延設部の内周部との間に隙間が形成される。また、各ガードの延設部は、他のガードの延設部と内径が揃えられており、いずれのガードを対向させるときでも、基板保持手段による基板保持位置から延設部の内周部までの高さが等しくされるので、基板の周端面と延設部の内周部との間の隙間の大きさ（基板の周端面から延設部の内周部までの最短距離）は、いずれのガードを対向させたときでも一定になる。したがって、いずれのガードを基板の周端面に対向させたときでも、基板の周端面と延設部の内周部との間の隙間の大きさを最適な値に設定することができる。これにより、処理液を分別して捕獲するときに、一定の捕獲条件の下で処理液を捕獲しながら基板の処理を行うことができる。
【００２０】
また、基板の周端面にガードを対向させると、基板の周端面と延設部の内周部との間に隙間が形成されるので、たとえば基板の周端面にガードを対向させた状態で当該ガードの底部からガード内の雰囲気を排気した場合には、当該隙間を通じてガード外の雰囲気がガード内に取り込まれる。また、基板の周端面と延設部の内周部との間の隙間の大きさが、いずれのガードを対向させたときでも一定になるので、排気量を一定にすれば、当該隙間を通る雰囲気の流速をほぼ一定にすることができる。すなわち、いずれのガードを対向させたときでも排気条件を一定にすることができる。これにより、処理液を分別して捕獲するときに、一定の排気条件の下でガード内の雰囲気を排気しながら基板の処理を行うことができる。
【００２１】
請求項２記載の発明は、前記制御手段は、前記ガードを前記基板保持手段に保持された基板の周端面に対向させるときに、前記昇降手段を制御して、基板の周端面に対向させるガード以外のガードの延設部の内周部をその下方のガードの延設部の内周部に近接させるものである、請求項１記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板保持手段に保持された基板の周端面にいずれかのガードが対向しているときに、当該対向しているガード以外のガードの延設部の内周部が、その下方のガードの延設部の内周部に近接させられる。したがって、基板の周囲に排出された処理液をいずれかのガードによって受け止めて捕獲しているときに、意図しない経路に処理液が進入することを抑制または防止することができる。これにより、複数種の処理液を分別して捕獲するときに、ある処理液に他の種類の処理液が混入することを抑制または防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す部分断面図である。
【図２】図１の一部を拡大した図である。
【図３】処理カップの状態を説明するための部分断面図である。
【図４】処理カップの状態を説明するための部分断面図である。
【図５】処理カップの状態を説明するための部分断面図である。
【図６】処理カップの状態を説明するための部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す部分断面図である。また、図２は、図１の一部を拡大した図である。最初に、図１を参照して、基板処理装置の概略構成について説明する。
基板処理装置は、半導体ウエハなどの円形の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置は、隔壁（図示せず）で区画された処理チャンバ１を有している。処理チャンバ１内には、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック２（基板保持手段）と、スピンチャック２に保持された基板Ｗの上面に薬液やリンス液などの処理液を供給するための上面ノズル３と、スピンチャック２に保持された基板Ｗの下面に薬液やリンス液などの処理液を供給するための下面ノズル４と、スピンチャック２を収容する処理カップ５とが配置されている。
【００２４】
スピンチャック２は、鉛直に延びる回転軸（図示せず）の上端に水平な姿勢で固定された円盤状のスピンベース６と、スピンベース６の下方に配置されて、回転軸を駆動するためのモータ７と、モータ７の周囲を包囲する筒状のカバー部材８とを備えている。スピンベース６の外径は、スピンチャック２に保持される基板Ｗの外径よりも僅かに大きくされている。スピンベース６の上面周縁部には、複数（たとえば６つ）の挟持部材９が基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。また、カバー部材８は、その下端が処理チャンバ１の底壁１ａに固定され、上端がスピンベース６の近傍にまで及んでいる。スピンチャック２は、各挟持部材９を基板Ｗの周端面に当接させることにより、当該基板Ｗをスピンベース６の上方で水平に挟持することができる。また、複数の挟持部材９によって基板Ｗを挟持した状態で、モータ７の駆動力を回転軸に入力させることにより、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ｃまわりに基板Ｗを回転させることができる。モータ７は、制御部１０（制御手段）によって制御されるようになっている。
【００２５】
上面ノズル３は、スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１よりも上方に配置されている。上面ノズル３は、吐出した処理液がスピンチャック２に保持された基板Ｗの上面中央部に着液するように構成されている。また、下面ノズル４は、スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１の下方に配置されている。下面ノズル４は、その吐出口がスピンチャック２に保持された基板Ｗの下面中央部に対向するように構成されている。下面ノズル４から吐出された処理液は、基板Ｗの下面中央部に着液する。上面ノズル３および下面ノズル４には、それぞれ、複数種の処理液が順次供給されるようになっている。この実施形態では、上面ノズル３および下面ノズル４が処理液供給手段として機能する。
【００２６】
すなわち、スピンチャック２によって基板Ｗを回転させながら上面ノズル３から処理液を吐出させると、吐出された処理液は、基板Ｗの上面中央部に着液した後、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面周縁部に向かって瞬時に広がっていく。これにより、基板Ｗの上面全域に処理液が供給され、処理液による処理が基板Ｗの上面に施される。また、スピンチャック２によって基板Ｗを回転させながら下面ノズル４から処理液を吐出させると、吐出された処理液は、基板Ｗの下面中央部に着液した後、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの下面周縁部に向かって瞬時に広がっていく。これにより、基板Ｗの下面全域に処理液が供給され、処理液による処理が基板Ｗの下面に施される。
【００２７】
なお、図１では、上面ノズル３がスピンチャック２による基板Ｗの回転軸線Ｃ上に固定的に配置されて、基板Ｗの上面に対して鉛直上方から処理液を供給する構成が示されているが、上面ノズル３は、たとえば、スピンチャック２の斜め上方に固定的に配置されて、基板Ｗの上面に対して斜め上方から処理液を供給する構成であってもよい。また、スピンチャック２の上方において水平面内で揺動可能なアームに上面ノズル３が取り付けられて、アームの揺動により基板Ｗの上面における処理液の供給位置がスキャンされる、いわゆるスキャンノズルの形態が採用されてもよい。さらにまた、基板Ｗの上面に近接して対向配置される遮断板が備えられる場合には、遮断板の中央部に処理液供給口が形成されて、この処理液供給口から基板Ｗの上面に処理液が供給されるようにしてもよい。
【００２８】
処理カップ５は、処理チャンバ１内に収容された円筒状の排気桶１１と、排気桶１１内に収容された複数のカップ（この実施形態では、第１カップ１２および第２カップ１３）と、排気桶１１内に収容された複数のガード（この実施形態では、第１ガード１４、第２ガード１５、第３ガード１６および第４ガード１７）とを備えている。第１〜第４ガード１４〜１７は、それぞれ、筒状の第１案内部１８、第２案内部１９、第３案内部２０、および第４案内部２１を有している。処理カップ５は、基板Ｗの周囲に飛散する処理液を各案内部１８〜２１によって受け止めて捕獲できるように構成されており、各案内部１８〜２１によって受け止めた処理液を廃液または回収できるように構成されている。以下では、図２を参照して、処理カップ５の構成について具体的に説明する。また、以下の説明において図１を適宜参照する。
【００２９】
排気桶１１は、スピンチャック２の周囲を取り囲んでいる。排気桶１１は、処理液を内側に溜められるように構成されている。排気桶１１に溜められた処理液は、図示しない廃液機構へ導かれる。また、排気桶１１の下端部には、排気管２３が接続された排気口２４が形成されている。排気桶１１内の雰囲気は、図示しないポンプなどの吸引手段によって、排気管２３および排気口２４を介して排気される。排気口２４から排気桶１１内の雰囲気を排気することにより、処理チャンバ１内の雰囲気を排気桶１１内に取り込みつつ、排気桶１１内に下降気流を形成することができる。排気桶１１内の排気は、たとえば、処理チャンバ１内において基板Ｗが処理されている間、常時行われるようになっている。また、排気桶１１内の雰囲気を排気するときの排気量は、たとえば一定にされている。
【００３０】
第１カップ１２は、スピンチャック２による基板Ｗの回転軸線Ｃに関してほぼ回転対称な形状に形成されている。第１カップ１２は、スピンチャック２の周囲を取り囲んでいる。第１カップ１２は、図示しない支持部材によって排気桶１１内の一定位置で支持されている。第１カップ１２は、平面視円環状の底部２５と、この底部２５の内周縁部から上方に立ち上がる円筒状の内壁部２６と、底部２５の外周縁部から上方に立ち上がる円筒状の外壁部２７とを備えている。内壁部２６の上端部は、カバー部材８に形成された環状溝８ａに入り込んでいる。第１カップ１２は、断面Ｕ字状をなしており、底部２５、内壁部２６および外壁部２７によって、基板Ｗの処理に使用された処理液を集めて廃棄するための廃液溝２８が区画されている。廃液溝２８に集められた処理液は、図示しない廃液機構に導かれる。
【００３１】
第２カップ１３は、スピンチャック２による基板Ｗの回転軸線Ｃに関してほぼ回転対称な形状に形成されている。第２カップ１３は、第１カップ１２の外側において、スピンチャック２の周囲を取り囲んでいる。第２カップ１３は、図示しない支持部材によって排気桶１１内の一定位置で支持されている。第２カップ１３は、平面視円環状の底部２９と、この底部２９の内周縁部から上方に立ち上がる円筒状の内壁部３０と、底部２９の外周縁部から上方に立ち上がる円筒状の外壁部３１とを備えている。第２カップ１３は、断面Ｕ字状をなしており、底部２９、内壁部３０および外壁部３１によって、基板Ｗの処理に使用された処理液を集めて回収するための内側回収溝３２が区画されている。内側回収溝３２に集められた処理液は、図示しない第１回収機構に導かれる。
【００３２】
第１ガード１４は、スピンチャック２による基板Ｗの回転軸線Ｃに関してほぼ回転対称な形状に形成されている。第１ガード１４は、スピンチャック２の周囲を取り囲んでいる。第１ガード１４は、筒状の第１案内部１８と、この第１案内部１８に連結された円筒状の処理液分離壁３３とを備えている。
第１案内部１８は、スピンチャック２の周囲を取り囲む円筒状の下端部１８ａと、この下端部１８ａの上端から外方（基板Ｗの回転軸線Ｃから遠ざかる方向）に延びる円筒状の厚肉部１８ｄと、厚肉部１８ｄの上面外周部から鉛直上方に延びる円筒状の中段部１８ｅ（円筒部）と、中段部１８ｅの上端から内方（基板Ｗの回転軸線Ｃに近づく方向）に向かって斜め上方に延びる円環状の上端部１８ｂ（延設部）とを有している。処理液分離壁３３は、厚肉部１８ｄの外周部から鉛直下方に延びており、内側回収溝３２上に位置している。また、第１案内部１８の下端部１８ａは、廃液溝２８上に位置している。また、第１案内部１８の上端部１８ｂは、たとえば、内周端１８ｃ（内周部）に至るまで一定の傾斜角度で緩やかに斜め上方に延びている。第１案内部１８の内周端１８ｃは、第１案内部１８の上端に相当する部分であり、たとえば、下方に凸となる凸形状にされている。
【００３３】
第２ガード１５は、スピンチャック２による基板Ｗの回転軸線Ｃに関してほぼ回転対称な形状に形成されている。第２ガード１５は、スピンチャック２の周囲を取り囲んでいる。第２ガード１５は、筒状の第２案内部１９と、カップ部３４とを備えている。
第２案内部１９は、第１ガード１４の周囲を取り囲む円筒状の下端部１９ａ（円筒部）と、下端部１９ａの上端から内方に向かって斜め上方に延びる円環状の上端部１９ｂ（延設部）とを有している。下端部１９ａは、内側回収溝３２上に位置している。また、第２案内部１９の上端部１９ｂは、たとえば、内周端１９ｃ（内周部）に至るまで、第１案内部１８の上端部１８ｂと等しい一定の傾斜角度で緩やかに斜め上方に延びている。第２案内部１９の内周端１９ｃは、第２案内部１９の上端に相当する部分であり、たとえば、下方に凸となる凸形状にされている。
【００３４】
一方、カップ部３４は、平面視円環状の底部３５と、この底部３５の内周縁部から上方に立ち上がる円筒状の内壁部３６と、底部３５の外周縁部から上方に立ち上がる円筒状の外壁部３７とを備えている。カップ部３４の内壁部３６は、第２案内部１９の上端部１９ｂの外周縁部に連結されている。また、カップ部３４は、断面Ｕ字状をなしており、底部３５、内壁部３６および外壁部３７によって、基板Ｗの処理に使用された処理液を集めて回収するための外側回収溝３８が区画されている。外側回収溝３８に集められた処理液は、図示しない第２回収機構に導かれる。
【００３５】
第３ガード１６は、スピンチャック２による基板Ｗの回転軸線Ｃに関してほぼ回転対称な形状に形成されている。第３ガード１６は、スピンチャック２の周囲を取り囲んでいる。第３ガード１６は、筒状の第３案内部２０を有している。第３案内部２０は、第２ガード１５の周囲を取り囲む円筒状の下端部２０ａ（円筒部）と、下端部２０ａの上端から内方に向かって斜め上方に延びる円環状の上端部２０ｂ（延設部）と、上端部２０ｂにおける外周よりの位置から鉛直下方に延びる垂下部２０ｄとからなる。第３案内部２０の垂下部２０ｄは、外側回収溝３８上に位置している。また、第３案内部２０の上端部２０ｂは、たとえば、内周端２０ｃ（内周部）に至るまで、第１案内部１８の上端部１８ｂと等しい一定の傾斜角度で緩やかに斜め上方に延びている。第３案内部２０の内周端２０ｃは、第３案内部２０の上端に相当する部分であり、たとえば、下方に凸となる凸形状にされている。
【００３６】
第４ガード１７は、スピンチャック２による基板Ｗの回転軸線Ｃに関してほぼ回転対称な形状に形成されている。第４ガード１７は、スピンチャック２の周囲を取り囲んでいる。第４ガード１７は、筒状の第４案内部２１を有している。第４案内部２１は、第３ガード１６の周囲を取り囲む円筒状の下端部２１ａ（円筒部）と、下端部２１ａの上端から内方に向かって斜め上方に延びる円環状の上端部２１ｂ（延設部）とからなる。第４案内部２１の上端部２１ｂは、たとえば、内周端２１ｃ（内周部）に至るまで、第１案内部１８の上端部１８ｂと等しい一定の傾斜角度で緩やかに斜め上方に延びている。第４案内部２１の内周端２１ｃは、第４案内部２１の上端に相当する部分であり、たとえば、下方に凸となる凸形状にされている。
【００３７】
このように、４つのガード１４〜１７には、それぞれ、筒状の案内部１８〜２１が設けられている。前述のように、４つの案内部１８〜２１の上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは、それぞれ、基板Ｗの回転軸線Ｃに近づく方向に向かって斜め上方に延びている。また、４つの上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂの内径Ｄ１（図１および図２参照）は、それぞれ、スピンベース６の外径より大きな一定の大きさに揃えられている。この実施形態では、スピンベース６の外径がスピンチャック２に保持される基板Ｗの外径よりも僅かに大きくされているので、各上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂの内径Ｄ１は、スピンチャック２に保持される基板Ｗの外径よりやや大きな一定の大きさに揃えられている。
【００３８】
また、４つのガード１４〜１７は、４つの案内部１８〜２１が同軸になるように配置されている。４つの案内部１８〜２１の上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは、下から第１案内部１８、第２案内部１９、第３案内部２０、第４案内部２１の順番で上下方向に重なり合っている。また、４つの上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂの内径Ｄ１が一定の大きさに揃えられているので、４つの上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂの内周端１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ、２１ｃは、基板Ｗの回転軸線Ｃを中心軸線とする同一の円筒面上で上下方向に間隔を隔てて配置されている。さらに、この実施形態では、各上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂの傾斜角度が等しくされているので、４つの上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは、平行になっている。
【００３９】
また、図１に示すように、この基板処理装置には、第１ガード１４を昇降させるための第１昇降機構４０と、第２ガード１５を昇降させるための第２昇降機構４１と、第３ガード１６を昇降させるための第３昇降機構４２と、第４ガード１７を昇降させるための第４昇降機構４３とが備えられている。４つのガード１４〜１７は、独立して昇降可能に設けられており、各昇降機構４０、４１、４２、４３は、対応するガード１４〜１７を他のガード１４〜１７から独立して昇降させることができる。昇降機構４０、４１、４２、４３としては、モータを駆動源とする昇降機構（たとえば、ボールねじ機構）やシリンダを駆動源とする昇降機構等が採用されている。この実施形態では、４つの昇降機構４０、４１、４２、４３が昇降機構として機能する。
【００４０】
各昇降機構４０、４１、４２、４３は、対応するガード１４〜１７を、当該ガード１４〜１７に設けられた案内部１８〜２１の上端（この実施形態では、内周端１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ、２１ｃ）がスピンチャック２による基板保持位置Ｐ１よりも上方に位置する上位置と、当該ガード１４〜１７に設けられた案内部１８〜２１の上端がスピンチャック２による基板保持位置Ｐ１よりも下方に位置する下位置との間で昇降させることができる。図１および図２では、第１〜第４ガード１４〜１７がそれぞれの下位置に配置されている状態を示している。
【００４１】
また、各昇降機構４０、４１、４２、４３は、対応するガード１４〜１７を、当該ガード１４〜１７の上位置と下位置との間の任意の位置に移動させて、この任意の位置で待機させることができる。すなわち、各昇降機構４０、４１、４２、４３は、上位置および下位置だけでなく、上位置および下位置間の任意の位置を含む複数の位置で対応するガード１４〜１７を待機させることができる。図１に示すように、各昇降機構４０、４１、４２、４３は、制御部１０によって制御されるようになっている。
【００４２】
図３〜図６は、それぞれ、処理カップ５の状態を説明するための部分断面図である。図３〜図６は、それぞれ、処理カップ５の異なる状態を示している。また、図３〜図６は、上面ノズル３、挟持部材９、および昇降機構４０、４１、４２、４３などの図示を省略している。以下では、図１を参照して、処理カップ５の状態について説明する。また、以下の説明において、図３〜図６を適宜参照する。
【００４３】
制御部１０は、４つの昇降機構４０、４１、４２、４３を制御することにより、処理カップ５を複数の状態に切り替えることができる。すなわち、制御部１０は、図１に示すように、４つのガード１４〜１７をそれぞれの下位置に位置させて、各案内部１８〜２１の上端をスピンチャック２による基板保持位置Ｐ１よりも下方に位置させることができる。この実施形態では、図１に示す処理カップ５の状態が、処理カップ５の原点状態に設定されている。スピンチャック２に対して基板Ｗを搬送するときは、処理カップ５が原点状態にされる。また、図１に示すように、第２〜第４ガード１５〜１７のそれぞれの下位置は、第２〜第４案内部１９〜２１の上端（内周端１９ｃ、２０ｃ、２１ｃ）が、それぞれ、その下方に隣接する案内部である第１〜第３案内部１８〜２０の上端（内周端１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ）に対して微小な隙間（たとえば２ｍｍ程度の隙間）を保って近接するように設定されている。
【００４４】
また、制御部１０は、４つの昇降機構４０、４１、４２、４３を制御することにより、４つのガード１４〜１７をそれぞれの上位置に位置させて、図３に示すように、各案内部１８〜２１の上端をスピンチャック２による基板保持位置Ｐ１よりも上方に位置させることができる。この実施形態では、図３に示す処理カップ５の状態が、処理カップ５の第１状態に設定されている。図３に示すように、制御部１０は、スピンチャック２に基板Ｗを保持させた状態で処理カップ５を第１状態にすることにより、第１案内部１８を基板Ｗの周端面に対向させることができる。また、図３に示すように、第１状態は、第２〜第４案内部１９〜２１の上端（内周端１９ｃ、２０ｃ、２１ｃ）が、それぞれ、その下方に隣接する案内部である第１〜第３案内部１８〜２０の上端（内周端１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ）に対して微小な隙間（たとえば２ｍｍ程度の隙間）を保って近接するように設定されている。
【００４５】
制御部１０は、スピンチャック２によって基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗに処理液を供給するときに、処理カップ５を第１状態にして、基板Ｗの周囲に飛散する処理液を第１案内部１８の内面によって受け止めさせることができる。そして、第１案内部１８に受け止められた処理液を第１案内部１８の内面に沿って流下させて、廃液溝２８に導くことができる。これにより、廃液溝２８に処理液を集めて、集めた処理液を廃液することができる。また、第１状態では、第２〜第４案内部１９〜２１の上端が、それぞれ、第１〜第３案内部１８〜２０の上端に対して微小な隙間を保って近接するので、上下方向に隣接する２つの上端部間に処理液が進入することを抑制または防止することができる。
【００４６】
第１状態における第１案内部１８の上端の高さＨ１（スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１からの高さ。図３参照）は、基板Ｗの周囲に飛散する処理液を確実に受け止めることができ、さらに、基板Ｗ側に跳ね返ってきた処理液が当該基板Ｗに付着することを抑制または防止できる最適な値に設定されている。すなわち、基板Ｗの周囲に排出される処理液には、基板Ｗの周縁部から直接周囲に飛散するものや、スピンチャック２に設けられた挟持部材９に当たって基板Ｗの周囲に飛散するものが含まれる。また、処理液が飛散する方向は、水平方向だけでなく、上方および下方に向かう斜め方向が含まれる。したがって、第１案内部１８の上端の高さＨ１が低すぎると、基板Ｗの周囲に飛散する処理液が、第１案内部１８の上方を飛び越えてしまう。そのため、基板Ｗの周囲に飛散する処理液を確実に受け止めるためには、第１案内部１８の上端の高さＨ１を一定値以上にしなければならない。
【００４７】
一方、処理カップ５を第１状態にして回転状態の基板Ｗに処理液を供給すると、基板Ｗの周囲に飛散した処理液の一部が、第１案内部１８に当たって基板Ｗ側に跳ね返ってくる場合がある。また、第１案内部１８に直接当たらず、第１案内部１８の内面に付着している処理液に当たって、基板Ｗ側に処理液が跳ね返ってくる場合がある。したがって、第１案内部１８の上端の高さＨ１を大きくしすぎると、基板Ｗ側に跳ね返ってきた処理液が、基板Ｗと第１案内部１８の上端との間を通過し易くなる。そのため、基板Ｗ側に跳ね返ってきた処理液が基板Ｗに付着（再付着）して、基板Ｗが汚染されるおそれがある。したがって、基板Ｗ側に跳ね返ってくる処理液が基板Ｗに付着することを抑制または防止するためには、第１案内部１８の上端の高さＨ１を一定値以下にしなければならない。
【００４８】
そこで、この実施形態では、第１状態における第１案内部１８の上端の高さＨ１が、基板Ｗの周囲に飛散する処理液を確実に受け止めることができ、さらに、基板Ｗ側に跳ね返ってきた処理液が当該基板Ｗに付着することを抑制または防止できる最適な値に設定されている。より具体的には、スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１から第１案内部１８の上端までの高さＨ１が、たとえば２０ｍｍに設定されている。これにより、基板Ｗの周囲に飛散する処理液を第１案内部１８によって確実に受け止めることができ、さらに、基板Ｗ側に跳ね返ってきた処理液が当該基板Ｗに付着することを抑制または防止することができる。
【００４９】
また、制御部１０は、４つの昇降機構４０、４１、４２、４３を制御することにより、図４に示すように、第１ガード１４を下位置に位置させ、第２〜第４案内部１９〜２１の上端をスピンチャック２による基板保持位置Ｐ１よりも上方に位置させることができる。この実施形態では、図４に示す処理カップ５の状態が、処理カップ５の第２状態に設定されている。制御部１０は、スピンチャック２に基板Ｗを保持させた状態で処理カップ５を第２状態にすることにより、第２案内部１９を基板Ｗの周端面に対向させることができる。また、第２状態における第２案内部１９の上端の高さＨ２（スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１からの高さ。図４参照）は、第１状態における第１案内部１８の上端の高さＨ１と等しい値に設定されている。さらに、第２状態は、第３および第４案内部２０、２１の上端（内周端２０ｃ、２１ｃ）が、それぞれ、その下方に隣接する案内部である第２および第３案内部１９、２０の上端（内周端１９ｃ、２０ｃ）に対して微小な隙間（たとえば２ｍｍ程度の隙間）を保って近接するように設定されている。
【００５０】
制御部１０は、スピンチャック２によって基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗに処理液を供給するときに、処理カップ５を第２状態にして、基板Ｗの周囲に飛散する処理液を第２案内部１９の内面によって受け止めさせることができる。そして、第２案内部１９に受け止められた処理液を第２案内部１９の内面に沿って流下させて、内側回収溝３２に導くことができる。これにより、内側回収溝３２に処理液を集めて、集めた処理液を回収することができる。また、第２状態では、第３および第４案内部２０、２１の上端が、それぞれ、第２および第３案内部１９、２０の上端に対して微小な隙間を保って近接するので、上下方向に隣接する２つの上端部間に処理液が進入することを抑制または防止することができる。
【００５１】
また、制御部１０は、４つの昇降機構４０、４１、４２、４３を制御することにより、図５に示すように、第１および第２ガード１４、１５をそれぞれの下位置に位置させ、第３および第４案内部２０、２１の上端をスピンチャック２による基板保持位置Ｐ１よりも上方に位置させることができる。この実施形態では、図５に示す処理カップ５の状態が、処理カップ５の第３状態に設定されている。制御部１０は、スピンチャック２に基板Ｗを保持させた状態で処理カップ５を第３状態にすることにより、第３案内部２０を基板Ｗの周端面に対向させることができる。また、第３状態における第３案内部２０の上端の高さＨ３（スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１からの高さ。図５参照）は、第１状態における第１案内部１８の上端の高さＨ１と等しい値に設定されている。さらに、第３状態は、第２および第４案内部１９、２１の上端（内周端１９ｃ、２１ｃ）が、それぞれ、その下方に隣接する案内部である第１および第３案内部１８、２０の上端（内周端１８ｃ、２０ｃ）に対して微小な隙間（たとえば２ｍｍ程度の隙間）を保って近接するように設定されている。
【００５２】
制御部１０は、スピンチャック２によって基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗに処理液を供給するときに、処理カップ５を第３状態にして、基板Ｗの周囲に飛散する処理液を第３案内部２０の内面によって受け止めさせることができる。そして、第３案内部２０に受け止められた処理液を第３案内部２０の内面に沿って流下させて、外側回収溝３８に導くことができる。これにより、外側回収溝３８に処理液を集めて、集めた処理液を回収することができる。また、第３状態では、第２および第４案内部１９、２１の上端が、それぞれ、第１および第３案内部１８、２０の上端に対して微小な隙間を保って近接するので、上下方向に隣接する２つの上端部間に処理液が進入することを抑制または防止することができる。
【００５３】
また、制御部１０は、４つの昇降機構４０、４１、４２、４３を制御することにより、図６に示すように、第１〜第３ガード１４〜１６をそれぞれの下位置に位置させ、第４案内部２１の上端をスピンチャック２による基板保持位置Ｐ１よりも上方に位置させることができる。この実施形態では、図６に示す処理カップ５の状態が、処理カップ５の第４状態に設定されている。制御部１０は、スピンチャック２に基板Ｗを保持させた状態で処理カップ５を第４状態にすることにより、第４案内部２１を基板Ｗの周端面に対向させることができる。また、第４状態における第４案内部２１の上端の高さＨ４（スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１からの高さ。図６参照）は、第１状態における第１案内部１８の上端の高さＨ１と等しい値に設定されている。さらに、第４状態は、第２および第３案内部１９、２０の上端（内周端１９ｃ、２０ｃ）が、それぞれ、その下方に隣接する案内部である第１および第２案内部１８、１９の上端（内周端１８ｃ、１９ｃ）に対して微小な隙間（たとえば２ｍｍ程度の隙間）を保って近接するように設定されている。
【００５４】
制御部１０は、たとえば基板Ｗを乾燥させるときに（スピンチャック２によって基板Ｗを高速回転させて基板Ｗに付着している処理液を除去させるときに）、処理カップ５を第４状態にして、基板Ｗの周囲に飛散する処理液を第４案内部２１の内面によって受け止めさせることができる。そして、第４案内部２１に受け止められた処理液を第４案内部２１の内面に沿って流下させて、排気桶１１内に導くことができる。これにより、排気桶１１内に処理液を集めて、集めた処理液を廃液することができる。また、第４状態では、第２および第３案内部１９、２０の上端が、それぞれ、第１および第２案内部１８、１９の上端に対して微小な隙間を保って近接するので、上下方向に隣接する２つの上端部間に処理液が進入することを抑制または防止することができる。
【００５５】
このように、制御部１０は、４つの昇降機構４０、４１、４２、４３を制御することにより、処理カップ５を複数の状態に切り替えることができる。また、制御部１０は、スピンチャック２に基板Ｗを保持させた状態で、処理カップ５を第１〜第４状態のいずれかの状態にすることにより、スピンチャック２に保持された基板Ｗの周端面にいずれかの案内部１８〜２１を対向させることができる。したがって、回転状態の基板Ｗに処理液を供給して当該基板Ｗを処理するときに、処理カップ５を第１〜第４状態のいずれかの状態にすることにより、基板Ｗの周囲に飛散する処理液をいずれかのガード１４〜１７によって受け止めて捕獲することができる。そのため、複数種の処理液を基板Ｗに順次供給して当該基板Ｗを処理するときに、基板Ｗに供給される処理液の種類ごとに処理カップ５の状態を切り替えて、これらの処理液をそれぞれ別々の経路を介して捕獲することができる。また、回転状態の基板Ｗに処理液を供給して当該基板Ｗを処理するときに、処理カップ５を第２状態または第３状態にすれば、基板Ｗの周囲に飛散する処理液を内側回収溝３２または外側回収溝３８に回収でき、処理カップ５を第１状態または第４状態にすれば、捕獲された処理液を、回収溝３２、３８内に入り込ませずに廃液することができる。これにより、他の種類の処理液が混入することを抑制または防止しつつ、複数種の処理液を分別して回収することができる。
【００５６】
また、スピンチャック２に基板Ｗを保持させた状態で処理カップ５を第１状態にすると、図３に示すように、第１案内部１８の上端（内周端１８ｃ）と基板Ｗの周端面との間には、全周にわたって隙間Ｇ１が形成される。同様に、スピンチャック２に基板Ｗを保持させた状態で処理カップ５を第２状態にすると、図４に示すように、第２案内部１９の上端（内周端１９ｃ）と基板Ｗの周端面との間に全周にわたって隙間Ｇ２が形成される。また、スピンチャック２に基板Ｗを保持させた状態で処理カップ５を第３状態にすると、図５に示すように、第３案内部２０の上端（内周端２０ｃ）と基板Ｗの周端面との間に全周にわたって隙間Ｇ３が形成される。また、スピンチャック２に基板Ｗを保持させた状態で処理カップ５を第４状態にすると、図６に示すように、第４案内部２１の上端（内周端２１ｃ）と基板Ｗの周端面との間に全周にわたって隙間Ｇ３が形成される。したがって、スピンチャック２に基板Ｗを保持させた状態で処理カップ５を第１〜第４状態のいずれかの状態にすると、処理チャンバ１内の雰囲気が、基板Ｗの周端面と当該基板Ｗの周端面に対向する案内部１８〜２１の上端との間（隙間Ｇ１〜Ｇ４のいずれか）を通って処理カップ５内に取り込まれる。そのため、基板Ｗの処理に伴って基板Ｗの近傍に発生する処理液のミストが、基板Ｗの近傍から除去される。これにより、処理液のミストが基板Ｗに付着することを抑制または防止しつつ、基板Ｗの処理を行うことができる。
【００５７】
また、４つの案内部１８〜２１の上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂの内径Ｄ１が、一定の大きさに揃えられており、各案内部１８〜２１が基板Ｗの周端面に対向するときの高さＨ１〜Ｈ４が等しくされているので、いずれの案内部１８〜２１を基板Ｗの周端面に対向させたときでも、基板Ｗの周端面と案内部１８〜２１の上端との間の距離（基板Ｗの周端面から内周端１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ、２１ｃまでの最短距離。隙間Ｇ１〜Ｇ４の大きさに相当）が一定になっている。そのため、いずれの案内部１８〜２１を基板Ｗの周端面に対向させたときでも、基板Ｗの周囲を通過する雰囲気の流速がほぼ一定になる。したがって、いずれの案内部１８〜２１を基板Ｗの周端面に対向させたときでも排気条件を一定にすることができる。これにより、複数種の処理液を分別して捕獲するときに、一定の排気条件の下で排気桶１１内の雰囲気を排気しながら基板Ｗの処理を行うことができる。さらに、この実施形態では、各案内部１８〜１９の上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂの傾斜角度が等しくされているので、処理カップ５を第１〜第４状態のいずれの状態にしても、基板Ｗの周囲における雰囲気の流れ方向がほぼ一定になる。これにより、排気条件のばらつきを一層抑えることができる。さらにまた、隙間Ｇ１〜Ｇ４の大きさが、いずれの案内部１８〜２１を基板Ｗの周端面に対向させたときでも最適になるように設定することができる。これにより、複数種の処理液を分別して捕獲するときに、一定の捕獲条件の下で処理液を捕獲しながら基板Ｗの処理を行うことができる。
【００５８】
この発明の実施の形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。たとえば、前述の実施形態では、基板保持手段として、基板Ｗの周端面を挟持して保持する挟持式のチャック（スピンチャック２）を用いる場合について説明したが、基板保持手段としては、挟持式のチャックに限らず、たとえば、基板の下面（裏面）を吸引して保持するバキューム式のチャックであってもよい。
【００５９】
また、前述の実施形態では、各案内部１８〜１９の上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂが、それぞれ、内周端１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ、２１ｃに至るまで一定の傾斜角度で斜め上方に延びている場合について説明したが、これに限らない。たとえば、各案内部１８〜１９の上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは、それぞれ、内方に向かって水平に延びていてもよいし、内方に向かって斜め下方に延びていてもよい。また、各案内部１８〜１９の上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは、一定の傾斜角度で傾斜していなくてもよいし、部分的に傾斜していてもよい。たとえば、各案内部１８〜１９の上端部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂが、それぞれ、滑らかな円弧を描きつつ内方に向かって斜め上方に延びていてもよい。
【００６０】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００６１】
２        スピンチャック
３        上面ノズル
４        下面ノズル
１０      制御部
１４      第１ガード
１５      第２ガード
１６      第３ガード
１７      第４ガード
１８ｅ    中段部
１８ｂ    上端部
１８ｃ    内周端
１９ａ    下端部
１９ｂ    上端部
１９ｃ    内周端
２０ａ    下端部
２０ｂ    上端部
２０ｃ    内周端
２１ａ    下端部
２１ｂ    上端部
２１ｃ    内周端
４０      第１昇降機構
４１      第２昇降機構
４２      第３昇降機構
４３      第４昇降機構
Ｄ１      内径
Ｈ１      高さ
Ｈ２      高さ
Ｈ３      高さ
Ｈ４      高さ
Ｐ１      基板保持位置
Ｗ        基板
【図１】
2010177372.tif 000003
【図２】
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【図３】
2010177372.tif 000005
【図４】
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【図５】
2010177372.tif 000007
【図６】
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