(57)【要約】【課題】データ線の電圧振幅を簡易な構成で抑えるとともに、電源投入直後等におけるシステムダウンを防止する。【解決手段】画素は、一端が画素電極に接続され他端がコモン電極１０８に接続された画素容量とを含む。コモン電極１０８は、１〜３２０行のそれぞれに対応して設けられ、コモン電極駆動回路は、１〜３２０行のコモン電極１０８のそれぞれ両側に設けられる。ここで、コモン電極駆動回路は、各コモン電極１０８に対応した単位制御回路１５２を有し、各単位制御回路１５２は、１行上または１行下の走査線が選択されたときにオン状態となるトランスミッション・ゲート５２と、トランスミッション・ゲート５２がオフ状態となる直前の電圧を取り込んで、コモン電極１０８をその反転電圧に保持するラッチ回路６０と、を有する。【選択図】図３
2010107808.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられたコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応してそれぞれ設けられ、
各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と
他端との間で導通状態になる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画
素容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応するコモン電極に対して二
値電圧が所定周期で切り替わるコモン信号を供給し、当該一の走査線に対応する画素に、
前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側となるような正極性が指定されたとき
に、前記二値電圧のうち、低位側電圧を印加する一方、当該一の走査線に対応する画素に
、前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側となるような負極性が指定されたと
きに、前記二値電圧のうち、高位側電圧を印加するコモン電極駆動回路と、
当該一の走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデー
タ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備し、
前記コモン電極駆動回路は、
前記コモン電極の一端側および他端側のそれぞれに、前記コモン電極の各々に対応して
設けられた単位制御回路を備え、
一のコモン電極に対応する単位制御回路は、
前記コモン信号が供給される信号線に入力端子が接続され、当該一のコモン電極に対応
する走査線、または、当該走査線よりも所定行離間した走査線が選択される期間に導通状
態となるスイッチと、
前記スイッチが導通状態となったときに、前記コモン信号をラッチして当該一のコモン
電極に印加するラッチ回路と、
を有することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
前記コモン信号は、走査線が１本ずつ選択される周期であって、いずれの走査線も選択
されないタイミングで電圧が切り替わる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記コモン信号は、第１コモン信号および第２コモン信号があり、
単位制御回路における前記スイッチの入力端子は、２本の走査線毎に、前記第１コモン
信号を供給する信号線と、前記第２コモン信号を供給する信号線とに交互に接続されてい
る
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられたコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応してそれぞれ設けられ、
各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と
他端との間で導通状態になる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画
素容量と、
を含む画素と、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応するコモン電極に対して二
値電圧が所定周期で切り替わるコモン信号を供給し、当該一の走査線に対応する画素に、
前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側となるような正極性が指定されたとき
に、前記二値電圧のうち、低位側電圧を印加する一方、当該一の走査線に対応する画素に
、前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側となるような負極性が指定されたと
きに、前記二値電圧のうち、高位側電圧を印加するコモン電極駆動回路と、
当該一の走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデー
タ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備し、
前記コモン電極駆動回路は、
前記コモン電極の一端側および他端側のそれぞれに、前記コモン電極の各々に対応して
設けられた単位制御回路を備え、
一のコモン電極に対応する単位制御回路は、
前記コモン信号が供給される信号線に入力端子が接続され、当該一のコモン電極に対応
する走査線、または、当該走査線よりも所定行離間した走査線が選択される期間に導通状
態となるスイッチと、
前記スイッチが導通状態となったときに、前記コモン信号をラッチして当該一のコモン
電極に印加するラッチ回路と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学装置において、データ線の電圧振幅を抑える技術に関す
る。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容
量）が設けられるが、この画素容量を交流駆動する必要がある場合、データ信号の電圧振
幅が正負の両極性にわたる。このため、データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回
路においては、構成素子に電圧振幅に対応した耐圧が要求されるだけでなく、消費電力の
面で不利になる。
そこで、コモン電極を走査線に対応させて個別化し、走査線が選択される進行状況に応
じて電圧選択信号を生成するとともに、走査線が選択されるときに当該選択走査線に対応
するコモン電極に対して、書込極性に応じた二値電圧のいずれかを当該電圧選択信号にし
たがって選択して印加する技術が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００８−３３２９６号公報参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、コモン電極は、抵抗成分や容量成分が大きいので、片側の一方のみにおいて
コモン電極を駆動する構成では、電圧を切り替えたときに他方側において波形鈍りが発生
し、これに起因して表示品位が低下する可能性がある。このため、コモン電極を両側から
駆動する構成も提案された。
しかしながら、コモン電極を両側から駆動する構成において、電源投入直後等では走査
線が選択されていないので、両側の電圧選択信号が互いに異なってしまう場合があり得る
。電圧選択信号が両側で異なっていると、一方の側で二値電圧のうちの高位電圧が、他方
の側で二値電圧のうちの低位電圧が、それぞれ同じコモン電極に印加されて、大電流が流
れる結果、電源投入直後にシステムダウンしてしまう、という不都合が懸念された。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の１つは、コモン電極を
両側から駆動する構成において、電源投入直後等におけるシステムダウンを防止した技術
を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数の走査線と
、複数のデータ線と、前記複数の走査線に対応して設けられたコモン電極と、前記複数の
走査線と前記複数のデータ線との交差に対応してそれぞれ設けられ、各々は、一端が前記
データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間で
導通状態になる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続
され、他端がコモン電極に接続された画素容量と、を含む画素と、を有する電気光学装置
の駆動回路であって、前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、一の走査線
が選択される期間において当該一の走査線に対応するコモン電極に対して二値電圧が所定
周期で切り替わるコモン信号を供給し、当該一の走査線に対応する画素に、前記画素電極
が前記コモン電極の電位よりも高位側となるような正極性が指定されたときに、前記二値
電圧のうち、低位側電圧を印加する一方、当該一の走査線に対応する画素に、前記画素電
極が前記コモン電極の電位よりも低位側となるような負極性が指定されたときに、前記二
値電圧のうち、高位側電圧を印加するコモン電極駆動回路と、当該一の走査線に対応する
画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介
して供給するデータ線駆動回路と、を具備し、前記コモン電極駆動回路は、前記コモン電
極の一端側および他端側のそれぞれに、前記コモン電極の各々に対応して設けられた単位
制御回路を備え、一のコモン電極に対応する単位制御回路は、前記コモン信号が供給され
る信号線に入力端子が接続され、当該一のコモン電極に対応する走査線、または、当該走
査線よりも所定行離間した走査線が選択される期間に導通状態となるスイッチと、前記ス
イッチが導通状態となったときに、前記コモン信号をラッチして当該一のコモン電極に印
加するラッチ回路と、を有することを特徴とする。本発明によれば、電源投入直後等に一
端側および他端側にそれぞれ設けられた単位制御回路において、一方のスイッチがオン、
他方のスイッチがオフとなっても、コモン電極を介して二値電圧間で短絡状態になること
はないので、システムダウンを防止することが可能となる。
【０００５】
本願発明において、前記コモン信号は、走査線が１本ずつ選択される周期であって、い
ずれの走査線も選択されないタイミングで電圧が切り替わる構成としても良い。この構成
によれば、走査線毎に書込極性を反転させる１Ｈ反転が可能となる。
また、本願発明において、前記コモン信号は、第１コモン信号および第２コモン信号が
あり、単位制御回路における前記スイッチの入力端子は、２本の走査線毎に、前記第１コ
モン信号を供給する信号線と、前記第２コモン信号を供給する信号線とに交互に接続され
た構成としても良い。この構成によれば、上記１Ｈ反転のほか、２本の走査線を選択する
毎に書込極性を反転させる２Ｈ反転についても、対応可能となる。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても、また、
電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００７】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る
電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００を有し、この表示領域
１００の周辺に、走査線駆動回路１４０、コモン電極駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒ、デー
タ線駆動回路１９０が配置した周辺回路内蔵型のパネル構成となっている。また、表示制
御回路２０は、上記周辺回路内蔵型のパネルとは、例えばＦＰＣ（flexible printed cir
cuit）基板によって接続される。
【０００８】
表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、０行目から３
２１行目までの計３２２行の走査線１１２が、図において横（行）方向に延在する一方、
２４０列のデータ線１１４が縦（列）方向に延在するように、それぞれ設けられている。
そして、図１において、最も上の０行目と最も下の３２１行目を除いた１〜３２０行目
の走査線１１２と、１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０が
それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００にお
いて縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列
に限定する趣旨ではない。
【０００９】
なお、０行目および３２１行目の走査線１１２は、画素１１０に対応していないので、
ダミー走査線として機能することになる。また、１〜３２０行目の走査線１１２の各々に
対応するように、それぞれコモン電極１０８が行方向に延在して設けられている。このた
め、本実施形態において、コモン電極１０８については、ダミーとなる０行目および３２
１行目を除いた１〜３２０行目の走査線１１２に対応して設けられることになる。
【００１０】
ここで、画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す
図であり、ｉ行目及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行目と、ｊ列目及びこれに右方
向で隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている
。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合には、１以上３
２０以下の整数であるが、走査線１１２の行を一般的に説明する場合には、ダミーである
０行目および３２１行目を含める必要があるので０以上３２１以下の整数になる。また、
ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上
２４０以下の整数である。
【００１１】
図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャ
ネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１
１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、補助容量１３０とを有する。各画素１１０につ
いては互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行
ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６は、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に
接続され、そのソース電極がｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極が画
素容量１２０の一端である画素電極１１８と、補助容量１３０の一端とにそれぞれ接続さ
れている。また、画素容量１２０の他端および補助容量１３０の他端は、それぞれｉ行目
のコモン電極１０８に接続されている。
なお、図２において、Ｙi、Ｙ(i+1)は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に
供給される走査信号を示し、また、Ｃom i、Ｃom(i+1)は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目
のコモン電極１０８の電圧を示している。
【００１２】
特に図示しないが、本実施形態は、素子基板と対向基板との間に液晶を封入した構成で
あって、液晶にかかる電界方向を基板面方向としたＦＦＳ（fringe field switching）モ
ードとしたものである。詳細に言えば、素子基板に、コモン電極が帯状に形成されるとと
もに、絶縁層を介して櫛歯状の画素電極が形成され、これにより、画素電極１１８とコモ
ン電極１０８との間には、誘電体たる液晶を介した構造によって一種の容量となり、この
容量成分によって保持される電圧の実効値に応じて、液晶にかかる電界の大きさが基板面
に沿った方向で変化する構成となっている。
本実施形態では、説明の便宜上、画素容量１２０において保持される電圧実効値がゼロ
に近い値となるときに、光の透過率が最大の白色表示になる一方、電圧実効値が大きくな
るにつれて透過率が徐々に減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリー
ホワイトモードであるとする。
なお、補助容量１３０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とが絶縁層を介した積層
構造によって生じる容量成分である。また、画素１１０については、その電気的な等価回
路が図２で示されるような回路であれば、ＦＦＳモード以外の他のモードであっても良い
。
【００１３】
説明を再び図１に戻すと、表示制御回路２０は、各種の制御信号を出力して電気光学装
置１０における各部の制御等をするとともに、コモン信号Ｃomをコモン電極駆動回路１５
０Ｌ、１５０Ｒに信号線１５３を介して供給する。
【００１４】
また、上述したように、表示領域１００の周辺には、走査線駆動回路１４０や、コモン
電極駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒ、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられて
いる。このうち、走査線駆動回路１４０は、表示制御回路２０による制御にしたがって走
査線１１２を図１において上から数えて０、１、２、３、…、３２０、３２１行目という
順番で選択し、選択した走査線への走査信号をＨレベルに相当する選択電圧ＶHとし、そ
れ以外の走査線への走査信号をＬレベルに相当する非選択電圧ＶLとする。
詳細には、走査線駆動回路１４０は、図４に示されるように、表示制御回路２０から供
給されるスタートパルスＤyを、デューティ比が５０％であるクロック信号Ｃlyにしたが
って順次シフトさせるとともに、パルス幅をクロック信号Ｃlyの半周期よりも狭め、時間
的に前方に寄せて、走査信号Ｙ0、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、…、Ｙ320、Ｙ321として出力す
る。
ここで、フレーム期間とは、パネルを駆動することによって、画像の１コマ分を表示さ
せるのに要する期間をいい、垂直走査周波数が６０Ｈｚであれば、その逆数である１６．
７ミリ秒である。このようなフレーム期間は、本実施形態では図４に示されるように、走
査信号Ｙ1がＨレベルになってから走査信号Ｙ320がＬレベルになるまでの垂直有効走査期
間Ｆaのほか、それ以外の垂直帰線期間が含まれる。
なお、クロック信号Ｃlyの半周期分の期間を、水平走査期間（Ｈ）とする。この水平走
査期間（Ｈ）のうち、時間的に前方において走査信号がＨレベルとなる期間を水平有効走
査期間とすると、残りの期間が水平帰線期間になる。
【００１５】
次に、説明の便宜上、表示制御回路２０が出力する制御信号のうち、極性指定信号Ｐol
とコモン信号Ｃomについて説明する。
まず、極性指定信号Ｐolは、その論理レベルがＨレベルであれば、水平有効期間におけ
る書込極性を負極性に指定する信号であり、Ｌレベルであれば、当該水平有効期間におけ
る書込極性を正極性に指定する信号である。
極性指定信号Ｐolは、本実施形態では、その論理レベルが水平走査期間と同じ期間毎に
、クロック信号Ｃlyの論理レベルが切り替わるタイミングよりも先行したタイミングにお
いて、すなわち、詳細には、隣接する２行への走査信号がいずれもＬレベルになる水平帰
線期間において切り替わる。このため、本実施形態では、画素への書き込み極性が、フレ
ームの期間にわたって行毎に反転する走査線（ライン）反転方式となる。
【００１６】
なお、極性指定信号Ｐolは、隣接するフレーム期間同士の同一水平有効期間で比較した
ときに、論理反転されているが、論理反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化
を防止するためである。
また、本実施形態における書込極性については、画素容量１２０に対して階調に応じた
電圧を保持させる際に、コモン電極１０８の電位よりも画素電極１１８の電位を高位側と
する場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。電圧については、特に説明
のない限り、図示省略した電源の接地電位を電圧ゼロの基準としている。
次に、コモン信号Ｃomは、図４に示されるように、極性指定信号Ｐolに同期する信号で
あって、極性指定信号ＰolがＬレベルであれば、二値電圧のうち、低位側の電圧ＶcLにな
り、極性指定信号ＰolがＨレベルであれば高位側の電圧ＶcHになる信号である。
【００１７】
データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０により選択される走査線１１２に位
置する画素１１０に対し、極性指定信号Ｐolにより正極性書込が指定されていれば、電圧
ＶcLを基準にして、指定される階調値が暗くなるにつれて高位となり、負極性書込が指定
されていれば、電圧ＶcHを基準にして、指定される階調値が暗くなるにつれて低位となる
電圧のデータ信号を、データ線１１４を介して供給する。この供給動作を、データ線駆動
回路１９０は、選択される走査線１１２に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行
する。
なお、データ線駆動回路１９０は、おおよそ次のような構成となっている。すなわち、
データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記憶領
域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調（明るさ）
を指定する表示データＤaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示データＤaは、表示
内容に変更が生じた場合に、表示制御回路２０によってアドレスとともに変更後の表示デ
ータＤaが供給されて書き換えられる。そして、データ線駆動回路１９０は、選択される
走査線１１２に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶領域から読み出すとともに、
当該読み出した表示データを、指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換し、デー
タ線１１４に供給する構成となっている。
【００１８】
コモン電極駆動回路１５０Ｌは、表示領域１００に対し図１において左側に配置し、コ
モン電極駆動回路１５０Ｒは、表示領域１００において右側に配置する。コモン電極駆動
回路１５０Ｌ、１５０Ｒは、それぞれ１〜３２０行目に対応して単位制御回路１５２を有
し、各単位制御回路１５２がそれぞれコモン電極１０８を両側から駆動する構成となって
いる。本実施形態において、コモン電極駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒは、表示領域１００
に対してそれぞれ左右側に配置しているが、電気的な構成は同一である。このため、電気
的な構成については、コモン電極駆動回路１５０Ｌで代表させて説明する。
【００１９】
図３は、コモン電極駆動回路１５０Ｌにおいてｉ行目および（ｉ＋１）行目に対応する
単位制御回路１５２の構成を示す図である。
この図に示されるように、各行の単位制御回路１５２は、ＮＯＲ回路５１、トランスミ
ッション・ゲート５２、インバータ５３およびラッチ回路６０を有する。
このうち、ｉ行目の単位制御回路１５２について説明すると、ＮＯＲ回路５１における
２つの入力端子のうち、一方の入力端子は、ｉ行目に対して１行上の（ｉ−１）行目の走
査線１１２に接続されて、走査信号Ｙ(i-1)が供給される一方、他方の入力端子は、１行
下の（ｉ＋１）行目の走査線１１２に接続されて、走査信号Ｙ(i+1)が供給される。
ＮＯＲ回路５１の出力端子は、トランスミッション・ゲート５２の反転制御端子および
インバータ５３の入力端子にそれぞれ接続されている。ここで、便宜的に、インバータ５
３の出力端子をＰと表記すると、当該端子Ｐは、トランスミッション・ゲート５２の正転
制御端子に接続されている。
なお、端子Ｐは、ＮＯＲ回路５１の出力信号を論理反転するインバータ５３の出力端子
であるから、走査信号Ｙ(i-1)と走査信号Ｙ(i+1)との論理和信号を出力するＯＲ回路の出
力端子と等価である。
【００２０】
トランスミッション・ゲート５２は、その入力端子が、コモン信号Ｃomが供給される信
号線１５３に接続され、その出力端子が、ラッチ回路６０の入力端子に接続された相補型
のアナログスイッチであり、正転制御端子がＨレベル（反転制御端子がＬレベル）である
ときに、入力端子および出力端子の間がオン（導通）状態になり、正転制御端子がＬレベ
ル（反転制御端子がＨレベル）であるときにオフ（非導通）状態になる。
【００２１】
ラッチ回路６０は、インバータ６２、６４から構成される。ラッチ回路６０の入力端子
は、インバータ６２の入力端子であり、ラッチ回路６０の出力端子は、インバータ６２の
出力端子である。インバータ６２の出力端子はｉ行目のコモン電極１０８およびインバー
タ６４の入力端子にそれぞれ接続され、インバータ６４の出力端子はインバータ６２の入
力端子に接続されている。
なお、ラッチ回路６０におけるインバータ６２、６４は、他の論理回路とは異なり、コ
モン信号Ｃomが取り得る二値電圧のうち、電圧ＶcLを低位側電源とし、電圧ＶcHを高位側
電源とする。また、インバータ６２、６４のしきい値電圧は、電圧ＶcL、ＶcHの間で設定
される。
【００２２】
ｉ行目の単位制御回路１５２における端子Ｐは、１行上の走査線１１２に供給される走
査信号Ｙ(i-1)または１行下の走査線１１２に供給される走査信号Ｙ(i+1)がＨレベルにな
ると、Ｈレベルになる。端子ＰがＨレベルになると、トランスミッション・ゲート５２が
オン状態になるので、信号線１５３に供給されたコモン信号Ｃomの電圧がラッチ回路６０
により反転されて、ｉ行目のコモン電極１０８に印加される。
なお、端子ＰがＬレベルになると、トランスミッション・ゲート５２がオフ状態となる
が、コモン電極１０８は、オフ状態となる直前の電圧にラッチ回路６０によって保持され
る。
また、いうまでもなく、単位制御回路１５２は、コモン電極駆動回路１５０Ｌ、１５０
Ｒにおいてコモン電極１０８の左右両側にそれぞれ配置する。
【００２３】
ここで、コモン信号Ｃomは、水平走査期間毎に電圧ＶcL、ＶcHの一方から他方に切り替
わるので、１行上の走査信号と、１行下の走査信号がＨレベルになるときでは、同じ電圧
である。また、走査信号Ｙ0、Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙ319、Ｙ320、Ｙ321は、図４に示されるよ
うに順番にＨレベルとなる。
したがって、１行目のコモン電極１０８の電圧Ｃom1から３２０行目のコモン電極１０
８の電圧Ｃom320までは、図４に示される通りとなり、それぞれ１行上の走査信号がＨレ
ベルとなったタイミングで電圧が切り替わった後、フレーム期間経過して、再度１行上の
走査信号がＨレベルとなるまで保持された波形になる。
【００２４】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
まず、走査信号Ｙ0がＨレベルになる。走査信号Ｙ0がＨレベルになっても、０行目の走
査線１１２はダミーであり、画素１１０への電圧書込になんら影響を与えないが、コモン
電極駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒにおいて、１行目の単位制御回路１５２の端子ＰがＨレ
ベルになるので、トランスミッション・ゲート５２がオン状態になる。このフレーム期間
では、走査信号Ｙ0がＨレベルとなる水平有効走査期間において極性指定信号ＰolがＨレ
ベルとなるとしたとき、コモン信号Ｃomは、当該水平有効走査期間において高位側の電圧
ＶcHとなるが、１行目のラッチ回路６０において反転されるので、１行目のコモン電極１
０８の電圧Ｃom1は、給電線１５３に供給されたコモン信号Ｃomの電圧ＶcHを反転した電
圧ＶcLになる。
【００２５】
続いて、走査信号Ｙ0がＬレベルになる。走査信号Ｙ0がＬレベルになった時点で、１行
目の単位制御回路１５２の端子ＰがＬレベルとなるので、トランスミッション・ゲート５
２が一旦オフ状態になるが、１行目のコモン電極１０８は、ラッチ回路６０によって直前
の電圧ＶcLに保持される。また、走査信号Ｙ0がＬレベルになった後に、極性指定信号Ｐo
lがＬレベルに反転するので、コモン信号Ｃomは電圧ＶcLに切り替わる。
【００２６】
次に、走査信号Ｙ1がＨレベルになる。走査信号Ｙ1がＨレベルになると、１行１列〜１
行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、
データ信号Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、…、Ｘ240が印加される。極性指定信号ＰolがＬレベルであっ
て正極性書込が指定されているので、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および補
助容量１３０には、１行目のコモン電極１０８の電圧ＶcLに対して、暗い階調値が指定さ
れるにつれて高位となる電圧のデータ信号が書き込まれることになる。
一方、走査信号Ｙ1がＨレベルになると、２行目の単位制御回路１５２の端子ＰがＨレ
ベルになって、トランスミッション・ゲート５２がオン状態になるので、２行目のコモン
電極１０８の電圧Ｃom2は、給電線１５３に供給されたコモン信号Ｃomの電圧ＶcLを反転
した電圧ＶcHになる。
【００２７】
この後、走査信号Ｙ1がＬレベルになる。走査信号Ｙ1がＬレベルになると、１行１列〜
１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフして、以降、書き込まれた電圧が画素容
量１２０および補助容量１３０の並列容量によって保持されて、当該保持電圧に応じた透
過率となる。
また、走査信号Ｙ1がＬレベルになった時点で、２行目の単位制御回路１５２の端子Ｐ
がＬレベルとなるが、２行目のコモン電極１０８は、ラッチ回路６０によって直前の電圧
ＶcHに保持される。さらに、走査信号Ｙ0がＬレベルになった後に、極性指定信号Ｐolが
Ｈレベルに反転するので、コモン信号Ｃomは電圧ＶcHに切り替わる。
【００２８】
続いて、走査信号Ｙ2がＨレベルになる。走査信号Ｙ2がＨレベルになると、２行１列〜
２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には
、データ信号Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、…、Ｘ240が印加される。極性指定信号ＰolがＨレベルであ
って負極性書込が指定されているので、２行１列〜２行２４０列の画素容量１２０および
補助容量１３０には、２行目のコモン電極１０８の電圧ＶcHに対して、暗い階調値が指定
されるにつれて低位となる電圧のデータ信号が書き込まれることになる。
一方、走査信号Ｙ2がＨレベルになると、１行目の単位制御回路１５２の端子Ｐが再び
Ｈレベルになる。ただし、本実施形態では、ライン反転方式としている。このため、走査
信号Ｙ2がＨレベルとなるときのコモン信号Ｃom（極性指定信号Ｐol）は、走査信号Ｙ0が
Ｈレベルとなったときと同じレベルであり、トランスミッション・ゲート５２がオン状態
となっても、１行目のコモン電極１０８の電圧Ｃom1は、電圧ＶcLを維持し、電圧が切り
替わることはない。
また、走査信号Ｙ2がＨレベルになると、３行目の単位制御回路１５２の端子ＰがＨレ
ベルになるので、３行目のコモン電極１０８の電圧Ｃom3は、コモン信号Ｃomの電圧ＶcH
を反転した電圧ＶcLになる。
【００２９】
この後、走査信号Ｙ2がＬレベルになる。走査信号Ｙ2がＬレベルになると、２行１列〜
２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフして、以降、書き込まれた電圧が画素容
量１２０および補助容量１３０の並列容量によって保持されて、当該保持電圧に応じた透
過率となる。
また、走査信号Ｙ2がＬレベルになった時点で、１行目の単位制御回路１５２の端子Ｐ
が再びＬレベルとなって、トランスミッション・ゲート５２がオフ状態になるが、１行目
のコモン電極１０８は、ラッチ回路６０によって電圧ＶcLに保持される。一方、走査信号
Ｙ2がＬレベルになった時点で、３行目の単位制御回路１５２の端子ＰもＬレベルとなる
が、３行目のコモン電極１０８は、ラッチ回路６０によって直前の電圧ＶcLに保持される
。
さらに、走査信号Ｙ2がＬレベルになった後に、極性指定信号ＰolがＬレベルに反転す
るので、コモン信号Ｃomは電圧ＶcLに切り替わる。
【００３０】
続いて、走査信号Ｙ3がＨレベルになる。走査信号Ｙ3がＨレベルになると、３行１列〜
３行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンして、画素容量１２０および補助容量１
３０に、階調に応じた正極性電圧のデータ信号が書き込まれる。また、走査信号Ｙ3がＨ
レベルになると、２行目の単位制御回路１５２の端子Ｐが再びＨレベルになるが、２行目
のコモン電極１０８の電圧Ｃom1は、電圧ＶcHを維持し、電圧が切り替わることはない。
また、走査信号Ｙ3がＨレベルになると、４行目の単位制御回路１５２の端子ＰもＨレ
ベルになるので、４行目のコモン電極１０８の電圧Ｃom4は、コモン信号Ｃomの電圧ＶcL
を反転した電圧ＶcHになる。
この後、走査信号Ｙ3がＬレベルになって、３行１列〜３行２４０列の画素におけるＴ
ＦＴ１１６がオフして、以降、書き込まれた電圧が画素容量１２０および補助容量１３０
の並列容量によって保持されて、当該保持電圧に応じた透過率となる。
また、走査信号Ｙ3がＬレベルになった時点で、２行目の単位制御回路１５２の端子Ｐ
が再びＬレベルとなるが、２行目のコモン電極１０８は、ラッチ回路６０によって電圧Ｖ
cHに保持される。一方、走査信号Ｙ3がＬレベルになった時点で、４行目の単位制御回路
１５２の端子ＰもＬレベルとなるが、４行目のコモン電極１０８は、ラッチ回路６０によ
って直前の電圧ＶcHに保持される。
走査信号Ｙ3がＬレベルになった後に、極性指定信号ＰolがＨレベルに反転するので、
コモン信号Ｃomは電圧ＶcHに切り替わる。
【００３１】
このフレーム期間においては、同様な動作が、走査信号Ｙ321がＨレベルになってＬレ
ベルになるまで、それぞれ繰り返し実行される。これにより、奇数行の画素においては、
階調に応じた正極性電圧が保持され、偶数行の画素においては、階調に応じた負極性電圧
が保持されて、それぞれ当該階調に応じた透過率になる。
次のフレーム期間では、各行において書込極性が反転して、奇数行の画素に対し負極性
書込が指定され、偶数奇数行の画素に対し負極性書込が指定される以外は、同様な動作と
なる。
【００３２】
図５は、ｉ行目の走査信号Ｙiと、ｉ行目のコモン電極の電圧Ｃomiとの波形に対して、
ｉ行ｊ列の画素電極１１８の電圧Ｐix(i,j)がどのように変化するのかを示す図である。
この図に示されるように、画素電極１１８の電圧Ｐix(i,j)は、走査信号ＹiがＨレベル
になったときに、正極性書込が指定されていれば、コモン電極１０８における電圧ＶcLを
基準として、指定される階調値が暗くなるにつれて高位となる電圧（図において↑で表記
）となり、負極性書込が指定されていれば、電圧ＶcHを基準として、指定される階調値が
暗くなるにつれて低位となる電圧（図において↓で表記）となっていることが示されてい
る。
なお、ｉ行目では、１行上の走査信号Ｙ（i-1)がＨレベルになることによって、コモン
電極の電圧Ｃomiが切り替えられる。ただし、ｉ行目では、ＴＦＴ１１６がオフであるの
で、保持された電圧が維持された状態で画素電極１１８の電圧が変化することになる。
【００３３】
本実施形態では、各行のコモン電極１０８を電圧ＶcL、ＶcHで振幅させるとともに、画
素電極に書き込むデータ信号の電圧については、低位側の電圧ＶcLとしているときには高
位側とし、反対に、高位側の電圧ＶcHとしているときに低位側としているので、コモン電
極の電圧を一定とした構成と比較して、データ信号の電圧振幅を狭くなる。このため、本
実施形態によれば、データ線駆動回路１９０を構成する素子の耐圧が狭くて済むだけでな
く、データ線１１４における電圧振幅も狭くなるので、データ線１１４の寄生容量により
無駄に電力が消費されることもなくなる。
【００３４】
ところで、各コモン電極１０８は、電圧ＶcL、ＶcHのいずれである。このためまず、走
査線１１２が選択される進行状況に応じて電圧選択信号を生成し、詳細には、例えば１行
前（または自行）の走査線が選択されたときに、極性指定信号の論理レベルをラッチする
などして電圧選択信号を生成し、当該電圧選択信号の論理レベルにしたがって、いずれか
の電圧を選択する、という第１構成が考えられた。
ただし、コモン電極は、配線抵抗やトランジスタのオン抵抗が大きいだけでなく、各種
の容量成分の寄生によって、ＣＲ時定数が大きいので、左右の一方側のみにおいて、選択
した電圧を印加する構成では、コモン電極の他方側において遅延が発生して、目的とする
電圧に迅速に変化しない可能性がある。
そこで次に、コモン電極の左右両側において、走査線１１２が選択される進行状況に応
じてそれぞれ電圧選択信号を生成して、当該電圧選択信号の論理レベルにしたがって、電
圧を選択する、という第２構成が考えられた。
しかしながら、この第２構成では、次のような問題が懸念された。すなわち、電源投入
直後のように、未だ走査線が選択されていない状態においては、上記電圧選択信号の論理
レベルが不確定である。このとき、コモン電極の左右両側で、電圧選択信号の論理レベル
が一致していれば問題ないが、不一致であると、例えば図６（ｂ）に示されるように、左
側でＨレベルであり、右側でＬレベルであるような場合、コモン電極１０８の一方側では
電圧ＶcHが選択され、他方側では電圧ＶcLが選択されて、短絡状態になるので、コモン電
極を介し大電流が流れてしまう。この短絡状態は、走査信号Ｙ1〜Ｙ320のＨレベルとなる
状態が少なくとも一巡すれば、解消するが、電圧ＶcL、ＶcHを供給する電源回路の容量が
十分でなければ、一巡する前にシステムダウンしてしまうことになる。
【００３５】
これに対して、本実施形態では、走査線１１２が選択される進行状況に応じた電圧選択
信号の論理レベルに応じて電圧を選択する構成ではないので、電源投入直後等であっても
、端子Ｐの論理レベルが左側と右側とで不一致となる、ということがない。
仮に不一致であったとしても、図６（ａ）に示されるように、端子ＰがＨレベルである
方のトランスミッション・ゲート５２だけがオン状態となり、Ｌレベルである方のトラン
スミッション・ゲート５２はオフ状態となるので、短絡状態になることはない。
このようなラッチ回路６０を設けた構成において、電源投入直後等に単位制御回路１５
２における端子Ｐの論理レベルが左側と右側とで相違している場合、Ｌレベルである方の
トランスミッション・ゲート５２がオフするので、コモン電極１０８は、Ｈレベルである
方のトランスミッション・ゲート５２を介して供給されたコモン信号Ｃomの反転電圧に確
定する。
また、電源投入直後等において端子Ｐが左側と右側とでいずれもＬレベルであったとき
、トランスミッション・ゲート５２が両側でオフ状態となるので、コモン電極１０８の電
位は一瞬不確定になるが、左右のラッチ回路６０によって、その電位がしきい値以下であ
れば電圧ＶcLに、しきい値を越えていれば電圧ＶcHに、それぞれ直ちに確定する。
【００３６】
このように、本実施形態によれば、電源投入直後等におけるシステムダウンを回避する
ことが可能となるのである。
【００３７】
第１実施形態においては、コモン電極駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒの単位制御回路１５
２を各行において共通とし、コモン信号Ｃomの電圧レベルを、極性指定信号Ｐolの論理レ
ベルに対応させた構成としたが、次のように構成しても良い。
すなわち、図７に示されるように、偶数行の単位制御回路１５２については、コモン信
号Ｃomを供給する信号線１５３とトランスミッション・ゲート５２の入力端子との間にイ
ンバータ５４を介挿するとともに、図８に示されるように、奇数行に対して正極性書込が
指定され、偶数行に対して負極性書込が指定されるフレーム期間にわたって、コモン信号
Ｃomを電圧ＶcHに固定し、次のフレーム期間に電圧ＶcLに切り替える構成としても良い。
ここで、インバータ５４については、ラッチ回路６０におけるインバータ６２、６４と同
様に、電圧ＶcL、ＶcHを電源とし、しきい値電圧についても、電圧ＶcL、ＶcHの間で設定
される。
なお、インバータ５４については、コモン信号Ｃomの電圧ＶcL、ＶcHを入れ替えれば、
偶数行ではなく、奇数行において介挿しても良い。
【００３８】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る電気光学装置について説明する。図９は、この第２実施形態
に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
図１に示した第１実施形態では、書込極性を１行ずつ反転させる（１Ｈ反転）方式とし
たが、第２実施形態では、書込極性を２行ずつ反転させる（２Ｈ反転）方式としたもので
ある。このため、第２実施形態では、第１実施形態とは、コモン信号が第１コモン信号Ｃ
oma、第２コモン信号Ｃombに分かれている点（第１相違点）と、コモン電極駆動回路１５
０Ｌ、１５０Ｒにおける単位制御回路１５２の接続関係が奇数行および偶数行で異なって
いる点（第２相違点）とにおいて相違している。
他の点については、第１実施形態と共通なので、ここでは、第１および第２相違点を中
心に説明することにする。
【００３９】
まず、上述したように、第２実施形態では、書込極性を２行ずつ反転させる方式とした
ので、極性指定信号Ｐolは、図１１に示されるように、１・２、３・４、５・６、７・８
、…、３１７・３１８、３１９・３２０行目が選択される水平有効走査期間において同一
論理レベルになり、かつ、二水平走査期間と同じ期間毎に論理レベルが反転する。なお、
極性指定信号Ｐolの論理レベルが、クロック信号Ｃlyの論理レベルが切り替わるタイミン
グよりも先行したタイミングで切り替わる点は、第１実施形態と同様である。
ここで、第２実施形態において書込極性を説明するために、１以上８０以下の整数ｐを
用いる。整数ｐを用いると、奇数（４ｐ−３）行目と偶数（４ｐ−２）行目とに対して同
極性書込が指定される。次の２行である奇数（４ｐ−１）行目と偶数（４ｐ）行目とに対
しては、（４ｐ−３）行目と（４ｐ−２）行目とは反対の書込極性のが指定される。
【００４０】
次に、第１相違点について説明する。
第１コモン信号Ｃomaおよび第２コモン信号Ｃombは、図１１に示されるように、電圧Ｖ
cL、ＶcHを互いに排反的となり、かつ、フレーム期間毎に切り替える信号である。
詳細に説明すると、奇数（４ｐ−３）行目および偶数（４ｐ−２）行目に対し正極性書
込が指定され、奇数（４ｐ−１）行目および偶数（４ｐ）行目とに対し負極性書込が指定
されるフレーム期間では、第１コモン信号Ｃomaは電圧ＶcHとなり、第２コモン信号Ｃomb
は電圧ＶcLとなる一方、奇数（４ｐ−３）行目および偶数（４ｐ−２）行目に対し負極性
書込が指定され、奇数（４ｐ−１）行目および偶数（４ｐ）行目とに対し正極性書込が指
定されるフレーム期間では、第１コモン信号Ｃomaは電圧ＶcLとなり、第２コモン信号Ｃo
mbは電圧ＶcHとなる。
【００４１】
続いて、第２相違点について説明する。
図１０は、コモン電極駆動回路１５０Ｌ（１５０Ｒ）において、奇数（４ｐ−３）行目
および偶数（４ｐ−２）行目の単位制御回路１５２と、奇数（４ｐ−１）行目および偶数
（４ｐ）行目の単位制御回路１５２との構成を示す図である。
この図に示されるように、奇数（４ｐ−３）行目および偶数（４ｐ−２）行目の単位制
御回路１５２におけるトランスミッション・ゲート５２の入力端子は、第１コモン信号Ｃ
omaが供給される信号線１５５に接続され、奇数（４ｐ−１）行目および偶数（４ｐ）行
目の単位制御回路１５２におけるトランスミッション・ゲート５２の入力端子は、第２コ
モン信号Ｃom bが供給される信号線１５６に接続されている。
【００４２】
なお、図１０に示すトランスミッション・ゲート５２が、端子Ｐの論理レベルがＨレベ
ルであるときにオンし、端子ＰがＬレベルであるときにオフする点は、第２実施形態と同
様である。
このため、奇数（４ｐ−３）行目の単位制御回路１５２における端子Ｐは、１行上の（
４ｐ−４）行目および１行下の（４ｐ−２）行目が選択される水平有効走査期間において
のみＨレベルになり、トランスミッション・ゲート５２がオン状態となる。このため、奇
数（４ｐ−３）行目のコモン電極は、トランスミッション・ゲート５２がオン状態となる
期間における第１コモン信号Ｃomaの電圧を、ラッチ回路６０によって取り込んで反転し
た電圧となる。
【００４３】
偶数（４ｐ−２）行目のコモン電極１０８についても、トランスミッション・ゲート５
２がオン状態となる期間における第１コモン信号Ｃomaの電圧を、ラッチ回路６０によっ
て取り込んで反転させた電圧となる。
一方、奇数（４ｐ−１）行目の単位制御回路１５２における端子Ｐは、１行上の（４ｐ
−２）行目および１行下の（４ｐ）行目が選択される水平有効走査期間においてのみＨレ
ベルになり、トランスミッション・ゲート５２がオン状態となる。ただし、奇数（４ｐ−
１）行目においてトランスミッション・ゲート５２の入力端子は第２コモン信号Ｃombが
供給される信号線１５６に接続されているので、奇数（４ｐ−１）行目のコモン電極１０
８は、トランスミッション・ゲート５２がオン状態となる期間における第２コモン信号Ｃ
ombの電圧を、ラッチ回路６０によって取り込んで反転させた電圧となる。
偶数（４ｐ）行目のコモン電極１０８についても、トランスミッション・ゲート５２が
オン状態となる期間における第２コモン信号Ｃombの電圧を、ラッチ回路６０によって取
り込んで反転させた電圧となる。
【００４４】
したがって、１行目のコモン電極１０８の電圧Ｃom1から３２０行目のコモン電極１０
８の電圧Ｃom320までは、図１１に示される通りとなり、走査線が選択される水平有効走
査期間において正極性書込が指定されるのであれば、事前に１行上の走査線が選択された
ときに電圧ＶcHから電圧ＶcLに切り替えられ、負極性書込が指定されるのであれば、事前
に１行上の走査線が選択されたときに電圧ＶcLから電圧ＶcHに切り替えられる。
このような切替動作が第２実施形態では、２行ずつ交互に実行される。
各行での書込動作については、第１実施形態と同様である。
【００４５】
第２実施形態では、いわゆる２Ｈ反転駆動とするために、第１コモン信号Ｃomaおよび
第２コモン信号Ｃombを、図１１に示されるような波形としたが、図４に示されたコモン
信号Ｃomのように１Ｈ期間毎に切り替えた共通信号にすると、第１実施形態と同様な１Ｈ
反転駆動とすることができる。すなわち、第２実施形態では、第１コモン信号Ｃomaおよ
び第２コモン信号Ｃombの波形次第によって、１Ｈ反転および２Ｈ反転を切替可能とする
のである。
【００４６】
また、コモン電極を二値で振幅させる駆動方式において重要な点は、ｉ行目のコモン電
極１０８でいえば、走査信号ＹiがＨレベルとなった際に、正極性書込が指定されていれ
ば低位側の電圧ＶcLとなっていることであり、負極性書込が指定されていれば高位側の電
圧ＶcHとなっていることである。
このため、第１および第２実施形態において、ｉ行目の単位制御回路１５２における端
子Ｐを、自行ｉ行目の走査線１１２に直接接続して、走査信号Ｙiを供給する構成として
も良い。ただし、この構成では、極性指定信号Ｐolが指定する書込極性は、論理レベルを
反転した関係となる。
【００４７】
また、第１および第２実施形態においては、走査線１１２を、（０）、１、２、３、…
、３１８、３１９、３２０、（３２１）行目という順番で上から下方向に選択（走査）す
る場合を示したが、逆に、（３１２）、３２０、３１９、３１８、…、３、２、１、（０
）行目という順番で下から上方向に走査する構成としても良い。
換言すれば、第１および第２実施形態では、下方向走査および上方向走査の双方に対処
できるように、１行上の走査線または１行下の走査線が選択されたときに端子ＰがＨレベ
ルとなるように、ＮＯＲ回路５１およびインバータ５３を適用したのであり、いずれかの
一方の走査方向にのみに対応するのであれば、端子Ｐを自行以前に選択される走査線に接
続する構成で足りる。
【００４８】
各行のコモン電極１０８については、各種の容量が寄生するので、ラッチ回路６０がな
くても、トランスミッション・ゲート５２がオフ状態になる直前の電圧を保持することに
はなる。
ただし、トランスミッション・ゲート５２がオフ状態になったコモン電極１０８は、電
気的にどの信号線１５３（１５５、１５６）にも接続されない状態（ハイ・インピーダン
ス状態）となるので、ノイズ等が重畳されると、電圧ＶcL、ＶcHから変動して、表示品位
に影響を与えてしまう場合がある。このため、ラッチ回路６０を設けた方が好ましい。
【００４９】
さらに、画素容量１２０はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態におい
て暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、
Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、別
の色を追加し、これらの４色以上の画素で１ドットを構成して、色再現性を向上させる構
成としても良い。
【００５０】
コモン電極駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒの構成素子を、表示領域１００における画素ス
イッチング素子と同じＴＦＴとするのではなく、別体のＩＣチップを左右両側に実装する
構成としても良い。また、本実施形態を透過型ではなく反射型としても良いし、透過型と
反射型とを組み合わせた半透過・半反射型としても良い。
【００５１】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器につ
いて説明する。図１２は、実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の
構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである
。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００に相当する部分の構成要素については
外観としては現れない。
【００５２】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１２に示される携帯電話の
他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（
またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳
、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネ
ルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、
上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置における単位制御回路の構成を示す図である。
【図４】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図５】同電気光学装置の書込動作を説明するための図である。
【図６】同単位制御回路の動作が両側で相違した場合を示す図である。
【図７】同電気光学装置における変形構成を示す図である。
【図８】同変形構成の動作を説明するための図である。
【図９】第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１０】同電気光学装置における単位制御回路の構成を示す図である。
【図１１】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図１２】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０…電気光学装置、２０…表示制御回路、５１…ＮＯＲ回路、５２…トランスミッショ
ン・ゲート、６０…ラッチ回路、１００…表示領域、１０８…コモン電極、１１０…画素
、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３０…補
助容量、１４０…走査線駆動回路、１５０Ｒ、１５０Ｌ…コモン電極駆動回路、１５２…
単位制御回路、１２００…携帯電話
【図１】
2010107808.tif 000003
【図２】
2010107808.tif 000004
【図３】
2010107808.tif 000005
【図４】
2010107808.tif 000006
【図５】
2010107808.tif 000007
【図６】
2010107808.tif 000008
【図７】
2010107808.tif 000009
【図８】
2010107808.tif 000010
【図９】
2010107808.tif 000011
【図１０】
2010107808.tif 000012
【図１１】
2010107808.tif 000013
【図１２】
2010107808.tif 000014