(57)【要約】  【課題】  高比剛性を有する緻密なコージェライト質焼結体を提供する。  【解決手段】  コージェライトを主結晶とし、リチウムアルミノシリケートを副結晶として含有するコージェライト質焼結体であって、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定される前記リチウムアルミノシリケートの主ピーク（２θ＝２５〜２６°）のピーク強度ＩＬｉと前記コージェライトの主ピーク（２θ＝２８〜２９°）のピーク強度Ｉｍａｓとの比（ＩＬｉ／Ｉｍａｓ）が０．０５〜０．５を満足するとともに、気孔率が０．２５％以下である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コージェライトを主結晶とし、リチウムアルミノシリケートを副結晶として含有するコージェライト質焼結体であって、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定される前記リチウムアルミノシリケートの主ピーク（２θ＝２５〜２６°）のピーク強度ＩＬｉと前記コージェライトの主ピーク（２θ＝２８〜２９°）のピーク強度Ｉｍａｓとの比（ＩＬｉ／Ｉｍａｓ）が０．０５〜０．５を満足するとともに、気孔率が０．２５％以下であることを特徴とするコージェライト質焼結体。
【請求項２】
アルミナをさらに副結晶として含有し、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定される前記アルミナの主ピーク（２θ＝３５．０〜３５．５°）のピーク強度ＩＡｌと前記コージェライトの主ピーク（２θ＝２８．０〜２９．０°）のピーク強度Ｉｍａｓとの比（ＩＡｌ／Ｉｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足するとともに、実質的にガラス相が存在しないことを特徴とする請求項１に記載のコージェライト質焼結体。
【請求項３】
実質的にＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、ＬｉおよびＯからなることを特徴とする請求項１または２に記載のコージェライト質焼結体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コージェライト質焼結体に関し、特に、静電チャックあるいはステージや半導体製造プロセスにおける治具などに適したコージェライト質焼結体に関する。
【背景技術】
【０００２】
コージェライト系焼結体は、従来から低熱膨張のセラミックスとして知られており、フィルター、ハニカム、耐火物、半導体製造装置用部材として応用されている。
【０００３】
半導体製造装置において、ＬＳＩ（大規模集積回路）などにおける高集積化に伴い、回路の微細化が急速に進められ、その線幅もサブミクロンオーダーのレベルまで高精密化しつつある。特に、Ｓｉウエハに高精密回路を形成するための露光装置については高い精度が要求される。たとえば露光装置のステージにおいては１００ｎｍ（０．１μｍ）以下の位置決め精度が要求され、露光の位置合わせ誤差が製品の品質向上や歩留まり向上に大きな影響を及ぼしているのが現状である。
【０００４】
半導体製造装置用として一般に用いられてきたアルミナ、窒化珪素などのセラミックスは、金属に比べて熱膨張係数が小さいものの、１０〜４０℃の熱膨張係数はそれぞれ５．２×１０−６／℃、１．５×１０−６／℃であり、雰囲気温度が０．１℃変化すると数１００ｎｍ（０．１μｍ）の変形が発生することになり、露光等の精密な工程ではこの変化が大きな問題となり、従来のセラミックスでは精度が低く、生産性の低下をもたらしている。
【０００５】
これに対して、コージェライト質焼結体は、アルミナや窒化珪素に比較して熱膨張係数が小さく、上記のような露光精度に対する問題はある程度解決される。
【０００６】
ところが、露光装置のステージのように、Ｓｉウエハを載置したステージ等の支持体が露光処理を施す位置まで高速移動を伴うような場合には、移動後の支持体自体が所定位置に停止後も振動しており、そのために、その振動した状態で露光処理を施すと露光精度が低下するという問題があった。これは、露光によって形成する配線幅が細くなるほど顕著であり、高微細な配線回路を形成する上では致命的な問題となっていた。このような振動は、部材自体の剛性が低いことによって引き起こされるものであることから、これらの部材に対しては高い剛性、即ち高ヤング率が要求されていた。
【０００７】
コージェライト質焼結体のヤング率を向上したものとして、希土類元素酸化物を所定の比率で複合化し、かつコージェライト結晶の粒界に前記希土類元素酸化物を特定の結晶相として存在させることにより、低熱膨張特性を阻害することなく焼結性を高め、ヤング率を向上させたコージェライト質焼結体が知られている（特許文献１参照）。
【０００８】
また、コージェライト７０〜９０質量％と、リチウムアルミノシリケート１０〜３０質量％を主成分とする、気孔率４０〜６０％、平均細孔径１〜２０μｍのセラミック多孔体が知られている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−１３０５２０号公報
【特許文献２】特開平０１−２９８０７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
支持体が移動し所定位置に停止した後の支持体の振動を抑制し、露光装置の露光精度を向上させるには、低熱膨張特性と剛性のほかに、その材質自身の軽量化も必要である。すなわち、比重に対する部材の剛性の割合、いわゆる比剛性（剛性／比重）が小さいものは、仮に剛性が高くても高速移動による慣性力が大きく、所定位置に停止した後の支持体に振動が生じ易い。
【００１１】
上記特許文献１のコージェライト質焼結体では、コージェライトに希土類元素酸化物を所定の比率で複合化することにより剛性を高めているが、希土類元素は原子量が高く、焼結体の比重が高くなってしまい、比剛性が小さいため、未だ所定位置に停止した後の支持体に振動が生じ易いという問題がある。
【００１２】
また、上記特許文献２のセラミック多孔体では、多孔体ゆえに露光装置のステージ等に用いることができないという問題がある。
【００１３】
従って、本発明は、高比剛性を有する緻密なコージェライト質焼結体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明のコージェライト質焼結体は、コージェライトを主結晶とし、リチウムアルミノシリケートを副結晶として含有するコージェライト質焼結体であって、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定される前記リチウムアルミノシリケートの主ピーク（２θ＝２５〜２６°）のピーク強度ＩＬｉと前記コージェライトの主ピーク（２θ＝２８〜２９°）のピーク強度Ｉｍａｓとの比（ＩＬｉ／Ｉｍａｓ）が０．０５〜０．５を満足するとともに、気孔率が０．２５％以下であることを特徴とする。
【００１５】
一般的にコージェライトやリチウムアルミノシリケートに代表される低熱膨張セラミックスは、緻密な焼結体を得ることが困難であることが知られている。この問題を解決するため、特許文献１では希土類元素からなる焼結助剤が検討されている。しかし、希土類元素等の焼結助剤を用いた場合、熱膨張係数の増加、比重の増加という問題がある。一方で、Ｌｉ２Ｏを焼結助剤として用いることが知られているが、Ｌｉ２Ｏを焼結助剤として用いるとＬｉがコージェライトと反応してしまい、コージェライトのもつ低熱膨張特性とヤング率が損なわれる。
【００１６】
本発明のコージェライト質焼結体では、低い熱膨張係数を有するコージェライトに対して、同様に低い熱膨張係数を有するリチウムアルミノシリケートを、ピーク強度比（ＩＬｉ／Ｉｍａｓ）が０．０５〜０．５を満足する量だけ含有するため、焼結助剤を加えなくともそれ自身で緻密な焼結体を得ることができる。これは、コージェライトに比べてリチウムアルミノシリケートの融点が低く、ある温度まで加熱されるとリチウムアルミノシリケートが溶融して液相を形成し、コージェライトの焼結が促進されるためである。高温ではリチウムアルミノシリケートの一部はコージェライトと反応しているが、冷却後はコージェライトの粒界にリチウムアルミノシリケートの結晶相が独立して生成している。この為、従来のように６程度と比重が大きな希土類元素化合物を用いず、比重が２．４程度の軽量のリチウムアルミノシリケートをピーク強度比（ＩＬｉ／Ｉｍａｓ）が０．０５〜０．５を満足する量だけ含有するため、焼結性を向上して気孔率０．２５％以下を達成できるとともに、コージェライト質焼結体のヤング率を高く維持した状態で比重を小さくすることができ、比剛性を高くすることができる。
【００１７】
また、本発明のコージェライト質焼結体では、アルミナをさらに副結晶として含有し、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定される前記アルミナの主ピーク（２θ＝３５．０〜３５．５°）のピーク強度ＩＡｌと前記コージェライトの主ピーク（２θ＝２８．０〜２９．０°）のピーク強度Ｉｍａｓとの比（ＩＡｌ／Ｉｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足するとともに、実質的にガラス相が存在しないことを特徴とする。
【００１８】
本発明のコージェライト質焼結体では、ヤング率の高いアルミナを、ピーク強度比（ＩＡｌ／Ｉｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足する量だけ含有するため、室温における熱膨張係数をほぼ０近くに制御することができるとともに、さらにヤング率を向上し、軽量で剛性の高い低熱膨張セラミックスを得ることができる。
【００１９】
また、室温ではコージェライト、リチウムアルミノシリケートの両方が負の熱膨張係数を有する。室温における熱膨張係数をほぼ０近くに制御するためには、正の熱膨張係数を有するスピネルや炭化ケイ素等の物質を所定量加えることによって熱膨張係数を制御する必要がある。しかし、スピネルや炭化ケイ素等の化合物はコージェライトやリチウムアルミノシリケートと共存可能な物質であるが故に反応性も乏しく、結果として焼結を阻害しやすい。それ故に本発明では正の熱膨張係数を有する成分としてアルミナを選択することにより、焼結を阻害することなく、室温における熱膨張係数をほぼ０とし、ヤング率も向上でき、比剛性をさらに高くすることができる。
【００２０】
さらに、本発明のコージェライト質焼結体では、実質的にＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、ＬｉおよびＯからなることを特徴とする。このようなコージェライト質焼結体では、最低限の原料種により、緻密な焼結体を得ることができるとともに、コージェライト質焼結体のヤング率を高く維持した状態で比重を小さくすることができ、比剛性を高くすることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のコージェライト質焼結体は、緻密な焼結体を得ることができるとともに、ヤング率を高く維持した状態で比重を小さくすることができ、比剛性を高くすることができる。その結果、このコージェライト質焼結体を、例えば高微細な回路を形成するためにウエハに露光処理を行う半導体製造装置用部材、例えば、露光装置用のステージに用いることにより、振動に伴う精度の低下をも防止することができ、半導体素子の品質と量産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明のコージェライト質焼結体のＸ線回折測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明のコージェライト質焼結体は、コージェライトを主結晶とするものであり、言い換えれば、一般式２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２で表される複合酸化物を主結晶とするものであり、コージェライトは、平均粒径が１〜１０μｍの結晶粒子として存在する。
【００２４】
そして、本発明のコージェライト質焼結体は、リチウムアルミノシリケートを副結晶として含有するコージェライト質焼結体であって、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定されるリチウムアルミノシリケートの主ピーク（２θ＝２５〜２６°）のピーク強度ＩＬｉと、コージェライトの主ピーク（２θ＝２８〜２９°）のピーク強度Ｉｍａｓとの比（ＩＬｉ／Ｉｍａｓ）が、０．０５〜０．５を満足するとともに、気孔率が０．２５％以下とされている。図１に本発明のコージェライト質焼結体のＸ線回折測定結果を示す。
【００２５】
本発明のコージェライト質焼結体では、低い熱膨張係数を有するコージェライトに対して、同様に低い熱膨張係数を有するリチウムアルミノシリケートを、ピーク強度比（ＩＬｉ／Ｉｍａｓ）が０．０５〜０．５を満足する量だけ含有するため、別個に焼結助剤を加えなくともそれ自身で緻密な焼結体を得ることができる。
【００２６】
これは、コージェライトに比べてリチウムアルミノシリケートの融点が低く、ある温度まで加熱されるとリチウムアルミノシリケートが溶融して液相を形成し、コージェライトの焼結が促進されるためである。高温ではリチウムアルミノシリケートの一部はコージェライトと反応しているが、冷却後はコージェライトの粒界にリチウムアルミノシリケートの結晶相が独立して生成している。
【００２７】
このため、従来のように６程度と比重が大きな希土類元素化合物を用いず、比重が２．４程度の軽量のリチウムアルミノシリケートをピーク強度比（ＩＬｉ／Ｉｍａｓ）が０．０５〜０．５を満足する量だけ含有するため、焼結性を向上して緻密化を達成できるとともに、コージェライト質焼結体のヤング率を高く維持した状態で比重を小さくすることができ、比剛性を高くすることができる。
【００２８】
ピーク強度比（ＩＬｉ／Ｉｍａｓ）を０．０５〜０．５に設定したのは、０．０５より小さいときには、粒界に形成されるリチウムアルミノシリケートの結晶相が少なく、生じる液相の量が少ないため、焼結が不十分となり、緻密化を達成できず、一方、ピーク強度比（ＩＬｉ／Ｉｍａｓ）が０．５より大きいときには、粒界に形成されるリチウムアルミノシリケートの結晶相が多く、生じる液相の量が多いため、焼結は促進されるものの、リチウムアルミノシリケートのヤング率はコージェライトに比べ小さい為、ヤング率が低下してしまう。
【００２９】
ピーク強度比（ＩＬｉ／Ｉｍａｓ）は、より緻密化し、ヤング率を向上するという点から、０．１５〜０．２５であることが望ましい。
【００３０】
リチウムアルミノシリケートは、コージェライトからなる主結晶粒子の粒界に存在しており、その平均結晶粒子は０．５〜１０μｍとされている。リチウムアルミノシリケートとしては、ＬｉＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８で表されるものや、ＬｉＡｌ２Ｓｉ４Ｏ１２で表されるものが知られている。
【００３１】
本発明のコージェライト質焼結体は、気孔率０．２５％以下とされていることが重要である。このように気孔率が０．２５％以下であるため、緻密な焼結体となり、露光装置用部材として好適に用いることができる。
【００３２】
また、本発明のコージェライト質焼結体は、さらにアルミナを副結晶として含有するとともに、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定されるアルミナの主ピーク（２θ＝３５．０〜３５．５°）のピーク強度ＩＡｌと、コージェライトの主ピーク（２θ＝２８．０〜２９．０°）のピーク強度Ｉｍａｓとの比（ＩＡｌ／Ｉｍａｓ）が、０．０２〜０．１５を満足するとともに、実質的にガラス相が存在しないことが望ましい。
【００３３】
このようなコージェライト質焼結体では、負の熱膨張係数（約−０．１９×１０−６／℃）を有するコージェライトに対して、正の熱膨張係数（約５．２×１０−６／℃）を有するアルミナを、ピーク強度比（ＩＡｌ／Ｉｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足する量だけ含有するとともに、低熱膨張セラミックスには実質的にガラス相が存在しないため、ガラス相による熱膨張係数の増加を抑制することができ、これにより、室温近くにおける熱膨張係数をほぼ０近くに制御することができる。
【００３４】
また、ヤング率の高いアルミナを、ピーク強度比（ＩＡｌ／Ｉｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足する量だけ含有するため、室温における熱膨張係数をほぼ０近くに制御することができるとともに、さらにヤング率を向上し、軽量で剛性の高いコージェライト質焼結体を得ることができる。
【００３５】
室温ではコージェライト、リチウムアルミノシリケートの両方が負の熱膨張係数を有する。室温における熱膨張係数をほぼ０近くに制御するためには、正の熱膨張係数を有するスピネルや炭化ケイ素等の物質を所定量加えることによって熱膨張係数を制御する必要がある。しかし、スピネルや炭化ケイ素等の化合物はコージェライトやリチウムアルミノシリケートと共存可能な物質であるが故に反応性も乏しく、結果として焼結を阻害しやすい。それ故に本発明では正の熱膨張係数を有する成分としてアルミナを選択することにより、焼結を阻害することなく、室温における熱膨張係数をほぼ０とし、ヤング率も向上でき、比剛性をさらに高くすることができる。
【００３６】
コージェライトからなる結晶は定比組成である必要はなく、例えば、Ａｌが過剰に固溶する場合もある。添加されたアルミナは、焼結過程においてコージェライト結晶と部分的に反応し、コージェライトに固溶したり、あるいはアルミニウムシリケート、スピネルの結晶を析出する場合があるが、ピーク強度比（ＩＡｌ／Ｉｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足し、実質的にガラス相を存在させないことにより、室温近くにおける熱膨張係数をほぼ０近くに制御することができる。
【００３７】
アルミナは、コージェライトからなる主結晶粒子の粒界に存在しており、その平均結晶粒径は０．１〜１０μｍ、好ましくは０．２〜３μｍとされている。
【００３８】
なお、低熱膨張セラミックスに実質的にガラス相が存在しないとは、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定したとき、低角側にブロードなピーク（ハローパターン）が検出されない場合をいう。
【００３９】
また、本発明のコージェライト質焼結体は、実質的にＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、ＬｉおよびＯからなることが望ましい。これにより、最低限の原料種により、熱膨張係数がほぼ０を達成できるとともに、軽量で剛性の高い低熱膨張セラミックスを得ることができる。ここで、実質的にＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、ＬｉおよびＯからなるとは、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、ＬｉおよびＯ以外は積極的に添加しないという意味である。一方、不純物としてＣ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｌｉ、Ｎａを、酸化物換算でそれぞれ全量中０．２質量％以下含有することがある。
【００４０】
本発明のコージェライト質焼結体の製造方法について説明する。
【００４１】
先ず、原料粉末として、例えば、ＭｇＣＯ３粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｌｉ２Ｏ３粉末を用い、所定の割合で秤量し、湿式混合した後乾燥し、この混合物を大気中において１１００〜１３００℃で仮焼した後、粉砕する。得られた粉末に適量のバインダを加えて成形し、この成形体を大気中１２００〜１４５０℃で焼成することにより得られる。Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｌｉの金属元素を含有する原料粉末は、それぞれ酸化物、炭酸塩、酢酸塩等の無機化合物等の、焼成により酸化物として形成されるものであればいずれの粉末を用いても良い。
【００４２】
ここで、予めコージェライトとなるように所定割合にて調合されたＭｇＣＯ３粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末，ＳｉＯ２粉末の混合粉末に対して、Ｌｉ２Ｏ３粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末を混合して作製しても良く、また、予めコージェライトとなるように所定割合にて調合されたＭｇＣＯ３粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末，ＳｉＯ２粉末の混合粉末を仮焼し、これを粉砕したコージェライト粉末にＬｉ２Ｏ３粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末を混合して作製しても良く、さらには、コージェライト粉末にリチウムアルミノシリケート粉末を混合して作製しても良い。
【００４３】
焼成温度は、リチウムアルミノシリケート成分が含まれていることにより充分に緻密化の目的が達成され、具体的には焼成温度は１２００℃〜１４５０℃で焼成できる。これにより、本発明のコージェライト質焼結体を得ることができる。この後、より緻密化させるため、１００〜２００ＭＰａの加圧力で１０００〜１４５０℃で熱間等方加圧プレスすることもできる。
【００４４】
添加したＡｌ２Ｏ３のＡｌをコージェライトに固溶させずに、ＩＡｌ／Ｉｍａｓを０．０２〜０．１５を満足させるには、アルミナの原料粒径を０．１〜１０μｍ、好ましくは０．２〜３μｍとし、焼成温度を１４００℃以下とすることが望ましい。
【００４５】
以上のように構成された本発明のコージェライト質焼結体では、低い熱膨張係数を有するコージェライトに対して、同様に低い熱膨張係数を有するリチウムアルミノシリケートを、ピーク強度比（ＩＬｉ／Ｉｍａｓ）が０．０５〜０．５を満足する量だけ含有するため、焼結助剤を加えなくともそれ自身で緻密な焼結体を得ることができるとともに、コージェライト質焼結体のヤング率を高く維持した状態で比重を小さくすることができ、比剛性を高くすることができる。
【００４６】
本発明のコージェライト質焼結体では、気孔率が０．２５％以下、ヤング率が１４０ＧＰａ以上、比剛性が５６以上、室温における熱膨張係数の絶対値が０．１×１０−６／℃以下（−０．１×１０−６／℃〜０．１×１０−６／℃）、比重が２．６未満の特性を有することができる。
【００４７】
露光装置用部材は、上記したコージェライト質焼結体からなることが望ましい。このような露光装置用部材としては、コージェライト質焼結体の比剛性が高いことにより、ステージの高速移動と停止に対し制振性に優れ、露光精度、スループットが向上するため、Ｓｉウエハを載置した支持体が露光処理を施す位置まで高速移動するような露光装置のステージに好適に用いることができる。
【実施例】
【００４８】
平均粒径が３μｍのコージェライト粉末に対して、リチウムアルミノシリケート（ＬｉＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８）粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末を表１に示す割合で調合後、ボールミルで２４時間混合した後、１ｔ／ｃｍ２の圧力で金型成形した。大気中において１３００〜１４００℃で焼成し、種々のセラミックスを作製した。
【００４９】
得られたセラミックスを研磨し、３×４×１５ｍｍの大きさに研削加工し、このセラミックスの室温での熱膨張係数をレーザー干渉法（ＪＩＳＲ  ３２５１―１９９５）に基づき測定した。また、超音波パルス法（ＪＩＳ  Ｒ１６０２−１９９５）に基づき、室温でのヤング率を測定した。これらの結果を表１に記載した。
【００５０】
また、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により、リチウムアルミノシリケートの主ピーク（２θ＝２５〜２６°）のピーク強度ＩＬｉと、コージェライトの主ピーク（２θ＝２８〜２９°）のピーク強度Ｉｍａｓとの比（ＩＬｉ／Ｉｍａｓ）を求め、さらに、アルミナの主ピーク（２θ＝３５．０〜３５．５°）のピーク強度ＩＡｌと、コージェライトの主ピーク（２θ＝２８．０〜２９．０°）のピーク強度Ｉｍａｓとの比（ＩＡｌ／Ｉｍａｓ）を求め、表１に記載した。さらに低角側にブロードなピーク（ハローパターン）が検出されない事を確認することにより、ガラス相の存在有無を確認し、表１に記載した。
【００５１】
さらに、比重および気孔率をアルキメデス法により求め、表１に記載するとともに、比剛性を算出し、表１に記載した。
【００５２】
【表１】
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【００５３】
この表１から、ＩＬｉ／Ｉｍａｓが０．０５〜０．５となるように、コージェライト粉末にリチウムアルミノシリケート粉末を所定量加えた本発明の試料Ｎｏ．１〜３では、気孔率が０．２５％以下で、比重が２．５ｇ／ｃｍ３以下で、ヤング率が１３２ＧＰａ以上であり、比剛性が５２．８以上の緻密質で高比剛性のコージェライト質焼結体を得ることができる。
【００５４】
さらに、ＩＡｌ／Ｉｍａｓが０．０２〜０．１５となるように、アルミナ粉末を所定量添加した本発明の試料Ｎｏ．４〜６では、ヤング率が向上し、比剛性を５５以上とすることができるとともに、熱膨張係数を−０．１×１０−６／℃〜０．１×１０−６／℃の範囲に制御できることがわかる。
【００５５】
一方、ＩＬｉ／Ｉｍａｓが０．０５より小さい比較例の試料Ｎｏ．７では、十分に緻密化せず、気孔率が０．２５％より大きく、この為、ヤング率が低くなっている。さらにＩＬｉ／Ｉｍａｓが０．５よりも大きい比較例の試料Ｎｏ．８では、焼結性は高いもののヤング率が低下し、比剛性が小さくなっていることがわかる。
【図１】
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