(57)【要約】      （修正有）【課題】フルオランテン骨格を有する新規な縮合多環芳香族化合物及び高効率かつ高耐久性である有機発光素子の提供。【解決手段】一般式［１］に示されるに示される縮合多環芳香族化合物。該化合物は更にアルキル基、アリール基、置換アミノ基等の置換基を有していても良い。2010018574.tif 000027（Ｒ１〜Ｒ４は、Ｈ、アルキル基等の置換基を表す。）有機発光素子は、陽極と陰極と、両極との間に挟持される有機化合物層とから構成され、該有機化合物層のうち少なくとも一層に又は該縮合多環芳香族化合物が少なくとも一種類含まれることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［１］で示される化合物であることを特徴とする、縮合多環芳香族化合物。
【化１】
2010018574.tif 000024
（式［１］において、Ｒ1乃至Ｒ4は、それぞれ水素、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基又は置換あるいは無置換のアリール基を表す。）
【請求項２】
下記一般式［２］で示される化合物であることを特徴とする、縮合多環芳香族化合物。
【化２】
2010018574.tif 000025
（式［２］において、Ｒ5乃至Ｒ8は、それぞれ水素、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基又は置換あるいは無置換のアリール基を表す。Ｘは、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、置換ボリル基、置換シリル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。ｎは、０乃至６の整数を表す。また、ｎが２以上の場合、複数のＸはそれぞれ同じであっても異なっていてもよく、複数のＸが互いに結合し環構造を形成してもよい。）
【請求項３】
下記一般式［３］又は一般式［４］を原料として合成されることを特徴とする、請求項２に記載の縮合多環芳香族化合物。
【化３】
2010018574.tif 000026
（式［３］において、Ｒ9乃至Ｒ12は、それぞれ水素、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基又は置換あるいは無置換のアリール基を表す。ｍは、１乃至６の整数を表す。式［４］において、Ｒ13乃至Ｒ16は、それぞれ水素、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基又は置換あるいは無置換のアリール基を表す。ｌは、１乃至６の整数を表す。）
【請求項４】
陽極と陰極と、
該陽極と該陰極との間に挟持される有機化合物層と、から構成され、
該有機化合物層のうち少なくとも一層に請求項１乃至３のいずれか一項に記載の縮合多環芳香族化合物が少なくとも一種類含まれることを特徴とする、有機発光素子。
【請求項５】
請求項４に記載の有機発光素子を備えることを特徴とする、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、縮合多環芳香族化合物並びにこれを用いた有機発光素子及び表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子は、陽極と陰極との間に蛍光性有機化合物又は燐光性有機化合物を含む薄膜が挟持されている素子である。また、各電極から電子及びホールを注入することにより励起子を生成させ、この励起子が基底状態に戻る際に、有機発光素子は光を放射する。
【０００３】
最近では、フルオランテン化合物を有機発光素子の材料として使用する技術が数多く報告されている。例えば、特許文献１にて開示されている置換基を有するフルオランテン化合物、又は特許文献２にて開示されているベンゾフルオランテン化合物が挙げられる。ここで特許文献１及び２によれば、フルオランテン化合物を使用した発光素子は発光効率が良好であることが示されており、分子内にフルオランテン骨格を含む化合物の有用性が認知されつつある。しかしながら、パソコンやテレビといったディスプレイを構成する有機材料として考えた場合、効率と安定性を兼備した実用に耐えられるレベルにあるフルオランテン骨格を有する化合物はまだ無い。よって、有機発光素子の更なる高輝度化、長寿命化につながるフルオランテン骨格を有する化合物が望まれていた。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１８９２４８号公報
【特許文献２】特開平１１−１２２０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、フルオランテン骨格を有する新規な縮合多環芳香族化合物を提供することである。また、本発明の他の目的は、高効率かつ高耐久性である有機発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明の縮合多環芳香族化合物は、下記一般式［１］又は［２］で示される化合物であることを特徴とする。
【０００７】
【化１】
2010018574.tif 000002
（式［１］において、Ｒ1乃至Ｒ4は、それぞれ水素、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基又は置換あるいは無置換のアリール基を表す。）
【０００８】
【化２】
2010018574.tif 000003
（式［２］において、Ｒ5乃至Ｒ8は、それぞれ水素、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基又は置換あるいは無置換のアリール基を表す。Ｘは、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、置換ボリル基、置換シリル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。ｎは、０乃至６の整数を表す。また、ｎが２以上の場合、複数のＸはそれぞれ同じであっても異なっていてもよく、複数のＸが互いに結合し環構造を形成してもよい。）
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、フルオランテン骨格を有する新規な縮合多環芳香族化合物を提供することができる。また、本発明によれば、高効率かつ高耐久性である有機発光素子を提供することができる。さらに、本発明によれば、製造が容易でかつ比較的安価な塗布法であっても作製可能な有機発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】
まず、本発明の縮合多環芳香族化合物について説明する。
【００１２】
本発明の縮合多環芳香族化合物は、下記一般式［１］又は［２］で示される化合物である。
【００１３】
【化３】
2010018574.tif 000004
【００１４】
まず式［１］の化合物について説明する。
【００１５】
式［１］において、Ｒ1乃至Ｒ4は、それぞれ水素、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基又は置換あるいは無置換のアリール基を表す。
【００１６】
Ｒ1乃至Ｒ4で表されるハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００１７】
Ｒ1乃至Ｒ4で表されるアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、第二級ブチル基、第三級ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フッ素化アルキル基（トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等）等が挙げられる。
【００１８】
Ｒ1乃至Ｒ4で表されるアラルキル基として、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
【００１９】
Ｒ1乃至Ｒ4で表されるアリール基として、フェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アズレニル基、アントリル基、ピレニル基、インダセニル基、アセナフテニル基、フェナントリル基、フェナレニル基、フルオランテニル基、アセフェナントリル基、アセアントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ペリレニル基、ペンタセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基等が挙げられる。
【００２０】
上記アルキル基、アラルキル基及びアリール基がさらに有してもよい置換基として、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、フッ素化アルキル基（トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等）等のアルキル基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等のアリール基、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基、ビピリジル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基等の複素環基、ナフチル基、フェナンスリル基等の縮合多環芳香族基、キノリル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナントロリル基等の縮合多環複素環基、フェノキシル基、ナフトキシル基等のアリールオキシ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジアニソリルアミノ基、９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレニルフェニルアミノ基、ジフルオレニル基、ナフチルフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基等の置換アミノ基、ジフェニルボリル基、ジメシチルボリル基等の置換ボリル基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の置換シリル基、トリメチルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等の置換ゲルミル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、重水素等が挙げられる。
【００２１】
次に、式［２］の化合物について説明する。
【００２２】
式［２］において、Ｒ5乃至Ｒ8は、それぞれ水素、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基又は置換あるいは無置換のアリール基を表す。尚、Ｒ5乃至Ｒ8で表されるハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基及びアリール基、並びにアルキル基、アラルキル基及びアリール基がさらに有してもよい置換基の具体例は、式［１］のＲ1乃至Ｒ4と同様である。
【００２３】
式［２］において、Ｘは、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、置換ボリル基、置換シリル基、シアノ基、ハロゲン原子、スチリル基又は重水素を表す。
【００２４】
Ｘで表されるアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、第二級ブチル基、第三級ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フッ素化アルキル基（トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等）等が挙げられる。
【００２５】
Ｘで表されるアラルキル基として、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
【００２６】
Ｘで表されるアリール基として、フェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アズレニル基、アントリル基、ピレニル基、インダセニル基、アセナフテニル基、フェナントリル基、フェナレニル基、フルオランテニル基、アセフェナントリル基、アセアントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ペリレニル基、ペンタセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基等が挙げられる。
【００２７】
Ｘで表される複素環基として、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ターチエニル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナントロリル基、ベンゾジアゾリル基等が挙げられる。
【００２８】
Ｘで表される置換アミノ基として、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジアニソリルアミノ基、９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレニルフェニルアミノ基等が挙げられる。
【００２９】
Ｘで表される置換ボリル基として、ジフェニルボリル基、ジトリルボリル基、ジメシチルボリル基、ジナフチルボリル基等が挙げられる。
【００３０】
Ｘで表される置換シリル基として、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
【００３１】
Ｘで表されるハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００３２】
上記アルキル基、アラルキル基、アリール基及び複素環基が有してもよい置換基として、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基等のアルキル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等のフッ素化アルキル基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等のアリール基、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基、ビピリジル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基等の複素環基、ナフチル基、フェナンスリル基等の縮合多環芳香族基、キノリル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナントロリル基等の縮合多環複素環基、フェノキシル基、ナフトキシル基等のアリールオキシ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジアニソリルアミノ基、９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレニルフェニルアミノ基、ジフルオレニル基、ナフチルフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基等の置換アミノ基、ジフェニルボリル基、ジメシチルボリル基等の置換ボリル基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の置換シリル基、トリメチルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等の置換ゲルミル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、重水素等が挙げられる。
【００３３】
式［２］において、ｎは、０乃至６の整数を表す。
【００３４】
また、ｎが２以上の場合、複数のＸはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。さらにｎが２以上の場合、複数のＸは互いに結合し、下記に示される環構造を形成してもよいし、この環構造がさらに第三級ブチル基、フェニル基、トリル基等の置換基を有してもよい。
【００３５】
【化４】
2010018574.tif 000005
【００３６】
以下に、本発明の縮合多環芳香族化合物の具体例を示すが、本発明はもちろんこれらに限定されるものではない。
【００３７】
【化５】
2010018574.tif 000006
【００３８】
【化６】
2010018574.tif 000007
【００３９】
【化７】
2010018574.tif 000008
【００４０】
【化８】
2010018574.tif 000009
【００４１】
【化９】
2010018574.tif 000010
【００４２】
ところで式［２］で示される縮合多環芳香族化合物は、好ましくは、下記一般式［３］又は一般式［４］で示されるボロン化合物を原料として合成される。
【００４３】
【化１０】
2010018574.tif 000011
【００４４】
式［３］において、Ｒ9乃至Ｒ12は、それぞれ水素、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基又は置換あるいは無置換のアリール基を表す。尚、Ｒ9乃至Ｒ12で表されるハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基及びアリール基、並びにアルキル基、アラルキル基及びアリール基がさらに有してもよい置換基の具体例は、式［２］のＲ5乃至Ｒ8（即ち、式［１］のＲ1乃至Ｒ4）と同様である。
【００４５】
式［３］において、ｍは、１乃至６の整数を表す。
【００４６】
式［４］において、Ｒ13乃至Ｒ16は、それぞれ水素、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基又は置換あるいは無置換のアリール基を表す。尚、Ｒ13乃至Ｒ16で表されるハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基及びアリール基、並びにアルキル基、アラルキル基及びアリール基がさらに有してもよい置換基の具体例は、式［２］のＲ5乃至Ｒ8（即ち、式［１］のＲ1乃至Ｒ4）と同様である。
【００４７】
式［４］において、ｌは、１乃至６の整数を表す。
【００４８】
以下に、ボロン化合物の具体例を示すが、本発明はもちろんこれらに限定されるものではない。
【００４９】
【化１１】
2010018574.tif 000012
【００５０】
【化１２】
2010018574.tif 000013
【００５１】
次に、本発明の有機発光素子について詳細に説明する。
【００５２】
本発明の有機発光素子は、陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に挟持される有機化合物層と、から構成される。
【００５３】
以下、図面を参照しながら、本発明の有機発光素子について詳細に説明する。図１は、本発明の有機発光素子の実施形態の例を示す断面図である。
【００５４】
図１（ａ）は、本発明の有機発光素子の第一の実施形態を示す断面図である。図１（ａ）の有機発光素子１ａは、上から金属電極１０、電子注入・輸送層１１、発光層１２、ホール注入・輸送層１３及び透明電極１４の順で構成されている積層体が透明基板１５上に設けられている。
【００５５】
図１（ａ）の有機発光素子１ａは、電気的整流性を示し、金属電極１０を陰極に透明電極１４を陽極になるように電界を印加すると、金属電極１０からは電子が発光層１２に注入され、透明電極１４からはホールが発光層１２に注入される。注入されたホール及び電子は、発光層１２内で再結合することで励起子が生じ、生じた励起子が基底状態に戻るときに発光する。このとき、ホール注入・輸送層１３は、電子をブロックする役割も担う。こうすることで発光層１２とホール注入・輸送層１３との間の界面におけるホールと電子との再結合効率が向上するので、発光効率が向上する。
【００５６】
図１（ｂ）は、本発明の有機発光素子の第二の実施形態を示す断面図である。図１（ｂ）の有機発光素子１ｂは、図１（ａ）の有機発光素子において、発光層１２とホール注入・輸送層１３との間にインターレイヤー層１６が設けられている。インターレイヤー層１６を設けることにより、発光層１２からホール注入・輸送層１６へ移動しようとする電子を効果的にブロックすることができる。従って、このインターレイヤー層１６を電子ブロック層と称しても構わない。また、インターレイヤー層１６は、透明電極１４やホール注入・輸送層１３から染み出てくる拡散イオン（金属イオンも含む）をブロックする効果もある。このため素子の発光効率が向上するとともに、耐久性も向上する。
【００５７】
図１（ｃ）は、本発明の有機発光素子の第三の実施形態を示す断面図である。図１（ｃ）の有機発光素子１ｃは、図１（ｂ）の有機発光素子において、電子注入・輸送層１１と発光層１２との間にホールブロック層１７が設けられている。ホールブロック層１７を設けることにより、発光層１２から染み出てくるホールを効果的にブロックすることができる。また、ホールブロック層１７は、金属電極１０や電子注入・輸送層１１から染み出てくる拡散イオン（金属イオンも含む）をブロックして発光層１２までの拡散を防止する効果もある。従って、ホールブロック層１７を金属拡散防止層と称しても構わない。以上より、有機発光素子の発光効率が向上するとともに、耐久性も向上する。
【００５８】
ただし、図１（ａ）乃至図１（ｃ）はあくまでごく基本的な素子構成であり、本発明の有機発光素子の構成はこれらに限定されるものではない。例えば、電極と有機化合物層との界面に絶縁性層、接着層又は干渉層を設ける、ホール注入・輸送層又は電子注入・輸送層がイオン化ポテンシャルあるいはエネルギーバンドギャップの異なる２層から構成される等の多様な層構成をとることができる。
【００５９】
本発明の有機発光素子は、有機化合物層のうち少なくとも一層に本発明の縮合多環芳香族化合物が少なくとも一種類含まれる。ここで有機化合物層とは具体的には、図１（ａ）乃至（ｃ）に示される電子注入・輸送層１１、発光層１２、ホール注入・輸送層１３、インターレイヤー層１６及びホールブロック層１７である。特に、発光層１２、電子注入・輸送層１３あるいはホール注入・輸送層１１の材料として有用である。また本発明の有機発光素子を構成する層は、真空蒸着法や溶液塗布法等によって形成することで結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる層となる。
【００６０】
本発明の縮合多環化合物を発光層１２の構成材料として使用する場合、必要に応じてこれまで知られている低分子系及びポリマー系の発光材料、ホール輸送性材料あるいは電子輸送性材料等を一緒に使用することもできる。
【００６１】
上記発光材料としては、例えば、蛍光性の発光材料を使用することができる。蛍光性の発光材料として具体的には、ベンゾオキサゾール及びその誘導体、ベンゾイミダゾール及びその誘導体、ベンゾチアゾール及びその誘導体、スチリルベンゼン及びその誘導体、ポリフェニル及びその誘導体、ジフェニルブタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、ナフタルイミド及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、縮合多環芳香族化合物、ペリノン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、オキサジン及びその誘導体、アルダジン及びその誘導体、ピラリジン及びその誘導体、シクロペンタジエン及びその誘導体、ビススチリルアントラセン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、ピロロピリジン及びその誘導体、チアジアゾロピリジン及びその誘導体、シクロペンタジエン及びその誘導体、スチリルアミン及びその誘導体、ジケトピロロピロール及びその誘導体、芳香族ジメチリデン化合物、８−キノリノール及びその誘導体である金属錯体、ピロメテン及びその誘導体である金属錯体、希土類錯体、遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン及びその誘導体等が挙げられる。好ましくは、縮合多環芳香族化合物、キナクリドン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、ピロメテン誘導体の金属錯体、希土類錯体又は遷移金属錯体であり、さらに好ましくは、縮合多環芳香族化合物又は遷移金属錯体である。
【００６２】
一方、発光効率（有機発光素子の外部量子効率）の観点で考慮すると、発光材料としてリン光性の材料を使用することも可能である。
【００６３】
リン光性の発光材料として、好ましくは、イリジウム、白金、レニウム、又はルテニウムの遷移金属錯体であり、より好ましくはイリジウム又は白金の遷移金属錯体である。該遷移金属錯体の具体例としては、下記に列挙される文献で開示されているオルトメタル化錯体が挙げられる。
１．山本明夫著「有機金属  基礎と応用」、１５０頁及び２３２頁、裳華房社（１９８２年）
２．エイチ・ヤルシン（Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ）著「フォトケミストリー・アンド・フォトフィジックス・オブ・コーディネーション・コンパウンド（Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）」、７１頁乃至７７頁及び１３５頁乃至１４６頁、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社（１９８７年）
３．（独）日本学術振興会「情報科学用有機材料  第１４２委員会」Ｃ部会（有機エレクトロシクス），第９回研究会資料，２５項乃至３２項（２００５年）
【００６４】
上記ホール輸送性材料としては、例えば、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、オキサゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（シリレン）、ポリ（チオフェン）等が挙げられる。
【００６５】
また、電子輸送性材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フルオレノン誘導体、アントロン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリノールアルミニウム錯体等の有機金属錯体等の有機化合物が挙げられる。
【００６６】
電子注入・輸送層１１の構成材料として本発明の縮合多環化合物を使用する場合は、必要に応じてこれまで知られている金属、金属塩あるいは金属酸化物等とを共存させて使用することもできる。
【００６７】
上記の金属、金属塩あるいは金属酸化物の具体例として、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、銀、鉛、錫、クロム等の金属、フッ化リチウム、フッ化アルミニウム等の金属フッ化物、炭酸セシウム等の金属炭酸化物等が挙げられる。
【００６８】
本発明の有機発光素子において、陽極を構成する材料としては仕事関数がなるべく大きなものがよい。例えば、金、銀、白金、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム等の金属単体あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物を使用することができる。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフェニレンスルフィド等の導電性ポリマーも使用できる。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよく、複数種類を併用して使用してもよい。また、陽極は単一の層で構成されてもよいし、複数の層で構成されていてもよい。
【００６９】
一方、陰極を構成する材料としては仕事関数の小さなものがよい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、銀、鉛、錫、クロム等の金属単体あるいはこれら金属単体を複数組み合わせて構成される合金又はこれらの塩等を使用することができる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。また、陰極は単一の層で構成されてもよいし、複数の層で構成されていてもよい。
【００７０】
本発明の有機発光素子で使用する基板は、特に限定するものではないが、金属製基板、セラミックス製基板等の不透明性基板、ガラス、石英、プラスチックシート等の透明性基板が用いられる。また、基板にカラーフィルター膜、蛍光色変換フィルター膜、誘電体反射膜等を用いて発色光をコントロールすることも可能である。
【００７１】
本発明の有機発光素子は、最終的に保護層で覆われていることが好ましい。保護層の素材としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属単体、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ＳｉＮx、ＳｉＯxＮy等の窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも一種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【００７２】
有機発光素子を覆う保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【００７３】
本発明の有機発光素子において、本発明の縮合多環芳香族化合物が含まれている層は、一般的に真空蒸着法、又は適当な溶媒に溶解させて塗布する塗布法により薄膜を形成する。塗布法による薄膜形成方法としては、例えば、スピンコート法、スリットコーター法、印刷法、インクジェット法、スプレー法等が挙げられる。本発明の縮合多環芳香族化合物の中でも分子量が２０００を超える場合は、化合物自体の昇華温度が高くなる傾向があるので、塗布法によって薄膜を形成することが好ましい。
【００７４】
塗布法よって薄膜を形成する場合、本発明の縮合多環芳香族化合物と溶媒とを含むインク組成物を調製する必要がある。このインク組成物に使用される溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、ジオキサン、テトラリン、メチルナフタレン、テトラヒドロフラン、ダイグライム等が挙げられる。
【００７５】
上記のインク組成物において、本発明の縮合多環芳香族化合物を含む固形成分の量は、インク組成物の全重量に対して、好ましくは、０．０５重量％以上２０重量％以下であり、より好ましくは、０．１重量％以上１０重量％以下である。０．０５重量％より小さいと、インク中の固形成分の濃度が極端に小さいので、製膜した際に膜質の安定性が損なわれる恐れがある。また、１０重量％より大きいと、インク中の固形成分が溶解しきれずに析出したり、製膜した際に厚膜化が起こったりするといった懸念がある。
【００７６】
本発明の有機発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率や色純度等を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率及び外部量子効率を向上させることが可能である。また、マイクロキャビティ構造（微小共振器構造）を使用して余分な波長成分を低減したり、カラーフィルターを具備したりすることで所望の色を得る等により色純度を向上させることが可能である。
【００７７】
本発明の有機発光素子は、開口率を向上させる目的で陽極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式であってもよいし、光緩衝によって色純度を調整するキャビティー構造を使用してもよい。
【００７８】
本発明の有機発光素子は、省エネルギーや高輝度が必要な製品への応用が可能である。応用例としては画像表示装置、プリンターの光源、照明装置、液晶表示装置のバックライト等が考えられる。
【００７９】
画像表示装置としては、例えば、省エネルギーや高視認性・軽量なフラットパネルディスプレイが挙げられる。
【００８０】
また、プリンターの光源としては、例えば、現在広く用いられているレーザビームプリンタのレーザー光源部を、本発明の有機発光素子に置き換えることができる。置き換える方法として、例えば、独立にアドレスできる有機発光素子をアレイ上に配置する方法が挙げられる。レーザー光源部を本発明の有機発光素子に置き換えても、感光ドラムに所望の露光を行うことで、画像形成することについては従来と変わりがない。ここで本発明の有機発光素子を用いることで、装置全体の体積を大幅に減少することができる。
【００８１】
照明装置やバックライトに関しては、本発明の有機発光素子を使用することで省エネルギー効果が期待できる。
【００８２】
次に、本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機発光素子を備えるものである。以下、図面を参照しながら、アクティブマトリクス方式の表示装置を例にとって、本発明の表示装置を詳細に説明する。
【００８３】
図２は、本発明の有機発光素子と駆動手段とを備える画像表示装置の一構成例を模式的に示す図である。図２の画像表示装置２０には、走査信号ドライバー２１、情報信号ドライバー２２、電流供給源２３が配置され、それぞれゲート選択線Ｇ、情報信号線Ｉ又は電流供給線Ｃに接続される。ゲート選択線Ｇと情報信号線Ｉとの交点には図４に示す画素回路が配置される。走査信号ドライバー２１は、ゲート選択線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３・・・Ｇｎを順次選択し、これに同期して情報信号ドライバー２２から画像信号が印加される。
【００８４】
次に、画素の動作について説明する。図３は、図２における表示装置に配置されている１つの画素を構成する回路を示す回路図である。図３の画素回路３０においては、ゲート選択線Ｇに選択信号が印加されると、第一の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１）３１がＯＮになり、コンデンサー（Ｃadd）３２に画像信号が供給され、第二の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）３３のゲート電圧を決定する。有機発光素子３４には第二の薄膜トランジスタ３３のゲート電圧に応じて電流供給線Ｃより電流が供給される。第二の薄膜トランジスタ３３のゲート電位は、第一の薄膜トランジスタ３１が次に走査選択されるまでコンデンサー３２に保持されるため、有機発光素子３４には次の走査が行われるまで電流が流れつづける。これにより１フレーム期間中、常に、有機発光素子３４を発光させることが可能となる。
【００８５】
図４は、本発明の表示装置の一実施形態を示す断面模式図である。図４において、表示装置４０の製造工程の一例を示しながら、表示装置４０の構造の詳細を以下に説明する。ガラス等の基板４１上に、基板４１の上部に作られる部材（ＴＦＴ又は有機化合物層）を保護するための防湿膜４２がコートされる。この防湿膜４２の構成材料であるコート材には、酸化ケイ素又は酸化ケイ素と窒化ケイ素との複合体等が用いられる。次に、スパッタリングによりＣｒ等の金属を成膜し、所定の回路形状にパターニングしてゲート電極４３を形成する。続いて、酸化シリコン等をプラズマＣＶＤ法又は触媒化学気相成長法（ｃａｔ−ＣＶＤ法）等により成膜し、パターニングしてゲート絶縁膜４４を形成する。次に、プラズマＣＶＤ法等により（場合によっては２９０℃以上の温度でアニールして）シリコン膜を成膜し、回路形状に従ってパターニングして半導体層４５を形成する。
【００８６】
さらに、上記半導体層４５上にドレイン電極４６とソース電極４７とをそれぞれ設けてＴＦＴ素子を作製することにより、図３に示される画素回路３０を形成する。次に、該ＴＦＴ素子の上部に絶縁膜４８を形成した後、コンタクトホール（スルーホール）４９を介して、金属からなる有機発光素子用の下部電極（陽極５０）をソース電極４７に電気接続するように形成する。
【００８７】
この陽極５０上に多層あるいは単層の有機化合物層５１と、陰極５２とを順次積層することで表示装置を得ることができる。尚、大気中の水分、酸素等から有機発光素子を保護するために、好ましくは、第一の保護層５４や第２の保護層５５を設ける。本発明の縮合多環芳香族化合物を使用する表示装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。
【００８８】
尚、本発明の表示装置は、スイッチング素子に特に限定はなく、単結晶シリコン基板やＭＩＭ素子、ａ−Ｓｉ型等でも容易に応用することができる。
【実施例】
【００８９】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９０】
［実施例１］＜例示化合物（１）の合成＞
【００９１】
【化１３】
2010018574.tif 000014
【００９２】
３００ｍｌの三ツ口フラスコに以下に示す試薬、溶媒を仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物［Ａ１］：１ｇ（１．８ｍｍｏｌ）
化合物［Ａ２］：０．７５ｇ（４．３ｍｍｏｌ）
Ｐｄ（ｄｂａ）2（ビス（ベンジリデンアセトン）パラジウム触媒）：０．７５ｇ（０．７ｍｍｏｌ）
Ｐ（Ｃｙ）3：０．８２ｇ（２．９ｍｍｏｌ）
脱水ジメチルホルムアミド：１００ｍｌ
【００９３】
次に、反応溶液を１５５℃に加熱した後この温度で９時間攪拌した。反応終了後、析出物をろ過し、クロロホルムに溶解させてから、カラム精製（充填材：シリカゲル，展開溶媒：クロロホルム）を行い、溶媒を減圧留去した。次に、クロロホルムで再結晶することにより、目的化合物［Ａ３］（例示化合物（１））を１１２ｍｇ（収率１１．８％）得た。
【００９４】
［実施例２］＜例示化合物（５１）の合成＞
【００９５】
【化１４】
2010018574.tif 000015
【００９６】
３００ｍｌの三ツ口フラスコに以下に示す試薬、溶媒を仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物［Ａ３］：１．９４ｇ（４．０ｍｍｏｌ）
Ｂ2ｐｉｎ2（ビスピナコロールボラン）：２．８６ｇ（１７ｍｍｏｌ）
［Ｉｒ（ＯＭｅ）（ＣＯＤ）］2（ビスシクロオクタジエン（メトキシ）パラジウム触媒）：０．１４ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）
ｄｔｂｐｙ（ジ−ターシャリーブチル−２，２’−ビピリジンｇ）：０．０４ｇ（０．１６ｍｍｏｌ）
シクロヘキサン：１００ｍｌ
【００９７】
次に、反応溶液を８０℃に加熱した後この温度で２７時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去して粗生成物を得た。次に、得られた粗生成物についてカラム精製（充填材：シリカゲル，展開溶媒：ヘプタン／クロロホルム＝１／１）を行った。次に、クロロホルム／メタノール混合溶媒で再結晶することにより、目的化合物［Ｂ１］（例示化合物（５１））を１．３ｇ（収率３２．８％）得た。
【００９８】
［実施例３］＜例示化合物（１５）の合成＞
【００９９】
【化１５】
2010018574.tif 000016
【０１００】
２００ｍｌ三ツ口フラスコに以下に示す試薬、溶媒を仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物［Ｂ１］：１．０ｇ（１．０ｍｍｏｌ）
ボラン化合物［Ｃ１］：０．８３ｇ（４．２ｍｍｏｌ）
トルエン：４０ｍｌ
エタノール：１０ｍｌ
【０１０１】
次に、反応溶液を室温で攪拌しながら、飽和炭酸ナトリウム水溶液１２ｍｌを滴下し、次いでＰｄ（ＴＰＰ）4［テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）］０．２３ｇ（０．２ｍｍｏｌ）を添加した。次に、反応溶液を室温で３０分攪拌した後、反応溶液を還流させながらさらに２４時間攪拌した。反応終了後、有機層をクロロホルムで抽出し、溶媒を減圧留去することで粗生成物を得た。次に、得られた粗生成物についてシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサンとクロロホルムの混合溶媒）で精製することにより、化合物［Ｃ２］（例示化合物（１５））を白色固体として０．３５ｇ（収率３１．８％）得た。
【０１０２】
［実施例４］＜例示化合物（２４）の合成＞
【０１０３】
【化１６】
2010018574.tif 000017
【０１０４】
５００ｍｌの三ツ口フラスコに以下に示す試薬、溶媒を仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物［Ｄ１］：１ｇ（１５．４ｍｍｏｌ）
ｏ−キシレン：２５０ｍｌ
【０１０５】
次に、以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
化合物［Ｄ２］：６．５ｇ（３８．５ｍｏｌ）
ナトリウム−ｔ−ブトキシド：３．７ｇ
酢酸パラジウム：０．６８ｇ
トリ（ｔ−ブトキシ）ホスフィン：２．５ｇ
【０１０６】
次に、反応溶液を１２０℃に加熱しこの温度で５時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去することで粗生成物を得た。次に、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）で精製することにより、化合物［Ｄ３］（例示化合物（２４））を３．８ｇ（収率８０％）得た。
【０１０７】
［実施例５］＜例示化合物（３４）の合成＞
【０１０８】
【化１７】
2010018574.tif 000018
【０１０９】
３００ｍｌの三ツ口フラスコに以下に示す試薬、溶媒を仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物［Ａ１］：１ｇ（１．８ｍｍｏｌ）
化合物［Ｅ１］：１．０５ｇ（４．３ｍｍｏｌ）
Ｐｄ（ｄｂａ）2（ビス（ベンジリデンアセトン）パラジウム触媒）：０．７５ｇ（０．７ｍｍｏｌ）
Ｐ（Ｃｙ）3：０．８２ｇ（２．９ｍｍｏｌ）
脱水ジメチルホルムアミド：１００ｍｌ
【０１１０】
次に、反応溶液を１５５℃に加熱しこの温度で２４時間攪拌した。反応終了後、析出物をろ過し、クロロホルムに溶解させて、カラム精製（充填材：シリカゲル，展開溶媒：クロロホルム）を行い、溶媒を減圧留去した。次に、クロロホルムで再結晶することにより、目的化合物［Ｅ２］（例示化合物（３４））を２５５ｍｇ（収率２２．２％）得た。
【０１１１】
［実施例６］＜有機発光素子の作製＞
図１（ａ）に示す構造の有機発光素子を作製した。尚、本実施形態において、本発明の縮合多環化合物は発光層に含まれる。
【０１１２】
まず、ガラス基板（透明基板１５）上に、スパッタ法にて酸化錫インジウム（ＩＴＯ）を成膜し透明電極１４を形成した。このとき透明電極１４の膜厚を１２０ｎｍとした。次に、この基板を、アセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄し、次いでＩＰＡで煮沸洗浄後、乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾンで洗浄した。このようにして処理した基板を透明導電性支持基板として使用した。
【０１１３】
上記の透明導電性支持基板上に、真空蒸着法により、下記に示されるα−ＮＰＤ［Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル［１，１’−ビフェニル］−４，４’―ジアミン］を成膜しホール注入・輸送層１３を形成した。このときホール注入・輸送層１３の膜厚を３０ｎｍとし、真空度を１．０×１０-4Ｐａとし、蒸着速度を０．２ｎｍ／ｓｅｃ乃至０．４ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０１１４】
【化１８】
2010018574.tif 000019
【０１１５】
次に、ホール注入・輸送層１３上に、真空蒸着法により、上記実施例１にて合成した化合物［Ａ３］［例示化合物（１）］を成膜し発光層１２を形成した。このとき発光層１２の膜厚を３０ｎｍとし、真空度を１．０×１０-4Ｐａとし、蒸着速度を０．２ｎｍ／ｓｅｃ乃至０．４ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０１１６】
次に、発光層１２上に、真空蒸着法により、下記に示されるＡｌｑ3（８−ヒドロキシキノリンアルミニウム）を成膜し電子注入・輸送層１１を形成した。このとき電子注入・輸送層１１の膜厚を２０ｎｍとし、真空度を１．０×１０-4Ｐａとし、蒸着速度を０．２ｎｍ／ｓｅｃ乃至０．４ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０１１７】
【化１９】
2010018574.tif 000020
【０１１８】
次に、電子注入・輸送層１１上に、真空蒸着法により、ＬｉＦ（フッ化リチウム）を成膜しＬｉＦ膜を形成した。このときＬｉＦ膜の膜厚を０．５ｎｍとし、真空度と１．０×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．１ｎｍ／ｓｅｃとした。次に、ＬｉＦ膜上に、真空蒸着法により、Ａｌを成膜しＡｌ膜を形成した。このときＡｌ膜の膜厚を１２０ｎｍとし、真空度を１．０×１０-4Ｐａとし、成膜速度を１．０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．２ｎｍ／ｓｅｃ以下とした。尚、ＬｉＦ膜及びＡｌ膜は金属電極１０として機能する。
【０１１９】
最後に、窒素雰囲気中で保護用ガラス板をかぶせ、アクリル樹脂系接着材で封止した。以上のようにして、有機発光素子を得た。
【０１２０】
得られた素子について、ＩＴＯ電極（透明電極１４）を正極、Ａｌ電極（金属電極１０）を負極にして直流電圧を印加すると、素子は青色発光を示した。また駆動電圧を５Ｖとしたときの発光輝度は７５０ｃｄ／ｍ2だった。
【０１２１】
また、初期輝度を２００ｃｄ／ｍ2に設定して定電流駆動試験（耐久試験）を行った。このとき発光輝度が初期輝度の１／２に減衰する時間（輝度半減時間）は５２０時間だった。
【０１２２】
［比較例１］
実施例６において、化合物［Ａ３］［例示化合物（１）］の代わりに、下記に示されるフルオランテン（アルドリッチ社製）を成膜し発光層１２を形成した以外は、実施例６と同様の方法により有機発光素子を作製した。尚、下記に示されるフルオランテンを成膜した直後に膜の白化現象が観察された。
【０１２３】
【化２０】
2010018574.tif 000021
【０１２４】
得られた素子について、ＩＴＯ電極（透明電極１４）を正極、Ａｌ電極（金属電極１０）を負極にして直流電圧を印加すると、素子は青色発光を示した。また駆動電圧を５Ｖとしたときの発光輝度は１２０ｃｄ／ｍ2だった。
【０１２５】
また実施例６と同様に定電流駆動試験を行ったところ、輝度半減時間は５時間だった。
【０１２６】
［実施例７］
実施例６において、化合物［Ａ３］［例示化合物（１）］の代わりに、実施例４にて合成した化合物［Ｄ３］［例示化合物（２４）］を成膜し発光層１２を形成した以外は、実施例６と同様の方法により有機発光素子を作製した。
【０１２７】
得られた素子について、ＩＴＯ電極（透明電極１４）を正極、Ａｌ電極（金属電極１０）を負極にして直流電圧を印加すると、素子は青緑色発光を示した。また駆動電圧を５Ｖとしたときの発光輝度は３２００ｃｄ／ｍ2だった。
【０１２８】
また、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ2に設定して定電流駆動試験（耐久試験）を行った。このとき発光輝度が初期輝度の１／２に減衰する時間（輝度半減時間）は９８０時間だった。
【０１２９】
［比較例２］
実施例６において、化合物［Ａ３］［例示化合物（１）］の代わりに、下記に示すＮ，Ｎ−ジ（メチルフェニル）−３−フルオランテンを成膜し発光層１２を形成した以外は、実施例６と同様の方法により有機発光素子を作製した。尚、下記のＮ，Ｎ−ジ（メチルフェニル）−３−フルオランテンは、特開２００２−４３０５８号公報に記載の化合物であり、同公報に記載の合成方法に準拠して得られる化合物である。
【０１３０】
【化２１】
2010018574.tif 000022
【０１３１】
得られた素子について、ＩＴＯ電極（透明電極１４）を正極、Ａｌ電極（金属電極１０）を負極にして直流電圧を印加すると、素子は青緑色発光を示した。また駆動電圧を５Ｖとしたときの発光輝度は１２００ｃｄ／ｍ2だった。
【０１３２】
また実施例７と同様に定電流駆動試験を行ったところ、輝度半減時間は４６時間だった。
【０１３３】
［実施例８］
実施例６において、化合物［Ａ３］［例示化合物（１）］の代わりに、実施例３にて合成した化合物［Ｃ２］［例示化合物（５７）］と、下記に示すＩｒ（ｐｉｑ）3（トリス（フェニルイソキノリン）イリジウム錯体）と、を共蒸着して発光層１２を形成した。これ以外は、実施例６と同様の方法により有機発光素子を作製した。尚、本実施例で使用されるＩｒ（ｐｉｑ）3は、Ｊｏｕｒａｎｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，１２３，４３０４（２００１）に記載の合成方法に準拠して得られる化合物である。また化合物［Ｃ２］とＩｒ（ｐｉｑ）3との蒸着レート比は、化合物［Ｃ２］／Ｉｒ（ｐｉｑ）3＝４／１とした。
【０１３４】
【化２２】
2010018574.tif 000023
【０１３５】
得られた素子について、ＩＴＯ電極（透明電極１４）を正極、Ａｌ電極（金属電極１０）を負極にして直流電圧を印加すると、素子は赤色発光を示した。また駆動電圧を５Ｖとしたときの発光輝度は８００ｃｄ／ｍ2だった。
【０１３６】
また、初期輝度を６００ｃｄ／ｍ2に設定して定電流駆動試験（耐久試験）を行った。このとき発光輝度が初期輝度の１／２に減衰する時間（輝度半減時間）は８５５時間だった。
【０１３７】
［実施例９］
発光層８において、化合物［Ｃ２］［例示化合物（５７）］の代わりに、実施例５にて合成した化合物［Ｅ２］［例示化合物（３４）］を使用した以外は、実施例８と同様の方法により有機発光素子を作製した。
【０１３８】
得られた素子について、ＩＴＯ電極（透明電極１４）を正極、Ａｌ電極（金属電極１０）を負極にして直流電圧を印加すると、素子は赤色発光を示した。また駆動電圧を５Ｖとしたときの発光輝度は８５０ｃｄ／ｍ2だった。
【０１３９】
また実施例８と同様に定電流駆動試験を行ったところ、輝度半減時間は７６０時間だった。
【０１４０】
［実施例１０］＜有機発光素子の作製＞
図１（ｃ）に示す構造の有機発光素子を作製した。尚、本実施例において、本発明の縮合多環化合物はホールブロック層に含まれる。
【０１４１】
まず、ガラス基板（透明基板１５）上に、スパッタ法にて酸化錫インジウム（ＩＴＯ）を成膜し透明電極１４を形成した。このとき透明電極１４の膜厚を１２０ｎｍとした。次に、この基板を、アセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄し、次いでＩＰＡで煮沸洗浄後、乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾンで洗浄した。このようにして処理した基板を透明導電性支持基板として使用した。
【０１４２】
上記の透明導電性支持基板上に、真空蒸着法により、ＣｕＰｃ（フタロシアニン銅錯体）を成膜しホール注入・輸送層１３を形成した。このときホール注入・輸送層１３の膜厚を５ｎｍとし、真空度を１．０×１０-4Ｐａとし、蒸着速度を０．２ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０１４３】
次に、ホール注入・輸送層１３上に、真空蒸着法により、α−ＮＰＤを成膜しインターレイヤー層１６を形成した。このときインターレイヤー層１６の膜厚を３０ｎｍとし、真空度を１．０×１０-4Ｐａとし、蒸着速度を０．２ｎｍ／ｓｅｃ乃至０．４ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０１４４】
次に、インターレイヤー層１６上に、真空蒸着法により、Ａｌｑ3を成膜し発光層１２を形成した。このとき発光層１２の膜厚を２０ｎｍとし、真空度を１．０×１０-4Ｐａとし、蒸着速度を０．２ｎｍ／ｓｅｃ乃至０．４ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０１４５】
次に、発光層１２上に、真空蒸着法により、実施例１にて合成した化合物［Ａ３］［例示化合物（１）］を成膜しホールブロック層１７を形成した。このときホールブロック層１７の膜厚を２０ｎｍとし、真空度を１．０×１０-4Ｐａとし、蒸着速度を０．２ｎｍ／ｓｅｃ乃至０．４ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０１４６】
次に、ホールブロック層１７上に、真空蒸着法により、Ａｌｑ3を成膜し電子注入・輸送層１１を形成した。このとき電子注入・輸送層１１の膜厚を２０ｎｍとし、真空度を１．０×１０-4Ｐａとし、蒸着速度を０．２ｎｍ／ｓｅｃ乃至０．４ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０１４７】
次に、電子注入・輸送層１１上に、真空蒸着法により、ＬｉＦ（フッ化リチウム）を成膜しＬｉＦ膜を形成した。このときＬｉＦ膜の膜厚を０．５ｎｍとし、真空度を１．０×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．１ｎｍ／ｓｅｃとした。次に、ＬｉＦ膜上に、真空蒸着法により、Ａｌを成膜しＡｌ膜を形成した。このときＡｌ膜の膜厚を１２０ｎｍとし、真空度を１．０×１０-4Ｐａとし、成膜速度を１．０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．２ｎｍ／ｓｅｃ以下とした。尚、ＬｉＦ膜及びＡｌ膜は金属電極１０として機能する。
【０１４８】
最後に、窒素雰囲気中で保護用ガラス板をかぶせ、アクリル樹脂系接着材で封止した。以上のようにして、有機発光素子を得た。
【０１４９】
得られた有機発光素子について、ＩＴＯ電極（透明電極１４）を正極、Ａｌ電極（金属電極１０）を負極にして直流電圧を印加すると、素子は緑色発光を示した。また駆動電圧を５Ｖとしたときの発光輝度は３５００ｃｄ／ｍ2だった。
【０１５０】
また、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ2に設定して定電流駆動試験（耐久試験）を行った。このとき発光輝度が初期輝度の１／２に減衰する時間（輝度半減時間）は６８０時間だった。
【０１５１】
［比較例３］
実施例１０において、ホールブロック層１７の形成を省略し、電子注入・輸送層１１の膜厚を４０ｎｍとした以外は、実施例１０と同様の方法により有機発光素子を作製した。
【０１５２】
得られた有機発光素子について、ＩＴＯ電極（透明電極１４）を正極、Ａｌ電極（金属電極１０）を負極にして直流電圧を印加すると、素子は緑色発光を示した。また駆動電圧を５Ｖとしたときの発光輝度は１８００ｃｄ／ｍ2だった。
【０１５３】
また実施例１０と同様に定電流駆動試験を行ったところ、輝度半減時間は５５時間だった。
【０１５４】
実施例１０と比較例３との比較から、実施例１０では、陽極側から注入されたホールがホールブロック層１７でブロックされて発光層１２内に閉じ込められる。これにより、より高い輝度が得られたことが確認できた。一方、比較例１は、発光層１２と電子注入・輸送層１１とが同一の構成材料である。この場合、ホールをブロックする効果（発光層内でのキャリアの閉じ込め効果）が小さいことから、高い輝度が得られなかった。また、素子の効率の差異が耐久性にも影響した可能性が高いともいえる。
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１】本発明の有機発光素子の実施形態の例を示す断面図であり、（ａ）は、第一の実施形態を示す断面図であり、（ｂ）は、第二の実施形態を示す断面図であり、（ｃ）は、第三の実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の有機発光素子と駆動手段とを備える画像表示装置の一構成例を模式的に示した図である。
【図３】図２における表示装置に配置されている１つの画素を構成する回路の示す回路図である。
【図４】本発明の表示装置の一実施形態を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【０１５６】
１ａ，１ｂ，１ｃ  有機発光素子
１０  金属電極
１１  電子注入・輸送層
１２  発光層
１３  ホール注入・輸送層
１４  透明電極
１５  透明基板
１６  インターレイヤー層
１７  ホールブロック層
２０  画像表示装置
２１  走査信号ドライバー
２２  情報信号ドライバー
２３  電流供給源
３０  画素回路
３１  第一の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１）
３２  コンデンサー（Ｃadd）
３３  第二の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）
３５  陰極
４０  表示装置
４１  基板
４２  防湿膜
４３  ゲート電極
４４  ゲート絶縁膜
４５  半導体層
４６  ドレイン電極
４７  ソース電極
４８  絶縁膜
４９  コンタクトホール（スルーホール）
５０  陽極
５１  有機化合物層
５２  陰極
５３  第一の保護層
５４  第二の保護層
【図１】
2010018574.tif 000028
【図２】
2010018574.tif 000029
【図３】
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【図４】
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