(57)【要約】【課題】加工精度を向上できる研磨処理物の製造方法、及びこの製造方法で製造される基板を提供すること。【解決手段】研磨粒子を含む磁性流体３０を用い、対象物５０の被研磨部位５１を研磨して研磨処理物を製造する研磨処理物の製造方法は、磁力を発するホイール１１の円周面１１１上においた磁性流体３０に被研磨部位５１を接触させた状態で、円周面１１１及び対象物５０を相対移動させることで、被研磨部位５１を研磨する工程を有し、被研磨部位５１の研磨を２回以上行う。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨粒子を含む磁性流体を用い、対象物の被研磨部位を研磨して研磨処理物を製造する研磨処理物の製造方法であって、
磁力を発するホイールの円周面上においた前記磁性流体に前記被研磨部位を接触させた状態で、前記円周面及び前記対象物を相対移動させることで、前記被研磨部位を研磨する工程を有し、
前記被研磨部位の研磨を２回以上行う研磨処理物の製造方法。
【請求項２】
少なくとも初回の前記被研磨部位の研磨は、前記円周面上におかれた前記磁性流体の最大高さの５％以上の深さに前記被研磨部位が押し込まれた状態で行う請求項１記載の研磨処理物の製造方法。
【請求項３】
少なくとも初回の前記被研磨部位の研磨は、前記円周面上におかれた前記磁性流体の最大高さの６５％以下の深さに前記被研磨部位が押し込まれた状態で行う請求項１又は２記載の研磨処理物の製造方法。
【請求項４】
前記磁性流体は、３０．０×１０−３Ｐａ・ｓ以上６３．０×１０−３Ｐａ・ｓ以下の粘性係数を有する請求項１から３いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【請求項５】
前記研磨粒子は、０．５μｍ以上３０μｍ以下の平均粒子径を有する請求項１から４いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【請求項６】
前記研磨粒子は、酸化セリウム及びダイヤモンドからなる群より選ばれる１種以上からなる請求項１から５いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【請求項７】
前記被研磨部位の研磨後の設計形状との形状誤差のＰＶ値の、前記被研磨部位の研磨前の設計形状との形状誤差のＰＶ値に対する比が１／５以下になるまで、前記被研磨部位の研磨を繰り返して行う請求項１から６いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【請求項８】
前記被研磨部位の研磨後の設計形状との形状誤差のＰＶ値が１００ｎｍＰＶ以下になるまで、前記被研磨部位の研磨を繰り返して行う請求項１から７いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【請求項９】
前記被研磨部位の設計形状との形状誤差のＰＶ値をあらかじめ７００ｎｍＰＶ以下に調節する工程を更に有する請求項１から８いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【請求項１０】
前記被研磨部位の研磨を行う度に前記被研磨部位の形状を測定し、その測定結果に基づいて、前記円周面及び前記対象物の相対移動の速度を調節する制御を行う請求項１から９いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【請求項１１】
前記対象物としてガラス板を用い、請求項１から１０いずれか記載の製造方法で製造される基板。
【請求項１２】
請求項１１記載の基板からなるフォトマスク用基板。
【請求項１３】
請求項１２記載のフォトマスク用基板を用いたフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨処理物の製造方法に関し、特にフォトマスクに用いられる基板を製造する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯通信端末、光記録再生装置、デジタル表示器等の性能及び機能の進歩が著しく、また、ナノエレクトロニクスを牽引する半導体分野では、例えばＥＵＶ光を用いたリソグラフィー装置に使用するフォトマスク基板、ミラー基板等の光学部品の超高細密加工技術への要請が強まっている。この結果、超精密・超微細光学部品等の精度をサブミクロンからナノレベルに至るまで、高い再現性で達成できる技術が求められる。
【０００３】
まず、材料に関しては、クリアセラム（オハラ社）、Ｚｅｒｏｄｕｒ（ショット社）、Ｚｅｒｏｄｕｒ−Ｍ（ショット社）、ＵＬＥ（コーニング社）等の極低膨張材料が知られている。これらの材料は、その熱膨張が極めて小さく、温度環境の変化に対しても寸法の均一性が高いため、有用である。
【０００４】
他方、これらの材料から光学部品を高精度に製造する技術に関しては、研磨粒子を含む磁性流体を用い、材料を研磨して光学部品を製造する磁性流体研磨（Ｍａｇｎｅｔｒｏ−Ｒｈｅｏｌｏｇｉｃａｌ  Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ）法が開発されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特表平１１−５１１３９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に示されるような従来の方法では、ある一定以上の精度は得られるものの、上記の分野で求められるレベルの精度においては、高い再現性で設計形状へと加工することが困難であった。また、特許文献１に示される従来の方法は、加工の精度を高くしようとするほど、加工に長時間を必要とするため、短時間で大量の生産が求められる工業的な使用には不向きである。
【０００６】
本発明は、以上の実情に鑑みてなされたものであり、加工精度を向上でき且つ加工時間を短縮できる研磨処理物の製造方法、及びこの製造方法で製造される基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、磁性流体研磨法による被研磨部位の研磨を２回以上行うことで、加工精度が向上し、結果的に加工時間の短縮も可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。
【０００８】
（１）  研磨粒子を含む磁性流体を用い、対象物の被研磨部位を研磨して研磨処理物を製造する研磨処理物の製造方法であって、
磁力を発するホイールの円周面上においた前記磁性流体に前記被研磨部位を接触させた状態で、前記円周面及び前記対象物を相対移動させることで、前記被研磨部位を研磨する工程を有し、
前記被研磨部位の研磨を２回以上行う研磨処理物の製造方法。
【０００９】
（２）  少なくとも初回の前記被研磨部位の研磨は、前記円周面上におかれた前記磁性流体の最大高さの５％以上の深さに前記被研磨部位が押し込まれた状態で行う（１）記載の研磨処理物の製造方法。
【００１０】
（３）  少なくとも初回の前記被研磨部位の研磨は、前記円周面上におかれた前記磁性流体の最大高さの６５％以下の深さに前記被研磨部位が押し込まれた状態で行う（１）又は（２）記載の研磨処理物の製造方法。
【００１１】
（４）  前記磁性流体は、３０．０×１０−３Ｐａ・ｓ以上６３．０×１０−３Ｐａ・ｓ以下の粘性係数を有する（１）から（３）いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【００１２】
（５）  前記研磨粒子は、０．５μｍ以上３０μｍ以下の平均粒子径を有する（１）から（４）いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【００１３】
（６）  前記研磨粒子は、酸化セリウム及びダイヤモンドからなる群より選ばれる１種以上からなる（１）から（５）いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【００１４】
（７）  前記被研磨部位の研磨後の設計形状との形状誤差のＰＶ値の、前記被研磨部位の研磨前の設計形状との形状誤差のＰＶ値に対する比が１／５以下になるまで、前記被研磨部位の研磨を繰り返して行う（１）から（６）いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【００１５】
（８）  前記被研磨部位の研磨後の設計形状との形状誤差のＰＶ値が１００ｎｍＰＶ以下になるまで、前記被研磨部位の研磨を繰り返して行う（１）から（７）いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【００１６】
（９）  前記被研磨部位の設計形状との形状誤差のＰＶ値をあらかじめ７００ｎｍＰＶ以下に調節する工程を更に有する（１）から（８）いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【００１７】
（１０）  前記被研磨部位の研磨を行う度に前記被研磨部位の形状を測定し、その測定結果に基づいて、前記円周面及び前記対象物の相対移動の速度を調節する制御を行う（１）から（９）いずれか記載の研磨処理物の製造方法。
【００１８】
（１１）  前記対象物としてガラス板を用い、（１）から（１０）いずれか記載の製造方法で製造される基板。
【００１９】
（１２）  （１１）記載の基板からなるフォトマスク用基板。
【００２０】
（１３）  （１２）記載のフォトマスク用基板を用いたフォトマスク。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、磁性流体研磨法による被研磨部位の研磨を２回以上行ったので、研磨処理物の形状と、設計形状との誤差が大幅に低減し、加工精度を向上できる。また、各研磨の条件（特に、被研磨部位に接触する磁性流体の形状等）を適宜設定することで、同等の加工精度を単数回の研磨よりも高い再現性で得ることができ、加工時間を格段に短縮することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２３】
本発明に係る研磨処理物の製造方法では、研磨粒子を含む磁性流体を用い、対象物の被研磨部位を研磨して研磨処理物を製造する。製造工程の詳細を、研磨装置の一例を用いた態様に関して説明する。なお、各図に示される構成要素の一部は、説明の便宜により誇張して表現されている場合もあり、この場合、各図における構成要素の大きさの比率は、実際に想定される大きさの比率から外れる。
【００２４】
図１は、本発明に係る製造方法で使用できる研磨装置１０の部分斜視図であり、図２は図１の研磨装置１０の側面図である。研磨装置１０はホイール１１を備え、このホイール１１はその回転軸１１３が設けられていない面として、円周面１１１を有する。
【００２５】
円周面１１１に略密着するようにして、流体供給ノズル１３及び流体回収部１５が配置されている。流体供給ノズル１３は、供給管１４を通して流体源から移送された磁性流体３０を円周面１１１へと供給し、流体回収部１５は、円周面１１１から回収した磁性流体３０を、回収管１６を通して流体源へと戻す。このようにして磁性流体が循環される。
【００２６】
ここで、図３に示されるように、円周面１１１のうち流体供給ノズル１３と流体回収部１５との間の磁化部分１１２の近傍（本実施形態では内方）では、磁力付加部２０が発生する磁場の影響で、磁性流体３０が円周面１１１に固着され、円周面１１１とともに回転するようになる。
【００２７】
磁化部分１１２には、対象物５０の被研磨部位５１が隙間ＣＬをあけて対向配置される。ここで、位置調節部１７が伸縮することで、被研磨部位５１及び磁化部分１１２の隙間ＣＬの距離が調節される。これにより、被研磨部位５１が磁性流体３０に接触した状態でホイール１１を回転すると、被研磨部位５１及び磁性流体３０が相対移動するため、磁性流体３０に含まれる磁性粒子によって被研磨部位５１が局所的に研磨されることになる。
【００２８】
位置調節部１７は、被研磨部位５１を水平方向にも移動でき、また被研磨部位５１の姿勢（角度）を変更することもできるので、被研磨部位５１の全体を任意形状へと研磨できる。位置調節部１７による被研磨部位５１の水平方向への移動軌道は、被研磨部位５１の形状等に応じて適宜設定されてよく、特に限定されないが、被研磨部位５１の形状が略円である場合には外側から中心部へ経て再度外側へと向かう螺旋軌道（図４（ａ））であることが好ましく、矩形である場合には平行往復軌道（図４（ｂ））であることが好ましい。
【００２９】
なお、本実施形態では、被研磨部位５１及び円周面１１１の相対移動を、ホイール１１の回転によって達成したが、これに限られず、被研磨部位５１を円周面１１１に沿った円軌道で移動させてもよい。ただし、この場合には、磁性流体３０の供給及び回収のため、被研磨部位５１の移動に伴って流体供給ノズル１３及び流体回収部１５も移動させる必要があるため、装置の簡素化の観点では本実施形態の方が好ましい。
【００３０】
本発明の製造方法は、磁力を発するホイール１１の円周面１１１上においた磁性流体３０に被研磨部位５１を接触させた状態で、円周面１１１及び対象物５０を相対移動させることで、被研磨部位５１を研磨する工程を有し、被研磨部位５１の研磨を２回以上行うことを特徴とする。これにより、得られる研磨処理物の形状と、設計形状との誤差が大幅に低減し、加工精度を向上できる。
【００３１】
従来、単数回の研磨で高い加工精度を確保しようとする場合、被研磨部位に接触する磁性流体の形状を小さくする必要があると考えられてきた。被研磨部位に接触する磁性流体の形状を小さくすると、単位時間当たりの加工量が小さくなるため、被研磨部位の全体を研磨するのに費やされる時間が長くならざるを得ない。ここで、磁性流体研磨法を用いた研磨装置は非常に高価であるため、前記装置の稼働時間に対する研磨処理物の生産数の最大化が求められている。また、被研磨部位に接触する磁性流体の形状を小さくすると、加工精度の再現性が悪く、所望の加工精度が得られない場合もあった。しかし、本発明の方法では、研磨を２回以上行うことにより、各研磨の条件を適宜設定（例えば、被研磨部位５１に接触する磁性流体３０の形状等を大きくする）すれば、高い再現性で所望の加工精度を達成でき、且つ加工精度を維持しつつ研磨装置の占有時間を格段に短縮することもできる。これにより、製造コストを削減しつつ、製造効率を向上できる。
【００３２】
図５は、対象物５０の被研磨部位５１の変化を示す模式図である。まず、第１回目の研磨で磁性流体３０によって被研磨部位５１を研磨する（図５（ａ））。すると、被研磨部位５１の形状が変化し、被研磨部位５１よりも設計形状に近い表面を有する被研磨部位５１’が形成される（図５（ｂ））。更に、第２回目の研磨で磁性流体３０によって被研磨部位５１’を研磨する。これにより、被研磨部位５１’の凸部が磁性流体３０によって削り取られるため、被研磨部位５１’より更に設計形状に近い表面６１を有する研磨処理物６０が製造される（図５（ｃ））。
【００３３】
ここで、被研磨部位５１の研磨は、被研磨部位５１が磁性流体３０に押し込まれ、被研磨部位５１に接する磁性流体３０が被研磨部位５１の凸部を削り取ることにより行われる。このため、一般に、被研磨部位５１を磁性流体３０に押し込む深さが不充分であると、加工面積が小さくなるため、被研磨部位５１を所望の形状へと研磨するのに費やされる時間が長期化しやすい。そこで、少なくとも初回の被研磨部位５１の研磨は、円周面１１１上におかれた磁性流体３０の最大高さＨＭの５％以上の深さＤに被研磨部位５１が押し込まれた状態で行うことが好ましく、より好ましくは２０％以上、最も好ましくは５０．０％以上である。
【００３４】
図６は、図２の研磨装置のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である図３の要部拡大図であり、図７は図２の研磨装置のＶＩＩ−ＶＩＩ線拡大断面図である。図７に示されるように、最大高さＨＭは、円周面１１１から磁性流体３０の表面への、円周面１１１の法線方向に関する距離の最大値を指す。また、図６に示されるように、被研磨部位５１が押し込まれた深さＤとは、最大高さＨＭから、最大高さＨＭを画定していた地点１１４から被研磨部位５１への距離Ｈｍを差し引いた値を指す。
【００３５】
他方、研磨は、磁性流体３０が被研磨部位５１を局所的に加工しつつ、被研磨部位５１の全面をなぞる（スキャン）ので、原理上アーチ状の加工痕が多少残り、これが加工精度低下の原因になる。ここで、被研磨部位５１が磁性流体３０に押し込まれる深さが大きくなるにつれ、局所的に削り取られる被研磨部位５１の大きさも増すため、加工痕が大きく残りやすい。そこで、少なくとも初回の被研磨部位５１の研磨は、円周面１１１上におかれた磁性流体３０の最大高さの６５％以下の深さに被研磨部位５１が押し込まれた状態で行うことが好ましく、より好ましくは６０％以下、最も好ましくは５５％以下である。
【００３６】
なお、上記した押し込み条件は、少なくとも初回の研磨において採用すればよく、２回目以降においても採用することが好ましいが、採用しなくてもよい。また、上記の押し込み条件を２回目以降においても採用する場合、各研磨における押し込み条件を共通としてもよいし、互いに異なるものとしてもよい。
【００３７】
図５では、被研磨部位の研磨を２回行う態様を示したが、これに限られず、３回以上行ってもよい。具体的に被研磨部位の研磨は、被研磨部位の研磨後の設計形状との形状誤差のＰＶ値の、被研磨部位の研磨前の設計形状との形状誤差のＰＶ値に対する比が１／５以下になるまで繰り返して行うことが好ましく、より好ましくは１／５．３以下、最も好ましくは１／５．５以下である。これにより、充分な加工精度を確保できる。なお、上記比の下限は、ゼロに近い程好ましいが、それに伴う研磨回数の増加による製造工程の長期化とのバランスを考慮して適宜設定すればよい。
【００３８】
本明細書においてＰＶ値とは、基準面ＢＰの各々の点から測定対象面への法線方向に関する距離を測定し、その最高点の距離ＬＭと最低点の距離Ｌｍとの和の値を指す（図５（ａ）参照）。ここで、基準面ＢＰとは、測定対象の面の各々の点からの法線方向の距離の二乗和が最小となる面である。ＰＶ値は、特に限定されないが、Ｈｅ−Ｎｅレーザーリング光源／点光源切り替え式による高精度レーザ干渉式形状測定器「ＶｅｒｉＦｉｒｅ-ＡＴ」（ＺＹＧＯ社製）等を用いて測定できる。
【００３９】
同様の理由により、被研磨部位の研磨は、被研磨部位の研磨後の設計形状との形状誤差のＰＶ値が１００ｎｍＰＶ以下になるまで繰り返して行うことが好ましく、より好ましくは９０ｎｍＰＶ以下、最も好ましくは８０ｎｍＰＶ以下である。これにより、充分な加工精度を確保できる。なお、上記ＰＶ値の下限は、ゼロに近い程好ましいが、それに伴う研磨回数の増加による製造工程の長期化とのバランスを考慮して適宜設定すればよい。
【００４０】
（予備工程）
次に、平坦な基板を製造する方法を例として、予備工程を説明する。予備工程は、磁性流体研磨法による加工を行う前に、対象物を設計形状に近づけるための加工工程である。ただし、曲面を有する基板を製造する場合にも、以下に説明する方法に限られず、公知の方法に従って、磁性流体研磨法による加工を行う前に設計形状に近づけるための加工を行ってよい。
【００４１】
本発明に係る製造方法は、被研磨部位の研磨に費やされる時間を短縮できるよう、被研磨部位の設計形状との形状誤差のＰＶ値をあらかじめ７００ｎｍＰＶ以下に調節する工程を更に有することが好ましく、より好ましくは６９０ｎｍＰＶ以下、最も好ましくは６８０ｎｍＰＶ以下である。かかる予備工程としては、加工工程、ラップ工程、研削加工工程が挙げられる。
【００４２】
加工工程では、ダイヤモンドもしくは超硬合金等からなるカッター、バンドソー、内周刃、もしくは砥石を用いて、切断、ロータリー研削、又は研磨し、最終形状に近い形状に加工する。
【００４３】
ラップ工程では、対象物の形状を所望の形状へと更に近似させるとともに、全体の反り等を修正して表面を略平坦化する。この工程では、両面加工機又は片面加工機を使用し、固定砥粒で粒度等を調節する。ただし、場合によっては、一次研削及び二次研削のように段階的に行ってもよい。固定砥粒としては、炭化ケイ素、アルミナ等からなる粒子を固化したものや、ダイヤモンドを、メタルボンド、レジンボンド、ビトリファイドボンド、又は電着によって固化したものをペレット状にしたものが使用される。また、研削工程の前後又は間に、ＮＣ加工機等を用いてチャンファー加工及びチャンファー研磨を行ってもよい。
【００４４】
研削加工工程は、固定砥粒の粒度等の条件を変え、片面加工機を用いて行う。場合によっては、一次研削、二次研削等のように段階的に研削加工を行った後に、更に形状を所望化するための工程である。ラップ工程及び研削加工工程はいずれか一方のみ行ってもよく、その順序が入れ替わってもよい。
【００４５】
本発明の製造方法では、被研磨部位の研磨を行う度に被研磨部位の形状を測定し、その測定結果に基づいて、円周面１１１及び対象物５０の相対移動の速度を調節する制御を行うことが好ましい。例えば、図５（ｂ）に示す被研磨部位５１’の研磨を行う前に、被研磨部位５１’の形状を測定し、その測定結果に基づく制御を行うことが好ましい。これにより、設計形状に近似した形状の研磨処理物を効率的に製造できる。例えば、被研磨部位のうち、設計形状との形状誤差が大きい箇所においては相対移動の速度を低下し、設計形状との形状誤差が小さい箇所においては相対移動の速度を増加することで、高い加工精度を維持しつつ研磨時間を短縮できる。
【００４６】
また、上記の制御は、所望の研磨レートも併せて考慮しつつ行うことが好ましい。つまり、対象物５０と同じ素材からなる試料を種々の条件下、磁性流体研磨法で研磨した際の研磨レートをそれぞれ測定し、所望の研磨レートが得られる条件を予め求めておけばよい。なお、研磨レートの測定のための研磨が、被研磨部位の研磨に含まれないことは明らかである。
【００４７】
具体的に、本実施形態の研磨装置１０は位置調節部１７、支持部１９、及びホイール１１の動作を制御するＮＣ制御装置を備えている。従って、このＮＣ制御装置に所望の設定値を入力することで、高精度レーザ干渉式形状測定器（例えば「ＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴ」（Ｚｙｇｏ社製））等による対象物５０の被研磨部位５１の形状の測定結果に基づく動作制御を行えばよい。なお、動作制御の手順自体は、特許文献１に記載される通り周知技術であるため、その説明を省略する。
【００４８】
被研磨部位の形状の測定は各研磨の前に行い、速度調節制御も各研磨において行うことが好ましいが、これに限られず、上記工程を行う回と行わない回とを組み合わせてもよい。なお、上記工程は、特に限定されないが、基本的に初回の研磨においては行う必要がある。
【００４９】
（磁性流体）
磁性流体は、担体中に非コロイド磁気物質が分散された流体であり、磁界下におかれると、レオロジー特性（粘性、弾性、及び可塑性）が変化する。具体的な組成は、周知技術に従って適宜設定されてよい。
【００５０】
ここで、円周面１１１上の磁性流体３０の最大高さが大きい程、被研磨部位５１に押し込まれる深さである最大高さの所定割合の絶対値も大きくなり、結果的に被研磨部位５１を所望の形状へと研磨するのに費やされる時間を短縮できる。このため、円周面１１１上の磁性流体３０の最大高さを充分に確保できるよう、磁性流体は、３０．０×１０−３Ｐａ・ｓ以上の粘性係数を有することが好ましく、より好ましくは４０．０×１０−３Ｐａ・ｓ以上、最も好ましくは３５．０×１０−３Ｐａ・ｓ以上である。なお、ここで言う粘性係数は、磁性流体が無磁場（磁界を積極的に発生していない雰囲気）におかれた際の粘性係数を指す。粘性係数が上記範囲にある場合、通常、ホイールの円周面上におかれた磁性流体の最大高さは１．０ｍｍ〜２．０ｍｍになる。
【００５１】
他方、磁性流体の粘性係数が過剰であると、流体回収部１５による磁性流体の回収が不充分になったり、磁性流体が供給管１４及び回収管１６を詰まらせたりといった不具合が生じやすい。このため、磁性流体は、６３．０×１０−３Ｐａ・ｓ以下の粘性係数を有することが好ましく、より好ましくは５８．０×１０−３Ｐａ・ｓ以下、最も好ましくは５３．０×１０−３Ｐａ・ｓ以下である。
【００５２】
本発明で使用される磁性流体は研磨粒子を含む。研磨粒子は、得られる研磨処理物６０の表面６１の表面粗さを所望値以下にしやすい点で、３０μｍ以下の平均粒子径を有することが好ましく、より好ましくは２０μｍ以下、最も好ましくは１５μｍ以下である。
【００５３】
他方、研磨粒子の平均粒子径が過小であると、研磨効率が悪化しやすい。そこで、研磨粒子の平均粒子径は０．５μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは３．０μｍ以上、最も好ましくは５．０μｍ以上である。
【００５４】
研磨粒子は、シリカ、酸化セリウム、ダイヤモンド等の公知素材の１種以上からなってよいが、研磨効率を向上できる点で、酸化セリウム及びダイヤモンドからなる群より選ばれる１種以上からなることが好ましい。具体的には、ダイヤモンドペースト（ＱＥＤテクノロジーズ社製Ｄ−２０、Ｄ−１０等）、酸化セリウム（ＱＥＤテクノロジーズ社製Ｃ−２０、Ｃ−１０等）が使用できる。特に、設計形状との誤差及び表面粗さを所望値以下にしやすい点で、研磨粒子はダイヤモンドからなることがより好ましい。
【００５５】
（対象物）
対象物は、研磨が必要である被研磨部位を有する限りにおいて特に限定されず、所望の用途に応じて、任意の素材及び形状のものから選択できる。素材は、例えば、金属、ガラス（ガラスセラミックスも含む）等であってよく、ガラスであることが好ましく、中でも研磨によるスクラッチが発生しにくい点でガラスセラミックスがより好ましい。ガラスセラミックスは、低膨張特性を得やすい点で、β−石英（β−ＳｉＯ２）及び／又はβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ２固溶対）を含有することが好ましい。また、表面は、図２に示すような凸面に限られず、図８に示すような平坦面、図９に示すような凹面等であってよい。
【００５６】
中でも、対象物としてガラス板を用いることで製造される基板は、所望の表面特性及び低膨張特性を有し、有用である。ガラス板としては、クリアセラム（オハラ社）、Ｚｅｒｏｄｕｒ（ショット社）、Ｚｅｒｏｄｕｒ−Ｍ（ショット社）、ＵＬＥ（コーニング社）等のアモルファスガラス又は結晶化ガラス等の極低膨張材料からなる平板が好ましい。
【００５７】
かかる基板からなるフォトマスク用基板、及びこのフォトマスク用基板を用いたフォトマスクは、露光光としてＥＵＶ（超紫外線）を用いたリソグラフィーにおいて有用であり、半導体等の超精密・超微細光学部品の製造において活用できる。
【実施例】
【００５８】
直径１００ｍｍ×厚み２５ｍｍの寸法を有する極低膨張ガラスセラミックス「クリアセラム−Ｚ」（オハラ社製）を対象物として用い、ＭＲＦ（商標）研磨機「Ｑ２２−Ｙ」（ＱＥＤテクノロジーズ社製）を用いて研磨を行った。所望の設計形状は平面である。研磨の条件は表１に示す通りである。使用した磁性流体の粘性係数は４６．５×１０−３Ｐａ・ｓであり、研磨粒子はダイヤモンドからなり１０μｍの平均粒子径を有しており、ホイールの円周面上の研磨粒子を含む磁性流体の最大高さは１．８ｍｍであった。また、各研磨前後には高精度レーザ干渉式形状測定器「ＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴ」（Ｚｙｇｏ社製）を用いて対象物の表面形状を測定し、この測定結果に基づいて各研磨においてＮＣ制御装置による制御を行った。その際に研磨に費やされた時間もあわせて表１に示す。
【００５９】
【表１】
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※押し込み率とは、磁性流体の最大高さに対する、被研磨部位が押し込まれた深さの割合を指す。
【００６０】
表１に示されるように、研磨を１回のみ行った比較例１〜６では、研磨に多大な時間が費やされたにもかかわらず、研磨処理物のＰＶが大きく、加工精度が低かった。これに対して、実施例１〜５では、研磨を２回以上行ったにもかかわらず、研磨に費やされた時間の合計は比較例１〜６よりも大幅に短く、しかも研磨処理物のＰＶも小さく、高い加工精度が得られた。これにより、磁性流体研磨法による被研磨部位の研磨を２回以上行うことで、加工精度を向上できるとともに、結果的に研磨処理物の製造効率も向上できることが確認された。
【００６１】
本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明に係る製造方法で使用できる研磨装置の部分斜視図である。
【図２】図１の研磨装置の側面図である。
【図３】図２の研磨装置のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】図３の要部拡大図である。
【図５】本発明に係る製造方法における対象物の被研磨部位の変化を示す模式図である。
【図６】図３の要部拡大図である。
【図７】図２の研磨装置のＶＩＩ−ＶＩＩ線拡大断面図である。
【図８】本発明に係る製造方法で使用できる対象物の形状のバリエーションを示す図である。
【図９】本発明に係る製造方法で使用できる対象物の形状のバリエーションを示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０  研磨装置
１１  ホイール
１１１  円周面
１１２  磁化部分
１１３  回転軸
１３  流体供給ノズル
１４  供給管
１５  流体回収部
１６  回収管
１７  位置調節部
２０  磁力付加部
３０  磁性流体
５０  対象物
５１  被研磨部位
６０  研磨処理物
６１  表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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