(57)【要約】【課題】  内部接続ピンの特性インピーダンスのばらつきを抑制することにより、その高周波特性を向上させることを目的とする。【解決手段】  下面に多数の内部電極１５が形成されたメイン基板１０と、下面に多数のコンタクトプローブ２１が形成され、上面に多数の内部電極２５が形成されたコンタクトユニット２０と、メイン基板１０及びコンタクトユニット２０間に配置され、内部電極１５及び２５を導通させる多数の内部接続ピン３０と、隣接する内部接続ピン３０の間に配置されたインピーダンス調整プレート３１とを有する。このため、内部接続ピン３０の特性インピーダンスを調整し、プローブカードの高周波特性を改善することができる。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に２以上の第１電極が形成されたメイン基板と、
２以上の第２電極が第１電極に対向する上面に形成され、第２電極とそれぞれ導通する２以上のコンタクトプローブが下面に形成されたコンタクトユニットと、
上記メイン基板及びコンタクトユニット間に配置され、第１電極及び第２電極を導通させる２以上の内部接続ピンと、
上記内部接続ピンの主面に対向させて配置されたインピーダンス調整プレートとを備えたことを特徴とするプローブカード。
【請求項２】
２以上の上記内部接続ピンを直線上に配列させ、これらの内部接続ピンの各主面を１つの上記インピーダンス調整プレートに対向させることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【請求項３】
互いに平行な上記インピーダンス調整プレートが上記内部接続ピンの配列を挟み込むように配置されていることを特徴とする請求項２に記載のプローブカード。
【請求項４】
上記内部接続ピンは、上記インピーダンス調整プレートに平行な面内において変形可能であることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【請求項５】
上記インピーダンス調整プレートは、上記コンタクトユニットの上面に形成されたプレート用電極に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカードに係り、更に詳しくは、多数のコンタクトプローブが形成されたコンタクトユニットとメイン基板とが内部接続ピンを用いて接続されたプローブカードにおいて、内部接続ピンの特性インピーダンスを調整するための構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造工程で実施される電気的特性検査には、プローブ装置が用いられる。プローブ装置は、プローブカード上に形成された多数のコンタクトプローブと、半導体ウエハ上に形成された多数の電極パッドとを対向させた状態で、プローブカード及び半導体ウエハを近づけ、コンタクトプローブと電極パッドとを弾性的に接触させる装置である。この様にして多数のコンタクトプローブをそれぞれが対応する電極パッドに接触させることによって、半導体ウエハ上に形成された微小な電極パッドをテスターなどの外部装置と導通させることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
プローブカードは、テスターで生成された電気信号を検査対象物に入力するととともに、検査対象物から出力される電気信号をテスターへ伝達することによって、検査対象物の電気的特性試験を行っている。このため、検査対象物の動作速度に応じた周波数特性が要求される。最近の集積回路、例えばＤＲＡＭを検査しようとすれば、１．６ＧＨｚ程度の周波数帯域の信号を伝達しなければならず、プローブカードの高周波特性を改善することが求められている。
【０００４】
高周波特性を改善するためには、プローブカード内における誘電損失を抑制するとともに、反射を抑制する必要がある。電気信号の反射は、伝送線路上における特性インピーダンスの不連続点で発生することから、各伝送経路の特性インピーダンスをマッチングさせておく必要がある。つまり、プローブカード内の各伝送線路の特性インピーダンスをテスターの入出力端子の特性インピーダンスに一致させておく必要がある。
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、プローブカードの高周波特性を向上させることを目的とする。特に、メイン基板及びコンタクトユニットを導通させる内部接続ピンの特性インピーダンスを調整し、内部接続ピンの両端における反射を抑制することにより、プローブカードの高周波特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の本発明によるプローブカードは、下面に２以上の第１電極が形成されたメイン基板と、２以上の第２電極が第１電極に対向する上面に形成され、第２電極とそれぞれ導通する２以上のコンタクトプローブが下面に形成されたコンタクトユニットと、上記メイン基板及びコンタクトユニット間に配置され、第１電極及び第２電極を導通させる２以上の内部接続ピンと、上記内部接続ピンの主面に対向させて配置されたインピーダンス調整プレートとを備えて構成される。
【０００７】
この様な構成により、内部接続ピンの静電容量を内部接続ピンからインピーダンス調整プレートまでの距離に応じた一定の値にすることができる。従って、上記距離を適切に決定すれば、内部接続ピンの特性インピーダンスを所望の値にすることができ、プローブカードの高周波特性を向上させることができる。特に、内部接続ピンの主面をインピーダンス調整プレートに対向させることによって、静電容量を効果的に調整することができる。
【０００８】
なお、内部接続ピンの主面とは、内部接続ピンの形状を平面に投影させた場合に最も面積が大きくなる面をいう。例えば、内部接続ピンが、細長い線材を平面上で湾曲させて形成されている場合には、その湾曲平面が主面となる。
【０００９】
第２の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、２以上の上記内部接続ピンを直線上に配列させ、これらの内部接続ピンの各主面を１つの上記インピーダンス調整プレートに対向させている。この様な構成により、１つのインピーダンス調整プレートを用いて２以上の内部接続ピンの特性インピーダンスを所望の値にすることができる。
【００１０】
第３の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、互いに平行な上記インピーダンス調整プレートが上記内部接続ピンの配列を挟み込むように配置されている。この様な構成により、２枚のインピーダンス調整プレートで２以上の内部接続ピンの配列を挟み込むことによって、各内部接続ピンの特性インピーダンスを所望の値にすることが容易になる。
【００１１】
第４の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記内部接続ピンが、上記インピーダンス調整プレートに平行な面内で変形可能となっている。この様な構成により、上記メイン基板及びコンタクトユニット間に挟まれることによって内部接続ピンが変形した場合であっても、その特性インピーダンスがほとんど変化せず、内部接続ピンの特性インピーダンスのばらつきを容易に抑制することができる。
【００１２】
第５の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記インピーダンス調整プレートが、上記コンタクトユニットの上面に形成されたプレート用電極に接続されて構成される。この様な構成により、インピーダンス調整プレートをコンタクトユニットの安定電位、例えばグランドレベルに接続することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、メイン基板及びコンタクトユニットを導通させる内部接続ピンの主面に対向させてインピーダンス調整プレートが設けられているため、内部接続ピンの特性インピーダンスを調整し、内部接続ピンの両端における反射を抑制することができる。従って、プローブカードの高周波特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１によるプローブカード１００を含むプローブ装置１の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１の内部の様子が示されている。このプローブ装置１は、プローブカード１００と、検査対象物２が載置される可動ステージ３と、可動ステージ３を昇降させる駆動装置４と、可動ステージ３及び駆動装置４が収容される筐体５により構成される。
【００１５】
検査対象物２は、半導体デバイス、例えば、複数の半導体集積回路チップ（図示せず）が形成された半導体ウエハであり、電極パッドの形成面を上に向けて可動ステージ３上に載置されている。可動ステージ３は、水平な載置面を有する載置台であり、駆動装置４によって駆動され、載置面上に検査対象物２を載せた状態で鉛直方向に上昇又は下降するようになっている。
【００１６】
筐体５の上部には開口部が形成されており、プローブカード１００は、この開口部を封鎖するように、コンタクトプローブの形成面を下面に向けて取り付けられている。可動ステージ３は、この開口部の下方に配置されており、可動ステージ３を上昇させることによって、検査対象物２上の電極パッドと、プローブカード１００上のコンタクトプローブを接触させて、導通させることができる。
【００１７】
図２〜図４は、図１のプローブカード１００の一構成例を示した図である。図２にはプローブカード１００を検査対象物２側から見た場合の様子が示されている。また、図３には、Ａ−Ａ切断線で切断した場合の断面図が示され、図４には、Ｂ−Ｂ切断線で切断した場合の断面図が示されている。このプローブカード１００は、隣接する内部接続ピン３０間にインピーダンス調整プレート３１が配置されている点で従来のプローブカードとは異なる。
【００１８】
本実施の形態によるプローブカード１００は、メイン基板１０、コンタクトユニット２０、内部接続ピン３０及びインピーダンス調整プレート３１によって構成される。メイン基板１０及びコンタクトユニット２０は、多数の内部接続ピン３０を介して電気的に接続され、これらの内部接続ピン３０の特性インピーダンスは、インピーダンス調整プレート３１によって調整されている。
【００１９】
メイン基板１０は、プローブ装置１に取付けられる基板であり、補強板１１、多数の外部電極１２、コンタクトユニット支持部１３、多数の内部電極１５を有している。メイン基板１０には、例えばガラスエポキシからなる多層プリント基板が用いられている。補強板１１は、メイン基板１０の歪みを抑制するための金属ブロックであり、メイン基板１０の上面に固着されている。外部電極１２は、テスターなどのプローブカード１００以外の装置と導通させるための端子であり、電極ピッチを広げるためにメイン基板１０の周縁部付近に形成されている。内部電極１５は、メイン基板１０の中央付近に形成され、内部接続ピン３０を介して、コンタクトユニット２０と導通させるための端子である。
【００２０】
コンタクトユニット支持部１３は、メイン基板１０の下方において、上下動可能となるように、コンタクトユニット２０を保持している。ここでは、コンタクトユニット支持部１３がコンタクトユニット２０を取り囲む壁面（又は腕部）としてメイン基板１０の下面に形成されている。この壁面は、メイン基板１０から下方へ延び、その先端をコンタクトユニット２０側へ屈曲させている。この屈曲させた先端部の上面にコンタクトユニット２０の下面を当接させることによって、コンタクトユニット２０が落下しないように受け止めている。
【００２１】
コンタクトユニット２０は、多数のコンタクトプローブ２１、コンタクト基板２２、スペース変換器２３、多数の内部電極２５及び多数のプレート用電極２６を有している。コンタクトユニット２０は、内部電極２５が形成された上面をメイン基板１０と対向させた状態で、メイン基板１０と平行になるように、メイン基板１０の下方に配置されている。
【００２２】
コンタクトプローブ２１は、片持ち梁（カンチレバー）構造の導電性金属からなり、その固定端はコンタクト基板２２上に固着され、検査時には、自由端を検査対象物２上の電極パッドに弾性的に当接させる。コンタクト基板２２は、シリコンなどの単結晶からなる基板であり、その下面には、多数のコンタクトプローブ２１が検査対象物２上の電極パッドに対応づけて配置されている。また、その上面には、スペース変換器２３が形成されている。
【００２３】
スペース変換器２３は、下面がコンタクト基板２２に固着され、上面には多数の内部電極２５及びプレート用電極２６が形成されている。また、この例では、コンタクトユニット支持部１３が、スペース変換器２３の周縁部を支持することにより、コンタクトユニット２０を保持している。
【００２４】
各内部電極２５は、スペース変換器２３内の配線２４及びコンタクト基板２２内のスルーホールを介して、対応するコンタクトプローブ２１と導通している。コンタクトプローブ２１は、狭いピッチで配置されているのに対し、内部電極２５は、より広いピッチで配置されているため、スペース変換器２３を用いて、対応するコンタクトプローブ２１及び内部電極２５を導通させている。つまり、スペース変換器２３によって、コンタクトプローブ２１及び内部電極２５の配置位置の違いを調整している。
【００２５】
プレート用電極２６は、インピーダンス調整プレート３１が接続される電極である。プレート用電極２６は、コンタクト基板２２のグランドレベル（接地電位）に対し安定した電位レベルに保持されている。ここでは、プレート用電極２６が、スペース変換器２３内の配線２４を介して、グランド用の内部電極２５と導通しており、インピーダンス調整プレート３１をグランドレベルに保持しているものとする。
【００２６】
内部接続ピン３０は、弾性変形可能な導電性金属からなり、メイン基板１０及びコンタクトユニット２０の互いに対向する内部電極１５，２５を導通させている。生産性を考慮すれば、内部接続ピン３０は、内部電極１５，２５の一方に固着され、他方に弾性的に当接していることが望ましく、この例では、内部接続ピン３０の一端が、メイン基板１０の内部電極１５に半田付けされ、他端をコンタクトユニット２０の内部電極２５に当接させている。また、内部接続ピン３０は、平面内において湾曲させた形状からなり、上記平面内において弾性変形するように構成されている。このような内部接続ピン３０をメイン基板１０及びコンタクトユニット２０で挟んで変形させることによって、内部電極２５に対し付勢しながら当接させることができる。このため、内部接続ピン３０を介して、対応する内部電極１５及び２５を確実に導通させることができる。
【００２７】
インピーダンス調整プレート３１は、導電性金属からなる薄板であり、プレート用電極２６に導通させた状態で、スペース変換器２３の上面に固着されている。このインピーダンス調整プレート３１は、対応する内部接続ピン３０の主面３０ｍと平行となるように配置され、当該内部接続ピン３０との間で容量素子を形成している。このため、内部接続ピン３０からインピーダンス調整プレート３１までの距離を所定の長さにすれば、内部接続ピン３０の特性インピーダンスが所望の値となるように調整することができる。
【００２８】
なお、内部接続ピン３０の主面３０ｍとは、内部接続ピン３０の形状を平面に投影させた場合に最も面積が大きくなる面をいう。本実施の形態では各内部接続ピン３０が湾曲している平面（湾曲平面）が主面３０ｍとなり、インピーダンス調整プレート３１は、当該湾曲平面と平行となるように配置されている。このため、内部ピン３０の静電容量を効率的に調整することができ、また、内部接続ピン３０を変形させても、特性インピーダンスに顕著な変動は生じない。
【００２９】
図５は、図３及び図４のコンタクトユニット２０の一構成例を示した図である。この図は、コンタクトユニット２０を上面側から見た場合の様子を示した図であり、内部電極２５、プレート用電極２６及びインピーダンス調整プレート３１が配置されたスペース変換器２３の上面が示されている。
【００３０】
内部電極２５は、スペース変換器２３の上面にマトリクス状に配置されている。ここでは、主面３０ｍが同一平面上となるように２以上の内部接続ピン３０を行方向に整列させるとともに、互いの主面３０ｍを対向させて２以上の内部接続ピン３０を一定のピッチで列方向に整列させるように、多数の内部電極２５がマトリクス状に配置されている。このような内部電極２５の各行間に、２以上のプレート用電極２６がそれぞれ配置されている。これらのプレート用電極２６は、内部接続ピン３０ごとに設けられており、これらの各プレート用電極２６上にインピーダンス調整プレート３１が半田付などにより固着されている。つまり、内部接続ピン３０及びインピーダンス調整プレート３１は一対一に対応づけて配置される。
【００３１】
図６は、図３及び図４のコンタクトユニット２０の他の構成例を示した図であり、図５と同様、コンタクトユニット２０を上面側から見た場合の様子が示されている。このコンタクトユニット２０では、１つのインピーダンス調整プレート３１を２以上の内部接続ピン３０に対応させており、各内部接続ピン３０からインピーダンス調整プレート３１までの距離は一定の長さになっている。
【００３２】
内部電極２５の各行間には、１つのプレート用電極２６がそれぞれ配置されている。これらのプレート用電極２６は、行方向に延びる細長い形状からなり、これらの各プレート用電極２６上には、行方向に延びる細長いインピーダンス調整プレート３１が半田付などにより固着されている。つまり、１つのインピーダンス調整プレート３１を行方向に配列している全ての内部電極２５に対応づけている。
【００３３】
一般に、単位長当たりのインダクタンスをＬ、静電容量をＣとすれば、特性インピーダンスは（Ｌ／Ｃ）１／２で表すことができる。このため、各内部接続ピン３０の形状が同一であれば、これらの特性インピーダンスも一定となる。従って、インピーダンス調整プレート３１を設けることによって、内部接続ピン３０からインピーダンス調整プレート３１までの距離や、内部接続ピン３０の形状を適切に設計すれば、各内部接続ピン３０の特性インピーダンスを所望の値にすることできる。
【００３４】
テスターの信号入出力端子の特性インピーダンスが５０Ωであれば、メイン基板１０及びコンタクトユニット２０も特性インピーダンスが５０Ωとなるように設計され、各信号伝搬経路のインピーダンスをマッチングさせている。これに加えて、インピーダンス調整プレート３１を用いれば、各内部接続ピン３０の特性インピーダンスも５０Ωとなるように設計することができ、各内部接続ピン３０の両端における高周波信号の反射を抑制することができるようになる。つまり、インピーダンス調整プレート３１を設けることによって、プローブカード１００内における損失を著しく減少させ、高周波特性を顕著に向上させることができる。
【００３５】
本実施の形態によれば、多数の内部接続ピン３０を用いて、メイン基板１０上の内部電極１５と、当該内部電極１５と対向するコンタクトユニット２０上の内部電極２５と導通させるプローブカード１００において、内部接続ピン３０の主面３０ｍと対向させたインピーダンス調整プレート３１を内部接続ピン３０の近傍に配置することによって、各内部接続ピン３０の特性インピーダンスを所望の値とすることができ、内部接続ピン３０の両端における高周波信号の反射を抑制することができる。また、内部接続ピン３０の変形状態によって、特性インピーダンスが変動するのを抑制することができる。
【００３６】
また、本実施の形態では、平面内において弾性変形する２以上の内部接続ピン３０が、それぞれの上記平面を一致させて直線上に配列され、上記インピーダンス調整プレートは、上記平面に平行となるように配置されている。このため、同じインピーダンス調整プレート３１によって、２以上の各内部接続ピン３０の特性インピーダンスを調整することができる。
【００３７】
また、本実施の形態では、内部接続ピン３０がメイン基板１０上の内部電極２５に固着され、インピーダンス調整プレート３１がコンタクトユニット２０上の内部電極１５に固着されている。そして、コンタクトユニット支持部１３を用いて、メイン基板１０及びコンタクトユニット２０を対向配置させることによって、内部接続ピン３０がコンタクトユニット２０に弾性的に当接するように構成されている。このため、内部接続ピン３０及びインピーダンス調整プレート３１をともにコンタクトユニット２０に固着する場合に比べて、本発明によるプローブカードを容易に製造することができる。
【００３８】
実施の形態２．
実施の形態１では、内部接続ピン３０及びインピーダンス調整プレート３１を交互に配置する場合の例について説明した。これに対し、実施の形態２では、内部接続ピン３０の行間に２枚のインピーダンス調整プレート３１が配置されている場合について説明する。
【００３９】
図７は、本発明の実施の形態２によるコンタクトユニット２０を上面側から見た場合の様子を示した図であり、内部電極２５、プレート用電極２６及びインピーダンス調整プレート３１が配置されたスペース変換器２３の上面が示されている。図６（実施の形態１）と比較すれば、実施の形態２によるコンタクトユニット２０では、隣接する内部電極２５の間に２つのプレート用電極２６が形成され、各プレート用電極２６にインピーダンス調整プレート３１がそれぞれ配置される点で異なる。
【００４０】
図６の場合と同様、内部電極２５は、スペース変換器２３の上面にマトリクス状に配置されている。すなわち、主面３０ｍが同一平面上となる内部接続ピン３０を一定のピッチで行方向に整列させるとともに、互いの主面３０ｍを対向させた内部接続ピン３０を一定のピッチで列方向に整列させるように、内部電極２５が配置されている。
【００４１】
図８は、内部接続ピン３０及びインピーダンス調整プレート３１間の距離を理論式を用いて求める方法の説明図である。図中では、断面が幅Ｗ、厚さｔの矩形形状からなる複数の内部接続ピン３０が、主面３０ｍが同一平面上となるようにピッチＰで配列されている。これらの内部接続ピン３０は、２枚の平行なインピーダンス調整プレート３１に挟まれ、各インピーダンス調整プレート３１から等距離となる位置に配置されている。
【００４２】
内部接続ピン３０をストリップ線路とみなし、ストリップ線路の理論式を適用すれば、内部接続ピン３０及びインピーダンス調整プレート３１の距離Ｈと、内部接続ピン３０の特性インピーダンスＺｏとの関係式を求めることができる。内部接続ピン３０及びインピーダンス調整プレート３１間の媒体の比誘電率をεとすれば、内部接続ピン３０及びインピーダンス調整プレート３１の距離Ｈは、次式で表される。
【数１】
2010038726.tif 000003
【００４３】
例えば、望ましい特性インピーダンスＺｏが５０Ω、内部接続ピン３０の幅Ｗが１００μｍ、厚さｔが８μｍである場合、空気の比誘電率１．０とともに、これらの値を上式に代入すれば、内部接続ピン３０及びインピーダンス調整プレート３１の距離Ｈとして約２００μｍを求めることができる。つまり、距離Ｈを約２００μｍにすれば、内部接続ピン３０の特性インピーダンスを５０Ωにすることができる。なお、内部電極２５の行間ピッチは、通常、１ｍｍ以上が確保されている。
【００４４】
内部接続ピン３０の特性インピーダンスＺｏを所望の値にするためには、内部接続ピン３０及びインピーダンス調整プレート３１間の距離Ｈを所望の特性インピーダンスＺｏに応じた長さｈに一致させておく必要がある。内部接続ピン３０の行間ピッチが２ｈよりも大きい場合、隣接する内部接続ピン３０間に、２つのインピーダンス調整プレート３１を配置すれば、Ｈ＝ｈとすることができる。内部接続ピン３０の静電容量は、隣接するインピーダンス調整プレート３１までの距離で決まるため、内部接続ピン３０のピッチが広い場合には、内部接続ピン３０間に２つのインピーダンス調整プレート３１を配置すれば、上記ピッチにかかわらず、内部接続ピン３０の特性インピーダンスＺｏを所望の値にすることができる。なお、内部接続ピン３０の行間ピッチが２ｈに一致している場合には、内部接続ピン３０の行間の中央に１つのインピーダンス調整プレート３１を配置すればよいことは言うまでもない。
【００４５】
なお、上記実施の形態では、内部接続ピン３０がメイン基板１０の内部電極１５に固着され、インピーダンス調整プレート３１がコンタクトユニット２０のプレート用電極２６に固着されている構成例について説明したが、本発明によるプローブカードは、このような構成には限定されない。例えば、内部接続ピン３０がコンタクトユニット２０の内部電極２５に固着され、インピーダンス調整プレート３１がメイン基板１０の下面に形成されたプレート用電極（不図示）に固着されているものであってもよい。また、内部接続ピン３０及びインピーダンス調整プレート３１が、ともにメイン基板１０に固着され、あるいは、ともにコンタクトユニット２０に固着されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態１によるプローブカード１００を含むプローブ装置１の概略構成の一例を示した図である。
【図２】図１のプローブカード１００を検査対象物２側から見た場合の様子が示されている。
【図３】図２のプローブカードをＡ−Ａ切断線で切断した場合の断面図が示されている。
【図４】図２のプローブカードをＢ−Ｂ切断線で切断した場合の断面図が示されている。
【図５】図３及び図４のコンタクトユニット２０の一例を上面側から見た場合の様子を示した図である。
【図６】図３及び図４のコンタクトユニット２０の他の例を上面側から見た場合の様子を示した図である。
【図７】本発明の実施の形態２によるコンタクトユニット２０を上面側から見た場合の様子を示した図である。
【図８】内部接続ピン３０及びインピーダンス調整プレート３１間の距離Ｈを理論式を用いて求める方法の説明図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  プローブ装置
２  検査対象物
１０  メイン基板
１２  外部電極
１３  コンタクトユニット支持部
１５，２５  内部電極
２０  コンタクトユニット
２１  コンタクトプローブ
２２  コンタクト基板
２６  プレート用電極
３０  内部接続ピン
３０ｍ  内部接続ピンの主面
３１  インピーダンス調整プレート
１００  プローブカード
Ｈ  内部接続ピン及びインピーダンス調整プレート間の距離
Ｐ  内部接続ピンのピッチ
Ｗ  内部接続ピンの幅
ｔ  内部接続ピンの厚さ
Ｚｏ  内部接続ピンの特性インピーダンス
【図１】
2010038726.tif 000004
【図２】
2010038726.tif 000005
【図３】
2010038726.tif 000006
【図４】
2010038726.tif 000007
【図５】
2010038726.tif 000008
【図６】
2010038726.tif 000009
【図７】
2010038726.tif 000010
【図８】
2010038726.tif 000011