(57)【要約】【課題】電子デバイス製造装置の占有スペースの増大や基板を流動させる際のロスタイムを発生させることなく、蒸着マスクをクリーニングすることのできる電子デバイス製造装置および電子デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】電子デバイス製造装置１０では、有機膜蒸着室６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂでのマスク蒸着に用いた蒸着マスクについては、蒸着マスク返却路７５を介して、最下流側の有機膜蒸着室６６Ｂから最上流側の有機膜蒸着室６６Ｒに戻す。蒸着マスク返却路７５にはプラズマ処理装置が設けられており、蒸着マスク返却路７５において蒸着マスク４０にプラズマを照射することにより、蒸着マスク４０に付着した有機物を除去する。【選択図】図４
2010225353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の搬送方向の上流側から下流側に向かって、当該基板に対して大気と異なる雰囲気
でのマスク蒸着により有機膜を形成する複数の有機膜蒸着室を有する電子デバイス製造装
置であって、
前記複数の有機膜蒸着室のうち、最下流側の有機膜蒸着室から最上流側の有機膜蒸着室
に向けて大気と異なる雰囲気中で蒸着マスクを搬送するための蒸着マスク返却路を有し、
当該蒸着マスク返却路には、前記蒸着マスクを搬送する蒸着マスク搬送機構と、前記蒸
着マスクにプラズマを照射して当該蒸着マスクに付着した有機物を除去するプラズマ処理
装置と、が設けられていることを特徴とする電子デバイス製造装置。
【請求項２】
前記蒸着マスク返却路では、前記蒸着マスクの搬送方向の下流側からプロセスガスを供
給することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス製造装置。
【請求項３】
前記蒸着マスク返却路では、前記蒸着マスクの搬送方向の上流側から排気を行なうこと
を特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス製造装置。
【請求項４】
前記プラズマ処理装置は、プロセスガスとして酸素を含有するガスを用いることを特徴
とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電子デバイス製造装置。
【請求項５】
前記プラズマ処理装置は、高周波放電を用いてプラズマを発生させることを特徴とする
請求項１乃至４の何れか一項に記載の電子デバイス製造装置。
【請求項６】
前記蒸着マスク搬送機構は、前記蒸着マスクがベルト面上に搭載される金属製の搬送ベ
ルトを備え、
前記プラズマ処理装置は、前記搬送ベルトに高周波電圧を印加することを特徴とする請
求項５に記載の電子デバイス製造装置。
【請求項７】
前記プラズマ処理装置は、搬送されていく前記蒸着マスクの位置に応じてプラズマの発
生位置を変化させることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電子デバイス
製造装置。
【請求項８】
前記蒸着マスク搬送機構は、前記蒸着マスクがベルト面上に搭載される搬送ベルトを備
え、
前記蒸着マスクは、マスク蒸着の際に蒸着源と対向する面側を上向きにして前記ベルト
面上に搭載されることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電子デバイス製
造装置。
【請求項９】
前記有機膜は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機機能膜であることを
特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の電子デバイス製造装置。
【請求項１０】
基板の搬送方向の上流側から下流側に向かって設けられた複数の有機膜蒸着室において
大気と異なる雰囲気でのマスク蒸着により前記基板上に有機膜を形成する電子デバイスの
製造方法であって、
前記複数の有機膜蒸着室のうち、最下流側の有機膜蒸着室から最上流側の有機膜蒸着室
に向けて大気と異なる雰囲気中で蒸着マスクを搬送するための蒸着マスク返却路を設け、
当該蒸着マスク返却路において、前記蒸着マスクにプラズマを照射して当該蒸着マスク
に付着した有機物を除去することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子などを基板上に備えた電子デバイスの製
造装置、および当該電子デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光素子などの電光変換素子や、受光素子や太陽電池などの光電変換素子を備えた電子
デバイスでは、使用した有機材料が大気中の酸素や水分によって劣化する場合があり、こ
のような場合、電子デバイスの製造工程では、大気とは異なる雰囲気中で基板に対して連
続して行なう複数の処理工程が行なわれる。
【０００３】
例えば、基板上に電光変換素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機
ＥＬ素子という）を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置とい
う）を製造する場合には、基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電膜から
なる陽極層を形成した後、発光層などの有機機能層（有機膜）は真空雰囲気中でマスク蒸
着により形成される（特許文献１参照）。
【０００４】
また、特許文献１に記載の製造装置では、複数の有機膜蒸着室を結ぶ基板搬送経路と、
最下流側の有機膜蒸着室から最上流側の有機膜蒸着室に向けて蒸着マスクを戻す蒸着マス
ク返却経路とによって構成された循環路に対して、蒸着マスクを洗浄するための洗浄室が
外付けされている。このため、蒸着マスクを製造装置から外部に取り出さなくても、蒸着
マスクに付着した有機物を除去することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３３２０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の製造装置では、基板搬送経路と蒸着マスク返却経路
とによって構成された循環路に対して洗浄室が外付けされているため、洗浄室が外付けさ
れている分だけ、製造装置の占有スペースが広いという問題点がある。また、特許文献１
に記載の製造装置では、循環路に対して洗浄室が外付けされているため、蒸着マスクを洗
浄する際には、循環路から蒸着マスクを洗浄室に移動させた後、洗浄済みの蒸着マスクを
循環路に戻す必要がある。このため、循環路と洗浄室とが接続しているエリアでは、基板
を流すタイミングと、蒸着マスクが出入りするタイミングとを調整する必要があるため、
ロスタイムが発生しやすいという問題点もある。
【０００７】
以上の問題に鑑みて、本発明の課題は、電子デバイス製造装置の占有スペースの増大や
基板を流動させる際のロスタイムを発生させることなく、蒸着マスクをクリーニングする
ことのできる電子デバイス製造装置および電子デバイスの製造方法を提供することにある
。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、基板の搬送方向の上流側から下流側に向かって
、当該基板に対して大気と異なる雰囲気でのマスク蒸着により有機膜を形成する複数の有
機膜蒸着室を有する電子デバイス製造装置であって、前記複数の有機膜蒸着室のうち、最
下流側の有機膜蒸着室から最上流側の有機膜蒸着室に向けて大気と異なる雰囲気中で蒸着
マスクを搬送するための蒸着マスク返却路を有し、当該蒸着マスク返却路には、前記蒸着
マスクを搬送する蒸着マスク搬送機構と、前記蒸着マスクにプラズマを照射して当該蒸着
マスクに付着した有機物を除去するプラズマ処理装置と、が設けられていることを特徴と
する。
【０００９】
また、本発明は、基板の搬送方向の上流側から下流側に向かって設けられた複数の有機
膜蒸着室において大気と異なる雰囲気でのマスク蒸着により前記基板上に有機膜を形成す
る電子デバイスの製造方法であって、前記複数の有機膜蒸着室のうち、最下流側の有機膜
蒸着室から最上流側の有機膜蒸着室に向けて大気と異なる雰囲気中で蒸着マスクを搬送す
るための蒸着マスク返却路を設け、当該蒸着マスク返却路において、前記蒸着マスクにプ
ラズマを照射して当該蒸着マスクに付着した有機物を除去することを特徴とする。
【００１０】
本発明では、有機膜蒸着室でのマスク蒸着に用いた蒸着マスクについては、蒸着マスク
返却路を介して最下流側の有機膜蒸着室から最上流側の有機膜蒸着室に戻す。このため、
基板の搬送方向と逆行させずに、蒸着マスクを戻すことができる。また、本発明では、蒸
着マスク返却路にプラズマ処理装置を設け、蒸着マスク返却路において、蒸着マスクにプ
ラズマを照射することにより、蒸着マスクに付着した有機物を除去する。このため、蒸着
マスクに付着した有機物によって蒸着精度が低下することがない。さらに、蒸着マスク返
却路自身を蒸着マスクに対するクリーニング室として利用するため、クリーニング室を別
途、設ける必要がない。それ故、発明の課題は、電子デバイス製造装置の占有スペースが
増大することもない。また、蒸着マスクは、基板の搬送経路から完全に分かれた蒸着マス
ク返却路を通過する際に蒸着マスクがクリーニングされるため、クリーニングしようとす
る蒸着マスクと、クリーニング済みの蒸着マスクが基板の搬送経路の同一個所に出入りす
ることがないので、蒸着マスクを頻繁にクリーニングする場合でも、基板の流動にロスタ
イムが発生しない。
【００１１】
本発明において、前記蒸着マスク返却路では、前記蒸着マスクの搬送方向の下流側から
プロセスガスを供給することが好ましい。かかる構成を採用すると、蒸着マスク返却路で
は、蒸着マスクの搬送方向の下流にいくほどガス中の反応生成物が少ない。従って、高い
クリーニング能力を得ることができるとともに、反応生成物によって蒸着マスクが汚染さ
れることもない。
【００１２】
本発明において、前記蒸着マスク返却路では、前記蒸着マスクの搬送方向の上流側から
排気を行なうことが好ましい。かかる構成を採用すると、蒸着マスク返却路では、蒸着マ
スクの搬送方向の下流にいくほどガス中の反応生成物が少ない。従って、高いクリーニン
グ能力を得ることができるとともに、反応生成物によって蒸着マスクが汚染されることも
ない。
【００１３】
本発明において、前記プラズマ処理装置は、プロセスガスとして酸素を含有するガスを
用いることが好ましい。かかる構成によれば、有機物を効率よく除去することができる。
【００１４】
本発明において、前記プラズマ処理装置は、高周波放電を用いてプラズマを発生させる
ことが好ましい。かかる構成によれば、プラズマ処理装置の電極構成を簡素化するこがで
きる。例えば、前記蒸着マスク搬送機構が、前記蒸着マスクをベルト面上に搭載する金属
製の搬送ベルトを備えている場合、前記プラズマ処理装置においては、前記搬送ベルトに
高周波電圧を印加する構成を採用することができる。
【００１５】
本発明において、前記プラズマ処理装置は、搬送されていく前記蒸着マスクの位置に応
じてプラズマの発生位置を変化させることが好ましい。かかる構成によれば、基板にプラ
ズマを集中して照射することができるので、パワーが比較的小さなプラズマ処理装置であ
っても、有機物を効率よく除去することができる。
【００１６】
本発明において、前記蒸着マスク搬送機構は、前記蒸着マスクがベルト面上に搭載され
る搬送ベルトを備えている場合、前記蒸着マスクは、マスク蒸着の際に蒸着源と対向する
面側を上向きにして前記ベルト面上に搭載されることが好ましい。かかる構成によれば、
有機物を効率よく除去することができる。
【００１７】
本発明において、前記有機膜は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成す
る有機機能膜である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ）、（ｂ）は各々本発明を適用した有機ＥＬ装置の平面的な構成を各構成要素と共に第２基板側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【図２】本発明を適用した有機ＥＬ装置の細部の断面構成を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明を適用した電子デバイス製造装置の有機膜蒸着室で行なうマスク蒸着の方法を示す説明図である。本発明を適用した電子デバイス製造装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図４】本発明を適用した電子デバイス製造装置の平面構成を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明を適用した有機ＥＬ装置用の電子デバイス製造装置の蒸着マスク返却路の構成を示す説明図である。
【図６】本発明を適用した有機ＥＬ装置用の電子デバイス製造装置の蒸着マスク返却路の別の構成例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図面を参照して、本発明を適用した電子デバイス、その製造方法、並びに製造装置につ
いて説明する。なお、以下の説明に用いる各図においては、各部材を図面上で認識可能な
程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。また、以下の実施の形態で
は、本発明が適用される電子デバイスとして有機ＥＬ装置を例示する。
【００２０】
［有機ＥＬ装置の構成］
（有機ＥＬ装置の全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置（電子デバイス）の平面的
な構成を各構成要素と共に第２基板側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である
。図１（ａ）、（ｂ）において、本形態の有機ＥＬ装置１００では、素子基板としての第
１基板１１０と、封止基板としての機能を担う第２基板１２０とを備えており、第１基板
１１０において、複数の有機ＥＬ素子１８０が形成されている面側に第２基板１２０が重
ねて配置されている。
【００２１】
第１基板１１０と第２基板１２０とは、第１シール材層１９１および第２シール材層１
９２によって貼り合わされている。かかる第１シール材層１９１および第２シール材層１
９２の詳細な構成は後述するが、第１シール材層１９１は、図１（ａ）にドットを密に付
した領域で示してあるように、画素領域１１０ａの周りを囲む周辺領域１１０ｃに沿って
枠状に形成されている。これに対して、第２シール材層１９２は、図１（ａ）にドットを
疎に付した領域で示してあるように、第１シール材層１９１で囲まれた領域の全体にわた
って形成されている。なお、第１基板１１０において、第２基板１２０からの張り出し領
域には端子１０２が形成されている。また、第１基板１１０において、周辺領域１１０ｃ
や、画素領域１１０ａと周辺領域１１０ｃとに挟まれた領域を利用してデータ線駆動回路
や走査線駆動回路（図示せず）が形成されている。
【００２２】
（有機ＥＬ素子の構成）
図２は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の細部の断面構成を模式的に示す断面図である
。なお、図２には、有機ＥＬ素子として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応す
る有機ＥＬ素子を１つずつ示してある。
【００２３】
図２に示すように、第１基板１１０は、石英基板、ガラス基板、セラミック基板、金属
基板などからなる支持基板１１０ｄを備えている。支持基板１１０ｄの表面には、絶縁膜
１１１、１１２、１１３、１１４、１１５が形成され、絶縁膜１１５の上層に赤色（Ｒ）
、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を出射する有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）が
形成されている。本形態において、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１５は、ＣＶＤ（
Chemical Vapor Deposition）法などにより形成された酸化シリコン膜や窒化シリコン膜
などから形成され、絶縁膜１１４は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からな
る平坦化膜として形成されている。絶縁膜１１１は下地絶縁層であり、図示を省略するが
、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１４の層間などを利用して、有機ＥＬ素子１８０（
Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）に対する通電を制御する薄膜トランジスターや配線が形成されてい
る。
【００２４】
本形態の有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション型であり、矢印Ｌ１で示すように
、支持基板１１０ｄからみて有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）が形成されてい
る側から光を取り出すので、支持基板１１０ｄとしては、アルミナなどのセラミックス、
ステンレススチールなどといった不透明な基板を用いることができる。また、絶縁膜１１
４、１１５の層間には、真空蒸着法などにより形成されたアルミニウム、銀、それらの合
金からなる光反射層１３１が形成されており、有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ
）から支持基板１１０ｄに向けて出射された光を光反射層１３１で反射することにより、
光を出射可能である。なお、有機ＥＬ装置１００をボトムエミッション型で構成した場合
、支持基板１１０ｄの側から光を取り出すので、支持基板１１０ｄとしては、ガラスなど
の透明基板が用いられる。
【００２５】
第１基板１１０では、絶縁膜１１５の上層にＩＴＯ膜などからなる陽極層１４０（画素
電極）が島状に形成されており、陽極層１４０の上層には、発光領域を規定するための開
口部を備えた感光性樹脂などからなる厚い隔壁１５１が形成されている。
【００２６】
陽極層１４０の上層には、正孔注入層１８１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、正孔輸送層１８
２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）などの有機機能層が形
成され、かかる有機機能層の上層に、ＬｉＦなどからなる電子注入層１７０と、ＡｌやＭ
ｇ、Ａｇなどの薄膜金属からなる陰極層１７１とが積層されている。このようにして、本
形態では、陽極層１４０、正孔注入層１８１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、正孔輸送層１８２
（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、電子注入層１７０、お
よび陰極層１７１によって、有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）が構成されてい
る。発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）と陰極層１７１との層間には、Ａｌｑ3などか
らなる電子輸送層が形成されることもある。さらに、陰極層１７１の上層あるいは下層に
は、Ａｌなどからなる補助陰極線がストライプ状に形成されることもある。
【００２７】
正孔注入層１８１は、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体などからなり、正孔輸送層
１８２は、ＴＰＤ（トリフェニルジアミン）などからなる。発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）
、（Ｂ）は、アントラセン系ドーパントやルブレン系ドーパントなどを含むスチリルアミ
ン系材料（ホスト）などからなる。
【００２８】
ここで、正孔注入層１８１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、正孔輸送層１８２（Ｒ）、（Ｇ）
、（Ｂ）、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）などの有機機能層は、画素毎に所定のパ
ターンをもって形成されている一方、電子注入層１７０および陰極層１７１は、画素が配
列された領域全体に跨る広い領域に形成されている。
【００２９】
また、正孔注入層１８１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）と、正孔輸送層１８２（Ｒ）、（Ｇ）
、（Ｂ）と、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）とは同一形状に形成されている。また
、有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）は互いに同一形状をもって形成されている
。但し、有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）では、有機機能層の組成や厚さが相
違する。
【００３０】
なお、有機ＥＬ素子が白色光、または赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の混合色光
を出射するように構成する場合があり、このような場合、第２基板１２０において、有機
ＥＬ素子と対向する位置に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルター層を
形成して色変換を行なえば、フルカラー表示を行なうができる。
【００３１】
このように構成した有機ＥＬ装置１００において、有機機能層（正孔注入層１８１、正
孔輸送層１８２、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ））や陰極層１７１は、水分により
劣化しやすく、かかる劣化は、電子注入効果の劣化などを惹き起こし、ダークスポットと
呼ばれる非発光部分を発生させてしまう。従って、本形態では、有機機能層（正孔注入層
１８１、正孔輸送層１８２、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ））や陰極層１７１につ
いては、後述するマスク蒸着法によって形成する。
【００３２】
（封止のための構成）
本形態では、第２基板１２０を封止基板として第１基板１１０と貼り合せた構成が採用
されている。より具体的には、図１（ａ）、（ｂ）および図２に示すように、第１基板１
１０と第２基板１２０との間では、周辺領域１１０ｃに沿って第１シール材層１９１が矩
形枠状に形成されている。また、第１シール材層１９１で囲まれた領域の全体にわたって
透光性の第２シール材層１９２が形成され、第１基板１１０と第２基板１２０とは、第１
シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合わされている。本形態にお
いて、第１シール材層１９１（第１シール材１９１ａ）には、紫外線によって硬化するエ
ポキシ系接着剤が用いられている。第２シール材層１９２（第２シール材１９２ａ）には
、熱によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。なお、第１基板１１０に対し
て、陰極層１７１の上層に、窒化シリコン（ＳｉＮx）膜や酸窒化シリコン（ＳｉＯxＮy
）膜からなる第１層、樹脂層からなる第２層（有機緩衝層）および窒化シリコン膜や酸窒
化シリコン膜からなる第３層を備えた積層膜を封止膜として形成することもある。
【００３３】
［有機ＥＬ装置の製造方法および製造装置］
図３、図４および図５を参照して、本発明を適用した有機ＥＬ装置の製造方法（電子デ
バイスの製造方法）、および電子デバイス製造装置を説明する。なお、本発明の有機ＥＬ
装置の製造方法は、本発明を適用した電子デバイス製造装置によって実現されるので、以
下併せて説明する。
【００３４】
（マスク蒸着の方法）
図３は、本発明を適用した電子デバイス製造装置の有機膜蒸着室で行なうマスク蒸着の
方法を示す説明図である。本発明を適用した電子デバイス製造装置１０において、図３（
ａ）に示す有機膜蒸着室６６では、図３（ｂ）に示す蒸着マスク４０を用いて第１基板１
１０に有機膜を形成する。蒸着マスク４０は、例えば、厚みが約２０μｍ程度の鉄（Ｆｅ
）またはニッケル（Ｎｉ）等の磁性体４１を備えており、かかる磁性体４１には、有機膜
の形成位置に対応した複数の開口４２が形成されている。図３（ａ）に示す結合治具４５
は、永久磁石を備えており、蒸着マスク４０を第１基板１１０に吸着させるために用いら
れる。かかる結合治具４５は、有機膜蒸着室６６の治具ホルダ６６２に保持される。有機
膜蒸着室６６では、治具ホルダ６６２に対向するように３つの蒸着源６６６、６６７、６
６８が設けられている。
【００３５】
かかる有機膜蒸着室６６は、図２に示す有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の
各々に対して設けられる。すなわち、有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）を形成するための有機膜
蒸着室６６Ｒでは、蒸着源６６６、６６７、６６８に正孔注入層１８１（Ｒ）の形成材料
、正孔輸送層１８２（Ｒ）、発光層１８３（Ｒ）の形成材料が用いられる。また、有機Ｅ
Ｌ素子１８０（Ｇ）を形成するための有機膜蒸着室６６Ｇでは、蒸着源６６６、６６７、
６６８に正孔注入層１８１（Ｇ）の形成材料、正孔輸送層１８２（Ｇ）、発光層１８３（
Ｇ）の形成材料が用いられる。同様に、有機ＥＬ素子１８０（Ｂ）を形成するための有機
膜蒸着室６６Ｂでは、蒸着源６６６、６６７、６６８に正孔注入層１８１（Ｂ）の形成材
料、正孔輸送層１８２（Ｂ）、発光層１８３（Ｂ）の形成材料が用いられる。
【００３６】
治具ホルダ６６２は駆動機構６６１に接続されており、この駆動機構６６１によって、
治具ホルダ６６２は、蒸着マスク４０および第１基板１１０とともに、矢印Ａで示すよう
に回転可能であると共に、矢印Ｂ方向に移動して所定の蒸着源６６６、６６７、６６８と
対応する位置に移動する。従って、治具ホルダ６６２の移動、蒸着源６６６、６６７、６
６８でのシャッターの開閉、治具ホルダ６６２の回転を利用すれば、第１基板１１０上の
所定位置に所定の有機膜を形成することができる。
【００３７】
ここで、有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）は同一形状をもって形成されてい
る。従って、本形態では、後述する有機膜蒸着室６６Ｒ、有機膜蒸着室６６Ｇ、および有
機膜蒸着室６６Ｂでは、共通の蒸着マスク４０を第１基板１１０にずらして蒸着を行なう
。
【００３８】
（電子デバイス製造装置１０の全体構成）
図４は、本発明を適用した電子デバイス製造装置の平面構成を模式的に示す説明図であ
る。なお、図４では、ゲートバルブについては右上がりの斜線を付した領域で示してある
。
【００３９】
図４に示すように、本形態の電子デバイス製造装置１０は、準備部１１と、この準備部
１１に接続された有機膜形成部１２と、この有機膜形成部１２に接続された無機膜形成部
１３とを有しており、有機膜形成部１２および無機膜形成部１３は、真空状態あるいは窒
素雰囲気等、大気と異なる状態にある。本形態において、有機膜形成部１２および無機膜
形成部１３は真空雰囲気になっている。
【００４０】
準備部１１は、成膜対象としての基板（図１および図２に示す第１基板１１０）を製造
装置内に導入する部分であり、導入室５２と、この導入室５２に接続されたロード室５４
と、ロード室５４に接続された搬送作業室５３と、この搬送作業室５３に接続された２つ
の前処理室５５、５６とを備えている。導入室５２は、その内部に搬送ロボット（図示せ
ず）を備えている。かかる導入室５２には、図２に示す隔壁１５１までが形成された第１
基板１１０が投入される。搬送作業室５３は、準備部１１から有機膜形成部１２に第１基
板１１０を搬送するためのものであり、有機膜形成部１２の位置合わせ室６２Ｒに接続さ
れている。搬送作業室５３は、搬送ロボット（図示せず）を備えており、かかる搬送ロボ
ットは、ロード室５４から位置合わせ室６２Ｒに第１基板１１０を搬送する動作、ロード
室５４から前処理室５５、５６に第１基板１１０を搬送する動作、および前処理室５５、
５６から位置合わせ室６２Ｒに第１基板１１０を搬送する動作を行なう。前処理室５５、
５６は、例えば、酸素プラズマまたはＵＶオゾンの発生装置を備えており、陽極層１４０
の活性化を行う。
【００４１】
有機膜形成部１２は、略四角形の３つの頂点に相当する位置に搬送作業室６３Ｒ、６３
Ｇ、６３Ｂを備え、残る１つの頂点に相当する位置に脱着室７０を備えている。また、有
機膜形成部１２は、搬送作業室６３Ｒ、６３Ｇの間にロード室６５Ｒ、６７Ｒおよび有機
膜蒸着室６６Ｒを備え、搬送作業室６３Ｇ、６３Ｂの間にロード室６５Ｇ、６７Ｇおよび
有機膜蒸着室６６Ｇを備え、搬送作業室６３Ｂ、８１の間にロード室６５Ｂ、６７Ｂおよ
び有機膜蒸着室６６Ｂを備えている。従って、有機膜形成部１２では、第１基板１１０の
搬送方向（矢印Ｓで示す方向）の上流側から下流側に向けて３つの有機膜蒸着室６６Ｒ、
６６Ｂ、６６Ｇが配列されている。
【００４２】
さらに、有機膜形成部１２は、搬送作業室６３Ｒに接続された位置合わせ室６２Ｒおよ
び治具搬入室６４Ｒと、搬送作業室６３Ｇに接続された位置合わせ室６２Ｇおよび非常搬
出室６４Ｇと、搬送作業室６３Ｂに接続された位置合わせ室６２Ｂおよび非常搬出室６４
Ｂとを備えている。
【００４３】
治具搬入室６４Ｒは、成膜工程において利用する蒸着マスク４０や結合治具４５を製造
装置内に新規にあるいは追加用に導入するためのものである。搬送作業室６３Ｒは搬送ロ
ボット（図示せず）を備えており、かかる搬送ロボットは、位置合わせ室６２Ｒから有機
膜蒸着室６６Ｒに第１基板１１０を搬送する動作、治具搬入室６４Ｒに投入された蒸着マ
スク４０や結合治具４５を位置合わせ室６２Ｒに搬送する動作、および蒸着マスク返却路
７５から蒸着マスク４０を結合治具４５と共に位置合わせ室６２Ｒに搬送する動作を行な
う。位置合わせ室６２Ｒでは、第１基板１１０に蒸着マスク４０を位置合わせし、結合治
具４５によって蒸着マスク４０を第１基板１１０に装着する動作が行なわれる。位置合わ
せ室６２Ｇ、６２Ｂも、位置合わせ室６２Ｒと同様の構成を有する。
【００４４】
搬送作業室６３Ｇは搬送ロボット（図示せず）を備えており、かかる搬送ロボットは、
有機膜蒸着室６６Ｒから位置合わせ室６２Ｇに第１基板１１０を搬送する動作、位置合わ
せ室６２Ｇから有機膜蒸着室６６Ｇに第１基板１１０を搬送する動作、および非常排出室
６４Ｇに第１基板１１０を搬送する動作を行なう。
【００４５】
搬送作業室６３Ｂは搬送ロボット（図示せず）を備えており、かかる搬送ロボットは、
有機膜蒸着室６６Ｇから位置合わせ室６２Ｂに第１基板１１０を搬送する動作、位置合わ
せ室６２Ｂから有機膜蒸着室６６Ｂに第１基板１１０を搬送する動作、非常排出室６４Ｂ
に第１基板１１０を搬送する動作などを行なう。
【００４６】
非常搬出室６４Ｇ、６４Ｂは、一時的に第１基板１１０を待機させる目的や、製造装置
内から第１基板１１０を排出するために用いられる。
【００４７】
ここで、有機膜形成部１２には、最下流の有機膜蒸着室６６Ｂから最上流の有機膜蒸着
室６６Ｒに向けて蒸着マスクを返却するための蒸着マスク返却路７５が構成されており、
本形態では、脱着室７０と搬送作業室６３Ｒとが蒸着マスク返却路７５によって直線的に
接続されている。かかる蒸着マスク返却路７５および脱着室７０も、有機膜蒸着室６６Ｒ
、有機膜蒸着室６６Ｇおよび有機膜蒸着室６６Ｂと同様、真空雰囲気になっている。
【００４８】
脱着室７０は搬送ロボットを備えており、かかる搬送ロボットは、有機膜蒸着室６６Ｂ
から第１基板１１０を脱着室７０に搬送する動作、成膜処理済の第１基板１１０から結合
治具４５や蒸着マスク４０を外す動作、および第１基板１１０から外した結合治具４５や
蒸着マスク４０を蒸着マスク返却路７５に搬出する動作などを行なう。
【００４９】
脱着室７０には搬送作業室８１が接続されており、搬送作業室８１は搬送ロボット（図
示せず）を備えている。かかる搬送ロボットは、脱着室７０において脱着された第１基板
１１０を、後述する無機膜形成部１３のロード室９２に搬送する動作などを行なう。
【００５０】
次に無機膜形成部１３の構成について説明する。無機膜形成部１３は、搬送作業室８１
にロード室９２を介して接続された搬送作業室９１と、この搬送作業室９１に接続された
２つの電極形成室９３、９４と、基板搬出室９５とを備えている。搬送作業室９１は搬送
ロボット（図示せず）を備えており、かかる搬送ロボットは、ロード室９２から電極形成
室９３、９４に第１基板１１０を搬送する動作、および電極形成室９３、９４から基板搬
出室９５に第１基板１１０を搬送する動作などを行なう。電極形成室９３は、マスク蒸着
により電子注入層１７０を形成するためのものであり、電極形成室９４は、マスク蒸着に
より陰極層１７１を形成するためのものである。基板搬出室９５は、例えば、陰極層１７
１を形成し終えた第１基板１１０をこの製造装置から外部に搬出するためのものである。
【００５１】
なお、本形態では、図１および図２を参照して説明したように、第１基板１１０に対し
て封止用の第２基板１２０を貼り合せた構成を採用している。かかる第２基板１２０の貼
り合せ工程も電子デバイス製造装置１０で行う場合には、基板搬出室９５に対して封止部
を接続すればよい。
【００５２】
（蒸着マスク４０に対するクリーニングの目的）
本形態の電子デバイス製造装置１０において、蒸着マスク４０や結合治具４５は、第１
基板１１０とともに、有機膜蒸着室６６Ｒ、有機膜蒸着室６６Ｇおよび有機膜蒸着室６６
Ｂを移動した後、脱着室７０において第１基板１１０から外され、蒸着マスク返却路７５
を介して搬送作業室６３Ｒに返却される。その間に、有機膜蒸着室６６Ｒ、有機膜蒸着室
６６Ｇおよび有機膜蒸着室６６Ｂでは、正孔注入層１８１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、正孔
輸送層１８２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）などの有機
機能層が形成される。その結果、蒸着マスク４０および結合治具４５には有機物が付着す
る。特に、蒸着マスク４０において、蒸着源６６６、６６７、６６８と対向する面側は有
機物が付着しやすい。その結果、蒸着マスク４０の厚みが実質的に増加した状態や、開口
４２が目詰まりした状態になると、有機機能層の形状や位置、厚さが変動してしまう。そ
こで、本形態では、図５を参照して説明するように、蒸着マスク返却路７５をクリーニン
グ室として構成してある。
【００５３】
（蒸着マスク返却路７５の構成）
図５は、本発明を適用した有機ＥＬ装置用の電子デバイス製造装置１０の蒸着マスク返
却路７５の構成を示す説明図である。
【００５４】
図５に示すように、本形態の有機ＥＬ装置用の電子デバイス製造装置１０において、蒸
着マスク返却路７５には、脱着室７０から搬送作業室６３Ｒに向かって蒸着マスク４０お
よび結合治具４５（図５には図示せず）を搬送する搬送ベルト２１およびローラー２３を
備えたベルト式の蒸着マスク搬送機構２０が設けられている。従って、脱着室７０の搬送
ロボットが、第１基板１１０から外した蒸着マスク４０を搬送ベルト２１上に搭載すると
、蒸着マスク４０によって搬送作業室６３Ｒに向けて搬送され、搬送作業室６３Ｒの搬送
ロボットは、搬送ベルト２１上の蒸着マスク４０を搬送作業室６３Ｒに搬入する。
【００５５】
ここで、蒸着マスク４０は、脱着室７０に到達するまでは、マスク蒸着の際に蒸着源と
対向する面側を下向きにして搬送されてくる。従って、脱着室７０の搬送ロボットは、蒸
着マスク４０を反転させ、マスク蒸着の際に蒸着源と対向する面側を上向きにして搬送ベ
ルト２１上に搭載する。
【００５６】
また、蒸着マスク返却路７５では、蒸着マスク４０の搬送方向（矢印Ｔで示す）の下流
側にプロセスガス供給用のガス導入口７５１が形成され、蒸着マスク４０の搬送方向の上
流側に排気口７５２が形成されている。また、蒸着マスク返却路７５に対してはプラズマ
発生装置３０が設けられている。ここで、搬送ベルト２１は、ステンレスなどの金属から
なる。そこで、本形態では、プラズマ発生装置３０の高周波電源装置３８は、搬送ベルト
２１に高周波電圧を印加し、蒸着マスク返却路７５にプラズマを発生させる。また、本形
態では、ガス導入口７５１から蒸着マスク返却路７５にプロセスガスとして、０2、ある
いは０2＋ＣＦ4など、酸素を含有するガスを供給する。
【００５７】
このため、蒸着マスク返却路７５では、酸素ラジカルによって、蒸着マスク４０および
結合治具４５に付着した有機物を除去することができる。しかも、蒸着マスク返却路７５
では、蒸着マスク４０および結合治具４５が搬送される時には常時プラズマが発生してい
るため、蒸着マスク４０は蒸着マスク返却路７５を通過するたびにクリーニングされる。
それ故、搬送作業室６３Ｒには常にクリーニング済みの蒸着マスク４０が戻るため、常に
クリーニング済みの蒸着マスク４０を用いて、有機膜の形成を行なることになる。
【００５８】
また、本形態では、図５には図示を省略したが、蒸着マスク４０に加えて、結合治具４
５も第１基板１１０から外されて蒸着マスク返却路７５を経由して有機膜蒸着室６６Ｒに
戻す。このため、蒸着マスク返却路７５では結合治具４５もクリーニングされる。
【００５９】
なお、陰極層１７１や電子注入層１７０などを形成する無機膜形成部１３で用いた蒸着
マスクにも成膜に使用するたびに無機膜が付着することになるが、陰極層１７１や電子注
入層１７０は広い範囲にわたって形成されるため、付着した無機物によって開口部が目詰
まりするという事態は発生しない。それ故、本形態では、有機膜形成部１２で用いる蒸着
マスク４０のみ対してクリーニングを行なう構成を採用している。
【００６０】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、有機膜蒸着室６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂでのマスク蒸
着に用いた蒸着マスクについては、蒸着マスク返却路７５を介して複数の有機膜蒸着室６
６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂのうち、最下流側の有機膜蒸着室６６Ｂから最上流側の有機膜蒸着
室６６Ｒに戻す。このため、第１基板１１０の搬送方向と逆行させずに、蒸着マスク４０
を有機膜蒸着室６６Ｂに戻すことができる。また、蒸着マスク４０を有機膜蒸着室６６Ｂ
に戻す際、蒸着マスク４０をデバイス製造装置１０の外部に一切、出さないため、デバイ
ス製造装置１０内への水分や酸素ガスなどの侵入を確実に防止することができる。
【００６１】
また、本形態では、蒸着マスク返却路７５にプラズマ処理装置３０を設け、蒸着マスク
返却路７５において、蒸着マスク４０にプラズマを照射することにより、蒸着マスク４０
に付着した有機物を除去する。このため、蒸着マスク４０に付着した有機物によって蒸着
精度が低下することを防止することができる。しかも、蒸着マスク返却路７５自身を蒸着
マスク４０に対するクリーニング室として利用するため、蒸着マスク４０は、１回の成膜
に使用されるたびにクリーニングされる。従って、搬送作業室６３Ｒには常にクリーニン
グ済みの蒸着マスク４０が戻るため、常にクリーニング済みの蒸着マスク４０を用いて、
有機膜の形成を行なうことができる。それ故、高い精度をもって、有機機能層（正孔注入
層１８１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、正孔輸送層１８２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、発光層１
８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ））を形成することができる。
【００６２】
さらに、蒸着マスク返却路７５自身を蒸着マスク４０に対するクリーニング室として利
用するため、クリーニング室を別途、設ける必要がない。それ故、電子デバイス製造装置
１０の占有スペースが増大することもない。しかも、蒸着マスク返却路７５は直線的に延
びている。このため、ベルト式の蒸着マスク搬送機構２０など、簡素な構成の搬送機構を
採用することができるとともに、蒸着マスク返却路７５の全体にプラズマを発生させるの
が容易である。
【００６３】
また、蒸着マスク４０は、第１基板１１０の搬送経路から完全に分かれた蒸着マスク返
却路７５を通過する際にクリーニングされるため、クリーニングしようとする蒸着マスク
４０と、クリーニング済みの蒸着マスク４０が第１基板１１０の搬送経路の同一個所に出
入りすることがない。従って、蒸着マスク４０を頻繁にクリーニングする場合でも、第１
基板１１０の流動にロスタイムが発生しない。また、クリーニング室で蒸着マスク４０が
滞留することがないので、蒸着マスク４０の数が少なく済む。
【００６４】
また、本形態では、蒸着マスク返却路７５において、蒸着マスク４０の搬送方向の下流
側からプロセスガスを供給し、蒸着マスク４０の搬送方向の上流側から排気を行なう。こ
のため、蒸着マスク返却路７５では、蒸着マスク４０の搬送方向の下流にいくほど、ガス
中の反応生成物が少ない。従って、高いクリーニング能力を得ることができるとともに、
反応生成物によって蒸着マスク４０が汚染されることもない。
【００６５】
さらに、本形態では、蒸着マスク搬送機構２０の金属製の搬送ベルト２１に高周波電圧
を印加して高周波放電を発生させ、プラズマを生成する。このため、簡素な構成でプラズ
マを生成することができる。
【００６６】
また、蒸着マスク４０は、マスク蒸着の際に蒸着源と対向する面側を上向きにして搬送
ベルト２１上に搭載されているので、蒸着マスク４０から有機物を効率よく除去すること
ができる。
【００６７】
［蒸着マスク４０に対するクリーニングのための別の構成］
図６は、本発明を適用した有機ＥＬ装置用の電子デバイス製造装置１０の蒸着マスク返
却路７５の別の構成例を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、図５を参照
して説明した構成と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それ
らの詳細な説明は省略する。
【００６８】
上記実施の形態では、蒸着マスク返却路７５の全体にわたってプラズマを発生させたが
、図６に示す電子デバイス製造装置１０において、プラズマ処理装置３０は、搬送されて
いく蒸着マスク４０の位置に応じてプラズマの発生位置を変化させる。すなわち、プラズ
マ処理装置３０は、蒸着マスク４０の搬送方向（矢印Ｔで示す）に複数の電極３６を備え
ており、複数の電極３６と高周波電源装置３８との間にはスイッチ回路３７が設けられて
いる。従って、蒸着マスク４０が到達した位置の電極（実線で示す）については、高周波
電圧を印加し、蒸着マスク４０が到達した後あるいは到達する前の電極（点線で示す）に
ついては、高周波電圧の印加を停止する。このため、蒸着マスク４０が位置する領域のみ
にプラズマが発生する。従って、パワーが比較的小さなプラズマ処理装置３０であっても
、蒸着マスク４０から有機物を効率よく除去することができる。
【００６９】
なお、本形態でも、図５を参照して説明した構成と同様、蒸着マスク返却路７５におい
て、蒸着マスク４０の搬送方向の下流側からプロセスガスを供給し、蒸着マスク４０の搬
送方向の上流側から排気を行なう。このため、蒸着マスク返却路７５では、蒸着マスク４
０の搬送方向の下流にいくほど、ガス中の反応生成物が少ない。従って、高いクリーニン
グ能力を得ることができるとともに、反応生成物によって蒸着マスク４０が汚染されるこ
ともない。また、蒸着マスク４０は、マスク蒸着の際に蒸着源と対向する面側を上向きに
して搬送ベルト２１上に搭載されているので、蒸着マスク４０から有機物を効率よく除去
することができる。
【００７０】
（その他の実施の形態）
上記形態においては、電子デバイス装置として有機ＥＬ装置１００を例示したが、有機
ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）以外の電光変換素子や、受光素子や太陽電池など
の光電変換素子、さらには有機機能膜を用いた有機半導体素子を備えた電子デバイス装置
の製造に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００７１】
１０・・電子デバイス製造装置、２０・・蒸着マスク搬送機構、２１・・搬送ベルト、３
０・・プラズマ発生装置、４０・・蒸着マスク、６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂ・・有機膜蒸着
室、１００・・有機ＥＬ装置（電子デバイス装置）、１１０・・第１基板、１７０・・電
子注入層、１７１・・陰極層、１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）・・有機ＥＬ素子（電子デ
バイス）、１８１・・正孔注入層（有機機能層）、１８２・・正孔輸送層（有機機能層）
、１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）・・発光層（有機機能層）、７５１・・ガス導入口、７
５２・・排気口
【図１】
2010225353.tif 000003
【図２】
2010225353.tif 000004
【図３】
2010225353.tif 000005
【図４】
2010225353.tif 000006
【図５】
2010225353.tif 000007
【図６】
2010225353.tif 000008