(57)【要約】【課題】リセット動作の時間を短縮して高速表示性を実現するとともに、長寿命化を実現する。【解決手段】画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓと、その画素回路１１に隣接する行に属する画素回路１１の選択用トランジスタ１１ｄにゲートスキャン信号を供給するゲート走査線１４とをソース用トランジスタ１１ｅを介して接続し、駆動用トランジスタ１１ｂを用いることなく、選択用トランジスタ１１ｄとソース用トランジスタ１１ｅとをオンすることによって容量素子１１ｃおよび発光素子の寄生容量５１のリセット動作を行うことによってリセット時間を短縮する。【選択図】図２
2010276740.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、および前記駆動用トランジスタのゲート端子と該駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置であって、前記画素回路の駆動用トランジスタのソース端子と該画素回路に隣接する行に属する画素回路の前記選択用トランジスタにオンオフするための選択走査信号を供給する走査線とが、ソース用トランジスタを介して接続されている表示装置の駆動制御方法において、
前記選択用トランジスタと前記ソース用トランジスタとをオンすることによって前記容量素子および前記発光素子の寄生容量のリセット動作を行うことを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
【請求項２】
発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、および前記駆動用トランジスタのゲート端子と該駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置であって、
前記画素回路の駆動用トランジスタのソース端子と、該画素回路に隣接する行に属する画素回路の前記選択用トランジスタにオンオフするための選択走査信号を供給する走査線とが、ソース用トランジスタを介して接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
前記選択用トランジスタと前記ソース用トランジスタとをオンすることによって前記容量素子および前記発光素子の寄生容量のリセット動作を行う制御部を備えたことを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記選択走査信号と前記画素回路のソース用トランジスタをオンオフするためのソース走査信号とを出力する走査駆動部を備え、
前記走査駆動部が、下式（１）の関係を満たす前記選択走査信号と前記ソース走査信号とを出力するものであることを特徴とする請求項２または３記載の表示装置。
Ｖｇｏｆｆ−Ｖｓｏｆｆ＞Ｖｔｈ  ・・・  （１）
ただし、Ｖｇｏｆｆは前記選択走査信号のオフ電圧レベル、Ｖｓｏｆｆは前記ソース走査信号のオフ電圧レベル、Ｖｔｈはソース用トランジスタの閾値電圧である。
【請求項５】
前記走査駆動部が、前記選択走査信号のオフ電圧レベルと前記ソース走査信号のオフ電圧レベルとの差が、式（１）を満たす範囲で、前記ソース用トランジスタの閾値電圧とほぼ同じになるような前記選択走査信号と前記ソース走査信号とを出力するものであることを特徴とする請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記選択走査信号と前記画素回路のソース用トランジスタをオンオフするためのソース走査信号とを出力する走査駆動部を備え、
前記走査駆動部が、前記選択走査信号のオン電圧レベルと前記ソース走査信号のオン電圧レベルとがほぼ同じになるような前記選択走査信号と前記ソース走査信号とを出力するものであることを特徴とする請求項２から５いずれか１項記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス方式で駆動される発光素子を備えた表示装置およびその表示装置の駆動制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ発光素子などの発光素子を用いた表示装置が提案されており、テレビや携帯電話のディスプレイなど種々の分野での利用が提案されている。
【０００３】
一般に、有機ＥＬ発光素子は電流駆動型発光素子であるため、液晶ディスプレイとは異なり、その駆動回路として画素回路を選択する選択用トランジスタと表示画像に応じた電荷を保持する容量素子と有機ＥＬ発光素子を駆動する駆動用トランジスタが最低限必要である（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
そして、特許文献１に記載の表示装置においては、有機ＥＬ発光素子を駆動する駆動用トランジスタとしてＰ型ＴＦＴ（thin film transistor）を用いているため有機ＥＬ発光素子のＶｆ（発光時順方向電圧降下）に影響されずに駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓをプログラムすることが可能である。
【０００５】
しかしながら、駆動用トランジスタとしてアモルファスシリコンＴＦＴまたは無機酸化膜ＴＦＴを用いる場合にはＴＦＴがＮ型となるため、環境温度や経時で変動する有機ＥＬ発光素子のＶｆを予測し、その予測したＶｆを考慮して駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓをプログラムする必要があるが、その予測したＶｆと実際のＶｆとの間で大きな誤差が生じる場合があり、表示画像に影響を及ぼす問題がある。
【０００６】
そこで、たとえば、特許文献２においては、駆動用トランジスタのソース端子にスイッチ素子を設け、駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧をプログラムする際に駆動用トランジスタのソース電位を固定した状態でゲート電圧を設定する方法が提案されている。
【０００７】
一方、従来、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の画素回路には、低温ポリシリコンまたはアモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタが用いられていた。
【０００８】
しかしながら、低温ポリシリコンの薄膜トランジスタは高移動度と閾値電圧安定性を得ることができるが、移動度の均一性に問題がある。また、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタは移動度均一性を得ることができるが、移動度の低さと閾値電圧の経時変動の問題がある。
【０００９】
したがって、特許文献２に記載の画素回路においても、上記のような移動度の不均一性および閾値電圧の不安定性により、表示画像の輝度ムラが発生し、画質の面で問題がある。
【００１０】
そこで、たとえば特許文献３に記載の有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ発光素子の寄生容量を駆動用トランジスタで自己充電し、駆動用トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動を補正する方法が提案されている。特許文献３に記載の方法においては、駆動用トランジスタのゲート端子に固定電圧を印加し、駆動用トランジスタの駆動電流Ｉｄで有機ＥＬ発光素子の寄生容量を充電することで駆動用トランジスタのソース電位をＶｇ（ゲート電圧）−Ｖｔｈ（閾値電圧）に固定した後、ゲート端子への印加電圧を駆動電圧Ｖｏｄだけステップアップすることで閾値電圧を補正した電圧プログラムが行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平８−２３４６８３号公報
【特許文献２】特開２００３−１７３１５４号公報
【特許文献３】特開２００３−２７１０９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ここで、図１２に、特許文献３に記載の画素回路の構成を示す。特許文献３に記載の画素回路は、発光部７とその寄生容量８とからなる発光素子と、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ６と、駆動用トランジスタ６のゲート端子とソース端子との間に接続される容量素子５と、駆動用トランジスタ６のゲート端子に接続される選択用トランジスタ４とを備えている。
【００１３】
そして、特許文献３に記載の画素回路においては、最初に容量素子５と寄生容量８の電荷を放電させてリセットする必要があるが、このとき駆動用トランジスタ６が利用される。そして、一般的に選択用トランジスタ４はＷ/Ｌ比を大きく設定し、小さなゲート−ソース間電圧Ｖｇｓでも確実にオンするように構成されているのに対し、駆動用トランジスタ６は、プログラムするゲート−ソース間電圧Ｖｇｓで発光素子の駆動電流を設定するため、Ｗ/Ｌ比を小さくしＶｇｓの変化に対し、駆動電流Ｉｄの変化が小さくなるように構成されている。
【００１４】
したがって、駆動用トランジスタをスイッチ動作させるとオン抵抗を十分小さくすることが困難であり、その分放電に時間がかかり、リセット時間が長くなってしまう。
【００１５】
そこで、特許文献３においては、リセット時間の短縮のための専用のソース接続スイッチ９をさらに設けた画素回路が提案されている（図１３参照）。
【００１６】
しかしながら、図１３に示されているような３つのトランジスタを用いた構成では、バス配線２が必要となる。図１３に示す回路図上では、発光素子のアノード端子とカソード端子とをソース接続スイッチ９で接続すればよいように見えるが、実際の基板上では、ソース接続スイッチ９の上に平滑層、発光素子のアノード端子、発光層、カソード端子の順に積層されるため、ソース接続スイッチ９とカソード端子とを接続するには、最上層から最下層へのコンタクトホールが必要となり、製膜時のマスクの枚数が増加したり、歩留りが低下したりしてコストアップの問題が生じる。
【００１７】
したがって、低コストで確実に発光素子のカソード端子とソース接続スイッチ９とを接続するためにはカソード端子が設けられた層においてバス配線２を引く必要がある。
【００１８】
そして、このバス配線２の増加によって発光素子の発光領域が減少し、開口率の低下を招くことになる。開口率が低下すると表示装置としての輝度低下となるため、各発光素子の発光面輝度を上昇させることになり、結果的に、表示装置としての寿命が短くなるという問題が生じる。
【００１９】
本発明は、上記の事情に鑑み、リセット動作の時間を短縮して高速表示性を実現することができるとともに、長寿命化を実現することができる表示装置およびその表示装置の駆動制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の表示装置の駆動制御方法は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、および駆動用トランジスタのゲート端子と駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置であって、画素回路の駆動用トランジスタのソース端子とその画素回路に隣接する行に属する画素回路の選択用トランジスタにオンオフするための選択走査信号を供給する走査線とが、ソース用トランジスタを介して接続されている表示装置の駆動制御方法において、選択用トランジスタとソース用トランジスタとをオンすることによって容量素子および発光素子の寄生容量のリセット動作を行うことを特徴とする。
【００２１】
本発明の表示装置は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、および駆動用トランジスタのゲート端子と駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置であって、画素回路の駆動用トランジスタのソース端子と、その画素回路に隣接する行に属する画素回路の選択用トランジスタにオンオフするための選択走査信号を供給する走査線とが、ソース用トランジスタを介して接続されていることを特徴とする。
【００２２】
また、上記本発明の表示装置においては、選択用トランジスタとソース用トランジスタとをオンすることによって容量素子および発光素子の寄生容量のリセット動作を行う制御部を設けることができる。
【００２３】
また、選択走査信号と画素回路のソース用トランジスタをオンオフするためのソース走査信号とを出力する走査駆動部を設け、走査駆動部を、下式（１）の関係を満たす選択走査信号とソース走査信号とを出力するものとすることができる。
【００２４】
Ｖｇｏｆｆ−Ｖｓｏｆｆ＞Ｖｔｈ  ・・・  （１）
ただし、Ｖｇｏｆｆは選択走査信号のオフ電圧レベル、Ｖｓｏｆｆはソース走査信号のオフ電圧レベル、Ｖｔｈはソース用トランジスタの閾値電圧である。
【００２５】
また、走査駆動部を、選択走査信号のオフ電圧レベルとソース走査信号のオフ電圧レベルとの差が、上式（１）を満たす範囲で、駆動用トランジスタの閾値電圧とほぼ同じになるような選択走査信号とソース走査信号とを出力するものとすることができる。
【００２６】
また、選択走査信号と画素回路のソース用トランジスタをオンオフするためのソース走査信号とを出力する走査駆動部を設け、走査駆動部を、選択走査信号のオン電圧レベルとソース走査信号のオン電圧レベルとがほぼ同じになるような選択走査信号とソース走査信号とを出力するものとすることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の表示装置およびその駆動制御方法によれば、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、および駆動用トランジスタのゲート端子と駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置において、画素回路の駆動用トランジスタのソース端子と、その画素回路に隣接する行に属する画素回路の選択用トランジスタにオンオフするための選択走査信号を供給する走査線とをソース用トランジスタを介して接続し、選択用トランジスタとソース用トランジスタとをオンすることによって容量素子および発光素子の寄生容量のリセット動作を行うようにしたので、特許文献３に記載の画素回路のようにリセット動作に駆動用トランジスタを用いないのでリセット動作時間を短縮することができ、かつバス配線も設ける必要がないので発光素子の開口率も十分に確保することができ、高速表示性を実現することができるとともに、長寿命化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の表示装置の一実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図
【図２】本発明の表示装置の一実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を示す図
【図３】本発明の表示装置の一実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の作用を説明するためのタイミングチャート
【図４】本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置のリセット動作の作用を説明するための図
【図５】本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置の閾値電圧検出動作の作用を説明するための図
【図６】本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置のプログラム動作の作用を説明するための図
【図７】本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置の発光動作を説明するための図
【図８】走査駆動回路から出力されるゲートスキャン信号とソーススキャン信号の電圧波形の一例を示す図
【図９】走査駆動回路から出力されるゲートスキャン信号とソーススキャン信号の電圧波形の一例を示す図
【図１０】従来の画素回路の配線パターンを示す図
【図１１】本発明の一実施形態の画素回路の配線パターンの一例を示す図
【図１２】従来の画素回路の構成を示す図
【図１３】従来の画素回路の構成を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、図面を参照して本発明の表示装置の一実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。図１は、本発明の一実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図である。
【００３０】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、図１に示すように、有機ＥＬ発光素子を有する画素回路１１が２次元状に多数配列されたアクティブマトリクス基板１０と、各画素回路１１の駆動用トランジスタのゲート端子に表示データに基づく駆動電圧を供給するゲート駆動回路１２と、各画素回路１１にゲートスキャン信号およびソーススキャン信号を出力する走査駆動回路１３と、画像データに応じた表示データと同期信号に基づくタイミング信号をゲート駆動回路１２に出力する制御部１７とを備えている。
【００３１】
そして、アクティブマトリクス基板１０は、走査駆動回路１３から出力されたゲートスキャン信号を各画素回路行に供給する多数のゲート走査線１４と、走査駆動回路１３から出力されたソーススキャン信号を各画素回路行に供給する多数のソース走査線１５と、ゲート駆動回路１２から出力された駆動電圧を各画素回路列に供給する多数のデータ線１６とを備えている。
【００３２】
そして、データ線１６とゲート走査線１４およびソース走査線１５とは直交して格子状に設けられている。そして、これらの交差点近傍に画素回路１１が設けられている。
【００３３】
各画素回路１１は、図２に示すように、有機ＥＬ発光素子１１ａと、有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子にソース端子Ｓが接続され、有機ＥＬ発光素子１１ａに駆動電流を流す駆動用トランジスタ１１ｂと、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続された容量素子１１ｃと、容量素子１１ｃの一端および駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに一端が接続されるとともに、他端がデータ線１６に接続された選択用トランジスタ１１ｄとを備えている。そして、さらに、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓと、隣接する行に属する画素回路１１の選択用トランジスタ１１ｄにゲートスキャン信号を供給するゲート走査線１４との間にソース用トランジスタ１１ｅが接続されている。
【００３４】
有機ＥＬ発光素子１１ａは、駆動用トランジスタ１１ｂにより流された駆動電流により発光する発光部５０と、発光部５０の寄生容量５１とを有している。そして、有機ＥＬ発光素子１１ａのカソード端子は共通電位（図２では接地電位）に接続されている。
【００３５】
駆動用トランジスタ１１ｂ、選択用トランジスタ１１ｄおよびソース用トランジスタ１１ｅは、Ｎ型の薄膜トランジスタから構成されている。そして、駆動用トランジスタ１１ｂの薄膜トランジスタの種類としては、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタや無機酸化膜の薄膜トランジスタを用いることができる。無機酸化膜薄膜トランジスタとしては、たとえば、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）を材料とする無機酸化膜からなる薄膜トランジスタを利用することができるが、ＩＧＺＯに限らず、その他ＩＺＯ（ＩｎＺｎＯ）なども用いることができる。
【００３６】
走査駆動回路１３は、制御部１７から出力されたタイミング信号に基づいて、画素回路１１の選択用トランジスタ１１ｄをオンオフするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧを各ゲート走査線１４に順次出力するとともに、各ソース走査線１５に、後述するリセット動作に応じてソース用トランジスタ１１ｅをオンオフするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳを供給するものである。
【００３７】
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について、図３に示すタイミングチャートおよび図４から図７を参照しながら説明する。なお、図３には、走査駆動回路１３から出力されるＮ行目のゲートスキャン信号ＳｃａｎＧ（Ｎ）およびＮ−１行目のゲートスキャン信号ＳｃａｎＧ（Ｎ−１）の電圧波形と、走査駆動回路１３から出力されたＮ行目のソーススキャン信号ＳｃａnＳ（Ｎ）の電圧波形と、ゲート駆動回路１２から出力されるデータ信号Ｖｄａｔａの出力タイミングと、Ｎ行目の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇｎ、ソース電圧Ｖｓｎおよびゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎの電圧波形とが示されている。
【００３８】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、アクティブマトリクス基板１０の各ゲート走査線１４に接続された画素回路行が順次選択され、１行単位でプログラム動作が行なわれる。ここでは、Ｎ行目の画素回路行において行なわれる動作について説明する。
【００３９】
まず、Ｎ行目の画素回路行についてリセット動作が行われる（図３の時刻ｔ１〜時刻ｔ２、図４参照）。
【００４０】
具体的には、図３に示すように、走査駆動回路１３からゲート走査線１４に選択用トランジスタ１１ｄをオンするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧ（Ｎ）が出力されるとともに、走査駆動回路１３からソース走査線１５にソース用トランジスタ１１ｅをオンするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳ（Ｎ）が出力される。そして、図４に示すように、ゲートスキャン信号ＳｃａｎＧ（Ｎ）に応じて選択用トランジスタ１１ｄがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇがデータ線１６に接続される。また、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳ（Ｎ）に応じてソース用トランジスタ１１ｅがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓおよび容量素子１１ｃの一端（駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子とは反対側）と、隣接するＮ−１行目の画素回路行にゲートスキャン信号ＳｃａｎＧ（Ｎ−１）を供給するゲート走査線１４とが接続される。
【００４１】
そして、このときゲート駆動回路１２から各データ線１６に所定電圧ＶＢが出力され、各画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに供給される。
【００４２】
上記のような動作によって、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇｎ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓｎ＝Ｖｇｏｆｆとなり、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎ＝ＶＢ−Ｖｇｏｆｆに設定される。なお、Ｖｇｏｆｆはゲートスキャン信号のオフ電圧レベルであり、現在、Ｎ行の画素回路行が選択されているので、Ｎ−１行の画素回路行のゲート走査線１４にはオフ電圧レベルのゲートスキャン信号が供給されていることになる。また、ＶＢとしては所定の正の電圧が設定され、Ｖｇｏｆｆとして０Ｖ以下の電圧が設定されているものとする。
【００４３】
これにより駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン−ソース間にＶｇｓｎに応じた電流が流れ、その電流がＮ−１行目のゲート走査線１４に流れ込むことによって容量素子１１ｃおよび寄生容量５１がリセットされる。
【００４４】
そして、次に、Ｎ行目の画素回路行について、閾値電圧検出動作が行われる（図３の時刻ｔ２〜時刻ｔ３、図５参照）。
【００４５】
具体的には、図３に示すように、走査駆動回路１３からソース走査線１５にソース用トランジスタ１１ｅをオフするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳ（Ｎ）が出力される。そして、図５に示すように、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳ（Ｎ）に応じてソース用トランジスタ１１ｅがオフされる。
【００４６】
これにより駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎ＝ＶＢとなり、駆動用トランジスタ１１ｂから有機ＥＬ発光素子１１ａに駆動電流Ｉｄが流れる。そして、この駆動電流Ｉｄにより有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１が充電され、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが徐々に上昇する。
【００４７】
そして、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇには所定電圧ＶＢが供給されているので、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓの上昇によりゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは低下し、Ｖｇｓ＝Ｖｔｈになった時点で駆動電流Ｉｄ＝０となり、ソース電圧Ｖｓの上昇は停止する。このとき容量素子１１ｃの両端電圧Ｖｃｓ＝Ｖｇｓ＝Ｖｔｈとなる。
【００４８】
なお、このとき、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈであり、Ｖｓは有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧以下とする必要があるため、
ＶＢ＜Ｖｆ０＋Ｖｔｈｍｉｎ
が条件となる。Ｖｆ０は有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧、Ｖｔｈｍｉｎは駆動用トランジスタ１１ｂの最小閾値電圧である。
【００４９】
そして、次に、Ｎ行目の画素回路行のプログラム動作が行われる（図３における時刻ｔ３〜時刻ｔ４、図６参照）。上記閾値電圧検出動作によって駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧が十分に安定した時点でゲート駆動回路１２は各データ線１６に出力する電圧を所定電圧ＶＢからＶＢ＋Ｖｏｄにステップアップさせる。
【００５０】
ここで、Ｖｏｄは有機ＥＬ発光素子１１ａに所望の輝度に応じた駆動電流を流すための駆動用トランジスタ１１ｂの駆動電圧であり、Ｖｏｄ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈである。そして、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓは容量素子１１ｃの容量値Ｃｓと寄生容量５１の容量値Ｃｄの分圧となるので、
Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ×Ｃｓ/（Ｃｄ＋Ｃｓ）
となるが、Ｃｄ≫Ｃｓである場合には、
Ｖｓ≒ＶＢ−Ｖｔｈ
Ｖｇｓ≒ＶＢ＋Ｖｏｄ−（ＶＢ−Ｖｔｈ）＝Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ
となり、ほぼ容量素子１１ｃで検出したＶｔｈにＶｏｄを加算した値となる。
【００５１】
そして、次に、Ｎ行目の画素回路行の発光動作が行われる（図３における時刻ｔ４以降、図７参照）。
【００５２】
具体的には、走査駆動回路１３からゲート走査線１４に選択用トランジスタ１１ｄをオフするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧ（Ｎ）が出力され、図７に示すように、ゲートスキャン信号に応じて選択用トランジスタ１１ｄがオフされる。これにより、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１６との接続が遮断される。
【００５３】
そして、図７に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂには、上述したプログラム動作における容量素子１１ｃの両端電圧が保持されたままその駆動電圧に応じた駆動電流Ｉｄが流れ、この駆動電流Ｉｄによって有機ＥＬ発光素子１１ａの発光部５０が発光する。なお、Ｖｏｄの印加完了後、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇する前に選択用トランジスタ１１ｄをオフする必要がある。
【００５４】
上記実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓと、その画素回路に隣接する行に属する画素回路１１の選択用トランジスタ１１ｄにゲートスキャン信号を供給するゲート走査線１４とをソース用トランジスタ１１ｅを介して接続し、選択用トランジスタ１１ｄとソース用トランジスタ１１ｅとをオンすることによって容量素子１１ｃおよび寄生容量５１のリセット動作を行うようにしたので、リセット動作に駆動用トランジスタを用いないのでリセット動作時間を短縮することができ、かつバス配線も設ける必要がないので発光素子の開口率も十分に確保することができ、高速表示性を実現することができるとともに、長寿命化を実現することができる。
図１０は、従来のバス配線を設けた場合の画素回路の配線パターンであり、図１１は、上記実施形態の画素回路の配線パターンである。なお、図１０に示す符号は、図１３に示す画素回路の符号に対応しており、１が電源線、３がデータ線、２０がゲート走査線、２１がソース走査線、２がバス配線、７が発光素子である。また、図１１に示す符号は、図２に示す画素回路の符号に対応しており、１６がデータ線、１４がゲート走査線、１５がソース走査線、５０が発光素子である。図１０および図１１から、本実施形態の画素回路の配線パターンの方が従来の画素回路に比べてバス配線のパターンがない分、発光素子の面積を大きくすることができることがわかる。
【００５５】
また、上記実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、走査駆動回路１３から出力されるゲートスキャン信号ＳｃａｎＧとソーススキャン信号ＳｃａｎＳとが、ソース用トランジスタ１１ｅがオフ期間に十分にオフ動作するために、下式（１）の関係を満たす関係であることが望ましい（図８参照）。
【００５６】
Ｖｇｏｆｆ−Ｖｓｏｆｆ＝ΔＶ＞Ｖｔｈ  ・・・  （１）
ただし、Ｖｇｏｆｆはゲートスキャン信号のオフ電圧レベル、Ｖｓｏｆｆはソーススキャン信号のオフ電圧レベル、Ｖｔｈはソース用トランジスタ１１ｅの閾値電圧である。なお、各トランジスタの閾値電圧は同一であることが望ましい。
【００５７】
また、上記実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、走査駆動回路１３から出力されるゲートスキャン信号ＳｃａｎＧのオフ電圧レベルＶｇｏｆｆとソーススキャン信号ＳｓｃａｎＳのオフ電圧レベルＶｓｏｆｆとの差ΔＶが、上式（１）を満たす範囲で、ソース用トランジスタ１１ｅの閾値電圧とほぼ同じになるようにすることが望ましい。その理由は以下のとおりである。オフレベルの差をＶｔｈより十分に大きく設定すればソース用トランジスタ１１ｅのオフ動作は確実になるが、オン電圧が低くなりオン動作が不十分になる。そこで、オフレベルの差ΔＶがＶｔｈより大きければよいため、その条件を満たしつつΔＶをＶｔｈに近づけることが望ましく、ΔＶとＶｔｈとの差を最小にすることで、ゲート駆動信号のオン電圧の低下を極力抑えられオン動作を確実に行うことができる。
【００５８】
また、上記実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、走査駆動回路１３から出力されるゲートスキャン信号ＳｃａｎＧのオン電圧レベルＶｇｏｎとソーススキャン信号ＳｃａｎＳのオン電圧レベルＶｓｏｎとを近づけることが望ましく、図９に示すように、ほぼ同じになるようにすることが望ましい。その理由は以下のとおりである。図８に示すようにゲートスキャン信号ＳｃａｎＧとソーススキャン信号ＳｃａｎＳのオン電圧レベルとオフ電圧レベルをそれぞれ設定するようにした場合、それぞれの設定電圧に対応する電圧源が必要となり、４つの電圧源が必要となるが、上記のようにＶｇｏｎ＝Ｖｓｏｎとすることによって３種類の電圧源にすることができコストの低減を図ることができる。また、ソース用トランジスタのオン電圧レベルＶｓｏｎを高くすることができるのでオン動作をより確実に行うことができる。
【００５９】
また、走査駆動回路１３から出力されるゲートスキャン信号Ｓｃａｎのオフ電圧レベルＶｇｏｆｆは、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧と発光素子１１ａの発光閾値電圧とに基づいて設定することが望ましい。駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧については、予め計測するようにしてもよい。
【００６０】
また、上記本発明の実施形態は、本発明の表示装置を有機ＥＬ表示装置に適用したものであるが、発光素子としては、有機ＥＬ発光素子に限らず、たとえば、無機ＥＬ素子などを用いるようにしてもよい。
【００６１】
また、本発明の表示装置は、様々な用途がある。たとえば、携帯情報端末（電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話など）、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビなどが挙げられる。
【符号の説明】
【００６２】
１０   アクティブマトリクス基板
１１   画素回路
１１ａ 発光素子
１１ｂ 駆動用トランジスタ
１１ｃ 容量素子
１１ｄ 選択用トランジスタ
１１ｅ ソース用トランジスタ
１２   ゲート駆動回路
１３   走査駆動回路
１４   ゲート走査線
１５   ソース走査線
１６   データ線
１７   制御部
５０   発光部
５１   寄生容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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