(57)【要約】【課題】  本発明に係わるＥＣＣ媒体によれば、記録層が耐腐食性に優れた磁気記録媒体を提供することにある。【解決手段】  基板１０と基板１０上に形成された軟磁性層２０と軟磁性層２０上に形成された化合物Ｍ１Ｘを含む第１の磁性層３０と第１の磁性層３０上の一部表面を覆って形成された非磁性層４０と非磁性層４０上に形成された化合物Ｍ２Ｘを含む第２の磁性層５０と第２の磁性層５０上に形成された保護層６０とを備えた磁気記録媒体であって、Ｍ１、Ｍ２がＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏから選択される元素でありＸがＯ又はＮから選択される元素でありＭ１の質量数をｍ１、Ｍ２の質量数をｍ２として、Ｍ１、Ｍ２の選択された元素の質量数がｍ１＜ｍ２の関係を有している。【選択図】  図１
2010140556.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された軟磁性層と、
前記軟磁性層上に形成された化合物Ｍ１Ｘを含む第１の磁性層と、
前記第１の磁性層上の一部表面を覆って形成された非磁性層と、
前記非磁性層上に形成された化合物Ｍ２Ｘを含む第２の磁性層と、
前記第２の磁性層上に形成された保護層と、
を備えた磁気記録媒体であって、
前記Ｍ１、前記Ｍ２がＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏから選択される元素であり、
前記ＸがＯ又はＮから選択される元素であり、
前記Ｍ１の質量数をｍ１、前記Ｍ２の質量数をｍ２として、前記Ｍ１、前記Ｍ２の選択された元素の質量数がｍ１＜ｍ２の関係を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
基板上に軟磁性層を積層する工程と、
前記軟磁性層上に化合物Ｍ１Ｘを含む第１の磁性層を積層する工程と、
前記第１の磁性層上に非磁性層を積層する工程と、
前記非磁性層上に化合物Ｍ２Ｘを含む第２の磁性層を積層する工程と、
前記第２の磁性層上に保護層を積層する工程と、
前記保護層上にレジストを塗布する工程と、
前記レジストにスタンパを用いて凹凸を転写する工程と、
前記レジストの残渣を除去して、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして用いて加工を行い、前記非磁性層、前記第２の磁性層及び前記保護層に凹凸をつける工程と、
前記レジスト及び前記保護層を除去する工程と、
前記第２の磁性層上に保護層を成膜する工程を有し、
前記化合物Ｍ１Ｘ及び前記化合物Ｍ２Ｘの、
前記Ｍ１、Ｍ２がＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏから選択される元素であり、
前記ＸがＯ又はＮから選択される元素であり、
前記Ｍ１の質量数をｍ１、Ｍ２の質量数をｍ２として、前記Ｍ１、前記Ｍ２の選択された元素の質量数がｍ１＜ｍ２の関係を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記化合物Ｍ１ＸがＳｉＯ２であり、
前記化合物Ｍ２ＸがＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｂＯ２、ＭｏＯ２、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記化合物Ｍ１ＸがＴｉＯ２であり、
前記化合物Ｍ２ＸがＣｒ２Ｏ３、ＮｂＯ２、ＭｏＯ２、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
軟磁性層と、
前記軟磁性層上に形成された化合物Ｍ１Ｘを含む第１の磁性層と、
前記第１の磁性層上の一部表面を覆って形成された非磁性層と、
前記非磁性層上に形成された化合物Ｍ２Ｘを含む第２の磁性層と、
前記第２の磁性層上に形成された保護層と、
を備えており、
前記Ｍ１、前記Ｍ２がＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏから選択される元素であり、
前記ＸがＯ又はＮから選択される元素であり、
前記Ｍ１の質量数をｍ１、Ｍ２の質量数をｍ２として、前記Ｍ１、前記Ｍ２の選択された元素の質量数がｍ１＜ｍ２の関係を有して形成されている磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気記録再生ヘッドと、
を有することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度記録可能な磁気記録再生装置、磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｃ  Ｄｒｉｖｅ）などの磁気記録再生装置において、磁気記録媒体の１つに、記録密度を向上させるための手段として、記録層に磁気異方性エネルギー（Ｋｕ）の異なる二層を積層させた、ＥＣＣ（Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）媒体がある（例えば、特許文献１、特許文献２を参照）。高記録密度化のためには、磁性粒子の微細化や磁気的相互作用の低減が有効である。しかしながら、粒子を微細化すると、熱揺らぎが大きくなるため、磁気異方性エネルギーＫｕ値（以下、Ｋｕ値と称する）を大きくする必要がある。
【０００３】
しかし、Ｋｕ値を大きくすると記録時に必要な磁界強度も高くなり、記録再生ヘッドでの記録が困難になる。ＥＣＣ媒体は、Ｋｕ値の大きい層で粒子の微細化によって起こる熱揺らぎ問題を低減し、Ｋｕ値の小さい層で反転磁界を低減させて記録再生ヘッドでの書き込みが可能となる。
【０００４】
一方、記録密度を向上させるための別の手段として、記録トラック間を物理的に分離するディスクリートトラック型パターン媒体（以下、ＤＴＲ媒体と称する）と呼ばれる磁気記録媒体もある。ＤＴＲ媒体は、記録時におけるサイドイレース現象、再生時に隣接トラックの情報が混合してしまうサイドリード現象などを低減できるため、トラック方向の密度を大幅に高めることが可能となり、高密度記録可能な磁気記録媒体が提供できる。さらに、ＤＴＲ媒体は、サーボ情報も一括してパターンとしてディスクに作製するため、長時間を要して磁気ヘッドでサーボ信号を書き込む必要がなくなる。
【０００５】
したがって、ＥＣＣ媒体を用いてＤＴＲ媒体を作製することで、より記録密度を高めることが可能となる。
【特許文献１】特開２００８−６５８７９公報
【特許文献２】特開２００８−９７６８５公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、この添加物として密度の低い酸化物を用いると、磁性体が腐食されやすいという問題がある。また、ＤＴＲ媒体は記録再生ヘッドの浮上特性を得るため、記録層の一部をミリングで削らずに、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法によって磁性成分を非磁性化させる必要があるが、密度の低い酸化物を用いた記録層は磁性成分を非磁性化させる際にサイドダメージを受けやすい。
【０００７】
一方、前記添加物として密度の高い酸化物を用いると、磁性体は腐食されにくいものの、ＤＴＲ媒体加工の際に磁性成分が非磁性化されにくく、量産には向かない。また、十分磁性成分を非磁性化させても長時間の非磁性化により密度の低い酸化物を用いた場合と同様にサイドダメージが入ってしまうという問題がある。
【０００８】
また、ＤＴＲ媒体加工の際、エッチング工程で発生する熱エネルギーによってＫｕ値の異なる２層の記録層間に歪みが発生し、記録層上部の保護層の密着性が悪化し、記録再生ヘッドの浮上特性が悪化するという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、ＥＣＣ媒体を用いたＤＴＲ媒体において、記録層の耐腐食性が優れ、サイドダメージが入りにくく、浮上特性のよい磁気記媒体およびその製造方法、および磁気記録再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明による磁気記録媒体は、基板と基板上に形成された軟磁性層と、軟磁性層上に形成された化合物Ｍ１Ｘを含む第１の磁性層と、第１の磁性層上の１部表面を覆って形成された非磁性層と、非磁性層上に形成された化合物Ｍ２Ｘを含む第２の磁性層と、第２の磁性層上に形成された保護層とを備え、Ｍ１、Ｍ２がＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ，Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏから選択される元素であり、ＸがＯ又はＮから選択された元素であり、元素Ｍ１、Ｍ２の質量数がＭ１＜Ｍ２の関係であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係わるＤＴＲ媒体によれば、記録層が耐腐食性に優れた磁気記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
以下、図面の符号が一致するものは同じものを示しており、重複した説明は省略する。
【００１４】
図１は、第１の実施形態に係わるＥＣＣ媒体を用いたＤＴＲ媒体の断面図を示したものである。本実施形態におけるＤＴＲ媒体は、基板１０上に、下層から順に、軟磁性層２０、記録層７０（ＥＣＣ媒体）、保護層６０と積層されている。また、記録層７０は、少なくとも第１の磁性層３０、交換結合制御層４０および第２の磁性層５０から構成されている。
【００１５】
基板１０には、例えばガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック、カーボンや、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板、およびこれらの基板にＮｉＰ等のメッキが施されたもの等を用いることができる。ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが使用可能である。また、上記金属基板、非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法を用いてＮｉＰ層が形成されたものを用いることもできる。また，基板１０上への薄膜の形成方法としてはスパッタリング法のみを取り上げたが，真空蒸着法や電解メッキ法などでも同様の効果を得ることができる。
【００１６】
軟磁性層２０は、記録層７０を磁化するための磁気ヘッド、例えば単磁極ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側に還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、磁界の記録層７０に急峻で十分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を上昇させる役割を果たしている。
【００１７】
軟磁性層２０には、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。このような材料として、ＦｅＣｏ系合金、例えばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど、ＦｅＮｉ系合金、例えばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど、ＦｅＡｌ系合金、ＦｅＳｉ系合金、例えばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど、ＦｅＴａ系合金、例えばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど、ＦｅＺｒ系合金、例えばＦｅＺｒＮなどを挙げることができる。また、Ｆｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることができる。
【００１８】
また、軟磁性層２０の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、およびＹのうち、少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることができる。Ｃｏは、８０ａｔ％以上含まれることが好ましい。このようなＣｏ合金は、スパッタ法により製膜した場合にアモルファス層が形成されやすく、アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示す。また、このアモルファス軟磁性材料を用いることにより、媒体の低ノイズ化を図ることができる。最適なアモルファス軟磁性材料としては、例えばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、およびＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができる。
【００１９】
また、軟磁性層２０の下には、軟磁性層２０の結晶性の向上あるいは基板１０との密着性の向上のために、さらに下地層を設けることができる（図示せず）。下地層材料としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、あるいはこれらを含む合金、あるいはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。スパイクノイズ防止のために軟磁性層２０を複数の層に分け０．５〜１．５nmのＲｕを挿入することで反強磁性結合させても良い。その際、交換結合力を制御するために、Ｒｕ層の前後に磁性(例えば、Ｃｏ)、あるいは非磁性の膜(例えば、Ｐｔ)を積層させても良い。
【００２０】
また、軟磁性層２０と記録層７０との間には、非磁性体からなる中間層（図示せず）を設けることができる。中間層の役割は、軟磁性層２０と記録層７０との交換結合相互作用を遮断することと、記録層７０の結晶性を制御することの二つがある。中間層材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、あるいはこれらを含む合金、あるいはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。
【００２１】
記録層７０は、垂直に磁気記録をする働きをしている。少なくとも、第１の磁性層３０、交換結合制御層４０、第２の磁性層５０から構成させている。Ｋｕ値の大きな第１の磁性層３０とＫｕ値の小さな第２の磁性層５０が交換結合制御層４０を介して磁気的に弱く結合しており、その第１の磁性層３０と第２の磁性層５０とが交換結合制御層４０による交換結合力によって制御される。
【００２２】
また、記録層７０は粒子間の相互作用を抑制するために、記録層７０に非磁性粒界成分となる材料を添加することが好ましい。
【００２３】
さらに、第１の磁性層３０と第２の磁性層５０は、層中に磁性粒子（磁性を有した結晶粒子）が分散していることが好ましい。
【００２４】
また、第１の磁性層３０と第２の磁性層５０は、Ｃｏを主成分とした、酸化物若しくは窒化物を含んだ非磁性材料からなる。この酸化物及び窒化物は、ＭＸ（ＭはＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ等の元素、ＸはＯ又はＮからなる元素）であることが好ましい。具体的には、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３、ＨｆＯ２、ＮｂＯ２、ＭｏＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮ、Ｃｒ２Ｎ、ＴａＮ、ＷＮ２、ＨｆＮ、ＮｂＮ、Ｍｏ２Ｎなどが挙げられる。特に、第１の磁性層３０がＳｉＯ２、第２の磁性層５０がＴｉＯ２であることが好ましい。これは、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２は磁性体への拡散が少なく結晶配位向性がよいために、良質な結晶が得られるからである。
【００２５】
なお、これらの元素Ｍの質量数をｍと表記すると、その関係がｍ１＜ｍ２（下付きの文字「１」は第１の磁性層３０を表し、下付の文字「２」は第２の磁性層５０を表している。）であれば限定はされない。
【００２６】
この関係を用いることにより、第１の磁性層３０と第２の磁性層５０をＲＩＥ法によって変質させる際に、第１の磁性層３０においては磁性成分が非磁性化しやすく、第２の磁性層５０においては磁性成分が非磁性化しにくくなる。すなわち、第２の磁性層５０に対するサイドダメージを抑えることができるのである。
【００２７】
また、イオンミリングによって第２の磁性層５０を加工する際にも、第２の磁性層５０は第１の磁性層３０と比較して密度が大きいために、腐食されにくくなり、平坦性を維持することができる。よって、保護層６０との密着性が向上し、記録再生ヘッドの浮上特性が向上させることができる。
【００２８】
なお、ＲＩＥプロセス、イオンミリングプロセスの詳細については後述する。
【００２９】
磁性粒子は、第１の磁性層３０と第２の磁性層５０を上下に貫いた柱状構造であることが好ましい。このような構造を形成することにより、第１の磁性層３０と第２の磁性層５０の磁性粒子の配向及び結晶性を良好なものとし、結果として高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得ることができる。
【００３０】
このような構造を得るためには、含有させる酸化物の量が重要となる。酸化物の含有量は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの総量に対して、５ｍｏｌ％以上〜２０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは８ｍｏｌ％以上〜１３ｍｏｌ％以下である。第１の磁性層３０と第２の磁性層５０中の酸化物の含有量として上記範囲が好ましい理由は、層を形成した際、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子の孤立化、微細化をすることができるためである。酸化物の含有量が上記範囲を超えた場合、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性、結晶性を損ね、さらには、磁性粒子の上下に酸化物が析出し、結果として磁性粒子が第１の磁性層３０と第２の磁性層５０を上下に貫いた柱状構造が形成されなくなるため好ましくない。
【００３１】
また、酸化物の含有量が上記範囲未満である場合、磁性粒子の分離、微細化が不十分となり、結果として記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適したＳ／Ｎ比が得られなくなるため好ましくない。第１の磁性層３０と第２の磁性層５０のＣｒの含有量は、５ａｔ％以上〜２０ａｔ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは１０ａｔ％以上〜１８ａｔ％以下である。Ｃｒ含有量が上記範囲であるのは、磁性粒子の一軸結晶磁気異方性定数を下げすぎず、また、高い磁化を維持し、結果として高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性が得られるために好ましいからである。Ｃｒ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子のＫｕ値が小さくなるため熱揺らぎ特性が悪化する。
【００３２】
また、磁性粒子の結晶性、配向性が悪化することで、結果として記録再生特性が悪くなるため好ましくない。第１の磁性層３０と第２の磁性層５０のＰｔの含有量は、１０ａｔ％以上〜２５ａｔ％以下であることが好ましい。Ｐｔ含有量が上記範囲である理由は、垂直磁性層に必要なＫｕ値を得、さらに磁性粒子の結晶性、配向性が良好であり、結果として高密度記録に適した熱揺らぎ特性、記録再生特性が得られるため、好ましいからである。一般に磁性粒子はｈｃｐ（六方最密構造）相であるが、Ｐｔ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子中にｆｃｃ（面心立方構造）相が形成され、結晶性、配向性が損なわれるおそれがあるため好ましくない。
【００３３】
また、Ｐｔ含有量が上記範囲未満である場合、高密度記録に適した熱揺らぎ特性を得るためのＫｕ値が得られないため好ましくない。第１の磁性層３０と第２の磁性層５０は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物のほかに、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅから選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含む事により、磁性粒子の微細化を促進、あるいは結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。上記元素の合計の含有量は、８ａｔ％以下であることが好ましい。８ａｔ％を超えた場合、磁性粒子中にｈｃｐ相以外の相が形成されるため、磁性粒子の結晶性、配向性が乱れ、結果として高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性が得られないため好ましくない。
【００３４】
また、第１の磁性層３０と第２の磁性層５０としては、上記の他、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉ，及びＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、及びＲｕからなる群より選択された少なくとも一種を主成分とする合金とＣｏとの多層構造、さらに、これらにＣｒ、Ｂ及びＯを添加したＣｏＣｒ／ＰｔＣｒ、ＣｏＢ／ＰｄＢ、ＣｏＯ／ＲｈＯなどを使用することができる。第１の磁性層３０の厚さは、好ましくは１０ｎｍ以下、より好ましくは０．５ｎｍ〜５ｎｍであり、第２の磁性層５０の厚さは、好ましくは２０ｎｍ以下、より好ましくは５〜１５ｎｍである。この範囲であると、より高記録密度に適した磁気記録再生装置として動作し得る。第１の磁性層３０の厚さが１０ｎｍを超えると記録層全体の磁化反転を効果的に行えなくなる。第２の磁性層５０の厚さが５ｎｍ未満であると、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向があり、第１の磁性層３０と第２の磁性層５０の厚さが２０ｎｍを超えると、再生出力が高過ぎて波形を歪ませる傾向がある。
【００３５】
交換結合制御層４０としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｎ及びＡｌ等の非磁性金属材料及びその酸化物等の非磁性材料で形成される非磁性層であることが好ましく、交換結合力はその厚さで制御されている。
【００３６】
保護層６０は、垂直磁気記録層の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的設けられる。その材料としては、例えばＣ（炭素）、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を含む絶縁性材料で形成される保護層であることが好ましい。保護層６０の厚さは、１〜１０ｎｍとすることが好ましい。これにより、ヘッドと媒体の距離を小さくできるので、高密度記録に好適である。炭素は、ｓｐ２結合炭素（グラファイト）とｓｐ３結合炭素（ダイヤモンド）に分類できる。耐久性、耐食性はｓｐ３結合炭素のほうが優れるが、結晶質であることから表面平滑性はグラファイトに劣る。通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法で形成される。この方法では、ｓｐ２結合炭素とｓｐ３結合炭素が混在したアモルファスカーボンが形成される。ｓｐ３結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  ｃａｒｂｏｎ））と呼ばれる。ＤＬＣは耐久性、耐食性に優れ、アモルファスであることから表面平滑性にも優れるため、磁気記録媒体の表面保護層として利用されている。また、ＣＶＤ法によるＤＬＣの成膜は、原料ガスをプラズマ中で励起、分解し、化学反応によってＤＬＣを生成させるため、条件を合わせることで、よりｓｐ３結合炭素に富んだＤＬＣを形成することができる。
【００３７】
次に、第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の作製方法について図２〜図８を用いて以下、順に説明する。
【００３８】
図２に示すように、基板１０上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、軟磁性層２０、記録層７０、保護層６０を成膜する。成膜方法は、ＣＶＤに限られず、スパッタリング法、真空蒸着法等を用いてもよい。
【００３９】
次に、図３に示すように、図２の保護層６０の表面にスピンコート法でレジスト８０を塗布する。レジスト８０は、記録層７０を加工する際のマスクに用いられる。塗布方法は、スピンコート法に限られず、インクジェット法やディップ法を用いてもよい。レジスト８０にはＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）を用いたが、光硬化性のレジストを用いてもよい。ＳＯＧをスピンコート法で塗布する場合、膜厚が８０ｎｍ程度になるように５０００ｒｐｍで、ＳｉＯ２濃度を調節することが好ましい。
【００４０】
次に、図４に示すように、媒体表面に塗布されたレジスト８０を加工するために、インプリント法を用いてレジスト８０を加工する。インプリント法で加工を行うには、例えば、記録トラックとサーボ情報のパターンが埋め込まれたスタンパ（図示せず）を１００ＭＰａ程度でプレスすることによって、レジスト８０にそのパターンを転写する。
【００４１】
次に、図５に示すように、レジスト８０にＳＯＧを用いた場合、フッ素系ガスを用いたＲＩＥ法でレジスト８０の残渣除去を行い、インプリントされたパターンのみを磁性膜上に残す。ここで、残渣とはレジストのパターンを形成するために除去されるレジスト部分を示している。ＲＩＥの原料となるガスとしては、ＣＦ４やＳＦ６が好ましい。例えば、レジスト８０の厚さが８０ｎｍ、パターン高さ５０ｎｍの場合、レジスト８０の残渣は５０ｎｍ程度となり、ＲＩＥ法の条件はＣＦ４ガスを用いた場合、ガス流量は２０ｓｃｃｍ、圧力は０．１Ｐａ、バイアス１００Ｗでエッチングするとよい。また、フッ素系ガスを用いた場合、大気中の水と反応してＨＦ、Ｈ２ＳＯ４等の酸が生じることがあるため、水洗いを行う。また、プラズマ源としては、低圧で高密度プラズマが生成可能なＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）が好ましいが、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ、一般的な並行平板型ＲＩＥ装置でもよい。
【００４２】
次に、図６に示すように、保護層６０、第２の磁性層５０及び交換結合制御層４０をイオンミリングで加工する。加工には、Ａｒイオンビームを用いたエッチング（Ａｒイオンミリング）が一般的だが、ＨｅやＮｅ、又はＡｒ、Ｈｅ、ＮｅとＯ２、Ｎ２等との混合ガスを用いてもよい。具体的には、ＥＣＲイオンガンを用いたイオンミリングを試みる。この方法は、静止対抗型（イオン入射角が９０°）でエッチングすることで、ほとんど磁性体凹凸にテーパー（傾き）が付かない加工が可能である。例えば、ＥＣＲイオンガンを用いてＡｒガスで１０ｎｍエッチングする場合、ガス流量１０ｓｃｃｍ、圧力１０ｍＰａ、Ｐｏｗｅｒ１００Ｗ、加速電圧５００Ｖで６０秒エッチングすると良い。ＨｅとＮ２の混合ガスを用いた場合、Ｈｅガス流量１０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガス流量１０ｓｃｃｍ、圧力１０ｍＰａ、Ｐｏｗｅｒ１０００Ｗ、加速電圧５００Ｖでエッチングするとよい。
【００４３】
ＳＯＧをレジストマスク即ち、エッチングマスクとした場合、レジスト８０の残渣除去と同様にフッ素系ガスを用いたＲＩＥ法でエッチングマスクの剥離を行う必要がある。図７は、その工程図を示したものである。ＲＩＥ条件は、例えばＣＦ４ガスを用いた場合、ガス流量２０ｓｃｃｍ、圧力０．１Ｐａ、バイアスを印加せずにエッチングするのが好ましい。また、このレジスト８０の剥離工程は、溝部における第１の磁性層３０の磁性成分を非磁性化させる工程を含む。非磁性化の度合いはＲＩＥの時間によって制御することができる。
【００４４】
なお、イオンミリングを用いて、第２の磁性層５０及び交換結合制御層４０を加工する際に、ＨｅとＮ２の混合ガスを用いた場合、磁性成分を非磁性化させるプロセスを同時に行うことができるため、本プロセス時間を短縮することができる。
【００４５】
また、次に、保護層６０を除去する。除去する方法としては、例えば、酸素ガスを用いたＲＩＥ法が挙げられる。
【００４６】
最後に、図８に示すように加工された媒体の表面上を保護するために、保護層６０を成膜する。保護層６０の成膜にはカーボンを用いる。成膜方法としては、ＣＶＤ法が凹凸へのカバレッジがよくなるので好ましいが、スパッタ法、真空蒸着法等でもよい。ＣＶＤ法で保護層６０を成膜した場合、ｓｐ３炭素結合を多く含むＤＬＣ膜を成膜する。膜厚は１〜１０ｎｍが好ましい。もちろん、保護層６０上に潤滑層（図示せず）を成膜することも可能である。潤滑層としては、パーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。
【００４７】
本実施形態により、記録層が耐腐食性に優れたＥＣＣ媒体を用いた磁気記録媒体を提供することができる。
【００４８】
（第２の実施形態）
図９は、ＥＣＣ媒体を用いたＤＴＲ磁気記録媒体をＨＤＤに適用した実施形態を示す。本実施形態におけるＨＤＤ９０は、筐体１００内にスピンドルモータ（図示せず）により駆動されるハブ１１０、ハブ１１０に固定され回転されるＤＴＲ媒体１２０、アクチュエータ（図示せず）により駆動されるスイングアーム１３０と、ＤＴＲ媒体１２０の情報を読み書きするヘッド部１４０から構成されている。また、本実施形態では、ＤＴＲ媒体１２０に第１の実施形態におけるＥＣＣ媒体を用いられている。
【００４９】
本実施形態に係わるＥＣＣ媒体によれば、記録層が耐腐食性に優れた磁気記録媒体を提供することができる。
【００５０】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものでもなく、特許請求の範囲に記載された技術範囲において、種々の変形・変更が可能である。
【００５１】
以下、実施例と比較例に基づいて本発明を具体的に説明する。
【００５２】
本発明にかかる第１の実施形態を用いて作製したＤＴＲ媒体の性能評価を行った。具体的には、サイドダメージを調べるため、ＤＴＲ媒体をＨＤＤ９０に搭載し、ヘッド部１４０をクロストラック方向に動かして、トラック部磁性体幅を調べた。また、トラック部磁性体幅は６０ｎｍを１として規格化した。
【００５３】
次に、ＤＴＲ媒体を高温高湿度（７０°Ｃ、８０％）下に２４時間放置した後、ＤＴＲ媒体に対して、希硝酸を表面へ１ｍＬ滴下し、１時間後に滴下した希硝酸を吸い出して回収し、誘導結合プラズマ質量分析装置による元素分析を実施することによって、Ｃｏ溶出量（μｇ／ｍ２）を求めた。
【００５４】
一般的にトラック部磁性体幅の規格値が０．９（即ち５４ｎｍ）以上であり、且つ、Ｃｏ溶出量が１μｇ／ｍ２よりも小さな値であれば、エラーレート耐性に優れた磁気記録媒体である。
【００５５】
ＤＴＲ媒体の記録層７０の構成は、第１の磁性層３０にはＣｏＣｒＰｔを、交換結合制御層４０にはＰｔ−ＳｉＯ２を、第２の磁性層５０にはＣｏをそれぞれ用いた。また、膜厚をそれぞれ１０ｎｍ、１ｎｍ、５ｎｍとした。なお、第１の磁性層３０で得られたＫｕ値は６×１０６ｅｒｇ／ｃｍ３で、第２の磁性層５０で得られたＫｕ値は９×１０４ｅｒｇ／ｃｍ３であった。さらに、イオンミリング及び磁性成分非磁性化にはＨｅとＮ２の混合ガスを用いてエッチングを行い、ＤＴＲ媒体を作製した。
【００５６】
図１０、図１１及び図１２に、第１の実施形態により作製したＤＴＲ媒体において、以下の実施例に基づいて性能評価を行った結果を示す。
【００５７】
以下、その条件を図１０、図１１及び図１２の実施例１−１〜実施例８−１に示す。
【００５８】
また、図１２の実験結果は、イオンミリングにＡｒガス、磁性成分非磁性化にはＣＦ４ガスを用いて、ＤＴＲ媒体を作製して評価した結果を示している。
【００５９】
なお、実施例１−１〜実施例８−１は元素の質量数がｍ１＜ｍ２の条件に基づいて材料を設定している。
【００６０】
（実施例１）
第１の磁性層３０には、磁性層の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２を用いた。また、第２の磁性層５０には、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｂＯ２、ＭｏＯ２、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３を用いた。
【００６１】
トラック幅の規格値が０．９以上の十分なトラック幅が得られ、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なく、耐腐食性に対しても良好な結果が得られた。
【００６２】
（実施例２）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＴｉＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＣｒ２Ｏ３、ＮｂＯ２、ＭｏＯ２、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３用いた。
【００６３】
トラック幅の規格値が０．９以上の十分なトラック幅が得られ、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なく、耐腐食性に対しても良好な結果が得られた。
【００６４】
（実施例３）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＣｒ２Ｏ３を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＮｂＯ２、ＭｏＯ２、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３用いた。
【００６５】
トラック幅の規格値が０．９以上の十分なトラック幅が得られ、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なく、耐腐食性に対しても良好な結果が得られた。
【００６６】
（実施例４）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＮｂＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＭｏＯ２、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３用いた。
【００６７】
トラック幅の規格値が０．９以上の十分なトラック幅が得られ、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なく、耐腐食性に対しても良好な結果が得られた。
【００６８】
（実施例５）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＭｏＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３用いた。
【００６９】
トラック幅の規格値が０．９以上の十分なトラック幅が得られ、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なく、耐腐食性に対しても良好な結果が得られた。
【００７０】
（実施例６）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＨｆＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＴａ２Ｏ５、ＷＯ３用いた。
【００７１】
トラック幅の規格値が０．９以上の十分なトラック幅が得られ、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なく、耐腐食性に対しても良好な結果が得られた。
【００７２】
（実施例７）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＴａ２Ｏ５を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＷＯ３用いた。
【００７３】
トラック幅の規格値が０．９以上の十分なトラック幅が得られ、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なく、耐腐食性に対しても良好な結果が得られた。
【００７４】
（実施例８）
第１の磁性層３０の磁性状態を分離する材料にＳｉＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にはＴｉＯ２を用いた。
【００７５】
トラック幅の規格値が０．９以上の十分なトラック幅が得られ、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なく、耐腐食性に対しても良好な結果が得られた。
【００７６】
次に、第１の実施形態により作製したＤＴＲ媒体において、以下の比較例に基づいて性能評価を行った結果を示す。
【００７７】
以下、その条件を図１３〜図１５の比較例１−１〜比較例１０−２に示す。
【００７８】
また、図１５の実験結果は、イオンミリングにＡｒガス、磁性成分非磁性化にはＣＦ４ガスを用いて、ＤＴＲ媒体を作製して評価した結果を示している。
【００７９】
なお、比較例１−１〜比較例１０−２では、元素の質量数がｍ１≧ｍ２の条件に基づいて材料を設定している。
【００８０】
（比較例１）
第１の磁性層３０と第２の磁性層５０ともに、粒状態を分離する材料にＳｉＯ２用いた。
【００８１】
サイドダメージによる磁性体幅の減少により、トラック幅の規格値が０．９よりも小さくなった。また、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも多くなった。
【００８２】
（比較例２）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＴｉＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２を用いた。
【００８３】
第１の磁性層３０と第２の磁性層５０ともに、粒状態を分離する材料にＴｉＯ２を用いた場合、サイドダメージによる磁性体幅の減少により、トラック幅の規格値が０．９よりも小さくなった。また、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも多くなった。
【００８４】
次に、第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＴｉＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２を用いた場合には、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なくなった。しかしながら、サイドダメージによる磁性体幅の大幅な減少により、トラック幅の規格値が０．９よりも小さくなった。
【００８５】
（比較例３）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＣｒ２Ｏ３を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３を用いた。
【００８６】
第１の磁性層３０と第２の磁性層５０ともに、粒状態を分離する材料にＣｒ２Ｏ３を用いた場合、サイドダメージによる磁性体幅の減少により、トラック幅の規格値が０．９よりも小さくなった。また、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも多くなった。
【００８７】
次に、第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＣｒ２Ｏ３を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２を用いた場合には、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なくなった。しかしながら、サイドダメージによる磁性体幅の大幅な減少により、トラック幅の規格値が０．９よりも小さくなった。
【００８８】
（比較例４）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＮｂＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｂＯ２を用いた。
【００８９】
第１の磁性層３０と第２の磁性層５０ともに、粒状態を分離する材料にＮｂＯ２を用いた場合、サイドダメージによる磁性体幅の減少により、トラック幅の規格値が０．９よりも小さくなった。また、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも多くなった。
【００９０】
次に、第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＮｂＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３を用いた場合には、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なくなった。しかしながら、サイドダメージによる磁性体幅の大幅な減少が見られ、トラック幅の規格値は０．９よりも小さくなった。
【００９１】
（比較例５）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＭｏＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｂＯ２、ＭｏＯ２を用いた。
【００９２】
第１の磁性層３０と第２の磁性層５０ともに、粒状態を分離する材料にＭｏＯ２を用いた場合、サイドダメージによる磁性体幅の減少により、トラック幅の規格値が０．９よりも小さくなった。また、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも多くなった。
【００９３】
次に、第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＭｏＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｂＯ２を用いた場合には、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なくなった。しかしながら、サイドダメージによる磁性体幅の大幅な減少が見られ、トラック幅の規格値は０．９よりも小さくなった。
【００９４】
（比較例６）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＨｆＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｂＯ２、ＭｏＯ２、ＨｆＯ２を用いた。
【００９５】
第１の磁性層３０と第２の磁性層５０ともに、粒状態を分離する材料にＨｆＯ２を用いた場合、サイドダメージによる磁性体幅の減少により、トラック幅の規格値が０．９よりも小さくなった。また、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも多くなった。
【００９６】
次に、第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＨｆＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｂＯ２、ＭｏＯ２を用いた場合には、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なくなった。しかしながら、サイドダメージによる磁性体幅の大幅な減少が見られ、トラック幅の規格値は０．９よりも小さくなった。
【００９７】
（比較例７）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＴａ２Ｏ５を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｂＯ２、ＭｏＯ２、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５を用いた。
【００９８】
第１の磁性層３０と第２の磁性層５０ともに、粒状態を分離する材料にＴａ２Ｏ５を用いた場合、サイドダメージによる磁性体幅の減少により、トラック幅の規格値が０．９よりも小さくなった。また、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも多くなった。
【００９９】
次に、第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＴａ２Ｏ５を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｂＯ２、ＭｏＯ２を用いた場合には、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なくなった。しかしながら、サイドダメージによる磁性体幅の大幅な減少が見られ、トラック幅の規格値は０．９よりも小さくなった。
【０１００】
（比較例８）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＷＯ３を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｂＯ２、ＭｏＯ２、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３を用いた。
【０１０１】
第１の磁性層３０と第２の磁性層５０ともに、粒状態を分離する材料にＷＯ３を用いた場合、サイドダメージによる磁性体幅の減少により、トラック幅の規格値が０．９よりも小さくなった。また、Ｃｏ要出量はμｇ／ｍ２よりも多くなった。
【０１０２】
次に、第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＷＯ３を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｂＯ２、ＭｏＯ２、Ｔａ２Ｏ５を用いた場合には、Ｃｏ要出量は１μｇ／ｍ２よりも少なくなった。しかしながら、サイドダメージによる磁性体幅の大幅な減少が見られ、トラック幅の規格値は０．９よりも小さくなった。
【０１０３】
（比較例９）
第１の磁性層３０と第２の磁性層５０ともに、粒状態を分離する材料にＳｉＯ２を用いた。
【０１０４】
サイドダメージによる磁性帯幅の減少が見られ、トラック幅の規格値は０．９よりも小さくなった。
【０１０５】
（比較例１０）
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＴｉＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２を用いた。第１の磁性層３０と第２の磁性層５０ともに、粒状態を分離する材料にＴｉＯ２を用いた場合、サイドダメージによる磁性体幅の減少が見られ、トラック幅の規格値は０．９よりも小さくなった。
【０１０６】
第１の磁性層３０の粒状態を分離する材料にＴｉＯ２を用い、第２の磁性層５０の粒状態を分離する材料にＳｉＯ２を用いた場合には、サイドダメージによる磁性体幅の大幅な減少が見られトラック幅の規格値は０，９よりも小さくなった。
【０１０７】
また、本実施例及び本比較例では磁性層の粒状態を分離する材料に酸化物を用いたが窒化物にした場合も同様の結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の構成を示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の構成を示す断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の製造工程を示す図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の製造工程を示す図。
【図５】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の製造工程を示す図。
【図６】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の製造工程を示す図。
【図７】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の製造工程を示す図。
【図８】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の製造工程を示す図。
【図９】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体を用いたＨＤＤの構成を示す図。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の性能評価の結果図。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の性能評価の結果図。
【図１２】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の性能評価の結果図。
【図１３】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の性能評価の結果図。
【図１４】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の性能評価の結果図。
【図１５】本発明の第１の実施形態に係わるＤＴＲ媒体の性能評価の結果図。
【符号の説明】
【０１０９】
１０  …  基板
２０  …  軟磁性層
３０  …  第１の磁性層
４０  …  交換結合制御層
５０  …  第２の磁性層
６０  …  保護層
７０  …  記録層
８０  …  レジスト
９０  …  ＨＤＤ
１００  …  筐体
１１０  …  ハブ
１２０  …  ＤＴＲ媒体
１３０  …  スイングアーム
１４０  …  ヘッド部
【図１】
2010140556.tif 000003
【図２】
2010140556.tif 000004
【図３】
2010140556.tif 000005
【図４】
2010140556.tif 000006
【図５】
2010140556.tif 000007
【図６】
2010140556.tif 000008
【図７】
2010140556.tif 000009
【図８】
2010140556.tif 000010
【図９】
2010140556.tif 000011
【図１０】
2010140556.tif 000012
【図１１】
2010140556.tif 000013
【図１２】
2010140556.tif 000014
【図１３】
2010140556.tif 000015
【図１４】
2010140556.tif 000016
【図１５】
2010140556.tif 000017