(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ装置の視野角特性を改善する。【解決手段】有機ＥＬ装置は、画素電極（１３）、発光機能層（１８）及び対向電極（５）からなる有機ＥＬ素子（８）を複数含む。これら複数の有機ＥＬ素子には、反射層（３４）及び半透明半反射層たる前記対向電極からなる、複数の共振器が対応する。有機ＥＬ素子には、赤色用、緑色用、及び青色用の区別がある。このうち緑色用の有機ＥＬ素子は２つあり、そのうちの１つである有機ＥＬ素子（８Ｇ１）に対応する共振器内の画素電極（１３Ｇ１）の厚さは、他の１つである有機ＥＬ素子（８Ｇ２）に対応する共振器内の画素電極（１３Ｇ２）の厚さと異なる。これにより、両有機ＥＬ素子における共振対象波長が異なることになる。かかる状況によると、いわゆる短波長シフトが生じても、正対視する場合と同じ緑色が、視認者に認識されうる。【選択図】図４
2010140787.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上にマトリクス状配列に従って並べられ、そのうちの所定数ごとに１個の画素を構成する複数の発光素子と、
前記基板の法線方向に沿ってみて前記発光素子の一方の側に配置され、当該発光素子から発せられた光を反射する反射層と、
前記基板の法線方向に沿ってみて前記発光素子の他方の側に配置され、前記光の一部を反射し他の部分を透過させる半透明半反射層と、
を備え、
前記反射層及び前記半透明半反射層は、
前記複数の発光素子の各々に対応し、かつ、前記光のうち特定の波長をもつ光を共振させる、複数の共振器を構成し、
前記画素の複数のうちの少なくとも１つは、
前記反射層及び前記半透明半反射層間の光学的距離が第１光学的距離に一致する前記共振器と、前記第１光学的距離とは異なる第２光学的距離をもつ前記共振器とを、少なくとも含み、
当該画素は、
これら第１及び第２光学的距離をもつ２つの共振器に対応する第１及び第２発光素子によって、
第１の色を表現する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記画素は、前記第１及び第２発光素子に加えて、
第２の色を表現する第３発光素子と、
第３の色を表現する第４発光素子と、
を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第３発光素子に対応する前記共振器がもつ第３光学的距離は、前記第１及び第２光学的距離のいずれとも異なり、
前記第４発光素子に対応する前記共振器がもつ第４光学的距離は、前記第１，第２及び第３光学的距離のいずれとも異なる、
ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第３光学的距離が、（ＯＴ１＋ＯＴ２＋ＯＴ３＋Ｇ）〔ｎｍ〕（ＯＴ１，ＯＴ２，ＯＴ３，Ｇは正の実数）で表されるとき、
前記第４光学的距離は、（ＯＴ３＋Ｇ）〔ｎｍ〕で表され、
前記第１光学的距離は、（ＯＴ１＋ＯＴ２＋Ｇ）〔ｎｍ〕，（ＯＴ２＋ＯＴ３＋Ｇ）〔ｎｍ〕及び（ＯＴ３＋ＯＴ１＋Ｇ）〔ｎｍ〕のうちのいずれか１つで表され、かつ、
前記第２光学的距離は、（ＯＴ１＋ＯＴ２＋Ｇ）〔ｎｍ〕，（ＯＴ２＋ＯＴ３＋Ｇ）〔ｎｍ〕及び（ＯＴ３＋ＯＴ１＋Ｇ）〔ｎｍ〕のうちのいずれか１つであって前記第１光学的距離を表さないもので表される、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記画素は、
前記第２の色を表現するため、前記第３発光素子に加えて、
当該第３発光素子に対応する前記共振器がもつ光学的距離とは異なる光学的距離をもつ共振器に対応する第５発光素子を更に含む、
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１の色は、緑色を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光素子は、
前記法線方向に沿って積層される、第１及び第２電極層と、
これら第１及び第２電極層に挟持され、前記光を発する発光機能層と、
を含み、
前記第１及び第２電極層の少なくとも一方は、
前記反射層及び前記半透明半反射層間に配置され、
前記第１及び第２光学的距離は、
前記第１又は第２電極層の膜厚の相違によって、相違する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記反射層及び前記半透明半反射層の少なくとも一方は、
前記第１及び第２電極層の少なくとも一方を兼ねる、
ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記第３及び第４発光素子は、平面視して、略同一の面積をもち、
前記第１及び第２発光素子は、これら第３及び第４発光素子に比べて、略半分の面積をもつ、
ことを特徴とする請求項２乃至８のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１０】
平面視して、前記第１及び第２発光素子は、
前記第３及び第４発光素子の間に挟まれるようにして配置される、
ことを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【請求項１１】
平面視して、前記第１発光素子は、前記第３発光素子の隣に配置され、
前記第２発光素子は、前記第４発光素子の隣に配置され、かつ、
前記第１発光素子は、前記第４発光素子の隣に配置される、
ことを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【請求項１２】
平面視して、
前記第１及び第２発光素子の一組、前記第３発光素子、並びに前記第４発光素子の三者のそれぞれは、三角形の頂点を占めるように配置される、
ことを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の発光装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
４つの発光素子の各々に対応し、かつ、基板上の第１乃至第４位置それぞれに、４つの光共振器を備える発光装置を製造する方法であって、
前記第１位置に、第１，第２及び第３膜厚をそれぞれもつ第１-１層，第１-２層及び第１-３層（以下、「第Ａ-Ｂ層」とは、第Ａ位置における第Ｂ層ということを意味する。）を順次形成することで第１光学的距離調整層を形成する工程と、
前記第２位置に、前記第１-１層、第１-２層及び第１-３層のうちのいずれか２層を形成する工程と同時に、第２-１層及び第２-２層を形成することで第２光学的距離調整層を形成する工程と、
前記第３位置に、前記第１-１層、第１-２層及び第１-３層のうちのいずれか２層（ただし、当該２層の中には、前記第２-１層及び前記第２-２層と同時に形成されない層が含まれる。）を形成する工程と同時に、第３-１層及び第３-２層を形成することで第３光学的距離調整層を形成する工程と、
前記第４位置に、前記第１-３層を形成する工程と同時に、第４-１層を形成することで第４光学的距離調整層を形成する工程と、
を含んで、
前記第１，第２，第３及び第４光学的距離調整層を含む前記４つの光共振器を形成する共振器形成工程を含む、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２-１層、前記第２-２層、前記第３-１層又は前記第３-２層の上層としてレジストを形成する工程と、
前記第１-２層及び第１-３層のうちのいずれか１層を形成する工程と同時に形成される層であって前記レジストの上層として形成される層を、当該レジストとともに除去する工程と、
を更に含む、
ことを特徴とする請求項１４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記基板上の前記第１乃至第４位置に第１及び第２電極層を形成する工程と、
これら第１及び第２電極層の間に発光機能層を形成する工程と、を含んで、
前記発光素子を形成する工程を更に含み、
前記第１，第２，第３及び第４光学的距離調整層は、
前記第１及び第２電極層の少なくとも一方を兼ねる、
ことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記共振器形成工程は更に、
前記基板上に前記発光素子から発せられた光を反射する反射層を形成する工程と、
前記基板上に前記光の一部を反射し他の部分を透過させる半透明半反射層を形成する工程と、
を含み、
前記反射層及び前記半透明半反射層の少なくとも一方は、
前記第１及び第２電極層の少なくとも一方を兼ねる、
ことを特徴とする請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（electro luminescent）素子等を含む発光装置及びその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、即ち有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、有機材料を含む少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。このうち画素電極は例えば陽極として、対向電極は陰極として機能する。両者間に電流が流されると、前記有機薄膜で電子及び正孔間の再結合が生じ、これにより、当該有機薄膜ないしは有機ＥＬ素子は発光する。この場合、発した光のうち特定の波長をもつ光だけを強調するため、当該有機ＥＬ素子は、前記画素電極及び対向電極等からなる共振器構造を含むことがある。
このような有機ＥＬ素子を多数並べ、かつ、その各々につき発光及び非発光を適当に制御すれば、所望の意味内容をもつ画像等の表示が可能となる。また、前記有機薄膜として色付きの光を発するものを利用し、あるいは適当なカラーフィルタを利用する等すれば、カラー画像の表示も可能になる。
かかる有機ＥＬ素子、ないしはこれを備えた画像表示装置としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
【特許文献１】特開２００８−９１３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、上述のような画像表示装置においては、視野角特性に関する問題がある。すなわち、例えば、このような画像表示装置に正対してその画像表示面を直視する場合と、斜めに臨んで画像表示面を視認する場合とで、視認者が感じる色合いが異なってしまうということがある。より具体的には、本来は白色に見えるべきものが、斜め４５度から画像表示面を臨むと青白色に見えてしまう、などというようである。一般に、画像表示面から、ある波長をもつ光が発せられている場合、それを斜めから臨むと、当該波長よりも短い波長を持つ光として視認される性質があること（短波長シフトがあること）が知られている。
【０００４】
前記の特許文献１は、このような問題に対処する技術を開示する。すなわち、特許文献１は、「発光色の異なる有機ＥＬ素子」を構成する「半透過電極」の「材料及び膜厚、又は…材料若しくは膜厚」を異ならせる技術を開示し（特許文献１の〔請求項１〕）、さらに、「視野角４５度以内での正面との色度ずれが、＜式１＞Δｕ’ｖ’＜０．０２５（但し、Δｕ’ｖ’はｕ’ｖ’色度図での正面視の色度座標と斜面視の色度座標との距離のことである。）を満たす」技術を開示する（特許文献１の〔請求項４〕）。この場合、前記＜式１＞を満たすための手段として、特許文献１は当然、「半透過電極」の「膜厚」等を異ならせることだけを眼中に置く（特許文献１の〔請求項４〕は前記〔請求項１〕を引用する。また、〔００４４〕以下、特に〔００４６〕等参照）。
しかしながら、このように、「半透過電極」の「膜厚」等を調整するだけで、視野角特性の向上が安定的に見込まれるかどうかには問題がある。例えば、このような手法によると、視野角特性の向上を図るべく膜厚の調整を行った結果、共振性能が阻害される、あるいはその逆の現象が生じるということがないではない。また、特許文献１が開示する技術的内容も含めて、より一般的に、前記の共振器構造を含む有機ＥＬ素子を製造する場合においては、膜厚の異なる各層を形成するために、フォトリソグラフィ工程がその各層分必要となってしまうことから、製造コストの上昇、あるいは歩留まりの低下といった問題をも生じさせる。
【０００５】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な発光装置及びその製造方法、並びに、電子機器を提供することを課題とする。
また、本発明は、かかる態様の発光装置、その製造方法、あるいは電子機器において生起する課題を解決可能な、発光装置、その製造方法、あるいは電子機器を提供することをも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る発光装置は、上述した課題を解決するため、基板と、前記基板上にマトリクス状配列に従って並べられ、そのうちの所定数ごとに１個の画素を構成する複数の発光素子と、前記基板の法線方向に沿ってみて前記発光素子の一方の側に配置され、当該発光素子から発せられた光を反射する反射層と、前記基板の法線方向に沿ってみて前記発光素子の他方の側に配置され、前記光の一部を反射し他の部分を透過させる半透明半反射層と、を備え、前記反射層及び前記半透明半反射層は、前記複数の発光素子の各々に対応し、かつ、前記光のうち特定の波長をもつ光を共振させる、複数の共振器を構成し、前記画素の複数のうちの少なくとも１つは、前記反射層及び前記半透明半反射層間の光学的距離が第１光学的距離に一致する前記共振器と、前記第１光学的距離とは異なる第２光学的距離をもつ前記共振器とを、少なくとも含み、当該画素は、これら第１及び第２光学的距離をもつ２つの共振器に対応する第１及び第２発光素子によって、第１の色を表現する。
【０００７】
本発明によれば、例えば、４つの「発光素子」が、「１個の画素を構成する」。この場合更に、これら４つの発光素子の少なくとも２つの発光素子のそれぞれは、前述の「第１及び第２発光素子」に該当する。したがって、これら２つの発光素子の各々は、「２つの共振器」に対応し、かつ、これら２つの共振器はそれぞれ「第１光学的距離」及び「第２光学的距離」をもつ。この際、これら第１及び第２光学的距離はそれぞれ異なるから、前記２つの発光素子あるいは２つの共振器の各々においては、共振の対象となる波長が異なることになる。つまり、これら２つの発光素子から発せられた光のそれぞれは、厳密に言えば、相異なる色をもつ。
しかし、これら２つの発光素子はまた同時に、１個の色である「第１の色を表現する」。ここで「表現する」とは、例えば、視認者がこれら２つの発光素子から発せられた光を視認する場合、その視覚能力の制約（例えば、人間の目がもつ空間分解能等）等から、２つの色ではなく、それが合成された１個の色を認識してしまう、という意味を包含する。
このような構成をもつ本発明においても、視認者が、前記の２つの発光素子から発せられた光を斜めから臨む場合、やはり、上述した“短波長シフト”という現象が発生する。しかし、本発明においては、この場合、前述の第１及び第２光学的距離が相異なっているので、前記２つの発光素子から発せられた光を合成した光のもつ色合いを結局は変化させないようにすることが可能である。つまり、視認者がそのような合成光を臨む角度を変えると、その前後で、当該合成光をつくる各光の波長成分は異なることにはなるが、結局は同じ色を認識する、ということが可能になるのである。
このようにして、本発明によれば、前述した視野角特性の改善が可能になる。
【０００８】
なお、本発明にいう「発光素子」の具体的な構造や材料は基本的に自由に定められ得るが、例えば、有機ＥＬ材料や無機ＥＬ材料からなる発光層を電極間に介在させた素子が本発明の発光素子として採用され得る。さらに、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子や、プラズマの放電により発光する素子など様々な発光素子を本発明に利用することができる。
【０００９】
この発明の発光装置では、前記画素は、前記第１及び第２発光素子に加えて、第２の色を表現する第３発光素子と、第３の色を表現する第４発光素子と、を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、「１個の画素」が、「第１発光素子」から「第４発光素子」という４つの発光素子から構成される。そして、このうちの「第１及び第２発光素子」は「第１の色」を、「第３発光素子」は「第２の色」を、「第４発光素子」は「第３の色」を、それぞれ担当する。ここで「第１の色」から「第３の色」のそれぞれは、例えば好適には、赤色、緑色及び青色である。
結局、本態様によれば、このような４つの発光素子による「１個の画素」を一単位とした、好適な（特に、視野角特性が改善された）、カラー画像表示をすることが可能となる。
【００１０】
この態様では、前記第３発光素子に対応する前記共振器がもつ第３光学的距離は、前記第１及び第２光学的距離のいずれとも異なり、前記第４発光素子に対応する前記共振器がもつ第４光学的距離は、前記第１，第２及び第３光学的距離のいずれとも異なる、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述の４つの発光素子の各々に対応する、４つの共振器のそれぞれが、すべて相異なる光学的距離をもつ。したがって、典型的には例えば、第３発光素子に対応する共振器は、第２の色を強調する光学的距離をもち、第４発光素子に対応する共振器は、第３の色を強調する光学的距離をもつ、などという構成がとられることになる。
これにより、「１個の画素」を構成する各発光素子は、その各々が分担する色（波長）が強調された光を発するなどということになるから、より色合い豊かなカラー画像を表示することが可能になる。
【００１１】
また、「第３発光素子」及び「第４発光素子」を備える態様では、前記第３光学的距離が、（ＯＴ１＋ＯＴ２＋ＯＴ３＋Ｇ）〔ｎｍ〕（ＯＴ１，ＯＴ２，ＯＴ３，Ｇは正の実数）で表されるとき、前記第４光学的距離は、（ＯＴ３＋Ｇ）〔ｎｍ〕で表され、前記第１光学的距離は、（ＯＴ１＋ＯＴ２＋Ｇ）〔ｎｍ〕，（ＯＴ２＋ＯＴ３＋Ｇ）〔ｎｍ〕及び（ＯＴ３＋ＯＴ１＋Ｇ）〔ｎｍ〕のうちのいずれか１つで表され、かつ、前記第２光学的距離は、（ＯＴ１＋ＯＴ２＋Ｇ）〔ｎｍ〕，（ＯＴ２＋ＯＴ３＋Ｇ）〔ｎｍ〕及び（ＯＴ３＋ＯＴ１＋Ｇ）〔ｎｍ〕のうちのいずれか１つであって前記第１光学的距離を表さないもので表される、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１光学的距離が、例えばＯＴ１＋ＯＴ２＋Ｇで表されるときは、第２光学的距離は、それ以外のＯＴ２＋ＯＴ３＋Ｇ（例１）又はＯＴ３＋ＯＴ１＋Ｇ（例２）で表され、あるいはまた、第１光学的距離がＯＴ２＋ＯＴ３＋Ｇで表されるときは、第２光学的距離はそれ以外のＯＴ１＋ＯＴ２＋Ｇ（例３）又はＯＴ３＋ＯＴ１＋Ｇ（例４）で表される、ということになる。これらの場合、本発明においては、第１及び第２光学的距離が相異なることを大前提とする以上、前記の例１及び例３ではＯＴ１≠ＯＴ３が、例２ではＯＴ２≠ＯＴ３が、例４ではＯＴ１≠ＯＴ２が成立する（逆に言うと、例１及び例３では、例えばＯＴ２＝ＯＴ３などが、例２では、例えばＯＴ１＝ＯＴ２などが、例４では、例えばＯＴ２＝ＯＴ３などが、それぞれ成立してよい。）。
なお、本態様において、第１乃至第４光学的距離の実質を決定しているのはＯＴｎ（ｎ＝１，２，３）であり、Ｇは、各光学的距離に共通する。したがって、例えば、ＯＴｎは、これら各光学的距離に対応する各共振器に関し可変の光学的距離調整層等の膜厚、Ｇは、当該各共振器に共通する発光機能層（発光素子を構成する）等の膜厚、などと想定することができる。
このように、本態様によれば、好適に、第１〜第４光学的距離が設定されるので、前述した本発明に係る効果、即ち視野角特性の改善がより実効的に奏される。特に、本態様は、後述する本発明に係る「製造方法」と深い関連性を持ち、製造歩留まりの向上、製造コストの低廉化等の効果も奏される（この点については、後に改めて触れる。）。
【００１２】
また、前述の「第３発光素子」を備える態様では、前記画素は、前記第２の色を表現するため、前記第３発光素子に加えて、当該第３発光素子に対応する前記共振器がもつ光学的距離とは異なる光学的距離をもつ共振器に対応する第５発光素子を更に含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述した、「第１及び第２発光素子」による「第１の色」の表現によって奏された効果が、「第２の色」についても享受されることになる。すなわち、本態様では、この「第２の色」も、「第３発光素子」及び「第４発光素子」の双方によって表現されるから、これら２つの発光素子から発せられた光が短波長シフトしても、その合成光はなお「第２の色を表現する」、ということが可能となるのである（ちなみに、この場合、「１個の画素」は、少なくとも５つの発光素子を含むということになる。）。
なお、本態様の考え方を更に拡張して、場合によっては、本態様に係る構成に加えて、前記第３の色を表現するため、前記第４発光素子に加えて、当該第４発光素子に対応する前記共振器がもつ光学的距離とは異なる光学的距離をもつ共振器に対応する第６発光素子を更に含む、態様も想定されるところであるが、言うまでもなく、本発明は、かかる態様についても積極的に排除する意図は有しない（ちなみに、この場合、「１個の画素」は、少なくとも６つの発光素子を含むということになる。）。
【００１３】
また、本発明の発光装置では、前記第１の色は、緑色を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述した本発明に係る効果が、「緑色」について享受される。一般に、緑色の波長は、その長短に関して、赤色の波長により近く、青色の波長により遠い。また、例えば発光素子が有機ＥＬ素子からなる場合、その発光層の発光スペクトルは、緑色表示にとって不利なかたちとなっていることが多い（後に参照する〔図７〕及びその実施形態中における説明、参照）。このようなことからすると、前述した短波長シフトによって視野角特性が劣化する場合、その（悪）影響は、赤色・青色よりも、緑色に関して最も大きくなる可能性がある。
このような事情を背景に、「第１の色」に「緑色」を含む本態様は、本発明に係る効果を最も実効的に享受可能である態様の１つということができる。
【００１４】
また、本発明の発光装置では、前記発光素子は、前記法線方向に沿って積層される、第１及び第２電極層と、これら第１及び第２電極層に挟持され、前記光を発する発光機能層と、を含み、前記第１及び第２電極層の少なくとも一方は、前記反射層及び前記半透明半反射層間に配置され、前記第１及び第２光学的距離は、前記第１又は第２電極層の膜厚の相違によって、相違する、ように構成してもよい。
この態様によれば、「第１及び第２電極層の少なくとも一方」が、反射層及び半透明半反射層の間に配置されるので、当該の電極層は、いわば前記「共振器」の一部を構成するということができる。そして、本態様では、前述した「第１及び第２光学的距離」の相違が、その、反射層及び半透明半反射層間に配置された「第１又は第２電極層の膜厚」の相違によってもたらされるようになっている。
このように、本態様によれば、第１及び第２光学的距離の設定、あるいは前記２つの共振器の構成が、第１又は第２電極層の膜厚の如何によって行われるようになっており、かつ、その膜厚の調整は成膜条件の調整等を通じて比較的簡易に実現可能となっているので、当該の設定ないし構成は、比較的容易に行われ得る。
なお、本態様にいう「発光機能層」は、発光層を初めとして、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層等のうちの全部又は一部を含む。
【００１５】
この態様では、前記反射層及び前記半透明半反射層の少なくとも一方は、前記第１及び第２電極層の少なくとも一方を兼ねる、ように構成してもよい。
この態様によれば、例えば、共振器を構成する「半透明半反射層」が、発光素子を構成する「第２電極層」を兼ねる。つまり、この場合、両者は、物理的には１個の層を形作るが、機能的には、共振器を構成する一方の鏡、及び、発光機能層に電流を供給する電極、という２つの機能を兼ね備える。
このように、本態様によれば、１個の層が複数の機能を兼ね備えることになるので、装置構造ないしその製造の簡易化・合理化・効率化、等が実現される。
【００１６】
また、前述の「第３発光素子」及び「第４発光素子」を備える態様では、前記第３及び第４発光素子は、平面視して、略同一の面積をもち、前記第１及び第２発光素子は、これら第３及び第４発光素子に比べて、略半分の面積をもつ、ように構成してもよい。
この態様によれば、平面視した場合における、第１〜第４発光素子の面積（ないしはそれらの関係）が好適に設定されることで、より高品質な画像表示が可能になる。すなわち、前述のように、第３及び第４発光素子は、そのそれぞれが各１個の色を担当し、第１及び第２発光素子は、それら２つで１個の色を担当する形態が一典型例であることからすると、発光総量（あるいは、視認者の目に届く光の総量）等の観点から、後者の面積は、前者の面積の半分にするのが好適である。本態様はまさに、かかる一例に言及する態様である。
なお、発光素子がもつ「面積」とは、当該発光素子上において光が発する領域の面積、あるいは、最終的には視認者に到達可能である光が発する領域の面積（実効面積）を意味する。この点についての、より詳細な具体例については、後述する実施形態において、例えば〔図３〕及び〔図４〕等が参照されながら説明される。
【００１７】
この態様では、平面視して、前記第１及び第２発光素子は、前記第３及び第４発光素子の間に挟まれるようにして配置される、ように構成してもよい。
この態様によれば、平面視した場合における、第１〜第４発光素子の配置関係が好適に設定されることで、より高品質な画像表示が可能になる。特に、本態様に係る配列態様（以下、この〔課題を解決するための手段〕の欄では特に、「第１配列態様」という。）は、複数の「画素」によって、文字等の静止画像を表示する際に適用されて好適である。
【００１８】
この態様では、平面視して、前記第１発光素子は、前記第３発光素子の隣に配置され、前記第２発光素子は、前記第４発光素子の隣に配置され、かつ、前記第１発光素子は、前記第４発光素子の隣に配置される、ように構成してもよい。
この態様によれば、一方の端から順に、第３，第１，第４，第２発光素子という配列が実現される。このうち第１及び第２発光素子はそれぞれ、前述のように、第３及び第４発光素子それぞれの半分の面積しか持たない。このような配列態様（以下、この〔課題を解決するための手段〕の欄では特に、「第２配列態様」という。）によれば、第１及び第２発光素子がいわば分離されるようなかたちで配置されることになるので、例えば、文字等の静止画像を表示する際に、あるいは、動画像を表示する際に、当該文字の輪郭、あるいは動画の動きがより滑らかに表現される可能性が高まる。
【００１９】
この態様では、平面視して、前記第１及び第２発光素子の一組、前記第３発光素子、並びに前記第４発光素子の三者のそれぞれは、三角形の頂点を占めるように配置される、ように構成してもよい。
この態様によれば、平面視した場合における、第１〜第４発光素子の配置関係が好適に設定されることで、より高品質な画像表示が可能になる。特に、本態様に係る配置関係は、複数の「画素」によって、動画像を表示する際に適用されて好適である。
【００２０】
なお、本発明は、上述した３つの配列態様を適宜に組み合わせた場合も、その範囲内に含む。例えば、前述した第１配列態様をもつ１個の画素と、第２配列態様をもつ１個の画素とが交互に配列される、などというようである。
また、本発明は、前記第１〜第４発光素子が、上記以外の態様でもって配列された、各種の態様を含むことは言うまでもない。
【００２１】
また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の発光装置を備える。
本発明によれば、上述した各種の発光装置、即ち第１及び第２発光素子によって１個の色である第１の色を表現する発光装置を備えてなるので、視野角特性が改善された、画像表示装置等の電子機器が提供される。
【００２２】
一方、本発明の発光装置の製造方法は、上記課題を解決するため、４つの発光素子の各々に対応し、かつ、基板上の第１乃至第４位置それぞれに、４つの光共振器を備える発光装置を製造する方法であって、前記第１位置に、第１，第２及び第３膜厚をそれぞれもつ第１-１層，第１-２層及び第１-３層（以下、「第Ａ-Ｂ層」とは、第Ａ位置における第Ｂ層ということを意味する。）を順次形成することで第１光学的距離調整層を形成する工程と、前記第２位置に、前記第１-１層、第１-２層及び第１-３層のうちのいずれか２層を形成する工程と同時に、第２-１層及び第２-２層を形成することで第２光学的距離調整層を形成する工程と、前記第３位置に、前記第１-１層、第１-２層及び第１-３層のうちのいずれか２層（ただし、当該２層の中には、前記第２-１層及び前記第２-２層と同時に形成されない層が含まれる。）を形成する工程と同時に、第３-１層及び第３-２層を形成することで第３光学的距離調整層を形成する工程と、前記第４位置に、前記第１-３層を形成する工程と同時に、第４-１層を形成することで第４光学的距離調整層を形成する工程と、を含んで、前記第１，第２，第３及び第４光学的距離調整層を含む前記４つの光共振器を形成する共振器形成工程を含む。
【００２３】
本発明によれば、上述した、本発明に係る発光装置の各種態様のうち、１個の画素が第１〜第４発光素子を備える発光装置（あるいは、その中でも特に、それらの発光素子の各々に対応する第１〜第４光学的距離をもつ共振器を備える発光装置）を好適に製造することができる。
すなわち、本発明に係る製造方法によると、前記第１，第２及び第３膜厚が、それぞれ、ＯＴ１，ＯＴ２及びＯＴ３（ＯＴ１，ＯＴ２，ＯＴ３は正の実数）であるとき、第１及び第４光学的距離調整層の膜厚は、それぞれ、（ＯＴ１＋ＯＴ２＋ＯＴ３）〔ｎｍ〕及びＯＴ３〔ｎｍ〕ということになる。また、第２光学的距離調整層の膜厚は、（ＯＴ１＋ＯＴ２）〔ｎｍ〕，（ＯＴ２＋ＯＴ３）〔ｎｍ〕及び（ＯＴ３＋ＯＴ１）〔ｎｍ〕のうちのいずれか１つとなる一方、第３光学的距離調整層の膜厚は、（ＯＴ１＋ＯＴ２）〔ｎｍ〕，（ＯＴ２＋ＯＴ３）〔ｎｍ〕及び（ＯＴ３＋ＯＴ１）〔ｎｍ〕のうちのいずれか１つであって前記第２光学的距離調整層の膜厚でないもの、ということになる。これらＯＴ１〜ＯＴ３の各値間の関係については、既述のＯＴ１〜ＯＴ３の各値間における関係と同様のことがあてはまる。
ここで、本発明にいう「第１乃至第４位置」のそれぞれは、基板面上で識別可能な別々の位置を意味する。したがって、例えば「第２位置に、…第２‐２層を形成する」というのは、この第２位置以外の位置との区別のため、所定のパターニング処理等、基板面上の当該第２位置に島状の層を形成するための処理が実行されることを含意する。
以上によると結局、本発明においては、より少ないパターニング処理等を経ながら、より多種の光学的距離調整層（ひいてはより多種の光共振器）が形成されることになる。なぜなら、第２乃至第４位置上の第２‐１層、第２‐２層、第３‐１層、第３‐２層及び第４‐１層のそれぞれは結局、第１‐１層、第１‐２層及び第１‐３層の３つの層が形成されていく過程で形成されていくことになるから、前記パターニング処理等は３回行われれば十分であるのに、４種の膜厚をもつ光学的距離調整層が形成されることになるからである。
したがって、本発明によれば、当該光学的距離調整層、あるいは基板等々に対して、前記パターニング処理等によるダメージを与えるおそれが少なく、製造歩留まりの向上が実現されることになる。また、パターニング処理等の必要性の減少は当然に、製造コストの低廉化をも可能にする。
【００２４】
この発明の発光装置の製造方法では、前記第２-１層、前記第２-２層、前記第３-１層又は前記第３-２層の上層としてレジストを形成する工程と、前記第１-２層及び第１-３層のうちのいずれか１層を形成する工程と同時に形成される層であって前記レジストの上層として形成される層を、当該レジストとともに除去する工程と、を更に含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述した製造方法がよりよくとり行われる。したがって、本態様によれば、前述した、本発明に係る効果、即ち、製造歩留まり向上、あるいは製造コストの低廉化等がより実効的に奏される。
なお、この点について、より詳細な具体例については、後述する実施形態において、例えば〔図１３〕乃至〔図１６〕等が参照されながら説明される。
【００２５】
また、本発明の発光装置の製造方法では、前記基板上の前記第１乃至第４位置に第１及び第２電極層を形成する工程と、これら第１及び第２電極層の間に発光機能層を形成する工程と、を含んで、前記発光素子を形成する工程を更に含み、前記第１，第２，第３及び第４光学的距離調整層は、前記第１及び第２電極層の少なくとも一方を兼ねる、ように構成してもよい。
この態様によれば、例えば、第１〜第４光学的距離調整層が第１電極層を兼ねる、などということになり、前者が形成されれば即、後者も形成されたことになる（逆もまた然り）、ということになるので、発光装置を、より簡易に、より効率的に、より合理的に製造することができる。
【００２６】
この態様では、前記共振器形成工程は更に、前記基板上に前記発光素子から発せられた光を反射する反射層を形成する工程と、前記基板上に前記光の一部を反射し他の部分を透過させる半透明半反射層を形成する工程と、を含み、前記反射層及び前記半透明半反射層の少なくとも一方は、前記第１及び第２電極層の少なくとも一方を兼ねる、ように構成してもよい。
この態様によれば、例えば、第１〜第４光学的距離調整層が第１電極層を兼ね、かつ、半透明半反射層が第２電極層を兼ねる、などということになり、前述した、発光装置の製造工程の簡易化・効率化・合理化がより実効的になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
＜有機ＥＬ装置の構成＞
以下では、本発明に係る実施の形態について図１乃至図４を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１乃至図４に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
【００２８】
有機ＥＬ装置は、図１に示すように、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素とを備えている。各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、並びにデータ線駆動回路１０６である。
【００２９】
有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１、あるいは図３に示すように、素子基板７上に複数備えられる。それら複数の有機ＥＬ素子８はマトリクス状に配列されている。有機ＥＬ素子８の各々は、画素電極１３、発光機能層及び対向電極から構成されている。これら各要素の詳細に関しては後に改めて触れる。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。
【００３０】
走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂに接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。これら各走査線３及び各データ線６の各交点の近傍には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。
【００３１】
単位回路Ｐは、図２に示すように、前述の有機ＥＬ素子８を含むほか、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８、ｐチャネル型の第２トランジスタ９、及び容量素子６９を含む。
単位回路Ｐは、電流供給線１１３から給電を受ける。複数の電流供給線１１３は、図示しない電源に接続されている。
また、ｐチャネル型の第２トランジスタ９のソース電極は電流供給線１１３に接続される一方、そのドレイン電極は有機ＥＬ素子８の画素電極に接続される。この第２トランジスタ９のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。一方、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８のゲート電極は走査線３に接続され、そのソース電極はデータ線６に接続され、そのドレイン電極は第２トランジスタ９のゲート電極と接続される。
単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線３を走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂが選択すると、第１トランジスタ６８がオンされて、データ線６を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、第２トランジスタ９が、データ信号のレベルに応じた電流を有機ＥＬ素子８に供給する。これにより、有機ＥＬ素子８は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。
【００３２】
なお、前述では、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、並びにデータ線駆動回路１０６のすべてが素子基板７上に形成される例について説明しているが、場合によっては、そのうちの全部又は一部を、フレキシブル基板に形成するのであってもよい。この場合、当該のフレキシブル基板と素子基板７との両当接部分に適当な端子を設けておくことにより、両者間の電気的な接続を可能とする。
【００３３】
平面視した場合に概略以上に述べたような構成を備える有機ＥＬ装置は、図４に示すような積層構造物２５０を備えている。この積層構造物２５０は、図４に示すように、素子基板７を基準として、図中下から順に、回路素子薄膜１１、層間絶縁膜３０２、反射層３４、画素電極１３、発光機能層１８、並びに対向電極５等を含む。
【００３４】
このうち、層間絶縁膜３０２は、その他の残る導電性要素間の短絡が生じないように、あるいは、これら導電性要素の積層構造物２５０中の好適な配置を実現するため等に貢献する。層間絶縁膜は、積層構造物２５０中、単層のみ設けられるとは限らず、様々な厚さでもって様々な絶縁性材料から作られうるが、好適には、その積層構造物２５０中の配置位置や役割等に応じて、適宜適当な厚さ及び材料が選択されるとよい。
より具体的には例えば、層間絶縁膜３０２は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等々で作られて好ましい。
【００３５】
回路素子薄膜１１は、前述の単位回路Ｐに含まれる第１トランジスタ６８や第２トランジスタ９等を含む。図では極めて簡略化されて描かれているが、この回路素子薄膜１１は、これら各種のトランジスタを構成する半導体層、ゲート絶縁膜、ゲートメタル等や容量素子６９を構成する電極用薄膜（いずれも不図示）、その他の金属薄膜から構成される。なお、図４に示す積層構造物２５０中には、前述した走査線３及びデータ線６も当然構築されているが、その図示は省略されている。
【００３６】
反射層３４は、前述の層間絶縁膜３０２の上に形成されている。この反射層３４は、発光機能層１８から発せられた光を反射する。この反射光は、図４に示すように、図中上方に向かって進行する。このように、発光機能層１８から発せられた光は、素子基板７が存在する側とは反対側に進行するようになっているので、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、いわゆるトップエミッション型である。このため、素子基板７は、必ずしも、透光性材料から作られている必要はなく、セラミックスや金属等の不透明材料で作られてよい（これとは反対に、ボトムエミッション型の場合、素子基板７は、透光性材料から作られている必要がある。）。
このような反射層３４は、上述の反射機能をよりよく発揮するため、光反射性能の比較的高い材料から作られているとよい。例えば、アルミニウムや銀等を利用することができる。
【００３７】
一方、前記有機ＥＬ素子８の各々は、図４に示すように、積層構造物２５０を構成する前述の各種の要素のうち、画素電極１３、発光機能層１８、及び対向電極５から構成される。
【００３８】
このうち画素電極１３は、素子基板７上に、マトリクス状に配列するように形成されている。有機ＥＬ素子８がマトリクス状に配列されているということは、このように画素電極１３がマトリクス状に配列されているということに相応する（図３参照）。また、前述の反射層３４も、同様な意味でマトリクス状に配列されている（図４参照）。本実施形態では、この平面視した場合における画素電極１３ないし有機ＥＬ素子８の配列態様、面積、あるいはその膜厚等について特徴があるが、その点については後に改めて触れる。
この画素電極１３は、コンタクトホール３６３を介して、前述の回路素子薄膜１１と電気的に接続されている。これにより、この画素電極１３は、図２に示した第２トランジスタ９から供給される電流を、発光機能層１８に印加可能である。なお、コンタクトホール３６３は、層間絶縁膜３０２を貫通するようにして形成されている。
このような画素電極１３は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）単層膜、あるいは、極薄のアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、あるいはＡｇと、ＩＴＯとの積層膜、等々の導電性材料から作られている。
【００３９】
隔壁層３４０は、図３、あるいは図４に示すように、上述したような画素電極１３のうち、平面視して隣接する画素電極１３間の領域に形成されている。この隔壁層３４０は、各有機ＥＬ素子８を区画する役割を担う。なお、この隔壁層３４０は、層間絶縁膜３０４の一部を構成する。
このような隔壁層３４０は、例えば絶縁性の透明樹脂材料で作られて好適である。
なお、この隔壁層３４０は、場合により一般に“バンク”とも呼称される。
【００４０】
発光機能層１８は、図４に示すように、画素電極１３の上に、素子基板７の全面を覆うかのようにして形成されている。
この発光機能層１８は、少なくとも有機発光層を含む。有機発光層は、正孔と電子の再結合により生起した励起子が基底状態へと遷移することによって発光する有機ＥＬ物質から構成されている。図４において、発光機能層１８は一様に白色光を発する。
前述の有機ＥＬ物質が例えば低分子材料である場合、当該有機ＥＬ物質は、例えばスパッタリング法や、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等々の蒸着法によって、形成可能である。そして、これによると、当該の発光機能層１８は、既述又は図示のように、容易に、素子基板７の全面を覆うかのように形成されうる。
発光機能層１８を構成する他の層として、電子ブロック層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及び正孔ブロック層の一部又は全部を備えていてもよい。
【００４１】
対向電極５は、図４に示すように、複数の有機ＥＬ素子８の発光機能層１８に接触している。この対向電極５は、平面視して、素子基板７の全面を覆うかのような矩形状に形成される（図４ではその一部が図示されている。）。
このような対向電極５は、例えばＭｇＡｌ、ＭｇＣｕ、ＭｇＡｕ、ＭｇＡｇ等の合金又は金属材料から作られる。また、この対向電極５は、例えば５〜２０〔ｎｍ〕程度の厚さ等、そこに到達する光の一部が透過可能であるような厚さをもつ。これにより、対向電極５は、半透明半反射性能を備える。
【００４２】
なお、前記隔壁３４０は、上述のように、発光機能層１８が素子基板７の全面を覆うようにして形成されており当該全面に関して一様に白色光を発するようになっている本実施形態では、必ずしも設ける必要はない。ただ、このような隔壁３４０は、例えば層間絶縁膜３０２に適宜形成されたコンタクトホール等の穴埋めを目的とした成膜を実行する結果、半ば必然的に形成される場合もある（これにより、素子基板７上の積層構造物の表面を平坦化することが可能となる。）。
また、このような隔壁３４０は、発光機能層１８から発した光が隣の有機ＥＬ素子８の方向へと進行するのを、規制する機能を発揮することが期待できる（例えば、当該光が、隣の有機ＥＬ素子８へと進行する際には、隔壁３４０を透過する場合があるから、その場合、当該光のエネルギは、少なくともその透過に応じた分減少する等）。その意味において、当該隔壁３４０は有用ということができる。
【００４３】
以上に述べた積層構造物２５０のほか、図４において、有機ＥＬ装置１００は、対向基板５０を備え、更に、この対向基板５０の上に前記とは別の積層構造物を備えている。この積層構造物は、図４に示すように、対向基板５０を基準として、その図中下側に向かって順に、カラーフィルタ５１及び遮光膜５９１からなる。
【００４４】
まず、対向基板５０は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で作られる。
カラーフィルタ５１は、平面視して画素電極１３の形成領域に対応する領域に形成されている。カラーフィルタ５１は、赤色フィルタ５１Ｒ、緑色フィルタ５１Ｇ１及び５１Ｇ２、並びに青色フィルタ５１Ｂを含む。これら各色のフィルタ（５１Ｒ，５１Ｇ１，５１Ｇ２，５１Ｂ）はマトリクス状に配列されているが、本実施形態では、後述する画素電極１３等の配列態様に合わせた配列態様でもって配列されている。この点については、後に述べる。
カラーフィルタ５１は、発光機能層１８から届く光のうち、所定の波長域の光だけを透過させる。すなわち、例えば、赤色フィルタ５１Ｒは、例えばピーク波長６１０ｎｍ及びその付近の波長域の光を透過させ、緑色フィルタ５１Ｇ１及び５１Ｇ２は、ピーク波長５２０ｎｍ及びその付近の波長域の光を透過させ、青色フィルタ５１Ｂは、ピーク波長４７０ｎｍ及びその付近の波長域の光を透過させる。
このようなカラーフィルタ５１は、光透過性の樹脂材料等から作られる。当該樹脂材料は、各色に対応する顔料等を含みうる。
【００４５】
遮光膜５９１は、平面視して画素電極１３の形成領域を縁取るように、あるいは当該形成領域以外の領域に対応するように形成されている。あるいは、対向基板５０側の要素だけでいえば、遮光膜５９１は、マトリクス状に配列されたカラーフィルタ５１間の間隙を埋めるようにして形成されている。
このような遮光膜５９１は、光吸収性、あるいは光反射性の金属、樹脂等の適当な遮光性材料で作られる。金属材料に関して特に具体的に例示すれば、Ｃｒ等が好適に挙げられる。
【００４６】
充填材６０は、このような対向基板５０と、前述の素子基板７との間を接着する機能を果たす（図４参照）。この充填材６０は、例えばエポキシ樹脂等の材料から作られる。
【００４７】
＜有機ＥＬ素子・画素電極等＞
以上に加えて、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は特に、前述した各種要素のうち有機ＥＬ素子８の構成、とりわけそのうちの画素電極１３等の構成及び作用について特徴がある。以下では、この点について、既に参照した図１乃至図４に加えて、図５乃至図８を参照しながら説明する。
【００４８】
まず、本実施形態においては、図３に示すように、４個の有機ＥＬ素子８を１セットとして１個の画素Ｐｘが構成される。そして、この画素Ｐｘ内の４個の有機ＥＬ素子８は、図３及び図４に示すように、その１個１個が同じ面積をもっていない。このことは図３に比較的よく示されており、平面視して、図中最左方の有機ＥＬ素子８Ｒと最右方の有機ＥＬ素子８Ｂとは同じ面積をもち、これら両有機ＥＬ素子８Ｒ及び８Ｂ間に挟まれた２つの有機ＥＬ素子８Ｇ１及び８Ｇ２は、その約半分の面積をもつ。
なお、ここでいう「面積」とは、より一般的には、有機ＥＬ素子８上において光が発する領域の面積、あるいは、有機ＥＬ素子８上における、最終的に視認者に到達可能である光が発する領域の面積（実効面積）を意味する。本実施形態では、ここにいう「領域」は、図３に示すように長円形状をもつが、かかる領域の形状（したがって、前記「面積」）は、前述のカラーフィルタ５１、遮光膜５９１、画素電極１３、反射層３４及び層間絶縁膜３０４の全部又は一部の形成形態を適宜に定めることにより、基本的には任意に設定することが可能である。例えば、１個１個の画素電極１３が、平面視して長円形状をもつように形成されるのであれば、当該画素電極１３及び対向電極５間では、基本的には、その長円形状を底面にもつ柱体の中でしか電子及び正孔の再結合が生じない（即ち発光しない）から、この場合、有機ＥＬ素子８の「面積」とは、その“長円形状の面積”にほぼ同義、あるいは少なくともそれに基づいて定められる値、ということになる。
【００４９】
前述のカラーフィルタ５１は、上述のような４個の有機ＥＬ素子８の各々に対応して配列されている。すなわち、図３中最左方の有機ＥＬ素子８Ｒに対しては赤色フィルタ５１Ｒが、その右隣の有機ＥＬ素子８Ｇ１に対しては緑色フィルタ５１Ｇ１が、そのまた右隣の有機ＥＬ素子８Ｇ２に対しては緑色フィルタ５１Ｇ２が、そして最右方の有機ＥＬ素子８Ｂに対しては青色フィルタ５１Ｂが、それぞれ対応している（図４も参照）。この場合、緑色フィルタ５１Ｇ１及び５１Ｇ２は、２個の有機ＥＬ素子８Ｇ１及び８Ｇ２に対応するが、後述するように、当該の１個の画素Ｐｘ内において表現されるべき緑色は、これら２個の有機ＥＬ素子８Ｇ１及び８Ｇ２の共同作用によって表現される。
なお、既に使用した図３及び図４に示されている符号８Ｒ，８Ｇ１，８Ｇ２，８Ｂ（あるいは、１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２，１３Ｂ）は、これら各色フィルタ（５１Ｒ，５１Ｇ１，５１Ｇ２，５１Ｂ）の別に対応している意味合いをもつ。本実施形態における説明及びその他の図面においては、簡単のため、符号“８”は、前述の符号８Ｒ，８Ｇ１，８Ｇ２，８Ｂを総称する符号として、符号“１３”は、前述の符号１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２，１３Ｂを総称する符号として、それぞれ用いられている。
【００５０】
有機ＥＬ素子８が、前述のような態様で配列されているのに応じて、画素電極１３も同じ態様で配列されている（図３参照）。
加えて、１個の画素Ｐｘ内に存在する４個の画素電極１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２，１３Ｂについては、以下の特徴がある。すなわち、図４に示すように、これら各画素電極（１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２，１３Ｂ）の膜厚をＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４とすると、これらの間に、Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３＞Ｄ４が成立する。つまり、赤色フィルタ５１Ｒに対応する画素電極１３Ｒが最も厚く、青色フィルタ５１Ｂに対応する画素電極１３Ｂが最も薄い。また、緑色フィルタ５１Ｇ１及び５１Ｇ２に対応する画素電極１３Ｇ１及び１３Ｇ２は、これらの間の膜厚をもつが、図４に示すように、画素電極１３Ｇ１は、画素電極１３Ｇ２よりも厚い。
このようなことから、ある１個の画素Ｐｘ内における有機ＥＬ素子８についての、反射層３４及び対向電極５間の光学的距離は、当該有機ＥＬ素子８ごとに異なることになる。
【００５１】
光学的距離は、各層がもつ屈折率と物理的厚さによって規定される。すなわち、画素電極１３の屈折率及び物理的厚さをそれぞれｎ１，ｌ１とし、発光機能層１８のそれらをｎ２，ｌ２とすると、その光学的距離Ｌは、
Ｌ＝Σ（ｎｐ・ｌｐ）  ……  （１）
と表現される。ただし、この式中、「Σ」は、順次にｐ＝１，２とした場合のｎｐ・ｌｐの総和を表す記号である。なお、この式（１）のかたちは、発光機能層１８が、正孔輸送層、電子輸送層等々を含む場合等でも変化しない（前記ｎ２，ｌ２に代えて、それらの屈折率及び物理的厚さを、新たにｎ２，ｌ２、ｎ３，ｌ３、…として、その総和を求めればよい。）。
本実施形態では、この光学的距離Ｌはまた、以下の式で表される条件を満たす。
Ｌ＝｛（２πＮ＋θ１＋θ２）・λ｝／（４π）  ……  （２）
ただし、この式中、θ１は反射層３４における位相変化量（より正確には、反射層３４と画素電極１３との界面における位相変化量）、θ２は対向電極５における位相変化量（より正確には、対向電極５と発光機能層１８との界面における位相変化量）、λは共振対象波長、Ｎは適当な整数である（このＮは、通常、比較的小さな値、例えば１などとして設定される。）。
以上の２つの式から、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、一種の光共振器を含むことになる。すなわち、反射層３４と、半透明半反射層としての対向電極５との間の光学的距離が適当に設定されることにより、特定の波長成分（前記の共振対象波長λ）をもつ光の強度が増大させられる。
【００５２】
画素電極１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２，１３Ｂの膜厚がそれぞれ異ならせてあるのは、それぞれにおいて着目する共振対象波長λに関して、上述の式（１）及び式（２）に係る条件を満たそうとすることに、その目的がある。例えば、画素電極１３Ｒは、ピーク波長６１０ｎｍ及びその付近の波長域の光を強調するための膜厚Ｄ１、また、画素電極１３Ｂは、ピーク波長４７０ｎｍ及びその付近の波長域の光を強調するための膜厚Ｄ４、をそれぞれもつ。
そして、ここで特徴的なのは、緑色フィルタ５１Ｇ１及び５１Ｇ２に対応する画素電極１３Ｇ１及び１３Ｇ２の膜厚が異なっていることである。この場合、両者とも、ピーク波長５２０ｎｍ及びその付近の波長域の光を強調するための膜厚（Ｄ２，Ｄ３）をもっていると一応はいえるが、これら両膜厚の値が異なっている（Ｄ２≠Ｄ３）ことにより、厳密には、これら画素電極１３Ｇ１及び１３Ｇ２の各々を含む、２つの光共振器の各々においては、共振の対象となる波長は異なることになる。つまり、有機ＥＬ素子８Ｇ１及び８Ｇ２の各々から発せられた光のそれぞれは、厳密に言えば、相異なる色をもつことになる。
【００５３】
このような構成をもつ有機ＥＬ素子８、画素電極１３、ないしは画素Ｐｘ等によると、以下に述べる作用効果が奏される。
まず、説明の前提として、図５（あるいは、図８）について説明する。
この図５（あるいは、図８）は、いわゆるｘｙ色度図である。この図において、概ね砲弾型の形で囲われた領域は、人間の認識可能な色の範囲（色域）を表している。その領域の中心付近から周辺に行くほど彩度が大きくなる。また、その領域の周囲を巡る数値は色相を表している。
他方、当該領域内において、三角形で囲われた領域は、ＲＧＢ表色系で表現可能な色域を表している。このうち、符号Ｃｔが付された点は、ホワイト・ポイントである。また、図中記された「赤」、「緑」等々の文字は、そのそれぞれが位置する場所の色を視認者が認識した場合に感じるであろう、概ねの色名を表している。例えば、ｘ＝０．２、ｙ＝０．１あたりの色を視認者が認識する場合、その者は、それを「青」と判断する蓋然性が高い、ということである。
【００５４】
このような前提の下、まず、図５は、有機ＥＬ装置１００に正対してその画像表示領域７aを直視する場合を表現している。ここで図５中に示された点Ｇ１及びＧ２は、前記の画素電極１３Ｇ１及び１３Ｇ２の膜厚の相違に対応している。すなわち、前述のように、画素電極１３Ｇ１及び１３Ｇ２それぞれの膜厚Ｄ２及びＤ３の間にはＤ２＞Ｄ３が成立することにより、両者を含む有機ＥＬ素子８Ｇ１及び８Ｇ２は、それぞれ、共振対象波長λＧ１及びλＧ２（ただし、λＧ１＞λＧ２）をもつ光、即ち点Ｇ１及びＧ２に相当する色をもつ光を発する。
しかし、視認者がこれら２つの有機ＥＬ素子８Ｇ１及び８Ｇ２から発せられた光を視認する場合、その視覚能力の制約（例えば、人間の目がもつ空間分解能等）等から、２つの色ではなく、それらが合成された１個の色を認識する。つまり、図５に示すように、点Ｇ１及びＧ２間を結ぶ線分の中点である点ＶＣの色を認識することになる。
【００５５】
一方、図６に示すように、視認者Ｅが、有機ＥＬ装置１００を斜めの方向（図６では、素子基板７又は対向基板５０の法線方向を基準とした角度φの方向）から臨んで画像表示領域７ａを視認すると、いわゆる“短波長シフト”が生じる。
仮に、１個の画素Ｐｘ内における緑色が、本実施形態のように２個の有機ＥＬ素子８Ｇ１及び８Ｇ２によって表現されるのではなく、１個の有機ＥＬ素子によって表現され、かつ、それに対応する光共振器の光学的距離が共振対象波長５２０ｎｍという前提で上記式（１）及び式（２）によって定められているとすれば、正対視する場合は、図５と同様、視認者は点ＶＣに相当する色をもつ光を認識する。しかし、図６に示すように斜めから臨む場合、視認者は、図８の点ＶＣが短波長側にシフトした点ＶＳに相当する色をもつ光を認識してしまう。つまり、この場合、正対視する場合と斜めから臨む場合とで、視認者Ｅは異なる色合いを認識してしまうことになる。
【００５６】
このような不具合は、緑色に関して特に深刻である。
というのも、緑色のピーク波長は、波長の長短に関して、青色のピーク波長により近く、赤色のピーク波長により遠いからである（図７参照。ただし、図７では赤色のピークは不図示）。また、図７は、本実施形態に係る発光機能層１８から発せられる光の発光スペクトルであるが、これをみると、緑色のピークは、青色のピークのように鋭いかたちをもつわけではなく、当該青色のピークからなだらかに続く稜線の途中の盛り上がりといった程度のかたちをもつに過ぎないことがわかる。このような場合であって、なお前述したような１個の有機ＥＬ素子で緑色を表現する場合を前提とすると、短波長シフトが生じた場合の悪影響が緑色に関して最も顕著になることが懸念される。
【００５７】
しかるに、本実施形態では、以上のような不具合の発生がかなりの程度未然に防止される。
図８において、点Ｇ１及びＧ２は、図５における点Ｇ１及びＧ２と同じである。このような状況で、有機ＥＬ装置１００を斜めから臨むと、これらの点Ｇ１及びＧ２も、上述したような短波長シフトを被る。図８では、点Ｇ１’及びＧ２’が、短波長シフト後の点Ｇ１及びＧ２を表現している。
しかし、この場合、上述のように、視認者は、これらの点Ｇ１’及びＧ２’をいわば生で認識するのではなく、これらの間を結ぶ線分の中点に相当する色をもつ光を認識する。つまり、図８に示すように、視認者は、点ＶＣ’に相当する色をもつ光を認識するのである。
そして、この点ＶＣ’は、図示するところから明らかなように、図５に示す点ＶＣから然程大きくずれてはいない。
このように、本実施形態によれば、短波長シフトは生ずるものの、視認者は、あたかもそれがなかったような色をもつ光を認識することが可能となるのである。
【００５８】
以上述べた有機ＥＬ装置１００によれば、次のような効果が奏される。
（１）  まず、既に述べたように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００によれば、視認者は、当該有機ＥＬ装置１００に正対するか斜めに臨むかに関わらず、常に、ほぼ同じ色合いをもつ光を認識することが可能である。すなわち、この有機ＥＬ装置１００の視野角特性は格段に改善している。
また、このことから当然に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００によれば、画素Ｐｘによる、より高品質のカラー画像が表示可能である。
【００５９】
（２）  また、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００によれば、緑色を担当する有機ＥＬ素子８Ｇ１及び８Ｇ２の面積は、赤色及び青色を担当する有機ＥＬ素子８Ｒ及び８Ｂの面積の約半分となっているが（図３参照）、これは、発光総量（あるいは、視認者の目に届く光の総量）等の観点からみて好適である。これにより、視認者は、違和感のないカラー画像を認識することができる。
また、これに関連して、当該有機ＥＬ装置１００によれば、平面視した場合における、有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ１，８Ｇ２，８Ｂの配置関係が、図３に示すようにバランスよく設定されることで、より高品質な画像表示が可能になる。特に、本実施形態に係る配列態様は、複数の画素Ｐｘによって、文字等の静止画像を表示する際に適用されて好適である。
【００６０】
＜実施例１＞
以下に示す表１は、視野角特性の改善を図った、より具体的な一例（シミュレーション結果）であり、表２は、それに対する比較例である。
【表１】
2010140787.tif 000003
【表２】
2010140787.tif 000004
【００６１】
これらの表においては、前述の発光機能層１８が、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層・注入層から構成されていることが前提されており、かつ、画素電極１３はＩＴＯ、正孔注入層はＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ、正孔輸送層はＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ））、発光層は８−ヒドロキシキノリン アルミニウム（Ａｌｑ３）、電子輸送層・注入層はＡｌｑ３にＬｉＦを積層したもの、から、それぞれ構成されることが前提されている。また特に、正孔注入層の膜厚が“４８ｎｍ”であることが前提されている。
また、これらの表中、「輝度比」とは、有機ＥＬ装置１００に正対した場合における輝度と図６中の角度φが７５度である場合における輝度との比を意味する。さらに、「Δｘ」及び「Δｙ」とは、有機ＥＬ装置１００に正対した場合と図６中の角度φが７５度である場合との間における、色度図上のｘ及びｙの値のずれ（言い換えると、短波長シフトの影響によって、視認者が認識する色が受けている“ずれ”の程度）を意味する（図８の点ＶＣ及び点ＶＣ’参照）。
【００６２】
これらの表のうち、まず、比較例１（表２）は、従来のように赤色、緑色及び青色の各色に１個ずつの有機ＥＬ素子が対応している場合の、輝度比、Δｘ及びΔｙを表す。この比較例１のうち特に、緑色に着目すると、輝度比、Δｘ及びΔｙのそれぞれは、０．０９５、０．０９３及び０．２４８となっている。
他方、実施例１（表１）は、比較例１に対して、画素電極１３Ｇ１の膜厚Ｄ２を６０ｎｍ、画素電極１３Ｇ２の膜厚Ｄ２を４３ｎｍと変化させた場合の、輝度比、Δｘ及びΔｙを表す。この実施例１のうち特に、緑色に着目すると、輝度比、Δｘ及びΔｙのそれぞれは、０．１２４、０．１０９及び０．１８９となっている。
【００６３】
この結果によると、Δｘは、比較例１では０．０９３であるのが、実施例１では０．１０９となって若干シフト量が増大しているものの、Δｙは、比較例１では０．２４８であるのが、実施例１では０．１８９となって、シフト量が効果的に抑制されている。つまり、この実施例１に係る有機ＥＬ装置を視認する視認者は、正対視から７５度視へと視点を変化させても、比較例１に対して、より小さなΔｙの変化しか受けていない緑色光を認識する。このように、実施例１は、比較例１に対して、視野角特性が改善している。
なお、上述では、Δｘの変化量が増大している点が若干気になるが、視認者が最終的に認識する色合いという観点からみた場合、図５及び図８の三角形のかたち、あるいは色名の配置等から推測されるように、Δｘの変化量よりも、Δｙの変化量のほうを重視したほうが好ましい（即ち、視認者は、Δｙの遷移に対して、より敏感に画質の変化を感じるから、Δｘが若干増えたとしても、Δｙをおさえるほうが、視野角特性改善にとってはより効果的、ということである。）。その意味で、この実施例１は、極めて好適な具体例を提供している。
【００６４】
＜実施例２＞
以下に示す表３は、視野角特性の改善を図った、より具体的な他の例（シミュレーション結果）であり、表４は、それに対する比較例である。
【表３】
2010140787.tif 000005
【表４】
2010140787.tif 000006
【００６５】
これらの表において前提されているところは、前記の表１及び表２と変わりない。
ただし、これら表３及び表４では、正孔注入層の膜厚が“４８ｎｍ”ではなく、“３２ｎｍ”であることが前提されている。
【００６６】
これらの表のうち、まず、比較例２（表４）は、従来のように赤色、緑色及び青色の各色に１個ずつの有機ＥＬ素子が対応している場合の、輝度比、Δｘ及びΔｙを表す。この比較例２のうち特に、緑色に着目すると、輝度比、Δｘ及びΔｙのそれぞれは、０．１０２、０．０９９及び０．２３５となっている。
他方、実施例２（表３）は、比較例２に対して、画素電極１３Ｇ１の膜厚Ｄ２を７６ｎｍ、画素電極１３Ｇ２の膜厚Ｄ２を６５ｎｍと変化させた場合の、輝度比、Δｘ及びΔｙを表す。この実施例２のうち特に、緑色に着目すると、輝度比、Δｘ及びΔｙのそれぞれは、０．１４５、０．１３４及び０．１６５となっている。
【００６７】
この結果によると、Δｘは、比較例２では０．０９９であるのが、実施例２では０．１３４となって若干シフト量が増大しているものの、Δｙは、比較例２では０．２３５であるのが、実施例２では０．１６５となって、シフト量が効果的に抑制されている。
つまり、この実施例２においても、正孔注入層、並びに、画素電極１３Ｇ１及び１３Ｇ２の膜厚についての変更はあるものの、前記実施例１と同様、視野角特性が改善している。
【００６８】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、以上に述べた本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の製造方法について、既に参照した図１乃至図８に加えて、図９乃至図１２を参照しながら説明する。なお、本実施形態に係る製造方法は、図４に示すような、４つの膜厚Ｄ１〜Ｄ４をもつ画素電極１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２，１３Ｂが形成されることに関して特徴があるので、以下では、その点に関して重点的に説明を行う。
【００６９】
まず、素子基板７の上に、回路素子薄膜１１、層間絶縁膜３０２及び反射層３４が形成される。これらのいずれの成膜においても、既知であるところの、例えばＰＶＤ法、ＣＶＤ法やスパッタ法等の成膜方法や、あるいはフォトリソグラフィ法等が適宜利用される。その際、回路素子薄膜１１の成膜では、第１トランジスタ６８等のＴＦＴの製造が含まれるから、その半導体層へのドーピング工程等も行われ、層間絶縁膜３０２の成膜では、そこにコンタクトホール３６３を形成するために、適当なエッチング工程等も行われる。
なお、図９乃至図１２においては、簡単のため、この反射層３４までが形成された段階の構築物をまとめて、符号“ＳＳＦ”でもって表している。これは、後続する画素電極１３形成のための下地膜となる（以下、「下地膜ＳＳＦ」ということがある。なお、図においては、この下地膜ＳＳＦにおいて、前記のコンタクトホール３６３、反射層３４等の図示は一切省略されている（図４と対比参照））。
【００７０】
続いて、画素電極１３（＝１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２，１３Ｂ）が形成される。この画素電極１３の形成工程は、以下に述べるように、第１から第３の画素電極層１３１，１３２，１３３の形成工程を含む。
まず、図９に示すように、第１・画素電極層１３１が形成される。
この第１・画素電極層１３１は、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法等で膜厚ｄ１＝５５ｎｍ程度となるように形成されたＩＴＯの原膜に対して、フォトリソグラフィ及び酸性の混合液等を用いたパターニング処理を実施することによって形成される。この場合、パターニング処理は、最終的に形成しようとする４種の画素電極１３のうち、大きいものから数えて２番目までの膜厚（即ち、Ｄ１、Ｄ２）をもつ画素電極１３（即ち、画素電極１３Ｒ，１３Ｇ１）が形成されるべき位置だけに、当該第１・画素電極層１３１が残るように行われる（図９と、例えば図１２あるいは図４等とを対比参照）。
これにより、平面視して図３に示すような長円形状及び配列態様をもつ画素電極１３Ｒ，１３Ｇ１が、素子基板７上でマトリクス状配列に従って並ぶようにして形成される。
なお、このＩＴＯからなる第１・画素電極層１３１を形成する前には、前記反射層３４の上に、ＳｉＮ等からなる電食防止用の薄膜が形成されてもよい。この薄膜の厚さは、例えば５０ｎｍ程度とするとよい。
【００７１】
続いて、図１０に示すように、レジスト９０及び第２・画素電極層１３２が形成される。
まず、レジストが塗布される。この場合、図１０に示すように、その塗布後のレジストのうち、最終的に形成しようとする画素電極１３のうち、大きいものから数えて２番目の膜厚（即ち、Ｄ２）をもつ画素電極１３（即ち、画素電極１３Ｇ１）が形成されるべき位置上のレジスト９０を除いたレジストは除去される。この結果、当該の位置にだけレジスト９０が残る。
次に、第２・画素電極層１３１が、前記の第１・画素電極層１３１と同様にして形成される。
ただし、この場合の膜厚ｄ２は、第１・画素電極層１３１とは異なって、ｄ２＝３５ｎｍ程度となるようにする。また、この場合におけるパターニング処理は、最終的に形成しようとする４種の画素電極１３のうち、大きいものから数えて３番目までの膜厚（即ち、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３）をもつ画素電極１３（即ち、画素電極１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２）が形成されるべき位置だけに、当該第２・画素電極層１３２が残るように行われる（図１０と、例えば図１２あるいは図４等とを対比参照）。
これにより、平面視して図３に示すような長円形状及び配列態様をもつ画素電極１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２が、素子基板７上でマトリクス状配列に従って並ぶようにして形成される。
【００７２】
続いて、図１１に示すように、レジスト９０の除去が行われる。
この際、前述のように、第２・画素電極層１３２が、最終的に膜厚Ｄ２をもつこととなる画素電極１３Ｇ１の形成位置についても形成されていることから、当該の第２・画素電極層１３２は、レジスト９０の上にも形成されていることになる（図１０参照）。したがって、この第２・画素電極層１３２は、レジスト９０の除去とともに除去されることになる（図１１中の破線参照）。
【００７３】
続いて、図１２に示すように、第３・画素電極層１３３が形成される。
これも、前述の第１・画素電極層１３１と同様にして形成される。
ただし、この場合の膜厚ｄ３は、第１・画素電極層１３１、あるいは第２・画素電極層１３２とは異なって、ｄ３＝３０ｎｍ程度となるようにする。また、この場合におけるパターニング処理は、最終的に形成しようとする４種の画素電極１３の全部が形成されるべき位置だけに、当該第３・画素電極層１３３が残るように行われる（図１２と、例えば図４あるいは図３等と対比参照）。
これにより、平面視して、まさに図３に示すような画素電極１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２，１３Ｂが、素子基板７上でマトリクス状配列に従って並ぶようにして形成される。
【００７４】
以上の処理を経ると、図１２に示すように、４つの膜厚Ｄ１〜Ｄ４をもつ画素電極１３が、３回のパターニング処理を経るだけで形成されることになる。すなわち、画素電極１３Ｒは、第１・画素電極層１３１〜第３・画素電極層１３３の膜厚の総計たる、膜厚１２０ｎｍ（＝ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＝５５＋３５＋３０）をもつものとして形成され、画素電極１３Ｇ１は、第１・画素電極層１３１及び第３・画素電極層１３３の膜厚の総計たる、膜厚８５ｎｍ（＝ｄ１＋ｄ３＝５５＋３０）をもつものとして形成され、画素電極１３Ｇ２は、第２・画素電極層１３２及び第３・画素電極層１３３の膜厚の総計たる、膜厚６５ｎｍ（＝ｄ２＋ｄ３＝３５＋３０）をもつものとして形成され、画素電極１３Ｂは、第３・画素電極層１３３の膜厚たる、膜厚３０ｎｍ（＝ｄ３）をもつものとして形成されることになる。
【００７５】
後は、これに続いて、層間絶縁膜３０４、発光機能層１８等々の各層が形成される。これも、前記の反射層３４等々と同様、ＣＶＤ法等々の公知の方法により形成される。
【００７６】
以上述べたような有機ＥＬ装置の製造方法によれば、次のような効果が奏される。
すなわち、既に述べたように、この製造方法では、４つの膜厚Ｄ１〜Ｄ４をもつ画素電極１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２，１３Ｂを形成するに当たって、パターニング処理が３回しか行われていない。
このように、本実施形態によれば、より少ないパターニング処理等を経ながら、より多種の画素電極１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２，１３Ｂ（ひいては、より多種の光共振器）が形成されることになるから、当該画素電極１３、下地膜ＳＳＦ、あるいは素子基板７、等々に対して、当該パターニング処理等によるダメージを与えるおそれが少なく、したがって、製造歩留まりの向上が実現される。また、パターニング処理等の必要性の減少は当然に、製造コストも低廉化する。
【００７７】
なお、上記製造方法においては、第１・画素電極層１３１の膜厚ｄ１と、第２・画素電極層１３２の膜厚ｄ２との間に差がある限り、最終的に、４種の膜厚Ｄ１〜Ｄ４をもつ画素電極１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２，１３Ｂが形成されることになる。逆に言えば、この場合、第１及び第３・画素電極層１３１及び１３３の膜厚は同じ（ｄ１＝ｄ３）であってよく、あるいは、第２及び第３・画素電極層１３２及び１３３の膜厚は同じ（ｄ２＝ｄ３）であってよい（ただし、これら両者が、同時に満たされてはいけない。）。
【００７８】
また、上記製造方法は、本発明に係る「発光装置の製造方法」の一具体例を呈示しているに止まる。上記以外にも、例えば、図１３乃至図１６に示すような順序で、画素電極１３は製造されてよい。
この製造方法は、各画素電極層１３１〜１３３及びレジスト９０の形成タイミングや、当該レジスト９０とともに除去される画素電極層の相違（上記製造方法では第２・画素電極層１３２が除去され、本製造方法では第３・画素電極層１３３が除去される。）等があるものの、本質的に上記製造方法と同じである。特に、本製造方法におけるパターニング処理は、図１３で２回、図１４で１回の合計３回行われることになるから、該パターニング処理の回数も、本製造方法と上記製造方法との間で変わらない。
ただし、本製造方法では、最終的に形成される画素電極１３Ｇ１の膜厚Ｄ２がｄ１＋ｄ２（上記製造方法ではｄ１＋ｄ３）となり、画素電極１３ＧＧ２の膜厚Ｄ３がｄ２＋ｄ３となって、その点で、上記製造方法とは異なることになる。
これ以外にも、画素電極１３Ｇ１及び１３Ｇ２の膜厚Ｄ２及びＤ３が、それぞれ、ｄ１＋ｄ２及びｄ１＋ｄ３となる場合等もあり得る。
いずれにせよ、これらの製造方法によっても、より少ないパターニング処理で、より多種の画素電極１３が形成されることに変わりはなく、したがって、前述した効果が同様に奏される。
【００７９】
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る有機ＥＬ装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１-ｉ）  上記実施形態では、図３に示したように、有機ＥＬ素子８Ｇ１及び８Ｇ２が、有機ＥＬ素子８Ｒ及び８Ｂの間に挟まれるように配置される形態について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、図１７に示すように、緑色を担当する有機ＥＬ素子８Ｇ１−１が赤色を担当する有機ＥＬ素子８Ｒ−１の図中右隣に配置され、同じく緑色担当する有機ＥＬ素子８Ｇ２−１が青色を担当する有機ＥＬ素子８Ｂ−１の図中右隣に配置され、かつ、前記有機ＥＬ素子８Ｇ１−１が前記有機ＥＬ素子８Ｂ−１と隣り合うように配置される、という形態も、本発明の範囲内にある。この形態では、これら４つの有機ＥＬ素子８Ｒ−１，８Ｇ１−１，８Ｂ−１，８Ｇ２−１をもって、１個の画素Ｐｘ１が構成される。
このような形態によれば、緑色を担当する有機ＥＬ素子８Ｇ１−１及び８Ｇ２−１が、いわば分離されるようなかたちで配置されることになるので、例えば、文字等の静止画像を表示する際に、あるいは、動画像を表示する際に、当該文字の輪郭、あるいは動画の動きがより滑らかに表現される可能性が高まる。
【００８０】
（１-ｉｉ）  あるいは、図１８に示すように、有機ＥＬ素子８は、いわば千鳥足状に配列されてもよい。すなわち、この図において、緑色担当の有機ＥＬ素子８Ｇ１−２及び８Ｇ２−２の一組、赤色担当の有機ＥＬ素子８Ｒ−２、及び青色担当の有機ＥＬ素子８Ｂ−２の三者のそれぞれが、図中破線で示す三角形の頂点を占めるように配置される。この形態では、これら４つの有機ＥＬ素子８Ｇ１−２，８Ｇ２−２，８Ｒ−２，８Ｂ−２をもって、１個の画素Ｐｘ２が構成される。また、この形態では、この画素Ｐｘ２の複数が、いわば市松模様状に配列される（以上のような配列態様も、当然、本発明にいう「マトリクス状配列」に含まれる。）。
このような形態によれば、動画像をより滑らかに表示することが可能である。
【００８１】
（１-ｉｉｉ）  あるいは、図１９に示すように、異なる配列機序をもつ画素Ｐｘ１及びＰｘが交互に配置される、という形態も、本発明の範囲内にある。なお、図から明らかなように、画素Ｐｘ１は、図１７に示した有機ＥＬ素子８Ｇ１−１等からなる画素であり、画素Ｐｘは上記実施形態において説明した画素（図３に示した画素）である。
【００８２】
（２）  上記実施形態では、図３に示したように、緑色担当の有機ＥＬ素子８のみが、２個の有機ＥＬ素子８Ｇ１及び８Ｇ２からなる形態について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、図２０に示すように、緑色担当の有機ＥＬ素子８Ｇ１―３及び８Ｇ２−３に加えて、赤色担当の有機ＥＬ素子も、２個の有機ＥＬ素子８Ｒ１−３及び８Ｒ２−３からなるような形態も、本発明の範囲内にある。
このような形態によると、図５及び図８の色度図を参照して説明したと同様の作用効果が、赤色光についても享受されることになる。
なお、場合によっては、図２０の構成を更に変更して、青色担当の有機ＥＬ素子をも、前記の有機ＥＬ素子８Ｒ１−３及び８Ｒ２−３のようにいわば分割してよい。
【００８３】
＜実施例３＞
以下に示す表５は、上述のように、緑色に加えて、赤色に関しても視野角特性の改善を図った、より具体的な一例（シミュレーション結果）である。
【表５】
2010140787.tif 000007
【００８４】
この表において前提されているところは、前記の表３及び表４と変わりない。
この表において、画素電極１３Ｒ１−３（前記有機ＥＬ素子８Ｒ１−３に含まれる画素電極を意味する）の膜厚は１１８．８ｎｍ、画素電極１３Ｒ２−３（前記有機ＥＬ素子８Ｒ２−３に含まれる画素電極を意味する）の膜厚は１２４．２ｎｍとされている。この表５のうち特に、赤色に着目すると、輝度比、Δｘ及びΔｙのそれぞれは、０．１２５、０．０３２及び−０．０７５となっている。
【００８５】
この実施例３は、その条件が、赤色担当の有機ＥＬ素子８Ｒ１−３及び８Ｒ２−３に関する相違を除いて、前記の比較例２（表４）の条件と同一であるので、これと比較可能である。それによると、Δｘは、前記の比較例２では０．０４９であるのが、この実施例３では０．０３２となり、Δｙは、比較例２では−０．０７８であるのが、実施例３では−０．０７５となって、いずれもシフト量が抑制されている。
このように、この実施例３においては、緑色に関する視野角特性の改善のほか、赤色に関する視野角特性の改善も実現される。
【００８６】
（３）  上記実施形態では、発光機能層１８が素子基板７の全面を覆うかのように形成される態様について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、前述の隔壁層３４０を利用して、当該隔壁層３４０により区画された、画素電極１３上の空間ごとに有機ＥＬ物質を供給する製造方法が採用されてもよい。この場合、蒸着法、インクジェット法等が好適に利用可能である。かかる態様によると、発光機能層１８を、色毎に、区別して設けることができる。すなわち、当該隔壁３４０で区画された空間ごとに、例えば、赤色光、緑色光及び青色光それぞれ専用の有機ＥＬ物質を含む発光機能層を形成することが可能である。
なお、このような場合、前述のカラーフィルタ５１を設ける必要は必ずしもなくなるが、このような場合においても、カラーフィルタ５１はそのまま設けておいてよい。かかる形態では、各表示色の色純度が高められるという効果が得られる。
【００８７】
なお、これに関連して、上記実施形態においては、緑色フィルタ５１Ｇ１及び５１Ｇ２は、いずれも、「ピーク波長５２０ｎｍ及びその付近の波長域の光を透過させ」るものであるが、この場合、これら緑色フィルタ５１Ｇ１及び５１Ｇ２は、例えば全く同じ材料から作られること等によって、原理的には全く同じ波長をもつ光を透過させるように構成されてよいし、あるいは、若干異なる材料から作られること等によって、双方間で微妙に異なる波長をもつ光を透過させるように構成されてもよい。後者の場合は、例えば、その微妙に異なる波長は、図５又は図８に示す点Ｇ１及びＧ２に基づいて定められると好適であるのは言うまでもない。
【００８８】
（４）  上記実施形態の有機ＥＬ装置１００は、図４に示したように、素子基板７の側から見て、順に、反射層３４、画素電極１３、発光機能層１８、及び対向電極５、という積層構造をもち、かつ、このうちの対向電極５は、本発明にいう「半透明半反射層」としての機能を、また、画素電極１３は、本発明にいう「光学的距離調整層」としての機能をもつ、という構成をもっているが、本発明は、かかる形態に限定されるわけでは勿論ない。
例えば、本発明にいう「光学的距離調整層」は、場合によっては、共振器内の光学的距離を調整するためだけの機能をもつ層として、「発光装置」の一部を構成し得る（つまり、画素電極１３と「光学的距離調整層」とが機能分離されると同時に、それぞれ物理的に別個の層として形成される。）。その場合、当該の光学的距離調整層は、例えば、図４でいう画素電極１３及び反射層３４間に配置されることも可能である。
また、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００はトップエミッション型であるが、本発明は、ボトムエミッション型、あるいはデュアルエミッション型に対して適用可能である。このような場合、本発明にいう「反射層」及び「半透明半反射層」と「基板」との配置関係は上記実施形態とは異なることとなって、図４の構造はとり得ない場合がありえ、また、図４に示す対向電極５が半透明半反射機能をもつことが不都合となる、などといった様々な変更必要点が生じることになる。が、例えば、ボトムエミッション型を前提とすれば、当該対向電極５に本発明にいう「反射層」としての機能を兼ねさせる、等々の適当な変更を上記実施形態に加えれば、容易に本発明の適用が可能である。
いずれにせよ、上記実施形態は、本発明の一具体例を呈示しているに止まる。
なお、上記実施形態のように、対向電極５が「半透明半反射層」としての機能をもつ場合は、「発光素子」の構成要素である対向電極５が、同時に、共振器の構成要素である「半透明半反射層」を兼ねているということができるが、このような態様であっても、本発明において、「半透明半反射層」が、「基板の法線方向に沿ってみて…発光素子…の他方の側に配置され」る、といわれる場合に該当する。前述した、対向電極５が「反射層」を兼ねる場合も同様に、「反射層」が、「基板の法線方向に沿ってみて…発光素子の一方の側に配置され」る、といわれる場合に該当する。
【００８９】
＜応用＞
次に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した電子機器について説明する。
図２１は、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図２２に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。
図２３に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。
【００９０】
本発明に係る有機ＥＬ装置が適用される電子機器としては、図２１から図２３に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を示す平面図である。
【図２】図１の有機ＥＬ装置を構成する単位回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図１の有機ＥＬ装置の一部拡大平面図であって、特に画素（Ｐｘ）の構成を示す平面図である。
【図４】図３のＸ‐Ｘ’線断面図である。
【図５】ｘｙ色度図であって、図３及び図４に示す、緑色発光を担当する有機ＥＬ素子（８Ｇ１・８Ｇ２）の発する光の色度（点Ｇ１・Ｇ２）等を併せて示す図である。
【図６】正対視の場合と角度φでもって斜めから臨む場合とを図示した説明図である。
【図７】図４に示す発光機能層（１８）から発せられる光の発光スペクトルであって、短波長シフトの様子を説明するための説明図である。
【図８】ｘｙ色度図であって、図３及び図４に示す、緑色発光を担当する有機ＥＬ素子（８Ｇ１・８Ｇ２）の発する光が短波長シフトを受けた場合の色度（点Ｇ１’・Ｇ２’）等を併せて示す図である。
【図９】図１の有機ＥＬ装置を構成する画素電極（１３）の製造工程（その１）を示す図である。
【図１０】図９に続く製造工程（その２）を示す図である。
【図１１】図１０に続く製造工程（その３）を示す図である。
【図１２】図１１に続く製造工程（その４）を示す図である。
【図１３】図１の有機ＥＬ装置を構成する画素電極（１３）の、図９乃至図１２とは異なる製造工程（その１）を示す図である。
【図１４】図１３に続く製造工程（その２）を示す図である。
【図１５】図１４に続く製造工程（その３）を示す図である。
【図１６】図１５に続く製造工程（その４）を示す図である。
【図１７】図３と同趣旨の図であって、画素（Ｐｘ１）内の有機ＥＬ素子の配列態様がそれとは異なる例を示す平面図である。
【図１８】図３及び図１７と同趣旨の図であって、画素（Ｐｘ２）内の有機ＥＬ素子の配列態様がそれらとは異なる例を示す平面図である。
【図１９】図３、図１７及び図１８と同趣旨の図であって、有機ＥＬ素子の全体的な配列態様がそれらとは異なる例を示す平面図である。
【図２０】図３、図１７乃至図１９と同趣旨の図であって、画素（Ｐｘ３）内の有機ＥＬ素子の配列態様がそれらとは異なる例を示す平面図である。
【図２１】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図２２】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。
【図２３】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９２】
７……素子基板、８（８Ｒ，８Ｇ１，８Ｇ２，８Ｂ）……有機ＥＬ素子、１３（１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２，１３Ｂ）……画素電極、１８……発光機能層、５……対向電極、Ｐｘ，Ｐｘ１，Ｐｘ２，Ｐｘ３……画素、５１（５１Ｒ，５１Ｇ１，５１Ｇ２，５１Ｂ）……カラーフィルタ、１３１，１３２，１３３……第１〜第３・画素電極層、ｄ１，ｄ２，ｄ３……（第１〜第３・画素電極層の）膜厚、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４……（画素電極１３Ｒ，１３Ｇ１，１３Ｇ２，１３Ｂの）膜厚、９０……レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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