(57)【要約】【課題】電子部品の熱を、シリコングリス（熱伝導材）を介してカバーに伝達させ、カバーから大気中に放熱させる制御ユニットにおいて、シリコングリスの塗布を効率良く行え、かつ、シリコングリスの使用量を低減できるようにする。【解決手段】第６半導体チップ２００ｆ及び第７半導体チップ２００ｇを、それぞれの放熱板２０４が、相互に平行に近接して対向するようにプリント基板４００上に配置する。そして、前記放熱板２０４の対向領域の中央部位にシリコングリス６００を塗布し、その後カバー５０２を組み付けることで、シリコングリス６００を、対向配置される放熱板２０４それぞれ及びカバー５０２に密着させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンクを一体的に備えた複数の電子部品と、該複数の電子部品が実装されるプリント基板と、前記プリント基板を収容する筐体とを有する制御ユニットにおいて、
前記複数の電子部品を、それぞれのヒートシンクが相互に近接して対向するように前記プリント基板上に配置し、前記筐体と前記プリント基板との隙間の前記ヒートシンクが対向する領域に柔軟性を有する熱伝導材を配したことを特徴とする制御ユニット。
【請求項２】
前記筐体の内面に、前記ヒートシンクが対向する領域に向けて突出する突出部を設けたことを特徴とする請求項１記載の制御ユニット。
【請求項３】
前記筐体の内面に、前記熱伝導材が配される領域の周囲に壁を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の制御ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品が実装されたプリント基板を筐体に収容して構成される制御ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、筐体に設けた突出部とプリント基板との間に、例えば、金属フィラーが含まれたシリコン系のゲル状の樹脂材料（熱伝導材）を配置し、プリント基板に実装された電子部品で発生した熱を、前記熱伝導材及び筐体を介して放熱させるようにした電子制御装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２８９１９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のように、熱伝導材を介して電子部品の熱を放熱させる放熱構造において、個々の電子部品毎に熱伝導材を塗布すると、塗布装置における塗布点が多くなって作業効率が悪化し、また、熱伝導材の使用量が多くなってしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は上記実情に鑑みなされたものであり、熱伝導材の塗布を効率良く行え、かつ、熱伝導材の使用量を低減できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そのため、本発明では、ヒートシンクを一体的に備えた複数の電子部品を、それぞれのヒートシンクが相互に近接して対向するようにプリント基板上に配置し、前記プリント基板を収容する筐体と前記プリント基板との隙間の前記ヒートシンクが対向する領域に柔軟性を有する熱伝導材を配するようにした。
【発明の効果】
【０００７】
上記発明によると、電子部品のヒートシンクが配置される領域に柔軟性を有する熱伝導材を配するから、電子部品に個々に塗布作業を行う場合に比べて、熱伝導材の塗布点を減少させることができ、また、熱伝導材の使用量を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に係る制御ユニットの第１実施形態を示す部分断面図である。
【図２】前記第１実施形態におけるプリント基板の上面図である。
【図３】前記第１実施形態における半導体チップを示す図である。
【図４】半導体チップの配置パターンの別の例を示す図である。
【図５】半導体チップの配置パターンの別の例を示す図である。
【図６】本発明に係る制御ユニットの第２実施形態を示す部分断面図である。
【図７】前記第２実施形態におけるプリント基板の上面図である。
【図８】本発明に係る制御ユニットの第３実施形態を示す部分断面図である。
【図９】本発明に係る制御ユニットの第４実施形態を示す部分断面図である。
【図１０】本発明に係る制御ユニットの第５実施形態を示す部分断面図である。
【図１１】本発明に係る制御ユニットの第６実施形態を示す部分断面図である。
【図１２】本発明に係る制御ユニットの第７実施形態を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に本発明の実施の形態を説明する。
図１及び図２は、本願発明に係る制御ユニットの第１実施形態を示し、図１は、図２のＡ−Ａ断面図である。
【００１０】
図に示す制御ユニット１００は、例えば、エンジンルームなどに配置され車両の制御に用いられるものであり、半導体チップ２００やアルミ電解コンデンサ３００などの複数の電子部品が実装されたプリント基板４００と、該プリント基板４００を収容する筐体５００とから構成される。
【００１１】
本実施形態に記載される前記半導体チップ２００は発熱量の多い電子部品であり、図３に示すように、側面２０１からリード２０２が取り出されると共に、前記側面２０１と平行な反対側の側面２０３には、半導体チップ２００の熱を放熱させるためのヒートシンクである放熱板２０４が突出して設けられている。
【００１２】
前記筐体５００は略四角箱状で、一方が開放されたケース５０１と、該ケース５０１の開放側を閉塞するカバー５０２との２部品からなり、前記プリント基板４００を収容するための空間を形成する。
【００１３】
前記プリント基板４００は、ケース５０１の開放部を覆うように、ケース５０１の底面５０５とプリント基板４００の裏面（本実施形態における非実装面）４０１との間に隙間Ｓ１を有して設置され、更に、前記ケース５０１に対してカバー５０２が図外のねじ等で取り付け固定されるようになっている。
【００１４】
尚、プリント基板４００の裏面にも、電子部品が実装させることができる。
そして、カバー５０２が取り付けられた状態で、カバー５０２の内面５０６と、半導体チップ２００やアルミ電解コンデンサ３００など電子部品との間には、最小値min以上の隙間Ｓ２が確保されるようになっている。
【００１５】
前記最小値minは、筐体５００（ケース５０１及びカバー５０２）や電子部品の寸法ばらつき、プリント基板４００の撓み・振動などを考慮し、電子部品がカバー５０２に当たることを避けられる値に設定される。
【００１６】
前記ケース５０１及びカバー５０２は、例えばアルミニウム等の金属によって形成される。
前記カバー５０２の表面５０３には、カバー５０２に伝達した前記半導体チップ２００等の熱を大気中に放熱させるための複数のフィン（ヒートシンク）５０４が一体的に形成されている。
【００１７】
尚、前記フィン５０４を介して液体（水）に熱伝達させ、更に、前記液体（水）の熱を大気中に放出させる水冷方式とすることができる。
前記半導体チップ２００は、プリント基板４００の表面４０２（実装面）上に複数実装されるが、配置上可能な範囲で、隣接配置される半導体チップ２００の放熱板２０４が相互に近接して配置（対向）するように、複数の半導体チップ２００を配置してある。
【００１８】
例えば、第１半導体チップ２００ａと第２半導体チップ２００ｂとは、それぞれの放熱板２０４が、相互に平行に近接して対向するようにプリント基板４００上に配置される。
また、第３半導体チップ２００ｃ〜第５半導体チップ２００ｅは、リード２０２及び放熱板２０４が設けられない側面２０５同士を近接させて直線的に並べられ、該並び方向の一方側（図２で左側）にリード２０２が配され、かつ、他方側（図２で右側）に放熱板２０４が配されるように、前記プリント基板４００上に配置される。
【００１９】
更に、第６半導体チップ２００ｆ及び第７半導体チップ２００ｇは、それぞれの放熱板２０４が、相互に平行に近接して対向するようにプリント基板４００上に配置され、かつ、前記第３半導体チップ２００ｃ〜第５半導体チップ２００ｅの並びの放熱板２０４が配される側に、第６半導体チップ２００ｆ及び第７半導体チップ２００ｇの側面２０５が、前記第３半導体チップ２００ｃ〜第５半導体チップ２００ｅそれぞれの放熱板２０４に対して近接して対向するようにプリント基板４００上に配置される。
【００２０】
尚、放熱板２０４を相互に近接して対向させる半導体チップ２００の配置は、図２に示した例に限定されるものではない。
例えば、図４に示すように、リード２０２及び放熱板２０４が設けられない側面２０５同士を近接させて直線的に並べられ、かつ、該並び方向の一方側にリード２０２が配され、かつ、他方側に放熱板２０４が配されるようにした複数の半導体チップ２００の並びと、同じように、リード２０２及び放熱板２０４が設けられない側面２０５同士を近接させて直線的に並べられ、かつ、該並び方向の一方側にリード２０２が配され、かつ、他方側に放熱板２０４が配されるようにした複数の半導体チップ２００の並びとを、相互の放熱板２０４が平行に近接して対向するようにプリント基板４００上に配置させることができる。
【００２１】
また、図５に示すように、複数の半導体チップ２００を、放熱板２０４を中心に向けて同心円に並べることができ、同心円上に並べられる半導体チップ２００の数は、３，４乃至５以上のいずれであってもよい。
【００２２】
即ち、放熱板２０４を近接させる構成は、放熱板２０４相互が平行に対向する配置に限られず、傾斜をもって対向することが含まれ、換言すれば、１つの放熱板２０４の延長上に別の放熱板２０４が存在するように、複数の半導体チップ２００を配置すればよい。
【００２３】
更に、発熱する電子部品であってヒートシンクを備える電子部品を、半導体チップに限定するものではなく、また、ヒートシンクの形状を板状のものに限定するものでもなく、例えばフィン形状のヒートシンクを備える電子部品であってもよい。
【００２４】
上記のようにしてプリント基板４００上に配置される半導体チップ２００は、前述のように発熱部品であり、前記放熱板２０４から熱を効率良く逃がすことで、半導体チップ２００の昇温を抑制することができる。
【００２５】
そこで、本実施形態では、前記放熱板２０４と前記カバー５０２との間の隙間Ｓ２に、柔軟性を有するゲル状（半固体状、ペースト状）の熱伝導材であって、空気に比べて高い熱伝導率を示すシリコングリス６００を介在させ、放熱板２０４の熱がシリコングリス６００を介してカバー５０２に伝達され、カバー５０２に伝達された熱をフィン５０４によって大気中に放熱させるようにしてある。
【００２６】
尚、本実施形態では、柔軟性を有する熱伝導材として前記シリコングリス６００を用いるが、シリコングリス６００は、銀粉やアルミ粉を混ぜたものであってもよく、また、シリコングリス６００に代えて、シリコンオイルを基油にシリカ粉末を配合したオイルコンパウンドや、エステルベースの合成グリスに熱伝導率の良い金属酸化物を混合して放熱性を得たサーマルコンパウンドなどを用いることができる。
【００２７】
前記シリコングリス６００は、プリント基板４００をケース５０１に取り付けた状態で塗布装置（塗布ロボット）を用いて、プリント基板４００に対して塗布される。
ここで、本実施形態では、図２に示す通り、シリコングリス６００は、第１半導体チップ２００ａ及び第２半導体チップ２００ｂに対しては、相互の放熱板２０４が対向する領域の略中央部位に塗布され、同様に、第６半導体チップ２００ｆ及び第７半導体チップ２００ｇに対しては、相互の放熱板２０４が対向する領域の略中央部位に塗布されるようにしてある。
【００２８】
更に、第３半導体チップ２００ｃ〜第５半導体チップ２００ｅについては、それぞれの放熱板２０４と、第６半導体チップ２００ｆ及び第７半導体チップ２００ｇの側面２０５とが対向する領域の略中央部位にシリコングリス６００が塗布される。
【００２９】
そして、シリコングリス６００の塗布後に、カバー５０２をケース５０１に対して取り付けることで、カバー５０２が山状に塗布されたシリコングリス６００を押し潰し、図１に示すように、前記カバー５０２と前記プリント基板４００との隙間の半導体チップ２００で挟まれる領域、及び、半導体チップ２００の上面２０６の放熱板２０４側と前記カバー５０２との隙間に、シリコングリス６００が充填され、シリコングリス６００が放熱板２０４とカバー５０２とに密着する状態となる。
【００３０】
これにより、シリコングリス６００は、放熱板２０４及びカバー５０２に密着し、放熱板２０４の熱は、シリコングリス６００を介してカバー５０２に伝達されるようになる。
従って、空気を介して放熱板２０４の熱をカバー５０２に伝達させる場合に比べて、より多くの熱がカバー５０２（フィン５０４）に移動し、高い放熱効果を発揮する。
【００３１】
また、前記シリコングリス６００は、柔軟性を有するため、例えば、プリント基板４００の振動（例えば車両振動に起因する）・変形（例えば温度によってプリント基板４００に生じる反り等）によって、シリコングリス６００がプリント基板４００に負荷を与えることがない。
【００３２】
ところで、前述のように、第１半導体チップ２００ａ及び第２半導体チップ２００ｂ、更に、第６半導体チップ２００ｆ及び第７半導体チップ２００ｇについては、放熱板２０４相互が対向するように配置されるので、対向領域の略中央部位にシリコングリス６００を塗布することで、対向する２つの半導体チップ２００それぞれについて、放熱板２０４とカバー５０２との間にシリコングリス６００が介在するようにできる。
【００３３】
例えば、第１半導体チップ２００ａ及び第２半導体チップ２００ｂが同じ向きに配置されるなど、相互の放熱板２０４が近接して対向することがないように配置される場合には、シリコングリス６００を第１半導体チップ２００ａと第２半導体チップ２００ｂとでそれぞれ個別に塗布することが必要となる。
【００３４】
これに対し、第１半導体チップ２００ａ及び第２半導体チップ２００ｂ、更に、第６半導体チップ２００ｆ及び第７半導体チップ２００ｇのように、相互の放熱板２０４が近接して対向するように配置すれば、対向領域の中央部位にシリコングリス６００を塗布することで、各半導体チップ２００についてシリコングリス６００を介在させる放熱構造を形成させることができる。
【００３５】
従って、半導体チップ２００毎にシルコングリス６００を塗布させる場合に比べて、シリコングリス６００の塗布点を減らすことができ、塗布作業の効率を高めることができると共に、塗布するシリコングリス６００の量を少なくできる。
【００３６】
上記のように、塗布点を減少させるべく、放熱板２０４を近接させて対向させるので、前記放熱板２０４の近接とは、対向する半導体チップ２００に対し、共通的な塗布点でそれぞれの放熱板２０４からの熱伝達に必要なシリコングリス６００を塗布することができる程度に近いことを意味する。
【００３７】
尚、図４に示すような半導体チップ２００の配置は、第１半導体チップ２００ａ及び第２半導体チップ２００ｂ、又は、第６半導体チップ２００ｆ及び第７半導体チップ２００ｇの配置の連続と見なすことができるから、対向領域が延びる方向に沿ってシリコングリス６００の塗布点を増やせばよい。
【００３８】
また、図５に示すように、放熱板２０４側を中心に向けて同心円に複数の半導体チップ２００を配置する場合には、同心円の中心付近にシリコングリス６００を塗布する。
図６及び図７は、本発明の第２実施形態を示し、ケース５０２の内面５０６から、放熱板２０４が配置される領域の略中央部位に向けて突出する壁状の突出部５０７を設けた点が、第１実施形態と異なる。
【００３９】
前記突出部５０７は、第１半導体チップ２００ａ及び第２半導体チップ２００ｂが配置される領域の中央部位に沿って延設される第１突出部５０７ａと、第６半導体チップ２００ｆ及び第７半導体チップ２００ｇが配置される領域の中央部位に沿って延設される第２突出部５０７ｂとからなる。
【００４０】
更に、第３半導体チップ２００ｃ〜第５半導体チップ２００ｅそれぞれの放熱板２０４と、第６半導体チップ２００ｆ及び第７半導体チップ２００ｇの側面２０５とが対向する領域の略中央部位に沿って延設される第３突出部５０７ｃを形成させても良い。
【００４１】
前記第３突出部５０７ｃを形成させる場合、前記第２突出部５０７ｂと一体のＴ字状の突出部とすることができ、また、第２突出部５０７ｂと第３突出部５０７ｃとをそれぞれ独立に形成させることができる。
【００４２】
前記突出部５０７は、半導体チップ２００（放熱板２０４）に干渉しない幅Ｗに設定され、かつ、その先端５０８とプリント基板４００の表面４０２（実装面）との間に、プリント基板４００との干渉を防ぐための隙間Ｓ３が設けられるように、ケース５０２の内面５０６からの高さＨが設定されている。
【００４３】
上記の突出部５０７ａ，５０７ｂ（５０７ｃ）を設けた場合、第１実施形態の効果に加え、更に、以下のような効果を奏する。
第２実施形態によると、シリコングリス６００を塗布した後に、カバー５０２をケース５０１に対して取り付ける際に、前記突出部５０７ａ，５０７ｂが、山状に塗布されたシリコングリス６００の中央を分断するように押し進むことになり、シリコングリス６００は、対向配置される双方の半導体チップ２００に向けて押し分けられるので、対向領域の中央部位に塗布したシリコングリス６００を各半導体チップ２００に分配して、シリコングリス６００の偏りを抑制することができる。
【００４４】
また、前記突出部５０７ａ，５０７ｂ（５０７ｃ）によって、シリコングリス６００を各半導体チップ２００の放熱板２０４に押し付けるようにできるので、放熱板２０４に対するシリコングリス６００の密着度を高めることができる。
【００４５】
更に、突出部５０７ａ，５０７ｂ（５０７ｃ）がシリコングリス６００の熱をフィン５０４に伝達し、かつ、放熱板２０４から近い位置に突出部５０７が位置するから、熱伝達経路として放熱板２０４からカバー５０２までの距離を短くした場合と同様に作用し、放熱効率を高めることができる。
【００４６】
また、半導体チップ２００が対向する空間容積の一部を、前記突出部５０７ａ，５０７ｂ（５０７ｃ）が占めることになるので、その分、シリコングリス６００の塗布量（使用量）を減らすことが可能となる。
【００４７】
図８は、本発明の第３実施形態を示し、前記第２実施形態に対して、突出部５０７の高さを、プリント基板４００を突出部５０７の先端５０８が貫通する長さに設定し、かつ、前記突出部５０７の先端５０８を挿通させる貫通孔４０３（スリット）をプリント基板４００に開口させた点が異なる。
【００４８】
第３実施形態では、第６半導体チップ２００ｆ及び第７半導体チップ２００ｇが対向配置される領域の中央部位に沿って、前記突出部５０７ｂの先端５０８を挿通させ得る幅及び長さの貫通孔４０３ｂをプリント基板４００に形成してある。
【００４９】
また、図示は省略するが、第１半導体チップ２００ａ及び第２半導体チップ２００ｂが対向配置される領域の中央部位に沿って、前記突出部５０７ａの先端５０８を挿通させ得る幅及び長さの貫通孔、更に、突出部５０７ｃが形成される場合には、この突出部５０７ｃを挿通させ得る幅及び長さの貫通孔が、前記貫通孔４０３ｂと同様に形成されるものとする。
【００５０】
一方、前記突出部５０７ｂは、前記貫通孔４０３ｂを貫通して、その先端５０８が、プリント基板４００の裏面４０１と略同一面になるように、ケース５０２の内面５０６からの高さを設定してあり、前記突出部５０７ａ，５０７ｃについても同様な高さ設定がなされているものとする。
【００５１】
上記第３実施形態によると、プリント基板４００と突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）とが干渉することを抑制しつつ、突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）を放熱板２０４に対してより近い位置に配することができ、より高い放熱効果を得られると共に、シリコングリス６００の量をより低減することができる。
【００５２】
即ち、突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）の先端５０８を、プリント基板４００の表面４０２（実装面）に近づけるほど、突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）と放熱板２０４との距離が短くなり、放熱板２０４から突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）に対する熱伝達を効率よく行わせることができるが、突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）とプリント基板４００との距離が短いと、寸法ばらつきや振動などによって突出部５０７ａ，５０７ｂの先端５０８がプリント基板４００に突き当たり、プリント基板４００に負荷を与える可能性がある。
【００５３】
これに対し、第３実施形態のように、突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）がプリント基板４００を貫通していれば、プリント基板４００の表裏方向における寸法ばらつきや振動に対して、突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）とプリント基板４００とが干渉する（当たる）ことがなく、突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）と放熱板２０４との距離を最短に設定でき、これによって、プリント基板４００に負荷を与えることなく、第２実施形態よりも放熱効果を高めかつシリコングリス６００の塗布量（使用量）を減らすことができる。
【００５４】
尚、上記のように、プリント基板４００に貫通孔４０３ｂを開口させる場合には、シリコングリス６００の粘度及び／又は貫通孔４０３ｂの開口幅（突出部５０７ｂの幅）を調整し、カバー５０２を組み付ける前の段階で、貫通孔４０３ｂからのシリコングリス６００の流出を抑制することが好ましい。
【００５５】
また、図８では、突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）の先端５０８がプリント基板４００の裏面４０１と略同一面になるように、突出部５０７（５０７ａ，５０７ｃ）の高さを設定したが、
図９に示す第４実施形態のように、突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）がプリント基板４００に設けた貫通孔４０３ｂに挿通され、かつ、その先端５０８が、ケース５０１の底面５０５に突き当たるように、前記突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）の高さを設定することができる。
【００５６】
上記のように、突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）の先端５０８がケース５０１の底面５０５に突き当たるようにすれば、突出部５０７ｂ（５０７ａ，５０７ｃ）が、カバー５０２とケース５０１とで構成されるプリント基板４００の収容空間を上下方向に支える壁として機能し、カバー５０２及びケース５０１のプリント基板４００側への撓みが抑制される。
【００５７】
従って、カバー５０２及びケース５０１と、プリント基板４００及び該プリント基板４００に実装される半導体チップ２００やアルミ電解コンデンサ３００などの複数の電子部品との干渉の発生を抑制しつつ、ケース５０１の底面５０５とプリント基板４００（又は電子部品）との隙間を小さくし、また、カバー５０２の内面５０６（天井面）と電子部品との隙間を小さくできる。
【００５８】
これにより、制御ユニット１００を薄型化でき、また、シリコングリス６００を介する伝熱経路を短くして放熱効率を高め、更に、シリコングリス６００の使用量を減らすことができる。
【００５９】
ところで、前記シリコングリス６００等の柔軟性を有するゲル状の熱伝導材が、振動や重力などによって、半導体チップ２００が配置される領域から移動してしまうと、放熱板２０４からカバー５０２に向けての熱伝達経路に、熱伝導率の低い空気が介在することになって、放熱性能が低下してしまう。
【００６０】
上記のようなシリコングリス６００の流出を防止する手段を備えた第５実施形態を、図１０に従って説明する。
図１０に示す第５実施形態は、前記第１実施形態の制御ユニット１００に対して、シリコングリスの流出防止手段として、カバー５０２の内面５０６（天井面）に、少なくともシリコングリス６００の塗布領域を囲む壁を形成した点が異なる。
【００６１】
図１０において、第６半導体チップ２００ｆ及び第７半導体チップ２００ｇの放熱板２０４が対向する領域の中央部位を挟む両側であって、シリコングリス６００の塗布領域の境界付近に、カバー５０２の内面５０６（天井面）から突出形成される一対の壁５１０ａ，５１０ｂを形成してある。
【００６２】
尚、図示は省略したが、第１半導体チップ２００ａ及び第２半導体チップ２００ｂの放熱板２０４が対向する領域の中央部位を挟んで両側にも、同様に、カバー５０２の内面５０６（天井面）から突出形成される一対の壁を形成してあるものとする。
【００６３】
前記壁５１０ａ，５１０ｂは、半導体チップ２００との間において、半導体チップ２００との干渉を回避できる大きさの隙間が確保されるように、その高さＨ１が設定されている。
【００６４】
上記壁５１０ａ，５１０ｂを設けることで、振動や重力などによってシリコングリス６００が半導体チップ２００を乗り越えるようにして流出することが抑制され、所期の放熱性能を維持させることができる。
【００６５】
図１０に示した第５実施形態では、第１実施形態に対してシリコングリス６００の流出防止の壁５１０ａ，５１０ｂを設けたが、図１１に示す第６実施形態のように、半導体チップ２００の放熱板２０４が対向する領域の略中央部位に向けて突出する突出部５０７を形成させる第２実施形態に対して、上記第５実施形態と同様な壁５１０ａ，５１０ｂを設けることができる。
【００６６】
即ち、第６実施形態では、前記一対の壁５１０ａ，５１０ｂは、突出部５０７ｂの両側に、突出部５０７ｂと略平行に形成されることになる。
上記第６実施形態では、カバー５０２をケース５０１に取り付ける際に、突出部５０７ｂ（５０７ａ）が、シリコングリス６００を対向する両方の半導体チップ２００に向けて押し分けるように機能するが、このときに半導体チップ２００に向かうシリコングリス６００の流動が、前記壁５１０ａ，５１０ｂで抑制される結果、半導体チップ２００の対向領域（壁５１０ａ，５１０ｂで挟まれる領域内）でのシリコングリス６００を圧力が高まり、前記対向領域にシリコングリス６００が充填された後に、余分なシリコングリス６００が突出部５０７の延設方向に沿って流動することになる。
【００６７】
従って、前記壁５１０ａ，５１０ｂは、組み立て後のシリコングリス６００の流出を抑制する働きをすると共に、カバー５０２の組み付け時に、半導体チップ２００の対向領域に対するシリコングリス６００の充填性能を高める働きをする。
【００６８】
尚、第３実施形態或いは第４実施形態のように、突出部５０７がプリント基板４００を貫通する構成においても、前記壁５１０ａ，５１０ｂを付加することができ、その場合の作用・効果は、前記第６実施形態と同様である。
【００６９】
前記壁５１０ａ，５１０ｂは、放熱板２０４が対向する領域の中央部位を挟む両側に形成されるが、図１２の第７実施形態に示すように、放熱板２０４が対向する領域の側方に、シルコングリス６００の流出を抑制するための壁５１１を、シリコングリス６００の塗布領域を囲むように形成させることができる
具体的には、第１半導体チップ２００ａ及び第２半導体チップ２００ｂの放熱板２０４が対向する領域を両側部に、一対の壁５１１ａ，５１１ｂを対向配置し、第６半導体チップ２００ｆ及び第７半導体チップ２００ｇの放熱板２０４が対向する領域における、第３半導体チップ２００ｃ〜第５半導体チップ２００ｅとは反対側の側方に壁５１１ｃを形成してある。
【００７０】
更に、図１２に示す例では、第３半導体チップ２００ｃ〜第５半導体チップ２００ｅの並び方向の両端にも、第３半導体チップ２００ｃ〜第５半導体チップ２００ｅの熱を伝達するシリコングリス６００の流出を抑制するための一対の壁５１１ｄ，５１１ｅを形成してある。
【００７１】
前記壁５１１ａ〜５１１ｅは、その先端とプリント基板４００との干渉を回避できる最小隙間でプリント基板４００に近接するように、カバー５０２の内面５０６（天井面）からの高さが設定されている。
【００７２】
前記壁５１１ａ〜５１１ｅを備える構成であれば、放熱板２０４が対向する領域から側方に向けたシリコングリス６００の流出が抑制され、所期の放熱性能を維持させることができる。
【００７３】
尚、前記突出部５０７を備える構成に、前記前記壁５１１ａ〜５１１ｅを付加することができ、更に、シリコングリス６００が半導体チップ２００を乗り越えて流出することを抑制する壁５１０ａ，５１０ｂと、放熱板２０４が対向する領域から側方に向けてシリコングリス６００が流出することを抑制する壁５１１ａ〜５１１ｅとを、組み合わせて設けるようにすることができる。
【００７４】
また、カバー５０２の内面５０６（天井面）から突出形成される壁によって、シリコングリス６００の塗布領域を全周にわたって囲むようにすることができる。
更に、カバー５０２の内面５０６（天井面）から突出形成される壁と、例えば、液状ガスケットをシールが要求される部分に塗布し、これを硬化させるガスケットシール（ＦＩＰＧ）とを併用することも可能である。
【００７５】
また、各実施形態における半導体チップ２００は、プリント基板４００の外縁部近傍に配置することで、放熱板２０４から近い位置に筐体５００が位置することで、熱伝導経路の距離が短くなり、放熱効果を高めることができる。
【符号の説明】
【００７６】
１００…制御ユニット、２００…半導体チップ（電子部品）、２０４…放熱板（ヒートシンク）、４００…プリント基板、４０３…貫通孔、５００…筐体、５０１…ケース、５０２…カバー、５０４…フィン、５０７…突出部、５１０ａ，５１０ｂ…壁、５１１ａ〜５１１ｅ…壁、６００…シリコングリス（熱伝導材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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