(57)【要約】【課題】配線基板における電力供給線や信号線などの配線部の接続信頼性を向上させる。【解決手段】本発明は、ランド部７０，７１を含む導電層７と、ランド部７０，７１に接続された導体８Ａと、と、を備えた配線基板に関する。本発明はさらに、配線基板に電子部品を搭載した実装構造体に関する。導電層７は、ランド部７０，７１の間を接続するリード部７２，７３を有している。リード部７２，７３は、平面視において互いに接することなく離間している。【選択図】図３
2010177544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ランド部および第２ランド部を含む導電層と、
前記第１ランド部に接続された第１導体と、
前記第１導体とは平面視において離間して配置され、かつ前記第２ランド部に接続された第２導体と、
を備え、
前記導電層は、前記第１ランド部と前記第２ランド部との間を接続する複数のリード部を有しており、
前記複数のリード部は、平面視において互いに接することなく離間している、配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記複数のリード部は、前記第１導体における前記第１ランド部との第１接続面、および前記第２導体における前記第２ランド部との第２接続面の双方に接する２つの接線の間の領域の外側に位置する、配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記各リード部は、平面視において、前記第１導体と前記第２導体とを最短距離で結ぶ直線を避けた位置に形成されている、配線基板。
【請求項４】
請求項３に記載の配線基板において、
前記複数のリード部は、前記直線を対称軸として線対称となる位置に形成されている、配線基板。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板において、
前記各リード部は、前記第１ランド部の外周及び前記第２ランド部の外周の双方に接する２つの接線の間の領域内に位置する、配線基板。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第１導体及び前記第２導体のうちの一方は、外部接続用端子である、配線基板。
【請求項７】
配線基板と、
前記配線基板に搭載され、前記導電層と電気的に接続される電子部品と、
を備えた、実装構造体であって、
前記配線基板は、第１および第２ランド部を含む導電層と、前記第１ランド部に接続された第１導体と、前記第１導体とは平面視において離間して配置され、かつ前記第２ランド部に接続された第２導体と、を備えており、
前記導電層は、前記第１ランド部と前記第２ランド部との間を接続する複数のリード部を有しており、
前記複数のリード部は、平面視において互いに接することなく離間している、実装構造体。
【請求項８】
請求項７に記載の実装構造体において、
前記第１導体及び前記第２導体のうちの一方は、外部接続用端子である、実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板および実装構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
【０００３】
図１０に示したように、配線基板９としては、絶縁層９０を介して厚み方向に離間した複数の導電層９１，９２の間を、平面方向に離間した複数のビア導体９３Ａ，９３Ｂ,９３Ｃによって電気的に接続したものがある。導電層９１，９２およびビア導体９３Ａ，９３Ｂ,９３Ｃは、配線基板９において、電力供給線および信号線を構成している。
【０００４】
ここで、１つの導電層９１（表層に位置する導電層９２以外）に着目した場合、導電層９１には上面９４および下面９５のそれぞれにビア導体９３Ａ，９３Ｂ，９３Ｃが接続されている。電流は、一例において、図中に矢印で示したようにビア導体９３Ａ（厚み方向）、導電層９１（平面方向）およびビア導体９３Ｂ（厚み方向）の順に流れる。この際、電流は導体領域において最短距離を流れるため、ビア導体９３Ａ,９３Ｂと導電層９１との接続部では、一部分９６（図中で円で囲った部分）に電流が集中して電流密度に偏りが生じる。そのため、電流が集中する部分においては、電子と金属原子との衝突により、ビア導体９３Ａに含まれる金属原子が移動することがある。この現象は、エレクトロマイグレーションと称されものであるが、エレクトロマイグレーションの発生によってビア導体９３Ａと導電層９１との接続部の一部分９６（電流が集中する部分）における金属密度が低下する。その結果、ビア導体９３Ａと導電層９１との接続部においてクラックが生じ、配線基板９の信頼性が低下することがある。
【０００５】
エレクトロマイグレーションは、主として電力供給線において生じるが、今後、信号線が微細化されていった場合には、信号線においても生じる可能性が高まってくる。
【０００６】
一方、表層に位置する導電層９２に着目した場合、導電層９２に１つのビア導体９３Ｃが接続されている。この場合においても、導電層９２に接続されたビア導体９３Ｃと導電層９１との接続部分では、一部分９６′においてエレクトロマイグレーションが生じ、配線基板９に対する電子部品９７の接続信頼性が低下することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−１１６１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、配線基板における電力供給線や信号線などの配線部の接続信頼性を向上させることを課題としている。
【０００９】
本発明はさらに、配線基板に対する電子部品の接続信頼性を向上させることを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、第１および第２ランド部を含む導電層と、前記第１ランド部に接続された第１導体と、前記第１導体とは平面視において離間して配置され、かつ前記第２ランド部に接続された第２導体と、を備えた配線基板に関する。
【００１１】
本発明はさらに、配線基板に電子部品が搭載された実装構造体に関する。配線基板は、第１および第２ランド部を含む導電層を有している。前記電子部品は、たとえば接続導体を介して前記配線基板と電気的に接続されている。
【００１２】
前記導電層は、前記第１ランド部と前記第２ランド部との間を接続する複数のリード部を有している。前記第１導体及び前記第２導体のうちの一方は、たとえば外部接続用端子である。外部接続用端子とは、電子部品などの外部部品と電気的に接続される部分（パッド）である。
【００１３】
前記複数のリード部は、平面視において互いに接することなく離間している。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、配線基板における導電層は、複数のリード部を有し、これらのリード部が平面視において互いに接することなく離間している。そのため、配線基板において、導電層と導体との間の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る実装構造体の断面図である。
【図２】図１に示した実装構造体の要部（実線で囲んだ領域）を拡大して示した断面図である。
【図３】導電層およびその周辺部分を示す部分斜視図である。
【図４】図３のIV−IV線に沿う断面図である。
【図５】導電層の平面図である。
【図６】図６（ａ）ないし図６（ｅ）は、導電層の他の例を示す平面図である。
【図７】図７（ａ）ないし図７（ｃ）は、電流密度の演算対象となる導電層を説明するための斜視図である。
【図８】シミュレーション時の電流の経路を説明するためのものであり、図７（ｃ）に示した例の断面図である。
【図９】図９（ａ）ないし図９（ｃ）は図７（ａ）ないし図７（ｃ）に示した配線部における導電層の要部を示す平面図および電流密度のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１０】従来の実装構造体の一例における要部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板および実装構造体について、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
図１に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２および配線基板３を含んでいる。
【００１８】
電子部品２は、たとえばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等のバンプ３を介してフリップチップ実装されている。電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等により形成されている。電子部品２としては、例えば厚みが０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを使用することができる。
【００１９】
配線基板３は、コア基板５および一対の配線層６を含んでいる。
【００２０】
コア基板５は、配線基板３の強度を維持しつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、厚み寸法が例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に形成されている。このコア基板５は、絶縁基体５０、スルーホール５１、スルーホール導体５２、および絶縁体５３を含んでいる。
【００２１】
絶縁基体５０は、コア基板５の主要部をなすものである。この絶縁基体５０は、たとえば強化基材に熱硬化性樹脂を含浸させた複数のシートを積層し、熱硬化性樹脂を、例えば熱プレスによって硬化させることによって作製することができる。
【００２２】
強化基材は、例えばガラス繊維又は樹脂繊維を平織りしたものを使用することができる。樹脂繊維としては、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂又は全芳香族ポリアミド樹脂により形成されたものを使用することができる。
【００２３】
熱硬化性樹脂としては、たとえばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂を使用することができる。
【００２４】
絶縁基体５０は、強化基材を用いずに低熱膨張樹脂から作製することもできる。この場合の絶縁基体５０は、低熱膨張樹脂のみから作製してもよいし、低熱膨張樹脂から成る複数のシートを、接着性樹脂を介して積層することによって作製してもよい。
【００２５】
絶縁基体５０のための低熱膨張樹脂としては、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂等を用いることができる。なかでもポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を使用することが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下と小さい。このような低熱膨張樹脂を使用すれば、コア基板５自体の熱膨張を抑制することができる。なお、熱膨張率は、ＩＳＯ１１３５９‐２：１９９９に準ずる。
【００２６】
スルーホール５１は、スルーホール導体５２が形成される部分であり、コア基板５を上下方向に貫通している。スルーホール５１は、例えば直径が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の円柱状に形成されている。このようなスルーホール５１は、従来周知のドリル加工などによって形成することができる。
【００２７】
スルーホール導体５２は、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するものであり、スルーホール５１の内面に沿って形成されている。このスルーホール導体５２は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料から成る。スルーホール導体５２は、スルーホール５１の内面に対して電解メッキ等を行うことによって形成することができる。
【００２８】
絶縁体５３は、スルーホール導体５２によって囲まれる残存空間を埋めるためのものである。この絶縁体５３は、残存空間に樹脂材料を充填した後に樹脂材料を固化させることにより形成することができる。絶縁体５３のための樹脂材料としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂を使用することができる。コア基板５に絶縁体５３を形成することによって、絶縁体５３の直上直下に後述するビア導体８Ａ，８Ｂを形成することができる。そのため、スルーホール導体５２から引き回す配線の距離を短くすることができるため、配線基板３の小型化を実現することができる。
【００２９】
一対の配線層６は、コア基板５の両面に積層されたものであり、複数の絶縁層６０、複数の導電層７、および複数のビア導体８Ａ，８Ｂを含んでいる。導電層７およびビア導体８Ａ，８Ｂは、互いに電気的に接続されており、配線部を構成している。この配線部は、電力供給用配線または信号用配線を含んでいる。
【００３０】
絶縁層６０は、配線層６において、配線部以外の部分の絶縁性を確保するためのものであり、貫通孔６１を有している。貫通孔６１は、ビア導体７が形成される部分である。この貫通孔６１は、例えばＹＡＧレーザー装置又はＣＯ２レーザー装置を用いて、絶縁層６０に対して垂直にレーザー光を照射することによって形成することができる。レーザー光の出力は、例えば１．０×１０−３Ｊ以上５．０×１０−１Ｊ以下のエネルギーに設定される。レーザー光の照射時間は、例えば１．０×１０−３秒以上１．０秒以下とされる。このような手法によれば、レーザー光が絶縁層６０の上面から垂直に照射されることから、上部よりも下部が幅狭な貫通孔６１が形成される。
【００３１】
貫通孔６１の形成後は、貫通孔６１の内面に付着した焼き残りを除去するためのデスミア処理を行なってもよい。このデスミア処理は、例えばプラズマ処理あるいはエッチング処理により行なうことができる。プラズマ処理は、例えばアルゴンガス又は酸素ガス雰囲気下において、マイクロ波を用いて処理することにより行なうことができる。エッチング処理は、エッチング液を用いたウエットエッチングを採用することができる。エッチング液としては、例えば蒸留水１リットルに対して、過マンガン酸２０ｇ以上４０ｇ以下、水酸化ナトリウム３５ｇ以上４５ｇ以下を加えた過マンガン酸水溶液を用いることができる。エッチング液は、３０℃以上４０℃以下に温めた状態で使用するのが好ましく、その場合のエッチング時間は、例えば２分以上４分以下とされる。
【００３２】
絶縁層６０は、電子部品２と熱膨張率が近い材料により形成するのが好ましく、乾燥後の厚みが例えば１μｍ以上１５μｍ以下となるように形成されている。絶縁層６０は、例えば熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂により形成され、その熱膨張率は、例えば１５ｐｐｍ／℃以上８０ｐｐｍ／℃以下に設定される。
【００３３】
絶縁層６０のための熱硬化性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂を使用することができる。
【００３４】
絶縁層６０のための熱可塑性樹脂は、電子部品２との熱膨張率が近いことに加えて、半田リフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要がある。そのため、絶縁層６０のための熱可塑性樹脂は、軟化温度が２００℃以上であることが望ましく、例えばポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂等を使用することができる。
【００３５】
絶縁層６０は、フィラーを含有していても構わない。絶縁層６０にフィラーを含有させることによって、絶縁層６０の硬化前の粘度を調整することができるため、絶縁層６０の厚み寸法の精度を向上させることが可能となる。フィラーとしては、例えば直径が０．０５μｍ以上６μｍ以下の球状のものを使用することができる。フィラーを形成するための材料としては、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下のもの、例えば酸化珪素（シリカ）、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は水酸化アルミニウムを用いることができる。
【００３６】
複数の導電層７は、後述するビア導体８Ａ，８Ｂとともに配線部を構成するものであり、図３および図４に示したように厚み方向に互いに分離されている。この導電層７は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなり、ランド部７０，７１およびリード部７２，７３を含んでいる。
【００３７】
図４に示したように、ランド部７０，７１は、ビア導体８Ａ，８Ｂが接続される部分であり、平面方向に互いに離間して配置されている。これらのランド部７０，７１の平面形状は、ビア導体８Ａ，８Ｂの上面８０および下面８１に相似し、該上面８０および下面８１よりも大きな径を有する円形状である。このため、ランド部７０，７１とビア導体８Ａ，８Ｂとの位置合わせ精度を高め、導体層７とビア導体８Ａ，８Ｂとの接合部分の接続信頼性を向上させることができる。
【００３８】
図３ないし図５に示したように、リード部７２，７３は、ランド部７０，７１を相互に接続するものであり、平面方向に互いに接することなく離間して配置されている。各リード部７２，７３は、ランド部７０，７１どうしを最短距離で結ぶ直線Ｌａに対して離間した位置に配置されている。この直線Ｌａは、ビア導体８Ａにおけるランド部７０，７１との接合面８０，８１どうしを最短距離で結ぶ直線に対応するものである。リード部７２，７３はさらに、直線Ｌａを対称軸として線対称の関係となるように平行に配置されている。リード部７２，７３は、接続面８０，８１に接する２つの接線Ｌｂ，Ｌｃの間の領域よりも外側に位置している。リード部７２，７３は、ランド部７０，７１の外周に接する２つの接線Ｌｄ，Ｌｅの間の領域内に位置している。
【００３９】
このような導電層７は、従来周知の成膜法によって導体膜を形成した後にパターンニングすることによって所望の形状に形成される。成膜法としては、例えば蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法を採用することができる。パターニングは、例えばフォトリソグラフィ法により行なうことができる。
【００４０】
図２ないし図４に示したように、ビア導体８Ａは、厚み方向に離間した導電層７どうしを相互に接続するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により形成されている。ビア導体８Ａは、平面形状が円形状で、上面８０の径が下面８１の径よりも大きなテーパ状に形成されており、上述のようにランド部７０，７１において導電層７に接続されている。
【００４１】
図２に示したように、ビア導体８Ｂは、外部接続用端子として機能するものであり、電子部品２のパッド２０とバンプＢを介して接続される部分である。ビア導体８Ｂもまた、ビア導体８Ａと同様にテーパ状に形成されている。
【００４２】
このようなビア導体８Ａ，８Ｂは、無電界メッキ等によって貫通孔６１の表面にメッキ膜を被着させることにより形成することができる。
【００４３】
実装構造体１によれば、配線基板３における導電層７が一対のリード部７２，７３を有し、これらのリード部７２，７３が平面視において互いに接することなく離間している。これにより、電流がリード部７２，７３それぞれを流れるため、ランド部７０，７１ひいてはランド部７０，７１とビア導体８Ａ，８Ｂとの接合面８０，８１に対して、１箇所に集中することなく電流が入力される。そのため、接合面８０，８１における電流が分散され、エレクトロマイグレーションの発生を抑制することができる。その結果、接合面８０，８１におけるクラックの発生を抑制することが可能となるため、配線基板３において、導体層７とビア導体８Ａ，８Ｂとの接合部分の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００４４】
各リード部７２，７３は、ランド部７０，７１（ビア導体８Ａ，８Ｂにおける接続面８０，８１）どうしを最短距離で結ぶ直線Ｌａに対して離間した位置に配置されている。この構成では、従来において電流の集中しやすかった部分を避けてリード部７２，７３がランド部７０，７１に接続されているため、接合面８０，８１における電流をより分散させることができる。
【００４５】
リード部７２，７３はさらに、直線Ｌａを対称軸として線対称の関係となるように平行に配置されている。この構成では、接合面８０，８１に対して直線Ｌａの対称軸とした線対称に電流が入力される。この構成によれば、ランド部７０，７１に対するリード部７２の接続箇所と、ランド部７０，７１に対するリード部７３の接続箇所との最短距離を大きく確保することができる。そのため、接合面８０，８１における電流をより分散させることができる。また、リード部７２を流れる電流と、リード部７３を流れる電流と、の大きさをより均等にすることができる。
【００４６】
リード部７２，７３は、接続面８０，８１に接する２つの接線Ｌｂ，Ｌｃの間の領域よりも外側に位置している。この構成によれば、ランド部７０，７１に対するリード部７２の接続箇所と、ランド部７０，７１に対するリード部７３の接続箇所との最短距離を大きく確保することができる。そのため、接合面８０，８１における電流をより分散させることができる。
【００４７】
リード部７２，７３は、ランド部７０，７１の外周に接する２つの接線Ｌｄ，Ｌｅの間の領域内に位置している。この構成よれば、ランド部７０，７１の側方にリード部７２，７３がはみ出すことがないため、導電層７の微細化を阻害することもない。その結果、導体層７が複数のリード部７２，７３を有する構成としたとしても、このことが配線基板３の小型化を阻害することもない。
【００４８】
ランド部７０，７１は、図５に示すように、平面視において円形状に形成されており、ランド部７０，７１どうしの互いに対向する縁が、該円形状の一部である。その結果、ランド部７０，７１とビア導体８Ａ，８Ｂとの位置合わせ精度を高めつつ、ランド部７０，７１に対するリード部７２、７３の接続箇所と接合面８０，８１との距離を短くし、リード部７２、７３から接合面８０，８１へ流れる電流の合流を低減することにより、接合面８０，８１における電流をより分散させることができる。
【００４９】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、リード部は２つとは限らず、３つ以上あってもよい。また、ビア導体の平面形状は円形状とは限らず、楕円形状又は多角形状等であってもよい。また、ランド部の平面形状は円形状とは限らず、導電層は、図６（ａ）ないし図６（ｅ）に示した形態であってもよい。
【００５０】
図６（ａ）ないし図６（ｄ）に示した導電層７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄは、ランド部７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄ，７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃ，７１Ｄの形状が先に説明した配線基板３における導電層７（図１ないし図５参照）とは異なっている。
【００５１】
図６（ａ）に示した導電層７Ａは、ランド部７０Ａ，７１Ａが円形ではなく、ランド部７０Ａ，７１Ａどうしの互いに対向する縁が、先に説明した配線基板３における導電層７（図１ないし図５参照）とは逆向きの円弧状となっている。なお、かかる円弧が接合面に達すると、円弧と接合面との接触領域に電流が集中しないため、接合面８０，８１における電流をより分散させることができる。
【００５２】
図６（ｂ）および図６（ｃ）に示した導電層７Ｂ，７Ｃは、ランド部７０Ｂ，７１Ｂ，７０Ｃ，７１Ｃが円形ではなく、ランド部７０Ｂ，７１Ｂ，７０Ｃ，７１Ｃどうしが互いに対向する縁がＶ字上となっている。
【００５３】
図６（ｄ）に示した導電層７Ｄは、ランド部７０Ｄ，７１Ｄが円形ではなく、ランド部７０Ｄ，７１Ｄどうしが互いに対向する縁が、直線状となっている。
【００５４】
これに対して、図６（ｅ）に示した導電層７Ｅは、ランド部７０Ｅ，７１Ｅに対するリード部７２Ｅ，７２Ｅの接続箇所が先に説明した配線基板３における導電層７（図１ないし図５参照）とは異なっている。このような導体層７Ｅでは、ランド部７０Ｅ，７１Ｅに対する電流の入力箇所あるいは出力箇所の距離を最大限に大きくすることが可能となる。そのため、接合面８０，８１における電流をより分散させることができる。
【００５５】
図６（ｅ）に示したようなランド部７０Ｅ，７１Ｅの接続形態は、図６（ａ）ないし図６（ｄ）に示した導電層７においても適用することができる。
【実施例】
【００５６】
本実施例では、導電層の形状がビア導体とランド部との接合部分での電流密度に与える影響を検討した。
【００５７】
電流密度は、図７（ａ）ないし図７（ｃ）に示した形態の導電層７Ａ′，７Ｂ′，７Ｃ′について、それぞれシミュレーションにより演算した。
【００５８】
図７（ａ）に示した導電層７Ａ′は、ランド部７０Ａ′，７１Ａ′を円形状に形成するとともにランド部７０Ａ′，７１Ａ′どうしと一対のリード部７２Ａ′，７３Ａ′によって接続したものである。この導電層７Ａ′における各部の寸法については、下記表１に示した通りである。
【００５９】
【表１】
2010177544.tif 000003
【００６０】
図７（ｂ）に示した導電層７Ｂ′は、ランド部７０Ｂ′，７１Ｂ′における互いに対向する縁をＶ字状にしたものである。この導電層７Ｂ′における各部の寸法は図７（ａ）に示した導電層７Ａ′と基本的に同様であるが、ランド部７０Ｂ′，７１Ｂ′におけるＶ字状の縁における角度θ１は、１２０°である。
【００６１】
図７（ｃ）に示した導電層７Ｃ′は、リード部７２Ｃ′の寸法をランド部７０Ｃ′，７１Ｃ′の直径と同一幅を有するものとしたものであり、この点以外における各部の寸法は図７（ａ）に示した導電層７Ａ′と同様である。この導体層７Ｃ′は、従来の導体層に相当するものである。
【００６２】
電流密度は、図８に示したように、ランド部７０Ｃ′からランド部７１Ｃ′に向けて１Ａの直流電流を流した仮定して、ビア導体８Ａの底面と導電層７Ａ′，７Ｂ′，７Ｃ′のランド部７０Ａ′，７０Ｂ′，７０Ｃ′との接合面８１における周縁のものとして演算した。電流密度の演算は、「Ａｎｓｏｆｔ  Ｑ３Ｄ  Ｅｘｔｒａｃｔｏｒ」という市販のソフトを用いて行い、その結果については図９（ａ）ないし図９（ｃ）に示した。これらの図においては、接合面８１における基準点Ｐからの円弧長Ｌ２および角度θ２をそれぞれ横軸として電流密度の演算結果を縦軸として示した。
【００６３】
図９（ａ）ないし図９（ｃ）に示したように、図７（ａ）および図７（ｂ）に示した形態の導電層７Ａ′、７Ｂ′（互いに離間した一対のリード部がランド部に接続した形態）では、比較的に広範囲にわたって電流密度が高い部分が広がっている。これに対して、図７（ｃ）に示した形態の導電層７Ｃ′（ランド部どうしをランド部の直径と同一幅を有するリード部で接続した従来の形態）では、基準点Ｐからの角度が１８０°の近傍に電流が集中している。
【００６４】
また、図７（ａ）および図７（ｂ）に示した形態の導電層７Ａ′，７Ｂ′に関して演算された電流密度の最大値は、図７（ｃ）に示した形態の導電層７Ｃ′に関して演算された電流密度よりも小さくなった。
【００６５】
このように、互いに離間した一対のリード部がランド部に接続した形態では、ランド部とビア導体との接合面において、一箇所に電流が集中することを抑制することができる。
【００６６】
また、図９（ａ）に示したように、図７（ａ）に示した形態の導電層７Ａ′（ランド部の平面形状が円形状である形態）では、電流密度が高い部分が分離しており、図７（ａ）に示した形態の導電層７Ａ′に関して演算された電流密度の最大値は、図７（ｂ）に示した形態の導電層７Ｂ′に関して演算された電流密度よりもさらに小さくなった。
【００６７】
これは、図９（ａ）においては、ランド部７０Ａ′，７１Ａ′に対するリード部７２Ａ′，７３Ａ′の接続箇所と接合面８０，８１との距離が短く該接続箇所と接合面との間のスペースが狭くなることから、該スペースにおいて、リード部７２Ａ′，７３Ａ′から接合面８０，８１へ流れる電流が合流しにくくなり、その結果、接合面８０，８１における電流を良好に分散させることができるためである。
【００６８】
これに対し、図７（ｂ）に示した形態においては、ランド部７０Ｂ，７１Ｂが円形ではなく、ランド部７０Ｂ，７１Ｂどうしの互いに対向する縁が、図７（ａ）に示した形態とは逆向きの円弧状に形成されており、図７（ａ）に示した形態の導電層７Ａよりも′、導電層７Ｂ′に関して演算された電流密度の最大値が大きくなっている。
【００６９】
これは、位置合わせの観点からランド部７０Ｂ′，７１Ｂ′の最小幅を図７（ａ）と同一とすると、ランド部７０Ｂ′，７１Ｂ′に対するリード部７２Ｂ′，７３Ｂ′の接続箇所と接合面８０，８１との距離が大きくなるため、前記接続箇所と接合面との間で電流の合流が促進されることが原因と思われる。
【符号の説明】
【００７０】
１  実装構造体
２  電子部品
３  配線基板
７，７Ａ〜７Ｅ  導電層
７０，７０Ａ〜７０Ｅ，７１，７１Ａから７１Ｅ  ランド部
７２，７２Ａ〜７２Ｅ，７３，７３Ａ〜７３Ｅ  リード部
８Ａ，８Ｂ  ビア導体
８０，８１  （ビア導体と導体層との）接合面
Ｌａ  （ランド間の最短距離の）直線  
Ｌｂ，Ｌｃ  （接合面に接する）接線
Ｌｄ，Ｌｅ  （ランド部の外周に接する）接線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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