(57)【要約】【課題】半導体装置に含まれる半導体基板と当該半導体基板に形成される貫通孔（ＴＳＶ）を含む配線との間の絶縁性を良好に保つことができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  貫通孔の内壁に形成された絶縁膜の開口底部に対応する部分を除く部分をエッチングレジストで被膜し、当該エッチングレジストをマスクとしたエッチングにより当該絶縁膜を除去して電極パッドを露出させた後、導電層を形成して配線する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板に設けられた貫通孔と、前記貫通孔の開口底部に形成されている電極パッドと、前記電極パッドから前記貫通孔を経由して前記半導体基板の表面に達する配線と、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記貫通孔の内壁と前記半導体基板の表面とを覆うように絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、
前記絶縁膜の前記開口底部に対応する部分を除く部分をエッチングレジストで被覆するエッチングレジスト形成ステップと、
前記エッチングレジストをマスクとしたエッチングにより前記絶縁膜の一部を除去して前記電極パッドを露出させる絶縁膜除去ステップと、
前記半導体基板の表面の前記絶縁膜上から前記貫通孔を経由して前記電極パッドの露出部分に達するように導電層を前記配線として形成する導電層形成ステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチングレジスト形成ステップは、
前記絶縁膜上にネガ型感光性レジストを塗布するレジスト塗布ステップと、
前記ネガ型感光性レジストの前記開口底部に対応する部分を除く部分を露光する露光ステップと、
前記ネガ型感光性レジストを現像して前記エッチングレジストを得ると共に前記絶縁膜の前記開口底部を覆っている部分を露出させる現像ステップと、からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記露光ステップにおいては、前記貫通孔の深さ方向に対して斜めに露光ビームを入射せしめることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記エッチングレジスト形成ステップは、
前記開口底部にポジ型感光性レジストを堆積するレジスト堆積ステップと、
前記絶縁膜上及び前記ポジ型感光性レジスト上にネガ型感光性レジストを塗布するレジスト塗布ステップと、
前記ネガ型感光性レジストの前記開口底部に対応する部分を除去して前記ポジ型感光性レジストを露出させるレジスト露出ステップと、
前記ポジ型感光性レジスト及び前記ネガ型感光性レジストを露光する露光ステップと、
前記ポジ型感光性レジスト及び前記ネガ型感光性レジストを現像して前記エッチングレジストを得ると共に前記絶縁膜の前記開口底部を覆っている部分を露出させる現像ステップと、からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記レジスト塗布ステップにおいては、前記ネガ型感光性レジストをスプレー方式により塗布することを特徴とする請求項２又は４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記レジスト塗布ステップにおいては、前記ネガ型感光性レジストの前記半導体基板の表面に対応する部分の厚さを前記ネガ型感光性レジストの前記貫通孔に対応する部分の厚さよりも厚く塗布することを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁膜除去ステップにおいては、異方性ドライエッチングにより前記絶縁膜の少なくとも一部を除去することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記レジスト露出ステップにおいては、異方性ドライエッチングにより前記ネガ型感光性レジストの一部を除去することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記異方性ドライエッチングは、酸素プラズマ異方性ドライエッチングであることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
表面に電極パッドを有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板を裏面から開口して前記電極パッドを露出させる貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の内壁及び底面、並びに前記半導体基板の裏面を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を覆うようにネガ型感光性レジストを形成する工程と、
前記貫通孔の深さ方向に対する傾斜角方向から前記レジストに露光光を照射し現像することで前記貫通孔の底面に形成された前記絶縁膜を除去する工程と、
前記半導体基板の裏面上の前記絶縁膜から前記貫通孔の内壁を延在して前記電極パッドに電気的に接続する導電層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板に設けられた貫通孔を介して電極に接続する配線を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年における携帯電話端末その他の各種装置の小型化に伴い、それらの装置を構成する半導体装置の小型化が望まれている。小型化を実現するための半導体装置として、半導体装置のサイズを半導体チップのサイズと同程度としたチップサイズパッケージ（ＣＳＰ：Chip size package）が知られている。チップサイズパッケージとしては、例えばイメージセンサ等の固体撮像素子を内蔵した半導体装置などがある。通常、チップサイズパッケージでは、半導体基板に設けられた貫通孔（ＴＳＶ：Through Silicon Via）を介して電極パッドに接続する再配線が形成されている。
【０００３】
例えば特許文献１には、チップサイズパッケージに関連した半導体装置であって、貫通孔を介して電極パッドに接続する配線が形成された半導体装置及びその製造方法が開示されている。当該製造方法によれば、先ず、半導体基板の表面に絶縁膜及び電極を積層し、半導体基板へのエッチング処理により絶縁膜に達する貫通孔を形成する。次に絶縁膜及び貫通孔の内面を覆うように絶縁膜を形成した後、貫通孔の底面の絶縁膜を指向性エッチングなどの手法により除去して電極を露出させる。そして半導体基板の表面から貫通孔を介して電極に接続する配線を形成する。
【特許文献１】特開２００５−２９４３２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されている半導体装置の製造方法では、電極を露出させるために貫通孔の底面の絶縁膜を指向性エッチング手法により除去したときに、貫通孔の側面に形成されている絶縁膜までも、エッチングにより除去されてしまうという問題があった。指向性エッチング手法によれば、エッチングビームを貫通孔底面の絶縁膜のみに選択的に照射できるわけではなく、その周囲の絶縁膜すなわち貫通孔側面及び半導体基板の表面の絶縁膜にまでエッチングビームが照射されるからである。例えば、貫通孔の側面がその底面に対して傾斜しているいわゆるテーパー形状であったり、貫通孔の側面に凹凸が形成されている形状である場合などに貫通孔側面の絶縁膜が除去されやすい。この場合、貫通孔の側面の絶縁膜が薄膜化されるので、貫通孔の側面に形成された配線と半導体基板との間の絶縁性が悪化し、ショートしてしまうという問題があった。
【０００５】
貫通孔側面の絶縁膜のエッチングによる薄膜化を防ぐために、例えば貫通孔側面の絶縁膜を厚く形成したとしても、同時に半導体基板の表面の絶縁膜も厚く形成されるので、貫通孔底面下の電極パッドを露出させるために指向性エッチング手法により貫通孔底面の絶縁膜を完全に除去すると、同時に半導体基板の表面の絶縁膜も薄膜化され、その結果、半導体基板表面の絶縁性を保てなくなってしまうので、このような方法では問題を解決できなかった。
【０００６】
本発明は上記した如き問題点に鑑みてなされたものであって、半導体装置を構成する半導体基板と当該半導体基板上に形成される配線との間の絶縁性を良好に保つことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板に設けられた貫通孔と、前記貫通孔の開口底部に形成されている電極パッドと、前記電極パッドから前記貫通孔を経由して前記半導体基板の表面に達する配線と、を含む半導体装置の製造方法であって、前記貫通孔の内壁と前記半導体基板の表面とを覆うように絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、前記絶縁膜の前記開口底部に対応する部分を除く部分をエッチングレジストで被覆するエッチングレジスト形成ステップと、前記エッチングレジストをマスクとしたエッチングにより前記絶縁膜の一部を除去して前記電極パッドを露出させる絶縁膜除去ステップと、前記半導体基板の表面の前記絶縁膜上から前記貫通孔を経由して前記電極パッドの露出部分に達するように導電層を前記配線として形成する導電層形成ステップと、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明による半導体装置の製造方法によれば、半導体基板と配線との絶縁性が良好に保たれる半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明に係る実施例について添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。
＜第１の実施例＞
先ず、図１（ａ）に示す如く、ＴＳＶ形成処理を施されるべき中間製品１１を準備する。中間製品１１は、接着剤６により支持基体５に半導体基板１が接着されて形成されたものである。支持基体５としては、半導体装置１０が例えば撮像装置の場合、例えばガラス基板などの透光性基板を用いる。半導体基板１は例えばシリコン基板などであり、半導体装置１０が例えば撮像装置の場合、半導体基板１の表面には固体撮像素子など（図示せず）が形成されている。また、接着剤６は例えばポリイミド系の接着剤などである。
【００１０】
半導体基板１の表面には、例えばシリコン酸化膜などの絶縁層２及び例えばシリコン窒化膜などの保護膜４がこの順に積層されている。保護膜４は半導体基板１の表面を保護するためのいわゆるパッシベーション膜である。また、電極パッド３が絶縁層２を介して半導体基板１の表面に形成されている。半導体基板１と電極パッド３とは絶縁層２により絶縁されている。電極パッド３は例えばアルミニウムなどの金属パッドである。なお、電極パッド３上の保護膜４は除去されている。
【００１１】
半導体基板１への絶縁層２及び保護膜４の積層、電極パッド３の形成、及び、支持基体５と半導体基板１との接着については、従来知られた通常の方法により実現できる。支持基体５と半導体基板１との接着の際には、半導体基板１の表面に形成されている例えば固体撮像素子などの半導体素子に対応する部分については接着剤６を除去していわゆるエアギャップを形成しても良い。支持基体５と半導体基板１とを接着した後、半導体基板１の裏面を通常のバックグラインド法により研磨して、その厚さを調整しても良い。この場合、半導体基板１の厚さは例えば１００μｍ程度である。
【００１２】
次に、図１（ｂ）に示す如く、半導体基板１の裏面にレジストを塗布し、通常の露光及び現像方法により、電極パッド３上のレジストを除去して開口部ＯＰを設ける。
【００１３】
次に、図１（ｃ）に示す如く、通常のドライエッチングにより、開口部ＯＰに対応する半導体基板１及び絶縁層２をエッチングして、半導体基板１の裏面から電極パッド３に達する貫通孔８を形成する。以下、貫通孔８の開口部のうちの電極パッド３が形成されている側を開口底部８ａ、その反対側の開口部を開口頂部８ｂと称する。また、貫通孔８の側壁を貫通孔側壁部８ｃと称する。
【００１４】
次に、図２（ａ）に示す如く、貫通孔８の内壁と半導体基板１の裏面とを覆うように絶縁膜７を形成する。絶縁膜７は例えばシリコン酸化膜であり、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などによって形成する。プラズマＣＶＤ法の原料ガスとしては、例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ：Tetraethoxysilane）を用いる。
【００１５】
次に、図２（ｂ）に示す如く、絶縁膜７上にネガ型感光性レジストＮＲを塗布する。ネガ型感光性レジストＮＲはスプレー方式で塗布するのが望ましい。例えばスピンコート方式で塗布した場合、遠心力によりレジストが貫通孔８に落ち込んでしまい、半導体基板１の裏面には形成され難いのに対して、スプレー方式で塗布した場合、ネガ型感光性レジストＮＲが貫通孔８の内壁全体及び半導体基板１の裏面全体に塗布されるという利点がある。なお、必ずしもスプレー方式による塗布でなければならないという制約は無く、スピンコート方式による塗布でも良い。
【００１６】
次に、図２（ｃ）に示す如く、ネガ型感光性レジストＮＲを露光する。このとき、半導体基板１の裏面に対応するネガ型感光性レジストＮＲ及び開口頂部８ｂから所定の深さＤＰまでの側面に対応するネガ型感光性レジストＮＲのみが感光するように露光する。具体的には、貫通孔８の深さ方向（同図に一点鎖線で示される方向）に対して斜めに露光ビームＥＬが入射するように露光する。詳細には、露光ビームＥＬを貫通孔８の深さ方向に対して例えば４５度などの所定の角度θにて入射するように照射する。このようにした場合、開口底部８ａにまでは露光ビームＥＬが届かず、同図中に点線で示される所定の深さＤＰまでのネガ型感光性レジストＮＲのみが感光する。
【００１７】
深さＤＰは角度θを変更することにより調整できる。つまり、角度θを大きくすれば深さＤＰが浅くなり、角度θを小さくすれば深さＤＰが深くなる。深さＤＰ及び角度θに制限は無く、貫通孔８の深さ、貫通孔８の開口部の大きさ及びネガ型感光性レジストＮＲの塗布厚さなどに応じて適宜、調整すれば良い。深さＤＰは開口底部８ａまで達していても良く、開口底部８ａに対応する部分を除いてネガ型感光性レジストＮＲを感光すれば良い。
【００１８】
露光ビームＥＬは例えば紫外光などである。露光ビームＥＬの光源は例えばレーザーなどである。光源となるレーザーは、例えばＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２（波長１５７ｎｍ）等のエキシマレーザーなどである。露光ビームＥＬの光源及び波長に制限は無く、ネガ型感光性レジストＮＲの感光特性などに応じて適宜、選択すれば良い。
【００１９】
当該露光を行うときは、図３（ａ）に示される如く、光源ＳＬを固定して、半導体基板１が形成されたウエハＷＦの位置を変えずに回転（自転）させる、又は、図３（ｂ）に示される如く、ウエハＷＦを固定して、ウエハＷＦを中心として光源ＳＬを回転（公転）させる。ウエハＷＦを回転させる場合は、例えばウエハＷＦを回転台（図示せず）に固定して回転させる。この場合、ウエハＷＦは回転軸の中心に固定する。また、光源ＳＬを回転させる場合は、例えば光源ＳＬを回転台（図示せず）のなどに固定して回転させる。この場合、光源ＳＬは回転軸の中心からずらして固定する。回転方向は同図中に矢印で示されている。このようにすることで、深さＤＰまでの貫通孔側壁部８ｃの全体が露光される。光源ＳＬからの露光光は、一度にウエハＷＦの全面をカバーできるものでもよく、ウエハＷＦの一部分のみを照射できるものでも良い。前者の場合にはウエハＷＦの全面を一括して露光できる。後者の場合にはウエハＷＦを搭載する回転台（図示せず）又は光源ＳＬを移動させることによりウエハＷＦの全面に亘って順次露光する。
【００２０】
上記した露光処理により、図２（ｄ）に示される如く、半導体基板１の裏面及び深さＤＰまでの貫通孔側壁部８ｃに対応するネガ型感光性レジストＮＲのみが感光し、現像液に対して不溶化する。ネガ型感光性レジストＮＲのうち、当該感光したレジストをエッチングレジストＥＲとして同図に図示している。ここで、エッチングレジストＥＲとは通常用いられる意味と同様に、エッチング処理時における部分的保護（マスク）に用いられるレジストをいう。
【００２１】
次に、図４（ａ）に示す如く、現像処理により貫通孔８における深さＤＰより下の感光していないネガ型感光性レジストＮＲを除去する。これにより、開口底部８ａを覆っている絶縁膜７が露出する。一方、エッチングレジストＥＲは現像液に対して不溶化しているので現像後もそのまま残存する。
【００２２】
次に、図４（ｂ）に示す如く、開口底部８ａを覆っている絶縁膜７の一部を除去して電極パッド３を露出させる。例えばリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）などの異方性ドライエッチングにより絶縁膜７を除去する。この場合、開口底部８ａに対して垂直にエッチングイオンＥＩを入射させて絶縁膜７をエッチングする。絶縁膜７がシリコン酸化膜の場合、エッチングガスとしては例えば四フッ化炭素（ＣＦ４）などのフッ素系のガスを用いる。
【００２３】
異方性ドライエッチングの際にエッチングレジストＥＲがマスクの役割を果たすので、貫通孔側壁部８ｃを覆っている絶縁膜７は除去されずにそのまま残存する。ＲＩＥなどの異方性ドライエッチングによれば、エッチングのためのイオンが貫通孔８に垂直に入射するので、深さＤＰより下の貫通孔側壁部８ｃを覆っている絶縁膜７についても除去されずにそのまま残存する。また、半導体基板１の裏面に形成されている絶縁膜７もエッチングレジストＥＲによってエッチングイオンＥＩから保護されているので除去されずにそのまま残存する。
【００２４】
次に、図４（ｃ）に示す如く、エッチングレジストＥＲを除去し、半導体基板１の裏面の絶縁膜７上から貫通孔８を経由して電極パッド３の露出部分に電気的に接続されるように配線９として導電層を形成する。例えばレジスト剥離(アッシング)装置であるアッシャーによりエッチングレジストＥＲを除去する。アッシャーは、紫外線等の光線によりガスとレジストとを化学反応させてレジストを剥離するタイプのものでも良いし、プラズマ照射により気相中でレジストを分解・除去するタイプのものでも良い。
【００２５】
配線９は例えば銅などの金属による配線である。半導体基板１の裏面及び貫通孔側壁部８ｃは絶縁膜７によって覆われているので、配線９と半導体基板１とは完全に絶縁されている。一方、配線９は電極パッド３の露出部分には電気的に接続されている。
【００２６】
上記した処理により半導体装置１０を製造する。なお、通常、半導体基板１には複数の貫通孔８が形成されているが、図１、図２及び図４は、そのうちの１つに着目して図示したものである。また、半導体装置１０は例えば固体撮像素子（イメージセンサ等）などの半導体素子を内蔵したチップサイズパッケージなどである。
【００２７】
上記したように本実施例による半導体装置の製造方法によれば、半導体基板１とは絶縁され且つ電極パッド３とは電気的に接続される配線９を半導体基板１上に形成することができる。これにより配線９と半導体基板１とのショートを回避し、正常に動作する半導体装置を製造することができる。
＜第２の実施例＞
図５は本実施例によるエッチングレジスト形成処理の各工程における半製品の断面図である。以下、図５を参照しつつ、エッチングレジスト形成処理について説明する。なお、貫通孔８は第１の実施例と同様に図１に示される処理によって形成される。また、絶縁膜７は第１の実施例と同様に図２（ａ）に示される処理によって形成される。
【００２８】
先ず、図５（ａ）に示す如く、例えばスピンコート方式により、開口底部８ａから所定の高さＨＴ（点線で示される）までポジ型感光性レジストＰＲを堆積する。高さＨＴはポジ型感光性レジストＰＲの量を変更することにより調整できる。つまり、ポジ型感光性レジストＰＲの量を多くすれば高さＨＴが高くなり、ポジ型感光性レジストＰＲを少なくすれば高さＨＴが低くなる。高さＨＴに制限は無く、貫通孔８の深さ、貫通孔８の開口部の大きさ及びネガ型感光性レジストＮＲの塗布厚さなどに応じて適宜、調整すれば良い。
【００２９】
次に、図５（ｂ）に示す如く、絶縁膜７上及びポジ型感光性レジストＰＲ上にネガ型感光性レジストＮＲを塗布する。貫通孔８の内壁を覆う絶縁膜７及び半導体基板１の裏面全体に塗布できるように、スプレー方式でネガ型感光性レジストＮＲを塗布するのが望ましい。このとき、半導体基板１の裏面の絶縁膜７上に塗布されるネガ型感光性レジストＮＲの厚さが、貫通孔８内のポジ型感光性レジストＰＲ上に塗布されるネガ型感光性レジストＮＲの厚さよりも厚くなるように塗布する。
【００３０】
次に、図５（ｃ）に示す如く、開口底部８ａに対応するネガ型感光性レジストＮＲ、すなわち、ポジ型感光性レジストＰＲ上のネガ型感光性レジストＮＲの一部を除去してポジ型感光性レジストＰＲを露出させる。例えば異方性エッチングによりネガ型感光性レジストＮＲを除去する。この場合、開口底部８ａに対して垂直にエッチングイオンＥＩを入射させてネガ型感光性レジストＮＲをエッチングする。
【００３１】
ＲＩＥなどの異方性ドライエッチングによれば、エッチングのためのイオンが貫通孔８に垂直に入射するので、貫通孔側壁部８ｃを覆っている絶縁膜７上のネガ型感光性レジストＮＲは除去されない。つまり、貫通孔側壁部８ｃの絶縁膜７は除去されずにそのまま残存する。また、半導体基板１の裏面のネガ型感光性レジストＮＲの厚さは、貫通孔８内のポジ型感光性レジストＰＲ上のネガ型感光性レジストＮＲの厚さよりも厚いので、半導体基板１の裏面のネガ型感光性レジストＮＲは当該エッチングによっても除去されずに残存する。つまり、半導体基板１の裏面の絶縁膜７も除去されない。
【００３２】
このとき、酸素プラズマによる異方性エッチングを行えば、プラズマの紫外光がネガ型感光性レジストＮＲ及びポジ型感光性レジストＰＲに照射される。これにより、ネガ型感光性レジストＮＲが感光して現像液に対して不溶化すると共にポジ型感光性レジストＰＲが感光して現像液に対して可溶化する。すなわち、酸素プラズマによる異方性エッチングにより、ネガ型感光性レジストＮＲの一部を除去すると共に、ネガ型感光性レジストＮＲ及びポジ型感光性レジストＰＲを露光できる。
【００３３】
ネガ型感光性レジストＮＲ及びポジ型感光性レジストＰＲが露光されないような方法により、ネガ型感光性レジストＮＲの一部を除去した場合、別途、紫外光などの光線によりネガ型感光性レジストＮＲ及びポジ型感光性レジストＰＲを露光する。また、酸素プラズマによる異方性エッチングによりネガ型感光性レジストＮＲの一部を除去した場合にも、露光を完全なものとするために、紫外光などの光線により別途、露光を行っても良い。
【００３４】
次に、図５（ｄ）に示す如く、ネガ型感光性レジストＮＲ及びポジ型感光性レジストＰＲを現像する。このとき、ネガ型感光性レジストＮＲは現像液に対して不溶化しているのでエッチングレジストＥＲとしてそのまま残存し、ポジ型感光性レジストＰＲは現像液に対して可溶化しているので除去される。これにより、開口底部８ａを覆っている絶縁膜が露出する。以上の処理により絶縁膜７の被覆処理が完了する。
【００３５】
続く絶縁膜７の除去処理及び配線９の形成処理は、図４（ｂ）及び（ｃ）に示す如く、第１の実施例と同様に行う。
【００３６】
上記したように本実施例による半導体装置の製造方法によれば、半導体基板１とは絶縁され且つ電極パッド３とは電気的に接続される配線９を半導体基板１上に形成することができる。これにより配線９と半導体基板１とのショートを回避し、正常に動作する半導体装置を製造することができる。また、本実施例による半導体装置の製造方法によれば、第１の実施例のような光源又は半導体基板１が形成されたウエハを回転させるための機構を必要としないので製造装置を小型化できるという利点もある。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本実施例による半導体装置の製造方法の各工程における半製品の断面図である。
【図２】本実施例による半導体装置の製造方法の各工程における半製品の断面図である。
【図３】レジスト露光時における半導体基板と光源との位置関係を示す図である。
【図４】本実施例による半導体装置の製造方法の各工程における半製品の断面図である。
【図５】第２の実施例によるエッチングレジスト形成処理の各工程における半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１  半導体基板
２  絶縁層
３  電極パッド
４  保護膜
５  支持基体
６  接着層
７  絶縁膜
８  貫通孔
９  配線
１０  半導体装置
１１  中間製品
【図１】
2010114201.tif 000003
【図２】
2010114201.tif 000004
【図３】
2010114201.tif 000005
【図４】
2010114201.tif 000006
【図５】
2010114201.tif 000007