(57)【要約】  【課題】  印加する電界の強度変化に対して発光波長の変化が小さい発光素子を提供する。  【解決手段】  発光素子は、障壁層２ａ１と量子井戸層２ａ２とが積層された発光層２ａと、発光層２ａの主面上に設けられた第１導電型の半導体層２ｂと、第１導電型の半導体層２ｂが設けられた主面と同一の主面上に設けられ、第１導電型の半導体層２ｂとともに発光層２ａを発光させる第２導電型の半導体層２ｃと、を具備する。【選択図】  図１
2010177251.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
障壁層と量子井戸層とが積層された発光層と、
前記発光層の主面上に設けられた第１導電型の半導体層と、
前記第１導電型の半導体層が設けられた主面と同一の主面上に設けられ、前記第１導電型の半導体層とともに前記発光層を発光させる第２導電型の半導体層と、
を具備する発光素子。
【請求項２】
前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層とは、それぞれ交互に複数設けられる請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１導電型の半導体層および前記第２導電型の半導体層の上面視形状は櫛形であり、
前記第１導電型の半導体層の櫛形が有する櫛歯が、前記第２導電型の半導体層の櫛形が有する櫛歯間に位置するように、前記第１導電型の半導体層および前記第２導電型の半導体層が設けられる請求項１記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１導電型の半導体層と前記発光層と前記第２導電型の半導体層とは、IIIB族窒化物半導体である請求項１乃至３のいずれか記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１導電型の半導体層の主面のうち、前記発光層と接触した主面の裏側の主面に設けられた第１の電極をさらに具備し、
前記第２導電型の半導体層が有する面のうち、前記発光層と接触した主面の裏側の主面に設けられた第２の電極をさらに具備する請求項１乃至４のいずれか記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（Light Emitting Diode、略称ＬＥＤ）に代表されるような発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、紫外光領域から青色光までの光を発光する発光素子が注目されており、このような発光素子の材料としては例えば、窒化ガリウム系化合物半導体が知られている。
【０００３】
これらの発光素子は、蛍光体と組み合わせることにより白色の光を発光することが可能であり、また省エネルギーかつ長寿命であることから、白熱電球や蛍光ランプの代替品として有望視されると共に実用化が始まっている。しかしながら、これらの発光素子の発光効率は、蛍光灯に比較すると低いため、更なる高効率化が求められており、そのための様々な研究が行われている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、発光効率を高めるために、障壁層と量子井戸層とを積層させて得られた発光層を用いた発光素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２８０６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図５（ａ）に示すような、一般的な発光素子の場合、発光層を構成する障壁層と量子井戸層との積層方向に対して平行に電界が印加されることになる。ここで、図５（ｂ）および（ｃ）には、図５（ａ）に示す発光素子のエネルギーバンド図を示す。図５（ｃ）は、図５（ｂ）の拡大図であり、量子井戸層１２ａ２（図５（ｂ）の点線で囲まれた領域）を拡大している。なお、図５（ｂ）および（ｃ）において、矢印の左側は電界印加時のエネルギーバンド図を示し、矢印の右側は、さらに強い電界を印加させたときのエネルギーバンド図を示す。
【０００７】
図５（ｂ）および（ｃ）に示すように、印加する電界を強くすることにより、量子井戸層の影響により、バンドギャップエネルギーがＥ１からＥ２に変化するため、発光波長が変化する傾向があった（ＱＣＳＥ：量子閉じ込めシュタルク効果）。特許文献１に記載の発光素子も同様に、ＱＣＳＥが生じるため好ましくなかった。
【０００８】
本発明の目的は、印加する電界の強度変化に対して発光波長の変化が小さい発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の実施態様である発光素子は、障壁層と量子井戸層とが積層された発光層と、前記発光層の主面上に設けられた第１導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層が設けられた主面と同一の主面上に設けられ、前記第１導電型の半導体層とともに前記発光層を発光させる第２導電型の半導体層と、を具備する。
【００１０】
前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層とは、それぞれ交互に複数設けられることが好ましい。
【００１１】
前記第１導電型の半導体層および前記第２導電型の半導体層の上面視形状は櫛形であり、前記第１導電型の半導体層の櫛形が有する櫛歯が、前記第２導電型の半導体層の櫛形が有する櫛歯間に位置するように、前記第１導電型の半導体層および前記第２導電型の半導体層が設けられることが好ましい。
【００１２】
前記第１導電型の半導体層と前記発光層と前記第２導電型の半導体層とは、IIIB族窒化物半導体であることが好ましい。
【００１３】
前記第１導電型の半導体層の主面のうち、前記発光層と接触した主面の裏側の主面に設けられた第１の電極をさらに具備し、前記第２導電型の半導体層が有する面のうち、前記発光層と接触した主面の裏側の主面に設けられた第２の電極をさらに具備することが好ましい。
【００１４】
前記第１導電型の半導体層及び第１の電極と、前記第２導電型の半導体層及び第２の電極と、の間には、絶縁材料を具備することが好ましい。
【００１５】
また、前記発光は、電極による光吸収の影響が大きいため、光取り出し面を基板の裏面とすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の実施態様の発光素子は、第１導電型の半導体層と第２導電型の半導体層とがいずれも、発光層の同一主面上に設けられているため、発光層における障壁層と量子井戸層との積層方向に対して垂直な方向に電場を印加することができる。そのため、印加する電界の強度が大きく変化しても、発光波長の変化を低減することができる。
【００１７】
第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層とが交互に複数設けられることにより、領域内において第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層とをつめて設けることになり、第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層との中心間距離を短くすることができ、発光強度の低下が抑制される。
【００１８】
第１導電型の半導体層と第２導電型の半導体層とが共に櫛形であり、第１導電型の半導体層の櫛形が有する櫛歯が、第２導電型の半導体層の櫛形が有する櫛歯間に位置するように第１導電型の半導体層と第２導電型の半導体層とが位置することで、複数交互に並べた場合に、第１導電型の半導体層と第２導電型の半導体層とでそれぞれ複数必要となるパッド電極を、櫛形の第１導電型の半導体層に１つだけ、櫛形の第２導電型の半導体層に１つだけ設けるだけで外部と導通をとることができる。さらに、前述した、第１導電型の半導体層と第２導電型の半導体層とを交互に設けたときに得られる効果と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態の発光素子の断面図である。
【図２】（ａ）は発光層２ａに印加する電界の方向を矢印で示した、図１の発光素子の部分拡大図である。（ｂ）は、電界の強度を変化した際の、図１の発光素子のエネルギーバンド図である。
【図３】本発明の第１の実施形態を示す発光素子の上面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態を示す発光素子の上面図である。
【図５】（ａ）従来の発光素子の一例を示す断面図である。（ｂ）は、電界の強度を変化した際の、図５の発光素子のエネルギーバンド図である。（ｃ）は、（ｂ）のエネルギーバンド図の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施態様の発光素子を詳細に説明する。
【００２１】
本発明の実施態様の発光素子は、障壁層２ａ１と量子井戸層２ａ２とが積層された発光層２ａを有する。なお、図１においては、２つの障壁層２ａ１に挟まれて量子井戸層２ａ２が１つ設けられているが、本発明ではこれに限定されず、障壁層２ａ１と量子井戸層２ａ２とからなる量子井戸構造が複数回（たとえば約３回）繰り返し規則的に積層された多層量子井戸構造（ＭＱＷ）としてもよい。
【００２２】
本発明では、図１に示すように、第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃが、発光層２ａの主面のうち同一の主面上に設けられる。そして、電界を印加すると、図２（ａ）にて矢印で示すように、電界が第１の半導体層２ｂと第２の半導体層２ｃとの間に印加する。つまり、第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃが、発光層２ａの同一主面上に存在することで、第１の半導体層２ｂと第２の半導体層２ｃとの間にて、障壁層２ａ１と量子井戸層２ａの積層方向と垂直な方向に電界が印加される。ここでの、「垂直な方向」とは、障壁層２ａ１と量子井戸層２ａ２に印加される電界を、積層方向に垂直な電界成分と、積層方向に平行な電界成分に分解した際に、垂直に印加される成分の方が大きいということである。
【００２３】
障壁層２ａ１と量子井戸層２ａ２との積層方向と垂直な方向に電界が印加された場合、
図５に示したエネルギーバンド図と異なり、量子井戸層２ａ２の積層方向への電界印加は小さいため、外部電場によるバンド構造の変化は小さい。一方、前記積層方向の垂直方向の場合、図２（ｂ）のように、電界により大きくバンドが変化する。ここで、量子井戸構造（及び、ノンドープ層）の積層方向の膜厚（例えばＬＺ＝１０〜５０ｎｍ）に対して、ＬＸが大きい（例えば、５００ｎｍ以上）ため、図２のa−Ａ間やｂ−Ｂ間のように空間的に電子と正孔が接近している場合には再結合遷移は生じるが、電子と正孔が空間的に離れているa−Ｂ間およびｂ−Ａ間の遷移確率は非常に小さくなる。
【００２４】
また、空間的に電子と正孔が接近しており再結合確率が大きいと考えられる範囲（距離）内でも、電場によるバンド構造の変化は少なからず生じるが、図５の場合と比較して図２のようにLxは長いので外部電場によるバンド構造の変化（図２のLxで示す部分の傾きの変化）は小さい。これらにより、いずれの遷移エネルギーもＥ１と等しくすることができる。よって、電界の強度を増減させた場合でも発光波長の変化を小さくすることができる。
【００２５】
図１に示す発光素子の上面図を図３および図４に示す。
【００２６】
図３には、第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃの上面視形状が櫛形の例を、また、図４には、第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃの上面視形状が矩形の例を示す。図３および図４において、Ａ−Ａ’の点線部で切断した断面が図１となる。
【００２７】
図３において、第１導電型の半導体層２ｂの櫛形が有する櫛歯は、第２導電型の半導体層２ｃの櫛形が有する櫛歯間に位置するように設けられている。このとき、第１導電型の半導体層２ｂが有する櫛歯と、第２導電型の半導体層２ｃが有する櫛歯と、の間には、第１導電型の半導体層２ｂと第２導電型の半導体層２ｃとの絶縁を保つため、絶縁材料が設けられていてもよい。
【００２８】
第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃの櫛歯の間隔は、それぞれ１〜５０μｍ程度である。また櫛歯の幅は、１〜２０μｍ程度である。
【００２９】
図３において、第１の電極５ｂおよび第２の電極５ｃはそれぞれ、第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃの主面上に設けられるが、いずれも発光層２ａが接触した主面とは逆側の主面に設けられる。
【００３０】
また、図３において、第１の電極５ｂおよび第２の電極５ｃはそれぞれ、第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃの櫛形と同様に、櫛形を示している。
【００３１】
さらに、図３に示すように、第１の電極５ｂおよび第２の電極５ｃ上にそれぞれ、第１のパッド電極６ｂおよび第２のパッド電極６ｃを設けることができる。図３に示す発光素子の場合、第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃにそれぞれ１つ設けるだけで外部と導通をとることが可能となる。
【００３２】
図４において、第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃの間隔は、それぞれ１〜５０μｍ程度である。また、第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃの幅は、１〜２０μｍ程度である。
【００３３】
図４において、第１の電極５ｂおよび第２の電極５ｃはそれぞれ、第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃの主面上に設けられるが、いずれも発光層２ａが接触した主面とは逆側の主面に設けられる。
【００３４】
図４において、第１の電極５ｂおよび第２の電極５ｃはそれぞれ、第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃの矩形と同様に、矩形を示している。
【００３５】
図４に示すように、第１の電極５ｂおよび第２の電極５ｃ上にそれぞれ、第１のパッド電極６ｂおよび第２のパッド電極６ｃを設けることができる。
【００３６】
図４において、第１導電型の半導体層２ｂと第２導電型の半導体層２ｃとの間には、図３の場合と同様に、第１導電型の半導体層２ｂと第２導電型の半導体層２ｃとの絶縁を保つため、絶縁材料が設けられていてもよい。
【００３７】
以下、本発明の発光素子の各構成について説明する。
【００３８】
（基板１）
基板１は、半導体を成長させることが可能な基材であればよい。具体的に、基板１としては、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ），シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）などが挙げられる。基板１の厚みとしては、１００〜１０００μｍ程度である。
【００３９】
図１において、基板１上にバッファ層４が形成されている。例えば、基板１がサファイア、基板１上に成長される半導体がＧａＮの場合のように、基板１と成長させる半導体との間に応力が発生する場合、その応力を緩和させるために好適に形成される。バッファ層４は、例えば、窒化ガリウム、窒化アルミニウムなどの材料から構成される。バッファ層４の厚みは０．０１〜０．２μｍ程度である。バッファ層４は、４００℃から７００℃程度の温度で窒化ガリウム、窒化アルミニウムを成長することにより形成される。
【００４０】
以下に半導体として発光層２ａ、第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃを示す。なお、これらは、例えば、IIIＢ族窒化物半導体などが挙げられる。ここで、IIIＢ族窒化物半導体とは、元素周期律表におけるIIIＢ族（１３族）元素の窒化物から構成される半導体を意味する。IIIB族窒化物半導体は、化学式ＡｌｘＧａｙＩｎ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）で表すことができる。IIIB族窒化物半導体としては、たとえば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）などが挙げられる。
【００４１】
（発光層２ａ）
発光層２ａにおいて、障壁層２ａ１としては、Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層などが挙げられる。また、量子井戸層２ａ２としては、Ｉｎ０．１１Ｇａ０．８９Ｎ層などが挙げられる。障壁層２ａ１の厚みは５〜１５ｎｍ程度、量子井戸層２ａ２の厚みは２〜１０ｎｍ程度である。また、発光層２ａは障壁層２ａ１と量子井戸層２ａ２を複数回（たとえば約３回）繰り返し規則的に積層された多層量子井戸構造（ＭＱＷ）としてもよい。発光層２ａの厚みは２５〜１５０ｎｍ程度である。
【００４２】
図１においては発光層２ａの下に、半導体層３が設けられる。この半導体層３は、発光素子の作製工程において、発光層２ａの成長を促進させる役割を有する。半導体層３は、発光層２ａと同種の半導体成分であり、不純物をドープしていないものが好ましい。半導体層３の厚みは０．３〜５μｍ程度である。
【００４３】
（第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃ）
第１導電型の半導体層２ｂを、例えば、ＩＩＩＢ族窒化物半導体からなるｐ型半導体層とするには、元素周期律表においてＩＩＡ族の元素であるＭｇ（マグネシウム）などをドーパントとして層中に混入させればよい。
【００４４】
第１導電型の半導体層２ｂの厚みは０．０５〜１μｍ程度である。
【００４５】
第２導電型の半導体層２ｃをIIIB族窒化物半導体からなるｎ型半導体層とするには、元素周期律表においてIVB族の元素であるＳｉ（シリコン）などをドーパントとして層中に混入させればよい。
【００４６】
第２導電型半導体層２ｃの厚みは０．０５〜１μｍ程度である。
【００４７】
前述した、発光層２ａ、第１導電型の半導体層２ｂ、第２導電型の半導体層２ｃ、半導体層３、バッファ層４の成長方法としては、分子線エピタキシー（ＭＢＥ；Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、有機金属エピタキシー（ＭＯＶＰＥ；Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ；Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）、パルスレーザデポジション（ＰＬＤ；Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等が用いられる。
【００４８】
（電極）
電極は、第１の電極層５ｂと第２の電極層５ｃとから構成される。第１の電極層５ｂおよび第２の電極層５ｃの厚みはそれぞれ０．１〜５μｍである。第１のパッド電極電極６ｂは電極５ｂに接続される電極端子で、第２パッド電極６ｃは電極５ｃに接続される電極端子である。
【００４９】
第１の電極層５ｂおよび第２の電極層５ｃとしては、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、白金（Ｐｔ）、鉛（Ｐｂ）、ベリリウム（Ｂｅ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、金−シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）合金、金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）合金、金−亜鉛（Ａｕ−Ｚｎ）合金、金−ベリリウム（Ａｕ−Ｂｅ）合金などの薄膜を好適に用いることができる。また、第１の電極層５ｂおよび第２の電極層５ｃは、上記材質の中から選択した層を複数層積層したものとしても構わない。
【００５０】
第１の電極層５ｂと第２の電極層５ｃは、真空蒸着法、スパッタリング法などの方法により作製される。
【００５１】
第１の電極層５ｂと第２の電極層５ｃは、ともにパッド電極を有することが好ましい（図２および図３における第１のパッド電極６ｂおよび第２のパッド電極６ｃ参照）。
【００５２】
パッド電極は、例えば、チタン、またはチタンを下地層として金層を積層したものを用いている。パッド電極の厚みは約０．５〜５μｍである。
【００５３】
パッド電極は、真空蒸着法、スパッタリング法などの方法により形成される。
【００５４】
なお、上述の記載は外部とのワイヤーボンディング接続を想定しているが、外部との接続はこれに限定されない。
【００５５】
本発明の実施形態の発光素子は、用途として照明装置などに用いられる。本発明の実施形態の発光素子は、印加する電界の強度変化が大きい条件においても発光波長の変化が小さいため、印加電界の強度変化が大きい用途に用いられることが好ましい。
【００５６】
以下に、図３および図４の発光素子の作製方法を示すが、本発明の実施形態の発光素子の作製方法はこれに限定されない。
【００５７】
（図３の発光素子の作製）
以下に、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いた図３発光素子の作製方法の具体例を示す。なお、この作製方法において、基板１を５〜１０ｒｐｍで常に回転させる。
【００５８】
まず、バッファ層４を成長させる。基板１の温度を４００〜７００℃とし、窒化ガリウム（ＧａＮ）などのＩＩＩＢ族窒化物半導体を、０．０１〜０．２μｍの厚さで形成することでバッファ層３を形成する。
【００５９】
次に半導体層３を成長させる。基板１の温度を７００〜１３００℃とし、窒化ガリウム（ＧａＮ）などのＩＩＩＢ族窒化物半導体を、０．３〜５μｍの厚さで形成することで半導体層３を形成する。
【００６０】
発光層２ｂは、基板１の温度を７００℃程度とし、厚さ５〜１５ｎｍ程度の窒化インジウムガリウム（Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ）から成る障壁層と、厚さ２〜１０ｎｍ程度の窒化インジウムガリウム（Ｉｎ０．１１Ｇａ０．８９Ｎ）から成る井戸層とを繰り返し積層して形成する。
【００６１】
さらに、第１導電型の半導体層２ｂをｎ型半導体層とする場合、この半導体層を、基板１の温度を７００〜１３００℃とし、窒化ガリウム（ＧａＮ）などのＩＩＩＢ族窒化物半導体を、元素周期律表においてIVB族の元素であるＳｉ（シリコン）などをドーパントとして層中に混入させながら、０．０５〜１μｍの厚さで形成する。
【００６２】
その後、この基板をＭＯＣＶＤ装置外部へ取り出し、その上に、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、真空蒸着法またはスパッタリング法により、ｎ型半導体層を形成したい部分以外に、エッチングマスクを形成する。その後、ドライエッチング法もしくはウエットエッチング法により、エッチングマスク部以外のｎ型半導体層を、半導体層３の表面が露出されるまでエッチングを行う。さらに、マスクをリフトオフすることで、櫛形のｎ型半導体層２ｂが形成される。例えば、Ｎｉを用いてマスクパターンを作成し、ＥＣＲ−ＲＩＥ法にてエッチングした後、希硝酸でリフトオフする。
【００６３】
次に、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、スパッタリング法またはＣＶＤ法によりＳｉＯ２マスクを第２導電型の半導体層２ｃを成長させる部分以外に形成する。
【００６４】
基板を再度ＭＯＣＶＤ装置へセットして、第２導電型の半導体層２ｃ層を、基板１の温度を７００〜１３００℃とし、窒化ガリウム（ＧａＮ）などのＩＩＩＢ族窒化物半導体を、元素周期律表においてＩＩＩＢ族窒化物半導体からなるｐ型半導体層とするには、元素周期律表においてＩＩＡ族の元素であるＭｇ（マグネシウム）などをドーパントとして層中に混入させながら、０．０５〜１μｍの厚さで形成する。次に基板を取り出して、フッ酸系溶液にてＳｉＯ２マスクを除去する。
【００６５】
その後、フォトリソグラフィ技術を用いて蒸着法およびリフトオフを行い第１の電極５ｂ、第２の電極５ｃを形成後、チップ化することで、図３に示すような素子を作製する。
【００６６】
（図４の発光素子の作製）
以下に、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いた図４の発光素子の作製方法の具体例を示すが、第１導電型の半導体層２ｂおよび第２導電型の半導体層２ｃの作製工程にてマスクパターンを変更する以外は、図３の発光素子の作製方法と同様である。
【００６７】
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【符号の説明】
【００６８】
１：基板
２ａ，１２ａ：発光層
２ａ１，１２ａ１：量子井戸層
２ａ２，１２ａ２：障壁層
２ｂ，１２ｂ：第１導電型の半導体層
２ｃ，１２ｃ：第２導電型の半導体層
３：半導体層
４：バッファ層
５ｂ，１５ｂ：第１の電極
５ｃ，１５ｃ：第２の電極
６ｂ，１６ｂ：第１のパッド電極
６ｃ，１６ｃ：第２のパッド電極
【図１】
2010177251.tif 000003
【図２】
2010177251.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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