(57)【要約】【課題】  接触部の耐摩耗性や導電層に交差する方向の力に対する強度を低下させることなく、プロービング時の電気的接触性を向上させたコンタクトプローブ及びその製造方法を提供する。【解決手段】  平面に積層された板部材を垂直に立てて使用するコンタクトプローブの製造方法であって、平面に積層された上記板部材の一端の延長部に、上記板部材の一端から離れるに従って表面が徐々に上昇する犠牲層を形成し、上記板部材及び上記犠牲層の表面に沿って導電層を形成し、上記導電層を上記板部材の平面に平行な面になるように研削し、先端に近づくほど徐々に断面積が小さくなる接触部を形成するようにしたことを特徴とする。【選択図】  図２
2010038777.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面に積層された板部材を垂直に立てて使用するコンタクトプローブの製造方法であって、
平面に積層された上記板部材の一端の延長部に、上記板部材の一端から離れるに従って表面が徐々に上昇する犠牲層を形成し、
上記板部材及び上記犠牲層の表面に沿って導電層を形成し、
上記導電層を上記板部材の平面に平行な面になるように研削し、先端に近づくほど徐々に断面積が小さくなる接触部を形成するようにしたことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項２】
上記犠牲層が複数の層を階段状に形成していることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項３】
導電性の２つの外層及びこれらの外層に挟まれた導電性の内層が平面に積層された板部材を垂直に立てて使用するコンタクトプローブにおいて、
検査対象物に接触する接触部は、上記内層を上記２つの外層の端面よりも突出させて形成された突出部と、
上記突出部の側面及び当該突出部の先端面に沿って形成されたコンタクト膜とを備えたことを特徴とするコンタクトプローブ。
【請求項４】
上記コンタクト膜が、上記内層よりも硬度の高い導電性材料からなることを特徴とする請求項３に記載のコンタクトプローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクトプローブ及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、導電層を積層して形成されるコンタクトプローブの改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ上に形成された電子回路に対して電気的特性試験が行われている。この様な検査対象物に対する電気的特性試験には、検査対象物上の電極パッドに接触させて導通させるコンタクトプローブが用いられる。コンタクトプローブは、例えば、複数の導電層を積層することにより形成され、プローブ基板に接合された状態で使用される。
【０００３】
図１１（ａ）及び（ｂ）は、プローブ基板２００上に形成された従来のコンタクトプローブ１００を示した斜視図である。図１１（ａ）には、コンタクトプローブ１００の全体が示され、図１１（ｂ）には、ビーム部１２０の先端部に形成された接触部１３４が示されている。コンタクトプローブ１００は、検査対象物上の電極パッドに接触させるための接触部１３４が形成されたビーム部１２０と、プローブ基板２００に接合するためのベース部１１０により構成される。このコンタクトプローブ１００は、２つの外層１３２と、これらの外層１３２に挟まれた内層１３３とをそれぞれ導電層１３１として積層することによって形成されており、これらの導電層１３１がプローブ基板２００と交差するように配置されている。接触部１３４は、内層１３３を外層１３２の端面１３２ａから突出させて形成されている。
【０００４】
プローブ基板２００は、テスター装置に接続されたメイン基板に導通しており、当該メイン基板と共にプローブカードを構成している。検査時には、テスター装置と検査対象物との間で各コンタクトプローブ１を介して信号が入出力されることにより、検査対象物の電気的特性の検査が行われる。
【０００５】
従来、コンタクトプローブの接触部１３４に、コンタクトプローブ本体よりも高硬度の導電性材料からなるチップ部を形成し、当該チップ部を検査対象物に接触させることにより、接触部１３４の摩耗を抑制する技術が知られている（例えば、特許文献１及び２）。特許文献１に記載のコンタクトプローブでは、ビーム部の先端部にチップ部が埋め込まれており、当該チップ部全体が本体部材よりも硬質の材料で製作されている。一方、特許文献２に記載のコンタクトプローブでは、プローブ本体よりも硬質の金属で形成されたチップ部がプローブ本体に接着又は溶接により取り付けられている。
【０００６】
しかしながら、接触部全体が硬質材料から形成される特許文献１のプローブでは、硬質材料が本体部材に比べて高価であることから、製造コストが増大してしまうという問題があった。また、硬質金属で形成されたチップ部がプローブ本体に接着又は溶接により取り付けられる特許文献２のプローブでは、チップ部を接着又は溶接によりプローブ本体に取り付けるという構造が接合面に平行なせん断力に弱いために、プロービング時にチップ部がプローブ本体から剥がれ易いという問題があった。
【０００７】
さらに、接触部１３４の先端面１３４ａの面積は、導電層に交差する方向（積層方向）に関する接触部の厚みと、接触部先端における導電層に平行な方向のサイズとで決定されるが、この面積が小さいほどプロービング時の電気的接触性が良いコンタクトプローブが得られる。そこで、プロービング時の電気的接触性を向上させるという観点から、接触部の厚みを薄くすることにより先端面１３４ａの面積を小さくすることが考えられる。しかしながら、接触部全体が硬質材料から形成される特許文献１のプローブでは、接触部の厚みを薄くすると、導電層に交差する方向の力に対する接触部の強度が低下するので、破損し易くなってしまうという問題があった。また、硬質金属で形成されたチップ部がプローブ本体に接着又は溶接により取り付けられる特許文献２のプローブでは、チップ部の厚みを薄くすると、チップ部がさらに剥がれ易くなってしまうという問題があった。
【特許文献１】特開２００６−３３７０８０号公報
【特許文献２】特開２００６−３００８０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、製造コストを増大させることなく、また、接触部の耐摩耗性や導電層に交差する方向の力に対する強度を低下させることなく、プロービング時の電気的接触性を向上させたコンタクトプローブ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、平面に積層された板部材を垂直に立てて使用するコンタクトプローブの製造方法であって、平面に積層された上記板部材の一端の延長部に、上記板部材の一端から離れるに従って表面が徐々に上昇する犠牲層を形成し、上記板部材及び上記犠牲層の表面に沿って導電層を形成し、上記導電層を上記板部材の平面に平行な面になるように研削し、先端に近づくほど徐々に断面積が小さくなる接触部を形成するようにしたことを特徴とする。
【００１０】
この製造方法では、板部材の一端から離れるに従って表面が徐々に上昇する犠牲層を利用して接触部を構成する導電層が形成され、導電層が板部材の平面に平行な面になるように研削される。この様な構成によれば、検査対象物に接触する接触部を先端に近づくほど徐々に断面積が小さくなるように形成することができるので、導電層に交差する方向の力に対する接触部の強度を低下させることなく、プロービング時の電気的接触性を向上させることができる。
【００１１】
第２の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記構成に加え、上記犠牲層が複数の層を階段状に形成しているように構成される。
【００１２】
第３の本発明によるコンタクトプローブは、導電性の２つの外層及びこれらの外層に挟まれた導電性の内層が平面に積層された板部材を垂直に立てて使用するコンタクトプローブであって、検査対象物に接触する接触部が、上記内層を上記２つの外層の端面よりも突出させて形成された突出部と、上記突出部の側面及び当該突出部の先端面に沿って形成されたコンタクト膜とを備えて構成される。
【００１３】
この様な構成によれば、接触部が内層を突出させて形成された突出部と突出部の側面及び当該突出部の先端面に沿って形成されたコンタクト膜とからなるので、せん断力に対する接触部の強度を向上させることができる。
【００１４】
第４の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記コンタクト膜が、上記内層よりも硬度の高い導電性材料からなるように構成される。この様な構成によれば、接触部全体を高硬度の導電性材料から形成するのではなく、接触部が突出部と、突出部の側面及び当該突出部の先端面に沿って形成されたコンタクト膜とから形成されるので、製造コストを増大させることなく、また、接触部の耐摩耗性を低下させることなく、プロービング時の電気的接触性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によるコンタクトプローブ及びその製造方法によれば、検査対象物に接触する接触部を先端に近づくほど徐々に断面積が小さくなるように形成することができるので、導電層に交差する方向の力に対する接触部の強度を低下させることなく、プロービング時の電気的接触性を向上させることができる。また、接触部が内層を突出させて形成された突出部と突出部の側面及び当該突出部の先端面に沿って形成されたコンタクト膜とからなるので、せん断力に対する接触部の強度を向上させることができる。また、接触部全体を高硬度の導電性材料から形成するのではなく、接触部が突出部と、突出部の側面及び当該突出部の先端面に沿って形成されたコンタクト膜とから形成されるので、製造コストを増大させることなく、また、接触部の耐摩耗性を低下させることなく、プロービング時の電気的接触性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
実施の形態１．
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブ１の一例を示した斜視図である。図１（ａ）には、コンタクトプローブ１の全体が示され、図１（ｂ）には、ビーム部３の先端部に形成された接触部４が示されている。
【００１７】
コンタクトプローブ１は、検査対象物上の電極パッドに接触する接触部４が形成されたビーム部３と、プローブ基板に接合するためのベース部２により構成される。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように、このコンタクトプローブ１は、複数の導電層１１を積層することにより形成されている。つまり、このコンタクトプローブ１は、平面に積層された板部材をプローブ基板上に垂直に立てて使用するコンタクトプローブとなっている。
【００１９】
この例では、互いに対向する２つの外層１２と、これらの外層１２に挟まれた１つの内層１３からなる３層の導電層１１を積層することによりコンタクトプローブ１が形成されている。ここでは、導電層１１と交差する方向を積層方向と呼ぶことにする。
【００２０】
２つの外層１２は、同一の導電材料で形成されていても良いし、異なる導電材料で形成されていても良い。また、内層１３は、各外層１２と同一の導電材料で形成されていても良いし、異なる導電材料で形成されていても良い。
【００２１】
接触部４は、検査対象物に接触する構造体であり、検査対象物に向けて内層１３を２つの外層１２の端面１２ａよりも突出させて形成されている。
【００２２】
この接触部４の先端部は、積層方向の厚みが内層１３よりも薄くなっており、積層方向に交差する方向から見て凸字形状を有している。
【００２３】
また、接触部４は、外層１２の端面１２ａから遠ざかるに従って積層方向に交差する方向の長さ、すなわち、幅が狭くなるように形成されている。つまり、接触部４は、積層方向から見て等脚台形形状を有している。
【００２４】
図２（ａ）及び（ｂ）は、図１のコンタクトプローブ１のビーム部３先端部における構成例を示した断面図であり、図２（ａ）には、積層方向に平行なＡ１−Ａ１断面が示され、図２（ｂ）には、積層方向に垂直なＡ２−Ａ２断面が示されている。
【００２５】
接触部４は、検査対象物に向けて内層１３を２つの外層１２の端面１２ａよりも突出させて形成された突出部１３ａと、内層１３よりも高硬度の導電性材料からなるコンタクト膜１４により構成される。
【００２６】
コンタクト膜１４は、突出部１３ａの側面に沿って内層１３と平行に形成され、内層１３よりも薄い膜となっている。このコンタクト膜１４は、検査対象物に向けて突出部１３ａの先端面１３ｃよりも突出させて形成されている。
【００２７】
具体的には、コンタクト膜１４が、突出部１３ａの一方の側面に沿って延伸し、突出部１３ａの先端面１３ｃに回り込ませた沿面部１４ａと、沿面部１４ａの端部から検査対象物に向けて突出させた先端部１４ｂと、突出部１３ａの他方の側面に沿って延伸し、その一部が先端部１４ｂに隣接する延伸部１４ｄからなる。
【００２８】
沿面部１４ａ及び先端部１４ｂは、連続する単一の膜として形成されている。ここでは、コンタクト膜１４が内層１３よりも高硬度の導電材料、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）の各元素のうちの少なくとも１種類の元素を含む導電材料から形成されるものとする。
【００２９】
先端部１４ｂは、積層方向（図２（ａ）の上下方向）の厚みａ２が接触部４における他の部分の厚みａ１に比べて薄くなっている（ａ２＜ａ１）。つまり、２つの外層１２の各端面１２ａから突出した突出部分Ｂ２全体を薄くするのではなく、突出部１３ａの先端面１３ｃから突出させた先端部１４ｂの厚みａ２だけを薄くして接触部４が形成される。
【００３０】
この様に構成することにより、接触部４全体を高硬度の導電性材料から形成するのではなく、接触部４が突出部１３ａと、突出部１３ａの側面に沿って形成されたコンタクト膜１４から形成されるので、製造コストを増大させることなく、接触部４の耐摩耗性を向上させることができる。特に、検査対象物に向けて突出部１３ａの先端面１３ｃよりも突出させて形成されるコンタクト膜１４が突出部１３ａの側面に沿って内層１３と平行に形成されるので、導電層１１に交差する方向のせん断力に対して高硬度の導電性材料からなるコンタクト膜１４を剥がれにくくすることができる。
【００３１】
また、内層１３よりも薄いコンタクト膜１４を突出部１３ａの先端面１３ｃよりも突出させて接触部４が形成されるので、導電層１１に交差する方向の力に対する接触部４の強度を低下させることなく、プロービング時の電気的接触性を向上させることができる。特に、先端部１４ｂの積層方向の厚みａ２が接触部４における他の部分の厚みａ１よりも薄くなっているので、検査対象物に接触させた際の接触面圧を増加させることができる。
【００３２】
この例では、さらに、コンタクト膜１４が、突出部１３ａの対向する両端面１３ｂに沿って形成された端面被覆部１４ｃを有しており、沿面部１４ａ、先端部１４ｂ及び端面被覆部１４ｃが、連続する単一の膜として形成されている。
【００３３】
また、コンタクト膜１４の沿面部１４ａ又は延伸部１４ｄの一部は、それぞれ外層１２及び内層１３間に挟み込まれているものとする。この様に、外層１２及び内層１３間にコンタクト膜１４の一部を挟み込むことにより、接触部４の剛性を向上させることができる。
【００３４】
この例では、沿面部１４ａ及び延伸部１４ｄの一部がそれぞれ外層１２及び内層１３間に挟み込まれることにより、２つの外層１２と重複する重複領域Ｂ１がコンタクト膜１４に形成されている。つまり、コンタクト膜１４の沿面部１４ａは、この重複領域Ｂ１において上側の外層１２と内層１３とで挟持され、かつ、延伸部１４ｄは、下側の外層１２と内層１３とで挟持されている。
【００３５】
また、重複領域Ｂ１におけるコンタクト膜１４の幅は、接触部４の外層１２端面１２ａ上における幅と一致している。
【００３６】
なお、先端部１４ｂは、例えば、積層方向に垂直な方向に関して、突出部１３ａの先端面１３ｃからの高さが、外層１２の端面１２ａからの突出部１３ａの高さよりも低くなるように形成される。検査時には、コンタクトプローブ１と検査対象物とが積層方向に交差する方向に相対移動することにより、先端部１４ｂの先端面全体が検査対象物の電極パッドに当接する。
【００３７】
上述したコンタクト膜１４は、後述する様に、導電層１１を積層してコンタクトプローブ１を形成する工程において、電気めっきにより形成される。従って、この様にして形成されるコンタクト膜１４では、外層１２及び内層１３間の境界面に沿って延伸する延伸部の厚みと、先端部１４ｂの厚みとがほぼ同じ厚みとなっている。
【００３８】
ただし、後述するコンタクトプローブ１の形成工程では、電気めっきにより導電性の薄膜を形成した後、当該薄膜における上側の面を研削することにより、先端部１４ｂが形成される。従って、研削量を調整することにより先端部１４ｂの厚みを上記延伸部の厚みよりも薄くすることが容易な構成となっている。
【００３９】
図３〜図６は、図１のコンタクトプローブ１における接触部４を形成する工程の一例を示した図である。図３（ａ）には、犠牲層１７が形成されたコンタクトプローブ形成用の基板１０が示されている。コンタクトプローブ１の接触部４を形成する際には、まず、シリコンなどで形成された基板１０上に、銅（Ｃｕ）などの導電層１１とは異なる導電材料からなる犠牲層１７が形成される。
【００４０】
図３（ｂ）には、図３（ａ）の犠牲層１７上にレジスト層１８が形成され、このレジスト層１８の除去された部分に外層１２が形成された基板１０が示されている。犠牲層１７の形成後、犠牲層１７上に感光性有機物質からなるフォトレジストが塗布され、レジスト層１８が形成される。そして、このレジスト層１８の表面を選択的に露光させることにより、レジスト層１８が部分的に除去される。
【００４１】
この様にしてレジスト層１８が除去された部分には、電気めっきにより１層目の導電層１１である外層１２が形成される。
【００４２】
図３（ｃ）には、図３（ｂ）のレジスト層１８が完全に除去された基板１０が示されている。外層１２の形成後には、レジスト層１８が完全に除去される。
【００４３】
図３（ｄ）には、図３（ｃ）の犠牲層１７及び外層１２上に犠牲層１９を形成し、外層１２が露出するまで犠牲層１９表面が研削された基板１０が示されている。レジスト層１８が除去されることにより露出した犠牲層１７及び外層１２上には、電気めっきにより犠牲層１９が形成される。犠牲層１９は、少なくとも外層１２よりも検査対象物側に形成され、犠牲層１９の形成後、外層１２表面が完全に露出するまで犠牲層１９の表面が研削される。この表面研削によって、外層１２及び犠牲層１９からなる平坦面が形成される。
【００４４】
図４（ａ）には、図３（ｄ）の外層１２及び犠牲層１９上にレジスト層２０が形成され、このレジスト層２０の除去された部分に犠牲層２１が形成された基板１０が示されている。平滑面とされた外層１２及び犠牲層１９上には、フォトレジストが塗布され、レジスト層２０が形成される。
【００４５】
そして、このレジスト層２０の表面を選択的に露光させることにより、外層１２に対向しない領域のレジスト層２０が除去される。レジスト層２０が除去された部分には、電気めっきにより犠牲層２１が形成される。
【００４６】
図４（ｂ）には、図４（ａ）のレジスト層２０が完全に除去された基板１０が示されている。犠牲層２１の形成後には、レジスト層２０が完全に除去され、先端部１４ｂ形成のための犠牲層２１からなる台座が形成される。
【００４７】
図４（ｃ）には、図４（ｂ）の犠牲層２１上にさらに犠牲層２２が形成された基板１０が示されている。犠牲層２１の形成後、図４（ａ）及び（ｂ）と同様にして、犠牲層２１上に、さらに先端部１４ｂ形成のための台座となる犠牲層２２が形成される。これらの犠牲層２１，２２によって、検査対象物側に向けて２つの段差を有する階段状の犠牲層が犠牲層１９上に形成される。
【００４８】
つまり、図３（ｄ）から図４（ｃ）までの工程は、複数の層を階段状に形成することによって構成される犠牲層１９，２１，２２として、平面に積層された板部材の一端の延長部に、当該板部材の一端から離れるに従って表面が徐々に上昇する犠牲層を形成する工程となっている。この様な少なくとも２つの段差を有する階段状の犠牲層を突出部１３ａの先端面１３ｃから遠ざかるに従って階が高くなるように形成することによって、表面が徐々に上昇する犠牲層を構成することができる。
【００４９】
図４（ｄ）には、図４（ｃ）の外層１２、犠牲層１９，２１及び２２上に形成されたレジスト層２３の一部分が除去された基板１０が示されている。レジスト層を除去することにより露出した外層１２、犠牲層１９，２１及び２２上には、再びフォトレジストが塗布され、レジスト層２３が形成される。そして、このレジスト層２３の表面を選択的に露光させることにより、レジスト層２３の一部分が除去される。この例では、犠牲層２２における外層１２側の端部と、犠牲層２２及び１９間の犠牲層２１と、犠牲層２１及び外層１２間の犠牲層１９と、外層１２における犠牲層２２側の端部とに対向する領域のレジスト層２３が除去される。
【００５０】
図４（ｅ）には、図４（ｄ）のレジスト層２３が除去された部分に導電性の薄膜２４が形成された基板１０が示されている。レジスト層２３が除去された部分には、電気めっきによりコンタクト膜１４の一部分となる導電性の薄膜２４が形成される。つまり、図４（ｅ）の工程は、平面に積層された板部材及び犠牲層１９，２１，２２に沿ってコンタクト膜となる導電層として薄膜２４を形成する工程となっている。この様にして形成された薄膜２４は、先端部１４ｂを構成する部分の他に、犠牲層２２の上面に沿って延びる部分を含む屈曲形状を有している。
【００５１】
図５（ａ）には、図４（ｅ）のレジスト層２３が完全に除去された基板１０が示されている。薄膜２４の形成後には、レジスト層２３が完全に除去され、薄膜２４周辺が露出する。
【００５２】
図５（ｂ）には、図５（ａ）の外層１２、犠牲層１９，２２及び薄膜２４上にレジスト層２５が形成され、このレジスト層２５の除去された部分に内層１３としての導電層２６が形成された基板１０が示されている。レジスト層２３を除去することにより露出した外層１２、犠牲層１９，２２及び薄膜２４上には、再びフォトレジストが塗布され、レジスト層２５が形成される。
【００５３】
そして、このレジスト層２５の表面を選択的に露光させることにより、外層１２及び薄膜２４に対向する領域のレジスト層２５が除去される。レジスト層２５が除去されることにより露出した外層１２及び薄膜２４上には、電気めっきにより内層１３としての導電層２６が形成される。
【００５４】
図５（ｃ）には、犠牲層２２が露出するまで図５（ｂ）のレジスト層２５及び導電層２６表面が研削された基板１０が示されている。導電層２６の形成後、犠牲層２２の表面が完全に露出するまでレジスト層２５及び導電層２６の表面を研削することにより、内層１３が１層目の外層１２上に積層された導電層１１として形成される。つまり、図５（ｃ）の工程は、薄膜２４を平面に積層された板部材の平面に平行な面になるように研削する工程となっている。
【００５５】
図５（ｄ）には、図５（ｃ）のレジスト層２５が完全に除去された基板１０が示されている。内層１３の形成後には、レジスト層２５が完全に除去される。
【００５６】
図５（ｅ）には、図５（ｄ）の内層１３及び薄膜２４上に導電性の薄膜を形成してコンタクト膜１４が形成された基板１０が示されている。レジスト層２５の除去後、図４（ｄ）、（ｅ）及び図５（ａ）と同様にして内層１３及び薄膜２４上に導電性の薄膜が形成され、コンタクト膜１４が形成される。
【００５７】
図６（ａ）には、図５（ｅ）の内層１３、犠牲層１９，２２及びコンタクト膜１４上にレジスト層２７が形成され、このレジスト層２７の除去された部分に外層１２が形成された基板１０が示されている。コンタクト膜１４形成後の内層１３、犠牲層１９，２２及びコンタクト膜１４上には、再びフォトレジストが塗布され、レジスト層２７が形成される。
【００５８】
そして、このレジスト層２７の表面を選択的に露光させることにより、１層目の外層１２に対向する領域のレジスト層２７が除去される。レジスト層２７が除去された部分には、電気めっきにより３層目の導電層１１である外層１２が形成される。
【００５９】
図６（ｂ）には、図６（ａ）のレジスト層２７が完全に除去された基板１０が示されている。この様にして形成された構造物からレジスト層２７を除去し、さらに、犠牲層２２，２１，１９及び１７を除去すると、図１（ｂ）に示したようなコンタクトプローブ１が完成する。この様に少なくとも２つの段差を有する階段状の犠牲層を利用してコンタクト膜１４を形成することにより、先端に近づくほど徐々に断面積が小さくなる接触部４を形成することができる。
【００６０】
本実施の形態によれば、接触部４全体を高硬度の導電性材料から形成するのではなく、接触部４が突出部１３ａと、突出部１３ａの側面に沿って形成されたコンタクト膜１４から形成されるので、製造コストを増大させることなく、接触部４の耐摩耗性を向上させることができる。特に、検査対象物に向けて突出部１３ａの先端面１３ｃよりも突出させて形成されるコンタクト膜１４が突出部１３ａの側面に沿って内層１３と平行に形成されるので、導電層１１に交差する方向のせん断力に対して高硬度の導電性材料からなるコンタクト膜１４を剥がれにくくすることができる。また、内層１３よりも薄いコンタクト膜１４を突出部１３ａの先端面１３ｃよりも突出させて接触部４が形成されるので、導電層１１に交差する方向の力に対する接触部４の強度を低下させることなく、プロービング時の電気的接触性を向上させることができる。
【００６１】
実施の形態２．
実施の形態１では、導電層１１を積層してコンタクトプローブ１の接触部４を形成する工程において、コンタクト膜１４の先端部１４ｂを形成するための犠牲層２１及び２２と、内層１３を形成するためのレジスト層２５とを別々に形成する場合の例について説明した。これに対して、本実施の形態では、先端部１４ｂ及び内層１３を形成するための共通の犠牲層を形成する場合について説明する。
【００６２】
図７及び図８は、本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブ１の接触部４を形成する工程の一例を示した図である。図７（ａ）には、図３（ｄ）の続きとして、外層１２及び犠牲層１９上にレジスト層３０が形成され、このレジスト層３０の一部分が除去された基板１０が示されている。
【００６３】
平滑面とされた外層１２及び犠牲層１９上には、フォトレジストが塗布され、レジスト層３０が形成される。
【００６４】
そして、このレジスト層３０の表面を選択的に露光する際に、突出部１３ａを含む内層１３に対応する領域以外の領域にのみ露光し、その領域のレジスト層３０を除去するようになっている。
【００６５】
図７（ｂ）には、図７（ａ）のレジスト層３０の除去された部分に犠牲層３１が形成された基板１０が示されている。レジスト層３０が除去されて露出した犠牲層１９上には、電気めっきにより犠牲層３１が積層される。
【００６６】
図７（ｃ）には、図７（ｂ）のレジスト層３０が完全に除去された基板１０が示されている。犠牲層３１の形成後には、レジスト層３０が完全に除去され、外層１２上に内層１３に対応する形状の空間が形成される。
【００６７】
図７（ｄ）には、図７（ｃ）の内層１３に対応する形状の空間の形成後、先端部１４ｂに対応する形状の空間が形成された基板１０が示されている。内層１３に対応する形状の空間の形成後、図７（ａ）及び（ｂ）と同様にして犠牲層３２が形成され、犠牲層３１上に先端部１４ｂに対応する形状の空間が形成される。
【００６８】
図７（ｅ）には、図７（ｄ）の先端部１４ｂに対応する形状の空間の形成後、外層１２、犠牲層１９，３１及び３２上にレジスト層３３が形成され、このレジスト層３３の一部分が除去された基板１０が示されている。先端部１４ｂに対応する形状の空間の形成後、露出した外層１２、犠牲層１９，３１及び３２上には、再びフォトレジストが塗布され、レジスト層３３が形成される。そして、このレジスト層３３の表面が選択的に露光されることにより、レジスト層３３の一部分が除去される。この例では、露出した犠牲層１９と、この犠牲層１９の露出した部分を挟んで両側に位置する外層１２の端部及び犠牲層３１の露出した部分と、犠牲層３２における外層１２側の端部とに対向する領域のレジスト層３３が除去される。
【００６９】
図８（ａ）には、図７（ｅ）のレジスト層３３が除去された部分に導電性の薄膜３４が形成された基板１０が示されている。レジスト層３３が除去された部分には、電気めっきによりコンタクト膜１４の一部分となる導電性の薄膜３４が形成される。この様にして形成された薄膜３４は、先端部１４ｂを構成する部分の他に、犠牲層３２の上面に沿って延びる部分を含む屈曲形状を有している。
【００７０】
図８（ｂ）には、図８（ａ）のレジスト層３３が完全に除去された基板１０が示されている。薄膜３４の形成後には、レジスト層３３が完全に除去され、薄膜３４周辺が露出する。
【００７１】
図８（ｃ）には、図８（ｂ）の外層１２、犠牲層３２及び薄膜３４上に導電層３５が形成された基板１０が示されている。レジスト層３３を除去することにより露出した外層１２、犠牲層３２及び薄膜３４上には、電気めっきにより内層１３としての導電層３５が形成される。
【００７２】
図８（ｄ）には、犠牲層３２が露出するまで図８（ｃ）の導電層３５表面が研削された基板１０が示されている。導電層３５の形成後、犠牲層３２の表面が完全に露出するまで導電層３５の表面を研削することにより、内層１３が１層目の外層１２上に積層された導電層１１として形成される。
【００７３】
この様にして内層１３が形成された後、図５（ｅ）に示した場合と同様の態様で、内層１３及び薄膜３４上に導電性の薄膜が形成され、コンタクト膜１４が形成される。そして、露出した内層１３、コンタクト膜１４及び犠牲層３２上にレジスト層が形成され、そのレジスト層の表面が選択的に露光されることにより、１層目の外層１２に対向する領域のレジスト層が除去される。その後、レジスト層が除去された部分に電気めっきにより３層目の導電層１１である外層１２が形成される。
【００７４】
この様にして形成された構造物からレジスト層を除去し、さらに、犠牲層３２，３１，１９及び１７を除去すると、図１（ｂ）に示したようなコンタクトプローブ１が完成する。
【００７５】
なお、実施の形態１及び２では、コンタクト膜１４が突出部１３ａを積層方向に挟み込むように形成されるとともに、積層方向とは交差する方向にも挟み込むように形成される場合の例について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。コンタクト膜１４は、少なくとも、積層方向に交差する一方の側面から先端面１３ｃ上に回り込むように突出部１３ａに形成されていれば良く、例えば、先端面１３ｃに回り込んでコンタクト膜１４が形成されている側とは反対側の側面上にはコンタクト膜１４を形成しないものであっても良い。つまり、図５（ｅ）に示した工程を省くことにより、突出部１３ａにおける上側の側面上にはコンタクト膜１４が形成されていないコンタクトプローブも本発明には含まれる。
【００７６】
また、実施の形態１及び２では、内層１３を突出させて形成された突出部１３ａの側面に沿ってコンタクト膜１４が形成される場合の例について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、内層の一部を検査対象物に向けて外層の端面よりも突出させて形成される突出部自体の厚みを検査対象物に向って段階的に薄くすることによって接触部を形成するようなものであっても良い。
【００７７】
図９及び図１０は、本発明の他の実施の形態によるコンタクトプローブの接触部を形成する工程の一例を示した図である。図９（ａ）〜（ｅ）は、犠牲層１７が形成されたコンタクトプローブ形成用の基板１０上に外層４０及び突出部を構成する導電膜４４が形成されるまでの工程を示した図である。
【００７８】
図９（ａ）には、犠牲層１７上に外層４０が形成された基板１０が示されている。犠牲層１７の形成後、電気めっきにより１層目の導電層１１である所定形状の外層１２が形成される。
【００７９】
図９（ｂ）には、図９（ａ）の犠牲層１７及び外層４０上に犠牲層４１を形成し、外層４０が露出するまで犠牲層４１表面が研削された基板１０が示されている。犠牲層１７及び外層４０上には、電気めっきにより犠牲層４１が形成される。犠牲層４１は、少なくとも外層４０よりも検査対象物側に形成され、犠牲層４１の形成後、外層４０表面が完全に露出するまで犠牲層４１の表面が研削される。この表面研削によって、外層４０及び犠牲層４１からなる平坦面が形成される。
【００８０】
図９（ｃ）には、図９（ｂ）の犠牲層４１上に犠牲層４２が形成された基板１０が示されている。犠牲層４２は、図７（ａ）及び（ｂ）と同様の工程を経て、犠牲層４１上に形成される。図９（ｄ）には、図９（ｃ）の犠牲層４２上に犠牲層４３が形成された基板１０が示されている。犠牲層４３は、図７（ａ）及び（ｂ）と同様の工程を経て、犠牲層４２上に形成される。これらの犠牲層４２，４３によって、検査対象物側に向けて２つの段差を有する階段状の犠牲層が犠牲層４１上に形成される。
【００８１】
図９（ｅ）には、図９（ｄ）の外層４０、犠牲層４１，４２及び４３上に導電膜４４が形成された基板１０が示されている。導電膜４４は、図７（ｅ）及び図８（ａ）と同様の工程を経て、外層４０、犠牲層４１，４２及び４３上に形成される。この様にして形成された導電膜４４によって、検査対象物に向けて外層４０の端面よりも突出させて形成される突出部が構成される。ここでは、導電膜４４の厚みが、犠牲層４２，４３の厚みを合わせたものよりも厚いものとする。
【００８２】
図１０（ａ）及び（ｂ）は、導電膜４４が形成されてから外層４０とは反対側の外層４６が形成されるまでの工程を示した図である。図１０（ａ）には、外層４０及び導電膜４４上に内層の一部となる導電層４５を形成した後、犠牲層４３が露出するまで導電層４５及び導電膜４４の表面が研削された基板１０が示されている。
【００８３】
導電層４５の形成後、犠牲層４３の表面が完全に露出するまで導電層４５及び導電膜４４の表面を研削することにより、１層目の外層４０上に積層された２層目の導電層として、導電膜４４及び導電層４５からなる所定形状の内層が形成される。このとき、導電膜４４上から導電層４５が完全に除去されている。
【００８４】
図１０（ｂ）には、図１０（ａ）の導電層４５及び導電膜４４上に３層目の導電層として外層４６が形成された基板１０が示されている。
【００８５】
この様に検査対象物側に向けて２つの段差を有する階段状の犠牲層４２，４３を利用することによって、突出部自体の厚みを検査対象物に向けて段階的に薄くした接触部を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブ１の一例を示した斜視図である。
【図２】図１のコンタクトプローブ１のビーム部３先端部における構成例を示した断面図である。
【図３】図１のコンタクトプローブ１における接触部４を形成する工程の一例を示した図であり、基板１０上に１層目の外層１２が形成されるまでの工程が示されている。
【図４】図１のコンタクトプローブ１における接触部４を形成する工程の一例を示した図であり、導電性の薄膜２４が形成されるまでの工程が示されている。
【図５】図１のコンタクトプローブ１における接触部４を形成する工程の一例を示した図であり、コンタクト膜１４が形成されるまでの工程が示されている。
【図６】図１のコンタクトプローブ１における接触部４を形成する工程の一例を示した図であり、３層目の外層１２が形成されるまでの工程が示されている。
【図７】本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブ１の接触部４を形成する工程の一例を示した図であり、犠牲層１９表面の研削後の工程が示されている。
【図８】本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブ１の接触部４を形成する工程の一例を示した図であり、内層１３が形成されるまでの工程が示されている。
【図９】本発明の他の実施の形態によるコンタクトプローブの接触部を形成する工程の一例を示した図であり、導電膜４４が形成されるまでの工程が示されている。
【図１０】本発明の他の実施の形態によるコンタクトプローブの接触部を形成する工程の一例を示した図であり、外層４６が形成されるまでの工程が示されている。
【図１１】プローブ基板２００上に形成された従来のコンタクトプローブ１００を示した斜視図である。
【符号の説明】
【００８７】
１  コンタクトプローブ
２  ベース部
３  ビーム部
４  接触部
１１  導電層
１２  外層
１２ａ  端面
１３  内層
１３ａ  突出部
１３ｂ  端面
１３ｃ  先端面
１４  コンタクト膜
１４ａ  沿面部
１４ｂ  先端部
１４ｃ  端面被覆部
１４ｄ  延伸部
Ｂ１  重複領域
Ｂ２  突出部分
【図１】
2010038777.tif 000003
【図２】
2010038777.tif 000004
【図３】
2010038777.tif 000005
【図４】
2010038777.tif 000006
【図５】
2010038777.tif 000007
【図６】
2010038777.tif 000008
【図７】
2010038777.tif 000009
【図８】
2010038777.tif 000010
【図９】
2010038777.tif 000011
【図１０】
2010038777.tif 000012
【図１１】
2010038777.tif 000013