(57)【要約】【課題】  ボールボンディング用被覆銅ワイヤにおいて、引きちぎり後のボールアップに際してＣｕまたはＣｕ合金芯材の酸化による不都合を回避することができるボールボンディング用被覆銅ワイヤを提供する。【解決手段】  銅−リン合金からなる芯材と、該芯材の上にパラジウムまたは白金からなる中間層と、該中間層の上に金または銀からなる表皮層を有するボンディングワイヤであることを特徴とする被覆銅ワイヤである。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅（Ｃｕ）を主成分とする芯材と、該芯材の上に２種類の被覆層を有するボールボンディング用被覆銅ワイヤであって、前記芯材が銅（Ｃｕ）−１〜５００質量ｐｐｍリン（Ｐ）合金からなり、かつ、前記被覆層がパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）の中間層および金（Ａｕ）の表皮層とからなることを特徴とするボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
【請求項２】
銅（Ｃｕ）を主成分とする芯材と、該芯材の上に２種類の被覆層を有するボールボンディング用被覆銅ワイヤであって、前記芯材が銅（Ｃｕ）−１〜８０質量ｐｐｍリン（Ｐ）合金からなり、かつ、前記被覆層がパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）の中間層および金（Ａｕ）の表皮層とからなることを特徴とするボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
【請求項３】
銅（Ｃｕ）を主成分とする芯材と、該芯材の上に２種類の被覆層を有するボールボンディング用被覆銅ワイヤであって、前記芯材が銅（Ｃｕ）−２００〜４００質量ｐｐｍリン（Ｐ）合金からなり、かつ、前記被覆層がパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）の中間層および金（Ａｕ）の表皮層とからなることを特徴とするボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
【請求項４】
リン（Ｐ）以外の芯材の成分が純度９９．９９９質量％以上の銅（Ｃｕ）である請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
【請求項５】
リン（Ｐ）以外の芯材の成分が純度９９．９９９９質量％以上の銅（Ｃｕ）である請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。  
【請求項６】
中間層の厚さが０．００５〜０．２μｍである請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
【請求項７】
中間層の厚さが０．０１〜０．１μｍである請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
【請求項８】
表皮層の厚さが０．００５〜０．１μｍである請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
【請求項９】
表皮層の厚さが中間層の厚さよりも薄いものである請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子上の電極と回路配線基板の配線とをボールボンディングで接続するために利用される被覆銅ワイヤに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体素子上の電極と外部端子との間をボールボンディングで接合するボンディングワイヤとして、線径２０〜５０μｍ程度の金線が主に使用されている。この金線の接合には超音波併用熱圧着方式が一般的であり、汎用ボンディング装置、ワイヤをその内部に通して接続に用いるキャピラリ冶具等が用いられる。第一ボンディングでは、ワイヤ先端をアーク入熱で加熱溶融し、表面張力によりボールを形成させた後に、１５０〜３００℃の範囲に加熱した半導体素子の電極上にこのボール部を圧着接合せしめる。その後、キャピラリ冶具でワイヤに所定のループを描いた後、第二ボンディングでは、直接ワイヤを外部リード側に超音波圧着により接合させて引きちぎる。
【０００３】
近年、半導体実装の構造・材料・接続技術等は急速に多様化しており、例えば、実装構造では、現行のリードフレームを使用したＱＦＰ（Quad Flat Packaging）に加え、基板、ポリイミドテープ等を使用するＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Scale Packaging）等の新しい形態が実用化され、ループ性、接合性、量産使用性等をより向上したボンディングワイヤが求められている。
【０００４】
ボンディングワイヤの接合相手となる材質も多様化しており、シリコン基板上の配線、電極材料では、従来のＡｌ合金に加えて、より微細配線に好適なＣｕが実用化されている。また、リードフレーム上にはＡｇメッキ、Ｐｄメッキ等が施されており、また、樹脂基板、テープ等の上には、Ｃｕ配線が施され、その上に金等の貴金属元素及びその合金の膜が施されている場合が多い。こうした種々の接合相手に応じて、ワイヤの接合性、接合部信頼性を向上することが求められる。
【０００５】
これまでの高純度４Ｎ系（純度が９９．９９質量％以上）の金線に替わり、当初は高純度３Ｎ〜６N系（純度が９９．９〜純度９９．９９９９質量％以上）の銅線の利用が考えられた。しかし、銅線は酸化しやすい欠点があった。ワイヤボンディング技術からの要求では、ボール形成時に真球性の良好なボールを形成し、そのボール部と電極との接合部で十分な接合強度を得ることが重要であるが、特に第一ボンディングで溶融ボールを形成する時、溶融銅は大気中の酸素を巻き込んで酸化し固化するため、ボールが硬くなり、半導体チップを割ってしまうという致命的な欠陥があった。このため高純度３Ｎ〜６N系の銅線は還元性雰囲気で使用せざるを得ず、ボールボンディング用被覆銅ワイヤの半導体装置への応用範囲は限定的なものであった。
【０００６】
他方、ＣｕやＣｕ−Ｓｎ等の芯材の外周に０．００２〜０．５μｍのＰｄ、Ｐｄ−Ｎｉ、Ｐｄ−Ｃｏ等の被覆層を設け、耐食性並びに強度を改良することができる考案が提案されている（特許文献１参照）。また、銅ボンディングワイヤの表面酸化を防ぐ方法として、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル、コバルト、クロム、チタンなどの貴金属や耐食性金属で銅を被覆したボンディングワイヤが提案されている（特許文献２〜特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】実開昭６０−１６０５５４号公報
【特許文献２】特開昭６２−９７３６０号公報
【特許文献３】特開２００５−１６７０２０号公報
【特許文献４】特許４２０３４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、被覆銅ワイヤであっても、第二ボンディングで被覆銅ワイヤを引きちぎると、先端の切断面に芯材の銅が露呈し、露出面の銅が酸化してしまう。このため第一ボンディングで被覆銅ワイヤをボールアップしようとすると、貴金属でコーティングされている銅芯材は酸化しないが、溶融固化したボールの底部に露出面の銅の酸化膜が痕跡として残ることで、半導体チップに取り付けられるべきボール部が硬化してしまい、第一ボンディングのボール接合時に半導体チップの損傷を与えることが問題となる。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みて、ボールボンディング用被覆銅ワイヤにおいて、引きちぎり後のボールアップに際してＣｕまたはＣｕ合金芯材の酸化による不都合を回避することができるボールボンディング用被覆銅ワイヤを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するための本発明は、下記の構成を要旨とする。
（１）銅（Ｃｕ）を主成分とする芯材と、該芯材の上に２種類の被覆層を有するボールボンディング用被覆銅ワイヤであって、前記芯材が銅（Ｃｕ）−１〜５００質量ｐｐｍリン（Ｐ）合金からなり、かつ、前記被覆層がパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）の中間層および金（Ａｕ）の表皮層とからなることを特徴とするボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
（２）銅（Ｃｕ）を主成分とする芯材と、該芯材の上に２種類の被覆層を有するボールボンディング用被覆銅ワイヤであって、前記芯材が銅（Ｃｕ）−１〜８０質量ｐｐｍリン（Ｐ）合金からなり、かつ、前記被覆層がパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）の中間層および金（Ａｕ）の表皮層とからなることを特徴とするボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
（３）銅（Ｃｕ）を主成分とする芯材と、該芯材の上に２種類の被覆層を有するボールボンディング用被覆銅ワイヤであって、前記芯材が銅（Ｃｕ）−２００〜４００質量ｐｐｍリン（Ｐ）合金からなり、かつ、前記被覆層がパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）の中間層および金（Ａｕ）の表皮層とからなることを特徴とするボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
（４）リン（Ｐ）以外の芯材の成分が純度９９．９９９質量％以上の銅（Ｃｕ）である上記（１）〜（３）の何れかに記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
（５）リン（Ｐ）以外の芯材の成分が純度９９．９９９９質量％以上の銅（Ｃｕ）である上記（１）〜（３）の何れかに記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
（６）中間層の厚さが０．００５〜０．２μｍである上記（１）〜（３）の何れかに記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
（７）中間層の厚さが０．０１〜０．１μｍである上記（１）〜（３）の何れかに記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
（８）表皮層の厚さが０．００５〜０．１μｍである上記（１）〜（３）の何れかに記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
（９）表皮層の厚さが中間層の厚さよりも薄いものである上記（１）〜（３）の何れかに記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれは、第二ボンディングの切断時に芯材の銅が露出しても、第一ボンディングにおける溶融ボール形成時に、低融点の表皮層元素の金（Ａｕ）が中間層元素よりも早く溶融することにより、露出していた芯材の銅の酸化部分にまで表皮層元素が拡がることに加えて，芯材の銅が含有するリン（Ｐ）の脱酸素効果により、表皮層近傍でリン（Ｐ）が濃縮することにより芯材の銅の酸化部分を分断消去させることで、溶融ボール形成時に芯材の銅の酸化部分の影響がないようにすることが出来る。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の被覆銅ワイヤの一つは、芯材が銅（Ｃｕ）−１〜５００質量ｐｐｍリン（Ｐ）合金から構成されている。１〜５００質量ｐｐｍのリン（Ｐ）を含有せしめるのは、リン（Ｐ）の脱酸素作用により芯材の露出部に形成された銅（Ｃｕ）の酸化膜を分解除去するためである。溶融ボール表面上に存在するリン（Ｐ）は、酸化によっての際に昇華する。この際、リン（Ｐ）は芯材表層近傍に濃縮層を形成することにより芯材表面に形成される酸化銅の発生を抑制する遅延させることができ、後述の金（Ａｕ）表皮層とあいまって銅（Ｃｕ）表面の酸化膜厚を最低限に抑えることが出来る。
【００１３】
本発明の被覆銅ワイヤの一つは、芯材が銅（Ｃｕ）−１〜８０質量ｐｐｍリン（Ｐ）合金から構成されている。リン（Ｐ）は微量でも、銅ワイヤの再結晶温度を上昇させ、ワイヤ自体の強度を硬くする効果があるからである。また、銅（Ｃｕ）の純度が高くなればなるほど、リン（Ｐ）に及ぼす不純物の影響が少なくなるため、リン（Ｐ）の添加量は少なくて済む。
【００１４】
本発明の被覆銅ワイヤの一つは、芯材が銅（Ｃｕ）−２００〜４００質量ｐｐｍリン（Ｐ）合金から構成されている。  リン（Ｐ）以外の不純物元素が数十質量ｐｐｍ程度存在していても、芯材表面に形成される酸化銅の発生を抑制する遅延させることができるからである。
【００１５】
ただし、芯材の銅（Ｃｕ）−リン（Ｐ）合金には、リン（Ｐ）以外の不純物元素はをなるべく含まないことが好ましい。これらの不純物元素が大気中の酸素と反応して酸化物を形成し、第一ボンディングの際の溶融した銅ボールを硬くするからである。逆に不純物元素が少なくなればなるほど、リン（Ｐ）の含有量を数百質量ｐｐｍ程度に多くしても、溶融した銅ボールが硬くなることはなくなるなりにくい傾向にある。具体的には、リン（Ｐ）以外の芯材の成分が純度９９．９９９質量％以上の銅（Ｃｕ）であることが好ましく、純度９９．９９９９質量％以上の銅（Ｃｕ）であることがより好ましい。ここで、「純度９９．９９９質量％以上」とは、リン（Ｐ）および銅（Ｃｕ）以外の金属の不純物元素が０．００１質量％未満であることをいい、銅（Ｃｕ）中に存在する酸素や窒素や炭素などのガス状元素を除いたものをいう。
【００１６】
２種類の被覆層のうち中間層は、パラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）あるいはパラジウム（Ｐｄ）と白金（Ｐｔ）との合金から構成される。パラジウム（Ｐｄ）の融点（１５５４℃）および白金（Ｐｔ）の融点（１７７０℃）は、いずれも銅（Ｃｕ）の融点（約１０８５度）よりも高い。このため芯材の銅（Ｃｕ）が球状の溶融ボールを形成していく最初の段階で、パラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）が薄皮となって、あるいは、パラジウム（Ｐｄ）と白金（Ｐｔ）との合金はが薄皮となって溶融ボールの側面からの酸化を防止す遅延させる。
【００１７】
中間層の厚さは、０．００５〜０．２μｍであることが好ましく、０．０１〜０．１μｍであることがより好ましい。０．００５μｍ未満の場合は、薄皮としての酸化遅延の効果が十分ではなくなる傾向にあり、０．２μｍを超えると銅（Ｃｕ）の純度を下げ、銅ボールの合金化によってチップ割れが起きやすくなる傾向にあるからである。
【００１８】
しかし、パラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）の薄皮あるいはパラジウム（Ｐｄ）と白金（Ｐｔ）との合金の薄皮は、溶融銅ボールの内部に吸収されてしまうので、この薄皮が芯材の露出部、すなわち銅ボールの先端部にアーク放電で形成された銅（Ｃｕ）の酸化膜まで覆い尽くすことはない。しかも、最外層の融点がより高くなり、アーク放電に、より大きなエネルギーが必要になるためワイや端面の酸化が促進される。そこで、芯材の銅（Ｃｕ）が球状の溶融ボールを形成していく段階で、芯材が露出した部分の酸化を防止する手段が必要となる。このため本発明では、芯材にリン（Ｐ）を含有させるほか、２種類の被覆層のうち表皮層に金（Ａｕ）を用いた。金（Ａｕ）の融点（約１０６４℃）は、銅（Ｃｕ）の融点（約１０８５度）よりも低いので、銅（Ｃｕ）が球状の溶融ボールを形成していく段階で、表皮層の低融点の金（Ａｕ）が銅（Ｃｕ）よりも早く早期に融解してワイヤ端面をすばやく包み、銅（Ｃｕ）の融解を促進する。次いで、銅（Ｃｕ）が融解してから、中間層のパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）の薄皮あるいはパラジウム（Ｐｄ）と白金（Ｐｔ）との合金の薄皮が軟化し、して溶融ボールを形成する。このように銅（Ｃｕ）の溶融ボールが形成される過程で、低融点の金（Ａｕ）の表皮層が銅（Ｃｕ）の融解を促進し、金（Ａｕ）の表皮層がない場合にくらべてパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）等の薄皮を溶融銅ボールの内部にいち早く吸収させることによって、先端部に露出した芯材の銅（Ｃｕ）を金（Ａｕ）が覆うことで溶融（Ｃｕ）ボールの銅（Ｃｕ）の酸化を防止することができるものと思われる。
【００１９】
２種類の被覆層のうち、表皮層の厚さは中間層の厚さよりも薄いことが好ましい。表皮層が厚くなれば、溶融するのに時間がかかり、銅（Ｃｕ）の融解を促進する効果が薄れるとともに、溶融銅ボールの表面偏析による合金化によって溶融銅ボール自体が硬くなり、半導体チップの割れが起きやすくなるからである。表皮層の厚さとしては、パラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）等の薄皮を溶融銅ボールの内部にいち早く吸収させ、溶融銅ボール芯材の露出部に形成された銅（Ｃｕ）の酸化を防ぐに足りる厚さがあれば十分である。具体的には、金（Ａｕ）の表皮層中間層の厚さは、０．００５〜０．０２０．１μｍであることが好ましく、より好ましくは０．００５〜０．０１０．０２μｍ以下であり、もっとも好ましくは０．００５〜０．０１μｍである。
【００２０】
中間層のパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）および表皮層の金（Ａｕ）は、溶融ボールを形成しても酸化しない元素である。また、これらの元素は、銀（Ａｇ）のように大気中のイオウ（Ｓ）と反応しないので、芯材の銅（Ｃｕ）に悪影響を与えない。しかも、パラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）の元素は、芯材の銅（Cu）に含まれるリン（Ｐ）にも悪影響を及ぼさず、表皮層の金（Ａｕ）は、芯材の銅（Ｃｕ）と完全に固溶する。ない。その結果、第一ボンディングにおいて溶融した銅ボールが凝固していく過程で、銅（Ｃｕ）ボールに及ぼすリン（Ｐ）の脱酸素作用は、被覆層の有無に関わらず、半導体チップに対して同等である。また、２種類の被覆層である中間層と表皮層がは、貴金属で形成されているので、第二ボンディングにおける超音波接合の際には、芯材の銅（Ｃｕ）が直接リードフレームに接合されるよりも被覆層によって芯材の銅（Ｃｕ）の酸化が防止されており、接合力が高い高くなるという効果がある。
【００２１】
金（Ａｕ）の表皮層およびパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）等の中間層を銅の芯材の表面に形成するには、メッキ法がよい。メッキ法では、電解メッキ、無電解メッキ、溶融塩メッキ等が可能である。ストライクメッキ、フラッシュメッキと呼ばれる薄い膜厚を得る電解メッキは、メッキ速度が速く、下地との密着性も良好であるので、電解メッキをする場合には好ましい。無電解メッキに使用する溶液は、置換型と還元型に分類され、金（Ａｕ）の表皮層のように膜が薄い場合には置換型メッキのみでも十分であるが、。中間層のパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）のようにある程度厚い膜を形成する場合には、置換型メッキの後に自己触媒型の還元型メッキを施すことが有効である。無電解法は装置等が簡便であり、容易であるが、電解法よりも時間を要するがかかる。メッキ浴には、リン酸ないしはリン酸塩が含まれることが好ましい。金（Ａｕ）やパラジウム（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）が析出するときにリン（Ｐ）を巻き込むことによって、第一ボンディングで芯材の銅（Ｃｕ）が溶融したときに、溶融銅（Ｃｕ）のボール表面におけるリン（Ｐ）の脱酸素効果をより良く発揮させる効果があるからである。具体的には、芯材の露出部に形成された銅（Ｃｕ）の酸化膜を分解除去する効果があり、また、溶融銅（Ｃｕ）の酸化をより遅らせるるためである効果があるからである。
【００２２】
一方、物理的な蒸着法では、スパッタ法、イオンプレーティング法、真空蒸着等の物理吸着と、プラズマＣＶＤ等の化学吸着を利用することができる。いずれも乾式であり、コストを考慮しなければ、膜形成後の洗浄が不要であり、洗浄時の表面汚染等の心配がない。
【００２３】
メッキ又は蒸着を施す段階については、太径の芯材にメッキ膜又は蒸着膜を形成してから、狙いの線径まで複数回ダイス伸線する手法が有効である。メッキ又は蒸着の結晶組織が伸線加工により塑性加工された組織に変性するからである。好ましい被覆手段は、ストライクメッキを施した後、電解メッキ浴中に太い銅（Ｃｕ）芯線を浸漬して中間層および表皮層の電気メッキ膜を形成した後に、この被覆銅ワイヤを伸線して最終径に到達する手法等が可能である。必要な場合は、パラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）によるストライクメッキを行うことが好ましい。
【００２４】
表皮層が２種以上の金属からなる複数の層を形成する場合に、複数の異なる金属層をメッキ法、蒸着法、溶融法等により段階的に形成することになる。その際に、異なる金属を全て形成してから熱処理する方法、１層の金属層の形成ごとに熱処理を行い、順次積層していく方法等が有効である。
【実施例】
【００２５】
以下、実施例について説明する。
所定量のリン（Ｐ）を含有させた純度の銅（Ｃｕ）インゴットから５００μｍの線径まで伸線加工した銅ワイヤを芯材とし、そのワイヤ表面にストライクメッキをしてから通常の方法で電解メッキを行った。中間層としてパラジウム（Ｐｄ）及び/又は白金（Ｐｔ）を被覆した３種類の線材を用意し、表皮層としてこの３種類の線材に金（Ａｕ）を直接被覆した。メッキ浴は、半導体用途で市販されているメッキ液メッキ浴を使用した。具体的には、パラジウム（Ｐｄ）は中性のジニトロジアンミンパラジウム浴に１０ｇＷ／ｌのリン酸塩を添加したもの、白金（Ｐｔ）は酸性のＰｔ−ｐソルト浴、金（Ａｕ）は中性のシアン化金浴に１００ｇＷ／ｌのリン酸塩を添加したものをそれぞれ使用した。その後、この被覆銅ワイヤを最終径の２５μｍまでダイス伸線して、最後に加工歪みを取り除き、伸び値が１０％程度になるように熱処理を施した。最終のめっき厚等は、表１のとおりである。なお、メッキ厚はオージェ電子分光法（ＡＥＳ）で測定した。
【００２６】
【表１】
2010225722.tif 000002
【００２７】
ボンディングワイヤの接続には、市販の自動ワイヤボンダ（(株)新川製。の超音波熱圧着ワイヤ・ボンダ「ＵＴＣ−１０００型ＵＴＣ−１０００（商品名）」）を使用して、ボール／ステッチ接合を行った。窒素雰囲気中でアーク放電によりワイヤ先端にボールを作製し、それをシリコン基板上の０．８μｍアルミニウム（Ａｌ−０．５％Ｃｕ）電極膜に接合し、ワイヤ他端を４μｍＡｇメッキした２００℃のリードフレーム上に周波数１／２００サイクル、２ｋＷでウェッジステッチ接合した。
【００２８】
なお、第一ボンディングの条件は、次のとおりである。
（接合温度：２００℃。初期ボール径：４０〜６０μｍ）
試験結果を表２に示す。
【００２９】
初期ボール形状の観察では、接合前のボールを２０本観察して、形状が真球であるか、寸法精度が良好であるか等を判定した。異常形状のボール発生が２本以上であれば不良であるため×印、異形が２本以下だが、ワイヤに対するボール位置の芯ずれが顕著である個数が５個以上である場合には△印、芯ずれが２〜４個であれば実用上の大きな問題はないと判断して○印、芯ずれが１個以下で寸法精度も良好である場合は、ボール形成は良好であるため◎印で表記した。
【００３０】
圧着ボール部の接合形状の判定では、接合されたボールを５００本観察して、形状の真円性、寸法精度等を評価した。ボール圧着径は、ワイヤ径の２〜３倍の範囲になる条件を選定した。真円からのずれが大きい異方性や楕円状等の不良ボール形状が５本以上であれば不良と判定し×印、不良ボール形状が２〜４本、又は花弁状等のボール圧着部の外周部が８本以上であれば改善が必要であるため△印、不良ボール形状が１本以下、且つ、花弁状変形が３〜７本であれば実用上は問題ないレベルと判定し○印、花弁状変形が２本以下であれば良好であるため◎印で表記した。
【００３１】
溶融ボールの酸化については、ボールボンディング時に割れが発生していないかを、５０個のチップで確認した。アルミニウム（Ａｌ）パッド部をアルカリ溶解した際に露出するシリコンチップに割れが発生していた場合は、その個数を表記した。
【００３２】
ステッチ接合の評価においては、銀（Ａｇ）メッキしたリードフレームに超音波熱圧着したボンディングループについて、その長さがステッチ側から２０％の部分をプルフックで垂直に引っ張ったときに破断に至った荷重を計測した。５０個のループで計測した平均値をｍＮで表記した。
表２には、本発明に係る被覆銅ワイヤの評価結果を示している。
【００３３】
【表２】
2010225722.tif 000003
【００３４】
第１被覆銅ワイヤに係わるボンディングワイヤ（Ａｕ／Ｐｄ／ＣｕＰ）は実施例１、３、６、８、１０、１２、１５、１８及び２１であり、第２被覆銅ワイヤに係わるボンディングワイヤ（Ａｕ／Ｐｔ／ＣｕＰ）は実施例２、４、５、７、９、１１、１４、１６、１７及び２２であり、第３被覆銅ワイヤに係わるボンディングワイヤ（Ａｕ／（Ｐｔ・Ｐｄ）／ＣｕＰ）は実施例１１〜１９及び２０であり、第３被覆銅ワイヤに係るボンディングワイヤを９００℃×２０秒間熱処理したもの（Ａｕ／（Ｐｔ・Ｐｄ）／ＣｕＰ）は実施例１３に相当する。表１の比較例２３〜３０には、本発明の請求項に該当しないボンディングワイヤの結果を示す。
【００３５】
実施例１〜４、６、７、９、１０、１４、１６、１７及び１９のボンディングワイヤは、ボール部の真球性、真円性に優れ、チップダメージが無く、ステッチ接合性、圧着形状が良好であることを確認した。これらの特性は、比較例２３〜３０の本発明の請求項に該当しない銅以外の元素の膜を単に表面に形成したＣｕワイヤでは十分でなかった。
実施例５、８、１５、１８、及び２０〜２２に係る５〜１０のボンディングワイヤは、上記の実施例１〜５のに係るボンディングワイヤよりやや劣るものの、ボール部の真球性、真円性に優れ、チップダメージも少なく、ステッチ接合性、圧着形状がよいことが確認された。
実施例１１〜１３に係るボンディングワイヤは、上記の実施例に係るボンディングワイヤより少し劣るものの、実施例１〜５のボンディングワイヤと同様に、ボール部の真球性、真円性に優れ、及びチップダメージも少なくに比較例のような欠陥がなく、ウェッジ接合性、圧着形状がよいことが確認された。なお、実施例１３のボンディングワイヤは、実施例１１、１２のボンディングワイヤと同様の結果を示した。