(57)【要約】【課題】マザーＴＦＴ基板からのＴＦＴ基板の取得枚数を減らすことなく、かつＴＦＴ基板の外形を大きくすることなく、ＴＦＴ基板の状態における検査を可能とする。【解決手段】液晶表示装置を駆動する端子の外側に検査用端子１０１を形成し、検査用配線１０２を当該ＴＦＴ基板１００の下側に配置されたＴＦＴ基板１００に形成する。検査用配線１０２が形成された領域は、下側のＴＦＴ基板１００の端部と表示領域１０の間のシール材等が形成されたスペースなので、ＴＦＴ基板１００を実質的に大きくすることは無い。また、検査用配線領域１１０を別途形成してこの部分を捨てるということが無いので、1枚のマザーＴＦＴ基板から取得できるＴＦＴ基板１００の枚数は減少しない。【選択図】図１
2010281926.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に形成され、走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列し、コモン配線を有する表示領域と、端子部を有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向して配置された対向基板とが周辺部に形成されたシール材によって接着した液晶表示装置であって、
前記端子部には、駆動用端子と検査用端子が形成され、前記端子部が形成された辺と対向する辺の側には、前記走査線、前記映像信号線、及び、前記コモン配線とは接続していない複数の配線が、前記端子部が形成された辺と対向する辺と平行に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数の配線はフロートであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記複数の配線は他の液晶表示装置のＴＦＴ基板の検査に用いられたものであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
画素電極とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に形成され、走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列した表示領域と、端子部を有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向して配置された対向基板とが周辺部に形成されたシール材によって接着した液晶表示装置であって、
前記端子部には、駆動用端子と検査用端子が形成され、前記端子部が形成された辺と対向する辺の側において、前記走査線または前記映像信号線とは接続していない複数の配線が前記端子部が形成された辺と対向する辺と平行に配置され、前記複数の配線は前記端子部が形成された辺と対向する辺と前記表示領域との間に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記複数の配線は前記シール材の下層に絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
画素電極とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に形成され、走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列した表示領域と、端子部を有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向して配置された対向基板とが周辺部に形成されたシール材によって接着した液晶表示装置であって、
前記端子部には、駆動用端子と検査用端子が形成され、前記端子部が形成された辺と前記検査用端子の間には、前記検査用端子と接続した第１の複数の配線が前記辺と平行に配置され、
前記端子部が形成された辺と対向する辺の側には、前記走査線または前記映像信号線とは接続していない第２の複数の配線が前記端子部が形成された辺と対向する辺と平行に配置され、前記複数の配線から前記対向する辺まで延在する引き出し配線を有しているいることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１の複数の配線と前記第２の複数の配線は前記ＴＦＴ基板の検査に使用されたものであることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
有機ＥＬ発光層とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に形成され、走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列し、コモン配線を有する表示領域と、端子部を有する素子基板と、前記素子基板に対向して配置された封止基板とが周辺部に形成されたシール材によって接着した有機ＥＬ表示装置であって、
前記端子部には、駆動用端子と検査用端子が形成され、前記端子部が形成された辺と対向する辺の側には、前記走査線、前記映像信号線、及び、前記コモン配線とは接続していない複数の配線が、前記端子部が形成された辺と対向する辺と平行に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に製造工程の途中で、基板における配線あるいは薄膜トランジスタの検査を可能にして、製造歩留まりを向上させることが出来る液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が設置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置では製造の効率を向上させるために、マザーＴＦＴ基板に複数のＴＦＴ基板を形成する。また、マザー対向基板に複数の対向基板を形成し、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板をシール材で接着することによって複数の液晶セルを含むマザー基板を形成する。そして、複数の液晶セルがマザー基板から個々の液晶セルをスクライビング法とうによって分離する。
【０００４】
ＴＦＴ基板には、多数の画素毎にＴＦＴと画素電極が形成され、また、多数の走査線、映像信号線等が形成されている。したがって、ＴＦＴ、画素電極、各種の配線の断線、あるいはショート等の不良が生じやすい。このような不良は、マザーＴＦＴ基板の状態で把握出来ていれば、不良となっているセルについては、その後のプロセスを加える必要が無い。また、マザーＴＦＴ基板に多くの不良のＴＦＴ基板が存在すれば、そのマザーＴＦＴ基板自体を後工程に流す必要がない。
【０００５】
「特許文献１」には、ＴＦＴ基板の状態で、ＴＦＴ基板の欠陥を検査する技術が記載されている。すなわち、「特許文献１」には、ゲート配線に対し、2本の検査用ショートバーを用い、映像信号線に対し３本の検査ショートバーを用い、各ショートバーに対して異なる検査用信号を入力することによって全画素の欠陥の有無を検査することが出来るという内容が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３４１３７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
「特許文献１」に記載の技術では、検査用の配線として走査線用に２本、映像信号線用に３本使用している。すなわち、ＴＦＴ基板の状態で検査を行おうとすると、これらの検査用配線の領域をマザーＴＦＴ基板に形成しておく必要がある。検査の内容にもよるが、検査用配線が多くなり、検査配線用の領域が大きくなると、マザーＴＦＴ基板１枚あたりのＴＦＴ基板を形成できる枚数が小さくなり、これは、液晶表示パネルの製造コストの上昇をもたらす。
【０００８】
液晶表示装置には、ＴＦＴをｐｏｌｙ−Ｓｉで形成するタイプとａ−Ｓｉで形成するタイプとがある。ＴＦＴをｐｏｌｙ−Ｓｉで形成するタイプはＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｐｏｌｙ−Ｓｉ）タイプのＴＦＴと呼ばれている。ＬＴＰＳでは、ＴＦＴ基板において、表示領域の外に駆動回路を形成することが出来るので、この駆動回路を利用して画素欠陥や配線の断線、ショート等の欠陥を検出することが出来る。具体的には、ＬＴＰＳタイプのＴＦＴでは、画素に形成された蓄積容量の大きさを測定することによって、画素欠陥、配線欠陥を検出している。したがって、ＬＴＰＳタイプのＴＦＴでは、検査用配線領域の問題を生ずることなくＴＦＴ基板の状態で欠陥の検査を行うことが出来る。
【０００９】
一方、ＴＦＴにａ−Ｓｉを用いた場合であっても、ＴＶ等の大型の液晶表示パネルの場合は、各画素が大きいので、種々の検査用の配線や検査用の端子を設けなくとも、画素や配線の欠陥を検査することが可能である。すなわち、大型のＴＦＴ基板においては、全画素をＯＮ状態にしたうえで、例えば、表示領域に電子ビームを走査し、各画素の表面の電位を検査することによって画素や配線の欠陥を検出することが行われている。他の方法は、電子ビームを走査する代わりに、ＴＦＴ基板の表示領域の表面に液晶パックを配置することによって画素欠陥を検出することが行われている。
【００１０】
しかし、ａ−ＳｉタイプのＴＦＴを用いた液晶表示パネルで、中小型の液晶表示パネルの場合は、各画素のサイズが小さいので、上記のような大型の液晶表示パネルで用いるような検査方法を適用することが出来ない。そうすると、ＴＦＴ基板の状態で検査するための配線や端子が必要となる。このような検査のための配線や端子は、ＴＦＴ基板の状態で検査をしなければ、必要のないものである。検査のための配線や端子の面積が大きくなると、マザーＴＦＴ基板１枚あたりのＴＦＴ基板の取得枚数が小さくなるという問題を生ずる。
【００１１】
本発明の課題は、以上のような問題点を解決して、ＴＦＴ基板の状態で検査を可能にすると同時に、マザーＴＦＴ基板１枚あたりのＴＦＴ基板の取得枚数を減少させない構成を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１３】
（１）画素電極とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に形成され、走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列し、コモン配線を有する表示領域と、端子部を有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向して配置された対向基板とが周辺部に形成されたシール材によって接着した液晶表示装置であって、前記端子部には、駆動用端子と検査用端子が形成され、前記端子部が形成された辺と対向する辺の側には、前記走査線、前記映像信号線、及び、前記コモン配線とは接続していない複数の配線が、前記端子部が形成された辺と対向する辺と平行に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１４】
（２）前記複数の配線はフロートであることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１５】
（３）前記複数の配線は他の液晶表示装置のＴＦＴ基板の検査に用いられたものであることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１６】
（４）画素電極とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に形成され、走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列した表示領域と、端子部を有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向して配置された対向基板とが周辺部に形成されたシール材によって接着した液晶表示装置であって、前記端子部には、駆動用端子と検査用端子が形成され、前記端子部が形成された辺と対向する辺の側において、前記走査線または前記映像信号線とは接続していない複数の配線が前記端子部が形成された辺と対向する辺と平行に配置され、前記複数の配線は前記端子部が形成された辺と対向する辺と前記表示領域との間に形成されており、前記複数の配線から前記対向する辺まで延在する引き出し配線を有していることを特徴とする液晶表示装置。
【００１７】
（５）前記複数の配線は前記シール材の下層に絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする（４）に記載の液晶表示装置。
【００１８】
（６）画素電極とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に形成され、走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列し、コモン配線を有する表示領域と、端子部を有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向して配置された対向基板とが周辺部に形成されたシール材によって接着した液晶表示装置であって、前記端子部には、駆動用端子と検査用端子が形成され、前記端子部が形成された辺と前記検査用端子の間には、前記検査用端子と接続した第１の複数の配線が前記辺と平行に配置され、前記端子部が形成された辺と対向する辺の側には、前記走査線、前記映像信号線、及び、前記コモン配線とは接続していない第２の複数の配線が前記端子部が形成された辺と対向する辺と平行に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１９】
（７）前記第１の複数の配線と前記第２の複数の配線は前記ＴＦＴ基板の検査に使用されたものであることを特徴とする（６）に記載の液晶表示装置。
【００２０】
（８）有機ＥＬ発光層とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に形成され、走査線が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列した表示領域と、端子部を有する素子基板と、前記素子基板に対向して配置された封止基板とが周辺部に形成されたシール材によって接着した有機ＥＬ表示装置であって、前記端子部には、駆動用端子と検査用端子が形成され、前記端子部が形成された辺と対向する辺の側には、前記走査線または前記映像信号線とは接続していない複数の配線が、前記端子部が形成された辺と対向する辺と平行に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、マザーＴＦＴ基板１枚当りのＴＦＴ基板の取得数を減少させることなく、また、個々のＴＦＴ基板の外形を大きくすることなく、マザーＴＦＴ基板の状態で、ショート、断線等の欠陥を検査することができる。したがって、欠陥を有する基板については、後工程において加工を加える必要が無いので、液晶表示装置の製造効率を向上させることが出来る。有機ＥＬ表示装置の素子基板においても同様である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施例１の液晶表示装置のＴＦＴ基板における配線図である。
【図２】実施例１のマザーＴＦＴ基板におけるＴＦＴ基板と検査用配線の配置図である。
【図３】実施例１のマザーＴＦＴ基板におけるＴＦＴ基板と検査配線領域の配置図である。
【図４】実施例２の液晶表示装置のＴＦＴ基板における配線図である。
【図５】実施例１のマザーＴＦＴ基板におけるＴＦＴ基板と検査配線領域の配置図である。
【図６】本発明が適用される液晶表示装置の平面図である。
【図７】本発明を適用しない液晶表示装置のＴＦＴ基板における配線図である。
【図８】本発明を適用しないマザーＴＦＴ基板におけるＴＦＴ基板と検査用配線の配置図である。
【図９】本発明を適用しないマザーＴＦＴ基板におけるＴＦＴ基板と検査配線領域の配置図である。
【図１０】ＴＦＴ基板検査用配線を持たない場合のマザーＴＦＴ基板におけるＴＦＴ基板の配置図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の具対的な実施例を説明する前に、本発明が適用される液晶表示装置、および、本発明を適用しない場合の問題点について説明する。
【００２４】
図６は本発明が適用される液晶表示装置の例である。図６は例えば、ＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｔｉｌｌ  Ｃａｍｅｒａ）等に使用される液晶表示装置であって、小型で、かつ、表示領域が横長で、端子部が横方向に配置さえているタイプの液晶表示装置である。図６は、本発明が適用される液晶表示装置の例であって、この他に、例えば、携帯電話等に使用される表示領域が縦長で、端子部が下方向に形成されている液晶表示装置についても本発明が適用できることは言うまでも無い。
【００２５】
図６において、ＴＦＴ基板１００上に対向基板２００が設置されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶層が挟持されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００とは周辺に形成されたシール材１５によって接着している。
【００２６】
図６においては、液晶表示装置の内部に液晶を滴下することによって封入する方式なので、液晶の封入孔は形成されていない。ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成されており、ＴＦＴ基板１００が対向基板２００よりも大きくなっている部分には、液晶表示パネルに電源、映像信号、走査信号等を供給するための端子部１５０が形成されている。
【００２７】
また、端子部１５０には、走査線、映像信号線等を駆動するためのＩＣドライバ５０が設置されている。ＩＣドライバ５０は３つの領域に分かれており、中央には映像信号駆動回路５２が設置され、両脇には走査信号駆動回路５１が設置されている。
【００２８】
図６の表示領域１０において、横方向には図示しない走査線が延在し、縦方向に配列している。また、縦方向には図示しない映像信号線が延在し、横方向に配列している。走査線は走査線引出し線３１によって、ＩＣドライバ５０の走査信号駆動回路５１と接続している。図６において、表示領域１０を液晶表示装置の中央に配置するために、映像信号線引出し線４１は表示領域１０の上下に配置され、このために、ＩＣドライバ５０には、映像信号駆動回路５１が両脇に設置されている。一方走査線とＩＣドライバ５０を接続する走査信号線引出し線３１は画面中央に集められている。走査線引出し線３１はＩＣドライバ５０の中央部に配置されている走査信号回路５１と接続する。
【００２９】
図６において、表示領域１０の端部からシール材１５の内側端部までの間隔は１ｍｍ程度であり、シール材１５の幅は、小さい場合、１ｍｍ程度である。したがって、表示領域１０の端部からシール材１５の外側端部、までの距離は２ｍｍ程度である。なお、表示領域１０の端部からシール材１５の外側端部までの領域は額縁領域と呼ばれている。
【００３０】
図６において、端子部１５０には、ＩＣドライバ５０や液晶表示装置を駆動する駆動用端子等のほかに、検査用端子１０１が後で説明する検査用スイッチを介して、駆動用端子と接続している。また、検査用端子１０１は、図６に示す液晶表示装置の外側に形成される検査用配線および検査用外部端子と接続している。この検査用端子１０１はＴＦＴ基板の状態で液晶表示パネルの検査を可能とするためである。
【００３１】
図７は、図６におけるＴＦＴ基板１００の配線を示す平面図である。図８は図７に示すＴＦＴ基板１００がマザーＴＦＴ基板１０００に配列された状態を示す平面図である。図７は図６に対して９０度回転した状態で記載されている。図６のように、製品の状態では横向きであっても、製造工程においては、図８のように縦向きのほうが作りやすい場合もある。また、本発明の説明も液晶表示パネルをマザーＴＦＴ基板１０００に縦向き配置したほうがわかりやすいので、このような配置としている。
【００３２】
図７はＴＦＴ基板１００がマザーＴＦＴ基板１０００から個々に分離される前の状態を示す平面図である。図７は、配線や端子部１５０の状態をわかりやすくするために、これらの部分を拡大して記載している。図７において、切断線１２０の内側が個々のＴＦＴ基板１００となる。
【００３３】
ＴＦＴ基板１００の内側には、表示領域１０が形成されており、表示領域１０には映像信号線４０が横方向に延在し、縦方向に配列している。また、走査線３０が縦方向に延在し、横方向に配列している。図６とは縦横が逆になっている。映像信号線４０は映像信号線引出し線４１を介して映像信号線用端子４０１と接続している。走査線３０は走査線引出し線３１を介して走査線用端子３０１と接続している。
【００３４】
図７において、横方向に延在する映像信号線４０と縦方向に延在する走査線３０とで囲まれた領域が画素となっている。図７に示すように、画素はＴＦＴと液晶を示す容量とから構成されている。画素中のＴＦＴのドレイン電極は映像信号線４０と接続し、ソース電極は画素電極と接続する。液晶層は、画素電極とコモン電極の間に挟持され、図７においては、容量として示されている。
【００３５】
図７において、走査線用端子３０１は中央部に配置され、映像信号線用端子４０１は走査線用端子３０１の左右に振り分けられて配置されている。走査線用端子群３０１と映像信号線用端子群４０１との間にはコモン配線６０が形成されている。コモン配線６０は、表示領域１０および端子を囲んでＴＦＴ基板１００の周辺を周回している。ＴＦＴ基板１００内をシールドして、電位を安定させるためである。コモン配線用端子６０１はコモン配線６０のすぐ外側に形成されている。
【００３６】
走査線用端子３０１および映像信号線用端子４０１の下側には、検査用端子１０１が配置されている。検査用端子１０１の検査項目は限られているので、映像信号線用端子４０１あるいは走査線用端子３０１のように多くの端子は必要としない。図６では、検査用端子１０１は１２個形成されている。検査用端子１０１は、検査用スイッチ１０３によって走査線用端子３０１あるいは映像信号線用端子４０１と分離されている。
【００３７】
検査用スイッチ１０３は、図７に示すように、ＴＦＴによって形成されている。検査用端子１０１の一番右側の端子ＴＧは検査用スイッチ１０３のＴＦＴのゲート配線と接続している。したがって、端子ＴＧに印加する電圧によって検査用スイッチ１０３をＯＮ、ＯＦＦさせることが出来る。なお、端子ＴＧから供給されるゲート電圧は、すべての走査線用端子３０１および映像信号線用端子４０１と、検査用端子１０１との間の検査用スイッチ１０３に対して同時に有効となる。
【００３８】
図７において、検査用端子１０１は１２個あるが、１個は検査用スイッチ１０３のゲート電極と接続する端子ＴＧであり、４個は走査線用端子３０１と接続し、６個は映像信号線用端子４０１と接続し、１個はコモン配線６０と接続している。図６の検査用端子１０１をＴＦＴ基板１００の製造工程の段階で使用することは、ＴＦＴ基板１００１個づつの検査となるので、能率が悪い。したがって、各検査用端子１０１は、ＴＦＴ基板１００の外側に形成される検査用配線１０２に接続し、検査用配線１０２から横方向に配列しているＴＦＴ基板１００すべてを同時に検査する。なお、図７において、ＴＦＴ基板１００は切断線１２０に沿ってスクライビング等によって、マザーＴＦＴ基板１０００から個々のＴＦＴ基板１００に分離される。
【００３９】
図８は図７に示すＴＦＴ基板１００が１枚のマザーＴＦＴ基板１０００に形成されている状態を示す平面図である。図８の右下には、マザーＴＦＴ基板１０００の向きを確認するためのオリエンテーションフラット１１００が形成されている。図８において、ＴＦＴ基板１００内の配線は省略されている。ＴＦＴ基板１００内の検査用端子１０１として１２個表示されており、Ｄ１〜Ｄ６が映像信号線４０と接続する検査用端子１０１であり、Ｇ１〜Ｇ３は走査線３０と接続する検査用端子１０１であり、ＣＯＭはコモン配線６０と接続する検査用端子１０１であり、ＴＧは検査用スイッチ１０３のゲートと接続する検査用端子１０１である。
【００４０】
図８に示すように、マザーＴＦＴ基板１０００には、ＴＦＴ基板１００と、ＴＦＴ基板１００を検査するための検査配線領域１１０とが形成されている。検査配線領域１１０内に形成されている検査用配線１０２の数は９本である。マザーＴＦＴ基板１０００の両端には検査用配線１０２に電圧を供給するための検査用外部端子１０４が形成されている。ＴＦＴ基板１００の検査は検査用外部端子１０４を用いて行われる。
【００４１】
マザーＴＦＴ基板１０００が完成し、別途形成されたマザーＴＦＴ基板１０００と貼りあわされてマザー基板が完成した後、切断線１２０に沿って個々の液晶セルに分離される。このとき、検査配線領域１１０は捨てられることになる。すなわち、検査配線領域１１０を形成することによって、マザーＴＦＴ基板１０００１枚当たりのＴＦＴ基板１００の取得枚数が減ることになる。
【００４２】
図９にこの様子を示す。図９において、マザーＴＦＴ基板１０００には横方向に９個、縦方向にＡ〜Ｆまでの７個のＴＦＴ基板１００が形成されている。したがって、１枚のマザーＴＦＴ基板１０００から６３個のＴＦＴ基板１００を取得することが出来る。上側ＴＦＴ基板１００と下側ＴＦＴ基板１００の間には検査配線領域１１０が形成されている。例えば、１ＡＴにはＴＦＴ基板１Ａの検査用配線１０２が形成され、１ＢＴにはＴＦＴ基板１Ｂの検査用配線１０２が形成されている。
【００４３】
一方、マザーＴＦＴ基板１０００におけるＴＦＴ基板１００の検査を行わない場合は、検査用配線１０２は必要無い。したがって、図１０に示すようにより多くのＴＦＴ基板１００を１枚のマザーＴＦＴ基板１０００から取得することが出来る。例えば、図１０において、ＴＦＴ基板１００の大きさが図９と同じとした場合、１枚のマザーＴＦＴ基板１０００から取得できるＴＦＴ基板１００の数は７２枚となる。
【００４４】
以下の実施例に示す本発明によれば、マザーＴＦＴ基板１枚当たりのＴＦＴ基板１００の取得枚数を減らさずに、マザーＴＦＴ基板の状態においてＴＦＴ基板１００の検査を可能とすることが出来る。
【実施例１】
【００４５】
図１は、本発明の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板１００の平面図である。図１は模式図であり、端子部１５０および検査配線領域１１０は拡大して記載されている。図１において、図７と同じ構成は説明を省略する。図１も図７と同様、液晶表示装置とし製品になった場合は、図６に示すように横向きで使用される。図２はマザーＴＦＴ基板１０００に図１に示すＴＦＴ基板１００が配置された状態を示す平面図である。
【００４６】
図１において、切断線１２０で囲まれたＴＦＴ基板１００の下方には当該ＴＦＴ基板１００用の検査用配線１０２が形成されている。すなわち、検査配線領域１１０はひとつ下のＴＦＴ基板１００に形成されている。また、図１において、当該ＴＦＴ基板１００の上側には、ひとつ上に形成されているＴＦＴ基板１００の検査用配線１０２が形成されている。すなわち、本実施例においては、検査配線領域１１０は当該ＴＦＴ基板１００に形成されるのではなく、ひとつ下のＴＦＴ基板１００に形成されている。
【００４７】
ＴＦＴ基板１００における検査はマザーＴＦＴ基板１０００の状態で検査されるので、検査用配線１０２は導通している限り検査に支障はない。一方、マザー基板が完成した後、個々のＴＦＴ基板１００はマザーＴＦＴ基板１０００から切断線１２０に沿って分離される。そうすると、検査用配線１０２は切断線１２０によって分断されて機能しなくなるが、すでに、検査用配線１０２は役割を終えているので、問題は無い。個々の液晶セルの検査をする場合は、ＴＦＴ基板１００の端子部１５０に形成された検査用端子１０１を使用すればよい。
【００４８】
なお、個々のＴＦＴ基板１００に切断された後、当該基板に残った他のＴＦＴ基板１００を検査するための検査用配線１０２は、一般には、当該当該ＴＦＴ基板１００の走査線３０あるいは映像信号線４０とは接続しておらず、フロートとなっている。また、検査用配線１０２は、ＴＦＴ基板上に形成されるコモン配線６０とも接続していない。尚、ＴＦＴ基板にはコモン配線を形成しない構成もあるが、その場合は、検査用配線はコモン配線には接続されない。また、検査用配線１０２からは、前記他のＴＦＴ基板との接続を得るために引き出し配線がＴＦＴ基板端部に向けて設けられている。この引き出し配線は、検査用端子と交差するため、検査用配線とは異なる層に設けられた導電層によって形成される。
【００４９】
図６に示す本発明が使用される液晶表示装置において、右側の短辺が図１に示すＴＦＴ基板１００の上側の短辺に相当する。図６において、表示領域１０の上下のシール部には、走査線引出し線３１が延在しており、スペースが限られているので、シール材１５の下にまで走査線引出し線３１が形成されている。しかし、図６における右側の短辺には走査線引出し線３１は存在していない。
【００５０】
本発明では、図６における右側の短辺におけるシール材１５の下部に検査用配線１０２を配置することによって、検査用配線１０２のスペースを確保している。すなわち、従来は使用されていなかった、図６における右側短辺のシール材１５の下側を用いることによって、ＴＦＴ基板１００の外形を大きくすること無く、検査用配線１０２を形成することが出来る。なお、図６における右側短辺は図１におけるＴＦＴ基板１００の上側短辺である。
【００５１】
図１において、検査配線領域１１０は誇張して大きく表示しているが、実際には、３ｍｍ以下に出来る。図６において、表示領域１０の外側端部からＴＦＴ基板１００の端部までの額縁領域は２ｍｍ以上あるので、検査配線領域１１０は、マザーＴＦＴ基板１０００において、一つ下側に配置されたＴＦＴ基板１００の額縁部にほぼ収めることが出来る。
【００５２】
図２は、このようにＴＦＴ基板１００を配置したマザーＴＦＴ基板１０００の平面図である。図２は、模式図であり、検査用端子１０１、検査用配線１０２、検査用外部端子１０４等を大きく表示し、ＴＦＴ基板１００の表示領域１０よび駆動配線等は省略している。図２において、図８と同様に、ＴＦＴ基板１００内の検査用端子１０１として１２個表示されており、Ｄ１〜Ｄ６が映像信号線４０と接続する検査用端子１０１であり、Ｇ１〜Ｇ３は走査線３０と接続する検査用端子１０１であり、ＣＯＭはコモン配線６０と接続する検査用端子１０１であり、ＴＧは検査用スイッチ１０３のゲートと接続する検査用端子１０１である。
【００５３】
図２おいて、特定のＴＦＴ基板１００を検査するための検査配線領域１１０は、ひとつ下側に配置されたＴＦＴ基板１００の上側に形成されている。この部分はひとつ下側のＴＦＴ基板１００における額縁部に相当する部分である。図２において、一番下の行に配列しているＴＦＴ基板１００の検査用配線１０２はＴＦＴ基板１００外に形成される。検査配線領域１１０内に形成されている検査用配線１０２の数は９本である。マザーＴＦＴ基板１０００の両端には検査用配線１０２に電圧を供給するための検査用外部端子１０４が形成されている。ＴＦＴ基板１００の検査は検査用外部端子１０４を用いて行われる。
【００５４】
すなわち、本発明においては、検査用配線１０２は一つ下側のＴＦＴ基板１００に形成されるので、検査用配線１０２領域を捨てる必要がなく、マザーＴＦＴ基板１枚当りのＴＦＴ基板１００の取得枚数を減らさなくて済む。また、一つ上のＴＦＴ基板１００の検査用配線１０２は当該ＴＦＴ基板１００の額縁部に形成されるので、ＴＦＴ基板１００のサイズが大きくなることも免れる。
【００５５】
図３は、図２のようにＴＦＴ基板１００を配置した場合のマザーＴＦＴ基板１０００におけるＴＦＴ基板１００と検査配線領域１１０を表示したものである。図３に示すように、検査配線領域１１０は一番下の行に配置されているＴＦＴ基板１００を除いて、下側のＴＦＴ基板１００に形成されているので、マザーＴＦＴ基板１枚当りのＴＦＴ基板１００の取得枚数は図１０に示すＴＦＴ基板１００の検査用配線１０２が無い場合と同じ枚数となる。
【実施例２】
【００５６】
実施例１は、マザーＴＦＴ基板１０００において、検査用配線１０２を一つ下のＴＦＴ基板１００に全て形成する構成である。しかし、一つ下のＴＦＴ基板１００の対応する額縁部の全ての検査用配線１０２が収容できない場合がある。このような場合は、検査用配線１０２の一部を当該ＴＦＴ基板１００の切断線１２０上あるいは近くに形成してもよい。
【００５７】
ＴＦＴ基板１００をマザーＴＦＴ基板１０００から切り離す際は、例えば、スクライビングを行い、その後、衝撃を加えてガラス基板を破断する。このような場合、シール材１５の極近くをスクライブし、衝撃破断（以後スクライビングという）しようとすると、シール材１５による応力によって破断面が不規則になる。したがって、切断線１２０付近には何も形成せず、デッドスペースとなっている。このデッドスペースは当該ＴＦＴ基板１００の端子部１５０端部にも生じている。
【００５８】
本実施例では、このデッドスペースとなっているスクライビング部分に検査用配線１０２を配置する。本実施例を図４に示す。図４はマザーＴＦＴ基板１０００に形成されているＴＦＴ基板１００の平面図である。図４において、検査用配線１０２は検査用端子１０１近くに配置されている。そして、９本の検査用配線１０２のうち、４本は当該ＴＦＴ基板１００に収容されており、残り５本の検査用配線１０２はすぐ下のＴＦＴ基板１００に収容されている。
【００５９】
検査用配線１０２の一部は切断線１２０すなわち、スクライビング領域に配置されている。この領域に配置された検査用配線１０２はスクライビングによって消失するが、スクライビングの時は、すでにＴＦＴ基板１００の検査は終了しているので、問題は無い。
【００６０】
図４において、当該ＴＦＴ基板１００の上方には、当該ＴＦＴ基板１００の一つ上のＴＦＴ基板１００の検査用配線１０２のうちの５本分が、当該ＴＦＴ基板１００の下方には、当該ＴＦＴ基板１００の検査用配線１０２のうちの４本分が配置されている。図４において、検査用配線１０２の位置およびＴＦＴ基板１００の外形を決める切断線１２０を除いては、図１と同様であるので、説明を省略する。
【００６１】
個々のＴＦＴ基板１００に切断された後、当該ＴＦＴ基板１００に残ったＴＦＴ基板１００検査用配線１０２は、検査用スイッチ１０３を介して検査端子と接続している。しかし、検査用スイッチ１０３はこの状態ではＯＦＦとなっているので、検査用配線１０２による影響は無い。一方、当該ＴＦＴ基板１００に残った、他のＴＦＴ基板１００を検査するための検査用配線１０２は、走査線３０あるいは映像信号線４０等とは接続しておらず、一般にはフロートとなっている。
【００６２】
図５は、本実施例でのマザーＴＦＴ基板１０００におけるＴＦＴ基板１００と検査配線領域１１０の配置を示すものである。当該ＴＦＴ基板１００の検査配線領域１１０は、当該検査配線領域１１０と、一つ下のＴＦＴ基板１００との両方に配置されている。例えば、図５において、ＴＦＴ基板１Aの検査配線領域１ＡＴは、ＴＦＴ基板１Ａの下側とＴＦＴ基板１Ｂの上側に配置されている。図５において１枚のマザーＴＦＴ基板１０００から取得できるＴＦＴ基板１００の数はＴＦＴ基板１００検査用の検査用配線１０２が無い場合と同様である。
【００６３】
このように、本実施例によれば、検査用配線１０２の配置をスクライビング領域にも形成しているので、ＴＦＴ基板１００におけるスペースをより効率的に利用することが出来る。したがって、ＴＦＴ基板１００の外形を大きくすることなく、かつ、マザーＴＦＴ基板１枚当りのＴＦＴ基板１００の取得数を、ＴＦＴ基板検査を行なわない場合と同様な数とすることが出来る。
【実施例３】
【００６４】
実施例１および実施例２では、液晶表示装置について説明した。本発明は、液晶表示装置のみでなく、有機ＥＬ表示装置にも適用することが出来る。有機ＥＬ表示装置は、素子基板と封止基板とから構成されている。素子基板の表示領域には、駆動用ＴＦＴとスイッチ用ＴＦＴ、および有機ＥＬ発光層からなる画素がマトリクス状形成されている。また、走査線が第１の方向に延在し、第１の方向と直角な第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列している。さらに有機ＥＬ発光層に電流を供給する電源線が第２の方向に延在して第１の方向に配列している。
【００６５】
素子基板に形成された有機ＥＬ発光層は、水分によって特性が劣化するので、有機ＥＬ層が形成された素子基板の面を封止基板によって封止し、保護する。封止基板の周辺には封止材が形成され、封止材によって素子基板と封止基板を接着する。
【００６６】
素子基板は封止基板よりも大きく形成され、素子基板が封止基板よりも大きくなっている部分は端子部となっている。端子部には、駆動用端子と検査用端子が形成されている。このように、有機ＥＬ表示装置の素子基板は液晶表示装置におけるＴＦＴ基板と類似の構成となっている。
【００６７】
製造の能率を向上させるために、有機ＥＬ表示装置においてもマザー素子基板に複数の素子基板を形成し、マザー封止基板に複数の封止基板を形成することも液晶表示装置の場合と同様である。したがって、マザー素子基板の状態で、素子基板における断線、ショート等の欠陥を検出することができれば、製造の効率を大幅に向上させることができる。すなわち、当該欠陥を有する素子基板には後工程を加える必要がなくなる。また、欠陥の多い素子基板は後工程に送ることを止めることが出来る。
【００６８】
有機ＥＬ表示装置における素子基板に上記の実施例１あるいは実施例２等で説明した構成を適用することによって、素子基板の外形を大きくすることなく、また、マザー素子基板１枚当りの素子基板の取得数を減らすことなく、ＴＦＴ基板の検査端子あるいは検査用配線を形成することが出来る。
【符号の説明】
【００６９】
１０…表示領域、  １５…シール材、  ３０…走査線、  ３１…走査線引出し線、  ４０…映像信号線、  ４１…映像信号線引出し線、  ５０…ＩＣドライバ、  ５１…走査信号駆動回路、５２…映像信号駆動回路、  ６０…コモン配線、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…検査用端子、  １０２…検査用配線、  １０３…検査用スイッチ、  １０４…検査用外部端子、  １１０…検査配線領域、  １２０…切断線、  １５０…端子部、  ２００…対向基板、  ２０１…対向電極、  ３０１…走査線用端子、  ４０１…映像信号線用端子、  ６０１…コモン配線用端子、  １０００…マザーＴＦＴ基板、  １１００…オリエンテーションフラット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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