(57)【要約】【課題】複数の階調について駆動電流の誤差を抑制する。【解決手段】ドライバユニットＤＵｊは、シフトレジスタ５１０とラッチ回路５２０を用いて指定データＤｘをラッチする。ラッチされた指定データＤｘは、振幅制御回路５４０に供給される。指定データＤｘは、倍率ビットと指定ビットで構成される。振幅制御回路５４０は、指定データＤｘに応じてランプ信号Ｖｒを増幅・減衰させて出力信号５４０Ａを生成する。オフセット回路５５０は出力信号５４０Ａに第１オフセット電圧Ｖofs1と第２オフセット電圧Ｖofs2を加算して、出力信号５５０Ａを生成する。ボルテージフォロア５６０は出力信号５５０Ａをインピーダンス変換して駆動信号Ｘ[j]として出力する。【選択図】図１１
2010281864.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に直列に接続された発光素子および駆動トランジスタと、前記発光素子と前記駆動トランジスタとの間の経路と前記駆動トランジスタのゲートとの間に介在する保持容量とを含む画素回路と、
前記駆動トランジスタのゲートに駆動信号を供給し、前記駆動信号の供給を停止する時点における前記駆動信号の電位の時間変化率が、当該画素回路の指定階調に対応した時間変化率となるように、前記駆動信号の電位を経時的に変化させる駆動回路とを備え、
前記駆動回路は、
ランプ信号を発生するランプ信号生成部と、
前記ランプ信号が供給され、そ該ランプ信号の振幅を表示すべき階調に応じて調整して出力する振幅制御部とを含み、
前記振幅制御部の出力信号に基づいて前記駆動信号を生成する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記駆動回路は、前記振幅制御部の出力信号にオフセット電位を付加して前記駆動信号を生成するオフセット部を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記ランプ信号生成部は、
ノードと接続された容量素子と、
出力端子が前記ノードと接続された定電流源と、
前記ノードと接続され、所定のタイミングで前記容量素子に充電された電荷を放電する放電部と、
入力端子が前記ノードと接続され、前記ランプ信号を出力するバッファと、
を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記駆動回路には、前記駆動信号の電位の時間変化率を指定する指定データが供給され、
前記指定データは、前記駆動信号の電位の時間変化率を前記ランプ信号の電位の時間変化率と比較して増加させるか減少させるかを指定する倍率ビットと、前記駆動信号の電位の時間変化率と前記ランプ信号の電位の時間変化率との比を指定する複数の指定ビットからなり、
前記振幅制御部は、前記倍率ビットが前記ランプ信号の電位の時間変化率を増加させることを指定する場合には増幅率が１以上になり、前記倍率ビットが前記ランプ信号の電位の時間変化率を減少させることを指定する場合には増幅率が１未満となり、複数の前記指定ビットに応じて前記増幅率が制御される、
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記振幅制御部は、
入力抵抗と、帰還抵抗と、オペアンプとを備えた増幅回路を有し、
前記倍率ビットに応じて前記入力抵抗の大きさを選択し、
前記複数の指定ビットに応じて前記帰還抵抗の大きさを選択する、
ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記駆動回路は、表示すべき階調を指示する階調データと前記指定データとを対応付けて記憶する記憶手段を備え、前記階調データが供給されると、前記記憶手段の記憶内容を参照して前記階調データを前記指定データに変換する、
ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との各交差に対応して前記画素回路を複数備え、
前記駆動回路は、
１個の前記ランプ信号生成部と、
前記ランプ信号が供給される複数の前記振幅制御部とを備え、
前記複数の振幅制御部から出力される前記駆動信号を前記複数のデータ線に供給する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の発光装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子などの発光素子を駆動する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子に供給される駆動電流を駆動トランジスタが制御する発光装置においては、駆動トランジスタの電気的な特性の誤差（目標値からの相違や各素子間のバラツキ）が問題となる。特許文献１には、駆動トランジスタのゲート−ソース間の電圧を駆動トランジスタの閾値電圧に設定してから階調に応じた電圧に変化させることで、駆動トランジスタの閾値電圧および移動度の誤差（ひいては駆動電流の電流量の誤差）を補償する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３１０３１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１の技術で駆動電流の誤差が有効に補償されるのは特定の階調が指定された場合に限定され、階調によっては駆動電流の誤差を解消できない場合がある。以上の事情に鑑みて、本発明は、複数の階調について駆動電流の誤差を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、相互に直列に接続された発光素子および駆動トランジスタと、前記発光素子と前記駆動トランジスタとの間の経路と前記駆動トランジスタのゲートとの間に介在する保持容量とを含む画素回路と、前記駆動トランジスタのゲートに駆動信号を供給し、前記駆動信号の供給を停止する時点における前記駆動信号の電位の時間変化率が、当該画素回路の指定階調に対応した時間変化率となるように、前記駆動信号の電位を経時的に変化させる駆動回路とを備え、前記駆動回路は、  ランプ信号を発生するランプ信号生成部と、前記ランプ信号が供給され、該ランプ信号の振幅を表示すべき階調に応じて調整して出力する振幅制御部とを含み、前記振幅制御部の出力信号に基づいて前記駆動信号を生成する、ことを特徴とする。
【０００６】
この発明によれば、駆動トランジスタのゲートに駆動信号を供給すると、駆動信号の電位の時間変化率に応じた電流（駆動トランジスタの閾値電圧や移動度に依存しない電流）が駆動トランジスタに流れる。保持容量の両端間の電圧は、駆動トランジスタのゲートに対する駆動信号の供給が停止する時点での駆動信号の電位の時間変化率に応じた電流を駆動トランジスタに流すための電圧に設定される。さらに詳述すると、駆動トランジスタのゲートに対する駆動信号の供給を停止する時点における駆動信号の電位の時間変化率と、発光素子と駆動トランジスタとの間の経路に付随する容量の容量値との乗算値に相当する電流が、当該駆動トランジスタに流れるように、保持容量の両端間の電圧が設定される。駆動信号の供給の停止時における時間変化率は画素回路の指定階調に応じて可変に設定される。したがって、保持容量の両端間の電圧に応じて発光素子に供給される駆動電流は、指定階調に応じた電流量（駆動トランジスタの閾値電圧や移動度に依存しない電流量）に設定される。なお、電位の時間変化率とは、電位が時間の経過とともに変化する割合を意味し、時間軸に対する電位の勾配や電位の時間微分値と同義である。
さらに、駆動信号は、ランプ信号の振幅を表示すべき階調に応じて調整される。ランプ信号は、信号波形の電位の時間変化率が一定である。したがって、表示すべき階調に応じてランプ信号のゲインを調整することによって駆動信号の電位の時間変化率を調整することができる。
【０００７】
上述した駆動回路において、前記振幅制御部の出力信号にオフセット電位を付加して前記駆動信号を生成するオフセット部を備えることが好ましい（実施形態の第２態様に相当）。この態様によれば、駆動信号にオフセット電位を与えることができる。この場合には、保持容量の両端間の電圧に応じて発光素子に供給される駆動電流が、指定階調に応じた電流量（駆動トランジスタの閾値電圧や移動度に依存しない電流量）となる平衡状態に達するまでの時間を短縮することができる。この結果、走査線の本数を増加して表示画像を高精細化できる）という利点がある。また、駆動信号の電位が過度に高い電位に上昇するまで電位の変化を継続しなくても駆動トランジスタは平衡状態に到達する。したがって、駆動信号の振幅が低減される（ひいては駆動回路に要求される耐圧性能が低減される）という利点もある。
【０００８】
上述した発光装置の具体的な態様としては、前記ランプ信号生成部は、ノードと接続された容量素子と、出力端子が前記ノードと接続された定電流源と、前記ノードと接続され、所定のタイミングで前記容量素子に充電された電荷を放電する放電部と、入力端子が前記ノードと接続され、前記ランプ信号を出力するバッファとを備えることが好ましい。この態様によれば、容量素子を定電流で充電し、所定のタイミングで充電された電荷を放電できるのでランプ信号を生成することができる。
【０００９】
また、上述した発光装置の具体的な態様としては、前記駆動回路には、前記駆動信号の電位の時間変化率を指定する指定データが供給され、前記指定データは、前記駆動信号の電位の時間変化率を前記ランプ信号の電位の時間変化率と比較して増加させるか減少させるかを指定する倍率ビットと、前記駆動信号の電位の時間変化率と前記ランプ信号の電位の時間変化率との比を指定する複数の指定ビットからなり、前記振幅制御部は、前記倍率ビットが前記ランプ信号の電位の時間変化率を増加させることを指定する場合には増幅率が１以上になり、前記倍率ビットが前記ランプ信号の電位の時間変化率を減少させることを指定する場合には増幅率が１未満となり、複数の前記指定ビットに応じて前記増幅率が制御される、ことが好ましい。
【００１０】
このようにランプ信号を増幅又は減衰させるように増幅率を指定することにより、ＳＮ比を向上させ、且つ、消費電力を低減することができる。例えば、ランプ信号を増幅率の最小値に対応する振幅で生成し、これを表示すべき階調に対応した増幅率で増幅する方法では、ランプ信号が小振幅になるので、ランプ信号のＳＮ比が低下してしまう。一方、ランプ信号を増幅率の最大値に対応する振幅で生成し、これを表示すべき階調に対応した減衰率で減衰する方法では、ランプ信号が大振幅になるので、消費電力が増大する。
ＳＮ比と消費電力はトレードオフの関係にあるところ、ランプ信号の時間変化率を、表示すべき階調の中間階調とすることによって（倍率ビットで増加・減少を指定）、ＳＮ比の向上と消費電力の低減との調和を図ることができる。
【００１１】
より具体的には、前記振幅制御部は、入力抵抗と、帰還抵抗と、オペアンプとを備えた増幅回路を有し、前記倍率ビットに応じて前記入力抵抗の大きさを選択し、前記複数の指定ビットに応じて前記帰還抵抗の大きさを選択することが好ましい。
また、前記駆動回路は、表示すべき階調を指示する階調データと前記指定データとを対応付けて記憶する記憶手段を備え、前記階調データが供給されると、前記記憶手段の記憶内容を参照して前記階調データを前記指定データに変換することが好ましい。この場合には、記憶手段を参照すれば、指定データを得ることができるので、演算処理が不要であり、リアルタイムで指定データを生成することが可能となる。
【００１２】
また、上述した発光装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との各交差に対応して前記画素回路を複数備え、前記駆動回路は、１個の前記ランプ信号生成部と、前記ランプ信号が供給される複数の前記振幅制御部とを備え、  前記複数の振幅制御部から出力される前記駆動信号を前記複数のデータ線に供給する、ことが好ましい。この発明によれば、ランプ信号生成部を複数の振幅制御部で兼用することができるので、複数の振幅制御部の各々にランプ信号生成部を設ける場合と比較して、構成を大幅に簡素化できる。また、複数の振幅制御部の各々に供給されるランプ信号は同じであるから、ランプ信号の波形のばらつきを無くすことができる。
【００１３】
次に、本発明に係る電子機器は上述した発光装置を備える。電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。本発明に係る電子機器としてはパーソナルコンピュータや携帯電話機が例示される。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（光ヘッド）としても本発明の発光装置が適用される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】画素回路の駆動の原理を説明するための回路図である。
【図２】画素回路の駆動の原理を説明するためのグラフである。
【図３】本発明の実施形態に係る発光装置のブロック図である。
【図４】画素回路の回路図である。
【図５】発光装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図６】駆動信号の波形図である。
【図７】信号線駆動回路の回路図である。
【図８】ランプ信号生成回路の回路図である。
【図９】第１電流源３４１ａと第２電流源３４１ｂとの等価回路の回路図である。
【図１０】ランプ信号ＶｒとスイッチＳＷ１〜ＳＷ６のオン・オフの関係を示す説明図である。
【図１１】ドライバユニットの構成を示すブロック図である。
【図１２】振幅制御回路の構成を示す回路図である。
【図１３】オフセット回路の構成を示す回路図である。
【図１４】駆動信号の電位の時間変化率が高い場合に駆動トランジスタが平衡状態に到達するまでの時間を説明するためのグラフである。
【図１５】駆動信号の電位の時間変化率が低い場合に駆動トランジスタが平衡状態に到達するまでの時間を説明するためのグラフである。
【図１６】第２態様の駆動信号の波形と制御信号を示すタイミングチャートである。
【図１７】駆動信号および電流（実線）との関係を示すタイミングチャートである。
【図１８】電子機器（パーソナルコンピュータ）の斜視図である。
【図１９】電子機器（携帯電話機）の斜視図である。
【図２０】電子機器（携帯情報端末）の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜Ａ：駆動の原理＞
本発明の具体的な形態の説明に先立って、各形態にて画素回路の駆動に利用される原理を説明する。図１に示すように、給電線１６と給電線１８とを連結する経路上にＮチャネル型の駆動トランジスタＴDRと容量ＣE（容量値ｃp1）とが直列に配置された回路を想定する。
【００１６】
給電線１６には電位ＶELが供給され、給電線１８には電位ＶCT（ＶCT＜ＶEL）が供給される。駆動トランジスタＴDRのドレインは給電線１６に接続され、容量ＣEは駆動トランジスタＴDRのソースと給電線１８との間に介在する。駆動トランジスタＴDRのゲートとソースとの間には保持容量ＣST（容量値ｃp2）が介在する。したがって、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGとソースの電位ＶSとの差分の電圧ＶGS（ＶGS＝ＶG−ＶS）が保持容量ＣSTの両端間に印加される。
【００１７】
駆動トランジスタＴDRのゲートには駆動信号Ｘが供給される。駆動信号Ｘの電位ＶXは、図２に示すように経時的に変化する。図２においては、電位ＶXが所定の時間変化率ＲX（ＲX＝ｄＶX/ｄt）で直線的に上昇する場合が例示されている。また、図２には、駆動トランジスタＴDRの電気的な特性（例えば移動度や閾値電圧）が特性Ｐaである場合と特性Ｐbである場合との各々についてソースの電位ＶSの時間的な変化が併記されている。
【００１８】
駆動信号Ｘの供給で駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶG（電位ＶX）が上昇し、駆動トランジスタＴDRのゲート−ソース間の電圧ＶGSが駆動トランジスタＴDRの閾値電圧ＶTHを上回ると、駆動トランジスタＴDRのドレイン−ソース間には電流ＩDSが流れる。電流ＩDSは以下の数式(1)で表現される。数式(1)のμは駆動トランジスタＴDRの移動度である。また、Ｗ/Ｌは、駆動トランジスタＴDRのチャネル長Ｌに対するチャネル幅Ｗの相対比であり、Ｃoxは、駆動トランジスタＴDRのゲート絶縁膜の単位面積毎の容量値である。
ＩDS＝１/２・μ・Ｗ/Ｌ・Ｃox・（ＶGS−ＶTH）２  ……(1)
【００１９】
一方、駆動トランジスタＴDRに電流ＩDSが流れると容量ＣEおよび保持容量ＣSTに電荷が充電されるから、図２のように駆動トランジスタＴDRのソースの電位ＶSは時間変化率ＲS（ＲS＝ｄＶS/ｄt）で経時的に変化する。電流ＩDSと駆動トランジスタＴDRのソースの電位ＶSとの間には以下の数式(2)の関係が成立する。
ＩDS＝ｄＱ/ｄt
＝ｃp2・（ｄＶS/ｄt−ｄＶX/ｄt）＋ｃp1・ｄＶS/ｄt  ……(2)
【００２０】
図２の部分ａのように、駆動トランジスタＴDRのソースの電位ＶSの時間変化率（すなわち、時間ｔに対する電位ＶSの勾配）ＲSが駆動信号Ｘの電位ＶXの時間変化率ＲXを下回る場合、駆動トランジスタＴDRのゲート−ソース間の電圧ＶGSは経時的に増加する。数式(1)が示すように、電圧ＶGSが増加すると電流ＩDSは増加する。そして、数式(2)から理解されるように、電流ＩDSが増加すると時間変化率ＲSも増加する。すなわち、時間変化率ＲSが時間変化率ＲXを下回ると時間変化率ＲSは増加する。
【００２１】
一方、図２の部分ｂのように、駆動信号Ｘの電位ＶXの時間変化率ＲXがソースの電位ＶSの時間変化率ＲSを下回る場合、ゲート−ソース間の電圧ＶGSは経時的に減少するから、数式(1)から理解されるように電流ＩDSは減少する。電流ＩDSが減少すると時間変化率ＲSは減少する。すなわち、時間変化率ＲSが時間変化率ＲXを上回ると時間変化率ＲSは減少する。
【００２２】
以上のように、駆動トランジスタＴDRのソースの電位ＶSの時間変化率ＲSは、駆動トランジスタＴDRの特性に拘わらず（すなわち、特性Ｐaおよび特性Ｐbの何れであっても）、駆動信号Ｘの電位ＶXの時間変化率ＲXに経時的に接近し、最終的には時間変化率ＲXに到達する。時間変化率ＲSが時間変化率ＲXに合致した状態（以下「平衡状態」という）は、駆動信号Ｘの電位ＶXの上昇に起因した電圧ＶGSの増加と電流ＩDSによる充電に起因した電圧ＶGSの減少とが平衡した状態とも表現できる。
【００２３】
平衡状態では時間変化率ＲSと時間変化率ＲXとが合致する（ＲS＝ｄＶS/ｄt＝ＲX＝ｄＶX/ｄt）から、数式(2)は以下の数式(3)に変形される。すなわち、駆動トランジスタＴDRに流れる電流ＩDSは、駆動信号Ｘの電位ＶXの時間変化率ＲXに比例する。さらに詳述すると、電流ＩDSは、容量ＣEの容量値ｃp1および電位ＶXの時間変化率ＲXのみに応じて決定され、駆動トランジスタＴDRの移動度μや閾値電圧ＶTHには依存しない。
ＩDS＝ｃp2・（ｄＶS/ｄt−ｄＶX/ｄt）＋ｃp1・ｄＶS/ｄt
＝ｃp2・（ｄＶX/ｄt−ｄＶX/ｄt）＋ｃp1・ｄＶX/ｄt
＝ｃp1・ＲX  ……(3)
【００２４】
駆動トランジスタＴDRのゲート−ソース間の電圧ＶGSは、移動度μや閾値電圧ＶTHに依存しない数式(3)の電流ＩDSが駆動トランジスタＴDRを流れるのに必要な電圧（すなわち、数式(3)の電流ＩDSに対して数式(1)の関係を満たす電圧ＶGS）に、自身の移動度μや閾値電圧ＶTHに応じて自動的に設定される。例えば、駆動トランジスタＴDRの特性が図２の特性Ｐaである場合には電圧ＶGSが電圧Ｖaに設定され、駆動トランジスタＴDRの特性が図２の特性Ｐbである場合には電圧ＶGSが電圧Ｖbに設定される。平衡状態においては、特性Ｐaおよび特性Ｐbの何れの場合でも、容量値ｃp1および時間変化率ＲXのみに応じた共通の電流ＩDSが駆動トランジスタＴDRに流れる。
【００２５】
以上の方法で設定されたゲート−ソース間の電圧ＶGSが保持容量ＣSTに保持されることで、駆動トランジスタＴDRには、駆動信号Ｘ（電位ＶX）の供給の停止後も継続的に電流ＩDSが流れる。以下に例示する各形態では、発光素子の駆動用の電流（以下「駆動電流」という）ＩDRとして電流ＩDSを利用する。数式(3)を参照して説明したように電流ＩDSは駆動トランジスタＴDRの特性（移動度μや閾値電圧ＶTH）に依存しないから、駆動トランジスタＴDRの特性に起因した駆動電流ＩDRの誤差（さらには発光素子の輝度の誤差）を補償することが可能である。一方、駆動電流ＩDR（電流ＩDS）は駆動信号Ｘの電位ＶXの時間変化率ＲXに応じて決定されるから、駆動信号Ｘの時間変化率ＲXを制御することで駆動電流ＩDRの電流量（さらには発光素子の輝度）を可変に設定することが可能である。
【００２６】
＜Ｂ：実施形態＞
＜Ｂ−１：発光装置の構成および動作＞
図３は、本発明の実施形態に係る発光装置のブロック図である。発光装置１００は、画像を表示する表示装置として電子機器に搭載される。図３に示すように、発光装置１００は、複数の画素回路Ｕが配列された素子部１０と、各画素回路Ｕを駆動する駆動回路３０とを具備する。駆動回路３０は、走査線駆動回路３２と信号線駆動回路３４とを含んで構成される。駆動回路３０は、例えば複数の集積回路に分散して実装される。ただし、駆動回路３０の少なくとも一部は、画素回路Ｕとともに基板上に形成された薄膜トランジスタで構成され得る。
【００２７】
素子部１０には、Ｘ方向に延在するｍ本の走査線１２と、Ｘ方向に交差するＹ方向に延在するｎ本の信号線１４とが形成される（ｍ，ｎは自然数）。複数の画素回路Ｕは、各走査線１２と各信号線１４との交差に配置されて縦ｍ行×横ｎ列の行列状に配列する。走査線駆動回路３２は、走査信号ＧA[1]〜ＧA[m]を各走査線１２に出力する。信号線駆動回路３４は、各画素回路Ｕに指定される階調（以下「指定階調」という）Ｄに応じた駆動信号Ｘ（Ｘ[1]〜Ｘ[n]）各信号線１４に出力する。なお、指定階調Ｄは、これを指定する階調データとして与えられる。
【００２８】
図４は、画素回路Ｕの回路図である。図４においては、第ｉ行（ｉ＝１〜ｍ）の第ｊ列目（ｊ＝１〜ｎ）に位置する１個の画素回路Ｕのみが代表的に図示されている。図４に示すように、画素回路Ｕは、発光素子Ｅと駆動トランジスタＴDRと保持容量ＣSTと選択スイッチＴSLとを含んで構成される。
【００２９】
発光素子Ｅと駆動トランジスタＴDRとは、給電線１６（電位ＶEL）と給電線１８（電位ＶCT）とを連結する経路上に直列に配置される。発光素子Ｅは、相対向する陽極と陰極との間に有機ＥＬ（Electroluminescence）材料の発光層を介在させた有機ＥＬ素子である。図４に示すように、発光素子Ｅには図１の容量ＣE（容量値ｃp1）が付随する。
【００３０】
駆動トランジスタＴDRは、給電線１６にドレインが接続されるとともにソースが発光素子Ｅの陽極に接続されたＮチャネル型のトランジスタ（例えば薄膜トランジスタ）である。保持容量ＣST（容量値ｃp2）は、駆動トランジスタＴDRのソース（すなわち、発光素子Ｅと駆動トランジスタＴDRとの間の経路）と駆動トランジスタＴDRのゲートとの間に介在する。
【００３１】
選択スイッチＴSLは、信号線１４と駆動トランジスタＴDRのゲートとの間に介在して両者間の電気的な接続（導通／非導通）を制御する。図４に示すように、例えばＮチャネル型のトランジスタ（薄膜トランジスタ）が選択スイッチＴSLとして好適に採用される。第ｉ行に属するｎ個の画素回路Ｕの各々の選択スイッチＴSLのゲートは第ｉ行の走査線１２に対して共通に接続される。
【００３２】
次に、図５を参照して、第ｉ行の第ｊ列目に位置する画素回路Ｕに着目しながら駆動回路３０の動作（画素回路Ｕの駆動方法）を説明する。走査線駆動回路３２は、垂直走査期間内のｍ個の単位期間Ｈ（Ｈ[1]〜Ｈ[m]）の各々において走査信号ＧA[1]〜ＧA[m]を順番に選択電位ＶSL（アクティブレベル）に設定することで各走査線１２（各行のｎ個の画素回路Ｕの集合）を順次に選択する。図５に示すように、走査信号ＧA[i]は、垂直走査期間内の第ｉ番目の単位期間Ｈ[i]に選択電位ＶSLの選択パルスＰSLが配置された電圧信号である。選択パルスＰSL（選択電位ＶSL）は走査線１２の選択を意味する。走査信号ＧA[i]が選択電位ＶSLに遷移すると（すなわち選択パルスＰSLが供給されると）、第ｉ行に属するｎ個の画素回路Ｕの各々の選択スイッチＴSLが一斉にオン状態に変化する。
【００３３】
信号線駆動回路３４は、単位期間Ｈを周期として電位ＶXが経時的に変化する駆動信号Ｘ[1]〜Ｘ[n]を生成して各信号線１４に出力する。駆動信号Ｘ[1]〜Ｘ[n]の各々の電位ＶXは、単位期間Ｈの始点ｔsにて基準電位ＶRSに設定されるとともに単位期間Ｈの始点ｔsから終点ｔeにかけて時間変化率ＲX（ＲX＝ｄＶX/ｄt）で直線的に上昇する。すなわち、駆動信号Ｘ[1]〜Ｘ[n]は、単位期間Ｈを周期とするランプ波形（鋸歯状波形）の電圧信号である。
【００３４】
第ｉ行の走査線１２が選択される単位期間Ｈ[i]において第ｊ列の信号線１４に供給される駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXの時間変化率ＲX[i,j]は、第ｉ行の第ｊ列目に位置する画素回路Ｕの指定階調Ｄに応じて可変に設定される。さらに詳述すると、図６の例示のように、画素回路Ｕの指定階調Ｄが高い（発光素子Ｅに供給されるべき駆動電流ＩDRが大きい）ほど、単位期間Ｈ[i]における駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXの時間変化率ＲX[i,j]は高い数値に設定される。すなわち、画素回路Ｕの指定階調Ｄが高いほど、時間軸に対する電位ＶXの勾配が急峻となる。
【００３５】
例えば、指定階調Ｄが最低階調ＤMIN（発光素子Ｅに駆動電流ＩDRが供給されない黒表示）である場合、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXの時間変化率ＲX[i,j]は最小値ｒ_min（ゼロ）に設定される。すなわち、単位期間Ｈ[i]内で駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXは変化しない。一方、指定階調Ｄが最高階調ＤMAX（白表示）である場合、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXの時間変化率ＲX[i,j]は最大値ｒ_maxに設定される。また、中間調ＤHが指定された場合の時間変化率ＲX[i,j]の設定値ｒ_Hは、中間調ＤHよりも低い中間調ＤLが指定された場合の時間変化率ＲX[i,j]の設定値ｒ_Lを上回る。
【００３６】
最高階調ＤMAXに対応する時間変化率ＲX[i,j]の最大値ｒ_maxは、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXと選択パルスＰSLの選択電位ＶSLとの差分（選択スイッチＴSLのゲート−ソース間の電圧）が、単位期間Ｈ[i]の終点ｔeにて選択スイッチＴSLの閾値電圧ＶTH_SLを上回るように設定される。すなわち、図６に示すように、指定階調Ｄが最低階調ＤMINから最高階調ＤMAXまでの何れの階調であっても、単位期間Ｈ[i]の終点ｔeにおける駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXは、選択電位ＶSLよりも閾値電圧ＶTH_SLだけ低い電位ＶOFFを下回る。したがって、選択スイッチＴSLは、指定階調Ｄに拘わらず、単位期間Ｈ[i]の終点ｔe（選択パルスＰSLの後縁）が到来することでオフ状態に遷移する。
【００３７】
走査線駆動回路３２から走査信号ＧA[i]の選択パルスＰSLが供給されることで第ｉ行の各画素回路Ｕの選択スイッチＴSLがオン状態に変化すると、駆動トランジスタＴDRのゲートが信号線１４に導通する。したがって、第ｉ行の第ｊ列目に位置する画素回路Ｕの駆動トランジスタＴDRのゲートには図１の例示と同様に駆動信号Ｘ[j]が供給され、図５に示すように、当該画素回路Ｕの指定階調Ｄに応じた時間変化率ＲX[i,j]で駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGが経時的に上昇する。一方、電位ＶGの変動に応じた電流ＩDSが駆動トランジスタＴDRのドレイン−ソース間に流れることでソースの電位ＶSは経時的に上昇する。そして、電位ＶSの時間変化率ＲS（ＲS＝ｄＶS/ｄt）が駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXの時間変化率ＲX[i,j]に合致する平衡状態に到達すると、容量ＣEの容量値ｃp1および時間変化率ＲX[i,j]のみに依存する電流ＩDSが単位期間Ｈ[i]の終点ｔeまで駆動トランジスタＴDRを流れる。
【００３８】
単位期間Ｈ[i]の終点ｔeにて選択パルスＰSLの供給が終了すると（すなわち、走査信号ＧA[i]が選択電位ＶSLから立下がると）、選択スイッチＴSLがオフ状態に変化することで駆動トランジスタＴDRのゲートに対する駆動信号Ｘ[j]の供給が停止する。図５に示すように、保持容量ＣSTには、駆動信号Ｘ[j]の供給が停止した時点で駆動トランジスタＴDRを流れていた電流ＩDSに対応する電圧ＶSETが保持される。すなわち、電圧ＶSETは、容量ＣEの容量値ｃp1と時間変化率ＲX[i,j]とで決定される（すなわち駆動トランジスタＴDRの移動度μや閾値電圧ＶTHに依存しない）数式(3)の電流ＩDSを駆動トランジスタＴDRに流すために必要なゲート−ソース間の電圧ＶGSである。
【００３９】
保持容量ＣSTに電圧ＶSETが保持されることで、駆動トランジスタＴDRのドレイン−ソース間には駆動信号Ｘ[j]の供給の停止後も電流ＩDSが流れる。したがって、駆動トランジスタＴDRのソースの電位ＶSは経時的に上昇する。一方、選択スイッチＴSLがオフ状態に遷移すると、駆動トランジスタＴDRのゲートは電気的なフローティング状態となる。したがって、図５に示すように、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGはソースの電位ＶSに連動して上昇する。すなわち、駆動トランジスタＴDRのゲート−ソース間の電圧ＶGSが単位期間Ｈ[i]にて設定された電圧ＶSETに維持されたまま、容量ＣEの両端間の電圧（駆動トランジスタＴDRのソースの電位ＶS）が徐々に増加する。そして、容量ＣEの両端間の電圧が発光素子Ｅの閾値電圧ＶTH_OLEDに到達すると、電圧ＶSETに対応する電流ＩDSが駆動電流ＩDRとして発光素子Ｅを流れる。発光素子Ｅは、駆動電流ＩDRの電流量に応じた輝度（指定階調Ｄ）で発光する。
【００４０】
駆動電流ＩDRは、駆動信号Ｘ[j]の供給の停止時に駆動トランジスタＴDRを流れていた電流ＩDSと略同等の電流量に維持される。電流ＩDSは、指定階調Ｄに応じて可変に設定された時間変化率ＲX[i,j]に依存するから（数式(3)）、発光素子Ｅには指定階調Ｄに応じた電流量の駆動電流ＩDRが供給される。以上のように、第ｉ行の第ｊ列目に位置する画素回路Ｕの発光素子Ｅには、単位期間Ｈ[i]における駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXの時間変化率ＲX[i,j]（指定階調Ｄ）に対応した駆動電流ＩDRが、当該単位期間Ｈ[i]の経過後に供給される。
【００４１】
例えば、最低階調ＤMINが指定された場合の時間変化率ＲX[i,j]は最小値ｒ_min（ゼロ）に設定されるから、駆動電流ＩDRの電流量がゼロに設定されることで発光素子Ｅは最低階調（黒表示）に制御される。駆動信号Ｘ[j]の時間変化率ＲX[i,j]が中間調Ｄ_Hに対応する設定値ｒ_Hに設定された場合の駆動電流ＩDRの電流量（発光素子Ｅの階調）は、時間変化率ＲX[i,j]が中間調Ｄ_Lに対応する設定値ｒ_L（ｒ_L＜ｒ_H）に設定された場合の駆動電流ＩDRの電流量を上回る。また、最高階調ＤMAXが指定された場合の時間変化率ＲX[i,j]は最大値ｒ_maxに設定されるから、駆動電流ＩDRの電流量は最大値に設定されることで発光素子Ｅは最高階調（白表示）に制御される。駆動電流ＩDRの供給は、次回に第ｉ行の走査線１２が選択される単位期間Ｈ[i]にて保持容量ＣSTの両端間の電圧ＶSETが更新されるまで継続される。
【００４２】
以上の形態においては、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXの時間変化率ＲX[i,j]に応じた電流ＩDS（駆動トランジスタＴDRの移動度μや閾値電圧ＶTHに依存しない電流）が駆動トランジスタＴDRを流れるように保持容量ＣSTの両端間の電圧ＶSETが設定されるから、各画素回路Ｕの指定階調Ｄに拘わらず、駆動トランジスタＴDRの特性（移動度μや閾値電圧ＶTH）に起因した駆動電流ＩDRの誤差（ひいては発光素子Ｅの輝度の誤差）を抑制することが可能である。したがって、例えば、素子部１０に表示される画像の階調のムラが抑制されるという利点がある。
【００４３】
＜Ｂ−２：信号線駆動回路３４の構成＞
図７は、信号線駆動回路３４のブロック図である。信号線駆動回路３４は、ランプ信号生成回路３４１、ルックアップテーブル３４２、信号線１４の総数（画素回路Ｕの列数）に相当するｎ個のドライバユニットＤＵ１、ＤＵ２、…ＤＵｎとを含んで構成される。また、信号線駆動回路３４には、図示せぬ制御回路から、Ｘクロック信号ＸＣＫ、指定階調Ｄ、ラッチ信号ＬＡＴ、第１オフセット電圧Ｖofs1、及び第２オフセット電圧Ｖofs2が供給される。
【００４４】
ランプ信号生成回路３４１は、一定の時間変化率で電位が変化するランプ信号Ｖｒを生成し、これをｎ個のドライバユニットＤＵ１、ＤＵ２、…ＤＵｎに供給する。
図８にランプ信号生成回路３４１の詳細な回路図を示す。ランプ信号生成回路３４１は、第１定電流源３４１ａ、第２定電流源３４１ｂ、スイッチＳＷ５、スイッチＳＷ６、容量素子Ｃｈ、ボルテージフォロア３４１１、及びアンプ３４１２を備える。
第１電流源３４１ａはノードＮに電流Ｉａを流し込み、第２電流源３４１ｂはノードＮから電流Ｉｂを吸い出す。ここで、スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、及びＳＷ４がオン状態である場合の第１電流源３４１ａと第２電流源３４１ｂとの等価回路を図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示す。
【００４５】
第１電流源３４１ａの電流Ｉａについて検討する。ここで、オペアンプＯＰ１のゲインをＡ１、オペアンプＯＰ１の出力をＶout1とすると、以下に示す式が成り立つ。
A1・｛VL1−（Vcc−Iａ・Ｒａ）｝＝Vout1
VL1−（Vcc−Iａ・Ｒａ）＝Vout1／A1
ここで、A1≫Voutとすると、右辺＝0となるので、
VL1−（Vcc−Iａ・Ｒａ）＝０
これをIａについて解くと、
Iａ＝（Vcc-VL1）／Ｒａ
となり、電流Ｉａは一定の大きさとなることが分かる。
【００４６】
次に、第２電流源３４１ｂの電流Ｉｂについて検討する。ここで、オペアンプＯＰ２のゲインをＡ２、オペアンプＯＰ２の出力をＶout2とすると、以下に示す式が成り立つ。
A2・（VH1−Iｂ・Ｒｂ）＝Vout2
（VH1−Iｂ・Ｒｂ）＝Vout2／A2
ここで、A2≫Vout2とすると、右辺＝0となるので、
（VH1−Iｂ・Ｒｂ）＝0
これをIｂについて解くと、
Iｂ＝VH1／Ｒｂ
となり、電流Ｉｂは一定の大きさとなることが分かる。
【００４７】
図８に示すランプ信号生成回路３４１においては、容量素子Ｃｈに対して電流Ｉａ又は電流Ｉｂで充電し、所定のタイミングで容量素子Ｃｈに充電された電荷をスイッチＳＷ５又はＳＷ６を介して放電することによって、ランプ波形を生成することができる。スイッチＳＷ５又はＳＷ６は、容量素子Ｃｈに蓄積された電荷を放電する手段として機能する。
【００４８】
このようにして得られたノードＮのランプ波形は、バッファとして機能するボルテージフォロア３４１１を介してアンプ３４１２に供給され、ここで増幅されてランプ信号Ｖｒとして出力される。
図１０にランプ信号ＶｒとスイッチＳＷ１〜ＳＷ６のオン・オフの関係を示す。図１０に示すように時間が経過するにつれてランプ波形が立ち上がる場合には、スイッチＳＷ１及びＳＷ２は常にオンであり、スイッチＳＷ３、ＳＷ４及びＳＷ５は常にオフである。つまり、動作しているのは第１電流源３４１ａとスイッチＳＷ６であり、第２電流源３４１ｂとスイッチＳＷ５は動作を停止している。したがって、図１０に示すように立ち上がりのランプ信号Ｖｒを生成する場合には、第２電流源３４１ｂとスイッチＳＷ５を省略してもよい。なお、立ち下がりのランプ信号Ｖｒを生成する場合には、第２電流源３４１ｂとスイッチＳＷ５とを動作させ、第１電流源３４１ａ及びスイッチＳＷ６の動作を停止させる。
【００４９】
次に、ドライバユニットＤＵｊ（ｊは、１≦ｊ≦ｎを満たす自然数）について説明する。図１１にドライバユニットＤＵｊのブロック図を示す。
前段のドライバユニットＤＵｊ-1（ｊ＝１の場合は、ルックアップテーブル３４２）から転送された指定データＤｘはシフトレジスタ５１０によってＸクロック信号ＸＣＫの１周期だけ遅延され、ラッチ回路５２０に供給されると共に、後段のドライバユニットＤＵｊ+1に転送される。
【００５０】
ラッチ回路５２０は、シフトレジスタ５１０から供給される指定データＤｘをラッチ信号ＬＡＴがアクティブになるタイミングでラッチする。ラッチ信号ＬＡＴは１水平走査期間を１周期とし、１水平走査期間ごとにアクティブとなる。ここで、ｎ本のデータ線に供給する駆動信号Ｘ[1]、Ｘ[2]、…Ｘ[n]の各々に対する指定データＤｘをＤｘ[1]、Ｄｘ[2]、…Ｄｘ[n]としたとき、ドライバユニットＤＵ１、ＤＵ２、…ＤＵｎのシフトレジスタ５１０から指定データＤｘ[1]、Ｄｘ[2]、…Ｄｘ[n]が各々出力されるタイミングで
ラッチ信号ＬＡＴがアクティブとなる。
【００５１】
また、ランプ信号生成回路３４１から供給されるランプ信号Ｖｒはボルテージフォロア５３０を介して振幅制御回路５４０に供給される。振幅制御回路５４０は、指定データＤｘ[j]に従ってランプ信号Ｖｒの振幅を調整する。この例では、１個のランプ信号生成回路３４１をｎ個のドライバユニットＤＵ１、ＤＵ２、…ＤＵｎで兼用する。したがって、構成を簡素化できる。しかも、各ドライバユニットＤＵ１、ＤＵ２、…ＤＵｎに供給されるランプ信号Ｖｒは同一であるから、ばらつきが無い。よって、表示階調の精度を向上させることができる。
【００５２】
図１２に、振幅制御回路５４０の詳細な構成と指定データを示す。指定データＤｘは、例えば、１個の倍率ビットと複数の指定ビット（この例では、１０個）で構成される。倍率ビットは、「１」の場合に増幅率が１以上であることを指定し、「０」の場合に増幅率が１未満であることを指定する。換言すれば、倍率ビットは、駆動信号の電位の時間変化率をランプ信号の電位の時間変化率と比較して増加させるか減少させるかを指定する。一方、複数の指定ビットは、駆動信号の電位の時間変化率とランプ信号の電位の時間変化率との比を指定する。ルックアップテーブル３４２には指定階調Ｄと指定データＤｘとが対応付けられて記憶されている。指定データＤｘは指定階調Ｄを変数とする所定の演算を実行すれば求めることも可能であり、本実施形態もこれを妨げるものではない。しかし、ルックアップテーブル３４２を採用することによって、処理時間を大幅に短縮してリアルタイムの処理が可能となる。
【００５３】
振幅制御回路５４０は、オペアンプ５４５、入力抵抗５４１ａ及び５４１ｂ、帰還抵抗５４２ａ、５４２ｂ、…５４２ｊ、入力抵抗用の選択トランジスタ５４３ａ及び５４３ｂ、並びに帰還抵抗用の選択トランジスタ５４４ａ、５４４ｂ、…５４４ｊを備える。
選択トランジスタ５４３ａ及び５４３ｂのゲートには倍率ビットが供給される。選択トランジスタ５４３ａはＰチャネル型である一方、選択トランジスタ５４３ｂはＮチャネル型である。したがって、選択トランジスタ５４３ａ及び５４３ｂは排他的にオン状態となる。倍率ビットが「１」のとき選択トランジスタ５４３ａがオン状態となり、入力抵抗５４１ａは短絡する。したがって、入力抵抗５４１ｂだけが入力抵抗として機能し、その抵抗値は「Ｒ」となる。
【００５４】
一方、帰還抵抗５４２ａ〜５４２ｊは、選択トランジスタ５４４ａ〜５４４ｊによって選択される。例えば、選択トランジスタ５４４ｂ、５４４ｃ、…５４４ｊがオン状態になり、選択トランジスタ５４４ａがオフ状態であれば、帰還抵抗の値は「Ｒ」となる。この場合が、帰還抵抗の最小値となる。また、全ての選択トランジスタ５４４ａ〜５４４ｊがオフ状態であれば、帰還抵抗の値は「１０２３Ｒ」となる。この場合が、帰還抵抗の最大値となる。よって、帰還抵抗の取り得る値は「Ｒ」、「２Ｒ」、…「１０２３Ｒ」となる。
ここで、倍率ビットが「１」である場合、入力抵抗は「Ｒ」となるから、振幅制御回路５４０の増幅率は、「１」、「２」、…「１０２３」となる。倍率ビットが「０」である場合、入力抵抗は「１０２３Ｒ」となるから、振幅制御回路５４０の増幅率は、「１／１０２３」、「２／１０２３」、…「１」となる。よって、倍率ビットと複数の指定ビットとを組み合わせることにより、「１」以上の増幅率と「１」未満の増幅率を指定することができる。
【００５５】
このようにランプ信号を増幅又は減衰させるように増幅率を指定するのは、以下の理由いよる。第１の理由は、ＳＮ比を向上させるためである。例えば、ランプ信号を増幅率の最小値に対応する振幅で生成し、これを表示すべき階調に対応した増幅率で増幅する方法が考えられる。この場合は、ランプ信号が小振幅になるので、ランプ信号のＳＮ比が低下してしまう。
第２の理由は、消費電力を低減するためである。例えば、ランプ信号を増幅率の最大値に対応する振幅で生成し、これを表示すべき階調に対応した減衰率で減衰する方法が考えられる。この場合は、ランプ信号が大振幅になるので、消費電力が増大する。
ＳＮ比と消費電力はトレードオフの関係にあるところ、本実施形態では、ランプ信号Ｖｒの時間変化率を、表示すべき階調の中間階調とすることによって、ＳＮ比の向上と消費電力の低減とを調和させている。
【００５６】
説明を図１１に戻す、振幅制御回路５４０の出力信号５４０Ａは、オフセット回路５５０に供給される。オフセット回路５５０は、振幅制御回路５４０の出力信号５４０Ａに第１オフセット電圧Ｖofs1と第２オフセット電圧Ｖofs2とを加えて出力信号５５０Ａを生成する。ボルテージフォロア５６０はバッファとして機能し、オフセット回路５５０の出力信号５５０Ａを駆動信号Ｘ[j]として出力する。
【００５７】
図１３にオフセット回路５５０の詳細な構成を示す。この図に示すように出力信号５４０Ａは入力抵抗５５２ｃを介してオペアンプ５５４の負入力端子に供給され、第１オフセット電圧Ｖofs1はスイッチ５５１ａ及び入力抵抗５５２ａを介してオペアンプ５５４の負入力端子に供給され、第２オフセット電圧Ｖofs2はスイッチ５５１ｂ及び入力抵抗５５２ｂを介してオペアンプ５５４の負入力端子に供給される。また、オペアンプ５５４の正入力端子は接地され、出力端子と負入力端子とは帰還抵抗５５３を介して接続されている。
ここで、入力抵抗５５２ａ、５５２ｂ及び５５２ｃ、並びに帰還抵抗５５３の抵抗値はいずれも「Ｒ」である。また、スイッチ５５１ａは、制御信号ＣＴＬａがハイレベルでオン状態となる一方、ローレベルでオフ状態となる。同様に、スイッチ５５１ｂは、制御信号ＣＴＬｂがハイレベルでオン状態となる一方、ローレベルでオフ状態となる。なお、制御信号ＣＴＬａ及びＣＴＬｂは、全てのドライバユニットＤＵ１〜ＤＵｎに共通であり、制御回路から供給される。
【００５８】
オフセット回路５５０の動作態様としては、以下の態様がある。
（１） 第１態様
第１態様は、制御信号ＣＴＬａ及びＣＴＬｂが常に、オフ状態であり、駆動信号Ｘ[j]にオフセット電圧を与えない態様である。駆動信号Ｘ[j]は図６に示すものとなる。この場合には、オフセット回路５５０を省略して、振幅制御回路５４０の出力信号５４０Ａをボルテージフォロア５６０に直接供給してもよい。
【００５９】
図６の例示のように、単位期間Ｈ[i]の始点ｔsから駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXを継続的に上昇させ、かつ、指定階調Ｄに拘わらず単位期間Ｈ[i]の終点ｔeにて選択スイッチＴSL（図４参照）をオフ状態に制御するという条件のもとで、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXを高い時間変化率ＲXで変化させる場合（すなわち、駆動電流ＩDRの電流量を充分に確保する場合）、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXを単位期間Ｈ[i]の終点ｔeにて非常に高い電位に設定する必要がある。したがって、信号線駆動回路３４に高い耐圧性能が要求される。また、各単位期間Ｈ[i]の終点ｔeまで選択スイッチＴSLをオン状態に維持するためには、単位期間Ｈ[i]の終点ｔeにおける駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXよりも選択スイッチＴSLの閾値電圧ＶTH_SLだけ高い電圧を上回るように選択パルスＰSLの選択電位ＶSLを設定する必要があるから、走査線駆動回路３２にも高い耐圧性能が要求される。以上の事情を考慮して、駆動信号Ｘ[j]の振幅を低減する（したがって、走査線駆動回路３２や信号線駆動回路３４に要求される耐圧性能を低減する）態様について、以下に例示する。
【００６０】
（２）第２態様
第２態様から第４態様の説明に先立って、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXの時間変化率ＲXと、駆動トランジスタＴDRのソースの電位ＶSが平衡状態に到達する（すなわち電位ＶSの時間変化率ＲSが駆動信号Ｘ[j]の時間変化率ＲXに収束する）までの時間との相関を検討する。
【００６１】
図１４および図１５は、駆動信号Ｘの電位ＶXの時間変化率ＲXと駆動トランジスタＴDRのドレイン−ソース間の電流ＩDSとの相関を示すグラフである。図１４の部分(A)は、図１４の部分(B)のように、高目の中間調ＤHに対応した時間変化率ＲX（ｒ_H）で電位ＶXを変化させた場合の電流ＩDSの時間的な変化を示す。一方、図１５の部分(A)は、図１５の部分(B)のように、低目の中間調ＤLに対応した時間変化率ＲX（ｒ_L）で電位ＶXを変化させた場合の電流ＩDSの時間的な変化を示す。図１４および図１５の何れにおいても、電位ＶXが変化し始めた時点（グラフの左端）では、駆動トランジスタＴDRのゲート−ソース間の電圧ＶGSを閾値電圧ＶTHの付近の電圧に設定した。したがって、電位ＶXを変化させ始めた時点の電流ＩDSはゼロである。
【００６２】
数式(3)から理解されるように、電流ＩDSの電流量は、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXの変化の開始後に駆動トランジスタＴDRのソースの電位ＶSが平衡状態に到達することで、駆動信号Ｘ[j]の時間変化率ＲXに対応した所定値に安定する。図１４の部分(A)と図１５の部分(A)とを対比すると、時間変化率ＲXが低いほど、平衡状態に到達するまでに必要な時間Δｔが長いという傾向が把握される。
【００６３】
図１６は、第２の態様における駆動信号Ｘ[j]の単位期間Ｈ[i]内の波形図である。第１態様においては、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXを基準電位ＶRSから連続的に変化させる場合を例示した。本態様においては図１６に示すように、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXを基準電位ＶRSから調整電位ＶAに変化させたうえで指定階調Ｄに応じた時間変化率ＲXで経時的に変化させる。駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXが基準電位ＶRSから調整電位ＶAに変化する時点は、単位期間Ｈ[i]の始点ｔsから調整時間ＴAが経過した時点である。この例において、調整時間ＴA及び調整電位ＶAは固定である。。なお、基準電位ＶRSは第１オフセット電圧Ｖofs1として与えられる。
図１３に示すオフセット回路では、１水平走査期間の期間ＴA及びＴCで制御信号ＣＴＬａがハイレベルになると第１オフセット電圧Ｖofs1が出力信号５５０Ａに加算される。この結果、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXとして基準電位ＶRSが与えられる。一方、期間ＴBで制御信号ＣＴＬａがハイレベルになると第２オフセット電圧Ｖofs1が出力信号５５０Ａに加算される。この結果、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXが基準電位ＶRSから調整電位ＶAに変化する。
このように時間軸方向のオフセット（調整時間ＴA）と電位方向のオフセット（調整電位ＶA）を与えると、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXを基準電位ＶRSから調整電位ＶAに上昇させた時点で駆動トランジスタＴDRに数式(2)の電流ＩDSが流れ始めるから、電位ＶXを基準電位ＶRSから連続的に変化させる第１態様と比較すると、単位期間Ｈ[i]内で駆動トランジスタＴDRが平衡状態に到達するまでの時間が短縮される。さらに詳述すると以下の通りである。
【００６４】
図１７には、単位期間Ｈ[i]内の時点ｔA1にて電位ＶXを基準電位ＶRSから時間変化率ＲXで連続的に変化させ始めた場合の駆動信号Ｘ[j]および電流ＩDS（破線）と、時点ｔA2にて基準電位ＶRSから調整電位ＶAに変化させたうえで時間変化率ＲXで変化させた本形態における駆動信号Ｘ[j]および電流ＩDS（実線）とが図示されている。
【００６５】
図１７に破線で示すように、電位ＶXを基準電位ＶRSから連続的に変化させた場合、電流ＩDSは時点ｔA1から徐々に増加して指定階調Ｄに応じた目標値Ｉaに到達する。一方、電位ＶXを時点ｔA2にて基準電位ＶRSから調整電位ＶAに変化させた場合、時点ｔA2の直後から目標値Ｉaに近い電流ＩDSが流れることで駆動トランジスタＴDRは速やかに平衡状態に到達する。以上のように駆動トランジスタＴDRが平衡状態に到達するまでの時間が削減されるから、本形態によれば単位期間Ｈ[i]を短縮できる（ひいては走査線１２の本数を増加して表示画像を高精細化できる）という利点がある。
【００６６】
駆動トランジスタＴDRを平衡状態に到達させるためには駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXを時間変化率ＲXで継続的に変化させる必要がある。本形態においては電位ＶXを調整電位ＶAに変化させることで駆動トランジスタＴDRが速やかに平衡状態に到達するから、駆動信号Ｘ[j]の電位ＶXを時間変化率ＲXで変化させる時間は短縮される。すなわち、電位ＶXが過度に高い電位に上昇するまで電位ＶXの変化を継続しなくても駆動トランジスタＴDRは平衡状態に到達する。したがって、駆動信号Ｘ[j]の振幅が低減される（ひいては走査線駆動回路３２や信号線駆動回路３４に要求される耐圧性能が低減される）という利点もある。
【００６７】
なお、有機ＥＬ素子は発光素子の例示に過ぎない。例えば、無機ＥＬ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子などの発光素子を配列した発光装置にも以上の各態様と同様に本発明が適用される。本発明における発光素子は、電流の供給で駆動される（典型的には階調（輝度）が制御される）電流駆動型の被駆動素子である。
【００６８】
＜Ｃ：応用例＞
次に、以上の各態様に係る発光装置１００を利用した電子機器について説明する。図１８ないし図２１には、発光装置１００を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
【００６９】
図１８は、発光装置１００を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、各種の画像を表示する発光装置１００と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具備する。発光装置１００は有機ＥＬ素子を発光素子Ｅとして使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００７０】
図１９は、発光装置１００を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画像を表示する発光装置１００とを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置１００に表示される画面がスクロールされる。
【００７１】
図２０は、発光装置１００を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す斜視図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２と、各種の画像を表示する発光装置１００とを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が発光装置１００に表示される。
【００７２】
なお、本発明に係る発光装置１００が適用される電子機器としては、図１８から図２０に例示した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置１００の用途は画像の表示に限定されない。例えば、電子写真方式の画像形成装置において露光により感光体ドラムに潜像を形成する露光装置としても本発明の発光装置１００は利用される。
【符号の説明】
【００７３】
１００……発光装置、１０……素子部、１２……走査線、１４……信号線、１６，１８，２２……給電線、２４……制御線、３０……駆動回路、３２……走査線駆動回路、３４……信号線駆動回路、３６……電位制御回路、Ｕ……画素回路、Ｅ……発光素子、ＴDR……駆動トランジスタ、ＴSL……選択スイッチ、ＴCR……制御スイッチ、Ｅ……発光素子、Ｈ（Ｈ[i]）……単位期間、Ｘ（Ｘ[j]）……駆動信号。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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