(57)【要約】【課題】電力変換装置の小型化及びインダクタンスの低減。【解決手段】上記課題を解決するために本発明は、半導体素子と電気的に接続される入力端子の正極側導体と負極側導体を電気的に絶縁して積層し、この積層構造の入力端子，出力端子、及び半導体素子が実装された基板を容器内に市松模様状に配設している。また、伝導性部材上に環状の電気的な経路が形成されるように、基板に実装された半導体素子と入力端子及び出力端子のそれぞれとを電気的に接続している。【選択図】  図１
2010193713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力制御用の半導体素子を有するパワーモジュール部と、前記半導体素子の動作を制御
する制御部とを備え、前記パワーモジュール部は、前記半導体素子が実装された２つの基
板と、前記半導体素子と電気的に接続された出力端子と、前記半導体素子と電気的に接続
されると共に、正極側導体と負極側導体が電気的に絶縁されて積層された入力端子と、前
記２つの基板，前記出力端子及び前記入力端子のそれぞれの少なくとも一部分を収納する
容器とを有し、前記２つの基板，前記出力端子及び前記入力端子は、前記出力端子及び前
記入力端子のそれぞれの導体面上における異なる２方向において前記２つの基板のそれぞ
れと前記出力端子及び前記入力端子のそれぞれが対向するように前記容器内に配設されて
いることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
電力制御用の半導体素子を有するパワーモジュール部と、前記半導体素子の動作を制御
する制御部とを備え、前記パワーモジュール部は、前記半導体素子が実装された２つの基
板と、前記半導体素子と電気的に接続された出力端子と、前記半導体素子と電気的に接続
されると共に、正極側導体と負極側導体が電気的に絶縁されて積層された入力端子と、前
記２つの基板，前記出力端子及び前記入力端子のそれぞれの少なくとも一部分を収納する
容器とを有し、前記出力端子は、前記容器の対向する側面の一方側から、前記入力端子は
、前記容器の対向する側面の他方側からそれぞれ前記容器内に延伸して前記容器内に対角
状に配設され、前記２つの基板のそれぞれは、前記出力端子及び前記入力端子のそれぞれ
と対向するように前記容器内に配設されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項３】
電力制御用の半導体素子を有するパワーモジュール部と、前記半導体素子の動作を制御
する制御部とを備え、前記パワーモジュール部は、前記半導体素子が実装された２つの基
板と、前記半導体素子と電気的に接続された出力端子と、前記半導体素子と電気的に接続
されると共に、正極側導体と負極側導体が電気的に絶縁されて積層された入力端子と、前
記２つの基板，前記出力端子及び前記入力端子のそれぞれの少なくとも一部分を収納する
容器とを有し、前記２つの基板，前記出力端子及び前記入力端子は、前記出力端子及び前
記入力端子のそれぞれの導体面上における異なる２方向において前記２つの基板のそれぞ
れと前記出力端子及び前記入力端子のそれぞれが対向するように、電気的に絶縁されて前
記容器内の伝導性部材上に配設され、前記２つの基板に実装された半導体素子のそれぞれ
と前記出力端子及び前記入力端子のそれぞれとの間は、前記２つの基板のそれぞれと前記
出力端子及び前記入力端子のそれぞれの対向方向に電気的に接続されていることを特徴と
する電力変換装置。
【請求項４】
電力制御用の半導体素子を有するパワーモジュール部と、前記半導体素子の動作を制御
する制御部とを備え、前記パワーモジュール部は、前記半導体素子が実装された２つの基
板と、前記半導体素子と電気的に接続された出力端子と、前記半導体素子と電気的に接続
されると共に、正極側導体と負極側導体が電気的に絶縁されて積層された入力端子と、前
記２つの基板，前記出力端子及び前記入力端子のそれぞれの少なくとも一部分を収納する
容器とを有し、前記出力端子は、前記容器の対向する側面の一方側から、前記入力端子は
、前記容器の対向する側面の他方側からそれぞれ前記容器内に延伸し、電気的に絶縁され
て前記容器内の伝導性部材上に対角状に配設され、前記２つの基板のうち、前記入力端子
の上層に位置する導体及び前記出力端子と電気的に接続される半導体素子を実装した基板
は、前記出力端子の前記容器内延伸方向側及び前記入力端子のそれぞれと対向するように
、電気的に絶縁されて前記伝導性部材上に配設され、前記入力端子の下層に位置する導体
及び前記出力端子と電気的に接続される半導体素子を実装した基板は、前記出力端子及び
前記入力端子の前記容器内延伸方向側のそれぞれと対向するように、電気的に絶縁されて
前記伝導性部材上に配設されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項５】
電力制御用の半導体素子を有するパワーモジュール部と、前記半導体素子の動作を制御
する制御部とを備え、前記パワーモジュール部は、前記半導体素子が実装された複数の基
板と、前記複数の半導体素子と電気的に接続された複数の出力端子と、前記複数の半導体
素子と電気的に接続されると共に、正極側導体と負極側導体が電気的に絶縁されて積層さ
れた複数の入力端子と、前記複数の基板，前記複数の出力端子の少なくとも一部分及び前
記複数の入力端子の少なくとも一部分を収納する容器とを有し、前記複数の基板と前記出
力端子は第１の列構成をなすように交互に、前記複数の基板と前記入力端子は第２の列構
成をなすように交互にそれぞれ前記容器内に配設され、かつ前記第１の列構成と前記第２
の列構成は、互いの基板が対角状に配設されるように対向配置されていることを特徴とす
る電力変換装置。
【請求項６】
電力制御用の半導体素子を有するパワーモジュール部と、前記半導体素子の動作を制御
する制御部とを備え、前記パワーモジュール部は、前記半導体素子が実装された複数の基
板と、前記複数の半導体素子と電気的に接続された複数の出力端子と、前記複数の半導体
素子と電気的に接続されると共に、正極側導体と負極側導体が電気的に絶縁されて積層さ
れた複数の入力端子と、前記複数の基板，前記複数の出力端子の少なくとも一部分及び前
記複数の入力端子の少なくとも一部分を収納する容器とを有し、前記複数の基板，前記複
数の出力端子及び前記複数の入力端子は、基板と出力端子が、基板と入力端子がそれぞれ
対向してそれらが交互に、かつ基板と端子の位置が互い違いになるように前記容器内に配
列されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項７】
電力制御用の半導体素子を有するパワーモジュール部と、前記半導体素子の動作を制御
する制御部とを備え、前記パワーモジュール部は、前記半導体素子が実装された複数の基
板と、前記複数の半導体素子と電気的に接続された複数の出力端子と、前記複数の半導体
素子と電気的に接続されると共に、正極側導体と負極側導体が電気的に絶縁されて積層さ
れた複数の入力端子と、前記複数の基板，前記複数の出力端子の少なくとも一部分及び前
記複数の入力端子の少なくとも一部分を収納する容器とを有し、前記複数の出力端子は、
前記容器の対向する側面の一方側から、前記複数の入力端子は、前記容器の対向する側面
の他方側からそれぞれ前記容器内に延伸して前記容器内に千鳥状に配設され、前記複数の
基板のそれぞれは、実装された半導体素子と電気的に接続される出力端子及び入力端子の
それぞれと対向するように前記容器内に配設されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項８】
電力制御用の半導体素子を有するパワーモジュール部と、前記半導体素子の動作を制御
する制御部とを備え、前記パワーモジュール部は、前記半導体素子が実装された複数の基
板と、前記複数の半導体素子と電気的に接続された複数の出力端子と、前記複数の半導体
素子と電気的に接続されると共に、正極側導体と負極側導体が電気的に絶縁されて積層さ
れた複数の入力端子と、前記複数の基板，前記複数の出力端子の少なくとも一部分及び前
記複数の入力端子の少なくとも一部分を収納する容器とを有し、前記複数の基板と前記出
力端子は第１の列構成をなすように交互に、前記複数の基板と前記入力端子は第２の列構
成をなすように交互に、それぞれ電気的に絶縁されて前記容器内の熱伝導性部材上に配設
され、かつ前記第１の列構成と前記第２の列構成は、互いの基板が対角状に配設されるよ
うに対向配置され、前記複数の基板に実装された半導体素子，前記複数の出力端子及び前
記複数の入力端子は、対角状に配設された２つの基板に実装された半導体素子と、対角状
に配設された２つの基板のそれぞれと対向する出力端子及び入力端子を組として、各組毎
に、対角状に配設された２つの基板のそれぞれと出力端子及び入力端子のそれぞれの対向
方向に電気的に接続されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項９】
電力制御用の半導体素子を有するパワーモジュール部と、前記半導体素子の動作を制御
する制御部とを備え、前記パワーモジュール部は、前記半導体素子が実装された複数の基
板と、前記複数の半導体素子と電気的に接続された複数の出力端子と、前記複数の半導体
素子と電気的に接続されると共に、正極側導体と負極側導体が電気的に絶縁されて積層さ
れた複数の入力端子と、前記複数の基板，前記複数の出力端子の少なくとも一部分及び前
記複数の入力端子の少なくとも一部分を収納する容器とを有し、前記複数の基板，前記複
数の出力端子及び前記複数の入力端子は、基板と出力端子が、基板と入力端子がそれぞれ
対向してそれらが交互に、かつ基板と端子の位置が互い違いになるように、電気的に絶縁
されて前記容器内の伝導性部材上に配列され、前記複数の基板に実装された半導体素子，
前記複数の出力端子及び前記複数の入力端子は、前記配列方向に隣り合う２つの基板に実
装された半導体素子，出力端子及び入力端子を組として、前記配列方向及び前記対向方向
に電気的に接続されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項１０】
電力制御用の半導体素子を有するパワーモジュール部と、前記半導体素子の動作を制御
する制御部とを備え、前記パワーモジュール部は、前記半導体素子が実装された複数の基
板と、前記複数の半導体素子と電気的に接続された複数の出力端子と、前記複数の半導体
素子と電気的に接続されると共に、正極側導体と負極側導体が電気的に絶縁されて積層さ
れた複数の入力端子と、前記複数の基板，前記複数の出力端子の少なくとも一部分及び前
記複数の入力端子の少なくとも一部分を収納する容器とを有し、前記複数の出力端子は、
前記容器の対向する側面の一方側から、前記複数の入力端子は、前記容器の対向する側面
の他方側からそれぞれ前記容器内に延伸すると共に、電気的に絶縁されて前記容器内の伝
導性部材上に千鳥状に配設され、前記複数の基板のうち、前記入力端子の上層に位置する
導体及び前記出力端子と電気的に接続される半導体素子を実装した基板は、対応する出力
端子の前記容器内延伸方向側及び対応する入力端子のそれぞれと対向するように、電気的
に絶縁されて前記伝導性部材上に配設され、前記入力端子の下層に位置する導体及び前記
出力端子と電気的に接続される半導体素子を実装した基板は、対応する出力端子及び対応
する入力端子の前記容器内延伸方向側のそれぞれと対向するように、電気的に絶縁されて
前記伝導性部材上に配設されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載された電力変換装置において、前記入力端子は、下
層側に位置する導体が上層側に位置する導体よりも前記容器内に延伸していることを特徴
とする電力変換装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載された電力変換装置において、前記下層側に位置する導体は前記負極
側導体であり、前記上層側に位置する導体は前記正極側導体であることを特徴とする電力
変換装置。
【請求項１３】
車体と、前記車体に回転可能に取け付けられた前後輪と、前記前後輪のいずれか一方を
駆動する電動機と、前記電動機に供給される駆動電力を蓄える蓄電装置と、前記蓄電装置
から前記電動機に供給される直流電力を交流電力に変換する電力変換装置とを備え、前記
電力変換装置は、請求項１乃至１２のいずれかに記載された電力変換装置であることを特
徴とする移動体。
【請求項１４】
車体と、前記車体に回転可能に取り付けられた前後輪と、前記前後輪のいずれか一方を
駆動する内燃機関と、前記内燃機関に代わって前後輪のいずれか一方を駆動する電動機と
、前記電動機に供給される駆動電力を蓄える蓄電装置と、前記蓄電装置から前記電動機に
供給される直流電力を交流電力に変換する電力変換装置とを備え、前記電力変換装置は、
請求項１乃至１２のいずれかに記載された電力変換装置であることを特徴とする移動体。
【請求項１５】
車体と、前記車体に回転可能に取り付けられた前後輪と、前記前後輪の一方を駆動する
内燃機関と、前記前後輪の他方を駆動する電動機と、前記電動機に供給される駆動電力を
蓄える蓄電装置と、前記蓄電装置から前記電動機に供給される直流電力を交流電力に変換
する電力変換装置とを備え、前記電力変換装置は、請求項１乃至１２のいずれかに記載さ
れた電力変換装置であることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電動機に供給される電力を制御する電力変換装置及びそれを備えた移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電力変換装置としては、例えば特開平８−１４０３６３号公報，特開平１１−８９２４７号公報に記載されたものが知られている。前者の公報に記載されたものでは、半導体素子，スナバコンデンサ，直流母線，平滑コンデンサを順次、冷却体上に積層状に配置して配線距離の短縮し、配線インダクタンスを低減している。後者の公報に記載されたものでは、コンデンサとインバータ部との間の配線部を、第１乃至第３の板状導体と第１，第２の絶縁シートが交互に積層された構造とし、配線インダクタンスを低減している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、電動機を駆動源とする移動体、例えば電気自動車，ハイブリッド自動車などの電動車両においては、低価格化，燃費向上，一充電あたりの走行距離の向上，装置の実装スペースの縮小化などのために、バッテリから供給された直流電力を交流電力に変換して電動機に供給する電力変換装置の小型化の検討が進められており、前述した従来の電力変換装置よりも更に小型化した電力変換装置の実現が望まれている。
【０００４】
また、電動車両においては、電動機のみによる車輪駆動時，電動機によるトルクアシスト時などの大トルク出力要求時に必要とされる大電流制御のために、電力変換装置のインダクタンスの低減の検討が進められており、前述した従来の電力変換装置よりも更にインダクタンスを低減することができる電力変換装置の実現が望まれている。しかも、上述した電力変換装置の小型化の観点から、小さな実装面積でインダクタンスを低減することができる電力変換装置の実現が望ましい。
【０００５】
本発明の代表的な目的は、小型化が図られた電力変換装置及びそれを備えた移動体を提供することにある。また、本発明の別の代表的な目的は、小型化及び低インダクタンス化の両立が図られた電力変換装置及びそれを備えた移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の基本的な特徴は、半導体素子と電気的に接続される入力端子の正極側導体と負極側導体を電気的に絶縁して積層し、この積層構造の入力端子，出力端子、及び半導体素子が実装された基板を容器内に市松模様状に配設したことにある。
【０００７】
具体的には、出力端子及び入力端子のそれぞれの導体面上における異なる２方向、好ましくは直交する２方向において２つの基板のそれぞれと出力端子及び入力端子のそれぞれが対向するように、２つの基板，出力端子及び入力端子を容器内に配設している。或いは、容器の対向する側面の一方側から容器内に延伸した出力端子と、容器の対向する側面の他方側から容器内に延伸した入力端子とが対角状に配設されると共に、２つの基板のそれぞれが出力端子及び入力端子のそれぞれと対向するように、２つの基板，出力端子及び入力端子を容器内に配設している。
【０００８】
また、複数の基板と複数の出力端子が第１の列構成をなすように交互に、複数の基板と複数の入力端子は第２の列構成をなすように交互にそれぞれ配設されると共に、対向配置される第１の列構成と第２の列構成との互いの基板が対角状に配設されるように、複数の基板，複数の出力端子及び複数の入力端子を容器内に配設している。或いは、基板と出力端子が、基板と入力端子がそれぞれ対向してそれらが交互に、かつ基板と端子の位置が互い違いになるように、複数の基板，複数の出力端子及び複数の入力端子を容器内に配列している。若しくは、容器の対向する側面の一方側から容器内に延伸した複数の出力端子と、容器の対向する側面の他方側からそれぞれ容器内に延伸した複数の入力端子が千鳥状に配設されると共に、複数の基板のそれぞれが、実装された半導体素子と電気的に接続される出力端子及び入力端子のそれぞれと対向して配設されるように、複数の基板，複数の出力端子及び複数の入力端子を容器内に配設している。
【０００９】
本発明によれば、半導体素子が実装された基板，積層構造の入力端子及び出力端子を容器内に市松模様状に配設したので、半導体素子，入力端子及び出力端子が近接配置され、基板上に余分な導体パターンを設けることなく半導体素子と入力端子及び出力端子のそれぞれの間を直接、電気的に接続することができ、主回路配線面積を縮小することができる。
【００１０】
本発明の他の基本的な特徴は、基板，入力端子及び出力端子を電気的に絶縁して容器内の伝導性部材上に市松模様状に配設し、伝導性部材上に環状の電気的な経路が形成されるように、基板に実装された半導体素子と入力端子及び出力端子のそれぞれとを電気的に接続したことにある。
【００１１】
具体的には、２つの基板，出力端子及び入力端子を、出力端子及び入力端子のそれぞれの導体面上における異なる２方向において２つの基板のそれぞれと出力端子及び入力端子のそれぞれが対向するように、電気的に絶縁して容器内の伝導性部材上に配設すると共に、２つの基板に実装された半導体素子のそれぞれと出力端子及び入力端子のそれぞれとの間を、２つの基板のそれぞれと出力端子及び入力端子のそれぞれの対向方向に電気的に接続している。或いは、容器の対向する側面の一方側から容器内に延伸した出力端子と、容器の対向する側面の他方側から容器内に延伸した入力端子を、電気的に絶縁して容器内の伝導性部材上に対角状に配設すると共に、２つの基板のうち、入力端子の上層に位置する導体及び出力端子と電気的に接続される半導体素子を実装した基板を、出力端子の容器内延伸方向側及び入力端子のそれぞれと対向するように、電気的に絶縁して容器内の伝導性部材上に配設し、入力端子の下層に位置する導体及び出力端子と電気的に接続される半導体素子を実装した基板を、出力端子及び入力端子の容器内延伸方向側のそれぞれと対向するように、電気的に絶縁して容器内の伝導性部材上に配設している。
【００１２】
また、複数の基板と複数の出力端子を、第１の列構成をなすように交互に、複数の基板と複数の入力端子を、第２の列構成をなすように交互に、それぞれ電気的に絶縁して容器内の熱伝導性部材上に配設し、かつ第１の列構成と第２の列構成を、互いの基板が対角状に配設されるように対向配置し、複数の基板に実装された半導体素子，複数の出力端子及び複数の入力端子を、対角状に配設された２つの基板に実装された半導体素子と、対角状に配設された２つの基板のそれぞれと対向する出力端子及び入力端子を組として、各組毎に、対角状に配設された２つの基板のそれぞれと出力端子及び入力端子のそれぞれの対向方向に電気的に接続している。或いは、基板と出力端子を、基板と入力端子をそれぞれ対向させてそれらが交互に、かつ基板と端子の位置が互い違いになるように、電気的に絶縁されて容器内の伝導性部材上に配列し、配列方向に隣り合う２つの基板に実装された半導体素子，出力端子及び入力端子を組として、配列方向及び対向方向に電気的に接続している。若しくは、容器の対向する側面の一方側から容器内に延伸した複数の出力端子と、容器の対向する側面の他方側から容器内に延伸した複数の入力端子を、電気的に絶縁して容器内の伝導性部材上に千鳥状に配設し、複数の基板のうち、入力端子の上層に位置する導体及び前記出力端子と電気的に接続される半導体素子を実装した基板を、対応する出力端子の容器内延伸方向側及び対応する入力端子のそれぞれと対向するように、電気的に絶縁して容器内の伝導性部材上に配設し、入力端子の下層に位置する導体及び出力端子と電気的に接続される半導体素子を実装した基板を、対応する出力端子及び対応する入力端子の容器内延伸方向側のそれぞれと対向するように、電気的に絶縁して容器内の伝導性部材上に配設している。
【００１３】
本発明によれば、基板，入力端子及び出力端子を電気的に絶縁して容器内の伝導性部材上に市松模様状に配設し、伝導性部材上に環状の電気的な経路が形成されるように、基板に実装された半導体素子と入力端子及び出力端子のそれぞれとを電気的に接続したので、電流量が時間的変化した場合には、環状の電気的な経路と対向する渦電流を伝導性部材に流すことができる。しかも、電気的な経路の環状面積を最小にすることができる。
【００１４】
また、本発明によれば、入力端子の下層側に位置する導体、すなわち負極側導体が上層側に位置する導体、すなわち正極側導体よりも容器内に延伸させているので、入力端子の下層側に位置する導体、すなわち負極側導体と半導体素子との間の電気的な接続を簡単に行うことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、主回路配線面積を縮小することができるので、電力変換装置を小型化することができる。また、本発明によれば、環状の電気的な経路と対向する渦電流を伝導性部材に流すことができるので、電力変換装置のインダクタンスを低減することができる。従って、本発明の電力変換装置が搭載された駆動システムを備えた移動体によれば、低価格化，燃費向上，一充電あたりの走行距離の向上，装置の実装スペースの縮小化を図ることができる。また、電動機のみによる車輪駆動時，電動機によるトルクアシスト時などの大トルク出力要求時に必要とされる大電流制御が可能となり、発進時などにおいて移動体をスムーズに走行させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施例であるインバータ装置のパワーモジュール部内の配置構成を示す平面図。
【図２】図１のII−II矢視断面図。
【図３】図１のインバータ装置のパワーモジュール部内の配置構成を示す平面図であって、インバータケースを取り除いたときにおける配置構成を示す。
【図４】図１のインバータ装置の外観構成を示す斜視図。
【図５】インバータ装置の回路構成を示すブロック図。
【図６】図５のインバータ装置のパワーモジュール部の回路構成を示すブロック図。
【図７】ハイブリッド自動車の概略構成を示すブロック図。
【図８】本発明の第２実施例であるインバータ装置のパワーモジュール部内の配置構成を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。電力変換装置には、例えば交流電力を直流電力に変換する整流装置，直流電力を交流電力に変換するインバータ装置，整流装置とインバータ装置の組み合わせであって、入力された直流電力を所望の直流電力に変換するＤＣ−ＤＣコンバータ装置などがある。本発明の実施例では、電動機を唯一の駆動源とする電気自動車，電動機及び内燃機関を駆動源とするハイブリッド自動車，前後輪の一方を内燃機関で駆動し、前後輪の他方を電動機で駆動する電動四駆式自動車において、バッテリから出力された直流電力を交流電動機に変換して電動機に供給するインバータ装置を例にとり説明する。尚、以下に説明する本発明の実施例の構成は、インバータ装置に限らず、整流装置及びＤＣ−ＤＣコンバータなどにも適用できる。
【００１８】
図７は、本発明の実施例であるインバータ装置が適用される自動車の構成例を示す。本例の自動車１００は、内燃機関であるエンジン５３と、誘導電動機や同期電動機などの交流電動機５４を駆動源とするハイブリッド自動車である。車体５０の前部には、前輪５１ａ，５１ｂを端部に設けた車軸５１ｅが回転可能に取り付けられている。車体５０の後部には、後輪５１ｃ，５１ｄを端部に設けた車軸５１ｆが回転可能に取り付けられている。車軸５１ｅには伝達機構を介してエンジン５３が機械的に接続されている。エンジン５３には、交流電動機５４が機械的に接続されている。
【００１９】
交流電動機５４には、バッテリ５７から出力された直流電力がインバータ装置５５によって三相交流電力に変換され、電力線５９を介して供給されている。インバータ装置５５には、例えばエンジン制御装置（ＥＣＵ）などの制御装置５５から出力されたトルク指令信号や電流指令信号などが入力されている。制御装置５５は、信号端子５８を介して入力された自動車の運転状態信号，運転者からの発進，加速，減速，停止の各指令信号などに基づいてトルク指令値や電流指令値などを演算し、トルク指令信号や電流指令信号などとして出力する。トルク指令信号や電流指令信号を受けたインバータ装置５５は、半導体素子のスイッチング動作（オン・オフ動作）を制御すべくＰＷＭ(Pluse Width Modulation)信号を発生して半導体素子のスイッチング動作を制御し、バッテリ５７から供給された直流電力を三相交流電力に変換し、交流電動機５４に供給する。これにより、交流電動機５４は駆動される。
【００２０】
ハイブリッド自動車では、発進時及び低速走行時などの低負荷走行時、エンジン５３による車輪駆動を停止し、交流電動機５４のトルク（出力）のみで車輪駆動する。このため、交流電動機５４のトルクはエンジン５３，伝達装置５２を介して車軸５１ｅに駆動力として伝達され、前輪５１ａ，５１ｂを駆動する。加速時などの高負荷走行時では、エンジン５３と交流電動機５４の両方で車輪駆動する。このため、交流電動機５４のトルクはエンジン５３にトルクアシスト用として伝達される。減速時及び停止時では、エンジン５３によって交流電動機５４を駆動する。このため、交流電動機５４は交流電力を発生する。発生した交流電力はインバータ装置５５によって直流電力に変換され、バッテリ５７に供給され充電される。
【００２１】
本例では、ハイブリッド自動車について説明したが、図７の構成において、エンジン５３を取り除き、駆動源を交流電動機５４のみとすることにより、電動機を唯一の駆動源とする電気自動車とすることができる。また、図７の構成において、交流電動機５４を車軸５１ｆに伝達機構を介して機械的に接続する或いは電動機をもう一台用意し、その電動機を車軸５１ｆに伝達機構を介して機械的に接続することにより、前輪をエンジン及び／又は交流電動機５４で駆動し、後輪を交流電動機５４或いはもう一台の電動機で駆動する電動四駆式自動車とすることができる。
【００２２】
図５は、図７の自動車１００に搭載されたインバータ装置５５の回路構成を示す。インバータ装置５５は、電解コンデンサ２９を含むパワーモジュール部３０と、パワーモジュール部３０の備えた半導体素子のスイッチング動作（オン・オフ動作）を制御する制御部（図示省略）から構成されている。パワーモジュール部３０の入力側には、直流電源であるバッテリ５７が主回路配線３３を介して電気的に接続されている。主回路配線３３には、半導体素子のスイッチング動作による直流電圧の変動を抑制するための容量素子である電解コンデンサ２９が電気的に並列接続されている。本例では、電解コンデンサについて例示したが、上記機能を果たすことができる容量素子であれば、電解コンデンサに限定される必要はない。パワーモジュール部３０の出力側には、Ｕ相，Ｖ相，Ｗ相からなる三相の出力配線５９を介して交流電動機５４が電気的に接続されている。インバータ装置５５では、バッテリ５７から主回路配線３３を介して供給された直流電力がパワーモジュール部３０の半導体素子のスイッチング動作によって可変周波数及び可変電圧の三相交流電力に変換し、この三相交流電力を三相の出力配線５９を介して交流電動機５４に供給する。
【００２３】
図６は、図５のパワーモジュール部３０の回路構成を示す。バッテリと電気的に接続された正極直流端子３と負極直流端子２との間には、半導体スイッチ１８ａとダイオード１９ａとを並列接続した第１の回路と、半導体スイッチ１８ｂとダイオード１９ｂとを並列接続した第２の回路との直列回路が、半導体スイッチ１８ｃとダイオード１９ｃとを並列接続した第３の回路と、半体スイッチ１８ｄとダイオード１９ｄとを並列接続した第４の回路との直列回路が、半導体スイッチ１８ｅとダイオード１９ｅとを並列接続した第５の回路と、半体スイッチ１８ｆとダイオード１９ｆとを並列接続した第６の回路との直列回路がそれぞれ接続されており、三相ブリッジ回路が構成されている。第１の回路と第２の回路との間にはＵ相の出力端子４が、第３の回路と第４の回路との間にはＶ相の出力端子５が、第５の回路と第６の回路との間にはＷ相の出力端子６がそれぞれ電気的に接続されている。
【００２４】
尚、２０ａは半導体スイッチ１８ａに設けられた制御端子、２０ｂは半導体スイッチ１８ｂに設けられた制御端子、２０ｃは半導体スイッチ１８ｃに設けられた制御端子、２０ｄは半導体スイッチ１８ｄに設けられた制御端子、２０ｅは半導体スイッチ１８ｅに設けられた制御端子、２０ｆは半導体スイッチ１８ｆに設けられた制御端子である。また、半導体スイッチ１８ａ〜１８ｆにおいては、上記制御端子と半導体スイッチの負極側の端子間電圧がスイッチング動作をさせるべく動作信号になる。このため、半導体スイッチ１８ａ〜１８ｆには、上記制御端子に加えて制御部のドライブ回路に接続するための負極側端子が設けられているが、本例では図示省略している。
【００２５】
半導体スイッチ１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆは、例えばＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor） 或いはＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor） に代表されるパワー半導体素子によって構成されている。ここで、ＭＯＳ−ＦＥＴは素子構造にダイオードを含んでいるので、半導体スイッチとダイオードを１チップで構成することができる。このため、半導体スイッチをＭＯＳ−ＦＥＴで構成した場合、別部品としてのダイオードの実装を省略することができる。また、ＭＯＳ−ＦＥＴでは、上述した制御端子をゲート端子と呼ぶ。
【００２６】
半導体スイッチ１８ａ〜１８ｆの制御端子２０ａ〜２０ｆそれぞれには、半導体スイッチ１８ａ〜１８ｆのスイッチング動作を制御すべくＰＷＭ制御信号電圧が制御部のドライブ回路から印加される。この印加されたＰＷＭ制御信号電圧により、半導体スイッチ１８ａ〜１８ｆのそれぞれはスイッチング動作時間、すなわちオン・オフ動作時間が制御される。この制御により、バッテリから供給された直流電力は各ブリッジ回路、すなわち第１，第２の回路からなるブリッジ回路においてＵ相の交流電力に、第３，第４の回路からなるブリッジ回路においてＶ相の交流電力に、第５，第６の回路からなるブリッジ回路においてＷ相の交流電力にそれぞれ変換される。この変換されたＵ相の交流電力はＵ相の出力端子４を介して、Ｖ相の交流電力はＶ相の出力端子５を介して、Ｗ相の交流電力はＷ相の出力端子６を介してそれぞれ交流電動機５４に供給される。これにより、交流電動機５４は駆動される。
【００２７】
尚、前述したように、交流電動機５４はエンジンによって駆動される場合がある。この場合、交流電動機５４はその駆動により三相交流電力を発生する。この発生した三相交流電力は回生電力として、各相に対応する出力端子を介してブリッジ回路に供給され、半導体スイッチ１８ａ〜１８ｆのスイッチング動作によって直流電力に変換される。変換された交流電力は正極直流端子３及び負極直流端子２を介してバッテリに供給される。バッテリは、供給された直流電力を充電する。
【００２８】
図４は、図５のインバータ装置５５の回路構成を適用した実際のインバータ装置５５の外観構成を示す。本例のインバータ装置５５は、同一の密閉容器内にパワーモジュール部（電解コンデンサ２９を除く）と制御部が収納され構成されている。密閉容器であるインバータケース１は、伝導性を有する放熱板７から形成された底壁のねじ止めによって、放熱部材である冷却フィン３６の導体面上に固定されている。インバータケース１の対向する側壁の一方からは、板棒状の出力端子４〜６が突出しており、インバータケース１の外方に延伸している。出力端子４〜６は出力配線５９（電力ケーブル）を介して交流電動機５４と電気的に接続されている。
【００２９】
インバータケース１の対向する側壁の他方からは平面板状の入力端子が突出しており、インバータケース１の外方に延伸している。入力端子は正極直流端子３と負極直流端子２が平面板状の絶縁部材９を介して積層されたものであり、その下層側に負極直流端子２が、その上層側に正極直流端子３がそれぞれ配置されている。負極直流端子２は正極直流端子３よりもインバータケース１の外方に延伸している。入力端子には、平面板状の導体板２１と平面板状の導体板２２とを平面板状の絶縁部材２３を介して積層した積層体がねじ止めによって固定されている。導体板２１，２２と絶縁部材２３の積層体には電解コンデンサ２９が取り付けられており、導体板２１，２２それぞれに電気的に接続されている。
また、導体板２１，２２と絶縁部材２３の積層体には、バッテリ５７が電気的に接続されている。
【００３０】
インバータケース１の上壁からは、インバータケース１内の制御部を構成する回路と電気的に接続された補助制御端子２６が複数突出し、インバータケース１の外方に延伸している。補助制御端子２６は、エンジン制御装置（ＥＣＵ）などの上位制御装置と電気的に接続され、上位制御装置から出力されたトルク指令信号や電流指令信号などの受信或いは信号送信用として用いられるものである。制御部は、信号を入出力するインターフェース回路，例えば交流電動機５４に供給される三相交流電力などを検出するセンサ回路，上位制御装置から出力されたトルク指令信号や電流指令信号などに基づいて演算処理を行い、ＰＷＭ制御信号を出力する計算機，計算機から出力されたＰＷＭ制御信号を昇圧或いは降圧し、半導体スイッチをスイッチング動作させるべくドライブ信号として出力するドライブ回路，センサ回路，計算機及びインターフェース回路に駆動電力を供給する制御電源のそれぞれを構成する複数の電子部品が回路基板に実装され構成されている。
【００３１】
図１乃至図３は、本発明の第１実施例であるインバータ装置５５のパワーモジュール部３０内の配置構成を示す。インバータケース１の底壁は、伝導性を有する銅製或いはＡｌ−ＳｉＣ合金製の放熱板７によって形成されている。放熱板７の両端部の４箇所にはねじ止め用の穴が形成されている。インバータケース１の対向する側壁の一方からは出力端子４〜６がインバータケース１内に突出しており、インバータケース１の内方に延伸している。インバータケース１の対向する側壁の他方からは入力端子がインバータケース１内に突出しており、インバータケース１の内方に延伸している。
【００３２】
入力端子は、正極直流端子３と負極直流端子２が絶縁部材９を介して積層されたものであり、図３に示す如く櫛形状に構成されている。このため、インバータケース１内には櫛形状の入力端子の３つの櫛歯部が、インバータケース１外には櫛形状の入力端子の櫛本体部がそれぞれ突出している。入力端子の３つの櫛歯部の下層側に位置する負極直流端子２は、上層側に位置する正極直流端子３よりもインバータケース１の内方に延伸している。
後述するワイヤ配線との接続部を確保するためである。
【００３３】
インバータケース１内に突出した出力端子４〜６及び入力端子の３つの櫛歯部は、放熱板７上にインバータケース１によって電気的に絶縁支持されて対角状に配設されている。
インバータケース１の左側に位置する入力端子の櫛歯部の延伸方向側と対向すると共に、出力端子４と隣り合う部分には絶縁基板１５ａが配設されている。出力端子４の延伸方向側と対向すると共に、インバータケース１の左側及び中央に位置する入力端子の櫛歯部と隣り合う部分には絶縁基板１５ｂが配設されている。インバータケース１の中央に位置する入力端子の櫛歯部の延伸方向側と対向すると共に、出力端子４，５と隣り合う部分には絶縁基板１５ｃが配設されている。出力端子５の延伸方向側と対向すると共に、インバータケース１の中央及び右側に位置する入力端子の櫛歯部と隣り合う部分には絶縁基板１５ｄが配設されている。インバータケース１の右側に位置する入力端子の櫛歯部の延伸方向側と対向すると共に、出力端子５，６と隣り合う部分には絶縁基板１５ｅが配設されている。出力端子６の延伸方向側と対向すると共に、インバータケース１の右側に位置する入力端子の櫛歯部と隣り合う部分には絶縁基板１５ｆが配設されている。
【００３４】
絶縁基板１５ａ上には基板導体パターン１２ａが形成されている。基板導体パターン１２ａ上には半導体スイッチ１３ａが実装され、基板導体パターン１２ａと電気的に接続されている。基板導体パターン１２ａには、ワイヤ配線１４ａを介してインバータケース１の左側に位置する入力端子の櫛歯部の負極直流端子２が電気的に接続されている。半導体スイッチ１３ａにはワイヤ配線１４ｂを介して出力端子４が電気的に接続されている。
【００３５】
絶縁基板１５ｂ上には基板導体パターン１２ｂが形成されている。基板導体パターン１２ｂ上には半導体スイッチ１３ｂが実装され、基板導体パターン１２ｂと電気的に接続されている。基板導体パターン１２ｂには、ワイヤ配線１４ｃを介して出力端子４が電気的に接続されている。半導体スイッチ１３ｂには、ワイヤ配線１４ｄを介してインバータケース１の左側に位置する入力端子の櫛歯部の正極直流端子３が電気的に接続されている。
【００３６】
半導体スイッチ１３ａ，１３ｂ、基板導体パターン１２ａ，１２ｂ、ワイヤ配線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄによる電気的な接続は、Ｕ相分のブリッジ回路を構成しており、インバータケース１の左側に位置する入力端子の櫛歯部から供給された直流電力が、半導体スイッチ１３ａ，１３ｂのスイッチング動作によりＵ相の交流電力に変換され、出力端子４から出力され、交流電動機５４のＵ相に供給される。
【００３７】
絶縁基板１５ｃ上には基板導体パターン１２ｃが形成されている。基板導体パターン１２ｃ上には半導体スイッチ１３ｃが実装され、基板導体パターン１２ｃと電気的に接続されている。基板導体パターン１２ｃには、ワイヤ配線１４ｅを介してインバータケース１の中央に位置する入力端子の櫛歯部の負極直流端子２が電気的に接続されている。半導体スイッチ１３ｃにはワイヤ配線１４ｆを介して出力端子５が電気的に接続されている。
【００３８】
絶縁基板１５ｄ上には基板導体パターン１２ｄが形成されている。基板導体パターン１２ｄ上には半導体スイッチ１３ｄが実装され、基板導体パターン１２ｄと電気的に接続されている。基板導体パターン１２ｄには、ワイヤ配線１４ｇを介して出力端子５が電気的に接続されている。半導体スイッチ１３ｄには、ワイヤ配線１４ｈを介してインバータケース１の中央に位置する入力端子の櫛歯部の正極直流端子３が電気的に接続されている。
【００３９】
半導体スイッチ１３ｃ，１３ｄ、基板導体パターン１２ｃ，１２ｄ、ワイヤ配線１４ｅ，１４ｆ，１４ｇ，１４ｈによる電気的な接続は、Ｖ相分のブリッジ回路を構成しており、インバータケース１の中央に位置する入力端子の櫛歯部から供給された直流電力が、半導体スイッチ１３ｃ，１３ｄのスイッチング動作によりＶ相の交流電力に変換され、出力端子５から出力され、交流電動機５４のＶ相に供給される。
【００４０】
絶縁基板１５ｅ上には基板導体パターン１２ｅが形成されている。基板導体パターン１２ｅ上には半導体スイッチ１３ｅが実装され、基板導体パターン１２ｅと電気的に接続されている。基板導体パターン１２ｅには、ワイヤ配線１４ｉを介してインバータケース１の右側に位置する入力端子の櫛歯部の負極直流端子２が電気的に接続されている。半導体スイッチ１３ｅにはワイヤ配線１４ｊを介して出力端子６が電気的に接続されている。
【００４１】
絶縁基板１５ｆ上には基板導体パターン１２ｆが形成されている。基板導体パターン１２ｆ上には半導体スイッチ１３ｆが実装され、基板導体パターン１２ｆと電気的に接続されている。基板導体パターン１２ｆには、ワイヤ配線１４ｋを介して出力端子６が電気的に接続されている。半導体スイッチ１３ｆには、ワイヤ配線１４ｌを介してインバータケース１の右側に位置する入力端子の櫛歯部の正極直流端子３が電気的に接続されている。
【００４２】
半導体スイッチ１３ｅ，１３ｆ、基板導体パターン１２ｅ，１２ｆ、ワイヤ配線１４ｉ，１４ｊ，１４ｋ，１４ｌによる電気的な接続は、Ｗ相分のブリッジ回路を構成しており、インバータケース１の右側に位置する入力端子の櫛歯部から供給された直流電力が、半導体スイッチ１３ｅ，１３ｆのスイッチング動作によりＷ相の交流電力に変換され、出力端子６から出力され、交流電動機５４のＷ相に供給される。
【００４３】
尚、本実施例では、半導体スイッチとしてＭＯＳ−ＦＥＴを用いた場合について説明したが、半導体スイッチとしてＩＧＢＴを用いた場合においても上述したように構成することができる。また、半導体スイッチとしてＭＯＳ−ＦＥＴを用いた場合、ワイヤ配線が接続されている面がソース電極面、基板導体パターンと接続されている面がドレイン電極面である。ソース電極面と同じ面上には、半導体スイッチのスイッチング動作信号（オン・オフ動作信号）などを受信するゲート電極面が形成されている。
【００４４】
絶縁基板１５ａと対向するインバータケース１の側面には、図示省略した制御部のドライブ回路に電気的に接続されたドライブ回路基板接続端子２４ａが設けられており、ワイヤ配線１６ａを介して半導体スイッチ１３ａのゲート電極面と電気的に接続されている。
絶縁基板１５ｂと対向するインバータケース１の側面には、図示省略した制御部のドライブ回路に電気的に接続されたドライブ回路基板接続端子２４ｂが設けられており、ワイヤ配線１６ｂを介して半導体スイッチ１３ｂのゲート電極面と電気的に接続されている。
【００４５】
絶縁基板１５ｃと対向するインバータケース１の側面には、図示省略した制御部のドライブ回路に電気的に接続されたドライブ回路基板接続端子２４ｃが設けられており、ワイヤ配線１６ｃを介して半導体スイッチ１３ｃのゲート電極面と電気的に接続されている。
絶縁基板１５ｄと対向するインバータケース１の側面には、図示省略した制御部のドライブ回路に電気的に接続されたドライブ回路基板接続端子２４ｄが設けられており、ワイヤ配線１６ｄを介して半導体スイッチ１３ｄのゲート電極面と電気的に接続されている。
【００４６】
絶縁基板１５ｅと対向するインバータケース１の側面には、図示省略した制御部のドライブ回路に電気的に接続されたドライブ回路基板接続端子２４ｅが設けられており、ワイヤ配線１６ｅを介して半導体スイッチ１３ｅのゲート電極面と電気的に接続されている。
絶縁基板１５ｆと対向するインバータケース１の側面には、図示省略した制御部のドライブ回路に電気的に接続されたドライブ回路基板接続端子２４ｆが設けられており、ワイヤ配線１６ｆを介して半導体スイッチ１３ｆのゲート電極面と電気的に接続されている。
【００４７】
尚、本実施例では、半導体スイッチのゲート電極面を２個、ドライブ回路基板接続端子を３個とした場合について説明したが、半導体スイッチに電流検出，温度検出等の機能が付加されている場合、ゲート電極面の数は増える。また、電圧検出，温度検出などを実施する場合、ゲート電極面数の増加に応じてドライブ回路基板接続端子の数も増える。
【００４８】
本実施例によれば、絶縁基板１５ａ〜１５ｆ，櫛形状の入力端子の３つの櫛歯部及び出力端子４〜６を市松模様状となるように交互に並べてインバータケース１内の放熱板７上に配設したので、絶縁基板１５ａ〜１５ｆ上に余分な基板導体パターンを設けることなく、半導体スイッチ１３ａ〜１３ｆと櫛形状の入力端子の３つの櫛歯部及び出力端子４〜６との間を直接、ワイヤ配線で電気的に接続することができ、ワイヤ配線接続箇所を削減することができる。これにより、主回路配線面積を縮小し、パワーモジュール部３０を小型化することができる。従って、インバータ装置５５を小型化することができる。
【００４９】
ここで、主回路配線とは、入力端子と、電解コンデンサと、入力端子の負極直流端子と正極直流端子との間に半導体スイッチによるブリッジ回路を構成する配線と、入力端子の負極直流端子と正極直流端子との間に電解コンデンサを接続する配線で構成される回路配線をいう。
【００５０】
半導体スイッチとして低オン抵抗な半導体スイッチを使用する場合、主回路配線における損失と半導体スイッチのオン抵抗値による損失が同じ程度になる。このため、上述のように主回路配線抵抗で大きな割合を占めるワイヤ配線接続箇所を削減することは、電力変換の高効率化に効果がある。また、ワイヤ配線接続箇所の削減は、ワイヤ配線の接続工数の削減にもつながるので、生産コストの削減にも効果がある。
【００５１】
また、本実施例では、負極直流端子２，正極直流端子３及び出力端子４〜６と基板導体パターン１２ａ〜１２ｆとの接続をワイヤ配線１４ａ，１４ｃ，１４ｅ，１４ｇ，１４ｉ，１４ｋで行ったが、それを半田接合或いは超音波接合を用いて薄い板状導体で行ってもよい。薄い板状導体による接続によれば、接続工数をワイヤ配線接続よりも更に削減することができる。また、薄い板状導体による接続面積をワイヤ配線総断面積より大きくすることができるので、配線抵抗を低減することができる。
【００５２】
また、本実施例によれば、負極直流端子２と正極直流端子３との間に挟まれる絶縁部材９を、負極直流端子２のワイヤ配線との接合面の前まで挟み込むようにしたので、負極直流端子２と正極直流端子３における配線インダクタンスを低減することができる。
【００５３】
また、本実施例によれば、インバータケース１内における出力端子４〜６，櫛形状の入力端子及び絶縁基板１５ａ〜１５ｆの配置構成によって、インダクタンスを低減している。すなわちインバータ装置においては、半導体スイッチのスイッチング動作（オン・オフ動作）の切り替わりの際、主回路配線の電流値が大きく変化する。このため、主回路配線には、主回路配線と電解コンデンサの合計のインダクタンスと主回路配線における電流量の時間微分値の積によって決定される電圧（跳ね上り電圧）が生じる。この跳ね上り電圧は、半導体スイッチのスイッチング動作の切り替わりの際、半導体スイッチに電源電圧と共に瞬時的に印加される。跳ね上り電圧が増加し、半導体スイッチのスイッチング動作の切り替わりの際に印加される電圧が素子耐圧を越えると、絶縁破壊に至る可能性があるので、インバータ装置の正常動作には、跳ね上り電圧を抑制する必要がある。従って、跳ね上り電圧の要因となるインダクタンスの低減が必要になる。このインダクタンスの低減は、インバータ装置の大電流化するにあたっては特に重要な課題となる。
【００５４】
そこで、本実施例では、例えばインバータケース１の左側に位置する入力端子の櫛歯部の正極直流端子３→ワイヤ配線１４ｄ→半導体チップ１３ｂ→基板導体パターン１２ｂ→ワイヤ配線１４ｃ→出力導体４→ワイヤ配線１４ｂ→半導体チップ１３ａ→基板導体パターン１２ａ→ワイヤ配線１４ａ→インバータケース１の左側に位置する入力端子の櫛歯部の負極直流端子２のように、放熱板７上にループ状の電流経路を形成している。これにより、電流量が時間変化した際、放熱板７にループ状の電流経路に対向した渦電流が流れるので、渦電流との電磁干渉によって電流経路のインダクタンスを低減することができる。
【００５５】
また、電流経路のインダクタンスは、電流経路のループ面積が小さい程低減される。本実施例では、絶縁基板１５ａ〜１５ｆ，櫛形状の入力端子の３つの櫛歯部及び出力端子４〜６を市松模様状となるように交互に並べてインバータケース１内の放熱板７上に配設し、各相毎に放熱板７上にループ状の電流経路が形成されるように電気的に接続したので、ループ状の電流経路の面積を最小にすることができる。
【００５６】
また、跳ね上り電圧の問題に対して、耐圧の高い半導体スイッチを使用する対策があるが、耐圧を高くした場合、半導体スイッチはオン状態での抵抗値が大きくなる傾向がある。特に電源電圧が低く、半導体スイッチに大電流が流れるシステムでは、オン状態での半導体スイッチでの損失の割合が大きくなるため、インダクタンスの低減による跳ね上り電圧を抑制を、耐圧のより低い半導体スイッチで可能にすることができる。その効果、発熱低減による温度上昇の抑制に伴う寿命信頼性向上、或いは冷却コストの低減及び冷却装置の小型化などの効果を得ることができる。
【００５７】
また、上述した本実施例の配置構成によれば、半導体スイッチのゲート電極面と接続するワイヤ配線、例えばワイヤ配線１６ａの配線方向と、その近傍にあるワイヤ配線１４ｂの配線方向をほぼ９０度、すなわち直交させることができるので、ワイヤ配線１４ｂに流れる電流によって生じる電磁ノイズを軽減させることができる。
【００５８】
図８は、本発明の第２実施例であるインバータ装置のパワーモジュール部内の配置構成を示す。前例においては三相交流電力変換用のインバータ装置について説明した。本実施例のインバータ装置は単相交流電力変換用のものであり、前例の三相交流電力変換用のインバータ装置の１相分（Ｕ相）の構成と全く同様に構成されている。従って、前例と同様の符号を付し、その説明を省略する。尚、本実施例においては、入力端子を構成する正極直流端子３及び負極直流端子２の形状が、出力端子と同様の板棒状のもので形成されている。本実施例によれば、前例と同様にインバータ装置を小型化することができると共に、インダクタンスを低減することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１…インバータケース、２…負極直流端子、３…正極直流端子、４〜６…出力端子、７…放熱底板、８…ネジ穴、９…絶縁部材、１２ａ〜１２ｆ…導体パターン、１３ａ〜１３ｆ…半導体スイッチ、１４ａ〜１４ｌ…ワイヤ配線、１５ａ〜１５ｆ…絶縁基板、１６ａ〜１６ｆ…ワイヤ配線、１８ａ〜１８ｆ…半導体スイッチ、１９ａ〜１９ｆ…ダイオード、２０…制御端子、２１，２２…導体板、２３…絶縁部材、２４ａ〜２４ｆ…ドライブ回路基板接続端子、２６…制御補助端子、２９…電解コンデンサ、３０…パワーモジュール部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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