(57)【要約】      （修正有）【課題】調整精度を低下させることなく比較的短時間に磁気ヘッドのライト電流を最適化する。【解決手段】調整対象となる対象磁気ヘッドのライトコア幅の実測値で格納された第１の相関関数を参照してライト電流の調整範囲を選定する調整範囲選定部と、対象磁気ヘッドのライトコア幅の実測値で格納された第２の相関関数を参照して仮トラックピッチの選定部と、前記仮トラックピッチで格納された第３の相関関数を参照して前記仮トラックピッチに対するイレーズ予測係数の選定部と、対象磁気ヘッドによる目的トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第１の波形品質情報、前記目的トラックに隣接する隣接トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第２の波形品質情報、及び前記イレーズ予測係数に基づいて前記ライト電流の最適値を決定するライト電流設定部を備える。【選択図】図１
2010225209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め求められた、磁気ヘッドのライトコア幅とライト電流の最適値との間の第１の相関関数と、磁気ヘッドのライトコア幅と磁気記録媒体上のトラックピッチとの間の第２の相関関係と、前記トラックピッチとイレーズにより隣接トラックに既に書き込まれているデータに生じる劣化との間の第３の相関関数を格納する格納手段と、
調整対象となる対象磁気ヘッドのライトコア幅の実測値で前記格納手段に格納された前記第１の相関関数を参照して前記ライト電流の調整範囲を選定する調整範囲選定手段と、
前記対象磁気ヘッドのライトコア幅の実測値で前記格納手段に格納された前記第２の相関関数を参照してトラックピッチを仮トラックピッチに選定する仮トラックピッチの選定手段と、
前記仮トラックピッチで前記格納手段に格納された前記第３の相関関数を参照して前記仮トラックピッチに対するイレーズ予測係数を選定するイレーズ予測係数の選定手段と、
前記対象磁気ヘッドによる目的トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第１の波形品質情報、前記目的トラックに隣接する隣接トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第２の波形品質情報、及び前記イレーズ予測係数に基づいて前記ライト電流の最適値を決定するライト電流設定手段を備えた、磁気記憶装置。
【請求項２】
前記ライト電流設定手段は、前記隣接トラックへの一定ライト回数のデータ書き込みによる特性ロスの変化量を示す特性ロス値を前記第１及び第２の波形品質情報の差分から算出し、前記特性ロス値と前記イレーズ予測係数から特性値を算出し、前記特性値が最小値となるライト電流の値をライト電流の最適値として決定する、請求項１記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記ライト電流設定手段は、前記ライト電流の値が前記調整範囲の上限値に達していないと前記ライト電流の値を所定値だけ増加させ、前記上限値に達するまで前記ライト電流の値を変えながら前記特性値ＶＭｔを算出する、請求項２記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
前記波形品質情報はビタビマージン又はエラーレートであり、前記ライト電流設定手段は特性ロスの変化量を示す特性ロス値ΔＶＭを前記第１及び第２の波形品質情報ＶＭａ，ＶＭｂの差分ＶＭａ−ＶＭｂ＝ΔＶＭから算出し、前記特性ロス値ΔＶＭと前記イレーズ予測係数Ｃから前記特性値ＶＭｔをＶＭｔ＝ＶＭｂ＋Ｃ×ΔＶＭなる式から算出する、請求項２又は３記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
前記ライト電流の調整範囲の上限値又は下限値を前記調整範囲を拡張するように調整単位だけ変化させ、変化させた上限値を用いて前記イレーズ予測係数の選定手段により算出された特性値が前回算出された特性値より大きくなるまで前記調整範囲を拡張する調整範囲拡張手段を更に備えた、請求項２乃至４のいずれか１項記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
予め求められている磁気ヘッドのライトコア幅とライト電流の最適値との間の第１の相関関数を調整対象となる対象磁気ヘッドのライトコア幅を測定した実測値で参照してライト電流の調整範囲を選定する調整範囲選定手順と、
予め求められている磁気ヘッドのライトコア幅と磁気記録媒体上のトラックピッチとの間の第２の相関関係を前記対象磁気ヘッドのライトコア幅の実測値で参照してトラックピッチを仮トラックピッチに選定する仮トラックピッチの選定手順と、
予め求められている前記トラックピッチとイレーズにより隣接トラックに既に書き込まれているデータに生じる劣化との間の第３の相関関数を前記仮トラックピッチで参照して前記仮トラックピッチに対するイレーズ予測係数を選定するイレーズ予測係数の選定手順と、
前記対象磁気ヘッドによる目的トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第１の波形品質情報、前記目的トラックに隣接する隣接トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第２の波形品質情報、及び前記イレーズ予測係数に基づいて前記ライト電流の最適値を決定するライト電流設定手順を含む、ライト電流設定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記憶装置及びライト電流設定方法に係り、特に磁気ヘッドに印加される書き込み電流（以下、ライト（Write）電流と言う）をチューニングする磁気記憶装置及びライト電流設定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ヘッドにより、磁気ディスクに代表される磁気記録媒体にデータを書き込む際に磁気ヘッドに印加されるライト電流は、磁気ヘッドの能力（或いは、性能）に応じて出荷時に調整される。ライト電流を調整することで、個々の磁気ヘッドの能力のバラツキを吸収してどの磁気ヘッドでもある一定以上のリード特性が得られるようにしている。
【０００３】
磁気記憶装置内の調整対象となる磁気ヘッドのライト電流を調整する時、調整対象の磁気ヘッドの能力は分からないため、ライト電流を確実に最適化するためには、ライト電流の調整範囲を比較的広く設定しておく必要がある。ライト電流は、例えば書き込み後に読み出されたデータのエラーレートに応じて調整されて最適化される。しかし、ライト電流を調整する際には、磁気ヘッドによりデータが書き込まれる目的トラックに隣接する隣接トラックへの影響を考慮する必要があり、例えば隣接トラックに対して複数回ライト動作を行うこと等もあるため、ライト電流の調整範囲が広いとその分ライト電流の調整時間が増大してしまう。
【０００４】
尚、ライト電流の調整時間を短縮するために、データが書き込み後に読み出される磁気記録媒体上の測定箇所を減らしたり（又は、間引いたり）、調整範囲を限定することもできるが、この場合はライト電流の調整精度が低下してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−８４４５６号公報
【特許文献２】特開２００１−２７３６０３号公報
【特許文献３】特開２００７−２４２１７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の磁気記憶装置では、調整精度を低下させることなく比較的短時間に磁気ヘッドのライト電流を最適化することは難しいという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、調整精度を低下させることなく比較的短時間に磁気ヘッドのライト電流を最適化することが可能な磁気記憶装置及びライト電流設定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一観点によれば、予め求められた、磁気ヘッドのライトコア幅とライト電流の最適値との間の第１の相関関数と、磁気ヘッドのライトコア幅と磁気記録媒体上のトラックピッチとの間の第２の相関関係と、前記トラックピッチとイレーズにより隣接トラックに既に書き込まれているデータに生じる劣化との間の第３の相関関数を格納する格納手段と、調整対象となる対象磁気ヘッドのライトコア幅の実測値で前記格納手段に格納された前記第１の相関関数を参照して前記ライト電流の調整範囲を選定する調整範囲選定手段と、前記対象磁気ヘッドのライトコア幅の実測値で前記格納手段に格納された前記第２の相関関数を参照してトラックピッチを仮トラックピッチに選定する仮トラックピッチの選定手段と、前記仮トラックピッチで前記格納手段に格納された前記第３の相関関数を参照して前記仮トラックピッチに対するイレーズ予測係数を選定するイレーズ予測係数の選定手段と、前記対象磁気ヘッドによる目的トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第１の波形品質情報、前記目的トラックに隣接する隣接トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第２の波形品質情報、及び前記イレーズ予測係数に基づいて前記ライト電流の最適値を決定するライト電流設定手段を備えた磁気記憶装置が提供される。
【０００９】
本発明の一観点によれば、予め求められている磁気ヘッドのライトコア幅とライト電流の最適値との間の第１の相関関数を調整対象となる対象磁気ヘッドのライトコア幅を測定した実測値で参照してライト電流の調整範囲を選定する調整範囲選定手順と、予め求められている磁気ヘッドのライトコア幅と磁気記録媒体上のトラックピッチとの間の第２の相関関係を前記対象磁気ヘッドのライトコア幅の実測値で参照してトラックピッチを仮トラックピッチに選定する仮トラックピッチの選定手順と、予め求められている前記トラックピッチとイレーズにより隣接トラックに既に書き込まれているデータに生じる劣化との間の第３の相関関数を前記仮トラックピッチで参照して前記仮トラックピッチに対するイレーズ予測係数を選定するイレーズ予測係数の選定手順と、前記対象磁気ヘッドによる目的トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第１の波形品質情報、前記目的トラックに隣接する隣接トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第２の波形品質情報、及び前記イレーズ予測係数に基づいて前記ライト電流の最適値を決定するライト電流設定手順を含むライト電流設定方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
開示の磁気記憶装置及びライト電流設定方法によれば、調整精度を低下させることなく比較的短時間に磁気ヘッドのライト電流を最適化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施例における磁気記憶装置の一部を示す図である。
【図２】磁気ヘッドのライトコア幅測定処理を説明するフローチャートである。
【図３】ＲＤＣの機能を用いて算出されるＷＣＷを説明する図である。
【図４】ライト能力とＷＣＷの関係を示す図である。
【図５】ＷＣＷが広い場合のライト能力及びイレーズにより生じる隣接トラックのデータの劣化とライト電流との関係を示す図である。
【図６】ＷＣＷが狭い場合のライト能力及びイレーズにより生じる隣接トラックのデータの劣化とライト電流との関係を示す図である。
【図７】ライト電流の調整範囲選定処理を説明するフローチャートである。
【図８】ＷＣＷとライト電流の最適値との間の相関関数を説明する図である。
【図９】仮トラックピッチの選定処理を説明するフローチャートである。
【図１０】ＷＣＷとトラックピッチとの間の相関関数を説明する図である。
【図１１】イレーズ予測係数の選定処理を説明するフローチャートである。
【図１２】イレーズによる特性ロスの比とトラックピッチとの間の相関関数を説明する図である。
【図１３】ライト電流設定処理を説明するフローチャートである。
【図１４】ライト電流設定処理により設定されるライト電流の最適値を説明する図である。
【図１５】ライト電流の調整範囲拡張処理を説明するフローチャートである。
【図１６】ライト電流の調整範囲拡張処理による調整範囲の拡張を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
開示の磁気記憶装置及びライト電流設定方法では、予め求められている磁気ヘッドのライトコア幅とライト電流の最適値との間の第１の相関関数を調整対象となる対象磁気ヘッドのライトコア幅を測定した実測値で参照してライト電流の調整範囲を選定する。又、予め求められている磁気ヘッドのライトコア幅と磁気記録媒体上のトラックピッチとの間の第２の相関関係を対象磁気ヘッドのライトコア幅の実測値で参照してトラックピッチを仮トラックピッチに選定する。更に、予め求められているトラックピッチとイレーズにより隣接トラックに既に書き込まれているデータに生じる劣化との間の第３の相関関数を仮トラックピッチで参照して仮トラックピッチに対するイレーズ予測係数を選定する。ライト電流の最適値は、対象磁気ヘッドによる目的トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第１の波形品質情報、前記目的トラックに隣接する隣接トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第２の波形品質情報、及び前記イレーズ予測係数に基づいて決定する。
【００１３】
これにより、調整精度を低下させることなく比較的短時間に磁気ヘッドのライト電流を最適化することが可能となる。
【００１４】
以下に、本発明の磁気記憶装置及びライト電流設定方法の各実施例を、図面と共に説明する。
【実施例】
【００１５】
図１は、本発明の一実施例における磁気記憶装置の一部を示す図である。本実施例では、本発明が磁気ディスク装置に適用されている。
【００１６】
図１に示す磁気ディスク装置１は、制御部１１及び筐体を形成するディスクエンクロージャ（ＤＥ：Disk Enclosure）１２を有する。制御部１１は、ホスト装置（図示せず）との情報のやり取りの制御、及び磁気ディスク装置１全体の制御を司る。
【００１７】
制御部１１は、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ：Hard Disk Controller）１１１、マイクロコントロールユニット（ＭＣＵ：Micro Control Unit）１１２、リードチャネル（ＲＤＣ：Read Channel）１１３、サーボコントローラ（ＳＶＣ：Servo Controller）１１４、ＲＡＭ（Random Access Memory）１１５、及びＲＯＭ（Read Only Memory）１１６を有する。ＨＤＣ１１１は、インタフェースやプロトコルの制御、ＲＡＭ１１５をデータバッファとして使用する際の制御、磁気ディスク１２７のフォーマットの制御等を司る。ＭＣＵ１１２は、各種演算処理を実行すると共に、ＨＤＣ１１１、ＲＤＣ１１３とＳＶＣ１１５の制御及びＲＡＭ１１５とＲＯＭ１１６の管理を行う。ＲＤＣ１１３は、データの変調及び復調を含む、データの磁気ディスク１２７への書き込み及びデータの磁気ディスク１２７からの読み出しを制御する。ＲＡＭ１１５は、データバッファとして使用可能であり、演算処理の中間結果を含む各種データを格納する格納手段を形成する。ＲＯＭ１１６は、例えばフラッシュＲＯＭで形成されており、ＭＣＵ１１２が実行するプログラムやデータを格納する格納手段を形成する。ＲＯＭ１１６の代わりに、プログラムをコンピュータ読み取り可能に格納する各種コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を使用しても良いことは言うまでもない。
【００１８】
ＤＥ１２は、プリアンプ（Preamplifier）１２１、アクチュエータ１２２、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ：Voice Coil Motor）１２３、スピンドル軸１２４、スピンドルモータ（ＳＰＭ：Spindle Motor）１２５、磁気ヘッド１２６、及び磁気ディスク１２７を有する。プリアンプ１２１は、磁気ヘッド１２６の数Ｎに対応するチャネル数Ｎを有し、各チャネル毎に対応する磁気ヘッド１２６により磁気ディスク１２７に書き込むデータを増幅するライトドライバＷと、対応する磁気ヘッド１２６により磁気ディスク１２７から読み出されたデータを増幅するリードプリアンプＲを有する。ＶＣＭ１２３は、磁気ヘッド１２６を磁気ディスク１２７の半径方向に沿って移動させるアクチュエータ１２２の動作を制御する。ＳＰＭ１２５は、各磁気ディスク１２７が固定されたスピンドル軸１２４を回転する。磁気ヘッド１２６は、データの書き込みを行うライトヘッドとデータの読み出しを行う磁気抵抗効果型（ＭＲ：Magneto-Resistive）ヘッド等のリードヘッドの組み合わせで形成された所謂複合型ヘッドである。磁気ディスク１２７は、磁気ヘッド１２６によるデータの書き込み及びデータの読み出しの対象であり、用いる磁気記録方式は水平磁気記録方式であっても垂直磁気記録方式であっても良い。
【００１９】
尚、磁気ヘッド１２６の数及び磁気ディスク１２７の数は特に限定されず、ＤＥ１２は少なくとも１つの磁気ヘッド１２６及び少なくとも１つの磁気ディスク１２７を有するものであれば良い。
【００２０】
図１に示す磁気ディスク装置１の基本構成自体は周知であり、ＭＣＵ１１２が実行するプログラムによりＭＣＵ１１２を本実施例の各種処理を実行する対応する手段として機能させることができる。言うまでもなく、磁気ディスク装置１の基本構成は図１の基本構成に限定されるものではない。
【００２１】
図２は、測定対象となる磁気ヘッド１２６（具体的にはライトヘッド）のライトコア幅（ＷＣＷ：Write Core Width）測定処理を説明するフローチャートである。ＷＣＷ測定処理は、ＭＣＵ１１２の制御下で実行される。ＭＣＵ１１２は、例えばＲＯＭ１１６に格納されたプログラムを実行することで、ＷＣＷ測定処理を実行するＷＣＷ測定手段として機能する。
【００２２】
図２において、ステップＳ１は、磁気ヘッド１２６が磁気ディスク１２７にデータを書き込む周波数を設定する。ステップＳ２は、磁気ヘッド１２６により磁気ディスク１２７上の目的トラックへ例えば単一データパターンを有するデータを書き込む。ステップＳ３は、比較的速いデータ転送速度でのデータ転送を制御するＲＤＣ１１３内の周知のＨＳＣ（High-Speed Control）機能をイネーブル（Enable）状態にして、測定する周波数を設定する。ステップＳ４は、ステップＳ２でデータを書き込んだ磁気ディスク１２６上の位置から設定したオフセット量分だけオフセットされた位置でデータを読み出す。ステップＳ５は、ＲＤＣ１１３のＨＳＣ機能を用いてステップＳ４で読み出したデータの波形の正弦（Sine）成分ＨＳＣ＿ｓｉｎ２、余弦（Cosine）成分ＨＳＣ＿ｃｏｓ２より、読み出したデータの出力レベル（振幅）ＨＳＣ＿ｍａｇを次の式から求める。
【００２３】
ＨＳＣ＿ｍａｇ＝（ＨＳＣ＿ｓｉｎ２＋ＨＳＣ＿ｃｏｓ２）１／２
ステップＳ６は、オフセット量を変更するか否かを判定し、判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ７はオフセット量を一定量増加させて処理はステップＳ４へ戻る。このようにして、オフセット量を変更しながら読み出したデータの出力レベルＨＳＣ＿ｍａｇを取得する。オフセット量は、ＷＣＷが十分に測定できる範囲で変える。ステップＳ６の判定結果がＮＯであると、ステップＳ８はオフセット量と取得したデータの出力レベルＨＳＣ＿ｍａｇからＷＣＷを算出する。算出されたＷＣＷは、例えばＲＡＭ１１５に格納される。本実施例では、出力レベルＨＳＣ＿ｍａｇの最大値Ｖｐの１／２であるＶｐ／２となるオフセット量を出力レベルＨＳＣ＿ｍａｇのピーク値に対して正（＋）側と負（−）側の夫々で求め、これらの正側と負側間のオフセット量の幅をＷＣＷとする。つまり、ＷＣＷ＝｜＋ｎ｜＋｜−ｎ｜とする。
【００２４】
図３は、上記の如きＲＤＣ１１３の機能を用いて算出されるＷＣＷを説明する図である。図３中、縦軸は磁気ヘッド１２６が磁気ディスク１２７から読み出したデータの出力レベルＨＳＣ＿ｍａｇを任意単位で示し、横軸は上記オフセット量を任意単位で示す。磁気ヘッド１２６が磁気ディスク１２７から読み出したデータの波形、即ち、出力レベルＨＳＣ＿ｍａｇがＶｐ／２となる負側のオフセット量−ｎから正側のオフセット量＋ｎまでのオフセット量の幅が算出されたＷＣＷとなる。
【００２５】
このようにして、磁気ヘッド１２６が磁気ディスク１２７に書き込んで読み出したデータの波形が図３のようなプロファイルを有すると、このプロファイルからＷＣＷを算出する。
【００２６】
図４に示すように、磁気ヘッド１２６のライト能力とＷＣＷとの間には相関性があり、ＷＣＷが広い程ライト能力は高くなる傾向がある。図４は、ライト能力とＷＣＷの関係を示す図である。図４中、縦軸は例えばオーバーライト（ＯＷ：Over-Write）特性等のライト能力を示し、横軸はＷＣＷを任意単位で示す。
【００２７】
従って、ＷＣＷが広い場合はライト能力が高く、イレーズ（消去）により隣接トラックに既に書き込まれているデータに生じる劣化（以下、特性ロスとも言う）も大きくなるため、ライト電流は図５に示すように低く設定されることが望ましい。図５は、ＷＣＷが広い場合のライト能力及びイレーズにより生じる隣接トラックのデータの劣化（特性ロス）とライト電流との関係を示す図である。図５中、縦軸は太い破線で示すライト能力及び細い破線で示すイレーズにより生じる隣接トラックのデータの劣化（特性ロス）を示し、横軸はライト電流Ｉｗを任意単位で示す。図５において、ＩＷＲは、使用に適したライト電流Ｉｗの範囲を示す。
【００２８】
一方、ＷＣＷが狭い場合は、ライト能力が低く、イレーズにより隣接トラックに既に書き込まれているデータに生じる劣化（特性ロス）も小さくなるため、ライト電流は図６に示すように高く設定されることが望ましい。図６は、ＷＣＷが狭い場合のライト能力及びイレーズにより生じる隣接トラックのデータの劣化（特性ロス）とライト電流との関係を示す図である。図６中、縦軸は太い破線で示すライト能力及び細い破線で示すイレーズにより生じる隣接トラックのデータの劣化（特性ロス）を示し、横軸はライト電流Ｉｗを任意単位で示す。図６において、ＩＷＲは、使用に適したライト電流Ｉｗの範囲を示す。
【００２９】
図７は、ライト電流Ｉｗの調整範囲選定処理を説明するフローチャートである。この調整範囲選定処理は、ＭＣＵ１１２の制御下で実行される。ＭＣＵ１１２は、例えばＲＯＭ１１６に格納されたプログラムを実行することで、ライト電流Ｉｗの調整範囲選定処理を実行するライト電流Ｉｗの調整範囲選定手段として機能する。
【００３０】
図７において、ステップＳ１１は、調整範囲選定処理の対象となる磁気ヘッド１２６を選択する。ステップＳ１２は、ステップＳ１１で選択された磁気ヘッド１２６のＷＣＷを図２のＷＣＷ測定処理により測定する。測定されたＷＣＷは、例えばＲＡＭ１１５に格納される。ステップＳ１３は、予め求められている磁気ヘッドのＷＣＷとライト電流の最適値との間の相関関数（又は、相関テーブル）から、ステップＳ１２で測定されたＷＣＷに対するライト電流Ｉｗの最適値を予想し、この予想された最適値にある一定の幅を持たせた範囲をライト電流Ｉｗの調整範囲に選定する。予め求められている相関関数（又は、相関テーブル）は、例えばＲＡＭ１１５又はＲＯＭ１１６に格納されている。
【００３１】
図８は、ステップＳ１３で参照される相関関数を説明する図である。図８中、縦軸はライト電流Ｉｗを任意単位で示し、横軸は磁気ヘッドのＷＣＷを任意単位で示す。図８において、実線はライト電流Ｉｗの最適値を示し、破線はこの最適値にある一定の幅を持たせたライト連流Ｉｗの範囲（ライト電流Ｉｗの調整範囲）を示す。ライト電流Ｉｗｎ〜Ｉｗｍは、ＷＣＷの値がＷＣＷｎの場合のライト電流Ｉｗの調整範囲を示す。図８に示す相関関数は、例えば各種ＷＣＷに対するライト電流Ｉｗの最適値を測定することにより予め求められている。尚、図８の如き相関関数は、必要に応じて環境温度や磁気ディスク１２７上の半径位置毎に求めておいても良い。
【００３２】
ステップＳ１４は、磁気ディスク装置１内の全ての磁気ヘッド１２６に対してライト電流Ｉｗの調整範囲を選定したか否かを判定する。ステップＳ１４の判定結果がＮＯであると、ステップＳ１５は調整範囲選定処理の対象となる磁気ヘッド１２６を選択可能として、処理はステップＳ１１へ戻る。例えば調整範囲選定処理の対象となる磁気ヘッド１２６がヘッドに付けられた番号で選択される場合、ステップＳ１５は未選択の磁気ヘッド１２６の番号をステップＳ１１において選択可能とする。磁気ヘッド１２６に連番のヘッド番号が付けられていれば、ステップＳ１５は調整範囲選定処理の対象となる磁気ヘッド１２６のヘッド番号をインクリメントする等しても良い。一方、ステップＳ１４の判定結果がＹＥＳであると、処理は終了する。これにより、各磁気ヘッド１２６毎にライト電流Ｉｗの調整範囲が選定される。
【００３３】
図９は、仮トラックピッチの選定処理を説明するフローチャートである。この仮トラックピッチの選定処理は、ＭＣＵ１１２の制御下で実行される。ＭＣＵ１１２は、例えばＲＯＭ１１６に格納されたプログラムを実行することで、仮トラックピッチの選定処理を実行する仮トラックピッチの選定手段として機能する。
【００３４】
図９において、ステップＳ２１は、仮トラックピッチの選定処理の対象となる磁気ヘッド１２６を選択する。ステップＳ２２は、ステップＳ２１で選択された磁気ヘッド１２６のＷＣＷを図２のＷＣＷ測定処理により測定する。測定されたＷＣＷは、例えばＲＡＭ１１５に格納される。ステップＳ２３は、予め求められて例えばＲＡＭ１１５に格納されている磁気ヘッドのＷＣＷと磁気ディスク１２７上のトラックピッチとの間の相関関数から、ステップＳ２２で測定されたＷＣＷに対するトラックピッチの最適値を予想し、この予想された最適値を仮トラックピッチに選定する。選定された仮トラックピッチは、例えばＲＡＭ１１５に格納される。
【００３５】
図１０は、ステップＳ２３で参照される相関関数を説明する図である。図１０中、縦軸はトラックピッチを任意単位で示し、横軸はＷＣＷを任意単位で示す。図１０において、ＴＰｎはＷＣＷの値がＷＣＷｎの場合のトラックピッチを示し、ＴＰ０は基準トラックピッチを示す。図１０に示す相関関数は、例えば各種ＷＣＷに対するトラックピッチの最適値を測定することにより予め求められている。
【００３６】
ステップＳ２３は、図１０の相関関係を参照することで、ステップＳ２２で測定されたＷＣＷに対して一定の比率ａを乗算してＴＰ＝ａ×ＷＣＷからトラックピッチＴＰの最適値を予想するか、或いは、測定されたＷＣＷに対して一定の絶対量ｂを加算してＴＰ＝ＷＣＷ＋ｂからトラックピッチの最適値を予想することで、隣接トラックへの影響を均一化する。
【００３７】
ステップＳ２４は、磁気ディスク装置１内の全ての磁気ヘッド１２６に対して仮トラックピッチを選定したか否かを判定する。ステップＳ２４の判定結果がＮＯであると、ステップＳ２５は仮トラックピッチの選定処理の対象となる磁気ヘッド１２６を選択可能として、処理はステップＳ２１へ戻る。例えば仮トラックピッチの選定処理の対象となる磁気ヘッド１２６がヘッドに付けられた番号で選択される場合、ステップＳ２５は未選択の磁気ヘッド１２６の番号をステップＳ２１において選択可能とする。磁気ヘッド１２６に連番のヘッド番号が付けられていれば、ステップＳ２５は仮トラックピッチの選定処理の対象となる磁気ヘッド１２６のヘッド番号をインクリメントする等しても良い。一方、ステップＳ２４の判定結果がＹＥＳであると、処理は終了する。これにより、各磁気ヘッド１２６毎に仮トラックピッチが選定される。
【００３８】
図１１は、イレーズ予測係数の選定処理を説明するフローチャートである。このイレーズ予測係数の選定処理は、ＭＣＵ１１２の制御下で実行される。ＭＣＵ１１２は、例えばＲＯＭ１１６に格納されたプログラムを実行することで、イレーズ予測係数の選定処理を実行するイレーズ予測係数の選定手段として機能する。イレーズ予測係数Ｃは、ライト電流Ｉｗの調整時のトラックピッチとデータの書き込み又は読み出し時に実際に使用されるトラックピッチが異なる場合に算出される。
【００３９】
図１１において、ステップＳ３１は、イレーズ予測係数Ｃの選定処理の対象となる磁気ヘッド１２６を選択する。ステップＳ３２は、トラックピッチの調整を考慮するか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、ステップＳ３３は、既にトラックピッチが調整済等の場合でイレーズ予測係数Ｃを使用しないと判断し、イレーズ予測係数Ｃを「１」に設定する。ステップＳ３３の後、処理は後述するステップＳ３６へ進む。
【００４０】
ステップＳ３２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ３４は、図９の仮トラックピッチの選定処理により仮トラックピッチＴＰｎを選定する。選定された仮トラックピッチは、例えばＲＡＭ１１５に格納される。又、ステップＳ３５は、予め求められており例えばＲＡＭ１１５に格納されているトラックピッチとイレーズにより隣接トラックに既に書き込まれているデータに生じる劣化（特性ロス）との間の相関関数から、ステップＳ３４で選定された仮トラックピッチＴＰｎに対するイレーズ予測係数Ｃを選定する。具体的には、ライト電流Ｉｗの調整を基準トラックピッチＴＰ０で行う場合、この基準トラックピッチＴＰ０とデータの書き込み又は読み出し時に実際に使用されると予想される仮トラックピッチＴＰｎとの差ΔＴＰを算出する。上記トラックピッチと特性ロスとの間の相関関数から、差ΔＴＰに応じたイレーズによる特性ロスの変化量（又は、イレーズによる特性ロスの基準特性ロスに対する比）をイレーズ予測係数Ｃｎとして選定する。選定されたイレーズ予測係数Ｃｎは、例えばＲＡＭ１１５に格納される。尚、このイレーズ予測係数Ｃｎは、各ライト電流Ｉｗに対応した値（又は、関数）として選定しておくことも可能である。
【００４１】
図１２は、ステップＳ３４で参照される相関関数を説明する図である。図１２中、縦軸はイレーズによる特性ロス比を任意単位で示し、横軸は磁気ディスク１２７上のトラックピッチＴＰを任意単位で示す。図１２において、実線はライト電流Ｉｗの最適値に対するトラックピッチＴＰを示し、破線はライト電流Ｉｗの調整範囲の下限値Ｉｗｍｉｎに対するトラックピッチを示し、一点鎖線はライト電流Ｉｗの調整範囲の上限値Ｉｗｍａｘに対するトラックピッチを示す。図１２に示す相関関数は、例えば各種トラックピッチＴＰに対するイレーズによる特性ロス比を測定することにより予め求められている。尚、図１２の如き相関関数は、必要に応じて環境温度や磁気ディスク１２７上の半径位置毎に求めておいても良い。
【００４２】
ステップＳ３６は、磁気ディスク装置１内の全ての磁気ヘッド１２６に対してイレーズ予測係数Ｃを選定したか否かを判定する。ステップＳ３６の判定結果がＮＯであると、ステップＳ３７はイレーズ予測係数の選定処理の対象となる磁気ヘッド１２６を選択可能として、処理はステップＳ３１へ戻る。例えばイレーズ予測係数の選定処理の対象となる磁気ヘッド１２６がヘッドに付けられた番号で選択される場合、ステップＳ３７は未選択の磁気ヘッド１２６の番号をステップＳ３１において選択可能とする。磁気ヘッド１２６に連番のヘッド番号が付けられていれば、ステップＳ３７はイレーズ予測係数の選定処理の対象となる磁気ヘッド１２６のヘッド番号をインクリメントする等しても良い。一方、ステップＳ３６の判定結果がＹＥＳであると、処理は終了する。これにより、各磁気ヘッド１２６毎にイレーズ予測係数Ｃが選定される。
【００４３】
図１３は、ライト電流設定処理を説明するフローチャートである。このライト電流設定処理は、ＭＣＵ１１２の制御下で実行される。ＭＣＵ１１２は、例えばＲＯＭ１１６に格納されたプログラムを実行することで、ライト電流設定処理を実行するライト電流設定手段として機能する。
【００４４】
図１３において、ステップＳ４１は、ライト電流設定処理の対象となる磁気ヘッド１２６を選択する。ステップＳ４２は、ステップＳ４１で選択された磁気ヘッド１２６のライト電流Ｉｗの調整範囲を図７のライト電流Ｉｗの調整範囲選定処理により選定する。ステップＳ４３は、ステップＳ４１で選択された磁気ヘッド１２６のイレーズ予測係数Ｃを図１１のイレーズ予測係数の選定処理により選定する。ステップＳ４４は、ライト電流Ｉｗの値をＩｗｎに設定する。選定されたライト電流Ｉｗの調整範囲及びイレーズ予測係数Ｃ、及び設定されたライト電流Ｉｗの値Ｉｗｎは、例えばＲＡＭ１１５に格納される。
【００４５】
ステップＳ４５は、ステップＳ４１で選択された磁気ヘッド１２６によりステップＳ４４で設定されたライト電流Ｉｗｎで磁気ディスク１２７上の目的トラックにデータを書き込み、書き込んだデータを読み出す。ステップＳ４６は、ＲＤＣ１１３内の周知の波形品質モニタ機能を使用して波形品質情報としてビタビマージン（ＶＭ：Viterbi Margin)を測定し、測定されたＶＭ値をＶＭｂとする。尚、波形品質の指標はＶＭに限定されるものではなく、例えばセクタエラーレート（ＳＥＲ：Sector Error Rate）等のエラーレートや他の波形品質情報を測定しても良い。
【００４６】
ステップＳ４７は、ステップＳ４１で選択された磁気ヘッド１２６によりステップＳ４４で設定されたライト電流Ｉｗｎで磁気ディスク１２７上の目的トラックに隣接する隣接トラックにデータを書き込む。ステップＳ４８は、隣接トラックへのデータの書き込み回数（ライト回数）が設定された閾値に達したか否かを判定し、判定結果がＮＯであると処置はステップＳ４９へ進み、判定結果がＹＥＳであると処理はステップＳ５０へ進む。ステップＳ４９は、ライト回数をインクリメントし、処理はステップＳ４７へ戻る。
【００４７】
ステップＳ５０は、ステップＳ４１で選択された磁気ヘッド１２６により磁気ディスク１２７上の目的トラックからデータを読み出してＶＭを測定し、測定されたＶＭ値をＶＭａとする。ステップＳ５１は、次のようにして特性値ＶＭｔを算出する。先ず、隣接トラックへのデータ書き込み前のＶＭ値ＶＭａと隣接トラックへのデータ書き込み後のＶＭ値ＶＭｂから、隣接トラックへの閾値に等しいライト回数のデータ書き込みによる特性ロス値ΔＶＭ＝ＶＭａ−ＶＭｂを算出する。特性ロス値ΔＶＭは、イレーズによるＶＭの変化量を示す。次に、イレーズ予測係数Ｃを用いて、特性値ＶＭｔをＶＭｔ＝ＶＭｂ＋Ｃ×ΔＶＭから算出する。測定されたＶＭ値ＶＭａ、及び算出された特性値ＶＭｔは、例えばＲＡＭ１１５に格納される。ステップＳ５２は、ライト電流Ｉｗの値がＩｗｍに達したか否かを判定する。ステップＳ５２の判定結果がＮＯであると、ステップＳ５３はライト電流Ｉｗの値を所定値だけ増加させ、処理はステップＳ４４へ戻る。これにより、ライト電流Ｉｗの値がＩｗｍに達するまで、ライト電流Ｉｗの値を変えながら特性値ＶＭｔを算出する。
【００４８】
ステップＳ５２の判定結果がＹＥＳであると、ライト電流Ｉｗの値を変えるので、ステップＳ５４は、特性値ＶＭｔが最小値となるライト電流Ｉｗの値をライト電流Ｉｗの最適値として決定する。決定されたライト電流Ｉｗの最適値は、例えばＲＡＭ１１５に格納される。ステップＳ５５は、磁気ディスク装置１内の全ての磁気ヘッド１２６に対してライト電流Ｉｗの最適値を決定したか否かを判定する。ステップＳ５５の判定結果がＮＯであると、ステップＳ５６はライト電流設定処理の対象となる磁気ヘッド１２６を選択可能として、処理はステップＳ４１へ戻る。ステップＳ５５の判定結果がＹＥＳであると、処理は終了する。
【００４９】
図１４は、図１３のライト電流設定処理により設定されるライト電流Ｉｗの最適値を説明する図である。図１４中、縦軸は太い破線に対してはＶＭＭを任意単位で示すと共に細い破線に対しては特性ロス値ΔＶＭを任意単位で示し、横軸はライト電流Ｉｗを任意単位で示す。特性値ＶＭｔは実線で示し、黒丸印が図１３のライト電流設定処理により決定されたライト電流Ｉｗの最適値を示す。
【００５０】
図１５は、ライト電流Ｉｗの調整範囲拡張処理を説明するフローチャートである。この調整範囲拡張処理は、ＭＣＵ１１２の制御下で実行される。ＭＣＵ１１２は、例えばＲＯＭ１１６に格納されたプログラムを実行することで、調整範囲拡張処理を実行するライト電流Ｉｗの調整範囲拡張手段として機能する。
【００５１】
図１５において、ステップＳ６１は、図１４のライト電流設定処理で設定されたライト電流Ｉｗの最適値がライト電流Ｉｗの調整範囲の上限値Ｉｗｍ又は下限値Ｉｗｎであるか否かを判定する。ステップＳ６１の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ６２は、ライト電流Ｉｗの調整範囲を拡張するか否かを判定する。ステップＳ６１又はステップＳ６２の判定結果がＮＯであると、ライト電流Ｉｗの調整範囲を拡張することなく、図１４のライト電流設定処理で設定されたライト電流Ｉｗの最適値を最適値として確定し、処理は終了する。
【００５２】
一方、ステップＳ６２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ６３は、ライト電流Ｉｗの最適値が調整範囲の上限値Ｉｗｍであると最適値をＩｗｍ＋１に設定し、ライト電流Ｉｗの最適値が調整範囲の下限値Ｉｗｎであると最適値をＩｗｎ−１に設定する。設定されたライト電流Ｉｗの最適値は、例えばＲＡＭ１１５に格納される。ここで、Ｉｗｍに対する「＋１」及びＩｗｎに対する「−１」は、最適値の調整単位を示す。ステップＳ６４は、ステップＳ６３で設定されたライト電流Ｉｗの最適値Ｉｗｍ＋１（又は、Ｉｗｎ−１）を用いて図１１中のステップＳ５１と同様の方法で特性値ＶＭｔ（Ｉｗｍ＋１）（又は、特性値ＶＭｔ（Ｉｗｎ−１））を算出する。算出された特性値ＶＭｔ（Ｉｗｍ＋１）（又は、特性値ＶＭｔ（Ｉｗｎ−１））は、例えばＲＡＭ１１５に格納される。ステップＳ６５は、今回算出した特性値ＶＭｔ（Ｉｗｍ＋１）（又は、特性値ＶＭｔ（Ｉｗｎ−１））の方が前回算出した特性値ＶＭｔ（Ｉｗｍ）（又は、特性値ＶＭｔ（Ｉｗｎ）より大きいか否かを判定する。ステップＳ６５の判定結果がＮＯであると、ステップＳ６６は、ライト電流Ｉｗの最適値を上記最適値の調整単位だけ増加（又は、減少）させてＩｗｍ＋１（又は、Ｉｗｎ−１）に設定する。ステップＳ６６の後、処理はステップＳ６３へ戻る。このようにして、ライト電流Ｉｗの調整範囲に問題がないか否かを確認し、ライト電流Ｉｗの最適値が他にあると想定されれば、ライト電流Ｉｗの調整範囲を拡張してより最適な最適値を探索する。ステップＳ６５の１回目の判定結果がＹＥＳであると、図１４のライト電流設定処理で設定されたライト電流Ｉｗの最適値を最適値として確定し、処理は終了する。又、ステップＳ６５の２回目以降の判定結果がＹＥＳであると、ライト電流Ｉｗの調整範囲を拡張して探索された最適値をライト電流Ｉｗの最適値として確定し、処理は終了する。
【００５３】
ライト電流Ｉｗの調整範囲拡張処理は、ライト電流Ｉｗの調整範囲が拡張可能であれば拡張して最適値の探索を続けるが、拡張可能範囲は予め設定して制限しておいても良い。
【００５４】
図１６は、図１５のライト電流の調整範囲拡張処理による調整範囲の拡張を説明する図である。図１６中、縦軸は太い破線に対してはＶＭＭを任意単位で示すと共に細い破線に対しては特性ロス値ΔＶＭを任意単位で示し、横軸はライト電流Ｉｗを任意単位で示す。特性値ＶＭｔは実線で示し、白丸印が図１３のライト電流設定処理により決定されたライト電流Ｉｗの最適値を示し、黒丸印が調整範囲拡張処理により調整された最適値の一例を示す。この例では、調整範囲の上限値ＩｗｍがＩｗｍ＋ｄに増加されることでライト電流Ｉｗの調整範囲が拡張されている。
【００５５】
上記の如く、本実施例では、ＷＣＷとライト電流の最適値は相関性を有することを利用する。つまり、図８に示すようなＷＣＷとライト電流の最適値との間の相関関数（又は、相関テーブル）を予め磁気記録媒体や温度等の調整条件毎に求めておく。実際の調整対象となる磁気ヘッドのＷＣＷを測定すれば、図８からもわかるように、ＷＣＷの実測値を用いて相関関数のＷＣＷからライト電流の調整範囲を選定することができる。
【００５６】
又、イレーズの影響を均一化するために磁気ヘッド毎にトラックピッチを可変する技術が提案されているが、本実施例では調整対象となる磁気ヘッドのＷＣＷの実測値から一定の条件下において使用される仮トラックピッチを図９及び図１０と共に説明したように選定し、仮トラックピッチに伴うイレーズの変化量を図１１及び図１２と共に説明したように予測する。このイレーズによる波形品質情報の変化量（例えば、ＶＭの変化量である特性ロス値ΔＶＭ）を、ＷＣＷ又はライト電流に対応した係数（又は、相関関数）として持つことで、トラックピッチの変化によるイレーズの影響を考慮したライト電流の最適値の調整が可能となる。
【００５７】
従って、磁気記憶装置で測定したＷＣＷの実測値をパラメータチューニングへ活用してチューニングの効率化を図ることができる。従来のライト電流調整方法では、磁気ヘッドの個々のバラツキを吸収するためには、調整範囲を広くする必要があったが、本実施例では、測定して得られたＷＣＷの実測値からライト能力及びトラックピッチ条件に適合したイレーズ量を予測する（即ち、イレーズ予測係数を求める）ことで、ライト電流の調整範囲を最適値の付近に予め限定しておくことができるため、調整時間を大幅に短縮することができる。つまり、調整精度を低下させることなく比較的短時間に磁気ヘッドのライト電流を最適化することが可能となる。
【００５８】
上記実施例の如くライト電流の最適値の調整範囲を可変設定するライト電流設定方法は、磁気記憶装置の製造時に用いることができる。つまり、磁気記憶装置の製造段階において、磁気記録媒体や磁気ヘッド等の部品の組み立て工程等の経た後の出荷前の試験工程等においてライト電流の最適値の調整範囲を可変設定することができる。この場合、ライト電流の最適値の調整範囲を可変設定する処理をＭＣＵ１１２に実行させるプログラムは、ＷＣＷとライト電流の最適値との間の相関関数（又は、相関テーブル）と共に、上記試験工程等において試験対象となる磁気記憶装置にインストールされる。尚、磁気記憶装置にインストールされたプログラムは、アンインストールされても、アンインストールされずにそのまま出荷されるようにしても良い。磁気記憶装置にインストールされたプログラム及び相関関数（又は、相関テーブル）をアンインストールせずにそのまま出荷すれば、ユーザ或いは保守者が任意の時点でライト電流の最適値の調整範囲を可変設定することが可能となる。
【００５９】
尚、上記実施例では、本発明が磁気ディスク装置に適用されているが、本発明は各種磁気記録媒体及び磁気ヘッドを備えた磁気記憶装置に同様に適用可能であることは言うまでもない。
【００６０】
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
予め求められた、磁気ヘッドのライトコア幅とライト電流の最適値との間の第１の相関関数と、磁気ヘッドのライトコア幅と磁気記録媒体上のトラックピッチとの間の第２の相関関係と、前記トラックピッチとイレーズにより隣接トラックに既に書き込まれているデータに生じる劣化との間の第３の相関関数を格納する格納手段と、
調整対象となる対象磁気ヘッドのライトコア幅の実測値で前記格納手段に格納された前記第１の相関関数を参照して前記ライト電流の調整範囲を選定する調整範囲選定手段と、
前記対象磁気ヘッドのライトコア幅の実測値で前記格納手段に格納された前記第２の相関関数を参照してトラックピッチを仮トラックピッチに選定する仮トラックピッチの選定手段と、
前記仮トラックピッチで前記格納手段に格納された前記第３の相関関数を参照して前記仮トラックピッチに対するイレーズ予測係数を選定するイレーズ予測係数の選定手段と、
前記対象磁気ヘッドによる目的トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第１の波形品質情報、前記目的トラックに隣接する隣接トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第２の波形品質情報、及び前記イレーズ予測係数に基づいて前記ライト電流の最適値を決定するライト電流設定手段を備えた、磁気記憶装置。
（付記２）
前記ライト電流設定手段は、前記隣接トラックへの一定ライト回数のデータ書き込みによる特性ロスの変化量を示す特性ロス値を前記第１及び第２の波形品質情報の差分から算出し、前記特性ロス値と前記イレーズ予測係数から特性値を算出し、前記特性値が最小値となるライト電流の値をライト電流の最適値として決定する、付記１記載の磁気記憶装置。
（付記３）
前記ライト電流設定手段は、前記ライト電流の値が前記調整範囲の上限値に達していないと前記ライト電流の値を所定値だけ増加させ、前記上限値に達するまで前記ライト電流の値を変えながら前記特性値ＶＭｔを算出する、付記２記載の磁気記憶装置。
（付記４）
前記波形品質情報はビタビマージン又はエラーレートであり、前記ライト電流設定手段は特性ロスの変化量を示す特性ロス値ΔＶＭを前記第１及び第２の波形品質情報ＶＭａ，ＶＭｂの差分ＶＭａ−ＶＭｂ＝ΔＶＭから算出し、前記特性ロス値ΔＶＭと前記イレーズ予測係数Ｃから前記特性値ＶＭｔをＶＭｔ＝ＶＭｂ＋Ｃ×ΔＶＭなる式から算出する、付記２又は３記載の磁気記憶装置。
（付記５）
前記イレーズ予測係数の選定手段は、前記ライト電流の調整を基準トラックピッチで行う場合、前記基準トラックピッチとデータの書き込み又は読み出し時に使用されると予想される仮トラックピッチとの差を算出し、前記第３の相関関数から、前記差に応じたイレーズによるデータの劣化を示す特性ロスの変化量を前記イレーズ予測係数として選定する、付記２乃至４のいずれか１項記載の磁気記憶装置。
（付記６）
前記ライト電流の調整範囲の上限値又は下限値を前記調整範囲を拡張するように調整単位だけ変化させ、変化させた上限値を用いて前記イレーズ予測係数の選定手段により算出された特性値が前回算出された特性値より大きくなるまで前記調整範囲を拡張する調整範囲拡張手段を更に備えた、付記２乃至４のいずれか１項記載の磁気記憶装置。
（付記７）
予め求められている磁気ヘッドのライトコア幅とライト電流の最適値との間の第１の相関関数を調整対象となる対象磁気ヘッドのライトコア幅を測定した実測値で参照してライト電流の調整範囲を選定する調整範囲選定手順と、
予め求められている磁気ヘッドのライトコア幅と磁気記録媒体上のトラックピッチとの間の第２の相関関係を前記対象磁気ヘッドのライトコア幅の実測値で参照してトラックピッチを仮トラックピッチに選定する仮トラックピッチの選定手順と、
予め求められている前記トラックピッチとイレーズにより隣接トラックに既に書き込まれているデータに生じる劣化との間の第３の相関関数を前記仮トラックピッチで参照して前記仮トラックピッチに対するイレーズ予測係数を選定するイレーズ予測係数の選定手順と、
前記対象磁気ヘッドによる目的トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第１の波形品質情報、前記目的トラックに隣接する隣接トラックへのデータの書き込み及び読み出しにより得られた第２の波形品質情報、及び前記イレーズ予測係数に基づいて前記ライト電流の最適値を決定するライト電流設定手順を含む、ライト電流設定方法。
（付記８）
前記ライト電流設定手順は、前記隣接トラックへの一定ライト回数のデータ書き込みによる特性ロスの変化量を示す特性ロス値を前記第１及び第２の波形品質情報の差分から算出し、前記特性ロス値と前記イレーズ予測係数から特性値を算出し、前記特性値が最小値となるライト電流の値をライト電流の最適値として決定する、付記７記載のライト電流設定方法。
（付記９）
前記ライト電流設定手順は、前記ライト電流の値が前記調整範囲の上限値に達していないと前記ライト電流の値を所定値だけ増加させ、前記上限値に達するまで前記ライト電流の値を変えながら前記特性値ＶＭｔを算出する、付記８記載のライト電流設定方法。
（付記１０）
前記波形品質情報はビタビマージン又はエラーレートであり、前記ライト電流設定手順は特性ロスの変化量を示す特性ロス値ΔＶＭを前記第１及び第２の波形品質情報ＶＭａ，ＶＭｂの差分ＶＭａ−ＶＭｂ＝ΔＶＭから算出し、前記特性ロス値ΔＶＭと前記イレーズ予測係数Ｃから前記特性値ＶＭｔをＶＭｔ＝ＶＭｂ＋Ｃ×ΔＶＭなる式から算出する、付記８又は９記載のライト電流設定方法。
（付記１１）
前記イレーズ予測係数の選定手順は、前記ライト電流の調整を基準トラックピッチで行う場合、前記基準トラックピッチとデータの書き込み又は読み出し時に使用されると予想される仮トラックピッチとの差を算出し、前記第３の相関関数から、前記差に応じたイレーズによるデータの劣化を示す特性ロスの変化量を前記イレーズ予測係数として選定する、付記８乃至１０のいずれか１項記載のライト電流設定方法。
（付記１２）
前記ライト電流の調整範囲の上限値又は下限値を前記調整範囲を拡張するように調整単位だけ変化させ、変化させた上限値を用いて前記イレーズ予測係数の選定手段により算出された特性値が前回算出された特性値より大きくなるまで前記調整範囲を拡張する調整範囲拡張手順を更に含む、付記８乃至１０のいずれか１項記載のライト電流設定方法。
（付記１３）
付記７乃至１２記載の前記各手順をコンピュータに実行させる、プログラム。
（付記１４）
前記プログラムを格納した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【００６１】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００６２】
１      磁気ディスク装置
１１      制御部
１２      ＤＥ
１１１      ＨＤＣ
１１２      ＭＣＵ
１１３      ＲＤＣ
１１４      ＳＶＣ
１１５      ＲＡＭ
１１６      ＲＯＭ
１２６      磁気ヘッド
１２７      磁気ディスク
【図１】
2010225209.tif 000003
【図２】
2010225209.tif 000004
【図３】
2010225209.tif 000005
【図４】
2010225209.tif 000006
【図５】
2010225209.tif 000007
【図６】
2010225209.tif 000008
【図７】
2010225209.tif 000009
【図８】
2010225209.tif 000010
【図９】
2010225209.tif 000011
【図１０】
2010225209.tif 000012
【図１１】
2010225209.tif 000013
【図１２】
2010225209.tif 000014
【図１３】
2010225209.tif 000015
【図１４】
2010225209.tif 000016
【図１５】
2010225209.tif 000017
【図１６】
2010225209.tif 000018