(57)【要約】【課題】バイアス磁石と磁気抵抗素子の組み付けばらつきによる回転検出精度の低下を抑制することのできる回転検出装置の製造方法を提供する。【解決手段】磁気検出素子１，２を搭載した舌状保持部２１が、磁石３０の中空部３１内に挿入されると共に、磁石３０が、舌状保持部２１と共にキャップ４０内に挿入され、キャップ４０の開口端部４１が、対向するケース２０の基盤部２０ａにおける継ぎ手面２５に、レーザ溶着されてなる回転検出装置１００の製造方法であって、レーザ溶着時において、磁気検出素子１，２のセンサ出力をモニターし、該センサ出力に基づいて、レーザの照射を停止する回転検出装置１００の製造方法とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
盤状の基盤部および該基盤部の一面から突き出るように形成され磁気検出素子を搭載する舌状保持部を有してなるケースと、
バイアス磁界を発生するための筒状の磁石と、
前記磁石および前記舌状保持部を密封するための有底筒状のキャップとを有してなり、
前記磁気検出素子を搭載した舌状保持部が、前記磁石の中空部内に挿入されると共に、前記磁石が、前記舌状保持部と共に前記キャップ内に挿入され、
前記キャップの開口端部が、対向する前記ケースの基盤部における継ぎ手面に、レーザ溶着されてなる回転検出装置の製造方法であって、
前記レーザ溶着時において、前記磁気検出素子のセンサ出力をモニターし、
該センサ出力に基づいて、前記レーザの照射を停止することを特徴とする回転検出装置の製造方法。
【請求項２】
前記磁気検出素子のセンサ出力が上昇する過程において、該センサ出力が所定の閾値を越えた時点で、前記レーザの照射を停止することを特徴とする請求項１に記載の回転検出装置の製造方法。
【請求項３】
前記磁気検出素子のセンサ出力が上昇する過程において、該センサ出力の最小値と最大値を記録し、
前記磁気検出素子のセンサ出力が低下する過程において、該センサ出力が前記最小値と最大値の中間に設定されてなる所定の閾値を越えた時点で、前記レーザの照射を停止することを特徴とする請求項１に記載の回転検出装置の製造方法。
【請求項４】
前記閾値を、前記最小値と最大値の略中央値に設定することを特徴とする請求項３に記載の回転検出装置の製造方法。
【請求項５】
前記ケースと前記キャップが、共に樹脂材料からなり、
前記ケースの樹脂材料のレーザ透過率が、前記キャップの樹脂材料のレーザ透過率より小さいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の回転検出装置の製造方法。
【請求項６】
前記ケースの樹脂材料と前記キャップの樹脂材料が、共にＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂からなり、
前記ケースのＰＰＳ樹脂が、前記キャップのＰＰＳ樹脂材料に較べて、カーボンブラックを多く含むことを特徴とする請求項５に記載の回転検出装置の製造方法。
【請求項７】
前記レーザ溶着時において、
前記キャップの開口端部と前記ケースの継ぎ手面の間に、前記レーザの吸収率が前記ケースより高いレーザ吸収層を介在させて、前記レーザを照射することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の回転検出装置の製造方法。
【請求項８】
前記レーザ溶着時において、
前記レーザ吸収層と前記ケースの継ぎ手面の間に、前記レーザを反射するレーザ反射層を介在させて、前記レーザを照射することを特徴とする請求項７に記載の回転検出装置の製造方法。
【請求項９】
前記キャップの開口端部と前記ケースの継ぎ手面に、凸部と凹部からなり該キャップとケースの相対位置変位を規制する嵌合部が設けられてなることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の回転検出装置の製造方法。
【請求項１０】
前記回転検出装置が、車載用の回転検出装置であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の回転検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗素子の抵抗値変化を利用して、回転体の回転状態をバイアス磁界の変化により検出する回転検出装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗素子（ＭＲＥ、Magneto Resistive Element）の抵抗値変化を利用して、回転体の回転状態をバイアス磁界の変化により検出する回転検出装置が、例えば、特開２００６−２７５６３９号公報（特許文献１）、特開２００６−１７５９３号公報（特許文献２）および特開２００７−２３２３７２号公報（特許文献３）に開示されている。
【０００３】
図６は、特許文献３に開示された回転検出装置で、回転検出装置１００の断面構造を模式的に示した図である。
【０００４】
図６に示す回転検出装置１００は、ベアチップからなるセンサチップ１０および（バイアス）磁石３０がセンサ本体２０およびキャップ部材４０により構成されるハウジング内に密閉されて外部雰囲気から保護される構造となっている。このうち、センサチップ１０は、磁気抵抗素子対１および２がその処理回路とともに集積回路化されて構成されている。また、センサ本体２０は、例えばＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂等の非磁性体材料からなり、その側壁に例えばエンジン本体と締結されるフランジ２３を備えるとともに、フランジ２３から延設される部分には外部の電子制御装置等と接続されるコネクタ部２４を備えている。
【０００５】
一方、センサ本体２０は、キャップ部材４０の内方に突出する態様で導出される板状のチップ搭載部２１、並びにこのチップ搭載部２１の導出面であるチップ搭載部導出面２２の外周に連なる継ぎ手部２５、そしてこれらチップ搭載部導出面２２と継ぎ手部２５との間に介在してキャップ部材４０の組付けをガイドするガイド部２６を備えている。チップ搭載部２１には、コネクタ部２４の端子となる金属ターミナルの一端がセンサチップ１０との接続部Ｔｃとして一体に鋳込まれるかたちで実装（搭載）されている。具体的には、センサチップ１０はボンディングワイヤＷを介して金属ターミナルの接続部Ｔｃと電気的に接続されている。なお、金属ターミナルは、センサ本体２０の内部にて折り曲がるかたちでそれぞれ一本の導電性金属によって形成されている。そして、センサチップ１０と電気的に接続されてリードフレームとして兼用されるこれら金属ターミナルがそれぞれ、センサチップ１０の給電端子Ｔ１、出力端子Ｔ２およびＧＮＤ（接地）端子Ｔ３となる。また、継ぎ手部２５は、キャップ部材４０の開口端４１が接合される部分である。
【０００６】
他方、磁石３０は、例えば円柱の長手方向内部に四角形状の中空部３１を有する筒状に形成されており、センサチップ１０共々、センサ本体２０のチップ搭載部２１を覆う態様で挿入されている。この磁石３０は、センサチップ１０に組み込まれている磁気抵抗素子対１および２に対してバイアス磁界を付与するものであり、ロータ等の磁性体の回転時にこのバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化が磁気抵抗素子対１および２の抵抗値変化として感知される。
【０００７】
また、キャップ部材４０は有底筒状に形成されており、これも例えばＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂等の非磁性体材料でかつセンサ本体２０を構成する樹脂よりカーボンの含有率が低い、すなわちレーザ透過率の高い材料からなる。そして、センサ本体２０のチップ搭載部導出面２２を塞ぐ態様で同キャップ部材４０の内周面がガイド部２６に嵌合されるとともにその開口端４１が継ぎ手部２５に接合されることで、センサチップ１０共々、チップ搭載部２１および磁石３０を外部雰囲気から保護するようになる。
【特許文献１】特開２００６−２７５６３９号公報
【特許文献２】特開２００６−１７５９３号公報
【特許文献３】特開２００７−２３２３７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図６に示す回転検出装置１００では、センサ本体２０に形成された継ぎ手部２５とキャップ部材４０の開口端４１との接合面が、チップ搭載部導出面２２に直交する方向に対してテーパ状をなす態様で形成されている。すなわち、キャップ部材４０の開口端４１も、接合面としてのこうした形状に対応して、継ぎ手部２５を覆い得るように鍔状に拡径されている。そして、こうした接合面に外部からキャップ部材４０の開口端４１を介してレーザ光Ｌを照射することにより同接合面を溶融してこれを接合、すなわちレーザ溶着する。
【０００９】
一方、図６に示す回転検出装置１００では、バイアス磁界を付与する磁石３０と磁気抵抗素子対１および２の位置関係（図中のＭ−Ｍ（Magnet-MRE）距離）が重要で、Ｍ−Ｍ距離の僅かなばらつきにより、磁気抵抗素子対１および２が検出する磁気ベクトルの振れ角やセンシング感度が変り、回転検出精度が低下してしまう。
【００１０】
そこで本発明は、磁気抵抗素子の抵抗値変化を利用して、バイアス磁界の変化により回転状態を検出する回転検出装置の製造方法であって、バイアス磁石と磁気抵抗素子の組み付けばらつきによる回転検出精度の低下を抑制することのできる回転検出装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、盤状の基盤部および該基盤部の一面から突き出るように形成され磁気検出素子を搭載する舌状保持部を有してなるケースと、バイアス磁界を発生するための筒状の磁石と、前記磁石および前記舌状保持部を密封するための有底筒状のキャップとを有してなり、前記磁気検出素子を搭載した舌状保持部が、前記磁石の中空部内に挿入されると共に、前記磁石が、前記舌状保持部と共に前記キャップ内に挿入され、前記キャップの開口端部が、対向する前記ケースの基盤部における継ぎ手面に、レーザ溶着されてなる回転検出装置の製造方法であって、前記レーザ溶着時において、前記磁気検出素子のセンサ出力をモニターし、該センサ出力に基づいて、前記レーザの照射を停止することを特徴としている。
【００１２】
上記回転検出装置の製造方法は、従来の製造方法と異なり、レーザ溶着時において、磁気検出素子のセンサ出力をモニターしながらレーザを照射し、モニターしている該センサ出力に基づいて、レーザの照射を停止するものである。これによって、バイアス磁石と磁気抵抗素子の僅かな組み付けばらつきがある場合であっても、レーザ溶着時にバイアス磁石と磁気抵抗素子の位置関係（Ｍ−Ｍ距離）を適宜調整し、磁気抵抗素子が検出する磁気ベクトルの振れ角やセンシング感度を一定にして、所望するセンサ出力と回転検出精度を確保することができる。
【００１３】
以上のようにして、上記回転検出装置の製造方法は、磁気抵抗素子の抵抗値変化を利用して、バイアス磁界の変化により回転状態を検出する回転検出装置の製造方法であって、バイアス磁石と磁気抵抗素子の組み付けばらつきによる回転検出精度の低下を抑制することのできる回転検出装置の製造方法となっている。
【００１４】
上記回転検出装置の製造方法においては、例えば請求項２に記載のように、前記磁気検出素子のセンサ出力が上昇する過程において、該センサ出力が所定の閾値を越えた時点で、前記レーザの照射を停止することが好ましい。
【００１５】
レーザ溶着時において、バイアス磁石と磁気抵抗素子が近づき過ぎてＭ−Ｍ距離が所定の設定値より小さくなってしまうと、これを元に戻すのは非常に困難である。これを防止するために、上記のように、モニターしている磁気検出素子のセンサ出力が上昇する過程において、該センサ出力が所定の閾値を越えた時点でレーザの照射を停止する。これによれば、バイアス磁石と磁気抵抗素子の近づき過ぎを確実の防止することができる。
【００１６】
一方、請求項３に記載のように、前記磁気検出素子のセンサ出力が上昇する過程において、該センサ出力の最小値と最大値を例えばサンプルホールド回路により記録し、前記磁気検出素子のセンサ出力が低下する過程において、該センサ出力が前記最小値と最大値の中間に設定されてなる所定の閾値を越えた時点で、前記レーザの照射を停止するようにしてもよい。
【００１７】
これによれば、上記センサ出力の最小値と最大値からレーザの照射を停止する閾値が決定されるため、よりばらつきの少ないセンサ出力と回転検出精度を確保することができる。
【００１８】
この場合、例えば請求項４に記載のように、前記閾値を、前記最小値と最大値の略中央値に設定することが好ましい。
【００１９】
上記回転検出装置の製造方法においては、請求項５に記載のように、前記ケースと前記キャップが、共に樹脂材料からなり、前記ケースの樹脂材料のレーザ透過率が、前記キャップの樹脂材料のレーザ透過率より小さい構成とすることが好ましい。言い換えれば、前記ケースの樹脂材料のレーザ吸収率を、前記キャップの樹脂材料のレーザ吸収率に較べて大きく設定する。これによれば、キャップの外側からレーザを照射し、キャップの開口端部を透過して内側に当接しているケースの継ぎ手面にレーザを照射し、該継ぎ手面を溶融することができる。
【００２０】
この場合、例えば請求項６に記載のように、前記ケースの樹脂材料と前記キャップの樹脂材料を、共にＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂とし、前記ケースのＰＰＳ樹脂が、前記キャップのＰＰＳ樹脂材料に較べて、カーボンブラックを多く含む構成とすることが好ましい。これによれば、カーボンブラックの含有量を適宜設定することで、ケースおよびキャップに好適な所望するレーザ透過率を持つ樹脂材料を得ることができる。また、ケースとキャップは基本的に同じＰＰＳ樹脂からなるため、レーザ溶着した場合には、ケースとキャップを異なる樹脂材料とした場合に較べて、高い強度を持つ接合部を形成することができる。
【００２１】
また、上記回転検出装置の製造方法においては、請求項７に記載のように、前記レーザ溶着時において、前記キャップの開口端部と前記ケースの継ぎ手面の間に、前記レーザの吸収率が前記ケースより高いレーザ吸収層を介在させて、前記レーザを照射するようにしてもよい。例えば、ケースの樹脂材料としてカーボンブラックを含有するＰＰＳ樹脂を採用する場合には、レーザ吸収層をケースに較べてより多くのカーボンブラックを含有するＰＰＳ樹脂とする。
【００２２】
上記レーザ吸収層を介在させることにより、レーザの吸収効率が向上して、エネルギの利用効率が高められる。また、上記レーザ吸収層の厚さやレーザの吸収率を適宜設定することで、該レーザ吸収層が無い場合に較べて、レーザ溶着の制御が容易になる。
【００２３】
またこの場合、請求項８に記載のように、前記レーザ溶着時において、前記レーザ吸収層と前記ケースの継ぎ手面の間に、前記レーザを反射するレーザ反射層を介在させて、前記レーザを照射するようにしてもよい。レーザ反射層としては、例えば金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）からなる金属層を採用する。これによれば、レーザ反射層による反射レーザ光も上記レーザ吸収層の溶融に利用されるため、レーザ吸収層におけるレーザの吸収効率をさらに向上することができる。
【００２４】
上記回転検出装置の製造方法においては、請求項９に記載のように、前記キャップの開口端部と前記ケースの継ぎ手面に、凸部と凹部からなり該キャップとケースの相対位置変位を規制する嵌合部が設けられてなることが好ましい。これによって、レーザ溶着時の回転によるキャップとケースの相対位置ずれを抑制することができるため、ばらつきのすくないレーザ溶着を実現することができる。
【００２５】
以上のようにして、上記した回転検出装置の製造方法は、磁気抵抗素子の抵抗値変化を利用して、バイアス磁界の変化により回転状態を検出する回転検出装置の製造方法であって、バイアス磁石と磁気抵抗素子の組み付けばらつきによる回転検出精度の低下を抑制することのできる回転検出装置の製造方法となっている。
【００２６】
従って、上記した回転検出装置の製造方法は、請求項１０に記載のように、高い回転検出精度が要求される車載用の回転検出装置の製造に好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図に基づいて説明する。
【００２８】
本発明は、磁気抵抗素子の抵抗値変化を利用して、回転体の回転状態をバイアス磁界の変化により検出する回転検出装置の製造方法に関する。本発明の製造対象である回転検出装置は、図６に示した回転検出装置１００と同様であり、以下においては、図６の回転検出装置１００を参照しながら本発明の製造方法を説明する。
【００２９】
図６に示す回転検出装置１００は、ケース（センサ本体）２０と、バイアス磁界を発生するための筒状の磁石３０と、キャップ（部材）４０とを有している。ケース２０は、盤状の基盤部２０ａ、および該基盤部２０ａの一面（チップ搭載部導出面）２２から突き出るように形成され、磁気検出素子（対）１，２を搭載する舌状保持部（チップ搭載部）２１を有している。また、キャップ４０は、有底筒状で、磁石３０および磁気検出素子１，２を搭載した舌状保持部２１を密封するためのものである。
【００３０】
磁気検出素子１，２を搭載した舌状保持部２１は、磁石３０の中空部３１内に挿入されると共に、磁石３０が、舌状保持部２１と共にキャップ４０内に挿入される。そして、キャップ４０の開口端（部）４１が、対向するケース２０の基盤部２０ａにおける継ぎ手面（部）２５に、レーザ溶着される。
【００３１】
図６に示す回転検出装置１００においては、ケース２０とキャップ４０は、共に樹脂材料からなり、ケース２０の樹脂材料のレーザ透過率が、キャップ４０の樹脂材料のレーザ透過率より小さい構成とすることが好ましい。言い換えれば、ケース２０の樹脂材料のレーザ吸収率を、キャップ４０の樹脂材料のレーザ吸収率に較べて大きく設定する。これによって、キャップ４０の外側からレーザを照射し、キャップ４０の開口端部４１を透過して内側に当接しているケース２０の継ぎ手面２５にレーザを照射し、該継ぎ手面２５を溶融することができる。
【００３２】
この場合、例えばケース２０の樹脂材料とキャップ４０の樹脂材料を、共にＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂とし、ケース２０のＰＰＳ樹脂が、キャップ４０のＰＰＳ樹脂材料に較べて、カーボンブラックを多く含む構成とする。これによれば、カーボンブラックの含有量を適宜設定することで、ケース２０およびキャップ４０に好適な所望するレーザ透過率を持つ樹脂材料を得ることができる。また、ケース２０とキャップ４０は基本的に同じＰＰＳ樹脂からなるため、レーザ溶着した場合には、ケース２０とキャップ４０を異なる樹脂材料とした場合に較べて、高い強度を持つ接合部を形成することができる。
【００３３】
図１（ａ）〜（ｃ）は、図６の回転検出装置１００において、キャップ４０をケース２０の基盤部２０ａへレーザ溶接する際の様子を模式的に示した拡大断面図である。
【００３４】
キャップ４０を基盤部２０ａへレーザ溶接するにあたっては、最初に、図１（ａ）に示すように、磁石３０、基盤部２０ａおよびキャップ４０を所定の配置で組み付ける。次に、キャップ４０の底側から加圧して、キャップ４０の開口端部４１のテーパ面４１ｔを、基盤部２０ａに形成されている同じテーパ状の継ぎ手面２５に押し付ける。尚、磁石３０は、基盤部２０ａに当接すると共に、キャップ４０の筒状の内面と嵌合することにより固定される。
【００３５】
次に、図１（ｂ）に示すように、加圧した状態で、全体を円筒状のキャップ４０の中心軸周りで回転させながら、キャップ４０の開口端部４１の外側からレーザを照射する。これによって、基盤部２０ａの継ぎ手面２５を溶融すると共に、伝導熱でキャップ４０のテーパ面４１ｔも溶融する。このように、基盤部２０ａの継ぎ手面２５とキャップ４０のテーパ面４１ｔの溶着界面では、溶けた樹脂同士が混ざって相溶する。次に、レーザの照射を停止すると自然降温によって上記相溶した樹脂が再結晶化して接合部５０を形成し、キャップ４０と基盤部２０ａが溶着接合される。
【００３６】
本発明の製造方法は、図６の回転検出装置１００を製造するにあたり、上記キャップ４０とケース２０のレーザ溶着時において、磁気検出素子１，２のセンサ出力をモニターし、該センサ出力に基づいて、レーザの照射を停止する点に特徴がある。
【００３７】
図２は、上記レーザ溶着時において、モニターしているセンサ出力に基づきレーザの照射を停止する方法の一例である。
【００３８】
図２の方法では、磁気検出素子１，２のセンサ出力が上昇する過程において、該センサ出力が所定の閾値を越えた時点で、レーザの照射を停止するようにしている。
【００３９】
レーザ溶着時において、バイアス磁石３０と磁気抵抗素子１，２が近づき過ぎて図６に示したＭ−Ｍ距離が所定の設定値より小さくなってしまうと、これを元に戻すのは非常に困難である。これを防止するために、図２のように、モニターしている磁気検出素子１，２のセンサ出力が上昇する過程において、該センサ出力が所定の閾値を越えた時点でレーザの照射を停止する。これによれば、バイアス磁石３０と磁気抵抗素子１，２の近づき過ぎを確実の防止することができる。
【００４０】
図３は、上記レーザ溶着時において、モニターしているセンサ出力に基づきレーザの照射を停止する別の方法の例である。
【００４１】
図３の方法では、磁気検出素子１，２のセンサ出力が上昇する過程において、該センサ出力の最小値と最大値を例えばサンプルホールド回路により記録する。そして、磁気検出素子１，２のセンサ出力が低下する過程において、該センサ出力が前記最小値と最大値の中間に設定されてなる所定の閾値を越えた時点で、レーザの照射を停止するようにしている。例えば、前記閾値を、前記最小値と最大値の略中央値に設定する。
【００４２】
これによれば、上記センサ出力の最小値と最大値からレーザの照射を停止する閾値が決定されるため、よりばらつきの少ないセンサ出力と回転検出精度を確保することができる。
【００４３】
図２，３で例示したように、本発明の回転検出装置の製造方法は、従来の製造方法と異なり、レーザ溶着時において、磁気検出素子１，２のセンサ出力をモニターしながらレーザを照射し、モニターしている該センサ出力に基づいて、レーザの照射を停止するものである。これによって、バイアス磁石３０と磁気抵抗素子１，２の僅かな組み付けばらつきがある場合であっても、レーザ溶着時にバイアス磁石３０と磁気抵抗素子１，２の位置関係（Ｍ−Ｍ距離）を適宜調整し、磁気抵抗素子１，２が検出する磁気ベクトルの振れ角やセンシング感度を一定にして、所望するセンサ出力と回転検出精度を確保することができる。
【００４４】
以上のようにして、上記した回転検出装置の製造方法は、磁気抵抗素子１，２の抵抗値変化を利用して、バイアス磁界の変化により回転状態を検出する回転検出装置の製造方法であって、バイアス磁石３０と磁気抵抗素子１，２の組み付けばらつきによる回転検出精度の低下を抑制することのできる回転検出装置の製造方法となっている。
【００４５】
次に、上記した回転検出装置の製造方法において、より制御性よくレーザ溶着を実施するための変形例について説明する。
【００４６】
図４（ａ），（ｂ）と図５は、それぞれ、上記変形例についてのキャップ４０をケース２０へレーザ溶接する際の様子を模式的に示した拡大断面図である。
【００４７】
図４（ａ）では、レーザ溶着時において、キャップ４０の開口端部４１とケース２０の継ぎ手面２５の間に、レーザの吸収率がケース２０より高いレーザ吸収層２７を介在させて、レーザを照射するようにしている。例えば、ケース２０の樹脂材料としてカーボンブラックを含有するＰＰＳ樹脂を採用する場合には、レーザ吸収層２７をケース２０に較べてより多くのカーボンブラックを含有するＰＰＳ樹脂とする。
【００４８】
レーザ吸収層２７を介在させることにより、レーザの吸収効率が向上して、エネルギの利用効率が高められる。また、レーザ吸収層２７の厚さやレーザの吸収率を適宜設定することで、レーザ吸収層２７が無い場合に較べて、レーザ溶着の制御が容易になる。
【００４９】
図４（ｂ）では、レーザ溶着時において、レーザ吸収層２７とケース２０の継ぎ手面２５の間に、レーザを反射するレーザ反射層２８を介在させて、レーザを照射するようにしている。レーザ反射層２８としては、例えば金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）からなる金属層を採用する。これによれば、レーザ反射層２８による反射レーザ光もレーザ吸収層２７の溶融に利用されるため、レーザ吸収層２７におけるレーザの吸収効率をさらに向上することができる。
【００５０】
図５では、キャップ４０の開口端部４１とケース２０の継ぎ手面２５に、凸部と凹部からなりキャップ４０とケース２０の相対位置変位を規制する嵌合部６０が設けられている。これによって、レーザ溶着時の回転によるキャップ４０とケース２０の相対位置ずれを抑制することができるため、ばらつきのすくないレーザ溶着を実現することができる。
【００５１】
以上のようにして、上記した回転検出装置の製造方法は、いずれも、磁気抵抗素子１，２の抵抗値変化を利用して、バイアス磁界の変化により回転状態を検出する回転検出装置の製造方法であって、バイアス磁石３０と磁気抵抗素子１，２の組み付けばらつきによる回転検出精度の低下を抑制することのできる回転検出装置の製造方法となっている。
【００５２】
従って、上記した回転検出装置の製造方法は、高い回転検出精度が要求される車載用の回転検出装置の製造に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、図６の回転検出装置１００において、キャップ４０をケース２０の基盤部２０ａへレーザ溶接する際の様子を模式的に示した拡大断面図である。
【図２】レーザ溶着時において、モニターしているセンサ出力に基づきレーザの照射を停止する方法の一例である。
【図３】レーザ溶着時において、モニターしているセンサ出力に基づきレーザの照射を停止する別の方法の例である。
【図４】（ａ），（ｂ）は、それぞれ、変形例についてのキャップ４０をケース２０へレーザ溶接する際の様子を模式的に示した拡大断面図である。
【図５】変形例についてのキャップ４０をケース２０へレーザ溶接する際の様子を模式的に示した拡大断面図である。
【図６】回転検出装置１００の断面構造を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【００５４】
１００  回転検出装置
１，２  磁気検出素子（対）
２０  ケース（センサ本体）
２０ａ  基盤部
２１  舌状保持部（チップ搭載部）
２５  継ぎ手面（部）
２７  レーザ吸収層
２８  レーザ反射層
３０  （バイアス）磁石
４０  キャップ（部材）
４１  開口端（部）
６０  嵌合部
【図１】
2010032325.tif 000003
【図２】
2010032325.tif 000004
【図３】
2010032325.tif 000005
【図４】
2010032325.tif 000006
【図５】
2010032325.tif 000007
【図６】
2010032325.tif 000008