(57)【要約】【課題】コンタミネーションの影響を低減した信頼性の高い磁気ディスクを提供する。【解決手段】基板２上に、少なくとも磁性層４と保護層５を有し、起動停止機構がロードアンロード方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスク１であって、該磁気ディスク１のロードアンロード領域の保護層８が、光触媒機能を有する材料を含む。【選択図】図１
2010231858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも磁性層と保護層を有し、起動停止機構がロードアンロード方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクであって、
前記磁気ディスクのロードアンロード領域の保護層が、光触媒機能を有する材料を含むことを特徴とする磁気ディスク。
【請求項２】
前記ロードアンロード領域の保護層の表面部分に、前記光触媒機能を有する材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク。
【請求項３】
前記ロードアンロード領域の保護層の表面に、前記光触媒機能を有する材料を含む層を形成してなることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気ディスク。
【請求項４】
前記光触媒機能を有する材料として、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、チタン酸ストロンチウムのうちの少なくとも一種を用いることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁気ディスク。
【請求項５】
前記磁気ディスクのロードアンロード領域を除く記録再生領域の保護層上に、潤滑層を形成したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などの磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクに関し、特に装置の起動停止機構がロードアンロード（以下、ＬＵＬと呼ぶ。）方式の磁気ディスク装置に好適に用いられる磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤ（ハードディスクドライブ）の面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクにして、１枚当り２５０Ｇバイトを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような所要に応えるためには１平方インチ当り４００Ｇビットを超える情報記録密度を実現することが求められる。
【０００３】
ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するべく、限られたディスク面積を有効に利用するために、従来のＣＳＳ（Contact Start and Stop）方式に代えてＬＵＬ（Load Unload：ロードアンロード）方式のＨＤＤが用いられるようになってきた。ＬＵＬ方式では、ＨＤＤの停止時には、磁気ヘッドを磁気ディスクの外の傾斜台に退避させておき、起動動作時には磁気ディスクが回転開始した後に、磁気ヘッドを磁気ディスクのＬＵＬ領域に滑動させ、浮上飛行させて記録再生を行う。停止動作時には磁気ヘッドを磁気ディスク外の傾斜台に退避させたのち、磁気ディスクの回転を停止する。この一連の動作はＬＵＬ動作と呼ばれる。ＬＵＬ方式のＨＤＤに用いられる磁気ディスクでは、従来のＣＳＳ方式のような磁気ヘッドとの接触摺動用の凹凸形状領域（ＣＳＳ領域）を設ける必要がなく、記録再生領域を拡大させることができるため、高情報容量化にとって好適である。
【０００４】
このような状況の下で情報記録密度をより一層向上させるためには、磁気ヘッドの浮上量を低減させることにより、スペーシングロスを限りなく低減する必要がある。１平方インチ当り４００Ｇビットを超える情報記録密度を実現するためには、磁気ヘッドの浮上量は５ｎｍ以下にする必要がある。ＬＵＬ方式ではＣＳＳ方式と異なり、磁気ディスク面上にＣＳＳ用の凹凸形状を設ける必要がなく、磁気ディスク表面を極めて平滑化することが可能となる。よって、ＬＵＬ方式用の磁気ディスクでは、磁気ヘッドの浮上量を一段と低下させることができるので、記録信号の高Ｓ／Ｎ比化を図ることができ、磁気ディスク装置の高記録容量化に資することができるという利点もある。
【０００５】
このような近年のＬＵＬ方式の導入に伴う、磁気ヘッド浮上量の一段の低下により、５ｎｍ以下の超低浮上量においても、磁気ディスクが安定して動作する高信頼性が求められている。
なお、特許文献１には、磁性層上に設ける保護層が水分分解触媒機能とテクスチャー機能とを有する材料を含み、スティクション抑制機能を有する磁気記録媒体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−２３５５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
磁気ディスクの製造中または磁気ディスク装置への磁気ディスクの組立中に、磁気ディスクの表面に付着したハイドロカーボンなどのコンタミネーションは、磁気ディスク検査工程の磁気ヘッドまたは磁気ディスク組立中の磁気ヘッドに付着するか、あるいは磁気ヘッドの走査により拭われて磁気ヘッドが走査するいわゆる記録再生領域の両端である磁気ディスクの内周もしくは外周のＬＵＬ領域に蓄積する。また、磁気ヘッドに付着したコンタミネーションは、磁気ヘッドのＬＵＬ動作により比較的高い確率で、磁気ヘッドから落下して磁気ディスクのＬＵＬ領域に移動付着することはよく知られている事実である。
【０００８】
上記現象は、磁気ディスク装置の稼動中にも発生し、磁気ディスク装置内部の部品から発生した、もしくは外部環境から磁気ディスク装置内に侵入したハイドロカーボンなどのコンタミネーションは、その多くが磁気ディスクの表面に付着し、磁気ヘッドの走査により磁気ディスクの内周と外周に、またＬＵＬ動作により磁気ディスクの外周のＬＵＬ領域に蓄積することも知られている。このような磁気ディスク装置の稼動中に磁気ディスク表面に蓄積したコンタミネーションは、磁気ヘッドのＬＵＬ動作、または磁気ディスク装置の振動、空気流などにより、再度磁気ヘッドに付着し、磁気ヘッドの浮上不安定などの原因となる。
【０００９】
上記特許文献１に開示された磁気記録媒体は、保護層の全領域に水分分解触媒機能材料、例えばＴｉＯ２微粒子を含有させているため、保護層としての機能を損わないようにするためには、上記材料の含有率を大きくできず、そのためコンタミネーションが多く蓄積しやすい磁気ディスクのＬＵＬ領域での光触媒の効果が小さいという問題点がある。また、保護層の全領域に、つまり磁気ディスクの記録再生領域にも例えばＴｉＯ２微粒子を含有させているため、記録再生領域の保護層の膜厚が厚くなる分、磁気スペーシング、すなわち磁気ヘッドの記録再生素子と磁気ディスクの磁気記録層との間隔が大きくなるので、記録再生特性が劣化するという課題がある。一般的に、記録再生特性の劣化の程度は、０．５ｎｍの磁気スペーシングの増加が、信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）０．２〜０．８ｄＢ（１．０２〜１．１０倍）に相当する。
したがって、磁気ディスクの益々の記録密度の増大、および磁気スペーシングの狭小化に伴い、雰囲気中に生じる微量なコンタミネーションの低減が、磁気ディスクにとって重要な課題である。
【００１０】
本発明は以上の課題に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、コンタミネーションの影響を低減した信頼性の高い磁気ディスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は上記課題を解決すべく鋭意検討の結果、本発明を完成したものである。
すなわち、本発明は以下の構成を有する発明である。
（構成１）
基板上に、少なくとも磁性層と保護層を有し、起動停止機構がロードアンロード方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクであって、前記磁気ディスクのロードアンロード領域の保護層が、光触媒機能を有する材料を含むことを特徴とする磁気ディスクである。
【００１２】
（構成２）
前記ロードアンロード領域の保護層の表面部分に、前記光触媒機能を有する材料を含むことを特徴とする構成１に記載の磁気ディスクである。
【００１３】
（構成３）
前記ロードアンロード領域の保護層の表面に、前記光触媒機能を有する材料を含む層を形成してなることを特徴とする構成１又は２に記載の磁気ディスクである。
【００１４】
（構成４）
前記光触媒機能を有する材料として、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、チタン酸ストロンチウムのうちの少なくとも一種を用いることを特徴とする構成１乃至３のいずれか一項に記載の磁気ディスクである。
【００１５】
（構成５）
前記磁気ディスクのロードアンロード領域を除く記録再生領域の保護層上に、潤滑層を形成したことを特徴とする構成１乃至４のいずれか一項に記載の磁気ディスクである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、コンタミネーションの影響を低減した信頼性の高い、また記録再生特性の劣化も起こらない磁気ディスクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態に係る磁気ディスクの層構成を示す断面図である。
【図２】磁気ディスクのＬＵＬ領域を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を詳述する。
本発明は、構成１の発明にあるように、基板上に、少なくとも磁性層と保護層を有し、起動停止機構がＬＵＬ方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクであって、前記磁気ディスクのＬＵＬ領域の保護層が、光触媒機能を有する材料を含むことを特徴としている。
【００１９】
図１は、本発明の一実施の形態に係る磁気ディスクの層構成を示す断面図である。
図１によれば、本発明の一実施の形態に係る磁気ディスク１は、基板２上に、下地層３、磁性層４、及び保護層５を積層した構成である。
【００２０】
上記磁気ディスク用の基板２としては、ガラス基板が好ましい。ガラス基板を構成するガラスは、アモルファスのアルミノシリケートガラスとすることが好ましい。このようなガラス基板は表面を鏡面研磨することにより平滑な鏡面に仕上げることができる。このようなアルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ2が５８重量％以上７５重量％以下、Ａｌ2Ｏ3が５重量％以上２３重量％以下、Ｌｉ2Ｏが３重量％以上１０重量％以下、Ｎａ2Ｏが４重量％以上１３重量％以下を主成分として含有するアルミノシリケートガラス（ただし、リン酸化物を含まないアルミノシリケートガラス）を用いることができる。例えば、ＳｉＯ2 が６２重量％以上７５重量％以下、Ａｌ2Ｏ3が５重量％以上１５重量％以下、Ｌｉ2 Ｏが４重量％以上１０重量％以下、Ｎａ2 Ｏが４重量％以上１２重量％以下、ＺｒＯ2が５．５重量％以上１５重量％以下を主成分として含有するとともに、Ｎａ2Ｏ／ＺｒＯ2 の重量比が０．５以上２．０以下、Ａｌ2Ｏ3 ／ＺｒＯ2 の重量比が０．４以上２．５以下であるリン酸化物を含まないアモルファスのアルミノシリケートガラスとすることができる。
【００２１】
磁気ディスク用ガラス基板は、少なくともガラス基板の鏡面研磨処理と洗浄処理により、ガラス基板の表面は、最大粗さＲｍａｘが６ｎｍ以下である鏡面とされることが好ましい。このような鏡面状態は、鏡面研磨処理と洗浄処理をこの順で行うことにより実現することができる。
なお、基板２として、ガラス基板の他に、例えばＡｌ合金基板、セラミック基板、プラスチック基板等を用いることも可能である。
【００２２】
なお、洗浄処理工程の後に、化学強化処理を施してもよい。化学強化処理の方法としては、例えば、ガラス転移点の温度を超えない温度領域、例えば摂氏３００度以上４００度以下の温度で、イオン交換を行う低温型イオン交換法などが好ましい。
【００２３】
磁気ディスク用基板２上に形成する磁性層４の材料としては、異方性磁界の大きな六方晶系であるＣｏＰｔ系、ＣｏＣｒＰｔ系強磁性合金を用いることができる。磁性層の形成方法としてはスパッタリング法、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板の上に磁性層を成膜する方法を用いることができる。
【００２４】
また、本実施の形態にあるように、ガラス基板２と磁性層４との間に、下地層３を介挿することにより磁性層４の磁性グレインの配向方向や磁性グレインの大きさを制御することができる。例えば，Ｃｒ系合金など立方晶系下地層を用いることにより、例えば磁性層の磁化容易方向を磁気ディスク面に沿って配向させることができる。この場合、面内磁気記録方式の磁気ディスクが製造される。また、例えば、ＲｕやＴｉを含む六方晶系下地層を用いることにより、例えば磁性層の磁化容易方向を磁気ディスク面の法線に沿って配向させることができる。この場合、垂直磁気記録方式の磁気ディスクが製造される。近年の高記録密度化を達成するためには、垂直磁気記録方式の磁気ディスクが好適である。
【００２５】
かかる下地層は磁性層同様にスパッタリング法により形成することができる。なお、下地層は、材質の同じ、或いは材質の異なる複数層とすることができる。
【００２６】
また、垂直磁気記録方式の磁気ディスクにおいては、基板２と下地層との間に、磁性層（垂直磁気記録層）の磁気回路を好適に調整するための軟磁性層を設けることが好適である。軟磁性層は、軟磁気特性を示す磁性体により形成されていれば特に制限はないが、例えば、保磁力（Hc）で0.01〜80エルステッド、好ましくは0.01〜50エルステッドの磁気特性であることが好ましい。軟磁性層と材料としては、Fe系、Co系などが挙げられる。なお、軟磁性層を設ける場合、基板と軟磁性層との間に付着層（密着層）を設けることが好適である。
【００２７】
また、磁性層４の上には、保護層５を形成する。保護層としてはアモルファスの水素化炭素系保護層が好適である。例えばプラズマＣＶＤ法により保護層を形成することができる。保護層の膜厚としては、薄膜化の観点から、例えば３０オングストロームから６０オングストローム程度とすることが好ましい。
【００２８】
本発明においては、磁気ディスク１のＬＵＬ領域６に相当するＬＵＬ領域の保護層８が、光触媒機能を有する材料を含有する。ＬＵＬ領域の保護層に、光触媒機能を有する材料を含有することにより、特にＬＵＬ領域に蓄積しやすいハイドロカーボンなどのコンタミネーションを、光触媒効果により酸化・還元分解できるため、磁気ディスクの信頼性に影響するコンタミネーションの蓄積を低減することが可能になる。
【００２９】
このような光触媒機能を有する材料としては、種々のものが知られているが、本発明に係る磁気ディスクにおいて好適な材料としては、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化タングステン（ＷＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）などの金属酸化物が挙げられる。
【００３０】
なお、コンタミネーションは保護層の表面に蓄積するため、光触媒効果をより効果的に発揮させるためには、磁気ディスク１のＬＵＬ領域６に相当するＬＵＬ領域の保護層８の表面部分に、上記光触媒機能を有する材料を含むことが特に好ましい。
【００３１】
この場合、ＬＵＬ領域の保護層８の表面に、上記光触媒機能を有する材料を含む層を形成することが製造上容易であるため特に好適である。具体的には、例えば、ＬＵＬ領域の保護層８上に、たとえばＴｉＯ２をスパッタリング法により０．３ｎｍ〜１．０ｎｍ程度の厚さに成膜する。また、成膜する領域を上記ＬＵＬ領域に限定する方法として、物理的なマスキングを配置する方法や、ターゲット形状を磁気ディスクの外周側に限定した形状にする方法などがある。
【００３２】
なお、図２に示すように、ごく一部の磁気ディスク装置を除いて、一般にＬＵＬは磁気ディスクの外周部分で実施されるので、ＬＵＬ領域６は磁気ディスク１の外周側に設定される。通常のデータの記録及び再生は、磁気ディスク１の記録再生領域７で実施され、磁気ヘッド（図示せず）は、回転中の磁気ディスク１にこの記録再生領域７で浮上または半径方向に走査する。
【００３３】
本発明の磁気ディスクによれば、ＬＵＬ領域の保護層に、光触媒機能を有する材料を含有することにより、雰囲気中で生じ、特にＬＵＬ領域に蓄積しやすいハイドロカーボンなどのコンタミネーションを、光触媒効果により酸化・還元分解でき、磁気ディスクの信頼性に影響するコンタミネーションの蓄積を低減することが可能になるため、コンタミネーションの影響を低減した信頼性の高い磁気ディスクを提供することができる。また、磁気ディスク１の記録再生領域７の保護層には、光触媒機能を有する材料を含有しないため、磁気スペーシングの増加による記録再生特性の劣化も起こらない磁気ディスクを提供することができる。
【００３４】
また、磁気ディスクの耐久性をより一層向上させるために、磁気ディスク１のＬＵＬ領域を除く記録再生領域７の保護層上に、潤滑層を形成してもよい。
潤滑層としては、パーフルオロポリエーテル化合物の主鎖の末端に官能基を有する潤滑剤、とりわけ極性官能基として水酸基を末端に備えるパーフルオロポリエーテル化合物を主成分とすることが好ましい。潤滑層の膜厚は、薄膜化の観点から、５オングストロームから１５オングストローム程度とすることが好ましい。かかる潤滑層は、例えば磁気ディスクのＬＵＬ領域をマスキングして、例えばディップ法等により塗布形成することができる。
【実施例】
【００３５】
以下、実施例により本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
本実施例では、まず、溶融ガラスから上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスにより直径６６ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍの円盤状のアルミノシリケートガラスからなるガラス基板を得、これに粗ラッピング工程（粗研削工程）、形状加工工程、精ラッピング工程（精研削工程）、端面鏡面加工工程、第１研磨工程、第２研磨工程を順次施すとともに、次いで化学強化を施すことにより、磁気ディスク用ガラス基板を製造した。このガラス基板は、主表面、端面ともに鏡面研磨加工されている。
【００３６】
上記化学強化及びその後の洗浄を終えたガラス基板表面の目視検査及び精密検査を実施した結果、ガラス基板表面に付着物による突起や、傷等の欠陥は発見されなかった。また、上記工程を経て得られたガラス基板の主表面の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定したところ、Ｒｍａｘ＝２．１３ｎｍ、Ｒａ＝０．２０ｎｍと超平滑な表面を持つ磁気ディスク用ガラス基板を得た。また、ガラス基板の外径は65ｍｍ、内径は20ｍｍ、板厚は0.635ｍｍであった。
【００３７】
次に、得られた磁気ディスク用ガラス基板上に枚葉式スパッタリング装置を用いて、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、Ti系合金薄膜（膜厚100Å）からなる付着層、Co系合金薄膜（膜厚600Å）からなる軟磁性層、Pt系合金薄膜（膜厚70Å）からなる第１下地層、Ru系合金薄膜（膜厚400Å）からなる第２下地層、CoPtCr合金膜（膜厚200Å）からなる磁性層を順次成膜した。
【００３８】
次いでＣＶＤ法により炭素系保護層を形成した。具体的には、初めにカーボンを磁性層の全表面上に３ｎｍの厚さに成膜した。その際、エチレンガス（Ｃ２Ｈ４）等の炭化水素ガスをマスフローコントローラから導入した。炭化水素ガスとして、一分子当たり炭素原子が二つ以下のメタン、エタン、エチレンガス、アセチレンガスを用いることにより、成膜速度を抑制し、極薄膜を形成することができる。本実施例ではエチレンガスを使用し、ガス圧２Ｐａ（ガス流量Ｃ２Ｈ４：２５０ＳＣＣＭ）の条件で成膜した。
【００３９】
次に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、磁気ディスクのＬＵＬ領域（図１の符号６参照）に相当するＬＵＬ領域の保護層（図１の符号８参照）に、ＴｉＯ２を０．５ｎｍ厚に成膜した。この際の成膜は、ターゲット（カソード）にＴｉを使用し、雰囲気ガスにアルゴンと酸素の混合ガスを用いる反応性スパッタで実施した。また、成膜する領域を上記ＬＵＬ領域に限定する方法として、物理的なマスキングを配置する方法や、ターゲット形状を磁気ディスクの外周側に限定した形状にする方法などがあるが、本実施例では前者の方法を採用した。
こうして、本実施例の磁気ディスクを得た。この磁気ディスクは垂直磁気記録方式用の磁気ディスクである。
【００４０】
（比較例１）
実施例１におけるＴｉＯ２を保護層の全領域（つまり記録再生領域及びＬＵＬ領域）に０．５ｎｍ厚に成膜したこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の磁気ディスクを作製した。
【００４１】
（比較例２）
実施例１におけるＴｉＯ２を保護層のＬＵＬ領域を含む全領域（つまり記録再生領域及びＬＵＬ領域）に成膜しなかったこと以外は実施例１と同様にして、比較例２の磁気ディスクを作製した。
【００４２】
次に、上記実施例１、比較例１，２の各磁気ディスクについて磁気ディスク装置を用いて評価した。ＬＵＬ方式のＨＤＤ（５４００ｒｐｍ回転型）を準備し、浮上量が５ｎｍの磁気ヘッドと磁気ディスクを搭載した。磁気ヘッドのスライダーはＮＰＡＢ（負圧）スライダーであり、再生素子は磁気抵抗効果型素子（ＧＭＲ素子）を搭載している。シールド部はＦｅＮｉ系パーマロイ合金である。また、搭載した磁気ディスクの外周のＬＵＬ領域に光を照射する光源を設置した。この光源は、波長２００〜７５０ｎｍの紫外光乃至可視光を発生する光源である。
【００４３】
このＬＵＬ方式ＨＤＤにＬＵＬ動作を繰り返させた。ＬＵＬ動作の条件は、具体的には、１０秒オン、１０秒オフで１２時間継続し、約２０００サイクル実施した。その後、１２時間ＬＵＬ動作を停止し、磁気ディスクは回転停止状態で、光源からは光を照射した状態で放置した。以上の動作を５回繰り返し、合計約１００００サイクルのＬＵＬ、その間に４回の１２時間の放置を実施した。最後の５回目の１２時間放置は実施せず、ＨＤＤから磁気ヘッドを取り出し、磁気ヘッドの表面を４００倍の光学顕微鏡で詳細に観察した。なお、評価数は、実施例、比較例ともにそれぞれ１０サンプル（１０枚）とした。
【００４４】
磁気ヘッドの汚れの程度によって、５段階で評価した。すなわち、ランク１が最も軽度の汚れであり（４００倍の光学顕微鏡観察では検出されないレベル）、ランク５はいわゆるヘッドクラッシュによる重度の汚れのレベルである。結果を下記表１に示す。
【００４５】
【表１】
2010231858.tif 000003
【００４６】
表１の結果から、保護層上に光触媒機能を有するＴｉＯ２を成膜した実施例１及び比較例１の磁気ディスクを用いると、保護層上にＴｉＯ２を一切成膜していない比較例２の磁気ディスクを用いた場合よりも、磁気ヘッドの汚れが少ないことが分かる。
【００４７】
また、各磁気ディスクの記録再生特性試験を行った。記録再生特性試験は、Ｒ／Ｗアナライザーと、記録側がＳＰＴ素子、再生側がＧＭＲ素子を備える垂直磁気記録方式用磁気ヘッドを用いて、磁気ヘッドの浮上量は５ｎｍとした。Ｓ／Ｎ（信号／ノイズ）比は、２４Ｔ記録密度（４０kfci）で磁気ディスク上にキャリア信号を記録した後に、ＤＣ周波数領域から１Ｔの１．２倍の周波数領域までの媒体ノイズをスペクトロアナライザーを用いて観測し算出した。
【００４８】
その結果、保護層の全面にＴｉＯ２を成膜した比較例１の磁気ディスクは、実施例１及び比較例２の磁気ディスクに比べ、Ｓ／Ｎ比が約０．４ｄＢ（１．０５倍）劣化した。
【００４９】
以上の結果から、本発明のように、磁気ディスクのＬＵＬ領域の保護層に、光触媒機能を有する材料を含有させることにより、雰囲気中に生じるコンタミネーションの影響を受け難く、そのため長期間使用による信頼性の高い、しかも記録再生特性の劣化も起こらない磁気ディスクが得られる。
【符号の説明】
【００５０】
１  磁気ディスク
２  基板
３  下地層
４  磁性層
５  保護層
６  ＬＵＬ領域
７  記録再生領域
８  ＬＵＬ領域の保護層
【図１】
2010231858.tif 000004
【図２】
2010231858.tif 000005