(57)【要約】【課題】配線のエッチング特性を良好に維持することができるエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、リン酸４０乃至６５重量％、硝酸２乃至５重量％、酢酸２乃至２０重量％、リン酸塩を含む化合物０．１乃至２重量％、アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物０．１乃至２重量％、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする水を含むエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法に関する。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リン酸４０乃至６５重量％、硝酸２乃至５重量％、酢酸２乃至２０重量％、リン酸塩を含む化合物０．１乃至２重量％、アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物０．１乃至２重量％、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする水を含むエッチング液組成物。
【請求項２】
酢酸を除いた有機酸０．１乃至２重量％をさらに含む、請求項１に記載のエッチング液組成物。
【請求項３】
前記酢酸を除いた有機酸は、ブタン酸（ｂｕｔａｎｏｉｃ  ａｃｉｄ）、クエン酸（ｃｉｔｒｉｃ  ａｃｉｄ）、ギ酸（ｆｏｒｍｉｃ  ａｃｉｄ）、グルコン酸（ｇｌｕｃｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、グリコール酸（ｇｌｙｃｏｌｉｃ  ａｃｉｄ）、マロン酸（ｍａｌｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、シュウ酸（ｏｘａｌｉｃ  ａｃｉｄ）、ペンタン酸（ｐｅｎｔａｎｏｉｃ  ａｃｉｄ）、及び酢酸を除いた水溶性有機酸の中から選択される少なくとも一つである、請求項２に記載のエッチング液組成物。
【請求項４】
前記リン酸塩を含む化合物は、リン酸で水素がアルカリ金属あるいはアルカリ土金属に一つ、二つ、または三つが置換されたものである、請求項２に記載のエッチング液組成物。
【請求項５】
前記リン酸塩を含む化合物は、リン酸二水素ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｄｉｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）及びリン酸二水素カリウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｄｉｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）の中から選択される少なくとも一つである、請求項４に記載のエッチング液組成物。
【請求項６】
前記アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物は、アラニン（ａｌａｎｉｎｅ）系、アミノブチル酸（ａｍｉｎｏｂｕｔｙｒｉｃ  ａｃｉｄ）系、グルタミン酸（ｇｌｕｔａｍｉｃ  ａｃｉｄ）系、グリシン（ｇｌｙｃｉｎｅ）系、 イミノ二酢酸 （ｉｍｉｎｏｄｉａｃｅｔｉｃ  ａｃｉｄ）系、ニトリロ三酢酸（ｎｉｔｒｉｌｏｔｒｉａｃｅｔｉｃ  ａｃｉｄ）系、及びサルコシン（ｓａｒｃｏｓｉｎｅ）系化合物の中から選択される少なくとも一つである、請求項４に記載のエッチング液組成物。
【請求項７】
前記エッチング液組成物は、銅または銅合金で構成された単一膜、及び前記金属からなる二重膜以上の多重膜をエッチングする、請求項２に記載のエッチング液組成物。
【請求項８】
前記エッチング液組成物は、エッチング調節剤、界面活性剤、金属イオン封鎖剤、腐蝕防止剤、及びｐＨ調節剤のうちの少なくとも一つをさらに含む、請求項２に記載のエッチング液組成物。
【請求項９】
前記水は脱イオン水である、請求項２に記載のエッチング液組成物。
【請求項１０】
銅または銅合金を含む金属層を積層する段階と、
前記金属層上にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記金属層をエッチングする段階と、
前記フォトレジストパターンを除去する段階とを含み、
前記金属層をエッチングする段階では、組成物の総含有量に対し、４０乃至６５重量％のリン酸（Ｈ３ＰＯ４）、２乃至５重量％の硝酸（ＨＮＯ３）、２乃至２０重量％の酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、０．１乃至２重量％のリン酸塩を含む化合物、０．１乃至２重量％のアミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物、及び残量の水を含むエッチング液組成物を用いる、金属パターン形成方法。
【請求項１１】
前記エッチング液組成物は、酢酸を除いた有機酸０．１乃至２重量％をさらに含む、請求項１０に記載の金属パターンの形成方法。
【請求項１２】
前記酢酸を除いた有機酸は、ブタン酸（ｂｕｔａｎｏｉｃ  ａｃｉｄ）、クエン酸（ｃｉｔｒｉｃ  ａｃｉｄ）、ギ酸（ｆｏｒｍｉｃ  ａｃｉｄ）、グルコン酸（ｇｌｕｃｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、グリコール酸（ｇｌｙｃｏｌｉｃ  ａｃｉｄ）、マロン酸（ｍａｌｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、シュウ酸（ｏｘａｌｉｃ  ａｃｉｄ）、ペンタン酸（ｐｅｎｔａｎｏｉｃａｃｉｄ）、及び酢酸を除いた水溶性有機酸の中から選択される少なくとも一つである、請求項１１に記載の金属パターンの形成方法。
【請求項１３】
前記リン酸塩を含む化合物は、リン酸で水素がアルカリ金属あるいはアルカリ土金属に一つ、二つ、または三つが置換されたものである、請求項１１に記載の金属パターン形成方法。
【請求項１４】
前記リン酸塩を含む化合物は、リン酸二水素ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｄｉｈｙｄｒｏｇｅｎｐｈｏｓ  ｐｈａｔｅ）及びリン酸二水素カリウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｄｉｈｙｄｒｏｇｅｎｐｈｏｓｐｈａｔｅ）の中から選択される少なくとも一つである、請求項１３に記載の金属パターンの形成方法。
【請求項１５】
前記アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物は、アラニン（ａｌａｎｉｎｅ）系、アミノブチル酸（ａｍｉｎｏｂｕｔｙｒｉｃ  ａｃｉｄ）系、グルタミン酸（ｇｌｕｔａｍｉｃ  ａｃｉｄ）系、グリシン（ｇｌｙｃｉｎｅ）系、イミノ二酢酸 （ｉｍｉｎｏｄｉａｃｅｔｉｃａｃｉｄ）系、ニトリロ三酢酸（ｎｉｔｒｉｌｏｔｒｉａｃｅｔｉｃ  ａｃｉｄ）系、及びサルコシン（ｓａｒｃｏｓｉｎｅ）系化合物の中から選択される少なくとも一つである、請求項１１に記載の金属パターンの形成方法。
【請求項１６】
前記エッチング液組成物は、銅または銅合金で構成された単一膜、及び前記金属からなる二重膜以上の多重膜をエッチングする、請求項１１に記載の金属パターンの形成方法。
【請求項１７】
前記エッチング液組成物は、エッチング調節剤、界面活性剤、金属イオン封鎖剤、腐蝕防止剤、及びｐＨ調節剤のうちの少なくとも一つをさらに含む、請求項１１に記載の金属パターンの形成方法。
【請求項１８】
前記水は脱イオン水である、請求項１１に記載の金属パターンの形成方法。
【請求項１９】
絶縁基板上にゲート線を形成する段階と、
前記ゲート線と交差して、ソース電極を含むデータ線、及び前記ソース電極と対向するドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の周辺に半導体層を形成する段階と、
前記ドレイン電極と接触する画素電極を形成する段階とを含み、
前記ゲート線を形成する段階及び前記データ線を形成する段階のうちの少なくとも一つは、
前記絶縁基板上に銅または銅合金を含む金属層を積層する段階と、
前記金属層を組成物の総含有量に対し、４０乃至６５重量％のリン酸（Ｈ３ＰＯ４）、２乃至５重量％の硝酸（ＨＮＯ３）、２乃至２０重量％の酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、０．１乃至２重量％のリン酸塩を含む化合物、０．１乃至２重量％のアミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物、及び残量の水を含むエッチング液組成物を用いてエッチングする段階とを含む、薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２０】
前記ゲート線を形成する段階は、
前記絶縁基板上に銅または銅合金を含む金属層を積層する段階と、
前記金属層を組成物の総含有量に対し、４０乃至６５重量％のリン酸（Ｈ３ＰＯ４）、２乃至５重量％の硝酸（ＨＮＯ３）、２乃至２０重量％の酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、０．１乃至２重量％のリン酸塩を含む化合物、０．１乃至２重量％のアミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物、及び残量の水を含むエッチング液組成物を用いてエッチングして前記ゲート線またはデータ線を形成する段階と、
前記ゲート線上にフォトレジスト膜を積層する段階と、
前記金属層をマスクとして前記フォトレジスト膜を前記絶縁基板の背面方向で露光及び現像し、フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンに熱または光を加える段階とを含む、請求項２０に記載の
薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２１】
前記エッチング液組成物は、酢酸を除いた有機酸０．１乃至２重量％をさらに含む、請求項２０に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、液晶表示装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動表示装置、及び有機電界発光装置のような平板表示装置が多く使用されている。
【０００３】
これら表示装置には薄膜トランジスタが備えられており、薄膜トランジスタは互いに絶縁交差するゲート線とデータ線とに接続されている。
【０００４】
ゲート線を通じてゲートオン電圧及びゲートオフ電圧のようなスキャン信号（ゲート信号）が入力され、データ線を通じて表示信号（データ信号）が入力される。
【０００５】
表示装置の大きさが増加することによって、ゲート線及びデータ線のような配線の長さも増加している。配線の長さが増加すると、抵抗が増加するため、信号を適切に伝達するためには低抵抗の配線が必要である。
【０００６】
低抵抗の配線を作るためには、配線の厚さまたは幅を増加させれば良いが、配線の厚さを増加させると、配線の厚さによる段差によって配線上に形成される他の配線が断線するおそれがあり、また、配線の幅を増加させると、開口率が減少するという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、配線のエッチング特性を良好に維持することができるエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の目的は、上述したことに制限されず、言及されないまた他の目的は下記から当業者に明確に理解されるはずである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的は、リン酸４０乃至６５重量％、硝酸２乃至５重量％、酢酸２乃至２０重量％、リン酸塩を含む化合物０．１乃至２重量％、アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物０．１乃至２重量％、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする水を含むエッチング液組成物によって達成される。
【００１０】
前記エッチング液組成物は、酢酸を除いた有機酸０．１乃至２重量％をさらに含むことができる。
【００１１】
前記酢酸を除いた有機酸は、ブタン酸（ｂｕｔａｎｏｉｃ  ａｃｉｄ）、クエン酸（ｃｉｔｒｉｃ  ａｃｉｄ）、ギ酸（ｆｏｒｍｉｃ  ａｃｉｄ）、グルコン酸（ｇｌｕｃｏｎｉｃａｃｉｄ）、グリコール酸（ｇｌｙｃｏｌｉｃ  ａｃｉｄ）、マロン酸（ｍａｌｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、シュウ酸（ｏｘａｌｉｃ  ａｃｉｄ）、ペンタン酸（ｐｅｎｔａｎｏｉｃ  ａｃｉｄ）、及び、酢酸を除いた水溶性有機酸の中から選択される少なくとも一つであり得る。
【００１２】
前記リン酸塩を含む化合物は、リン酸で水素がアルカリ金属あるいはアルカリ土金属に一つ、二つ、または三つが置換されたものであり得る。
【００１３】
前記リン酸塩を含む化合物は、リン酸二水素ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｄｉｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）及びリン酸二水素カリウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｄｉｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）の中から選択される少なくとも一つであり得る。
【００１４】
前記アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物は、アラニン（ａｌａｎｉｎｅ）系、アミノブチル酸（ａｍｉｎｏｂｕｔｙｒｉｃ  ａｃｉｄ）系、グルタミン酸（ｇｌｕｔａｍｉｃ  ａｃｉｄ）系、グリシン（ｇｌｙｃｉｎｅ）系、イミノ二酢酸 （ｉｍｉｎｏｄｉａｃｅｔｉｃ  ａｃｉｄ）系、ニトリロ三酢酸（ｎｉｔｒｉｌｏｔｒｉａｃｅｔｉｃ  ａｃｉｄ）系、及びサルコシン（ｓａｒｃｏｓｉｎｅ）系化合物の中から選択される少なくとも一つであり得る。
【００１５】
前記エッチング液組成物は、銅または銅合金で構成された単一膜、及び前記金属からなる二重膜以上の多重膜をエッチングすることができる。
【００１６】
前記エッチング液組成物は、エッチング調節剤、界面活性剤、金属イオン封鎖剤、腐蝕防止剤、及びｐＨ調節剤のうちの少なくとも一つをさらに含むことができる。
【００１７】
前記水は脱イオン水であることが好ましい。
【００１８】
前記他の目的は、銅または銅合金を含む金属層を積層する段階と、前記金属層上にフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記金属層をエッチングする段階と、前記フォトレジストパターンを除去する段階とを含み、前記金属層をエッチングする段階では、組成物の総含有量に対し、４０乃至６５重量％のリン酸（Ｈ３ＰＯ４）、２乃至５重量％の硝酸（ＨＮＯ３）、２乃至２０重量％の酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、０．１乃至２重量％のリン酸塩を含む化合物、０．１乃至２重量％のアミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物、及び残量の水を含むエッチング液組成物を用いる金属パターンの形成方法によって達成される。
【００１９】
前記エッチング液組成物は、酢酸を除いた有機酸０．１乃至２重量％をさらに含むことができる。
【００２０】
前記酢酸を除いた有機酸は、ブタン酸（ｂｕｔａｎｏｉｃ  ａｃｉｄ）、クエン酸（ｃｉｔｒｉｃ  ａｃｉｄ）、ギ酸（ｆｏｒｍｉｃ  ａｃｉｄ）、グルコン酸（ｇｌｕｃｏｎｉｃａｃｉｄ）、グリコール酸（ｇｌｙｃｏｌｉｃ  ａｃｉｄ）、マロン酸（ｍａｌｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、シュウ酸（ｏｘａｌｉｃ  ａｃｉｄ）、ペンタン酸（ｐｅｎｔａｎｏｉｃ  ａｃｉｄ）、及び酢酸を除いた水溶性有機酸の中から選択される少なくとも一つであり得る。
【００２１】
前記リン酸塩を含む化合物は、リン酸で水素がアルカリ金属あるいはアルカリ土金属に一つ、二つ、または三つが置換されたものであり得る。
【００２２】
前記リン酸塩を含む化合物は、リン酸二水素ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｄｉｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）及びリン酸二水素カリウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｄｉｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）の中から選択される少なくとも一つであり得る。
【００２３】
前記アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物は、アラニン（ａｌａｎｉｎｅ）系、アミノブチル酸（ａｍｉｎｏｂｕｔｙｒｉｃ  ａｃｉｄ）系、グルタミン酸（ｇｌｕｔａｍｉｃ  ａｃｉｄ）系、グリシン（ｇｌｙｃｉｎｅ）系、イミノ二酢酸 （ｉｍｉｎｏｄｉａｃｅｔｉｃ  ａｃｉｄ）系、ニトリロ三酢酸（ｎｉｔｒｉｌｏｔｒｉａｃｅｔｉｃ  ａｃｉｄ）系、及びサルコシン（ｓａｒｃｏｓｉｎｅ）系化合物の中から選択される少なくとも一つであり得る。
【００２４】
前記エッチング液組成物は、銅または銅合金で構成された単一膜、及び前記金属からなる二重膜以上の多重膜をエッチングすることができる。
【００２５】
前記エッチング液組成物は、エッチング調節剤、界面活性剤、金属イオン封鎖剤、腐蝕防止剤、及びｐＨ調節剤のうちの少なくとも一つをさらに含むことができる。
【００２６】
前記水は脱イオン水であることが好ましい。
【００２７】
前記他の目的は、絶縁基板上にゲート線を形成する段階と、前記ゲート線と交差し、ソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と対向するドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の周辺に半導体層を形成する段階と、前記ドレイン電極と接触する画素電極を形成する段階とを含み、前記ゲート線を形成する段階及び前記データ線を形成する段階のうちの少なくとも一つは、前記絶縁基板上に銅または銅合金を含む金属層を積層する段階と、前記金属層を組成物の総含有量に対し、４０乃至６５重量％のリン酸（Ｈ３ＰＯ４）、２乃至５重量％の硝酸（ＨＮＯ３）、２乃至２０重量％の酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、０．１乃至２重量％のリン酸塩を含む化合物、０．１乃至２重量％のアミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物、及び残量の水を含むエッチング液組成物を用いてエッチングする段階とを含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法によって達成される。
【００２８】
前記ゲート線を形成する段階は、前記絶縁基板上に銅または銅合金を含む金属層を積層する段階と、前記金属層を組成物の総含有量に対し、４０乃至６５重量％のリン酸（Ｈ３ＰＯ４）、２乃至５重量％の硝酸（ＨＮＯ３）、２乃至２０重量％の酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、０．１乃至２重量％のリン酸塩を含む化合物、０．１乃至２重量％のアミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物、及び残量の水を含むエッチング液組成物を用いてエッチングして前記ゲート線またはデータ線を形成する段階と、前記ゲート線上にフォトレジスト膜を積層する段階と、前記金属層をマスクとし、前記フォトレジスト膜を前記絶縁基板の背面方向で露光及び現像してフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンに熱または光を加える段階とを含むことができる。
【００２９】
前記エッチング液組成物は、酢酸を除いた有機酸０．１乃至２重量％をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００３０】
配線のエッチング特性を良好に維持することができるエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１Ａ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１Ｃ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１Ｄ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図２Ａ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図２Ｃ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図２Ｄ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図３Ａ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図３Ｃ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図３Ｄ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図４Ａ】実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図４Ｂ】実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図４Ｃ】実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図４Ｄ】実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図５Ａ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図５Ｂ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図５Ｃ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図６Ａ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図６Ｃ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図７Ａ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図７Ｂ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図７Ｃ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図７Ｄ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図８Ａ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図８Ｂ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図８Ｃ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図８Ｄ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図９Ａ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図９Ｂ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図９Ｃ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図９Ｄ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１０Ａ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１０Ｂ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１０Ｃ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１０Ｄ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１１Ａ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１１Ｂ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１１Ｃ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１２Ａ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１２Ｂ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１２Ｃ】本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【図１３】本発明の一実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図である。
【図１４】図１３の薄膜トランジスタ表示板のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿った断面図である。
【図１５】図１３及び図１４の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順に示す断面図である。
【図１６】図１３及び図１４の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順に示す断面図である。
【図１７】図１３及び図１４の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順に示す断面図である。
【図１８】図１３及び図１４の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順に示す断面図である。
【図１９】図１３及び図１４の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順に示す断面図である。
【図２０】図１３及び図１４の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順に示す断面図である。
【図２１】図１３及び図１４の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順に示す断面図である。
【図２２】図１３及び図１４の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順に示す断面図である。
【図２３】図１３及び図１４の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
その他の実施形態の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に示されている。
【００３３】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付される図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すれば明確になる。しかし、本発明は、以下に開示される実施形態に限定されず、互いに異なる多様な形態に実現でき、単に本実施形態は本発明の開示が完全になるようにし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供させるものであり、本発明は請求項によって定義される。
【実施例】
【００３４】
以下、本発明の実施形態によるエッチング液組成物について説明する。
【００３５】
本発明の実施形態によるエッチング液組成物は、組成物の総含有量に対し、約４０乃至６５重量％のリン酸（Ｈ３ＰＯ４）、約２乃至５重量％の硝酸（ＨＮＯ３）、約２乃至２０重量％の酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、約０．１乃至２重量％の酢酸を除いた有機酸、約０．１乃至２重量％のリン酸塩を含む化合物、約０．１乃至２重量％のアミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする（残量の）水を含む。
【００３６】
リン酸は主要酸化剤であって、銅及び銅合金をエッチングすることができる。リン酸は組成物の総含有量に対し、約４０重量％乃至約６５重量％となっている。リン酸が４０重量％未満で含まれている場合には、銅のエッチング速度が低下する傾向にあるか、または不均一なエッチングとなる傾向あり、所望のエッチング特性を得ることができない傾向がある。また、６５重量％を超える場合には、リン酸の高い粘性でよって感光膜に化学的ぬれ性（ｗｅｔｔａｂｉｌｉｔｙ）が強くなる傾向があり、そのため感光膜の端部が上に浮く（ｌｉｆｔｉｎｇ）ことがある。このように感光膜の端部が浮く場合、感光膜の端部と感光膜に接している銅及び銅合金との間に隙間（ｇａｐ）が生じ、その隙間にエッチング液が過剰流入して部分的にオーバーエッチング（ｏｖｅｒ  ｅｔｃｈｉｎｇ）になることがある。この場合、オーバーエッチングになった部分とオーバーエッチングにならない部分との間に片側ＣＤ（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）が大きくなったり、縦横比（ａｓｐｅｃｔ  ｒａｔｉｏ）、エッチングの深さ（ｅｔｃｈ  ｄｅｐｔｈ）及びエッチングの時間（ｅｔｃｈ  ｔｉｍｅ）が変わったりすることがあり、また銅及び銅合金膜パターンの線幅が狭くなって所望の抵抗特性値を得ることができなくなる。よって、リン酸は組成物の総含有量に対し、約４０重量％乃至約６５重量％が含まれているのが好ましい。
【００３７】
硝酸は酸化剤として作用し、リン酸と共にエッチングの速度、エッチングの深さ及び縦横比を調節する役割を果たす。硝酸は組成物の総含有量に対して約２重量％乃至約５重量％が含まれている。ここで、硝酸が２重量％未満で含まれている場合には、銅のエッチング速度が低下する傾向にあり、不均一なエッチング現象によって染みが発生したりする傾向にある。５重量％を超える場合には、感光膜が剥離する（ｐｅｅｌｉｎｇ）することがある。このように、感光膜が剥離すれば、下部金属膜が過度にエッチングされて配線が短絡するか、または電極としての役割を果たすことが困難である。よって、硝酸は組成物の総含有量に対して約２重量％乃至約５重量％が含まれているのが好ましい。
【００３８】
酢酸も酸化剤として作用し、組成物の総含有量に対して約２重量％乃至約２０重量％が含まれている。酢酸が２重量％未満で含まれている場合には、銅の円滑なエッチングが行われない傾向にあり、基板内に部分的に銅の残留物が生じることがある。２０重量％を超える場合には、銅がオーバーエッチングされて均一なエッチング特性を得ることができない傾向にある。よって、酢酸は組成物の総含有量に対して約２重量％乃至約２０重量％が含まれているのが好ましい。
【００３９】
酢酸を除いた有機酸は、銅を酸化させる補助酸化剤として作用し、組成物総重量に対して約０．１重量％乃至約２重量％が含まれている。有機酸が０．１重量％未満で含まれている場合には、銅の残留物が残る傾向にあり、２重量％を超える場合には、銅がオーバーエッチングされる傾向にある。
【００４０】
前記酢酸を除いた有機酸は、ブタン酸（ｂｕｔａｎｏｉｃ  ａｃｉｄ）、クエン酸（ｃｉｔｒｉｃ  ａｃｉｄ）、ギ酸（ｆｏｒｍｉｃ  ａｃｉｄ）、グルコン酸（ｇｌｕｃｏｎｉｃａｃｉｄ）、グリコール酸（ｇｌｙｃｏｌｉｃａｃｉｄ）、マロン酸（ｍａｌｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、シュウ酸（ｏｘａｌｉｃ  ａｃｉｄ）、ペンタン酸（ｐｅｎｔａｎｏｉｃ  ａｃｉｄ）、及び酢酸を除いた水溶性有機酸の中から選択される少なくとも一つであり得る。
【００４１】
リン酸塩を含む化合物は、銅のエッチング速度を調節する成分であって、組成物総重量に対して約０．１重量％乃至約２重量％が含まれている。リン酸塩を含む化合物が０．１重量％未満で含まれている場合には、銅のエッチング速度の調節剤としての役割を円滑に遂行できない傾向にあり、２重量％を超える場合には、銅のエッチング速度が遅くなって銅の残留物が残ることがあり、不均一なエッチング特性を表すおそれがある。よって、リン酸塩を含む化合物は、組成物総重量に対して約０．１重量％乃至約２重量％が含まれているのが好ましい。
【００４２】
前記リン酸塩を含む化合物は、リン酸で水素がアルカリ金属あるいはアルカリ土金属に一つ、二つ、または三つが置換された塩であって、リン酸二水素ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｄｉｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、リン酸二水素カリウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｄｉｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）の中から選択される少なくとも一つであり得る。
【００４３】
アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物も、銅のエッチング速度を調節する成分であって、組成物の総重量に対して約０．１重量％乃至約２重量％で含まれている。アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物が０．１重量％未満で含まれている場合には、銅のエッチングの速度を調節することができない傾向にあり、オーバーエッチングが生じることがあり、２重量％を超える場合には、銅のエッチング速度が低下して工程上のエッチングの時間が長くなる傾向にあって、生産性における問題となる可能性がある。よって、アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物も、組成物の総重量に対して約０．１重量％乃至約２重量％で含まれているのが好ましい。
【００４４】
前記アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物は、アラニン（ａｌａｎｉｎｅ）系、アミノブチル酸（ａｍｉｎｏｂｕｔｙｒｉｃ  ａｃｉｄ）系、グルタミン酸（ｇｌｕｔａｍｉｃ  ａｃｉｄ）系、グリシン（ｇｌｙｃｉｎｅ）系、イミノ二酢酸 （ｉｍｉｎｏｄｉａｃｅｔｉｃ  ａｃｉｄ）系、ニトリロ三酢酸 （ｎｉｔｒｉｌｏｔｒｉａｃｅｔｉｃａｃｉｄ）系、及びサルコシン（ｓａｒｃｏｓｉｎｅ）系化合物の中から選択される少なくとも一つであり得る。
【００４５】
本発明のエッチング液組成物は、エッチング調節剤、界面活性剤、金属イオン封鎖剤、腐蝕防止剤、及びｐＨ調節剤のうちの少なくとも一つをさらに含むことができる。
【００４６】
本発明で用いられる水は、脱イオン水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ）であることが好ましく、半導体工程用で用いられる非抵抗値が１８ＭΩ／ｃｍ以上の脱イオン水を用いることがさらに好ましい。
【００４７】
以下、実施形態及び比較例により本発明についてさらに詳細に説明する。しかし、下記の実施形態は本発明を説明するための例示に過ぎず、本発明がこれらに限定されるわけではない。
【００４８】
以下、図１Ａ乃至１２Ｃによって本発明の実施形態を説明する。
<実施形態>
本実施形態では、銅または銅合金を含む金属配線層を含む表示板を形成した。
【００４９】
大きさが３００×４００ｍｍのガラス素材の基板を準備し、基板上にゲート線及びデータ線として銅または銅合金を含む金属層を蒸着し、金属層上にフォトレジストパターンを形成した。
【００５０】
表１に記載された組成比によって、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、グリコール酸、リン酸二水素ナトリウム、イミノ二酢酸、及び水を含むエッチング液を約１８０ｋｇとなるように製造した。製造されたエッチング液を噴射エッチング方式の実験装備（Ｋ．Ｃ  Ｔｅｃｈ社製造、モデル名：ＥＴＣＨＥＲ（ＴＦＴ））に入れ、温度を約３０℃、３３℃、３５℃で設定してエッチング工程を行った。総エッチング時間（ｔｏｔａｌ  ｅｔｃｈ  ｔｉｍｅ）は、終末点探知機（ｅｎｄ  ｐｏｉｎｔ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ、ＥＰＤ）によって検出された時間を基準として、エッチング時間を約５０％、７０％、９０％、及び１１０％それぞれ加えて実施した。基板を入れて噴射を開始し、ゲート線及びデータ線のエッチングが完了すると、取り出して脱イオン水で洗浄した。電子走査顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ、ＨＩＴＡＣＨＩ社製造、モデル名：Ｓ-４７００）でエッチングプロファイル（ｅｔｃｈｉｎｇ  ｐｒｏｆｉｌｅ）を観察し、ＥＰＤ（ｅｎｄ  ｐｏｉｎｔ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ）によって検出された総エッチング時間（以下、便宜上、ＥＰＤと表記する）、片側のＣＤの損失（以下、便宜上、ＣＤ  ｓｋｅｗと表記する）、及びエッチング後の残留物の存在有無を評価した。なお、ＥＰＤとは、金属膜がエッチングされガラス基板が露出した状態により特定される。また、ＣＤ  ｓｋｅｗはフォトレジスト末端と金属膜の末端との間の距離を示し、ＣＤ  ｓｋｅｗが適切な範囲内にあることで段差がなく均一な金属膜が形成できる。
【００５１】
次に、熱風乾燥装置を利用して乾燥し、フォトレジスト剥離剤（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ  ｓｔｒｉｐｐｅｒ）でフォトレジストを除去した。洗浄及び乾燥後に、再度電子走査顕微鏡でエッチングプロファイルを観察し、ＥＰＤ、ＣＤ  ｓｋｅｗ、テーパ角、及びエッチング後の残留物の存在有無を評価した。
＜エッチング特性の結果の基準＞
◎（非常に優秀）:ＥＰＤ≦７０ｓｅｃ、ＣＤ  ｓｋｅｗ≦２μｍ、テーパ角７０〜
９０度
○（優秀）：ＥＰＤ≦７５ｓｅｃ、ＣＤ  ｓｋｅｗ≦３μｍ、テーパ角６０〜７０度
△（良好）:ＥＰＤ≦８０ｓｅｃ、ＣＤ  ｓｋｅｗ≦４μｍ、テーパ角５０〜６０度
×（不良）:ＥＰＤ≦８０ｓｅｃ、ＣＤ  ｓｋｅｗ>４μｍ、テーパ角＜５０度
上記基準に基づいた結果を表１に示した。
【００５２】
【表１】
2010114415.tif 000003
【００５３】
表１に示したように、本発明の実施形態によるエッチング液組成物を用いて複数層の金属膜を一括的にエッチングする場合、良好（△）、優秀（○）、または非常に優秀（◎）なエッチング特性を得ることができ、エッチング残留物が残っていないことが分かる。
【００５４】
図１Ａ乃至図６Ｃは、エッチング工程後にＣｕ膜及びＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【００５５】
図１Ａ乃至図１Ｄは、本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって、３０℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真であり、図２Ａ乃至図２Ｄは、本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【００５６】
図１Ａ乃至図１Ｄを参照すると、Ｃｕ配線を、リン酸／硝酸／酢酸／グリコール酸／リン酸二水素ナトリウム／イミノ二酢酸／水が、それぞれ６０／３／１２／１．０／２．０／２．０／２０の重量％の組成で含まれているエッチング液を用いてエッチングした後のプロファイルを見ることができる。まず、Ｃｕ膜はＥＰＤが約７３ｓｅｃで優れていた。ＥＰＤ＋５０％を基準とした図１Ａの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約３．５μｍで良好であった。ＥＰＤ＋７０％を基準とした図１Ｂの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約５．０μｍであり、ＥＰＤ＋９０％を基準とした図１Ｃの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約７．１μｍであり、ＥＰＤ＋１１０％を基準とした図１Ｄの場合、ＣＤｓｋｅｗは約７．３μｍと測定された。また、全ての場合でエッチング残留物は観察されなかった。
【００５７】
また、図２Ａ乃至図２Ｄを参照すると、ＣｕＯ／Ｃｕ配線を、リン酸／硝酸／酢酸／グリコール酸／リン酸二水素ナトリウム／イミノ二酢酸／水が、それぞれ６０／３／１２／１．０／２．０／２．０／２０の重量％の組成で含まれているエッチング液を用いてエッチングした後のプロファイルを見ることができる。まず、ＣｕＯ／Ｃｕ膜は総エッチング時間が約６９ｓｅｃで非常に優れていた。ＥＰＤ＋５０％を基準とした図２Ａの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約３．１μｍで良好であった。ＥＰＤ＋７０％を基準とした図２Ｂの場合、ＣＤｓｋｅｗは約３．７μｍであり、ＥＰＤ＋９０％を基準とした図２Ｃの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約５．３μｍであり、ＥＰＤ＋１１０％を基準とした図２Ｄの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約６．４μｍと測定された。また、全ての場合でエッチング残留物は観察されなかった。
【００５８】
図３Ａ乃至図３Ｄは、本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって、３３℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真であり、図４Ａ乃至図４Ｄは、本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって、３３℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【００５９】
図３Ａ乃至図３Ｄを参照すると、Ｃｕ配線を、リン酸／硝酸／酢酸／グリコール酸／リン酸二水素ナトリウム／イミノ二酢酸／水が、それぞれ６０／３／１２／１．０／２．０／２．０／２０の重量％の組成で含まれているエッチング液を用いてエッチングした後のプロファイルを見ることができる。まず、Ｃｕ膜はＥＰＤが約６２ｓｅｃで非常に優れていた。ＥＰＤ＋５０％を基準とした場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約４．１μｍで良好であった。ＥＰＤ＋７０％を基準とした図３Ｂの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約５．２μｍであり、ＥＰＤ＋９０％を基準とした図３Ｃの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約６．４μｍであり、ＥＰＤ＋１１０％を基準とした図３Ｄの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約７．５μｍと測定された。また全ての場合でエッチング残留物は観察されなかった。
【００６０】
また、図４Ａ乃至図４Ｄを参照すると、ＣｕＯ／Ｃｕ配線を、リン酸／硝酸／酢酸／グリコール酸／リン酸二水素ナトリウム／イミノ二酢酸／水が、それぞれ６０／３／１２／１．０／２．０／２．０／２０の重量％の組成で含まれているエッチング液を用いてエッチングした後のプロファイルを見ることができる。まず、ＣｕＯ／Ｃｕ膜は総エッチング時間が約６１ｓｅｃで非常に優れていた。ＥＰＤ＋５０％を基準とした場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約３．５μｍで良好である。ＥＰＤ＋７０％を基準とした図４Ｂの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約４．５μｍであり、ＥＰＤ＋９０％を基準とした図４Ｃの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約５．０μｍであり、ＥＰＤ＋１１０％を基準とした図４Ｄの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約６．２μｍと測定された。また、全ての場合でエッチング残留物は観察されなかった。
【００６１】
図５Ａ乃至図５Ｃは、本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって、３５℃でエッチングされたＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真であり、図６Ａ乃至図６Ｃは、本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって、３５℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【００６２】
図５Ａ乃至図５Ｃを参照すると、Ｃｕ配線を、リン酸／硝酸／酢酸／グリコール酸／リン酸二水素ナトリウム／イミノ二酢酸／水が、それぞれ６０／３／１２／１．０／２．０／２．０／２０の重量％の組成で含まれているエッチング液を用いてエッチングした後のプロファイルを見ることができる。まず、Ｃｕ膜はＥＰＤが約５６ｓｅｃで非常に優れていた。ＥＰＤ＋５０％を基準とした場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約３．７μｍで良好であった。ＥＰＤ＋７０％を基準とした図５Ｂの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約４．８μｍであり、ＥＰＤ＋９０％を基準とした図５Ｃの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約６．２μｍと測定された。また、全ての場合でエッチング残留物は観察されなかった。
【００６３】
また、図６Ａ乃至図６Ｃを参照すると、ＣｕＯ／Ｃｕ配線を、リン酸／硝酸／酢酸／グリコール酸／リン酸二水素ナトリウム／イミノ二酢酸／水が、それぞれ６０／３／１２／１．０／２．０／２．０／２０の重量％の組成で含まれているエッチング液を用いてエッチングした後のプロファイルを見ることができる。まず、ＣｕＯ／Ｃｕ膜は総エッチング時間が約５６ｓｅｃで非常に優れていた。ＥＰＤ＋５０％を基準とした場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約２．４μｍで優れていた。ＥＰＤ＋７０％を基準とした図６Ｂの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約４．８μｍであり、ＥＰＤ＋９０％を基準とした図６Ｃの場合、ＣＤ  ｓｋｅｗは約５．３μｍと測定された。また、全ての場合でエッチング残留物は観察されなかった。
【００６４】
測定されたＥＰＤにエッチング時間を加えることによってＣＤｓｋｅｗは比例的に増加しており、ＣｕよりＣｕＯを含む二重膜パターンのＣＤ  ｓｋｅｗがさらに小さく測定された。それぞれの温度によるＣＤ  ｓｋｅｗの有意差はなく、全体の構造でエッチング残留物は観察されなかった。
【００６５】
このように、エッチング工程後のＣｕ膜及びＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真を通じ、本発明のエッチング液組成物を用いてゲート線またはデータ線をエッチングする場合、非常に優れたプロファイルが得られることが確認できる。
【００６６】
次に、図７Ａ乃至図１２Ｃは、エッチング工程後の上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜及びＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【００６７】
図７Ａ乃至図７Ｄは、本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真であり、図８Ａ乃至図８Ｄは、本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３０℃でエッチングされた後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【００６８】
図７Ａ乃至図７Ｄを参照すると、Ｃｕ配線を、リン酸／硝酸／酢酸／グリコール酸／リン酸二水素ナトリウム／イミノ二酢酸／水が、それぞれ６０／３／１２／１．０／２．０／２．０／２０の重量％の組成で含まれているエッチング液を用いてエッチングした後、上部のフォトレジストパターンを除去したプロファイルを見ることができる。まず、Ｃｕ膜はＥＰＤが約７３ｓｅｃで優れていた。ＥＰＤ＋５０％を基準とした図７Ａの場合、上側の配線幅は約４．４μｍ、下側の配線幅は約４．７μｍであり、テーパ角は８６．２度で非常に優れていることが分かる。ＥＰＤ＋７０％を基準とした図７Ｂの場合、上側の配線幅は約３．１μｍ、下側の配線幅は約２．９μｍであり、テーパ角は９１．３度であり、ＥＰＤ＋９０％を基準とした図７Ｃの場合、上側の配線幅は約１．８μｍ、下側の配線幅は約１．１μｍであり、テーパ角は９９．８度である。ＥＰＤ＋１１０％を基準とした図７Ｄの場合、一部のパターンが消失して測定が不可能であった。また、全ての場合でエッチング残留物は観察されなかった。
【００６９】
また、図８Ａ乃至図８Ｄを参照すると、ＣｕＯ／Ｃｕ配線を、リン酸／硝酸／酢酸／グリコール酸／リン酸二水素ナトリウム／イミノ二酢酸／水が、それぞれ６０／３／１２／１．０／２．０／２．０／２０の重量％の組成で含まれているエッチング液を用いてエッチングした後、上部のフォトレジストパターンを除去したプロファイルを見ることができる。まず、ＣｕＯ／Ｃｕ膜はＥＰＤが約６９ｓｅｃで非常に優れていた。ＥＰＤ＋５０％を基準とした図８Ａの場合、上側の配線幅は約６．０μｍ、下側の配線幅は約６．８μｍであり、テーパ角は８１．１度で非常に優れていることが分かる。ＥＰＤ＋７０％を基準とした図８Ｂの場合、上側の配線幅は約５．３μｍ、下側の配線幅は約５．６μｍであり、テーパ角は８１．５度である。ＥＰＤ＋９０％を基準とした図８Ｃの場合、上側の配線幅は約４．２μｍ、下側の配線幅は約４．２μｍであり、テーパ角は９０．０度であり、ＥＰＤ＋１１０％を基準とした図７Ｄの場合、上側の配線幅は約４．１μｍ、下側の配線幅は約３．９μｍであり、テーパ角は８９．４度であり、全ての場合でエッチング残留物は観察されなかった。
【００７０】
図９Ａ乃至図９Ｄは、本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングした後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真であり、図１０Ａ乃至図１０Ｄは、本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３３℃でエッチングした後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【００７１】
図９Ａ乃至図９Ｄを参照すると、Ｃｕ配線を、リン酸／硝酸／酢酸／グリコール酸／リン酸二水素ナトリウム／イミノ二酢酸／水が、それぞれ６０／３／１２／１．０／２．０／２．０／２０の重量％の組成で含まれているエッチング液を用いてエッチングした後、上部のフォトレジストパターンを除去したプロファイルを見ることができる。まず、Ｃｕ膜はＥＰＤが約６２ｓｅｃで非常に優れていた。ＥＰＤ＋５０％を基準とした図９Ａの場合、上側の配線幅は約３．９μｍ、下側の配線幅は約４．３μｍであり、テーパ角は８８．７度で非常に優れていることが分かる。ＥＰＤ＋７０％を基準とした図９Ｂの場合、上側の配線幅は約３．０μｍ、下側の配線幅は約２．７μｍであり、テーパ角は９３．９度である。ＥＰＤ＋９０％を基準とした図９Ｃの場合、上側の配線幅は約２．３μｍ、下側の配線幅は約１．６μｍであり、テーパ角は９９．５度である。ＥＰＤ＋１１０％を基準とした図９Ｄの場合、上側の配線幅は約１．６μｍ、下側の配線幅は約０．９μｍであり、テーパ角は９９．０度であり、全ての場合でエッチング残留物は観察されなかった。
【００７２】
また、図１０Ａ乃至図１０Ｄを参照すると、ＣｕＯ／Ｃｕ配線をリン酸／硝酸／酢酸／グリコール酸／リン酸二水素ナトリウム／イミノ二酢酸／水が、それぞれ６０／３／１２／１．０／２．０／２．０／２０の重量％の組成で含まれているエッチング液を用いてエッチングした後、上部のフォトレジストパターンを除去したプロファイルを見ることができる。まず、ＣｕＯ／Ｃｕ膜は総エッチング時間が約６１ｓｅｃで非常に優れていた。ＥＰＤ＋５０％を基準とした図１０Ａの場合、上側の配線幅は約５．６μｍ、下側の配線幅は約５．９μｍであり、テーパ角は８８．３度で非常に優れていることが分かる。ＥＰＤ＋７０％を基準とした図１０Ｂの場合、上側の配線幅は約５．５μｍ、下側の配線幅は約５．２μｍであり、テーパ角は９２．２度である。ＥＰＤ＋９０％を基準とした図１０Ｃの場合、上側の配線幅は約５．１μｍ、下側の配線幅は約４．８μｍであり、テーパ角は９２．２度である。ＥＰＤ＋１１０％を基準とした図１０Ｄの場合、上側の配線幅は約４．２μｍ、下側の配線幅は約３．４μｍであり、テーパ角は９７．７度であり、全ての場合でエッチング残留物は観察されなかった。
【００７３】
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングした後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真であり、図１２Ａ乃至図１２Ｃは、本発明の実施形態８によるエッチング液組成物によって３５℃でエッチングされたＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真である。
【００７４】
図１１Ａ乃至図１１Ｃを参照すると、Ｃｕ配線を、リン酸／硝酸／酢酸／グリコール酸／リン酸二水素ナトリウム／イミノ二酢酸／水が、それぞれ６０／３／１２／１．０／２．０／２．０／２０の重量％の組成で含まれているエッチング液を用いてエッチングした後、上部のフォトレジストパターンを除去したプロファイルを見ることができる。まず、Ｃｕ膜はＥＰＤが約５６ｓｅｃで非常に優れていた。ＥＰＤ＋５０％を基準とした図１１Ａの場合、上側の配線幅は約４．３μｍ、下側の配線幅は約４．９μｍであり、テーパ角は８３．２度で非常に優れていることが分かる。ＥＰＤ＋７０％を基準とした図１１Ｂの場合、上側の配線幅は約３．７μｍ、下側の配線幅は約３．４μｍであり、テーパ角は９１．３度である。ＥＰＤ＋９０％を基準とした図１１Ｃの場合、上側の配線幅は約２．６μｍ、下側の配線幅は約２．０μｍであり、テーパ角は９６．０度であり、全ての場合でエッチング残留物は観察されなかった。
【００７５】
また、図１２Ａ乃至図１２Ｃを参照すると、ＣｕＯ／Ｃｕ配線を、リン酸／硝酸／酢酸／グリコール酸／リン酸二水素ナトリウム／イミノ二酢酸／水が、それぞれ６０／３／１２／１．０／２．０／２．０／２０の重量％の組成で含まれているエッチング液を用いてエッチングした後、上部のフォトレジストパターンを除去したプロファイルを見ることができる。まず、ＣｕＯ／Ｃｕ膜は総エッチング時間が約５６ｓｅｃで非常に優れていた。ＥＰＤ＋５０％を基準とした図１２Ａの場合、上側の配線幅は約６．１μｍ、下側の配線幅は約６．７μｍであり、テーパ角は７６．４度で非常に優れていることが分かる。ＥＰＤ＋７０％を基準にした図１２Ｂの場合、上側の配線幅は約５．１μｍ、下側の配線幅は約４．７μｍであり、テーパ角は９５．８度である。ＥＰＤ＋９０％を基準とした図１２Ｃの場合、上側の配線幅は約４．３μｍ、下側の配線幅は約４．２μｍであり、テーパ角は９０．７度であり、全ての場合でエッチング残留物は観察されなかった。
【００７６】
測定されたＥＰＤにエッチング時間を加えることによってテーパ角が比例的に増加しており、ＣｕよりＣｕＯを含む二重膜パターンのテーパ角がさらに小さく測定された。それぞれの温度によるテーパ各の有意差はなく、全体の構造でエッチング残留物は観察されなかった。
【００７７】
このように、エッチング工程後、上部のフォトレジストパターンを除去したＣｕ膜及びＣｕＯ／Ｃｕ膜の断面を観察したＳＥＭ写真を通じ、本発明のエッチング液組成物を用いてゲート線またはデータ線をエッチングする場合、非常に優れたプロファイルが得られることが確認できる。
<比較例>
本比較例は、上述した実施形態と同一の条件でエッチング液組成物のみを異にして実験した。
【００７８】
大きさが３００×４００ｍｍのガラス素材の基板を準備し、基板上にゲート線及びデータ線として銅または銅合金を含む金属層を蒸着した。
【００７９】
表２に記載された組成比により、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、グリコール酸、リン酸二水素ナトリウム、イミノ二酢酸、及び水を含むエッチング液を約１８０ｋｇとなるように製造した。製造されたエッチング液を噴射エッチング方式の実験装備（Ｋ．Ｃ  Ｔｅｃｈ社製造、モデル名：ＥＴＣＨＥＲ（ＴＦＴ））に入れ、温度を約３０℃、３３℃、３５℃で設定してエッチング工程を行った。総エッチング時間は、終末点探知機（ｅｎｄ  ｐｏｉｎｔ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ、ＥＰＤ）によって検出された時間を基準として、約５０％、７０％、９０％、及び１１０％をそれぞれ加えて実施した。基板を入れて噴射を開始し、ゲート線及びデータ線のエッチングが完了すると、取り出して脱イオン水で洗浄した。電子走査顕微鏡（ＳＥＭ、ＨＩＴＡＣＨＩ社製造、モデル名：Ｓ-４７００）でエッチングプロファイルを観察し、ＥＰＤ（ｅｎｄ  ｐｏｉｎｔ  ｄｅｔｅｃｔｏ ）によって検出された総エッチング時間（以下、便宜上、ＥＰＤと表記する）、片側のＣＤ損失（以下、便宜上、ＣＤ  ｓｋｅｗと表記する）、及びエッチング後の残留物の存在有無を評価した。次に、熱風乾燥装置を利用して乾燥し、フォトレジスト剥離剤でフォトレジストを除去した。洗浄及び乾燥後、再度電子走査顕微鏡でエッチングプロファイルを観察してＥＰＤ、ＣＤ  ｓｋｅｗ、テーパ角、そしてエッチング後の残留物の存在有無を評価した。
＜エッチング特性の結果の基準＞
◎（非常に優秀）：ＥＰＤ≦７０ｓｅｃ、ＣＤ  ｓｋｅｗ≦２μｍ、テーパ角７０〜９０度
○（優秀）:ＥＰＤ≦７５ｓｅｃ、ＣＤ  ｓｋｅｗ≦３μｍ、テーパ角６０〜７０度
△（良好）：ＥＰＤ≦８０ｓｅｃ、ＣＤ  ｓｋｅｗ≦４μｍ、テーパ角５０〜６０度
×（不良）:ＥＰＤ≦８０ｓｅｃ、ＣＤｓｋｅｗ>４μｍ、テーパ角＜５０度
上記基準に基づいた結果を表２に示した。
【００８０】
【表２】
2010114415.tif 000004
【００８１】
表２に示したように、比較例によるエッチング液組成物を用いて複数層の金属膜を一括的にエッチングする場合、ＥＰＤが測定できない場合もあり、パターンが損失するか、または部分的にエッチングされないなどのエッチング特性が良好でないため、本発明の実施形態とは異なって実際の工程上に適用し難いということが分かる。
【００８２】
以下、上述した本発明の実施形態によるエッチング液を用いて薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について説明する。しかし、本発明は、液晶表示装置に限定されず、有機電界発光装置、プラズマディスプレイ装置、及び電気泳動表示装置のような他の種類の表示装置にも適用できる。
【００８３】
以下、上述した本発明の実施形態によるエッチング液を用いて薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について説明する。
【００８４】
図１３は、本発明の一実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図であり、図１４は図１３の薄膜トランジスタ表示板のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿った断面図である。
【００８５】
絶縁基板１１０の上にゲート信号を伝達する複数のゲート線１２１が形成されている。ゲート線１２１は横方向に延びており、各ゲート線１２１の一部は複数のゲート電極１２４を成す。
【００８６】
ゲート線１２１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタニウム（Ｔｉ）などで作られる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。本実施形態で、ゲート線１２１は、銅（Ｃｕ）または銅合金のうち、酸化銅（ＣｕＯ）を含む。
【００８７】
図１４を参照すると、絶縁基板１１０上のゲート電極１２４の両側面には平坦化膜１４１ａが形成され、その上にはゲート絶縁膜１４５が形成され、その上には島型半導体層１５４及び抵抗性接触層１６３、１６５が形成されている。抵抗性接触層１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４５の上にはそれぞれ複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５が形成されている。
【００８８】
データ線１７１は、縦方向に延び、ゲート線１２１と交差し、データ電圧を伝達する。各データ線１７１からドレイン電極１７５に向かって延びた複数の枝がソース電極１７３を成す。一対のソース電極１７３とドレイン電極１７５は互いに分離しており、ゲート電極１２４に対して互いに反対の側に位置する。
【００８９】
ソース電極１７３を含むデータ線１７１及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ  ｍｅｔａｌ）、またはこれらの合金で作られることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜が挙げられる。しかし、データ線１７１及びドレイン電極１７５は、その他にも種々の多様な金属または導電体で作られる。本実施形態で、データ線１７１は、銅（Ｃｕ）または銅合金のうち、中酸化銅（ＣｕＯ）を含む。データ線１７１の上にはコンタクトホール１８５を有する保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）１８０が形成されており、その上には画素電極１９１が形成されている。
【００９０】
ゲート電極１２４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５は、島型半導体層１５４と共に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を成し、薄膜トランジスタのチャネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の島型半導体層１５４に形成される。
【００９１】
以下、図１３及び図１４に示した薄膜トランジスタ表示板を、本発明の一実施形態によって製造する方法について、図１５乃至図２４を参照して詳細に説明する。
【００９２】
図１５乃至図２４は、図１３及び図１４の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順に示す断面図である。
【００９３】
最初に、図１５に示すように、絶縁基板１１０の上に単一膜または多重膜構造の銅または銅酸化物を含む第１金属層１２０を積層する。
【００９４】
その後、図１６に示すように、第１金属層１２０の上に第１フォトレジスト膜４０を塗布し、透光の部分と遮光の部分を含むマスクを使用して露光した後、現像する。
【００９５】
次に、図１７に示すように、第１フォトレジストパターン４０ａが残っている部分を除いた領域の第１金属層１２０を一度にエッチングして、ゲート電極１２４を含むゲート線１２１を形成する。この時、エッチングは、上述した本発明の実施形態によるエッチング液を用いて行う。
【００９６】
次に、図１８に示すように、フォトレジスト剥離剤を利用して第１フォトレジストパターン４０ａを剥離する。
【００９７】
次に、図１９に示すように、ゲート電極１２４の上に第２フォトレジスト膜１４１を塗布した後、ゲート電極１２４をマスクとして絶縁基板１１０の背面方向で露光及び現像を行った後、熱処理して、図２０に示すようなゲート電極１２４の両側面に第１平坦化膜１４１ａを形成する。次に、ゲート電極１２４及び第１平坦化膜１４１ａの上に、ゲート絶縁膜１４５、アモルファスシリコンなどからなる真性半導体層１５０、ｎ型不純物がドーピングされたアモルファスシリコンなどからなる不純物半導体層１６０、及び単一膜または多重膜構造の銅または銅酸化物を含む第２金属層１７０を順次に積層する。
【００９８】
次に、図２１に示すように、第２金属層１７０の上に第３フォトレジスト膜４１を塗布し、透光の部分、遮光の部分、及び半透光の部分を含むマスクを使用して露光した後、現像して、データ線１７１、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５が形成される部分では厚さが厚く、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の部分では厚さが薄い、第３フォトレジストパターン４１ａを形成する。次に、第３フォトレジストパターン４１ａをマスクとして第２金属層１７０を一度にエッチングする。この時にも同様に、エッチングは上述した本発明の実施形態によるエッチング液を用いて行う。次に、第２金属層１７０が除去されて露出した不純物半導体層１６０と、その下の真性半導体層１５０とを、エッチングする。
【００９９】
次に、図２２に示すように、第３フォトレジストパターン４１ａをアッシングして、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の薄い部分が除去された第４フォトレジストパターン４１ｂを形成する。次に、第４フォトレジストパターン４１ｂをマスクとして露出した第２金属層１７０をエッチングし、ソース電極１７３とドレイン電極１７５とを分離する。この時にも同様に、エッチングは上述した本発明の実施形態によるエッチング液を用いて行う。次に、第２金属層１７０が除去されて露出した不純物半導体層１６０をエッチングして、島型抵抗性接触層１６３、１６５を完成する。
【０１００】
次に、図２３に示すように、フォトレジスト剥離剤を利用して第４フォトレジストパターン４１ｂを剥離し、データ線１７１の上に保護膜１８０を積層し、フォトエッチングしてコンタクトホール１８５を形成し、図１４に示すように保護膜１８０の上に画素電極１９１を形成する。
【０１０１】
本実施形態では、ゲート線１２１の両側面に平坦化膜１４１ａを形成した場合のみを示したが、データ線１７１の周囲にも平坦化膜を形成することができ、ゲート線１２１またはデータ線１７１を形成する前に、エッチング液に対する安定性を確保するために窒化ケイ素層（ＳｉＮｘ）をさらに形成することができる。また、本実施形態では、金属パターンを含む一例として薄膜トランジスタ表示板のみを説明したが、本発明の実施形態によるエッチング液はこれに限定されず、銅または銅酸化物を含む銅合金を含む金属パターンに全て適用可能である。
【０１０２】
以上より、本発明の実施形態によるエッチング液組成物をエッチング液に適用すれば、銅または銅合金で構成された単一膜及び前記金属からなる二重膜以上の金属配線を同時にエッチングする際に、工程上で薬液の安定性が確保され、エッチングプロファイルを良好に維持することができる。
【０１０３】
また、下部膜の損傷なしに均一なエッチング特性を有しながらも、大面積の基板に適用可能であり、装備に対する損傷がないので、優れた生産性を有するエッチング液組成物を提供することができる。
【０１０４】
さらに、上部配線の断線や開口率の減少を招かず、薄膜トランジスタ表示板の低抵抗配線を形成することができる。
【０１０５】
なお、上記のエッチング液組成物において、酢酸を除いた有機酸は補助酸化剤として作用できる他の成分に取り替えることができる。
【０１０６】
以上、添付した図面を参照しながら本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明がその技術的な思想や必須の特徴を変更せずに他の具体的な形態に実施されることを理解するはずである。したがって、上述した実施形態は全ての面で例示的なものであり、限定的ではないものと理解しなければならない。
【符号の説明】
【０１０７】
絶縁基板      １１０
第１金属層     １２０
ゲート線      １２１
ゲート電極    １２４
ゲート絶縁膜  １４５
真性半導体層  １５０
島型半導体層  １５４
不純物半導体層       １６０
抵抗性接触層  １６３
第２金属層    １７０
データ線      １７１
ソース電極    １７３
ドレイン電極  １７５
保護膜 １８０
コンタクトホール   １８５
画素電極      １９１
【図１Ａ】
2010114415.tif 000005
【図１Ｂ】
2010114415.tif 000006
【図１Ｃ】
2010114415.tif 000007
【図１Ｄ】
2010114415.tif 000008
【図２Ａ】
2010114415.tif 000009
【図２Ｂ】
2010114415.tif 000010
【図２Ｃ】
2010114415.tif 000011
【図２Ｄ】
2010114415.tif 000012
【図３Ａ】
2010114415.tif 000013
【図３Ｂ】
2010114415.tif 000014
【図３Ｃ】
2010114415.tif 000015
【図３Ｄ】
2010114415.tif 000016
【図４Ａ】
2010114415.tif 000017
【図４Ｂ】
2010114415.tif 000018
【図４Ｃ】
2010114415.tif 000019
【図４Ｄ】
2010114415.tif 000020
【図５Ａ】
2010114415.tif 000021
【図５Ｂ】
2010114415.tif 000022
【図５Ｃ】
2010114415.tif 000023
【図６Ａ】
2010114415.tif 000024
【図６Ｂ】
2010114415.tif 000025
【図６Ｃ】
2010114415.tif 000026
【図７Ａ】
2010114415.tif 000027
【図７Ｂ】
2010114415.tif 000028
【図７Ｃ】
2010114415.tif 000029
【図７Ｄ】
2010114415.tif 000030
【図８Ａ】
2010114415.tif 000031
【図８Ｂ】
2010114415.tif 000032
【図８Ｃ】
2010114415.tif 000033
【図８Ｄ】
2010114415.tif 000034
【図９Ａ】
2010114415.tif 000035
【図９Ｂ】
2010114415.tif 000036
【図９Ｃ】
2010114415.tif 000037
【図９Ｄ】
2010114415.tif 000038
【図１０Ａ】
2010114415.tif 000039
【図１０Ｂ】
2010114415.tif 000040
【図１０Ｃ】
2010114415.tif 000041
【図１０Ｄ】
2010114415.tif 000042
【図１１Ａ】
2010114415.tif 000043
【図１１Ｂ】
2010114415.tif 000044
【図１１Ｃ】
2010114415.tif 000045
【図１２Ａ】
2010114415.tif 000046
【図１２Ｂ】
2010114415.tif 000047
【図１２Ｃ】
2010114415.tif 000048
【図１３】
2010114415.tif 000049
【図１４】
2010114415.tif 000050
【図１５】
2010114415.tif 000051
【図１６】
2010114415.tif 000052
【図１７】
2010114415.tif 000053
【図１８】
2010114415.tif 000054
【図１９】
2010114415.tif 000055
【図２０】
2010114415.tif 000056
【図２１】
2010114415.tif 000057
【図２２】
2010114415.tif 000058
【図２３】
2010114415.tif 000059