(57)【要約】【課題】マスクパターンに応じた適切な検証を行えるマスク検証方法を提供する。【解決手段】マスク上のパターンの中から選択された基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが目標寸法条件を満たすように転写時の光学パラメータを設定し、マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを設定された光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証する（ＳＴＥＰ３２−３）。寸法スペックを満たしていないと判断されたとき、基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが目標寸法条件を満たすように転写時の光学パラメータを変更し（ＳＴＥＰ３２−４）、マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを変更された光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証する（ＳＴＥＰ３２−３）。【選択図】      図３
2010107737.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク上のパターンの中から選択された基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが目標寸法条件を満たすように転写時の光学パラメータを設定する第１のステップと、
前記マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを設定された前記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証する第２のステップと、
前記第２のステップで前記寸法スペックを満たしていないと判断されたとき、前記基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが前記目標寸法条件を満たすように転写時の前記光学パラメータを変更し、前記マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを変更された前記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証する第３のステップと
を具備することを特徴とするマスク検証方法。
【請求項２】
前記光学パラメータは、前記マスク上のパターンを前記基板上に転写する際に用いられる露光装置の照明形状、開口数、偏光度、ポールバランス、露光量及びフォーカス位置の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のマスク検証方法。
【請求項３】
前記マスク上のパターンのうち、前記基準パターンは周期パターンであり、前記第２又は第３のステップで検証されるパターンは非周期パターンであることを特徴とする請求項１に記載のマスク検証方法。
【請求項４】
マスク上のパターンの中から選択された基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが目標寸法条件を満たすように転写時の光学パラメータを設定する第１のステップと、
前記マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを設定された前記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証する第２のステップと、
前記第２のステップで前記寸法スペックを満たしていないと判断されたとき、前記基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが前記目標寸法条件を満たすように転写時の前記光学パラメータを変更し、前記マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを変更された前記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証し、前記寸法スペックを満たす検証結果が得られるまで前記光学パラメータの変更を繰り返すことで光学パラメータを設定する第３のステップと、
前記第２又は前記第３のステップで設定された前記光学パラメータを用いて、前記マスク上のパターンを基板上に転写する第４のステップと
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
コンピュータに、
マスク上のパターンの中から選択された基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが目標寸法条件を満たすように、転写時の露光条件となる光学パラメータを設定する第１のステップと、
前記マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを設定された前記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証する第２のステップと、
前記第２のステップで、前記寸法スペックを満たしていると判断されたときは前記光学パラメータを設定し、前記寸法スペックを満たしていないと判断されたときは、前記基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが前記目標寸法条件を満たすように転写時の前記光学パラメータを変更し、前記マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを変更された前記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証し、前記寸法スペックを満たす検証結果が得られるまで前記光学パラメータの変更を繰り返すことで光学パラメータを設定する第３のステップと
を実行させることを特徴とする露光条件の調整プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、形成したフォトマスクが要求精度を備えているか否かを検証するマスク検証方法、このマスク検証方法で検証された光学パラメータを用いてパターンが形成される半導体装置の製造方法、及び適切なマスク検証を行うことのできる露光条件の調整プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化に伴い、フォトマスクの精度が露光結果に大きな光近接効果（ＯＰＥ）を発生させる（例えば特許文献１参照）。そのため、フォトマスクに対する要求精度も高くなってきており、安定した歩留まりで生産するのが難しくなってきている。
【０００３】
従来のマスク検証では、一定の光学パラメータを用いてマスクパターンに対して露光シミュレーションを実行し、シミュレーションによって得られたパターンと目標とするパターンの寸法を比較することにより検証を行っていた。光学パラメータは、特定のマスクパターンがレジスト上等で所望の転写パターン寸法となるように算出される。
【０００４】
しかし、マスクに形成されたパターンのうち上記特定のマスクパターン以外のマスクパターンに対して、上記光学パラメータを用いてシミュレーションを行った場合、シミュレーションにより得られた転写パターンが目標寸法から大きくずれてしまうことがある。これは、特定のマスクパターンに合わせて検証シミュレーションにおける光学パラメータを固定しているためである。
【０００５】
従来のマスク検証では、特定の光学パラメータによって転写したパターンが目標寸法から大きくずれたとき、マスクを不良とみなす場合があった。
【特許文献１】特願２００６−５８４５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、マスクパターンに応じた適切な検証を行えるマスク検証方法を提供することにある。
【０００７】
また、適切なマスク検証及び半導体装置の製造方法を行うことのできる露光条件の調整プログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様によると、マスク上のパターンの中から選択された基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが目標寸法条件を満たすように転写時の光学パラメータを設定する第１のステップと、前記マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを設定された前記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証する第２のステップと、前記第２のステップで前記寸法スペックを満たしていないと判断されたとき、前記基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが前記目標寸法条件を満たすように転写時の前記光学パラメータを変更し、前記マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを変更された前記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証する第３のステップとを具備するマスク検証方法が提供される。
【０００９】
また、本発明の第２の態様によると、マスク上のパターンの中から選択された基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが目標寸法条件を満たすように転写時の光学パラメータを設定する第１のステップと、前記マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを設定された前記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証する第２のステップと、前記第２のステップで前記寸法スペックを満たしていないと判断されたとき、前記基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが前記目標寸法条件を満たすように転写時の前記光学パラメータを変更し、前記マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを変更された前記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証し、前記寸法スペックを満たす検証結果が得られるまで前記光学パラメータの変更を繰り返すことで光学パラメータを設定する第３のステップと、前記第２又は前記第３のステップで設定された前記光学パラメータを用いて、前記マスク上のパターンを基板上に転写する第４のステップとを具備する半導体装置の製造方法が提供される。
【００１０】
更に、本発明の第３の態様によると、コンピュータに、マスク上のパターンの中から選択された基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが目標寸法条件を満たすように、転写時の露光条件となる光学パラメータを設定する第１のステップと、前記マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを設定された前記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証する第２のステップと、前記第２のステップで、前記寸法スペックを満たしていると判断されたときは前記光学パラメータを設定し、前記寸法スペックを満たしていないと判断されたときは、前記基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが前記目標寸法条件を満たすように転写時の前記光学パラメータを変更し、前記マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを変更された前記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証し、前記寸法スペックを満たす検証結果が得られるまで前記光学パラメータの変更を繰り返すことで光学パラメータを設定する第３のステップとを実行させる露光条件の調整プログラムが提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、マスクパターンに応じた適切な検証を行えるマスク検証方法が得られる。
【００１２】
また、適切なマスク検証及び半導体装置の製造方法を行うことのできる露光条件の調整プログラムが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。  
本発明の実施形態に係るマスク検証方法、半導体装置の製造方法及び露光条件の調整プログラムについて図１乃至図５により説明する。図１はＮＡＮＤ型フラッシュメモリのメモリセル領域におけるセレクトゲート近傍のレイアウト例を示すパターン平面図、図２はマスクミーン（Mask mean）値ずれ、すなわち、マスク上の各マスクパターンの設計値（目標値）からのずれの平均値、のレジスト寸法への影響について説明するための図、図３は露光装置の光学パラメータの算出方法について説明するためのフローチャート、図４は露光装置の光学パラメータの算出方法の変形例について説明するためのフローチャート、図５は露光装置の光学パラメータの調整後におけるマスクミーン値ずれのレジスト寸法への影響について説明するための図である。
【００１４】
本実施形態は、マスクミーン値ずれの影響を光学パラメータの調整によりキャンセルする方法であり、フォトマスク上のパターンの設計値（目標寸法値）からの寸法ずれが引き起こすＯＰＥを露光装置の光学パラメータで補正する方法について説明する。ここでは半導体装置の一例としてＮＡＮＤ型フラッシュメモリを例にとっている。
【００１５】
図１に示すように、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおけるメモリセル領域のパターンは、セレクトゲートＳＧ，ＳＧの近傍では周期が崩れている（非周期）ため、セレクトゲートＳＧ，ＳＧ近傍、特にセレクトゲートＳＧ間，ＳＧとワードラインＷＬ間のスペースの形成において、フォトマスクの目標寸法値からの寸法差が引き起こすＯＰＥが大きくなる。反対に、周期的に配置されているワードラインＷＬ、特に周期的に配置されたワードラインＷＬを挟む２つのセレクトゲートＳＧ（一方のＳＧの図示は省略）間の中心に近い位置に配置されるワードラインＷＬの形成においては、フォトマスクの目標寸法値からの寸法差が引き起こすＯＰＥは比較的小さくなる。
【００１６】
上記セレクトゲート間の領域ＳＧ−ＳＧ、セレクトゲートＳＧ、セレクトゲートとワードライン間の領域Ｓ０、ワードラインＷＬ１等を形成するための各マスクパターンの目標寸法値からの寸法差と、各マスクパターンを基板上に転写した際のレジスト上の目標パターン寸法からのずれ（ＣＤ error）との関係を図２に示している。図２の縦軸は、各マスクパターンを基板上に転写した際のレジスト上の目標パターン寸法からのずれ（ＣＤ error）を示し、横軸は、セレクトゲート間の領域ＳＧ−ＳＧ、セレクトゲートＳＧ、セレクトゲートとワードライン間の領域Ｓ０、ワードラインＷＬ１等の各マスクパターンの目標値からの寸法ずれ量を示している。なお、図２中の横軸に記載されたマスクミーン値の増減量は、各マスクパターンが一律にその増減量だけ設計値（目標値）からずれていることを表している。
【００１７】
上記目標レジスト寸法からの寸法差がデバイス動作スペックに不良影響を与える場合には、つまり目標となる寸法条件を満たさない場合、露光装置の露光条件を設定、例えば光学パラメータを調整して動作に影響を与えないレジスト寸法になるようにする。ここで、光学パラメータとは、例えば照明形状、開口数（ＮＡ）、偏光度、ポールバランス、露光量及びフォーカス位置等である。露光装置のＯＰＥに影響を与える光学パラメータを、所定の設定値からずらすことによりＯＰＥを変化させることができる。
【００１８】
図３は、露光装置の光学パラメータの算出方法について説明するためのフローチャートである。この算出方法では、シミュレーションにより光学パラメータを求める。まず、フォトマスクの寸法測定を行い（ＳＴＥＰ３１）、測定したフォトマスクの寸法データを使用してシミュレーションを行って光学パラメータを最適化する（ＳＴＥＰ３２）。
【００１９】
上記寸法測定では、フォトマスク上の基準パターンの寸法であるマスク基準実寸法と、基準パターン以外のマスクパターンの寸法であるマスク実寸法を測定する。基準パターンとしては、例えばＮＡＮＤ型フラッシュメモリのワードラインのようなラインアンドスペースパターン（周期パターン）に対応するマスクパターンが好ましく、より好ましいのはセレクトゲート間の中心付近のワードラインである。
【００２０】
また、上記シミュレーションでは、マスクパターンの寸法を測定し（ＳＴＥＰ３２−１）、シミュレーションを実施して（ＳＴＥＰ３２−２）、寸法スペックを満たしているか否かを判定する（ＳＴＥＰ３２−３）。このシミュレーションでは、予め、測定した基準パターンのマスク基準実寸法をもとに転写シミュレーションを行い、転写パターンが目標寸法条件を満たすように転写時の光学パラメータを設定しておき、基準パターン以外のマスクパターンのマスク実寸法をもとに設定した光学パラメータで転写シミュレーションを行う（ＳＴＥＰ３２−２）。基準パターン以外のマスクパターンのシミュレーションにより得られた転写パターンがレジスト上の寸法スペックを満たしているか否かを検証する（ＳＴＥＰ３２−３）。そして、寸法スペックを満たしていない場合には、露光装置の光学パラメータを基準パターンの転写パターンが目標寸法条件を満たすように変更し（ＳＴＥＰ３２−４）、再び基準パターン以外のマスクパターンのマスク実寸法をもとに変更した光学パラメータを用いて転写シミュレーションを実施する（ＳＴＥＰ３２−２）。その後、検証工程（ＳＴＥＰ３２−３）、必要により、光学パラメータ変更工程（ＳＴＥＰ３２−４）、シミュレーション工程（ＳＴＥＰ３２−２）を繰り返す。一方、検証工程（ＳＴＥＰ３２−３）において、転写パターンが寸法スペックを満たしていると判断した場合には、マスクを良品とみなして、露光を実施する（ＳＴＥＰ３２−５）。
【００２１】
このように、光学パラメータを変更しながらシミュレーションを繰り返し実施し、全てのレジスト上のパターンがデバイス動作スペックに影響を与えない寸法になるように光学パラメータの最適化を行う。これにより、マスクの良品・不良品の検証を適切に行うことができる。なお、（ＳＴＥＰ３２−２）におけるシミュレーション工程のかわりに、実際に転写実験を行っても良い。
【００２２】
その後、求められた最適パラメータを露光装置に設定して露光を実施し（ＳＴＥＰ３３）、寸法スペックを満たしているか否か実験でも確認を行う（ＳＴＥＰ３４）。このＳＴＥＰ３４では、露光装置の露光量を設定するために利用した基準パターンのレジスト上の転写パターン及びデバイス特性に影響が大きいレジスト上パターン、ＰＰＥの影響を大きく受ける周期性が崩れるレジスト上パターンの寸法測定を実施して、寸法スペックに収まっているか否かを確認する。
【００２３】
このようにして、寸法スペックを満たしていることが確認できると、そのマスクを用いて半導体装置の量産を開始する（ＳＴＥＰ３５）。
【００２４】
図４に示す算出方法は、図３に示した算出方法の変形例であり、フォトマスクの寸法値毎に目標とするレジスト寸法値からの寸法差が許容値に収まる光学パラメータを予め実験によりデータベース化しておくものである。そして、測定したフォトマスク寸法からデータベース（Library）より最適光学パラメータを選択する。
【００２５】
この算出方法では、まずフォトマスクの寸法測定を行う（ＳＴＥＰ２１）。この寸法測定では、フォトマスク上の基準パターンにおけるマスク基準実寸法を測定する。
【００２６】
そして、このマスク基準実寸法の測定結果に基づいてライブラリから光学パラメータを選択（設定）する（ＳＴＥＰ２２）。続いて、選択した光学パラメータを用いて基準パターン以外のマスクパターンに対して、露光をシミュレーション又は実験的に実施する（ＳＴＥＰ２３）。その後、転写されたパターンによって所望のデバイス特性を満たすか否かを検証する、すなわち、転写されたパターンが、満足すべきデバイス特性等から設定された寸法スペック（寸法の目標値からのずれ量等）を満たしているか否か判定し（ＳＴＥＰ２４）、満たしていない場合にはこの基準パターン以外のマスクパターンと、変更した光学パラメータをライブラリへ追加する（ＳＴＥＰ２５）。フォトマスクのパターンと変更後の光学パラメータをライブラリへ追加後、ＳＴＥＰ２２へ戻る。その後、ライブラリから追加した光学パラメータを選択し、この追加した光学パラメータで露光をシミュレーション又は実験的に実施する（ＳＴＥＰ２３）。続いて、転写されたパターンによって所望のデバイス特性を満たすか否かを再度検証する。そして、ＳＴＥＰ２４で寸法スペックを満たしていると判定されると、そのマスクを用いて半導体装置の量産を開始する（ＳＴＥＰ２６）。半導体装置の製造工程では、フォトマスクのパターンを半導体基板上に転写し、転写したパターンを用いて種々の半導体素子や配線を形成する。
【００２７】
図５は、上述したような方法で調整した光学パラメータで、各フォトマスクの寸法値毎に露光装置の光学パラメータを調整した時のセレクトゲート間の領域ＳＧ−ＳＧ、セレクトゲートＳＧ、セレクトゲートとワードライン間の領域Ｓ０、ワードラインＷＬ１のフォトマスクの目標値からの寸法差が引き起こすＣＤエラーをそれぞれ示している。
【００２８】
図２と図５を比較すれば明らかなように、露光装置の光学パラメータを調整することによって、マスクミーン値ずれのレジスト寸法への影響を分散させて効果的に低減できる。
【００２９】
なお、シミュレーションで使用する光学パラメータ（ＮＡ、σ、偏光度、露光量、フォーカス位置）を最適化する際に、コストの上昇も考慮に入れることで、コストがデバイス特性に影響を与えないスペックに収まるマスク寸法の範囲に設定できる。また、シミュレーションで使用するマスク寸法は、露光装置の露光量を設定する基準パターンの寸法を基準として、マスク製造のＰＰＥを考慮して他のパターンの寸法値を設定すると良い。更に、上記シミュレーションで設定されるスライスレベル（slice level）は、露光装置の露光量を設定する基準パターンの光強度分布に基づいて算出できる。例えば、基準パターンに対応するレジストのパターンは、基準パターンの光強度が弱い領域と強い領域に対応するラインアンドスペースのパターンになるので、光強度が弱い領域の幅が基準パターンのライン幅と一致する光強度をスライスレベルに設定する。
【００３０】
このようにして算出された光学パラメータを露光装置に設定し、露光を行ってフォトマスクを製造することにより、マスクミーン値ずれの影響をキャンセルできる。
【００３１】
上述したように、本実施形態によれば、マスクパターンに応じた適切な検証を行えるマスク検証方法を提供できる。また、従来は不良品として扱われた製品を良品として利用できるので、半導体装置の製造歩留まりを向上できる。更に、コンピュータに上述した図３における光学パラメータの最適化手順を実行させることで、適切なマスク検証を行うことのできる露光条件のプログラムを提供できる。
【００３２】
図６及び図７はそれぞれ、適切なマスク検証を行うことのできる露光条件のプログラムについて説明するためのもので、図６はプログラムを実行する装置の概略構成を示すブロック図、図７は露光条件の調整プログラムのフローチャートである。図６はパーソナルコンピュータを用いる場合を例にとって示しており、キーボードやマウスなどの入力装置１１、制御装置（ＣＰＵ）１２と演算装置（ＡＬＵ）１３を含む処理装置１４、ハードディスクや半導体メモリなどの記憶装置１５、及びモニタやプリンタなどの出力装置１６を備えている。これらの装置は、バスライン１７などの信号伝送路で共通接続されており、各装置間でデータや制御信号の授受を行うようになっている。
【００３３】
上記制御装置１２と演算装置１３は種々の処理を行う処理装置１４を構成している。上記制御装置１２で入力装置１１、演算装置１３、記憶装置１５及び出力装置１５などの動作を制御する。また、上記記憶装置１５には、検証プログラムに加えて、制御装置１２による各装置の制御のための命令を記述したプログラムも記憶されている。このプログラムによる制御に従って演算装置１３で露光装置の露光条件を算出し、調整するようになっている。
【００３４】
すなわち、まず、キーボードやマウスなどの入力装置１１から、マスク上のパターンの中から選択された基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが目標寸法条件を満たすように、転写時の露光条件となる光学パラメータを入力する。入力した光学パラメータは、処理装置１４の制御に基づいてバスライン１７を介して記憶装置１５に転送して記憶する（ＳＴＥＰ １）。上記光学パラメータには、マスク上のパターンを基板上に転写する際に用いられる露光装置の照明形状、開口数、偏光度、ポールバランス、露光量及びフォーカス位置の少なくともいずれか１つが含まれている。
【００３５】
次に、マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを上記記憶装置１４に記憶した上記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証する（ＳＴＥＰ ２）。この検証は、上記記憶装置１４に記憶した光学パラメータを用いて、演算装置１３によりマスクパターンに対して露光シミュレーションを実行し、シミュレーションによって得られたパターンと目標とするパターンの寸法を比較することで行う。
【００３６】
そして、上記演算装置１３により寸法スペックを満たすか否か判断し（ＳＴＥＰ ３）、寸法スペックを満たしていると判断されたときは上記光学パラメータを露光装置に設定する（ＳＴＥＰ ４）。一方、寸法スペックを満たしていないと判断されたときは、基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが目標寸法条件を満たすように転写時の光学パラメータを変更し（ＳＴＥＰ ５）、上記マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを変更した上記光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを演算装置１３で演算して検証し（ＳＴＥＰ ６）、上記寸法スペックを満たす検証結果が得られるまで上記光学パラメータの変更を繰り返す（ＳＴＥＰ ７）。
【００３７】
そして、寸法スペックを満たすと、その光学パラメータを記憶装置１５に記憶して露光装置に設定する（ＳＴＥＰ ８）。この検証結果は、モニタやプリンタなどの出力装置１６から出力する。
【００３８】
なお、上述の実施形態では、レジストに転写されるパターン（光学像強度分布）の寸法が目標寸法条件或いは寸法スペックを満たすか否かを検証しているが、このレジストパターンをマスクに被加工膜を加工することで得られる被加工膜パターンの寸法と目標寸法条件或いは寸法スペックとを比較検証してもよい。この場合、上述の図３における（ＳＴＥＰ３２−２）の露光シミュレーション又は露光実験は、レジストへのパターン露光工程、レジストの現像工程及びレジストマスクを用いた被加工膜の加工工程を含めたシミュレーション又は実験と置き換えることが好ましい。或いは、加工によるパターン変換差を予め求めておき、その変換差分をレジストパターンの目標寸法条件或いは寸法スペックに反映させておくことが好ましい。
【００３９】
以上実施形態を用いて本発明の説明を行ったが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのセル領域におけるセレクトゲート近傍のレイアウト例を示すパターン平面図。
【図２】マスクミーン値ずれのレジスト上の目標パターン寸法への影響について説明するための図。
【図３】露光装置の光学パラメータの算出方法について説明するためのフローチャート。
【図４】露光装置の光学パラメータの算出方法の変形例について説明するためのフローチャート。
【図５】露光装置の光学パラメータの調整後におけるマスクミーン値ずれのレジスト上の目標パターン寸法への影響について説明するための図。
【図６】適切なマスク検証を行うことのできる露光条件のプログラムについて説明するためのもので、プログラムを実行する装置の概略構成を示すブロック図。
【図７】適切なマスク検証を行うことのできる露光条件のプログラムについて説明するためのもので、調整プログラムのフローチャート。
【符号の説明】
【００４１】
ＳＧ…セレクトゲート、ＷＬ，ＷＬ１…ワードライン、ＳＧ−ＳＧ…セレクトゲート間の領域、Ｓ０…セレクトゲートとワードライン間の領域。
【図１】
2010107737.tif 000003
【図２】
2010107737.tif 000004
【図３】
2010107737.tif 000005
【図４】
2010107737.tif 000006
【図５】
2010107737.tif 000007
【図６】
2010107737.tif 000008
【図７】
2010107737.tif 000009