(57)【要約】【課題】被処理体の周辺部における温度分布を個別的に、且つ簡単な構成で制御することが可能な載置台構造を提供する。【解決手段】被処理体Ｗに対して熱処理を施すために被処理体を載置する載置台構造において、載置台本体６２と、載置台本体内に設けられ、複数のゾーンに分割されて給電ラインＬに接続された抵抗加熱ヒータ群８８を有する加熱手段８６と、電力をゾーン毎に制御するヒータ制御部９２とを備え、最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に給電ラインＬ１〜Ｌ４を接続することによって最外周抵抗加熱ヒータ１００を複数の領域に区分して区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄとし、ヒータ制御部は、最外周抵抗加熱ヒータに対応する給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することによって区分ヒータ毎に供給電力を制御する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内で被処理体に対して熱処理を施すために前記被処理体を載置する載置台構造において、
上面に前記被処理体を載置するための載置台本体と、
前記載置台本体内に設けられ、同心状に複数のゾーンに分割されると共に前記ゾーン毎に異なる給電ラインに接続された抵抗加熱ヒータ群を有する加熱手段と、
前記加熱手段に供給する電力を前記ゾーン毎に制御するヒータ制御部とを備え、
前記複数のゾーンの内の最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に前記給電ラインを接続することによって前記最外周抵抗加熱ヒータを複数の領域に区分して区分ヒータとし、前記ヒータ制御部は、前記最外周抵抗加熱ヒータに対応する前記給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することにより前記区分ヒータ毎に供給電力を制御するようにしたことを特徴とする載置台構造。
【請求項２】
前記ヒータ制御部は、前記最外周給電ラインの状態を時分割で制御する複数の電力供給態様を有していることを特徴とする請求項１記載の載置台構造。
【請求項３】
前記最外周抵抗加熱ヒータは、偶数個の区分ヒータに区分されていることを特徴とする請求項１又は２記載の載置台構造。
【請求項４】
前記ヒータ制御部は、前記最外周抵抗加熱ヒータの全ての区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする請求項３記載の載置台構造。
【請求項５】
前記ヒータ制御部は、選択された一対の対向する区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする請求項３記載の載置台構造。
【請求項６】
前記ヒータ制御部は、選択された一対の隣り合う区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする請求項３記載の載置台構造。
【請求項７】
前記最外周抵抗加熱ヒータは、奇数個の区分ヒータに区分されていることを特徴とする請求項１又は２記載の載置台構造。
【請求項８】
前記ヒータ制御部は、選択された一対の隣り合う区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする請求項７記載の載置台構造。
【請求項９】
前記ヒータ制御部は、前記最外周給電ラインの内の選択された給電ラインをフローティング状態にする電力供給態様を有していることを特徴とする請求項２乃至８のいずれか一項に記載の載置台構造。
【請求項１０】
前記最外周抵抗加熱ヒータの区分の数は、３以上であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の載置台構造。
【請求項１１】
前記載置台本体は、セラミック材、或いは石英よりなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の載置台構造。
【請求項１２】
被処理体に対して熱処理を施すための処理装置において、
排気可能になされた処理容器と、
被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の載置台構造と、
前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、
を備えたことを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に対してプラズマ処理や成膜処理等の熱処理を施す処理装置及びこれに用いられる載置台構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＩＣ（集積回路）等の半導体装置を製造するためには、半導体ウエハ等の被処理体に、成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理等の各種の処理を、プラズマを用いて、或いはプラズマを用いないで繰り返し行って目的とする回路装置等を製造するようになっている。
【０００３】
例えば半導体ウエハに対して１枚毎に熱処理を施す枚葉式の処理装置を例にとれば、真空引き可能になされた処理容器内に、例えば抵抗加熱ヒータ等を内蔵した載置台構造を設置し、この上面に半導体ウエハを載置した状態で所定の処理ガスを流し、プラズマを用いたり、或いは用いないで所定のプロセス条件下にてウエハに各種の熱処理を施すようになっている（特許文献１〜５）。
【０００４】
この場合、半導体ウエハは高温に晒され、また、処理容器内へはクリーニングガスやエッチングガス等の腐食性ガス等が用いられることから、半導体ウエハを載置する上記載置台構造には、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）に代表されるセラミックスが用いられる傾向にあり、このセラミック中に加熱ヒータ部や静電チャックを設ける場合にはこのチャック電極等が埋め込まれて一体成形されている。
【０００５】
ここで従来の処理装置及び載置台構造の一例を説明する。図９は従来の一般的なプラズマを用いた処理装置を示す概略構成図、図１０は載置台構造の抵抗加熱ヒータを示す平面図である。図９において、処理装置として、ここではプラズマ処理装置を示しており、筒体状になされた処理容器２内には、半導体ウエハＷを上面に載置するための載置台構造４が設けられている。この処理容器２の天井部には、ガス導入手段としてシャワーヘッド６が設けられ、この下面のガス噴射孔６Ａから必要なガスを噴射するようになっている。そして、このシャワーヘッド６には、プラズマ発生用の、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電源８が接続されており、上記シャワーヘッド６を上部電極として機能させるようになっている。
【０００６】
また処理容器２の底部には排気口１０が設けられており、処理容器２内の雰囲気を排気できるようになっている。そして、処理容器２の一側壁には、ウエハＷの搬出入時に開閉されるゲートバルブ１２が設けられ、他の側壁には容器内を観察するための例えば石英ガラスよりなる観察窓１４が設けられている。そして、上記載置台構造４は、ウエハＷを載置する載置台本体１６と、この載置台本体１６を容器底部より起立させる支柱１８とよりなる。この載置台本体１６は例えば耐熱性及び耐腐食性のあるＡｌＮ等のセラミックよりなり、この内部には高周波電力に対する下部電極や静電チャックのチャック電極となる電極２０が一体的に埋め込まれている。この電極２０の下方に抵抗加熱ヒータ２４よりなる加熱手段２２が埋め込むようにして設けられており、ウエハＷを加熱するようになっている。
【０００７】
上記加熱手段２２を構成する抵抗加熱ヒータ２４は、図１０に示すように、同心円状に複数、ここでは内周ゾーンの抵抗加熱ヒータ２４Ａと外周ゾーンの抵抗加熱ヒータ２４Ｂとに２つに分割されている。そして、上記各ゾーンの抵抗加熱ヒータ２４Ａ、２４Ｂは、それぞれ個別に制御され、ウエハＷの面内均一性を図るようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６３−２７８３２２号公報
【特許文献２】特開平０７−０７８７６６号公報
【特許文献３】特開平０６−２６０４３０号公報
【特許文献４】特開２００４−３５６６２４号公報
【特許文献５】特開平１０−２０９２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、従来の載置台構造にあっては、処理中におけるウエハ温度の面内均一性を図るために、加熱手段２２の加熱ヒータを内側ゾーンと外側ゾーンとに分割して個別に温度制御を行っているが、処理容器２の側壁部分には、ゲートバルブ１２や観察窓１４や各種の計測器具を取り付けるための取付ポート（図示せず）等が適宜設けられていることから、それらの部分は他の側壁部分と熱的条件が異なる場合がある。例えばゲートバルブ１２の取り付け部分は、これがウエハＷの搬出入のために繰り返し開閉されることから、この部分の温度は低下する傾向にあり、また観察窓１４が設けられてる部分は、この観察窓１４の構成材料である石英ガラスが、容器側壁の構成材料である金属、例えばアルミニウム合金等と比べて比熱等が異なることから、この観察窓１４の部分が周囲の温度とは異なるような場合が生ずる。このような状況下において、ウエハＷの周辺部は、上記ゲートバルブ１２の取り付け部分や観察窓１４の取り付け部分等から局所的に熱的に悪影響を受け易くなる。
【００１０】
しかしながら、上述したようにウエハＷの周辺部の温度を制御する外周ゾーンの抵抗加熱ヒータ２４Ｂは、このヒータ自体を一体でしか温度制御することができないので、ウエハの周辺部が局部的に熱的な影響を受けた場合に、これに効果的に対応することができず、従って、ウエハ温度の面内均一性が低下してしまう、といった問題があった。
【００１１】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、被処理体の周辺部における温度分布を個別的に、且つ簡単な構成で制御することが可能な載置台構造及び処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に係る発明は、処理容器内で被処理体に対して熱処理を施すために前記被処理体を載置する載置台構造において、上面に前記被処理体を載置するための載置台本体と、前記載置台本体内に設けられ、同心状に複数のゾーンに分割されると共に前記ゾーン毎に異なる給電ラインに接続された抵抗加熱ヒータ群を有する加熱手段と、前記加熱手段に供給する電力を前記ゾーン毎に制御するヒータ制御部とを備え、前記複数のゾーンの内の最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に前記給電ラインを接続することによって前記最外周抵抗加熱ヒータを複数の領域に区分して区分ヒータとし、前記ヒータ制御部は、前記最外周抵抗加熱ヒータに対応する前記給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することにより前記区分ヒータ毎に供給電力を制御するようにしたことを特徴とする載置台構造である。
【００１３】
このように、処理容器内で被処理体に対して熱処理を施すために被処理体を載置する載置台構造において、載置台本体内に設けられ、同心状に複数のゾーンに分割されると共にゾーン毎に異なる給電ラインに接続された抵抗加熱ヒータ群を有する加熱手段と、加熱手段に供給する電力をゾーン毎に制御するヒータ制御部とを備え、複数のゾーンの内の最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に給電ラインを接続することによって最外周抵抗加熱ヒータを複数の領域に区分して区分ヒータとし、ヒータ制御部は、最外周抵抗加熱ヒータに対応する給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することにより区分ヒータ毎に供給電力を制御するようにしたので、被処理体の周辺部における温度分布を個別的に、且つ簡単な構成で制御することができ、被処理体の周辺部が処理容器の側壁から熱的な影響を受けても、この周辺部の温度を均一に維持することができ、結果的に被処理体の面内温度の均一性を向上させることができる。
【００１４】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記ヒータ制御部は、前記最外周給電ラインの状態を時分割で制御する複数の電力供給態様を有していることを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、前記最外周抵抗加熱ヒータは、偶数個の区分ヒータに区分されていることを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項３の発明において、前記ヒータ制御部は、前記最外周抵抗加熱ヒータの全ての区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項３の発明において、前記ヒータ制御部は、選択された一対の対向する区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする。
請求項６の発明は、請求項３の発明において、前記ヒータ制御部は、選択された一対の隣り合う区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする。
請求項７の発明は、請求項１又は２の発明において、前記最外周抵抗加熱ヒータは、奇数個の区分ヒータに区分されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項８の発明は、請求項７の発明において、前記ヒータ制御部は、選択された一対の隣り合う区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする。
請求項９の発明は、請求項２乃至８のいずれか一項に記載の発明において、前記ヒータ制御部は、前記最外周給電ラインの内の選択された給電ラインをフローティング状態にする電力供給態様を有していることを特徴とする。
請求項１０の発明は、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発明において、前記最外周抵抗加熱ヒータの区分の数は、３以上であることを特徴とする。
【００１７】
請求項１１の発明は、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発明において、前記載置台本体は、セラミック材、或いは石英よりなることを特徴とする。
請求項１２に係る発明は、被処理体に対して熱処理を施すための処理装置において、排気可能になされた処理容器と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の載置台構造と、前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、を備えたことを特徴とする処理装置である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の載置台構造及び処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
処理容器内で被処理体に対して熱処理を施すために被処理体を載置する載置台構造において、載置台本体内に設けられ、同心状に複数のゾーンに分割されると共にゾーン毎に異なる給電ラインに接続された抵抗加熱ヒータ群を有する加熱手段と、加熱手段に供給する電力をゾーン毎に制御するヒータ制御部とを備え、複数のゾーンの内の最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に給電ラインを接続することによって最外周抵抗加熱ヒータを複数の領域に区分して区分ヒータとし、ヒータ制御部は、最外周抵抗加熱ヒータに対応する給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することにより区分ヒータ毎に供給電力を制御するようにしたので、被処理体の周辺部における温度分布を個別的に、且つ簡単な構成で制御することができ、被処理体の周辺部が処理容器の側壁から熱的な影響を受けても、この周辺部の温度を均一に維持することができ、結果的に被処理体の面内温度の均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る載置台構造を有する処理装置を示す構成図である。
【図２】処理容器内を示す概略断面図である。
【図３】加熱手段の抵抗加熱ヒータの配置を示す平面図である。
【図４】最外周ゾーンを４区分した時の最外周給電ラインの状態と電力供給態様との関係を示す図である。
【図５】特定の区分ヒータの部分を高温に、或いは低温にコントロールする時の電力供給態様の流れの一例を示す図である。
【図６】最外周給電ラインをフローティング状態に設定することも含めた時の電力供給態様の一例を示す図である。
【図７】最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータを３つに区分した時の状態を示す模式図である。
【図８】最外周ゾーンを３区分した時の最外周給電ラインの状態と電力供給態様との関係を示す図である。
【図９】従来の一般的なプラズマを用いた処理装置を示す概略構成図である。
【図１０】載置台構造の抵抗加熱ヒータを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明に係る載置台構造及び処理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る載置台構造を有する処理装置を示す構成図、図２は処理容器内を示す概略断面図、図３は加熱手段の抵抗加熱ヒータの配置を示す平面図である。
【００２１】
ここでは処理装置として平行平板型のプラズマ処理装置を例にとって説明する。図１に示すように、この処理装置としての平行平板型のプラズマ処理装置３０は、例えばアルミニウム合金等により筒体状に成形された処理容器３２を有している。この処理容器３２の底部の中央部は、更に下方へ凸状に窪ませて設けた排気空間３４が有底円筒状の区画壁３６により区画形成されており、この区画壁３６の底部が容器底部の一部となっている。この区画壁３６の側壁には排気口３８が設けられており、この排気口３８には、図示しない圧力調整弁や真空ポンプ等が途中に介設された排気管４０が接続されており、上記処理容器は３２を所望の圧力に真空引きできるようになっている。
【００２２】
また上記処理容器３２の側壁には、図２にも示すように、被処理体である半導体ウエハＷを搬出入する搬出入口４２が形成されると共に、この搬出入口４２にはゲートバルブ４４が設けられており、ウエハＷの搬出入時にこのゲートバルブ４４を開閉するようになっている。このゲートバルブ４４が設けられた側壁に対して反対側の側壁には、Ｏリング等のシール部材４５を介して例えば石英ガラスよりなる観察窓４７が気密に設けられており、処理容器３２内を必要に応じて観察できるようになっている。尚、処理容器３２の側壁には、各種の計測機器を取り付けるためのポート等（図示せず）の熱的な不平衡を生ぜしめてしまう部材が種々取り付けられている。
【００２３】
また処理容器３２の天井は開口され、この開口部には絶縁部材４６を介してガス導入手段としてのシャワーヘッド４８が設けられる。この際、上記シャワーヘッド４８と絶縁部材４６との間には、容器内の気密性を維持するために例えばＯリング等よりなるシール部材５０が介設されている。このシャワーヘッド４８の上部にはガス導入口５２が設けられると共に、下面のガス噴射面には複数のガス噴射孔５４が設けられており、必要な処理ガスを処理空間Ｓに向けて噴射するようになっている。ここではシャワーヘッド４８内は１つの空間になっているが、内部空間を複数に区画し、それぞれ異なるガスをシャワーヘッド４８内で混合させることなく別々に処理空間Ｓへ供給する形式のシャワーヘッドもある。
【００２４】
また、このシャワーヘッド４８は、プラズマ発生用の上部電極としての機能を有し、具体的には、このシャワーヘッド４８にはマッチング回路５６を介してプラズマ発生用の高周波電源５８が接続されている。この高周波電源５８の周波数は、例えば１３．５６ＭＨｚであるが、この周波数に限定されない。そして、この処理容器３２内には、半導体ウエハＷを載置するために本発明に係る載置台構造６０が設けられている。この載置台構造６０は、その上面である載置面にウエハＷを直接的に載置するために円板状に形成された載置台本体６２を有しており、この載置台本体６２は、容器底部から起立させて設けた支柱６４により支持されている。
【００２５】
上記載置台本体６２の下方には、ウエハＷの搬出入時に、これを下から突き上げて支持する昇降ピン機構６６が設けられる。この昇降ピン機構６６は、載置台本体６２の周方向に沿って等間隔で配置された例えば３本（図示例では２本のみ記す）の昇降ピン６８を有しており、各昇降ピン６８の下端部は例えば円弧状のピンベース板７０により支持されている。このピンベース板７０は、容器底部を貫通された昇降ロッド７２に連結されており、この昇降ロッド７２はアクチュエータ７４に取り付けられ、上記昇降ロッド７２を上下動可能としている。また昇降ロッド７２の容器底部の貫通部には容器内の気密性を維持しつつ昇降ロッド７２の上下動を許容するために伸縮可能になされたベローズ７６が設けられる。
【００２６】
また上記載置台本体６２は、上記各昇降ピン６８に対応させてピン挿通孔７８が設けられており、上記昇降ロッド７２を上下動させることにより、上記ピン挿通孔７８内を挿通された昇降ピン６８が、載置面上に出没してウエハＷを突き上げて持ち上げたり、持ち下げたりできるようになっている。
【００２７】
そして、上記載置台本体６２の全体及び支柱６４の全体は、金属汚染がなく、且つ耐熱性に優れた材料、例えばセラミック材や石英により形成されている。上記支柱６４は円筒体状に成形されており、この支柱６４の上端は上記載置台本体６２の下面（裏面）の中央部に例えば熱拡散融着により接合されている。この支柱６４の下端部は、容器内の気密性を維持するためにＯリング等のシール部材８０を介して容器底部に形成した開口８２の周辺部分に図示しないボルト等により連結されている。上記セラミック材としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２ Ｏ３ ）、炭化珪素（ＳｉＣ）等を用いることができる。
【００２８】
そして、上記載置台本体６２には、静電チャックのチャック電極８４と加熱手段として発熱体である抵抗加熱ヒータ群８８とがそれぞれ埋め込んで設けられている。上記チャック電極８４は、載置面の直下に設けられてウエハＷを静電力により吸着保持するようになっており、このチャック電極８４の下方に上記抵抗加熱ヒータ群８８が設けられてウエハＷを加熱するようになっている。
【００２９】
また、ここでは上記チャック電極８４は、プラズマに対する下部電極として兼用されている。そして、上記チャック電極８４には、図示しないチャック用給電ラインを介してウエハ吸着用の高電圧を発生する直流電源（図示せず）やプラズマイオン引き込みのためのバイアス電圧を印加する高周波電源（図示せず）が接続されている。
【００３０】
また上記抵抗加熱ヒータ群８８には、給電ラインＬが接続されると共に、この給電ラインＬは円筒状の支柱６４内を挿通されて外部へ引き出されている。そして、この各給電ラインＬは、例えばヒータ電源やコンピュータ等を有するヒータ制御部９２に接続されており、上記抵抗加熱ヒータ群８８を有する加熱手段８６へ供給する電力を制御してウエハＷの温度をコントロールするようになっている。また、温度のコントロールのために上記載置台本体６２の下部には、図示しない熱電対が設けられており、この出力を上記ヒータ制御部９２へ入力するようになっている。また、上記円筒状の支柱６４内へは、Ｎ２ やＡｒ等の不活性ガスが供給されており、上記給電ラインＬ等の腐食を防ぐようになっている。
【００３１】
そして、本発明に係る載置台構造６０にあっては、載置台本体６２に設けられた加熱手段８６を構成する抵抗加熱ヒータ群８８は、図３に示すように同心状に複数のゾーンに分割されている。すなわち、上記加熱手段８６は、載置台本体６２の中心側の内周ゾーン９４と、この周辺部をリング状に取り巻く外周ゾーン９６との２つのゾーンに同心円状に２分割されている。ここでは、この外周ゾーン９６が最外周に位置するので最外周ゾーンとなる。
【００３２】
そして、これに応じて抵抗加熱ヒータ群８８も、内周ゾーン９４側の抵抗加熱ヒータ９８と外周ゾーン９６側の抵抗加熱ヒータ１００とに分割区分されている。そして、上記抵抗加熱ヒータ９８、１００はゾーン毎に異なる給電ラインＬに接続されている。ここで図３（Ａ）は内外周ゾーン９４、９６の全体の抵抗加熱ヒータ９８、１００の配置状態を示し、図３（Ｂ）は外周ゾーン９６側の抵抗加熱ヒータ１００の配置を取り出して示している。
【００３３】
上記内周ゾーン９４の抵抗加熱ヒータ９８は、内周ゾーン９４の全体に亘って、例えば半径方向へジグザグ状に展開して、いわば一筆書き状に配置されており、この抵抗加熱ヒータ９８の両端は、給電ラインＬ５、Ｌ６にそれぞれ接続されている。
【００３４】
これに対して、最外周ゾーンである外周ゾーン９６に配置される抵抗加熱ヒータ１００は最外周抵抗加熱ヒータとなり、外周ゾーン９６に沿って蛇行するように配置されてリング状（環状）になっている。各抵抗加熱ヒータ９８、１００の配設パターンは上記各パターンに特に限定されるものではない。この最外周抵抗加熱ヒータである抵抗加熱ヒータ１００（以下「最外周抵抗加熱ヒータ」とも称す）は、その周方向に沿った複数の位置に、上記内周ゾーン９４用の上記給電ラインＬ５、Ｌ６とは異なる給電ラインＬが接続されており、この最外周抵抗加熱ヒータ１００を複数の領域に区分している。
【００３５】
図示例では、上記最外周抵抗加熱ヒータ１００は、その周方向に沿った偶数個、例えば４つの均等な長さの位置に４つの給電ラインＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４をそれぞれ接続して、最外周抵抗加熱ヒータ１００を４つの領域区分ヒータ１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄに区分している。これらの給電ラインＬ１〜Ｌ４は最外周抵抗加熱ヒータ１００に接続されているので、最外周給電ラインとも称す。
【００３６】
そして、上記区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄを区分するように接続された上記最外周給電ラインＬ１〜Ｌ４は、載置台本体６２の中心部まで配設され、その後は、前述したように円筒状の支柱６４内を挿通させてヒータ制御部９２に接続されており、これらの最外周給電ラインＬ１〜Ｌ４の状態を制御することにより、上記最外周抵抗加熱ヒータ１００を区分毎、すなわち区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄ毎に供給電力を制御できるようになっている。
【００３７】
また上記載置台本体６２の裏面（下面）側には、前述したように図示しない熱電対が設けられており、この温度測定値を上記ヒータ制御部９２へ入力してこの測定値に基づいて載置台本体６２の全体の温度をコントロールするようになっている。尚、この熱電対は、各ゾーン毎、或いは各ゾーンと最外周ゾーンの区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄ毎に対応させて設けるようにしてもよい。
【００３８】
そして、このプラズマ処理装置３０の動作の全体は、例えばコンピュータ等よりなる装置制御部１０２により制御されるようになっており、この動作を行うコンピュータのプログラムは、フレキシブルディスク、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）、ハードディスク、フラッシュメモリ或いはＤＶＤ等の記憶媒体１０４に記憶されている。具体的には、この装置制御部１０２からの指令により、各ガスの供給の開始、停止や流量制御、マイクロ波や高周波の供給や電力制御、プロセス温度やプロセス圧力の制御等が行われる。また上記ヒータ制御部９２は、上記装置制御部１０２の支配下で動作するのは勿論である。
【００３９】
次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置３０の動作について図４及び図５も参照して説明する。図４は最外周ゾーンを４区分した時の最外周給電ラインの状態と電力供給態様との関係を示す図、図５は特定の区分ヒータの部分を高温に、或いは低温にコントロールする時の電力供給態様の流れの一例を示す図である。
【００４０】
まず、未処理の半導体ウエハＷは、図示しない搬送アームに保持されて開状態となったゲートバルブ４４、搬出入口４２を介して処理容器３２内へ搬入され、このウエハＷは、上昇された昇降ピン６８に受け渡された後に、この昇降ピン６８を降下させることにより、ウエハＷを載置台構造６０の載置台本体６２の上面に載置してこれを支持する。
【００４１】
次に、シャワーヘッド４８へ各種の処理ガスとして例えば成膜ガスを、それぞれ流量制御しつつ供給して、このガスをガス噴射孔５４より噴射し、処理空間Ｓへ導入する。そして、排気管４０に設けた真空ポンプ（図示せず）の駆動を継続することにより、処理容器３２内や排気空間３４内の雰囲気を真空引きし、そして、圧力調整弁（図示せず）の弁開度を調整して処理空間Ｓの雰囲気を所定のプロセス圧力に維持する。この時、ウエハＷの温度は所定のプロセス温度に維持されている。すなわち、載置台本体６２の加熱手段８６である抵抗加熱ヒータ群８８に、ヒータ電源を内蔵するヒータ制御部９２から給電ラインＬ（Ｌ１〜Ｌ６）を介して電圧を印加することにより抵抗加熱ヒータ群８８を加熱し、これにより載置台本体６２の全体が加熱される。
【００４２】
この結果、載置台本体６２上に載置したウエハＷが昇温加熱される。この時、載置台本体６２に設けた図示しない熱電対ではウエハ温度が測定され、この測定値に基づいて上記ヒータ制御部９２が温度制御することになる。この時、温度制御の態様は後述する。
【００４３】
またこれと同時にプラズマ処理を行うために、高周波電源５８を駆動することにより、上部電極であるシャワーヘッド４８と下部電極である載置台本体６２との間に高周波電圧を印加し、処理空間Ｓにプラズマを生成すると同時に、静電チャックを形成するチャック電極８４に高圧の直流電圧を印加し、静電力によりウエハＷを吸着する。そして、この状態で所定のプラズマ処理を行う。また、この際に、載置台本体６２のチャック電極８４にバイアス用の高周波電源（図示せず）から高周波を印加することにより、プラズマイオンの引き込みを行うことができる。これにより、ウエハＷの表面にプラズマ処理が施され、例えば薄膜が形成されることになる。
【００４４】
さて、上述のようにウエハＷに対して成膜等のプラズマ処理が行われている間はヒータ制御部９２から各ゾーン９４、９６の各抵抗加熱ヒータ９８、１００へフィードバック制御でそれぞれ電力が供給されて個別に制御されている。ここでは、例えばヒータ制御部９２にサイリスタ等のスイッチング素子が含まれており、このスイッチング素子を駆動することにより、上記各抵抗加熱ヒータ９８、１００へ時分割で電力をパルス状に供給するようになっている。この場合、内周ゾーン９４の抵抗加熱ヒータ９８へは給電ラインＬ５、Ｌ６を介して電力がフィードバック制御で供給されており、この内周ゾーン９４の温度制御は一体的に行われる。
【００４５】
これに対して、最外周ゾーン（外周ゾーン）９６の抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータ１００は、周方向へ４つの領域に区分されており、４つの最外周給電ラインＬ１〜Ｌ４の状態を変えることによって各区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄ毎に供給電力を供給して個別に制御するようになっている。
【００４６】
例えば図９及び図１０において説明したように、従来の載置台構造にあっては、処理容器２の側壁等に設けたゲートバルブ１２や観察窓１４等の熱的に不平衡を生ぜしめる部材の影響を受けて、これらの部材に近いウエハ周辺部の領域の温度が、他の部分と比較して局所的に高くなったり、或いは低くなったりしてウエハ温度の面内均一性を低下させる原因になっていた。
【００４７】
しかしながら、本発明の載置台構造の場合には、上述したように最外周ゾーン９６における最外周抵抗加熱ヒータ１００は、例えば４つの領域に区分されており、そして、この４つの区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄ毎に個別に温度制御することができるので、上述のようにゲートバルブ４４や観察窓４７等の熱的に不平衡を生ぜしめる部材が存在しても、この熱的影響を補償して抑制することができ、従って、ウエハ温度の面内温度の均一性を高めることができる。
【００４８】
このように最外周抵抗加熱ヒータ１００の各区分ヒータに対する電力供給の態様を図４及び図５を参照して具体的に説明する。図４においては、各最外周給電ラインＬ１〜Ｌ４に加える電圧の状態を示しており、時分割制御においてパルスが立っている部分は電圧が印加されている部分を示し、パルスが立っていない部分はゼロボルト（接地）を示している。例えばパルスが立っている部分では２００ボルトの電圧が印加される。
【００４９】
そして、ここでは電力供給態様の一例として態様１〜態様７までが示されており、この時の電流の流れる方向が、最外周ゾーン９６の各区分ヒータの部分に矢印で示されている。これらの態様１〜態様７を時分割で適宜選択して切り替えて行くことで最外周ゾーン９６の温度制御を行う。例えば態様１では、最外周給電ラインＬ１、Ｌ３に電圧を印加し、最外周給電ラインＬ２、Ｌ４を０ボルトにすることにより、全ての区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄに電流を流すことができる。この場合は、最外周ゾーン９６が均等に昇温される。尚、ここで最外周給電ラインＬ１、Ｌ３に替えて、最外周給電ラインＬ２、Ｌ４に電圧を印加しても、電流の方向は逆になるが全ての区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄに電流を流すことができる点では、上記態様と同じである。
【００５０】
次に態様２では、最外周給電ラインＬ３、Ｌ４に電圧を印加し、最外周給電ラインＬ１、Ｌ２を０ボルトにしている。これにより、区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｄに電流を流し、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｃには電流を流さないようにすることができる。すなわち、この場合には選択された一対の対向する区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｄに電流を流すことができる。尚、この場合、上記最外周給電ラインＬ３、Ｌ４に替えて、最外周給電ラインＬ１、Ｌ２に電圧を印加しても、電流の方向は逆になるが区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｄに電流を流すことができる。この態様２では、区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｄの部分のみを加熱することができることになる。
【００５１】
次に態様３では、最外周給電ラインＬ１、Ｌ４に電圧を印加し、最外周給電ラインＬ２、Ｌ３を０ボルトにしている。これにより、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｃに電流を流し、区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｄには電流を流さないようにすることができる。すなわち、この場合には選択された一対の対向する区分ヒータ１００Ａ、１００Ｃに電流を流すことができる。尚、この場合、上記最外周給電ラインＬ１、Ｌ４に替えて、最外周給電ラインＬ２、Ｌ３に電圧を印加しても、電流の方向は逆になるが区分ヒータ１００Ａ、１００Ｃに電流を流すことができる。この態様３では、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｃの部分のみを加熱することができることになる。
【００５２】
次に態様４では、最外周給電ラインＬ１、Ｌ２、Ｌ３に電圧を印加し、最外周給電ラインＬ４を０ボルトにしている。これにより、区分ヒータ１００Ｃ、１００Ｄに電流を流し、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｂには電流を流さないようにすることができる。すなわち、この場合には選択された一対の隣り合う区分ヒータ１００Ｃ、１００Ｄに電流を流すことができる。この態様４では、区分ヒータ１００Ｃ、１００Ｄの部分のみを加熱することができることになる。
【００５３】
次に態様５では、最外周給電ラインＬ１、Ｌ３、Ｌ４に電圧を印加し、最外周給電ラインＬ２を０ボルトにしている。これにより、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｂに電流を流し、区分ヒータ１００Ｃ、１００Ｄには電流を流さないようにすることができる。すなわち、この場合には選択された一対の隣り合う区分ヒータ１００Ａ、１００Ｂに電流を流すことができる。この態様５では、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｂの部分のみを加熱することができることになる。
【００５４】
次に態様６では、最外周給電ラインＬ１、Ｌ２、Ｌ４に電圧を印加し、最外周給電ラインＬ３を０ボルトにしている。これにより、区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｃに電流を流し、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｄには電流を流さないようにすることができる。すなわち、この場合には選択された一対の隣り合う区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｃに電流を流すことができる。この態様６では、区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｃの部分のみを加熱することができることになる。
【００５５】
次に態様７では、最外周給電ラインＬ２、Ｌ３、Ｌ４に電圧を印加し、最外周給電ラインＬ１を０ボルトにしている。これにより、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｄに電流を流し、区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｃには電流を流さないようにすることができる。すなわち、この場合には選択された一対の隣り合う区分ヒータ１００Ａ、１００Ｄに電流を流すことができる。この態様７では、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｄの部分のみを加熱することができることになる。
【００５６】
また、上記した各電力供給態様を組み合わせて例えば図５（Ａ）に示すように、態様２→態様７→態様４（順番は問わない）の各３態様を組み合わせて時分割制御することにより、例えば区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｃと比較して区分ヒータ１００Ｄのみを高い温度に加熱することができる。尚、図５（Ａ）中の矢印は、図４の場合と同様に電流の方向を示している。この場合、同様に電力供給態様を適宜選択して用いることにより、区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｃ毎に個別に選択して他の区分ヒータよりも高い温度に加熱することができる。
【００５７】
また、上記した各電力供給態様を組み合わせて例えば図５（Ｂ）に示すように、態様５→態様６→態様３→態様１（順番は問わない）の各４態様を組み合わせて時分割制御することにより、例えば区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｃと比較して区分ヒータ１００Ｄのみを低い温度に加熱することができる。尚、図５（Ｂ）中の矢印は、図４の場合と同様に電流の方向を示している。この場合、同様に電力供給態様を適宜選択して用いることにより、区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｃ毎に個別に選択して他の区分ヒータよりも低い温度に加熱することができる。
【００５８】
また、図４に示す各最外周給電ラインＬ１〜Ｌ４におけるパルス状の印加電力のパルス幅を変化させることにより、すなわちデューティ比を変化させることにより、各区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄへの供給電力をそれぞれ制御することができる。実際の温度制御では、上述した各電力供給態様１〜７或いはそれに付随して説明した電力供給態様の組み合わせと、上記印加電力のパルス幅を変化させるデューティ比の制御とにより、最外周ゾーン９６の温度制御が行われることになる。
【００５９】
例えば処理容器３２の側壁において、ゲートバルブ４４と、これに対向する観察窓４７とを設けた箇所に対応するウエハ周辺部の温度が低くなる傾向にある場合であって、このゲートバルブ４４や観察窓４７に対応する区分ヒータが、例えばそれぞれ区分ヒータ１００Ａ、１００Ｃの場合には、この区分ヒータ１００Ａ、１００Ｃに投入する電力を、他の区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｄに投入する電力よりも大きくするために例えば態様３に示すようなパターンで電流が流れる時間が多くなるように時分割制御し、温度が低くなる傾向にある部分の温度補償を行う。
【００６０】
これにより、ゲートバルブ４４や観察窓４７に対応するウエハ周辺部へ投入する熱量が増大するので、外周ゾーンであるウエハ周辺部の周方向における温度を均一化することができ、その結果、内周ゾーンも含めたウエハＷの面内温度の均一性を高めることが可能となる。尚、上記各態様１〜７は、単に一例を示したに過ぎず、各最外周給電ラインＬ１〜Ｌ４への電圧の印加と状態と、０ボルト状態とを適宜選択して設定すれば、更に種々の別の電力供給態様を実現することができる。
【００６１】
以上のように、処理容器２内で被処理体、例えば半導体ウエハＷに対して熱処理を施すために被処理体を載置する載置台構造において、載置台本体６２内に設けられ、同心状に複数のゾーンに分割されると共にゾーン毎に異なる給電ラインＬに接続された抵抗加熱ヒータ群８８を有する加熱手段８６と、加熱手段８６に供給する電力をゾーン毎に制御するヒータ制御部９２とを備え、複数のゾーンの内の最外周に位置する最外周ゾーン９６の抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータ１００の周方向に沿った複数の位置に給電ラインＬ１〜Ｌ４を接続することによって最外周抵抗加熱ヒータを複数の領域に区分して区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄとし、ヒータ制御部９２は、最外周抵抗加熱ヒータ１００に対応する給電ラインである最外周給電ラインＬ１〜Ｌ４の状態を制御することにより区分ヒータ毎に供給電力を制御するようにしたので、被処理体の周辺部における温度分布を個別的に、且つ簡単な構成で制御することができ、被処理体の周辺部が処理容器２の側壁から熱的な影響を受けても、この周辺部の温度を均一に維持することができ、結果的に被処理体の面内温度の均一性を向上させることができる。
【００６２】
＜給電ラインがフローティング状態を含む場合＞
先の図４及び図５で説明した最外周給電ラインの状態は、所定の電圧を印加した場合と電圧がゼロボルト（接地）の場合のいずれかの状態であったが、これに加えて最外周給電ラインをフローティング状態（何ら電位を印加しないで電気的に浮かせた状態）にする場合も含めるようにして制御するようにしてもよい。図６は最外周給電ラインをフローティング状態に設定することも含めた時の電力供給態様の一例を示す図であり、図中の”Ｆ”はフローティング状態になっている場合を示し、他の部分の説明は図４において説明した通りである。
【００６３】
例えば態様１１の場合は、１つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ１をフローティング状態にし、他のいずれか１つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ４に電圧を印加し、他の最外周給電ラインＬ２、Ｌ３をゼロボルトに設定している場合を示す。
【００６４】
この場合には、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｃ、１００Ｄに電流が流れ、区分ヒータ１００Ｂには電流が流れない。そして、ここでは区分ヒータ１００Ａ、１００Ｄは直列接続された状態となっており、その電流は区分ヒータ１００Ｃに流れる電流の１／２となっている（１つの区分ヒータ当たりの電力は１／４）。
【００６５】
また態様１２の場合は、１つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ１をフローティング状態にし、他のいずれか２つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ２、Ｌ４に電圧を印加し、他の最外周給電ラインＬ３をゼロボルトに設定している場合を示す。この場合には、区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｃに電流が流れ、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｄには電流が流れない。
【００６６】
また態様１３の場合は、２つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ３、Ｌ４をフローティング状態にし、他のいずれか１つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ１に電圧を印加し、他の最外周給電ラインＬ２をゼロボルトに設定している場合を示す。この場合には、全ての区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄに電流が流れる。そして、ここでは区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄは直列接続された状態となっており、その電流は区分ヒータ１００Ａに流れる電流の１／３となっている（１つの区分ヒータ当たりの電力は１／９）。
【００６７】
また態様１４の場合は、２つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ１、Ｌ２をフローティング状態にし、他のいずれか１つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ３に電圧を印加し、他の最外周給電ラインＬ４をゼロボルトに設定している場合を示す。
【００６８】
この場合には、態様３と同様に全ての区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄに電流が流れる。そして、ここでは区分ヒータ１００Ｄ、１００Ａ、１００Ｂは直列接続された状態となっており、その電流は区分ヒータ１００Ｃに流れる電流の１／３となっている（１つの区分ヒータ当たりの電力は１／９）。
【００６９】
例えば態様１５の場合は、２つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ１、Ｌ３をフローティング状態にし、他のいずれか１つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ４に電圧を印加し、他の最外周給電ラインＬ２をゼロボルトに設定している場合を示す。
【００７０】
この場合には、全ての区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄに電流が流れる。そして、ここでは区分ヒータ１００Ａ、１００Ｄとが直列接続され、また区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｃとが直列接続された状態となっている。
【００７１】
このように、上記態様１１〜態様１５に示す各電力供給態様と図４に示す各電力供給態様とを組み合わせて時分割制御することにより、更に細かな温度制御を行うことが可能となる。尚、上述したように態様１１〜態様１５は、フローティング状態に設定する最外周給電ラインの一例を示したに過ぎず、これに限定されない。
【００７２】
すなわち、ここでは態様１１〜態様１５までの５つの態様について代表的に示しているが、各最外周給電ラインＬ１〜Ｌ４は、図４の場合と同様に全て等価であって、どのようにライン番号を入れ替えてもよく、同様な電力供給態様を示すのは勿論である。
【００７３】
＜最外周ゾーンの３分割＞
上記各実施例においては、最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータを偶数である４つに区分した場合を例にとって説明したが、これに限定されず、奇数、例えば３つに区分するようにしてもよい。図７及び図８は、このような場合の図面を示し、図７は最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータを３つに区分した時の模式図を示し、図８は最外周ゾーンを３区分した時の最外周給電ラインの状態と電力供給態様との関係を示す図である。尚、図４〜図６において説明した内容は、ここでもそのまま適用される。
【００７４】
図７に示すように、ここでは最外周抵抗加熱ヒータ１００を、その周方向に沿って３つに区分して区分ヒータ１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃとしており、それぞれの区分した箇所に最外周給電ラインＬ１、Ｌ２、Ｌ３を接続している。
【００７５】
この場合には、一例として図８に示すような電力供給態様を実現することができる。例えば態様２１では、最外周給電ラインＬ１〜Ｌ３の内のいずれか２つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ１、Ｌ３に電圧を印加し、最外周給電ラインＬ２を０ボルトに設定している。すなわち、この場合には、選択された一対の隣り合う区分ヒータ１００Ａ、１００Ｂに電流を流すことができる。この態様２１では、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｂの部分のみを加熱することができることになる。
【００７６】
次に、態様２２では、最外周給電ラインＬ１〜Ｌ３の内のいずれか２つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ１、Ｌ２に電圧を印加し、最外周給電ラインＬ３を０ボルトに設定している。すなわち、この場合には、選択された一対の隣り合う区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｃに電流を流すことができる。この態様２２では、区分ヒータ１００Ｂ、１００Ｃの部分のみを加熱することができることになる。
【００７７】
次に態様２３では、最外周給電ラインＬ１〜Ｌ３の内のいずれか２つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ２、Ｌ３に電圧を印加し、最外周給電ラインＬ１を０ボルトに設定している。すなわち、この場合には、選択された一対の隣り合う区分ヒータ１００Ａ、１００Ｃに電流を流すことができる。この態様２３では、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｃの部分のみを加熱することができることになる。
【００７８】
次に態様２４では、最外周給電ラインＬ１〜Ｌ３の内のいずれか１つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ１に電圧を印加し、最外周給電ラインＬ２、Ｌ３を０ボルトに設定している。すなわち、この場合には、選択された一対の隣り合う区分ヒータ１００Ａ、１００Ｃに電流を流すことができる。この態様２４では、区分ヒータ１００Ａ、１００Ｃの部分のみを加熱することができることになる。
【００７９】
この態様２４は、加熱する区分ヒータは態様２３と同じであるが、電流の方向が逆になっているのだけである。また、ここで上記最外周給電ラインＬ１に替えて他の１つの最外周給電ラインのみに電流を流すようにしてもよいのは勿論である。
【００８０】
次に態様２５では、フローティング状態（Ｆ）に設定する最外周給電ラインが含まれる場合の一例を示しており、最外周給電ラインＬ１〜Ｌ３の内のいずれか１つの最外周給電ライン、例えば最外周給電ラインＬ１に電圧を印加し、最外周給電ラインＬ３を０ボルトに設定していると共に、最外周給電ラインＬ２をフローティンング状態としている。すなわち、この場合には、全ての区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｃに電流を流して加熱することができるようになっている。
【００８１】
ただし、ここでは区分ヒータ１００Ａ、１００Ｂが直列接続になっており、その電流は他の区分ヒータ１００Ｃに流される場合の１／２となっている（１つの区分ヒータ当たりの電力は１／４）。この態様２５の電力制御とフローティング状態のパターンは、他のいずれの最外周給電ラインについても同様に適用できるのは勿論である。
【００８２】
尚、以上の各実施例では、最外周抵抗加熱ヒータを３区分、或いは４区分に区分した場合を例にとって説明したが、３以上の区分数ならば、奇数、偶数を限らずに、その区分数は特に限定されない。また、ここでは載置台本体６２を内周ゾーンと外周ゾーンの２つの加熱ゾーンに同心円状に分割した場合を例にとって説明したが、更に３つ以上の加熱ゾーンに同心円状に分割した場合にも本発明を適用することができ、この場合には最も外側の加熱ゾーンが最外周加熱ゾーンとなり、このゾーンに配設される抵抗加熱ヒータが最外周抵抗加熱ヒータとなって、その周方向に沿って区分されることになる。またここでは最外周給電ラインＬ１〜Ｌ４は、内周側ゾーンの抵抗加熱ヒータ９８を避けるようにして載置台本体６２の中心部まで配設されていた。しかし例えば内周側ゾーンの抵抗加熱ヒータ９８と最外周抵抗加熱ヒータ１００とを、載置台本体６２の厚み方向で、高さの異なる２つの面に配置すれば、最外周給電ラインＬ１〜Ｌ４は内周側ゾーンの抵抗加熱ヒータ９８のパターンを避けて通す必要はなくなり、設計の自由度を上げることができる。
【００８３】
また更に、ここでは載置台構造として支柱６４を設けた場合を例にとって説明したが、支柱６４を設けない載置台構造にも本発明を適用することができる。また、載置台本体６２の構成材料としては、セラミック材や石英に限定されず、例えばアルミニウムやアルミニウム合金等の金属を用いた載置台本体に対しても、本発明を適用することができる。
【００８４】
また、ここでは、印加電圧をデジタル的にパルス状に制御する場合を例にとって説明したが、振幅を変化させてアナログ的に制御するようにしてもよい。
【００８５】
また、以上の実施例では静電チャックと下部電極の電極を共通に用いた場合を例にとって説明したが、両者を別々に設けてもよい。更には、本発明のプラズマ処理装置では平行平板型の処理装置を例にとって説明したが、これに限定されず、他の膜種の成膜装置やエッチング装置等の高周波やマイクロ波を用いた全てのプラズマ処理装置に本発明を適用することができる。
【００８６】
更に、本発明の処理装置は、プラズマを用いない処理装置、例えば熱ＣＶＤ成膜装置、熱酸化装置、アニール装置、改質装置等にも適用することができ、この場合には、静電チャックや下部電極は不必要となって設けられないことになる。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック材基板等にも本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００８７】
３０  プラズマ処理装置（処理装置）
３２  処理容器
４８  シャワーヘッド（ガス導入手段）
６０  載置台構造
６２  載置台本体
６４  支柱
８６  加熱手段
８８  抵抗加熱ヒータ群
９２  ヒータ制御部
９４  内周ゾーン
９６  外周ゾーン（最外周ゾーン）
９８  抵抗加熱ヒータ
１００  抵抗加熱ヒータ（最外周抵抗加熱ヒータ）
１００Ａ〜１００Ｄ  区分ヒータ
Ｌ（Ｌ１〜Ｌ６）  給電ライン
Ｌ１〜Ｌ４  最外周給電ライン
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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