(57)【要約】【課題】各種特性（特に、ストレスマイグレーションに起因する周波数変動の抑制効果）に優れる弾性表面波素子の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の弾性表面波素子１の製造方法は、圧電体基板２Ａの一方の面上に、複数の電極指３１ａ、３１ｂを備えるＩＤＴ（櫛歯電極）３を形成する工程と、ＩＤＴ３の圧電体基板２Ａとは反対側の面上にマスク６（保護膜）を形成した状態で、圧電体基板２Ａをドライエッチングすることにより、圧電体基板２Ａの一方の面の電極指３１ａ、３１ｂ同士の間に対応する部分に、溝２５を形成する工程とを有する。【選択図】図１
2010177820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体基板の一方の面上に、複数の電極指を備える櫛歯電極を形成する工程と、
前記櫛歯電極の前記圧電体基板とは反対側の面上に保護膜を形成した状態で、前記圧電体基板をドライエッチングすることにより、前記圧電体基板の前記一方の面の前記電極指同士の間に対応する部分に、溝を形成する工程とを有することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項２】
前記櫛歯電極を形成する工程では、前記圧電体基板の一方の面上に、導体層を形成し、該導体層の前記圧電体基板とは反対側の面上に、前記櫛歯電極の形状に対応した形状をなすマスクを形成し、該マスクを用いて前記導体層をエッチングすることにより前記櫛歯電極を形成し、
前記溝を形成する工程では、前記マスクを前記保護膜として用いる請求項１に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項３】
前記保護膜は、前記溝の形成開始から形成完了まで前記櫛歯電極上に存在するように構成されている請求項１または２に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項４】
前記保護膜は、前記溝の形成完了時に前記櫛歯電極上に残存しないように、前記溝を形成する工程において、前記ドライエッチングにより徐々に除去される請求項１または２に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項５】
前記保護膜は、有機材料を主材料として構成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項６】
前記有機材料は、樹脂材料である請求項５に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂材料は、ノボラック系樹脂からなるレジスト材料である請求項６に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項８】
前記ドライエッチングは、エッチングガスとしてＣＦ４を用いる請求項１ないし７のいずれかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項９】
前記圧電体基板は、水晶で構成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１０】
前記櫛歯状電極は、ＡｌまたはＡｌを主材料とする合金で構成されている請求項１ないし９のいずれかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）を利用した弾性表面波素子は、一般に、圧電体で構成された圧電体基板と、この圧電体基板上に設けられた櫛歯電極（Interdigital Transducer：ＩＤＴ）とを備えている。
このような弾性表面波素子では、櫛歯電極に周期的な電圧が印加されることにより、圧電体基板の表面付近に集中して伝播する波（弾性表面波）が発生する。
このような弾性表面波素子としては、通電時のストレスマイグレーションに起因する周波数変動を抑圧する目的で、圧電体基板の櫛歯間に対応する部位に溝を形成したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
従来、このような溝は、圧電体基板上に櫛歯電極を形成し、形成された櫛歯電極をマスクとして用いて、圧電体基板をドライエッチングすることにより形成されていた。
しかし、かかる方法を用いて溝を形成すると、形成された溝の底部に荒れ（微細な凹凸）が生じ、得られる弾性表面波素子の特性に悪影響を与え、ストレスマイグレーションに起因する周波数変動を十分に抑圧することができないと言う問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２０３４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、各種特性（特に、ストレスマイグレーションに起因する周波数変動の抑制効果）に優れる弾性表面波素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の弾性表面波素子の製造方法は、圧電体基板の一方の面上に、複数の電極指を備える櫛歯電極を形成する工程と、
前記櫛歯電極の前記圧電体基板とは反対側の面上に保護膜を形成した状態で、前記圧電体基板をドライエッチングすることにより、前記圧電体基板の前記一方の面の前記電極指同士の間に対応する部分に、溝を形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、圧電体基板に形成される溝の底部を平滑なものとすることができる。その結果、得られる弾性表面波素子は、優れた各種特性（特に、ストレスマイグレーションに起因する周波数変動の抑制効果）を発揮することができる。
【０００７】
本発明の弾性表面波素子の製造方法では、前記櫛歯電極を形成する工程では、前記圧電体基板の一方の面上に、導体層を形成し、該導体層の前記圧電体基板とは反対側の面上に、前記櫛歯電極の形状に対応した形状をなすマスクを形成し、該マスクを用いて前記導体層をエッチングすることにより前記櫛歯電極を形成し、
前記溝を形成する工程では、前記マスクを前記保護膜として用いることが好ましい。
これにより、平面視にて保護膜の形成領域を櫛歯電極の形成領域と一致させることができる。そのため、保護膜が櫛歯電極を確実に保護しつつ、圧電体基板の電極指間に対応する部位に高精度に溝を形成することができる。また、弾性表面波素子の製造工程が簡易化され、その結果、弾性表面波素子の低コスト化を図ることができる。
【０００８】
本発明の弾性表面波素子の製造方法では、前記保護膜は、前記溝の形成開始から形成完了まで前記櫛歯電極上に存在するように構成されていることが好ましい。
これにより、保護膜が櫛歯電極をより確実に保護することができる。
本発明の弾性表面波素子の製造方法では、前記保護膜は、前記溝の形成完了時に前記櫛歯電極上に残存しないように、前記溝を形成する工程において、前記ドライエッチングにより徐々に除去されることが好ましい。
これにより、溝形成後に別途保護膜を除去する工程が不要となり、弾性表面波素子の製造工程がより簡易化される。
【０００９】
本発明の弾性表面波素子の製造方法では、前記保護膜は、有機材料を主材料として構成されていることが好ましい。
有機材料は、ドライエッチングによりエッチングされるが、そのとき、気体となる。そのため、保護膜を有機材料を主材料として構成すると、ドライエッチングを阻害する物質が溝の底部に滞留または堆積するのを防止し、溝の底部を平滑にすることができる。
本発明の弾性表面波素子の製造方法では、前記有機材料は、樹脂材料であることが好ましい。
樹脂材料は、有機材料の中ではドライエッチングに対して比較的高い耐性を有する。したがって、保護膜の厚さを抑えつつ、保護膜が櫛歯電極を確実に保護することができる。
【００１０】
本発明の弾性表面波素子の製造方法では、前記樹脂材料は、ノボラック系樹脂からなるレジスト材料であることが好ましい。
これにより、保護膜を高精度に形成（パターンニング）することができる。その結果、保護膜が櫛歯電極を確実に保護しつつ、圧電体基板の電極指間に対応する部位に高精度に溝を形成することができる。
特に、ノボラック系樹脂は、レジスト材料として用いることができ、その際、高精度なパターンニングが可能である。また、ドライエッチングに対して比較的高い耐性を有する。
本発明の弾性表面波素子の製造方法では、前記ドライエッチングは、エッチングガスとしてＣＦ４を用いることが好ましい。
このようなエッチングガスを用いると、例えば水晶基板のような圧電体基板を効率的かつ高精度にエッチングすることができる。
【００１１】
本発明の弾性表面波素子の製造方法では、前記圧電体基板は、水晶で構成されていることが好ましい。
水晶は、弾性表面波素子に用いる圧電体として様々な優れた特性を有する。したがって、圧電体基板を水晶で構成することで、優れた特性を有する弾性表面波素子を提供することができる。
【００１２】
本発明の弾性表面波素子の製造方法では、前記櫛歯電極は、ＡｌまたはＡｌを主材料とする合金で構成されていることが好ましい。
保護膜がない場合、金属を主材料として構成された櫛歯電極は、ドライエッチングにより若干であるがエッチングされる。これにより、金属の粒子が溝の底部に点在しつつ滞留または堆積し、溝の底部がドライエッチングされるのを阻害し、その結果、溝の底部に荒れが生じるものと考えられる。したがって、このように櫛歯電極が金属を主材料として構成されている場合に、本発明を適用すると、その効果が特に顕著となる。
また、ＡｌまたはＡｌ系合金は、導電性に優れている。また、水晶と比重（密度）が同程度であり、水晶で構成された圧電体基板の電極指同士の間の部分に溝を形成した構成において、良好な特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態にかかる弾性表面波素子を模式的に示す平面図である。
【図２】図１に示す弾性表面波素子に備えられた圧電体基板のカット角を説明するための図である。
【図３】図１に示す弾性表面波素子の部分拡大断面図である。
【図４】図１に示す弾性表面波素子の製造方法を説明するための図である。
【図５】図１に示す弾性表面波素子の製造方法を説明するための図である。
【図６】実施例（本発明）および比較例（従来）のそれぞれにおける溝の底面の状態を示すＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の弾性表面波素子の製造方法を好適な実施形態を用いて説明する。
まず、本実施形態にかかる弾性表面波素子の構造について説明する。
図１は、本発明の実施形態にかかる弾性表面波素子を模式的に示す平面図、図２は、図１に示す弾性表面波素子に備えられた圧電体基板のカット角および弾性表面波の伝播方向を説明するための図、図３は、図１に示す弾性表面波素子の部分拡大断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１５】
図１および図２に示す弾性表面波素子１は、いわゆる１ポート型と呼ばれるタイプの素子であり、圧電体基板２と、圧電体基板２上に設けられたＩＤＴ（櫛歯電極）３と、ＩＤＴ３の両側に設けられた１対の反射器４、５とを有している。
この弾性表面波素子１は、ＩＤＴ３（後述する各電極３ａ、３ｂ間）に周期的に変化する電圧が入力されると、圧電体基板２の圧電効果により圧電体基板２の表面付近において弾性表面波が励振される。励振された弾性表面波は、１対の反射器４、５間で反射を繰り返して、これらの間に封じ込められる。
【００１６】
以下、このような弾性表面波素子１を構成する各部を順次詳細に説明する。
圧電体基板２は、弾性表面波の伝搬媒体として機能するものである。
本実施形態では、圧電体基板２は、水晶で構成されている。水晶は、弾性表面波素子１に用いる圧電体として様々な優れた特性を有する。したがって、圧電体基板２を水晶で構成することで、優れた特性を有する弾性表面波素子１を提供することができる。
圧電体材料（水晶）の結晶軸は、図２に示すように、互いに直交するＸ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）およびＺ軸（光学軸）によって表現される。そして、圧電体材料（水晶）のカット角は、オイラー角（φ，θ，ψ）で表現されるが、Ｚ軸に直角な主面を有するＺカット基板のカット角は、オイラー角（０°，０°，０°）で表わされる。
【００１７】
ここで、オイラー角のφは、Ｚカット基板の第１の回転に関するものであり、Ｚ軸を回転軸とし、＋Ｘ軸側から＋Ｙ軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第１の回転角度である。また、オイラー角のθは、Ｚカット基板の第１の回転後に行う第２の回転に関するものであり、第１の回転後のＸ軸（座標軸Ｘ’軸）を回転軸とし、第１の回転後の＋Ｙ軸（座標軸＋Ｙ’軸）側から＋Ｚ軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第２の回転角度である。また、オイラー角のψは、Ｚカット基板の第２の回転後に行う第３の回転に関するものであり、第２の回転後のＺ軸（座標軸Ｚ’軸）を回転軸とし、第２の回転後の＋Ｘ軸（座標軸＋Ｘ’軸）側から第２の回転後の＋Ｙ軸（座標軸＋Ｙ”軸）側へ回転する方向を正の回転角度とした第３の回転角度である。
【００１８】
圧電体基板２のカット面は、前述した第１の回転角度φおよび第２の回転角度θで決定される。また、圧電体基板２における弾性表面波の伝播方向は、前述した第２の回転後のＸ軸（座標軸Ｘ’軸）に対する第３の回転角度ψで表わされる。
特に、本実施形態では、圧電体基板２は、図２に示すように、ＳＴカット水晶板１０をＺ’軸まわりにψ°回転させたカット角となる面内回転ＳＴカット水晶板２０を用いて形成されている。このような圧電体基板２のカット角は、オイラー角（φ°，θ°，ψ°）による表示で（０°，１１３°〜１３５°，±（４０°〜４９°））となる。圧電体基板２のカット角および弾性表面波の伝播方向をこの範囲にすると、周波数温度特性に優れた弾性表面波素子１を得ることができる。
【００１９】
また、このような面内回転ＳＴカット水晶板を用いた圧電体基板２においては、結晶の異方性のため、ＩＤＴ３への通電により弾性表面波を発生させた場合、弾性表面波の位相の伝播方向である位相速度の方向Ｂと、波群の伝播方向である群速度の方向Ａが異なる。より具体的には、圧電体基板２は、図１に示すように、弾性表面波の位相速度の方向ＢがＸ”軸に沿っている。そして、群速度の方向Ａは、弾性表面波のエネルギーが進む方向となっていて、位相速度の方向Ｂと角度ＰＦＡをもって交差する。位相速度の方向Ｂと群速度の方向Ａとのなす角度ＰＦＡは、パワーフロー角と言う。
【００２０】
したがって、本実施形態では、群速度の方向Ａに伝播する波群（波束）を効率的に反射し、高いＱ値が得られるように、後述するＩＤＴ３と反射器４、５とを群速度の方向Ａに沿って配列している。また、ＩＤＴ３の電極指３１ａ、３１ｂおよび反射器４、５の反射体４１、５１は、それぞれ、長手方向が位相速度の方向Ｂ（Ｘ”軸）に直交した方向、すなわちＹ'''軸に沿って形成されている。また、圧電体基板２は、平面視にて、長方形をなし、対向する一対の辺（長辺）２１、２２がＩＤＴ３および反射器４、５の配列方向に沿っており、他の一対の辺（短辺）２３、２４は、弾性表面波の群速度の方向Ａと直交している。これにより、圧電体基板２は、小型化を図るとともに、水晶ウエハに対する収率を向上することができる。また、圧電体基板２は、二辺（短辺）２３、２４が弾性表面波の位相速度の方向Ｂと直交していないため、反射器４、５から漏れた波群が各辺２３、２４で反射された場合でも、反射波の位相をずらして反射器４、５ひいてはＩＤＴ３に戻すことができる。これにより、圧電体基板２の端面からの反射波に起因するスプリアスの影響を抑圧することができる。
【００２１】
なお、圧電体基板２は、前述したオイラー角をカット角とする水晶基板に限定されるものではない。また、圧電体基板２は、水晶に限定されず、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）、４ホウ酸リチウム（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）等で構成されていてもよい。
【００２２】
特に、圧電体基板２の上面には、後述するＩＤＴ３の電極指３１ａ、３１ｂ間に対応する部分に、溝２５が形成されている。
この溝２５は、その横断面形状が矩形状をなしていて、電極指３１ａ、３１ｂの見かけ上の厚さを厚くすることができる。すなわち、溝２５の深さをＨｐとし、電極指３１ａ、３１ｂの厚さをＨｍとしたとき、見かけ上の電極指３１ａ、３１ｂの厚さＨは、（Ｈｐ＋Ｈｍ）となる。
【００２３】
そのため、実際の電極指３１ａ、３１ｂの厚さ（ＩＤＴ３の厚さ）Ｈｍを薄くすることができる。これにより、ＩＤＴ３の通電によるストレスマイグレーション等に起因する周波数変動を抑制することができる。また、電極指３１ａ、３１ｂ間で弾性表面波を効率よく反射させる（Ｑ値を高める）ことができる。さらに、溝２５の深さＨｐを調整することで、弾性表面波素子１の所望の特性に設定することができる。
【００２４】
このような溝２５の底面は、後述する製造方法によって、平坦に形成されている。これにより、エネルギー損失の少ない優れた特性を有する弾性表面波素子１を提供することができる。
なお、溝２５は、後述する反射体４１同士の間および反射体５１同士の間にも形成されていてもよい。これにより、反射器４、５の反射特性を向上させることができる。
【００２５】
このような圧電体基板２の一方の面（上面）には、ＩＤＴ（櫛歯電極）３および１対の反射器４、５が接合されている。
ＩＤＴ３は、電気信号を受け（電圧が印加され）、これにより、圧電体基板２に弾性表面波を励振させる機能を有するものである。
ＩＤＴ３は、１対の電極３ａ、３ｂで構成されている。そして、電極３ａは、複数の電極指３１ａを備え、電極３ｂは、複数の電極指３１ｂを備えている。このようなＩＤＴ３は、電極３ａの複数の電極指３１ａと、電極３ｂの複数の電極指３１ｂとが互いに噛み合うように構成されている。このようなＩＤＴ３の電極指３１ａ、３１ｂの幅、間隔、厚さ等を調整することにより、弾性表面波の発振周波数の特性を所望のものに設定することができる。
このような電極３ａ、３ｂ間に周期的に変化する電圧を印加すると、圧電体基板２の上面付近に、電極指３１ａ、３１ｂの配列方向に伝播する弾性表面波が励振される。
【００２６】
ＩＤＴ３の構成材料としては、導電性を有する材料であれば、特に限定されないが、金属材料が好適に用いられる。特に、ＩＤＴ３の構成材料としては、ＡｌまたはＡｌを主材料とした合金（Ａｌ系合金）を用いるのが好ましい。Ａｌは、導電性に優れている（電気抵抗が小さい）ため、ＩＤＴ３をＡｌまたはＡｌ系合金を主材料として構成することにより、エネルギー損失が小さくなる。その結果、弾性表面波素子１の弾性表面波の共振をより鋭くすることができる。
【００２７】
また、ＡｌまたはＡｌを主材料とする合金は、水晶と比重（密度）が同程度であり、前述したような水晶で構成された圧電体基板２の電極指３１ａ、３１ｂ同士の間の部分に溝２５を形成した構成において、良好な特性を得ることができる。
また、Ａｌは比重が小さいので、ＩＤＴ３の膜厚に依存した音速変化が小さく抑えられる。したがって、弾性表面波素子１の中心周波数のばらつきを抑えることができる。
【００２８】
また、ＩＤＴ３の膜厚の制御が容易となるので、精度の高い弾性表面波素子１を得ることができる。
また、ＩＤＴ３をＡｌ系合金を主材料として構成する場合、Ａｌに、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｓｃ等の金属を添加することにより、ＩＤＴ３のマイグレーション耐性を改善することもできる。Ａｌに添加する金属の含有割合は、重量比で１０％以下であればよい。
【００２９】
このようなＩＤＴ３を介して対向するように、１対の反射器４、５が配置されている。
１対の反射器４、５は、それぞれ、圧電体基板２を伝搬する弾性表面波を反射して、反射器４と反射器５との間に封じ込める機能を有する。
また、反射器４は、所定間隔で並設された複数の反射体４１を有し、全体としてグレーティング状をなしている。これと同様に、反射器５は、所定間隔で並設された複数の反射体５１を有し、全体としてグレーティング状をなしている。これにより、各反射器４、５は、それぞれ、弾性表面波を効率よく反射することができる。
このような反射体４１、５１の幅、間隔、ピッチ、厚さ等を調整することにより、弾性表面波素子１において励振される弾性表面波の発振周波数等の特性を所望のものに設定することができる。
【００３０】
（弾性表面波素子の製造方法）
次に、本発明の弾性表面波素子の製造方法について、前述した弾性表面波素子１を製造する場合を例に説明する。
図４および図５は、それぞれ、図１に示す弾性表面波素子の製造方法を説明するための図である。
弾性表面波素子１の製造方法は、［Ａ］圧電体基板２上にＩＤＴ３を形成する工程と、［Ｂ］圧電体基板２に溝２５を形成する工程とを有する。なお、工程［Ａ］では、ＩＤＴ３と一括して１対の反射器４、５を形成するが、１対の反射器４、５の形成については、ＩＤＴ３の形成と同様であるので、その説明を省略する。
【００３１】
以下、弾性表面波素子１の各製造工程を順次説明する。
［Ａ］ＩＤＴ３の形成
−Ａ１−
まず、図４（ａ）に示すように、圧電体基板２Ａを用意する。
この圧電体基板２Ａは、前述した溝２５を形成する前の面内回転ＳＴカット水晶である。
【００３２】
−Ａ２−
そして、図４（ｂ）に示すように、圧電体基板２Ａの一方の面上に、導体層３Ａを形成する。
導体層３Ａの構成材料としては、前述したＩＤＴ３の構成材料と同様のものを用いることができる。
【００３３】
また、導体層３Ａの形成方法としては、特に限定されず、例えば、ディッピング法、印刷法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射、導体箔の接合等を用いることができるが、中でも、乾式メッキ法が好適に用いられる。
【００３４】
−Ａ３−
次いで、図４（ｃ）に示すように、導体層３Ａの圧電体基板２Ａとは反対側の面上に、ＩＤＴ３の形状に対応した形状をなすマスク６を形成する。
このマスク６の形成方法としては、特に限定されないが、レジスト材料を導体層３Ａの圧電体基板２とは反対側の面上に塗布し、露光、現像する方法（フォトリソグラフィ法）が好適に用いられる。
なお、後に詳述するが、このマスク６は、後述する工程Ａ３においてエッチングのマスクとして用いるだけでなく、後述する工程Ｂ１においてドライエッチングに対するＩＤＴ３の保護膜として用いるものである。
【００３５】
−Ａ４−
次に、マスク６を介して導体層３Ａをエッチングすることにより、図５（ａ）に示すように、ＩＤＴ３を形成する。
本工程Ａ３で用いるエッチングとしては、特に限定されないが、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等のドライエッチングが好適に用いられる。
以上説明したような工程［Ａ］により、圧電体基板２上にＩＤＴ３が形成される。
【００３６】
［Ｂ］
−Ｂ１−
次に、マスク６を除去せずに、圧電体基板２Ａをドライエッチングすることにより、図５（ｂ）に示すように、溝２５を形成する。これにより、圧電体基板２が得られる。また、マスク６がドライエッチングによりエッチングされ、マスク６が薄厚化されマスク６Ａとなる。
【００３７】
本工程Ｂ１で用いるエッチングとしては、特に限定されないが、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等のドライエッチングが好適に用いられる。
また、本工程Ｂ１で用いるドライエッチングは、エッチングガスとしてＣＦ４を用いると、例えば水晶基板のような圧電体基板２を効率的かつ高精度にエッチングすることができる。
このとき、マスク６は、ＩＤＴ３の圧電体基板２Ａとは反対側の面を保護する機能を有する。
【００３８】
このように、ＩＤＴ３の圧電体基板２Ａとは反対側の面上に保護膜（マスク６）を形成した状態で、圧電体基板２Ａをドライエッチングすることにより、圧電体基板２Ａの一方の面の電極指３１ａ、３１ｂ同士の間に対応する部分に、溝２５を形成する。
これにより、圧電体基板２に形成される溝２５の底部を平滑なものとすることができる。その結果、得られる弾性表面波素子１は、優れた各種特性（特に、ストレスマイグレーションに起因する周波数変動の抑制効果）を発揮することができる。
【００３９】
本工程Ｂ１では、マスク６を保護膜として用いるので、平面視にて保護膜の形成領域をＩＤＴ３（櫛歯電極）の形成領域と一致させることができる。そのため、保護膜（マスク６）がＩＤＴ３を確実に保護しつつ、圧電体基板２の電極指３１ａ、３１ｂ間に対応する部位に高精度に溝２５を形成することができる。また、本工程で用いる保護膜をマスク６のとは別途形成する必要がないので、弾性表面波素子１の製造工程が簡易化され、その結果、弾性表面波素子１の低コスト化を図ることができる。
【００４０】
ここで、保護膜であるマスク６が有機材料で構成されている場合、有機材料は、ドライエッチングによりエッチングされるが、そのとき、気体となる。そのため、マスク６を有機材料を主材料として構成すると、ドライエッチングを阻害する物質が溝２５の底部に滞留または堆積せず、溝２５の底部を平滑にすることができる。
また、樹脂材料は、有機材料の中でもドライエッチングに対して比較的高い耐性を有する。したがって、保護膜であるマスク６が樹脂材料で構成されている場合、マスク６の厚さを抑えつつ、マスク６がＩＤＴ３を確実に保護することができる。
【００４１】
さらに、保護膜であるマスク６がレジスト材料で構成されている場合、マスク６を高精度に形成（パターンニング）することができる。その結果、マスク６がＩＤＴ３を確実に保護しつつ、圧電体基板２の電極指３１ａ、３１ｂ間に対応する部位に高精度に溝２５を形成することができる。
特に、ノボラック系樹脂は、レジスト材料として用いることができ、その際、高精度なパターンニングが可能である。また、ドライエッチングに対して比較的高い耐性を有する。したがって、保護膜（マスク６）の構成材料としては、ノボラック系樹脂が好適である。
【００４２】
また、本工程Ｂ１では、保護膜（マスク６）は、溝２５の形成開始から形成完了までの期間中の少なくとも一部の期間にＩＤＴ３上に存在していれば、前述したような効果を発揮させることができるが、溝２５の形成開始から形成完了（完了直前）までＩＤＴ３上に存在しているのが好ましい。すなわち、溝２５形成完了時に有限の厚さを有するマスク６Ａが存在しているのが好ましい。これにより、保護膜（マスク６）がＩＤＴ３をより確実に保護することができる。
【００４３】
マスク６は、前述したように本工程Ｂ１のドライエッチングにより徐々にエッチングされる場合、上記のような期間で保護膜（マスク６）がＩＤＴ３上に存在するようにするには、マスク６の厚さを調整すればよい。より具体的には、本工程Ｂ１において、溝２５の深さをＨｐとし、マスク６の厚さ（ドライエッチング前の厚さ）をＨとし、ドライエッチングによる圧電体基板２Ａの深さ方向でのエッチングレートをＲ１とし、マスク６の厚さ方向でのエッチングレートをＲ２としたとき、Ｈｐ／Ｒ１≦Ｈ／Ｒ２なる関係を満足するようにすればよい。
【００４４】
また、マスク６（保護膜）が溝２５の形成完了時にＩＤＴ３上に残存しないように本工程Ｂ１においてドライエッチングにより徐々に除去される場合、すなわち、溝２５形成完了時にマスク６Ａの厚さがゼロとなる場合、溝２５形成後に別途保護膜（マスク６）を除去する工程（後述する工程Ｂ２）が不要となり、弾性表面波素子１の製造工程がより簡易化される。この場合、本工程Ｂ１において、溝２５の深さをＨｐとし、マスク６の厚さ（ドライエッチング前の厚さ）をＨとし、ドライエッチングによる圧電体基板２Ａの深さ方向でのエッチングレートをＲ１とし、マスク６の厚さ方向でのエッチングレートをＲ２としたとき、Ｈｐ／Ｒ１≒Ｈ／Ｒ２なる関係を満足するのが好ましい。これにより、保護膜（マスク６）がＩＤＴ３をより確実に保護することができる。
【００４５】
以上説明したような本工程Ｂ１では、溝２５の底面を平滑なものとし、得られる弾性表面波素子１の特性を優れたものとすることができる。
これに対し、保護膜がない場合、ＩＤＴ３がドライエッチングに対して比較的高い耐性を有していたとしても、ＩＤＴ３は、ドライエッチングにより若干であるがエッチングされる。これにより、ＩＤＴ３がエッチングされて生じる粒子が溝２５の底部に点在しつつ滞留または堆積し、溝２５の底部がドライエッチングされるのを阻害し、その結果、溝２５の底部に荒れが生じるものと考えられる。特にこのような現象は、ＩＤＴ３が金属を主材料として構成されている場合に顕著である。したがって、このようにＩＤＴ３が金属を主材料として構成されている場合に、本発明を適用すると、その効果が特に顕著となる。
【００４６】
［Ｂ２］
次に、必要に応じて、保護膜６Ａを除去して、図５（ｃ）に示すように、弾性表面波素子１を得る。
保護膜６Ａを除去する方法としては、特に限定されず、例えば、各種エッチング法、溶剤によって保護膜６Ａを溶解する方法等が挙げられる。
以上説明したような弾性表面波素子１は、各種の電子機器に適用することができ、得られる電子機器は、信頼性の高いものとなる。
【００４７】
弾性表面波素子１を備える電子機器としては、特に限定されないが、例えば、パーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等が挙げられる。
【００４８】
以上、本発明の弾性表面波素子の製造方法について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、前述した実施形態では、溝２５形成時にＩＤＴ３を保護する保護膜として、工程Ａ３で形成したマスク６をそのまま用いたが、工程Ａ４後にマスク６を除去し、工程Ｂ１前に別途形成したものを用いてもよい。
【００４９】
また、本発明を適用する弾性表面波素子は、用途に応じて反射器、櫛歯電極の数を変更してもよく、また反射器を省略することもできる。
また、櫛歯電極および反射器を圧電体基板とは反対側から覆うように、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等で構成された保護膜（温度補償膜）を設けてもよい。この場合、保護膜は、櫛歯電極３上のみに設けられていてもよいし、溝２５の底面も覆うように設けられていてもよい。
また、本発明を適用する弾性表面波素子には、各種機能を有する半導体素子が複合化されていてもよい。
【実施例】
【００５０】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．弾性表面波素子の作製
（実施例）
まず、圧電体基板として、平均厚さ：０．４ｍｍの水晶基板（面内回転ＳＴカット水晶基板）を用意した。この水晶基板のカット角は、オイラー角（０°，１２７°，４５°）である。
次に、水晶基板上に、真空蒸着法によりアルミニウムを被着させ、アルミニウム膜（導体層）を形成した。このとき、アルミニウム膜の厚さ（Ｈｍ）は、２００ｎｍ（２０００Å）であった。
【００５１】
次に、フォトリソグラフィー法により、ＩＤＴ（櫛歯電極）および反射器に対応する形状のマスクを形成した。このとき、レジスト材料としてノボラック系のレジスト材料を用いた。また、マスクの厚さ（Ｈ）は、９００ｎｍ（９０００Å）であった。
次に、このマスクとして用いてドライエッチングを行うことにより、アルミニウム膜の不要部分を除去することにより、ＩＤＴおよび反射器を形成した。このとき、ドライエッチングのエッチングガスとしてＣＦ４を用いた。
【００５２】
次に、上記のマスクを残したまま、ドライエッチングを行うことにより、水晶基板の電極指間に対応する部分に溝を形成した。このとき、形成された溝の深さ（Ｈｐ）は、５００ｎｍ（５０００Å）であった。また、ドライエッチングのエッチングガスとしてＣＦ４を用いた。また、溝形成後には、上記のマスクは、ドライエッチングにより除去され残存していなかった。
これにより、図１に示すような弾性表面波素子を得た。
【００５３】
（比較例）
ＩＤＴの形成後かつ溝の形成前にマスクを除去した以外は、前述した実施例と同様にして、弾性表面波素子を得た。
【００５４】
２．評価
実施例および比較例の弾性表面波素子について、それぞれ、圧電体基板の溝の底面付近をＳＥＭにより観察した。そのＳＥＭ写真を図６に示す。
図６から明らかなように、実施例（図６（ａ））における溝の底面は、極めて平坦であった。これに対し、比較例（図６（ｂ））における溝の底面は、荒れ（微細な凹凸）が生じていた。
また、実施例の弾性表面波素子は、比較例の弾性表面波素子に比し、ストレスマイグレーションに起因する周波数変動の抑制効果が高かった。
【符号の説明】
【００５５】
１‥‥弾性表面波素子  １０、２０‥‥ＳＴカット水晶板  ２、２Ａ‥‥圧電体基板  ２１、２２、２３、２４‥‥辺  ２５‥‥溝  ３‥‥ＩＤＴ（櫛歯電極）  ３ａ、３ｂ‥‥電極  ３Ａ‥‥導体層  ３１‥‥電極指  ４、５‥‥反射器  ４１、５１‥‥反射体  ６、６Ａ‥‥マスク（保護膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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