(57)【要約】【課題】洗浄時におけるウエーハの裏面側への洗浄水の回り込みを抑制することができる洗浄装置を提供する。【解決手段】ウエーハＷの直径よりも小さい直径で保持面１４を囲むように保持部１１上面に環状に形成された溝部１６と、一端が溝部１６に連通し他端が大気に開放されるように保持部１１に形成された連通路１７とを備えることで、保持面１４からの負圧吸引漏れによって吸着面に吸い込まれる雰囲気を、連通路１７で開放された大気の雰囲気とし、溝部１６より外周側におけるウエーハＷ裏面と保持部１１上面との間からの吸い込み雰囲気を全周に亘って均等に低減させるようにし、よって、洗浄時におけるウエーハＷの裏面側への洗浄水の回り込みを抑制できるようにした。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハを洗浄する洗浄装置であって、
ウエーハを負圧によって吸引保持する保持面を有する保持部と、
該保持部を前記保持面に垂直な軸を回転軸として回転させる回転駆動部と、
前記保持面に保持されたウエーハに洗浄水を供給するノズルと、
ウエーハの直径よりも小さい直径で前記保持面を囲むように前記保持部上面に環状に形成された溝部と、
一端が前記溝部に連通し他端が大気に開放されるように前記保持部に形成された連通路と、
を備えることを特徴とする洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば加工されたウエーハを回転させながら洗浄水により洗浄するスピンナ方式の洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された多数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成し、このような回路が形成された各領域を所定のストリート（切断ライン）に沿ってダイシングすることにより個々の半導体チップを製造している。このように半導体ウエーハをダイシングする装置としては、一般に切削装置が用いられている。半導体ウエーハをダイシングする切削装置は、ワークを負圧により保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたワークを切削する切削ブレードを備えた切削機構とを具備している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
一般的に、ダイシング装置ではダイシング加工を行った後にスピンナ洗浄装置によって加工後のウエーハの洗浄を行うようにしている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２５２０９号公報
【特許文献２】特開２００８−１６６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、加工において発生した加工屑はスピンナ洗浄によって洗い落とされるが、洗浄の際に使用される水がウエーハの裏面側に回り込んでしまうという問題があった。このように、洗浄水がウエーハの裏面側に回り込んでしまうと、ウエーハをカセットに収納した際に、下段に収納済みのウエーハの表面に洗浄水が滴り落ちる場合がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、洗浄時におけるウエーハの裏面側への洗浄水の回り込みを抑制することができる洗浄装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる洗浄装置は、ウエーハを洗浄する洗浄装置であって、ウエーハを負圧によって吸引保持する保持面を有する保持部と、該保持部を前記保持面に垂直な軸を回転軸として回転させる回転駆動部と、前記保持面に保持されたウエーハに洗浄水を供給するノズルと、ウエーハの直径よりも小さい直径で前記保持面を囲むように前記保持部上面に環状に形成された溝部と、一端が前記溝部に連通し他端が大気に開放されるように前記保持部に形成された連通路と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明にかかる洗浄装置は、ウエーハの直径よりも小さい直径で保持面を囲むように保持部上面に環状に形成された溝部と、一端が溝部に連通し他端が大気に開放されるように保持部に形成された連通路とを備えるので、保持面からの負圧吸引漏れによって吸着面に吸い込まれる雰囲気を、連通路で開放された大気の雰囲気とし、溝部より外周側におけるウエーハ裏面と保持部上面との間の隙間からの吸い込み雰囲気を遮断させることができるため、洗浄時におけるウエーハの裏面側への洗浄水の回り込みを抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の実施の形態の洗浄装置を備える加工装置の構成例を示す外観斜視図である。
【図２】図２は、本実施の形態の洗浄装置の構成例を示す平面図である。
【図３】図３は、図２の縦断側面図である。
【図４】図４は、変形例の洗浄装置の構成例を示す平面図である。
【図５】図５は、図４の縦断側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態である洗浄装置について図面を参照して説明する。図１は、本実施の形態の洗浄装置を備える加工装置の構成例を示す外観斜視図であり、図２は、本実施の形態の洗浄装置の構成例を示す平面図であり、図３は、その縦断側面図である。
【００１１】
この加工装置１は、ウエーハＷを保持する保持テーブル２と、この保持テーブル２に保持されたウエーハＷに加工を施す加工手段と、この加工手段で加工されたウエーハＷを洗浄するスピンナ方式の洗浄装置１０とを備えている。図示しない加工手段は、筐体３内に内蔵されたものであり、ウエーハＷに対して例えば切削加工を施すものである。この加工手段は、切削ブレード方式のものでもレーザ加工方式のものでもよい。
【００１２】
また、加工や洗浄の対象となるウエーハＷは、特に限定されるものではないが、例えばシリコンウエーハ等の半導体ウエーハや、チップ実装用としてウエーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）等の粘着部材、あるいは半導体製品のパッケージ、セラミックス、ガラス、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）系の無機材料基板、ＬＣＤドライバ等の各種電子部品、さらには、ミクロンオーダの加工位置精度が要求される各種加工材料が挙げられる。
【００１３】
また、洗浄装置１０は、その基本構成として、保持部１１と、回転駆動部１２と、ノズル１３とを備えている。保持部１１は、全体的に円盤形状に形成されたもので、上面中央部にウエーハＷを負圧によって吸引保持する保持面１４を有する。すなわち、保持面１４は、ポーラスセラミックス等のポーラス部材により薄い円盤状に形成され、図示しない負圧源に連通させて負圧を作用させることでウエーハＷを負圧によって吸引保持する。ここで、負圧吸引時のリークを防止するため、吸引保持対象となるウエーハＷは、保持面１４の直径よりも大きな直径のものとなる。
【００１４】
回転駆動部１２は、保持部１１を保持面１４に垂直な軸φを回転軸として高速で回転させる回転モータ等を内蔵したものである。また、ノズル１３は、保持面１４に保持されたウエーハＷの上面に対して上方から洗浄水を供給するためのものである。このノズル１３は、揺動手段１５に搭載され、例えばウエーハＷに対して外周部・中心部間に渡って半径方向に揺動しながら洗浄水を供給するように構成されている。
【００１５】
さらに、本実施の形態の洗浄装置１０は、保持部１１に溝部１６と複数、例えば４個の連通路１７とを備えている。溝部１６は、ウエーハＷの直径よりも小さい直径で保持面１４の外周側を全域に亘って囲むように保持部１１の上面に環状に形成されている。連通路１７は、上端（一端）が溝部１６に連通し、下端（他端）が大気に開放されるように保持部１１に形成された上下貫通孔からなる。これら連通路１７は、例えば円周方向において９０度ずつ等間隔で均等となるように溝部１６に対して離散的に設けられている。
【００１６】
このような構成において、ウエーハＷの洗浄時には、対象となるウエーハＷを保持面１４上に負圧により吸着保持し、回転駆動部１２により高速回転させながら、上方からノズル１３によって洗浄水を供給することで行われる。これにより、加工手段による加工で発生したウエーハＷ上の加工屑は、洗浄水によって洗い落とされる。洗浄後の水は、ウエーハＷ上から落下するとともに、その一部は、ウエーハＷ端部において裏面側に回り込み、保持部１１の外周面端部とウエーハＷとによるコーナ部に溜まりやすい状況にある。
【００１７】
ここで、溝部１６及び連通路１７がない場合を考える。保持面１４よりウエーハＷの方が大きいため、保持面１４からの負圧吸引漏れによって吸着面に吸い込まれる雰囲気は、図３中に点線矢印で示すように、保持面１４より外周側におけるウエーハＷ裏面と保持部１４上面との間の隙間からの吸い込み雰囲気となる。よって、この吸い込み雰囲気に従いウエーハＷ裏面と保持部１４上面との間の隙間を通って毛細管現象で内部に入り込み、結局、ウエーハＷの裏面側に回り込んで濡れた状態となってしまう。
【００１８】
しかるに、本実施の形態においては、保持部１１に溝部１６及び連通路１７を備えているので、洗浄時におけるウエーハＷの裏面側への洗浄水の回り込みを抑制することができる。すなわち、保持面１４からの負圧吸引漏れによって吸着面に吸い込まれる雰囲気は、図３中に実線矢印で示すように、主に連通路１７で開放された大気の雰囲気となる。この際、４個の連通路１７が円周方向において均等に離散的に設けられ、全周に亘る共通の環状の溝部１６に連通しているので、連通路１７で開放された大気の雰囲気が全周に亘って均等に作用する。連通路１７で開放された大気は、水分があまり含まれていない環境にある。よって、本実施の形態の場合、溝部１６より外周側におけるウエーハＷ裏面と保持部１１上面との間の隙間からの吸い込み雰囲気が全周に亘って均等に低減される。この結果、洗浄時におけるウエーハＷの裏面側への洗浄水の回り込みが抑制される。
【００１９】
図４は、変形例の洗浄装置の構成例を示す平面図であり、図５は、その縦断側面図である。本実施の形態では、連通路１７を上下貫通孔として形成したが、図４および図５に示すように、溝状の連通路１８としてもよい。すなわち、複数、例えば４個の連通路１８は、内方端（一端）が溝部１６に連通し、外方端（他端）が大気に開放されるように保持部１１の上面側に半径方向に貫通する溝状に形成されている。これら連通路１８は、例えば円周方向において９０度ずつ等間隔で均等となるように溝部１６に対して離散的に設けられている。
【００２０】
この変形例の場合も、保持面１４からの負圧吸引漏れによって吸着面に吸い込まれる雰囲気は、図５中に実線矢印で示すように、主に連通路１８で開放された大気の雰囲気となる（破線矢印は、図３の場合と同様、連通路１８がない場合を示している）。この際、４個の連通路１８が円周方向において均等に離散的に設けられ、全周に亘る共通の環状の溝部１６に連通しているので、連通路１８で開放された大気の雰囲気が全周に亘って均等に作用する。連通路１８で開放された大気は、保持部１１の外周面となるが、吸い込まれる雰囲気は主に連通路１８で開放された大気の雰囲気となることで、他のウエーハＷ裏面と保持部１１上面との間の隙間からの吸い込み雰囲気が全周に亘って均等に低減される。さらに、連通路１８から吸い込まれた雰囲気に含まれる水分も溝部１６の内壁が障害となりウエーハＷの裏側に回り込みにくくなる。よって、全周に亘ってウエーハＷ裏面と保持部１１上面との間の隙間からの吸い込みが起こる従来品に比較して、洗浄時におけるウエーハＷの裏面側への洗浄水の回り込みが抑制される。
【００２１】
本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変形が可能である。例えば、本実施の形態では、加工装置１に組み込まれた洗浄装置１０の例で説明したが、洗浄装置単独機の場合であっても同様に適用可能である。
【符号の説明】
【００２２】
１０  洗浄装置
１１  保持部
１２  回転駆動部
１３  ノズル
１４  保持面
１６  溝部
１７，１８  連通路
Ｗ  ウエーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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