(57)【要約】      （修正有）【課題】有機ＥＬ素子の開口率が高く、有機ＥＬ素子から放射される光を高効率に取り出すことのできる表示装置を提供する。【解決手段】光透過性を示す駆動回路が形成された、光透過性を示す駆動基板２１と、該駆動基板上２１に設けられ、前記駆動回路に駆動されて前記駆動基板２１に向けて光を放射する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子３１と、該複数の有機エレクトロルミネッセンス素子３１との間に前記駆動基板２１を介在させて配置されるフィルム４１と、を有する表示装置であり、前記有機エレクトロルミネッセンス素子３１は、前記駆動基板２１の厚み方向の一方から見て駆動回路に重なる位置に配置され、前記フィルム４１は、ヘイズ値が７０％以上かつ全光線透過率が５０％以上であり、駆動基板側とは反対側の表面が凹凸形状であり、該凹凸形状の表面が雰囲気との界面を成すことを特徴とする表示装置。【選択図】図２
2010276829.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を示す駆動回路が形成された、光透過性を示す駆動基板と、
該駆動基板上に設けられ、前記駆動回路に駆動されて前記駆動基板に向けて光を放射する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、
該複数の有機エレクトロルミネッセンス素子との間に前記駆動基板を介在させて配置されるフィルムと、を有する表示装置であり、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記駆動基板の厚み方向の一方から見て駆動回路に重なる位置に配置され、
前記フィルムは、ヘイズ値が７０％以上かつ全光線透過率が５０％以上であり、駆動基板側とは反対側の表面が凹凸形状であり、該凹凸形状の表面が雰囲気との界面を成すことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記駆動回路は、前記駆動基板の厚み方向の一方から見て前記有機エレクトロルミネッセンス素子に重なる位置に配置される光透過性を示す配線を含み、該配線が無機酸化物導電体から成ることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記駆動回路は、前記駆動基板の厚み方向の一方から見て前記有機エレクトロルミネッセンス素子に重なる位置に配置される光透過性を示すトランジスタ素子を含み、該トランジスタ素子が無機酸化物半導体から成る半導体層を含むことを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記無機酸化物半導体および無機酸化物導電体が、それぞれ亜鉛錫酸化物またはインジウム含有酸化物であり、
前記半導体層は前記配線よりもキャリア濃度が低いことを特徴とする請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記フィルムは、駆動基板側とは反対側の表面に複数の凹面が設けられて該表面が凹凸状に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「エレクトロルミネッセンス」を「ＥＬ」ということがある。）は、発光素子の一種であり、発光材料に有機物を用いた発光層と、該発光層を介在させて対向して配置される一対の電極（陽極および陰極）とを備える。この有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、陽極から正孔が注入されるとともに陰極から電子が注入され、これら正孔と電子が発光層において結合することによって発光する。
【０００３】
有機ＥＬ素子は例えば表示装置の画素光源として用いられる。表示装置はその駆動方式によってアクティブマトリクス（ＡＭ）駆動方式のものと、パッシブマトリクス（ＰＭ）駆動方式のものに大別される。例えばＡＭ駆動方式の表示装置では、有機ＥＬ素子を個別に駆動する駆動回路が形成された駆動基板上に、複数の有機ＥＬ素子が設けられている。有機ＥＬ素子は、この駆動回路によって個別に駆動されることにより、それぞれが画素光源として機能する。
【０００４】
駆動基板に形成される駆動回路には、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が一般的に用いられている。現在この薄膜トランジスタの諸特性の向上を目的として、様々な研究開発がなされている。例えば半導体としてアモルファス酸化物半導体を用いた透明薄膜トランジスタが提案されている（例えば非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】神谷利夫ら、“アモルファス酸化物半導体の設計と高性能フレキシブル薄膜トランジスタの室温形成”、第１９回先端技術大賞応募論文、［online］、［平成２０年４月９日検索］、インターネット＜URL:http://www.fbi-award.jp/sentan/jusyou/2005/toko_canon.pdf＞
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
表示装置の構成としては、有機ＥＬ素子から出射する光が駆動基板を通過して視聴者に視認される形態と、駆動基板を通過さずに直接視聴者に視認される形態とが考えられる。すなわち視聴者と有機ＥＬ素子との間に駆動基板が介在する形態と、駆動基板よりも視聴者寄りに有機ＥＬ素子が配置される形態とがある。前者では駆動基板に向けて光を出射すように有機ＥＬ素子が駆動基板に搭載され、後者では駆動基板とは反対側に光を出射するように有機ＥＬ素子が駆動基板に搭載される。駆動基板とは反対側に光を出射する構成（「トップエミッション型」ということがある。）の有機ＥＬ素子は光が駆動回路によって遮られることがないため、駆動回路のために開口率が制限されることはない。しかしながら駆動基板側に光を出射する構成（「ボトムエミッション型」ということがある。）の有機ＥＬ素子は光が駆動回路によって遮られるため、駆動回路のために開口率が必然的に制限される。
【０００７】
ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子では開口率が駆動回路によって制限されるため、結果として有機ＥＬ素子の発光する面の面積（以下、発光面積という場合がある。）が制限されることになる。そのため輝度を所定の値としたときに、素子全体から放射される光の強度が低くなる。このように開口率が制限されるとしても、有機ＥＬ素子に印加する電圧を高くすることによって輝度を高くすることは可能なので、素子全体から放射される光の強度を高くすれば、ＴＦＴ基板を通して出射する光を所期の強度に制御することは可能ではある。しかしながらこの場合、有機ＥＬ素子の負荷が大きくなるため素子寿命が短くなるという問題が生じる。そのため開口率はより高い方が好ましい。前述した薄膜トランジスタは透明なのでこれをＴＦＴ基板に用いることにより確かに開口率は向上するが、装置の特性向上のために、さらなる開口率の向上が求められている。
【０００８】
また有機ＥＬ素子から放射される光は、駆動基板と外界の空気との界面において全反射等で反射されるので、外界に出射せずにその大部分が装置内部に閉じ込められる。そのため有機ＥＬ素子から放射される光の大部分が有効に利用されないのが現状である。前述と同様に、たとえ光の一部が反射されたとしても、有機ＥＬ素子に印加する電圧を高くすることによって、ＴＦＴ基板を通して出射する光を所期の強度に制御することは可能ではあるが、この場合素子寿命が短くなるという問題が生じる。そこで有機ＥＬ素子から放射される光を、より高効率に外界に出射する構成の装置が求められている。
【０００９】
従って本発明の目的は、有機ＥＬ素子の開口率が高く、有機ＥＬ素子から放射される光を高効率に取り出すことのできる表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、光透過性を示す駆動回路が形成された、光透過性を示す駆動基板と、
該駆動基板上に設けられ、前記駆動回路に駆動されて前記駆動基板に向けて光を放射する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、
該複数の有機エレクトロルミネッセンス素子との間に前記駆動基板を介在させて配置されるフィルムと、を有する表示装置であり、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記駆動基板の厚み方向の一方から見て駆動回路に重なる位置に配置され、
前記フィルムは、ヘイズ値が７０％以上かつ全光線透過率が５０％以上であり、駆動基板側とは反対側の表面が凹凸形状であり、該凹凸形状の表面が雰囲気との界面を成すことを特徴とする表示装置に関する。
【００１１】
また本発明は、前記駆動回路は、前記駆動基板の厚み方向の一方から見て前記有機エレクトロルミネッセンス素子に重なる位置に配置される光透過性を示す配線を含み、該配線が無機酸化物導電体から成ることを特徴とする前記表示装置に関する。
【００１２】
また本発明は、前記駆動回路は、前記駆動基板の厚み方向の一方から見て前記有機エレクトロルミネッセンス素子に重なる位置に配置される光透過性を示すトランジスタ素子を含み、該トランジスタ素子が無機酸化物半導体から成る半導体層を含むことを特徴とする前記表示装置に関する。
【００１３】
また本発明は、前記無機酸化物半導体および無機酸化物導電体が、それぞれ亜鉛錫酸化物またはインジウム含有酸化物であり、
前記半導体層は前記配線よりもキャリア濃度が低いことを特徴とする前記表示装置に関する。
【００１４】
また本発明は、前記フィルムは、駆動基板側とは反対側の表面に複数の凹面が設けられて該表面が凹凸状に形成されていることを特徴とする前記表示装置に関する。
【発明の効果】
【００１５】
有機ＥＬ素子の開口率が高く、有機ＥＬ素子から放射される光を高効率に取り出すことができる表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は本実施形態の表示装置１の一部を示す平面図である。
【図２】図２は表示装置のうちの一画素分に相当する領域を拡大して示す断面図である。
【図３】図３は駆動回路の回路構成の一部を示す図である。
【図４】図４は作製例１において作製したフィルムＡの断面を模式的に示す図である。
【図５】図５は作製例２で用いたフィルムＢの断面を模式的に示す図である。
【図６】図６は比較例１において作製したフィルムＣの断面を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下図面を参照して本発明の実施の一形態について説明する。図１は本実施形態の表示装置１の一部を示す平面図である。図２は表示装置のうちの一画素分に相当する領域を拡大して示す断面図である。図３は駆動回路の回路構成の一部を示す図である。
【００１８】
表示装置１は、光透過性を示す駆動回路１１が形成された光透過性を示す駆動基板２１と、該駆動基板上に設けられ、前記駆動回路１１に駆動されて前記駆動基板に向けて光を放射する複数の有機ＥＬ素子３１と、該複数の有機ＥＬ素子３１との間に前記駆動基板２１を介在させて配置されるフィルム４１とを備える。本明細書において「光」とは有機ＥＬ素子が放射する波長範囲の光を意味し、通常は可視光を意味する。従って所定の部材が光透過性を示すとは、有機ＥＬ素子から放射されて、所定の部材に入射する光の少なくとも一部が透過することを意味する。
【００１９】
（１）表示装置の構成
まず表示装置１の構成について説明する。
【００２０】
（有機ＥＬ素子）
有機ＥＬ素子３１は駆動基板２１上に設けられ、駆動回路１１に駆動されて駆動基板２１に向けて光を放射する。換言するとボトムエミッション型の複数の有機ＥＬ素子３１が駆動基板２１上に設けられる。本実施形態では駆動基板２１上に複数の有機ＥＬ素子３１がマトリクス状に設けられる。具体的には、複数の有機ＥＬ素子３１は駆動基板２１上において行方向Ｘに等間隔をあけるとともに、列方向Ｙに等間隔をあけてそれぞれが離散的に配置される。
【００２１】
また駆動基板２１上には行方向Ｘおよび列方向Ｙに延伸する格子状の隔壁５１が設けられる。この隔壁５１は各有機ＥＬ素子３１を区分けするために設けられる。各有機ＥＬ素子３１はこの格子状の隔壁５１に囲まれた領域に設けられる。換言すると行方向Ｘおよび列方向Ｙに隣り合う有機ＥＬ素子３１間に介在するように隔壁５１は配置される。
【００２２】
有機ＥＬ素子３１は、一対の電極３２，３３と、該電極間に配置される１または複数の所定の層３４とを備える。駆動基板２１の厚み方向の一方の表面には、一対の電極のうちの一方の電極（以下、「一方の電極」を「第１電極３２」といい、「他方の電極」を「第２電極３３」ということがある。）が設けられている。第１電極３２および第２電極３３のうちの一方は陽極として設けられ、他方は陰極として設けられる。なお以下本明細書では駆動基板２１の厚み方向の一方を「上方」または「上」と記載し、厚み方向の他方を「下方」または「下」と記載することがある。
【００２３】
第１電極３２は１つの有機ＥＬ素子３１に対して１つ設けられる。すなわち第１電極３２は、有機ＥＬ素子３１と同じ数だけ駆動基板２１上に形成される。複数の第１電極３２は駆動基板２１上においてマトリクス状に設けられる。すなわち第１電極３２は駆動基板２１上において行方向Ｘに等間隔をあけるとともに列方向Ｙに等間隔をあけてそれぞれが離散的に配置される。第１電極３２は、平板状であり、駆動基板２１の厚み方向の一方から見て（以下「平面視で」ということがある。）略矩形状に形成される。第１電極３２は平面視で隔壁５１に囲まれる領域に設けられ、その周縁部が隔壁５１の一部に重なっている。有機ＥＬ素子３１は第１電極３２を通して光を出射するので、第１電極３２は光透過性を示す導電性薄膜から構成される。
【００２４】
有機ＥＬ素子３１は所定の層３４として少なくとも１層の発光層を備える。所定の層３４は平面視で第１電極３２に重なる領域、すなわち隔壁５１に囲まれる領域に配置される。
【００２５】
陰極と発光層との間に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。陰極と発光層との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に接する層を電子注入層といい、この電子注入層を除く層を電子輸送層という。
【００２６】
電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する。電子輸送層は、陰極、電子注入層または陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する。正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する。なお電子注入層、及び／又は電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。
【００２７】
陽極と発光層との間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などを挙げることができる。陽極と発光層との間に、正孔注入層と正孔輸送層との両方の層が設けられる場合、陽極に接する層を正孔注入層といい、この正孔注入層を除く層を正孔輸送層という。
【００２８】
正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する。正孔輸送層は、陽極、正孔注入層または陽極により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する。電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する。なお正孔注入層、及び／又は正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。
【００２９】
なお電子注入層および正孔注入層を総称して電荷注入層と言う場合があり、電子輸送層および正孔輸送層を総称して電荷輸送層と言う場合がある。
【００３０】
第２電極３３は本実施形態では所定の層３４上から駆動基板２１全体にわたって一面に形成され、各有機ＥＬ素子３１に共通する電極として設けられる。
【００３１】
本実施の形態の有機ＥＬ素子のとりうる層構成の一例を以下に示す。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｃ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｄ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｅ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｆ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｇ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｊ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｋ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｌ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｍ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｎ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｏ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｐ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
本実施の形態の有機ＥＬ素子は２層以上の発光層を有していてもよい。上記ａ）〜ｐ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極と陰極とに挟持された積層体を「構造単位Ａ」とすると、２層の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、以下のｑ）に示す層構成を挙げることができる。なお２つある（構造単位Ａ）の層構成は互いに同じでも、異なっていてもよい。
ｑ）陽極／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極
また「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、以下のｒ）に示す層構成を挙げることができる。
ｒ）陽極／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極
なお記号「ｘ」は２以上の整数を表し、（構造単位Ｂ）ｘは「構造単位Ｂ」がｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。
【００３２】
ここで電荷発生層とは電界を印加することにより正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。
【００３３】
第１電極３２を陽極とし、第２電極３３を陰極とする形態の有機ＥＬ素子では、上記ａ）〜ｑ）の構成において左側の層から順に各層が駆動基板２１に積層される。また逆に第１電極３２を陰極とし、第２電極３３を陽極とする形態の有機ＥＬ素子では、上記ａ）〜ｑ）の構成において右側の層から順に各層が駆動基板２１に積層される。
【００３４】
＜陽極＞
発光層からの光を陽極を通して取出す構成の有機ＥＬ素子の場合、陽極には光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、電気伝導度および光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
【００３５】
陽極の膜厚は、要求される特性および工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、例えば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００３６】
＜正孔注入層＞
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。
【００３７】
正孔注入層の成膜方法としては、例えば正孔注入材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔注入材料を溶解させるものであれば特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水を挙げることができる。
【００３８】
正孔注入層の膜厚は、求められる特性および工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００３９】
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などを挙げることができる。
【００４０】
正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。
【００４１】
溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒などを挙げることができる。
【００４２】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収の弱いものが好適に用いられ、例えばポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどを挙げることができる。
【００４３】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定され、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚は、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００４４】
＜発光層＞
発光層は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。高分子化合物は溶解性が高いために塗布法に適しており、そのため塗布法で発光層を形成する場合には、発光層はポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０８である高分子化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する発光材料としては、例えば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。
【００４５】
（色素系材料）
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。
【００４６】
（金属錯体系材料）
金属錯体系材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、またはＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。
【００４７】
（高分子系材料）
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。
【００４８】
（ドーパント材料）
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約２ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００４９】
＜電子輸送層＞
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
【００５０】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子の電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液若しくは溶融状態からの成膜を挙げることができ、高分子の電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜を挙げることができる。なお溶液または溶融状態からの成膜する場合には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述の溶液から正孔注入層を成膜する方法と同様の成膜法を挙げることができる。
【００５１】
電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定され、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００５２】
＜電子注入層＞
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの１種類以上含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、２層以上を積層した積層体で構成されてもよく、例えばＬｉＦ／Ｃａなどを挙げることができる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。電子注入層の膜厚としては、１ｎｍ〜１μｍ程度が好ましい。
【００５３】
＜陰極＞
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す構成の有機ＥＬ素子では、発光層からの光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。陰極には、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の１３族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、およびＩＺＯを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお陰極は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお電子注入層が陰極として用いられる場合もある。
【００５４】
陰極の膜厚は、求められる特性および工程の簡易さなどを考慮して適宜設計され、例えば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００５５】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法などを挙げることができる。
【００５６】
（隔壁）
隔壁５１は例えば電気絶縁膜によって構成される。隔壁５１は例えばＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ＯＮ  Ｇｌａｓｓ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）および窒化シリコン（ＳｉＮＸ）等のシリコン系絶縁物、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のアルミニウム酸化物、ハフニア（ＨｆＯ２）等のハフニウム酸化物、イットリア（Ｙ２Ｏ３）等のイットリウム酸化物、Ｌａ２Ｏ３等のランタン酸化物、または感光性樹脂などから成る薄膜によって構成され、これらのうちの１層から成る単層体、または２層以上が積層された積層体によって構成される。なお積層体としては、種類の異なる層が積層された構成でもよく、また同種の層が積層された構成でもよい。本実施形態では例えば感光性樹脂によって隔壁５１を構成してもよい。隔壁５１は光透過性のものでも、不透光性のものでもよい。光透過性を示す隔壁５１を設ける場合には、上記材料から適宜光透過率の高い材料を用いて隔壁５１を形成すればよい。
【００５７】
（駆動基板）
有機ＥＬ素子３１が搭載される駆動基板２１は、基板本体２２と、該基板本体２２上に形成される駆動回路１１とを備える。
【００５８】
本実施形態の駆動回路１１は、各有機ＥＬ素子３１を個別に駆動する複数の回路要素と、各回路要素を接続する所定の配線とを含む。図２，３に示すように有機ＥＬ素子３１ごとに設けられる回路要素は、２つのトランジスタ素子と１つのコンデンサ１４と所定の配線とを備える。以下２つのトランジスタ素子の一方の素子を切替用Ｔｒ１２と記載し、他方の素子を駆動用Ｔｒ１３と記載する。
【００５９】
切替用Ｔｒ１２および駆動用Ｔｒ１３は、それぞれゲート電極ＳＧ，ＤＧと、ソース電極ＳＳ，ＤＳと、ドレイン電極ＳＤ，ＤＤとを含んで構成される。これら切替用Ｔｒ１２および駆動用Ｔｒ１３の電極は光透過性を示す部材によって構成される。ゲート電極ＳＧ，ＤＧは基板本体２２上に設けられる。基板本体２２上にはゲート電極ＳＧ，ＤＧ以外にも所定の配線等がさらに設けられ、ゲート電極ＳＧ，ＤＧと所定の配線とは一体的に形成されている。基板本体２２上には、これらゲート電極ＳＧ，ＤＧおよび所定の配線等を覆う絶縁層１５がさらに設けられている。この絶縁層１５は光透過性を示す。絶縁層１５のうちでゲート電極ＳＧ，ＤＧ上に設けられる部位がゲート絶縁膜として機能する。ソース電極ＳＳ，ＤＳとドレイン電極ＳＤ，ＤＤとはこの絶縁層１５を介在させてゲート電極ＳＧ，ＤＧ上にそれぞれ所定の間隔をあけて配置される。ソース電極ＳＳ，ＤＳとドレイン電極ＳＤ，ＤＤとの間には光透過性を示す半導体層１９が設けられる。このように本実施形態ではボトムゲート型の切替用Ｔｒ１２および駆動用Ｔｒ１３が駆動基板２１に形成されるが、他の実施の形態としてトップゲート型のトランジスタ素子を駆動基板に形成してもよい。
【００６０】
コンデンサ１４は対向する一対の平板１４ａ，１４ｂと、この一対の平板１４ａ，１４ｂ間に介在する絶縁層１５とから構成される。一方の平板１４ａは基板本体２２上に設けられる。この一方の平板１４ａは基板本体２２上に設けられる所定の配線と一体的に形成されている。他方の平板１４ｂは絶縁層１５上に設けられる。一方の平板１４ａと切替用Ｔｒ１２のソース電極ＳＳとは絶縁層１５に形成されたスルーホール中の導体（以下スルーホール内配線部１６ということがある。）によって接続される。さらにコンデンサ１４を構成する一方の平板１４ａは駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＤＧと一体的に形成されている。従って切替用Ｔｒ１２のソース電極ＳＳと、駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＤＧとは、スルーホール内配線部１６およびコンデンサ１４を介して電気的に接続される。またコンデンサ１４を構成する他方の平板１４ｂは駆動用Ｔｒ１３のドレイン電極ＤＤと一体的に形成されている。
【００６１】
駆動用Ｔｒ１３、切替用Ｔｒ１２およびコンデンサ１４などからなる駆動回路１１上には、これら素子を覆う平坦化膜１７がさらに形成されている。複数の有機ＥＬ素子３１は、この平坦化膜１７上に設けられている。駆動用Ｔｒ１３のソース電極ＤＳと、基板本体２２上に形成された所定の配線とは、絶縁層１５に形成されたスルーホール内配線部１８を介して接続される。さらに駆動用Ｔｒ１３のソース電極ＤＳに電気的に接続される基板本体２２上の所定の配線は、絶縁層１５および平坦化膜１７を貫通して設けられるスルーホール内配線部２０ａ，２０ｂを介して有機ＥＬ素子３１の第１電極３２と電気的に接続される。従って有機ＥＬ素子３１の第１電極３２と駆動用Ｔｒ１３のソース電極ＤＳとは、基板本体２２上の所定の配線およびスルーホール内配線部１８，２０ａ，２０ｂを介して電気的に接続される。
【００６２】
駆動回路１１のうちの導電体によって構成される部位は、光透過性および導電性を示す薄膜（以下、導電性薄膜ということがある。）によって構成され、例えば有機物または無機酸化物導電体から構成されることが好ましい。切替用Ｔｒ１２および駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＳＧ，ＤＧ、ソース電極ＳＳ，ＤＳ、ドレイン電極ＳＤ，ＤＤ、コンデンサ１４を構成する一対の平板１４ａ，１４ｂ、スルーホール内配線部１６，１８，２０ａ，２０ｂ、並びに所定の配線が、駆動回路１１のうちの導電体によって構成される部位に相当する。駆動回路１１のうちの導電体によって構成される部位は、無機酸化物導電体から成ることが好ましく、例えば亜鉛錫酸化物（Ｚｉｎｃ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＺＴＯ）またはインジウム含有酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯなど）を主成分とした導電体材料によって構成することができる。
【００６３】
ＺＴＯは例えばモル比でＺｎよりもＳｎの割合を高くすることにより導電体の材料として用いることができ、ＺｎとＳｎとのモル比は１：２（Ｚｎ：Ｓｎ）が好ましい。また導電体の材料として使用する場合、ＩＴＯはＩｎとＳｎとのモル比が通常９：１（Ｉｎ：Ｓｎ）程度であり、ＩＺＯはＩｎとＺｎのモル比が通常９：１（Ｉｎ：Ｚｎ）程度である。
【００６４】
駆動回路１１のうちの導電体によって構成される部位は、これらの中でもＺＴＯによって構成することが好ましい。ＺＴＯはアモルファスな薄膜を形成することができるため、フレキシブルな導電性薄膜を構成することができる。そのためＩＺＯから成る薄膜を導電性薄膜として用いることにより、全体としてフレキシブルな駆動基板２１を構成することができる。さらにアモルファスなＺＴＯ薄膜は比較的低温で形成することができるため、プラスチック基板などの高温耐性が低い部材を基板本体２２として使用することができる。
【００６５】
絶縁層１５は光透過性を示す電気絶縁膜によって構成される。絶縁層１５は例えばＳＯＧ、酸化シリコンおよび窒化シリコンなどのシリコン系絶縁物、アルミナ等のアルミニウム酸化物、ハフニア等のハフニウム酸化物、イットリアなどのイットリウム酸化物、Ｌａ２Ｏ３等のランタン酸化物、または感光性樹脂などから成る薄膜によって構成され、これらのうちの１層から成る単層体、または２層以上が積層された積層体によって構成される。積層体としては、種類の異なる層が積層された構成でもよく、また同種の層が積層された構成でもよい。本実施形態では例えばアルミナから成る薄膜とハフニアから成る薄膜との積層体によって絶縁層１５を構成してもよい。
【００６６】
半導体層１９は光透過性および半導電性を示す部材によって構成され、無機酸化物半導体から成ることが好ましい。無機酸化物半導体としては前述した所定の配線と同様の亜鉛錫酸化物またはインジウム含有酸化物を挙げることができ、またペンタセンやテトラベンゾポルフィリンの前躯体などを用いて半導体層１９を形成してもよい。無機酸化物半導体から成る半導体層１９は、そのキャリア濃度が前述した所定の配線のキャリア濃度よりも低いことが好ましい。
【００６７】
半導体層１９はこれらの中でもＺＴＯによって構成することが好ましい。なおＺＴＯは、例えばモル比でＳｎよりもＺｎの割合を高くすることにより半導体の材料として用いることができ、例えばＺｎとＳｎとのモル比は２：１（Ｚｎ：Ｓｎ）が好ましい。またこのＺＴＯからなる半導体層のキャリア濃度は、成膜時の雰囲気を調整することによって制御することができる。例えば成膜時の酸素濃度を高くすることによって、半導体層のキャリア濃度を低くすることができる。また前述と同様にＩＺＯはアモルファスな薄膜を形成することができるため、フレキシブルな半導電性薄膜を構成することができ、ＩＺＯから成る薄膜を半導体層として用いることにより全体としてフレキシブルな駆動基板２１を構成することができる。
【００６８】
またインジウム含有酸化物としてＩＺＯを用いる場合、ＩｎとＺｎのモル比を４：６（Ｉｎ：Ｚｎ）程度とすることにより、ＩＺＯを半導体の材料として用いることができる。
【００６９】
平坦化膜１７は上記絶縁層１５で例示したものと同様の薄膜によって構成することができる。本実施形態では例えば感光性樹脂を用いて形成される単層構造の絶縁膜によって平坦化膜１７を構成してもよい。
【００７０】
以下図３を参照して表示装置１の動作について説明する。駆動基板２１には表示装置１に備えられる信号生成部から走査信号（図３では記号「Ｖｓｃａｎ」で示す。）とデータ信号（図３では記号「Ｖｓｉｇ」で示す。）とが入力される。これら走査信号とデータ信号は個々の有機ＥＬ素子３１を駆動する回路要素に入力される。本実施形態では前述の所定の配線は、走査信号およびデータ信号を伝送する主配線ｍ１，ｍ２と、この主配線ｍ１，ｍ２から分岐する副配線ｓ１，ｓ２とを含む。
【００７１】
本実施形態では主配線ｍ１，ｍ２は基板本体２２と隔壁５１との間に配置される。例えば走査信号を伝送する主配線ｍ１は、行方向Ｘに延伸する複数本の導電体によって構成され、平面視で行方向Ｘに延伸する複数本の隔壁５１に重なる位置に配置される。また例えばデータ信号を伝送する主配線ｍ２は、列方向Ｙに延伸する複数本の導電体によって構成され、平面視で列方向Ｙに延伸する複数本の隔壁５１に重なる位置に配置される。なお走査信号を伝送する主配線ｍ１とデータ信号を伝送する主配線ｍ２とは駆動基板２１の厚み方向に離間してそれぞれ延伸するため、互いに交差はしないが、隔壁５１と同様に平面視では格子状に配置される。
【００７２】
走査信号を伝送する主配線ｍ１から分岐する副配線ｓ１は、切替用Ｔｒ１２のゲート電極ＳＧに接続され、例えば基板本体２２上において切替用Ｔｒ１２のゲート電極ＳＧに一体的に形成される。またデータ信号を伝送する主配線ｍ２から分岐する副配線ｓ２は、切替用Ｔｒ１２のドレイン電極ＳＤに接続され、例えば絶縁層１５上において切替用Ｔｒ１２のドレイン電極ＳＤに一体的に形成される。
【００７３】
切替用Ｔｒ１２のソース電極ＳＳと駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＤＧとは所定の配線によって接続される。駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＤＧとドレイン電極ＤＤとの間にはコンデンサ１４が挿入される。駆動用Ｔｒ１３のソース電極ＤＳと有機ＥＬ素子３１の第１電極３２とは配線によって接続される。また駆動用Ｔｒ１３のドレイン電極ＤＤには駆動電源からの駆動電圧（図３では記号「Ｖｃｃ」で示す。）が印加されている。
【００７４】
主配線ｍ１および副配線ｓ１を介して、切替用Ｔｒ１２のゲート電極ＳＧに走査信号として高電圧が印加されると、ドレイン電極ＳＤとソース電極ＳＳとが導通状態（以下、オン状態ということがある。）になる。切替用Ｔｒ１２がオン状態のときに、主配線ｍおよび副配線ｓを介して切替用Ｔｒ１２のドレイン電極ＳＤにデータ信号として高電圧が印加されると、高電圧のデータ信号が駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＤＧに与えられ、ドレイン電極ＤＤとソース電極ＤＳとが導通状態（オン状態）になる。駆動用Ｔｒ１３がオン状態になると、駆動電圧（Ｖｃｃ）が有機ＥＬ素子３１の第１電極３２に印加されて有機ＥＬ素子３１が発光する。すなわち走査信号とデータ信号との両方の信号が入力されている状態で駆動用Ｔｒ１３がオン状態になり、有機ＥＬ素子３１が発光する。
【００７５】
走査信号が入力されていない状態、すなわち切替用Ｔｒ１２のゲート電極ＳＧに低電圧が印加されている状態では、切替用Ｔｒ１２のドレイン電極ＳＤとソース電極ＳＳとは非導通状態（以下、オフ状態ということがある。）となる。切替用Ｔｒ１２がオフ状態のときに、データ信号として高電圧が切替用Ｔｒ１２のドレイン電極ＳＤに印加されたとしても、駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＤＧに高電圧のデータ信号が与えられないので、駆動用Ｔｒ１３のドレイン電極ＤＤとソース電極ＤＳとが非導通状態（オフ状態）になる。また走査信号として高電圧が入力された状態で、切替用Ｔｒ１２がオン状態であったとしても、データ信号が入力されていない状態では、駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＤＧには切替用Ｔｒ１２のドレイン電極ＳＤと同様に低電圧が印加されるため、駆動用Ｔｒ１３はオフ状態となる。従って走査信号またはデータ信号が入力されていない状態では、駆動用Ｔｒ１３がオフ状態となるので有機ＥＬ素子３１は発光しない。以上説明したように走査信号とデータ信号との両方の信号が入力されているときにのみ有機ＥＬ素子３１が発光するので、走査信号とデータ信号とを選択的に入力することによって、有機ＥＬ素子３１を選択的に発光させることができる。
【００７６】
本実施形態の表示装置１は複数の有機ＥＬ素子３１がマトリクス状に配置されており、各有機ＥＬ素子３１ごとに図３に示す回路要素が設けられている。各行の有機ＥＬ素子３１に設けられる回路要素の切替用Ｔｒ１２のゲート電極ＳＧは、各行毎に、互いに走査信号を伝送する主配線ｍ１によって接続される。また各列の有機ＥＬ素子３１に設けられる回路要素の切替用Ｔｒ１２のドレイン電極ＳＤは、各列毎に、互いにデータ信号を伝送する配線ｍ２によって接続される。従って同じ行に配置される切替用Ｔｒ１２のゲート電極ＳＧには共通の走査信号が入力される。また同じ列に配置される切替用Ｔｒ１２のドレイン電極ＳＤには共通のデータ信号が入力される。このようなアクティブマトリクス型の表示装置１では、走査信号を入力することによって特定の行に配置された複数の有機ＥＬ素子３１を選択することができる。このようにして選択された複数の有機ＥＬ素子３１のなかから、さらにデータ信号を入力することによって、特定の列に配置された有機ＥＬ素子３１を選択的に発光させることができる。
【００７７】
以上説明したように光透過性を示す部材によって駆動回路１１を構成することにより、光透過性を示す駆動回路１１を構成することができる。なお駆動回路１１は平面視で、有機ＥＬ素子３１から光が放射される領域に重なる部分が少なくとも光透過性を示す部材によって構成されていればよく、例えば駆動回路１１の全てが光透過性を示す部材によって構成されてもよく、また一部が光透過性を示す部材によって構成されてもよい。例えば駆動回路１１のうちで、平面視で隔壁５１に重なる位置に設けられる主配線ｍ１，ｍ２を不透明の部材によって構成し、光透過性を示す部材によってその他の部分を構成してもよい。本実施形態では有機ＥＬ素子３１は隔壁５１を除く領域に形成されるため、平面視で隔壁５１に重なる位置に設けられる主配線ｍ１，ｍ２が不透明であったとしても、この主配線ｍ１，ｍ２によって有機ＥＬ素子３１の開口率が制限されることはない。そのため例えば不透明ではあるが比較的電気抵抗の低い部材を用いて主配線ｍ１，ｍ２を構成することができる。これによって駆動回路１１で浪費される電力を抑制することができる。例えば層厚を厚くすることによって電気抵抗の低い主配線ｍ１，ｍ２を形成することができる。なお主配線ｍ１，ｍ２は、光透過性を示す副配線ｓ１，ｓ２とは異なる材料によって形成してもよく、例えば抵抗率の低い金属を用いて形成してもよい。
【００７８】
このように有機ＥＬ素子３１から光が放射される領域に平面視で重なる部分が光透過性を示す部材によって構成される駆動回路１１を用いることにより、有機ＥＬ素子３１の開口率が駆動回路１１によって制限されることを防ぐことができる。そのため不透明な駆動回路と平面視で重ならないように有機ＥＬ素子を配置する必要がなく、設計の自由度を下げることなく高い開口率を確保することができる。
【００７９】
（フィルム）
フィルム４１は、複数の有機ＥＬ素子３１との間に前記駆動基板２１を介在させて配置される。換言すると駆動基板２１に対して複数の有機ＥＬ素子３１が設けられる側とは反対側にフィルム４１は配置される。本実施形態ではフィルム４１は駆動基板２１に接して配置される。なお駆動基板２１とフィルム４１との間には所定の層を設けてもよい。
【００８０】
フィルム４１は、駆動基板２１側とは反対側の表面が凹凸形状であり、この凹凸形状の表面が雰囲気との界面を成す。すなわち表示装置１において空気に触れる最も外側の層としてフィルム４１が設けられる。このフィルム４１はヘイズ値が７０％以上であり、全光線透過率が５０％以上である。なお全光線透過率透過率およびヘイズ値の上限値は１００％であるが、これらは有機ＥＬ素子３１が組み込まれる装置の仕様に合わせて適宜設定される。
【００８１】
本実施形態ではフィルム４１は例えば熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、接着剤および粘着材などの所定の貼合剤によって駆動基板２１に貼り付けられる。なお駆動基板２１上にフィルム４１を直接形成する場合には貼合剤を用いなくてもよく、またフィルム４１に貼合剤が予め設けられている場合には、フィルム４１を貼り合せる際に、フィルム４１と駆動基板２１との間にさらに貼合剤を配置しなくてもよい。
【００８２】
フィルム４１を貼り合わせる際にフィルム４１と駆動基板２１との間に空気の層が形成されると、この空気の層の界面で光の反射が生じるので、この反射に起因して光取り出し効率が低下する。そのためフィルム４１と駆動基板２１との間に空気の層が形成されないように、駆動基板２１に密着させてフィルム４１を貼り合わることが好ましい。フィルム４１が貼り合わされる層（本実施形態では駆動基板２１）、貼合剤、およびフィルム４１の各屈折率のうちで、最大となる屈折率と最小となる屈折率との差の絶対値は、小さい方が反射を抑制することができるので好ましく、具体的には０．２以下が好ましく、さらに好ましくは０．１以下である。
【００８３】
本実施形態のフィルム４１は、駆動基板２１側とは反対側の表面が凹凸状に形成され、ヘイズ値が７０％以上、かつ全光線透過率が５０％以上である。ヘイズ値が７０％未満であれば、十分な光散乱効果が得られないことがあり、全光線透過率が５０％未満であれば、十分に光を取出されないことがあるので、このようなフィルムを有機ＥＬ素子に用いた場合には十分な光取出し効率を得られないおそれもあるが、ヘイズ値が７０％以上かつ全光線透過率が５０％以上のフィルム４１を用いることによって、高い取出し効率の有機ＥＬ素子を実現することができる。フィルム４１の全光線透過率は８０％以上であることがさらに好ましい。
【００８４】
ヘイズ値は以下の式で表され、ＪＩＳ  Ｋ  ７１３６「プラスチック−透明材料のヘイズの求め方」に記載された方法で測定することができる。
【００８５】
ヘイズ値（曇価）＝（拡散透過率（％）／全光線透過率（％））×１００（％）
また全光線透過率はＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１「プラスチック−透明材料の全光線透過率の試験方法」に記載された方法で測定することができる。
【００８６】
フィルム４１の厚み方向に垂直な幅方向の凸面または凹面の大きさ（幅）の平均は、大きすぎるとフィルム４１表面での輝度が不均一になり、小さすぎるとフィルム４１の作製コストが高くなるので、光の波長と同程度若しくはそれよりも大きいことが好ましく、好ましくは０．１μｍ〜１００μｍであり、さらに好ましくは０.５μｍ〜２０μｍであり、さらに好ましくは１μｍ〜２μｍである。またフィルム４１の厚み方向の凸面または凹面の高さの平均は、前記幅方向の凸面または凹面の大きさ（幅）や、凹凸形状が形成される周期により適宜設定され、通常は前記幅方向の凹面または凸面の大きさ（幅）以下、または凹凸形状が形成される周期以下が好ましく、０．２５μｍ〜１０μｍであり、好ましくは０．５μｍ〜１．０μｍである。
【００８７】
凸面または凹面の形状は曲面を有する形状が好ましく、半球形状が好ましい。凹面または凸面は規則的に配置されることが好ましく、例えば碁盤の目状に配置されることが好ましい。またフィルム４１の表面のうちで、凹面と凸面とが形成される領域の割合、換言すると平面形状の領域を除く領域の割合は、平面視でフィルム４１表面の面積の６０％以上が好ましい。
【００８８】
フィルム４１の材料は、光透過性を示すフィルム４１を形成することが可能な材料であればよく、例えばガラスなどの無機材料や有機材料を用いてもよい。有機材料としては、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリシクロオレフィン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンスルホン酸、およびポリエチレンテレフタレートなどを挙げることができる。フィルム４１は、１層のみによって構成されてもよく、また複数の層が積層された積層体によって構成されてもよい。フィルム４１は例えばガラスや前記有機材料を用いて形成された支持体と、この支持体の表面上に形成され、支持体に接する表面とは反対側の表面が凹凸状に形成される薄膜との積層体によって構成されてもよい。
【００８９】
フィルム４１の厚みは特に制限はないが、薄すぎると取り扱いが難しくなり、厚すぎると全光線透過率が低くなるので、２０μｍ〜１０００μｍが好ましい。
【００９０】
ガラスなどの無機材料から成るフィルム４１は、無機材料から成る平板状の基台をエッチングすることにより得られる。例えば平板状の基台表面のうちで、凹凸形状を形成する部位を選択的にエッチングすることにより得られる。具体的には無機材料から成る基台表面に保護膜をパターン形成し、液相エッチングまたは気相エッチングなどを施すことによって凹凸面を形成することができる。保護膜は例えばフォトレジストを用いてパターン形成することができる。
【００９１】
有機材料から成るフィルム４１では例えば以下の（１）〜（６）の方法によって表面に凹凸形状を形成することができる。（１）表面が凹凸状の金属板を、加熱されたフィルムに押し付けることによって金属板の凹凸形状を転写する方法。（２）表面が凹凸状のロールを用いて、高分子シートまたはフィルムを圧延する方法。（３）凹凸形状を有するスリットから高分子シートを押出し成形する方法。（４）有機材料を含む溶液または分散液を、表面が凹凸形状の基台上に滴下（以下、キャストということがある。）して成膜する方法。（５）重合可能なモノマーから成る膜を形成した後に、該膜の一部を選択的に光重合し、未重合部分を除去する方法。（６）高湿度条件下で高分子溶液を基台にキャストし、水滴構造を表面に転写する方法。
【００９２】
上記（６）の水滴構造を表面に転写する方法は、凹凸形状のフィルム４１を比較的容易に作製することが可能なので、上述した方法の中では（６）の方法が好ましい。この（６）の方法は自己組織化の一種である散逸過程を応用した構造作製法である（例えばＧ.Ｗｉｄａｗｓｋｉ,Ｍ.Ｒａｗｉｓｏ,Ｂ.Ｆｒａｎｃｏｉｓ,Ｎａｔｕｒｅ，ｐ．３６９−ｐ．３８７（１９９４）参照）。
【００９３】
まず上述したフィルム４１となる有機材料を溶媒に溶解して、フィルム４１形成用の溶液を調製する。溶媒としては例えばジクロロメタンおよびクロロホルムなどを挙げることができる。フィルム４１形成用の溶液の粘度は高い方が好ましい。またフィルム４１形成用の溶液におけるフィルム４１となる有機材料の濃度は高い方が好ましく、溶液における有機材料の濃度は１０ｗｔ％以上が好ましい。また凹凸形状の大きさや形の均一性を向上させるために、前記フィルム４１形成用の溶液にノニオン系界面活性剤などの界面活性剤を少量添加してもよい。
【００９４】
次にフィルム４１となる材料を含む溶液を所定の基台に塗布する。具体的には調製したフィルム４１形成用の溶液を高湿度下で所定の基台にキャストし、フィルム４１形成用の溶液から成る液膜を形成する。フィルム４１形成用の溶液をキャストする基台として駆動基板２１を用いた場合、すなわちフィルム４１形成用の溶液を駆動基板２１に直接キャストした場合には、駆動基板２１にフィルム４１が直接的に形成される。
【００９５】
溶液をキャストした後、基台雰囲気の湿度を８０％〜９０％に所定の時間保つ。このように湿度が高い雰囲気中に基台を配置すると、雰囲気中の水蒸気が液化し、液化した複数の液滴が液膜上に形成される。この液滴は略球状であり、液膜の表面において離散的に形成される。液膜上に形成される液滴は、水蒸気がさらに液化することによって時間経過とともに成長して大きくなり、その重量が増す。そのため自重によって液滴の略半分が液膜中に沈み込む。また液滴の形成と並行して、液膜中の溶剤（溶媒）が時間経過とともに蒸発するため、液膜の粘度が時間経過とともに高くなる。このように液滴が液膜中に没入しつつ液膜の粘度が高くなることによって、乾燥時に液滴の形状がフィルム４１に転写される。このようにして形成されるフィルム４１は、表面に複数の凹面が設けられて、凹凸状に形成される。具体的には径の平均が１μｍ〜１００μｍの複数の半球状の窪みがフィルム４１の表面に形成される。なお湿度が８０％〜９０％の範囲においてフィルム４１を保持することによって、表面に半球状の窪みが形成された後に、さらにフィルム雰囲気の湿度を低い状態に保つことによってフィルムを乾燥してもよく、またフィルム雰囲気の湿度を８０％〜９０％に長時間保持することによってフィルムを乾燥してもよい。
【００９６】
前述したフィルム４１を作製する方法では、作製後のフィルム４１膜厚が所定の値になるようにフィルム４１形成用の溶液の塗布を制御するとともに、液膜を乾燥させるときの湿度を調整することによって、作製されるフィルム４１のヘイズ値を制御することができる。
【００９７】
具体的には作製後のフィルム４１膜厚が、１００μｍ〜２００μｍの範囲内において所定の膜厚となるように乾燥開始時の液膜の膜厚を制御するとともに、８０％〜９０％の範囲内において所定の湿度となるように湿度を制御することによって、ヘイズ値が７０以上の所期のヘイズ値を示すフィルム４１を形成することができる。
【００９８】
湿度と膜厚とを制御することによってフィルム４１のヘイズ値を制御することができるのは、有機材料の濃度などにもよるが、湿度と膜厚を変えると、液膜の表面が乾燥するまでの時間が変わり、これにともなって凹凸形状の大きさや凹面の密度が変わるからであり、また湿度は、凹面の配置の規則性向上など、形成される凹面の構造構築に大きな影響を与えるからであると推測される。
【００９９】
作製後のフィルム４１の膜厚は、乾燥開始時の液膜の膜厚を調整することによって制御することができる。また溶剤（溶媒）の蒸発速度および溶剤（溶媒）の沸点などによって液膜の表面が乾燥するまでの時間が変わるので、用いる溶剤（溶媒）を変えることによって、フィルム４１のヘイズ値を制御することもできる。
【０１００】
以上説明したように溶液の塗布量および湿度を調整するという簡易な制御によって、所期の光学的特性を示す大面積のフィルム４１を作製することができ、上記（６）の水滴構造を表面に転写する方法によって、簡易でかつ安価に大面積のフィルム４１を作製することができる。
【０１０１】
なお前述したように駆動基板２１の表面上にフィルム４１形成用の溶液をキャストすることによって駆動基板２１上に直接的にフィルム４１を形成することもできるが、所定の基台上にフィルムを形成した後に、フィルム４１を駆動基板２１に貼り合わせてもよい。
【０１０２】
上述の構成によればフィルム４１は、表示装置１において、有機ＥＬ素子３１の光が出射する側の最表面部に配置される。そのため有機ＥＬ素子３１から放射される光は、駆動基板２１およびフィルム４１を通り、凹凸状に形成されたフィルム表面（以下、出射面ということがある。）を通過して空気などの外界に出射する。
【０１０３】
仮にフィルム４１の出射面が平坦であれば、有機ＥＬ素子３１から放射される光の大部分が、この出射面で起こる全反射等によって外界に出射しないが、本実施形態ではフィルム４１表面が凹凸状に形成されているので、出射面で起こる全反射等を抑制することができる。そのため光が効率的に出射することができる。特に本実施形態のフィルム４１は、ヘイズ値が７０％以上、かつ全光線透過率が５０％以上なので、光の取出し効率を向上することができる。これによって高い光取出し効率および発光効率を有する有機ＥＬ素子を実現することができる。
【０１０４】
またフィルム４１表面には複数の凹面が設けられ、この凹面が凹レンズと同様の機能を発揮する。このようなフィルム４１を設けることによって、有機ＥＬ素子から放射される光の放射角を広げることができる。
【０１０５】
また前述したように光透過性を示す駆動回路１１を形成することにより有機ＥＬ素子３１の開口率を向上することができる。この駆動回路１１は、薄膜トランジスタのみならず、所定の配線やコンデンサも光透過性を示す部材によって構成されている。そのため光を駆動基板２１側に放射するボトムエミッション型の有機ＥＬ素子３１を平面視で駆動回路１１に重なるように配置したとしても、駆動回路１１によって素子の開口率が制限されることはなく、高開口率の有機ＥＬ素子３１を備える表示装置１を実現することができる。
【０１０６】
各有機ＥＬ素子３１が設けられる領域として割当てられる面積は解像度などの仕様から自ずと決定される。各有機ＥＬ素子３１の発光面積は、最大でも各素子に割当てられた面積に制限されるが、各素子の発光面積は、開口率によってさらに制限される。本実施形態では有機ＥＬ素子３１の開口率を高くすることによって、各素子に割当てられた面積を限度として、発光面積を可能な限り広くすることができる。素子全体としての光強度を一定として比較すると、発光面積が広いほど輝度を抑制することができるため、本実施形態のように開口率を高くすることによって、駆動時に各有機ＥＬ素子３１に流れる電流密度を低くすることができる。また光取り出し効率を向上することによって、有機ＥＬ素子３１から駆動基板２１に向けて放射すべき光の強度を抑制することができるため、駆動時に各有機ＥＬ素子３１に流れる電流密度をさらに低くすることができる。このように開口率を高くするとともに光取り出し効率を向上することにより、駆動時の電流密度を抑制することができ、有機ＥＬ素子に加わる負荷を低減することができる。これによって素子寿命を向上することができる。
【０１０７】
（２）有機ＥＬ装置の作製方法
次に有機ＥＬ装置の作製方法について説明する。
【０１０８】
（駆動基板）
まず光透過性および絶縁性を示す板状の基板本体２２を用意する。基板本体２２には例えばガラス基板、石英基板、プラスチック基板およびこれらを積層した基板を用いることができる。また基板本体２２として例えばフレキシブルな基板を用いることで全体としてフレキシブルな装置を実現することもできる。
【０１０９】
次に基板本体２２の厚み方向の一方の表面に導電性薄膜を形成する。この導電性の薄膜は例えばスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法または真空蒸着法などによって形成される。本実施形態では光透過性を示すアモルファス状のＺＴＯ導電性薄膜を形成する。例えば前述したようにＺｎとＳｎとのモル比が１：２（Ｚｎ：Ｓｎ）のアモルファス状のＺＴＯ導電性薄膜を形成する。
【０１１０】
次にＺＴＯ導電性薄膜を例えばフォトリソグラフィによってパターニングする。これによりコンデンサ１４を構成する一方の平板１４ａ、切替用Ｔｒ１２のゲート電極ＳＧ、駆動用Ｔｒ１３のゲート電極ＤＧおよび所定の配線が形成される。なおこれら導電性薄膜は例えばゾル・ゲル法を利用した印刷法やインクジェットプリンティング法などの塗布法などにより形成することもできる。
【０１１１】
次に例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法または真空蒸着法などによってアルミナとハフニアとを順次堆積し、光透過性を示す絶縁層１５を成膜する。さらにフォトリソグラフィによって絶縁層１５の所定の部位に貫通孔を形成する。この貫通孔は、スルーホール内配線部１６，１８，２０ａなどが設けられる部位に形成される。なお絶縁層１５を成膜した後に貫通孔を形成するのではなく、例えば印刷法などによって、貫通孔を形成する部位を除く領域にのみ選択的に絶縁層１５を形成してもよく、この場合にはフォトリソグラフィ工程を省略することができる。このようにして形成された絶縁層１５は、切替用Ｔｒ１２および駆動用Ｔｒ１３のゲート絶縁膜、並びにコンデンサ１４の絶縁膜として機能する。
【０１１２】
次に導電性薄膜を絶縁層１５上に形成する。この導電性薄膜は例えばスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法または真空蒸着法などによって形成される。本実施形態では光透過性を示すアモルファス状のＺＴＯ導電性薄膜を形成する。例えば前述したようにＺｎとＳｎとのモル比が１：２（Ｚｎ：Ｓｎ）のアモルファス状のＺＴＯ導電性薄膜を形成する。なおＺＴＯ導電性薄膜を形成する際に、絶縁層１５に形成された貫通孔にもＺＴＯから成る導体が設けられるため、導電性薄膜と同時にスルーホール内配線部１６，１８，２０ａも本工程において形成される。
【０１１３】
次に例えばフォトリソグラフィによってＺＴＯ導電性薄膜をパターニングする。これにより切替用Ｔｒ１２および駆動用Ｔｒ１３のソース電極ＳＳ，ＤＳ、ドレイン電極ＳＤ，ＤＤ、コンデンサ１４を構成する他方の平板１４ｂ、並びに所定の配線が形成される。なおこれら導電性薄膜は例えばゾル・ゲル法を利用した印刷法やインクジェットプリンティング法などの塗布法などにより形成することもできる。
【０１１４】
次に例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法または真空蒸着法などを用いて半導体を堆積することにより光透過性を示す半導体薄膜を形成する。本実施形態ではＺＴＯを堆積することにより半導体薄膜を形成することができ、例えばＺｎとＳｎとのモル比を２：１（Ｚｎ：Ｓｎ）とし、ＺＴＯ導電性薄膜よりもキャリア濃度が低いＺＴＯ半導体薄膜を形成する。なおＺＴＯ薄膜のキャリア濃度は、上述したように成膜時の雰囲気の酸素濃度等の調整により制御することができる。
【０１１５】
次に例えばフォトリソグラフィによりＺＴＯ半導体薄膜をパターニングすることで、切替用Ｔｒ１２および駆動用Ｔｒ１３のソース電極ＳＳ，ＤＳとドレイン電極ＳＤ，ＤＤとの間に選択的に半導体層１９が形成される。このようにして形成された半導体層１９は切替用Ｔｒ１２および駆動用Ｔｒ１３のチャネル層として機能する。
【０１１６】
本実施形態における半導体層１９は、絶縁層１５上にパターン形成されたＺＴＯ導電性薄膜を覆って形成されることが好ましい。本実施形態では絶縁層１５上にパターン形成されたＺＴＯ導電性薄膜とＺＴＯ半導体薄膜とは同じ種類の材料を用いて形成されるため、両薄膜はエッチャントに対する耐性も同様となる。そのためＺＴＯ半導体薄膜のみを選択的にエッチングすることは難しく、ＺＴＯ半導体薄膜をエッチングする際に、ＺＴＯ導電性薄膜も一部が除去されるおそれがある。しかしながら本実施形態のようにＺＴＯ導電性薄膜を覆うように半導体層１９を形成することによって、エッチング工程においてこの半導体層１９がＺＴＯ導電性薄膜の保護膜として機能するため、ＺＴＯ導電性薄膜がエッチングされることを防ぐことができる。なおＺＴＯ半導体薄膜を形成した後にパターニングして半導体層１９を形成するのではなく、例えば半導体層１９が形成される部位にのみ選択的に半導体層１９を形成してもよく、この場合にはフォトリソグラフィ工程を省略することができる。
【０１１７】
またＺＴＯ導電性薄膜とＺＴＯ半導体薄膜とが同じ種類の材料を用いて形成されるため、切替用Ｔｒ１２および駆動用Ｔｒ１３のソース電極ＳＳ，ＤＳ並びにドレイン電極ＳＤ，ＤＤと、半導体層１９とを良好にオーミック接触させることができる。これによりコンタクト抵抗を低減することができ、結果として表示装置１の消費電力を低減することができる。
【０１１８】
次に絶縁層１５上を覆う平坦化膜１７を形成する。例えばスピンコートによりフォトレジストを塗布し、所定の部位を露光し、現像、硬化処理を行う。このようして所定の部位に貫通孔が形成された平坦化膜１７が形成される。この貫通孔はスルーホール内配線部２０ｂなどが設けられる部位に形成される。
【０１１９】
次に平坦化膜１７に形成された貫通孔に導体を形成し、スルーホール内配線部２０ｂを形成する。例えば上述と同様にして平坦化膜１７上にＺＴＯ導電体薄膜を形成し、さらにフォトリソグラフィによって所定の部位を除去することにより、貫通孔にのみ導体を形成することができる。なお有機ＥＬ素子３１の第１電極３２を形成する工程と同一工程で貫通孔に導体を設けるようにしてもよい。
【０１２０】
以上説明した工程により駆動基板２１が製造される。
【０１２１】
（有機ＥＬ素子）
次に有機ＥＬ素子３１を作製する。
【０１２２】
まず第１電極３２を形成する。第１電極３２は各有機ＥＬ素子３１ごとに独立して設けられ、平坦化膜１７上に島状に形成される。例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などによって光透過性を示す導電性薄膜を形成し、その後フォトリソグラフィによって導電性薄膜を島状にパターニングすることによって第１電極３２を形成することができる。なお前述したように第１電極３２を形成する工程と同一の工程で前述したスルーホール内配線部２０ｂを形成し、第１電極３２とスルーホール内配線部２０ｂとを一体的に形成してもよい。第１電極３２はスルーホール内配線部２０ａ，２０ｂを介して駆動回路１１に電気的に接続される。
【０１２３】
例えばＺＴＯから成る層、Ａｇから成る層、ＺＴＯから成る層を順次積層することによって陽極として機能する第１電極３２を形成することができる。
【０１２４】
次に第１電極３２が形成された駆動基板２１上に隔壁５１を形成する。例えばスピンコートによりフォトレジストを塗布し、所定の部位を露光し、現像、硬化処理することで、各有機ＥＬ素子３１を区画する格子状の隔壁５１を形成することができる。
【０１２５】
次に１または複数の所定の層３４を第１電極３２上に形成する。１または複数の所定の層３４は少なくとも発光層を含む。１または複数の所定の層は、前述した各層を構成する材料を第１電極３２上に選択的に成膜することによって形成することができる。成膜方法としては塗布法、蒸着法、レーザによる転写や熱転写法などを挙げることができ、塗布法としては例えばインクジェットプリント法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、ノズルコート法などを挙げることができる。例えば所定の層となる材料を含むインキを上記所定の塗布法によって選択的に塗布し、さらに加熱処理などによって塗布膜を固化することによって１または複数の所定の層３４を形成することができる。
【０１２６】
次に１または複数の層３４上に第２電極３３を形成する。本実施形態では各有機ＥＬ素子３１に跨った第２電極３３を形成する。すなわち各有機ＥＬ素子３１の１または複数の層３４上に一面に連なる第２電極３３を一体的に形成する。例えば真空蒸着法などによって、ＭｇとＡｇとの合金材料を堆積することにより、陰極として機能する第２電極３３を形成することができる。
【０１２７】
次に有機ＥＬ素子３１を保護する保護膜を必要に応じて形成する。例えばＣＶＤ法などによってＳｉＯ２やＳｉＮｘの多層膜を形成する。
【０１２８】
（フィルム）
前述した方法によりフィルム４１を作製し、さらにこれを駆動基板２１に貼り付ける。
【０１２９】
以上により表示装置１を作製することができる。
【０１３０】
駆動回路１１は、基板本体２２と有機ＥＬ素子３１との間において、平面視で少なくとも一部が有機ＥＬ素子３１に重なる位置に配置される。有機ＥＬ素子３１は各層の膜厚の均一性などにその特性が依存するため、平坦な面上に形成されることが好ましい。駆動回路が設けられる部位はその厚みによって凹凸が生じるので、駆動回路上に有機ＥＬ素子を設けるためには、平坦化膜を形成するなどの所定の処理を行う必要がある。しかしながら駆動回路が不透明なものである場合、有機ＥＬ素子から放射される光がこの駆動回路によって遮られることになるので、駆動回路上に有機ＥＬ素子を敢えて形成せずに、平面視で、駆動回路が形成される領域を避けた領域に有機ＥＬ素子を設けていた。そうすると駆動回路が占める領域の分だけ有機ＥＬ素子の開口率が必然的に低下することになるが、本実施形態では光を透過する駆動回路１１を用いるとともに、平面視で有機ＥＬ素子３１を駆動回路１１に重ねて配置することにより、有機ＥＬ素子３１の開口率を向上させることができる。また駆動回路の一部を構成する主配線と、この主配線から分岐する副配線とはその厚みによって凹凸が生じるので、これらの配線が不透明な場合には、前述と同様の理由により、平面視で、配線に重ならないように有機ＥＬ素子を形成していたため、結果として有機ＥＬ素子の開口率が低下するとともに設計の自由度が低下していたが、光透過性を示す配線を用いることにより、平面視で、配線上に有機ＥＬ素子を形成することができ、開口率を向上させることができ、さらには設計の自由度を向上させることができる。
【実施例】
【０１３１】
以下の作製例１，２及び比較例１〜３では、所定の光学的特性を示すフィルムを最表面部に設けることにより、光取出し効率が制御できることを確認した。
【０１３２】
（作製例１）
透明な支持基板として３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板を用いた。スパッタリング法によって厚みが１５０ｎｍのＩＴＯ薄膜を支持基板の表面上に形成した。このＩＴＯ薄膜上にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを介して所定の領域を露光し、さらに洗浄することによって、所定のパターン形状の保護膜を形成した。さらにエッチングを施した後、水、ＮＭＰ（ｎ−ｍｅｔｈｙｌｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ）でリンスを施し、所定のパターン形状のＩＴＯ薄膜から成る陽極を形成した。次に陽極上のレジスト残渣を除去するために、酸素プラズマ処理を３０Ｗのエネルギーで２分間行い、ＵＶ／Ｏ3洗浄を２０分間行った。
【０１３３】
次にポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（スタルクヴィテック社製、商品名：ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＣＨ８０００）の懸濁液に、２段階の濾過を行い、正孔注入層用の溶液を得た。第１段階目の濾過には０．４５μｍ径のフィルターを用い、第２段階目の濾過には０．２μｍ径のフィルターを用いた。濾過して得られた溶液をスピンコートにより陽極上に塗布し、大気雰囲気下においてホットプレート上で２００℃、１５分間熱処理することによって、厚みが７０ｎｍの正孔注入層を形成した。
【０１３４】
次にＬｕｍａｔｉｏｎ  ＷＰ１３３０（ＳＵＭＡＴＩＯＮ製）とキシレンとを混合してキシレン溶液を調整した。キシレン溶液におけるＬｕｍａｔｉｏｎ  ＷＰ１３３０の濃度を１.２質量％とした。調整した溶液をスピンコート法によって正孔注入層上に塗布し、窒素雰囲気下においてホットプレート上で１３０℃、６０分間熱処理し、厚みが８０ｎｍの発光層を形成した。
【０１３５】
発光層が形成された支持基板を真空蒸着機に導入し、Ｂａ、Ａｌをそれぞれ５ｎｍ、８０ｎｍの厚みで順次蒸着し、陰極を形成した。なお真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
【０１３６】
次にフィルムを作製した。まずフィルム形成用の溶液を調製した。ポリカーボネート６．３２ｇをジクロロメタン２０．７ｇに溶解し、２３．４ｗｔ％の溶液を調製した。この溶液にフッ素系界面活性剤としてノベック（住友３Ｍ製）を混合し、フィルム形成用の溶液を得た。混合した溶液におけるノベックの濃度は０．８ｗｔ％とした。湿度８５％の恒温恒湿槽中において、得られたフィルム形成用の溶液をガラスの基台上にキャストした。なおフィルム形成用の溶液のキャスト量は、成膜後のフィルムの膜厚が１５０μｍ程度となるように調整した。湿度８５％の雰囲気中で５分間放置した後、窒素フローによりフィルムを乾燥し、表面に凹凸形状を有する２０ｍｍ×２０ｍｍのフィルム（フィルムＡ）を得た。
【０１３７】
次に支持基板の上記発光層が形成されている側の表面とは反対側の表面に、粘着剤としてグリセリンを塗布し、フィルムＡを貼り合せて有機ＥＬ素子を作製した。支持基板の屈折率は１．５０であり、粘着剤の屈折率は１．４５であり、フィルムＡの屈折率は１．５８である。またフィルムＡの平均膜厚は１５０μｍである。
【０１３８】
（作製例２）
作製例１の有機ＥＬ素子とはフィルムのみが異なる有機ＥＬ素子を作製した。本作製例２では、高いヘイズ値（８２）を示す市販品のフィルム（フィルムＢ）を用いた。フィルムＢは粘着層を有しているので、粘着剤などを用いずにそのまま支持基板に貼付けて有機ＥＬ素子を作製した。
【０１３９】
（比較例１）
作製例１の有機ＥＬ素子とはフィルムのみが異なる有機ＥＬ素子を作製した。フィルム形成用の溶液には、作製例１の溶液と同じものを用いた。湿度５０％の恒温恒湿槽中において、成膜後のフィルムの膜厚が２２０μｍ程度となるように、フィルム形成用の溶液をガラスの基台上にキャストした。湿度５０％の雰囲気中で５分間放置した後、窒素フローによりフィルムを乾燥し、２０ｍｍ×２０ｍｍのフィルム（フィルムＣ）を得た。作製例１と同じ粘着剤を用いて作製例１と同様にフィルムＣを支持基板に貼り付けて有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４０】
（比較例２）
作製例１の有機ＥＬ素子とはフィルムのみが異なる有機ＥＬ素子を作製した。フィルム形成用の溶液には作製例１の溶液と同じものを用いた。湿度８５％の恒温恒湿槽中において、成膜後のフィルムの膜厚が２２０μｍ程度となるように、フィルム形成用の溶液をガラスの基台上にキャストした。湿度８５％の雰囲気中で５分間放置した後、窒素フローによりフィルムを乾燥し、表面に凹凸形状を有する２０ｍｍ×２０ｍｍのフィルム（フィルムＤ）を得た。作製例１と同じ粘着剤を用いて作製例１と同様にフィルムＤを支持基板に貼り付けて有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４１】
（比較例３）
作製例１の有機ＥＬ素子とはフィルムのみが異なる有機ＥＬ素子を作製した。フィルム形成用の溶液には作製例１の溶液と同じものを用いた。湿度８５％の恒温恒湿槽中において、成膜後のフィルムの膜厚が３６０μｍ程度となるように、フィルム形成用の溶液をガラスの基台上にキャストした。湿度８５％の雰囲気中で５分間放置した後、窒素フローによりフィルムを乾燥し、表面に凹凸形状を有する２０ｍｍ×２０ｍｍのフィルム（フィルムＥ）を得た。作製例１と同じ粘着剤を用いて作製例１と同様にフィルムＥを支持基板に貼り付けて有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４２】
（フィルムの表面の観察）
作製例１，２および比較例１、２、３で用いたフィルムの表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。図４は作製例１において作製したフィルムＡの断面を模式的に示す図であり、図５は作製例２で用いたフィルムＢの断面を模式的に示す図であり、図６は比較例１において作製したフィルムＣの断面を模式的に示す図である。
【０１４３】
作製例１において作製したフィルムＡでは、フィルムの表面に平均直径が２μｍの半球状の凹面が形成されていることを確認した。フィルムＡの表面の全面に渡って凹面が形成されていることを確認した。
【０１４４】
作製例２に用いたフィルムＢでは、フィルムの表面が凹凸状に形成されていることを確認した。フィルムＢの表面の全面に渡って凹面が形成されていることを確認した。
【０１４５】
比較例１において作製したフィルムＣでは、表面に凹面が形成されずに、表面が平面であることを確認した。
【０１４６】
比較例２において作製したフィルムＤでは、フィルムの表面に、平均直径が３μｍの半球状の凹面が形成されていることを確認した。凹面の配置の規則性は比較的低かったが、フィルムＤの表面の全面に渡って凹面が形成されていることを確認した。
【０１４７】
比較例３において作製したフィルムＥでは、フィルムの表面に、平均直径が４μｍの半球状の凹面が形成されていることを確認した。凹面の配置の規則性は比較的低かったが、フィルムＥの表面の全面に渡って凹面が形成されていることを確認した。
【０１４８】
作製例１および比較例１、２、３においてフィルムを作製したときの湿度と、作製例１，２および比較例１、２、３で用いたフィルムの特性とを（表１）に示す。
【０１４９】
【表１】
2010276829.tif 000003
【０１５０】
（表１）に示すように、作製されるフィルムの膜厚と湿度とを制御することによって、高いヘイズ値のフィルムを作製できることが確認された。また作製されるフィルムの膜厚が厚くなると、凹面の径が大きくなることを確認した。
【０１５１】
（有機ＥＬ素子の光取出し効率）
作製例１，２および比較例１、２、３で作製したフィルムが貼り合わされた有機ＥＬ素子の光強度と、フィルムが貼り合わされていない有機ＥＬ素子の光強度とを比較した。フィルムが貼り合わされた有機ＥＬ素子の光強度を、フィルムが貼り合わされていない有機ＥＬ素子の光強度で割った光取出し効率の比を（表２）に示す。光強度は、有機ＥＬ素子に０．１５ｍＡの電流を流したときの光強度を測定した。
【０１５２】
【表２】
2010276829.tif 000004
【０１５３】
作製例１の有機ＥＬ素子はフィルムＡを貼り合せる前に比べて、光取出し効率が１．５倍上昇した。さらに作製例１のフィルムＡと光学的特性の近いフィルムＢが貼り合わされた作製例２の有機ＥＬ素子も、作製例１の有機ＥＬ素子と同様に、光取出し効率が大きく上昇した。しかしながら比較例１の有機ＥＬ素子に用いたフィルムＣは、表面がほぼ平面なため、光取出し効率の向上は見られなかった。また比較例２、３も、大きな光取出し効率の向上は見られなかった。
【０１５４】
このことから、全光線透過率が高く、ヘイズ値の高いフィルムが光取出し効率の向上に寄与していることが明らかとなった。特にフィルムのヘイズ値が７０以上になると、光取出し効率が大きく向上することがわかった。このように所定の光学特性を示すフィルムを設けることによって、光の取出し効率が向上することを確認した。
【符号の説明】
【０１５５】
１  表示装置
１１  駆動回路
１２  切替用Ｔｒ
１３  駆動用Ｔｒ
１４  コンデンサ
１４ａ  一方の平板
１４ｂ  他方の平板
１５  絶縁層
１７  平坦化膜
１９  半導体層
ＳＧ  ゲート電極
ＳＳ  ソース電極
ＳＤ  ドレイン電極
ＤＧ  ゲート電極
ＤＳ  ソース電極
ＤＤ  ドレイン電極
１６，１８，２０ａ，２０ｂ  スルーホール内配線部
２１  駆動基板
２２  基板本体
３１  有機ＥＬ素子
３２  第１電極
３３  第２電極
３４  １または複数の所定の層
４１  フィルム
５１  隔壁
【図１】
2010276829.tif 000005
【図２】
2010276829.tif 000006
【図３】
2010276829.tif 000007
【図４】
2010276829.tif 000008
【図５】
2010276829.tif 000009
【図６】
2010276829.tif 000010