(57)【要約】【課題】ＭＯＳＦＥＴとＳＢＤとを同じ基板に形成したＳｉＣ半導体装置において製造工程の簡略化を図る。【解決手段】外周領域のメサ構造部１４を構成するための凹部とＳＢＤ２０のコンタクト用トレンチ２１とを同じ工程で形成する。これにより、ＳＢＤ２０の形成工程の一部を他の部分の形成工程と同時に行うことが可能となり、ＳＢＤ２０を形成するためだけにのみ必要な工程を少なくできる。したがって、ＭＯＳＦＥＴとＳＢＤ２０とを同じ基板に形成するＳｉＣ半導体装置において、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。【選択図】図５
2010225615.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素からなる第１導電型の基板（１）と、
前記基板（１）の上に、該基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）とを有し、
セル領域において、前記ドリフト層（２）の上に形成された第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、前記ドリフト層（２）よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素にて構成されたソース領域（４）と、ゲート絶縁膜（８）を介して形成されたゲート電極（９）と、前記ソース領域（４）および前記ベース領域（３）に電気的に接続されるソース電極（１１）とを有してなるＭＯＳＦＥＴが備えられていると共に、
前記セル領域を囲む外周領域に、前記ベース領域（３）よりも深く、かつ、前記ドリフト層（２）に到達する凹部にて構成されたメサ構造部（１４）が備えられてなる炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記ベース領域（３）よりも深く、かつ、前記ドリフト層（２）に到達するコンタクト用トレンチ（２１）と前記メサ構造部（１４）を構成する前記凹部とを共に形成する工程と、
前記コンタクト用トレンチ（２１）内において前記ドリフト層（２）とショットキー接触させたショットキー電極（２２）を形成することにより、ショットキーバリアダイオード（２０）を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記コンタクト用トレンチ（２１）および前記凹部を形成する工程では、前記セル領域のうち前記ＭＯＳＦＥＴを囲む外縁部において、該ＭＯＳＦＥＴを囲んだ構造にて前記コンタクト用トレンチ（２１）を形成することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記外周領域において、前記ドリフト層（２）の表層部に、前記セル領域を囲む第２導電型のガードリング層（１６）を形成する工程と、
前記コンタクト用トレンチ（２１）の下部に第２導電型層（２３）を形成する工程と、を含み、
前記ガードリング層（１６）と前記第２導電型層（２３）とを同時に形成することを特徴とする請求項１または２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記セル領域において、前記ドリフト層（２）の表層部かつ前記ベース領域（３）の下方に、一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた部分を有する第２導電型のディープ層（１０）を形成する工程と、
前記コンタクト用トレンチ（２１）の下部に第２導電型層（２３）を形成する工程と、を含み、
前記ディープ層（１０）と前記第２導電型層（２３）とを同時に形成することを特徴とする請求項１または２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ＭＯＳＦＥＴに備えられる前記ゲート電極（９）は、一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた構造であり、
前記コンタクト用トレンチ（２１）および前記凹部を形成する工程では、前記セル領域のうち前記ＭＯＳＦＥＴに備えられる前記ゲート電極（９）同士の間に前記コンタクト用トレンチ（２１）を形成することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記コンタクト用トレンチ（２１）および前記凹部を形成する工程では、前記セル領域のうち前記ＭＯＳＦＥＴに備えられる前記ゲート電極（９）同士の間において、前記コンタクト用トレンチ（２１）を前記ゲート電極（９）と平行に形成することを特徴とする請求項５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記セル領域において、前記ドリフト層（２）の表層部かつ前記ベース領域（３）の下方に、前記ゲート電極（９）に対して交差する一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた部分を有する第２導電型のディープ層（１０）を形成する工程を含み、
前記コンタクト用トレンチ（２１）および前記凹部を形成する工程では、前記セル領域のうち前記ＭＯＳＦＥＴに備えられる前記ゲート電極（９）同士の間、かつ、前記ディープ層（１０）同士の間に、前記コンタクト用トレンチ（２１）を形成することを特徴とする請求項５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記セル領域において、前記ドリフト層（２）の表層部かつ前記ベース領域（３）の下方に、前記ゲート電極（９）に対して交差する一方向を長手方向とし、該長手方向において複数に分断されて配置された部分を有する第２導電型のディープ層（１０）を形成する工程を含み、
前記コンタクト用トレンチ（２１）および前記凹部を形成する工程では、前記セル領域のうち前記ＭＯＳＦＥＴに備えられる前記ゲート電極（９）同士の間において、前記コンタクト用トレンチ（２１）を前記ディープ層（１０）が分断された箇所を通る配置として形成することを特徴とする請求項５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記セル領域において、前記ドリフト層（２）の表層部かつ前記ベース領域（３）の下方に、前記ゲート電極（９）および前記コンタクト用トレンチ（２１）に対して交差する一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた部分を有する第２導電型のディープ層（１０）を形成する工程を含み、
該ディープ層（１０）を形成する工程では、該ディープ層（１０）のうち前記コンタクト用トレンチ（２１）と交差する部分の幅を前記ゲート電極（９）と交差する部分の幅よりも狭くすることを特徴とする請求項６に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記コンタクト用トレンチ（２１）を形成した後に、該コンタクト用トレンチ（２１）の側面に絶縁構造（２４）を形成する工程を含み、
前記絶縁構造（２４）を形成する工程の後で前記ショットキー電極（２２）を形成する工程を行い、該ショットキー電極（２２）を形成する工程では、前記ショットキー電極（２２）が前記コンタクト用トレンチ（２１）のうち前記絶縁構造（２４）よりも内側に配置されるようにすることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁構造（２４）を形成する工程は、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層（２４ａ）を形成する工程と、該Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層（２４ａ）の表面を熱酸化することで酸化膜（２４ｂ）を形成する工程とを含み、前記ゲート絶縁膜（８）を熱酸化にて形成すると共に、前記Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層（２４ａ）の表面の熱酸化を該ゲート絶縁膜（８）の熱酸化と同時に行うことを特徴とする請求項１０に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記コンタクト用トレンチ（２１）を形成する工程では、該コンタクト用トレンチ（２１）を部分的に深くする工程を含んでいることを特徴とする請求項１０または１１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記コンタクト用トレンチ（２１）を形成する前に、該コンタクト用トレンチ（２１）の開口部の周囲に第１導電型層（２５）を形成する工程を含み、
前記コンタクト用トレンチ（２１）を形成する工程では、該コンタクト用トレンチ（２１）を水素エッチングにて形成することで、前記第１導電型層（２５）に含まれる第１導電型不純物を拡散させ、前記コンタクト用トレンチ（２１）の側面に前記開口部の周囲に形成された第１導電型層（２５）よりも不純物濃度が低い第１導電型層（２６）を形成することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記コンタクト用トレンチ（２１）を形成する工程では、該コンタクト用トレンチ（２１）を深い部位とそれよりも浅い部位を有する二段構造とし、前記深い部位は前記ドリフト層（２）まで到達し、前記浅い部位は前記ベース領域（３）と接した構造とすることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
炭化珪素からなる第１導電型の基板（１）と、
前記基板（１）の上に、該基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）とを有し、
セル領域において、前記ドリフト層（２）の上に形成された第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、前記ドリフト層（２）よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素にて構成されたソース領域（４）と、ゲート絶縁膜（８）を介して形成されたゲート電極（９）と、前記ソース領域（４）および前記ベース領域（３）に電気的に接続されるソース電極（１１）とを有してなるＭＯＳＦＥＴが備えられていると共に、
前記セル領域を囲む外周領域に、前記ベース領域（３）よりも深く、かつ、前記ドリフト層（２）に到達する凹部にて構成されたメサ構造部（１４）が備えられてなる炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記メサ構造部（１４）を構成する前記凹部内に、前記ドリフト層（２）とショットキー接触させたショットキー電極（２２）を形成することにより、ショットキーバリアダイオード（２０）を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記メサ構造部（１４）における側壁面から前記凹部の底面に至る第２導電型のリサーフ層（１５）を形成する工程を含み、
前記リサーフ層（１５）を形成する工程では、前記リサーフ層（１５）を所定幅にわたって分断した二重リング構造として形成し、前記ショットキーバリアダイオード（２０）を形成する工程では、前記二重リング構造の間に前記ショットキー電極（２２）を配置することを特徴とする請求項１５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記メサ構造部（１４）における側壁面から前記凹部の底面に至る第２導電型のリサーフ層（１５）を形成する工程と、
前記外周領域において、前記ドリフト層（２）の表層部に、前記リサーフ層（１５）を囲む第２導電型のガードリング層（１６）を形成する工程とを含み、
前記ショットキーバリアダイオード（２０）を形成する工程では、前記リサーフ層（１５）と前記ガードリング層（１６）の間に前記ショットキー電極（２２）を配置することを特徴とする請求項１５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
炭化珪素からなる第１導電型の基板（１）と、
前記基板（１）の上に、該基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）とを有し、
セル領域において、前記ドリフト層（２）の上に形成され、第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、前記ドリフト層（２）よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素にて構成されたソース領域（４）と、ゲート絶縁膜（８）を介して形成されたゲート電極（９）と、前記ソース領域（４）および前記ベース領域（３）に電気的に接続されるソース電極（１１）とを有してなるＭＯＳＦＥＴが備えられていると共に、
前記セル領域を囲む外周領域に、前記ベース領域（３）よりも深く、かつ、前記ドリフト層（２）に到達する凹部にて構成されたメサ構造部（１４）が備えられてなる炭化珪素半導体装置であって、
前記ベース領域（３）よりも深く、かつ、前記ドリフト層（２）に到達し、前記メサ構造部（１４）を構成する前記凹部と同じ深さのコンタクト用トレンチ（２１）と、
前記コンタクト用トレンチ（２１）内に形成され、前記ドリフト層（２）とショットキー接触させたショットキー電極（２２）と、を有するショットキーバリアダイオード（２０）が備えられていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
【請求項１９】
前記ショットキーバリアダイオード（２０）は、前記セル領域のうち前記ＭＯＳＦＥＴを囲む外縁部において、該ＭＯＳＦＥＴを囲んだ構造とされていることを特徴とする請求項１８に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項２０】
前記外周領域において、前記ドリフト層（２）の表層部に、前記セル領域を囲む第２導電型のガードリング層（１６）が備えられており、
前記コンタクト用トレンチ（２１）の下部に、前記ガードリング層（１６）と同じ深さの第２導電型層（２３）が備えられていることを特徴とする請求項１８または１９に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項２１】
前記セル領域において、前記ドリフト層（２）の表層部かつ前記ベース領域（３）の下方に、一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた部分を有する第２導電型のディープ層（１０）が備えられており、
前記コンタクト用トレンチ（２１）の下部に、前記ディープ層（１０）と同じ深さの第２導電型層（２３）が備えられていることを特徴とする請求項１８または１９に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項２２】
前記ＭＯＳＦＥＴに備えられる前記ゲート電極（９）は、一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた構造であり、
前記セル領域のうち前記ＭＯＳＦＥＴに備えられる前記ゲート電極（９）同士の間に前記ショットキーバリアダイオード（２０）が配置されていることを特徴とする請求項１８に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項２３】
前記セル領域のうち前記ＭＯＳＦＥＴに備えられる前記ゲート電極（９）同士の間において、前記ショットキーバリアダイオード（２０）が前記ゲート電極（９）と平行に配置されていることを特徴とする請求項２２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項２４】
前記セル領域において、前記ドリフト層（２）の表層部かつ前記ベース領域（３）の下方に、前記ゲート電極（９）に対して交差する一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた部分を有する第２導電型のディープ層（１０）が備えられており、
前記セル領域のうち前記ＭＯＳＦＥＴに備えられる前記ゲート電極（９）同士の間、かつ、前記ディープ層（１０）同士の間に、前記ショットキーバリアダイオード（２０）が備えられていることを特徴とする請求項２２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項２５】
前記セル領域において、前記ドリフト層（２）の表層部かつ前記ベース領域（３）の下方に、前記ゲート電極（９）に対して交差する一方向を長手方向とし、該長手方向において複数に分断されて配置された部分を有する第２導電型のディープ層（１０）が備えられており、
前記セル領域のうち前記ＭＯＳＦＥＴに備えられる前記ゲート電極（９）同士の間において、前記ディープ層（１０）が分断された箇所を通って前記ショットキーバリアダイオード（２０）が備えられていることを特徴とする請求項２２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項２６】
前記セル領域において、前記ドリフト層（２）の表層部かつ前記ベース領域（３）の下方に、前記ゲート電極（９）および前記コンタクト用トレンチ（２１）に対して交差する一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた部分を有する第２導電型のディープ層（１０）が備えられており、
該ディープ層（１０）のうち前記コンタクト用トレンチ（２１）と交差する部分の幅が前記ゲート電極（９）と交差する部分の幅よりも狭くされていることを特徴とする請求項２３に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項２７】
前記コンタクト用トレンチ（２１）の側面に絶縁構造（２４）が形成されており、前記ショットキー電極（２２）が前記コンタクト用トレンチ（２１）のうち前記絶縁構造（２４）よりも内側に配置されていることを特徴とする請求項１８ないし２６のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項２８】
前記絶縁構造（２４）は、前記コンタクト用トレンチ（２１）の側面に配置されたＰｏｌｙ−Ｓｉ層（２４ａ）と、該Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層（２４ａ）の表面に形成された酸化膜（２４ｂ）を含んだ構造とされていることを特徴とする請求項２７に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項２９】
前記コンタクト用トレンチ（２１）が部分的に深くされていることを特徴とする請求項２７または２８に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項３０】
前記コンタクト用トレンチ（２１）の開口部の周囲に第１導電型層（２５）が形成されていると共に、該コンタクト用トレンチ（２１）の側面に前記開口部の周囲に形成された第１導電型層（２５）よりも不純物濃度が低い第１導電型層（２６）が形成されていることを特徴とする請求項１８ないし２６のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項３１】
前記コンタクト用トレンチ（２１）は、深い部位とそれよりも浅い部位を有する二段構造とされ、前記深い部位は前記ドリフト層（２）まで到達し、前記浅い部位は前記ベース領域（３）と接した構造とされていることを特徴とする請求項１８ないし２６のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項３２】
炭化珪素からなる第１導電型の基板（１）と、
前記基板（１）の上に、該基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）とを有し、
セル領域において、前記ドリフト層（２）の上に形成され、第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、前記ドリフト層（２）よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素にて構成されたソース領域（４）と、ゲート絶縁膜（８）を介して形成されたゲート電極（９）と、前記ソース領域（４）および前記ベース領域（３）に電気的に接続されるソース電極（１１）とを有してなるＭＯＳＦＥＴが備えられていると共に、
前記セル領域を囲む外周領域に、前記ベース領域（３）よりも深く、かつ、前記ドリフト層（２）に到達する凹部にて構成されたメサ構造部（１４）が備えられてなる炭化珪素半導体装置であって、
前記メサ構造部（１４）を構成する前記凹部内に、前記ドリフト層（２）とショットキー接触させたショットキー電極（２２）が備えられることにより、ショットキーバリアダイオード（２０）が備えられていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
【請求項３３】
前記メサ構造部（１４）における側壁面から前記凹部の底面に至る第２導電型のリサーフ層（１５）を有し、該リサーフ層（１５）は、所定幅にわたって分断された二重リング構造とされ、前記ショットキーバリアダイオード（２０）が前記二重リング構造の間に配置されていることを特徴とする請求項３２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項３４】
前記メサ構造部（１４）における側壁面から前記凹部の底面に至る第２導電型のリサーフ層（１５）と、
前記外周領域において、前記ドリフト層（２）の表層部に、前記リサーフ層（１５）を囲む第２導電型のガードリング層（１６）とを備え、
前記リサーフ層（１５）と前記ガードリング層（１６）の間に前記ショットキーバリアダイオード（２０）が配置されていることを特徴とする請求項３２に記載の炭化珪素半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＯＳＦＥＴとショットキーダイオードを有する炭化珪素（以下、ＳｉＣという）半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
環境意識の高まりの中で、電気でモータを動かす電気自動車、もしくは、ハイブリットカーへの期待が高まっている。モータには直流モータと交流モータがあるが、ブラシレスにできる等の利点より、自動車の駆動のためには交流モータを用いた方が効率良い。しかしながら、自動車に備え付けられたバッテリーから流れる電流は直流であるので、直流を交流に直すインバータが必要である。図１９は、最も簡単な単層インバータにて負荷を交流駆動する場合の回路図である。
【０００３】
図１９において、スイッチＳ１、Ｓ４をオン、スイッチＳ２、Ｓ３をオフにした後、スイッチＳ１、Ｓ４をオフ、スイッチＳ２、Ｓ３をオンにするという動作をＴ／２周期で繰り返すと、図２０の波形が生成される。これがインバータの原理である。ここで、従来はスイッチＳ１〜Ｓ４をシリコンのＭＯＳトランジスタで作製していたが、シリコンの代わりにＳｉＣで作製することが検討されている。ＳｉＣは破壊電界強度が高い上に高温動作可能なので、ＳｉＣを用いることにより、トランジスタを小さくできるでけでなく、冷却装置を小型化できるため、インバータの小型化、低コスト化を図ることが可能となる。
【０００４】
図２１は、スイッチＳ１〜Ｓ４をトランジスタに置き換えたときの回路図である。この回路によって図２０の波形を生成するには、スイッチＳ１〜Ｓ４を構成するトランジスタのゲートＧ１〜Ｇ４に対して図２２のような波形で電圧を印加する。
【０００５】
ただし、実際の負荷であるモータはＬ成分が大きいため、負荷にかかる電圧、電流の推移は、図２３（ａ）のようなＬ成分を考慮していないときの波形と異なり、図２３（ｂ）のように立上り・立下りがＬ成分による時定数に応じて遅れた波形になる。モータのＬ成分のためにモータに正の電圧が印加されたとしても、しばらくは逆方向に電流が流れる。また、モータに負の電圧が印加された場合にも、しばらくは逆方向の電流が流れる。この電流のエネルギーを直流電源に帰還させるために、図２４のように各スイッチＳ１〜Ｓ４を構成するトランジスタのソース−ドレイン間に並列にダイオードＤ１〜Ｄ４を接続している。
【０００６】
これらのダイオードＤ１〜Ｄ４は高速で応答することが必要であり、ＰＮダイオードでは少数キャリアを制御するため応答時間に問題がある。このため、ＰＮダイオードの代わりに、ショットキーバリアで電位障壁をつくるＳＢＤ（ショットキー・バリア・ダイオード）もしくは、ＳＢＤとＰＮダイオードの組み合わせであるＪＢＳを用いることで、応答速度の問題は解決する。
【０００７】
半導体と金属の仕事関数の関係より、シリコンより、ＳｉＣのほうがＳＢＤ、ＪＢＳを作り易い。また、ＭＯＳトランジスタと同様、高耐圧、高温動作可能なことより、ＪＢＳもＳｉＣで作製することが望ましい。しかし、ＭＯＳトランジスタとダイオードをＳｉＣでつくると部品点数が多くなり、高コストになる。
【０００８】
そのため、ＭＯＳＦＥＴとＳＢＤを同じ基板に同時に作製するという試みがある。例えば、特許文献１では、トレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴと共にＳＢＤを備えた構造としている。具体的には、ＭＯＳＦＥＴのトレンチゲートがｎ+型ソース領域、ｐ型ベース領域を貫通して、ｎ型ドリフト層まで到達した構造にすると共に、ＳＢＤのアノードコンタクト用のトレンチをＭＯＳＦＥＴのトレンチゲートよりも深く、かつ、ｐ型ベース領域を貫通してｎ型ドリフト層まで到達した構造とし、アノード電極をｎ型ドリフト層に直接接続させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平０８−２０４１７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１のような構造の場合、ＳＢＤのアノードコンタクト用のトレンチを形成するためだけに別途エッチング工程が必要になるなど、ＳＢＤの製造のみに新たな工程が必要となる。このため、製造工程の簡略化、製造コストの低減が望まれる。
【００１１】
本発明は上記点に鑑みて、ＭＯＳＦＥＴとＳＢＤとを同じ基板に形成したＳｉＣ半導体装置において製造工程の簡略化が図れるＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、ベース領域（３）よりも深く、かつ、ドリフト層（２）に到達するコンタクト用トレンチ（２１）とメサ構造部（１４）を構成する凹部とを共に形成する工程と、コンタクト用トレンチ（２１）内においてドリフト層（２）とショットキー接触させたショットキー電極（２２）を形成することにより、ＳＢＤ（２０）を形成する工程と、を含んでいることを特徴としている。
【００１３】
このように、外周領域のメサ構造部（１４）を構成するための凹部とＳＢＤ（２０）のコンタクト用トレンチ（２１）とを同じ工程で形成するようにしている。このため、ＳＢＤ（２０）の形成工程の一部を他の部分の形成工程と同時に行うことが可能となり、ＳＢＤ（２０）を形成するためだけにのみ必要な工程を少なくできる。これにより、ＭＯＳＦＥＴとＳＢＤ（２０）とを同じ基板に形成するＳｉＣ半導体装置において、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【００１４】
例えば、請求項２に記載したように、コンタクト用トレンチ（２１）および凹部を形成する工程では、セル領域のうちＭＯＳＦＥＴを囲む外縁部において、該ＭＯＳＦＥＴを囲んだ構造にてコンタクト用トレンチ（２１）を形成することができる。
【００１５】
請求項３に記載の発明では、外周領域において、ドリフト層（２）の表層部に、セル領域を囲む第２導電型のガードリング層（１６）を形成する工程と、コンタクト用トレンチ（２１）の下部に第２導電型層（２３）を形成する工程と、を含み、ガードリング層（１６）と第２導電型層（２３）とを同時に形成することを特徴としている。
【００１６】
このように、ＳＢＤ（２０）の下方にショットキー電極（２２）と接触する第２導電型層（２３）を形成することにより、ＪＢＳを構成することが可能となる。これにより、第２導電型層（２３）から伸びる空乏層によって耐圧を向上させることができる。また、このような第２導電型層（２３）をガードリング層（１６）と同時に形成しているため、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【００１７】
請求項４に記載の発明では、セル領域において、ドリフト層（２）の表層部かつベース領域（３）の下方に、一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた部分を有する第２導電型のディープ層（１０）を形成する工程と、コンタクト用トレンチ（２１）の下部に第２導電型層（２３）を形成する工程と、を含み、ディープ層（１０）と第２導電型層（２３）とを同時に形成することを特徴としている。
【００１８】
このように、請求項３に記載したガードリング層（１６）に代えてディープ層（１０）と共に第２導電型層（２３）を形成することもできる。
【００１９】
請求項５に記載の発明では、ＭＯＳＦＥＴに備えられるゲート電極（９）は、一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた構造であり、コンタクト用トレンチ（２１）および凹部を形成する工程では、セル領域のうちＭＯＳＦＥＴに備えられるゲート電極（９）同士の間にコンタクト用トレンチ（２１）を形成することを特徴としている。
【００２０】
このように、ＳＢＤ（２０）をゲート電極（９）の間に配置しても良い。この場合にも、ＳＢＤ（２０）におけるコンタクト用トレンチ（２１）をメサ構造部（１４）を構成するための凹部と同時に形成することにより、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【００２１】
この場合、請求項６に記載したように、コンタクト用トレンチ（２１）および凹部を形成する工程では、セル領域のうちＭＯＳＦＥＴに備えられるゲート電極（９）同士の間において、コンタクト用トレンチ（２１）をゲート電極（９）と平行に形成するようにしても良い。
【００２２】
また、請求項７に記載したように、セル領域において、ドリフト層（２）の表層部かつベース領域（３）の下方に、ゲート電極（９）に対して交差する一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた部分を有する第２導電型のディープ層（１０）を形成する場合、コンタクト用トレンチ（２１）および凹部を形成する工程では、セル領域のうちＭＯＳＦＥＴに備えられるゲート電極（９）同士の間、かつ、ディープ層（１０）同士の間に、コンタクト用トレンチ（２１）を形成するようにしても良い。
【００２３】
さらに、請求項８に記載したように、セル領域において、ドリフト層（２）の表層部かつベース領域（３）の下方に、ゲート電極（９）に対して交差する一方向を長手方向とし、該長手方向において複数に分断されて配置された部分を有する第２導電型のディープ層（１０）を形成する場合、コンタクト用トレンチ（２１）および凹部を形成する工程では、セル領域のうちＭＯＳＦＥＴに備えられるゲート電極（９）同士の間において、コンタクト用トレンチ（２１）をディープ層（１０）が分断された箇所を通る配置として形成することもできる。
【００２４】
また、請求項９に記載したように、セル領域において、ドリフト層（２）の表層部かつベース領域（３）の下方に、ゲート電極（９）およびコンタクト用トレンチ（２１）に対して交差する一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた部分を有する第２導電型のディープ層（１０）を形成する場合、該ディープ層（１０）を形成する工程では、該ディープ層（１０）のうちコンタクト用トレンチ（２１）と交差する部分の幅をゲート電極（９）と交差する部分の幅よりも狭くしても良い。
【００２５】
請求項１０に記載の発明では、コンタクト用トレンチ（２１）を形成した後に、該コンタクト用トレンチ（２１）の側面に絶縁構造（２４）を形成する工程を含み、絶縁構造（２４）を形成する工程の後でショットキー電極（２２）を形成する工程を行い、該ショットキー電極（２２）を形成する工程では、ショットキー電極（２２）がコンタクト用トレンチ（２１）のうち絶縁構造（２４）よりも内側に配置されるようにすることを特徴としている。
【００２６】
このように、ショットキー電極（２２）をベース領域（３）から離間させることにより、ショットキー電極（２２）がベース領域（３）の電位に影響を与えることを抑制でき、ＭＯＳＦＥＴの誤動作を防止することが可能となる。
【００２７】
例えば、請求項１１に記載したように、絶縁構造（２４）を形成する工程は、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層（２４ａ）を形成する工程と、該Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層（２４ａ）の表面を熱酸化することで酸化膜（２４ｂ）を形成する工程とを含んだ工程にて行われるが、ゲート絶縁膜（８）を熱酸化にて形成すると共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層（２４ａ）の表面の熱酸化を該ゲート絶縁膜（８）の熱酸化と同時に行うようにすれば、より製造工程の簡略化を図ることができる。
【００２８】
請求項１２に記載の発明では、コンタクト用トレンチ（２１）を形成する工程では、該コンタクト用トレンチ（２１）を部分的に深くする工程を含んでいることを特徴としている。
【００２９】
このように、コンタクト用トレンチ（２１）を部分的に深くすることにより、ショットキー電極（２２）とドリフト層（２）との接触面積を広く取ることが可能となり、ＳＢＤ（２０）の実効面積を増大することが可能となる。
【００３０】
請求項１３に記載の発明では、コンタクト用トレンチ（２１）を形成する前に、該コンタクト用トレンチ（２１）の開口部の周囲に第１導電型層（２５）を形成する工程を含み、コンタクト用トレンチ（２１）を形成する工程では、該コンタクト用トレンチ（２１）を水素エッチングにて形成することで、第１導電型層（２５）に含まれる第１導電型不純物を拡散させ、コンタクト用トレンチ（２１）の側面に開口部の周囲に形成された第１導電型層（２５）よりも不純物濃度が低い第１導電型層（２６）を形成することを特徴としている。
【００３１】
このように、コンタクト用トレンチ（２１）の形成前に、コンタクト用トレンチ（２１）の開口部の周囲となる予定の領域に第１導電型層（２５）を形成しておけば、コンタクト用トレンチ（２１）を水素エッチングにより形成することで、第１導電型層（２５）内の不純物が拡散してそれよりも不純物濃度が低い第１導電型層（２６）をコンタクト用トレンチ（２１）の側面に形成することができる。これにより、コンタクト用トレンチ（２１）の側面でもショットキー電極（２２）とショットキー接触させられるため、ＳＢＤ（２０）の実効面積を増やすことが可能となる。
【００３２】
請求項１４に記載の発明では、コンタクト用トレンチ（２１）を形成する工程では、該コンタクト用トレンチ（２１）を深い部位とそれよりも浅い部位を有する二段構造とし、深い部位はドリフト層（２）まで到達し、浅い部位はベース領域（３）と接した構造とすることを特徴としている。
【００３３】
このように、ショットキー電極（２２）を二段構造とすれば、コンタクト用トレンチ（２１）のうちの深い部位ではドリフト層（２）とショットキー接触させられ、浅い部位ではベース領域（３）と接触させられる。これにより、ショットキー電極（２２）のうちベース領域（３）と接触させられた場所では、ＰＮダイオードを構成することができる。したがって、反応速度が速いが大電流を流せないＳＢＤ（２０）と、反応速度が悪いが大電流を流せるＰＮダイオードを組み合わせることが可能となり、反応速度が早く、かつ、大電流を流せるダイオード構造にできる。
【００３４】
請求項１５に記載の発明では、メサ構造部（１４）を構成する凹部内に、ドリフト層（２）とショットキー接触させたショットキー電極（２２）を形成することにより、ＳＢＤ（２０）を形成する工程と、を含んでいることを特徴としている。
【００３５】
このように、ＳＢＤ（２０）をメサ構造部（１４）の内部に形成することもできる。このようにしても、メサ構造部（１４）を構成するための凹部と共にＳＢＤ（２０）のショットキー電極（２２）のコンタクトを取る部分も形成されるため、請求項１と同様、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【００３６】
この場合、請求項１６に記載したように、メサ構造部（１４）における側壁面から凹部の底面に至る第２導電型のリサーフ層（１５）が所定幅にわたって分断された二重リング構造として形成し、二重リング構造の中にショットキー電極（２２）を配置することができる。また、請求項１７に記載したように、外周領域において、ドリフト層（２）の表層部に、リサーフ層（１５）を囲む第２導電型のガードリング層（１６）を形成するのであれば、リサーフ層（１５）とガードリング層（１６）の間にショットキー電極（２２）を配置することもできる。
【００３７】
請求項１８に記載の発明では、ベース領域（３）よりも深く、かつ、ドリフト層（２）に到達し、メサ構造部（１４）を構成する凹部と同じ深さのコンタクト用トレンチ（２１）と、コンタクト用トレンチ（２１）内に形成され、ドリフト層（２）とショットキー接触させたショットキー電極（２２）と、を有するＳＢＤ（２０）が備えられていることを特徴としている。
【００３８】
このように、外周領域のメサ構造部（１４）を構成するための凹部とＳＢＤ（２０）のコンタクト用トレンチ（２１）とが同じ深さのものは、同時に形成される。したがって、ＳＢＤ（２０）の形成工程の一部を他の部分の形成工程と同時に行うことが可能な構造となり、ＳＢＤ（２０）を形成するためだけにのみ必要な工程を少なくできる。これにより、ＭＯＳＦＥＴとＳＢＤ（２０）とを同じ基板に形成するＳｉＣ半導体装置において、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【００３９】
例えば、請求項１９に記載したように、ＳＢＤ（２０）は、セル領域のうちＭＯＳＦＥＴを囲む外縁部において、該ＭＯＳＦＥＴを囲んだ構造とされる。
【００４０】
請求項２０に記載の発明では、外周領域において、ドリフト層（２）の表層部に、セル領域を囲む第２導電型のガードリング層（１６）が備えられており、コンタクト用トレンチ（２１）の下部に、ガードリング層（１６）と同じ深さの第２導電型層（２３）が備えられていることを特徴としている。
【００４１】
このように、ＳＢＤ（２０）の下方にショットキー電極（２２）と接触する第２導電型層（２３）を形成することにより、ＪＢＳを構成することが可能となる。これにより、第２導電型層（２３）から伸びる空乏層によって耐圧を向上させることができる。
【００４２】
請求項２１に記載の発明では、セル領域において、ドリフト層（２）の表層部かつベース領域（３）の下方に、一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた部分を有する第２導電型のディープ層（１０）が備えられており、コンタクト用トレンチ（２１）の下部に、ディープ層（１０）と同じ深さの第２導電型層（２３）が備えられていることを特徴としている。
【００４３】
このように、請求項２０に記載したガードリング層（１６）に代えてディープ層（１０）と共に第２導電型層（２３）を形成することもできる。
【００４４】
また、請求項２２に記載したように、ＭＯＳＦＥＴに備えられるゲート電極（９）が一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた構造である場合、セル領域のうちＭＯＳＦＥＴに備えられるゲート電極（９）同士の間にＳＢＤ（２０）が配置された構造とすることもできる。
【００４５】
この場合、請求項２３に記載したように、セル領域のうちＭＯＳＦＥＴに備えられるゲート電極（９）同士の間において、ＳＢＤ（２０）がゲート電極（９）と平行に配置されるようにすることができる。
【００４６】
また、請求項２４に記載したように、セル領域において、ドリフト層（２）の表層部かつベース領域（３）の下方に、ゲート電極（９）に対して交差する一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた部分を有する第２導電型のディープ層（１０）が備えられる場合、セル領域のうちＭＯＳＦＥＴに備えられるゲート電極（９）同士の間、かつ、ディープ層（１０）同士の間に、ＳＢＤ（２０）が備えられるようにすることができる。
【００４７】
さらに、請求項２５に記載したように、セル領域において、ドリフト層（２）の表層部かつベース領域（３）の下方に、ゲート電極（９）に対して交差する一方向を長手方向とし、該長手方向において複数に分断されて配置された部分を有する第２導電型のディープ層（１０）が備えられる場合、セル領域のうちＭＯＳＦＥＴに備えられるゲート電極（９）同士の間において、ディープ層（１０）が分断された箇所を通ってＳＢＤ（２０）が備えられるようにすることもできる。
【００４８】
また、請求項２６に記載したように、セル領域において、ドリフト層（２）の表層部かつベース領域（３）の下方に、ゲート電極（９）およびコンタクト用トレンチ（２１）に対して交差する一方向に延設されると共に複数本がストライプ状に並べられた部分を有する第２導電型のディープ層（１０）が備えられる場合、該ディープ層（１０）のうちコンタクト用トレンチ（２１）と交差する部分の幅がゲート電極（９）と交差する部分の幅よりも狭くされるようにしても良い。
【００４９】
請求項２７に記載の発明では、コンタクト用トレンチ（２１）の側面に絶縁構造（２４）が形成されており、ショットキー電極（２２）がコンタクト用トレンチ（２１）のうち絶縁構造（２４）よりも内側に配置されていることを特徴としている。
【００５０】
このように、ショットキー電極（２２）をベース領域（３）から離間させることにより、ショットキー電極（２２）がベース領域（３）の電位に影響を与えることを抑制でき、ＭＯＳＦＥＴの誤動作を防止することが可能となる。
【００５１】
例えば、請求項２８に記載したように、絶縁構造（２４）は、コンタクト用トレンチ（２１）の側面に配置されたＰｏｌｙ−Ｓｉ層（２４ａ）と、該Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層（２４ａ）の表面に形成された酸化膜（２４ｂ）を含んだ構造とされる。
【００５２】
請求項２９に記載の発明では、コンタクト用トレンチ（２１）が部分的に深くされていることを特徴としている。
【００５３】
このように、コンタクト用トレンチ（２１）を部分的に深くすることにより、ショットキー電極（２２）とドリフト層（２）との接触面積を広く取ることが可能となり、ＳＢＤ（２０）の実効面積を増大することが可能となる。
【００５４】
請求項３０に記載の発明では、コンタクト用トレンチ（２１）の開口部の周囲に第１導電型層（２５）が形成されていると共に、該コンタクト用トレンチ（２１）の側面に開口部の周囲に形成された第１導電型層（２５）よりも不純物濃度が低い第１導電型層（２６）が形成されていることを特徴としている。
【００５５】
このような構造では、コンタクト用トレンチ（２１）の側面でもショットキー電極（２２）とショットキー接触させられるため、ＳＢＤ（２０）の実効面積を増やすことが可能となる。
【００５６】
請求項３１に記載の発明では、コンタクト用トレンチ（２１）は、深い部位とそれよりも浅い部位を有する二段構造とされ、深い部位はドリフト層（２）まで到達し、浅い部位はベース領域（３）と接した構造とされていることを特徴としている。
【００５７】
このように、ショットキー電極（２２）を二段構造とすれば、コンタクト用トレンチ（２１）のうちの深い部位ではドリフト層（２）とショットキー接触させられ、浅い部位ではベース領域（３）と接触させられる。これにより、ショットキー電極（２２）のうちベース領域（３）と接触させられた場所では、ＰＮダイオードを構成することができる。したがって、反応速度が速いが大電流を流せないＳＢＤ（２０）と、反応速度が悪いが大電流を流せるＰＮダイオードを組み合わせることが可能となり、反応速度が早く、かつ、大電流を流せるダイオード構造にできる。
【００５８】
請求項３２に記載の発明では、メサ構造部（１４）を構成する凹部内に、ドリフト層（２）とショットキー接触させたショットキー電極（２２）が備えられることにより、ＳＢＤ（２０）を形成されていることを特徴としている。
【００５９】
このように、ＳＢＤ（２０）をメサ構造部（１４）の内部に形成することもできる。このようにしても、メサ構造部（１４）を構成するための凹部と共にＳＢＤ（２０）のショットキー電極（２２）のコンタクトを取る部分も形成されるため、請求項１８と同様の効果を得ることができる。
【００６０】
この場合、請求項３３に記載したように、メサ構造部（１４）における側壁面から凹部の底面に至る第２導電型のリサーフ層（１５）を所定幅にわたって分断された二重リング構造とし、ＳＢＤ（２０）が二重リング構造の中に配置されるようにすることができる。また、請求項３４に記載したように、外周領域において、ドリフト層（２）の表層部に、リサーフ層（１５）を囲む第２導電型のガードリング層（１６）を形成するのであれば、リサーフ層（１５）とガードリング層（１６）の間にＳＢＤ（２０）を配置することもできる。
【００６１】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴを備えたＳｉＣ半導体装置の正面レイアウト図である。
【図２】図１に示す反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴの１セル分の斜視断面図である。
【図３−ａ】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図３−ｂ】図２のＢ−Ｂ断面図である。
【図３−ｃ】図２のＣ−Ｃ断面図である。
【図３−ｄ】図２のＤ−Ｄ断面図である。
【図４】（ａ）は、図１のＥ−Ｅ’断面図であり、（ｂ）は、図１のＦ−Ｆ’断面図である。
【図５】図１に示すトレンチゲート型のＭＯＳＦＥＴとＳＢＤを備えたＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴとＳＢＤを備えたＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図７】第２実施形態の変形例で説明するＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態にかかる反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴとＳＢＤを備えたＳｉＣ半導体装置の正面レイアウト図である。
【図９】（ａ）は、図８のＧ−Ｇ’断面図、（ｂ）は、図８のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１０】第３実施形態の変形例で説明するＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態にかかる反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴとＳＢＤを備えたＳｉＣ半導体装置の正面レイアウト図である。
【図１２】（ａ）は、図１１のＩ−Ｉ’断面図、（ｂ）は、図１１のＪ−Ｊ’断面図である。
【図１３】第４実施形態の変形例で説明するＳｉＣ半導体装置のレイアウト図である。
【図１４】本発明の第５実施形態にかかる反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴとＳＢＤを備えたＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図１５】第５実施形態の変形例で説明するＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図１６】本発明の第６実施形態にかかる反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴとＳＢＤを備えたＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図１７】本発明の第７実施形態にかかる反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴとＳＢＤを備えたＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図１８】他の実施形態で説明する反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴとＳＢＤを備えたＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図１９】単層インバータにて負荷を交流駆動する場合の回路図である。
【図２０】図１９の回路構成にて負荷を交流駆動する時の負荷電圧波形を示した図である。
【図２１】スイッチをトランジスタで構成したときの単層インバータの回路図である。
【図２２】図２１の回路構成にて負荷を交流駆動する時の各トランジスタのゲート電圧波形を示した図である。
【図２３】図２１の回路構成にて負荷を交流駆動する時の負荷電圧を示した図である。
【図２４】スイッチを構成するトランジスタのソース−ドレイン間に並列にダイオードを接続したときの単層インバータの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００６３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００６４】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態にかかる反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴとＳＢＤを備えたＳｉＣ半導体装置の正面レイアウト図である。なお、図１は断面図ではないが、図を見易くするために、部分的にハッチングを示してある。
【００６５】
また、図２は、図１の破線で囲んだ領域ＲａにおいてＭＯＳＦＥＴの１セル分を抽出した斜視断面図である。また、図３−ａ〜図３−ｄは、図２のＭＯＳＦＥＴの断面図であり、図３−ａは、図２中のＡ−Ａ線においてｘｚ平面と平行に切断したときの断面、図３−ｂは、図２中のＢ−Ｂ線においてｘｚ平面と平行に切断したときの断面、図３−ｃは、図２中のＣ−Ｃ線においてｙｚ平面と平行に切断したときの断面、図３−ｄは、図２中のＤ−Ｄ線においてｙｚ平面と平行に切断したときの断面である。
【００６６】
図１に示されるように、ＳｉＣ半導体装置は、ＭＯＳＦＥＴが形成されたセル領域と、セル領域を囲むように外周耐圧構造が形成された外周領域とを有して構成されている。
【００６７】
図２および図３−ａ〜図３−ｄに示すように、ｎ+型基板１が半導体基板として用いられいる。このｎ+型基板１は、リン等のｎ型不純物濃度が例えば１．０×１０19／ｃｍ3で厚さ３００μｍ程度、かつ、主表面がＳｉ面（つまり基板垂直方向が［０００１］面の方位）のＳｉＣからなる。このｎ+型基板１の表面にリン等のｎ型不純物濃度が例えば３．０〜７．０×１０15／ｃｍ3で厚さ１０〜１５μｍ程度のＳｉＣからなるｎ-型ドリフト層２が形成されている。このｎ-型ドリフト層２の不純物濃度は深さ方向において一定であっても良いが、濃度分布に傾斜を付け、ｎ-型ドリフト層２のうちｎ+型基板１側の方がｎ+型基板１から離れる側よりも高濃度となるようにすると好ましい。例えば、ｎ-型ドリフト層２のうちｎ+型基板１の表面から３〜５μｍ程度の部分の不純物濃度が２．０×１０15／ｃｍ3程度他の部分よりも高くなるようにすると良い。このようにすると、ｎ-型ドリフト層２の内部抵抗を低減できるため、オン抵抗を低減することが可能となる。
【００６８】
このｎ-型ドリフト層２の表層部にはｐ型ベース領域３が形成されていると共に、このｐ型ベース領域３の上層部分にｎ+型ソース領域４およびｐ+型コンタクト層５が形成されている。
【００６９】
ｐ型ベース領域３は、ボロンもしくはアルミニウム等のｐ型不純物濃度が例えば５．０×１０15〜５．０×１０16／ｃｍ3厚さ２．０μｍ程度で構成されている。ｎ+型ソース領域４は、表層部におけるリン等のｎ型不純物濃度（表面濃度）が例えば１．０×１０21／ｃｍ3、厚さ０．３μｍ程度で構成されている。ｐ+型コンタクト層５は、例えば表層部におけるボロンもしくはアルミニウム等のｐ型不純物濃度（表面濃度）が例えば１．０×１０21／ｃｍ3、厚さ０．３μｍ程度で構成されている。
【００７０】
ｎ+型ソース領域４は、後述するトレンチゲート構造の両側に配置されており、ｐ+型コンタクト層５は、ｎ+型ソース領域４を挟んでトレンチゲート構造と反対側に備えられている。
【００７１】
また、ｐ型ベース領域３およびｎ+型ソース領域４を貫通してｎ-型ドリフト層２に達し、例えば幅が１．４〜２．０μｍ、深さが２．０μｍ以上（例えば２．４μｍ）となるようにトレンチ６が形成されている。このトレンチ６の側面と接するように上述したｐ型ベース領域３およびｎ+型ソース領域４が配置されている。
【００７２】
さらに、トレンチ６の表面はゲート酸化膜８にて覆われており、ゲート酸化膜８の表面に形成されたドープトＰｏｌｙ−Ｓｉにて構成されたゲート電極９により、トレンチ６内が埋め尽くされている。ゲート酸化膜８は、トレンチ６の内壁表面を熱酸化することで形成されており、ゲート酸化膜８の厚みはトレンチ６の側面側と底部側共に例えば１００ｎｍ程度となっている。
【００７３】
このようにして、トレンチゲート構造が構成されている。このトレンチゲート構造は、図２中のｙ方向を長手方向として延設されている。そして、複数のトレンチゲート構造が図２中のｘ方向に平行に並べられることにより、図１に示されるようにストライプ状の構造とされている。また、上述したｎ+型ソース領域４およびｐ+型コンタクト層５もトレンチゲート構造の長手方向に沿って延設された構造とされている。
【００７４】
さらに、ｎ-型ドリフト層２のうちｐ型ベース領域３よりも下方位置において、トレンチゲート構造におけるトレンチ６の側面のうちチャネル領域が構成される部分に対する法線方向（図２中のｘ方向）、つまりトレンチ６の長手方向に対する垂直方向、かつ、基板平面に平行方向に延設されたｐ型ディープ層１０が備えられている。ｐ型ディープ層１０は、トレンチ６の底部よりも深くされており、ｎ-型ドリフト層２の表面からの深さが例えば２．６〜３．０μｍ程度（ｐ型ベース領域３の底部からの深さが例えば０．６〜１．０μｍ）とされている。また、ｐ型ディープ層１０の幅（図２中のｙ方向寸法）は、０．６〜１．０μｍとされている。このｐ型ディープ層１０におけるボロンもしくはアルミニウム等のｐ型不純物濃度は、１．０×１０17／ｃｍ3〜１．０×１０19／ｃｍ3、例えば５．０×１０17／ｃｍ3とされている。このｐ型ディープ層１０は、セル領域の内周部ではトレンチゲート構造の長手方向に沿って複数本平行に並べられることでストライプ状に配置されており、隣り合うｐ型ディープ層１０同士の間隔は、例えば１．５〜３μｍとされている。そして、ｐ型ディープ層１０は、セル領域の外縁部では、トレンチ６の外周まで延設されたのち、所定幅にわたって分断され、さらにその外側において外周領域に至るまで形成されている。
【００７５】
なお、セル領域の外縁部、つまりアクティブではない部分までｐ型ディープ層１０の上方にｐ型ベース領域３およびｐ+型コンタクト層５が形成されており、そのアクティブでない部分においてもｐ+型コンタクト層５にソース電極１１が電気的に接続された構造とされている。
【００７６】
また、ｎ+型ソース領域４およびｐ+型コンタクト層５の表面やゲート電極９の表面には、ソース電極１１やゲート配線（図示せず）が形成されている。ソース電極１１およびゲート配線は、複数の金属（例えばＮｉ／Ａｌ等）にて構成されており、少なくともｎ型ＳｉＣ（具体的にはｎ+型ソース領域４やｎドープの場合のゲート電極９）と接触する部分はｎ型ＳｉＣとオーミック接触可能な金属で構成され、少なくともｐ型ＳｉＣ（具体的にはｐ+型コンタクト層５やｐドープの場合のゲート電極９）と接触する部分はｐ型ＳｉＣとオーミック接触可能な金属で構成されている。なお、これらソース電極１１およびゲート配線は、層間絶縁膜１２上に形成されることで電気的に絶縁されており、層間絶縁膜１２に形成されたコンタクトホールを通じてソース電極１１はｎ+型ソース領域４およびｐ+型コンタクト層５と電気的に接触させられ、ゲート配線はゲート電極９と電気的に接触させられている。
【００７７】
そして、ｎ+型基板１の裏面側にはｎ+型基板１と電気的に接続されたドレイン電極１３が形成されている。このような構造により、ｎチャネルタイプの蓄積型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴが構成されている。
【００７８】
一方、セル領域のうちＭＯＳＦＥＴを囲んでいる外縁部や外周領域は、以下のように構成されている。図４（ａ）は、図１のＥ−Ｅ’断面図、図４（ｂ）は、図１のＦ−Ｆ’断面図である。
【００７９】
図４（ａ）、（ｂ）に示されるように、セル領域のうちＭＯＳＦＥＴを囲んでいる外縁部、つまりセル領域のうちＭＯＳＦＥＴより外周に位置し、かつ、外周領域よりも内側において、ＳＢＤ２０が形成されている。上述したように、本実施形態では、セル領域の外縁部において、ｐ型ディープ層１０をＭＯＳＦＥＴから外周領域に至るまでの間において所定幅にわたって分断した構造としているが、この分断した場所にＳＢＤ２０を形成してある。すなわち、ＭＯＳＦＥＴの外周を一周囲むようにＳＢＤ２０を形成している。
【００８０】
ＳＢＤ２０は、ｐ型ベース領域３およびｐ+型コンタクト層５を貫通し、ｎ-型ドリフト層２に達するように形成されたコンタクト用トレンチ２１と、コンタクト用トレンチ２１内に形成されることでｎ-型ドリフト層２に対してショットキー接触させられたショットキー電極２２とを有して構成されている。
【００８１】
コンタクト用トレンチ２１は、例えば深さが２．１〜２．５μｍ程度とされ、後述するメサ構造部１４と同じ深さとなっている。ショットキー電極２２は、例えば、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉもしくはこれらの合金などによって構成され、ＳｉＣとの間の仕事関数に基づいてショットキー障壁を形成する。
【００８２】
このように構成されたＳＢＤ２０は、ショットキー電極２２がアノード、ドレイン電極１３がカソードとして機能し、図示しないがショットキー電極２２がソース電極１１と電気的に接続されることにより、ＭＯＳＦＥＴのソース−ドレイン間において並列接続されている。
【００８３】
また、外周領域では、セル領域に形成されていたｐ型ベース領域３およびｐ+型コンタクト層５より深く、かつ、ｎ-型ドリフト層２に達する深さ２．１〜２．５μｍ程度の凹部にて構成されたメサ構造部１４が形成されている。セル領域と外周領域との境界部には、メサ構造部１４の段差部の側壁面から底面に至るようにセル領域の外周を囲むｐ型リサーフ層１５が形成されていると共に、ｐ型リサーフ層１５の周囲を囲むように複数にｐ型ガードリング層１６が形成されている。そして、ｐ型リサーフ層１５およびｐ型ガードリング層１６の周囲を囲むようにｎ+型層１７およびｎ+型層１７に電気的に接続された同電位リング電極１８が形成されることで外周耐圧構造が構成されている。
【００８４】
ｐ型リサーフ層１５は、セル領域と外周領域との境界部からセル領域外側に向かって例えば２０μｍ程度張り出すように形成されている。そして、ｐ型リサーフ層１５のうち、メサ構造部１４の段差部の側壁面に形成された部分は、基板水平方向の厚みが０．７μｍ、ｐ型不純物濃度が１×１０17／ｃｍ3程度とされ、メサ構造部１４を構成する凹部の底面に形成された部分は、凹部の底面からの深さが０．７μｍ程度、ｐ型不純物濃度が４×１０17／ｃｍ3程度とされている。そして、上述したように、ｐ型ディープ層１０がｎ-型ドリフト層２の表面からの深さが例えば２．６〜３．０μｍ程度とされているため、メサ構造部１４を構成する凹部の底面からのｐ型ディープ層１０とｐ型リサーフ層１５の深さがほぼ同じになる。
【００８５】
また、上述したように、セル領域の外縁部において、ｐ型ディープ層１０を外周領域に至るまで全域形成している。このため、複数本並んだトレンチゲート構造やｐ型ディープ層１０のうちのストライプ状に配置された部分がｐ型ディープ層１０のうちセル領域の外縁部に形成された部分によって囲まれ、かつ、セル領域と外周領域との境界部においてｐ型ディープ層１０の外縁がｐ型リサーフ層１５と連結された構造となる。
【００８６】
ｐ型ガードリング層１６は、最も内周側に位置するものがｐ型リサーフ層１５から例えば０．５μｍ離れて形成され、径方向の幅が２μｍ、間隔が１μｍとされて例えば６層が順に形成されている。これにより、ガードリング部が構成されている。各ｐ型ガードリング層１６の深さは、例えば０．７μｍとされ、ｐ型不純物濃度は例えば１×１０18／ｃｍ3程度とされている。このような構造により、本実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置が構成されている。
【００８７】
次に、本実施形態にかかる反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴとＳＢＤ２０を備えたＳｉＣ半導体装置の製造方法について説明する。図５は、本実施形態のＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。この図に示す断面は、図１のＦ−Ｆ’断面に相当する。以下、この図を参照して説明する。
【００８８】
〔図５（ａ）に示す工程〕
まず、主表面がＳｉ面（つまり基板垂直方向が［０００１］面の方位）のＳｉＣからなるｎ+型基板１を用意したのち、このｎ+型基板１の裏面側にドレイン電極１３を形成する。そして、ｎ+型基板１の表面にＳｉＣからなるｎ-型ドリフト層２をエピタキシャル成長させる。
【００８９】
〔図５（ｂ）に示す工程〕
ｎ-型ドリフト層２の表面にＬＴＯなどで構成されるマスク（図示せず）を形成したのち、フォトリソグラフィ工程を経て、ｐ型ディープ層１０やｐ型ガードリング層１６の形成予定領域においてマスクを開口させる。そして、マスク上からｐ型不純物（例えばボロンやアルミニウム）のイオン注入および活性化を行うことで、ｐ型ディープ層１０およびｐ型ガードリング層１６を形成する。その後、マスクを除去する。
【００９０】
〔図５（ｃ）に示す工程〕
ｎ-型ドリフト層２の表面に、ｐ型不純物層をエピタキシャル成長させることにより、ｐ型ベース領域３を形成する。
【００９１】
〔図５（ｄ）に示す工程〕
ｐ型ベース領域３の上にエッチングマスク（図示せず）を配置した後、コンタクト用トレンチ２１の形成予定領域および外周領域においてエッチングマスクを開口させる。そして、エッチングマスクを用いて外周領域をエッチングし、ｐ型ベース領域３よりも深く、かつ、ｎ-型ドリフト層２に達するように、ｐ型ガードリング層１６を露出させる凹部を形成してメサ構造部１４を形成すると共に、コンタクト用トレンチ２１を形成する。そして、エッチングマスクを除去した後、再びＬＴＯ等で構成されるマスク（図示せず）を成膜し、ｐ型リサーフ層１５の形成予定領域においてマスクを開口させる。そして、マスク上からｐ型不純物のイオン注入および活性化を行うことで、ｐ型リサーフ層１５を形成する。その後、マスクを除去する。さらに、ＬＴＯ等で構成されるマスク（図示せず）を成膜し、ｎ+型層１７の形成予定領域においてマスクを開口させる。そして、マスク上からｎ型不純物のイオン注入および活性化を行うことで、ｎ+型層１７を形成する。
【００９２】
〔図５（ｅ）に示す工程〕
ｐ型ベース領域３等の上に、例えばＬＴＯ等で構成されるマスク（図示せず）を成膜したのち、フォトリソグラフィ工程を経て、ｎ+型ソース領域４の形成予定領域上においてマスクを開口させる。その後、ｎ型不純物（例えば窒素）をイオン注入する。さらに、先程使用したマスクを除去した後、再びマスク（図示せず）を成膜し、フォトリソグラフィ工程を経て、ｐ+型コンタクト層５の形成予定領域上においてマスクを開口させる。その後、ｐ型不純物（例えば窒素）をイオン注入する。そして、注入されたイオンを活性化することで、ｎ+型ソース領域４を形成すると共に、ｐ+型コンタクト層５を形成する。
【００９３】
さらに、ｐ型ベース領域３、ｎ+型ソース領域４およびｐ+型コンタクト層５の上に、図示しないエッチングマスクを成膜したのち、トレンチ６の形成予定領域においてエッチングマスクを開口させる。そして、エッチングマスクを用いた異方性エッチングを行ったのち、必要に応じて等方性エッチングや犠牲酸化工程を行うことで、トレンチ６を形成する。この後、エッチングマスクを除去する。
【００９４】
続いて、ゲート酸化膜形成工程を行うことにより、トレンチ６内を含む基板表面全面にゲート酸化膜８を形成する。具体的には、ウェット雰囲気を用いたパイロジェニック法によるゲート酸化（熱酸化）によりゲート酸化膜８を形成する。さらに、ゲート酸化膜８の表面にｎ型不純物をドーピングしたポリシリコン層を例えば６００℃の温度下で４４０ｎｍ程度成膜したのち、エッチバック工程等を行うことにより、トレンチ６内にゲート酸化膜８およびゲート電極９を残す。
【００９５】
そして、ここでは図示しないが層間絶縁膜１２を成膜したのち、層間絶縁膜１２をパターニングしてｎ+型ソース領域４やｐ+型コンタクト層５に繋がるコンタクトホールを形成すると共に、ゲート電極９に繋がるコンタクトホールを別断面に形成し、さらにＳＢＤ２０の形成予定領域においてもコンタクトホールを形成する。続いて、コンタクトホール内を埋め込むようにＮｉ／Ａｌ等の電極材料を成膜したのち、これをパターニングすることでソース電極１１やゲート配線を形成する。その後、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉもしくはこれらの合金などのショットキー電極材料を成膜したのち、これをパターニングすることでコンタクト用トレンチ２１内にショットキー電極２２を形成する。これにより、図１に示したＳｉＣ半導体装置が完成する。
【００９６】
以上説明したように、本実施形態のＳｉＣ半導体装置の製造方法によれば、外周領域のメサ構造部１４を構成するための凹部とＳＢＤ２０のコンタクト用トレンチ２１とを同じ工程で形成するようにしている。このため、ＳＢＤ２０の形成工程の一部を他の部分の形成工程と同時に行うことが可能となり、ＳＢＤ２０を形成するためだけにのみ必要な工程を少なくできる。これにより、ＭＯＳＦＥＴとＳＢＤ２０とを同じ基板に形成するＳｉＣ半導体装置において、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【００９７】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、第１実施形態に対してＳＢＤ２０の下方にｐ型層を加えたものであり、基本構造に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なっている部分に関してのみ説明する。
【００９８】
図６は、本実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置の断面図であり、図６（ａ）は図１のＥ−Ｅ’断面、図６（ｂ）は図１のＦ−Ｆ’断面に相当する図である。
【００９９】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態では、ＳＢＤ２０の下方、つまりコンタクト用トレンチ２１の底面にｐ型層２３を備えた構造としている。このｐ型層２３は、ｐ型ガードリング層１６の形成時に同時に形成されたものであり、ショットキー電極２２と接触し、ｐ型ガードリング層１６と同じ深さかつ同じ不純物濃度で構成されている。
【０１００】
このように、ＳＢＤ２０の下方にショットキー電極２２と接触するｐ型層２３を形成することにより、ＪＢＳを構成することが可能となる。これにより、ｐ型層２３から伸びる空乏層によって耐圧を向上させることができる。また、このようなｐ型層２３をｐ型ガードリング層１６と同時に形成しているため、第１実施形態と同様の製造工程により、本実施形態のＳｉＣ半導体装置を形成することができる。したがって、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【０１０１】
（第２実施形態の変形例）
上記第２実施形態では、ｐ型層２３をｐ型ガードリング層１６と同時に形成したが、ｐ型ディープ層１０と同時に形成することもできる。その場合、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、ｐ型層２３は、ｐ型ディープ層１０と同じ深さとなり、またｐ型ディープ層１０と同じ不純物濃度となる。
【０１０２】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、第１実施形態に対してＳＢＤ２０の形成位置を変更したものであり、基本構造に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なっている部分に関してのみ説明する。
【０１０３】
図８は、本実施形態にかかる反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴとＳＢＤ２０を備えたＳｉＣ半導体装置の正面レイアウト図である。なお、図８は断面図ではないが、図を見易くするために、部分的にハッチングを示してある。また、図９（ａ）は、図８のＧ−Ｇ’断面図、図９（ｂ）は、図８のＨ−Ｈ’断面図である。
【０１０４】
図８および図９（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態では、ＳＢＤ２０をセル領域ではなく外周領域におけるメサ構造部１４内に形成している。つまり、メサ構造部１４を構成する凹部の一部をコンタクト用トレンチ２１として利用している。具体的には、ＳＢＤ２０は、図８に示すようにセル領域の外周を囲むように形成されている。ｐ型リサーフ層１５は、セル領域を囲み、かつ、セル領域の外周方向に向かって延設されているが、ＳＢＤ２０が形成された領域において、ｐ型リサーフ層１５が所定幅にわたって分断されることで二重リング構造とされ、この中にＳＢＤ２０が配置された構造とされている。
【０１０５】
このように、ＳＢＤ２０をメサ構造部１４の内部に形成することもできる。このようにしても、メサ構造部１４を構成するための凹部と共にＳＢＤ２０のショットキー電極２２のコンタクトを取る部分も形成されるため、第１実施形態と同様に、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【０１０６】
（第３実施形態の変形例）
上記第３実施形態では、ｐ型リサーフ層１５の中にＳＢＤ２０を配置したが、外周領域の耐圧がｐ型ガードリング層１６によって持たせることができるのであれば、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、ＳＢＤ２０よりも外周側にｐ型リサーフ層１５を形成する必要はない。
【０１０７】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、第１実施形態に対してＳＢＤ２０の形成位置を変更したものであり、基本構造に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なっている部分に関してのみ説明する。
【０１０８】
図１１は、本実施形態にかかる反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴとＳＢＤ２０を備えたＳｉＣ半導体装置の正面レイアウト図である。なお、図１１は断面図ではないが、図を見易くするために、部分的にハッチングを示してある。また、図１２（ａ）は、図１１のＩ−Ｉ’断面図、図１２（ｂ）は、図１１のＪ−Ｊ’断面図である。
【０１０９】
図１１、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態では、ＳＢＤ２０をＭＯＳＦＥＴの外周ではなく、ＭＯＳＦＥＴの各セル間、つまり各トレンチゲート間に配置しており、トレンチゲートとＳＢＤ２０とを交互に配置した構造としている。
【０１１０】
このように、ＳＢＤ２０をトレンチゲート間に配置しても良い。この場合、ＳＢＤ２０におけるコンタクト用トレンチ２１をトレンチゲート間に形成することでＳＢＤ２０を上記のような構造とすることができるが、この場合にも、コンタクト用トレンチ２１をメサ構造部１４を構成するための凹部と同時に形成することにより、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【０１１１】
（第４実施形態の変形例）
上記第４実施形態では、ＳＢＤ２０をトレンチゲートと交互に配置される構造とした場合について説明したが、すべてのトレンチゲートの間にＳＢＤ２０を配置する必要はない。例えば、トレンチゲート３つに対して１つＳＢＤ２０を備えるような構造としても良い。
【０１１２】
また、上記第４実施形態では、図１３（ａ）に示すようにＳＢＤ２０がｐ型ディープ層１０の上にも形成されている構造としているが、図１３（ｂ）に示すようにｐ型ディープ層１０の間にのみＳＢＤ２０が形成されるようにしても良い。逆に、図１３（ｃ）に示すようにｐ型ディープ層１０を複数に分断し、ｐ型ディープ層１０の分断された箇所をＳＢＤ２０が通るようにすることで、ＳＢＤ２０の間にｐ型ディープ層１０が配置されるような構造としても良い。また、図１３（ｄ）に示すようにＳＢＤ２０と交差する部分においてｐ型ディープ層１０を他の領域よりも幅狭にしても良い。なお、これらの場合にも、コンタクト用トレンチ２１をＳＢＤ２０を配置したい位置と対応する場所に形成しておくことで上記各構成とすることができ、コンタクト用トレンチ２１をメサ構造部１４を構成するための凹部と同時に形成することにより、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【０１１３】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、第１実施形態に対してＳＢＤ２０の構造を変更したものであり、基本構造に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なっている部分に関してのみ説明する。
【０１１４】
図１４は、本実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置の断面図であり、図１のＥ−Ｅ’断面に相当する図である。
【０１１５】
図１４に示すように、本実施形態では、コンタクト用トレンチ２１の側壁に絶縁構造２４を形成してあり、その絶縁構造２４よりも内側にショットキー電極２２が配置された構造とされることで、ショットキー電極２２がｐ型ベース領域３やｐ+型コンタクト層５から離間させられている。絶縁構造２４は、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層２４ａとＰｏｌｙ−Ｓｉ層２４ａの表面および側面を酸化した酸化膜２４ｂとにより構成されている。このような構造は、コンタクト用トレンチ２１の形成後にＰｏｌｙ−Ｓｉ層２４ａを成膜し、パターニングすることでＰｏｌｙ−Ｓｉ２４ａをコンタクト用トレンチ２１の側面上にのみ残した状態で熱酸化を行うことにより酸化膜２４ｂを形成することにより構成できる。なお、酸化膜２４ｂを形成するための熱酸化を単独の工程として行っても良いが、ゲート酸化膜８の形成工程として行うゲート酸化時に同時にＰｏｌｙ−Ｓｉ層２４ａの表面を形成するようにすれば、より製造工程の簡略化を図ることができる。
【０１１６】
このような構造のＳｉＣ半導体装置によれば、以下の効果を得ることができる。すなわち、ショットキー電極２２がｐ型ベース領域３に直接接触した構造とされていると、ショットキー電極２２がｐ型ベース領域３の電位に影響を与えることでＭＯＳＦＥＴを誤動作させてしまうことがある。しかしながら、本実施形態では、ショットキー電極２２をｐ型ベース領域３やｐ+型コンタクト層５から離間させてあるため、ショットキー電極２２がｐ型ベース領域３の電位に影響を与えることを抑制でき、ＭＯＳＦＥＴの誤動作を防止することが可能となる。
【０１１７】
（第５実施形態の変形例）
上記第５実施形態では、ＳＢＤ２０のコンタクト用トレンチ２１とメサ構造部１４を構成する凹部とを同じ深さとしているが、コンタクト用トレンチ２１を部分的に深くすることにより、ショットキー電極２２とｎ-型ドリフト層２との接触面積を広く取ることが可能となり、ＳＢＤ２０の実効面積を増大することが可能となる。図１５は、コンタクト用トレンチ２１の中央部を部分的に深くした場合の断面図である。この図に示されるように、コンタクト用トレンチ２１を深くした分、その側面においてショットキー電極２２とｎ-型ドリフト層２との接触面積を広くできる。このような構造は、コンタクト用トレンチ２１の形成工程の際に、その中央部のみが開口するマスクを用いたエッチングを行うことによって構成することもできるが、絶縁構造２４におけるＰｏｌｙ−Ｓｉ層２４ａのパターニングの際に、同時に行えば、製造工程の簡略化を図ることもできる。
【０１１８】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、第１実施形態に対してＳＢＤ２０の構造を変更したものであり、基本構造に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なっている部分に関してのみ説明する。
【０１１９】
図１６は、本実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置の断面図であり、図１のＥ−Ｅ’断面に相当する図である。
【０１２０】
図１６に示すように、本実施形態では、コンタクト用トレンチ２１の開口部の周囲にｎ+型層２５を形成してあり、その周囲がｎ-型層２６になっている。このような構造とすれば、コンタクト用トレンチ２１の側面でもショットキー電極２２とショットキー接触させられるため、ＳＢＤ２０の実効面積を増やすことが可能となる。このような構造は、コンタクト用トレンチ２１の形成前に、コンタクト用トレンチ２１の開口部の周囲となる予定の領域にｎ+型層２５を形成しておけば、コンタクト用トレンチ２１を水素エッチングにより形成することで、ｎ+型層２５内のｎ型不純物が拡散してｎ-型層２６を形成することができる。ｎ+型層２５の形成工程は独立した工程として行っても良いが、ｎ+型ソース領域４を形成する際に同時にｎ+型層２５形成することで、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【０１２１】
（第７実施形態）
本発明の第７実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、第１実施形態に対してＳＢＤ２０の構造を変更したものであり、基本構造に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なっている部分に関してのみ説明する。
【０１２２】
図１７は、本実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置の断面図であり、図１のＥ−Ｅ’断面に相当する図である。
【０１２３】
図１７に示すように、本実施形態では、コンタクト用トレンチ２１を二段構造とし、深い部位はｎ-型ドリフト層２まで到達し、浅い部位はｐ型ベース領域３と接してｎ-型ドリフト層２には到達しない構造としてある。このため、ショットキー電極２２は、コンタクト用トレンチ２１のうちの深い部位ではｎ-型ドリフト層２とショットキー接触させられ、浅い部位ではｐ型ベース領域３と接触させられる。これにより、ショットキー電極２２のうちｐ型ベース領域３と接触させられた場所では、ＰＮダイオードを構成することができる。したがって、反応速度が速いが大電流を流せないＳＢＤ２０と、反応速度が悪いが大電流を流せるＰＮダイオードを組み合わせることが可能となり、反応速度が早く、かつ、大電流を流せるダイオード構造にできる。
【０１２４】
（他の実施形態）
（１）上記第１実施形態では、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としたｎチャネルタイプのＭＯＳＦＥＴを例に挙げて説明したが、各構成要素の導電型を反転させたｐチャネルタイプのＭＯＳＦＥＴに対しても本発明を適用することができる。また、上記説明では、トレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴを例に挙げて説明したが、プレーナ型のＭＯＳＦＥＴであっても良い。
【０１２５】
（２）上記第１〜第７実施形態に示した構造は単なる一例を示したものであり、適宜設定変更などが可能である。例えば、ゲート絶縁膜として熱酸化によるゲート酸化膜８を例に挙げて説明したが熱酸化によらない酸化膜もしくは窒化膜などを含むものであっても構わない。また、ドレイン電極１３の形成工程に関しても、ソース電極１１の形成後などとしても構わない。
【０１２６】
（３）上記第１〜第７実施形態では、ｐ型ディープ層１０がトレンチ６の側面の法線方向に伸びる形態について説明したが、トレンチ６の側面に対して一方向に傾斜させたｐ型ディープ層１０を複数本並べた構造、もしくは、トレンチ６の側面の法線方向を中心として一方向に傾斜させたｐ型ディープ層１０を複数本並べたストライプ状にすると共に、その反対方向に傾斜させたｐ型ディープ層１０を複数本並べてストライプ状にし、各ストライプが交差することで格子状とした構造としても構わない。すなわち、少なくともトレンチ６の長手方向に対してｐ型ディープ層１０の長手方向が交差する関係となっていれば良い。
【０１２７】
（４）上記各実施形態では、外周領域に備えられた外周耐圧構造をｐ型リサーフ層１５やｐ型ガードリング層１６などで構成した場合について説明したが、必ずしもこれらが必要なわけではない。すなわち、一般的に外周耐圧構造として用いられているものであれば、どのような構造のものであっても構わない。
【０１２８】
（５）上記各実施形態では、反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴを備えたＳｉＣ半導体装置に対して本発明を適用した場合について説明した。しかしながら、蓄積型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴに対しても本発明を適用することができる。例えば、トレンチ６内にｎ-型チャネル層を備え、ｎ-型チャネル層の表面にゲート酸化膜８を介してゲート電極９が形成された構造として、蓄積型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴが構成される。このような蓄積型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴを備えたＳｉＣ半導体装置に対しても本発明を適用することができる。この場合、上記各実施形態におけるＭＯＳＦＥＴを反転型から蓄積型に置き換えればよい。
【０１２９】
（６）上記各実施形態では、コンタクト用トレンチ２１を形成し、その中にショットキー電極２２を形成した場合について説明したが、図１８に示すように、セル領域の外縁部においてｐ型ベース領域３やｐ+型コンタクト層およびｐ型ディープ層１０を分断するｎ-型層２７を形成しておき、ｎ-型層２６を基板表面から露出させると共に、その上にショットキー電極２２を配置した構造としても良い。このような構造は、ｐ型ベース領域３をエピタキシャル成長にて形成した後、ｎ-型層２６の形成予定領域にｎ型不純物をイオン注入すること、もしくは、ｐ型ディープ層１０の形成後にｎ-型層２６をエピタキシャル成長にて形成し、ｐ型ベース領域３を形成する領域にｐ型不純物をイオン注入して部分的にｎ-型層２６を残すこと等により構成できる。
【符号の説明】
【０１３０】
１    ｎ+型基板
２    ｎ-型ドリフト層
３    ｐ型ベース領域
４    ｎ+型ソース領域
８    ゲート酸化膜
９    ゲート電極
１０  ｐ型ディープ層
１１  ソース電極
１３  ドレイン電極
１４  メサ構造部
１５  ｐ型リサーフ層
１６  ｐ型ガードリング層
２０  ＳＢＤ
２１  コンタクト用トレンチ
２２  ショットキー電極
２３  ｐ型層
２４  絶縁構造
２５  ｎ+型層
２６  ｎ-型層
【図１】
2010225615.tif 000003
【図２】
2010225615.tif 000004
【図３−ａ】
2010225615.tif 000005
【図３−ｂ】
2010225615.tif 000006
【図３−ｃ】
2010225615.tif 000007
【図３−ｄ】
2010225615.tif 000008
【図４】
2010225615.tif 000009
【図５】
2010225615.tif 000010
【図６】
2010225615.tif 000011
【図７】
2010225615.tif 000012
【図８】
2010225615.tif 000013
【図９】
2010225615.tif 000014
【図１０】
2010225615.tif 000015
【図１１】
2010225615.tif 000016
【図１２】
2010225615.tif 000017
【図１３】
2010225615.tif 000018
【図１４】
2010225615.tif 000019
【図１５】
2010225615.tif 000020
【図１６】
2010225615.tif 000021
【図１７】
2010225615.tif 000022
【図１８】
2010225615.tif 000023
【図１９】
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【図２０】
2010225615.tif 000025
【図２１】
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【図２２】
2010225615.tif 000027
【図２３】
2010225615.tif 000028
【図２４】
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