(57)【要約】【課題】固体撮像装置において、クロストークの低減による画質向上を図る。【解決手段】固体撮像装置１の画素１ａにおいて、フォトダイオード１７の周辺の周辺配線部１４の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材１５を設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部を有する画素が、多数、１次元状または２次元マトリクス状に配置された固体撮像装置であって、
前記多数の各画素において、光電変換部の周囲の少なくとも一部に、多層構造による周辺配線部が設けられ、
前記周辺配線部の少なくとも一部に、前記多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材が設けられる
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記周辺配線部が、前記光電変換部と、隣接画素の光電変換部との間に設けられる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記周辺配線部が、前記光電変換部の周囲の複数箇所に設けられる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記周辺配線部に、複数の前記層間連結材が設けられる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記周辺配線部が、前記光電変換部で生じた電荷を変換伝達する増幅回路部を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が、特定の電位に接地される
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記層間連結材が、前記２次元に関して直線状に設けられる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記画素が、前記２次元に関して多角形状に設けられ、
前記２次元に関して、前記層間連結材の長さが、前記多角形状の最長辺よりも短い
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記画素が、前記２次元に関して多角形状に設けられ、
前記２次元に関して、前記層間連結材の長さが、前記多角形状の最長対角線よりも短い
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
固体撮像装置を備える電子機器であって、
前記固体撮像装置は、
光電変換部を有する画素が、多数、１次元状または２次元マトリクス状に配置された固体撮像装置であって、
前記多数の各画素において、光電変換部の周囲の少なくとも一部に、多層構造による周辺配線部が設けられ、
前記周辺配線部の少なくとも一部に、前記多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材が設けられる
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置、及びこの固体撮像装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置は、デジタルスチルカメラ、デジタル一眼レフカメラ、デジタルビデオカメラなど、携帯端末をはじめとする各種電子機器の画像入力装置として、広く用いられている。
固体撮像装置は、多数の画素（画素セル）が、２次元マトリクス状、例えばアレイ状に配置された構造を有する。画素は、少なくとも、光を電子に変換する受光部であるフォトダイオードと、転送部とを有する。転送部は、例えばＣＣＤ（charged couplingdevice）型の固体撮像装置では、ＣＣＤ素子による垂直転送部と水平転送部を備え、例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）型の固体撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）では、フォトダイオードからの電子を電圧に変換して増幅転送する増幅回路部を備える。
【０００３】
固体撮像装置において、多数の画素は互いに隣り合っているため、ある画素のフォトダイオードに向かって入射してきた光の一部が、隣接する画素に混入（クロストーク）してしまうことがある。
クロストークは、一部の入射光が変調（反射，回折，散乱など）することによって生じる。そして、このような画素間のクロストークが生じると、出力、つまり得られる画像データにも影響が生じる。すなわち、黒色であるはずの画像で明点が生じるなど、本来得られるべき画像データを正確に得ることができなくなる。
【０００４】
この、クロストークの発生について、前述の変調が反射である場合を例として、具体的に説明する。
図８に、従来の固体撮像装置の画素構成を示す。
従来の固体撮像装置１０１においては、画素１０１ａ（セルサイズｘ´）の、フォトダイオード１１７を含む半導体基板の表面で、フォトダイオード１１７に向かって入射してきた光（図中Ｌ１´）の一部が反射し、隣接画素へと漏れ出してしまう。このため、画素間のクロストークは、ＣＣＤ型／ＣＭＯＳ型を問わず、フォトダイオードを有するすべての固体撮像装置において、避けることのできない問題となる。
この問題への対策として、基板表面に反射防止膜を設けるなどの手法が提案されている。しかし、この手法では、分光特性が変化するなど、別の問題を生じてしまうことが知られている。
【０００５】
また、入射光の中には、フォトダイオードに至る前に周囲の部材に反射するものがある（図中Ｌ２´）。例えば、フォトダイオードの周囲に多層構造の周辺配線部１１４が設けられている固体撮像装置においては、この周辺配線部１１４の配線（図８では、第１配線１１１，第２配線１１２、第３配線１１３）で繰り返し反射され、基板表面での反射光（Ｌ１´）とは別の経路で、隣接画素へと漏れ出し、混入する。
このような、繰り返し反射によるクロストークをも防止する手法として、画素間に遮光を目的とする壁を別途設けた構成なども提案されている。しかし、この手法では、壁の形成のために別途工程を設ける必要があり、煩雑である。また、このような壁の設置は、画素面積の拡大を要するため、装置の小型化を阻害することにもなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２７７４０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、より簡潔に画素間のクロストークが抑制される固体撮像装置と、この固体撮像装置を備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部を有する画素が、多数、１次元状または２次元マトリクス状に配置された固体撮像装置であって、前記多数の各画素において、光電変換部の周囲の少なくとも一部に、多層構造による周辺配線部が設けられ、前記周辺配線部の少なくとも一部に、前記多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材が設けられることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る電子機器は、固体撮像装置を備える電子機器であって、前記固体撮像装置は、光電変換部を有する画素が、多数、１次元状または２次元マトリクス状に配置された固体撮像装置であって、前記多数の各画素において、光電変換部の周囲の少なくとも一部に、多層構造による周辺配線部が設けられ、前記周辺配線部の少なくとも一部に、前記多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材が設けられることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る固体撮像装置によれば、周辺配線部の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材が設けられることから、クロストークの低減による画質向上が図られる。
【００１１】
本発明に係る電子機器によれば、固体撮像装置において、クロストークの低減による画質向上が図られることから、高画質の画像データを扱うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る固体撮像装置の、一例の構成を示す概略図である。
【図２】本発明に係る固体撮像装置の一例における、画素内の周辺配線部及び層間連結材の説明図である。
【図３】本発明に係る固体撮像装置の、画素の回路の一例を示す回路図である。
【図４】本発明に係る固体撮像装置の、画素の回路の他の例を示す回路図である。
【図５】本発明に係る固体撮像装置の、周辺配線部及び層間連結材の構成の一例を示す説明図である。
【図６】本発明に係る固体撮像装置の、周辺配線部及び層間連結材の構成の他の例を示す説明図である。
【図７】本発明に係る固体撮像装置の、周辺配線部及び層間連結材に関する説明図である。
【図８】従来の固体撮像装置に関する、画素内の周辺配線部の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１４】
なお、ＣＭＯＳ型の固体撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）は、ＣＣＤ型の固体撮像装置に比べ、クロストークの発生及び影響の点構造的に不利とされている。
また、ＣＭＯＳイメージセンサは、画素内に複数のトランジスタを備えているために、トランジスタに加えて、トランジスタを選択する為の配線をも設けられる必要がある。したがって、ＣＭＯＳイメージセンサは、画素内で配線の占める割合がＣＣＤ型の固体撮像装置よりも高くなることが避けられない。つまり、配線やトランジスタの占有面積によってフォトダイオードの開口面積が制限される。近年、画素の微細化によって、この制限は更に厳しくなりつつある。
【００１５】
また、このように画素内の配線が増えると、これらの各配線を同層（同一の深さ，高さ）に設けることによって配線同士が極端に近接して配置されざるを得なくなるため、接触するおそれも強くなる。よって、接触をより確実に避けるために、ＣＭＯＳイメージセンサの配線は、多層構造による周辺配線層として形成される。
しかし、このような多層構造によれば、配線同士の接触は抑制されるものの、フォトダイオードが設けられている半導体基板の表面から多層構造の上までは、非常に高さ（深さ）の大きな構造になってしまう。そのため、外部から入射した光がフォトダイオードに到達するまでの距離が長く、配線の数及び占有空間も増大してしまうため、入射光が基板に到達する前に、前述した変調（基板表面や配線における反射，回折，散乱）が生じやすい。
【００１６】
よって、本実施形態では、本発明によって特に改善が図られる固体撮像装置の例として、ＣＭＯＳ型の固体撮像装置を例として、説明を行う。
【００１７】
本実施形態に係る固体撮像装置は、列（カラム）毎にアナログ／デジタル変換器を有するＭＯＳ増幅型固体撮像装置である。
この固体撮像装置は、一般に、光電変換部つまりフォトダイオードを有する画素が、多数、２次元マトリクス状に規則性を有して、例えば垂直方向及び水平方向に列及び行として規則的な配列とされた撮像領域と、垂直駆動部及び水平転送部による転送部、及び出力部とによって構成されている。具体的には、撮像領域２に複数の画素１ａが２次元行列状に配置され、垂直信号線３、カラム部４、水平信号線５に接続された出力回路６、垂直駆動回路７、水平駆動回路８及び制御回路９を有して、固体撮像装置１が構成される。
【００１８】
制御回路９は、入力クロックや、動作モードなどを指令するデータをＭＯＳイメージセンサの外部から受け取り、それに従って以下の各部の動作に必要なクロックやパルスを供給する。
垂直駆動回路７は、画素部の行を選択し、その行の画素に図示しない横方向の制御配線を通して必要なパルスが供給される。
カラム部４には、カラム信号処理回路１０が列に対応して並ぶ。カラム信号処理回路１０は、１行分の画素の信号を受けて、その信号にＣＤＳ（Correlated Double Sampling：固定パターンノイズ除去の処理）や信号増幅やＡＤ変換などの処理を行う。
水平駆動回路８は、カラム信号処理回路１０を順番に選択し、その信号を水平信号線５に導く。出力回路６は、水平信号線５の信号を処理して出力する。例えばバッファリングだけする場合もあるし、その前に黒レベル調整、列ばらつき補正、信号増幅、色関係処理などを行うこともある。
また、画素１ａは、１つの光電変換素子であるフォトダイオード（ＰＤ）と、複数のＭＯＳトランジスタとによって構成される。
【００１９】
本実施形態に係る固体撮像装置１においては、図２に模式的断面図を示すように、光電変換部１７を有する画素１ａ（セルサイズｘ）において、光電変換部１７の周囲の少なくとも一部に、第１配線１１，第２配線１２，第３配線１３の多層構造による周辺配線部１４が設けられる。そして、この周辺配線部１４の少なくとも一部に、多層構造の各層１１及び１２または１２及び１３を連結する、遮光性の層間連結材１５が設けられる。このようにして、層間連結材１５を備えた周辺配線部１４は、前述した変調によるクロストークを抑制する遮光体１６として構成される。
すなわち、本実施形態に係る固体撮像装置１においては、層間連結材１５を備えた周辺配線部１４つまり遮光体１６が設けられているため、基板表面における変調によるクロストークの抑制（図中Ｌ１）、及び配線における変調によるクロストークの抑制（図中Ｌ２）によって、ある画素１ａから隣接画素へのクロストークが、低減される。
なお、層間連結材１５は、埋め込み性の良い材料、例えばタングステン（Ｗ）によって構成することが好ましい。また、本実施形態において遮光性とは、可視光域の少なくとも一部において、反射ないし吸収する特性を有していれば良い。
【００２０】
本実施形態に係る固体撮像装置１において、層間連結材１５を備えた周辺配線部１４、つまり遮光体１６は、画素１ａの光電変換部１７の周囲のうち、少なくとも、隣接画素の光電変換部１７との間に配置することが好ましいと考えられる。すなわち、図３に示すように、ある画素１ｂの光電変換部１７と、この画素１ｂに対して、複数のトランジスタ等が設けられる増幅回路部１８を介することなく直接的に隣接する、隣接画素１ｃの光電変換部１７との間に、遮光体１６が設けられることにより、従来特に問題が発生しやすかった画素間におけるクロストークを抑制することができる。
【００２１】
また、層間連結材１５を備えた周辺配線部１４、つまり遮光体１６は、画素１ａの光電変換部１７の周囲のうち、例えば複数箇所に設けられた構成とすれば、より好ましいと考えられる。すなわち、図４に示すように、増幅回路部１８を介することなく直接的に隣接する画素１ｂ及び画素１ｃの間（、そして画素１ｄ及び画素１ｅの間）のみならず、増幅回路部１８を介して比較的間接的に隣接する、画素１ｂ及び画素１ｄの間（、そして画素１ｃ及び画素１ｅの間）にも遮光体１６を設ける構成とすれば、より好ましいと考えられる。このようにすることにより、従来増幅回路部１８を介して生じていたクロストークを抑制できるとともに、各画素中の複数箇所において遮光体１６が設けられることにより、より遮光の領域を大きくとることができ、より大幅なクロストークの抑制を図ることができるためである。
【００２２】
なお、層間連結材１５が設けられる周辺配線部１４は、光電変換部１７で生じた電荷を変換伝達するための増幅回路部１８を含めても良い。すなわち、遮光体１６を構成する周辺配線部１４の各配線は、増幅回路部１８に直接関係のある配線であっても良いし、そうでなくても良い。
また、遮光体１６を構成する周辺配線部１４及び層間連結材１５のうち、少なくとも一方は、特定の電位に接地されることが好ましい。これは、例えば製造時に電荷が生じやすい工程（プラズマエッチングなど）がある場合、接地しないと特性の不安定化につながるおそれがあるためである。
【００２３】
また、図５に示すように、層間連結材１５は、多数の画素１ｆがマトリクス状に配列された２次元に関して、直線状に配置されることが好ましい。直線状の配置の具体例としては、複数の（一組の）層間連結材１５を直線状に配置する構成のほか、直線的な形状を有する層間連結材１５ａとしても良い。
なお、これらの直線状に配置される層間連結材１５（または直線的形状の層間連結材１５ａ）の長さ（図中ｙ）は、前述した２次元に関して多角形状（本実施形態では四角形）とされる画素１ｆの長さ（図中ｚ）よりも短くする、或いは、多角形状の最長対角線よりも短くすることが好ましい。これは、固体撮像装置における、多数の画素の光学的対称性を向上させるためには、層間連結材１５を画素（画素セル）ごとに配置することが好ましいと考えられるためである。
【００２４】
ここで、画素１ａに用いられ得る回路構成について説明する。
【００２５】
まず、例えば図３に示す所謂３トランジスタ型の構成が挙げられる。
この回路構成においては、フォトダイオード（ＰＤ）のカソード（ｎ領域）が、転送トランジスタＴｒ１を介して増幅トランジスタＴｒ３のゲートに接続される。この増幅トランジスタＴｒ３のゲートと電気的に繋がったノードをフローティング・ディフージョン（ＦＤ）と呼ぶ。転送トランジスタＴｒ１はフォトダイオード（ＰＤ）とフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）との間に接続され、ゲートに転送線２１を介して転送パルスφＴＲＧが与えられることによりオン状態となり、フォトダイオード（ＰＤ）で光電変換された信号電荷をフローティング・ディフージョン（ＦＤ）に転送する。
【００２６】
リセットトランジスタＴｒ２は、ドレインが画素電源Ｖｄｄ１に接続され、ソースがフローティング・ディフージョン（ＦＤ）に接続される。リセットトランジスタＴｒ２は、ゲートにリセット線２２を介してリセットパルスφＲＳＴが与えられことによってオン状態となり、フォトダイオード（ＰＤ）からフローティング・ディフージョン（ＦＤ）への信号電荷の転送に先立って、フローティング・ディフージョン（ＦＤ）の電荷を画素電源Ｖｄｄ１に捨てることによりフローティング・ディフージョン（ＦＤ）をリセットする。
【００２７】
増幅トランジスタＴｒ３は、ゲートがフローティング・ディフージョン（ＦＤ）に接続され、ドレインが画素電源Ｖｄｄ２に接続され、ソースが垂直信号線２３に接続される。増幅トランジスタＴｒ３は、リセットトランジスタＴｒ２によってリセットした後のフローティング・ディフージョン（ＦＤ）の電位をリセットレベルとして垂直信号線に出力し、さらに転送トランジスタＴｒ１によって信号電荷を転送した後のフローティング・ディフージョン（ＦＤ）の電位を信号レベルとして垂直信号線２３に出力する。
なお、画素の駆動に伴い画素電源Ｖｄｄ１が高レベルと低レベルとに切り換えられる影響を受け、増幅トランジスタＴｒ３のドレインは変動する。
【００２８】
一方、画素１ａに用いられ得る他の回路構成としては、例えば図４に示す所謂４トランジスタ型の構成が挙げられる。
この回路構成においては、光電変換素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）に加えて４つのトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４が設けられる。ここで、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４は、例えばＮチャネルのＭＯＳトランジスタにとして構成される。
フォトダイオード（ＰＤ）は、受光した光をその光量に応じた電荷量の光電荷（ここでは、電子）に光電変換する。フォトダイオード（ＰＤ）のカソード（ｎ型領域）は、転送トランジスタＴｒ１を介して増幅トランジスタＴｒ３のゲートと接続されている。この増幅トランジスタＴｒ３のゲートと電気的に繋がったノードがフローティングディフュージョン（ＦＤ）となる。
横方向の配線、即ち転送線２４、リセット線２５および選択線２６は、同一行の画素について共通となっており、垂直駆動回路７によって制御される。但し、画素１ａのｐウェル電位を固定するためのウェル配線２７は、グランド電位に固定されている。
【００２９】
また、この構成において、転送トランジスタＴｒ１は、フォトダイオード（ＰＤ）のカソードとフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）との間に接続され、ゲートに転送線２４を介して転送パルスφＴＲＧが与えられることによってオン状態となり、フォトダイオード（ＰＤ）で光電変換された光電荷をフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）に転送する。
リセットトランジスタＴｒ２は、ドレインが画素電源Ｖｄｄに、ソースがフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）にそれぞれ接続され、ゲートにリセット線２５を介してリセットパルスφＲＳＴが与えられることによってオン状態となり、フォトダイオード（ＰＤ）からフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）への信号電荷の転送に先立って、フローティング・ディフュージョン（ＦＤ）の電荷を画素電源Ｖｄｄに捨てることによってこのフローティングディフュージョン（ＦＤ）をリセットする。
増幅トランジスタＴｒ３は、ゲートがフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）に、ドレインが画素電源Ｖｄｄにそれぞれ接続され、リセットトランジスタＴｒ２によってリセットした後のフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）の電位をリセットレベルとして出力し、さらに転送トランジスタＴｒ１によって信号電荷を転送した後のフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）の電位を信号レベルとして出力する。
選択トランジスタＴｒ４は、例えば、ドレインが増幅トランジスタＴｒ３のソースに、ソースが垂直信号線２８にそれぞれ接続され、ゲートに選択線２６を介して選択パルスφＳＥＬが与えられることによってオン状態となり、画素１ａを選択状態として増幅トランジスタＴｒ３から出力される信号を垂直信号線２８に中継する。
【００３０】
なお、本実施形態に係る固体撮像装置１は、これら３トランジスタ型と４トランジスタ型の、いずれの構成をもとり得る。
【００３１】
＜実施例＞
本発明の実施例について説明する。
本実施例では、本実施形態に係る固体撮像装置のシミュレーションによる検討を行った結果について、説明する。
【００３２】
本実施形態に係る固体撮像装置について、シミュレータを用いて検証を行った。その結果、半導体基板表面で反射し、その反射光が最上位の配線メタルの裏面で反射することによるクロストークが、大幅に低減されることを確認することができた。
また、配線の多層構造の内容に応じて値は変動したが、例えば周辺配線部が３層の積層配線構造を持つＣＭＯＳイメージセンサにおいては、主に最上層に位置する配線メタルの裏面で反射し、その後０回〜数回の反射を経て隣接画素へ混入していた成分によるクロストークが、１０〜３０％改善されることを確認することができた。
【００３３】
以上の実施の形態及び実施例で説明したように、本実施形態に係る固体撮像装置によれば、層間連結材が、光の混入を防ぐ壁の役割を果たすため、クロストークの低減による画質向上が図られる。
また、この固体撮像装置によって電子機器を構成すれば、固体撮像装置において、クロストークの低減による画質向上が図られることから、高画質の画像データを扱うことが可能となる。
【００３４】
特に、軽量化及び小型化の要求に応じて画素サイズが微細化されている固体撮像装置、つまり、画素間の分離幅が光学的に十分とれない固体撮像装置や、配線の占める割合が高い固体撮像装置においては、本発明構成は従来構成に比べて大幅な特性改善が期待できる。微細加工技術の進歩などによって画素サイズが微細化された固体撮像装置は、画素サイズが大きい場合に比べて、繰り返し反射などによる隣接画素への光の混入が生じやすくなるが、本発明構成によれば、この生じやすい混入によるクロストークが、大幅に抑制されるためである。
【００３５】
また、本実施形態に係る固体撮像装置においては、半導体基板や配線及び層間膜等に起因する、拡散光，散乱光，反射光の抑制を図る。したがって、光電変換部に向かうもともとの入射光を遮ることがないため、感度や光学的な開口面積を劣化させることを回避することができる。
また、本実施形態に係る固体撮像装置の製造においては、特段の工程を追加する必要がなく、多層構造の配線を連結する層間連結材の形成態様（形成位置や形状などのパターン）を選定することによってクロストークの低減を図ることができる。したがって、工程数の増加を必要としないため、コストや製造タクトの低減も図られる。更に、ウェーハプロセスの新規条件出し（条件の設計及び設定）なども必要としないため、遮光体の基本設計が完了した後、製造現場への導入を迅速に行うことができる。
【００３６】
なお、以上の実施の形態の説明で挙げた使用材料及びその量、処理時間及び寸法などの数値的条件は好適例に過ぎず、説明に用いた各図における寸法形状及び配置関係も概略的なものである。すなわち、本発明は、この実施の形態に限られるものではない。
【００３７】
例えば、前述の実施形態では、層間連結材を備えた周辺配線部（遮光体）を、固体撮像装置の画素ごとに設ける場合を例として説明を行ったが、遮光体の配置はこれに限られない。すなわち、すべての画素に一定の数で層間連結材や遮光体が設けられる構成に限られず、例えば四角形の画素の場合に、２辺に設けられた画素と４辺に設けられた画素とが混在していても良い。また、複数の画素を１ユニットとして、このユニットを囲うように層間連結材や遮光体が設けられていても良い。また、複数の画素間で、画素の担う色（例えば赤，緑，青）が異なる箇所にのみ、層間連結材や遮光体が設けられていても良い。
また、前述の実施形態では、多数の画素が２次元マトリクス状に配列された固体撮像装置の例について説明を行ったが、多数の画素が１次元的（１次元状）に配列された、所謂リニアセンサに適用することも可能であることは言うまでもない。リニアセンサに適用する場合には、特に明暗境界部での特性改善が図られると考えられる。
【００３８】
また、例えば、前述の実施形態では、遮光性について、可視光域の少なくとも一部において反射ないし吸収する特性を有していれば良いとしたが、更に紫外光を反射ないし吸収する特性を有していても良い。
また、前述の実施の形態では、ＣＭＯＳ型の固体撮像装置の例について説明したが、本発明に係る固体撮像装置によって、ＣＣＤ型の固体撮像装置を構成することも可能である。
また、例えば、本発明に係る固体撮像装置は、ワンチップとして形成された素子状のものでもよいし、複数のチップから構成されるもの、更にはモジュールとして構成されたものでもよいなど、本発明は、種々の変形及び変更をなされうる。
【符号の説明】
【００３９】
１・・・固体撮像装置、１ａ〜１ｆ・・・画素、２・・・撮像領域、３・・・垂直信号線、４・・・カラム部、５・・・水平信号線、６・・・出力回路、７・・・垂直駆動回路、８・・・水平駆動回路、９・・・制御回路、１０・・・カラム信号処理回路、１１・・・第１配線、１２・・・第２配線、１３・・・第３配線、１４・・・周辺配線部、１５・・・層間連結材、１６・・遮光体、１７・・・光電変換部（フォトダイオード）、１８・・・増幅回路部、２１・・・転送線、２２・・・リセット線、２３・・・垂直信号線、２４・・・転送線、２５・・・リセット線、２６・・・選択線、２７・・・ウェル配線、２８・・・垂直信号線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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