(57)【要約】【課題】より簡便に封入することができる発光素子及びこれを用いた発光パネルを提供する。【解決手段】基板２上に形成された画素電極４１と、対向電極６０と、前記画素電極４１と前記対向電極６０との間に形成された担体輸送層４２と、を備え、前記対向電極６０は、前記担体輸送層４２の上部に形成される第一導電層６１と、前記第一導電層６１の上部に形成される第三族元素（アクチノイドを除く）を含む保護導電層６２と、前記保護導電層６２の一部を酸化してなる酸化皮膜６３と、を有している。【選択図】図３
2010225440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に形成された担体輸送層と、を備え、
前記対向電極は、前記担体輸送層の上部に形成される第一導電層と、前記第一導電層の上部に形成される第三族元素（アクチノイドを除く）を含む保護導電層と、前記保護導電層の一部を酸化してなる酸化皮膜と、を有していることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
基板上に形成された画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に形成された担体輸送層と、を備え、
前記対向電極は、前記担体輸送層の上部に形成される第一導電層と、前記第一導電層の上部に形成される保護導電層と、を有し、
前記保護導電層は、第三族元素（アクチノイドを除く）からなる第二導電層と、前記第二導電層の上部に形成される第三族元素（アクチノイドを除く）の酸化物からなる保護層と、から形成されていることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
基板上に形成された画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に形成された担体輸送層と、を備え、
前記対向電極は、前記担体輸送層の上部に形成される第一導電層と、前記第一導電層の上部に形成される第三族元素（アクチノイドを除く）の水素化物からなる保護導電層と、前記保護導電層の上面に形成された酸化皮膜と、を有していることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
前記第三族元素は、イットリウム（Ｙ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）からなる群より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子が一方の面に形成された第１の基板と、
前記第１の基板の前記発光素子が形成された面と対向配置される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に隙間を空けた状態で前記第１の基板と前記第２の基板との隙間を外周部で封止する封止材と、を備え、
前記第２の基板の前記発光素子との対向面には、水又は酸素と結合するゲッター膜が設けられていることを特徴とする発光パネル。
【請求項６】
前記ゲッター膜はサマリウム（Ｓｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、チタン（Ｔｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１種あるいはその合金からなることを特徴とする請求項５に記載の発光パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子及び発光パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）はカソード電極とアノード電極との間に例えば電子注入層、発光層、正孔注入層が介在した積層構造を為している。アノード電極とカソード電極の間に順バイアス電圧が印加されると、電子注入層から発光層に電子が注入され、正孔注入層から発光層に正孔が注入され、発光層内で電子と正孔が再結合を引き起こして発光層が発光する。
【０００３】
発光層や正孔注入層は有機化合物からなり、電子注入層は、例えば、アルカリ金属やアルカリ土塁金属からなる。これらの材料は酸素や水により腐食されやすく、カソード電極の層により被覆しただけでは保護が不十分である。このため、有機化合物の保護膜や、パッケージ封入が行われる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２３４３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、有機ＥＬ素子のような発光素子をパッケージに封入する場合には、内部の水分を除去するための乾燥剤を封入する必要がある。そのため、封入スペースを設ける必要があり、パッケージの厚さが増すという問題があった。
【０００６】
本発明の課題は、有機化合物の保護をより十分にし、パッケージ封入をより簡便にすることができる発光素子及びこれを用いた発光パネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様によれば、基板上に形成された画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に形成された担体輸送層と、を備え、前記対向電極は、前記担体輸送層の上部に形成される第一導電層と、前記第一導電層の上部に形成される第三族元素（アクチノイドを除く）を含む保護導電層と、前記保護導電層の一部を酸化してなる酸化皮膜と、を有していることを特徴とする発光素子が提供される。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、基板上に形成された画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に形成された担体輸送層と、を備え、前記対向電極は、前記担体輸送層の上部に形成される第一導電層と、前記第一導電層の上部に形成される保護導電層と、を有し、前記保護導電層は、第三族元素（アクチノイドを除く）からなる第二導電層と、前記第二導電層の上部に形成される第三族元素（アクチノイドを除く）の酸化物からなる保護層と、から形成されていることを特徴とする発光素子が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、基板上に形成された画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に形成された担体輸送層と、を備え、前記対向電極は、前記担体輸送層の上部に形成される第一導電層と、前記第一導電層の上部に形成される第三族元素（アクチノイドを除く）の水素化物からなる保護導電層と、前記保護導電層の上面に形成された酸化皮膜と、を有していることを特徴とする発光素子が提供される。
【００１０】
好ましくは、前記第三族元素は、イットリウム（Ｙ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）からなる群より選ばれる少なくとも１種である。
【００１１】
本発明の他の態様によれば、以上の発光素子が一方の面に形成された第１の基板と、
前記第１の基板の前記発光素子が形成された面と対向配置される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に隙間を空けた状態で前記第１の基板と前記第２の基板との隙間を外周部で封止する封止材と、を備え、前記第２の基板の前記発光素子との対向面には、水又は酸素と結合するゲッター膜が設けられていることを特徴とする発光パネルが提供される。
【００１２】
好ましくは、前記ゲッター膜はサマリウム（Ｓｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、チタン（Ｔｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１種あるいはその合金からなる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、より簡便に封入することができる有機ＥＬ素子及びこれを用いた有機ＥＬパネルが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】有機ＥＬディスプレイパネル１０Ａにおける１つの画素ＰＸの回路図である。
【図２】１つの画素ＰＸを示す平面図である。
【図３】図２のIII−III矢視断面図である。
【図４】有機ＥＬディスプレイパネル１０Ａの断面図である。
【図５】有機ＥＬディスプレイパネル１０Ｂの１つの画素ＰＸを示す図３と同様の断面図である。
【図６】有機ＥＬディスプレイパネル１０Ｃの１つの画素ＰＸを示す図３と同様の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）という用語をＥＬと略称する。
【００１６】
〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネル１０Ａにおける１つの画素ＰＸの回路図である。この有機ＥＬディスプレイパネル１０Ａにおいては、赤、青及び緑の画素ＰＸによって１ドットの画素が構成され、このような画素が表示領域全域にマトリクス状に配列されている。図１の水平方向の配列に着目すると赤の画素ＰＸ、青の画素ＰＸ、緑の画素ＰＸの順に繰り返し配列され、図１の上下方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
【００１７】
この有機ＥＬディスプレイパネル１０Ａにおいては、画素ＰＸに各種の信号を出力するために、複数の走査線５２、信号線５１及び供給線５３が設けられている。走査線５２と信号線５１とは互いに直交する方向に延在している。
【００１８】
画素ＰＸは、２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２と、キャパシタ２７と、を有する画素回路ＰＣ及び有機ＥＬ素子４０を有する。２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２及びキャパシタ２７は、走査線５２、信号線５１及び供給線５３の入力信号に応じて有機ＥＬ素子４０に電圧を印加する。
【００１９】
図２は１つの画素ＰＸを示す平面図であり、図３は図２のIII−III矢視断面図である。図２、図３に示すように、透明な絶縁基板２の上にトランジスタ２１，２２のゲート電極２１Ｇ，２２Ｇが設けられるとともに、キャパシタ２７の一方の電極２７ａ、信号線５１が設けられ、これらが共通のゲート絶縁膜３１によって被覆されている。なお、図２に示すように、電極２７ａとゲート電極２１とは一体に形成されている。
【００２０】
ゲート絶縁膜３１の上には、図３に示すように、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、トランジスタ２１，２２の半導体膜２１ａ，２２ａ、チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂ、ｎ型半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、走査線５２及び供給線５３が設けられている。なお、図２に示すように、ドレイン電極２１Ｄは供給線５３と一体に形成されており、ソース電極２２Ｓはコンタクトホール２８ａによりゲート電極２１Ｇ及び電極２７ａと導通されており、信号線５１はコンタクトホール２８ｂによりドレイン電極２２Ｄと導通されており、走査線５２はコンタクトホール２８ｃによりゲート電極２２と導通されている。また、ソース電極２１Ｓと電極２７ｂとは一体に形成されている。
【００２１】
また、ゲート絶縁膜３１の上には、ピクセル電極４１（画素電極）がマトリクス状に配列されている。これらピクセル電極４１は、ゲート絶縁膜３１上に成膜された導電性膜（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。ピクセル電極４１はトランジスタ２１のソース電極２１Ｓの一部と重なるように形成され、ソース電極２１Ｓと導通している。
【００２２】
トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線５２及び供給線５３、ピクセル電極４１は共通の保護絶縁膜３２によって被覆されている。保護絶縁膜３２のピクセル電極４１の部分にはピクセル電極４１を露出させる開口部３３が形成されている。開口部３３が形成されることにより保護絶縁膜３２はピクセル電極４１の間を縫うように網目状に形成されるとともにピクセル電極４１の一部外縁部に重なり、ピクセル電極４１を囲繞している。開口部３３内に後述する有機ＥＬ層４２が形成される。
なお、絶縁基板２から保護絶縁膜３２までの積層構造がトランジスタアレイパネル１００である。
【００２３】
トランジスタアレイパネル１００上には、保護絶縁膜３２を覆いかつピクセル電極４１を露出させるように、網目状の隔壁６が形成されている。隔壁６は、例えばポリイミド等の樹脂により形成されたものであり、トランジスタ２１，２２の各電極、走査線５２、信号線５１、供給線５３よりも十分に厚い。
隔壁６の開口８からはピクセル電極４１が露出している。隔壁６の開口部８は、保護絶縁膜３２の開口部３３よりも小さい。
【００２４】
ピクセル電極４１上には正孔注入層４３、発光層４４が順に積層されて有機ＥＬ層４２（担体輸送層）が形成されている。正孔注入層４３は、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントであるＰＳＳからなり、発光層４４は、ポリフェニレンビニレン系発光材料やポリフルオレン系発光材料等の共役ポリマーからなる。サブピクセルが赤の場合には発光層４４が赤色に発光し、サブピクセルが緑の場合には発光層４４が緑色に発光し、サブピクセルが青の場合には発光層４４が青色に発光するように、それぞれの材料を設定する。
【００２５】
正孔注入層４３及び発光層４４は、湿式塗布法（例えば、インクジェット法）によって成膜される。この場合、正孔注入層４３となるＰＥＤＯＴ及びＰＳＳを含有する有機化合物含有液をピクセル電極４１に塗布して成膜し、その後、発光層４４となる共役ポリマー発光材料を含有する有機化合物含有液を塗布して成膜する。なお、厚膜の隔壁６が設けられるので、隣り合うピクセル電極４１に塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合うことを防止することができる。
【００２６】
なお、発光層４４の上にさらに電子輸送層を設けても良い。また、有機ＥＬ層４２はピクセル電極４１の上に形成された発光層、電子輸送層からなる二層構造であっても良いし、担体輸送層と発光層との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において適切な層間に担体輸送を制限するインタレイヤ層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であってもよい。
【００２７】
発光層４４、保護絶縁膜３２及び隔壁６の上部には、有機ＥＬ素子４０のカソードを構成する電子注入層４５が成膜されている。電子注入層４５は、ピクセル電極４１よりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金より１〜１０ｎｍの厚さに形成されている。あるいは、電子注入層４５は、上記各種材料の層が積層された積層構造となっていても良い。
【００２８】
電子注入層４５の上部には、対向電極６０が形成されている。対向電極６０は、第一導電層６１と、保護導電層６２を積層してなる。
【００２９】
第一導電層６１は、例えばアルミニウム単体、または、アルミニウムとニッケルの合金（Ａｌ−Ｎｉ合金）等の導電性材料を真空蒸着法等の物理気相成長法によって成膜することによって形成される。第一導電層６１の厚さは２００ｎｍ以下であることが好ましい。２００ｎｍ以下とした場合には、アルミニウムの結晶粒が成長するのを抑制することができる。
【００３０】
保護導電層６２には、アルミニウムよりも結晶粒の成長が少ない材料が用いられる。このような材料として、第三族元素（アクチノイドを除く）を用いることができる。例えば、イットリウム（Ｙ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。これらの材料をターゲットとした真空蒸着法等の物理気相成長法によって成膜することにより、保護導電層６２が形成される。
【００３１】
これらの元素にはゲッター効果があり、水や酸素と強固に結合する。また、これらの元素からなる保護導電層６２は、表面に自然酸化膜６３を形成するため、水や酸素に対する保護を強化することができる。このため、乾燥剤なしで封入することができ、ＥＬディスプレイパネル１０Ａをより薄くすることができる。
【００３２】
なお、第一導電層６１を薄くすることで電気抵抗が大きくなるが、第一導電層６１に保護導電層６２を積層することで電気抵抗を小さくすることができる。また、第一導電層６１と保護導電層６２と２回に分けて形成することで、ピンホールの発生を抑制することができる。
【００３３】
ピクセル電極４１、有機ＥＬ層４２、電子注入層４５、対向電極６０の順に積層されたものが有機ＥＬ素子４０である。
【００３４】
上記の有機ＥＬ素子４０が形成された基板２には、図４に示すように、対向電極６０が形成された面の外周部に封止材として接着剤３が塗布され、接着剤３により基板２と対向基板４とを接合することで有機ＥＬ素子４０が封止され、有機ＥＬディスプレイパネル１０Ａが形成される。
【００３５】
この対向基板４の有機ＥＬ素子４０と対向する面には、図４に示すように、ゲッター膜５を形成してもよい。ゲッター膜５は基板２と対向基板４との間の封止空間内の水や酸素を吸着する。ゲッター膜５としては、例えばサマリウム（Ｓｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、チタン（Ｔｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１種あるいはその合金を用いることができる。
【００３６】
ゲッター膜５はこれらの材料を用いた真空蒸着法等の物理気相成長法により形成することができる。このように形成したゲッター膜５は非常に薄いため、対向基板４に従来の吸湿材を収容するためのザグリを設ける必要がなく、有機ＥＬディスプレイパネル１０Ａをより薄くすることができる。
【００３７】
次に、トランジスタアレイパネル１００上へ有機ＥＬ素子４０を形成し、ＥＬディスプレイパネル１０Ａを製造する製造工程について説明する。
【００３８】
まず、トランジスタアレイパネル１００を洗浄する。次に、ピクセル電極４１の表面を、有機ＥＬ層４２の形成に使用する有機化合物含有液に対して親液化させる。例えば有機化合物含有液に親水性の溶剤を用いる場合には、酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等を施すことにより親水化させる。
【００３９】
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料（例えば導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を水に溶解した有機化合物含有液をピクセル電極４１に塗布する。塗布方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。ピクセル電極４１ごとに独立して正孔注入層４３を成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
【００４０】
このように湿式塗布法により正孔注入層４３を形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合うピクセル電極４１に塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、ピクセル電極４１ごとに独立して正孔注入層４３を形成することができる。
【００４１】
正孔注入層４３を形成した後、正孔注入層４３を大気に曝露した状態で、ホットプレートを用いてトランジスタアレイパネル１００を１６０〜２００℃の温度で乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。
【００４２】
次に、発光色が赤、緑、青の共役ポリマー発光材料をそれぞれ疎水性の有機溶剤（例えば、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン）に溶かし、赤、緑、青それぞれの有機化合物含有液を準備する。そして、赤のサブピクセルの正孔注入層４３上には赤の有機化合物含有液を塗布し、緑のサブピクセルの正孔注入層４３上には緑の有機化合物含有液を塗布し、青のサブピクセルの正孔注入層４３上には青の有機化合物含有液を塗布する。これにより、正孔注入層４３上に発光層４４を成膜する。塗布方法としてはインクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いて、色ごとに塗り分けを行う。
【００４３】
このように湿式塗布法により正孔注入層４３及び発光層４４を形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合うサブピクセルに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセルごとに独立して発光層４４を形成することができる。
【００４４】
次に、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）下でホットプレートによってトランジスタアレイパネル１００を乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。なお、真空中でシーズヒータによる乾燥を行っても良い。
【００４５】
次に、発光層４４、保護絶縁膜３２、及び隔壁６の上部に電子注入層４５を気相成長法により成膜する。具体的には、真空蒸着法によってＣａ又はＢａの薄膜を成膜する。
【００４６】
次に、電子注入層４５の上部に第一導電層６１、保護導電層６２を気相成長法により順に成膜し、対向電極６０を形成する。具体的には、例えばアルミニウムを用いた真空蒸着法によって第一導電層６１を形成し、その後、イットリウムを用いた真空蒸着法によって保護導電層６２を形成する。
以上により、トランジスタアレイパネル１００上に有機ＥＬ素子４０が形成される。
【００４７】
最後に、図４に示すように、基板２の対向電極６０が形成された面の外周部に接着剤３を塗布し、基板２と対向基板４とを接着することで有機ＥＬ素子４０を封入する。以上により、ＥＬディスプレイパネル１０Ａが完成する。
【００４８】
本実施形態によれば、対向電極６０が第一導電層６１と、保護導電層６２を積層してなるので、第一導電層６１を薄くすることで結晶粒が成長するのを抑制しながら、保護導電層６２を積層することで対向電極６０の導電性を維持することができる。また、保護導電層６２の表面に形成される自然酸化膜６３により、水や酸素に対する保護を強化することができる。
【００４９】
〔第２実施形態〕
図５は本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネル１０Ｂの１つの画素ＰＸを示す図３と同様の断面図である。なお、第１の実施形態と同様の構成については、同符号を付して説明を割愛する。
【００５０】
本実施形態においては、保護導電層６２が、第一導電層６１上に積層される第二導電層６４と、第二導電層６４上に積層される保護層６５とからなる。第二導電層６４には、アルミニウムよりも結晶粒の成長が少ない材料が用いられる。このような材料として、第三族元素（アクチノイドを除く）を用いることができる。例えば、イットリウム（Ｙ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。
【００５１】
保護層６５は、第二導電層６４に自然酸化膜が形成される前に形成される。保護層６５は、例えば第三族元素（アクチノイドを除く）の酸化物を用いて形成することができる。第三族元素として、例えば、イットリウム（Ｙ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。これらの材料をターゲットとした真空蒸着法等の気相成長法によって成膜することにより、保護層６５が形成される。
【００５２】
本実施形態においても、対向電極６０が第一導電層６１と、第二導電層６４を積層してなるので、第一導電層６１を薄くすることで結晶粒が成長するのを抑制しながら、第二導電層６４を積層することで対向電極６０の導電性を維持することができる。また、保護層６５により、水や酸素に対する保護を強化することができる。
【００５３】
〔第３実施形態〕
図６は本発明の第２の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０Ｃの１つの画素ＰＸを示す図３と同様の断面図である。なお、第１の実施形態と同様の構成については、同符号を付して説明を割愛する。
【００５４】
本実施形態においては、第１の実施形態と同様にして保護導電層６２を形成した後、水素雰囲気下で保護導電層６２を水素化している。保護導電層６２の水素化は、例えば、数十分程度、不活性ガス中数％以上の水素を含む雰囲気において行うことができる。
【００５５】
保護導電層６２の水素化を行った場合には、酸素分圧が低い状況であっても、２０〜３０ｎｍの厚さの自然酸化膜６３を形成することができ、水や酸素に対する保護を強化することができる。
【００５６】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行ってもよい。例えば、上記実施形態においては、ＥＬディスプレイパネルのような表示装置について説明したが、本発明はこれに限らず、例えばプリンタヘッド等の露光装置に応用してもよい。
【符号の説明】
【００５７】
２  基板
３  接着剤（封止材）
４  対向基板
５  ゲッター膜
４０  有機ＥＬ素子
４１  画素電極
４２  有機ＥＬ層（担体輸送層）
６０  対向電極
６１  第一導電層
６２  保護導電層
６３  酸化皮膜
６４  第二導電層
６５  保護層
【図１】
2010225440.tif 000003
【図２】
2010225440.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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