(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェーハ等の処理基板に対する処理ガス接触時間を増加させ、均一な処理ガスを供給できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を収容するインナーチューブ４と、該インナーチューブを取囲むアウターチューブ２と、前記インナーチューブ内に設けられ、該インナーチューブ内にガスを供給するガスノズル８と、前記インナーチューブと前記アウターチューブとの間にガスを排気する為に前記ガスノズルに対して径方向に対向する位置の前記インナーチューブに設けられた第１排気口３と、前記インナーチューブと前記アウターチューブの間のガスを排気する為に、前記第１排気口に対して径方向に対向する位置の前記アウターチューブに設けられた第２排気口６とを具備する。【選択図】図２
2010140999.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容するインナーチューブと、該インナーチューブを取囲むアウターチューブと、前記インナーチューブ内に設けられ、該インナーチューブ内にガスを供給するガスノズルと、前記インナーチューブと前記アウターチューブとの間にガスを排気する為に前記ガスノズルに対して径方向に対向する位置の前記インナーチューブに設けられた第１排気口と、前記インナーチューブと前記アウターチューブの間のガスを排気する為に、前記第１排気口に対して径方向に対向する位置の前記アウターチューブに設けられた第２排気口とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ガスノズルに接続されたガス供給管と、前記第２排気口に接続されたガス排気管とを具備し、前記ガス供給管及び前記ガス排気管が当該基板処理装置の同一側面に設けられた請求項１の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハ等の基板に酸化処理、拡散処理、薄膜の生成、アニール処理等の処理を行う基板処理装置、特にガス供給管及びガス排気管の着脱を容易にできる基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の処理工程の１つとして、シリコンウェーハ等の基板に酸化処理、拡散処理、薄膜の生成、アニール処理等の処理を行う基板処理工程があり、該基板処理工程を実行する装置として基板処理装置があり、又縦型処理炉を具備し、所定枚数の基板を一度に処理するバッチ式縦型基板処理装置がある。
【０００３】
以下、図４に於いて、従来の基板処理装置の処理炉１について説明する。
【０００４】
アウターチューブ２が、インナーチューブ４を囲繞し、該インナーチューブ４は前記アウターチューブ２と同心に配設され、壁面には第１排気口３が垂直方向に複数穿設されている。
【０００５】
前記アウターチューブ２の下端には円筒形状のマニホールド５が気密に設けられ、該マニホールド５には第２排気口６を介してガス排気管７が連通されている。該ガス排気管７と対向する前記マニホールド５の壁面には処理ガス導入ノズル８の下端部が水平に貫通し、該処理ガス導入ノズル８は前記インナーチューブ４の内壁に沿って垂直に立設されている。
【０００６】
ガス供給管９は前記処理ガス導入ノズル８に接続されている。前記マニホールド５の下端には炉口１１が形成され、前記インナーチューブ４は処理室１２を画成し、該処理室１２は前記炉口１１が炉口シールキャップ１３によって閉塞されることで気密に閉塞される。
【０００７】
又、基板保持具としてのボート１４は、前記炉口シールキャップ１３によって支持され、該炉口シールキャップ１３はボート回転機構１５に支持され、ウェーハ１６は前記ボート１４に水平姿勢で多段に保持され、該ボート１４は図示しないボートエレベータによって前記処理室１２に装入、装脱が可能となっている。
【０００８】
前記アウターチューブ２は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料から成り、上端は腕曲面で閉塞し下端が開口した有天筒状に形成されており、該アウターチューブ２と同心に配設された前記インナーチューブ４は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱材料から成り、外径が前記アウターチューブ２の内径よりも小さく、上端は腕曲面で閉塞し下端が開口した有天筒状に形成されている。ヒータ１７は、同心に配設された前記アウターチューブ２を囲繞することで前記処理炉１を形成し、該処理炉１は図示しないカバーによって四方を囲まれている。
【０００９】
前記第２排気口６は前記上端フランジ１８と前記内壁フランジ２１の間に設けられ、前記処理ガス導入ノズル８は、前記第２排気口６と径方向に対向する前記下端フランジ１９と前記内壁フランジ２１の間から前記処理室１２内に導入され、前記インナーチューブ４の側壁と前記ボート１４の間に立設されている。
【００１０】
前記処理炉１に於いて、前記ヒータ１７によりウェーハ１６が所定の温度迄加熱され、処理ガスが図示しないガス供給源から供給され、図示しないガス流量制御手段によって処理ガスの流量が調節された後、前記処理ガス導入ノズル８の上端より前記処理室１２の上部から導入され、拡散する。活性化された処理ガスがウェーハ１６表面を流れることで、ウェーハ１６に成膜等、所要の基板処理がなされる。前記処理室１２内の雰囲気は、前記ガス排気管７に接続された排気手段（例えば真空ポンプ２８）により、前記第１排気口３、前記第２排気口６を介して前記処理室１２から排気される。
【００１１】
基板処理装置でウェーハ１６の成膜処理を行う場合、該ウェーハ１６に対して均一に処理ガスを接触させる必要があるが、従来の様に前記インナーチューブ４の上部から処理ガスを導入し、前記インナーチューブ４の壁面に垂直に複数設けた前記第１排気口３から排気する構成の場合、前記インナーチューブ４上部に位置する前記第１排気口３からより多く処理ガスが排気されてしまう為、前記ボート１４の下部に保持された前記ウェーハ１６への処理ガスの供給量が少なくなり、前記処理室１２の上部と下部で処理ガス濃度が異なり、ウェーハ１６の膜厚に斑ができてしまうという問題があった。
【００１２】
又、基板処理を繰返すと、ガス供給管９、各チューブ、ガス排気管７等に反応生成物が付着、堆積する。従って、前記ガス供給管９や前記ガス排気管７の交換等のメンテナンスを行う必要がある。従来は、メンテナンスを行う際には、前記ガス供給管９と前記ガス排気管７が異なる側面に接続され、前記処理炉１がカバーによって囲まれていた為、一度カバーを取外して前記ガス供給管９と前記ガス排気管７をそれぞれ別々に着脱する必要があり、大掛りで面倒な作業となっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハ等の処理基板に対する処理ガス接触時間を増加させ、均一な処理ガスを供給できる基板処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、基板を収容するインナーチューブと、該インナーチューブを取囲むアウターチューブと、前記インナーチューブ内に設けられ、該インナーチューブ内にガスを供給するガスノズルと、前記インナーチューブと前記アウターチューブとの間にガスを排気する為に前記ガスノズルに対して径方向に対向する位置の前記インナーチューブに設けられた第１排気口と、前記インナーチューブと前記アウターチューブの間のガスを排気する為に、前記第１排気口に対して径方向に対向する位置の前記アウターチューブに設けられた第２排気口とを具備する基板処理装置に係るものである。
【００１５】
又本発明は、前記ガスノズルに接続されたガス供給管と、前記第２排気口に接続されたガス排気管とを具備し、前記ガス供給管及び前記ガス排気管が当該基板処理装置の同一側面に設けられた基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、基板を収容するインナーチューブと、該インナーチューブを取囲むアウターチューブと、前記インナーチューブ内に設けられ、該インナーチューブ内にガスを供給するガスノズルと、前記インナーチューブと前記アウターチューブとの間にガスを排気する為に前記ガスノズルに対して径方向に対向する位置の前記インナーチューブに設けられた第１排気口と、前記インナーチューブと前記アウターチューブの間のガスを排気する為に、前記第１排気口に対して径方向に対向する位置の前記アウターチューブに設けられた第２排気口とを具備するので、ガスがインナーチューブ内に滞留する時間が長くなり、ウェーハに対する処理ガス接触時間が増加することで前記ウェーハに均一に処理ガスを接触させることができ、成膜の効率を向上させることができる。更に、処理ガスのウェーハに対する接触時間が増加することにより、処理ガスを無駄なく使用できる様になる為、処理ガスの節約につながる。
【００１７】
又本発明によれば、前記ガスノズルに接続されたガス供給管と、前記第２排気口に接続されたガス排気管とを具備し、前記ガス供給管及び前記ガス排気管が当該基板処理装置の同一側面に設けられたので、処理炉の３方向がカバーで囲まれていても、該カバーを取外すことなくカバーで囲まれていない１方向から前記ガス供給管や前記ガス排気管の着脱を行うことができる為、着脱の手間を軽減でき、メンテナンスの効率が向上するという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１９】
図１は本発明が実施される基板処理装置を示しており、図１により本発明に於ける基板処理装置の概略を説明する。尚、図１中、図４と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
【００２０】
筐体３６内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット３７の授受を行う収納容器授受部としてのカセットステージ３８が設けられ、該カセットステージ３８の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ３９が設けられ、該カセットエレベータ３９には搬送手段としてのカセット搬送機４１が取付けられている。前記カセットエレベータ３９の後側には、前記カセット３７の載置手段としてのカセット棚４２が設けられ、該カセット棚４２はスライドステージ４３上に横行可能に設けられている。
【００２１】
又、前記カセット棚４２の上方には前記カセット３７の載置手段としてのバッファカセット棚４４が設けられている。更に、該バッファカセット棚４４の後側にはクリーンユニット４５が設けられ、該クリーンユニット４５はクリーンエアを前記筐体３６の内部を流通させる様に構成されている。
【００２２】
該筐体３６の後部上方には処理炉１が設けられ、該処理炉１はヒータ１７、該ヒータ１７内部に設けられ、処理室１２を画成するアウターチューブ２とインナーチューブ４（図４参照）を具備し、前記処理炉１の下側には、気密室としてのロードロック室４６が仕切弁としてのゲートバルブ４７を介して連設され、前記ロードロック室４６の前面には前記カセット棚４２と対向する位置に仕切り手段としてのロードロックドア４８が設けられている。
【００２３】
前記ロードロック室４６には、前記処理炉１に対してボート１４を昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ４９が内設され、該ボートエレベータ４９には蓋体としての炉口シールキャップ１３が取付けられ、該炉口シールキャップ１３には基板保持具である前記ボート１４が垂直に載置され、該ボート１４はウェーハ１６を水平姿勢で多段に保持している。
【００２４】
前記ロードロック室４６には排気ライン５１、ガス供給ライン５２が連通され、前記ロードロック室４６内が真空引きされ、又窒素ガス等の不活性ガスがガスパージ等の目的で供給可能となっている。
【００２５】
前記ロードロック室４６と前記カセット棚４２との間には図示しない昇降手段としての移載エレベータが設けられ、該移載エレベータには基板移載手段としてのウェーハ移載機５３が取付けられている。
【００２６】
以下、基板処理装置に於ける一連の作動を説明する。
【００２７】
図示しない外部搬送装置から搬送され、ウェーハ１６を収納した前記カセット３７は、前記カセットステージ３８に載置され、該カセットステージ３８で前記カセット３７の姿勢を９０゜変更され、前記カセットエレベータ３９の昇降動作、横行動作及び前記カセット搬送機４１の進退動作の協働により、前記カセット棚４２又は、前記バッファカセット棚４４に搬送される。
【００２８】
前記ウェーハ移載機５３により前記カセット棚４２から前記ボート１４へ前記ウェーハ１６が移載される。該ウェーハ１６を移載する準備として、前記ボート１４が前記ボートエレベータ４９により前記ロードロック室４６内に降下され、前記ゲートバルブ４７により前記処理炉１が閉塞され、更に前記ロードロック室４６の内部に前記ガス供給ライン５２から窒素ガス等のパージガスが導入される。前記ロードロック室４６が大気圧に復圧された後、前記ロードロックドア４８が開かれる。
【００２９】
前記スライドステージ４３は前記カセット棚４２を水平移動させ、移載の対象となる前記カセット３７を前記ウェーハ移載機５３に対峙する様に位置決めする。該ウェーハ移載機５３は昇降動作、回転動作、進退動作の協働により前記ウェーハ１６を前記カセット３７より前記ボート１４へと移載する。前記ウェーハ１６の移載はいくつかの前記カセット３７に対して行われ、前記ボート１４へ所定枚数のウェーハ１６の移載が完了した後、前記ロードロックドア４８が閉じられ、前記ロードロック室４６が真空引きされる。真空引き完了後に前記ガス供給ライン５２よりガスが導入され、前記ロードロック室４６内部が前記処理室１２内と同圧化される。前記ロードロック室４６内を真空雰囲気、或は窒素ガス等不活性ガス雰囲気とすることで、前記ウェーハ１６の自然生成が抑制される。
【００３０】
前記ゲートバルブ４７が開かれ、前記ボートエレベータ４９により前記ボート１４が前記処理炉１内に装入され、前記ゲートバルブ４７が閉じられ、前記ウェーハ１６の処理がなされる。
【００３１】
該ウェーハ１６の処理は、減圧雰囲気で前記ヒータ１７により４００℃〜９５０℃（処理の内容により加熱温度が選択される）で前記処理炉１内が加熱され、前記処理室１２に前記ガス供給ライン５２が導入され、前記排気ライン５１により反応後のガスが排気され、前記処理室１２が所定の温度、気圧に保持された状態で前記ウェーハ１６に所要の処理がなされる様になっている。
【００３２】
前記処理炉１内で前記ウェーハ１６に所定の処理がなされた後、前記ゲートバルブ４７が開かれ、前記ボートエレベータ４９により窒素ガス雰囲気とされた前記ロードロック室４６内に前記処理炉１から前記ボート１４が引出され、前記ロードロック室４６内で処理済の前記ウェーハ１６が所要の温度迄冷却される。
【００３３】
前記ロードロック室４６が真空引きされた状態の場合は、該ロードロック室４６内部を窒素ガスにより大気圧に復圧させた後に前記ロードロックドア４８が開かれる。前記ロードロック室４６内を真空雰囲気、或は窒素ガス等不活性ガス雰囲気とすることで、前記ウェーハ１６に生成される無用な成膜が防止される。
【００３４】
処理後の前記ウェーハ１６は、上記した作動の逆の手順により前記ボート１４から前記ウェーハ移載機５３により前記カセット３７に移載され、該カセット３７は前記カセット棚４２を経て前記カセットステージ３８に移載され、図示しない外部搬送装置により搬出される。
【００３５】
前記カセット搬送機４１、前記ウェーハ移載機５３等の動作は、搬送制御手段５４により制御される。
【００３６】
次に、図２、図３に於いて、本発明の処理炉１について説明する。尚、図２、図３中、図４と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
【００３７】
本発明に於ける処理炉１は、図４で示した処理炉１と基本的には同様な構成であり、アウターチューブ２、該アウターチューブ２の内側に同心で配設されたインナーチューブ４、前記アウターチューブ２の下端に配設され、上端部、下端部及び内壁に設けられたフランジによって前記アウターチューブ２と前記インナーチューブ４を支持するマニホールド５、該マニホールド５に第２排気口６を介して連通したガス排気管７、前記マニホールド５を水平に貫通し、前記インナーチューブ４の内壁に沿って垂直に立設された処理ガス導入ノズル８、該処理ガス導入ノズル８に接続されたガス供給管９、炉口１１を閉塞し、前記インナーチューブ４の筒中空部に画成された処理室１２を気密に閉塞する炉口シールキャップ１３、基板保持具としてのボート１４、ボート回転機構１５、図示しないヒータ素線と断熱部材によりウェーハ１６を加熱するヒータ１７等から構成されている。
【００３８】
前記処理ガス導入ノズル８は、下端が水平方向に屈曲されたＬ字形状をしており、前記マニホールド５の下端フランジ１９と内壁フランジ２１の間を前記処理ガス導入ノズル８の水平部が貫通し、垂直部は前記インナーチューブ４と前記ボート１４の間に立設されている。
【００３９】
前記処理ガス導入ノズル８に接続された前記ガス供給管９と前記第２排気口６に接続された前記ガス排気管７は前記マニホールド５の同一側面又は略同一側面に設けられている。又、前記処理ガス導入ノズル８には、前記処理室１２の中心方向に向けて処理ガス噴出孔５５が穿設されており、該処理ガス噴出孔５５は上下方向に、所定の間隔で複数設けられている。これにより、より均一にウェーハ１６に処理ガスを接触することができる。
【００４０】
前記インナーチューブ４の側壁には複数の第１排気口３が垂直方向に所定の間隔で複数穿設されており、該第１排気口３は前記処理ガス導入ノズル８に設けられた前記処理ガス噴出孔５５と径方向に対向している。尚、前記処理ガス噴出孔５５と前記第１排気口３は同一の数設けて互いに水平となる様に構成してもよいし、異なる数で水平でなくてもよい。然し乍ら、より好ましいのは、各基板に合わせて前記処理ガス噴出口５５と前記第１排気口３がそれぞれ略水平に設けられる構成であり、これにより処理ガスが均一に行渡ることができる。
【００４１】
前記ガス排気管７は、前記マニホールド５の上端フランジ１８と前記内壁フランジ２１の間に穿設された前記第２排気口６を介して接続されており、前記処理ガス導入ノズル８と前記ガス排気管７は同一側面又は略同一側面に設けられている。
【００４２】
又、前記処理炉１は、前記ガス供給管９と前記ガス排気管７が設けられた方向以外の３方向をカバー５６に囲まれている。尚、該カバー５６の断面形状は凹字形であっても、半円筒形であってもよい。
【００４３】
前記処理ガス導入ノズル８は、ガス導入バルブ３５を介して前記ガス供給管９に接続されている。該ガス供給管９は上流側で３つに分岐し、それぞれが第１のガス供給源２２、第２のガス供給源２３、第３のガス供給源２４に接続されている。各ガス供給源はそれぞれＭＦＣ２５、ＭＦＣ２６、ＭＦＣ２７と、バルブ３２、バルブ３３、バルブ３４に接続され、各ＭＦＣと各バルブによって処理ガスの流量が所望の流量となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００４４】
各ガス供給源に封入された処理ガスは、前記各ＭＦＣ、前記各バルブを通じて前記ガス供給管９内で混合され、前記ガス導入バルブ３５、前記処理ガス導入ノズル８を介して前記処理室１２内に導入される。
【００４５】
尚、前記ボート回転機構１５、前記ヒータ１７、前記各ＭＦＣ、前記各バルブ、真空ポンプ２８、ガス排気バルブ３１、前記ガス導入バルブ３５は制御装置２９と電気的に接続されており、前記ボート回転機構１５、前記ヒータ１７、前記各ＭＦＣ、前記各バルブ、前記真空ポンプ２８、前記ガス排気バルブ３１、前記ガス導入バルブ３５は前記制御装置２９によって制御される。
【００４６】
次に、上記構成の基板処理装置を用いた基板処理の一例として、Ｅｐｉ−ＳｉＧｅ膜を生成する場合について説明する。
【００４７】
未処理のウェーハ１６を保持した前記ボート１４は、前記ボートエレベータ４９を駆動することにより、前記処理室１２に装入される。次に、前記制御装置２９からの命令により前記ガス排気バルブ３１を開けて、前記処理室１２内の雰囲気を排気し、該処理室１２を所定の圧力迄減圧する。そして、前記制御装置２９により前記ヒータ１７を制御し、前記処理室１２の温度、延いては前記ウェーハ１６の温度を所定の温度に維持する。その後、前記制御装置２９からの命令により、前記ボート回転機構１５が駆動され、前記ボート１４を所定の回転速度で回転する。
【００４８】
少なくとも、前記第１のガス供給源２２、前記第２のガス供給源２３、前記第３のガス供給源２４には、処理ガスとして、例えばそれぞれＳｉＨ4 又はＳｉ2 Ｈ6 、ＧｅＨ4 、Ｈ2 が封入されており、それぞれのガス供給源には前記ＭＦＣ２５、前記ＭＦＣ２６、前記ＭＦＣ２７が設けられている。前記制御装置２９からの命令で、前記ＭＦＣ２５、前記ＭＦＣ２６、前記ＭＦＣ２７の開度が調節された後、前記ガス供給管９を開閉する前記バルブ３２、前記バルブ３３、前記バルブ３４が開かれる。前記処理ガスが前記ガス供給管９を通じて、前記処理ガス導入ノズル８に複数設けられた前記処理ガス噴出孔５５から前記処理室１２内に導入される。
【００４９】
該処理室１２内は真空状態である為、前記処理ガスは、前記処理ガス噴出孔５５から噴出された段階で前記処理室１２内に拡散する。又、前記処理ガス噴出孔５５は上下方向に所定の間隔で複数設けられている為、前記処理ガスは複数箇所から前記処理室１２内に導入、拡散される。
【００５０】
前記処理ガス噴出孔５５より前記処理室１２内に導入された前記処理ガスは、前記処理室１２内を正面方向や上下方向、或は左右方向に拡散し、拡散した前記処理ガスは、正面、或は前記インナーチューブ４の内壁に沿って前記処理室１２内を進み、前記ウェーハ１６と接触して成膜させ、前記第１排気口３より排出される。
【００５１】
成膜処理が完了した後、前記ガス排気バルブ３１を開き、前記真空ポンプ２８を作動させることで、前記処理室１２内に導入された処理ガスが前記第１排気口３から排気され、前記インナーチューブ４と前記アウターチューブ２の間を通り、前記ガス供給管９と同一側面又は略同一側面に設けられた前記第２排気口６と連通した前記ガス排気管７を通じて前記処理炉１から排気される。
【００５２】
前記ウェーハ１６に対する成膜処理が終了した後、前記ボートエレベータ４９を駆動させて前記ボート１４を前記処理炉１から引出し、前記ウェーハ１６は前記ロードロック室４６にて所定の温度迄冷却される。
【００５３】
冷却後のウェーハ１６は前記ウェーハ移載機５３により前記カセット３７に移載され、該カセット３７は前記カセット棚４２を経て前記カセットステージ３８に移載され、図示しない外部搬送装置によって搬出され、一連の処理が完了する。
【００５４】
前記処理ガス噴出孔５５は、前方だけでなく上下方向や左右方向、即ち前記インナーチューブ４の内壁に沿う様にガスを噴出して拡散させ、又前記第１排気口３を径方向に対向する位置に設けたことで前記処理ガスによるインナーチューブ４内の滞留時間が長くなり、前記ウェーハ１６の処理ガス接触時間が増加し、更に前記処理ガス噴出孔５５を複数設けたことにより、前記ウェーハ１６に対して処理ガスを均一に接触させることができる為、該ウェーハ１６に効率よくＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜を成膜することができる。更に、処理ガスのウェーハ１６に対する接触時間が増加することにより、処理ガスを無駄なく使用できる様になる為、処理ガスの節約となる。
【００５５】
上記の処理を複数回行った場合、前記ガス排気管７、各チューブ、前記ガス供給管９の内部に対して生成物が堆積し、処理ガスの供給、排気の効率が低下する。その為、特に前記ガス排気管７や前記ガス供給管９の定期的なメンテナンスが必要となる。メンテナンスは、前記ガス排気管７及び前記ガス供給管９を取外し、内壁に堆積した生成物を除去してから再び取付けるか、或は前記ガス排気管７と前記ガス供給管９を新しいものに交換する等の手段によって行われる。
【００５６】
本発明の場合、前記ガス排気管７と前記ガス供給管９を同一側面に設けたことで、前記ガス排気管７と前記ガス供給管９の交換を一度に行うことができ、容易となる。又、前記カバー５６を設けている場合でも前記ガス排気管７や前記ガス供給管９が設けられた側面は開放されているので、前記カバー５６を取外すことなく前記ガス排気管７や前記ガス供給管９を交換可能である為、メンテナンスに要する作業負担を著しく軽減できる。
【００５７】
尚、本発明ではＳｉＧｅ膜の形成を例にとって説明しているが、Ｓｉ膜の形成も可能であることは言う迄もない。又、本発明では、ガスノズル８はインナーチューブ４内に１本のみ設けたが、処理ガスがウェーハ１６に対して均一に供給できるのであれば、複数本設けてもよく、形状や長さに制約はない。但し、ガスノズル８に対して径方向に対向する位置のインナーチューブ４に第１排気口３が設けられているものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に於ける基板処理装置の斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態の処理炉を示す縦断面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ矢視図である。
【図４】従来の処理炉を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１              処理炉
２              アウターチューブ
３              第１排気口
４              インナーチューブ
５              マニホールド
６              第２排気口
７              ガス排気管
８              処理ガス導入ノズル
９              ガス供給管
１２            処理室
１４            ボート
１６            ウェーハ
５５            処理ガス噴出孔
５６            カバー
【図１】
2010140999.tif 000003
【図２】
2010140999.tif 000004
【図３】
2010140999.tif 000005
【図４】
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