(57)【要約】【課題】電子部品が実装された回路基板や部品内蔵型の回路基板に対する検査における検査精度および検査効率を向上させる。【解決手段】一次導体パターン群（Ｇｆ１〜Ｇｆ３）内の各導体パターン（Ｐ１〜Ｐ１８）を互いに同電位としつつ高電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて導体パターン間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査、および二次導体パターン群（Ｇｓ）内の各導体パターンを互いに同電位としつつ低電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて導体パターン間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を連続して実行すると共に、両絶縁検査のいずれもが行われていない導体パターンに導通検査用信号を供給したときに生じる物理量に基づいて導体パターンの導通状態を検査する導通検査を両絶縁検査のいずれか一方と並行して実行する検査部を備えている。【選択図】図２
2010032293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体パターンおよび当該導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板の当該各導体パターン間の絶縁状態および当該各導体パターンの導通状態を検査する検査部を備えた回路基板検査装置であって、
前記検査部は、前記電子部品を介して接続されている前記各導体パターンで構成される一次導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ当該一次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に高電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該高電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査、および前記一次導体パターン群内の前記導体パターンであってかつ抵抗値が所定値以下の前記電子部品を介して接続されている当該導体パターンで構成される二次導体パターン群内の当該各導体パターンを互いに同電位としつつ当該二次導体パターン群が属する前記一次導体パターン群内における当該二次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に低電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該低電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を連続して実行すると共に、
前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査のいずれもが行われていない前記導体パターンに導通検査用信号を供給したときに当該導体パターンの両端部間に生じる物理量に基づいて当該導体パターンの導通状態を検査する導通検査を前記両絶縁検査のいずれか一方と並行して実行する回路基板検査装置。
【請求項２】
前記電子部品が接続されている導体パターンを特定可能な接続データ、および前記電子部品の抵抗値を示す電子部品データを記憶する記憶部と、前記接続データに基づいて前記一次導体パターン群を特定すると共に、前記接続データおよび前記電子部品データに基づいて前記二次導体パターン群を特定する特定処理を実行する処理部とを備えている請求項１記載の回路基板検査装置。
【請求項３】
複数の導体パターンおよび当該導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板の当該各導体パターン間の絶縁状態および当該各導体パターンの導通状態を検査する回路基板検査方法であって、
前記電子部品を介して接続されている前記各導体パターンで構成される一次導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ当該一次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に高電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該高電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査、および前記一次導体パターン群内の前記導体パターンであってかつ抵抗値が所定値以下の前記電子部品を介して接続されている当該導体パターンで構成される二次導体パターン群内の当該各導体パターンを互いに同電位としつつ当該二次導体パターン群が属する前記一次導体パターン群内における当該二次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に低電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該低電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を連続して実行すると共に、
前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査のいずれもが行われていない前記導体パターンに導通検査用信号を供給したときに当該導体パターンの両端部間に生じる物理量に基づいて当該導体パターンの導通状態を検査する導通検査を前記両絶縁検査のいずれか一方と並行して実行する回路基板検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の導体パターン、および導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板における各導体パターン間の絶縁状態および各導体パターンの導通状態を検査する回路基板検査装置および回路基板検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の回路基板検査装置として、特開２００１−６６３５１号公報に開示された回路基板検査装置が知られている。この回路基板検査装置は、フィクスチャおよび接続計測部を備えて、回路基板における各導体パターン（ランドパターン）の導通検査や各導体パターンの間の絶縁検査を実行可能に構成されている。この場合、フィクスチャは、回路基板の各導体パターンに対応する複数のプローブピンがその上面に突出形成された下側フィクスチャと、回路基板の他面に実装された各電子部品間の隙間に対応して複数の当接ピンがその下面に形成されると共に昇降機構によって上下方向に移動させられる上側フィクスチャとで構成されている。この回路基板検査装置では、下側フィクスチャと上側フィクスチャとの間に回路基板を挟み込むことによって下側フィクスチャのプローブピンを各導体パターンに接触させて所定のプローブピンに信号を供給した状態で、接続計測部がプローブピンを介して入力する信号に基づいて各導体パターンの間の絶縁検査や各導体パターンの導通検査を行う。この場合、この種の回路基板検査装置では、絶縁検査および導通検査のいずれか一方を行い、その後に両検査の他方が行われる。
【０００３】
一方、各導体パターンの間の絶縁検査を行う際には、各導体パターンに高電圧を供給（印加）する必要があるため、電子部品が実装された回路基板や基板内に電子部品が内蔵された部品内蔵型の回路基板に対してこの絶縁検査を行う際には、高電圧の印加によって電子部品が損傷するおそれがある。このため、発明者らは、電子部品の損傷を回避しつつ導体パターン間の絶縁検査を行うことが可能な回路基板検査装置を開発している。この回路基板検査装置では、電子部品によって互いに接続されている導体パターンを１つの導体パターン群として規定して、この導体パターン群内の各導体パターンを互いに同電位としつつ導体パターン群外の導体パターンとの間に検査用信号を供給（印加）して、検査用信号が供給されている導体パターン間の絶縁検査が行われる。このため、この回路基板検査装置では、同一導体パターン群内における各導体パターン間に電位差が生じることに起因しての、導体パターン間に配設された電子部品が損傷する事態を回避することが可能となっている。
【特許文献１】特開２００１−６６３５１号公報（第３−５頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、発明者が既に開発している上記の回路基板検査装置にも、改善すべき以下の課題がある。すなわち、この回路基板検査装置では、導体パターン群内の各導体パターンを互いに同電位とすることで、電子部品の損傷を回避している。しかしながら、この回路基板検査装置では、導体パターン群内の導体パターンと導体パターン群外の導体パターンとの間の絶縁検査を行うことが可能なものの、電子部品を介して接続されている導体パターン群内の各導体パターン間の絶縁検査を行うことが困難である。このため、この回路基板検査装置では、電子部品が実装された回路基板や部品内蔵型の回路基板を検査対象とする絶縁検査の検査精度を向上させるのが困難であり、この点の改善が望まれている。また、発明者が既に開発している上記の回路基板検査装置を含むこの種の回路基板検査装置では、絶縁検査および導通検査の一方を行った後に両検査の他方を行っている。このため、この回路基板検査装置には、数多くの導体パターンを有する回路基板に対する検査を行う際には、導通検査および絶縁検査のそれぞれに多くの時間を要する結果、検査効率の向上が困難でありこの点の改善も望まれている。
【０００５】
本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、電子部品が実装された回路基板や部品内蔵型の回路基板に対する検査における検査精度および検査効率を向上し得る回路基板検査装置および回路基板検査方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成すべく請求項１記載の回路基板検査装置は、複数の導体パターンおよび当該導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板の当該各導体パターン間の絶縁状態および当該各導体パターンの導通状態を検査する検査部を備えた回路基板検査装置であって、前記検査部は、前記電子部品を介して接続されている前記各導体パターンで構成される一次導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ当該一次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に高電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該高電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査、および前記一次導体パターン群内の前記導体パターンであってかつ抵抗値が所定値以下の前記電子部品を介して接続されている当該導体パターンで構成される二次導体パターン群内の当該各導体パターンを互いに同電位としつつ当該二次導体パターン群が属する前記一次導体パターン群内における当該二次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に低電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該低電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を連続して実行すると共に、
前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査のいずれもが行われていない前記導体パターンに導通検査用信号を供給したときに当該導体パターンの両端部間に生じる物理量に基づいて当該導体パターンの導通状態を検査する導通検査を前記両絶縁検査のいずれか一方と並行して実行する。
【０００７】
また、請求項２記載の回路基板検査装置は、請求項１記載の回路基板検査装置において、前記電子部品が接続されている導体パターンを特定可能な接続データ、および前記電子部品の抵抗値を示す電子部品データを記憶する記憶部と、前記接続データに基づいて前記一次導体パターン群を特定すると共に、前記接続データおよび前記電子部品データに基づいて前記二次導体パターン群を特定する特定処理を実行する処理部とを備えている。
【０００８】
また、請求項３記載の回路基板検査方法は、複数の導体パターンおよび当該導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板の当該各導体パターン間の絶縁状態および当該各導体パターンの導通状態を検査する回路基板検査方法であって、前記電子部品を介して接続されている前記各導体パターンで構成される一次導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ当該一次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に高電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該高電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査、および前記一次導体パターン群内の前記導体パターンであってかつ抵抗値が所定値以下の前記電子部品を介して接続されている当該導体パターンで構成される二次導体パターン群内の当該各導体パターンを互いに同電位としつつ当該二次導体パターン群が属する前記一次導体パターン群内における当該二次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に低電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該低電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を連続して実行すると共に、前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査のいずれもが行われていない前記導体パターンに導通検査用信号を供給したときに当該導体パターンの両端部間に生じる物理量に基づいて当該導体パターンの導通状態を検査する導通検査を前記両絶縁検査のいずれか一方と並行して実行する。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１記載の回路基板検査装置、および請求項３記載の回路基板検査方法では、一次導体パターン群内の各導体パターンを互いに同電位としつつ高電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて高電圧信号が供給されている導体パターン間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査と、二次導体パターン群内の各導体パターンを互いに同電位としつつ低電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて低電圧信号が供給されている導体パターン間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を実行する。このため、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、第１絶縁検査を実行することで、２つの一次導体パターン群間の絶縁の良否や一次導体パターン群と単独の導体パターンとの間の絶縁の良否を、電子部品を破損させることなく行うことができるのに加えて、第２絶縁検査を実行することで、従来の回路基板検査装置および回路基板検査方法では困難であった一次導体パターン群内における導体パターン間の絶縁の良否を、電子部品を破損させることなく確実かつ容易に行うことができる。したがって、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、絶縁検査の検査精度を十分に向上することができる。また、この回路基板検査装置および回路基板検査方法では、第１絶縁検査および第２絶縁検査を連続して実行すると共に、第１絶縁検査および第２絶縁検査のいずれもが行われていない導体パターンに電流信号を供給したときにその導体パターンの両端部に生じる物理量に基づいてその導体パターンの導通状態を検査する導通検査を両絶縁検査と並行して実行する。したがって、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、絶縁検査および導通検査のいずれか一方を行い、その後に両検査の他方を行う従来の回路基板検査装置と比較して、両絶縁検査と導通検査とを並行して行う時間の分だけ、全体としての検査時間を短縮することができる。したがって、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、数多くの導体パターンを有する回路基板に対する検査を行う際の検査効率を十分に向上させることができる。
【００１０】
また、請求項２記載の回路基板検査装置では、処理部が接続データおよび電子部品データに基づいて一次導体パターン群および二次導体パターン群を特定する特定処理を実行する。このため、この回路基板検査装置によれば、どの導体パターンが電子部品によって接続されているかを調査して一次導体パターン群および二次導体パターン群を人手によって特定する作業を不要とすることができる結果、その分、検査効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る回路基板検査装置および回路基板検査方法の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１２】
最初に、回路基板検査装置１の構成について説明する。図１に示す回路基板検査装置１は、本発明に係る回路基板検査装置の一例であって、例えば、複数の導体パターンＰ１〜Ｐ１９（図２参照：以下、区別しないときには「導体パターンＰ」ともいう）および導体パターンＰに接続された電子部品Ｅ１〜Ｅ６（同図参照：以下、区別しないときには「電子部品Ｅ」ともいう）を有する回路基板１００における各導体パターンＰ間の絶縁状態および各導体パターンＰの導通状態を、本発明に係る回路基板検査方法に従って検査可能に構成されている。具体的には、回路基板検査装置１は、図１に示すように、基板保持部２、プローブユニット３、移動機構４および検査部５を備えて構成されている。
【００１３】
基板保持部２は、保持板と、保持板に取り付けられて回路基板１００の端部を挟み込んで固定するクランプ機構（いずれも図示せず）とを備えて、回路基板１００を保持可能に構成されている。プローブユニット３は、複数のプローブピン２１を備えて治具型に構成されている。この場合、プローブユニット３は、回路基板１００の各導体パターンＰに設けられている電気部品接続用の接続点Ｈ（図２参照）の位置に応じて、プローブピン２１の数や配列パターンが規定されている。移動機構４は、制御部１５の制御に従い、上下方向にプローブユニット３を移動させることによってプロービングを実行する。
【００１４】
検査部５は、図１に示すように、スキャナ部１１、検査用信号生成部１２、測定部１３、記憶部１４および制御部１５を備えて構成されている。スキャナ部１１は、複数のスイッチ（図示せず）を備えて構成され、制御部１５の制御に従って各スイッチをオン状態またはオフ状態に移行させることにより、プローブユニット３におけるプローブピン２１と検査用信号生成部１２との接断（接続および切断）、およびプローブピン２１と測定部１３との接断を行う。
【００１５】
検査用信号生成部１２は、電圧信号生成回路３１および電流信号生成回路３２を備えて構成されている。電圧信号生成回路３１は、制御部１５の制御に従い、絶縁検査用の高電圧信号Ｓｖ１および低電圧信号Ｓｖ２（以下、区別しないときには「電圧信号Ｓｖ」ともいう）を生成する。この場合、この回路基板検査装置１では、高電圧信号Ｓｖ１が、一例として、１０Ｖ〜１０００Ｖ程度に規定されている。一方、低電圧信号Ｓｖ２は、電子部品Ｅに印加しても破損しない程度の電圧（一例として、０．１Ｖ〜０．５Ｖ程度）に規定されている。電流信号生成回路３２は、制御部１５の制御に従い、電流信号Ｓｉ（本発明における導通検査用信号であって、一例として、直流電流）を生成する。測定部１３は、電圧信号Ｓｖの供給に伴って導体パターンＰ間に流れる電流（本発明における物理量の一例）を測定する。また、測定部１３は、電流信号Ｓｉの供給に伴って導体パターンＰの両端部間（両接続点Ｈ，Ｈ間）に生じる電圧（本発明における物理量の一例）を測定する。
【００１６】
記憶部１４は、制御部１５によって実行される検査処理５０（図５参照）において用いられる接続データＤ１および電子部品データＤ２を記憶する。この場合、接続データＤ１は、本発明における接続データの一例であって、図３に概念的に示すように、回路基板１００に実装されている各電子部品Ｅ１〜Ｅ６が接続されている導体パターンＰを特定可能な情報を含んで構成されている。また、電子部品データＤ２は、図４に概念的に示すように、各電子部品Ｅ１〜Ｅ４の抵抗値を示す情報を含んで構成されている。また、記憶部１４は、制御部１５によって生成される一次導体パターン群データＤ３（図６参照）および二次導体パターン群データＤ４（図７参照）を記憶する。
【００１７】
制御部１５は、図外の操作部から出力される操作信号に従って移動機構４および検査部５を構成する各構成要素を制御する。具体的には、制御部１５は、移動機構４によるプローブユニット３の移動を制御する。また、制御部１５は、検査用信号生成部１２による電圧信号Ｓｖおよび電流信号Ｓｉの生成を制御すると共にスキャナ部１１による接断処理を制御することにより、回路基板１００の導体パターンＰに対して電圧信号Ｓｖおよび電流信号Ｓｉを供給させる。また、制御部１５は、検査処理５０において、後にそれぞれ詳述する、第１絶縁検査、第２絶縁検査および導通検査を実行する。また、制御部１５は、本発明における処理部として機能し、回路基板１００における各導体パターンＰの中から、電子部品Ｅを介して接続されている複数の導体パターンＰで構成される一次導体パターン群Ｇｆ１〜Ｇｆ３（図２参照：以下、区別しないときには「一次導体パターン群Ｇｆ」ともいう）を接続データＤ１に基づいて特定して一次導体パターン群データＤ３を生成して、生成した一次導体パターン群データＤ３を記憶部１４に記憶させる。また、制御部１５は、一次導体パターン群Ｇｆ内の導体パターンＰであってかつ抵抗値が所定値（一例として、１ＫΩ）以下の電子部品Ｅを介して接続されている導体パターンＰで構成される二次導体パターン群Ｇｓ（同図参照）を接続データＤ１および電子部品データＤ２に基づいて特定して二次導体パターン群データＤ４を生成して、生成した二次導体パターン群データＤ４を記憶部１４に記憶させる。なお、一次導体パターン群Ｇｆを特定する処理、および二次導体パターン群Ｇｓを特定する処理が本発明における特定処理に相当する。
【００１８】
次に、回路基板検査装置１を用いて本発明に係る回路基板検査方法に従い、回路基板１００における各導体パターンＰ間の絶縁状態および各導体パターンＰの導通状態を検査する方法、およびその際の回路基板検査装置１の動作について、図面を参照して説明する。なお、回路基板１００は、図２に示すように、一例として、１９個の導体パターンＰ１〜Ｐ１９が一面に形成されると共に、６個の電子部品が実装されて構成されているものとする。
【００１９】
まず、検査対象の回路基板１００を基板保持部２における保持板（図示せず）に載置し、次いで、基板保持部２のクランプ機構（図示せず）で回路基板１００の端部を挟み込んで固定することにより、回路基板１００を基板保持部２に保持させる。続いて、図外の操作部を用いて検査開始操作を行う。この際に、制御部１５が、操作部から出力された操作信号に従い、移動機構４を制御してプローブユニット３を下向きに移動させる。これにより、プローブユニット３の各プローブピン２１の先端部が各導体パターンＰの各接続点Ｈに接触（プロービング）させられる。
【００２０】
次いで、制御部１５は、図５に示す検査処理５０を実行する。この検査処理５０では、制御部１５は、記憶部１４から接続データＤ１および電子部品データＤ２を読み出す（ステップ５１）。続いて、制御部１５は、接続データＤ１に基づいて一次導体パターン群Ｇｆを特定する（ステップ５２）。この場合、制御部１５は、図６に示すように、電子部品Ｅ１，Ｅ２を介して接続されている導体パターンＰ１，Ｐ２で構成される一次導体パターン群Ｇｆ１、電子部品Ｅ３を介して接続されている導体パターンＰ３，Ｐ４で構成される一次導体パターン群Ｇｆ２、および電子部品Ｅ４〜Ｅ６を介して接続されている導体パターンＰ５〜Ｐ１８で構成される一次導体パターン群Ｇｆ３を特定する。次いで、制御部１５は、特定した各一次導体パターン群Ｇｆ１〜Ｇｆ３を識別する番号（同図に示す同電位番号「１〜３」）と各導体パターンＰとを関連付けた一次導体パターン群データＤ３を生成して、記憶部１４に記憶させる。
【００２１】
続いて、制御部１５は、接続データＤ１および電子部品データＤ２に基づいて二次導体パターン群Ｇｓを特定する（ステップ５３）。この場合、制御部１５は、基準値（例えば１ＫΩ）以下の抵抗値の電子部品Ｅ（この例では、電子部品Ｅ４（図４参照））を電子部品データＤ２に基づいて特定し、図７に示すように、その電子部品Ｅ４を介して接続されている導体パターンＰ７，Ｐ１４で構成される二次導体パターン群Ｇｓを接続データＤ１に基づいて特定する。次いで、制御部１５は、特定した二次導体パターン群Ｇｓを識別する番号（同図に示す同電位番号「１１」）と各導体パターンＰとを関連付けた二次導体パターン群データＤ４を生成して、記憶部１４に記憶させる。
【００２２】
この場合、上記したように、この回路基板検査装置１では、制御部１５が接続データＤ１および電子部品データＤ２に基づいて一次導体パターン群Ｇｆおよび二次導体パターン群Ｇｓを特定して、一次導体パターン群データＤ３および二次導体パターン群データＤ４として記憶部１４に記憶させる。このため、この回路基板検査装置１では、どの導体パターンＰが電子部品Ｅによって接続されているかを調査して一次導体パターン群Ｇｆおよび二次導体パターン群Ｇｓを特定する作業や、作成した一次導体パターン群データＤ３および二次導体パターン群データＤ４を入力する作業が不要なため、その分、検査効率を向上させることが可能となっている。
【００２３】
続いて、制御部１５は、第１絶縁検査を実行する（ステップ５４）。この第１絶縁検査では、制御部１５は、検査用信号生成部１２の電圧信号生成回路３１を制御して高電圧信号Ｓｖ１を生成させる。次いで、制御部１５は、図６に示す一次導体パターン群データＤ３に基づいて各一次導体パターン群Ｇｆを特定し、次いで、スキャナ部１１を制御して、そのうちの１つの一次導体パターン群Ｇｆ（例えば、一次導体パターン群Ｇｆ１：図２参照）内の各導体パターンＰ（この例では、導体パターンＰ１，Ｐ２：同図参照）の各接続点Ｈに接触しているプローブピン２１と電圧信号生成回路３１とを接続する。また、制御部１５は、スキャナ部１１を制御して、上記した１つの一次導体パターン群Ｇｆ１とは異なる他の一次導体パターン群Ｇｆ（例えば、一次導体パターン群Ｇｆ２）内の各導体パターンＰ（この例では、導体パターンＰ３，Ｐ４：同図参照）の各接続点Ｈに接触しているプローブピン２１をグランド電位に接続する。
【００２４】
これにより、高電圧信号Ｓｖ１が、一次導体パターン群Ｇｆ１内の各導体パターンＰと、一次導体パターン群Ｇｆ２内の各導体パターンＰとの間に各プローブピン２１を介して供給（印加）される。なお、この例では、一次導体パターン群Ｇｆ１内の各導体パターンＰが、一次導体パターン群Ｇｆ２側から見たときの一次導体パターン群Ｇｆ外の導体パターンＰに相当し、一次導体パターン群Ｇｆ２内の各導体パターンＰが、一次導体パターン群Ｇｆ１側から見たときの一次導体パターン群Ｇｆ外の導体パターンＰに相当する。
【００２５】
この場合、上記したように、一次導体パターン群Ｇｆ１内の各導体パターンＰがプローブピン２１を介して検査用信号生成部１２に接続されて各導体パターンＰが同電位（この例では、高電圧信号Ｓｖ１の電位）に維持され、一次導体パターン群Ｇｆ２内の各導体パターンＰがプローブピン２１を介してグランド電位に接続されて各導体パターンＰが同電位（この例では、グランド電位）に維持されている。このため、同じ一次導体パターン群Ｇｆ内の各導体パターンＰ間に大きな電位差が生じることに起因しての、各導体パターンＰ間に接続されている電子部品Ｅが破損する事態が確実に防止される。
【００２６】
続いて、制御部１５は、測定部１３に対して、高電圧信号Ｓｖ１の供給に伴って一次導体パターン群Ｇｆ１と一次導体パターン群Ｇｆ２との間に流れる電流を測定させる。次いで、制御部１５は、測定部１３によって測定された電流の測定値および高電圧信号Ｓｖ１の電圧値に基づいて抵抗値を算出し、その抵抗値と所定の基準値とを比較して一次導体パターン群Ｇｆ１内の導体パターンＰと一次導体パターン群Ｇｆ２内の導体パターンＰとの間（高電圧信号Ｓｖ１を供給している導体パターンＰ間）の絶縁状態を検査する。
【００２７】
続いて、制御部１５は、上記した第１絶縁検査を実行して、一次導体パターン群Ｇｆ１内の導体パターンＰと一次導体パターン群Ｇｆ３内の導体パターンＰとの間、一次導体パターン群Ｇｆ２内の導体パターンＰと一次導体パターン群Ｇｆ３内の導体パターンＰとの間、電子部品Ｅを介して接続されていない単独の導体パターンＰ１９と一次導体パターン群Ｇｆ１内の導体パターンＰとの間、導体パターンＰ１９と一次導体パターン群Ｇｆ２内の導体パターンＰとの間、および導体パターンＰ１９と一次導体パターン群Ｇｆ３内の導体パターンＰとの間の絶縁状態の検査を順次行う。
【００２８】
続いて、制御部１５は、全ての一次導体パターン群Ｇｆ間、および一次導体パターン群Ｇｆと単独の導体パターンＰ１９との間についての第１絶縁検査を終了したときには、第２絶縁検査を実行する（ステップ５５）。この第２絶縁検査では、制御部１５は、検査用信号生成部１２の電圧信号生成回路３１を制御して低電圧信号Ｓｖ２を生成させる。また、制御部１５は、図７に示す二次導体パターン群データＤ４に基づいて二次導体パターン群Ｇｓを特定し、次いで、スキャナ部１１を制御して、二次導体パターン群Ｇｓ内の各導体パターンＰ（この例では、導体パターンＰ７，Ｐ１４）の各接続点Ｈに接触しているプローブピン２１と電圧信号生成回路３１とを接続する。また、制御部１５は、二次導体パターン群データＤ４に基づいて二次導体パターン群Ｇｓが所属する一次導体パターン群Ｇｆ（この例では、一次導体パターン群Ｇｆ３：図２参照）を特定し、続いて、スキャナ部１１を制御して、一次導体パターン群Ｇｆ３内における二次導体パターン群Ｇｓ外の導体パターンＰ（この例では、導体パターンＰ５，Ｐ６，Ｐ８〜Ｐ１３，Ｐ１５〜Ｐ１８：同図参照）の内の１つ（導体パターンＰ５とする）における接続点Ｈに接触しているプローブピン２１をグランド電位に接続する。これにより、低電圧信号Ｓｖ２が、二次導体パターン群Ｇｓ内の各導体パターンＰと、一次導体パターン群Ｇｆ３内における二次導体パターン群Ｇｓ外の導体パターンＰ５との間に各プローブピン２１を介して供給（印加）される。
【００２９】
この場合、上記したように、二次導体パターン群Ｇｓ内の各導体パターンＰがプローブピン２１を介して検査用信号生成部１２に接続されて各導体パターンＰが同電位（この例では、低電圧信号Ｓｖ２の電位）に維持されている。このため、同じ二次導体パターン群Ｇｓ内の各導体パターンＰ間に大きな電位差が生じることに起因しての、各導体パターンＰ間に接続されている電子部品Ｅが破損する事態が確実に防止されている。
【００３０】
次いで、制御部１５は、測定部１３に対して、低電圧信号Ｓｖ２の供給に伴って二次導体パターン群Ｇｓ内の各導体パターンＰと二次導体パターン群Ｇｓ外の各導体パターンＰ（この例では導体パターンＰ５）との間に流れる電流を測定させる。続いて、制御部１５は、測定部１３によって測定された電流の測定値および低電圧信号Ｓｖ２の電圧値に基づいて抵抗値を算出し、その抵抗値と所定の基準値とを比較して二次導体パターン群Ｇｓ内の各導体パターンＰと二次導体パターン群Ｇｓ外の導体パターンＰとの間（低電圧信号Ｓｖ２を供給している導体パターンＰ間）の絶縁状態（の良否）を検査する。続いて、制御部１５は、上記した第２絶縁検査を実行して、二次導体パターン群Ｇｓ内の各導体パターンＰと二次導体パターン群Ｇｓ外の各導体パターンＰ（導体パターンＰ６，Ｐ８〜Ｐ１３，Ｐ１５〜Ｐ１８）との間の絶縁状態の検査を順次行う。次いで、制御部１５は、第２絶縁検査において検査した絶縁状態の良否を判別して、その結果を図外の表示部に表示させて検査処理５０を終了する。
【００３１】
また、制御部１５は、上記した第１絶縁検査および第２絶縁検査のいずれかに並行して導通検査を実行する（ステップ５６）。この導通検査では、制御部１５は、検査用信号生成部１２の電流信号生成回路３２を制御して電流信号Ｓｉを生成させる。次いで、制御部１５は、各導体パターンＰの中から、第１絶縁検査および第２絶縁検査のいずれもが行われていない導体パターンＰ（両絶縁検査の対象となっていない導体パターンＰ）を導通検査対象の導体パターンＰとして選択する。次いで、制御部１５は、スキャナ部１１を制御して、選択した導体パターンＰの一端部の接続点Ｈに接触しているプローブピン２１と電流信号生成回路３２とを接続すると共に、その導体パターンＰの他端部の接続点Ｈに接触しているプローブピン２１をグランド電位に接続する。これにより、その導体パターンＰに電流信号Ｓｉが供給される。
【００３２】
次いで、制御部１５は、測定部１３に対して、電流信号Ｓｉの供給に伴って導通検査対象の導体パターンＰの両端部間（両接続点Ｈ，Ｈ間）に生じる電圧を測定させる。続いて、制御部１５は、測定部１３によって測定された電圧の測定値および電流信号Ｓｉの電流値に基づいて抵抗値を算出し、その抵抗値と所定の基準値とを比較してその導体パターンＰの導電状態を検査する。次いで、制御部１５は、導通検査対象の導体パターンＰを他の導体パターンＰに変更して導通検査を順次実行する。
【００３３】
続いて、制御部１５は、絶縁検査（第１絶縁検査および第２絶縁検査）並びに導通検査の全てが完了したときには、検査処理５０を終了する。この場合、この回路基板検査装置１では、上記したように絶縁検査（第１絶縁検査および第２絶縁検査）と導通検査とを並行して実行している。このため、絶縁検査および導通検査のいずれか一方を行い、その後に両検査の他方を行う従来の回路基板検査装置と比較して、両絶縁検査と導通検査とを並行して行う時間の分だけ、全体としての検査時間を短縮することが可能となっている。また、回路基板検査装置１では、第１絶縁検査および第２絶縁検査のいずれもが行われていない導体パターンＰ（両絶縁検査の対象となっていない導体パターンＰ）に対して導通検査を実行している。したがって、絶縁検査（第１絶縁検査および第２絶縁検査）と導通検査とを並行して実行したとしても、一方の検査が他方の検査に対して影響を与えることがないため、正確な検査が行われる。
【００３４】
このように、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、一次導体パターン群Ｇｆ内の各導体パターンＰを互いに同電位としつつ高電圧信号Ｓｖ１を供給したときに生じる物理量に基づいて高電圧信号Ｓｖ１が供給されている導体パターンＰ間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査と、二次導体パターン群Ｇｓ内の各導体パターンＰを互いに同電位としつつ低電圧信号Ｓｖ２を供給したときに生じる物理量に基づいて低電圧信号Ｓｖ２が供給されている導体パターンＰ間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を実行する。このため、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、第１絶縁検査を実行することで、２つの一次導体パターン群Ｇｆ間の絶縁の良否や一次導体パターン群Ｇｆと単独の導体パターンＰとの間の絶縁の良否を、電子部品Ｅを破損させることなく行うことができるのに加えて、第２絶縁検査を実行することで、従来の回路基板検査装置および回路基板検査方法では困難であった一次導体パターン群Ｇｆ内における導体パターンＰ間の絶縁の良否を、電子部品Ｅを破損させることなく確実かつ容易に行うことができる。したがって、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、絶縁検査の検査精度を十分に向上することができる。また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、第１絶縁検査および第２絶縁検査を連続して実行すると共に、第１絶縁検査および第２絶縁検査のいずれもが行われていない導体パターンＰに電流信号Ｓｉを供給したときにその導体パターンＰの両端部間に生じる物理量に基づいてその導体パターンＰの導通状態を検査する導通検査を両絶縁検査と並行して実行する。したがって、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、絶縁検査および導通検査のいずれか一方を行い、その後に両検査の他方を行う従来の回路基板検査装置と比較して、両絶縁検査と導通検査とを並行して行う時間の分だけ、全体としての検査時間を短縮することができる。したがって、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、数多くの導体パターンＰを有する回路基板に対する検査を行う際の検査効率を十分に向上させることができる。
【００３５】
また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、接続データＤ１および電子部品データＤ２に基づいて一次導体パターン群Ｇｆおよび二次導体パターン群Ｇｓを特定して一次導体パターン群データＤ３および二次導体パターン群データＤ４を生成する。このため、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、どの導体パターンＰが電子部品Ｅによって接続されているかを調査して一次導体パターン群Ｇｆおよび二次導体パターン群Ｇｓを特定する作業や、作成した一次導体パターン群データＤ３および二次導体パターン群データＤ４を入力する作業を不要とすることができる結果、その分、検査効率を向上させることができる。
【００３６】
なお、本発明は、上記した構成に限定されない。例えば、一次導体パターン群Ｇｆが３つ存在すると共に、電子部品Ｅを介して接続されていない単独の導体パターンＰ１９が１つ存在する回路基板１００に対して絶縁検査を実行する例について上記したが、一次導体パターン群Ｇｆの数や単独の導体パターンＰの数が回路基板１００とは異なる各種の回路基板に対して絶縁検査を実行する際にも、上記と同様の効果を実現することができる。
【００３７】
また、一面に導体パターンＰが形成された回路基板１００に対する検査を実行可能に構成した回路基板検査装置１を例に挙げて説明したが、一対のプローブユニット３を備えて、両面に導体パターンＰが形成された回路基板に対する上記の検査を実行可能に構成した回路基板検査装置に適用することもできる。また、多層の回路基板や、基板内部に電子部品が内蔵された部品内蔵型の回路基板を検査可能に構成された回路基板検査装置に適用することもできる。さらに、プローブユニット３を備えて各導体パターンＰにプローブピン２１を一度に接触させる構成例について上記したが、一対（または複数対）のプローブピンを移動させて、電圧信号Ｓｖを供給すべき導体パターンＰにのみプローブピンを接触させるフライングプローブタイプの回路基板検査装置に適用することもできる。
【００３８】
また、第１絶縁検査を実行した後に第２絶縁検査を実行する例について上記したが、第２絶縁検査を実行した後に第１絶縁検査を実行する構成および方法を採用することもできる。また、導体パターンＰ間の絶縁検査（第１絶縁検査および第２絶縁検査）並びに導体パターンＰの導通検査を行う回路基板検査装置１に適用した例について上記したが、絶縁検査および導通検査に加えて電子部品Ｅの良否検査を行う回路基板検査装置に適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】回路基板検査装置１の構成を示す構成図である。
【図２】回路基板１００の構成を示す構成図である。
【図３】接続データＤ１の構成を概念的に示すデータ構成図である。
【図４】電子部品データＤ２の構成を概念的に示すデータ構成図である。
【図５】検査処理５０のフローチャートである。
【図６】一次導体パターン群データＤ３の構成を概念的に示すデータ構成図である。
【図７】二次導体パターン群データＤ４の構成を概念的に示すデータ構成図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  回路基板検査装置
５  検査部
１１  スキャナ部
１２  検査用信号生成部
１３  測定部
１４  記憶部
１５  制御部
５０  検査処理
１００  回路基板
Ｄ１  接続データ
Ｄ２  電子部品データ
Ｄ３  一次導体パターン群データ
Ｄ４  二次導体パターン群データ
Ｅ１〜Ｅ６  電子部品
Ｇｆ１〜Ｇｆ３  一次導体パターン群
Ｇｓ  二次導体パターン群
Ｐ１〜Ｐ１９  導体パターン
Ｓｉ  電流信号
Ｓｖ１  高電圧信号
Ｓｖ２  低電圧信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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