(57)【要約】【課題】モータ制御システムにおいて、二次電池の状態が変動した際の昇圧コンバータ出力電圧の制御精度の低下を抑制する。【解決手段】昇圧コンバータを制御する制御装置は、二次電池の電流と二次電池の電圧とに基づいて二次電池の内部抵抗値を推定する内部抵抗値推定手段と、入力されるモータ駆動用の要求電圧を内部抵抗推定値に応じて指令電圧に変更して出力する指令電圧演算手段と、指令電圧演算手段から指令電圧が入力され、昇圧コンバータの出力電圧の指令電圧に対する偏差を補正するフィードバック手段と、フィードバック手段の出力と二次電池の電圧の指令電圧に対する比とからスイッチング素子のデューティ比を設定するフィードフォワード手段と、内部抵抗推定値に応じフィードバック手段の制御ゲインの値を変化させる制御ゲイン変更手段と、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池の電圧をスイッチング素子のスイッチング動作によって昇圧してモータに供給する昇圧コンバータと、
入力されるモータ駆動用の要求電圧に応じてスイッチング素子をオンオフ動作させる制御装置と、を備えるモータ制御システムであって、
制御装置は、
二次電池の電流と二次電池の電圧とに基づいて二次電池の内部抵抗値を推定する内部抵抗値推定手段と、
入力されるモータ駆動用の要求電圧を内部抵抗推定値に応じて指令電圧に変更して出力する指令電圧演算手段と、
指令電圧演算手段から指令電圧が入力され、昇圧コンバータの出力電圧の指令電圧に対する偏差を補正するフィードバック手段と、
フィードバック手段の出力と二次電池の電圧の指令電圧に対する比とからスイッチング素子のデューティ比を設定するフィードフォワード手段と、
を有することを特徴とするモータ制御システム。
【請求項２】
請求項１に記載のモータ制御システムであって、
制御装置は、
内部抵抗推定値に応じフィードバック手段の制御ゲインの値を変化させる制御ゲイン変更手段を有すること、
を特徴とするモータ制御システム。
【請求項３】
請求項２に記載のモータ制御システムであって、
制御装置は、
二次電池の残存容量を取得する二次電池残存容量取得手段を備え、
制御ゲイン変更手段は、二次電池の残存容量に応じて制御ゲイン値を変化させ、
指令電圧演算手段は、入力される要求電圧を二次電池の残存容量に応じて指令電圧に変更してフィードバック手段とフィードフォワード手段とに出力すること、
を特徴とするモータ制御システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モータ制御システムに関し、より詳しくは電動車両駆動用モータを制御するモータ制御システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハイブリッド車両や電気自動車等の電動車両では、充放電可能な二次電池から供給される直流電力を昇圧コンバータによって走行用モータの駆動に必要な電圧まで昇圧した後、交流電力に変換して走行用モータを駆動する方法が用いられている。昇圧コンバータは、複数のスイッチング素子をオンオフ動作させることによって昇圧を行うもので、スイッチング素子のオンとオフとの時間比であるデューティ比は高圧側の出力目標電圧と低圧側の二次電池の電圧との電圧比に応じて設定される。
【０００３】
二次電池の電圧を昇圧して交流に変換してモータの駆動を制御するシステムでは、昇圧コンバータの出力電圧が目標電圧となるようにスイッチング素子のオンオフ動作を制御することが必要となる。ところが、このようなシステムでは二次電池の内部抵抗が変化すると目標電圧に対する昇圧コンバータの出力電圧のフィードバック応答量が変化してしまい、出力電圧の制御応答精度が低下してしまう場合があった。二次電池の内部抵抗は二次電池の温度の変化や残存容量（ＳＯＣ）の変化によって変化するので、その温度から二次電池の内部抵抗を予測し、予測した内部抵抗に基づいてフィードバックの制御ゲインを設定すると共に、基準となる残存容量と実際の残存容量との比較に基づいてフィードバックの制御ゲインを修正して昇圧コンバータの出力電圧の制御応答精度を確保する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、二次電池はモータ駆動に必要な動力を供給することができるように設計されているが、温度の変化などにより二次電池の内部抵抗が増加すると、二次電池の中で消費される電力が増加するため、デューティ比の設定によっては必要な電力を二次電池から取り出すことができない場合がある。このためデューティ比を最適範囲内になるように制限して必要な電力を供給することができるようにしている。しかし、二次電池の電圧は残存容量（ＳＯＣ）によって変化するので、デューティ比最適範囲が固定されていると二次電池の残存容量（ＳＯＣ）の変化によって出力電圧が最適範囲とならず、必要な電力の供給が行えない場合がある。このため、二次電池の残存容量（ＳＯＣ）の変化に応じてデューティ比の最適範囲を変更する方法が提案されている（例えば、特許文献２）参照。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−６８２９０号公報
【特許文献２】特開２００６−１１５６３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
二次電池の電圧を昇圧して交流に変換してモータの駆動を制御するシステムでは、車両を駆動するために必要な駆動力に応じてモータに供給する電圧を変化させる制御が行われる。ところが、このようなシステムでは二次電池の内部抵抗が変化すると変化する指令電圧に対する昇圧コンバータの出力電圧の応答量がより大きく変化してしまい、特許文献１、２に記載された従来技術では電気部品の耐圧を超えてしまう場合があった。また、残存容量（ＳＯＣ）が変化した場合も同様に指令電圧が変化した際の昇圧コンバータの出力電圧の応答量がより大きく変動して部品の耐圧を超えてしまう場合があった。
【０００７】
本発明は、二次電池の状態が変動した際の昇圧コンバータ出力電圧の制御精度の低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のモータ制御システムは、二次電池の電圧をスイッチング素子のスイッチング動作によって昇圧してモータに供給する昇圧コンバータと、入力されるモータ駆動用の要求電圧に応じてスイッチング素子をオンオフ動作させる制御装置と、を備えるモータ制御システムであって、制御装置は、二次電池の電流と二次電池の電圧とに基づいて二次電池の内部抵抗値を推定する内部抵抗値推定手段と、入力されるモータ駆動用の要求電圧を内部抵抗推定値に応じて指令電圧に変更して出力する指令電圧演算手段と、指令電圧演算手段から指令電圧が入力され、昇圧コンバータの出力電圧の指令電圧に対する偏差を補正するフィードバック手段と、フィードバック手段の出力と二次電池の電圧の指令電圧に対する比とからスイッチング素子のデューティ比を設定するフィードフォワード手段と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明のモータ制御システムにおいて、制御装置は、内部抵抗推定値に応じフィードバック手段の制御ゲインの値を変化させる制御ゲイン変更手段を備えることとしても好適であるし、二次電池の残存容量を取得する二次電池残存容量取得手段を備え、制御ゲイン変更手段は、二次電池の残存容量に応じて制御ゲイン値を変化させ、指令電圧演算手段は、入力される要求電圧を二次電池の残存容量に応じて指令電圧に変更してフィードバック手段とフィードフォワード手段とに出力すること、としても好適である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、二次電池の状態が変動した際の昇圧コンバータ出力電圧の制御精度の低下を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態におけるモータ制御システムの構成を示す系統図である。
【図２】本発明の実施形態におけるモータ制御システムの制御装置の制御ブロック図である。
【図３】本発明の実施形態におけるモータ制御システムの内部抵抗値推定手段を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施形態におけるモータ制御システムのバッテリ内部抵抗に対する指令電圧の変化を示す図である。
【図５】本発明の実施形態におけるモータ制御システムの二次電池の残存容量（ＳＯＣに対する指令電圧の変化を示す図である。
【図６】本発明の実施形態におけるモータ制御システムのバッテリ内部抵抗に対する制御ゲインの変化を示す図である。
【図７】本発明の実施形態におけるモータ制御システムの二次電池の残存容量（ＳＯＣに対する制御ゲインの変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明する。図１に示すように、本実施形態のモータ制御システム１０は、充放電可能な二次電池であるバッテリ１１と、バッテリ１１から供給される低圧電力をモータ１５を駆動するために必要な高圧のシステム電圧に昇圧する昇圧コンバータ２０と、昇圧コンバータ２０から供給されたシステム電圧の直流電力を交流電力に変換してモータ１５に供給するインバータ１４とを備えている。
【００１３】
昇圧コンバータ２０は、基準電路２７がバッテリ１１のマイナス側とインバータ１４のマイナス側とに共通に接続され、高圧電路２８がインバータ１４のプラス側に接続され、低圧電路２９がバッテリ１１のプラス側に接続されたた非絶縁型の双方向ＤＣ−ＤＣコンバータである。
【００１４】
図１に示すように、昇圧コンバータ２０は、スイッチング素子である第１のトランジスタ２３と第２のトランジスタ２４とを備えている。第１のトランジスタ２３と第２トランジスタ２４とは、第１のトランジスタ２３のエミッタ端子と第２のトランジスタ２４のコレクタ端子とが直列に接続され、第１のトランジスタ２３のコレクタ端子は高圧電路２８に接続され、第２のトランジスタ２４のエミッタ端子は基準電路２７に接続されている。第１のトランジスタ２３及び第２のトランジスタ２４の各ベース端子は制御装置３０に接続され、各トランジスタ２３，２４は制御装置３０の指令によってオンオフ動作する。
【００１５】
第１のトランジスタ２３と第２のトランジスタ２４との接続点５１は、低圧電路２９に接続され、接続点５１とバッテリ１１のプラス側との間の低圧電路２９には電磁エネルギーを蓄積するリアクトル２２が設けられている。また、低圧電路２９と基準電路２７との間の電圧を平滑化する低圧コンデンサ１２がバッテリ１１と並列に設けられ、低圧コンデンサ１２にはその両端の電圧を検出する電圧センサ１８が取り付けられている。そして、高圧電路２８と基準電路２７との間の電圧を平滑化する高圧コンデンサ１３がインバータ１４と並列に接続されている。高圧コンデンサ１３にはその両端の電圧を検出する電圧センサ１９が設けられている。
【００１６】
第１のダイオード２５と第２のダイオード２６が、各トランジスタ２３，２４と逆並列になる様に各トランジスタ２３，２４の各エミッタ端子とコレクタ端子との間に接続されている。
【００１７】
バッテリ１１のプラス側の低圧電路２９のバッテリ１１と昇圧コンバータ２０の間にはバッテリ１１から流出するバッテリ電流ＡＢを検出する電流センサ１７が取り付けられ、バッテリ１１のプラス側の低圧電路２９とバッテリ１１のマイナス側の基準電路２７との間にはバッテリ１１のバッテリ電圧ＶＢを検出する電圧センサ１６が取り付けられている。
【００１８】
制御装置３０は、内部に信号処理を行うＣＰＵとプログラムや制御データを格納する記憶部とを備えるコンピュータである。各電圧センサ１６，１８，１９と電流センサ１７とは制御装置３０に接続され、各センサ１６から１９によって検出した電圧、電流は制御装置３０に入力されるよう構成されている。また、バッテリ１１も制御装置３０に接続され、制御装置３０はバッテリ１１の状態量を取得し、その状態量からバッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）を算出することができるよう構成されている。
【００１９】
図２に示すように、制御装置３０は、電圧指令演算部３１と、差分器３２，３９と、フィードバック回路３３と、制御ゲイン演算部４１と、フィードフォワード回路３８と、上下限ガード３７と、下限ガード４０とを備えている。
【００２０】
電圧指令演算部３１は、モータ駆動に必要な要求電圧ＶＨRと、バッテリ１１の状態から計算された残存容量（ＳＯＣ）と、バッテリの内部抵抗推定値ＲBと、が入力され、要求電圧ＶＨRを指令電圧ＶＨ*に変更して出力する。差分器３２は、指令電圧ＶＨ*と図１に示した電圧センサ１９によって検出した実際の高圧コンデンサ１３の両端の高圧電圧ＶＨとの差分を計算する。フィードバック回路３３は、差分器３２によって計算した指令電圧ＶＨ*と高圧電圧ＶＨとの差分が入力され、比例制御ゲインＫｐの比例制御回路３４の出力と、積分器３５と積分制御ゲインＫｉとを有する積分制御回路３６の出力とを合わせて、指令電圧ＶＨ*と高圧電圧ＶＨとの差分をゼロとするような制御信号を出力する。制御ゲイン演算部４１は、バッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）とバッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBとが入力され、フィードバック回路３３の比例制御ゲインＫｐと積分制御ゲインＫｉを算出してフィードバック回路に出力する。上下限ガード３７は、フィードバック回路３３から出力された制御信号が所定の上限と下限を超えないよう制御信号の上限と下限とを定める。フィードフォワード回路３８は、指令電圧ＶＨ*に対する図１に示した電圧センサ１８によって検出した低圧コンデンサ１２の両端の低圧電圧ＶＬの比率を計算してフィードフォワード制御信号を出力する。差分器３９は、フィードフォワード回路から出力されたフィードフォワード制御信号から上下限ガード３７から出力された制御信号を差し引き、下限ガード４０は、差分器３９から出力された制御信号を所定の下限以上に制限して出力する。下限ガード４０から出力された制御信号は、図１に示したトランジスタ２３，２４のオンとオフとの時間の割合を既定するデューティ信号Ｄとなる。昇圧動作においては、制御装置３０はデューティ信号Ｄによってトランジスタ２３のオンオフ制御を行い、低圧のバッテリ１１の電圧を高圧のシステム電圧に昇圧する。
【００２１】
制御装置３０は、図３に示すように電圧センサ１６によって検出したバッテリ電圧ＶＢと、電流センサ１７によって検出したバッテリ１１から流出するバッテリ電流ＡＢとが入力され、内部に備えたバッテリ電圧ＶＢとバッテリ電流ＡＢとバッテリ１１の内部抵抗の関係を示すマップ４３を参照して、バッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBを出力する内部抵抗値推定手段４２を備えている。内部抵抗値推定手段４２から出力された内部抵抗推定値ＲBは、図２に示した電圧指令演算部３１と制御ゲイン演算部４１に入力される。バッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBは、常温で残存容量が７０％程度の基準状態では基準の０．３Ωとなり、例えば、バッテリ１１の温度が上昇すると内部抵抗推定値ＲBは基準の０．３Ωよりも小さくなり、バッテリ１１の温度が低下すると内部抵抗推定値ＲBは基準の０．３Ωよりも大きくなる。
【００２２】
図２に示す電圧指令演算部３１は、図４に示すようなバッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBに対する指令電圧ＶＨ*を変化させる関数を内蔵している。本実施形態では、バッテリ１１の内部抵抗推定値が基準の０．３Ωの場合に、指令電圧ＶＨ*は要求電圧ＶＨRに等しい６００Ｖに設定され、バッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBが基準の０．３Ωよりも小さくなると指令電圧ＶＨ*は要求電圧ＶＨRの６００Ｖよりも低い電圧に設定され、バッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBが基準の０．３Ωよりも大きくなると指令電圧ＶＨ*は要求電圧ＶＨRの６００Ｖよりも高い電圧に設定される。
【００２３】
また、電圧指令演算部３１は、図５に示すようなバッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）に対する指令電圧ＶＨ*を変化させる関数を内蔵している。本実施形態では、バッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）が基準の７０％の場合に、指令電圧ＶＨ*は要求電圧ＶＨRに等しい６００Ｖに設定され、バッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）が基準の７０％よりも小さくなると指令電圧ＶＨ*は要求電圧ＶＨRの６００Ｖよりも高い電圧に設定され、バッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）が基準の７０％よりも大きくなると指令電圧ＶＨ*は要求電圧ＶＨRの６００Ｖよりも低い電圧に設定される。
【００２４】
図２に示す制御ゲイン演算部４１は、図６に示すようなバッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBに対する比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉを変化させる関数を内蔵している。本実施形態では、バッテリ１１の内部抵抗推定値が基準の０．３Ωの場合に、比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉは基準比例制御ゲインＫｐ0、基準積分制御ゲインＫｉ0に等しい１．０に設定され、バッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBが基準の０．３Ωよりも小さくなると比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉは基準比例制御ゲインＫｐ0、基準積分制御ゲインＫｉ0よりも低い数値に設定され、バッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBが基準の０．３Ωよりも大きくなると比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉは基準比例制御ゲインＫｐ0、基準積分制御ゲインＫｉ0よりも大きな数値に設定される。
【００２５】
また、制御ゲイン演算部４１は、図７に示すようなバッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）に対する比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉを変化させる関数を内蔵している。本実施形態では、バッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）が基準の７０％の場合に、比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉは基準比例制御ゲインＫｐ0、基準積分制御ゲインＫｉ0に等しい１．０に設定され、バッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）が基準の７０％よりも小さくなると比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉは基準比例制御ゲインＫｐ0、基準積分制御ゲインＫｉ0よりも高い数値に設定され、バッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）が基準の７０％よりも大きくなると比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉは基準比例制御ゲインＫｐ0、基準積分制御ゲインＫｉ0よりも低い数値に設定される。
【００２６】
以上のように構成されたモータ制御システム１０の動作について説明する。制御装置３０は、バッテリ１１の状態量からその残存容量（ＳＯＣ）を計算する。また、制御装置３０は電圧センサ１６と電流センサ１７からバッテリ電圧ＶＢとバッテリ電流ＡＢとを取得する。次に、制御装置３０は、内部抵抗値推定手段４２によって取得したバッテリ電圧ＶＢとバッテリ電流ＡＢとからバッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBを計算する。制御装置３０は計算した残存容量（ＳＯＣ）と内部抵抗推定値ＲBとを電圧指令演算部３１に入力し、図４、図５に示したグラフに基づいて要求電圧ＶＨRに対する指令電圧ＶＨ*を計算して出力する。また、制御装置３０は、計算した残存容量（ＳＯＣ）と内部抵抗推定値ＲBとを制御ゲイン演算部４１に入力し、図６、図７に示したグラフに基づいて比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉを計算してフィードバック回路３３に出力して、フィードバック回路３３の比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉを変更する。
【００２７】
バッテリ１１の状態が基準状態の場合には、指令電圧ＶＨ*は要求電圧ＶＨRに等しく、要求電圧ＶＨRはいずれも基準の１．０となっている。そして、バッテリ１１の温度が上昇してバッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBが基準の内部抵抗推定値ＲBの０．３Ωよりも小さくなってきた場合には、制御装置３０は図４、図６のグラフに基づいて指令電圧ＶＨ*を要求電圧ＶＨRによりも低く変化させ、比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉをいずれも基準の１．０よりも小さな数値に変化させる。
【００２８】
バッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBが小さくなると、モータ制御システム１０全体の応答が速くなってしまう。このため、指令電圧ＶＨ*、比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉがいずれも基準の数値のままであった場合には、昇圧コンバータ２０の出力電圧は要求電圧ＶＨRを大きくオーバーシュートしたりアンダーシュートしたりしてしまうが、バッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBが小さくなった場合に、指令電圧ＶＨ*を要求電圧ＶＨRよりも低く変化させ、比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉをいずれも基準の１．０よりも小さな数値に変化させているので、昇圧コンバータ２０の出力電圧の変化を緩やかな変化としてオーバーシュート、アンダーシュートを抑制することができる。特に、オーバーシュートを低減することによって昇圧コンバータ２０の出力電圧が電気部品の耐圧を超えてしまうことを抑制でき、部品をよりよく保護することができる。
【００２９】
また、バッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）が大きくなるとバッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBが小さくなることから、制御装置３０は、バッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）が基準の残存容量よりも大きくなった場合には、指令電圧ＶＨ*を要求電圧ＶＨRによりも低く変化させ、比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉをいずれも基準の１．０よりも小さな数値に変化させて昇圧コンバータ２０の出力電圧の変化を緩やかな変化としてオーバーシュート、アンダーシュートを抑制する。
【００３０】
一方、バッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBが大きくなると、モータ制御システム１０全体の応答が遅くなってしまう。このため、指令電圧ＶＨ*、比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉがいずれも基準の数値のままであった場合には、昇圧コンバータ２０の出力電圧の変化が遅くなり、必要な電力をモータ１５に供給することができなくなってしまうが、バッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBが大きくなった場合に、指令電圧ＶＨ*を要求電圧ＶＨRによりも高く変化させ、比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉをいずれも基準の１．０よりも大きな数値に変化させているので、昇圧コンバータ２０の出力電圧の応答速度を早くすることができ、モータ１５に適切なタイミングで電力を供給することができる。
【００３１】
また、バッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）が小さくなるとバッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBが大きくなることから、制御装置３０は、バッテリ１１の残存容量（ＳＯＣ）が基準の残存容量よりも小さくなった場合には、指令電圧ＶＨ*を要求電圧ＶＨRによりも高く変化させ、比例制御ゲインＫｐ、積分制御ゲインＫｉをいずれも基準の１．０よりも大きな数値に変化させて昇圧コンバータ２０の出力電圧の応答速度を早くして、モータ１５に適切なタイミングで電力を供給する。
【００３２】
以上説明したように、本実施形態は、バッテリ１１の状態が変動した際の昇圧コンバータ２０の出力電圧の制御精度の低下を抑制することができるという効果を奏する。そして、昇圧コンバータ２０の出力電圧のオーバーシュートを抑制してシステム電圧が耐圧以上に上昇することを抑制し、電気部品をより効果的に保護することができる。また、モータに適切なタイミングで電力を供給することができ、車両のドライバビリティを向上させることができる。
【００３３】
本実施形態では、モータ制御システム１０は、電圧指令演算部３１と制御ゲイン演算部４１との両方を含むこととして説明したが、いずれか一方のみを含むこととしてもよい。また、各演算部３１，４１はバッテリ１１の内部抵抗推定値ＲBとバッテリの残存容量（ＳＯＣ）のいずれか一方のみが入力されるように構成してもよい。
【符号の説明】
【００３４】
１０  モータ制御システム、１１  バッテリ、１２  低圧コンデンサ、１３  高圧コンデンサ、１４  インバータ、１５  モータ、１６，１８，１９  電圧センサ、１７  電流センサ、２０  昇圧コンバータ、２２  リアクトル、２３，２４  トランジスタ、２５，２６  ダイオード、２７  基準電路、２８  高圧電路、２９  低圧電路、３０  制御装置、３１  電圧指令演算部、３２，３９  差分器、３３  フィードバック回路、３４  比例制御回路、３５  積分器、３６  積分制御回路、３７  上下限ガード、３８  フィードフォワード回路、４０  下限ガード、４１  制御ゲイン演算部、４２  内部抵抗値推定手段、４３  マップ、５１  接続点、ＡＢ  バッテリ電流、Ｄ  デューティ信号、Ｋｉ  積分制御ゲイン、Ｋｉ0  基準積分制御ゲイン、Ｋｐ  比例制御ゲイン、Ｋｐ0  基準比例制御ゲイン、ＲB  内部抵抗推定値、ＶＢ  バッテリ電圧、ＶＨ  高圧電圧、ＶＨ  指令電圧、ＶＨR  要求電圧、ＶＬ  低圧電圧。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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