(57)【要約】【課題】スケールの位置が基準位置からずれている場合であっても、被測定体（例えば、ステージ）の位置を高精度に測定することができる測定装置を提供する。【解決手段】いずれか一方が被測定体に設けられるスケール及びセンサを備え、前記スケールを前記センサで読み取ることで前記被測定体の位置を測定する測定装置であって、基準位置からの前記スケールのずれ量を検出する検出部と、前記検出部によって検出された前記基準位置からの前記スケールのずれ量に基づいて、前記スケールを前記センサで読み取ることで測定された前記被測定体の位置を補正する演算部と、を有することを特徴とする測定装置を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
いずれか一方が被測定体に設けられるスケール及びセンサを備え、前記スケールを前記センサで読み取ることで前記被測定体の位置を測定する測定装置であって、
基準位置からの前記スケールのずれ量を検出する検出部と、
前記検出部によって検出された前記基準位置からの前記スケールのずれ量に基づいて、前記スケールを前記センサで読み取ることで測定された前記被測定体の位置を補正する演算部と、
を有することを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記検出部は、
前記スケールに設けられた基準マークと、
前記基準マークの位置を計測する計測部と、
を含み、
前記計測部によって計測された前記基準マークの位置に基づいて、前記基準位置からの前記スケールのずれ量を検出することを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
前記検出部は、干渉計又はエンコーダを含むことを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項４】
前記スケールは、前記被測定体に対面する構造体に着脱可能に設けられ、
前記センサは、前記被測定体に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項５】
前記スケールは、前記被測定体に着脱可能に設けられ、
前記センサは、前記被測定体に対面する構造体に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項６】
レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を備える露光装置であって、
前記基板を保持するステージと、
いずれか一方が前記ステージに設けられるスケール及びセンサを備え、前記スケールを前記センサで読み取ることで前記ステージの位置を測定する測定装置と、
前記ステージの位置を制御する制御部と、
を有し、
前記測定装置は、
基準位置からの前記スケールのずれ量を検出する検出部と、
前記検出部によって検出された前記基準位置からの前記スケールのずれ量に基づいて、前記スケールを前記センサで読み取ることで測定された前記ステージの位置を補正する演算部と、
を含み、
前記制御部は、前記演算部によって補正された前記ステージの位置に基づいて、前記ステージの位置を制御することを特徴とする露光装置。
【請求項７】
前記スケールは、前記ステージに対面する構造体に着脱可能に設けられ、
前記検出部は、
前記スケールに設けられ、前記検出部と前記投影光学系との距離を計測する計測部を含み、
前記計測部によって計測された前記距離に基づいて、前記基準位置からの前記スケールのずれ量を検出することを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測定装置、露光装置及びデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体デバイスを製造する際に、露光装置が使用されている。露光装置は、レチクル（マスク）に形成されたパターンを、投影光学系を介して、ウエハ等の基板に投影してパターンを転写する。露光装置では、ウエハはチャックを介してステージ上に保持され、ステージごとウエハを移動させてウエハ上の被露光位置を変えながらパターンの転写を繰り返している。
【０００３】
ウエハ（を保持するステージ）の相対位置の測定（測長）には、一般的に、ステージに固定されたミラーにレーザ光を投射するレーザ干渉計が用いられている。但し、レーザ干渉計は、測長光路（測定空間距離）が長いため、例えば、温度、湿度、気圧等の環境変化が測長誤差の要因となる。
【０００４】
一方、レーザ干渉計の代替として、回折格子による干渉の原理を用いた測定装置（変位測定装置）が提案されている（特許文献１参照）。かかる測定装置は、測定空間距離が短いため、環境変化の影響を受けにくく、ウエハの相対位置を安定して測定することができる。具体的には、測定装置は、主に、ヘッド（センサ）及び回折格子（スケール）で構成され、露光装置において、例えば、センサがステージに取り付けられ、スケールが基準フレームに取り付けられている。この場合、ステージの移動範囲全体を測定するためには、大きなスケールが必要となるが、高精度な回折格子を広範囲にわたって製作することは非常に困難である。そこで、複数の小さなスケールを用いて、大きなスケールの面積と同等な総面積を構成することが提案されている（特許文献２参照）。また、このような測定装置においては、一般的に、バキューム吸着又は磁気吸着などの吸着方式を利用することで、スケールの取り付け、或いは、取り外しを容易にすると共に、スケールの面形状の撓みを低減させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２７０１２２号公報
【特許文献２】特開２００７−３１８１１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、基準フレームに対して、複数のスケールのそれぞれを正確に位置決めして固定することは非常に困難である。また、吸着方式を利用している場合には、吸着ごとにスケールの取り付け位置が変化するため、ステージの位置を誤測定してステージの座標や走りが変化してしまう可能性が高い。
【０００７】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、スケールの位置が基準位置からずれている場合であっても、被測定体（例えば、ステージ）の位置を高精度に測定することができる技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての測定装置は、いずれか一方が被測定体に設けられるスケール及びセンサを備え、前記スケールを前記センサで読み取ることで前記被測定体の位置を測定する測定装置であって、基準位置からの前記スケールのずれ量を検出する検出部と、前記検出部によって検出された前記基準位置からの前記スケールのずれ量に基づいて、前記スケールを前記センサで読み取ることで測定された前記被測定体の位置を補正する演算部と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、例えば、スケールの位置が基準位置からずれている場合であっても、被測定体（例えば、ステージ）の位置を高精度に測定する技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の一側面としての測定装置を構成するスケールのＺ軸方向からの平面図である。
【図３】本発明の一側面としての測定装置を構成するセンサのＺ軸方向からの平面図である。
【図４】本発明の一側面としての測定装置に適用可能な変位検出装置の構成を説明するための図である。
【図５】本発明の一側面としての測定装置の構成を示す拡大断面図である。
【図６】基準マークの構成の一例を示す図である。
【図７】測定装置の演算部によるスケールをセンサで読み取ることで測定されたウエハステージの位置の補正を説明するための図である。
【図８】ウエハステージの移動軌跡を示す図である。
【図９】図１に示す露光装置の動作の一例を説明するためのフローチャートである。
【図１０】図１に示す露光装置の動作の一例を説明するためのフローチャートである。
【図１１】本発明の一側面としての測定装置の別の構成を示す図である。
【図１２】本発明の一側面としての測定装置の更に別の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
図１を参照して、本発明の一側面としての露光装置１について説明する。露光装置１は、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式でレチクル２０のパターンをウエハ４０に転写する投影露光装置である。但し、露光装置１は、ステップ・アンド・リピート方式やその他の露光方式も適用することができる。露光装置１は、照明光学系１０と、レチクルステージ２５と、投影光学系３０と、ウエハステージ４５と、基準フレーム５０と、アクティブマウント５５と、ステージ定盤６０と、制御部７０と、測定装置１００とを有する。
【００１４】
照明光学系１０は、光源からの光を用いて、Ｙ軸方向に移動可能なレチクルステージ２５に保持されたレチクル２０を照明する。レチクル２０に形成されたパターンは、ウエハステージ４５に対面する構造体である基準フレーム５０に支持された投影光学系３０を介して、ウエハ４０に投影される。アクティブマウント５５は、床からの振動を絶縁して、基準フレーム５０を支持する。ステージ定盤６０は、測定装置１００の被測定体としてのウエハステージ４５を支持する。ウエハステージ４５は、ウエハ４０を保持し、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。制御部７０は、露光装置１の全体（動作）を制御する。例えば、制御部７０は、レチクル２０のパターンがウエハ４０の所定の領域に形成されるように、ウエハステージ４５の位置を制御する。また、制御部７０は、後述するように、測定装置１００に対して、記憶部７２や演算部７４として機能する。
【００１５】
測定装置１００は、図２に示すように、スケール板１０２に搭載された４つのスケール１０２ａ乃至１０２ｄと、図３に示すように、ウエハステージ４５に設けられた４つのセンサ１０４ａ乃至１０４ｄを備えている。本実施形態では、４つのスケール１０２ａ乃至１０２ｄを搭載したスケール板１０２は、基準フレーム５０に形成された複数の溝５２の内部の圧力を下げることによって、基準フレーム５０にバキューム吸着される。但し、複数の溝５２を磁気吸着機構に置換して、４つのスケール１０２ａ乃至１０２ｄを搭載したスケール板１０２を磁気吸着してもよい。このように、４つのスケール１０２ａ乃至１０２ｄを搭載したスケール板１０２は、基準フレーム５０に着脱可能に設けられる。また、４つのスケール１０２ａ乃至１０２ｄ及び４つのセンサ１０４ａ乃至１０４ｄは、ウエハステージ４５の移動範囲内において、１つのスケールを少なくとも１つのセンサで読み取ることが可能なように配置されている。従って、測定装置１００は、スケール１０２ａ乃至１０２ｄをセンサ１０４ａ乃至１０４ｄで読み取ることで、基準フレーム５０に対するウエハステージ４５の２軸方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）の位置を測定することができる。なお、測定装置１００は、スケール１０２ａ乃至１０２ｄを搭載したスケール板１０２の吸着（バキューム吸着又は磁気吸着）を停止したときに、スケール１０２ａ乃至１０２ｄを保持する保持機構１０６も備えている（図５参照）。
【００１６】
ここで、測定装置１００の具体的な構成の一例を説明する。測定装置１００には、図４に示すように、光学式の変位検出装置を適用することができる。なお、図４（ａ）は変位検出装置のＸ軸方向からの断面図、図４（ｂ）は変位検出装置のＹ軸方向からの断面図、図４（ｃ）は変位検出装置を構成する回折格子板４２０のＺ軸方向からの平面図である。回折格子板４１０に形成された回折格子４１２及び回折格子板４２０に形成された回折格子４２２ａは、直交する２軸方向に光を回折する。また、回折格子板４２０には、回折格子４２２ａを中心として、Ｘ軸方向に回折格子４２２ｂ及び４２２ｃが形成され、Ｙ軸方向に回折格子４２２ｄ及び４２２ｅが形成されている。また、ガラスエポキシ樹脂等の回路基板に設けられた光源４４２及び受光素子４４４ｂ乃至４４４ｅはセンサを構成している。変位検出装置は、レンズ４６０を介して、光源４４２からの光を回折格子板４１０及び４２０に照射し、回折格子板４１０及び４２０で回折された光を受光素子４４４ｂ乃至４４４ｅで受光することで、対象物の２軸方向の変位を検出することができる。ここで、変位検出装置の４１０及び４１２が測定装置１００のスケール１０２ａ乃至１０２ｄ（スケール板１０２）に対応する。また、その他の構成部材（回折格子板４２０、回折格子４２２ａ乃至４２２ｅ、光源４４２、受光素子４４４ｂ乃至４４４ｅ、レンズ４６０）が測定装置１００のセンサ１０４ａ乃至１０４ｄに対応する。
【００１７】
また、本実施形態の測定装置１００は、図５に示すように、スケール１０２ａ乃至１０２ｄ（スケール板１０２）をバキューム吸着した場合に、基準位置からのスケール１０２ａ乃至１０２ｄのずれ量（即ち、ＸＹ平面の位置）を検出する検出部１３０を備えている。なお、基準位置からのスケール１０２ａ乃至１０２ｄのずれ量は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のずれや回転成分などを含む。
【００１８】
検出部１３０は、本実施形態では、スケール１０２ａ乃至１０２ｄのそれぞれに設けられた基準マーク１３２と、基準マーク１３２のそれぞれの位置を計測する計測部（スコープ）１３４とを有する。基準マーク１３２は、例えば、図６に示すように、Ｘ軸方向のずれ量を検出するためのマークＸ１乃至Ｘ４と、Ｙ軸方向のずれ量を検出するためのマークＹ１乃至Ｙ４を有する。なお、基準マーク１３２は、本実施形態では、スケール１０２ａ乃至１０２ｄに設けられているが、スケール板１０２に設けられていてもよい。また、計測部１３４は、光源１３４ａ、ハーフミラー１３４ｂ及び撮像素子１３４ｃ及び処理部１３４ｄなどを含む。計測部１３４は、所定の位置（即ち、基準位置からのずれがない位置）にスケール１０２ａ乃至１０２ｄを配置したときに、計測部１３４の原点と基準マーク１３２（の中心）とが一致するように配置される。
【００１９】
検出部１３０において、光源１３４ａからの光は、ハーフミラー１３４ｂで反射され、スケール１０２ａ乃至１０２ｄのそれぞれに設けられた基準マーク１３２を照明する。基準マーク１３２で反射された光は、ハーフミラー１３４ｂを透過して、撮像素子１３４ｃで撮像される。処理部１３４ｄは、撮像素子１３４ｃからの画像信号を処理して基準マーク１３２の位置を計測する。検出部１３０は、このようにして計測された基準マーク１３２の位置に基づいて、基準位置からのスケール１０２ａ乃至１０２ｄのずれ量を検出する。
【００２０】
なお、検出部１３０は、図５に示す構成に限定されるものではなく、例えば、干渉計やエンコーダなどで構成してもよい。また、検出部１３０は、Ｘ軸方向やＹ軸方向だけではなく、Ｚ軸方向、Ｘ軸周りの回転方向、Ｙ軸周りの回転方向及びＺ軸周りの回転方向のずれ量を検出できるように構成することも可能である。
【００２１】
検出部１３０によって検出された基準位置からのスケール１０２ａ乃至１０２ｄのずれ量は、本実施形態では、記憶部７２に記憶される。なお、記憶部７２には、スケール１０２ａ乃至１０２ｄのずれ量として、基準位置のＸＹ座標に対するＸ軸方向のずれΔＸ、Ｙ軸方向のずれΔＹ及びＺ軸周りの回転角θが記憶される。
【００２２】
演算部７４は、記憶部７２に記憶された基準位置からのスケール１０２ａ乃至１０２ｄのずれ量に基づいて、スケール１０２ａ乃至１０２ｄをセンサ１０４ａ乃至１０４ｄで読み取ることで測定されたウエハステージ４５の位置を補正する。測定装置１００が原点を有し、ウエハステージ４５の絶対位置を測定できる場合には、スケール１０２ａ乃至１０２ｄをセンサ１０４ａ乃至１０４ｄで読み取ることで測定されたウエハステージ４５の位置に対してΔＸ、ΔＹ及びθの補正が必要である。但し、測定装置１００がウエハステージ４５の相対位置を測定する場合には、スケール１０２ａ乃至１０２ｄをセンサ１０４ａ乃至１０４ｄで読み取ることで測定されたウエハステージ４５の位置に対してθの補正のみでもよい。このように、測定装置１００は、基準位置からのスケールのずれ量に基づいて、スケールをセンサで読み取ることで測定されたウエハステージ４５の位置を補正することでウエハステージ４５の位置を高精度に測定することができる。
【００２３】
図７に示すように、基準位置のＸＹ座標に対してθだけ回転した（即ち、ΔＸ＝０、ΔＹ＝０）スケール１０２ｄを読み取ってウエハステージ４５の位置を測定する場合について考える。また、基準位置のＸＹ座標に対してθだけ回転した座標をＸ’Ｙ’座標として定義する。スケール１０２ｄを任意のセンサで読み取って、Ｘ’Ｙ’座標における任意の角度α上の点Ｐの位置を測定した場合には、演算部７４は、以下の式１及び式２に従って、測定された点Ｐの位置（Ｘ’、Ｙ’）を補正することができる。
【００２４】
【数１】
2010243413.tif 000003
【００２５】
【数２】
2010243413.tif 000004
【００２６】
ここで、図８に示すように、基準位置のＸＹ座標に対して、スケール１０２ａ乃至１０２ｄの全てがθだけ回転している場合を考える。そして、スケールをセンサで読み取ることで測定されたウエハステージ４５の位置をそのまま用いて（即ち、演算部７４で補正せずに）、ウエハステージ４５の位置を制御してＹ軸方向に移動させる。この場合、ウエハステージ４５の移動軌跡は矢印ＳＣ１で表され、ウエハステージ４５はＹ軸方向から傾いて移動してしまう。一方、上述したように、スケールをセンサで読み取ることで測定されたウエハステージ４５の位置を演算部７４で補正し、補正された位置に基づいてウエハステージ４５の位置を制御してＹ軸方向に移動させる。この場合、ウエハステージ４５の移動軌跡は矢印ＳＣ２で表され、ウエハステージ４５をＹ軸方向に移動させることが可能となる。
【００２７】
図９を参照して、露光装置１の動作について説明する。かかる動作は、制御部７０が露光装置１の各部を統括的に制御することで実行される。
【００２８】
Ｓ９０２では、４つのスケール１０２ａ乃至１０２ｄ（スケール１０２ａ乃至１０２ｄを搭載したスケール板１０２）を基準フレーム５０に吸着（バキューム吸着や磁気吸着など）させる。Ｓ９０４では、検出部１３０を介して、スケール１０２ａ乃至１０２ｄを基準フレーム５０に吸着させたときの基準位置からのスケール１０２ａ乃至１０２ｄのそれぞれのずれ量（ΔＸ、ΔＹ、θ）を検出する。Ｓ９０６では、Ｓ９０４で検出したスケール１０２ａ乃至１０２ｄのそれぞれのずれ量（ΔＸ、ΔＹ、θ）を記憶部７２に記憶する。Ｓ９０８では、ウエハ４０を露光する（レチクル２０のパターンをウエハ４０に形成する）。具体的には、記憶部７２に記憶したスケールのずれ量に基づいて、スケール１０２ａ乃至１０２ｄをセンサ１０４ａ乃至１０４ｄで読み取ることで測定したウエハステージ４５の位置を演算部７４で補正しながらウエハステージ４５の位置を制御して露光を行う。なお、ウエハステージ４５の位置の制御とは、ウエハ４０上の各ショット領域を投影光学系３０の結像位置（目標位置）に移動させる際の制御や露光中にウエハ４０を走査する際の制御などを含む。Ｓ９１０では、ウエハ４０上の全てのショット領域を露光したかどうかを確認し、全てのショット領域を露光していなければＳ９０８に移行して露光を継続し、全てのショット領域を露光していれば動作を終了する。
【００２９】
このように、露光装置１は、基準位置からのスケールのずれ量に基づいてスケールをセンサで読み取ることで測定されたウエハステージ４５の位置を補正し、補正された位置に基づいてウエハステージ４５の位置を制御しながら露光を行う。従って、露光装置１は、ステージの座標や走りが変化してしまうことを防止して、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。かかるデバイスは、露光装置１を用いてフォトレジスト（感光剤）が塗布された基板（ウエハ、ガラスプレート等）を露光する工程と、露光された基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を経ることによって製造される。
【００３０】
なお、図９において、基準位置からのスケール１０２ａ乃至１０２ｄのそれぞれのずれ量の検出は、スケール１０２ａ乃至１０２ｄを基準フレーム５０に吸着させたときに行っている。但し、スケール１０２ａ乃至１０２ｄ（スケール１０２ａ乃至１０２ｄを搭載したスケール板１０２）の位置は、熱や振動などの影響によって変動することもある。従って、基準位置からのスケールのずれ量の検出を、ショット毎、ウエハ毎、ロット毎、或いは、リアルタイムに行うことで、スケールをセンサで読み取ることで測定したウエハステージ４５の位置を更に高精度に補正することができる。例えば、基準位置からのスケールのずれ量の検出をウエハ毎に行う場合には、図１０に示すように、Ｓ９１０の後に、ウエハ４０を交換するかどうかを判定する（Ｓ９１２）。そして、ウエハ４０を交換する場合には、Ｓ９０４に移行して基準位置からのスケール１０２ａ乃至１０２ｄのそれぞれのずれ量を検出し、ウエハ４０を交換しない場合には、動作を終了する。なお、ウエハ４０を交換しない場合には、同じウエハ４０を更に露光する（即ち、Ｓ９０８に移行して、例えば、次のパターンをウエハ４０に転写する）ことも可能である。
【００３１】
また、本実施形態では、基準位置からのスケールのずれ量を検出する検出部１３０として、１つのスケールに対して、１つの基準マーク１３２及び計測部１３４を配置している。但し、検出部１３０として、１つのスケールに対して、複数の基準マーク１３２及び計測部１３４を配置して、スケールの２次元的な位置（ずれ量）を検出してもよい。この場合、スケールのずれ量を平均化して記憶部７２に記憶させてもよいし、スケールのずれ量を位置ごとに記憶部７２に記憶させてもよい。
【００３２】
また、本実施形態では、検出部１３０は、スケール１０２ａ乃至１０２ｄに設けられた基準マーク１３２を計測することで基準位置からのスケール１０２ａ乃至１０２ｄのずれ量を検出しているが、これに限定されるものではない。例えば、図１１に示すように、スケール１０２ａ乃至１０２ｄのそれぞれ（スケール板１０２）に計測部１３４を配置し、スケール１０２ａ乃至１０２ｄのそれぞれと投影光学系３０との距離を計測するように検出部１３０を構成してもよい。この場合、検出部１３０は、スケール１０２ａ乃至１０２ｄのそれぞれと投影光学系３０との距離に基づいて、基準位置からのスケール１０２ａ乃至１０２ｄのそれぞれのずれ量を検出する。なお、図１１（ａ）はＸ軸方向からの測定装置１００の断面図、図１１（ｂ）はＺ軸方向からのスケール１０２ａ乃至１０２ｄの平面図である。
【００３３】
また、測定装置１００として、図１２に示すように、４つのスケール１０２Ａａ乃至１０２Ａｄを着脱可能にウエハステージ４５に設け、４つのセンサ１０４Ａａ乃至１０４Ａｄを基準フレーム５０に設けてもよい。スケール１０２Ａａ乃至１０２Ａｄは、ウエハステージ４５に形成された複数の溝４７の内部の圧力を下げることによって、ウエハステージ４５にバキューム吸着されている。但し、上述したように、スケール１０２Ａａ乃至１０２Ａｄを搭載させたスケール板１０２をウエハステージ４５にバキューム吸着させてもよい。また、センサ１０４Ａａ乃至１０４Ａｄは、基準フレーム５０に固定されている。また、４つのスケール１０２Ａａ乃至１０２Ａｄ及び４つのセンサ１０４Ａａ乃至１０４Ａｄは、ウエハステージ４５の移動範囲内において、１つのスケールを少なくとも１つのセンサで読み取ることが可能なように配置されている。従って、測定装置１００は、スケール１０２Ａａ乃至１０２Ａｄをセンサ１０４Ａａ乃至１０４Ａｄで読み取ることで、基準フレーム５０に対するウエハステージ４５の２軸方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）の位置を測定することができる。このように、被測定体（ウエハステージ４５）の位置を測定するためのスケール及びセンサのいずれか一方が被測定体に設けられていればよい。なお、図１２（ａ）は測定装置１００のＸ軸方向からの断面図、図１２（ｂ）はスケール１０２Ａａ乃至１０２ＡｄのＺ軸方向からの平面図、図１２（ｃ）はセンサ１０４Ａａ乃至１０４ＡｄのＺ軸方向からの平面図である。
【００３４】
また、図１２に示す構成においても、スケール１０２Ａａ乃至１０２Ａｄをバキューム吸着した場合に、基準位置からのスケール１０２Ａａ乃至１０２Ａｄのずれ量（即ち、ＸＹ平面の位置）を検出する検出部１３０が構成されている。具体的には、検出部１３０は、スケール１０２Ａａ乃至１０２Ａｄのそれぞれに設けられた基準マーク１３２と、ウエハステージ４５に配置されて基準マーク１３２の位置を計測する計測部１３４とを含む。なお、検出部１３０による基準位置からのスケール１０２Ａａ乃至１０２Ａｄのそれぞれのずれ量の検出や演算部７４によるスケールをセンサで読み取ることで測定されたウエハステージ４５の位置の補正については上述した通りである。
【００３５】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
2010243413.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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