(57)【要約】      （修正有）【課題】端数が発生した場合であっても、通常の処理時と同様に処理する。【解決手段】二枚葉半導体製造装置において、１枚の端数ウエハ１が発生した場合には端数集積搬送フローを実行する。外側移載装置３０は第一ロードロック室１４ａの支持台２０の最後段の載置部２８のウエハ１を下フィンガー３２ｂによって掬い取る。続いて、外側移載装置３０は下フィンガー３２ｂでウエハ１を保持したフィンガーアッシー３２を第二ロードロック室１４ｂに移動させ、第二ロードロック室１４ｂの支持台２０の第１段目の載置部２８のウエハ１を上フィンガー３２ａによって掬い取る。次に、外側移載装置３０は上フィンガー３２ａおよび下フィンガー３２ｂによってウエハ１、１を保持したまま、フィンガーアッシー３２を第一処理室１６ａに移動させ、第一処理部３６の上方にて停止する。第一処理部３６は通常の二枚葉処理を実施する。【選択図】図８
2010141000.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を施す複数の処理室と、
前記各処理室へ基板を搬送する第一搬送手段を備えた第一搬送室と、
大気圧状態で基板を搬送する第二搬送手段を備えた第二搬送室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能の予備室と、
複数の基板が収納された基板収納手段と前記処理室との間の前記第一搬送手段および前記第二搬送手段の搬送を制御する制御手段と、を設けた基板処理装置において、
前記基板収納手段に設けられたスロットに載置されている基板に割り当てられた運転レシピに従って、複数の前記基板収納手段に渡って連続して処理される場合に、一番目の前記基板収納手段に載置された最後の基板と、二番目の前記基板収納手段に載置されている最初の基板と、を同時に処理することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという）を作り込む半導体ウエハ（以下、ウエハという）に絶縁膜や金属膜および半導体膜を形成する基板処理装置としては、２枚のウエハを処理室に搬入して同時に成膜する二枚葉半導体製造装置がある。例えば、特許文献１参照。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−７０３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、ＩＣの製造方法において取り扱われるウエハは、キャリアに２５枚ずつ収容されて、工程内および工程間を搬送される。
二枚葉半導体製造装置においては、キャリアで運ばれてきた２５枚のウエハを、２枚の単位で処理室に搬入し、指定されたプロセスレシピに従い処理を行うことになる。
プロセスレシピは処理対象のウエハ毎に個別に割り当てられる。
ロット処理開始時に、一つのプロセスレシピで選択可能なウエハの枚数（この処理単位はプロセスジョブと称される）は、最小１枚から最大２５枚（キャリアのスロット数に相当する）であり、異なるキャリアに対しては選択することができない。
そのため、２つのキャリアを処理するためには、２つ以上のプロセスジョブを選択する必要がある。この時、同じレシピを選択することも可能だが、この場合、プロセスレシピは同じでも、プロセスジョブは異なることになる。
処理室に対して２枚ずつウエハを搬入していった場合において、奇数枚のウエハを選択されたプロセスジョブでは、最後の１枚が端数になる。この最後の１枚のウエハに対して、以下の２つの制御法を選択することができる。
（１）ダミーウエハ制御法
予め用意したダミーウエハを最後の１枚に加えて２枚にしてから処理室に搬入する。
利点：他のウエハと同じ条件で処理できるため、均一性を保つことができる。
欠点：ダミーウエハに対する専用スロット確保や使用回数制限等、管理が複雑化する。（２）無制御法
そのまま１枚で処理する。
利点：管理が単純である。
欠点：１枚処理ウエハの２枚同時処理ウエハとの同一性を保証することができない。
【０００５】
本発明の目的は、端数が発生した場合であっても、通常の処理時と同様に処理することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板に処理を施す複数の処理室と、
前記各処理室へ基板を搬送する第一搬送手段を備えた第一搬送室と、
大気圧状態で基板を搬送する第二搬送手段を備えた第二搬送室と、
前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能の予備室と、
複数の基板が収納された基板収納手段と前記処理室との間の前記第一搬送手段および前記第二搬送手段の搬送を制御する制御手段と、を設けた基板処理装置において、
前記基板収納手段に設けられたスロットに載置されている基板に割り当てられた運転レシピに従って、複数の前記基板収納手段に渡って連続して処理される場合に、一番目の前記基板収納手段に載置された最後の基板と、二番目の前記基板収納手段に載置されている最初の基板と、を同時に処理することを特徴とする基板処理装置。
（２）基板収納手段に設けられたスロットに載置されている基板に割り当てられた運転レシピに従って、複数の前記基板収納手段に渡って連続して処理される場合に、一番目の前記基板収納手段に載置された最後の基板と、二番目の前記基板収納手段に載置されている最初の基板と、を同時に処理することを特徴とする基板処理方法。
【発明の効果】
【０００７】
前記した手段によれば、端数が発生した場合であっても、通常の処理時と同様に処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施形態において、本発明に係る基板処理装置は、二枚葉半導体製造装置１０として構成されている。
【００１０】
図１に示されているように、二枚葉半導体製造装置１０は搬送室１２を中心として、２つのロードロック室１４ａ、１４ｂおよび２つの処理室１６ａ、１６ｂが配置されている。２つのロードロック室１４ａ、１４ｂの上流側にはフロントモジュールであるＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ）１８が配置されている。
【００１１】
図示しないが、ＥＦＥＭ１８は３台のキャリアを搭載することができる構造になっている。キャリアには２５段のスロットが形成されており、各段のスロットはウエハを１枚ずつ保持するように構成されている。したがって、キャリアは最小１枚から最大２５枚のウエハを収容可能である。
図示しないが、ＥＦＥＭ１８内にはウエハ移載装置（wafer transfer equipment）が設置されており、ウエハ移載装置は大気中にて同時に複数枚（通例、５枚）を移載することができる。ウエハ移載装置は２つのロードロック室１４ａ、１４ｂとの間のウエハ移載を可能にしている。
【００１２】
図２に示されているように、ロードロック室１４ａ、１４ｂには支持台２０が設けられており、支持台２０は２５枚のウエハを縦方向に一定間隔を隔てて収容する。支持台２０は、例えば炭化珪素やアルミで構成しており、上部板２２と下部板２４とを接続する例えば３つの支柱２６を有する。支柱２６の長手方向内側には例えば２５個の載置部２８が平行に形成されている。
また、支持台２０は、ロードロック室１４ａ、１４ｂ内において、鉛直方向に移動（上下方向に移動）するように構成されているとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するように構成されている。
【００１３】
搬送室１２にはウエハ移載装置３０が設置されている。ウエハ移載装置３０はロードロック室１４ａ、１４ｂと処理室１６ａ、１６ｂとの間でウエハ１を搬送する。ウエハ移載装置３０はフィンガーアッシー３２が設けられたアーム３４を備えている。フィンガーアッシー３２は上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂとを有する。上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂとは同一の形状をしており、上下方向に所定の間隔で離間され、アーム３４からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、ウエハ１をそれぞれ支持する。アーム３４は鉛直方向に延びる回転軸を中心として回転するように、かつ、水平方向に移動するように構成されている。
搬送室１２と処理室１６ａ、搬送室１２と処理室１６ｂは、ゲートバルブ３５（図３参照）を介してそれぞれ連通している。
【００１４】
したがって、搬送室１２に設置されたウエハ移載装置３０は、ロードロック室１４ａ、１４ｂにストックされた未処理ウエハを同時に２枚ずつゲートバルブ３５を介して処理室１６ａ、１６ｂへ移載することができるとともに、処理済ウエハを一度に２枚ずつ処理室１６ａ、１６ｂからロードロック室１４ａ、１４ｂに移載することができる。
【００１５】
図３に示されているように、処理室１６には２つの保持台３７、３７が載置されている。搬送室１２側の保持台３７を第一処理部３６、他方の保持台３７を第二処理部３８とする。第一処理部３６と第二処理部３８はおのおの独立した構造となっており、装置全体からみると、ウエハ処理流れ方向と同方向一列になっている。すなわち、第二処理部３８は、搬送室１２から第一処理部３６を挟んで遠方に配置されている。
第一処理部３６と第二処理部３８とは連通し、処理室１６内は３００℃までの昇温が可能である。第一処理部３６と第二処理部３８は、例えばアルミニウムで形成され、内挿したヒータ（不図示）により加熱される。
省スペース、低コスト化の目的を達成するため、ロードロック室１４ａ、１４ｂ、搬送室１２および処理室１６ａ、１６ｂを例えばアルミニウム一部品にて形成してもよい。
【００１６】
処理室１６内の第一処理部３６と第二処理部３８の間の内側寄りには、処理室内ウエハ移載装置（以下、内側移載装置という）４０が設けられている。内側移載装置４０はウエハ移載装置（以下、外側移載装置という）３０によって搬送された２枚の未処理ウエハのうちの１枚を第二処理部３８に移載し、さらに、第二処理部３８の処理済ウエハを外側移載装置３０のフィンガーアッシー３２上へ移載する。
【００１７】
図４は、処理部１６内の内側移載装置４０が第二処理部３８側に待機している時（ウエハ処理時）の状態を示す。
内側移載装置４０は、ウエハの外径より大きな円弧部４３ａと、円弧部４３ａから切欠かれた切欠き部４３ｂと、円弧部４３ａから円弧部の中心にむかって略水平に設けられたウエハを載置する爪部４３ｃと、円弧部４３ａを支えるフレーム部４３ｄが設けられたアーム４７と、を有する。
円弧部４３ａとフレーム部４３ｄとは連続して形成され、アーム４７から略水平に装着され、爪部４３ｃを介してウエハ１を支持する。
アーム４７は、鉛直方向に延びる軸部４３ｅを回転軸として回転するように、かつ、鉛直方向に昇降するように構成されている。
切欠き部４３ｂは、軸部４３ｅが回転し、第一処理部３６側に位置するときに、搬送室１２と処理室１６との間に設けられたゲートバルブ３５と向かい合う位置に配置する。
したがって、内側移載装置４０は、回転軸である軸部４３ｅが回転し、昇降する。このような動作を行うことで、外側移載装置３０によって処理室１６内に搬送された２枚のウエハのうち、１枚のウエハを第一処理部３６上方から搬送室１２の遠方にある第二処理部３８に搬送して載置することができる。
内側移載装置４０は、第一処理部３６および第二処理部３８からの熱輻射により高温（２００℃くらい）になるため、耐プラズマ性、耐高熱性である例えばアルミナセラミックス、石英、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等から形成するのが好ましい。金属部品に比べ熱膨張係数の小さい例えばアルミナセラミックスで形成することで、熱変形によるたわみ等による搬送信頼性劣化を防止することができる。ただし、内側移載装置４０の基部には位置・レベル調整のため、金属部品を使用する。
【００１８】
第一処理部３６および第二処理部３８は、処理室１６内において固定部材（不図示）により装置本体１１に固定されている。第一処理部３６外周には３つの第一保持ピン３９ａが鉛直方向に貫通しており、第一保持ピン３９ａが上下に昇降することで、ウエハ１を略水平に昇降させる。第二処理部３８外周には３つの第二保持ピン３９ｂが鉛直方向に貫通しており、第二保持ピン３９ｂが上下に昇降することで、ウエハ１を略水平に昇降させる。したがって、ゲートバルブ３５を介して外側移載装置３０により搬送されたウエハ１は、保持ピン３９ａ、３９ｂを介して保持台３７に載置されるようになっている。つまり、モータが回転および逆回転することにより、第一保持ピン３９ａ、第二保持ピン３９ｂが上下方向に移動する。
【００１９】
図５および図６に処理室１６内におけるウエハ移載のフローの概要を示す。
図５（ａ）〜（ｄ）および図６( ｅ) 〜（ｈ）において、上図は処理室１６の上面図であり、下図は上図の断面をイメージした図で、説明用図面である。
下図では、保持ピン３９ａの一つが第一処理部３６内のゲートバルブ３５に近い箇所に設けられている。これは説明の便宜上のものである。実際には上図のように、第一処理部３６内のゲートバルブ３５に近い箇所、すなわち、外側移載装置３０が図５（ｃ）上図のように待機する箇所には、保持ピン３９ａは設けられていない。
なお、以下の説明において、二枚葉半導体製造装置１０を構成する各部の動作はコントローラ８４により制御する。
まず、処理室１６内は搬送室１２と同圧に減圧化される。
【００２０】
（ステップ１  図５（ａ））
ゲートバルブ３５が開き、第一処理部３６の第一保持ピン３９ａと第二処理部３８の第二保持ピン３９ｂが上昇する。内側移載装置４０は第二処理部３８側に待機し、第一保持ピン３９ａ、第二保持ピン３９ｂと共に上昇する。
【００２１】
（ステップ２  図５（ｂ））
内側移載装置４０は、軸部４３ｅが回転することで、略水平に第一処理部３６側へ移動する。この際、内側移載装置４０の切欠き部４３ｂは、ゲートバルブ３５と向かい合っている。
【００２２】
（ステップ３  図５（ｃ））
外側移載装置３０が上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂに載置された２枚のウエハ１、１を同時に搬送しながら、搬送室１２からゲートバルブ３５を介して処理室１６に移動し、第一処理部３６の上方にて停止する。その際、内側移載装置４０はフィンガーアッシー３２の上フィンガー３２ａと下フィンガー３２ｂの間に収まる高さ位置にて待機している。
【００２３】
（ステップ４  図５（ｄ））
外側移載装置３０はそのまま動作しない状態にて、第一処理部３６の第一保持ピン３９ａが上昇し、下フィンガー３２ｂに載置されたウエハを第一保持ピン３９ａ上に載置する。さらに、内側移載装置４０が上昇することで、上フィンガー３２ａに載置されたウエハを内側移載装置４０の爪部４３ｃ上に載置する。
【００２４】
（ステップ５  図６（ｅ））
外側移載装置３０は、搬送室１２内に戻る。
【００２５】
（ステップ６  図６（ｆ））
内側移載装置４０は、ウエハ１を載置した状態で、軸部４３ｅが回転することで略水平に第二処理部３８側へ移動する。
ゲートバルブ３５が閉まる。
【００２６】
（ステップ７  図６（ｇ））
軸部４３ｅが下降して、内側移載装置４０は、第二処理部３８の外周下方に移動する。
内側移載装置４０はウエハ処理中も処理室１６内に待機することになるため、第二処理部３８上方から供給される処理ガス（例えばＯ2 ラジカル等）のガスの流れを阻害し、ウエハ面内の均一性を悪化させる危惧がある。そのため、第二処理部３８の外周のガス流れを阻害しない高さへと移動する。
【００２７】
（ステップ８  図６（ｈ））
第一処理部３６の第一保持ピン３９ａおよび第二処理部３８の第二保持ピン３９ｂがウエハ１を略水平に保持した状態で略同時に下降し、ウエハ１を保持台３７に載置する。すなわち、それぞれのウエハと、それらのウエハに対応した保持台との距離が互いに等しくなるよう、ウエハを下降させる。第一処理部３６および第二処理部３８それぞれのウエハへの熱影響を同じにするためである。
熱影響を同じにすることにより、例えばそれぞれのウエハのアッシングレートを均一にすることができる。まったく同じ熱影響とする必要は無く、アッシングレートが均一にさえなれば、誤差があってもよい。誤差は、例えば２秒程度である。
第一保持ピン３９ａと第二保持ピン３９ｂを略同時に下降して、熱影響を同じとする代わりに、ヒータを個別に制御してもよい。
また、本実施形態では、保持ピン３９が下がるが、保持台３７が上下するように構成にしてもよい。
【００２８】
その後、処理室１６内にガスを供給し、プラズマ生成（アッシング処理）がなされ、基板処理後は、逆のシーケンスを実行し、処理済ウエハ１、１を搬出する。
【００２９】
ところで、以上の二枚葉半導体製造装置１０においては、外側移載装置３０は２５枚のウエハ１をストックした一方のロードロック室１４ａまたは１４ｂ（以下、ロードロック室１４ａを基準にして説明する）からウエハ１を２枚ずつ順次取り出して行くので、外側移載装置３０は最後（１３回目）には１枚だけを取り出すことになる。
他方、処理室１６ａはウエハ１を２枚ずつ同時に処理するように設定されているので、外側移載装置３０はウエハ１を１枚だけ処理室１６ａに搬送するわけにはいかない。
【００３０】
そこで、本実施形態においては、図７に示されたフローを実行する端数処理プログラムをコントローラ８４に搭載することにより、端数ウエハを適正に成膜することができるものとした。
すなわち、端数処理プログラムは、奇数枚のウエハを選択されたプロセスジョブに対し、最後の１枚と別のプロセスジョブの最初の１枚とが同じ処理室１６ａの同じプロセスレシピで処理可能と判断した場合には、プロセスジョブを連結させて、最後の１枚と最初の１枚とを合わせて２枚にして処理室１６ａに、外側移載装置３０をして搬入させる。
【００３１】
図７は端数処理プログラムのフローチャートである。
予め、ＥＦＥＭ１８に供給されたキャリア（図示せず）からロードロック室１４ａに、２５枚のウエハがＥＦＥＭ１８内のウエハ移載装置によって移し替えられる（第一ステップＳ１）。
「未処理ウエハがロードロック室に有るか」を判断する（第二ステップＳ２）。
「有る」の場合には、「対象のウエハは最後（２５枚目）の１枚か」を判断する（第三ステップＳ３）。
【００３２】
「最後の１枚である」の場合には、「別のプロセスジョブと連結可能か」を判断する（第四ステップＳ４）。すなわち、「既に（第一ロードロック室１４ａのプロセスジョブの最後のウエハの処理順番がくる前に）、第二ロードロック室１４ｂのプロセスジョブが処理可能状態になっているか」を判断する。
２５枚のキャリアに対して２枚ずつ処理して行くと、最後の１枚は端数になる。この時に、次のキャリアの投入が間に合わなければ、そのまま１枚で処理することになる。
この「間に合う」の条件は、先行プロセスジョブの最終ウエハをロードロックチャンバ１４ａから処理室１６ａに搬送開始する前に、後発のプロセスジョブが第二ロードロック室１４ｂで真空引きが完了し、減圧下で搬送可能になっていることが必要がある。
【００３３】
「連結可能である」の場合には、「プロセスレシピ名称は一致するか」を判断する（第五ステップＳ５）。すなわち、第一ロードロック室１４ａの最後のウエハ１のプロセスレシピ名称と、第二ロードロック室１４ｂの最初のウエハ１のプロセスレシピ名称とは一致するか」を判断する。
１つのプロセスジョブには１つのプロセスレシピが選択されている。先行プロセスジョブと、後発のプロセスジョブのプロセスレシピとが一致しなければならない。一致しているかどうかは、選択されているプロセスレシピ名称（システムでユニーク）で判断することができる。
【００３４】
「一致」の場合には、「２つのプロセスジョブ間でＶＰ（Variable Parameter）が変更しないか」を判断する（第六ステップＳ６）。すなわち、「温度、圧力、ガス流量等のパラメータの変更が第一処理室１６ａと第二処理室１６ｂとの間で無いか」を判断する。または、「ＶＰの変更内容が完全に一致するか」を判断する。
プロセスレシピの内容はホストコントローラから変更することができるため、プロセスレシピが一致してもＶＰの値が異なると、第二処理室１６ｂで処理するウエハは第一処理室１４ａに搬入することができない。
【００３５】
「無し」の場合には、第７ステップＳ７に進み、外側移載装置３０を制御して、図８に示された端数集積搬送フローを、次のように実行する。
図８（ａ）に示されているように、外側移載装置３０は第一ロードロック室１４ａに設置された支持台２０の第２５段目である最上段の載置部２８のウエハ１を下フィンガー３２ｂによって掬い取る。
なお、図８（ａ）おいて、最上段以外の載置部２８には処理済ウエハ１Ａがそれぞれ保持されている。
続いて、外側移載装置３０は下フィンガー３２ｂでウエハ１を保持したまま、図８（ｂ）に示されているように、フィンガーアッシー３２を第二ロードロック室１４ｂに移動させ、第二ロードロック室１４ｂに設置された支持台２０の第１段目である最下段の載置部２８のウエハ１上フィンガー３２ａによって掬い取る。
なお、図８（ｂ）おいて、最下段以外の載置部２８にも処理前のウエハ１がそれぞれ保持されている。
次に、外側移載装置３０は上フィンガー３２ａおよび下フィンガー３２ｂによってウエハ１、１を保持したまま、図８（ｃ）に示されているように、フィンガーアッシー３２を第一処理室１６ａに移動させ、第一処理部３６の上方にて停止する。
フィンガーアッシー３２が第一処理部３６の上方にて停止した後の作動は、前述したステップ４〜８と同様となる。
【００３６】
翻って、第三ステップＳ３で「最後の１枚では無い」、第四ステップＳ４で「不可能」、第五ステップＳ５で「不一致」、第六ステップＳ６で「有り」、とそれぞれ判断された場合には、第八ステップＳ８に進む。
第八ステップＳ８においては、第三ステップＳ３で「最後の１枚では無い」と判断された場合には、外側移載装置３０は上下２段のウエハ１、１を上フィンガー３２ａおよび下フィンガー３２ｂによって同時に掬い取る通常の搬送処理を実行する。
しかし、第四ステップＳ４で「不可能」と判断された場合、第五ステップＳ５で「不一致」と判断された場合、第六ステップＳ６で「有り」と判断された場合には、外側移載装置３０は１枚のウエハ１だけを下フィンガー３２ｂによって掬い取る端数搬送処理を実行する。
【００３７】
以上の端数集積搬送処理ステップＳ７または無制御搬送処理ステップＳ８が実行されると、第九ステップＳ９において、プロセスレシピが実行され、ウエハ１は２枚または１枚にて前述したプラズマ生成（アッシング処理）が施される。
【００３８】
第九ステップＳ９が終了すると、第十ステップＳ１０に進む。第十ステップＳ１０においては、外側移載装置３０は処理済ウエハ１Ａを、前述した図８の作動と逆の作動によって元のロードロック室１４ａ，１４ｂの支持台２０にそれぞれ戻す。
すなわち、端数集積搬送処理ステップＳ７を経由した場合には、外側移載装置３０は上フィンガー３２ａで掬い取った処理済ウエハ１Ａを、第二ロードロック室１４ｂの支持台２０の最下段載置部２８に戻し、下フィンガー３２ｂで掬い取った処理済ウエハ１Ａを、第一ロードロック室１４ａの支持台２０の最上段載置部２８に戻す。
また、無制御搬送処理ステップＳ８を経由した場合には、外側移載装置３０は下フィンガー３２ｂで掬い取った処理済ウエハ１Ａを、第一ロードロック室１４ａの支持台２０の最上段載置部２８に戻す。
第十ステップＳ１０が終了すると、第二ステップＳ２に戻り、以上のルーチンを繰り返す。
【００３９】
第二ステップＳ２において、「未処理ウエハが無し」と判断された場合には、第十一ステップ１１に進む。第十一ステップ１１においては、外側移載装置３０は２５枚の処理済ウエハ１Ａを第一ロードロック室１４Ａからキャリアに移し替る。
【００４０】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４１】
（１）第一ロードロック室の最後の１枚と、第二ロードロック室で順番待ちしているプロセスジョブの先頭ウエハとを合わせて処理室に搬送することにより、通常の処理時と同じに２枚のウエハを同時に処理することができるので、二枚葉半導体製造装置におけるウエハ相互間均一性（ウエハ面間均一性）を維持することができる。
【００４２】
（２）第一ロードロック室の最後の１枚と、第二ロードロック室で順番待ちしているプロセスジョブの先頭ウエハとを合わせて処理室に搬送することにより、端数が発生した場合であっても、通常の処理時と同じに２枚のウエハを同時に処理することができるので、二枚葉半導体製造装置のスループットを向上させることができる。
【００４３】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４４】
例えば、本発明は、ウエハに絶縁膜や金属膜および半導体膜を形成する成膜処理に限らず、酸化処理や拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニール等々の基板処理全般に適用することができる。
【００４５】
また、ＩＣを作り込むウエハに処理を施す基板処理装置に限らず、ＬＣＤ装置のガラス基板に処理を施す基板処理装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施の形態である二枚葉半導体製造装置を示す模式的平面断面図である。
【図２】その縦断面図である。
【図３】その処理室を示す斜視図である。
【図４】そのウエハ処理時の内側移載装置周辺を示す平面図である。
【図５】ウエハ移載フローを示す各模式的平面図および各縦断面図である。
【図６】ウエハ移載フローの続きを示す各模式的平面図および各縦断面図である。
【図７】端数処理プログラムのフローチャートである。
【図８】端数集積搬送フローを示す各模式的側面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１      ウエハ（基板）
１Ａ    処理済ウエハ
１４ａ  第一ロードロック室
１４ｂ  第二ロードロック室
１６ａ  第一処理室
１６ｂ  第二処理室
２０    支持台
２８    載置部
３０    外側移載装置（第二搬送手段）
３２    フィンガーアッシー
３２ａ  上フィンガー
３２ｂ  下フィンガー
３６    第一処理部
【図１】
2010141000.tif 000003
【図２】
2010141000.tif 000004
【図３】
2010141000.tif 000005
【図４】
2010141000.tif 000006
【図５】
2010141000.tif 000007
【図６】
2010141000.tif 000008
【図７】
2010141000.tif 000009
【図８】
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