(57)【要約】【課題】誘電体層形成後に生じ得るクラックを効果的に防止できるＰＤＰ誘電体層の製造法を提供すること。【解決手段】基板上に電極と誘電体層と保護層とが形成された前面板を有して成るプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、誘電体層の形成が、（ｉ）ガラス成分および有機溶剤を含んで成る誘電体原料を調製する工程、（ｉｉ）電極が形成された基板上に誘電体原料を供給し、供された誘電体原料から有機溶剤を減じて誘電体前駆層を形成する工程、ならびに、（ｉｉｉ）誘電体前駆層を熱処理に付して誘電体層を形成する工程を含んで成り、工程（ｉ）の誘電体原料に含まれる有機溶剤の含有量Ｎが式１の関係を満たすことを特徴とする、製造方法。（式１）Ｎ＜（６．５×Ｄｚ＋５００）／Ｅｚ（Ｎ［重量％］：誘電体原料を基準とした有機溶剤の含有量、Ｅｚ［μｍ］：前面板の電極の厚さ、Ｄｚ［μｍ］：前面板の誘電体層の厚さ）。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に電極と誘電体層と保護層とが形成された前面板を有して成るプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記誘電体層の形成が、
（ｉ）ガラス成分および有機溶剤を含んで成る誘電体原料を調製する工程、
（ｉｉ）電極が形成された基板上に誘電体原料を供給し、供された誘電体原料から有機溶剤を減じて誘電体前駆層を形成する工程、ならびに
（ｉｉｉ）誘電体前駆層を熱処理に付して、誘電体層を形成する工程
を含んで成り、
前記工程（ｉ）で調製する誘電体原料に含まれる有機溶剤の含有量Ｎが式１の関係を満たすことを特徴とする、製造方法。
（式１）
Ｎ＜（６．５×Ｄｚ＋５００）／Ｅｚ
Ｎ［重量％］：誘電体原料を基準とした有機溶剤の含有量
Ｅｚ［μｍ］：前面板に設けられた電極の厚さ    
Ｄｚ［μｍ］：前面板に設けられる誘電体層の厚さ
【請求項２】
前記工程（ｉｉ）では、供された誘電体原料を加熱に付すことによって、有機溶剤を減じており、
加熱時の誘電体原料の昇温速度Ｔが式２の関係を満たすことを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
（式２）
Ｔ＜（１６×Ｄｚ＋４１０−Ｅｚ×Ｎ）／（Ｄｚ＋９）
Ｔ［℃／分］：工程（ｉｉ）で行われる加熱処理時の昇温速度
Ｎ［重量％］：誘電体原料を基準とした有機溶剤の含有量
Ｅｚ［μｍ］：前面板に設けられた電極の厚さ
Ｄｚ［μｍ］：前面板に設けられる誘電体層の厚さ
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、特にプラズマディスプレイパネルの前面板側の誘電体層の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高品位テレビジョン画像を大画面で表示するためのディスプレイ装置として、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰとも称す）を用いたディスプレイ装置への期待は高まっている。
【０００３】
ＰＤＰ（例えば３電極面放電型ＰＤＰ）は、映像を見る人から見て表面側となる前面板とその裏側の背面板とを対向配置して、それらの周辺部を封着部材で封着した構造を有している。前面板と背面板との間に形成された放電空間にはネオンおよびキセノンなどの放電ガスが封入されている。前面板は、ガラス基板の一方の面に形成された走査電極と維持電極とから成る表示電極対と、これらの電極を覆う誘電体層と保護層とを備えている。背面板は、ガラス基板に上記表示電極対と直交する方向にストライプ状に形成された複数のアドレス電極と、これらのアドレス電極を覆う下地誘電体層と、アドレス電極毎に放電空間を区画する隔壁と、隔壁の側面および下地誘電体層上に塗布された赤色・緑色・青色の蛍光体層とを備えている。
【０００４】
表示電極対とアドレス電極とは直交していて、その交差部が放電セルを成している。これらの放電セルはマトリクス状に配列されており、表示電極対の方向に並ぶ赤色・緑色・青色の蛍光体層を有する３個の放電セルがカラー表示のための画素となる。このようなＰＤＰでは、順次、走査電極とアドレス電極間、および走査電極と維持電極間に所定の電圧が印加されてガス放電を発生させている。そして、かかるガス放電で生じる紫外線により蛍光体層を励起して可視光を発光させることによってカラー画像表示を実現している。
【０００５】
近年では、ＰＤＰの高精細化に伴って放電セルが微細化してきている（例えば、高精細化に伴って背面側の隔壁を約１００μｍピッチで形成する必要がある）。放電セルのサイズが小さくなると、発光輝度が低下し、消費電力が増大するという問題がある。これは、開口率の減少、画素数の増加に伴う１画素当りの発光時間の減少、発光効率の低下などに起因する。発光輝度を高める方法として、背面板の隔壁の幅を細くすることにより開口率の増加を図る方法があるが、それだけでは発光輝度が依然不足しており、更なる改善が必要である。
【０００６】
発光輝度を高める他の方法として、前面板における誘電体層の誘電率を下げて放電時の無効電力を低減し、発光効率を高める方法がある。現行のＰＤＰ製造方法において前面板側の誘電体層は、数μｍの大きさのガラス粉末と有機バインダと溶媒を含むガラス材料をスクリーン印刷やダイコートなど公知の方法を用いてガラス板上に塗布している。その後、乾燥工程、脱バインダ工程（３００〜４００℃）、焼成工程（５００〜６００℃）を経て誘電体層を形成している。しかしながら現行の誘電体材料はガラス粉末を低温で溶融させるため、ガラスの融点を低下させる材料（一般的にＢｉなど）を添加する必要がある（例えば、特許文献１を参照）。この低融点ガラス材料は純度が低く、比誘電率が１０以上と高い。また、他の物質（一般的にアルカリ金属など）を添加することで比誘電率を低下させることも可能であるものの、ＰＤＰの電極には銀などの高導電性金属が主成分として用いられているので、イオンマイグレーションによる銀の拡散およびコロイド化が促進され、誘電体に黄変現象が発生してしまう。これはＰＤＰの光学特性に対して大きく悪影響を及ぼす。
【０００７】
そこで誘電体層の誘電率を下げることで発光輝度を高めるためには、現行のガラスペーストに変わる新しい低誘電率材料およびその材料を用いた誘電体層の形成方法の開発が必要となる。高純度の酸化物誘電体層を形成する方法としては、固体酸化物を真空下でスパッタリングして基板に堆積させる方法（スパッタリング蒸着法）や、原料をプラズマにより分解し、堆積させる方法（化学蒸着法）などがある。これらの方法により高純度で低誘電率の誘電体層を形成できるものの、高価な真空設備を必要とし、成膜レートが毎分数１００ｎｍ程度と小さい。また、必要とする膜厚は絶縁耐圧などの関係上、一般的には１０μｍ以上は必要であり、生産性を高めながら誘電体層を形成するには、設備台数が増えてしまうといった問題がある。
【０００８】
別法にて、純度の高いシリカを溶融させることが考えられるが、１０００℃以上の高温を必要とするために現実的ではない。
【０００９】
一方、生産性を確保しながら、低誘電率の誘電体を形成する方法としてゾルゲル法がある。この方法では、溶媒中の金属アルコキシドを加水分解してシリコン化合物を得た後、加熱に付して縮重合処理することによって、酸化ケイ素を主成分とする膜を形成している。例えばシリコン化合物が水酸化ケイ素（Ｓｉ（ＯＨ）４）の場合、下記のような縮重合反応によって、−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−のネットワークが形成され、誘電体層となる固体のＳｉＯ２が形成される：
ｎＳｉ（ＯＨ）４→ｎＳｉＯ２＋２ｎＨ２Ｏ
（ｎ：１以上の整数）
また、シリコン化合物がシロキサンの場合では、下記のような縮重合反応によって誘電体層が形成される：
2010225518.tif 000002
この方法によれば、原料ペーストの塗布に既存の設備を利用できるので安価な製造コストと短いタクトとの両立が可能となるだけでなく、ガラスを溶融させる過程を経ないので低温で誘電体層を形成できる。しかしながら、縮合重合反応に起因した体積収縮によって誘電体層にクラックが発生することがあり（図１０および図１１参照）、厚膜形成が一般に困難である（一般的には１００ｎｍ程度の厚さの誘電体層を形成するのは困難である）。
【００１０】
これに対処するために、酸または塩基の触媒を用い、体積収縮を抑制するために金属アルコキシドにフェニル基やアクリル基などの有機官能基を付与することで厚膜化を実現する方法がある（例えば、特許文献２を参照）。この方法では、調製された誘電体材料を、公知の方法によって塗布し、熱または紫外線により処理することでＰＤＰ誘電体層を形成している。しかしながら、この方法で調製された材料では、４００℃程度の高温の大気雰囲気下にて、付与された有機物の分解が促進されることが考えられる。その結果、体積収縮に起因してクラックが発生することになり、数μｍ程度の厚膜化しか実現できない。
【特許文献１】特開２００２−０５３３４２号公報
【特許文献２】特開２００５−１０８６９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みて為されたものである。つまり、本発明の課題は、誘電体層形成後に生じ得るクラックを効果的に防止または軽減できるＰＤＰ製造法を提供することである。
【００１２】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、誘電体層の形成時に生じ得る“段差”に着目した。具体的には、基板の電極パターン上に塗布した誘電体原料ペーストを乾燥させる際、図１２に示すような“段差”が生じる現象に着目した。この“段差”は、原料ペーストが塗布される基板面に“電極形成領域”と“電極非形成領域”とが存在することに起因している（それゆえ、“段差”を“電極段差”とも称すことができる）。図１２に示すように、“電極形成領域”にて基板表面から誘電体前駆層の表面までの距離をＤｚ’、“電極非形成領域”にて基板表面から誘電体前駆層の表面までの距離をＤｚ、電極厚さをＥｚとすると、誘電体前駆層の段差のサイズＳｚはＳｚ＝Ｄｚ’−Ｄｚで表される。本発明者らは、誘電体層形成時に発生する応力を有限要素法により解析した結果、“段差”に応力が集中しやすいことを見出した（図１３（ａ）参照）。特に、図１３（ｃ）を参照すると分かるように、“段差”のサイズＳｚが大きくなると、応力が大きくなりクラックが生じやすくなることを見出した。
【００１３】
このような検討を通じて、本発明者らは、誘電体層の沿電極方向クラックを効果的に防止または軽減できるＰＤＰ製造法の発明を完成させた。かかる本発明は、基板上に電極と誘電体層と保護層とが形成された前面板を有して成るプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前面側の誘電体層の形成が、
（ｉ）ガラス成分および有機溶剤を含んで成る誘電体原料を調製する工程、
（ｉｉ）電極が形成された基板上に誘電体原料を供給し、供された誘電体原料から有機溶剤を減じて誘電体前駆層を形成する工程、ならびに
（ｉｉｉ）誘電体前駆層を熱処理に付して、誘電体層を形成する工程
を含んで成り、
工程（ｉ）で調製する誘電体原料に含まれる有機溶剤の含有量Ｎが式１の関係を満たすことを特徴とする製造方法である。
（式１）
Ｎ＜（６．５×Ｄｚ＋５００）／Ｅｚ
Ｎ［重量％］：誘電体原料を基準とした有機溶剤の含有量
Ｅｚ［μｍ］：前面板に設けられた電極の厚さ    
Ｄｚ［μｍ］：前面板に設けられる誘電体層の厚さ
【００１４】
本発明の製造方法は、誘電体原料に含まれる有機溶剤の含有量が好適に調整されていることを特徴としている。このような本発明の製造方法を用いると、誘電体層形成後に生じ得るクラック（特に、電極エッジ部に沿ったクラック）を効果的に防止または軽減できる。
【００１５】
本明細書において「前面板」とは、映像を見る人から見て表面側となるパネル基板を指しており、実質的には、蛍光体層および隔壁が存在していない側のパネル基板を指している（換言すれば、蛍光体層および隔壁が存在する“背面板”と対向配置されるパネル基板が“前面板”であるといえる）。
【００１６】
ある好適な態様では、工程（ｉｉ）では、供された誘電体原料を加熱に付すことによって有機溶剤を減じており、その加熱時の誘電体原料の昇温速度Ｔが式２の関係を満たしている。
（式２）
Ｔ＜（１６×Ｄｚ＋４１０−Ｅｚ×Ｎ）／（Ｄｚ＋９）
Ｔ［℃／分］：工程（ｉｉ）で行われる加熱処理時の昇温速度
Ｎ［重量％］：誘電体原料を基準とした有機溶剤の含有量
Ｅｚ［μｍ］：前面板に設けられた電極の厚さ
Ｄｚ［μｍ］：前面板に設けられる誘電体層の厚さ
【００１７】
かかる態様では、誘電体原料の加熱乾燥により誘電体前駆層を形成する際の昇温速度が好適に調整されている。従って、誘電体層形成後に生じ得るクラックをより効果的に防止または軽減できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の製造方法では、誘電体層のクラックを効果的に防止または軽減できる。換言すれば、誘電体原料の有機溶剤の含有量Ｎが式１を満たすことによって、および／または、誘電体原料の加熱乾燥時の昇温速度Ｔが式２を満たすことによって、“誘電体前駆層の段差”を減じることができ、誘電体層に生じ得る応力を低減ないしは回避できるので、結果的に“クラック”を防止または軽減できる。
【００１９】
クラック等のような物理的欠陥を防止できると、誘電体層の厚膜化が可能となるだけでなく、得られるＰＤＰが高精細化に対応可能な優れた耐絶縁性能を有することになり（即ち、高電圧の印加時における誘電体層の絶縁破壊が防止されることになり）、パネル寿命が伸びる。
【００２０】
また、本発明の製造方法は、クラック発生を懸念することなくゾルゲル法で誘電体層を形成できるので、誘電体層が所望の透過率を維持していると共に、比誘電率５以下（２３℃および１ＭＨｚでの比誘電率の値）となっている。このように、本発明では、低誘電率化が可能であり、それゆえ、高い発光効率を達成することができ、低消費電力のＰＤＰを実現できる。換言すれば、本発明の製造方法では、低誘電率化に有利なゾルゲル法を利用しつつも、そのようなゾルゲル法を利用する際の不都合な点（つまり、縮合反応時の体積収縮に起因して生じるクラック）が解消または抑制されている点で非常に有益といえる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下にて、図面を参照して、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法を詳細に説明する。尚、図面に示す各種の要素は、本発明の理解のために模式的に示したにすぎず、寸法比や外観などは実物と異なり得ることに留意されたい。
【００２２】
［プラズマディスプレイパネルの構成］
まず、本発明の製造方法を経ることによって最終的に得られるプラズマディスプレイパネルを簡単に説明する。図１（ａ）に、ＰＤＰの構成を断面斜視図により模式的に示す。
【００２３】
ＰＤＰ（１００）の前面板（１）では、平滑で透明かつ絶縁性の基板（１０）（例えばガラス基板）上に、走査電極（１２）と維持電極（１３）とから成る表示電極（１１）が複数形成されており、その表示電極（１１）を覆うように誘電体層（１５）が形成され、更に、その誘電体層（１５）上に保護層（１６）（例えば、ＭｇＯから成る保護層）が形成されている。特に、表示電極（１１）は、図１（ｂ）に示すように、透明電極（１２ａ，１３ａ）とバス電極（１２ｂ、１３ｂ）とから成る電極が対となった電極対（１１）を複数有して成ることにより構成されている。透明電極（１２ａ，１３ａ）は、酸化インジウム（ＩＴＯ）または酸化スズ（ＳｎＯ２）などから成る透明な導電膜であり、好ましくは５０〜５００ｎｍ程度の厚さ寸法を有している。一方、バス電極（１２ｂ、１３ｂ）は、銀を主成分とした黒色を帯びた電極であり、好ましくは１〜１０μｍ程度の厚さ寸法を有していると共に、好ましくは１０〜２００μｍの幅寸法、より好ましくは５０〜１００μｍの幅寸法を有している。
【００２４】
前面板（１）に対向配置される背面板（２）では、絶縁性の基板（２０）上にアドレス電極（２１）が複数形成され、このアドレス電極（２１）を覆うように誘電体層（２２）が形成されている。そして、かかる誘電体層（２２）上のアドレス電極（２１）間に対応する位置に隔壁（２３）が設けられ、誘電体層（２２）の表面上の隣接する隔壁（２３）の間には、赤、緑、青の各色の蛍光体層（２５）がそれぞれ設けられている。
【００２５】
表示電極（１１）とアドレス電極（２１）とが直交し、且つ、放電空間（３０）が形成されるように、前面板（１）と背面板（２）とは、隔壁（２３）を挟んで対向して配置されている。放電空間（３０）には、放電ガスとして、ヘリウム、ネオン、アルゴンまたはキセノンなどの希ガスが封入される。このような構成を有するＰＤＰ（１００）では、隔壁（２３）によって仕切られ、表示電極（１１）とアドレス電極（２１）とが交差する放電空間（３０）が放電セル（３２）として機能することになる。
【００２６】
［ＰＤＰの一般的な製造法］
次に、このようなＰＤＰ（１００）の典型的な製造方法について簡単に説明する。ＰＤＰ（１００）の製造は、前面板（１）の形成工程と背面板（２）の形成工程とに分かれている。まず、前面板（１）の形成工程においては、ガラス基板（１０）上に、例えばスパッタ法などで透明電極を形成すると共に焼成法等でバス電極を形成することによって表示電極（１１）を形成する。次いで、表示電極（１１）を覆うように誘電体原料をガラス基板（１０）上に塗布して加熱処理して誘電体層（１５）を形成する。次いで、この誘電体層（１５）上に、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）法などでＭｇＯなどの膜を形成することで保護層（１６）を形成し、前面板（１）を得ている。
【００２７】
背面板（２）の形成工程においては、ガラス基板（２０）上に、例えば焼成法等でアドレス電極（２１）を形成し、その上に誘電体原料を塗布して誘電体層（２２）を形成する。次いで、所定のパターンで低融点ガラスから成る隔壁（２３）を形成し、その隔壁（２３）の間に蛍光体材料を塗布して焼成することによって蛍光体層（２５）を形成する。次いで、基板の周縁部に例えば低融点フリットガラス材料（即ち、「パネル封着に用いる封着用材料」）を塗布し、焼成を行うことで封着部材（図１（ａ）には図示せず）を形成し、背面板（２）を得ている。
【００２８】
得られた前面板（１）と背面板（２）とを対向するように位置合わせし、その状態で固定したまま加熱して封着部材を軟化させることによって、前面板（１）と背面板（２）とを気密に接合する、いわゆるパネル封着を実施する。引き続いて、加熱しながら放電空間（３０）内のガスを排気する、いわゆる排気ベーキングを実施した後、放電空間（３０）内に放電ガスを封入することによって、ＰＤＰ（１００）を完成させる。
【００２９】
［本発明の製造方法］
本発明の方法は、かかるＰＤＰ製造に際して、特に前面板に設けられる誘電体層の製造に関している。本発明の方法は、誘電体原料に含まれる有機溶剤の含有量が好適に調整されていることを特徴としている。
【００３０】
図２を参照して、本発明の実施形態を説明していく。本発明の実施に際しては、まず、図２（ａ）に示すように電極（１１）が形成された基板（１０）を用意すると共に、工程（ｉ）として誘電体原料の調製を行う。
【００３１】
「電極が形成された基板」は、「前面板側の電極が形成された基板」のことを意味しており、より具体的には、例えば「表示電極が形成されたガラス基板」である。つまり、ガラス基板（１０）上に、走査電極（１２）と維持電極（１３）とから構成される表示電極（１１）が形成されたものを用意する。基板（１０）は、ソーダライムガラスや高歪み点ガラス、各種セラミックスからなる絶縁基板であることが好ましく、厚さは１．０ｍｍ〜３ｍｍ程度であることが好ましい。表示電極（１１）の走査電極（１２）および維持電極（１３）には、それぞれ、厚さ５０〜５００ｎｍ程度のＩＴＯ等から成る透明電極（１２ａ、１３ａ）が形成されていると共に、表示電極の抵抗値を下げるべく透明電極上に、銀を含んで成る厚さ１〜１０μｍ程度のバス電極（１２ｂ、１３ｂ）が形成されている（図１（ｂ）参照）。具体的には、透明電極を薄膜プロセスなどで形成した後に、バス電極を焼成プロセスなどを経て形成する。特に、バス電極の形成に際しては、まず、銀を主成分とした導電性ペーストをスクリーン印刷法によりストライプ状に形成する。また、バス電極は銀を主成分とした感光性ペーストをダイコート法や印刷法により塗布した後に、１００℃〜２００℃で乾燥した後、露光・現像するフォトリソグラフィー法によりパターンニングすることによってストライプ状に形成してもよい。別法にてディスペンス法やインクジェット法を用いてもよい。そして、最終的には乾燥に付した後、４００℃〜６００℃の焼成に付すことによって、バス電極を得ることができる。
【００３２】
工程（ｉ）として行う誘電体原料の調製では、ガラス成分および有機溶剤を含んで成るペースト状原料を作成する（以下では、調製された誘電体原料を「誘電体原料ペースト」とも称する）。
【００３３】
ガラス成分は、好ましくはシリコン化合物、より好ましくは「シロキサン結合（またはシロキサン骨格）を有する化合物」を含んで成る成分である。「シロキサン結合（またはシロキサン骨格）を有する化合物」は、−Ｓｉ−Ｏ結合を有する低分子量〜高分子量の化合物であってよく、無機系であるか有機系であるかに制限はない。具体的なガラス成分としては、特に制限されるわけではないが、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４（ＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート））、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリイソプロポキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジメトキシシラン、ジエトキシシラン、ジフルオロジメトキシシラン、ジフルオロジエトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリエトキシシラン、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、他のアルコキシド系有機シリコン化合物（Ｓｉ（ＯＲ）４）、例えば、テトラターシャリーブトキシシラン（ｔ−Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）４）、テトラセコンダリーブトキシシランｓｅｃ−Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、テトラターシャリーアミロキシシランＳｉ［ＯＣ（ＣＨ３）２Ｃ２Ｈ５］４などを用いることができる他、これらの化合物を加水分解及び縮重合させることにより得られる高分子化合物も用いることができる。
【００３４】
また、有機溶剤としては、特に制限されるわけではないが、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール等のアルコール類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）のようなケトン類；α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオールを含むテルペン類；エチレングリコールモノアルキルエーテル類；エチレングリコールジアルキルエーテル類；ジエチレングリコールモノアルキルエーテル類；ジエチレングリコールジアルキルエーテル類；エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；エチレングリコールジアルキルエーテルアセテート類；ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；ジエチレングリコールジアルキルエーテルアセテート類；プロピレングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールジアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類を単独で用いることができる他、これらの溶剤から選ばれた少なくとも１種類または２種類以上の溶剤から成る混合物も用いることができる。尚、本発明の製造方法の工程（ｉｉ）で行われ得る加熱処理では有機溶剤が気化することが望まれるので、好ましくは約３００℃以下（更に好ましくは２００℃以下）の範囲に沸点を有する有機溶剤を用いることが好ましい。
【００３５】
誘電体層のクラックをより効果的に防止するために、誘電体原料ペーストにシリカ粒子（ガラス成分）を付加的に加えてもよい。シリカ粒子の形状には特に制限はないが、可視光の波長が４００ｎｍ〜８００ｎｍであることを踏まえると、可視光の透過率を高めるために平均サイズは４００ｎｍ以下であることが望ましく、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは４０ｎｍ以下である。平均サイズが４０ｎｍ以下であると、可視光波長の１／１０以下となるため、レイリー散乱の領域となり、粒子による可視光の散乱強度が著しく低下する点で好ましい。また、シリカ粒子径は、Ｄ９０（体積累計が９０％の際の粒径）が４００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは最大サイズが４００ｎｍ以下である。また、シリカ粒子は必ずしも単一サイズである必要はなく、２種類以上のサイズを含んで成るものであってもよい。２種類以上の粒子サイズを含む場合、得られる誘電体層中のシリカ粒子充填率を上げることが可能となり、クラックの発生をより効果的に防止できる。使用するシリカ粒子は非晶質（アモルファス）が望ましい。また、使用するシリカ粒子は乾燥粉末状のものであってもよく、あるいは、予め水や有機溶剤に分散されたゾル状のものであってもよい。尚、シリカ粒子の表面状態、多孔度などについては特に制限はなく、市販されているシリカ粒子をそのまま用いることが可能である。シリカ粒子の添加は、ゾル状誘電体原料の調製前に添加しても、それを調製した後に添加してもよい。
【００３６】
誘電体原料ペーストの塗布性を向上させるために、誘電体原料にバインダ樹脂を加えてもよい。加えるバインダ樹脂としては、特に制限はないが、例えば、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体、α−メチルスチレン重合体、ブチルメタクリレート樹脂およびセルロース系樹脂などを挙げることができ、これらを単独または２種類以上組み合わせて用いてもよい。誘電体原料ペーストは有機溶剤の気化に起因して高い温度領域（２００〜４００℃程度）で重量減少を呈することになるが、バインダ樹脂の添加によりペースト材料全体の重量減少の速度を緩和させることができ、応力集中をより小さくできる。更には、バインダ樹脂は、より高温領域においてシリカ粒子同士の接着力を助力するといった効果も有し得る。
【００３７】
上述したような成分から調製される誘電体原料は、好ましくはペースト形態を有している。誘電体原料ペーストの粘度は、例えば室温（２５℃）にて、好ましくは１ｍＰａ・ｓ〜５０Ｐａ・ｓ程度である。かかる範囲に粘度を有すると、塗布領域における誘電体原料の濡れ広がりをより効果的に防止できる。
【００３８】
後述で詳述するが、本発明では誘電体原料に含まれる有機溶剤の割合Ｎが下記の式１の関係を満たしている：
（式１）
Ｎ＜（６．５×Ｄｚ＋５００）／Ｅｚ
Ｎ［重量％］：誘電体原料を基準とした有機溶剤の含有量
Ｅｚ［μｍ］：前面板に設けられた電極の厚さ
Ｄｚ［μｍ］：前面板に設けられる誘電体層厚さ
【００３９】
工程（ｉ）に引き続いて、工程（ｉｉ）を実施する。つまり、電極が形成された基板上に誘電体原料を供給し、供された誘電体原料から有機溶剤を減じて誘電体前駆層を形成する。より具体的には、図２（ｂ）に示すように、表示電極（１１）を覆うように基板（１０）上に誘電体原料を全体的に塗布した後、誘電体原料を加熱乾燥することによって誘電体前駆層（１５’）を形成する。
【００４０】
誘電体原料の塗布には、例えばディスペンス法を用いることができる。ディスペンス法とは、小径ノズルを備えた円筒形容器にペースト状の誘電体原料を仕込み、ノズルと反対側の開口部より空気圧を加えて誘電体原料ペーストを吐出する方法である。このディスペンス法では、「空気圧」と「空気圧の加圧時間」とを調整することによって、誘電体原料ペーストの吐出量を制御できる。
【００４１】
また、誘電体原料の塗布には、ダイコート法を用いることもできる。ダイコート法とは、ダイヘッドのスリットからペーストを吐出すると共に、ダイヘッドもしくは基板を塗布方向に動かして塗膜を形成する方法である。ペースト状の誘電体原料は、タンクなどの密閉された容器に仕込んで使用する。タンク内を加圧することでタンクから配管を通して、誘電体原料ペーストをシリンジポンプなどに供給し、シリンジポンプなどの機械的な圧送によりダイヘッドに誘電体原料ペーストを供給する。塗布膜厚が安定化するように、ペーストの圧送による内圧を塗布幅方向に均一化するためのマニホールドをダイヘッド内に設置することが好ましい。また、塗布開始時における始端部では、誘電体原料ペーストがダイヘッドのスリットから吐出されるまでの内圧がダイレクトに伝わらないため、塗布速度を部分的に調整して膜厚および形状を調節するとともに、塗布終了時の終端部では、シリンジポンプなどの機械的な圧送を停止することで誘電体原料ペーストの供給を停止して膜厚および形状を調節する。なお、終端部での膜厚調整において、機械的圧送を停止しても、誘電体原料ペーストの内圧はすぐには無くならないため、配管の途中に内圧を開放する弁を設けると共に、誘電体原料ペーストのせん断応力により誘電体原料ペーストを切って終端部の形状を安定化させるべく、終端部の塗布完了直後にダイヘッドを上昇させることが好ましい。尚、別法にて、誘電体原料ペーストの塗布には、印刷法、フォトリソグラフィー法等を用いてもよい。
【００４２】
誘電体原料が塗布された直後の厚さ（即ちＷｅｔ膜厚）、および、それから有機溶剤が減じられた誘電体前駆層の厚さは、典型的なＰＤＰ誘電体層を得る際に用いられる一般的な厚さであれば特に制限はない。例えば、Ｗｅｔ膜厚さが１０〜２０μｍ程度であり、誘電体前駆層の厚さが６〜１５μｍ程度である。特に乾燥後の誘電体前駆層の厚さは１５μｍ以下であることが好ましく、それによって本発明の効果がより効果的に発揮され得る。
【００４３】
有機溶剤を減じるには、有機溶剤を気化させる必要がある。従って、塗布された誘電体原料を乾燥に付してもよく、あるいは、塗布された誘電体原料を減圧下または真空下に置いてもよい。乾燥を行う場合では、例えば、塗布された誘電体原料を大気圧下で５０〜２００℃程度の乾燥温度条件下に０．１〜２時間程度付すことが好ましい。また、減圧下または真空下に置く場合では、塗布された誘電体原料を、例えば７〜０．１Ｐａの減圧下または真空下に置くことが好ましい。必要に応じて「減圧下または真空下」と「熱処理」とを組み合わせてもよい。尚、乾燥により有機溶剤を減じる場合、誘電体原料の昇温速度Ｔが下記の式２の関係を満たしていることが好ましい：
（式２）
Ｔ＜（１６×Ｄｚ＋４１０−Ｅｚ×Ｎ）／（Ｄｚ＋９）
Ｔ［℃／分］：工程（ｉｉ）で行われ得る加熱処理時の昇温速度
Ｎ［重量％］：誘電体原料を基準とした有機溶剤の含有量
Ｅｚ［μｍ］：前面板に設けられた電極の厚さ
Ｄｚ［μｍ］：前面板に設けられる誘電体層の厚さ
【００４４】
工程（ｉｉ）に引き続いて、工程（ｉｉｉ）を実施する。つまり、誘電体前駆層を熱処理に付すことによって、誘電体前駆層から誘電体層を形成する。この工程（ｉｉｉ）では、誘電体前駆層が加熱されることに起因して、誘電体前駆層において縮重合反応が進行し、最終的に誘電体層（１５）が形成される。工程（ｉｉｉ）における加熱温度は、縮重合反応に必要とされる熱量の他、前駆層に残存し得る有機溶剤の沸点および含有量などによって決定され得るが、一般的にいえば５００〜６００℃程度の範囲である。また、かかる加熱温度の条件に付す時間も、縮重合反応に要する熱量、前駆層に残存し得る有機溶剤の沸点や含有量などを総合的に考慮して決定され、誘電体原料の種類によって変わるものであるが、一般的には０．５〜２時間程度である。工程（ｉｉｉ）の熱処理手段としては、焼成炉のような加熱チャンバーを用いてよい。この場合、加熱チャンバー内に「工程（ｉｉ）から得られた『表示電極、誘電体前駆層を備えた基板』」を供することによって、誘電体前駆層を全体的に熱処理できる。
【００４５】
以上の工程（ｉ）〜（ｉｉｉ）を通じて、前面板の誘電体層を得ることができる。かかる誘電体層は、沿電極方向に沿ったクラックが実質的に防止または低減されている。従って、最終的に得られるＰＤＰは、高精細化に対応可能な優れた耐絶縁性能を有し、パネル寿命が伸びることになる。
【００４６】
次に本発明の特徴である「誘電体原料の有機溶剤の含有量Ｎ」および「加熱乾燥時の誘電体原料の昇温速度Ｔ」について詳細に説明する。
【００４７】
《誘電体原料の有機溶剤の含有量Ｎ》
図３に、後述する実施例で得られた「クラック発生に対する誘電体層膜厚の依存性を表したグラフ」を示す。かかるグラフでは、クラック発生と誘電体層膜厚と段差との相関関係が示されている。ここでいう“段差”とは、基板面に“電極形成領域”と“電極非形成領域”とが存在することに起因して生じる図４に示すような誘電体層表面（または誘電体前駆層表面）の凹凸部を意味している。特に図１２に示す態様でいえば“Ｓｚ”が段差サイズを示している。図３のグラフ中に記す「○」は誘電体層にクラックが発生しなかったことを示している一方、「×」は誘電体層にクラックが発生したことを示している。従って、例えばグラフ中に示すａ点を例にとって説明すると、誘電体層がａ点の厚さ（約１０μｍ）を有する場合、約５μｍの段差を境目として、それよりも段差サイズが大きくなると、クラックなどの物理的欠陥が生じやすくなる一方、それよりも段差サイズが小さくなると、かかる物理的欠陥が生じにくくなることを意味している。つまり、グラフ中の網掛け範囲においては、クラックが発生しやすいといえる。
【００４８】
一般的なＰＤＰ製造法（特に、本発明のようなゾルゲル法を利用して誘電体層を形成するＰＤＰ製造法）では、誘電体層は一般的には１５μｍ以下の厚さを有する場合が多い。従って、図３のグラフに基づくと、クラックの発生を効果的に防止するには段差を約５μｍ未満にしなければならない。
【００４９】
図５に、後述する実施例で得られた「誘電体層膜厚と段差との相関関係を表したグラフ」を示す。より具体的には、有機溶剤の含有率７０重量％の誘電体層原料ペーストを用いて誘電体層を形成した際の電極厚さＥｚごとの誘電体層膜厚Ｄｚと段差Ｓｚとの相関関係を示している。この図５に基づくと、誘電体層膜厚Ｄｚが大きくなるほど段差Ｓｚが小さくなることが分かる。つまり、図５からは、段差Ｓｚが誘電体層膜厚Ｄｚに依存していることが理解できる。
【００５０】
ここで、誘電体層膜厚Ｄｚ［μｍ］を変数とした係数Ｆ（Ｄｚ）、電極厚さＥｚ［μｍ］および誘電体原料ペーストの有機溶剤含有率Ｎ［重量％］を用いて、誘電体層段差Ｓｚ［μｍ］を表すと、下記の式３のように表すことができる：
Ｓｚ＝（Ｅｚ×Ｎ／１００）×（１／Ｆ（Ｄｚ））・・・（式３）
【００５１】
この式３について詳細する。式３の右辺側の左項（Ｅｚ×Ｎ／１００）は実質的な段差サイズを表しており、右辺側の右項（１／Ｆ（Ｄｚ））がその係数を表している。つまり、実質的な段差サイズは（Ｅｚ×Ｎ／１００）で表わされるが、それは誘電体層膜厚Ｄｚに依存するものであるので、その依存因子を（１／Ｆ（Ｄｚ））で表わしている（段差サイズが誘電体層膜厚に依存することは、上述した図５の結果に基づくものである）。特に、実質的な段差サイズ（Ｅｚ×Ｎ／１００）について詳述すると次のようになる。例えば、図６（ａ）に示すように、有機溶剤の含有量が９０重量％の誘電体原料ペーストを「１０μｍの厚さの電極を備えた基板」に１００μｍの厚さで均一に塗布した場合を想定する。この場合、誘電体原料に含まれる固形分は１０重量％（＝１００−９０重量％）であるので、誘電体原料ペーストを乾燥に付して有機溶剤を全て気化させた場合、図６（ｂ）に示すように、“電極非形成領域”では１００μｍの誘電体原料ペーストが存在していたことに起因して厚さ１０μｍ（＝１００μｍ×１０／１００）の誘電体前駆層が形成される一方、“電極形成領域”では９０μｍの誘電体原料が存在していたことに起因して厚さ９μｍ（９０μｍ×１０／１００）の誘電体前駆層が形成されることになる。従って、“電極形成領域”における基板表面から誘電体前駆層の表面までの距離Ｄｚ’が１９μｍ（＝１０＋９μｍ）となる一方、“電極非形成領域”における基板表面から誘電体前駆層の表面までの距離Ｄｚが１０μｍとなる。従って、段差サイズＳｚ（＝Ｄｚ’−Ｄｚ）は９μｍとなる結果が得られる。このＳｎが“９μｍ”というのは、電極厚さ１０μｍと有機溶剤の含有量の割合０．９との積（＝１０μｍ×０．９）に相当している。従って、この事項を踏まえると段差サイズＳｚ＝Ｅｚ×Ｎ／１００となることが理解できるであろう。尚、Ｄｚ＝Ｗｅｔ膜厚×（１００−Ｎ）／１００であり、Ｄｚ’＝（Ｗｅｔ膜厚−Ｅｚ）×（１００−Ｎ）／１００＋Ｅｚであるので、それらを踏まえると、次の導出式からもＳｚ＝Ｅｚ×Ｎ／１００を理解できる。
Ｓｚ＝Ｄｚ’−Ｄｚ＝［（Ｗｅｔ膜厚−Ｅｚ）×（１００−Ｎ）／１００＋Ｅｚ］−Ｗｅｔ膜厚×（１００−Ｎ）／１００＝Ｅｚ×Ｎ／１００
【００５２】
式３を変形すると、以下の式を得ることができる：
Ｆ（Ｄｚ）＝（Ｅｚ×Ｎ／１００）／Ｓｚ
ここで、図５より、電極厚さＥｚ、有機溶剤の含有率Ｎおよび段差Ｓｚは全て実験値として得られている。従って、図５にプロットされたそれぞれの点について、Ｅｚ、Ｎ、Ｓｚの値を式３に代入するとＦ（Ｄｚ）の関数を得ることができる。図７は、図５より得られたＥｚ、Ｎ、Ｓｚの値を式３に代入して得られたＦ（Ｄｚ）の関数に関して、Ｄｚを横軸としてプロットしたグラフである。プロットした点についての線形近似式を求めると、ｙ＝０．０１３ｘ＋１．０となる。つまり、Ｆｚ（Ｄｚ）の関数は、下記の式４で表すことができることになる：
Ｆ（Ｄｚ）＝０．０１３×Ｄｚ＋１．０・・・（式４）              
【００５３】
クラックを防止するためには、上述したように段差を５μｍ未満にしなければならない。即ち、下記の式５を満たすとクラックの発生を防止できるといえる：
Ｓｚ＜５・・・（式５）
【００５４】
以上のように導出された式３と式４と式５とを全て満たすようにＮにつき式変形を行うと下記の式１を得ることができる。
Ｎ＜（６．５×Ｄｚ＋５００）／Ｅｚ・・・（式１）
Ｎ［重量％］：誘電体原料を基準とした有機溶剤の含有量
Ｅｚ［μｍ］：前面板に設けられた電極の厚さ
（＝透明電極厚さ＋バス電極厚さ）
Ｄｚ［μｍ］：前面板に設けられる誘電体層の厚さ
（＝電極非形成領域の誘電体層厚さ）
【００５５】
上記の式１は、クラック抑制効果の式５の要素（即ち、段差が５μｍ未満となる要素）を含んでいる。従って、誘電体原料の有機溶剤の含有量（重量％）がＮ未満、即ち（６．５×Ｄｚ＋５００）／Ｅｚ未満であると、最終的に形成される誘電体層において“段差”を小さくでき、クラックの発生を効果的に防止または軽減できる。
【００５６】
例えば電極厚さＥｚが７μｍ程度であって、誘電体層厚さＤｚが１０〜１５μｍ程度である場合、かかる誘電体層の形成に用いる誘電体原料の有機溶剤含有量は、式１に基づくと、約８５重量％未満であればよいことが分かる。また、例えば電極厚さＥｚが８μｍ程度であって、誘電体層厚さＤｚが１０〜１５μｍ程度である場合では、有機溶剤の含有量が約７５重量％未満であればよい。尚、有機溶剤の含有量Ｎの下限値について付言しておけば、誘電体原料の凝集やゲル化により、ポットライフの低下をまねいたり、誘電体層の均一性が損なわれるので、約３０重量％程度である。
【００５７】
《加熱乾燥時の誘電体原料の昇温速度Ｔ》
図８に、後述する実施例で得られた「昇温速度と段差と誘電体層膜厚との相関関係を表したグラフ」を示す。より具体的には、電極厚さが約６μｍの基板表面に誘電体層を形成した際の昇温速度Ｔごとの誘電体層膜厚Ｄｚと段差Ｓｚとの関係を示している。尚、ここでいう「昇温速度」とは、塗布された誘電体原料ぺーストから誘電体前駆層を形成する際に行う加熱乾燥時の昇温速度を意味している。かかる図８を参照すると、段差Ｓｚが誘電体層膜厚Ｄｚに依存するだけでなく、昇温速度Ｔにも依存していることが分かる。例えば、以下の事項から段差Ｓｚが誘電体層膜厚Ｄｚおよび昇温速度Ｔに依存していることを把握できる：
・昇温速度Ｔが８℃／分の場合、誘電体層膜厚Ｄｚが厚いほど、段差Ｓｚは小さくなる；
・昇温速度Ｔが１３．５℃／分の場合、誘電体層膜厚Ｄｚの厚さに拘わらず段差Ｓｚはほとんど変化しない；
・昇温速度Ｔが２２．５℃／分の場合、誘電体層膜厚Ｄｚが厚いほど段差Ｓｚは大きくなる。
【００５８】
ここで、誘電体層膜厚Ｄｚ［μｍ］と昇温速度Ｔ［℃／分］とを変数とした係数Ｆ（Ｄｚ，Ｔ）、電極厚さＥｚ［μｍ］および誘電体原料ペーストの有機溶剤含有率Ｎ［重量％］を用いて、段差Ｓｚ［μｍ］を表すと、下記の式６のように表すことができる：
Ｓｚ＝（Ｅｚ×Ｎ／１００）×（１／Ｆ（Ｄｚ、Ｔ））・・・（式６）
【００５９】
この式６について詳細する。式６の右辺側の左項（Ｅｚ×Ｎ／１００）は実質的な段差サイズを表しており、右辺側の右項（１／Ｆ（Ｄｚ，Ｔ））はその係数を表している。つまり、実質的な段差サイズは（Ｅｚ×Ｎ／１００）で表わされるが、それは誘電体層膜厚Ｄｚおよび昇温速度Ｔに依存するものであるので、その依存因子を１／Ｆ（Ｄｚ，Ｔ）で表わしている。段差サイズが誘電体層膜厚Ｄｚおよび昇温速度Ｔに依存することは、上述した図８の結果に基づいている。そして、実質的な段差サイズ（Ｅｚ×Ｎ／１００）については、上記の《誘電体原料の有機溶剤の含有量Ｎ》で既に詳述しているので重複を避けるために説明を省略する。
【００６０】
式６を変形すると、下記の式７を得ることができる：
Ｆ（Ｄｚ，Ｔ）＝（Ｅｚ×Ｎ／１００）／Ｓｚ・・・（式７）
そして、この式７は、以下の式８でモデル化することができる：
Ｆ（Ｄｚ，Ｔ）＝ａ（Ｔ）×Ｄｚ＋ｂ（Ｔ）・・・（式８）
Ａ（Ｔ）＝ｃ×Ｔ＋ｄ・・・（式９）
Ｂ（Ｔ）＝ｅ×Ｔ＋ｆ・・・（式１０）
【００６１】
式８について補足説明しておく。かかる式８は、上述の式４に準じてモデル化したものである。式４は段差サイズ（Ｅｚ×Ｎ／１００）の変動係数（１／Ｆ（Ｄｚ））におけるＦ（Ｄｚ）を誘電体層膜厚Ｄｚの１次関数として表したものであるが、ここでは図８から段差サイズ（Ｅｚ×Ｎ／１００）が誘電体層膜厚Ｄｚのみならず昇温速度Ｔにも依存することが把握できたので、その因子（即ち、昇温速度Ｔの影響）を式４に足し込んで同様にモデル化したものである。つまり、式８は、式４の１次関数の“変化の割合”および“切片”のそれぞれが昇温速度Ｔに依存し得るものとしてモデル化したものであるといえる。
【００６２】
この場合、ｃ＝−０．００２、ｄ＝０．０３２、ｅ＝０．０１８、ｆ＝０．８２とした上で、式５と式６と式８とを全て満たすように昇温速度Ｔにつき式変形を行うと以下の式２を得ることができる。この式２に基づく計算値と図８の実験値とは、図９に示すようによく一致しており、式２が図８の結果を適確に反映したものであることを理解できるであろう。換言すれば、図８の結果に基づいて帰納的に昇温速度Ｔについての一般式を導き出すと、下記の式２が得られることになる。
Ｔ＜（１６×Ｄｚ＋４１０−Ｅｚ×Ｎ）／（Ｄｚ＋９）・・・（式２）
Ｔ［℃／分］：工程（ｉｉ）で行われる加熱処理時の昇温速度
Ｎ［重量％］：誘電体原料を基準とした有機溶剤の含有量
Ｅｚ［μｍ］：前面板に設けられた電極の厚さ
（＝透明電極厚さ＋バス電極厚さ）
Ｄｚ［μｍ］：前面板に設けられる誘電体層の厚さ
（＝電極非形成領域の誘電体層厚さ）
【００６３】
式２は、クラック抑制効果の式５の要素（即ち、段差が５μｍ未満となる要素）を含んでいる。従って、加熱乾燥時の誘電体原料の昇温速度がＴ未満、即ち、（１６×Ｄｚ＋４１０−Ｅｚ×Ｎ）／（Ｄｚ＋９）未満であると、最終的に形成される誘電体層において“段差”を小さくでき、クラックの発生をより効果的に防止または軽減できる。
【００６４】
一般的なＰＤＰを想定すると、例えば電極厚さＥｚが４〜８μｍ程度であって、誘電体層厚さＤｚが１０〜１５μｍ程度であるので、式２に基づくと、加熱乾燥時の昇温速度Ｔ（℃／分）は以下の値を満たすことが好ましい：
（ケース１）Ｅｚ＝４μｍ、Ｄｚ＝１０〜１５μｍ、有機溶剤含有量Ｎ＝７０重量％
→Ｔ＜１５．１８
（ケース２）Ｅｚ＝５μｍ、Ｄｚ＝１０〜１５μｍ、有機溶剤含有量Ｎ＝７０重量％
→Ｔ＜１１．０６
（ケース３）Ｅｚ＝６μｍ、Ｄｚ＝１０〜１５μｍ、有機溶剤含有量Ｎ＝７０重量％
→Ｔ＜７．８９
（ケース４）Ｅｚ＝７μｍ、Ｄｚ＝１０〜１５μｍ、有機溶剤含有量Ｎ＝７０重量％
→Ｔ＜４．２１
（ケース５）Ｅｚ＝８μｍ、Ｄｚ＝１０〜１５μｍ、有機溶剤含有量Ｎ＝７０重量％
→Ｔ＜０．５３
尚、加熱乾燥時の昇温速度Ｔの下限値について付言しておけば、約０．１℃／分程度である。
【００６５】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されず、種々の改変がなされ得ることを当業者は容易に理解されよう。
【００６６】
例えば、上述の本発明の製造方法では、工程（ｉｉ）で乾燥により有機溶剤を減じて得られた前駆層に対して工程（ｉｉｉ）で熱処理を施して縮重合反応を進行させているが、必ずしもかかる態様に限定されない。つまり、工程（ｉｉ）で行う乾燥に際して縮重合反応が部分的に開始または進行していてもよい。この場合であっても、本発明の効果の点では実質的に変わりはなく、結果的に“クラック”を防止または軽減できる。更に言えば、工程（ｉｉ）で誘電体原料ペーストから有機溶剤を気化させているが、必ずしも全ての有機溶剤を気化させる必要がなく、所望の誘電体前駆層を形成できるのであれば有機溶剤が残存していてもよい。
【実施例】
【００６７】
《本発明の製造方法》
式１を満たす誘電体原料ペーストを用いて誘電体層を形成し、その特性を評価した。
【００６８】
（誘電体原料ペースト）
誘電体層の形成には、以下の組成および物性を有する誘電体原料ペーストＡを用いた。
・ガラス成分：ＴＥＯＳ等から得られるポリシロキサンオリゴマーと直径約５０〜２００ｎｍの球状シリカ粒子
・有機溶剤成分（約７０重量％）：イソプロピルアルコール、α−テルピネオール
・ペーストＡの粘度：約５０ｍＰａ・ｓ（２５℃）
【００６９】
（前面板の作製）
まず、１．８ｍｍ厚さのガラス基板（日本電気硝子製のソーダライムガラス）の表面にＩＴＯから成る透明電極（透明電極幅０．１２ｍｍ、厚さ１００ｎｍ）を形成した後、かかる透明電極上にＡｇから成るバス電極（バス電極幅０．０６５ｍｍ、厚さ６μｍ）を形成した。次いで、誘電体原料ペーストＡをダイコート法によって、ガラス基板上に塗布することによって誘電体原料層を形成した。次いで、これを１００℃の乾燥温度に付すことによって誘電体前駆層を形成した（２０℃／分の昇温速度）。そして、誘電体前駆層を５００℃の加熱に付してポリシロキサンオリゴマーの縮重合反応を進行させることによって誘電体前駆層から厚さ０．０１５ｍｍの誘電体層を得た。最終的には、電子ビーム蒸着法でＭｇＯなどから成る膜を誘電体層上に形成することで保護層を形成して、前面板を完成させた。
【００７０】
（誘電体層の特性）
誘電体層の特性・仕様は次のとおりであった
・１００ｋＨｚでの比誘電率：３．０（國洋電機工業製の型式ＫＣ−５５５の測定器を使用）
・透過率：８１％（ヘイズメータ（村上色彩技術研究所製、ＨＭ−１５０）を使用）
・段差：３．５μｍ
・物理的欠陥の有無：電子顕微鏡及び光学顕微鏡観察により電極上に沿うようなクラックは無し
【００７１】
かかる実施例を踏まえると、式１を満たす誘電体原料ペーストを用いることによって、誘電体層でのクラック発生を効果的に抑制できることを理解できるであろう。
【００７２】
《図３、図５および図８のグラフ》
式１および式２の導出に際して用いた図３、図５および図８のグラフは、上記手法と同様に誘電体層の形成を行うことを通じて得られたものである。
【００７３】
（図３のグラフ）
１．８ｍｍ厚さのガラス基板（日本電気硝子製のソーダライムガラス）の表面にＩＴＯから成る透明電極（透明電極幅０．１２ｍｍ、厚さ１００ｎｍ）を形成した後、かかる透明電極上にＡｇから成るバス電極（バス電極幅０．０６５ｍｍ、厚さ６μｍ）を形成した。次いで、誘電体原料ペーストＡをダイコート法によって、ガラス基板上に塗布することによって誘電体原料層を形成した。次いで、これを１００℃の乾燥温度に付すことによって誘電体前駆層を形成した（２０℃／分の昇温速度）。そして、誘電体前駆層を５００℃の加熱に付してポリシロキサンオリゴマーの縮重合反応を進行させた。以上により、電極上を覆うように厚さ０．０１５ｍｍの誘電体層を形成した。特に、図３のグラフの取得に際しては、誘電体層厚さＤｚを種々に変化させるようにパラメーターをふり、その場合のそれぞれの段差Ｓｚ [μｍ]を測定すると共に、クラックの発生の有無を電子顕微鏡及び光学顕微鏡を用いて確認した。
【００７４】
（図５のグラフ）
１．８ｍｍ厚さのガラス基板（日本電気硝子製のソーダライムガラス）の表面にＩＴＯから成る透明電極を形成した後、かかる透明電極上にＡｇから成るバス電極を形成した。次いで、誘電体原料ペーストＡをダイコート法によって、ガラス基板上に塗布することによって誘電体原料層を形成した。次いで、これを１００℃の乾燥温度に付すことによって誘電体前駆層を形成した（２０℃／分の昇温速度）。そして、誘電体前駆層を５００℃の加熱に付してポリシロキサンオリゴマーの縮重合反応を進行させた。以上により、電極上を覆うように厚さ０．０１５ｍｍの誘電体層を形成した。特に、図５のグラフの取得に際しては、異なる電極厚さ（５μｍ、８μｍおよび１０μｍ）において、誘電体層厚さＤｚを種々に変化させるようにパラメーターをふり、その場合のそれぞれの段差Ｓｚ [μｍ]を測定した。
【００７５】
（図８のグラフ）
１．８ｍｍ厚さのガラス基板（日本電気硝子製のソーダライムガラス）の表面にＩＴＯから成る透明電極（透明電極幅０．１２ｍｍ、厚さ１００ｎｍ）を形成した後、かかる透明電極上にＡｇから成るバス電極（バス電極幅０．０６５ｍｍ、厚さ６μｍ）を形成した。次いで、誘電体原料ペーストＡをダイコート法によって、ガラス基板上に塗布することによって誘電体原料層を形成した。次いで、これを１００℃の乾燥温度に付すことによって誘電体前駆層を形成した。そして、誘電体前駆層を５００℃の加熱に付してポリシロキサンオリゴマーの縮重合反応を進行させた。以上により、電極上を覆うように厚さ０．０１５ｍｍの誘電体層を形成した。特に、図８のグラフの取得に際しては、異なる乾燥時の昇温速度（８℃／分、１３．５℃／分および２２．５℃／分）において、誘電体層厚さＤｚを種々に変化させるようにパラメーターをふり、その場合のそれぞれの段差Ｓｚ [μｍ]を測定した。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明の製造方法を通じて最終的に得られるＰＤＰは、消費電力が低いので、一般家庭向けのプラズマテレビおよび商業用プラズマテレビとして好適に用いることができる他、その他の各種表示デバイスとしても好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１（ａ）】ＰＤＰの構造を模式的に示す斜視図
【図１（ｂ）】ＰＤＰ前面板の構成を模式的に示す断面図
【図２】本発明の製造方法の工程を模式的に示す斜視断面図
【図３】クラック発生に対する誘電体層膜厚の依存性を表したグラフ
【図４】誘電体前駆層または誘電体層に発生し得る段差を表した模式図
【図５】誘電体層膜厚Ｄｚと段差Ｓｚとの相関関係を表したグラフ
【図６】式１および式２の段差サイズ（Ｅｚ×Ｎ／１００）の導出根拠を表した図
【図７】Ｆ（Ｄｚ）と誘電体層膜厚との関係を表したグラフ
【図８】昇温速度Ｔと誘電体層膜厚Ｄｚと段差Ｓｚとの相関関係を表したグラフ
【図９】式２に基づく計算値と図８の実験値との整合性を示すグラフ
【図１０】誘電体層に発生し得るクラックを模式的に表した斜視図
【図１１】誘電体層に発生したクラックの電子顕微鏡写真
【図１２】誘電体前駆層または誘電体層に発生し得る段差を模式的に表した図
【図１３】誘電体層形成時に発生する応力を解析した結果を表すグラフおよび図
【符号の説明】
【００７８】
１    前面板
２    背面板
１０  前面板側の基板
１１  前面板側の電極（表示電極）
１２  走査電極
１２ａ  透明電極
１２ｂ  バス電極
１３  維持電極
１３ａ  透明電極
１３ｂ  バス電極
１４  ブラックストライプ（遮光層）
１５  前面板側の誘電体層
１５’誘電体原料
１５''  誘電体前駆層
１６  保護層
２０  背面板側の基板
２１  背面板側の電極（アドレス電極）
２２  背面板側の誘電体層
２３  隔壁
２５  蛍光体層
３０  放電空間
３２  放電セル
５０  クラック
１００  ＰＤＰ
【図１（ａ）】
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【図１（ｂ）】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１１】
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