(57)【要約】【課題】外部からの静電気に起因する画像乱れを抑制した液晶装置を提供する。【解決手段】素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が挟持され、素子基板１０上に画素電極９と共通電極１９とが形成され、画素電極９と共通電極１９との間に発生する電界によって液晶を駆動する横電界方式の液晶装置であって、対向基板２０の液晶層５０側の面に、画素電極９間に対応してブラックマトリクス２２ｂが形成され、ブラックマトリクス２２ｂと接して画素電極９と対向する位置及び画素電極９間の位置に静電シールド層４０が形成されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に液晶層が挟持され、前記第１基板上に画素電極と共通電極とが形成され、前記画素電極と前記共通電極との間に発生する電界によって液晶を駆動する横電界方式の液晶装置であって、
前記第２基板の前記液晶層側の面に、前記画素電極間に対応して金属遮光層が形成され、
前記金属遮光層と接して前記画素電極と対向する位置及び前記画素電極間の位置に静電遮蔽層が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記静電遮蔽層の前記液晶層側の面に配向膜が形成され、
前記静電遮蔽層と前記配向膜との間に絶縁層を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記絶縁層は、カラーフィルター層の形成材料である着色層又はオーバーコート層であることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１基板の前記液晶層側の面に、駆動回路と、前記駆動回路と電気的に接続された引き回し配線とが設けられ、
前記引き回し配線と、前記静電遮蔽層または金属遮光層とが、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された導通材を介して、互いに平面的に重なる位置で電気的に接続され、
前記静電遮蔽層の電位が前記駆動回路によって所定電位に制御されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記静電遮蔽層の電位が、前記共通電極の電位と同じ電位に制御されることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記引き回し配線と、前記静電遮蔽層または金属遮光層とを電気的に接続する前記導通材が、複数箇所配置されていることを特徴とする請求項４または５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第１基板は、前記引き回し配線を覆う絶縁膜を有し、
前記絶縁膜には、前記引き回し配線の一部が底部に露出するコンタクトホールが設けられ、
前記コンタクトホールの内部には、底部に露出する前記引き回し配線を覆う導電膜が形成され、
前記静電遮蔽層または金属遮光層は、前記導通材と前記導電膜とを介して前記引き回し配線と導通していることを特徴とする請求項４から６のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記導電膜は、導電性金属酸化物を形成材料とすることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第１基板の前記液晶層側には、前記画素電極と前記共通電極とが絶縁膜を介して積層され、
前記共通電極が前記画素電極よりも前記液晶層側に設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記液晶層の周囲には、液晶分子を封止するシール材が設けられ、
前記シール材によって囲まれた領域の内側には、複数の前記画素電極によって形成された表示領域が設けられていると共に、前記シール材によって囲まれた領域の内側であって、前記表示領域と前記シール材との間には非表示領域が設けられ、
前記第１基板の前記非表示領域には、前記表示領域へ侵入する静電気を放電させる静電保護部材が配置されており、
前記静電遮蔽層は、前記静電保護部材と平面的に重なって設けられていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置の視野角を広げる手段として、基板に対して面内方向（横方向）の電界を発生させ、この横方向の電界で液晶分子を基板とほぼ平行な面内で回転させることで透過光を制御する、いわゆる横電界方式のＩＰＳ（In-Plane Switching）方式が実用化されている。更に、このＩＰＳ方式を改良したＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式が提案されている。
【０００３】
このような横電界方式の液晶装置は、ＴＦＴ等の駆動素子が形成された素子基板に、共通電極や画素電極といった電極、または配線といった導電性の部材を配置し、表示面側である対向基板には導電部材を設けない構成を有する。そのため、静電気などに代表される対向基板側の外部からの外部電界の影響を受けやすく、液晶表示に乱れが生じやすいという問題がある。これを解決するために、対向基板側に導電膜を形成し、導電膜で静電気を捕捉することで表示乱れを防ぐ方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１には、対向基板が備えるガラス基板の外側（液晶層とは反対側）に透明導電膜を備える構成と、ガラス基板の内側（液晶層側）に透明導電膜を備える構成と、が挙げられている。これらを比較すると、内側に透明導電膜を備える対向基板は、同じく内側に設けられる配向膜などの部材と積層して形成するので、これらの膜を形成する際、ガラス基板の上下反転操作等が不要となることから製造が容易であるという利点を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−５１２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１では、クロムを形成材料として画素間領域に格子状に設けられた金属遮光層を、上記導電膜として用いる構成が示されている。しかし、このような構成では、平面視で導電膜がない部分が各格子内において存在するため、静電気を捕捉できる箇所が限られる。そのため、静電気からの保護が十分ではない。特に表示領域面積が大きな大型の液晶装置の場合、表示領域面積が小さな小型の液晶装置と比べて１つの画素の領域面積が大きくなる確率が高くなる。従って、静電気に直接曝される領域も増え、表示に与える影響も増大する。
【０００７】
また、上記特許文献１において、液晶装置が、例えば画像の表示領域面積が広い大型の表示装置（例えば表示領域が凡そ対角２０インチ以上のＴＶ画像表示装置）として用いられる場合、画素間の領域に格子状に設けられた金属遮光層において、例えば表示領域の中央と周辺との間の距離が遠くなる。このため、金属遮光層において少なからず存在する抵抗成分に起因して、表示領域の中央と周辺との間では例えば補足した静電気によって電位差が生じることになる。この結果、静電気などに代表される外部電界の影響が表示領域の位置によって異なるため、この外部電界による液晶表示に対する影響が一様でなく、画像の表示乱れが生ずるという問題がある。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、良好な静電防止機能を備え、外部からの静電気に起因する画像乱れを抑制した液晶装置を提供することを目的とする。また、このような液晶装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、第１基板と第２基板との間に液晶層が挟持され、前記第１基板上に画素電極と共通電極とが形成され、前記画素電極と前記共通電極との間に発生する電界によって液晶を駆動する横電界方式の液晶装置であって、前記第２基板の前記液晶層側の面に、前記画素電極間に対応して金属遮光層が形成され、前記金属遮光層と接して前記画素電極と対向する位置及び前記画素電極間の位置に静電遮蔽層が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、画素電極と平面的に重なる領域、つまり金属遮光層が形成されない領域は、静電遮蔽層に覆われ静電気が捕捉される。そして、金属遮光層と静電遮蔽層とが協働して装置外部からの静電気を捕捉し、金属遮光層および静電遮蔽層の全体に電荷を拡散させる。そのため、金属遮光層のみで静電気を捕捉する場合と比べ、液晶層に影響ないまま捕捉可能な静電気の容量が増え、シールド効果が高い静電遮蔽層となる。従って、静電気の影響による画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。
【００１１】
本発明においては、前記静電遮蔽層の前記液晶層側の面に配向膜が形成され、前記静電遮蔽層と前記配向膜との間に絶縁層を有することが望ましい。
【００１２】
この構成によれば、金属遮光層および静電遮蔽層と液晶層とが、絶縁層の厚み分だけ更に離間するため電圧降下が生じ、捕捉した静電気が液晶層に作用する力（クーロン力）が弱まる。そのため、絶縁層が無いものと比べて静電気に起因する画像の表示乱れを防ぎ、高品質な画像表示が可能な液晶装置とすることができる。
【００１３】
本発明においては、前記絶縁層は、カラーフィルター層の形成材料である着色層又はオーバーコート層であることが望ましい。
【００１４】
この構成においては、フルカラー表示が可能な液晶装置であれば有している部材を絶縁層として用いるため、離間距離を稼ぐために新たに絶縁層を設ける必要が無く、良好に静電気に起因する画像の表示乱れを防ぐことができる。
【００１５】
本発明においては、前記第１基板の前記液晶層側の面に、駆動回路と、前記駆動回路と電気的に接続された引き回し配線とが設けられ、前記引き回し配線と前記静電遮蔽層または金属遮光層とが、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された導通材を介して、互いに平面的に重なる位置で電気的に接続され、前記静電遮蔽層の電位が前記駆動回路によって所定電位に制御されることが望ましい。
【００１６】
この構成によれば、静電遮蔽層に捕捉される静電気の電荷が所定電位に保たれるため、長時間使用しても静電気が蓄積・増加することなく、静電気の影響による画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。また、静電遮蔽層は、駆動回路と接続された引き回し配線と直接または金属遮光層を介して接続されるため、新たに導電性の構成部材を形成することなく静電遮蔽層に蓄積する電荷を放出することができ、静電気の影響による画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。
【００１７】
本発明においては、前記静電遮蔽層の電位が、前記共通電極の電位と同じ電位に制御されることが望ましい。
【００１８】
この構成によれば、静電遮蔽層と共通電極との間に電位差がなくなるため、第１基板と第２基板との間に縦方向の電界が発生し難くなり、画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。
【００１９】
ここで、前記引き回し配線と前記静電遮蔽層または金属遮光層とを電気的に接続する前記導通材が、複数箇所配置されていることが望ましい。
【００２０】
この構成によれば、例えば表示領域の中央と周辺との間の距離が遠い大きな表示領域を有する場合であっても、静電遮蔽層において表示領域の位置による電位差が少なく抑制される。従って、静電気などに代表される外部電界の影響が表示領域の位置によって異なることがないように抑制される。この結果、液晶表示への影響が一様となり、画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。
【００２１】
本発明においては、前記第１基板は、前記引き回し配線を覆う絶縁膜を有し、前記絶縁膜には、前記引き回し配線の一部が底部に露出するコンタクトホールが設けられ、前記コンタクトホールの内部には、底部に露出する前記引き回し配線を覆う導電膜が形成され、前記静電遮蔽層または金属遮光層は、前記導通材と前記導電膜とを介して前記引き回し配線と導通していることが望ましい。
【００２２】
この構成によれば、引き回し配線の酸化を防ぎ、且つ良好な導通が得られるため、効果的に静電遮蔽層に蓄積する電荷を放出し、良好な表示が可能な液晶装置とすることができる。特に、引き回し配線の形成材料がアルミニウム等の卑金属である場合には、良好に表面酸化を防ぎ、導通を確保することができるため好適である。
【００２３】
本発明においては、前記導電膜は導電性金属酸化物を形成材料とすることが望ましい。
【００２４】
この構成によれば、コンタクトホールの底部に露出する引き回し配線の酸化を良好に防ぐことができる。
【００２５】
本発明においては、前記第１基板の前記液晶層側には、前記画素電極と前記共通電極とが絶縁膜を介して積層され、前記共通電極が前記画素電極よりも前記液晶層側に設けられていることが望ましい。
【００２６】
この構成によれば、静電気を捕捉する静電遮蔽層と画素電極との間がより離れたものとなる。そのため、画素電極と静電遮蔽層との間に発生する縦方向の電界を微弱に抑えることができ、画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。
【００２７】
本発明においては、前記液晶層の周囲には、液晶分子を封止するシール材が設けられ、前記シール材によって囲まれた領域の内側には、複数の前記画素電極によって形成された表示領域が設けられていると共に、前記シール材によって囲まれた領域の内側であって、前記表示領域と前記シール材との間には非表示領域が設けられ、前記第１基板の前記非表示領域には、前記表示領域へ侵入する静電気を放電させる静電保護部材が配置されており、前記静電遮蔽層は、前記静電保護部材と平面的に重なって設けられていることが望ましい。
【００２８】
この構成によれば、静電遮蔽層が非表示領域に配置された静電保護部材を合わせて保護するため、良好に表示領域を保護することができ、画像の表示乱れの抑制と静電破壊の防止とを良好に実現した液晶装置とすることができる。
【００２９】
本発明の電子機器は、上述の液晶装置を備えることを特徴とする。
【００３０】
この構成によれば、外部環境からの静電気による画像の表示乱れが無い液晶装置を備え、高品質な画像表示が可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の等価回路図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の概略平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の概略平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の概略平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の概略断面図である。
【図６】第１実施形態に係る液晶装置の共通電極の電位を示す説明図である。
【図７】第１実施形態に係る液晶装置が大型パネルである場合の概略図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は部分断面図である。
【図８】本発明の変形例に係る液晶装置の概略断面図である。
【図９】本発明の変形例に係る液晶装置の概略断面図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
［第１実施形態］
以下、図１〜図４を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る液晶装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００３３】
本実施形態の液晶装置は、光の進行方向と直交する横電界によって液晶分子の方位角を制御して画像表示を行うものである。このような方式としては、ＦＦＳ方式や、ＩＰＳ方式等が知られている。以下、ＦＦＳ方式の駆動方式を採用した液晶装置のうちフルカラー表示が可能なものに基づいて説明するが、本発明はＩＰＳ方式の液晶装置にも適用可能である。
【００３４】
図１は、本実施形態の液晶装置１の等価回路図である。液晶装置１の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、画素電極９と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されている。画素電極９と共通電極１９との間には液晶層５０が介在している。共通電極１９は走査線駆動回路２０４から延びる共通線３ｂと電気的に接続されており、複数のサブ画素において共通の電位に保持されるようになっている。
【００３５】
データ線駆動回路２０１から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースと電気的に接続されている。データ線駆動回路２０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを、データ線６ａを介して各サブ画素に供給する。前記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３６】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路２０４から延びる走査線３ａが電気的に接続されている。走査線駆動回路２０４から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。
【００３７】
画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。画素電極９を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と液晶層５０を介して対向する共通電極１９との間で一定期間保持される。
【００３８】
図２〜図４は、本実施形態の液晶装置１について、対向基板（第２基板）側から見た平面図であり、図３は図２の一部を拡大した図、図４は図３の一部を拡大した図である。
【００３９】
図２に示すように、本実施形態の液晶装置１は、素子基板（第１基板）１０と対向基板２０とが平面的に重なる部分の周縁部においてシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域（表示領域Ａ）内に液晶分子が封入、保持されている。シール材５２には、製造時において素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた後に液晶分子を注入するための液晶注入口５５が形成されており、液晶注入口５５は液晶注入後に封止材５４により封止されている。素子基板１０の内面側であって表示領域Ａと平面的に重なる領域には、図示略の画素電極および共通電極が形成されており、素子基板１０の内面側であってシール材５２と平面的に重なる領域には、引き回し配線１８が設けられている。
【００４０】
素子基板１０の一端側の、素子基板１０と対向基板２０との重なり部分から張り出した部分（基板張出部１０ａ）には、液晶装置１を駆動する駆動信号（例えば、画像信号や走査信号）を処理し適宜供給するための駆動用ＩＣ２０８が実装されており、端部には入力用端子２０２が設けられている。入力用端子２０２には、例えば異方性導電膜２０３を介して、配線が形成されたＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板等が実装されており、外部電源や種々の外部機器と接続している。
【００４１】
また、対向基板２０の内面側には、後述の静電シールド層（静電遮蔽層）４０が設けられており、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所に配設された導通材（導電接続部）４３を介して、素子基板１０の引き回し配線１８と電気的に導通している。本実施形態の液晶装置１では、素子基板１０の他端側（駆動用ＩＣ２０８側の辺と対向する側）の辺の両端部に２箇所、導通材４３が設けられている。液晶装置１においては、その他必要応じて位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００４２】
図３は、図２において二点鎖線で囲んだ領域ＡＲ１の拡大図である。ここでは、主として素子基板側の構成を示している。
【００４３】
図に示すように、表示領域Ａには、平面視略矩形の複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に縦横に配置している。また、シール材５２の内側であって表示領域Ａの周辺は、非表示領域Ｍとなっている。非表示領域Ｍには、引き回し配線１８から浸入する静電気を放電し、表示領域Ａに配置されたサブ画素Ｐを保護するための静電保護領域ＳＡと、静電保護領域ＳＡで放電仕切れなかった静電気によるサブ画素Ｐの破壊を自ら破壊されることで代行するダミー画素（静電保護部材）ＤＰが配置されたダミー領域ＤＡが設けられている。
【００４４】
素子基板１０における表示領域Ａの周囲には、シール材５２と重なって、共通電極１９に共通電位を供給する引き回し配線１８が形成されており、引き回し配線１８が折れ曲がる角には外側（液晶層５０とは反対側）に突出する接続部１８ａが形成されている。
【００４５】
一方、不図示の対向基板が備える静電シールド層４０の角部にも外側に突出する接続部４０ａが形成されている。接続部４０ａと接続部１８ａとは平面的に重なっていると共に、いずれもシール材５２の外側にまで延在して形成されており、各々の端部において導通材４３を介して電気的に接続されている。したがって、静電シールド層４０の電位は、共通電位と同電位に保たれている。
【００４６】
次に非表示領域Ｍについて図４を用いて詳しく説明する。図４は、図３において二点鎖線で囲んだ領域ＡＲ２の拡大図である。
【００４７】
図に示す様に、非表示領域Ｍには、サブ画素Ｐの周辺に配置された複数のダミー画素ＤＰを有するダミー領域ＤＡと、ダミー領域ＤＡとシール材５２との間の領域に配置されたショートリング（静電保護部材）２１１や抵抗素子（静電保護部材）２１２を有する静電保護領域ＳＡと、が設けられている。静電保護領域ＳＡのショートリング２１１および抵抗素子２１２は、主に製造工程中に発生する静電気からサブ画素Ｐごとに配置されたＴＦＴ３０を保護するために設けられる。
【００４８】
製造工程中に発生する静電気は、表示領域Ａの周辺からサブ画素Ｐに侵入する。そのため、発生する静電気を静電保護領域ＳＡの機能にて放電すると共に、放電仕切れなかった静電気をダミー領域ＤＡに配置されたダミー画素ＤＰが破壊されることで、サブ画素Ｐが破壊されることを防いでいる。
【００４９】
抵抗素子２１２は、サブ画素Ｐおよびダミー画素ＤＰが配列する行列に対応して、各行列の端部に設けられている。図では、サブ画素Ｐおよびダミー画素ＤＰの行に対して１行おき（上端の行から数えて偶数行）に設けられ、各々の行の走査線３ａと接続している。また、図示は省略するが、図に示す右辺と対向する側の左辺には、残る行（奇数行）に対応する抵抗素子２１２が設けられている。また、サブ画素Ｐおよびダミー画素ＤＰの列の上端部にも、列毎に抵抗素子２１２が設けられている。
【００５０】
また、共通電極１９は、サブ画素Ｐおよびダミー画素ＤＰを覆って形成されており、抵抗素子２１２が設けられた側の端部には、ショートリング２１１と接続するための張出部２１３が設けられている。張出部２１３は、抵抗素子２１２と重ならない位置に設けられており、張出部２１３を介して共通電極１９とショートリング２１１とが接続している。
【００５１】
また、共通電極１９の上端の角部分に設けられた張出部２１３には、引き回し配線１８と接続するために平面視略矩形の接続部１９ａが設けられており、複数のコンタクトホール２１４を介して違いに接続している。また、接続部１９ａは、複数のコンタクトホール２１５を介して、ショートリング２１１とも接続している。これら静電保護領域ＳＡに設けられた部材により、サブ画素Ｐに設けられたＴＦＴ３０の静電破壊を防止している。
【００５２】
また、静電シールド層４０は、これらダミー領域ＤＡや静電保護領域ＳＡの各構成と平面的に重なって設けられている。静電シールド層４０は、後述するように外部からの静電気を捕捉する機能を有しており、静電気によりダミー領域ＤＡや静電保護領域ＳＡの各構成が破壊されることを防いでいる。そのため、ダミー領域ＤＡや静電保護領域ＳＡでは、良好にサブ画素Ｐが破壊されることを防ぐことができる。また、静電シールド層４０とダミー領域ＤＡや静電保護領域ＳＡの各構成とは電気的に接続されているため、互いに協働して静電気を拡散させることができる。
【００５３】
次に、液晶装置１の断面構成について説明する。図５は、本実施形態の液晶装置１のシール材５２及び導通材４３周辺の概略断面図である。ここでは、図を見やすくするために、非表示領域における構成を省略して図示している。
【００５４】
図に示すように、液晶装置１は、素子基板１０と、素子基板１０と対向配置された対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層５０と、を備えて構成されている。また、液晶装置１には、素子基板１０と対向基板２０とが対向する領域の縁端に沿ってシール材５２が設けられ、液晶層５０を構成する液晶分子が封止されている。この液晶装置１は、素子基板１０側から照明光が照射され、表示される画像を対向基板２０側から観察する構成となっている。
【００５５】
素子基板１０は、透光性を備えた基板本体１１を備えている。基板本体１１を形成する材料には、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子化合物（樹脂）を用いることができる。また、透光性を備えるならば、これらの材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもできる。
【００５６】
基板本体１１の液晶層５０側の面上には、アルミニウムや銅等の導電性材料からなる走査線３ａと不図示のデータ線が形成されている。また、シール材５２と平面的に重なる領域には、同様の導電性材料からなる引き回し配線１８が形成されている。これらは同じ材料を用いることとしてもよく、また異なる材料を用いて形成しても良い。これらは、例えば導電性材料の薄膜を成膜した後に、パターニングされることにより得られる。本実施形態では形成材料としてアルミニウムを用いる。
【００５７】
また基板本体１１上には、走査線３ａ、データ線、引き回し配線１８を覆うようにゲート絶縁膜１２が形成されている。ゲート絶縁膜１２は、窒化シリコンや酸化シリコンなどのような絶縁性を有する透光性材料で構成されている。
【００５８】
ゲート絶縁膜１２上には、半導体層３２、半導体層３２の一端に接続されているソース電極３３、半導体層３２の他端に接続されているドレイン電極３４が形成されており、これら半導体層３２、ソース電極３３、ドレイン電極３４および走査線３ａによってボトムゲート型のＴＦＴ３０を構成している。また、ＴＦＴ３０を覆うように層間絶縁膜１３が形成されている。層間絶縁膜１３は、ゲート絶縁膜１２と同様に、窒化シリコンや酸化シリコンなどの絶縁性を有する透光性材料で構成されている。
【００５９】
層間絶縁膜１３上には、画素電極９が形成されており、コンタクトホール１６を介してＴＦＴ３０のドレイン電極３４と電気的に接続している。画素電極９は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物）や錫酸化物（ＳｎＯ2）等の透光性を備えた導電性材料にて形成されている。本実施形態ではＩＴＯを用いている。
【００６０】
また、層間絶縁膜１３上には、画素電極９を覆って電極間絶縁膜１４が形成されている。電極間絶縁膜１４は、ゲート絶縁膜１２や層間絶縁膜１３と同様に、窒化シリコンや酸化シリコンなどの絶縁性を有する透光性材料で構成されており、層間絶縁膜１３上に形成された画素電極９を被覆している。
【００６１】
電極間絶縁膜１４上には、梯子状の共通電極１９が形成されている。画素電極９と共通電極１９とは、電極間絶縁膜１４を介して配置されており、ＦＦＳ方式の電極構造を構成している。また共通電極１９は、ゲート絶縁膜１２、層間絶縁膜１３、電極間絶縁膜１４を連通するコンタクトホール１７を介して引き回し配線１８と接続されている。共通電極１９は、ＩＴＯ等の透光性の導電性材料にて形成されており、本実施形態では共通電極１９の材料にＩＴＯを用いている。
【００６２】
また、電極間絶縁膜１４上には、共通電極１９を覆って配向膜１５が形成されている。配向膜１５は、例えばポリイミドなどの有機材料やシリコン酸化物などの無機材料で構成されている。本実施形態の配向膜１５は、ポリイミドの形成材料を塗布してこれを乾燥・硬化させた後、その上面にラビング処理を施すことによって得られる。
【００６３】
一方、対向基板２０は透光性を備えた基板本体２１を備えている。基板本体２１を形成する材料には基板本体１１と同様の材料を用いることができる。
【００６４】
基板本体２１の液晶層５０側の面上には、図３で示す表示領域Ａとダミー領域ＤＡと静電保護領域ＳＡとの全面を覆って、静電シールド層４０が形成されている。静電シールド層４０は、外部からの静電気を捕捉し、捉えた静電気を後述の導通材４３を介して逃がすことで、対向基板２０と素子基板１０との間に不測の縦電界を生じることを防止するために設けられる。静電シールド層４０は、ＩＴＯやＳｎＯ2等の透光性を有する導電材料を用いて形成されており、本実施形態ではＩＴＯを形成材料としている。
【００６５】
静電シールド層４０の液晶層５０側の面上には、着色層２２ａおよびブラックマトリクス（金属遮光層）２２ｂを備えたカラーフィルター層２２が形成されている。カラーフィルター層２２は、例えば、クロムなどの金属材料などを形成材料として、通常知られた方法を用いて格子状にパターニングしたブラックマトリクス２２ｂを形成した後、パターニングにより設けられた開口部２２ｃに液滴吐出法などの湿式塗布法を用いて着色層２２ａの形成材料を配置して形成する。
【００６６】
本実施形態では各層の膜厚を、着色層２２ａは２μｍ、ブラックマトリクス２２ｂは０．１５μｍとした。カラーフィルター層２２で、素子基板１０側から入射して対向基板２０側に出射する光を赤色、緑色、青色に変調し、各色の光を混色することでフルカラー表示が可能となる。
【００６７】
カラーフィルター層２２上には、オーバーコート層（絶縁層）２４が形成されている。オーバーコート（ＯＶＣ）層２４は、カラーフィルター層２２を物理的または化学的に保護する機能を備える。また、形成された着色層２２ａやブラックマトリクス２２ｂから、各々の形成材料に含まれる硬化剤の反応残渣などの低分子量物質やイオン性の不純物が液晶層５０へ溶出し、表示乱れを起こすことを防ぐ。ＯＶＣ層２４は、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透光性を備えた硬化性樹脂を用いて形成する。本実施形態ではアクリル樹脂を用い、膜厚２μｍに形成している。
【００６８】
ＯＶＣ層２４上には、配向膜１５と同様の材料を用いて配向膜２５が形成されている。本実施形態の配向膜２５は、ポリイミドの形成材料を塗布してこれを乾燥・硬化させた後、その上面に一定方向にラビング処理を施すことによって得られる。ラビングによる配向膜２５の配向方向は、配向膜１５の配向方向と同方向となるように設定されている。
【００６９】
また、液晶層５０と重なる領域のＯＶＣ層２４上には、ブラックマトリクス２２ｂと重なる領域に、スペーサー５６が形成されている。スペーサー５６は、素子基板１０と対向基板２０との離間距離を一定以下にならないように保持するためのものである。例えば、対向基板２０側から応力が加わった場合に、液晶層５０の厚さがスペーサー５６の高さ未満とならないため、表示乱れを防ぐことができる。
【００７０】
素子基板１０に設けられた引き回し配線１８と、対向基板２０に設けられた静電シールド層４０とは、液晶層５０の周囲を囲むシール材５２の外側（液晶層５０とは反対側）の領域において、導通材４３を介して導通している。導通材４３は、導電性を有する微粒子を混合した硬化性樹脂や、銀ペーストなどを用いる事ができる。導電性を有する微粒子には、例えばＡｕやＡｇなどの金属微粒子や、金属などの導電性を有する材料で導電性を有さない微粒子の表面をコートしたものなどが挙げられる。
【００７１】
素子基板１０側の導通材４３を配置する領域には、ゲート絶縁膜１２、層間絶縁膜１３、電極間絶縁膜１４を貫通して互いに連通するコンタクトホール４１が形成されており、底部には引き回し配線１８が一部露出している。
【００７２】
本実施形態の引き回し配線１８は、形成材料として卑金属であるアルミニウムを用いているため、コンタクトホール４１を形成して露出させると、表面が酸化して酸化膜を形成し、導通を取ることができないおそれがある。また、コンタクトホール４１の底部には引き回し配線１８の一部のみが露出するのみであり、導通材４３との導通面積が小さい。そのため、引き回し配線１８の表面酸化を防ぎ、また、導通材４３との導通を確実なものとするため、コンタクトホール４１を覆ってＩＴＯやＳｎＯ2を形成材料とする導電膜４４が形成されていることが望ましい。
【００７３】
また、対向基板２０側の導通材４３を配置する領域には、ブラックマトリクス２２ｂ、ＯＶＣ層２４を貫通して互いに連通するコンタクトホール４２が形成されている。導通材４３は、ブラックマトリクス２２ｂおよび静電シールド層４０と電気的に接続されている。
【００７４】
本実施形態の液晶装置１は、以上のような構成となっている。このような構成の液晶装置１では、ブラックマトリクス２２ｂと静電シールド層４０とが、協働して装置外部からの静電気を捕捉し、ブラックマトリクス２２ｂおよび静電シールド層４０の全体に電荷を拡散させる。そのため、静電気に起因する表示乱れを防ぎ、高品質な画像表示が可能な液晶装置１とすることができる。
【００７５】
特に、画面サイズが大きいＴＶ用の大型パネルでは表示領域が広い。このため、透光性を有する導電材料（ＩＴＯ）を用いて形成された静電シールド層４０は、抵抗値が金属材料（クロム）に比べて高く、表示領域の中心において捕捉された電荷の拡散効果が不十分であることから、静電シールド層４０のみでは静電気対策として不十分となる。そこで、静電シールド層４０に加えて、抵抗値の低いブラックマトリクス２２ｂを設けることで、静電気に対して高いシールド効果を発揮することができるのである。
【００７６】
具体的に、本実施形態では、ブラックマトリクス２２ｂおよび静電シールド層４０で捕捉された静電気が、導通材４３を介して引き回し配線１８に放出される。また、ブラックマトリクス２２ｂと静電シールド層４０とは導通しているため、両者が独立して静電気を捕捉し放出するよりも全体として低抵抗となり、効率良く捕捉した電荷を放出することができる。そのため、静電気が対向基板２０に蓄電されることなく、表示乱れを防ぐことができる。
【００７７】
また、本実施形態では、静電シールド層４０と配向膜２５との間には、着色層２２ａおよびＯＶＣ層２４が設けられており、これらの層の厚み分、静電シールド層４０と液晶層５０とが離間している。そのため、配向膜２５と接して静電シールド層４０を形成する場合と比べると、静電シールド層４０で捕捉した静電気によるクーロン力が弱まり、液晶層５０に影響を与えにくくなる。また、カラー表示可能な液晶装置において、着色層２２ａおよびＯＶＣ層２４を用いて離間距離を稼ぐ構成であることから、離間距離を稼ぐために新たに絶縁層を設ける必要が無い。これらのことから、静電気に起因する表示乱れを防ぎ、高品質な画像表示が可能な液晶装置１とすることができる。
【００７８】
また、本実施形態では、引き回し配線１８と静電シールド層４０とが、導通材４３を介して平面的に重なる位置で電気的に接続されており、静電シールド層４０の電位が駆動回路によって制御された共通電極１９の電位と同じ電位に制御されることとしている。そのため、静電シールド層４０に捕捉される静電気の電荷が共通電位と等しく保たれるため、長時間使用しても静電気が蓄積・増加することがない。また、静電シールド層４０は、引き回し配線１８と接続されるため、新たに導電性の構成部材を形成することなく静電シールド層４０に蓄積する電荷を放出することができる。
【００７９】
また、本実施形態では、画素電極９は、共通電極１９を挟んで液晶層５０と反対側に設けられることとしている。そのため、静電気を捕捉するブラックマトリクス２２ｂおよび静電シールド層４０と、画素電極９との間がより離れたものとなって、画素電極９と静電シールド層４０の間や、画素電極９とブラックマトリクス２２ｂとの間に発生する電界をより微弱に抑えることができ、画像乱れを抑制した液晶装置１とすることができる。
【００８０】
なお、静電シールド層４０を形成する大きさ・位置は本実施形態に示すものに限らない。静電シールド層４０は、ブラックマトリクス２２ｂの開口部２２ｃを覆って配置されていれば良く、例えば、開口部２２ｃに対応して複数設けることとしても良い。
【００８１】
また、本実施形態においては、静電シールド層４０は引き回し配線１８と電気的に接続することとしたが、静電シールド層４０は、電気的に孤立したフローティング状態であっても構わない。フローティング状態とは、周囲の配線や電極などの導電部材と接続していない状態で形成されていることを示す。
【００８２】
また、本実施形態においては、静電シールド層４０は引き回し配線１８と電気的に接続することとしたがこれに限らない。例えば、共通電極１９をシール材５２の外側にまで延在して形成しておき、静電シールド層４０と共通電極１９との間で導通させることとしても良い。また、静電シールド層４０に帯電する静電気を放電するための導通部材を別途設けることとしても構わない。
【００８３】
また、本実施形態においては、静電シールド層４０を共通電極１９と接続し、共通電位に制御することとしたが、これに限らない。例えば、ＧＮＤ電位に保たれた配線を別途形成し、当該配線と静電シールド層４０とを接続することで、静電シールド層４０をＧＮＤ電位に保つ事としても良い。
【００８４】
また、画素電極９は、共通電極１９よりも液晶層５０側に配置することもできる。その場合には、液晶層５０に近い側に配置される画素電極９を、梯子状電極とする。
【００８５】
ところで、液晶装置１において、上述したように静電シールド層４０の電位が駆動回路によって制御された共通電極１９の電位と同じ電位に制御されることとしたとき、特に表示領域が広い大型パネルにおいては、液晶の駆動方式に起因して、静電シールド層４０と共通電極１９との間において実際には電位差が発生する場合がある。例えば、画像表示においてフリッカーが発生することを防止するため、従来から共通電極１９の電位が常に一定ではなく、２つの電位間で交互に変わる極性反転駆動方式（コモン反転駆動）が採用されることがある。例えば、図６において波形Ｃｄで示したように、共通電極１９の電位が所定の時間間隔（たとえば１フレーム時間）で電位Ｖ１と電位Ｖ２との間で切り替わることが行われる。
【００８６】
このような駆動方式の場合、共通電極１９と電気的に接続された静電シールド層４０の電位も同様に切り替わる。このとき、静電シールド層４０だけでは、抵抗値に起因して、表示領域の中央部分においては、図６において破線で示した波形Ｓｄのように、交互に変わる共通電極１９の電位に対して追随できない現象（「なまり現象」とも呼ぶ）が生ずることがある。この結果、静電シールド層４０と共通電極１９との間において電位差が発生することになる。そこで、本実施形態のように静電シールド層４０とブラックマトリクス２２ｂの両方を設けた構成とすることによって、表示領域Ａにおける静電シールド層４０の抵抗値は低く抑制される。この結果、静電シールド層４０と共通電極１９との電位差が抑制されることになり、「なまり現象」の発生が抑制される。従って、基板間に縦方向の電界が発生し難くなるので、画像の表示乱れを抑制した液晶装置１とすることができる。
【００８７】
ここで、本実施形態の液晶装置１が大型パネルである場合について、その構成の一例を図７に示す。図７（ａ）は、大型パネルである液晶装置１ａを模式的に示した平面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿った部分断面を模式的に示した断面図である。なお、平面図において液晶の注入口を省略している。また、液晶装置１ａを駆動する駆動信号（例えば、画像信号や走査信号）を処理し適宜供給するためのデータ線駆動回路や走査線駆動回路については、データ線駆動用ＩＣ２１０および走査線駆動用ＩＣ２４０のみ図示し、配線等を省略している。また、断面図では、スペーサー５６を省略して図示している。なお、図を簡単にするため、素子基板１０は１つの部材として図示している。
【００８８】
大型パネルである液晶装置１ａは、液晶装置１に対して構造が異なる。まず、設けられた導通材４３の数が異なる。液晶装置１では、図２に示したように、導通材４３は表示領域Ａの２つの角部（図面上側のコーナー部）近辺にのみ設けられている。これに対して液晶装置１ａでは、図７（ａ）に示したように、導通材４３は表示領域Ａの４つの角部近辺と、さらに四辺の途中にも設けられている。ちなみに本実施形態の液晶装置１ａでは、導通材４３は合計１２個所設けられている。このように導通材４３を複数設けることによって、静電シールド層４０（ブラックマトリクス２２ｂ）が共通電極１９と電気的に接続される個所が多くなるので、静電シールド層４０の面内電位を安定して均一化することができる。
【００８９】
もとより、液晶装置１ａにおいて実際に形成される静電シールド層４０、ブラックマトリクス２２ｂおよび共通電極１９に応じて、静電シールド層４０の電位が均一化されるように、導通材４３を設置する数および位置を決定することが好ましい。
【００９０】
次に、大型パネルである液晶装置１ａは、表示領域Ａの法線方向から見た平面視で、図７（ｂ）に示すように、静電シールド層４０の端部の位置が、表示領域Ａよりも外側で、かつブラックマトリクス２２ｂの端部よりも内側である構造を有している。このような構造とすることによって、静電シールド層４０は、表示領域Ａ全体を覆うとともに端部が露出することなくブラックマトリクス２２ｂで覆われる。従って、静電シールド層４０は、表示領域Ａへの静電気の侵入を抑制するとともに、端部からの腐食を抑制することができる。
【００９１】
なお、液晶装置１では、図５に示したように、基板本体２１上に静電シールド層４０とブラックマトリクス２２ｂとを順に形成するものであって、それぞれの端部については言及していない。従って、静電シールド層４０の端部が露出する構造であれば、端部から腐食する虞がある。このような虞がある場合、液晶装置１においても液晶装置１ａと同様に、静電シールド層４０の端部の位置が、表示領域Ａよりも外側で、かつブラックマトリクス２２ｂの端部よりも内側である構造とすることが好ましい。
【００９２】
さらに、大型パネルである液晶装置１ａは、表示領域Ａの法線方向から見た平面視で、図７（ｂ）に示すように、静電シールド層４０の端部の位置が、導通材４３の設置領域よりも内側である構造を有している。このような構造とすることによって、素子基板１０に形成された共通電極１９（不図示）との間の電気的な接続を、導通材４３がブラックマトリクス２２ｂに対して当接することで行うことになる。ちなみに液晶装置１では、図５に示したように、導通材４３は、素子基板１０に形成された共通電極１９（不図示）との間の電気的な接続は、導通材４３が静電シールド層４０に対して当接して行われる構造を有している。
【００９３】
このように、導通材４３がブラックマトリクス２２ｂに対して当接して、共通電極１９と静電シールド層４０との間の電気的な接続を行う構造を有することによって、導通材４３とブラックマトリクス２２ｂとの密着性を高めることができる。つまりブラックマトリクス２２ｂを形成するクロム等と、静電シールド層４０を形成するＩＴＯ等とは、密着性が必ずしも良好ではない。したがってブラックマトリクス２２ｂと静電シールド層４０とが積層する位置で、導通材４３とブラックマトリクス２２ｂとを当接させると、ブラックマトリクス２２ｂが静電シールド層４０に対して剥がれにより浮いてしまうことがある。そこで導通材４３が当接する位置では、ブラックマトリクス２２ｂ単層の方が好ましい。また図５のように、ブラックマトリクス２２ｂに開口を設けて導通材４３と静電シールド層４０とを当接すると、この開口からバックライトの光が漏れてしまう恐れがあるが、本構造においてはブラックマトリクス２２ｂに開口を設けないので、不要な光漏れが生じる虞がない。
【００９４】
上述したように、本発明について実施形態（液晶装置１および液晶装置１ａ）を用いて説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下変形例を挙げて説明する。
【００９５】
［変形例］
図８は、本発明の第１の変形例に係る液晶装置２の説明図である。図に示すように、液晶装置２が有する静電シールド層４０は、基板本体２１およびブラックマトリクス２２ｂの表面を覆って形成され、着色層２２ａは、形成された静電シールド層４０を一部覆って設けられている。
【００９６】
対向基板２０側には、ＯＶＣ層２４を貫通するコンタクトホール４２が形成されており、コンタクトホール４２内で、ブラックマトリクス２２ｂおよび静電シールド層４０と、導通材４３とが電気的に接続されている。
【００９７】
上記実施形態では、静電シールド層４０を基板本体２１上に形成する。このとき、工程が容易となることから、静電シールド層４０を基板本体２１の全体に蒸着等によって形成すると、基板本体２１の端面と静電シールド層４０の端部が平面的に同じ位置となり、静電シールド層４０の端面が露出する。この場合、静電シールド層４０が端部から電蝕される虞や、端部から静電気が進入し易くなる虞がある。従って、基板本体２１に対して、端部が一致しないように所定の形状を有する静電シールド層４０を位置合わせして形成することが好ましいが、基板本体２１は透光性を有するため、例えば静電シールド層４０を形成するための蒸着マスクの位置合わせが難しい。
【００９８】
本変形例によれば、静電シールド層４０はブラックマトリクス２２ｂの表面を覆って形成されるので、ブラックマトリクス２２ｂを形成する際に、ブラックマトリクス２２ｂに静電シールド層４０を形成するためのマスクアライメントマークを形成することができる。この結果、任意形状の静電シールド層４０を基板本体２１に対して適切な位置に形成することができる。
【００９９】
また、上記実施形態では、基板本体２１上に形成された静電シールド層４０と導電膜４４とを導通材４３によって電気的に接続することによって、静電シールド層４０と共通電極１９との接続を行っている。これに対して本変形例では、基板本体２１と静電シールド層４０との間にブラックマトリクス２２ｂが介在するため、静電シールド層４０と共通電極１９との間の距離は、上記実施形態よりも短くなる。従って、導通材４３に用いられる導電性を有する微粒子の径は、上記実施形態よりも本変形例の方が小さくてよいことから、例えば微粒子の位置が平面的にずれてＯＶＣ層２４上に乗り上げたとしても、上記実施形態に比べて、微粒子の径が小さい分、液晶層のギャップに与える影響を少なくすることができる。
【０１００】
図９は、本発明の第２の変形例に係る液晶装置３の説明図である。図に示すように、液晶装置３が有するカラーフィルター層２２は、着色層２２ａが、ブラックマトリクス２２ｂよりも厚く形成されており、周縁の一部が隣接するブラックマトリクス２２ｂと重なって形成されている。隣り合う着色層２２ａの間にはブラックマトリクス２２ｂが一部露出している。静電シールド層４０は、このようなカラーフィルター層２２の表面を覆って形成されている。
【０１０１】
対向基板２０側には、液晶装置２と同様に、コンタクトホール４２が形成されており、ブラックマトリクス２２ｂおよび静電シールド層４０と、導通材４３とが電気的に接続されている。
【０１０２】
本変形例によれば、液晶装置２と同様な効果を奏する。すなわち、静電シールド層４０はブラックマトリクス２２ｂの表面を覆って形成されるので、ブラックマトリクス２２ｂを形成する際に、ブラックマトリクス２２ｂに静電シールド層４０を形成するためのマスクアライメントマークを形成することができる。この結果、任意形状の静電シールド層４０を基板本体２１に対して適切な位置に形成することができる。また、本変形例でも、基板本体２１と静電シールド層４０との間にブラックマトリクス２２ｂが介在するため、静電シールド層４０と共通電極１９との間の距離は、上記実施形態よりも短くなる。従って、導通材４３に用いられる導電性を有する微粒子の径は、上記実施形態よりも本変形例の方が小さくてよいことから、例えば微粒子の位置が平面的にずれてＯＶＣ層２４上に乗り上げたとしても、上記実施形態に比べて、微粒子の径が小さい分、液晶層のギャップに与える影響を少なくすることができる。
【０１０３】
加えて、本変形例の液晶装置３は液晶装置２と異なる効果も奏する。すなわち、静電シールド層４０は着色層２２ａの表面を覆って形成されるので、この静電シールド層４０によって着色層２２ａに含まれる不純物の溶出を防止することができる。また、静電シールド層４０はカラーフィルター層２２の表面を覆って形成されているので、ＯＶＣ層２４と配向膜２５の厚さが変わらない場合は、静電シールド層４０と液晶層５０との間隔は変わらない。従って、例えば着色層２２ａの厚さが異なるなどカラーフィルター層２２が異なる構成を有する一方、少なくともＯＶＣ層２４と配向膜２５の厚さが変わらない一連の（すなわちシリーズ化された）液晶装置において、液晶に対する静電気の影響は同じであると考えてよいことから、静電シールド層４０を設けたときの液晶の駆動に関する設計が容易となる。この結果、例えば着色層２２ａの膜厚のみが異なり、他の構成は共通のシリーズ化された液晶装置を製造する場合において、設計に要するコスト（及び時間）を低減できる。
【０１０４】
ところで、上記変形例の液晶装置２または液晶装置３は、上述した説明より明らかなように、上記実施形態の液晶装置１（１ａ）に比べて、静電シールド層４０から液晶層５０までの距離が短くなる。この結果、液晶装置２または液晶装置３は、静電シールド層４０で捕捉した静電気によるクーロン力が液晶装置１（１ａ）に比べて強くなり、液晶層５０に影響を与えやすくなる。しかしながら、上述した構成を有する液晶装置２，３であれば、液晶装置１（１ａ）と同様に、ブラックマトリクス２２ｂと静電シールド層４０とが、協働して外部環境からの静電気を捕捉し、引き回し配線１８へと放出する。したがって、静電気の影響による画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。
【０１０５】
また、液晶装置２、液晶装置３においては、導通材４３の位置まで静電シールド層４０が延在しているが、例えば導通材４３の位置よりも表示領域側までしか静電シールド層４０を形成しないでおいて、導通材４３の位置において、静電シールド層４０を形成するＩＴＯ等が静電シールド層４０とは独立した状態（島状態）で形成され、この独立した状態のＩＴＯ等を介して、導通材４３とブラックマトリクス２２ｂとが接続するような構成であっても構わない。
【０１０６】
［電子機器］
次に、本発明の電子機器の実施形態について説明する。図１０は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図１０に示す携帯電話（電子機器）１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。これにより、本発明の液晶装置により構成された、静電気による表示乱れを抑制した表示部を具備した携帯電話１３００を提供することができる。
【０１０７】
上記各実施形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクター、パーソナルコンピューター、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構成とすることで、静電気による画像乱れが少なく、表示品質が高い表示部を備えた電子機器を提供できる。
【０１０８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【符号の説明】
【０１０９】
１，１ａ，２，３…液晶装置、９…画素電極、１０…素子基板（第１基板）、１２…ゲート絶縁膜（絶縁膜）、１３…層間絶縁膜（絶縁膜）、１４…電極間絶縁膜（絶縁膜）、１８…引き回し配線、１９…共通電極、２０…対向基板（第２基板）、２２…カラーフィルター層、２２ａ…着色層、２２ｂ…ブラックマトリクス（金属遮光層）、２２ｃ…開口部、２４…オーバーコート層（絶縁層）、２５…配向膜、４０…静電シールド層（静電遮蔽層）、４３…導通材、４４…導電膜、５０…液晶層、１３００…携帯電話（電子機器）、Ａ…表示領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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