(57)【要約】【課題】有機ＥＬ層の形成過程で生じ得る膜厚変動による色度の変動を抑制することを可能にする有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられる下部電極３０と、下部電極３０上に設けられる第一有機ＥＬ層３１と、第一有機ＥＬ層３１上に設けられる第一中間電極層４０と、第一中間電極層４０上に設けられる第二有機ＥＬ層４１と、第二有機ＥＬ層４１上に設けられる第二中間電極層５０と、第二中間電極層５０上に設けられる第三有機ＥＬ層５１と、第三有機ＥＬ層上に設けられる上部電極６０と、から構成され、該第一発光層、該第二発光層及び該第三発光層から発せられた光７０が、上部電極６０から取り出され、基板１０と該第一発光層との間に反射防止層２０が設けられることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置１。【選択図】図１
2010177093.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられる下部電極と、
該下部電極の上方に設けられ層の数がｎである電極層と、
該下部電極と該下部電極の直上にある電極層との間及び該電極層間に設けられ所定の光を発する発光層を含み層の数がｎである有機ＥＬ層と、から構成され、
該各発光層から発せられた光が、該基板から最も遠い電極層から取り出され、
該基板と該下部電極に最も近い該有機ＥＬ層に含まれる発光層との間に反射防止層が設けられることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に設けられる下部電極と、
該下部電極上に設けられ所定の色を発する第一発光層を含む第一有機ＥＬ層と、
該第一有機ＥＬ層上に設けられる第一中間電極層と、
該第一中間電極層上に設けられ所定の色を発する第二発光層を含む第二有機ＥＬ層と、
該第二有機ＥＬ層上に設けられる第二中間電極層と、
該第二中間電極層上に設けられ所定の色を発する第三発光層を含む第三有機ＥＬ層と、
該第三有機ＥＬ層上に設けられる上部電極と、から構成され、
該第一発光層、該第二発光層及び該第三発光層から発せられた光が、該上部電極から取り出され、
該基板と該第一発光層との間に反射防止層が設けられることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に設けられる下部電極と、
該下部電極上に設けられ所定の色を発する第一発光層を含む第一有機ＥＬ層と、
該第一有機ＥＬ層上に設けられる第一中間電極層と、
該第一中間電極層上に設けられ所定の色を発する第二発光層を含む第二有機ＥＬ層と、
該第二有機ＥＬ層上に設けられる上部電極と、から構成され、
該第一発光層及び該第二発光層から発せられた光が、該上部電極から取り出され、
該基板と該第一発光層との間に反射防止層が設けられることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記反射防止層が光吸収層であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記反射防止層が光散乱層であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、有機ＥＬ素子（有機発光素子、有機エレクトロルミネッセンス素子）が盛んに研究開発されていると共に、有機ＥＬ素子を搭載した有機ＥＬ表示装置が盛んに研究開発されている。最近では、青色、緑色、赤色の各色を、表示装置の共通した区域から出力することができるように、それぞれ発光色が異なる発光層を有する複数の有機ＥＬ層を積層して配列した高解像度型の有機ＥＬ表示装置の研究開発が進められている。
【０００３】
特許文献１では、各有機ＥＬ層から各色の光を発光させるために、それぞれの層に個別のバイアス電圧を入力できるように構成されている表示装置が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特表平１０−５０３８７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、単に複数の有機ＥＬ層を積層させるだけでは、一層の有機ＥＬ層で構成されている表示装置に比べて有機ＥＬ層の総膜厚が厚くなる。このため、有機ＥＬ層を成膜する際に膜厚変動の絶対量が大きくなり、光干渉の影響による色度変動が発生しやすいという課題があった。
【０００６】
そこで本発明の目的は、有機ＥＬ層の形成過程で生じ得る膜厚変動による色度の変動を抑制することを可能にする有機ＥＬ表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、
該基板上に設けられる下部電極と、
該下部電極の上方に設けられ層の数がｎである電極層と、
該下部電極と該下部電極の直上にある電極層との間及び該電極層間に設けられ所定の光を発する発光層を含み層の数がｎである有機ＥＬ層と、から構成され、
該各発光層から発せられた光が、該基板から最も遠い電極層から取り出され、
該基板と該下部電極に最も近い該有機ＥＬ層に含まれる発光層との間に反射防止層が設けられることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、有機ＥＬ層の形成過程で生じ得る膜厚変動による色度の変動を抑制することを可能にする有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【０００９】
即ち、本発明の有機ＥＬ表示装置は、光取り出し面とその反対側の面において発生する光の反射を防止することで光学干渉作用を抑制することができるので、有機ＥＬ層の膜厚のばらつきによる色度ずれを低減することができる。また表示装置正面における外光反射を抑制できるのでコントラストを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、該基板上に設けられる下部電極と、該下部電極の上方に設けられる電極層と、該下部電極と該下部電極の直上にある電極層との間及び該電極層間に設けられ所定の光を発する発光層を含む有機ＥＬ層と、から構成される。
【００１１】
本発明の有機ＥＬ表示装置において、電極層及び有機ＥＬ層の数は、それぞれｎである。ここでｎは、２以上の整数であるが、有機ＥＬ表示装置に印加する電圧を考慮すると、好ましくは、２又は３である。
【００１２】
ｎが２の場合、本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板上に、下部電極と、第一有機ＥＬ層と、第一有機ＥＬ層上に設けられる第一中間電極層と、第二有機ＥＬ層と、第二有機ＥＬ層上に設けられる上部電極と、から構成される。ここで、第一有機ＥＬ層は、下部電極上に設けられ所定の色を発する第一発光層を含んでいる。第一中間電極層は、第一有機ＥＬ層上に設けられる電極層である。第二有機ＥＬ層は、第一中間電極層上に設けられ所定の色を発する第二発光層を含んでいる。上部電極は、第二有機ＥＬ層上に設けられる電極層である。
【００１３】
ｎが３の場合、本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板上に、下部電極と、第一有機ＥＬ層と、第一中間電極層と、第二有機ＥＬ層と、第二中間電極層と、第三有機ＥＬ層と、上部電極と、から構成される。ここで、第一有機ＥＬ層は、下部電極上に設けられ所定の色を発する第一発光層を含んでいる。第一中間電極層は、第一有機ＥＬ層上に設けられる電極層である。第二有機ＥＬ層は、第一中間電極層上に設けられ所定の色を発する第二発光層を含んでいる。第二中間電極層は、第二有機ＥＬ層上に設けられる電極層である。第三有機ＥＬ層は、第二中間電極層上に設けられ所定の色を発する第三発光層を含んでいる。上部電極は、第三有機ＥＬ層上に設けられる電極層である。
【００１４】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、各発光層から発せられた光が、基板から最も遠い電極層である上部電極から取り出される。即ち、本発明の有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型の表示装置である。
【００１５】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と下部電極に最も近い有機ＥＬ層、即ち、第一有機ＥＬ層に含まれる第一発光層との間に反射防止層が設けられる。
【００１６】
反射防止層は、本発明の積層型発光表示装置の効果を担う部分である。ここで反射防止層に反射防止機能を発現させる方法としては、カーボンブラック系薄膜等の層を設けたり下部電極の表面を黒色化処理したりする等の処理を施す方法が挙げられる。こうすることにより反射防止機能を有する層である光吸収層が形成される。
【００１７】
また、反射防止層の表面を粗面化処理する方法も適用できる。こうすることにより反射防止機能を有する層である光散乱層が形成される。
【００１８】
一方、単層又は多層の誘電体膜を下部電極上に設けてもよい。当該誘電体膜が低反射層として機能し反射防止機能を発現させることができからである。
【００１９】
尚、反射防止層は、単に光の反射を防止する層として設けてもよいし、他の機能を兼ねる兼用層として設けてもよい。例えば、下部電極の表面を粗面化して反射防止機能を持たせてもよい。また反射防止層は、基板と下部電極との間に設けてもよいし、下部電極と第一発光層との間に設けてもよい。
【００２０】
次に、図面を参照しながら本発明の有機ＥＬ表示装置を詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置における一実施形態を示す断面模式図である。図１の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０上に、反射防止層２０、下部電極３０、第一有機ＥＬ層３１、第一中間電極層４０、第二有機ＥＬ層４１、第二中間電極層５０、第三有機ＥＬ層５１及び上部電極６０が順次形成されている。図１の有機ＥＬ表示装置１は、各有機ＥＬ層に含まれる発光層から発せられた光のうち上部電極６０側へ進む光（取り出し光）７０を取り出すトップエミッション型の表示装置である。一方、各有機ＥＬ層に含まれる発光層から発せられた光のうち下部電極３０側へ進む光束７１は、反射防止層２０によって散乱又は吸収される。
【００２２】
以下に、本発明の有機ＥＬ表示装置を構成する、反射防止層２０以外の構成部材について説明する。
【００２３】
本発明の有機ＥＬ表示装置に使用される基板１は、ガラス等からなる支持体が好適に用いられる。尚、基板１には、アクティブマトリクス型の表示装置のように、支持体と、支持体上に設けられるＴＦＴ回路と、ＴＦＴ回路上に形成される平坦化膜と、ＴＦＴ回路と下部電極３０を電気接続するコンタクトホールとからなるものも含まれる。尚、本発明の有機ＥＬ表示装置に使用される基板１は、支持体や平坦化膜に特定の処理を施し反射防止機能を持たせてもよい。
【００２４】
下部電極３０は、光を反射しない電極層であることが好ましい。例えば、ＩＴＯ等の導電性酸化膜からなる透明電極が挙げられる。尚、下部電極３０に特定の処理を施し反射防止機能を持たせてもよい。
【００２５】
図１の有機ＥＬ表示装置１の構成部材である三種類の有機ＥＬ層（第一有機ＥＬ層３１、第二有機ＥＬ層４１、第三有機ＥＬ層５１）には、所定の色を発する発光層がそれぞれ含まれている。ここで各有機ＥＬ層（３１，４１，５１）は、発光層のみの単層構造であってもよいが、発光層の他にホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて形成される積層構造であってもよい。また各有機ＥＬ層に含まれる発光層の発光色の組み合わせは特に限定されないが、赤色、緑色、青色の３色の組み合わせが好ましい。ただし、赤色、緑色、青色のいずれかの発光層を含む各有機ＥＬ層の積層順については特に限定されない。
【００２６】
各有機ＥＬ層（３１，４１，５１）の形成方法としては、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法等が好適に用いられる。
【００２７】
各有機ＥＬ層に含まれる発光層からそれぞれ発せられる取り出し光７０を、上部電極６０側から取り出すため、第一中間電極層４０及び第二中間電極層５０は、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極層とするのが好ましい。
【００２８】
上部電極６０も、２つの中間電極層（４０，５０）と同様に、ＩＴＯ等の透明導電性膜からなる透明電極層とするのが好ましい。尚、上部電極６０の上面において取り出し光７０の反射を防止するために上部電極６０上に樹脂層等の反射防止層を設けてもよい。
【００２９】
また、図示していないが、保護層あるいは封止基板及び吸湿材を使用して本発明の有機ＥＬ表示装置の防湿性を確保することもできる。
【００３０】
また、図示していないが、上部電極６０上にカラーフィルターを配置して色純度を高めることもできる。例えば、赤・緑・青の３層積層構成とした有機ＥＬ表示装置において、赤色・青色の２色を表示させる画素と、緑色・青色の２色を表示させる画素とに分けてこの有機ＥＬ表示装置を駆動する場合には、各画素に対応する２色透過フィルターを配置する。こうすれば、所望の２色を色純度が良好の状態で取り出すことができる。ここで赤色及び青色を取り出す場合に配置する２色フィルターとして、好ましくは、マゼンダの補色カラーフィルターが使用される。一方、緑色及び青色を取り出す場合に配置する２色フィルターとして、好ましくは、シアンの補色カラーフィルターが使用される。
【００３１】
以上に示した構成により、本発明の有機ＥＬ表示装置は、各有機ＥＬ層から発せられる光を取り出し光７０として上部電極６０側から取り出すと同時に、下部電極３０側へ進む光束７１が光取り出し方向（上部電極方向）へ反射するのを防ぐことができる。このため取り出し光７０と光束７１とが合わさって光干渉が発生するのを防止することができる。
【実施例】
【００３２】
以下、実施例により本発明の有機ＥＬ表示装置を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３３】
［実施例］
図２に示される有機ＥＬ表示装置を以下の手順により作製した。
【００３４】
ガラス製の支持体１１上に低温ポリシリコンからなるＴＦＴ駆動回路１２を形成し、その上にアクリル樹脂からなる平坦化膜１３を形成した。このようにして平坦化膜１３まで形成されている支持体を基板１０とした。
【００３５】
次に、基板１０上に、カーボンブラックを含有するフォトレジスト材料をスピンコート法により塗布し、ベーク処理することにより、カーボンブラックを含有する薄膜を成膜し反射防止層２０を形成した。このとき反射防止層２０の膜厚は２μｍだった。
【００３６】
次に、所定のパターンマスクを使用した露光工程と、剥離工程とを順次行うことにより、画素パターンに対応した平坦化膜１３及び反射防止層２０を貫通するコンタクトホール１４を設けた。尚、このコンタクトホール１４により、ＴＦＴ駆動回路１２は下部電極３０と電気接続する。
【００３７】
次に、スパッタ法により、反射防止層２０上に、ＩＺＯを成膜し下部電極３０となる薄膜を形成した。このとき当該薄膜の膜厚を２０ｎｍとした。次に、フォトレジスト膜の形成工程と、所定のパターンマスクを使用した露光工程と、エッチング処理工程とから成るフォトレジスト工程により、所望の形状にパターニングして下部電極３０を形成した。次に、スピンコート法により、下部電極３０上に、アクリル樹脂を成膜し画素分離膜となる薄膜を形成した。このとき当該薄膜の膜厚を２μｍとした。次に、所定のパターンマスクを使用した露光工程と、剥離工程とを順次行うことにより、所望の形状にパターニングして画素分離膜を形成した。次に、画素分離膜まで形成されている基板をＵＶ／オゾン洗浄して以下の工程に使用した。
【００３８】
次に、真空蒸着法により、下部電極３０上に第一有機ＥＬ層３１を形成した。具体的には、まず下部電極３０上に、下記に示される化合物１を成膜し、第一ホール輸送層を形成した。このとき第一ホール輸送層の膜厚を１２５ｎｍとし、真空度を１×１０-4Ｐａとし、蒸着レートを０．３ｎｍ／ｓｅｃとした。
【００３９】
【化１】
2010177093.tif 000003
【００４０】
次に、第一ホール輸送層上に、ホストである下記に示される化合物２とゲストである下記に示される化合物３とを、重量比にして８０：２０となるように共蒸着して第一発光層を形成した。このとき第一発光層の膜厚を３５ｎｍとし、蒸着時の真空度を１×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件とした。尚、第一発光層は青色を発する発光層である。
【００４１】
【化２】
2010177093.tif 000004
【００４２】
次に、第一発光層上に、バソフェナントロリンを成膜し第一電子輸送層を形成した。このとき第一電子輸送層の膜厚を１０ｎｍとし、蒸着時の真空度を１×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件とした。
【００４３】
次に、第一電子輸送層上に、バソフェナントロリンとＣｓ2ＣＯ3とを、重量比にして９０：１０となるように共蒸着して第一電子注入層を形成した。このとき第一電子注入層の膜厚を７０ｎｍとし、蒸着時の真空度を３×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件とした。
【００４４】
次に、第一電子注入層まで形成した基板を、真空を破らないようにスパッタ装置へ移動した。次に、シャドーマスクを用いたスパッタ法により、第一電子注入層上に、ＩＴＯを所望のパターンで成膜し、第一中間電極層４０を形成した。このとき第一中間電極層４０の膜厚を９０ｎｍとした。
【００４５】
次に、第一中間電極層４０まで形成した基板を、真空を破らないように蒸着装置へ移動した。次に、真空蒸着法により、第一中間電極層４０上に第二有機ＥＬ層４１を形成した。具体的には、まず第一中間電極層４０上に、ＧａＰｃを成膜し第二ホール注入層を形成した。このとき第二ホール注入層の膜厚を２ｎｍとし、真空度を１×１０-4Ｐａとし、蒸着レートを０．１ｎｍ／ｓｅｃとした。
【００４６】
次に、第二ホール注入層上に、化合物１を成膜し、第二ホール輸送層を形成した。このとき第二ホール輸送層の膜厚を２９０ｎｍとし、真空度を１×１０-4Ｐａとし、蒸着レートを０．３ｎｍ／ｓｅｃとした。
【００４７】
次に、第二ホール輸送層上に、ホストであるＡｌｑ3とゲストであるクマリン６とを、重量比にして９９：１となるように共蒸着して第二発光層を形成した。このとき第二発光層の膜厚を４０ｎｍとし、蒸着時の真空度を１×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件とした。尚、第二発光層は緑色を発する発光層である。
【００４８】
次に、第二発光層上に、バソフェナントロリンを成膜し第二電子輸送層を形成した。このとき第二電子輸送層の膜厚を１０ｎｍとし、蒸着時の真空度を１×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件とした。
【００４９】
次に、第二電子輸送層上に、バソフェナントロリンとＣｓ2ＣＯ3とを、重量比にして９０：１０となるように共蒸着して第二電子注入層を形成した。このとき第二電子注入層の膜厚を７０ｎｍとし、蒸着時の真空度を３×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件とした。尚、第二電子注入層を形成する際に、シャドーマスクを使用して、所望のパターンで第二電子注入層を形成した。
【００５０】
次に、第二電子注入層まで形成した基板を、真空を破らないようにスパッタ装置に移動した。次に、シャドーマスクを用いたスパッタ法により、第二電子注入層上に、ＩＴＯを所望のパターンで成膜し、第二中間電極層５０を形成した。このとき第二中間電極層５０の膜厚を９０ｎｍとした。
【００５１】
次に、第二中間電極層５０まで形成した基板を、真空を破らないように蒸着装置へ移動した。次に、真空蒸着法により、第二中間電極層５０上に第三有機ＥＬ層５１を形成した。具体的には、まず第二中間電極層５０上に、ＧａＰｃを成膜し第三ホール注入層を形成した。このとき第三ホール注入層の膜厚を２ｎｍとし、真空度を１×１０-4Ｐａとし、蒸着レートを０．１ｎｍ／ｓｅｃとした。
【００５２】
次に、第三ホール注入層上に、化合物１を成膜し、第三ホール輸送層を形成した。このとき第三ホール輸送層の膜厚を２６０ｎｍとし、真空度を１×１０-4Ｐａとし、蒸着レートを０．３ｎｍ／ｓｅｃとした。
【００５３】
次に、第二ホール輸送層上に、ホストであるＡｌｑ3とゲストであるＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）とを、共蒸着して第三発光層を形成した。このときホストとゲストとの混合比を重量比にして９９：１となるように設定し、第三発光層の膜厚を３０ｎｍとし、蒸着時の真空度を１×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件とした。尚、第三発光層は赤色を発する発光層である。
【００５４】
次に、第三発光層上に、バソフェナントロリンを成膜し第三電子輸送層を形成した。このとき第二電子輸送層の膜厚を１０ｎｍとし、蒸着時の真空度を１×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件とした。
【００５５】
次に、第三電子輸送層上に、バソフェナントロリンとＣｓ2ＣＯ3とを、重量比にして９０：１０となるように共蒸着して第三電子注入層を形成した。このとき第三電子注入層の膜厚を４０ｎｍとし、蒸着時の真空度を３×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件とした。
【００５６】
次に、第三電子注入層まで形成した基板を、真空を破らないようにスパッタ装置に移動した。次に、シャドーマスクを用いたスパッタ法により、第三電子注入層上に、ＩＴＯを所望のパターンで成膜し、上部電極６０を形成した。このとき上部電極６０の膜厚を６０ｎｍとした。
【００５７】
最後に、上部電極６０まで形成されている基板を窒素雰囲気中に移し、吸湿材を貼り付けたガラスキャップを使用して封止した。以上の手順により、Ｂ有機ＥＬ層、Ｇ有機ＥＬ層及びＲ有機ＥＬ層がそれぞれ積層されている３層積層の有機ＥＬ表示装置を得た。
【００５８】
一方、工程ばらつきにより膜厚が変動した場合の色度への影響を調べるために、第一ホール輸送層の膜厚が１１５，１２０，１３０，１３５ｎｍの４種類の発光表示装置を同じ手順により作製した。先に作製した第一ホール輸送層の膜厚が１２５ｎｍの発光表示装置と合わせて５種類の発光表示装置において、第一有機ＥＬ層に一定の電圧を印加したときに発せられる光についてその色度を測定した。結果を図３（ａ）に示す。尚、第二ホール輸送層及び第三ホール輸送層の膜厚は一定としている。
【００５９】
このとき、第一発光層から反射防止層２０までの距離が±５％程度変動した時の色度の変動幅は、約０．０２（青色、ＣＩＥ＿ｙ）だった。
【００６０】
また、工程ばらつきにより膜厚が変動した場合の色度への影響を調べるために、第二ホール輸送層の膜厚が２６０，２７５，３０５，３２０ｎｍの４種類の発光表示装置も同じ手順により作製した。先に作製した第二ホール輸送層の膜厚が２９０ｎｍの発光表示装置と合わせて５種類の発光表示装置において、第二有機ＥＬ層に一定の電圧を印加したときに発せられる光についてその色度を測定した。結果を図３（ｂ）に示す。尚、第一ホール輸送層及び第三ホール輸送層の膜厚は一定としている。
【００６１】
このとき、第二発光層から反射防止層２０までの距離が±５％程度変動した時の色度の変動幅は、約０．０４（緑色、ＣＩＥ＿ｘ）だった。
【００６２】
さらに、工程ばらつきにより膜厚が変動した場合の色度への影響を調べるために、第三ホール輸送層の膜厚が２２０，２４０，２８０，３００ｎｍの４種類の発光表示装置も同じ手順により作製した。先に作製した第三ホール輸送層の膜厚が２６０ｎｍの発光表示装置と合わせて５種類の発光表示装置において、第三有機ＥＬ層に一定の電圧を印加したときに発せられる光についてその色度を測定した。結果を図３（ｃ）に示す。尚、第一ホール輸送層及び第二ホール輸送層の膜厚は一定としている。
【００６３】
このとき、第三発光層から反射防止層２０までの距離が±５％程度変動した時の色度の変動幅は、約０．０３（赤色、ＣＩＥ＿ｘ）だった。
【００６４】
［比較例］
実施例において、反射防止層２０の代わりに、Ａｌを成膜し膜厚１５０ｎｍの反射層２１を形成することを除いては、実施例１と同様の方法で、有機ＥＬ表示装置を作製した。図４は、比較例において作製された有機ＥＬ表示装置の構成を示す断面模式図である。
【００６５】
ここで第一ホール輸送層の膜厚が１１５，１２０，１２５，１３０，１３５ｎｍの５種類の発光表示装置において、第一有機ＥＬ層に一定の電圧を印加したときに発せられる光についてその色度を測定した。結果を図５（ａ）に示す。尚、第二ホール輸送層及び第三ホール輸送層の膜厚は一定である。
【００６６】
このとき、第一発光層から反射防止層２０までの距離が±５％程度変動した時の色度の変動幅は、約０．０９（青色、ＣＩＥ＿ｙ）だった。
【００６７】
また、第二ホール輸送層の膜厚が２６０，２７５，２９０，３０５，３２０ｎｍの５種類の発光表示装置において、第二有機ＥＬ層に一定の電圧を印加したときに発せられる光についてその色度を測定した。結果を図５（ｂ）に示す。尚、第一ホール輸送層及び第三ホール輸送層の膜厚は一定である。
【００６８】
このとき、第二発光層から反射防止層２０までの距離が±５％程度変動した時の色度の変動幅は、約０．１１（緑色、ＣＩＥ＿ｘ）だった。
【００６９】
さらに、第三ホール輸送層の膜厚が２２０，２４０，２６０，２８０，３００ｎｍの５種類の発光表示装置において、第三有機ＥＬ層に一定の電圧を印加したときに発せられる光についてその色度を測定した。結果を図５（ｃ）に示す。尚、第一ホール輸送層及び第二ホール輸送層の膜厚は一定である。
【００７０】
このとき、第三発光層から反射防止層２０までの距離が±５％程度変動した時の色度の変動幅は、約０．０４（赤色、ＣＩＥ＿ｘ）だった。
【００７１】
実施例の有機ＥＬ表示装置と比較例の有機ＥＬ表示装置とを比較すると、何れの発光層においても実施例の有機ＥＬ表示装置の方が色度の変動幅が小さかった。この結果より、反射防止層を設けることで光学干渉が抑制され、膜厚変動の影響を軽減する効果を確認することができた。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置における一実施形態を示す断面模式図である。
【図２】実施例で作製した有機ＥＬ表示装置の構成を示す断面模式図である。
【図３】実施例で得られた有機ＥＬ表示装置について色度測定を行った結果を示す図であり、（ａ）は、青色発光の色度を示す図であり、（ｂ）は、緑色発光の色度を示す図であり、（ｃ）は、赤色発光の色度を示す図である。
【図４】比較例で作製した有機ＥＬ表示装置の構成を示す断面模式図である。
【図５】比較例で得られた有機ＥＬ表示装置について色度測定を行った結果を示す図であり、（ａ）は、青色発光の色度を示す図であり、（ｂ）は、緑色発光の色度を示す図であり、（ｃ）は、赤色発光の色度を示す図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  基板
１１  支持体
１２  ＴＦＴ回路
１３  平坦化膜
１４  コンタクトホール
２０  反射防止層
２１  反射層
３０  下部電極
３１  第一有機ＥＬ層
４０  第一中間電極層
４１  第二有機ＥＬ層
５０  第二中間電極層
５０  第三有機ＥＬ層
６０  上部電極
７０  取り出し光
７１  （下部電極側へ進む）光束
【図１】
2010177093.tif 000005
【図２】
2010177093.tif 000006
【図３】
2010177093.tif 000007
【図４】
2010177093.tif 000008
【図５】
2010177093.tif 000009