(57)【要約】【課題】静電気に起因する画像乱れを抑制した液晶装置を提供する。【解決手段】一方の面に画素電極９と共通電極１９とを備える第１基板１０と、第１基板１０に対向配置された第２基板２０と、第１基板１０と第２基板２０との間に挟持された液晶層５０と、を備える横電界方式の液晶装置１であって、第１基板１０の液晶層５０側の面には駆動回路と該駆動回路に電気的に接続された配線とが形成されており、第２基板２０の液晶層５０側の面には、静電遮蔽層４０と樹脂材料からなる絶縁層２４とがこの記載の順に形成されており、配線と静電遮蔽層４０とは、シール材５２の外周側において絶縁層２４が除去されてなる露出部４２に形成された導通材４３を介して電気的に接続されており、静電遮蔽層４０の電位が前記駆動回路によって所定電位に制御されていることを特徴とする液晶装置。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に画素電極と共通電極とを備える第１基板と、前記第１基板の前記一方の面に所定の間隔をおいて対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記液晶層を囲むように配置された環状のシール材と、を備え、前記画素電極と前記共通電極との間に発生する電界によって前記液晶層を駆動する横電界方式の液晶装置であって、
前記第１基板の前記液晶層側の面には駆動回路と該駆動回路に電気的に接続された配線とが形成されており、
前記第２基板の前記液晶層側の面には、静電遮蔽層と樹脂材料からなる絶縁層とがこの記載の順に形成されており、
前記配線と前記静電遮蔽層とは、前記シール材の外周側において前記絶縁層が除去されてなる露出部に形成された導通材を介して電気的に接続されており、前記静電遮蔽層の電位が前記駆動回路によって所定電位に制御されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記絶縁層は、平面視で前記画素電極と重なるように形成された着色層と該着色層が形成されない領域に形成された遮光層とからなるカラーフィルター層と、該カラーフィルター層の前記液晶層側に形成されたオーバーコート層と、の積層体であることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記絶縁層は、平面視で前記画素電極と重なるように形成された着色層と、該着色層の前記液晶層側に形成されたオーバーコート層と、の積層体であることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記第２基板の前記液晶層側の面には、平面視で前記画素電極と重なるように形成された着色層と該着色層が形成されない領域に形成された遮光層とからなるカラーフィルター層が形成されており、
前記絶縁層は、該カラーフィルター層の前記液晶層側に形成されたオーバーコート層であることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、前記導通材と前記配線とは、該配線の前記液晶層側に形成された導電膜を介して接続されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置の視野角を広げる手段として、基板に対して面内方向（横方向）の電界を発生させ、この横方向の電界で液晶分子を基板に並行な面内で回転させることで透過光を制御する、いわゆる横電界方式のＩＰＳ（In-Plane Switching）方式が実用化されている。更に、このＩＰＳ方式を改良したＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式が提案されている。
【０００３】
このような横電界方式の液晶装置は、ＴＦＴ等の駆動素子が形成された素子基板に共通電極、画素電極といった電極、または配線といった導電性の部材を配置し、表示面側である対向基板には導電部材を設けない構成を有する。そのため、静電気などに代表される対向基板側の外部からの外部電界の影響を受けやすく、液晶表示に乱れが生じやすいという問題がある。これを解決するために、対向基板側に透明導電膜を形成し、透明導電膜で静電気を捕捉することで表示乱れを防ぐ方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１には、対向基板が備えるガラス基板の外側（液晶層とは反対側）に透明導電膜を備える構成と、ガラス基板の内側（液晶層側）に透明導電膜を備える構成と、が挙げられている。これらを比較すると、内側に透明導電膜を備える対向基板は、同じく内側に設けられる配向膜などの部材と積層して形成することで、ガラス基板の上下反転操作等が不要となるため製造が容易であるという利点を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−５１２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記特許文献１では、上側ガラス基板（対向基板）の内側に設けられた導電膜と、ガラス基板（素子基板）に設けられた共通電極と、をシール部で貼り合わせることで両基板を貼り合わせ、更にシール部の周辺に銀ペーストを配置して上下導通させる構成が示されている。しかしながら、金属材料や金属酸化物と、シール部の形成材料である硬化性樹脂とは密着性が悪いために、接着面での剥離による破損を起こしやすく、信頼性が低下しやすい。一方で、導電膜の表面をシール部との密着性が良い材料で覆ってしまうと、導電膜と共通電極とを上下導通させることができない。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、破損しにくく、外部からの静電気に起因する画像乱れを抑制した液晶装置を提供することを目的とする。また、このような液晶装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例にかかる液晶装置は、一方の面に画素電極と共通電極とを備える第１基板と、上記第１基板の上記一方の面に所定の間隔をおいて対向するように配置された第２基板と、上記第１基板と上記第２基板との間に挟持された液晶層と、上記液晶層を囲むように配置された環状のシール材と、を備え、上記画素電極と上記共通電極との間に発生する電界によって上記液晶層を駆動する横電界方式の液晶装置であって、上記第１基板の上記液晶層側の面には駆動回路と該駆動回路に電気的に接続された配線とが形成されており、上記第２基板の上記液晶層側の面には、静電遮蔽層と樹脂材料からなる絶縁層とがこの記載の順に形成されており、上記配線と上記静電遮蔽層とは、上記シール材の外周側において上記絶縁層が除去されてなる露出部に形成された導通材を介して電気的に接続されており、上記静電遮蔽層の電位が上記駆動回路によって所定電位に制御されていることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、シール材が同じく樹脂材料である絶縁層に良好に密着して、接着面での剥離を防止すると共に、静電遮蔽層と配線とを導通させ、静電遮蔽層で捕捉する外部環境の静電気を第１基板（素子基板）側に放出することができる。そのため、破損しにくく、静電気による画像乱れを抑制した液晶装置とすることができる。
なお、上記露出部は上記絶縁層を局所的に除去して形成されている。また、「液晶層を駆動する」とは該液晶層中に含有される液晶分子の配向方向を変化させることである。
【００１１】
［適用例２］上述の液晶装置であって、上記絶縁層は、平面視で上記画素電極と重なるように形成された着色層と該着色層が形成されない領域に形成された遮光層とからなるカラーフィルター層と、該カラーフィルター層の上記液晶層側に形成されたオーバーコート層と、の積層体であることを特徴とする液晶装置。
【００１２】
この構成であれば、上記静電遮蔽層と上記液晶層との間隔をより大きくできる。したがって、静電気に起因する表示乱れをより一層低減できる。
【００１３】
［適用例３］上述の液晶装置であって、上記絶縁層は、平面視で上記画素電極と重なるように形成された着色層と、該着色層の上記液晶層側に形成されたオーバーコート層と、の積層体であることを特徴とする液晶装置。
【００１４】
この構成であれば、上記遮光層の形成時にアライメントマークも形成し、該アライメントマークを用いて上記静電遮蔽層をマスク成膜できる。したがって、製造コストの増加を抑制しつつ上記静電遮蔽層のパターニングが可能になり、信頼性を向上できる。
【００１５】
［適用例４］上述の液晶装置であって、上記第２基板の上記液晶層側の面には、平面視で上記画素電極と重なるように形成された着色層と該着色層が形成されない領域に形成された遮光層とからなるカラーフィルター層が形成されており、上記絶縁層は、該カラーフィルター層の上記液晶層側に形成されたオーバーコート層であることを特徴とする液晶装置。
【００１６】
この構成であれば、上記静電遮蔽層の機能、すなわち静電気の遮蔽機能に上記着色層の層厚が影響することを抑制できる。したがって、設計が容易な液晶装置を得ることができる。
【００１７】
［適用例５］上述の液晶装置であって、上記導通材と上記配線とは、該配線の上記液晶層側に形成された導電膜を介して接続されていることを特徴とする液晶装置。
【００１８】
この構成によれば、導電膜によりカラーフィルター層が含む夾雑物の溶出を防ぐことができ、液晶層の表示乱れを防ぐことができる。
【００１９】
［適用例６］上述の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【００２０】
この構成によれば、外部環境からの静電気による表示乱れが無い液晶装置を備え、高品質な画像表示が可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１の実施形態の液晶装置の等価回路図。
【図２】第１の実施形態の液晶装置を対向基板側から見た平面図。
【図３】図２の一部を拡大した図。
【図４】図３の一部を拡大した図。
【図５】第１の実施形態の液晶装置のシール材及び導通材周辺の概略断面図。
【図６】第２の実施形態の液晶装置の概略断面図。
【図７】第３の実施形態の液晶装置の概略断面図。
【図８】本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図。
【図９】変形例にかかる液晶装置における露出部の形成位置を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
（第１の実施形態）
以下、図１〜図５を参照しながら、本発明の第１の実施形態に係る液晶装置１について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００２３】
本実施形態の液晶装置は、光の進行方向と直交する横電界によって液晶分子の方位角を制御して画像表示を行うものである。このような方式としては、ＦＦＳ方式や、ＩＰＳ方式等が知られている。以下、ＦＦＳ方式の駆動方式を採用した液晶装置のうちフルカラー表示が可能なものに基づいて説明するが、本発明はＩＰＳ方式の液晶装置にも適用可能である。
【００２４】
図１は、本実施形態の液晶装置１の等価回路図である。液晶装置１の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、画素電極９と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ（薄膜トランジスター）３０とが形成されている。画素電極９と共通電極１９との間には液晶層５０が介在している。共通電極１９は走査線駆動回路２０４から延びる共通線３ｂと電気的に接続されており、複数のサブ画素において共通の電位に保持されるようになっている。
【００２５】
データ線駆動回路２０１から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースと電気的に接続されている。データ線駆動回路２０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎを、データ線６ａを介して各サブ画素に供給する。前記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００２６】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路２０４から延びる走査線３ａが電気的に接続されている。走査線駆動回路２０４から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。
【００２７】
画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。画素電極９を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、画素電極９と液晶層５０を介して対向する共通電極１９との間で一定期間保持される。
【００２８】
図２〜図４は、本実施形態の液晶装置１について、第２基板としての対向基板２０側から見た平面図であり、図３は図２の一部を拡大した図、図４は図３の一部を拡大した図である。
【００２９】
図２に示すように、本実施形態の液晶装置１は、第１基板としての素子基板１０と第２基板としての対向基板２０と、が平面的に重なる部分の周縁部においてシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域（表示領域Ａ）内に液晶分子が封入、保持されている。シール材５２には、製造時において素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた後に液晶分子を注入するための液晶注入口５５が形成されており、液晶注入口５５は液晶注入後に封止材５４により封止されている。素子基板１０の内面側であって表示領域Ａと平面的に重なる領域には、図示略の画素電極および共通電極が形成されており、素子基板１０の内面側であってシール材５２と平面的に重なる領域には、引き回し配線１８が設けられている。
【００３０】
素子基板１０の一端側の、素子基板１０と対向基板２０との重なり部分から張り出した部分（基板張出部１０ａ）には、液晶装置１を駆動する駆動信号を処理し適宜供給するための駆動用ＩＣ２０７が実装されており、端部には入力用端子２０２が設けられている。入力用端子２０２には、例えば異方性導電膜２０３を介して、配線が形成されたＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板等が実装されており、外部電源や種々の外部機器と接続している。
【００３１】
また、対向基板２０の内面側には、後述の静電遮蔽層４０が設けられており、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所に配設された導通材４３を介して、素子基板１０の引き回し配線１８と電気的に導通している。本実施形態の液晶装置１では、素子基板１０の他端側（駆動用ＩＣ２０７側の辺と対向する側）の辺の両端部に２箇所、導通材４３が設けられている。液晶装置１においては、その他必要応じて位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００３２】
図３は、図２において二点鎖線で囲んだ領域ＡＲ１の拡大図である。ここでは、素子基板１０側の構成、および対向基板２０側のコーナー部に形成された静電遮蔽層４０の露出部４２を示している。
【００３３】
図に示すように、表示領域Ａには、平面視略矩形の複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に縦横に配置している。また、シール材５２の内側であって表示領域Ａの周辺は、非表示領域Ｍとなっている。非表示領域Ｍには、引き回し配線１８から浸入する静電気を放電し、表示領域Ａに配置されたサブ画素Ｐを保護するための静電保護領域ＳＡと、静電保護領域ＳＡで放電仕切れなかった静電気によるサブ画素Ｐの破壊を自ら破壊されることで代行するダミー画素（静電保護部材）ＤＰが配置されたダミー領域ＤＡが設けられている。素子基板１０における表示領域Ａの周囲には、シール材５２と重なって、共通電極１９に共通電位を供給する引き回し配線１８が形成されている。
【００３４】
対向基板２０が備える静電遮蔽層４０は、該基板の角部（コーナー部）においてシール材５２の外側に突出している。かかる突出部が接続部４０ａである。また、対向基板２０の角部（コーナー部）においては後述する遮光層２２ｂ等（図５参照）が除去されており、露出部４２となっている。したがって、該露出部において接続部４０ａの表面は露出している。
【００３５】
図に示ように、引き回し配線１８は平面視で上述の露出部４２の一部まで、すなわちシール材５２の外側まで形成されている。したがって、引き回し配線１８と露出した接続部４０ａの表面とは、露出部４２の一部領域において平面視で重なっている。該静電遮蔽層は、かかる領域において導通材４３を介して引き回し配線１８と導通している。したがって、静電遮蔽層４０の電位は、共通電位と同電位に保たれている。
【００３６】
図４は、図３において二点鎖線で囲んだ領域ＡＲ２の拡大図である。図に示すように、非表示領域Ｍ（図３参照）には、サブ画素Ｐの周辺に配置された複数のダミー画素ＤＰを有するダミー領域ＤＡと、ダミー領域ＤＡとシール材５２との間の領域に配置されたショートリング（静電保護部材）２１１や抵抗素子（静電保護部材）２１２を有する静電保護領域ＳＡと、が設けられている。静電保護領域ＳＡのショートリング２１１および抵抗素子２１２は、主に製造工程中に発生する静電気からサブ画素Ｐごとに配置されたＴＦＴ３０（図１参照）を保護するために設けられる。
【００３７】
製造工程中に発生する静電気は、表示領域Ａの周辺からサブ画素Ｐに侵入する。そのため、発生する静電気を静電保護領域ＳＡの機能にて放電すると共に、放電仕切れなかった静電気をダミー領域ＤＡに配置されたダミー画素ＤＰが破壊されることで、サブ画素Ｐが破壊されることを防いでいる。
【００３８】
抵抗素子２１２は、サブ画素Ｐおよびダミー画素ＤＰが配列する行列に対応して、各行列の端部に設けられている。本図では、サブ画素Ｐおよびダミー画素ＤＰの行に対して１行おき（上端の行から数えて偶数行）に設けられ、各々の行の走査線３ａと接続している。また、図示は省略するが、図に示す右辺と対向する側の左辺には、残る行（奇数行）に対応する抵抗素子２１２が設けられている。また、サブ画素Ｐおよびダミー画素ＤＰの列の上端部にも、列毎に抵抗素子２１２が設けられている。
【００３９】
また、共通電極１９は、サブ画素Ｐおよびダミー画素ＤＰを覆って形成されており、抵抗素子２１２が設けられた側の端部には、ショートリング２１１と接続するための張出部２１３が設けられている。張出部２１３は、抵抗素子２１２と重ならない位置に設けられており、張出部２１３を介して共通電極１９とショートリング２１１とが接続している。
【００４０】
また、共通電極１９の上端の角部分に設けられた張出部２１３には、引き回し配線１８と接続するために平面視略矩形の接続部１９ａが設けられており、共通電極１９と引き回し配線１８とは複数のコンタクトホール２１４を介して互いに接続している。また、接続部１９ａは、複数のコンタクトホール２１５を介して、ショートリング２１１とも接続している。これら静電保護領域ＳＡに設けられた部材により、サブ画素Ｐに設けられたＴＦＴの静電破壊を防止している。
【００４１】
また、静電遮蔽層４０は、これらダミー領域ＤＡや静電保護領域ＳＡの各構成と平面的に重なって設けられている。静電遮蔽層４０は、後述するように外部からの静電気を捕捉する機能を有しており、静電気によりダミー領域ＤＡや静電保護領域ＳＡの各構成が破壊されることを防いでいる。そのため、ダミー領域ＤＡや静電保護領域ＳＡでは、サブ画素Ｐが破壊されることを良好に防ぐことができる。また、静電遮蔽層４０とダミー領域ＤＡや静電保護領域ＳＡの各構成とは電気的に接続されているため、互いに協働して静電気を拡散させることができる。
【００４２】
図５は、本実施形態の液晶装置１のシール材５２及び導通材４３周辺の概略断面図である。ここでは、図を見やすくするために、非表示領域における構成を省略して図示している。
【００４３】
図に示すように、液晶装置１は、素子基板１０と、素子基板１０と対向配置された対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層５０と、を備えて構成されている。また、液晶装置１には、素子基板１０と対向基板２０とが対向する領域の縁端に沿ってシール材５２が設けられ、液晶層５０を構成する液晶分子が封止されている。この液晶装置１は、素子基板１０側から照明光が照射され、表示される画像を対向基板２０側から観察する構成となっている。
【００４４】
素子基板１０は、透光性を有する素子基板本体１１を備えている。素子基板本体１１を形成する材料には、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子化合物（樹脂）を用いることができる。また、透光性を備えるならば、これらの材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもできる。
【００４５】
素子基板本体１１の液晶層５０側の面上には、アルミや銅等の導電性材料からなる走査線３ａと不図示のデータ線が形成されている。また、シール材５２と平面的に重なる領域には、同様の導電性材料からなる引き回し配線１８が形成されている。これらは同じ材料を用いることとしてもよく、また異なる材料を用いて形成しても良い。これらは、例えば導電性材料の薄膜を成膜した後に、パターニングされることにより得られる。本実施形態では形成材料としてアルミニウムを用いる。
【００４６】
また素子基板本体１１上には、走査線３ａ、データ線、引き回し配線１８を覆うようにゲート絶縁膜１２が形成されている。ゲート絶縁膜１２は、窒化シリコンや酸化シリコンなどのような絶縁性を有する透光性材料で構成されている。
【００４７】
ゲート絶縁膜１２上には、半導体層３２、半導体層３２の一端に接続されているソース電極３３、半導体層３２の他端に接続されているドレイン電極３４が形成されており、これら半導体層３２、ソース電極３３、ドレイン電極３４および走査線３ａによってボトムゲート型のＴＦＴ３０を構成している。また、ＴＦＴ３０を覆うように層間絶縁膜１３が形成されている。層間絶縁膜１３は、ゲート絶縁膜１２と同様に、窒化シリコンや酸化シリコンなどの絶縁性を有する透光性材料で構成されている。
【００４８】
層間絶縁膜１３上には、画素電極９が形成されており、コンタクトホール１６を介してＴＦＴ３０のドレイン電極３４と電気的に接続している。画素電極９は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物）や錫酸化物（ＳｎＯ2）等の透光性を備えた導電性材料にて形成されている。本実施形態ではＩＴＯを用いている。
【００４９】
また、層間絶縁膜１３上には、画素電極９を覆って電極間絶縁膜１４が形成されている。電極間絶縁膜１４は、ゲート絶縁膜１２や層間絶縁膜１３と同様に、窒化シリコンや酸化シリコンなどの絶縁性を有する透光性材料で構成されており、層間絶縁膜１３上に形成された画素電極９を被覆している。
【００５０】
電極間絶縁膜１４上には、梯子状の共通電極１９が形成されている。画素電極９と共通電極１９とは、電極間絶縁膜１４を介して配置されており、ＦＦＳ方式の電極構造を構成している。また共通電極１９は、ゲート絶縁膜１２、層間絶縁膜１３、電極間絶縁膜１４を連通するコンタクトホール１７を介して引き回し配線１８と接続されている。共通電極１９は、ＩＴＯ等の透光性の導電性材料にて形成されており、本実施形態では共通電極１９の材料にＩＴＯを用いている。
【００５１】
また、電極間絶縁膜１４上には、共通電極１９を覆って第１配向膜１５が形成されている。第１配向膜１５は、例えばポリイミドなどの有機材料やシリコン酸化物などの無機材料で構成されている。本実施形態の第１配向膜１５は、ポリイミドの形成材料を塗布してこれを乾燥・硬化させた後、その上面にラビング処理を施すことによって得られる。
【００５２】
一方、対向基板２０は透光性を備えた対向基板本体２１を備えている。対向基板本体２１を形成する材料には素子基板本体１１と同様の材料を用いることができる。
【００５３】
対向基板本体２１の液晶層５０側の面上には、図３で示す表示領域Ａとダミー領域ＤＡと静電保護領域ＳＡとの全面を覆って、静電遮蔽層４０が形成されている。静電遮蔽層４０は、外部からの静電気を捕捉し、捉えた静電気を後述の導通材４３を介して逃がすことで、対向基板２０と素子基板１０との間に不測の縦電界を生じることを抑制するために設けられている。静電遮蔽層４０は、ＩＴＯやＳｎＯ2等の透光性を有する導電材料を用いて形成されており、本実施形態ではＩＴＯを形成材料としている。
【００５４】
静電遮蔽層４０の液晶層５０側の面上には、着色層２２ａおよび遮光層２２ｂとからなるカラーフィルター層２２が形成されている。カラーフィルター層２２は、例えば、黒色顔料を混合したアクリル樹脂や低反射クロムなどを用い、通常知られた方法を用いて格子状にパターニングした遮光層２２ｂを形成し、パターニングにより設けられた開口部２２ｃに液滴吐出法などの湿式塗布法を用いて着色層２２ａの形成材料を配置して形成する。本実施形態の液晶装置１では、遮光層２２ｂの形成材料に黒色顔料を混合したアクリル樹脂を用いた。
【００５５】
本実施形態では各層の膜厚を、着色層２２ａは２μｍ、遮光層２２ｂは１．５μｍとした。カラーフィルター層２２で、素子基板１０側から入射して対向基板２０側に出射する光を赤色、緑色、青色に変調し、各色の光を混色することでフルカラー表示が可能となる。
【００５６】
カラーフィルター層２２上には、絶縁材料からなるオーバーコート層２４が形成されている。オーバーコート層（オーバーコート層）２４は、カラーフィルター層２２を物理的または化学的に保護する機能を備える。また、形成された着色層２２ａや遮光層２２ｂから、各々の形成材料に含まれる硬化剤の反応残渣などの低分子量物質やイオン性の不純物が液晶層５０へ溶出し、表示乱れを起こすことを防ぐ。オーバーコート層２４は、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透光性を備えた硬化性樹脂を用いて形成する。本実施形態ではアクリル樹脂を用い、膜厚２μｍに形成している。
【００５７】
オーバーコート層２４の液晶層５０側の面上には液晶層５０と平面的に重なる領域に、第１配向膜１５と同様の材料を用いて第２配向膜２５が形成されている。本実施形態の第２配向膜２５は、ポリイミドの形成材料を塗布してこれを乾燥・硬化させた後、その上面に一定方向にラビング処理を施すことによって得られる。ラビングによる第２配向膜２５の配向方向は、第１配向膜１５の配向方向と同方向となるように設定されている。
【００５８】
また、液晶層５０と重なる領域のオーバーコート層２４の液晶層５０側の面上には、遮光層２２ｂと重なる領域の少なくとも一部にスペーサー５６が形成されている。スペーサー５６は、素子基板１０と対向基板２０との離間距離を一定以下にならないように保持するためのものである。例えば、対向基板２０側から応力が加わった場合に、液晶層５０の厚さがスペーサー５６の高さ未満とならないため、表示乱れを防ぐことができる。
【００５９】
素子基板１０に設けられた引き回し配線１８と、対向基板２０に設けられた静電遮蔽層４０とは、液晶層５０の周囲を囲むシール材５２の外側（液晶層５０側とは反対側）の領域において、導通材４３を介して導通している。導通材４３は、導電性を有する微粒子を混合した硬化性樹脂や、銀ペーストなどを用いることができる。導電性を有する微粒子には、例えばＡｕやＡｇなどの金属微粒子や、金属などの導電性を有する材料で導電性を有さない微粒子の表面をコートしたものなどが挙げられる。
【００６０】
素子基板１０側の導通材４３を配置する領域には、ゲート絶縁膜１２と層間絶縁膜１３と電極間絶縁膜１４との計３層が除去されてなる素子基板コーナー部４１が形成されており、底部には引き回し配線１８が一部露出している。
【００６１】
本実施形態の引き回し配線１８は、形成材料としてアルミニウムを用いているため、素子基板コーナー部４１を形成して露出させると、表面が酸化して酸化膜となり導通を取ることができないおそれがある。また、素子基板コーナー部４１の底部には引き回し配線１８の一部のみが露出するのみであり、導通材４３との導通面積が小さい。そのため、本実施形態の液晶装置１では、引き回し配線１８の表面酸化を防ぎ、また、導通材４３との導通を確実なものとするため、素子基板コーナー部４１の形成により露出した引き回し配線１８の表面の少なくとも一部を覆う導電膜４４を形成している。導電膜４４の形成材料は、ＩＴＯあるいはＳｎＯ2が望ましい。
【００６２】
また、対向基板２０側の導通材４３を配置する領域には、遮光層２２ｂ及びオーバーコート層２４が除去されてなる露出部４２が形成されている。
【００６３】
本実施形態の液晶装置１は、以上のような構成となっている。以上のような構成の液晶装置１では、シール材５２がオーバーコート層２４に良好に密着して剥離を防止すると共に、静電遮蔽層４０と導通材４３とを導通させ、静電遮蔽層４０で捕捉する静電気を素子基板１０側に放出することができる。そのため、破損しにくく、静電気による画像乱れを抑制した液晶装置１とすることができる。
【００６４】
また、露出部４２は、シール材５２で囲まれた領域の外側に形成されており、液晶層５０と重ならない。そのため、露出部４２を介してカラーフィルター層２２に含まれる不純物が液晶層５０へ溶出し、表示乱れを起こすことを防ぐことができる。
【００６５】
なお、本実施形態の液晶装置１においては、静電遮蔽層４０は引き回し配線１８と電気的に接続することとしたがこれに限らない。例えば、共通電極１９をシール材５２の外側にまで延在して形成しておき、静電遮蔽層４０と共通電極１９との間で導通させることとしても良い。また、静電遮蔽層４０に帯電する静電気を放電するための導通部材を別途設けることとしても構わない。
【００６６】
また、本実施形態においては、静電遮蔽層４０を共通電極１９と接続し、共通電位に制御することとしたが、これに限らない。例えば、ＧＮＤ電位に保たれた配線を別途形成し、当該配線と静電遮蔽層４０とを接続することで、静電遮蔽層４０をＧＮＤ電位に保つこととしても良い。
【００６７】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る液晶装置２について説明する。図６は本発明の第２の実施形態に係る液晶装置２の概略断面図であり、上述の第１の実施形態における図５に相当する図である。したがって、非表示領域における構成を省略して図示している。
【００６８】
本実施形態にかかる液晶装置２は第１の実施形態の液晶装置１と類似した構成を有しており、対向基板２０における遮光層２２ｂ、着色層２２ａ、及び静電遮蔽層４０の配置の態様が異なるのみである。そこで、本実施形態の説明においては、上述の図１〜図４に相当する図は省略する。また、同様の理由から、ＴＦＴ３０等の、素子基板本体１１上に形成される各要素の図示も省略して、素子基板１０のみを図示している。
【００６９】
図に示すように、液晶装置２が有する静電遮蔽層４０は、対向基板本体２１および遮光層２２ｂの表面を覆って形成され、着色層２２ａは、静電遮蔽層４０の液晶層５０側に形成されている。対向基板２０側には、オーバーコート層２４が除去されてなる露出部４２が形成されており、該露出部で静電遮蔽層４０と導通材４３とが電気的に接続されている。上述の液晶装置１とは異なり、露出部４２内において静電遮蔽層４０と対向基板本体２１との間には遮光層２２ｂが形成されている。したがって、静電遮蔽層４０の表面は、下地となる遮光層２２ｂの形状を反映した凹凸形状を備えている。以上のような構成の液晶装置２であっても同様に、破損しにくく、静電気による画像乱れを抑制した液晶装置とすることができる。
【００７０】
このような露出部４２を備える場合、次の様な効果が期待できる。導通材４３が備える導電性を有する微粒子（導電性微粒子）が、素子基板１０の引き回し配線１８（図５参照）または導電膜４４（図５参照）と露出部４２の底部との離間距離相当の直径を備えている場合、導電性微粒子の直径は、通常シール材５２が備える略球形のスペーサーの直径よりも、露出部４２の深さ分だけ大きいものとなる。このような場合において、露出部４２が、オーバーコート層２４の膜厚に加え他の構成（遮光層２２ｂ等）の膜厚も含めた深さを有していると、導電性微粒子とスペーサーとの直径差が拡大するため、上記のような導通材４３の配置ずれを起こした場合のギャップのずれが拡大する。しかし、本実施形態の構成によれば、オーバーコート層２４の膜厚相当のずれしか生じないために、ギャップ管理が行い易い液晶装置とすることができる。
【００７１】
また、底部に静電遮蔽層４０を露出する露出部４２の深さはオーバーコート層２４の膜厚相当の深さとなっている。そのため、遮光層２２ｂに対して加工を施す必要が無く、加工が容易である。
【００７２】
さらに、本実施形態の液晶装置２は、静電遮蔽層４０をマスク成膜できるという効果がある。図６に示すように、対向基板本体２１と静電遮蔽層４０の間には遮光層２２ｂが形成されている。上述したように、遮光層２２ｂは対向基板本体２１前面に形成されたアクリル樹脂層あるいは低反射クロム層等をパターニングして形成されている。かかるパターニングの際に開口部２２ｃ（図５参照）とともにアライメントマーク（不図示）を形成することで、該遮光層上に静電遮蔽層４０を形成する際に対向基板本体２１にマスクを被せて局所的に成膜するマスク成膜を行うことができる。したがって、図示するように、平面視で静電遮蔽層４０の端面が対向基板本体２１の外周線の内側となるように形成できる。
【００７３】
上記端面が該外周線と一致していると、すなわち面一になっていると静電遮蔽層４０が電蝕される恐れ、あるいは静電気が進入しやすくなる恐れがある。しかし、本実施形態の液晶装置２は、静電遮蔽層４０の端面が対向基板本体２１の外周線の内側に位置するように形成されているため、上記の電蝕あるいは静電気の進入を低減されている。したがって、本実施形態の構成によれば、信頼性の向上した液晶装置とすることができる。
【００７４】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係る液晶装置３について説明する。図７は本発明の第３の実施形態に係る液晶装置３の概略断面図であり、上述の第２の実施形態における図６に相当する図である。本実施形態にかかる液晶装置３は第２の実施形態の液晶装置２と類似した構成を有しており、対向基板２０における遮光層２２ｂ、着色層２２ａ、及び静電遮蔽層４０の配置の態様が異なるのみである。そこで、本実施形態の説明においても、上述の図１〜図４に相当する図は省略し、ＴＦＴ３０等の、素子基板本体１１上に形成される各要素の図示も省略している。
【００７５】
図に示すように、カラーフィルター層２２は、着色層２２ａが、遮光層２２ｂよりも厚く形成されており、周縁の一部が隣接する遮光層２２ｂと重なって形成されている。隣り合う着色層２２ａの間には遮光層２２ｂが一部露出している。静電遮蔽層４０は、このようなカラーフィルター層２２の表面を覆って形成されている。すなわち、液晶装置３が有する静電遮蔽層４０は、遮光層２２ｂ及び着色層２２ａの液晶層５０側に形成されており、静電遮蔽層４０と液晶層５０の間にはオーバーコート層２４と第２配向膜２５のみが配置されている。
【００７６】
対向基板２０側には、液晶装置２と同様に、オーバーコート層２４が除去されて露出部４２が形成されており、該露出部において静電遮蔽層４０と導通材４３とが電気的に接続されている。
【００７７】
本実施形態の液晶装置３は、第２の実施形態の液晶装置２が有する特徴（効果）をほぼ全て有している。すなわち液晶装置３は、破損しにくく、静電気による画像乱れを抑制されている。そして、ギャップ管理が容易であり、露出部４２の加工も容易であり、信頼性が向上している。
【００７８】
そして、本実施形態の液晶装置３は、設計が容易であるという特徴も有している。上記したように、静電遮蔽層４０と液晶層５０との間に着色層２２ａが配置されていないため、静電気の遮蔽機能に着色層２２ａの層厚が影響することを抑制できる。したがって、着色層２２ａの膜厚を考慮せずに静電遮蔽層４０の膜厚を設定でき、設計作業が容易となっている。
【００７９】
（変形例）
次に、本発明の変形例について説明する。図９（ａ）および図９（ｂ）は、変形例にかかる液晶装置における露出部４２の形成位置を示す概略平面図である。本変形例にかかる液晶装置は双方とも上述の各実施形態にかかる液晶装置と類似した構成を有している。すなわち、平面視で表示領域Ａを囲むように引き回し配線１８とシール材５２とが形成されており、対向基板２０側に形成された露出部４２において導通材４３を介して静電遮蔽層（不図示）と引き回し配線１８とが接続されている。そして、露出部４２の形成位置が、上述の各実施形態にかかる液晶装置と異なっている。
【００８０】
図９（ａ）に示す液晶装置は、露出部４２が基板（対向基板２０）の角部（隅部）ではなく、対向する一対の辺の各々に２箇所ずつ形成されている。一辺につき３箇所以上形成してもいい。このような構成であれば、角部（隅部）が別の用途に用いられる液晶装置においても引き回し配線１８と静電遮蔽層４０との導通を得ることができる。また、このような構成であれば、導通材４３の断面積をより多く取れる効果もある。
【００８１】
図９（ｂ）に示す液晶装置は、露出部４２が基板張出部１０ａ（図２参照）が形成されている側の辺に形成されている。かかる位置は駆動用ＩＣ２０７（図２参照）が実装される位置であるため、表示領域Ａと基板の外周との間に余裕があり、露出部４２を容易に形成できるという特徴がある。
【００８２】
［電子機器］
次に、本発明の電子機器の実施形態について説明する。図８は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図８に示す携帯電話（電子機器）１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。これにより、本発明の液晶装置により構成された、静電気による表示乱れを抑制した表示部を具備した携帯電話１３００を提供することができる。
【００８３】
上記各実施形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクター、パーソナルコンピューター、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構成とすることで、静電気による画像乱れが少なく、表示品質が高い表示部を備えた電子機器を提供できる。
【００８４】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【符号の説明】
【００８５】
１…第１の実施形態にかかる液晶装置、２…第２の実施形態にかかる液晶装置、３…第３の実施形態にかかる液晶装置、３ａ…走査線、３ｂ…共通線、６ａ…データ線、９…画素電極、１０ａ…基板張出部、１０…第１基板としての素子基板、１１…素子基板本体、１２…ゲート絶縁膜、１３…層間絶縁膜、１４…電極間絶縁膜、１５…第１配向膜、１６…コンタクトホール、１７…コンタクトホール、１８…引き回し配線、１９…共通電極、１９ａ…接続部、２０…第２基板としての対向基板、２１…対向基板本体、２２…カラーフィルター層、２２ａ…着色層、２２ｂ…遮光層、２４…オーバーコート層、２５…第２配向膜、３０…ＴＦＴ、３２…半導体層、３３…ソース電極、３４…ドレイン電極、４０…静電遮蔽層、４０ａ…接続部、４１…素子基板コーナー部、４２…露出部、４３…導通材、４４…導電膜、５０…液晶層、５２…シール材、５４…封止材、５５…液晶注入口、５６…スペーサー、２０１…データ線駆動回路、２０２…入力用端子、２０３…異方性導電膜、２０４…走査線駆動回路、２０７…駆動用ＩＣ、２１１…ショートリング（静電保護部材）、２１２…抵抗素子（静電保護部材）、２１３…張出部、２１４…コンタクトホール、２１５…コンタクトホール、１３００…電子機器としての携帯電話、１３０１…表示部、１３０２…操作ボタン、１３０３…受話口、１３０４…送話口、Ａ…表示領域。ＤＡ…ダミー領域、ＤＰ…ダミー画素（静電保護部材）、Ｍ…非表示領域、Ｐ…サブ画素、ＳＡ…静電保護領域。
【図１】
2010107943.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2010107943.tif 000008
【図７】
2010107943.tif 000009
【図８】
2010107943.tif 000010
【図９】
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