(57)【要約】      （修正有）【課題】スループットが著しく改善され、また、ナノインプリント加工する際に、基材からの離型がスムーズなナノインプリント用金型を提供する。【解決手段】切削加工により製造されたナノインプリント用金型１００であって、複数の微細な線形状の凸部５を備え、凸部５の高さの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、かつ凸部５の傾斜角度が２０〜５０度であり、かつ隣接する凸部５の頂点間の距離の平均値が２００〜２０００ｎｍである。【選択図】図１
2010082832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切削加工により製造されたナノインプリント用金型であって、複数の微細な線形状の凸部を備え、凸部の高さの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、かつ凸部の傾斜角度が２０〜５０度であり、かつ隣接する凸部の頂点間の距離の平均値が２００〜２０００ｎｍであるナノインプリント用金型。
【請求項２】
切削加工により製造されたナノインプリント用金型であって、複数の微細な角錐形状の凸部を備え、凸部の高さの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、かつ凸部の傾斜角度が２０〜５０度であり、かつ隣接する凸部の頂点間の距離の平均値が２００〜２０００ｎｍであるナノインプリント用金型。
【請求項３】
切削加工により製造されたナノインプリント用金型であって、複数の微細な格子状形状を形成する凹部を備え、凹部の深さの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、かつ凸部の傾斜角度が２０〜５０度であり、かつ隣接する凹部の頂点（底）間の距離の平均値が５００〜１００００ｎｍであるナノインプリント用金型。
【請求項４】
前記請求項１〜３のいずれかに記載のナノインプリント用金型が、単結晶ダイヤモンドバイトを用い、環境温度変動が±０．１℃以内に管理された恒温室内で微細切削加工機を用いて、切削加工により製造されたことを特徴とするナノインプリント用金型。
【請求項５】
前記請求項１〜４のいずれかに記載のナノインプリント用金型を母型として、電鋳により製造したナノインプリントスタンパー。
【請求項６】
前記請求項１〜４記載のナノインプリント用金型または請求項５に記載のナノインプリントスタンパーのいずれかを基材に押圧することによって、基材表面に複数の微細な凸部または凹部のいずれかを形成することを特徴とするナノインプリント品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、切削加工により製造されたナノインプリント用金型とそのナノインプリント用金型を用いて製造するナノインプリント品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ナノインプリント法とは、ナノレベルの微小な凹凸のある金型を、樹脂などの被加工基板に押し付けてモールドの微小な凹凸形状を転写する微細成形加工技術であり、主に、熱転写方式と光硬化方式とに分類される。
【０００３】
ナノインプリント用金型には、たとえば、特許文献１のような電子線描画によりパターン形成したものがある。この方法は、基板の一つの面にスピンまたはスプレー法で凸状のレジスト層を塗布した後、電子線によりパターンをレジスト層に描画し、現像を経て基板上に凹凸形状を得、レジストパターンをシリル化により硬化し、金型を得ることを特徴とする。
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０５５８２０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、電子線描画によりパターン形成する方法は、パターンを一つ一つ電子線により描画していく方法をとるため、描画するパターンが多ければ多大な描画時間がかかり、パターンサイズや集積度が飛躍的に高まるにつれ、スループットが著しく劣ることが懸念される。一部ではビーム描画装置の高速化のために、各種形状のマスクを組み合わせ一括図形照射する開発が進められているが、装置を大型化せざるを得ないほか、マスク位置をより高精度に制御する機構が必要になるなど、装置コストが高くなるという欠点があった。また、電子線描画によりパターン形成する場合、傾斜角度をつけることが難しく、そのためナノインプリントした際に基材からの離型が悪くなる問題もあった。
【０００６】
したがって、本発明は、切削加工によりナノインプリント用金型を製造することにより上記のような問題点を解消し、かつ生産性よくナノインプリント品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は前記目的を達成するため、以下のような特徴を備える。
【０００８】
本発明のナノインプリント用金型は、切削加工により製造されたナノインプリント用金型であって、複数の微細な線形状の凸部を備え、凸部の高さの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、かつ凸部の傾斜角度が２０〜５０度であり、かつ隣接する凸部の頂点間の距離の平均値が２００〜２０００ｎｍである構成をとる。
【０００９】
本発明のナノインプリント用金型は、切削加工により製造されたナノインプリント用金型であって、複数の微細な角錐形状の凸部を備え、凸部の高さの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、かつ凸部の傾斜角度が２０〜５０度であり、かつ隣接する凸部の頂点間の距離の平均値が２００〜２０００ｎｍである構成をとる。
【００１０】
本発明のナノインプリント用金型は、切削加工により製造されたナノインプリント用金型であって、複数の微細な格子状形状を形成する凹部を備え、凹部の深さの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、かつ凸部の傾斜角度が２０〜５０度であり、かつ隣接する凹部の頂点（底）間の距離の平均値が５００〜１００００ｎｍである構成をとる。
【００１１】
また、上記の発明において、単結晶ダイヤモンドバイトを用い、環境温度変動が±０．１℃以内に管理された恒温室内で微細切削加工機を用いて、切削加工により製造されてもよい。
【００１２】
本発明のナノインプリントスタンパーは、上記のいずれかの発明のナノインプリント用金型を母型として、電鋳により製造したものである。
【００１３】
本発明のナノインプリント品の製造方法は、上記のいずれかの発明のナノインプリント用金型または上記の発明のナノインプリントスタンパーのいずれかを基材に押圧することによって、基材表面に複数の微細な凸部または凹部のいずれかを形成する工程をとる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のナノインプリント用金型は、切削加工により製造されたナノインプリント用金型であって、複数の微細な線形状の凸部を備え、凸部の高さの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、かつ凸部の傾斜角度が２０〜５０度であり、かつ隣接する凸部の頂点間の距離の平均値が２００〜２０００ｎｍであることを特徴とする。したがって、切削加工により製造することから、高速かつ電子線描画よりもはるかに安い装置でナノインプリント用金型が製造されているため、スループットが著しく改善される効果がある。また、凸部に２０〜５０度の傾斜角度が設けられたナノインプリント用金型であるから、ナノインプリント加工する際に、基材からの離型がスムーズになる効果がある。
【００１５】
本発明のナノインプリント用金型は、切削加工により製造されたナノインプリント用金型であって、複数の微細な角錐形状の凸部を備え、凸部の高さの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、かつ凸部の傾斜角度が２０〜５０度であり、かつ隣接する凸部の頂点間の距離の平均値が２００〜２０００ｎｍであることを特徴とする。したがって、２０〜５０度の傾斜角度で複数の微細な角錐形状の凸部が形成されたナノインプリント用金型が製造されているため、これを用いてインプリントすれば、反射防止機能を有するナノインプリント品を大きなサイズで生産性よく大量に製造できる効果がある。
【００１６】
本発明のナノインプリント用金型は、切削加工により製造されたナノインプリント用金型であって、複数の微細な格子状形状を形成する凹部を備え、凹部の深さの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、かつ凸部の傾斜角度が２０〜５０度であり、かつ隣接する凹部の頂点（底）間の距離の平均値が５００〜１００００ｎｍであることを特徴とする。したがって、２０〜５０度の傾斜角度で複数の微細な格子状形状の凹部が形成されたナノインプリント用金型が製造されているため、これを用いてインプリントすれば、格子状形状のパターンを有するナノインプリント品を大きなサイズで生産性よく大量に製造できる効果がある。
【００１７】
本発明のナノインプリントスタンパーは、前記ナノインプリント用金型を母型として、電鋳により製造したことを特徴とする。したがって、電鋳により同じパターンのスタンパーがいくつも製造されるため、均質なナノインプリント品を大量に生産できる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図面を参照しながらこの発明の実施の形態について詳しく説明する。
【００１９】
図１〜図３は本発明のナノインプリント用金型を示す断面図および斜視図である。図中、５は微細な線形状の凸部、１０は微細な角錐形状の凸部、１５は微細な格子状形状を形成する凹部、６０は微細切削加工機、７０は単結晶ダイヤモンドバイト、１００、２００、３００はナノインプリント用金型、１１０は微細な線、２１０は正四角錐、３１０は正方形の格子状形状、３１５は正三角形の格子状形状、３２０は長方形の格子状形状、３３０は逆正三角形形状、４００はナノインプリントスタンパーである。なお、各図において同じ構成部分については同じ符号を付している。
【００２０】
本発明の第１の実施態様にかかるナノインプリント用金型１００は、切削加工により製造されたナノインプリント用金型であって、複数の微細な線形状の凸部５を備え、凸部５の高さＨの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、かつ凸部５の傾斜角度θが２０〜５０度であり、かつ隣接する凸部５の頂点間の距離Ｗの平均値が２００〜２０００ｎｍであるナノインプリント用金型である。ナノインプリント用金型１００は、複数の微細な線１１０から構成され、凸部５の断面は台形状で側面は傾斜角度θが２０〜５０度になっている（図１（ａ）参照)。
【００２１】
複数の微細な線１１０は全て直線であっても構わないし、曲線であっても構わない。あるいはこれらが混在していてもよい。そして凸部５の断面の上底は直線状であってもよいし（図１（ｂ）参照)、曲線状になっていてもよい（図１（ｃ）参照)。また上底がない三角形形状の断面からなる凸部５であってもよい（図１（ｄ）参照)。凸部５の高さＨは、上底の頂点における下底からの長さを示し、隣接する凸部５の頂点間の距離Ｗは、隣接する２個の上底の頂点間の距離を示す。また、凸部５は同一形状で構成されてもよいし、異なる形状が混在していてもよい。凸部５の高さＨおよび隣接する凸部５の頂点間の距離Ｗは、すべて同様の寸法であってもよいし、異なる寸法が混在していてもよい。
【００２２】
ただし、平均すると、凸部５の高さＨの平均値が５０〜２０００ｎｍで、隣接する凸部５の頂点間の距離Ｗの平均値が２００〜２０００ｎｍである必要がある。凸部５の高さＨの平均値が５０ｎｍ未満あるいは凸部５の頂点間の距離Ｗの平均値が２００未満になるよう加工しようとすればバラツキが大きくて均一な性能のナノインプリント品を得ることができないためである。また、凸部５の高さＨあるいは凸部５の頂点間の距離Ｗの平均値が２０００ｎｍを超える加工をしようとすれば、パターンが粗くなってナノ構造を得ることができないためである。
【００２３】
本発明の第２の実施態様にかかるナノインプリント用金型２００は、切削加工により製造されたナノインプリント用金型であって、複数の微細な角錐形状の凸部１０を備え、凸部１０の高さＨの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、かつ凸部１０の傾斜角度θが２０〜５０度であり、かつ隣接する凸部１０の頂点間の距離Ｗの平均値が２００〜２０００ｎｍであるナノインプリント用金型である（図２（ａ）参照)。
【００２４】
ナノインプリント用金型２００は、たとえば密集した正四角錐２１０で構成され、凸部１０の高さＨは１個の正四角錐の高さＨに等しく、隣接する凸部１０の頂点間の距離Ｗは、隣接する２個の正四角錐の頂点間の距離を示す（図２（ｂ）参照)。なお、凸部１０は正四角錐２１０に限定されるわけではなく、正三角錐（図２（ｃ）参照)や正六角錐としてもよい。また、縦方向と横方向の長さが異なる底面が長方形の四角錐であってもよい（図２（ｄ）参照)。また、凸部１０はすべて同一形状で構成されてもよいし、異なる形状が混在していてもよい。
【００２５】
ただし、平均すると、凸部１０の高さＨの平均値が５０〜２０００ｎｍで、隣接する凸部１０の頂点間の距離Ｗの平均値が２００〜２０００ｎｍである必要がある。凸部１０の高さＨの平均値が５０ｎｍ未満あるいは凸部５の頂点間の距離Ｗの平均値が２００ｎｍ未満になるよう加工しようとすればバラツキが大きくて均一な性能のナノインプリント品を得ることができないためである。また、凸部１０の高さＨあるいは凸部１０の頂点間の距離Ｗの平均値が２０００ｎｍを超える加工をしようとすれば、パターンが粗くなってナノ構造を得ることができないためである。
【００２６】
本発明の第３の実施態様にかかるナノインプリント用金型３００は、切削加工により製造されたナノインプリント用金型であって、複数の微細な格子状形状を形成する凹部１５を備え、凹部１５の深さＤの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、かつ凸部１５の傾斜角度θが２０〜５０度であり、かつ隣接する凹部１５の頂点（底）間の距離Ｗの平均値が５００〜１００００ｎｍであるナノインプリント用金型である（図３（ａ）参照)。
【００２７】
ナノインプリント用金型３００は、たとえば密集した正方形の格子状形状３１０で構成され、凹部１５はＶ字状の溝で構成され、断面は逆正三角形形状３３０を呈し、側面は傾斜角度θが２０〜５０度になっている（図３（ａ）参照)。凹部１５の深さＤは１個の逆正三角形の高さに等しく、隣接する凹部１５の頂点（底）間の距離Ｗは、隣接する２個の逆正三角形の頂点間の距離を示す（図３（ａ）参照)。なお、凹部１５は正方形の格子状形状３１０に限定されるわけではなく、縦方向と横方向の長さが異なる長方形の格子状形状３２０であってもよい（図３（ｂ）参照)。また、凹部１５はすべて同一形状で構成されてもよいし、異なる形状が混在していてもよい。
【００２８】
ただし、平均すると、凹部１５の深さＤの平均値が５０〜２０００ｎｍであり、隣接する凹部１５の頂点（底）間の距離Ｗの平均値が５００〜１００００ｎｍである必要がある。凹部１５の深さＤの平均値が５０ｎｍ未満あるいは隣接する凹部１５の頂点（底）間の距離Ｗの平均値が５００ｎｍ未満になるよう加工しようとすればバラツキが大きくて均一な性能のナノインプリント品を得ることができないためである。また、凹部１５の深さＤの平均値が２０００ｎｍあるいは隣接する凹部１５の頂点（底）間の距離Ｗの平均値が１００００ｎｍを超える加工をしようとすれば、パターンが粗くなってナノ構造を得ることができないためである。
【００２９】
そして、いずれの実施態様でも、傾斜角度θが２０〜５０度である必要がある。傾斜角度θが２０度未満になるよう加工すればナノインプリントした際に基材１からの離型が悪くためである。また、傾斜角度θが５０度を超える加工をすれば、パターンが粗くなってナノ構造を得ることができないためである。
【００３０】
ナノインプリント用金型１００、２００、３００の材質は、各種鋼材、石英、プラスチック、ゴムなどが挙げられ、ナノインプリントの加工方法に応じて適宜選定する。例えば、光ナノインプリントであれば、透明な石英などが使用される。
【００３１】
ナノインプリント用金型１００、２００、３００の製造方法としては、刃先７１を備える単結晶ダイヤモンドバイト７０を用い、環境温度変動が±０．１℃以内に管理された恒温室８０内で微細切削加工機６０を用いて、切削加工により製造する方法が挙げられる（図４参照）。
【００３２】
微細切削加工機６０は、機械本体にミーリング用の専用スピンドルを搭載した同時４軸または同時５軸制御が可能で、空気軸受化されたサーボ機構を備える加工機が好ましい。同時４軸または同時５軸制御により各種の三次元加工を高い精度で行うことが可能であり、空気軸受化により振動を防ぐことができるからである。微細切削加工機６０のＸ、Ｙ、Ｚ移動軸の精度は、８ｎｍ以下が好ましい。Ｘ、Ｙ、Ｚ移動軸の精度が８ｎｍを超えると、凹凸形状、凹形状又は凸形状の斜面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１００ｎｍ以下に加工することが困難になるおそれがあるからである。
【００３３】
単結晶ダイヤモンドバイト７０の形状は、刃先の幅が極めて小さく、刃先以外の部分は順次幅が大きくなっているのが好ましい（図５参照）。このような形状は容易に製作できる形状であり、シャンクとの接合力も高く、刃先に熱影響が少なく応力などの影響を受けにくいので、切削加工時に刃先にかかる応力に対しても強くなり、欠けたり折れたりする問題が起こりにくいからである。また、単結晶ダイヤモンドバイトを用いることにより、焼結ダイヤモンドバイトを用いる場合に比較して切削抵抗を小さくし、ナノインプリント用金型１００、２００、３００表面への加工力を低減し、精度の高い切削加工を行うことができる。単結晶ダイヤモンドバイトの表面算術平均粗さ（Ｒａ）は、８ｎｍ以下が好ましい。単結晶ダイヤモンドバイトの表面算術平均粗さ（Ｒａ）が８ｎｍを超えると、凹凸形状、凹形状又は凸形状の斜面を十分に平滑に加工することが困難になるおそれがあるからである。
【００３４】
切削加工は、環境温度変動が±０．１℃以内に管理された恒温室内で行うことが好ましい。ナノインプリント用金型１００、２００、３００の切削加工の環境温度が±０．１℃を超えて変動すると、金型材料の熱膨張又は熱収縮のために、切削加工の精度が低下するおそれがあるからである。
【００３５】
本発明のナノインプリントスタンパー４００は、前記記載のナノインプリント用金型１００、２００、３００のいずれかを母型として、電鋳により製造したナノインプリントスタンパーである（図６参照）。電鋳とは、ナノインプリント用金型１００、２００、３００をニッケルや銅などの金属イオンを含んだ電解質溶液に浸漬し、該溶液に電流を流してナノインプリント用金型１００、２００、３００の表面に金属イオンを析出させる所謂厚膜メッキを行い、この厚膜メッキ膜をナノインプリント用金型１００、２００、３００から剥離して、ナノインプリント用金型１００、２００、３００と全く反対面のナノインプリントスタンパー４００とする方法である。なお、このナノインプリントスタンパー４００を母型としてさらに電鋳を行いナノインプリント用金型１００、２００、３００と全く同一面のナノインプリントスタンパーを得て使用してもよい。
【００３６】
本発明のナノインプリント品５０の製造方法は、前記記載のナノインプリント用金型１００、２００、３００または前記記載のナノインプリントスタンパー４００のいずれかを基材１に押圧することによって（図７参照）、基材１表面に複数の微細な凸部または凹部のいずれか（以下、微細な凹凸部３という）を形成することを特徴とするナノインプリント品５０の製造方法である。
【００３７】
ナノインプリント法は、前記記載のナノインプリント用金型１００、２００、３００または前記記載のナノインプリントスタンパー４００を基材１に押し付け、基材１に微細な凹凸部３を形成する加工方法である。ナノインプリント法の代表的な方式としては、熱ナノインプリント法、光ナノインプリント法、室温ナノインプリント法があげられる。以下に、熱ナノインプリント法、光ナノインプリント法、室温ナノインプリント法のそれぞれの方式で基材１に微細な凹凸部３を形成する方法について説明する。
【００３８】
熱ナノインプリント法を用い、基材１に微細な凹凸部３を形成する方法としては、前記記載のナノインプリント用金型１００、２００、３００または前記記載のナノインプリントスタンパー４００を基材１に載置し、高温高圧下で押し付け、冷却後スタンパーを基材１から外して基材１に微細な凹凸部３を形成する。また押し付ける際の温度は基材１の軟化点以上でかつ熱分解温度未満に設定し、圧力は一般的に数ＭＰａ〜数十ＭＰａに設定する。条件下、数秒から数分間基材１に押圧した後、急速冷却または自然冷却して、基材１の表面が軟化点以下になるまで放置する。なお、ロールによる熱ナノインプリント法では、高温高圧下での押し付け時間、冷却時間が少なくて済み、生産性が向上する。
【００３９】
光ナノインプリント法で基材１に微細な凹凸部３を形成する方法としては、まず石英などの紫外光が透過できる透明なナノインプリント用金型１００、２００、３００を作製し、それを紫外光で硬化する光硬化樹脂を用いた基材１上に載置し、押し付けた後、紫外光を照射して硬化させ、ナノインプリント用金型１００、２００、３００を基材１から外して、基材１に微細な凹凸部３を形成する方法である。押し付ける際に高温にする必要がなく圧力も数ＭＰａ以下でできるため寸法変化が少なく、ナノインプリント用金型１００、２００、３００が透明なためナノインプリント用金型１００、２００、３００を通して基材１と容易に位置あわせができる長所がある。
【００４０】
室温ナノインプリント法で基材１に微細な凹凸部３を形成する方法としては、基材１の材料としてゾルゲル系材料、例えば東レ・ダウコーニング株式会社製ＦＯＸ（登録商標）−１２  ＦＬＯＷＡＢＬＥ  ＯＸＩＤＥ、ＦＯＸ（登録商標）−１４  ＦＬＯＷＡＢＬＥ  ＯＸＩＤＥ、ＦＯＸ（登録商標）−１５  ＦＬＯＷＡＢＬＥ  ＯＸＩＤＥ、ＦＯＸ（登録商標）−１６  ＦＬＯＷＡＢＬＥ  ＯＸＩＤＥ及びこれら混合物等のゾルゲル系材料用いることにより、室温のままでナノインプリント用金型１００、２００、３００または前記記載のナノインプリントスタンパー４００を基材１に押し付けつけることにより、基材１に微細な凹凸部３を形成する方法である。押し付ける際の圧力は一般的に数ＭＰａ〜数十ＭＰａに設定する。冷却工程が不要となる長所がある。
【実施例１】
【００４１】
室温２５．０±０．１℃に管理された恒温室内で、東芝機械（株）製の超精密立型マシニングセンター（ＭＣ）「ＵＶＭ―４５０Ｃ」を用いて、ニッケルリンメッキ板に対して表面算術平均粗さ（Ｒａ）が４ｎｍの単結晶ダイヤモンドバイトによる切削加工により、複数の微細な直線形状の凸部からなり、凸部の高さの平均値が５００ｎｍであり、かつ凸部の傾斜角度θが４５度であり、かつ隣接する凸部の頂点間の距離の平均値が１０００ｎｍであり、凸部の断面が三角形形状の断面からなるナノインプリント用金型が得られた。得られたナノインプリント用金型は、短時間で、かつ電子線描画よりもはるかに安いコストで製造できた。
【００４２】
一方、１００μｍポリエステルフィルム上に東洋合成（株）製の光硬化性樹脂ＰＡＫ−０１をコートし、その上から上記得られたナノインプリント用金型を０.０５ＭＰａのプレス圧で押圧した状態で固定し、背面から紫外線を照射して光硬化性樹脂を硬化させた。その後、ナノインプリント用金型を取り外したところ、ポリエステルフィルム上にピッチが１μｍで高さの平均値が０．５μｍの複数の微細な直線形状の凸部からなるナノインプリント品が得られた。得られたナノインプリント品は、ナノインプリント用金型からの離型がスムーズで、スループットが著しく改善された。
【実施例２】
【００４３】
室温２５．０±０．１℃に管理された恒温室内で、（株）ソディックハイテック製の超精密加工機「Ｕｌｔｒａ ＮＡＮＯ １００」を用いて、銅板に対して表面算術平均粗さ（Ｒａ）が４ｎｍの単結晶ダイヤモンドバイトによる切削加工により、複数の微細な正四角錐形状の凸部からなり、凸部の高さの平均値が２８０ｎｍであり、かつ凸部の傾斜角度が３０度であり、かつ隣接する凸部の頂点間の距離の平均値が４００ｎｍであるナノインプリント用金型が得られた。得られたナノインプリント用金型は、短時間で、かつ電子線描画よりもはるかに安いコストで製造できた。
【００４４】
一方、１００μｍポリエステルフィルム上に東京応化工業（株）製ののＯＣＤ５９００をコートし、その上から上記得られたナノインプリント用金型を，室温下で５．５ＭＰａのプレス圧で押圧した。その後、ナノインプリント用金型を取り外したところ、ポリエステルフィルム上にピッチが０．４μｍで高さの平均値が０．２８μｍの複数の微細な正四角錐形状の凹部からなるナノインプリント品が得られた。得られたナノインプリント品は、ナノインプリント用金型からの離型がスムーズで、スループットが著しく改善された。
【実施例３】
【００４５】
室温２５．０±０．１℃に管理された恒温室内で、ファナック（株）製のロボナノ加工機「α―０ｉＢ」を用いて、真鍮板に対して表面算術平均粗さ（Ｒａ）が４ｎｍの単結晶ダイヤモンドバイトによる切削加工により、複数の微細な格子状形状を形成する凹部からなり、凹部の深さの平均値が５００ｎｍであり、かつ凸部の傾斜角度が２０度であり、かつ隣接する凹部の頂点（底）間の距離の平均値が１５００ｎｍであるナノインプリント用金型が得られた。得られたナノインプリント用金型は、短時間で、かつ電子線描画よりもはるかに安いコストで製造できた。
【００４６】
一方、１００μｍポリエステルフィルム上に東京応化工業（株）製のＯＥＢＲ−１０００をコートし、その上から上記得られたナノインプリント用金型を、１２０℃温度下で８．２ＭＰａのプレス圧で押圧した。その後、ナノインプリント用金型を取り外したところ、ポリエステルフィルム上にピッチが１．５μｍで高さの平均値が０．５μｍの複数の微細な格子状形状の凸部からなるナノインプリント品が得られた。得られたナノインプリント品は、ナノインプリント用金型からの離型がスムーズで、スループットが著しく改善された。
【実施例４】
【００４７】
上記実施例１から３のナノインプリント用金型を母型として、ニッケル電鋳加工により母型と反対のパターンのスタンパーを大量に作製した、得られたスタンパーを用いて上記実施例１から３と同じ条件でナノインプリント品が得られた。得られたナノインプリント品は、ナノインプリント用金型からの離型がスムーズで、スループットがさらに著しく改善され、大量に生産できた。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、携帯電話などの通信機器、電子情報機器、液晶ディスプレイ、太陽電池など、各種製品において好適に用いることができ、産業上有用なものである。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に係るナノインプリント用金型を示す断面図および斜視図である。
【図２】本発明に係るナノインプリント用金型を示す別の断面図および斜視図である。
【図３】本発明に係るナノインプリント用金型を示す別の断面図および斜視図である。
【図４】本発明に係るナノインプリント用金型を製造する際の一概略図である。
【図５】本発明に係るナノインプリント用金型を製造する際に用いる単結晶ダイヤモンドバイトの斜視図および断面図である。
【図６】本発明に係るナノインプリントスタンパーを製造する際の一概略図である。
【図７】本発明に係るナノインプリント品の製造方法の一概略図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  基材
３  微細な凸部または凹部のいずれかである、微細な凹凸部
５  微細な線形状の凸部
１０  微細な角錐形状の凸部
１５  微細な格子状形状を形成する凹部
６０  微細切削加工機
７０  単結晶ダイヤモンドバイト
７１  刃先
８０  恒温室
１００、２００、３００  ナノインプリント用金型
１１０  微細な線
２１０  正四角錐
３１０  正方形の格子状形状
３２０  長方形の格子状形状
３３０  逆正三角形形状
４００  ナノインプリントスタンパー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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