(57)【要約】【課題】優れた接続信頼性のある微小径ビアホールを有する多層配線基板及びその製造方法、並びに半導体搭載用インターポーザーを提供する。【解決手段】下部配線パターン１３は絶縁基板１１の上面に形成されている。第１の絶縁層１５は、下部配線パターン１３を含む絶縁基板１１の上面に積層されている。第２の絶縁層１７は、第１の絶縁層１５の上に積層され、第１の絶縁層１５とは異なった材料で形成されている。上部配線パターン１９は第２の絶縁層１７の上に形成されている。下部配線パターン１３の複数の下部パッド１３０２と、上部配線パターン１９の複数の上部パッド１９０２をそれぞれ接続するビアホール２１が設けられている。ビアホール２１は、第２の絶縁層１７を貫通する上ホール部２１Ａと、上ホール部２１Ａよりも大きい断面で第１の絶縁層１５を貫通し下部パッド１３０２に接続された下ホー部２１Ｂとで構成されている。【選択図】図２
2010225802.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の上面に下部配線パターンが形成され、
前記下部配線パターンを含む前記絶縁基板の上面に絶縁層が積層され、
前記絶縁層の上に上部配線パターンが形成され、
前記下部配線パターンの下部パッドと前記上部配線パターンの上部パッドとがビアホールで接続された多層配線基板において、
前記絶縁層は、前記下部配線パターンを含む前記絶縁基板の上面に積層された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に積層され前記第１の絶縁層とは異なった材料で形成された第２の絶縁層とで構成されている、
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記第１の絶縁層は、絶縁機能に加え前記絶縁基板と前記第２の絶縁層とを接着する接着剤としても機能している、
ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記ビアホールは、前記第２の絶縁層を貫通する上ホール部と、前記上ホール部よりも大きい断面で前記第２の絶縁層を貫通し前記下部パッドに接続された下ホール部とで構成されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記下ホール部は、前記上ホール部に近づくにつれて断面積が次第に小さくなる楔状に形成されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記上ホール部と前記下ホール部の中心軸は合致しており、
前記ビアホールの延在方向と直交する方向から見て前記上ホール部の半径方向の両側の外側に前記下ホール部がそれぞれ突出している、
ことを特徴とする請求項３または４に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記前記下ホール部が前記上ホール部から突出する突出量は、５ｕｍ以上かつ４０ｕｍ以内であることを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の多層配線基板を用いたことを特徴とする半導体搭載用インターポーザー。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれかに記載の多層配線基板の半導体設置部に半導体を実装したことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項９】
絶縁基板の上面に複数の下部パッドを含む下部配線パターンを形成する工程と、
前記下部配線パターンを含む前記絶縁基板の上面に第１の絶縁層を積層する工程と、
前記第１の絶縁層の上に前記第１の絶縁層とは異なった材料で形成された第２の絶縁層を積層する工程と、
前記絶縁層の上面から前記下部パッドに向けてレーザー光を照射することにより前記第１の絶縁層に上部孔を貫通形成する工程と、
前記上部孔と同軸上で、前記上部孔を形成する際のエネルギー密度よりも強くかつ前記下部パッドが加工されるエネルギー密度よりも弱い範囲のエネルギー密度のレーザー光を照射することにより前記上部孔よりも大きい断面積で前記第２の絶縁層を貫通して前記下部パッドに至る下部孔を形成する工程と、
前記上部孔および前記下部孔の内周面に薄膜導体層を設けてビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールの内側の空間を導体金属で塞ぎ前記ビアホール上に上部パッドを位置させて前記第２の絶縁層の上に上部配線パターンを形成する工程と、
を備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１０】
絶縁基板の上面に複数の下部パッドを含む下部配線パターンを形成する工程と、
前記下部配線パターンを含む前記絶縁基板の上面に絶縁層を積層する工程と、
前記絶縁層の上面から前記下部パッドに向けてレーザー光を照射することにより前記絶縁層の厚さ方向の上部に均一内径の上部孔を貫通形成する工程と、
前記上部孔と同軸上で、前記上部孔を形成する際のエネルギー密度よりも強くかつ前記下部パッドが加工されるエネルギー密度よりも弱い範囲のエネルギー密度のレーザー光を照射することにより前記上部孔よりも大きい断面積で前記絶縁層の厚さ方向の下部を貫通して前記下部パッドに至る下部孔を形成する工程と、
前記上部孔および前記下部孔の内周面に薄膜導体層を設けてビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールの内側の空間を導体金属で塞ぎ前記ビアホール上に上部パッドを位置させて前記第２の絶縁層の上に上部配線パターンを形成する工程と、
を備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の製造方法により製造された多層配線基板。
【請求項１２】
絶縁基板の上面に下部配線パターンが形成され、
前記下部配線パターンを含む前記絶縁基板の上面に絶縁層が積層され、
前記絶縁層の上に上部配線パターンが形成され、
前記下部配線パターンの下部パッドと前記上部配線パターンの上部パッドとがビアホールで接続された多層配線基板において、
前記ビアホールは、前記絶縁層の厚さ方向の上部を貫通する均一内径の上ホール部と、前記上ホール部よりも大きい断面で前記絶縁層の厚さ方向の下部を貫通し前記下部パッドに至る下ホール部とで構成されている、
ことを特徴とする多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層と導体配線層が交互に積層してなる多層構造を有する多層配線基板及びその製造方法、並びに半導体インターポーザーに関し、特に、優れた接続信頼性のある微小径ビアホールを有する多層配線基板及びその製造方法、並びに半導体搭載用インターポーザーに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体大規模集積回路（ＬＳＩ）等の半導体素子ではトランジスターの集積度が高まり、その動作速度はクロック周波数で１ＧＨｚに達するものが、また、入出力端子数では１０００を越えるものが出現するに至っている。
【０００３】
半導体素子内の処理速度が高まるにつれ、インターポーザー内を伝送する信号も高速化の要求が高まってきている。これとともに、半導体素子の入出力端子数も増加する傾向にあり、インターポーザーとの接続方法は、ワイヤーボンディングでは対応しきれなくなり、格子配列のフリップチップ接続が必要となる。この結果、インターポーザー内の接続端子からの配線の引き回しが単層では困難になり、少なくとも２層に分けて配線を行う必要が出てくる。また、信号の高速化に対応するため、配線のマイクロストリップ構造やストリップ構造、あるいは、コプレナー構造が必要になる場合があり、インターポーザーの構造としてはますます多層化の方向にある。
【０００４】
しかしながら、インターポーザーを製造する側からみると、層数の増加は製造収率を著しく落とすことになる。このため、いかにして配線を効率的に配置させ、層数を減らす設計を行うかが重要になってくる。効率的な配線を形成するための手段の一つとして、ビアホールのランド径を小さくすることがあげられる。この結果、製造精度を考慮すると、ビアホールの径自体を小さくしなければならないという問題があった。
【０００５】
この問題を解決すべく、金属にあらかじめ所定の方法で所定の大きさの孔をエッチング等で除去してあけておき、この部分にレーザーを照射して絶縁層を加工して、ビアホール形成のための孔をあけるという方法が試行されてきたが、予め金属に孔をあけておく工程が必要であり、作業性が悪く、そしてビア径が小さいということは必然的に下部パッドとの接触面積が小さくなるため、接続信頼性を著しく低下させるという課題がある。（特許文献１）
【０００６】
また、黒色酸化処理等を金属に施し、この上からレーザーを直接照射して、ビアホール形成のための孔をあけるという方法が試行されてきたが、この場合、表面処理をこすったりすると表面処理が取れやすく、孔形状のばらつきが発生し易い欠点があり、そしてビア径が小さいということは必然的に下部パッドとの接触面積が小さくなるため、接続信頼性を著しく低下させるという課題がある。（特許文献２）
また、金属の上に約１ ０ μ ｍ の凹凸の多いめっき層を付着させ、この上にレーザー光のエネルギーを吸収させる合成樹脂で被覆した後、レーザーをこの上から照射して、ビアホール形成のための孔をあけるという方法が試行されてきたが、工程が長く、作業性に劣るものであり、そしてビア径が小さいということは必然的に下部パッドとの接触面積が小さくなるため、接続信頼性を著しく低下させるという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特公平４−３６７６号公報
【特許文献２】特開昭６１−９９５９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前述のごとき従来の問題点を解消し、接続信頼性のある微小径ビアホールを有する多層配線基板およびその製造方法、並びに半導体搭載用インターポーザーを提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、鋭意検討の結果、上記のような従来の課題を解決することができた。
請求項１においては、絶縁層と導体配線層が交互に積層してなる多層配線基板において、該絶縁層が２層からなることを特徴とする多層配線基板である。
言い換えると、請求項１は絶縁基板の上面に下部配線パターンが形成され、前記下部配線パターンを含む前記絶縁基板の上面に絶縁層が積層され、前記絶縁層の上に上部配線パターンが形成され、前記下部配線パターンの下部パッドと前記上部配線パターンの上部パッドとがビアホールで接続された多層配線基板において、前記絶縁層は、前記下部配線パターンを含む前記絶縁基板の上面に積層された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に積層され前記第１の絶縁層とは異なった材料で形成された第２の絶縁層とで構成されていることを特徴とする多層配線基板である。
また、請求項２においては、絶縁層を形成する２層のうちの１層が接着層であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板である。
言い換えると、請求項２は、前記第１の絶縁層は、絶縁機能に加え前記絶縁基板と前記第２の絶縁層とを接着する接着剤としても機能していることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板である。
また、請求項３においては、前記ビアホールは、前記第２の絶縁層を貫通する上ホール部と、前記上ホール部よりも大きい断面で前記第２の絶縁層を貫通し前記下部パッドに接続された下ホール部とで構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板である。
また、請求項４においては、前記下ホール部は、前記上ホール部に近づくにつれて断面積が次第に小さくなる楔状に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の多層配線基板である。
また、請求項５においては、前記上ホール部と前記下ホール部の中心軸は合致しており、前記ビアホールの延在方向と直交する方向から見て前記上ホール部の半径方向の両側の外側に前記下ホール部がそれぞれ突出していることを特徴とする請求項３または４に記載の多層配線基板である。
また、請求項６においては、前記前記下ホール部が前記上ホール部から突出する突出量は、５ｕｍ以上かつ４０ｕｍ以内であることを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板である。
さらに、上記多層配線基板を用いた発明として、請求項７においては、請求項１ないし６のいずれかに記載の多層配線基板を用いたことを特徴とする半導体搭載用インターポーザーである。
また、請求項８においては、請求項１ないし６のいずれかに記載の多層配線基板の半導体設置部に半導体を実装したことを特徴とする半導体パッケージである。
さらに、請求項９においては、絶縁基板の上面に複数の下部パッドを含む下部配線パターンを形成する工程と、前記下部配線パターンを含む前記絶縁基板の上面に第１の絶縁層を積層する工程と、前記第１の絶縁層の上に前記第１の絶縁層とは異なった材料で形成された第２の絶縁層を積層する工程と、前記絶縁層の上面から前記下部パッドに向けてレーザー光を照射することにより前記第１の絶縁層に上部孔を貫通形成する工程と、前記上部孔と同軸上で、前記上部孔を形成する際のエネルギー密度よりも強くかつ前記下部パッドが加工されるエネルギー密度よりも弱い範囲のエネルギー密度のレーザー光を照射することにより前記上部孔よりも大きい断面積で前記第２の絶縁層を貫通して前記下部パッドに至る下部孔を形成する工程と、前記上部孔および前記下部孔の内周面に薄膜導体層を設けてビアホールを形成する工程と、前記ビアホールの内側の空間を導体金属で塞ぎ前記ビアホール上に上部パッドを位置させて前記第２の絶縁層の上に上部配線パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
さらに、請求項１０においては、絶縁基板の上面に複数の下部パッドを含む下部配線パターンを形成する工程と、前記下部配線パターンを含む前記絶縁基板の上面に絶縁層を積層する工程と、前記絶縁層の上面から前記下部パッドに向けてレーザー光を照射することにより前記絶縁層の厚さ方向の上部に均一内径の上部孔を貫通形成する工程と、前記上部孔と同軸上で、前記上部孔を形成する際のエネルギー密度よりも強くかつ前記下部パッドが加工されるエネルギー密度よりも弱い範囲のエネルギー密度のレーザー光を照射することにより前記上部孔よりも大きい断面積で前記絶縁層の厚さ方向の下部を貫通して前記下部パッドに至る下部孔を形成する工程と、前記上部孔および前記下部孔の内周面に薄膜導体層を設けてビアホールを形成する工程と、前記ビアホールの内側の空間を導体金属で塞ぎ前記ビアホール上に上部パッドを位置させて前記第２の絶縁層の上に上部配線パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
さらも。請求項１１においては、請求項１０記載の製造方法により製造された多層配線基板である。
さらに、請求項１２においては、絶縁基板の上面に下部配線パターンが形成され、前記下部配線パターンを含む前記絶縁基板の上面に絶縁層が積層され、前記絶縁層の上に上部配線パターンが形成され、前記下部配線パターンの下部パッドと前記上部配線パターンの上部パッドとがビアホールで接続された多層配線基板において、前記ビアホールは、前記絶縁層の厚さ方向の上部を貫通する均一内径の上ホール部と、前記上ホール部よりも大きい断面で前記絶縁層の厚さ方向の下部を貫通し前記下部パッドに至る下ホール部とで構成されていることを特徴とする多層配線基板である。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１、２によれば、配線を効率的に配置でき、信号の高速化に対応する上で極めて有利となる下部パッドとの接触面積を大きく確保した多層配線基板を容易に製造できる。
請求項３〜１１によれば、ビアホールの径自体を小さくしても、下部パッドとの接触面積を大きく確保して配線の接続信頼性を向上でき、したがって、配線を効率的に配置でき、信号の高速化に対応する上で極めて有利となる。
本発明の多層配線基板及びその製造方法、並びに半導体搭載用インターポーザーによれば、微小径ビアホール底部の接触面積を広くとることにより、微小径であっても接続信頼性に優れた多層配線基板及びその製造方法、並びに半導体搭載用インターポーザーを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】従来の配線基板を示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態の配線基板を示す断面図。
【図３】本発明の第１の実施の形態の多層配線基板の製造方法を示す断面図。
【図４】本発明の第２の実施の形態の配線基板を示す断面図。
【図５】本発明の第２の実施の形態の多層配線基板の製造方法を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を更に詳細に説明する。
図１は従来の配線基板の断面図である。単層あるいは多層の絶縁基板２上の下部パッド１と上部パッド６間をビアホール５で電気的に接続されている。
【００１３】
ビアホール５の形成は、まず、下部パッド上の絶縁層４表面からレーザーにてビアホール形成のための孔をあける。レーザーにおける樹脂と金属の加工速度の差により、孔加工は下部パッド上で停止される。
【００１４】
レーザー加工により露出した銅などの下部パッド表面を含め、孔内部および絶縁層４表面に電気銅めっきのためのシード層を無電解めっきにて形成し、電気銅めっきにて残りの孔内部をめっき金属で埋める。最後に、表面の導体層をフォトエッチング法にて上部パッド、導体配線７を形成する。
【００１５】
ビアホールの径が小さくなると、下部パッド１との接触面積は小さくなり、接続信頼性が低下する。
【００１６】
（第１の実施の形態）
このため、図２に示すように、本発明では下部パッドとの接続部を広くとり、接続信頼性を向上させたものである。
多層配線基板は、絶縁基板１１、下部配線パターン１３、第１の絶縁層１５、第２の絶縁層１７、上部配線パターン１９を含んで構成されている。
下部配線パターン１３は絶縁基板１１の上面に形成されている。
第１の絶縁層１５は、下部配線パターン１３を含む絶縁基板１１の上面に積層されている。
第２の絶縁層１７は、第１の絶縁層１５の上に積層され、第１の絶縁層１５とは異なった材料で形成されている。
【００１７】
上部配線パターン１９は第２の絶縁層１７の上に形成されている。
そして、下部配線パターン１３の複数の下部パッド１３０２と、上部配線パターン１９の複数の上部パッド１９０２をそれぞれ接続するビアホール２１が設けられている。
ビアホール２１は、第２の絶縁層１７を貫通する上ホール部２１Ａと、上ホール部２１Ａよりも大きい断面で第１の絶縁層１５を貫通し下部パッド１３０２に接続された下ホー
部２１Ｂとで構成されている。
【００１８】
第１の絶縁層１５としては、エポキシ樹脂、変性ポリイミド樹脂、ナイロンエポキシ系樹脂が望ましい。第１の絶縁層１５は絶縁基板１１と第２の絶縁層１７を接着する接着剤であっても構わない。一方、第２の絶縁層１７としては、ポリイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンエーテルが望ましい。
【００１９】
レーザーの種類としては、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧ（基本波、第２高調波、第３高調波、第４高調波）レーザー、エキシマレーザー等が上げられるが、微細な孔を形成するため、４００ｎｍ以下の短波長レーザーであるＹＡＧ第３高調波、第４高調波ならびにエキシマレーザーが望ましい。
【００２０】
レーザーによる加工速度は金属加工と絶縁層加工で異なり、絶縁層加工の加工速度の方が早い。その加工速度の違いを用いて、加工される孔の形状を変化させることができる。
まず、レーザーにより第２の絶縁層１７を貫通させて上ホール部２１Ａを形成する。つぎに、エネルギー密度を強くしたレーザーにより第１の絶縁層１５を貫通させて下ホール部２１Ｂを形成する。
この実施の形態では、下ホール部２１Ｂは、上ホール部２１Ａに近づくにつれて断面積が次第に小さくなる楔状に形成されている。
孔の形状を楔形状にするために、絶縁層加工のレーザーのエネルギー密度は、孔の形状が単一形状となる上ホール部２１Ａを加工する際のエネルギー密度よりも強く、下部パッド１３０２が加工されるエネルギー密度よりも弱い範囲内が望ましい。
【００２１】
上ホール部２１Ａと下ホール部２１Ｂの中心軸は合致しており、ビアホール２１の延在方向と直交する方向から見て上ホール部２１Ａの半径方向の両側の外側に下ホール部２１Ｂがそれぞれ突出している。
図４（ｅ）に示すように、この下ホール部２１Ｂが上ホール部２１Ａから突出する突出量Ｔａ、Ｔｂは、それぞれ５ｕｍ以上かつ４０ｕｍ以内である。
突出量Ｔａ、Ｔｂは、特に限定されるものではないが、突出量Ｔａ、Ｔｂが５ｕｍに満たないと楔効果が不十分となる不具合がある。
突出量Ｔａ、Ｔｂが４０ｕｍを超えると加工が困難となる。
【００２２】
ビアホール２１を構成する薄膜導体層２１０２を形成する際に用いる無電解銅めっき液や電気銅めっき液組成としては、特に限定するものではなく、めっき金属特性や析出速度に応じて適当なものを用いることができる。
【００２３】
本発明における多層配線基板の用途としては、特に限定されるものではないが、微小径のビアホール２１の底部の接触面積を広くとることにより、微小径であっても優れた接続信頼性を有することから、例えば、半導体搭載用インターポーザー用途に最適である。
以下、実施例に基づき、本発明をさらに具体的に説明するが、これに限定されるものではない。
（実施例）
【００２４】
次に、図３を参照して実施例について説明する。
絶縁基板１１として、ポリイミドテープ（宇部興産（株）製ユーピレックス）を用いた。
複数の下部パッド１３０２を有する下部配線パターン１３が形成された絶縁基板１１の上に、エポキシ系接着剤をコーティングした後、１００℃、５分乾燥し第１の絶縁層１５を形成した。さらに、第２の絶縁層１７としてポリイミドテープ（宇部興産（株）製ユーピレックス）を用い、１３０℃でラミネートし、その後、１８０℃／１時間で硬化させた。
【００２５】
次に、下部パッド１３０２にむけて、３５５ｎｍのＹＡＧ第３高調波にて第２の絶縁層１７の加工に１Ｊ／ｍ２のレーザー光を４０ショット、第１の絶縁層１５の加工に４Ｊ／ｍ２のレーザー光を４０ショットの条件で照射し、第２の絶縁層１７に均一径の上部孔３２Ａを形成し、第１の絶縁層１５に楔形状の下部孔３２Ｂを形成した。このとき、レーザーにおける樹脂と金属の加工速度の差により、下部孔３２Ｂは下部パッド１３０２上で停止されていた。
【００２６】
比較例として、第１の絶縁層１５と第２の絶縁層１７の加工に１Ｊ／ｍ２のレーザー光を４０ショットの条件で照射し、単一形状の孔を同材料を用い、同様に加工した。
【００２７】
上記２種類（楔形状及び単一形状）の孔内に酵素プラズマによりデスミア処理を施した。その後、下部配線パターン１３と上部配線パターン１９の層間導通をとるために無電解銅めっきにて薄膜導体層２４を形成した。
そして、薄膜導体層２４により上部孔３２Ａの内面と下部孔３２Ｂの内面を覆ってビアホール２１を形成した。
また、電解銅めっきにてビアホール２１の内部をめっき金属２６で埋めるとともに、薄膜導体層２４の上に銅めっき層２８を形成した。
上記突出量ＴａとＴｂはともに１０ｕｍであった。
【００２８】
その後、図３（ｆ）に示すように、表面のめっき層２８を定法のフォトエッチング工程にて複数の上部パッド１９０２を有する上部配線パターン１９を形成した。
【００２９】
接続信頼性評価試験としてヒートサイクル試験を行った。ヒートサイクル試験は−６５℃×３０ｍｉｎ 〜１２５℃×３０ｍｉｎで行い、試験結果を表１に示した。
【００３０】
【表１】
2010225802.tif 000003
【００３１】
表１から明らかなように、比較例と比較して、実施例は、ヒートサイクル試験において２０００サイクル以上で特性変化がないため、目的の諸特性、即ち、優れた接続信頼性を示した。
【００３２】
（第２の実施の形態）
図４に示すように、第２の実施の形態の多層配線基板は、絶縁基板１１、下部配線パターン１３、絶縁層３５、上部配線パターン１９を含んで構成されている。
下部配線パターン１３は絶縁基板１１の上面に形成されている。
絶縁層３５は、下部配線パターン１３を含む絶縁基板１１の上面に積層されている。
上部配線パターン１９は絶縁層３５の上に形成されている。
そして、下部配線パターン１３の複数の下部パッド１３０２と、上部配線パターン１９の複数の上部パッド１９０２をそれぞれ接続するビアホール２１が設けられている。
ビアホール２１は、絶縁層３５の厚さ方向の上部を貫通する均一内径の上ホール部２１Ａと、上ホール部２１Ａよりも大きい断面で絶縁層３５の厚さ方向の下部を貫通し下部パッド１３０２に至る下ホール部２１Ｂとで構成されている。
【００３３】
この実施の形態では、下ホール部２１Ｂは、上ホール部２１Ａに近づくにつれて断面積が次第に小さくなる楔状に形成されている。
上ホール部２１Ａと下ホール部２１Ｂの中心軸は合致しており、ビアホール２１の延在方向と直交する方向から見て上ホール部２１Ａの半径方向の両側の外側に下ホール部２１Ｂがそれぞれ突出している。
図５（ｅ）に示すように、この下ホール部２１Ｂが上ホール部２１Ａから突出する突出量Ｔａ、Ｔｂは、それぞれ５ｕｍ以上かつ４０ｕｍ以内である。
【００３４】
第２の実施の形態の多層配線基板は図５に示すように次のように製造される。
上述の実施例１と同様に、絶縁基板１１の上面に複数の下部パッド１３０２を含む下部配線パターン１３を形成する。
また、下部配線パターン１３を含む絶縁基板１１の上面に絶縁層３５を積層する。
次に、絶縁層３５の上面から下部パッド１３０２に向けてレーザー光を照射することにより絶縁層３５の厚さ方向の上部に均一内径の上部孔３２Ａを貫通形成する。
次に、上部孔３２Ａと同軸上で、上部孔３２Ａを形成する際のエネルギー密度よりも強くかつ下部パッド１３０２が加工されるエネルギー密度よりも弱い範囲のエネルギー密度のレーザー光を照射することにより上部孔３２Ａよりも大きい断面積で絶縁層３５の厚さ方向の下部を貫通して下部パッド１３０２に至る下部孔３２Ｂを形成する。
この場合、レーザー光のショットの条件は、絶縁層３５に用いる材料に応じて適宜決定する。
つぎに、実施例１と同様に、上部孔３２Ａおよび下部孔３２Ｂの内周面に薄膜導体層２４を設け、上ホール部２１Ａと下ホール部２１Ｂとからなるビアホール２１を形成する。
つぎに、実施例１と同様に、ビアホール２１の内側の空間を導体金属２６で塞ぎ、フォトエッチング工程によりビアホール２１上に上部パッド１９０２を位置させて絶縁層３５の上に上部配線パターン１９を形成する。
このような第２の実施の形態によっても第１の実施の形態と同様な効果が奏される。
【００３５】
本発明の多層配線基板及びその製造方法、並びに半導体搭載用インターポーザーにより、楔形状のビアホールができることから、接続信頼性に優れた多層配線基板及びその製造方法、並びにインターポーザーを提供することができる。
【００３６】
以上の結果より、本発明の多層配線基板及びその製造方法、並びに半導体搭載用インターポーザーは、優れた接続信頼性のある微小径ビアホール２１を有する多層配線基板及びその製造方法、並びに半導体搭載用インターポーザーを提供することが判明した。
【符号の説明】
【００３７】
１３…下部配線パターン
１３０２…下部パッド
１１…絶縁基板
１５…第１の絶縁層
１７…第２の絶縁層
１９…上部配線パターン
１９０２…上部パッド
２１…ビアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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