(57)【要約】【課題】石英治具とその製造方法、及び半導体装置の製造方法において、半導体ウエハに欠けが発生するのを防止すること。【解決手段】  鉛直上向きに開口した複数の溝１０ａの各々に半導体ウエハWを立てて保持する石英治具の製造方法１０であって、粒度の下限値と上限値とが予め定められたビーズを用いて、溝１０ａの底面に対してブラスト処理を行う石英治具の製造方法による。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉛直上向きに開口した複数の溝の各々に半導体ウエハを立てて保持する石英治具の製造方法であって、
粒度の下限値と上限値とが予め定められたビーズを用いて、前記溝の底面に対してブラスト処理を行う工程を有することを特徴とする石英治具の製造方法。
【請求項２】
前記溝の前記底面上で前記半導体ウエハが擦動することが原因で増加する前記半導体ウエハ上のパーティクルの増加数と、前記粒度との関係を調べておき、該粒度の前記下限値と前記上限値として、前記パーティクルの増加数が許容値以下に収まる値を用いることを特徴とする請求項１に記載の石英治具の製造方法。
【請求項３】
鉛直上向きに開口するように石英治具に形成された複数の溝の各々に半導体ウエハを立てながら、該半導体ウエハに対して熱処理を行う工程を有し、
前記石英治具として、前記溝の底面の表面粗さの上限値と下限値とが予め定められた治具を使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記溝の前記底面上で前記半導体ウエハが擦動することが原因で増加する前記半導体ウエハ上のパーティクルの増加数と、前記底面の前記表面粗さとの関係を調べておき、該表面粗さの前記下限値と前記上限値として、前記パーティクルの個数が許容値以下に収まる値を用いることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
鉛直上向きに開口した溝内に半導体ウエハを立てて保持する石英治具であって、
前記溝の底面に、表面粗さの下限値と上限値とが決められたブラスト処理を施したことを特徴とする石英治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、石英治具とその製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
LSI等の半導体装置の製造工程では、熱酸化やアニール等の様々な熱処理が行われる。その熱処理を行う炉としては、縦型炉と横型炉とがある。
【０００３】
このうち、縦型炉では、複数の半導体ウエハが鉛直方向に間隔をおいて保持され、各半導体ウエハは水平面内において横にされた状態になる。そのような縦型炉は、近年の半導体ウエハの大口径化に伴い多く採用されつつあるが、加熱された雰囲気が炉の下部から上部に逃げるため、高温を維持するのが難しいという欠点がある。
【０００４】
更に、縦型炉において石英治具を用いて半導体ウエハを水平面内で横にして保持すると、石英治具と半導体ウエハとの熱膨張率差が原因で両者が擦動することが知られている。半導体ウエハは石英治具に密着性の高い線接触の状態で当接しているため、このような擦動運動が発生すると、半導体ウエハに大きな応力が加わり、熱処理中に半導体ウエハに欠けが発生する。
【０００５】
しかも、石英治具は熱処理時に軟化するため、半導体ウエハの自重によって石英治具に熱歪と呼ばれる変形が発生することがある。その熱歪により石英治具から半導体ウエハに更に応力が加わり、半導体ウエハに欠けが発生する危険性が更に高まってしまう。
【０００６】
これに対し、横型炉は、横方向に間隔をおいて並べられた複数の半導体ウエハに対して熱処理を行うものであり、熱処理時の各半導体ウエハは鉛直面内で立てられた状態となる。この横型炉は、炉の延在方向が横方向であるため、加熱された雰囲気が炉内に溜まりやすく、縦型炉と比較して高温を維持し易いという利点がある。
【０００７】
そのような横型炉を用いる場合、石英治具により半導体ウエハを立てて保持することになるが、石英治具が原因で半導体ウエハに欠け等の欠陥が発生するのを防止するのが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平８−１０２４４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
石英治具とその製造方法、及び半導体装置の製造方法において、半導体ウエハに欠けが発生するのを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以下の開示の一観点によれば、鉛直上向きに開口した複数の溝の各々に半導体ウエハを立てて保持する石英治具の製造方法であって、粒度の下限値と上限値とが予め定められたビーズを用いて、前記溝の底面に対してブラスト処理を行う工程を有する石英治具の製造方法が提供される。
【００１１】
また、その開示の他の観点によれば、鉛直上向きに開口するように石英治具に形成された複数の溝の各々に半導体ウエハを立てながら、該半導体ウエハに対して熱処理を行う工程を有し、前記石英治具として、前記溝の底面の表面粗さの上限値と下限値とが予め定められた治具を使用する半導体装置の製造方法が提供される。
【００１２】
更に、その開示の別の観点によれば、鉛直上向きに開口した溝内に半導体ウエハを立てて保持する石英治具であって、前記溝の底面に、表面粗さの下限値と上限値とが決められたブラスト処理を施した石英治具が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
以下の開示によれば、石英治具の溝の底面にブラスト処理を施すので、ブラスト処理を行わない場合と比較して半導体ウエハと溝の底面との接触面積が増え、石英治具から半導体ウエハに加わる応力を分散でき、応力が原因でウエハが欠けるのを抑制できる。
【００１４】
更に、溝の加工時に付いた切削痕もそのブラスト処理によって消えるので、切削痕に半導体ウエハが引っかかって半導体ウエハに欠けが発生する危険性を低減できる。
【００１５】
しかも、サンドブラスト処理で使用するビーズの粒度に下限値と上限値を定めることで、溝の底面が過度に平滑化されて該底面上で半導体ウエハが擦動するのを防止できると共に、当該底面の表面粗さが増大するのを抑制できる。これにより、半導体ウエハの擦動運動や、溝の底面の粗い表面が原因でパーティクルが発生するのを防止できる。
【００１６】
このように、欠けやパーティクルの発生が防止されることで、廃棄処分となる半導体ウエハの枚数が低減され、半導体装置の歩留まり向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本実施形態に係る横型炉の断面図である。
【図２】図２は、本実施形態に係る石英治具の斜視図である。
【図３】図３は、１ロットの半導体ウエハが保持された本実施形態に係る石英治具の斜視図である。
【図４】図４は、本実施形態に係る石英治具に形成された第１の溝列の拡大斜視図である。
【図５】図５は、本実施形態に係る石英治具の溝とその中に立てられたウエハの断面図である。
【図６】図６は、本実施形態に係る石英治具の溝を上から撮影した写真を基にして描いた図である。
【図７】図７は、本実施形態に係る石英治具の溝に対してサンドブラスト処理を行い、その後にその溝を上から撮影した写真を基にして描いた図である。
【図８】図８は、本実施形態に係る石英治具の溝に対し、ビーズの粒度を様々に変えてサンドブラスト処理を行い、その後に溝を上から撮影した写真を基にして描いた図である。
【図９】図９は、本実施形態に係る石英治具に収容された半導体ウエハに付着したパーティクルの増加数と、ブラスト処理で使用した石英ビーズの粒度との関係、及び、石英治具の溝の底面の表面粗さと、ブラスト処理で使用した石英ビーズの粒度との関係とを示すグラフである。
【図１０】図１０は、本実施形態に係る石英治具の製造途中の斜視図である。
【図１１】図１１（ａ）、（ｂ）は本実施形態に係る石英治具の製造途中の拡大断面図である。
【図１２】図１２（ａ）〜図１２（ｄ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本実施形態について添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１９】
本願発明者は、半導体ウエハを立てて保持する石英治具を使用し、横型炉において半導体ウエハを熱処理すると、半導体ウエハにどのような不具合が発生するのかについて考察した。
【００２０】
図１は、その横型炉の断面図である。
【００２１】
この横型炉１は、横方向に伸びる石英チューブ２と、その石英チューブ２に巻かれたヒータ８とを有する。
【００２２】
石英チューブ２の開口端には封止キャップ４が設けられており、その封止キャップ４を開閉することで石英チューブ２内にガイドレール３を出し入れすることができる。
【００２３】
そのガイドレール３上には複数の石英治具１０が載置され、各石英治具１０には複数枚の半導体ウエハWが立てた状態で収容される。石英治具１０は耐熱性に優れているため、金属やプラスチック等よりなる治具と比較して、横型炉１内での使用に適している。
【００２４】
横型炉１において熱処理を行う際には、ガス導入口５から処理ガスGが石英チューブ２に導入されると共に、石英チューブ２内を流通した処理ガスGが排気口６から排気される。
【００２５】
処理ガスGは、熱処理の種類に応じて選択され、例えば半導体ウエハWを熱酸化するときには処理ガスGとして酸素ガスが使用される。また、半導体ウエハWをアニールするときには、例えば窒素ガスが処理ガスGとして使用される。
【００２６】
図２は、上記の石英治具１０の斜視図である。
【００２７】
この石英治具１０は、半導体ウエハWを鉛直下方から保持する第１の溝列１１と、半導体ウエハWを横から保持する第２の溝列１２とを有する。そして、半導体ウエハWは、図示のようにオリエンテーションフラットOFを下にして石英治具１０に収容される。
【００２８】
熱処理に際しては、図３に示すように、１ロット（２５枚）の半導体ウエハWが石英治具１０に保持され、各半導体ウエハWに対して一括して熱処理が行われる。
【００２９】
図４は、石英治具１０に形成された第１の溝列１１の拡大斜視図である。
【００３０】
図４に示されるように、第１の溝列１１には、収容する半導体ウエハWの枚数に応じた数の溝１０ａが形成される。各溝１０ａは、鉛直上方に開口しており、その底面１０ｂにおいて半導体ウエハWと接触する。
【００３１】
図５は、一つの溝１０ａとその中に立てられたウエハWの断面図である。
【００３２】
図５に示されるように、ウエハWの端面Sは、ベベリングと呼ばれる面取り加工がなされており、その形状は丸みを帯びている。このようなベベリングにより、ウエハWの搬送時などに端面Sに欠けが発生するのを防止できる。
【００３３】
但し、端面Sが丸みを帯びたことで、溝１０ａの底面１０ｂとウエハWとが一点Aで当接することになり、その点Aにおいて石英治具１０からウエハWに応力が集中的に加わることになる。よって、石英治具１０にウエハWを収容した状態で当該ウエハWに熱処理を行うと、上記の点Aに集中的に加わる応力が原因でウエハWに欠けが発生する。
【００３４】
また、溝１０ａの幅はウエハWの厚さに比べて余裕があるので、石英治具１０内にウエハWを立てて収容すると溝１０ａ内においてウエハWが振動し、その振動が原因でウエハWの欠けが助長される。そのような振動は、例えば、上記の横型炉１（図１参照）において処理ガスGの流量を増減し、ウエハWの周囲を流れる気流が変動したときに発生する。また、石英治具１０に収容した状態でウエハWを搬送するときにも振動が発生する。
【００３５】
図６は、溝１０ａを上から撮影した写真を基にして描いた図である。
【００３６】
溝１０ａは、石英棒を切削加工して形成されるため、溝１０ａの底面１０ｂには切削時に付いた切削痕１０ｃが残っている。半導体ウエハWの欠けは、該ウエハWがそのような切削痕１０ｃに引っかかることによっても生じる。
【００３７】
本願発明者は、上記のような半導体ウエハWの欠けは、溝１０ａの底面１０ｂにサンドブラスト処理を施すことにより、底面１０ｂと半導体ウエハWとの接触面積を大きくすると共に、底面１０ｂを平滑化することで抑制されると考えた。
【００３８】
図７は、そのようなサンドブラスト処理を行った溝１０ａを上から撮影した写真を基にして描いた図である。
【００３９】
図７に示すように、サンドブラスト処理を行うと、図６で見られた切削痕１０ｃが無くなり、溝１０ａの底面１０ｂが平滑化される。よって、切削痕１０ｃに半導体ウエハWが引っかかることが原因で発生する半導体ウエハWの欠けを防止できる。
【００４０】
更に、サンドブラスト処理で使用したビーズの粒度に応じた微細なドット状のビーズ痕が底面１０ｂに付与されるので、サンドブラスト処理をしない場合と比較して半導体ウエハWと底面１０ｂとの接触面積が増える。よって、石英治具１０から半導体ウエハWに加わる応力が分散され、図５のように一点Aに集中的に応力が加わるのを防ぐことができ、応力が原因の半導体ウエハWの欠けも防止できる。
【００４１】
但し、サンドブラスト処理によって底面１０ｂが過度に平滑化されると、底面１０ｂ上で半導体ウエハWが擦動し、擦動部分から発生する石英やシリコンの粉体がパーティクルとして半導体ウエハWの回路形成面に付着するおそれがある。
【００４２】
そこで、本願発明者は、パーティクルの発生を抑制するのに最適な底面１０ｂの表面粗さを求めるべく、以下のような調査を行った。
【００４３】
図８は、その調査で撮影した写真を基にして描いた図である。
【００４４】
この調査では、サンドブラスト処理で使用するビーズとして、粒度が＃１００、＃１８０、＃２４０、及び＃４００の石英ビーズを用いた。なお、ビーズの粒度は、サンドブラスト用のビーズの粒度としてJISにより規定された値を用いている。
【００４５】
そして、各粒度でサンドブラスト処理した石英治具１０に半導体ウエハWを入れた状態で、図１の横型炉にその石英治具１０を５０回出し入れした。
【００４６】
このように出し入れを繰り返すと、上記のように溝１０ａの底面１０ｂ上で半導体ウエハWが擦動し、底面１０ｂに擦り傷１０ｄが付く。その擦り傷１０ｄの面積が大きい程、半導体ウエハWが擦動したときに多くのパーティクルが発生したことになる。また、擦り傷１０ｄの面積が小さくても、写真上でのその照度が明るければ、底面１０ｂに半導体ウエハWが強く擦れたことになり、この場合も多くのパーティクルが発生する。
【００４７】
図８の各写真を比較すると、擦り傷１０ｄの面積は＃１００の場合が最も大きい。また、＃１８０の場合は、＃１００の場合よりも擦り傷１０ｄの面積は小さくなるが、＃２４０の場合よりは擦り傷１０ｄが顕著に付く。
【００４８】
このことから、＃１８０と＃１００の粒度のビーズは、パーティクル数の抑制には不向きであることが理解される。
【００４９】
一方、＃４００の場合は、他の場合と比較して擦り傷１０ｄの面積は小さいが、その照度が明るいので、多くのパーティクルが発生したことがうかがえる。
【００５０】
図９は、石英治具１０に収容された半導体ウエハWに付着したパーティクルの増加数と、ブラスト処理で使用した石英ビーズの粒度の関係を調査して得られたグラフである。
【００５１】
この調査では、まず、石英治具１０に入れる前の半導体ウエハWの表面に付着しているパーティクルの数を測定した。その測定には微粒子カウンタを用い、直径が０．２μm以上の大きさのパーティクルのみを計数するようにした。なお、半導体ウエハWの直径は６インチである。
【００５２】
次いで、半導体ウエハWを石英治具１０に収容した状態で図１の横型炉１に搬送し、横型炉１において酸素雰囲気中で基板温度１０００℃、処理時間３０分とする条件で半導体ウエハWに対して熱処理を行った。
【００５３】
その後、横型炉１から石英治具１０を取り出し、半導体ウエハWに付着しているパーティクルの数を再び測定した。その測定では、熱処理前での測定と同様に、微粒子カウンタを用いて直径が０．２μm以上の大きさのパーティクルのみを計数するようにした。
【００５４】
そして、熱処理後のパーティクル数と熱処理前のパーティクル数との差を求め、熱処理の前後でのパーティクルの増加数を算出した。
【００５５】
図９では、このように算出したパーティクルの増加数を白丸の系列で示し、その値を右側の縦軸で表している。
【００５６】
更に、この調査では、ブラスト処理をした後の溝１０ａの底面１０ｂの表面粗さを触針式段差計で測定し、その表面粗さと石英ビーズの粒度との関係も調べた。その表面粗さについては、図９において黒丸の系列で示すと共に、その値を左側の縦軸に示す。
【００５７】
図９に示すように、パーティクルの増加数は、ビーズ粒度の増大と共に単調に減少するわけではなく、あるビーズ粒度において最小値をとることが明らかとなった。
【００５８】
この理由は次のように考えられる。すなわち、粒度が大きいビーズを使用すると、ビーズ粒径が小さいため底面１０ｂに形成されるビーズ痕が小さくなり、底面１０ｂが過度に平滑化される。そのため、半導体ウエハWの搬送時等において、半導体ウエハWが底面１０ｂ上を擦動し易い状態となり、その擦動に起因したパーティクルが多く発生する。
【００５９】
一方、粒度が小さいビーズを使用すると、ビーズ粒径が大きいため底面１０ｂに先の尖ったビーズ痕が形成され易くなる。そのように先の尖ったビーズ痕に半導体ウエハWが当接すると、当接部分において石英治具１０から半導体ウエハWに集中的に応力が加わることになり、ビーズ痕やウエハWが欠損して多くのパーティクルが発生する。
【００６０】
このように、パーティクルの増加数はビーズの粒度に依存するので、粒度の下限値と上限値とが予め定められたビーズを用いてサンドブラスト処理をすることにより、パーティクルの発生を抑制することができる。
【００６１】
ビーズ粒度の下限値Sminと上限値Smaxの選択にあたっては、図９に示すように、パーティクルの増加数に予め許容値Tを定めておき、パーティクルの増加数がその許容値T以下となるような粒度の範囲の下限値Sminと上限値Smaxを選択するのが好ましい。
【００６２】
例えば、その許容値Tを２００個とした場合、図９によれば粒度が＃２４０〜＃３２０のビーズを使用することで、パーティクルの増加数が許容値Tである２００個以下にすることができる。よって、この場合は、粒度の下限値Sminを＃２４０とし、上限値Smaxを＃３２０とすればよいことになる。
【００６３】
図９によれば、そのように粒度が＃２４０〜＃３２０のビーズを使用した場合の底面１０ｂの表面粗さは１μm〜２μmとなる。したがって、表面粗さの下限値を１μm、上限値を２μmと決めておき、底面１０ｂの表面粗さがこの範囲内に収まるようなブラスト処理をすることによっても、パーティクルの増加数を許容値Tである２００個以下に抑えることができる。
【００６４】
次に、このようなサンドブラスト処理を用いた石英治具の製造方法について説明する。
【００６５】
図１０はこの石英治具１０の製造途中の斜視図であり、図１１（ａ）、（ｂ）はこの石英治具１０の製造途中の拡大断面図である。
【００６６】
この石英治具を製造するには、まず、図１０に示すように、所定の長さに切断された複数の石英棒同士を溶着して基本骨格１３を作製する。その基本骨格１３における石英棒のうち、第１の溝列１１と第２の溝列１２が設けられた石英棒には、切削により複数の溝が予め形成されている。
【００６７】
次いで、図１１（ａ）に示すように、ブラストガン２０を用いて第１の溝列１１にビーズ２１を照射することにより、溝１０ａの底面１０ｂにブラスト処理を施す。
【００６８】
ビーズ２１の材料は特に限定されないが、完成後の石英治具が金属で汚染されるのを防止するために、石英やアルミナ等の非金属の材料よりなるビーズ２１を使用するのが好ましい。
【００６９】
また、ビーズ２１の粒度については、上記したように、パーティクルの発生を抑制するという観点から＃２４０〜＃３２０とするのが好ましい。
【００７０】
なお、本工程では、溝１０ａの底面１０ｂのみにブラスト処理が施されればよいのであるが、ブラストガン２０からビーズ２１が拡がって照射されるので、隣接する溝１０ａの間の石英の表面１０ｃにもブラスト処理が施される。
【００７１】
但し、このように底面１０ｂ以外の表面１０ｃにブラスト処理が施されると、ビーズ痕に起因した凹凸が表面１０ｃに形成され、その凹凸がパーティクル源になるおそれがある。
【００７２】
そこで、本実施形態では、図１１（ｂ）に示すように、隣接する溝１０ａの間の石英の表面１０ｃにガスバーナ３５をあてることにより、当該表面に対して選択的に焼き入れを行う。これにより、表面１０ｃに形成されていたビーズ痕が丸まって平滑化されて表面１０ｃが透明になるので、該表面１０ｃがパーティクル源になる危険性を低減できる。
【００７３】
以上により、本実施形態に係る石英治具１０の基本構造が完成したことになる。
【００７４】
その石英治具１０は、既述のように、図１に示した横型炉１において使用される。その横型炉１で行われるプロセスの種類は特に限定されない。例えば、窒素ガス雰囲気中でのアニールや、酸素雰囲気中での熱酸化を横型炉１において行い得る。
【００７５】
以下に、横型炉１を用いた熱酸化工程を含む半導体装置の製造方法について説明する。
【００７６】
図１２（ａ）〜図１２（ｄ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。この半導体装置は、MOSトランジスタであって、以下のようにして製造される。
【００７７】
まず、図１２（ａ）に示すように、シリコンよりなる半導体ウエハWにSTI(Shallow Trench Isolation)用の素子分離溝４０ａを形成した後、その素子分離溝４０ａに素子分離絶縁膜４１として酸化シリコン膜をCVD法により埋め込む。
【００７８】
その後、既述の石英治具１０（図２参照）に半導体ウエハWを入れ、酸素雰囲気となっている図１の横型炉１において半導体ウエハWを１２５０℃程度の基板温度で熱処理する。
【００７９】
これにより、半導体ウエハWの表面が熱酸化され、熱酸化膜４２が厚さ約２０〜３０nmに形成される。
【００８０】
既述のように、石英治具１０として溝１０ａの底面１０ｂにサンドブラスと処理が施されたものを使用することで、半導体ウエハWの搬送時や熱処理時に半導体ウエハWに欠けが発生するのを防止できる。更に、そのサンドブラスト処理で使用するビーズの粒度を＃２４０〜＃３２０とすることで、熱処理の前後で半導体ウエハWの表面に付着するパーティクルの増加数を２００個以下に抑えることができる。
【００８１】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、上記の熱酸化膜４２をスルー膜として使用しながら、シリコン基板４３にp型不純物としてボロンをイオン注入することにより、pウェル４３を形成する。
【００８２】
なお、このpウェル４３の不純物プロファイルをブロードにするために、pウェル４３の形成後に窒素雰囲気中でシリコン基板１を熱処理してもよい。その熱処理を図１の横型炉１を用いて行ってもよい。
【００８３】
この後に、熱酸化膜４２をウエットエッチングにより除去する。
【００８４】
続いて、図１２（ｃ）に示すように、半導体ウエハWの表面を再び熱酸化してゲート絶縁膜４５を形成する。更に、ゲート絶縁膜４５の上にCVD法によりポリシリコン膜を形成し、それをパターニングしてゲート電極４６を形成する。
【００８５】
次に、図１２（ｄ）に示すように、シリコン基板４０の上側全面にCVD法で酸化シリコン膜を形成し、それをエッチバックしてゲート電極４６の横の絶縁性サイドウォール５０として残す。
【００８６】
そして、その絶縁性サイドウォール５０とゲート電極４６とをマスクにしてシリコン基板４０にn型不純物をイオン注入することにより、ゲート電極４６の横のシリコン基板４０にn型ソース／ドレイン領域５１を形成する。
【００８７】
以上により、MOSトランジスタTRの基本構造が完成したことになる。
【００８８】
上記した本実施形態によれば、図１２（ａ）の工程で半導体ウエハWに熱処理をするときに、石英治具１０にシリコン基板４０を入れる。石英基板１０の溝１０ａの底面１０ｂにはサンドブラスト処理がされているので、半導体ウエハWと底面１０ｂとの接触面積が広がり、底面１０ｂから半導体ウエハWに大きな応力がかからない。
【００８９】
よって、応力等に起因した半導体ウエハWの欠けを防止でき、欠けが原因で廃棄処分するシリコン基板４０の枚数を減らすことが可能となる。
【００９０】
更に、そのサンドブラスト処理において、粒度の下限値Sminと上限値Smaxとが予め定められたビーズを用いることにより、半導体ウエハWに付着するパーティクル数を低減でき、半導体装置の歩留まりを向上させることができるようになる。
【００９１】
以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００９２】
（付記１）  鉛直上向きに開口した複数の溝の各々に半導体ウエハを立てて保持する石英治具の製造方法であって、
粒度の下限値と上限値とが予め定められたビーズを用いて、前記溝の底面に対してブラスト処理を行う工程を有することを特徴とする石英治具の製造方法。
【００９３】
（付記２）  前記溝の前記底面上で前記半導体ウエハが擦動することが原因で増加する前記半導体ウエハ上のパーティクルの増加数と、前記粒度との関係を調べておき、該粒度の前記下限値と前記上限値として、前記パーティクルの増加数が許容値以下に収まる値を用いることを特徴とする付記１に記載の石英治具の製造方法。
【００９４】
（付記３）  前記下限値として＃２４０を使用し、前記上限値として＃３２０を使用することを特徴とする付記２に記載の石英治具の製造方法。
【００９５】
（付記４）  前記サンドブラスト処理をした後に、隣接する前記溝の間の石英の表面を選択的に加熱することにより、前記表面の凹凸を丸めて平滑化する工程を更に有することを特徴とする付記１〜３のいずれかに記載の石英治具の製造方法。
【００９６】
（付記５）  前記ビーズの材料として石英又はアルミナを使用することを特徴とする付記１〜４のいずれかに記載の石英治具の製造方法。
【００９７】
（付記６）  鉛直上向きに開口するように石英治具に形成された複数の溝の各々に半導体ウエハを立てながら、該半導体ウエハに対して熱処理を行う工程を有し、
前記石英治具として、前記溝の底面の表面粗さの上限値と下限値とが予め定められた治具を使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００９８】
（付記７）  前記溝の前記底面上で前記半導体ウエハが擦動することが原因で増加する前記半導体ウエハ上のパーティクルの増加数と、前記底面の前記表面粗さとの関係を調べておき、該表面粗さの前記下限値と前記上限値として、前記パーティクルの個数が許容値以下に収まる値を用いることを特徴とする付記６に記載の半導体装置の製造方法。
【００９９】
（付記８）  前記下限値として１μmを使用し、前記上限値として２μmを使用することを特徴とする付記７に記載の半導体装置の製造方法。
【０１００】
（付記９）  鉛直上向きに開口した溝内に半導体ウエハを立てて保持する石英治具であって、
前記溝の底面に、表面粗さの下限値と上限値とが決められたブラスト処理を施したことを特徴とする石英治具。
【０１０１】
（付記１０）  前記表面粗さの前記下限値は１μmであり、前記上限値は２μmであることを特徴とする付記９に記載の石英治具。
【０１０２】
（付記１１）  隣接する前記溝の間の石英の表面を透明化したことを特徴とする付記９又は付記１０に記載の石英治具。
【符号の説明】
【０１０３】
１…横型炉、２…石英チューブ、３…ガイドレール、４…封止キャップ、５…ガス導入口、６…排気口、８…ヒータ、１０…石英治具、１０ａ…溝、１０ｂ…底面、１０ｃ…切削痕、１０ｄ…擦り傷、１１…第１の溝列、１２…第２の溝列、２０…ブラストガン、２１…ビーズ、３５…ガスバーナ、４０ａ…素子分離溝、４１…素子分離絶縁膜、４２…熱酸化膜、４３…pウェル、４５…ゲート絶縁膜、４６…ゲート電極、５０…絶縁性サイドウォール、５１…n型ソース／ドレイン領域、TR…MOSトランジスタ、S…端面、W…半導体ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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