(57)【要約】【課題】電子機器の遮蔽構造物の遮蔽性能を効率よく評価する方法および装置を提供する。【解決手段】ＣＰＵ１２０は、ハードディスク１２２に格納された電磁界解析プログラム２０１および寄与度算出プログラム２０２に基づいて、遮蔽構造物から遠方にある観測領域の電磁界への遮蔽構造物の開口部の寄与度を算出する。ＣＰＵ１２０は、開口部の遮蔽構造物を囲む基準面への投影を漏洩候補領域として設定する。そして、ＣＰＵ１２０は、基準面全体の電磁界を波源とする観測領域の電磁界値に対する、漏洩候補領域の電磁界を波源とする観測領域の電磁界値の割合を寄与度として算出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波発生源を囲む電磁波遮蔽構造物の性能を評価する電磁波遮蔽構造物の性能評価装置であって、
前記電磁波発生源および前記電磁波遮蔽構造物を含む空間の解析モデルを格納する記憶部と、
前記電磁波遮蔽構造物を囲む基準面上に、前記電磁波遮蔽構造物の開口部に対応する漏洩候補領域を設定し、前記漏洩候補領域の電磁界情報を取得する電磁界取得部と、
前記解析モデルおよび前記漏洩候補領域の電磁界情報に基づいて、前記漏洩候補領域の電磁界を波源とする、前記基準面よりも前記電磁波遮蔽構造物から離れた観測領域における電磁界である開口寄与電磁界を算出する寄与算出部とを備える、電磁波遮蔽構造物の性能評価装置。
【請求項２】
前記電磁界取得部は、前記開口部の領域の前記基準面上への投影領域を前記漏洩候補領域として設定する、請求項１に記載の電磁波遮蔽構造物の性能評価装置。
【請求項３】
前記電磁界取得部は、前記基準面上の電磁界情報をさらに取得し、
前記寄与算出部は、前記解析モデルおよび前記基準面上の電磁界情報に基づいて、前記基準面上の電磁界を波源とする、前記観測領域における電磁界である基準面寄与電磁界を算出し、前記基準面寄与電磁界の値に対する前記開口寄与電磁界の値の割合である、前記観測領域の電磁界への前記開口部の寄与度を算出する、請求項１または２に記載の電磁波遮蔽構造物の性能評価装置。
【請求項４】
前記寄与算出部は、前記観測領域内において前記基準面寄与電磁界の値が所定の値以上である特定点を抽出し、前記特定点における前記寄与度を算出する、請求項３に記載の電磁波遮蔽構造物の性能評価装置。
【請求項５】
前記電磁界取得部は、前記電磁波遮蔽構造物の部品の接続部分に前記開口部を設定する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽構造物の性能評価装置。
【請求項６】
演算部および記憶部を備える演算装置を用いた、電磁波発生源を囲む電磁波遮蔽構造物の性能評価方法であって、
前記演算部が、前記記憶部から前記電磁波発生源および前記電磁波遮蔽構造物を含む空間の解析モデルを読み出すステップと、
前記演算部が、前記電磁波遮蔽構造物を囲む基準面上に、前記電磁波遮蔽構造物の開口部に対応する漏洩候補領域を設定するステップと、
前記演算部が、前記漏洩候補領域の電磁界情報を取得するステップと、
前記演算部が、前記解析モデルおよび前記漏洩候補領域の電磁界情報に基づいて、前記漏洩候補領域の電磁界を波源とする、前記基準面よりも前記電磁波遮蔽構造物から離れた観測領域における電磁界である開口寄与電磁界を算出するステップとを備える、電磁波遮蔽構造物の性能評価方法。
【請求項７】
電磁波発生源を囲む電磁波遮蔽構造物の性能評価を演算部および記憶部を備える演算装置に実行させるための電磁波遮蔽構造物の性能評価プログラムであって、
前記記憶部から前記電磁波発生源および前記電磁波遮蔽構造物を含む空間の解析モデルを読み出すステップと、
前記電磁波遮蔽構造物を囲む基準面上に、前記電磁波遮蔽構造物の開口部に対応する漏洩候補領域を設定するステップと、
前記漏洩候補領域の電磁界情報を取得するステップと、
前記解析モデルおよび前記漏洩候補領域の電磁界情報に基づいて、前記漏洩候補領域の電磁界を波源とする、前記基準面よりも前記電磁波遮蔽構造物から離れた観測領域における電磁界である開口寄与電磁界を算出するステップとを前記演算部に実行させる、電磁波遮蔽構造物の性能評価プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波遮蔽のための構造物の性能を評価する技術に関する。特に、本発明は、構造物における電磁波の漏洩箇所の遠方電磁界への寄与度を判定する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器においては、回路の高密度化や信号の高速化に伴い、電子機器から放射される不要電磁波に起因するＥＭＩ(ＥｌｅｃｔｒｏＭａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ)問題が顕在している。例えば、不要電磁波は、電源品質および信号品質の低下や、機器の誤動作の発生等の問題を引き起こす。
【０００３】
このため、電子機器から放射される不要電磁波のレベルにはＶＣＣＩ(情報処理装置等電波障害自主協議会)等の規格が設けられている。電子機器の設計にあたっては、これらの規格を満足するための様々な対策がなされている。規格を満足しない場合には、さらなる対策を施す必要がある。この際、不要電磁波の原因となる箇所を特定することは非常に重要である。
【０００４】
これまでにも、不要電磁波の原因箇所を特定する技術は、提案されている。例えば、特許文献１に記載のように、電磁波の波源となる対象物表面における個々の電流が遠方電磁界に与える影響を算出する手法が提案されている。特許文献１に記載の手法は、対象物全体が作る遠方電磁界に対する個々の電流が作る遠方電磁界の割合を、個々の電流が遠方電磁界へ与える影響の指標として求めている。
【特許文献１】特開２００２−２７７５００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記ＶＣＣＩ等の規格においては、評価対象物である電子機器から、電子機器の寸法に対して十分に離れた点（例えば、対象物から３［ｍ］や１０［ｍ］離れた点)における電磁界を評価することが多い。
【０００６】
したがって、電子機器の評価にあたっては、遠方電磁界へ影響を与える電子機器の箇所を特定するために、電子機器が作る電磁界の近傍への影響（寄与度)ではなく、遠方への寄与度を判定する必要がある。特許文献１において提案されている方法によれば、評価対象物上の各点を流れる個々の電流（特許文献１では電流素と記載）の遠方への寄与度を判定することが可能である。
【０００７】
ところで、電子機器は、金属製のシールドケースなどの電磁波遮蔽用の構造物（以下、遮蔽構造物とよぶ）で覆われることがある。遮蔽構造物で覆われる電子機器の評価を、特許文献１に記載の方法を用いて行なうのは、以下で説明するように、効率が悪い。
【０００８】
遮蔽構造物で覆われた電子機器が発生する電磁波のうち、遠方の電磁界に影響を与えるのは、遮蔽構造物の開口部（スリットなど）を通る電磁波であると予想される。ところが、特許文献１に記載の方法は、遮蔽構造物の構造を考慮していないため、遠方電磁界に影響を与える箇所を効率的に特定できない。
【０００９】
また、遮蔽構造物には、設計では意図していない開口部が生じる場合がある。例えば、設計上は接触しているシールドケースとシャーシとのビス止めなどによる接続箇所に、実際には隙間があることがある。特許文献１に記載の方法では、このような箇所の遠方電磁界への寄与度を判定することができない。
【００１０】
このように、特許文献１に記載の方法では、遮蔽構造物で囲まれた電子部品が、規格で評価対象とされている遠方での点の電磁界に対して、実際に影響を与えている箇所を効率よく特定できない。よって、ＥＭＩ対策について無駄な期間と工数の増加を招くことになる。
【００１１】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであって、電子機器の遮蔽構造物の遮蔽性能を効率よく評価する方法および装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
１つの局面に係る本願発明は、電磁波発生源を囲む電磁波遮蔽構造物の性能を評価する電磁波遮蔽構造物の性能評価装置であって、電磁波発生源および前記電磁波遮蔽構造物を含む空間の解析モデルを格納する記憶部と、前記電磁波遮蔽構造物を囲む基準面上に、前記電磁波遮蔽構造物の開口部に対応する漏洩候補領域を設定し、前記漏洩候補領域の電磁界情報を取得する電磁界取得部と、前記解析モデルおよび前記漏洩候補領域の電磁界情報に基づいて、前記漏洩候補領域の電磁界を波源とする、前記基準面よりも前記電磁波遮蔽構造物から離れた観測領域における電磁界である開口寄与電磁界を算出する寄与算出部とを備える。
【００１３】
好ましくは、前記電磁界取得部は、前記開口部の領域の前記基準面上への投影領域を前記漏洩候補領域として設定する。
【００１４】
好ましくは、前記電磁界取得部は、前記基準面上の電磁界情報をさらに取得し、前記寄与算出部は、前記解析モデルおよび前記基準面上の電磁界情報に基づいて、前記基準面上の電磁界を波源とする、前記観測領域における電磁界である基準面寄与電磁界を算出し、前記基準面寄与電磁界の値に対する前記開口寄与電磁界の値の割合である、前記観測領域の電磁界への前記開口部の寄与度を算出する。
【００１５】
さらに好ましくは、前記寄与算出部は、前記観測領域内において前記基準面寄与電磁界の値が所定の値以上である特定点を抽出し、前記特定点における前記寄与度を算出する。
【００１６】
好ましくは、前記電磁界取得部は、前記電磁波遮蔽構造物の部品の接続部分に前記開口部を設定する。
【００１７】
他の局面に係る本願発明は、演算部および記憶部を備える演算装置を用いた、電磁波発生源を囲む電磁波遮蔽構造物の性能評価方法であって、前記演算部が、前記記憶部から前記電磁波発生源および前記電磁波遮蔽構造物を含む空間の解析モデルを読み出すステップと、前記演算部が、前記電磁波遮蔽構造物を囲む基準面上に、前記電磁波遮蔽構造物の開口部に対応する漏洩候補領域を設定するステップと、前記演算部が、前記漏洩候補領域の電磁界情報を取得するステップと、前記演算部が、前記解析モデルおよび前記漏洩候補領域の電磁界情報に基づいて、前記漏洩候補領域の電磁界を波源とする、前記基準面よりも前記電磁波遮蔽構造物から離れた観測領域における電磁界である開口寄与電磁界を算出するステップとを備える。
【００１８】
さらに他の局面に係る本願発明は、電磁波発生源を囲む電磁波遮蔽構造物の性能評価を演算部および記憶部を備える演算装置に実行させるための電磁波遮蔽構造物の性能評価プログラムであって、前記記憶部から前記電磁波発生源および前記電磁波遮蔽構造物を含む空間の解析モデルを読み出すステップと、前記電磁波遮蔽構造物を囲む基準面上に、前記電磁波遮蔽構造物の開口部に対応する漏洩候補領域を設定するステップと、前記漏洩候補領域の電磁界情報を取得するステップと、前記解析モデルおよび前記漏洩候補領域の電磁界情報に基づいて、前記漏洩候補領域の電磁界を波源とする、前記基準面よりも前記電磁波遮蔽構造物から離れた観測領域における電磁界である開口寄与電磁界を算出するステップとを前記演算部に実行させる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、遮蔽構造物を囲む基準面に遮蔽構造物の開口部に対応する漏洩候補領域を設定し、漏洩候補領域の電磁界を波源とする、遠方にある観測領域の電磁界を算出する。その結果、遮蔽構造物の電磁波遮蔽性能を効率よく評価することができる。
【００２０】
あるいは、本発明によれば、設計上は隙間がないものの実際には隙間がある箇所を開口部に設定して、遠方の電磁界を算出することができる。このようにすれば、設計上は問題とならないものの、実際には電磁波の漏洩箇所となっている領域を効率よく特定できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて例示的に説明する。以下に記載されている構成・寸法・形状・その他の相対的な配置等は、特定的な記載がない限りは、この発明をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００２２】
以下の説明で明らかになるように本実施形態に係るシミュレーションプログラムは、開口部を有する電磁波遮蔽構造物において、実際に遠方の点に影響を与える電磁波の漏洩箇所を特定し、ＥＭＩ対策に費やす手間を省くことができる。
【００２３】
（１．システム構成）
図１を参照して、本実施の形態に係るシミュレーションプログラムを実行するコンピュータ１００のハードウェア構成を説明する。図１は、本実施の形態に係るシミュレーションプログラムを実行するコンピュータ１００の構成をブロック図により示した図である。
【００２４】
図１に示すコンピュータ１００は、コンピュータ本体１０１と、フレキシブルディスク(Flexible Disk、以下「ＦＤ」と呼ぶ)ドライブ１０３と、光ディスクドライブ１０４と、通信インターフェイス１０５と、表示装置としてのモニタ１０６と、入力装置としてのキーボード１０７およびマウス１０８とを備える。ＦＤドライブ１０３、光ディスクドライブ１０４、通信インターフェイス１０５、キーボード１０７およびマウス１０８は、各々、バス１０２を介してコンピュータ本体１０１に接続される。
【００２５】
ＦＤドライブ１０３は、ＦＤ１１３に情報を読み書きする。光ディスクドライブ１０４は、ＣＤ−ＲＯＭ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）１１４等の光ディスク上の情報を読み込む。通信インターフェイス１０５は、外部とデータの授受を行なう。
【００２６】
コンピュータ本体１００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１２０と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）およびＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）を含むメモリ１２１と、ハードディスク１２２とを含む。ＣＰＵ１２０、メモリ１２１、ハードディスク１２２は、各々、バス１０２に接続されている。
【００２７】
ハードディスク１２２は、電磁波遮蔽構造物や、電流が流れる波源を含む電子機器（たとえば、回路素子を実装するプリント基板）などの解析対象物の設計形状や、解析対象物を構成する媒質の誘電率等の物理的性質を表現するパラメータ等を指定するＣＡＤ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ−ａｉｄｅｄ  ｄｅｓｉｇｎ）データ２００と、電磁界解析プログラム２０１と、遠方電磁界への寄与度を算出する寄与度算出プログラム２０２と、電磁界解析の解析条件２０３と、解析対象物の解析モデル２０４と、電磁界解析結果２０５と、寄与度２０６とを格納する。なお、ハードディスク１２２は、直接アクセスメモリ装置の一例であって、ハードディスク１２２のかわりに、他の種類の直接アクセスメモリ装置を用いてもよい。
【００２８】
ここで、たとえば、ＣＡＤデータ２００および解析条件２０３については、通信インターフェイス１０５を介して、外部のデータベースから供給されてもよい。また、電磁界解析プログラム２０１および寄与度算出プログラム２０６は、ＦＤ１１３やＣＤ−ＲＯＭ１１４等の記憶媒体によって供給されてもよいし、他のコンピュータにより通信回線を経由して供給されてもよい。また、電磁界解析については、通信インターフェイス１０５を介して、外部のコンピュータに実行させ、その結果をハードディスク１２２に格納させてもよい。
【００２９】
本発明に係るシミュレーションプログラム（電磁界解析プログラム２０１、寄与度算出プログラム２０２）は、上述の通り、ＣＰＵ１２０により実行されるソフトウェアである。一般的に、こうしたソフトウェアは、ＣＤ−ＲＯＭ、ＦＤ等の記憶媒体に格納されて流通し、光ディスクドライブ１１４またはＦＤドライブ１１３等により記憶媒体から読み取られてハードディスク１２２に一旦格納される。または、コンピュータ１００がネットワークに接続されている場合には、ネットワーク上のサーバから一旦ハードディスク１２２にコピーされる。さらにハードディスク１２２からメモリ１２１中のＲＡＭに読み出されてＣＰＵ１２０により実行される。なお、ネットワーク接続されている場合には、ハードディスク１２２に格納することなくＲＡＭに直接ロードして実行するようにしてもよい。
【００３０】
図１に示したコンピュータ１００のハードウェア自体およびその動作原理は一般的なものである。したがって、本発明の機能を実現するにあたり本質的な部分は、ＦＤ１１３、ＣＤ−ＲＯＭ１１４、ハードディスク１２２等の記憶媒体に記憶されたソフトウェアである。
【００３１】
図２を参照して、ＣＰＵ１２０の機能的構成を説明する。図２は、ＣＰＵ１２０の機能的構成を示すブロック図である。図２を参照して、ＣＰＵ１２０は、電磁界解析部２１０と、寄与度算出部２２０と、電磁界解析部２１０および寄与度算出部２２０の制御を行なう解析制御部２３０とを備える。
【００３２】
電磁界解析部２１０は、電磁界解析プログラム２０１に従い電磁界解析を行なう。電磁界解析部２１０は、モデル作成部２１１と、解析実行部２１２とを含む。
【００３３】
モデル作成部２１１は、解析対象の解析モデルを作成する。より具体的には、モデル作成部２１１は、ＣＡＤデータ２００から、電磁波遮蔽構造物の設計形状情報、電磁波遮蔽構造物内部にある波源(例えば回路基板やアンテナ等)の機構設計情報、電磁界解析に必要な、誘電率、透磁率、導電率等の物性値を抽出する。そして、モデル作成部２１１は、抽出したデータに基づいて、解析条件２０３に従い、解析モデル２０４を作成する。
【００３４】
例えば、ＦＤＴＤ（Ｆｉｎｉｔｅ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ  Ｔｉｍｅ  Ｄｏｍａｉｎ）法によって電磁界解析を行なう場合、モデル作成部２１１は、解析空間を解析条件２０３で与えられたセルサイズで分割し、各セルに対し、各セルを満たす物質に応じた物性値を与えた解析モデル２０４を作成する。
【００３５】
また、モデル作成部２１１は、作成した解析モデル２０４をハードディスク１２２に格納する。
【００３６】
解析実行部２１２は、ＦＤＴＤ法等の電磁界解析を実行する。より具体的には、解析実行部２１２は、ハードディスク１２２に格納された解析モデル２０４を読み込み、解析条件２０３(例えば、ＦＤＴＤ法のタイムステップ)に従って、解析空間の電磁界を計算する。特に、解析実行部２１２は、構造物を囲むように設定された閉曲面（基準面とよぶ）上の電磁界を計算する。そして、解析実行部２１２は、ハードディスク１２２に解析結果２０５を書き込む。
【００３７】
寄与度算出部２２０は、寄与度算出プログラム２０２に従い、電磁界解析部２１０の電磁界解析結果２０５に基づいて漏洩候補領域の遠方電磁界への寄与度２０６を、以下のように、算出する。
【００３８】
まず、寄与度算出部２２０は、ＣＡＤデータ２００から電磁界遮蔽構造物の開口部を取得する。寄与度算出部２２０は、構造物のスリット、あるいは、構造物の部品の接合部を、開口部とみなす。
【００３９】
次に、寄与度算出部２２０は、開口部を基準面に投影した領域を、電磁波の漏洩候補領域として設定する。開口部が複数ある場合、寄与度算出部２２０は、各開口部に対応する投影領域を漏洩候補領域として設定する。
【００４０】
なお、ここでは、寄与度算出部２２０が、ＣＡＤデータ２００から求めた開口部を基準面に投影した領域を漏洩候補領域に設定するとしている。しかし、漏洩候補領域の設定方法はこれに限られるわけではない。例えば、寄与度算出部２２０は、ユーザによるキーボード１０７への入力に基づいて、開口部に対応する基準面上の領域を漏洩候補領域として設定してもよい。
【００４１】
そして、寄与度算出部２２０は、電磁界解析結果２０５に基づいて、基準面上および漏洩候補領域の電磁界のそれぞれを波源とする、遠方の観測領域における電磁界を算出する。具体的には、寄与度算出部２２０は、基準面上および漏洩候補領域の電磁界のそれぞれを、等価定理等の第二次波源として、観測領域における電磁界を算出する。なお、寄与度算出部２２０は、ＦＤＴＤ−ＭＡＳ法など、任意の境界面において、詳細なメッシュを粗いメッシュに変換する方法を用いて、観測領域における電磁界を算出してもよい。
【００４２】
このように、本実施の形態に係る遮蔽構造物の評価方法では、開口部に対応する漏洩候補領域を波源とみなして、遠方の電磁界を算出する。そのため、遠方電磁界の算出処理の負荷を減らすことができる。
【００４３】
そして、算出した遠方領域における電磁界の大きさに基づいて、遠方電磁界への漏洩候補領域の寄与度２０６を算出し、ハードディスク１２２に格納する。ここで、遠方電磁界への漏洩候補領域の寄与度とは遠方領域上の特定点において、解析面全体から与えられる電磁界の値に対する漏洩候補領域から与えられる電磁界の値の割合のことをいう。
【００４４】
好ましくは、寄与度算出部２２０は、遠方領域の電磁界強度において、電磁界強度の値が所定の規格値(例えばＶＣＣＩの規格値)を越えている点、または電磁界強度の最大点あるいは極大点を特定点とする。特定点を決める条件は、解析条件２０３に含まれるものとする。そして、寄与度算出部２２０は、特定点における寄与度を求める。特定点を求めてから、特定点の寄与度を求めることにより計算の負荷が減る。
【００４５】
なお、前述の説明では、寄与度算出部２２０は、ＦＤＴＤ法等の解析方法によって求めた電磁界解析結果２０５に基づいて、寄与度を算出している。しかし、寄与度算出部２２０は、電磁界解析結果２０５のかわりに、電磁界の測定結果を用いて、寄与度を算出してもよい。例えば、ユーザは、プローブ等の電磁界測定装置を用いて金属構造物を囲む閉曲面上の各点における電磁界の振幅および位相を観測し、観測結果を、電磁界解析結果２０５のかわりにハードディスク１２２に格納してもよい。この場合、電磁界測定装置で測定可能な空間が解析空間に相当する。
【００４６】
（２．解析処理（その１））
以下より、図３および図４に示すような金属構造物３０１の遮蔽性能を評価する方法を説明する。より具体的には、金属構造物３０１から漏洩する不要電磁波の遠方電磁界へ与える影響を解析する方法について説明する。図３は、金属構造物３０１の鳥瞰図である。図４は、金属構造物３０１を側面から見た断面図である。
【００４７】
図３および図４を参照して、評価対象物である金属構造物３０１は、スリット３０２ａおよびスリット３０２ｂを有する。なお、以下では、スリット３０２ａとスリット３０２ｂとを区別しない場合は、これらをスリット３０２と総称する。金属構造物３０１の内部には、波源４０１(たとえばアンテナやプリント基板)が配置されている。言い換えると、金属構造物３０１は、波源４０１を囲むように配置されている。また、金属構造物３０１は、シャーシ３０３に接触している。
【００４８】
図５を参照して、遮蔽性能評価にあたって必要となる、金蔵構造物３０１全体から発生する電磁界の遠方領域での値の算出、ならびに、遠方領域における特定点の決定について説明する。図５は、解析面、観測領域、および、特定点について説明するための図である。
【００４９】
まず、電磁界解析部２１０は、図５のように金属構造物３０１の近傍の閉曲面（金属構造物３０１から不要電磁波の影響を評価したい領域までの距離に対して十分に近い面）を解析面５０１として設定し、解析面５０１上の電磁界を求める。
【００５０】
次に、寄与度算出部２２０は、解析面５０１全体の電磁界を波源とみなして、金属構造物３０１から所定の距離（例えば、ＥＭＩの規格で定められた距離）にある領域（以下、観測領域５０２とよぶ）の電磁界を算出する。例えば、解析面５０１全体の電磁界を等価定理の第二次波源とみなして、観測領域５０２の電磁界を算出する。ここで、等価定理を用いるのは、ＦＤＴＤ法等で直接遠方の領域における電磁界を求めるのに対し、解析にかかる時間やハードウェア資源を少なくすることができるからである。
【００５１】
この算出方法では、金属構造物３０１のスリット３０２から漏洩する電磁界を、解析面５０１上の電磁界に置き換えている。この置き換えは、観測領域５０２の電磁界の算出結果に影響しない。金属構造物３０１と解析面５０１との間の距離は、金属構造物３０１と観測領域５０２との間の距離に対して、十分に短く、解析面５０１における電磁界は、金属構造物３０１のスリット３０２から漏洩する電磁界とほぼ等しいと考えることができるからである。
【００５２】
次に、寄与度算出部２２０は、観測領域５０２において、上記方法により算出した、解析面５０１全体の電磁波が、所定の条件を満たす点を特定点５０３として設定する。具体的には、寄与度算出部２２０は、電磁波強度が、所定の値（例えば、ＥＭＩの規格値）より大きな値を取る点、または、電磁界強度の極大点を、特定点５０３として設定する。
【００５３】
続いて、図６を参照して、遮蔽性能評価にあたって必要となる、漏洩候補領域から発生する電磁界の遠方領域での値の算出、ならびに、寄与度の算出について説明する。図６は、漏洩候補領域の設定および寄与度の算出について説明するための図である。
【００５４】
まず、寄与度算出部３０１は、図６に示すように、解析面５０１に金属構造物３０１におけるスリット３０２ａ、スリット３０２ｂの領域を投影する。寄与度算出部３０１は、スリット３０２ａ、スリット３０２ｂの投影領域を、それぞれ電磁波の漏洩候補領域６０１ａ、６０１ｂとして設定する。なお、以下では、漏洩候補領域６０１ａと漏洩候補領域６０１ｂとを区別しない場合は、これらを漏洩候補領域６０１と総称する。
【００５５】
次に、寄与度算出部３０１は、各漏洩候補領域６０１における電磁界を波源とする、特定点５０３における電磁界を算出する。具体的には、寄与度算出部３０１は、等価定理等を用いて、各漏洩候補領域６０１が特定点５０３に作る電磁界を算出する。
【００５６】
そして、解析面５０１全体の電磁界を波源とする特定点５０３における電磁界の値に対する、各漏洩候補領域６０１を波源とする特定点５０３における電磁界の値との割合を算出し、算出した値を各漏洩候補領域６０１からの遠方電磁界への寄与度２０６とする。
【００５７】
寄与度算出部３０１は、算出した寄与度２０６をハードディスク１２２に格納する。寄与度算出部３０１は、算出した寄与度２０６を、モニタ１０６に表示してもよい。ユーザは、算出された寄与度の値を比較することにより、どの漏洩候補領域６０１からの電磁波が、特定点５０３に強く影響を与えているかを知ることができる。したがって、ユーザは、効率的なノイズ対策を行なうことができる。ユーザは、特定点５０３に強く影響を与える漏洩候補領域６０１に優先的にノイズ対策を行なうことで、遮蔽構造物の遮蔽性能を効率よく向上することができる。
【００５８】
以上で、本実施の形態に係る金属構造物３０１のスリット３０２から漏洩する電磁界の遠方への寄与度の判定手法の説明を終わる。
【００５９】
（３．解析処理（その２））
以下から、金属構造物３０１の部品の接続部を、電磁波の漏洩箇所として扱って、遠方電磁界への寄与度を判定する手法について説明する。この手法によれば、機構設計上は部品同士に隙間がないものの、実際には隙間がある接続部の影響を知ることができる。
【００６０】
この手法では、図７に示すように、寄与度算出部２２０は、金属構造物３０１とシャーシ３０３との接続部７０１において、金属構造部３０１とシャーシ３０３との間に隙間が生じるように、ＣＡＤデータ２００に設定されている金属構造物３０１の位置を移動させる。この移動により、開口７０２が生じる。
【００６１】
なお、接続部７０１に関連する開口７０２を設ける手段は、金属構造物３０１の位置の移動に限られない。例えば、接続部７０１に開口７０２を設けるように、金属構造物３０１を変形する等の手段を用いてもよい。
【００６２】
寄与度算出部２２０は、前述と同様の方法により、金属構造物３０１におけるスリット３０２の解析面５０１への投影領域を漏洩候補領域６０１として設定する。また、図８に示すように、スリット３０２に対応する漏洩候補領域６０１の設定と同様に、開口７０２の領域の解析面５０１への投影領域を、電磁波の漏洩候補領域８０１ａ、８０１ｂとして設定する。
【００６３】
寄与度算出部２２０は、あとは、前述と同様な方法を用いて、各漏洩候補領域の寄与度を算出する。すなわち、寄与度算出部２２０は、各漏洩候補領域６０１、８０１を波源とする特定点の電磁界を求め、各漏洩候補領域の遠方電磁界への寄与度を算出する。
【００６４】
この手法によれば、ユーザは、設計上は遠方電磁界の原因ではないものの、実際には遠方電磁界へ影響を与える漏洩箇所を特定することができ、ＥＭＩ対策が必要な箇所を効率よく特定できる。
【００６５】
(４．コンピュータへの実装)
図９を参照して、本実施の形態に係る遮蔽構造物の評価処理について説明する。図９は、本実施の形態に係る遮蔽構造物の評価処理の流れを示したフローチャートである。なお、以下の処理はＣＰＵ１２０が、ハードディスク１２２に格納された電磁界解析プログラム２０１および寄与度算出プログラム２０２に従って動作することによって実現される。また、以下で説明する手順は、一例にすぎず、例えば、ステップを適宜入れ替えてもよい。
【００６６】
まず、ステップＳ９０１において、ＣＰＵ１２０は、ハードディスク１２２から、ＣＡＤデータ２００および解析条件２０３を読み込む。
【００６７】
次いで、ステップＳ９０２において、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ９０１において読み込んだＣＡＤデータ２００および解析条件２０３に基づいて、解析モデル２０４を作成する。そして、ＣＰＵ１２０は、作成した解析モデル２０４を、ハードディスク１２２に格納する。
【００６８】
次いで、ステップＳ９０３において、ＣＰＵ１２０は、解析モデル２０４を読み込み、ＦＤＴＤ法などによって解析面５０１上の各点における電磁界情報(振幅および位相)を求め、電磁界解析結果２０５としてハードディスク１２２に格納する。
【００６９】
なお、実際に内部に波源４０１を有する遮蔽構造物がある場合、遮蔽構造物を囲む測定面（解析面５０１に相当）上の各点における電磁界を測定することができる。この場合、ＣＰＵ１２０は、解析結果２０５のかわりに、実際の電磁界測定結果を取得して、ハードディスク１２２に格納してもよい。例えば、ＣＰＵ１２０は、電磁界測定装置による測定結果を、通信インターフェース１０５を介して取得する。
【００７０】
次いで、ステップＳ９０４において、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ９０３で取得した解析面５０１上の電磁界情報から、観測領域５０２における電磁界情報を求める。
【００７１】
次いで、ステップＳ９０５において、ＣＰＵ１２０は、観測領域５０２の電磁界情報および解析条件２０３に含まれる特定点を決定する際の条件に基づいて、観測領域５０２中の特定点５０３を決定する。ＣＰＵ１２０は、例えば、電磁界値がＶＣＣＩ等の規格で定められた値を越える点や、電磁界値が最大または極大となる点を特定点５０３とする。
【００７２】
次いでステップＳ９０６において、ＣＰＵ１２０は、遮蔽構造物のスリットの領域を解析面５０１に投影し、電磁波の漏洩候補領域６０１として設定する。また、遮蔽構造物の複数の部品が設計上接触する接合部がある場合、ＣＰＵ１２０は、遮蔽構造物の部品配置を移動させて、接触する部品の間に開口を作り、開口の解析面５０１への投影領域を漏洩候補領域８０１に設定する。なお、開口を設定する方法は、構造物の位置の移動に限られない。例えば、接続部に開口を設けるように、遮蔽構造物を変形してもよい。
【００７３】
次いでステップＳ９０７においてＣＰＵ１２０は各漏洩候補領域の電磁界情報に基づいて、漏洩候補領域を波源とする特定点における電磁界を算出する。
【００７４】
最後に、ステップＳ９０８においてＣＰＵ１２０は、ステップＳ９０４で求めた特定点における電磁界値に対する、ステップＳ９０７で算出した電磁界値の割合である、漏洩候補領域の遠方電磁界への寄与度２０６を求め、ハードディスク１２２に格納する。
【００７５】
以上のようにして、本実施の形態に係るシミュレーションプログラムは遮蔽構造物の遠方領域への影響の解析処理を行なう。つまり、本実施の形態に係るシミュレーションプログラムは、開口部（スリットあるいは接続部の開口）を有する遮蔽構造物の性能を、開口部の遮蔽構造物周辺に設定された面への投影領域を電磁波の漏洩候補領域とし、各漏洩候補領域の特定点への寄与度、つまり、特定点への影響を解析する。ユーザは、この解析結果をＥＭＩ対策に活かすことが可能である。ユーザは、解析結果に基づいて、遮蔽構造物において、遠方電磁界に大きく影響を与えている箇所を効率的に特定することができる。
【００７６】
なお、特定点が予め定められている時は、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ９０５の処理を省略できる。また、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ９０４において、観測領域５０２のすべてにわたってではなく、特定点の電磁界を求めればよい。
【００７７】
さらに、特定点を求めず、観測領域５０２すべてにわたって、漏洩候補領域の寄与度を求めてもよい。ただし、上で説明したように、特定点を求めて、特定点の寄与度を計算した方が、計算量を少なくできる。
【００７８】
また、寄与度算出部２２０は、寄与度ではなく、漏洩候補領域が観測領域５０２に作る電磁界値そのものを、漏洩候補領域が観測領域５０２に与える影響として求めてもよい。この場合、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ９０４およびステップＳ９０８の処理を省略できる。ただし、電磁界値そのものよりも寄与度による方が、ユーザは各漏洩候補領域が観測領域５０２に与える影響を把握しやすい。
【００７９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本実施の形態に係るシミュレーションプログラムを実行するコンピュータ１００の構成をブロック図により示した図である。
【図２】ＣＰＵ１２０の機能的構成を示すブロック図である。
【図３】金属構造物３０１の鳥瞰図である。
【図４】金属構造物３０１を側面から見た断面図である。
【図５】解析面、観測領域、および、特定点について説明するための図である。
【図６】漏洩候補領域の設定および寄与度の算出について説明するための図である。
【図７】遮蔽構造物の部品の接続部に開口を設定する方法の一例を説明するための図である。
【図８】スリットに対応する漏洩候補領域、および、接続部の開口に対応する漏洩候補領域を示す図である。
【図９】本実施の形態に係る遮蔽構造物の評価処理の流れを示したフローチャートである。
【符号の説明】
【００８１】
１００  コンピュータ、１０１  コンピュータ本体、１０２  バス、１０３  ＦＤドライブ、１０４  光ディスクドライブ、１０５  通信インターフェイス、１０６  モニタ、１０７  キーボード、１０８  マウス、１２０  ＣＰＵ、１２１  メモリ、１２２  ハードディスク、２００  ＣＡＤデータ、２０１  電磁界解析プログラム、２０２  寄与度算出プログラム、２０３  解析条件、２０４  解析モデル、２０５  電磁界解析結果、２０６  寄与度、２１０  電磁界解析部、２１１  モデル作成部、２１２  解析実行部、２２０  寄与度算出部、３０１  金属構造物、３０２  スリット、４０１  波源、５０１  解析面、５０２  観測面、５０３  特定点、６０１  漏洩候補領域、７０１  接続部、７０２  開口、８０１ａ，８０１ｂ  漏洩候補領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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