(57)【要約】【課題】電気特性の劣化を抑制すると共に、一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持つＰ型の領域を形成できる半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】例えば、半導体基板（エピ基板１０）に、Ｐ型の領域形成工程を有し、領域２０形成工程が、所望の第１深部領域１０Ａにボロン（Ｂ）又はボロン化合物を注入した後、半導体基板の結晶性を回復させる温度でアニール処理を行ってＰ型の第１領域２０Ａを形成する工程と、前記第１領域２０Ａよりも半導体基板表面側浅い深部の第２深部領域であって半導体基板厚み方向に投影したときに第１領域２０Ａと重なる１０Ｂにボロン（Ｂ）又はボロン化合物を注入した後、半導体基板の結晶性を回復させる温度でアニール処理を行って前記第１領域２０Ａと隣接してＰ型の第２領域２０Ｂを形成する工程と、を少なくとも有する半導体装置の製造方法。【選択図】図１
2010177465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に、Ｐ型の領域を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記Ｐ型の領域を形成する工程が、
前記半導体基板に対して、所望の第１深部領域にボロン（Ｂ）又はボロン化合物を注入した後、前記半導体基板の結晶性を回復させる温度でアニール処理を行ってＰ型の第１領域を形成する工程と、
前記半導体基板に対して、前記第１領域よりも前記半導体基板表面側に浅い深部の第２深部領域であって前記半導体基板厚み方向に投影したときに前記第１領域と重なる第２深部領域にボロン（Ｂ）又はボロン化合物を注入した後、前記半導体基板の結晶性を回復させる温度でアニール処理を行って前記第１領域と隣接してＰ型の第２領域を形成する工程と、
を少なくとも有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記Ｐ型の領域を形成する工程後、前記半導体基板における当該Ｐ型の領域よりも表面側領域を除去する工程を有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板が、炭化珪素基板である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板が、Ｎ型の半導体基板である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関するもので、特に、半導体基板にボロン（Ｂ）又はボロン化合物のイオン注入によるＰ型の領域を持つ半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板にＰ型の領域（例えば、ボックス（箱型）構造）を形成する場合、Ｓｉ（シリコン）半導体デバイスプロセスでは、不純物拡散法やイオン注入法などを用いることもできる。一方、ＳｉＣ半導体デバイスプロセスでは、ＳｉＣ中における不純物の拡散係数が極めて小さいために、不純物拡散法は現実的でなく用いることができない。このため、Ｐ型領域の形成プロセスとしてイオン注入法が一般的である。ＳｉＣ半導体の場合、Ｐ型の注入イオン種としてアルミニウム（Ａｌ）、ボロン（ホウ素：Ｂ）などが用いられる（（例えば、特許文献１〜２、非特許文献３参照）。
【０００３】
イオン注入によりボックス構造を形成するには、注入イオンの加速エネルギー及び注入ドーズを複数変えて注入する多段階注入法を用いるのが一般的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６１−１８５９２３号公報
【特許文献２】特開２０００−１５０８６６公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献３】「Doping of SiC by Implantation of Boron and Aluminum」(Physics Status SolidiA: Volume 162 1997: p277〜298.)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、例えば、デバイス構造設計上１μｍ程度の深さのＰ型領域をイオン注入アルミニウム（Ａｌ）により形成する場合、原子量及びイオン半径がＳｉＣ基板の構成元素である炭素（Ｃ）より大きく、シリコン（Ｓｉ）と同程度であることから、注入エネルギーが数百ｋｅＶにも及ぶ高エネルギー注入を必要とし、ＳｉＣ基板にダメージを与えやすく電気特性の劣化が生じ易い。一方、注入イオン種としてボロン（Ｂ）を選択した場合、多段階注入法を適用すると、深さ方向に一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持つＰ型のボックス構造（Ｐ型の領域）を作製できずに、半導体装置が所要の性能を達成できなくなるという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明の課題は、一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持つＰ型の領域を形成できる半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に、Ｐ型の領域を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記Ｐ型の領域を形成する工程が、
前記半導体基板に対して、所望の第１深部領域にボロン（Ｂ）又はボロン化合物を注入した後、前記半導体基板の結晶性を回復させる温度でアニール処理を行ってＰ型の第１領域を形成する工程と、
前記半導体基板に対して、前記第１領域よりも前記半導体基板表面側に浅い深部の第２深部領域であって前記半導体基板厚み方向に投影したときに前記第１領域と重なる第２深部領域にボロン（Ｂ）又はボロン化合物を注入した後、前記半導体基板の結晶性を回復させる温度でアニール処理を行って前記第１領域と隣接してＰ型の第２領域を形成する工程と、
を少なくとも有する半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持つＰ型の領域を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す概略工程図である。
【図２】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す概略工程図である。
【図３】ボロン（Ｂ）を多段注入した後のＳｉＣ基板のＳＩＭＳプロファイを示す図である。
【図４】図３に示すボロン（Ｂ）を多段注入した後、一括してアニール処理を施したＳｉＣ基板のＳＩＭＳプロファイを示す図である。
【図５】第１深部及び第３深部から第５深部へのイオン注入の注入イオン種としてボロン（１１Ｂ）を用い、一箇所、第２深部へのイオン注入の注入イオン種としてボロン（１１Ｂ）の同位体であるボロン（１０Ｂ）を用いて、ボロン（Ｂ）を多段注入した後のＳＩＭＳプロファイを示す図である。
【図６】図５に示すボロン（Ｂ）を多段注入した後、一括してアニール処理を施したＳｉＣ基板のＳＩＭＳプロファイを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１２】
図１及び図２は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す概略工程図である。
【００１３】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、デバイス構造によりキャリア濃度、膜厚など異なるが、例えば、窒素Ｎドープ１Ｅ１７ｃｍ−３、膜厚２０μｍ程度のＮ型のエピ層を形成したＮ型のエピタキャシャル炭化珪素（ＳｉＣ）基板１０（以下、エピ基板１０と称する）を準備する。
【００１４】
そして、以下のようにして、例えば、深さ１μｍ、濃度１Ｅ１８ｃｍ−３の注入ボロン（Ｂ）が分布するＰ型の領域２０（ボックス構造）を、多段階的にイオン注入し、その都度活性化アニール処理を行ってエピ基板１０に形成する、例えば、深さ１μｍ、濃度１Ｅ１８ｃｍ−３のＰ型の領域２０（ボックス構造）を多段階イオン注入で形成するには、注入エネルギー、ドーズ量など無数の組み合わせの注入条件が考えられるが、本実施形態では、５段階のイオン注入ステップを行う場合について説明する。なお、本実施形態では、５段階のイオン注入ステップを行う場合を説明するが、少なくとも２段階のイオン注入ステップを行えばよい。また、各イオン注入を行う各深部領域は、エピ基板１０（半導体基板）厚み方向に投影したときに下層のＰ型の領域と重なる領域である。そして、各イオン注入を行う各深部領域は、下層のＰ型の領域よりもエピ基板１０表面側に浅い領域をターゲットとしてイオン流入を行う領域、具体的にはイオン注入エネルギーを下層のＰ型の領域を形成する際のイオン注入エネルギーよりも小さくしてイオン注入をする領域であり、下層のＰ型の領域と一部重なってもよい。
【００１５】
次に、図１（Ａ）に示すように、エピ基板１０に対して、目的とするＰ型の領域２０（ボックス構造）の第１深部（最深部）に到達する条件で、第１深部領域１０Ａ（最深部領域）にボロン（Ｂ）をイオン注入する。具体的には、例えば、加速エネルギー５００ｋｅＶ、ドーズ２Ｅ１３ｃｍ−２の条件でボロン（Ｂ）をイオン注入する。
【００１６】
その後、図１（Ｂ）に示すように、エピ基板１０に対してアニール処理を行う。具体的には、例えば、１７００℃、５分、アルゴンＡｒ雰囲気中にて活性化アニールを行う。これにより、エピ基板１０内部に、一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持ったＰ型の第１領域２０Ａが形成される。
【００１７】
次に、図１（Ｃ）に示すように、エピ基板１０に対して、目的とするＰ型の領域２０（ボックス構造）の第２深部（つまり、第１深部よりもエピ基板１０表面側に浅い深部）に到達する条件で、第１領域２０Ａよりもエピ基板１０表面側で当該第１領域２０Ａと接する第２深部領域１０Ｂにボロン（Ｂ）をイオン注入する。具体的には、例えば、加速エネルギー３００ｋｅＶ、ドーズ２Ｅ１３ｃｍ−２の条件でボロン（Ｂ）をイオン注入する。
【００１８】
その後、図１（Ｄ）に示すように、エピ基板１０に対してアニール処理を行う。具体的には、例えば、１７００℃、５分、Ａｒ雰囲気中にて活性化アニールを行う。これにより、エピ基板１０内部に、第１領域２０Ａよりもエピ基板１０表面側で当該第１領域２０Ａと接するように、一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持ったＰ型の第２領域２０Ｂが形成される。
【００１９】
次に、図１（Ｅ）に示すように、エピ基板１０に対して、目的とするＰ型の領域２０（ボックス構造）の第３深部（つまり、第２深部よりもエピ基板１０表面側に浅い深部）に到達する条件で、第２領域２０Ｂよりもエピ基板１０表面側で当該第２領域２０Ｂと接する第３深部領域１０Ｃにボロン（Ｂ）をイオン注入する。具体的には、例えば、加速エネルギー１５０ｋｅＶ、ドーズ２Ｅ１３ｃｍ−２の条件でボロン（Ｂ）をイオン注入する。
【００２０】
その後、図１（Ｆ）に示すように、エピ基板１０に対してアニール処理を行う。具体的には、例えば、１７００℃、５分、Ａｒ雰囲気中にて活性化アニールを行う。これにより、エピ基板１０内部に、第２領域２０Ｂよりもエピ基板１０表面側で当該第２領域２０Ｂと接するように、一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持ったＰ型の第３領域２０Ｃが形成される。
【００２１】
次に、図２（Ｇ）に示すように、エピ基板１０に対して、目的とするＰ型の領域２０（ボックス構造）の第４深部（つまり、第３深部よりもエピ基板１０表面側に浅い深部）に到達する条件で、第３領域２０Ｃよりもエピ基板１０表面側で当該第３領域２０Ｃと接する第４深部領域１０Ｄにボロン（Ｂ）をイオン注入する。具体的には、例えば、加速エネルギー１００ｋｅＶ、ドーズ２Ｅ１３ｃｍ−２の条件でボロン（Ｂ）をイオン注入する。
【００２２】
その後、図２（Ｈ）に示すように、エピ基板１０に対してアニール処理を行う。具体的には、例えば、１７００℃、５分、Ａｒ雰囲気中にて活性化アニールを行う。これにより、エピ基板１０内部に、第３領域２０Ｃよりもエピ基板１０表面側で当該第３領域２０Ｃと接するように、一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持ったＰ型の第４領域２０Ｄが形成される。
【００２３】
次に、図２（Ｉ）に示すように、エピ基板１０に対して、目的とするＰ型の領域２０（ボックス構造）の第５深部（つまり、第４深部よりもエピ基板１０表面側の最浅深部）に到達する条件で、第４領域２０Ｄよりもエピ基板１０表面側で当該第４領域２０Ｄと接する第５深部領域１０Ｅにボロン（Ｂ）をイオン注入する。具体的には、例えば、加速エネルギー５０ｋｅＶ、ドーズ２Ｅ１３ｃｍ−２の条件でボロン（Ｂ）をイオン注入する。
【００２４】
その後、図２（Ｊ）に示すように、エピ基板１０に対してアニール処理を行う。具体的には、例えば、１７００℃、５分、Ａｒ雰囲気中にて活性化アニールを行う。これにより、エピ基板１０内部に、第４領域２０Ｄよりもエピ基板１０表面側で当該第４領域２０Ｄと接するように、一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持ったＰ型の第５領域１０Ｅが形成される。
【００２５】
次に、図２（Ｋ）に示すように、エピ基板１０に対して、第５領域１０Ｅよりも表面側領域を犠牲酸化して、酸化膜３０を形成する。
その後、図２（Ｌ）に示すように、犠牲酸化を施した酸化膜３０をエッチングにより除去する。
【００２６】
そして、これらの工程を経ることで、Ｎ型のエピ基板１０に、第１〜第５領域からなるＰ型の領域２０（ボックス構造）が形成される。そして、図示しないが、その後、所望の半導体プロセスにより、Ｐ型の領域２０（ボックス構造）と基板のＮ型とから成る半導体素子を形成することが可能になる。
【００２７】
ここで、イオン注入により領域（ボックス構造）を形成するには、注入イオンの加速エネルギー及び注入ドーズを複数変えて注入する多段階注入法を用いるのが一般的である。図３に示すように、多段注入によりボロン（Ｂ）をイオン注入した後のＳｉＣ基板のＳＩＭＳプロファイルにより、イオン注入により領域（ボックス構造）となっていることがわかる、しかし、多段注入によりボロン（Ｂ）をイオン注入後、一括してアニール処理を施すと、図４に示すように、注入深さ及び注入ドーズ量は維持されるものの、注入ボロン（Ｂ）が内方拡散及び外方拡散によりキャリア密度が低下してしまう。
【００２８】
ボロン（Ｂ）のイオン注入及びアニール処理に伴うボロン（Ｂ）拡散メカニズムについて調べるために、まず、上記実施形態で示した多段階注入法によるイオン注入条件と同様の条件で、各ボロン（Ｂ）のイオン注入を行った。但し、アニール処理は施さず、第１深部から第５深部へのイオン注入のうち、第１深部及び第３深部から第５深部へのイオン注入の注入イオン種としてボロン（１１Ｂ）を用い、一箇所、第２深部へのイオン注入の注入イオン種としてボロン（１１Ｂ）の同位体であるボロン（１０Ｂ）を用いた。
【００２９】
このイオン注入したままのエピ基板（ＳｉＣ基板）のＳＩＭＳ分析を行った。その結果を図５に示す。図５に示すように、確かに、ボロン（１１Ｂ）及びボロン（１０Ｂ）からなる注入プロファイルは、深さ１μｍ、濃度１Ｅ１８ｃｍ−３のＰ型の領域（ボックス構造）が形成されていることがわかる。
【００３０】
次に、多段階注入法によるイオン注入したエピ基板（ＳｉＣ基板）に対して、Ａｒ雰囲気中１７００℃、５分の活性化アニール処理を施し、一括して行った。この一括してアニール処理を施したエピ基板（ＳｉＣ基板）のＳＩＭＳ分析を行った。その結果を、図６に示す。
【００３１】
図６に示す、このＳＩＭＳ分析から、多段階的にイオン注入を行った後、１１Ｂと１０Ｂを合わせたボロン（Ｂ）全体は活性化アニール処理により、その注入条件の最深部（第１深部）より基板側へ内部拡散するものの、また、基板表面側では外方拡散を起こしているものの、その主たる濃度部分はボロン（Ｂ）全体の注入プロファイル幅の３分の１程度の半値幅を有するボロン（Ｂ）の濃度分布を示すことがわかる。一方、イオン注入したボロン（１０Ｂ）は、ボロン（１１Ｂ）と注入エネルギーが異なることによる明確な注入プルファイルの差異を有するにも拘わらず（図５参照）、活性化アニール処理後はボロン（１１Ｂ）と濃度が低い相似の分布形を成すプロファイルを示すことがわかる。すなわち、ボロン（１０Ｂ）は第２深部のみに分布するようにイオン注入したにも拘わらず、アニール処理を施すと、ボロン（１０Ｂ）の主たる濃度部分は注入エネルギーで決まる第２深部の注入深さより深い最深部から表面側にボロン（Ｂ）全体の注入プロファイル幅の３分の１領域に渡り分布し、これより浅い表面側領域では外方拡散によりボロン（Ｂ）全体の濃度が低下することがわかる。
【００３２】
なお、イオン注入したボロン（Ｂ）は活性化アニール処理により最深部（第１深部）よりもエピ基板（ＳｉＣ基板）内部側（エピ基板裏面側）へ内方拡散するが、これは濃度として二桁以上低く、主たる注入領域と比較して微小な量である。すなわち、Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｒａｎｇｅ（注入イオン飛程距離）Ｒｐよりエピ基板（ＳｉＣ基板）奥深く拡散する量は、電気的影響が小さく、ほとんど無視できる。
【００３３】
このように、多段階注入されたボロン（Ｂ）は、活性化アニール処理により、主たるの濃度が分布する深さはその最深部（第１深部）に留まるものの、最深部（第１深部）からエピ基板表面側へ注入域の３分の１の半値幅で拡散し、これより浅い領域では外方拡散によりボロン（Ｂ）の分布は注入当初より１桁以上、また最深部（第１深部）より深い領域では内方拡散により二桁以上低くなる。
【００３４】
一方、単一条件のイオン注入（非多段階イオン注入）の場合について考察すると、イオン注入の最深部（第１深部）から基板表面にかけて、注入イオンの到達及び通過により基板結晶（ＳｉＣ結晶）は注入ダメージを受けるが、活性化アニール処理によりダメージは回復し、最深部（第１深部）からある幅を持つ“帯状”の注入イオンの再分布が起きると考えられる。このことは、当初、イオン注入ダメージのないＳｉＣ結晶に対して、イオン注入した場合、つまり単一条件のイオン注入（非多段階イオン注入）を行った場合、ボロン（Ｂ）が活性化アニール処理により帯状に再分布することは、非特許文献３の図１１（ｆｉｇ１１（ａ））に示されている通りである。すなわち、ボロン（１１Ｂ）の多段階注入にボロン（１０Ｂ）を混在させて注入した例である図５、図６の結果が示すように、多段階注入した後に一斉に活性化アニール処理を行った場合、異なるエネルギーで注入されたイオンが、注入エネルギーで決まるＲｐより深いその多段階注入の最深部（第１深部）まで熱的に拡散し到達する現象が起きていることが分かる。
【００３５】
そこで、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、多段階注入法（本実施形態では５段階）を適用してボロン（Ｂ）をイオン注入して、Ｎ型の半導体基板（Ｎ型のエピ基板１０）に第１〜第５領域からなるＰ型の領域２０（ボックス構造）を形成する際、多段階注入法（本実施形態では５段階）における各ボロン（Ｂ）のイオン注入後に、その都度アニール処理を施し、注入ダメージを回復させて各深部のＰ型の領域を形成する。そして、このアニール処理は、Ｎ型の半導体基板（Ｎ型のエピ基板１０）の結晶性を回復させる温度（例えばアルゴンＡｒ雰囲気など、１３００℃〜１７５０℃の範囲で行うのがＳｉＣ結晶のＳｉ，Ｃなどの脱離が起こらず良好な表面状態が維持できるため好ましい）で行う。ここで、結晶性が回復するとは、イオン注入により乱れた基板の結晶の配列及び原子間の安定的な結合が回復して整えられることを示す。
【００３６】
言い換えれば、ボロン（Ｂ）の単一注入（非多段注入）及びその後のアニール処理による“帯状の再分布”という性質を利用して、所望の深さを持つＰ型の領域（ボックス構造）を形成する。すなわち、Ｐ型の領域（ボックス構造）になるように予め計算した多段階注入条件の各ステップごとの注入条件を用いて、ある単一条件のボロン（Ｂ）注入を行い、その注入の都度活性化アニール処理を施すことで、多段注入における各イオン注入によるボロン（Ｂ）濃度分布と同じ帯状に再分布させ、各イオン注入毎に一様なＰ型の各領域（第１〜第５領域）をそれぞれ形成することができる。
【００３７】
これは、多段階注入における各イオン注入の前にアニール処理を施すことをも意味し、当該各イオン注入が当該アニール処理により注入ダメージが回復されたイオン注入ダメージのないエピ基板結晶（ＳｉＣ結晶）に対して行われることから、条件の異なるイオン注入と各イオン注入の度に活性化アニール処理を施すプロセスを複数組み合わせることで、各イオン注入後のボロン（Ｂ）の隣接するあるいは全領域間への相互拡散が抑制される。このため、複数の一様なボロン（Ｂ）濃度の帯（第１〜第５領域）から成るＰ型の領域２０（ＢＯＸ構造）を形成することができる。このため、エピ基板１０の導電型と反対の導電型を有するＰ型の領域（ボックス構造）をボロンのイオン注入法により形成させる場合において、多段階注入したボロン（Ｂ）濃度が設計濃度に対して注入の最深部から表面側にある一定深さまでしか分布しないというプロセス上の不都合を解消できる。
【００３８】
一方で、ボロン（Ｂ）は、アルミニウム（Ａｌ）に比べ、原子量及びイオン半径が小さいことから、同じ深さに注入する場合でも注入エネルギーを低く抑えられ、エピ基板（ＳｉＣ基板）に対するダメージが少なく、電気特性の劣化が抑制される。
【００３９】
したがって、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、電気特性の劣化を抑制すると共に、一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持つＰ型の領域２０を形成できる。
【００４０】
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、イオン注入したボロン（Ｂ）は外方拡散（エピ基板１０表面側への拡散）も生じるが、この外方拡散によりボロン（Ｂ）濃度が低下した領域、すなわちエピ基板１０における第５領域１０Ｅ（最浅部領域）よりも表面側領域を犠牲酸化して酸化膜３０を形成した後、この酸化膜３０を除去している。つまり、Ｐ型の領域２０を形成した後、エピ基板１０における当該Ｐ型の領域２０よりも表面側領域を除去している。これにより、エピ基板１０（半導体基板）表面に、一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持つＰ型の領域２０を形成できる。
【００４１】
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、ボロン（Ｂ）をイオン注入した形態を説明したが、ボロン化合物をイオン注入する形態であってもよい。
【００４２】
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、Ｐ型の領域２０としてボックス構造を形成する形態を説明したが、これに限られず、Ｎ型の半導体基板にＰ型の領域する形態であれば、いかなる形態であっても適用できる。また、Ｎ型の半導体基板に限られず、半導体基板にＮ型の領域を形成し、当該Ｎ型の領域内にＰ型の領域を形成する形態であってもよい。
【００４３】
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、半導体基板としてＮ型の導電性を有するＳｉＣ基板を適用した場合を説明したが、Ｓｉ（シリコン）半導体基板も適用可能である。但し、特に、ＳｉＣ基板は、ボロン（Ｂ）が内方拡散し易いことから、本実施形態に係る半導体装置の製造方法が有効に適用できる。また、一般に、半導体基板としてＳｉＣ基板を用いて形成した半導体素子（例えばＭＯＳＦＥＴ）では、基板が、シリコン基板に比べてＳｉＣ基板が、大きなエネルギーギャップ、大きな熱伝導率、高い絶縁破壊電界強度、大きな飽和電子ドリフト速度などの特徴を持つために、パワーデバイスとして応用できる点で有利である。また、デバイス作製プロセスの観点から、ＳｉＣ基板は、シリコン基板と同様、Ｐ，Ｎ型制御が容易、熱酸化ＳｉＯ２膜を作製することが可能、電極としてリン（Ｐ）ドープポリシリコンを熱酸化ＳｉＯ２膜上に形成可能などシリコン基板と同様のプロセスが適用できるために、従来のシリコンデバイスに置き替えることによって、シリコン基板を用いた各種素子性能限界を上回ることができ、シリコン基板より高性能のデバイスを作製できる利点がある。
【００４４】
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、限定的に解釈されるものではなく、本発明の要件を満足する範囲内で実現可能である
【符号の説明】
【００４５】
１０   エピ基板
１０Ａ 第１深部領域
１０Ｂ 第２深部領域
１０Ｃ 第３深部領域
１０Ｄ 第４深部領域
１０Ｅ 第５深部領域
２０   Ｐ型の領域
２０Ａ Ｐ型の第１領域
２０Ｂ Ｐ型の第２領域
２０Ｃ Ｐ型の第３領域
２０Ｄ Ｐ型の第４領域
２０Ｅ Ｐ型の第５領域
３０   酸化膜
【図３】
2010177465.tif 000003
【図４】
2010177465.tif 000004
【図５】
2010177465.tif 000005
【図６】
2010177465.tif 000006
【図１】
2010177465.tif 000007
【図２】
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