(57)【要約】【課題】モニタ領域を設けることなく、マスクデータの状態で設計パターンを測長することにより、素子サイズの縮小化を阻害することなく、簡易且つ正確な測長を可能とし、工数を削減してレチクルを無駄にすることのない信頼性の高いパターン検証を実現する。【解決手段】レチクルにモニタ領域を設けることなく、レチクルの形成シミュレーション（レチクルシミュレーション）を行ってレチクルデータの状態で設計パターンを測長し、結果パターンの測長値の予め規定された目標値との乖離から、当該結果パターンの対応する設計パターンの保証の是非を決定する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクパターンを形成するための設計パターンの基本図形情報に基づいて、測長対象となる前記設計パターンの測長点を決定する工程と、
決定された前記測長点の対応する前記設計パターンについて、前記マスクパターンの形成シミュレーションを行う工程と、
前記形成シミュレーションの結果パターンについて前記測長点で測長する工程と
を含むことを特徴とするパターン検証方法。
【請求項２】
前記結果パターンの測長値の予め規定された目標値との乖離から、当該結果パターンの対応する前記設計パターンの保証の是非を決定する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン検証方法。
【請求項３】
前記測長点を決定する工程では、前記設計パターンに光近接効果補正を行う場合に、光近接効果補正後の前記設計パターンの形状を考慮して、前記測長点の位置を調整することを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン検証方法。
【請求項４】
マスクパターンを形成するための設計パターンの基本図形情報に基づいて、測長対象となる前記設計パターンの測長点を決定する決定部と、
決定された前記測長点の対応する前記設計パターンについて、前記マスクパターンの形成シミュレーションを行うシミュレーション部と、
前記形成シミュレーションの結果パターンについて前記測長点で測長する測長部と
を含むことを特徴とするパターン検証装置。
【請求項５】
前記結果パターンの測長値の予め規定された目標値との乖離から、当該結果パターンの対応する前記設計パターンの保証の是非を決定する保証決定部を更に含むことを特徴とする請求項４に記載のパターン検証装置。
【請求項６】
マスクパターンを形成するための設計パターンの基本図形情報に基づいて、測長対象となる前記設計パターンの測長点を決定する工程と、
決定された前記測長点の対応する前記設計パターンについて、前記マスクパターンの形成シミュレーションを行う工程と、
前記形成シミュレーションの結果パターンについて前記測長点で測長する工程と
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項７】
前記結果パターンの測長値の予め規定された目標値との乖離から、当該結果パターンの対応する前記設計パターンの保証の是非を決定する工程を更にコンピュータに実行させるための請求項６に記載のプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、磁気素子等の各種電子デバイスの製造におけるデバイスパターンの形成に用いられるパターン検証方法、パターン検証装置及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、磁気素子等のデバイスパターンを形成する際には、マスクパターン（レチクルパターン）の形成されたフォトマスク（レチクル）を用いて、基板上に塗布されたレジストにレチクルパターンを露光転写する、リソグラフィー技術が利用される。レチクルパターンに基づいて形成されたレジストパターンを用いて、レジストパターン下の被加工膜をエッチング加工し、デバイスパターンを形成する。
【０００３】
レチクルを形成するには、例えば電子線（ＥＢ）露光装置を用いて、レチクルパターンの設計データ（レチクルデータ）の設計パターン（設計原図に作成されている。）を、例えば石英ガラス基板上のレジストに露光転写する。設計データに基づいて形成されたレジストパターンを用いて、レジストパターン下の被加工膜をエッチング加工し、レチクルパターンを形成する。
【０００４】
従来では、レチクルパターンが予定通りの寸法に形成されるか否かを判断するには、形成されたレチクルパターンを直接的に検査する手法が採られていた。先ずレチクルを作製した後に、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた検査により、レチクルパターンの幅寸法を測定する。そして、例えば光近接効果補正（ＯＰＣ）後のレチクルパターンの幅寸法の予め予想した目標値と一致するかを確認する。
【０００５】
近年では、デバイスパターン、ひいてはレチクルパターンの形成状況が複雑化し、上記の手法により測長対象のレチクルパターンを探して測定することが非常に困難となっていた。
そこで、人為的作業量の軽減のため、形成されたレチクルパターンをレチクルに形成されたモニタパターンにより間接的に検査する手法が開発された。この手法では、レチクルのレチクルパターンの形成領域外（例えばスクライブ領域）にモニタ領域を設ける。モニタ領域には、レチクルパターンと同時に当該レチクルパターンと同様の幅寸法のモニタパターンが形成される。このモニタパターンの幅寸法をＳＥＭ等を用いて測定し、予め予想した目標値と一致するかを確認する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−９８６５１号公報
【特許文献２】特開２００５−２２３２５２号公報
【特許文献３】特開２００４−１６３４７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
レチクルにモニタ領域を設ける場合、人為的作業量が軽減される反面、モニタパターンにもＯＰＣ処理を施すためにＯＰＣ処理の影響範囲分のセルアレイを構築する必要がある。そのため、モニタ領域を小さくすることができず、素子サイズの縮小化を阻害するという問題がある。
【０００８】
また、レチクルパターンの微細化及び高集積化は益々進行している。そのため、レチクルパターンの疎密度又はレチクルパターンの基板面内バラツキ等が無視できなくなっており、モニタパターンがレチクルパターンと異なる幅寸法に形成されるという問題がある。
【０００９】
また、ＳＥＭ検査によってレチクルパターンに異常が発見された場合、当該異常が製造工程とＯＰＣ処理を含むレチクルデータの作成工程とのいずれに起因するかの切り分けに工数を要し、製造のスケジュールに影響を及ぼす。更に、レチクルデータの作成工程に異常があった場合には高価なレチクルの作製費用が無駄となるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
パターン検証方法の一態様は、マスクパターンを形成するための設計パターンの基本図形情報に基づいて、測長対象となる前記設計パターンの測長点を決定する工程と、決定された前記測長点の対応する前記設計パターンについて、前記マスクパターンの形成シミュレーションを行う工程と、前記形成シミュレーションの結果パターンについて前記測長点で測長する工程とを含む。
【００１１】
パターン検証装置の一態様は、マスクパターンを形成するための設計パターンの基本図形情報に基づいて、測長対象となる前記設計パターンの測長点を決定する決定部と、決定された前記測長点の対応する前記設計パターンについて、前記マスクパターンの形成シミュレーションを行うシミュレーション部と、前記形成シミュレーションの結果パターンについて前記測長点で測長する測長部とを含む。
【００１２】
プログラムの一態様は、マスクパターンを形成するための設計パターンの基本図形情報に基づいて、測長対象となる前記設計パターンの測長点を決定する工程と、決定された前記測長点の対応する前記設計パターンについて、前記マスクパターンの形成シミュレーションを行う工程と、前記形成シミュレーションの結果パターンについて前記測長点で測長する工程とをコンピュータに実行させるためのものである。
【発明の効果】
【００１３】
上記の各態様によれば、モニタ領域を設けることなく、マスクデータの状態で設計パターンを測長することにより、素子サイズの縮小化を阻害することなく、簡易且つ正確な測長が可能となり、工数を削減してレチクルを無駄にすることのない信頼性の高いパターン検証が実現する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態によるパターン検証装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】本実施形態によるパターン検証方法をステップ順に示すフロー図である。
【図３】基本図形（セル）の一例を示す模式図である。
【図４】図２のステップＳ４の詳細を示すフロー図である。
【図５】レチクルデータの付加情報の一例を示す模式図である。
【図６】レチクルデータの領域分割の一例を示す模式図である。
【図７】設計パターンの測長点の決定を説明するための模式図である。
【図８】設計パターンの測長点の位置調整を説明するための模式図である。
【図９】レチクルシミュレーションにおける取り込み領域の抽出を説明するための模式図である。
【図１０】設計パターンの保証是非の決定を説明するための模式図である。
【図１１】一般的なコンピュータの内部構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
―本実施形態の基本骨子―
本実施形態では、レチクルにモニタ領域を設けることなく、レチクルの形成シミュレーション（レチクルシミュレーション）を行ってレチクルデータの状態で設計パターンを測長する構成を採る。
【００１６】
詳細には、レチクルパターンを形成するための設計パターンの基本図形（セル）情報に基づいて、測長対象となる設計パターンの測長点を決定する。決定された測長点の対応する設計パターンについて、所定のレチクルシミュレーションを行う。
レチクルシミュレーションの結果パターンについて測長点で測長を行う。結果パターンの測長値の予め規定された目標値との乖離から、当該結果パターンの対応する設計パターンの保証の是非を決定する。
【００１７】
この構成により、レチクルデータが正しく作成されているか否かを正確に検証することができる。レチクルにモニタ領域を設ける必要がないため、モニタパターンに依存することで問題となる測長精度の低下の懸念が払拭され、レチクルデータの設計制限緩和及びチップサイズの縮小化に貢献する。ＳＥＭ検査によってレチクルパターンに異常が発見された場合、当該異常が製造工程とＯＰＣ処理を含むレチクルデータの作成工程のいずれに起因するかの切り分けが容易となる。そのため、ＯＰＣ処理を含むレチクルデータ作成工程における問題発覚時には、レチクル作製費用を抑えることができる。
【００１８】
―具体的な実施形態―
以下、本実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本実施形態によるパターン検証装置の概略構成を示すブロック図である。図２は、本実施形態によるパターン検証方法をステップ順に示すフロー図である。
【００１９】
このパターン検証装置は、ＥＢ露光により形成されるレチクルパターンをレチクルデータ上で検証するものである。
図１に示すように、１は、レチクルパターンを形成するための設計パターンの基本図形（セル）情報に基づいて、測長対象となる設計パターンの測長点を決定する決定部である。セル情報は、測長対象となるセル名、測長対象となる設計パターンの測長セル情報（セル原点からの測長座標、測長方向、パターン長又は空間長、ＯＰＣ処理後を想定した測長目標値等）、及び設計データから求められる当該セルの展開配置座標等からなる。２は、決定された測長点の対応する設計パターンについて、レチクルシミュレーションを行うシミュレーション部である。３は、レチクルシミュレーションの結果パターンについて測長点で測長する測長部である。４は、結果パターンの測長値の予め規定された目標値との乖離から、当該結果パターンの対応する設計パターンの保証の是非を決定する保証決定部である。５は、保証決定部４によりレチクルデータの全体について保証できるものと判断された場合に、目標値と一致する或いは目標値に最も近い測長点を測長指示書に記載する測長指示書作成部である。
【００２０】
決定部１は、図形抽出部１１、測長数指定部１２、基準点指定部１３、領域分割部１４、測長数割当部１５、測長点決定部１６、及び測長点調整部１７を有して構成される。
図形抽出部１１は、測長対象となるセル名の情報及び測長対象となる設計パターンの測長セル情報に基づいて、設計データから求められる当該セルの展開配置座標の情報を抽出する。
【００２１】
測長数指定部１２は、レチクル作製情報及び展開配置座標の情報を入力し、レチクルデータ上で測長数を指定する。レチクル作製情報は、レチクル倍率、ミラー反転、原点移動等である。展開配置座標の情報は、測長対象とされたセルをレチクルデータ上に配置（複数個所の場合もある）するための情報である。ここでは、レチクルデータ上にセルが適宜配置されたものを「設計パターン」と呼ぶ。基準点指定部１３は、レチクルデータ上で測長の基準点を指定する。領域分割部１４は、基準点に基づいてレチクルデータを複数の領域に分割する。測長数割当部１５は、分割された各領域に測長数の重み付けをして、各領域に重みに応じた測長数を割り当てる。測長点決定部１６は、展開配置座標の情報及び各領域の測長数に基づいて測長点を決定する。測長点調整部１７は、設計パターンにＯＰＣ処理を行う場合に、ＯＰＣ処理後の設計パターンの形状を考慮して、測長点の位置を調整する。
【００２２】
シミュレーション部２は、取込領域抽出部２１及び形成シミュレーション部２２を備えて構成される。
取込領域抽出部２１は、決定された測長点を含む取り込み領域を抽出する。形成シミュレーション部２２は、取り込み領域内に存する設計パターンについてレチクルシミュレーションを行う。
【００２３】
以下、上記のように構成されたパターン検証装置を用いた検証方法について、図２〜図１０を用いて説明する。
先ず、決定部１の図形抽出部１１は、測長対象となるセル名の情報及び測長セル情報に基づいて、当該セルの展開配置座標の情報を抽出する。
詳細には、図形抽出部１１は、測長対象となるセル名の情報と、測長セル情報（セル原点からの測長座標、測長方向、パターン長又は空間長、ＯＰＣ処理後を想定した測長目標値等）と、レチクルの設計データとを入力する（ステップＳ１，Ｓ２）。
図形抽出部１１は、入力したセル名の情報及び測長セル情報と、レチクルの設計データに基づいて、当該セルの展開配置座標の情報を抽出する（ステップＳ３）。抽出された展開配置座標の情報は、外部の不図示の記憶部等に格納される。測長対象とされた基本図形（セル）の一例を、図３にセル１０として示す。
【００２４】
続いて、決定部１は、レチクルデータ上における測長点を算出する（ステップＳ４）。
ステップＳ４の詳細を図４に示す。算出された測長点データは、外部の記憶部等に格納される。
ステップＳ４では先ず、測長数指定部１２は、レチクル作製情報（レチクル倍率、ミラー反転、原点移動等）及びステップＳ３で抽出された展開配置座標の情報を記憶部等から入力し、レチクルデータ上で測長数を指定する（ステップＳ１１）。
【００２５】
次に、基準点指定部１３は、レチクルデータ上で測長の基準点を指定する（ステップＳ１２）。測長の基準点は、レジスト塗布条件、レチクル作製時の露光装置の基準部位、現像特性、及びエッチング特性等に基いて決定される。
レチクルデータには、当該レチクルを用いて形成される層（レイヤー）に応じて、例えば図５のレチクルデータ２０ａ〜２０ｃ等の情報が付加されている。レチクルデータ２０ａは、ウェットエッチングにおいて、エッチング液を中央部から垂らして回転させることから円形波形となる場合を例示している。レチクルデータ２０ｂは、ドライエッチングにおいて、エッチングガスの噴出し口が左上部にあり、左上部を始点とする扇型の波形となる場合を例示している。レチクルデータ２０ｃは、ドライエッチングにおいて、エッチングガスの噴出し口が右端中央部にあり、右端中央部を始点とする扇型の波形となる場合を例示している。図５の場合では、測長の基準点として、レチクルデータ２０ａでは中央部、レチクルデータ２０ｂでは左上部、レチクルデータ２０ｃでは右端中央部となる。
【００２６】
次に、領域分割部１４は、基準点に基づいてレチクルデータを複数の領域に分割する（ステップＳ１３）。
領域分割の一例を図６に示す。図６（ａ）では、レチクルデータ２０ａに基づいて基準点を定めたときに、同心円上に領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに分割した場合を例示する。図６（ｂ）では、レチクルデータ２０ａに基づいて基準点を定めたときに、図６（ａ）の領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを更に４分割した場合を例示する。図６（ｂ）では、レチクルデータ２０ｃに基づいて基準点を定めたときに、領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに分割した場合を例示する。
【００２７】
次に、測長数割当部１５は、分割された各領域に測長数の重み付けをして、各領域に重みに応じた測長数を割り当てる（ステップＳ１４）。
例えば図６の各図のように領域分割した場合に、領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの順に重み付けをしたり、変則的に領域Ａ，Ｃ，Ｂ，Ｄの順に重み付けをすることが考えられる。
【００２８】
次に、測長点決定部１６は、展開配置座標の情報及び各領域の測長数に基づいて測長点を決定する（ステップＳ１５）。
測長点の決定について図７を用いて説明する。図７（ａ）に示すように、測長対象であるセル１０において、測長セル情報により例えば２箇所の測長箇所（１），（２）が指定されている。展開配置座標の情報により設計パターン（セル１０が指定された回転、ミラー反転等の状態とされているパターン）が領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの所定位置に指定されているとする。領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの順に測長数の重み付けがされる場合には、例えば測長箇所（１），（２）には図７（ｂ）のように測長数が規定される。例えば測長箇所（１）について説明する。
【００２９】
所定の領域において、当該領域に規定された測長数以上の数の設計パターンが存在する場合には、当該測長数の測長点が選択される。例えば、領域Ａ内の測長数が複数であれば、測長点決定部１６は領域Ａ内で任意の２点を選択する。同一領域内に複数の設計パターンが存在する場合には、設計パターンの領域面内分布を考慮し、当該領域内で例えば中央位置と外周位置の設計パターンを選択することが好ましい。
【００３０】
一方、所定の領域において、当該領域内に存在する設計パターンの数が、規定された測長数に満たない場合には、設計パターンの位置が例えば上記のように中央位置と外周位置等の互いに隣接しない位置であれば、当該領域内の全ての設計パターンを選択するようにすれば良い。余りの測長数は、次の領域（この場合では領域Ｂ）に持ち越される。
【００３１】
次に、測長点調整部１７は、設計パターンにＯＰＣ処理を行う場合に、ＯＰＣ処理後の設計パターンの形状を考慮して、ステップＳ４で選択された測長点の位置を調整する（ステップＳ１６）。
測長点の位置調整について図８を用いて説明する。例えば設計パターン３１について、図示のように測長点Ｐが指定されているとする。設計パターン３１をＯＰＣ処理した場合、例えば図示のように測長点Ｐが設計パターン３１外となることがある。このような場合に、測長点調整部１７は、ＯＰＣ処理された設計パターン３１内に測長点Ｐが存するように測長点Ｐの位置調整を行う。
【００３２】
ステップＳ４に続いて、取込領域抽出部２１は、測長点データに基づき、決定された測長点を含む取り込み領域を抽出する（ステップＳ５）。
取り込み領域の抽出について図９を用いて説明する。図９（ａ）に示すように、レチクルデータにおいて、測長点Ｐが設計パターン３２内に指定されているとする。図９（ｂ）に示すように、設計パターン３２のレチクルシミュレーションには、設計パターン３２に近接する設計パターン３３の影響を勘案することを要するため、設計パターン３３も同時にシミュレーションする必要がある。この場合、取込領域抽出部２１は、設計パターン３２と共に設計パターン３３を包含するように、取り込み領域Ｒを例えば図示のように抽出する。通常、測長点を含む設計パターンの周囲２０μｍ〜３０μｍ程度の範囲が取り込み範囲となる。
【００３３】
続いて、形成シミュレーション部２２は、取り込み領域内に存する設計パターンについてレチクルシミュレーションを行う（ステップＳ６）。シミュレーション結果はレチクルシミュレーションデータとして外部の記憶部等に格納される。
例えば、ステップＳ５で抽出された取込領域抽出部２１内の設計パターン３２，３３等にレチクルシミュレーションを行う。レチクルシミュレーションは、電子描画（ＥＢ）露光のシミュレーションにおいて、レチクル用の基板（例えば石英ガラス基板）に適合するように、基板材料に関するパラメータを設定して行われる。このパラメータは、基板材料の相違から設計パターンのＯＰＣ処理の計算に与える前方散乱値又は後方散乱値等の相違を考慮したものである。
【００３４】
続いて、測長部３は、測長点データ及びレチクルシミュレーションデータに基づき、レチクルシミュレーションの結果パターン（シミュレーション結果パターン）について測長点で測長を行う（ステップＳ７）。ここで、測長対象が設計パターンではなく設計パターン間のスペース部分である場合（測長点がスペース部分に存在する場合）には、当該スペース部分の測長を行う。
【００３５】
続いて、保証決定部４は、シミュレーション結果パターンの測長値の予め規定された目標値との乖離から、当該シミュレーション結果パターンの対応する設計パターンの保証の是非を決定する（ステップＳ８）。
設計パターンの保証是非の決定について図１０を用いて説明する。測長対象となるシミュレーション結果パターン４１及びこれに隣接してシミュレーション結果パターン４２が存する。シミュレーション結果パターン４１の測長点を、測長点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄとする。測長の目標値（例えば、シミュレーション結果パターンの対応する設計パターンの設計寸法）が０．１３μｍであり、測長値が測長点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄでそれぞれ０．１３２μｍ、０．１３０μｍ、０．１２８μｍ、０．１３４μｍであるとする。この場合、測長点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの乖離値（誤差値）は絶対値でそれぞれ０．００２μｍ、０．０００μｍ、０．００２μｍ、０．００４μｍとなる。誤差の許容値が絶対値で例えば０．１μｍであれば、測長点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄのシミュレーション結果パターン４１が対応するレチクルデータについては保証されることになる。測長値が目標値から大きく外れる（±０.ｎμｍ等）の場合、当該レチクルデータは保証されない。この場合、当該レチクルデータはエラーログとして記憶される。
【００３６】
続いて、パターン検証装置において、ステップＳ１５で決定された全ての測長点について保証是非の決定がなされたか否かを判定する（ステップＳ９）。
全ての測長点について保証是非の決定がなされていれば、ステップＳ１０へ進む。全ての測長点について保証是非の決定がなされていなければ、残りの測長点についてＳ５〜Ｓ８を実行する。
【００３７】
続いて、測長指示書作成部５は、保証決定部４によりレチクルデータの全体について保証できるものと判断された場合に、目標値と一致する或いは目標値に最も近い測長点を測長指示書に記載する（ステップＳ１０）。
測長指示書の作成には、指示書作成情報に従う。指示書作成情報には、測長点の抽出領域と各領域の測長数、抽出間隔の情報等が含まれる（測長数を制限するのは、ポイント数の合計数に応じてレチクルメーカにおける検査時間や工数、費用に影響するため。）。
【００３８】
上記のように保証されたレチクルデータに基づいて、実際のレチクルを作製した後、このレチクルを用いて実際のデバイスパターンを形成する。
レチクルを作製する際には、先ず、例えば石英ガラス基板の一方の主面上を覆ってクロム（Ｃｒ）層を堆積する。
次いで、当該クロム層上にフォトレジストを塗布形成し、当該フォトレジストに、レチクルデータに従って、レチクルパターンの潜像を、例えばＥＢ露光装置を用いて描画する。
そして、当該フォトレジストの現像処理等を行って、レジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして、クロム層を選択エッチングし、石英ガラス基板上にレチクルパターンを形成する。その後、レジストパターンは灰化処理等により除去される。
以上により、石英ガラス基板の一方の主面に、レチクルパターンを含むクロム層が選択的に配設されたレチクルが形成される。
【００３９】
続いて、デバイスパターンを形成する。例えば、フォトリソグラフィーにより、半導体基板上、或いは半導体基板に形成された加工対象膜上のレジストにデバイスパターンを形成する場合には、上記のレチクルを用いて、例えばステッパーによりレジストにフォトマスクのマスクパターンを露光し、現像等を行う。これにより、レジストが加工されてレジストパターンが形成される。レジストパターンをマスクとして用いて、各種のエッチング（ドライエッチング又はウェットエッチング）、イオン注入等を行う。その後、レジストパターンは灰化処理等により除去されることが多い。
以上により、半導体基板、或いは半導体基板上の絶縁膜又は導電膜等が加工されてなる各種のデバイスパターン（ゲート電極、所定の絶縁構造物、配線、不純物領域等）が形成され、各種の半導体装置（ＭＩＳトランジスタ、半導体メモリ（ＥＥＰＲＯＭ、ＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ等）、バイポーラトランジスタ等）とされる。
【００４０】
以上説明したように、本実施形態によれば、モニタ領域を設けることなく、レチクルデータの状態で設計パターンをレチクルシミュレーションした結果パターンを測長することにより、素子サイズの縮小化を阻害することなく、簡易且つ正確な測長が可能となり、工数を削減してレチクルを無駄にすることのない信頼性の高いパターン検証が実現する。
【００４１】
上述した本実施形態によるパターン検証装置の各構成要素（図１の決定部１、シミュレーション部２、測長部３、保証決定部４、測長指示書作成部５等）の機能は、例えばコンピュータのＲＡＭやＲＯＭ等に記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。
同様に、パターン検証方法の各ステップ（図２のステップＳ１〜Ｓ１０等）は、例えばコンピュータのＲＡＭやＲＯＭ等に記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。このプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本実施形態に含まれる。
【００４２】
具体的に、前記プログラムは、例えばＣＤ−ＲＯＭのような記録媒体に記録し、或いは各種伝送媒体を介し、コンピュータに提供される。前記プログラムを記録する記録媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭ以外に、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、光磁気ディスク、不揮発性メモリカード等を用いることができる。他方、前記プログラムの伝送媒体としては、プログラム情報を搬送波として伝搬させて供給するためのコンピュータネットワークシステムにおける通信媒体を用いることができる。ここで、コンピュータネットワークとは、ＬＡＮ、インターネットの等のＷＡＮ、無線通信ネットワーク等であり、通信媒体とは、光ファイバ等の有線回線や無線回線等である。
【００４３】
また、本実施形態に含まれるプログラムとしては、供給されたプログラムをコンピュータが実行することにより上述の実施形態の機能が実現されるようなもののみではない。例えば、そのプログラムがコンピュータにおいて稼働しているＯＳ（オペレーティングシステム）或いは他のアプリケーションソフト等と共同して上述の実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本実施形態に含まれる。また、供給されたプログラムの処理の全て或いは一部がコンピュータの機能拡張ボードや機能拡張ユニットにより行われて上述の実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本実施形態に含まれる。
【００４４】
例えば、図１１は、一般的なコンピュータの内部構成を示す模式図である。この図１１において、１２００はＣＰＵ１２０１を備えたパーソナルコンピュータ（ＰＣ）である。ＰＣ１２００は、ＲＯＭ１２０２またはハードディスク（ＨＤ）１２１１に記憶された、又はフレキシブルディスクドライブ（ＦＤ）１２１２より供給されるデバイス制御ソフトウェアを実行する。このＰＣ１２００は、システムバス１２０４に接続される各デバイスを総括的に制御する。
【００４５】
ＰＣ１２００のＣＰＵ１２０１、ＲＯＭ１２０２またはハードディスク（ＨＤ）１２１１に記憶されたプログラムにより、本実施形態の図２におけるステップＳ１〜Ｓ１０の手順等が実現される。
【００４６】
１２０３はＲＡＭであり、ＣＰＵ１２０１の主メモリ、ワークエリア等として機能する。１２０５はキーボードコントローラ（ＫＢＣ）であり、キーボード（ＫＢ）１２０９や不図示のデバイス等からの指示入力を制御する。
【００４７】
１２０６はＣＲＴコントローラ（ＣＲＴＣ）であり、ＣＲＴディスプレイ（ＣＲＴ）１２１０の表示を制御する。１２０７はディスクコントローラ（ＤＫＣ）である。ＤＫＣ１２０７は、ブートプログラム、複数のアプリケーション、編集ファイル、ユーザファイルそしてネットワーク管理プログラム等を記憶するハードディスク（ＨＤ）１２１１、及びフレキシブルディスク（ＦＤ）１２１２とのアクセスを制御する。ここで、ブートプログラムとは、起動プログラム：パソコンのハードやソフトの実行（動作）を開始するプログラムである。
【００４８】
１２０８はネットワーク・インターフェースカード（ＮＩＣ）で、ＬＡＮ１２２０を介して、ネットワークプリンタ、他のネットワーク機器、或いは他のＰＣと双方向のデータのやり取りを行う。
【００４９】
以下、諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００５０】
（付記１）マスクパターンを形成するための設計パターンの基本図形情報に基づいて、測長対象となる前記設計パターンの測長点を決定する工程と、
決定された前記測長点の対応する前記設計パターンについて、前記マスクパターンの形成シミュレーションを行う工程と、
前記形成シミュレーションの結果パターンについて前記測長点で測長する工程と
を含むことを特徴とするパターン検証方法。
【００５１】
（付記２）前記結果パターンの測長値の予め規定された目標値との乖離から、当該結果パターンの対応する前記設計パターンの保証の是非を決定する工程を更に含むことを特徴とする付記１に記載のパターン検証方法。
【００５２】
（付記３）前記測長点を決定する工程では、前記設計パターンに光近接効果補正を行う場合に、光近接効果補正後の前記設計パターンの形状を考慮して、前記測長点の位置を調整することを特徴とする付記１又は２に記載のパターン検証方法。
【００５３】
（付記４）前記測長点を決定する工程は、
前記基本図形情報である、測長対象となる前記設計パターンの基本図形及び当該基本図形の展開配置を抽出する工程と、
マスクデータ上で測長数を指定する工程と、
前記マスクデータ上で測長の基準点を指定する工程と、
前記基準点に基づいて前記マスクデータを複数の領域に分割する工程と、
分割された前記各領域に重み付けをして、前記各領域に前記重みに応じた前記測長数を割り当てる工程と、
前記基本図形情報及び前記各領域の前記測長数に基づいて前記測長点を決定する工程と
を含むことを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載のパターン検証方法。
【００５４】
（付記５）前記形成シミュレーションを行う工程は、決定された前記測長点を含む取り込み領域を抽出し、前記取り込み領域内に存する前記設計パターンについて前記形成シミュレーションを行うことを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載のパターン検証方法。
【００５５】
（付記６）マスクパターンを形成するための設計パターンの基本図形情報に基づいて、測長対象となる前記設計パターンの測長点を決定する決定部と、
決定された前記測長点の対応する前記設計パターンについて、前記マスクパターンの形成シミュレーションを行うシミュレーション部と、
前記形成シミュレーションの結果パターンについて前記測長点で測長する測長部と
を含むことを特徴とするパターン検証装置。
【００５６】
（付記７）前記結果パターンの測長値の予め規定された目標値との乖離から、当該結果パターンの対応する前記設計パターンの保証の是非を決定する保証決定部を更に含むことを特徴とする付記６に記載のパターン検証装置。
【００５７】
（付記８）前記決定部は、前記設計パターンに光近接効果補正を行う場合に、光近接効果補正後の前記設計パターンの形状を考慮して、前記測長点の位置を調整することを特徴とする付記６又は７に記載のパターン検証装置。
【００５８】
（付記９）前記決定部は、
前記基本図形情報である、測長対象となる前記設計パターンの基本図形及び当該基本図形の展開配置を抽出する図形抽出部と、
マスクデータ上で測長数を指定する測長数指定部と、
前記マスクデータ上で測長の基準点を指定する基準点指定部と、
前記基準点に基づいて前記マスクデータを複数の領域に分割する領域分割部と、
分割された前記各領域に重み付けをして、前記各領域に前記重みに応じた前記測長数を割り当てる測長数割当部と、
前記基本図形情報及び前記各領域の前記測長数に基づいて前記測長点を決定する測長点決定部と
を含むことを特徴とする付記６〜８のいずれか１項に記載のパターン検証装置。
【００５９】
（付記１０）前記シミュレーション部は、決定された前記測長点を含む取り込み領域を抽出し、前記取り込み領域内に存する前記設計パターンについて前記形成シミュレーションを行うことを特徴とする付記６〜９のいずれか１項に記載のパターン検証装置。
【００６０】
（付記１１）マスクパターンを形成するための設計パターンの基本図形情報に基づいて、測長対象となる前記設計パターンの測長点を決定する工程と、
決定された前記測長点の対応する前記設計パターンについて、前記マスクパターンの形成シミュレーションを行う工程と、
前記形成シミュレーションの結果パターンについて前記測長点で測長する工程と
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【００６１】
（付記１２）前記結果パターンの測長値の予め規定された目標値との乖離から、当該結果パターンの対応する前記設計パターンの保証の是非を決定する工程を更にコンピュータに実行させるための付記１１に記載のプログラム。
【００６２】
（付記１３）前記測長点を決定する工程では、前記設計パターンに光近接効果補正を行う場合に、光近接効果補正後の前記設計パターンの形状を考慮して、前記測長点の位置を調整することを特徴とする付記１１又は１２に記載のプログラム。
【００６３】
（付記１４）前記測長点を決定する工程は、
前記基本図形情報である、測長対象となる前記設計パターンの基本図形及び当該基本図形の展開配置を抽出する工程と、
マスクデータ上で測長数を指定する工程と、
前記マスクデータ上で測長の基準点を指定する工程と、
前記基準点に基づいて前記マスクデータを複数の領域に分割する工程と、
分割された前記各領域に重み付けをして、前記各領域に前記重みに応じた前記測長数を割り当てる工程と、
前記基本図形情報及び前記各領域の前記測長数に基づいて前記測長点を決定する工程と
を含むことを特徴とする付記１１〜１３のいずれか１項に記載のプログラム。
【００６４】
（付記１５）前記形成シミュレーションを行う工程は、決定された前記測長点を含む取り込み領域を抽出し、前記取り込み領域内に存する前記設計パターンについて前記形成シミュレーションを行うことを特徴とする付記１１〜１４のいずれか１項に記載のプログラム。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本件によれば、モニタ領域を設けることなく、マスクデータの状態で設計パターンを測長することにより、素子サイズの縮小化を阻害することなく、簡易且つ正確な測長が可能となり、工数を削減してレチクルを無駄にすることのない信頼性の高いパターン検証が実現する。
【符号の説明】
【００６６】
１  決定部
２  シミュレーション部
３  測長部
４  保証決定部
５  測長指示書作成部
１０  セル
１１  図形抽出部
１２  測長数指定部
１３  基準点指定部
１４  領域分割部
１５  測長数割当部
１６  測長点決定部
１７  測長点調整部
２１  取込領域抽出部
２２  形成シミュレーション部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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