(57)【要約】【課題】研削、或いは研磨による安定した半導体チップの薄片化の加工を行う。【解決手段】ホルダー１０に設けられた凹部１１へ接着剤２を注入し、凹部１１に連続する溝部１３に接着剤２が流れ込んだ後、凹部１１へ半導体チップ３を半導体チップ３の表面３ａ側から組み込み、半導体チップ３を組み込んだホルダー１０を回転させるとともに、半導体チップ３に押圧を加えるための砥石スピンドル５１を回転させながら、砥石スピンドル５１により、半導体チップ３の裏面３ｂに押圧を加えて、半導体チップ３の裏面３ｂ側を研削し、ホルダー１０の表面１０ａより突出した半導体チップ３の裏面３ｂ側の部分を、砥石スピンドル５１がホルダー１０の表面１０ａまで到達するまで研削し、ホルダー１０の表面１０ａからホルダー１０の厚み方向に形成された凹部１１と同じ深さで形成された穴部１４の深さを測定することで半導体チップ３の厚みを確認する。【選択図】図１
2010173009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に半導体チップを取り付け、該半導体チップを取り付けた状態で回転することが可能なホルダーと、
回転している、前記ホルダーの前記表面側に押圧を加えることで前記ホルダーに取り付けた前記半導体チップに対して、回転しながら押圧を加えることで前記半導体チップを研削して前記半導体チップを薄片化する研削部材と、
前記ホルダー及び前記研削部材の回転を制御するとともに、前記ホルダーの前記表面側への前記研削部材による押圧を制御する制御手段と、を備えた半導体チップの薄片化の加工装置において、
前記ホルダーの前記表面側には、
前記ホルダーへの前記半導体チップの取り付けに際して、前記ホルダーの前記表面側へ前記半導体チップを組み込み前記半導体チップを位置決めすると、前記半導体チップの、前記ホルダーの前記表面側から入り込んだ部分の周囲を囲み、前記半導体チップが前記ホルダーの前記表面より突出するように、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された凹部と、
前記ホルダーの前記表面に対して前記凹部が設けられた方向と同方向に、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された前記凹部と同じ深さで形成された穴部と、
前記凹部の底面部には、前記凹部の前記底面部から前記ホルダーの厚み方向に沿って伸びる、前記凹部の前記底面部に連続して形成された第一溝部と、を備えることを特徴とする半導体チップの薄片化の加工装置。
【請求項２】
表面側に半導体チップを取り付け、該半導体チップを取り付けた状態で回転することが可能なホルダーと、
回転している、前記ホルダーの前記表面側に押圧を加えることで前記ホルダーに取り付けた前記半導体チップに対して、回転しながら押圧を加えることで前記半導体チップを研磨して前記半導体チップを薄片化する研磨部材と、
前記ホルダー及び前記研磨部材の回転を制御するとともに、前記ホルダーの前記表面側への前記研磨部材による押圧を制御する制御手段と、を備えた半導体チップの薄片化の加工装置において、
前記ホルダーの前記表面側には、
前記ホルダーへの前記半導体チップの取り付けに際して、前記ホルダーの前記表面側へ前記半導体チップを組み込み前記半導体チップを位置決めすると、前記半導体チップの、前記ホルダーの前記表面側から入り込んだ部分の周囲を囲み、前記半導体チップが前記ホルダーの前記表面より突出するように、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された凹部と、
前記ホルダーの前記表面に対して前記凹部が設けられた方向と同方向に、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された前記凹部と同じ深さで形成された穴部と、
前記凹部の底面部には、前記凹部の前記底面部から前記ホルダーの厚み方向に沿って伸びる、前記凹部の前記底面部に連続して形成された第一溝部と、を備えることを特徴とする半導体チップの薄片化の加工装置。
【請求項３】
表面側に半導体チップを取り付け、該半導体チップを取り付けた状態で回転することが可能なホルダーと、
回転している、前記ホルダーの前記表面側に押圧を加えることで前記ホルダーに取り付けた前記半導体チップに対して、回転しながら押圧を加えることで前記半導体チップを研削して前記半導体チップを薄片化する研削部材と、
前記ホルダー及び前記研削部材の回転を制御するとともに、前記ホルダーの前記表面側への前記研削部材による押圧を制御する制御手段と、を備えた半導体チップの薄片化の加工装置において、
前記ホルダーの前記表面側には、
前記ホルダーへの前記半導体チップの取り付けに際して、前記ホルダーの前記表面側へ前記半導体チップを組み込み前記半導体チップを位置決めすると、前記半導体チップの、前記ホルダーの前記表面側から入り込んだ部分の周囲を囲み、前記半導体チップが前記ホルダーの前記表面より突出するように、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された凹部と、
前記ホルダーの前記表面に対して前記凹部が設けられた方向と同方向に、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された前記凹部と同じ深さで形成された穴部と、
前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に沿って、隣り合う前記凹部同士の間に形成され、隣り合う前記凹部同士を連結する、底面部が前記凹部の底面部と同一平面を形成する第二溝部と、を備えることを特徴とする半導体チップの薄片化の加工装置。
【請求項４】
表面側に半導体チップを取り付け、該半導体チップを取り付けた状態で回転することが可能なホルダーと、
回転している、前記ホルダーの前記表面側に押圧を加えることで前記ホルダーに取り付けた前記半導体チップに対して、回転しながら押圧を加えることで前記半導体チップを研磨して前記半導体チップを薄片化する研磨部材と、
前記ホルダー及び前記研磨部材の回転を制御するとともに、前記ホルダーの前記表面側への前記研磨部材による押圧を制御する制御手段と、を備えた半導体チップの薄片化の加工装置において、
前記ホルダーの前記表面側には、
前記ホルダーへの前記半導体チップの取り付けに際して、前記ホルダーの前記表面側へ前記半導体チップを組み込み前記半導体チップを位置決めすると、前記半導体チップの、前記ホルダーの前記表面側から入り込んだ部分の周囲を囲み、前記半導体チップが前記ホルダーの前記表面より突出するように、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された凹部と、
前記ホルダーの前記表面に対して前記凹部が設けられた方向と同方向に、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された前記凹部と同じ深さで形成された穴部と、
前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に沿って、隣り合う前記凹部同士の間に形成され、隣り合う前記凹部同士を連結する、底面部が前記凹部の底面部と同一平面を形成する第二溝部と、を備えることを特徴とする半導体チップの薄片化の加工装置。
【請求項５】
前記ホルダーの前記凹部への前記半導体チップの取り付けに際しては、前記ホルダーに設けられた前記凹部の前記底面部に前記半導体チップの表面を載せることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体チップの薄片化の加工装置。
【請求項６】
前記ホルダーは、前記半導体チップと同様に研削、或いは研磨が可能なシリコンからなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体チップの薄片化の加工装置。
【請求項７】
半導体チップと同様に研削が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部より前記ホルダーの厚み方向に沿って第一溝部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第一溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、
前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、
前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研削部材を回転させながら、前記研削部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研削し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研削部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研削する第一研削工程と、を備えることを特徴とする半導体チップの薄片化の加工方法。
【請求項８】
半導体チップと同様に研削が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部より前記ホルダーの厚み方向に沿って第一溝部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第一溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、
前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、
前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研削部材を回転させながら、前記研削部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研削し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研削部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研削する第一研削工程と、
前記第一研削工程完了後、前記研削部材により、前記ホルダーの前記表面と同一平面を形成する前記半導体チップの前記裏面側及び前記ホルダーの、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された、前記凹部が設けられた方向と同方向に前記凹部と同じ深さの穴部を含んだ前記ホルダーの前記表面側を研削する第二研削工程と、を備えることを特徴とする半導体チップの薄片化の加工方法。
【請求項９】
半導体チップと同様に研削が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部の底面部より、前記凹部の前記底面部と同一平面である第二溝部の底面部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第二溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、
前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、
前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研削部材を回転させながら、前記研削部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研削し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研削部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研削する第一研削工程と、を備えることを特徴とする半導体チップの薄片化の加工方法。
【請求項１０】
半導体チップと同様に研削が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部の底面部より、前記凹部の前記底面部と同一平面である第二溝部の底面部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第二溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、
前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、
前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研削部材を回転させながら、前記研削部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研削し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研削部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研削する第一研削工程と、
前記第一研削工程完了後、前記研削部材により、前記ホルダーの前記表面と同一平面を形成する前記半導体チップの前記裏面側及び前記ホルダーの、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された、前記凹部が設けられた方向と同方向に前記凹部と同じ深さの穴部を含んだ前記ホルダーの前記表面側を研削する第二研削工程と、を備えることを特徴とする半導体チップの薄片化の加工方法。
【請求項１１】
半導体チップと同様に研磨が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部より前記ホルダーの厚み方向に沿って第一溝部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第一溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、
前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、
前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研磨部材を回転させながら、前記研磨部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研磨し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研磨部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研磨する第一研磨工程と、を備えることを特徴とする半導体チップの薄片化の加工方法。
【請求項１２】
半導体チップと同様に研磨が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部より前記ホルダーの厚み方向に沿って第一溝部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第一溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、
前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、
前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研磨部材を回転させながら、前記研磨部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研磨し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研磨部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研磨する第一研磨工程と、
前記第一研磨工程完了後、前記研磨部材により、前記ホルダーの前記表面と同一平面を形成する前記半導体チップの前記裏面側及び前記ホルダーの、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された、前記凹部が設けられた方向と同方向に前記凹部と同じ深さの穴部を含んだ前記ホルダーの前記表面側を研磨する第二研磨工程と、を備えることを特徴とする半導体チップの薄片化の加工方法。
【請求項１３】
半導体チップと同様に研磨が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部の底面部より、前記凹部の前記底面部と同一平面である第二溝部の底面部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第二溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、
前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、
前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研磨部材を回転させながら、前記研磨部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研磨し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研磨部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研磨する第一研磨工程と、を備えることを特徴とする半導体チップの薄片化の加工方法。
【請求項１４】
半導体チップと同様に研磨が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部の底面部より、前記凹部の前記底面部と同一平面である第二溝部の底面部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第二溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、
前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、
前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研磨部材を回転させながら、前記研磨部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研磨し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研磨部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研磨する第一研磨工程と、
前記第一研磨工程完了後、前記研磨部材により、前記ホルダーの前記表面と同一平面を形成する前記半導体チップの前記裏面側及び前記ホルダーの、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された、前記凹部が設けられた方向と同方向に前記凹部と同じ深さの穴部を含んだ前記ホルダーの前記表面側を研磨する第二研磨工程と、を備えることを特徴とする半導体チップの薄片化の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを薄く形成するための半導体チップの薄片化の加工装置及びその加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体中の不純物分布の精密測定に適しているということでＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）が半導体中の不純物分析などに広く用いられている。ＳＩＭＳでの半導体の分析に際しては、半導体（半導体チップ）の厚みを薄くすることが求められる場合もある。そのため、例えば、図２０に示すように、半導体チップを薄く形成する技術を利用してＳＩＭＳでの分析を行うための半導体チップの厚みを薄く形成することも一つの方法として考えることも可能である。
【０００３】
図２０（ａ）では、図示しないスピンドルに研削ホイール１１０が装着されており、研削ホイール１１０の下部に研削砥石（ダイヤモンド等）１１１が固着されている。そして、研削ホイール１１０は図示しないスピンドルの回転に伴って回転することになっている。この研削ホイール１１０を用いて半導体チップ１１３の裏面１１３ａを研削する際には、テーブル１１５に設けられたホルダー１１２に、半導体チップ１１３の、接着剤１１４を塗布した表面１１３ｂを載置して、ホルダー１１２に載置（貼着）された半導体チップ１１３の裏面１１３ａを研削ホイール１１０の直下に位置付ける。
【０００４】
そして、図示しないスピンドルを回転させるとともに研削ホイール１１０を下降し、図示しないスピンドルの回転に伴って回転する研削ホイール１１０に固着されている研削砥石１１１が半導体チップ１１３に接触して押圧が加えられることにより、その裏面１１３ａが研削砥石１１１によって研削される。
【０００５】
また、別の研削方法では、図２０（ｂ）に示すように、半導体チップ１２３の表面１２３ａを真空チャック１２５にて吸着・保持し、真空チャック１２５の下面との間の間隙をｚに調整された研削用ダイヤモンドホイール１２６を移動して研削を行い、トータル厚ｚの半導体チップ１２３を得るというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−５０２８０（段落０００９  図１（ｄ））
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図２０（ａ）では半導体チップ１１３の表面１１３ｂに接着剤１１４層を形成してホルダー１１２に貼着しているので、回転する研削ホイール１１０（研削砥石１１１）と半導体チップ１１３の裏面１１３ａ側が当接することにより、半導体チップ１１３に回転する研削ホイール１１０（研削砥石１１１）の押圧が加わることで半導体チップ１１３が貼着されていたホルダー１１２の位置からずれることもある。つまり、回転する研削ホイール１１０（研削砥石１１１）の押圧が半導体チップ１１３の側方から加わることになる。半導体チップ１１３は接着剤１１４によりホルダー１１２に貼着されているだけで位置決めされていないため、回転する研削ホイール１１０（研削砥石１１１）の押圧により、ホルダー１１２に貼着されている半導体チップ１１３の表面１１３ａの端（エッジ）から剥がれ易くなる。
【０００８】
また、半導体チップ１１３の裏面１１３ａ研削後、センサー等の測定装置により、ホルダー１１２の表面１１２ａを基準にして半導体チップ１１３の裏面１１３ａの高さを測定することも可能である。しかしながら、半導体チップ１１３は小さく、半導体チップ１１３の裏面１１３ａにセンサー等を当接させることは容易ではなく、センサー等の測定装置により、ホルダー１１２の表面１１２ａを基準にして半導体チップ１１３の裏面１１３ａの高さを測定することは困難である。
【０００９】
さらに、半導体チップ１１３の表面１１３ｂに接着剤１１４を塗布してホルダー１１２の表面１１２ａに貼着しているため、接着剤１１４が半導体チップ１１３の表面１１３ｂからはみ出してホルダー１１２の表面１１２ａ上に載ることもある。そのため、回転する研削ホイール１１０（研削砥石１１１）で半導体チップ１１３の裏面１１３ａを研削している最中に、ホルダー１１２の表面１１２ａ上に載った接着剤１１４が塊となり、研削ホイール１１０（研削砥石１１１）での半導体チップ１１３の裏面１１３ａの研削を妨げる場合もある。その結果、所定の厚みの半導体チップ１１３を得ることが難しくなる。
【００１０】
また、図２０（ｂ）に示す研削方法においては、半導体チップ１２３の表面１２３ａを真空チャック１２５にて吸着・保持し、真空チャック１２５の下面との間の間隙をｚに調整された研削用ダイヤモンドホイール１２６を移動して半導体チップ１２３の裏面１２３ｂ側の研削を行う際に、研削用ダイヤモンドホイール１２６からの押圧が半導体チップ１２３の側方に加わる（図２０（ｂ）に示す矢印方向）。押圧が加わることで半導体チップ１２３は押圧方向に移動し易くなる。つまり、半導体チップ１２３は真空チャック１２５による吸着による保持だけで位置決めが行われていないため、研削用ダイヤモンドホイール１２６からの押圧により真空チャック１２５から半導体チップ１２３が外れ易くなり、研削用ダイヤモンドホイール１２６による安定した研削が難しくなる。
【００１１】
本発明は、上記の事情に鑑みなされたものであり、半導体チップの位置決めを行うことにより半導体チップの裏面側の安定した研削、或いは研磨を可能にする半導体チップの薄片化の加工装置及びその加工方法の提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、表面側に半導体チップを取り付け、該半導体チップを取り付けた状態で回転することが可能なホルダーと、回転している、前記ホルダーの前記表面側に押圧を加えることで前記ホルダーに取り付けた前記半導体チップに対して、回転しながら押圧を加えることで前記半導体チップを研削して前記半導体チップを薄片化する研削部材と、前記ホルダー及び前記研削部材の回転を制御するとともに、前記ホルダーの前記表面側への前記研削部材による押圧を制御する制御手段と、を備えた半導体チップの薄片化の加工装置において、前記ホルダーの前記表面側には、前記ホルダーへの前記半導体チップの取り付けに際して、前記ホルダーの前記表面側へ前記半導体チップを組み込み前記半導体チップを位置決めすると、前記半導体チップの、前記ホルダーの前記表面側から入り込んだ部分の周囲を囲み、前記半導体チップが前記ホルダーの前記表面より突出するように、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された凹部と、前記ホルダーの前記表面に対して前記凹部が設けられた方向と同方向に、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された前記凹部と同じ深さで形成された穴部と、前記凹部の底面部には、前記凹部の前記底面部から前記ホルダーの厚み方向に沿って伸びる、前記凹部の前記底面部に連続して形成された第一溝部と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
従って、請求項１に記載の発明によれば、ホルダーには、ホルダー表面からホルダーの厚み方向に凹部が形成されており、凹部に半導体チップを取り付けるための接着剤を注入すると、凹部の底面部からホルダーの厚み方向に沿って第一溝部に、凹部に注入された前記接着剤の一部が流れ込み、凹部へ半導体チップを組み込んで半導体チップの位置決めを行い、凹部に半導体チップを固着すると（凹部に半導体チップを取り付けると）、半導体チップの、ホルダーの表面側から入り込んだ部分の周囲を囲み、半導体チップの一部がホルダーの表面より突出することになり、この状態でホルダーを回転させ、ホルダーに取り付けた半導体チップに対して、研削部材が回転しながら押圧を加えることでホルダーの表面より突出した半導体チップの一部を研削することが可能になる。
【００１４】
また、ホルダーには、ホルダーの表面からホルダーの厚み方向に形成された、凹部と同じ深さの穴部が設けられており、凹部に組み込まれた半導体チップのホルダーの表面より突出した部分を研削し、薄片化された半導体チップの厚みを測定するに際して、直接半導体チップの厚みを測定することなく穴部の深さを測定することで薄片化された半導体チップの厚さを確認することが可能になる。さらに、凹部の底面部には、凹部の底面部からホルダーの厚み方向に沿って伸びる、凹部に連続する溝部が設けられているために、半導体チップを取り付けるための接着剤を凹部に注入すると凹部の底面部からホルダーの厚み方向に沿って接着剤の一部が凹部に連続する第一溝部へ流れ、凹部の底面部から余分な接着剤を排除することが可能になる。
【００１５】
また、請求項２に記載の発明は、表面側に半導体チップを取り付け、該半導体チップを取り付けた状態で回転することが可能なホルダーと、回転している、前記ホルダーの前記表面側に押圧を加えることで前記ホルダーに取り付けた前記半導体チップに対して、回転しながら押圧を加えることで前記半導体チップを研磨して前記半導体チップを薄片化する研磨部材と、前記ホルダー及び前記研磨部材の回転を制御するとともに、前記ホルダーの前記表面側への前記研磨部材による押圧を制御する制御手段と、を備えた半導体チップの薄片化の加工装置において、前記ホルダーの前記表面側には、前記ホルダーへの前記半導体チップの取り付けに際して、前記ホルダーの前記表面側へ前記半導体チップを組み込み前記半導体チップを位置決めすると、前記半導体チップの、前記ホルダーの前記表面側から入り込んだ部分の周囲を囲み、前記半導体チップが前記ホルダーの前記表面より突出するように、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された凹部と、前記ホルダーの前記表面に対して前記凹部が設けられた方向と同方向に、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された前記凹部と同じ深さで形成された穴部と、前記凹部の底面部には、前記凹部の前記底面部から前記ホルダーの厚み方向に沿って伸びる、前記凹部の前記底面部に連続して形成された第一溝部と、を備えることを特徴とする。
【００１６】
従って、請求項２に記載の発明によれば、ホルダーには、ホルダー表面からホルダーの厚み方向に凹部が形成されており、凹部に半導体チップを取り付けるための接着剤を注入すると、凹部の底面部からホルダーの厚み方向に沿って第一溝部に、凹部に注入された前記接着剤の一部が流れ込み、凹部へ半導体チップを組み込んで半導体チップの位置決めを行い、凹部に半導体チップを固着すると（凹部に半導体チップを取り付けると）、半導体チップの、ホルダーの表面側から入り込んだ部分の周囲を囲み、半導体チップの一部がホルダーの表面より突出することになり、この状態でホルダーを回転させ、ホルダーに取り付けた半導体チップに対して、研磨部材が回転しながら押圧を加えることでホルダーの表面より突出した半導体チップの一部を研磨することが可能になる。
【００１７】
また、ホルダーには、ホルダーの表面からホルダーの厚み方向に形成された、凹部と同じ深さの穴部が設けられており、凹部に組み込まれた半導体チップのホルダーの表面より突出した部分を研磨し、薄片化された半導体チップの厚みを測定するに際して、直接半導体チップの厚みを測定することなく穴部の深さを測定することで薄片化された半導体チップの厚さを確認することが可能になる。さらに、凹部の底面部には、凹部の底面部からホルダーの厚み方向に沿って伸びる、凹部に連続する溝部が設けられているために、半導体チップを取り付けるための接着剤を凹部に注入すると凹部の底面部からホルダーの厚み方向に沿って接着剤の一部が凹部に連続する第一溝部へ流れ、凹部の底面部から余分な接着剤を排除することが可能になる。
【００１８】
さらに、請求項３に記載の発明は、表面側に半導体チップを取り付け、該半導体チップを取り付けた状態で回転することが可能なホルダーと、回転している、前記ホルダーの前記表面側に押圧を加えることで前記ホルダーに取り付けた前記半導体チップに対して、回転しながら押圧を加えることで前記半導体チップを研削して前記半導体チップを薄片化する研削部材と、前記ホルダー及び前記研削部材の回転を制御するとともに、前記ホルダーの前記表面側への前記研削部材による押圧を制御する制御手段と、を備えた半導体チップの薄片化の加工装置において、前記ホルダーの前記表面側には、前記ホルダーへの前記半導体チップの取り付けに際して、前記ホルダーの前記表面側へ前記半導体チップを組み込み前記半導体チップを位置決めすると、前記半導体チップの、前記ホルダーの前記表面側から入り込んだ部分の周囲を囲み、前記半導体チップが前記ホルダーの前記表面より突出するように、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された凹部と、前記ホルダーの前記表面に対して前記凹部が設けられた方向と同方向に、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された前記凹部と同じ深さで形成された穴部と、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に沿って、隣り合う前記凹部同士の間に形成され、隣り合う前記凹部同士を連結する、底面部が前記凹部の底面部と同一平面を形成する第二溝部と、を備えることを特徴とする
【００１９】
従って、請求項３に記載の発明によれば、ホルダーには、ホルダー表面からホルダーの厚み方向に凹部が形成されており、凹部に半導体チップを取り付けるための接着剤を注入すると、凹部に連続する第二溝部には、凹部に注入された接着剤の一部が流れ込み、凹部へ半導体チップを組み込んで半導体チップの位置決めを行い、凹部に半導体チップを固着すると（凹部に半導体チップを取り付けると）、半導体チップの、ホルダーの表面側から入り込んだ部分の周囲を囲み、半導体チップの一部がホルダーの表面より突出することになり、この状態でホルダーを回転させ、ホルダーに取り付けた半導体チップに対して、研削部材が回転しながら押圧を加えることでホルダーの表面より突出した半導体チップの一部を研削することが可能になる。
【００２０】
また、ホルダーには、ホルダーの表面からホルダーの厚み方向に形成された、凹部と同じ深さの穴部が設けられており、凹部に組み込まれた半導体チップのホルダーの表面より突出した部分を研削し、薄片化された半導体チップの厚みを測定するに際して、直接半導体チップの厚みを測定することなく穴部の深さを測定することで薄片化された半導体チップの厚さを確認することが可能になる。さらに、第二溝部が、ホルダーの表面からホルダーの厚み方向に沿って凹部同士の間に凹部同士を連結して形成され、底面部が凹部の底面部と同一平面であるため、半導体チップを取り付けるための接着剤を凹部に注入すると凹部の底面部から第二溝部の底面部へ接着剤の一部が流れ、凹部の底面部から余分な接着剤を排除することが可能になる。
【００２１】
さらに、第二溝部は、凹部同士を連結し、その凹部同士に連続しているので、凹部に接着剤が注入されると接着剤が第二溝部を流れ他の凹部に接着剤が流れることで、最終的に凹部における接着剤による液面の高さを同じにすることが可能になる。そのため、凹部同士を連結する第二溝部をホルダー内の全ての凹部同士の間に形成し、ホルダー内の全ての凹部を第二溝部で連結することで、接着剤が凹部に注入された際にホルダー内の全ての凹部の接着剤の液面の高さを同じにすることが可能になり、凹部の底面部から余分な接着剤を排除することが可能になる。
【００２２】
凹部同士の間に形成される第二溝部は、凹部同士の間であればいずれの位置でもよく、例えば、前記凹部同士の向き合う側面部同士の間に形成することも可能である。その場合、第二溝部は、凹部同士の向き合う側面部同士の間に形成され、凹部同士を連結し、凹部同士に連続する、凹部同士の向き合う側面部同士から伸びて、ホルダーの厚み方向に沿って形成され、凹部に接着剤が注入されることで凹部の接着剤の液面の高さを同じにすることが可能になり、凹部の底面部から余分な接着剤を排除することが可能になる。
【００２３】
また、請求項４に記載の発明は、表面側に半導体チップを取り付け、該半導体チップを取り付けた状態で回転することが可能なホルダーと、回転している、前記ホルダーの前記表面側に押圧を加えることで前記ホルダーに取り付けた前記半導体チップに対して、回転しながら押圧を加えることで前記半導体チップを研磨して前記半導体チップを薄片化する研磨部材と、前記ホルダー及び前記研磨部材の回転を制御するとともに、前記ホルダーの前記表面側への前記研磨部材による押圧を制御する制御手段と、を備えた半導体チップの薄片化の加工装置において、前記ホルダーの前記表面側には、前記ホルダーへの前記半導体チップの取り付けに際して、前記ホルダーの前記表面側へ前記半導体チップを組み込み前記半導体チップを位置決めすると、前記半導体チップの、前記ホルダーの前記表面側から入り込んだ部分の周囲を囲み、前記半導体チップが前記ホルダーの前記表面より突出するように、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された凹部と、前記ホルダーの前記表面に対して前記凹部が設けられた方向と同方向に、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された前記凹部と同じ深さで形成された穴部と、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に沿って、隣り合う前記凹部同士の間に形成され、隣り合う前記凹部同士を連結する、底面部が前記凹部の底面部と同一平面を形成する第二溝部と、を備えることを特徴とする。
【００２４】
従って、請求項４に記載の発明によれば、ホルダーには、ホルダー表面からホルダーの厚み方向に凹部が形成されており、凹部に半導体チップを取り付けるための接着剤を注入すると、凹部に連続する第二溝部には、凹部に注入された接着剤の一部が流れ込み、凹部へ半導体チップを組み込んで半導体チップの位置決めを行い、凹部に半導体チップを固着すると（凹部に半導体チップを取り付けると）、半導体チップの、ホルダーの表面側から入り込んだ部分の周囲を囲み、半導体チップの一部がホルダーの表面より突出することになり、この状態でホルダーを回転させ、ホルダーに取り付けた半導体チップに対して、研磨部材が回転しながら押圧を加えることでホルダーの表面より突出した半導体チップの一部を研磨することが可能になる。
【００２５】
また、ホルダーには、ホルダーの表面からホルダーの厚み方向に形成された、凹部と同じ深さの穴部が設けられており、凹部に組み込まれた半導体チップのホルダーの表面より突出した部分を研磨し、薄片化された半導体チップの厚みを測定するに際して、直接半導体チップの厚みを測定することなく穴部の深さを測定することで薄片化された半導体チップの厚さを確認することが可能になる。さらに、第二溝部が、ホルダーの表面からホルダーの厚み方向に沿って凹部同士の間に凹部同士を連結して形成され、底面部が凹部の底面部と同一平面であるため、半導体チップを取り付けるための接着剤を凹部に注入すると凹部の底面部から第二溝部の底面部へ接着剤の一部が流れ、凹部の底面部から余分な接着剤を排除することが可能になる。
【００２６】
さらに、第二溝部は、凹部同士を連結し、その凹部同士に連続しているので、凹部に接着剤が注入されると接着剤が第二溝部を流れ他の凹部に接着剤が流れることで、最終的に凹部における接着剤による液面の高さを同じにすることが可能になる。そのため、凹部同士を連結する第二溝部をホルダー内の全ての凹部同士の間に形成し、ホルダー内の全ての凹部を第二溝部で連結することで、接着剤が凹部に注入された際にホルダー内の全ての凹部の接着剤の液面の高さを同じにすることが可能になり、凹部の底面部から余分な接着剤を排除することが可能になる。
【００２７】
凹部同士の間に形成される第二溝部は、凹部同士の間であればいずれの位置でもよく、例えば、前記凹部同士の向き合う側面部同士の間に形成することも可能である。その場合、第二溝部は、凹部同士の向き合う側面部同士の間に形成され、凹部同士を連結し、凹部同士に連続する、凹部同士の向き合う側面部同士から伸びて、ホルダーの厚み方向に沿って形成され、凹部に接着剤が注入されることで凹部の接着剤の液面の高さを同じにすることが可能になり、凹部の底面部から余分な接着剤を排除することが可能になる。
【００２８】
さらに、請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の構成に加え、前記ホルダーの前記凹部への前記半導体チップの取り付けに際しては、前記ホルダーに設けられた前記凹部の前記底面部に前記半導体チップの表面を載せることを特徴とする。
【００２９】
従って、請求項５に記載の発明によれば、ホルダーに設けられた凹部の底面部に半導体チップの表面を載せることで半導体チップを凹部に組み込むため、半導体チップの裏面側から半導体チップが研削、或いは研磨されることになり、素子等を形成した、半導体チップの表面を保護した状態で半導体チップの薄片化が行われ、半導体チップの機能を維持した状態での薄片化した半導体チップを得ることが可能になる。
【００３０】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の構成に加え、前記ホルダーは、前記半導体チップと同様に研削、或いは研磨が可能なシリコンからなることを特徴とする。
【００３１】
従って、請求項６に記載の発明によれば、ホルダーは半導体チップと同様に研削可能であるため、研削部材、或いは研磨部材がホルダーに押圧を加えながら回転することでホルダーの表面を研削、或いは研磨する。つまり、固定砥粒である研削部材、或いは研磨面（研磨布）及び研磨剤（遊離砥粒）である研磨部材がホルダーに押圧を加えながら回転することで、半導体チップの裏面側及びホルダーの穴部を含んだホルダーの表面側を研削、或いは研磨することが可能になる。その結果、半導体チップをホルダーの凹部に組み込んだ際に、半導体チップの裏面側がホルダーの表面より突出するような凹部を備えたホルダーに再度、組み込み替える必要がなく、半導体チップの薄片化を効率よく行うことを可能にする。
【００３２】
さらに、請求項７に記載の発明は、半導体チップと同様に研削が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部より前記ホルダーの厚み方向に沿って第一溝部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第一溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研削部材を回転させながら、前記研削部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研削し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研削部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研削する第一研削工程と、を備えることを特徴とする。
【００３３】
従って、請求項７に記載の発明によれば、半導体チップと同様に研削が可能なシリコンからなる、ホルダーに設けられた凹部へ接着剤を注入すると、凹部よりホルダーの厚み方向に沿って第一溝部に接着剤の一部が流れ込み、凹部へ半導体チップを半導体チップの表面側から組み込み、半導体チップの裏面をホルダーの表面と同方向にしてホルダーの凹部に半導体チップの位置決めを行い、半導体チップを凹部に取り付けた後に、半導体チップを組み込んだホルダーを回転させるとともに、半導体チップに押圧を加える研削部材を回転させながら、研削部材により半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、半導体チップの裏面側を研削し、ホルダーの表面より突出した半導体チップの裏面側の部分を、研削部材がホルダーの表面まで到達するまで研削することで半導体チップの薄片化を可能にする。
【００３４】
また、請求項８に記載の発明は、半導体チップと同様に研削が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部より前記ホルダーの厚み方向に沿って第一溝部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第一溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研削部材を回転させながら、前記研削部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研削し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研削部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研削する第一研削工程と、前記第一研削工程完了後、前記研削部材により、前記ホルダーの前記表面と同一平面を形成する前記半導体チップの前記裏面側及び前記ホルダーの、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された、前記凹部が設けられた方向と同方向に前記凹部と同じ深さの穴部を含んだ前記ホルダーの前記表面側を研削する第二研削工程と、を備えることを特徴とする。
【００３５】
従って、請求項８に記載の発明によれば、半導体チップと同様に研削が可能なシリコンからなる、ホルダーに設けられた凹部へ接着剤を注入し、凹部よりホルダーの厚み方向に沿って第一溝部に接着剤の一部が流れ込み、凹部へ半導体チップを半導体チップの表面側から組み込み、半導体チップの裏面をホルダーの表面と同方向にしてホルダーの凹部に半導体チップの位置決めを行い、半導体チップを凹部に取り付けた後に、半導体チップを組み込んだホルダーを回転させるとともに、半導体チップに押圧を加える研削部材を回転させながら、研削部材により半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、半導体チップの裏面側を研削し、ホルダーの表面より突出した半導体チップの裏面側の部分を、研削部材がホルダーの表面まで到達するまで研削し、さらに、研削部材がホルダーの表面側に押圧を加えながら回転することで、研削部材がホルダーの表面と同一平面を形成する半導体チップの裏面側及びホルダーの穴部を含んだホルダーの表面側を研削することで半導体チップの薄片化を可能にする。
【００３６】
さらに、請求項９に記載の発明は、半導体チップと同様に研削が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部の底面部より、前記凹部の前記底面部と同一平面である第二溝部の底面部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第二溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研削部材を回転させながら、前記研削部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研削し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研削部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研削する第一研削工程と、を備えることを特徴とする。
【００３７】
従って、請求項９に記載の発明によれば、半導体チップと同様に研削が可能なシリコンからなる、ホルダーに設けられた凹部へ接着剤を注入し、凹部の底面部より、凹部の底面部と同一平面である第二溝部の底面部に接着剤の一部が流れ込み、凹部へ半導体チップを半導体チップの表面側から組み込み、半導体チップの裏面をホルダーの表面と同方向にしてホルダーの凹部に半導体チップの位置決めを行い、半導体チップを凹部に取り付けた後に、半導体チップを組み込んだホルダーを回転させるとともに、半導体チップに押圧を加える研削部材を回転させながら、研削部材により半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、半導体チップの裏面側を研削し、ホルダーの表面より突出した半導体チップの裏面側の部分を、研削部材がホルダーの表面まで到達するまで研削することで半導体チップの薄片化を可能にする。
【００３８】
また、請求項１０に記載の発明は、半導体チップと同様に研削が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部の底面部より、前記凹部の前記底面部と同一平面である第二溝部の底面部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第二溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研削部材を回転させながら、前記研削部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研削し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研削部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研削する第一研削工程と、前記第一研削工程完了後、前記研削部材により、前記ホルダーの前記表面と同一平面を形成する前記半導体チップの前記裏面側及び前記ホルダーの、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された、前記凹部が設けられた方向と同方向に前記凹部と同じ深さの穴部を含んだ前記ホルダーの前記表面側を研削する第二研削工程と、を備えることを特徴とする。
【００３９】
従って、請求項１０に記載の発明によれば、半導体チップと同様に研削が可能なシリコンからなる、ホルダーに設けられた凹部へ接着剤を注入し、凹部の底面部より、凹部の底面部と同一平面である第二溝部の底面部に接着剤の一部が流れ込み、凹部へ半導体チップを半導体チップの表面側から組み込み、半導体チップの裏面をホルダーの表面と同方向にしてホルダーの凹部に半導体チップの位置決めを行い、半導体チップを凹部に取り付けた後に、半導体チップを組み込んだホルダーを回転させるとともに、半導体チップに押圧を加える研削部材を回転させながら、研削部材により半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、半導体チップの裏面側を研削し、ホルダーの表面より突出した半導体チップの裏面側の部分を、研削部材がホルダーの表面まで到達するまで研削し、さらに、研削部材がホルダーの表面側に押圧を加えながら回転することで、研削部材がホルダーの表面と同一平面を形成する半導体チップの裏面側及びホルダーの穴部を含んだホルダーの表面側を研削することで半導体チップの薄片化を可能にする。
【００４０】
さらに、請求項１１に記載の発明は、半導体チップと同様に研磨が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部より前記ホルダーの厚み方向に沿って第一溝部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第一溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研磨部材を回転させながら、前記研磨部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研磨し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研磨部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研磨する第一研磨工程と、を備えることを特徴とする。
【００４１】
従って、請求項１１に記載の発明によれば、半導体チップと同様に研磨が可能なシリコンからなる、ホルダーに設けられた凹部へ接着剤を注入し、凹部の底面部より、凹部の底面部と同一平面である第二溝部の底面部に接着剤の一部が流れ込み、凹部へ半導体チップを半導体チップの表面側から組み込み、半導体チップの裏面をホルダーの表面と同方向にしてホルダーの凹部に半導体チップの位置決めを行い、。半導体チップを凹部に取り付けた後に、半導体チップを組み込んだホルダーを回転させるとともに、半導体チップに押圧を加える研磨部材を回転させながら、研磨部材により半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、半導体チップの裏面側を研磨し、ホルダーの表面より突出した半導体チップの裏面側の部分を、研磨部材がホルダーの表面まで到達するまで研磨することで半導体チップの薄片化を可能にする。
【００４２】
また、請求項１２に記載の発明は、半導体チップと同様に研磨が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部より前記ホルダーの厚み方向に沿って第一溝部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第一溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研磨部材を回転させながら、前記研磨部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研磨し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研磨部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研磨する第一研磨工程と、前記第一研磨工程完了後、前記研磨部材により、前記ホルダーの前記表面と同一平面を形成する前記半導体チップの前記裏面側及び前記ホルダーの、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された、前記凹部が設けられた方向と同方向に前記凹部と同じ深さの穴部を含んだ前記ホルダーの前記表面側を研磨する第二研磨工程と、を備えることを特徴とする。
【００４３】
従って、請求項１２に記載の発明によれば、半導体チップと同様に研磨が可能なシリコンからなる、ホルダーに設けられた凹部へ接着剤を注入し、凹部よりホルダーの厚み方向に沿って第一溝部に接着剤の一部が流れ込み、凹部へ半導体チップを半導体チップの表面側から組み込み、半導体チップの裏面をホルダーの表面と同方向にしてホルダーの凹部に半導体チップの位置決めを行い、半導体チップを凹部に取り付けた後に、半導体チップを組み込んだホルダーを回転させるとともに、半導体チップに押圧を加える研磨部材を回転させながら、研磨部材により半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、半導体チップの裏面側を研磨し、ホルダーの表面より突出した半導体チップの裏面側の部分を、研磨部材がホルダーの表面まで到達するまで研磨し、さらに、研磨部材がホルダーの表面側に押圧を加えながら回転することで、研磨部材がホルダーの表面と同一平面を形成する半導体チップの裏面側及びホルダーの穴部を含んだホルダーの表面側を研磨することで半導体チップの薄片化を可能にする。
【００４４】
さらに、請求項１３に記載の発明は、半導体チップと同様に研磨が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部の底面部より、前記凹部の前記底面部と同一平面である第二溝部の底面部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第二溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研磨部材を回転させながら、前記研磨部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研磨し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研磨部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研磨する第一研磨工程と、を備えることを特徴とする。
【００４５】
従って、請求項１３に記載の発明によれば、半導体チップと同様に研磨が可能なシリコンからなる、ホルダーに設けられた凹部へ接着剤を注入し、凹部の底面部より、凹部の底面部と同一平面である第二溝部の底面部に接着剤の一部が流れ込み、凹部へ半導体チップを半導体チップの表面側から組み込み、半導体チップの裏面をホルダーの表面と同方向にしてホルダーの凹部に半導体チップの位置決めを行い、半導体チップを凹部に取り付けた後に、半導体チップを組み込んだホルダーを回転させるとともに、半導体チップに押圧を加える研磨部材を回転させながら、研磨部材により半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、半導体チップの裏面側を研磨し、ホルダーの表面より突出した半導体チップの裏面側の部分を、研磨部材がホルダーの表面まで到達するまで研磨することで半導体チップの薄片化を可能にする。
【００４６】
また、請求項１４に記載の発明は、半導体チップと同様に研磨が可能なシリコンからなる、ホルダーの表面側に設けられた凹部へ接着剤を注入すると、前記凹部の底面部より、前記凹部の前記底面部と同一平面である第二溝部の底面部に前記接着剤の一部が流れ込み、前記凹部から前記第二溝部へ前記接着剤の一部の移動が行われる工程と、前記凹部へ前記半導体チップを前記半導体チップの表面側から組み込むことで前記半導体チップの裏面を前記ホルダーの前記表面と同方向にして前記ホルダーの前記凹部に前記半導体チップを位置決めして取り付ける工程と、前記半導体チップを組み込んだ前記ホルダーを回転させるとともに、前記半導体チップに押圧を加える研磨部材を回転させながら、前記研磨部材により前記半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、前記半導体チップの裏面側を研磨し、前記ホルダーの前記表面より突出した前記半導体チップの前記裏面側の部分を、前記研磨部材が前記ホルダーの前記表面まで到達するまで研磨する第一研磨工程と、前記第一研磨工程完了後、前記研磨部材により、前記ホルダーの前記表面と同一平面を形成する前記半導体チップの前記裏面側及び前記ホルダーの、前記ホルダーの前記表面から前記ホルダーの厚み方向に形成された、前記凹部が設けられた方向と同方向に前記凹部と同じ深さの穴部を含んだ前記ホルダーの前記表面側を研磨する第二研磨工程と、を備えることを特徴とする。
【００４７】
従って、請求項１４に記載の発明によれば、半導体チップと同様に研磨が可能なシリコンからなる、ホルダーに設けられた凹部へ接着剤を注入し、凹部の底面部より、凹部の底面部と同一平面である第二溝部の底面部に接着剤の一部が流れ込み、凹部へ半導体チップを半導体チップの表面側から組み込み、半導体チップの裏面をホルダーの表面と同方向にしてホルダーの凹部に半導体チップの位置決めを行い、半導体チップを凹部に取り付けた後に、半導体チップを組み込んだホルダーを回転させるとともに、半導体チップに押圧を加える研磨部材を回転させながら、研磨部材により半導体チップの裏面側に押圧を加えることで、半導体チップの裏面側を研磨し、ホルダーの表面より突出した半導体チップの裏面側の部分を、研磨部材がホルダーの表面まで到達するまで研磨し、さらに、研磨部材がホルダーの表面側に押圧を加えながら回転することで、研磨部材がホルダーの表面と同一平面を形成する半導体チップの裏面側及びホルダーの穴部を含んだホルダーの表面側を研磨することで半導体チップの薄片化を可能にする。
【発明の効果】
【００４８】
本発明によれば、ホルダーの表面からホルダーの厚み方向に凹部を形成し、その凹部へ半導体チップを組み込んで半導体チップの位置決めを行い、半導体チップをホルダーの凹部に固着し、ホルダーの表面より突出する半導体チップの裏面側を研削、或いは研磨することで半導体チップの薄片化することができる。また、半導体チップがホルダーの凹部内に組み込まれることになるため、凹部の側面部（壁面）により半導体チップの側面部が囲まれることになり、ホルダーの表面より突出する半導体チップの裏面側を研削、或いは研磨する際に半導体チップに押圧が加わることにより生じる半導体チップの側面部の変形を防止することができる。
【００４９】
さらに、凹部に連続する溝部（第一溝部、或いは第二溝部）が形成されているので、凹部に接着剤が注入されると接着剤が溝部を流れ凹部に必要以上の接着剤が入るのを防ぎ、ホルダーの凹部に組み込まれる、複数の半導体チップのホルダーの表面より突出する部分の均一化を図ることができる。また、ホルダーには、ホルダーの表面からホルダーの厚み方向に形成された、凹部と同じ深さの穴部が設けられており、半導体チップの裏面側の、ホルダーより突出した部分を研削、或いは研磨することで、薄片化された半導体チップの厚みを測定するに際して、直接半導体チップの厚みを測定することなく穴部の深さを測定することで薄片化された半導体チップの厚さを確認することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明である半導体チップの薄片化の加工装置で用いるホルダーの説明図である。
【図２】図１の正面図である。
【図３】半導体チップの薄片化の加工装置である研削装置の概略を示す説明図である。
【図４】図３に示す研削装置の制御系の概略を示す説明図である。
【図５】図１に示すホルダーへの接着剤の注入を示す説明図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿う断面方向から示す説明図である。（ａ）は、接着剤が注入されたホルダーの凹部と穴部とをＡ−Ａ線に沿う断面方向から示す説明図である。（ｂ）は、半導体チップが組み込まれた、接着剤が注入されたホルダーの凹部と、穴部とをＡ−Ａ線に沿う断面方向から示す説明図である。
【図７】ホルダーに組み込まれた半導体チップを研削する状態を示す説明図である。
【図８】半導体チップを組み込んだ際の、図５のＡ−Ａ線に沿う断面方向から示す説明図である。（ａ）は、ホルダーの表面まで半導体チップの裏面側を研削、或いは研磨した、半導体チップが組み込まれた、接着剤が注入されたホルダーの凹部と、穴部とをＡ−Ａ線に沿う断面方向から示す説明図である。（ｂ）は、（ａ）の状態からさらにホルダーの表面側を研削、或いは研磨した、半導体チップが組み込まれた、接着剤が注入されたホルダーの凹部と、穴部とをＡ−Ａ線に沿う断面方向から示す説明図である。
【図９】半導体チップの薄片化の加工装置である研磨装置の概略を示す説明図である。
【図１０】図９に示す研磨装置の制御系の概略を示す説明図である。
【図１１】ホルダーに組み込まれた半導体チップを研磨する状態を示す説明図である。
【図１２】本発明である半導体チップの薄片化の加工装置で用いる他の形態のホルダーの説明図である。
【図１３】図１２の正面図である。
【図１４】図１２に示すホルダーへの接着剤の注入を示す説明図である。
【図１５】図１４のＥ−Ｅ線に沿う断面方向から示す説明図である。（ａ）は、接着剤が注入されたホルダーの凹部と穴部とをＥ−Ｅ線に沿う断面方向から示す説明図である。（ｂ）は、接着剤が注入されて半導体チップが組み込まれたホルダーの凹部と、穴部とをＥ−Ｅ線に沿う断面方向から示す説明図である。
【図１６】ホルダーに組み込まれた半導体チップを研削する状態を示す説明図である。
【図１７】半導体チップを組み込んだ際の、図１４のＥ−Ｅ線に沿う断面方向から示す説明図である。（ａ）は、ホルダーの表面まで半導体チップの裏面側を研削、或いは研磨した、半導体チップが組み込まれた、接着剤が注入されてホルダーの凹部と、穴部とをＥ−Ｅ線に沿う断面方向から示す説明図である。（ｂ）は、（ａ）の状態からさらにホルダーの表面側を研削、或いは研磨した、半導体チップが組み込まれた、接着剤が注入されてホルダーの凹部と、穴部とをＥ−Ｅ線に沿う断面方向から示す説明図である。
【図１８】ホルダーに組み込まれた半導体チップを研磨する状態を示す説明図である。
【図１９】ホルダーに形成された穴部の測定方法を示す説明図である。（ａ）は、ホルダーの表面まで半導体チップの裏面側を研削、或いは研磨した際における、ホルダーに形成された穴部の深さの測定方法を示す説明図である。（ｂ）は、（ａ）の状態からさらにホルダーの表面側を研削、或いは研磨した際における、ホルダーに形成された穴部の深さの測定方法を示す説明図である。
【図２０】従来の半導体チップの研削工程を示す説明図である。（ａ）は、研削ホイールの研削砥石で半導体チップを研削する状態を示す説明図である。（ｂ）は、真空チャックの下面との隙間をｚに調整し、研削用ホイールを移動して半導体チップを研削する状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。
【００５２】
（例１）
図１には、円盤状の、半導体チップ３を組み込むためのホルダー１０が示してあり、ホルダー１０は、研削、或いは研磨される半導体チップ３と同じ材料からなるものであり、本例では、円盤状のホルダー１０は半導体チップ３と同じシリコン（Ｓｉ）からなるものである。ホルダー１０の厚みは、０．４ｍｍから０．８ｍｍの間の厚さのものを用いることになり、本例では０．５ｍｍの厚さのものを用いている。ホルダー１０の表面１０ａには、図１に示すように、複数の凹部１１が設けられている。本例では、五つの凹部１１を設けているが、五つに限定されることなく幾つでも設けることは可能である。
【００５３】
この凹部１１には、半導体チップ３が組み込まれることになるため、半導体チップ３の外周を収納できる大きさになっている。本例で用いる半導体チップ３は、１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさであるため、凹部１１は１０．５ｍｍ×１０．５ｍｍの大きさとしてある。そして、凹部１１の深さが、半導体チップ３の裏面３ｂが研削されて形成される半導体チップ３の厚みになり、本例ではその凹部１１の深さを２０μｍとしてあるが、特に２０μｍに限定されることなく、例えば５μｍ程度から３０μｍ程度の範囲で適宜設定することになる。
【００５４】
凹部１１は、ホルダー１０への半導体チップ３の取り付けに際して、ホルダー１０の表面１０ａ側へ半導体チップ３を組み込み半導体チップ３を位置決めすると、半導体チップ３の、ホルダー１０の表面１０ａ側から入り込んだ部分の周囲を囲み、半導体チップ３がホルダー１０の表面１０ａより突出するように、ホルダー１０の表面１０ａからホルダー１０の厚み方向に形成されている。
【００５５】
この凹部１１の底面部１２には、図１に示すように、溝部（第一溝部）１３が形成されている。溝部１３は、凹部１１の底面部１２より凹部１１の底面部１２からホルダー１０の厚み方向に沿って伸びて、凹部１１の底面部１２に連続することで形成されている。本例では、溝部１３は、凹部１１の壁面１１ａに沿って伸びている。具体的には、凹部１１の壁面１１ａの長さと同じ長さ分、凹部１１の壁面１１ａがホルダー１０の厚み方向に沿って伸びて形成されている。本例では、図１に示すように、溝部１３は、底面部１２の、一対の対向する壁面１１ａ側からホルダー１０の厚み方向に沿って伸びている。
【００５６】
溝部１３はこのような形状に限定されることなく、例えば、底面部１２を横切るようにして（底面部１２に対して十字状に）底面部１２からホルダー１０の厚み方向に沿って伸びて形成される場合であってもよい。つまり、溝部１３は、凹部１１の底面部１２より、底面部１２に連続し、底面部１２からホルダー１０の厚み方向に沿って伸びる、凹部１１に連続する形状であればよい。また、本例では、底面部１２からホルダー１０の厚み方向に沿って伸びる溝部１３が二箇所形成されているが、二箇所形成することに限定されることなく、一箇所形成する場合であっても、三箇所以上形成する場合であっても可能である。
【００５７】
また、本例では、溝部１３の幅（底面部１２方向に沿う長さ）は２０μｍであるが、２０μｍに限定されることなく２０μｍより幅を広く設定することも可能であるし、狭く設定することも可能である。そして、本例での、溝部１３は底面部１２よりホルダー１０の厚み方向に沿って伸びている長さは、底面部１２よりホルダー１０の厚み方向に沿って２０μｍ伸びている。本例では、ホルダー１０の厚み方向に２０μｍ伸びているが、２０μｍに限定されることなく２０μｍより長く設定することも可能であるし、短く設定することも可能である。
【００５８】
この凹部１１（底面部１２）に連続する溝部１３には、半導体チップ３が凹部１１に組み込まれる前に接着剤が流されることになる。つまり、半導体チップ３が凹部１１に組み込まれたときに、凹部１１の底面部１２に半導体チップ３（の表面３ａ）を固着することになる。そして、半導体チップ３と接触する凹部１１（の底面部１２）に連続する溝部１３内に流れ込むことになる。つまり、溝部１３は凹部１１内に必要以上の接着剤が流れ込んだ際に、接着剤を凹部１１内に溜めることなく、溝部１３内へ流し込み、必要な量の接着剤（凹部１１の底面部１２に載るだけの接着剤）だけを凹部１１内に溜めることが可能になる。
【００５９】
また、ホルダー１０内には、図１に示すように、凹部１１同士の間には、ホルダー１０の表面１０ａからホルダー１０の厚み方向に形成された凹部１１と同じ深さで穴部１４が形成されている。つまり、穴部１４は、ホルダー１０の表面１０ａに対して凹部１１が設けられた方向と同方向に、ホルダー１０の表面１０ａからホルダー１０の厚み方向に形成された凹部１１と同じ深さで形成されている。本例では、穴部１４は、図１及び図２に示すように、凹部１１同士の対向する壁面１１ａ同士の間に形成されている。
【００６０】
基本的には、穴部１４は、凹部１１同士の間に形成されることになり、本例で示す穴部１４（実線）以外にも、図２に点線で示す凹部１１同士の対向する壁面１１ａ同士の間に形成することも可能である。ただし、穴部１４を形成する位置は、このように凹部１１同士の壁面１１ａ 同士で挟み込まれる位置に限られない。例えば、凹部１１同士の角部１１ｂ同士の間に穴部１４を形成することも可能である。ただし、ホルダー１０内に設けられた凹部１１の数により、凹部１１同士の間に穴部１４を形成することが困難な場合もあり得る。その場合には、穴部１４は、凹部１１同士の間ではなく、ホルダー１０の周縁に隣接して形成することも可能である。
【００６１】
つまり、穴部１４は、ホルダー１０内であればいずれの箇所にでも形成することが可能である。また、本例では、穴部１４はホルダー１０内に円柱状の穴形状として形成されているが、特に円柱状の穴形状に限定されるものではない。例えば、穴部１４を直方体の穴形状とすることも可能であり、穴形状は特に限定されない。さらに、穴部１４の径としては、１０μｍ〜１０００μｍ（１ｍｍ）の範囲をとることが可能であり、本例においては、穴部１４の径は５００μｍとしてある。
【００６２】
この穴部１４は、ホルダー１０の表面１０ａからホルダー１０の厚み方向に形成された凹部１１と同じ深さで形成されているため、凹部１１に組み込まれた半導体チップ３のホルダー１０の表面１０ａから突出する部分が研削された際の半導体チップ３の厚さを、凹部１１に組み込まれている半導体チップ３を凹部から取り出さなくても確認することが可能になる。つまり、凹部１１に組み込んだ半導体チップ３のホルダー１０の表面１０ａから突出する部分を研削し、半導体チップ３の研削された裏面３ｂ（半導体チップ３の裏面３ｂ）をホルダー１０の表面１０ａと一致させる。その結果、凹部１１に組み込まれている、半導体チップ３の厚さ（ホルダー１０の厚み方向の深さ）と穴部１４の深さ（ホルダー１０の厚み方向の深さ）とが一致することになり、穴部１４の深さ（ホルダー１０の厚み方向の深さ）を測定することで半導体チップ３の厚みを確認することが可能になる。
【００６３】
以上の構成のホルダー１０を備える半導体チップの薄片化の加工装置である研削装置５は、図３に示す構成をなしている。研削装置５では、半導体チップ３を組み込むためのホルダー１０はテーブル５３内に組み込まれており、テーブル５３を回転させるテーブルスピンドル５４と連結されている。そして、テーブル５３内に組み込まれたホルダー１０に対向するように、研削手段である砥石スピンドル５１が設けられており、砥石スピンドル５１のテーブル５３側には、研削のための固定砥粒である砥石５２が設けられている。この砥石スピンドル５１は、図３に示すように、砥石スピンドル５１を支持する支持部６２に連結されている。そして、サーボモータ６１により、砥石スピンドル５１は支持部６２とともに移動することにより、砥石スピンドル５１は、テーブル５３に近づいたり、遠ざかったりすることになる。
【００６４】
サーボモーター６１は、サーボドライバー６０を介して、研削装置５内に設けられた制御部５５に接続されており、制御部５５の制御によりサーボモータ６１を駆動することで研削スピンドル５１を移動することになる。例えば、図３に示すように、サーボモータ６１がボールネジ６３に連結され、そのボールネジ６３に研削スピンドル５１を支持する支持部６２のナット部６２ａが螺号している。そして、サーボモータ６１の駆動によりボールネジ６３が回動することで研削スピンドル５１とともに支持部６２を移動させることができる。また、図４に示すように、砥石スピンドル５１はインバーターモーター５９で駆動され、インバーターモーター５９はドライバー５９を介して制御部５５に接続されている。そして、制御部５５による制御により、インバーターモーター５９により砥石スピンドル５１が回転させられることになる。
【００６５】
さらに、図３及び図４に示すように、テーブルスピンドル５４はインバーターモーター５７で駆動され、インバーターモーター５７はドライバー５６を介して制御部５５に接続されている。そして、制御部５５による制御により、インバーターモーター５７によりテーブルスピンドル５４が回転させられることになる。そして、制御部５５の制御の下でテーブルスピンドル５４を回転させることでテーブル５３（ホルダー１０）を回転させるとともに、研削手段の砥石スピンドル５１を回転させながらホルダー１０の表面１０ａ側に移動することでホルダー１０の表面１０ａ側に押圧を加えたり、押圧を解除することが可能になっている。つまり、砥石スピンドル５１を回転させながらテーブル５３に対して移動することにより、ホルダー１０に押圧を加えたり、押圧を解除することになる。
【００６６】
以上の構成の研削装置５において、半導体チップ３を組み込んだホルダー１０を用いて、半導体チップ３の薄片化を行う工程について説明する。
【００６７】
まず、図５に示すように、矢印Ｂ方向に沿ってホルダー１０に設けられた凹部１１へ接着剤２を注入する。注入された接着剤２は凹部１１の底面部１２を流れるとともに、溝部１３内に流れ込む。このとき、図６（ａ）に示すように、凹部１１の底面部１２に載りきれない接着剤２が溝部１３に流れ込む。そして、凹部１１の底面部１２に薄く接着剤２が均一に塗布され、塗布されなかった接着剤２が溝部１３に流れ込んだ状態で、図６（ｂ）に示すように、半導体チップ３を凹部１１に組み込む。このときの半導体チップ３の厚みは凹部１１の深さより長い。
【００６８】
半導体チップ３の組み込みの際には、素子等を形成した半導体チップ３の表面３ａより凹部１１へ組み込み半導体チップ３の位置決めを行い、半導体チップ３の表面３ａを凹部１１の底面部１２へ接着剤２より固着する（取り付ける）。このように半導体チップ３を位置決め、固着行うことにより、複数の半導体チップ３の裏面３ｂの位置が同じになる（ホルダー１０の表面１０ａから複数の半導体チップ３の裏面３ｂの高さが同じになる）。このように半導体チップ３が凹部１１で位置決めが行われると、半導体チップ３の裏面３ｂが、ホルダー１０の表面１０ａと同じ側を向くことになり、半導体チップ３の裏面３ｂ側がホルダー１０の表面１０より突出することになる。
【００６９】
半導体チップ３が凹部１１に組み込まれることにより、図６（ｂ）に示すように、半導体チップ３の、ホルダー１０の表面１０ａ側から入り込んだ部分の周囲が囲まれ、半導体チップ３は側面３ｃ方向から押圧が加わっても凹部１１の壁面１１ａにより半導体チップ３が位置決め位置より移動することを規制することが可能になる。また、半導体チップ３の側面３ｃ（半導体チップ３の、ホルダー１０の表面１０ａ側から入り込んだ部分）が凹部１１の壁面１１ａにより囲まれているため、半導体チップ３の側面３ｃ方向に押圧が加わっても、半導体チップ３の側面３ｃへの押圧による側面３ｃの変形を防ぐことが可能になる。
【００７０】
つぎに、半導体チップ３を組み込んだホルダー１０を回転させるために制御部５５の制御により、テーブル５３を回転させるとともに、半導体チップ３に押圧を加えるための円盤状部材である砥石スピンドル５１を回転させながらテーブル５３に向かって移動し、ホルダー１０に砥石スピンドル５１を当接させ、ホルダー１０への砥石スピンドル５１による押圧を制御部５５により制御する。具体的には、図７に示すように、半導体チップ３を組み込んだホルダー１０を砥石スピンドル５１と対向するように位置付けて、制御部５５の制御により、ホルダー１０（テーブル５３）を矢印Ｃ方向へ回転させるとともに、砥石スピンドル５１も同様に矢印Ｃ方向へ回転させて、砥石スピンドル５１を移動して半導体チップ３の裏面３ｂ側に当接することでホルダー１０に押圧を加え、その押圧を制御する。なお、図７では、砥石スピンドル５１とホルダー１０との関係を明確にするために、ホルダー１０が組み込んであるテーブル５３の記載を省略してある。
【００７１】
砥石スピンドル５１が半導体チップ３の裏面３ｂ側に当接し押圧を加えながら回転することで、半導体チップ３の裏面３ｂ側を研削する。制御部５５の制御により、砥石スピンドル５１から半導体チップ３の裏面３ｂ側へ押圧を加え続けることで、砥石スピンドル５１による半導体チップ３の裏面３ｂ側の研削を続け、ホルダー１０の表面１０ａから突出した半導体チップ３の裏面３ｂ側を研削し、砥石スピンドル５１がホルダー１０の表面１０ａに到達する。このときの半導体チップ３の厚みは、図８（ａ）に示すように、予めホルダー１０に形成された凹部１１の深さと同じ深さで形成された穴部１４の深さと同じである。そのため、半導体チップ３をホルダー１０から外すことなく、穴部１４の深さを測定することで半導体チップ３の厚みを確認することが可能になる。
【００７２】
さらに、半導体チップ３の厚みを薄くする必要がある場合には、さらに砥石スピンドル５１により半導体チップ３の裏面３ｂ側を研削する。具体的には、砥石スピンドル５１がホルダー１０の表面１０ａから突出した半導体チップ３の裏面３ｂ側を研磨し、砥石スピンドル５１がホルダー１０の表面１０ａに到達した状態から、砥石スピンドル５１が、回転している、半導体チップ３を含めたホルダー１０に押圧を加えながら回転することでホルダー１０の表面１０ａ側を研削する。つまり、砥石スピンドル５１がホルダー１０の表面１０ａ側に押圧を加えながら回転することで、砥石スピンドル５１がホルダー１０の表面１０ａと同じ高さの半導体チップ３の裏面３ｂ側及びホルダー１０の穴部１４を含んだホルダー１０の表面１０ａ側を研削する。その結果、図８（ｂ）に示すように、ホルダー１０の表面１０ａが研削され、半導体チップ３の裏面３ｂ側が研削されるとともに、穴部１４も研削される。
【００７３】
その結果、ホルダー１０の厚さは、図８（ａ）から図８（ｂ）に示すように薄くなる。つまり、図８（ａ）に示す、ホルダー１０の表面１０ａと半導体チップ３の裏面３ｂとが同一平面を形成した状態から、ホルダー１０の表面１０ａと半導体チップ３の裏面３ｂとの同一平面を形成した状態を維持してホルダー１０の表面１０ａ側を研削することで、ホルダー１０の表面１０が研削されるとともに、半導体チップ３の裏面３ｂ及び穴部１４が研削される。その研削により、図８（ａ）に示すホルダー１０の厚みｔから図８（ｂ）に示すホルダー１０の厚みｔ´へ変化し、ホルダー１０の厚さは薄くなる。
【００７４】
以上のようにして研削された半導体チップ３の厚みの測定では、半導体チップ３が組み込まれていた凹部１１の深さと同じ深さの穴部１４（ホルダー１０の表面１０ａ）も研削されているため、穴部１４の深さを測定することで半導体チップ３の厚みを確認することが可能になる。そして、測定の結果、半導体チップ３の厚みは目標値に到達していない場合には、再び同様に、砥石スピンドル５１がホルダー１０の表面１０ａに到達した状態から（当接した状態から）、砥石スピンドル５１が、回転している、半導体チップ３を含めたホルダー１０の表面１０ａ側に押圧を加えながら回転することでホルダー１０の表面１０ａ側を研削する。研削後、再度、穴部１４の深さを測定することで半導体チップ３の厚みを確認する。以上が研削装置においてホルダー１０に半導体チップ３を組み込んでの半導体チップ３の薄片化のための研削である。
【００７５】
（例２）
例２では、例１に示す半導体チップ３を組み込んだホルダー１０を用いた半導体チップの薄片化の加工装置である研磨装置７を用いた、半導体チップ３の薄片化のための研磨について説明する。研磨装置７では、図９に示すように、半導体チップ３を組み込むためのホルダー１０は加圧ヘッド７０内に組み込まれており、加圧ヘッド７０を回転させる加圧ヘッドスピンドル７４と連結されている。そして、加圧ヘッド７０内に組み込まれたホルダー１０に対向するように、研磨手段である研磨定盤７２が設けられており、研磨定盤７２の加圧ヘッド７０側には、研磨のための研磨面７１が形成されている（研磨面７１として研磨布を設置することも可能である）。そして、研磨定盤７２（研磨面７１）には、研磨のために遊離砥粒である研磨剤が供給されることになる。つまり、研磨では、半導体チップ３を研磨定盤７２（研磨面７１）と研磨剤とで行うことになる。加圧ヘッド７０は、図９に示すように、加圧ヘッド７０を支持する支持部８３に連結されている。そして、サーボモーター７７により、加圧ヘッド７０は支持部８３とともに移動することにより、加圧ヘッド７０は、研磨定盤７２（研磨面７１）に近づいたり、遠ざかったりすることになる。
【００７６】
サーボモーター７７は、図１０に示すように、サーボドライバー７６を介して、研磨装置７内に設けられた制御部７５に接続されており、制御部７５の制御によりサーボモーター７７を駆動することで加圧ヘッド７０を移動することになる。例えば、図１０に示すように、サーボモーター７７がボールネジ８４に連結され、そのボールネジ８４に加圧ヘッド７０を支持する支持部８３のナット部８３ａが螺号している。そして、サーボモーター７７の駆動によりボールネジ８４が回動することで支持部８３及び加圧ヘッド７０を移動させることができる。また、図１０に示すように、加圧ヘッド７０はサーボモーター７９で駆動され、サーボモーター７９はサーボドライバー５９を介して制御部７５に接続されている。そして、制御部７５による制御により、サーボモーター７９により加圧ヘッド７０が回転させられることになる。
【００７７】
さらに、図９及び図１０に示すように、研磨定盤スピンドル７３はサーボモーター８２で駆動され、サーボモーター８２はサーボドライバー８１を介して制御部７５に接続されている。そして、制御部７５による制御により、サーボモーター８２により研磨定盤スピンドル７３（研磨定盤７２）が回転させられることになる。そして、制御部７５の制御の下で研磨定盤スピンドル７３を回転させることで研磨定盤７２（ホルダー１０）を回転させるとともに、研磨手段の研磨定盤７２（研磨面７１）を回転させながらホルダー１０の表面１０ａ側に押圧を加えたり、押圧を解除することが可能になっている。つまり、研磨定盤７２（研磨面７１）を回転させながら研磨定盤７２（研磨面７１）に対して加圧ヘッド７０移動することにより、ホルダー１０に押圧を加えたり、押圧を解除することになる。なお、本例では、加圧ヘッド７０の回転及び移動をサーボモータ７７、７９により行い、研磨定盤７２（研磨定盤スピンドル７３）の回転をサーボモーター８２により行っているが、加圧ヘッド７０の移動をエアシリンダー等で行い、研磨定盤７２（研磨定盤スピンドル７３）の回転をインバーターモーターで行うということも可能である。
【００７８】
以上の構成の研磨装置７において、例１に示す半導体チップ３を組み込んだホルダー１０を用いて、半導体チップ３の薄片化を行う工程について説明する。
【００７９】
まず、例１と同様に、図５に示すように、矢印Ｂ方向に沿ってホルダー１０に設けられた凹部１１へ接着剤２を注入する。図６（ａ）に示すように、凹部１１の底面部１２に載りきれない接着剤２は溝部１３に流れ込み、凹部１１の底面部１２に薄く接着剤２が均一に塗布される。つぎに、図６（ｂ）に示すように、素子等を形成した半導体チップ３の表面３ａより凹部１１へ組み込むことで半導体チップ３の位置決めを行い、半導体チップ３の表面３ａを凹部２１の底面部１２へ接着剤２より固着する（取り付ける）。その結果、凹部１１の壁面１１ａが、半導体チップ３の、ホルダー１０の表面１０ａ側から入り込んだ部分の周囲を囲む。そして、半導体チップ３の裏面３ｂが、ホルダー１０の表面１０ａと同じ側を向くことになり、半導体チップ３の厚みは凹部１１よりの長さより長いため、半導体チップ３の裏面３ｂ側がホルダー１０の表面１０より突出することになる。
【００８０】
つぎに、半導体チップ３を組み込んだホルダー１０を回転させるために制御部７５の制御により、加圧ヘッド７０を回転させるとともに、半導体チップ３に押圧を加えるための研磨定盤７２を回転させながら、加圧ヘッド７０を研磨定盤７２に向かって移動し、加圧ヘッド７０内のホルダー１０を研磨定盤７２（の研磨面７１）に当接させ、ホルダー１０への研磨定盤７２による押圧を制御部７５により制御する。具体的には、図１１に示すように、研磨定盤７２と半導体チップ３を組み込んだホルダー１０とを対向するように位置付けて、制御部７５の制御により、ホルダー１０（加圧ヘッド７０）を矢印Ｄ方向へ回転させるとともに、研磨定盤７２も同様に矢印Ｄ方向へ回転させて、制御部７５の制御により研磨定盤７２の研磨面７１上へ矢印Ｇ方向に沿って研磨剤を供給し、ホルダー１０を移動して半導体チップ３の裏面３ｂ側をホルダー１０と研磨定盤７２の研磨面７１に研磨剤を挟み込んで当接することで研磨定盤７２からホルダー１０へ押圧を加え、その押圧を制御する。なお、図１１では、研磨定盤７２とホルダー１０との関係を明確にするために、ホルダー１０が組み込んである加圧ヘッド７０の記載を省略してある。
【００８１】
回転している、半導体チップ３が組み込まれたホルダー１０側から研磨定盤７２へ押圧を加え、研磨定盤７２が、研磨定盤７２の研磨面７１と半導体チップ３の裏面３ｂ（ホルダー１０）との間の研磨剤を介して半導体チップ３（ホルダー１０）に押圧を加えながら回転することで、半導体チップ３の裏面３ｂ側を研磨する。さらに、ホルダー２０から研磨定盤７２へ押圧を加え続けることで（研磨定盤７２から半導体チップ３の裏面３ｂ側へ押圧を加え続けることで）、研磨定盤７２の研磨面７１と、研磨定盤７２の研磨面７１と半導体チップ３の裏面３ｂとの間の研磨剤により半導体チップ３の裏面３ｂ側の研磨を続け、ホルダー１０の表面１０ａから突出した半導体チップ３の裏面３ｂ側を研磨し、研磨定盤７２の研磨面７１がホルダー１０の表面１０ａに到達する。このときの半導体チップ３の厚みは、図６（ａ）に示すように、予めホルダー１０に形成された凹部１１の深さと同じ深さで形成された穴部１４の深さと同じである。そのため、半導体チップ３をホルダー１０から外すことなく、穴部１４の深さを測定することで半導体チップ３の厚みを確認することが可能になる。
【００８２】
さらに、半導体チップ３の厚みを薄くする必要がある場合には、さらに研磨定盤７２により、研磨定盤７２の研磨面７１とホルダー１０との間の研磨剤により半導体チップ３の裏面３ｂ側を研磨する。具体的には、研磨定盤７２の研磨面７１がホルダー１０の表面１０ａに到達した状態から、研磨定盤７２が、回転している、半導体チップ３を含めたホルダー１０に押圧を加えながら回転することでホルダー１０の表面１０ａ側を研磨する。つまり、研磨定盤７２の、研磨定盤７２の研磨面７１と、研磨定盤７２の研磨面７１と半導体チップ３の裏面３ｂ（ホルダー１０）との間の研磨剤とがホルダー１０の表面１０ａに押圧を加えながら回転することで、ホルダー１０の表面１０ａと同じ高さの半導体チップ３の裏面３ｂ側及びホルダー１０の穴部１４を含んだホルダー１０の表面１０ａ側を研磨する。その結果、図６（ｂ）に示すように、ホルダー１０の表面１０ａが研磨され、半導体チップ３の裏面３ｂ側が研磨されるとともに、穴部１４も研磨される。
【００８３】
その結果、ホルダー１０の厚さは、図６（ａ）から図６（ｂ）に示すように薄くなる。つまり、図６（ａ）に示す、ホルダー１０の表面１０ａと半導体チップ３の裏面３ｂとが同一平面を形成した状態から、ホルダー１０の表面１０ａと半導体チップ３の裏面３ｂとの同一平面を形成した状態を維持してホルダー１０の表面１０ａ側を研磨することで、ホルダー１０の表面１０が研磨されるとともに、半導体チップ３の裏面３ｂ及び穴部１４が研磨される。その研磨により、図６（ａ）に示すホルダー１０の厚みｔから図６（ｂ）に示すホルダー１０の厚みｔ´へ変化し、ホルダー１０の厚さは薄くなる。
【００８４】
以上のようにして研磨された、薄くなったホルダー１０に組み込まれた半導体チップ３の厚みの測定は、半導体チップ３が組み込まれていた凹部１１の深さと同じ深さの穴部１４も研磨されているため、穴部１４の深さを測定することで半導体チップ３の厚みを確認することが可能になる。そして、測定の結果、半導体チップ３の厚みは目標値に到達していない場合には、再び同様に、制御部７５の制御により、半導体チップ３が組み込まれたホルダー１０を回転させながらホルダー１０の表面１０ａ側から研磨定盤７２へ押圧を加え、研磨定盤７２が、研磨定盤７２の研磨面７１と、研磨定盤７２の研磨面７１と半導体チップ３の裏面３ｂ（ホルダー１０）との間の研磨剤を介して半導体チップ３（ホルダー１０）に押圧を加えながら回転し、ホルダー１０の表面１０が研磨されることで、半導体チップ３の裏面３ｂ及び穴部１４を研磨される。研磨後、穴部１４の深さを測定することで半導体チップ３の厚みを確認する。以上が研磨装置７においてホルダー１０に半導体チップ３を組み込んでの半導体チップ３の薄片化のための研磨である。
【００８５】
（例３）
図１２は、図１と同様に、円盤状のホルダー２０であり、研削しようとする半導体チップ３と同じ材料からなるものであり、本例では、例１と同様に、円盤状のホルダー２０は半導体チップ３と同じシリコン（Ｓｉ）製である。ホルダー２０の厚みは、０．４ｍｍから０．８ｍｍの間の厚さのものを用いることになり、本例では、例１と同様に、０．５ｍｍの厚さのものを用いている。ホルダー２０の表面２０ａには、図８に示すように、複数の凹部２１が設けられている。本例では、例１と同様に、五つの凹部２１を設けているが、五つに限定されることなく幾つでも設けることは可能である。
【００８６】
この凹部２１には、図１と同様に半導体チップ３が組み込まれることになるため、半導体チップ３の外周を収納できる大きさになっている。本例で用いる半導体チップ３は、図１と同様に１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさであるため、凹部１１は１０．５ｍｍ×１０．５ｍｍの大きさとしてある。そして、凹部２１の深さが（ホルダー２０の表面２０ａよりホルダー２０の厚み方向に沿って伸びている長さ）、半導体チップ３の裏面３ｂが研削されて形成される半導体チップ３の厚みになり、本例ではその凹部２１の深さを図１と同様に２０μｍとしてあるが、特に２０μｍに限定されることなく、例えば５μｍ程度から３０μｍ程度の範囲で適宜設定することになる。
【００８７】
この凹部２１に形成された、溝部（第二溝部）２３は、図１の溝部１３とは異なり、ホルダー２０上に形成された凹部２１全てを連結するように形成されている。溝部２３は、ホルダー２０の表面２０ａからホルダー２０の厚み方向に沿って、隣り合う凹部２１同士の間に形成され、隣り合う凹部２１同士を連結する、底面部２５が凹部２１の底面部２２と同一平面を形成している。本例では、溝部２３は、凹部２１の深さ（ホルダー２０の厚み方向の長さ）と同じ深さに形成されており（凹部２１の底面部２２と溝部２３の底面部２５と同一平面となるように形成されており）、そして、隣り合う凹部２１ａ同士の向き合う側面部（壁面２１ａ）同士を貫通して溝部２３が形成されている。
【００８８】
本例の溝部２３では、隣り合う凹部２１ａ同士の向き合う側面部（壁面２１ａ）同士の間に溝部２３を直線状に形成することで凹部２１の側面部（壁面２１ａ）を貫通して形成されている。ただし、ホルダー２０に形成された凹部２１を全て連結できるものであれば溝部２３はこのような形状に限定されることはない。例えば、隣り合う凹部２１ａ同士の向き合う側面部（壁面２１ａ）同士の間の溝部２３を曲線状に形成することで凹部２１の側面部（壁面２１ａ）を貫通して形成することも可能である。また、隣り合う凹部２１ａ同士の向き合う側面部（壁面２１ａ）同士の間の溝部２３を複数形成することで凹部２１の側面部（壁面２１ａ）を貫通して形成することも可能である。
【００８９】
また、本例では、溝部２３の幅（底面部２２に沿う長さ）は５００μｍであるが、５００μｍに限定されることなく５００μｍより幅を広く設定することも可能であるし、狭く設定することも可能である。そして、本例での、溝部２３はホルダー２０の表面２０ａよりホルダー２０の厚み方向に沿って伸びている長さ（深さ）は、凹部２１の深さと同じである。このように本例では、凹部２１と溝部２３との深さは同じであるが、同じであることに限定されず、凹部２１の深さを溝部２３の深さより深くすることも可能であるし、また、凹部２１の深さを溝部２３の深さより浅くすることも可能である。
【００９０】
この凹部２１（底面部２２）に連続する溝部２３には、図１と同様に、半導体チップ３が凹部２１に組み込まれる前に接着剤が流されることになる。つまり、半導体チップ３が凹部２１に組み込まれたときに、凹部２１の底面部２２に半導体チップ３を固着することになる。本例では、溝部２３により凹部２１が全て連結されているため、詳しくは、凹部２１の底面部２２と溝部２３の底面部２５とが連続しており、接着剤が凹部２１の底面部２２へ流れると、溝部２３の底面部２５を介して、接着剤が全ての凹部２１の底面部２２へ流れることになる。その結果、凹部２１の底面部２２全てに、接着剤が塗布された状態になり半導体チップ３を凹部２１の底面部２２に固着できる状態になる。
【００９１】
また、ホルダー２０内には、図１と同様に、図１２に示すように、凹部２１同士の間には、ホルダー２０の表面２０ａからホルダー２０の厚み方向に形成された凹部２１と同じ深さで穴部２４が形成されている。穴部２４は、ホルダー２０の表面２０ａに対して凹部２１が設けられた方向と同方向に、ホルダー２０の表面２０ａからホルダー２０の厚み方向に形成された凹部２１と同じ深さで形成されている。本例では、穴部２４は、図１２及び図１３に示すように、凹部２１同士の対向する壁面２１ａ同士の間に形成されている。
【００９２】
基本的には、穴部２４は、凹部２１同士の間に形成されることになり、本例で示す穴部２４（実線）以外にも、図１３に点線で示す凹部２１同士の対向する壁面２１ａ同士の間に形成することも可能である。本例では、穴部２４は、図１２及び図１３に示すように、凹部２１同士の角部２１ｂ同士の間に穴部２４が形成されている。基本的には、穴部２４は、凹部２１同士の間に形成されることになり、本例で示す穴部２４（実線）以外にも、図１３に点線で示す凹部２１同士の対向する壁面２１ａ同士の間に形成することも可能である。
【００９３】
ただし、穴部２４を形成する位置は、このように凹部２１同士の壁面２１ａ 同士で挟み込まれる位置に限られない。例えば、凹部２１同士の角部２１ｂ同士の間に穴部２４を形成することも可能である。ただし、ホルダー２０内に設けられた凹部２１の数により、凹部２１同士の間に穴部２４を形成することが困難な場合もあり得る。その場合には、穴部２４は、凹部２１同士の間ではなく、ホルダー２０の周縁に隣接して形成することも可能である。
【００９４】
つまり、穴部２４は、ホルダー２０内であればいずれの箇所にでも形成することが可能である。また、本例では、例１と同様に、穴部２４はホルダー２０内に円柱状の穴形状として形成されているが、特に円柱状の穴形状に限定されるものではない。例えば、穴部２４を直方体の穴形状とすることも可能である。例えば、穴部２４を直方体の穴形状とすることも可能であり、穴形状は特に限定されない。さらに、穴部２４の径としては、１０μｍ〜１０００μｍ（１ｍｍ）の範囲をとることが可能であり、本例においては、穴部２４の径は５００μｍとしてある。
【００９５】
この穴部２４は、例１と同様に、ホルダー２０の表面２０ａからホルダー２０の厚み方向に形成された凹部２１と同じ深さで形成されており、凹部２１に組み込まれた半導体チップ３のホルダー２０の表面２０ａから突出する部分が研削された際の半導体チップ３の厚さを、凹部２１に組み込まれている半導体チップ３を凹部２１から取り出さなくても確認することが可能になる。つまり、凹部２１に組み込んだ半導体チップ３のホルダー２０の表面２０ａから突出する部分を研削し、半導体チップ３の研削された面（半導体チップ３の裏面３ｂ）をホルダー２０の表面２０ａと一致させる。その結果、凹部２１に組み込まれている、半導体チップ３の厚さ（ホルダー２０の厚み方向の深さ）と穴部２４の深さ（ホルダー２０の厚み方向の深さ）とが一致することになり、穴部２４の深さ（ホルダー２０の厚み方向の深さ）を測定することで半導体チップ３の厚みを確認することが可能になる。
【００９６】
以上の構成のホルダー２０を備える半導体チップの薄片化の加工装置である研削装置５は、例１に示す研削装置５と同じである。例１と同様に、半導体チップ３を組み込んだホルダー２０はテーブル５３内に組み込まれている。そして、以下では、この研削装置５におけるホルダー２０に組み込まれた半導体チップ３の薄片化を行う工程について説明する。
【００９７】
まず、図１４に示すように、矢印Ｆ方向に沿ってホルダー２０に設けられた凹部２１へ接着剤２を注入する。注入された接着剤２は凹部２１の底面部２２を流れるとともに、溝部２３内に流れ込む。つまり、図１５（ａ）に示すように、凹部２１の底面部２２からはみ出した接着剤２が溝部２３に流れ込む。そして、凹部２１の底面部２２に薄く接着剤２が均一に塗布された状態になるとともに、溝部２３の底面部２５に薄く接着剤２が均一に塗布された状態になる。本例では、凹部２１の底面部２２と溝部２３の底面部２５とが同一平面となるように形成されているため、接着剤２は、図１５（ａ）に示すように、均一の高さ（底面部２２及び底面部２５に対する高さ）で接着剤２層として形成される。
【００９８】
そして、図１５（ｂ）に示すように、半導体チップ３を凹部２１に組み込む。このときの半導体チップ３の厚みは凹部２１の深さより長い。半導体チップ３の組み込みの際には、例１と同様に、素子等を形成した半導体チップ３の表面３ａより凹部２１へ組み込み、半導体チップ３の位置決めを行い、半導体チップ３の表面３ａを凹部２１の底面部１２へ接着剤２より固着する（取り付ける）。このように半導体チップ３を位置決め、固着を行うことにより、複数の半導体チップ３の裏面３ｂの位置が同じになる（ホルダー２０の表面２０ａから複数の半導体チップ３の裏面３ｂの高さが同じになる）。このように半導体チップ３が凹部２１で位置決めが行われると、半導体チップ３の裏面３ｂが、ホルダー２０の表面２０ａと同じ側を向くことになり、半導体チップ３の裏面３ｂ側がホルダー２０の表面２０ａより突出することになる。
【００９９】
半導体チップ３が凹部２１に組み込まれることにより、図１５（ｂ）に示すように、半導体チップ３の、ホルダー２０の表面２０ａ側から入り込んだ部分の周囲が囲まれ、半導体チップ３は側面３ｃ方向から押圧が加わっても凹部２１の壁面２１ａ（図１３参照）により半導体チップ３が位置決め位置より移動することを規制することが可能になる。また、半導体チップ３の側面３ｃ（半導体チップ３の、ホルダー２０の表面２０ａ側から入り込んだ部分）が凹部２１の壁面２１ａにより囲まれているため、半導体チップ３の側面３ｃ方向に押圧が加わっても、半導体チップ３の側面３ｃの押圧による変形を防ぐことが可能になっている。
【０１００】
つぎに、半導体チップ３を組み込んだホルダー２０を回転させるために制御部５５の制御により、テーブル５３を回転させるとともに、半導体チップ３に押圧を加えるための円盤状部材である、研削のための固定砥粒である砥石５２を備えた砥石スピンドル５１を回転させながらテーブル５３に向かって移動し、ホルダー２０に砥石スピンドル５１を当接させ、ホルダー２０への砥石スピンドル５１による押圧を制御部５５により制御する。具体的には、図１６に示すように、半導体チップ３を組み込んだホルダー２０を砥石スピンドル５１と対向するように位置付けて、制御部５５の制御により、ホルダー２０（テーブル５３）を矢印Ｃ方向へ回転させるとともに、砥石スピンドル５１も同様に矢印Ｃ方向へ回転させて、砥石スピンドル５１を移動して半導体チップ３の裏面３ｂ側に当接することでホルダー２０に押圧を加え、その押圧を制御する。図１６では、砥石スピンドル５１とホルダー２０との関係を明確にするために、ホルダー２０が組み込んであるテーブル５３の記載を省略してある。
【０１０１】
砥石スピンドル５１が半導体チップ３の裏面３ｂ側に当接し押圧を加えながら回転することで、半導体チップ３の裏面３ｂ側を研削する。制御部５５の制御により、砥石スピンドル５１から半導体チップ３の裏面３ｂ側へ押圧を加え続けることで、砥石スピンドル５１による半導体チップ３の裏面３ｂ側の研削を続け、ホルダー２０の表面２０ａから突出した半導体チップ３の裏面３ｂ側を研削し、砥石スピンドル５１がホルダー２０の表面２０ａに到達する。このときの半導体チップ３の厚みは、図１７（ａ）に示すように、予めホルダー２０に形成された凹部２１の深さと同じ深さで形成された穴部２４の深さと同じである。そのため、半導体チップ３をホルダー２０から外すことなく、穴部２４の深さを測定することで半導体チップ３の厚みを確認することが可能になる。
【０１０２】
さらに、半導体チップ３の厚みを薄くする必要がある場合には、さらに砥石スピンドル５１により半導体チップ３の裏面３ｂ側を研削する。具体的には、砥石スピンドル５１がホルダー２０の表面２０ａから突出した半導体チップ３の裏面３ｂ側を研削し、砥石スピンドル５１がホルダー２０の表面２０ａに到達した状態から、砥石スピンドル５１が、回転している、半導体チップ３を含めたホルダー２０に押圧を加えながら回転することでホルダー２０の表面２０ａ側を研削する。つまり、砥石スピンドル５１がホルダー２０の表面２０ａ側に押圧を加えながら回転することで、砥石スピンドル５１がホルダー２０の表面２０ａと同じ高さの半導体チップ３の裏面３ｂ側及びホルダー２０の穴部２４を含んだホルダー２０の表面２０ａ側を研削する。その結果、図１７（ｂ）に示すように、ホルダー２０の表面２０ａが研削され、半導体チップ３の裏面３ｂ側が研削されるとともに、穴部２４も研削される。
【０１０３】
その結果、ホルダー２０の厚さは、図１７（ａ）から図１７（ｂ）に示すように薄くなる。つまり、図１７（ａ）に示す、ホルダー２０の表面２０ａと半導体チップ３の裏面３ｂとが同一平面を形成した状態から、ホルダー２０の表面２０ａと半導体チップ３の裏面３ｂとの同一平面を形成した状態を維持してホルダー２０の表面２０ａ側を研削することで、ホルダー２０の表面２０が研削されるとともに、半導体チップ３の裏面３ｂ及び穴部２４が研削される。その研削により、図１７（ａ）に示すホルダー２０の厚みｔから図１７（ｂ）に示すホルダー２０の厚みｔ´へ変化し、ホルダー２０の厚さは薄くなる。
【０１０４】
以上のようにして研削された半導体チップ３の厚みの測定では、半導体チップ３が組み込まれていた凹部２１の深さと同じ深さの穴部２４（ホルダー２０の表面２０ａ）も研削されているため、穴部２４の深さを測定することで半導体チップ３の厚みを確認することが可能になる。そして、測定の結果、半導体チップ３の厚みは目標値に到達していない場合には、再び同様に、砥石スピンドル５１がホルダー２０の表面２０ａに到達した状態から（当接した状態から）、砥石スピンドル５１が、回転している、半導体チップ３を含めたホルダー２０の表面２０ａ側に押圧を加えながら、回転することでホルダー２０の表面２０ａ側を研削する。研削後、再度、穴部２４の深さを測定することで半導体チップ３の厚みを確認する。以上が研削装置においてホルダー２０に半導体チップ３を組み込んでの半導体チップ３の薄片化のための研削である。
【０１０５】
（例４）
例４では、例３に示す半導体チップ３を組み込んだホルダー２０を用いた半導体チップの薄片化の加工装置である研磨装置７を用いた、半導体チップ３の薄片化を行う工程について説明する。例４で用いる研磨装置７は、例２で示した研磨装置７と同じである。そして、研磨装置７では、半導体チップ３を組み込んだホルダー２０は加圧ヘッド７０内に組み込まれている。
【０１０６】
まず、例３と同様に、図１４に示すように、矢印Ｆ方向に沿ってホルダー２０に設けられた凹部２１へ接着剤２を注入する。接着剤２は凹部２１の底面部２２を流れるとともに、溝部２３内に流れ込み、凹部２１の底面部２２に薄く接着剤２が均一に塗布された状態になるとともに、溝部２３の底面部２５に薄く接着剤２が均一に塗布された状態になる。本例では、例３と同様に、接着剤２は、図１５（ａ）に示すように、均一の高さ（底面部２２及び底面部２５に対する高さ）で接着剤２層として形成される。
【０１０７】
そして、図１５（ｂ）に示すように、例３と同様に、素子等を形成した半導体チップ３の表面３ａより凹部１１へ組み込み、半導体チップ３の位置決めを行い、半導体チップ３の表面３ａを凹部１１の底面部１２へ接着剤２より固着する（取り付ける）。このような位置決め、固着により、複数の半導体チップ３の裏面３ｂの位置が同じになる（ホルダー２０の表面２０ａから複数の半導体チップ３の裏面３ｂの高さが同じになる）。この場合も、例３と同様に、半導体チップ３の裏面３ｂが、ホルダー２０の表面２０ａと同じ側を向くことになり、半導体チップ３の裏面３ｂ側がホルダー２０の表面２０ａより突出することになる。このときの半導体チップ３の厚みは凹部２１の深さより長い。
【０１０８】
例２と同様に、例４においても、加圧ヘッド７０内に組み込まれたホルダー１０に対向するように、研磨手段である研磨定盤７２が設けられており、研磨定盤７２の加圧ヘッド７０側には、研磨のための研磨面７１が形成されている（研磨面７１として研磨布を設置することも可能である）。そして、研磨定盤７２（研磨面７１）には、研磨のために遊離砥粒である研磨剤が供給されることになる。つまり、研磨では、半導体チップ３を研磨定盤７２（研磨面７１）と研磨剤とで行うことになる。
【０１０９】
つぎに、半導体チップ３を組み込んだホルダー２０を回転させるために制御部７５の制御により、加圧ヘッド７０を回転させるとともに、半導体チップ３に押圧を加えるための研磨定盤７２を回転させながら、加圧ヘッド７０を支持部８３に沿って移動し、加圧ヘッド７０内のホルダー１を研磨定盤７２（の研磨面７１）に当接させ、ホルダー２０への研磨定盤７２による押圧を制御部７５により制御する。具体的には、図１８に示すように、研磨定盤７２と半導体チップ３を組み込んだホルダー２０とを対向するように位置付けて、制御部７５の制御により、ホルダー２０を矢印Ｄ方向へ回転させるとともに、研磨定盤７２も同様に矢印Ｄ方向へ回転させて、制御部７５の制御により研磨定盤７２の研磨面７１上へ矢印Ｇ方向に沿って研磨剤を供給し、ホルダー２０を移動して半導体チップ３の裏面３ｂ側をホルダー２０と研磨定盤７２の研磨面７１に研磨剤を挟み込んで当接することで研磨定盤７２からホルダー２０へ押圧を加え、その押圧を制御する。なお、図１８では、研磨定盤７２とホルダー２０との関係を明確にするために、ホルダー２０が組み込んである加圧ヘッド７０の記載を省略してある。
【０１１０】
回転している、半導体チップ３が組み込まれたホルダー２０側から研磨定盤７２へ押圧を加え、研磨定盤７２が、研磨定盤７２の研磨面７１と、研磨定盤７２の研磨面７１と半導体チップ３の裏面３ｂ（ホルダー２０）との間の研磨剤を介して半導体チップ３（ホルダー２０）に押圧を加えながら回転することで、半導体チップ３の裏面３ｂ側を研磨する。さらに、ホルダー２０から研磨定盤７２へ押圧を加え続けることで（研磨定盤７２から半導体チップ３の裏面３ｂ側へ押圧を加え続けることで）、研磨定盤７２の研磨面７１と、研磨定盤７２の研磨面７１と半導体チップ３の裏面３ｂとの間の研磨剤により半導体チップ３の裏面３ｂ側の研磨を続け、ホルダー２０の表面２０ａから突出した半導体チップ３の裏面３ｂ側を研磨し、研磨定盤７２の研磨面７１がホルダー２０の表面２０ａに到達する。このときの半導体チップ３の厚みは、図１７（ａ）に示すように、予めホルダー２０に形成された凹部２１の深さと同じ深さで形成された穴部２４の深さと同じである。そのため、半導体チップ３をホルダー２０から外すことなく、穴部２４の深さを測定することで半導体チップ３の厚みを確認することが可能になる。
【０１１１】
さらに、半導体チップ３の厚みを薄くする必要がある場合には、さらに研磨定盤７２により、研磨定盤７２の研磨面７１と、研磨定盤７２の研磨面７１とホルダー２０との間の研磨剤により半導体チップ３の裏面３ｂ側を研磨する。具体的には、研磨定盤７２の研磨面７１がホルダー２０の表面２０ａに到達した状態から、研磨定盤７２が、回転している、半導体チップ３を含めたホルダー２０に押圧を加えながら回転することでホルダー２０の表面２０ａ側を研磨する。つまり、研磨定盤７２の、研磨定盤７２の研磨面７１と、研磨定盤７２の研磨面７１と半導体チップ３の裏面３ｂ（ホルダー２０）との間の研磨剤とがホルダー２０の表面２０ａに押圧を加えながら回転することで、ホルダー２０の表面２０ａと同じ高さの半導体チップ３の裏面３ｂ側及びホルダー２０の穴部２４を含んだホルダー２０の表面２０ａ側を研磨する。その結果、図１７（ｂ）に示すように、ホルダー２０の表面２０ａが研磨され、半導体チップ３の裏面３ｂ側が研磨されるとともに、穴部２４も研磨される。
【０１１２】
その結果、ホルダー２０の厚さは、図１７（ａ）から図１７（ｂ）に示すように薄くなる。つまり、図１７（ａ）に示す、ホルダー２０の表面２０ａと半導体チップ３の裏面３ｂとが同一平面を形成した状態から、ホルダー２０の表面２０ａと半導体チップ３の裏面３ｂとの同一平面を形成した状態を維持してホルダー２０の表面２０ａ側を研磨することで、ホルダー２０の表面２０が研磨されるとともに、半導体チップ３の裏面３ｂ及び穴部２４が研磨される。その研磨により、図１７（ａ）に示すホルダー２０の厚みｔから図１７（ｂ）に示すホルダー２０の厚みｔ´へ変化し、ホルダー２０の厚さは薄くなる。
【０１１３】
以上のようにして研磨された、薄くなったホルダー２０に組み込まれた半導体チップ３の厚みの測定は、半導体チップ３が組み込まれていた凹部２１の深さと同じ深さの穴部２４も研磨されているため、穴部２４の深さを測定することで半導体チップ３の厚みを確認することが可能になる。そして、測定の結果、半導体チップ３の厚みは目標値に到達していない場合には、再び同様に、制御部７５の制御により、半導体チップ３が組み込まれたホルダー２０を回転させながらホルダー２０側から研磨定盤７２へ押圧を加え、研磨定盤７２が、研磨定盤７２の研磨面７１と、研磨定盤７２の研磨面７１と半導体チップ３の裏面３ｂ（ホルダー２０）との間の研磨剤を介して半導体チップ３（ホルダー２０）に押圧を加えながら回転し、ホルダー２０の表面２０が研磨されるとともに、半導体チップ３の裏面３ｂ及び穴部２４を研磨する。研磨後、穴部２４の深さを測定することで半導体チップ３の厚みを確認する。以上が研削装置７においてホルダー２０に半導体チップ３を組み込んでの半導体チップ３の薄片化のための研磨である。
【０１１４】
なお、ホルダー１０、２０に形成された穴部１４、２４の測定方法について、例１を例にとって説明する。
【０１１５】
まず、図５（ａ）に示す、ホルダー１０の表面１０ａから突出した半導体チップ３の裏面３ｂ側を研削し、半導体チップ３の厚みは、予めホルダー１０に形成された凹部１１の深さと同じ深さで形成された穴部１４の深さと同じである、ホルダー１０の表面１０ａを洗浄液等により洗浄し、ホルダー１０の表面１０ａから半導体チップ３の裏面３ｂ側を研削することで発生した研削粉を除去する。その際、穴部１４内の研削粉もバキューム等により除去する。そして、ホルダー１０の表面１０ａ上に半導体チップ３の研削粉がない状態にして、図１９に示すように、ホルダー１０の表面１０ａ上に段差測定装置４を配置する。
【０１１６】
段差測定器４は、図１９に示すように、本体部４１と、本体部４１から突出した、ホルダー１０の表面１０ａを走査する針部４２とを含んでいる。ホルダー１０の表面１０ａ上を走査する針部４２の先端の径は１０μｍ以下であればよく、本例では先端の径は２μｍとなっている。段差測定に際しては、図１９（ａ）に示すように、ホルダー１０の表面１０ａ上を段差測定器４の本体部４１から突出した針部４２を、図１９（ａ）に示す矢印方向に沿って、走査（移動）させる。針部４２は、図１９（ａ）に示すように、穴部１４のないホルダー１０の表面１０ａ上を走査（移動）し、穴部１４の底面部を走査する。そして、穴部１４のないホルダー１０の表面１０ａと穴部１４の底面部との段差を測定することで穴部１４の深さ（ＤＰ）を求めることが可能になる。
【０１１７】
つぎに、図５（ｂ）に示すように、ホルダー１０の表面１０ａが研削され、半導体チップ３の裏面３ｂ側が研削されるとともに、穴部１４も研削されたホルダー１０の表面１０ａを洗浄液等により洗浄し、ホルダー１０の表面１０ａからホルダー１０の表面１０ａを研削することで発生した研削粉を除去する。その際、穴部１４内の研削粉もバキューム等により除去する。そして、ホルダー１０の表面１０ａ上に研削粉がない状態にして、再度、図１９に示すように、ホルダー１０の表面１０ａ上に段差測定装置４を配置する。
【０１１８】
そして、図１９（ｂ）に示すように、ホルダー１０の表面１０ａ上を段差測定器４の本体部４１から突出した針部４２を、図１９（ｂ）に示す矢印方向に沿って、走査（移動）させる。針部４２は、図１９（ｂ）に示すように、穴部１４のないホルダー１０の表面１０ａ上を走査（移動）し、穴部１４の底面部を走査する。そして、穴部１４のないホルダー１０の表面１０ａと穴部１４の底面部との段差を測定することで穴部１４の深さ（ｄｐ）を求めることが可能になる。その結果、図１９（ｂ）に示す半導体チップ３の厚み（ｔ´）がどの程度の厚みになっているか測定することができる。また、図１９（ａ）に示す穴部１４の深さ（ＤＰ）と図１９（ｂ）に示す穴部１４の深さ（ＤＰ）との差により、半導体チップ３を研削した厚みを確認することも可能になる。つまり、半導体チップの厚みｔからｔ´への変化量を確認することが可能になる。
【符号の説明】
【０１１９】
２…接着剤
３…半導体チップ、３ａ…表面、３ｂ…裏面、３ｃ…側面
４…段差測定器、４１…本体部、４２…針部
５…砥石スピンドル
７…研磨定盤
１０、２０…ホルダー、１０ａ、２０ａ…表面、
１１、２１…凹部、１１ａ、２１ａ…壁面、１２、２２…底面部
１３、２３…溝部、２５…底面部
１４、２４…穴部
５…研削装置（半導体チップの薄片化の加工装置）、５１…砥石スピンドル、５２…砥石、５３…テーブル、５４…テーブルスピンドル、５５…制御部、５６、５８…ドライバー、５７、５９…インバーターモーター、６０…サーボドライバー、６１…サーボモーター、６２…支持部、６２ａ…ナット部、６３…ボールネジ
７…研磨装置（半導体チップの薄片化の加工装置）、７０…加圧ヘッド、７１…研磨面、７２…研磨定盤、７３…研磨定盤スピンドル、７４…加圧ヘッドスピンドル、７５…制御部、７６、７８、８１…サーボドライバー、７７、７９、８２…サーボモータ、８３…支持部、８３ａ…ナット部、８４…ボールネジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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