(57)【要約】【課題】放電層の剥離が生じることを抑制できるサージアブソーバ及びその製造方法を提供する。【解決手段】放電電極１４ａは、セラミック基板１２上に設けられている。放電電極１４ｂは、放電電極１４ａと放電用の隙間Ｇを介して対向するように、セラミック基板１２上に設けられている。放電層１６は、導電性材料の粉末が混合された絶縁層であって、隙間Ｇを覆うようにセラミック基板１２上に設けられている。セラミック基板１８は、放電層１６を挟んでセラミック基板１２と対向するように設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のセラミック基板と、
前記第１のセラミック基板上に設けられている第１の放電電極と、
前記第１の放電電極と放電用の隙間を介して対向するように、前記第１のセラミック基板上に設けられている第２の放電電極と、
導電性材料の粉末が混合された絶縁層であって、前記隙間を覆うように前記第１のセラミック基板上に設けられている絶縁層と、
前記絶縁層を挟んで前記第１のセラミック基板と対向するように設けられている第２のセラミック基板と、
を備えていること、
を特徴とするサージアブソーバ。
【請求項２】
前記第１のセラミック基板、前記第２のセラミック基板及び前記絶縁層は、該第１のセラミック基板の法線方向から平面視したときに、同じ形状を有し、かつ、各外縁が一致するように重ねられていること、
を特徴とする請求項１に記載のサージアブソーバ。
【請求項３】
前記第１のセラミック基板又は前記第２のセラミック基板の内部に設けられている回路素子を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載のサージアブソーバ。
【請求項４】
前記第１のセラミック基板及び前記第２のセラミック基板は、アルミナからなること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のサージアブソーバ。
【請求項５】
第１の放電電極、及び、該第１の放電電極と放電用の隙間を介して対向する第２の放電電極を第１のセラミックマザー基板上に形成する工程と、
導電性材料の粉末が混合された絶縁材料からなる絶縁層を、前記隙間を覆うように前記第１のセラミックマザー基板上に形成する工程と、
前記絶縁層を挟んで前記第１のセラミックマザー基板と対向するように第２のセラミックマザー基板を積層する工程と、
前記第１のセラミックマザー基板及び第２のセラミックマザー基板をカットする工程と、
を備えていること、
を特徴とするサージアブソーバの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サージアブソーバ及びその製造方法に関し、より特定的には、１対の放電電極を備えたサージアブソーバ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のサージアブソーバとして、例えば、特許文献１に記載のサージアブソーバが知られている。該サージアブソーバでは、基板の主面に凹部が設けられ、導電性粉末が混合された樹脂（以下、放電層と称す）が、該凹部に充填されている。そして、１対の放電電極が、放電用の隙間を介して対向するように基板上に設けられている。該放電用の隙間は、放電層上に位置している。
【０００３】
特許文献１に記載のサージアブソーバでは、１対の放電電極間に所定値以上の大きさの電圧が印加された場合には、放電電極間において前記放電層を介して放電が発生する。これにより、サージアブソーバは、過大な電流が後段の回路に流れることを防止している。
【０００４】
ところで、放電時には、放電エネルギーにより前記隙間が高温状態となり、放電層の導電性粉末が蒸発することがある。このように導電性粉末が蒸発すると、放電層は、膨張して基板から剥離しようとする。このような剥離を防止するために、特許文献１に記載のサージアブソーバでは、放電層及び放電電極を覆うように、エポキシ樹脂からなる保護層が設けられている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のサージアブソーバでは、依然として、放電層の剥離の問題が存在する。より詳細には、エポキシ樹脂からなる保護層は、十分な機械的強度を有していない。そのため、実装時に吸着ノズルが衝突することによって、該保護層にクラックが発生するおそれがある。このようなクラックの発生は、保護層の強度を低下させる。そして、繰り返しの放電によって、保護層が放電層に圧迫されて破損し、その結果、放電層が基板から剥離してしまう。
【特許文献１】特開２００３−２９７５２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、放電層の剥離が生じることを抑制できるサージアブソーバ及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態に係るサージアブソーバは、第１のセラミック基板と、前記第１のセラミック基板上に設けられている第１の放電電極と、前記第１の放電電極と放電用の隙間を介して対向するように、前記第１のセラミック基板上に設けられている第２の放電電極と、導電性材料の粉末が混合された絶縁層であって、前記隙間を覆うように前記第１のセラミック基板上に設けられている絶縁層と、前記絶縁層を挟んで前記第１のセラミック基板と対向するように設けられている第２のセラミック基板と、を備えていること、を特徴とする。
【０００８】
本発明の一形態に係るサージアブソーバの製造方法は、第１の放電電極、及び、該第１の放電電極と放電用の隙間を介して対向する第２の放電電極を第１のセラミックマザー基板上に形成する工程と、導電性材料の粉末が混合された絶縁材料からなる絶縁層を、前記隙間を覆うように前記第１のセラミックマザー基板上に形成する工程と、前記絶縁層を挟んで前記第１のセラミックマザー基板と対向するように第２のセラミックマザー基板を積層する工程と、前記第１のセラミックマザー基板及び第２のセラミックマザー基板をカットする工程と、を備えていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、放電層の剥離が生じることを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に本発明の実施形態に係るサージアブソーバ及びその製造方法について説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
（サージアブソーバの構成）
以下、本発明の第１の実施形態に係るサージアブソーバ１０について図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は、第１の実施形態に係るサージアブソーバ１０を上方から平面視した構成図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のサージアブソーバ１０のＡ−Ａにおける断面構造図である。図１（ｃ）は、サージアブソーバ１０を下方から平面視した構成図である。以下、サージアブソーバ１０の主面に垂直な方向をｚ軸方向と定義し、サージアブソーバ１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、サージアブソーバ１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。なお、図１において、点線で示した構成は、サージアブソーバ１０の内部に隠れていることを示している。
【００１２】
図１に示すように、サージアブソーバ１０は、セラミック基板１２、放電電極１４ａ，１４ｂ、放電層１６、セラミック基板１８及び外部電極２２ａ，２２ｂを備えている。
【００１３】
セラミック基板１２は、例えば、アルミナからなる長方形状の絶縁性基板である。放電電極１４ａは、セラミック基板１２のｚ軸方向の正方向側の主面上において、セラミック基板１２のｘ軸方向の負方向側の短辺から該セラミック基板１２の中央部近傍までｘ軸方向に延在している。放電電極１４ｂは、セラミック基板１２のｚ軸方向の正方向側の主面上において、セラミック基板１２のｘ軸方向の正方向側の短辺から該セラミック基板１２の中央部近傍までｘ軸方向に延在している。放電電極１４ａと放電電極１４ｂとは、セラミック基板１２の中央部近傍において、放電用の隙間Ｇを介して対向している。放電電極１４ａ，１４ｂは、導電性に優れた金属、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌあるいはこれらの合金等により構成されている。また、放電用の隙間Ｇは、５μｍ以上１５μｍ以下の大きさが好ましい。
【００１４】
放電層１６は、例えば、ポリイミド・シリコン樹脂等の絶縁性の樹脂に導電性微粉末を混合したものであり、放電用の隙間Ｇを覆うようにセラミック基板１２のｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。本実施形態では、放電層１６は、ｚ軸方向から平面視したときに、セラミック基板１２と同じ形状を有し、かつ、各外縁が一致するようにセラミック基板１２に重ねられている。放電層１６は、通常では、高いインピーダンスを有しているが、放電電極１４ａと放電電極１４ｂとの間に静電気等の非常に高い電圧が印加されると、導電性微粉末間で放電が発生して低インピーダンス状態となる。なお、放電層１６としては、ポリイミド・シリコン樹脂以外に、不飽和ポリエステル、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ポリアセタール、ＰＴＦＥ等が用いられる。
【００１５】
セラミック基板１８は、例えば、アルミナからなる長方形状の絶縁性基板である。セラミック基板１８は、放電層１６を挟んでセラミック基板１２と対向するように設けられている。本実施形態では、セラミック基板１８は、ｚ軸方向から平面視したときに、セラミック基板１２と同じ形状を有し、かつ、各外縁が一致するようにセラミック基板１２に重ねられている。これにより、セラミック基板１８は、放電層１６を覆って保護している。
【００１６】
外部電極２２ａは、図１（ｂ）に示すように、セラミック基板１２、放電層１６及びセラミック基板１８のｘ軸方向の負方向側の側面を覆うように設けられており、放電電極１４ａと接続されている。また、外部電極２２ａは、図１（ｂ）に示すように、セラミック基板１２のｚ軸方向の負方向側の主面及びセラミック基板１８のｚ軸方向の正方向側の主面に対しても折り返して設けられている。また、外部電極２２ｂは、図１（ｂ）に示すように、セラミック基板１２、放電層１６及びセラミック基板１８のｘ軸方向の正方向側の側面を覆うように設けられており、放電電極１４ｂと接続されている。また、外部電極２２ｂは、図１（ｂ）に示すように、セラミック基板１２のｚ軸方向の負方向側の主面及びセラミック基板１８のｚ軸方向の正方向側の主面に対しても折り返して設けられている。外部電極２２ａ，２２ｂは、サージアブソーバ１０が回路基板に実装される際に、回路基板上のランドに接触する。
【００１７】
（サージアブソーバの製造方法）
以上のように構成されたサージアブソーバ１０について、以下に図面を参照しながらその製造方法について説明する。図２ないし図４は、サージアブソーバ１０の製造時における斜視図である。
【００１８】
まず、アルミナなどからなるマザー基板１１２を準備する。マザー基板１１２は、カットされる前のセラミック基板１２の集合体である。次に、図２に示すように、該マザー基板１１２のｚ軸方向の正方向側の主面上に、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法により塗布したり、或いは、蒸着法やめっき法により成膜したりした後にフォトリソグラフィ、エッチングなどの方法を用いて、放電電極１４ａ，１４ｂを形成する。放電電極１４ａ，１４ｂは、放電用の隙間Ｇを介して対向するように形成される。
【００１９】
次に、図３に示すように、放電用の隙間Ｇを覆うようにマザー放電層１１６をマザー基板１１２上に形成する。マザー放電層１１６は、カットされる前の放電層１６の集合体である。本実施形態では、熱硬化性シリコン樹脂や合成樹脂等に導電性微粉末を混入したペースト状の過渡電圧保護材料を、スクリーン印刷やスピンコーター等によってマザー基板１１２の主面を全て覆うように塗布し、これを乾燥硬化する。なお、マザー放電層１１６は、例えば、過渡電圧保護材料からなるシートが貼り付けられることによって形成されてもよい。
【００２０】
次に、図４に示すように、マザー放電層１１６を挟んでマザー基板１１２と対向するようにマザー基板１１８を積層する。マザー基板１１８は、カットされる前のセラミック基板１８の集合体である。この際、マザー基板１１８を加熱しながらマザー放電層１１６に対して所定の時間だけ押し付ける。これにより、マザー放電層１１６は、熱によって硬化し、マザー基板１１２、マザー放電層１１６及びマザー基板１１８は、一体化される。
【００２１】
マザー基板１１８の圧着が完了したら、図２ないし図４の点線に沿ってマザー基板１１２、マザー放電層１１６及びマザー基板１１８をダイサーによってカットする。次に、カットして得られたサージアブソーバ１０の中間生成体のｘ軸方向の両側面に対して、浸漬法等の方法により主成分が例えば銀である電極ペーストが塗布及び焼き付けされることにより、図１に示す外部電極２２ａ，２２ｂとなるべき銀電極が形成される。
【００２２】
最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極２２ａ，２２ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示すようなサージアブソーバ１０が完成する。
【００２３】
（効果）
以上のようなサージアブソーバ１０によれば、以下に説明するように、放電層１６の剥離が生じることを抑制できる。より詳細には、特許文献１に記載のサージアブソーバでは、放電層の保護層としてエポキシ樹脂からなる層が用いられている。エポキシ樹脂は、７０〜１００ＭＰａ程度の曲げ強さ及び２〜５ＧＰａ程度のヤング率を有している。しかしながら、この程度の機械的強度では、実装時において吸着ノズルが衝突した際に、保護層にクラックが生じるおそれがある。そして、このようなクラックは、放電層の剥離を招く。
【００２４】
これに対して、サージアブソーバ１０では、放電層１６の保護層として、セラミック基板１８が用いられている。セラミック基板１８は、例えば、アルミナにより作製された場合には、２００〜３００ＭＰａ程度の曲げ強さ及び２５０〜４００ＧＰａ程度のヤング率を有している。したがって、セラミック基板１８は、エポキシ樹脂からなる保護層に比べて、はるかに大きな機械強度を有している。そのため、実装時において、吸着ノズルが衝突したとしても、エポキシ樹脂からなる保護層に比べてセラミック基板１８にはクラックが発生しにくい。したがって、サージアブソーバ１０では、放電層１６の剥離が発生することが抑制される。
【００２５】
更に、サージアブソーバ１０によれば、以下に説明するように、後段に接続された回路等を十分に保護することができる。より詳細には、特許文献１に記載のサージアブソーバでは、エポキシ樹脂からなる保護層は、放電用の隙間及びその周囲にのみ設けられている。そのため、保護層は、十分な面積を持って基板に密着しているとはいえなかった。ここで、放電時に、放電エネルギーにより前記隙間が高温状態となり、放電層の導電性粉末が蒸発することがある。このように導電性粉末が蒸発すると、放電層は、膨張して基板から剥離しようとする。したがって、特許文献１に記載のサージアブソーバのように、放電層は、十分な面積を持って基板に密着していない場合には、容易に基板から剥離してしまう。このように、放電層が剥離してしまうと、放電時において放電電極に印加される電圧が、上昇してしまう。その結果、サージアブソーバの後段に接続された回路等に規定値以上の電圧が印加されてしまい、該後段に接続された回路等が十分に保護されない。
【００２６】
一方、サージアブソーバ１０では、放電層１６は、セラミック基板１２の全面に設けられている。したがって、サージアブソーバ１０の放電層１６は、繰り返しの放電によっても、特許文献１に記載のサージアブソーバの放電層に比べてセラミック基板１２から剥離しにくい。そのため、サージアブソーバ１０によれば、後段に接続された回路等を十分に保護することができる。
【００２７】
また、サージアブソーバ１０では、以下に説明するように、実装不良が発生しにくい。より詳細には、特許文献１に記載のサージアブソーバでは、上面には、外部電極の凹凸に加えて、放電電極による凹凸が存在する。一方、サージアブソーバ１０では、ｚ軸方向の正方向側の主面には、外部電極２２ａ，２２ｂによる凹凸しか存在しない。よって、サージアブソーバ１０では、特許文献１に記載のサージアブソーバに比べて、実装時に段差によって吸着ノズルの吸着位置がずれてしまうことが低減される。その結果、サージアブソーバ１０の実装不良が低減される。
【００２８】
また、サージアブソーバ１０では、以下に説明するように、製造コストを増大させることなく、ｚ軸方向の正方向側の主面の平坦度を高く保つことが可能である。より詳細には、例えば、サージアブソーバにおいて、放電用の隙間を覆うように放電層が形成された場合には、サージアブソーバの上面を平坦に保つために、放電層の上面を平坦にする必要がある。そのため、放電の隙間を囲む土手を形成して、該土手の内部に放電層となる樹脂を滴下するタイプのサージアブソーバが提案されている（例えば、特開２００１−２３００４６号公報参照）。しかしながら、このようなサージアブソーバでは、土手の形成などのために製造コストが増大し、更に、構造が複雑化するため歩留まりも低下してしまう。
【００２９】
一方、サージアブソーバ１０では、セラミック基板１２，１８により放電層１６を挟むという簡単な構成によって、ｚ軸方向の正方向側の主面の平坦度を高くしている。そのため、サージアブソーバ１０では、土手などを形成するタイプのサージアブソーバに比べて、製造コストを抑制できると共に、歩留まりを向上させることができる。
【００３０】
また、サージアブソーバ１０では、図１に示すようにセラミック基板１２の構造とセラミック基板１８の構造とを同じにすることにより、サージアブソーバ１０の表裏を識別する必要がなくなる。その結果、サージアブソーバ１０を実装する際に、該サージアブソーバ１０の方向を認識する必要がなくなる。
【００３１】
（第２の実施形態）
ところで、第１の実施形態に係るサージアブソーバ１０では、セラミック基板１２は、アルミナ等からなる基板であり、内部に回路素子等は含まれていなかった。しかしながら、セラミック基板１２の代わりに、コイル等の回路素子を含んだセラミック積層体（以下、単に積層体と呼ぶ）が用いられてもよい。以下に、第２の実施形態に係るサージアブソーバ１０ａについて、図面を参照しながら説明する。
【００３２】
図５は、第２の実施形態に係るサージアブソーバ１０ａの外観斜視図である。図６は、第２の実施形態に係るサージアブソーバ１０ａの本体４２の分解斜視図である。以下、サージアブソーバ１０ａの積層方向をｚ軸方向と定義し、サージアブソーバ１０ａの長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、サージアブソーバ１０ａの短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。
【００３３】
本実施形態に係るサージアブソーバ１０ａは、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）対策用に用いられるコモンモードチョークコイルを内蔵しており、例えば、差動伝送回路のノイズ発生を抑制するために用いられる。
【００３４】
図５及び図６に示すように、サージアブソーバ１０ａは、本体４２、外部電極４４ａ〜４４ｄ及びグランド電極４６ａ，４６ｂを備えている。また、本体４２は、直方体状をなしており、積層体４３、放電層４５及びセラミック基板４７が積層されてなる。
【００３５】
積層体４３は、図６に示すように、コイルＬ１，Ｌ２を内蔵していると共に、磁性体基板５４ａ、絶縁層５２ａ〜５２ｄ及び磁性体基板５４ｂがｚ軸方向に負方向側から正方向側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されている。また、積層体４３のｚ軸方向の正方向側に位置する上面には、放電電極４８ａ〜４８ｄ，５０が設けられている。
【００３６】
絶縁層５２ａ〜５２ｄ及び磁性体基板５４ａ，５４ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに同じ大きさ及び形状を有する長方形状をなしている。磁性体基板５４ａ，５４ｂはそれぞれ、絶縁層５２ａ〜５２ｄを挟むように設けられており、フェライト等の磁性体材料により構成されている。また、絶縁層５２ａ〜５２ｄは、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、環状オレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等の樹脂あるいはＳｉＯ2等のガラス、ガラスセラミックス等が採用される。
【００３７】
コイルＬ１は、コイル電極５６ａ、引き出し電極５８ａ及びビアホール導体ｂ１により構成されている。コイル電極５６ａは、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、絶縁層５２ｂ上において反時計回りにその中心に向かって旋廻する渦巻状の線状電極である。コイル電極５６ａの一端は、絶縁層５２ｂのｙ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。ビアホール導体ｂ１は、絶縁層５２ｂをｚ軸方向に貫通しており、コイル電極５６ａの他端に接続されている。引き出し電極５８ａは、絶縁層５２ａ上においてｙ軸方向に延在している線状電極である。引き出し電極５８ａの一端は、ビアホール導体ｂ１に接続されている。引き出し電極５８ｂの他端は、絶縁層５２ａのｙ軸方向の負方向側の辺に引き出されている。
【００３８】
コイルＬ２は、コイル電極５６ｂ、引き出し電極５８ｂ及びビアホール導体ｂ２，ｂ３により構成されている。コイル電極５６ｂは、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、絶縁層５２ｃ上においてコイル電極５６ａと同じ方向（反時計回り）に旋廻する渦巻状の線状電極である。コイル電極５６ｂの一端は、絶縁層５２ｃのｙ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。ビアホール導体ｂ３は、絶縁層５２ｃをｚ軸方向に貫通しており、コイル電極５６ｂの他端に接続されている。ビアホール導体ｂ２は、絶縁層５２ｂをｚ軸方向に貫通しており、ビアホール導体ｂ３と接続されている。引き出し電極５８ｂは、絶縁層５２ａ上においてｙ軸方向に延在している線状電極である。引き出し電極５８ｂの一端は、ビアホール導体ｂ２に接続されている。引き出し電極５８ｂの他端は、絶縁層５２ａのｙ軸方向の負方向側の辺に引き出されている。コイル電極５６ａ，５６ｂ、引き出し電極５８ａ，５８ｂ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ３は、導電性に優れた金属、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌあるいはこれらの合金等により構成されている。
【００３９】
絶縁層５２ａ〜５２ｄ及び磁性体基板５４ａ，５４ｂが積層されると、コイル電極５６ａと引き出し電極５８ａとはビアホール導体ｂ１により接続されてコイルＬ１を構成する。また、コイル電極５６ｂと引き出し電極５８ｂとはビアホール導体ｂ２，ｂ３により接続されてコイルＬ２を構成する。コイル電極５６ａとコイル電極５６ｂとは、ｚ軸方向に重なっていると共に、同じ方向に旋廻しているので、コイルＬ１とコイルＬ２とは、磁気的に結合して、コモンモードチョークコイルＬを構成している。
【００４０】
放電電極４８ａは、磁性体基板５４ｂ上に設けられ、一端がｙ軸方向の負方向側の側面まで引き出され、かつ、他端が磁性体基板５４ｂの中央近傍まで引き出されている線状電極である。放電電極４８ｂは、磁性体基板５４ｂ上に設けられ、一端がｙ軸方向の負方向側の側面まで引き出され、かつ、他端が磁性体基板５４ｂの中央近傍まで引き出されている線状電極である。
【００４１】
放電電極４８ｃは、磁性体基板５４ｂ上に設けられ、一端がｙ軸方向の正方向側の側面まで引き出され、かつ、他端が磁性体基板５４ｂの中央近傍まで引き出されている線状電極である。放電電極４８ｄは、磁性体基板５４ｂ上に設けられ、一端がｙ軸方向の正方向側の側面まで引き出され、かつ、他端が磁性体基板５４ｂの中央近傍まで引き出されている線状電極である。
【００４２】
放電電極５０は、ｘ軸方向に延在することによりグランド電極４６ａ，４６ｂに接続され、かつ、放電電極４８ａ〜４８ｄのそれぞれに対して放電用の隙間を介在させた状態で磁性体基板５４ｂ上に設けられている線状電極である。該放電用の隙間は、５μｍ以上１５μｍ以下の隙間である。
【００４３】
放電層４５は、所定値以上の電圧が外部電極４４ａ及び外部電極４４ｃ間又は外部電極４４ｂ及び外部電極４４ｄ間に印加されると、放電電極５０と放電電極４８ａ〜４８ｄとの間において放電を発生させる。該放電層４５は、熱硬化性シリコン樹脂や合成樹脂等に導電性微粉末を混入したペースト状の過渡電圧保護材料を、磁性体基板５４ｂ上に塗布することにより設けられている。
【００４４】
セラミック基板４７は、本体４２のｚ軸方向の最も正方向側において、放電層４５を挟んで積層体４３と対向するように設けられている。
【００４５】
外部電極４４ａは、本体４２の表面に設けられ、コイルＬ１の一端と接続されている。より詳細には、外部電極４４ａは、図５及び図６に示すように、本体４２のｙ軸方向の負方向側の側面においてｚ軸方向に延びるように設けられていることにより、引き出し電極５８ａ及び放電電極４８ａと接続されている。
【００４６】
外部電極４４ｂは、本体４２の表面に設けられ、コイルＬ２の一端と接続されている。より詳細には、外部電極４４ｂは、図５及び図６に示すように、本体４２のｙ軸方向の負方向側の側面においてｚ軸方向に延びるように設けられていることにより、引き出し電極５８ｂ及び放電電極４８ｂと接続されている。
【００４７】
外部電極４４ｃは、本体４２の表面に設けられ、コイルＬ１の他端と接続されている。より詳細には、外部電極４４ｃは、ｙ軸方向の正方向側の側面においてｚ軸方向に延びるように設けられていることにより、コイル電極５６ａ及び放電電極４８ｃと接続されている。
【００４８】
外部電極４４ｄは、本体４２の表面に設けられ、コイルＬ２の他端と接続されている。より詳細には、外部電極４４ｄは、ｙ軸方向の正方向側の側面においてｚ軸方向に延びるように設けられていることにより、コイル電極５６ｂ及び放電電極４８ｄと接続されている。以上の構成により、コイルＬ１は、外部電極４４ａと外部電極４４ｃとの間に接続され、コイルＬ２は、外部電極４４ｂと外部電極４４ｄとの間に接続されている。
【００４９】
グランド電極４６ａは、ｘ軸方向の負方向側の側面においてｚ軸方向に延びるように設けられ、放電電極５０と接続されている。グランド電極４６ｂは、ｘ軸方向の正方向側に位置する側面においてｚ軸方向に延びるように設けられ、放電電極５０と接続されている。
【００５０】
以上のように構成されたサージアブソーバ１０ａは、サージアブソーバ１０と同じ作用効果を奏することができる。
【００５１】
（第３の実施形態）
ところで、第２の実施形態に係るサージアブソーバ１０ａでは、積層体４３は、コモンモードチョークコイルＬを内蔵していたが、コモンモードチョークコイルＬ以外の回路素子を内蔵していてもよい。以下に、第３の実施形態に係るサージアブソーバ１０ｂについて、図面を参照しながら説明する。
【００５２】
図７は、第３の実施形態に係るサージアブソーバ１０ｂの外観斜視図である。図８は、第３の実施形態に係るサージアブソーバ１０ｂの本体６２の分解斜視図である。以下、サージアブソーバ１０ｂの積層方向をｚ軸方向と定義し、サージアブソーバ１０ｂの長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、サージアブソーバ１０ｂの短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。
【００５３】
サージアブソーバ１０ｂは、携帯電話等の移動体通信機器のアンテナと送受信回路との間に設けられ、これらのインピーダンス整合をとるためのマッチングコイルとして用いられるものである。サージアブソーバ１０ｂは、アンテナと送受信回路との間においてシリーズ接続又はシャント接続のいずれかの接続方法により接続される。
【００５４】
図７及び図８に示すように、サージアブソーバ１０ｂは、本体６２、外部電極６４ａ，６４ｂ及びグランド電極６６ａ，６６ｂを備えている。また、本体６２は、直方体状をなしており、積層体６３、放電層６５及びセラミック基板６７が積層されてなる。また、図８に示すように、積層体６３のｚ軸方向の正方向側に位置する上面には、放電電極６８ａ〜６８ｄが設けられている。
【００５５】
積層体６３は、図８に示すように、絶縁層７２ａ〜７２ｍがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている。絶縁層７２ａ〜７２ｍは、Ｆｅ2Ｏ3，ＣｕＯ，ＮｉＯ，ＺｎＯを基本構成とするフェライトからなる磁性体層であり、長方形状をなしている。
【００５６】
図８に示すように、絶縁層７２ｂ，７２ｃ，７２ｋ〜７２ｍの主面上には何も設けられない。一方、絶縁層７２ａの主面上には、放電電極６８ａ〜６８ｄが設けられている。また、絶縁層７２ｄ〜７２ｊの主面上にはそれぞれ、コイル電極７４ａ〜７４ｇが設けられている。更に、絶縁層７２ｄ，７２ｊの主面上にはそれぞれ、引き出し電極７６ａ，７６ｂが設けられている。また、絶縁層７２ｄ〜７２ｉにはそれぞれ、ｚ軸方向に延びるビア導体Ｂ１〜Ｂ６が設けられている。
【００５７】
以下では、個別の絶縁層７２ａ〜７２ｍ及びコイル電極７４ａ〜７４ｇを示す場合には、参照符号の後ろにアルファベットを付し、これらを総称する場合には、参照符号の後ろのアルファベットを省略するものとする。
【００５８】
図８に示すように、各コイル電極７４は、Ａｇからなる導電性材料からなり、３／４ターン分に相当する「コ」字形状を有する。なお、コイル電極７４は、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ等を主成分とする貴金属やこれらの合金などの導電性材料からなっていてもよい。
【００５９】
図８に示すように、ビア導体Ｂ１〜Ｂ６は、Ａｇからなる導電性材料からなり、絶縁層７２ｄ〜７２ｉをｚ軸方向に貫通し、かつ、コイル電極７４ａ〜７４ｆの一端に接続されるように設けられている。これにより、ビア導体Ｂ１〜Ｂ６は、ｚ軸方向に隣り合うコイル電極７４同士を電気的に接続している。複数のコイル電極７４は、該ビア導体Ｂ１〜Ｂ６により互いに接続されることにより５．５ターンのコイルＬ３を構成している。また、ｚ軸方向において最も正方向側及び最も負方向側に設けられたコイル電極７４ａ，７４ｇはそれぞれ、図８に示すように、引き出し電極７６ａ，７６ｂにより、積層体６３のｘ軸方向の負方向側及び正方向側の側面に引き出されている。
【００６０】
放電電極６８ａは、絶縁層７２ａ上に設けられ、一端がｘ軸方向の負方向側の側面まで引き出され、かつ、他端が絶縁層７２ａの中央近傍まで引き出されている。放電電極６８ｂは、絶縁層７２ａに設けられ、一端がｘ軸方向の正方向側の側面まで引き出され、かつ、他端が絶縁層７２ａの中央近傍まで引き出されている。放電電極６８ａと放電電極６８ｂとは、放電用の隙間を介在させた状態で対向している。
【００６１】
放電電極６８ｃは、絶縁層７２ａに設けられ、一端がｙ軸方向の負方向側の側面まで引き出され、かつ、他端が絶縁層７２ａの中央近傍まで引き出されている。放電電極６８ｃは、放電電極６８ａ，６８ｂのそれぞれと放電用の隙間を介在させた状態で対向している。
【００６２】
放電電極６８ｄは、絶縁層７２ａに設けられ、一端がｙ軸方向の正方向側の側面まで引き出され、かつ、他端が絶縁層７２ａの中央近傍まで引き出されている線状電極である。放電電極６８ｄは、放電電極６８ａ，６８ｂのそれぞれと放電用の隙間を介在させた状態で対向している。該放電用の隙間は、５μｍ以上１５μｍ以下の隙間である。
【００６３】
放電層６５は、所定値以上の電圧が印加されると、放電電極６８ａ，６８ｂと放電電極６８ｃ，６８ｄとの間又は放電電極６８ａと放電電極６８ｂとの間において放電を発生させる。該放電層６５は、熱硬化性シリコン樹脂や合成樹脂等に導電性微粉末を混入したペースト状の過渡電圧保護材料を、絶縁層７２ａ上に塗布することにより設けられている。
【００６４】
セラミック基板６７は、本体６２のｚ軸方向の最も正方向側において、放電層６５を挟んで積層体６３と対向するように設けられている。
【００６５】
外部電極６４ａは、本体６２の表面に設けられ、コイルＬ３の一端と接続されている。より詳細には、外部電極６４ａは、図７に示すように、本体６２のｘ軸方向の負方向側の側面を覆うように設けられており、引き出し電極７６ａ及び放電電極６８ａと接続されている。
【００６６】
外部電極６４ｂは、本体６２の表面に設けられ、コイルＬ３の他端と接続されている。より詳細には、外部電極６４ｂは、本体６２のｘ軸方向の正方向側の側面を覆うように設けられており、引き出し電極７６ｂ及び放電電極６８ｂと接続されている。
【００６７】
グランド電極６６ａは、本体６２のｙ軸方向の負方向側の側面においてｚ軸方向に延びるように設けられており、放電電極６８ｃと接続されている。グランド電極６６ｂは、本体６２のｙ軸方向の正方向側の側面においてｚ軸方向に延びるように設けられており、放電電極６８ｄと接続されている。
【００６８】
以上のように構成されたサージアブソーバ１０ｂは、サージアブソーバ１０，１０ａと同じ作用効果を奏することができる。
【００６９】
（変形例）
以下に、サージアブソーバ１０ｂの変形例について説明する。図９は、サージアブソーバ１０ｂの第１の変形例における絶縁層７２ａを示した図である。サージアブソーバ１０ｂをシャント接続のみで用いる場合には、図９に示す絶縁層７２ａのように、放電電極６８ｃ，６８ｄをなくして、放電電極６８ａ，６８ｂのみが設けられていればよい。
【００７０】
図１０は、サージアブソーバ１０ｂの第２の変形例における絶縁層７２ａを示した図である。サージアブソーバ１０ｂをシリーズ接続のみで用いる場合には、放電電極６８ｃ，６８ｄの代わりに、グランド電極６６ａ，６６ｂを繋ぐ放電電極６８ｅが設けられていればよい。そして、放電電極６８ａ，６８ｂは、該放電電極６８ｅに対して放電用の隙間を介在させて対向していればよい。
【００７１】
なお、サージアブソーバ１０ａ，１０ｂでは、放電電極４８ａ〜４８ｄ，５０，６８ａ〜６８ｅは、コイルＬ１〜Ｌ３が設けられている積層体４３，６３に設けられている。しかしながら、放電電極４８ａ〜４８ｄ，５０，６８ａ〜６８ｅが設けられる場所はこれに限らない。例えば、放電電極４８ａ〜４８ｄ，５０，６８ａ〜６８ｅは、セラミック基板４７，６７に設けられていてもよい。
【００７２】
また、サージアブソーバ１０ａ，１０ｂにおいて、セラミック基板４７，６７の代わりに、回路素子を内蔵した積層体が用いられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】図１（ａ）は、第１の実施形態に係るサージアブソーバを上方から平面視した構成図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のサージアブソーバのＡ−Ａにおける断面構造図である。図１（ｃ）は、サージアブソーバを下方から平面視した構成図である。
【図２】サージアブソーバの製造時における斜視図である。
【図３】サージアブソーバの製造時における斜視図である。
【図４】サージアブソーバの製造時における斜視図である。
【図５】第２の実施形態に係るサージアブソーバの外観斜視図である。
【図６】第２の実施形態に係るサージアブソーバの本体の分解斜視図である。
【図７】第３の実施形態に係るサージアブソーバの外観斜視図である。
【図８】第３の実施形態に係るサージアブソーバの本体の分解斜視図である。
【図９】サージアブソーバの第１の変形例における絶縁層を示した図である。
【図１０】サージアブソーバの第２の変形例における絶縁層を示した図である。
【符号の説明】
【００７４】
Ｇ 隙間
Ｌ コモンモードチョークコイル
Ｌ１〜Ｌ３  コイル
１０，１０ａ，１０ｂ  サージアブソーバ
１２，１８，４７，６７  セラミック基板
１４ａ，１４ｂ，４８ａ〜４８ｄ，５０，６８ａ〜６８ｅ  放電電極
１６，４５，６５  放電層
２２ａ，２２ｂ，４４ａ〜４４ｄ，６４ａ，６４ｂ  外部電極
４２，６２  本体
４３，６３  積層体
４６ａ，４６ｂ，６６ａ，６６ｂ  グランド電極
５２ａ〜５２ｄ，７２ａ〜７２ｍ  絶縁層
５４ａ，５４ｂ  磁性体基板
５６ａ，５６ｂ，７４ａ〜７４ｇ  コイル電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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