(57)【要約】【課題】ダイヤモンド膜を母体の表面に比較的厚膜に、かつ、精度よく選択的に形成でき、ダイヤモンド膜のコンタミネーションを防止できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。【解決手段】母体１の表面１Ａに、薬液により除去可能とされ、かつ、ダイヤモンド膜Ｄの生成を助長する性質の第１膜１２と、第１膜１２上に配されダイヤモンド膜Ｄの生成を阻止する性質の第２膜１３とを選択的に形成して、表面１Ａを、非マスキング領域を有しつつ第１、第２膜１２、１３によりマスキングする工程と、薬液を希釈して用い、非マスキング領域における表面１Ａの部分の周縁部に立設する第１膜１２の壁面１２Ｃを溶解して凹部１２Ｄを形成する工程と、ＣＶＤ法により表面１Ａの部分及び凹部１２Ｄにダイヤモンド膜Ｄを生成させる工程と、薬液により第１膜１２とともに第２膜１３を表面１Ａから取り除く工程と、を備える。【選択図】図３
2010173883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
母体の表面に、薬液により除去可能とされ、かつ、ダイヤモンド膜の生成を助長する性質の第１膜と、前記第１膜上に配されるとともにダイヤモンド膜の生成を阻止する性質の第２膜と、を選択的に形成して、該表面を、非マスキング領域を有しつつ前記第１、第２膜によりマスキングする工程と、
前記薬液を希釈して用い、非マスキング領域における前記表面の部分の周縁部に立設する前記第１膜の壁面を溶解して、該壁面に凹部を形成する工程と、
ＣＶＤ法により、前記表面の部分及び前記凹部にダイヤモンド膜を生成させる工程と、
前記薬液により前記第１膜とともに前記第２膜を前記母体の表面から取り除く工程と、を備えることを特徴とするダイヤモンド膜の選択的形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のダイヤモンド膜の選択的形成方法であって、
前記マスキングする工程は、前記母体の表面に、前記第１膜及び前記第２膜の膜厚の和よりも厚膜に設定された感光性樹脂膜を選択的に形成し、
前記感光性樹脂膜及び露出した前記表面の部分に前記第１、第２膜を順次成膜し、
前記感光性樹脂膜を前記母体の表面から取り除くことにより、該母体の表面に前記第１、第２膜を選択的に形成することを特徴とするダイヤモンド膜の選択的形成方法。
【請求項３】
請求項１に記載のダイヤモンド膜の選択的形成方法であって、
前記マスキングする工程は、前記母体の表面に、前記第１、第２膜を順次成膜し、
前記第２膜上に、感光性樹脂膜を選択的に形成し、
露出した前記第２膜の部分及びこの部分に対応する前記第１膜の部分をエッチングすることにより、前記母体の表面に前記第１、第２膜を選択的に形成することを特徴とするダイヤモンド膜の選択的形成方法。
【請求項４】
基板に形成された複数の切刃を用いて、前記基板に対向配置されたＣＭＰパッドに研削加工を施すＣＭＰパッドコンディショナーであって、
前記切刃として、請求項１〜３のいずれか一項に記載のダイヤモンド膜の選択的形成方法により形成された前記ダイヤモンド膜を用いることを特徴とするＣＭＰパッドコンディショナー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイヤモンド膜の選択的形成方法及びこのダイヤモンド膜を切刃に用いたＣＭＰパッドコンディショナーに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、常圧の化学気相蒸着（ＣＶＤ）法によりダイヤモンド膜を形成する技術が開発され、ダイヤモンド膜を電子デバイスや工具等に利用する研究が活発に行われている。このようなダイヤモンド膜は、用途に応じて、母体である基板や切刃等の表面に選択的に形成される場合がある（特許文献１〜３参照）。
【０００３】
ダイヤモンド膜を選択的に形成する手法として、例えば、特許文献１には、基体（母体）の表面にダイヤモンド膜の生成を阻止する性質の膜（以下「阻止膜」とする）を選択的に形成して前記表面をマスキング（マスキング領域）し、この阻止膜に被覆されていない非マスキング領域にのみダイヤモンド膜を成膜する技術が記載されている。
【０００４】
一方、半導体産業の進展とともに、金属、半導体、セラミックスなどの表面を高精度に仕上げる加工方法の必要性が高まっており、特に、半導体ウェーハでは、その集積度の向上とともにナノメーターオーダーの表面仕上げが要求されている。このような高精度の表面仕上げに対応するために、半導体ウェーハに対して、多孔性のＣＭＰパッドを用いたＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシュ）研磨が一般に行われている。
【０００５】
半導体ウェーハ等の研磨に用いられるＣＭＰパッドは、研磨時間が経過していくにつれ目詰まりや圧縮変形を生じ、その表面状態が次第に変化していく。すると、研磨速度の低下や不均一研磨等の好ましくない現象が生じるので、ＣＭＰパッドの表面を定期的に研削加工することにより、ＣＭＰパッドの表面状態を一定に保って、良好な研磨状態を維持する工夫が行われている。
【０００６】
ＣＭＰパッドを研削加工するために用いられるＣＭＰパッドコンディショナーは、例えば、円板状の基板（母体）と、この基板のＣＭＰパッド側を向く表面に形成された複数の切刃とを有している。これらの切刃として、前述のダイヤモンド膜が用いられることがある。
【０００７】
このように、ダイヤモンド膜をＣＭＰパッドコンディショナーの切刃に用いる場合は、ダイヤモンド膜を極力厚膜に形成すると、切刃の耐久性が高められ、工具寿命が延びるので好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平５−２０９２７０号公報
【特許文献２】特開平６−２４７７９４号公報
【特許文献３】特開平７−６９７９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、前記非マスキング領域においてダイヤモンド膜を厚膜に形成しようとすると、前記マスキング領域における前記阻止膜の母体側とは反対側を向く表面にもダイヤモンド膜が比較的厚く生成されることとなり、好ましくない。つまり、前記阻止膜の表面にこのようにダイヤモンド膜が形成されると、前記非マスキング領域と前記マスキング領域との境界付近において、非マスキング領域のダイヤモンド膜とマスキング領域のダイヤモンド膜とが、互いに連結してしまうことがある。
【００１０】
このようにダイヤモンド膜同士が連結すると、所望の形状のダイヤモンド膜が得られなくなる。また、薬液により前記阻止膜を取り除く場合、該阻止膜がダイヤモンド膜に被覆されて除去できなくなったり、この阻止膜を除去した後に、ダイヤモンド膜の内部が中空に形成されてしまったりするという問題が生じる。
【００１１】
一方、母体の表面に、ダイヤモンド膜を選択的に形成する他の手法として、例えば、ＣＶＤ法により前記表面にダイヤモンド膜を均一に成膜し、このダイヤモンド膜に対して選択的にマスキングを施し、該ダイヤモンド膜における非マスキング領域をエッチングによって選択的に除去することが考えられる。しかしながら、この場合、ダイヤモンド膜のコンタミネーションが考えられ、また、洗浄等の工程が増え製造が煩雑になるという課題が生じる。
【００１２】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ダイヤモンド膜を母体の表面に比較的厚膜に、かつ、精度よく選択的に形成でき、ダイヤモンド膜のコンタミネーションを防止できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びこのダイヤモンド膜を切刃に用いたＣＭＰパッドコンディショナーを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。
すなわち本発明に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法は、母体の表面に、薬液により除去可能とされ、かつ、ダイヤモンド膜の生成を助長する性質の第１膜と、前記第１膜上に配されるとともにダイヤモンド膜の生成を阻止する性質の第２膜と、を選択的に形成して、該表面を、非マスキング領域を有しつつ前記第１、第２膜によりマスキングする工程と、前記薬液を希釈して用い、非マスキング領域における前記表面の部分の周縁部に立設する前記第１膜の壁面を溶解して、該壁面に凹部を形成する工程と、ＣＶＤ法により、前記表面の部分及び前記凹部にダイヤモンド膜を生成させる工程と、前記薬液により前記第１膜とともに前記第２膜を前記母体の表面から取り除く工程と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法によれば、まず、母体の表面に、ダイヤモンド膜の生成を助長する性質の第１膜と、この第１膜上に配され、ダイヤモンド膜の生成を阻止する性質の第２膜と、が選択的に形成される。つまり、母体の表面には、第１、第２膜により被覆されたマスキング領域と、第１、第２膜に被覆されずに露出した非マスキング領域とが形成される。また、この際、非マスキング領域において露出した母体の表面の部分の周縁部には、該表面に立設するように第１膜の壁面が形成される。また、この第１膜の壁面に連なるように、第２膜にも壁面が形成される。
【００１５】
次いで、薬液を希釈して用い、第１膜の壁面を溶解して、この壁面に凹部を形成する。詳しくは、凹部は、例えば、第１膜の前記壁面において膜厚方向に沿った中央部分が最も窪まされた最深部とされるとともに、該壁面の前記膜圧方向に沿って両端部分に向かうに連れ漸次夫々深さが浅くなるように傾斜して、断面凹曲面状に形成される。
【００１６】
次いで、ＣＶＤ法によりダイヤモンド膜を成膜すると、ダイヤモンド膜は、非マスキング領域における母体の表面の部分及び第１膜の壁面の凹部に生成されていく。詳しくは、ダイヤモンド膜は、母体の表面に平行に積層するように、該表面上及び第１膜の凹部内に生成されていく。
尚、この際、第２膜の壁面には、ダイヤモンド膜は生成されない。
【００１７】
一方、マスキング領域においては、第２膜の表面（すなわち第２膜における母体側とは反対側を向く表面）にダイヤモンド膜が載る。このように第２膜の表面にダイヤモンド膜が載っても、この第２膜上のダイヤモンド膜と、非マスキング領域に生成されたダイヤモンド膜とは、第２膜の壁面において互いに離間されていることから、前記ダイヤモンド膜同士が連結してしまうことが防止される。さらに、第１膜の壁面に凹部が形成されていることから、該凹部における膜厚方向に沿った第２膜側の端部が庇形状をなし、このような前記端部によって、前記ダイヤモンド膜同士がより確実に離間されるとともに、前述の連結が防止される。
【００１８】
従って、ダイヤモンド膜を比較的厚膜に形成しても、前記ダイヤモンド膜同士が連結してしまい所望のダイヤモンド膜の形状が得られなくなるようなことがない。よって、ダイヤモンド膜を比較的厚膜に、かつ、精度よく選択的に形成でき、種々の要望・用途に対応できる。
また、このように、前記ダイヤモンド膜同士の連結が確実に防止されるので、第１、第２膜を取り除く際、第１、第２膜がダイヤモンド膜に被覆されて除去できなくなったり、第１、第２膜を除去した後に、ダイヤモンド膜の内部が中空に形成されてしまったりすることがない。
【００１９】
また、ダイヤモンド膜が成膜された後は、薬液により第１膜を取り除くことで、第１膜上に配された第２膜及び不要なダイヤモンド膜も該第１膜と共に容易に除去できるので、ダイヤモンド膜の製造がより簡便に行える。
【００２０】
また、ダイヤモンド膜に対して選択的にマスキングを施し、該ダイヤモンド膜における非マスキング領域をエッチングによって選択的に除去するような必要がないので、ダイヤモンド膜のコンタミネーションが防止される。
【００２１】
また、本発明に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法において、前記マスキングする工程は、前記母体の表面に、前記第１膜及び前記第２膜の膜厚の和よりも厚膜に設定された感光性樹脂膜を選択的に形成し、前記感光性樹脂膜及び露出した前記表面の部分に前記第１、第２膜を順次成膜し、前記感光性樹脂膜を前記母体の表面から取り除くことにより、該母体の表面に前記第１、第２膜を選択的に形成することとしてもよい。
また、本発明に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法において、前記マスキングする工程は、前記母体の表面に、前記第１、第２膜を順次成膜し、前記第２膜上に、感光性樹脂膜を選択的に形成し、露出した前記第２膜の部分及びこの部分に対応する前記第１膜の部分をエッチングすることにより、前記母体の表面に前記第１、第２膜を選択的に形成することとしてもよい。
【００２２】
本発明に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法によれば、比較的容易に、かつ、確実に、母体の表面に第１、第２膜を選択的に形成して、該表面を、非マスキング領域を有しつつ第１、第２膜によりマスキングすることができる。従って、前述のダイヤモンド膜が簡便に精度よく形成できる。
【００２３】
また、本発明は、基板に形成された複数の切刃を用いて、前記基板に対向配置されたＣＭＰパッドに研削加工を施すＣＭＰパッドコンディショナーであって、前記切刃として、前述のダイヤモンド膜の選択的形成方法により形成された前記ダイヤモンド膜を用いることを特徴とする。
【００２４】
本発明に係るＣＭＰパッドコンディショナーによれば、前述のダイヤモンド膜の選択的形成方法により形成された比較的厚膜の前記ダイヤモンド膜からなる切刃を用いているので、切刃の耐久性が高められ、工具寿命が延長する。また、このダイヤモンド膜が、母体である基板に精度よく選択的に形成されるので、研削性能が安定する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法によれば、ダイヤモンド膜を母体の表面に比較的厚膜に、かつ、精度よく選択的に形成できる。また、ダイヤモンド膜に対してマスキング及びエッチングを施す必要がないことから、該ダイヤモンド膜のコンタミネーションが防止される。
また、本発明に係るＣＭＰパッドコンディショナーによれば、前記ダイヤモンド膜を切刃に用いているので、切刃の耐久性が高められ、工具寿命が延長する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法により形成された切刃を有するＣＭＰパッドコンディショナーを示す部分側断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るダイヤモンド膜の選択的形成手順を説明する図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るダイヤモンド膜の選択的形成手順を説明する図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るダイヤモンド膜の選択的形成手順を説明する図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るダイヤモンド膜の選択的形成手順を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
第１の実施形態に係るＣＭＰパッドコンディショナー１０は、基板に形成された複数の切刃を用いて、基板に対向配置されたＣＭＰパッドに研削加工を施すものである。
ＣＭＰパッドコンディショナー１０は、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）からなり略円板状をなす基板１を有している。また、図１に示すように、基板１のＣＭＰパッド側を向く表面１Ａには、切刃２が該表面１Ａから突出して複数形成されている。
【００２８】
これらの切刃２は、略円板状に夫々形成されており、切刃２のＣＭＰパッド側を向く表面２Ａは、基板１の表面１Ａに略平行な平面とされている。また、切刃２の壁面（すなわち表面２Ａの外周縁部と基板１の表面１Ａとを繋ぐ切刃２の外周面）２Ｂは、その基板１の板厚方向（図１における上下方向）に沿う断面が凸曲面状とされている。これらの切刃２は、後述するダイヤモンド膜の選択的形成方法により成膜されたダイヤモンド膜Ｄを用いて形成されている。
【００２９】
次に、ダイヤモンド膜の選択的形成方法、及び、これを用いて切刃２を基板１の表面１Ａに形成する手順について説明する。
まず、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、母体である基板１の表面１Ａに、感光性樹脂膜１１を均一に塗布する。感光性樹脂膜１１としては、有機溶剤により表面１Ａから取り除くことが可能な材料を用いる。また、感光性樹脂膜１１の膜厚Ｔａは、例えば、２０μｍ程度に設定される。
【００３０】
次いで、図２（ｃ）に示すように、この感光性樹脂膜１１をパターニングする。詳しくは、表面１Ａ上において、感光性樹脂膜１１を、ダイヤモンド膜を成膜する部位に対応して残すように、選択的に除去する。
【００３１】
次に、真空蒸着装置を用いて、図２（ｄ）に示すように、選択的に形成された感光性樹脂膜１１及び該感光性樹脂膜１１に被覆されずに露出した表面１Ａの部分に、第１膜１２、第２膜１３を順次蒸着し成膜する。第１膜１２は、フッ酸等の薬液により除去可能とされ、かつ、ダイヤモンド膜の生成を助長する性質の材料からなり、例えば、ＳｉＯ２を用いることができる。また、第２膜１３は、ダイヤモンド膜の生成を阻止する性質の材料からなり、例えば、Ａｌ２Ｏ３を用いることができる。
【００３２】
また、例えば、第１膜１２の膜厚は１０μｍ程度とされ、第２膜１３の膜厚は第１膜１２よりも薄膜の１μｍ程度に設定される。詳しくは、第２膜１３の膜厚は、ダイヤモンド膜の成膜時に蒸散せず、かつ、ダイヤモンド膜の生成を阻止できる程度に設定されていればよい。また、第１膜１２及び第２膜１３の膜厚の和Ｔｂは、感光性樹脂膜１１の前記膜厚Ｔａよりも小さい値に設定される。
【００３３】
次に、有機溶剤による洗浄を行い、残存した感光性樹脂膜１１を表面１Ａから取り除く。詳しくは、感光性樹脂膜１１の上部及び側部には第１膜１２及び第２膜１３が夫々配されているが、前述のように、前記膜厚Ｔａは前記膜厚Ｔｂよりも大きい値に設定されている。従って、感光性樹脂膜１１は、基板１の表面１Ａに直接成膜された第１膜１２上における第２膜１３の基板１側とは反対側を向く表面１３Ａよりも、前記反対側へ突出して形成されている。つまり、感光性樹脂膜１１において基板１の表面１Ａに立設された壁面１１Ｃの上端部が露出しているので、この上端部から感光性樹脂膜１１が溶解して、確実に除去されるようになっている。また、この際、感光性樹脂膜１１の上部に形成された第１膜１２及び第２膜１３の部分も、図３（ｅ）に示すように、この感光性樹脂膜１１が除去されるのに伴って取り除かれる。
【００３４】
このような工程を経て、第１膜１２及び第２膜１３が、基板１の表面１Ａに選択的に形成される（マスキング工程）。つまり、基板１の表面１Ａには、第１膜１２及び第２膜１３に被覆されたマスキング領域と、第１膜１２及び第２膜１３に被覆されずに露出した非マスキング領域とが夫々形成される。
【００３５】
次いで、フッ酸を過酸化水素水で希釈したものを用い、非マスキング領域における表面１Ａの部分の周縁部に立設する第１膜１２の壁面１２Ｃを溶解して、図３（ｆ）に示すように、該壁面１２Ｃに凹部１２Ｄを形成する。詳しくは、凹部１２Ｄは、第１膜１２の壁面１２Ｃにおいて膜厚方向に沿った中央部分が最も窪まされた最深部とされるとともに、該壁面１２Ｃの前記膜圧方向に沿って両端部分に向かうに連れ漸次夫々深さが浅くなるように傾斜して、断面凹曲面状に形成される。
【００３６】
次いで、図３（ｇ）に示すように、ダイヤモンド成膜装置を用い、ＣＶＤ法によりダイヤモンド膜Ｄを成膜すると、非マスキング領域では、このダイヤモンド膜Ｄは、表面１Ａの部分及び第１膜１２の凹部１２Ｄに生成されていく。詳しくは、非マスキング領域において、ダイヤモンド膜Ｄは、基板１の表面１Ａに対して平行に積層するように、該表面１Ａ上及び第１膜１２の凹部１２Ｄ内に生成されていき、該ダイヤモンド膜Ｄの表面２Ａ（すなわちダイヤモンド膜Ｄにおいて基板１側とは反対側を向く表面）が平面に形成される。また、ダイヤモンド膜Ｄの膜厚は、成膜時間により制御することができ、例えば、５μｍ程度に設定される。
【００３７】
この際、第２膜１３において、第１膜１２の壁面１２Ｃに連なるように形成される壁面１３Ｃには、ダイヤモンド膜Ｄは生成されない。
また、マスキング領域においては、第２膜１３の表面１３Ａに、ダイヤモンド膜Ｄが形成される。
【００３８】
次いで、フッ酸を用いて、基板１の表面１Ａから第１膜１２を取り除く。尚、前述のように、第１膜１２上には第２膜１３及びダイヤモンド膜Ｄが形成されているが、第１膜１２が除去されることにより、図３（ｈ）に示すように、第１膜１２と共にこれらの第２膜１３及びダイヤモンド膜Ｄも表面１Ａから取り除かれる。
【００３９】
このように、基板１の表面１Ａに、略円板状のダイヤモンド膜Ｄが選択的に複数形成される。また、図示のように、ダイヤモンド膜Ｄの表面２Ａの外周縁部と基板１の表面１Ａとを繋ぐ壁部２Ｂは、第１膜１２の凹部１２Ｄの形状に対応して、その膜厚方向に沿う断面が凸曲面状に形成される。
また、このように形成されたダイヤモンド膜Ｄが、ＣＭＰパッドコンディショナー１０の切刃２に用いられる。
【００４０】
以上説明したように、本実施形態に係るダイヤモンド膜Ｄの選択的形成方法によれば、母体である基板１の表面１Ａに、ダイヤモンド膜Ｄの生成を助長する性質の第１膜１２と、この第１膜１２上に配され、ダイヤモンド膜Ｄの生成を阻止する性質の第２膜１３と、が選択的に形成され、表面１Ａには、第１膜１２及び第２膜１３により被覆されたマスキング領域と、被覆されずに露出した非マスキング領域とが形成される。
次いで、希釈したフッ酸を用い、第１膜１２の壁面１２Ｃを溶解して、この壁面１２Ｃに凹部１２Ｄを形成した後、ＣＶＤ法によりダイヤモンド膜Ｄを成膜すると、ダイヤモンド膜Ｄは、非マスキング領域における基板１の表面１Ａの部分及び第１膜１２の凹部１２Ｄに生成されていく。
一方、マスキング領域においては、第２膜１３の表面１３Ａにダイヤモンド膜Ｄが載る。
【００４１】
このように第２膜１３の表面１３Ａにダイヤモンド膜Ｄが載っても、この第２膜１３上のダイヤモンド膜Ｄと、非マスキング領域に生成されたダイヤモンド膜Ｄとは、第２膜１３の壁面１３Ｃにおいて互いに離間されていることから、前記ダイヤモンド膜Ｄ同士が連結してしまうことが防止される。さらに、第１膜１２の壁面１２Ｃに凹部１２Ｄが形成されていることから、該凹部１２Ｄにおける膜厚方向に沿った第２膜１３側の端部が庇形状をなし、このような前記端部によって、前記ダイヤモンド膜Ｄ同士がより確実に離間されるとともに、前述の連結が防止される。
【００４２】
従って、ダイヤモンド膜Ｄを比較的厚膜に形成しても、前記ダイヤモンド膜Ｄ同士が連結してしまい所望のダイヤモンド膜Ｄの形状が得られなくなるようなことがない。よって、非マスキング領域において、ダイヤモンド膜Ｄを比較的厚膜に、かつ、精度よく選択的に形成でき、種々の要望・用途に対応できる。
また、このように、前記ダイヤモンド膜Ｄ同士の連結が確実に防止されるので、第１膜１２及び第２膜１３を取り除く際、第１膜１２及び第２膜１３がダイヤモンド膜Ｄに被覆されて除去できなくなったり、第１膜１２及び第２膜１３を除去した後に、ダイヤモンド膜Ｄの内部が中空に形成されてしまったりすることがない。
【００４３】
また、ダイヤモンド膜Ｄが成膜された後は、フッ酸により第１膜１２を取り除くことで、第１膜１２上に形成された第２膜１３及び不要なダイヤモンド膜Ｄも該第１膜１２と共に容易に除去できるので、ダイヤモンド膜Ｄの製造がより簡便に行える。
【００４４】
また、成膜されたダイヤモンド膜Ｄに対して、マスキング及びエッチングを施す必要がないことから、ダイヤモンド膜Ｄのコンタミネーションが防止される。すなわち、従来では、基板１の表面１Ａにダイヤモンド膜Ｄを選択的に形成するための手法として、例えば、ＣＶＤ法により表面１Ａにダイヤモンド膜Ｄを均一に成膜した後、このダイヤモンド膜Ｄに対して選択的にマスキングを施し、該ダイヤモンド膜Ｄにおける非マスキング領域をエッチングによって選択的に除去することが行われていた。この場合、ダイヤモンド膜Ｄのコンタミネーションが考えられ、また、洗浄等の工程が増え製造が煩雑になるが、本実施形態ではこのようなコンタミネーションが確実に防止でき、また、製造が比較的容易となる。
【００４５】
また、基板１の表面１Ａに感光性樹脂膜１１を選択的に形成し、第１膜１２及び第２膜１３を成膜した後、感光性樹脂膜１１を除去することで第１膜１２及び第２膜１３を表面１Ａに選択的に形成することとしているので、該表面１Ａに対するマスキングが精度よく確実に行える。また、製造工程が簡便となる。
【００４６】
また、本実施形態に係るＣＭＰパッドコンディショナー１０によれば、前述のダイヤモンド膜Ｄの選択的形成方法により形成された比較的厚膜のダイヤモンド膜Ｄからなる切刃２を用いているので、切刃２の耐久性が高められ、工具寿命が延長する。また、このダイヤモンド膜Ｄが、母体である基板１に精度よく選択的に形成されるので、研削性能が安定する。
【００４７】
次に、本発明の第２の実施形態に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法について説明する。
尚、前述の第１の実施形態と同一部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４８】
まず、真空蒸着装置を用いて、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、母体である基板１の表面１Ａに、第１膜１２及び第２膜１３を順次蒸着し成膜する。
次いで、図４（ｃ）に示すように、第２膜１３の表面１３Ａに感光性樹脂膜１１を均一に塗布する。
【００４９】
次いで、図４（ｄ）に示すように、この感光性樹脂膜１１をパターニングする。詳しくは、感光性樹脂膜１１を、ダイヤモンド膜を成膜する部位以外の部分に対応して残すように、選択的に除去する。
【００５０】
次いで、ドライエッチングを施し、第２膜１３において感光性樹脂膜１１に被覆されずに露出した部分、及び、前記部分に対応する第１膜１２の部分を取り除くとともに、図５（ｅ）に示すように、基板１の表面１Ａにおいてダイヤモンド膜を成膜させる部分を露出させる。尚、このドライエッチングとしては、リアクティブイオンエッチングを用いることが好ましい。
【００５１】
このような工程を経て、第１膜１２、第２膜１３及び感光性樹脂膜１１が、基板１の表面１Ａに選択的に形成される（マスキング工程）。つまり、基板１の表面１Ａには、第１膜１２、第２膜１３及び感光性樹脂膜１１に被覆されたマスキング領域と、第１膜１２、第２膜１３及び感光性樹脂膜１１に被覆されずに露出した非マスキング領域とが夫々形成される。
次に、有機溶剤による洗浄を行い、残存した感光性樹脂膜１１を表面１３Ａから取り除く。すなわち、アセトン、メタノール等の薬品を用い、有機洗浄により、マスキング領域に残された感光性樹脂膜１１を第２膜１３上から除去する。
【００５２】
次いで、フッ酸を過酸化水素水で希釈したものを用い、非マスキング領域における表面１Ａの部分の周縁部に立設する第１膜１２の壁面１２Ｃを溶解して、図５（ｆ）に示すように、該壁面１２Ｃに凹部１２Ｄを形成する。
【００５３】
次いで、図５（ｇ）に示すように、ダイヤモンド成膜装置を用い、ＣＶＤ法によりダイヤモンド膜Ｄを成膜すると、非マスキング領域では、このダイヤモンド膜Ｄは、表面１Ａの部分及び第１膜１２の凹部１２Ｄに生成されていく。
尚、前述の、残存した感光性樹脂膜１１を有機洗浄により表面１３Ａから除去する手法の代わりに、このダイヤモンド膜Ｄの成膜時に、前記感光性樹脂膜１１を蒸散により表面１３Ａから除去することとしても構わない。すなわち、ダイヤモンド膜Ｄの成膜時には、基板１が加熱され、例えば、８００℃程度にまで温度上昇するので、この加熱に伴って前記感光性樹脂膜１１を蒸散させるとともに、第２膜１３上から取り除くようにしても構わない。
【００５４】
次いで、図５（ｈ）に示すように、フッ酸を用いて、基板１の表面１Ａから第１膜１２を取り除くとともに、該第１膜１２上に配された第２膜１３及び不要なダイヤモンド膜Ｄを除去する。
このように、基板１の表面１Ａに、比較的厚膜のダイヤモンド膜Ｄが選択的に複数形成され、これらのダイヤモンド膜Ｄが、ＣＭＰパッドコンディショナー１０の切刃２に用いられる。
【００５５】
以上説明したように、本実施形態に係るダイヤモンド膜Ｄの選択的形成方法によれば、比較的容易に、かつ、確実に、基板１の表面１Ａに第１膜１２及び第２膜１３を選択的に形成して、該表面１Ａを、非マスキング領域を有しつつ第１膜１２及び第２膜１３によりマスキングすることができる。従って、前述のダイヤモンド膜Ｄが簡便に精度よく形成できる。
【００５６】
尚、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、前述の実施形態では、ダイヤモンド膜ＤをＣＭＰパッドコンディショナー１０の切刃２に用いることとして説明したが、ダイヤモンド膜Ｄを、それ以外の電子デバイスや工具等に形成し用いることとしてもよい。
【００５７】
また、ダイヤモンド膜Ｄの形状は、前述の略円板状に限定されるものではない。すなわち、略円板状以外の略矩形板状やそれ以外の略多角形板状とされていても構わない。
【００５８】
また、前述の実施形態では、ＳｉＣからなる基板１を母体として、基板１上にダイヤモンド膜Ｄを成膜することとしたが、この母体として、ＳｉＣ以外の炭化タングステン（ＷＣ）や窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）又はそれ以外の化合物や金属等を用いても構わない。
【００５９】
また、第１膜１２にＳｉＯ２を用い、第２膜１３にＡｌ２Ｏ３を用いることとして説明したが、これらに限定されるものではない。すなわち、第１膜１２は、薬液により除去可能とされ、かつ、ダイヤモンド膜Ｄの生成を助長する性質の材料であればよく、ＳｉＯ２以外の白金（Ｐｔ）等であってもよい。また、第２膜１３は、ダイヤモンド膜Ｄの生成を阻止する性質の材料であればよく、Ａｌ２Ｏ３以外の酸化アルミ（ＡｌＯ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、チタン（Ｔｉ）等であってもよい。尚、第２の実施形態の第２膜１３にＡｌＯを用いる場合、図４（ｄ）において非マスキング領域に配された第２膜１３の部分を、熱リン酸により選択的に取り除くこととしてもよい。
【００６０】
また、第１膜１２を除去可能な薬液として、フッ酸を用いることとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、薬液として、フッ酸以外のフッ素系薬品、例えば、バッファードフッ酸等を用いても構わない。
また、感光性樹脂膜１１、第１膜１２、第２膜１３及びダイヤモンド膜Ｄの各膜厚は、前述の実施形態において説明した数値に限定されるものではない。
【００６１】
また、第２の実施形態では、第２膜１３において感光性樹脂膜１１に被覆されずに露出した部分、及び、前記部分に対応する第１膜１２の部分をドライエッチングにより取り除くこととしたが、これに限らず、ウェットエッチングにより取り除くこととしても構わない。
【符号の説明】
【００６２】
１  基板（母体）
１Ａ  基板の表面
２  切刃（ダイヤモンド膜）
１０  ＣＭＰパッドコンディショナー
１１  感光性樹脂膜
１２  第１膜
１２Ｃ  第１膜の壁面
１２Ｄ  凹部
１３  第２膜
Ｄ  ダイヤモンド膜
Ｔａ  感光性樹脂膜の膜厚
Ｔｂ  第１膜及び第２膜の膜厚の和
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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