(57)【要約】      （修正有）【課題】基板表面位置（高さ）と傾きを計測する精度の過度な悪化を防止しつつ、計測時間を短縮する制御技術、及び走査露光装置を提供する。【解決手段】複数の計測用光束は基板の表面における複数の計測ポイントに入射し反射される。複数の計測ポイントは、露光ステーションにおける露光スリットの非走査方向の幅とほぼ等しいか、又はそれ以上の長さにわたって配置されている。複数の計測ポイントのうち基板の上の計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所を計測可能な計測ポイントを決定し、少なくとも２つのショット領域の表面位置を同時に計測する。例えばショット領域の列６１３における計測目標位置６０１および６０２を計測するための計測ポイントを７０１および７０２に決定する。さらに列６１４〜６１８における計測目標位置６０３〜６１２に対し、列６１３と同時に計測することが可能な列を決定する。【選択図】図７
2010114265.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器を有し、前記計測器による計測結果に基づいて該基板の表面位置を制御しながらスリット光によって該基板を走査露光するように構成され、該基板の走査方向に直交する非走査方向における前記スリット光の幅よりも前記複数の計測ポイントが配列された領域の前記非走査方向における幅が大きい走査露光装置であって、
前記複数の計測ポイントのうち前記基板の上の計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所を計測可能な計測ポイントで、前記基板の少なくとも２つのショット領域の表面位置が同時に計測されるように、前記計測器による計測を制御する制御部を備えることを特徴とする走査露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記複数の計測ポイントのうち前記計測目標位置からの距離が前記許容距離内の箇所を計測可能な計測ポイントを決定し、決定した計測ポイントで前記基板の少なくとも２つのショット領域の表面位置が同時に計測されるように、前記計測器による計測を制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載の走査露光装置。
【請求項３】
前記複数のショット領域からなる配列における複数の列は、第１列と、第２列と、第３列と、第４列とを含み、前記第２列は前記第１列と前記第３列との間に位置し、前記第３列は前記第２列と前記第４列との間に位置し、
前記制御部は、前記第１列に属するショット領域および前記第３列に属するショット領域の表面位置が１つの走査で同時に計測され、前記第２列に属するショット領域および前記第４列に属するショット領域の表面位置が他の１つの走査で同時に計測されるように、前記計測器による計測を制御する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の走査露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記複数の計測ポイントのうち前記計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所を計測することができない計測ポイントで計測された情報を無効とする、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の走査露光装置。
【請求項５】
複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器を有し、前記計測器による計測結果に基づいて該基板の表面位置を制御しながらスリット光によって該基板を走査露光するように構成され、該基板の走査方向に直交する非走査方向における前記スリット光の幅よりも前記複数の計測ポイントが配列された領域の前記非走査方向における幅が大きい走査露光装置の制御方法であって、
前記複数の計測ポイントのうち前記基板の上の計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所を計測可能な計測ポイントを決定する工程と、
決定された計測ポイントで、前記基板の少なくとも２つのショット領域の表面位置が同時に計測されるように、前記計測器による計測を制御する工程と、
を含むことを特徴とする走査露光装置の制御方法。
【請求項６】
デバイス製造方法であって、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の走査露光装置によって基板を露光する工程と、
該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、走査露光装置およびその制御方法、ならびに該走査露光装置を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、表示デバイス素子、磁気ヘッドデバイス等のデバイスを製造するためのリソグラフィ工程において露光装置が使用される。露光装置は、基板に対して原版（マスクまたはレチクルとも呼ばれる）のパターンを投影光学系によって投影し該基板を露光する。
【０００３】
露光装置においては、集積回路の微細化及び高密度化に伴って、原版のパターンを高い解像力で基板に投影することが要求されている。この解像力は、投影光学系の開口数(ＮＡ)と露光波長に依存するので、投影光学系の高ＮＡ化や、露光波長の短波長化の取り組みが行われている。
【０００４】
露光装置には、原版および基板を静止させた状態で基板を露光する露光装置（いわゆるステッパ）や、原版および基板を投影光学系に対して走査しながら該基板をスリット光で露光する走査露光装置（いわゆるスキャナ）とが含まれる。
【０００５】
スキャナ（走査露光装置）では、基板の表面位置を最適露光像面位置に制御しながら該基板を走査することができるので、基板の平面度の影響を低減することができる。また、スキャナでは、ステッパと同等の投影光学系を使いながら、露光領域とＮＡを大きくすることができる。そのため、露光装置の主流は、スキャナとなってきている。
【０００６】
スキャナでは、基板を走査しながら該基板の表面位置が計測される。この計測には、例えば、光斜入射方式のセンサの他、エアマイクロセンサや静電容量センサ等のギャップセンサを使用することができる。
【０００７】
走査方向に直交する方向である非走査方向には、表面位置（高さ）のみならず表面の傾きを計測するために、複数の計測ポイントが配置されている。図４に示すように、スリット光の非走査方向における幅（又は、ショット領域の非走査方向における幅）を超えて複数の計測ポイントを配置することで、１回の走査において非走査方向における少なくとも２つのショット領域を同時に計測することができる。これにより、全てのショット領域における表面位置を計測するために要する時間が短縮される。
【特許文献１】特開平９−４５６０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の計測方法では、基板上のショット領域の配置が計測器の計測ポイントの非走査方向における配置間隔に適合していないと、計測目標位置と実際に計測がなされる箇所との間にずれが生じうる。図４は、計測目標位置と実際に計測がなされる箇所との間に生じうるずれを例示的に示している。図４において、Ｘ方向（非走査方向）における計測目標位置４０２、４０３、４０８、４０９は、Ｘ方向における計測ポイント４１０、４１１、４１５、４１６の位置と一致している。しかしながら、Ｘ方向における計測目標位置４０４〜４０７は、Ｘ方向における計測ポイントの位置と異なる。特許文献１に示すように、計測目標位置と実際の計測位置とのずれは、基板上の繰り返しパターンによる計測騙されを引き起こすため、基板の露光時に像面からの基板のデフォーカスを生じさせる。そのため、焦点深度に余裕がないプロセスにおいては、デフォーカスによる解像不良を引き起こすという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、計測精度の過度な悪化を防止しつつ計測時間を短縮することに有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の側面は、複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器を有し、前記計測器による計測結果に基づいて該基板の表面位置を制御しながらスリット光によって該基板を走査露光するように構成され、該基板の走査方向に直交する非走査方向における前記スリット光の幅よりも前記複数の計測ポイントが配列された領域の前記非走査方向における幅が大きい走査露光装置に係り、前記走査露光装置は、前記複数の計測ポイントのうち前記基板の上の計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所を計測可能な計測ポイントで、前記基板の少なくとも２つのショット領域の表面位置が同時に計測されるように、前記計測器による計測を制御する制御部を備える。
【００１１】
本発明の第２の側面は、複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器を有し、前記計測器による計測結果に基づいて該基板の表面位置を制御しながらスリット光によって該基板を走査露光するように構成され、該基板の走査方向に直交する非走査方向における前記スリット光の幅よりも前記複数の計測ポイントが配列された領域の前記非走査方向における幅が大きい走査露光装置の制御方法に係り、前記制御方法は、前記複数の計測ポイントのうち前記基板の上の計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所を計測可能な計測ポイントを決定する工程と、決定された計測ポイントで、前記基板の少なくとも２つのショット領域の表面位置が同時に計測されるように、前記計測器による計測を制御する工程とを含む。
【００１２】
本発明の第３の側面は、デバイス製造方法に係り、前記デバイス製造方法は、上記の走査露光装置によって基板を露光する工程と、該基板を現像する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、計測精度の過度な悪化を防止しつつ計測時間を短縮することに有利な技術が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１５】
図１は、本発明の好適な実施形態の走査露光装置の概略構成を示す図である。本発明の好適な実施形態の走査露光装置ＥＸは、複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器Ｍを有し、計測器Ｍによる計測結果に基づいて該基板の表面位置を制御しながらスリット光によって該基板を走査露光するように構成される。
【００１６】
該複数の計測ポイントが配列された領域の非走査方向（Ｘ方向）における幅は、該基板の走査方向（Ｙ方向）に直交する非走査方向（Ｘ方向）におけるスリット光の幅よりも大きい。例えば、該複数の計測ポイントが配列された領域の非走査方向（Ｘ方向）における幅は、該基板の走査方向（Ｙ方向）に直交する非走査方向（Ｘ方向）におけるスリット光の幅（換言すると、最大ショット領域の幅）の２倍以上であることが好ましい。
【００１７】
走査露光装置ＥＸは、計測器Ｍを使って基板を計測する計測ステーションと、計測器Ｍによる計測結果に基づいて基板を制御しながら該基板を露光する露光ステーションとを有することが好ましい。計測器Ｍによる計測が終了した基板を保持した基板ステージは、計測ステーションから露光ステーションに移動し、露光ステーションにおいて、計測器Ｍによる計測結果に基づいて基板が制御されながら該基板が露光される。このような走査露光装置ＥＸは、２つの基板ステージ６、２２を備え、２つの基板ステージ６、２２のスワップ動作を繰り返しながら、計測ステーションにおける計測と露光ステーションにおける露光とが並行して実行される。
【００１８】
露光ステーションでは、原版（レチクル）２は原版ステージ（レチクルステージ）３上に保持され、原版２のパターンは投影光学系１によってその像面に配置された基板（例えば、ウエハ）４に縮小投影される。
【００１９】
表面に感光剤（フォトレジスト）が塗布された基板４には、複数のショット領域が配列されている。基板４は、基板チャック５によって保持される。基板チャック５は、基板ステージ６によって駆動される。基板ステージ６は、例えば、基板チャック５（基板４）の６軸を制御する。露光ステーションにおいて、基板ステージ６（または、基板ステージ２２）は、定盤７の上で移動する。
【００２０】
計測ステーションには、計測器Ｍが配置されている。計測器Ｍは、基板の表面位置および傾きを計測する。計測器Ｍは、例えば、構成要素１０〜１９を含んで構成されうる。光源１０は、例えば、白色ランプ、または相異なる複数のピーク波長を持つ高輝度発光ダイオードを含む。コリメータレンズ１１は、光源１０から提供される光を断面の強度分布がほほ均一な平行光束として射出する。スリット部材１２は、複数の開口（例えば２５個のピンホール）を有するクロム等の遮光膜を介して一対のプリズムの斜面を結合して構成される。両テレセントリック系の光学系１３は、スリット部材１２の複数のピンホールを通過した独立の複数（例えば２５）の光束を、ミラー１４を介して、基板４の表面上の複数の計測ポイントに照射する。ピンホールが形成されている平面と、基板４の表面を含む平面とは、光学系１３に対して、シャインプルーフの条件を満足する。
【００２１】
この実施形態において、構成要素１０〜１４で構成される光照射部から射出される各光束の基板４の表面に対する入射角Φ（基板面に立てた垂線と光束とがなす角）は、７０°以上である。基板４の表面には、図２に例示するように、同一パターン構造を有する複数個のショット領域が配列されている。光学系１３を通過した複数の光束は、図３に例示するように、基板の表面における複数の計測ポイントに入射し反射される。図３における複数（ここでは、２５個）の計測ポイントは、露光ステーションにおける露光スリットの非走査方向の幅とほぼ等しいか、又はそれ以上の長さにわたって配置している。２５個の計測ポイントを、例えば露光ステーションにおける露光スリット幅の倍の領域にわたって配置することで、少なくとも２個のショット領域を同時に計測することができ、全ショット領域を計測する時間が短縮される。２５個の計測ポイントが基板４の面内で互いに独立して観察されるように、Ｘ方向（スキャン方向６ａ）からＸＹ平面内でθ°（例えば２２．５°）回転させた方向より入射させる。
【００２２】
両テレセントリック系の受光光学系１６は、ミラー１５を介して、基板４の表面で反射された複数の光束を受光する。受光光学系１６内に設けたストッパ絞り１７は複数の計測ポイントに対して共通に設けられ、基板４上に存在するパターンによって発生する高次の回折光（ノイズ光）をカットする。両テレセントリック系の受光光学系１６を通過した複数の光束は、補正光学系群１８の複数の個別の補正レンズにより、光電変換器群１９の計測面上に互いに同一の大きさのスポット光（ピンホール像）となるように再結像する。受光する側の要素１６〜１８は、基板４の表面上の複数の計測ポイントと光電変換器群１９の計測面とが、互いに共役となるように倒れ補正がなされている。そのため、各計測ポイントの局所的な傾きにより計測面でのスポット光の位置が変化することはなく、各計測ポイントにおける基板４の表面位置（投影光学系１の光軸ＡＸに平行な方向における位置）の変化に応答して、計測面上でスポット光の位置が変化する。光電変換器群１９は、例えば、光束の本数と同数の一次元ラインセンサまたはイメージセンサで構成されうる。
【００２３】
原版ステージ３によって保持された原版２は、図１に示す矢印３ａで示される走査方向（Ｙ方向）には一定速度で走査され、この際に、矢印３ａと直交する非走査方向（Ｘ方向）における位置は一定に維持される。原版ステージのＸ、Ｙ方向における位置は、原版ステージ３に固定されたＸＹバーミラー２０と、それにレーザービームを照射する干渉計２１とを含む計測器によって常時計測される。
【００２４】
照明光学系８は、エキシマレーザ等のパルス光を発生する光源、ビーム整形光学系、オプティカルインテグレイダ、コリメータ及びミラー等で構成されうる。照明光学系８は、遠紫外領域のパルス光を効率的に透過或いは反射する材料で形成されうる。ビーム整形光学系は、入射ビームの断面形状を目標形状に整形する。オプティカルインテグレータは、光束の配光特性を均一にして原版２を均一照度で照明する。
【００２５】
照明光学系８内のマスキングブレードは、チップサイズに対応する矩形の照明領域を設定する。その照明領域で部分照明された原版２上のパターンが、投影光学系１を介して、感光剤が塗布された基板４に投影される。
【００２６】
計測ステーションに配置された計測器Ｍは、基板ステージ２２（または基板ステージ６）に搭載された基板チャック５の基準面９に対する基板４の表面位置（高さ位置）を計測し、計測結果をメモリ１３０に格納する。基板チャック５の基準面９は、計測精度を高めるために基板４と同一の高さとなるように、例えば、基板チャック５に金属薄膜や金属板等を付して構成されうる。
【００２７】
計測ステーションで計測がなされた基板４は、基板チャック５によって保持されたままで露光ステーションに移動する。計測器１００は、基準面９を利用して光軸ＡＸの方向における基板４の表面位置を計測し、その計測結果に基づいて光軸ＡＸの方向における基板４の表面位置が調整される。
【００２８】
具体的には、原版２上のパターン領域内またはその境界線上に設けられたマーク２３と基準面９とを利用して基板４の表面位置の調整（合焦操作）がなされうる。マーク２３は、例えばピンホールを含み、照明光学系８からの光が該ピンホールを通過して投影光学系１によって基板チャック５上の基準面９に結像する。基準面９で反射された光は、再び投影光学系１でマーク２３の近傍に再結像する。原版２と基準面９とが完全に合焦状態となったとき、マーク２３を構成するピンホールを通過する光の量が最大となる。マークを構成するピンホールを通過した光は、ハーフミラー２４および集光レンズ２５を介して受光素子２６に入射する。基板ステージ６（または基板ステージ２２）のＺステージを駆動しながら受光素子２６によって計測される光量が最大となる位置を探し、その位置にＺステージが位置決めされる。
【００２９】
ドライバ１２０は、基板４の複数のショット領域が設定ユニット１４０によって設定された順に露光されるように、露光ステーションに配置されている基板ステージ６（または基板ステージ２２）を駆動する。ドライバ１２０は、計測ステーションで計測されメモリ１３０に格納された情報（基準面９を基準とする基板４の表面位置の計測結果）に基づいて、各ショット領域が投影光学系１の像面位置（合焦位置）に一致するように基板ステージのＺステージを駆動する。
【００３０】
図５は、図１に示す走査露光装置ＥＸの動作を概略的に示す図である。図５に示す動作は、メイン制御部１１０によって制御される。なお、メイン制御部１１０は、特許請求の範囲に記載された制御部の一例である。
【００３１】
ステップ５０２において、メイン制御部１１０は、不図示の搬送ハンドに基板４を計測ステーションに配置された基板ステージ２２（または基板ステージ６）の基板チャック５の上に搬送させ、基板チャック５に基板４を保持させる。
【００３２】
ステップ５０３において、メイン制御部１１０は、計測条件に基づいて、ショット領域内における計測間隔と、１回の走査において表面位置を同時に計測する非走査方向におけるショット領域を決定する。ここで、計測条件は、例えば、計測ポイントの配置間隔、基板のサイズ、ショット領域の配列情報、走査スピード、光電変換器群１９における電荷蓄積時間等を含みうる。
【００３３】
図６〜図１０を参照しながら、１回の走査において表面位置を同時に計測する非走査方向におけるショット領域の決定方法を説明する。
【００３４】
図６、図７、図９、図１０は、計測器Ｍの計測ポイント７０１〜７０７が配列された領域７００の非走査方向（Ｘ方向）における幅が４つのショット領域の該非走査方向における幅をカバーする例を示している。ここで、非走査方向（Ｘ方向）は、計測時における基板の走査方向（Ｙ方向）に直交する方向である。図６は、計測目標位置６０１〜６１２と、複数のショット領域からなる配列におけるショット領域の列６１３〜６１８との関係を示している。例えば、列６１３についての非走査方向における計測目標位置は、６０１と６０２であり、列６１４についての非走査方向における計測目標位置は、６０３と６０４である。
【００３５】
列６１３と他の列とを同時に計測する場合に使用する計測ポイントの決定方法について、図７を参照しながら説明する。図７は、計測ポイント７０１〜７０７と、計測目標位置６０１〜６１２との関係を示している。
【００３６】
最初に、メイン制御部１１０は、列６１３における計測目標位置６０１および６０２を計測するための計測器Ｍの計測ポイントを決定する。ここでは、計測ポイント７０１〜７０７のうち左側に位置する計測ポイント７０１および７０２で計測目標位置６０１および６０２における表面位置を計測するように決定されうる。
【００３７】
次に、メイン制御部１１０は、列６１３と同時に計測することが可能な列を探す。具体的には、メイン制御部１１０は、列６１４〜６１８における計測目標位置６０３〜６１２と計測ポイント７０３〜７０７の位置とに基づいて、（１）式に従って、列６１３と同時に計測することが可能な列を決定する。ここで、（１）式は、計測目標位置からの距離が許容距離（Ｔ）内の箇所を計測可能な計測ポイントを決定するための条件を与える。即ち、（１）式を満たす計測ポイントは、計測目標位置からの距離が許容距離（Ｔ）内の箇所を計測可能な計測ポイントである。（１）式を満たす計測ポイントで計測が可能な列は、列６１３と同時に計測することが可能な列である。ここで、列６１３と同時に計測可能な列内の計測目標位置（または当該計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所）のすべてを同時に計測することができることが好ましいが、そうでない場合には、１つの列の計測を２回以上の走査によって行うことになる。
【００３８】
｜（非走査方向における計測目標位置）−（非走査方向における計測ポイントの位置）｜≦Ｔ  ・・・（１）
（１）式が成立した場合、該当する計測ポイントで該当する列の計測目標Ｘ位置を計測する。すなわち、（１）式が成立した列を、列６１３と同時に計測する。
【００３９】
図８は、（１）式の意味を模式的に示す図である。図８において、非走査方向（Ｘ方向）における計測目標位置８０１、計測ポイント８０２、および許容距離（Ｔ）８０３の相互の関係が模式的に示されている。計測ポイント８０２の中心位置が計測目標位置からの距離が許容距離内の領域に位置する場合には、その計測ポイント８０２で基板の表面位置の計測がなされる。
【００４０】
図７では、列６１６については、計測目標位置６０７および６０８との関係で計測ポイント７０６および７０７が（１）式を満たす。よって、列６１３の計測目標位置６０７および６０８と列６１６の計測目標位置６０７および６０８とが同時に計測される。他方、列６１４〜６１５および列６１７〜６１８の計測目標位置は、（１）式を満たさないため、同時計測の対象とされない。
【００４１】
次に、列６１４と他の列とを同時に計測する場合について、図９を参照しながら説明する。列６１３を計測する場合における決定方法と同様に、メイン制御部１１０は、列６１４における計測目標位置６０３および６０４を計測するための計測器Ｍの計測ポイントを決定する。ここでは、計測ポイント７０１〜７０７のうち左側に位置する計測ポイント７０１および７０２で計測目標位置６０３および６０４における表面位置を計測するように決定されうる。
【００４２】
次に、メイン制御部１１０は、列６１４と同時に計測することが可能な列を探す。図９に示す例では、列６１７における計測目標位置６０９および６１０が、計測ポイント７０６および７０７に対して（１）式を満たす。よって、列６１４の計測と同時に列６１７が計測される。
【００４３】
次に、列６１５と他の列を同時に計測する場合について、図１０を参照しながら説明する。列６１３を計測する場合における決定方法と同様に、メイン制御部１１０は、列６１５における計測目標位置６０５および６０６を計測するための計測器Ｍの計測ポイントを決定する。ここでは、計測ポイント７０１〜７０７のうち左側に位置する計測ポイント７０１および７０２で計測目標位置６０５および６０６における表面位置を計測するように決定されうる。
【００４４】
次に、メイン制御部１１０は、列６１５と同時に計測することが可能な列を探す。図１０に示す例では、列６１８における計測目標位置６１１および６１２が、計測ポイント７０６および７０７に対して（１）式を満たす。よって、列６１５の計測と同時に列６１８が計測される。
【００４５】
上記の例において、複数のショット領域からなる配列における複数の列が第１列（６１３）と、第２列（６１４）と、第３列（６１６）と、第４列（６１７）とを含むものとして考えることができる。前記第２列は前記第１列と前記第３列との間に位置し、前記第３列は前記第２列と前記第４列との間に位置する。メイン制御部１１０は、前記第１列に属するショット領域および前記第３列に属するショット領域の表面位置が１つの走査で同時に計測されるように、計測器Ｍによる計測を制御しうる。メイン制御部１１０はまた、前記第２列に属するショット領域および前記第４列に属するショット領域の表面位置が他の１つの走査で同時に計測されるように、計測器Ｍによる計測を制御しうる。
【００４６】
以上のように、１回の走査において同時に計測する非走査方向における複数のショット領域を決定した後、図５におけるステップ５０４において、メイン制御部１１０は、計測器Ｍによる計測の実行を制御する。この際に、図２に例示する順に従って基板の表面位置が計測されうる。図２は、１回の走査において同時に計測する非走査方向におけるショット領域の個数を２または１とした例である。"１"は、最も右側のショット領域の列である。
【００４７】
ショット領域２１２の手前で基板ステージを加速して一定速度に達した後、等速でショット領域２１２内の計測目標位置を該当する計測ポイントで連続的に計測する。次いで、ショット領域２０１及び２１１、ショット領域２０２及び２１０、ショット領域２０３及び２０９、ショット領域２０４及び２０８、ショット領域２０５及び２０７、ショット領域２０６と、Ｙ方向の複数ショット領域を連続的に計測する。ショット領域２０６の領域内での計測が完了したら、速やかに減速しつつＸ方向に移動し、次に計測対象となる列へ移る。加速開始ポイントに達したら基板ステージを反対方向に加速し、等速でＹ方向の複数ショット領域を連続的に計測することを繰り返す。このようにすれば、ショット領域毎にステージを加速／減速する必要が無くなるため、短時間で基板全面の面位置計測が実現できる。メモリ１３０には、計測された基板の全面の表面位置のデータが格納される。
【００４８】
ステップ５０５において、メイン制御部１１０は、有効な計測ポイントと面位置の決定を行う。有効な計測ポイントとは、ステップ５０３において該当する列のショット領域の表面位置の計測のために使用するものとして決定された計測ポイントである。有効ではない計測ポイント、即ち無効な計測ポイントは、ステップ５０３において該当する列のショット領域の表面位置の計測のために使用するものとして決定されなかった計測ポイントである。無効な計測ポイントでの計測によって得られた情報がメモリ１３０に蓄積される場合には、当該情報は無効とされ破棄される。有効な計測ポイントでの計測によって得られた情報（表面位置を示す情報）は、継続してメモリ１３０に保存される。
【００４９】
ステップ５０６では、メイン制御部１１０は、有効な計測ポイントでの計測によって得られた情報に基づいて各ショット領域の表面位置を決定してメモリ１３０に格納する。
【００５０】
ステップ５０７では、メイン制御部１１０は、計測ステーションから露光ステーションに基板ステージ（およびそれによって保持された基板）を移動させる。
【００５１】
ステップ５０８では、メイン制御部１１０は、マーク２３と基板チャック５上の基準面９とに基づいて、基準面９が投影光学系１の像面に一致するようにＺステージの高さを調整する。
【００５２】
ステップ５０９では、メイン制御部１１０による制御の下で、基板チャック５上の基準面９を基準とする基板の表面位置（高さ位置）を示すメモリ１３０に格納された情報に基づいてショット領域を投影光学系１の像面に一致させながら基板が露光される。
【００５３】
ステップ５１０では、メイン制御部１１０は、基板上の全てのショット領域の露光が終了したかを判断し、全てのショット領域の露光が終了していない場合には、ステップ５０９に処理を戻す。一方、全てのショット領域の露光が終了した場合には、ステップ５１１において、基板を露光ステーションから搬出し、一連の露光シーケンスを終了する。本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、液晶デバイス等のデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板を、上記の走査露光装置を用いて露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の好適な実施形態の走査露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】基板上のショット領域の配列を例示する図である。
【図３】計測ポイントの配置例を示す図である。
【図４】非走査方向における計測目標位置と計測ポイントとの関係を例示する図である。
【図５】図１に示す走査露光装置ＥＸの動作を概略的に示す図である。
【図６】１回の走査において表面位置を同時に計測する非走査方向におけるショット領域の決定方法を説明するための図である。
【図７】１回の走査において表面位置を同時に計測する非走査方向におけるショット領域の決定方法を説明するための図である。
【図８】１回の走査において表面位置を同時に計測する非走査方向におけるショット領域の決定方法を説明するための図である。
【図９】１回の走査において表面位置を同時に計測する非走査方向におけるショット領域の決定方法を説明するための図である。
【図１０】１回の走査において表面位置を同時に計測する非走査方向におけるショット領域の決定方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  投影光学系
２  原版
３  原版ステージ
４  基板
５  基板チャック
６、２２  基板ステージ
７、３１  定盤
８  照明光学系
９  基準面
１０  光源
１１  コリメータレンズ
１２  スリット部材
１３、１６  計測レンズ
１４、１５  折り曲げミラー
１７  ストッパ絞り
１８  補正光学系群
１９  光電変換器群
１１０  メイン制御部
１２０  ドライバ
１３０  メモリ
４０２〜４０９、６０１〜６１２、８０１  計測目標位置
４１０〜４１６、７０１〜７０７、８０２  計測ポイント
【図１】
2010114265.tif 000003
【図２】
2010114265.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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