(57)【要約】【課題】平面型（フラットパネル型）の表示装置において、画素間で発光期間を任意に制御できるようにする。【解決手段】駆動トランジスタ２２に対して直列に接続された発光制御トランジスタ２４のオン／オフ動作によって有機ＥＬ素子２１の発光期間を制御する。このとき、発光制御信号用書込みトランジスタ２５によって書き込み、保持容量２７に保持した発光期間制御信号に基づく電荷を、抵抗素子２８を含む放電経路を通して放電する。その際に発光制御トランジスタ２４のゲート電位が変動する。そして、発光制御トランジスタ２４が非導通状態になる電位に当該ゲート電位が到達するまでの変動時間は、有機ＥＬ素子２１の発光期間を画素ごとに制御するための発光期間制御信号によって決まり、当該発光期間制御信号によって電気光学素子の発光期間が決まる。【選択図】図２
2010281914.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学素子と、
映像信号を書き込む第１の書込みトランジスタと、
前記第１の書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号に応じて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され、前記第１の書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する第１の保持容量と、
前記駆動トランジスタに対して直列に接続された発光制御トランジスタと、
前記電気光学素子の発光期間を画素ごとに制御するための発光期間制御信号を書き込む第２の書込みトランジスタと、
前記発光制御トランジスタのゲート電極に接続され、前記第２の書込みトランジスタによって書き込まれた前記発光期間制御信号を保持する第２の保持容量と、
前記第２の書込みトランジスタが非導通状態になった後、前記第２の保持容量の電荷を一定の時定数で放電する放電経路と
を有する画素が行列状に配置されてなる
表示装置。
【請求項２】
前記放電経路は、前記発光制御トランジスタのゲート電極に一端が接続された抵抗素子を含み、当該抵抗素子の抵抗値および前記第２の保持容量の容量値によって決まる時定数で前記第２の保持容量の電荷を放電する
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光制御トランジスタは、前記放電経路による放電の際に変動するゲート電位が、当該発光制御トランジスタが非導通状態になる電位に到達するまでの変動時間によって前記電気光学素子の発光期間を決定する
請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記変動時間は、前記発光期間制御信号によって画素ごとに決定される
請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記画素は、前記駆動トランジスタに流れる電流に応じた補正量で当該駆動トランジスタのゲート−ソース間の電位差に負帰還をかけることによって前記駆動トランジスタの移動度を補正する移動度補正の機能を有し、
前記第２の書込みトランジスタは、前記移動度補正の処理終了後に前記発光期間制御信号を書き込む
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
電気光学素子と、
映像信号を書き込む第１の書込みトランジスタと、
前記第１の書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号に応じて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され、前記第１の書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する第１の保持容量と、
前記駆動トランジスタに対して直列に接続された発光制御トランジスタと
を有する画素が行列状に配置されてなる表示装置の駆動に当たって、
前記電気光学素子の発光期間を画素ごとに制御するための発光期間制御信号を第２の書込みトランジスタによって書き込み、
この書き込んだ前記発光期間制御信号を前記発光制御トランジスタのゲート電極に接続された第２の保持容量に保持し、
前記第２の書込みトランジスタが非導通状態になった後、前記第２の保持容量の電荷を一定の時定数で放電する
表示装置の駆動方法。
【請求項７】
電気光学素子と、
映像信号を書き込む第１の書込みトランジスタと、
前記第１の書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号に応じて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され、前記第１の書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する第１の保持容量と、
前記駆動トランジスタに対して直列に接続された発光制御トランジスタと、
前記電気光学素子の発光期間を画素ごとに制御するための発光期間制御信号を書き込む第２の書込みトランジスタと、
前記発光制御トランジスタのゲート電極に接続され、前記第２の書込みトランジスタによって書き込まれた前記発光期間制御信号を保持する第２の保持容量と、
前記第２の書込みトランジスタが非導通状態になった後、前記第２の保持容量の電荷を一定の時定数で放電する放電経路と
を有する画素が行列状に配置されてなる
表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器に関し、特に、電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に２次元配置された平面型（フラットパネル型）の表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、画素（画素回路）が行列状に配置されてなる平面型の表示装置が急速に普及している。平面型の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子を画素の発光素子として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子が知られている。
【０００３】
画素の電気光学素子として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力である。有機ＥＬ素子は、自発光素子であるために、画素ごとに液晶にて光源からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかもバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様に、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、電気光学素子の発光期間が走査線（即ち、画素数）の増加によって減少するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。
【０００５】
そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、一般には、ＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)が用いられる。アクティブマトリクス方式の表示装置は、電気光学素子が１フレームの期間に亘って発光を持続するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が容易である。
【０００６】
ところで、一般的に、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性（電流−電圧特性）は、時間が経過すると劣化（いわゆる、経時劣化）することが知られている。有機ＥＬ素子を電流駆動するトランジスタ（以下、「駆動トランジスタ」と記述する）として特にＮチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが変化する。その結果、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化する。これは、駆動トランジスタのソース電極側に有機ＥＬ素子が接続されることに起因する。
【０００７】
このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電位は、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点で決まる。そして、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲート電極に同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電位が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Ｖｇｓが変化するために、駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機ＥＬ素子に流れる電流値も変化するために、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化することになる。
【０００８】
また、特にポリシリコンＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタのトランジスタ特性が経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによってトランジスタ特性が画素ごとに異なったりする。すなわち、画素個々に駆動トランジスタのトランジスタ特性にばらつきがある。トランジスタ特性としては、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度μ（以下、単に「駆動トランジスタの移動度μ」と記述する）等が挙げられる。
【０００９】
駆動トランジスタのトランジスタ特性が画素ごとに異なると、画素ごとに駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲート電極に画素間で同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じる。その結果、画面のユニフォーミティ（一様性）が損なわれる。
【００１０】
そこで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化や、駆動トランジスタのトランジスタ特性の経時変化等の影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に維持するために、各種の補正（補償）機能を画素回路に持たせている（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
補正機能としては、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補正機能、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正機能などが挙げられる。以下、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補正を「閾値補正」と呼び、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正を「移動度補正」と呼ぶこととする。
【００１２】
この特許文献１に記載の表示装置は、駆動トランジスタに対してスイッチングトランジスタを直列に接続し、当該スイッチングトランジスタのオン／オフ動作によって有機ＥＬ素子の発光期間を制御する構成を採っている。ただし、この従来技術に係る発光期間制御は、画面全体での一律の制御となっている。
【００１３】
これに対して、有機ＥＬ表示装置等の自発光表示装置において、１フレーム期間内の発光期間を規定する制御信号の立ち上がり波形を鈍らせることで、画素間で発光期間を異ならせるようにした技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００６−１３３５４２号公報
【特許文献２】特開２００８−１０２２２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、上記特許文献２に係る従来技術は、有機ＥＬ素子（発光素子）の劣化に起因するいわゆる焼付き現象を抑制するために、１フレーム期間内の発光期間を規定する制御信号の立ち上がり波形を鈍らせるようにしている。したがって、画素間で発光期間が異なるのは、各画素の有機ＥＬ素子の劣化の度合いに依存する。すなわち、各画素の有機ＥＬ素子の劣化の度合いに応じて発光期間が自律的に最適化されるものであり、画素間で発光期間を任意に制御するという技術ではない。
【００１６】
そこで、本発明は、画素間で発光期間を任意に制御可能な表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために、本発明は、
電気光学素子と、
映像信号を書き込む第１の書込みトランジスタと、
前記第１の書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号に応じて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され、前記第１の書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する第１の保持容量と、
前記駆動トランジスタに対して直列に接続された発光制御トランジスタと
を有する画素が行列状に配置されてなる表示装置において、
前記電気光学素子の発光期間を画素ごとに制御するための発光期間制御信号を第２の書込みトランジスタによって書き込み、
この書き込んだ前記発光期間制御信号を前記発光制御トランジスタのゲート電極に接続された第２の保持容量に保持し、
前記第２の書込みトランジスタが非導通状態になった後、前記第２の保持容量の電荷を一定の時定数で放電する。
【００１８】
上記構成の表示装置において、駆動トランジスタに対して直列に接続された発光制御トランジスタのオン／オフ動作によって電気光学素子の発光期間を制御できる。このとき、第２の書込みトランジスタによって書き込み、第２の保持容量に保持した発光期間制御信号に基づく電荷が、放電経路を通して放電される際に発光制御トランジスタのゲート電位が変動する。そして、発光制御トランジスタが非導通状態になる電位に当該ゲート電位が到達するまでの変動時間は、電気光学素子の発光期間を画素ごとに制御するための発光期間制御信号によって決まり、当該発光期間制御信号によって電気光学素子の発光期間が決まる。これにより、電気光学素子の発光期間は、発光期間制御信号に応じて画素間で任意に制御可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、電気光学素子の発光期間を画素間で任意に制御できるために、発光期間を画面全体に亘って一律に制御する構成を採る場合には期待できない新規な画像制御が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】第１実施形態に係るに係る画素（画素回路）の具体的な回路構成を示す回路図である。
【図３】第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明に供するタイミング波形図である。
【図４】駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図５】駆動トランジスタの移動度μのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図６】閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係の説明に供する特性図である。
【図７】第１実施形態の変形例１に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明に供するタイミング波形図である。
【図８】第１実施形態の変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の画素回路を示す回路図である。
【図９】変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明に供するタイミング波形図である。
【図１０】第１実施形態の変形例３に係る有機ＥＬ表示装置の画素回路を示す回路図である。
【図１１】第１実施形態の変形例４に係る有機ＥＬ表示装置の画素回路を示す回路図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図１３】第２実施形態に係るに係る画素（画素回路）の具体的な回路構成を示す回路図である。
【図１４】第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明に供するタイミング波形図である。
【図１５】本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。
【図１６】本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１７】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図１８】本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。
【図１９】本発明が適用される携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、発明を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１実施形態（ＶＣＣＰが２値ＶＣＣＰ＿Ｈｉ，ＶＣＣＰ＿Ｌｏｗをとる例）
１−１．システム構成
１−２．回路動作
１−３．変形例
２．第２実施形態（補正用スイッチングトランジスタを有する例）
２−１．システム構成
２−２．回路動作
３．変形例
４．適用例（電子機器）
【００２２】
＜１．第１実施形態＞
［１−１．システム構成］
図１は、本発明の第１実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【００２３】
ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子を画素（画素回路）の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。
【００２４】
図１に示すように、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａは、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０Ａと、当該画素２０Ａが行列状に２次元配置された画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置された駆動部とを有する構成となっている。画素アレイ部３０の周辺の駆動部は、書込み走査回路４０、電源供給走査回路５０、発光制御走査回路６０、信号出力回路７０および発光期間制御回路８０等からなり、画素アレイ部３０の各画素２０Ａを駆動する。
【００２５】
ここで、有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、１つの画素は複数の副画素（サブピクセル）から構成され、この副画素が画素２０Ａに相当することになる。より具体的には、カラー表示用の表示装置では、１つの画素は、赤色光（Ｒ）を発光する副画素、緑色光（Ｇ）を発光する副画素、青色光（Ｂ）を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００２６】
ただし、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素にさらに１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色光（Ｗ）を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００２７】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０Ａの配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向）に沿って走査線３１−１〜３１−ｍ、電源供給線３２−１〜３２−ｍおよび発光制御線３３−１〜３３−ｍが画素行ごとに配線されている。さらに、列方向（画素列の画素の配列方向）に沿って映像信号線３４−１〜３４−ｎおよび発光制御信号線３５−１〜３５−ｎが画素列ごとに配線されている。
【００２８】
走査線３１−１〜３１−ｍは、書込み走査回路４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。電源供給線３２−１〜３２−ｍは、電源供給走査回路５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。発生制御走査線３３−１〜３３−ｍは、発光制御走査回路６０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。また、映像信号線３４−１〜３４−ｎは、信号出力回路７０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。発光制御信号線３５−１〜３５−ｎは、発光期間制御回路８０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００２９】
画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成されている。これにより、有機ＥＬ表示装置１０Ａは、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素アレイ部３０の各画素２０Ａの駆動回路は、アモルファスシリコンＴＦＴまたは低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合には、書込み走査回路４０、電源供給走査回路５０、発光制御走査回路６０、信号出力回路７０および発光期間制御回路８０等についても、画素アレイ部３０を形成する基板（表示パネル）上に実装することができる。
【００３０】
書込み走査回路４０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成されている。この書込み走査回路４０は、画素アレイ部３０の各画素２０Ａへの映像信号の書込みに際し、走査線３１−１〜３１−ｍに対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ１〜ＷＳｍ）を順次出力することによって画素アレイ部３０の各画素２０Ａを行単位で順番に走査（線順次走査）する。
【００３１】
電源供給走査回路５０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成されている。この電源供給走査回路５０は、書込み走査回路４０による線順次走査に同期して、第１電源電位ＶＣＣＰ＿Ｈｉと当該第１電源電位ＶＣＣＰ＿Ｈｉよりも低い第２電源電位ＶＣＣＰ＿Ｌｏｗで切り替わる電源電位ＶＣＣＰ（ＶＣＣＰ１〜ＶＣＣＰｍ）を電源供給線３２−１〜３２−ｍに対して出力する。
【００３２】
ここで、第１電源電位ＶＣＣＰ＿Ｈｉは、有機ＥＬ素子２１を発光駆動する駆動電流を駆動トランジスタ２２に供給するための電源電位である。また、第２電源電位ＶＣＣＰ＿Ｌｏｗは、有機ＥＬ素子２１に対して逆バイアスを掛けるための電源電位である。この第２電源電位ＶＣＣＰ＿Ｌｏｗは、基準電位Ｖｏｆｓよりも低い電位、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶｔｈとするときＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも低い電位、好ましくはＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも十分に低い電位に設定される。
【００３３】
発光制御走査回路６０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成されている。この発光制御走査回路６０は、画素単位で有機ＥＬ素子２１の発光期間を制御するに当たって、書込み走査回路４０による線順次走査に同期して、発光制御走査信号ＤＷＳ（ＤＷＳ１〜ＤＷＳｍ）を発生制御走査線３３−１〜３３−ｍに対して出力する。
【００３４】
信号出力回路７０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖｓｉｇと基準電位Ｖｏｆｓとを選択的に出力する。ここで、基準電位Ｖｏｆｓは、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）である。
【００３５】
信号出力回路７０から出力される信号電圧Ｖｓｉｇ／基準電位Ｖｏｆｓは、映像信号線３４−１〜３４−ｎを介して画素アレイ部３０の各画素２０Ａに対して行単位で書き込まれる。すなわち、信号出力回路７０は、信号電圧Ｖｓｉｇを行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
【００３６】
発光期間制御回路８０は、画素２０Ａの発光期間を画素ごとに制御するための発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇ（以下、単に「発光期間制御信号Ｄｓｉｇ」と記述する場合もある）を、信号出力回路７０からの映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの出力に同期して出力する。発光期間制御回路８０から出力される発光期間制御信号Ｄｓｉｇは、発光制御信号線３５−１〜３５−ｎを介して画素アレイ部３０の各画素２０Ａに対して行単位で書き込まれる。
【００３７】
（画素回路）
図２は、画素（画素回路）２０Ａの具体的な回路構成を示す回路図である。
【００３８】
図２に示すように、画素２０Ａは、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子２１と、当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０Ａに対して共通に配線（いわゆる、ベタ配線）された共通電源供給線３６にカソード電極が接続されている。
【００３９】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、映像信号用書込みトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、発光制御信号用書込みトランジスタ２５、保持容量２６，２７およびインピーダンス素子２８を有する構成となっている。インピーダンス素子２８としては、例えば抵抗素子（以下、「抵抗素子２８」と記述する）を用いることができる。
【００４０】
ここでは、駆動トランジスタ２２、映像信号用書込みトランジスタ２３および発光制御信号用書込みトランジスタ２５としてＮチャネル型のＴＦＴを用い、発光制御トランジスタ２４としてＰチャネル型のＴＦＴを用いている。ただし、これらトランジスタ２２〜２５の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００４１】
駆動トランジスタ２２は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）に接続されている。
【００４２】
映像信号用書込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が信号線３４（３４−１〜３４−ｎ）に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。また、映像信号用書込みトランジスタ２３のゲート電極は、走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に接続されている。
【００４３】
駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３において、一方の電極とは、ソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、ドレイン／ソース領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。
【００４４】
発光制御トランジスタ２４は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が駆動トランジスタ２２の他方の電極（ドレイン／ソース電極）に接続されている。
【００４５】
発光制御信号用書込みトランジスタ２５は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が発光制御信号線３５（３５−１〜３５−ｎ）に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が発光制御トランジスタ２４のゲート電極に接続されている。また、発光制御信号用書込みトランジスタ２５のゲート電極は、発生制御走査線３３（３３−１〜３３−ｍ）に接続されている。
【００４６】
保持容量２６は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２の他方の電極および有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。保持容量２７は、一方の電極が発光制御トランジスタ２４のゲート電極に接続され、他方の電極が電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）に接続されている。抵抗素子２８は、発光制御トランジスタ２４の一方の電極（ソース／ドレイン電極）とゲート電極との間に接続され、保持容量２７の電荷を放電する放電経路を形成する。
【００４７】
上記構成の画素２０Ａにおいて、映像信号用書込みトランジスタ２３は、書込み走査回路４０から走査線３１を通してゲート電極に印加されるＨｉｇｈアクティブの書込み走査信号ＷＳに応答して導通状態となる。これにより、映像信号用書込みトランジスタ２３は、映像信号線３４を通して信号出力回路７０から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇまたは基準電位Ｖｏｆｓをサンプリングして画素２０Ａ内に書き込む。この書き込まれた信号電圧Ｖｓｉｇまたは基準電位Ｖｏｆｓは、駆動トランジスタ２２のゲート電極に印加されるとともに保持容量２６に保持される。
【００４８】
駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位ＶＣＣＰが第１電源電位ＶＣＣＰ＿Ｈｉにあり、発光制御トランジスタ２４が導通状態にあるときは、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２から発光制御トランジスタ２４を介して電流の供給を受けて有機ＥＬ素子２１を電流駆動にて発光駆動する。より具体的には、駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作することにより、保持容量２６に保持されている信号電圧Ｖｓｉｇの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。
【００４９】
発光制御信号用書込みトランジスタ２５は、発光制御走査回路６０から発光制御走査線３３を通してゲート電極に印加されるＨｉｇｈアクティブの発光制御走査信号ＤＷＳに応答して導通状態となる。これにより、発光制御信号用書込みトランジスタ２５は、発光制御信号線３５を通して発光期間制御回路８０から供給される発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇをサンプリングして画素２０Ａ内に書き込む。この書き込まれた信号電圧Ｄｓｉｇは、発光制御トランジスタ２４のゲート電極に印加されるとともに保持容量２７に保持される。
【００５０】
発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇが書き込まれることで、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅは、電源供給線３２の電源電位ＶＣＣＰ＿Ｈｉから信号電圧Ｄｓｉｇの分だけ低下するために、発光制御トランジスタ２４が導通状態となる。これにより、発光制御トランジスタ２４は、電源供給線３２から駆動トランジスタ２２を通して有機ＥＬ素子２１に駆動電流を供給することで当該有機ＥＬ素子２１を発光させる。
【００５１】
発光制御信号用書込みトランジスタ２５による信号電圧Ｄｓｉｇの書込みが終了し、当該書込みトランジスタ２５が非導通状態になると、保持容量２７の電荷は抵抗素子２８を含む放電経路を通して電源供給線３２に放電される。このときの時定数は、保持容量２７の容量値および抵抗素子２８の抵抗値で決まる。なお、保持容量２７の電荷を放電する放電経路を形成するインピーダンス素子としては抵抗素子２８に限られるものではなく、放電経路を形成できる素子であれば良い。
【００５２】
そして、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅは、上記時定数および発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇで決まる変動時間（変動速度）にて、電源供給線３２の電源電位ＶＣＣＰ＿Ｈｉまで変動する。このとき、発光制御トランジスタ２４の閾値電圧をＤＳ＿Ｖｔｈとすると、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅがＶＣＣＰ＿Ｈｉ−ＤＳ＿Ｖｔｈと同電位になると同時に発光制御トランジスタ２４が非導通状態となる。
【００５３】
これにより、有機ＥＬ素子２１への駆動電流の供給が遮断されるため有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる。このとき、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅの変動時間に応じて発光状態から非発光状態に移行するタイミング、即ち発光期間の長短が決まる。
【００５４】
換言すれば、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅが、当該発光制御トランジスタ２４が非導通状態になる電位に到達するまでの変動時間が、発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇによって画素ごとに任意に決定される。そして、この発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅの変動時間に応じて画素２０Ａの発光期間が決まることになる。
【００５５】
このように、駆動トランジスタ２２に対して直列に接続された発光制御トランジスタ２４のスイッチング動作により、有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設けるとともに、発光期間と非発光期間の割合（デューティ）を制御できる。このデューティ制御により、１フレーム期間に亘って画素２０Ａが発光状態を継続することに伴う残像ボケを低減できるため、特に動画の画品位をより優れたものとすることができる。
【００５６】
また、有機ＥＬ素子２１が発光状態から非発光状態に移行するタイミングが発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅの変動速度に応じて決まり、また当該変動速度が発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇによって決まる。したがって、発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇによって画素２０Ａ個々の発光期間の制御が可能になる。すなわち、画面全体に亘って画素２０Ａの発光期間を一律に制御するのではなく、発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇによって画素２０Ａごとに発光期間を制御できることになる。
【００５７】
なお、本回路例では、発光制御トランジスタ２４を駆動トランジスタ２２と電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）との間に接続する構成としたが、発光制御トランジスタ２４は駆動トランジスタ２２に対して直列に接続されることで、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光の制御を行なうことができる。したがって、発光制御トランジスタ２４を例えば駆動トランジスタ２２と有機ＥＬ素子２１との間に接続する構成を採ることも可能である。
【００５８】
［１−２．回路動作］
続いて、上記構成の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａの回路動作について、図３のタイミング波形図を用いて説明する。
【００５９】
図３のタイミング波形図には、走査線３１の電位ＷＳ、発光制御走査線３３の電位ＤＷＳ、電源供給線３２の電位（電源電位）ＶＣＣＰ、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅおよび発生制御信号線３５の電位Ｄｓｉｇのそれぞれの変化を示している。図３のタイミング波形図にはさらに、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの変化も示している。
【００６０】
（閾値補正準備期間）
図３のタイミング波形図において、線順次走査の新しいフレーム（現フレーム）に入る時刻ｔ１１で走査線３１の電位（書込み走査信号）ＷＳが低電位側から高電位側に遷移する。このとき、電源供給線３２の電位ＶＣＣＰが第１電源電位（以下、「高電位」と記述する）Ｖｃｃｐ＿Ｈｉから、基準電位Ｖｏｆｓに対してＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも十分に低い第２電源電位（以下、「低電位」と記述する）Ｖｃｃｐ＿Ｌｏｗに切り替わる。
【００６１】
ここで、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧をＶｔｈｅｌ、共通電源供給線３６の電位（カソード電位）をＶｃａｔｈとする。このとき、低電位Ｖｃｃｐ＿ＬｏｗをＶｃｃｐ＿Ｌｏｗ＜Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔｈとすると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが低電位Ｖｃｃｐ＿Ｌｏｗにほぼ等しくなり、有機ＥＬ素子２１は逆バイアス状態となるために消光状態（非発光状態）となる。
【００６２】
そして、走査線３１の電位ＷＳが高電位に遷移することで映像信号用書込みトランジスタ２３が導通状態となる。このとき、信号出力回路７０から映像信号線３４に対して基準電位Ｖｏｆｓが供給されているために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが基準電位Ｖｏｆｓになる。また、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、基準電位Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位Ｖｃｃｐ＿Ｌｏｗにある。
【００６３】
このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｏｆｓ−Ｖｃｃｐ＿Ｌｏｗとなる。ここで、Ｖｏｆｓ−Ｖｃｃｐ＿Ｌｏｗが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくないと、後述する閾値補正処理を行うことができないために、Ｖｏｆｓ−Ｖｃｃｐ＿Ｌｏｗ＞Ｖｔｈなる電位関係に設定する必要がある。
【００６４】
このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇを基準電位Ｖｏｆｓに、ソース電位Ｖｓを低電位Ｖｃｃｐ＿Ｌｏｗにそれぞれ固定して（確定させて）初期化する処理が、後述する閾値補正処理を行う前の準備（閾値補正準備）の処理である。したがって、基準電位Ｖｏｆｓおよび低電位Ｖｃｃｐ＿Ｌｏｗが、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの各初期化電位となる。
【００６５】
また、時刻ｔ１１では、発光制御走査線３３の電位（発光制御走査信号）ＤＷＳが低電位側から高電位側に遷移することで、発光制御信号用書込みトランジスタ２５が導通状態になる。これにより、発光制御信号線３５を通して発光期間制御回路８０から供給される発光期間制御信号Ｄｓｉｇが画素２０Ａ内に書き込まれる。この発光期間制御信号Ｄｓｉｇの書込みにより、発光制御トランジスタ２４が導通状態になる。画素２０Ａ内に書き込まれた発光期間制御信号Ｄｓｉｇは保持容量２７に保持される。
【００６６】
（閾値補正期間）
次に、時刻ｔ１２で、電源供給線３２の電位ＤＳが低電位Ｖｃｃｐ＿Ｌｏｗから高電位Ｖｃｃｐに切り替わると、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが保たれた状態で閾値補正処理が開始される。具体的には、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが、ゲート電位Ｖｇから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを減じた電位に向けて上昇を開始する。
【００６７】
ここでは、便宜上、駆動トランジスタ２２のゲート電極の初期化電位Ｖｏｆｓを基準として、当該初期化電位Ｖｏｆｓから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを減じた電位に向けてソース電位Ｖｓを変化させる処理を閾値補正処理と呼んでいる。この閾値補正処理が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに収束する。この閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧は保持容量２６に保持される。
【００６８】
なお、この閾値補正期間（閾値補正処理を行う期間）において、電流が専ら保持容量２６側に流れ、有機ＥＬ素子２１側には流れないようにするために、有機ＥＬ素子２１がカットオフ状態となるように共通電源供給線３６の電位Ｖｃａｔｈを設定しておくこととする。
【００６９】
次に、時刻ｔ１３で走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、映像信号用書込みトランジスタ２３が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート電極が信号線３４から電気的に切り離されることによってフローティング状態になる。しかし、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに等しいために、当該駆動トランジスタ２２はカットオフ状態にある。したがって、発光制御トランジスタ２４が導通状態にあっても、駆動トランジスタ２２にドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは流れない。
【００７０】
（信号書込み＆移動度補正期間）
次に、時刻ｔ１４で走査線３１の電位ＷＳが高電位側に遷移することで、映像信号用書込みトランジスタ２３が導通状態になる。なお、時刻ｔ１４以前において、信号線３４の電位が基準電位Ｖｏｆｓから映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに切り替わった状態にある。これにより、映像信号用書込みトランジスタ２３は、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇをサンプリングして画素２０内に書き込む。
【００７１】
この映像信号用書込みトランジスタ２３による信号電圧Ｖｓｉｇの書込みにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが信号電圧Ｖｓｉｇとなる。そして、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが、閾値補正期間で保持容量２６に保持された閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧と相殺される。この閾値キャンセルの原理の詳細については後述する。
【００７２】
このとき、有機ＥＬ素子２１はカットオフ状態（ハイインピーダンス状態）にある。したがって、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに応じて電源供給線３２から発光制御トランジスタ２４を介して駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）は有機ＥＬ素子２１の等価容量に流れ込み、当該等価容量の充電が開始される。
【００７３】
有機ＥＬ素子２１の等価容量の充電により、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが時間の経過と共に上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきがキャンセルされており、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは当該駆動トランジスタ２２の移動度μに依存したものとなる。
【００７４】
ここで、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに対する保持容量２６の保持電圧Ｖｇｓの比率、即ち書込みゲインＧが１（理想値）であると仮定する。すると、駆動トランジスタ２２のソース電位ＶｓがＶｏｆｓ−Ｖｔｈ＋ΔＶの電位まで上昇することで、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶとなる。
【００７５】
すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは、保持容量２６に保持された電圧（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ）から差し引かれるように、換言すれば、保持容量２６の充電電荷を放電するように作用し、負帰還がかけられたことになる。したがって、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは負帰還の帰還量となる。
【００７６】
このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じた帰還量ΔＶでゲート‐ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消すことができる。この打ち消す処理が、駆動トランジスタ２２の移動度μの画素ごとのばらつきを補正する移動度補正処理である。
【００７７】
より具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる映像信号の信号振幅Ｖｉｎ（＝Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）が高いほどドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなるために、負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなる。したがって、発光輝度レベルに応じた移動度補正処理が行われる。
【００７８】
また、映像信号の信号振幅Ｖｉｎを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなるために、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。したがって、負帰還の帰還量ΔＶは移動度補正の補正量とも言える。移動度補正の原理の詳細については後述する。
【００７９】
（発光期間）
次に、時刻ｔ１５で走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、映像信号用書込みトランジスタ２３が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電極は、映像信号線３４から電気的に切り離されるためにフローティング状態になる。
【００８０】
ここで、駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に保持容量２６が接続されていることで、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの変動に連動してゲート電位Ｖｇも変動する。このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇがソース電位Ｖｓの変動に連動して変動する動作が、保持容量２６によるブートストラップ動作である。
【００８１】
駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態になり、それと同時に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、当該電流Ｉｄｓに応じて有機ＥＬ素子２１のアノード電位が上昇する。
【００８２】
そして、有機ＥＬ素子２１のアノード電位がＶｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔｈを越えると、有機ＥＬ素子２１に駆動電流が流れ始めるため有機ＥＬ素子２１が発光を開始する。また、有機ＥＬ素子２１のアノード電位の上昇は、即ち駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇に他ならない。駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇すると、保持容量２６のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇも連動して上昇する。
【００８３】
このとき、ブートストラップゲインが１（理想値）であると仮定した場合、ゲート電位Ｖｇの上昇量はソース電位Ｖｓの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶで一定に保持される。
【００８４】
（発光期間の制御）
次に、時刻ｔ１６で発光制御走査線３３の電位ＤＷＳが高電位側から低電位側に遷移することで、発光制御信号用書込みトランジスタ２５が非導通状態になる。すると、保持容量２７に保持されている発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇに応じた電荷が、抵抗素子２８を含む放電経路を通して保持容量２７の容量値および抵抗素子２８の抵抗値で決まる時定数で放電される。
【００８５】
因みに、発光制御信号用書込みトランジスタ２５の導通期間（ｔ１１−ｔ１６）では、発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇが書き込まれ続けているので、抵抗素子２８による放電経路が存在していても、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅは信号電圧Ｄｓｉｇのままである。ここで、発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇを任意に設定すれば、画素２０Ａごとの発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅを任意に決定できる。
【００８６】
保持容量２７の電荷の放電により、その放電時定数および発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇで決まる変動速度で、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅが変動する。このとき、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅがＶＣＣＰ＿Ｈｉ−ＤＳ＿Ｖｔｈと同電位になると、発光制御トランジスタ２４が非導通状態となる。このとき、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅの変動速度に応じて発光状態から非発光状態に移行するタイミング、即ち発光期間の長短が決まる。
【００８７】
具体的には、図３に示すように、発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇによって決まる発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅの違いにより、ＥＬ発光後当該ゲート電位ＤＳｇａｔｅが高電位ＶＣＣＰ＿Ｈｉに到達するまでの期間が変化する。つまり、発光開始時に書き込まれた発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇによって発光期間を任意に決定することができる。したがって、画素２０Ａに書き込む発光期間制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇを画素ごとに任意に設定することで、有機ＥＬ素子２１の発光期間を画面全体に亘って一律ではなく、画素２０Ａごとに制御できる。
【００８８】
以上説明した一連の回路動作において、閾値補正準備、閾値補正、信号電圧Ｖｓｉｇの書込み（信号書込み）および移動度補正の各処理動作は、１水平走査期間（１Ｈ）において実行される。また、信号書込みおよび移動度補正の各処理動作は、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態となる時刻ｔ１４−ｔ１５の期間において並行して実行される。
【００８９】
なお、ここでは、閾値補正処理を１回だけ実行する駆動法を採る場合を例に挙げて説明したが、この駆動法は一例に過ぎず、この駆動法に限られるものではない。例えば、閾値補正処理を移動度補正および信号書込み処理と共に行う１Ｈ期間に加えて、当該１Ｈ期間に先行する複数の水平走査期間に亘って分割して複数回実行する、いわゆる分割閾値補正を行う駆動法を採ることも可能である。
【００９０】
この分割閾値補正の駆動法を採用することにより、高精細化に伴う多画素化によって１水平走査期間に割り当てられる時間が短くなったとしても、閾値補正期間として複数の水平走査期間に亘って十分な時間を確保することができるために、閾値補正処理を確実に行うことができる。
【００９１】
〔閾値キャンセルの原理〕
ここで、駆動トランジスタ２２の閾値キャンセル（即ち、閾値補正）の原理について説明する。駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機ＥＬ素子２１には駆動トランジスタ２２から、次式（１）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流（駆動電流）Ｉｄｓが供給される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2     ……（１）
ここで、Ｗは駆動トランジスタ２２のチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘは単位面積当たりのゲート容量である。
【００９２】
図４に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ対ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの特性を示す。
【００９３】
この特性図に示すように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきに対するキャンセル処理を行わないと、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ１のとき、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ１になる。
【００９４】
これに対して、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ２（Ｖｔｈ２＞Ｖｔｈ１）のとき、同じゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ２（Ｉｄｓ２＜Ｉｄｓ）になる。すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定であってもドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動する。
【００９５】
一方、上記構成の画素（画素回路）２０Ａでは、先述したように、発光時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶである。したがって、これを式（１）に代入するとドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、次式（２）で表される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ−ΔＶ）2 
……（２）
【００９６】
すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給されるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに依存しない。その結果、駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化により、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが画素ごとに変動したとしても、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動しないために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができる。
【００９７】
〔移動度補正の原理〕
次に、駆動トランジスタ２２の移動度補正の原理について説明する。図５に、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に大きい画素Ａと、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に小さい画素Ｂとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ２２をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Ａや画素Ｂのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。
【００９８】
画素Ａと画素Ｂで移動度μにばらつきがある状態で、駆動トランジスタ２２のゲート電極に例えば両画素Ａ，Ｂに同レベルの信号振幅Ｖｉｎ（＝Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）を書き込んだ場合を考える。この場合、何ら移動度μの補正を行わないと、移動度μの大きい画素Ａに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１′と移動度μの小さい画素Ｂに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２′との間には大きな差が生じてしまう。このように、移動度μの画素ごとのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素間で大きな差が生じると、画面のユニフォーミティが損なわれる。
【００９９】
ここで、先述した式（１）のトランジスタ特性式から明らかなように、移動度μが大きいとドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなる。したがって、負帰還における帰還量ΔＶは移動度μが大きくなるほど大きくなる。図５に示すように、移動度μの大きな画素Ａの帰還量ΔＶ１は、移動度の小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて大きい。
【０１００】
そこで、移動度補正処理によって駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じた帰還量ΔＶでゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかけることにより、移動度μが大きいほど負帰還が大きくかかることになる。その結果、移動度μの画素ごとのばらつきを抑制することができる。
【０１０１】
具体的には、移動度μの大きな画素Ａで帰還量ΔＶ１の補正をかけると、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ１′からＩｄｓ１まで大きく下降する。一方、移動度μの小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ２は小さいために、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ２′からＩｄｓ２までの下降となり、それ程大きく下降しない。結果的に、画素Ａのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１と画素Ｂのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２とはほぼ等しくなるために、移動度μの画素ごとのばらつきが補正される。
【０１０２】
以上をまとめると、移動度μの異なる画素Ａと画素Ｂがあった場合、移動度μの大きい画素Ａの帰還量ΔＶ１は移動度μの小さい画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて大きくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔＶが大きく、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの減少量が大きくなる。
【０１０３】
したがって、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じた帰還量ΔＶで、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかけることで、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの電流値が均一化される。その結果、移動度μの画素ごとのばらつきを補正することができる。すなわち、駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）に応じた帰還量ΔＶで、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかける処理が移動度補正処理となる。
【０１０４】
ここで、図２に示した画素（画素回路）２０Ａにおいて、閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタ２２のドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係について図６を用いて説明する。
【０１０５】
図６において、（Ａ）は閾値補正および移動度補正を共に行わない場合、（Ｂ）は移動度補正を行わず、閾値補正のみを行った場合、（Ｃ）は閾値補正および移動度補正を共に行った場合をそれぞれ示している。図６（Ａ）に示すように、閾値補正および移動度補正を共に行わない場合には、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素Ａ，Ｂ間で大きな差が生じることになる。
【０１０６】
これに対し、閾値補正のみを行った場合は、図６（Ｂ）に示すように、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓのばらつきをある程度低減できるものの、移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差は残る。そして、閾値補正および移動度補正を共に行うことで、図６（Ｃ）に示すように、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差をほぼ無くすことができる。したがって、どの階調においても有機ＥＬ素子２１の輝度ばらつきは発生せず、良好な画質の表示画像を得ることができる。
【０１０７】
また、図２に示した画素２０Ａは、閾値補正および移動度補正の各補正機能に加えて、先述した保持容量２６によるブートストラップ動作の機能を備えていることで、次のような作用効果を得ることができる。
【０１０８】
すなわち、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性の経時変化に伴って駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが変化したとしても、保持容量２６によるブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電位Ｖｇｓを一定に維持することができる。したがって、有機ＥＬ素子２１に流れる電流は変化せず一定となる。その結果、有機ＥＬ素子２１の発光輝度も一定に保たれるために、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が経時変化したとしても、それに伴う輝度劣化のない画像表示を実現できる。
【０１０９】
特に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅを制御する発光制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇによって有機ＥＬ素子２１の発光期間を画素２０Ａごとに制御できる。したがって、発光期間を画面全体に亘って一律に制御する構成を採る場合には期待できない新規な画像制御が可能となる。新規な画像制御としては、例えば、１画素のみの発光期間を長く設定することで当該画素の発光輝度を他の画素に比べて極端に高くする画像制御や、映画の映像等に合わせて画面内でフリッカが違う画像処理を行う画像制御などが考えられる。
【０１１０】
［１−３．変形例］
(変形例１）
上記実施形態では、発光制御信号用書込みトランジスタ２５の導通期間（ｔ１１−ｔ１６）に亘って、画素ごとの発光期間を決める発光制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇを書き込む構成を採っている。これに対し、本変形例では、図７のタイミング波形図に示すように、時刻ｔ１１から移動度補正期間が終了するまでは、画素ごとの発光期間に関係なく一定の信号電圧、例えば発光期間を最大に設定するための信号電圧を書き込むようにする。
【０１１１】
そして、移動度補正期間の終了後の発光制御信号用書込みトランジスタ２５の導通期間（ｔ１５´−ｔ１６）で画素ごとの発光期間を決める発光制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇを書き込むようにする。このような駆動制御は、発光期間制御回路８０から発光制御信号線３５に出力する信号電圧を、時刻ｔ１５´までは画素ごとの発光期間に関係なく一定の信号電圧とし、時刻ｔ１５´で画素ごとの発光期間を決める信号電圧Ｄｓｉｇに切り替えることで実現できる。
【０１１２】
上記実施形態の場合のように、移動度補正処理を行う前に画素ごとの発光期間を決める信号電圧Ｄｓｉｇを書き込むと、その信号電圧Ｄｓｉｇによって発光制御トランジスタ２５の抵抗成分が画素ごとに変化する場合がある。すると、駆動トランジスタ２２に流れる電流が画素ごとに変化するために、移動度補正に画素ごとにばらつきが生じる。これは、各画素に対して移動度補正を正常に行えないことを意味する。
【０１１３】
これに対して、移動度補正処理を行う前には、画素ごとの発光期間に関係なく一定の信号電圧を書き込むようにすることで、発光制御トランジスタ２５の抵抗成分の画素ごとの変化を抑えることができるため、各画素に対して移動度補正を正常に行えることになる。また、画素ごとの発光期間の制御についても、移動度補正処理後に書き込む画素ごとの発光期間を決める発光制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇによって正常に行うことができる。
【０１１４】
（変形例２）
上記実施形態では、発光制御トランジスタ２４としてＰチャネル型のトランジスタを用いるとしたが、Ｎチャネル型のトランジスタを用いることができる。これを変形例２として以下に説明する。
【０１１５】
図８は、変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の画素回路を示す回路図である。図８に示すように、変形例２に係る画素２０Ａ−１は、発光制御トランジスタ２４としてＮチャネル型のＴＦＴを用いた回路構成となっている。これに伴い、放電経路を形成する抵抗素子２８は、一端が発光制御トランジスタ２４のゲート電極に接続され、他端がカソード電位Ｖｃａｔｈを与える共通電源供給線３６に接続されている。ここでは、抵抗素子２８の他端の接続先を共通電源供給線３６としたが、発光制御トランジスタ２４をカットオフできる電位のノードであれば良く、共通電源供給線３６に限られるものではない。
【０１１６】
図９は、変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作に説明に供するタイミング波形図である。図９において、図３と同等部分（対応する部分）には同一符号を付して示している。変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作は、基本的に先述した実施形態の場合と同じであり、図９と図３の対比から明らかなように、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅの極性が異なるのみである。したがって、変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の場合にも、先述した実施形態に係る有機ＥＬ表示装置と同等の作用効果を得ることができる。
【０１１７】
（変形例３）
図１０は、変形例３に係る有機ＥＬ表示装置の画素回路を示す回路図である。図１０に示すように、変形例３に係る画素２０Ａ−２は、駆動トランジスタ２２および発光制御トランジスタ２４として共にＰチャネル型のＴＦＴを用いた回路構成となっている。これに伴い、保持容量２６の一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が電源供給線３２に接続されている。この変形例３に係る有機ＥＬ表示装置の場合にも、先述した実施形態に係る有機ＥＬ表示装置と同等の作用効果を得ることができる。
【０１１８】
（変形例４）
図１１は、変形例４に係る有機ＥＬ表示装置の画素回路を示す回路図である。図１１に示すように、変形例４に係る画素２０Ａ−３は、駆動トランジスタ２２としてＰチャネル型のＴＦＴを用い、発光制御トランジスタ２４としてＮチャネル型のＴＦＴを用いた回路構成となっている。
【０１１９】
これに伴い、保持容量２６の一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が電源供給線３２に接続されている。また、保持容量２７は、一方の電極が発光制御トランジスタ２４のゲート電極に接続され、他方の電極が電源供給線３２に接続されている。この変形例４に係る有機ＥＬ表示装置の場合にも、先述した実施形態に係る有機ＥＬ表示装置と同等の作用効果を得ることができる。
【０１２０】
＜２．第２実施形態＞
［２−１．システム構成］
図１２は、本発明の第２実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。図１２において、図１と同等部分（対応する部分）には同一符号を付して示し、重複説明は省略する。
【０１２１】
本実施形態でも、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子を画素（画素回路）の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。
【０１２２】
第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ｂは、画素アレイ部３０の周辺の駆動部として、書込み走査回路４０、電源供給走査回路５０、発光制御走査回路６０、信号出力回路７０および発光期間制御回路８０に加えて、補正用走査回路９０を有する構成となっている。ただし、電源供給走査回路５０については、第１実施形態では電源電位ＶＣＣＰとして２値ＶＣＣＰ＿Ｈｉ、ＶＣＣＰ＿Ｌｏｗをとるのに対して、第２実施形態では電源電位ＶＣＣＰを固定としている。
【０１２３】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０Ｂの配列に対して、電源供給線３２−１〜３２−ｍおよび発光制御線３３−１〜３３−ｍに加えて、補正制御線３７−１〜３７−ｍが画素行ごとに配線されている。さらに、列方向に沿って映像信号線３４−１〜３４−ｎおよび発光制御信号線３５−１〜３５−ｎが画素列ごとに配線されている。
【０１２４】
補正用走査回路９０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成されている。この補正用走査回路９０は、閾値補正処理を行うに当たって、書込み走査回路４０による線順次走査に同期して、補正制御走査信号ＡＺ（ＡＺ１〜ＡＺｍ）を補正制御走査線３７−１〜３７−ｍに対して出力する。
【０１２５】
（画素回路）
図１３は、画素（画素回路）２０Ｂの具体的な回路構成を示す回路図である。図１３において、図２と同等部分には同一符号を付して示し、重複説明は省略する。
【０１２６】
図１３に示すように、画素２０Ｂは、画素トランジスタとして、駆動トランジスタ２２、映像信号用書込みトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４および発光制御信号用書込みトランジスタ２５に加えて、スイッチングトランジスタ２９を有する構成となっている。
【０１２７】
ここでは、駆動トランジスタ２２、映像信号用書込みトランジスタ２３、発光制御信号用書込みトランジスタ２５およびスイッチングトランジスタ２９としてＮチャネル型のＴＦＴを用い、発光制御トランジスタ２４としてＰチャネル型のＴＦＴを用いている。ただし、これらトランジスタ２２〜２５，２９の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【０１２８】
スイッチングトランジスタ２９は、ドレイン電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極、駆動トランジスタ２２および保持容量２６の各他方の電極に接続され、ソース電極が固定電位Ｖｉｎｉのノードに接続されている。ここで、固定電位Ｖｉｎｉは、第１実施形態の場合の第２電源電位ＶＣＣＰ＿Ｌｏｗに相当する。すなわち、固定電位Ｖｉｎｉは、有機ＥＬ素子２１に対して逆バイアスを掛けるための電位である。したがって、固定電位Ｖｉｎｉは、基準電位Ｖｏｆｓよりも低い電位、好ましくはＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも十分に低い電位に設定される。
【０１２９】
スイッチングトランジスタ２９は、補正用走査回路９０から閾値補正処理に先立って出力され、補正制御走査線３７を通してゲート電極に印加されるＨｉｇｈアクティブの補正制御走査信号ＡＺに応答して導通状態となる。これにより、スイッチングトランジスタ２９は、固定電位Ｖｉｎｉを駆動トランジスタ２２のソース電極に印加する。すなわち、固定電位Ｖｉｎｉは、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの初期化電位となる。
【０１３０】
［２−２．回路動作］
続いて、上記構成の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ｂの回路動作について、図１４のタイミング波形図を用いて説明する。
【０１３１】
図１４のタイミング波形図には、走査線３１の電位ＷＳ、発光制御走査線３３の電位ＤＷＳ、補正制御走査線３７の電位ＡＺ、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅおよび発生制御信号線３５の電位Ｄｓｉｇのそれぞれの変化を示している。図１４のタイミング波形図にはさらに、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの変化も示している。なお、図１４のタイミング波形図において、時刻ｔ２１−ｔ２６は、図３のタイミング波形図の時刻ｔ１１−ｔ１６に対応している。
【０１３２】
（閾値補正準備期間）
図１４において、線順次走査の新しいフレーム（現フレーム）に入る時刻ｔ２１で走査線３１の電位ＷＳが低電位側から高電位側に遷移する。このとき同時に、補正制御走査線３７の電位（補正制御走査信号）ＡＺも低電位側から高電位側に遷移する。これにより、スイッチングトランジスタ２９が導通状態となって固定電位Ｖｉｎｉを駆動トランジスタ２２のソース電極に印加する。このとき、固定電位ＶｉｎｉをＶｉｎｉ＜Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔｈとすると、有機ＥＬ素子２１は逆バイアス状態となるために消光状態となる。
【０１３３】
そして、走査線３１の電位ＷＳが高電位に遷移することで映像信号用書込みトランジスタ２３が導通状態となる。このとき、信号出力回路７０から映像信号線３４に対して基準電位Ｖｏｆｓが供給されているために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが基準電位Ｖｏｆｓになる。また、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、基準電位Ｖｏｆｓよりも十分に低い固定電位Ｖｉｎｉにある。
【０１３４】
このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉとなる。ここで、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくないと、閾値補正処理を行うことができないために、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉ＞Ｖｔｈなる電位関係に設定する必要がある。
【０１３５】
以上により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが基準電位Ｖｏｆｓに、ソース電位Ｖｓが固定電位Ｖｉｎｉにそれぞれ初期化される。
【０１３６】
次に、時刻ｔ２２では、発光制御走査線３３の電位ＤＷＳが低電位側から高電位側に遷移することで、発光制御信号用書込みトランジスタ２５が導通状態になる。これにより、発光制御信号線３５を通して発光期間制御回路８０から供給される発光期間制御信号Ｄｓｉｇが画素２０Ｂ内に書き込まれる。この発光期間制御信号Ｄｓｉｇの書込みにより、発光制御トランジスタ２４が導通状態になる。画素２０Ｂ内に書き込まれた発光期間制御信号Ｄｓｉｇは保持容量２７に保持される。
【０１３７】
以降順に実行される閾値補正処理、信号書込み＆移動度補正処理および画素ごとの発光期間の制御については、第１実施形態の場合と同様である。したがって、電源電位ＶＣＣＰを固定として、スイッチングトランジスタ２９によって駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓを初期化する構成の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ｂにあっても、第１実施形態の場合と同様の作用効果を得ることができる。
【０１３８】
具体的には、発光制御トランジスタ２４のゲート電位ＤＳｇａｔｅを制御する発光制御信号の信号電圧Ｄｓｉｇによって有機ＥＬ素子２１の発光期間を画素２０Ａごとに制御できる。したがって、発光期間を画面全体に亘って一律に制御する場合には期待できない新規な画像制御が可能となる。前にも述べたように、新規な画像制御としては、例えば、１画素のみの発光期間を長く設定することで当該画素の発光輝度を他の画素に比べて極端に高くする画像制御や、映画の映像等に合わせて画面内でフリッカが違う画像処理を行う画像制御などが考えられる。
【０１３９】
［２−３．変形例］
第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ｂに対しても、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａと同様に、先述した変形例１〜４を適用することができる。
【０１４０】
＜３．変形例＞
上記各実施形態では、画素２０の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではない。具体的には、本発明は、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子など、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子（発光素子）を用いた表示装置全般に対して適用可能である。
【０１４１】
＜４．適用例＞
以上説明した本発明による表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。一例として、図１５〜図１９に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなどの表示装置に適用することが可能である。
【０１４２】
このように、あらゆる分野の電子機器の表示装置として本発明による表示装置を用いることにより、各種の電子機器における表示画像に対して従来ない新規な画像制御を行うことができる。すなわち、先述した各実施形態の説明から明らかなように、本発明による表示装置を用いることで、発光期間を画面全体に亘って一律に制御する場合には期待できない新規な画像制御が可能となる。
【０１４３】
本発明による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部３０に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。なお、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。
【０１４４】
以下に、本発明が適用される電子機器の具体例について説明する。
【０１４５】
図１５は、本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビジョンセットは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明による表示装置を用いることにより作成される。
【０１４６】
図１６は、本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１４７】
図１７は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１４８】
図１８は、本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１４９】
図１９は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含んでいる。そして、ディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明による表示装置を用いることにより本適用例に係る携帯電話機が作製される。
【符号の説明】
【０１５０】
１０Ａ，１０Ｂ…有機ＥＬ表示装置、２０Ａ，２０Ｂ…画素、２１…有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…映像信号用書込みトランジスタ、２４発光制御トランジスタ、２５…発光制御信号用書込みトランジスタ、２６，２７…保持容量、２８…抵抗素子（インピーダンス素子）、３０…画素アレイ部、３１（３１−１〜３１−ｍ）…走査線、３２（３２−１〜３２−ｍ）…電源供給線、３３（３３−１〜３３−ｍ）…発光制御走査線、３４（３４−１〜３４−ｎ）…映像信号線、３５（３５−１〜３５−ｎ）…発光制御信号線、３６…共通電源供給線、３７（３７−１〜３７−ｍ）…補正制御走査線、４０…書込み走査回路、５０…電源供給走査回路、６０…発光制御走査回路、７０…信号出力回路、８０…発光期間制御回路、９０…補正用走査回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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