(57)【要約】【課題】  液晶パネルの駆動方法であって、高温時の信号波形の鈍りによる表示不具合を改善し、低温時のＴＦＴのｏｎ電流が低下することによる表示ムラを低減し、広い温度範囲にて良好な表示を実現する駆動方法を提供する。【解決手段】  水平走査配線（８〜１２）に加えられるゲート選択信号波形の、スイッチング素子（４２）が導通状態から非導通状態に変化するタイミングを、データ配線（３〜７）に加えられる画像データ信号波形の、前記水平走査配線に接続された画素電極（４３）の表示内容に対応する画像データから次の画像データへ変化するタイミングに対して、ゲート遅延補償期間（Ｔｇｓ）を設けて液晶パネルを駆動する駆動方法であって、周囲温度を検出し、この周囲温度に応じて前記ゲート遅延補償期間を可変とすることを特徴とする。【選択図】  図１
2010281957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の水平走査配線および複数のデータ配線とで囲まれる複数の画素電極に接続された複数のスイッチング素子を前記水平走査配線により供給されるゲート選択信号によって導通制御し、これらのスイッチング素子を介して、前記データ配線により供給される画像データ信号を前記画素電極に供給するようにした液晶パネルの駆動方法であって、  前記水平走査配線に加えられるゲート選択信号波形の、前記スイッチング素子が導通状態から非導通状態に変化するタイミングを、前記データ配線に加えられる画像データ信号波形の、前記各々の水平走査配線に接続された画素電極の表示内容に対応する画像データから次の画像データへ変化するタイミングに対して、ゲート遅延補償期間を設けて前記液晶パネルを駆動する駆動方法において、  前記液晶パネルの周囲温度を検出し、前記周囲温度に応じて前記ゲート遅延補償期間を可変とすることを特徴とする液晶パネルの駆動方法。
【請求項２】
高温時のゲート遅延補償期間は、前記液晶パネルの周囲温度が常温時のゲート遅延補償期間と比べて長い期間とし、前記周囲温度が低温時のゲート遅延補償期間は、前記常温時のゲート遅延補償期間と比べて短い期間とすることを特徴とする請求項１に記載の液晶パネルの駆動方法。
【請求項３】
複数の前記周囲温度に対するゲート遅延補償期間を指定するルックアップテーブルを液晶パネルのタイミング制御回路内に内蔵し、該ルックアップテーブルに基づいてゲート遅延補償期間を設定することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶パネルの駆動方法。
【請求項４】
前記画像データ信号の極性が変化してからゲート選択信号が立上がるように該ゲート選択信号のブランミング期間を設定し、前記ゲート選択信号が立下がってから前記画像データ信号の極性変化タイミングとなるようにゲート遅延補償期間を設定することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の液晶パネルの駆動方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネルの駆動方法に関するものであり、低温度から高温度の範囲における周囲温度で、良好な表示品位を実現するアクティブ・マトリクス型液晶パネルの駆動に好適に使用することができる。
【背景技術】
【０００２】
一般的なアクティブ・マトリクス液晶パネルを使用した液晶表示装置における画素への書き込みにおいては、ゲート選択信号、画像データ信号とも配線抵抗による波形鈍りが発生する。このため、特許文献１にて周知のように、それぞれの信号タイミングを少しずらして設定する。具体的には、ゲート選択信号をＨｉｇｈにしてから、画像データ信号の入力を行い、ゲート選択信号をＬｏｗにしてから、画像データ信号を終了するように駆動している。しかし、表示領域の各信号の外入力部に近い画素と遠い画素とでは、波形の鈍りの影響が異なるため、表示領域全体で書き込みタイミングによる不具合が起こらないように、タイミング設定を行っている。画素の充電時間は、画像データ信号の立ち上がりから、ゲート選択信号の立ち下りまでとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭５９−１２３８８４号公報（図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液晶パネルの水平走査配線、データ配線は一般に金属配線で形成されており、液晶表示装置を高温から低温までの広温度範囲で使用する場合、高温時に配線抵抗が高くなり、ＲＣ時定数が大きくなり、信号遅延も大きくなる。これにより水平走査配線の信号波形が鈍ってしまい、書き込みタイミング不良を発生してしまう。
【０００５】
これに対しては、高温時の波形鈍りによる信号遅延を考慮して、特許文献１（特に図３）にて示されたようにタイミングを調整することで対策が可能であるが、このとき方法では充電時間が短くなってしまう。画素を駆動する薄膜トランジスタ（以降ＴＦＴと称す）は半導体（アモルファスＳｉ）で構成されているが、低温時にはＴＦＴのｏｎ電流が低下す
るため、画素の充電不足が生じ、その結果、表示ムラが発生する。低温時の表示を改善するには、充電時間を長くすることが有効であるが、上記の高温時の信号遅延対策とは両立が困難である。
【０００６】
本発明は、液晶パネルの駆動方法であって、高温時の信号波形の鈍りによる表示不具合を改善し、低温時のＴＦＴのｏｎ電流が低下することによる表示ムラを低減し、広温度範囲にて良好な表示を実現することを目的とする。  
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の係わる液晶パネルの駆動方法は、複数の水平走査配線および複数のデータ配線とで囲まれる複数の画素電極に接続された複数のスイッチング素子を前記水平走査配線により供給されるゲート選択信号によって導通制御し、これらのスイッチング素子を介して、前記データ配線により供給される画像データ信号を前記画素電極に供給するようにした液晶パネルの駆動方法であって、前記水平走査配線に加えられるゲート選択信号波形の、前記スイッチング素子が導通状態から非導通状態に変化するタイミングを、前記データ配線に加えられる画像データ信号波形の、前記各々の水平走査配線に接続された画素電極の表示内容に対応する画像データから次の画像データへ変化するタイミングに対して、ゲート遅延補償期間を設けて前記液晶パネルを駆動する駆動方法において、前記液晶パネルの周囲温度を検出し、前記周囲温度に応じて前記ゲート遅延補償期間を可変とすることを特徴とするものである。  
【発明の効果】
【０００８】
本発明の液晶表示装置の構成を採用することにより、高温時の信号波形の鈍りによる表示不具合を改善し、低温時のＴＦＴのｏｎ電流が低下することによる表示ムラを低減し、広温度範囲で良好な表示を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態１に係る液晶表示装置の構成を示したシステム構成図である。
【図２】図１に記載の周囲温度検出部の構成例を示したブロック図である。
【図３】実施の形態１に係る液晶表示装置のゲート選択信号波形、画像データ信号のタイミング図である。
【図４】実施の形態１に係る液晶表示装置のゲート選択信号波形、画像データ信号および画素電位の周囲温度に対する時間関係を示す波形図である。
【図５】実施の形態２に係る液晶表示装置のゲート選択信号波形、画像データ信号および画素電位の周囲温度に対する時間関係を示す波形図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、説明が重複して冗長になるのを避けるため、各図において同一または相当する機能を有する要素には同一符号を付してある。
【００１１】
実施の形態１.  図１は本実施の形態１に係わる液晶表示装置１の概略構成を示したシステム構成図である。図１において、液晶パネル２は互いに交差する複数のデータ配線３、４、５、６・・・・７と複数の水平走査配線８、９、１０、１１・・・・１２でマトリックス状に構成されたアクティブマトリックス基板４０と、それと対向する図示しない対向基板とが間隙を有して張り合わされ、その間隙に図示しない液晶を狭持している。ここで、説明の簡素化のために特定の一画素部の構成について詳しく説明し、後に液晶パネル２全体について説明する。
【００１２】
ここで、液晶パネル２の表示領域を構成する画素について、破線で示した代表的な画素部４１を用いて説明する。図１において、画素部４１は、表示領域中の最も右の列に位置し、データ配線７と水平走査配線９の交差部に配置されている。また、スイッチング素子としてのＴＦＴ４２と画素電極４３を有し、ＴＦＴ４２のゲート電極に水平走査配線９が、ソース電極にデータ配線７がドレイン電極に画素電極４３が夫々接続される。また画素電極４３は前記対向基板の電極である対向電極４４との間に液晶を挟んで容量を形成しており、水平走査配線９に印加されるゲート選択信号がＨｉｇｈレベルになるとＴＦＴ４２がオンし、その時のデータ配線７の電位即ち画像データ信号が画素電極４３に書き込まれ、一水平期間経過後ゲート選択信号がＬｏｗレベルとなり、ＴＦＴ４２がオフし書き込まれた電位を一フレーム周期以上前記容量に保持する。また、本実施の形態１においては、いわゆるドット反転駆動を行っているので、上下に隣接する画素部は、互いに逆の極性の画
像データ信号波形で駆動される。  
【００１３】
また、液晶パネル２の水平走査配線８、９、１０，１１・・・・１２の各左端部には水平走査配線駆動回路としてゲートドライバ１５が接続され、データ配線３、４、５，６・・・・７の各下端部にはデータ配線駆動回路としてソースドライバ１６が接続され、夫々タイミング制御回路１７によって制御される。
【００１４】
ここでタイミング制御回路１７は、図示しない外部表示コントローラから入力された映像信号１８および表示クロック、水平同期信号、垂直同期信号などから成る表示制御信号１９から階調補正やタイミングの調整などの加工を施し、ソースドライバ１６に対して表示制御データ信号２０を出力するとともに、ゲートドライバ１５に水平走査制御信号２１を出力する回路である。
【００１５】
さらに上記タイミング制御回路１７には周囲温度検出部２２が接続されており、前記周囲温度検出部２２は液晶表示パネル２の周囲温度を検出して、その温度情報２３を前記タイミング制御回路１７に出力する。
【００１６】
次に、図２において上記周囲温度検出部２２の構成を示す。同図において、３０は温度センサであり、例えば温度上昇に伴って、抵抗値が増加するサーミスタ等から構成される。前記温度センサ３０と調整抵抗３１、３２により、基準電圧源の電圧を適当な電圧に分圧し、その電圧範囲が調整された後、Ａ／Ｄ（アナログ−デジタル）変換回路に入力され、周囲温度に相関したデジタルデータとして温度情報２３がタイミング制御回路１７へ出力される。前記タイミング制御回路１７は入力された温度情報２３と、映像信号１８および表示制御信号１９とから、その周囲温度に適した前記水平走査制御信号２１および前記表示制御データ信号２０をゲートドライバ１５およびソースドライバ１６に夫々出力する。
【００１７】
液晶パネル２のゲート選択信号は今回の図においては表示領域の左側より入力されており、画像データ信号は表示領域の下側より入力されている。上記水平走査配線、データ配線の、液晶パネル２内の配線は、金属配線であり、例えばＡｌの合金やＣｒ等を用いて構成されている。また、上記ＴＦＴの半導体層はアクティブ・マトリクス型液晶パネルでは、最も一般的なアモルファスＳｉで構成されている。
【００１８】
次に、図３を用いて本発明の実施の形態１におけるゲート選択信号および画像データ信号の概略波形を説明する。同図においては、（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は水平走査配線８（１ライン目）から開始する連続する３ラインのゲート選択信号を示し、ｍフレーム、ｍ＋１フレーム、ｍ＋２およびｍ＋３フレームと連続するフレーム間の波形挙動を表している。また図３、（ｄ）は図１におけるデータ配線７の画像データ信号の挙動を示している。周知のようにアクティブ・マトリクス液晶パネルの駆動においては、１水平周期期間（Ｈ）を一周期として、最も上の行（水平走査配線８）から駆動され、最も下の行（水平走査配線１２）に向かって一行毎に順次駆動され、１フレーム分の画像を表示している。
【００１９】
上述のように本実施の形態においては、ドット反転駆動を採用しているので、図３、（ｄ）で示した画像データ信号は１水平周期（Ｈ）毎にその極性が変化している。また、図示してはいないが、データ配線７に隣接するデータ配線の画像データ波形は、図３、（ｄ）で示したの画像データ信号とは逆極性となる。
【００２０】
図４は本実施の形態１に係わる液晶表示装置の特定の画素部のゲート選択信号波形、画像データ信号および画素電位の周囲温度に対する時間関係を示す波形図である。例えば上記特定の画素部として水平走査配線９に接続される画素部４１とすると、図３で示した複数のゲート選択信号のＨｉｇｈレベル期間の一部（１水平期間）を取り出したものが、図４
、（ａ）のゲート選択信号波形に相当する。次に、図４、（ｂ）に示した常温時（例えば２５℃）のゲート選択信号波形は、ゲート選択信号入力側（図１の左端）から遠い側、つまり、図１を例に挙げると表示領域の右端部領域における（例えば画素部４１）例を示したものである。上記常温時のゲート選択信号波形は、図４、（ａ）に示した理想的なゲー
ト選択信号と比べて、上記水平走査配線の配線抵抗および図示しない浮遊容量の影響で、有る程度の配線のＲＣ時定数を持ち、波形鈍りが発生し、ゲート選択信号の遅延が起こる。同図において、Ｖｇｈは、ゲート正電圧、Ｖｇｌはゲート負電圧であり、Ｖｓ（＋）は画像データ信号正極側電位、Ｖｓ（−）は同負極側電位である。また、ＶｔｈはＴＦＴのＯＮ／ＯＦＦ閾値（スレッショルド）電圧である。  
【００２１】
同様に図４、（ｄ）に示した常温時の画像データ信号波形も図４、（ｃ）に示した理想的な画像データ信号に対して、データ配線の入力端子からの距離に応じて波形鈍りが発生する（例えば画素部４１）。  
【００２２】
図４、（ａ）および（ｃ）に示した様に、理想的なゲート選択信号、画像データ信号波形ともその駆動期間は１水平周期期間（Ｈ）であり、上記ゲート選択信号の遅延によって画像データ信号がゲート選択信号の立下りタイミングよりも早く極性変化する状況を生じ、適正電位を画素に書き込むことができなくなる恐れがある。この対策として図４、（ｃ）
に示した様にゲート選択信号の立上り／立下がりタイミングを画像データ信号の極性変化タイミングに対してゲート遅延補償期間“ＴｇｓＮ”分だけ早めた駆動を実施する。（以後「ゲート選択信号の立上り」とは、その配線に接続されたＴＦＴが非導通状態から導通状態に変化するタイミングを、「ゲート選択信号の立下がり」とは導通状態から非導通状
態に変化するタイミングを表す）この結果、常温時の画素（例えば画素部４１）の画素電位の推移は、図４、（ｅ）に示したように画素電位の立上りは画像データ信号の極性変化とほぼ同期し、常温時のＴＦＴの駆動能力に応じた立上り波形となり、画像データ信号の極性変化タイミングに対して早めにゲート選択信号が立下がるので、その後も画像データ
に応じた画素電位がほぼ維持される。従って、画素部への充電期間は、図示した“ＴｗＮ”となる。上記ゲート遅延補償期間“ＴｇｓＮ”は、液晶パネルの解像度やパネルの大きさ、配線材料、ＴＦＴの駆動能力、さらに液晶パネルのゲート選択信号入力側（図１の左端）の画素部におけるの比較的小さい遅延量なども勘案し、波形シミュレーションや実測値などに基づいて決定される。  
【００２３】
次に、高温環境（例えば５０℃）で液晶表示装置を使用する場合の各構成部材の特性変化と対策について述べる。金属は一般的に高温環境下では配線抵抗が増加する。水平走査配線、データ配線ともに金属で構成された液晶パネルにおいては、配線抵抗の増加に伴い、配線のＲＣ時定数が大きくなる。これにより図４、（ｆ）で示したようにゲート選択信号の大きな波形鈍りによる信号遅延も大となり、上記ゲート遅延補償期間が“ＴｇｓＮ”のままではゲート選択信号の立下りよりも早く画像データ信号の極性変化タイミングが来てしまい、逆極性の画像データが画素部に書き込まれる恐れがあり、適切な画素電位を維持することができない。  
【００２４】
この問題に対しては、図４、（ｆ）の符号“ＴｇｓＨ”で示したように、ゲート選択信号の立下りタイミングと画像データ信号の極性変化タイミング間のゲート遅延補償期間（ずらし量）を常温時のそれと比較して大きくすることで対策する。このとき、画素への充電期間は、図４、（ｆ）の符号“ＴｗＨ”で図示したように、“ＴｗＮ”と比べて短くなる
。しかし、本実施の形態で採用したＴＦＴはアモルファスＳｉＴＦＴであり、その半導体におけるｏｎ電流は、温度上昇に従い、キャリア密度の増加とともに上昇する。この高温時におけるＴＦＴの駆動能力向上のため、画素への短い充電期間や、データ配線の配線抵抗上昇による波形鈍りを考慮しても、図４、（ｇ）の破線で示した高温時の画像データ信号が、図４、（ｇ）の実線にて図示した高温時の画素電位波形のように、画素は画像データに対応した電位まで充電され、充電不足による表示品位の悪化は殆ど起こらない。  
【００２５】
次に、低温環境（例えば０℃）で液晶表示装置を使用する場合の各構成部材の特性変化と対策について述べる。アモルファスＳｉＴＦＴの半導体におけるｏｎ電流は、温度が低下するに従いキャリア密度が減少し、減少する。このため、低温時にはこの低いＴＦＴ駆動能力により画素の充電不足が発生する恐れがある。一方、水平走査配線およびデータ配線の配線抵抗は、周囲温度の低温化に応じて低下する。そのため、信号波形の鈍りは図４、（ｈ）、（ｉ）に示すように少なくなる。このため、水平走査配線とデータ配線のゲート遅延補償期間は図４、（ｈ）で符号“ＴｇｓＬ”で図示したように小さくする。低温時にはこのゲート遅延補償期間“ＴｇｓＬ”を小さくすることで、充電時間を“ＴｗＬ”と長くして、低温時のＴＦＴの駆動能力不足を補償し、図４、（ｊ）で例示したように画素充電特性を改善することが可能である。  
【００２６】
一方、上記ゲート遅延補償期間（ずらし量）については、例えば、７０°Ｃ、５０°Ｃ、２５°Ｃ、０°Ｃ、−２０°Ｃに対応するずらし量をルックアップテーブル（以降ＬＵＴと称す）化してタイミング制御回路１７内部に内蔵し、外部の信号制御によってＬＵＴの参照アドレスの切り替えを行う。このゲート遅延補償期間（ずらし量）の値は、例えばタイミング制御回路内部で使用する内部クロック数などの値を格納しておけばよい。この値を上記参照アドレスに応じてＬＵＴから読み出してカウンタの初期値として設定し、内部クロックをカウント源としてこのカウンタを減算動作させて、零となるまでの期間をゲート遅延補償期間（ずらし量）として計測することができる。
【００２７】
上記ＬＵＴの格納されるゲート遅延補償期間（ずらし量）は、前述したように液晶パネルの解像度やパネルの大きさ、配線材料特性、各温度のおけるＴＦＴの駆動能力、データ配線の遅延量、さらに液晶パネルのゲート選択信号の入力側および入力側から最も遠い画素部における遅延量なども勘案し、波形シミュレーションや実測値などに基づいて決定される。  
【００２８】
また、上記外部の信号制御については、液晶表示装置１の外部から所定の制御信号を入力して上記ＬＵＴの参照アドレス切替を行ってもよいが、他の方法しては、図１で示したように周囲温度検出部２２を液晶表示装置内に設置し、周囲温度検出部２２の出力に基づいて上記ＬＵＴの参照アドレス切替を行っても良い。  このＬＵＴに用意した各温度以外の周囲温度条件では、ＬＵＴの値から補間演算を行うことで、温度が微小変化した際にゲート遅延補償期間が階段的に大きく変わることを防ぐ。  
【００２９】
あるいは、この補間演算については、温度変化に対してヒステリシスを持たせることで、温度の微小変動に対してゲート遅延補償期間が変化しないようにしても良い。  
【００３０】
ＬＵＴを特に備えていなくても、代わりに周囲温度検出部２２から入力した周囲温度データを元にして一定の演算式によって適切なゲート遅延補償期間を求める構成を採用しても良い。  
【００３１】
このように温度に応じて、液晶パネルのゲート遅延補償期間を切換えて駆動タイミングを変更することで、低温時、高温時の表示品位の改善が可能である。
【００３２】
実施の形態２．  図５は本実施の形態２に係わる液晶表示装置のゲート選択信号波形、画像データ信号および画素電位の液晶パネル周囲温度に対する時間関係を示す波形図である。本実施の形態２においては、前述の実施の形態１で示した図３のゲート選択信号波形とは異なり、隣接する水平走査配線９（ｎライン）、１０（ｎ＋１ライン）および１１（ｎ＋２ライン）のゲート選択信号間に、後述するブランキング（ｂｌａｎｋｉｎｇ）期間を設けている。その他の構成は、上述の実施の形態１と同様であるので、ここでは詳細な説明は省略する。
【００３３】
まず図５において、２本の直線状の一点鎖線は、１水平周期期間を表しており、また、図５、（ｃ）で示した理想的な画像データ信号のＶｓ（＋）からＶｓ（−）またはＶｓ（−）からＶｓ（＋）への極性変化タイミングと一致しており、以後説明する基準時間となるものである。  また、本実施の形態２においても、液晶パネル２は、１水平周期期間を一周期として、最も上の行（水平走査配線８）から順に駆動され、最も下の行（水平走査配線１２）に向かって一行毎に順次駆動される。  
【００３４】
図５、（ａ）で示した常温時（例えば２５℃）の理想的なゲート選択信号は、１水平周期期間（Ｈ）と比較して前方でＴ１期間分、後方でＴ２期間分短くなっている。ここでＴ１期間およびＴ２期間をゲート選択信号のブランキング期間と称し、符号Ｔ１を前方ブランキング期間と称し、符号Ｔ２を後方ブランキング期間と称する。また、特に後方ブランキング期間Ｔ２は、前述の実施の形態１のゲート遅延補償期間ＴｇｓＮに相当する。
【００３５】
実際の常温時のゲート選択信号波形は、水平走査配線の配線抵抗と浮遊容量によるＲＣ成分の影響で波形鈍りが生じ、図５、（ｂ）で示した波形となる。また、画像データ信号波形も、データ配線の配線抵抗と浮遊容量によるＲＣ成分の影響で、図５、（ｃ）で示した理想的な画像データ信号波形から鈍りが生じ、図５、（ｄ）で示した波形となる。図５、（ａ）〜（ｄ）に示したように周囲温度が常温の場合は、上記ゲート選択信号のブランキング期間は、図５、（ｄ）の画像データ信号が立上ってからゲート選択信号が立上るように前方ブランキング期間Ｔ１を確保し、図５、（ｄ）の画像データ信号がＶｔｈ以下となり、波形が立下がってから図５、（ｄ）の画像データ信号の極性が変化するように後方ブランキング期間Ｔ２を決める。図５、（ｄ）で“ＴｗＮ”として図示したように、画素部への充電期間は、ゲート選択信号がＴＦＴのＶｔｈ以上の期間となる。この場合、前述したように液晶パネルの解像度やパネルの大きさ、配線材料特性、各温度のおけるＴＦＴの
駆動能力、データ配線の遅延量、さらに液晶パネルのゲート選択信号の入力側および入力側から最も遠い画素部における遅延量なども勘案し、波形シミュレーションや実測値などに基づいて前方／後方ブランキング期間が決定される。  
【００３６】
次に、液晶パネル周囲温度が高温（例えば５０℃）の場合、前述のように水平走査配線の配線抵抗が大きくなり、図５、（ｆ）で示したゲート選択信号は大きな波形鈍りを生じ、常温時と比べて遅延量が大となる。また、データ配線においても配線抵抗が大きくなり、図５、（ｇ）の破線で示したように画像データ信号波形が鈍り、波形の立上りが悪くなる。  そこで、高温時は、図５、（ｆ）（ｇ）で示したように前方ブランキング期間Ｔ１をほぼ零とし、画像データ信号が立上ってからゲート選択信号が立上るように前方ブランキング期間Ｔ１を確保し、逆に後方ブランキング期間Ｔ２（ゲート遅延補償期間ＴｇｓＨに相当）を常温時より大きく設定する。図５、（ｆ）で“ＴｗＨ”として図示したように、画素部への充電期間は、ゲート選択信号がＴＦＴのＶｔｈ以上の期間となる。この場合、前述のように高温時はＴＦＴの駆動能力が大きいため、たとえゲート選択信号の立上り遅延が大きくても画像データ信号を画素部に書き込むことが可能となる。また、上述のよう
に画像データ信号の遅延も大きいので、前方ブランキング期間Ｔ１をほぼ零としても、一行前の画像データ信号を誤書き込みすることもない。  
【００３７】
一方、後方ブランキング期間Ｔ２は、最も入力側から遠い画素部におけるゲート選択信号の遅延量を考慮しても画像データ信号の極性変化（＝次の行の画像データ）より十分前にゲート選択信号が立下がり（Ｖｔｈ以下になる）、誤書き込みが生じないように設定される。上述のように前方／後方ブランキング期間Ｔ１、Ｔ２を設定した場合の高温時の画素電位の推移を図５、（ｇ）の実線で示した。  
【００３８】
次に、周囲温度が低温（例えば０℃）の場合、前述のように水平走査配線の配線抵抗は小さく、図５、（ｈ）で示したゲート選択信号の波形鈍りは小さく、常温時と比べて遅延量も少ない。また、データ配線においても配線抵抗が小さくなり、図５、（ｉ）で示したように画像データ信号波形の立上りもよい。しかし、前述のように、低温ではＴＦＴの駆動能力が小さくなり、十分な低温時書き込み時間ＴｗＬが必要になる。そこで、低温時は、図５、（ｈ）（ｉ）で示したように前方ブランキング期間Ｔ１、後方ブランキング期間Ｔ２（ゲート遅延補償期間ＴｇｓＬに相当）とも比較的小さく設定する。この場合も画像データ信号が立上ってからゲート選択信号が立上るように前方ブランキング期間Ｔ１を確保し、ゲート選択信号
が立下がってから画像データ信号の極性変化タイミングとなるように後方ブランキング期間Ｔ２を設定する。この場合の、低温時の画素電位の推移を図５、（ｊ）で示した。  
【００３９】
上記前方／後方ブランキング期間Ｔ１、Ｔ２については、例えば、７０°Ｃ、５０°Ｃ、２５°Ｃ、０°Ｃ、−２０°Ｃに対応する時間値をＬＵＴ化してタイミング制御回路１７内部にそれぞれ内蔵し、前記実施の形態１と同様に液晶表示装置１の外部から上記ＬＵＴの参照アドレス切替制御を実施してもよいし、液晶表示装置１に内蔵した周囲温度検出部２２の出力に基づいて上記ＬＵＴの参照アドレス切替を行っても良い。  
【００４０】
なお、上述の実施の形態１，２においては、液晶パネルの駆動方法として、ドット反転駆動を例示して説明したが、一行に属する画素部を同一の極性で駆動し、隣接する行毎に極性を反転するライン反転駆動においても、同様に本発明を実施することができる。  
【００４１】
また、本実施の形態１、２に加えて、ＴＦＴのｏｎ電流の改善を行った場合には、さらに低温での充電能力の改善が可能となり、より低い温度における表示品位の改善が可能となる。
【符号の説明】
【００４２】
２  液晶パネル３、４、５、６、７  データ配線８、９、１０、１１、１２  水平走査配線１５  ゲートドライバ１６  ソースドライバ１７  タイミング制御回路２２  周囲温度検出部２３  温度情報３０  温度センサ４１  画素部４２  ＴＦＴ４３  画素電極Ｖｇｈ  ゲート正電圧Ｖｇｌ  ゲート負電圧Ｖｔｈ  ＴＦＴのＯＮ／ＯＦＦ閾値電圧ＴｇｓＮ、ＴｇｓＨ、ＴｇｓＬ  ゲート遅延補償期間Ｔ１  前方ブランキング期間Ｔ２  後方ブランキング期間（ゲート遅延補償期間）  
【図１】
2010281957.tif 000003
【図２】
2010281957.tif 000004
【図３】
2010281957.tif 000005
【図４】
2010281957.tif 000006
【図５】
2010281957.tif 000007