(57)【要約】      （修正有）【課題】リセット動作時における信号電荷の流入先のバラつきを抑制することができるＣＣＤ型固体撮像装置を提供する。【解決手段】光電変換部で発生した信号電荷を電圧信号に変換するＦＤ部１７と、ＦＤ部に蓄積された信号電荷を掃き捨てるＲＤ部１９と、ＦＤ部１７とＲＤ部との間に設けられたＲＧ部２０と、ＲＧ部のＦＤ部側端部領域と接続された第１の配線２３と、ＲＧ部のＲＤ側端部領域と接続された第２の配線２４と、第２の配線に設けられた所定の容量２５とを備え、所定の容量２５によりリセットゲートパルスφＲＧを鈍らせることで、ＲＧ部下にポテンシャル勾配を形成する。【選択図】図２
2010193027.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象である信号電荷が蓄積され、蓄積された信号電荷を電圧信号に変換するフローティングディフュージョン部と、
該フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を掃き捨てるドレイン部と、
前記フローティングディフュージョン部と前記ドレイン部との間に設けられたリセットゲート部と、
該リセットゲート部の前記フローティングディフュージョン部側の端部領域と接続され、所定のリセット電圧が印加される第１の配線と、
前記リセットゲート部の前記ドレイン部側の端部領域と接続され、前記第１の配線に印加されるリセット電圧と同一のリセット電圧が印加される第２の配線と、
前記第１の配線若しくは前記第２の配線のいずれか一方に接続された所定の容量、若しくは、前記第１の配線若しくは前記第２の配線のいずれか一方に接続された所定の抵抗とを備える
電荷検出装置。
【請求項２】
測定対象である信号電荷をフローティングディフュージョン部に蓄積する工程と、
前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を電圧信号に変換する工程と、
前記フローティングディフュージョン部に隣接して設けられたリセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部とは反対側の端部領域の一方に所定のリセット電圧を印加すると共に、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部とは反対側の端部領域の他方に所定の容量若しくは所定の抵抗を介して前記所定のリセット電圧を印加することで、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷をドレイン部に掃き捨てる工程とを備える
電荷検出方法。
【請求項３】
入射光に応じた信号電荷を発生する光電変換部と、
該光電変換部で発生した信号電荷が蓄積され、蓄積された信号電荷を電圧信号に変換するフローティングディフュージョン部と、
該フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を掃き捨てるドレイン部と、
前記フローティングディフュージョン部と前記ドレイン部との間に設けられたリセットゲート部と、
該リセットゲート部の前記フローティングディフュージョン部側の端部領域と接続され、所定のリセット電圧が印加される第１の配線と、
前記リセットゲート部の前記ドレイン部側の端部領域と接続され、前記第１の配線に印加されるリセット電圧と同一のリセット電圧が印加される第２の配線と、
前記第１の配線若しくは前記第２の配線のいずれか一方に接続された所定の容量、若しくは、前記第１の配線若しくは前記第２の配線のいずれか一方に接続された所定の抵抗とを備える
固体撮像装置。
【請求項４】
光電変換部により入射光に応じた信号電荷を発生する工程と、
前記光電変換部で発生した信号電荷をフローティングディフュージョン部に蓄積する工程と、
前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を電圧信号に変換する工程と、
前記フローティングディフュージョン部に隣接して設けられたリセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部とは反対側の端部領域の一方に所定のリセット電圧を印加すると共に、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部とは反対側の端部領域の他方に所定の容量若しくは所定の抵抗を介して前記所定のリセット電圧を印加することで、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷をドレイン部に掃き捨てる工程とを備える
固体撮像装置の駆動方法。
【請求項５】
入射光に応じた信号電荷を発生する光電変換部と、該光電変換部で発生した信号電荷が蓄積され、蓄積された信号電荷を電圧信号に変換するフローティングディフュージョン部と、該フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を掃き捨てるドレイン部と、前記フローティングディフュージョン部と前記ドレイン部との間に設けられたリセットゲート部と、該リセットゲート部の前記フローティングディフュージョン部側の端部領域と接続され、所定のリセット電圧が印加される第１の配線と、前記リセットゲート部の前記ドレイン部側の端部領域と接続され、前記第１の配線に印加されるリセット電圧と同一のリセット電圧が印加される第２の配線と、前記第１の配線若しくは前記第２の配線のいずれか一方に接続された所定の容量、若しくは、前記第１の配線若しくは前記第２の配線のいずれか一方に接続された所定の抵抗とを有する固体撮像装置と、
前記光電変換部に入射光を導く光学系とを備える
撮像装置。
【請求項６】
測定対象である信号電荷が蓄積され、蓄積された信号電荷を電圧信号に変換するフローティングディフュージョン部と、
該フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を掃き捨てるドレイン部と、
前記フローティングディフュージョン部と前記ドレイン部との間に設けられたリセットゲート部と、
該リセットゲート部の前記フローティングディフュージョン部側の端部領域と接続され、若しくは、前記リセットゲート部の前記ドレイン部側の端部領域と接続されると共に、所定のリセット電圧が印加される配線とを備える
電荷検出装置。
【請求項７】
測定対象である信号電荷をフローティングディフュージョン部に蓄積する工程と、
前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を電圧信号に変換する工程と、
前記フローティングディフュージョン部に隣接して設けられたリセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部とは反対側の端部領域に所定のリセット電圧を印加することで、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷をドレイン部に掃き捨てる工程とを備える
電荷検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電荷検出装置及び電荷検出方法、並びに固体撮像装置及びその駆動方法、並びに撮像装置に関する。詳しくは、信号電荷を電圧信号に変換するフローティングディフュージョン部（ＦＤ部）を有する電荷検出装置及び電荷検出方法、並びにこうした電荷検出装置を有する固体撮像装置及びその駆動方法、並びに撮像装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置は、大別するとＣＣＤ型のイメージセンサと、ＣＭＯＳ型のイメージセンサに分けられ、こうした固体撮像装置では、信号電荷を電圧信号に変換する際の電荷検出装置としてＦＤ（ＦｌｏａｔｉｎｇＤｉｆｆｕｓｉｏｎ）部が知られている。
【０００３】
図２０は従来のＦＤを用いた電荷検出装置を説明するための模式図である。ここで示す電荷検出装置では、信号電荷を電圧信号に変換するＦＤ部１０１と、信号電荷を排出するリセットドレイン（ＲＤ）部１０２と、ＦＤ部内の信号電荷をＲＤ部に掃き捨てるリセットゲート（ＲＧ）部１０３と、ソースフォロア回路１０４とからなる。
【０００４】
上記の様に構成された電荷検出装置では、ＦＤ部に蓄積された信号電荷を電圧信号に変換した後に、ＲＧ部に印加するリセット電圧をオンの状態にすることで、ＦＤ部内の信号電荷をＲＤ部に掃き捨てるリセット動作を行っている。
【０００５】
ところで、従来の電荷検出装置では、リセット動作時にＲＧ部下のポテンシャルが一定であるために、リセット電圧をオフの状態にした瞬間に、ＲＧ部下の信号電荷がＦＤ部やＲＤ部にバラツキを持って流入してしまう。そのため、リセット動作毎にＦＤ部に流入する信号電荷量にバラツキが生じ、電荷検出装置の出力信号のノイズの原因となっている。
【０００６】
そこで、特許文献１には、リセットゲート電極を複数に分割し、それぞれの電極に異なるリセット電圧を印加することで、リセットゲート下のポテンシャルに勾配を付する技術が開示されている。また、特許文献２には、リセットゲート下の不純物量を変化させたり、リセットゲート下の酸化膜の膜厚を変化させたりすることで、リセットゲート下のポテンシャルに勾配を付する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３１７９９３号公報
【特許文献２】特開昭６３−２０２０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の技術では、分割した電極のそれぞれに異なるリセット電圧を印加するために、リセット電圧を印加する端子数が増大してしまう。また、分割した電極同士の耐圧を確保する必要があるために、リセットゲート電極（全体）は信号電荷の転送方向の長さを大きく構成せざるを得ない。更には、分割されたそれぞれの電極下のポテンシャルは一定であるために、それぞれの電極において信号電荷の流入方向のバラツキが生じてしまう。また、特許文献２の技術では、電荷検出装置の構成の複雑化を招く。
【０００９】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、リセット動作時における信号電荷の流入先のバラツキを抑制することができる電荷検出装置及び電荷検出方法、並びに固体撮像装置及びその駆動方法、並びに撮像装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明の電荷検出装置は、測定対象である信号電荷が蓄積され、蓄積された信号電荷を電圧信号に変換するフローティングディフュージョン部と、該フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を掃き捨てるドレイン部と、前記フローティングディフュージョン部と前記ドレイン部との間に設けられたリセットゲート部と、該リセットゲート部の前記フローティングディフュージョン部側の端部領域と接続され、所定のリセット電圧が印加される第１の配線と、前記リセットゲート部の前記ドレイン部側の端部領域と接続され、前記第１の配線に印加されるリセット電圧と同一のリセット電圧が印加される第２の配線と、前記第１の配線若しくは前記第２の配線のいずれか一方に接続された所定の容量、若しくは、前記第１の配線若しくは前記第２の配線のいずれか一方に接続された所定の抵抗とを備える。
【００１１】
また、本発明の固体撮像装置は、入射光に応じた信号電荷を発生する光電変換部と、該光電変換部で発生した信号電荷が蓄積され、蓄積された信号電荷を電圧信号に変換するフローティングディフュージョン部と、該フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を掃き捨てるドレイン部と、前記フローティングディフュージョン部と前記ドレイン部との間に設けられたリセットゲート部と、該リセットゲート部の前記フローティングディフュージョン部側の端部領域と接続され、所定のリセット電圧が印加される第１の配線と、前記リセットゲート部の前記ドレイン部側の端部領域と接続され、前記第１の配線に印加されるリセット電圧と同一のリセット電圧が印加される第２の配線と、前記第１の配線若しくは前記第２の配線のいずれか一方に接続された所定の容量、若しくは、前記第１の配線若しくは前記第２の配線のいずれか一方に接続された所定の抵抗とを備える。
【００１２】
また、本発明の撮像装置は、入射光に応じた信号電荷を発生する光電変換部と、該光電変換部で発生した信号電荷が蓄積され、蓄積された信号電荷を電圧信号に変換するフローティングディフュージョン部と、該フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を掃き捨てるドレイン部と、前記フローティングディフュージョン部と前記ドレイン部との間に設けられたリセットゲート部と、該リセットゲート部の前記フローティングディフュージョン部側の端部領域と接続され、所定のリセット電圧が印加される第１の配線と、前記リセットゲート部の前記ドレイン部側の端部領域と接続され、前記第１の配線に印加されるリセット電圧と同一のリセット電圧が印加される第２の配線と、前記第１の配線若しくは前記第２の配線のいずれか一方に接続された所定の容量、若しくは、前記第１の配線若しくは前記第２の配線のいずれか一方に接続された所定の抵抗とを有する固体撮像装置と、前記光電変換部に入射光を導く光学系とを備える。
【００１３】
ここで、第１の配線若しくは第２の配線のいずれか一方に接続された所定の容量、若しくは、第１の配線若しくは第２の配線のいずれか一方に接続された所定の抵抗によって、リセットゲート部下のポテンシャルに勾配を付すことができる。
【００１４】
また、本発明の電荷検出装置は、測定対象である信号電荷が蓄積され、蓄積された信号電荷を電圧信号に変換するフローティングディフュージョン部と、該フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を掃き捨てるドレイン部と、前記フローティングディフュージョン部と前記ドレイン部との間に設けられたリセットゲート部と、該リセットゲート部の前記フローティングディフュージョン部側の端部領域と接続され、若しくは、前記リセットゲート部の前記ドレイン部側の端部領域と接続されると共に、所定のリセット電圧が印加される配線とを備える。
【００１５】
ここで、リセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、ドレイン部側の端部領域と接続されると共に、所定のリセット電圧が印加される配線によって、リセットゲート部下のポテンシャルに勾配を付すことができる。
【００１６】
また、本発明の電荷検出方法は、測定対象である信号電荷をフローティングディフュージョン部に蓄積する工程と、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を電圧信号に変換する工程と、前記フローティングディフュージョン部に隣接して設けられたリセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部とは反対側の端部領域の一方に所定のリセット電圧を印加すると共に、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部とは反対側の端部領域の他方に所定の容量若しくは所定の抵抗を介して前記所定のリセット電圧を印加することで、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷をドレイン部に掃き捨てる工程とを備える。
【００１７】
また、本発明の固体撮像装置の駆動方法は、光電変換部により入射光に応じた信号電荷を発生する工程と、前記光電変換部で発生した信号電荷をフローティングディフュージョン部に蓄積する工程と、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を電圧信号に変換する工程と、前記フローティングディフュージョン部に隣接して設けられたリセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部とは反対側の端部領域の一方に所定のリセット電圧を印加すると共に、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部とは反対側の端部領域の他方に所定の容量若しくは所定の抵抗を介して前記所定のリセット電圧を印加することで、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷をドレイン部に掃き捨てる工程とを備える。
【００１８】
ここで、リセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、リセットゲート部のフローティングディフュージョン部とは反対側の端部領域の一方に所定のリセット電圧を印加すると共に、リセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、リセットゲート部のフローティングディフュージョン部とは反対側の端部領域の他方に所定の容量若しくは所定の抵抗を介して所定のリセット電圧を印加することによって、リセットゲート部下のポテンシャルに勾配を付すことができる。
【００１９】
また、本発明の電荷検出方法は、測定対象である信号電荷をフローティングディフュージョン部に蓄積する工程と、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を電圧信号に変換する工程と、前記フローティングディフュージョン部に隣接して設けられたリセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、前記リセットゲート部のフローティングディフュージョン部とは反対側の端部領域に所定のリセット電圧を印加することで、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷をドレイン部に掃き捨てる工程とを備える。
【００２０】
ここで、リセットゲート部のフローティングディフュージョン部側の端部領域、若しくは、リセットゲート部のフローティングディフュージョン部とは反対側の端部領域に所定のリセット電圧を印加することによって、リセットゲート部下のポテンシャルに勾配を付すことができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の電荷検出装置及び電荷検出方法、並びに固体撮像装置及びその駆動方法、並びに撮像装置では、リセット動作時における信号電荷の流入先のバラツキを抑制できる。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、発明を実施するための形態（以下、「実施の形態」と称する。）について説明を行う。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（ＣＣＤ型固体撮像装置（エリアセンサ））
２．第１の実施の形態の変形例（１）
３．第１の実施の形態の変形例（２）
４．第１の実施の形態の変形例（３）
５．第２の実施の形態（ＣＣＤ型固体撮像装置（リニアセンサ））
６．第２の実施の形態の変形例（１）
７．第２の実施の形態の変形例（２）
８．第２の実施の形態の変形例（３）
９．第３の実施の形態（ＣＭＯＳ型固体撮像装置）
１０．第３の実施の形態の変形例
１１．第４の実施の形態（撮像装置）
１２．変形例
【００２３】
＜１．第１の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成］
図１（ａ）は本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ型固体撮像装置（エリアセンサ）を説明するための模式的な平面図である。また、図１（ｂ）は本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ型固体撮像装置（エリアセンサ）の水平転送レジスタの最終出力段（図１（ａ）中符号ａで示す領域）を説明するための模式的な断面図である。なお、以下に示すフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出装置は、本発明を適用した電荷検出装置の一例でもある。
【００２４】
ここで示すＣＣＤ型固体撮像装置（エリアセンサ）は、シリコン基板内に、マトリクス状に配列された複数の受光部１と、この受光部に隣接して設けられ、受光部１で取り込んだ信号電荷を読み出す読み出しゲート２を有する。また、読み出しゲート２に隣接して設けられ、読み出しゲート２によって読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ３と、垂直転送レジスタ３により転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ４を有する。更に、受光部１の読み出しゲート２とは逆側に設けられ、混色を抑制するチャネルストップ領域５が形成されている。
【００２５】
また、水平転送レジスタ４は、受光部１から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有している。そして、水平転送レジスタ４上の転送電極に転送クロックを印加することで、電荷蓄積部のポテンシャルを変化させ、電荷蓄積部間で信号電荷を水平転送できる様に構成されている。
【００２６】
更に、水平転送レジスタ４は、Ｎ型半導体基板６の表面側にＰ型ウェル７を介してＮ型のチャネル領域８が形成されている。Ｎ型のチャネル領域８の表面部にはＮ−型のトランスファ（ＴＲ）領域９が図の左右方向にて一定のピッチで形成され、このトランスファ９，９間のチャネル領域がストレージ（ＳＴ）領域１０となっている。
【００２７】
また、ストレージ領域１０の上方には１層目のポリシリコンからなる電極Ｈ１が、トランスファ領域９の上方には２層目のポリシリコンからなる電極Ｈ２がそれぞれ絶縁膜（図示せず）を介して形成されている。そして、隣り合う電極Ｈ１，Ｈ２が対となり、この電極対（Ｈ１，Ｈ２）に対してその配列方向にて交互に２相の転送クロックＨφ１，Ｈφ２が印加されることで２相駆動の水平転送が実現することとなる。
【００２８】
更に、水平転送レジスタ４の最終段には２層目のポリシリコンからなるＨＯＧ電極１４が形成されると共に、ＨＯＧ電極１４は基準電位であるグランド（接地）電位に電気的に接続されている。なお、ＨＯＧ電極１４はその下のチャネル領域と共に出力ゲート部１５を構成している。
【００２９】
また、出力ゲート部１５に隣接してＮ＋型のフローティングディフュージョン（ＦＤ）部１７が形成され、このフローティングディフュージョン部１７の横にチャネル領域１８を挟んでＮ＋型のリセットドレイン（ＲＤ）部１９が形成されている。更に、チャネル領域１８の上方に絶縁膜（図示せず）を介してリセットゲート（ＲＧ）部２０が形成されている。
即ち、フローティングディフュージョン部１７、リセットドレイン部１９及びリセットゲート部２０によってフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出装置を実現している。そして、出力ゲート部１５から出力された信号電荷は、こうしたフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出装置によって、電荷検出がなされることとなる。
【００３０】
また、フローティングディフュージョン部１７はソースフォロア回路２１と接続されており、リセットドレイン部１９は一定のドレイン電圧Ｖｒｄが印加されている。
なお、フローティングディフュージョン部１７の信号電荷の変化量をΔＱ、フローティングディフュージョン部１７の静電容量をＣとすると、ソースフォロア回路２１から出力される電圧変化ΔＶは、ΔＶ＝ΔＱ／Ｃで表現することができる。
【００３１】
ここで、図２（図２（ａ）は模式的な断面図、図２（ｂ）は模式的な平面図）で示す様に、リセットゲート部２０のフローティングディフュージョン部１７側の端部領域には第１のコンタクト部ＲＳ１が形成されている。そして、第１のコンタクト部ＲＳ１は、リセットゲートパルス（φＲＧ）が印加される端子２２と第１の配線２３で接続されている。
【００３２】
また、リセットゲート部２０のリセットドレイン部１９側の端部領域には第２のコンタクト部ＲＳ２が形成されている。そして、第２のコンタクト部ＲＳ２は、リセットゲートパルス（φＲＧ）が印加される端子２２と第２の配線２４で接続されている。更に、第２の配線２４には所定の容量２５が形成されている。
【００３３】
即ち、リセットゲート部２０は、端子２２に印加されたリセットゲートパルス（φＲＧ）が、第１の配線２３を介して第１のコンタクト部ＲＳ１に印加できると共に第２の配線２４を介して第２のコンタクト部ＲＳ２に印加できる様に構成されている。
【００３４】
［固体撮像装置の動作］
以下、上記の様に構成された固体撮像装置の動作について説明を行う。即ち、本発明を適用した固体撮像装置の駆動方法の一例について説明を行う。なお、上記のフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出装置の動作については、本発明を適用した電荷検出方法の一例でもある。
【００３５】
本発明を適用した固体撮像装置（エリアセンサ）の駆動方法では、先ず、タイミング信号発生回路（図示せず）から垂直転送クロックを垂直転送レジスタ３に印加する。
垂直転送クロックの印加によって、受光部１から垂直転送レジスタ３に読み出した信号電荷が垂直方向に転送されることとなり、垂直転送レジスタ３によって垂直転送された信号電荷は水平転送レジスタ４に転送されることとなる。
【００３６】
次に、水平転送レジスタ４上の転送電極（Ｈ１，Ｈ２，ＬＨ）に転送クロックを印加することによって、水平転送レジスタ４に転送された信号電荷を出力方向に転送する。
【００３７】
具体的には、図１中符号Ｈ１で示す転送電極に図３中符号Ｈφ１で示す転送クロックを印加し、図１中符号Ｈ２で示す転送電極に図３中符号Ｈφ２で示す転送クロックを印加する。また、図１中符号ＬＨで示す転送電極に図３中符号ＬＨφで示す転送クロックを印加する。こうした転送クロックを印加し、水平転送レジスタ４の電荷蓄積部のポテンシャルを上下させることで、出力方向（図１の場合には右方向から左方向）に信号電荷を転送する。
【００３８】
なお、第１の実施の形態では、「Ｈφ１の振幅／Ｈφ２の振幅」は３〜５Ｖ程度であり、Ｈφ１とＨφ２とは逆位相となり、Ｈφ１とＬＨφとは同一の転送クロックとしている。
【００３９】
続いて、水平転送レジスタ４内を転送された信号電荷を、フローティングディフュージョン部１７に転送し、フローティングディフュージョン部１７に転送された信号電荷は、電荷量に応じた電圧信号に変換される。
【００４０】
フローティングディフュージョン部１７で電圧信号に変換した後は、端子２２にリセットゲートパルスφＲＧを印加し、フローティングディフュージョン部１７に蓄積された信号電荷をリセットドレイン部１９に掃き捨てる。
【００４１】
こうした一連の動作を行うことによって、図３中符号Ｘで示す様なＣＣＤ型固体撮像装置（エリアセンサ）の出力信号を得ることができるのである。
【００４２】
本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ型固体撮像装置（エリアセンサ）では、第２の配線２４に所定の容量２５が形成されているために、リセットゲートパルスφＲＧの波形を鈍らせることができる。
具体的には、第１の配線２３を介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第１のコンタクト部ＲＳ１の電位変化は図４中符号Ａで示す様に矩形波となる。これに対して、第２の配線２４を介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化は過渡現象が起こることで、図４中符号Ｂで示す様な鈍りを発生させることができる。
そして、第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化に鈍りが生じることによって、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間（図４中符号ｔで示すタイミング）には、図５で示す様なポテンシャル勾配を付することが可能となる。
従って、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間には、リセットゲート部２０下の信号電荷はリセットドレイン部１９に流入することとなる。そのため、リセット動作毎にフローティングディフュージョン部１７に流入する信号電荷量のバラツキを低減することができる。
【００４３】
また、複数のリセットゲートパルスを印加することなくポテンシャル勾配を実現することができるために、リセットゲートパルスを印加するための端子数が増大することもない。更には、リセットゲート部２０下の不純物量を変化させたり、リセットゲート部２０下の酸化膜の膜厚を変化させたりする必要がないために、構造の複雑化を招くこともない。
【００４４】
＜２．第１の実施の形態の変形例（１）＞
上記した第１の実施の形態では、第２の配線２４に所定の容量２５が形成され、第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化に鈍りが生じる場合を例に挙げて説明を行っている。しかし、必ずしも第２の配線２４に所定の容量２５が形成される必要はなく、第１の配線２３に所定の容量２５が形成されても良い。
【００４５】
具体的には、図６で示す様に、第１の配線２３によって第１のコンタクト部ＲＳ１と端子２２が接続され、更に、第１の配線２３に所定の容量２５が形成されて構成されていても良い。なお、この場合には、第２の配線２４によって第２のコンタクト部ＲＳ２と端子２２は接続されるものの、第２の配線２４には所定の容量２５は形成されない。
【００４６】
図６の様に構成されたＣＣＤ型固体撮像装置（エリアセンサ）では、第１の配線２３に所定の容量２５が形成されているために、リセットゲートパルスφＲＧの波形を鈍らせることができる。
具体的には、第２の配線２４を介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化は図７中符号Ｃで示す様に矩形波となる。これに対して、第１の配線２３を介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第１のコンタクト部ＲＳ１の電位変化は過渡現象が起こることで、図７中符号Ｄで示す様な鈍りを発生させることができる。
そして、第１のコンタクト部ＲＳ１の電位変化に鈍りが生じることによって、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間（図７中符号ｔで示すタイミング）には、図８で示す様なポテンシャル勾配を付することが可能となる。
従って、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間には、リセットゲート部２０下の信号電荷はフローティングディフュージョン部１７に流入することとなる。そのため、リセット動作毎にフローティングディフュージョン部１７に流入する信号電荷量のバラツキを低減することができる。
【００４７】
また、複数のリセットゲートパルスを印加することなくポテンシャル勾配を実現することができるために、リセットゲートパルスを印加するための端子数が増大することがないという点も、上記した第１の実施の形態と同様である。更には、リセットゲート部２０下の不純物量を変化させたり、リセットゲート部２０下の酸化膜の膜厚を変化させたりする必要がないために、構造の複雑化を招くことがないという点も、上記した第１の実施の形態と同様である。
【００４８】
＜３．第１の実施の形態の変形例（２）＞
上記した第１の実施の形態では、第２の配線２４に所定の容量２５が形成され、第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化に鈍りが生じる場合を例に挙げて説明を行っている。しかし、必ずしも第２の配線２４に所定の容量２５が形成される必要はなく、第２の配線２４に所定の抵抗２６が形成されても良い。
【００４９】
具体的には、図９で示す様に、第２の配線２４によって第２のコンタクト部ＲＳ１と端子２２が接続され、更に、第２の配線２４に所定の抵抗２６が形成されて構成されていても良い。なお、この場合には、第１の配線２３によって第１のコンタクト部ＲＳ１と端子２２は接続されるものの、第１の配線２３には所定の容量２５も所定の抵抗２６も形成されない。
【００５０】
図９の様に構成されたＣＣＤ型固体撮像装置（エリアセンサ）では、第２の配線２４に所定の抵抗２６が形成されているために、リセットゲートパルスφＲＧを電圧降下させることができる。
具体的には、第１の配線２３を介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第１のコンタクト部ＲＳ１の電位変化は図１０中符号Ｅで示す様に、電圧降下が生じていない波形となる。これに対して、第２の配線２４を介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化は電圧降下が起こることで、図１０中符号Ｆで示す波形の様に、第１のコンタクト部ＲＳ１よりも低電圧が印加されることとなる。
そして、第２のコンタクト部ＲＳ２に印加されるリセットゲートパルスφＲＧが電圧降下を生じることによって、リセットゲートパルスφＲＧをオフにした状態では、図８で示す様なポテンシャル勾配を付することが可能となる。
従って、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にすると、リセットゲート部２０下の信号電荷はフローティングディフュージョン部１７に流入することとなる。そのため、リセット動作毎にフローティングディフュージョン部１７に流入する信号電荷量のバラツキを低減することができる。
【００５１】
また、複数のリセットゲートパルスを印加することなくポテンシャル勾配を実現することができるために、リセットゲートパルスを印加するための端子数が増大することがないという点も、上記した第１の実施の形態と同様である。更には、リセットゲート部２０下の不純物量を変化させたり、リセットゲート部２０下の酸化膜の膜厚を変化させたりする必要がないために、構造の複雑化を招くことがないという点も、上記した第１の実施の形態と同様である。
【００５２】
＜４．第１の実施の形態の変形例（３）＞
上記した第１の実施の形態の変形例（２）では、第２の配線２４に所定の抵抗２６が形成され、第２のコンタクト部ＲＳ２に電圧降下が生じる場合を例に挙げて説明を行っている。しかし、必ずしも第２の配線２４に所定の抵抗２６が形成される必要はなく、第１の配線２３に所定の抵抗２６が形成されても良い。
【００５３】
具体的には、図１１で示す様に、第１の配線２３によって第１のコンタクト部ＲＳ１と端子２２が接続され、更に、第１の配線２３に所定の抵抗２６が形成されて構成されていても良い。なお、この場合には、第２の配線２４によって第２のコンタクト部ＲＳ２と端子２２は接続されるものの、第２の配線２４には所定の容量２５も所定の抵抗２６も形成されない。
【００５４】
図１１の様に構成されたＣＣＤ型固体撮像装置（エリアセンサ）では、第１の配線２３に所定の抵抗２６が形成されているために、リセットゲートパルスφＲＧを電圧降下させることができる。
具体的には、第２の配線２４を介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化は図１２中符号Ｇで示す様に、電圧降下が生じていない波形となる。これに対して、第１の配線２３を介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第１のコンタクト部ＲＳ１の電位変化は電圧降下が起こることで、図１２中符号Ｈで示す波形の様に、第２のコンタクト部ＲＳ２よりも低電圧が印加されることとなる。
そして、第１のコンタクト部ＲＳ１に印加されるリセットゲートパルスφＲＧが電圧降下を生じることによって、リセットゲートパルスφＲＧをオフにした状態では、図５で示す様なポテンシャル勾配を付することが可能となる。
従って、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にすると、リセットゲート部２０下の信号電荷はリセットドレイン部１９に流入することとなる。そのため、リセット動作毎にフローティングディフュージョン部１７に流入する信号電荷量のバラツキを低減することができる。
【００５５】
また、複数のリセットゲートパルスを印加することなくポテンシャル勾配を実現することができるために、リセットゲートパルスを印加するための端子数が増大することがないという点も、上記した第１の実施の形態と同様である。更には、リセットゲート部２０下の不純物量を変化させたり、リセットゲート部２０下の酸化膜の膜厚を変化させたりする必要がないために、構造の複雑化を招くことがないという点も、上記した第１の実施の形態と同様である。
【００５６】
＜５．第２の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成］
図１３（ａ）は本発明を適用した固体撮像装置の他の一例であるＣＣＤ型固体撮像装置（リニアセンサ）を説明するための模式的な平面図である。また、図１３（ｂ）は本発明を適用した固体撮像装置の他の一例であるＣＣＤ型固体撮像装置（リニアセンサ）の転送レジスタの最終出力段を説明するための模式的な断面図である。なお、以下に示すフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出装置は、本発明を適用した電荷検出装置の一例でもある。
【００５７】
ここで示すＣＣＤ型固体撮像装置（リニアセンサ）３１における第１のＣＣＤリニアセンサ３２は、フォトダイオードから成る光電変換部（受光部）３３が直線的に多数配列されてなる第１のセンサ列３４を有する。この第１のセンサ列３４の一方側には各受光部で光電変換された信号電荷を読み出す第１の読み出しゲート３５及びこの第１の読み出しゲート３５により読み出された信号電荷を出力部側に転送する第１の転送レジスタ３６が設けられている。また、第１のセンサ列３４の他方側には第１のオーバーフローコントロールバリア３７及びオーバーフロードレイン３８が配される様に構成されている。
【００５８】
また、第１の転送レジスタ３６は、図１３（ｂ）で示す様に、受光部３３から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有している。そして、第１の転送レジスタ３６上の転送電極に転送クロックを印加することで、電荷蓄積部のポテンシャルを変化させ、電荷蓄積部間で信号電荷を転送できる様に構成されている。
【００５９】
更に、第１の転送レジスタ３６は、Ｎ型半導体基板６の表面側にＰ型ウェル７を介してＮ型のチャネル領域８が形成されている。Ｎ型のチャネル領域８の表面部にはＮ−型のトランスファ（ＴＲ）領域９が図の左右方向にて一定のピッチで形成され、このトランスファ９，９間のチャネル領域がストレージ（ＳＴ）領域１０となっている。
【００６０】
また、ストレージ領域１０の上方には１層目のポリシリコンからなる電極Ｈ１が、トランスファ領域９の上方には２層目のポリシリコンからなる電極Ｈ２がそれぞれ絶縁膜（図示せず）を介して形成されている。そして、隣り合う電極Ｈ１，Ｈ２が対となり、この電極対（Ｈ１，Ｈ２）に対してその配列方向にて交互に２相の転送クロックＨφ１，Ｈφ２が印加されることで２相駆動の転送が実現することとなる。
【００６１】
更に、第１の転送レジスタ３６の最終段には２層目のポリシリコンからなるＨＯＧ電極１４Ａが形成されると共に、ＨＯＧ電極１４Ａは基準電位であるグランド（接地）電位に電気的に接続されている。なお、ＨＯＧ電極１４Ａはその下のチャネル領域と共に出力ゲート部１５Ａを構成している。
【００６２】
また、出力ゲート部１５Ａに隣接してＮ＋型のフローティングディフュージョン部（ＦＤ）１７Ａが形成され、このフローティングディフュージョン部１７Ａの横にチャネル領域１８Ａを挟んでＮ＋型のリセットドレイン（ＲＤ）部１９Ａが形成されている。更に、チャネル領域１８Ａの上方に絶縁膜（図示せず）を介してリセットゲート（ＲＧ）部２０Ａが形成されている。
即ち、フローティングディフュージョン部１７Ａ、リセットドレイン部１９Ａ及びリセットゲート部２０Ａによってフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出装置を実現している。そして、第１の転送レジスタ３６の出力ゲート部１５Ａから出力された信号電荷は、こうしたフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出装置によって、電荷検出されることとなる。
【００６３】
また、フローティングディフュージョン部１７Ａはソースフォロア回路２１Ａと接続されており、リセットドレイン部１９Ａは一定のドレイン電圧Ｖｒｄが印加されている。
なお、フローティングディフュージョン部１７Ａの信号電荷の変化量をΔＱ、フローティングディフュージョン部１７Ａの静電容量をＣとすると、ソースフォロア回路２１Ａから出力される電圧変化ΔＶは、ΔＶ＝ΔＱ／Ｃで表現することができる。
【００６４】
ここで、リセットゲート部２０Ａのフローティングディフュージョン部１７Ａ側の端部領域には第１のコンタクト部ＲＳ１が形成されている。そして、第１のコンタクト部ＲＳ１は、リセットゲートパルス（φＲＧ）が印加される端子２２Ａと第１の配線２３Ａで接続されている（図２参照。）。
【００６５】
また、リセットゲート部２０Ａのリセットドレイン部１９Ａ側の端部領域には第２のコンタクト部ＲＳ２が形成されている。そして、第２のコンタクト部ＲＳ２は、リセットゲートパルス（φＲＧ）が印加される端子２２Ａと第２の配線２４Ａで接続されている。更に、第２の配線２４Ａには所定の容量２５Ａが形成されている。
【００６６】
即ち、リセットゲート部２０Ａは、端子２２Ａに印加されたリセットゲートパルス（φＲＧ）が、第１の配線２３Ａを介して第１のコンタクト部ＲＳ１に印加できると共に第２の配線２４Ａを介して第２のコンタクト部ＲＳ２に印加できる様に構成されている。
【００６７】
また、本発明を適用したＣＣＤ型固体撮像装置（リニアセンサ）３１における第２のＣＣＤリニアセンサ３９は、第１のＣＣＤリニアセンサ３２と同様に、フォトダイオードから成る光電変換部（受光部）が直線的に多数配列されてなる第２のセンサ列４０を有する。この第２のセンサ列４０の一方側には各受光部で光電変換された信号電荷を読み出す第２の読み出しゲート４１及びこの第２の読み出しゲート４１により読み出された信号電荷を出力部側に転送する第２の転送レジスタ４２が設けられている。また、第２のセンサ列４０の他方側には第２のオーバーフローコントロールバリア４３及びオーバーフロードレイン３８が配される様に構成されている。
【００６８】
また、第２の転送レジスタ４２は、図１３（ｂ）で示す様に、受光部３３から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有している。そして、第２の転送レジスタ４２上の転送電極に転送クロックを印加することで、電荷蓄積部のポテンシャルを変化させ、電荷蓄積部間で信号電荷を転送できる様に構成されている。
【００６９】
更に、第２の転送レジスタ４２は、Ｎ型半導体基板６の表面側にＰ型ウェル７を介してＮ型のチャネル領域８が形成されている。Ｎ型のチャネル領域８の表面部にはＮ−型のトランスファ（ＴＲ）領域９が図の左右方向にて一定のピッチで形成され、このトランスファ９，９間のチャネル領域がストレージ（ＳＴ）領域１０となっている。
【００７０】
また、ストレージ領域１０の上方には１層目のポリシリコンからなる電極Ｈ１が、トランスファ領域９の上方には２層目のポリシリコンからなる電極Ｈ２がそれぞれ絶縁膜（図示せず）を介して形成されている。そして、隣り合う電極Ｈ１，Ｈ２が対となり、この電極対（Ｈ１，Ｈ２）に対してその配列方向にて交互に２相の転送クロックＨφ１，Ｈφ２が印加されることで２相駆動の転送が実現することとなる。
【００７１】
更に、第２の転送レジスタ４２の最終段には２層目のポリシリコンからなるＨＯＧ電極１４Ｂが形成されると共に、ＨＯＧ電極１４Ｂは基準電位であるグランド（接地）電位に電気的に接続されている。なお、ＨＯＧ電極１４Ｂはその下のチャネル領域と共に出力ゲート部１５Ｂを構成している。
【００７２】
また、出力ゲート部１５Ｂに隣接してＮ＋型のフローティングディフュージョン部（ＦＤ）１７Ｂが形成され、このフローティングディフュージョン部１７Ｂの横にチャネル領域１８Ｂを挟んでＮ＋型のリセットドレイン（ＲＤ）部１９Ｂが形成されている。更に、チャネル領域１８Ｂの上方に絶縁膜（図示せず）を介してリセットゲート（ＲＧ）部２０Ｂが形成されている。
即ち、フローティングディフュージョン部１７Ｂ、リセットドレイン部１９Ｂ及びリセットゲート部２０Ｂによってフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出装置を実現している。そして、第２の転送レジスタ４２の出力ゲート部１５Ｂから出力された信号電荷は、こうしたフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出装置によって、電荷検出されることとなる。
【００７３】
また、フローティングディフュージョン部１７Ｂはソースフォロア回路２１Ｂと接続されており、リセットドレイン部１９Ｂは一定のドレイン電圧Ｖｒｄが印加されている。
なお、フローティングディフュージョン部１７Ｂの信号電荷の変化量をΔＱ、フローティングディフュージョン部１７Ｂの静電容量をＣとすると、ソースフォロア回路２１Ｂから出力される電圧変化ΔＶは、ΔＶ＝ΔＱ／Ｃで表現することができる。
【００７４】
ここで、リセットゲート部２０Ｂのフローティングディフュージョン部１７Ｂ側の端部領域には第１のコンタクト部ＲＳ１が形成されている。そして、第１のコンタクト部ＲＳ１は、リセットゲートパルス（φＲＧ）が印加される端子２２Ｂと第１の配線２３Ｂで接続されている（図２参照。）。
【００７５】
また、リセットゲート部２０Ｂのリセットドレイン部１９Ｂ側の端部領域には第２のコンタクト部ＲＳ２が形成されている。そして、第２のコンタクト部ＲＳ２は、リセットゲートパルス（φＲＧ）が印加される端子２２Ｂと第２の配線２４Ｂで接続されている。更に、第２の配線２４Ｂには所定の容量２５Ｂが形成されている。
【００７６】
即ち、リセットゲート部２０Ｂは、端子２２Ｂに印加されたリセットゲートパルス（φＲＧ）が、第１の配線２３Ｂを介して第１のコンタクト部ＲＳ１に印加できると共に第２の配線２４Ｂを介して第２のコンタクト部ＲＳ２に印加できる様に構成されている。
【００７７】
［固体撮像装置の動作］
以下、上記の様に構成された固体撮像装置の動作について説明を行う。即ち、本発明を適用した固体撮像装置の駆動方法の他の一例について説明を行う。なお、上記のフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出装置の動作については、本発明を適用した電荷検出方法の一例でもある。
【００７８】
本発明を適用した固体撮像装置（リニアセンサ）の第１のＣＣＤリニアセンサ３２では、先ず、入射光に応じて第１のセンサ列３４の各受光部に蓄積された信号電荷は、第１の読み出しゲート３５を介して第１の転送レジスタ３６に読み出される。
【００７９】
次に、第１の転送レジスタ３６上の転送電極（Ｈ１，Ｈ２，ＬＨ）に転送クロックを印加することによって、第１の転送レジスタ３６に転送された信号電荷を出力方向に転送する。
【００８０】
具体的には、図１３中符号Ｈ１で示す転送電極に図３中符号Ｈφ１で示す転送クロックを印加し、図１３中符号Ｈ２で示す転送電極に図３中符号Ｈφ２で示す転送クロックを印加する。また、図１３中符号ＬＨで示す転送電極に図３中符号ＬＨφで示す転送クロックを印加する。こうした転送クロックを印加し、第１の転送レジスタ３６の電荷蓄積部のポテンシャルを上下させることで、出力方向（図１３の場合には右方向から左方向）に信号電荷を転送する。
【００８１】
続いて、第１の転送レジスタ３６内を転送された信号電荷を、フローティングディフュージョン部１７Ａに転送し、フローティングディフュージョン部１７Ａに転送された信号電荷は、電荷量に応じた電圧信号に変換される。
【００８２】
フローティングディフュージョン部１７Ａで電圧信号に変換した後は、端子２２ＡにリセットゲートパルスφＲＧを印加し、フローティングディフュージョン部１７Ａに蓄積された信号電荷をリセットドレイン部１９Ａに掃き捨てる。
【００８３】
こうした一連の動作を行うことによって、第１のＣＣＤリニアセンサ３２からの出力信号を得ることができるのである。
【００８４】
また、本発明を適用した固体撮像装置（リニアセンサ）の第２のＣＣＤリニアセンサ３９では、先ず、入射光に応じて第２のセンサ列４０の各受光部に蓄積された信号電荷は、第２の読み出しゲート４１を介して第２の転送レジスタ４２に読み出される。
【００８５】
次に、第２の転送レジスタ４２上の転送電極（Ｈ１，Ｈ２，ＬＨ）に転送クロックを印加することによって、第２の転送レジスタ４２に転送された信号電荷を出力方向に転送する。
【００８６】
具体的には、図１３中符号Ｈ１で示す転送電極に図３中符号Ｈφ１で示す転送クロックを印加し、図１３中符号Ｈ２で示す転送電極に図３中符号Ｈφ２で示す転送クロックを印加する。また、図１３中符号ＬＨで示す転送電極に図３中符号ＬＨφで示す転送クロックを印加する。こうした転送クロックを印加し、第２の転送レジスタ４２の電荷蓄積部のポテンシャルを上下させることで、出力方向（図１３の場合には右方向から左方向）に信号電荷を転送する。
【００８７】
続いて、第２の転送レジスタ４２内を転送された信号電荷を、フローティングディフュージョン部１７Ｂに転送し、フローティングディフュージョン部１７Ｂに転送された信号電荷は、電荷量に応じた電圧信号に変換される。
【００８８】
フローティングディフュージョン部１７Ｂで電圧信号に変換した後は、端子２２ＢにリセットゲートパルスφＲＧを印加し、フローティングディフュージョン部１７Ｂに蓄積された信号電荷をリセットドレイン部１９Ｂに掃き捨てる。
【００８９】
こうした一連の動作を行うことによって、第２のＣＣＤリニアセンサ３９からの出力信号を得ることができるのである。
【００９０】
本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ撮像装置（リニアセンサ）における第１のＣＣＤリニアセンサ３２では、第２の配線２４Ａに所定の容量２５Ａが形成されているために、リセットゲートパルスφＲＧの波形を鈍らせることができる。
具体的には、第１の配線２３Ａを介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第１のコンタクト部ＲＳ１の電位変化は図４中符号Ａで示す様に矩形波となる。これに対して、第２の配線２４Ａを介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化は過渡現象が起こることで、図４中符号Ｂで示す様な鈍りを発生させることができる。
そして、第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化に鈍りが生じることによって、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間（図４中符号ｔで示すタイミング）には、図５で示す様なポテンシャル勾配を付することが可能となる。
従って、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間には、リセットゲート部２０Ａ下の信号電荷はリセットドレイン部１９Ａに流入することとなる。そのため、リセット動作毎にフローティングディフュージョン部１７Ａに流入する信号電荷量のバラツキを低減することができる。
【００９１】
同様に、本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ撮像装置（リニアセンサ）における第２のＣＣＤリニアセンサ３９では、第２の配線２４Ｂに所定の容量２５Ｂが形成されているために、リセットゲートパルスφＲＧの波形を鈍らせることができる。
【００９２】
具体的には、第１の配線２３Ｂを介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第１のコンタクト部ＲＳ１の電位変化は図４中符号Ａで示す様に矩形波となる。これに対して、第２の配線２４Ｂを介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化は過渡現象が起こることで、図４中符号Ｂで示す様な鈍りを発生させることができる。
そして、第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化に鈍りが生じることによって、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間（図４中符号ｔで示すタイミング）には、図５で示す様なポテンシャル勾配を付することが可能となる。
従って、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間には、リセットゲート部２０Ｂ下の信号電荷はリセットドレイン部１９Ｂに流入することとなる。そのため、リセット動作毎にフローティングディフュージョン部１７Ｂに流入する信号電荷量のバラツキを低減することができる。
【００９３】
また、第１のＣＣＤリニアセンサ３２及び第２のＣＣＤリニアセンサ３９共に、複数のリセットゲートパルスを印加することなくポテンシャル勾配を実現することができるために、リセットゲートパルスを印加するための端子数が増大することもない。更には、リセットゲート部２０Ａ，２０Ｂ下の不純物量を変化させたり、リセットゲート部２０Ａ，２０Ｂ下の酸化膜の膜厚を変化させたりする必要がないために、構造の複雑化を招くこともない。
【００９４】
＜６．第２の実施の形態の変形例（１）＞
上記した第２の実施の形態では、第２の配線２４Ａ，２４Ｂに所定の容量２５Ａ，２５Ｂが形成され、第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化に鈍りが生じる場合を例に挙げて説明を行っている。しかし、必ずしも第２の配線２４Ａ，２４Ｂに所定の容量２５Ａ，２５Ｂが形成される必要はなく、第１の配線２３Ａ，２３Ｂに所定の容量２５Ａ，２５Ｂが形成されても良い。
【００９５】
具体的には、図６で示す様に、第１の配線２３Ａ，２３Ｂによって第１のコンタクト部ＲＳ１と端子２２Ａ，２２Ｂが接続され、更に、第１の配線２３Ａ，２３Ｂに所定の容量２５Ａ，２５Ｂが形成されて構成されていても良い。なお、この場合には、第２の配線２４Ａ，２４Ｂによって第２のコンタクト部ＲＳ２と端子２２Ａ，２２Ｂは接続されるものの、第２の配線２４Ａ，２４Ｂには所定の容量２５Ａ，２５Ｂは形成されない。
【００９６】
図６の様に構成されたＣＣＤ型固体撮像装置（リニアセンサ）では、第１の配線２３Ａ，２３Ｂに所定の容量２５Ａ，２５Ｂが形成されているために、リセットゲートパルスφＲＧの波形を鈍らせることができる。
具体的には、第２の配線２４Ａ，２４Ｂを介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化は図７中符号Ｃで示す様に矩形波となる。これに対して、第１の配線２３Ａ，２３Ｂを介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第１のコンタクト部ＲＳ１の電位変化は過渡現象が起こることで、図７中符号Ｄで示す様な鈍りを発生させることができる。
そして、第１のコンタクト部ＲＳ１の電位変化に鈍りが生じることによって、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間には、図８で示す様なポテンシャル勾配を付することが可能となる。
従って、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間には、リセットゲート部２０Ａ，２０Ｂ下の信号電荷はフローティングディフュージョン部１７Ａ，１７Ｂに流入することとなる。そのため、リセット動作毎にフローティングディフュージョン部１７Ａ，１７Ｂに流入する信号電荷量のバラツキを低減することができる。
【００９７】
また、複数のリセットゲートパルスを印加することなくポテンシャル勾配を実現することができるために、リセットゲートパルスを印加するための端子数が増大することがないという点も、上記した第２の実施の形態と同様である。更には、リセットゲート部２０Ａ，２０Ｂ下の不純物量を変化させたり、リセットゲート部２０Ａ，２０Ｂ下の酸化膜の膜厚を変化させたりする必要がないために、構造の複雑化を招くことがないという点も、上記した第２の実施の形態と同様である。
【００９８】
＜７．第２の実施の形態の変形例（２）＞
上記した第２の実施の形態では、第２の配線２４Ａ，２４Ｂに所定の容量２５Ａ，２５Ｂが形成され、第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化に鈍りが生じる場合を例に挙げて説明を行っている。しかし、必ずしも第２の配線２４Ａ，２４Ｂに所定の容量２５Ａ，２５Ｂが形成される必要はなく、第２の配線２４Ａ，２４Ｂに所定の抵抗２６Ａ，２６Ｂが形成されても良い。
【００９９】
具体的には、図９で示す様に、第２の配線２４Ａ，２４Ｂによって第２のコンタクト部ＲＳ２と端子２２Ａ，２２Ｂが接続され、更に、第２の配線２４Ａ，２４Ｂに所定の抵抗２６Ａ，２６Ｂが形成されて構成されていても良い。なお、この場合には、第１の配線２３Ａ，２３Ｂによって第１のコンタクト部ＲＳ１と端子２２Ａ，２２Ｂは接続されるものの、第１の配線２３Ａ，２３Ｂには所定の容量２５Ａ，２５Ｂも所定の抵抗２６Ａ，２６Ｂも形成されない。
【０１００】
図９の様に構成されたＣＣＤ型固体撮像装置（リニアセンサ）では、第２の配線２４Ａ，２４Ｂに所定の抵抗２６Ａ，２６Ｂが形成されているために、リセットゲートパルスφＲＧを電圧降下させることができる。
具体的には、第１の配線２３Ａ，２３Ｂを介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第１のコンタクト部ＲＳ１の電位変化は図１０中符号Ｅで示す様に、電圧降下が生じていない波形となる。これに対して、第２の配線２４Ａ，２４Ｂを介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化は電圧降下が起こることで、図１０中符号Ｆで示す波形の様に、第１のコンタクト部ＲＳ１よりも低電圧が印加されることとなる。
そして、第２のコンタクト部ＲＳ２に印加されるリセットゲートパルスφＲＧが電圧降下を生じることによって、リセットゲートパルスφＲＧをオフにした状態では、図８で示す様なポテンシャル勾配を付することが可能となる。
従って、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にすると、リセットゲート部２０Ａ，２０Ｂ下の信号電荷はフローティングディフュージョン部１７Ａ，１７Ｂに流入することとなる。そのため、リセット動作毎にフローティングディフュージョン部１７Ａ，１７Ｂに流入する信号電荷量のバラツキを低減することができる。
【０１０１】
また、複数のリセットゲートパルスを印加することなくポテンシャル勾配を実現することができるために、リセットゲートパルスを印加するための端子数が増大することがないという点も、上記した第２の実施の形態と同様である。更には、リセットゲート部２０Ａ，２０Ｂ下の不純物量を変化させたり、リセットゲート部２０Ａ，２０Ｂ下の酸化膜の膜厚を変化させたりする必要がないために、構造の複雑化を招くことがないという点も、上記した第２の実施の形態と同様である。
【０１０２】
＜８．第２の実施の形態の変形例（３）＞
上記した第２の実施の形態の変形例（２）では、第２の配線２４Ａ，２４Ｂに所定の抵抗２６Ａ，２６Ｂが形成され、第２のコンタクト部ＲＳ２の電圧降下が生じる場合を例に挙げて説明を行っている。しかし、必ずしも第２の配線２４Ａ，２４Ｂに所定の抵抗２６Ａ，２６Ｂが形成される必要はなく、第１の配線２３Ａ，２３Ｂに所定の抵抗２６Ａ，２６Ｂが形成されても良い。
【０１０３】
具体的には、図１１で示す様に、第１の配線２３Ａ，２３Ｂによって第１のコンタクト部ＲＳ１と端子２２が接続され、更に、第１の配線２３Ａ，２３Ｂに所定の抵抗２６Ａ，２６Ｂが形成されて構成されていても良い。なお、この場合には、第２の配線２４Ａ，２４Ｂによって第２のコンタクト部ＲＳ２と端子２２Ａ，２２Ｂは接続されるものの、第２の配線２４Ａ，２４Ｂには所定の容量２５Ａ，２５Ｂも所定の抵抗２６Ａ，２６Ｂも形成されない。
【０１０４】
図１１の様に構成されたＣＣＤ型固体撮像装置（リニアセンサ）では、第１の配線２３Ａ，２３Ｂに所定の抵抗２６Ａ，２６Ｂが形成されているために、リセットゲートパルスφＲＧを電圧降下させることができる。
具体的には、第２の配線２４Ａ，２４Ｂを介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化は図１２中符号Ｇで示す様に、電圧降下が生じていない波形となる。これに対して、第１の配線２３Ａ，２３Ｂを介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第１のコンタクト部ＲＳ１の電位変化は電圧降下が起こることで、図１２中符号Ｈで示す波形の様に、第２のコンタクト部ＲＳ２よりも低電圧が印加されることとなる。
そして、第１のコンタクト部ＲＳ１に印加されるリセットゲートパルスφＲＧが電圧降下を生じることによって、リセットゲートパルスφＲＧをオフにした状態では、図５で示す様なポテンシャル勾配を付することが可能となる。
従って、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にすると、リセットゲート部２０Ａ，２０Ｂ下の信号電荷はリセットドレイン部１９Ａ，１９Ｂに流入することとなる。そのため、リセット動作毎にフローティングディフュージョン部１７Ａ，１７Ｂに流入する信号電荷量のバラツキを低減することができる。
【０１０５】
また、複数のリセットゲートパルスを印加することなくポテンシャル勾配を実現することができるために、リセットゲートパルスを印加するための端子数が増大することがないという点も、上記した第２の実施の形態と同様である。更には、リセットゲート部２０Ａ，２０Ｂ下の不純物量を変化させたり、リセットゲート部２０Ａ，２０Ｂ下の酸化膜の膜厚を変化させたりする必要がないために、構造の複雑化を招くことがないという点も、上記した第２の実施の形態と同様である。
【０１０６】
＜９．第３の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成］
図１４は本発明を適用した固体撮像装置の更に他の一例である裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置を説明するための概略構成図である。ここで示す固体撮像装置５１は、画素部５２と、周辺回路部とを有しており、これらが同一の半導体基板上に搭載された構成となっている。第３の実施の形態では、周辺回路部として、垂直選択回路５３と、サンプルホールド相関二重サンプリング回路（Ｓ／Ｈ・ＣＤＳ）５４と、水平選択回路５５と、タイミングジェネレータ（ＴＧ）５６とを有する。更に、ＡＧＣ回路５７と、Ａ／Ｄ変換回路５８と、デジタルアンプ５９とを有する。
【０１０７】
画素部５２には、後述する単位画素が行列状に多数配置されており、行単位でアドレス線等が、列単位で信号線等がそれぞれ設けられている。
【０１０８】
垂直選択回路５３は、画素を行単位で順に選択し、各画素の信号を垂直信号線を通して画素列毎にＳ／Ｈ・ＣＤＳ回路５４に読み出す。Ｓ／Ｈ・ＣＤＳ回路５４は、各画素列から読み出された画素信号に対し、ＣＤＳ（Ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）等の信号処理を行う。
【０１０９】
水平選択回路５５は、Ｓ／Ｈ・ＣＤＳ回路５４に保持されている画素信号を順に取り出し、ＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｇａｉｎ  Ｃｏｎｔｒａｌ）回路５７に出力する。ＡＧＣ回路５７は、水平選択回路５５から入力した信号を適当なゲインで増幅し、Ａ／Ｄ変換回路５８に出力する。
【０１１０】
Ａ／Ｄ変換回路５８は、ＡＧＣ回路５７から入力したアナログ信号をデジタル信号に変換し、デジタルアンプ５９に出力する。デジタルアンプ５９は、Ａ／Ｄ変換回路５８から入力したデジタル信号を適当に増幅して、パッド（端子）より出力する。
【０１１１】
なお、垂直選択回路５３、Ｓ／Ｈ・ＣＤＳ回路５４、水平選択回路５５、ＡＧＣ回路５７、Ａ／Ｄ変換回路５８及びデジタルアンプ５９の各動作は、タイミングジェネレータ５６から出力される各種のタイミング信号に基づいて行われる。
【０１１２】
図１５は画素部５２の単位画素の回路構成の一例を説明するための模式図である。単位画素は、光電変換素子として例えばフォトダイオード６１を有し、この１個のフォトダイオード６１に対して、転送トランジスタ６２、増幅トランジスタ６３、アドレストランジスタ６４、リセットトランジスタ６５の４つのトランジスタを能動素子として有する。
【０１１３】
フォトダイオード６１は、入射光をその光量に応じた量の電荷（ここでは電子）に光電変換する。転送トランジスタ６２は、フォトダイオード６１とフローティングディフュージョンＦＤとの間に接続されている。そして、駆動配線６６を通じて転送トランジスタ６２のゲート（転送ゲート）に駆動信号が与えられることで、フォトダイオード６１で光電変換された電子をフローティングディフュージョンＦＤに転送する。
【０１１４】
フローティングディフュージョンＦＤには、増幅トランジスタ６３のゲートが接続されている。増幅トランジスタ６３は、アドレストランジスタ６４を介して垂直信号線６７に接続され、画素部外の定電流源Ｉとソースフォロアを構成している。駆動配線６８を通してアドレス信号がアドレストランジスタ６４のゲートに与えられ、アドレストランジスタ６４がオンすると、増幅トランジスタ６３はフローティングディフュージョンＦＤの電位を増幅してその電位に応じた電圧を垂直信号線６７に出力する。垂直信号線６７を通じて、各画素から出力された電圧はＳ／Ｈ・ＣＤＳ回路５４に出力される。
【０１１５】
リセットトランジスタ６５は、電源ＶｄｄとフローティングディフュージョンＦＤとの間に接続されている。駆動配線６９を通してリセットトランジスタ６５のゲートにリセット信号が与えられることで、フローティングディフュージョンＦＤの電位を電源電位Ｖｄｄにリセットする。これらの動作は、転送トランジスタ６２、アドレストランジスタ６４及びリセットトランジスタ６５の各ゲートが行単位で接続されていることから、１行分の各画素について同時に行われることとなる。
【０１１６】
図１６は本発明を適用した固体撮像装置の更に他の一例である裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置の画素部の要部断面図である。
【０１１７】
ここで示す画素部の受光部７０の領域には、半導体基板７２にＮ型の電荷蓄積領域８１が形成されている。なお、信号電荷を蓄積する領域を半導体基板７２の表面側（図１６の下方側）に近づけるために、半導体基板７２の表面側にいくに従って不純物濃度が高くなる様に電荷蓄積領域８１が形成されている方が好ましい。また、入射光を効率良く取り込むために、半導体基板７２の裏面側（図１６の上方側）にいくに従って面積が大きくなる様に電荷蓄積領域８１を形成しても良い。
【０１１８】
また、半導体基板７２中であって、電荷蓄積領域８１の周囲には、Ｐ型ウェル８２が形成されている。更に、半導体基板７２の表面側であって、受光部７０の領域には、浅いＰ型の正孔蓄積領域８４が形成されている。
【０１１９】
また、半導体基板７２の表面側には、酸化シリコンからなる素子分離絶縁膜８０が形成されている。また、半導体基板７２の表面側には、Ｎ型のフローティングディフュージョン（ＦＤ）部８５が形成されている。なお、フローティングディフュージョン部８５と電荷蓄積領域８１との間には、Ｐ型領域８６が形成されており、両者は電気的に分離されている。
【０１２０】
また、フローティングディフュージョン部８５の横にチャネル領域８７を挟んでリセットドレイン（ＲＤ）部８８が形成されている。更に、チャネル領域８７の上方に絶縁膜（図示せず）を介してリセットゲート（ＲＧ）部８９が形成されている。
即ち、フローティングディフュージョン部８５、リセットドレイン部８８及びリセットゲート部８９によってフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出装置を実現している。そして、受光部７０で蓄積された信号電荷は、こうしたフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出装置によって、電荷検出がなされることとなる。
【０１２１】
また、フローティングディフュージョン部８５はソースフォロア回路（図示せず）と接続されており、リセットドレイン部８８は一定のドレイン電圧Ｖｒｄが印加されている。
なお、フローティングディフュージョン部８５の信号電荷の変化量をΔＱ、フローティングディフュージョン部８５の静電容量をＣとすると、ソースフォロア回路から出力される電圧変化ΔＶは、ΔＶ＝ΔＱ／Ｃで表現することができる。
【０１２２】
ここで、図２で示す様に、リセットゲート部８９のフローティングディフュージョン部８５側の端部領域には第１のコンタクト部ＲＳ１が形成されている。そして、第１のコンタクト部ＲＳ１は、リセットゲートパルス（φＲＧ）が印加される端子９２と第１の配線９３で接続されている。
【０１２３】
また、リセットゲート部８９のリセットドレイン部８８側の端部領域には第２のコンタクト部ＲＳ２が形成されている。そして、第２のコンタクト部ＲＳ２は、リセットゲートパルス（φＲＧ）が印加される端子９２と第２の配線９４で接続されている。更に、第２の配線９４には所定の容量９５が形成されている。
【０１２４】
即ち、リセットゲート部８９は、端子９２に印加されたリセットゲートパルス（φＲＧ）が、第１の配線９３を介して第１のコンタクト部ＲＳ１に印加できると共に第２の配線９４を介して第２のコンタクト部ＲＳ２に印加できる様に構成されている。
【０１２５】
［固体撮像装置の動作］
以下、上記の様に構成された固体撮像装置の動作について説明を行う。即ち、本発明を適用した固体撮像装置の駆動方法の更に一例について説明を行う。なお、上記のフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電荷検出装置の動作については、本発明を適用した電荷検出方法の一例でもある。
【０１２６】
本発明を適用した固体撮像装置の駆動方法の更に他の一例では、先ず、電荷蓄積期間においては、半導体基板７２の裏面側から入射した光は、受光部７０により光電変換されて、入射光量に応じた信号電荷が発生する。光電変換により発生した信号電荷は、電荷蓄積領域８１中をドリフトし、電荷蓄積領域８１中であって正孔蓄積領域８４付近に蓄積されることとなる。
なお、電荷蓄積期間においては、転送トランジスタ６２のゲート電極には負電圧が印加されており、転送トランジスタ６２はオフの状態となっている。
【０１２７】
次に、読み出し時には、転送トランジスタ６２のゲート電極に正電荷が印加され、転送トランジスタ６２がオンの状態となる。その結果、受光部７０に蓄積された信号電荷は、フローティングディフュージョン部８５に転送される。
なお、正電荷は、例えば電源電圧（３．３Ｖあるいは２．７Ｖ）である。
【０１２８】
ここで、フローティングディフュージョン部８５に転送された信号電荷の量に従って、フローティングディフュージョン部８５の電位が変化する。そして、フローティングディフュージョン部８５の電位は、増幅トランジスタ６３により増幅され、その電位に応じた電圧が垂直信号線６７に出力されることとなる。
【０１２９】
続いて、リセット時には、リセットトゲート部８９にリセットゲートパルスφＲＧが印加され、フローティングディフュージョン部８５に蓄積された信号電荷はリセットドレイン部８８に掃き捨てられる。このリセット動作によって、フローティングディフュージョン部８５は電源Ｖｄｄの電圧にリセットされる。このとき、転送トランジスタ６２のゲート電極に負電圧を印加することによって、転送トランジスタ６２はオフの状態とする。
【０１３０】
上記した電荷蓄積期間、読み出し動作及びリセット動作を繰り返し行うこととなる。
【０１３１】
本発明を適用した固体撮像装置の更に他の一例であるＣＭＯＳ型固体撮像装置では、第２の配線９４に所定の容量９５が形成されているために、リセットゲートパルスφＲＧの波形を鈍らせることができる。
具体的には、第１の配線９３を介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第１のコンタクト部ＲＳ１の電位変化は図４中符号Ａで示す様に矩形波となる。これに対して、第２の配線９４を介してリセットゲートパルスφＲＧが印加される第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化は過渡現象が起こることで、図４中符号Ｂで示す様な鈍りを発生させることができる。
そして、第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化に鈍りが生じることによって、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間には、図５で示す様なポテンシャル勾配を付することが可能となる。
従って、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間には、リセットゲート部８９下の信号電荷はリセットドレイン部８８に流入することとなる。そのため、リセット動作毎にフローティングディフュージョン部８５に流入する信号電荷量のバラツキを低減することができる。
【０１３２】
また、複数のリセットゲートパルスを印加することなくポテンシャル勾配を実現することができるために、リセットゲートパルスを印加するための端子数が増大することもない。更には、リセットゲート部８９下の不純物量を変化させたり、リセットゲート部８９下の酸化膜の膜厚を変化させたりする必要がないために、構造の複雑化を招くこともない。
【０１３３】
＜１０．第３の実施の形態の変形例＞
上記した第３の実施の形態では、第２の配線９４に所定の容量９５が形成され、第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化に鈍りが生じる場合を例に挙げて説明を行っている。しかし、必ずしも第２の配線９４に所定の容量９５が形成される必要はなく、第１の配線９３に所定の容量９５が形成されても良い（図６参照。）。
【０１３４】
また、上記した第１の実施の形態では、第２の配線９４に所定の容量９５が形成され、第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化に鈍りが生じる場合を例に挙げて説明を行っている。しかし、必ずしも第２の配線９４に所定の容量９５が形成される必要はなく、第２の配線９４に所定の抵抗９６が形成されても良い（図９参照。）。
【０１３５】
更に、上記した第１の実施の形態では、第２の配線９４に所定の容量９５が形成され、第２のコンタクト部ＲＳ２の電位変化に鈍りが生じる場合を例に挙げて説明を行っている。しかし、必ずしも第２の配線９４に所定の容量９５が形成される必要はなく、第１の配線９３に所定の抵抗９６が形成されても良い（図１１参照。）。
【０１３６】
＜１１．第４の実施の形態＞
［撮像装置の構成］
図１７は本発明を適用した撮像装置の一例であるカメラ７７を説明するための模式図である。そして、ここで示すカメラ７７は、上記した第３の実施の形態の固体撮像装置を撮像デバイスとして用いたものである。
【０１３７】
本発明を適用したカメラ７７では、被写体（図示せず）からの光は、レンズ７１等の光学系及びメカニカルシャッタ７８を経て固体撮像装置７３の撮像エリアに入射することとなる。なお、メカニカルシャッタ７８は、固体撮像装置７３の撮像エリアへの光の入射を遮断して露光期間を決めるためのものである。
【０１３８】
ここで、固体撮像装置７３は、上記した第３の実施の形態に係る固体撮像装置が用いられ、タイミング発生回路や駆動系等を含む駆動回路７４によって駆動されることとなる。
【０１３９】
また、固体撮像装置７３の出力信号は、次段の信号処理回路７５によって、種々の信号処理が行われた後、撮像信号として外部に導出され、導出された撮像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶されたり、モニタに出力されたりすることとなる。
なお、メカニカルシャッタ７８の開閉制御、駆動回路７４の制御、信号処理回路７５の制御等は、システムコントローラ７６によって行われる。
【０１４０】
本発明を適用したカメラでは、上述した本発明を適用した固体撮像装置を採用しているために、リセット動作毎にフローティングディフュージョン部８５に流入する信号量のバラツキを低減することができ、高画質の撮像画像を得ることができる。
【０１４１】
＜１２．変形例＞
上記した第１〜第３の実施の形態では、リセットゲート部の第１のコンタクト部ＲＳ１と第２のコンタクト部ＲＳ２の双方にリセットゲートパルスφＲＧを印加する場合を例に挙げて説明を行っている。しかし、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした場合に、ポテンシャル勾配を実現することができれば充分であり、必ずしも第１のコンタクト部ＲＳ１と第２のコンタクト部ＲＳ２の双方にリセットゲートパルスφＲＧを印加する必要はない。
【０１４２】
［変形例１］
変形例１としては、図１８で示す様に、リセットゲート部２０のフローティングディフュージョン部１７側の端部領域にコンタクト部ＲＳが形成され、このコンタクト部ＲＳと、リセットゲートパルスφＲＧが印加される端子２２とを接続しても良い。
【０１４３】
図１８の様に構成された電荷検出装置では、リセットゲート部２０のフローティングディフュージョン部１７側のみにコンタクト部ＲＳが形成されており、伝搬遅延によって、リセットゲート部２０下のポテンシャルに勾配を付することが可能となる。
具体的には、リセットゲート部２０のフローティングディフュージョン部１７側の電位変化は図４中符号Ａで示す様な矩形波となる。これに対して、リセットゲート部２０のリセットドレイン部１９側の電位変化は伝搬遅延が起こることで、図４中符号Ｂで示す様な鈍りを発生させることができる。
そして、リセットゲート部２０のリセットドレイン部１９側の電位変化に鈍りが生じることによって、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間には、図５で示す様なポテンシャル勾配を付することが可能となる。
従って、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間には、リセットゲート部２０下の信号電荷はリセットドレイン部１９に流入することとなる。そのため、リセット動作毎にフローティングディフュージョン部１７に流入する信号電荷量のバラツキを低減することができる。
【０１４４】
［変形例２］
変形例２としては、図１９で示す様に、リセットゲート部２０のリセットドレイン部１９側の端部領域にコンタクト部ＲＳが形成され、このコンタクト部ＲＳと、リセットゲートパルスφＲＧが印加される端子２２とを接続しても良い。
【０１４５】
図１９の様に構成された電荷検出装置では、リセットゲート部２０のリセットドレイン部１９側のみにコンタクト部ＲＳが形成されており、伝搬遅延によって、リセットゲート部２０下のポテンシャルに勾配を付することが可能となる。
具体的には、リセットゲート部２０のリセットドレイン部１９側の電位変化は図７中符号Ｃで示す様な矩形波となる。これに対して、リセットゲート部２０のフローティングディフュージョン部１７側の電位変化は伝搬遅延が起こることで、図７中符号Ｄで示す様な鈍りを発生させることができる。
そして、リセットゲート部２０のフローティングディフュージョン部１７側の電位変化に鈍りが生じることによって、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間には、図８で示す様なポテンシャル勾配を付することが可能となる。
従って、リセットゲートパルスφＲＧをオフの状態にした瞬間には、リセットゲート部２０下の信号電荷はフローティングディフュージョン部１７に流入することとなる。そのため、リセット動作毎にフローティングディフュージョン部１７に流入する信号電荷量のバラツキを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ型固体撮像装置を説明するための模式図である。
【図２】リセットゲート部を説明するための模式図である。
【図３】各種クロックパルスのタイミングチャートである。
【図４】第１のコンタクト部及び第２のコンタクト部の電位変化を説明するための図（１）である。
【図５】リセットゲート部下のポテンシャルを説明するための模式図（１）である。
【図６】第１の実施の形態の変形例（１）を説明するための模式図である。
【図７】第１のコンタクト部及び第２のコンタクト部の電位変化を説明するための図（２）である。
【図８】リセットゲート部下のポテンシャルを説明するための模式図（２）である。
【図９】第１の実施の形態の変形例（２）を説明するための模式図である。
【図１０】第１のコンタクト部及び第２のコンタクト部の電位変化を説明するための図（３）である。
【図１１】第１の実施の形態の変形例（３）を説明するための模式図である。
【図１２】第１のコンタクト部及び第２のコンタクト部の電位変化を説明するための図（４）である。
【図１３】本発明を適用した固体撮像装置の他の一例であるＣＣＤ型固体撮像装置を説明するための模式的である。
【図１４】本発明を適用した固体撮像装置の更に他の一例である裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置を説明するための概略構成図である。
【図１５】画素部の単位画素の回路構成の一例を説明するための模式図である。
【図１６】本発明を適用した固体撮像装置の更に他の一例である裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置の画素部の要部断面図である。
【図１７】本発明を適用した撮像装置の一例であるカメラを説明するための模式図である。
【図１８】第１〜第３の実施の形態の変形例（１）を説明するための模式図（１）である。
【図１９】第１〜第３の実施の形態の変形例（１）を説明するための模式図（２）である。
【図２０】従来のＦＤを用いた電荷検出装置を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【０１４７】
１    受光部
２    読み出しゲート
３    垂直転送レジスタ
４    水平転送レジスタ
５    チャネルストップ領域
６    Ｎ型半導体基板
７    Ｐ型ウェル
８    チャネル領域
９    トランスファ領域
１０    ストレージ領域
１４，１４Ａ，１４Ｂ    ＨＯＧ電極
１５，１５Ａ，１５Ｂ    出力ゲート部
１７，１７Ａ，１７Ｂ    フローティングディフュージョン部
１８，１８Ａ，１８Ｂ    チャネル領域
１９，１９Ａ，１９Ｂ    リセットドレイン部
２０，２０Ａ，２０Ｂ    リセットゲート部
２１，２１Ａ，２１Ｂ    ソースフォロア回路
２２，２２Ａ，２２Ｂ    端子
２３，２３Ａ，２３Ｂ    第１の配線
２４，２４Ａ，２４Ｂ    第２の配線
２５，２５Ａ，２５Ｂ    所定の容量
２６    所定の抵抗
３１    ＣＣＤ型固体撮像装置（リニアセンサ）
３２    第１のＣＣＤリニアセンサ
３３    光電変換部（受光部）
３４    第１のセンサ列
３５    第１の読み出しゲート
３６    第１の転送レジスタ
３７    第１のオーバーフローコントロールバリア
３８    オーバーフロードレイン
３９    第２のＣＣＤリニアセンサ
４０    第２のセンサ列
４１    第２の読み出しゲート
４２    第２の転送レジスタ
４３    第２のオーバーフローコントロールバリア
５１    固体撮像装置（ＣＭＯＳ型）
５２    画素部
５３    垂直選択回路
５４    サンプルホールド相関二重サンプリング回路
５５    水平選択回路
５６    タイミングジェネレータ
５７    ＡＧＣ回路
５８    Ａ／Ｄ変換回路
５９    デジタルアンプ
６１    フォトダイオード
６２    転送トランジスタ
６３    増幅トランジスタ
６４    アドレストランジスタ
６５    リセットトランジスタ
６６，６８，６９    駆動配線
７０    受光部
７１    レンズ
７２    半導体基板
７３    固体撮像装置
７４    駆動回路
７５    信号処理回路
７６    システムコントローラ
７７    カメラ
７８    メカニカルシャッタ
８０    素子分離絶縁膜
８１    電荷蓄積領域
８２    Ｐ型ウェル
８５    フローティングディフュージョン部
８６    Ｐ型領域
８７    チャネル領域
８８    リセットドレイン部
８９    リセットゲート部
９２    端子
９３    第１の配線
９４    第２の配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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