(57)【要約】【課題】感度及びスミア特性の低下を抑制する。【解決手段】本発明に係る固体撮像装置２０は、半導体基板１に行列状に形成され、入射光を信号電荷に変換する複数の受光部１１と、列毎に形成され、対応する列に形成された複数の受光部１１により変換された信号電荷を列方向に転送するための転送チャネル１２と、転送チャネル１２上に配置される複数の第１転送電極３ａ及び複数の第２転送電極３ｂと、転送チャネル１２上であり、かつ列方向に隣接する第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂとの間に形成される絶縁領域４と、受光部１１の上方、及び絶縁領域４上に当該絶縁領域４を覆うように形成される反射防止膜６と、行毎に形成され、対応する行に配置された複数の第２転送電極３ｂと電気的に接続されるシャント配線７ｂと、転送チャネル１２を覆うように形成されるとともに、複数の受光部１１の上方に開口部１４を有する遮光膜９とを備える。【選択図】図１Ｂ
2010177599.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に行列状に形成され、入射光を信号電荷に変換する複数の受光部と、
列毎に形成され、対応する列に形成された複数の前記受光部により変換された前記信号電荷を列方向に転送するための転送チャネルと、
前記転送チャネル上に列方向に交互に配置されるとともに、同一の層に形成される複数の第１転送電極及び複数の第２転送電極と、
前記転送チャネル上であり、かつ列方向に隣接する前記第１転送電極及び前記第２転送電極との間に形成される絶縁領域と、
前記受光部の上方に形成され、前記受光部に入射する光の反射を防止するとともに、前記絶縁領域上に当該絶縁領域を覆うように形成される反射防止膜と、
前記反射防止膜より上層に、行毎に形成され、対応する行に配置された複数の前記第２転送電極と電気的に接続される第１配線と、
前記第１配線より上層に形成され、前記転送チャネルを覆うように形成されるとともに、前記複数の受光部の上方に開口部を有する遮光膜とを備える
固体撮像装置。
【請求項２】
前記固体撮像装置は、さらに、
前記反射防止膜より上層に、行毎に形成され、対応する行に配置された複数の前記第１転送電極の上方に形成され、対応する行に配置された複数の前記第１転送電極と電気的に接続される第２配線を備え、
前記反射防止膜は、前記第１転送電極上かつ前記第２配線下の少なくとも一部の領域に形成される
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記固体撮像装置は、さらに、
前記第２配線のそれぞれと、当該第２配線に対応する行に配置された前記複数の第１転送電極とを電気的に接続する複数のコンタクトを備え、
前記反射防止膜は、前記コンタクトが形成される領域を除き、前記複数の第１転送電極を覆うように形成される
請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記受光部の上方に形成された前記反射防止膜は、前記開口部内に形成され、
前記受光部の上方に形成された前記反射防止膜の端部は、前記遮光膜下にまで延在しない
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記絶縁領域上に当該絶縁領域を覆うように形成された前記反射防止膜は、当該絶縁領域に隣接する前記第１転送電極の上方の一部及び前記第２転送電極の上方の一部を覆い、
前記第１転送電極上に形成された前記反射防止膜の行方向の端部は当該第１転送電極の側壁まで延在せず、
前記第２転送電極上に形成された前記反射防止膜の行方向の端部は当該第２転送電極の側壁まで延在しない
請求項１又は４記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記反射防止膜は、窒化珪素で構成される
請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
半導体基板に行列状に形成され、入射光を信号電荷に変換する複数の受光部を形成する第１工程と、
列毎に形成され、対応する列に形成された複数の前記受光部により変換された前記信号電荷を列方向に転送するための転送チャネルを形成する第２工程と、
前記転送チャネル上に列方向に交互に配置されるとともに、同一の層に形成される複数の第１転送電極及び複数の第２転送電極を形成する第３工程と、
前記転送チャネル上であり、かつ列方向に隣接する前記第１転送電極及び前記第２転送電極との間に形成される絶縁領域を形成する第４工程と、
前記受光部の上方に形成され、前記受光部に入射する光の反射を防止するとともに、前記絶縁領域上に当該絶縁領域を覆うように形成される反射防止膜を形成する第５工程と、
前記反射防止膜より上層に、行毎に形成され、対応する行に配置された複数の前記第２転送電極と電気的に接続される第１配線を形成する第６工程と、
前記第１配線及び前記反射防止膜より上層に形成され、前記転送チャネルを覆うように形成されるとともに、前記複数の受光部の上方に開口部を有する遮光膜を形成する第７工程とを含む
固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記第６工程では、第１導電膜を形成したのち、当該第１導電膜にエッチングを行うことにより、前記第１配線を形成する
請求項７記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記第３工程は、
第２導電膜を形成する工程と、
前記第２導電膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜にエッチングを行うことにより、第１絶縁膜パターンを形成する工程と、
前記第１絶縁膜パターンの側壁にサイドウォールを形成することにより、前記第１絶縁膜パターンと前記サイドウォールとを含む第２絶縁膜パターンを形成する工程と、
前記第２絶縁膜パターンをマスクとして用いて、前記第２導電膜にエッチングを行うことにより、前記第１転送電極と前記第２転送電極とを形成する工程とを含む
請求項７又は８記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置及びその製造方法に関し、特に、行列状に配置された受光部と、受光部により変換された信号電荷を転送するための垂直電荷転送部を備える固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ（ｃｈａｒｇｅ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｄｅｖｉｃｅ）型固体撮像装置に代表される固体撮像装置は、デジタルスチルカメラ及びデジタルビデオカメラ等の撮像装置の撮像素子として広く利用されており、その需要は益々増加している。また、近年、テレビのハイビジョン化の進行に伴い、撮像装置がハイビジョン動画に対応することが要求されている。これにより、固体撮像装置に対して、転送周波数の高速化が求められている。
【０００３】
転送周波数の高速化、即ち、高速転送を可能にする技術として、垂直電荷転送部において、シャント配線と転送電極とを、垂直方向に延在する遮光膜を介して接続する技術が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００４】
ただし、特許文献１に示すように垂直方向にシャント配線が配置される場合、シャント配線と接続される複数個の遮光膜の全てに、同時に同レベルの電圧が印加されるわけではない。これにより、隣接する遮光膜に印加される電圧のレベルが異なってしまう。
【０００５】
また、遮光膜は、垂直方向に配列された画素列毎に設けられている。これにより、遮光膜から半導体基板の表層側の界面までの間に印加される電圧のレベルは、隣接する画素列間で異なる。このため、特許文献１に開示された固体撮像装置では、電荷が受光部から垂直電荷転送部に読み出される際に、半導体基板の界面準位に捕獲されて消失する電荷の量も、隣接する画素列間で異なってしまう。
【０００６】
これらにより、従来の固体撮像装置は、出力ムラが発生してしまうという課題を有する。
【０００７】
上記課題を解決するために、水平方向にシャント配線を形成する技術が知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００８】
以下、特許文献２に開示されている従来の固体撮像装置について、図７Ａ〜図７Ｃを参照して説明する。
【０００９】
図７Ａは、従来の固体撮像装置１００の受光部１１１及び垂直電荷転送部１１３の平面図である。図７Ｂは、図７Ａに示すＹ０−Ｙ１面の断面図である。図７Ｃは、図７Ａに示すＸ０−Ｘ１面の断面図である。
【００１０】
従来の固体撮像装置１００は、行列状に配置された複数の受光部１１１と、列毎に設けられた複数の垂直電荷転送部１１３とを備える。垂直電荷転送部１１３は、対応する列に配置された複数の受光部１１１により光電変換された信号電荷を、垂直方向（列方向）に転送したうえで、水平電荷転送部（図示せず）に出力する。なお、図７Ａにおいて、垂直方向は横方向であり、水平方向は縦方向である。
【００１１】
この垂直電荷転送部１１３は、転送チャネル１１２と、絶縁膜１０２、１０５及び１０８と、複数の第１転送電極１０３ａと、複数の第２転送電極１０３ｂと、絶縁領域１０４と、シャント配線１０７ａ及び１０７ｂと、遮光膜１０９と、コンタクト１１０ａ及び１１０ｂとを備える。
【００１２】
転送チャネル１１２は、垂直方向に延び、対応する列に配置された複数の受光部１１１とそれぞれ水平方向に連結される。
【００１３】
複数の第１転送電極１０３ａ及び複数の第２転送電極１０３ｂは、同一の階層に形成され、転送チャネル１１２上に配置される。また、一つの受光部１１１に対して、それぞれ一つの第１転送電極１０３ａ及び第２転送電極１０３ｂが配置される。また、複数の第１転送電極１０３ａ及び複数の第２転送電極１０３ｂは、垂直方向に交互に配置される。
【００１４】
絶縁領域１０４は、転送チャネル１１２の上方の第１転送電極１０３ａと第２転送電極１０３ｂとの間に形成され、第１転送電極１０３ａと第２転送電極１０３ｂとを絶縁する。この絶縁領域１０４の幅は、転送不良を発生させないために、０．０５μｍ〜０．１５μｍ程度である。
【００１５】
シャント配線１０７ａ及び１０７ｂは、第１転送電極１０３ａ及び第２転送電極１０３ｂの上方に形成され、複数の第１転送電極１０３ａ及び第２転送電極１０３ｂと一対一に対応する。シャント配線１０７ａは、コンタクト１１０ａを介して、第１転送電極１０３ａと電気的に接続される。シャント配線１０７ｂは、コンタクト１１０ｂを介して、第２転送電極１０３ｂと電気的に接続される。このシャント配線１０７ａ及び１０７ｂは、第１転送電極１０３ａ及び第２転送電極１０３ｂよりも低い抵抗を有する。例えば、シャント配線１０７ａ及び１０７ｂはタングステン等の金属により構成され、第１転送電極１０３ａ及び第２転送電極１０３ｂは、ポリシリコンにより構成される。
【００１６】
絶縁膜１０５は、第１転送電極１０３ａ及び第２転送電極１０３ｂと、シャント配線１０７ａ及び１０７ｂとの間に形成される。
【００１７】
絶縁膜１０８は、シャント配線１０７ａ及び１０７ｂ上に形成される。
【００１８】
遮光膜１０９は、絶縁膜１０８上に形成される。また、遮光膜１０９は、受光部１１１上に開口部１１４を有する。
【００１９】
ここで、２μｍ角程度の画素を構成する場合、水平方向に、受光部１１１間を通る部分の第１転送電極１０３ａの幅Ｗ１は、０．４５μｍ程度である。また、各行に配置されるシャント配線１０７ａ及び１０７ｂの本数は、１つの受光部１１１に対して配置された転送電極の数に等しく、本例では２本となる。また、シャント配線１０７ａ及び１０７ｂの幅Ｗ２は、例えば０．１２μｍであり、シャント配線１０７ａとシャント配線１０７ｂとの間隔Ｗ３は、例えば０．１６μｍである。
【００２０】
次に、従来の固体撮像装置１００の製造方法について説明する。
【００２１】
まず、図７Ｂ及び図７Ｃに示すように、半導体基板１０１の表面に、熱酸化法によって絶縁膜１０２を形成する。続いて、半導体基板１０１に対して種々のレジストパターンの形成とイオン注入とが行われる。これにより、受光部１１１、及び転送チャネル１１２が形成される。
【００２２】
次に、ポリシリコン膜等の導電膜を成膜した後、転送チャネル上の当該導電膜を分離することにより、第１転送電極１０３ａ及び第２転送電極１０３ｂを形成する。ここで、前述のように、絶縁領域１０４を０．０５μｍ〜０．１５μｍ程度の幅で形成する必要があるため、一般的には、まず、ハードマスクとして用いる絶縁膜１０５を、ＣＶＤ法などを用いて導電膜上に堆積する。
【００２３】
具体的には、全面に絶縁膜１０５を形成した後、溝の幅が０．１５μｍ〜０．３０μｍ程度のレジストパターンを、フォトリソグラフィー法を用いて絶縁膜１０５上に形成する。次に、当該レジストパターンを用いて異方性エッチングを行い、絶縁膜１０５に溝を形成する。次に、形成された溝の側面に０．０５μｍ〜０．１０μｍの酸化膜をＣＶＤ法などに堆積することにより、当該溝の側面にサイドウォールを形成する。これにより、当該溝を所望の幅に細める。
【００２４】
次に、溝を形成した絶縁膜１０５をハードマスクとして用いて、異方性エッチングを行なうことにより、導電膜を垂直方向に分離する溝が形成される。
【００２５】
次に、転送チャネル１１２上以外の領域の導電膜に対し、フォトリソグラフィー法を用いたエッチングを行いうことにより、第１転送電極１０３ａ及び第２転送電極１０３ｂを形成する。
【００２６】
次に、ＣＶＤ法等を用いた成膜を行うことで、転送チャネル１１２上の第１転送電極１０３ａ及び第２転送電極１０３ｂ間の分離領域（溝）を埋め込むように、絶縁領域１０４を形成する。
【００２７】
次に、絶縁膜５を貫通するようにコンタクト１１０ａ及び１１０ｂを形成する。次に、第１転送電極１０３ａ及び第２転送電極１０３ｂ上を含む半導体基板１０１の上面全体を被覆する導電膜を成膜する。具体的には、例えば、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、タングステン等の金属薄膜を成膜する。
【００２８】
次に、当該金属薄膜に対して、フォトリソグラフィー法を用いた異方性エッチングを行うことにより、シャント配線１０７ａ及び１０７ｂを形成する。ここで、シャント配線１０７ａとシャント配線１０７ｂとの間隔Ｗ３を０．１６μｍ程度にするために、当該エッチングを低選択比かつ寸法ロスの小さい条件に設定して行う。
【００２９】
次に、ＣＶＤ法等を用いた成膜を行うことにより、絶縁膜１０８を堆積する。次に、絶縁膜１０８上に遮光性金属膜を堆積した後、フォトリソグラフィー法を用いて当該遮光性金属膜にエッチングを行うことにより、遮光膜１０９を形成する。
【００３０】
以上の工程により、図７Ａ〜図７Ｃに示す構造が形成される。
【００３１】
この後、更に必要に応じて、レンズ素子等が形成される（図示せず）。
【００３２】
以上の構成により、従来の固体撮像装置１００は、シャント配線１０７ａ及び１０７ｂと遮光膜１０９とが電気的に接続されないため、遮光膜１０９から半導体基板１０１の表層側の界面までの間に印加されている電圧のレベルは、各画素列間において同一となる。これにより、固体撮像装置１００は、出力ムラの発生を低減できる。
【特許文献１】特開平４−２７９０５９号公報
【特許文献２】特開２００６−４１３６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
しかしながら、固体撮像装置１００では、第１転送電極１０３ａと第２転送電極１０３ｂとの間の絶縁領域１０４は、上述したように、サイドウォール加工したハードマスクを用いて形成されるため、図７Ｂに示すように、ハードマスク上部が上に開いた形状となる。この状態で、シャント配線１０７ａ及び１０７ｂを形成するためのエッチングを行うと、絶縁領域１０４が削れることになる。さらに、このエッチングには、上述したように寸法ロスを抑制した低選択比条件が用いられるために、絶縁領域１０４が大きく（例えば０．１μｍ）削り込まれてしまう。
【００３４】
具体的には、図７Ａ及び図７Ｂに示す領域１２０ａ及び１２０ｂの絶縁領域１０４が、図７Ｂに示すように削りこまれる。これにより、図７Ｂに示すように、絶縁領域１０４の上方に形成される遮光膜１０９と、第１転送電極１０３ａ及び第２転送電極１０３ｂとの距離が近くなるので、遮光膜１０９と、第１転送電極１０３ａ及び第２転送電極１０３ｂとの耐圧が低下することになる。
【００３５】
この耐圧の低下を回避するために、絶縁膜１０８を厚く（例えば０．２μｍ）堆積する方法が考えられる。しかしながら、絶縁膜１０８を厚くすると、遮光膜１０９と半導体基板１０１の界面との距離が大きくなる。さらに、絶縁膜１０８を厚くすると、開口部１１４幅は絶縁膜１０８の厚さの２倍小さくなる。これらにより、固体撮像装置１００の感度及びスミア特性が低下するという別の課題が生じる。
【００３６】
また、シャント配線１０７ａ及び１０７ｂを形成するためのエッチングで絶縁領域１０４を大きく削り込まないように、当該エッチングに用いる選択比を大きくする方法も考えられる。しかしながら、選択比を大きくすることにより、エッチング時の寸法ロスが大きくなる（例えば０．１μｍ）ために、シャント配線１０７ａとシャント配線１０７ｂとの間隔Ｗ３が例えば０．３６μｍ程度まで広がってしまう。これにより、開口部１１４の垂直方向の幅が縮小するので、固体撮像装置１００の感度及びスミア特性が低下してしまうという課題が生じる。
【００３７】
本発明は、上記課題を解決するものであり、感度及びスミア特性の低下を抑制できる固体撮像装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３８】
上記目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に行列状に形成され、入射光を信号電荷に変換する複数の受光部と、列毎に形成され、対応する列に形成された複数の前記受光部により変換された前記信号電荷を列方向に転送するための転送チャネルと、前記転送チャネル上に列方向に交互に配置されるとともに、同一の層に形成される複数の第１転送電極及び複数の第２転送電極と、前記転送チャネル上であり、かつ列方向に隣接する前記第１転送電極及び前記第２転送電極との間に形成される絶縁領域と、前記受光部の上方に形成され、前記受光部に入射する光の反射を防止するとともに、前記絶縁領域上に当該絶縁領域を覆うように形成される反射防止膜と、前記反射防止膜より上層に、行毎に形成され、対応する行に配置された複数の前記第２転送電極と電気的に接続される第１配線と、前記第１配線より上層に形成され、前記転送チャネルを覆うように形成されるとともに、前記複数の受光部の上方に開口部を有する遮光膜とを備える。
【００３９】
この構成によれば、本発明に係る固体撮像装置では、絶縁領域上に反射防止膜が形成される。これにより、第１配線を形成するためのエッチングの際に、絶縁領域が削り込まれることを防止できる。よって、本発明に係る固体撮像装置は、遮光膜と第１転送電極及び第２転送電極との耐圧を確保するために、遮光膜と第１転送電極及び第２転送電極との間の絶縁膜を厚くする必要がない。これにより、本発明に係る固体撮像装置は、遮光膜と、半導体基板の界面との距離を小さくでき、かつ遮光膜が有する開口部の幅も大きくできる。よって、本発明に係る固体撮像装置は、感度及びスミア特性の低下を抑制できる。
【００４０】
さらに、本発明に係る固体撮像装置では、第１配線を形成するためのエッチングの選択比を小さくした場合でも、当該エッチングにより絶縁領域が削り込まれることを防止できる。よって、寸法ロスを最大限に抑制する条件で当該エッチングを行うことができる。これにより、第１配線の幅を大きくできるので、高速転送を実現できる。
【００４１】
また、前記固体撮像装置は、さらに、前記反射防止膜より上層に、行毎に形成され、対応する行に配置された複数の前記第１転送電極の上方に形成され、対応する行に配置された複数の前記第１転送電極と電気的に接続される第２配線を備え、前記反射防止膜は、前記第１転送電極上かつ前記第２配線下の少なくとも一部の領域に形成されてもよい。
【００４２】
この構成によれば、本発明に係る固体撮像装置は、反射防止膜のパターンを大きくできる。これにより、反射防止膜の製造を容易に高精度で行うことができる。さらに、反射防止膜のパターンが大きくなることにより、平坦化効果も向上できる。
【００４３】
また、前記固体撮像装置は、さらに、前記第２配線のそれぞれと、当該第２配線に対応する行に配置された前記複数の第１転送電極とを電気的に接続する複数のコンタクトを備え、前記反射防止膜は、前記コンタクトが形成される領域を除き、前記複数の第１転送電極を覆うように形成されてもよい。
【００４４】
この構成によれば、本発明に係る固体撮像装置は、反射防止膜のパターンを大きくできる。これにより、反射防止膜の製造を容易に高精度で行うことができる。さらに、反射防止膜のパターンが大きくなることにより、平坦化効果も向上できる。
【００４５】
また、前記受光部の上方に形成された前記反射防止膜は、前記開口部内に形成され、前記受光部の上方に形成された前記反射防止膜の端部は、前記遮光膜下にまで延在しなくてもよい。
【００４６】
この構成によれば、本発明に係る固体撮像装置では、第１転送電極及び第２転送電極の側面において、遮光膜の端部と半導体基板との間に反射防止膜が介在しない。これにより、遮光膜の端部と半導体基板との間の膜厚が薄くなる。これにより、本発明に係る固体撮像装置は、この遮光膜の端部と半導体基板との間から入射する斜め入射光を抑制できる。よって、本発明に係る固体撮像装置は、低スミア化を実現できる。
【００４７】
また、前記絶縁領域上に当該絶縁領域を覆うように形成された前記反射防止膜は、当該絶縁領域に隣接する前記第１転送電極の上方の一部及び前記第２転送電極の上方の一部を覆い、前記第１転送電極上に形成された前記反射防止膜の行方向の端部は当該第１転送電極の側壁まで延在せず、前記第２転送電極上に形成された前記反射防止膜の行方向の端部は当該第２転送電極の側壁まで延在しなくてもよい。
【００４８】
この構成によれば、本発明に係る固体撮像装置では、第１転送電極及び第２転送電極の側壁と、当該側壁を覆う遮光膜との間に反射防止膜が形成されない。よって、本発明に係る固体撮像装置は、開口部の幅を広くできるので、高感度化を実現できる。
【００４９】
また、本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、前記反射防止膜は、窒化珪素で構成されてもよい。
【００５０】
これによれば、本発明に係る固体撮像装置では、絶縁領域上に反射防止膜が形成される。これにより、第１配線を形成するためのエッチングの際に、絶縁領域が削り込まれることを防止できる。よって、本発明に係る固体撮像装置は、遮光膜と第１転送電極及び第２転送電極との耐圧を確保するために、遮光膜と第１転送電極及び第２転送電極との間の絶縁膜を厚くする必要がない。これにより、本発明に係る固体撮像装置は、遮光膜と、半導体基板の界面との距離を小さくでき、かつ遮光膜が有する開口部の幅も大きくできる。よって、本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、感度及びスミア特性の低下を抑制できる固体撮像装置を製造できる。
【００５１】
さらに、本発明に係る固体撮像装置では、第１配線を形成するためのエッチングの選択比を小さくした場合でも、当該エッチングにより絶縁領域が削り込まれることを防止できる。よって、寸法ロスを最大限に抑制する条件で当該エッチングを行うことができる。これにより、本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、第１配線の幅を大きくできるので、高速転送を実現できる固体撮像装置を製造できる。
【００５２】
また、半導体基板に行列状に形成され、入射光を信号電荷に変換する複数の受光部を形成する第１工程と、列毎に形成され、対応する列に形成された複数の前記受光部により変換された前記信号電荷を列方向に転送するための転送チャネルを形成する第２工程と、前記転送チャネル上に列方向に交互に配置されるとともに、同一の層に形成される複数の第１転送電極及び複数の第２転送電極を形成する第３工程と、前記転送チャネル上であり、かつ列方向に隣接する前記第１転送電極及び前記第２転送電極との間に形成される絶縁領域を形成する第４工程と、前記受光部の上方に形成され、前記受光部に入射する光の反射を防止するとともに、前記絶縁領域上に当該絶縁領域を覆うように形成される反射防止膜を形成する第５工程と、前記反射防止膜より上層に、行毎に形成され、対応する行に配置された複数の前記第２転送電極と電気的に接続される第１配線を形成する第６工程と、前記第１配線及び前記反射防止膜より上層に形成され、前記転送チャネルを覆うように形成されるとともに、前記複数の受光部の上方に開口部を有する遮光膜を形成する第７工程とを含む。
【００５３】
また、前記第６工程では、第１導電膜を形成したのち、当該第１導電膜にエッチングを行うことにより、前記第１配線を形成してもよい。
【００５４】
また、前記第３工程は、第２導電膜を形成する工程と、前記第２導電膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にエッチングを行うことにより、第１絶縁膜パターンを形成する工程と、前記第１絶縁膜パターンの側壁にサイドウォールを形成することにより、前記第１絶縁膜パターンと前記サイドウォールとを含む第２絶縁膜パターンを形成する工程と、前記第２絶縁膜パターンをマスクとして用いて、前記第２導電膜にエッチングを行うことにより、前記第１転送電極と前記第２転送電極とを形成する工程とを含んでもよい。
【００５５】
なお、本発明は、このような固体撮像装置の機能の一部又は全てを実現する半導体集積回路（ＬＳＩ）として実現したり、このような固体撮像装置を備えるデジタルスチルカメラ、又はデジタルビデオカメラとして実現したりできる。
【発明の効果】
【００５６】
以上より、本発明は、感度及びスミア特性の低下を抑制できる固体撮像装置、及びその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５７】
以下、本発明の実施の形態における固体撮像装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００５８】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置は、転送電極間に形成される絶縁領域上に反射防止膜を形成する。これにより、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置は、シャント配線を形成する際のエッチングにより、絶縁領域が削り込まれることを防止できるので、感度及びスミア特性の低下を抑制できる。
【００５９】
以下、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置２０の構造について、図１Ａ〜図１Ｄを参照しながら説明する。図１Ａ〜図１Ｄに示す固体撮像装置２０は、シャント配線構造を有するＣＣＤ型固体撮像装置である。
【００６０】
図１Ａは、固体撮像装置２０の一部分を拡大して示す平面図であり、具体的には、固体撮像装置２０の受光部１１及び垂直電荷転送部１３の平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示すＹ０−Ｙ１面の断面図である。図１Ｃは、図１Ａに示すＸ０−Ｘ１面の断面図である。図１Ｄは、図１Ａに示すＸ２−Ｘ３面の断面図である。
【００６１】
固体撮像装置２０は、半導体基板１と、行列状に配置された複数の受光部１１と、列毎に設けられた複数の垂直電荷転送部１３とを備える。
【００６２】
半導体基板１は、例えば、ｎ型のシリコン基板である。
【００６３】
複数の受光部１１は、半導体基板１に形成され、入射光を信号電荷に光電変換する。
【００６４】
垂直電荷転送部１３は、半導体基板１に形成される。また、垂直電荷転送部１３は、対応する列に配置された複数の受光部１１により光電変換された信号電荷を読み出し、読み出した信号電荷を垂直方向（列方向）に転送したうえで、水平電荷転送部（図示せず）に出力する。なお、図１Ａにおいて、垂直方向（列方向）は横方向であり、水平方向（行方向）は縦方向である。
【００６５】
垂直電荷転送部１３は、転送チャネル１２と、絶縁膜２と、複数の第１転送電極３ａと、複数の第２転送電極３ｂと、絶縁領域４と、絶縁膜５及び８と、シャント配線７ａ及び７ｂと、遮光膜９と、コンタクト１０ａ及び１０ｂとを備える。
【００６６】
転送チャネル１２は、半導体基板１の表層側に形成されたｎ型の拡散層である。また、転送チャネル１２は、垂直方向に延び、対応する列に配置された複数の受光部１１とそれぞれ水平方向に連結される。この転送チャネル１２は、対応する列に配置された複数の受光部１１により光電変換された信号電荷を読み出し、読み出した信号電荷を垂直方向に転送したうえで、水平電荷転送部（図示せず）に出力するために用いられる。
【００６７】
絶縁膜２は、ゲート絶縁膜であり、転送チャネル１２上を含む半導体基板１の表層側の界面を覆うように形成される。例えば、絶縁膜２は、シリコン酸化膜であり、絶縁膜２の厚みは、１０〜１００ｎｍが好ましく、更に２５ｎｍ程度がより好ましい。
【００６８】
複数の第１転送電極３ａ及び複数の第２転送電極３ｂは、同一の階層に形成される。また、複数の第１転送電極３ａ及び複数の第２転送電極３ｂは、転送チャネル１２の上方に、絶縁膜２を介して形成される。例えば、第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂは、ポリシリコンにより構成される。また、複数の第１転送電極３ａ及び複数の第２転送電極３ｂの膜厚は、０．１〜０．３μｍが好ましく、更に０．２μｍ程度がより好ましい。
【００６９】
また、第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂは、転送チャネル１２を横切るように形成される。
【００７０】
また、一つの受光部１１に対して、それぞれ一つの第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂが配置される。また、複数の第１転送電極３ａ及び複数の第２転送電極３ｂは、垂直方向に沿って転送チャネル１２上に交互に配置される。
【００７１】
また、同一の行に配置される複数の第１転送電極３ａは、水平方向（行方向）に隣接する垂直電荷転送部１３が備える別の第１転送電極３ａと水平方向にポリシリコン層で連結される。また、第１転送電極３ａ同士を接続する部分の配線は、受光部１１と重ならないように、垂直方向において隣接する受光部１１の間を通るように形成される。例えば、第１転送電極３ａ同士を接続する部分の配線の幅Ｗ１は０．３〜０．５μｍが好ましく、更に０．４５μｍ程度がより好ましい。
【００７２】
また、第２転送電極３ｂは、それぞれが水平方向に分離された状態で配置される。
【００７３】
絶縁領域４は、転送チャネル１２上であり、かつ垂直方向に隣接する第１転送電極３ａと第２転送電極３ｂとの間に形成され、当該第１転送電極３ａと当該第２転送電極３ｂとを絶縁する。この絶縁領域４の幅Ｗ４は、転送不良を発生させないために、０．０５μｍ〜０．１５μｍ程度である。また、絶縁領域４は、例えば、酸化シリコンで構成される。
【００７４】
絶縁膜５は、第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂの上に形成される。例えば、絶縁膜５は、シリコン酸化膜であり、絶縁膜５の厚さは、０．０５〜０．２μｍが好ましく、更に０．１μｍ程度がより好ましい。
【００７５】
反射防止膜６は、受光部１１の上方の絶縁膜２上に形成され、受光部１１に入射する光の反射を防止する。この反射防止膜６は、絶縁膜２よりも高屈折率を有する材料で構成され、例えば、窒化珪素で構成される。さらに、反射防止膜６は、第１転送電極３ａと第２転送電極３ｂとの間に形成される絶縁領域４上に、当該絶縁領域４を覆うように形成される。また、この反射防止膜６は、垂直方向に隣接する第１転送電極３ａ上に形成される絶縁膜５と第２転送電極３ｂ上に形成される絶縁膜５と間の溝を埋めるように、当該絶縁膜５上の一部を覆うように形成される。例えば、当該絶縁領域４を覆う反射防止膜６の幅Ｗ５（垂直方向の長さ）は、０．１〜０．５μｍが好ましく、更に０．３μｍ程度がより好ましい。また、反射防止膜６の膜厚は、３０〜１００ｎｍが好ましく、更に５０ｎｍ程度がより好ましい。
【００７６】
また、図１Ｃに示すように、受光部１１上の反射防止膜６の水平方向の端部から第２転送電極３ｂの端部までの距離Ｌ１は、例えば０．１５〜０．３０μｍの幅に設定される。これにより、遮光膜９と半導体基板１の界面との距離を小さくできるとともに、開口部１４の幅を大きくできる。よって、固体撮像装置２０は、高感度化及び低スミア化を実現できる。
【００７７】
また、ここでは、受光部１１の上方に形成される反射防止膜６と同一工程及び同一材料（窒化珪素）で構成された高屈折率を有する膜（窒化珪素膜）を反射防止膜６と呼ぶ。なお、受光部１１上に形成された反射防止膜６以外は、受光部１１に入射する光の反射を防止する機能を必ずしも有さない。
【００７８】
シャント配線７ａ及び７ｂは、絶縁膜５及び反射防止膜６上に形成される。また、シャント配線７ａ及び７ｂは、各列に配置された複数の第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂと一対一に対応し、行方向に延在するように行毎に形成される。シャント配線７ａは、コンタクト１０ａを介して、対応する行に配置された複数の第１転送電極３ａと電気的に接続される。シャント配線７ｂは、コンタクト１０ｂを介して、対応する行に配置された複数の第２転送電極３ｂと電気的に接続される。このシャント配線７ａ及び７ｂは、第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂよりも低い抵抗を有する。例えば、シャント配線７ａ及び７ｂはタングステン等の金属により構成される。
【００７９】
また、シャント配線７ａ及び７ｂは、第１転送電極３ａの上方に形成され、当該第１転送電極３ａ上を延在する。
【００８０】
また、各行に配置されるシャント配線７ａ及び７ｂの本数は、１つの受光部１１に対して配置された転送電極の数に等しく、本例では２本となる。また、シャント配線７ａ及び７ｂの幅Ｗ２は、０．０８〜０．１５μｍが好ましく、更に０．１２μｍ程度がより好ましく、シャント配線７ａとシャント配線７ｂとの間隔Ｗ３は、０．１０〜０．２０μｍが好ましく、更に０．１６μｍ程度がより好ましい。また、シャント配線７ａ及び７ｂの厚さは、例えば６０ｎｍ〜１２０ｎｍである。
【００８１】
絶縁膜８は、シャント配線７ａ及び７ｂ上に形成される。例えば、絶縁膜８は、シリコン酸化膜である。
【００８２】
遮光膜９は、絶縁膜８上に形成される。また、遮光膜９は、受光部１１上に開口部１４を有する。また、遮光膜９は、転送チャネル１２の上方に当該転送チャネル１２を覆うように形成され、入射光が転送チャネル１２（垂直電荷転送部１３）に入射することを防止する。例えば、遮光膜９はタングステン等の金属で構成される。また、遮光膜９の膜厚は、８０〜３００ｎｍが好ましく、更に１００ｎｍ程度がより好ましい。
【００８３】
次に、実施の形態１に係る固体撮像装置２０の製造方法について、図２Ａ〜図４Ｄを用いて説明する。図２Ａ〜図４Ｄは、図１Ａ〜図１Ｄに示す固体撮像装置２０の製造過程における構造を示す図である。図２Ａ、図３Ａ及び図４Ａは固体撮像装置２０の製造過程における平面図である。図２Ｂは、図２Ａに示すＹ０−Ｙ１面の断面図であり、図２Ｃは、図２Ａに示すＸ０−Ｘ１面の断面図である。図３Ｂは、図３Ａに示すＹ０−Ｙ１面の断面図であり、図３Ｃは、図３Ａに示すＸ０−Ｘ１面の断面図である。図４Ｂは、図４Ａに示すＹ０−Ｙ１面の断面図であり、図４Ｃは、図４Ａに示すＸ０−Ｘ１面の断面図であり、図４Ｄは、図４Ａに示すＸ２−Ｘ３面の断面図である。
【００８４】
まず、図２Ａ〜図２Ｃに示すように、熱酸化法によって半導体基板１の表面に絶縁膜２が形成される。続いて、半導体基板１に対して種々のレジストパターンの形成とイオン注入とが行われる。これにより、受光部１１及び転送チャネル１２が形成される。
【００８５】
次に、絶縁膜２上にポリシリコン膜等の導電膜３ｃを成膜した後、当該導電膜３ｃを分離することにより、第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂを形成する工程を実施する。
【００８６】
前述のように、第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂを０．０５μｍ〜０．１５μｍ程度の間隔で形成するために、まず図２Ｂ及び２Ｃに示すように、ハードマスクとして用いる絶縁膜５ａを、ＣＶＤ法などを用いて導電膜３ｃ上に堆積する。
【００８７】
次に、垂直方向に０．１５μｍ〜０．３０μｍ程度の幅を有するレジストパターンを、フォトリソグラフィー法を用いて形成したうえで、当該レジストパターンを用いて異方性エッチングを行うことにより、絶縁膜５ａに溝を形成する。これにより、図２Ａ〜図２Ｃに示す構造が形成される。
【００８８】
次に、図２Ｄに示すように、０．０５μｍ〜０．１０μｍの幅の絶縁膜であるサイドウォールを絶縁膜５ａの側壁に、ＣＶＤ法などを用いて形成する。例えば、このサイドウォールは酸化シリコンである。これにより、絶縁膜５ａの溝を所望の幅（０．０５μｍ〜０．１５μｍ）に細めることができる。次に、サイドウォールを含む絶縁膜５ａをハードマスクとして用いて、導電膜３ｃに異方性エッチングを行なうことにより、導電膜３ｃを垂直方向に分離する溝が形成される。
【００８９】
次に、転送チャネル１２上以外の領域の導電膜３ｃに対し、フォトリソグラフィー法を用いたエッチングを行うことにより、第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂを形成する。以上により、図３Ａ〜図３Ｃに示す構造が形成される。
【００９０】
次に、ＣＶＤ法等を用いた成膜を行うことによって、転送チャネル１２上の第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂ間の溝を埋め込む。これにより、絶縁領域４が形成される。
【００９１】
その後、ＣＶＤ法等を用いて反射防止膜６として全面に窒化珪素膜を成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いて当該窒化珪素膜にエッチングを行うことにより、絶縁領域４の上面を覆うように、また受光部１１の上面の少なくとも一部を覆うように、反射防止膜６を形成する。
【００９２】
以上の工程により、図４Ａ〜図４Ｄに示す構造が形成される。
【００９３】
次に、第１転送電極３ａ上及び第２転送電極３ｂ上の絶縁膜５に、それぞれ絶縁膜５を貫通するコンタクト１０ａ及び１０ｂを形成する。次に、第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂを含む半導体基板１の上面全体を被覆する金属薄膜を成膜する。具体的には、例えば、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、タングステン等の金属薄膜を成膜する。
【００９４】
次に、導電膜に対して、フォトリソグラフィー法を用いた異方性エッチングを行うことにより、シャント配線７ａ及び７ｂを形成する。
【００９５】
ここで、シャント配線７ａとシャント配線７ｂとの間隔Ｗ３を０．１６μｍ程度にするために、シャント配線７ａ及び７ｂを形成するためのエッチングを、低選択比で寸法ロスの小さい条件に設定して行う。
【００９６】
本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置２０では、絶縁領域４の上面に反射防止膜６が延在して、絶縁領域４を保護しているために、低選択比のエッチング条件を選択しても、絶縁領域４を削ることがない。
【００９７】
次に、ＣＶＤ法等を用いた成膜によって、絶縁膜８を堆積する。次に、絶縁膜８の上に遮光性金属膜を堆積する。次に、当該遮光性金属膜に、フォトリソグラフィー法を用いたエッチングを行うことにより、遮光膜９を形成する。以上の工程により、図１Ａ〜図１Ｄに示す構造が形成される。
【００９８】
この後、更に必要に応じて、レンズ素子等が形成される（図示せず）。
【００９９】
以上のように、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置２０では、絶縁領域４上に反射防止膜６を形成する。これにより、シャント配線７ａ及び７ｂを形成するためのエッチングの際に、絶縁領域４が削り込まれることを防止できる。よって、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置２０は、遮光膜９と第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂとの耐圧を確保するために、絶縁膜８を厚く（例えば０．２μｍ）する必要がなく、例えば、絶縁膜８の膜厚を０．１μｍ程度にできる。これにより、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置２０は、遮光膜９と、半導体基板１の界面との距離を小さくでき、かつ開口部１４の幅も大きくできる。よって、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置２０は、高感度化及び低スミア化を実現できる。
【０１００】
また、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置２０では、シャント配線７ａ及び７ｂを形成するためのエッチングの選択比を小さくした場合でも、当該エッチングにより絶縁領域４が削り込まれることを防止できる。よって、寸法ロスを最大限に抑制する条件で当該エッチングを行うことができる。これにより、シャント配線７ａ及び７ｂの幅を大きくできるので、固体撮像装置２０は、高速転送を実現できる。
【０１０１】
また、固体撮像装置２０では、絶縁領域４上に反射防止膜６を形成することにより、平坦性を向上できる。
【０１０２】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置２１は、実施の形態１に係る固体撮像装置２０の変形例であり、実施の形態１に係る固体撮像装置２０に比べて、広い領域に反射防止膜６が形成される。
【０１０３】
以下、本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置２１について図５Ａ及び図５Ｂを参照して説明する。
【０１０４】
図５Ａは、固体撮像装置２１の一部分を拡大して示す平面図であり、具体的には、固体撮像装置２１の受光部１１及び垂直電荷転送部１３の平面図である。図５Ｂは、図５Ａに示すＹ０−Ｙ１面の断面図である。また、図５Ａに示すＸ０−Ｘ１面及びＸ２−Ｘ３面の断面図は、図１Ｃ及び図１Ｄと同様である。
【０１０５】
また、実施の形態１と同様の構成については、説明を省略し、以下では、実施の形態１との相違点のみを説明する。
【０１０６】
図５Ａ及び図５Ｂに示すように、反射防止膜６は、シャント配線７ａ下にも形成される。また、反射防止膜６は、第１転送電極３ａの上方のシャント配線７ｂ下にも形成される。また、反射防止膜６は、コンタクト１０ａが形成される領域を除き、複数の第１転送電極３ａを覆うように形成される。
【０１０７】
以上の構成により、本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置２１は、実施の形態１に係る固体撮像装置２０と同様に、シャント配線７ａ及び７ｂを形成するためのエッチングの際に、絶縁領域４が削り込まれることを防止できる。これにより、本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置２１は、実施の形態１に係る固体撮像装置２０と同様に、高感度化、低スミア化及び高速転送を実現できる。
【０１０８】
さらに、本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置２１は、実施の形態１に係る固体撮像装置２０に比べ、反射防止膜６のパターンが大きくなるので、反射防止膜６の製造を容易に高精度で行うことができる。さらに、反射防止膜６のパターンが大きくなることにより、平坦化効果も向上できる。
【０１０９】
なお、固体撮像装置２１の製造方法は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【０１１０】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置２２は、実施の形態１に係る固体撮像装置２０の変形例であり、実施の形態１に係る固体撮像装置２０に比べて、狭い領域に反射防止膜６が形成される。
【０１１１】
以下、本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置２２について図６Ａ〜図６Ｃを参照して説明する。
【０１１２】
図６Ａは、固体撮像装置２２の一部分を拡大して示す平面図であり、具体的には、固体撮像装置２２の受光部１１及び垂直電荷転送部１３の平面図である。図６Ｂは、図６Ａに示すＹ０−Ｙ１面の断面図である。図６Ｃは、図６Ａに示すＸ２−Ｘ３面の断面図である。また、図６Ａに示すＸ０−Ｘ１面の断面図は、図１Ｃと同様である。
【０１１３】
なお、実施の形態１と同様の構成については、説明を省略し、実施の形態１との相違点のみを説明する。
【０１１４】
図６Ａ〜図６Ｃに示すように、反射防止膜６は、絶縁領域４上に当該絶縁領域４を覆うように形成される。さらに、反射防止膜６は、受光部１１の上方の一部に形成され、その他の領域には、形成されない。
【０１１５】
具体的には、受光部１１の上方に形成された反射防止膜６は、開口部１４内に形成される。また、図６Ｃに示すように、受光部１１の上方に形成された反射防止膜６の端部は、遮光膜９下にまで延在しない。つまり、受光部１１の上方に形成された反射防止膜６と、絶縁領域４上に形成された反射防止膜６とは分離される。
【０１１６】
また、図６Ｃに示すように、第２転送電極３ｂの上方のうち、絶縁領域４に垂直方向に隣接する領域に形成された反射防止膜６の水平方向の端部は、第２転送電極３ｂの側壁まで延在しない。同様に、第１転送電極３ａの上方のうち、絶縁領域４に垂直方向に隣接する領域に形成された反射防止膜６の水平方向の端部は、第１転送電極３ａの側壁まで延在しない（図示せず）。なお、この絶縁領域４に垂直方向に隣接する、第１転送電極３ａ側の領域における水平方向の断面図は、図６Ｃと同様である。
【０１１７】
以上の構成により、本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置２２は、実施の形態１に係る固体撮像装置２０と同様に、シャント配線７ａ及び７ｂを形成するためのエッチングの際に、絶縁領域４が削り込まれることを防止できる。これにより、本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置２２は、実施の形態１に係る固体撮像装置２０と同様に、高感度化、低スミア化及び高速転送を実現できる。
【０１１８】
さらに、本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置２２では、第１転送電極３ａ及び第２転送電極３ｂの側面において、遮光膜９の端部と半導体基板１との間に反射防止膜６が介在しない。これにより、遮光膜９の端部と半導体基板１との間の膜厚が薄くなる。具体的には、図１Ｄに示すように、実施の形態１に係る固体撮像装置２０では、第２転送電極３ｂの側面において、遮光膜９の端部の下に、反射防止膜６が形成される。よって、この場合の遮光膜９の端部と半導体基板１との間の膜厚Ｗ６は、絶縁膜２と反射防止膜６の膜厚の和となる。一方、実施の形態３に係る固体撮像装置２２では、図６Ｃに示すように、遮光膜９の端部の下に、反射防止膜６が形成されないので、遮光膜９の端部と半導体基板１との間の膜厚Ｗ７を小さくできる。
【０１１９】
ここで、遮光膜９の端部と半導体基板１との間の膜厚が大きい場合、そこから入射する斜め入射光により、スミアが悪化する問題がある。本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置２２では、この遮光膜９の端部と半導体基板１との間の膜厚Ｗ７とを小さくすることにより、そこから入射する斜め入射光が抑制される。これにより、本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置２２は、低スミア化を実現できる。
【０１２０】
さらに、図１Ｄに示すように、実施の形態１に係る固体撮像装置２０では、第２転送電極３ｂの側壁と、当該側壁を覆う遮光膜９との間にも反射防止膜６が形成されている。これにより、開口部１４の水平方向の幅Ｌ２が狭くなってしまう。一方、実施の形態３に係る固体撮像装置２２では、図６Ｃに示すように、第２転送電極３ｂの側壁と、当該側壁を覆う遮光膜９との間に反射防止膜６が形成されない。よって、実施の形態３に係る固体撮像装置２２は、実施の形態１に係る固体撮像装置２０に比べて開口部１４の水平方向の幅Ｌ３を広くできる。これにより、本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置２２は、高感度化を実現できる。
【０１２１】
なお、固体撮像装置２２の製造方法は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【０１２２】
また、本発明は、以上に記載した実施の形態１〜３の説明に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【０１２３】
例えば、上記実施の形態１〜３で挙げた数値及び材料等は一例であり、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１２４】
また、上記図において、各構成要素の角部及び辺を直線的に記載しているが、製造上の理由により、角部及び辺が丸みをおびたものも本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
本発明は、固体撮像装置に適用でき、例えば、デジタルスチルカメラ及びデジタルビデオカメラに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１Ａ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の平面図である。
【図１Ｂ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置のＹ方向の断面図である。
【図１Ｃ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置のＸ方向の断面図である。
【図１Ｄ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置のＸ方向の断面図である。
【図２Ａ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程における平面図である。
【図２Ｂ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程におけるＹ方向の断面図である。
【図２Ｃ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程におけるＸ方向の断面図である。
【図２Ｄ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程におけるＹ方向の断面図である。
【図３Ａ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程における平面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程におけるＹ方向の断面図である。
【図３Ｃ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程におけるＸ方向の断面図である。
【図４Ａ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程における平面図である。
【図４Ｂ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程におけるＹ方向の断面図である。
【図４Ｃ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程におけるＸ方向の断面図である。
【図４Ｄ】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程におけるＸ方向の断面図である。
【図５Ａ】本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置の平面図である。
【図５Ｂ】本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置のＹ方向の断面図である。
【図６Ａ】本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置の平面図である。
【図６Ｂ】本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置のＹ方向の断面図である。
【図６Ｃ】本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置のＸ方向の断面図である。
【図７Ａ】従来の固体撮像装置の平面図である。
【図７Ｂ】従来の固体撮像装置のＹ方向の断面図である。
【図７Ｃ】従来の固体撮像装置のＸ方向の断面図である。
【符号の説明】
【０１２７】
１、１０１  基板
２、１０２  絶縁膜
３ａ、１０３ａ  第１転送電極
３ｂ、１０３ｂ  第２転送電極
３ｃ  導電膜
４、１０４  絶縁領域
５、５ａ、１０５  絶縁膜
６  反射防止膜
７ａ、７ｂ、１０７ａ、１０７ｂ  シャント配線
８、１０８  絶縁膜
９、１０９  遮光膜
１０ａ、１０ｂ、１１０ａ、１１０ｂ  コンタクト
１１、１１１  受光部
１２、１１２  転送チャネル
１３、１１３  垂直電荷転送部
１４、１１４  開口部
２０、２１、２２、１００  固体撮像装置
【図１Ａ】
2010177599.tif 000003
【図１Ｂ】
2010177599.tif 000004
【図１Ｃ】
2010177599.tif 000005
【図１Ｄ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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