(57)【要約】【課題】例えば、製造プロセスを煩雑化させることなく、機械的強度が高められていると共に、環境温度が変化した場合に生じる基板間ギャップのばらつきを低減する。【解決手段】遮光部（２１０）は、平面的に見て、スペーサ（１５１）と同一のサイズを有している。半透過部（２２０）は、遮光部（２１０）の縁（２１１）を介して該遮光部（２１０）を囲む枠状に形成されており、且つ遮光部（２１０）より光透過率が高い。したがって、半透過部（２２０）を有しないマスク、即ち遮光部（２１０）のみで構成されたマスクを介してＵＶ光を感光性下地膜（４３）に照射する場合に比べて、ＵＶ光がマスクを回り込んで感光性下地膜（４３）に照射されることを低減できる。【選択図】図８
2010032847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）電気光学層、（ｉｉ）該電気光学層を挟持する一対の基板、及び（ｉｉｉ）該一
対の基板間の基板間ギャップを維持するスペーサを備えた電気光学装置を製造するための
電気光学装置の製造方法であって、
（ｉ）形成されるべきスペーサの平面形状と同一の平面形状を規定する縁を有し、且つ
前記形成されるべきスペーサと同一のサイズを有する遮光部と、（ｉｉ）前記縁を介して
前記遮光部を囲むように枠状に形成され、且つ前記遮光部より光透過率が高い半透過部と
を有するマスクを、前記一対の基板の一方の基板上に形成された感光性下地膜上に配置す
る第１工程と、
前記マスク上から前記感光性下地膜に向かって光を照射する第２工程と、
前記感光性下地膜のうち前記遮光部に重なる部分が前記形成されるべきスペーサとして
残るように、前記感光性下地膜のうち前記重なる部分を除く他の部分を除去する第３工程
と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１工程において、前記一方の基板上の表示領域を構成する複数の画素部の夫々の
開口領域となるべき領域に前記遮光部が重ならないように、前記マスクを配置すること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記感光性下地膜のうち前記形成されるべきスペーサと、前記一方の基板上に形成され
るべき層間絶縁膜とは、相互に同じ材料で構成されていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記感光性下地膜のうち前記形成されるべきスペーサが形成された後に残った部分は、
前記形成されるべき層間絶縁膜を構成すること
を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記半透過部は、前記光の解像度限界以下のスリット幅を各々有する複数のスリットか
らなるパターン部分であること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記スペーサのサイズは、１０μｍ以下であること
を特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記スペーサは、前記一方の基板から前記一対の基板の他方の基板に向かって突出した
複数の突起部であり、
前記複数の突起部が前記表示領域に形成された個数の密度は、前記表示領域において均
一であること
を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、タッチキー機能を有する直視型の液晶装置等の電気光学装置を製造
するための電気光学装置の製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の液晶装置では、液晶層を挟持するＴＦＴアレイ基板及び対向基板間の間隔（所
謂、基板間ギャップ）を一定に維持するためにこれら基板間にスペーサとしてのビーズが
散布される。このようなビーズによれば、液晶装置が表示する画像のコントラストの低下
を招き、液晶装置の表示性能を低下させてしまう場合がある。特に、ＴＦＴアレイ基板の
基板面に沿って発生する横電界によって液晶の配向制御を行なう横電界方式の液晶装置で
は、コントラスト低下が顕著に発生する。このようなコントラスト低下を抑制するために
、ＴＦＴ等の素子が形成されたＴＦＴアレイ基板上、或いはカラーフィルタ等が形成され
た対向基板上において実質的な画像表示に寄与しない領域、即ち画像を表示する領域のう
ち光源光を透過させない非開口領域に配置された柱状のスペーサによって、基板間ギャッ
プを維持する液晶装置が知られている。柱状のスペーサは、例えばアクリル材料或いはポ
リイミド材料等のポジ型の感光材料を露光するプロセスを含むフォトリソグラフィ技術を
用いて形成される（例えば、特許文献１乃至４参照。）。また、特許文献５は、一対の基
板を相互に接着するシール部に埋め込まれ、且つ高い剛性率を有するスペーサを備えた液
晶装置を開示している。
【０００３】
また、この種の液晶装置では、相互に高さが異なる複数のスペーサを、液晶層を挟持す
るＴＦＴアレイ基板及び対向基板等の一対の基板間に形成し、一対の基板間の基板間ギャ
ップを維持する技術が用いられる場合もある。相互に高さが異なる複数のスペーサによれ
ば、液晶装置が使用される際の環境温度の変化に起因して生じる基板間ギャップにばらつ
きがあった場合でも、基板間ギャップを液晶装置全体で均一に維持することができ、表示
性能の低下及び後述するタッチパネル機能の低下を抑制できる。環境温度の変化に対する
表示性能の経時的な変化は、例えば、液晶装置の環境温度を常温から低温に変化させた状
態で液晶装置の表示性能の変化を評価する低温衝撃試験で試験される。
【０００４】
一方、この種の液晶装置では、例えば、指等の入力手段が表示面を押圧することによっ
て生じるＴＦＴアレイ基板及び対向基板間の静電容量の変化が検知されることによって、
指等の入力手段が液晶装置の表示面を押圧したことを検知し、各種情報の入力が可能なタ
ッチキー機能を有するタッチパネルが知られている。表示面が指等で押圧された際におけ
るタッチパネルの機械的強度は、表示面が押された際に生じる表示性能の変化を試験する
押し圧試験等で評価される。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１７５１３３号公報
【特許文献２】特開平１０−８２９０９号公報
【特許文献３】特開２００６−２７６４９６号公報
【特許文献４】特開２００７−５７７４４号公報
【特許文献５】特開２００２−３３３６３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、相互に高さが異なる複数のスペーサをフォトリソグラフィ技術を用いて
形成する場合、相互に均一な高さを有するスペーサを形成する場合に比べて、各スペーサ
の高さの夫々に応じて感光材料を露光する露光回数が増大し、液晶装置の製造プロセスを
煩雑化させてしまう問題点がある。
【０００７】
また、低温衝撃試験及び押し圧試験の夫々で生じるタッチパネルの表示性能の低下を抑
制するためには、スペーサのサイズを大きくし、機械的強度を確保する必要がある。
【０００８】
しかしながら、フォトリソグラフィ技術を用いて柱状のスペーサを形成しようとした場
合、光を遮光するマスクを回り込む光が感光材料に照射されてしまう。したがって、柱状
に形成すべきスペーサの上部のサイズが下部のサイズより小さくなり、その上部から下部
に向かって裾を引いた断面テーパ状のスペーサが形成されてしまうことになる。このよう
に断面形状がテーパ状のスペーサによれば、例えば、ＴＦＴアレイ基板上に形成され、且
つ上部及び下部の夫々のサイズが均一であるスペーサを用いてＴＦＴアレイ基板及び対向
基板間の基板間ギャップを維持した場合に比べて、スペーサの上部が対向基板に接する面
積が相対的に小さくなり、基板間ギャップを維持することが困難になる問題点もある。こ
のような問題点は、特に、画像の表示性能の向上を目的として小さいサイズのスペーサを
形成する際に、より一層顕著になる。
【０００９】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、製造プロセスを
煩雑化させることなく、機械的強度が高められていると共に、環境温度が変化した場合に
生じる基板間ギャップのばらつきが低減された液晶装置等の電気光学装置を製造可能な電
気光学装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、（ｉ）電気光学層
、（ｉｉ）該電気光学層を挟持する一対の基板、及び（ｉｉｉ）該一対の基板間の基板間
ギャップを維持するスペーサを備えた電気光学装置を製造するための電気光学装置の製造
方法であって、（ｉ）形成されるべきスペーサの平面形状と同一の平面形状を規定する縁
を有し、且つ前記形成されるべきスペーサと同一のサイズを有する遮光部と、（ｉｉ）前
記縁を介して前記遮光部を囲むように枠状に形成され、且つ前記遮光部より光透過率が高
い半透過部とを有するマスクを、前記一対の基板の一方の基板上に形成された感光性下地
膜上に配置する第１工程と、前記マスク上から前記感光性下地膜に向かって光を照射する
第２工程と、前記感光性下地膜のうち前記遮光部に重なる部分が前記形成されるべきスペ
ーサとして残るように、前記感光性下地膜のうち前記重なる部分を除く他の部分を除去す
る第３工程とを備えている。
【００１１】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、例えば、液晶層等の電気光学層は、画
素スイッチング用ＴＦＴ等を各々有する複数の画素部が形成されたＴＦＴアレイ基板と、
カラーフィルタ等が形成され、且つＴＦＴアレイ基板に対向するように配置された対向基
板との間に挟持される。スペーサは、例えば、ＴＦＴアレイ基板及び対向基板からなる一
対の基板間の基板間ギャップを維持するように、これら基板間に設けられている。
【００１２】
第１工程では、（ｉ）形成されるべきスペーサの平面形状と同一の平面形状を規定する
縁を有し、且つ前記形成されるべきスペーサと同一のサイズを有する遮光部と、（ｉｉ）
前記縁を介して前記遮光部を囲むように枠状に形成され、且つ前記遮光部より光透過率が
高い半透過部とを有するマスクを、前記一対の基板の一方の基板上に形成された感光性下
地膜上に配置する。
【００１３】
「形成されるべきスペーサ」とは、電気光学装置が有する一対の基板の基板間ギャップ
を維持することを目的として、当該電気光学装置のサイズ及び各種設計事項に基づいて個
別具体的に設定される適切な形状及びサイズを有するスペーサをいう。遮光部は、マスク
のうち光を全く透過させない部分であり、その縁で規定される平面形状は、形成すべきス
ペーサの平面形状、より具体的には、形成されるべきスペーサの平面形状を基準として実
践的に許容される範囲での形状の相違を含んだ平面形状と同一であり、例えば、矩形状等
の多角形、或いは円形等の各種形状を取り得る。
【００１４】
遮光部は、平面的に見て、スペーサと同一のサイズを有しているため、後述する第２及
び第３工程を経て、形成されるスペーサ及び遮光部の平面形状及びサイズは理想的には一
致している。尚、実際には、スペーサで遮光された光のうち遮光部を回り込んで感光性下
地膜に照射される光が大なり小なり僅かながら存在するため、遮光部の平面形状及びサイ
ズは、形成されるスペーサの平面形状及びサイズと厳密に一致していなくてもよく、電気
光学装置に要求される基板間ギャップのばらつきを低減でき、且つ機械的強度が高められ
るようにスペーサを形成可能な条件の範囲内であれば、形成されるべきスペーサの平面形
状及びサイズと異なっていてもよい。
【００１５】
半透過部は、遮光部の縁を介して該遮光部を囲む枠状に形成されており、且つ前記遮光
部より光透過率が高いため、半透過部を有しないマスク、即ち遮光部のみで構成されたマ
スクを用いて感光性下地膜に光を照射する場合に比べて、光がマスクを回り込んで感光性
下地膜に照射されることを低減できる。感光性下地膜は、例えば、ポジ型の感光材料を用
いて構成されており、第２工程及び第３工程では、例えば、アクリル樹脂或いはポリイミ
ド樹脂等のポジ型の感光材料から構成された感光性下地膜をフォトリソグラフィ技術によ
ってパターニングする。
【００１６】
第２工程では、前記マスク上から前記感光性下地膜に向かって、ＵＶ光等の光を照射す
る。
【００１７】
第３工程では、前記感光性下地膜のうち前記遮光部に重なる部分が前記形成されるべき
スペーサとして残るように、前記感光性下地膜のうち前記重なる部分を除く他の部分を除
去する。前記感光性下地膜のうち前記遮光部に重なる部分は、光が照射されない部分であ
るため、第２工程の後、感光性下地膜をエッチング処理した際に、エッチング処理によっ
て除去されない。加えて、遮光部を回り込んで感光性下地膜に照射される光が低減されて
いるため、前記遮光部に重なる部分が柱状のスペーサとして一方の基板上に残った際に、
当該スペーサの上部から下部に向かってその側面が裾を引くことなく、その上部及び下部
の幅が揃ったスペーサを形成できる。言い換えれば、断面形状が、一方の基板から他方の
基板に向かって先細ったテーパ形状になるのではなく、一方の基板から他方の基板に向か
って一定の幅を有する柱状のスペーサが形成される。前記感光性下地膜のうち前記重なる
部分を除く他の部分には光が照射されているため、当該他の部分は、スペーサが残るよう
にエッチング処理によって除去されていればよい。よって、必ずしも感光性下地膜のうち
当該他の部分の全てが除去されている必要はない。
【００１８】
したがって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、感光材料を露光する露光
回数を増大させることなく、スペーサをパターニングできる。加えて、本発明に係る電気
光学装置の製造方法によれば、感光性下地膜に光を照射した際に、遮光部を回り込んで当
該下地膜に照射される光を低減できるため、上部及び下部の夫々のサイズが均一である柱
状のスペーサを用いて一方及び他方の基板間の基板間ギャップを維持でき、断面形状がテ
ーパ状のスペーサを用いてこれら基板間の基板間ギャップを維持する場合に比べて、スペ
ーサの上部が他方の基板に接する面積を相対的に大きくすることが可能である。したがっ
て、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、機械的強度が高められていると共に
、環境温度が変化した場合に生じる基板間ギャップのばらつきが低減された電気光学装置
を製造可能である。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の一の態様では、前記第１工程において、前記一
方の基板上の表示領域を構成する複数の画素部の夫々の開口領域となるべき領域に前記遮
光部が重ならないように、前記マスクを配置してもよい。
【００２０】
この態様によれば、スペーサが開口領域に形成されないので、開口領域を透過する透過
光がスペーサによって遮られることを低減できる。したがって、この態様によれば、電気
光学装置が画像を表示する表示性能が、スペーサによって低下することがない。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記感光性下地膜のうち前記形
成されるべきスペーサと、前記一方の基板上に形成されるべき層間絶縁膜とは、相互に同
じ材料で構成されていてもよい。
【００２２】
この態様によれば、層間絶縁膜として形成されるべき部分と共通の材料を用いてスペー
サを形成できるため、製造プロセスの煩雑化、設計変更、及び材料コストの増大を極力抑
制できる。
【００２３】
この態様では、前記感光性下地膜のうち前記形成されるべきスペーサが形成された後に
残った部分は、前記形成されるべき層間絶縁膜を構成してもよい。
【００２４】
この態様によれば、スペーサと並行して層間絶縁膜を形成できる。したがって、電気光
学装置の製造プロセスの煩雑化、設計変更、及び材料コストの増大を極力抑制できる。
【００２５】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記半透過部は、前記光の解像
度限界以下のスリット幅を各々有する複数のスリットからなるパターン部分であってもよ
い。
【００２６】
この態様によれば、感光性下地膜を構成する、例えば、アクリル樹脂等の絶縁材料が光
硬化させることが可能な波長に応じて半透過部の設計を変更することが可能である。した
がって、感光性下地膜の構成材料の選択に応じて半透過部の設計を変更できる。
【００２７】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記スペーサのサイズは、１０
μｍ以下であってもよい。
【００２８】
この態様によれば、例えば基板間ギャップを維持し、且つ押圧力にも耐えられる柱状の
スペーサの機械的強度を確保できる程度にスペーサのサイズを小型化可能である。
【００２９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記スペーサは、前記一方の基
板から前記一対の基板の他方の基板に向かって突出した複数の突起部であり、前記複数の
突起部が前記表示領域に形成された個数の密度は、前記表示領域において均一であっても
よい。
【００３０】
この態様によれば、電気光学装置全体で基板間ギャップのばらつきを低減できる。より
具体的には、例えば、画素部毎にスペーサを形成するのではなく、例えば、所定数の画素
部（例えば、６画素部）毎にスペーサを形成することによって、基板間ギャップのばらつ
きを低減でき、且つ低温衝撃試験に対する表示性能の低下が抑制された電気光学装置を製
造できる。
【００３１】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、図面を参照しながら本発明に係る電気光学装置の製造方法の各実施形態を説明す
る。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、タッチキー機能を有する直視型の
液晶装置を挙げる。このような液晶装置１は、直視型の液晶ディスプレイ装置、或いは携
帯端末装置の表示部として使用可能である。
【００３３】
＜１：液晶装置＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によっ
て製造される液晶装置１の全体構成を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形
成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置１の平面図であり、図２は、図
１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。本実施形態に係る液晶装置１は、駆動回路内蔵型のＴＦ
Ｔアクティブマトリクス駆動方式で駆動される。加えて、液晶装置１は、後述する対向電
極２１及び画素電極９ａ間に生じる静電容量の変化に応じて各種情報を入力可能なタッチ
キー機能を有する、所謂タッチパネルである。
【００３４】
図１及び図２において、液晶装置１では、本発明の「一方の基板」の一例であるＴＦＴ
アレイ基板１０と、本発明の「他方の基板」の一例である対向基板２０とが、相互に向か
い合うように配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、本発明の
「電気光学層」の一例である液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向
基板２０とは、複数の画素部が設けられる表示領域たる画像表示領域１０ａの周囲に位置
するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３５】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等
からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、
加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と
対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガ
ラスビーズ等のギャップ材が散布されていてもよい。
【００３６】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領
域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、この
ような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設
けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換
えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮
光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００３７】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、デ
ータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額
縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０
ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１
０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設
けられている。
【００３８】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導
通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対
向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１
０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。対向電極２１は、固定電位
とされ、画素電極９ａと共にタッチキー構造を構成する。
【００３９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、
データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、
対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には
最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティ
ック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４０】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、及
び走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリング
してデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャ
ージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該
電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４１】
次に、図３乃至図５を参照しながら、液晶装置１の画素部の構成を詳細に説明する。図
３は、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素
における各種素子、配線等の等価回路であり、図４は、データ線、走査線、画素電極等が
形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図５は、図４の
Ｖ−Ｖ´断面図である。尚、図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさ
とするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００４２】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された
複数の画素部の夫々は、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０を有している。ＴＦＴ３０は、画素
電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング
制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続さ
れている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順
次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に
供給するようにしてもよい。
【００４３】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタ
イミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線
順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的
に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉
じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定
のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画
像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一
定期間保持される。
【００４４】
液晶層５０に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変
化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであ
れば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリ
ーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過
率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出
射される。蓄積容量７０は、画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対
向電極２１との間に形成される液晶容量と電気的に並列に接続されている。
【００４５】
次に、図４及び図５を参照して、画素部の具体的な構成を説明する。図４において、液
晶装置１のＴＦＴアレイ基板１０上には、Ｘ方向及びＹ方向に対してマトリクス状に複数
の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ´により輪郭が示されている）が設けられており、画
素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。液
晶装置１は、対向基板２０の両面のうち液晶層５０に臨まない表示面２０Ｓの側から指等
の入力手段によって対向基板２０が押圧されることによって、対向電極２１及び画素電極
９ａ間に生じる静電容量の変化を不図示の電流検出手段によって検出し、当該検出された
静電容量の変化に応じて各種情報を入力可能に構成されたタッチキー構造を有している。
【００４６】
半導体層１ａのうち図４中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向する
ように走査線３ａが配置されている。このように、走査線３ａとデータ線６ａとが交差す
る個所の夫々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００４７】
データ線６ａは、その上面が平坦化された第２層間絶縁膜４２を下地として形成された
下地膜４２ａａ上に形成されており、コンタクトホール８１を介してＴＦＴ３０の高濃度
ソース領域に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、
Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若し
くはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機
能を有している。
【００４８】
蓄積容量７０は、高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容
量電極としての下部容量電極７１と、固定電位側容量電極としての上部容量電極３００の
一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００４９】
図４及び図５に示すように、上部容量電極３００は、例えば金属又は合金を含む上側遮
光膜（内蔵遮光膜）としてＴＦＴ３０の上側に設けられている。上部容量電極３００は、
固定電位側容量電極としても機能する。上部容量電極３００は、例えば、Ｔｉ（チタン）
、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ
（パラジウム）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単
体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。上部容
量電極３００は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と高融点金属を含む金
属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持っていてもよい。
【００５０】
下部容量電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜や、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｌ等の金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シ
リサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなり画素電位側容量電極として
機能する。下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜とし
ての上部容量電極３００とＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは上側遮光膜の
他の例としての機能を持ち、更に、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ
とを中継接続する機能を持つ。但し、下部容量電極７１も、上部容量電極３００と同様に
、金属又は合金を含む単一層膜若しくは多層膜から構成されていてもよい。
【００５１】
容量電極としての下部容量電極７１と上部容量電極３００との間に配置される誘電体膜
７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide
）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成されている。
【００５２】
上部容量電極３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に
延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。
【００５３】
ＴＦＴ３０の下側に下地絶縁膜１２を介して格子状に設けられた下側遮光膜１１ａは、
ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ
´及びその周辺を遮光する。下側遮光膜１１ａは、上部容量電極３００と同様に、例えば
、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金
属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【００５４】
下地絶縁層１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴ
アレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時に
おける荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止
する機能を有する。画素電極９ａは、下部容量電極７１を中継することにより、コンタク
トホール８３及び８５を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接
続されている。
【００５５】
図４及び図５に示すように、液晶装置１は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対
向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英
基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基
板からなる。
【００５６】
ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング
処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。例えば、画素電極９ａ
はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなり、配向膜１６は、ポリイミ
ド膜などの有機膜からなる。
【００５７】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の基板間ギャ
ップを確保するためのスペーサ１５１が形成されている。スペーサ１５１は、アクリル樹
脂或いはポリイミド樹脂等のポジ型の感光材料から構成されており、フォトリソグラフィ
法を用いて所定の形状及びサイズを有するように形成されている。スペーサ１５１の形状
は柱状であり、後述するように、その上部及び下部のサイズが相互に略等しくなるように
形成されている。したがって、スペーサ１５１によれば、スペーサ１５１の上部のサイズ
が下部のサイズより小さく形成されている場合に比べてスペーサ１５１が対向基板２０に
接触する接触面積を増大させることができ、表示面２０Ｓが指等の指示手段で押圧された
場合、及び、液晶装置１を使用する環境の温度変化が生じた場合の何れの場合においても
、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の基板間ギャップを安定して維持することが
可能である。
【００５８】
スペーサ１５１は、ＴＦＴアレイ基板１０から対向基板２０に向かって突出した突起部
であり、ＴＦＴアレイ基板１０上に複数形成されている。特に、本実施形態では、画像表
示領域１０ａにおけるスペーサ１５１の個数の密度は、画像表示領域１０ａにおいて均一
である。したがって、複数のスペーサ１５１によれば、液晶装置１全体で基板間ギャップ
のばらつきを低減できる。より具体的には、例えば、画素部毎にスペーサ１５１を形成す
るのではなく、所定数の画素部（例えば、６画素部毎）毎にスペーサ１５１を形成するこ
とによって、画像表示領域１０ａ全体で平均的に対向基板２０をスペーサ１５１によって
支持することが可能である。よって、スペーサ１５１によれば、ＴＦＴアレイ基板１０及
び対向基板２０間の基板間ギャップのばらつきを低減でき、且つ低温衝撃試験に対する表
示性能の低下が抑制可能になる。
【００５９】
スペーサ１５１は、画像表示領域１０ａのうちデータ線６ａ及び走査線３ａが相互に交
差する領域に形成されている。したがって、スペーサ１５１は、画像を表示するための光
が透過しない非開口領域に形成されている。よって、スペーサ１５１を構成する感光性材
料が不透明な材料であっても、液晶装置１が画像を表示する表示性能を低下させることが
ない。
【００６０】
尚、複数のスペーサ１５１は、一回の露光処理によってアスペクト比が互いに異なるよ
うに、言い換えれば高さが互いに異なるように形成されていてもよい。このようなスペー
サ１５１によれば、温度低下に伴って液晶装置１が収縮する場合に、相互に高さが異なる
複数のスペーサ１５１の夫々によって基板間ギャップを維持することができため、基板間
ギャップが確保されることになり、基板間ギャップが維持できなくなる、或いは基板間ギ
ャップのばらつきを一因として生じる表示性能の低下を抑制でき、液晶装置１の表示性能
を維持することが可能である。
【００６１】
加えて、スペーサ１５１によれば、タッチキー機能により対向基板２０の表示メン２０
Ｓが指等で押圧された場合でも、対向電極２１が画素電極９ａに接しないように、対向基
板２０及びＴＦＴアレイ基板１０間の基板間ギャップを確保することが可能である。よっ
て、スペーサ１５１によれば、対向基板２０が押圧された場合でも、対向電極２１及び画
素電極９ａがショートすることを防止できる。
【００６２】
したがって、液晶装置１によれば、指等の入力手段を介して表示面２０Ｓから入力され
る情報を正確に検知することが可能である。加えて、上部及び下部のサイズが相互に略等
しいサイズである柱状のスペーサ１５１が形成されているため、タッチキー機能を損なう
ことなく、液晶装置１の強度を高めることが可能である。
【００６３】
以上説明したように、液晶装置１によれば、基板間ギャップを維持することによって、
タッチキー機能を損なうことなく、且つ表示性能を維持できる。
【００６４】
対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１
は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。配向膜２２は、ポリイミド膜などの有
機膜からなる。
【００６５】
対向基板２０には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。この
ような構成を採ることで、上部容量電極３００として設けられた上側遮光膜と併せ、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０側からの入射光のチャネル領域１ａ´ないしその周辺への侵入を阻止す
るのをより確実に阻止することができる。
【００６６】
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、
画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向
状態をとる。
【００６７】
画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており
、ゲート電極３ａ２、走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａの
チャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜
２、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ並びに高
濃度ドレイン領域１ｅを備えている。低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、
高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅは、半導体層１ａの不純物領域を構成
しており、チャネル領域１ａ´の両側にミラー対称に形成されている。
【００６８】
ゲート電極３ａ２は、ポリシリコン膜等の導電膜や、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、
Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｌ等の金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサ
イド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等によって形成されており、低濃度ソース
領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに重ならないように絶縁膜２を介してチャネル領域
１ａ´上に設けられている。したがって、ＴＦＴ３０では、高濃度ソース領域１ｄ及び高
濃度ドレイン領域１ｅとゲート電極３ａ２とのオフセットが十分に確保されている。
【００６９】
尚、ゲート電極３ａ２の縁は、平面的に見て低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン
領域１ｃとチャネル領域１ａ´との境界に重なっており、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃
度ドレイン領域１ｃと、ゲート電極３ａ２との間に生じる寄生容量が低減されている。こ
れにより、ＴＦＴ３０トランジスタの高速動作が可能となり、液晶装置１の表示性能が高
められている。
【００７０】
加えて、液晶装置１では、ゲート電極３ａ２上にＴＦＴ３０を覆うように形成された上
部容量電極３００によって、ゲート電極３ａ２のみによって遮光する場合に比べて効果的
に低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを遮光できる。
【００７１】
このように、液晶装置１によれば、光リーク電流が低減されたＴＦＴ３０を用いて、フ
リッカ等の画像表示を行う際に発生する不具合を低減でき、高品位で画像を表示できる。
加えて、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有しているため、ＴＦＴ３０の非動作時において低
濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに流れるオフ電流が低減され、且つＴＦ
Ｔ３０の動作時に流れるオン電流の低下が抑制されている。よって、液晶装置１によれば
、ＬＤＤ構造の利点及び光リーク電流が殆ど流れないことを利用して高品位で画像を表示
できる。
【００７２】
下側遮光膜１１ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高
濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４
１が形成されている。
【００７３】
第１層間絶縁膜４１上には下部容量電極７１及び上部容量電極３００が形成されており
、これらの上には、コンタクトホール８１及び８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２
が形成されている。
【００７４】
本実施形態における第２層間絶縁膜４２は、例えばＢＰＳＧ膜からなり、加熱による流
動化状態を経ることによって上面が平坦化されている。即ち、その成膜時の上面には、下
層側の蓄積容量７０やＴＦＴ３０、走査線３ａ、更には下地遮光膜１１ａの存在によって
段差が生じているが、一旦流動化されることで、上面は段差による凹凸が均された状態と
なっている。尚、第２層間絶縁膜４２は、感光性のアクリル樹脂などを用いて、段差が形
成されていてもよい。
【００７５】
更に、データ線６ａの上から第２層間絶縁膜４２の全面を覆うように、コンタクトホー
ル８５が形成された第３層間絶縁膜４３ａは、本発明の「一方の基板上の層間絶縁膜」の
一例であり、ポジ型の感光性アクリル樹脂等の感光性材料を用いて形成されている。第３
層間絶縁膜４３ａは、スペーサ１５１と同種の感光性材料で構成されており、当該感光性
材料を用いて上部容量電極３００上に形成された層状の絶縁膜がフォトリソグラフィ法を
用いてパターニングされることによって形成されている。柱状のスペーサ１５１及び第３
層間絶縁膜４３ａを形成する工程については、後述する液晶装置の製造方法を説明する際
に詳細に説明する。
【００７６】
＜２：液晶装置の製造方法＞
次に、図６乃至図９を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置の製造方法を説明する。
図６は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程断面図であ
る。図７は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の露出工程で使用可能なマスクの構成
を示した平面図である。図８は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法における露光工程
を図式的に示した斜視図である。図９は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の露出工
程で使用されるマスクの変形例の構成を示した平面図である。
【００７７】
図６（ａ）に示すように、データ線６ａまでが形成されたＴＦＴアレイ基板１０（図５
参照）上にポジ型の感光性樹脂からなる感光性下地膜４３を形成した後、感光性下地膜４
３上にマスク２００を配置する（第１工程）。
【００７８】
図７に示すように、マスク２００は、形成されるべきスペーサ１５１の平面形状と同一
の平面形状を規定する縁２１１を有し、且つ形成されるべきスペーサ１５１と同一のサイ
ズを有する遮光部２１０と、縁２１１を介して遮光部２１０を囲むように枠状に形成され
、且つ遮光部２１０より光透過率が高い半透過部２２０とを有している。より具体的には
、本実施形態では、平面形状が矩形状のスペーサ１５１を形成するために、４辺からなる
縁２１１は、スペーサ１５１と同様に矩形状の平面形状を規定しており、当該矩形状部分
のサイズは、スペーサ１５１の平面形状と同一のサイズである。
【００７９】
再び、図６（ｂ）に示すように、マスク２００上から感光性下地膜４３に向かってＵＶ
光を照射する（第２工程）。感光性下地膜４３は、アクリル樹脂或いはポリイミド樹脂等
のポジ型の感光材料から構成されており、スペーサ１５１は、フォトリソグラフィ技術に
よって感光性下地膜４３をパターニングすることによって形成される。
【００８０】
ここで、図８を参照しながら、形成されるべきスペーサ１５１と、感光性下地膜４３上
に配置されたマスク２００との位置関係を説明する。
【００８１】
図８に示すように、感光性下地膜４３をパターニングすることによって形成されるスペ
ーサ１５１は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の基板間ギャップを維持するこ
とを目的として、液晶装置１のサイズ及び各種設計事項に基づいて個別具体的に適切な形
状及びサイズに設計されている。遮光部２１０は、マスク２００のうち光を全く透過させ
ない部分であり、その縁２１１で規定される平面形状は、形成すべきスペーサ１５１の平
面形状、より具体的には、形成されるべきスペーサ１５１の平面形状である矩形状を基準
として実践的に許容される範囲での形状の相違を含んだ平面形状と同一である。
【００８２】
遮光部２１０は、平面的に見て、スペーサ１５１と同一のサイズを有しているため、理
想的には、形成されるスペーサ１５１及び遮光部２１０の夫々の平面形状及びサイズは一
致しているが、実際には、マスク２００上から照射されたＵＶ光Ｌのうち遮光部２１０を
回り込んで感光性下地膜４３に照射されるＵＶ光が大なり小なり僅かながら存在するため
、遮光部２１０の平面形状及びサイズは、形成されるスペーサ１５１の平面形状及びサイ
ズと厳密に一致していなくてもよく、液晶装置１に要求される基板間ギャップのばらつき
を低減でき、且つ液晶装置１の機械的強度を高めるようにスペーサ１５１を形成可能な範
囲内、言い換えれば、スペーサ１５１の上部及び下部のサイズを略一致させることが可能
であれば、形成されるべきスペーサ１５１の平面形状及びサイズと異なっていてもよい。
【００８３】
半透過部２２０は、遮光部２１０の縁２１１を介して該遮光部２１０を囲む枠状に形成
されており、且つ遮光部２１０より光透過率が高いため、半透過部２２０を有しないマス
ク、即ち遮光部２１０のみで構成されたマスクを介してＵＶ光を感光性下地膜４３に照射
する場合に比べて、ＵＶ光がマスクを回り込んで感光性下地膜４３に照射されることを低
減できる。
【００８４】
したがって、後述する第３工程で、感光性下地膜４３のうち第３層間絶縁膜４３ａとな
る部分と、スペーサ１５１との夫々になる部分を残すように、感光性下地膜４３のうち遮
光部２１０に重ならない他の部分４３ｂを除去する際に、スペーサ１５１の上部及び下部
のサイズが略等しくなるように、言い換えれば、スペーサ１５１の側面がスペーサ１５１
の上面から第３層間絶縁膜４３ａに裾を引いて斜めに形成されないように、感光性下地膜
４３をパターニングできる。尚、図６に示した断面は、図８におけるＶＩ−ＶＩ´断面に
対応している。
【００８５】
次に、図６（ｃ）に示すように、感光性下地膜４３のうち遮光部２１０に重なる部分が
スペーサ１５１として残るように、感光性下地膜４３のうち遮光部２１０に重なる部分を
除く他の部分４３ｂを除去することによって、スペーサ１５１及び第３層間絶縁膜４３ａ
を形成する（第３工程）。
【００８６】
感光性下地膜４３のうち遮光部２１０に重なる部分は、ＵＶ光Ｌが照射されない部分で
あるため、第２工程の後、感光性下地膜４３をエッチング処理した際に、エッチング処理
によって除去されない。加えて、遮光部２１０を回り込んで感光性下地膜４３に照射され
る光が低減されているため、感光性下地膜４３のうち遮光部２１０に重なる部分が柱状の
スペーサ１５１としてＴＦＴアレイ基板１０上に残った際に、スペーサ１５１の上部から
下部に向かってその側面が裾を引くことなく、その上部及び下部の幅を揃えることが可能
である。言い換えれば、断面形状が、ＴＦＴアレイ基板１０から対向基板２０に向かって
先細ったテーパ形状になるのではなく、ＴＦＴアレイ基板１０から対向基板２０に向かっ
て一定の幅を有する柱状のスペーサ１５１が形成される。
【００８７】
したがって、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、感光材料を露光する露光
回数を増大させることなく、スペーサ１５１をパターニングでき、感光性下地膜４３にＵ
Ｖ光Ｌを照射した際に、遮光部２１０を回り込んで当該下地膜４３に照射されるＵＶ光Ｌ
を低減できるため、上部及び下部の夫々のサイズが均一である柱状のスペーサ１５１を形
成可能である。このようなスペーサ１５１によれば、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板
２０間の基板間ギャップを維持でき、断面形状がテーパ状のスペーサを用いてこれら基板
間の基板間ギャップを維持する場合に比べて、スペーサの上部が対向基板２０に接する面
積を相対的に大きくすることが可能である。したがって、本実施形態に係る液晶装置の製
造方法によれば、機械的強度が高められていると共に、環境温度が変化した場合に生じる
基板間ギャップのばらつきが低減された液晶装置１を製造可能である。
【００８８】
尚、ＵＶ光を照射する第２工程において、感光性下地膜４３のうち遮光部２１０に重な
る部分を除く他の部分４３ｂには光が照射されているため、当該他の部分４３ｂは、スペ
ーサ１５１が残るようにエッチング処理によって除去可能である。よって、必ずしも感光
性下地膜４３のうち当該他の部分４３ｂの全てが除去されている必要はなく、少なくとも
スペーサ１５１となる部分が残るように、感光性下地膜４３がパターニングされていれば
よい。
【００８９】
また、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、感光性下地膜４３上にマスク２
００を配置する第１工程において、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａを構成
する複数の画素部の夫々の開口領域となるべき領域に遮光部２１０が重ならないように、
言い換えれば、走査線３ａ及びデータ線６ａの夫々に重なる領域にマスク２００が配置さ
れるため、スペーサ１５１が各画素部の開口領域に形成されない。したがって、開口領域
を透過する透過光がスペーサ１５１によって遮られることを低減でき、液晶装置１が画像
を表示する表示性能が、スペーサ１５１によって低下することがない。
【００９０】
また、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、感光性下地膜４３のうちスペー
サ１５１が形成された後に残った部分によって、ＴＦＴアレイ基板１０上の第３層間絶縁
膜４３ａを構成できる。したがって、第３層間絶縁膜４３ａとして形成されるべき部分と
共通の材料を用いてスペーサ１５１を形成できるため、製造プロセスの煩雑化、設計変更
、及び材料コストの増大を極力抑制できる。
【００９１】
特に、基板間ギャップを維持し、且つ表示面２０Ｓを押す押圧力にも耐えられるスペー
サ１５１の機械的強度を確保できる程度にスペーサ１５１のサイズを小型化する際、より
具体的には、スペーサ１５１のサイズを１０μｍ以下のサイズに形成する際には、上部及
び下部のサイズが揃った柱状のスペーサを形成することが、照射する光の波長及びマスク
の精度に応じて技術的に困難となるため、本実施形態に係る液晶装置の製造方法は特に有
効である。
【００９２】
また、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、第３層間絶縁膜４３ａを形成し
た後に、第３層間絶縁膜４３ａと同一の材料を用いて感光性下地膜を形成し、当該感光性
下地膜を上述のパターニング法によってパターニングし、スペーサ１５１を形成すること
も可能である。この場合、第３層間絶縁膜４３ａ及びスペーサ１５１の夫々を共通の材料
を用いて形成可能であるため、第３層間絶縁膜４３ａを形成する工程から、スペーサ１５
１を形成する工程へ工程を切り換える際に生じる手間が省くことが可能である。
【００９３】
図９を参照しながら、マスク２００の変形例であるマスク２００ａの平面形状を説明す
る。
【００９４】
図９に示すように、本例のマスク２００ａは、遮光部２１０及び半透過部２３０を有し
ている。半透過部２３０は、上述の半透過部２２０と同様に、遮光部２１０を囲むように
枠状に形成されている。半透過部２３０は、遮光性を有する複数の遮光部２３２と、複数
の遮光部２３２を相互に隔てるスリット２３１とからなるスリット構造を有するパターン
部分である。スリット２３１は、感光性下地膜４３に照射される光の解像度限界以下のス
リット幅を各々有している。
【００９５】
したがって、マスク２００ａによれば、感光性下地膜４３を構成する、例えば、アクリ
ル樹脂等の絶縁材料を光硬化させることが可能な波長に応じて半透過部２３０の設計を変
更することが可能である。したがって、感光性下地膜４３の構成材料の選択に応じて半透
過部２３０の設計を変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本実施形態に係る液晶装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ´断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程断面図である。
【図７】本実施形態に係る液晶装置の製造方法で使用されるマスクの構成を示した平面図である。
【図８】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における第２工程（露光工程）を図式的に示した斜視図である。
【図９】本実施形態に係る液晶装置の製造方法で使用されるマスクの構成の変形例を示した平面図である。
【符号の説明】
【００９７】
１・・・液晶装置、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、２０・・・対向基板、４３・・・第
３層間絶縁膜、１５１・・・スペーサ、２００，２００ａ・・・マスク、２１０・・・遮
光部、２２０，２３０・・・半透過部
【図１】
2010032847.tif 000003
【図２】
2010032847.tif 000004
【図３】
2010032847.tif 000005
【図４】
2010032847.tif 000006
【図５】
2010032847.tif 000007
【図６】
2010032847.tif 000008
【図７】
2010032847.tif 000009
【図８】
2010032847.tif 000010
【図９】
2010032847.tif 000011