(57)【要約】【課題】本発明は、記録された情報を効率良く一括して消去することができる不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】第１の方向に延在する複数の第１の配線と、前記第１の方向と非平行な第２の方向に延在する複数の第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線との間に挟持され前記第１の配線と前記第２の配線とを介して供給される電流により第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な複数の記録層と、を有する記憶素子部と、前記複数の記録層の少なくとも何れかの温度を一括して上昇させ、前記記録層に記録された情報を消去する消去部と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在する複数の第１の配線と、前記第１の方向と非平行な第２の方向に延在する複数の第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線との間に挟持され前記第１の配線と前記第２の配線とを介して供給される電流により第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な複数の記録層と、を有する記憶素子部と、
前記複数の記録層の少なくとも何れかの温度を一括して上昇させ、前記記録層に記録された情報を消去する消去部と、
を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項２】
前記消去部は、前記記録層と熱的に接続し、電圧が印加されることでジュール熱を発生させ、前記記録層に前記ジュール熱を熱的に作用させて前記記録層に記録された情報を消去することを特徴とする請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３】
前記消去部は、電圧が印加されることでジュール熱を発生させる発熱体と、発生させたジュール熱を前記記録層に伝達させる伝熱体と、を有することを特徴とする請求項１または２に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４】
前記伝熱体は、前記第１の配線と前記第２の配線との間に設けられたことを特徴とする請求項３記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５】
前記伝熱体は、前記複数の記録層の間に設けられたことを特徴とする請求項３記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６】
前記消去部は、前記複数の第１の配線と、前記複数の第２の配線とが交叉する複数の領域に一括して電圧を印加する制御回路であること、を特徴とする請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７】
前記消去部は、外部からの信号を受けて動作することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の不揮発性記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタを用いたＮＡＮＤ型の不揮発性記憶装置においては、装置の微細化に伴ういわゆる短チャネル効果の影響により、デバイス動作が困難となってきている。「短チャネル効果」とは、装置の微細化によってソース部とドレイン部との距離が近くなることによって生じる現象であり、例えば、ソースとドレインとの間に生じるリーク電流の増加などがある。そのため、トランジスタを用いた記憶装置に代わる記憶装置が求められている。その一つとして、遷移金属絶縁膜などに電界パルスを印加すると物質の抵抗が変化するという特性を利用した不揮発性記憶装置（抵抗変化型メモリ、ＲｅＲＡＭ）が検討されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
この様な不揮発性記憶装置（抵抗変化型メモリ、ＲｅＲＡＭ）において記録（書き込み）動作をさせるためには、選択されたメモリセルに電圧を印加し、そのメモリセル内に電位勾配を発生させて電流パルスを流すようにしている。そして、電界パルスを印加することでメモリセルの抵抗状態を変化させて記録（書き込み）動作を行うようにしている。
【０００４】
また、読み出し動作は、電流パルスを選択されたメモリセルに流し、そのメモリセルの抵抗値を検出することにより行うようにしている。  
そして、消去（リセット）動作をさせるためには、選択されたメモリセルに大電流パルスを流し、発生させたジュール熱を利用して、そのメモリセルの抵抗状態を元に戻すようにしている。そのため、消去動作は選択されたメモリセルにおいてのみ行われることになる。
【０００５】
しかしながら、不揮発性記憶装置の使用環境などによっては、記録された情報を所定量一括して消去することが好ましい場合がある。例えば、情報管理区域から不揮発性記憶装置を持ち出す場合などには、記録された情報が全て、強制的に効率良く一括して消去されるようにすることが好ましい場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１４９１７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、記録された情報の所定量を効率良く一括して消去することができる不揮発性記憶装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、第１の方向に延在する複数の第１の配線と、前記第１の方向と非平行な第２の方向に延在する複数の第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線との間に挟持され前記第１の配線と前記第２の配線とを介して供給される電流により第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な複数の記録層と、を有する記憶素子部と、前記複数の記録層の少なくとも何れかの温度を一括して上昇させ、前記記録層に記録された情報を消去する消去部と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、記録された情報の所定量を効率良く一括して消去することができる不揮発性記憶装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態に係る不揮発性記憶装置の模式図である。
【図２】不揮発性記憶装置の模式断面図である。
【図３】メモリセルの層が複数設けられている場合を例示するための模式断面図である。
【図４】素子間絶縁層に消去部を設けた場合を例示するための模式図である。
【図５】消去部と記憶素子部とを離隔させて設けた場合を例示するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
図１は、本発明の実施の形態に係る不揮発性記憶装置の模式図である。なお、図１（ａ）は、不揮発性記憶装置の模式斜視図であり、図１（ｂ）は、不揮発性記憶装置の記憶素子部の模式回路図である。    
図２は、不揮発性記憶装置の模式断面図である。図２（ａ）は、不揮発性記憶装置を第１の方向（Ｘ軸方向）から見た模式断面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。    
なお、１つの第１の配線２０と１つの第２の配線５０とが交叉する領域に設けられた１つの記録部４０が１つの記録用単位要素であり、これを「メモリセル」という。    
また、図１、図２は、メモリセルの層が一層の場合であるがこれに限定されるわけではない。メモリセルの層が積層されるようにして複数設けられていてもよい。
【００１２】
図３は、メモリセルの層が複数設けられている場合を例示するための模式断面図である。  なお、図３は、一例として二層に積層されたメモリセルを例示するものである。また、図３（ａ）は、積層されたメモリセルのワード線が各層毎に設けられた場合、図３（ｂ）は、積層されたメモリセルのワード線が共有されている場合を例示するものである。
【００１３】
図１（ａ）に示すように、不揮発性記憶装置１は、記憶素子部２と消去部３とを備えている。    
まず、記憶素子部２について例示をする。    
記憶素子部２は、基板１０と、基板１０の主面上に設けられ、第１の方向（Ｘ軸方向）に延在する第１の配線２０（ビット線ＢＬ）と、第１の方向と非平行な（交叉する）第２の方向（Ｙ軸方向）に延在する第２の配線５０（ワード線ＷＬ）と、第１の配線２０と第２の配線５０との間に挟持され、第１の配線２０と第２の配線５０とを介して供給される電流により、第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記録層４４と、を備えている。
【００１４】
また、第１の配線２０と記録層４４との間に、これらによって挟持されるようにして設けられた整流素子３０を備えている。ここで、「主面」とは、第１の配線２０、整流素子３０、記録層４４などが積層する方向（図１において、Ｚ軸方向；上下方向）に対して垂直な面（図１において、ＸＹ面）をいう。
【００１５】
また、図２に示すように、記録層４４のＺ軸方向両側に、記録層４４を挟持する電極層４２、４６を備えていてもよい。ここで、記録層４４と、電極層４２、４６とを併せて「記録部４０」と呼ぶことにする。また、第１の配線２０と整流素子３０との間に、バリア層３２を備えていてもよい。  
配線Ｌ（第１の配線２０及び第２の配線５０）には、導電性を有する材料を用いることができる。また、さらに耐熱性をも有する材料とすることができる。例えば、導電性と耐熱性とを有する材料として、タングステン（Ｗ）を用いることができる。
【００１６】
また、図１、図２に示すように、記録層４４（記録部４０）と第２の配線５０との間には、製造工程（平坦化工程）で必要となるストッパー層５２を設けるようにすることができる。この場合、例えば、平坦化工程においてＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）法を用いる場合には、ストッパー層５２をＣＭＰストッパー層とすることができる。ただし、ストッパー層５２は、必ずしも必要ではなく必要に応じて設けるようにすればよい。例えば、電極層４６の厚さを充分厚くして、電極層４６にストッパー層の機能を付与すれば、ストッパー層５２を設ける必要はない。
【００１７】
ここで、ストッパー層５２と第２の配線５０とを同じ材料で形成すれば、両者が一体化して第２の配線としての機能を担うことになる。このような場合の第２の配線を、「第２の配線５４」と呼ぶことにする。そのため、第２の配線５４は、各メモリセルにおいて記録層４４側に突出した突出部（ストッパー層５２）を有することになる。
【００１８】
整流素子３０は、整流特性を有し、記録層４４に印加される電圧の極性に方向性を与えるために設けられる。整流素子３０としては、例えば、ＰＮ接合ダイオード、ツェナーダイオード、ショットキーダイオードなどを例示することができる。    
図１では、整流素子３０が、ビット線ＢＬと電極層４２との間に設けられている場合を例示したが、整流素子３０は、ワード線ＷＬと電極層４６との間に設けられていてもよい。また、整流素子３０は、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとが対向する領域以外の領域に設けられていてもよい。  
第１の配線２０と整流素子３０との間には、これらの間における元素の拡散などを抑制するためにバリア層３２を設けるようにすることができる。
【００１９】
次に、記録部４０について、図２を参照しつつ例示をする。  
図２に示すように、記録部４０は、記録層４４と、記録層４４をＺ軸方向（上下方向）から挟持する電極層４２、４６とを有している。  
電極層４２、４６は、記録層４４が電気的接続を得やすいように、必要に応じて設けられる。また、電極層４２、４６は、例えば、記録層４４とＺ軸方向（上下方向）の構成要素との間における元素の拡散などを抑制するためのバリア層としての機能をも有していてもよい。
【００２０】
次に、記録層４４について例示をする。  
後述するように、記憶素子部２は、第１の配線２０と第２の配線５０とに与える電位の組合せによって、各記録部４０に印加される電圧を変化させることができる。そして、その時の記録部４０の特性（例えば、抵抗値）によって、情報を記録（書き込み）したり消去したりすることができる。そのため、記録層４４は、印加される電圧によって特性が変化するものとされている。記録層４４としては、例えば、抵抗値が可逆的に遷移可能な可変抵抗層や、印加される電圧によって結晶状態と非晶質状態との間で可逆的に遷移可能な相変化層などを例示することができる。
【００２１】
また、記録層４４の材料としては、例えば、金属酸化物を例示することができる。この場合、例えば、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、トリウム（Ｔｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、あるいは、ランタン（Ｌａ）からルテチウム（Ｌｕ）までのいわゆる希土類元素などの酸化物などとすることができる。    
また、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）などとすることもできる。
【００２２】
また、複合酸化物とすることもできる。この場合、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）、ビスマス酸化鉄（ＢｉＦｅＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、バナジウム酸ナトリウム（Ｎａ３ＶＯ４）、バナジウム酸鉄（ＦｅＶＯ３）、チタン酸バナジウム（ＴｉＶＯ３）、クロム酸バナジウム（ＣｒＶＯ３）、バナジウム酸ニッケル（ＮｉＶＯ３）、バナジウム酸マグネシウム（ＭｇＶＯ３）、バナジウム酸カルシウム（ＣａＶＯ３）、バナジウム酸ランタン（ＬａＶＯ３）、モリブデン酸バナジウム（ＶＭｏＯ５）、モリブデン酸バナジウム（Ｖ２ＭｏＯ８）、バナジウム酸リチウム（ＬｉＶ２Ｏ５）、珪酸マグネシウム（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、珪酸マグネシウム（ＭｇＳｉＯ３）、チタン酸ジルコニウム（ＺｒＴｉＯ４）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、マグネシウム酸鉛（ＰｂＭｇＯ３）、ニオブ酸鉛（ＰｂＮｂＯ３）、ホウ酸バリウム（ＢａＢ２Ｏ４）、クロム酸ランタン（ＬａＣｒＯ３）、チタン酸リチウム（ＬｉＴｉ２Ｏ４）、銅酸ランタン（ＬａＣｕＯ４）、チタン酸亜鉛（ＺｎＴｉＯ３）、タングステン酸カルシウム（ＣａＷＯ４）などとすることができる。
【００２３】
また、カルコゲナイド系の可変抵抗材料とすることもできる。カルコゲナイドとは、Ｓｅ、Ｔｅなどの１６族元素を含む化合物の総称であり、１６族元素がカルコゲンと呼ばれることに由来する。このカルコゲナイド系材料は、電圧を印加することによって結晶状態と非晶質状態との間で可逆的に遷移可能な可変抵抗材料の一種である。  
また、記録層４４の材料としては、炭素（Ｃ）を用いることもできる。この場合、カーボンナノチューブ状の構造にして用いることができ、また、窒素をドープした非晶質の炭素（ta−C：Ｎ ; nitrogen doped tetrahedral amorphous carbon）とすることもできる。
また、各メモリセルの間には、図２に示すように素子間絶縁層７０が設けられている。
【００２４】
また、メモリセルの位置を基準として配線Ｌ（第１の配線２０及び第２の配線５０；ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬ）の延在方向外側には、図示しないコンタクトプラグが設けられている。コンタクトプラグは、情報（データ）の記録（書き込み）及び読み出しを行うための読み出し／記録回路（書き込み回路）などの周辺回路と接続されている（図示せず）。記録部４０には、コンタクトプラグ及び配線Ｌを通じて電流が流され、これにより記録部４０の記録（書き込み）や消去などの各種動作を行うことが可能となる。  
この様に、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとが交叉する部分に記録部４０が設けられた不揮発性記憶装置１（記憶素子部２）は、いわゆるクロスポイント型不揮発性記憶装置（メモリ）と呼ばれている。
【００２５】
また、メモリセルの層が一層からなる不揮発性記憶装置１（記憶素子部２）とすることもできるが、記憶容量の大容量化を図るためにメモリセルをＺ軸方向（上下方向）に積層させることもできる。この場合、例えば、図３（ａ）に示すように、層間絶縁膜７１を設けて第２の配線５０（ワード線ＷＬ）が各層毎に設けられるようにすることができる。また、例えば、図３（ｂ）に示すように、第２の配線５０（ワード線ＷＬ）が共有されるように積層させることもできる。なお、図３は、一例として二層に積層されたメモリセルの層を例示したが、三層以上に積層させることもできる。
【００２６】
次に、消去部３について例示をする。  
図１、図２に例示をした不揮発性記憶装置１の場合には、第２の配線５０の主面上に絶縁層４を介して消去部３が設けられている。    
消去部３は、各記録層４４に記録（書き込み）された情報（不揮発性記憶装置１の全体における所定量の情報）を一括して消去させるために設けられる。  
前述したように、記録層４４が金属酸化物や複合酸化物などで形成されている場合には、記録層４４の温度を上昇させることで抵抗値を遷移させることができる。例えば、記録層４４の温度を上昇させることにより酸化反応を進行させて高抵抗に遷移させることができる。    
また、記録層４４がカルコゲナイド系の可変抵抗材料などで形成されている場合にも記録層４４の温度を上昇させることで抵抗値を遷移させることができる。例えば、記録層４４の温度を上昇させ、その後冷却することで結晶状態から非晶質状態に遷移させて、高抵抗となるようにすることができる。    
そのため、消去部３により、対象となる各記録層４４の温度を一括して上昇させれば、その各記録層４４に記録（書き込み）された情報を一括して消去させることができる。すなわち、消去部３は、記録された情報の所定量を消去すべく、複数の記録層４４の温度を一括して上昇させることができる。
【００２７】
消去部３としては、例えば、電圧が印加されることでジュール熱を発生させることのできる発熱体を例示することができる。この場合、消去部３を抵抗率が高く（例えば、抵抗率が約１０−５Ωｃｍ以上の材料）かつ耐熱性が高い材料で形成するようにすることができる。例えば、ポリシリコン、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、及びこれらの酸化物、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）などとすることができる。なお、消去部３の材料と記憶素子部２を構成する要素（例えば、第１の配線２０や第２の配線５０など）の材料とを同一とすれば、生産工程の簡素化を図ることができる。ただし、消去部３の材料は例示をしたものに限定されるわけではなく、適宜変更することができる。
【００２８】
また、第２の配線５０の主面上に絶縁層４を介して消去部３を設けるようにしているが、第１の配線２０と基板１０との間に絶縁層４を介して消去部３を設けるようにすることもできる。  
ただし、整流素子３０への熱的影響を考慮すると、記録層４４を挟んで互いに対向する位置に消去部３と整流素子３０とを設けるようにすることが好ましい。すなわち、消去部３を整流素子３０より記録層４４に近くなるように設けるようにすることが好ましい。
【００２９】
また、メモリセルの層が複数設けられている場合には、図３（ａ）に示すように各層毎に絶縁層４を介して消去部３を設けるようにすることもできるし、図３（ｂ）に示すように絶縁層４を介して一つの消去部３を設けるようにすることもできる。
【００３０】
以上、不揮発性記憶装置１の一例を例示したが、前述した構成に限定されるわけではなく適宜変更することができる。      
例えば、第１の配線２０、第２の配線５０、メモリセルなどの数、配置などは、図１において例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。  
また、前述したものの場合には、第１の配線２０を「ビット線ＢＬ」、第２の配線５０を「ワード線ＷＬ」と呼んでいるが、逆に、第１の配線２０を「ワード線ＷＬ」、第２の配線５０を「ビット線ＢＬ」と呼んでもよい。  
また、不揮発性記憶装置１のＺ軸方向（上下方向）の両端においては、同種配線（例えば、２つのビット線ＢＬまたは２つのワード線ＷＬ）が配置されていてもよく、異種配線（例えば、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬ）が配置されていてもよい。
【００３１】
次に、メモリセルへの記録（書き込み）動作、読み出し動作、及び通常の使用状態における消去動作を実行する場合について例示をする。なお、記録された情報の所定量を一括して消去する動作に関しては後述する。
【００３２】
記録（書き込み）動作をさせるためには、選択されたメモリセルに電圧を印加し、そのメモリセル内に電位勾配を発生させて電流パルスを流せばよい。この場合、例えば、ビット線ＢＬを接地電位としワード線ＷＬに負の電位を与えて、ワード線ＷＬの電位がビット線ＢＬの電位よりも相対的に低い状態を作るようにすればよい。    
そして、選択されたメモリセルは、相変化等により電子伝導性を有するようになるため、記録（書き込み）動作が完了する。    
なお、記録（書き込み）動作のための電流パルスは、ワード線ＷＬの電位がビット線ＢＬの電位よりも相対的に高い状態を作ることにより発生させてもよい。
【００３３】
読み出し動作は、電流パルスを選択されたメモリセルに流し、そのメモリセルの抵抗値を検出することにより行う。ただし、電流パルスは、メモリセルを構成する材料が抵抗変化を起こさない程度の微小な値とすることが必要である。
【００３４】
通常の使用状態における消去（リセット）動作をさせるためには、選択されたメモリセルを大電流パルスによりジュール加熱して、そのメモリセルの抵抗状態を元に戻せばよい。
【００３５】
次に、記録された情報の所定量を一括して消去する動作について例示をする。    
不揮発性記憶装置１の使用環境などによっては、記録された情報量の全てを一括して消去することが好ましい場合がある。例えば、情報管理区域から不揮発性記憶装置１を持ち出す場合には、記録された情報量の全てが強制的に一括して消去されるようにすることが好ましい場合がある。  
そのため、不揮発性記憶装置１においては、消去部３の作用により記録された情報量の全てを一括して消去できるようになっている。
【００３６】
記録された情報を一括して消去するためには、発熱体である消去部３に電圧を印加し、ジュール熱を発生させるようにする。そして、発生させたジュール熱を作用させて、各記録層４４の温度を一括して上昇させることで、すべてのメモリセルに記録された情報を一括して消去するようにする。
【００３７】
また、発熱体である消去部３に電圧を印加するとともに、すべてのメモリセルにも電圧を印加して、消去部３とメモリセルとにおいてジュール熱を発生させるようにすることもできる。そのようにすれば、各記録層４４の温度を効率よく上昇させることができる。また、消去時間の短縮を図ることができる。また、メモリセルに印加する電圧を下げることができるので記録層４４などへの負担を軽減することができる。
【００３８】
なお、図１〜図３において例示をしたものは、消去部３と記憶素子部２とを積層するようにして設けているがこれに限定されるわけではない。    
例えば、第１の配線２０と第２の配線５０との間に、消去部３を設けることができる。あるいは、素子間絶縁層７０に消去部３を設けるようにすることもできる。    
図４は、素子間絶縁層７０に消去部３を設けた場合を例示するための模式図である。  
図４に示すように、消去部３を素子間絶縁層７０に設ける場合には、記録層４４に近接させるようにして設けることが好ましい。そのようにすれば、消去部３から記録層４４へ効率的に熱を伝えることができる。  
なお、図４に例示をしたものは、第１の配線２０に略平行に消去部３を設けているが、第２の配線５０に略平行に消去部３を設けるようにすることもできる。
【００３９】
また、消去部３と記憶素子部２とを離隔させて設けるようにすることもできる。  
図５は、消去部３と記憶素子部２とを離隔させて設けた場合を例示するための模式断面図である。  
図５（ａ）に示すように、樹脂やセラミックスなどからなるパッケージ５の内部に消去部３と記憶素子部２とを離隔させて設けるようにすることができる。例えば、消去部３と記憶素子部２とを離隔させた状態で樹脂モールドしたり、セラミックパッケージ内に収納したりすることで、パッケージ５の内部に消去部３と記憶素子部２とを離隔させて設けるようにすることができる。
【００４０】
また、図５（ｂ）に示すように、リードフレーム６に消去部３と記憶素子部２とを離隔させて設けるようにすることができる。この場合、リードフレーム６の同じ側の面に消去部３と記憶素子部２とを設けるようにすることもできるし、リードフレーム６を挟んで互いに反対側となる面に設けるようにすることもできる。なお、リードフレーム６に消去部３と記憶素子部２とを設けるようにすれば、リードフレーム６を伝熱体として利用することができる。
【００４１】
以上は、消去部３を発熱体とし消去部３に電圧を印加して消去部３自体を発熱させる場合であるがこれに限定されるわけではない。    
例えば、電圧が印加されることでジュール熱を発生させる発熱体と、発生させたジュール熱を記録層４４に伝達させる伝熱体と、を有する消去部３とすることもできる。そして、伝熱体と記憶素子部２とを積層するようにして設けたり、記録層４４と近接させて素子間絶縁層７０に伝熱体を設けたりすることもできる。この様な場合には、発熱体と伝熱体とを熱的に接続すればよい。すなわち、図１〜図５において例示をした消去部３の位置に伝熱体を設け、伝熱体と発熱体とを熱的に接続すればよい。
【００４２】
この場合、伝熱体は熱伝達率の高いアルミニウムや銅などの金属から形成されるものとすることができる。また、発熱体は抵抗率が高い（例えば、抵抗率が約１０−５Ωｃｍ以上の材料）材料から形成されるものとすることができる。  
そして、発熱体に電圧を印加してジュール熱を発生させ、その熱を伝熱体を介して記録層４４に伝えるようにすることができる。    
この様にすれば、電圧が印加される発熱体を記録層４４などから離隔させることができるので、記録された情報を一括して消去する際に発生する電界が記録層４４などに与える影響を抑制することができる。特に、記録層４４の近傍に伝熱体を設けるようにしても電界が記録層４４に与える影響を抑制することができる。そのため、記録層４４の近傍に伝熱体を設けることができるので加熱効率を向上させることができる。
【００４３】
また、前述したものは消去部３に発熱体を有する場合であるが、例えば、消去部３をすべてのメモリセルに電圧を印加することができる制御回路とすることもできる。すなわち、消去部３は、複数の第１の配線２０と、複数の第２の配線５０とが交叉する複数の全ての領域に一括して電圧を印加する制御回路とすることもできる。そして、外部からの信号を受けてすべてのメモリセルに電圧を印加しジュール熱を発生させて、各記録層４４の温度を全て一括して上昇させるようにすることもできる。そのため、この様な制御回路（消去部３）によれば、記録された情報の全てを一括して消去することができる。
【００４４】
なお、消去部３をすべてのメモリセルに電圧を印加することができる制御回路とする場合や、発熱体である消去部３に電圧を印加するとともにすべてのメモリセルにも電圧を印加する場合には、記録層４４の陰極側（図１などに例示をしたものの場合にはワード線ＷＬ側）に、ヒータ層（例えば、抵抗率が約１０−５Ωｃｍ以上の材料で形成された層）を設けてもよい。この場合、ヒータ層とワード線ＷＬとの間にバリア層を設けるようにすることができる。そのようにすれば、記録層４４の加熱を効率よく行うことができる。
【００４５】
以上例示をしたように、本実施の形態によれば、記録された情報の所定量を一括して消去することができる。この場合、例えば、外部からの信号を受けて消去部３を動作させる制御回路などを設けるようにすることもできる。    
また、不揮発性記憶装置１の使用環境などによっては、記録された情報量の全てを強制的に一括して消去するようにすることができる。例えば、情報管理区域から不揮発性記憶装置１を持ち出す場合には、外部からの信号を受けて消去部３を動作させ、記録された情報量の全てを強制的に一括して消去するようにすることができる。
【００４６】
以上、本実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。  
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。  
例えば、不揮発性記憶装置１が備える各要素の形状、寸法、材質、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。  
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４７】
１  不揮発性記憶装置、２  記憶素子部、３  消去部、４  絶縁層、５  パッケージ、６  リードフレーム、３０  整流素子、４４  記録層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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