(57)【要約】【課題】ミラー面の鏡面性と製造歩留りに優れたＭＥＭＳ走査型ミラーおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーであって、ミラーがその最上面ＴＯＰＳよりも下に形成されている。また、少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法では、絶縁層Ｉを除去することによりミラー板１０Ｂの表面１０ＢＳが露出される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーであって、ミラーが最上面よりも下に形成されていることを特徴とするＭＥＭＳ走査型ミラー。
【請求項２】
少なくとも３層のシリコンを含む部分を有し、最上層以外のシリコン層の表面にミラーが形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ走査型ミラー。
【請求項３】
少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーであって、ＳＯＩウエハのデバイス層に、さらに１層のシリコンウエハを配し、ミラーがＳＯＩウエハのデバイス層表面に形成されていることを特徴とするＭＥＭＳ走査型ミラー。
【請求項４】
少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有しかつミラーが最上面よりも下に形成されているＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法であって、
シリコン酸化膜を除去してミラー板の表面を露出させることによって、前記ミラーを最上面よりも下に形成することを特徴とするＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法。
【請求項５】
少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有しかつミラーが最上面よりも下に形成されているＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法であって、
ミラー板の表面及び裏面全体を覆うシリコン酸化膜を取り除いて表面および裏面を露出させることによって、前記ミラーを最上面よりも下に形成することを特徴とするＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法。
【請求項６】
少なくとも３層のシリコンを含む部分を有する少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法であって、段差付き櫛歯構造形成時にミラー板の下部にハンドル層が存在することを特徴とするＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法。
【請求項７】
少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法であって、ミラー板の下部にハンドル層が存在する状態で段差付き櫛歯構造を形成した後、シリコン酸化膜を除去することによりミラー板の表面を露出させることを特徴とするＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法。
【請求項８】
ハンドル層の上部に段差付き静電櫛歯アクチュエータを形成するための少なくとも二つのデバイス層が設けられ、最上層のデバイス層以外のデバイス層にミラー面を有するミラー板が形成されていることを特徴とするＭＥＭＳ走査型ミラー。
【請求項９】
請求項８に記載のＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法であって、
空洞が形成されるハンドル層と表面が鏡面仕上げされたデバイス層とがシリコン酸化膜を介して接合されたウエハを準備する工程と、
前記デバイス層に前記ＭＥＭＳ走査型ミラーの下層構成要素に対応しかつ該デバイス層に形成すべき下層構造体を形成する工程と、
前記下層構造体形成後のウエハの前記デバイス層にシリコン酸化膜を介して上層のデバイス層を形成するためのウエハを接合する工程と、
該上層のウエハを加工して所定厚さの上層のデバイス層を形成する工程と、
該上層のデバイス層に前記ＭＥＭＳ走査型ミラーの上層構成要素に対応しかつ該上層のデバイス層に形成すべき上層構造体を形成する工程と、
前記ハンドル層に前記空洞を形成する工程と、
前記下層構造体のシリコン酸化膜を除去して前記ＭＥＭＳ走査型ミラーを完成させる工程とを含むことを特徴とするＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ電気機械機構（ＭＥＭＳ）、とりわけ、ＭＥＭＳ走査型ミラーの構造とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、光学機器の多機能化・高速化に伴って、高速の光路切り替えや、所望のパターンのベクトル描画が必要となっている。例えば、光波距離計においては、測定誤差を補償するため、光波距離計から外部の目標までの距離を測定するための外部光路と機器の内部に設けた内部光路との間での、交互切り替えが行われている。
【０００３】
例えば、特許文献１に示す距離測定装置の調光装置に記載の技術では、調光のために光路切り替えが必要である。また、光波距離計による測定対象捕捉では、規定の角度への光ビーム投射が行われなければならない。さらに、レーザー光走査による線画表示機器においては、所望のパターンを描くために、それに応じた光走査ができなければならない。
【０００４】
これらいずれの場合においても、高速化や低消費電力化が重要であり、そのために、光の反射方位変更や走査へのＭＥＭＳ走査型ミラーの応用が検討されている。また、アクチュエータの高速化や低消費電力化に加え、光の反射を行うミラー部の鏡面性や製造歩留りの向上は、この開発分野における中心課題となっている。ここで、鏡面性とは、ミラー部の表面の表面粗さに対応しており、表面粗さの小さい平滑な面は、鏡面性が高いと言われる。
【０００５】
図６は、段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラー２７の従来例を示す模式図である。この図６に示すように、可動櫛歯２７ｅと固定櫛歯２７ｆＡ、２７ｆＢとの間には一定の段差が設けられている。
【０００６】
この段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラー２７は、円盤状のミラー板２７ａを有する。このミラー板２７ａには半径方向に伸びる一対の軸部２７ｂが形成されている。その一対の軸部２７ｂはばね部２７ｃを介して固定部２７ｄに連結されている。
【０００７】
可動櫛歯２７ｅはその軸部２７ｂの途中に形成されている。固定櫛歯２７ｆＡ、２７ｆＢは可動櫛歯２７ｅにそれぞれ臨まされている。この可動櫛歯２７ｅと固定櫛歯２７ｆＡ、２７ｆＢとは左右一対の静電アクチュエータを構成している。
【０００８】
この左右一対の静電アクチュエータはミラー板２７ａの回転駆動に用いられる。すなわち、左右一対の固定櫛歯２７ｆＡ、２７ｆＢに電圧を印加することにより、ミラー板２７ａが矢印Ｆ方向に回転駆動される。なお、駆動方式としては、左右の一方又は両方の固定櫛歯と可動櫛歯との間にＤＣ電圧を印加することにより、第１角度から第２角度への回転を行うＤＣ駆動、及び例えばＡＣ電圧のような周期的電圧を印加して共振に基づく回転を行う共振駆動の２通りがある。
【０００９】
段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの製造については、種々の方法が知られている。例えば、特許文献２に記載の一軸周りに回転駆動可能な２層のシリコンウエハを含むＭＥＭＳ走査型ミラーの製造工程は、
（ａ）第１のシリコンウエハの表面に固定櫛歯構造を形成する工程、
（ｂ）第１のシリコンウエハの固定櫛歯構造を形成した側の表面に第２のシリコンウエハを接合する工程、
（ｃ）（ｂ）の工程後、第２のシリコンウエハを所定の厚みにまで薄くした上で鏡面性を得るためにグラインディングや研磨加工を施す工程、
（ｄ）（ｃ）の工程後、第１のシリコンウエハの固定櫛歯構造を形成した側とは反対の表面からミラー板の下部に相当する部分を除去する工程、
（ｅ）（ｄ）の工程後、第２のシリコンウエハに可動櫛歯及びミラー板を形成する工程、
（ｆ）（ｅ）の工程後、第１及び第２のシリコンウエハ間の酸化層を除去することにより、段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーを得る工程、
からなっている。なお、ミラー板には、その光学的特性を高めるため、蒸着等により金、アルミニウム等がコートされることもある。
【００１０】
また、特許文献３に記載の２軸回りに回転駆動可能なＭＥＭＳ走査型ミラーの製造工程は、
（ａ）ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｉｓｕｌａｔｏｒ）のデバイス層に固定櫛歯を有するＭＥＭＳ走査型ミラーの下層構造を形成する工程、
（ｂ）別のシリコンウエハに凹部を形成する工程、
（ｃ）（ｂ）の工程後、この下層構造とその凹部とが向き合った状態でＳＯＩウエハのデバイス層とシリコンウエハとを接合する工程、
（ｄ）（ｃ）の工程後、ＳＯＩウエハのハンドル層を所定の厚みまで薄くした後、鏡面仕上げを施す工程、
（ｅ）（ｄ）の工程後、このハンドル層に可動櫛歯とミラー板とを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの上層構造を形成する工程、
（ｆ）（ｅ）の工程後、露出したシリコン酸化層を除去することにより段差付き静電櫛歯アクチュエータを得る工程、
からなっている。
【００１１】
なお、ミラーは、（ｅ）で形成されたミラー板へクロムを下地とした金を成膜することにより完成される。
【００１２】
また、例えば、特許文献４に示すＭＥＭＳ構造に関する技術も知られている。
【特許文献１】特開２００８−６５２９３号公報
【特許文献２】アメリカ特許文献第６７５８９８３号公報
【特許文献３】アメリカ特許文献第６９１４７１０号公報
【特許文献４】アメリカ特許文献第６６４１２７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、例えば、特許文献２、特許文献３に示す従来の段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーは、ミラー板がデバイスの最上面に形成されているため、以下に説明する問題があり、鏡面性の高いミラーを得ること、製造歩留りを向上させることが困難な状況にある。
【００１４】
すなわち、従来、ミラー板を形成する際に、鏡面性を高めるために、グラインディング、ラッピング、研磨等の加工が、デバイスの最表面層に施されている。その際、例えば、特許文献３に開示の製造方法にみられるように、この加工を施されるシリコンウエハの下部に予め櫛歯や空洞等の構造が形成されている場合、とりわけ、ミラー板の下部に空洞が形成されている場合、この加工の均一性を確保することが難しい。その結果、ミラー表面に傷が残り、高い鏡面性を歩留り良く得ることが困難となる。
【００１５】
さらに、従来、ミラー部がデバイスの最上面に形成されているために、ミラー部の形成後のマスク形成、エッチング、マスク除去、成膜等の加工工程の後の加工工程において、ハンドリングや内部応力等によるミラー部の破損や、ミラー表面の傷の発生等を生じ易く、これらも良好な鏡面性や高い製造歩留りを実現する上での障害となっている。
【００１６】
このような問題は、この後加工工程において、ミラー板部の下部に空洞が形成されている場合に特に顕著である。
【００１７】
また、例えば、特許文献４では、具体的な製造方法が開示されておらず、ミラー板の表面及び裏面全体を覆うシリコン酸化膜を取り除くことにより、この表面および裏面を露出させたり、段差付き櫛歯構造形成時にミラー板の下部にハンドル層が存在するように製造したり、ミラー板の下部にハンドル層が存在する状態で段差付き櫛歯構造を形成した後、シリコン酸化膜を除去する製造方法により、ミラー板の表面を露出させることによる高い製造歩留まりを実現することができない。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
請求項１に記載の少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを用いたＭＥＭＳ走査型ミラーは、ミラーが最上面よりも下に形成されていることを特徴とする。
【００１９】
請求項２に記載のＭＥＭＳ走査型ミラーは、前記ＭＥＭＳ走査型ミラーにおいて、少なくとも３層のシリコンを含む部分を有し、最上層以外のシリコン層の表面にミラーが形成されていることを特徴とする。
【００２０】
請求項３に記載の少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを用いたＭＥＭＳ走査型ミラーは、ＳＯＩウエハのデバイス層に、さらに１層のシリコンウエハを配し、ミラーがＳＯＩウエハのデバイス層表面に形成されていることを特徴とする。
【００２１】
請求項４に記載のＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法は、シリコン酸化膜を除去することによりミラー板表面を露出させることを特徴とする。
【００２２】
請求項５に記載のＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法は、ミラー板の表面および裏面全体を覆うシリコン酸化膜を取り除くことにより、当該表面および裏面を露出させることを特徴とする。
【００２３】
請求項６に記載の、少なくとも３層のシリコンを含む部分を有する少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法は、段差付き櫛歯構造形成時にミラー板の下部にハンドル層が存在することを特徴とする。
【００２４】
請求項７に記載の少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法は、ミラー板下部にハンドル層が存在する状態で段差付き櫛歯構造を形成した後、シリコン酸化膜を除去することによりミラー板表面を露出させることを特徴とする。
【００２５】
請求項８に記載のＭＥＭＳ走査型ミラーは、ハンドル層の上部に段差付き静電櫛歯アクチュエータを形成するための少なくとも二つのデバイス層が設けられ、最上層のデバイス層以外のデバイス層にミラー面を有するミラー板が形成されていることを特徴とする。
【００２６】
請求項９に記載のＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法は、請求項８に記載のＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法であって、
空洞が形成されるハンドル層と表面が鏡面仕上げされたデバイス層とがシリコン酸化膜を介して接合されたウエハを準備する工程と、
前記デバイス層に前記ＭＥＭＳ走査型ミラーの下層構成要素に対応しかつ該デバイス層に形成すべき下層構造体を形成する工程と、
前記下層構造体形成後のウエハの前記デバイス層にシリコン酸化膜を介して上層のデバイス層を形成するためのウエハを接合する工程と、
該上層のウエハを加工して所定厚さの上層のデバイス層を形成する工程と、
該上層のデバイス層に前記ＭＥＭＳ走査型ミラーの上層構成要素に対応しかつ該上層のデバイス層に形成すべき上層構造体を形成する工程と、
前記ハンドル層に前記空洞を形成する工程と、
前記下層構造体のシリコン酸化膜を除去して前記ＭＥＭＳ走査型ミラーを完成させる工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを用いたＭＥＭＳ走査型ミラー及びその製造方法によれば、ミラーがデバイス最上面よりも下の位置に形成されており、ウエハ接合後はグラインド、ラッピング又は研磨加工による鏡面形成が行われないので、ミラーの鏡面性が良好である。
【００２８】
また、デバイスの完成直前までミラー板の下には空洞が存在しないことから、加工中の破損やミラー板表面の傷の発生を防ぐことができる。更には、デバイス最上面の仕上がり粗さへの要求を緩和することができる。従って、鏡面性に優れたミラーを有する、少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーを歩留りよく製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に、図面を参照しつつ、本発明に係る段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラー及びその製造方法を説明する。
【実施例１】
【００３０】
図１は、本発明に係わる１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの模式図を示している。このＭＥＭＳ走査型ミラーは、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、３層構造を呈しており、最上層のデバイス層Ｔ、最下層のハンドル層Ｈ及びこれらの間に存在するデバイス層Ｂからなる。
【００３１】
デバイス層Ｔ、デバイス層Ｂはｎ型又はｐ型にドープされた導電性のシリコンからなる。ハンドル層Ｈには絶縁性若しくは導電性シリコン又はガラスが用いられる。これらの各層の間は、絶縁層Ｉによって電気的に絶縁されている。絶縁層Ｉは、ハンドル層Ｈがシリコンの場合、シリコン酸化物であることが好ましい。
【００３２】
そのハンドル層Ｈには空洞ＨＯが形成されている。各デバイス層Ｔ、デバイス層Ｂに形成される静電櫛歯アクチュエータの構成要素はその空洞ＨＯの上方に位置する。この各デバイス層Ｔ、デバイス層Ｂに形成される静電櫛歯アクチュエータの構成要素については、各層を示す符号Ｔ、Ｂに添字を付して説明する。
【００３３】
デバイス層Ｂに形成される静電櫛歯アクチュエータの各構成要素はミラー板１０Ｂ、可動櫛歯１１Ｂ、軸１３Ｂ、ばね１４Ｂ及び枠１５Ｂである。これらの各構成要素の全ては一体とされ、電気的に等電位である。
【００３４】
ミラー板１０Ｂには、一方向に伸びる一対の軸１３Ｂが形成されている。その一対の軸１３Ｂは、ばね１４Ｂを介して枠１５Ｂに連結されている。軸１３Ｂの途中には、可動櫛歯１１Ｂが形成されている。なお、ミラー板１０Ｂの表面には、金、アルミニウム等による膜が形成されていてもよい。
【００３５】
デバイス層Ｔには、構成要素として、右固定櫛歯１２Ｔ１、左固定櫛歯１２Ｔ２、右土台１６Ｔ１及び左土台１６Ｔ２がそれぞれ形成されている。右固定櫛歯１２Ｔ１、左固定櫛歯１２Ｔ２は、それぞれ右土台１６Ｔ１、左土台１６Ｔ２に一体に形成され、電気的にはこれらと同電位である。右土台１６Ｔ１、左土台１６Ｔ２の電位は、互いに独立に設定可能である。
【００３６】
デバイス層Ｂには、その表面が優れた鏡面を有するシリコンウエハが用いられ得る。このデバイス層Ｂとハンドル層Ｈとを絶縁層Ｉを介して接合した材料がＭＥＭＳ走査型ミラーの作製用に提供され得る。デバイス層Ｂ、絶縁層Ｉ、ハンドル層Ｈがあらかじめ一体化されたＳＯＩウエハを用いても良い。ＳＯＩウエハのデバイス層Ｂの表面は、優れた鏡面状態に仕上げることができる。
【００３７】
いずれの材料を用いてＭＥＭＳ走査型ミラーを作製する場合でも、デバイス層Ｂの優れた鏡面をそのまま用いることにより、鏡面性の良好なミラー板１０Ｂを実現することができる。
【００３８】
このＭＥＭＳ走査型ミラーでは、図１（ａ）、図１（ｂ）に示すようにデバイス層Ｔで定義される最上面ＴＯＰＳよりも下にミラー板１０Ｂの表面１０ＢＳが位置する。
【００３９】
従来の静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーでは、ミラーが最上面に形成され、ミラー板の形成後、ミラー板の表面が外部に曝されたままその後の加工が行われることに対して、この発明に係わるＭＥＭＳ走査型ミラーでは、完成直前までデバイス層Ｂの表面１０ＢＳをシリコン酸化膜等の絶縁層Ｉにより保護することができるので、後述するマスク形成、エッチング、マスク除去、成膜等の各工程において、ハンドリング等によりミラー板１０Ｂの表面１０ＢＳに傷が発生することや表面１０ＢＳが汚染されることを防止することができることとなる。
【００４０】
可動櫛歯１１Ｂは右固定櫛歯１２Ｔ１、左固定櫛歯１２Ｔ２に対して段差をもって交差指状に位置している。可動櫛歯１１Ｂと固定櫛歯１２Ｔ１、１２Ｔ２間に電圧が印加されると、静電エネルギーが低下するように、可動櫛歯１１Ｂ、すなわち、ミラー板１０ＢにＸ−Ｘ’軸周りのトルクが発生する。
【００４１】
このＭＥＭＳ走査型ミラーの駆動方法は、従来のＭＥＭＳ走査型ミラーの駆動方法と同じである。ミラー板１０Ｂの回転は、図１（ａ）に示すＸ−Ｘ’軸周りに生じる。  好ましくは、デバイス層Ｂ全体は接地（符号ＧＮＤで示す）され、固定櫛歯１２Ｔ１、１２Ｔ２にそれぞれ電圧Ｖ１、Ｖ２を印加することにより、ＭＥＭＳ走査型ミラー（デバイス）が駆動される。例えば、ＤＣ駆動の場合、左右固定櫛歯１２Ｔ１、１２Ｔ２のいずれか一方へのＤＣ電圧の印加又は両固定櫛歯１２Ｔ１、１２Ｔ２への異なるＤＣ電圧の印加によりミラー板１０Ｂを回転させることができる。また、共振駆動の場合、例えば、ＡＣ電圧のような周期的電圧を左右固定櫛歯１２Ｔ１、１２Ｔ２のいずれか一方又は両固定櫛歯１２Ｔ１、１２Ｔ２に印加する。
【実施例２】
【００４２】
図２は、本発明に係わる２つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの模式図を示している。実施例１のミラー板１０ＢＳは一軸周りの回転であったが、この実施例のミラー板は、図２（ａ）、（ｂ）に示すＸ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸の２軸周りの回転が可能である。
【００４３】
このＭＥＭＳ走査型ミラーも、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すように、実施例１と同様に３層構造を呈しており、最上層のデバイス層Ｔ、最下層のハンドル層Ｈ及びこれらの間に存在するデバイス層Ｂからなる。
【００４４】
デバイス層Ｔ、デバイス層Ｂはｎ型又はｐ型にドープされた導電性のシリコンからなる。ハンドル層Ｈには絶縁性若しくは導電性シリコン又はガラスが用いられる。これらの各層の間は、絶縁層Ｉによって電気的に絶縁されている。絶縁層Ｉは、ハンドル層Ｈがシリコンの場合、シリコン酸化物であることが好ましい。
【００４５】
そのハンドル層Ｈには空洞ＨＯが形成されている。各デバイス層Ｔ、デバイス層Ｂに形成される静電櫛歯アクチュエータの構成要素はその空洞ＨＯの上方に位置する。この各デバイス層Ｔ、デバイス層Ｂに形成される静電櫛歯アクチュエータの構成要素については、各層を示す符号Ｔ、Ｂに添字を付して説明する。
【００４６】
デバイス層Ｂに形成される静電櫛歯アクチュエータの各構成要素は、ミラー板３０Ｂ、Ｘ軸周りの可動櫛歯３１Ｂ、Ｘ軸周りのばね３３Ｂ、内枠３４Ｂ、外枠３８Ｂ、Ｙ軸周りの可動櫛歯３６Ｂ、Ｙ軸周りのばね下部３１１Ｂである。これらの各構成要素は全てが一体とされ、電気的に等電位である。
【００４７】
ミラー板３０Ｂには、Ｘ−Ｘ’軸に沿って伸びる一対のＸ軸周りのばね３３Ｂが形成されている。ミラー板３０Ｂには、Ｘ−Ｘ’軸に対して直交する方向にＸ軸周りの可動櫛歯３１Ｂが形成されている。
【００４８】
これらの各構成要素３０Ｂ、３１Ｂは、内枠３４Ｂの内側に位置している。ミラー板３０Ｂと内枠３４ＢとはＸ軸周りのばね３３Ｂを介して連結されて、ミラー板３０Ｂは内枠３４Ｂと一体化されている。
【００４９】
内枠３４Ｂには、Ｙ−Ｙ’軸に対して直交するＹ軸周りの可動櫛歯３６Ｂ、Ｙ−Ｙ’軸に沿って伸びる一対のＹ軸周りのばね下部３１１Ｂが形成されている。内枠３４Ｂと外枠３８ＢとはＹ軸周りのばね下部３１１Ｂを介して連結されている。この構造により、デバイス層Ｂに形成される全ての構成要素は一体化される。なお、ミラー板３０Ｂの表面には、金、アルミニウム等による膜が形成されていてもよい。
【００５０】
デバイス層Ｔに形成される静電櫛歯アクチュエータの各構成要素は、Ｘ軸周りの上固定櫛歯３２Ｔ１、Ｘ軸周りの下固定櫛歯３２Ｔ２、内側上土台３５Ｔ１、内側下土台３５Ｔ２、Ｙ軸周りの左固定櫛歯３７Ｔ１、Ｙ軸周りの右固定櫛歯３７Ｔ２、外側上土台３９Ｔ１、外側下土台３９Ｔ２、外側左土台３１０Ｔ１、外側右土台３１０Ｔ２、Ｙ軸周りの上ばね上部３１２Ｔ１、Ｙ軸周りの下ばね上部３１２Ｔ２である。
【００５１】
Ｘ軸周りの上固定櫛歯３２Ｔ１、内側上土台３５Ｔ１、Ｙ軸周りの上ばね上部３１２Ｔ１及び外側上土台３９Ｔ１は一体化され、Ｘ軸周りの下固定櫛歯３２Ｔ２、内側下土台３５Ｔ２、Ｙ軸周りの下ばね上部３１２Ｔ２及び外側下土台３９Ｔ２は一体化され、Ｙ軸周りの左固定櫛歯３７Ｔ１及び外側左土台３１０Ｔ１は一体化され、Ｙ軸周りの右固定櫛歯３７Ｔ２及び外側右土台３１０Ｔ２は一体化されている。これら一体化されている構成要素ごとに、互いに独立に電圧を設定することができる。
【００５２】
デバイス層Ｂには、実施例１と同様に、その表面が優れた鏡面を有するシリコンウエハが用いられ得る。このデバイス層Ｂとハンドル層Ｈとを絶縁層Ｉを介して接合した材料がＭＥＭＳ走査型ミラーの作製用に提供され得る。デバイス層Ｂ、絶縁層Ｉ、ハンドル層Ｈがあらかじめ一体化されたＳＯＩウエハを用いても良い。ＳＯＩウエハのデバイス層Ｂの表面は優れた鏡面状態に仕上げることができる。
【００５３】
いずれの材料を用いてＭＥＭＳ走査型ミラーを作製する場合でも、デバイス層Ｂの優れた鏡面をそのまま用いることにより、鏡面性の良好なミラー板３０Ｂを実現することができる。
【００５４】
この実施例２のＭＥＭＳ走査型ミラーも、図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、デバイス層Ｔで定義される最上面ＴＯＰＳよりも下にミラー板３０Ｂの表面３０ＢＳが位置している。
【００５５】
従来の静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーでは、ミラーが最上面に形成され、ミラー板の形成後、ミラー板の表面が外部に曝されたままその後の加工が行われるのに対して、この実施例に係わるＭＥＭＳ走査型ミラーでは、実施例１と同様に、完成直前までデバイス層Ｂの表面３０ＢＳをシリコン酸化膜等の絶縁層Ｉにより保護することができるので、後述するマスク形成、エッチング、マスク除去、成膜等の各工程において、ハンドリング等によりミラー板３０Ｂの表面３０ＢＳに傷が発生することや表面３０ＢＳが汚染されることを防止することができることとなる。
【００５６】
Ｘ軸周りの可動櫛歯３１Ｂは、Ｘ軸周りの上下固定櫛歯３２Ｔ１、３２Ｔ２に対して段差をもって交差指状に位置している。可動櫛歯３１Ｂと上下固定櫛歯３２Ｔ１、３２Ｔ２間に電圧が印加されると、静電エネルギーが低下するように、Ｘ軸周りの可動櫛歯３１Ｂ、すなわちミラー板３０ＢにＸ−Ｘ’軸周りのトルクが発生する。
【００５７】
また、Ｙ軸周りの可動櫛歯３６Ｂは、Ｙ軸周りの左右固定櫛歯３７Ｔ１、３７Ｔ２に対して段差をもって交差指状に位置している。可動櫛歯３６Ｂと左右固定櫛歯３７Ｔ１、３７Ｔ２間に電圧が印加されると、静電エネルギーが低下するように、Ｙ軸周りの可動櫛歯３６Ｂ、すなわち、ミラー板３０Ｂを有する内枠３４ＢにＹ−Ｙ’軸周りのトルクが発生する。
【００５８】
この実施例２によるＭＥＭＳ走査型ミラーは、Ｘ−Ｘ’軸及びＹ−Ｙ’軸の２軸周りに駆動が可能である。好ましくは、デバイス層Ｂの全体は接地され、Ｘ軸周りの上下固定櫛歯３２Ｔ１、３２Ｔ２、Ｙ軸周りの左右固定櫛歯３７Ｔ１、３７Ｔ２に、それぞれ電圧Ｖｘ１、Ｖｘ２、Ｖｙ１、Ｖｙ２を印加することにより、ＭＥＭＳ走査型ミラー（デバイス）が駆動される。
【００５９】
この実施例によれば、２軸共にＤＣ駆動、１軸がＤＣ駆動で他の１軸が共振駆動、２軸共に共振駆動のいずれをも採用することができる。例えば、Ｖｘ１、Ｖｘ２、Ｖｙ１、Ｖｙ２のいずれもＤＣ電圧とした場合、２軸共にＤＣ駆動となる。また、これらのいずれもＡＣ電圧とすると、２軸共に共振駆動が得られる。また、例えば、Ｖｘ１、Ｖｘ２をＤＣ電圧とし、Ｖｙ１、Ｖｙ２をＡＣ電圧とすれば、Ｘ−Ｘ’軸周りにＤＣ駆動、Ｙ−Ｙ’軸周りに共振駆動を実現できる。
【実施例３】
【００６０】
図３は本発明に係わる１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの他の例の模式図を示している。この実施例３では、実施例２と同様に、ミラー板はＸ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸の２軸周りの回転が可能であるが、Ｙ−Ｙ’軸周りの駆動は、共振駆動に限定される。
【００６１】
このＭＥＭＳ走査型ミラーも、実施例１、実施例２と同様に３層構造を呈しており、最上層のデバイス層Ｔ、最下層のハンドル層Ｈ及びこれらの間に存在するデバイス層Ｂからなる。デバイス層Ｔ、デバイス層Ｂはｎ型又はｐ型にドープされた導電性のシリコンからなる。ハンドル層Ｈには絶縁性若しくは導電性シリコン又はガラスが用いられる。これらの各層の間は、絶縁層Ｉによって電気的に絶縁されている。絶縁層Ｉは、ハンドル層Ｈがシリコンの場合、シリコン酸化物であることが好ましい。
【００６２】
そのハンドル層Ｈには空洞ＨＯが形成されている。各デバイス層Ｔ、デバイス層Ｂに形成される静電櫛歯アクチュエータの構成要素はその空洞ＨＯの上方に位置する。この各デバイス層Ｔ、デバイス層Ｂに形成される静電櫛歯アクチュエータの構成要素については、各層を示す符号Ｔ、Ｂに添字を付して説明する。
【００６３】
デバイス層Ｂに形成される静電櫛歯アクチュエータの各構成要素は、ミラー板４０Ｂ、Ｘ軸周りの可動櫛歯４１Ｂ、Ｘ軸周りのばね４３Ｂ、内枠４４Ｂ、Ｙ軸周りの可動櫛歯４６Ｂ、Ｙ軸周りの左固定櫛歯４７Ｂ１、Ｙ軸周りの右固定櫛歯４７Ｂ２、外枠４８Ｂ、Ｙ軸周りのばね下部４１０Ｂ、外側左土台４１２Ｂ１、外側右土台４１２Ｂ２、溝４１３である。
【００６４】
ミラー板４０Ｂには、Ｘ−Ｘ’軸に沿って伸びる一対のＸ軸周りのばね４３Ｂが形成されている。ミラー板４０Ｂには、Ｘ−Ｘ’軸に対して直交する方向にＸ軸周りの可動櫛歯４１Ｂが形成されている。これらの構成要素４０Ｂ、４１Ｂは内枠４４Ｂの内側に位置している。ミラー板４０Ｂと内枠４４ＢとはＸ軸周りのばね４３Ｂを介して連結されて、ミラー板４０Ｂは内枠４４Ｂと一体化されている。内枠４４Ｂには、Ｙ−Ｙ’軸に対して直交するＹ軸周りの可動櫛歯４６Ｂ、Ｙ−Ｙ’軸に沿って伸びる一対のＹ軸周りのばね下部４１０Ｂが形成されている。外枠４８Ｂには、溝４１３が形成されている。
【００６５】
これにより、外枠４８Ｂに対して絶縁された外側左土台４１２Ｂ１、外側右土台４１２Ｂ２が形成される。外側左右土台４１２Ｂ１、４１２Ｂ２にはＹ軸周りの左固定櫛歯４７Ｂ１、Ｙ軸周りの右固定櫛歯４７Ｂ２がそれぞれ形成されている。
【００６６】
デバイス層Ｂに形成された各構成要素４０Ｂ、４１Ｂ、４３Ｂ、４４Ｂ、４６Ｂ、４８Ｂ、４１０Ｂは一体とされ、電気的には等電位である。
【００６７】
Ｙ軸周りの左右固定櫛歯４７Ｂ１、４７Ｂ２は、溝４１３により外枠４８Ｂと電気的に分離した外側左土台４１２Ｂ１、外側右土台４１２Ｂ２にそれぞれ連結されているので、外枠４８Ｂ、外側左土台４１２Ｂ１、外側右土台４１２Ｂ２には、それぞれ独立に電圧を印加することができる。なお、ミラー板４０Ｂの表面は、金、アルミニウム膜等が形成されていてもよい。
【００６８】
デバイス層Ｔに形成される静電櫛歯アクチュエータの各構成要素は、Ｘ軸周りの上固定櫛歯４２Ｔ１、Ｘ軸周りの下固定櫛歯４２Ｔ２、内側上土台４５Ｔ１、内側下土台４５Ｔ２、外側上土台４９Ｔ１、外側下土台４９Ｔ２、Ｙ軸周りの上ばね上部４１１Ｔ１、Ｙ軸周りの下ばね上部４１１Ｔ２である。
【００６９】
Ｘ軸周りの上固定櫛歯４２Ｔ１、内側上土台４５Ｔ１、Ｙ軸周りの上ばね上部４１１Ｔ１、外側上土台４９Ｔ１は一体化され、Ｘ軸周りの下固定櫛歯４２Ｔ２、内側下土台４５Ｔ２、Ｙ軸周りの下ばね上部４１１Ｔ２、外側下土台４９Ｔ２は一体化され、これら一体の構成要素ごとに独立に電圧を設定することができる。
【００７０】
デバイス層Ｂには、実施例２と同様に、その表面が優れた鏡面を有するシリコンウエハが用いられ得る。このデバイス層Ｂとハンドル層Ｈとを絶縁層Ｉを介して接合した材料がＭＥＭＳ走査型ミラーの作製用に提供され得る。デバイス層Ｂ、絶縁層Ｉ、ハンドル層Ｈがあらかじめ一体化されたＳＯＩウエハを用いても良い。ＳＯＩウエハのデバイス層Ｂの表面は、優れた鏡面状態に仕上げることができる。
【００７１】
いずれの材料を用いてＭＥＭＳ走査型ミラーを作製する場合でも、デバイス層Ｂの優れた鏡面をそのまま用いることにより、鏡面性の良好なミラー板４０Ｂを実現することができる。
【００７２】
この実施例３のＭＥＭＳ走査型ミラーも、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、デバイス層Ｔで定義される最上面ＴＯＰＳよりも下にミラー板４０Ｂの表面４０ＢＳが位置している。従来の静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーでは、ミラーが最上面に形成され、ミラー板の形成後、ミラー板の表面が外部に曝されたままその後の加工が行われることに対して、この実施例に係わるＭＥＭＳ走査型ミラーでは、実施例１と同様に、完成直前までデバイス層Ｂの表面４０ＢＳをシリコン酸化膜等の絶縁層Ｉにより保護することができるので、後述するマスク形成、エッチング、マスク除去、成膜等の各工程において、ハンドリング等によりミラー板４０Ｂの表面４０ＢＳに傷が発生することや表面４０ＢＳが汚染されることを防止することができることとなる。
【００７３】
Ｘ軸周りの可動櫛歯４１Ｂは、Ｘ軸周りの上下固定櫛歯４２Ｔ１、４２Ｔ２に対して段差をもって交差指状に位置している。可動櫛歯４１Ｂと上下固定櫛歯４２Ｔ１、４２Ｔ２間に電圧が印加されると、静電エネルギーが低下するように、Ｘ軸周りの可動櫛歯４１Ｂ、すなわち、ミラー板４０ＢにＸ−Ｘ’軸周りのトルクが発生する。また、Ｙ軸周りの左右固定櫛歯４７Ｂ１、４７Ｂ２は、いずれも、Ｙ軸周りの可動櫛歯４６Ｂに対して交差指状に位置している。可動櫛歯４６Ｂと左右固定櫛歯４７Ｂ１、４７Ｂ２間にＡＣ電圧が印加されると、ミラー板４０Ｂを有する内枠４４ＢにＹ−Ｙ’軸周りの振動が励起される。
【００７４】
この実施例３によるＭＥＭＳ走査型ミラーは、Ｘ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸の２軸周りに駆動が可能である。好ましくは、デバイス層Ｂの全体は接地され、Ｘ軸周りの上下固定櫛歯４２Ｔ１、４２Ｔ２、Ｙ軸周りの左右固定櫛歯４７Ｂ１、４７Ｂ２に、それぞれ電圧Ｖｘ１、Ｖｘ２、Ｖｙ１、Ｖｙ２を印加することにより、ＭＥＭＳ走査型ミラー（デバイス）が駆動される。ここで、Ｘ軸周りの固定櫛歯４２Ｔ１、４２Ｔ２、可動櫛歯４１Ｂは、一組の段差付き静電櫛歯を構成するが、Ｙ軸周りの固定櫛歯４７Ｂ１、４７Ｂ２可動櫛歯４６Ｂは、一組の段差のない静電櫛歯を構成しており、Ｙ軸周りは共振駆動のみが可能である。
【００７５】
この実施例によれば、Ｘ−Ｘ’軸周りがＤＣ駆動でかつＹ−Ｙ’軸周りが共振駆動又は２軸共に共振駆動のいずれをも採用することができる。例えば、Ｖｘ１、Ｖｘ２にＤＣ電圧、Ｖｙ１、Ｖｙ２にＡＣ電圧を印加すると、Ｘ−Ｘ’軸周りがＤＣ駆動でＹ−Ｙ’軸周りが共振駆動となる。これらのいずれの電圧もＡＣ電圧とすると、２軸共に共振駆動が得られる。
【実施例４】
【００７６】
実施例１に示す１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法の一例を図４を参照しつつ説明する。この図４に示す模式図は、図１のＡ−Ａ’線に沿う断面に対応している。
【００７７】
なお、このＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法は、実施例２、実施例３に係わるＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法にも適用できるものである。
１．準備工程
図４（ａ）はＭＥＭＳ走査型ミラーの各構成要素に対応する構造体形成前のウエハＭＭの図１のＡ−Ａ’線に相当する断面図を示している。
【００７８】
ウエハＭＭは、デバイス層Ｂとハンドル層Ｈとが絶縁層Ｉを介して一体に形成されている。デバイス層Ｂの表面ＢＳは加工前にあらかじめ鏡面仕上げされている。
デバイス層Ｂ、ハンドル層Ｈは好ましくはシリコンであり、絶縁層Ｉはシリコン酸化膜である。ここでは、ハンドル層Ｈの表面ＨＳにもシリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）が形成されている。
【００７９】
ウエハＭＭには、市販のＳＯＩ（Silicon-on-Insulator）ウエハを用いることができる。シリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）には、後加工において利用する第１アラインメントマーク（図示を略す）を形成する。この第１アラインメントマークは、シリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）上にあらかじめ感光性レジストを用いてアライメントパターンを形成した後、フッ化水素、緩衝フッ化水素により感光性レジストで覆われていない部分のシリコン酸化膜をエッチングにより除去することにより形成できる。感光性レジストは、エッチング後、例えば、アセトン洗浄により除去できる。
２．デバイス層ＢへのＭＥＭＳ走査ミラーの下層構成要素に対応する下層構造体の形成工程
デバイス層Ｂに、ミラー板１０Ｂ、可動櫛歯１１Ｂ、軸１３Ｂ、ばね１４Ｂ、枠１５Ｂに対応する構造体１０Ｂ’、１１Ｂ’、１３Ｂ’、１４Ｂ’、１５Ｂ’を形成する。図４（ｂ）にはその構造体１０Ｂ’、１１Ｂ’、１５Ｂ’が示されている。
【００８０】
この加工は、第１アラインメントマークを用いて、あらかじめ、デバイス層Ｂの表面に感光性レジストでこの構造体に対応するパタ−ンを形成した後、ボッシュプロセスによるＤＲＩＥ（Deep Reactive Ion Etching）法を用いて行うことができる。なお、図４（ｂ）はＤＲＩＥ後に感光性レジストを除去した状態を示している。
３．デバイス層Ｂへのシリコンウエハ接合工程
デバイス層Ｂに、図４（ｃ）に示すように、シリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）が表面に形成されたシリコンウエハ５２が接合される。この接合はデバイス層Ｂの最上面とシリコンウエハ５２の表面とを接触させ、例えば、１０００℃から１１００℃に加熱処理することにより行われる。
４．シリコンウエハのグラインディング及びラッピング工程
図４（ｃ）に示すシリコンウエハ５２をグラインディング及びラッピングすることにより、シリコンウエハ５２の厚みを減少させ、図４（ｄ）に示すように、所定の厚さを有する上層のデバイス層Ｔを形成する。
【００８１】
従来のＭＥＭＳ走査型ミラーでは、貼り合せウエハの最上面にグラインディング、ラッピング、研磨加工を施して得られる表面がミラーに供せられる。
【００８２】
研磨後の表面状態は鏡面性能（ミラー性能）を決定するため、従来の加工に許容される表面精度が厳しく要求される。また、従来の加工が施されるシリコンウエハの下部に貼り合せられたシリコンウエハの下部、とりわけ、ミラー板に相当する部分の下に空洞が形成されている場合、ウエハ面内の加工の均一性が劣化し、優れた鏡面性をもつミラー板を歩留りよく得ることが困難である。
【００８３】
これに対して、本発明に係わる実施例よれば、ミラーはデバイスの最上面ではなく、あらかじめ鏡面加工されたウエハの表面に形成するので、鏡面仕上げのための研磨加工を省略できると共に、グラインディング、ラッピング加工に許容される表面粗さの要求精度が従来に較べて緩和される。
【００８４】
また、後述するように、あらかじめ鏡面加工されたウエハの表面は、デバイスの完成直前までシリコン酸化膜で保護されているので、本発明によれば、ミラー板１０Ｂは表面の優れた鏡面性が確保される。従って、本発明のＭＥＭＳ走査ミラーによれば、製造歩留りの向上を図ることができる。
５．ハンドル層Ｈへのマスクの形成工程
ハンドル層Ｈに空洞を形成するエッチング工程で用いるマスク５１を形成するために、図４（ｅ）に示すように、ハンドル層Ｈの表面ＨＳのシリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）の一部を除去する。マスク５１の形成には、第１アラインメントマークを用い、シリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）上に予め感光性レジストでパタン形成した後、フッ化水素、緩衝フッ化水素により感光性レジストで覆われていない部分のシリコン酸化膜をエッチングにより除去することにより、マスク５１が得られる。
【００８５】
なお、エッチング後に感光性レジストは、アセトン洗浄等により除去される。なお、エッチング時に用いるこのマスク５１は、少なくともミラー板１０Ｂ、可動櫛歯１１Ｂに対応する構造体の下の部分を覆わないように形成する。
【００８６】
なお、このハンドル層Ｈへのマスク５１の形成工程のエッチング時間の短縮化を図るために、準備工程１において、マスク５１を予め形成しておけば、デバイス層Ｂへのシリコンウエハ接合工程３で生じるマスク開口部の薄いシリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）を短時間のエッチングにより除去できる。
６．デバイス層ＴにＭＥＭＳ走査ミラーの上層構成要素に対応する上層構造体を形成する形成工程
次に、デバイス層Ｔに、右固定櫛歯１２Ｔ１、左固定櫛歯１２Ｔ２、右土台１６Ｔ１、左土台１６Ｔ２に対応する構造体１２Ｔ１’、１２Ｔ２’、１６Ｔ１’、１６Ｔ２’を形成する。図５（ａ’）には構造体１２Ｔ２’が示されている。
【００８７】
この形成工程では、段差付き櫛歯構造（図５（ａ’）には、１２Ｔ２’１１Ｂ’が示されている。）は形成されているが、ミラー板１０Ｂの表面は未だ露出されず、シリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）により保護されている。また、ミラー板１０Ｂに対応する構造体の下部にはハンドル層Ｈが存在し、機械的強度を維持している。
【００８８】
このデバイス層ＴにＭＥＭＳ走査ミラーの上層構成要素に対応する上層構造体を形成する形成工程には、デバイス層ＢへのＭＥＭＳ走査ミラーの下層構成要素に対応する下層構造体の形成工程で用いた加工方法と同様の加工方法を用いる。なお、この加工工程にも、第１アラインメントマークを利用可能である。
【００８９】
しかし、工程２から工程５に至る加工の際に、第１アラインメントマークが不鮮明となり、十分なアライメント精度が得られないと考えられる場合には、工程２において、デバイス層Ｂに図示を略す第２アラインメントマークを形成し、工程６に先立って第１アラインメントマークを用いてボッシュプロセスによりデバイス層Ｔにデバイス層Ｂに至る貫通穴を第２アラインメントマークを囲むように形成しておくことにより、この第２アラインメントマークを用いて精度よくこの加工を実施できる。
７．ハンドル層Ｈにエッチングによる空洞の形成工程
工程５で形成されたマスク５１を用い、ボッシュプロセスによりハンドル層Ｈをエッチングすることにより、図５（ｂ’）に示すように、少なくともデバイスのミラー板１０Ｂと可動櫛歯１１Ｂに対応する下層構造体の下に空洞ＨＯを形成する。
【００９０】
これにより、ミラー板１０Ｂ、可動櫛歯１１Ｂが回転動作を行う際に、ハンドル層Ｈと衝突することが回避される。この工程７では、未だ可動櫛歯１１Ｂ、ミラー板１０Ｂはシリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）により固定されており、リリースされていない。
８．シリコン酸化膜除去工程
工程７で形成された空洞を有するハンドル層Ｈ、デバイス層Ｔ、Ｂの表面に形成されている露出部分のシリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）は、図５（ｃ’）に示すようにエッチングにより除去される。エッチング液にはフッ化水素を用いることができる。この段階で、可動櫛歯１１Ｂ、ミラー板１０Ｂはシリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）による固定が外され、リリースされた状態となり、ＭＥＭＳ走査型ミラーが完成される。
９．デバイス層Ｂ、Ｔの表面への膜形成工程
デバイス層Ｂ、Ｔの表面には、図５（ｄ’）に示すように、金、アルミニウム、誘電多層膜等の膜５３を蒸着、スパッタリング等の手法により形成するのが望ましい。これにより、ミラーの反射率が向上、すなわち、ミラー特性が向上する。ミラーにより反射させる光の波長に応じて、好ましい反射・吸収特性を有する素材を選択するか又は多層膜を光学的に設計して採用すると、なお、一層好ましい。
【００９１】
本発明に係わる少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法によれば、ミラーが最上面よりも下に形成され、シリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）を除去することにより、初めてミラー板１０Ｂの表面１０ＢＳを露出させるので、鏡面性に優れたＭＥＭＳ走査型ミラーを歩留りよく製造することができる。
【００９２】
更に、ミラー板１０Ｂの表面１０ＢＳ、裏面の全体がシリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）により覆われた状態で、工程６以降のボッシュプロセスによるエッチングを実施しているので、ミラー板１０Ｂの表面１０ＢＳ、裏面がエッチング時にシリコン酸化膜（絶縁層Ｉ）により保護されていることになり、このため、鏡面性に優れたＭＥＭＳ走査型ミラーを歩留りよく製造することができる。
【００９３】
また、デバイス層ＴにＭＥＭＳ走査ミラーの構成要素に対応する構造体の形成工程でも、少なくとも３層のシリコンを含む部分を有する構造において、ミラー板１０Ｂの下部にハンドル層Ｈが存在するので、ミラー板１０Ｂの部分の機械的強度が向上し、鏡面性に優れたＭＥＭＳ走査型ミラーを歩留りよく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明によるＭＥＭＳ走査型ミラーの第１の実施例を示す説明図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【図２】本発明によるＭＥＭＳ走査型ミラーの第２の実施例を示す説明図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ’線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図３】本発明によるＭＥＭＳ走査型ミラーの第３の実施例を示す説明図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ’線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】本発明によるＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法の実施例を示す説明図であって、（ａ）は準備工程の説明図、（ｂ）はデバイス層への構造体の形成工程の説明図、（ｃ）はシリコンウエハ接合工程の説明図、（ｄ）は最上層のデバイス層の形成工程の説明図、（ｅ）はハンドル層へのマスクの形成工程の説明図である。
【図５】本発明によるＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法の実施例を示す説明図であって、（ａ’）は最上層のデバイス層への構造体の形成工程の説明図、（ｂ’）はハンドル層への空洞の形成工程の説明図、（ｃ’）はシリコン酸化膜除去工程の説明図、（ｄ’）は各デバイス層への膜形成工程の説明図である。
【図６】従来の段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの概略構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９５】
１０Ｂ… ミラー板
１０ＢＳ…表面
Ｉ…絶縁層
ＴＯＰＳ…最上面
【図１】
2010107628.tif 000003
【図２】
2010107628.tif 000004
【図３】
2010107628.tif 000005
【図４】
2010107628.tif 000006
【図５】
2010107628.tif 000007
【図６】
2010107628.tif 000008