(57)【要約】      （修正有）【課題】液晶表示装置などの偏光子を有する表示装置のさらなる薄型化、軽量化を可能にする。【解決手段】第１の基板と第２の基板とを対向配置させた表示パネルを有する表示装置であって、前記第１の基板は、樹脂でなる絶縁基板１００と、複数個のＴＦＴ素子がマトリックス状に配置されている回路を有する回路層１０４と、前記絶縁基板１００と前記回路層１０４との間に配置されている偏光子１０２とを有し、前記絶縁基板１００は、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が８０％以上であり、３％重量減少温度が３００℃以上であり、かつ、融点を有しないか、または融点が３００℃以上である表示装置。【選択図】図３（ｃ）
2010032768.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とを対向配置させた表示パネルを有する表示装置であって、
前記第１の基板は、樹脂でなる絶縁基板と、複数個のＴＦＴ素子がマトリックス状に配置されている回路を有する回路層と、前記絶縁基板と前記回路層との間に配置されている偏光子とを有し、
前記絶縁基板は、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が８０％以上であり、３％重量減少温度が３００℃以上であり、かつ、融点を有しないか、または融点が３００℃以上であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記絶縁基板は、脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、脂環式構造を含むポリアミドのいずれかの樹脂でなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記偏光子は、ある１つの方向に延伸する複数本の金属細線を、前記１つの方向と直交する方向に等間隔で並べてなる偏光子であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２の基板は、樹脂でなる絶縁基板と、前記絶縁基板の表面上に配置されている偏光子とを有し、
前記第１の基板の前記偏光子および前記第２の基板の前記偏光子は、前記第１の基板の前記絶縁基板と前記第２の基板の前記絶縁基板との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２の基板の前記絶縁基板は、脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、脂環式構造を含むポリアミドのいずれかの樹脂でなることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２の基板の前記偏光子は、ある１つの方向に延伸する複数本の金属細線を、前記１つの方向と直交する方向に等間隔で並べてなる偏光子であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の基板の前記偏光子は、ある１つの方向に延伸する複数本の金属細線を、前記１つの方向と直交する方向に等間隔で並べてなる偏光子であり、
前記第２の基板の前記偏光子における前記金属細線の延伸方向は、前記第１の基板の前記偏光子における前記金属細線の延伸方向と直交していることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示パネルは、前記第１の基板と前記第２の基板との間に、液晶材料が介在していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
支持基板の表面に樹脂でなる絶縁基板を形成する工程と、
前記絶縁基板の上に偏光子を形成する工程と、
前記偏光子の上に複数個のＴＦＴ素子を有する回路層を形成する工程と、
前記偏光子および前記回路層が形成された前記絶縁基板から前記支持基板を剥離する工程とを有する表示装置の製造方法であって、
前記絶縁基板を形成する工程は、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が８０％％以上であり、３％重量減少温度が３００℃以上であり、かつ、融点を有しないか、または融点が２８０℃以上である絶縁基板を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
第１の基板を形成する第１の工程と、第２の基板を形成する第２の工程と、前記第１の工程で形成された前記第１の基板と前記第２の工程で形成された前記第２の基板とをあらかじめ定められた間隔で保持するとともに、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶材料を封入する第３の工程とを有する表示装置の製造方法であって、
前記第１の工程は、支持基板の表面に樹脂でなる絶縁基板を形成する工程と、
前記絶縁基板の上に偏光子を形成する工程と、
前記偏光子の上に複数個のＴＦＴ素子を有する回路層を形成する工程と、
前記回路層の上に配向膜を形成する工程とを有し、
前記第３の工程は、前記支持基板を有する前記第１の基板と前記第２の工程で形成された前記第２の基板とをあらかじめ定められた間隔で保持するとともに、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶材料を封入し、
前記第３の工程の後、前記絶縁基板から前記支持基板を剥離する工程を有し、
前記絶縁基板を形成する工程は、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が８０％以上であり、３％重量減少温度が３００℃以上であり、かつ、融点を有しないか、または融点が２８０℃以上である絶縁基板を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
第１の基板を形成する第１の工程と、第２の基板を形成する第２の工程と、前記第１の工程で形成された前記第１の基板と前記第２の工程で形成された前記第２の基板とをあらかじめ定められた間隔で保持するとともに、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶材料を封入する第３の工程とを有する表示装置の製造方法であって、
前記第１の工程は、支持基板の表面に樹脂でなる絶縁基板を形成する工程と、
前記絶縁基板の上に偏光子を形成する工程と、
前記偏光子の上に複数個のＴＦＴ素子を有する回路層を形成する工程と、
前記回路層の上に配向膜を形成する工程と、
前記回路層を形成する工程と前記配向膜を形成する工程の間、または前記配向膜を形成する工程の後、前記絶縁基板から前記支持基板を剥離する工程とを有し、
前記第３の工程は、前記第１の基板と前記第２の工程で形成された前記第２の基板とをあらかじめ定められた間隔で保持するとともに、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶材料を封入し、
前記絶縁基板を形成する工程は、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が８０％以上であり、３％重量減少温度が３００℃以上であり、かつ、融点を有しないか、または融点が２８０℃以上である絶縁基板を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁基板を形成する工程は、脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、脂環式構造を含むポリアミドのいずれかの樹脂でなる絶縁基板を形成することを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁基板を形成する工程は、ガラス転移点が２５０℃以上の樹脂でなる絶縁基板を形成することを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁基板を形成する工程は、２５０℃以上であり、かつ、前記回路層を形成する工程において前記ＴＦＴ素子を形成する際の加熱温度よりも高い温度で加熱処理をする工程を有することを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記加熱処理をする工程は、窒素雰囲気中または真空中で行うことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記支持基板として、ガラス基板または石英基板を用いることを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁基板から前記支持基板を剥離する工程は、波長が２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外線を照射する工程を有することを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の工程は、支持基板の表面に樹脂でなる絶縁基板を形成する工程と、
前記絶縁基板の上に偏光子を形成する工程と、
前記偏光子の上に複数種類の色が異なるカラーフィルタを形成する工程と、
前記カラーフィルタの上に配向膜を形成する工程とを有し、
前記第３の工程は、前記第１の基板と前記支持基板を有する前記第２の基板とをあらかじめ定められた間隔で保持するとともに、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶材料を封入し、
前記第３の工程の後、前記第２の基板の前記絶縁基板から前記支持基板を剥離する工程を有することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２の工程は、支持基板の表面に樹脂でなる絶縁基板を形成する工程と、
前記絶縁基板の上に偏光子を形成する工程と、
前記偏光子の上に複数種類の色が異なるカラーフィルタを形成する工程と、
前記カラーフィルタの上に配向膜を形成する工程と、
前記カラーフィルタを形成する工程と前記配向膜を形成する工程の間、または前記配向膜を形成する工程の後、前記絶縁基板から前記支持基板を剥離する工程を有することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第２の工程の前記絶縁基板を形成する工程は、脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、脂環式構造を含むポリアミドのいずれかの樹脂でなる絶縁基板を形成することを特徴とする請求項１８または請求項１９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１の工程の前記偏光子を形成する工程は、ある１つの方向に延伸する複数本の金属細線が、前記１つの方向と直交する方向に等間隔で並んでなる偏光子を形成することを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置などの偏光子を有する表示装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルを有する液晶表示装置は、たとえば、テレビ、パーソナルコンピュータのディスプレイ、携帯電話端末などの携帯型電子機器の表示部に用いられている。このとき、一対の基板のうちの一方の基板（以下、ＴＦＴ基板という）は、ガラス基板などの絶縁基板の表面に走査信号線、映像信号線、ＴＦＴ素子、画素電極、および配向膜などが形成されている。また、一対の基板のうちの他方の基板（以下、対向基板という）は、絶縁基板の表面に、ブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜、カラーフィルタ、および配向膜などが形成されている。
【０００３】
従来の液晶表示パネルに用いるＴＦＴ基板および対向基板は、たとえば、０．５ｍｍから１．１ｍｍ程度の厚さのガラス基板を絶縁基板として用いて製造している。
【０００４】
ところで、液晶表示パネルは、たとえば、液晶表示装置（液晶表示モジュール）の軽量化を図るために、絶縁基板を薄くすることが検討されている。しかしながら、絶縁基板としてガラス基板を用いる場合、厚さが０．５ｍｍ以下になると、たとえば、製造過程や、完成した液晶表示装置を使用しているときに割れやすくなるという問題がある。このような問題の解決方法の１つとして、たとえば、ＴＦＴ基板および対向基板の絶縁基板をプラスチック基板（樹脂基板）にする方法が提案されている。
【０００５】
ＴＦＴ基板および対向基板の絶縁基板をプラスチック基板にした液晶表示パネルは、軽くて割れにくいという利点の他に、たとえば、プラスチック基板の柔軟性を生かして表示面を曲面にすることが可能になり、デザイン上の自由度が増すという利点が考えられる。また、このような液晶表示パネルは、たとえば、使用しないときは曲げたり丸めたりして小さくするといったローラブルな液晶表示装置の実現の可能性を高めると考えられる。
【０００６】
しかしながら、ガラス基板の耐熱性が６００℃前後であるのに対し、一般的なプラスチック基板の耐熱性は２００℃前後である。一般的な液晶表示パネルのＴＦＴ素子は、半導体層としてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）または多結晶シリコンを用いており、ＴＦＴ素子を形成する工程は、３００℃前後またはそれ以上の高温で処理を行う工程を有する。そのため、プラスチック基板を用いてＴＦＴ基板を製造するためには、たとえば、プラスチック基板の耐熱性を向上させる、ＴＦＴ素子を形成するときの温度を下げるといった対策が必要になる。
【０００７】
プラスチック材料（樹脂材料）を耐熱性の高さで分類した場合、たとえば、フレキシブル配線板の絶縁基板などに用いられるポリイミド系樹脂の耐熱性が比較的高いことが知られている。しかしながら、一般的なポリイミド系樹脂は、黄色から褐色に着色しているので、そのままでは液晶表示パネルの絶縁基板として用いることが難しい。ところが、近年、ポリイミド構造における芳香族の部分を脂環族に変えることにより、ポリイミド系樹脂の透明性が向上することが見いだされた（たとえば、特許文献１を参照。）。これにより、プラスチック基板を用いた液晶表示パネルの実現性が高くなったといえる。
【０００８】
しかしながら、ポリイミド系樹脂は、その構造に由来する複屈折（リタデーション）を持ち、特許文献１に示された透明性の高いポリイミド系樹脂も複屈折を持つ。そのため、ポリイミド系樹脂は、偏光板または偏光フィルムなどの偏光子を貼り合わせて使用する液晶表示パネルの絶縁基板の材料として不向きである。
【０００９】
また、熱膨張係数についても、ガラス基板の熱膨張係数が数ｐｐｍ／Ｋであるのに対し、プラスチック基板の熱膨張係数は数十ｐｐｍ／Ｋから百数十ｐｐｍ／Ｋである。そのため、ＴＦＴ素子を形成する工程のように高温で処理をする場合、プラスチック基板は、ガラス基板に比べて伸び（熱膨張）が大きくなる。その結果、寸法の変動や形成位置のずれが生じ、たとえば、各画素のＴＦＴ素子の特性のばらつきなどが大きくなり、液晶表示装置の表示特性が劣化することが予想される。
【００１０】
またさらに、プラスチック基板は、ガラス基板とは異なり、柔らかくて変形しやすい。そのため、プラスチック基板を用いるＴＦＴ基板および対向基板は、ガラス基板を用いるＴＦＴ基板および対向基板の製造装置で製造することが非常に難しいという問題がある。このような問題に対しては、ＴＦＴ基板および対向基板の製造装置を、たとえば、フレキシブル配線板などを製造するときに用いられているロールツーロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）方式に変更する方法が考えられている。
【００１１】
また、その一方で、ガラス基板を用いるＴＦＴ基板および対向基板の製造装置を利用して、プラスチック基板を用いるＴＦＴ基板および対向基板を製造する方法として、たとえば、ガラス基板に形成したＴＦＴ素子などをプラスチック基板に転写する方法が検討されている。ＴＦＴ素子などを転写する方法としては、たとえば、ＴＦＴ素子などを形成したガラス基板をエッチングして薄くする方法、ガラス基板にあらかじめ剥離層を形成しておき、ＴＦＴ素子などを形成した後に剥離層を行う方法がある。これらの転写方法は、ＴＦＴ素子などを形成したガラス基板を薄膜化し、それをプラスチック基板に載せかえる方法である。また、別の転写方法としては、たとえば、ガラス基板上にプラスチック基板を貼り付け、そのプラスチック基板上にＴＦＴ素子などを形成した後、ガラス基板を剥離する方法がある（たとえば、特許文献２を参照。）。
【００１２】
話は変わるが、従来の液晶表示装置における偏光子は、通常、液晶表示パネルの外側を向いた面に、偏光板または偏光子を貼り付けて設けている。これに対し、近年の液晶表示装置には、たとえば、ＴＦＴ基板および対向基板に偏光子を内蔵させ、ＴＦＴ基板の絶縁基板と、対向基板の絶縁基板との間に偏光子を設ける方法が提案されている（たとえば、特許文献３を参照。）。
【００１３】
また、従来の液晶表示装置の偏光子には、たとえば、ポリビニルアルコールをヨウ素で染色し、それをフィルム化する際に延伸してヨウ素分子を延伸方向に並べたものを、保護膜であるトリアセチルセルロースで挟んだものが用いられている。これに対し、近年の液晶表示装置には、微細加工技術を利用して形成されたワイヤグリッド偏光子と呼ばれる偏光子を用いる方法が提案されている（たとえば、特許文献４を参照。）。
【特許文献１】特開２００６−１９９９４５号公報
【特許文献２】特開２００２−０３３４６４号公報
【特許文献３】特開平１１−０８４４１３号公報
【特許文献４】特開２００７−１０２１７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ガラス基板上にＴＦＴ素子などを有する回路層を形成した後、ガラス基板を薄くして回路層をプラスチック基板に載せ替えるＴＦＴ基板の製造方法は、ガラス基板を用いるＴＦＴ基板の製造装置を利用でき、ＴＦＴ素子などを形成するときの条件（たとえば、温度）も変更しなくてよいという利点がある。
【００１５】
しかしながら、エッチングでガラス基板を薄く場合、ガラス基板のほとんどが無駄になり、結果として液晶表示パネルの製造コストが増加するという問題がある。またさらに、ガラス基板をエッチングするときに多量の廃液が生じるので、環境負荷の観点でも問題がある。
【００１６】
また、ガラス基板上に形成する回路層は、厚さが数μｍ程度である。そのため、回路層をプラスチック基板に転写する（載せ替える）工程では、たとえば、ガラス基板を薄くするときに何らかの保護層を貼るにしても、厚さ数μｍの回路層を支持していたガラス基板が一度はなくなる。そのため、ガラス基板上に形成した回路層をプラスチック基板に転写するＴＦＴ基板の製造方法は、たとえば、内部応力または工程中の外部からの力で回路層にクラックが生じる可能性が高く、高い歩留まりが得られないという問題がある。
【００１７】
また、ガラス基板の表面に設けたプラスチック基板の上にＴＦＴ素子などを有する回路層を形成した後、プラスチック基板からガラス基板を剥離する方法は、たとえば、プラスチック基板の耐熱性に問題があるため、ＴＦＴ素子などを形成するときの温度を下げる必要がある。そのため、特性の優れたデバイスを作ることが難しいという問題がある。
【００１８】
またさらに、ポリイミド系樹脂などの耐熱性が比較的高い樹脂は、前述のように、その構造に由来する複屈折を持ち、ＴＦＴ基板および対向基板の絶縁基板としてある程度の強度が保てる厚さ（たとえば、５０μｍ程度）にした場合、複屈折の問題が顕著になり、リタデーションが１０ｎｍ以上になるものが多い。このように、数十μｍの厚さにしたときのリタデーションが大きくなる樹脂は、偏光子を用いる液晶表示装置（液晶表示パネル）におけるＴＦＴ基板や対向基板の絶縁基板の材料には不向きである。
【００１９】
以上のように、ＴＦＴ基板および対向基板の絶縁基板をプラスチック基板（樹脂基板）にする場合、従来のプラスチック基板の材料や製造方法には、材料の物性に起因する問題、または製造方法に起因する問題がある。そのため、液晶表示装置などの偏光子を有する表示装置は、さらなる薄型化、軽量化が難しいという問題がある。
【００２０】
本発明の目的は、たとえば、液晶表示装置などの偏光子を有する表示装置の薄型化、軽量化が可能な技術を提供することにある。
【００２１】
本発明の他の目的は、プラスチック基板上にＴＦＴ素子などを有する回路層が形成された表示パネルを有する表示装置の製造歩留まりを向上させることが可能な技術を提供することにある。
【００２２】
本発明の他の目的は、たとえば、プラスチック基板上にＴＦＴ素子などを有する回路層が形成された表示パネルの製造コストの上昇を抑えることが可能な技術を提供することにある。
【００２３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。
【００２５】
（１）第１の基板と第２の基板とを対向配置させた表示パネルを有する表示装置であって、前記第１の基板は、樹脂でなる絶縁基板と、複数個のＴＦＴ素子がマトリックス状に配置されている回路を有する回路層と、前記絶縁基板と前記回路層との間に配置されている偏光子とを有し、前記絶縁基板は、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が８０％以上であり、３％重量減少温度が３００℃以上であり、かつ、融点を有しないか、または融点が３００℃以上である表示装置。
【００２６】
（２）前記（１）の表示装置において、前記絶縁基板は、脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、脂環式構造を含むポリアミドのいずれかの樹脂でなる表示装置。
【００２７】
（３）前記（１）の表示装置において、前記偏光子は、ある１つの方向に延伸する複数本の金属細線を、前記１つの方向と直交する方向に等間隔で並べてなる偏光子である表示装置。
【００２８】
（４）前記（１）の表示装置において、前記第２の基板は、樹脂でなる絶縁基板と、前記絶縁基板の表面上に配置されている偏光子とを有し、前記第１の基板の前記偏光子および前記第２の基板の前記偏光子は、前記第１の基板の前記絶縁基板と前記第２の基板の前記絶縁基板との間に配置されている表示装置。
【００２９】
（５）前記（４）の表示装置において、前記第２の基板の前記絶縁基板は、脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、脂環式構造を含むポリアミドのいずれかの樹脂でなる表示装置。
【００３０】
（６）前記（４）の表示装置において、前記第２の基板の前記偏光子は、ある１つの方向に延伸する複数本の金属細線を、前記１つの方向と直交する方向に等間隔で並べてなる偏光子である表示装置。
【００３１】
（７）前記（６）の表示装置において、前記第１の基板の前記偏光子は、ある１つの方向に延伸する複数本の金属細線を、前記１つの方向と直交する方向に等間隔で並べてなる偏光子であり、前記第２の基板の前記偏光子における前記金属細線の延伸方向は、前記第１の基板の前記偏光子における前記金属細線の延伸方向と直交している表示装置。
【００３２】
（８）前記（１）の表示装置において、前記表示パネルは、前記第１の基板と前記第２の基板との間に、液晶材料が介在している表示装置。
【００３３】
（９）支持基板の表面に樹脂でなる絶縁基板を形成する工程と、前記絶縁基板の上に偏光子を形成する工程と、前記偏光子の上に複数個のＴＦＴ素子を有する回路層を形成する工程と、前記偏光子および前記回路層が形成された前記絶縁基板から前記支持基板を剥離する工程とを有する表示装置の製造方法であって、前記絶縁基板を形成する工程は、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が８０％％以上であり、３％重量減少温度が３００℃以上であり、かつ、融点を有しないか、または融点が２８０℃以上である絶縁基板を形成する表示装置の製造方法。
【００３４】
（１０）第１の基板を形成する第１の工程と、第２の基板を形成する第２の工程と、前記第１の工程で形成された前記第１の基板と前記第２の工程で形成された前記第２の基板とをあらかじめ定められた間隔で保持するとともに、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶材料を封入する第３の工程とを有する表示装置の製造方法であって、前記第１の工程は、支持基板の表面に樹脂でなる絶縁基板を形成する工程と、前記絶縁基板の上に偏光子を形成する工程と、前記偏光子の上に複数個のＴＦＴ素子を有する回路層を形成する工程と、前記回路層の上に配向膜を形成する工程とを有し、前記第３の工程は、前記支持基板を有する前記第１の基板と前記第２の工程で形成された前記第２の基板とをあらかじめ定められた間隔で保持するとともに、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶材料を封入し、前記第３の工程の後、前記絶縁基板から前記支持基板を剥離する工程を有し、前記絶縁基板を形成する工程は、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が８０％以上であり、３％重量減少温度が３００℃以上であり、かつ、融点を有しないか、または融点が２８０℃以上である絶縁基板を形成する表示装置の製造方法。
【００３５】
（１１）第１の基板を形成する第１の工程と、第２の基板を形成する第２の工程と、前記第１の工程で形成された前記第１の基板と前記第２の工程で形成された前記第２の基板とをあらかじめ定められた間隔で保持するとともに、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶材料を封入する第３の工程とを有する表示装置の製造方法であって、前記第１の工程は、支持基板の表面に樹脂でなる絶縁基板を形成する工程と、前記絶縁基板の上に偏光子を形成する工程と、前記偏光子の上に複数個のＴＦＴ素子を有する回路層を形成する工程と、前記回路層の上に配向膜を形成する工程と、前記回路層を形成する工程と前記配向膜を形成する工程の間、または前記配向膜を形成する工程の後、前記絶縁基板から前記支持基板を剥離する工程とを有し、前記第３の工程は、前記第１の基板と前記第２の工程で形成された前記第２の基板とをあらかじめ定められた間隔で保持するとともに、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶材料を封入し、前記絶縁基板を形成する工程は、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が８０％以上であり、３％重量減少温度が３００℃以上であり、かつ、融点を有しないか、または融点が２８０℃以上である絶縁基板を形成する表示装置の製造方法。
【００３６】
（１２）前記（９）乃至（１１）のいずれかの表示装置の製造方法において、前記絶縁基板を形成する工程は、脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、脂環式構造を含むポリアミドのいずれかの樹脂でなる絶縁基板を形成する表示装置の製造方法。
【００３７】
（１３）前記（９）乃至（１１）のいずれかの表示装置の製造方法において、前記絶縁基板を形成する工程は、ガラス転移点が２５０℃以上の樹脂でなる絶縁基板を形成する表示装置の製造方法。
【００３８】
（１４）前記（９）乃至（１１）のいずれかの表示装置の製造方法において、前記絶縁基板を形成する工程は、２５０℃以上であり、かつ、前記回路層を形成する工程において前記ＴＦＴ素子を形成する際の加熱温度よりも高い温度で加熱処理をする工程を有する表示装置の製造方法。
【００３９】
（１５）前記（１４）の表示装置の製造方法において、前記加熱処理をする工程は、窒素雰囲気下または真空下で行う表示装置の製造方法。
【００４０】
（１６）前記（９）乃至（１１）のいずれかの表示装置の製造方法において、前記支持基板として、ガラス基板または石英基板を用いる表示装置の製造方法。
【００４１】
（１７）前記（９）乃至（１１）のいずれかの表示装置の製造方法において、前記絶縁基板から前記支持基板を剥離する工程は、波長が２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外線を照射する工程を有する表示装置の製造方法。
【００４２】
（１８）前記（１０）または（１１）の表示装置の製造方法において、前記第２の工程は、支持基板の表面に樹脂でなる絶縁基板を形成する工程と、前記絶縁基板の上に偏光子を形成する工程と、前記偏光子の上に複数種類の色が異なるカラーフィルタを形成する工程と、前記カラーフィルタの上に配向膜を形成する工程とを有し、前記第３の工程は、前記第１の基板と前記支持基板を有する前記第２の基板とをあらかじめ定められた間隔で保持するとともに、前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶材料を封入し、前記第３の工程の後、前記第２の基板の前記絶縁基板から前記支持基板を剥離する工程を有する表示装置の製造方法。
【００４３】
（１９）前記（１０）または（１１）の表示装置の製造方法において、前記第２の工程は、支持基板の表面に樹脂でなる絶縁基板を形成する工程と、前記絶縁基板の上に偏光子を形成する工程と、前記偏光子の上に複数種類の色が異なるカラーフィルタを形成する工程と、前記カラーフィルタの上に配向膜を形成する工程と、前記カラーフィルタを形成する工程と前記配向膜を形成する工程の間、または前記配向膜を形成する工程の後、前記絶縁基板から前記支持基板を剥離する工程を有する表示装置の製造方法。
【００４４】
（２０）前記（１８）または（１９）の表示装置の製造方法において、前記第２の工程の前記絶縁基板を形成する工程は、脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、脂環式構造を含むポリアミドのいずれかの樹脂でなる絶縁基板を形成する表示装置の製造方法。
【００４５】
（２１）前記（９）乃至（１１）のいずれかの表示装置の製造方法において、前記第１の工程の前記偏光子を形成する工程は、ある１つの方向に延伸する複数本の金属細線が、前記１つの方向と直交する方向に等間隔で並んでなる偏光子を形成する表示装置の製造方法。
【発明の効果】
【００４６】
本発明の表示装置によれば、たとえば、液晶表示装置などの偏光子を有する表示装置のさらなる薄型化、軽量化ができる。
【００４７】
また、本発明の表示装置の製造方法によれば、プラスチック基板上にＴＦＴ素子などを有する回路層が形成された表示パネルを有する表示装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【００４８】
また、本発明の表示装置の製造方法によれば、たとえば、プラスチック基板上にＴＦＴ素子などを有する回路層が形成された表示パネルの製造コストの上昇を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明するが、その前に、まず、本発明における主要な特徴の１つである絶縁基板の材料について説明する。
【００５０】
本発明は、たとえば、液晶表示装置のように、絶縁基板の表面上にＴＦＴ素子などを有する回路層が形成された基板を有し、かつ、偏光子を有する表示装置に適用される。
【００５１】
液晶表示装置は、第１の基板と第２の基板との間に液晶材料を封入した液晶表示パネルを有する。第１の基板は、第１の絶縁基板の表面上に、たとえば、複数本の走査信号線、複数本の映像信号線、複数個のＴＦＴ素子、複数個の画素電極などを有する回路層、および配向膜が形成されており、一般に、ＴＦＴ基板と呼ばれている。第２の基板は、第２の絶縁基板の表面上に、たとえば、格子状の遮光膜（ブラックマトリクス）、カラーフィルタ、および配向膜が形成されており、一般に、対向基板と呼ばれている。
【００５２】
液晶表示装置に本発明を適用する場合、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板には、プラスチック基板（樹脂基板）を用いる。
【００５３】
このとき、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板は、たとえば、液晶表示パネルの強度を確保するという観点から、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下であることが望ましい。このとき、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板は、厚さが３０μｍ以上１００μｍ以下であると、より望ましい。
【００５４】
また、液晶表示装置は、バックライトや外光を利用して映像や画像を表示する表示装置である。そのため、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板は、波長が４００μｍ以上８００μｍ以下の可視光の透過率が８０％以上であることが望ましい。このとき、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板は、可視光の透過率が９０％以上であると、より望ましい。
【００５５】
また、液晶表示装置に本発明を適用する場合、ＴＦＴ基板を形成する工程では、後述するように、第１の絶縁基板の上に直接回路層を形成する。そのため、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板は、耐熱性が高い樹脂でなることが望ましく、たとえば、３％重量減少温度が３００℃以上であることが望ましい。なお、３％重量減少温度というのは、ある試料を一定速度で加熱しながらその重量変化を連続的に測定したときに、初期温度における重量から３％減少する温度のことである。このとき、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板は、１％重量減少温度が３００℃以上であると、より望ましい。
【００５６】
またこのとき、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板は、融点を有さないか、または融点が２８０℃以上であることが望ましい。なお、融点を有する場合は、融点が３００℃以上であると、より望ましい。
【００５７】
またさらに、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板は、たとえば、ガラス転移点が２５０℃以上であることが望ましい。このとき、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板は、ガラス転移点が３００℃以上であると、より望ましい。
【００５８】
以上のような特徴（物性）を持ち、かつ、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板として用いることが可能な樹脂としては、たとえば、脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、および脂環式構造を含むポリアミドが考えられる。すなわち、液晶表示装置に本発明を適用する場合、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板は、脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、脂環式構造を含むポリアミドのいずれかの樹脂であることが望ましい。このとき、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板は、たとえば、以下に示すような構造を有する樹脂であると、より望ましい。
【００５９】
第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板として、脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾールを用いる場合、たとえば、下記の構造式１で表されるポリベンゾオキサゾールを用いることが望ましい。
【００６０】
【化１】
2010032768.tif 000003
【００６１】
なお、構造式１において、Ｘ１は４価の芳香族基であり、Ｙ１は２価の脂環族基または芳香族基である。また、構造式１において、重合度ｎは５〜１００００程度である。
【００６２】
このとき、構造式１におけるＸ１は、たとえば、下記の構造式２乃至構造式６で表される芳香族基のいずれかであることが望ましい。
【００６３】
【化２】
2010032768.tif 000004
【００６４】
また、構造式１におけるＹ１は、たとえば、下記の構造式７乃至構造式１０で表される脂環族基のいずれかであることが望ましい。
【００６５】
【化３】
2010032768.tif 000005
【００６６】
またこのとき、構造式１で表される分子のＹ１の部分には、たとえば、耐熱性を向上させるための、下記の構造式１１乃至構造式１６で表される芳香族基のいずれかが含まれていてもよい。
【００６７】
【化４】
2010032768.tif 000006
【００６８】
なお、構造式１６において、Ａは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。
【００６９】
構造式１で表されるポリベンゾオキサゾールは、たとえば、下記の構造式１７で表される前駆体を加熱し、脱水環化することにより得られる。
【００７０】
【化５】
2010032768.tif 000007
【００７１】
なお、構造式１７におけるＸ１およびＹ１は、構造式１におけるＸ１およびＹ１と同じ構造を有する基である。すなわち、構造式１７におけるＸ１は、構造式２乃至構造式６のいずれかの芳香族基であることが望ましい。また、構造式１７におけるＹ１は、構造式７乃至構造式１０のいずれかの脂環族基であることが望ましい。また、構造式１７におけるＹ１には、構造式１１乃至構造式１６のいずれかの芳香族基が含まれていてもよい。構造式１７におけるＹ１の部分に、構造式１６の芳香族基が含まれる場合、構造式１６におけるＡは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。また、構造式１７における重合度ｎは、５〜１００００程度である。
【００７２】
またこのとき、構造式１および構造式１７で表される分子（重合体）は、すべての単量体におけるＸ１とＹ１の組み合わせが同じであってもよいし、Ｘ１とＹ１の組み合わせが異なる２種類以上の単量体の共重合体であってもよい。
【００７３】
またさらに、構造式１７で表される前駆体を脱水環化してポリベンゾオキサゾールを形成するときには、たとえば、前駆体に、耐熱性、機械特性、耐薬品性を向上させるための架橋剤を添加してもよい。
【００７４】
構造式１で表されるポリベンゾオキサゾールは、他の樹脂に比べて、吸湿率が低いという特徴がある。そのため、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板として、構造式１で表されるポリベンゾオキサゾールを用いた場合、たとえば、吸湿による液晶表示パネルの信頼性（特に、回路層に形成された回路の信頼性）の低下を防ぐことができる。
【００７５】
第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板として、脂環式構造を含むポリアミドイミドを用いる場合、たとえば、下記の構造式１８で表されるポリアミドイミドを用いることが望ましい。
【００７６】
【化６】
2010032768.tif 000008
【００７７】
なお、構造式１８において、Ｘ２は２価の脂環族基であり、Ｙ２は２価の芳香族基または脂環族基である。また、構造式１８において、重合度ｎは５〜１００００程度である。
【００７８】
また、構造式１８におけるＸ２は、たとえば、下記の構造式１９乃至構造式２１で表される脂環族基のいずれかである。
【００７９】
【化７】
2010032768.tif 000009
【００８０】
なお、構造式１９において、Ａは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。
【００８１】
また、構造式１８におけるＹ２は、たとえば、下記の構造式２２で表される芳香族基であることが望ましい。
【００８２】
【化８】
2010032768.tif 000010
【００８３】
なお、構造式２２において、Ｚは、たとえば、下記の構造式２３乃至構造式２５で表される芳香族基のいずれかである。
【００８４】
【化９】
2010032768.tif 000011
【００８５】
なお、構造式２３において、Ａは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。
【００８６】
また、構造式１８におけるＹ２は、たとえば、構造式１９乃至構造式２１で表される脂環族基のいずれか、または下記の構造式２６で表される構造を有する基であってもよい。
【００８７】
【化１０】
2010032768.tif 000012
【００８８】
なお、構造式２６において、Ｒ１およびＲ６は、それぞれ独立した２価の有機基であり、Ｒ２〜Ｒ５は、それぞれ独立した炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜１８のアリール基である。また、構造式２６において、重合度ｍは１〜５０程度である。また、構造式１８におけるＹ２が、構造式１９の脂環族基である場合、構造式１９におけるＡは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。
【００８９】
またこのとき、構造式１８で表される分子（重合体）は、すべての単量体におけるＸ２とＹ２の組み合わせが同じであってもよいし、Ｘ２とＹ２の組み合わせが異なる２種類以上の単量体の共重合体であってもよい。
【００９０】
またさらに、構造式１８で表されるポリアミドイミドを形成するときには、たとえば、耐熱性、機械特性、耐薬品性を向上させるための架橋剤を添加してもよい。
【００９１】
また、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板として、脂環式構造を含むポリアミドイミドを用いる場合、たとえば、下記の構造式２７で表されるポリアミドイミドを用いることもできる。
【００９２】
【化１１】
2010032768.tif 000013
【００９３】
なお、構造式２７において、Ｘ３は２価の脂環族基であり、Ｙ３は２価の芳香族基または脂環族基である。また、構造式２７において、重合度ｎは５〜１００００程度である。
【００９４】
また、構造式２７におけるＸ３およびＹ３は、それぞれ、たとえば、構造式２２で表される芳香族基である。このとき、構造式２２におけるＺは、たとえば、構造式２３乃至構造式２５のいずれかの芳香族基のいずれかである。またこのとき、構造式２２におけるＺが、構造式２３の芳香族基である場合、構造式２３におけるＡは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。
【００９５】
また、構造式２７におけるＸ３およびＹ３は、それぞれ、たとえば、構造式１９乃至構造式２１で表される脂環族基、または構造式２６で表される構造を有する基のいずれかであってもよい。構造式２７におけるＸ３およびＹ３が、構造式１９の脂環族基である場合、構造式１９におけるＡは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。また、構造式２７におけるＸ３およびＹ３が、構造式２６の構造（基）である場合、構造式２６におけるＲ１およびＲ６は、それぞれ独立した２価の有機基、Ｒ２〜Ｒ５は、それぞれ独立した炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜１８のアリール基であり、重合度ｍは１〜５０程度である。
【００９６】
またこのとき、構造式２７で表される分子（重合体）は、すべての単量体におけるＸ３とＹ３の組み合わせが同じであってもよいし、Ｘ３とＹ３の組み合わせが異なる２種類以上の単量体の共重合体であってもよい。
【００９７】
また、構造式２７で表されるポリアミドイミドを形成するときには、たとえば、耐熱性、機械特性、耐薬品性を向上させるための架橋剤を添加してもよい。
【００９８】
構造式１８または構造式２７で表されるポリアミドイミド系の樹脂は、吸湿性がやや高いものの、材料が安価であるという利点がある。そのため、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板として、構造式１８または構造式２７で表されるポリアミドイミド系の樹脂を用いた場合、液晶表示パネルの製造コストの上昇を抑えることができる。
【００９９】
第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板として、脂環式構造を含むポリイミドを用いる場合、具体的には、下記の構造式２８で表されるポリイミドを用いることが望ましい。
【０１００】
【化１２】
2010032768.tif 000014
【０１０１】
なお、構造式２８において、Ｘ４は４価の脂環族基であり、Ｙ４は２価の芳香族基または脂環族基である。また、構造式２８において、重合度ｎは５〜１００００程度である。
【０１０２】
また、構造式２８におけるＸ４は、たとえば、下記の構造式２９乃至構造式３１で表される脂環族基のいずれかである。
【０１０３】
【化１３】
2010032768.tif 000015
【０１０４】
なお、構造式３１において、Ａは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。
【０１０５】
また、構造式２８におけるＹ４は、たとえば、構造式２２で表される芳香族基である。このとき、構造式２２におけるＺは、たとえば、構造式２３乃至構造式２５のいずれかの芳香族基のいずれかである。構造式２２におけるＺが、構造式２３の芳香族基である場合、構造式２３におけるＡは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。
【０１０６】
また、構造式２８におけるＹ４は、たとえば、構造式２３乃至構造式２５で表される芳香族基、または構造式２６で表される構造を有する基のいずれかであってもよい。構造式２８におけるＹ４が、構造式２３の芳香族基である場合、構造式２３におけるＡは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。また、構造式２８におけるＹ４が、構造式２６の構造（基）である場合、構造式２６におけるＲ１およびＲ６は、それぞれ独立した２価の有機基、Ｒ２〜Ｒ５は、それぞれ独立した炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜１８のアリール基であり、重合度ｍは１〜５０程度である。
【０１０７】
また、構造式２８におけるＸ４およびＹ４は、それぞれ、たとえば、構造式１９乃至２１で表される脂環族基であってもよい。構造式２８におけるＸ４およびＹ４が、構造式１９の脂環族基である場合、構造式１９におけるＡは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。
【０１０８】
またこのとき、構造式２８で表される分子（重合体）は、すべての単量体におけるＸ４とＹ４の組み合わせが同じであってもよいし、Ｘ４とＹ４の組み合わせが異なる２種類以上の単量体の共重合体であってもよい。
【０１０９】
これらのポリイミドを形成するときには、前駆体であるポリアミック酸の状態で膜を形成した後、加熱硬化してポリイミド化させることが望ましい。このとき、ポリアミック酸には、たとえば、耐熱性、機械特性、耐薬品性を向上させるため架橋剤を添加してもよい。
【０１１０】
また、ポリイミドとして環化した状態で溶剤に可溶であり、ガラス基板などの支持基板に塗布することができる場合には、溶剤に溶かしたポリイミドを支持基板に塗布した後、加熱して溶剤を揮発させて形成しても良い。このとき、ポリイミドを溶かす溶剤には、たとえば、耐熱性、機械特性、耐薬品性を向上させるための架橋剤を添加してもよい。
【０１１１】
構造式２８で表されるポリイミド系の樹脂は、吸湿性が中程度であり、材料の価格という点でも中程度である。そのため、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板として、構造式２８で表されるポリイミド系の樹脂を用いた場合、吸湿による液晶表示パネルの信頼性の低下を抑えつつ、液晶表示パネルの製造コストの上昇を抑えることができる。
【０１１２】
第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板として、脂環式構造を含むポリアミドを用いる場合、たとえば、構造式３２で表されるポリアミドを用いることが望ましい。
【０１１３】
【化１４】
2010032768.tif 000016
【０１１４】
なお、構造式３２において、Ｘ５は２価の脂環族基であり、Ｙ５は２価の芳香族基または脂環族基である。また、構造式３２において、重合度ｎは５〜１００００程度である。
【０１１５】
また、構造式３２におけるＸ５は、たとえば、構造式１９乃至構造式２１で表される脂環族基のいずれかである。構造式３２におけるＸ５が、構造式１９の脂環族基である場合、構造式１９におけるＡは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。
【０１１６】
また、構造式３２におけるＹ５は、たとえば、構造式２２で表される芳香族基である。このとき、構造式２２におけるＺは、たとえば、構造式２３乃至構造式２５のいずれかの芳香族基のいずれかである。構造式２２におけるＺが、構造式２３の芳香族基である場合、構造式２３におけるＡは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。
【０１１７】
また、構造式３２におけるＹ５は、たとえば、構造式２３乃至構造式２５で表される芳香族基のいずれか、または構造式２６で表される構造を有する基のいずれかであってもよい。構造式３２におけるＹ５が、構造式２３の芳香族基である場合、構造式２３におけるＡは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。また、構造式３２におけるＹ５が、構造式２６の構造（基）である場合、構造式２６におけるＲ１およびＲ６は、それぞれ独立した２価の有機基、Ｒ２〜Ｒ５は、それぞれ独立した炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜１８のアリール基であり、重合度ｍは１〜５０程度である。
【０１１８】
また、構造式３２におけるＹ５は、たとえば、構造式１９乃至構造式２１で表される脂環族基のいずれかであってもよい。構造式３２におけるＹ５が、構造式１９の脂環族基である場合、構造式１９におけるＡは、−ＣＨ２−，−Ｃ（ＣＨ３）２−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＮＨＣＯ−，−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである。
【０１１９】
またこのとき、構造式３２で表される分子（重合体）は、すべての単量体におけるＸ５とＹ５の組み合わせが同じであってもよいし、Ｘ５とＹ５の組み合わせが異なる２種類以上の単量体の共重合体であってもよい。
【０１２０】
構造式３２で表されるポリアミド系の樹脂は、吸湿性がやや高いものの、熱膨張係数が小さいという利点がある。そのため、第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板の材料として、構造式３２で表されるポリアミド系の樹脂を用いた場合、たとえば、液晶表示パネルの内部応力を低くすることができる可能性がある。
【０１２１】
次に、上記のような脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、脂環式構造を含むポリアミドのいずれかでなる第１の絶縁基板を形成したときの物性について説明する。
【０１２２】
まず、脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾールでなる第１の絶縁基板の一例として、たとえば、下記の構造式３３で表される構造を有するポリベンゾオキサゾールでなる第１の絶縁基板を挙げる。
【０１２３】
【化１５】
2010032768.tif 000017
【０１２４】
なお、構造式３３において、重合度ｎ１／ｎ２は５０／５０である。
【０１２５】
構造式３３のポリベンゾオキサゾールを形成するときには、まず、たとえば、厚さが０．６ｍｍの石英基板（支持基板）の上に、下記の構造式３４で表されるポリベンゾオキサゾール前駆体の、γ-ブチロラクトン（ＢＬＯ）／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）＝９／１の溶液をスピンコートなどの方法で塗布する。そして次に、たとえば、１２０℃で１０分間のプリベークを行って塗布膜を得る。
【０１２６】
【化１６】
2010032768.tif 000018
【０１２７】
なお、構造式３４において、重合度ｎ１／ｎ２は５０／５０である。
【０１２８】
次に、たとえば、イナートガスオーブンを用い、窒素雰囲気下で、２００℃で３０分のベークした後、３５０℃で１時間の硬化ベークを行うと、構造式３３のポリベンゾオキサゾール膜が得られる。本願発明者らが物性を調べるために形成した例では、プリベーク後の塗布膜の膜厚が４５μｍであり、硬化ベーク後の膜厚は３５μｍであった。また、硬化後のポリベンゾオキサゾール膜は、無色透明であった。
【０１２９】
図１は、脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール膜の透過スペクトルの一例を示す模式グラフ図である。
なお、図１のグラフ図において、横軸は光の波長λ（ｎｍ）であり、縦軸は光の透過率ＴＲ（％）である。
【０１３０】
本願発明者らが上記の手順で形成した、構造式３３のポリベンゾオキサゾール膜について、波長λが３００ｎｍ〜８００ｎｍの光に対する透過スペクトルを調べたところ、図１に示すような結果が得られた。すなわち、波長λが４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視光領域の光の透過率ＴＲが８５％程度またはそれ以上であり、波長λが３４０ｎｍ以下の光（紫外線）の透過率は０％であることがわかった。
【０１３１】
また、本願発明者らは、シリコン基板上に上記と同様の手順で作成したポリベンゾオキサゾール膜を用いて、昇温脱ガス分析を行った。なお、昇温脱ガス分析は、ＥＳＣＯ電子科学（株）製ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用いて行った。その結果、硬化温度である３５０℃までは脱ガスが見られず、構造式３３のポリベンゾオキサゾール膜の耐熱性が高いことがわかった。また、このポリベンゾオキサゾール膜をシリコン基板から剥離して物性を測定したところ、ガラス転移点が２６９℃であり、熱膨張係数が５４ｐｐｍ／Ｋであることがわかった。また、熱重量分析による３％重量減少温度は、４４０℃であった。
【０１３２】
また、石英基板上に形成した構造式３３のポリベンゾオキサゾール膜、およびその他の１０種類の樹脂膜について、本願発明者らが光の透過率ＴＲ、３％重量減少温度Ｔ３％、ガラス転移点Ｔｇ、および熱膨張係数ＣＴＥを調べたところ、下記表１のような結果が得られた。
【０１３３】
【表１】
2010032768.tif 000019
【０１３４】
なお、表１における３％重量減少温度Ｔ３％（℃）は、エスアイアイ・ナノテクノロジー製ＴＧ／ＤＴＡ−６２００型を用い、測定温度範囲を３０℃〜６００℃、昇温速度を１０℃／分にして、窒素気流下で測定した。
【０１３５】
また、表１におけるガラス転移点Ｔｇ（℃）および熱膨張係数ＣＴＥ（ｐｐｍ／Ｋ）は、エスアイアイ・ナノテクノロジー製ＴＭＡ−１２０型を用い、測定温度範囲を３０℃〜３００℃、昇温速度を５℃／分にして、１０ｇ（グラム）の荷重による引張りモードで測定した。なお、表１におけるガラス転移点Ｔｇは、実際には、熱膨張係数ＣＴＥの値が大きく変化する温度であるが、便宜的にガラス転移点としている。
【０１３６】
表１における材料Ｍ１は、前述の石英基板上に形成した構造式３３のポリベンゾオキサゾール膜であり、３％重量減少温度Ｔ３％、ガラス転移点Ｔｇ、および熱膨張係数ＣＴＥの値が、前述のシリコン基板上に形成したポリベンゾオキサゾール膜における値と若干異なるものの、概ね同じ値になっている。
【０１３７】
表１における材料Ｍ２は、下記の構造式３５で表されるポリベンゾオキサゾール膜である。材料Ｍ２は、材料Ｍ１に比べて、３％重量減少温度Ｔ３％およびガラス転移点Ｔｇが低く、熱膨張係数ＣＴＥが大きい。
【０１３８】
【化１７】
2010032768.tif 000020
【０１３９】
表１における材料Ｍ３は、下記の構造式３６で表されるポリアミドイミド膜である。材料Ｍ３は、材料Ｍ１に比べて、波長４００ｎｍ付近の光の透過率ＴＲおよびガラス点移転Ｔｇが低く、熱膨張係数ＣＴＥが大きい。
【０１４０】
【化１８】
2010032768.tif 000021
【０１４１】
なお、構造式３６において、Ｑは、下記の構造式３７で表される芳香族基である。
【０１４２】
【化１９】
2010032768.tif 000022
【０１４３】
表１における材料Ｍ４は、下記の構造式３８で表されるポリアミドイミド膜である。材料Ｍ４は、材料Ｍ１に比べて、波長４００ｎｍ付近の光の透過率ＴＲおよびガラス点移転Ｔｇが低く、熱膨張係数ＣＴＥが大きい。
【０１４４】
【化２０】
2010032768.tif 000023
【０１４５】
表１における材料Ｍ５は、下記の構造式３９で表されるポリアミドイミド膜である。材料Ｍ５は、同じポリアミドイミド系の材料Ｍ３および材料Ｍ４に比べて、波長４００ｎｍ付近の光の透過率ＴＲが高いものの、ガラス点移転Ｔｇが低く、熱膨張係数ＣＴＥが大きい。
【０１４６】
【化２１】
2010032768.tif 000024
【０１４７】
表１における材料Ｍ６は、下記の構造式４０で表されるポリイミド膜である。材料Ｍ６は、材料Ｍ１乃至材料Ｍ５に比べて、ガラス転移温度Ｔｇが高い。
【０１４８】
【化２２】
2010032768.tif 000025
【０１４９】
表１における材料Ｍ７は、下記の構造式４１で表されるポリイミド膜である。
【０１５０】
【化２３】
2010032768.tif 000026
【０１５１】
表１における材料Ｍ８は、下記の構造式４２で表されるポリイミド膜である。材料Ｍ８は、３％重量減少温度Ｔ３％が低いものの、ガラス転移温度Ｔｇが高く、熱膨張係数ＣＴＥが小さい。
【０１５２】
【化２４】
2010032768.tif 000027
【０１５３】
表１における材料Ｍ９は、下記の構造式４３で表されるポリイミド膜である。材料Ｍ９は、３％重量減少温度Ｔ３％が低いものの、ガラス転移温度Ｔｇが高く、熱膨張係数ＣＴＥが小さい。
【０１５４】
【化２５】
2010032768.tif 000028
【０１５５】
表１における材料Ｍ１０は、下記の構造式４４で表されるポリアミド膜である。材料Ｍ１０は、可視光領域の光の透過率ＴＲが低いものの、熱膨張係数ＣＴＥが非常に小さい。
【０１５６】
【化２６】
2010032768.tif 000029
【０１５７】
表１における材料Ｍ１１は、下記の構造式４５で表されるポリアミド膜である。材料Ｍ１１は、可視光領域の光の透過率ＴＲや３％重量減少温度Ｔ３％が低いものの、熱膨張係数ＣＴＥが非常に小さい。
【０１５８】
【化２７】
2010032768.tif 000030
【０１５９】
また、表１には示していないが、上記の材料Ｍ１乃至材料Ｍ１１は、いずれも、３００℃までは溶融を示さず、融点が３００℃以上であることがわかった。
【０１６０】
ところで、上記のような脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、および脂環式構造を含むポリアミドは、通常、複屈折を持つ。そのため、上記の脂環式構造を含む樹脂のそれぞれで、膜厚２０μｍ以上１５０μｍ以下の樹脂フィルムを形成した場合、多くの樹脂フィルムでは、リタデーションが１０ｎｍ以上になる。したがって、従来の液晶表示装置のように、第１の偏光子と第２の偏光子との間に第１の絶縁基板および第２の絶縁基板が配置されていると、たとえば、黒表示時に、絶縁基板における複屈折による光漏れが生じる。そのため、液晶表示装置（液晶表示パネル）に本発明を適用するときには、たとえば、第１の絶縁基板と液晶材料３（回路層）の間に第１の偏光子を配置し、第２の絶縁基板と液晶材料との間に第２の偏光子を配置することで、黒表示時の光漏れを防ぐ。
【０１６１】
なお、第２の絶縁基板の材料は、上記のような脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、および脂環式構造を含むポリアミドである必要はなく、たとえば、ポリカーボネートやポリエーテルスルホンなどのリタデーションが非常に小さい透明な樹脂を用いることも可能である。第２の絶縁基板の材料として、複屈折が非常に小さい樹脂を用いた場合、対向基板に設ける第２の偏光子は、第２の絶縁基板から見て液晶材料とは反対側、すなわちカラーフィルタや第２の配向膜が形成された面の裏面に配置することもできる。
【０１６２】
以下、上記のような脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、および脂環式構造を含むポリアミドのいずれかでなる第１の絶縁基板、または第１の絶縁基板および第２の絶縁基板を有する液晶表示パネルおよびその製造方法の実施例を説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【０１６３】
図２（ａ）乃至図２（ｃ）は、本発明による実施例１の液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式図である。
図２（ａ）は、実施例１の液晶表示パネルの平面構成の一例を示す模式平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。図２（ｃ）は、液晶表示パネルの１つの画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。
【０１６４】
実施例１では、本発明を適用した液晶表示パネルの一例として、横電界駆動方式であり、かつ、透過型の液晶表示パネルを例に挙げる。
【０１６５】
実施例１の液晶表示パネルは、たとえば、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、第１の基板１（以下、ＴＦＴ基板という）、第２の基板２（以下、対向基板という）、およびＴＦＴ基板１と対向基板２との間に介在する液晶材料３とを有する。このとき、ＴＦＴ基板１と対向基板２とは、たとえば、表示領域ＤＡを囲むように環状に設けられたシール材（図示しない）およびスペーサ（図示しない）により、あらかじめ定められた間隔を保つように保持されており、液晶材料３は、ＴＦＴ基板１、対向基板２、およびシール材で囲まれた空間に封入（密封）されている。また、ＴＦＴ基板１は、対向基板２よりも面積が広く、ＴＦＴ基板１の対向基板２と重なっていない領域には、たとえば、液晶表示パネルを駆動させるための信号を生成する回路を有するＩＣチップ４が実装されている。
【０１６６】
ＴＦＴ基板１は、たとえば、第１の絶縁基板１００、第１のバリア層１０１、第１の偏光子１０２、下地層１０３、回路層１０４、第１の配向膜１０５、および第２のバリア層１０６を有する。このとき、第１の絶縁基板１００は、たとえば、前述の脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、および脂環式構造を含むポリアミドのいずれかの樹脂でなるプラスチック基板である。またこのとき、回路層１０４には、たとえば、複数本の走査信号線ＧＬ、複数本の映像信号線ＤＬ、複数個のＴＦＴ素子、複数個の画素電極、複数個の対向電極、および複数の絶縁層を有する回路が形成されている。
【０１６７】
またさらに、実施例１の液晶表示パネルにおいて、第１の絶縁基板１００の厚さＨ１は、回路層１０４の厚さＨ２や液晶材料３の厚さＨ３に比べて十分に厚く、たとえば、２０μｍ以上１５０μｍ以下（より望ましくは、３０μｍ以上１００μｍ以下）であり、複屈折を持つ。そのため、実施例１の液晶表示パネルでは、第１の偏光子１０２をＴＦＴ基板１に内蔵し、第１の絶縁基板１００と回路層１０４との間に配置している。
【０１６８】
対向基板２は、たとえば、第２の絶縁基板２００、第３のバリア層２０１、第２の偏光子２０２、フィルタ層２０３、第２の配向膜２０４、および第４のバリア層２０５を有する。このとき、第２の絶縁基板２００は、たとえば、前述の脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、および脂環式構造を含むポリアミドのいずれかの樹脂でなるプラスチック基板である。またこのとき、第２の絶縁基板２００は、第１の絶縁基板１００と同じ樹脂でなることが望ましい。
【０１６９】
またさらに、実施例１の液晶表示パネルにおいて、第２の絶縁基板２００の厚さＨ４は、回路層１０４の厚さＨ２や液晶材料３の厚さＨ３に比べて十分に厚く、たとえば、２０μｍ以上１５０μｍ以下（より望ましくは、３０μｍ以上１００μｍ以下）であり、複屈折を持つ。そのため、実施例１の液晶表示パネルでは、第２の偏光子２０２を対向基板２に内蔵し、第２の絶縁基板２００とフィルタ層２０３との間に配置している。
【０１７０】
液晶表示パネルの表示領域ＤＡは、たとえば、ｘ方向およびｙ方向にマトリクス状に配置された画素の集合で構成されている。このとき、１つの画素が占有する領域は、たとえば、隣接する２本の走査信号線ＧＬと隣接する２本の映像信号線ＤＬとで囲まれる領域に相当する。
【０１７１】
１つの画素は、たとえば、図２（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子Ｔｒ、ＴＦＴ素子Ｔｒのソースに接続された画素電極ＰＸ、コモン配線に接続された対向電極ＣＴを有する。このとき、ＴＦＴ素子Ｔｒは、ゲートが隣接する２本の走査信号線ＧＬのうちの１本に接続しており、ドレインが隣接する２本の映像信号線ＤＬのうちの１本に接続している。
【０１７２】
また、１つの画素は、たとえば、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、および液晶材料３からなる画素容量ＣＬＣ（液晶容量と呼ぶこともある。）と、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、および回路層１０４の絶縁層からなる保持容量ＣＳＴ（補助容量または蓄積容量と呼ぶこともある。）とを有する。なお、保持容量ＣＳＴは、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴとは異なる導電層、および回路層１０４の絶縁層からなることもある。
【０１７３】
図３（ａ）乃至図３（ｄ）は、実施例１の液晶表示パネルにおける回路層およびフィルタ層の構成の一具体例を示す模式図である。
図３（ａ）は、ＴＦＴ基板における１つの画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。図３（ｂ）は、対向基板における１つの画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。図３（ｃ）は、図３（ｂ）のＢ−Ｂ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。図３（ｄ）は、図３（ｂ）のＣ−Ｃ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
【０１７４】
実施例１の液晶表示パネルは、ＴＦＴ基板１の回路層１０４における１つの画素の構成が、たとえば、図３（ａ）、図３（ｂ）、および図３（ｃ）に示したような構成になっており、下地層１０３の上には、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層１０４ａが形成されている。ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層１０４ａは、たとえば、アモルファスシリコンなどのアモルファス半導体、または多結晶シリコンなどの多結晶半導体で形成されている。
【０１７５】
また、下地層１０３の上には、半導体層１０４ａを覆う第１の絶縁層１０４ｂが形成されており、第１の絶縁層１０４ｂの上には、走査信号線ＧＬが形成されている。第１の絶縁層１０４ｂは、たとえば、酸化シリコン（ＳｉＯ）などで形成されている。走査信号線ＧＬは、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）など金属で形成されている。
【０１７６】
また、第１の絶縁層１０４ｂの上には、走査信号線ＧＬを覆う第２の絶縁層１０４ｃが形成されており、第２の絶縁層１０４ｃの上には、映像信号線ＤＬおよびＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極１０４ｄが形成されている。映像信号線ＤＬは、ＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極としての機能を有し、第１の絶縁層１０４ｂおよび第２の絶縁層１０４ｃを貫通する第１のコンタクトホール（図示しない）により半導体層１０４ａのドレイン領域に接続している。ソース電極１０４ｄは、第１の絶縁層１０４ｂおよび第２の絶縁層１０４ｃを貫通する第２のコンタクトホール（図示しない）により半導体層１０４ａのソース領域に接続している。第２の絶縁層１０４ｃは、たとえば、酸化シリコンまたは窒化シリコン（ＳｉＮ）で形成されている。映像信号線ＤＬおよびソース電極１０４ｄは、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）などの金属で形成されている。
【０１７７】
また、第２の絶縁層１０４ｃの上には、映像信号線ＤＬおよびソース電極１０４ｄを覆う第３の絶縁層１０４ｅおよび第４の絶縁層１０４ｆが形成されており、第４の絶縁層１０４ｆの上には、対向電極ＣＴが形成されている。このとき、対向電極ＣＴは、ｘ方向に並んだ複数の画素で共有される帯状の電極であり、たとえば、表示領域ＤＡの外側でコモン配線に接続している。またこのとき、第３の絶縁層１０４ｅおよび第４の絶縁層１０４ｆは、ソース電極１０４ｄの上に貫通穴（図示しない）が形成されている。第３の絶縁層１０４ｅは、たとえば、酸化シリコンまたは窒化シリコンで形成されており、第４の絶縁層１０４ｆは、たとえば、アクリル樹脂で形成されている。対向電極ＣＴは、たとえば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電体で形成されている。
【０１７８】
また、第４の絶縁層１０４ｆの上には、対向電極ＣＴを覆う第５の絶縁層１０４ｇが形成されており、第５の絶縁層１０４ｇの上には、画素電極ＰＸが形成されている。このとき、画素電極ＰＸは、たとえば、図３（ａ）および図３（ｄ）に示したように、ｙ方向に延在する３つの帯状部分を有する平面形状をしており、かつ、第５の絶縁層１０４ｇに形成された第３のコンタクトホール（図示しない）によりソース電極１０４ｄに接続している。画素電極ＰＸは、たとえば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電膜で形成されている。
【０１７９】
また、第５の絶縁層１０４ｇの上には、画素電極ＰＸを覆う第１の配向膜１０５が形成されている。
【０１８０】
一方、対向基板２のフィルタ層２０３は、たとえば、図３（ｂ）、図３（ｃ）、および図３（ｄ）に示すような構成になっており、第２の偏光子２０２の上には、ブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜２０３ａ、カラーフィルタ２０３ｂが形成されている。遮光膜２０３ａは、たとえば、表示領域ＤＡを画素毎の開口領域に分割する格子状の膜であり、ＴＦＴ基板１の走査信号線ＧＬおよびＴＦＴ素子、ならびに映像信号線ＤＬと重なる位置を通るように設けられている。遮光膜２０３ａは、たとえば、黒色の感光性材料または金属材料で形成されている。
【０１８１】
液晶表示パネルがＲＧＢ方式のカラー表示に対応している場合、カラーフィルタ２０３ｂは、赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタの３色のフィルタからなり、遮光膜２０３ａの１つの開口領域には、３色のフィルタのうちの１色のフィルタが配置されている。このとき、遮光膜２０３ａのｘ方向に並んだ開口領域には、たとえば、赤色フィルタ、緑色フィルタ、および青色フィルタが、この順番で繰り返し配置されている。赤色フィルタ、緑色フィルタ、および青色フィルタ色は、たとえば、それぞれの色の色素を含む感光性材料膜で形成されている。
【０１８２】
また、遮光膜２０３ａおよびカラーフィルタ２０３ｂの上には、オーバーコート層（平坦化膜）２０３ｃが形成されており、オーバーコート層２０３ｃの上には、第２の配向膜２０４が形成されている。
【０１８３】
なお、図３（ａ）乃至図３（ｄ）に示した回路層１０４およびフィルタ層２０３の構成は、実施例１の液晶表示パネルにおける回路層１０４およびフィルタ層２０３の構成の一例であり、これらの構成が適宜変更可能であることはもちろんである。
【０１８４】
次に、図４（ａ）乃至図４（ｆ）に沿って、実施例１の液晶表示パネルの製造方法について説明する。
【０１８５】
図４（ａ）乃至図４（ｆ）は、実施例１の液晶表示パネルの製造方法の一例を示す模式図である。
図４（ａ）は、第１の支持基板の上に第１の絶縁基板を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。図４（ｂ）は、第１のバリア層および第１の偏光子を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。図４（ｃ）は、下地層および回路層ならびに第１の配向膜を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。図４（ｄ）は、第２の支持基板の上に対向基板を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。図４（ｅ）は、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶材料を封入した直後の断面構成を示す模式断面図である。図４（ｆ）は、第１の支持基板および第２の支持基板を剥離した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【０１８６】
実施例１の液晶表示パネルは、第１の絶縁基板１００および第２の絶縁基板２００として、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下（より望ましくは、３０μｍ以上１００μｍ以下）のフィルム状のプラスチック基板（樹脂基板）を用いる。このとき、実施例１の液晶表示パネルは、以下のような手順で製造する。
【０１８７】
ＴＦＴ基板１を製造する第１の工程では、まず、図４（ａ）に示すように、第１の支持基板５の表面に、たとえば、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下（より望ましくは、３０μｍ以上１００μｍ以下）の第１の絶縁基板１００を形成する。第１の支持基板５には、たとえば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、金属基板などの耐熱性が高い基板を用いる。なお、実施例１の液晶表示パネルの製造方法では、第１の支持基板５の上にＴＦＴ基板１（第２のバリア層１０６を除く）を形成した後、後述するように、光（紫外線）を照射して第１の絶縁基板１００から第１の支持基板５を剥離する。そのため、第１の支持基板５は、ガラス基板、石英基板などの透明な基板であることが望ましい。
【０１８８】
また、第１の絶縁基板１００を形成するときには、まず、前述の脂環式構造を有する樹脂を溶かした溶液、またはそれらの樹脂の前駆体を溶かした溶液を、たとえば、スピンコートやスリットコートにより第１の支持基板５の表面に塗布する。このとき、通常の樹脂の形成方法では、スピンコートやスリットコートで溶液を塗布した後に、溶媒を揮発させるためのプリベークを行う。その後、窒素ガスのような不活性ガスの雰囲気下または真空下において、２５０℃以上の温度で硬化ベークを行う。硬化ベークは、空気中で行うことも可能であるが、空気中で硬化ベークを行うと、たとえば、酸化による着色を引き起こす原因となる。そのため、硬化ベークは、窒素雰囲気下または真空下で行うことが望ましい。
【０１８９】
また、硬化ベークを行う温度は、樹脂材料が分解しない温度であり、かつ、後で行うＴＦＴ素子の形成工程における温度より高い温度が望ましい。そのため、硬化ベークは、たとえば、３００℃以上４５０℃以下で行うことが望ましい。
【０１９０】
次に、図４（ｂ）に示すように、第１の絶縁基板１００の上に、第１のバリア層１０１および第１の偏光子１０２を形成する。第１のバリア層１０１は、たとえば、第１の絶縁基板１００として用いる樹脂が吸収した水分や酸素などが回路層１０４に進入するのを防ぐための膜である。そのため、第１のバリア層１０１は、たとえば、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）などの無機材料で形成することが望ましい。
【０１９１】
このとき、第１のバリア層１０１の厚さは、たとえば、１０ｎｍ以上２０００ｎｍにすることが望ましい。またこのとき、第１のバリア層１０１は、厚さを５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下にすると、より望ましい。また、第１のバリア層１０１は、単一材料でなる無機材料膜に限らず、必要に応じて２種類以上の無機材料膜を積層してもよい。
【０１９２】
なお、上記の無機材料膜の形成方法としては、スパッタ法、反応性プラズマ蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などが挙げられるが、第１のバリア層１０１は、有機化合物である第１の絶縁基板１００の上に形成するので、第１の絶縁基板１００に対するダメージを小さくするという点で、形成温度が比較的低温である方法で形成することが望ましい。
【０１９３】
したがって、第１のバリア層１０１を形成するときには、たとえば、ＣＶＤ法を用い、３００℃前後の温度下で厚さ２００ｎｍ程度の窒化シリコン膜を成膜して形成する。このとき、第１の絶縁基板１００は、前述の耐熱性が高い樹脂で形成されているので、第１のバリア層１０１を形成する工程において第１の絶縁基板１００が変形または変質するようなことはない。
【０１９４】
また、第１の偏光子１０２は、回路層１０４を形成する工程における加熱処理（たとえば、３００℃前後で行う処理）に耐える必要があるため、耐熱性の高い材料で形成する必要がある。したがって、従来の液晶表示装置で用いられている、ヨウ素で染色したポリビニルアルコールを延伸したような偏光子は、第１の偏光子１０２として不適当である。
【０１９５】
耐熱性が高い偏光子の例としては、ワイヤグリッドと呼ばれる構造の偏光子（以下、ワイヤグリッド偏光子という）が挙げられる。ワイヤグリッド偏光子は、たとえば、アルミニウム等の金属膜を形成し、その金属膜をパターンニングしてグリッド状にした構造の偏光子である。このとき、第１の偏光子１０２は、たとえば、第１のバリア層１０１の上に、ある１つの方向に延在する金属細線を、その１つの方向と直交する方向に等間隔で並べたような形状になっている。このとき、金属細線の間隔は、たとえば、５０ｎｍから３００ｎｍ程度にすることが望ましい。またこのとき、金属細線の間隔は、たとえば、１００ｎｍから１５０ｎｍ程度にすると、より望ましい。また、金属細線の高さは、たとえば、５０ｎｍから４００ｎｍ程度にすることが望ましい。またこのとき、金属細線の高さは、たとえば、１００ｎｍから３００ｎｍ程度にすると、より望ましい。
【０１９６】
また、ワイヤグリッド偏光子（金属細線）の材質としては、たとえば、金、銀、アルミニウム、シリコンなどが挙げられるが、回路層１０４の下部に配置することから、半導体を汚染するような重金属でないもの、または重金属を含まないもの、あるいは影響の小さいものが望ましい。
【０１９７】
また、ワイヤグリッド偏光子は、たとえば、光リソグラフィ技術または電子線リソグラフィ技術を使って形成してもよいし、光の二光束干渉によるパターン形成法を使って形成してもよい。またさらに、ワイヤグリッド偏光子は、たとえば、ナノインプリント技術や、高分子のブロック共重合体による自己組織化を使って形成してもよい。
【０１９８】
なお、第１の偏光子１０２としてワイヤグリッド偏光子を用いる場合は、スペース部（金属細線の間隙部分）を平坦化層で埋めて、下地層１０３などを形成する面を平坦化することが望ましい。平坦化層の材料としては、真空成膜技術によるＳｉ系の無機膜（たとえば、ＳｉＯ２やＳｉＮ）、または塗布型のゾルゲル材料などが挙げられる。また、平坦化層の材料は、透明性があり、その後のＴＦＴ素子を形成する工程での温度に耐えるものであれば、上記の材料に限らず、別の材料であってもよい。このとき、平坦化層の材料は、熱膨張係数が、ワイヤグリッド偏光子の金属材料の熱膨張係数に近いものが望ましい。またさらに、平坦化層の材料には、有機系の材料でも透明で耐熱性があるものであれば用いることができる。平坦化層の材料として用いることができる有機系の材料には、たとえば、第１の絶縁基板１００に用いた脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、脂環式構造を含むポリアミド材料などが挙げられる。
【０１９９】
したがって、第１の偏光子１０２としてワイヤグリッド偏光子を用いる場合は、たとえば、まず、第１のバリア層１０１の上に、厚さ２００ｎｍ程度のアルミニウムの蒸着膜を形成する。そして、蒸着膜の上に、位相シフトマスクを用いるフォトリソグラフィ法によりエッチングレジストを形成し、蒸着膜をエッチングして、間隔が１５０ｎｍ程度のグリッドからなる偏光子を形成する。また、ワイヤグリッド偏光子を形成した後、たとえば、平坦化層として、厚さ３００ｎｍ程度の酸化シリコン膜を形成する。
【０２００】
なお、第１の偏光子１０２は、耐熱性が高く、かつ、第１の絶縁基板１００の上に直接形成できる偏光子であれば、上記のワイヤグリッド偏光子に限らず、他の構成（構造）の偏光子でもよい。
【０２０１】
次に、図４（ｃ）に示すように、第１の偏光子１０２の上に下地層１０３、回路層１０４、および第１の配向膜１０５を形成する。下地層１０３は、たとえば、第１のバリア層１０２と同様に、酸化シリコンなどの無機材料を用いて形成する。また、第１の偏光子１０２がワイヤグリッド偏光子である場合、下地層１０３が平坦化層を兼ねていてもよい。
【０２０２】
回路層１０４および第１の配向膜１０５は、従来のＴＦＴ基板１の製造方法における手順、またはそれを応用した手順で形成すればよい。そのため、回路層１０４および第１の配向膜１０５の形成手順の詳細な説明は省略する。
【０２０３】
回路層１０４に形成するＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層１０４ａが、たとえば、アモルファスシリコンである場合、ＴＦＴ素子Ｔｒを形成する工程には、３００℃前後という高温で行う工程が含まれる。しかしながら、第１の絶縁基板１００および第１の偏光子１０２は、それぞれ、耐熱性の高い材料で形成されている。そのため、実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法では、回路層１０４を形成する工程で第１の絶縁基板１００および第１の偏光子１０２が変形または変質することはない。
【０２０４】
また、上記のような手順でＴＦＴ基板１を製造する場合、第１の偏光子１０２、回路層１０４、第１の配向膜１０５などは、たとえば、第１の絶縁基板１００がガラス基板である従来のＴＦＴ基板を製造するときに使用する製造装置で形成することができる。
【０２０５】
また、第１の絶縁基板１００に用いる樹脂材料は、従来のＴＦＴ基板で用いられているガラス基板に比べて熱膨張係数が大きいが、実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法では、ガラス基板などの熱膨張係数が小さい第１の支持基板５に第１の絶縁基板１００を固着させた状態で第１の偏光子１０２、回路層１０４、第１の配向膜１０５などを形成する。そのため、実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法では、たとえば、回路層１０４を形成する工程における加熱時の第１の絶縁基板１００の熱膨張を抑制することができ、ＴＦＴ素子Ｔｒなどの形成位置のずれを低減することができる。
【０２０６】
一方、対向基板２を形成する第２の工程は、たとえば、図３（ｄ）に示すように、第２の支持基板６の上に、第２の絶縁基板２００、第３のバリア層２０１、第２の偏光子２０２、フィルタ層２０３、および第２の配向膜２０４を、この順序で形成する。
【０２０７】
第２の支持基板６は、第１の支持基板５と同様に、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、金属基板などの耐熱性が高い基板を用いる。なお、実施例１の液晶表示パネルの製造方法では、第２の支持基板６の上に対向基板２（第４のバリア層２０５を除く）を形成した後、後述するように、光（紫外線）を照射して第２の絶縁基板２００から第２の支持基板６を剥離する。そのため、第２の支持基板６は、ガラス基板、石英基板などの透明な基板であることが望ましい。
【０２０８】
第２の絶縁基板２００は、たとえば、第１の絶縁基板１００と同じ材料を用い、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下（より望ましくは、３０μｍ以上１００μｍ以下）になるように形成する。
【０２０９】
第３のバリア層２０１は、たとえば、第１のバリア層１０１と同様に、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機材料を用いて形成する。
【０２１０】
第２の偏光子２０２は、たとえば、第１の偏光子１０２と同様のワイヤグリッド偏光子にする。このとき、第２の偏光子２０２における金属細線の延在方向は、たとえば、第１の偏光子１０２における金属細線の延在方向と直交する方向、または平行な方向のいずれかにする。
【０２１１】
フィルタ層２０３および第２の配向膜２０４は、従来の対向基板２の製造方法における手順、またはそれを応用した手順で形成すればよい。そのため、フィルタ層２０３および第２の配向膜２０４の形成手順の説明は省略する。
【０２１２】
対向基板２を形成する工程において、最も高い温度で行われる工程は、通常、カラーフィルタ２０３ｂを形成する工程であり、その温度は２００℃前後である。そのため、第２の絶縁基板２００および第２の偏光子２０２に用いる材料は、実質的に、２００℃程度の温度に対する耐熱性を有する材料であればよい。したがって、実施例１の液晶表示パネルの製造方法のように、第１の絶縁基板１００と同じ材料で第２の絶縁基板２００を形成し、かつ、第１の偏光子１０２と同じ構成の第２の偏光子２０２を形成すれば、対向基板２を形成する工程で第２の絶縁基板２００および第２の偏光子２０２が変形または変質することはない。
【０２１３】
また、上記のような手順で対向基板２を製造する場合、第２の偏光子２０２、フィルタ層２０３、第２の配向膜２０４などは、たとえば、第２の絶縁基板２００がガラス基板である従来の対向基板を製造するときに使用する製造装置で形成することができる。
【０２１４】
上記の手順で第１の支持基板５の上にＴＦＴ基板１（第２のバリア層１０６を除く）を形成し、第２の支持基板６の上に対向基板２（第４のバリア層２０５）を形成したら、次に、図４（ｅ）に示すように、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを貼り合わせ、液晶材料３を封入する。この工程は、たとえば、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを開いた環状のシール材で貼り合わせた後、液晶材料を注入し、シール材の開いた部分を封止する。また、この工程は、たとえば、ＴＦＴ基板１の第１の配向膜の上に閉じた環状のシール材を塗布し、シール材で囲まれた領域に液晶材料を滴下した後、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを貼り合わせてもよい。
【０２１５】
またこのとき、ＴＦＴ基板１および対向基板２は、それぞれ、第１の支持基板５および第２の支持基板６に固着させたまま貼り合わせる。このようにすると、ＴＦＴ基板１と対向基板２との貼り合わせは、従来のガラス基板を用いたＴＦＴ基板１と対向基板２を貼り合わせるときに使用する装置で行うことができる。
【０２１６】
次に、図４（ｆ）に示すように、第１の支持基板５を第１の絶縁基板１００から剥離し、第２の支持基板６を第２の絶縁基板２００から剥離する。
【０２１７】
第１の支持基板５を第１の絶縁基板１００から剥離するときには、たとえば、第１の支持基板５の、第１の絶縁基板１００との界面の裏面から紫外線を照射して、第１の支持基板５と第１の絶縁基板１００との密着力を低下させて剥離する。同様に、第２の支持基板６を第２の絶縁基板２００から剥離するときには、たとえば、第２の支持基板６の、第２の絶縁基板２００との界面の裏面から紫外線を照射して、第２の支持基板６と第２の絶縁基板２００との密着力を低下させて剥離する。
【０２１８】
このとき、照射する紫外線は、たとえば、波長が２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の紫外線が望ましい。またこのとき、照射する紫外線は、たとえば、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザ光または波長２４８ｎｍのＫｒＦのエキシマレーザ光などのレーザ光、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）や第４高調波（波長２６６ｎｍ）が望ましい。またさらに、照射する紫外線は、たとえば、水銀ランプまたはキセノン水銀ランプの輝線であるｇ線（波長４３６ｎｍ），ｈ線（波長４０５ｎｍ），ｉ線（波長３６５ｎｍ），波長３１３ｎｍ，波長２５４ｎｍの紫外線なども使うこともできる。
【０２１９】
なお、照射する紫外線（光）は、波長が３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であと、より望ましい。この波長帯の光は、第１の支持基板５および第２の支持基板６として用いるガラス基板を効率的に透過し、かつ、第１の絶縁基板１００および第２の絶縁基板２００として用いるプラスチック基板（樹脂フィルム）は透過しにくい場合が多い。そのため、たとえば、照射した紫外線が第１の絶縁基板１００または第２の絶縁基板２００を透過して、内部の回路層１０４などにダメージを与える可能性を低減できる。
【０２２０】
またこのとき、照射する紫外線（光）は、より具体的に言うと、たとえば、第１の絶縁基板１００および第２の絶縁基板２００における透過率が５０％以下になる波長の光であることが望ましく、透過率が１０％以下になる波長の光であると、より望ましい。第１の絶縁基板１００における透過率が１０％以下、またはそれに低い値になる波長の光は、第１の支持基板５の裏面から照射したときに、第１の支持基板５と第１の絶縁基板１００の界面で吸収されて効率的に働き、剥離が起きやすくなる。
【０２２１】
したがって、第１の支持基板５を第１の絶縁基板１００から剥離するときには、第１の支持基板５の裏面から、たとえば、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザ光を照射する。同様に、第２の支持基板６を第２の絶縁基板２００から剥離するときには、第２の支持基板６の裏面から、たとえば、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザ光を照射する。このとき、ＸｅＣｌエキシマレーザ光は、たとえば、パルス幅３０ｎｓ、エネルギー密度１５０ｍＪ／ｃｍ２／ショットのレーザ光を５０ショット照射する。
【０２２２】
またこのとき、第１の支持基板５として石英基板を用いると、石英基板は、ガラス基板では透過しにくい、より波長の短い紫外線が透過するので、たとえば、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光を照射して、第１の支持基板５と第１の絶縁基板１００との密着力を低下させることもできる。このとき、ＫｒＦエキシマレーザ光は、たとえば、パルス幅２０ｎｓ、エネルギー密度５０ｍＪ／ｃｍ２／ショットのレーザ光を１０ショット照射する。
【０２２３】
第１の支持基板６を第１の絶縁基板１００から剥離し、第２の支持基板５を第２の絶縁基板２００から剥離したら、最後に、図２（ｂ）に示したように、第１の絶縁基板１００の裏面に第２のバリア層１０６を形成し、第２の絶縁基板２００の裏面に第４のバリア層２０５を形成する。第２のバリア層１０６および第４のバリア層２０５は、それぞれ、第１の絶縁基板１００および第２の絶縁基板２００の吸湿を防ぐための膜であり、たとえば、第１のバリア層１０１と同様の無機材料で形成する。
【０２２４】
また、上記の説明では、第１の支持基板５および第２の支持基板６を剥離してから、第２のバリア層１０６および第４のバリア層２０５を形成している。しかしながら、実施例１の液晶表示パネルを形成するときには、たとえば、まず、第１の支持基板５のみを剥離して第１の絶縁基板１００の裏面に第２のバリア層１０６を形成し、その後、第２の支持基板６を剥離して第２の絶縁基板２００の裏面に第４のバリア層２０５を形成してもよい。
【０２２５】
以上説明したように、実施例１の液晶表示パネルによれば、第１の絶縁基板１００および第２の絶縁基板２００を、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下のプラスチック基板にすることができる。そのため、実施例１の液晶表示パネルは、たとえば、液晶表示装置のさらなる薄型化および軽量化を可能にする。
【０２２６】
またさらに、実施例１の液晶表示パネルは、たとえば、表示領域ＤＡを曲面にした液晶表示装置や、使わないときには丸めたり曲げたりして小さくできる液晶表示装置の実現の可能性を高める。
【０２２７】
また、実施例１の液晶表示パネルの製造方法によれば、第１の支持基板５に固着されたＴＦＴ基板１と第２の支持基板６に固着された対向基板２とを貼り合わせ、液晶材料を封入した後、第１の支持基板５および第２の支持基板６を剥離する。このとき、第１の絶縁基板１００および第２の絶縁基板２００は、それぞれ、絶縁基板としての強度を十分に確保できる厚さになるように形成されている。そのため、実施例１の液晶表示パネルの製造方法は、たとえば、製造過程における内部応力または外部からの力で回路層１０４にクラックが生じる可能性が低くなる。したがって、実施例１の液晶表示パネルの製造方法は、液晶表示パネルの製造歩留まりを向上させることができる。
【０２２８】
また、実施例１の液晶表示パネルの製造方法によれば、絶縁基板がガラス基板である液晶表示パネルを製造するときに使用する製造装置を有効利用できる。また、実施例１の液晶表示パネルの製造方法によれば、第１の支持基板５および第２の支持基板６は、それぞれ、第１の絶縁基板１００および第２の絶縁基板２００から剥離した後、別の液晶表示パネルを製造するときに利用することができる。そのため、実施例１の液晶表示パネルの製造方法は、液晶表示パネルの製造コストの上昇を抑えることができる。
【０２２９】
また、実施例１の液晶表示パネルの製造方法によれば、絶縁基板がガラス基板である液晶表示パネルのときとほぼ同じ条件で回路層１０４、第１の配向膜１０５、フィルタ層２０３、第２の配向膜２０４などを形成することができる。そのため、実施例１の液晶表示パネルの製造方法は、回路層１０４などの信頼性を十分に確保することができる。
【０２３０】
また、実施例１の液晶表示パネルのＴＦＴ基板１では、第１の絶縁基板１００と回路層１０４との間に第１の偏光子１０２を配置しているが、第１の偏光子１０２は、たとえば、回路層１０４の中、または回路層１０４と第１の配向膜１０５との間に配置されていてもよい。しかしながら、回路層１０４の中または回路層１０４と第１の配向膜１０５との間に第１の偏光子１０２を配置した場合、第１の偏光子１０２の存在が、液晶表示装置を動作させる際に液晶材料３に印加する電界に影響を与えるので、たとえば、駆動電圧を高くする必要が生じる。したがって、第１の偏光子１０２は、回路層１０４を形成する前に形成し、第１の絶縁基板１００と回路層１０４との間に配置することが望ましい。
【０２３１】
また、実施例１の液晶表示パネルでは、第１の絶縁基板１００と第２の絶縁基板２００を異なる樹脂で形成してもよいが、異なる樹脂の場合、たとえば、熱膨張係数の差などによる液晶表示パネルの反りや、応力による回路層１０４の破損が生じやすくなる。したがって、第１の絶縁基板１００と第２の絶縁基板２００は、同じ樹脂で形成することが望ましい。
【０２３２】
また、実施例１の液晶表示パネルの製造方法では、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層１０４ａをアモルファスシリコンで形成する場合を例に挙げたが、これに限らず、ＴＦＴ素子の半導体層を多結晶シリコンで形成してもよいことはもちろんである。
【０２３３】
図５は、実施例１の液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板の平面構成の第１の変形例を示す模式平面図である。
【０２３４】
実施例１では、ＴＦＴ基板１における１つの画素の平面構成の一例として、たとえば、図３（ａ）に示したような構成を挙げている。しかしながら、ＴＦＴ基板１における１つの画素の平面構成は、これに限らず、たとえば、図５に示したような構成であってもよい。図５に示した構成において、図３（ａ）に示した構成と異なる点は、画素電極ＰＸの平面形状である。図３（ａ）に示した例では、ｙ方向に延在する３つの帯状部分が、ソース電極１０４ｂの近傍側のみで連結している。これに対し、図５に示した例では、ｙ方向に延在する３つの帯状部分が、ソース電極１０４ｂの近傍側およびその反対側の両方で連結しており、１枚の平板状の画素電極ＰＸに、ｙ方向に延びる開口部が２つ設けられた形状になっている。
【０２３５】
なお、図３（ａ）および図５に示した画素電極ＰＸは、ｙ方向に延在する帯状部分が３つであるが、これに限らず、さらに多数の帯状部分を有する平面形状であってもよいことはもちろんである。
【０２３６】
また、図３（ａ）および図５に示した画素電極ＰＸは、帯状部分がｙ方向に直線状に延在しているが、これに限らず、帯状部分がｙ方向に対して所定の角度の方向に延在していてもよいことはもちろんである。またさらに、画素電極ＰＸは、たとえば、帯状部分がくの字型に延在していてもよいことはもちろんである。
【０２３７】
図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１の液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板の構成の第２の変形例を示す模式図である。
図６（ａ）は、実施例１の液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板の平面構成の第２の変形例を示す模式平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＤ−Ｄ’線における断面構成の一例を示す模式平面図である。
【０２３８】
実施例１では、横電界駆動方式であり、かつ透過型の液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板の構成の一例として、たとえば、図３（ｄ）に示すように、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとが、第５の絶縁層１０４ｇを介して積層されている場合を挙げている。しかしながら、実施例１で説明した構成および製造方法は、これに限らず、たとえば、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸが、第５の絶縁層１０４ｇの同じ面に配置されている場合にも適用できることはもちろんである。なお、図６（ａ）および図６（ｂ）に示した例では、たとえば、保持容量ＣＳＴを形成するために、第４の絶縁層１０４ｆと第５の絶縁層１０４ｇの間に透明な導電層１０４ｈを配置しているが、この導電層１０４ｈが無くてもよいことはもちろんである。
【０２３９】
図７（ａ）乃至図７（ｃ）は、実施例１の液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板の構成の第１の応用例を示す模式図である。
図７（ａ）は、実施例１の液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板の平面構成の第１の応用例を示す模式平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＥ−Ｅ’線における断面構成の一例を示す模式平面図である。図７（ｃ）は、図７（ａ）のＥ−Ｅ’線における断面構成の別の一例を示す模式平面図である。
【０２４０】
実施例１では、透過型の液晶表示パネルを例に挙げたが、実施例１で説明した液晶表示パネルの製造方法は、たとえば、半透過型の液晶表示パネルにも適用できる。半透過型の液晶表示パネルのＴＦＴ基板１における１つの画素の構成は、たとえば、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すような構成になっている。なお、図７（ａ）に示した平面構成は、基本的には図３（ａ）に示した平面構成と同じであり、図３（ａ）に示した平面構成と異なる点は、対向電極ＣＴの上に、部分的に、反射膜１０４ｉが設けられている点である。反射膜１０４ｉは、たとえば、モリブデン（Ｍｏ）の薄膜とアルミニウム（Ａｌ）の薄膜を積層して形成する。このような構成の液晶表示パネルでは、反射膜１０４ｉが設けられている部分が反射型の液晶表示パネルと同様の動作をし、それ以外の部分が透過型の液晶表示パネルと同様の動作をする。
【０２４１】
また、半透過型の液晶表示パネルの場合、たとえば、図７（ｃ）に示すように、反射膜１０４ｉの表面（液晶材料３と対向する面）に凹凸を設けてもよい。このように、反射膜１０４ｉの表面に凹凸を設けると、対向基板２側から入射した光（外光）が当該反射膜１０４ｉで反射するときに拡散（散乱）し、外光の利用効率を高くすることができる。
【０２４２】
また、これまでに示した例では、ＴＦＴ素子Ｔｒの構造が、第１の絶縁基板１００から見て半導体層１０４ａの上に走査信号線ＧＬ（ゲート電極）を有するトップゲート構造になっているが、これに限らず、ＴＦＴ素子Ｔｒの構造が、第１の絶縁基板１００から見て走査信号線ＧＬ（ゲート電極）の上に半導体層１０４ａを有するボトムゲート構造であってもよいことはもちろんである。
【０２４３】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１の液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板の構成の第２の応用例を示す模式図である。
図８（ａ）は、実施例１の液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板の平面構成の第２の応用例を示す模式平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）のＦ−Ｆ’線における断面構成の一例を示す模式平面図である。
【０２４４】
実施例１では、横電界駆動方式の液晶表示パネルを例に挙げたが、実施例１で説明した液晶表示パネルの製造方法は、たとえば、ＴＮ方式などの縦電界駆動方式の液晶表示パネルにも適用できる。縦電界駆動方式の液晶表示パネルは、たとえば、図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１の回路層１０４には、画素容量ＣＬＣを形成するための画素電極ＰＸと対向電極ＣＴのうちの画素電極ＰＸのみが配置されており、対向電極ＣＴは対向基板２に配置されている。このとき、ＴＦＴ基板１の回路層１０４には、たとえば、走査信号線ＧＬと並行した保持容量線１０４ｊを設け、画素電極ＰＸの一部分を保持容量線１０４ｊと重畳させることで、保持容量ＣＳＴを形成する。
【０２４５】
またこのとき、画素電極ＰＸは、図８（ａ）に示したような単純な平板状に限らず、たとえば、所定の方向に延在する複数のスリットを有する櫛歯状であってもよい。
【０２４６】
また、図８（ａ）および図８（ｂ）に示した例では、ＴＦＴ素子Ｔｒの構造が、第１の絶縁基板１００から見て走査信号線ＧＬ（ゲート電極）の上に半導体層１０４ａを有するボトムゲート構造になっているが、これに限らず、図３（ａ）などで示したように、ＴＦＴ素子Ｔｒの構造が、第１の絶縁基板１００から見て半導体層１０４ａの上に走査信号線ＧＬ（ゲート電極）を有するトップゲート構造であってもよいことはもちろんである。
【０２４７】
またさらに、図示は省略するが、実施例１で説明した液晶表示パネルの製造方法は、反射型の液晶表示パネルにも適用できることはもちろんである。
【０２４８】
このように、実施例１で説明した液晶表示パネルの製造方法は、駆動方式や回路層１０４の構成によらず適用可能である。
【０２４９】
図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例１の液晶表示パネルの製造方法の変形例を示す模式図である。
図９（ａ）は、対向基板から第２の支持基板を剥離した直後の断面構成を示す模式断面図である。図９（ｂ）は、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶材料を封入した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【０２５０】
実施例１の液晶表示パネルの製造方法は、上記の手順に限らず、たとえば、図９（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを貼り合わせる前に、第２の支持基板６を第２の絶縁基板２００から剥離してもよい。このとき、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを貼り合わせて液晶材料を封入する工程には、図９（ｂ）に示すように、第２の絶縁基板２００の裏面が露出した状態で行う。この場合も、ＴＦＴ基板１と対向基板２を貼り合わせた後で、第１の支持基板５を第１の絶縁基板１００から剥離するようにしておくと、液晶表示パネルの製造過程で回路層１０４にクラックが生じる可能性を低減できる。
【０２５１】
また、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを貼り合わせる前に、第２の支持基板６を第２の絶縁基板２００から剥離する場合、たとえば、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを貼り合わせる前に、第２の絶縁基板２００の裏面に第４のバリア層２０５を形成してもよい。
【０２５２】
また、実施例１の液晶表示パネルにおいて、第２のバリア層１０６および第４のバリア層２０５は、それぞれ、第１の絶縁基板１００および第２の絶縁基板２００の吸湿を防ぐだけでなく、たとえば、第１の絶縁基板１００および第２の絶縁基板２００の裏面に傷がつくことを防ぐ保護膜としての機能を有する。そのため、実施例１の液晶表示パネルのように、第２のバリア層１０６および第４のバリア層２０５を設けたほうがよいが、たとえば、第１の絶縁基板１００および第２の絶縁基板２００が、吸湿性が低く、かつ、傷がつきにくい樹脂でなる場合、第２のバリア層１０６および第４のバリア層２０５は無くてもよい。
【実施例２】
【０２５３】
図１０は、本発明による実施例２の液晶表示パネルの断面構成の一例を示す模式断面図である。
なお、図１０は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線における断面構成の一部分を抽出して示した断面図である。
【０２５４】
実施例１では、ＴＦＴ基板１の第１の絶縁基板１００および対向基板２の第２の絶縁基板２００の両方に、前述の脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、脂環式構造を含むポリアミドのいずれかの樹脂を用いている。しかしながら、対向基板２を形成する工程において、最も高温で行うのは、通常、カラーフィルタ２０３ｂを形成する工程であり、その温度は２００℃前後である。そのため、第２の絶縁基板２００は、２００℃前後の温度に対する耐熱性が確保されていればよい。したがって、第２の絶縁基板２００は、前述の脂環式構造を含む樹脂である必要はなく、たとえば、ポリカーボネートなどの複屈折（リタデーション）が非常に小さい透明な樹脂であってもよい。
【０２５５】
厚さが１２０μｍのポリカーボネートフィルムの複屈折は、２ｎｍ以下である。そのため、第２の絶縁基板２００として、ポリカーボネートフィルムを用いる場合、対向基板２は、たとえば、図１０に示すような構成にすることもできる。すなわち、第２の絶縁基板２００の表面（液晶材料３と対向させる面）の裏面に、第２の偏光子２０２を配置することもできる。
【０２５６】
なお、図１０に示した断面構成は、横電界駆動方式の液晶表示パネルの断面構成の一例であり、ＴＦＴ基板１の回路層１０４には、走査信号線ＧＬ、映像信号線ＤＬ、ＴＦＴ素子Ｔｒ、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴなどを有する回路が形成されている。また、回路層１０４を含むＴＦＴ基板１の構成、対向基板２のフィルタ層２０３、第２の配向膜２０４などの構成は、実施例１で説明した通りである。
【０２５７】
図１１（ａ）乃至図１１（ｄ）は、実施例２の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図である。
図１１（ａ）は、第２の絶縁基板に第３のバリア層および第４のバリア層を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。図１１（ｂ）は、第３のバリア層の上にカラーフィルタ層および第２の配向膜を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。図１１（ｃ）は、ＴＦＴ基板と対向基板を貼り合わせて液晶材料を封入した直後の断面構成を示す模式断面図である。図１１（ｄ）は、第１の支持基板を剥離して第２のバリア層を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【０２５８】
実施例２の液晶表示パネルの製造方法において、ＴＦＴ基板１を形成する工程は、実施例１で説明した手順で行えばよいので、ＴＦＴ基板１を形成する工程の説明は省略する。
【０２５９】
実施例２の液晶表示パネルを製造方法において、対向基板２を形成する工程は、まず、たとえば、図１１（ａ）に示すように、第２の絶縁基板２００として用いる、厚さ１２０μｍのポリカーボネートフィルムの一方の表面に第３のバリア層２０１を形成し、その裏面に第４のバリア層２０５を形成する。第３のバリア層２０１および第４のバリア層２０５は、それぞれ、たとえば、ＣＶＤ法を用いて、厚さ１００ｎｍ程度の酸化シリコン（ＳｉＯ）を成膜して形成する。
【０２６０】
次に、たとえば、図１１（ｂ）に示すように、第３のバリア層２０１の上に、フィルタ層２０３および第２の配向膜２０４を形成する。フィルタ層２０３は、実施例１で説明したように、たとえば、遮光膜２０３ａ、カラーフィルタ２０３ｂ、およびオーバーコート層２０３ｃを有する層であり、それぞれ、従来の対向基板２の形成方法における手順と同様の手順で形成する。また、第２の配向膜２０４も、従来の対向基板２の形成方法における手順と同様の手順で形成する。
【０２６１】
次に、図１１（ｃ）に示すように、実施例１と同様の手順で形成されたＴＦＴ基板１（第２のバリア層１０６を除く）と上記の手順で形成された対向基板２（第２の偏光子２０２を除く）とを貼り合わせ、液晶材料３を封入する。ＴＦＴ基板１と対向基板２を貼り合わせる手順および液晶材料を封入する手順は、従来の液晶表示パネルの製造方法における手順と同様の手順で行う。
【０２６２】
次に、図１１（ｄ）に示すように、第１の絶縁基板１００から第１の支持基板５を剥離し、第１の絶縁基板１００の裏面に第２のバリア層１０６を形成する。第１の支持基板５の剥離方法、および第２のバリア層１０６の形成方法は、実施例１で説明した通りであるため、詳細な説明は省略する。
【０２６３】
その後、たとえば、図１０に示したように、第２の絶縁基板２００の裏面、すなわち第４のバリア層２０５の上に、第２の偏光子２０２を設ける。このとき、第２の偏光子２０２は、実施例１で説明したようなワイヤグリッド偏光子である必要はなく、従来の液晶表示装置で用いられている一般的な偏光フィルムまたは偏光板、たとえば、ヨウ素で染色したポリビニルアルコールを延伸し手形成された変更フィルムまたは偏光板を用いることができる。そのため、第２の偏光子２０２を設けるときには、たとえば、上記の偏光フィルムを、第１の偏光子１０２と直交ニコル、または平行ニコルの関係になるように、接着材または粘着材で貼り合わせればよい。
【０２６４】
実施例２の液晶表示パネルによれば、第１の偏光子１０２と第２の偏光子２０２との間に、第２の絶縁基板２００が配置されているが、第２の絶縁基板２００は、複屈折が非常に小さいので、複屈折による液晶表示装置の表示品質の低下はほとんどない。そのため、実施例２の液晶表示パネルは、液晶表示装置のさらなる薄型化および軽量化を可能にする。
【０２６５】
また、実施例２の液晶表示パネルの製造方法によれば、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを貼り合わせた後、第１の支持基板５を第１の絶縁基板１００から剥離する。そのため、実施例２の液晶表示パネルの製造方法は、回路層１０４が破損する可能性を低減でき、液晶表示パネルの製造歩留まりを向上させることができる。
【０２６６】
また、実施例２の液晶表示パネルの製造方法によれば、対向基板２を製造するときに、第２の支持基板６が不要であり、また、第２の偏光子２０２として、一般的な偏光フィルムまたは偏光板を用いることができる。そのため、対向基板２の製造方法が実施例１の製造方法に比べて簡単になる。したがって、実施例２の液晶表示パネルの製造方法は、液晶表示パネルの製造コストの上昇を抑えることができる。
【０２６７】
また、実施例２では、ＴＦＴ基板１の回路層１０４の構成などについての詳細な説明を省略しているが、実施例２の液晶表示パネルの製造方法が、実施例１で説明した製造方法と同様に、回路層１０４によらず適用可能であることはもちろんである。すなわち、実施例２の液晶表示パネルの製造方法は、横電界駆動方式の液晶表示パネルにも、縦電界駆動方式の液晶表示パネルにも適用できる。また、実施例２の液晶表示パネルの製造方法は、透過型の液晶表示パネル、半透過型の液晶表示パネル、反射型の液晶表示パネルのいずれにも適用できる。
【実施例３】
【０２６８】
図１２（ａ）乃至図１２（ｄ）は、本発明による実施例３の液晶表示パネルの製造方法を示す模式図である。
図１２（ａ）は、第１の支持基板の上に第１の絶縁基板から回路層までを形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。図１２（ｂ）は、第１の支持基板を第１の絶縁基板から剥離した直後の断面構成を示す模式断面図である。図１２（ｃ）は、第２のバリア層を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。図１２（ｄ）は、第１の配向膜を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【０２６９】
実施例３では、図２（ａ）乃至図２（ｃ）に示したような構成の液晶表示パネルの、別の製造方法の一例を説明する。
【０２７０】
実施例３の液晶表示パネルの製造方法におけるＴＦＴ基板１を製造する工程は、回路層１０４を形成する工程までは、実施例１で説明した通りの手順で行う。すなわち、図１２（ａ）に示すように、第１の支持基板５の表面に第１の絶縁基板１００を形成した後、第１の絶縁基板１００の上に、第１のバリア層１０１、第１の偏光子１０２、下地層１０３、および回路層１０４を形成する。
【０２７１】
次に、図１２（ｂ）に示すように、回路層１０４の上に、粘着材７を用いて保護フィルム８を貼り合わせ、第１の絶縁基板１００から第１の支持基板５を剥離する。第１の支持基板５を剥離するときには、実施例１で説明したように、紫外線を照射して第１の絶縁基板１００と第１の支持基板５との密着力を低下させて剥離する。そのため、粘着材７には、たとえば、所定の温度まで加熱すると粘着力が低下する粘着テープを用いる。このように、回路層１０４の上に保護フィルム８を貼り合わせた状態で第１の支持基板５を剥離すれば、第１の支持基板５を剥離する際の応力で回路層１０４の破損を防げる。
【０２７２】
次に、図１２（ｃ）に示すように、保護フィルム８および粘着材７を回路層１０４から剥離し、第１の絶縁基板１００の裏面に第２のバリア層１０６を形成する。第１の絶縁基板１００は、前述の脂環式構造を含む樹脂でなり、かつ、ＴＦＴ基板１の絶縁基板としての強度を確保できる厚さで形成されている。そのため、この段階で第１の支持基板５を剥離しても、回路層１０４が破損する可能性を低くできる。
【０２７３】
また、実施例３では、第１の支持基板５を剥離した後、第１の絶縁基板１００の裏面に第２のバリア層１０６を形成しているが、これに限らず、第２のバリア層１０６を形成しなくてもよいことはもちろんである。また、第２のバリア層１０６を形成するときには、たとえば、第２のバリア層１０６を形成してから、保護フィルム８および粘着材７を回路層１０４から剥離してもよい。
【０２７４】
次に、図１２（ｄ）に示すように、回路層１０４の上に第１の配向膜１０５を形成する。
【０２７５】
その後、図示は省略するが、上記の手順で形成したＴＦＴ基板１と、実施例１または実施例２で説明した手順で形成した対向基板２とを貼り合わせ、液晶材料３を封入することで、液晶表示パネルが得られる。
【０２７６】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【０２７７】
たとえば、第１の絶縁基板１００、または第１の絶縁基板１００および第２の絶縁基板２００として用いる樹脂材料は、上記の脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を含むポリアミドイミド、脂環式構造を含むポリイミド、および脂環式構造を含むポリアミドに限らず、前述のような条件を満たしていればよいことはもちろんである。すなわち、本発明の液晶表示装置において、第１の絶縁基板１００、または第１の絶縁基板１００および第２の絶縁基板２００は、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が８０％以上であり、３％重量減少温度が３００℃以上であり、かつ、融点を有しないか、または融点が３００℃以上である樹脂でなり、厚さが２０μｍ以上１５０μｍ以下であればよい。
【０２７８】
また、第１の絶縁基板１００から第１の支持基板５を剥離する方法、および第２の絶縁基板２００から第２の支持基板６を剥離する方法は、上記のような紫外線を照射して密着力を低下させて剥離する方法に限らず、別の方法であってもよいことはもちろんである。
【０２７９】
また、実施例１乃至実施例３では、たとえば、図２（ａ）に示したような携帯電話端末などに用いられる小型の液晶表示パネルを例に挙げているが、本発明は、これに限らず、テレビやＰＣのディスプレイなどの大型の液晶表示パネルにも適用できることはもちろんである。
【０２８０】
またさらに、本明細書では、本発明を適用した表示装置の一例として、液晶表示装置を挙げているが、本発明は、これに限らず、液晶表示装置と類似の構成または動作原理であり、かつ、偏光子を有する表示装置に適用可能であることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０２８１】
【図１】脂環式構造を含むポリベンゾオキサゾール膜の透過スペクトルの一例を示す模式グラフ図である。
【図２（ａ）】実施例１の液晶表示パネルの平面構成の一例を示す模式平面図である。
【図２（ｂ）】図２（ａ）のＡ−Ａ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
【図２（ｃ）】液晶表示パネルの１つの画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。
【図３（ａ）】ＴＦＴ基板における１つの画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。
【図３（ｂ）】対向基板における１つの画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。
【図３（ｃ）】図３（ｂ）のＢ−Ｂ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
【図３（ｄ）】図３（ｂ）のＣ−Ｃ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
【図４（ａ）】第１の支持基板の上に第１の絶縁基板を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図４（ｂ）】第１のバリア層および第１の偏光子を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図４（ｃ）】下地層および回路層ならびに第１の配向膜を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図４（ｄ）】第２の支持基板の上に対向基板を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図４（ｅ）】ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶材料を封入した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図４（ｆ）】第１の支持基板および第２の支持基板を剥離した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図５】実施例１の液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板の平面構成の第１の変形例を示す模式平面図である。
【図６（ａ）】実施例１の液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板の平面構成の第２の変形例を示す模式平面図である。
【図６（ｂ）】図６（ａ）のＤ−Ｄ’線における断面構成の一例を示す模式平面図である。
【図７（ａ）】実施例１の液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板の平面構成の第１の応用例を示す模式平面図である。
【図７（ｂ）】図７（ａ）のＥ−Ｅ’線における断面構成の一例を示す模式平面図である。
【図７（ｃ）】図７（ａ）のＥ−Ｅ’線における断面構成の別の一例を示す模式平面図である。
【図８（ａ）】実施例１の液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板の平面構成の第２の応用例を示す模式平面図である。
【図８（ｂ）】図８（ａ）のＦ−Ｆ’線における断面構成の一例を示す模式平面図である。
【図９（ａ）】対向基板から第２の支持基板を剥離した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図９（ｂ）】ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶材料を封入した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図１０】本発明による実施例２の液晶表示パネルの断面構成の一例を示す模式断面図である。
【図１１（ａ）】第２の絶縁基板に第３のバリア層および第４のバリア層を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図１１（ｂ）】第３のバリア層の上にカラーフィルタ層および第２の配向膜を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図１１（ｃ）】ＴＦＴ基板と対向基板を貼り合わせて液晶材料を封入した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図１１（ｄ）】第１の支持基板を剥離して第２のバリア層を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図１２（ａ）】第１の支持基板の上に第１の絶縁基板から回路層までを形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図１２（ｂ）】第１の支持基板を第１の絶縁基板から剥離した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図１２（ｃ）】第２のバリア層を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【図１２（ｄ）】第１の配向膜を形成した直後の断面構成を示す模式断面図である。
【符号の説明】
【０２８２】
１…第１の基板（ＴＦＴ基板）
１００…第１の絶縁基板
１０１…第１のバリア層
１０２…第１の偏光子
１０３…下地層
１０４…回路層
１０５…第１の配向膜
１０６…第２のバリア層
１０４ａ…半導体層
１０４ｂ…第１の絶縁層
１０４ｃ…第２の絶縁層
１０４ｄ…ソース電極
１０４ｅ…第３の絶縁層
１０４ｆ…第４の絶縁層
１０４ｇ…第５の絶縁層
１０４ｈ…導電層
１０４ｉ…反射膜
１０４ｊ…保持容量線
ＧＬ…走査信号線
ＤＬ…映像信号線
Ｔｒ…ＴＦＴ素子
ＰＸ…画素電極
ＣＴ…対向電極
ＣＬ…コモン配線
ＣＬＣ…画素容量
ＣＳＴ…保持容量
２…対向基板
２００…第２の絶縁基板
２０１…第３のバリア層
２０２…第２の偏光子
２０３…フィルタ層
２０４…第２の配向膜
２０５…第４のバリア層
２０３ａ…遮光膜（ブラックマトリクス）
２０３ｂ…カラーフィルタ
２０３ｃ…オーバーコート層
３…液晶材料
４…ＩＣチップ
５…第１の支持基板
６…第２の支持基板
７…粘着材
８…保護フィルム
【図１】
2010032768.tif 000031
【図２（ａ）】
2010032768.tif 000032
【図２（ｂ）】
2010032768.tif 000033
【図２（ｃ）】
2010032768.tif 000034
【図３（ａ）】
2010032768.tif 000035
【図３（ｂ）】
2010032768.tif 000036
【図３（ｃ）】
2010032768.tif 000037
【図３（ｄ）】
2010032768.tif 000038
【図４（ａ）】
2010032768.tif 000039
【図４（ｂ）】
2010032768.tif 000040
【図４（ｃ）】
2010032768.tif 000041
【図４（ｄ）】
2010032768.tif 000042
【図４（ｅ）】
2010032768.tif 000043
【図４（ｆ）】
2010032768.tif 000044
【図５】
2010032768.tif 000045
【図６（ａ）】
2010032768.tif 000046
【図６（ｂ）】
2010032768.tif 000047
【図７（ａ）】
2010032768.tif 000048
【図７（ｂ）】
2010032768.tif 000049
【図７（ｃ）】
2010032768.tif 000050
【図８（ａ）】
2010032768.tif 000051
【図８（ｂ）】
2010032768.tif 000052
【図９（ａ）】
2010032768.tif 000053
【図９（ｂ）】
2010032768.tif 000054
【図１０】
2010032768.tif 000055
【図１１（ａ）】
2010032768.tif 000056
【図１１（ｂ）】
2010032768.tif 000057
【図１１（ｃ）】
2010032768.tif 000058
【図１１（ｄ）】
2010032768.tif 000059
【図１２（ａ）】
2010032768.tif 000060
【図１２（ｂ）】
2010032768.tif 000061
【図１２（ｃ）】
2010032768.tif 000062
【図１２（ｄ）】
2010032768.tif 000063