(57)【要約】【課題】高い変位特性を得ることができる液体噴射ヘッドの製造方法及びアクチュエータ装置の製造方法を提供する。【解決手段】液滴を噴射するノズル開口２１に連通する圧力発生室１２が形成された流路形成基板１０と、第１電極６０と、該第１電極６０上に形成された一般式がＡＢＯ３で示されるペロブスカイト構造を有する圧電体層７０と、該圧電体層７０の前記第１電極６０とは反対側に形成された第２電極８０と、を備え、前記圧力発生室１２に圧力を発生させて前記ノズル開口２１から液滴を吐出する圧電素子３００と、を具備する液体噴射ヘッドＩの製造方法であって、前記流路形成基板１０上に、層状構造を有するＬａ３Ｎｉ２Ｏ６層を含む前記第１電極６０を形成する工程と、前記第１電極６０上に前記圧電体層７０を形成する工程と、前記圧電体層７０上に前記第２電極８０を形成する工程と、を具備する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板と、
第１電極と、該第１電極上に形成された一般式がＡＢＯ３で示されるペロブスカイト構造を有する圧電体層と、該圧電体層の前記第１電極とは反対側に形成された第２電極と、を備え、前記圧力発生室に圧力を発生させて前記ノズル開口から液滴を吐出する圧電素子と、を具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記流路形成基板上に、層状構造を有するＬａ３Ｎｉ２Ｏ６層を含む前記第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に前記圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層上に前記第２電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記Ｌａ３Ｎｉ２Ｏ６層の面方向は、前記流路形成基板の面と平行であることを特徴とする請求項１記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記圧電体層を形成する工程では、鉛、ジルコニウム及びチタンを含む当該圧電体層を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記圧電体層は、結晶構造が単斜晶系であり、結晶が（１００）面に優先配向していることを特徴とする請求項３記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項５】
基板上に変位可能に設けられて、第１電極と、前記第１電極上に形成された、一般式がＡＢＯ３で示されるペロブスカイト構造を有する圧電体層と、前記圧電体層上に形成された第２電極と、を備えた圧電素子を具備するアクチュエータ装置の製造方法であって、
前記基板上に層状構造を有するＬａ３Ｎｉ２Ｏ６層を含む前記第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に前記圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層上に前記第２電極を形成する工程と、を有することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１電極、圧電体層及び第２電極からなる圧電素子を有する液体噴射ヘッドの製造方法及びアクチュエータ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッド等に用いられる圧電素子は、電気機械変換機能を呈する圧電材料からなる圧電体層を２つの電極で挟んだ素子であり、圧電体層としては、鉛、ジルコニウム及びチタンを含んだ、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等を用いたものが提案されている。
【０００３】
また、圧電素子を構成する一方の電極として、Ｌａ２ＮｉＯ４、Ｌａ３Ｎｉ２Ｏ７又はＬａ４Ｎｉ３Ｏ１０を用いて、この電極上に圧電体層をエピタキシャル成長により形成したものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
これによれば、層状化合物であるランタンニッケル酸化物上に圧電体層をエピタキシャル成長させることで、圧電体層の配向性を制御することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１８６２５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の各組成比のランタンニッケル酸化物上に圧電体層を形成した圧電素子は、十分な変位特性が得られないという問題があった。
【０００７】
なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに限定されず、他の装置に搭載されるアクチュエータ装置においても同様に存在する。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑み、高い変位特性を得ることができる液体噴射ヘッドの製造方法及びアクチュエータ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の態様は、液滴を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板と、第１電極と、該第１電極上に形成された一般式がＡＢＯ３で示されるペロブスカイト構造を有する圧電体層と、該圧電体層の前記第１電極とは反対側に形成された第２電極と、を備え、前記圧力発生室に圧力を発生させて前記ノズル開口から液滴を吐出する圧電素子と、を具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記流路形成基板上に、層状構造を有するＬａ３Ｎｉ２Ｏ６層を含む前記第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に前記圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に前記第２電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる態様では、Ｌａ３Ｎｉ２Ｏ６層を含む第１電極上に圧電体層を形成することで、圧電体層の面内方向の格子定数を引き伸ばして、格子定数を大きくすることができ、低い電圧で大きな変位量を得ることができる、いわゆる高い変位特性を得ることができる。
【００１０】
ここで、前記Ｌａ３Ｎｉ２Ｏ６層の面方向は、前記流路形成基板の面と平行であることが好ましい。これによれば、平行面上に圧電体層を形成することができる。
【００１１】
また、前記圧電体層を形成する工程では、鉛、ジルコニウム及びチタンを含む当該圧電体層を形成することが好ましい。これによれば、高い変位特性を有する圧電体層を形成することができる。
【００１２】
また、前記圧電体層は、結晶構造が単斜晶系であり、結晶が（１００）面に優先配向していることが好ましい。これによれば、高い変位特性を有する圧電体層を形成することができる。
【００１３】
さらに、本発明の他の態様は、基板上に変位可能に設けられて、第１電極と、前記第１電極上に形成された、一般式がＡＢＯ３で示されるペロブスカイト構造を有する圧電体層と、前記圧電体層上に形成された第２電極と、を備えた圧電素子を具備するアクチュエータ装置の製造方法であって、前記基板上に層状構造を有するＬａ３Ｎｉ２Ｏ６層を含む前記第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に前記圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に前記第２電極を形成する工程と、を有することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法にある。
かかる態様では、Ｌａ３Ｎｉ２Ｏ６層を含む第１電極上に圧電体層を形成することで、圧電体層の面内方向の格子定数を引き伸ばして、格子定数を大きくすることができ、低い電圧で大きな変位量を得ることができる、いわゆる高い変位特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、流路形成基板の平面図及びそのＡ−Ａ′断面図である。
【００１５】
図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態ではシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜５０が形成されている。
【００１６】
流路形成基板１０には、複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４及び連通路１５を介して連通されている。連通部１３は、後述する保護基板のリザーバ部３１と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバの一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路１４を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。
【００１７】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、例えばガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
【００１８】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、絶縁体膜５５が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には、第１電極６０と圧電体層７０と第２電極８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部３２０という。本実施形態では、第１電極６０を圧電素子３００の共通電極とし、第２電極８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエータ装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜５０、絶縁体膜５５及び第１電極６０が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜５０及び絶縁体膜５５を設けずに、第１電極６０のみが振動板として作用するようにしてもよい。また、圧電素子３００自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。
【００１９】
第１電極６０は、ペロブスカイト構造を有するランタンニッケル酸化物からなる金属層を含む。本実施形態では、第１電極６０全体がランタンニッケル酸化物で形成されるようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、ランタンニッケル酸化物からなる金属層を第１電極６０の最下層、中間層又は最上層の少なくとも１つに含むように設けられていてもよい。すなわち、ランタンニッケル酸化物からなる金属層は、第１電極６０の最上層に設けられていれば、このランタンニッケル酸化物上に形成される圧電体層７０に影響を与えることができるものであるが、ランタンニッケル酸化物の上に、このランタンニッケル酸化物の結晶構造の影響を受けて形成された層、例えば、バリウム鉛酸化物からなる導電層が設けられていてもよい。
【００２０】
このようなペロブスカイト構造を有するランタンニッケル酸化物からなる第１電極６０は、詳しくは後述するが、絶縁体膜５５上にＬａ３Ｎｉ２Ｏ６層を含む第１電極６０を形成後、圧電体層７０を焼成により形成する際に第１電極６０も同時に加熱されることで形成される。このようなＬａ３Ｎｉ２Ｏ６は、二次元の方向に異方性があるランタン（Ｌａ）の層状化合物であるため、（００１）面に自然配向すると考えられる。
【００２１】
圧電体層７０は、第１電極６０上に形成される分極構造を有する一般式ＡＢＯ３で示されるペロブスカイト構造を有する金属酸化物からなる。圧電体層７０としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電体材料や、これに酸化ニオブ、酸化ニッケル又は酸化マグネシウム等の金属酸化物を添加したもの等が好適である。具体的には、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）、ジルコニウム酸鉛（ＰｂＺｒＯ３）、チタン酸鉛ランタン（（Ｐｂ，Ｌａ），ＴｉＯ３）、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）又は、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３）等を用いることができる。
【００２２】
また、圧電体層７０は、結晶が（１００）面に優先配向しており、その結晶構造は、単斜晶系（monoclinic）となっている。なお、本発明で「結晶が（１００）面に優先配向している」とは、全ての結晶が（１００）面に配向している場合と、ほとんどの結晶（例えば、９０％以上）が（１００）面に配向している場合と、を含むものである。また、本発明で「結晶構造が、単斜晶系（monoclinic）となっている」とは、全ての結晶が単斜晶系である場合と、ほとんど全ての結晶（例えば、９０％以上）が単斜晶系であり、単斜晶系ではない残りの結晶が正方晶系（tetragonal）等である場合と、を含むものである。
【００２３】
さらに、圧電体層７０は、分極方向が膜面垂直方向（圧電体層７０の厚さ方向）に対して所定角度傾いているエンジニアード・ドメイン配置であることが望ましい。
【００２４】
圧電体層７０の厚さについては、製造工程でクラックが発生しない程度に厚さを抑え、且つ十分な変位特性を呈する程度に厚く形成する。例えば、本実施形態では、圧電体層７０を１〜２μｍ前後の厚さで形成した。
【００２５】
また、圧電素子３００の個別電極である各第２電極８０には、インク供給路１４側の端部近傍から引き出され、絶縁体膜５５上にまで延設される、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が接続されている。
【００２６】
このような圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上、すなわち、第１電極６０、絶縁体膜５５及びリード電極９０上には、リザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部３１を有する保護基板３０が接着剤３５を介して接合されている。このリザーバ部３１は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。また、流路形成基板１０の連通部１３を圧力発生室１２毎に複数に分割して、リザーバ部３１のみをリザーバとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板１０に圧力発生室１２のみを設け、流路形成基板１０と保護基板３０との間に介在する部材（例えば、弾性膜５０、絶縁体膜５５等）にリザーバと各圧力発生室１２とを連通するインク供給路１４を設けるようにしてもよい。
【００２７】
また、保護基板３０の圧電素子３００に対向する領域には、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３２が設けられている。圧電素子保持部３２は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。
【００２８】
このような保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２９】
また、保護基板３０には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられている。そして、各圧電素子３００から引き出されたリード電極９０の端部近傍は、貫通孔３３内に露出するように設けられている。
【００３０】
また、保護基板３０上には、並設された圧電素子３００を駆動するための駆動回路１２０が固定されている。この駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路１２０とリード電極９０とは、ボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線１２１を介して電気的に接続されている。
【００３１】
また、このような保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００３２】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路１２０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの第１電極６０と第２電極８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、第１電極６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００３３】
ここで、インクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図６を参照して説明する。なお、図３〜図６は、インクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【００３４】
まず、図３（ａ）に示すように、流路形成基板１０が複数一体的に形成されるシリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０の表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる二酸化シリコン膜５１を形成する。次いで、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。
【００３５】
次いで、図３（ｃ）に示すように、Ｌａ３Ｎｉ２Ｏ６からなる第１電極６０を絶縁体膜５５上に形成した後、この第１電極６０を所定形状にパターニングする。第１電極６０の形成方法は特に限定されないが、例えば、スパッタリング法や化学蒸着法（ＣＶＤ法）などが挙げられる。本実施形態では、第１電極６０として、Ｌａ３Ｎｉ２Ｏ６の金属層を単体で設けるようにしたが、特にこれに限定されず、他の材料からなる導電層等を設けるようにしてもよい。
【００３６】
ここで、ランタンニッケル酸化物の本実施形態の組成比と、他の組成比とによる格子定数について下記表１に示す。なお、下記表１には、無機結晶構造データベース（Inorganic Crystal Structure Database ; ICSD）に基づくものである。
【００３７】
【表１】
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【００３８】
表１に示すように、本実施形態の第１電極６０として用いたＬａ３Ｎｉ２Ｏ６は、第１電極６０の面内（流路形成基板１０の表面に水平な方向）であるａ軸の格子定数が、３．９６９Åであり、その他の組成のランタンニッケル酸化物の格子定数よりも大きいものである。
【００３９】
このことから、後の工程で、第１電極層６０上に圧電体層７０を焼成により形成した際に、圧電体層７０の格子定数を面内方向に引き伸ばして、圧電体層７０の格子定数を比較的大きくすることができる。
【００４０】
また、本実施形態の第１電極６０として用いたＬａ３Ｎｉ２Ｏ６は、層状化合物であるため、（００１）面に優先配向（自然配向）するものである。したがって、第１電極６０上に圧電体層７０を形成することで、圧電体層７０を（１００）面に優先配向させることができる。なお、ランタンニッケル酸化物の配向方向は、ｃ軸（層状構造の面に垂直な方向）にとる慣例があるため（００１）面と表記しているが、圧電体層７０は、擬キュービック構造であるため、（１００）面と表記しているものである。
【００４１】
ちなみに、上記表１のＬａ１Ｎｉ１Ｏ２は、層状化合物ではないため、（００１）面に自然配向することがない。したがって、この上に圧電体層７０を形成しても圧電体層７０を（１００）面に優先配向させることができないものである。
【００４２】
次に、図４（ａ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる第２電極８０とを流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成する。なお、圧電体層７０の形成方法は、本実施形態では、金属有機物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成した。なお、圧電体層７０の形成方法は、特に限定されず、例えば、ＭＯＤ（Metal-Organic Decomposition）法、スパッタリング法又はレーザーアブレーション法等のＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法等を用いてもよい。
【００４３】
第１電極６０上に圧電体層７０を焼成により形成すると、上述のように第１電極６０の面内の格子定数が比較的大きいため、圧電体層７０の格子定数を面内方向に引き伸ばして、圧電体層７０の格子定数を比較的大きくすることができる。これにより、圧電体層７０は低い駆動電圧であっても大きな変位量を得ることができる、すなわち、高い変位特性を得ることができる。
【００４４】
また、本実施形態の第１電極６０として用いたＬａ３Ｎｉ２Ｏ６は、層状化合物であるため、（００１）面に優先配向（自然配向）するものである。したがって、第１電極６０上に圧電体層７０を形成することで、第１電極６０上に（１００）面に優先配向した圧電体層７０を形成することができる。これによっても、耐久性に優れて、且つ優れた変位特性を有する圧電体層７０とすることができる。
【００４５】
次に、図４（ｂ）に示すように、第２電極８０及び圧電体層７０を同時にエッチングすることにより各圧力発生室１２に対応する領域に圧電素子３００を形成する。ここで、第２電極８０及び圧電体層７０のエッチングは、例えば、反応性イオンエッチングやイオンミリング等のドライエッチングが挙げられる。
【００４６】
次に、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って金（Ａｕ）からなるリード電極９０を形成後、各圧電素子３００毎にパターニングする。
【００４７】
次に、図５（ａ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０を、流路形成基板用ウェハ１１０上に接着剤３５を介して接着する。ここで、この保護基板用ウェハ１３０は、保護基板３０が複数一体的に形成されたものであり、保護基板用ウェハ１３０には、リザーバ部３１及び圧電素子保持部３２が予め形成されている。保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。
【００４８】
次いで、図５（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みに薄くする。
【００４９】
次いで、図５（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上にマスク５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図６に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をマスク５２を介してＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、圧電素子３００に対応する圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５等を形成する。
【００５０】
その後は、流路形成基板用ウェハ１１０表面のマスク５２を除去し、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
【００５１】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態１では、流路形成基板１０としてシリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、ＳＯＩ基板、ガラス基板、ＭｇＯ基板等においても本発明は有効である。また、振動板の最下層に二酸化シリコンからなる弾性膜５０を設けるようにしたが、振動板の構成は、特にこれに限定されるものではない。
【００５２】
なお、上述した実施形態１では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００５３】
また、本発明は、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに搭載される圧電素子の製造方法に限られず、他の装置に搭載される圧電素子の製造方法にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
Ｉ  インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）、  １０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  １３  連通部、  １４  インク供給路、  １５  連通路、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ３１  リザーバ部、  ３２  圧電素子保持部、  ４０  コンプライアンス基板、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  １００  リザーバ、  １２０  駆動回路、  １２１  接続配線、  ３００  圧電素子
【図１】
2010099899.tif 000004
【図２】
2010099899.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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