(57)【要約】【課題】発光輝度を安定化させることができる画像表示装置を提供する。【解決手段】画像表示装置であって、発光素子を含む画素回路と、前記画素回路に電気的に接続され、前記画素回路に対して前記発光素子の発光する時間に応じた電圧を供給する電源部とを備えている。また、前記画像表示装置は、前記発光素子の発光に係るパラメータを時間で積分した予測積分値を認識する認識部と、前記発光素子の発光に対して、前記パラメータの実測値を取得する取得部とを備えている。更に、前記画像表示装置は、前記実測値を時間で積分した実測積分値が前記予測積分値を基準とした基準範囲に含まれるように、前記電源部から前記画素回路に対して電圧を供給する電圧供給時間を制御する制御部を備えている。【選択図】図１
2010107585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を含む画素回路と、
前記画素回路に電気的に接続され、前記画素回路に対して前記発光素子の発光する時間に応じた電圧を供給する電源部と、
前記発光素子の発光に係るパラメータを時間で積分した予測積分値を認識する認識部と、
前記発光素子の発光に対して、前記パラメータの実測値を取得する取得部と、
前記実測値を時間で積分した実測積分値が前記予測積分値を基準とした基準範囲に含まれるように、前記電源部から前記画素回路に対して電圧を供給する電圧供給時間を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記制御部が、
前記電源部から前記画素回路に対する電圧の供給を開始するタイミングを維持しつつ、前記電源部から前記画素回路に対する電圧の供給を完了するタイミングを変更することで、前記電圧供給時間を制御することを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
発光素子を含む画素回路と、
前記画素回路に電気的に接続され、前記画素回路に対して前記発光素子の発光する時間に応じた電圧を供給する電源部と、
前記発光素子の発光に係るパラメータを時間で積分した予測積分値を認識する認識部と、
前記発光素子の発光に対して、前記パラメータの実測値を取得する取得部と、
前記実測値を時間で積分した実測積分値が前記予測積分値を基準とした第１基準範囲内から外れる場合、前記第１基準範囲内に含まれる第２基準範囲内に含まれるように、前記電源部から前記画素回路に対して電圧を供給する電圧供給時間を制御し、前記実測積分値が前記第１基準範囲内に含まれる場合は、前記電圧供給時間を維持する制御部と、
を備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記制御部が、
前記実測積分値が前記基準範囲に到達した時点で、前記電源部から前記画素回路に対する電圧の供給を完了させることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記制御部が、
前記実測積分値が前記予測積分値に到達した時点で、前記電源部から前記画素回路に対する電圧の供給を完了させることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記制御部が、
前記実測値を測定した前記発光素子に対して、該発光素子が発光する次回以降の発光時における前記電圧供給時間を制御することを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
第１方向に沿って複数の前記画素回路が配列されている複数の画素ラインが、前記第１方向とは異なる第２方向に沿って配列されている表示部、
を備え、
前記制御部が、
前記表示部において、各前記画素ラインに含まれる複数の前記発光素子を前記第２方向に沿って順次に発光させつつ、前記実測積分値が前記基準範囲に含まれるように、前記電源部から各前記画素ラインに含まれている複数の前記画素回路に対して電圧を供給する電圧供給時間を制御することを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記パラメータが、
前記発光素子を流れる電流を含むことを特徴とする画像表示装置。
【請求項９】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記パラメータが、
前記発光素子の輝度を含むことを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電界発光を利用した有機ＥＬ(Electroluminescence)素子を備える画像表示装置が知られている。
【０００３】
この様な画像表示装置では、画素回路に使われている薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）と有機ＥＬ素子の温度特性により、有機ＥＬパネルの温度が変化すると発光輝度が変化する。
【０００４】
このため、画素回路に付与する信号波形、信号電圧、または電源電圧を適宜制御することで、広い温度範囲（例えば、−２０℃〜＋６０℃）における有機ＥＬパネルの温度変化に対して、発光輝度を安定させる技術が提案されている（例えば、特許文献１，２等）。
【０００５】
【特許文献１】特開平０７−２６３１４２号公報
【特許文献２】特開２０００−２１４８２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、有機ＥＬパネルの温度に依存する発光輝度の変化を調整する方法では、有機ＥＬパネルの経時的な特性の変化には対応できない。また、温度変化に応じた発光制御を行うと、制御を行ってから有機ＥＬパネルの温度が追従する迄にある程度の期間が必要となり、制御の遅れが生じ易い。
【０００７】
この様な問題は、経時的な特性の変化、および温度変化等によって発光輝度が変動する画像表示装置一般に共通する。
【０００８】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、発光輝度を安定化させることができる画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明の第１の態様に係る画像表示装置は、発光素子を含む画素回路と、前記画素回路に電気的に接続され、前記画素回路に対して前記発光素子の発光する時間に応じた電圧を供給する電源部とを備えている。また、前記画像表示装置は、前記発光素子の発光に係るパラメータを時間で積分した予測積分値を認識する認識部と、前記発光素子の発光に対して、前記パラメータの実測値を取得する取得部とを備えている。更に、前記画像表示装置は、前記実測値を時間で積分した実測積分値が前記予測積分値を基準とした基準範囲に含まれるように、前記電源部から前記画素回路に対して電圧を供給する電圧供給時間を制御する制御部を備えている。
【００１０】
また、本発明の第２の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、前記制御部が、前記電源部から前記画素回路に対する電圧の供給を開始するタイミングを維持しつつ、前記電源部から前記画素回路に対する電圧の供給を完了するタイミングを変更することで、前記電圧供給時間を制御する。
【００１１】
また、本発明の第３の態様に係る画像表示装置は、発光素子を含む画素回路と、前記画素回路に電気的に接続され、前記画素回路に対して前記発光素子の発光する時間に応じた電圧を供給する電源部とを備えている。また、前記画像表示装置は、前記発光素子の発光に係るパラメータを時間で積分した予測積分値を認識する認識部と、前記発光素子の発光に対して、前記パラメータの実測値を取得する取得部とを備えている。更に、前記画像表示装置は、前記実測値を時間で積分した実測積分値が前記予測積分値を基準とした第１基準範囲内から外れる場合、前記第１基準範囲内に含まれる第２基準範囲内に含まれるように、前記電源部から前記画素回路に対して電圧を供給する電圧供給時間を制御し、前記実測積分値が前記第１基準範囲内に含まれる場合は、前記電圧供給時間を維持する制御部を備えている。
【００１２】
また、本発明の第４の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、前記制御部が、前記実測積分値が前記基準範囲に到達した時点で、前記電源部から前記画素回路に対する電圧の供給を完了させる。
【００１３】
また、本発明の第５の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、前記制御部が、前記実測積分値が前記予測積分値に到達した時点で、前記電源部から前記画素回路に対する電圧の供給を完了させる。
【００１４】
また、本発明の第６の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、前記制御部が、前記実測値を測定した前記発光素子に対して、該発光素子が発光する次回以降の発光時における前記電圧供給時間を制御する。
【００１５】
また、本発明の第７の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、第１方向に沿って複数の前記画素回路が配列されている複数の画素ラインが、前記第１方向とは異なる第２方向に沿って配列されている表示部を備えている。また、前記制御部が、前記表示部において、各前記画素ラインに含まれる複数の前記発光素子を前記第２方向に沿って順次に発光させつつ、前記実測積分値が前記基準範囲に含まれるように、前記電源部から各前記画素ラインに含まれている複数の前記画素回路に対して電圧を供給する電圧供給時間を制御する。
【００１６】
また、本発明の第８の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、前記パラメータが、前記発光素子を流れる電流を含む。
【００１７】
また、本発明の第９の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、前記パラメータが、前記発光素子の輝度を含む。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、発光輝度を安定化させることができる画像表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の第１〜３実施形態を図面に基づいて順次説明する。
【００２０】
＜第１実施形態＞
＜画像表示装置の機能的な構成＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る画像表示装置１の機能的な構成を示す図である。具体的には、図１は、有機ＥＬパネル３の駆動を制御する機能について説明するための図である。
【００２１】
画像表示装置１は、主に、制御部２、有機ＥＬパネル３、電流値取得部４、Ｘドライバ５Ｘ、専用ドライバ５Ｙ、および電源部としての電源回路６を備えている。なお、ここでは、画像信号が赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３原色に係る信号によって構成されるものとする。そして、有機ＥＬパネル３が、赤色の光を発する発光素子、緑色の光を発する発光素子、青色の光を発する発光素子を備えて構成されているものとする。
【００２２】
制御部２は、画像表示装置１の動作を統括制御する部分であり、ＣＰＵ、ＲＯＭ、およびＲＡＭ等を備えて構成される。例えば、ＲＯＭ内には、プログラムおよび各種データ等が格納され、ＲＯＭ内のプロクラムをＣＰＵが読み込んで実行することで、制御部２における各種制御および機能が実現される。
【００２３】
この制御部２では、外部から入力される入力画像信号から有機ＥＬパネル３で消費されると予測される電流（以下「予測消費電流」と称する）を時間で積分した値（以下「予測電流積分値」と称する）を算出する。そして、制御部２は、この予測電流積分値と、入力画像信号に応じた発光により有機ＥＬパネル３で実際に消費される電流（以下「実測消費電流」と称する）を時間で積分した値（以下「実測電流積分値」とも称する）とを比較して、予測電流積分値と実測電流積分値とが略一致するように有機ＥＬパネル３における発光時間を調節する。なお、本実施形態においては、予測電流積分値が本発明の予測積分値に相当し、実測電流積分値が本発明の実測積分値に相当する。
【００２４】
図１で示されるように、制御部２でプログラムが実行されることで、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ、積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ、予測値取得部２３、電流積分部２４、比較部２５、デューティ制御部２６、ドライバ制御部２７、γ変換部２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ、およびタイミングジェネレータ（ＴＧ）２９が機能的な構成として実現される。
【００２５】
指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、各画素に対応する各色の値（すなわち階調値）がＤr，Ｄg，Ｄbである入力画像信号を受け付ける。そして、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、各色の階調値Ｄr，Ｄg，Ｄbを底とし、所定値（ここでは、２．２）を指数とする指数関数の演算を行う。
【００２６】
ここで、画像の階調の応答特性を表わすときに「ガンマ（γ）」という数値が使われる。例えば、ディスプレイの場合、表面の明るさは入力画像データに正比例せずに、指数関数的な変化をする。入力画像データが小さいときは、該入力画像データの変化に対する明るさの変化は緩やかで、入力画像データが大きくなると、該入力画像データの変化に対する明るさの変化が急激に増大する。この関係が、例えば２．２乗のカーブを描くとき、γは２．２であるという。このγは、画質の硬調・軟調を決める指数であり、γが比較的大きい場合には画質が硬調となり、γが比較的小さい場合には画質が軟調となる。
【００２７】
そして、有機ＥＬパネルの場合には、γ＝２．２が一般に使用されるため、入力画像信号の階調値Ｘを２．２乗することで、各発光素子の発光輝度に対応する出力画像信号の階調値が求まる。また、この階調値は、各色の画素で消費される電流に略比例する。
【００２８】
したがって、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂでは、各色の階調値Ｄr，Ｄg，Ｄbを底とし、２．２を指数とする指数関数の演算がそれぞれ行われる。その結果、各色の画素で消費される電流が間接的に算出される。
【００２９】
具体的には、指数演算部２１Ｒが、入力画像信号（例えば、６ビットの画像信号）のうち、Ｒ色の階調値Ｄr（例えば、０〜６３）を２．２乗した値ｉRを算出する。また、指数演算部２１Ｇが、入力画像信号（例えば、６ビットの画像信号）のうち、Ｇ色の階調値Ｄg（例えば、０〜６３）を２．２乗した値ｉGを算出する。また、指数演算部２１Ｂが、入力画像信号（例えば、６ビットの画像信号）のうち、Ｂ色の階調値Ｄb（例えば、０〜６３）を２．２乗した値ｉBを算出する。
【００３０】
例えば、６ビットで表現される階調値Ｘが、０／６３，１／６３，２／６３，・・・，６３／６３であり、且つ０≦Ｘ≦(６３／６３)である場合には、下式（１）を用いることで、階調値Ｘを２．２乗した値が近似的に求められる。すなわち、階調値Ｘの２．２乗の近似値が求められる。
【００３１】
Ｘ2.2≒(３／４)×Ｘ2＋(１／４)×Ｘ3＝(１／４)×(３Ｘ＋１)×Ｘ2・・・（１）。
【００３２】
積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂでそれぞれ得られた値（階調値を２．２乗した値）を、Ｒ，Ｇ，Ｂの色毎に、有機ＥＬパネル３の画素数（例えば、横１２８０個×縦９６０個の合計約１２２８８００個分）分だけ累積加算する。
【００３３】
詳細には、積算部２２Ｒが、階調値Ｄrを２．２乗した値ｉRを有機ＥＬパネル３のＲ色の画素数分だけ累積加算した値ＳｕｍRを算出する。また、積算部２２Ｇが、階調値Ｄgを２．２乗した値ｉGを有機ＥＬパネル３のＧ色の画素数分だけ累積加算した値ＳｕｍGを算出する。また、積算部２２Ｂが、階調値Ｄbを２．２乗した値ｉBを有機ＥＬパネル３のＢ色の画素数分だけ累積加算した値ＳｕｍBを算出する。
【００３４】
取得部としての予測値取得部２３は、積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂでそれぞれ算出された値ＳｕｍR，ＳｕｍG，ＳｕｍBから、各色の階調値がＤr，Ｄg，Ｄbである入力画像信号に対応して有機ＥＬパネル３で消費されると予測される電流の予測値（予測消費電流）Ｉpを算出する。そして、予測値取得部２３は、予測消費電流Ｉpに、有機ＥＬパネル３の１回の発光における基準発光時間Ｔｓemitを乗じることで、有機ＥＬパネル３の１回の発光で消費されると予測される電流を時間で積分した値（予測電流積分値）Ｑpを算出する。
【００３５】
つまり、本実施形態では、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ、積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ、および予測値取得部２３が、入力画像信号に基づき、画素回路３１の駆動に係るパラメータである電流を時間で積分した予測電流積分値Ｑpを認識する認識部として機能する。
【００３６】
なお、基準発光時間Ｔｓemitは、動画において１フレームの表示開始から次のフレームの表示開始までの期間（例えば、１／６０秒）、すなわち１フレーム分の表示期間（１フレーム表示期間）において１回の発光時間が占める比率（デューティ）の基準値（例えば０．５）を、該１フレーム表示期間に乗じて予め設定されているものとする。
【００３７】
ここで、有機ＥＬパネル３では、ＲＧＢの３色の発光素子において消費される電流の最大値は、有機ＥＬパネル３のホワイトバランスの設定によって異なる。このため、予め設計上決められるＲＧＢの間で異なる係数Ｃr，Ｃg，Ｃbを、値ＳｕｍR，値ＳｕｍG，値ＳｕｍBに乗じて加算することで、予測消費電流Ｉpが算出される。具体的には、下式（２）を用いることで、予測消費電流Ｉpが算出される。
【００３８】
Ｉp＝Ｃr×ΣｉR＋Ｃg×ΣｉG＋Ｃb×ΣｉB
＝Ｃr×ＳｕｍR＋Ｃg×ＳｕｍG＋Ｃb×ＳｕｍB・・・（２）。
【００３９】
更に、下式（３）で示されるように、予測消費電流Ｉpに基準発光時間Ｔｓemitを乗じることで、予測電流積分値Ｑpが算出される。
【００４０】
Ｑp＝Ｉp×Ｔｓemit・・・（３）。
【００４１】
γ変換部２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、各色の階調値がＤr，Ｄg，Ｄbである入力画像信号を受け付けて、いわゆるガンマ補正を行う。ここでは、各色の階調値Ｄr，Ｄg，Ｄbが約２．２乗された値に変換される。
【００４２】
詳細には、γ変換部２８Ｒは、階調値Ｄrから階調値Ｄrを約２．２乗した階調値に変換する。また、γ変換部２８Ｇは、階調値Ｄgから階調値Ｄgを約２．２乗した階調値に変換する。また、γ変換部２８Ｂは、階調値Ｄbから階調値Ｄbを約２．２乗した階調値に変換する。この変換により、入力画像信号は、１０ビットの出力画像信号（すなわち、階調値が０〜１０２３の画像信号）に変換される。そして、変換後の出力画像信号は、Ｘドライバ５Ｘに入力される。
【００４３】
なお、γ変換部２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂにおける変換処理については、変換前の値と変換後の値とを関連付けたテーブルを予め準備しておき、このテーブルが参照されて行われても良いし、逐一演算によって行われても良い。
【００４４】
ＴＧ２９は、Ｘドライバ５Ｘおよび専用ドライバ５Ｙに対して、Ｘドライバ５Ｘおよび専用ドライバ５Ｙの動作を制御するための信号を出力する。
【００４５】
電流積分部２４は、有機ＥＬパネル３の画面全体で実際に消費され、且つ電流値取得部４で取得される電流値（実測消費電流）Ｉrを、有機ＥＬパネル３の１回分の発光期間において積分した値（実測電流積分値）Ｑrを算出する。つまり、本実施形態では、電流積分部２４は、電流値取得部４で取得される実測消費電流Ｉrを時間で積分した実測電流積分値Ｑrを得る部分となっている。
【００４６】
比較部２５は、予測値取得部２３において取得される予測電流積分値Ｑpと、電流積分部２４から入力される実測電流積分値Ｑrとを比較して、比較結果に応じた制御信号をデューティ制御部２６に対して出力する。
【００４７】
デューティ制御部２６は、比較部２５による比較結果に応じて、有機ＥＬパネル３に配列された各画素回路３１に含まれる有機ＥＬ素子１１（図２参照）に電圧を供給する時間（電圧供給時間）を制御する。具体的には、ドライバ制御部２７に対して、デューティに応じた信号を出力する。
【００４８】
ドライバ制御部２７は、デューティ制御部２６から入力される信号に応じて、専用ドライバ５Ｙに対して制御信号を出力する。
【００４９】
有機ＥＬパネル３は、略長方形の輪郭を有する有機ＥＬディスプレイ（organic electroluminescence display）であり、有機材料に電流を流すことで材料自らが発光する自発光型の発光素子を有する。つまり、有機ＥＬパネル３は、自発光型の発光素子を備えた表示部（自発光型表示部）を構成している。
【００５０】
この表示部としての有機ＥＬパネル３には、多数の画素回路３１が配列され、各画素回路３１には、発光素子（ここでは、有機ＥＬ素子）が含まれる。そして、多数の発光素子は、例えば、格子状に配列されている。換言すれば、有機ＥＬパネル３には、第１方向（ここでは、水平方向）に沿って複数の画素回路３１がそれぞれ配列されている複数の画素のライン（画素ライン、以下「水平ライン」とも称する）が、第１方向とは異なる第２方向（ここでは、垂直方向）に沿って配列されている。
【００５１】
また、有機ＥＬパネル３は、発光輝度に対応する出力画像信号を各画素回路３１に供給するための画像信号線Ｌis（図２参照）と、当該画像信号線Ｌisに対して略直交するように設けられ、各画素回路３１に走査信号を供給するための走査信号線Ｌss（図２参照）とを有している。なお、走査信号は、各画素回路３１に画像信号線Ｌisを介して出力画像信号を供給するタイミングを制御する信号である。また、有機ＥＬパネル３は、各画素回路３１に含まれる有機ＥＬ素子１１の両極間に発光に必要な電圧を供給する電源線Ｌvd，Ｌvs（図２参照）を有している。
【００５２】
Ｘドライバ５Ｘは、画像信号線Ｌisに対して電気的に接続され、出力画像信号を画像信号線Ｌisに供給するタイミングを制御する回路（画像信号線駆動回路）である。
【００５３】
専用ドライバ５Ｙは、走査信号を走査信号線Ｌssに供給するタイミング、および電圧を電源線Ｌvd，Ｌvsに供給するタイミングを制御する回路（走査信号線駆動回路）である。
【００５４】
なお、画像表示装置１では、例えば、Ｘドライバ５Ｘが、有機ＥＬパネル３の一辺（例えば、短辺または長辺）に沿って配置され、専用ドライバ５Ｙが、有機ＥＬパネル３の一辺と略直交する他辺（例えば、長辺または短辺）に沿って配置されている。
【００５５】
電流値取得部４は、出力画像信号に応じて各有機ＥＬ素子１１が発光している際に、電源回路６から供給され、有機ＥＬパネル３で消費される電流（電源電流）を実測することで、有機ＥＬパネル３における消費電流の実測値（実測消費電流）Ｉrを取得する。つまり、本実施形態では、電流値取得部４は、入力画像信号に応じた有機ＥＬ素子１１の発光に対して、画素回路３１の駆動に係るパラメータ（ここでは、電流）の実測値（ここでは、実測消費電流Ｉr）を取得する取得部に相当する。
【００５６】
この電流値取得部４は、電流計等を備えて構成され、例えば、電源回路６から有機ＥＬパネル３に至る回路上に抵抗を設け、その抵抗の両端に電流計が接続されている。
【００５７】
電源回路６は、電源（例えば、バッテリー）から供給される電力を、専用ドライバ５Ｙを介して有機ＥＬパネル３の各画素に対して供給するものである。詳細には、電源回路６は、各画素回路３１に対して電気的に接続されるとともに、各画素回路に含まれる発光素子の発光に必要な電圧を供給する。
【００５８】
なお、ここでは、制御部２の各種機能が、ＣＰＵでプログラムが実行されることで実現されたが、これに限られない。例えば、制御部２の全て又は一部の構成が、専用の電子回路等のハードウェア構成によって実現されても良い。
【００５９】
＜画素回路の構成＞
図２は、画像表示装置１を構成する１画素分の画素回路（駆動回路）３１の構成例を示す図である。
【００６０】
画素回路３１は、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）１１、駆動トランジスタ１２、閾値（Ｖth）補償用トランジスタ１３、およびコンデンサ１４を備えている。
【００６１】
有機ＥＬ素子１１は、発光層を流れる電流によって発光輝度が変化する発光素子である。この有機ＥＬ素子１１は、アノード電極１１ａとカソード電極１１ｂとを有している。
【００６２】
アノード電極１１ａは、有機ＥＬ素子１１の発光時に高電位側となる電源線としてのＶDD線Ｌvdに対して電気的に接続されている。また、カソード電極１１ｂは、有機ＥＬ素子１１の発光時に低電位側となる電源線としてのＶSS線Ｌvsに対して駆動トランジスタ１２を介して電気的に接続される。更に、カソード電極１１ｂは、Ｖth補償用トランジスタ１３の第４電極１３ｄｓに対して電気的に接続されている。
【００６３】
駆動トランジスタ１２は、有機ＥＬ素子１１に対して電気的に直列に接続され、有機ＥＬ素子１１における電流を調整することで有機ＥＬ素子１１の発光輝度を制御するトランジスタである。ここでは、駆動トランジスタ１２は、キャリアが電子であるタイプ（ｎ型）のＭＩＳ(Metal Insulator Semiconductor）構造を採用した電界効果トランジスタ（FET:Field Effect Transistor）の一種である薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）、すなわちｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。そして、駆動トランジスタ１２は、第１から第３電極１２ｄｓ，１２ｓｄ，１２ｇを有している。
【００６４】
第１電極１２ｄｓは、有機ＥＬ素子１１のカソード電極１１ｂに対して電気的に接続されている。そして、第１電極１２ｄｓは、アノード電極１１ａからカソード電極１１ｂに向けた方向（順方向）に電流が流れて有機ＥＬ素子１１が発光する際にドレインとして機能する。また、有機ＥＬ素子１１に対して逆方向に電圧が印加される際には、第１電極１２ｄｓはソースとして機能する。更に、第１電極１２ｄｓは、Ｖth補償用トランジスタ１３の第４電極１３ｄｓに対して電気的に接続されている。
【００６５】
第２電極１２ｓｄは、ＶSS線Ｌvsに対して電気的に接続されている。そして、第２電極１２ｓｄは、有機ＥＬ素子１１に対して順方向の電流が流れる際にソースとして機能する。また、有機ＥＬ素子１１に対して逆方向に電圧が印加される際には、第２電極１２ｓｄはドレインとして機能する。更に、第３電極１２ｇは、いわゆるゲートであり、Ｖth補償用トランジスタ１３の第５電極１３ｓｄ、およびコンデンサ１４の一方電極１４ａに対してそれぞれ電気的に接続されている。
【００６６】
また、駆動トランジスタ１２では、第３電極１２ｇに付与される電位、より詳細には第１電極１２ｄｓまたは第２電極１２ｓｄと第３電極１２ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１電極１２ｄｓと第２電極１２ｓｄとの間（以下「第１−２電極間」とも称する）において流れる電流が調整される。そして、この第３電極（ゲート）１２ｇに印加される電位により、駆動トランジスタ１２は、第１−２電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。
【００６７】
Ｖth補償用トランジスタ１３は、駆動トランジスタ１２が導通状態となる場合の、第２電極１２ｓｄに対する第３電極１２ｇの電位の下限値（所定の閾値電圧Ｖth）を検出するとともに、駆動トランジスタ１２のゲート電圧を、閾値電圧Ｖth（以下「閾値Ｖth」と略称する）に調整するトランジスタである。つまり、「閾値Ｖth」は、駆動トランジスタ１２がオフ状態（いわゆるドレイン電流が流れない状態）からオン状態（ドレイン電流が流れる状態）に移り変わるときの、境界となるゲート電圧のことを言う。なお、ここでは、Ｖth補償用トランジスタ１３も、駆動トランジスタ１２と同様にｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。そして、Ｖth補償用トランジスタ１３は、第４から第６電極１３ｄｓ，１３ｓｄ，１３ｇを有している。
【００６８】
第４電極１３ｄｓは、有機ＥＬ素子１１のカソード電極１１ｂおよび駆動トランジスタ１２の第１電極１２ｄｓに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、第５電極１３ｓｄは、駆動トランジスタ１２の第３電極１２ｇおよびコンデンサ１４の一方電極１４ａに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、第６電極１３ｇは、走査信号線Ｌssに対して電気的に接続されている。
【００６９】
また、Ｖth補償用トランジスタ１３では、第６電極１３ｇに付与される電位、より詳細には第４電極１３ｄｓまたは第５電極１３ｓｄと第６電極１３ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第４電極１３ｄｓと第５電極１３ｓｄとの間（第４−５電極間）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第６電極（ゲート）１３ｇに付与される電位により、Ｖth補償用トランジスタ１３は、第４−５電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。
【００７０】
ところで、有機ＥＬ素子１１は、電流によって発光輝度が制御されるため、発光時における駆動トランジスタ１２のゲート電圧のゆらぎに対して、発光輝度が敏感に変動する。特に、駆動トランジスタ１２がアモルファスシリコンを用いて構成された場合には、駆動トランジスタ１２毎に閾値Ｖthが異なる傾向にある。よって、画素毎に異なる閾値Ｖthを補償する機能（Ｖth補償機能）を持たせなければ、所望の発光輝度と実際の発光輝度との間に若干の乖離が生じ、結果として画素間で発光輝度のムラが生じてしまう。
【００７１】
そこで、Ｖth補償用トランジスタ１３は、発光前において画素毎に駆動トランジスタ１２のゲート電圧を閾値Ｖthに合わせることで、駆動トランジスタ１２における閾値Ｖthのばらつきを補償するＶth補償機能を実現する。
【００７２】
コンデンサ１４は、一方電極１４ａおよび他方電極１４ｂを備えて構成されている。そして、一方電極１４ａは、駆動トランジスタ１２の第３電極１２ｇおよびＶth補償用トランジスタ１３の第５電極１３ｓｄに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、他方電極１４ｂは、画像信号線Ｌisに対して電気的に接続されている。なお、ここでは、コンデンサ１４の保持容量を所定値Ｃsとする。
【００７３】
ところで、有機ＥＬ素子１１は、発光時と逆の電圧が印加されるとコンデンサとして機能し、この容量（ＥＬ素子容量）を所定値Ｃoとする。また、駆動トランジスタ１２は、第２電極１２ｓｄと第３電極１２ｇとの間（第２−３電極間）の寄生容量ＣgsTdと、第１電極１２ｄｓと第３電極１２ｇとの間（第１−３電極間）の寄生容量ＣgdTdとを有する。更に、Ｖth補償用トランジスタ１３は、第５電極１３ｓｄと第６電極１３ｇとの間（第５−６電極間）の寄生容量ＣgsTthと、第４電極１３ｄｓと第６電極１３ｇとの間（第４−６電極間）の寄生容量ＣgdTthとを有する。なお、寄生容量ＣgsTd，ＣgdTd，ＣgsTth，ＣgdTthは、それぞれ駆動トランジスタ１２およびＶth補償用トランジスタ１３の構成によって決定される所定値の容量である。
【００７４】
図３は、図２で示した画素回路３１の回路構成に対して、寄生容量ＣgsTth，ＣgdTth，ＣgsTd，ＣgdTdとＥＬ素子容量Ｃoとに係る回路構成（図中破線で記載）を加えた模式図である。
【００７５】
図３で示されるように、画素回路３１では、有機ＥＬ素子１１の両電極間にはＥＬ素子容量Ｃoを有するコンデンサ（素子コンデンサ）Ｃolが存在し、駆動トランジスタ１２の第２−３電極間には寄生容量ＣgsTdを有するコンデンサ１２ｇｓが存在する。そして、駆動トランジスタ１２の第１−３電極間には寄生容量ＣgdTdを有するコンデンサ１２ｇｄが存在する。更に、Ｖth補償用トランジスタ１３の第５−６電極間には寄生容量ＣgsTthを有するコンデンサ１３ｇｓが存在する。また、Ｖth補償用トランジスタ１３の第４−６電極間には寄生容量ＣgdTthを有するコンデンサ１３ｇｄが存在している。
【００７６】
なお、ここでは、１つの画素回路３１に着目して説明したが、有機ＥＬパネル３の全体では、画素回路３１が多数存在する。このため、走査信号線Ｌssも多数存在する。そこで、以下では、多数の走査信号線Ｌssを、適宜「第Ｎ走査信号線（Ｎは自然数）Ｌss」と称する。
【００７７】
＜有機ＥＬ素子の発光に関する駆動方法＞
図４は、有機ＥＬ素子１１を発光させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。図４では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ) ＶDD線Ｌvdに付与される電位（電位Ｖdd）、(ｂ) ＶSS線Ｌvsに付与される電位（電位ＶSS）、(ｃ)第１走査信号線ＬSSに付与される信号の電位（電位Ｖls1）、(ｄ)第２走査信号線ＬSSに付与される信号の電位（電位Ｖls2）、(ｅ)画像信号線Ｌisに付与される信号の電位（電位Ｖlis）、の波形が示されている。
【００７８】
また、図４では、有機ＥＬ素子１１を１回発光させるための駆動波形が示されており、１回の発光に係る期間は、時間順次に、Ｃs初期化期間Ｐ１（時刻ｔ１〜ｔ２）、準備期間Ｐ２（時刻ｔ２〜ｔ３）、Ｖth補償期間Ｐ３（時刻ｔ３〜ｔ４）、書込期間Ｐ４（時刻ｔ４〜ｔ５）、素子初期化期間Ｐ５（時刻ｔ５〜ｔ６）、および発光期間Ｐ６（時刻ｔ６〜）を備えて構成される。なお、書込期間Ｐ４における電位Ｖlisは、各有機ＥＬ素子１１の発光輝度によって決まる任意の値であるため、図４では、当該電位が存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。
【００７９】
図５から図９は、第１実施形態に係る画像表示装置１を駆動させる際に、各期間において発生する画素回路３１の電流の流れを黒塗りの矢印で例示する図である。図５から図９では、画素回路３１のうち、電流の流れに寄与する回路は太線で示され、電流の流れにほとんど寄与しない回路は細線で示されている。以下、図４および図５から図９を適宜参照しつつ、第１実施形態に係る画像表示装置１の駆動方法について説明する。
【００８０】
○Ｃs初期化期間Ｐ１：
図５では、Ｃs初期化期間Ｐ１（以下適宜「期間Ｐ１」と略する）での画素回路３１における電流の流れが例示されている。
【００８１】
期間Ｐ１では、ＶDD線ＬvdおよびＶSS線Ｌvsにそれぞれ所定の正の高電位ＶDD（例えば１５Ｖ）が印加される。また、全走査信号線Ｌssに所定の正の高電位ＶgH（例えば１５Ｖ）が印加される。更に、画像信号線Ｌisに所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が印加される。
【００８２】
このとき、走査信号線Ｌssにおける高電位ＶgHの印加により、第６電極（ゲート）１３ｇに高電位ＶgHに応じた正電位が印加され、Ｖth補償用トランジスタ１３が導通状態となる。一方、ＶDD線ＬvdとＶSS線Ｌvsとが略同電位であり、駆動トランジスタ１２が非導通状態となる。したがって、期間Ｐ１では、図５で示されるように、ＶDD線ＬvdからＶth補償用トランジスタ１３の第４および第５電極１３ｄｓ，１３ｓｄを介してコンデンサ１４に向けて電流が流れ、コンデンサ１４に所定量の電荷（例えば、１５Ｖに応じた電荷量）が蓄積される。
【００８３】
なお、期間Ｐ１における時間経過とともにコンデンサ１４に蓄積される電荷量が高まり、第３電極（ゲート）１２ｇに所定値を超える正電位が付与され、駆動トランジスタ１２が導通状態となることもあり得る。しかし、ＶDD線ＬvdとＶSS線Ｌvsとがともに同電位ＶDDに設定されているため、駆動トランジスタ１２の第１−２電極間には電流が流れない。
【００８４】
○準備期間Ｐ２：
図６では、準備期間Ｐ２（以下適宜「期間Ｐ２」と略する）での画素回路３１における電流の流れが例示されている。
【００８５】
期間Ｐ２では、ＶDD線Ｌvdに負の所定電位−Ｖp（例えば−７Ｖ）が付与される。また、ＶSS線Ｌvsに所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が付与される。また、全走査信号線Ｌssに所定の低電位ＶgL（例えば−１０Ｖ）が付与される。更に、画像信号線Ｌisに所定の高電位ＶdH（例えば１０Ｖ）が印加される。
【００８６】
このとき、走査信号線Ｌssにおける低電位ＶgLの付与により、第６電極（ゲート）１３ｇにはほとんど正の電位が付与されないため、Ｖth補償用トランジスタ１３が非導通状態となる。また、画像信号線Ｌisにおける高電位ＶdHの付与により、第３電極（ゲート）１２ｇに高電位ＶdHに応じた正電位（例えば１５＋１０＝２５Ｖ）が付与され、駆動トランジスタ１２が導通状態となる。
【００８７】
そして、ＶDD線ＬvdよりもＶSS線Ｌvsの方が電位がＶp高いため、図６で示されるように、ＶSS線Ｌvsから駆動トランジスタ１２の第２および第１電極１２ｓｄ，１２ｄｓを順次に介して、有機ＥＬ素子１１に向けて電流が流れる。このとき、有機ＥＬ素子１１すなわち素子コンデンサＣolにＶDD線ＬvdとＶSS線Ｌvsとの間の電位差に応じた所定量の電荷（例えば７Ｖに応じた電荷）が蓄積される。
【００８８】
○Ｖth補償期間Ｐ３：
図７では、Ｖth補償期間Ｐ３（以下適宜「期間Ｐ３」と略する）での画素回路３１における電流の流れが例示されている。
【００８９】
期間Ｐ３では、ＶDD線ＬvdおよびＶSS線Ｌvsにそれぞれ所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が付与される。また、全走査信号線Ｌssに高電位ＶgHが付与される。更に、画像信号線Ｌisに高電位ＶdH（例えば１０Ｖ）が付与される。
【００９０】
このとき、走査信号線Ｌssにおける高電位ＶgHの付与により、第６電極（ゲート）１３ｇに高電位ＶgHに応じた正電位が付与され、Ｖth補償用トランジスタ１３が導通状態となる。また、期間Ｐ３の初期では、コンデンサ１４に蓄積された電荷と画像信号線Ｌisに付与された電位ＶdHにより、駆動トランジスタ１２が導通状態となる。
【００９１】
したがって、期間Ｐ３の初期では、図７で示されるように、コンデンサ１４に蓄積された電荷に伴う電流が、コンデンサ１４からＶth補償用トランジスタ１３の第５および第４電極１３ｓｄ，１３ｄｓ、更には駆動トランジスタ１２の第１および第２電極１２ｄｓ，１２ｓｄを順次に介してＶSS線Ｌvsに向けて流れる。また、素子コンデンサＣolに蓄積された電荷に伴う電流が、駆動トランジスタ１２の第１および第２電極１２ｄｓ，１２ｓｄを順次に介してＶSS線Ｌvsに向けて流れる。
【００９２】
ところが、コンデンサ１４に蓄積された電荷に伴う電流が、コンデンサ１４からＶSS線Ｌvsに向けて流れていくにつれて、コンデンサ１４に蓄積されている電荷が減少する。そして、駆動トランジスタ１２の第２電極１２ｓｄに対する第３電極１２ｇの電位（ゲート電圧）Ｖgが実質的に閾値Ｖthまで減少すると、駆動トランジスタ１２が非導通状態となる。このとき、コンデンサ１４には、閾値Ｖthに応じた電荷が蓄積された状態となる。このように、期間Ｐ３では、閾値Ｖthに応じた電荷がコンデンサ１４に蓄積されて、画素毎に異なる閾値Ｖthのばらつきが補償される。
【００９３】
○書込期間Ｐ４：
図８では、書込期間Ｐ４（以下適宜「期間Ｐ４」と略する）での画素回路３１における電流の流れが例示されている。
【００９４】
期間Ｐ４では、ＶDD線ＬvdおよびＶSS線Ｌvsにそれぞれ基準電位０Ｖが印加されるとともに、出力画像信号に応じた電荷の蓄積を行う処理（データ書込処理）の実施対象画素において、走査信号線Ｌssに高電位ＶgHが付与され、画像信号線Ｌisに電位（ＶdH−Ｖdata）が付与される。なお、電位Ｖdataは、出力画像信号の電位であり、画像を構成する画素の輝度の階調に対応する値に応じた電位である。
【００９５】
このとき、走査信号線Ｌssにおける高電位ＶgHの付与により、第６電極（ゲート）１３ｇに高電位ＶgHに応じた正電位が付与され、Ｖth補償用トランジスタ１３が導通状態となる。一方、画像信号線Ｌisに対して、期間Ｐ３における電位ＶdH以下の電位（ＶdH−Ｖdata）が付与され、駆動トランジスタ１２のゲート電圧Ｖgが閾値Ｖth以下となるため、駆動トランジスタ１２が非導通状態となる。
【００９６】
したがって、期間Ｐ４では、図８で示されるように、有機ＥＬ素子１１（すなわち素子コンデンサＣol）からＶth補償用トランジスタ１３の第４および第５電極１３ｄｓ，１３ｓｄを順次に介してコンデンサ１４に向けて電流が流れる。その結果、コンデンサ１４に既に蓄積された閾値Ｖthに応じた電荷の上に電位Ｖdataに応じた電荷が加算されて蓄積される。すなわち、期間Ｐ４においては、コンデンサ１４に有機ＥＬ素子１１の発光輝度に応じた電荷が蓄積される。換言すれば、期間Ｐ４では、画素回路３１において出力画素信号に応じた電荷がコンデンサ１４に蓄積される。
【００９７】
なお、コンデンサ１４の一方電極１４ａの電位（すなわち駆動トランジスタ１２のゲート電位）の変化量は、画像信号線Ｌisの電位の変化量と、コンデンサ１４の保持容量Ｃsと素子コンデンサＣolのＥＬ素子容量Ｃoとの比（容量比）との積に依拠する。すなわち、本実施形態においては、画像信号線Ｌisの電位がＶdHからＶdataに変化する場合、駆動トランジスタ１２のゲート電位が、（Ｖdata−ＶdH）×Ｃs／（Ｃs＋Ｃo）変化する。例えば、ＶdH＝１０Ｖ，Ｖdata＝５Ｖ、Ｃs：Ｃo＝１：２である場合には、画像信号線Ｌisの電位が−５Ｖ変化し、駆動トランジスタ１２のゲート電位Ｖgは、有機ＥＬ素子１１からコンデンサ１４に対する電荷の移動により、（５−１０）×１／（１＋２）＝−５／３Ｖ変化する。このようにコンデンサ１４に蓄積される電荷の移動により、画像信号線Ｌisの電位の変化が駆動トランジスタ１２のゲート電位に反映される。
【００９８】
○素子初期化期間Ｐ５：
素子初期化期間Ｐ５（以下適宜「期間Ｐ５」と略する）においては、ＶDD線ＬvdおよびＶSS線Ｌvsにそれぞれ所定の負電位−Ｖpが付与される。また、全走査信号線Ｌssに低電位ＶgLが付与される。更に、画像信号線Ｌisに高電位ＶdHが付与される。このとき、Ｖth補償用トランジスタ１３が非導通状態となり、駆動トランジスタ１２が導通状態となる。そして、ＶDD線ＬvdとＶSS線Ｌvsとの間に電位差がなく、ＶSS線Ｌvsが負電位−Ｖpに設定されているため、有機ＥＬ素子１１（すなわち素子コンデンサＣol）に蓄積された電荷が、ＶSS線Ｌvsに抜けて、有機ＥＬ素子１１に蓄積された電荷が一掃される。
【００９９】
○発光期間Ｐ６：
図９では、発光期間Ｐ６（以下適宜「期間Ｐ６」と略する）での画素回路３１における電流の流れが例示されている。
【０１００】
期間Ｐ６では、ＶDD線Ｌvdに正の高電位ＶDDが付与される。また、ＶSS線Ｌvsに基準電位０Ｖが付与される。また、走査信号線Ｌssに低電位ＶgLが付与される。更に、画像信号線Ｌisに高電位ＶdHが付与される。
【０１０１】
このとき、走査信号線Ｌssにおける低電位ＶgLの付与により、Ｖth補償用トランジスタ１３が非導通状態となる。一方、画像信号線Ｌisに対して高電位ＶdHが付与されるため、期間Ｐ４においてコンデンサ１４に蓄積された電荷量（電位Ｖdataに応じた電荷量）に応じた電位分、ゲート電圧Ｖgが閾値Ｖthよりも高くなり、駆動トランジスタ１２が導通状態となる。
【０１０２】
例えば、Ｖdata＝５Ｖ、Ｃs：Ｃo＝１：２である場合には、期間Ｐ４においてコンデンサ１４に蓄積される電荷が、閾値Ｖthよりも５／３Ｖ低い電位（［Ｖth−５／３］Ｖ）に対応する。そして、期間Ｐ６では、期間Ｐ４よりもＶdata（＝５Ｖ）分高い電位が画像信号線Ｌisに対して付与され、第３電極（ゲート）１２ｇに対して、閾値Ｖthよりも１０／３Ｖ高い電位（［Ｖth＋１０／３］Ｖ＝［Ｖth−（５／３）＋５］Ｖ）が付与される。
【０１０３】
そして、ＶDD線ＬvdがＶSS線Ｌvsよりも電位ＶDD分、高電位であり、駆動トランジスタ１２が電位Ｖdataに応じて第１−２電極間で電流が流れる導通状態となる。このため、図９で示されるように、有機ＥＬ素子１１に対して電位Ｖdataに応じた電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子１１が電位Ｖdataに応じた輝度で発光する。つまり、期間Ｐ６では、各画素から出力画像信号に応じた輝度の光が出射される。
【０１０４】
このような期間Ｐ１〜Ｐ６が繰り返されることで、各有機ＥＬ素子１１の発光が繰り返され、有機ＥＬパネル３において出力画像信号に応じた動画像が表示される。
【０１０５】
図１０は、有機ＥＬパネル３が順次に発光する際における発光輝度の経時的な変化を模式的に示す図である。図１０では、横軸が時刻を示し、縦軸が発光輝度を示している。
【０１０６】
図１０で示されるように、期間Ｐ１〜Ｐ５に相当する有機ＥＬ素子１１が発光していない期間（発光準備期間）Ｐpreと、期間Ｐ６に相当する有機ＥＬ素子１１が発光している期間（発光期間）Ｐemitとが繰り返される。なお、発光期間Ｐemitにおける発光輝度は、出力画像信号によって決まる任意の値であるため、図１０では、当該発光輝度が存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。また、動画において１フレームの表示開始から次のフレームの表示開始までの期間（例えば、１／６０秒）、すなわち１フレーム分の表示期間を、以下「１フレーム期間Ｐrd」と称する。なお、１フレーム期間Ｐrdは、発光期間Ｐemitと、その直後の発光準備期間Ｐpreとによって構成される。
【０１０７】
次に、デューティ制御部２６によって、１フレーム期間Ｐrdにおいて発光期間Ｐemitが占める比率（デューティ）を制御する方法（デューティ制御方法）について説明する。
【０１０８】
＜デューティ制御方法＞
図１１は、デューティの制御例を説明するための図である。図１１では、横軸が時刻を示し、縦軸が実測電流積分値Ｑrを示し、太線Ｌqが実測電流積分値Ｑrの経時的な変化を示している。
【０１０９】
ここでは、各フレーム期間Ｐrdについて、予測値取得部２３によって、ある１フレームの入力画像信号に基づいて予測電流積分値Ｑpが得られ、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpと略一致するように、該１フレームのデューティが制御される。
【０１１０】
詳細には、図１１で示されるように、比較部２５において電流積分部２４によって得られる実測電流積分値Ｑrが予測値取得部２３によって得られた予測電流積分値Ｑpまで到達した時点（時刻ｔend）で、デューティ制御部２６およびドライバ制御部２７による制御によって、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給が完了される。
【０１１１】
具体的には、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpまで到達した時点で、デューティ制御部２６およびドライバ制御部２７の制御によって、専用ドライバ５Ｙから電源線Ｌvdに印加される電位Ｖddが、高電位ＶDDから基準電位（ここでは０Ｖ）に変更される。この電源線Ｌvdの電位Ｖddの変更によって、２つの電源線Ｌvd，Ｌvsに付与される電位Ｖdd，Ｖssが同電位となり、有機ＥＬ素子１１の両電極間に印加される電位差が略０となる。つまり、有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止される。そして、このとき、有機ＥＬ素子１１の発光が停止する。
【０１１２】
なお、実際には、有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されてから、有機ＥＬ素子１１の発光が完全に終了するまで、有機ＥＬ素子１１に若干の電流が流れるとともに、有機ＥＬ素子１１が若干発光する。但し、有機ＥＬ素子１１の消灯時に若干流れる電流は、発光期間Ｐemitにおいて有機ＥＬ素子１１に流れる電流と比較して、ほとんど無視できるような極微量なものである。
【０１１３】
したがって、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpまで到達したことに応答して、有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されれば、画素回路３１の駆動に係る実測電流積分値Ｑrが、予測電流積分値Ｑpを基準とした所定の範囲（基準範囲）に含まれることになる。なお、この基準範囲としては、例えば、予測電流積分値Ｑpの±１％以内の範囲等が考えられる。
【０１１４】
このように、デューティ制御部２６によって、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給が開始されるタイミングは維持されつつ、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給を完了するタイミングが変更される。その結果、デューティ制御部２６によって、有機ＥＬ素子１１に対して電圧を供給する時間（電圧供給時間）が制御され、デューティが制御される。
【０１１５】
＜デューティ制御動作＞
図１２および図１３は、画像表示装置１におけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。本動作フローは、制御部２で所定のプログラムが実行されることで実現され、例えば、入力画像信号が制御部２に入力されると開始される。
【０１１６】
まず、ステップＳ１では、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ、積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ、および予測値取得部２３により、予測値（ここでは、予測電流積分値Ｑp）が取得される。
【０１１７】
詳細には、図１３で示されるように、まず、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂにより、各色の６ビットの画像信号を２．２乗した値ｉR，ｉG，ｉBが算出される（ステップＳ１１）。次に、積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂにより、各色について、値ｉR，ｉG，ｉBを有機ＥＬパネル３の各色の画素数分だけ累積加算した値ＳｕｍR，ＳｕｍG，ＳｕｍBが算出される（ステップＳ１２）。その次に、予測値取得部２３により、値ＳｕｍR，ＳｕｍG，ＳｕｍBから、予測消費電流Ｉpが算出される（ステップＳ１３）。更に、予測値取得部２３により、予測消費電流Ｉpに基準発光時間Ｔｓemitを乗じることで、予測電流積分値Ｑpが算出される。
【０１１８】
ステップＳ２では、電流値取得部４および電流積分部２４により、ステップＳ１で予測電流積分値Ｑpの算出対象となった入力画像信号に対応する出力画像信号に応じて有機ＥＬ素子１１が発光させられつつ、該有機ＥＬ素子１１を流れる電流の実測値（実測消費電流）Ｉrが検出される。そして、該実測消費電流Ｉrが時間で積分されることで実測電流積分値Ｑrが取得される処理が開始される。なお、入力画像信号が制御部２に入力されて、ステップＳ１で予測電流積分値Ｑpが算出されるタイミングと、該入力画像信号に対応する出力画像信号に応じて有機ＥＬ素子１１が発光するタイミングとは、所定時間ずれるため、この所定時間のずれが考慮されて、ステップＳ２の処理が開始される。
【０１１９】
ステップＳ３では、比較部２５により、ステップＳ２で取得され始めた実測電流積分値Ｑrが、ステップＳ１で算出された予測電流積分値Ｑpに到達したか否か、つまりＱp≦Ｑrの関係が成立するか否か判定される。ここでは、Ｑp≦Ｑrの関係が成立するまでステップＳ３の判定が繰り返され、Ｑp≦Ｑrの関係が成立すれば、ステップＳ４に進む。
【０１２０】
ステップＳ４では、デューティ制御部２６により、ドライバ制御部２７および専用ドライバ５Ｙを介して、２つの電源線Ｌvd，Ｌvsに付与される電位Ｖdd，Ｖssが同電位に設定され、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されて、本動作フローが終了される。ここでは、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給の停止により、各フレーム毎にデューティが制御される。
【０１２１】
そして、このようなステップＳ１〜Ｓ４の処理が、動画を構成する各フレームについて行われる。
【０１２２】
以上のように、本発明の第１実施形態に係る画像表示装置１では、画素回路３１の駆動に係る実測電流積分値Ｑrが、予測電流積分値Ｑpを基準とした所定の基準範囲に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に対して電圧を供給する時間（電圧供給時間）が制御される。このため、画像表示装置１の発光輝度を安定化させることができる。詳細には、ある１フレームに係る実測電流積分値Ｑrが該１フレームに係る予測電流積分値Ｑpまで到達した時点で、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給が完了される。つまり、実測消費電流Ｉrの測定対象となっているフレームの発光時間、すなわちデューティが制御される。したがって、画像表示装置１の発光輝度をより迅速に安定化させることができる。
【０１２３】
また、有機ＥＬパネル３における画像表示に係る発光の開始のタイミングが固定され、発光の終了のタイミングが変更されることで、デューティが増減される。このため、ユーザが画面のちらつきを感じてしまうような画質の劣化を招くことなく、画像表示装置の発光輝度を安定化させることができる。
【０１２４】
また、比較的簡単な構成で測定可能な電流の実測値とその予測値とを用いて、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御される。このため、構成の複雑化を招くことなく、画像表示装置１の発光輝度を安定化させることができる。
【０１２５】
更に、ここでは、デューティの制御によって画像表示装置１の発光輝度が安定化されるため、ＲＧＢの３色のカラーバランスがほぼ崩れることがない。つまり、カラーバランスの崩れ等といった画質の劣化を招くことなく、画像表示装置１の発光輝度を安定化させることができる。
【０１２６】
＜第２実施形態＞
上記第１実施形態に係る画像表示装置１では、ある１フレームに係る実測電流積分値Ｑrが該１フレームに係る予測電流積分値Ｑpまで到達した時点で、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給が完了された。
【０１２７】
これに対して、第２実施形態に係る画像表示装置１Ａでは、予測電流積分値Ｑpと実測電流積分値Ｑrとを比較して、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpを基準とした許容範囲から外れた場合には、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpを基準とした基準範囲に入るまで、デューティを段階的に増減させる。
【０１２８】
＜画像表示装置の機能的な構成＞
図１で示されるように、第２実施形態に係る画像表示装置１Ａは、第１実施形態に係る画像表示装置１と比較して、比較部２５、デューティ制御部２６、およびドライバ制御部２７が、機能の異なる比較部２５Ａ、デューティ制御部２６Ａ、およびドライバ制御部２７Ａにそれぞれ変更され、該変更により、制御部２が実現される機能が異なる制御部２Ａに変更されたものとなっている。以下、第２実施形態に係る画像表示装置１Ａについて、第１実施形態に係る画像表示装置１と異なる点について主に説明する。但し、第１実施形態に係る画像表示装置１と同様な部分については、同じ符号を付して説明を省略する。
【０１２９】
比較部２５Ａは、予測値取得部２３において取得される予測電流積分値Ｑpと、電流積分部２４から入力される実測電流積分値Ｑrとを比較する。具体的には、比較部２５Ａは、実測電流積分値Ｑrが、予測電流積分値Ｑpを基準とした第１基準範囲Ｒ１から外れているか否か判定する。そして、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１から一旦外れた場合には、実測電流積分値Ｑrと予測電流積分値Ｑpとの大小関係を判定する。また、比較部２５Ａは、実測電流積分値Ｑrが、第１基準範囲Ｒ１よりも狭く且つ予測電流積分値Ｑpを基準とした基準範囲としての第２基準範囲Ｒ２に含まれているか否か判定する。そして、比較部２５Ａは、判定結果に応じた制御信号をデューティ制御部２６Ａに対して出力する。
【０１３０】
デューティ制御部２６Ａは、比較部２５Ａによる比較結果に応じて、有機ＥＬパネル３に配列された各画素回路３１に含まれる有機ＥＬ素子１１に対して電圧を供給する時間（電圧供給時間）を制御する。
【０１３１】
具体的には、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１から一旦外れた場合には、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも小さければ、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に入るまで有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間、すなわちデューティが所定量ずつ増加される。一方、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも大きければ、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に入るまで有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間、すなわちデューティが所定量ずつ低減される。
【０１３２】
ここで、デューティの１回の増減量である所定量としては、例えば、デューティの基準値（例えば、０．５）の１％分の量等が挙げられる。また、第１基準範囲Ｒ１としては、例えば予測電流積分値Ｑpを中心とした該予測電流積分値Ｑpの±５％の範囲等が挙げられる。更に、第２基準範囲Ｒ２としては、例えば予測電流積分値Ｑpを中心とした該予測電流積分値Ｑpの±２．５％の範囲等が挙げられる。
【０１３３】
また、ここでは、現在設定されているデューティに応じた有機ＥＬ素子１１の発光時に得られる実測電流積分値Ｑrと、予測電流積分値Ｑpとを比較した後に、デューティを増減させる。このため、次のフレームから、増減されたデューティに応じた有機ＥＬ素子１１の発光が行われる。
【０１３４】
このように、デューティ制御部２６Ａによって、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に含まれるように有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間の設定値が変更される。そして、デューティ制御部２６Ａによって、実測電流積分値Ｑrに係る実測消費電流Ｉrの測定が行われた有機ＥＬ素子１１において、次回発光するときに、変更後の電圧供給時間の設定値に応じて有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御される。
【０１３５】
なお、ドライバ制御部２７Ａは、デューティ制御部２６Ａで再設定された電圧供給時間、すなわちデューティに応じてデューティ制御部２６Ａから入力される信号に応じて、専用ドライバ５Ｙに対して制御信号を出力する。
【０１３６】
＜デューティ制御方法＞
図１４および図１５は、第２実施形態に係るデューティの制御例を説明するための図である。ここでは、ある程度の期間（時刻ｔ２１〜ｔ２６）において、予測電流積分値Ｑpが一定である場合を例にとって説明する。
【０１３７】
図１４では、実測電流積分値Ｑrが、予測電流積分値Ｑpを基準とした第１基準範囲Ｒ１から外れ、且つ実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも低いものと、比較部２５Ａによって認識された場合のデューティの制御例が示されている。また、図１５では、実測電流積分値Ｑrが、予測電流積分値Ｑpを基準とした第１基準範囲Ｒ１から外れ、且つ実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも高いものと、比較部２５によって認識された場合のデューティの制御例が示されている。具体的には、図１４および図１５では、横軸が時刻、縦軸が実測電流積分値Ｑrを示すとともに、実測電流積分値Ｑr（黒丸および実線）の経時的な変化が示されている。
【０１３８】
まず、図１４で示されるように、実測電流積分値Ｑrが、第１基準範囲Ｒ１内になく、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑp（図１４中の一点鎖線）よりも低い場合（時刻ｔ２１）、デューティ制御部２６Ａにより、ドライバ制御部２７Ａおよび専用ドライバ５Ｙを介して、デューティの増加が開始される。
【０１３９】
ここでは、経時的な特性の変化又は温度変化により、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも低くなっているため、実測電流積分値Ｑrが上昇するように、デューティが増加される。そして、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpを基準とした第２基準範囲Ｒ２に到達するまで、デューティが段階的に増加される（時刻ｔ２１〜ｔ２６）。そして、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に含まれるようになれば、デューティの増加が停止される（時刻ｔ２６）。
【０１４０】
一方、図１５で示されるように、実測電流積分値Ｑrが、第１基準範囲Ｒ１内になく、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑp（図１５中の一点鎖線）よりも高い場合（時刻ｔ２１）、デューティ制御部２６Ａにより、ドライバ制御部２７Ａおよび専用ドライバ５Ｙを介して、デューティの低減が開始される。
【０１４１】
ここでは、経時的な特性の変化又は温度変化により、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも高くなっているため、実測電流積分値Ｑrが低下するように、デューティが低減される。そして、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpを基準とした第２基準範囲Ｒ２に到達するまで、デューティが低減される（時刻ｔ２１〜ｔ２６）。そして、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に含まれるようになれば、デューティの低減が停止される（時刻ｔ２６）。
【０１４２】
＜デューティ制御動作＞
図１６は、第２実施形態に係るデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。本動作フローは、制御部２Ａで所定のプログラムが実行されることで実現され、例えば、入力画像信号が制御部２Ａに入力されると開始される。
【０１４３】
まず、ステップＳＴ１では、図１２のステップＳ１と同様に、図１３で示された処理によって、予測電流積分値Ｑpが取得される。
【０１４４】
ステップＳＴ２では、電流値取得部４および電流積分部２４により、ステップＳＴ１で予測電流積分値Ｑpの算出対象となった入力画像信号に対応する出力画像信号に応じて有機ＥＬ素子１１が発光させられつつ、該有機ＥＬ素子１１を流れる電流の実測値（実測消費電流）Ｉrが検出されるとともに、該実測消費電流Ｉrが時間で積分されて実測電流積分値Ｑrが取得される。このとき、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間は、既に設定されているデューティに応じた時間となっている。また、ここでは、制御部２Ａへの入力画像信号の入力に応じて、ステップＳＴ１で予測電流積分値Ｑpが算出されるタイミングと、該入力画像信号に対応する出力画像信号に応じて有機ＥＬ素子１１が発光するタイミングとの所定時間のずれが考慮されて、ステップＳＴ２の処理が行われる。
【０１４５】
ステップＳＴ３では、比較部２５Ａにより、ステップＳＴ２で取得された実測電流積分値Ｑrが、ステップＳＴ１で取得された予測電流積分値Ｑpを基準とした所定の第１基準範囲Ｒ１から外れているか否か判定される。ここで、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１から外れていれば、ステップＳＴ４に進み、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１から外れていなければ、本動作フローが終了される。
【０１４６】
ステップＳＴ４では、比較部２５Ａにより、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも大きいか否か、すなわちＱp＜Ｑrの関係が成立するか否か判定される。ここで、Ｑp＜Ｑrの関係が成立すれば、ステップＳＴ５に進み、Ｑp＜Ｑrの関係が成立しなければ、ステップＳＴ６に進む。
【０１４７】
ステップＳＴ５では、デューティ制御部２６Ａにより、デューティの設定値が所定量低減される。
【０１４８】
ステップＳＴ６では、デューティ制御部２６Ａにより、デューティの設定値が所定量増加される。
【０１４９】
ステップＳＴ７では、ステップＳＴ１と同様に、図１３で示された処理によって、予測電流積分値Ｑpが取得される。なお、ステップＳＴ７において予測電流積分値Ｑpの算出対象となる入力画像信号は、ステップＳＴ１またはステップＳＴ７において前回得られた予測電流積分値Ｑpの算出対象となったフレームに係る入力画像信号の次のフレームに係る入力画像信号となる。
【０１５０】
ステップＳＴ８では、ステップＳＴ２と同様に、電流値取得部４および電流積分部２４により、ステップＳＴ７で予測電流積分値Ｑpの算出対象となった入力画像信号に対応する出力画像信号に応じて有機ＥＬ素子１１が発光させられつつ、該有機ＥＬ素子１１を流れる電流の実測値（実測消費電流）Ｉrが検出されるとともに、該実測消費電流Ｉrが時間で積分されて実測電流積分値Ｑrが取得される。
【０１５１】
ステップＳＴ９では、比較部２５Ａにより、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpを基準とした所定の第２基準範囲Ｒ２に含まれるか否か判定される。ここで、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に含まれていなければ、ステップＳＴ４に戻り、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に含まれていれば、本動作フローが終了される。つまり、実測電流積分値Ｑrが、第２基準範囲Ｒ２内に到達するまで、ステップＳＴ４〜ＳＴ９の処理が繰り返される。
【０１５２】
そして、このような動作フローが実行されることで、例えば、各フレームの入力画像信号について、予測電流積分値Ｑpと実測電流積分値Ｑrとが取得され、その比較結果に応じて、デューティ制御部２６Ａにより、フレーム毎にデューティが適宜変更される。すなわち、デューティ制御部２６Ａにより、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御される。
【０１５３】
詳細には、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpを基準とした第１基準範囲Ｒ１から外れれば、デューティ制御部２６Ａにより、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも幅が狭い第２基準範囲Ｒ２に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が増減される。一方、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１に含まれている限りは、デューティ制御部２６Ａにより、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が維持される。
【０１５４】
以上のように、第２実施形態に係る画像表示装置１Ａでは、上記第１実施形態に係る画像表示装置１と同様に、画素回路３１の駆動に係る実測電流積分値Ｑrが、予測電流積分値Ｑpを基準とした所定の基準範囲に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に電圧が供給される時間（電圧供給時間）が制御される。このため、画像表示装置１Ａの発光輝度を安定化させることができる。また、比較的簡単な構成で測定可能な電流の実測値とその予測値とに基づいて、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御されるため、構成の複雑化を招くことなく、画像表示装置１Ａの発光輝度を安定化させることができる。
【０１５５】
更に、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１から外れれば、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも幅が狭い第２基準範囲Ｒ２に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が増減される。また、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１に含まれている限りは、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が維持される。したがって、ある程度の発光輝度の変動が許容されるため、頻繁に発光時間が変更されて、ユーザが視覚的に違和感を感じる等と言った不具合の発生を抑制することができる。
【０１５６】
＜第３実施形態＞
上記第１および第２実施形態に係る画像表示装置１，１Ａでは、有機ＥＬパネル３に配列された全ての有機ＥＬ素子１１が同時に点灯する方式（同時点灯方式）が採用されていた。
【０１５７】
これに対して、第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、有機ＥＬパネル３に配列された複数の有機ＥＬ素子１１が、一端側の水平ラインから順次に水平ライン毎に発光を開始および終了する方式（具体的には、プログレッシブ方式）が採用されている。そして、プログレッシブ方式の採用に伴って、第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、上記第１および第２実施形態に係る画像表示装置１，１Ａと比較して、予測電流積分値Ｑpの取得方法、および実測電流積分値Ｑrと予測電流積分値Ｑpとの比較方法が異なる。
【０１５８】
＜画像表示装置の機能的な構成＞
図１７は、本発明の第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂの機能的な構成を示す図である。図１７で示されるように、第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂは、上記第１および第２実施形態に係る画像表示装置１，１Ａと比較して、積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ、予測値取得部２３、電流積分部２４、比較部２５，２５Ａ、デューティ制御部２６，２６Ａ、およびドライバ制御部２７，２７Ａが、機能の異なる積算部２２ＲＢ，２２ＧＢ，２２ＢＢ、予測値取得部２３Ｂ、電流積分部２４Ｂ、比較部２５Ｂ、デューティ制御部２６Ｂ、およびドライバ制御部２７Ｂにそれぞれ変更され、該変更により、制御部２が実現される機能が異なる制御部２Ｂに変更されたものとなっている。
【０１５９】
以下、図１７を参照しつつ、第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂについて、第１および第２実施形態に係る画像表示装置１，１Ａと異なる点について主に説明する。但し、第１および第２実施形態に係る画像表示装置１，１Ａと同様な部分については、同じ符号を付して説明を省略する。
【０１６０】
積算部２２ＲＢ，２２ＧＢ，２２ＢＢは、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂで得られた値（階調値を２．２乗した値）を、Ｒ，Ｇ，Ｂの色毎に、有機ＥＬパネル３の水平ライン毎に累積加算する。例えば、有機ＥＬパネル３において、１つの水平ラインに１２８０個の同色の画素が配列され、且つ９６０本の水平ラインが配列されている場合には、各色に対し、９６０本の水平ラインについて水平ライン毎に１２８０画素分の階調値がそれぞれ累積加算される。
【０１６１】
詳細には、積算部２２ＲＢが、階調値Ｄrが２．２乗された値ｉRを有機ＥＬパネル３の各水平ラインについてＲ色の画素数分だけ累積加算した値ＬＳｕｍRn（ｎは、有機ＥＬパネル３の一端側からの水平ラインの順番を示す自然数）をそれぞれ算出する。また、積算部２２ＧＢが、階調値Ｄgが２．２乗された値ｉGを有機ＥＬパネル３の各水平ラインについてＧ色の画素数分だけ累積加算した値ＬＳｕｍGn（ｎは、水平ラインの順番を示す自然数）をそれぞれ算出する。また、積算部２２ＢＢが、階調値Ｄbが２．２乗された値ｉBを有機ＥＬパネル３の各水平ラインについてＢ色の画素数分だけ累積加算した値ＬＳｕｍBn（ｎは、水平ラインの順番を示す自然数）をそれぞれ算出する。
【０１６２】
予測値取得部２３Ｂは、予測電流演算部２３１、遅延回路２３２、および流れ加算部２３３を有している。
【０１６３】
予測電流演算部２３１は、積算部２２ＲＢ，２２ＧＢ，２２ＢＢでそれぞれ算出された各水平ラインについての値ＳｕｍRn，ＳｕｍGn，ＳｕｍBnから、各色の階調値がＤr，Ｄg，Ｄbである各水平ラインの入力画像信号に対応して有機ＥＬパネル３でそれぞれ消費されると予測される電流の予測値（第ｎ予測消費電流）Ｉpnを算出する。ここでは、第ｎ予測消費電流Ｉpnは、ｎ番目の水平ラインにおいて消費される電流の予測値を示す。
【０１６４】
ここで、有機ＥＬパネル３では、ＲＧＢの３色の有機ＥＬ素子１１において消費される電流の最大値は、有機ＥＬパネル３のホワイトバランスの設定によって異なる。このため、予め設計上決められるＲＧＢの間で異なる係数Ｃr，Ｃg，Ｃbを、値ＳｕｍRn，値ＳｕｍGn，値ＳｕｍBnに乗じて加算することで、第ｎ予測消費電流Ｉpnが算出される。具体的には、下式（４）を用いることで、第ｎ予測消費電流Ｉpnが算出される。
【０１６５】
Ｉpn＝Ｃr×ＳｕｍRn＋Ｃg×ＳｕｍGn＋Ｃb×ＳｕｍBn・・・（４）。
【０１６６】
そして、予測電流演算部２３１で算出された第ｎ予測消費電流Ｉpnは、遅延回路２３２を介して、流れ加算部２３３に対して順次出力される。
【０１６７】
流れ加算部２３３は、第ｎ予測消費電流Ｉpnを用いて、１フレーム分の入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光において有機ＥＬパネル３で消費されると予測される電流を時間で積分した値（予測電流積分値）Ｑpを算出する。
【０１６８】
ここで、プログレッシブ方式が採用された画像表示装置１Ｂにおける発光動作、および流れ加算部２３３における予測電流積分値Ｑpの算出方法について順次説明する。
【０１６９】
プログレッシブ方式が採用された画像表示装置１Ｂでは、１フレーム分の入力画像信号に対して、例えば、有機ＥＬパネル３の上方側の１番目の水平ラインから順に点灯し始め、その後、デューティに応じたＮ本の水平ラインが同時に点灯する。例えば、デューティが０．４の場合には、有機ＥＬパネル３の水平ラインの本数が４８０本であれば、Ｎは１９２（＝４８０×０．４）となる。そして、Ｎ本の水平ラインのうちの最も上方の１本の水平ラインが消灯するタイミングで、Ｎ本の水平ラインの直ぐ下方の１本の水平ラインが点灯する。このため、点灯しているＮ本の水平ラインの帯が上方から下方に向かってシフトしていくとともに、最終的に有機ＥＬパネル３の最も下方側の水平ラインが消灯する。
【０１７０】
このような１フレーム分の入力画像信号に応じた発光動作が順次に繰り返されることで、動画を構成する複数フレーム分の入力画像信号に応じた発光動作が実現される。そして、複数フレーム分の入力画像信号に応じた発光動作では、動画を構成するｍ（ｍは自然数）番目のフレーム（以下「第ｍフレーム」と称する）の入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の下方の複数の水平ラインで行われている状態で、第ｍフレームの次の（ｍ＋１）番目のフレーム（以下「第（ｍ＋１）フレーム」と称する）の入力画像信号に応じた発光動作が有機ＥＬパネル３の上方の水平ラインで開始される。
【０１７１】
例えば、フレーム間にＭ（２または３）本のいわゆるブランクラインが存在している場合、デューティの変更がなければ、第ｍフレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の最も下方の（Ｎ−Ｍ）本の水平ラインで行われている状態から、有機ＥＬパネル３の最も下方の（Ｎ−Ｍ−１）本の水平ラインで行われている状態へ移行する際に、第（ｍ＋１）フレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の最も上方の１本目の水平ラインで開始される。その後、第ｍフレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の最も下方の水平ラインで終了される際に、第（ｍ＋１）フレームの入力画像信号に応じた発光動作が有機ＥＬパネル３の上方の（Ｎ−Ｍ）本の水平ラインで行われる。
【０１７２】
なお、各フレームの入力画像信号に応じて有機ＥＬパネル３の発光が開始されるタイミングの間隔は、入力画像信号のフレーム間隔、すなわちフレームレートＦr（例えば、１／６０秒）で一定となっている。
【０１７３】
流れ加算部２３３では、第ｍフレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の上方のＮ本の水平ラインで行われ始めた時点から、第ｍフレームの入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光が完全に終了する時点までに有機ＥＬパネル３で消費されるものと予測される電流の予測値（予測消費電流）を時間で積分した値（予測電流積分値）Ｑpを算出する。以下、流れ加算部２３３において予測電流積分値Ｑpを算出する処理を「流れ加算処理」と称する。
【０１７４】
なお、ここでは、例えば、第ｍフレームの入力画像信号が制御部２Ｂに入力されて、予測電流演算部２３１において２００番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉpnが算出されるタイミングで、所定本Ｎp（ここでは８本）の水平ライン分遅れて、１９２番目の水平ラインにおいて発光が行われる。つまり、予測消費電流Ｉpnの算出対象となっている水平ラインと、実際に有機ＥＬパネル３で発光している水平ラインとは、所定本Ｎp（ここでは８本）分のずれが生じる。この所定本Ｎp分のずれは、各画素回路３１に対する出力画像信号の書き込みに係る動作に起因して生じる。
【０１７５】
なお、ここで言う所定本Ｎp分に相当するずれの時間（ずれ時間）をＴsfとすれば、ずれ時間Ｔsfは、有機ＥＬパネル３に配列されている全水平ラインの数Ｌtotal、ブランクラインの本数Ｍ、およびフレームレートＦrを用いて、下式（５）によって求められる。
【０１７６】
Ｔsf＝Ｎp／（Ｌtotal＋Ｍ）×Ｆr  ・・・（５）。
【０１７７】
遅延回路２３２は、所定の記憶容量のメモリ等によって構成され、上記所定本Ｎp分のずれ時間Ｔsfに応じて、第ｎ予測消費電流Ｉpnを示す信号の出力タイミングを調整する。具体的には、予測電流演算部２３１から入力される第ｎ予測消費電流Ｉpnを、上記所定本Ｎp分のずれに応じた時間Ｔsf分遅延させて、流れ加算部２３３に与える。
【０１７８】
例えば、Ｎp＝８である場合を想定すると、予測電流演算部２３１で２００番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉpn（ｎ＝２００）が算出される際に、１〜１９２番目の水平ラインが発光する。このとき、流れ加算部２３３では、１〜１９２番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉpn（ここでは、ｎ＝１〜１９２）が加算され、時間で積分される。
【０１７９】
また、予測電流演算部２３１で２０１番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉpn（ｎ＝２０１）が算出される際に、２〜１９３番目の水平ラインが発光する。このとき、流れ加算部２３３では、２〜１９３番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉpn（ここでは、ｎ＝２〜１９３）が加算され、時間で積分される。
【０１８０】
更に、予測電流演算部２３１で２０２番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉpn（ｎ＝２０２）が算出される際に、３〜１９４番目の水平ラインが発光する。このとき、流れ加算部２３３では、３〜１９４番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉpn（ここでは、ｎ＝３〜１９４）が加算され、時間で積分される。
【０１８１】
ここで、予測消費電流Ｉpnの加算対象となるＮ本の水平ラインの帯が切り替わる時間間隔ＴSFは、下式（６）によって求められる。
【０１８２】
ＴSF＝１／（Ｌtotal＋Ｍ）×Ｆr  ・・・（６）。
【０１８３】
なお、流れ加算部２３３では、ＴＧ２９からの信号に応じて、予測消費電流Ｉpnの加算対象となるＮ本の水平ラインの帯が切り替えられる。但し、上式（６）に基づいて予め設定されたタイミングで予測消費電流Ｉpnの加算対象となるＮ本の水平ラインの帯が切り替えられても良い。そして、第ｍフレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の上方のＮ本の水平ラインで行われ始めるタイミング、および第ｍフレームの入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光が完全に終了するタイミングは、デューティ制御部２６Ｂで設定されるデューティと、ＴＧ２９からの信号とによって制御される。
【０１８４】
このようにして、遅延回路２３２の働きにより、流れ加算部２３３において、有機ＥＬパネル３で発光している全ての水平ラインに対応する予測消費電流Ｉpnが時間について順次に積分され、予測電流積分値Ｑpが取得される。つまり、本実施形態では、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ、積算部２２ＲＢ，２２ＧＢ，２２ＢＢ、および予測値取得部２３Ｂが、入力画像信号に基づき、画素回路３１の駆動に係るパラメータである電流を時間で積分した予測電流積分値Ｑpを認識する認識部として機能する。
【０１８５】
なお、第ｍフレームの入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光が完全に終了する時点では、第（ｍ＋１）フレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の上方から（Ｎ−Ｍ）本の水平ラインで行われている。つまり、流れ加算部２３３で取得される予測電流積分値Ｑpは、第ｍフレームの入力画像信号に応じた電流を時間で積分した値と、第ｍフレームの入力画像信号と第（ｍ＋１）フレームの入力画像信号とが混合した入力画像信号に応じた電流を時間で積分した値とが合算されたものとなる。
【０１８６】
図１７に戻って説明を続ける。
【０１８７】
電流積分部２４Ｂは、有機ＥＬパネル３の画面全体で実際に消費され、且つ電流値取得部４で取得される電流値（実測消費電流）Ｉrを、第ｍフレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の上方のＮ本の水平ラインで行われ始めた時点から、第ｍフレームの入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光が完全に終了する時点まで積分することで、実測電流積分値Ｑrを算出する。
【０１８８】
この実測電流積分値Ｑrは、第ｍフレームの入力画像信号に応じて有機ＥＬパネル３が発光する際に有機ＥＬ素子１１で流れる電流を時間で積分した値となっている。したがって、本実施形態では、電流積分部２４Ｂは、電流値取得部４で取得される実測消費電流Ｉrを時間で積分した実測電流積分値Ｑrを得る部分となっている。
【０１８９】
なお、第ｍフレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の上方のＮ本の水平ラインで行われ始めるタイミング、および第ｍフレームの入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光が完全に終了するタイミングは、デューティ制御部２６Ｂで設定されるデューティと、ＴＧ２９からの信号とによって制御される。
【０１９０】
比較部２５Ｂは、第２実施形態に係る比較部２５Ａと同様に、予測値取得部２３Ｂにおいて取得される予測電流積分値Ｑpと、電流積分部２４Ｂから入力される実測電流積分値Ｑrとを比較する。具体的には、比較部２５Ｂは、実測電流積分値Ｑrが、予測電流積分値Ｑpを基準とした第１基準範囲Ｒ１から外れているか否か判定する。そして、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１から一旦外れた場合には、実測電流積分値Ｑrと予測電流積分値Ｑpとの大小関係を判定する。また、比較部２５Ｂは、実測電流積分値Ｑrが、第１基準範囲Ｒ１よりも狭く且つ予測電流積分値Ｑpを基準とした第２基準範囲Ｒ２に含まれているか否か判定する。そして、比較部２５Ｂは、判定結果に応じた制御信号をデューティ制御部２６Ｂに対して出力する。
【０１９１】
デューティ制御部２６Ｂは、第２実施形態に係るデューティ制御部２６Ａと同様に、比較部２５Ｂによる比較結果に応じて、有機ＥＬパネル３に配列された各画素回路３１に含まれる有機ＥＬ素子１１に電圧を供給する時間（電圧供給時間）を制御する。
【０１９２】
具体的には、第２実施形態と同様に、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１から一旦外れた場合には、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも小さければ、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に入るまで、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間、すなわちデューティが所定量ずつ増加される。一方、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも大きければ、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に入るまで、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間、すなわちデューティが所定量ずつ低減される。但し、デューティの１回の増減量である所定量としては、例えば、同時に点灯する水平ラインの本数、すなわちＮを１本増減させる量等が挙げられる。
【０１９３】
また、第１基準範囲Ｒ１としては、第２実施形態と同様に、例えば、予測電流積分値Ｑpを中心とした該予測電流積分値Ｑpの±５％等の範囲が挙げられる。更に、第２基準範囲Ｒ２としては、第２実施形態と同様に、例えば、予測電流積分値Ｑpを中心とした該予測電流積分値Ｑpの±２．５％等の範囲が挙げられる。
【０１９４】
更に、第ｍフレームに係る実測電流積分値Ｑrと予測電流積分値Ｑpとの比較に応じて
デューティ制御部２６Ｂによってデューティが増減されるタイミングは、第（ｍ＋１）フレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の上方の（Ｎ−Ｍ）本の水平ラインで行われているタイミングとなる。そして、デューティの増減により、同時に点灯する水平ラインの本数Ｎが増減する。
【０１９５】
したがって、デューティ制御部２６Ｂによって、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給が開始されるタイミングが維持されつつ、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給を完了するタイミングが変更される。その結果、デューティ制御部２６Ｂによって、有機ＥＬ素子１１に対して電圧を供給する時間（電圧供給時間）が制御される。
【０１９６】
そして、デューティ制御部２６Ｂによって、有機ＥＬパネル３において、各水平ラインに含まれる複数の有機ＥＬ素子１１を垂直方向に上方から順次に発光させつつ、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に含まれるように、各水平ラインに含まれている有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間の設定値が変更される。そして、デューティ制御部２６Ｂによって、実測電流積分値Ｑrに係る実測消費電流Ｉrの測定が行われた有機ＥＬ素子１１の発光タイミングの後の該有機ＥＬ素子１１の発光タイミングにおいて、変更後の電圧供給時間の設定値に応じて有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御される。
【０１９７】
ドライバ制御部２７Ｂは、デューティ制御部２６Ｂで再設定された電圧供給時間、すなわちデューティに応じてデューティ制御部２６Ｂから入力される信号に応じて、専用ドライバ５Ｙに対して制御信号を出力する。
【０１９８】
＜デューティ制御動作＞
図１８および図１９は、本発明の第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂにおけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。本動作フローは、制御部２Ｂで所定のプログラムが実行されることで実現され、例えば、入力画像信号が制御部２Ｂに入力され始めると開始される。
【０１９９】
まず、図１８のステップＳＰ１では、予測電流演算部２３１によって水平ライン毎に第ｎ予測消費電流Ｉpnが算出される処理が開始される。
【０２００】
ステップＳＰ２では、遅延回路２３２によってステップＳＰ１で順次に取得される予測消費電流Ｉpnを流れ加算部２３３に出力するタイミングを遅らせる処理（遅延処理）が開始される。
【０２０１】
ステップＳＰ３では、流れ加算部２３３によって遅延回路２３２から入力される予測消費電流Ｉpnを用いて予測電流積分値Ｑpを算出する流れ加算処理が開始される。
【０２０２】
ステップＳＰ４では、ステップＳＰ３における流れ加算処理の開始とともに、電流積分部２４Ｂによる実測電流積分値Ｑrの取得が開始される。
【０２０３】
ステップＳＰ５では、流れ加算部２３３および電流積分部２４Ｂにおいて、１フレーム分の発光が終了したか否か判定される。具体的には、第ｍフレームの入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光が完全に終了したか否か判定される。ここでは、１フレーム分の発光が終了するまでステップＳＰ５の判定が繰り返され、１フレーム分の発光が終了すればステップＳＰ６に進む。ステップＳＰ６に進むタイミングで、流れ加算部２３３から予測電流積分値Ｑpが比較部２５Ｂに出力され、電流積分部２４Ｂから実測電流積分値Ｑrが比較部２５Ｂに出力される。
【０２０４】
ステップＳＰ６では、比較部２５Ｂにより、実測電流積分値Ｑrが、予測電流積分値Ｑpを基準とした所定の第１基準範囲Ｒ１から外れているか否か判定される。ここで、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１から外れていれば、ステップＳＰ７に進み、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１から外れていなければ、本動作フローが終了される。
【０２０５】
ステップＳＰ７では、比較部２５Ｂにより、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも大きいか否か、すなわちＱp＜Ｑrの関係が成立するか否か判定される。ここで、Ｑp＜Ｑrの関係が成立すれば、ステップＳＰ８に進み、Ｑp＜Ｑrの関係が成立しなければ、ステップＳＰ９に進む。
【０２０６】
ステップＳＰ８では、デューティ制御部２６Ｂにより、デューティの設定値が所定量低減され、図１９のステップＳＰ１１に進む。
【０２０７】
ステップＳＰ９では、デューティ制御部２６Ｂにより、デューティの設定値が所定量増加され、図１９のステップＳＰ１１に進む。
【０２０８】
図１９のステップＳＰ１１では、次のフレームについて、図１８のステップＳＰ５と同様に、流れ加算部２３３および電流積分部２４Ｂにおいて、１フレーム分の発光が終了したか否か判定される。ここでは、１フレーム分の発光が終了するまでステップＳＰ１１の判定が繰り返され、１フレーム分の発光が終了すればステップＳＰ１２に進む。ステップＳＰ１２に進むタイミングで、流れ加算部２３３から予測電流積分値Ｑpが比較部２５Ｂに出力され、電流積分部２４Ｂから実測電流積分値Ｑrが比較部２５Ｂに出力される。
【０２０９】
ステップＳＰ１２では、比較部２５Ｂにより、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpを基準とした所定の第２基準範囲Ｒ２に含まれるか否か判定される。ここで、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に含まれていなければ、図１８のステップＳＰ７に戻り、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に含まれていれば、本動作フローが終了される。つまり、実測電流積分値Ｑrが、第２基準範囲Ｒ２内に到達するまで、ステップＳＰ７〜ＳＰ１２の処理が繰り返される。
【０２１０】
そして、このような動作フローが実行されることで、例えば、各フレームの入力画像信号について、予測電流積分値Ｑpと実測電流積分値Ｑrとが順次に取得され、その比較結果に応じて、デューティ制御部２６Ｂにより、フレーム毎にデューティが適宜変更される。つまり、デューティ制御部２６Ｂにより、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御される。
【０２１１】
詳細には、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpを基準とした第１基準範囲Ｒ１から外れれば、デューティ制御部２６Ｂにより、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも幅が狭い第２基準範囲Ｒ２に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が増減される。一方、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１に含まれている限りは、デューティ制御部２６Ｂにより、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が維持される。
【０２１２】
以上のように、プログレッシブ方式が採用された第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、上記第１および第２実施形態に係る画像表示装置１，１Ａと同様に、画素回路３１の駆動に係る実測電流積分値Ｑrが、予測電流積分値Ｑpを基準とした所定の基準範囲に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に電圧を供給する時間（電圧供給時間）が制御される。このため、画像表示装置１Ｂの発光輝度を安定化させることができる。また、比較的簡単な構成で測定可能な電流の実測値とその予測値とに基づいて、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御されるため、構成の複雑化を招くことなく、画像表示装置１Ｂの発光輝度を安定化させることができる。
【０２１３】
また、上記第２実施形態に係る画像表示装置１Ａと同様に、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１から外れれば、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも幅が狭い第２基準範囲Ｒ２に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が増減される。一方、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１に含まれている限りは、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が維持される。このように、ある程度の発光輝度の変動が許容されるため、頻繁に発光時間が変更されて、ユーザが視覚的に違和感を感じる等と言った不具合の発生を抑制することができる。
【０２１４】
なお、本発明は上述の第１〜３実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【０２１５】
＜変形例１＞
◎上記第１〜３実施形態では、画素回路３１の駆動に係るパラメータとして電流が採用され、有機ＥＬパネル３における実測電流積分値Ｑrと予測電流積分値Ｑpとの比較結果に応じて、有機ＥＬパネル３に係るデューティが制御されたが、これに限られない。例えば、有機ＥＬパネル３の複数の画素回路３１に含まれる複数の発光素子から発せられる光の輝度を、画素回路３１の駆動に係るパラメータとしても良い。
【０２１６】
具体的には、まず、１フレームの入力画像信号に対して、予め定められたルールに基づき、有機ＥＬパネル３から発せられる光の輝度の予測値（輝度予測値）Ｌpを認識して、該輝度予測値Ｌpを時間で積分した値（予測輝度積分値）ＱＬpを取得する。このとき、同じ１フレームの入力画像信号に応じて有機ＥＬパネル３から発せられる光の輝度の実測値（輝度実測値）Ｌrを取得して、該輝度実測値Ｌrを時間で積分した値（実測輝度積分値）ＱＬrを取得する。そして、予測輝度積分値ＱＬpと実測輝度積分値ＱＬrとの比較結果に応じて、有機ＥＬパネル３に係るデューティを制御するようにしても良い。なお、本変形例においては、予測輝度積分値が本発明の予測積分値に相当し、実測輝度積分値が本発明の実測積分値に相当する。
【０２１７】
このような構成によれば、実際の画面の見え方と直結する輝度に合わせて、有機ＥＬ素子１１に電圧を供給する時間が制御されるため、画像表示装置の発光輝度をより確実に安定化させることができる。
【０２１８】
以下、輝度を利用して有機ＥＬパネル３に係るデューティを制御する具体例を挙げて説明する。
【０２１９】
図２０は、本発明の変形例１に係る画像表示装置１Ｃの機能的な構成を示すブロック図である。ここでは、上記第１実施形態と同様な構成について同じ符号を付して説明を省略する。
【０２２０】
画像表示装置１Ｃは、制御部２Ｃ、有機ＥＬパネル３、輝度取得部２００、Ｘドライバ５Ｘ、専用ドライバ５Ｙ、電源回路６、および記憶部５００Ｃを備えている。
【０２２１】
記憶部５００Ｃには、階調値Ｄr，Ｄg，Ｄbと輝度との関係を示すテーブル５０１Ｃが格納されている。テーブル５０１Ｃ内には、例えば、階調値Ｄr，Ｄg，Ｄbに対応させて、輝度計による実測等によって得られた輝度値が初期値として予め格納されている。
【０２２２】
制御部２Ｃでは、ＲＯＭ内等に格納される所定のプログラムが実行されることで、各種機能および動作が実行される。
【０２２３】
具体的には、輝度認識部２１ＲＣ，２１ＧＣ，２１ＢＣが、各画素に対応する各色の値（すなわち階調値）がＤr，Ｄg，Ｄbである入力画像信号を受け付けて、テーブル５０１Ｃを参照し、対応する輝度値Ｐr，Ｐg，Ｐbをそれぞれ認識する。詳細には、輝度認識部２１ＲＣが、Ｒ色の階調値Ｄrに対応する輝度値Ｐrを認識する。輝度認識部２１ＧＣが、Ｇ色の階調値Ｄgに対応する輝度値Ｐgを認識する。輝度認識部２１ＢＣが、Ｂ色の階調値Ｄbに対応する輝度値Ｐbを認識する。
【０２２４】
積算部２２ＲＣ，２２ＧＣ，２２ＢＣが、輝度認識部２１ＲＣ，２１ＧＣ，２１ＢＣで認識された輝度値Ｐr，Ｐg，Ｐbを、色毎に有機ＥＬパネル３の画素数分だけ累積加算する。詳細には、積算部２２ＲＣが、Ｒ色に係る輝度値Ｐrの積算値ＳｕｍＰrを算出する。積算部２２ＧＣが、Ｇ色に係る輝度値Ｐgの積算値ＳｕｍＰgを算出する。積算部２２ＢＣが、Ｂ色に係る輝度値Ｐbの積算値ＳｕｍＰbを算出する。
【０２２５】
予測値取得部２３Ｃは、積算部２２ＲＣ，２２ＧＣ，２２ＢＣで算出された値ＳｕｍＰr，ＳｕｍＰg，ＳｕｍＰbから、各色の階調値がＤr，Ｄg，Ｄbである入力画像信号に対応して有機ＥＬパネル３から発せられると予測される光の輝度の予測値（輝度予測値）Ｌpを算出する。そして、予測値取得部２３Ｃは、輝度予測値Ｌpに、有機ＥＬパネル３の１回の発光における基準発光時間Ｔｓemit（例えば、１／６０秒）を乗じることで、有機ＥＬパネル３の１回の発光時における輝度を時間で積分した値（予測輝度積分値）ＱＬpを算出する。
【０２２６】
ここで、有機ＥＬパネル３では、ＲＧＢの３色の有機ＥＬ素子１１に係る輝度の最大値は、有機ＥＬパネル３のホワイトバランスの設定によって異なる。このため、予め設計上決められるＲＧＢの間で異なる係数Ｃｌr，Ｃｌg，Ｃｌbを、値ＳｕｍＰr，値ＳｕｍＰg，値ＳｕｍＰbに乗じて加算することで、輝度予測値Ｌpが算出される。具体的には、下式（７）を用いることで、輝度予測値Ｌpが算出される。
【０２２７】
Ｌp＝Ｃｌr×ＳｕｍＰr＋Ｃｌg×ＳｕｍＰg＋Ｃｌb×ＳｕｍＰb・・・（７）。
【０２２８】
更に、下式（８）で示されるように、輝度予測値Ｌpに基準発光時間Ｔｓemitを乗じることで、予測輝度積分値ＱＬpが算出される。
【０２２９】
ＱＬp＝Ｌp×Ｔｓemit・・・（８）。
【０２３０】
したがって、本変形例では、輝度認識部２１ＲＣ，２１ＧＣ，２１ＢＣ、積算部２２ＲＣ，２２ＧＣ，２２ＢＣ、および予測値取得部２３Ｃが、入力画像信号に基づき、画素回路３１の駆動に係るパラメータである輝度を時間で積分した予測輝度積分値ＱＬpを認識する認識部として機能する。
【０２３１】
輝度取得部２００は、輝度計等を備えて構成される。この輝度計としては、例えば、各画素回路３１において、各種トランジスタ１２，１３および有機ＥＬ素子１１等が形成されているシリコン基板上に、ダイオードも形成されて輝度計として機能させるような構成が考えられる。そして、本変形例では、輝度取得部２００は、入力画像信号に応じた有機ＥＬ素子１１の発光に対して、画素回路３１の駆動に係るパラメータである輝度の実測値（輝度実測値Ｌr）を取得する取得部に相当する。
【０２３２】
なお、例えば、図２１で示されるように、有機ＥＬパネル３の前面側ではなく、側面側に輝度取得部２００が配置されても良い。図２１では、輝度取得部２００が、有機ＥＬパネル３の前面側に設けられた保護ガラスの側方に出射される光（横向きの光）の輝度を取得する例が示されている。また、図２１では、上方が有機ＥＬパネル３の前面側であり、また、矢印が有機ＥＬパネル３から出射される光の進行方向を示している。但し、このような態様では、輝度取得部２００によって、有機ＥＬパネル３の画面全体から出射される光の輝度を測定することが難しいため、測定される光の輝度に対応する輝度予測値を認識した上で、予測輝度積分値ＱＬpを得る必要性がある。
【０２３３】
輝度積分部２４Ｃは、有機ＥＬパネル３の画面全体から実際に発せられ、且つ輝度取得部２００で取得される輝度値（輝度実測値）Ｌrを、有機ＥＬパネル３の１回分の発光期間において積分した値（実測輝度積分値）ＱＬrを算出する。つまり、本変形例では、輝度積分部２４Ｃは、入力画像信号に応じた有機ＥＬ素子１１の発光に対して、画素回路３１の駆動に係るパラメータである輝度を時間で積分した実測輝度積分値ＱＬrを取得する部分として機能する。
【０２３４】
比較部２５Ｃは、予測値取得部２３Ｃにおいて取得される予測輝度積分値ＱＬpと、輝度積分部２４Ｃから入力される実測輝度積分値ＱＬrとを比較して、比較結果に応じた制御信号をデューティ制御部２６に対して出力する。
【０２３５】
デューティの制御方法については、上記第１実施形態の予測電流積分値Ｑpと実測電流積分値Ｑrとが、予測輝度積分値ＱＬpと実測輝度積分値ＱＬrとに変更されているが、予測電流積分値Ｑpと実測電流積分値Ｑrとの関係に応じたデューティの制御と同様に、予測輝度積分値ＱＬpと実測輝度積分値ＱＬrとの関係に応じたデューティの制御が行われる。
【０２３６】
＜その他の変形例＞
◎例えば、上記第１実施形態では、図１１で示されたように、実測電流積分値Ｑrが、予測電流積分値Ｑpに到達した時点で、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されたが、これに限られない。例えば、図２２で示されるように、実測電流積分値Ｑrが、予測電流積分値Ｑpを基準とした所定の第２基準範囲Ｒ２に到達した時点で、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されても良い。
【０２３７】
◎また、上記第２実施形態では、図１４および図１５で示されたように、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１から一旦外れた場合には、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも小さければ、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に入るまでデューティが所定量ずつ増加された。一方、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも大きければ、実測電流積分値Ｑrが第２基準範囲Ｒ２に入るまでデューティが所定量ずつ低減された。しかしながら、これに限られない。
【０２３８】
例えば、図２３および図２４で示されるように、実測電流積分値Ｑrが第１基準範囲Ｒ１から一旦外れた場合には、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも小さければ、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpを超えるまでデューティが所定量ずつ増加され、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpよりも大きければ、実測電流積分値Ｑrが予測電流積分値Ｑpを下回るまでデューティが所定量ずつ低減されても良い。
【０２３９】
◎また、上記第１〜３実施形態では、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが、指数関数に階調値Ｄr，Ｄg，Ｄbを代入することで、各色の階調値Ｄr，Ｄg，Ｄbを２．２乗した値ｉR，ｉG，ｉBを逐一算出したが、これに限られない。例えば、入力される階調値Ｄr，Ｄg，Ｄbとその階調値Ｄr，Ｄg，Ｄbを２．２乗した値ｉR，ｉG，ｉBとをそれぞれ関連付けたテーブルを記憶部等に格納しておき、そのテーブルを参照することで、各色の階調値を２．２乗した値を取得するようにしても良い。
【０２４０】
◎また、上記第２，３実施形態では、予測電流積分値Ｑpと実測電流積分値Ｑrとの比較が行われた第ｍフレームの次の第（ｍ＋１）フレームに係るデューティが、第ｍフレームに係る予測電流積分値Ｑpと実測電流積分値Ｑrとの比較結果に応じて制御されたが、これに限られない。例えば、予測電流積分値Ｑpと実測電流積分値Ｑrとの比較対象となった第ｍフレームの次以降のフレーム（例えば、第（ｍ＋２）フレーム等）に係るデューティが、第ｍフレームに係る予測電流積分値Ｑpと実測電流積分値Ｑrとの比較結果に応じて制御されても良い。
【０２４１】
◎また、上記第１〜３実施形態では、予測電流積分値Ｑpと実測電流積分値Ｑrとの比較結果に応じて、２つの電源線Ｌvd，Ｌvsに付与される電位Ｖdd，Ｖssが同電位に設定されることで、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されたが、これに限られない。例えば、駆動トランジスタ１２のゲート１２ｇに付与される電位が基準電位（例えば０Ｖ）に設定されることで、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されても良い。
【０２４２】
◎また、上記第１〜３実施形態では、各画素回路３１に含まれる発光素子が、有機ＥＬ素子１１であったが、これに限られず、例えば、無機材料で構成される発光ダイオード等といったその他の発光素子であっても構わない。
【０２４３】
◎また、上記第３実施形態では、全水平ラインに係る第ｎ予測消費電流Ｉpnを用いた流れ加算処理により、有機ＥＬパネル３の全体について予測電流積分値Ｑpが得られ、該予測電流積分値Ｑpと実測電流積分値Ｑrとの比較に応じたデューティの制御が行われたが、これに限られない。例えば、水平ライン毎に流れる電流を検出するための電流計を設け、水平ライン毎に、１フレームの入力画像信号に応じて実際に消費される電流の積分値が、消費されると予測される電流の積分値に到達した時点で、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給を停止しても良い。
【０２４４】
◎なお、上記第１〜３実施形態、変形例１、およびその他の変形例については、矛盾しない限り、その一部の構成を適宜組合せても良い。
【図面の簡単な説明】
【０２４５】
【図１】本発明の第１および第２実施形態に係る画像表示装置の機能的な構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に係る画像表示装置を構成する１画素分の画素回路の構成例を示す図である。
【図３】画素回路で発生する寄生容量を模式的に示す図である。
【図４】有機ＥＬパネルの駆動波形を示すタイミングチャートである。
【図５】Ｃs初期化期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。
【図６】準備期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。
【図７】Ｖth補償期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。
【図８】書込期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。
【図９】発光期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。
【図１０】有機ＥＬパネルが順次に発光する際の時刻と発光輝度との関係を示す図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係るデューティの制御例を説明するための図である。
【図１２】本発明の第１実施形態に係る画像表示装置におけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。
【図１３】本発明の第１実施形態に係る画像表示装置におけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。
【図１４】本発明の第２実施形態に係るデューティの制御例を説明するための図である。
【図１５】本発明の第２実施形態に係るデューティの制御例を説明するための図である。
【図１６】本発明の第２実施形態に係る画像表示装置におけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。
【図１７】本発明の第３実施形態に係る画像表示装置の機能的な構成を示す図である。
【図１８】本発明の第３実施形態に係る画像表示装置におけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。
【図１９】本発明の第３実施形態に係る画像表示装置におけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。
【図２０】本発明の変形例１に係る画像表示装置の機能的な構成を示す図である。
【図２１】本発明の変形例１に係る画像表示装置を説明するための図である。
【図２２】本発明の他の変形例に係るデューティの制御を説明するための図である。
【図２３】本発明の他の変形例に係るデューティの制御を説明するための図である。
【図２４】本発明の他の変形例に係るデューティの制御を説明するための図である。
【符号の説明】
【０２４６】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ  画像表示装置
２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ  制御部
３  有機ＥＬパネル
４  電流値取得部
５Ｘ  Ｘドライバ
５Ｙ  専用ドライバ
６  電源回路
１１  有機ＥＬ素子
２１Ｂ，２１Ｇ，２１Ｒ  指数演算部
２１ＢＣ，２１ＧＣ，２１ＲＣ  輝度認識部
２２Ｂ，２２ＢＢ，２２ＢＣ，２２Ｇ，２２ＧＢ，２２ＧＣ，２２Ｒ，２２ＲＢ，２２ＲＣ  積算部
２３，２３Ｂ，２３Ｃ  予測値取得部
２４，２４Ｂ，２４Ｃ  電流積分部
２５，２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ  比較部
２６，２６Ａ，２６Ｂ  デューティ制御部
２７，２７Ａ，２７Ｂ  ドライバ制御部
２８Ｂ，２８Ｇ，２８Ｒ  変換部
３１  画素回路
２００  輝度取得部
２３１  予測電流演算部
２３２  遅延回路
２３３  流れ加算部
５００Ｃ  記憶部
５０１Ｃ  テーブル
【図１】
2010107585.tif 000003
【図２】
2010107585.tif 000004
【図３】
2010107585.tif 000005
【図４】
2010107585.tif 000006
【図５】
2010107585.tif 000007
【図６】
2010107585.tif 000008
【図７】
2010107585.tif 000009
【図８】
2010107585.tif 000010
【図９】
2010107585.tif 000011
【図１０】
2010107585.tif 000012
【図１１】
2010107585.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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