(57)【要約】【課題】  大気圧の変動に対して磁気ヘッドの浮上量を制御することができる浮上量制御方法及び磁気記憶装置を提供する。【解決手段】  測定された磁気記憶装置の温度である環境温度を取得する温度取得ステップ（Ｓ２０１）と、磁気ヘッドにより磁気記録媒体から読み出された所定の周波数の信号に基づく値である信号値を取得する信号値取得ステップ（Ｓ２０２）と、予め生成された情報であり、所定の大気圧下における環境温度と信号値との対応関係を示す情報である関係情報と、温度取得ステップにより取得された環境温度である取得温度と、信号値取得ステップにより取得された信号値である第１信号値とに基づいて、磁気ヘッドの浮上量を制御するための制御量を決定する決定ステップ（Ｓ２０３、Ｓ２０４、Ｓ２０５、Ｓ２０６、Ｓ２０８）とを備える。【選択図】  図１２
2010140578.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッドにより磁気記録媒体に信号を記録する磁気記憶装置における前記磁気ヘッドの浮上量を制御する浮上量制御方法であって、
測定された前記磁気記憶装置の温度である環境温度を取得する温度取得ステップと、
前記磁気ヘッドにより前記磁気記録媒体から読み出された所定の周波数の信号に基づく値である信号値を取得する信号値取得ステップと、
予め生成された情報であり、所定の大気圧下における前記環境温度と信号値との対応関係を示す情報である関係情報と、前記温度取得ステップにより取得された環境温度である取得温度と、前記信号値取得ステップにより取得された信号値である第１信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上量を制御するための制御量を決定する決定ステップと
を備える浮上量制御方法。
【請求項２】
請求項１に記載の浮上量制御方法であって、
前記決定ステップは、前記関係情報における前記取得温度に対応する信号値である第２信号値と前記第１信号値との差が所定の範囲内に収まるように、前記磁気ヘッドの制御量を決定することを特徴とする浮上量制御方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の浮上量制御方法であって、
前記関係情報は、複数の異なる環境温度のそれぞれと、所定の大気圧下、前記複数の異なる環境温度のそれぞれにおいて取得された信号値とが対応付けられ、それぞれ対応付けられた複数の信号値及び環境温度の対応関係に基づいて、前記複数の信号値及び環境温度とは異なる複数の信号値及び環境温度の対応関係が内挿または外挿されることにより生成されることを特徴とする浮上量制御方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の浮上量制御方法であって、
前記関係情報は、所定の大気圧下、複数の異なる環境温度のそれぞれにおいて、前記磁気ヘッドが前記磁気記録媒体に接触する前記磁気ヘッドの制御量に基づいて、前記磁気ヘッドが所定の浮上量となる制御量が基準制御量として算出され、該基準制御量で制御された前記磁気ヘッドにより読み出された信号のレベルに基づく信号値である基準信号値と、前記複数の異なる環境温度のうち前記基準制御量が算出された環境温度とがそれぞれ対応付けられ、前記複数の基準信号値及び環境温度の対応関係に基づいて、前記複数の基準信号値及び環境温度と異なる信号値及び環境温度の対応関係が内挿または外挿されることにより生成されることを特徴とする浮上量制御方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の浮上量制御方法であって、
前記関係情報は、所定の大気圧下、所定の環境温度である第１環境温度において、前記磁気ヘッドが前記磁気記録媒体に接触する前記磁気ヘッドの制御量に基づいて、前記磁気ヘッドが所定の浮上量となる制御量が基準制御量として算出され、該基準制御量で制御された前記磁気ヘッドにより読み出された信号のレベルに基づく信号値である基準信号値と、前記第１環境温度とが対応付けられ、また、前記所定の大気圧下、前記第１環境温度とは異なる少なくとも１つの環境温度である第２環境温度において、前記基準制御量で制御された前記磁気ヘッドにより読み出された信号値と、前記第２環境温度とが対応付けられ、前記基準信号値及び第１環境温度の対応関係と、前記信号値及び第２環境温度の対応関係とに基づいて、前記基準信号値及び第１環境温度の対応関係と、前記信号値及び第２環境温度の対応関係とは異なる信号値及び環境温度の対応関係が内挿または外挿されることにより生成されることを特徴とする浮上量制御方法。
【請求項６】
磁気ヘッドにより磁気記録媒体に信号を記録し、前記磁気ヘッドの浮上量を制御する磁気記憶装置であって、
測定された前記磁気記憶装置の温度である環境温度を取得する温度取得部と、
前記磁気ヘッドにより前記磁気記録媒体から読み出された所定の周波数の信号に基づく値である信号値を取得する信号値取得部と、
予め生成された情報であり、所定の大気圧下における前記環境温度と信号値との対応関係を示す情報である関係情報と、前記温度取得部により取得された環境温度である取得温度と、前記信号値取得部により取得された信号値である第１信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上量を制御するための制御量を決定する決定部と
を備える磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ヘッドの浮上量を制御する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気記憶装置において、記憶媒体に対する磁気ヘッドの浮上量を制御する技術が知られている。このような技術の一例として、磁気ヘッドに熱源を有することで浮上量を調節する機構に対して、計測温度に基づいて与える電流を制御することにより、浮上量を予め用意された設計値に維持する技術が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−１６４３８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、磁気ヘッドの浮上量の変動要因には、大気圧の変動、温度の変動によるスライダの熱変形、温度の変動によるギャップ部の熱変形がある。上述した従来技術は、温度の変動による浮上量の変動にのみ対応可能であり、大気圧の変動に対する浮上量の変動に対しては、対応することができないという問題がある。
【０００４】
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、大気圧の変動に対して磁気ヘッドの浮上量を制御することができる浮上量制御方法及び磁気記憶装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決するため、浮上量制御方法は、磁気ヘッドにより磁気記録媒体に信号を記録する磁気記憶装置における前記磁気ヘッドの浮上量を制御する方法であって、測定された前記磁気記憶装置の温度である環境温度を取得する温度取得ステップと、前記磁気ヘッドにより前記磁気記録媒体から読み出された所定の周波数の信号に基づく値である信号値を取得する信号値取得ステップと、予め生成された情報であり、所定の大気圧下における前記環境温度と前記信号値との対応関係を示す情報である関係情報と、前記温度取得ステップにより取得された環境温度である取得温度と、前記信号値取得ステップにより取得された信号値である第１信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上量を制御するための制御量を決定する決定ステップとを備える。
【０００６】
また、磁気記憶装置は、磁気ヘッドにより磁気記録媒体に信号を記録し、前記磁気ヘッドの浮上量を制御する装置であって、測定された前記磁気記憶装置の温度である環境温度を取得する温度取得部と、前記磁気ヘッドにより前記磁気記録媒体から読み出された所定の周波数の信号に基づく値である信号値を取得する信号値取得部と、予め生成された情報であり、所定の大気圧下における前記環境温度と前記信号値との対応関係を示す情報である関係情報と、前記温度取得部により取得された環境温度である取得温度と、前記信号値取得部により取得された信号値である第１信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上量を制御するための制御量を決定する決定部とを備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、大気圧の変動に対して磁気ヘッドの浮上量を制御することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について図を用いて説明する。
【０００９】
実施の形態１．
まず、本実施の形態に係る磁気記憶装置のハードウェア構成について説明する。図１は、本実施の形態に係る磁気記憶装置のハードウェア構成を示す図である。
【００１０】
図１に示すように、本実施の形態に係る磁気記憶装置１は、ヘッドＩＣ１０、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１１、メモリ１２、記憶媒体としての磁気ディスク１３、温度センサ１４、磁気ヘッド１５を備えるものである。
【００１１】
磁気ディスク１３は、本実施の形態における磁気記憶媒体であり、所定の記憶領域に後述する基準情報（関係情報）が記録されているものである。磁気ヘッド１５は、磁気ディスク１３に記録信号を書き込み、磁気ディスク１３に書き込まれた信号を再生信号として読み取る磁気ヘッドである。また、温度センサ１４は、磁気記憶装置１の環境温度を測定するセンサである。なお、この温度センサ１４は磁気記憶装置１の外部に備えられていても良い。
【００１２】
次に、ヘッドＩＣの構成について説明する。図２は、ヘッドＩＣのハードウェア構成を示す図である。また、図３は、磁気ヘッドの構成を示す図である。また、図４は、圧電素子を用いた場合の磁気ヘッドの構成を示す図である。
【００１３】
図２に示すように、ヘッドＩＣ１０は、リードアンプ１０１、ライトアンプ１０２、レベル測定部１０３、レジスタ１０４、Ｄ／Ａ変換器１０５、ヒータアンプ１０６を備えるものである。また、図３に示すように、磁気ヘッド１５は、アームに取り付けられたスライダと、スライダの先端にある絶縁膜からなる。また、この絶縁膜内には、記録再生素子１５１、ヒータ１５２が備えられている。
【００１４】
リードアンプ１０１は、磁気ヘッド１５による磁気ディスク１３からの読み出し時に再生信号を増幅するものである。また、ライトアンプ１０２は、磁気ヘッド１５による磁気ディスク１３への書き込み時に記録信号を増幅するものである。また、記録再生素子１５１は、記録信号としての電流を磁界に変換して磁気ディスク１３に記録し、磁気ディスク１３から発生する磁界を電気信号に変換する素子である。なお、この記録再生素子１５１は、記録素子と再生素子により構成されても良い。また、レベル測定部１０３は、リードアンプ１０１により増幅された読み出し信号をレベル測定するものである。また、ヒータ１５２は、入力される電流に応じて熱を発生させるものである。このヒータ１５２による熱によって絶縁膜が膨張し、その結果として磁気ディスク１３に対する記録再生素子１５１の浮上量が調節される。なお、ヒータ１５２による浮上量の調節は一例であり、例えば、図４に示すようにスライダに圧電素子を備え、この圧電素子によりスライダを反らせて浮上量を調節しても良い。また、レジスタは、ヒータ１５２への電流の設定値を入力するものである。また、Ｄ／Ａ変換器１０５は、レジスタに入力された設定値（デジタル値）をアナログ値に変換するものである。ヒータアンプ１０６は、Ｄ／Ａ変換器により変換されたアナログ値を増幅し、ヒータ１５２に電流を供給するものである。
【００１５】
次に、レベル測定部の構成及び動作について説明する。図５は、レベル測定部の構成を示す図である。また、図６は、読み出し信号と略ピーク電圧の波形を示す図である。
【００１６】
図５に示すように、レベル測定部１０３は、ピークホールド回路１０３ａ及びＡ／Ｄ変換器１０３ｂからなる。ピークホールド回路１０３ａは、ダイオードＤ、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、コンデンサＣにより構成される回路である。このピークホールド回路１０３ａは、縦軸を電圧、横軸を時間とする図６に示す読み出し信号としての正弦波を、抵抗Ｒ１とコンデンサＣの時定数により放電して減衰する。これにより正弦波から図６において破線により示される略ピーク電圧が抽出される。この略ピーク電圧がＡ／Ｄ変換器によりデジタル値に変換されることによりレベル測定データが得られる。
【００１７】
なお、測定信号としての読み出し信号の周波数は、後述する磁気ディスク１３の抗磁力Ｈｃに基づく温度変化が高感度に現れるように、可能な限り高い周波数であることが望ましい。よって、本実施の形態においては、磁気ディスク１３に書き込まれたデータ部のプリアンブルに、パーシャル・レスポンス最尤検出（ＰＲＭＬ）方式のナイキスト周波数Ｆ１の１／２の周波数であるＦ２信号がレベル測定のための信号として用いられる。なお、このＦ２信号のレベル測定において、測定数を増やし、レベル測定値の平均化を行うことによって精度を上げることができる。また、Ｆ２信号が書き込まれる位置はプリアンブルに限らず、例えば、Ｆ２信号を書き込む専用のトラックを設け、レベル測定専用のフォーマットを施すことによってもＦ２信号のレベル測定を実現可能である。また、測定信号はＦ２信号に限らず、同様の信号が複数箇所に書き込まれているような信号であれば良く、例えば、サーボ信号のプリアンブルを測定しても良い。
【００１８】
次に、本発明において利用される特性について説明する。本発明は、本実施の形態における磁気ディスク１３のような磁気記録媒体の抗磁力Ｈｃが温度により大きく変化する特性の利用により実現される。図７は、Ｈｃと温度との関係を示すグラフの一例である。また、図８は、Ｈｃの大きさと孤立波の半値幅との関係を示す図である。また、図９は、環境温度と読み出し信号のレベルとの関係を示すグラフの一例である。
【００１９】
上述したＦ２信号のレベルは、大気圧による磁気ヘッド１５の浮上量の変動、書込み時の温度変動、温度変動による磁気ディスク１３の磁気特性変動を要因として変動する。本発明はこれらのＦ２信号レベルの変動要因のうち、書き込み時の温度変動、磁気特性変動（読み出し時の温度変動）を、以下の特性を利用することにより除外し、残る変動要因である大気圧による磁気ヘッド１５の浮上量を制御する。
【００２０】
図７に示すように、磁気ディスク１３の抗磁力Ｈｃ（縦軸）は温度（横軸）が低い程大きくなり、温度が高い程小さくなる。また、Ｈｃの変化に対して、孤立波のレベルはほとんど変化しないが、孤立波の半値幅Ｐｗ５０は変化する。また、図８においてＰで示されるＨｃが大きい場合の孤立波３０２の半値幅Ｐｗ５０は、Ｑで示されるＨｃが小さい場合の孤立波３０１の半値幅Ｐｗ５０よりも小さくなる。更に、半値幅Ｐｗ５０が小さくなる程、分解能が良くなり、高い周波数の信号レベルが大きくなる。これらのことから、図９に示すように、磁気記憶装置１の環境温度（横軸）が低いほど磁気ディスク１３のＨｃ（縦軸）が大きくなり、従って、読み出し信号としての高周波の信号レベルが大きくなる。
【００２１】
また、図９に示すような環境温度と読み出し信号のレベルとの関係は、磁気ディスク１３への信号書き込み時に、どの温度に対しても飽和記録が成されていれば、信号書き込みにおける温度による影響が除外でき、信号の読み出し時の温度のみで読み出し信号レベルが決まることにより見出された関係である。
【００２２】
本実施の形態に係る磁気記憶装置１は、飽和記録により信号を磁気ディスク１３のプリアンブルに書き込むことによって、信号書き込み時の温度による影響を除外することができる。また、磁気記憶装置１において、予め飽和記録により書き込まれた信号の読み出し信号が環境温度別に測定され、その対応関係が基準情報として磁気ディスク１３に予め記録される。本実施の形態において、図９に示す環境温度と読み出し信号レベルとの関係を基準情報とする。この基準情報は、例えば恒温槽により所定の大気圧下において、複数の温度における読み出し信号レベルを測定し、測定した値を内挿または外挿することにより作成される。なお、基準情報は、環境温度と読み出し信号レベルとが対応付けられたものであれば良い。
【００２３】
次に、本実施の形態に係る磁気記憶装置の機能構成について説明する。図１０は、本実施の形態に係る磁気記憶装置の機能構成を示す図である。
【００２４】
図１０に示すように、本実施の形態に係る磁気記憶装置１は、取得部２０１（温度取得部、信号値取得部）、算出部２０２（決定部）、制御部２０３（決定部）を機能として備えるものである。取得部２０１は、温度センサ１４により測定された環境温度、レベル測定部１０３により測定されたＦ２信号の再生信号のレベルとして、読み出し信号レベルを取得するものである。また、算出部２０２は、温度センサ１４により測定された環境温度と、予め保存された基準情報とに基づいて、測定された環境温度における基準信号レベルを決定するものである。この基準信号レベルは、それぞれの温度において基準となる信号レベルであり、制御部２０３により判断基準として用いられる信号レベルである。また、制御部２０３は、測定された環境温度における基準信号レベルと、レベル測定部１０３により測定された読み出し信号レベルとの差（信号レベル差）が所定の範囲内となるようにヒータ１５２に与える電流を制御するものである。なお、これら各部は、実質的にはＭＰＵ１１及びメモリ１２により実現される機能である。
【００２５】
次に、本実施の形態に係る磁気記憶装置の動作について説明する。図１１は、本実施の形態に係る基本情報生成処理の動作を示すフローチャートである。この基本情報生成処理は、図９に示した基準情報を生成する処理であり、磁気ヘッドの浮上量を制御する前に予めなされる処理である。なお、以下の処理は、恒温槽において、所定の大気圧下で、複数の環境温度でなされるものとする。
【００２６】
まず、制御部２０３は、ヒータ１５２への電流として、所定のバイアス値を設定する（Ｓ１０１）。次に、取得部２０１は、レベル測定部１０３より読み出し信号レベルを取得し（Ｓ１０２）、温度センサ１４より環境温度を取得し（Ｓ１０３）、これらを対応付けてメモリ１２に保存する（Ｓ１０４）。このように対応付けられて保存された複数の環境温度における読み出し信号レベルに基づいて、他の温度及び読み出し信号レベルの対応関係が内挿、または外挿されることにより、基準情報が生成される。
【００２７】
次に、浮上量制御処理について説明する。図１２は、本実施の形態に係る浮上量制御処理の動作を示すフローチャートである。この浮上量制御処理は、読み出し信号レベルと、基準信号レベルに基づいて、磁気ヘッドの浮上量を制御する処理である。
【００２８】
まず、取得部２０１は、温度センサ１４より環境温度を取得し（Ｓ２０１、温度取得ステップ）、レベル測定部１０３より読み出し信号レベル（第１信号値）を取得する（Ｓ２０２、信号値取得ステップ）。次に、算出部２０２は、取得された環境温度と、予め用意された基準情報に基づいて、基準信号レベル（第２信号値）を決定する（Ｓ２０３、決定ステップ）。具体的には、基準情報において、取得部２０１により取得された環境温度に対応する信号レベルを基準信号レベルとする。次に、制御部２０３は、読み出し信号レベルと基準信号レベルとの差が所定値以内かどうかを判断する（Ｓ２０４、決定ステップ）。
【００２９】
読み出し信号レベルと基準信号レベルとの差が所定値より大きい場合（Ｓ２０４，ＮＯ）、制御部２０３は、読み出し信号レベルが基準信号レベルより大きいかどうかを判断する（Ｓ２０５、決定ステップ）。
【００３０】
読み出し信号レベルが基準信号レベル以下である場合（Ｓ２０５，ＮＯ）、制御部２０３は、ヒータ１０６に対する電流が所定量増加するように、レジスタ１０４に設定値（制御量）を与える（Ｓ２０６、決定ステップ）。つまり、磁気ヘッド１５の浮上量を所定量下げる。次に、取得部２０７は、レベル測定部１０３より読み出し信号レベルを取得し（Ｓ２０７、信号値取得ステップ）、制御部２０３は、再度、読み出し信号レベルと基準信号レベルとの差が所定値以内かどうかを判断する（Ｓ２０４、決定ステップ）。
【００３１】
一方、読み出し信号レベルが基準信号レベルより大きい場合（Ｓ２０５，ＹＥＳ）、制御部２０３は、ヒータ１０６に対する電流が所定量減少するように、レジスタ１０４に設定値を与える（Ｓ２０８、決定ステップ）。つまり、磁気ヘッド１５の浮上量を所定量上げる。次に、取得部２０１は、レベル測定部１０３より読み出し信号レベルを取得し（Ｓ２０７、信号値取得ステップ）、制御部２０３は、再度、読み出し信号レベルと基準信号レベルとの差が所定値以内かどうかを判断する（Ｓ２０４、決定ステップ）。
【００３２】
また、ステップＳ２０４において、読み出し信号レベルと基準信号レベルとの差が所定値以内である場合（Ｓ２０４，ＹＥＳ）、制御部２０は、浮上量制御処理を終了する。
【００３３】
上述したように、所定の大気圧下において測定された基準信号レベルに読み出し信号レベルを合わせるように磁気ヘッド１５の浮上量を制御することにより、磁気ヘッド１５の浮上量は、温度の変動と大気圧の変動とに対して一定に維持される。なお、この浮上量制御処理を実行するタイミングとして、タイマによる定時間間隔、エラー発生時、コマンド受領時等が挙げられる。このように任意のタイミングにおいて浮上量制御処理を実行することにより精緻な制御か可能となる。
【００３４】
また、図１３に示すような基準信号レベルの変動とヒータ電流との関係をテーブルとして保存しておき、このテーブルに基づいて、ヒータに与える電流を設定することも可能である。具体的には、このテーブルにおいて、読み出し信号レベルに対応するヒータ電流が、ヒータ１５２に与える電流として設定されることにより、浮上量が一定に制御される。
【００３５】
また、浮上量制御処理において、定期的に環境温度を取得しても良い。また、本実施の形態において、ヒータ１５２の制御を電流により行ったが、電力により制御しても構わない。
【００３６】
実施の形態２．
本実施の形態は、実施の形態１とは基準情報の生成方法が異なる。以下、実施の形態１とは異なる本実施の形態に係る基準情報生成処理の動作について説明する。図１４は、本実施の形態に係る基準情報生成処理の動作を示すフローチャートである。なお、以下の処理は、実施の形態１と同様に、恒温槽において、所定の大気圧下で、複数の環境温度でなされるものとする。
【００３７】
まず、制御部２０３は、ヒータ１５２に対する電流が所定量増大するように、レジスタ１０４に設定値を与える（Ｓ３０１）。つまり、制御部２０３は、磁気ヘッド１５の浮上量を所定量下げる。次に、取得部２０１は、レベル測定部１０３より読み出し信号レベルを取得しメモリ１２に保存する（Ｓ３０２）。さらに、取得部２０１は、メモリ１２に保存された読み出し信号レベルが複数かどうかを判断する（Ｓ３０３）。
【００３８】
メモリ１２に保存された読み出し信号レベルが複数である場合（Ｓ３０３，ＹＥＳ）、算出部２０２は、読み出し信号レベルの変動を微分値として算出し（Ｓ３０４）、微分値が所定の範囲内かどうかを判断する（Ｓ３０５）。つまり、変動量により、磁気ヘッド１５が磁気ディスク１３に接触したかどうかを判断する。
【００３９】
微分値が所定の範囲内である場合（Ｓ３０５，ＹＥＳ）、算出部２０２は、最終的にメモリ１２に保存された読み出し信号レベル（最終信号レベル）を、ＴＡＡ１としてメモリ１２に保存する（Ｓ３０６）。次に、制御部２０３は、ヒータ１５２に対する電流が所定量減少するようにレジスタ１０４に設定値を与える（Ｓ３０７）。つまり、制御部２０３は、磁気ヘッド１５の浮上量を所定量上げる。
【００４０】
次に、取得部２０１は、レベル測定部１０３より読み出し信号レベルを取得しＴＡＡ２としてメモリ１２に保存する（Ｓ３０８）。次に、算出部２０２は、メモリ１２に保存されたＴＡＡ１と、ＴＡＡ２に基づいて浮上量を算出する（Ｓ３０９）。この浮上量は、具体的には以下に示すワレスの式により算出される。なお、以下の式において、ｒはディスク半径位置（ｍ）、ｒｐｍはディスク回転数（／分）、ｆは信号周波数（Ｈｚ）である。
浮上量＝ｒ／ｆ×ｒｐｍ／６０×１ｎ（ＴＡＡ１／ＴＡＡ２）
【００４１】
さらに、算出部２０２は、算出した浮上量に対して、所定量以上かどうかを判断する（Ｓ３１０）。なお、ここで所定量として、磁気記憶装置の設計目標としての浮上量が挙げられる。
【００４２】
浮上量が所定量以上である場合（Ｓ３１０，ＹＥＳ）、算出部２０２は、磁気ディスク１３上の基準情報にＴＡＡ２（基準信号値）を保存し（Ｓ３１１）、このＴＡＡ２と対応付けて設定されているヒータ電流を保存する（Ｓ３１２）。
【００４３】
一方、浮上量が所定量未満である場合（Ｓ３１０，ＮＯ）、制御部２０３は、再度、ヒータ１５２に対する電流が所定量減少するようにレジスタ１０４に設定値を与える（Ｓ３０７）。
【００４４】
また、ステップＳ３０５において、微分値が所定の範囲外である場合（Ｓ３０５，ＮＯ）、制御部２０３は、再度、ヒータ１５２に対する電流が所定量増大するように、レジスタ１０４に設定値を与える（Ｓ３０１）。
【００４５】
また、ステップＳ３０３において、メモリ１２に保存された信号レベルが複数ではない場合（Ｓ３０３，ＮＯ）制御部２０３は、再度、ヒータ１０６に対する電流が所定量増大するように、レジスタ１０４に設定値を与える（Ｓ３０１）。
【００４６】
上述した処理が複数の環境温度において繰り返され、他の環境温度と信号レベルとの対応関係が内挿または外挿されることによって、基準情報が生成される。また、各環境温度において、浮上量が所定量に達した時点でのヒータに与えた電流（ヒータ電流、実質的にはレジスタに与える設定値）を保存することにより、このヒータ電流を浮上量制御処理における初期ヒータ電流として用いることができる。具体的には、浮上量制御処理におけるステップＳ２０１において取得された環境温度に最も近い温度において保存されたヒータ電流を初期ヒータ電流とし、この初期ヒータ電流を増減することによって、より短時間に浮上量を制御することができる。また、磁気ヘッド１５を複数備える磁気記憶装置１である場合、本実施の形態に係る基準情報生成処理を実施することにより、全ての磁気ヘッド１５の浮上量を大気圧変動に対して、一定値または所定範囲内に維持することができる。また、磁気ディスク１３の半径位置により、浮上量が変化する場合、磁気ディスク１３の半径位置により領域を分割し、領域ごとに基準情報を作成することで、どの領域においても一定の浮上量を維持することができる。
【００４７】
実施の形態３．
本実施の形態は、実施の形態１及び実施の形態２と基準情報の生成方法が異なる。本実施の形態は、基準情報の生成における読み出し信号の測定が、恒温槽において、所定の大気圧下で、複数の環境温度でなされる点については上述した実施の形態と同様であるが、複数の温度で同様の基準情報生成処理を行わない点が異なる。具体的には、所定の温度においては、実施の形態２の基準情報生成処理が実行され、他の温度においては、実施の形態１の基準情報生成処理が実行される。また、実施の形態１の基準情報生成処理を実行する際、実施の形態２の基準情報生成処理のステップＳ３１２において保存されたヒータ電流が用いられる。このように、本実施の形態においては、その方法が異なる基準情報生成処理により取得された読み出し信号レベルに基づいて、内挿または外挿することにより、基準情報が生成される。また、本実施の形態に係る浮上量制御処理においては、実施の形態２の基準情報生成処理により得られたヒータ電流を、全温度に対する初期ヒータ電流とする。
【００４８】
実施の形態４．
本実施の形態は、ヒータ電流の決定、つまり浮上量の決定が、読み出し信号レベルに代わり、ＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｇａｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路の制御信号レベルに基づいてなされる点が、上述した実施の形態とは異なる。以下、上述した実施の形態とは異なる構成及び動作について説明する。図１５は、本実施の形態に係る磁気記憶装置の構成を示す図である。また、図１６は、ＡＧＣ回路の構成を示すブロック図である。
【００４９】
図１５に示すように、本実施の形態に係る磁気記憶装置１は、ＡＧＣ回路１６、Ａ／Ｄ変換器１７を備える点が実施の形態１及び２とは異なる。
【００５０】
図１６に示すように、ＡＧＣ回路部１６は、ＧＣＡ回路１６１、制御信号出力部１６２からなるものである。ＧＣＡ回路１６１は、制御信号出力部１６２が出力する制御信号に基づいて、再生信号（読み出し信号）のアンプゲインを調節し、この調節したアンプゲインにより読み出し信号を増幅して出力する。また、制御信号出力部１６２は、読み出し信号の信号レベルを一定にするための制御信号を作成して出力するものである。なお、制御信号出力部１６２による制御信号の作成については、特開昭５４−０９１１６５号公報に開示された方法を用いることができる。なお、本実施の形態においては、読み出し信号レベルを測定する必要がないため、ヘッドＩＣ１０にレベル測定部１０３が備えられていなくても構わない。
【００５１】
また、Ａ／Ｄ変換部１７は、制御信号出力部１６２により出力された制御信号をデジタル値に変換するものである。
【００５２】
また、本実施の形態において、基準情報は、読み出し信号レベルに代わって制御信号レベルが、恒温槽における所定の大気圧下で、複数の環境温度で測定されることにより、磁気ディスク１３に記録された情報である。また、浮上量制御処理のステップＳ２０２においては、読み出し信号レベルの代わりに制御信号レベルが取得される。また、ステップＳ２０３においては、基準情報において、測定された環境温度と対応付けられた制御信号レベルが、基準信号レベルとして決定される。
【００５３】
また、実施の形態２に示した基準情報の生成方法においても、読み出し信号レベルの代わりに制御信号レベルを用いることが可能である。
【００５４】
上述したように、本実施の形態によれば、読み出し信号レベルの代わりにＡＧＣ回路１６による制御信号レベルに基づいて、大気圧の変動に対して、磁気ヘッド１５の浮上量を決定することができる。
【００５５】
実施の形態５．
本実施の形態は、浮上量の決定が、読み出し信号レベルに対するフーリエ変換結果に基づいてなされる点が、上述した実施の形態とは異なる。以下、上述した実施の形態と異なる構成及び動作について説明する。図１７は、本実施の形態に係る磁気記憶装置の構成を示す図である。
【００５６】
図１７に示すように、本実施の形態に係る磁気記憶装置１は、その構成において、Ａ／Ｄ変換器１８、サンプルタイミング発生器１９を備える点が、上述した実施の形態とは異なる。
【００５７】
サンプルタイミング発生器１９は、所定のサンプルタイミングを出力するものである。Ａ／Ｄ変換器１８は、このサンプルタイミングに基づいて、ヘッドＩＣ１０から出力された再生信号レベル（読み出し信号レベル）をデジタル変換し、離散化されたデジタル・サンプリング値を出力する。なお、サンプル周波数は、読み出し信号としてのＦ２信号の周波数の２倍以上であれば良いが、本実施の形態においては、Ｆ２信号の周波数の４倍の周波数とする。また、サンプルタイミング発生器１９の動作は、例えば、特開２００４−７１０６０号公報に開示された方法に従って実施される。
【００５８】
また、算出部２０２は、Ａ／Ｄ変換器１８により出力されたデジタル・サンプリング値の信号をフーリエ変換して、Ｆ２の第一次基本波の振幅値を算出する。この振幅値の算出には、例えば、特開平９−３１２０７３号公報に開示された方法を用いる。すなわち、算出部２０２は、デジタル・サンプリング値により、Ｆ２信号成分の余弦係数及び正弦係数を演算し、これらの係数の二乗和の平方根を計算することによって、Ｆ２信号の振幅レベル（第一次基本波の振幅レベル）を算出する。
【００５９】
また、本実施の形態において、基準情報は、読み出し信号レベルに代わって第一次基本波の振幅レベルが、恒温槽における所定の大気圧下で、複数の環境温度において算出部２０２により算出され、磁気ディスク１３に記録された情報である。また、浮上量制御処理のステップＳ２０２においては、読み出し信号レベルの代わりに第一次基本波の振幅レベルが取得される。また、ステップＳ２０３においては、基準情報において、測定された環境温度と対応付けられた第一次基本波の振幅レベルが、基準信号レベルとして決定される。
【００６０】
また、実施の形態２に示した基準情報の生成方法においても、読み出し信号レベルの代わりに第一次基本波の振幅レベルを用いることが可能である。
【００６１】
上述したように、本実施の形態によれば、読み出し信号レベルの代わりに算出部２０２により算出された第一次基本波の振幅レベルに基づいて、磁気ヘッド１５の浮上量を決定することができる。
【００６２】
なお、上述した各実施の形態において、基本情報は、磁気ディスク１３に予め記録されているものとしたが、例えば、磁気記憶装置１に不揮発性メモリが備えられている場合、この不揮発性メモリに記録されていても構わない。
【００６３】
本発明は、その要旨または主要な特徴から逸脱することなく、他の様々な形で実施することができる。
【００６４】
以上、本実施の形態によれば、以下の付記で示す技術的思想が開示されている。
（付記１）  磁気ヘッドにより磁気記録媒体に信号を記録する磁気記憶装置における前記磁気ヘッドの浮上量を制御する浮上量制御方法であって、
測定された前記磁気記憶装置の温度である環境温度を取得する温度取得ステップと、
前記磁気ヘッドにより前記磁気記録媒体から読み出された所定の周波数の信号に基づく値である信号値を取得する信号値取得ステップと、
予め生成された情報であり、所定の大気圧下における前記環境温度と信号値との対応関係を示す情報である関係情報と、前記温度取得ステップにより取得された環境温度である取得温度と、前記信号値取得ステップにより取得された信号値である第１信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上量を制御するための制御量を決定する決定ステップと
を備える浮上量制御方法。
（付記２）  付記１に記載の浮上量制御方法であって、
前記決定ステップは、前記関係情報における前記取得温度に対応する信号値である第２信号値と前記第１信号値との差が所定の範囲内に収まるように、前記磁気ヘッドの制御量を決定することを特徴とする浮上量制御方法。
（付記３）  付記１または付記２に記載の浮上量制御方法であって、
前記関係情報は、複数の異なる環境温度のそれぞれと、所定の大気圧下、前記複数の異なる環境温度のそれぞれにおいて取得された信号値とが対応付けられ、それぞれ対応付けられた複数の信号値及び環境温度の対応関係に基づいて、前記複数の信号値及び環境温度とは異なる複数の信号値及び環境温度の対応関係が内挿または外挿されることにより生成されることを特徴とする浮上量制御方法。
（付記４）  付記１または付記２に記載の浮上量制御方法であって、
前記関係情報は、所定の大気圧下、複数の異なる環境温度のそれぞれにおいて、前記磁気ヘッドが前記磁気記録媒体に接触する前記磁気ヘッドの制御量に基づいて、前記磁気ヘッドが所定の浮上量となる制御量が基準制御量として算出され、該基準制御量で制御された前記磁気ヘッドにより読み出された信号のレベルに基づく信号値である基準信号値と、前記複数の異なる環境温度のうち前記基準制御量が算出された環境温度とがそれぞれ対応付けられ、前記複数の基準信号値及び環境温度の対応関係に基づいて、前記複数の基準信号値及び環境温度と異なる信号値及び環境温度の対応関係が内挿または外挿されることにより生成されることを特徴とする浮上量制御方法。
（付記５）  付記１または付記２に記載の浮上量制御方法であって、
前記関係情報は、所定の大気圧下、所定の環境温度である第１環境温度において、前記磁気ヘッドが前記磁気記録媒体に接触する前記磁気ヘッドの制御量に基づいて、前記磁気ヘッドが所定の浮上量となる制御量が基準制御量として算出され、該基準制御量で制御された前記磁気ヘッドにより読み出された信号のレベルに基づく信号値である基準信号値と、前記第１環境温度とが対応付けられ、また、前記所定の大気圧下、前記第１環境温度とは異なる少なくとも１つの環境温度である第２環境温度において、前記基準制御量で制御された前記磁気ヘッドにより読み出された信号値と、前記第２環境温度とが対応付けられ、前記基準信号値及び第１環境温度の対応関係と、前記信号値及び第２環境温度の対応関係とに基づいて、前記基準信号値及び第１環境温度の対応関係と、前記信号値及び第２環境温度の対応関係とは異なる信号値及び環境温度の対応関係が内挿または外挿されることにより生成されることを特徴とする浮上量制御方法。
（付記６）  付記１乃至付記５のいずれかに記載の浮上量制御方法であって、
前記所定の周波数は、ナイキスト周波数の２分の１の周波数であることを特徴とする浮上量制御方法。
（付記７）  付記１乃至付記６のいずれかに記載の浮上量制御方法であって、
前記信号値は、前記磁気記録媒体に記録されたプリアンブルの信号に基づくことを特徴とする浮上量制御方法。
（付記８）  付記１乃至付記７のいずれかに記載の浮上量制御方法であって、
前記信号値は、前記磁気ヘッドにより前記磁気記録媒体から読み出された信号のピーク値がホールドされることによって測定されるレベルであることを特徴とする浮上量制御方法。
（付記９）  付記１乃至付記７のいずれかに記載の浮上量制御方法であって、
前記信号値は、前記磁気ヘッドにより前記磁気記録媒体から読み出された信号のレベルを一定にするための制御信号のレベルであることを特徴とする浮上量制御方法。
（付記１０）  付記１乃至付記７のいずれかに記載の浮上量制御方法であって、
前記信号値は、前記磁気ヘッドにより前記磁気記録媒体から読み出された信号のレベルのフーリエ変換結果であることを特徴とする浮上量制御方法。
（付記１１）  磁気ヘッドにより磁気記録媒体に信号を記録し、前記磁気ヘッドの浮上量を制御する磁気記憶装置であって、
測定された前記磁気記憶装置の温度である環境温度を取得する温度取得部と、
前記磁気ヘッドにより前記磁気記録媒体から読み出された所定の周波数の信号に基づく値である信号値を取得する信号値取得部と、
予め生成された情報であり、所定の大気圧下における前記環境温度と信号値との対応関係を示す情報である関係情報と、前記温度取得部により取得された環境温度である取得温度と、前記信号値取得部により取得された信号値である第１信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上量を制御するための制御量を決定する決定部と
を備える磁気記憶装置。
（付記１２）  付記１１に記載の磁気記憶装置であって、
前記決定部は、前記関係情報における前記取得温度に対応する信号値である第２信号値と前記第１信号値との差が所定の範囲内に収まるように、前記磁気ヘッドの制御量を決定することを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１３）  付記１１または付記１２に記載の磁気記憶装置であって、
前記関係情報は、複数の異なる環境温度のそれぞれと、所定の大気圧下、前記複数の異なる環境温度のそれぞれにおいて取得された信号値とが対応付けられ、それぞれ対応付けられた複数の信号値及び環境温度の対応関係に基づいて、前記複数の信号値及び環境温度とは異なる複数の信号値及び環境温度の対応関係が内挿または外挿されることにより生成されることを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１４）  付記１１または付記１２に記載の磁気記憶装置であって、
前記関係情報は、所定の大気圧下、複数の異なる環境温度のそれぞれにおいて、前記磁気ヘッドが前記磁気記録媒体に接触する前記磁気ヘッドの制御量に基づいて、前記磁気ヘッドが所定の浮上量となる制御量が基準制御量として算出され、該基準制御量で制御された前記磁気ヘッドにより読み出された信号のレベルに基づく信号値である基準信号値と、前記複数の異なる環境温度のうち前記基準制御量が算出された環境温度とがそれぞれ対応付けられ、前記複数の基準信号値及び環境温度の対応関係に基づいて、前記複数の基準信号値及び環境温度と異なる信号値及び環境温度の対応関係が内挿または外挿されることにより生成されることを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１５）  付記１１または付記１２に記載の磁気記憶装置であって、
前記関係情報は、所定の大気圧下、所定の環境温度である第１環境温度において、前記磁気ヘッドが前記磁気記録媒体に接触する前記磁気ヘッドの制御量に基づいて、前記磁気ヘッドが所定の浮上量となる制御量が基準制御量として算出され、該基準制御量で制御された前記磁気ヘッドにより読み出された信号のレベルに基づく信号値である基準信号値と、前記第１環境温度とが対応付けられ、また、前記所定の大気圧下、前記第１環境温度とは異なる少なくとも１つの環境温度である第２環境温度において、前記基準制御量で制御された前記磁気ヘッドにより読み出された信号値と、前記第２環境温度とが対応付けられ、前記基準信号値及び第１環境温度の対応関係と、前記信号値及び第２環境温度の対応関係とに基づいて、前記基準信号値及び第１環境温度の対応関係と、前記信号値及び第２環境温度の対応関係とは異なる信号値及び環境温度の対応関係が内挿または外挿されることにより生成されることを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１６）  付記１１乃至付記１５のいずれかに記載の磁気記憶装置であって、
前記所定の周波数は、ナイキスト周波数の２分の１の周波数であることを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１７）  付記１１乃至付記１６のいずれかに記載の磁気記憶装置であって、
前記信号値は、前記磁気記録媒体に記録されたプリアンブルの信号に基づくことを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１８）  付記１１乃至付記１７のいずれかに記載の磁気記憶装置であって、
前記信号値は、前記磁気ヘッドにより前記磁気記録媒体から読み出された信号のピーク値がホールドされることによって測定されるレベルであることを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１９）  付記１１乃至付記１７のいずれかに記載の磁気記憶装置であって、
前記信号値は、前記磁気ヘッドにより前記磁気記録媒体から読み出された信号のレベルを一定にするための制御信号のレベルであることを特徴とする磁気記憶装置。
（付記２０）  付記１１乃至付記１７のいずれかに記載の磁気記憶装置であって、
前記信号値は、前記磁気ヘッドにより前記磁気記録媒体から読み出された信号のレベルのフーリエ変換結果であることを特徴とする磁気記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】実施の形態１に係る磁気記憶装置のハードウェア構成を示す図である。
【図２】ヘッドＩＣのハードウェア構成を示す図である。
【図３】磁気ヘッドの構成を示す図である。
【図４】圧電素子を用いた場合の磁気ヘッドの構成を示す図である。
【図５】レベル測定部の構成を示す図である。
【図６】読み出し信号と略ピーク電圧の波形を示す図である。
【図７】Ｈｃと温度との関係を示すグラフの一例である。
【図８】Ｈｃの大きさと孤立波の半値幅との関係を示す図である。
【図９】環境温度と読み出し信号のレベルとの関係を示すグラフの一例である。
【図１０】実施の形態１に係る磁気記憶装置の機能構成を示す図である。
【図１１】実施の形態１に係る基本情報生成処理の動作を示すフローチャートである。
【図１２】実施の形態１に係る浮上量制御処理の動作を示すフローチャートである。
【図１３】基準信号レベルの変動とヒータ電流との関係を示す図である。
【図１４】実施の形態２に係る基準情報生成処理の動作を示すフローチャートである。
【図１５】実施の形態４に係る磁気記憶装置の構成を示す図である。
【図１６】ＡＧＣ回路の構成を示すブロック図である。
【図１７】実施の形態５に係る磁気記憶装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  磁気記憶装置、１０  ヘッドＩＣ、１１  ＭＰＵ、１２  メモリ、１３  磁気ディスク、１４  温度センサ、１５  磁気ヘッド、１６  ＡＧＣ回路部、１０１  リードアンプ、１０２  ライトアンプ、１０３  レベル測定部、１０４  レジスタ、１０５  Ｄ／Ａ変換器、１０６  ヒータアンプ、２０１  取得部、２０２  算出部、２０３  制御部。
【図１】
2010140578.tif 000003
【図２】
2010140578.tif 000004
【図３】
2010140578.tif 000005
【図４】
2010140578.tif 000006
【図５】
2010140578.tif 000007
【図６】
2010140578.tif 000008
【図７】
2010140578.tif 000009
【図８】
2010140578.tif 000010
【図９】
2010140578.tif 000011
【図１０】
2010140578.tif 000012
【図１１】
2010140578.tif 000013
【図１２】
2010140578.tif 000014
【図１３】
2010140578.tif 000015
【図１４】
2010140578.tif 000016
【図１５】
2010140578.tif 000017
【図１６】
2010140578.tif 000018
【図１７】
2010140578.tif 000019