(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコン薄膜の結晶性を測定する。【解決手段】光源５４と、表面に透明導電膜５２ａ，５２ｂが形成された絶縁体５２と、透明導電膜５２ａに直接取り付けられた測定用端子５６と、光源５４から出力された光が絶縁体５２を透過して試料表面に照射されるような配置で、光源５４、透明絶縁体５２及び透明導電膜５２ａ，５２ｂを一体に収納するホルダ５０と、を備える結晶性評価装置を用いる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン薄膜に光を照射し、光照射によって生じた表面光電圧を測定することによって前記シリコン薄膜の結晶性評価を行う結晶性評価装置であって、
光源と、
表面に透明導電膜が形成された透明絶縁体と、
前記透明導電膜に直接取り付けられた測定用端子と、
前記光源から出力された光が前記透明絶縁体を透過して試料表面に照射されるような配置で、前記光源、前記透明絶縁体及び前記測定用端子を一体に収納するホルダと、
を備えることを特徴とする結晶性評価装置。
【請求項２】
請求項１に記載の結晶性評価装置であって、
前記光源は、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長の光を出力することを特徴とする結晶性評価装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の結晶性評価装置であって、
前記透明絶縁体は表裏面を有する形状であり、
前記透明導電膜は前記透明絶縁体の表裏面に形成され、前記光源から出力された光が前記透明絶縁体の前記表裏面を通して試料表面に照射されるように配置されていることを特徴とする結晶性評価装置。
【請求項４】
請求項３に記載の結晶性評価装置であって、
前記透明絶縁体の前記表裏面間の厚さが２０ｍｍ以下であることを特徴とする結晶性評価装置。
【請求項５】
シリコン薄膜の結晶性評価を行う結晶性評価方法であって、
光源と、表面に透明導電膜が形成された透明絶縁体と、前記透明導電膜に直接取り付けられた測定用端子と、前記光源から出力された光が前記透明絶縁体を透過して試料表面に照射されるような配置で前記光源、前記透明絶縁体及び前記測定用端子を一体に収納するホルダと、を備える測定プローブを用いて、
前記光源から前記シリコン薄膜に光を照射し、前記透明導電膜を介して前記測定用端子から光照射によって生じた表面光電圧を測定することを特徴とする結晶性評価方法。
【請求項６】
請求項５に記載の結晶性評価方法であって、
前記光源から光を照射したときの表面光電圧と、前記光源から光を照射していないときの表面光電圧と、の差に基づいて結晶性を評価することを特徴とする結晶性評価方法。
【請求項７】
請求項５又は６のいずれか１つに記載の結晶性評価方法であって、
前記光源から３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長の光を照射することを特徴とする結晶性評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン薄膜の結晶性評価装置及び結晶性評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイのようなフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ：Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の大面積化が進められている。このようなディスプレイでは、ガラス基板上に多結晶シリコン薄膜を形成し、その多結晶シリコン薄膜にトランジスタ素子を形成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）技術が用いられている。
【０００３】
ＴＦＴの性能は、多結晶シリコン薄膜の結晶性に強く影響されるので多結晶シリコン薄膜の結晶性を評価する結晶性評価装置が必要とされている。
【０００４】
一方、薄膜表面の汚染や半導体試料の電気的な特性を測定するために表面光電圧（ＳＰＶ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅ）法が知られている。これは、測定対象物の表面に光を照射し、光入射によって対象物内に電荷を発生させ、電荷の発生に伴う表面電位の変化を測定する方法である（例えば、特許文献１〜４）。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３９２３号公報
【特許文献２】特開平１１−８２８０号公報
【特許文献３】特開平１１−２６０８７５号公報
【特許文献４】特開２００４−５５９３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、従来の表面光電圧測定をシリコン薄膜の結晶性の評価に適用した場合、図８に示すように、試料台１０の上に試料１２を載せ置き、さらに試料１２の表面に透明絶縁性薄膜１４（マイラフィルム等）を挟んで石英ブロック１６を載せたうえで、石英ブロック１６を透して光源１８から光を照射する。石英ブロック１６の表裏面には透明導電膜１６ａ，１６ｂが成膜されており、試料１２の表面に生ずる表面光電圧は試料１２の表面に対向する透明導電膜１６ａを介して測定される。
【０００７】
ここで、石英ブロック１６は試料１２の表面全面を被うことができる大きさを有しており、その透明導電膜１６ａの端辺に測定用端子１６ｃが設けられている。試料１２の表面内の各部の特性を評価する場合、対象となる部位に光源１８を移動させて光を照射し、透明導電膜１６ａを通してその部位の表面電位の変化が測定用端子１６ｃから出力される。
【０００８】
ところが、各測定部位から測定用端子１６ｃまでの距離に応じて透明導電膜１６ａの抵抗値が異なるため、表面光電圧が微弱な場合に測定誤差が大きくなる。例えば、ガラス基板等の表面に膜質が均一となる条件でアモルファスシリコン薄膜を形成した試料１２に対して表面光電圧測定を適用すると、図９に示すように、励起用の光照射位置から測定用端子１６ｃまでの距離に応じて表面光電圧の測定値に誤差が生じる。このように、シリコン薄膜の結晶性等の評価では表面光電圧の測定誤差の影響が大きくなり、評価に十分な確度や精度が得られない問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの態様は、シリコン薄膜に光を照射し、光照射によって生じた表面光電圧を測定することによって前記シリコン薄膜の結晶性評価を行う結晶性評価装置であって、光源と、表面に透明導電膜が形成された透明絶縁体と、前記透明導電膜に直接取り付けられた測定用端子と、前記光源から出力された光が前記透明絶縁体を透過して試料表面に照射されるような配置で、前記光源、前記透明絶縁体及び前記測定用端子を一体に収納するホルダと、を備えることを特徴とする。
【００１０】
ここで、前記光源は、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長の光を出力することが好適である。
【００１１】
また、前記透明絶縁体は表裏面を有する形状であり、前記透明導電膜は前記透明絶縁体の表裏面に形成され、前記光源から出力された光が前記透明絶縁体の前記表裏面を通して試料表面に照射されるように配置されていることが好適である。このとき、前記透明絶縁体の前記表裏面間の厚さを２０ｍｍ以下とすることがより好適である。
【００１２】
本発明の別の態様は、シリコン薄膜の結晶性評価を行う結晶性評価方法であって、光源と、表面に透明導電膜が形成された透明絶縁体と、前記透明導電膜に直接取り付けられた測定用端子と、前記光源から出力された光が前記透明絶縁体を透過して試料表面に照射されるような配置で前記光源、前記透明絶縁体及び前記測定用端子を一体に収納するホルダと、を備える測定プローブを用いて、前記光源から前記シリコン薄膜に光を照射し、前記透明導電膜を介して前記測定用端子から光照射によって生じた表面光電圧を測定することを特徴とする。
【００１３】
ここで、前記光源から光を照射したときの表面光電圧と、前記光源から光を照射していないときの表面光電圧と、の差に基づいて結晶性を評価することが好適である。
【００１４】
ここで、前記光源から３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長の光を照射することがより好適である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、シリコン薄膜の結晶性の評価の確度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態における結晶性評価装置１００は、図１に示すように、試料ステージ３０、測定プローブ３２及び測定部３４を含んで構成される。測定プローブ３２は、試料ステージ３０上に固定される。試料ステージ３０上に試料が置かれ、その一部に測定プローブ３２に設けられた光源から光が照射される。光照射に伴って試料表面に生じた表面光電圧は測定プローブ３２に設けられた検出部を用いて測定される。
【００１７】
試料ステージ３０は、図１に示すように、試料台４０、Ｘ軸ステージ４２、Ｘ軸ステッピングモータ４４、Ｙ軸ステージ４６及びＹ軸ステッピングモータ４８を含んで構成される。Ｘ軸ステージ４２及びＹ軸ステージ４６は組み合わせされてＸ−Ｙステージを構成する。Ｘ軸ステージ４２及びＹ軸ステージ４６の上に試料台４０が設けられる。試料台４０は、測定時に試料を載せ置くために用いられる。
【００１８】
Ｘ軸ステージ４２にはＸ軸ステッピングモータ４４が取り付けられ、測定部３４からの駆動信号によりＸ軸ステッピングモータ４４を駆動させることによって試料台４０をＸ軸方向に位置合わせできる。また、Ｙ軸ステージ４６にはＹ軸ステッピングモータ４８が取り付けられ、測定部３４からの駆動信号によりＹ軸ステッピングモータ４８を駆動させることによって試料台４０をＸ軸方向と直交するＹ軸方向に位置合わせできる。
【００１９】
試料台４０は、測定対象となる試料のサイズに合わせた面積とすることが好適である。例えば、ディスプレイ用のガラス基板に成膜されたシリコン薄膜の特性を測定する場合、基板のサイズは３０００ｍｍ×３０００ｍｍ程度にまで及ぶので試料台４０もこのサイズを載置できるものとすることが好適である。
【００２０】
測定プローブ３２は、図２の構成図（断面図）に示すように、ホルダ５０、絶縁体５２、光源５４及び測定用端子５６を含んで構成される。
【００２１】
ホルダ５０は、アルミニウム等の金属等で構成される。ホルダ５０は、円筒形状を有し、その一端から内側に向けて光源５４が取り付けられ、他端に絶縁体５２が取り付けられている。ホルダ５０は、光源５４から出力される光が絶縁体５２を通らずに散逸してしまわないように不透明な部材で構成することが好適である。
【００２２】
光源５４は、特に限定されるものではないが、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザとすることができる。測定プローブ３２を小型化するためには、光源５４も小型化できる発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザとすることが好適である。本実施の形態では発光ダイオード（ＬＥＤ）とした。光源５４は、測定プローブ３２から試料台４０に向けて光が照射されるようにホルダ５０に取り付けられる。本実施の形態では、測定プローブ３２を小型化する等の観点から、絶縁体５２を通してホルダ５０の外部に向けて光が照射されるようにホルダ５０に取り付けられる。
【００２３】
光源５４は、測定部３４からの駆動信号を受けて、駆動信号に応じて光を発する。測定にロックインアンプを用いる場合、参照周波数で振動する信号を重畳させた駆動信号とし、光源５４から照射される光の強度を参照周波数で変動させることが好適である。本実施の形態では、測定時、光源５４から出力された光は絶縁体５２を通して試料表面に照射される。
【００２４】
光源５４から出力される光の波長は測定対象となる試料の吸光度の波長依存性に基づいて定めることが好適である。例えば、ガラス基板上に形成されたシリコン薄膜の結晶性を評価する場合、光源５４を３００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の波長領域とすることが好適である。特に、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長におけるシリコン薄膜の吸収係数は１０-4〜１０-5（ｃｍ-1）程度となり、光の侵入深さが１００ｎｍ以下となって薄膜測定に適している。
【００２５】
本実施の形態では、絶縁体５２を通して光源５４から光を照射するので、絶縁体５２は透明な絶縁体とされる。絶縁体５２は、例えば、ガラスブロック、石英ブロック、透明なプラスチック等で構成することが好適である。本実施の形態では、絶縁体５２として石英ブロックを用いた。ホルダ５０を円柱形状とした場合、絶縁体５２はホルダ５０の内径より小さい外径を有する円柱形状とすることが好適である。
【００２６】
絶縁体５２の直径Ｄは３０ｍｍ以下とすることが好適である。このような直径とすることによって、絶縁体５２の厚さＴを２０ｍｍ以下としても絶縁体５２に生ずる歪みを抑えることができ、絶縁体５２が歪みによって割れてしまうなどの問題を避けることができる。
【００２７】
従来のように試料全面を被うようなサイズの石英ブロックを用いた場合、自重により歪みが生じて表面光電圧測定が困難となったり、石英ブロックが割れてしまうことを防ぐために石英ブロックを厚くしなければならなかった。したがって、石英ブロックを通して照射される光が減衰してしまい、表面光電圧の測定の感度を高めることができなかった。シリコン薄膜の結晶性の評価では特に高い測定感度が必要であるので絶縁体５２の厚みを薄くする必要があった。本実施の形態では、絶縁体５２の厚さＴを薄くできたことによって、光源５４からの光を効率良く試料表面に照射することができる。
【００２８】
絶縁体５２の表面及び裏面には透明導電膜５２ａ，５２ｂをそれぞれ形成する。透明導電膜５２ａ，５２ｂは、例えば、酸化インジウム錫膜（ＩＴＯ膜）、酸化亜鉛膜（ＺｎＯ膜）等とすることができる。透明導電膜５２ａ，５２ｂの膜厚は、光の透過度と膜の抵抗値との関係で決定される。すなわち、光源５４から必要十分な光が試料表面に届き、光照射によって生じた表面光電圧が抵抗により必要感度以下とならない程度の膜厚とする。透明導電膜５２ａ，５２ｂのシート抵抗値は２００オーム／□以下とすることが好適である。例えば、透明導電膜５２ａ，５２ｂの膜厚は５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とする。なお、図２では構成を理解し易くするために透明導電膜５２ａ，５２ｂを実際より厚く表現している。
【００２９】
絶縁体５２は、図２に示すように、透明導電膜５２ａが形成された面がホルダ５０の下端面から僅かに突出するようにホルダ５０に取り付けることが好適である。これにより、電気的ノイズの影響を抑えることができ、また、測定時に試料上に置かれた透明絶縁性薄膜に透明導電膜５２ａを接触させた状態とすることができる。
【００３０】
透明導電膜５２ａ及び５２ｂは、絶縁体５２の側面にも形成する。なお、説明を分かり易くするために、図２では絶縁体５２の側面に形成された透明導電膜５２ａ及び５２ｂを実際より厚く表現している。透明導電膜５２ａには測定用端子５６が設けられる。測定用端子５６は、絶縁体５２の側面に設けられた導電フィルム６０ａを介して透明導電膜５２ａに電気的に接続される。透明導電膜５２ａとの電気的な接触を良好とするために、導電フィルム６０ａは絶縁体５２の側面の透明導電膜５２ａに接触するように巻くことが好適である。ホルダ５０は金属等の導電体で形成され、また、接地されているため、導電フィルム６０ａはホルダ５０に電気的に接触せず、測定用端子５６のみと接触するように絶縁フィルム５８をホルダ５０と導電フィルム６０ａとの間に挟むことが好適である。
【００３１】
透明導電膜５２ｂは接地される。ホルダ５０は金属等の導電体で形成されており、絶縁体５２の側面に導電フィルム６０ｂを巻き、導電体フィルム６０ｂを介して透明導電膜５２ｂをホルダ５０に電気的に接続する。ホルダ５０を接地することによって、透明導電膜５２を接地することができる。
【００３２】
なお、本実施の形態では、導電フィルム６０ａ，６０ｂは銅とアルミニウムの２層構造としている。このように２層構造にすることによって透明導電膜５２ａ，５２ｂとの電気的接触を良好にすることができる。
【００３３】
測定プローブ３２は、試料ステージ３０から僅かに離れた位置に固定される。試料上に透明絶縁性薄膜（マイラフィルム等）を置き、測定プローブ３２を透明絶縁性薄膜に接触させて表面光電圧を測定する場合、測定プローブ３２と試料ステージ３０との距離は試料と透明絶縁性薄膜の厚さの合計と等しくする。また、試料表面への損傷を防ぐために透明絶縁性薄膜を置かず、試料と測定プローブ３２との間に空間を設けて表面光電圧を測定することも好適である。この場合、測定プローブ３２と試料ステージ３０との距離は試料の厚さよりも大きく設定する。
【００３４】
測定部３４は、試料ステージ３０及び測定プローブ３２を制御し、試料に生じた表面光電圧を測定する。測定部３４は、試料上の測定位置の情報（例えば、Ｘ座標とＹ座標）を受けて、試料ステージ３０のＸ軸ステッピングモータ４４及びＹ軸ステッピングモータ４８へ駆動信号を出力し、Ｘ軸ステージ４２及びＹ軸ステージ４６を移動させて試料の測定位置を測定プローブ３２の下に位置させる。なお、測定位置の情報は、測定部３４にユーザインターフェースを設けてユーザから取得するものとしてもよいし、測定部３４の内蔵メモリに予め登録しておいてもよい。
【００３５】
また、測定部３４は、測定プローブ３２の制御も行う。測定部３４は、試料ステージ３０を移動させて測定プローブ３２を測定位置に位置合わせした後、光源５４に駆動信号を出力して測定位置の試料表面に光を照射する。前述したように、ロックインアンプを用いて測定を行う場合には参照周波数で光源５４からの光を変調する。
【００３６】
さらに、測定部３４は、測定用端子５６に電気的に接続され、測定位置に生じた表面光電圧を測定用端子５６から測定する。測定部３４は、測定された表面光電圧を外部へ出力したり、内蔵メモリに格納したりする。また、測定部３４は、アンプ（ロックインアンプ）等の処理手段を含んでいてもよい。
【００３７】
なお、本実施の形態では、試料ステージ３０にＸ軸ステージ４２及びＹ軸ステージ４６を設けてＸ軸−Ｙ軸方向に移動可能としたが、試料１２と光源との距離を変更したり、Ｘ軸−Ｙ軸方向への移動の際に試料１２上に置かれた透明絶縁性薄膜１４と測定プローブ３２との接触を避けたりする必要がある場合には、さらにＺ軸方向への移動を可能とするＺ軸ステージを設けてもよい。
【００３８】
また、本実施の形態では、試料ステージ３０にＸ軸ステージ４２及びＹ軸ステージ４６を設けて試料を移動可能としたが、試料ステージ３０を固定し、測定プローブ３２を移動可能な構成としてもよい。また、測定プローブ３２の絶縁体５２の表面上に形成された透明導電膜５２ａの表面が試料１２の表面に対して平行となるようにすることが測定において重要であるので、測定プローブ３２の傾きを調整する手段を設けてもよい。
【００３９】
＜測定例１＞
以下、本実施の形態における結晶性評価装置１００を用いたシリコン薄膜の結晶性の測定例１について示す。試料として、ガラス基板上に膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン薄膜を形成し、そのアモルファスシリコン薄膜の５箇所をそれぞれ異なるレーザアニール条件で多結晶化させたものを用いた。測定箇所１から５へと順に結晶性が低くなるように準備をした。また、測定箇所６にはアニール処理を施さず、アモルファスシリコンのままとした。試料表面を電界放射型走査電子顕微鏡にて測定した結果、結晶粒径が測定箇所１から５の順に小さいことを確認した。
【００４０】
図３は、試料の表面上に厚さ１６μｍの透明絶縁性薄膜（マイラフィルム）を載せ、透明絶縁性薄膜を介して測定箇所１〜６に測定プローブ３２を密着させて表面光電圧を測定した結果を示す。図３において、横軸は時間を示し、縦軸は測定電圧の相対値を示す。図３は測定プローブ３２の光源５４として波長３６５ｎｍの発光ダイオードを用いた結果である。
【００４１】
ここでは、測定部３４から周波数１ｋＨｚで光源５４をオン・オフさせる矩形の駆動信号を出力し、試料表面上に置いた透明絶縁性薄膜に透明導電膜５２ａを接触させ、測定用端子５６を介して出力される表面光電圧の変化を測定した。各測定箇所における表面光電圧は光源５４のオン時の表面光電圧からオフ時の表面光電圧を引いた値とした。なお、測定プローブ３２は測定箇所に強く接触させても、弱く接触させてもほぼ同様の出力が得られた。
【００４２】
図４は、各測定箇所について波長３６５ｎｍでの表面光電圧の測定結果を纏めた図である。図４より明らかなように、測定箇所１から５へと表面光電圧は単調に低下した。シリコン薄膜の結晶性が低下するにつれて結晶粒界等にある欠陥が増加し、欠陥は光照射によって生じた電荷の再結合中心となるため、シリコン薄膜の表面に生ずる光電圧は低下すると推考される。すなわち、本実施の形態における結晶性評価装置１００を用いることによって、試料の結晶性を的確に評価できるといえる。
【００４３】
また、図５は、それぞれの測定箇所についてマイクロ波光導電減衰法（μ−ＰＣＤ）により測定した電圧値と、本実施の形態における表面光電圧の測定値と、の関係を丸印の記号で示す。図５において、横軸はマイクロ波光導電減衰法によって測定された電圧値であり、縦軸は本実施の形態における結晶性評価装置１００を用いた表面光電圧の測定値である。図５より明らかなように、本実施の形態における結晶性評価装置１００を用いて測定した表面光電圧はマイクロ波光導電減衰法による測定値と明確な相関関係を示し、シリコン薄膜の結晶性の評価に有効であることがわかる。また、図８の装置で測定した表面光電圧（三角印の記号で示す）に比べて大きい表面光電圧が得られ、高感度化が達成された。
【００４４】
なお、透明絶縁性薄膜として試料表面に設置したマイラフィルムの厚さを変えて表面光電圧の測定を行い、測定に対するマイラフィルムの厚さの影響を調べた。この測定には、従来の表面光電圧測定装置を用いた。図６は、１６μｍ厚のマイラフィルムをそれぞれ１，３，５，７，９枚重ね、光源５４から光を照射した際の表面光電圧を測定した結果を示す。マイラフィルムの厚さを増加させると測定される表面光電圧は僅かに低下するが、それぞれの厚さ毎の測定箇所間の相対的な変化の傾向は同様であり、マイラフィルムの膜厚が１４４μｍまではシリコン薄膜の結晶性評価には問題がないといえる。この結果は、本実施の形態における表面光電圧測定装置１００でも同様であると考えられる。
【００４５】
＜測定例２＞
測定例２では、ガラス基板の表面上にアモルファスシリコン薄膜を形成した試料について複数の測定箇所Ａ〜Ｅの表面光電圧の測定を行った。図７は、試料の表面上に厚さ１６μｍの透明絶縁性薄膜（マイラフィルム）を載せ、複数の測定箇所Ａ〜Ｅにおいて透明絶縁性薄膜に測定プローブ３２の透明導電膜５２ａを密着させて表面光電圧を測定した結果を示す。
【００４６】
図７に示すように、測定箇所Ａ〜Ｅにおける表面光電圧の差は小さく、シリコン薄膜の膜質が同じであれば同じ表面光電圧として測定できることがわかった。これは、本実施の形態における結晶性評価装置１００では光源５４と測定用端子５６とを一体化したため、測定箇所（光照射箇所）と測定用端子５６までの距離が変化せず、透明導電膜５２ａの抵抗値の差による測定誤差の影響をなくすことができたためであると推考される。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態における結晶性評価装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態における測定プローブの構成を示す図である。
【図３】本発明の測定例１における表面光電圧の測定結果を示す図である。
【図４】本発明の測定例１における測定箇所と表面光電圧の測定結果との関係を示す図である。
【図５】本発明の測定例１におけるマイクロ波光導電減衰法と表面光電圧の測定結果との関係を示す図である。
【図６】本発明の測定例１におけるマイラフィルムの厚さの影響を示す図である。
【図７】本発明の測定例２におけるアモルファスシリコン薄膜の表面光電圧の測定結果を示す図である。
【図８】従来の表面光電圧測定装置の構成を示す図である。
【図９】従来の表面光電圧測定装置を用いた測定における測定箇所から出力端子までの距離と表面光電圧の測定結果との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  試料台、１２  試料、１４  透明絶縁性薄膜、１６  石英ブロック、１６ａ，１６ｂ  透明導電膜、１６ｃ  測定用端子、１８  光源、３０  試料ステージ、３２  測定プローブ、３４  測定部、４０  試料台、４２  Ｘ軸ステージ、４４  Ｘ軸ステッピングモータ、４６  Ｙ軸ステージ、４８  Ｙ軸ステッピングモータ、５０  ホルダ、５２  絶縁体、５２ａ，５２ｂ  透明導電膜、５４  光源、５６  測定用端子、５８  絶縁フィルム、６０ａ，６０ｂ  導電フィルム、１００  結晶性評価装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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