(57)【要約】      （修正有）【課題】結晶長に対する抵抗率のばらつきを小さく抑え、無転位化率の高い単結晶を得ると共に、不活性ガスの消費量が増加することなく、且つ、操業時間が長時間化することのない単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶引上領域を囲むようにルツボ３の上方に配置された輻射シールド６内に、上方から下方に向けて流れる不活性ガスＧを供給し、単結晶Ｃが所定の長さに成長するまで、輻射シールド６の下方からルツボ３内に導出される不活性ガスＧを、輻射シールド６とシリコン融液面Ｍ１との間の空間に設けられた整流板７により空間が高さ方向に分割されて形成された二つの流路に沿って流すステップと、単結晶Ｃが所定の長さを超えると、整流板７を輻射シールド６に接触させ、輻射シールド６の下方からルツボ３内に導出される不活性ガスＧを、整流板７とシリコン融液面Ｍ１との間に形成された一つの流路に沿って流すステップとを実行する。【選択図】図１
2010018446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルツボに溶融されたシリコン融液から、チョクラルスキー法によって単結晶を引上げる単結晶の製造方法であって、
単結晶引上領域を囲むように前記ルツボの上方に配置された輻射シールド内に、上方から下方に向けて流れる不活性ガスを供給し、
単結晶が所定の長さに成長するまで、前記輻射シールドの下方から前記ルツボ内に導出される不活性ガスを、前記輻射シールドとシリコン融液面との間の空間に設けられた整流板により該空間が高さ方向に分割されて形成された二つの流路に沿って流すステップと、
前記単結晶が前記所定の長さを超えると、前記整流板を前記輻射シールドに接触させ、前記輻射シールドの下方から前記ルツボ内に導出される不活性ガスを、前記整流板とシリコン融液面との間に形成された一つの流路に沿って流すステップとを実行することを特徴とする単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記輻射シールドの下方から前記ルツボ内に導出される不活性ガスの流路が変更される際の前記単結晶の所定の長さは、少なくとも４００ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載された単結晶の製造方法。
【請求項３】
前記輻射シールドの下端とシリコン融液面との距離寸法は、少なくとも２５ｍｍとなされることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された単結晶の製造方法。
【請求項４】
ルツボ内のシリコン融液からチョクラルスキー法によって単結晶を引上げる単結晶引上装置において、
前記ルツボの上方で単結晶の周囲を包囲するよう上部と下部が開口形成されて設けられた輻射シールドと、
前記輻射シールドの上方から下方に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記輻射シールドとシリコン融液面との間に設けられた整流板と、
前記整流板を前記輻射シールドに対して昇降移動させる整流板昇降手段とを備えたことを特徴とする単結晶引上装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チョクラルスキー法（以下、「ＣＺ法」という）によって単結晶を育成しながら引上げる単結晶の製造方法及び単結晶引上装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン単結晶の育成に関し、ＣＺ法が広く用いられている。この方法は、ルツボ内に収容されたシリコンの溶融液の表面に種結晶を接触させ、ルツボを回転させるとともに、この種結晶を反対方向に回転させながら上方へ引上げることによって、種結晶の下端に単結晶を形成していくものである。
【０００３】
図６に示すように、従来のＣＺ法を用いた引上法は、先ず、石英ガラスルツボ５１に原料シリコンを装填し、ヒータ５２により加熱してシリコン融液Ｍとする。しかる後、引上用のワイヤ５０に取り付けられた種結晶Ｐをシリコン融液Ｍに接触させてシリコン結晶Ｃを引上げる。
【０００４】
一般に、引上げ開始に先立ち、シリコン融液Ｍの温度が安定した後、図７に示すように、種結晶Ｐをシリコン融液Ｍに接触させて種結晶Ｐの先端部を溶解するネッキングを行う。ネッキングとは、種結晶Ｐをシリコン融液Ｍに接触させることで発生するサーマルショックによりシリコン単結晶に生じる転位を除去する不可欠の工程である。このネッキングによりネック部Ｐ１が形成される。また、このネック部Ｐ１は、一般的に、直径が３〜４ｍｍで、その長さが３０〜４０ｍｍ以上必要とされている。
【０００５】
また、引上げ開始後の工程としては、ネッキング終了後、直胴部直径にまで結晶を広げるクラウン工程、製品となる単結晶を育成する直胴工程、直胴工程後の単結晶直径を徐々に小さくするテール工程が行われる。
尚、ルツボ５１が収容された炉体内には、炉体内雰囲気中の異物除去、酸素蒸発の調整等の目的のため、上方から下方に向けて不活性ガスＧが供給される。
また、その不活性ガスＧの整流作用も兼ねて、育成中の単結晶Ｃに対するヒータ５２等からの余計な輻射熱を遮断するために石英ガラスルツボ５１の上方且つ近傍に、単結晶Ｃの引上領域を囲むように輻射シールド５３が設けられている。
【０００６】
ところで、このような単結晶引上装置による単結晶育成工程においては、単結晶に所定の抵抗率を与えるために、ホウ素、リン、アンチモン、ヒ素等のドーパント（添加剤）をシリコン溶融液に投入する処理が行われる。
前記ドーパントのうち、例えばアンチモンやヒ素は、蒸気圧が高いため、原料シリコン溶融後に投入されるが、単結晶育成中において融液表面から蒸発し続ける。
【０００７】
特許文献１においては、減圧下での引上げで特に蒸発しやすいアンチモンの蒸発が、シリコン融液面に吹き付ける不活性ガスの流量及び流れる方向に大きく影響を受けることに注目し、一定の減圧下でガス流量並びに流れ方向を制御することにより、単結晶外周部でのアンチモンの低濃度化を抑制する単結晶の製造方法が開示されている。
【０００８】
特許文献１に開示された単結晶引上装置の主要部断面図を図８に示す。図示するように、ルツボ６０内のシリコン融液Ｍの上方であって輻射シールド６１の下方には、截頭円錐形のガス整流板６２が設けられ、このガス整流板６２により上方からシリコン融液表面Ｍ１に吹き付けるガスを単結晶化進行部分Ｃ１から遠ざけるようになされている。
このような構成により、ガス整流板６２直下の単結晶化進行部分Ｃ１近傍はガス流が淀んだ部分となる。このため、シリコン溶融液Ｍからのアンチモンの蒸発は、ルツボ側に近づくにつれて増大し、単結晶Ｃの外周表面近傍のアンチモン濃度が低下しないようになされている。
【特許文献１】特公平３−７６３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、前記したようにドーパントが投入されるシリコン融液からの単結晶引上げにあっては、結晶育成が進みルツボ内の溶融液量が減少する育成後期になると、偏析によりシリコン融液中におけるドーパントの濃度が高くなり、単結晶のドーパント濃度が低下する（低抵抗結晶となる）傾向があることが知られている。
【００１０】
しかしながら、そのように育成後期において単結晶が低抵抗になり、シリコン融液中のドーパント濃度が過度に上昇すると、成長界面に組成的過冷却が生じ、育成する単結晶が有転位化しやすいという課題があった。
また、育成初期には単結晶の抵抗率が上昇し、育成後期には単結晶の抵抗率が低下するため、結晶長に対する抵抗率のばらつきが大きくなるという課題があった。
【００１１】
特許文献１に開示の単結晶引上装置にあっては、ガス整流板６２によって単結晶Ｃ外周のドーパント（アンチモン）濃度の低下を引上工程中にわたり抑制するものの、引上げ中に変化するシリコン融液中のドーパント濃度の過度の上昇に対応できるものではなかった。即ち、単結晶育成後期において、成長界面に組成的過冷却が生じ、結晶が有転位化する虞があった。
【００１２】
また、シリコン融液中におけるドーパント濃度を下げるには、炉内のガス流速を速くしてドーパントの蒸発を促進する方法、或いは、単結晶引上速度を低下させて単結晶のドーパント濃度を向上させる方法が考えられる。
しかしながら、前者は不活性ガスの消費量が大きく増加し、後者は操業時間が長くなるという課題があった。
【００１３】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶の製造方法において、結晶長に対する抵抗率のばらつきを小さく抑え、無転位化率の高い単結晶を得ると共に、不活性ガスの消費量が増加することなく、且つ、操業時間が長時間化することのない単結晶の製造方法及び単結晶引上装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記した課題を解決するために、本発明に係る単結晶の製造方法は、ルツボに溶融されたシリコン融液から、チョクラルスキー法によって単結晶を引上げる単結晶の製造方法であって、単結晶引上領域を囲むように前記ルツボの上方に配置された輻射シールド内に、上方から下方に向けて流れる不活性ガスを供給し、単結晶が所定の長さに成長するまで、前記輻射シールドの下方から前記ルツボ内に導出される不活性ガスを、前記輻射シールドとシリコン融液面との間の空間に設けられた整流板により該空間が高さ方向に分割されて形成された二つの流路に沿って流すステップと、前記単結晶が前記所定の長さを超えると、前記整流板を前記輻射シールドに接触させ、前記輻射シールドの下方から前記ルツボ内に導出される不活性ガスを、前記整流板とシリコン融液面との間に形成された一つの流路に沿って流すステップとを実行することに特徴を有する。
尚、前記輻射シールドの下方から前記ルツボ内に導出される不活性ガスの流路が変更される際の前記単結晶の所定の長さは、少なくとも４００ｍｍであることが望ましい。
また、前記輻射シールドの下端とシリコン融液面との距離寸法は、少なくとも２５ｍｍとなされることが望ましい。
【００１５】
このように単結晶が所定の長さ（育成初期）まではシリコン融液上を流れる不活性ガスの流路を二つの流路とすることにより、不活性ガスの流れが低速になされる。そして、単結晶が所定の長さを超えると（育成後期）、不活性ガスの流れを一つの流路とすることにより、不活性ガスの流れが高速になされる。
このような制御によって、育成初期ではシリコン融液からのドーパントの蒸発が少なくなり、育成初期における抵抗率上昇が抑制される。このため、結晶長に対する抵抗率のばらつきを小さくすることができる。
【００１６】
また、育成後期にはシリコン融液からのドーパントの蒸発が促進され、シリコン融液のドーパント濃度の過度の上昇が抑制される。さらに、育成後期における単結晶とシリコン融液との間の不活性ガスの流速が高くなることから、温度勾配が大きくなり、これにより固液界面直下における組成的過冷却を抑制し、有転位化し難い状態とすることができる。
また、炉内に供給する不活性ガスの流量は単結晶育成中にわたり一定量であるため、不活性ガス消費量の増加が抑制され、引上速度を低下させる必要がないため、操業時間の長時間化を避けることができる。
【００１７】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る単結晶引上装置は、ルツボ内のシリコン融液からチョクラルスキー法によって単結晶を引上げる単結晶引上装置において、前記ルツボの上方で単結晶の周囲を包囲するよう上部と下部が開口形成されて設けらた輻射シールドと、前記輻射シールドの上方から下方に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記輻射シールドとシリコン融液面との間に設けられた整流板と、前記整流板を前記輻射シールドに対して昇降移動させる整流板昇降手段とを備えたことに特徴を有する。
このような装置により、前記単結晶の製造方法を実施することができ、また、その効果を得ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶の製造方法において、結晶長に対する抵抗率のばらつきを小さく抑え、無転位化率の高い単結晶を得ると共に、不活性ガスの消費量が増加することなく、且つ、操業時間が長時間化することのない単結晶の製造方法及び単結晶引上装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る単結晶の製造方法及び単結晶引上装置の実施の形態について図面に基づき説明する。図１は本発明に係る単結晶引上装置１の全体構成を示すブロック図である。この単結晶引上装置１は、メインチャンバ２ａの上にプルチャンバ２ｂを重ねて形成された炉体２と、炉体２内に設けられたルツボ３と、ルツボ３に装填された半導体原料（原料シリコン）Ｍを溶融するヒータ４と、育成される単結晶Ｃを引上げる引上げ機構５とを有している。
【００２０】
尚、ルツボ３は、二重構造であり、内側が石英ガラスルツボ３ａ、外側が黒鉛ルツボ３ｂで構成されている。引上げ機構５は、モータ駆動される巻取り機構５ａと、この巻取り機構５ａに巻き上げられる引上ワイヤ５ｂを有し、このワイヤ５ｂの先端に種結晶Ｐが取り付けられている。
また、メインチャンバ２ａ内において、ルツボ３の上方且つ近傍には、単結晶Ｃの引き上げ領域を囲むように上部と下部が開口形成され、育成中の単結晶Ｃにヒータ４等からの余計な輻射熱を与えないようにするための輻射シールド６が設けられている。
【００２１】
また、プルチャンバ２ｂの上方には、不活性ガス供給口１３（不活性ガス供給手段）が設けられており、メインチャンバ２ａの底面には、不活性ガス排出口１４が設けられている。即ち、不活性ガス供給口１３から供給された不活性ガスＧが上方から下方に向けて流れ、石英ガラスルツボ３ａ内において単結晶Ｃの周りを通過後、不活性ガス排出口１４から排出されるようになされている。
【００２２】
また、輻射シールド６とシリコン融液Ｍの液面との間の空間には、環状の整流板７がワイヤ１２ａによって吊り下げられている。前記整流板７は、モータ駆動される巻き取り機構１２（整流板昇降手段）によりワイヤ１２ａが巻き取り、或いは巻き戻しされることによって、昇降移動可能となされている。
整流板７は、例えばカーボンにより形成され、下面は溶融面Ｍ１と略平行となされ、上面はシールド形状に沿った形状となされている。
【００２３】
この整流板７の昇降移動制御により、単結晶引上工程中において、シリコン融液面Ｍ１の上方空間には、次の２つの状態のいずれかが形成される。
第一の状態は、図２に示すように、整流板７は、輻射シールド６に対し分離した状態となされ、整流板７と輻射シールド６との間と、整流板７とシリコン融液面Ｍ１との間にそれぞれ不活性ガスＧの流路が形成される。
その場合、図２に不活性ガスＧの流れを矢印で示すように、輻射シールド６内を下降して流れてきた不活性ガスＧは、輻射シールド６の下方からルツボ３内に導出され、高さ方向に分割された二つの流路にそれぞれ流れるようになされている（２系統構成と呼ぶ）。
【００２４】
また、第二の状態は、図３に示すように、整流板７が輻射シールド６の下端部に接触した状態となされ、シリコン融液面Ｍ１と整流板７との間のみ不活性ガスＧの流路が形成される。
その場合、図３に示すように、輻射シールド６を下降して流れてきた不活性ガスＧは、整流板７とシリコン融液面Ｍ１との間に形成された一つの流路を通ってルツボ３外に流れるようになされている（１系統構成と呼ぶ）。
【００２５】
また、図１に示すように単結晶引上装置１は、シリコン融液Ｍの温度を制御するヒータ４の供給電力量を制御するヒータ制御部９と、ルツボ３を回転させるモータ１０と、モータ１０の回転数を制御するモータ制御部１０ａとを備えている。また、ルツボ３の高さを制御する昇降装置１１と、昇降装置１１を制御する昇降装置制御部１１ａと、成長結晶の引上げ速度と回転数を制御するワイヤリール回転装置制御部１６とを備えている。さらには、整流板７の高さ位置を、ワイヤ１２ａの巻き取り機構１２を介して制御する整流板昇降制御部１５を備えている。
これら各制御部９、１０ａ、１１ａ、１２、１５、１６はコンピュータ８の演算制御装置８ｂに接続されている。
【００２６】
このように構成された単結晶引上装置１においては、最初にルツボ３に原料シリコンＭを装填し、コンピュータ８の記憶装置８ａに記憶されたプログラムに基づき、以下のように結晶育成工程が開始される。
先ず、演算制御装置８ｂの指令によりヒータ制御部９を作動させてヒータ４を加熱し、ルツボ３内の原料シリコンＭが溶融される。
また、単結晶を所望の抵抗率とするためアンチモン或いはヒ素等のドーパントが投入され、シリコン融液Ｍ中に添加される。
【００２７】
さらに、演算制御装置８ｂの指令によりモータ制御部１０ａと、昇降装置制御部１１ａと、ワイヤリール回転装置制御部１６とが作動し、ルツボ３が回転すると共に、巻取り機構５ａが作動してワイヤ５ｂが降ろされる。そして、ワイヤ５ｂに取付けられた種結晶Ｐがシリコン融液Ｍに接触され、種結晶Ｐの先端部を溶解するネッキングが行われてネック部Ｐ１が形成される。
【００２８】
しかる後、演算制御装置８ｂの指令によりヒータ４への供給電力や、単結晶引上速度などをパラメータとして引上条件が調整され、クラウン工程、直胴工程、テール部工程等の単結晶引上工程が順に行われる。
また、単結晶育成工程中にわたり、一定の流量（例えば７５Ｌ／ｍｉｎ）で不活性ガスＧが炉内の上方から下方に向けて供給される。ここで、不活性ガスＧの流量は、育成する単結晶Ｃに与えたい抵抗率に応じて設定される。
【００２９】
前記単結晶の引上工程において、単結晶Ｃの直胴部が所定の長さに成長するまでの育成初期（例えば直胴部の長さが０ｍｍから４００ｍｍの間）には、図２に示すように、シリコン融液面Ｍ１の上方空間における不活性ガスＧの流路が２系統構成となるよう巻き取り機構１２により整流板７の高さ位置が制御される。
即ち、不活性ガスＧの流路が高さ方向に２つに分岐することによりガス流速が低速となり、シリコン融液Ｍからのドーパントの蒸発は促進されない状態となされる。これにより育成初期における単結晶Ｃの抵抗率上昇が抑制される。
尚、輻射シールド６とシリコン融液面Ｍ１との間の隙間寸法は、例えば、少なくとも２５ｍｍとなされる。即ち、ガス流路の隙間寸法が狭くなることによる流速の上昇が回避される。
【００３０】
そして、育成中の単結晶Ｃが所定の高さに達する育成後期（例えば、直胴部の長さが４００ｍｍから７５０ｍｍの間）になると、図３に示すように、シリコン融液面Ｍの上方空間における不活性ガスＧの流路が１系統構成となるよう巻き取り機構１２により整流板７の高さ位置が制御される（輻射シールド６に接触した状態となされる）。
即ち、不活性ガスＧの流路が高さ方向に（二つから）一つになることによりガス流速が上昇し、シリコン融液Ｍからのドーパントの蒸発が促進される。これにより、育成後期におけるシリコン融液Ｍ中のドーパント濃度の過度の上昇が抑制される。
尚、輻射シールド６下端とシリコン融液面Ｍ１との間の隙間寸法は、例えば３０ｍｍとなされる。
【００３１】
また、単結晶育成後期においては、前記のように育成後期におけるシリコン融液Ｍ中のドーパント濃度の過度の上昇が抑制されると共に、シリコン融液面Ｍ１の上方空間における不活性ガスＧの流速が速くなり、それにより単結晶Ｃとシリコン融液Ｍとの温度勾配が大きくなる。したがって、固液界面直下における組成的過冷却が抑制され、有転位化し難い状態となされる。
【００３２】
以上のように本発明に係る実施の形態によれば、単結晶Ｃが所定の長さ（育成初期）まではシリコン融液面Ｍ１の上方空間を流れる不活性ガスＧの流路を二つの流路とすることにより、不活性ガスＧの流れが低速になされる。そして、単結晶Ｃが所定の長さを超えると（育成後期）、不活性ガスＧの流れを一つの流路とすることにより、不活性ガスＧの流れが高速になされる。
このような制御によって、育成初期ではシリコン融液Ｍからのドーパントの蒸発が少なくなり、育成初期における抵抗率上昇が抑制される。このため、結晶長に対する抵抗率のばらつきを小さくすることができる。
【００３３】
また、育成後期にはシリコン融液Ｍからのドーパントの蒸発が促進され、シリコン融液Ｍのドーパント濃度の過度の上昇が抑制される。さらに、育成後期における単結晶Ｃとシリコン融液Ｍとの間の不活性ガスＧの流速が高くなることから、温度勾配が大きくなり、これにより固液界面直下における組成的過冷却を抑制し、有転位化し難い状態とすることができる。
また、炉内に供給する不活性ガスＧの流量は単結晶育成中にわたり一定量であるため、不活性ガス消費量の増加が抑制され、引上速度を低下させる必要がなく、操業時間の長時間化を避けることができる。
【００３４】
尚、単結晶Ｃの育成初期において、図４に示すように、ヒータ４及びルツボ３からの輻射熱（一点鎖線で示す）が、輻射シールド６と整流板７との間の隙間を直線状に通過しないよう（即ち、単結晶Ｃへの輻射熱を遮断するよう）、その隙間のガス流路を形成するのが好ましい。
そのように構成することにより、単結晶Ｃに対するヒータ４及びルツボ３からの輻射熱が遮られるため、シリコン融液面Ｍ１の上方空間における不活性ガスＧの流速が低下する育成初期においても、単結晶Ｃとシリコン融液Ｍとの温度勾配が大きくなり、固液界面直下での組成的過冷却が抑制され、有転位化し難い状態とすることができる。
【実施例】
【００３５】
続いて、本発明に係る単結晶の製造方法及び単結晶引上装置について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態に示した構成の単結晶引上装置を用い、実際に実験を行うことにより、その効果を検証した。
【００３６】
この実験では、直径２００ｍｍのシリコン単結晶の育成を複数回（１０回）施行し、引き上げた単結晶の無転位化率並びに抵抗率について検証した。
所望の抵抗率とするためのドーパントにはヒ素を用いた。また、炉内に供給するガス流量は７５Ｌ／ｍｉｎ、炉内圧は１５０Ｔｏｒｒでそれぞれ一定とした。
また、単結晶の直胴部の長さが０ｍｍ以上４００ｍｍ未満の間（育成初期）は、図２に示すようにガス流路を２系統構成とし、直胴部の長さが４００ｍｍ以上７５０ｍｍ未満の間（育成後期）は、図３に示すようにガス流路を１系統構成とした。
尚、シリコン融液と輻射シールドとの間の距離寸法は、ガス流路が２系統構成のとき、２５ｍｍに設定し、ガス流路が１系統構成のとき３０ｍｍに設定した。
【００３７】
また、比較例として、整流板を用いない従来の構成において、単結晶の直胴部長さが０ｍｍ以上４００ｍｍ未満の間（育成初期）は、不活性ガス流量を７５Ｌ／ｍｉｎとし、直胴部の長さが４００ｍｍ以上７５０ｍｍ未満の間（育成後期）は、不活性ガス流量を１００Ｌ／ｍｉｎとした。そして、その他の条件は実施例と同様にして、無転位化率及び抵抗率について検証した。
実施例及び比較例の結果として、表１に引き上げた単結晶の無転位化率を示し、図５のグラフに結晶長（ｍｍ）に対する抵抗率（Ω・ｃｍ）を示す。
【００３８】
【表１】
2010018446.tif 000003
【００３９】
実験の結果、表１に示されるように、実施例では、１０回の施行の全てにおいて、高い無転位化率が得られた。しかしながら、比較例では、無転位化率が高い場合と低い場合とのばらつきがあった。
また、図５のグラフに示すように、実施例では、育成初期における抵抗率が低く抑えられたため、結晶長に対する抵抗率のばらつきを小さくすることができた。しかしながら、比較例の場合には結晶長に対する抵抗率のばらつきが大きく広がった。
【００４０】
以上の実施例の実験結果から、本発明の単結晶の製造方法及び単結晶引上装置を用いることにより、結晶長に対する抵抗率のばらつきを小さく抑え、無転位化率の高い単結晶を得ることができ、また、不活性ガスの消費量が増加することなく、且つ、操業時間が長時間化することがないことを確認した。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、チョクラルスキー法によって単結晶を引上げる単結晶の製造方法及び単結晶引上装置に関するものであり、半導体製造業界等において好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１は、本発明に係る単結晶引上装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】図２は、図１の単結晶引上装置が有する輻射シールド及び整流板の断面図である。
【図３】図３は、図１の単結晶引上装置が有する輻射シールド及び整流板の断面図である。
【図４】図４は、図１の単結晶引上装置が有する輻射シールド及び整流板の他の形態を示す断面図である。
【図５】図５は、実施例の結果を示すグラフである。
【図６】図６は、輻射シールドを有する単結晶引上装置において、従来のＣＺ法を用いた引上法を説明するための図である。
【図７】図７は、従来のＣＺ法を用いた引上法においてネック部の形成を説明するための図である。
【図８】図８は、ドーパント濃度を制御するための従来の単結晶引上装置の主要部断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１      単結晶引上装置
２      炉体
２ａ    メインチャンバ
２ｂ    プルチャンバ
３      ルツボ
３ａ    石英ガラスルツボ
３ｂ    黒鉛ルツボ
４      ヒータ
５      引上げ機構
６      輻射シールド
７      整流板
８      コンピュータ
８ａ    記憶装置
８ｂ    演算記憶装置
１２    巻き取り機構（整流板昇降手段）
１３    不活性ガス供給口（不活性ガス供給手段）
１４    不活性ガス排出口
Ｃ      単結晶
Ｇ      不活性ガス
Ｍ      原料シリコン、シリコン融液
Ｐ      種結晶
Ｐ１    ネック部
【図１】
2010018446.tif 000004
【図２】
2010018446.tif 000005
【図３】
2010018446.tif 000006
【図４】
2010018446.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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