(57)【要約】【課題】金属膜とその表面のレジストパターンとの密着性を容易に向上させる。【解決手段】基板１０に金属膜１１を成膜する金属膜成膜工程と、金属膜１１の表面にレジスト膜１２を成膜するレジスト膜成膜工程と、レジスト膜１２を露光する露光工程と、露光されたレジスト膜１２を現像して、レジストパターン１２ａを形成する現像工程とを備え、金属膜成膜工程では、基板１０に成膜された金属膜１１を空気雰囲気の下で焼成し、焼成された金属膜１１の表面をシランカップリング剤で処理する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、
上記金属膜の表面にレジスト膜を成膜するレジスト膜成膜工程と、
上記レジスト膜を露光する露光工程と、
上記露光されたレジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する現像工程とを備えるレジストパターンの形成方法であって、
上記金属膜成膜工程では、上記基板に成膜された金属膜を空気雰囲気の下で焼成し、該焼成された金属膜の表面をシランカップリング剤で処理することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載されたレジストパターンの形成方法において、
上記シランカップリング剤は、ヘキサメチルジシラザンであることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項３】
複数の画素がマトリクス状に設けられ、上記各画素毎に反射電極が設けられたアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、
基板に光反射性を有する金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、
上記金属膜の表面にレジスト膜を成膜するレジスト膜成膜工程と、
上記レジスト膜を露光する露光工程と、
上記露光されたレジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する現像工程と、
上記レジストパターンから露出する金属膜をエッチングして、上記反射電極を形成するエッチング工程とを備え、
上記金属膜成膜工程では、上記基板に成膜された金属膜を空気雰囲気の下で焼成し、該焼成された金属膜の表面をシランカップリング剤で処理することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記シランカップリング剤は、ヘキサメチルジシラザンであることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストパターンの形成方法、及びアクティブマトリクス基板の製造方法に関し、特に、アクティブマトリクス基板上の金属膜の表面にレジストパターンを形成する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネル、プラズマ表示パネル、半導体デバイスなどの製造では、例えば、基板の表面に金属膜を成膜する成膜工程、成膜工程で成膜された金属膜の表面にレジスト膜を塗布する塗布工程、塗布工程で塗布されたレジスト膜をプリベークするプリベーク工程、プリベーク工程でプリベークされたレジスト膜をマスクを介して露光する露光工程、露光工程で露光されたレジスト膜を現像する現像工程、現像工程で現像されたレジスト膜をポストベークすることにより、金属膜の表面にレジストパターンを形成するポストベーク工程、ポストベーク工程で形成されたレジストパターンから露出する金属膜をエッチングするエッチング工程、及びエッチング工程で用いたレジストパターンを除去する除去工程の一連の工程が必須である。ここで、上述した塗布工程からポストベーク工程までは、フォトリソグラフィと呼ばれている。このフォトリソグラフィでは、レジストパターンが所望の位置に形成されていないと、金属膜を所望の形状にパターニングすることができない。よって、レジストパターンが金属膜から剥がれないようにするには、金属膜とその表面に設けられたレジストパターンとの密着性が重要である。
【０００３】
例えば、特許文献１には、金属材料膜の表面をエッチングにより粗くする工程と、そのエッチングによって処理した金属材料膜の表面にフォトレジスト膜を塗布する工程と、そのフォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えるレジストパターンの形成方法が開示されている。そして、これによれば、金属材料膜とフォトレジストとの密着性が向上し、その後の現像などの工程において、レジストパターンが金属材料膜の表面から剥がれにくくなり、特に、微細なレジストパターンを安定に形成することができる、と記載されている。
【特許文献１】特開平３−２７４７１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されたレジストパターンの形成方法では、金属膜の表面を粗くするためにエッチングするので、処理工程が増えると共に、金属膜の表面形状や膜厚の変化が生じるので、金属膜の特性のばらつきが懸念される。
【０００５】
また、半透過型及び反射型の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板の製造では、反射電極を構成する光反射性を有する金属膜の表面に形成するレジストパターンの出来映えがアクティブマトリクス基板の製造歩留まりに大きく影響してしまう。そのため、アクティブマトリクス基板の製造では、反射電極を構成する金属膜とその表面のレジストパターンとの密着性が重要である。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、金属膜とその表面のレジストパターンとの密着性を容易に向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、基板に成膜された金属膜を空気雰囲気の下で焼成し、その焼成された金属膜の表面をシランカップリング剤で処理した後に、金属膜の表面にレジスト膜を成膜するようにしたものである。
【０００８】
具体的に本発明に係るレジストパターンの形成方法は、基板に金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、上記金属膜の表面にレジスト膜を成膜するレジスト膜成膜工程と、上記レジスト膜を露光する露光工程と、上記露光されたレジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する現像工程とを備えるレジストパターンの形成方法であって、上記金属膜成膜工程では、上記基板に成膜された金属膜を空気雰囲気の下で焼成し、該焼成された金属膜の表面をシランカップリング剤で処理することを特徴とする。
【０００９】
上記の方法によれば、金属膜成膜工程において、基板に成膜された金属膜を空気雰囲気の下で焼成するので、例えば、それを窒素雰囲気の下で焼成した場合よりも、金属膜の表面に水酸基が多く存在することになる。その後、焼成された金属膜の表面をシランカップリング剤で処理するので、金属膜の表面に多く存在する水酸基とシランカップリング剤とが反応して、金属膜の表面の疎水性が高くなる。これにより、レジストパターンを構成する疎水性のレジスト膜と金属膜の表面との親和性が高くなるので、金属膜とその表面のレジストパターンとの密着性が向上する。ここで、金属膜の表面を単にシランカップリング剤で処理して、金属膜の表面に設けられるレジストパターンの密着性を向上させることは、従来より一般的に行われている。これに対して、上記の方法では、このシランカップリング剤による処理の前に、基板に成膜された金属膜を空気雰囲気の下で焼成するだけで、金属膜とその表面に設けられるレジストパターンとの密着性が向上するので、金属膜とその表面のレジストパターンとの密着性を容易に向上させることが可能になる。
【００１０】
上記シランカップリング剤は、ヘキサメチルジシラザンであってもよい。
【００１１】
上記の方法によれば、シランカップリング剤がヘキサメチルジシラザンであるので、焼成された金属膜の表面にトリメチルシリル基が形成されることにより、金属膜の表面の疎水性が具体的に高くなることになる。
【００１２】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、複数の画素がマトリクス状に設けられ、上記各画素毎に反射電極が設けられたアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、基板に光反射性を有する金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、上記金属膜の表面にレジスト膜を成膜するレジスト膜成膜工程と、上記レジスト膜を露光する露光工程と、上記露光されたレジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する現像工程と、上記レジストパターンから露出する金属膜をエッチングして、上記反射電極を形成するエッチング工程とを備え、上記金属膜成膜工程では、上記基板に成膜された金属膜を空気雰囲気の下で焼成し、該焼成された金属膜の表面をシランカップリング剤で処理することを特徴とする。
【００１３】
上記の方法によれば、金属膜成膜工程において、基板に形成された光反射性を有する金属膜を空気雰囲気の下で焼成するので、例えば、それを窒素雰囲気の下で焼成した場合よりも、金属膜の表面に水酸基が多く存在することになる。その後、焼成された金属膜の表面をシランカップリング剤で処理するので、金属膜の表面に多く存在する水酸基とシランカップリング剤とが反応して、金属膜の表面の疎水性が高くなる。これにより、レジストパターンを構成する疎水性のレジスト膜と金属膜の表面との親和性が高くなるので、金属膜とその表面のレジストパターンとの密着性が向上することになり、その後、エッチング工程において、そのレジストパターンから露出する金属膜をエッチングすることにより、反射電極が確実に形成される。ここで、反射電極を構成する金属膜の表面を単にシランカップリング剤で処理して、金属膜の表面に設けられたレジストパターンの密着性を向上させることは、従来より一般的に行われている。これに対して、上記の方法では、このシランカップリング剤による処理の前に、基板に成膜された金属膜を空気雰囲気の下で焼成するだけで、金属膜とその表面に設けられるレジストパターンとの密着性が向上するので、反射電極を構成する金属膜とその表面のレジストパターンとの密着性を容易に向上させることが可能になる。
【００１４】
上記シランカップリング剤は、ヘキサメチルジシラザンであってもよい。
【００１５】
上記の方法によれば、シランカップリング剤がヘキサメチルジシラザンであるので、焼成された金属膜の表面にトリメチルシリル基が形成されることにより、反射電極を構成する金属膜の表面の疎水性が具体的に高くなることになる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、基板に成膜された金属膜を空気雰囲気の下で焼成し、その焼成された金属膜の表面をシランカップリング剤で処理した後に、金属膜の表面にレジスト膜を成膜するので、金属膜とその表面のレジストパターンとの密着性を容易に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
【００１８】
《発明の実施形態１》
図１及び図２は、本発明に係るレジストパターンの形成方法の実施形態を示している。具体的に図１は、本実施形態のレジストパターンの形成方法を説明する平面図であり、図２は、本実施形態のレジストパターンの形成方法に用いるヘキサメチルジシラザンの反応を説明する模式図である。
【００１９】
本実施形態のレジストパターンの形成方法は、以下の金属膜成膜工程、（プリベーク工程を含む）レジスト膜成膜工程、露光工程及び（ポストベーク工程を含む）現像工程を備える。
【００２０】
＜金属膜成膜工程＞
まず、ガラス基板やシリコン基板などの基板１０（図１（ａ）参照）の表面に、図１（ｂ）に示すように、アルミニウム膜などの金属膜１１をスパッタリング法により成膜する。
【００２１】
続いて、金属膜１１が成膜された基板１０を、乾燥した空気雰囲気の下で焼成する。
【００２２】
＜レジスト膜成膜工程＞
まず、例えば、ヘキサメチルジシラザンＳ（図２参照）を気化し、金属膜１１が焼成された基板１０の表面に噴霧して、金属膜１１の表面をシランカップリング剤で処理することにより、図２に示すように、金属膜１１の表面の水酸基とトリメチルシラノールとの脱水反応により、金属膜１１の表面に疎水性を有するトリメチルシリル基を形成する。
【００２３】
続いて、トリメチルシリル基が形成された金属膜１１の表面に、図１（ｃ）に示すように、ポジ型の感光性樹脂からなるレジスト膜１２をスピンコート法により成膜した後に、プリベークする（プリベーク工程）。
【００２４】
＜露光工程＞
上記レジスト膜成膜工程でプリベークされたレジスト膜１２を、所定形状の開口パターンが形成されたフォトマスクを介して、露光する。
【００２５】
＜現像工程＞
上記露光工程で露光されたレジスト膜１２を現像液を用いて現像して、露光により可溶化されたレジスト膜１２を部分的に除去した後に、ポストベークすることにより、図１（ｄ）に示すように、レジストパターン１２ａを形成する（ポストベーク工程）。
【００２６】
＜エッチング工程＞
上記現像工程で形成されたレジストパターン１２ａから露出する金属膜１１を、図１（ｅ）に示すように、エッチングして、金属層１１ａ（図１（ｆ）参照）を形成する。
【００２７】
＜除去工程＞
上記エッチング工程で用いたレジストパターン１２ａを剥離液を用いて除去して、図１（ｆ）に示すように、金属層１１ａを露出させる。
【００２８】
以上のようにして、レジストパターン１２ａを形成し、そのレジストパターン１２ａを用いて、金属層１１ａを形成することができる。
【００２９】
以上説明したように、本実施形態のレジストパターン１２ａの形成方法によれば、金属膜成膜工程において、基板１０に成膜された金属膜１１を空気雰囲気の下で焼成するので、例えば、それを窒素雰囲気の下で焼成した場合よりも、金属膜１１の表面に水酸基が多く存在することになる。その後、焼成された金属膜１１の表面をヘキサメチルジシラザンＳで処理するので、金属膜１１の表面に多く存在する水酸基とヘキサメチルジシラザンＳの誘導体であるトリメチルシラノールとが反応して、金属膜１１の表面の疎水性が高くなる。これにより、レジストパターン１２ａを構成する疎水性のレジスト膜１２と金属膜１１の表面との親和性が高くなるので、金属膜１１とその表面のレジストパターン１２ａとの密着性が向上する。ここで、金属膜の表面を単にシランカップリング剤で処理して、金属膜の表面に設けられるレジストパターンの密着性を向上させることは、従来より一般的に行われている。これに対して、本実施形態のレジストパターン１２ａの形成方法では、このシランカップリング剤（ヘキサメチルジシラザンＳ）による処理の前に、基板１０に成膜された金属膜１１を空気雰囲気の下で焼成するだけで、金属膜１１とその表面に設けられるレジストパターン１２ａとの密着性が向上するので、金属膜１１とその表面のレジストパターン１２ａとの密着性を容易に向上させることができる。
【００３０】
《発明の実施形態２》
図３は、本実施形態のアクティブマトリクス基板３０の平面図であり、図４は、図３中のIV−IV線に沿ったアクティブマトリクス基板３０の断面図である。
【００３１】
アクティブマトリクス基板３０は、図３及び図４に示すように、ガラス基板などの絶縁基板２０上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線２１ａと、各ゲート線２１ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜２２と、ゲート絶縁膜２２上に各ゲート線２１ａと直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線２４ａと、各ゲート線２１ａ及び各ソース線２４ａの交差部分にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）５と、各ＴＦＴ５及び各ソース線３を覆うように設けられた無機絶縁膜２５ａ及び有機絶縁膜２５ｂからなる層間絶縁膜２５と、層間絶縁膜２５上にマトリクス状に設けられた複数の画素電極２６とを備えている。
【００３２】
ＴＦＴ５は、図３及び図４に示すように、各ゲート線２１ａの側方に突出した部分であるゲート電極２１ａａと、ゲート電極２１ａａを覆うように設けられたゲート絶縁膜２２と、ゲート絶縁膜２２上でゲート電極１ａａに対応する位置に島状に設けられた半導体層２３と、半導体層２３上で互いに対峙するように設けられたソース電極２４ａａ及びドレイン電極２４ｂとを備えている。ここで、ソース電極２４ａａは、図３に示すように、各ソース線２４ａの側方に突出した部分である。また、ドレイン電極２４ｂは、図３及び図４に示すように、層間絶縁膜２５に形成されたコンタクトホールＣを介して画素電極２６に接続されている。
【００３３】
半導体層２３は、図４に示すように、ゲート絶縁膜２２上に設けられた下層の真性アモルファスシリコン層２３ａと、その上層に設けられたｎ＋アモルファスシリコン層２３ｂとを備えている。
【００３４】
画素電極２６は、図３及び図４に示すように、層間絶縁膜２５上に設けられた下層の透明電極２６ａと、透明電極２６ａの一部に重なるようにその上層に設けられた反射電極２６ｂとを備えている。ここで、反射電極２６ｂは、反射モードの表示を行う反射領域を構成し、反射電極２６ｂから露出する透明電極２６ａは、透過モードの表示を行う透過領域を構成している。また、上記反射領域において、層間絶縁膜２５（有機絶縁膜２５ｂ）の表面は、図４に示すように、凹凸状に形成されているので、透明電極２６ａを介して設けられた反射電極２６ｂの表面は、凹凸状に形成されている。
【００３５】
上記構成のアクティブマトリクス基板３０は、対向して配置される対向基板と、それらの両基板の間に封入される液晶層と共に、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルを構成するものである。
【００３６】
次に、本実施形態のアクティブマトリクス基板３０の製造方法について一例を挙げて説明する。なお、本実施形態の製造方法は、以下のＴＦＴ形成工程、透明電極形成工程、金属膜成膜工程、（プリベーク工程を含む）レジスト膜成膜工程、露光工程、（ポストベーク工程を含む）現像工程、エッチング工程及び除去工程を備える。
【００３７】
＜ＴＦＴ形成工程＞
まず、ガラス基板などの絶縁基板２０の基板全体に、スパッタリング法により、例えば、チタン膜、アルミニウム膜及びチタン膜などを順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート線２１ａ及びゲート電極２１ａａを形成する。
【００３８】
続いて、ゲート線２１ａ及びゲート電極２１ａａが形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、例えば、窒化シリコン膜などを成膜し、ゲート絶縁膜２２を形成する。
【００３９】
さらに、ゲート絶縁膜２２が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、真性アモルファスシリコン膜、及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜を連続して成膜し、その後、フォトリソグラフィによりゲート電極２１ａａ上に島状にパターニングして、真性アモルファスシリコン層２３ａ及びｎ＋アモルファスシリコン層（２３ｂ）が積層された半導体形成層を形成する。
【００４０】
そして、上記半導体形成層が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、アルミニウム膜及びチタン膜などを順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ソース線２４ａ、ソース電極２４ａａ及びドレイン電極２４ｂ形成する。
【００４１】
続いて、ソース電極２４ａａ及びドレイン電極２４ｂをマスクとして上記半導体形成層を構成するｎ＋アモルファスシリコン層（２３ｂ）をエッチングすることにより、チャネル領域をパターニングして、半導体層２３及びそれを備えたＴＦＴ５を形成する。
【００４２】
＜透明電極形成工程＞
まず、上記ＴＦＴ形成工程でＴＦＴ５が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、窒化シリコン膜などを成膜し、無機絶縁膜２５ａを形成する。
【００４３】
続いて、無機絶縁膜２５ａが形成された基板全体に、スピンコート法により、例えば、ポジ型の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂を、例えば、２段階で露光することにより、ドレイン電極２４ｂ上にコンタクトホールＣを有し、反射領域の表面が凹凸状になった有機絶縁膜２５ｂ及び無機絶縁膜２５ａを備えた層間絶縁膜２５を形成する。
【００４４】
さらに、層間絶縁膜２５上の基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などからなる透明導電膜をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、透明電極２６ａを形成する。
【００４５】
＜金属膜成膜工程＞
まず、上記透明電極形成工程で透明電極２６ａが形成された基板全体（図１（ａ）参照）に、窒化モリブデン膜、アルミニウム膜及び窒化モリブデン膜を、スパッタリング法により順に成膜して、窒化モリブデン膜、アルミニウム膜及び窒化モリブデン膜の積層膜からなる金属膜１１（図１（ｂ）参照）を成膜する。
【００４６】
続いて、金属膜１１が成膜された基板１０（絶縁基板２０）を、乾燥した空気雰囲気の下で、例えば、２２０℃で５０分間、焼成する。
【００４７】
＜レジスト膜成膜工程＞
まず、例えば、ヘキサメチルジシラザンＳ（図２参照）を気化し、金属膜１１が焼成された基板１０（絶縁基板２０）の表面に噴霧して、金属膜１１の表面をシランカップリング剤で処理することにより、図２に示すように、金属膜１１の表面の水酸基とトリメチルシラノールとの脱水反応により、金属膜１１の表面に疎水性を有するトリメチルシリル基を形成する。
【００４８】
続いて、トリメチルシリル基が形成された金属膜１１の表面に、図１（ｃ）に示すように、ポジ型の感光性樹脂からなるレジスト膜１２をスピンコート法により成膜した後に、プリベークする（プリベーク工程）。
【００４９】
＜露光工程＞
上記レジスト膜成膜工程でプリベークされたレジスト膜１２を、所定形状の開口パターンが形成されたフォトマスクを介して、露光する。
【００５０】
＜現像工程＞
上記露光工程で露光されたレジスト膜１２を現像液を用いて現像して、露光により可溶化されたレジスト膜１２を部分的に除去した後に、ポストベークすることにより、図１（ｄ）に示すように、レジストパターン１２ａを形成する（ポストベーク工程）。
【００５１】
＜エッチング工程＞
上記現像工程で形成されたレジストパターン１２ａから露出する金属膜１１を、図１（ｅ）に示すように、エッチングして、金属層１１ａ（図１（ｆ）参照）、すなわち、反射電極２６ｂを形成する。
【００５２】
＜除去工程＞
上記エッチング工程で用いたレジストパターン１２ａを剥離液を用いて除去して、図１（ｆ）に示すように、金属層１１ａ、すなわち、反射電極２６ｂを露出させることにより、透明電極２６ａ及び反射電極２６ｂを備えた画素電極２６を形成する。
【００５３】
以上のようにして、アクティブマトリクス基板３０を製造することができる。
【００５４】
次に、具体的に行った実験について説明する。
【００５５】
具体的には、本実施形態の実施例として、反射電極を構成する金属膜として、ＩＴＯ膜からなる透明電極上に、窒化モリブデン膜（例えば、厚さ５００Å）、アルミニウム膜（例えば、厚さ１０００Å）及び窒化モリブデン膜（例えば、厚さ２５Å）を、スパッタリング法により順に成膜した後に、その金属膜を乾燥した空気雰囲気の下で２２０℃で５０分間焼成して、アクティブマトリクス基板を製造した。
【００５６】
また、本実施形態の比較例として、反射電極を構成する金属膜として、ＩＴＯ膜からなる透明電極上に、窒化モリブデン膜（例えば、厚さ５００Å）、アルミニウム膜（例えば、厚さ１０００Å）及び窒化モリブデン膜（例えば、厚さ２５Å）を、スパッタリング法により順に成膜した後に、その金属膜を窒素雰囲気の下で２２０℃で５０分間焼成して、アクティブマトリクス基板を製造した。
【００５７】
上記実施例及び比較例で製造された各アクティブマトリクス基板の反射電極を構成する金属膜をエッチングして、その際のエッチング時間と検出された元素の比率との関係をオージェ電子分光分析法（ＡＥＳ）により測定して、金属膜の深さ方向の成分分析を行った。ここで、図５及び図６は、実施例及び比較例の各アクティブマトリクス基板を構成する反射電極の深さ方向の元素分析の結果を示すグラフである。そして、図５及び図６では、横軸のエッチング時間が０分の位置が金属膜の表面に相当する。なお、上記オージェ電子分光分析法で用いたＡＥＳ装置は、日本電子株式会社（ＪＥＯＬ）製のＪＡＭＰ−９５００Ｆである。
【００５８】
実施例のアクティブマトリクス基板では、図５の曲線ａに示すように、金属膜の表面の酸素量が、比較例のアクティブマトリクス基板のもの（図６の曲線ｂ参照）よりも多くなることが分かった。これにより、金属膜を空気雰囲気の下で焼成する場合には、金属膜を窒素雰囲気の下で焼成する場合よりも、金属膜の表面に水酸基が多く存在することが推測された。
【００５９】
また、上記実施例及び比較例で製造された各アクティブマトリクス基板で発生したレジストパターンの剥がれの個数を数えて、実施例及び比較例で比較した。結果は、以下の表１のとおりである。ここで、各アクティブマトリクス基板は、１基板当たり、１４６７４５６００個の画素を有し、反射電極を形成するための各画素のレジストパターンのサイズは、約４０μｍ×１００μｍである。また、１つの画素のレジストパターンの剥がれを、レジストパターンの剥がれ数の１個と数えた。
【００６０】
【表１】
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【００６１】
表１に示すように、窒素雰囲気の下で焼成した比較例のアクティブマトリクス基板では、レジストパターンの剥がれ数が、１基板当たり０．７９個であった。そして、比較例のアクティブマトリクス基板では、最もレジストパターンの剥がれ数が多い基板で、レジストパターンの剥がれが６９個発生した。これに対して、空気雰囲気の下で焼成した実施例のアクティブマトリクス基板では、レジストパターンの剥がれ数が、１基板当たり０．０１個であり、比較例の約１／８０となった。また、実施例のアクティブマトリクス基板では、比較例のアクティブマトリクス基板のように、レジストパターンの剥がれ数が極端に多い基板も見受けられなかった。
【００６２】
以上説明したように、本実施形態のアクティブマトリクス基板３０の製造方法によれば、金属膜成膜工程において、透明電極形成工程で絶縁基板２０に形成された透明電極２６ａを覆うように成膜された金属膜１１を空気雰囲気の下で焼成するので、例えば、それを窒素雰囲気の下で焼成した場合よりも、金属膜１１の表面に水酸基が多く存在することになる。その後、焼成された金属膜の表面をシランカップリング剤で処理するので、金属膜の表面に多く存在する水酸基とシランカップリング剤Ｓの誘導体であるトリメチルシラノールとが反応して、金属膜１１の表面の疎水性が高くなる。これにより、レジストパターン１２ａを構成する疎水性のレジスト膜１２と金属膜１１の表面との親和性が高くなるので、金属膜１１とその表面のレジストパターン１２ａとの密着性が向上することになり、その後、エッチング工程において、そのレジストパターン１２ａから露出する金属膜１１をエッチングすることにより、透明電極２６ａの表面に反射電極２６ｂを確実に形成することができる。ここで、反射電極を構成する金属膜の表面を単にシランカップリング剤で処理して、金属膜の表面に設けられたレジストパターンの密着性を向上させることは、従来より一般的に行われている。これに対して、上記の方法では、このシランカップリング剤（ヘキサメチルジシラザンＳ）による処理の前に、基板に成膜された金属膜１１を空気雰囲気の下で焼成するだけで、金属膜１１とその表面に設けられるレジストパターン１２ａとの密着性が向上するので、半透過型のアクティブマトリクス基板３０の製造において、透明電極２６ａの表面に反射電極２６ｂを形成する際に、反射電極２６ｂを構成する金属膜１１とその表面のレジストパターン１２ａとの密着性を容易に向上させることができる。
【００６３】
本実施形態では、各画素毎に透明電極及び反射電極を有する半透過型のアクティブマトリクス基板の製造方法を例示したが、本発明は、各画素毎に反射電極を有する（場合によれば、透明電極を有しない）反射型のアクティブマトリクス基板の製造方法にも適用することができる。
【００６４】
上記各実施形態では、レジストパターンを用いてエッチングする被エッチング膜として、金属膜を例示したが、本発明は、絶縁膜、半導体膜にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
以上説明したように、本発明は、金属膜とその表面のレジストパターンとの密着性を容易に向上させることができるので、液晶表示パネル、プラズマ表示パネル、半導体デバイスなどの種々の電子装置の製造について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】実施形態１に係るレジストパターンの形成方法を説明する平面図である。
【図２】ヘキサメチルジシラザンの反応を説明する模式図である。
【図３】実施形態２に係るアクティブマトリクス基板３０の平面図である。
【図４】図３中のIV−IV線に沿ったアクティブマトリクス基板３０の断面図である。
【図５】実施例のアクティブマトリクス基板を構成する反射電極の深さ方向の元素分析の結果を示すグラフである。
【図６】比較例のアクティブマトリクス基板を構成する反射電極の深さ方向の元素分析の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６７】
Ｐ        画素
Ｓ        ヘキサメチルジシラザン（シランカップリング剤）
１０，２０    基板
１１      金属膜
１２      レジスト膜
１２ａ    レジストパターン
２６ｂ    反射電極
３０      アクティブマトリクス基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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