(57)【要約】【課題】大型化を抑制しつつ、安定して基板を処理することができる基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法を提供する。【解決手段】２つの真空処理ユニットＶＵのうちの一方の真空処理ユニットＶＵに基板Ｗが搬入されると、一方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６３の第１制御バルブ６１ｖが開く。そして、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が大気圧から減圧される。続いて、一方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６４の第２制御バルブ６２ｖが開いた後、開状態の第１制御バルブ６１ｖが閉じる。これにより、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨが、高真空ポンプ６２によりさらに減圧される。低真空ポンプ６１および高真空ポンプ６２により減圧されたチャンバＣＨ内で基板Ｗに処理が行われる。１つの真空処理ユニットＶＵに接続された複数の真空処理ユニットＶＵには異なるタイミングで基板が搬入される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧よりも低い圧力下での露光処理の前または後に基板に処理を行う基板処理装置であって、
少なくとも１組の処理ユニット群と、
前記少なくとも１組の処理ユニット群を制御する制御部とを備え、
前記少なくとも１組の処理ユニット群は、
密閉空間を形成する処理室を有し、前記処理室内において基板に処理を行う複数の処理ユニットと、
前記複数の処理ユニットに共通に接続され、各処理室内を大気圧から大気圧よりも低い圧力に減圧する第１の減圧装置と、
前記複数の処理ユニットにそれぞれに対応して設けられ、対応する処理ユニットの前記処理室内を前記第１の減圧装置により減圧された圧力からさらに低い圧力に減圧する第２の減圧装置とを含み、
前記制御部は、前記複数の処理ユニットのうち基板の処理に用いられる一の処理ユニットの前記処理室内が前記第１の減圧装置を用いて減圧された後に、前記一の処理ユニットの前記処理室内が対応する前記第２の減圧装置を用いてさらに減圧され、前記複数の処理ユニットにおける前記第１の減圧装置を用いた減圧が異なるタイミングで行われるように前記第１の減圧装置を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記複数の処理ユニットに基板を搬送する搬送装置をさらに備え、
前記制御部は、前記複数の処理ユニットのうちの一の処理ユニットの前記処理室内が前記第１の減圧装置を用いて減圧されている場合に前記複数の処理ユニットのうちの他の処理ユニットに基板が搬送されないように前記搬送装置を制御することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の第１の減圧装置の各々は、
真空ポンプと、
対応する処理ユニットの前記処理室内の気体を前記真空ポンプに導く排気径路と、
前記排気経路を開閉する複数の開閉装置とを含み、
前記制御部は、前記複数の第１の減圧装置のいずれかの前記開閉装置が開状態になっている場合に一の処理ユニットの前記処理室内が前記第１の減圧装置を用いて減圧されていると判定することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記少なくとも１組の処理ユニット群は、複数組の処理ユニット群を含み、
前記制御部は、一の基板の処理のために、前記複数組の処理ユニット群のうちの一の処理ユニット群において一の処理ユニットの前記処理室内が前記第１の減圧装置を用いて減圧されている場合には、他の基板の処理のために、前記複数組の処理ユニット群のうちの他の処理ユニット群において一の処理ユニットの前記処理室内が前記第１の減圧装置を用いて減圧がされるように、前記複数の処理ユニット群の各々の前記第１の減圧装置を制御することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理ユニットは、露光処理前の基板に処理を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理ユニットは、前記露光処理前の基板に加熱処理、冷却処理または周縁部の露光処理を行うことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理ユニットは、前記露光処理後の基板に処理を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理ユニットは、前記露光処理後の基板に加熱処理を行うことを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
大気圧よりも低い圧力下での露光処理の前または後に、複数の処理ユニットを備えた基板処理装置を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、
前記複数の処理ユニットのうち基板の処理に用いられる一の処理ユニットの処理室内を第１の減圧装置を用いて減圧する工程と、
前記第１の減圧装置を用いた減圧後、前記一の処理ユニットの前記処理室内を第２の減圧装置を用いてさらに減圧する工程と、
前記第２の減圧装置を用いた減圧後、前記一の処理ユニットの前記処理室内において基板に処理を行う工程と、
前記複数の処理ユニットにおける前記第１の減圧装置を用いた減圧が異なるタイミングで行われるように前記第１の減圧装置を制御する工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を行う基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェースブロックにより構成される。インターフェースブロックに隣接するように、基板に露光処理を施す露光装置が配置される。各ブロックは、基板に処理を行う複数の処理室を備える。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の形成が行われた後、インターフェースブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェースブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンのさらなる微細化が求められている。レジストパターンの微細化のために重要となる露光装置の解像度性能は、露光装置の光源の波長に依存する。そこで、波長が約１３ｎｍと極めて短いＥＵＶ（超紫外線）光を用いた露光技術が開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】特開２００２−１５９７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のＥＵＶ光は、大気中では酸素分子および窒素分子に吸収されやすい。そのため、露光装置内を極めて真空度が高い状態（以下、高真空状態と呼ぶ）に維持する必要がある。
【０００８】
一方、基板処理装置内は通常大気圧である。したがって、露光装置内を高真空状態として基板の露光処理を行う場合、露光処理前の処理も高真空状態の下で行うことが好ましい。
【０００９】
例えば、特許文献２には、露光装置内を高真空状態に維持して露光処理を行う場合に露光処理前のプリベークを真空中で行うパターン形成方法が記載されている。この方法によれば、露光処理前のプリベークを真空中で行うことにより、プリベーク時にレジスト膜から二酸化炭素等のガスが放出される。それにより、露光処理時にレジスト膜からガスが発生することが抑制される。
【００１０】
そこで、各ブロックの処理室ごとに高真空状態を得るための構成を設けることが考えられる。この構成として、例えば低真空用ポンプと高真空用ポンプとを用いることができる。
【００１１】
この場合、低真空用ポンプは、処理室内の雰囲気を排気することにより、処理室内を大気圧から所定の圧力まで短時間で減圧するために用いる。また、高真空用ポンプは、低真空用ポンプにより減圧された処理室内をさらに高真空状態にするために用いる。
【００１２】
しかしながら、上記のように各ブロックは複数の処理室を有するので、各処理室に低真空用ポンプおよび高真空用ポンプを設けると、基板処理装置が著しく大型化する。
【００１３】
そこで、複数の処理室について１つの低真空用ポンプおよび１つの高真空用ポンプを共通に用いることができれば、大型化を抑制することができると考えられる。しかしながら、この場合、複数の処理室について１つの低真空用ポンプおよび１つの高真空用ポンプを共通に用いて同時に高真空状態を得たい場合には、処理室の数に応じてポンプの効率が変動する。これにより、処理時間の変動および圧力変動等が発生すると、基板の処理状態にばらつきが発生する。
【００１４】
本発明の目的は、大型化を抑制しつつ、安定して基板を処理することができる基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、大気圧よりも低い圧力下での露光処理の前または後に基板に処理を行う基板処理装置であって、少なくとも１組の処理ユニット群と、少なくとも１組の処理ユニット群を制御する制御部とを備え、少なくとも１組の処理ユニット群は、密閉空間を形成する処理室を有し、処理室内において基板に処理を行う複数の処理ユニットと、複数の処理ユニットに共通に接続され、各処理室内を大気圧から大気圧よりも低い圧力に減圧する第１の減圧装置と、複数の処理ユニットにそれぞれに対応して設けられ、対応する処理ユニットの処理室内を第１の減圧装置により減圧された圧力からさらに低い圧力に減圧する第２の減圧装置とを含み、制御部は、複数の処理ユニットのうち基板の処理に用いられる一の処理ユニットの処理室内が第１の減圧装置を用いて減圧された後に、一の処理ユニットの処理室内が対応する第２の減圧装置を用いてさらに減圧され、複数の処理ユニットにおける第１の減圧装置を用いた減圧が異なるタイミングで行われるように第１の減圧装置を制御するものである。
【００１６】
この基板処理装置においては、少なくとも１組の処理ユニット群の第１の減圧装置に共通に接続された複数の処理ユニットのうち、基板の処理に用いられる一の処理ユニットの処理室内が、第１の減圧装置により大気圧から大気圧よりも低い圧力に減圧される。
【００１７】
第１の減圧装置により減圧された一の処理ユニットの処理室内が、その処理ユニットに対応して設けられた第２の減圧装置により、さらに低い圧力に減圧される。それにより、大気圧よりも低い圧力下での露光処理の前または後に基板からガスが放出される。
【００１８】
この場合、第１の減圧装置を用いた減圧は、１組の処理ユニット群に含まれる複数の処理ユニットに対して異なるタイミングで行われる。それにより、第１の減圧装置を用いて常に１つの処理ユニットの処理室が減圧される。したがって、第１の減圧装置の排気効率が変動しない。その結果、各処理ユニットで基板の処理時間に変動が生じることが防止され、安定した基板の処理が行われる。
【００１９】
また、第１の減圧装置が複数の処理ユニットに共通に用いられるので、第１の減圧装置の数を低減することができる。その結果、基板処理装置の大型化が抑制される。
【００２０】
さらに、複数の第２の減圧装置が複数の処理ユニットにそれぞれ接続されているので、各第２の減圧装置が常に１つの処理ユニットの処理室内の減圧に用いられる。それにより、各第２の減圧装置の排気効率が変動しない。また、各第２の減圧装置による減圧時間が第１の減圧装置による減圧時間よりも長い場合、一の処理ユニットの処理室内が一の第２の減圧装置により減圧されている間に、他の処理ユニットの処理室内を他の第２の減圧装置により減圧することが可能となる。それにより、基板処理のスループットが向上される。
【００２１】
（２）基板処理装置は、複数の処理ユニットに基板を搬送する搬送装置をさらに備え、制御部は、複数の処理ユニットのうちの一の処理ユニットの処理室内が第１の減圧装置を用いて減圧されている場合に複数の処理ユニットのうちの他の処理ユニットに基板が搬送されないように搬送装置を制御してもよい。
【００２２】
この場合、搬送装置により複数の処理ユニットに基板が搬送される。複数の処理ユニットのうちの一の処理ユニットの処理室内が第１の減圧装置により減圧されている場合、複数の処理ユニットのうちの他の処理ユニットには基板が搬送されない。
【００２３】
これにより、減圧されない処理室内で基板が待機することがない。したがって、基板処理のスループットの低下が防止される。
【００２４】
（３）複数の第１の減圧装置の各々は、真空ポンプと、対応する処理ユニットの処理室内の気体を真空ポンプに導く排気径路と、排気経路を開閉する複数の開閉装置とを含み、制御部は、複数の第１の減圧装置のいずれかの開閉装置が開状態になっている場合に一の処理ユニットの処理室内が第１の減圧装置を用いて減圧されていると判定してもよい。
【００２５】
この場合、第１の減圧装置においては、複数の処理ユニットの処理室内の雰囲気が、真空ポンプにより各処理ユニットに対応する排気経路を通して排気される。各排気経路には開閉装置が設けられている。複数の開閉装置のいずれかの開閉装置が開状態である場合に、一の処理ユニットの処理室内が第１の減圧装置を用いて減圧されていると判定される。
【００２６】
これにより、制御部は、第１の減圧装置を用いて一の処理ユニットの処理室内が減圧されていることを確実かつ容易に判定することができる。
【００２７】
（４）少なくとも１組の処理ユニット群は、複数組の処理ユニット群を含み、制御部は、一の基板の処理のために、複数組の処理ユニット群のうちの一の処理ユニット群において一の処理ユニットの処理室内が第１の減圧装置を用いて減圧されている場合には、他の基板の処理のために、複数組の処理ユニット群のうちの他の処理ユニット群において一の処理ユニットの処理室内が第１の減圧装置を用いて減圧がされるように、複数の処理ユニット群の各々の第１の減圧装置を制御してもよい。
【００２８】
この場合、１組の処理ユニット群において、一の基板の処理のために一の処理ユニットの処理室内が第１の減圧装置を用いて減圧されている場合、他の処理ユニット群において、他の基板の処理のために一の処理ユニットの処理室内が第１の減圧装置を用いて減圧される。これにより、複数の基板を効率的に処理することが可能となる。その結果、基板処理におけるスループットが十分に向上する。
【００２９】
（５）処理ユニットは、露光処理前の基板に処理を行ってもよい。
【００３０】
この場合、大気圧よりも低い圧力下で行われる露光処理前に、大気圧よりも十分に低い圧力下で基板に処理が行われることにより、基板からガスが放出される。これにより、大気圧よりも低い圧力下で行われる露光処理時に基板からガスが放出されることが防止される。その結果、基板の処理不良および歩留まりの低下が十分に防止される。
【００３１】
（６）処理ユニットは、露光処理前の基板に加熱処理、冷却処理または周縁部の露光処理を行ってもよい。
【００３２】
この場合、大気圧よりも十分に低い圧力下で基板に加熱処理、冷却処理または周縁部の露光処理が行われることにより、基板からガスが十分に放出される。それにより、基板の処理不良および歩留まりの低下がより十分に防止される。
【００３３】
（７）処理ユニットは、露光処理後の基板に処理を行ってもよい。
【００３４】
この場合、大気圧よりも低い圧力下で行われる露光処理後に、基板に大気中の不純物が取り込まれた場合でも、大気圧よりも十分に低い圧力下で基板に処理が行われることにより基板から不純物がガスとして放出される。その結果、基板の処理不良および歩留まりの低下が十分に防止される
（８）処理ユニットは、露光処理後の基板に加熱処理を行ってもよい。
【００３５】
この場合、大気圧よりも十分に低い圧力下で基板に加熱処理が行われることにより、基板から不純物がガスとして十分に放出される。それにより、基板の処理不良および歩留まりの低下がより十分に防止される。
【００３６】
（９）第２の発明に係る基板処理方法は、大気圧よりも低い圧力下での露光処理の前または後に、複数の処理ユニットを備えた基板処理装置を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、複数の処理ユニットのうち基板の処理に用いられる一の処理ユニットの処理室内を第１の減圧装置を用いて減圧する工程と、第１の減圧装置を用いた減圧後、一の処理ユニットの処理室内を第２の減圧装置を用いてさらに減圧する工程と、第２の減圧装置を用いた減圧後、一の処理ユニットの処理室内において基板に処理を行う工程と、複数の処理ユニットにおける第１の減圧装置を用いた減圧が異なるタイミングで行われるように第１の減圧装置を制御する工程とを備えるものである。
【００３７】
この基板処理方法においては、複数の処理ユニットのうち、基板の処理に用いられる一の処理ユニットの処理室内が、第１の減圧装置により大気圧から大気圧よりも低い圧力に減圧される。
【００３８】
第１の減圧装置により減圧された一の処理ユニットの処理室内が、第２の減圧装置により、さらに低い圧力に減圧される。それにより、大気圧よりも低い圧力下での露光処理の前または後に基板からガスが放出される。
【００３９】
この場合、第１の減圧装置を用いた減圧は、複数の処理ユニットに対して異なるタイミングで行われる。それにより、第１の減圧装置を用いて常に１つの処理ユニットの処理室が減圧される。したがって、第１の減圧装置の排気効率が変動しない。その結果、各処理ユニットで基板の処理時間に変動が生じることが防止され、安定した基板の処理が行われる。
【００４０】
また、第１の減圧装置が複数の処理ユニットに共通に用いられるので、第１の減圧装置の数を低減することができる。その結果、基板処理装置の大型化が抑制される。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、基板処理装置の大型化を抑制しつつ、安定して基板を処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の一方の側面図である。
【図３】図１の基板処理装置の他方の側面図である。
【図４】高真空発生機構の概略構成図である。
【図５】図３の反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックの加熱ユニットの構成を示す模式図である。
【図６】図３のエッジ露光部の構成を示す模式図である。
【図７】図１の反射防止膜用処理ブロックにおける制御系を示すブロック図である。
【図８】図１のインターフェースブロックにおける制御系を示すブロック図である。
【図９】真空処理ユニットを含むブロックのローカルコントローラの制御動作を示すフローチャートである。
【図１０】真空処理ユニットを含むブロックのローカルコントローラの制御動作を示すフローチャートである。
【図１１】第２の実施の形態に係る基板処理装置の一方の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００４４】
[Ａ]第１の実施の形態
（１）基板処理装置の構成
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２、図３、図５および図６には、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００４５】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェースブロック５を含む。また、インターフェースブロック５に隣接するように露光装置６が配置される。
【００４６】
インデクサブロック１は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１、複数のキャリア載置台９２およびインデクサロボットＩＲを含む。メインコントローラ９１は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリ、またはマイクロコンピュータからなり、基板処理装置５００における各処理ブロックの動作を制御する。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１,ＩＲＨ２が上下に設けられる。
【００４７】
反射防止膜用処理ブロック２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部２０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部２０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００４８】
インデクサブロック１と反射防止膜用処理ブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１１が設けられる。この隔壁１１には、インデクサブロック１と反射防止膜用処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック１から反射防止膜用処理ブロック２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック２からインデクサブロック１へ搬送する際に用いられる。
【００４９】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ９にも同様に設けられる。
【００５０】
レジスト膜用処理ブロック３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部３０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部３０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００５１】
反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３との間には、雰囲気遮断用の隔壁１２が設けられる。この隔壁１２には、反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック２からレジスト膜用処理ブロック３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック３から反射防止膜用処理ブロック２へ搬送する際に用いられる。
【００５２】
現像処理ブロック４は、現像用熱処理部１２０、露光後ベーク用熱処理部１２１、現像処理部４０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。露光後ベーク用熱処理部１２１は、インターフェースブロック５に隣接し、後述する基板載置部ＰＡＳＳ７（図３）を備える。現像処理部４０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００５３】
レジスト膜用処理ブロック３と現像処理ブロック４との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられる。この隔壁１３には、レジスト膜用処理ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック３から現像処理ブロック４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック４からレジスト膜用処理ブロック３へ搬送する際に用いられる。
【００５４】
インターフェースブロック５は、第４のセンターロボットＣＲ４、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび複数（２個）のエッジ露光部ＥＥＷを含む。複数（２個）のエッジ露光部ＥＥＷは上下に積層されている。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９、送りバッファ部ＳＢＦおよび戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２が上下に設けられる。
【００５５】
また、インターフェースブロック５には、インターフェースブロック５内の各構成要素の動作を制御するローカルコントローラＬＣが設けられる。
【００５６】
露光装置６は、連結部１５を介してインターフェースブロック５に接続されている。露光装置６内には、基板搬入部ＩＮおよび基板搬出部ＯＵＴが設けられている。
【００５７】
図２は、図１の基板処理装置５００の一方の側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００の他方の側面図である。
【００５８】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の一方側（＋Ｘ側）の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック２の反射防止膜用塗布処理部２０（図１）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック２１およびスピンチャック２１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル２２を備える。
【００５９】
レジスト膜用処理ブロック３のレジスト膜用塗布処理部３０（図１）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１およびスピンチャック３１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル３２を備える。
【００６０】
現像処理ブロック４の現像処理部４０（図１）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル４２を備える。
【００６１】
インターフェースブロック５には、２つのエッジ露光部ＥＥＷ、基板載置部ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ９、送りバッファ部ＳＢＦおよび戻りバッファ部ＲＢＦが上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器５２を備える。
【００６２】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の他方側（−Ｘ側）の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック２の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、６個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６３】
レジスト膜用処理ブロック３のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、６個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６４】
現像処理ブロック４の現像用熱処理部１２０には、６個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。露光後ベーク用熱処理部１２１には、６個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ７が上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６５】
本実施の形態において、各ブロック１〜５に設けられる上記のローカルコントローラＬＣは、例えばＣＰＵおよびメモリ、またはマイクロコンピュータからなり、各ブロック１〜５内の構成要素の動作を制御する。
【００６６】
ここで、図３に示すように、この基板処理装置５００においては、上記の複数のブロック１〜５を含む処理本体部５００ｕが、クリーンルームの床を構成するグレーチングｇｒ上に設置される。グレーチングｇｒの下方に形成された空間に複数の高真空発生機構６０が設けられる。複数の高真空発生機構６０は、反射防止膜用処理ブロック２の加熱ユニットＨＰ、レジスト膜用処理ブロック３の加熱ユニットＨＰ、およびインターフェースブロック５のエッジ露光部ＥＥＷに接続される。詳細は後述する。
【００６７】
なお、上記構成を有する基板処理装置５００において、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、現像処理ユニットＤＥＶ、エッジ露光部ＥＥＷ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの個数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜変更してもよい。
【００６８】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。
【００６９】
インデクサブロック１のキャリア載置台９２の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００７０】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００７１】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００７２】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック２の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００７３】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部２０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部２０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００７４】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部２０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００７５】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック３の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００７６】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部３０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部３０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００７７】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部３０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００７８】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック４の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック５の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。以下の説明では、基板Ｗの周縁部を露光する処理をエッジ露光処理と呼ぶ。
【００８０】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
【００８１】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより露光装置６の基板搬入部ＩＮに搬入される。
【００８２】
なお、露光装置６が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。
【００８３】
露光装置６において、基板Ｗに露光処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを露光装置６の基板搬出部ＯＵＴから取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００８４】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その露光処理後の基板Ｗを現像処理ブロック４の露光後ベーク用熱処理部１２１に搬入する。露光後ベーク用熱処理部１２１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。
【００８５】
なお、故障等により現像処理ブロック４が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合は、インターフェースブロック５の戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【００８６】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、露光後ベーク用熱処理部１２１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００８７】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック４の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部４０に搬入する。現像処理部４０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００８８】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部４０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００８９】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック３の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック２の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００９０】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック１のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００９１】
（３）真空処理
本実施の形態において、露光装置６内では基板ＷにＥＵＶ（超紫外線）光を用いた露光処理が施される。そのため、ＥＵＶ光が大気中の酸素分子および窒素分子に吸収されることを防止するために、露光装置６における処理空間が極めて真空度が高い状態（例えば１０-７ Ｐａ）に保たれる。
【００９２】
そのため、基板処理装置５００においては、露光装置６による露光処理前の基板Ｗが極めて真空度が高い状態の下で処理される。具体的には、図２に示される反射防止膜用処理ブロック２およびレジスト膜用処理ブロック３の加熱ユニットＨＰ、ならびにインターフェースブロック５のエッジ露光部ＥＥＷにおいては、極めて真空度が高い状態の下で基板Ｗに処理が施される。
【００９３】
以下の説明では、反射防止膜用処理ブロック２およびレジスト膜用処理ブロック３の加熱ユニットＨＰ、ならびにインターフェースブロック５のエッジ露光部ＥＥＷを適宜真空処理ユニットと総称する。
【００９４】
各真空処理ユニットにおいては、図３の高真空発生機構６０により極めて真空度が高い状態が実現される。以下、詳細を説明する。
【００９５】
（４）高真空発生機構の構成および動作
本実施の形態においては、図３の太い点線で示すように、複数（本例では２個）の真空処理ユニットごとに１つの高真空発生機構６０が設けられる。
【００９６】
図４は、高真空発生機構６０の概略構成図である。図４においては、高真空発生機構６０の概略構成が示されるとともに、高真空発生機構６０に接続される２つの真空処理ユニットＶＵが示されている。各真空処理ユニットＶＵは、チャンバＣＨを備え、チャンバＣＨには複数のポートｐが形成されている。なお、チャンバＣＨにはさらに基板Ｗの搬入搬出口（図示せず）およびその搬入搬出口の開閉機構（図示せず）が設けられている。
【００９７】
図４に示すように、高真空発生機構６０は、主として１つの低真空ポンプ６１および複数（本例では２個）の高真空ポンプ６２を備える。低真空ポンプ６１に２本の配管６３の一端が接続され、各配管６３に第１制御バルブ６１ｖが介挿されている。また、各高真空ポンプ６２に１本の配管６４の一端が接続され、各配管６４に第２制御バルブ６２ｖが介挿されている。
【００９８】
低真空ポンプ６１および高真空ポンプ６２に接続された配管６３，６４の他端は、それぞれ真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨに形成されたポートｐに接続される。
【００９９】
上記構成を有する高真空発生機構６０においては、基板処理装置５００の電源がオン状態である場合、すなわち基板処理装置５００が稼働状態である間、低真空ポンプ６１および高真空ポンプ６２が作動する。この状態で、２つの真空処理ユニットＶＵに基板Ｗが存在しない場合には、全ての第１および第２制御バルブ６１ｖ，６２ｖが閉じている。
【０１００】
ここで、２つの真空処理ユニットＶＵのうちの一方の真空処理ユニットＶＵに基板Ｗが搬入されると、一方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６３の第１制御バルブ６１ｖが開く。これにより、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内の雰囲気が配管６３および低真空ポンプ６１を通して外部に排気され、チャンバＣＨ内が大気圧から例えば１Ｐａ〜１０Ｐａ程度まで減圧される。以下の説明では、低真空ポンプ６１により減圧されたチャンバＣＨ内の状態を低真空状態と呼ぶ。
【０１０１】
続いて、一方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６４の第２制御バルブ６２ｖが開いた後、開状態の第１制御バルブ６１ｖが閉じる。これにより、一方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨが、高真空ポンプ６２により例えば１０-４〜１０-５Ｐａ程度までさらに減圧される。以下の説明では、高真空ポンプ６２によりさらに減圧されたチャンバＣＨ内の状態を高真空状態と呼ぶ。
【０１０２】
このようにして、高真空発生機構６０が動作することにより、一方の真空処理ユニットＶＵにおいては、チャンバＣＨ内を高真空状態に維持しつつ、搬入された基板Ｗの処理を行うことが可能となる。
【０１０３】
低真空ポンプ６１には、高真空ポンプ６２よりも排気効率が大きいポンプが用いられる。低真空ポンプ６１としては、例えばロータリーポンプを用いることができる。これにより、チャンバＣＨ内を短時間で低真空状態まで減圧することが可能となる。一方、高真空ポンプ６２としては、到達真空度が高い（到達圧力が低い）ポンプが用いられる。高真空ポンプ６２としては、例えばクライオポンプを用いることができる。これにより、チャンバＣＨ内を確実に高真空状態まで減圧することが可能となる。
【０１０４】
２つの真空処理ユニットＶＵのうちの他方の真空処理ユニットＶＵに基板Ｗが搬入されると、他方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６３の第１制御バルブ６１ｖが開く。これにより、他方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が大気圧から低真空状態まで減圧される。
【０１０５】
続いて、他方の真空処理ユニットＶＵに接続された配管６４の第２制御バルブ６２ｖが開いた後、開状態の第１制御バルブ６１ｖが閉じる。これにより、他方の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨが、高真空ポンプ６２により高真空状態までさらに減圧される。
【０１０６】
このようにして、高真空発生機構６０が動作することにより、他方の真空処理ユニットＶＵにおいても、チャンバＣＨ内を高真空状態に維持しつつ、搬入された基板Ｗの処理を行うことが可能となる。
【０１０７】
なお、図４に示すように、真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内には、チャンバＣＨ内の圧力を検出する圧力センサＳＥが設けられる。この場合、圧力センサＳＥの検出値に基づいて低真空ポンプ６１および高真空ポンプ６２の動作が図３のローカルコントローラＬＣにより制御されることにより、チャンバＣＨ内が大気圧から高真空状態に減圧される。
【０１０８】
本実施の形態においては、１つの真空処理ユニットＶＵに接続された複数の真空処理ユニットＶＵに異なるタイミングで基板Ｗが搬入される。詳細は後述する。
【０１０９】
（５）加熱ユニットの構成および動作
真空処理ユニットＶＵである反射防止膜用処理ブロック２およびレジスト膜用処理ブロック３の加熱ユニットＨＰの詳細を説明する。
【０１１０】
図５は、図３の反射防止膜用処理ブロック２およびレジスト膜用処理ブロック３の加熱ユニットＨＰの構成を示す模式図である。図５においては、主として加熱ユニットＨＰのＸＺ平面における模式的な断面が示されるとともに、高真空発生機構６０の構成の一部が示されている。
【０１１１】
図５に示すように、加熱ユニットＨＰはチャンバＣＨを備える。チャンバＣＨの一側面に搬入搬出口２０１ａが設けられている。
【０１１２】
加熱ユニットＨＰにおいて、チャンバＣＨの搬入搬出口２０１ａを内側から塞ぐようにシャッター２０１ｂが設けられている。シャッター２０１ｂは、シャッター駆動装置２０１ｃにより上下方向に移動し、搬入搬出口２０１ａを開閉する。搬入搬出口２０１ａが閉じられることにより、チャンバＣＨ内が気密状態に保たれる。
【０１１３】
チャンバＣＨ内に基板検出センサＳＷが設けられている。基板検出センサＳＷは、例えば投光部および受光部を備える反射型の光センサであり、チャンバＣＨ内に基板Ｗが存在するか否かを検出し、その検出結果を上述のローカルコントローラＬＣに与える。さらに、チャンバＣＨ内には、上述の圧力センサＳＥが設けられている。圧力センサＳＥは、チャンバＣＨ内の圧力を検出し、その検出値を図３のローカルコントローラＬＣに与える。
【０１１４】
チャンバＣＨ内の底部には、２つのポートｐが形成されるとともに、基板Ｗを加熱するための加熱プレート２０３が設けられている。また、加熱プレート２０３上には、基板Ｗを水平に保持するための静電チャック２２３が積層して設けられている。静電チャック２２３には電極（図示せず）が内蔵されており、その電極に電圧が印加されることによりクーロン力が発生し、静電チャック２２３上に基板Ｗが吸着される。
【０１１５】
本例の静電チャック２２３の材料としては、熱伝導性に優れたセラミック、例えば窒化アルミニウム等が用いられる。この場合、加熱プレート２０３により発生される熱が、静電チャック２２３の下面から上面に渡って効率よく伝達される。それにより、後述する基板Ｗの加熱処理時に、加熱プレート２０３により発生される熱が、静電チャック２２３を通して効率よく基板Ｗに伝達される。
【０１１６】
上述のように、加熱ユニットＨＰ（すなわち真空処理ユニットＶＵ）には、高真空発生機構６０（図４）が接続される。
【０１１７】
上記加熱ユニットＨＰによる基板Ｗの加熱処理を説明する。基板Ｗに加熱処理が施される場合、チャンバＣＨの搬入搬出口２０１ａが開かれた状態で、第１および第２のセンターロボットＣＲ１，ＣＲ２（図１）によりチャンバＣＨ内に基板Ｗが搬入される。チャンバＣＨ内に搬入された基板Ｗは、図示しない昇降機構により受け取られ、加熱プレート２０３に積層された静電チャック２２３上に載置される。そして、静電チャック２２３の電極（図示せず）に電圧が印加されることにより、静電チャック２２３上に基板Ｗが吸着される。
【０１１８】
その後、シャッター駆動装置２０１ｃによりシャッター２０１ｂが上方向に移動する。これにより、シャッター２０１ｂにより搬入搬出口２０１ａが閉じられ、チャンバＣＨ内が気密な状態に保たれる。
【０１１９】
この状態で、第１制御バルブ６１ｖが開かれる。それにより、チャンバＣＨ内の雰囲気が配管６３、低真空ポンプ６１および排気管６３ｂを通して外部に排気される。これにより、チャンバＣＨ内が低真空状態になるまで減圧される。
【０１２０】
その後、第２制御バルブ６２ｖが開かれ、第１制御バルブ６１ｖが閉じられる。これにより、高真空ポンプ６２によりチャンバＣＨ内が低真空状態から高真空状態になるまで減圧される。
【０１２１】
この状態で、加熱プレート２０３が駆動される。それにより、加熱プレート２０３が発熱し、高真空状態の下で基板Ｗに加熱処理が施される。
【０１２２】
このとき、反射防止膜用処理ブロック２の加熱ユニットＨＰにおいては、反射防止膜が形成された基板Ｗが高真空状態の下で加熱される。それにより、反射防止膜から二酸化炭素等のガスが放出される。したがって、露光処理時に反射防止膜からガスが発生することが抑制される。
【０１２３】
また、レジスト膜用処理ブロック３の加熱ユニットＨＰにおいては、レジスト膜が形成された基板Ｗが高真空状態の下で加熱される。それにより、レジスト膜から二酸化炭素等のガスが放出される。したがって、露光処理時にレジスト膜からガスが発生することが抑制される。
【０１２４】
上記の加熱処理が終了すると、第２制御バルブ６２ｖが閉じられる。その後、図示しない気体供給装置によりベントガス（窒素ガス等の不活性ガス）がチャンバＣＨ内に供給される。ベントガスは、チャンバＣＨ内の圧力が大気圧になるまで供給される。そして、シャッター駆動装置２０１ｃによりシャッター２０１ｂが下方向に移動する。これにより、搬入搬出口２０１ａが開かれ、チャンバＣＨ内から搬入搬出口２０１ａを通して基板Ｗが搬出される。
【０１２５】
（６）エッジ露光部の構成および動作
エッジ露光部ＥＥＷの詳細を説明する。図６は、図３のエッジ露光部ＥＥＷの構成を示す模式図である。図６においては、主としてエッジ露光部ＥＥＷのＸＺ平面における模式的な断面が示されるとともに、高真空発生機構６０の構成の一部が示されている。
【０１２６】
図６に示すように、エッジ露光部ＥＥＷはチャンバＣＨを備える。チャンバＣＨの一側面に搬入搬出口２０１ａが設けられている。
【０１２７】
エッジ露光部ＥＥＷにおいて、チャンバＣＨの搬入搬出口２０１ａを内側から塞ぐようにシャッター２０１ｂが設けられている。シャッター２０１ｂは、シャッター駆動装置２０１ｃにより上下方向に移動し、搬入搬出口２０１ａを開閉する。搬入搬出口２０１ａが閉じられることにより、チャンバＣＨ内が気密状態に保たれる。
【０１２８】
図５の加熱ユニットＨＰと同様に、チャンバＣＨ内に基板検出センサＳＷおよび圧力センサＳＥが設けられている。
【０１２９】
チャンバＣＨ内の底部には２つのポートｐが形成されている。チャンバ２０１の中央部には、基板Ｗを水平に保持するための静電チャック２１３が設けられている。静電チャック２１３は、基板回転機構２０９により回転可能に保持される。
【０１３０】
静電チャック２１３には電極（図示せず）が内蔵されており、その電極に電圧が印加されることによりクーロン力が発生し、静電チャック２１３上に基板Ｗが吸着される。
【０１３１】
静電チャック２１３の上面には、基板Ｗの外周に沿うように複数のガイドピン２０７が設けられている。この複数のガイドピン２０７により基板Ｗが水平方向に位置決めされる。
【０１３２】
上述のように、エッジ露光部ＥＥＷ（すなわち真空処理ユニットＶＵ）には、高真空発生機構６０（図４）が接続される。
【０１３３】
上記エッジ露光部ＥＥＷによる基板Ｗのエッジ露光処理を説明する。基板Ｗにエッジ露光処理が施される場合、チャンバＣＨの搬入搬出口２０１ａが開かれた状態で、第４のセンターロボットＣＲ４（図１）によりチャンバＣＨ内に基板Ｗが搬入される。チャンバＣＨ内に搬入された基板Ｗは、図示しない昇降機構により受け取られ、静電チャック２１３上に載置される。そして、静電チャック２１３の電極（図示せず）に電圧が印加されることにより、静電チャック２１３上に基板Ｗが吸着される。
【０１３４】
その後、シャッター駆動装置２０１ｃによりシャッター２０１ｂが上方向に移動する。これにより、シャッター２０１ｂにより搬入搬出口２０１ａが閉じられ、チャンバＣＨ内が気密な状態に保たれる。
【０１３５】
この状態で、加熱ユニットＨＰの場合と同様に、第１制御バルブ６１ｖが開かれる。それにより、チャンバＣＨ内の雰囲気が配管６３、低真空ポンプ６１および排気管６３ｂを通して外部に排気される。これにより、チャンバＣＨ内が低真空状態になるまで減圧される。
【０１３６】
その後、第２制御バルブ６２ｖが開かれ、第１制御バルブ６１ｖが閉じられる。これにより、高真空ポンプ６２によりチャンバＣＨ内が低真空状態から高真空状態になるまで減圧される。
【０１３７】
この状態で、基板回転機構２０９により、静電チャック２１３が回転される。そして、投光部駆動機構ＩＬａにより、投光部ＩＬが静電チャック２１３により保持される基板Ｗの周縁部の上方位置に移動される。そして、投光部ＩＬから基板Ｗの周縁部に光が照射される。このようにして、高真空状態の下で基板Ｗのエッジ露光処理が施される。
【０１３８】
エッジ露光処理時には、レジスト膜に紫外線等の露光用の光が照射されることによりレジストの昇華物を含むガスが発生する場合がある。図６のエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗのエッジ露光処理が高真空状態の下で行われる。これにより、レジストからレジストの昇華物および二酸化炭素等を含むガスが放出される。それにより、露光処理時にレジスト膜からガスが発生することが抑制される。
【０１３９】
（７）基板処理装置の制御系
続いて、基板処理装置５００における制御系を説明する。図７は、図１の反射防止膜用処理ブロック２における制御系を示すブロック図である。
【０１４０】
図７に示すように、図３の反射防止膜用処理ブロック２のローカルコントローラＬＣは、加熱ユニットＨＰに設けられる圧力センサＳＥおよび基板検出センサＳＷの検出結果に基づいて高真空発生機構６０（主として第１および第２制御バルブ６１ｖ，６２ｖ）および加熱ユニットＨＰの動作を制御する。また、反射防止膜用処理ブロック２のローカルコントローラＬＣは、冷却ユニットＣＰ、反射防止膜用塗布処理部２０および第１のセンターロボットＣＲ１の動作を制御する。
【０１４１】
上記と同様に、図１のレジスト膜用処理ブロック３のローカルコントローラＬＣは、加熱ユニットＨＰに設けられる圧力センサＳＥおよび基板検出センサＳＷの検出結果に基づいて高真空発生機構６０（主として第１および第２制御バルブ６１ｖ，６２ｖ）および加熱ユニットＨＰの動作を制御する。また、レジスト膜用処理ブロック３のローカルコントローラＬＣは、冷却ユニットＣＰ、レジスト膜用塗布処理部３０および第２のセンターロボットＣＲ２の動作を制御する。
【０１４２】
図８は、図１のインターフェースブロック５における制御系を示すブロック図である。
【０１４３】
図８に示すように、図３のインターフェースブロック５のローカルコントローラＬＣは、エッジ露光部ＥＥＷに設けられる圧力センサＳＥおよび基板検出センサＳＷの検出結果に基づいて高真空発生機構６０（主として第１および第２制御バルブ６１ｖ，６２ｖ）およびエッジ露光部ＥＥＷの動作を制御する。また、インターフェースブロック５のローカルコントローラＬＣは、第４のセンターロボットＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作を制御する。さらに、インターフェースブロック５のローカルコントローラＬＣは、図３の露光後ベーク用熱処理部１２１の加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの動作を制御する。
【０１４４】
なお、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３およびインターフェースブロック５の各構成要素の動作は、各ブロック２，３，５のローカルコントローラＬＣに代えて、図１のメインコントローラ９１により制御されてもよい。
【０１４５】
（８）制御フロー
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、真空処理ユニットＶＵを含むブロック２，３，５に露光処理前の基板Ｗが搬入された場合、ローカルコントローラＬＣは、以下のフローチャートに従って基板Ｗの搬入動作を制御する。
【０１４６】
図９および図１０は真空処理ユニットＶＵを含むブロック２，３，５のローカルコントローラＬＣの制御動作を示すフローチャートである。
【０１４７】
以下の制御動作は、複数の真空処理ユニットＶＵを含むブロック２，３，５に露光処理前の基板Ｗが搬入されることにより開始される。すなわち、本フローチャートは、ブロック２，３，５のセンターロボットＣＲ１，ＣＲ２，ＣＲ４が、他のブロックから露光処理前の基板Ｗを受け取ることにより開始される。以下の説明では、ブロック２，３，５に搬入された露光処理前の基板Ｗを未処理基板Ｗと呼ぶ。
【０１４８】
以下の説明では、各ブロック２，３，５には、Ｋ（Ｋは自然数）個の高真空発生機構６０が接続され、各高真空発生機構６０にはＬ（Ｌは自然数）個の真空処理ユニットＶＵが接続されているものとする。
【０１４９】
初めに、ローカルコントローラＬＣは、変数ｎの値を０にする（ステップＳ１１）。
【０１５０】
次に、ローカルコントローラＬＣは、変数ｎの値に１を加算する（ステップＳ１２）。例えば、ローカルコントローラＬＣが最初にステップＳ１１からステップＳ１２の処理に進む場合、変数ｎの値は１となる。
【０１５１】
そして、ローカルコントローラＬＣは、各ブロック２，３，５に設けられる複数の高真空発生機構６０のうちのｎ番目の高真空発生機構６０に接続された全ての第１制御バルブ６１ｖが閉状態であるか否かを判別する（ステップＳ１３）。最初は、１番目の高真空発生機構６０について、ステップＳ１３の判別が行われる。
【０１５２】
なお、ステップＳ１３の処理は、各ブロック２，３，５において、チャンバＣＨ（図４〜図６）内の減圧動作を行っていない高真空発生機構６０が存在するか否かを判別するために行われる。
【０１５３】
ｎ番目の高真空発生機構６０に接続された全ての第１制御バルブ６１ｖが閉状態である場合、ローカルコントローラＬＣは、変数ｍの値を０にする（ステップＳ１４）。
【０１５４】
さらに、ローカルコントローラＬＣは、変数ｍの値に１を加算する（ステップＳ１５）。例えば、ローカルコントローラＬＣが最初にステップＳ１４からステップＳ１５の処理に進む場合、変数ｍの値は１となる。
【０１５５】
そして、ローカルコントローラＬＣは、ｎ番目の高真空発生機構６０に接続された複数の真空処理ユニットＶＵのうちのｍ番目の真空処理ユニットＶＵに基板Ｗがないか否かを判別する（ステップＳ１６）。最初は、１番目の真空処理ユニットＶＵについてステップＳ１６の判別が行われる。
【０１５６】
ｍ番目の真空処理ユニットＶＵに基板Ｗがない場合、ローカルコントローラＬＣは、その真空処理ユニットＶＵおよびセンターロボットＣＲ１，ＣＲ２，ＣＲ４を制御することにより、未処理基板Ｗをその真空処理ユニットＶＵ内に搬入する（ステップＳ１７）。そして、未処理基板Ｗの搬入動作を終了する。
【０１５７】
上記ステップＳ１６において、ｍ番目の真空処理ユニットＶＵに基板Ｗがある場合、ローカルコントローラＬＣは、その真空処理ユニットＶＵ内で基板Ｗの処理が完了したか否かを判別する（ステップＳ２２）。
【０１５８】
基板Ｗの処理が完了している場合、ローカルコントローラＬＣは、その真空処理ユニットＶＵおよびセンターロボットＣＲ１，ＣＲ２，ＣＲ４を制御することにより、その真空処理ユニットＶＵから処理済の基板Ｗを搬出し、未処理基板Ｗをその真空処理ユニットＶＵ内に搬入する（ステップＳ２３）。そして、未処理基板Ｗの搬入動作を終了する。
【０１５９】
一方、基板Ｗの処理が完了していない場合、ローカルコントローラＬＣは、変数ｍの値がＬであるか否かを判別する（ステップＳ３１）。
【０１６０】
変数ｍの値がＬでない場合、ローカルコントローラＬＣは、ステップＳ１５の処理に進む。それにより、変数ｍの値に１が加算され、次の真空処理ユニットＶＵについてステップＳ１６の判別が行われる。
【０１６１】
一方、変数ｍの値がＬである場合、ｎ番目の高真空発生機構６０に接続される全ての真空処理ユニットＶＵについてステップＳ１６，Ｓ２２の判別が行われたので、ローカルコントローラＬＣは、ステップＳ１２の処理に進む。それにより、変数ｎの値に１が加算され、次の高真空発生機構６０についてステップＳ１３の判別が行われる。
【０１６２】
ステップＳ１３において、ｎ番目の高真空発生機構６０に接続されたいずれかの第１制御バルブ６１ｖが開状態である場合、ローカルコントローラＬＣは、変数ｎの値がＫであるか否かを判別する（ステップＳ２１）。
【０１６３】
変数ｎの値がＫでない場合、ローカルコントローラＬＣは、ステップＳ１２の処理に進む。それにより、変数ｎの値に１が加算され、次の高真空発生機構６０についてステップＳ１３の判別が行われる。
【０１６４】
一方、変数ｎの値がＫである場合、ローカルコントローラＬＣは、ステップＳ１１の処理に進む。それにより、ステップＳ１１，Ｓ１２により変数ｎの値が１に戻され上記の処理が再度実行される。
【０１６５】
（９）効果
（ａ）この基板処理装置５００においては、高真空発生機構６０に共通に接続された複数の真空処理ユニットＶＵのうち、基板Ｗの処理に用いられる１つの真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が、低真空ポンプ６１により大気圧から低真空状態まで減圧される。
【０１６６】
低真空ポンプ６１により減圧された１つの真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が、その真空処理ユニットＶＵに対応して設けられた高真空ポンプ６２により、低真空状態から高真空状態になるまで減圧される。それにより、大気圧よりも低い圧力下での露光装置６による露光処理の前に基板Ｗからガスが放出される。
【０１６７】
この場合、低真空ポンプ６１を用いた減圧は、高真空発生機構６０に接続された複数の真空処理ユニットＶＵに対して異なるタイミングで行われる。それにより、低真空ポンプ６１を用いて常に１つの真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が減圧される。したがって、低真空ポンプ６１の排気効率が変動しない。その結果、各真空処理ユニットＶＵで基板Ｗの処理時間に変動が生じることが防止され、安定した基板Ｗの処理が行われる。
【０１６８】
また、低真空ポンプ６１が複数の真空処理ユニットＶＵに共通に用いられるので、低真空ポンプ６１の数を低減することができる。その結果、基板処理装置５００の大型化が抑制される。
【０１６９】
さらに、複数の高真空ポンプ６２が複数の真空処理ユニットＶＵにそれぞれ接続されているので、各高真空ポンプ６２が常に１つの真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内の減圧に用いられる。それにより、各高真空ポンプ６２の排気効率が変動しない。また、各高真空ポンプ６２による減圧時間が低真空ポンプ６１による減圧時間よりも長い場合、１つの真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が１つの高真空ポンプ６２により減圧されている間に、他の真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内を他の高真空ポンプ６２により減圧することが可能となる。それにより、基板処理のスループットが向上される。
【０１７０】
（ｂ）上記のように、ブロック２，３，５のセンターロボットＣＲ１，ＣＲ２，ＣＲ４は、複数の真空処理ユニットＶＵのうちの１つの真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が低真空ポンプ６１により減圧されている場合、高真空発生機構６０に接続された複数の真空処理ユニットＶＵのうちの他の真空処理ユニットＶＵには基板Ｗが搬送されない。
【０１７１】
これにより、減圧されないチャンバＣＨ内で基板Ｗが待機することがない。したがって、基板処理のスループットの低下が防止される。
【０１７２】
（ｃ）上記のように、１つの高真空発生機構６０においては、複数の第１制御バルブ６１ｖのいずれかが開状態である場合に、低真空ポンプ６１により真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が減圧されていると判定される。
【０１７３】
これにより、ローカルコントローラＬＣは、低真空ポンプ６１により真空処理ユニットＶＵのチャンバＣＨ内が減圧されていることを確実かつ容易に判定することができる。
【０１７４】
[Ｂ]第２の実施の形態
（１）基板処理装置の構成
第２の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置５００と異なる点を説明する。
【０１７５】
図１１は、第２の実施の形態に係る基板処理装置の一方の側面図である。なお、図１１には、第１の実施の形態で説明した図１、図２、図３、図５および図６と同様に、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。また、図１１の側面図は、第１の実施の形態で説明した図３の側面図に対応する。
【０１７６】
本実施の形態においては、第１の実施の形態と異なり露光装置６による露光処理後の基板Ｗが高真空状態の下で処理される。
【０１７７】
そのため、図１１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、複数の高真空発生機構６０が現像処理ブロック４の加熱ユニットＨＰに接続される。これにより、現像処理ブロック４の加熱ユニットＨＰが上述の真空処理ユニットＶＵとなる。
【０１７８】
また、図１１の太い点線で示すように、本実施の形態においても、複数（本例では２個）の加熱ユニットＨＰ（真空処理ユニットＶＵ）ごとに１つの高真空発生機構６０が設けられる。
【０１７９】
これにより、例えば露光装置６からインターフェースブロック５に露光処理後の基板Ｗが搬入され、その基板Ｗを第４のセンターロボットＣＲ４が受け取った場合、インターフェースブロック５のローカルコントローラＬＣは第１の実施の形態と同様にして露光後ベーク用熱処理部１２１の加熱ユニットＨＰへの基板Ｗの搬入動作を行う。
【０１８０】
そして、露光後ベーク用熱処理部１２１の加熱ユニットＨＰにおいては、高真空発生機構６０によりチャンバＣＨ内が高真空状態に維持された状態で基板Ｗの加熱処理が行われる。
【０１８１】
また、例えば現像処理ブロック４において、現像処理部４０により現像処理が施された基板Ｗが第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られた場合、現像処理ブロック４のローカルコントローラＬＣは第１の実施の形態と同様にして現像用熱処理部１２０の加熱ユニットＨＰへの基板Ｗの搬入動作を行う。
【０１８２】
そして、現像用熱処理部１２０の加熱ユニットＨＰにおいては、高真空発生機構６０によりチャンバＣＨ内が高真空状態に維持された状態で基板Ｗの加熱処理が行われる。
【０１８３】
（２）効果
本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に複数の真空処理ユニットＶＵごとに１つの高真空発生機構６０が設けられる。そして、現像処理ブロック４およびインターフェースブロック５のローカルコントローラＬＣは、第１の実施の形態と同様に、図９および図１０の制御動作を行う。
【０１８４】
これにより、露光処理後の基板Ｗに大気中の不純物が取り込まれた場合でも、大気圧よりも十分に低い圧力下で基板Ｗに処理が行われることにより基板Ｗから不純物がガスとして放出される。その結果、基板Ｗの処理不良および歩留まりの低下が十分に防止される。
【０１８５】
[Ｃ]他の実施の形態
第１および第２の実施の形態においては、加熱ユニットＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷを真空処理ユニットＶＵとする旨を説明したが、加熱ユニットＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷに代えて、高真空状態および高真空状態とほぼ同じ程度の真空状態の下で基板Ｗに処理を行うユニットを真空処理ユニットＶＵとしてもよい。
【０１８６】
具体的には、化学気相成長（ＣＶＤ）法または真空蒸着法を用いて基板Ｗに処理を行う処理ユニット、基板Ｗ上の酸化膜等をエッチングする処理ユニット、および冷却ユニットＣＰ等を真空処理ユニットＶＵとすることもできる。
【０１８７】
また、第１および第２の実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４の加熱ユニットＨＰ、ならびにインターフェースブロック５のエッジ露光部ＥＥＷを真空処理ユニットＶＵとする例を説明したが、これに限らず、露光処理前および露光処理後の基板Ｗを処理するユニット（加熱ユニット、冷却ユニットおよびエッジ露光ユニット等）が露光装置６の内部に設けられる場合、露光装置６内のこれらの処理ユニットを真空処理ユニットＶＵとしてもよい。
【０１８８】
上記では、１つの高真空発生機構６０に２個の真空処理ユニットＶＵが接続される例を説明したが、１つの高真空発生機構６０に接続される真空処理ユニットＶＵの数は２個に限定されず、３個であってもよいし、４個であってもよい。この場合、高真空発生機構６０には、１つの低真空ポンプ６１とその高真空発生機構６０に接続された真空処理ユニットＶＵの個数分の高真空ポンプ６２とが設けられる。
【０１８９】
[Ｄ]請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１９０】
上記実施の形態では、高真空発生機構６０およびその高真空発生機構６０に接続された複数の真空処理ユニットＶＵが一組の処理ユニット群の例であり、ローカルコントローラＬＣまたはメインコントローラ９１が制御部の例であり、チャンバＣＨが処理室の例であり、複数の真空処理ユニットＶＵが複数の処理ユニットの例であり、低真空ポンプ６１、配管６３および第１制御バルブ６１ｖが第１の減圧装置の例であり、高真空ポンプ６２、配管６４および第２制御バルブ６２ｖが第２の減圧装置の例であり、センターロボットＣＲ１〜ＣＲ４が搬送装置の例である。
【０１９１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１９２】
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
【符号の説明】
【０１９３】
１  インデクサブロック
２  反射防止膜用処理ブロック
３  レジスト膜用処理ブロック
４  現像処理ブロック
５  インターフェースブロック
６  露光装置
６０  高真空発生機構
６１  低真空ポンプ
６１ｖ  第１制御バルブ
６２  高真空ポンプ
６２ｖ  第２制御バルブ
６３  配管
６４  配管
９１  メインコントローラ
５００  基板処理装置
ＣＲ１  第１のセンターロボット
ＣＲ２  第２のセンターロボット
ＣＲ３  第３のセンターロボット
ＣＲ４  第４のセンターロボット
ＣＨ  チャンバ
ＬＣ  ローカルコントローラ
ＶＵ  真空処理ユニット
【図１】
2010225957.tif 000003
【図２】
2010225957.tif 000004
【図３】
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【図４】
2010225957.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2010225957.tif 000009
【図８】
2010225957.tif 000010
【図９】
2010225957.tif 000011
【図１０】
2010225957.tif 000012
【図１１】
2010225957.tif 000013