(57)【要約】      （修正有）【課題】良好なパターンを形成することができ、高い解像度を示す化学増幅型フォトレジスト組成物を与える酸発生剤を提供する。【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。2010053121.tif 000071［Ｒ１は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基等を表す。Ｗ１は、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ２−等を表す。Ｑ１及びＱ２は、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜６のアルキル基等を表す。Ａは、式（Ｉ−１）で表される基を表す。Ａ１は、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−を表す。］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）で表される化合物。
2010053121.tif 000067
［式（Ｉ）中、Ｒ１は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基又は炭素数６〜２０のアラルキル基を表す。炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基及び炭素数６〜２０のアラルキル基は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい。
Ｗ１は、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ２−を表す。
Ｑ１及びＱ２は、互いに独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ａは、式（Ｉ−１）で表される基を表す。］
2010053121.tif 000068
［式（Ｉ−１）中、Ａ１は、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−を表す。Ａ１に含まれる水素原子は、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、隣り合う置換基は、互いに結合して環を形成してもよい。炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基及び炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい。］
【請求項２】
Ｑ１及びＱ２が、互いに独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ｑ１及びＱ２が、フッ素原子である請求項１記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ１が、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基で末端が置換された炭素数１〜２０のアルキル基であり、該アルキル基は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい請求項１〜３のいずれか記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ１が、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基であり、該脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい請求項１〜３のいずれか記載の化合物。
【請求項６】
式（Ｉ）で表される化合物が、式（ＩＩＩ）〜式（ＶＩＩ）のいずれかで表される化合物である請求項１〜５のいずれか記載の化合物。
2010053121.tif 000069
［式（ＩＩＩ）〜（ＶＩＩ）中、Ｕ１〜Ｕ６は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜４の炭化水素基又は炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。
Ｑ１、Ｑ２、Ｗ１及びＲ１は、上記と同じ意味を表す。］
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか記載の化合物を製造する製造方法であって、
式（ＶＩＩＩ）で表される化合物と式（ＩＸ）で表される化合物とを、塩基存在下に反応させる化合物の製造方法。
2010053121.tif 000070
［式（ＶＩＩＩ）及び式（ＩＸ）中、Ａ１、Ｑ１、Ｑ２、Ｗ１及びＲ１は、上記と同じ意味を表す。
Ｌは、ハロゲン原子を表す。］
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか記載の化合物を有効成分とする酸発生剤。
【請求項９】
請求項８記載の酸発生剤と樹脂とを含有する化学増幅型フォトレジスト組成物。
【請求項１０】
樹脂がアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、かつ酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である請求項９記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
【請求項１１】
樹脂が、嵩高い基及び酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構成単位を含む樹脂である請求項９又は１０記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
【請求項１２】
請求項４記載の化合物に由来する構成単位を有する重合体。
【請求項１３】
さらに、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、かつ酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得るモノマーに由来する構成単位を有する請求項１２記載の重合体。
【請求項１４】
請求項１２又は１３記載の重合体及び塩基性化合物を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物。
【請求項１５】
さらに酸発生剤を含有する請求項１４記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の微細加工に用いられる化学増幅型フォトレジスト組成物に使用される酸発生剤、その製造法及び組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、化学増幅型フォトレジスト組成物に含有される酸発生剤として、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミドが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−７２２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、さらに良好なパターンを形成することができ、高い解像度を示す化学増幅型フォトレジスト組成物を与える酸発生剤が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の発明である。
１．  式（Ｉ）で表される化合物。
2010053121.tif 000002
［式（Ｉ）中、Ｒ１は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基又は炭素数６〜２０のアラルキル基を表す。炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基及び炭素数６〜２０のアラルキル基は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい。
Ｗ１は、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ２−を表す。
Ｑ１及びＱ２は、互いに独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ａは、式（Ｉ−１）で表される基を表す。］
2010053121.tif 000003
［式（Ｉ−１）中、Ａ１は、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−を表す。Ａ１に含まれる水素原子は、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、隣り合う置換基は、互いに結合して環を形成してもよい。炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基及び炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい。］
【０００６】
２．  Ｑ１及びＱ２が、互いに独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である１．記載の化合物。
【０００７】
３．  Ｑ１及びＱ２が、フッ素原子である１．記載の化合物。
【０００８】
４．  Ｒ１が、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基で末端が置換された炭素数１〜２０のアルキル基であり、該アルキル基は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい１．〜３．のいずれか記載の化合物。
【０００９】
５．  Ｒ１が、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基であり、該脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい１．〜３．のいずれか記載の化合物。
【００１０】
６．  式（Ｉ）で表される化合物が、式（ＩＩＩ）〜式（ＶＩＩ）のいずれかで表される化合物である１．〜５．のいずれか記載の化合物。
2010053121.tif 000004
［式（ＩＩＩ）〜（ＶＩＩ）中、Ｕ１〜Ｕ６は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜４の炭化水素基又は炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。
Ｑ１、Ｑ２、Ｗ１及びＲ１は、上記と同じ意味を表す。］
【００１１】
７．  １．〜６．のいずれか記載の化合物を製造する製造方法であって、
式（ＶＩＩＩ）で表される化合物と式（ＩＸ）で表される化合物とを、塩基存在下に反応させる化合物の製造方法。
2010053121.tif 000005
［式（ＶＩＩＩ）及び式（ＩＸ）中、Ａ１、Ｑ１、Ｑ２、Ｗ１及びＲ１は、上記と同じ意味を表す。
Ｌは、ハロゲン原子を表す。］
【００１２】
８．  １．〜６．のいずれか記載の化合物を有効成分とする酸発生剤。
【００１３】
９．  ８．記載の酸発生剤と樹脂とを含有する化学増幅型フォトレジスト組成物。
【００１４】
１０．  樹脂がアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、かつ酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である９．記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
【００１５】
１１．  樹脂が、嵩高い基及び酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構成単位を含む樹脂である９．又は１０．記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
【００１６】
１２．  ４．記載の化合物に由来する構成単位を有する重合体。
【００１７】
１３．  さらに、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、かつ酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得るモノマーに由来する構成単位を有する１２．記載の重合体。
【００１８】
１４．  １２．又は１３．記載の重合体及び塩基性化合物を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物。
【００１９】
１５．  さらに酸発生剤を含有する１４．記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の化合物を有効成分として含有する酸発生剤を用いることにより、良好なパターン形状を作製することができ、高い解像度を示し、さらに水への溶出が少ない化学増幅型フォトレジスト組成物を製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明は、式（Ａ）で表される化合物に関する。
2010053121.tif 000006
［式（Ａ）中、Ｒ１は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基又は炭素数６〜２０のアラルキル基を表す。炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基及び炭素数６〜２０のアラルキル基は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい。
Ｗ１は、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ２−を表す。
Ｑ１及びＱ２は、互いに独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ａは、式（Ｉ−１）で表される基を表す。］
2010053121.tif 000007
［式（Ｉ−１）中、Ａ１は、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−を表す。Ａ１に含まれる水素原子は、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、隣り合う置換基は、互いに結合して環を形成してもよい。炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基及び炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい。］
【００２２】
本明細書中、アクリル酸、メタクリル酸及びそれらの混合物を、（メタ）アクリル酸と記載することがある。
アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル及びそれらの混合物を、（メタ）アクリル酸エステルと記載することがある。
アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基及びそれらの混合物を、（メタ）アクリロイルオキシ基と記載することがある。
メタアクリロイルオキシアルキル基、メタアクリロイルオキシアルキル基及びそれらの混合物を、（メタ）アクリロイルオキシアルキル基と記載することがある。
アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びそれらの混合物を、（メタ）アクリロニトリルと記載することがある。
さらに、（メタ）アクリル等の記載も上記に準じて、記載されることがある。
【００２３】
Ａは、式（Ｉ−１）で表される基を表す。
2010053121.tif 000008
［式（Ｉ−１）中、Ａ１は、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−を表す。Ａ１に含まれる水素原子は、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、隣り合う置換基は、互いに結合して環を形成してもよい。炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基及び炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい。］
【００２４】
炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基が有する置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、水酸基、ニトロ基、オキソ基、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアシル基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、−ＣＯＯＲ（Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基を表す。）等が挙げられる。
炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基が有するヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子等が挙げられる。
炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基等が挙げられる。
炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基としては、下記に示す基が挙げられる。
2010053121.tif 000009
炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基としては、下記の基が挙げられる。
2010053121.tif 000010
【００２５】
Ａ１が−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−であり、Ａ１に含まれる水素原子が、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されているＡとしては、具体的には、下記の基が例示される。
【００２６】
2010053121.tif 000011
【００２７】
2010053121.tif 000012
【００２８】
Ａ１が−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−であり、Ａ１に含まれる水素原子が、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されており、隣り合う置換基は、互いに結合して環を形成しているＡとしては、以下の基が挙げられる。
【００２９】
2010053121.tif 000013
【００３０】
Ａ１が−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−であり、Ａ１に含まれる水素原子が、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されており、隣り合う置換基は、互いに結合して芳香環を形成しているＡとしては、以下の基が挙げられる。
【００３１】
2010053121.tif 000014
【００３２】
2010053121.tif 000015
【００３３】
2010053121.tif 000016
【００３４】
Ａ１が−ＣＨ２−ＣＨ２−であり、Ａ１に含まれる水素原子が、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されているＡとしては、以下の基が挙げられる。
【００３５】
2010053121.tif 000017
【００３６】
2010053121.tif 000018
【００３７】
Ａ１が−ＣＨ２−ＣＨ２−であり、Ａ１に含まれる水素原子が、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されており、隣り合う置換基は、互いに結合して環を形成しているＡとしては、以下の基が挙げられる。
【００３８】
2010053121.tif 000019
【００３９】
Ａ１が−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−ＣＨ＝ＣＨ−であり、Ａ１に含まれる水素原子が、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されており、隣り合う置換基は、互いに結合して芳香環を形成しているＡとしては、以下の基が挙げられる。
【００４０】
2010053121.tif 000020
【００４１】
Ｑ１及びＱ２としては、フッ素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の炭素数１〜６のアルキル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられ、好ましくはフッ素原子、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等の炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
Ｗ１としては、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＯ−及び−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ２−が挙げられ、−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。
Ｒ１は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基又は炭素数６〜２０のアラルキル基を表す。炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基及び炭素数６〜２０のアラルキル基は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい。
炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基及び炭素数６〜２０のアラルキル基が有する置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、水酸基、ニトロ基、オキソ基、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアシル基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、−ＣＯＯＲ（Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基を表す。）等が挙げられる。
炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基及び炭素数６〜２０のアラルキル基が有するヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜２０のアルキル基及び炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基が挙げれる。
炭素数１〜２０のアルキル基の例として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，３，６−トリメチルヘプチル基、４−エチル−３−プロピルオクチル基、２−メトキシブチル基などが挙げられる。
炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基として、下記の構造式で表される基が挙げられる。
【００４２】
2010053121.tif 000021
【００４３】
2010053121.tif 000022
【００４４】
2010053121.tif 000023
【００４５】
2010053121.tif 000024
【００４６】
2010053121.tif 000025
【００４７】
2010053121.tif 000026
【００４８】
炭素数５〜１０のアリール基又は炭素数６〜２０のアラルキル基として、下記の構造式で表される基が挙げられる。
【００４９】
2010053121.tif 000027
【００５０】
2010053121.tif 000028
【００５１】
2010053121.tif 000029
【００５２】
末端がアクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基で置換された炭素数１〜２０のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい基として、下記の構造式で表される基が挙げられる。
【００５３】
2010053121.tif 000030
【００５４】
2010053121.tif 000031
【００５５】
2010053121.tif 000032
【００５６】
2010053121.tif 000033
【００５７】
2010053121.tif 000034
【００５８】
式（Ｉ）で表される化合物としては、具体的には、以下の化合物が挙げられる。
【００５９】
2010053121.tif 000035
【００６０】
2010053121.tif 000036
【００６１】
2010053121.tif 000037
【００６２】
2010053121.tif 000038
【００６３】
2010053121.tif 000039
【００６４】
2010053121.tif 000040
【００６５】
2010053121.tif 000041
【００６６】
2010053121.tif 000042
【００６７】
2010053121.tif 000043
【００６８】
2010053121.tif 000044
【００６９】
2010053121.tif 000045
【００７０】
式（Ｉ）で表される化合物の製造方法としては、例えば、式（ＶＩＩＩ）で表される化合物と式（ＩＸ）で表される化合物とを、塩基存在下で反応させる方法などが挙げられる。
例えば、トルエン、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、クロロホルム、塩化メチレン等の不活性溶媒中で反応させることが好ましい。
反応温度は、０〜１５０℃程度の温度範囲、好ましくは０〜１００℃程度の温度範囲であり、攪拌しながら反応させることが好ましい。
【００７１】
2010053121.tif 000046
［式（ＶＩＩＩ）及び式（ＩＸ）中、Ａ１、Ｑ１、Ｑ２、Ｗ１及びＲ１は、上記と同じ意味を表す。
Ｌは、ハロゲン原子を表す。］
【００７２】
式（ＩＸ）で表される化合物の使用量としては、通常、式（ＶＩＩＩ）で表される化合物１モルに対して、０．９〜２モル程度で、好ましくは１〜１．５モル程度である。塩基としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウムのような無機アルカリあるいは、ピリジン、トリエチルアミン、ルチジンのような有機塩基、又はこれらの混合物が挙げられる。塩基の使用量としては、通常、式（ＶＩＩＩ）で表される化合物１モルに対して、１〜３モル程度で、好ましくは１〜２モル程度である。式（Ｉ）で表される化合物は再結晶で取り出してもよいし、カラムクロマトグラフィーで精製してもよい。
【００７３】
式（Ｉ）で表される化合物のうち、Ｒ１が、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基で末端が置換された炭素数１〜２０のアルキル基であり、該アルキル基は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよい化合物（以下「重合性化合物」という場合がある）に由来する構成単位を有する重合体の製造方法について説明する。
重合性化合物を有機溶剤に溶解させる。続いて重合開始剤を溶解させる。そして、得られた反応溶液を所定反応温度において保温することにより、目的とする重合体が得られる。溶媒量は、重合性化合物に対して１重量倍から５重量倍が好ましく、重合開始剤量は、重合性化合物に対して１から２０モル％が好ましい。
重合開始剤として、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチル−４−メトキシバレロニトリル）、ジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、２，２’−アゾビス（２−ヒドロキシメチルプロピオニトリル）などのアゾ系化合物；ラウリルパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、過酸化ベンゾイル、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、クメンヒドロパーオキシド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート、（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキシドなどの有機過酸化物；過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、過酸化水素など無機過酸化物等が挙げられ、これらのうち２種類以上の開始剤を併用することが好ましい。
重合に用いられる有機溶剤は、重合性化合物と重合開始剤、及び得られる重合体のいずれも溶解できる溶剤が好ましい。このような有機溶剤としては、トルエン等の炭化水素、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチルイソブチルケトン、イソプロピルアルコール、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル等が挙げられ、それぞれ単独でも良いし、２種類以上の溶剤を混合して用いてもよい。
反応温度は、０〜１５０℃の範囲であって、好ましくは４０〜１００℃の範囲である。
【００７４】
重合性化合物の別の製造方法としては、以下の方法が挙げられる。
例えば、式（Ｉ）で示されるＲ１において、置換基が活性水素である水酸基、メルカプト基あるいはアミノ基などの場合は、当該化合物と（メタ）アクリル酸ハライドを、脱ハロゲン化水素剤の存在下に縮合反応させることによって得ることができる。
縮合反応は、例えば、トルエン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの不活性溶媒中で行われ、反応温度は、−３０℃〜２００℃、好ましくは、０℃〜１５０℃である。反応は脱ハロゲン化水素剤を添加することが好ましく、例えば、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基あるいは、炭酸カリウム、水酸化ナトリウムのような無機塩基あるいは、これらの混合物が用いられる。
式（Ｉ）で示されるＲ１において、置換基が活性水素である水酸基、メルカプト基あるいはアミノ基などをもつ化合物の１モルに対して、（メタ）アクリル酸ハライドは、当量から２倍量、好ましくは、当量から１．５倍量であり、脱ハロゲン化水素剤は、当量から５倍量、好ましくは、当量から３倍量である。
【００７５】
反応には、テトラブチルアンモニウムブロミドのような相間移動触媒を添加することも可能である。得られた縮合物は、通常の後処理によって取り出すことができる。この縮合物は、クロマトグラフィーあるいは、再結晶あるいは、蒸留によって精製することも可能である。
【００７６】
本発明の酸発生剤は、前記の式（Ｉ）で表される化合物を有効成分とする。
式（Ｉ）で表される化合物は、化学増幅型フォトレジスト組成物の酸発生剤として用いられ、該酸発生剤への露光により生じた酸は、樹脂中の酸に不安定な基に対して触媒的に作用して開裂させ、樹脂はアルカリ水溶液に可溶なものとなる。
また、本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物は、前記の酸発生剤と樹脂とを含有し、該樹脂は酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸と作用した該樹脂はアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である。
【００７７】
酸に不安定な基としては、エーテル結合のα位が４級炭素原子であるアルキルエステルを有する基、脂環式エステルなどのカルボン酸エステルを有する基、エーテル結合のα位が４級炭素原子であるラクトン環を有する基などが挙げられる。
ここで、４級炭素原子とは、水素原子以外の置換基と結合していて水素とは結合していない炭素原子を意味し、酸に不安定な基としては、エーテル結合のα位の炭素原子が３つの炭素原子と結合した４級炭素原子であることが好ましい。
【００７８】
酸に不安定な基の１種であるカルボン酸エステルを有する基を−ＣＯＯＲのＲエステルとして例示すると（−ＣＯＯ−Ｃ（ＣＨ３）３をtert−ブチルエステルという形式で称する。）、tert−ブチルエステルに代表されるエーテル結合のα位が４級炭素原子であるアルキルエステル；メトキシメチルエステル、エトキシメチルエステル、１−エトキシエチルエステル、１−イソブトキシエチルエステル、１−イソプロポキシエチルエステル、１−エトキシプロピルエステル、１−（２−メトキシエトキシ）エチルエステル、１−（２−アセトキシエトキシ）エチルエステル、１−〔２−（１−アダマンチルオキシ）エトキシ〕エチルエステル、１−〔２−（１−アダマンタンカルボニルオキシ）エトキシ〕エチルエステル、テトラヒドロ−２−フリルエステル及びテトラヒドロ−２−ピラニルエステルなどのアセタール型エステル；イソボルニルエステル及び１−アルキルシクロアルキルエステル、２−アルキル−２−アダマンチルエステル、１−アルキル−（１−アダマンチル）−１−イルアルキルなどのエーテル結合のα位が４級炭素原子である脂環式エステルなどが挙げられる。
【００７９】
このようなカルボン酸エステルを有する基としては、（メタ）アクリル酸エステル、ノルボルネンカルボン酸エステル、トリシクロデセンカルボン酸エステル、テトラシクロデセンカルボン酸エステルを有する基が挙げられる。
【００８０】
前記の樹脂は、酸に不安定な基とオレフィン性二重結合とを有するモノマーを付加重合して製造することができる。
かかるモノマーとしては、酸に不安定な基として、２−アルキル−２−アダマンチル基、１−アルキル−（１−アダマンチル）−１−イルアルキル基などのような脂環式構造などの嵩高い基を含むモノマーが、得られるレジストの解像度が優れる傾向があることから好ましい。
嵩高い基を含むモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチル、（メタ）アクリル酸１−アルキル−（１−アダマンチル）−１−イルアルキル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−アルキル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキル、α−クロロアクリル酸２−アルキル−２−アダマンチル、α−クロロアクリル酸１−アルキル−（１−アダマンチル）−１−イルアルキルなどが挙げられる。
【００８１】
特に（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルやα−クロロアクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルをモノマーとして用いた場合は、得られるレジストの解像度が優れる傾向があることから好ましい。
【００８２】
具体的には、（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルとしては、例えば、アクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、アクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、アクリル酸２−ｎ−ブチル−２−アダマンチルなどが挙げられ、α−クロロアクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルとしては、例えば、α−クロロアクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、α−クロロアクリル酸２−エチル−２−アダマンチルなどが挙げられる。
【００８３】
これらの中でも（メタ）アクリル酸２−エチル−２−アダマンチル又は（メタ）アクリル酸２−イソプロピル−２−アダマンチルを用いた場合、得られるレジストの感度が優れ耐熱性にも優れる傾向があることから好ましい。
【００８４】
（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルは、通常、２−アルキル−２−アダマンタノール又はその金属塩とアクリル酸ハライド又はメタクリル酸ハライドとの反応により製造できる。
【００８５】
本発明に用いられる樹脂は、酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構成単位に加えて、酸に安定なモノマーに由来する構成単位を含んでいてもよい。ここで、酸に安定なモノマーに由来する構造とは、酸発生剤によって開裂しない構造を意味する。
具体的には、アクリル酸やメタクリル酸のような遊離のカルボン酸基を有するモノマーに由来する構成単位、無水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物に由来する構成単位、２−ノルボルネンに由来する構成単位、（メタ）アクリロニトリルに由来する構成単位、エーテル結合のα位が２級炭素原子又は３級炭素原子のアルキルエステルや１−アダマンチルエステルである（メタ）アクリル酸エステル類に由来する構成単位、ｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーに由来する構成単位、ラクトン環がアルキル基で置換されていてもよい（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンに由来する構成単位などを挙げることができる。尚、１−アダマンチルエステルは、エーテル結合のα位が４級炭素原子であるが、酸に安定な基であり、１−アダマンチルエステルには水酸基などが結合していてもよい。
【００８６】
具体的な酸に安定なモノマーとしては、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル、α−（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、式（ａ）、（ｂ）、ヒドロキシスチレン、ノルボルネン（ｃ）などの分子内にオレフィン性二重結合を有する脂環式化合物、無水マレイン酸（ｄ）などの脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物、無水イタコン酸（ｅ）などが例示される。
さらにエチレン（メタ）アクリル酸ジエステル、オキシジエチレン（メタ）アクリル酸ジエステルなどの架橋タイプの（メタ）アクリル酸ジエステルを、構成単位に加えることも可能である。
【００８７】
これらの中でも、特に、ｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーに由来する構成単位、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチルに由来する構成単位、（メタ）アクリル酸３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルに由来する構成単位、式（ａ）で表されるモノマーに由来する構成単位、及び式（ｂ）で表されるモノマーに由来する構成単位を有する樹脂から得られるレジストは、基板への接着性及びレジストの解像性が向上する傾向にあることから好ましい。
【００８８】
2010053121.tif 000047
【００８９】
［式（ａ）及び式（ｂ）中、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ９及びＲ１０は、互いに独立に、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子を表す。
ｐ及びｑは、互いに独立に、１〜３の整数を表す。ｐが２又は３のときには、Ｒ９は互いに異なる基であってもよく、ｑが２又は３のときには、Ｒ１０は互いに異なる基であってもよい。］
【００９０】
（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸３、５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルなどのモノマーは、市販されているが、例えば、対応するヒドロキシアダマンタンを（メタ）アクリル酸又はそのハライドと反応させることにより、製造することもできる。
【００９１】
また、（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンなどのモノマーは、ラクトン環がアルキル基で置換されていてもよいα−もしくはβ−ブロモ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸もしくはメタクリル酸を反応させるか、又はラクトン環がアルキル基で置換されていてもよいα−もしくはβ−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸ハライドもしくはメタクリル酸ハライドを反応させることにより製造できる。
【００９２】
式（ａ）及び式（ｂ）で表される構成単位を与えるモノマーは、具体的には、次のような水酸基を有する脂環式ラクトンの（メタ）アクリル酸エステル、それらの混合物等が挙げられる。これらのエステルは、例えば、対応する水酸基を有する脂環式ラクトンと（メタ）アクリル酸類との反応により製造し得る（例えば、特開２０００−２６４４６号公報）。
【００９３】
2010053121.tif 000048
【００９４】
ここで、（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンとしては、例えば、α−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−β，β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−β，β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。
【００９５】
ＫｒＦエキシマレーザー露光の場合は、樹脂の構成単位として、ｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーに由来する構成単位を用いても充分な透過率を得ることができる。このような共重合樹脂を得る場合は、該当する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン、及びスチレンをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることができる。
【００９６】
また、２−ノルボルネンに由来する構成単位を含む樹脂は、その主鎖に直接脂環式骨格を有するために頑丈な構造となり、ドライエッチング耐性に優れるという特性を示す。２−ノルボルネンに由来する構成単位は、例えば、対応する２−ノルボルネンの他に無水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を併用したラジカル重合により主鎖へ導入し得る。したがって、ノルボルネン構造の二重結合が開いて形成されるものは式（ｃ）で表すことができ、無水マレイン酸無水物及び無水イタコン酸無水物の二重結合が開いて形成されるものはそれぞれ式（ｄ）及び式（ｅ）で表すことができる。
【００９７】
2010053121.tif 000049
【００９８】
［式（ｃ）中、Ｒ５及びＲ６は、互いに独立に、水素原子、置換されていてもよい炭素数１〜３のアルキル基、カルボキシル基、シアノ基もしくは−ＣＯＯＵ（Ｕはアルコール残基である）を表すか、あるいは、Ｒ５及びＲ６が結合して、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（＝Ｏ）−で表されるカルボン酸無水物残基を表す。］
【００９９】
Ｒ５及びＲ６が基−ＣＯＯＵである場合は、カルボキシルがエステルとなったものであり、Ｕに相当するアルコール残基としては、例えば、置換されていてもよい炭素数１〜８程度のアルキル基、２−オキソオキソラン−３−又は−４−イル基などを挙げることができる。ここで、該アルキル基は、水酸基や脂環式炭化水素残基などが置換基として結合していてもよい。
Ｒ５及びＲ６における炭素数１〜３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基などが挙げられ、水酸基が結合したアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
【０１００】
このように、酸に安定な構成単位を与えるモノマーである、式（ｃ）で表されるノルボネン構造の具体例としては、次のような化合物を挙げることができる。
２−ノルボルネン、
２−ヒドロキシ−５−ノルボルネン、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸メチル、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシ−１−エチル、
５−ノルボルネン−２−メタノール、
５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物。
【０１０１】
なお、式（ｃ）中のＲ５及びＲ６における−ＣＯＯＵのＵが、そのエーテル結合のα位が４級炭素原子である脂環式エステルなどの酸に不安定な基を有する場合、ノルボルネン構造を有するといえども、酸に不安定な基を有する構成単位である。ノルボルネン構造と酸に不安定な基を含むモノマーとしては、例えば、５−ノルボルネン−２−カルボン酸−tert−ブチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−シクロヘキシル−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−メチルシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチル−１−（４−オキソシクロヘキシル）エチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチルなどが例示される。
【０１０２】
さらに、式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ１がアクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基で末端が置換された炭素数４〜２０の（メタ）アクリロイルオキシアルキル基である場合、当該式（Ｉ）で表される化合物は、前記の樹脂の構成単位の一部をなしてもよい。
具体的には、Ｒ１がアクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基で末端が置換された炭素数４〜２０の（メタ）アクリロイルオキシアルキル基である当該式（Ｉ）で表されるモノマ−及び、前述した酸に不安定な基を有するモノマ−を共重合させることにより樹脂を得ることができる。さらにこの樹脂の構成単位として、前述した酸に安定なモノマ−を含有することも可能であり、また含有する方がより好ましい。酸発生基を有する当該式（Ｉ）で表されるモノマ−の使用量は、酸に不安定な基を有するモノマ−によっても異なるが、全モノマ−に対して０．１〜７０モル％であり、好ましくは１〜５０モル％である。当該樹脂には、酸発生基が組込まれているが、さらに化学増幅型フォトレジスト組成物として用いる時に、後述するオニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物などの光酸発生剤あるいは、式（Ｉ）で表される本発明化合物、及びそれらの混合物を添加することも可能である。また当該樹脂に、酸発生基を樹脂構成単位に含まないような樹脂を、混合することも可能である。
【０１０３】
本発明の樹脂組成物で用いる樹脂は、パターニング露光用の放射線の種類や酸に不安定な基の種類などによっても変動するが、通常、樹脂における酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構成単位の含有量を１０〜８０モル％の範囲に調整する。
【０１０４】
そして、酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構成単位として特に、（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチル、（メタ）アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキルに由来する構成単位を含む場合は、該構成単位が樹脂を構成する全構成単位のうち１５モル％以上となると、樹脂が脂環基を有するために頑丈な構造となり、与えるレジストのドライエッチング耐性の面で有利である。
【０１０５】
なお、分子内にオレフィン性二重結合を有する脂環式化合物及び脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物をモノマーとする場合には、これらは付加重合しにくい傾向があるので、この点を考慮し、これらは過剰に使用することが好ましい。
【０１０６】
さらに、用いられるモノマーとしてはオレフィン性二重結合が同じでも酸に不安定な基が異なるモノマーを併用してもよいし、酸に不安定な基が同じでもオレフィン性二重結合が異なるモノマーを併用してもよいし、酸に不安定な基とオレフィン性二重結合との組合せが異なるモノマーを併用してもよい。
【０１０７】
また、本発明の樹脂組成物を化学増幅型フォトレジスト組成物として用いる場合、塩基性化合物、好ましくは、塩基性含窒素有機化合物、特に好ましくはアミン又はアンモニウム塩を含有させる。塩基性化合物をクエンチャーとして添加することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を改良することができる。クエンチャーに用いられる塩基性化合物の具体的な例としては、以下の各式で表されるようなものが挙げられる。
【０１０８】
2010053121.tif 000050
【０１０９】
［式中、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１７は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を表す。前記のアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基上の水素原子の少なくとも１個は、互いに独立に、ヒドロキシル基、アミノ基、又は炭素数１〜６の有するアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも１個は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。
Ｒ１３〜Ｒ１５は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を表す。］
【０１１０】
更に、前記のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアルコキシ基上の水素原子の少なくとも１個は、互いに独立に、ヒドロキシル基、アミノ基、又は１〜６個程度の炭素原子を有するアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも１個は、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基で置換されていてもよい。
【０１１１】
Ｒ１６は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表す。更に前記アルキル基及びシクロアルキル基上の水素原子の少なくとも１個は、互いに独立に、ヒドロキシル基、アミノ基、炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも１個は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。
【０１１２】
Ｒ１７〜Ｒ２０は、互いに独立に、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を表す。更に、前記のアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基上の水素原子の少なくとも１個は、互いに独立に、ヒドロキシル基、アミノ基、炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも１個は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。
【０１１３】
Ｗは、炭素数２〜６のアルキレン基、カルボニル基、イミノ基、スルフィド基又はジスルフィド基を表す。
また、Ｒ１１〜Ｒ２０において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。
【０１１４】
このような化合物として、具体的には、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、アニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、１−又は２−ナフチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、Ｎ−メチルアニリン、ピペリジン、ジフェニルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２，６−イソプロピルアニリン、イミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、４−メチルイミダゾール、ビピリジン、２，２’−ジピリジルアミン、ジ−２−ピリジルケトン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ビス（２−ピリジル）エチレン、１，２−ビス（４−ピリジル）エチレン、１，２−ビス（４−ピリジルオキシ）エタン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、１，２−ビス（４−ピリジル）エチレン、２，２’−ジピコリルアミン、３，３’−ジピコリルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−オクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称：コリン）などを挙げることができる。
【０１１５】
さらには、特開平１１−５２５７５号公報に開示されているような、ピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物をクエンチャーとして含有することもできる。
【０１１６】
本発明の組成物は、その全固形分量を基準に、樹脂を８０〜９９．９重量％程度、そして酸発生剤を０．１〜２０重量％程度の範囲で含有することが好ましい。本明細書中、固形分とは、組成物中の溶剤成分を除く合計量をいう。
また、化学増幅型フォトレジスト組成物としてクエンチャーである塩基性化合物を用いる場合は、該化学増幅型フォトレジスト組成物の全固形分量を基準に、０．０１〜１重量％程度の範囲で含有するのが好ましい。
化学増幅型フォトレジスト組成物としては、さらに、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。
さらに本発明の式（Ｉ）で表される化合物を有効成分とする酸発生剤とは異なる酸発生剤を添加することも可能である。添加する酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物などが包含される。具体的には、次のような化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【０１１７】
ジフェニルヨードニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム    ヘキサフルオロアンチモネート、
４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  テトラフルオロボレート、
ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  ヘキサフルオロホスフェート、
ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、
ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
【０１１８】
トリフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロホスフェート、
トリフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、
トリフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウム  アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート
トリフェニルスルホニウム  １−（３−ヒドロキシメチルアダマンタン）メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート
トリフェニルスルホニウム  １−（ヘキサヒドロ−２−オキソ−３,５−メタノ−２Ｈ−シクロペンタ［ｂ］フラン−６−イルオキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホネート
トリフェニルスルホニウム  ４−オキソ−１−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート
４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、
４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
ｐ−トリルジフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
ｐ−トリルジフェニルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホネート、
２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
４−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロホスフェート、
４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、
１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、
１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、
４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、
【０１１９】
２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−フェニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−メトキシ−１−ナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（ベンゾ［ｄ］［１，３］ジオキソラン−５−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（３，４，５−トリメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（３，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（２，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（２−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−ブトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−ペンチルオキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
【０１２０】
１−ベンゾイル−１−フェニルメチル  ｐ−トルエンスルホネート（通称ベンゾイントシレート）、
２−ベンゾイル−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル  ｐ−トルエンスルホネート（通称α−メチロールベンゾイントシレート）、
１，２，３−ベンゼントリイル  トリスメタンスルホネート、
２，６−ジニトロベンジル  ｐ−トルエンスルホネート、２−ニトロベンジル  ｐ−トルエンスルホネート、４−ニトロベンジル  ｐ−トルエンスルホネート、
【０１２１】
ジフェニル  ジスルホン、
ジ−ｐ−トリル  ジスルホン、
ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（４−tert−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、
（ベンゾイル）（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、
【０１２２】
Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフタルイミド、
Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフタルイミドなど。
【０１２３】
本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物は、通常、上記の各成分が溶剤に溶解された状態で化学増幅型フォトレジスト組成物とされ、シリコンウェハーなどの基体上に、スピンコーティングなどの、通常、工業的に用いられている方法によって塗布される。ここで用いられる溶剤は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この分野で、通常、工業的に用いられている溶剤が使用される。
【０１２４】
前記の溶剤としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類、γ−ブチロラクトンのような環状エステル類などを挙げることができる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は２種以上組合せて用いることができる。
【０１２５】
基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜には、パターニングのための露光処理が施され、次いで脱保護基反応を促進するための加熱処理を行った後、アルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であることができるが、一般には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液が用いられることが多い。
【実施例】
【０１２６】
次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
実施例及び比較例中、含有量ないし使用量を表す％及び部は、特記ないかぎり重量基準である。また重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（東ソー株式会社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型、カラムはＴＳＫｇｅｌ  Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ  ＨＸＬ−Ｍ３本、溶媒はテトラヒドロフラン）により求めた値である。
また、化合物の構造は１Ｈ−ＮＭＲ（ＧＸ−２７０型又はＥＸ−２７０型；日本電子製）、質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、カラムはＳｕｍｉｐａｘ  ＯＤＳ  Ａ−２１０ＥＣ、溶離液は水／アセトニトリル、ＭＡＳＳはＡｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型又はＬＣ／ＭＳＤ  ＴＯＦ型）で確認した。
【０１２７】
実施例１
式（Ｂ１）で表される化合物の合成
【０１２８】
2010053121.tif 000051
【０１２９】
式（ａ）で表される化合物２．０ｇとジメチルホルムアミド４．４ｇとの溶液に、２，６ルチジン１．４ｇと式（ｂ）で表される化合物４．０ｇとを加えて、混合溶液を調製し、該混合溶液を室温で２４時間攪拌した。前記の混合溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液によって洗浄した後、酢酸エチルによって抽出を行なった。イオン交換水で洗浄後、減圧留去を行い、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製を行なうことで、式（Ｂ１）で表される化合物を２．４ｇ得た。
【０１３０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝６．０８（２Ｈ，ｓ），３．５３（２Ｈ，ｄｄ，  Ｊ＝３．１，１．５Ｈｚ），３．３４（２Ｈ，ｓ），２．５７（２Ｈ，ｓ），２．４５−２．２９（７Ｈ，ｍ），２．０２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ），１．８５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝  １３．０  Ｈｚ），１．６０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ），１．５３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝−９７．５８
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝２１３．０７，１６８．８１，１５４．２５，１３４．６５，１１２．１６，８６．２０，５０．８１，４６．３８，４４．４４，４２．５９，３９．７０，３８．７６，３７．００，２９．６１
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：〔Ｍ＋Ｎａ〕＋  ５０８．１（Ｃ２１Ｈ２１Ｆ２ＮＯ８Ｓ＋＝４８５．１０）
【０１３１】
実施例２
式（Ｂ２）で表される化合物の合成
【０１３２】
2010053121.tif 000052
【０１３３】
式（ｃ）で表される化合物２．５ｇとテトラヒドロフラン５．５ｇとの溶液に、２，６ルチジン１．４ｇと式（ｄ）で表される化合物４．５ｇとを加えて混合溶液を作成し、該混合溶液を室温で１５時間攪拌した。前記の混合溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液によって洗浄した後、酢酸エチルによって抽出を行なった。イオン交換水で洗浄後、減圧留去を行い、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製を行なうことで、式（Ｂ２）で表される化合物を２．３ｇ得た。
【０１３４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝２．８４（４Ｈ，ｓ），２．５９（２Ｈ，ｓ），  ２．４５−２．３４（７Ｈ，ｍ），２．０３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ），１．８７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１３．０Ｈｚ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝−９７．９０
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝２１３．１１，１６９．０５，１５４．２９，１１２．２３，８６．１９，４６．４０，３９．７３，３８．７８，３７．０２，２９．６３，２５．４０
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：〔Ｍ＋Ｎａ〕＋  ４４４．０（Ｃ１６Ｈ１７Ｆ２ＮＯ８Ｓ＋＝４２１．０６）
【０１３５】
実施例３
式（Ｂ３）で表される化合物の合成
【０１３６】
2010053121.tif 000053
【０１３７】
（１）式（ｅ）で表される化合物５ｇとジクロロエタン１５ｇとの溶液に、式（ｆ）で表される化合物５．６ｇと硫酸０．１ｇとを加えて、混合溶液を調製し、該混合溶液を還流下で３時間攪拌した。前記の混合溶液を室温まで冷却した後、１０％炭酸水素ナトリウム水溶液４０ｇを加え、クロロホルム８０ｇによって抽出を行なった。抽出化合物を水で洗浄した後、減圧留去を行い、式（ｇ）で表される化合物９．２ｇを得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝４．１０（１．７Ｈ，ｓ），２．０１−１．８８（３．０Ｈ，ｍ），１．７５−１．４４（１２．０Ｈ，ｍ）
（２）式（ｈ）で表される化合物４．３ｇとジメチルホルムアミド１８．９ｇとの溶液に、２，６ルチジン３．１ｇと式（ｇ）で表される化合物８．５ｇとを加えて混合溶液を調製し、該混合溶液を、室温で１７時間攪拌した。前記の混合溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液によって洗浄した後、酢酸エチルによって抽出を行なった。イオン交換水で洗浄後、減圧留去を行い、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製を行なうことで、式（Ｂ３）で表される化合物２．６ｇを得た。
【０１３８】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝６．１０（２Ｈ，ｓ），４．０７（２Ｈ，ｓ），３．５５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝３．１，１．５Ｈｚ），３．３６（２Ｈ，ｓ），１．９５（３Ｈ，ｓ），１．７２−１．４９（１４Ｈ，ｍ）．
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝−９８．０７
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝１６８．８２，１５６．０８，１３４．６６，  １１２．３１，７７．９４，５０．８２，４４．４９，４２．５６，３７．８２，３６．１５，３３．０７，２７．１７
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：〔Ｍ＋Ｎａ〕＋  ５０８．１（Ｃ２２Ｈ２１Ｆ２ＮＯ７Ｓ＋＝４８５．１０）
【０１３９】
実施例４
式（Ｂ４）で表される化合物（Ｂ４）の合成
【０１４０】
2010053121.tif 000054
【０１４１】
（１）式（ｉ）で表される化合物７ｇとジクロロエタン２１ｇとの溶液に、式（ｊ）で表される化合物５．４ｇと硫酸０．０２ｇとを加えて混合溶液を調製し、該混合溶液を、還流下で６時間攪拌した。前記の混合溶液を室温まで冷却した後、１０％炭酸水素ナトリウム水溶液８５ｇを加え、クロロホルム２０５ｇによって抽出を行なった。抽出化合物を水で洗浄した後、減圧留去を行い、式（ｋ）で表される化合物を１０．７ｇを得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝４．３２（２．０Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．９４Ｈｚ），１．７８−１．５５（６．０Ｈ，ｍ），１．３０−０．９１（５．０Ｈ，ｍ）．
（２）式（ｌ）で表される化合物４．０ｇとジメチルホルムアミド１７．６ｇとの溶液に、２，６ルチジン２．８ｇと式（ｋ）で表される化合物５．９ｇとを加えて、混合溶液を調製し、該混合溶液を室温で１７時間攪拌した。前記の混合溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液によって洗浄した後、酢酸エチルによって抽出を行なった。イオン交換水で洗浄後、減圧留去を行い、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製を行なうことで、式（Ｂ４）で表される化合物１．３ｇを得た。
【０１４２】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝６．１０（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝１．９Ｈｚ），４．２８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．１Ｈｚ），３．５６−３．５４（２Ｈ，ｍ），３．３７−３．３４（２Ｈ，ｍ），１．７４−１．６０（７Ｈ，ｍ），１．５４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ），１．２７−１．０５（３Ｈ，ｍ），１．０５−０．９５（２Ｈ，ｍ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝−９８．０５
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝１６８．８２，１５６．０５，１３４．６６，１１２．３６，７３．９６，５０．８２，４４．４７，４２．５９，３６．１７，２８．３２，２５．６３，２４．９５．
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：〔Ｍ＋Ｎａ〕＋  ４５６．０（Ｃ１８Ｈ２１Ｆ２ＮＯ７Ｓ＋＝４３３．１０）
【０１４３】
実施例５
式（Ｂ５）で表される化合物の合成
【０１４４】
2010053121.tif 000055
【０１４５】
式（ｍ）で表される化合物２．２ｇと炭酸カリウム２．１ｇをジメチルホルムアミド２９ｇに懸濁した溶液を調製した。式（ｎ）で表される化合物３．３ｇをジメチルホルムアミド６ｇに溶解して、懸濁溶液に室温で滴下し、室温でさらに３時間攪拌した。反応溶液をイオン交換水で希釈して、クロロホルムで抽出した。有機層をイオン交換水で洗浄し、濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製を行い、式（Ｂ５）で表される化合物２．２ｇを得た。
【０１４６】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝８．６３〜８．５８（４Ｈ，芳香環），７．９７〜７．９４（２Ｈ，芳香環），２．６０〜２．３８（９Ｈ），２．０６〜１．８７（４Ｈ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝−９６．９２
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝２１３．２４、１５９．６１、１５４．８１、１３６．３１、１３２．３６、１３１．７４、１２７．７３、１２６．８７、１２１．４２、１１４．９８〜１１０．１９（ｔ）、８６．００、４６．５７、４０．００、３９．００、３７．２０
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：〔Ｍ＋Ｎａ〕＋  ５４２．０（Ｃ２４Ｈ１９Ｆ２ＮＯ８Ｓ＋＝５１９．０８）
【０１４７】
実施例６
式（Ｂ６）で表される化合物の合成
【０１４８】
2010053121.tif 000056
【０１４９】
式（ｐ）で表される化合物（ＣＡＳ  Ｎｏ．８１１９９−２７−１）０．７ｇとテトラヒドロフラン２．６ｇとの溶液に、２，６ルチジン０．４ｇと式（ｑ）で表される化合物１．２ｇとを加えて混合溶液を調製し、該混合溶液を室温で１５時間攪拌した。前記の混合溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液によって洗浄した後、酢酸エチルによって抽出を行なった。イオン交換水で洗浄後減圧留去を行い、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製を行なうことで、式（Ｂ６）で表される化合物０．３ｇを得た。
【０１５０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝７．５４−７．１９（５Ｈ，ｍ），４．４０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．０，５．０Ｈｚ），３．３７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１８．０，９．０Ｈｚ），３．０５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１８．０，５．４Ｈｚ），２．６０−２．５３（２Ｈ，  ｍ），２．４０−２．３１（７Ｈ，ｍ），２．０１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．５Ｈｚ），１．８４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．９Ｈｚ）
【０１５１】
実施例７
式（Ｂ７）で表される化合物（Ｂ７）の合成
【０１５２】
2010053121.tif 000057
【０１５３】
式（ｓ）で表される化合物（ＣＡＳ  Ｎｏ．６８９０−０８−０）０．６ｇとジメチルホルムアミド１．６ｇとの溶液に、２，６ルチジン０．３ｇと式（ｔ）で表される化合物１．０ｇとを加えて混合溶液を調製し、該混合溶液を室温で１５時間攪拌した。前記の混合溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液によって洗浄した後、酢酸エチルによって抽出を行なった。イオン交換水で洗浄後減圧留去を行い、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製を行なうことで、式（Ｂ７）で表される化合物０．３ｇを得た。
【０１５４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝８．０８−７．５９（４Ｈ，ｍ），４．１２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ），２．５１−２．４６（２Ｈ，ｍ），２．４１−２．３１（７Ｈ，  ｍ），１．９７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１３．２Ｈｚ），１．８３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．６  Ｈｚ）
【０１５５】
実施例８
式（Ｂ８）で表される化合物の合成
【０１５６】
2010053121.tif 000058
【０１５７】
式（ｕ）で表される化合物１．０ｇとジメチルホルムアミド０．９ｇとの溶液に、２，６ルチジン０．７ｇと式（ｖ）で表される化合物４．８ｇとを加えて混合溶液を調製し、該混合溶液を室温で１８時間攪拌した。前記の混合溶液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、式（Ｂ８）で表される化合物１．２ｇを得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）δ＝６．０８（２Ｈ，ｓ），４．５３−４．４９（１Ｈ，ｍ），４．４４（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ），３．７６−３．６５（１Ｈ，ｍ），３．６１−３．４８（３Ｈ，ｍ），３．４６−３．１４（５Ｈ，ｍ），１．７６−１．１７（２０Ｈ，ｍ）
【０１５８】
実施例９
式（Ｂ９）で表される化合物の合成
【０１５９】
2010053121.tif 000059
【０１６０】
式（ｗ）で表される化合物１．２ｇをメタノール２ｇに溶解させ、パラトルエンスルホン酸１水和物０．０２ｇを加えて室温で１５時間攪拌した。反応混合溶液にメタノール１０ｇとヘプタン１０ｇとを加え、メタノール層を抽出した。抽出したメタノール層にイオン交換水３ｇを加え酢酸エチルによって抽出を行なった。洗浄後減圧留去を行い、式（Ｂ９）で表される化合物０．８ｇを得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）δ＝６．０９（２Ｈ，ｓ），４．４３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．４Ｈｚ），３．７３−３．４７（３Ｈ，ｂｒｍ），３．３９−３．２２（４Ｈ，ｍ），１．５６（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝２０．５，８．９  Ｈｚ），１．４７−１．１９（１２Ｈ，ｍ）
【０１６１】
実施例１０
式（Ｂ１０）で表される化合物の合成
【０１６２】
2010053121.tif 000060
【０１６３】
式（ｘ）で表される化合物０．８ｇとテトロヒドロフラン４ｇとの溶液に、２，６−ルチジン０．３ｇと式（ｙ）で表される化合物０．３ｇとを加えて混合溶液を調製し、該混合溶液を０℃で１時間攪拌した。前記の混合溶液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、式（Ｂ１０）で表される化合物０．９ｇを得た。
【０１６４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）δ＝６．０８（２Ｈ，ｓ），６．０２−５．９８（１Ｈ，ｍ），５．６５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝１．６Ｈｚ），４．４４（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝  ６．３Ｈｚ），４．０７（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），３．５５−３．５１（２Ｈ，  ｍ），３．３０−３．２５（２Ｈ，ｍ），１．８６（３Ｈ，ｓ），１．６５−１．２０  （１４Ｈ，ｍ）
【０１６５】
実施例１１
式（Ｂ１１）で表される化合物の合成
【０１６６】
2010053121.tif 000061
【０１６７】
2010053121.tif 000062
【０１６８】
（１）  式（１）で表される化合物４９．３ｇ（０．２７７モル）と式（２）で表される化合物３０ｇ（０．２３１モル）とをジクロロエタン３００ｇに溶解した。この溶液に重合禁止剤としてｐ−メトキシフェノールを微量添加し、さらに濃硫酸０．４５ｇ（０．００５モル）を添加した後、８７℃で７時間還流脱水反応を行った。反応混合溶液を室温まで冷却した後、イオン交換水３００ｇとクロロホルム２００ｇで希釈分液を行った。有機層を純水で３回洗浄した後、減圧濃縮を行い、式（３）で表される化合物５６．７ｇを得た。収率は８４．８％であった。
【０１６９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）δ＝６．０３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ），５．７３−５．７０（１Ｈ，ｍ），４．７７（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝４．６Ｈｚ），４．４３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝４．６Ｈｚ），１．８７（３Ｈ，ｓ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ＝−４５．０３，−９９．４６
ＭＳ  Ｍ＋＝２９１．０（Ｃ８Ｈ９Ｆ３Ｏ６Ｓ＋＝２９０．０１）
【０１７０】
（２）  式（４）で表される化合物１４．７ｇ（０．０６９モル）と炭酸カリウム１４．３ｇ（０．１０３モル）とをジメチルホルムアミド１８０ｇに懸濁した溶液を調製した。この溶液に、式（３）で表される化合物２０．０ｇ（０．０６９モル）を加えて、ピリジンと、重合禁止剤としてｐ−メトキシフェノールとを微量添加した後、２８℃〜３０℃で２時間攪拌した。反応溶液をろ過して、ろ上物をクロロホルム３００ｇで洗浄ろ過した。ろ液を１％シュウ酸５００ｇとクロロホルム３００ｇとで希釈分液した。有機層をイオン交換水で洗浄し、濃縮して、式（Ｂ１１）で表される化合物２２．７ｇを得た。収率は６８．１％であった。
【０１７１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ＝８．６０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），８．３０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ），７．８０（２Ｈ，t，Ｊ＝７．７Ｈｚ），６．１１（１Ｈ，ｓ），５．５３（１Ｈ，ｓ），４．７９（２Ｈ，ｍ），４．５２（２Ｈ，ｍ），１．８８（３Ｈ，ｓ）
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝−９６．４４
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝１６６．７５、１５９．０２、１５７．０４、１３５．７５、１３２．５８、１３１．７３、１２７．２３、１２７．０２、１２６．４４、１２５．８２，１２１．２８、１１５．３０〜１１０．５１（ｔ）、６６．２４、６１．２６、１８．０４
ＭＳ（ＥＳＩ  Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：〔Ｍ＋Ｎａ〕＋  ５０６．０（Ｃ２０Ｈ１５Ｆ２ＮＯ９Ｓ＝４８３．０４）
【０１７２】
実施例１２：重合体（Ｂ１２）の合成例
2010053121.tif 000063
【０１７３】
式（５）で表される化合物１２．３ｇ（０．０５０モル）、式（６）で表される化合物５．９０ｇ（０．０２５モル）、式（７）で表される化合物４．２５ｇ（０．０２５モル）、式（Ｂ１１）で表される化合物４．８ｇ（０．０１モル）、開始剤（アゾビスイソブチロニトリル）０．７ｇ（０．００４モル）、および１，４−ジオキサン４５ｇを加えて溶解した。四つ口フラスコにジオキサン１０ｇを仕込み、７０℃に加温して、上記モノマー溶液を７２℃〜７５℃で２時間かけて滴下した。さらに反応溶液を７２℃〜７５℃で５時間保温した。冷却後、反応溶液を９０％メタノール水に滴下して、沈殿した重合体をろ別した。得られた重合体を、メタノールで洗浄ろ過後、減圧下に４０℃で乾燥して、重合体（Ｂ１２）２１．２ｇを得た。収率は７７．９％であった。
【０１７４】
ＧＰＣ分析を行った結果、Ｍｗ＝１７８０８、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２４５であった。
ＧＰＣポリスチレン換算重量平均分子量の測定条件は以下の通りである。
装置；ＨＬＣ-８１２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）
カラム；ＴＳＫ−ＧＥＬＧ２０００ＨＸＬ、ＴＳＫ−ＧＥＬＧ４０００ＨＸＬ直列
カラム温度；４０℃
移動相溶媒；テトラヒドロフラン
流速；１．０ｍＬ／ｍｉｎ
注入量；５０μＬ
検出器；ＲＩ
測定試料濃度；０．６質量％（溶媒；テトラヒドロフラン）
校正用標準物質；ＴＳＫ  ＳＴＡＮＤＡＲＤ  ＰＯＬＹＳＴＹＲＥＮＥ  Ｆ−４０、Ｆ−４、Ｆ−１、Ａ−２５００、Ａ−５００（東ソー（株）製）
【０１７５】
合成例１：樹脂Ａ１の合成
メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、メタクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、及びα−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンを、５：２.５：２.５のモル比で仕込み、全モノマーに対して２重量倍のメチルイソブチルケトンを加えて、溶液とした。そこに、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを前記全モノマーの合計量に対して２モル％添加し、８０℃で約８時間加熱した。その後、反応液を大量のヘプタンに注いで沈殿した共重合体をろ別した。得られた共重合体をメチルイソブチルケトンに再溶解して、大量のヘプタンに注いだ。沈殿した共重合体をろ別した。この操作をさらに２回くりかえして、精製した。
その結果、重量平均分子量が９，２００である共重合体を得た。この共重合体は、次式で表される各単位を有するものであり、これを樹脂Ａ１とする。
【０１７６】
2010053121.tif 000064
【０１７７】
次に、以上の樹脂合成例で得られた樹脂（Ａ１）のほか、以下に示す原料を用いて化学増幅型フォトレジスト組成物を調製し評価を行った。
【０１７８】
＜酸発生剤＞
【０１７９】
2010053121.tif 000065
【０１８０】
2010053121.tif 000066
【０１８１】
＜クエンチャー＞
クエンチャーＱ１：２，６−ジイソプロピルアニリン
＜溶剤＞
溶剤Ｙ１：
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート      １００部
２−ヘプタノン                                          ２０．０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル                  ４０．０部
γ−ブチロラクトン                                        ３．５部
溶剤Ｙ２：
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート      ９０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル                  １３０部
γ−ブチロラクトン                                        ５．０部
【０１８２】
実施例１３、１４、参考例１
以下の各成分を混合して溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、化学増幅型フォトレジスト組成物を調製した。
【０１８３】
樹脂（種類及び量は表１記載）
酸発生剤（種類及び量は表１記載）
クエンチャー（種類及び量は表１記載）
溶剤（種類は表１記載）
【０１８４】
シリコンウェハーに有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ−２９Ａ−８；日産化学工業株式会社製）を塗布して２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって厚さ７８０Åの有機反射防止膜を形成させ、次いでこの上に、上記の化学増幅型フォトレジスト組成物を乾燥後の膜厚が０．１５μｍとなるようにスピンコートした。化学増幅型フォトレジスト組成物塗布後は、プロキシミティホットプレート上にて、表１の「ＰＢ」の欄に示す温度で６０秒間プリベークした。こうして化学増幅型フォトレジスト組成物の膜を形成したそれぞれのウェハーに、ＡｒＦエキシマステッパー〔ＦＰＡ−５０００ＡＳ３；キヤノン（株）製、ＮＡ＝０．７５、２／３Ａｎｎｕｌａｒ〕を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後は、ホットプレート上にて表１の「ＰＥＢ」の欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で１５秒間の現像を行った。有機反射防止膜基板上のもので現像後のラインアンドスペースパターンを走査型電子顕微鏡（Ｓ４１００；（株）日立製作所製）で観察し、その結果を表２に示した。
【０１８５】
有機反射防止膜基板上のもので現像後のダークフィールドパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表２に示した。なお、ここでいうダークフィールドパターンとは、外側にクロム層（遮光層）をベースとしてライン状にガラス面（透光部）が形成されたレチクルを介した露光及び現像によって得られ、したがって露光現像後は、ラインアンドスペースパターンの周囲のレジスト層が残されるパターンである。
【０１８６】
解像度：実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。
パターン形状：
パターン形状は、走査型電子顕微鏡（Ｓ４１００；日立製作所製）で観察した。
パターン形状が矩形状であると良好であり、テーパー状であると好ましくない。
【０１８７】
〔表１〕
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例Ｎｏ．      樹脂        酸発生剤    クエンチャー    溶剤      ＰＢ／ＰＥＢ
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例１３  A1／10部    B1／2.00部    Q1／0.025部      Y1        105℃／105℃
実施例１４  A1／10部    B2／1.74部    Q1／0.025部      Y1        105℃／105℃
参考例１    A1／10部    C1／1.28部    Q1／0.025部      Y1        105℃／105℃
───────────────────────────────────────
【０１８８】
〔表２〕
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例Ｎｏ．    解像度      パターン形状
（μｍ）
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例１３  ０．１０        矩形状
実施例１４  ０．０９５      矩形状
参考例１    ０．１２      テーパー状
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【０１８９】
水への溶出試験：シリコンウェハー上に、上記と同様の方法で化学増幅型フォトレジスト組成物の膜を形成させた。シリコンウェハー上に、Ｏ−リング（直径５２．８ｍｍ）を置いて、該Ｏ−リングで囲われた中に純水２０μＬを、マイクロシリンジを用いて注いだ。
１０秒後、該純水をマイクロシリンジで回収し、回収した前記の純水中に溶出したアニオンを下記分析条件により定量した。
（参考文献：Ｐｒｏｃ．ｏｆ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．６１５３  ６１５３２２−１、２００６年）
アニオンとしてトリフルオロメタンスルホン酸を溶出するトリフェニルスルホニウム  トリフレート、及びＮ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミドは、アニオン溶出濃度が５×１０−１２ｍｏｌ／ｃｍ２であるのに対して、Ｂ１の酸発生剤では３×１０−１３ｍｏｌ／ｃｍ２であった。本発明化合物では比較化合物に比べて、１０倍以上溶出されにくいことが明らかであった。
【０１９０】
＜純水の分析条件＞
Agilent社製、１１００型の液体クロマトグラフ装置と、Agilent社製、ＬＣ／ＭＳＤ  ＴＯＦ型の飛行時間型質量分析装置を用いて下記条件で測定し、得られたシグナルの面積値を測定した。
【０１９１】
液体クロマトグラフ装置の測定条件
カラム：SUMIPAX ODS A-210MS  5μ×2.0mmφ×150mm
Ａ液：0.05%TFA/H2O
Ｂ液：0.05%TFA/ATN
Ｂ液％：0min(10%)-1min(10%)-16min(100%)
流量：0.3ml/min,   注入量: 100μl
UV-VIS  Spectrum:210,220,254nm
【０１９２】
飛行時間型質量分析装置の測定条件
Ionization:ESI+,-  VCap:4500V, Mass Range=50〜500, Transients=20000
Fragmentor=Pos:215V、Neg:175V, Skimmer=60V
DryingGas: 350℃,13.0l/min   Neb pres:35psi
【０１９３】
実施例１３及び１４では、その解像度がそれぞれ０．１０μｍ及び０．０９５μｍとなり、解像度が良好であった。
【０１９４】
実施例１５
式（Ｂ１）で表される化合物に代えて式（Ｂ３）で表される化合物を用いる以外は実施例１３と同様にして、化学増幅型フォトレジスト組成物を調製し、実施例１３と同様に評価を行なう。良好な解像度、パターン形状、水への低溶出性を示す。
【０１９５】
実施例１６
式（Ｂ１）で表される化合物に代えて式（Ｂ４）で表される化合物を用いる以外は実施例１３と同様にして、化学増幅型フォトレジスト組成物を調製し、実施例１３と同様に評価を行なう。良好な解像度、パターン形状、水への低溶出性を示す。
【０１９６】
実施例１７
式（Ｂ１）で表される化合物に代えて式（Ｂ５）で表される化合物を用いる以外は実施例１３と同様にして、化学増幅型フォトレジスト組成物を調製し、実施例１３と同様に評価を行なう。良好な解像度、パターン形状、水への低溶出性を示す。
【０１９７】
実施例１８
式（Ｂ１）で表される化合物に代えて式（Ｂ６）で表される化合物を用いる以外は実施例１３と同様にして、化学増幅型フォトレジスト組成物を調製し、実施例１３と同様に評価を行なう。良好な解像度、パターン形状、水への低溶出性を示す。
【０１９８】
実施例１９
式（Ｂ１）で表される化合物に代えて式（Ｂ７）で表される化合物を用いる以外は実施例１２と同様にして、化学増幅型フォトレジスト組成物を調製し、実施例１３と同様に評価を行なう。良好な解像度、パターン形状、水への低溶出性を示す。
【０１９９】
実施例２０
式（Ｂ１）で表される化合物に代えて式（Ｂ８）で表される化合物を用いる以外は実施例１３と同様にして、化学増幅型フォトレジスト組成物を調製し、実施例１３と同様に評価を行なう。良好な解像度、パターン形状、水への低溶出性を示す。
【０２００】
実施例２１
式（Ｂ１）で表される化合物に代えて式（Ｂ９）で表される化合物を用いる以外は実施例１３と同様にして、化学増幅型フォトレジスト組成物を調製し、実施例１３と同様に評価を行なう。良好な解像度、パターン形状、水への低溶出性を示す。
【０２０１】
実施例２２、参考例２
以下の各成分を混合して溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、化学増幅型フォトレジスト組成物を調製した。
【０２０２】
樹脂（種類及び量は表３記載）
酸発生剤（種類及び量は表３記載）
クエンチャー（種類及び量は表３記載）
溶剤（種類は表３記載）
【０２０３】
シリコンウェハーに有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ−２９Ａ−８；日産化学工業株式会社製）を塗布して２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって厚さ７８０Åの有機反射防止膜を形成させ、次いでこの上に、実施例２２と参考例２の化学増幅型フォトレジスト組成物を乾燥後の膜厚が０．１５μｍとなるようにスピンコートした。化学増幅型フォトレジスト組成物塗布後は、プロキシミティホットプレート上にて、表３の「ＰＢ」の欄に示す温度で６０秒間プリベークした。こうして化学増幅型フォトレジスト組成物の膜を形成したそれぞれのウェハーに、ＡｒＦエキシマステッパー〔ＦＰＡ−５０００ＡＳ３；キヤノン（株）製、ＮＡ＝０．７５、２／３Ａｎｎｕｌａｒ〕を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後は、ホットプレート上にて表３の「ＰＥＢ」の欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で１５秒間の現像を行った。有機反射防止膜基板上のもので現像後のラインアンドスペースパターンを走査型電子顕微鏡（Ｓ４１００；（株）日立製作所製）で観察し、その結果を表４に示した。
【０２０４】
有機反射防止膜基板上のもので現像後のダークフィールドパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表４に示した。なお、ここでいうダークフィールドパターンとは、外側にクロム層（遮光層）をベースとしてライン状にガラス面（透光部）が形成されたレチクルを介した露光及び現像によって得られ、したがって露光現像後は、ラインアンドスペースパターンの周囲のレジスト層が残されるパターンである。
【０２０５】
パターン上部あるいは側壁の凹凸：走査型電子顕微鏡で観察した際に、ラインアンドスペースパターンのラインパターンの上部あるいは側壁の凹凸が多いものを「×」とし、凹凸が少ないものを「○」と表した。「○」であれば、パターンの上部あるいは側壁の凹凸が少なく良好な結果としている。
【０２０６】
〔表３〕
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例Ｎｏ．      樹脂        酸発生剤    クエンチャー    溶剤      ＰＢ／ＰＥＢ
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例２２  B12／10部    C1／0.5部    Q1／0.025部      Y2        105℃／105℃
参考例２    A1／10部     C1／1.28部   Q1／0.025部      Y2        105℃／105℃
───────────────────────────────────────
【０２０７】
〔表４〕
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例Ｎｏ．      パターン上部あるいは側壁の凹凸
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例２２              ○
参考例２                ×
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【産業上の利用可能性】
【０２０８】
本発明の化合物は、優れた解像度及びパターン形状を与える化学増幅型フォトレジスト組成物用の酸発生剤用に好適に用いられ、中でも、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィならびにＡｒＦ液浸露光リソグラフィに好適な化学増幅型フォトレジスト組成物用の酸発生剤として用いることができる。