(57)【要約】【課題】２枚のガラス基板が液晶室を区画するシール帯から外側に突出することなく形成することができる液晶デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】互いに内面を対面させ所定の間隔をもって配設された２枚のガラス基板の間にシール帯によって液晶室が区画された液晶デバイスの製造方法であって、２枚のガラス基板の間に液晶室に注入される液晶を封止するに必要な幅の少なくとも２倍の幅を有するシール帯を配設して複数の液晶室を区画する液晶室形成工程と、複数の液晶室を形成した２枚のガラス基板の一方のガラス基板側からガラス基板を透過してシール帯の幅を２分する位置における内部にレーザー光線の集光点を位置付けてシール帯に沿ってレーザー光線を照射し、シール帯の内部に変質層を形成する変質層形成工程と、シール帯に形成された変質層に沿って２枚のガラス基板を分割するガラス基板分割工程とを含む。【選択図】図６
2010032716.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに内面を対面させ所定の間隔をもって配設された２枚のガラス基板の間にシール帯によって液晶室が区画された液晶デバイスの製造方法であって、
該２枚のガラス基板の間に該液晶室に注入される液晶を封止するに必要な幅の少なくとも２倍の幅を有するシール帯を配設して複数の液晶室を区画する液晶室形成工程と、
該複数の液晶室を形成した該２枚のガラス基板の一方のガラス基板側から該ガラス基板を透過して該シール帯の幅を２分する位置における内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に沿ってレーザー光線を照射し、該シール帯の内部に変質層を形成する変質層形成工程と、
該シール帯に形成された変質層に沿って該２枚のガラス基板を分割するガラス基板分割工程と、を含む、
ことを特徴とする液晶デバイスの製造方法。
【請求項２】
該液晶を封止するに必要な幅の少なくとも２倍の幅を有するシール帯は、少なくとも該液晶室が互いに隣接する領域に配設される、請求項１記載の液晶デバイスの製造方法。
【請求項３】
該変質層形成工程において照射されるレーザー光線の波長は、２６６〜１３００ｎｍに設定されている、請求項１又な２記載の液晶デバイスの製造方法。
【請求項４】
該ガラス基板分割工程は、２枚のガラス基板の一方のガラス基板側から該一方のガラス基板の内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に形成された変質層に沿ってレーザー光線を照射し、該一方のガラス基板の内部に該シール帯に形成された変質層に沿って第１の変質層を形成する第１の変質層形成工程と、２枚のガラス基板の他方のガラス基板側から該他方のガラス基板の内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に形成された変質層に沿ってレーザー光線を照射し、該他方のガラス基板の内部に該シール帯に形成された変質層に沿って第２の変質層を形成する第２の変質層形成工程と、該一方のガラス基板と該他方のガラス基板および該シール帯を該第１の変質層と該第２の変質層および該シール帯に形成された変質層に沿って破断する破断工程とを含む、請求項１から３のいずれかに記載の液晶デバイスの製造方法。
【請求項５】
該ガラス基板分割工程は、２枚のガラス基板の一方のガラス基板に該シール帯に形成された変質層に沿ってスクライブすることにより第１のスクライブラインを形成する第１のスクライブ工程と、２枚のガラス基板の他方のガラス基板に該シール帯に形成された変質層に沿ってススクライブすることにより第２のスクライブラインを形成する第２のスクライブ工程と、該一方のガラス基板と該他方のガラス基板および該シール帯を該第１のスクライブラインと該第２のスクライブラインおよび該シール帯に形成された変質層に沿って破断する破断工程とを含む、請求項１から３のいずれかに記載の液晶デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２枚のガラス基板の間にシール帯によって液晶室が区画された液晶デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶デバイスは、２枚のガラス基板の間にシール帯によって液晶室が区画され、該液晶室に注入口から液晶が注入されている。このような液晶デバイスは、２枚のガラス基板の間に複数の液晶室を区画する隣接して配設されたシール帯とシール帯との間の切断ラインに沿って切削ブレードによって切断して個々の液晶デバイスに形成される。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特許第３１２０８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
而して、隣接するシール帯の間には1ｍｍ程度の間隔が形成されており、厚さが２０〜３０μmの切削ブレードによってシール帯とシール帯との間の切断ラインに沿って２枚のガラス基板を切断すると、２枚のガラス基板の切れ代がシール帯から外側に突出するため、電気機器の小型化を図る面で改善すべき問題となっている。
【０００４】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、２枚のガラス基板が液晶室を区画するシール帯から外側に突出することなく形成することができる液晶デバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、互いに内面を対面させ所定の間隔をもって配設された２枚のガラス基板の間にシール帯によって液晶室が区画された液晶デバイスの製造方法であって、
該２枚のガラス基板の間に該液晶室に注入される液晶を封止するに必要な幅の少なくとも２倍の幅を有するシール帯を配設して複数の液晶室を区画する液晶室形成工程と、
該複数の液晶室を形成した該２枚のガラス基板の一方のガラス基板側から該ガラス基板を透過して該シール帯の幅を２分する位置における内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に沿ってレーザー光線を照射し、該シール帯の内部に変質層を形成する変質層形成工程と、
該シール帯に形成された変質層に沿って該２枚のガラス基板を分割するガラス基板分割工程と、を含む、
ことを特徴とする液晶デバイスの製造方法が提供される。
【０００６】
上記液晶を封止するに必要な幅の少なくとも２倍の幅を有するシール帯は、少なくとも該液晶室が互いに隣接する領域に配設される。
また、上記変質層形成工程において照射されるレーザー光線の波長は、２６６〜１３００ｎｍに設定されていることが望ましい。
上記ガラス基板分割工程は、２枚のガラス基板の一方のガラス基板側から該一方のガラス基板の内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に形成された変質層に沿ってレーザー光線を照射し、該一方のガラス基板の内部に該シール帯に形成された変質層に沿って第１の変質層を形成する第１の変質層形成工程と、２枚のガラス基板の他方のガラス基板側から該他方のガラス基板の内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に形成された変質層に沿ってレーザー光線を照射し、該他方のガラス基板の内部に該シール帯に形成された変質層に沿って第２の変質層を形成する第２の変質層形成工程と、該一方のガラス基板と該他方のガラス基板および該シール帯を該第１の変質層と該第２の変質層および該シール帯に形成された変質層に沿って破断する破断工程とを含む。
また、上記ガラス基板分割工程は、２枚のガラス基板の一方のガラス基板に該シール帯に形成された変質層に沿ってスクライブすることにより第１のスクライブラインを形成するする第１のスクライブ工程と、２枚のガラス基板の他方のガラス基板に該シール帯に形成された変質層に沿ってススクライブすることにより第２のスクライブラインを形成するする第２のスクライブ工程と、該一方のガラス基板と該他方のガラス基板および該シール帯を該第１のスクライブラインと該第２のスクライブラインおよび該シール帯に形成された変質層に沿って破断する破断工程とを含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明においては、２枚のガラス基板の間に液晶室に注入される液晶を封止するに必要な幅の少なくとも２倍の幅を有するシール帯を配設して複数の液晶室を区画する液晶室形成工程と、複数の液晶室を形成した２枚のガラス基板の一方のガラス基板側からガラス基板を透過してシール帯の幅を２分する位置における内部にレーザー光線の集光点を位置付けてシール帯に沿ってレーザー光線を照射し、シール帯の内部に変質層を形成する変質層形成工程と、シール帯に形成された変質層に沿って２枚のガラス基板を分割するガラス基板分割工程とを含んでいるので、２枚のガラス基板はシール帯に形成された変質層に沿って分割されるためで、シール帯から外側に突出することなく形成することができる。従って、液晶デバイスの小型化を可能にするとともに、２枚のガラス基板の切れ代が実質的に不要となるのでガラス板を有効利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明による液晶デバイスの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【０００９】
図１には本発明による液晶デバイスの製造方法によって製造される液晶デバイスが複数形成された液晶デバイスウエーハの斜視図が示されている。
図１に示す液晶デバイスウエーハ２は、互いに内面（裏面）を対面させ所定の間隔（例えば４μm）をもって配設された厚みが０．２〜０．５mmの第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２と、該第１のガラス基板２１と第２のガラス基板２２との間に配設され複数の液晶室２３を区画する直線状のシール帯２４を具備している（液晶室形成工程）。ここで、シール帯２４について、更に詳細に説明する。シール帯２４は、エポキシ樹脂等のシール材によって形成されている。このシール帯２４は、図示の実施形態においては液晶室２３が互いに隣接する領域に形成される第１のシール部２４１と、液晶室２３が互いに隣接する領域以外の他の領域に形成される第２のシール部２４２とからなっている。図示の実施形態における第１のシール部２４１の幅B1は、第２のシール部２４２の幅B2の少なくとも２倍に形成されている。即ち、第２のシール部２４２の幅B2は液晶室１３に注入される液晶を封止するに必要な幅に設定されており、従って、第１のシール部２４１の幅B1は液晶室２３に注入される液晶を封止するに必要な幅の少なくとも２倍に設定されている。
【００１０】
図１を参照して説明を続けると、上記液晶デバイスウエーハ２を構成するシール帯２４における両側部に配設された第２のシール部２４２には、上記複数の液晶室２３とそれぞれ連通する液晶注入口２４３が設けられている。また、上記液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１と第２のガラス基板２２の表面には、液晶室２３の周囲三方の位置にそれぞれ配線パッド２５が設けられている。このように構成された液晶デバイスウエーハ２には、図示の実施形態においては６個の液晶デバイス２０が形成されている。
【００１１】
以下、上述した液晶デバイスウエーハ２を個々の液晶デバイス２０に分割する分割方法について説明する。
液晶デバイスウエーハ２を個々の液晶デバイス２０に分割するには、先ず、複数の液晶室２３を形成した２枚のガラス基板の一方例えば第１のガラス基板２１側から該第１のガラス基板２１を透過してシール帯２４における第１のシール部２４１の幅を２分する位置における内部にレーザー光線の集光点を位置付けて第１のシール部２４１の長手方向に沿ってレーザー光線を照射し、シール帯２４における第１のシール部２４１の内部に変質層を形成する変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、図２に示すレーザー加工装置３を用いて実施する。図２に示すレーザー加工装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２と、チャックテーブル３１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、表面に複数の吸引孔３１１が形成されており、この複数の吸引孔３１１が図示しない吸引手段に連通するように構成されている。このように構成されたチャックテーブル３１は、回転機構３１２によって回転せしめられるとともに、図示しない加工送り機構によって図２において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって図２において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１２】
上記レーザー光線照射手段３２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング３２１を含んでいる。ケーシング３２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング３２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器３２２が装着されている。
【００１３】
上記レーザー光線照射手段３２を構成するケーシング３２１の先端部に装着された撮像手段３３は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されている。この撮像手段３３は、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１４】
図２に示すレーザー加工装置３を用いて変質層形成工程を実施するには、図３に示すようにチャックテーブル３１上に液晶デバイスウエーハ２の第２のガラス基板２２側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、液晶デバイスウエーハ２をチャックテーブル３１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３１に保持された液晶デバイスウエーハ２は、第１のガラス基板２１が上側となる。
【００１５】
このようにしてチャックテーブル３１上に液晶デバイスウエーハ２を吸引保持したならば、撮像手段３３および図示しない制御手段によって液晶デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、液晶デバイスウエーハ２を構成するシール帯２４における所定方向に形成された第１のシール部２４１を撮像し、撮像した第１のシール部２４１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、所定方向と直交する方向に延びる第１のシール部２４１に対しても同様にアライメントを遂行する。
【００１６】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されたウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメントが行われたならば、図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル３１を移動し、第１のシール部２４１の幅を２分する位置（幅方向の中心位置）をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の直下に位置付けるとともに、図４の（ｂ）で示すように第１のシール部２４１の一端（図４の（b）において左端）をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の直下に位置付ける。そして、集光器３２２から照射されるレーザー光線の集光点Ｐを第１のシール部２４１の厚さ方向中間部に位置付ける。次に、集光器３２２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１を図４の（b）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図４の（c）で示すようにレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の照射位置が第１のシール部２４１の他端（図４の（b）において右端）の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３１の移動を停止する。この結果、第１のシール部２４１には、図４の（c）および図４の（d）に示すように幅方向中心部に第１のシール部２４１に沿って変質層２４０が形成される。この変質層２４０は、溶融再固化層として形成される。
【００１７】
上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長                ：２６６〜１３００ｎｍのパルスレーザー
平均出力            ：０．３〜０．８Ｗ
繰り返し周波数      ：２００ｋＨｚ〜１MＨｚ
集光スポット径      ：φ６μｍ
加工送り速度        ：1００ｍｍ／秒
【００１８】
なお、上記変質層形成工程において照射するレーザー光線の波長は、２６６nmより短いとガラス基板がレーザー光線を吸収してアブレーション加工され、シール帯２４に変質層を形成することができない。また、レーザー光線の波長が１３００nmより長いと、シール帯２４も透過してしまいシール帯２４に変質層を形成することができない。従って、上記変質層形成工程において照射するレーザー光線の波長は、２６６〜１３００ｎｍに設定する必要がある。
【００１９】
以上のようにして、液晶デバイスウエーハ２の所定方向に延在する第１のシール部２４１に沿って上述した変質層形成工程を実行したならば、チャックテーブル３１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に延びる各第１のシール部２４１に沿って上述した変質層形成工程を実行する。
【００２０】
変質層形成工程を実施したならば、シール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２を分割するガラス基板分割工程を実施する。
ガラス基板分割工程の第１に実施形態について、図５乃至図８を参照して説明する。
ガラス基板分割工程の第１に実施形態は、先ず第１のガラス基板２１側から第１のガラス基板２１の内部にレーザー光線の集光点を位置付けてシール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿ってレーザー光線を照射し、第１のガラス基板２１の内部に変質層２４０に沿って第１の変質層を形成する第１の変質層形成工程を実施する。この第１の変質層形成工程は、上記図２に示すレーザー加工装置３を用いて実施することができる。
【００２１】
上記図２に示すレーザー加工装置３を用いて第１の変質層形成工程を実施するには、図５に示すようにチャックテーブル３１上に上記変質層形成工程が実施された液晶デバイスウエーハ２の第２のガラス基板２２側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、液晶デバイスウエーハ２をチャックテーブル３１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３１に保持された液晶デバイスウエーハ２は、第１のガラス基板２１が上側となる。
【００２２】
このようにしてチャックテーブル３１上に液晶デバイスウエーハ２を吸引保持したならば、撮像手段３３および図示しない制御手段によって液晶デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、液晶デバイスウエーハ２を構成するシール帯２４における所定方向に形成された第１のシール部２４１に形成された変質層２４０を撮像し、撮像した変質層２４０に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２との位置合わせを行い、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、所定方向と直交する方向に延びる第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に対しても同様にアライメントを遂行する。このとき、変質層２４０は第１のシール部２４１の内部に形成されているが、撮像手段３３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、変質層２４０を撮像することができる。
【００２３】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持された液晶デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメントが行われたならば、図６の（ａ）で示すようにチャックテーブル３１を移動し、第１のシール部２４１に形成された変質層２４０をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の直下に位置付けるとともに、図６の（ｂ）で示すように第１のシール部２４１に形成された変質層２４０の一端（図６の（b）において左端）をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の直下に位置付ける。そして、集光器３２２から照射されるレーザー光線の集光点Ｐを第１のガラス基板２１の厚さ方向中間部に位置付ける。次に、集光器３２２から紫外線領域の波長を有すパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１を図６の（b）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図６の（c）で示すようにレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の照射位置が第１のシール部２４１に形成された変質層２４０の他端（図６の（b）において右端）の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３１の移動を停止する。この結果、第１のガラス基板２１には、図６の（c）および図６の（d）に示すように第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って第１の変質層２１０が形成される。この第１の変質層２１０は、溶融再固化層として形成される。
【００２４】
上記第１の変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長                ：２６６〜３５５ｎｍのパルスレーザー
平均出力            ：２〜４Ｗ
繰り返し周波数      ：２００ｋＨｚ〜１MＨｚ
集光スポット径      ：φ６μｍ
加工送り速度        ：1５０ｍｍ／秒
【００２５】
以上のようにして、液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１に所定方向に延在する第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って上述した第１の変質層形成工程を実行したならば、チャックテーブル３１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に延びる各第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って上述した第１の変質層形成工程を実行する。
【００２６】
以上のようにして、液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１に第１の変質層形成工程を実行したならば、第２のガラス基板２２側から第２のガラス基板２２の内部にレーザー光線の集光点を位置付けてシール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿ってレーザー光線を照射し、第２のガラス基板２２の内部に変質層２４０に沿って第２の変質層を形成する第２の変質層形成工程を実施する。この第２の変質層形成工程を実施するには、上記第１の変質層形成工程が実施されチャックテーブル３１に吸引保持されている液晶デバイスウエーハ２の吸引保持を解除し、液晶デバイスウエーハ２を反転して第１のガラス基板２１をチャックテーブル３１に吸引保持する。従って、チャックテーブル３１に吸引保持された液晶デバイスウエーハ２は、第２のガラス基板２２が上側となる。そして、上記第１の変質層形成工程と同様に第２の変質層形成工程を実施し、図７の(a)および(b)に示すように第２のガラス基板２２の内部にシール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って第２の変質層２２０を形成する。
【００２７】
上述した第１の変質層形成工程および第２の変質層形成工程を実施したならば、第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２とシール帯２４を第１の変質層２１０および第２の変質層２２０とシール帯２４に形成された変質層２４０に沿って破断する破断工程を実施する。この破断工程は、例えば図８の（ａ）に示すように上述した第１の変質層形成工程および第２の変質層形成工程が実施された液晶デバイスウエーハ２を柔軟なゴムシート４上に載置する。そして、液晶デバイスウエーハ２の上面を押圧ローラー４０によって押圧しつつ転動することによって、図８の（b）、（ｃ）に示すように液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２とシール帯２４は強度が低下せしめられた第１の変質層２１０および第２の変質層２２０と変質層２４０に沿って破断し、個々の液晶デバイス２０に分割される。このように、液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２は、シール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って設けられた第１の変質層２１０および第２の変質層２２０に沿って破断されるので、シール帯２４から外側に突出することなく形成することができる。従って、液晶デバイス２０の小型化を可能にするとともに、第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２の切れ代が実質的に不要となるのでガラス板を有効利用することができる。
【００２８】
次に、ガラス基板分割工程の第２に実施形態について、図９乃至図１３を参照して説明する。
ガラス基板分割工程の第２に実施形態は、先ず第１のガラス基板２１にシール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿ってスクライブすることにより第１のスクライブラインを形成するする第１のスクライブ工程を実施する。この第１のスクライブ工程は、図９に示すスクライブ装置５を用いて実施する。図９に示すスクライブ装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にスクライブラインを形成するスクライブ機構５２を具備している。チャックテーブル５１は、上記図２に示すレーザー加工装置３のチャックテーブル３１と同様に、表面に複数の吸引孔５１１が形成されており、この複数の吸引孔５１１が図示しない吸引手段に連通するように構成されている。このチャックテーブル５１は、上記図２に示すレーザー加工装置３のチャックテーブル３１と同様に回転機構５１２によって回転せしめられるとともに、図示しない加工送り機構によって図９において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって図９において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００２９】
スクライブ機構５２は、支持基台５２１と、該支持基台５２１に一端を支持軸５２２によって上下方向に揺動可能に支持されたスクライバ支持部材５２３と、該スクライバ支持部材５２３の他端に回転支持軸５２４によって回転可能に支持されたローラスクライバ５２５と、スクライバ支持部材５２３に押圧力を作用せしめる押圧力付勢手段５２６とを具備している。支持基台５２１は図示しない支持台に割り出し方向である図９において矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設されている。ローラスクライバ５２５は焼結ダイヤモンドによって形成されており、回転支持軸５２４によってスクライバ支持部材５２３の他端に回転可能に支持されている。押圧力付勢手段５２６は、上記支持基台５２１の上端に突出して形成された支持部５２１aに螺合された調整ネジ５２６aと、該調整ネジ５２６aの下端に装着されたバネ受け板５２６bと、該バネ受け板５２６bと上記スクライバ支持部材５２３の上面との間に配設されたコイルバネ５２６cとからなっている。なお、図示の実施形態においては押圧力付勢手段としてコイルバネ５２６cおよび調整５２６aを用いた例を示したが、押圧力付勢手段としてエアーピストンを用い、エアー圧を調整することにより押圧力を制御してもよい。また、図示の実施形態におけるスクライブ装置５は、顕微鏡やＣＣＤカメラを備えた撮像手段５３を具備している。この撮像手段５３は、上記図２に示すレーザー加工装置３の撮像手段３３と実質的に同一の構成でよい。
【００３０】
上記図９に示すスクライブ装置５を用いて第１のスクライブ工程を実施するには、図１０に示すようにチャックテーブル５１上に上記変質層形成工程が実施された液晶デバイスウエーハ２の第２のガラス基板２２側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、液晶デバイスウエーハ２をチャックテーブル５１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１に保持された液晶デバイスウエーハ２は、第１のガラス基板２１が上側となる。
【００３１】
このようにしてチャックテーブル５１上に液晶デバイスウエーハ２を吸引保持したならば、撮像手段５３および図示しない制御手段によって液晶デバイスウエーハ２のスクライブ加工すべき加工領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段５３および図示しない制御手段は、液晶デバイスウエーハ２を構成するシール帯２４における所定方向に形成された第１のシール部２４１に形成された変質層２４０を撮像し、撮像した変質層２４０とローラスクライバ５２５との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、所定方向と直交する方向に延びる第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に対しても同様にアライメントを遂行する。このとき、変質層２４０は第１のシール部２４１の内部に形成されているが、撮像手段３３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、変質層２４０を撮像することができる。
【００３２】
以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持された液晶デバイスウエーハ２のスクライブ加工すべき加工領域を検出するアライメントが行われたならば、図１１の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１を移動し、第１のシール部２４１に形成された変質層２４０をローラスクライバ５２５の直下に位置付けるとともに、図１１の（ｂ）で示すように液晶デバイスウエーハ２の一端（図１１の（b）において左端）をローラスクライバ５２５の直下に位置付ける。そして、押圧力付勢手段５２６を作動してローラスクライバ５２５を第１のガラス基板２１の表面（上面）に所定の荷重で圧接する。次に、液晶デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１を図１１の（b）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図１１の（c）で示すように液晶デバイスウエーハ２の他端（図１１の（b）において右端）がローラスクライバ５２５を通過したら、チャックテーブル５１の移動を停止する。この結果、第１のガラス基板２１には、図１１の（c）および図１１の（d）に示すように第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って第１のスクライブライン２１１が形成される。
【００３３】
以上のようにして、液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１に所定方向に延在する第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って上述した第１のスクライブ工程を実行したならば、チャックテーブル５１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に延びる各第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って上述した第１のスクライブ工程を実行する。
【００３４】
以上のようにして、液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１に第１のスクライブ工程を実行したならば、第２のガラス基板２２にシール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿ってスクライブすることにより第１のスクライブラインを形成する第２のスクライブ工程を実施する。この第２のスクライブ工程を実施するには、図１２に示すように上記第１のスクライブ工程が実施されチャックテーブル５１に吸引保持されている液晶デバイスウエーハ２の吸引保持を解除し、液晶デバイスウエーハ２を反転して第１のガラス基板２１をチャックテーブル５１に吸引保持する。従って、チャックテーブル５１に吸引保持された液晶デバイスウエーハ２は、第２のガラス基板２２が上側となる。そして、上記第１のスクライブ工程と同様に第２のスクライブ工程を実施し、図１２の(a)および(b)に示すように第２のガラス基板２２の内部にシール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って第２のスクライブライン２２１を形成する。
【００３５】
上述した第１のスクライブ工程および第２のスクライブ工程を実施したならば、第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２とシール帯２４を第１のスクライブライン２１１および第２のスクライブライン２２１とシール帯２４に形成された変質層２４０に沿って破断する破断工程を実施する。この破断工程は、上記図８の（ａ）、（b）、（ｃ）に示した破断方法と同様な方法によって実施することができる。即ち、図１３の（ａ）に示すように第１のスクライブ工程および第２のスクライブ工程が実施された液晶デバイスウエーハ２を柔軟なゴムシート４上に載置する。そして、液晶デバイスウエーハ２の上面を押圧ローラー４０によって押圧しつつ転動することによって、図１３の（b）、（ｃ）に示すように液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２とシール帯２４は第１のスクライブライン２１１および第２のスクライブライン２２１と強度が低下せしめられた変質層２４０に沿って破断し、個々の液晶デバイス２０に分割される。このように、液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２は、シール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って設けられた第１のスクライブライン２１１および第２のスクライブライン２２１に沿って破断されるので、シール帯２４から外側に突出することなく形成することができる。従って、液晶デバイス２０の小型化を可能にするとともに、第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２の切れ代が実質的に不要となるのでガラス板を有効利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明による液晶デバイスの製造方法によって製造される液晶デバイスを複数形成した液晶デバイスウエーハの斜視図。
【図２】本発明による液晶デバイスの製造方法における変質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部を示す斜視図。
【図３】図２に示すレーザー加工装置のチャックテーブルに図１に示す液晶デバイスウエーハを保持した状態を示す斜視図。
【図４】本発明による液晶デバイスの製造方法における変質層形成工程を示す説明図。
【図５】図２に示すレーザー加工装置のチャックテーブルに図４に示す変質層形成工程が実施された液晶デバイスウエーハを保持した状態を示す斜視図。
【図６】本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第１の実施形態における第１の変質層形成工程を示す説明図。
【図７】本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第１の実施形態における第１の変質層形成工程および第２の変質層形成工程が実施された液晶デバイスウエーハを示す説明図。
【図８】本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第１の実施形態における破断工程を示す説明図。
【図９】本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第２の実施形態におけるスクライブ工程を実施するためのスクライブ装置の要部を示す斜視図。
【図１０】図９に示すスクライブ装置のチャックテーブルに図４に示す変質層形成工程が実施された液晶デバイスウエーハを保持した状態を示す斜視図。
【図１１】本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第２の実施形態における第１のスクライブ工程を示す説明図。
【図１２】本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第２の実施形態における第１のスクライブ工程および第２のスクライブ工程が実施された液晶デバイスウエーハを示す説明図。
【図１３】本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第２の実施形態における破断工程を示す説明図。
【符号の説明】
【００３７】
２：液晶デバイスウエーハ
２０：液晶デバイス
２１：第１のガラス基板
２２：第２のガラス基板
２３：液晶室
２４：シール帯
２４０：変質層
２４１：第１のシール部
２４２：第２のシール部
２５：配線パッド
３：レーザー加工装置
３１：レーザー加工装置のチャックテーブル
３２：レーザー光線照射手段
４：ゴムシート
４０：押圧ローラー
５：スクライブ装置
５１：スクライブ装置のチャックテーブル
５２：スクライブ機構
５２５：ローラスクライバ
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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