(57)【要約】【課題】  処理プレートの表面へのパーティクルの侵入を防止すること。【解決手段】  摺動支持部材２０は、上部ブロック２１と、シール部材２２と、下部ブロック２３とから構成されている。シール部材２２は、リフトピン１０における支持部１２の外周面と当接している。上部ブロック２１には、リフトピン１０の周囲を覆うチャンバーを形成するチャンバー部２４が付設されている。下部ブロック２３には、リフトピン１０における支持部１２と当接・摺動する摺動部２５が付設されている。摺動支持部材２０におけるチャンバー部２４を含む上部ブロック２１と熱処理プレート３０との間には、熱処理プレート３０の裏面側の領域と貫通孔１４とを連通するバイパス流路１５が形成される。このバイパス流路１５の熱処理プレート３０の裏面側の端部には、フィルター３２が付設されている。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置して処理する処理プレートと、
前記処理プレートに穿設された貫通孔を通過した状態で昇降することにより、その先端に保持した基板を昇降させるリフトピンと、
前記貫通孔より下方において、前記リフトピンを摺動自在に支持する摺動支持部材と、
前記リフトピンを昇降駆動する駆動手段と、
前記処理プレートの表面以外の領域と前記貫通孔とを連通するバイパス流路と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記摺動支持部材と前記連通孔との間に、前記リフトピンの周囲を覆うチャンバーを形成した基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記摺動支持部材における前記リフトピントの摺動部と前記チャンバーとの間に、前記リフトピンの外周に当接するシール部材を配設した基板処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記バイパス流路は、前記処理プレートの裏面側の領域と前記貫通孔とを連通する基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記バイパス流路は、前記チャンバーの外周部と前記処理プレートの間に形成される基板処理装置。
【請求項６】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記バイパス流路の処理プレートの裏面側の端部には、フィルターが付設される基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板等の基板の処理装置に関し、特に、リフトピンにより基板を処理プレートに対して昇降させる基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ホットプレートやクールプレート等の熱処理プレートを備えた熱処理装置においては、基板の熱処理プレートの上面に搬入し、あるいは、基板を熱処理プレートの上面から排出するときには、基板に穿設された貫通孔を通過して昇降するリフトピンが使用される。このリフトピンは、当該リフトピンを摺動可能に支持する摺動支持手段により案内された状態で、その軸芯方向に昇降する構成となっている。
【０００３】
また、特許文献１には、熱処理プレートに穿設された貫通孔を介してガスが拡散することを防止するため、リフトピンの外周部にシール部材を配設した基板処理装置が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−２０４４３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図６は、このような従来の基板処理装置の要部を示す断面図である。
【０００５】
この基板処理装置は、熱処理プレート３０と、この熱処理プレート３０に穿設された貫通孔１４を通過して昇降するリフトピン１０と、このリフトピン１０を摺動可能な状態で支持する樹脂製の摺動支持部５０と、リフトピン１０を昇降駆動する図示しない駆動手段とを備える。なお、リフトピン１０は、金属製の支持部１２と樹脂製の先端部１１から構成される。
【０００６】
このような基板処理装置においては、金属製のリフトピン１０の支持部１２が摺動支持部５０に対して摺動することにより、摺動支持部５０の内壁が削られてパーティクルが発生する。このパーティクルは、リフトピン１０の周面に付着し、リフトピン１０の昇降動作に伴って上昇して、熱処理プレート３０の表面に到達する場合がある。
【０００７】
また、基板１００は、熱処理中は熱処理プレート３０の表面に密着しているか、プロキシミティピンにより、プロキシミティギャップと称されるわずかな隙間を空けた状態で熱処理プレート３０上に載置されている。そして基板１００に対する処理が終了すれば、図示しない駆動手段によりリフトピン１０が基板１００とともに上昇する。このときには、基板１００の下面と熱処理プレート３０の上面との間に急速に空間が形成されることになり、この空間に負圧が生ずる。この負圧により、図６に示すように、摺動支持部５０にて発生したパーティクルが、基板１００と熱処理プレート３０との間の空間に噴出する。
【０００８】
このように、熱処理プレート３０の表面にパーティクルが存在した場合には、このパーティクルが次に処理を行う基板１００に付着することになり、基板１００の処理に悪影響を与えることになる。
【０００９】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、処理プレートの表面へのパーティクルの侵入を防止することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、基板を載置して処理する処理プレートと、前記処理プレートに穿設された貫通孔を通過した状態で昇降することにより、その先端に保持した基板を昇降させるリフトピンと、前記貫通孔より下方において、前記リフトピンを摺動自在に支持する摺動支持部材と、前記リフトピンを昇降駆動する駆動手段と、前記処理プレートの表面以外の領域と前記貫通孔とを連通するバイパス流路とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記摺動支持部材と前記連通孔との間に、前記リフトピンの周囲を覆うチャンバーを形成した。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記摺動支持部材における前記リフトピントの摺動部と前記チャンバーとの間に、前記リフトピンの外周に当接するシール部材を配設した。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記バイパス流路は、前記処理プレートの裏面側の領域と前記貫通孔とを連通する。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記バイパス流路は、前記チャンバーの外周部と前記処理プレートの間に形成される。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記バイパス流路の処理プレートの裏面側の端部には、フィルターが付設される。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１に記載の発明によれば、バイパス流路の作用により、処理プレートの表面へのパーティクルの侵入を防止することが可能となる。
【００１７】
請求項２に記載の発明によれば、チャンバー内にパーティクルを停滞させることにより、処理プレートの表面へのパーティクルの侵入をより有効に防止することが可能となる。
【００１８】
請求項３に記載の発明によれば、シール部材によりパーティクルの移動を防止して、処理プレートの表面へのパーティクルの侵入をより有効に防止することが可能となる。
【００１９】
請求項４および請求項５に記載の発明によれば、処理プレートの裏面側の領域から外気を取り入れることが可能となる。
【００２０】
請求項６に記載の発明によれば、処理プレートの裏面側から取り入れた外気を濾過することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概要図である。
【００２２】
この基板処理装置は、基板１００を載置して処理する処理プレートと、この処理プレートに穿設された貫通孔を通過した状態で昇降することによりその先端に保持した基板１００を昇降させる複数のリフトピン１０と、これらリフトピン１０を摺動自在に支持する複数の摺動支持部材２０と、複数のリフトピン１０の下端を連結する連結部材４１を介してこれらのリフトピン１０を昇降駆動する駆動機構４２とを備える。
【００２３】
この処理プレートは、例えば、基板１００を熱処理する熱処理プレートである。この熱処理プレート３０は、複数のプロキシミティピン３１を備える。基板１００は、これらのプロキシミティピン３１により、熱処理プレート３０の表面に対しプロキシミティギャップと称される０．３ｍｍ程度のわずかな隙間を空けた状態で、熱処理プレート３０上に載置されている。
【００２４】
図２および図３は、上述した基板処理装置におけるリフトピン１０および摺動支持部材２０付近を拡大して示す断面図である。
【００２５】
上述したリフトピン１０は、金属製の支持部１２と樹脂製の先端部１１から構成されている。このリフトピン１０は、熱処理プレート３０に穿設された貫通孔１４中に配置されており、上述した駆動機構４２の駆動により貫通孔１４内を昇降する。
【００２６】
また、上述した摺動支持部材２０は、上部ブロック２１と、シール部材２２と、下部ブロック２３とから構成されている。シール部材２２は、リフトピン１０における支持部１２の外周面と当接している。また、上部ブロック２１には、リフトピン１０の周囲を覆うチャンバーを形成して、このチャンバー内に空気だまりを生じさせる空間２６を設けるためのチャンバー部２４が付設されている。また、下部ブロック２３には、リフトピン１０における支持部１２と当接・摺動する摺動部２５が付設されている。
【００２７】
熱処理プレート３０における摺動支持部材２０の外側の領域には、凹部が形成されており、摺動支持部材２０はこの凹部内に配設されている。そして、この凹部は、熱処理プレート３０と摺動支持部材２０との間に隙間が形成されるような形状を有する。このため、摺動支持部材２０におけるチャンバー部２４を含む上部ブロック２１と熱処理プレート３０との間には、熱処理プレート３０の裏面側の領域と貫通孔１４とを連通するバイパス流路１５が形成される。このバイパス流路１５の熱処理プレート３０の裏面側の端部には、フィルター３２が付設されている。
【００２８】
このような構成を有する基板処理装置においては、リフトピン１０における金属製の支持部１２が摺動支持部材２０における下部ブロック２３の摺動部２５に対して摺動することにより、摺動部２５の内壁が削られてパーティクルが発生する。このパーティクルは、シール部材２２の作用により、熱処理プレート３０の表面側への移動が規制される。しかしながら、従来のように、基板１００の下面と熱処理プレート３０の上面との間の空間に負圧が生じた場合には、リフトピン１０の周面に付着した一部のパーティクルが、基板１００と熱処理プレート３０との間の空間に噴出する可能性がある。また、リフトピン１０がシール部材２２と摺動することにより、シール部材２２からもわずかなパーティクルが発生する場合もある。
【００２９】
これに対して、この発明に係る基板処理装置においては、熱処理プレート３０の裏面側の領域と貫通孔１４とを連通するバイパス流路１５の作用により、摺動支持部材２０にて発生してリフトピン１０の周面に付着したパーティクルが、基板１００と熱処理プレート３０との間の空間に噴出することを有効に防止している。
【００３０】
すなわち、複数のリフトピン１０が図１に示す駆動機構４２の作用により、基板１００とともに、図２に示す状態から図３に示す状態まで上昇した場合には、基板１００の下面と熱処理プレート３０の上面との間に急速に空間が形成されることになり、この空間に負圧が生ずる。
【００３１】
しかしながら、この基板処理装置においては、摺動支持部材２０と熱処理プレート３０との間に、熱処理プレート３０の裏面側の領域と貫通孔１４とを連通するバイパス流路１５が形成されていることから、図３に示すように、基板１００の下面と熱処理プレート３０の上面との間の空間に、このバイパス流路１５を介して熱処理プレート３０の裏面側の領域から外気が取り入れられる。このため、この空間の負圧は瞬時に解消される。なお、熱処理プレート３０の裏面側の領域から取り入れられる外気は、フィルター３２を通過するため、この外気にパーティクルが混入することはない。
【００３２】
なお、このようなバイパス流路１５を設けた場合には、シール部材２２を省略した場合においても、パーティクルが基板１００と熱処理プレート３０との間の空間に噴出することを有効に防止することが可能となる。
【００３３】
さらに、この基板処理装置においては、摺動支持部材２０の上部ブロック２１に付設されたチャンバー部２４の作用により、リフトピン１０の周囲を覆うチャンバーが形成され、このチャンバー内に空気だまりを生じさせる空間２６が設けられている。このため、このチャンバーの作用により、仮に、リフトピン１０の支持部１２と摺動支持部材２０の摺動部２５との間の領域がわずかに負圧となったとしても、この空間２６の作用により負圧による空気の流速を低下させる。このため、仮に、ごくわずかなパーティクルがシール部材２２を通過して上昇したとしても、このパーティクルが基板１００と熱処理プレート３０との間の空間に噴出することを確実に防止することが可能となる。
【００３４】
なお、上記バイパス流路１５は、外気を取り入れるときの流路抵抗が十分小さいことが好ましい。特に、この実施形態においては、チャンバー部２４の上端と貫通孔１４の下端部との距離を十分大きくとることにより、バイパス流路１５から十分な外気が取り入れられ、チャンバー部２４により形成される空間２６から空気が流出することを有効に防止している。
【００３５】
次に、この発明の他の実施形態について説明する。図４は、この発明の第２実施形態に係る基板処理装置におけるリフトピン１０および摺動支持部材２０付近を拡大して示す断面図である。なお、上述した第１実施形態と同一の部材については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００３６】
この実施形態に係る基板処理装置においては、貫通孔１４の中央付近に環状の凹部２７を形成した点が上述した第１実施形態と異なる。このような凹部２７を形成した場合には、ごくわずかなパーティクルが貫通孔１４内を上昇しようとしても、このパーティクルは凹部２７内に捕獲され、このパーティクルが基板１００と熱処理プレート３０との間の空間に噴出することをさらに確実に防止することが可能となる。
【００３７】
次に、この発明のさらに他の実施形態について説明する。図５は、この発明の第３実施形態に係る基板処理装置におけるリフトピン１０および貫通孔１４付近の拡大図である。なお、上述した第１、第２実施形態と同一の部材については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００３８】
この実施形態においては、上述した第１、第２実施形態におけるチャンバー部２４の内側に複数の凸部を形成することにより、チャンバー内を複数の小室が形成されたをラビリンス構造とするとともに、最上部の小室とバイパス流路１５とを連通する連通孔１６を形成した構造を有する。
【００３９】
このような構成を採用した場合には、ごくわずかなパーティクルがシール部材２２を通過して上昇したとしても、このパーティクルは複数の小室に順次捕獲される。また、仮に、一部のパーティクルが最上部の小室まで到達したとしても、このパーティクルはバイパス流路１５を通過する外気の流れによってベンチュリー効果でバイパス流路１５に吸引される。このため、パーティクルが基板１００と熱処理プレート３０との間の空間に噴出することをさらに確実に防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概要図である。
【図２】基板処理装置におけるリフトピン１０および摺動支持部材２０付近を拡大して示す断面図である。
【図３】基板処理装置におけるリフトピン１０および摺動支持部材２０付近を拡大して示す断面図である。
【図４】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置におけるリフトピン１０および摺動支持部材２０付近を拡大して示す断面図である。
【図５】この発明の第３実施形態に係る基板処理装置におけるリフトピン１０および貫通孔１４付近の拡大図である。
【図６】従来の基板処理装置の要部を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０      リフトピン
１１      先端部
１２      支持部
１４      貫通孔
１５      バイパス流路
１６      連通孔
２０      摺動支持部材
２１      上部ブロック
２２      シール部材
２３      下部ブロック
２４      チャンバー部
２５      摺動部
２６      空間
２７      凹部
３０      熱処理プレート
３１      プロキシミティピン
４１      連結部材
４２      駆動機構
１００    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2010114175.tif 000006
【図５】
2010114175.tif 000007
【図６】
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