(57)【要約】【課題】ダイシングストリートにＧａＡｓが露出している場合、結果ダイシング時に素子のチッピング、電極や磁性体の剥離、溶解したＧａＡｓによる電極接合部の汚染が発生し、さらにＧａＡｓ基板裏面もエッチングされるためＧａＡｓの溶解による電極接合部の汚染の課題がある。【解決手段】本発明は、ホール素子が設けられたＧａＡｓ基板と、ＧａＡｓ基板上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備える磁気デバイスにおいて、上記ホール素子上に絶縁層と、上記絶縁層上にＴｉ系金属層と、上記Ｔｉ系金属層の上にＣｕ系金属層とを有し、ダイシングストリート上を少なくとも無機絶縁材料乃至有機絶縁材料もしくはその両方でカバーさせＧａＡｓを露出させず、またさらにＧａＡｓ基板裏面にも有機絶縁膜でカバーすることにより本課題を解決した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホール素子が設けられたＧａＡｓ基板と、
該ＧａＡｓ基板上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備える磁気デバイスにおいて、
前記ホール素子上に絶縁層と、
該絶縁層上にＴｉ系金属層と、
該Ｔｉ系金属層の上にＣｕ系金属層とを有し、
前記ＧａＡｓ基板のダイシングストリートに無機材料を備えることを特徴とする磁気デバイス。
【請求項２】
ホール素子が設けられたＧａＡｓ基板と、
該ＧａＡｓ基板上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備える磁気デバイスにおいて、
前記ホール素子上に絶縁層と、
該絶縁層上にＴｉ系金属層と、
該Ｔｉ系金属層の上にＣｕ系金属層を有し、
前記ＧａＡｓ基板のダイシングストリートに有機材料を備えることを特徴とする磁気デバイス。
【請求項３】
ホール素子が設けられたＧａＡｓ基板と、
該ＧａＡｓ基板上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備える磁気デバイスにおいて、
前記ホール素子上に絶縁層と、
該絶縁層上にＴｉ系金属層と、
該Ｔｉ系金属層の上にＣｕ系金属層を有し、
前記ＧａＡｓ基板のダイシングストリートに無機材料、更にその上に有機材料を備えることを特徴とする磁気デバイス。
【請求項４】
請求項１または３に記載の磁気デバイスにおいて、前記無機材料が、ＳｉＮまたはＳｉＯ２であることを特徴とする磁気デバイス。
【請求項５】
請求項２または３に記載の磁気デバイスにおいて、前記有機材料が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする磁気デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、半導体装置中の磁気センサデバイスであって、半導体基板上に磁気増幅用として磁気センシングする領域上に磁性材料を形成した高感度磁気センサデバイスに関し、特に、半導体基板がＧａＡｓ基板である磁気センサデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、常に小型、実装面積の縮小化が求められている。また、磁気センサデバイスも、小型・実装面積縮小化の要求も同様であるが、センサとして高感度化の要求も宿命となっている。磁気センサの高感度化の要求には、半導体基板上に受感部を生成し、その上に磁性材料を設けて磁気増幅する構造が知られている（特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２７８７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来技術としての特許文献１では、磁性体を形成する前にこの磁性体の直下に磁性体を電解めっきにより形成するための通電金属層であるＴｉ系金属層と、Ｃｕ系金属層を形成している。そして、磁性体形成後は、磁性体をマスクにＴｉ系金属層およびＣｕ系金属層をエッチングしている。その際、ＴｉエッチングではＨ2Ｏ2系のエッチャントを使用するのが一般的である。
【０００５】
また、半導体基板材料として、Ｓｉ基板よりＧａＡｓ基板の方がキャリア移動度は高く高感度磁気デバイスに適している。
【０００６】
ところが、ＧａＡｓ基板の場合、Ｈ2Ｏ2系のエッチャントでは、ＧａＡｓが溶解してしまう。ダイシングストリートにＧａＡｓが露出している場合、前述のようにＨ2Ｏ2系でのエッチャントでウェットエッチングするとダイシングストリートも同時にエッチングされ、その結果ダイシング時に素子のチッピング、電極や磁性体の剥離、溶解したＧａＡｓによる電極接合部の汚染が発生する。さらにＧａＡｓ基板裏面もエッチングされるためＧａＡｓの溶解による電極接合部の汚染の課題がある。
【０００７】
この様子を図５、図６を使用して説明する。図５は、従来の半導体装置の半導体装置５００の概略断面図であり、従来の半導体装置のダイシング後の半導体装置６００の概略断面図である。半導体装置５００は、ＧａＡｓ基板５０１と、磁気センシングするための受感部５０２と、ダイシングストリート５０３と、無機絶縁膜５０４と、有機絶縁膜５０５と、電極部５０６と、Ｔｉ系金属層５０７と、Ｃｕ系金属層５０８と、磁性体材料５０９とを備える。Ｔｉ系金属層５０７のエッチング時にダイシングストリート５０３がＨ2Ｏ2系エッチャントにより溶解し、図６に示した半導体装置６００のようにサイドエッチングが発生する。その後、ダイシング時にチッピングや電極剥離等が発生しやすくなる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために、本発明はダイシングストリート上を少なくとも無機絶縁材料乃至有機絶縁材料もしくはその両方でカバーさせＧａＡｓを露出させず、またさらにＧａＡｓ基板裏面にも有機絶縁膜でカバーすることで本課題を解決した。
【０００９】
すなわち、請求項１に記載の発明は、ホール素子が設けられたＧａＡｓ基板と、該ＧａＡｓ基板上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備える磁気デバイスにおいて、前記ホール素子上に絶縁層と、該絶縁層上にＴｉ系金属層と、該Ｔｉ系金属層の上にＣｕ系金属層を有し、前記ＧａＡｓ基板のダイシングストリートに無機材料を備えることを特徴とする磁気デバイスである。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、ホール素子が設けられたＧａＡｓ基板と、該ＧａＡｓ基板上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備える磁気デバイスにおいて、前記ホール素子上に絶縁層と、該絶縁層上にＴｉ系金属層と、該Ｔｉ系金属層の上にＣｕ系金属層を有し、前記ＧａＡｓ基板のダイシングストリートに有機材料を備えることを特徴とする磁気デバイスである。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明は、ホール素子が設けられたＧａＡｓ基板と、該ＧａＡｓ基板上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備える磁気デバイスにおいて、前記ホール素子上に絶縁層と、該絶縁層上にＴｉ系金属層と、該Ｔｉ系金属層の上にＣｕ系金属層を有し、前記ＧａＡｓ基板のダイシングストリートに無機材料、更にその上に有機材料を備えることを特徴とする磁気デバイスである。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１または３に記載の磁気デバイスにおいて、前記無機材料が、ＳｉＮまたはＳｉＯ2であることを特徴とする磁気デバイスである。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明は、請求項２または３記載の磁気デバイスにおいて、前記有機材料が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする磁気デバイスである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体装置によれば、ダイシングストリート上を少なくとも無機絶縁材料乃至有機絶縁材料もしくはその両方でカバーさせることによりＧａＡｓを露出させず、またさらにＧａＡｓ基板裏面にも有機絶縁膜でカバーすることにより、ダイシングストリートがＨ2Ｏ2系エッチャントにより溶解し、サイドエッチングが発生することを防止し、それにより、素子のチッピング、電極や磁性体の剥離、溶解したＧａＡｓによる電極接合部の汚染を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本願発明の第１の実施の形態である半導体装置１００の概略断面図であり、ダイシングストリート１０３に無機絶縁膜１０４をカバーした構造を示す図である。
【図２】本願発明の第２の実施の形態である半導体装置２００の概略断面図であり、ダイシングストリート２０３に有機絶縁膜２０５をカバーした構造を示す図である。
【図３】本願発明の第３の実施の形態である半導体装置３００の概略断面図であり、ダイシングストリート３０３に無機絶縁膜３０４でカバーし、さらに有機絶縁膜３０５をカバーした構造を示す図である。
【図４Ａ】本願発明の製造プロセスを説明する工程図であり、図４ａは、ＧａＡｓ基板上４０１に磁気をセンシングする受感部形成後の半導体装置の概略断面図であり、図４ｂは、無機絶縁膜４０４形成後の半導体装置の概略断面図であり、図４ｃは、電極４０６形成のためのレジストパターン４０６ａ形成後の半導体装置の概略断面図であり、図４ｄは、無機絶縁膜４０４除去後の半導体装置の概略断面図であり、図４ｅは、電極４０６形成後の半導体装置の概略断面図であり、図４ｆは、有機絶縁膜４０５塗布後の半導体装置の概略断面図である。
【図４Ｂ】本願発明の製造プロセスを説明する工程図であり、図４ｇは、有機絶縁膜４０５パターン形成後の半導体装置の概略断面図であり、図４ｈは、Ｔｉ系金属層４０７形成後の半導体装置の概略断面図であり、図４ｉは、Ｃｕ系金属層４０８形成後の半導体装置の概略断面図であり、図４ｊは、レジストパターン４０９ａを形成し、さらにパターン部に磁性体４０９を形成した後の半導体装置の概略断面図であり、図４ｋは、レジストパターン４０９ａ除去後の半導体装置の概略断面図である。
【図４Ｃ】本願発明の製造プロセスを説明する工程図であり、図４ｌは、Ｃｕ系金属層４０８除去後の半導体装置の概略断面図であり、図４ｍは、Ｔｉ系金属層４０７除去後の半導体装置の概略断面図であり、図４ｎは、Ｃｕ系金属層４０８形成後、ＧａＡｓ基板４０１裏面に有機絶縁膜４１０を形成した後の半導体装置の概略断面図であり、図４ｏは、レジストパターン４０９ａ除去後ＧａＡｓ基板４０１裏面に有機絶縁膜４１０を形成した後の半導体装置の概略断面図であり、図４ｐは、Ｃｕ系金属層４０８除去後、ＧａＡｓ基板４０１裏面に有機絶縁膜４１０を形成した後の半導体装置の概略断面図である。
【図５】従来の半導体装置の半導体装置５００の概略断面図である。
【図６】従来の半導体装置のダイシング後の半導体装置６００の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。  
図１は、本発明の第１の実施形態である半導体装置１００の概略断面図である。半導体装置１００は、ＧａＡｓ基板１０１と、磁気センシングするための受感部１０２と、ダイシングストリート１０３と、無機絶縁膜１０４と、有機絶縁膜１０５と、電極部１０６と、Ｔｉ系金属層１０７と、Ｃｕ系金属層１０８と、磁性体材料１０９とを備える。第１の実施形態では、ダイシングストリート１０３上を無機絶縁膜１０４でカバーしている。
【００１７】
図２は、本発明の第２の実施形態である半導体装置２００の概略断面図である。半導体装置２００は、ＧａＡｓ基板２０１と、磁気センシングするための受感部２０２と、ダイシングストリート２０３と、無機絶縁膜２０４と、有機絶縁膜２０５と、電極部２０６と、Ｔｉ系金属層２０７と、Ｃｕ系金属層２０８と、磁性体材料２０９とを備える。第２の実施形態では、ダイシングストリート２０３上に有機絶縁膜２０５でカバーしている。
【００１８】
図３は、本発明の第３の実施形態である半導体装置３００の概略断面図である。半導体装置３００は、ＧａＡｓ基板３０１と、磁気センシングするための受感部３０２と、ダイシングストリート３０３と、無機絶縁膜３０４と、有機絶縁膜３０５と、電極部３０６と、Ｔｉ系金属層３０７と、Ｃｕ系金属層３０８と、磁性体材料３０９とを備える。第３の実施形態では、ダイシングストリート３０３上に無機絶縁膜３０４および有機絶縁膜３０５でカバーしている。
【００１９】
図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃは、本発明の製造プロセスを説明する工程図である。
図４ａに示すように、ＧａＡｓ基板４０１上に磁気センシングする受感部領域４０２を形成した後、図４ｂに示すように、基板全面に無機絶縁膜４０４をプラズマＣＶＤ等で形成する。無機絶縁膜４０４は、受感部とＧａＡｓ基板の絶縁性、及び第１及び第３の実施の形態ではダイシングストリート４０３のカバーの役割があるため、厚みは１００〜１０００ｎｍが適当である。それ以上薄いと絶縁性が保てず、また厚すぎるとダイシング時に切断性が低下する可能性がある。また、無機絶縁膜４０４の材質はＳｉＮやＳｉＯ2などが望ましい。
【００２０】
次に、図４ｃに示すように、不要な無機絶縁膜４０４が空隙になるようレジストパターン４０６ａを形成する。その際に第１及び第３の実施の形態ではダイシングストリート４０３もマスクしておく。その後、図４ｄに示すようにレジストパターン４０６ａをマスクに無機絶縁膜４０４をドライエッチング等で除去する。第１及び第３の実施の形態ではダイシングストリート４０３もマスクしているため、無機絶縁膜４０４は、ＧａＡｓ上に残る。次に電極部４０６を形成する為に、レジストパターン４０６ａを除去した後、再度レジストパターン４０６ａを形成し、Ａｕ又はＡｕ系材料をスパッタリング法又は真空蒸着法で形成した後、レジスト剥離によるリフトオフで不要な金属層を除去し、図４ｅに示すような電極部４０６を形成する。
【００２１】
その後、図４ｆに示すように、ＧａＡｓ基板４０１全面に有機絶縁膜４０５を塗布し、図４ｇに示すように、電極部４０６上および第１の実施形態では、ダイシングストリート４０３上の有機絶縁膜４０５を現像して除去する。第２及び第３の実施の形態ではダイシングストリート４０３上に有機絶縁膜４０５が残る。
【００２２】
図４ｇは、第３の実施の形態の断面図を示している。次に図４ｈに示すように、ＧａＡｓ基板４０１の全体にＴｉ又はＴｉＷなどのＴｉ系材料からなるＴｉ系金属層４０７をスパッタリング法又は真空蒸着法により形成する。このＴｉ系金属層４０７の厚みは、０．１〜１μｍが望ましい。
【００２３】
次に、図４ｉに示すように、Ｃｕ系材料からなるＣｕ系金属層４０８をスパッタリング法又は真空蒸着法もしくはめっき法により形成する。このＣｕ系金属層４０８の厚みは、０．１〜１０μｍが望ましい。
【００２４】
次に、図４ｊに示すように、受感部４０２上が空隙となるようなレジストパターン４０９ａをＣｕ系金属層４０８上に形成し、空隙部に磁気増幅機能を有する磁性体４０９を電解めっきにより形成する。この磁性体４０９の膜厚は、１〜３０μｍが望ましい。また、磁性体４０９は、Ｆｅ−ＮｉやＦｅ−Ｃｏ系等の２元系材料やＦｅ−Ｎｉ−ＢやＦｅ−Ｎｉ−ＰやＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系等の３元系合金材料で軟磁性材料が望ましい。図４ｋに示すように、レジストパターン４０９ａを除去する。その結果、磁性体４０９が、Ｃｕ系金属層４０８上に残ることになる。
【００２５】
次に、図４ｌに示すようにＣｕ系金属層４０８をウェットエッチングにより除去する。その際、磁性体４０９及びＴｉ系金属層４０７がエッチングされないことが重要である。
【００２６】
次に、図４ｍに示すように、Ｔｉ系金属層４０７をＨ2Ｏ2系のエッチャントを使用したウェットエッチングにより除去する。ここで、第１から第３の実施の形態ではダイシングストリート４０３上に無機絶縁膜４０４または有機絶縁膜４０５が形成されており、さらにＧａＡｓ基板４０１裏面には有機絶縁膜が形成されているためエッチャントによるＧａＡｓ基板４０１の溶解は最小限に抑制できる。その後、ＧａＡｓ基板４０１裏面を機械研磨することでＧａＡｓ基板４０１の厚みを薄くする。ここでＧａＡｓ基板４０１裏面部にレジストを形成している場合は研磨により除去でき、また、テープの場合は研磨前に剥離すれば良いため、その後のダイシング工程に影響を及ぼすことは無い。
【００２７】
さらに裏面を保護することによりＧａＡｓ基板の溶解を防ぐことが可能である。具体的には図４ｎに示すように、Ｃｕ系金属層４０８形成直後、ＧａＡｓ基板４０１裏面に有機絶縁膜４１０を形成することによりＧａＡｓ基板４０１裏面部をカバーする。該有機絶縁膜４１０には、ネガ系のレジストが望ましい。さらに、この工程で裏面を保護しない場合、図４ｏに示すレジストパターン４０９ａ除去直後もしくは、図４ｐに示すＣｕ系金属層４０８除去直後に有機絶縁膜４１０を形成し、ＧａＡｓ基板４０１裏面をカバーする。該有機絶縁膜には、ポジ系もしくはネガ系のレジストやまたは耐酸かつ耐アルカリ性のあるテープ等が望ましい。
【００２８】
［実施例１］
本発明の実施例１を図１及び図４を参考にして説明する。  
ＧａＡｓ基板１０１上に磁気センシングする受感部領域１０２を形成した後、全面にＳｉＮを材料とする無機絶縁膜１０４をプラズマＣＶＤにより２７０ｎｍ形成した。次に不要な無機絶縁膜１０４が空隙になるようレジストパターン１０６ａを形成する。その際にダイシングストリート１０３もレジストでマスクした。その後レジストパターン１０６ａをマスクに無機絶縁膜１０４をドライエッチングで除去した。
【００２９】
次に、電極部１０６を形成する為に、レジストパターン１０６ａを除去した後、再度レジストパターン１０６ａを形成し、ＡｕとＴｉを材料とする金属層を蒸着法によりＧａＡｓ基板１０１全面に形成し、レジスト剥離によるリフトオフで不要な金属層を除去し、電極部１０６を形成した。
【００３０】
その後、ＧａＡｓ基板１０１全面にポリイミドを材料とする有機絶縁膜１０５を塗布し、電極部１０６上およびダイシングストリート１０３上の有機絶縁膜１０５を現像液で除去した。次にＧａＡｓ基板１０１の全体にＴｉを材料とするＴｉ系金属層１０７を１５００Å、Ｃｕを材料とするＣｕ系金属層１０８を６０００Åをどちらもスパッタリング法で形成した。
【００３１】
次に、受感部１０２上が空隙となるようなレジストパターン１０９ａをＣｕ系金属層１０８上に形成し、空隙部にＮｉ−Ｆｅ−Ｂからなる磁性体１０９を１３μｍ電解めっきにより形成した。次に、レジストパターン１０９ａを剥離液で除去し、Ｃｕ系金属層１０８をウェットエッチングにより除去した。その後ＧａＡｓ基板１０１裏面に耐薬品性の保護テープを貼り付けた後、Ｔｉ金属層１０７をＨ2Ｏ2系のエッチャントを使用したウェットエッチングにより除去した。
【００３２】
［実施例２］
次に、本発明の実施例２を図２及び図４を参考にして説明する。  
ＧａＡｓ基板２０１上に磁気センシングする受感部領域２０２を形成した後、全面にＳｉＮを材料とする無機絶縁膜２０４をプラズマＣＶＤにより２７０ｎｍ形成した。次に不要な無機絶縁膜２０４が空隙になるようレジストパターン２０６ａを形成する。その際にダイシングストリート２０３はマスクせずに露出した。
【００３３】
その後、レジストパターン２０６ａをマスクに無機絶縁膜２０４をドライエッチングで除去した。次に電極部２０６を形成する為に、レジストパターン２０６ａを除去した後、再度レジストパターン２０６ａを形成し、ＡｕとＴｉを材料とする金属層を蒸着法によりＧａＡｓ基板２０１全面に形成し、レジスト剥離によるリフトオフで不要な金属層を除去し、電極部２０６を形成した。その後ＧａＡｓ基板２０１全面にポリイミドを材料とする有機絶縁膜２０５を塗布し、電極部２０６上のみ有機絶縁膜２０５を現像液で除去し、ダイシングストリート２０３上には有機絶縁膜２０５を残した。次に、ＧａＡｓ基板２０１の全体にＴｉを材料とするＴｉ系金属層２０７を１５００Å、Ｃｕを材料とするＣｕ系金属層２０８を６０００Åをどちらもスパッタリング法で形成した。
【００３４】
次に、受感部２０２上が空隙となるようなレジストパターン２０９ａをＣｕ系金属層２０８上に形成し、空隙部にＮｉ−Ｆｅ−Ｂからなる磁性体２０９を１３μｍ電解めっきにより形成した。次に、レジストパターン２０９ａを剥離液で除去し、Ｃｕ系金属層２０８をウェットエッチングにより除去した。その後、ＧａＡｓ基板２０１裏面に耐薬品性の保護テープを貼り付けた後、Ｔｉ金属層２０７をＨ2Ｏ2系のエッチャントを使用したウェットエッチングにより除去した。
【００３５】
［実施例３］
次に、本発明の実施例３を図３及び図４を参考にして説明する。  
ＧａＡｓ基板３０１上に磁気センシングする受感部領域３０２を形成した後、全面にＳｉＮを材料とする無機絶縁膜３０４をプラズマＣＶＤにより２７０ｎｍ形成した。次に不要な無機絶縁膜３０４が空隙になるようレジストパターン３０６ａを形成する。その際にダイシングストリート３０３もレジストでマスクした。その後、レジストパターン３０６ａをマスクに無機絶縁膜３０４をドライエッチングで除去した。次に電極部３０６を形成する為に、レジストパターン３０６ａを除去した後、再度レジストパターン３０６ａを形成し、ＡｕとＴｉを材料とする金属層を蒸着法によりＧａＡｓ基板３０１全面に形成し、レジスト剥離によるリフトオフで不要な金属層を除去し、電極部３０６を形成した。
【００３６】
その後、ＧａＡｓ基板３０１全面にポリイミドを材料とする有機絶縁膜３０５を塗布し、電極部３０６上のみ有機絶縁膜３０５を現像液で除去し、ダイシングストリート３０３上には有機絶縁膜３０５を残した。次にＧａＡｓ基板３０１の全体にＴｉを材料とするＴｉ系金属層３０７を１５００Åで、Ｃｕを材料とするＣｕ系金属層３０８を６０００Åで、どちらもスパッタリング法により形成した。次に、受感部３０２上が空隙となるようなレジストパターン３０９ａをＣｕ系金属層３０８上に形成し、空隙部にＮｉ−Ｆｅ−Ｂからなる磁性体３０９を１３μｍ電解めっきにより形成した。
【００３７】
次に、レジストパターン３０９ａを剥離液で除去し、Ｃｕ系金属層３０８をウェットエッチングにより除去した。その後ＧａＡｓ基板３０１裏面に耐薬品性の保護テープを貼り付けた後、Ｔｉ金属層３０７をＨ2Ｏ2系のエッチャントを使用したウェットエッチングにより除去した。
【００３８】
第１、第２、第３の実施例の半導体装置をダンシングした結果を表１に示す。表１は、ＧａＡｓ基板のダイシングストリートを保護していない場合と実施例１乃至３における各絶縁膜で保護した場合のＧａＡｓ基板のサイドエッチング量および電極剥離率の比較である。保護膜無しではエッチングによるＧａＡｓ基板のサイドエッチング量が１５μｍであり、電極部の剥離率が１００％であったのに対し、実施例１〜３では共にサイドエッチング量は、０μｍで電極剥離も発生しなかった。
【００３９】
【表１】
2010225905.tif 000003
【符号の説明】
【００４０】
１０１、２０１、３０１、４０１  ＧａＡｓ基板
１０２、２０２、３０２、４０２  受感部
１０３、２０３、３０３、４０３  ダイシングストリート
１０４、２０４、３０４、４０４  無機絶縁膜
１０５、２０５、３０５、４０５  有機絶縁膜
１０６、２０６、３０６、４０６  電極部
１０６ａ、２０６ａ、３０６ａ、４０６ａ  レジストパターン
１０７、２０７、３０７、４０７  Ｔｉ系金属層
１０８、２０８、３０８、４０８  Ｃｕ系金属層
１０９、２０９、３０９、４０９  磁性体材料
１０９ａ、２０９ａ、３０９ａ、４０９ａ  レジストパターン
１１０、２１０、３１０、４１０  有機絶縁膜
【図１】
2010225905.tif 000004
【図２】
2010225905.tif 000005
【図３】
2010225905.tif 000006
【図４Ａ】
2010225905.tif 000007
【図４Ｂ】
2010225905.tif 000008
【図４Ｃ】
2010225905.tif 000009
【図５】
2010225905.tif 000010
【図６】
2010225905.tif 000011