(57)【要約】【課題】ＣＶＤ法により防湿膜を蒸着する際、蛍光体層13に塵埃等が付着しにくいシンチレータパネル11の製造方法を提供する。【解決手段】シンチレータパネル11の蛍光体層13を下向きとして、基板12の周辺部を支持台21の複数の支持針24により支持する。この支持状態で、ＣＶＤ法により基板12および蛍光体層13の表面全体を覆う防湿膜を蒸着する。防湿膜の蒸着後に、支持台21の支持針24上からシンチレータパネル11を外す。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を可視光に変換する蛍光体層が一面に形成された基板を、その蛍光体層が上向き以外となる向きに支持し、
ＣＶＤ法により蛍光体層を覆う防湿膜を蒸着する
ことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
【請求項２】
前記蛍光体層が上向き以外となる向きは、蛍光体層が下向きとなる向きである
ことを特徴とする請求項１記載のシンチレータパネルの製造方法。
【請求項３】
前記基板の前記蛍光体層が形成された面を支持する
ことを特徴とする請求項１または２記載のシンチレータパネルの製造方法。
【請求項４】
前記基板の前記蛍光体層が形成された面に隣り合う側面を支持する
ことを特徴とする請求項３記載のシンチレータパネルの製造方法。
【請求項５】
前記基板の少なくとも３点以上を支持する
ことを特徴とする請求項３または４記載のシンチレータパネルの製造方法。
【請求項６】
前記基板の前記蛍光体層が形成された面と対向する面にカバーを配置した状態で、ＣＶＤ法により防湿膜を蒸着し、この防湿膜の蒸着後に前記基板から前記カバーを外す
ことを特徴とする請求項１ないし５いずれか記載のシンチレータパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線を可視光に変換するシンチレータパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、医療、工業用のＸ線撮影では、Ｘ線感光フィルムが用いられてきたが、昨今、利便性や撮影結果の保存性の面から、コンピューテッド・ラジオロジー（以下ＣＲ）や平面検出器（以下ＦＰＤ）のようなデジタル化が普及してきている。このような放射線画像検出器では、まずシンチレータパネルの蛍光体層を用いて、入射Ｘ線を可視光に変換する方式が主流である。
【０００３】
この蛍光体層の代表的な材料であるＣｓＩは吸湿性材料であり、空気中の水蒸気（湿気）を吸収して潮解し、蛍光体層の特性、特に解像度が劣化しやすいことから、シンチレータパネルにおいては、蛍光体層の表面に水分不透過性の防湿膜を形成することにより、蛍光体層を湿気から保護している。
【０００４】
蛍光体層を湿気から保護するための防湿膜としてポリパラキシリレン膜等の防湿膜が用いられており、この防湿膜はＣＶＤ法（気相成長法）により蒸着されている。
【０００５】
ＣＶＤ法により防湿膜を蒸着する場合には、シンチレータパネルの蛍光体層が上向きの状態でシンチレータパネルの底面を支持し、蒸着装置の蒸着室に導入するやり方が一般的である（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】国際公開第９９／６６３５１号パンフレット（第３−４頁、図２−４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＣＶＤ法により防湿膜を蒸着する場合、蛍光体層が上向きの状態で防湿膜を蒸着すると、蒸着装置内の塵埃等が蛍光体層に付着しやすいという問題がある。
【０００７】
この蒸着装置内の塵埃等をすべて取り除くことは非常に困難なので、蛍光体層にゴミが付着しにくい方法で、防湿膜の蒸着を行う必要がある。
【０００８】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、ＣＶＤ法により防湿膜を蒸着する際、蛍光体層に塵埃等が付着しにくいシンチレータパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のシンチレータパネルの製造方法は、放射線を可視光に変換する蛍光体層が一面に形成された基板を、その蛍光体層が上向き以外となる向きに支持し、ＣＶＤ法により蛍光体層を覆う防湿膜を蒸着するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のシンチレータパネルの製造方法によれば、蛍光体層を上向き以外となる向きに支持してＣＶＤ法により防湿膜を蒸着するため、蛍光体層を上向きに支持してＣＶＤ法により防湿膜を蒸着した場合に比べて、蛍光体層への塵埃等の付着を低減でき、高品質のシンチレータパネルを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
【００１２】
図１ないし図８に第１の実施の形態を示す。
【００１３】
図４は防湿膜を形成する前のシンチレータパネル11の側面図を示す。
【００１４】
このシンチレータパネル11は、円板状または矩形平板状の基板12を有し、この基板12の一面にＴｌをドープしたＣｓＩを５００μｍ真空蒸着した蛍光体層13が少なくとも形成されている。基板12の蛍光体層13が形成された面の周辺部には、蛍光体層13が形成されていないスペース14が形成されている。
【００１５】
また、図３は防湿膜を形成したシンチレータパネル11の断面図を示す。
【００１６】
蛍光体層13を含むシンチレータパネル11の表面全体に防湿膜15が形成されている。この防湿膜15は、ポリパラキシリレン膜等が用いられており、ＣＶＤ法（気相成長法）により蒸着されている。
【００１７】
基板12の蛍光体層13が形成された一面の防湿膜15の周辺部には、すなわち基板12の周辺部の蛍光体層13が形成されていないスペース14の位置に対応して、ＣＶＤ法により防湿膜15を蒸着する際に蛍光体層13が下向きとなる向きに基板12を支持していた痕跡を示す円錐孔状の支持痕跡部16が複数箇所であって例えば３個所に形成されている。
【００１８】
また、図５は蛍光体層13を下向きとしてシンチレータパネル11を支持する支持台21の斜視図を示す。
【００１９】
この支持台21は、防湿膜15を形成する際にシンチレータパネル11を支持するもので、枠状の台部22を備え、この台部22の上面の複数箇所であって例えば３個所に柱部23が突設されているとともに、これら柱部23の上面から先端が鋭く尖った円錐形状の支持針24が突設されている。そして、図１に示すように、支持台21では、蛍光体層13が下向きの基板12の周辺部のスペース14部分を複数の支持針24によって支持する。
【００２０】
また、図６はシンチレータパネル11に防湿膜15をＣＶＤ法により蒸着する蒸着装置31の構成図を示す。
【００２１】
この蒸着装置31は、防湿膜15の原料であるジパラキシリレンを昇華させる昇華炉32、昇華したジパラキシリレンをラジカル化する分解炉33、ラジカル化された状態のジポリパラキシリレンをシンチレータパネル11に蒸着させるチャンバー34、余分なラジカル化された状態のジパラキシリレンをトラップするチラー35、および真空ポンプを有する排気系36を備えて構成されている。
【００２２】
また、図７は蒸着装置31のチャンバー34の断面図を示す。
【００２３】
チャンバー34は、ラジカル化されたジパラキシリレンを導入する導入口37、および余分なポリパラキシリレンを排出する排出口38を有するとともに、蒸着処理を行うシンチレータパネル11を支持した支持台21を配置するターンテーブル39を有する。
【００２４】
次に、シンチレータパネル11に防湿膜15を形成する製造方向を説明する。
【００２５】
図１に示すように、シンチレータパネル11の蛍光体層13を下向きとして、基板12の周辺部のスペース14を支持台21の複数の支持針24により支持する。
【００２６】
シンチレータパネル11を支持した支持台21をチャンバー34内のターンテーブル39にセットし、チャンバー34内の圧力を０．５Ｐａ以下になるように設定する。
【００２７】
チャンバー34内の圧力が０．５Ｐａ以下になったら、分解炉33を６５０℃まで加熱する。分解炉33の温度が６５０℃に達したら、分解炉33の温度を６５０℃に保ったまま、昇華炉32を１２０℃から１５０℃まで段階的に加熱し、ジパラキシリレンを昇華させる。昇華したジパラキシリレンは分解炉33でラジカル化され、導入口37を通り、図２に示すように、チャンバー34内の基板12および蛍光体層13を含むシンチレータパネル11の全面に蒸着されてポリパラキシリレン膜が形成され、このポリパラキシリレン膜である防湿膜15が１５μｍの厚さに形成される。
【００２８】
この際、ターンテーブル39は、シンチレータパネル11に防湿膜15が均一に蒸着されるように、４ｒｐｍの速度で回転させている。また、ジパラキシリレンの昇華に伴いチャンバー34内の圧力が上昇し、ジパラキシリレンがすべて昇華し、蒸着が終了すると、再び圧力が下がる。また、チャンバー34内の余分なジパラキシリレンは、排出口38から排出されチラー35にてトラップされる。
【００２９】
防湿膜15の蒸着終了後、シンチレータパネル11および支持台21をチャンバー34内から取り出し、シンチレータパネル11を支持台21から取り外す。
【００３０】
図３に示すように、防湿膜15を蒸着したシンチレータパネル11では、基板12の蛍光体層13が形成された一面の防湿膜15の周辺部に、すなわち基板12の周辺部の蛍光体層13が形成されていないスペース14の位置に対応して、ＣＶＤ法により防湿膜15を蒸着する際に蛍光体層13が下向きとなる向きに基板12を支持していた支持針24の痕跡を示す円錐孔状の支持痕跡部16が複数箇所であって例えば３個所に残る。
【００３１】
このようなシンチレータパネル11の製造方法によれば、蛍光体層13を下向きに支持してＣＶＤ法により防湿膜15を蒸着するため、蛍光体層13を上向きに支持してＣＶＤ法により防湿膜を蒸着した場合に比べて、蛍光体層13への塵埃等の付着を低減でき、高品質のシンチレータパネル11を提供できる。
【００３２】
ところで、蛍光体層13を下向きに支持してＣＶＤ法により防湿膜15を蒸着する場合、例えば、下向きの蛍光体層13をメッシュ状の台に載せて蒸着すると、蛍光体層13の表面に十分な膜厚の防湿膜15が均一に付着できず、蛍光体層13を傷付けてしまう不具合がある。
【００３３】
それに対し、支持台21の複数の支持針24により、蛍光体層13を下向きとする基板12の周辺部のスペース14部分を支持するため、蛍光体層13の表面に十分な膜厚の防湿膜15を均一に付着でき、蛍光体層13を傷付けることがない。しかも、支持針24の先端と基板12のスペース14との接触面積が非常に小さくなることから、基板12のスペース14の部分にも防湿膜15を均一に蒸着させることができる。さらに、防湿膜15の蒸着後に、基板12を支持台21から容易に取り外すことができる。
【００３４】
次に、図８ないし図１０に第２の実施の形態を示す。
【００３５】
図８に示すように、シンチレータパネル11の蛍光体層13を下向きとして、基板12の周辺部のスペース14を支持台21の複数の支持針24により支持する際、基板12の蛍光体層13側の面と対向する面（反対側の面）に、基板12と同一の外形寸法のカバー41を配置する。
【００３６】
この状態で、ＣＶＤ法により防湿膜15を蒸着することで、図９に示すように、基板12および蛍光体層13を含むシンチレータパネル11の表面とともにカバー41の表面に防湿膜15が蒸着される。
【００３７】
防湿膜15の蒸着後に、シンチレータパネル11からカバー41を外す。このシンチレータパネル11を図１０に示す。
【００３８】
防湿膜15の蒸着時に、カバー41をすることによって、基板12の蛍光体層13側の面と対向する面に塵埃等が付着するのを低減でき、高品質のシンチレータパネル11を提供できる。
【００３９】
次に、図１１に第３の実施の形態を示す。
【００４０】
上記実施の形態においては、基板12を３本の支持針24を備える支持台21によって支持しているが、４本以上の支持針24を備える支持台21により支持してもかまわない。例えば、図１１に示すように、８本の支持針24を備える試料支持台21により支持してもよい。
【００４１】
このように支持針24の数が多くなれば、基板12の支持を安定させ、防湿膜15の蒸着を安定させることができる。
【００４２】
なお、上記実施の形態においては、基板12の蛍光体層13側の面（スペース14）を支持針24によって支持しているが、基板12の蛍光体層13側の面に隣り合う側面を支持針24によって挟み込んで支持するようにしても構わない。
【００４３】
また、上記実施の形態においては、ＣＶＤ法により防湿膜15を蒸着する際、シンチレータパネル11の蛍光体層13を下向きに支持したが、横向きに支持してもよく、上向き以外であれば、蛍光体層13への塵埃等の付着を低減できる。
【００４４】
また、上記実施の形態においては、１つの支持台21で１つの基板12を支持したが、複数に分割された支持台21で基板12を支持しても、１つの支持台21で複数の基板12を支持してもよい。
【００４５】
また、上記の実施の形態においては、蛍光体層13は、ＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられているが、これに限定せず、ＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、ＫＩ（Ｔｌ）、ＬｉＩ（Ｅｕ）等を用いてもよい。
【００４６】
また、上記の実施の形態における防湿膜15は、ポリパラキシリレンの他、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレン等を含む。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す蛍光体層を下向きとしてシンチレータパネルを支持した側面図である。
【図２】同上蛍光体層を下向きとして支持したシンチレータパネルに防湿膜を形成した断面図である。
【図３】同上防湿膜を形成したシンチレータパネルの断面図である。
【図４】同上防湿膜を形成する前のシンチレータパネルの側面図である。
【図５】同上蛍光体層を下向きとしてシンチレータパネルを支持する支持台の斜視図である。
【図６】同上シンチレータパネルに防湿膜を蒸着する蒸着装置の構成図である。
【図７】同上蒸着装置のチャンバーの断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態を示す蛍光体層を下向きとしてシンチレータパネルを支持した側面図である。
【図９】同上蛍光体層を下向きとして支持したシンチレータパネルに防湿膜を形成した断面図である。
【図１０】同上防湿膜を形成したシンチレータパネルの断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
11    シンチレータパネル
12    基板
13    蛍光体層
15    防湿膜
41    カバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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