(57)【要約】【課題】高静電容量の電子写真感光体の静電容量を低下させて、その電子写真感光体を反転現像プロセスで用いた場合に、ベタ画像と隣接する中間調画像の境界部濃度が低下する白抜けと呼ばれる画像不良が発生する。【解決手段】電子写真感光体の表面に与える電荷量Ｑと電子写真感光体の表面電位Ｖとの関係をＶ＝ｆ（Ｑ）とし、かつ、暗部電位Ｖｄに設定する電荷量をＱｄとした場合に下記式（１）で表される電位差ΔＶ（Ｑ）が最大になる電荷量Ｑｍａｘにおいて、電位差ΔＶ（Ｑｍａｘ）が下記式（２）で表されるの範囲である電子写真感光体を反転現像プロセスで用いる電子写真方法において、明部電位Ｖｌを下記式（３）の範囲とする。ΔＶ（Ｑ）＝｜（Ｖｄ／Ｑｄ）×Ｑ｜−｜ｆ（Ｑ）｜・・・（１）ΔＶ（Ｑｍａｘ）≧０．１０×｜Ｖｄ｜            ・・・（２）｜Ｖｌ｜≧２×｜ｆ（Ｑｍａｘ）｜                ・・・（３）【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真感光体の表面に与える電荷量Ｑと前記電子写真感光体の表面電位Ｖとの関係をＶ＝ｆ（Ｑ）とし、かつ、暗部電位Ｖｄに設定する電荷量をＱｄとした場合に、下記式（１）で表される電位差ΔＶ（Ｑ）が最大になる電荷量Ｑｍａｘにおいて、電位差ΔＶ（Ｑｍａｘ）が下記式（２）で表される範囲である前記電子写真感光体を反転現像プロセスで用いる電子写真方法において、
明部電位Ｖｌを下記式（３）の範囲に設定することを特徴とする電子写真方法。
ΔＶ（Ｑ）＝｜（Ｖｄ／Ｑｄ）×Ｑ｜−｜ｆ（Ｑ）｜・・・（１）
ΔＶ（Ｑｍａｘ）≧０．１０×｜Ｖｄ｜            ・・・（２）
｜Ｖｌ｜≧２×｜ｆ（Ｑｍａｘ）｜                ・・・（３）
【請求項２】
トナーとキャリアとを有する現像剤と、前記電子写真感光体と対向する現像部へ前記現像剤を搬送する現像剤担持体を備えた現像器を用い、前記電子写真感光体と前記現像剤担持体との間にバイアスを印加して、前記電子写真感光体の表面の静電像を前記現像剤によって現像する請求項１に記載の電子写真方法。
【請求項３】
前記電子写真感光体の光導電層がアモルファスシリコンを主成分とする請求項１または２に記載の電子写真方法。
【請求項４】
前記電子写真感光体が負帯電用である請求項３に記載の電子写真方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は複写機・プリンタ等に用いる電子写真方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フルカラー化、デジタル化が進む電子写真方法において、更なる出力画像の高画質化、高速化、高安定化の要求が高まっている。現在、電子写真方法において使用される電子写真感光体（以下、感光体とも記す）は、セレン系感光体、アモルファスシリコン感光体（以下、ａ−Ｓｉ感光体とも記す）、有機感光体（以下、ＯＰＣとも記す）などが実用化されている。
この中でも、ａ−Ｓｉ感光体は、図２の層構成模型図に示す光導電層の表面層近傍において、露光による光キャリアが発生するため、露光時に発生するキャリアの拡散を抑えることができる。このため、ドット再現性に優れた高画質が実現できる。また、表面層の硬度が非常に高いために、耐久性に優れ、高速化、高安定化が実現できる電子写真感光体として非常に期待されている。
【０００３】
静電潜像を形成する方法には２つの方法がある。１つ目は、感光体の表面を一様に暗部電位Ｖｄに帯電し、非画像部を露光して明部電位Ｖｌに除電し、帯電部（暗部電位Ｖｄ部）にトナーを現像する正規現像プロセスである。２つ目は、感光体の表面を一様に暗部電位Ｖｄに帯電し、画像部に露光して明部電位Ｖｌに除電し、低電位部（明部電位Ｖｌ部）にトナーを現像する反転現像プロセスである。レーザー書き込みなどによるデジタルプロセスでは露光部に画像を形成する反転現像プロセスが主流になっている。
静電潜像をトナーで現像する現像装置は、大きく２種類に分類される。１つ目は磁性キャリアと非磁性トナーとを有する２成分現像剤を用いて現像をおこなう２成分現像装置である。２つ目は現像剤としてトナー（磁性もしくは非磁性）のみを用いて現像をおこなう１成分現像装置である。フルカラー機では非磁性トナーを用いるため、２成分現像装置または非磁性１成分現像装置が採用される。中でも、高速に、かつ、安定した画像を出力するためには、２成分現像装置が主流になっている。これは、２成分現像方式ではトナーとキャリアによる攪拌混合により帯電を行うために、トナーの帯電性が安定し、安定して良好な画像が得られるためである。
【０００４】
しかしながら、２成分現像方式では、ベタ画像と隣接する中間調画像の境界部濃度が低下する「白抜け」と呼ばれる画像不良がしばしば課題となっている。また、白抜けは特に高静電容量の電子写真感光体を用いる場合に課題になりやすい。
これまでにも白抜けを改善するために、小粒径キャリアを用いた電子写真装置において、現像装置の現像剤担持体に印加する現像バイアスの条件と、現像剤担持体と電子写真感光体の線速比を所定条件範囲にする技術が開示されている（特許文献１）。
また、高静電容量の電子写真感光体を用いた電子写真装置において、白抜けを改善するために、ベタ画像を形成する際に、電子写真感光体上に電位レベルの異なる静電像を形成し、高さの異なるトナー像を形成する技術が開示されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１０１６４０号公報
【特許文献２】特開２００７−１１４７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、高静電容量感光体を用いる電子写真装置で、感光体の静電容量を低下させることで白抜けを改善しようとしても、期待する効果が得られない場合があることが判明した。
まず、白抜けの発生メカニズムについて説明する。白抜けは、図３に示すような中間調部とベタ部が隣接する画像において境界部の中間調側に発生する。中間調部とベタ部が隣接する場合の反転現像プロセスにおける潜像電位を図４に示す。ベタ部の潜像電位（明部電位）Ｖｌに対し、現像剤担持体に現像バイアスを印加した場合、現像バイアスの直流成分Ｖｄｃと明部電位Ｖｌとの差が現像コントラストＶｃｏｎｔである。ベタ部の現像は、ベタ部の潜像がトナーで現像されることにより発生する電位（以下、充電電位ΔＶと呼ぶ）が現像コントラストＶｃｏｎｔを埋めるように行なわれる。この充電電位とは、明部電位に対して、ベタ部の潜像が現像された後のトナー層の表面電位である。
【０００７】
ところが、図５に示すように中間調部の充電電位ΔＶがＶｄｃに向かって十分に充電されるのに対し、ベタ部の充電電位ΔＶがＶｄｃまで十分に充電されない状態で現像を終了すると、現像中および現像後においても中間調部とベタ部に電位差が生じてしまう。この電位差により、中間調部からベタ部方向への「廻り込み電界」が発生する。このため、現像装置の現像剤担持体と電子写真感光体間の電界は現像剤担持体から電子写真感光体方向の電界に加えて、中間調部とベタ部の境界部においては、廻り込み電界が発生する。この廻り込み電界により、中間調部とベタ部の境界において、中間調部に付着すべきトナーがベタ部側へ付着するため白抜けが発生する。
ところで、潜像がトナーで現像されることにより発生する充電電位は理論的には次式（４）で表される。
【０００８】
【数１】
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【０００９】
上記において、
ｄｔ：電子写真感光体の表面におけるトナー層高さ
ｄｍ：電子写真感光体の膜厚
Ｑ／Ｓ：電子写真感光体の表面における単位面積当りのトナー電荷量
ε０：真空の誘電率
εｔ：トナー層の誘電率
εｍ：電子写真感光体の比誘電率
【００１０】
式（４）において、第一項はトナー層自身が周辺に作り出す電位ΔＶｔ、第二項はトナー層と電子写真感光体の基層との間でコンデンサーの効果により作り出される電位ΔＶｃである。この両項の足し合わせたものがトナーで現像される際に発生する電位、つまり充電電位ΔＶｔｈとなる。なお、ΔＶは充電電位の実測値、ΔＶｔｈは充電電位の理論値（式（４）から導出される値）である。また、電子写真感光体の膜厚ｄｍは実際の感光層の膜厚を指し、図２に示す層構成のａ−Ｓｉ感光体の場合、支持体２０５を除いた、表面層２０１と上部阻止層２０２と光導電層２０３と下部阻止層２０４とを足した膜厚である。
以上のように、電子写真感光体が高静電容量の場合、同じＱ／Ｓ（単位面積当りのトナー電荷量）のトナーで潜像を現像したとしても、電子写真感光体の静電容量が大きいために第二項が減少する。
【００１１】
つまり、ａ−Ｓｉ感光体のような高静電容量の電子写真感光体は、ＯＰＣなどの静電容量の低い電子写真感光体に比べて充電電位ΔＶが減少する。そのために、充電不良が起こり易い。
言い換えれば、電子写真感光体の静電容量を低下させることで第二項を増大すれば、充電電位ΔＶは増大することになる。その結果、白抜けの改善が期待される。感光体の静電容量を低減させるためには、光導電層の厚膜化や光導電層材料の低誘電率材料への変更が挙げられる。しかし、前述の方法で電子写真感光体の静電容量を低下させただけでは白抜けを改善できない場合があった。
本発明では、静電容量を低下させた電子写真感光体を反転現像プロセスで用いる場合に、帯電特性に応じた電位設定を行うことにより白抜けの発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、電子写真感光体の表面に与える電荷量Ｑと前記電子写真感光体の表面電位Ｖとの関係をＶ＝ｆ（Ｑ）とし、かつ、暗部電位Ｖｄに設定する電荷量がＱｄとした場合に下記式（１）で表される電位差ΔＶ（Ｑ）が最大になる電荷量Ｑｍａｘにおいて、前記電位差ΔＶ（Ｑ）が下記式（２）で表される範囲である前記電子写真感光体を反転現像プロセスで用いる電子写真方法において、明部電位Ｖｌを下記式（３）の範囲に設定する。
ΔＶ（Ｑ）＝｜（Ｖｄ／Ｑｄ）×Ｑ｜−｜ｆ（Ｑ）｜・・・（１）
ΔＶ（Ｑｍａｘ）≧０．１０×｜Ｖｄ｜            ・・・（２）
｜Ｖｌ｜≧２×｜ｆ（Ｑｍａｘ）｜                ・・・（３）
【発明の効果】
【００１３】
本発明の電子写真方法によれば、静電容量を低下させた電子写真感光体を反転現像プロセスで用いる場合に、その帯電特性を考慮して電位設定できるので、期待通りの充電電位が得られる。その結果、ベタ画像と隣接する中間調画像の境界部濃度が低下する白抜けを改善できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に用いるａ−Ｓｉ感光体の帯電特性、および、明部電位の決定方法を説明する図
【図２】本発明に用いるａ−Ｓｉ感光体の層構成模型図
【図３】中間調部とベタ部が隣接する画像の模式図
【図４】中間調部とベタ部が隣接する画像の潜像電位の模式図
【図５】中間調部とベタ部が隣接する画像にトナーが現像された時の潜像電位の模式図
【図６】本発明を適用可能な電子写真装置の模式図
【図７】プラズマＣＶＤ装置の模式図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について説明する。
＜電子写真装置＞
図６を用いて電子写真方式の画像形成プロセスを説明する。電子写真方式の画像形成プロセスでは、まず帯電装置６０２によって、電子写真感光体６０１の表面を一様に暗部電位に帯電する。続いて、露光装置６０３によって電子写真感光体６０１に画像濃度に応じた像露光光を照射して暗部電位と明部電位のコントラストで静電潜像を形成する。形成された静電潜像を現像装置６０４によって現像し、電子写真感光体６０１の表面にトナー像を形成する。電子写真感光体６０１の表面に形成されたトナー像は転写装置６０５によって記録材Ｐに転写され、定着装置６０６によって記録材Ｐに定着される。一方、電子写真感光体６０１上の転写残トナーはクリーニング装置６０７によって除去され、電子写真感光体６０１は除電装置６０８によって除電され、次サイクルに備える。
【００１６】
なお、本発明で用いる反転現像プロセスでは、帯電装置６０２によって一様に帯電された電子写真感光体６０１の画像部に像露光光を照射し、低電位部で潜像形成を行う。低電位部で形成された潜像は現像装置６０４によって電子写真感光体６０１の帯電極性と同極性のトナーで現像される。したがって、反転現像プロセスにおける充電電位とは、低電位部をトナーが保持する電荷で再帯電することによって変化する電位に相当している。ちなみに、正規現像プロセスでは、帯電部で形成された潜像が電子写真感光体６０１の帯電極性と逆極性のトナーで現像される。したがって、正規現像プロセスにおける充電電位は、帯電部をトナーが保持する電荷で除電することによって変化する電位に相当している。つまり、反転現像プロセスの充電電位は、明部電位近傍の電位領域における感光体の帯電特性と密接に関係している。
【００１７】
また、本発明は、トナーとキャリアとを有する現像剤と、電子写真感光体と対向する現像部へ現像剤を搬送する現像剤担持体を備えた現像器を用い、電子写真感光体と現像剤担持体との間に交番バイアスを印加して、電子写真感光体の表面の静電像をトナーによって現像する２成分現像方式に特に有用である。
さらに、本発明は、感光体としてａ−Ｓｉ感光体（アモルファスシリコンを主成分とする光導電層（感光層）を有する感光体）を用いる場合に特に有用である。なぜなら、ａ−Ｓｉ感光体の静電容量を低減する手段として、感光層の膜厚を厚くしたり、感光層の材料を低誘電率の材料に変更したりすることが考えられる。しかし、ａ−Ｓｉ感光体は、ＯＰＣなどに比べて、その材料特性から低抵抗であり、光導電層中の自由キャリア（例えば、熱的に励起されたキャリア、除電露光によって生成された光キャリア）の影響を受けやすいからである。したがって、例えば光導電層の厚膜化などによって静電容量を低下させると、光導電層を厚くした分、光導電層の自由キャリアの総電荷量が増加するため、低電位領域において理論通りの帯電特性が得られにくい場合が考えられる。光導電層の膜厚は４０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
＜ａ−Ｓｉ感光体の製造方法＞
まず、ａ−Ｓｉ感光体を形成可能なプラズマＣＶＤ装置について、図７プラズマＣＶＤ装置の模式図を参照しながら説明する。
図７において、プラズマＣＶＤ装置７００中の反応容器７０２の中にはアースに接続された円筒状基体７１４、ヒーター７０４、および、原料ガス供給管７０７が設置されている。さらにカソード電極７０１にはインピーダンス整合回路７０５を介して高周波電源７０６が接続されている。
原料ガス供給バルブ７０９の上流には、不図示の原料ガス供給装置が接続され、原料ガス供給管７０７を通じて、ＳｉＨ４，Ｈ２，ＣＨ４，ＮＯ，Ｂ２Ｈ６，ＰＨ３，ＣＦ４，Ａｒ，Ｈｅ等の原料ガスを反応容器７０２の中に所望の流量で供給可能な構成になっている。また、メイン排気バルブ７１１の下流には、不図示の排気装置が接続され、反応容器７０２の内部を減圧可能な構成となっている。
【００１９】
次に、このプラズマＣＶＤ装置７００を使った堆積膜の形成方法について説明する。まず、脱脂洗浄した円筒状基体７１４を反応容器７０２内に設置する。次に、不図示の排気装置を運転し、反応容器７０２の中を排気する。圧力計７１３の表示を見ながら、反応容器７０２の中の圧力が所望の圧力、例えば１Ｐａ以下になったところで、ヒーター７０４に電力を供給し、円筒状基体７１４を例えば５０℃から３５０℃の所望の温度に加熱する。このとき、不図示のガス供給装置より、原料ガス供給管７０７を通じて、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを反応容器７０２の中に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。
次に、不図示のガス供給装置より堆積膜形成に用いる原料ガスを反応容器７０２の中に所望の流量で供給すると同時に、圧力計７１３の表示を見ながらメイン排気バルブ７１１を操作し、反応容器７０２の中の圧力が所望の圧力になるように調整する。所望の圧力が得られたところで高周波電源７０６より高周波電力を印加すると同時にインピーダンス整合回路７０５を操作し、反応容器７０２の中にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所望の電力に調整し、堆積膜の形成を行う。
【００２０】
所定の堆積膜の形成が終わったところで、高周波電力の印加を停止し、原料ガス供給バルブ７０９を閉じ、原料ガスの供給を終え、メイン排気バルブ７１１を開き、反応容器７０２の中を所望の圧力、例えば、１Ｐａ以下まで排気する。
以上で、堆積層の形成を終えるが、複数の堆積層（たとえば下部阻止層、光導電層、上部阻止層、および、表面層）を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すれば良い。また、原料ガス流量、圧力、電力等を変化させながら各層を連続して形成することによって、層間に中間層を形成することもできる。
すべての堆積膜形成が終わった後、メイン排気バルブ７１１を閉じ、反応容器７０２の中にリークバルブ７１２より不活性ガスを導入し大気圧に戻した後、円筒状基体７１４を取り出す。
【００２１】
＜プロセス条件（明部電位Ｖｌ）の決定方法＞
次に、本発明のプロセス条件を決定する方法について説明する。
前述の通り、反転現像プロセスは電子写真感光体を再帯電させるプロセスである。したがって、充電電位は明部電位Ｖｌ近傍の電位領域の帯電特性が密接に関係している。
図１は白抜け改善を目的として静電容量を低下させたａ−Ｓｉ感光体の帯電特性の一例を示している。なお、図１に示す帯電特性は、本発明を適用する電子写真装置におけるプロセス条件の下（例えば、図６の電子写真装置の場合）において、帯電装置６０２で与えた表面電荷量Ｑと、現像装置６０４の位置で測定される表面電位Ｖとの関係を示している。
【００２２】
図１から分かるように、静電容量を低下させたａ−Ｓｉ感光体の帯電特性は、高電位領域において、与えた表面電荷量Ｑに対する表面電位Ｖの傾きが大きく、帯電特性が優れている。一方、低電位領域では自由キャリアの影響により、与えた表面電荷量Ｑに対する表面電位Ｖの傾きが小さく、高電位領域のような優れた帯電特性が得られない。
上記の帯電特性を有する感光体をその帯電特性を考慮して明部電位Ｖｌを設定する方法について図１を参照しながら説明する。
まず、感光体の表面電荷量Ｑと感光体の表面電位Ｖを測定し、感光体の帯電特性となるＶ＝ｆ（Ｑ）を求める。次に、原点（０，０）と暗部電位点（Ｑｄ，Ｖｄ）の２点を通る直線、Ｖ＝Ｖｄ／Ｑｄ×Ｑを求める。Ｖ＝ｆ（Ｑ）とＶ＝Ｖｄ／Ｑｄ×Ｑの差分（電位差ΔＶ（Ｑ））を
ΔＶ（Ｑ）＝｜Ｖｄ／Ｑｄ×Ｑ｜−｜ｆ（Ｑ）｜・・・（１）
と定義し、ΔＶ（Ｑ）が最大になるＱの値を算出し、電荷量Ｑｍａｘとする。なお、白抜けを改善する目的で静電容量を低下させたａ−Ｓｉ感光体では、
ΔＶ（Ｑｍａｘ）≧０．１０×｜Ｖｄ｜            ・・・（２）
であった。Ｑｍａｘの値から、ｆ（Ｑｍａｘ）を算出し、明部電位の絶対値｜Ｖｌ｜を、
｜Ｖｌ｜≧２×｜ｆ（Ｑｍａｘ）｜                ・・・（３）
を満たす電位に設定する。
【実施例】
【００２３】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明を説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。
［実施例１］
【００２４】
＜電子写真装置＞
本発明の電子写真方法を電子写真装置（キヤノン製ｉＲＣ６８００改造機）に適用した。キヤノン製ｉＲＣ６８００改造機の改造ポイントを以下に説明する。
感光体には、本実施例用に作製した負帯電用のａ−Ｓｉ感光体を搭載した。露光方式は、反転現像プロセスとするためにデジタル−イメージング露光方式に変更した。  なお、トナーと磁性キャリアの混合比を変えて、トナーの摩擦帯電量を約−４５μＣ／ｇに調整した。また、ベタ部のトナー現像量を０．６０ｍｇ／ｃｍ２になるように現像バイアスを調整した。
【００２５】
＜電子写真感光体＞
次に、本実施例用に作製した負帯電用のａ−Ｓｉ感光体の作製方法を説明する。まず、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍのアルミニウム円筒状基体の表面に鏡面加工を施して洗浄した。洗浄したアルミニウム円筒状基体を図７に示したプラズマＣＶＤ装置に設置し、前述の手順で表１に示す条件および膜厚で、アルミニウム円筒状基体の表面に下部阻止層、光導電層、上部阻止層、表面層の順に積層して作製した。
【００２６】
【表１】
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【００２７】
＜プロセス条件（明部電位Ｖｌ）の決定＞
作製したａ−Ｓｉ感光体に最適な明部電位Ｖｌの決定について説明する。まず、ｉＲＣ６８００の帯電装置をスコロトロン帯電器からコロトロン帯電器に変更し、コロトロン帯電器に供給する電流量を調整できる構成とした。また、現像装置に代えて電位計を設置し、感光体の表面電位を測定できる構成とした。上記変更によって、感光体の帯電特性が測定可能になる。
コロトロン帯電器に供給する電流量に応じた感光体の表面電位を測定し、表面電荷量Ｑ（本実施例ではＱの替わりに帯電手段に流れる電流量Ｉｔ）と表面電位Ｖとの関係Ｖ＝ｆ（Ｑ）（実際にはＶ＝ｆ（Ｉｔ））を求めた。暗部電位Ｖｄを−４００Ｖに設定した場合、ΔＶ（Ｑｍａｘ）は６０Ｖとなり、０．１５×｜Ｖｄ｜であった。一方、ｆ（Ｑｍａｘ）は−８０Ｖであったので、明部電位Ｖｌを−１６０Ｖに決定した。なお、現像バイアスのＤＣ成分であるＶｄｃを−３００Ｖとした。
【００２８】
＜画像評価＞
上記のプロセス条件にて、図３に示した中間調部とベタ部が隣接する画像を出力し、中間調部の白抜けについて目視で評価した。本実施例では、白抜けは殆んど発生せず、問題のないレベルであることが確認された。
［比較例１］
【００２９】
本比較例では、実施例１で作製した感光体を実施例１で用いた電子写真装置に搭載した。但し、暗部電位Ｖｄを−３４０Ｖ、明部電位Ｖｌを−１００Ｖ、現像バイアスのＤＣ成分であるＶｄｃは−２４０Ｖとした。つまり、現像コントラストＶｃｏｎｔ、および、かぶり電位Ｖｂａｃｋを実施例１に合わせて、明部電位Ｖｌは本発明の範囲外に設定した。
本比較例について、実施例１と同様の画像評価を行ったところ、目視で確認できる白抜けが発生した。
［実施例２］
【００３０】
本実施例では、光導電層の膜厚を５０μｍとした以外は、実施例１と同様のａ−Ｓｉ感光体を作製した。作製したａ−Ｓｉ感光体を実施例１で用いた電子写真装置に搭載して、実施例１と同様の方法・手順にて、Ｖ＝ｆ（Ｑ）を求めた。暗部電位Ｖｄを−５００Ｖとした場合、ΔＶ（Ｑｍａｘ）は８０Ｖであり、０．１６×｜Ｖｄ｜であった。一方、ｆ（Ｑｍａｘ）は−１１０Ｖであった。したがって、本発明の範囲を満たす明部電位Ｖｌの最小値は−２２０Ｖとなる。但し、現像コントラストＶｃｏｎｔ、および、かぶり電位Ｖｂａｃｋを実施例１に合わせるために明部電位Ｖｌを−２６０Ｖとし、現像バイアスのＤＣ成分であるＶｄｃは−４００Ｖとした。
本実施例について、実施例１と同様の画像評価を行ったところ、目視では白抜けの発生を確認できなかった。
［比較例２］
【００３１】
本比較例では、実施例２で作製した感光体を実施例１で用いた電子写真装置に搭載した。但し、暗部電位Ｖｄを−３４０Ｖ、明部電位Ｖｌを−１００Ｖ、現像バイアスのＤＣ成分であるＶｄｃを−２４０Ｖとした。つまり、現像コントラストＶｃｏｎｔ、および、かぶり電位Ｖｂａｃｋの条件は実施例１に合わせたが、明部電位Ｖｌを本発明の範囲外に設定した。
本比較例について、実施例１と同様の画像評価を行ったところ、目視で確認できる白抜けが発生した。
【符号の説明】
【００３２】
２０１・・・・表面層
２０２・・・・上部阻止層
２０３・・・・光導電層
２０４・・・・下部阻止層
２０５・・・・支持体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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