(57)【要約】【課題】必要とする磁石の数を減らして部品点数を削減し、さらに組み付け性を向上させることができる操作位置判定装置を提供する【解決手段】レバーコントロールスイッチ装置１の判定部５は、Ｚ方向の操作位置を判定するため、第１のハーフブリッジ回路（Ｓ１＿０°）の出力電圧Ｖ１と第５のハーフブリッジ回路（Ｓ３＿０°（Ｍ１、Ｍ２））の出力電圧Ｖ５との差分を算出することで、出力電圧Ｖ１１を算出する。判定部５は、この出力電圧Ｖ１１の値によってＸ方向なら第１及び第３のＭＲセンサ４０、４２を構成するハーフブリッジ回路を組み合わせて出力電圧を算出し、Ｙ方向なら第２及び第４のＭＲセンサ４１、４３を構成するハーフブリッジ回路を組み合わせて出力電圧を算出して、Ｘ、Ｙ方向の操作位置を判定する。【選択図】図１
2010038773.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
傾倒操作位置、及びプッシュ・プル操作位置に操作可能に設けられた操作部と、
前記操作部に設けられ、所定の領域に磁界を発生させる磁界発生部と、
前記操作部が基準操作位置にあるとき、前記磁界発生部を介して前記所定の領域内の十字の各頂点にそれぞれ設けられ、前記磁界の変化に基づく出力信号を出力する、第１の磁気センサ、第２の磁気センサ、前記第１の磁気センサに対向する第３の磁気センサ、及び第２の磁気センサに対向する第４の磁気センサ、を有する磁気センサ部と、
前記第１の磁気センサと前記第３の磁気センサから出力される出力信号の第１の差分値を算出して前記プッシュ・プル操作位置を判定し、判定された前記プッシュ・プル操作位置に基づいて前記傾倒操作位置を判定する判定部と、
を備えた操作位置判定装置。
【請求項２】
前記第１の磁気センサは、前記操作部が前記基準操作位置にあるとき、前記プッシュ・プル方向に対して感磁方向がそれぞれ４５°ずつ傾き、かつ前記感磁方向が直交する２つの磁気抵抗素子からなり、第１の出力信号を出力する第１のハーフブリッジ回路、及び前記第１のハーフブリッジ回路を前記磁気抵抗素子が設置される設置面内で反時計回りに４５°回転させ、第２の出力信号を出力する第２のハーフブリッジ回路、を有し、
前記第２の磁気センサは、前記第１のハーフブリッジ回路と同じ構成を有し、第３の出力信号を出力する第３のハーフブリッジ回路、及び前記第２のハーフブリッジ回路と同じ構成を有し、第４の出力信号を出力する第４のハーフブリッジ回路、を有し、
前記第３の磁気センサは、前記第１のハーフブリッジ回路と同じ構成を有し、第５の出力信号を出力する第５のハーフブリッジ回路、前記第５のハーフブリッジ回路を設置面内で１８０°時計回りに回転させ、第６の出力信号を出力する第６のハーフブリッジ回路、前記第２のハーフブリッジ回路と同じ構成を有し、第７の出力信号を出力する第７のハーフブリッジ回路、を有し、
前記第４の磁気センサは、前記第６のハーフブリッジ回路と同じ構成を有し、第８の出力信号を出力する第８のハーフブリッジ回路、及び前記第２のハーフブリッジ回路と同様の構成を有し、第９の出力信号を出力する第９のハーフブリッジ回路、を有し、
判定部は、前記第１のハーフブリッジ回路から出力される前記第１の出力信号と前記第５のハーフブリッジ回路から出力される前記第５の出力信号とによって算出される前記第１の差分値に基づいて前記プッシュ・プル操作位置を判定する請求項１に記載の操作位置判定装置。
【請求項３】
前記プッシュ・プル操作位置は、第１の操作位置、第２の操作位置及び第３の操作位置を有し、
前記判定部は、前記操作部が前記第１の操作位置、又は前記第３の操作位置にあると判定したとき、前記第４のハーフブリッジ回路から出力される前記第４の出力信号と、前記第９のハーフブリッジ回路から出力される前記第９の出力信号と、に基づいて第２の差分値を算出して前記傾倒操作位置の第１の方向成分を算出し、前記第２のハーフブリッジ回路から出力される前記第２の出力信号と、前記第３のハーフブリッジ回路から出力される前記第３の出力信号と、に基づいて第３の差分値を算出して前記傾倒操作位置の第２の方向成分を算出する請求項２に記載の操作位置判定装置。
【請求項４】
前記判定部は、前記操作部が前記第２の操作位置にあると判定したとき、前記第３のハーフブリッジ回路から出力される前記第３の出力信号と、前記第８のハーフブリッジ回路から出力される前記第８の出力信号と、に基づいて第１の加算値を算出して前記傾倒操作位置の前記第１の方向成分を算出し、前記第１のハーフブリッジ回路から出力される前記第１の出力信号と、前記第６のハーフブリッジ回路から出力される前記第６の出力信号と、に基づいて第２の加算値を算出して前記傾倒操作位置の前記第２の方向成分を算出する請求項３に記載の操作位置判定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、操作位置判定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の技術として、複数の操作位置を指示するシフトレバーと、ケースに設けられ、シフトレバーを案内する第１及び第２の溝と、シフトレバーが第１の溝及び第２の溝のどちらに位置するかを検出する検出スイッチと、ケース内に設けられた２つのバイアスマグネットと、ケース内に設けられ、２つのバイアスマグネットによって安定した磁界が印加され、６０°ずつ磁界の検知面が異なる３つの磁気抵抗から構成される磁気抵抗素子と、シフトレバーに設けられたカウンタマグネットと、検出スイッチからの出力信号と磁気抵抗素子から出力される出力信号に基づいてシフトレバーの操作位置を判定するＣＰＵ（Central Processing Unit）と、を備えたシフト装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このシフト装置によると、まず、ＣＰＵは、検出スイッチからの出力信号に基づいてシフトレバーが第１の溝に位置するか、第２の溝に位置するのかを判定する。続いてＣＰＵは、カウンタマグネットの移動に基づいて磁気抵抗素子から出力される位相がそれぞれ６０°ずつ異なる３つの出力信号に応じて第１又は第２の溝のどの位置に操作されているのかを判定し、この２つの判定結果に基づいてシフトレバーの操作位置を検出することができる。
【特許文献１】特開２００７−３３３４９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来のシフト装置は、検出スイッチ及び２つのバイアスマグネットを備えていることから、磁石の数の削減、部品点数の削減、及び組み付け性の改善が望まれていた。
【０００５】
従って本発明の目的は、必要とする磁石の数を減らして部品点数を削減し、さらに組み付け性を向上させることができる操作位置判定装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明は上記目的を達成するため、傾倒操作位置、及びプッシュ・プル操作位置に操作可能に設けられた操作部と、前記操作部に設けられ、所定の領域に磁界を発生させる磁界発生部と、前記操作部が基準操作位置にあるとき、前記磁界発生部を介して前記所定の領域内の十字の各頂点にそれぞれ設けられ、前記磁界の変化に基づく出力信号を出力する、第１の磁気センサ、第２の磁気センサ、前記第１の磁気センサに対向する第３の磁気センサ、及び第２の磁気センサに対向する第４の磁気センサ、を有する磁気センサ部と、前記第１の磁気センサと前記第３の磁気センサから出力される出力信号の第１の差分値を算出して前記プッシュ・プル操作位置を判定し、判定された前記プッシュ・プル操作位置に基づいて前記傾倒操作位置を判定する判定部と、を備えた操作位置判定装置を提供する。
【０００７】
（２）本発明は上記目的を達成するため、前記第１の磁気センサは、前記操作部が前記基準操作位置にあるとき、前記プッシュ・プル方向に対して感磁方向がそれぞれ４５°ずつ傾き、かつ前記感磁方向が直交する２つの磁気抵抗素子からなり、第１の出力信号を出力する第１のハーフブリッジ回路、及び前記第１のハーフブリッジ回路を前記磁気抵抗素子が設置される設置面内で反時計回りに４５°回転させ、第２の出力信号を出力する第２のハーフブリッジ回路、を有し、前記第２の磁気センサは、前記第１のハーフブリッジ回路と同じ構成を有し、第３の出力信号を出力する第３のハーフブリッジ回路、及び前記第２のハーフブリッジ回路と同じ構成を有し、第４の出力信号を出力する第４のハーフブリッジ回路、を有し、前記第３の磁気センサは、前記第１のハーフブリッジ回路と同じ構成を有し、第５の出力信号を出力する第５のハーフブリッジ回路、前記第５のハーフブリッジ回路を設置面内で１８０°時計回りに回転させ、第６の出力信号を出力する第６のハーフブリッジ回路、前記第２のハーフブリッジ回路と同じ構成を有し、第７の出力信号を出力する第７のハーフブリッジ回路、を有し、前記第４の磁気センサは、前記第６のハーフブリッジ回路と同じ構成を有し、第８の出力信号を出力する第８のハーフブリッジ回路、及び前記第２のハーフブリッジ回路と同様の構成を有し、第９の出力信号を出力する第９のハーフブリッジ回路、を有し、判定部は、前記第１のハーフブリッジ回路から出力される前記第１の出力信号と前記第５のハーフブリッジ回路から出力される前記第５の出力信号とによって算出される前記第１の差分値に基づいて前記プッシュ・プル操作位置を判定する前記（１）に記載の操作位置判定装置を提供する。
【０００８】
（３）本発明は上記目的を達成するため、前記プッシュ・プル操作位置は、第１の操作位置、第２の操作位置及び第３の操作位置を有し、前記判定部は、前記操作部が前記第１の操作位置、又は前記第３の操作位置にあると判定したとき、前記第４のハーフブリッジ回路から出力される前記第４の出力信号と、前記第９のハーフブリッジ回路から出力される前記第９の出力信号と、に基づいて第２の差分値を算出して前記傾倒操作位置の第１の方向成分を算出し、前記第２のハーフブリッジ回路から出力される前記第２の出力信号と、前記第３のハーフブリッジ回路から出力される前記第３の出力信号と、に基づいて第３の差分値を算出して前記傾倒操作位置の第２の方向成分を算出する前記（２）に記載の操作位置判定装置を提供する。
【０００９】
（４）本発明は上記目的を達成するため、前記判定部は、前記操作部が前記第２の操作位置にあると判定したとき、前記第３のハーフブリッジ回路から出力される前記第３の出力信号と、前記第８のハーフブリッジ回路から出力される前記第８の出力信号と、に基づいて第１の加算値を算出して前記傾倒操作位置の前記第１の方向成分を算出し、前記第１のハーフブリッジ回路から出力される前記第１の出力信号と、前記第６のハーフブリッジ回路から出力される前記第６の出力信号と、に基づいて第２の加算値を算出して前記傾倒操作位置の前記第２の方向成分を算出する前記（３）に記載の操作位置判定装置を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
このような発明によれば、必要とする磁石の数を減らして部品点数を削減し、さらに組み付け性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明の操作位置判定装置の実施の形態を図面を参考にして詳細に説明する。
【００１２】
[実施の形態]
（レバーコントロールスイッチ装置の構成）
図１は、本発明の実施の形態に係るレバーコントロールスイッチ装置の概略図である。本発明における操作位置判定装置をレバーコントロールスイッチ装置とした場合について説明する。
【００１３】
なお、レバーコントロールスイッチ装置１は、一例として、Ｙ軸支持部１５を台座１１に対して垂直に保ち、Ｘ軸支持部１４の回転に伴って操作部１７が移動する方向をＸ軸方向とし、Ｘ軸支持部１４を台座１１に対して平行となるように保ち、Ｙ軸支持部１５の回転に伴って操作部１７が移動する方向をＹ軸方向とし、操作部１７に対するプッシュ及びプル方向、言い換えるなら後述する磁石３の中心を通る軸方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸は、Ｘ−Ｙ軸の交点を中心に変位するものとする。
【００１４】
また、操作部１７の中心軸が、Ｘ−Ｙ軸に対して直交する操作位置を基準操作位置とし、そのときのＺ軸をＺ（基準操作位置）と示すものとする。
【００１５】
例えば、このレバーコントロールスイッチ装置１は、車両に搭載されたとき、一例として、Ｘ方向の操作位置によってウインカを、Ｙ方向の操作位置によってハイビームとパッシングの切り替えを、Ｚ方向の操作位置によってライトのオン・オフを操作できるものである。なお、Ｘ方向の操作位置とは、Ｘ軸回りに回転した位置であり、Ｙ方向の操作位置とは、Ｙ軸回りに回転した位置である。
【００１６】
レバーコントロールスイッチ装置１は、図１に示すように、磁石（磁界発生部）３と、磁気センサ部４と、支持機構部１０と、操作部１７と、を備えて概略構成されている。
【００１７】
（支持機構部の構成）
支持機構部１０は、図１に示すように、台座１１の上面から垂直方向に立ち上って対向する１組の凸部１２を有している。凸部１２に設けられた開口に挿入されたピン１３は、ロ形状を有するＸ軸支持部１４の対応する２辺中央に設けられた開口にも挿入され、Ｘ軸支持部１４は、ピン１３を回転軸として回転自在に台座１１に設けられている。Ｘ軸支持部１４は、ピン１３を回転軸とすることで、Ｙ方向への操作部１７の傾倒操作を可能としている。
【００１８】
また、Ｘ軸支持部１４は、他の２辺中央に開口を有し、コ字形状を有するＹ軸支持部１５の対応する両端に設けられた開口にピン１６を挿入することで、Ｙ軸支持部１５は、ピン１６を回転軸としてＸ軸支持部１４に対して回転可能に設けられている。Ｙ軸支持部１５は、ピン１６を回転軸とすることで、Ｘ方向への操作部１７の傾倒操作を可能としている。
【００１９】
なお、支持機構部１０の構成は、上記に限定されず、傾倒操作及びプッシュ・プル操作が可能な公知の支持機構で良い。
【００２０】
（操作部の構成）
操作部１７は、一例として図１に示すように、略球形状を有するノブ１８と、ノブ１８に設けられたレバー１９と、を備えて概略構成されている。
【００２１】
レバー１９は、Ｙ軸支持部１５の長手方向上面部に設けられた開口に挿入され、図１に示すＺ方向にＹ軸支持部１５に対して移動可能、言い換えるなら、プッシュ（押下げ）及びプル（引上げ）操作可能に設けられている。
【００２２】
また、レバー１９は、ノブ１８と対向する端部に後述する磁石３を有し、ノブ１８及びレバー１９を介して磁石３をＸ―Ｙ座標系の傾倒操作位置、及びＺ軸に沿ったプッシュ・プル操作位置に自在に操作可能である。
【００２３】
（磁石の構成）
図２は、本発明の実施の形態に係る磁石と磁気センサ部の位置関係を示す概略図であり、図３は、本発明の実施の形態に係る磁石と磁気センサ部の位置関係を示す側面図である。なお、図２及び図３は、操作部１７が基準操作位置にある場合について図示している。また、図３は、第１のＭＲ（Magneto Resistance）センサ（Ｓ１；第１の磁気センサ）４０と第３のＭＲセンサ（Ｓ２；第２の磁気センサ）４２、及び第２のＭＲセンサ（Ｓ３；第３の磁気センサ）４１と第４のＭＲセンサ（Ｓ４；第４の磁気センサ）４３の配置が、同様の配置であるので、第１のＭＲセンサ４０と第３のＭＲセンサ４２の側面図と、第２のＭＲセンサ４１と第４のＭＲセンサ４３の側面図の両方を示している。
【００２４】
磁石３は、アルニコ、フェライト及びネオジム等によって形成された永久磁石であり、図２に示すように、中央が中空となった円筒形状を有し、レバー１９側からＮ極、Ｓ極とＺ軸方向、すなわちプッシュ・プル操作方向に磁化され、外側に向けて放射状に磁界を形成している。なお、磁石３は、上記の中空構造に限定されず、中空構造を持たない円柱形状でも良い。
【００２５】
磁石３は、図３に示すように、その厚みＷが、一例として５ｍｍであり、操作部１７を介してＺ軸に沿って上下、すなわちプッシュ・プル操作位置に、一例として、±２ｍｍ移動可能となっている。磁石３は、一例として、第１の操作位置（−２ｍｍ）、第２の操作位置（０ｍｍ）及び第３の操作位置（＋２ｍｍ）の３つの操作位置を有するものとする。
【００２６】
磁石３は、操作部１７の傾倒操作に基づいて基準操作位置にあるときのＺ軸から傾き、図３に示すθは、その傾きを示すものとする。
【００２７】
（第１のＭＲセンサの構成）
第１のＭＲセンサ（Ｓ１）４０は、図３に示すように、基板４０ａ上に後述する複数の磁気抵抗素子が形成され、磁石３の側面部の所定の領域に発生する磁界が、磁気抵抗素子の後述する感磁部を横切るようにプリント配線基板２から立ち上がるように設けられている。言い換えるなら、第１のＭＲセンサ４０は、Ｘ軸と基準操作位置にあるときのＺ軸とで作る平面と、磁気抵抗素子が作る平面とが、略平行となるようにプリント配線基板２に設けられている。
【００２８】
図４は、本発明の実施の形態に係る第１のＭＲセンサの等価回路図である。図４に示す等価回路図は、図３に示す第１のＭＲセンサ４０の回路図を示しており、Ｍ１〜Ｍ４は、磁気抵抗素子を示している。
【００２９】
なお、磁気抵抗素子は、一例として、基板４０ａ上の設置面に強磁性金属の薄膜によって形成され、磁界が横切る角度によって抵抗値が変化する感磁部を有し、感磁部は、図４に示す矩形状の図形に対して短手方向にじゃばら状に折り返した形状を有している。感磁部は、磁界が平行に横切るとき、その抵抗値は変化せず、磁界と感磁部との角度が大きくなるにつれて、その抵抗値が小さくなる性質を有している。
【００３０】
第１のＭＲセンサ４０は、図４に示すように、磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４によってフルブリッジ回路を形成しており、さらに、磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ２とによって第１のハーフブリッジ回路、及び磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ４とによって第２のハーフブリッジ回路が形成されている。
【００３１】
磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ２は、９０°の角度をなして配置され、磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ２とで形成されるハーフブリッジ回路は、基準操作位置にあるＺ軸に平行な直線に対して感磁部が４５°となるように傾いて基板４０ａ上に形成されている。以下では、この第１のハーフブリッジ回路を「Ｓ１＿０°」と呼ぶものとする。
【００３２】
磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ４は、９０°の角度をなして配置され、磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ４とで形成されるハーフブリッジ回路は、基準操作位置にあるＺ軸に平行な直線に対して磁気抵抗素子Ｍ３の感磁部が直交するように基板４０ａ上に形成されている。以下では、この第２のハーフブリッジ回路を「Ｓ１＿４５°」と呼ぶものとする。
【００３３】
磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ３の間には、電圧Ｖｃｃが印加され、磁気抵抗素子Ｍ２とＭ４の間は、プリント配線基板２の接地回路に電気的に接続されている。
【００３４】
磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ２の間の中点電位は、Ｖ１（第１の出力信号）であるものとし、磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ４の間の中点電位は、Ｖ２（第２の出力信号）であるものとする。
【００３５】
（第２のＭＲセンサの構成）
第２のＭＲセンサ（Ｓ２）４１は、図３に示すように、基板４１ａ上に複数の磁気抵抗素子が形成され、第１のＭＲセンサ４０と同様に、磁石３の側面部の所定の領域に発生する磁界が、磁気抵抗素子の後述する感磁部を横切るようにプリント配線基板２から立ち上がるように設けられている。言い換えるなら、第２のＭＲセンサ４１は、Ｙ軸と基準操作位置にあるときのＺ軸とで作る平面と、磁気抵抗素子が作る平面とが、略平行となるようにプリント配線基板２に設けられている。
【００３６】
図５は、本発明の実施の形態に係る第２のＭＲセンサの等価回路図である。図５に示す等価回路図は、図３に示す第２のＭＲセンサ４１の回路図を示しており、磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４は、第１のＭＲセンサ４０の磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４と同様の構成を有している。
【００３７】
第２のＭＲセンサ４１は、図５に示すように、磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４によってフルブリッジ回路を形成しており、さらに、磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ２とによって第３のハーフブリッジ回路、及び磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ４とによって第４のハーフブリッジ回路が形成されている。
【００３８】
磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ２によって形成される第３のハーフブリッジ回路を以下では、「Ｓ２＿０°」と呼ぶものとする。
【００３９】
磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ４によって形成される第４のハーフブリッジ回路を以下では、「Ｓ２＿４５°」と呼ぶものとする。
【００４０】
磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ３の間には、電圧Ｖｃｃが印加され、磁気抵抗素子Ｍ２とＭ４の間は、プリント配線基板２の接地回路に電気的に接続されている。
【００４１】
磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ２の間の中点電位は、Ｖ３（第３の出力信号）であるものとし、磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ４の間の中点電位は、Ｖ４（第４の出力信号）であるものとする。
【００４２】
（第３のＭＲセンサの構成）
第３のＭＲセンサ（Ｓ３）４２は、図３に示すように、磁石３を介して第１のＭＲセンサ４０に対向する位置に設けられ、基板４２ａ上に複数の磁気抵抗素子が形成され、第１のＭＲセンサ４０と同様に、磁石３の側面部の所定の領域に発生する磁界が、磁気抵抗素子の後述する感磁部を横切るようにプリント配線基板２から立ち上がるように設けられている。言い換えるなら、第３のＭＲセンサ４３は、Ｘ軸と基準操作位置にあるときのＺ軸とで作る平面と、磁気抵抗素子が作る平面とが、略平行となるようにプリント配線基板２に設けられている。
【００４３】
図６は、本発明の実施の形態に係る第３のＭＲセンサの等価回路図である。図６に示す等価回路図は、図３に示す第３のＭＲセンサ４２の等価回路図を示しており、磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４は、第１のＭＲセンサ４０の磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４と同様の構成を有しており、磁気抵抗素子Ｍ５と磁気抵抗素子Ｍ６は、磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ２を時計回りに１８０°回転させた形状を有している。
【００４４】
第３のＭＲセンサ４２は、図６に示すように、磁気抵抗素子Ｍ１及びＭ２、磁気抵抗素子Ｍ５及びＭ６によってフルブリッジ回路が形成され、磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ４によってハーフブリッジ回路が形成されている。
【００４５】
このフルブリッジ回路は、磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ２とによって第５のハーフブリッジ回路、及び磁気抵抗素子Ｍ５と磁気抵抗素子Ｍ６とによって第６のハーフブリッジ回路が形成されている。
【００４６】
磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ２によって形成される第５のハーフブリッジ回路を以下では、「Ｓ３＿０°」（Ｍ１、Ｍ２）と呼ぶものとする。
【００４７】
また、磁気抵抗素子Ｍ５と磁気抵抗素子Ｍ６は、第５のハーフブリッジ回路を設置面内で時計回りに１８０°回転させたものであるから、基準操作位置にあるＺ軸に対して感磁部が４５°となっている。以下では、この第６のハーフブリッジ回路を「Ｓ３＿０°」（Ｍ５、Ｍ６）と呼ぶものとする。
【００４８】
磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ４によって形成される第７のハーフブリッジ回路を以下では、「Ｓ３＿４５°」と呼ぶものとする。
【００４９】
磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ５の間、及び磁気抵抗素子Ｍ３には、電圧Ｖｃｃが印加され、磁気抵抗素子Ｍ２とＭ６の間、及び磁気抵抗素子Ｍ４は、プリント配線基板２の接地回路に電気的に接続されている。
【００５０】
磁気抵抗素子Ｍ１と磁気抵抗素子Ｍ２の間の中点電位は、Ｖ５（第５の出力信号）であるとし、磁気抵抗素子Ｍ５と磁気抵抗素子Ｍ６の間の中点電位は、Ｖ６（第６の出力信号）であるとし、磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ４の間の中点電位は、Ｖ７（第７の出力信号）であるものとする。
【００５１】
（第４のＭＲセンサの構成）
第４のＭＲセンサ（Ｓ４）４３は、図３に示すように、磁石３を介して第２のＭＲセンサ４１に対向する位置に設けられ、基板４３ａ上に複数の磁気抵抗素子が形成され、第１のＭＲセンサ４０と同様に、磁石３の側面部の所定の領域に発生する磁界が、磁気抵抗素子の後述する感磁部を横切るようにプリント配線基板２から立ち上がるように設けられている。言い換えるなら、第４のＭＲセンサ４３は、Ｘ軸と基準操作位置にあるときのＺ軸とで作る平面と、磁気抵抗素子が作る平面とが、略平行となるようにプリント配線基板２に設けられている。
【００５２】
図７は、本発明の実施の形態に係る第４のＭＲセンサの等価回路図である。図７に示す等価回路図は、図３に示す第４のＭＲセンサ４３の等価回路図を示しており、磁気抵抗素子Ｍ３、Ｍ４は、第１のＭＲセンサ４０の磁気抵抗素子Ｍ３、Ｍ４と同様の構成を有しており、また、磁気抵抗素子Ｍ５と磁気抵抗素子Ｍ６は、第３のＭＲセンサ４２の磁気抵抗素子Ｍ５、Ｍ６と同様の構成を有している。
【００５３】
第４のＭＲセンサ４３は、図７に示すように、磁気抵抗素子Ｍ３及びＭ４、磁気抵抗素子Ｍ５及びＭ６によってフルブリッジ回路が形成されている。また、このフルブリッジ回路は、磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ４とによって第８のハーフブリッジ回路、及び磁気抵抗素子Ｍ５と磁気抵抗素子Ｍ６とによって第９のハーフブリッジ回路が形成されている。
【００５４】
磁気抵抗素子Ｍ５と磁気抵抗素子Ｍ６によって形成される第８のハーフブリッジ回路を以下では、「Ｓ４＿０°」と呼ぶものとする。
【００５５】
磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ４によって形成される第９のハーフブリッジ回路を以下では、「Ｓ４＿４５°」と呼ぶものとする。
【００５６】
磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ５の間に電圧Ｖｃｃが印加され、磁気抵抗素子Ｍ４とＭ６の間は、プリント配線基板２の接地回路に電気的に接続されている。
【００５７】
磁気抵抗素子Ｍ３と磁気抵抗素子Ｍ４の間の中点電位は、Ｖ８（第８の出力信号）であるとし、磁気抵抗素子Ｍ５と磁気抵抗素子Ｍ６の間の中点電位は、Ｖ９（第９の出力信号）であるものとする。
【００５８】
（判定部の構成）
図８は、本発明の実施の形態に係るレバーコントロールスイッチ装置に関するブロック図である。レバーコントロールスイッチ装置１の判定部５は、図８に示すように、磁気センサ部４に接続され、磁気センサ部４から出力される出力信号に基づいて操作部１７の操作位置を判定し、判定した判定結果を車両を総合的に制御する車両制御部６に送信する。
【００５９】
車両制御部６は、レバーコントロールスイッチ装置１によって操作可能な被制御装置７に接続され、判定結果に基づいて被制御装置７を制御する。
【００６０】
（動作）
以下に、本実施の形態におけるレバーコントロールスイッチ装置に関する動作を各図を参照して詳細に説明する。
【００６１】
（Ｚ方向の操作位置の判定について）
図９は、本発明の実施の形態に係るＺ方向の操作位置判定用の等価回路図であり、図１０（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝−２ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝−２ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、図１１（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝０ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、Ｚ＝０ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、図１２（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝＋２ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝＋２ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。各グラフの下に示す座標（Ｘ、Ｙ、Ｚ）は、第１及び第３のＭＲセンサ４０、４２の位置を示しており、各グラフの値は、０．５倍されたものである。これらのグラフは、一例として、電圧Ｖｃｃを５Ｖとしてシュミレーションした結果に基づいて作成されている。
【００６２】
まず判定部５は、操作部１７のＺ方向の操作位置を判定するため、まず図９に示すように、その差分が正弦波となる組み合わせ、すなわち、Ｓ１＿０°の第１のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ１とＳ３＿０°（Ｍ１、Ｍ２）の第５のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ５との差分を算出し、出力電圧Ｖ１１（第１の差分値）を得る。
【００６３】
この出力電圧Ｖ１１は、磁石３の磁界の変化に基づいて出力され、その出力は正弦波であるので、操作部１７のＺ方向の位置によって、正の値、ゼロ、及び負の値を取っている。
【００６４】
また、出力電圧Ｖ１１は、図１０（ａ）に示すように、Ｘ方向の傾倒操作によってその値は、殆ど変化しない。さらに、出力電圧Ｖ１１は、第１及び第３のＭＲセンサ４０、４２の配置が、所定の位置よりもずれたときでも、判定部５によって差分値を出力電圧Ｖ１１とすることで、Ｘ方向の傾倒操作によらない出力電圧Ｖ１１を得ることができる。
【００６５】
同様に、出力電圧Ｖ１１は、図１０（ｂ）に示すように、Ｙ方向の傾倒操作によってもその値は、大きく変化せず、また、センサの配置が所定の位置よりもずれたときでも、Ｘ方向と同様にＹ方向の傾倒操作によらない出力電圧Ｖ１１を得ることができる。
【００６６】
判定部５は、図１０（ａ）、（ｂ）、図１１（ａ）、（ｂ）、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｘ及びＹ方向の傾倒操作によらず、また、位置ずれによる出力電圧Ｖ１１の変化が小さいことから、出力電圧Ｖ１１の大きさによってＺ方向、すなわちプッシュ・プル操作位置を判定することができる。
【００６７】
（Ｘ方向の操作位置の判定について）
図１３は、本発明の実施の形態に係るＺ＝−２ｍｍのときのＸ方向の操作位置判定用の等価回路図であり、図１４（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝−２ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝−２ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。各グラフの下に示す座標（Ｘ、Ｙ、Ｚ）は、第２及び第４のＭＲセンサ４１、４３の位置を示しており、各グラフの値は、０．５倍されたものである。操作部１７が、Ｚ＝−２ｍｍの操作位置に操作されたときのＸ方向（第１の方向成分）の操作位置の判定について説明する。
【００６８】
判定部５は、操作部１７のＺ方向の操作位置に基づいて差分を算出するハーフブリッジ回路の切り替えを行う。
【００６９】
判定部５は、操作部１７の操作位置がＺ＝−２ｍｍであったとき、図１３に示すように、その差分が正弦波となる組み合わせ、すなわち、Ｓ２＿４５°の第４のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ４とＳ４＿４５°の第９のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ９との差分を算出し、出力電圧Ｖ２１（第２の差分値）を得る。
【００７０】
この出力電圧Ｖ２１は、Ｘ方向の傾倒操作に関しては、図１４（ａ）に示すように、正弦波のグラフとなり、Ｙ方向の傾倒操作に関しては、図１４（ｂ）に示すように、ほぼ一定値を取る。これは、Ｙ方向の傾倒操作によって磁石３はＹ軸を中心として回転するからであり、そのＹ軸上に位置する第２及び第４のＭＲセンサ４１、４３に印加される磁界の変化が乏しいからである。
【００７１】
よって判定部５は、容易にＸ方向の傾倒操作位置を判定することができる。また、出力電圧Ｖ２１は、センサの配置が所定の位置よりもずれたときでも、判定部５は、その配置位置によらない出力電圧Ｖ２１を得ることができるので、Ｘ方向の傾倒操作位置を正確に判定することができる。
【００７２】
図１５は、本発明の実施の形態に係るＺ＝０ｍｍのときのＸ方向の操作位置判定用の等価回路図であり、図１６（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝０ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝０ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。各グラフの下に示す座標（Ｘ、Ｙ、Ｚ）は、第２及び第４のＭＲセンサ４１、４３の位置を示しており、各グラフの値は、０．５倍されたものである。操作部１７が、Ｚ＝０ｍｍの操作位置に操作されたときのＸ方向の操作位置の判定について説明する。
【００７３】
判定部５は、操作部１７の操作位置がＺ＝０ｍｍであったとき、図１５に示すように、その加算値が正弦波となる組み合わせ、すなわち、Ｓ２＿０°の第３のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ３とＳ４＿０°の第８のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ８との加算値を算出し、出力電圧Ｖ２２（加算値）を得る。
【００７４】
この出力電圧Ｖ２２は、Ｘ方向の傾倒操作に関しては、図１６（ａ）に示すように、図１４（ａ）に比べ位相が９０°異なるようなグラフとなり、Ｙ方向の傾倒操作に関しては、図１６（ｂ）に示すように、上記の理由によりほぼ一定値を取るので、判定部５は、容易にＸ方向の傾倒操作位置を判定することができる。また、出力電圧Ｖ２２は、センサの配置が所定の位置よりもずれたときでも、判定部５は、その配置位置によらない出力電圧Ｖ２２を得ることができるので、Ｘ方向の傾倒操作位置を正確に判定することができる。
【００７５】
図１７（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝＋２ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝＋２ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。各グラフの下に示す座標（Ｘ、Ｙ、Ｚ）は、第２及び第４のＭＲセンサ４１、４３の位置を示しており、各グラフの値は、０．５倍されたものである。操作部１７が、Ｚ＝＋２ｍｍの操作位置に操作されたときのＸ方向の操作位置の判定について説明する。
【００７６】
判定部５は、操作部１７の操作位置がＺ＝＋２ｍｍであったとき、図１３に示す組み合わせと同じ組み合わせ、すなわち、Ｓ２＿４５°の第４のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ４とＳ４＿４５°の第９のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ９との差分を算出し、出力電圧Ｖ２１（第２の差分値）を得る。
【００７７】
この出力電圧Ｖ２１は、Ｘ方向の傾倒操作に関しては、図１７（ａ）に示すように、図１６（ａ）のようなグラフとなり、Ｙ方向の傾倒操作に関しては、図１７（ｂ）に示すように、上記の理由によりほぼ一定値を取るので、判定部５は、容易にＸ方向の傾倒操作位置を判定することができる。また、出力電圧Ｖ２１は、センサの配置が所定の位置よりもずれたときでも、判定部５は、その配置位置によらない出力電圧Ｖ２１を得ることができるので、Ｘ方向の傾倒操作位置を正確に判定することができる。
【００７８】
上記したように、判定部５は、まずＺ方向の磁石３の位置を判定し、Ｚ方向の磁石３の位置に基づいて対向して配置される第２及び第４のＭＲセンサ４１、４３に含まれるハーフブリッジ回路の出力電圧の差分値、又は加算値を算出することによって、Ｘ方向の傾倒操作位置を判定することができる。
【００７９】
（Ｙ方向の操作位置の判定について）
図１８は、本発明の実施の形態に係るＺ＝−２ｍｍのときのＹ方向の操作位置判定用の等価回路図であり、図１９（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝−２ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝−２ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。各グラフの下に示す座標（Ｘ、Ｙ、Ｚ）は、第１及び第３のＭＲセンサ４０、４２の位置を示しており、各グラフの値は、０．５倍されたものである。操作部１７が、Ｚ＝−２ｍｍの操作位置に操作されたときのＹ方向（第２の方向成分）の操作位置の判定について説明する。
【００８０】
判定部５は、操作部１７のＺ方向の操作位置に基づいて差分値を算出するハーフブリッジ回路の切り替えを行う。
【００８１】
判定部５は、操作部１７の操作位置がＺ＝−２ｍｍであったとき、図１８に示すように、その差分値が正弦波となる組み合わせ、すなわち、Ｓ１＿４５°の第２のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ２とＳ３＿４５°の第７のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ７との差分値を算出し、出力電圧Ｖ３１（第３の差分値）を得る。
【００８２】
この出力電圧Ｖ３１は、Ｘ方向の傾倒操作に関しては、図１９（ａ）に示すように、ほぼ一定値を取るグラフとなり、Ｙ方向の傾倒操作に関しては、図１９（ｂ）に示すように、右肩下がりのグラフとなる。これは、Ｙ方向の傾倒操作によって磁石３はＸ軸を中心として回転するからであり、そのＸ軸上に位置する第１及び第３のＭＲセンサ４０、４２に印加される磁界の変化が乏しいので、第１及び第３のＭＲセンサ４０、４２の差分値は、ほぼ一定となる。
【００８３】
よって判定部５は、容易にＹ方向の傾倒操作位置を判定することができる。また、出力電圧Ｖ３１は、センサの配置が所定の位置よりもずれたときでも、判定部５は、その配置位置によらない出力電圧Ｖ３１を得ることができるので、Ｙ方向の傾倒操作位置を正確に判定することができる。
【００８４】
図２０は、本発明の実施の形態に係るＺ＝０ｍｍのときのＹ方向の操作位置判定用の等価回路図であり、図２１（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝０ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝０ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。各グラフの下に示す座標（Ｘ、Ｙ、Ｚ）は、第１及び第３のＭＲセンサ４０、４２の位置を示しており、各グラフの値は、０．５倍されたものである。操作部１７が、Ｚ＝０ｍｍの操作位置に操作されたときのＹ方向の操作位置の判定について説明する。
【００８５】
判定部５は、操作部１７の操作位置がＺ＝０ｍｍであったとき、図２０に示すように、その加算値が正弦波となる組み合わせ、すなわち、Ｓ１＿０°の第１のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ１とＳ１＿０°（Ｍ５、Ｍ６）の第６のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ６との加算値を算出し、出力電圧Ｖ３２（第２の加算値）を得る。
【００８６】
この出力電圧Ｖ３２は、Ｘ方向の傾倒操作に関しては、図２１（ａ）のように、上記の理由によりほぼ一定値となるグラフとなり、Ｙ方向の傾倒操作に関しては、図２１（ｂ）に示すように、右肩上がりのグラフとなる。
【００８７】
よって判定部５は、容易にＹ方向の傾倒操作位置を判定することができる。また、出力電圧Ｖ３２は、センサの配置が所定の位置よりもずれたときでも、判定部５は、その配置位置によらない出力電圧Ｖ３２を得ることができるので、Ｙ方向の傾倒操作位置を正確に判定することができる。
【００８８】
図２２（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝＋２ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝＋２ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。各グラフの下に示す座標（Ｘ、Ｙ、Ｚ）は、第１及び第３のＭＲセンサ４０、４２の位置を示しており、各グラフの値は、０．５倍されたものである。操作部１７が、Ｚ＝＋２ｍｍの操作位置に操作されたときのＹ方向の操作位置の判定について説明する。
【００８９】
判定部５は、操作部１７の操作位置がＺ＝＋２ｍｍであったとき、図１８に示す組み合わせと同じ組み合わせ、すなわち、Ｓ１＿４５°の第２のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ２とＳ３＿４５°の第７のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ７との差分値を算出し、出力電圧Ｖ３１（第３の差分値）を得る。
【００９０】
この出力電圧Ｖ３１は、Ｘ方向の傾倒操作に関しては、図２２（ａ）に示すように、上記の理由によりほぼ一定値を取るグラフとなり、Ｙ方向の傾倒操作に関しては、図２２（ｂ）に示すように、右肩上がりのグラフとなる。
【００９１】
よって判定部５は、容易にＹ方向の傾倒操作位置を判定することができる。また、出力電圧Ｖ３１は、センサの配置が所定の位置よりもずれたときでも、判定部５は、その配置位置によらない出力電圧Ｖ３１を得ることができるので、Ｙ方向の傾倒操作位置を正確に判定することができる。
【００９２】
上記したように、判定部５は、まずＺ方向の磁石３の位置を判定し、Ｚ方向の磁石３の位置に基づいて対向して配置される第１及び第３のＭＲセンサ４０、４２に含まれるハーフブリッジ回路の出力電圧の差分値、又は加算値を算出することによって、Ｙ方向の傾倒操作位置を判定することができる。
【００９３】
判定部５は、上記した方法によってＸ、Ｙ、Ｚ方向の操作位置を判定し、車両制御部６に判定結果を送信する。車両制御部６は、判定結果に基づいて車両に搭載される被制御装置７の制御を行う。
【００９４】
（効果）
（１）上記した実施の形態におけるレバーコントロールスイッチ装置１は、１つの磁石３を用いて構成することができるので、コストを削減することができ、また部品点数が少ないことから組み付け性を向上させることができる。
【００９５】
（２）上記した実施の形態におけるレバーコントロールスイッチ装置１は、磁石３を介して対向するＭＲセンサの出力を組み合わせてＸ、Ｙ、Ｚ方向の操作位置を判定するので、組み付けの際に位置ずれが生じても、影響されることなく、正確なＸ、Ｙ、Ｚ方向の操作位置を判定することができる。
【００９６】
（３）上記した実施の形態におけるレバーコントロールスイッチ装置１は、判定部５によってＺ方向の操作位置を判定し、その判定結果に基づいて第１〜第４のＭＲセンサ４０〜４３を構成するハーフブリッジ回路の組み合わせから出力される出力電圧の差分値、又は加算値に基づいてＸ及びＹ方向の操作位置を正確に判定することができる。
【００９７】
（４）上記した実施の形態におけるレバーコントロールスイッチ装置１は、Ｘ、Ｙ方向とも独立に判定することができるので、Ｘ−Ｙ座標系上の任意の操作位置を判定することができる。
【００９８】
（５）上記した実施の形態におけるレバーコントロールスイッチ装置１は、多方向の操作位置を判定することができるので、多方向スイッチ装置として使用することができる。
【００９９】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の実施の形態に係るレバーコントロールスイッチ装置の概略図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る磁石と磁気センサ部の位置関係を示す概略図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る磁石と磁気センサ部の位置関係を示す側面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る第１のＭＲセンサの等価回路図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る第２のＭＲセンサの等価回路図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る第３のＭＲセンサの等価回路図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る第４のＭＲセンサの等価回路図である。
【図８】本発明の実施の形態に係るレバーコントロールスイッチ装置に関するブロック図である。
【図９】本発明の実施の形態に係るＺ方向の操作位置判定用の等価回路図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝−２ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝−２ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。
【図１１】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝０ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、Ｚ＝０ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。
【図１２】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝＋２ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝＋２ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。
【図１３】本発明の実施の形態に係るＺ＝−２ｍｍのときのＸ方向の操作位置判定用の等価回路図である。
【図１４】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝−２ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝−２ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。
【図１５】本発明の実施の形態に係るＺ＝０ｍｍのときのＸ方向の操作位置判定用の等価回路図である。
【図１６】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝０ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝０ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。
【図１７】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝＋２ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝＋２ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。
【図１８】本発明の実施の形態に係るＺ＝−２ｍｍのときのＹ方向の操作位置判定用の等価回路図である。
【図１９】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝−２ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝−２ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。
【図２０】本発明の実施の形態に係るＺ＝０ｍｍのときのＹ方向の操作位置判定用の等価回路図である。
【図２１】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝０ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝０ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。
【図２２】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る磁石がＺ＝＋２ｍｍの位置にあるときのＸ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフであり、（ｂ）は、磁石がＺ＝＋２ｍｍの位置にあるときのＹ方向の傾きと出力電圧の関係を示したグラフである。
【符号の説明】
【０１０１】
１…レバーコントロールスイッチ装置、２…プリント配線基板、３…磁石、４…磁気センサ部、５…判定部、６…車両制御部、７…被制御装置、１０…支持機構部、１１…台座、１２…凸部、１３…ピン、１４…Ｙ軸支持部、１５…Ｘ軸支持部、１６…ピン、１７…操作部、１８…ノブ、１９…レバー、４０…第１のＭＲセンサ、４０ａ…基板、４１…第２のＭＲセンサ、４１ａ…基板、４２…第３のＭＲセンサ、４２ａ…基板、４３…第４のＭＲセンサ、４３ａ…基板、Ｖｃｃ…電圧、Ｍ１〜Ｍ６…磁気抵抗素子、Ｖ１〜Ｖ９、Ｖ１１、Ｖ２１、Ｖ２２、Ｖ３１、Ｖ３２…出力電圧
【図１】
2010038773.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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