(57)【要約】【課題】精度よく画素の欠陥を検査できる発光装置の画素欠陥検査方法を提供すること。【解決手段】画素領域１１それぞれについて、発光層２３が発光する電圧以下の電圧を発光層２３に印加して電荷を蓄積する工程と、蓄積された電荷量を測定する工程と、測定した電荷量から画素領域１１における欠陥の有無を判断する工程と、を備える。【選択図】図２
2010243396.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２電極と該第１及び第２電極間に配置された発光層とが設けられた複数の画素領域が基板上に配置された発光装置の画素欠陥検査方法であって、
前記画素領域それぞれについて、前記発光層が発光する電圧以下の電圧を該発光層に印加して電荷を蓄積する工程と、
蓄積された電荷量を測定する工程と、
測定した電荷量から前記画素領域における欠陥の有無を判断する工程と、
を備えることを特徴とする発光装置の画素欠陥検査方法。
【請求項２】
前記発光装置において、前記第１電極に供給される駆動電流を調節する駆動部と、前記駆動部に前記駆動電流を供給する第１配線と、前記駆動部に発光強度情報を供給する第２配線と、前記駆動部をスイッチング制御する制御情報を供給する第３配線と、が前記発光領域それぞれに対して設けられており、
前記第１配線が、複数の前記画素領域に共通していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の画素欠陥検査方法。
【請求項３】
前記発光装置において、前記第１配線から前記第１電極への電流の供給をスイッチング制御する選択用切替素子が、前記発光領域それぞれに対して設けられていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置の画素欠陥検査方法。
【請求項４】
前記発光装置において、前記第１配線よりも幅が狭く、前記測定用切替素子を介して前記第１電極に測定用電力を供給する測定用配線と、該測定用配線を介した前記第１電極への測定用電力の供給をスイッチング制御する測定用切替素子と、が前記発光素子それぞれに対応して形成されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置の画素欠陥検査方法。
【請求項５】
前記発光装置には、前記駆動部の駆動誤差を補償する補償部が形成されており、
前記測定用切替素子及び前記測定用配線が、前記補償部の少なくとも一部を構成することを特徴とする請求項４に記載の発光装置の画素欠陥検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機ＥＬパネルなどの発光装置の画素欠陥検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、有機ＥＬパネルでは、画素欠陥の検査が行われている。有機ＥＬパネルでは、例えば発光層の変質などの微小な欠陥がその製品の寿命期間において隣接する他の画素を構成する発光層に伝播して拡大する場合がある。そのため、有機ＥＬパネルにおいて欠陥の検査漏れが発生すると、液晶パネルと比較して重大な問題となることがある。
有機ＥＬパネルの欠陥検査としては、実際に有機ＥＬパネルを点灯させた状態で各画素を目視する目視検査が行われている。また、検査対象を撮像し、撮像した画像を参照画像と比較して欠陥の有無を検査する検査方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−１８５９９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の発光装置の画素欠陥検査方法においても、以下の課題が残されている。すなわち、上記従来の検査方法では、目視や画像の比較によって微小な欠陥を検出できない場合があり、欠陥検査の検査精度が低いという問題がある。
【０００５】
本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされてもので、精度よく画素の欠陥を検査できる発光装置の画素欠陥検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる発光装置の画素欠陥検査方法は、第１及び第２電極と該第１及び第２電極間に配置された発光層とが設けられた複数の画素領域が基板上に配置された発光装置の画素欠陥検査方法であって、前記画素領域それぞれについて、前記発光層が発光する電圧以下の電圧を該発光層に印加して電荷を蓄積する工程と、蓄積された電荷量を測定する工程と、測定した電荷量から前記画素領域における欠陥の有無を判断する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
この発明では、各画素領域における第１及び第２電極間の容量を測定することで各画素領域の欠陥の有無を判断するため、目視や画像処理では検査されにくい微少領域の欠陥検査が可能となる。
すなわち、第１及び第２電極間に発光層が発光しない程度の電圧を印加すると、発光層に電荷が蓄積される。ここで、陽極及び陰極間が短絡している場合には、電圧を印加しても発光層に電荷が蓄積されない。また、発光層が薄く形成されている場合には、発光層が設計どおりに形成されている場合と比較して、発光層に蓄積される電荷量が減少する。さらに、発光層が変質している場合には、発光層に蓄積される電荷量が増減する。このように、画素領域を構成する第１及び第２電極と発光層とに異常が発生している場合に発光装置に蓄積される電荷量が増減するため、目視や画像処理で検査されにくい微少領域における欠陥を検査できる。
【０００８】
また、本発明の発光装置の画素欠陥検査方法は、前記発光装置において、前記第１電極に供給される駆動電流を調節する駆動部と、前記駆動部に前記駆動電流を供給する第１配線と、前記駆動部に発光強度情報を供給する第２配線と、前記駆動部をスイッチング制御する制御情報を供給する第３配線と、が前記発光領域それぞれに対して設けられており、前記第１配線が、複数の前記画素領域に共通していることが好ましい。
この発明では、複数の画素領域に共通する第１配線を用いて発光層への電圧の印加及び発光層に蓄積された電荷量の測定が行えるため、電荷量の測定が容易になる。すなわち、第３配線から供給する制御情報により、複数の画素領域のうちの１つの画素領域における駆動部をオン状態とする。そして、駆動部をオン状態としたまま第１配線を介して第１電極に電圧を印加することで、発光層に電荷が蓄積される。このように、制御情報によって複数の画素領域のうちの１つを選択でき、選択した１つの画素領域の発光層に電荷を蓄積できるため、複数の画素領域における電荷量の測定が容易になる。
【０００９】
また、本発明の発光装置の画素欠陥検査方法は、前記発光装置において、前記第１配線から前記第１電極への電流の供給をスイッチング制御する選択用切替素子が、前記発光領域それぞれに対して設けられていることが好ましい。
この発明では、選択用切替素子によって第１配線から供給される電流を遮断することで、画素領域を発光する大きな駆動電流を流すために幅広に形成された第１配線による寄生容量の影響を低減し、より精度のよい電荷量の測定が行える。
【００１０】
また、本発明の発光装置の画素欠陥検査方法は、前記発光装置において、前記第１配線よりも幅が狭く、前記測定用切替素子を介して前記第１電極に測定用電力を供給する測定用配線と、該測定用配線を介した前記第１電極への測定用電力の供給をスイッチング制御する測定用切替素子と、が前記発光素子それぞれに対応して形成されていることが好ましい。
この発明では、第１配線が画素領域の駆動のために大きな電流を流すために幅広に形成されているため、幅の狭い測定用配線に駆動電流よりも小さい測定用電流を供給することで、寄生容量の影響をより低減し、さらに精度のよい電荷量の測定が行える。
【００１１】
また、本発明の発光装置の画素欠陥検査方法は、前記発光装置には、前記駆動部の駆動誤差を補償する補償部が形成されており、前記測定用切替素子及び前記測定用配線が、前記補償部の少なくとも一部を構成することが好ましい。
この発明では、電荷量の測定のために他の配線を形成する必要がなくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】欠陥検査方法により検査される有機ＥＬパネルを示す概略平面図である。
【図２】図１の等価回路図である。
【図３】図１の概略断面図である。
【図４】欠陥検査方法により検査される有機ＥＬパネルを示す等価回路図である。
【図５】欠陥検査方法により検査される有機ＥＬパネルを示す等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
〔第１の実施形態〕
以下、本発明における発光装置の欠陥検査方法の第１の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。
【００１４】
［有機ＥＬパネル］
まず、本実施形態における欠陥検査装置で検査される有機ＥＬパネル（発光装置）について説明する。
本実施形態における有機ＥＬパネル１は、アクティブマトリックス型のカラー有機ＥＬパネルであって、図１に示すように、平面視でほぼ矩形の素子基板２を備えている。
素子基板２の中央部分には、図１及び図２に示すように、複数の画素領域１１、データ線（第２配線）１２、走査線（第３配線）１３及び電源線（第１配線）１４が配置された実表示領域１５が形成されている。電源線１４は、素子基板２の端部まで引き廻されている。また、素子基板２の実表示領域１５の外側には、図１に示すように、データ線駆動回路１６及び走査線駆動回路１７が配置されたダミー領域１８が形成されている。そして、素子基板２のダミー領域１８の外側には、後述する陰極層（第２電極）２２に接続される陰極用配線１９が配置されている。この実表示領域１５及びダミー領域１８により、画素部２０が形成されている。
【００１５】
複数の画素領域１１それぞれには、図２に示すように、画素電極となる陽極層（第１電極）２１と、陰極層２２と、陽極層２１及び陰極層２２の間に挟みこまれる発光層２３とが設けられている。これら陽極層２１、陰極層２２及び発光層２３により、有機ＥＬ素子が構成される。また、複数の画素領域１１それぞれには、陽極層２１をスイッチング制御するための駆動部２４が設けられている。
【００１６】
駆動部２４は、ＴＦＴ素子２５、２６と、保持容量２７とを備えている。
ＴＦＴ素子２５は、ゲートが走査線１３に接続されて、ソースがデータ線１２に接続され、ドレインがＴＦＴ素子２６及び保持容量２７に接続されている。また、ＴＦＴ素子２５は、走査線１３を介して走査線駆動回路１７から供給された走査信号に応じて、データ線１２を介してデータ線駆動回路１６から供給されたデータ信号を保持容量２７に供給する構成となっている。
ＴＦＴ素子２６は、ゲートがＴＦＴ素子２５のドレインに接続され、ソースが電源線１４に接続され、ドレインが陽極層２１に接続されている。そして、ＴＦＴ素子２６は、保持容量２７で保持されたデータ信号に応じてオン・オフ状態が決定され、電源線１４を介して供給される駆動電流を陽極層２１に供給する構成となっている。
データ線１２、走査線１３及び電源線１４は、実表示領域１５内において格子状に配置されている。そして、データ線１２はデータ線駆動回路１６に接続され、走査線１３は走査線駆動回路１７に接続されている。
【００１７】
次に、素子基板２の画素領域１１における詳細な構成について説明する。
素子基板２は、図３に示すように、例えばガラスなどの透光性材料で構成された基板本体３１と、基板本体３１上に積層された素子形成層３２、陽極層２１、発光層２３、陰極層２２及び陰極保護膜３３と、を備えている。
【００１８】
素子形成層３２には、データ線１２、走査線１３及び電源線１４とＴＦＴ素子２５、２６とが適宜の絶縁膜を介して形成されている。
陽極層２１は、図３に示すように、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透光性の導電材料で形成されており、ＴＦＴ素子２６のドレインに接続されている。
発光層２３は、低分子の有機発光色素や高分子発光体のような各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質、例えばＡｌｑ３（トリス（８−キノリノール）アルミニウム）などで形成されている。なお、発光層２３は、電圧の印加により白色に発光するように形成されている。ここで、発光層２３と陽極層２１との間や発光層２３と陰極層２２との間には、正孔注入層や正孔輸送層、電子輸送層などを適宜形成されてもよい。
【００１９】
陰極層２２は、発光層２３側から順に例えば１ｎｍのＬｉＦ（フッ化リチウム）膜及び例えば１０ｎｍのＭｇ（マグネシウム）Ａｇ（銀）膜（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）を積層した構成となっている。なお、陰極層２２は、複数の画素領域１１の全域にわたる共通電極となっている。
陰極保護膜３３は、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコン窒酸化物などのシリコン化合物のような無機化合物で形成されており、製造工程において陰極層２２が腐食することを防止する。
【００２０】
また、素子基板２の上面には、接着層４０によりカラーフィルタ基板４１が貼付されている。カラーフィルタ基板４１は、例えばガラスなどの透光性材料で形成された基板本体４２と、基板本体４２上に形成されたカラーフィルタ層４３及び遮光層４４とを備えている。
カラーフィルタ層４３は、画素領域１１に対応して配置されており、例えばアクリルなどで形成されて各画素領域１１の表示色に対応する色材を含有している。
遮光層４４は、各画素領域１１の縁部に対応して配置されており、各画素領域１１を縁取っている。
なお、基板本体４２の内面側に凹部を設け、この凹部に水や酸素を吸収するゲッター剤（例えば、ＣａＯ、ＢａＯなど）を配置してもよい。
【００２１】
［欠陥検査方法］
次に、本実施形態における欠陥検査方法について説明する。
まず、陽極層２１及び陰極層２２の間に発光層２３が発光しない程度の電圧を印加して発光層２３に電荷を蓄積する。ここでは、例えば陽極層２１に５Ｖ、陰極層２２に３Ｖの電圧を印加する。
【００２２】
具体的には、電源線１４に５Ｖの電圧を印加し、陰極層２２に３Ｖの電圧を印加する。このとき、走査線１３及びデータ線１２に走査信号及びデータ信号を供給すると、ＴＦＴ素子２５は、ゲートに供給される走査信号によってオン状態となり、ソースに供給されたデータ信号を保持容量２７に蓄積する。そして、ＴＦＴ素子２６は、保持容量２７で保持されたデータ信号によってオン状態となり、ソースに供給されている電源線１４の駆動電流が陽極層２１に供給される。このようにして、陽極層２１に５Ｖの電圧が印加される。
一方、陰極層２２は、すべての画素領域１１に共通する電極となっているため、陰極層２２に３Ｖの電圧を印加するとすべての画素領域における陰極層２２に３Ｖの電圧が印加される。
そして、陽極層２１及び陰極層２２の間に電圧を印加した状態で一定時間保持し、発光層２３に十分な量の電荷を蓄積させる。
【００２３】
続いて、陽極層２１及び陰極層２２の間に蓄積された電荷を測定する。ここでは、電源線１４及び陰極層２２それぞれにプローブを配置した状態で、陽極層２１及び陰極層２２それぞれに印加する電圧を同一にして発光層２３に蓄積されている電荷を開放させ、各プローブで電荷量を測定する。
【００２４】
具体的には、例えば陽極層２１及び陰極層２２それぞれに３Ｖの電圧を印加する。このとき、上述したように、走査線１３及びデータ線１２に走査信号及びデータ信号を供給することにより、ＴＦＴ素子２５は、オン状態となり、ＴＦＴ素子２６を介して陽極層２１に陰極層２２と同一の３Ｖの電圧を印加する。これにより、１つの画素領域１１の発光層２３に蓄積されている電荷量が測定される。
そして、測定されていない他の複数の画素領域１１に対して、上述と同様の手法により発光層２３に電圧を印加し、蓄積された電荷量を測定する。このようにして、すべての画素領域１１に対して電荷量の測定が行われる。
【００２５】
次に、測定した電荷量から画素領域１１における欠陥の有無を判断する。ここでは、複数の画素領域１１それぞれの発光層２３に蓄積されている電荷量から画素領域１１それぞれの容量を算出し、予め設定されている基準値と比較することで、画素領域１１に欠陥があるか否かを判断する。
例えば陽極層２１及び陰極層２２が短絡している場合には、上述した発光層２３に電荷を蓄積させる工程において電荷が蓄積されないため、測定された電荷量が０となる。また、発光層２３が設計よりも薄い場合には、発光層２３に蓄積される電荷量が設計どおりに発光層２３を形成した場合と比較して少なくなる。さらに、発光層２３を構成する材料が変質した場合にも、発光層２３に蓄積される電荷量が設計どおりに発光層２３を形成した場合と比較して変化する。したがって、画素領域１１の容量は、有機ＥＬ素子の状態に応じて変化する。
以上のようにして、有機ＥＬパネル１における欠陥を検査する。
【００２６】
以上のように、本実施形態にかかる有機ＥＬパネル１における画素領域１１の欠陥検査方法では、各画素領域１１における陽極層２１及び陰極層２２の間の容量を測定することで各画素領域１１の欠陥の有無を判断するため、目視や画像処理では検査されにくい微少領域の欠陥検査が可能となる。
また、複数の画素領域１１に共通する電源線１４を用いて発光層２３への電圧の印加及び発光層２３に蓄積された電荷量の測定を行うため、電荷量の測定が容易になる。
【００２７】
〔第２の実施形態〕
次に、本発明における発光装置の欠陥検査方法の第２の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、本実施形態では、上述した第１の実施形態と有機ＥＬパネルの構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００２８】
［有機ＥＬパネル］
本実施形態にかかる有機ＥＬパネル５０は、図４に示すように、電源線１４と駆動部２４との間に設けられた選択ＴＦＴ素子（選択用切替素子）５１と、選択ＴＦＴ素子５１に接続される選択線５２とを備えている。
選択ＴＦＴ素子５１は、素子形成層３２に形成されており、ゲートが選択線５２に接続され、ソースが電源線１４に接続され、ドレインがＴＦＴ素子２６のソースに接続されている。また、選択ＴＦＴ素子５１は、選択線５２を介して選択駆動回路（図示略）から供給された選択信号に応じて、電源線１４に供給された電圧をＴＦＴ素子２６のソースに供給する構成となっている。
選択線５２は、選択ＴＦＴ素子５１と同様に素子形成層３２に形成されており、データ線１２、走査線１３及び電源線１４と同様に実表示領域１５内で格子状に配置されている。そして、選択線５２は、上記選択駆動回路に接続されている。
【００２９】
［欠陥検査方法］
次に、本実施形態における欠陥検査方法について説明する。
まず、上述の実施形態と同様に、例えば陽極層２１に５Ｖ、陰極層２２に３Ｖの電圧を印加して発光層２３に電荷を蓄積する。ここでは、選択線５２に選択信号を供給し、選択ＴＦＴ素子５１をオン状態とし、ソースに供給される電源線１４からの電流をＴＦＴ素子２６のソースに供給する。また、走査線１３及びデータ線１２に走査信号及びデータ信号を供給し、上述と同様に、ＴＦＴ素子２６のソースに供給されている電源線１４からの電流を陽極層２１に供給する。このようにして、陽極層２１に５Ｖの電圧が印加される。
そして、陽極層２１及び陰極層２２の間に電圧を印加した状態で一定時間保持し、発光層２３に十分な量の電荷を蓄積させる。
【００３０】
続いて、上述の実施形態と同様に、陽極層２１及び陰極層２２の間に蓄積された電荷量を測定する。ここでは、上述と同様に、例えば陽極層２１及び陰極層２２それぞれに３Ｖの電圧を印加する。これにより、陽極層２１に陰極層２２と同一の３Ｖの電圧を印加して蓄積された電荷を開放させ、電荷量を測定する。
そして、測定されていない他の複数の画素領域１１に対して、上述と同様の手法により発光層２３に電圧を印加し、蓄積された電荷量を測定する。このようにして、すべての画素領域１１に対して電荷量の測定が行われる。
その後、測定した電荷量から画素領域１１における欠陥の有無を判断する。
【００３１】
ここで、電荷量を測定している画素領域１１以外の他の画素領域１１における選択ＴＦＴ素子５１は、選択信号が供給されていないため、オフ状態となっている。このため、測定している画素領域１１に接続される電源線１４以外の他の電源線１４には、駆動電流が供給されていない。これにより、発光層２３を発光させるために比較的大きい駆動電流が流れるために走査線１３やデータ線１２と比較して幅広となっている電源線１４の影響を受けず、より精度の高い電荷量の測定が行われる。
以上のようにして、有機ＥＬパネル５０における欠陥を検査する。
【００３２】
以上のように、本実施形態にかかる有機ＥＬパネル５０における画素領域１１の欠陥検査方法では、選択ＴＦＴ素子５１によって電源線１４から供給される電流を遮断することで、幅広に形成された電源線１４による寄生容量の影響を低減し、より精度のよい電荷量の測定が行える。
【００３３】
〔第３の実施形態〕
次に、本発明における発光装置の欠陥検査方法の第３の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、本実施形態では、上述した第１の実施形態と有機ＥＬパネルの構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３４】
［有機ＥＬパネル］
本実施形態にかかる有機ＥＬパネル６０は、図５に示すように、各画素領域１１に設けられた駆動部６１と、補償部６２と、第１から第３制御線６３〜６５と、初期化線６６と、を備えている。
【００３５】
駆動部６１は、素子形成層３２に形成されており、ＴＦＴ素子２５と、第１及び第２駆動ＴＦＴ素子２６Ａ、２６Ｂと、第１から第３容量素子７１〜７３と、を備えている。
第１駆動ＴＦＴ素子２６Ａは、ソースが電源線１４に接続されていると共にドレインが第２駆動ＴＦＴ素子２６Ｂのソースに接続されている。
第２駆動ＴＦＴ素子２６Ｂは、ゲートが第３制御線６５に接続されており、ドレインが陽極層２１に接続されている。
【００３６】
第１から第３容量素子７１〜７３は、π型に接続されている。すなわち、第１容量素子７１は、一端がＴＦＴ素子２５のドレインに接続されており、他端が第１駆動ＴＦＴ素子２６Ａのソースに接続されている。
第２容量素子７２は、一端が第１駆動ＴＦＴ素子２６Ａのゲートに接続されており、他端が第１駆動ＴＦＴ素子２６Ａのソースに接続されている。
第３容量素子７３は、一端がＴＦＴ素子２５のドレインに接続されており、他端が第１駆動ＴＦＴ素子２６Ａのゲートに接続されている。
【００３７】
補償部６２は、素子形成層３２に形成されており、第１から第３制御ＴＦＴ素子７５〜７７を備えている。
第１制御ＴＦＴ素子７５は、ゲートが第２制御線６４に接続されており、ソースが初期化線６６に接続されており、ドレインが第３容量素子７３の一端に接続されている。
第２制御ＴＦＴ素子７６は、ゲートが第２制御線６４に接続されており、ソースが第１駆動ＴＦＴ素子２６Ａのゲートに接続されており、ドレインが第２駆動ＴＦＴ素子２６Ｂのソースに接続されている。
第３制御ＴＦＴ素子（測定用切替素子）７７は、ゲートが第１制御線６３に接続されており、ソースが第１制御ＴＦＴ素子７５のソースに接続されており、ドレインが第２駆動ＴＦＴ素子２６Ｂのソースに接続されている。データ線１２によって、電源線１４よりも幅が狭い測定用配線が構成されている。
【００３８】
第１制御線６３は、第３制御ＴＦＴ素子７７のゲートに対して初期化信号を供給する。
第２制御線６４は、第１及び第２制御ＴＦＴ素子７５、７６それぞれのゲートに対して補償制御信号を供給する。
第３制御線６５は、第２駆動ＴＦＴ素子２６Ｂのゲートに対して発光制御信号を供給する。
初期化線６６には、第３容量素子７３の電圧を初期化するための初期化電圧が印加されている。
これら第１から第３制御線６３〜６５と、初期化線６６とは、駆動部６１及び補償部６２と同様に素子形成層３２に形成されており、データ線１２、走査線１３及び電源線１４と同様に実表示領域１５内で格子状に配置されている。
【００３９】
ここで、このような構成の補償部６２の動作について簡単に説明する。上記のような構成の補償部６２では、まず、第１制御線６３に初期化信号を供給し、第２制御線６４に補償制御信号を供給することで、第１から第３制御ＴＦＴ素子７５〜７７をオン状態とする。これにより、第３容量素子７３は、蓄積された電荷を開放し、初期化線６６によって初期化電圧に設定される。なお、第２駆動ＴＦＴ素子２６Ｂは、第３制御線６５に発光制御信号が供給されていないため、オフ状態となっている。
【００４０】
次に、第１制御線６３に初期化信号を供給することで、第１及び第２制御ＴＦＴ素子７５、７６をオン状態とする。また、第２制御線６４に補償制御信号を供給しないことで、第３制御ＴＦＴ素子７７は、オフ状態となっている。これにより、第１駆動ＴＦＴ素子２６Ａのゲート電圧は、電源線に供給されている電圧と第１駆動ＴＦＴ素子２６Ａのゲート・ソース間の閾値電圧との差に収束する。このように、第１駆動ＴＦＴ素子２６Ａのゲート電圧は、配線の寄生容量の影響を受けた場合でも、補償部６２によって一定の値に設定される。したがって、駆動部６１の動作が安定する。なお、補償部６２の詳細な動作については、例えば特開２００７−３１６４６２号公報に記載されている。
【００４１】
［欠陥検査方法］
次に、本実施形態における欠陥検査方法について説明する。
まず、上述の実施形態と同様に、例えば陽極層２１に５Ｖ、陰極層２２に３Ｖの電圧を印加して発光層２３に電荷を蓄積する。ここでは、走査線１３に走査信号を供給し、第２制御線６４に補償制御信号を供給し、第１制御線６３に初期化信号を供給し、第３制御線６５に発光制御信号を供給し、ＴＦＴ素子２５と、第１及び第３制御ＴＦＴ素子７５、７７と、第２駆動ＴＦＴ素子２６Ｂとをそれぞれオン状態とする。
そして、データ線１２に第１駆動ＴＦＴ素子２６Ａがオン状態とならない程度の電圧で発光層２３に電荷を蓄積するための信号を供給し、ＴＦＴ素子２５と、第１及び第３制御ＴＦＴ素子７５、７７と、第２駆動ＴＦＴ素子２６Ｂとを介して陽極層２１に電流を供給する。このようにして、陽極層２１に５Ｖの電圧が印加される。
そして、陽極層２１及び陰極層２２の間に電圧を印加した状態で一定時間保持し、発光層２３に十分な量の電荷を蓄積させる。
【００４２】
続いて、上述の実施形態と同様に、陽極層２１及び陰極層２２の間に蓄積された電荷量を測定する。ここでは、上述と同様に、例えば陽極層２１及び陰極層２２それぞれに３Ｖの電圧を印加する。これにより、陽極層２１に陰極層２２と同一の３Ｖの電圧を印加して蓄積された電荷を開放させ、電荷量を測定する。
そして、測定されていない他の複数の画素領域１１に対して、上述と同様の手法により発光層２３に電圧を印加し、蓄積された電荷量を測定する。このようにして、すべての画素領域１１に対して電荷量の測定が行われる。
その後、測定した電荷量から画素領域１１における欠陥の有無を判断する。
【００４３】
このとき、データ線１２を介して陽極層２１に電荷を蓄積するための電圧を印加しているため、電源線１４には、電流が供給されていない。これにより、上述と同様に発光層２３を発光させるために比較的大きい駆動電流を流すために幅広となっている電源線１４の影響を受けず、精度の高い電荷量の測定が行われる。
以上のようにして、有機ＥＬパネル６０における欠陥を検査する。
【００４４】
以上のように、本実施形態にかかる有機ＥＬパネル６０における画素領域１１の欠陥検査方法では、電源線１４よりも幅が狭い配線を介して陽極層２１に電圧を印加しているため、寄生容量の影響をより低減し、より精度のよい電荷量の測定が行える。また、補償部６２を用いて発光層２３への電荷の蓄積及び蓄積された電荷量の測定を行っているため、電荷量の測定のために他の配線を形成する必要がなくなる。
【００４５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、電源線やデータ線のように複数の画素領域に共通する配線を介して陽極層に電圧を印加しているが、陽極層及び陰極層の間に電圧を印加して発光層に電荷を蓄積した後に蓄積された電荷量を測定することによって画素領域における欠陥の有無を判別していれば、各画素領域における陽極層それぞれに対して電圧を直接印加してもよい。
また、画素領域における陽極層及び陰極層の間への電圧の印加は、すべての画素領域を走査するように１つずつ行っているが、すべての画素領域に対して同時に行ってもよい。
そして、駆動部や補償部の構成は、上記実施形態のような構成に限られない。
【００４６】
また、有機ＥＬパネルは、アクティブマトリックス型の有機ＥＬパネルとなっているが、これに限られない。
そして、光学装置は、有機ＥＬパネルで構成されているが、ラインヘッドに用いられる有機ＥＬパネルであってもよい。
【符号の説明】
【００４７】
１，５０，６０  有機ＥＬパネル（発光装置）、１１  画素領域、１２  データ線（第２配線，測定用配線）、１３  走査線（第３配線）、１４  電源線（第１配線）、２１  陽極層（第１電極）、２２  陰極層（第２電極）、２３  発光層、２４，６１  駆動部、５１  選択ＴＦＴ素子（選択用切替素子）、５２  選択線、７７  第３制御ＴＦＴ素子（測定用切替素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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