(57)【要約】【課題】少なめのオーバードライブ量でも、コンタクト部を検査対象物に確実に安定した状態で接触させることができるコンタクトプローブを提供する。【解決手段】片持ち梁構造のビーム部３とコンタクト部２とを有するコンタクトプローブ１において、ビーム部３は、コンタクトプローブ１の高さ方向に積層された導電性材料からなり、コンタクト部２は、ビーム部３上で高さ方向に導電性材料が積層された本体部２１と、本体部２１の先端面と側面とを導電性材料で被覆して形成された被覆部２２とからなる。本体部２１は、検査対象物１０２に向って階段状に断面積が減少していく形状としている。被覆部２２の先端部には曲面が形成され、この曲面を検査対象物１０２に接触させることにより、常に接触面積を小さくできる。【選択図】  図３
2010038606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクト部と、
上記コンタクト部を支持するコンタクト支持部とを備え、
上記コンタクト部は、上記コンタクト支持部上に形成された積層構造を有する本体部と、当該本体部の先端面及び側面を導電性材料で被覆して形成された被覆部とを有することを特徴とするコンタクトプローブ。
【請求項２】
上記本体部は、先端に向って階段状に断面積が減少していく形状からなることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項３】
外部との間で信号が入出力される外部端子を有するメイン基板と、
上記外部端子と導通する２以上のコンタクトプローブが形成されたプローブ基板とを備えたプローブカードであって、
上記コンタクトプローブは、
コンタクト部と、一端が上記プローブ基板に固定され、他端に上記コンタクト部が突設される片持ち梁構造のコンタクト支持部とを有し、
上記コンタクト部は、上記コンタクト支持部上に形成された積層構造を有する本体部と、当該本体部の先端面及び側面を導電性材料で被覆して形成された被覆部とを有することを特徴とするプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査対象物に当接させるためのコンタクト部と、このコンタクト部を支持するコンタクト支持部とを備えるコンタクトプローブに関する。
【背景技術】
【０００２】
プローブカードは、半導体集積回路などの検査対象物の電気的特性を検査するために用いられ、複数のコンタクトプローブ（接触探針）を備えている。複数のコンタクトプローブは、半導体集積回路の電極パッドの数およびピッチに対応して基板上に固定され、これらコンタクトプローブを電極パッドに接触させることにより、電気信号を取出すことができる。
【０００３】
半導体ウエハ上のデバイスの電気的特性を検査する時は、コンタクトプローブを半導体ウエハ上の電極パッドに接触させた後、コンタクトプローブを更に半導体ウエハ側に押し付ける動作であるオーバードライブを行って、すべてのコンタクトプローブをそれぞれ電極パッドに確実に接触させる。
【０００４】
上記コンタクトプローブとしては、例えば、一端が基板に固定され、他端が自由端となる弾性変形可能な片持ち梁構造のビーム部と、このビーム部の自由端側に形成されたコンタクト部とを有するものがある（例えば特許文献１参照）。そして、この種のコンタクトプローブは、コンタクト部を半導体ウエハ側に押し付けることにより、ビーム部が弾性変形するようになっている。
【０００５】
ところで、半導体デバイスは、フォトリソグラフィ技術などの進歩による微細加工精度の著しい向上によって高集積化されてきた。その結果、半導体デバイスは、そのチップ面積に対する電極パッド数が飛躍的に増大し、最近では、千個を越える電極パッドが数ミリ角の半導体チップ上に狭ピッチで配置されるようになってきた。このような半導体チップについて電気的特性試験を行うためには、電極パッドと同様のピッチでコンタクトプローブを配置させたプローブカードが必要となる。そこで、上記した特許文献１にも開示されているように、半導体デバイスと同様のフォトリソグラフィ技術を利用して、コンタクトプローブを製造する技術が種々提案されている。
【０００６】
上記特許文献１には、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて形成された積層体からなるコンタクトプローブが開示されている。このコンタクトプローブは、プローブ基板に垂直な方向、すなわち、コンタクトプローブの高さ方向に積層された複数のめっき層によって構成される。各めっき層は、フォトリソグラフィ技術を用いてパターンニングされており、２次元形状の異なるめっき層を順に積層していくことによって、３次元形状のコンタクトプローブを形成することができる。このようにして形成された片持ち梁構造のコンタクトプローブは、ビーム部の固定端側を略直角に屈曲させた形状となる。
【０００７】
ＭＥＭＳ技術により、積層方向の端面がコンタクト部の先端面となるようにコンタクトプローブを形成する場合、上記片持ち梁構造のコンタクトプローブだけでなく、縦型のコンタクトプローブにおいても、コンタクト部の検査対象物に接触する面は平坦面に形成される。ところで、このコンタクト部における上記接触面は面積が小さいほど検査対象物への押圧力が増すので、コンタクト部の接触面の面積はできるだけ小さくすることが望ましい。接触面の面積が小さくなるようにＭＥＭＳ技術によりコンタクト部を形成するためには、長細くなるように導電性材料を積層してコンタクト部を形成するか、面積が徐々に小さくなるように厚みの薄い複数のめっき層を積層してコンタクト部を形成することが考えられる。
【０００８】
また、片持ち梁構造のコンタクトプローブは、コンタクト部を検査対象物に接触させた状態で上記オーバードライブを行ってビーム部を弾性変形させるため、コンタクト部のビーム部からの高さが低すぎると、ビーム部の屈曲した部分が検査対象物に接触してしまう虞がある。また、ごみの大きさがコンタクト部の高さよりも大きい場合には、コンタクト部が検査対象物に接触しなくなる虞がある。特に、コンタクト部の先端部によって検査対象物が削られて発生したごみが問題となりやすい。そのため、コンタクト部のビーム部からの高さは上記問題が生じない高さが必要となる
【０００９】
従って、従来の片持ち梁構造のコンタクトプローブに設けるコンタクト部は、ビーム部からの高さを上記問題が生じない高さとし、接触により破損しない強度を有するように検査対象物との対向面の面積を比較的大きくした柱状体から構成している。このようなコンタクト部は上記対向面の面積が比較的大きいため、オーバードライブによりビーム部を弾性変形させて、このコンタクト部の上記対向面の角部を検査対象物に接触させることにより接触面積が小さくなるようにしている。このようにコンタクト部の検査対象物との接触面積を小さくすることにより、コンタクト部の検査対象物への押圧力を大きくすることができるので、確実にコンタクト部を検査対象物に接触させることができる。
【特許文献１】特開２００１−９１５３９号公報の図７（Ａ）〜図１０（Ｏ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述したように、ＭＥＭＳ技術により複数のめっき層をプローブの高さ方向にそれぞれ平行となるように積層して形成された従来のコンタクトプローブは、上記コンタクト部の先端が平坦な面に形成される。そして、先端が平坦なコンタクト部は、コンタクトプローブをオーバードライブすることなく、単に検査対象物に接触させた状態では、コンタクト部の平坦な先端面全体が検査対象物に接触した状態となる。
【００１１】
このように、コンタクト部の平坦な先端面の面積が大きいと、先端面全体が接触した状態のままでは、コンタクト部と検査対象物との接触圧力が十分に得られず、確実にコンタクト部を検査対象物に接触させることができない。そこで、従来では、例えば、オーバードライブを行うことにより、コンタクト部の先端面の角部のみを検査対象物に接触させて十分な接触圧力が得られるようにしている。しかしながら、先端に平坦面が形成されるコンタクト部は、所定のオーバードライブ量に達するまでは、角部のみを接触させた状態にすることができない。
【００１２】
また、片持ち梁構造のコンタクトプローブの場合、コンタクト部の先端が平坦面である場合には、コンタクトプローブをオーバードライブにより弾性変形されたときに、まず、コンタクト部の自由端側の角部により検査対象物の表面を削るスクラブ動作が行われる。そして、コンタクトプローブを検査対象物から離していくときには、上記スクラブの方向とは反対の方向にコンタクト部が動くことになる。このとき、コンタクト部の固定端側の角部が検査対象物の表面に当接しながら移動するので、コンタクト部の先端にごみが付着する問題が生じていた。
【００１３】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、コンタクトプローブをプローブの高さ方向に導電性材料を積層して形成する場合に、コンタクト部の先端が丸みをおびたコンタクトプローブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
第１の本発明によるコンタクトプローブは、コンタクト部と、上記コンタクト部を支持するコンタクト支持部とを備え、上記コンタクト部は、上記コンタクト支持部上に形成された積層構造を有する本体部と、当該本体部の先端面及び側面を導電性材料で被覆して形成された先端が曲面形状からなる被覆部とを有するように構成されている。
【００１５】
本発明のコンタクトプローブによれば、上記コンタクト部の上記被覆部は、先端部に曲面が形成されているので、検査対象物に接触した時点から、当該検査対象物への接触面積を小さくすることができる。その結果、２以上のコンタクトプローブの上記コンタクト部の全てを確実に上記検査対象物に圧接させるためにコンタクトプローブをオーバードライブさせる場合でも、先端が平坦面で形成されているコンタクト部に比べて、オーバードライブ量が少なくても接触状態を良くすることができる。
【００１６】
さらに、本発明のコンタクトプローブによれば、上記コンタクト部の上記被覆部は、先端部が丸く形成されているので、オーバードライブを解除した場合に、検査対象物上にごみの付着が起こり難い。
【００１７】
第２の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記本体部は、先端に向って階段状に断面積が減少していく形状をしている。このように階段状になるように上記本体部が形成されていることにより、上記本体部の先端面の面積を徐々に小さくすることができる。従って、上記被覆部は、検査対象物への接触面積を小さくでき、上記被覆部を検査対象物に確実に接触させることができる。
【００１８】
第３の本発明によるプローブカードは、外部との間で信号が入出力される外部端子を有するメイン基板と、上記外部端子と導通する２以上のコンタクトプローブが形成されたプローブ基板とを備えたプローブカードであって、上記コンタクトプローブは、コンタクト部と、一端が上記プローブ基板に固定され、他端に上記コンタクト部が突設される片持ち梁構造のコンタクト支持部とを有し、上記コンタクト部は、上記コンタクト支持部上に形成された積層構造を有する本体部と、当該本体部の先端面及び側面を導電性材料で被覆して形成された先端が曲面形状からなる被覆部とを有するように構成されている。
【００１９】
本発明のプローブカードによれば、上記コンタクト部の上記被覆部は、先端部に曲面が形成されているので、検査対象物に接触した時点から、当該検査対象物への接触面積を小さくすることができる。その結果、２以上のコンタクトプローブの上記コンタクト部の全てを確実に上記検査対象物に圧接させるためにコンタクトプローブをオーバードライブさせる場合でも、先端が平坦面で形成されているコンタクト部に比べて、オーバードライブ量が少なくても接触状態を良くすることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によるプローブカードによれば、上記コンタクト部の上記被覆部は、先端部に曲面が形成されているので、検査対象物に接触した時点から、検査対象物への接触面積を小さくすることができ、確実に上記コンタクト部を検査対象物に接触させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明にかかるコンタクトプローブの実施の形態について図面に基づいて説明する。
【００２２】
〔プローブ装置〕
図１は、本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００の内部の様子が示されている。このプローブ装置１００は、プローブカード１１０と、検査対象物１０２が載置される可動ステージ１０３と、可動ステージ１０３を昇降させる駆動装置１０４と、可動ステージ１０３及び駆動装置１０４が収容される筐体１０５とにより構成される。
【００２３】
検査対象物１０２は、半導体ウエハであり、複数の電子回路（図示せず）が形成されている。可動ステージ１０３は、水平な載置面を有する載置台であり、駆動装置１０４の駆動により、検査対象物１０２を載置面上に載置させた状態で鉛直方向に上昇又は下降する。筐体１０５は、上部中央部に開口部が形成されており、この開口部を封鎖するように、プローブカード１１０が取り付けられる。また、可動ステージ１０３は、この開口部の下方に配置される。
【００２４】
〔プローブカード〕
図２（ａ）及び（ｂ）は、図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図であり、図中の（ａ）は、検査対象物１０２側(図１の下方側)から見た平面図であり、図中の（ｂ）は、側面図である。
【００２５】
プローブカード１１０は、筐体１０５の開口部に取り付けられるメイン基板１０６と、メイン基板１０６に保持される矩形状のプローブ基板１０７と、プローブ基板１０７上に固着された複数のコンタクトプローブ１とを備えている。
【００２６】
メイン基板１０６は、円板状のプリント基板であり、テスター装置との間で信号入出力を行うための外部端子１６１を有している。例えば、ガラスエポキシを主成分とする多層プリント回路基板がメイン基板１０６として用いられる。このメイン基板１０６は、その周辺部が筐体１０５の開口部の周縁で保持されて水平に支持される。
【００２７】
プローブ基板１０７は、メイン基板１０６の下方に配置され、メイン基板１０６に支持される。さらに、プローブ基板１０７は、連結部材１０８に電気的に接続され、この連結部材１０８をメイン基板１０６のコネクタ１６２に接続するように構成されている。このプローブ基板１０７は、メイン基板１０６よりも小さい矩形をしており、基板上に配線パターンが形成されている。配線パターンは、電源供給線、グランド線及び信号線の各配線パターンで形成されている。なお、検査対象物１０２がシリコンウエハからなる場合には、シリコンなどの単結晶基板でプローブ基板１０７を構成することが好ましい。このように、プローブ基板１０７をシリコン基板で構成することにより、プローブ基板１０７と検査対象物１０２との熱膨張の状態を近づけることができる。
【００２８】
連結部材１０８は、メイン基板１０６及びプローブ基板１０７を連結し、導電線としてメイン基板１０６とプローブ基板１０７とにそれぞれ形成されている配線間を導通させている。ここでは、ポリイミドを主成分とする可撓性を有するフィルム上に配線パターンが印刷されたフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）が連結部材１０８として用いられている。このフレキシブル基板は、その一端がプローブ基板１０７の周辺部に固着され、他端は着脱可能なコネクタ１６２を介してメイン基板１０６に連結されている。
【００２９】
本実施の形態では、プローブ基板１０７には多数の電極パッドが形成され、各電極パッドにコンタクトプローブ１が接合されることにより、プローブ基板１０７上に多数のコンタクトプローブ１が形成される。プローブ基板１０７は、上記したように、連結部材１０８を介してテスター装置に接続されたメイン基板１０６に導通しており、当該メイン基板１０６とともにプローブカードを構成する。検査時には、駆動装置１０４によって可動ステージ１０３を上昇させて、半導体ウエハにコンタクトプローブ１を接触させることにより、テスター装置と半導体ウエハとの間で各コンタクトプローブ１を介して信号が入出力されて、半導体ウエハの電気的特性の検査が行われる。
【００３０】
〔コンタクトプローブ〕
コンタクトプローブ１は、図１及び図２に示すように、検査対象物１０２上に形成された微細な電極パッド１２１に対し、弾性的に当接させるプローブ（探針）である。各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７における一方の主面上に整列配置されて固着されている。各コンタクトプローブ１は、各コンタクトプローブ１が固着されたプローブ基板１０７の主面が鉛直方向下側に向けて配置されることにより、可動ステージ１０３に配置された検査対象物１０２と対向させている。
【００３１】
図３（ａ）は、コンタクトプローブ１の側面図であり、図３（ｂ）は、その上面図である。コンタクトプローブ１は、検査対象物１０２上の電極パッド１２１に当接させるコンタクト部２と、一端がプローブ基板１０７に固定され、他端にコンタクト部２が突設されるビーム部３とにより構成される。本実施の形態では、ビーム部３がコンタクト支持部となる。
【００３２】
ビーム部３は、その一端部がプローブ基板１０７に固着される片持ち梁（カンチレバー）からなる。即ち、このビーム部３は、プローブ基板１０７に固着される基板固定部３１と、この基板固定部３１に連続して形成される弾性変形部３２とから構成される。弾性変形部３２は、基板固定部３１からプローブ基板１０７に対して湾曲しながら立ち上がってプローブ基板１０７に平行して延び、さらに、上方に向かって湾曲しており、この湾曲部分から自由端側に向かってプローブ基板１０７と平行に延びる直線部分を有する。基板固定部３１は、プローブ基板１０７との対向面側の一部が後記するプローブ形成用下地膜６で形成されている。
【００３３】
このビーム部３は、基板固定部３１を固定端とし、この固定端に対する弾性変形部３２の他端側を自由端として、この弾性変形部３２の自由端に検査対象物１０２側から荷重がかかることにより、この弾性変形部３２が弾性変形するようになっている。本実施形態では、可動ステージ１０３をプローブカード１１０に向けて上昇させて、ビーム部３の自由端部を検査対象物１０２で押圧することにより、ビーム部３の弾性変形部３２が弾性変形するようになっている。
【００３４】
コンタクト部２は、ビーム部３の自由端部における電極パッド１２１との対向面に接合された本体部２１と、この本体部２１の先端部を覆うように形成される被覆部２２とにより構成されている。
【００３５】
本体部２１は、積層構造を有し、ビーム部３上に積層されて接合される直方体形状のベース部２１ａと、このベース部２１ａの電極パッド１２１と対向する端面に突出させて形成されるコア部２１ｂとにより構成されている。さらに、コア部２１ｂは、第１円柱部２１１と第２円柱部２１２とを積層して形成されている。第１円柱部２１１と第２円柱部２１２とは、それぞれ断面が円形の円柱状体で形成され、円形断面の大きさがそれぞれ異なり、第１円柱部２１１が第２円柱部２１２より円形断面積が大きくなっている。さらに、第１円柱部２１１及び第２円柱部２１２の中心が同心となるように第１円柱部２１１の上に第２円柱部２１２が積層されている。そして、第１円柱部２１１及びベース部２１ａの中心が同心となるようにベース部２１ａの上に第１円柱部２１１が積層されている。第１円柱部２１１の円形断面積は、ベース部２１ａの断面積よりも小さくなっている。
【００３６】
本実施の形態では、本体部２１は、ベース部２１ａ、第１円柱部２１１そして第２円柱部２１２により構成されており、ベース部２１ａから順に断面積が減少していくように階段状に積層された形状になっている。さらに、コア部２１ｂ全体が被覆部２２で覆われており、ベース部２１ａは被覆部２２では覆われていない。
【００３７】
コア部２１ｂを構成する第１円柱部２１１及び第２円柱部２１２は、被覆部２２の先端部に所望の曲率の曲面を形成するために、これらの高さ及び円形断面の半径の大きさを適宜定める。即ち、第１円柱部２１１の先端面の大きさを小さくすれば、それだけ曲率の大きい曲面を被覆部２２の先端部に形成することができる。なお、本実施の形態では、コア部２１ｂは、２つの円柱状体で構成したが、３つ以上の大きさの異なる円柱状体で構成することもできる。
【００３８】
また、被覆部２２は、第２円柱部２１２における先端面及び側面と、第１円柱部２１１における露出した電極パッド１２１との対向面及び側面とを覆っており、コア部２１ｂの全体がこの被覆部２２で覆われた状態になっている。この被覆部２２は、本体部２１であるベース部２１ａ及びコア部２１ｂに電圧を印加することによりコア部２１ｂの外面全体に導電性材料を堆積させて形成される電気めっき層により形成されている。
【００３９】
被覆部２２となる電気めっき層は、コア部２１ｂにおける第１円柱部２１１及び第２円柱部２１２の大きさ（それぞれの円形断面積及び高さ）と、コア部２１ｂ上に導電性材料を堆積させる量とを制御することにより、丸みを調整できる。そして、被覆部２２の先端部を検査対象物１０２と対向させて、この検査対象物１０２の電極パッド１２１に被覆部２２の先端部を接触させる。
【００４０】
本実施の形態のプローブカード１１０では、複数のコンタクトプローブ１がプローブ基板１０７上にビーム幅方向に所定のピッチで配置されると共に、このようなピッチで配置されるコンタクトプローブ１の列が、ビーム先端が対向するように２列形成されている。本実施形態では、矩形のプローブ基板１０７の何れか１辺に平行な方向を配列方向として、コンタクトプローブ１の列が形成されている。なお、各コンタクトプローブ１の間隔は、検査対象物１０２上に形成されている電極パッド１２１間のピッチに応じて定められる。
【００４１】
そして、各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７、連結部材１０８、メイン基板１０６に形成される各配線を介してメイン基板１０６の外部端子１６１と導通している。コンタクトプローブ１のコンタクト部２を検査対象物１０２の微小な電極パッド１２１に当接させることによって、この検査対象物１０２をテスター装置と導通させることができる。
【００４２】
〔コンタクトプローブの構成材料〕
次に、コンタクトプローブ１の各構成部分の材料について説明する。コンタクトプローブ１は、抵抗値が低いほど望ましいことから、コンタクトプローブの各構成部分は、導電率の高い材料により構成されている必要がある。このような高導電性材料には、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金銅合金（Ａｕ−Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウムニッケル合金（Ｐｄ−Ｎｉ）、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）、ニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）などがある。本実施の形態では、後記する第２犠牲層８２を銅により形成するため、コンタクトプローブ１のビーム部３は、銅のエッチング液によって溶けない導電性材料を用いて形成することが好ましい。本実施の形態では、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）を用いてビーム部３を形成している。
【００４３】
また、コンタクトプローブ１のコンタクト部２における被覆部２２は、検査対象物１０２の電極パッド１２１に繰り返し当接させるため、高い耐磨耗性が要求される。また、コンタクト部２のベース部２１ａはビーム部３から容易に剥離しないように形成することが求められる。
【００４４】
従って、ベース部２１ａをビーム部３よりも硬度の低い材料により形成し、被覆部２２を高い耐摩耗性の材料により形成することが好ましい。そこで、被覆部２２を形成するために用いられる導電性材料としては、例えば、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウムコバルト合金（Ｐｄ−Ｃｏ）などの高耐磨耗性の導電性材料が挙げられる。なお、本実施形態では、被覆部２２はロジウム（Ｒｈ）で形成している。
【００４５】
また、ベース部２１ａを形成するために用いられる導電性材料としては、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）などが挙げられる。本実施の形態では、ベース部２１ａはニッケル（Ｎｉ）により形成している。さらに、ベース部２１ａと共に本体部２１を構成するコア部２１ｂは、ベース部２１ａと同じ材質により形成してもよいし、被覆部２２と同じ材質により形成してもよい。本実施の形態では、コア部２１ｂは、被覆部２２と同じロジウム（Ｒｈ）を用いて形成している。
【００４６】
〔コンタクトプローブの製造プロセス〕
図４から図８は、図３に示したコンタクトプローブ１の製造プロセスの一例を示した図である。コンタクトプローブ１は、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて作製される。ＭＥＭＳ技術とは、フォトリソグラフィ技術及び犠牲層エッチング技術を利用して、微細な立体的構造物を作成する技術である。フォトリソグラフィ技術は、半導体製造プロセスなどで利用される感光レジストを用いた微細パターンの加工技術である。また、犠牲層エッチング技術は、犠牲層と呼ばれる下層を形成し、その上に構造物を構成する層をさらに形成した後、上記犠牲層のみをエッチングして立体的な構造物を作製する技術である。
【００４７】
このような犠牲層を含む各層の形成処理には、周知のめっき技術を利用することができる。例えば、陰極としての基板と、陽極としての金属片とを電解液中に浸し、両電極間に電圧を印加することにより、電解液中の金属イオンを基板表面に付着させることができる。このような処理は電気めっき処理と呼ばれている。このような電気めっき処理は、基板を電解液に浸すウエットプロセスであるため、めっき処理後は乾燥処理が行われる。また、乾燥後には、研磨処理などによって積層面を平坦化させる平坦化処理が必要に応じて行われる。
【００４８】
図４（ａ）〜（ｄ）は、絶縁性基板であるプローブ基板１０７上に導電性膜を部分的に形成する導電性膜形成工程を示している。なお、この導電性膜形成工程には、絶縁膜４を形成する工程、第１導電性膜５１を形成する工程及びプローブ形成用下地膜６を形成する工程を含んでいる。
【００４９】
まず、図４（ａ）に示すように、プローブ基板１０７上に、二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜４を形成する。さらに、この絶縁膜４の上に銅（Ｃｕ）以外の導電性材料で、かつ、銅のめっき液に溶けない導電性材料を用いてプローブ形成用下地膜６を形成する。絶縁膜４及びプローブ形成用下地膜６は、スパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。
【００５０】
このプローブ形成用下地膜６を形成する導電性材料としては、例えば、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などが好ましい。特に、コンタクトプローブ１のビーム部３を構成する材料と同じ材料を用いることにより、このプローブ形成用下地膜６をコンタクトプローブ１の一部とすることができる。
【００５１】
そして、図示していないが、さらにプローブ形成用下地膜６上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布してレジスト層を形成する。その後、このレジスト層の表面を選択的に露光することにより、レジスト層を部分的に除去する。
【００５２】
このようにしてレジスト層が除去された部分に対して、図４（ｂ）に示すように、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、レジスト層が残っている部分を除いたプローブ形成用下地膜６を除去する。そして、レジスト層を完全に除去することにより、図４（ｂ）に示すように、プローブ基板１０７上に、部分的にプローブ形成用下地膜６が形成された状態になる。
【００５３】
本実施の形態では、プローブ形成用下地膜６は、絶縁膜４が露出する絶縁性領域４１で囲まれた状態に部分除去される。なお、図示していないが、コンタクトプローブ１をプローブ基板１０７に固定する場合には、プローブ形成用下地膜６をプローブ基板１０７上に形成される複数の電極を覆うように形成することが好ましい。
【００５４】
次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁膜４及びプローブ形成用下地膜６上に銅を用いて第１導電性膜５１を形成する。この第１導電性膜５１もスパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。
【００５５】
そして、図示していないが、第１導電性膜５１上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布してレジスト層を形成する。その後、このレジスト層の表面を選択的に露光することにより、レジスト層を部分的に除去する。
【００５６】
このようにしてレジスト層が除去された部分に対して、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、レジスト層が残っている部分を除いた第１導電性膜５１を除去する。そして、レジスト層を完全に除去することにより、図４（ｄ）に示すように、プローブ基板１０７上に、第１導電性膜５１により構成される第１導電性領域５１ａと、プローブ形成用下地膜６により構成されるプローブ下地膜領域６１と、露出する絶縁膜４により構成される絶縁性領域４１とが形成される。本実施の形態では、図４（ｄ）に示すように、第１導電性領域５１ａとプローブ下地膜領域６１とは、それぞれ絶縁性領域４１により絶縁された状態になっている。
【００５７】
図４（ｅ）は、絶縁性領域４１及び第１導電性領域５１ａを露出させる第１開口部７１ａを有するように第１レジスト層７１を形成する第１レジスト形成工程を示している。まず、プローブ基板１０７の全面に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第１レジスト層７１を形成する。その後、この第１レジスト層７１の表面を選択的に露光することにより、第１レジスト層７１を部分的に除去する。第１レジスト層７１を部分的に除去することにより、第１開口部７１ａが形成される。
【００５８】
残った第１レジスト層７１は、図４（ｅ）に示すように、プローブ形成用下地膜６の全体を覆った状態になる。そして、第１開口部７１ａ内には、第１導電性膜５１と絶縁膜４とが露出される。本実施の形態では、図４（ｅ）に示すように、第１開口部７１ａ内において露出する絶縁性領域４１の面積が、第１導電性領域５１ａの面積よりも大きくなるように第１開口部７１ａを形成している。
【００５９】
図５（ａ）〜図６（ａ）は、銅からなる犠牲層８を形成する犠牲層形成工程を示している。この工程中、図５（ａ）に示す工程が第１犠牲層形成工程となる。図４（ｅ）の状態から、第１導電性膜５１に電圧を印加することにより、図５（ａ）に示すように、第１導電性膜５１の上面に銅を電気めっきしていく。このとき、第１導電性膜５１の上面だけでなくエッチング面である端面にも銅がめっきされて堆積されていき、銅めっきが第１導電性膜５１の上面からオーバーフローし、第１導電性膜５１の上面及び端面を覆うだけでなく、絶縁膜４の一部の上にも形成された状態になる。
【００６０】
このようにして銅を電気めっきすることにより図５（ａ）に示すようなベース曲面８１ａを有する第１犠牲層８１が形成される。この第１犠牲層８１のベース曲面８１ａは、絶縁膜４から立ち上がって、第１導電性膜５１に向かって曲がるように形成される。
【００６１】
第１犠牲層８１が形成されると、第１レジスト層７１を全て除去し、プローブ基板１０７上に、図５（ｂ）に示すように、銅で第２導電性膜５２を形成する。本実施の形態では、図５（ｂ）及び（ｃ）に示す工程が第２導電性膜形成工程となる。この第２導電性膜５２もスパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。
【００６２】
そして、図示していないが、第２導電性膜５２上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布してレジスト層を形成する。その後、このレジスト層の表面を選択的に露光することにより、レジスト層を部分的に除去する。
【００６３】
このようにしてレジスト層が除去された部分に対して、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、レジスト層が残っている部分を除いた第２導電性膜５２を除去する。そして、レジスト層を完全に除去することにより、図５（ｃ）に示すように、プローブ基板１０７上に、第１導電性膜５１で構成される第１導電性領域５１ａと、第２導電性膜５２で構成される第２導電性領域５２ａと、プローブ形成用下地膜６で構成されるプローブ下地膜領域６１と、露出する絶縁膜４で構成される絶縁性領域４１とが形成される。
【００６４】
本実施の形態では、第１犠牲層８１及び絶縁性領域４１上に形成される第２導電性膜５２は、図５（ｃ）に示すように、絶縁膜４に接する部分と、第１犠牲層８１の上面を覆う部分とにより構成されている。そして、第２導電性領域５２ａとプローブ下地膜領域６１とは、それぞれ絶縁性領域４１により絶縁された状態になっている。
【００６５】
図５（ｄ）は、絶縁性領域４１及び絶縁性領域で挟まれる第２導電性領域５２ａを露出させる第２開口部７２ａを有するように第２レジスト層７２を形成する第２レジスト形成工程を示している。まず、プローブ基板１０７の全面に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第２レジスト層７２を形成する。その後、この第２レジスト層７２の表面を選択的に露光することにより、第２レジスト層７２を部分的に除去する。第２レジスト層７２を部分的に除去することにより、第２開口部７２ａが形成される。本実施の形態では、図５（ｄ）に示すように、第２開口部７２ａ内で露出する絶縁性領域４１の面積が、第２導電性領域５２ａの面積よりも小さくなるように第２開口部７２ａを形成している。
【００６６】
残った第２レジスト層７２は、図５（ｄ）に示すように、プローブ形成用下地膜６の全てを覆った状態になる。そして、第２開口部７２ａ内には、第２導電性膜５２と絶縁膜４とが露出される。第１犠牲層８１は、第２導電性膜５２により完全に覆われた状態になっているので、第２開口部７２ａ内において露出しない。
【００６７】
図５（ｅ）〜図６（ａ）は、銅からなる第２犠牲層８２を形成する第２犠牲層形成工程を示している。上記した図５（ｄ）の状態から、第１導電性膜５１に電圧を印加することにより、第１導電性膜５１及び第１犠牲層８１を介して図５（ｅ）に示すように、第２導電性膜５２の上面に銅を電気めっきしていく。このとき、第２導電性膜５２の上面だけでなくエッチング面である端面にも銅がめっきされて堆積されていき、銅めっきが第２導電性膜５２の上面からオーバーフローし、第２導電性膜５２の上面及び端面を覆うだけでなく、絶縁膜４の一部の上にも形成された状態になる。このようにして銅を電気めっきすることにより図５（ｅ）に示すような第１曲面８２ａと第２曲面８２ｂとを有する段状の第２犠牲層８２が形成される。
【００６８】
そして、第２レジスト層７２を除去すると、図６（ａ）に示すように、プローブ基板１０７上に第１曲面８２ａと第２曲面８２ｂとを有する段状の第２犠牲層８２が形成された状態になる。第１曲面８２ａは、プローブ基板１０７の絶縁性領域４１から立ち上がり、第２導電性領域５２ａに向かって曲がるように形成される。第２曲面８２ｂは、この第１曲面８２ａより上方位置で、第１犠牲層８１のベース曲面８１ａの上方において形成される。
【００６９】
図６（ｂ）は、長細い第３開口部７３ａを複数有するプローブ形成用の第３レジスト層７３を形成する第３レジスト形成工程である。プローブ基板１０７上に、再びフォトレジストが塗布されることにより第３レジスト層７３が形成され、この第３レジスト層７３の表面が選択的に露光されることにより、第３レジスト層７３の一部が除去され、コンタクトプローブ１のビーム部３の形状に合わせた長細い第３開口部７３ａが複数形成される。第３開口部７３ａは、第２犠牲層８２及びプローブ形成用下地膜６が絶縁性領域４１を挟んだ状態で露出するように形成されている。第３レジスト層７３の複数の細長い第３開口部７３ａは、図示していないが、プローブ幅方向に所定のピッチをあけて形成されている。
【００７０】
本実施の形態では、図６（ｂ）に示すように、第２犠牲層８２が各第３開口部７３ａの長手方向の一方側で露出され、プローブ形成用下地膜６が長手方向他方側で露出され、第２犠牲層８２とプローブ形成用下地膜６との間に僅かに絶縁膜４が露出されている。
【００７１】
図６（ｃ）〜図８（ｄ）は、コンタクトプローブ１を形成するプローブ形成工程を示している。図６（ｃ）に示すように、第２犠牲層８２上にコンタクトプローブ１を形成していく。本実施の形態では、第１導電性膜５１を介して第２犠牲層８２に電圧を印加することにより、各第３開口部７３ａ内においてニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）を第２犠牲層８２上に電気めっきしていく。この電気めっきにより、第２犠牲層８２上にニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）が成長してビーム層９１が形成されていく。
【００７２】
そして、このビーム層９１が、プローブ形成用下地膜６に接触するまで成長すると、ビーム層９１とプローブ形成用下地膜６とが導通し、このプローブ形成用下地膜６上にもニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）が成長してビーム層９１が第２犠牲層８２からプローブ形成用下地膜６に亘って連続して形成される。このビーム層９１の形成により、ビーム部３の基板固定部３１及び弾性変形部３２に相当するビーム層９１が形成される。
【００７３】
本実施の形態では、第３レジスト層７３に形成した第３開口部７３ａ内に、ビーム部３の基板固定部３１と弾性変形部３２とを同時に形成することができるので、基板固定部３１を形成するためのレジスト層と弾性変形部３２を形成するためのレジスト層を形成する必要がなくなる。その結果、レジスト層を形成する工程とレジストを除去する工程を減らすことができるとともに、レジストを露光するためのマスクも減らすことができるので、製造コストを低廉にできる。
【００７４】
ビーム層９１が形成された後は、第３レジスト層７３を除去し、図６（ｄ）に示すように、再びフォトレジストが塗布されることにより第４レジスト層７４を形成する。そして、第４レジスト層７４の表面を選択的に露光することにより、第４レジスト層７４の一部を除去し、四角形の第４開口部７４ａを形成する。第４開口部７４ａは、コンタクト部２のベース部２１ａに相当する領域についてレジストの除去行うことにより形成される。
【００７５】
次に、図６（ｄ）に示すように、第４開口部７４ａ内に、ニッケル（Ｎｉ）を電気めっきすることにより、ビーム層９１の自由端付近にベース層９２が積層形成される。このベース層９２はプローブ基板１０７に平行なめっき層となっている。このベース層９２の端面は、コア部２１ｂを形成するために平滑な面に形成すると共に各プローブ金属層９１に積層されるロジウム層９２の高さを揃える必要があるので、図６（ｅ）及び図９（ａ）の部分拡大断面図に示すように、第４レジスト層７４とともに、ベース層９２を研磨することにより、ベース層９２の端面を平坦にする。このベース層９２が、図９（ｂ）のコンタクトプローブの部分平面図に示すように、端面が四角形のコンタクト部２のベース部２１ａを構成する。
【００７６】
ベース層９２が形成された後は、図７（ａ）に示すように、第４レジスト層７４上にフォトレジストを薄く塗布することにより第５レジスト層７５を形成する。そして、第５レジスト層７５の表面を選択的に露光することにより、第５レジスト層７５の一部を除去し、円形の第５開口部７５ａを形成する。第５開口部７５ａは、コア部２１ｂの第１円柱部２１１が形成される領域についてレジストの除去行うことにより形成される。
【００７７】
次に、図７（ａ）に示すように、第５開口部７５ａ内に、ロジウム（Ｒｈ）を電気めっきすることにより、ベース層９２上に第１コア層９３が積層されて形成される。この第１コア層９３もプローブ基板１０７に平行なめっき層となっている。そして、図７（ｂ）及び図１０（ａ）の部分拡大断面図に示すように、第５レジスト層７５とともに、第１コア層９３を研磨して、第１コア層９３の端面を平坦にする。この第１コア層９３が、図１０（ｂ）のコンタクトプローブの部分平面図に示すように、端面が円形の第１円柱部２１１を構成する。
【００７８】
第１コア層９３が形成された後は、図７（ｃ）に示すように、第５レジスト層７５上にフォトレジストを薄く塗布することにより第６レジスト層７６を形成する。そして、第６レジスト層７６の表面を選択的に露光することにより、第６レジスト層７６の一部を除去し、図７（ｃ）及び図１１（ａ）の部分拡大断面図に示すように、円形の第６開口部７６ａを形成する。第６開口部７６ａは、コア部２１ｂの第２円柱部２１２が形成される領域についてレジストの除去行うことにより形成される。
【００７９】
次に、図７（ｃ）及び図１１（ａ）に示すように、第６開口部７６ａ内に、ロジウム（Ｒｈ）を電気めっきすることにより、第１コア層９３上に第２コア層９４が積層されて形成される。この第２コア層９４もプローブ基板１０７に平行なめっき層となっている。そして、図７（ｄ）及び図１１（ａ）に示すように、第６レジスト層７６とともに、第２コア層９４を研磨して、第２コア層９４の端面を平坦にする。この第２コア層９４が、図１１（ｂ）のコンタクトプローブの部分平面図に示すように、端面が円形の第２円柱部２１２を構成する。
【００８０】
第１コア層９３及び第２コア層９４が形成された後は、図８（ａ）に示すように、第４レジスト層７４、第５レジスト層７５、第６レジスト層７６を除去した後、フォトレジストが塗布されることにより第７レジスト層７７を形成する。そして、第７レジスト層７７の表面を選択的に露光することにより、第７レジスト層７４の一部を除去し、円形の第７開口部７７ａを形成する。第７開口部７７ａは、コンタクト部２の被覆部２２に相当する領域についてレジストの除去行うことにより形成される。第７開口部７７ａは、第１円柱部２１１となる第１コア層９３の径より大きく、かつ、ベース部２１ａとなるベース層９２の端面内に収まるように円形に形成されている。
【００８１】
次に、図８（ｂ）及び図１２（ａ）の部分拡大断面図に示すように、ベース層９２、第１コア層９３そして第２コア層９４に電圧を印加することにより、第７開口部７７ａ内で露出しているベース層９２、第１コア層９３そして第２コア層９４上にロジウム（Ｒｈ）を電気めっきにより成長させて被覆層９５が形成される。この被覆層９５は、第７開口部７７ａ内で露出しているベース層９２、第１コア層９３そして第２コア層９４の表面を覆い、第１コア層９３及び第２コア層９４で形成されるコア部２１ｂを完全に覆った状態になる。この被覆層９５が被覆部２２となる。このように電気めっきにより、ベース層９２、第１コア層９３そして第２コア層９４の表面に、ロジウムを堆積させていくと、被覆層９５の外周面で、電極パッド１２１と対向する先端部に曲面が形成される。
【００８２】
そして、図８（ｃ）に示すように、第７レジスト層７７を除去した後、銅エッチング液を用いて、図８（ｄ）に示すように、第２犠牲層８２、第２導電性膜５２、第１犠牲層８１及び第１導電性膜５１を除去し、プローブ基板１０７上で露出しているプローブ形成用下地膜６をドライエッチングにより除去する。プローブ形成用下地膜６の除去は、コンタクトプローブ１の下に形成されたプローブ形成用下地膜６をコンタクトプローブ１毎に分離するように除去する。従って、ビーム層９１で覆われているプローブ形成用下地膜６は残された状態になっている。このようにプローブ形成用下地膜６が分離されることにより、各コンタクトプローブ１が導通しないようにプローブ基板１０７上に固定されたコンタクトプローブ１が得られる。
【００８３】
本実施の形態では、コンタクト部２をベース部２１ａ及びコア部２１ｂからなる本体部２１と、コア部２１ｂを覆う被覆部２２とにより構成しており、被覆部２２は、先端部に曲面を有しているので、コンタクト部２の電極パッド１２１への接触面積を常に小さくできる。その結果、オーバードライブ量が小さくても、電極パッド１２１にコンタクト部２を確実に接触させることができる。また、本実施の形態のコンタクトプローブ１は、ベース部２１ａによりビーム部３との接合強度を上げられ、しかも、ベース部２１ａの高さを高くすることにより、コンタクト部２全体の高さを十分な高さに保持することができるので、オーバードライブ時にビーム部３が検査対象物１０２に接触し難くなる。
【００８４】
また、本実施の形態では、プローブ基板１０７上に、順次、第１導電性膜５１、第１犠牲層８１、第２導電性膜５２そして第２犠牲層８２を徐々に面積が大きくなるように電気めっきを行って積層していくことにより、曲面で形成される段部を有する犠牲層８を簡単に形成することができる。その結果、湾曲部分を複数有するコンタクトプローブ１を形成することができるので、オーバードライブによりコンタクトプローブ１を検査対象物１０２へ接触させて弾性変形させても、湾曲部分を複数形成することによりコンタクトプローブ１の一部に応力が集中してしまうのを緩和することができ、コンタクトプローブ１の寿命を長くすることができる。しかも、この段状の湾曲部分により、コンタクトプローブ１がオーバードライブにより弾性変形しても、ビーム部３が検査対象物１０２に接触することが無くなる。
【００８５】
ところで、コア部をＭＥＭＳ技術により形成する場合には、上述したように、レジスト層に穴を形成し、この穴内に高さ方向に導電性材料を積層してコア部を形成するか、または、導電性材料を積層して形成されためっき層の一部をマスクを用いて除去して、プローブの高さ方向とほぼ平行な側面を有するコア部を形成することができる。そして、このように形成されたコア部の露出表面に被覆部を形成する場合には、コア部の先端面だけでなく側面にも電気めっき層を形成しなければ被覆部の先端部に曲面は形成できない。従って、ＭＥＭＳ技術により被覆部を電気めっきにより形成する場合には、本体部を覆うようにレジスト層を形成した後、内部でコア部の側面も露出するようにレジスト層に穴を形成する必要がある。このような穴を形成して、コア部の表面に電気めっきすることにより、曲面を有する被覆部を形成することができる。
【００８６】
上記実施の形態では、ベース部を立法体形状の１つのめっき層で形成したが、検査対象物に向かって階段状に断面積が減少していくように複数のめっき層でベース部を形成することもできる。例えば、上記実施の形態における、直方体形状のベース層９２と、円柱体状の第１コア層９３とによりベース部を構成し、第２コア層９４のみでコア部を構成するようにしてもよい。この場合、第２コア層９４のみを覆うように被覆部を形成する。
【００８７】
また、上記実施の形態では、被覆部２２で覆われないベース部２１ａを形成したが、コンタクト部の本体部全体を被覆部で覆われるコア部として構成することもできる。例えば、上記実施の形態のベース層９２、第１コア層９３及び第２コア層９４でコア部を構成することが挙げられる。この場合、ベース層も円柱体で形成することが好ましい。
【００８８】
なお、上記実施の形態では、ベース部２１ａとコア部２１ｂの中心を同心としたが、ベース部２１ａの中心に対してコア部２１ｂを構成する第１円柱部２１１及び第２円柱部２１２の中心を偏心させるようにしてもよい。この場合、第１円柱部２１１及び第２円柱部２１２の中心は同心のまま、これらの中心がベース部２１ａの中心に対して偏心させてもよいし、ベース部２１ａの中心と第１円柱部２１１の中心とを同心として、第２円柱部２１２の中心を偏心させてもよい。また、ベース部２１ａ、第１円柱部２１１及び第２円柱部２１２の中心が互いにずれるようにしてもよい。なお、第１円柱部２１１及び第２円柱部２１２の中心をベース部２１ａの中心に対して偏心させる場合には、第１円柱部２１１及び第２円柱部２１２の中心は、自由端側に偏心させることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００の内部の様子が示されている。
【図２】図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図である。
【図３】本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブの一例を示した側面図及び上面図である。
【図４】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。
【図５】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図４（ｅ）の続きを示している。
【図６】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図５（ｅ）の続きを示している。
【図７】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図６（ｅ）の続きを示している。
【図８】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図７（ｅ）の続きを示している。
【図９】（ａ）は、図６（ｅ）のコンタクト部を中心とした部分の拡大断面図であり、（ｂ）は、図６（ｅ）の製造段階におけるコンタクトプローブの自由端側の部分平面図である。
【図１０】（ａ）は、図７（ｂ）のコンタクト部を中心とした部分の拡大断面図であり、（ｂ）は、図７（ｂ）の製造段階におけるコンタクトプローブの自由端側の部分平面図である。
【図１１】（ａ）は、図７（ｄ）のコンタクト部を中心とした部分の拡大断面図であり、（ｂ）は、図７（ｄ）の製造段階におけるコンタクトプローブの自由端側の部分平面図である。
【図１２】（ａ）は、図８（ｂ）のコンタクト部を中心とした部分の拡大断面図であり、（ｂ）は、図８（ｂ）の製造段階におけるコンタクトプローブの自由端側の部分平面図である。
【符号の説明】
【００９０】
１  コンタクトプローブ
２  コンタクト部
２１  本体部
２１ａ  ベース部
２１ｂ  コア部
２１１  第１円柱部
２１２  第２円柱部
２２  被覆部
３  ビーム部
３１  基板固定部
３２  弾性変形部
４  絶縁膜
４１  絶縁性領域
５１  第１導電性膜
５１ａ  第１導電性領域
５２  第２導電性膜
５２ａ  第２導電性領域
６  プローブ形成用下地膜
６１  プローブ下地膜領域
７１  第１レジスト層
７１ａ  第１開口部
７２  第２レジスト層
７２ａ  第２開口部
７３  第３レジスト層
７３ａ  第３開口部
７４  第４レジスト層
７４ａ  第４開口部
７５  第５レジスト層
７５ａ  第５開口部
７６  第６レジスト層
７６ａ  第６開口部
７７  第７レジスト層
７７ａ  第７開口部
８  犠牲層
８１  第１犠牲層
８１ａ  ベース曲面
８２  第２犠牲層
８２ａ  第１曲面
８２ｂ  第２曲面
９１  ビーム層
９２  ベース層
９３  第１コア層
９４  第２コア層
９５  被覆層
１００  プローブ装置
１０２  検査対象物
１２１  電極パッド
１０３  可動ステージ
１０４  駆動装置
１０５  筐体
１０６  メイン基板
１６１  外部端子
１６２  コネクタ
１０７  プローブ基板
１０８  連結部材
１１０  プローブカード
【図１】
2010038606.tif 000003
【図２】
2010038606.tif 000004
【図３】
2010038606.tif 000005
【図４】
2010038606.tif 000006
【図５】
2010038606.tif 000007
【図６】
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【図７】
2010038606.tif 000009
【図８】
2010038606.tif 000010
【図９】
2010038606.tif 000011
【図１０】
2010038606.tif 000012
【図１１】
2010038606.tif 000013
【図１２】
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