(57)【要約】【課題】高純度のＮ−アルキルボラジンを製造しうる手段を提供する。【解決手段】ボラン（ＢＨ３）錯体またはジボラン（Ｂ２Ｈ６）と、ＲＣＮ（Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはアラルキル基である）で表されるニトリルとを反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する段階を有し、水分含量が１質量％以下の前記ニトリルが反応に用いられることを特徴とする、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボラン（ＢＨ３）錯体またはジボラン（Ｂ２Ｈ６）と、ＲＣＮ（Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはアラルキル基である）で表されるニトリルとを反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する段階を有し、
水分含量が１質量％以下の前記ニトリルが反応に用いられることを特徴とする、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法。
【請求項２】
ＡＢＨ４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表される水素化ホウ素アルカリとＢＸ３（Ｘはハロゲン原子である）で表されるハロゲン化ホウ素とを反応させて生成させたジボランが反応に用いられ、前記水素化ホウ素アルカリの水分含量が１質量％以下である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記水素化ホウ素アルカリと前記ハロゲン化ホウ素との反応が溶媒中で行われ、水分含量が１質量％以下の前記溶媒が反応に用いられる、請求項２に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｎ−アルキルボラジンの製法に関する。Ｎ−アルキルボラジンは、例えば、半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層、エッチストッパー層を形成するために用いられる。
【背景技術】
【０００２】
情報機器の高性能化に伴い、ＬＳＩ等のデザインルールは、年々微細になっている。微細なデザインルールのＬＳＩ製造においては、ＬＳＩを構成する材料も高性能で、微細なＬＳＩ上でも機能を果たすものでなければならない。
【０００３】
例えば、ＬＳＩ中の層間絶縁膜に用いられる材料に関していえば、高い誘電率は信号遅延の原因となる。微細なＬＳＩにおいては、この信号遅延の影響が特に大きい。このため、層間絶縁膜として用いられうる、新たな低誘電材料の開発が所望されていた。また、層間絶縁膜として使用されるためには、誘電率が低いだけでなく、耐湿性、耐熱性、機械的強度などの特性にも優れている必要がある。
【０００４】
かような要望に応えるものとして、分子内にボラジン環骨格を有するボラジン化合物が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。ボラジン環骨格を有するボラジン化合物は分子分極率が小さいため、形成される被膜は低誘電率である。その上、形成される被膜は、耐熱性にも優れる。
【０００５】
ボラジン化合物の１つとして、ボラジン環を構成する窒素原子がアルキル基と結合しているＮ−アルキルボラジンがある。Ｎ−アルキルボラジンは、それ自体が半導体用層間絶縁膜などの原料として用いられうる。また、他のボラジン化合物を製造する際の中間体ともなる。例えば、Ｎ−アルキルボラジンのホウ素に結合している水素原子をアルキル基で置換することによって、ヘキサアルキルボラジンが製造される。
【０００６】
Ｎ−アルキルボラジンを製造する手法として、水素化ホウ素のアルカリ金属塩（水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウムまたは水素化ホウ素リチウム）とアルキルアミン塩（例えば、メチルアミン塩酸塩）とを溶媒中で反応させる手法の他に、ジボランとアセトニトリルのようなニトリルとを反応させる手法が知られている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−３４０６８９号公報
【特許文献２】特開２００３−１１９２８９号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｈ．Ｊ．Ｅｍｅｌeｕｓ  ａｎｄ  Ｋ．Ｗａｄｅ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９６０，２６１４−２６１７．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記の反応により得られたＮ−アルキルボラジンを分析すると、Ｎ−アルキルボラジンの分解物とみられる化合物が含まれ、Ｎ−アルキルボラジンの純度が低下してしまう。かようなＮ−アルキルボラジンの純度の低下は、最終的にＮ−アルキルボラジンを用いて製造された半導体の層間絶縁膜などの性能の低下を引き起こしてしまうという問題がある。
【００１０】
そこで本発明は、高純度のＮ−アルキルボラジンを製造しうる手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記の課題に鑑み、Ｎ−アルキルボラジンを合成する際に一定量含まれてしまう分解物の発生原因を鋭意検討した。その過程で、Ｎ−アルキルボラジンは水分に弱く、水分との接触により分解し、分解物であるボロンエーテル、アミンおよびホウ酸を生成しうることを見出した。また、本発明者らは、Ｎ−アルキルボラジンの合成原料が水分を含みやすいことを見出した。そして、合成原料の水分含量を低い値に制御することで、分解物の含量が少なく、高純度のＮ−アルキルボラジンを製造しうることを見出し、本発明を完成させた。
【００１２】
すなわち、本発明は、ボラン（ＢＨ３）錯体またはジボラン（Ｂ２Ｈ６）と、ＲＣＮ（Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはアラルキル基である）で表されるニトリルとを反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する段階を有し、水分含量が１質量％以下の前記ニトリルが反応に用いられることを特徴とする、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高純度のＮ−アルキルボラジンが製造されうる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、下記反応式に示されるように、ボラン（ＢＨ３）錯体またはジボラン（Ｂ２Ｈ６）と、ＲＣＮ（Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはアラルキル基である）で表されるニトリルとを反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する段階を有し、水分含量が１質量％以下の前記ニトリルが反応に用いられることを特徴とするＮ−アルキルボラジンの製造方法である。
【００１５】
【化１】
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【００１６】
以下、本発明の製造方法について説明する。
【００１７】
ボランは、ＢＨ３の化学式で表される化合物である。一般にボランは単独では不安定であるので、二量体であるジボラン（Ｂ２Ｈ６）として存在する。また、単量体のボランは、例えばテトラヒドロフラン、ジメチルエーテル、ジメチルスルフィド、ピリジン、トリエチルアミン、トリフェニルホスフィンのようなルイス塩基との錯形成によって安定化されることが知られている。本発明においては、ジボラン、および錯形成によって安定化されたボラン錯体のいずれも原料として用いることができる。
【００１８】
ニトリル（ＲＣＮ）において、Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル基である。アルキル基は、直鎖であっても、分岐であってもよい。アルキル基の有する炭素数は、特に限定されないが、好ましくは１〜８個、より好ましくは１〜４個、さらに好ましくは１個である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などが挙げられる。これら以外のアルキル基が用いられてもよい。シクロアルキル基の有する炭素数は、特に限定されないが、好ましくは３〜８個、より好ましくは４〜７個、さらに好ましくは５〜６個である。シクロアルキル基の例としては以下に限定されることはないが、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。アリール基の具体例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などが挙げられる。アラルキル基の具体例としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基などが挙げられる。
【００１９】
使用するニトリルは、合成するＮ−アルキルボラジンの構造に応じて選択すればよい。例えば、ボラジン環を構成する窒素原子にエチル基が結合しているＮ，Ｎ’，Ｎ”−トリエチルボラジンを製造する場合にはＲがメチル基であるアセトニトリルを用いればよい。
【００２０】
気体状のジボランは、市販のものを用いてもよいが、ジボランは、例えば、ＡＢＨ４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表される水素化ホウ素アルカリをＢＸ３（Ｘはハロゲン原子である）で表されるハロゲン化ホウ素と反応させて得ることができる。上記反応は溶媒中で行うことが好ましい。水素化ホウ素アルカリの例としては、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、および水素化ホウ素カリウムが挙げられる。ハロゲン化ホウ素の例としては、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素などが挙げられる。ハロゲン化ホウ素は、ジエチルエーテルやテトラヒドロフラン、ジメチルスルフィド、ピリジンなどにより錯体化されたものでもよい。好ましくは、ＢＦ３−Ｅｔ２Ｏ錯体が用いられうる。
【００２１】
水素化ホウ素アルカリとハロゲン化ホウ素との反応に用いられうる溶媒としては、特に制限されないが、例えば、テトラヒドロフラン、モノエチレングリコールジメチルエーテル（モノグライム）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライム）、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（テトラグライム）等が挙げられる。
【００２２】
水素化ホウ素アルカリとハロゲン化ホウ素とのモル比は特に限定されないが、水素化ホウ素アルカリの使用量を１モルとした場合、ハロゲン化ホウ素の使用量を０．８〜１．２モルとすることが好ましい。
【００２３】
水素化ホウ素アルカリとハロゲン化ホウ素との反応条件は、特に限定されない。反応温度は、好ましくは、０〜１００℃である。反応温度は、Ｋ熱電対などの温度センサーを用いて測定されうる。
【００２４】
ジボランをニトリルに導入する方法は、特に制限されないが、例えば、気体状のジボランを、好ましくは窒素などの不活性ガスでジボラン：不活性ガスの体積比が１：１０〜１：１０００程度になるように希釈して、ニトリルに導入し、撹拌して反応させる。
【００２５】
または、ジボランを、例えば液体窒素などを用いて融点（−１６４．９℃）以下の低温に冷却して液化させ、これをニトリルに混合してもよい。液化させたジボランをニトリルに混合したあと、昇温して反応させる。
【００２６】
反応温度は、好ましくは−２００〜８０℃であり、より好ましくは０〜８０℃である。上記範囲で反応させると効率的に反応が進行しうる。反応温度は、Ｋ熱電対などの温度センサを用いて測定されうる。反応時間は、好ましくは１〜２０時間であり、より好ましくは５〜１０時間である。
【００２７】
ジボランとニトリルとのモル比は特に限定されないが、ニトリルの使用量を１モルとした場合、ジボランの使用量を０．５〜２．０モルとすることが好ましい。
【００２８】
上述したように、一般にボラン（ＢＨ３）は不安定な化合物であり、例えばテトラヒドロフラン、ジメチルエーテル、ジメチルスルフィド、ピリジン、トリエチルアミンなどのルイス塩基との錯形成によって安定化されることが知られている。本発明の製造方法においては、錯形成によって安定化されたボラン錯体が原料として用いてもよい。前記ボラン錯体は、溶液の形態であってもよく、固体や液体の形態であってもよい。好ましくは、溶液の形態で用いられる。
【００２９】
ボラン錯体を溶液の形態で用いる場合、１〜１０モル％の濃度に調製することが好ましい。溶媒としては、好ましくは、上記のルイス塩基を配位溶媒として用いる。
【００３０】
ボラン錯体とニトリルとを混合する方法は特に制限されない。ボラン錯体を滴下してニトリルに加えてもよく、ニトリルを滴下してボラン錯体に添加してもよい。
【００３１】
ボラン錯体とニトリルとの反応温度は、好ましくは０〜８０℃である。上記温度範囲で反応させると効率的に反応が進行しうる。加熱して反応させる場合、ボラン錯体またはニトリルをあらかじめ加熱した後に混合してもよく、混合した後に加熱してもよい。
【００３２】
反応時間は、好ましくは１〜２０時間であり、より好ましくは５〜１０時間である。
また、ニトリルの使用量を１モルとした場合、ボラン錯体の使用量を０．５〜１．５モルとすることが好ましい。
【００３３】
Ｎ−アルキルボラジンは、下記式で表される化合物である。
【００３４】
【化２】
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【００３５】
式中、Ｒは、ニトリルについて記載した通りであるため、ここでは説明を省略する。Ｎ−アルキルボラジンの例としては、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリエチルボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（ｎ−プロピル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（ｎ−ブチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（イソブチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（２−メチルブチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（ｎ−ペンチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（イソペンチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（ｎｅｏ−ペンチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（ｎ−ヘキシル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ”−エチルボラジン、Ｎ，Ｎ’−ジエチル−Ｎ”−メチルボラジン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ”−プロピルボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（シクロへキシルメチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリベンジルボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリフェネチルボラジン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ”−ベンジルボラジンなどが挙げられる。
【００３６】
本発明は、Ｎ−アルキルボラジンを合成する際の原料として、水分含量が低減されたニトリルを用いる点に特徴を有する。
【００３７】
具体的には、本発明において、原料であるニトリルの水分含量は１質量％以下であり、好ましくは０．１質量％以下であり、さらに好ましくは０．０５質量％以下であり、特に好ましくは０．０１質量％以下である。水分含量がこのように少ないニトリルを用いてＮ−アルキルボラジンを合成することで、合成されたＮ−アルキルボラジンの、水分の混入に起因する分解が効果的に抑制され、高純度のＮ−アルキルボラジンの合成が可能となる。また、ボラン錯体またはジボランとニトリルとの反応によりＮ−アルキルボラジンを合成する場合、ニトリルの水分含量が多いと、ボラン錯体またはジボランがニトリルに含まれる水分と速やかに反応して、ホウ酸が生成してしまう。これに対し、本発明によれば、かような問題の発生もまた、効果的に抑制されうる。なお、ニトリルの水分含量の値としては、後述する実施例において採用される手法により測定される値を採用するものとする。また、上記の観点からは、ニトリルの水分含量は少ないほど好ましく、水分含量の下限値は特に限定されないが、実用上、ニトリルの水分含量は０．１質量ｐｐｍ以上である。
【００３８】
水分含量の少ないニトリルの入手経路は、特に制限されない。水分含量の少ないニトリルの商品が市販されている場合には当該商品を購入したものを用いてもよいし、一般に市販されている比較的水分含量の多い商品を購入した後に、自ら当該商品中の水分含量を低減させて、Ｎ−アルキルボラジンの合成に用いてもよい。
【００３９】
ニトリルの水分含量を自ら低減させる手法についても特に制限されず、化学合成の分野において従来公知の知見が適宜参照されうる。ニトリルの水分含量を自ら低減させる手法の一例としては、乾燥剤（例えば、シリカゲルや硫酸ナトリウム）による乾燥などが挙げられる。好ましくは、乾燥剤を添加した後に蒸留する。
【００４０】
本発明の好ましい形態においては、ボラン錯体またはジボランの水分含量もまた、低い値に制御される。かような形態によれば、水分との接触によるＮ−アルキルボラジンの分解およびこれに伴う純度の低下がより一層抑制されうる。
【００４１】
水分含量の少ないボラン錯体またはジボランの入手経路は、特に制限されない。水分含量の低減された商品が市販されている場合には当該商品を購入したものを用いてもよいし、一般に市販されている比較的水分含量の多い商品を購入した後に、自ら当該商品中の水分含量を低減させて、Ｎ−アルキルボラジンの合成に用いてもよい。気体状のジボランの水分含量を自ら低減させる手法としては、化学合成の分野において従来公知の知見が適宜参照されうる。例えば乾燥剤（例えば、シリカゲルや硫酸ナトリウム）による乾燥などが挙げられる。ボラン錯体は、例えば、蒸留、乾燥剤（例えば、シリカゲルや硫酸ナトリウム）による乾燥などの手法によって水分含量を低減させることができる。
【００４２】
または、ジボランを調製する際に、ジボランを発生させるための原料として、水分含量の低減された原料を用いてもよい。具体的には、ジボランを発生させる原料である水素化ホウ素アルカリとして、好ましくは、水分含量が１質量％以下であるものを用いる。より好ましくは、前記水素化ホウ素アルカリの水分含量は０．５質量％以下であり、さらに好ましくは０．１質量％以下であり、特に好ましくは０．０１質量％以下である。なお、水素化ホウ素アルカリの水分含量の値としては後述する実施例で採用する手法により測定される値を採用するものとする。また、上記の観点からは、水素化ホウ素アルカリまたはハロゲン化ホウ素（ハロゲン化ホウ素錯体）の水分含量は少ないほど好ましい。水分含量の下限値は特に限定されないが、実用上、水素化ホウ素アルカリの水分含量は０．１質量ｐｐｍ以上である。
【００４３】
水分含量の少ない水素化ホウ素アルカリの入手経路、自ら水分含量を低減させる手法などの形態については、ニトリルについて上述した通りであるため、ここでは説明を省略する。
【００４４】
さらに、好ましくは、ジボランを発生させるための水素化ホウ素アルカリとハロゲン化ホウ素との反応に用いられる溶媒の水分含量もまた、低い値に制御される。かような形態によってもまた、Ｎ−アルキルボラジンの純度低下がより一層抑制されうる。具体的には、溶媒の水分含量は、好ましくは１質量％以下であり、より好ましくは０．５質量％以下であり、さらに好ましくは０．１質量％以下である。なお、溶媒の水分含量の値としては、後述する実施例において採用される手法により測定される値を採用するものとする。また、上記の観点からは、溶媒の水分含量は少ないほど好ましく、水分含量の下限値は特に限定されないが、実用上、溶媒の水分含量は０．１質量ｐｐｍ以上である。
【００４５】
水分含量の少ない溶媒の入手経路については特に制限されない。水分含量の少ない溶媒の商品が市販されている場合には当該商品を購入したものを用いてもよいし、一般に市販されている比較的水分含量の多い商品を購入した後に、自ら当該商品中の水分含量を低減させて、Ｎ−アルキルボラジンの合成に用いてもよい。
【００４６】
溶媒の水分含量を自ら低減させる手法についても特に制限されず、化学合成の分野において従来公知の知見が適宜参照されうる。溶媒の水分含量を自ら低減させる手法の一例としては、例えば、乾燥剤を添加した後に蒸留するといった手法が挙げられる。
【００４７】
合成されたＮ−アルキルボラジンは、必要に応じて精製されうる。Ｎ−アルキルボラジンの精製方法としては、例えば、蒸留精製が用いられる。
【００４８】
蒸留精製装置の大きさや種類は、環境や規模に応じて決定されればよい。例えば、大量のＮ−アルキルボラジンを処理するのであれば、工業的規模の蒸留塔が用いられうる。少量のＮ−アルキルボラジンを処理するのであれば、蒸留管を用いた蒸留精製が用いられうる。例えば、少量のＮ−アルキルボラジンを処理する蒸留装置の具体例としては、３つ口フラスコにクライゼン型の連結管でリービッヒ冷却管を取り付けた蒸留装置が用いられうる。ただし、このような蒸留装置を用いる実施形態に、本発明の技術的範囲が限定されるわけではない。
【００４９】
蒸留精製の際の温度は特に制限されず、合成されたＮ−アルキルボラジンの種類に応じて適宜設定されうる。一例を挙げると、通常は１００〜１５０℃程度である。
【００５０】
本発明の製造方法によって製造されるＮ−アルキルボラジンは、好ましくは、純度が９９．０質量％以上であり、より好ましくは９９．５質量％以上であり、特に好ましくは９９．９質量％以上である。ここで、Ｎ−アルキルボラジンの純度の値は、ガスクロマトグラフィによって測定した値を採用するものとする。このような高純度のＮ−アルキルボラジンを用いることにより、半導体素子などの製品の性能を向上させることができる。
【００５１】
製造されたＮ−アルキルボラジンは、特に限定されないが、半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層、エッチストッパー層などの形成に用いられうる。その際には、Ｎ−アルキルボラジンがそのまま用いられてもよいし、Ｎ−アルキルボラジンに改変を加えた化合物（誘導体）が用いられてもよい。Ｎ−アルキルボラジンまたはＮ−アルキルボラジンの誘導体を重合させた重合体を、半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層またはエッチストッパー層の原料として用いてもよい。以下、「Ｎ−アルキルボラジン」、「Ｎ−アルキルボラジンの誘導体」および「これらに起因する重合体」をまとめて、「ボラジン環含有化合物」と称する。
【００５２】
ボラジン環含有化合物を用いて、半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層またはエッチス
トッパー層を形成する手法としては、例えば、ボラジン環含有化合物を含む溶液状または
スラリー状の組成物を調製し、これを所望の部位に塗布することによって、塗膜を形成す
る手法が用いられうる。
【実施例】
【００５３】
以下、実施例および比較例を用いて本発明の実施の形態をより詳細に説明するが、本発明の技術的範囲は下記の形態のみには制限されない。
【００５４】
なお、下記の実施例および比較例において、原料であるニトリル、ならびにジボランの発生に用いる水素化ホウ素アルカリおよび溶媒の水分含量は、以下の手法により測定した。
【００５５】
すなわち、ニトリルおよび溶媒の水分含量については、カールフィッシャーＡＱ−７（平沼産業株式会社製）を用いて測定した。この際、発生液としてはアクアライトＲＳを用い、対極液としてはアクアライトＣＮを用いた。
【００５６】
また、水素化ホウ素アルカリの水分含量については、カールフィッシャーＣＡ−１００（三菱化学株式会社製）を用いて測定した。この際、発生液としてはアクアミクロンＡＸを用い、対極液としてはアクアミクロンＣＸＵを用いた。
【００５７】
さらに、Ｎ−アルキルボラジンの純度は、ガスクロマトグラフィを用いて測定した。測定条件は以下の通りである。
【００５８】
【表１】
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【００５９】
（実施例１）
反応原料であるニトリルとしてアセトニトリルを準備した。蒸留の方法で乾燥処理し、水分含量０．００３質量％のアセトニトリルを得た。
【００６０】
同様にジボランを発生させるための原料として、水素化ホウ素アルカリである水素化ホウ素ナトリウム、ハロゲン化ホウ素である三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（ＢＦ３−Ｅｔ２Ｏ）、溶媒であるジグライムを準備した。水素化ホウ素ナトリウムを２５℃、０．０７ＭＰａの雰囲気下に１２時間放置して、減圧乾燥させ、水分含量０．０８質量％の水素化ホウ素ナトリウムを得た。ジグライムは、モレキュラーシーブ３Ａ（巴工業株式会社製）を添加することによって乾燥させ、水分含量０．０１２質量％のジグライムを得た。
【００６１】
反応容器１に、窒素置換しながら、乾燥処理したアセトニトリル（２４．６ｇ、水分含量０．００３質量％）を仕込み、６０℃に加熱した。一方、別の反応容器２に乾燥処理したジグライム（１５０ｇ、水分含量０．０１２質量％）と乾燥処理した水素化ホウ素ナトリウム（１９．０ｇ、水分含量０．０８質量％）を仕込み、そこにＢＦ３−Ｅｔ２Ｏ（７１ｇ）を滴下することでＢ２Ｈ６を発生させた。発生させたＢ２Ｈ６は、窒素で希釈しながら順次反応容器１のアセトニトリル中にバブリングし、同時に反応容器１の反応液の撹拌を行った。反応終了後、反応溶液を蒸留することで、１３ｇのＮ，Ｎ’，Ｎ”−トリエチルボラジンを得た（収率４０％）。得られたＮ，Ｎ’，Ｎ”−トリエチルボラジンの純度を測定したところ、９９．７質量％であった。
【００６２】
（比較例１）
反応容器１に、窒素置換しながら、乾燥処理していないアセトニトリル（２４．６ｇ、水分含量１．２質量％）を仕込み、６０℃に加熱した。一方、別の反応容器２に乾燥処理したジグライム（１５０ｇ、水分含量０．０１２質量％）と乾燥処理した水素化ホウ素ナトリウム（１９．０ｇ、水分含量０．０８質量％）を仕込み、そこにＢＦ３−Ｅｔ２Ｏ（７１ｇ）を滴下することでＢ２Ｈ６を発生させた。発生させたＢ２Ｈ６は、窒素で希釈しながら順次反応容器１のアセトニトリル中にバブリングし、同時に反応容器１の反応液の撹拌を行った。反応終了後、反応溶液を蒸留することで、１０ｇのＮ，Ｎ’，Ｎ”−トリエチルボラジンを得た（収率３０％）。得られたＮ，Ｎ’，Ｎ”−トリエチルボラジンの純度を測定したところ、９７．６質量％であった。
【００６３】
（比較例２）
反応容器１に、窒素置換しながら、乾燥処理していないアセトニトリル（２４．６ｇ：水分含量１．２質量％）を仕込み、６０℃に加熱した。一方、別の反応容器２に乾燥処理していないジグライム（１５０ｇ、水分含量１．５質量％）と乾燥処理していない水素化ホウ素ナトリウム（１９．０ｇ、水分含量２．０質量％）を仕込み、そこにＢＦ３−Ｅｔ２Ｏ（７１ｇ）を滴下することでＢ２Ｈ６を発生させた。発生させたＢ２Ｈ６は、窒素で希釈しながら順次反応容器１のアセトニトリル中にバブリングし、同時に反応容器１の反応液の撹拌を行った。反応終了後、反応溶液を蒸留することで、８ｇのＮ，Ｎ’，Ｎ”−トリエチルボラジンを得た（収率２４％）。得られたＮ，Ｎ’，Ｎ”−トリエチルボラジンの純度を測定したところ、９４．０質量％であった。
【００６４】
以上の実施例および比較例に示す結果から、Ｎ−アルキルボラジンの合成原料であるニトリルの水分含量を低い値に制御することにより、合成されるＮ−アルキルボラジンの純度および収率を向上させうることが示される。