(57)【要約】【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、かつ光源が射出する光の径や幅と異なる寸法の加工ができるエッチング装置及びエッチング方法を提供する。【解決手段】被処理体（基板Ｓ）とエッチング媒体（エッチングガスＧ）との界面Ｆの一部の照射領域Ｒにエッチング媒体を活性化させる光を照射する光源部３を有し、光源部３は、光の断面積を制御する光制御部３２を含むことを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体とエッチング媒体との界面の一部の照射領域に前記エッチング媒体を活性化させる光を照射する光源部を有し、
前記光源部は、前記光の断面積を制御する光制御部を含むことを特徴とするエッチング装置。
【請求項２】
前記光源部は、前記被処理体に対して相対的に移動可能に設けられている
ことを特徴とする請求項１記載のエッチング装置。
【請求項３】
前記光源部と前記被処理体の相対的な移動を制御する制御部と、
前記照射領域が前記界面において描く所定の軌跡が記録された記憶部と、
を更に備え、
前記制御部は、前記照射領域が前記軌跡を描くように前記光源部と前記被処理体とを相対的に移動させる
ことを特徴とする請求項２記載のエッチング装置。
【請求項４】
前記光源部は、前記光を前記界面よりも前記光源部側で遮蔽する光遮蔽部を更に含む
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のエッチング装置。
【請求項５】
光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング媒体を被処理体上に配置する媒体配置工程と、
前記被処理体と前記エッチング媒体との界面の一部の照射領域に前記光を照射する光照射工程と、
を含み、
前記光照射工程において前記光の断面積を変化させる
ことを特徴とするエッチング方法。
【請求項６】
前記光照射工程では、前記界面において前記照射領域を移動させることを特徴とする請求項５記載のエッチング方法。
【請求項７】
前記光照射工程では、前記光を遮蔽することで前記照射領域への前記光の照射を中断し、前記界面への前記光の照射を再開する際に前記照射領域と異なる前記界面の一部の照射領域に前記光を照射する
ことを特徴とする請求項６記載のエッチング方法。
【請求項８】
前記光照射工程では、前記被処理体を透過させることで前記界面に前記光を到達させる
ことを特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング装置及びエッチング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を構成する半導体基板やディスプレイデバイスに用いられるガラス基板は、微細な領域に多層の配線が形成されている。近年では、配線の微細化、多層化がより進んでおり、これに伴って半導体基板やガラス基板をより微細にエッチング加工する技術が求められている。このようなエッチング加工技術として、例えばエッチングマスクを用いる加工が広く知られている。
【０００３】
さらに近年では、エッチングマスクを用いない技術も知られている。このようなマスクレスの技術として、例えば大気圧付近の圧力下でのプラズマ放電により生成される励起活性種を利用することで真空設備を必要とせずに低コストで被処理物の表面を様々に処理することができるプラズマ加工技術が知られている。
【０００４】
プラズマ加工技術として、例えば電極と被処理体間との間で直接気体放電を生じさせ、発生するプラズマに直接曝露させる直接放電方式と、１対の電極間での気体放電によりプラズマを発生させ、それにより生成される励起活性種に被処理体を曝露させる間接放電方式とが知られている。
【０００５】
しかしながら、プラズマによって被処理体を加工する場合、被処理体がプラズマによって熱的にダメージを受けてしまう虞もある。
そこで、特願２００８−２９３３７５において、被処理体に対する熱の影響を抑えるための提案がなされている。
【０００６】
特願２００８−２９３３７５では、光の照射を受けて科学的に活性化するエッチング液を被処理体の上に配置し、被処理体とエッチング液の界面にエッチング液を活性化させる光を照射している。光の照射によりエッチング液を活性化することで被処理体がエッチングされ、化学反応のみによって被処理体をエッチングすることが可能となる。したがって、マスクレスでプラズマを照射する場合と比較して被処理体に及ぼす熱の影響を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−１４８４０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特願２００８−２９３３７５では、エッチングによって加工できる寸法がレーザー光等の光源の光が照射される領域（照射領域）の寸法に依存する。また照射領域は、光源が射出する光の径に依存する。そのため、光源が射出する光の径よりも小さい寸法の加工は困難である。また、光束の径よりも大きい寸法を加工するためには、照射領域を移動させて繰り返し加工しなければならないという課題がある。
【０００９】
そこで、本発明は、被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、かつ光源が射出する光の径や幅と異なる寸法の加工ができるエッチング装置及びエッチング方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明のエッチング装置は、被処理体とエッチング媒体との界面の一部の照射領域に前記エッチング媒体を活性化させる光を照射する光源部を有し、前記光源部は、前記光の断面積を制御する光制御部を含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、エッチング媒体に光を照射し当該エッチング媒体に含まれるエッチング材料を化学的に活性化させることで、エッチング材料のラジカルやイオンが発生する。当該ラジカルやイオンが被処理体と反応することにより、被処理体がエッチングされる。このように、化学反応のみによって被処理体をエッチングすることができるので、プラズマを照射する場合に比べて被処理体に及ぼす熱の影響を抑えることができる。
また、光制御部によって光源が射出した光の断面積を変化させて照射領域の面積を変化させることができる。これにより、光源が射出する光の径や幅と異なる寸法をエッチングすることが可能になる。したがって、光源が射出する光の径よりも小さい寸法の加工や、それよりも大きい寸法の加工を行うことが可能になる。
【００１２】
また、本発明のエッチング装置は、前記光源部は、前記被処理体に対して相対的に移動可能に設けられていることを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、エッチング媒体と被処理体との界面において照射領域を移動させ、照射領域の軌跡を辿るように被処理体の表面にエッチングによる除去部を形成することができる。
【００１４】
また、本発明のエッチング装置は、前記光源部と前記被処理体の相対的な移動を制御する制御部と、前記照射領域が前記界面において描く所定の軌跡が記録された記憶部と、を更に備え、前記制御部は、前記照射領域が前記軌跡を描くように前記光源部と前記被処理体とを相対的に移動させることを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、記憶部に予めエッチングにより形成する除去部のパターンを照射領域が界面において描く軌跡として記録しておくことで、所望のパターンの除去部を被処理体に形成することができる。
【００１６】
また、本発明のエッチング装置は、前記光源部は、前記光を前記界面よりも前記光源部側で遮蔽する光遮蔽部を更に含む、ことを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、光源部による光の射出を継続させたまま、エッチング媒体と被処理体との界面への光の照射を停止して照射領域を消滅させ、エッチングを中断することができる。
【００１８】
また、本発明のエッチング方法は、光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング媒体を被処理体上に配置する媒体配置工程と、前記被処理体と前記エッチング媒体との界面の一部の照射領域に前記光を照射する光照射工程と、を含み、前記光照射工程において前記光の断面積を変化させることを特徴とする。
【００１９】
本発明によれば、エッチング媒体に光を照射し当該エッチング媒体に含まれるエッチング材料を化学的に活性化させることで、エッチング材料のラジカルやイオンが発生する。当該ラジカルやイオンが被処理体と反応することにより、被処理体がエッチングされる。このように、化学反応のみによって被処理体をエッチングすることができるので、プラズマを照射する場合に比べて被処理体に及ぼす熱の影響を抑えることができる。
また、照射工程において光の断面積を変化させることで、照射領域の面積を変化させることができる。これにより、光源が射出する光の径や幅と異なる寸法をエッチングすることが可能になる。したがって、光源が射出する光の径や幅よりも小さい寸法の加工や、それよりも大きい寸法の加工を行うことが可能になる。
【００２０】
また、本発明のエッチング方法は、前記光照射工程では、前記界面において前記照射領域を移動させることを特徴とする。
【００２１】
本発明によれば、照射領域の軌跡を辿るように被処理体の表面にエッチングによる除去部を形成することができる。
【００２２】
また、本発明のエッチング方法は、前記光照射工程では、前記光を遮蔽することで前記照射領域への前記光の照射を中断し、前記界面への前記光の照射を再開する際に前記照射領域と異なる前記界面の一部の照射領域に前記光を照射することを特徴とする。
【００２３】
本発明によれば、光の射出を継続したまま、被処理体の異なる箇所にエッチングによる除去部を形成することができる。
【００２４】
また、本発明のエッチング方法は、前記光照射工程では、前記被処理体を透過させることで前記界面に前記光を到達させることを特徴とする。
【００２５】
本発明によれば、エッチング媒体と被処理体との界面の被処理体側からエッチング媒体に光を照射させることができるので、エッチング媒体の活性化する範囲を極力抑えることができる。これにより、被処理体上の狭い領域であっても高精度にエッチングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施の形態に係るエッチング装置の構成を示す概略図である。
【図２】同、エッチング装置の光源部が備える光制御部の平面図である。
【図３】本実施形態に係るエッチング装置を用いたエッチング動作を示す工程図。
【図４】同、工程図。
【図５】同、工程図。
【図６】同、工程図。
【図７】同、工程図。
【図８】同、工程図。
【図９】同、工程図。
【図１０】同、工程図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係るエッチング装置１の構成を示す図である。
同図に示すように、エッチング装置１は、チャンバー２と、光源部３と、エッチングガス供給部４と、制御部５と、記憶部６と、を備えている。エッチング装置１は、被処理体としての基板Ｓをエッチングによって局所的に加工する装置である。基板Ｓとしては、例えばシリコンやガラスなどを主成分とする基板を用いることができる。
【００２８】
エッチング装置１は、エッチング媒体としてエッチングガスを用いて基板Ｓをエッチングする。エッチングガスとしては、光励起により化学的に活性化する材料を用いることができる。このようなエッチングガスとして、例えば、いわゆるドライエッチングに用いられるエッチングガスが挙げられる。このドライエッチングに用いられるエッチングガスのうち、例えばＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６、Ｃｌ２などのハロゲン系エッチングガスを用いることが好ましい。勿論、これら以外の材料を用いても、ハロゲン系エッチングガス以外の材料であっても構わない。本実施形態で用いられるエッチングガスは、光の照射を受けていない状態では化学的に不活性であることが好ましい。
【００２９】
チャンバー２は、基板Ｓを収容すると共に、基板Ｓのエッチングに用いられるエッチングガスを収容する。チャンバー２は、密閉可能に形成されている。チャンバー２は、例えば底部（図中下辺側）に窓部２ａを有している。窓部２ａは、平面視で基板Ｓの収容される領域よりも広い領域に形成されている。窓部２ａは、光源部３の光を透過可能な材料によって形成されている。窓部２ａの位置は、チャンバー２の底部には限られず、側部（図中左辺側及び右辺側のうち少なくとも一方）あるいは天井部（図中上辺側）であっても構わない。窓部２ａは１箇所に限られず、複数箇所に設けられていても構わない。
【００３０】
光源部３は、エッチングガスを化学的に活性化させる光を射出する。光源部３は、光源３１と、光制御部３２と、光遮蔽部３３とを備え、窓部２ａの形成面に沿って移動可能に設けられている。
光源３１は、光射出部３１ａが光制御部３２及び光遮蔽部３３を介して窓部２ａに対向するように配置されている。光源３１として、例えば波長２４８ｎｍの光を射出するＫｒＦエキシマレーザ光源、ＡｒＦエキシマレーザ光源、ＹＡＧレーザ光源、Ｆ２レーザ光源などのレーザ光源や、ｇ線、ｉ線などの紫外線を射出する水銀ランプ、波長１７２ｎｍの光を射出するＸｅ２エキシマランプなどの光源を好適に用いることができる。本実施形態では、光源３１から射出される光として、基板Ｓを透過可能な波長を有する光を選択する。エッチングガスの種類や基板Ｓの種類等に応じて最適な光源が選択して用いられる。
【００３１】
図２は、光制御部３２の平面図である。
光制御部３２は、光源３１から射出される光を遮蔽する材質によって略円板状の形状に形成されている。光制御部３２の材質としては、例えば金属材料、半金属材料、若しくはこれらの化合物、又はセラミック等、光源３１から射出される光を遮蔽できる材料であれば特に限定されない。光制御部３２には、複数の開口部３２ａ，３２ｂ，３２ｃが設けられている。開口部３２ａ，３２ｂ，３２ｃはそれぞれ径（幅）Ｄａ，Ｄｂ，Ｄｃが異なっている。すなわち、光制御部３２は、複数の開口部３２ａ，３２ｂ，３２ｃのいずれかに光源３１から射出される光を透過させることで、当該光の断面積を制御するようになっている。
【００３２】
これらの開口部３２ａ，３２ｂ，３２ｃの中で、開口部３２ａの径Ｄａが最小であり、開口部３２ｂの径Ｄｂはそれよりもやや大きく、開口部３２ｃの径Ｄｃが最大となっている。開口部３２ｃの径（幅）Ｄｃは、光源３１から射出される光の径（幅）と略等しいかそれよりもやや大きくなっている。開口部３２ａ，３２ｂ，３２ｃは、各々の中心が同一の円周Ｃ上に位置するように配置されている。光制御部３２は、円周Ｃの中心を回転中心として回転可能に設けられ、回転角度を任意の角度に制御できるようになっている。
【００３３】
光源３１は、図１に示すように、光制御部３２のチャンバー２とは反対側に配置され、光射出部３１ａの中心が光制御部３２の開口部３２ａ，３２ｂ，３２ｃが配置された円周Ｃ（図２参照）と光の射出方向（基板Ｗに向かう方向）に重なるように配置されている。すなわち、光源３１と光制御部３２とは平面視で偏心した状態で配置され、光制御部３２を回転させることで、開口部３２ａ，３２ｂ，３２ｃのいずれかを光源３１の光射出部３１ａの光射出側に配置できるようになっている。本実施形態では、初期状態において光源３１の光射出部３１ａの中心が光制御部３２の開口部３２ａの中心と重なるように設定されている。光制御部３２の光源３１と反対側には、光遮蔽部３３が設けられている。
【００３４】
光遮蔽部３３は、図１に示すように、初期状態において光源３１の光射出部３１ａと光の射出方向に重なるように配置されている。光遮蔽部３３は、光制御部３２と同様に光源３１から射出された光を遮蔽する材料により形成されている。光遮蔽部３３は、光制御部３２に沿って移動可能に設けられている。すなわち、光源部３は、光源３１の光射出側が光遮蔽部３３によって開閉可能に設けられている。
【００３５】
エッチングガス供給部４は、チャンバー２にエッチングガスを供給する。エッチングガス供給部４としては、例えばエッチングガスを収容したガスボンベなどを用いることができる。
記憶部６は、基板Ｓのエッチング箇所をエッチングすることにより形成するパターン（除去部）の幅、長さ、深さ等のデータが事前に記録されている。
【００３６】
制御部５は、記憶部６に記録されたデータ及び事前に入力されたエッチング速度等の情報に基づいて、光源部３及びエッチングガス供給部４の動作を制御するようになっている。すなわち、制御部５は、光源部３と基板Ｓの相対的な移動や、光源部３の動作やエッチングガス供給部４の動作など、エッチング装置１の各種動作を統括的に制御するようになっている。
制御部５は、記憶部６に記録されたデータ等に基づいて、後述する照射領域Ｒ（図７参照）が基板ＳとエッチングガスＧとの界面Ｆにおいて描く所定の軌跡を算出し、記憶部６に記録するようになっている。
【００３７】
次に、エッチング装置１を用いた基板Ｓのエッチング方法について説明する。
図３〜図１０は、基板Ｓをエッチングする工程を示す工程図である。
以下では、基板Ｓのうち図中上側の面Ｓａにエッチングを行う場合について説明する。また、面Ｓａについては、「エッチング面Ｓａ」と表記する。
【００３８】
（媒体配置工程）
まず、図３に示すように、チャンバー２内に基板Ｓを収容する。基板Ｓを収容する際には、平面視で窓部２ａの形成領域内に収まるように基板Ｓを配置する。基板Ｓをチャンバー２内に収容し、チャンバー２を密閉した後、制御部５は、エッチングガス供給部４からチャンバー２内にエッチングガスを供給させる。この動作により、図４に示すように、基板Ｓの上面ＳａにエッチングガスＧの層が形成される。これにより、基板Ｓａ上にエッチングガスＧが配置され、上面ＳａとエッチングガスＧとの間に界面Ｆが形成される（媒体配置工程）。媒体配置工程では、制御部５は、エッチングガスＧの圧力が大気圧よりも大きい圧力となるようにエッチングガスＧの供給量及び圧力を調節する。
【００３９】
このような圧力として、例えばエッチングガスＧが液化しない範囲の圧力であって、チャンバー２内でのエッチング材料の平均自由工程が例えば１ｎｍ以下となるような圧力の範囲とすることが好ましい。より具体的には、大気圧〜１５ＭＰａの範囲の圧力とすることが好ましく、大気圧〜１ＭＰａの範囲の圧力とすることがより好ましい。ここで、「〜１５ＭＰａ」としたのは、例えばガスボンベなどのエッチングガス供給部４の能力に鑑みて、チャンバー２内を１５ＭＰａよりも高い圧力を維持することが困難となるからである。また、圧力の範囲を「〜１ＭＰａ」とすることにより、エッチング材料の平均自由工程を抑えつつエッチングガス供給部４の負担を軽減することができる。
【００４０】
（光制御部準備工程）
媒体配置工程においてエッチングガスＧの層を形成し、当該エッチングガスＧの圧力を調節した後、制御部５は、記憶部６に記録されたデータ等の情報に基づいて算出された動作に従って光源部３を制御する。
具体的には、まず、制御部５は、基板Ｓに形成するパターンの各部をエッチングするために必要な照射領域Ｒの面積を算出する。そして、複数の開口部３２ａ，３２ｂ，３２ｃの中からパターンの加工を開始する箇所に用いる一つ（例えば開口部３２ａ）を選択する。
【００４１】
制御部５は、加工するエッチング箇所の幅が光源３１の射出する光の径（幅）よりも小さい場合には、図２に示すように、径Ｄａ，Ｄｂが光の径よりも小さい開口部３２ａ，３２ｂのいずれかを選択する。また、加工するエッチング箇所の幅が光源３１の射出する光の径（幅）と略等しいかそれよりも大きい場合には、径Ｄｃが光の径（幅）と略等しい開口部３２ｃを選択する。
【００４２】
制御部５は、開口部３２ａ〜３２ｃの一つを選択した後、光制御部３２を回転させ、図４に示すように、選択した開口部３２ａが光射出部３１ａの光の射出方向に重なるようにする。尚、本実施形態では初期状態で開口部３２ａが選択されているため、ここでは光制御部３２は回転させない。
次いで、制御部５は、光源部３をチャンバー２の窓部２ａの形成面に沿って移動させ、パターンの加工を開始する基板Ｓのエッチング箇所が光射出部３ａと光の射出方向に重なるように光源部３を移動させる。これにより、基板Ｓの表面の光が照射される領域（照射領域Ｒ）が基板Ｓのエッチング箇所と重なった状態になる。
【００４３】
（光照射工程）
次に、制御部５は、図５に示すように光遮蔽部３３を移動させ、光源部３の光射出側を開放する。そして、光源３１の光射出部３１ａから窓部２ａへ光Ｌを照射させる。この光Ｌは、窓部２ａ及び基板Ｓを透過し、基板ＳとエッチングガスＧとの界面Ｆの一部の照射領域Ｒを照射する。この光Ｌの照射を受けた界面Ｆの照射領域Ｒでは、エッチングガスＧが化学的に活性化し、活性化部分Ｑａが形成される。具体的には、エッチングガスＧを構成する分子が光励起によって変化し、当該分子のラジカルやイオンなどが発生する。発生したラジカルやイオンは、基板Ｓとの間で化学反応を起こす。この化学反応によって、図６に示すように、基板Ｓの反応部分が除去され、除去部Ｓｂが形成される。
【００４４】
制御部５は、図７に示すように、光Ｌの照射領域Ｒが記憶部６に記録された所定の軌跡を描くように光Ｌの照射領域Ｒを移動させる。例えば、図７に示すように、制御部５は、光源部３を移動させることにより光源部３と基板Ｓとを相対的に移動させ、照射領域Ｒを移動させるようにする。光Ｌの照射領域Ｒの移動に伴い、エッチングガスＧに形成される活性化部分Ｑａの位置も移動する。活性化部分Ｑａの移動により、基板Ｓには光Ｌの照射領域Ｒの軌跡を辿るように除去部Ｓｂが形成されていく。
【００４５】
基板Ｓの最初のエッチング箇所に所定の除去部Ｓｂを形成した後、光源３１によって光Ｌを射出したままの状態で、図８に示すように、光遮蔽部３３を移動させて光源部３の光射出側を閉じる。光源３１の光射出部３１ａから射出され、光制御部３２の開口部３２ａを透過した光Ｌは、この光遮蔽部３３によって遮蔽される。これにより、基板ＳとエッチングガスＧのとの界面Ｆへの光Ｌの照射が中断されて照射領域Ｒが消滅し、活性化部分Ｑａが拡散し、エッチング反応の進行が停止する。
【００４６】
制御部５は、図９に示すように、記憶部６に記録された軌跡に基づいて、光源部３を基板Ｓの次のエッチング箇所に移動させる。その後、記憶部６に記録されたパターンの寸法等のデータに基づいて例えば開口部３２ｂを選択し、光制御部３２を回転させて選択した開口部３２ｂが光射出部３１ａの光射出側に重なるようにする。これにより、光制御部３２を透過する光Ｌの断面積が変化する。
【００４７】
制御部５は、更に光遮蔽部３３を移動させ、光源部３の光射出側を開放する。これにより、断面積が変化した光Ｌが基板ＳとエッチングガスＧとの界面Ｆの第２の照射領域Ｒに照射される。この第２の照射領域Ｒの面積は、光制御部３２によって光Ｌの断面積を変化させたことで、図５〜図７に示す第１の照射領域Ｒの面積よりも大きくなっている。第２の照射領域Ｒでは、第１の照射領域Ｒと同様に活性化部分Ｑａが形成される。そして、図１０に示すように、化学反応によって基板Ｓのエッチング箇所が除去され、図６に示す第１の除去部Ｓｂよりも大きい寸法の第２の除去部Ｓｂが形成される。
【００４８】
このように、本実施形態によれば、エッチングガスＧに光を照射し当該エッチングガスＧを化学的に活性化させることで基板Ｓがエッチングされる。したがって、化学反応のみによって基板Ｓをエッチングすることができるので、プラズマを照射する場合に比べて基板Ｓに及ぼす熱の影響を抑えることができる。
【００４９】
また、光制御部３２によって光源３１が射出した光Ｌの断面積を変化させて照射領域Ｒの面積を変化させることができる。これにより、光源３１が射出する光Ｌの径や幅と異なる寸法をエッチングすることが可能になる。したがって、光源３１が射出する光Ｌの径よりも小さい寸法の加工を行うことが可能になる。
【００５０】
また、基板Ｓと光源部３とを相対的に移動させることで、基板ＳとエッチングガスＧとの界面Ｆにおいて照射領域Ｒを移動させ、照射領域Ｒの軌跡を辿るように基板Ｓの表面にエッチングによる除去部Ｓｂを形成することができる。
また、記憶部６に予めエッチングにより形成する除去部Ｓｂのパターンを照射領域Ｒが界面Ｆにおいて描く軌跡として記録しておくことで、基板Ｓに所望のパターンの除去部Ｓｂを形成することができる。
【００５１】
また、光遮蔽部３３を設けることで、光源３１による光Ｌの射出を継続させたまま、エッチングガスと基板Ｓとの界面Ｆへの光Ｌの照射を停止して照射領域Ｒを消滅させ、エッチングを中断することができる。これにより、基板Ｓの異なる箇所に複数の除去部Ｓｂを形成することができる。また、光源３１に光Ｌの射出を停止させ、再び射出を再開させる場合と比較して、光Ｌの射出と停止の切り替えを容易に行うことができる。これにより、生産性を向上させると共に、スイッチングコストを低減することができる。
【００５２】
また、光源３１から射出した光Ｌを基板Ｓに透過させることで基板ＳとエッチングガスＧとの界面Ｆに照射している。そのため、界面Ｆの基板Ｓ側からエッチングガスＧに光を照射させることができるので、エッチングガスＧの活性化する範囲を極力抑えることができる。これにより、基板Ｓ上の狭い領域であっても高精度にエッチングすることができる。
【００５３】
また、エッチングガスＧのうち活性化部分Ｑａの周囲は大気圧よりも高い圧力であるため、光照射工程においては活性化部分Ｑａの拡散が抑制されることとなる。このように、光Ｌを照射することによりエッチングガスＧに活性化部分Ｑａがピンポイントで形成されるため、基板Ｓは高精度にエッチングされる。
【００５４】
尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上述の実施形態ではエッチング媒体としてエッチングガスを用いる場合について説明したが、エッチング媒体はエッチング液であってもよい。エッチング液としては、例えばフッ素系不活性液体、ハイドロフルオロエーテル及びヘキサフルオロベンゼンなど、光励起により化学的に活性化する材料を用いることができる。勿論、ここで挙げた材料以外の材料を用いても構わない。エッチング液は、光の照射を受けていない状態では化学的に不活性であることが好ましい。
【００５５】
また、上述の実施形態では光制御部として複数の開口部が形成された円板を用いたが、光制御部は光源が射出する光の径又は幅を変えられるものであればよく、例えば光制御部としてレンズを用いてもよい。また、上述の実施形態で説明した円板状の光制御部の開口部にレンズを設けてもよい。これにより、光源が射出する光の径や幅を拡大させ、光源が射出する光の径や幅よりも大きい寸法を加工することが可能になる。
【００５６】
また、光遮蔽部を光制御部によって兼用してもよい。この場合には、光制御部と光源とを相対的に移動させ、光制御部の開口部が形成されていない領域が光源の光射出部の光射出側に重なるようにする。これにより、光源部の構成を簡略化することができる。
また、被処理体と光源部とを相対的に移動させる際には、光源部を固定して基板を移動させていもよい。
【００５７】
また、上記実施形態では、光射出部からの光が基板を透過して界面に照射されるようにしたが、これに限られることは無く、例えば基板を透過させずに光を界面に照射するようにしても構わない。例えば基板の側方から界面に光を照射しても構わないし、基板ではなくエッチングガス層を透過させて光を界面に照射しても構わない。
【００５８】
また、上記実施形態のチャンバ内に形成されるエッチングガス層においてエッチングガスを容器内で流動させる流動機構を設けるようにし、エッチングガスをかき混ぜることができる構成としても構わない。また、上記実施形態のチャンバ内に収容されるエッチングガス層の温度を調節する温調装置を搭載する構成であっても構わない。
【符号の説明】
【００５９】
１  エッチング装置、３  光源部、５  制御部、６  記憶部、３２  光制御部、３３  光遮蔽部、Ｆ  界面、Ｇ  エッチングガス（エッチング媒体）、Ｌ  光、Ｒ  照射領域、Ｓ  基板（被処理体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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