(57)【要約】【課題】コモン極性をフレーム毎に切り替えるコモン交流駆動において、ゲートスキャン方向に発生する輝度傾斜を抑制する。【解決手段】液晶表示装置は、液晶パネル３０３と、ドレイン線へドレイン電圧を出力すると共にコモン線に極性を切り替えてコモン電圧を出力するドレイン信号生成回路３０１と、複数本のゲート線をスキャンして各ゲート線にゲート電圧を出力する走査回路３０２と、を有する。コモン電圧は、ゲート線のスキャン方向（液晶パネル３０３の垂直方向）にコモン電圧の傾斜をつけスキャン初め側（Ｇ１側）とスキャン終り側（Ｇｎ側）に対し電圧差を持たせるように設定される。これにより、ゲートスキャン方向に発生する輝度傾斜を抑制することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに直交する複数本のドレイン線と複数本のゲート線の交差部に対応して液晶セル容量とスイッチ素子からなる画素が形成され、前記スイッチ素子のゲートは前記ゲート線に接続され、ドレインは前記ドレイン線に接続され、ソースは前記液晶セル容量の一端の電極に接続され、前記液晶セル容量のもう一端の対向電極はコモン線に接続された液晶表示部と、前記ドレイン線へドレイン電圧を出力するドレイン信号生成回路と、前記コモン線に極性を切り替えてコモン電圧を出力するコモン信号生成回路と、前記複数本のゲート線をスキャンして各ゲート線にゲート電圧を出力するゲート信号生成回路と、を有する液晶表示装置であって、
前記コモン信号生成回路から出力するコモン電圧は、ゲート線のスキャン方向にコモン電圧の傾斜をつけスキャン初め側とスキャン終り側に対し電圧差を持たせるように設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記液晶セル容量の一端の電極に接続するコモン線は、全画素で共通であり、
前記液晶表示部は、スキャン初め側とスキャン終り側にコモン線の入力部を有し、前記コモン信号生成回路から出力するコモン電圧は、スキャン初め側のコモン線の入力部とスキャン終り側のコモン線の入力部に対し電圧差を持たせるように設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２記載の液晶表示装置において、
前記液晶表示部の左右それぞれにスキャン初め側とスキャン終り側にコモン線の入力部を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記液晶セル容量の一端の電極に接続するコモン線は、ゲート線の奇数ライン用と偶数ライン用で分かれており、奇数ライン用のコモン線と偶数ライン用のコモン線はそれぞれ共通であり、
前記液晶表示部は、奇数ライン用と偶数ライン用それぞれについてスキャン初め側とスキャン終り側にコモン線の入力部を有し、前記コモン信号生成回路から出力するコモン電圧は、奇数ライン用と偶数ライン用それぞれについてスキャン初め側のコモン線の入力部とスキャン終り側のコモン線の入力部に対し電圧差を持たせるように設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４記載の液晶表示装置において、
奇数ライン用と偶数ライン用それぞれについて前記液晶表示部の左右それぞれにスキャン初め側とスキャン終り側にコモン線の入力部を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記電圧差は、スキャン初め側の画素における実効電圧の１垂直周期期間の平均値とスキャン終り側の画素における実効電圧の１垂直周期期間の平均値の差が少なくなるように設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記電圧差は、前記スイッチ素子のゲート−ソース間の寄生容量Ｃｇｓとコモン電圧変化で発生するソース電圧変動に基づいて設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項７記載の液晶表示装置において、
前記ソース電圧変動は、前記スイッチ素子のゲート−ソース間の寄生容量Ｃｇｓと前記液晶セル容量Ｃｓｔの比率Ｃｇｓ／Ｃｓｔとコモン電圧の変化量（ＶＣＯＭＨ−ＶＣＯＭＬ）の積で決定されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１記載の液晶表示装置において、
正極性（ドレイン電圧に対してコモン電圧が低電位）である場合には、スキャン初め側のコモン電圧はスキャン終り側のコモン電圧に対し高く設定され、負極性（ドレイン電圧に対してコモン電圧が高電位）である場合には、スキャン初め側のコモン電圧はスキャン終り側のコモン電圧に対し低く設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１記載の液晶表示装置において、
コモン電圧の極性がフレーム毎に切り替わるフレーム交流駆動であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記コモン信号生成回路は、前記ドレイン信号生成回路を含むＬＳＩ（大規模集積回路）に含まれていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特にコモン電圧の極性を切り替える駆動方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の液晶表示装置について説明する。図１は、従来の液晶表示装置の構成を示す図である。図１において、１０１はドレイン信号生成回路であり、ドレイン信号生成回路１０１は表示信号となるドレイン電圧（対向電極電位に対して正極性［高電位な］電圧、又は負極性［低電位な］電圧）を液晶パネル１０３に出力する。１０２は走査回路（ゲート信号生成回路）であり、ゲート線（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…）を順次選択（スキャン）する。ゲート線Ｇの本数は、少なくとも液晶パネルの垂直方向の画素数以上ある。ゲート線（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…）とドレイン線（Ｄｒ１、Ｄｇ１、Ｄｂ１、Ｄｒ２、Ｄｇ２、Ｄｂ２、Ｄｒ３、Ｄｇ３、Ｄｂ３、…）との各交差部付近には、例えばｎＭＯＳ−ＴＦＴなどで構成されるスイッチ素子１０４が配置される。このスイッチ素子１０４は、ｎＭＯＳ−ＴＦＴ以外のｐＭＯＳ−ＴＦＴなどでも良いが、本説明ではｎＭＯＳ−ＴＦＴとして説明する。また、ドレイン信号生成回路１０１はコモン信号生成回路を含んでいる。ドレイン信号生成回路１０１から出力されるコモン線１０５、１０６は、スイッチ素子１０４のソースが接続する液晶容量の画素電極が形成する基板と対向して設置する、もう一方の基板上に形成した対向電極に接続する。但し、これは縦電界で透過率を制御する液晶の場合であり、横電界で透過率を制御する液晶の場合は、前記対向電極は、画素電極と同一基板上に形成される。
【０００３】
ここで図１の（ｂ）を用いて画素の書込み動作について説明する。図１の（ｂ）は１画素の構成を示すものである。スイッチ素子１０４のゲートはゲート線Ｇに接続し、ドレインはドレイン線Ｄに接続し、ソースは液晶容量Ｃｓｔ（１０７）の画素電極に接続する。ゲート電圧がＨＩＧＨの期間、スイッチ素子１０４がＯＮされて、前記ソース電圧がドレイン電圧に遷移する。ゲート電圧がＨＩＧＨからＬＯＷへと変化するとソース電圧は保持される。液晶の透過率は、対向電極のコモン電位と画素電極とのソース電位との電位差で決まり、液晶表示装置は、この電位差を制御することにより階調表示を行う。
【０００４】
ここで各画素では、ｎＭＯＳ−ＴＦＴで構成されたスイッチ素子１０４のソースには前記液晶容量Ｃｓｔ（１０７）の他にゲート−ソース間の寄生容量Ｃｇｓ（１０８）が存在する。上記液晶表示装置においては、前記寄生容量Ｃｇｓ（１０８）が主要因の輝度傾斜が発生する。ここで輝度傾斜とは、例えばパネル全面でグレー階調を表示した場合において、一定方向に輝度差が傾斜として発生することを意味する。この輝度傾斜が水平方向に発生する場合と垂直方向で発生する場合では発生原理が異なる。以下では、夫々の発生原理について説明する。
【０００５】
まず水平方向の輝度傾斜の発生原理について説明する。液晶パネル１０３において選択したゲート線が非選択となる場合、つまり選択したゲート線のゲート電圧がＨＩＧＨ電圧（ＶＧＨ）からＬＯＷ電圧（ＶＧＬ）へと遷移する時、ソース電圧はＣｇｓに起因した飛び込み電圧ΔＶｇｓだけ低くなる。この飛び込み電圧ΔＶｇｓは（式１）の様に、ＣｇｓとＣｓｔの比とゲート電圧差で表すことが出来る。
【０００６】
【数１】
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【０００７】
ここで、実際の飛び込み電圧ΔＶｇｓは走査回路１０２に近い方と遠い方とでは値が異なる。これは走査回路と遠い方の画素では、ゲート配線抵抗と配線上の容量によりゲート電圧の波形が鈍り、走査回路に近い方の画素における場合よりもスイッチ素子１０４のオフ動作が緩やかに行われることによる。このように飛び込み電圧が走査回路に近い方と遠い方の画素とで異なるとパネルの水平方向に輝度傾斜が発生する。
【０００８】
この水平方向の輝度傾斜の対策案が、特許文献１に示されている。対策方法としては、図１におけるコモン配線１０５と１０６に印加する電圧間に傾斜をつけて、輝度傾斜を回避するとしている。具体的には、実効電圧が低くなる走査回路に近い方のコモン電圧（コモン配線１０５）を（式１）より算出したΔＶｇｓ分だけ高く設定することで、水平方向の輝度傾斜を回避する。
【０００９】
【特許文献１】特開平９−１７９０９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
次に垂直方向の輝度傾斜の発生原理について図１、図２を用いて説明する。図２（ａ）は図１に示したＰＩＸＥＬ１（１０９）とＰＩＸＥＬ２（１１０）のスキャン動作を示すタイミングチャートである。図に示すように、ＰＩＸＥＬ１（１０９）及びＰＩＸＥＬ２（１１０）は、ゲート電圧２０１がＨＩＧＨの期間、スイッチ素子１０４がＯＮされて、ソース電圧２０４がドレイン電圧２０２に遷移する。ゲート電圧２０１がＨＩＧＨからＬＯＷへと変化すると飛び込み電圧２０５が発生し、ソース電圧は飛び込み電圧２０５分だけ低下する。次に、図２のコモン電圧の切り替わりタイミング２１１において、コモン電圧がＬＯＷ電圧（ＶＣＯＭＬ）からＨＩＧＨ電圧（ＶＣＯＭＨ）へ変化した時、コモン極性反転の影響によりソース電圧は理想電圧波形２０６から、コモン電圧に近い実電圧波形２０７へと電圧が変動する。この理想電圧波形２０６と実電圧波形２０７の電圧差がコモン極性反転によるソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ（２０８）であり、（式２）の様にＣｇｓとＣｓｔの比とコモン電圧差で表すことが出来る。
【００１１】
【数２】
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【００１２】
ここで、上記ソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ（２０８）は、ＰＩＸＥＬ１（１０９）及びＰＩＸＥＬ２（１１０）で同じ値である。つまり、上記ソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ（２０８）が発生するだけでは、縦方向の輝度傾斜は発生しない。コモン極性をフレーム毎に切り替える交流駆動において、上記ソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ（２０８）に加え、各ピクセル（ＰＩＸＥＬ１、ＰＩＸＥＬ２）のスキャンタイミングとコモン電圧の切り替わりタイミング（２１１）の関係が異なることで縦方向の輝度傾斜が発生する。
【００１３】
例として、上記液晶表示装置において液晶パネル１０３でグレー階調表示（８ビットドレインドライバで１２８階調を表示した場合）で、ドレイン信号生成回路１０１側からスキャンした場合を想定する。ＰＩＸＥＬ１（１０９）は１垂直周期の開始付近でスキャンされるので、スキャンからコモン電圧の切り替わりタイミング２１１までのＴ１期間２１２が長く、コモン電圧の切り替わりタイミング２１１からスキャンまでのＴ２期間２１３が短い。つまり、Ｔ２期間２１３が短いＰＩＸＥＬ１では上記ソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ（２０８）の影響が少ない。一方、ＰＩＸＥＬ２（１１０）では１垂直周期の終了付近でスキャンされる。その為、上記Ｔ１期間２１２は短く、上記Ｔ２期間２１３が長い。よって、Ｔ２期間２１３が長いＰＩＸＥＬ２では上記ソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ（２０８）の影響が大きい。
【００１４】
以上の説明により、ＰＩＸＥＬ１（１０９）における実効電圧の１垂直周期期間の積分値（２０９）は、ＰＩＸＥＬ２（１１０）における実効電圧の１垂直周期期間の（２１０）と比べて面積が大きくなる。これは、ＰＩＸＥＬ１（１０９）における実効電圧の１垂直周期期間の平均値Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌ１が、ＰＩＸＥＬ２（１１０）における実効電圧の１垂直周期期間の平均値Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌ２と比べて大きいことを意味する。その結果、図２（ｂ）に示す様に、ゲートスキャン方向（垂直方向）の輝度傾斜が発生する。
【００１５】
ここで各ＰＩＸＥＬ（ＰＩＸＥＬ１、ＰＩＸＥＬ２）における実効電圧の１垂直周期期間の平均値Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌは（式３）で表せる。
【００１６】
【数３】
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【００１７】
ここでＶｐｉｘｅｌは、所望の実効電圧（正極時はドレイン−コモン間電圧差）であり、ΔＶｇｓは上記飛込み電圧２０５、ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖはコモン極性反転によるソース電圧変動２０８を示す。上記液晶表示装置において液晶パネル１０３でグレー階調表示（８ビットドレインドライバで１２８階調を表示した場合）した場合には、ＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２のＶｐｉｘｅｌは同じである。またＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２は共に走査回路に近い方に位置する為、上記飛び込み電圧ΔＶｇｓ（２０５）は同じである。また上記説明の通りＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２のソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ（２０８）は同じである。よって、上記実効電圧の１垂直周期期間の平均値Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌは、Ｔ１（２１２）とＴ２（２１３）のパラメータで決定し、Ｔ１期間が長い場合には、上記Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌはＶｐｉｘｅｌ−ΔＶｇｓの値に近くなり、Ｔ２期間が長い場合には、上記Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌはＶｐｉｘｅｌ−ΔＶｇｓ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖの値に近くなる。よって、上述したとおり、ＰＩＸＥＬ１（１０９）における実効電圧の１垂直周期期間の平均値Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌ１が、ＰＩＸＥＬ２（１１０）における実効電圧の１垂直周期期間の平均値Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌ２と比べて大きいことを意味する。
【００１８】
上記特許文献１では飛び込み電圧２０５のみを考慮している為、上記背景技術で説明したコモン極性をフレーム毎に切り替える交流駆動において、上記ソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ（２０８）に加え、各ピクセル（上記ＰＩＸＥＬ１（１０９）、ＰＩＸＥＬ２（１１０））のスキャンタイミングとコモン電圧の切り替わりタイミング２１１の関係が異なることで発生する垂直方向の輝度傾斜を回避することは困難である。
【００１９】
よって、本発明が解決する課題はゲートスキャン方向（液晶パネルの垂直方向）の輝度傾斜を抑制することである。
【００２０】
本発明の目的は、上記の課題を解決する液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、上記の課題を解決するためのものであり、液晶表示装置は、液晶表示部と、ドレイン線へドレイン電圧を出力するドレイン信号生成回路と、コモン線に極性を切り替えてコモン電圧を出力するコモン信号生成回路と、複数本のゲート線をスキャンして各ゲート線にゲート電圧を出力するゲート信号生成回路と、を有し、前記コモン信号生成回路から出力するコモン電圧は、ゲート線のスキャン方向にコモン電圧の傾斜をつけスキャン初め側とスキャン終り側に対し電圧差を持たせるように設定される。
【００２２】
前記コモン線は、全画素で共通でも、奇数ライン用のコモン線と偶数ライン用のコモン線がそれぞれ共通でもよい。
【００２３】
前記液晶表示部は、スキャン初め側とスキャン終り側にコモン線の入力部を有し、コモン電圧は、スキャン初め側のコモン線の入力部とスキャン終り側のコモン線の入力部に対し電圧差を持たせるように設定される。
【００２４】
前記電圧差は、スキャン初め側の画素における実効電圧の１垂直周期期間の平均値とスキャン終り側の画素における実効電圧の１垂直周期期間の平均値の差が少なくなるように設定される。
【００２５】
前記電圧差は、スイッチ素子のゲート−ソース間の寄生容量Ｃｇｓとコモン電圧変化で発生するソース電圧変動に基づいて設定することができる。
【００２６】
前記ソース電圧変動は、スイッチ素子のゲート−ソース間の寄生容量Ｃｇｓと液晶セル容量Ｃｓｔの比率Ｃｇｓ／Ｃｓｔとコモン電圧の変化量（ＶＣＯＭＨ−ＶＣＯＭＬ）の積で決定する。
【００２７】
正極性（ドレイン電圧に対してコモン電圧が低電位）である場合には、スキャン初め側のコモン電圧は、スキャン終り側のコモン電圧に対し高く設定され、負極性（ドレイン電圧に対してコモン電圧が高電位）である場合には、スキャン初め側のコモン電圧は、スキャン終り側のコモン電圧に対し低く設定される。
【００２８】
前記液晶表示装置は、コモン電圧の極性がフレーム毎に切り替わるフレーム交流駆動で駆動される。
【００２９】
前記コモン信号生成回路は、前記ドレイン信号生成回路を含むＬＳＩ（大規模集積回路）に含まれていてもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明により、ゲートスキャン方向（液晶パネルの垂直方向）の輝度傾斜を抑制した液晶表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明における第１の実施の形態を、図３と図４を用いて説明する。
【００３２】
まず、第１の実施の形態では、全画素のコモン電極は共通としたコモンベタ電極構造であり、またコモン電圧の極性は１垂直周期（フレーム）毎に切り替えるフレーム交流駆動を１つの例として取り上げており、コモン電圧をゲートスキャン方向（図の垂直方向）に傾斜をつけることでゲートスキャン方向の輝度傾斜を抑制する。すなわち、コモン電圧は、液晶パネルのゲート線のスキャン初め側とスキャン終り側に対し電圧差を持たせるように設定される。
【００３３】
図３は、第１の実施の形態に係わる液晶表示装置の構成を示す図である。図３に示す液晶表示装置はスイッチ素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：thin film transistor）を用い、各画素に設けられたＴＦＴを走査タイミングに応じて切り替えることにより、液晶を画素単位で駆動制御するアクティブマトリックス型のＴＦＴ−ＬＣＤである。コモン信号生成回路はドレイン信号生成回路を含むＬＳＩ（大規模集積回路）に含まれている。ここで、図３の液晶表示装置にうちの３０１〜３０４は、［背景技術］の図１で説明した１０１〜１０４と同様なものを示すので説明は省く。
【００３４】
ドレイン信号生成回路３０１から出力されるコモン線３０５、３０６、３０７、３０８は、画素電極が形成する基板と対向して設置する、もう一方の基板上に形成した対向電極に接続する。但し、これは縦電界で透過率を制御する液晶の場合であり、横電界で透過率を制御する液晶の場合は、前記対向電極は、画素電極と同一基板上に形成される。液晶容量は、前記画素電極と前記対向電極に挟まれる。液晶の透過率は、対向電極の電位と画素電極との電位との電位差で決まり、液晶表示装置は、この電位差を制御することにより階調表示を行う。
【００３５】
ここで、コモン線３０５は液晶パネル３０３に向かって左のドレイン信号生成回路３０１に近い方に接続し、コモン線３０６は液晶パネル３０３に向かって左のドレイン信号生成回路３０１に遠い方に接続し、コモン線３０７は液晶パネル３０３に向かって右のドレイン信号生成回路３０１に近い方に接続し、コモン線３０８は液晶パネル３０３に向かって右のドレイン信号生成回路３０１に遠い方に接続する。
【００３６】
次に、コモン線３０５〜３０８の電圧設定に関して説明する。図３の（ｂ）は各ゲート線のコモン電圧設定を示している。図３（ｂ）に示す様に、正極性書込み時のコモン電圧３１１は、スキャン開始のＧ１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ電圧とする為に、コモン配線左近端側３０５とコモン配線右近端側３０７のコモン電圧を設定し、Ｇｎラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧とする為に、コモン配線左遠端側３０６とコモン配線右遠端側３０８のコモン電圧を設定する。また、負極性書込み時のコモン電圧３１２は、スキャン開始のＧ１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ電圧とする為に、コモン配線左近端側３０５とコモン配線右近端側３０７のコモン電圧を設定し、Ｇｎラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ＋ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧とする為に、コモン配線左遠端側３０６とコモン配線右遠端側３０８のコモン電圧を設定する。
【００３７】
ここで、ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧とは［発明が解決しようとする課題］で説明したコモン極性反転によるソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ（２０８）であり、（式２）で示すものである。ここで、正極性書き込み時のコモン配線左近端側３０５とコモン配線右近端側３０７のコモン電圧はＶＣＯＭＬ電圧に設定する。一方でコモン配線左遠端側３０６とコモン配線右遠端側３０８のコモン電圧は、コモン配線左近端側３０５からコモン配線左遠端側３０６のパネル周辺の配線抵抗、及びコモン配線右近端側３０７からコモン配線右遠端側３０８のパネル周辺の配線抵抗によって決定する。例えば、コモン配線左近端側３０５からゲート線の遠端Ｇｎまでのパネル周辺の配線抵抗値とコモン配線左遠端側３０６からゲート線の遠端Ｇｎまでのパネル周辺の配線抵抗値を同じとした場合、ゲート線の遠端Ｇｎの左側のコモン電圧は、抵抗分割により、コモン配線左近端側３０５とコモン配線左遠端側３０６の電圧設定の中間電圧となる。この場合には、コモン配線左遠端側３０６のコモン電圧は、ゲート線の遠端Ｇｎのコモン電圧がＶＣＯＭＬ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖとなる様に、ＶＣＯＭＬ−２×ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖに設定する。同様に、コモン配線右遠端側３０８のコモン電圧は、コモン配線右近端側３０７からゲート線の遠端Ｇｎまでの配線抵抗値とコモン配線右遠端側３０８からゲート線の遠端Ｇｎまでの抵抗分割比を考慮し、ゲート線の遠端Ｇｎのコモン電圧がＶＣＯＭＬ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖとなる様に、コモン配線右遠端側３０８のコモン電圧は、ＶＣＯＭＬ−２×ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖに設定する。
【００３８】
すなわち、液晶パネル３０３は、左右それぞれに、スキャン初め側（Ｇ１ライン側）のコモン線の入力部とスキャン終り側（Ｇｎライン側）のコモン線の入力部を有し、コモン電圧は、スキャン初め側のコモン線の入力部とスキャン終り側のコモン線の入力部に対しΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ（コモン極性反転によるソース電圧変動）の電圧差を持たせるように設定される。
【００３９】
ここで、上記パネル周辺の配線抵抗値をパネルの左右で個別に設定することが可能であるが、制御の容易性の観点から同じ配線抵抗値であることが望ましい。つまり、コモン配線左近端側３０５からゲート線の遠端Ｇｎまでとコモン配線左遠端側３０６からゲート線の遠端Ｇｎまでのパネル周辺の配線抵抗の抵抗分割比は、コモン配線右近端側３０７からゲート線の遠端Ｇｎまでとコモン配線右遠端側３０８からゲート線の遠端Ｇｎまでのパネル周辺の配線抵抗の抵抗分割比を同じとすることが望ましい。以上の方法により、コモン線３０５、３０６、３０７、３０８の電圧設定を行う。
【００４０】
次に、上記液晶表示装置において、課題であるゲートスキャン方向（液晶パネルの垂直方向）に発生する輝度傾斜の抑制効果について図４を用いて説明する。図４は、図３のＰＩＸＥＬ１（３０９）とＰＩＸＥＬ２（３１０）の１垂直周期期間に印加される各種電圧波形を示したものである。ＰＩＸＥＬ１（３０９）及びＰＩＸＥＬ２（３１０）は、ゲート電圧４０１がＨＩＧＨの期間、スイッチ素子３０４がＯＮされて、ソース電圧４０４がドレイン電圧４０２に遷移する（４１５参照）。ゲート電圧４０１がＨＩＧＨからＬＯＷへと変化すると飛び込み電圧４０５が発生し、ソース電圧は飛び込み電圧４０５分だけ低下する。ここで飛び込み電圧４０５は上記（式１）で表すことができ、ゲート電圧波形が同じ場合は飛び込み電圧量は同じである。また、コモン電圧の切り替わりタイミング４１２において、コモン電圧がＬＯＷ電圧（ＶＣＯＭＬ）からＨＩＧＨ電圧（ＶＣＯＭＨ）へ変化した時、コモン極性反転の影響によりソース電圧は４０６の理想電圧波形から、コモン電圧に近い実電圧波形４０７へと電圧が変動する。この理想電圧波形４０６と実電圧波形４０７の電圧差がコモン極性反転によるソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ（４０８）であり、上述した様に図１のＣｇｓ（１０８）とＣｓｔ（１０７）の比とコモン電圧差で表すことが出来る（式２参照）。
【００４１】
ここで、図３の（ｂ）のコモン電圧設定において説明した通り、スキャン開始のＧ１ラインのコモン電圧の変動振幅はＶＣＯＭＨ−ＶＣＯＭＬであるのに対し、スキャン終了のＧｎラインのコモン電圧の変動振幅はＶＣＯＭＨ−ＶＣＯＭＬ＋２×ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖとなる。よって、上記Ｇｎラインのコモン極性反転によるソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ´（４０８´）は新たに下記（式４）で表せる。
【００４２】
【数４】
2010107754.tif 000006
【００４３】
よって、ＰＩＸＥＬ２（３１０）のソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ´（４０８´）はＰＩＸＥＬ１（３０９）のソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ（４０８）の（１＋２×Ｃｇｓ／Ｃｓｔ）倍となる。
【００４４】
同様に、上述した［発明が解決しようとする課題］の（式３）で示した実効電圧の１垂直周期期間の平均値Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌは、ＰＩＸＥＬ２（３１０）に関しては、以下の式に変換される。
【００４５】
【数５】
2010107754.tif 000007
【００４６】
ここでＶｐｉｘｅｌ´は、所望の実効電圧（正極時はドレイン−コモン間電圧差４１５´）であり上記図３の（ｂ）で説明した通り、Ｖｐｉｘｅｌ´＝Ｖｐｉｘｅｌ＋ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖとなる。ＶｐｉｘｅｌはＰＩＸＥＬ１（３０９）に関する所望の実効電圧（正極時はドレイン−コモン間電圧差４１５）である。ΔＶｇｓは（式１）で示した飛込み電圧４０５、ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ´は（式４）より算出したＧｎラインのコモン極性反転によるソース電圧変動４０８´を示す。
【００４７】
ここで、ＰＩＸＥＬ１（３０９）の前記実効電圧平均値Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌに関しては、［発明が解決しようとする課題］の（式３）で示す通りであり、またスキャンからコモン電圧の切り替わりタイミング４１２までのＴ１期間４１３が長く、コモン電圧の切り替わりタイミング４１２からスキャンまでのＴ２期間４１４が短いので、ＰＩＸＥＬ１（３１０）の前記実効電圧平均値Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌはＶｐｉｘｅｌ−ΔＶｇｓの値に近くなる。
【００４８】
一方で、ＰＩＸＥＬ２（３１０）の前記実効電圧平均値Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌ´に関しては、（式５）で示す通りであり、またスキャンからコモン電圧の切り替わりタイミング４１２までのＴ１期間４１３が短く、コモン電圧の切り替わりタイミング４１２からスキャンまでのＴ２期間４１４が長いので、ＰＩＸＥＬ２（３１０）の前記実効電圧平均値Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌ´はＶｐｉｘｅｌ−ΔＶｇｓ＋ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ´の値に近くなる。ここで、（式４）よりΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ´は（１＋２×Ｃｇｓ／Ｃｓｔ）×ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖで置き換えられるので、Ｖａｖｅ＿ｐｉｘｅｌ´＝Ｖｐｉｘｅｌ−ΔＶｇｓ−２×Ｃｇｓ／Ｃｓｔ×ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖとなる。よって、［発明が解決しようとする課題］で示したＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２の実効電圧差がΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖであるの対し、本実施の形態ではＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２の実効電圧値が２×Ｃｇｓ／Ｃｓｔ×ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖに軽減された。
【００４９】
ここで具体的な例でその効果を示す。ＶＣＯＭＨ＝３．５Ｖ、ＶＣＯＭＬ＝−１．５Ｖ、Ｃｇｓ＝１０ｆＦ、Ｃｓｔ＝２００ｆＦの場合、（式２）よりΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ＝０．２５Ｖとなる。よって、［発明が解決しようとする課題］ではＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２の実効電圧差が０．２５Ｖとなる。一方で、本実施の形態によればＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２の実効電圧差は２×Ｃｇｓ／Ｃｓｔ×ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ＝０．０２５Ｖと１０分の１に軽減されることになる。
【００５０】
以上の説明から明らかなように、スキャン初め側のコモン電圧とスキャン終り側のコモン電圧の電圧差は、スキャン初め側の画素における実効電圧の１垂直周期期間の平均値とスキャン終り側の画素における実効電圧の１垂直周期期間の平均値との差が少なくなるように設定される。
【００５１】
また、本実施の形態によれば、前記寄生容量Ｃｇｓ、前記液晶容量Ｃｓｔ、及び前記ソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖは、表示データによらず一定であり、全てのグレー階調表示において効果的である。
【００５２】
また、図３に示す本実施例における液晶表示装置では、液晶パネル３０３の上側にドレイン電圧生成回路３０１が配置されているが、これに限らず、液晶パネル３０３の下側にドレイン電圧生成回路３０１が配置されても問題はない。また、図３に示す本実施例における液晶表示装置では、スキャン方向に関してＧ１からＧｎとしたが、ＧｎからＧ１とした場合には、上記説明したゲートスキャン方向の輝度傾斜の発生原理によれば、輝度傾斜における輝度が明暗が反転するので、コモン電圧の傾斜をつける方向を反転することで対応可能である。
【００５３】
また、本実施の形態では、図３の（ｂ）に示すようなコモン電圧設定を行ったが、これを正極性書込み時のコモン電圧は、スキャン開始のＧ１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ＋Ｖｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧、Ｇｎラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ電圧と設定し、また、負極性書込み時のコモン電圧は、スキャン開始のＧ１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧、Ｇｎラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ電圧と設定しても問題ない。
【００５４】
以下、本発明における第２の実施の形態を、図４、図５を用いて説明する。
【００５５】
第２の実施の形態は、偶数ラインと奇数ラインのコモン電極を分離し、且つ偶数ラインと奇数ラインの夫々ではコモン電極を共通としたコモン２系統構造を用いた場合を想定している。前記コモン２系統構造では、１垂直周期期間において偶数ラインと奇数ラインのコモン電圧を逆極性とし、１垂直周期毎に極性を反転する。また、ドレイン電圧はコモン電圧極性に対応して１水平周期期間毎に極性反転して書き込む。例えば、Ｎフレーム期間において奇数ラインのコモン電圧設定を正極性設定（ＶＣＯＭＬ電圧）とした場合、偶数ラインのコモン電圧設定を負極性設定（ＶＣＯＭＨ電圧）とし、またドレイン電圧は奇数ラインでは正極性の書込み（コモン電圧に対し高電位の書込み）を行い、偶数ラインでは負極性の書込み（コモン電圧に対し低電位の書込み）を行う。次にＮ＋１期間において偶数ラインのコモン電圧設定を正極性設定（ＶＣＯＭＬ電圧）とし、奇数ラインのコモン電圧設定を負極性設定（ＶＣＯＭＨ電圧）とし、ドレイン電圧は偶数ラインでは正極性の書込みを行い、奇数ラインでは負極性の書込みを行う。以上により、コモン極性の反転周期を１垂直周期に維持しつつ、ライン毎の極性反転を実現可能であり、高画質化（フリッカ抑制）と低電力の両立を実現する。
【００５６】
一方で、上述した様にコモン極性は１垂直周期毎に反転する為、第１の実施の形態の場合と同じ理由で、垂直方向の輝度傾斜が発生する。そこで、本実施の形態では前記コモン２系統構造において、コモン電圧をゲートスキャン方向（図の垂直方向）に傾斜をつけることでゲートスキャン方向の輝度傾斜を抑制する。
【００５７】
図５に本実施の形態における液晶表示装置を示す。ここで、図５の液晶表示装置にうちの５０１〜５０４は、［背景技術］の図１で説明した１０１〜１０４と同様なものを示すので説明は省く。
【００５８】
ドレイン信号生成回路５０１から出力されるコモン線は５０５〜５１２の合計８本となる。この内、奇数ラインで共通のコモン電圧（以下、コモン１）設定を行うコモン線は５０５、５０６、５０９、５１０のコモン線であり、偶数ラインで共通のコモン電圧（以下、コモン２）設定を行うコモン線は５０７、５０８、５１１、５１２のコモン線である。更に、コモン線５０５は液晶パネル５０３に向かって左のドレイン信号生成回路５０１に近い方のコモン１配線に接続し、コモン線５０６は液晶パネル５０３に向かって左のドレイン信号生成回路５０１に遠い方のコモン１配線に接続し、コモン線５０９は液晶パネル５０３に向かって右のドレイン信号生成回路５０１に近い方のコモン１配線に接続し、コモン線５１０は液晶パネル５０３に向かって右のドレイン信号生成回路５０１に遠い方のコモン１配線に接続する。同様に、コモン線５０７は液晶パネル５０３に向かって左のドレイン信号生成回路５０１に近い方のコモン２配線に接続し、コモン線５０８は液晶パネル５０３に向かって左のドレイン信号生成回路５０１に遠い方のコモン２配線に接続し、コモン線５１１は液晶パネル５０３に向かって右のドレイン信号生成回路５０１に近い方のコモン２配線に接続し、コモン線５１２は液晶パネル５０３に向かって右の前記ドレイン信号生成回路５０１に遠い方のコモン２配線に接続する。
【００５９】
次に、コモン線５０５〜５１２の電圧設定に関して説明する。図５の（ｂ）は各ゲート線のコモン電圧設定を示している。図３の（ｂ）の説明と同様の理由により、正極性書込み時の奇数ラインのコモン電圧は、スキャン開始のＧ１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ電圧とする為にコモン１配線左近端側５０５とコモン１配線右近端側５０９のコモン電圧を設定し、スキャン終了のＧｎ‐１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧とする為に、コモン１配線左遠端側５０６とコモン１配線右遠端側５１０のコモン電圧を設定する。また、正極性書込み時の偶数ラインのコモン電圧は、スキャン開始のＧ２ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ電圧とする為にコモン２配線左近端側５０７とコモン２配線右近端側５１１のコモン電圧を設定し、スキャン終了のＧｎラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧とする為に、コモン２配線左遠端側５０８とコモン２配線右遠端側５１２のコモン電圧を設定する。更に、負極性書込み時の奇数ラインのコモン電圧は、スキャン開始のＧ１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ電圧とする為にコモン１配線左近端側５０５とコモン１配線右近端側５０９のコモン電圧を設定し、スキャン終了のＧｎ‐１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ＋ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧とする為に、コモン１配線左遠端側５０６とコモン１配線右遠端側５１０のコモン電圧を設定する。また、負極性書込み時の偶数ラインのコモン電圧は、スキャン開始のＧ２ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ電圧とする為にコモン２配線左近端側５０７とコモン２配線右近端側５１１のコモン電圧を設定し、スキャン終了のＧｎラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ＋ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧とする為に、コモン２配線左遠端側５０８とコモン２配線右遠端側５１２のコモン電圧を設定する。
【００６０】
ここで、ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧とは［発明が解決しようとする課題］で説明したソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖであり、上記（式２）で示すものである。ここで、正極性書き込み時のコモン１配線左近端側５０５とコモン１配線右近端側５０９のコモン電圧はＶＣＯＭＬ電圧に設定する。一方でコモン１配線左遠端側５０６とコモン１配線右遠端側５１０のコモン電圧は、コモン１配線左近端側５０５からコモン１配線左遠端側５０６のパネル周辺の配線抵抗、及びコモン１配線右近端側５０９からコモン１配線右遠端側５１０のパネル周辺の配線抵抗によって決定する。例えば、コモン１配線左近端側５０５からゲート線の遠端Ｇｎ−１までのパネル周辺の配線抵抗値とコモン１配線左遠端側５０６からゲート線の遠端Ｇｎ−１までのパネル周辺の配線抵抗値を同じとした場合、ゲート線の遠端Ｇｎ−１の左側のコモン電圧は、抵抗分割により、コモン１配線左近端側５０５とコモン１配線左遠端側５０６の電圧設定の中間電圧となる。この場合には、コモン１配線左遠端側５０６のコモン電圧は、ゲート線の遠端Ｇｎ−１のコモン電圧がＶＣＯＭＬ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖとなる様に、ＶＣＯＭＬ−２×ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖに設定する。同様に、コモン１配線右遠端側５１０のコモン電圧は、コモン１配線右近端側５０９からゲート線の遠端Ｇｎ−１までの配線抵抗値とコモン１配線右遠端側５１０からゲート線の遠端Ｇｎ−１までの抵抗分割比を考慮し、ゲート線の遠端Ｇｎ−１のコモン電圧がＶＣＯＭＬ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖとなる様に、コモン１配線右遠端側５１０のコモン電圧は、ＶＣＯＭＬ−２×ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖに設定する。以上により奇数ラインのコモン信号であるコモン１配線の電圧設定を行う。また、偶数ラインのコモン信号であるコモン２配線の電圧設定に関しても同様に行う。
【００６１】
すなわち、液晶パネル５０３は、左右それぞれに、奇数ライン用と偶数ライン用それぞれについてスキャン初め側とスキャン終り側にコモン線の入力部を有し、コモン電圧は、奇数ライン用と偶数ライン用それぞれについてスキャン初め側のコモン線の入力部とスキャン終り側のコモン線の入力部に対しΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ（コモン極性反転によるソース電圧変動）の電圧差を持たせるように設定される。
【００６２】
ここで、上記パネル周辺の配線抵抗値をパネルの左右で個別に設定することが可能であるが、制御の容易性の観点から同じ配線抵抗値であることが望ましい。つまり、コモン１配線左近端側５０５からゲート線の遠端Ｇｎ−１までとコモン１配線左遠端側５０６からゲート線の遠端Ｇｎ−１までのパネル周辺の配線抵抗の抵抗分割比は、コモン１配線右近端側５０９からゲート線の遠端Ｇｎ−１までとコモン配線右遠端側５１０からゲート線の遠端Ｇｎ−１までのパネル周辺の配線抵抗の抵抗分割比を同じとすることが望ましい。また、偶数ラインのコモン信号であるコモン２配線に関しても同様である。以上の方法により、コモン１配線５０５、５０６、５０９、５１０、及びコモン２配線５０７、５０８、５１１、５１２の電圧設定を行う。
【００６３】
次に、上記液晶表示装置において課題であるゲートスキャン方向（液晶パネルの垂直方向）に発生する輝度傾斜の抑制効果については、上記実施例１の図４の説明と同様の効果である為、説明を省く。但し、コモン２系統とした場合には、偶数ラインと奇数ラインでコモン極性が異なる。その為、第１ライン上のＰＩＸＥＬ１が正極性書込みである場合、最終ラインＧｎ上のＰＩＸＥＬ２は、負極性書込みとなり、図４のＧｎの電圧波形は実際には負極性の電圧波形となる。その為、ＰＩＸＥＬ２を図３のＧｎ−１上の画素とすれば、効果に関する説明は同様である。
【００６４】
以上により、［発明が解決しようとする課題］で示したＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２の実効電圧差がΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖであるの対し、本実施の形態ではＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２の実効電圧値が２×Ｃｇｓ／Ｃｓｔ×ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖに軽減される。
【００６５】
ここで具体的な例でその効果を示す。ＶＣＯＭＨ＝３．５Ｖ、ＶＣＯＭＬ＝−１．５Ｖ、Ｃｇｓ＝１０ｆＦ、Ｃｓｔ＝２００ｆＦの場合、（式２）よりΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ＝０．２５Ｖとなる。よって、［発明が解決しようとする課題］ではＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２の実効電圧差が０．２５Ｖとなる。一方で、本実施の形態によればＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２の実効電圧差は２×Ｃｇｓ／Ｃｓｔ×ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ＝０．０２５Ｖと１０分の１に軽減されることになる。
【００６６】
また、本実施の形態によれば、前記寄生容量Ｃｇｓ、前記液晶容量Ｃｓｔ、及び前記ソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖは、表示データによらず一定であり、全てのグレー階調表示において効果的である。
【００６７】
また、図５に示す本実施の形態における液晶表示装置では、液晶パネル５０３の上側にドレイン電圧生成回路５０１が配置されているが、これに限らず、液晶パネル５０３の下側にドレイン電圧生成回路５０１が配置されても問題はない。また、図５に示す本実施の形態における液晶表示装置では、スキャン方向に関してＧ１からＧｎとしたが、ＧｎかＧ１とした場合には、上記説明したゲートスキャン方向の輝度傾斜の発生原理によれば、輝度傾斜における輝度が明暗が反転するので、コモン電圧の傾斜をつける方向を反転することで対応可能である。
【００６８】
また、本実施の形態では、図５の（ｂ）に示すようなコモン電圧設定を行ったが、これを正極性書込み時のコモン電圧は、スキャン開始のＧ１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ＋Ｖｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧、Ｇｎラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ電圧と設定し、また、負極性書込み時のコモン電圧は、スキャン開始のＧ１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧、Ｇｎラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ電圧と設定しても問題ない。
【００６９】
以下、本発明における第３の実施の形態を、図４、図６を用いて説明する。
【００７０】
第３の実施の形態では、上記第１の実施の形態において説明した液晶表示装置において、コモン信号配線を増やすことなく、コモン電圧をゲートスキャン方向（図の垂直方向）に傾斜をつけることでゲートスキャン方向の輝度傾斜を抑制することとコスト増加の抑制を図る。
【００７１】
図６は、第３の実施の形態に係わる液晶表示装置の構成を示す図である。ここで、図６の液晶表示装置にうちの６０１〜６０４は、［背景技術］の図１で説明した１０１〜１０４と同様ものを示すので説明は省く。
【００７２】
ドレイン信号生成回路６０１から出力されるコモン線６０５、６０６は、画素電極が形成する基板と対向して設置する、もう一方の基板上に形成した対向電極に接続する。但し、これは縦電界で透過率を制御する液晶の場合であり、横電界で透過率を制御する液晶の場合は、前記対向電極は、画素電極と同一基板上に形成される。液晶容量は、前記画素電極と前記対向電極に挟まれる。液晶の透過率は、対向電極の電位と画素電極との電位との電位差で決まり、液晶表示装置は、この電位差を制御することにより階調表示を行う。
ここで、コモン線６０５は液晶パネル６０３のドレイン信号生成回路６０１に近い方の左右にコモン線に接続し、コモン線６０６は液晶パネル６０３のドレイン信号生成回路６０１の遠い方の左右のコモン線に接続する。
【００７３】
次に、コモン線６０５、６０６の電圧設定に関して説明する。図６の（ｂ）は各ゲート線のコモン電圧設定を示している。図６（ｂ）に示す様に、正極性書込み時のコモン電圧は、スキャン開始のＧ１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ電圧とする為に、コモン配線近端側６０５のコモン電圧を設定し、Ｇｎラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧とする為に、コモン配線遠端側６０６のコモン電圧を設定する。また、負極性書込み時のコモン電圧は、スキャン開始のＧ１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ電圧とする為に、コモン配線近端側６０５のコモン電圧を設定し、Ｇｎラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ＋ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧とする為に、コモン配線遠端側６０６のコモン電圧を設定する。
【００７４】
ここで、ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧とは［発明が解決しようとする課題］で説明したソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖであり、（式２）で示すものである。ここで、正極性書き込み時のコモン配線近端側６０５とコモン配線遠端側６０６のコモン電圧は、コモン配線近端側６０５からコモン配線遠端側６０６のパネル周辺の配線抵抗によって決定する。例えば、図６に示す様にコモン周辺配線を、コモン配線近端側６０５からゲートＧ１ライン側の上でコモン線が２股に分かれるまでの上側コモン周辺抵抗Ｒ１（６０７）と、コモン配線遠端側６０６からゲートＧｎライン側の下でコモン線が２股に分かれるまでの下側コモン周辺抵抗Ｒ３（６１０）と、上側コモン周辺抵抗Ｒ１（６０７）から下側コモン周辺抵抗Ｒ３（６１０）を結ぶ左側のコモン周辺抵抗を左側コモン周辺抵抗Ｒ２（６０８）とし、右側のコモン周辺抵抗を右側コモン周辺抵抗Ｒ２（６０９）とする。ここで、前記左側コモン周辺抵抗と右側コモン周辺抵抗の抵抗値は同じとしたが、異なる抵抗値としても問題ない。ここで、Ｒ１：Ｒ２：Ｒ３の抵抗比により、コモン配線近端側６０５からコモン配線遠端側６０６までのコモン線周辺抵抗の合成抵抗はＲ１＋Ｒ２／２＋Ｒ３となる。よって、正極性書き込み時においてＧ１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ電圧とする為には、抵抗分割により、コモン配線近端側６０５のコモン電圧を（Ｒ１＋Ｒ２／２＋Ｒ３）／（Ｒ２／２＋Ｒ３）×ＶＣＯＭＬ電圧に設定すれば良いし、同様にＧｎラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧とする為には、コモン配線近端側６０６のコモン電圧を（Ｒ１＋Ｒ２／２＋Ｒ３）／Ｒ３×（ＶＣＯＭＬ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ）電圧に設定すれば良い。また負極性の場合も同様の考え方で良い。以上の方法により、コモン線６０５、６０６の電圧設定を行う。
【００７５】
次に、上記液晶表示装置において課題であるゲートスキャン方向（液晶パネルの垂直方向）に発生する輝度傾斜の抑制効果については、第１の実施の形態の図４の説明と同様の効果である為、説明を省く。
【００７６】
以上により、［発明が解決しようとする課題］で示したＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２の実効電圧差がΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖであるの対し、本実施の形態ではＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２の実効電圧値が２×Ｃｇｓ／Ｃｓｔ×ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖに軽減される。
【００７７】
ここで具体的な例でその効果を示す。ＶＣＯＭＨ＝３．５Ｖ、ＶＣＯＭＬ＝−１．５Ｖ、Ｃｇｓ＝１０ｆＦ、Ｃｓｔ＝２００ｆＦの場合、（式２）よりΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ＝０．２５Ｖとなる。よって、［発明が解決しようとする課題］ではＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２の実効電圧差が０．２５Ｖとなる。一方で、本実施の形態によればＰＩＸＥＬ１とＰＩＸＥＬ２の実効電圧差は２×Ｃｇｓ／Ｃｓｔ×ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ＝０．０２５Ｖと１０分の１に軽減されることになる。
【００７８】
更に、第３の実施の形態においては、ドレイン信号生成回路からのコモン線出力数を増やすことなく、ゲートスキャン方向の輝度傾斜を抑制することが可能であり、低コストとの両立が可能である。
【００７９】
また、本実施の形態によれば、前記寄生容量Ｃｇｓ、前記液晶容量Ｃｓｔ、及び前記ソース電圧変動ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖは、表示データによらず一定であり、全てのグレー階調表示において効果的である。
【００８０】
また、図６に示す本実施の形態における液晶表示装置では、液晶パネル６０３の上側にドレイン電圧生成回路６０１が配置されているが、これに限らず、液晶パネル６０３の下側にドレイン電圧生成回路６０１が配置されても問題はない。また、図６に示す本実施の形態における液晶表示装置では、スキャン方向に関してＧ１からＧｎとしたが、ＧｎかＧ１とした場合には、上記説明したゲートスキャン方向の輝度傾斜の発生原理によれば、輝度傾斜における輝度の明暗が反転するので、コモン電圧の傾斜をつける方向を反転することで対応可能である。
【００８１】
また、本実施の形態では、図６の（ｂ）に示すようなコモン電圧設定を行ったが、これを正極性書込み時のコモン電圧は、スキャン開始のＧ１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ＋Ｖｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧、Ｇｎラインのコモン電圧をＶＣＯＭＬ電圧と設定し、また、負極性書込み時のコモン電圧は、スキャン開始のＧ１ラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ−ΔＶｃｏｍ＿ｉｎｖ電圧、Ｇｎラインのコモン電圧をＶＣＯＭＨ電圧と設定しても問題ない。
【００８２】
また、本実施の形態においては、コモンは全画素共通としたが、各ライン共通とする構成、もしくは奇数ライン、偶数ラインで夫々共通とする構成としても適用可能である。
【００８３】
また、本実施の形態においては、コモンベタ電極構造を前提していたが、コモン２系統駆動においても、実現可能である。
【００８４】
以下、各実施の形態の効果について説明する。
【００８５】
本発明の第１の実施の形態に示した様に、コモンベタ電極構造フレーム交流駆動において、コモン電圧をゲートスキャン方向（図の垂直方向）に傾斜をつけることでゲートスキャン方向の輝度傾斜を抑制することが可能である。
【００８６】
また、本発明の第２の実施の形態に示した様に、コモン２系統構造において、コモン電圧をゲートスキャン方向（図の垂直方向）に傾斜をつけることでゲートスキャン方向の輝度傾斜を抑制する。
【００８７】
更に、本発明の第３の実施の形態に示した様に、コモンベタ電極構造フレーム交流駆動において、液晶パネルの左側と右側のコモン電圧を同じコモン線で設定することで、ドレイン信号生成回路からのコモン線信号数を増やすことなく、ゲートスキャン方向の輝度傾斜を抑制することが可能である。また、第３の実施の形態をコモン２系統駆動に適用しても、ドレイン信号生成回路からのコモン線信号数を増やすことなく、ゲートスキャン方向の輝度傾斜を抑制することが可能である。
【００８８】
以上の構成、及び駆動動作、タイミング動作を実施することで、ゲートスキャン方向に発生する輝度傾斜を抑制することができる。
【００８９】
また、ライン交流と比べ電力的に有利なフレーム交流駆動を用いることにより、液晶表示装置の低電力化が可能となる。これにより、液晶パネルの高解像度化に伴う演算処理速度増加や高輝度化に伴う電力増加に対し対策可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】従来方式の液晶表示装置である。
【図２】従来方式の電圧波形及びタイミングチャートである。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係わる液晶表示装置である。
【図４】本発明の第１、２、３の実施の形態に係わる電圧波形及びタイミングチャートである。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係わる液晶表示装置である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係わる液晶表示装置である。
【符号の説明】
【００９１】
１０１…ドレイン信号生成回路、１０２…走査回路、１０３…液晶パネル、１０４…スイッチ素子、１０５…コモン配線左、１０６…コモン配線右、１０７…液晶容量Ｃｓｔ、１０８…ゲート−ソース間寄生容量Ｃｇｓ、１０９…ＰＩＸＥＬ１（液晶パネルの左上端の画素）、１１０…ＰＩＸＥＬ２（液晶パネルの左下端の画素）、２０１…ゲート電圧波形、２０２…ドレイン電圧波形、２０３…コモン電圧波形、２０４…ソース電圧波形、２０５…飛び込み電圧、２０６…理想ソース電圧波形、２０７…実際のソース電圧波形、２０８…コモン極性反転によるソース電圧変動、２０９…ＰＩＸＥＬ１における実効電圧（ソース−コモン間の電圧）の１垂直周期積分値、２１０…ＰＩＸＥＬ２における実効電圧（ソース−コモン間の電圧）の１垂直周期積分値、３０１…ドレイン信号生成回路、３０２…走査回路、３０３…液晶パネル、３０４…スイッチ素子、３０５…コモン配線左近端側、３０６…コモン配線左遠端側、３０７…コモン配線右近端側、３０８…コモン配線右遠端側、３０９…ＰＩＸＥＬ１（液晶パネルの左上端の画素）、３１０…ＰＩＸＥＬ２（液晶パネルの左下端の画素）、３１１…正極性書込み時のコモン電圧、３１２…負極性書込み時のコモン電圧、４０１…ゲート電圧波形、４０２…ドレイン電圧波形、４０３…パネル上端のコモン電圧、４０４…ソース電圧波形、４０５…飛び込み電圧、４０６…理想ソース電圧波形、４０７…実際のソース電圧波形、４０８…コモン極性反転によるソース電圧変動、４０９…ＰＩＸＥＬ１における実効電圧（ソース−コモン間の電圧）の１垂直周期積分値、４１０…パネル上端のコモン電圧、４１１…ＰＩＸＥＬ２における実効電圧（ソース−コモン間の電圧）の１垂直周期積分値、５０１…ドレイン信号生成回路、５０２…走査回路、５０３…液晶パネル、５０４…スイッチ素子、５０５…コモン１配線左近端側、５０６…コモン１配線左遠端側、５０７…コモン２配線左近端側、５０８…コモン２配線左遠端側、５０９…コモン１配線右近端側、５１０…コモン１配線右遠端側、５１１…コモン２配線右近端側、５１２…コモン２配線右遠端側、５１３…奇数ライン（コモン１）の正極性書込み時のコモン電圧、５１４…奇数ライン（コモン１）の負極性書込み時のコモン電圧、５１５…偶数ライン（コモン２）の正極性書込み時のコモン電圧、５１６…偶数ライン（コモン２）の負極性書込み時のコモン電圧、６０１…ドレイン信号生成回路、６０２…走査回路、６０３…液晶パネル、６０４…スイッチ素子、６０５…コモン配線近端側、６０６…コモン配線遠端側、６０７…上側コモン周辺抵抗、６０８…左側コモン周辺抵抗、６０９…右側コモン周辺抵抗、６１０…下側コモン周辺抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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