(57)【要約】【課題】支持体と、波長変換層と、波長変換層により変換された可視光を検出する検出器とがこの順に積層された放射線画像検出器において、放射線を吸収することなく、かつ波長変換層により変換された可視光の検出器への照射量を増加させる。【解決手段】支持体３３を多数の気泡３３ａを含有する有機物から形成するとともに、無機物を含有しないものとし、波長変換層３２により変換された可視光を検出器３１に向けて反射するものとする。【選択図】図２
2010107198.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、放射線の照射を受けて該放射線をより長い波長の光に変換する波長変換層と、該波長変換層により変換された光を検出して放射線画像を表す画像信号に変換する検出器とがこの順に積層された放射線画像検出器において、
前記支持体が、多数の気泡を含有する有機物から形成され、無機物を含有しないものであり、前記波長変換層により変換された光を前記検出器に向けて反射するものであることを特徴とする放射線画像検出器。
【請求項２】
前記支持体が、前記波長変換層により変換された光の主たる発光波長に対する反射率が８５％以上であることを特徴とする請求項１記載の放射線画像検出器。
【請求項３】
前記支持体が、樹脂から形成されるものであることを特徴とする請求項１または２記載の放射線画像検出器。
【請求項４】
前記支持体が、ポリエチレンテレフタレートから形成されるものであることを特徴とする請求項３記載の放射線画像検出器。
【請求項５】
前記波長変換層が、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）粒子を含むものであることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の放射線画像検出器。
【請求項６】
前記波長変換層が、ＣｓＩ：ＮａおよびＣｓＩ：Ｔｌのうちの少なくとも１つを含むものであることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の放射線画像検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長変換層により変換された光を検出して放射線画像を表す画像信号に変換する放射線画像検出器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、医療分野などにおいて、被写体を透過した放射線の照射により被写体に関する放射線画像を記録する放射線画像検出器が各種提案、実用化されている。
【０００３】
上記のような放射線画像検出器として、たとえば、放射線の照射により電荷を発生する半導体を利用した放射線画像検出器が提案されており、そのような放射線画像検出器として、いわゆる光読取方式のものやＴＦＴ（thin film transistor、薄膜トランジスタ）、ＣＣＤ（charge coupled device）、ＣＭＯＳ（complementary metal oxide semiconductor）センサなどを用いる電気読取方式のものが提案されている。
【０００４】
そして、上記電気読取方式の放射線画像検出器としては、放射線を半導体層において直接電荷に変換して蓄積する直接変換方式のものや、放射線を蛍光体により一旦光に変換し、その変換した光をフォトダイオードなどによって電荷に変換して蓄積する間接変換方式のものが提案されている。
【０００５】
たとえば、特許文献１には、蛍光体層と検出素子が多数配列された検出基板とが積層された間接変換方式の放射線画像検出器が提案されている。
【０００６】
そして、特許文献１には、蛍光体層とその蛍光体層を支持する支持体の間に、蛍光体層により変換された光を検出基板側へ反射する、金属薄膜からなる反射層を設け、これにより検出基板に入射される光量を増加させることが記載されている。
【０００７】
また、特許文献２においては、支持体上に、光反射層、蛍光体層および表面保護層がこの順に設けられた放射線増感スクリーンが提案されている。そして、この放射線増感スクリーンにおいても、スクリーンからの発光量を増やすために二酸化チタンからなる光反射層を設けるようにしている。
【０００８】
また、特許文献３においては、支持板上に、反射層、輝尽性蛍光体層および保護層がこの順に設けられた放射線変換パネルが提案されている。そして、特許文献３においては、気泡を含有したポリエチレンテレフタレートから支持板を形成し、支持板に反射機能を持たせることが提案されている。
【特許文献１】特開２００６−２５８６１８号公報
【特許文献２】特開平９−２１８９９号公報
【特許文献３】特開２００２−１３１４９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載の放射線画像検出器ように反射層を設け、蛍光体層側から放射線を照射した場合、その放射線は蛍光体層に到達する前に反射層を通過するため、反射層によって放射線が吸収されて減衰し、その結果、蛍光体層による発光量が低下し、画質の劣化を招く問題が生じる。
【００１０】
さらに、特許文献１に記載の放射線画像検出器における反射層は、鏡面反射面になっているため、その最終的な反射率は１回の反射率がｎ乗されたものとなり、十分な反射光を得ることができない。
【００１１】
また、特許文献２に記載の放射線増感スクリーンにおいても、支持体側から放射線を照射した場合、やはり二酸化チタンからなる光反射層によって放射線が吸収されて減衰し、蛍光体層による発光量が低下する問題が生じる。
【００１２】
また、特許文献３においては、気泡を含有したポリエチレンテレフタレートから支持板を形成することによって、支持板に反射機能を持たせることが提案されているが、特許文献３に記載の支持板においては、気泡を含めるために発砲の核として硫酸バリウムなどの無機物が用いられており、支持体側から放射線を照射した場合、無機物を含む支持板によって放射線が吸収されて減衰し、やはり蛍光体層による発光量が低下する問題が生じる。
【００１３】
本発明は、上記の事情に鑑み、放射線を吸収することなく、かつ蛍光体層により変換された可視光の検出器への照射量を増加させることができる放射線画像検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の放射線画像検出器は、支持体と、放射線の照射を受けて該放射線をより長い波長の光に変換する波長変換層と、波長変換層により変換された光を検出して放射線画像を表す画像信号に変換する検出器とがこの順に積層された放射線画像検出器において、支持体が、多数の気泡を含有する有機物から形成され、無機物を含有しないものであり、波長変換層により変換された光を検出器に向けて反射するものであることを特徴とする。
【００１５】
ここで、上記「無機物を含有しないもの」とは、無機物を全く含有しないものだけでなく、放射線吸収が画質に影響を与えないような許容範囲である程度の無機物を多少含有するものも含むものとする。たとえば、無機物が１重量％以下のものは、画質に影響を与えない。
【００１６】
また、上記「波長変換層」は、放射線を、より長い波長の光に変換するものであるが、近赤外光、可視光および近赤外光に変換するものであることが好ましい。より好ましくは可視光に変換するものである。
【００１７】
また、支持体として、波長変換層により変換された光の主たる発光波長に対する反射率が８５％以上であるものを用いることができる。
【００１８】
また、支持体として、樹脂から形成されるものを用いることができる。
【００１９】
また、支持体として、ポリエチレンテレフタレートから形成されるものを用いることができる。
【００２０】
また、波長変換層として、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）粒子を含むものを用いることができる。
【００２１】
また、波長変換層として、ＣｓＩ：ＮａおよびＣｓＩ：Ｔｌのうちの少なくとも１つを含むものを用いることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の放射線画像検出器によれば、支持体を、多数の気泡を含有する有機物から形成し、無機物を含有しないものとし、波長変換層により変換された光を検出器に向けて反射する反射機能を有するものとしたので、支持体によって放射線が吸収されることなく、かつ波長変換層により変換された光の検出器への照射量を増加させることができる。
【００２３】
また、支持体として、波長変換層により変換された光の主たる発光波長に対する反射率が８５％以上であるものを用いるようにした場合には、検出器への光の照射量として十分な量を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の放射線画像検出器の一実施形態を用いた放射線画像撮影装置について説明する。図１は、本放射線画像撮影装置の概略構成図である。
【００２５】
本放射線画像撮影装置は、被写体２に向けて放射線を射出する放射線源１と、被写体２を透過した放射線が照射され、その放射線に担持された被写体２の放射線画像を表す画像信号を出力する放射線画像検出器３と、放射線画像検出器３から出力された画像信号に所定の信号処理を施す信号処理部４と、信号処理部４において信号処理の施された画像信号に基づいて放射線画像を再生する再生部５とを備えている。
【００２６】
図２は、本放射線画像撮影装置における放射線画像検出器３の構成を示す断面図である。
【００２７】
放射線画像検出器３は、図２に示すように、被写体を透過した放射線の照射を受けてその放射線を可視光に変換する蛍光体層３２と、蛍光体層３２により変換された可視光を検出して放射線画像を表す画像信号に変換する固体検出器３１と、蛍光体層３２を支持する支持体３３とを備えている。
【００２８】
そして、本実施形態においては、放射線画像検出器３は、放射線源１側から、支持体３３、蛍光体層３２および固体検出器３１がこの順に配置されたものであり、支持体３３側から放射線の照射を受けるものである。
【００２９】
図３は固体検出器３１の構成を示す平面図である。固体検出器３１は、図３に示すように、Ｘ−Ｙ方向に２次元状に多数配列されたフォトダイオード部３６およびＴＦＴスイッチ３７と、Ｘ方向に並ぶフォトダイオード部３６およびＴＦＴスイッチ３７の行毎に設けられ、その行の各ＴＦＴスイッチ３７に入力される走査信号が印加される走査線３１ｂと、Ｙ方向に並ぶフォトダイオード部３６およびＴＦＴスイッチ３７の列毎に設けられ、その列の各フォトダイオード部３６によって検出された画素信号が流れ出すデータ線３１ｃとを備えている。
【００３０】
走査線３１ｂとデータ線３１ｃとは直交するように設けられ、走査線３１ｂとデータ線３１ｃの交差点に対応して、フォトダイオード部３６およびＴＦＴスイッチ３７が設けられている。
【００３１】
そして、各走査線３１ｂの一端には各走査線３１ｂに走査信号を出力するゲートドライバ４０が接続され、各データ線３１ｃの一端には各信号線に流れ出した画素信号を検出する積分アンプ５０が接続されている。なお、図１および図２においては、ゲートドライバ４０および積分アンプ５０を図示省略している。
【００３２】
図４は、固体検出器３１における各フォトダイオード部３６およびＴＦＴスイッチ３７の概略構成を示す図である。フォトダイオード部３６は、蛍光体層３２により変換された可視光を光電変換するものである。ＴＦＴスイッチ３７は、フォトダイオード部３６において光電変換された電荷信号を画素信号として読み出すためのものである。
【００３３】
図４に示すように、フォトダイオード部３６およびＴＦＴスイッチ３７は、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板３１ｄ上に設けられている。そして、フォトダイオード部３６は、蛍光体層３２により変換された可視光を透過する透明電極３６ａと、フォトダイオードとして機能する半導体層３６ｂと、下部電極３６ｃとから構成されている。半導体層３６ｂとしては、たとえばＰＩＮ構造を利用することができる。なお、フォトダイオード部としてＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）構造を用いてもよい。また、下部電極３６ｃは、後述するＴＦＴスイッチ３７のドレイン電極３７ｂに接続されるものである。また、図４においては、フォトダイオード部３６とＴＦＴスイッチ３７とを並べて配置しているが、重ねて配置してフォトダイオードの面積を大きく取ることが好ましい。
【００３４】
また、ＴＦＴスイッチ３７は、ゲート電極３７ａと、ドレイン電極３７ｂと、ソース電極３７ｃと、半導体層３７ｄと、ゲート絶縁膜３７ｅとから構成されている。ゲート電極３７ａは走査線３１ｂに接続されるものであり、ドレイン電極３７ｂは、上述したとおりフォトダイオード部３６の下部電極３６ｃに接続されるものであり、ソース電極３７ｃはデータ線３１ｃに接続されるものである。また、半導体層３７ｄはＴＦＴスイッチ３７のチャネル部であり、ゲート電圧によってＯＮ−ＯＦＦされるデータ線３１ｃとドレイン電極３７ｂとを結ぶ電流の通路である。
【００３５】
蛍光体層３２は、上述したとおり放射線の照射を受けてその放射線を可視光に変換するものである。蛍光体層３２は、放射線を可視光に変換する蛍光体を含むものであるが、その蛍光体としては、たとえば、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）粒子や、柱状結晶からなるＣｓＩ：ＮａおよびＣｓＩ：Ｔｌのうちの少なくとも１つを利用することができる。なお、蛍光体層３２の形成方法については、後述する実施例において詳細に説明する。
【００３６】
支持体３３は、その上に蛍光体層３２が形成され、その蛍光体層３２を支持するものである。
【００３７】
そして、支持体３３は、多数の気泡３３ａを含有する有機物から形成されるものであるとともに、蛍光体層３２により変換された可視光を固体検出器３１に向けて反射するものである。
【００３８】
具体的には、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂に多数の気泡を含有させた部材から形成されたフィルムなどを用いることができる。このようなフィルムとしては、たとえば、東レ株式会社製、白色低比重フィルムのE6SLなどを用いることができる。
【００３９】
なお、支持体３３としては、ポリエチレンテレフタレート以外の有機物、たとえば、セルロースアセテート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカーボネートなどからなるものを用いるようにしてもよいが、無機物を含有しないものを用いる。なお、無機物を含有しないものとは、無機物を全く含有しないものだけでなく、放射線吸収が許容範囲である程度の無機物を多少含有するものも含むものとする。
【００４０】
また、支持体３３としては、蛍光体層３２により変換された可視光の主たる発光波長に対する反射率が８５％以上であることが望ましい。なお、反射率の測定は、株式会社日立製作所製Ｕ−３２１０型自記分光光度計に、１５０φ積分球（１５０−０９０１）を用いて、標準白板（２１０−０７４０）に対しての反射率を測定する方法が利用できる。反射率測定の測定波長は、放射線増感スクリーンを構成する蛍光体の発光光の波長を考慮して決める。発光光が複数の波長ピークを持つ場合や、ピークがブロードな場合は、それぞれの波長で測定し発光強度を考慮して加重平均して求める。
【００４１】
また、支持体の厚さとしては、０．０７ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが望ましい。
【００４２】
次に、本実施形態の放射線画像検出器を用いた放射線画像撮影装置の作用について説明する。
【００４３】
まず、放射線源１から放射線が被写体２に向けて照射される。そして、被写体２を透過して被写体の放射線画像を担持した放射線が放射線画像検出器３の支持体３３側から照射される。
【００４４】
そして、放射線画像検出器３に照射された放射線は、支持体３３を透過し、蛍光体層３２に照射される。
【００４５】
ここで、上記のように被写体２を透過した放射線が支持体３３を透過するが、本実施形態の支持体３３は有機物から形成されているので放射線の吸収は小さく、支持体３３における放射線の大きな減衰は生じない。
【００４６】
そして、放射線の照射を受けた蛍光体層３２は、その放射線を可視光に変換する。
【００４７】
ここで、蛍光体層３２により変換された可視光は固体検出器３１側だけでなく、固体検出器３１側とは反対側にも向かうが、このような光も支持体３３によって反射させることによって固体検出器３１側に導くことができる。
【００４８】
そして、蛍光体層３２により変換された可視光は固体検出器３１に照射され、固体検出器３１の各フォトダイオード部３６に入射される。
【００４９】
そして、フォトダイオード部３６に入射された可視光はフォトダイオード部３６の半導体層３６ｂに照射され、半導体層３６ｂおいて電荷が発生する。
【００５０】
そして、画像読出時には、Ｘ方向に並ぶＴＦＴスイッチ３７の行に接続された各走査線３１ｂがゲートドライバ４０によりＹ方向について順次選択され、ゲートドライバ４０からその選択された走査線３１ｂに対して各ＴＦＴスイッチ３７をＯＮするためのＯＮ信号が順次出力される。
【００５１】
そして、走査線３１ｂにＯＮ信号が付加されるとその走査線３１ｂに接続された各ＴＦＴスイッチ３７のゲート電極３７ａにゲート電圧が印加され、ＴＦＴスイッチ３７のドレイン電極３７ｂ−ソース電極３７ｃ間が半導体層３７ｄを介して導通し、ＴＦＴスイッチ３７がＯＮ状態となる。
【００５２】
そして、これによりフォトダイオード部３６において発生した電荷信号がＴＦＴスイッチ３７を介して読み出され、データ線３１ｃに流れ出す。そして、各データ線３１ｃに流れ出した電荷信号は各データ線３１ｃに接続された積分アンプ５０により画像信号として検出され、走査線３１ｂの選択毎に積分アンプ５０から画像信号が出力される。
【００５３】
そして、放射線画像検出器３から出力された画像信号は信号処理部４に出力され、信号処理部４において所定の信号処理が施された後、その処理済画像信号が再生部５に出力される。
【００５４】
そして、再生部５において、処理済画像信号に基づいて、たとえば被写体２の放射線画像がモニタ上に再生表示されたり、所定の記録媒体に放射線画像が再生記録されたりする。
【００５５】
以下、上述した実施形態の放射線画像検出器の実施例を説明する。
【実施例１】
【００５６】
１）蛍光体シートの形成
ポリビニルブチラール樹脂、ウレタン樹脂脂および可塑剤の混合物２０重量％を、トルエン、２-ブタノールおよびキシレンの混合溶剤８０重量％に溶解し、十分に攪拌して結合剤溶液を作成した。
【００５７】
そして、この結合剤溶液と平均粒子径５μｍのＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体とを固形成分として１５：８５の重量％比で混合し、ボールミルで分散処理して蛍光体塗布液を調製した。
【００５８】
そして、この蛍光体塗布液をドクターブレードを用いて、シリコーン系離型剤が塗布されたポリエチレンテレフタレートシート（仮支持体、厚み：１９０μｍ）の表面に、４３０ｍｍ巾で塗布し乾燥した後、仮支持体から剥離して、蛍光体シート（厚み：３００μｍ）を得た。
【００５９】
２）支持体の形成
下記組成の材料をＭＥＫ（メチルエチルケトン）５ｇに加え、混合分散して、塗布液を調製した。この塗布液をプラスチックフィルム（東レ株式会社製、白色低比重フィルムのE6SL）の表面にドクターブレードを用いて塗布し、乾燥させ、硬化させ、蛍光体層側の接着層（膜厚：５μｍ）を形成した。
【００６０】
樹脂：飽和ポリエステル樹脂（バイロン３００（登録商標）、東洋紡株式会社製）のＭＥ
Ｋ溶液（固形分３０重量％）
硬化剤：ポリイソシアネート（オレスターＮＰ３８−７０Ｓ（登録商標）（固形分７
０％）、三井東圧株式会社製）
導電剤：ＳｎＯ２（Ｓｂドープ）針状微粒子のＭＥＫ分散体（固形分３０重量％）
３）蛍光体層の形成
支持体上の接着層の面に、１）で作製した蛍光体シートを塗布形成時の裏面（仮支持体側）が接するようにして重ね、これをカレンダー機を用いて総荷重２３００ｋｇ、上側ロール４５℃、下側ロール４５℃、送り速度０．３ｍ／分にて加熱圧縮した。これにより、蛍光体シートは支持体上に完全に融着した。
【００６１】
４）放射線画像検出器の形成
上記支持体上の蛍光体層の表面に両面接着テープ(接着層；厚み２５μm、日東電工(株)製CS9621)を貼った後、ラミネート機を用いて固体検出器の表面に、両面接着テープを介して蛍光体層を貼り合わせることで放射線画像検出器を作成した。
【００６２】
一方、比較例として、下記の放射線画像検出器を作成した。比較例の放射線画像検出器１００は、図５に示すように、被写体を透過した放射線の照射を受けてその放射線を可視光に変換する蛍光体層１０２と、蛍光体層１０２により変換された可視光を検出して放射線画像を表す画像信号に変換する固体検出器１０１と、蛍光体層１０２を支持する支持体１０４とを備えたものであり、支持体１０４と蛍光体層１０２との間に反射層１０３が設けられたものである。
【００６３】
比較例の放射線画像検出器１００の支持体１０４は、実施例の支持体のように気泡を含有するものではなく、蛍光体層１０２により変換された光を反射するものとして機能するものではない。そして、比較例の放射線画像検出器１００においては、反射層１０３により蛍光体層１０２により変換された光が固体検出器１０１側へ反射される。
【００６４】
比較例の放射線画像検出器１００は以下のようにして作成した。
【００６５】
１）蛍光体シートの作製
蛍光体シートについては、上記実施例と同様にして作成した。
【００６６】
２）反射層の形成
下記組成の材料をＭＥＫ（メチルエチルケトン）５ｇに加え、混合分散して、塗布液を調製した。この塗布液をＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）（支持体、厚み：２００μｍ）の表面にドクターブレードを用いて塗布し、乾燥させ、硬化させ、反射層側の接着層（膜厚：５μｍ）を形成した。
【００６７】
樹脂：飽和ポリエステル樹脂（バイロン３００，東洋紡（株）製）のＭＥＫ溶液「固形分３０重量％」
硬化剤：ポリイソシアネート（オレスターNP38-70S「固形分７０％」、三井東圧（株）製）
導電剤：ＳｎＯ２（Ｓｂドープ）針状微粒子のＭＥＫ分散体「固形分３０重量％」
続いて、下記組成の材料をＭＥＫ３８７ｇに加え、混合分散して塗布液を作製した。この塗布液をＰＥＴからなる支持体上の接着層の表面にドクターブレードを用いて塗布し、乾燥して、反射層（層厚、約１００μｍ）を形成した。
【００６８】
光反射性物質：ルチル型二酸化チタン粉末（平均粒子経：０．２８μｍ）（石原産業
（株）製、ＣＲ９５）
結合剤：軟質アクリル樹脂（クリスコートP-1018GS「２０％トルエン溶液」、大日本インキ化学工業（株）製）
３）蛍光体層の形成
支持体上の反射層の面に、１）で作製した蛍光体シートを塗布形成時の裏面（仮支持体側）が接するようにして重ね、これをカレンダー機を用いて総荷重２３００ｋｇ、上側ロール４５℃、下側ロール４５℃、送り速度０．３ｍ／分にて熱圧縮した。これにより、蛍光体層は反射層に完全に融着した。熱圧縮後の蛍光体層の層厚は２００μｍであった。
【００６９】
４）放射線画像検出器の形成
上記蛍光体層の表面に両面接着テープ(接着層；厚み２５μm、日東電工(株)製CS9621)を貼った後、ラミネート機を用いて固体検出器の表面に、両面接着テープを介して蛍光体層を貼り合わせた。
【００７０】
そして、上記のようにして作成された[実施例１]と[比較例１]の放射線画像検出器における支持体の反射率を評価するとともに、その感度を評価した。その評価結果を下表１に示す。
【００７１】
反射率の測定は、株式会社日立製作所製Ｕ−３２１０型自記分光光度計に、１５０φ積分球（１５０−０９０１）を用いて、標準白板（２１０−０７４０）に対しての反射率を測定する方法が利用した。反射率測定の測定波長は、蛍光体層を構成する蛍光体の発光光の波長を考慮して５４５ｎｍとした。
【００７２】
また、感度の評価は、管電圧５０ｋＶｐのＸ線を放射線画像検出器の支持体側から照射し、固体検出器で検出された画像データの平均シグナル値から相対感度を求める方法を採用した。
【００７３】
下表１に示すように、実施例１の放射線画像検出器については、測定波長５４５ｎｍの光に対する反射率が９８％であり、十分な反射率が得られることがわかった。また、比較例１の放射線画像検出器に関してもほぼ同等の結果が得られた。
【００７４】
一方、感度に関しては、実施例１では十分な感度が得られたのに対し、比較例１では無機物によるＸ線吸収、減衰の結果、相対感度は９０（実施例の相対感度を１００とした）となり、明らかに感度が低下した。
【表１】
2010107198.tif 000003
【００７５】
なお、上記実施例においては、蛍光体シートを作成し、その蛍光体シートを支持体上に接着したものを固体検出器に貼り付けるようにしたが、蛍光体層の蛍光体として、柱状結晶からなるＣｓＩ：ＮａおよびＣｓＩ：Ｔｌのうちの少なくとも１つを利用する場合には、固体検出器の上のパリレンなどの層を設けた後に、ＣｓＩ：Ｔｌなどを蒸着することによって蛍光体層を形成し、その蛍光体層の上に支持体を貼り付けるようにしてもよい。
【００７６】
また、上記実施形態の放射線画像撮影装置においては、放射線画像検出器の支持体側から放射線を照射するようにしたが、放射線画像検出器の固体検出器側から放射線を照射するようにしてもよい。すなわち、放射線画像検出器を、放射線源１側から、固体検出器３１、蛍光体層３２および支持体３３がこの順に配置されたものとしてもよい。上記のように固体検出器側から放射線を照射することによって、蛍光体層により変換された光が蛍光体層自身によって吸収されてしまうのを防止したり、蛍光体層において光が散乱してしまうのを防止したりすることができる。
【００７７】
また、上記実施形態および実施例においては、電気読取方式の固体検出器を用いた放射線画像検出器について説明したが、本発明の放射線画像検出器は光読取方式の固体検出器を用いるようにしてもよい。光読取方式の固体検出器としては、具体的には、たとえば、波長変換層に変換された可視光を透過する第１の電極層、第１の電極層を透過した可視光の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層、記録用光導電層において発生した電荷のうち一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用し、且つ他方の極性の電荷に対しては導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層、および読取光を透過する透明線状電極と読取光を遮光する遮光線状電極とからなる第２の電極層をこの順に積層してなるものを用いることができる。そして、上記放射線画像検出器の第１の電極層の上に、上述した蛍光体層および支持体を、蛍光体層が第１の電極層側に配置されるように設けるようにすればよい。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の放射線画像検出器の実施形態を用いた放射線画像撮影装置の概略構成図
【図２】本発明の放射線画像検出器の一実施形態の概略構成を示す断面図
【図３】固体検出器の平面図を示す図
【図４】固体検出器におけるフォトダイオード部およびＴＦＴスイッチの構成を示す図
【図５】比較例の放射線画像検出器の概略構成を示す断面図
【符号の説明】
【００７９】
１     放射線源
２     被写体
３     放射線画像検出器
４     信号処理部
５     再生部
３１   固体検出器
３１ｂ 走査線
３１ｃ データ線
３１ｄ 基板
３２   蛍光体層
３３   支持体
３６   フォトダイオード部
３７   ＴＦＴスイッチ
４０   ゲートドライバ
５０   積分アンプ
１００ 放射線画像検出器
１０１ 固体検出器
１０２ 蛍光体層
１０３ 反射層
１０４ 支持体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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