(57)【要約】【課題】放射線画像の撮影に関する情報を確認可能として、効率良く所望の放射線画像を得ることができる可搬型放射線画像読取システムを提供する。【解決手段】照射された放射線の強度に応じて生成された画像データを撮像パネル２１から制御回路２８に供給すると共にメモリ２９に書き込む。撮像パネル２１からの画像データあるいはメモリ２９から読み出した画像データに基づいて画像表示信号ＤＳを生成して表示部３２に供給する。識別情報や撮影条件等を示すデータを入力装置７４から入力してメモリ２９に記憶させて、このデータを読み出して情報表示信号ＤＪを生成して表示部３２に供給する。表示部３２に放射線画像や識別情報あるいは撮影条件等が表示されるので、この表示を利用して正しく撮影を行うことができると共に所望の放射線画像が得られたか否かを容易に確認できる。【選択図】  図５
2010131411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体の放射線画像の撮影において照射された放射線の強度に応じて、２次元的に配列された複数の検出素子で画像データを生成して読み取りを行う撮像パネルと、
前記画像データの識別のための識別情報を入力する入力手段と、
撮影毎に、前記識別情報と前記画像データとを対応させて記憶する記憶手段と、
前記画像データを出力する手段とを有する
ことを特徴とする可搬型放射線画像読取システム。
【請求項２】
前記記憶手段は、前記画像データと、前記放射線画像の撮影条件とを対応させて記憶する
ことを特徴とする請求項１に記載の可搬型放射線画像読取システム。
【請求項３】
前記記憶手段に記憶された識別情報を変更する操作部を有する
ことを特徴とする請求項１〜２の何れか１項に記載の可搬型放射線画像読取システム。
【請求項４】
前記操作部は、前記記憶手段に記憶された放射線画像の撮影条件を変更する
ことを特徴とする請求項３に記載の可搬型放射線画像読取システム。
【請求項５】
前記放射線画像の撮影条件を撮影毎に順次表示する表示手段を有する
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の可搬型放射線画像読取システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、可搬型放射線画像読取システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、放射線画像を得る方法として増感紙と放射線写真フィルムとを組み合わせたいわゆる放射線写真法が利用されている。この方法によれば、被写体を透過したＸ線等の放射線が増感紙に入射されると、増感紙に含まれる蛍光体が放射線のエネルギーを吸収して蛍光を発する。この発光により、増感紙に密着されるように重ね合わされた放射線写真フィルムが感光し、放射線写真フィルム上に放射線画像が形成される。
【０００３】
しかし、このような放射線写真法により放射線画像を得るためには、撮影に用いる放射線写真フィルムと増感紙との感度領域を一致させて撮影を行う必要がある。また、撮影後に放射線写真フィルムに対して化学的現像および定着等の処理をしなければならず、放射線画像が得られるまでに時間を要してしまう。
【０００４】
一方、放射線エネルギーの一部を蓄積して、その後可視光等の励起光を照射すると蓄積されたエネルギーに応じて輝尽発光を示す輝尽性蛍光体を利用し、この輝尽性蛍光体をシート状とした輝尽性蛍光体シートに被写体の放射線画像情報を記録したのちレーザー光等を照射し、輝尽発光を光電的に読み取って画像信号を得る方法が用いられている。
【０００５】
この輝尽性蛍光体を用いる方法では、光電変換によって輝尽発光の光量に応じた電気信号を得る際の利得を制御することにより、放射線露光量の変動による影響を小さくでき良好な放射線画像を得ることができる。
【０００６】
しかし、このような輝尽性蛍光体を用いる方法は、輝尽性蛍光体の層のなかで光（輝尽発光，励起光）の散乱を生じるため放射線画像の解像度が低下してしまう。また、励起光を照射して輝尽発光を生じさせなければならないことから、励起光を照射する照射手段が必要とされて構成が複雑であると共に速やかに放射線画像を得ることができない。
【０００７】
このため、例えば被写体を透過したＸ線等の放射線をアモルファスセレン等を用いた光導電層に照射し、この光導電層で生じた電荷の大きさに応じて画像データを生成し、生成された画像データを用いて放射線画像を得る方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
この方法では、照射された放射線量に応じた画像データを生成する撮像パネルとして、誘電基板上に電荷蓄積コンデンサと蓄積された電荷を電荷蓄積コンデンサから読み出すためのトランジスタが隣接して複数配列されて、さらに、このトランジスタやコンデンサ上に光導電層が積層される。ここで、光導電層には誘電層を介してバイアス電圧が印加されており、被写体を透過した放射線によって光導電層で電荷が発生されると、この電荷は電荷蓄積コンデンサに蓄積される。このときトランジスタは非導通状態とされる。その後、トランジスタが導通状態とされて電荷蓄積コンデンサに蓄積された電荷が読み出されて、この読み出された電荷量に応じた画像データが生成されて読み取られる。このようにして読み取られた画像データは、カセッテ型放射線画像読取装置の内部に設けられた記憶手段に記憶される。
【０００９】
撮影終了後に放射線画像を得るためには、カセッテ型放射線画像読取装置とコントローラが例えばケーブルで接続されて、カセッテ型放射線画像読取装置の記憶手段に記憶された画像データがコントローラに供給される。コントローラでは供給された画像データに基づく放射画像の出力が行われる。なお、画像データの通信は有線方式だけでなく無線方式でも行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平６−３４２０９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、上述したようにカセッテ型放射線画像読取装置の記憶手段に記憶された画像データをコントローラに供給して、コントローラから放射線画像を出力させるものでは、撮影を正しく行うことができたか否かを確認するためには、画像データをコントローラに供給して放射線画像を出力させなければならず、簡単に確認することができない。また、放射線画像の撮影毎に画像データに対応させて患者の識別データを記憶手段に記憶し、記憶手段に記憶された患者の識別データを簡単に確認することができない。
【００１２】
そこで、この発明では、放射線画像の撮影に関する情報を確認可能として、効率良く所望の放射線画像を得ることができる可搬型放射線画像読取システムを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明に係る可搬型放射線画像読取システムは、被写体の放射線画像の撮影において照射された放射線の強度に応じて、２次元的に配列された複数の検出素子で画像データを生成して読み取りを行う撮像パネルと、画像データの識別のための識別情報を入力する入力手段と、撮影毎に、識別情報と画像データとを対応させて記憶する記憶手段と、画像データを出力する手段とを有するものである。
【００１４】
この発明においては、入力手段で入力された放射線画像の撮影に関する情報データ、例えばＩＤ番号，氏名，生年月日等からなる識別情報および撮影条件等のデータが、撮影毎に画像データと対応させて記憶手段に記憶される。この記憶手段に記憶された情報データに基づいて表示信号が生成されて、表示手段に識別情報および撮影条件が表示される。また、撮像パネルからの画像データあるいは記憶手段に記憶されている画像データに基づいて表示信号が生成されて、この表示信号に基づき表示手段に放射線画像が表示される。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、入力手段で入力された放射線画像の撮影に関する情報データ、例えばＩＤ番号等からなる識別情報や撮影条件等のデータが、撮影毎に画像データと対応させて記憶手段に記憶される。これにより、この情報データに基づいて表示信号を生成し、この表示信号を表示手段に供給して、記憶手段の使用状態や識別情報および撮影条件を表示することができる。このため、表示手段の表示によって、記憶手段の使用状態を容易に確認することができると共に所望の放射線画像の撮影を効率よく行うことができる。また正しい条件で撮影を行うこともできる。また、撮像パネルからの画像データあるいは記憶手段に記憶されている画像データに基づいて表示信号が生成されて、この表示信号に基づき表示手段に放射線画像が表示される。このため、表示手段での表示によって、撮影が正しく行われたか否かを容易に確認することができる。また記憶手段にどのような放射線画像が記憶されているかの確認も容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】放射線画像撮像システムの構成を示す図である。
【図２】カセッテ型放射線画像読取装置の構造を示す斜視図である。
【図３】撮像パネルの構成を示す図である。
【図４】撮像パネルの一部断面図である。
【図５】カセッテ型放射線画像読取装置と放射線画像情報処理装置の構成を示す図である。
【図６】表示部の他の構成例
【図７】表示部での表示例
【発明を実施するための形態】
【００１７】
次に、この発明の実施の一形態について図を用いて詳細に説明する。図１は、放射線画像撮像システムの構成を示す図である。図１において、放射線発生装置１０から放射された放射線は、被写体５を通して可搬型放射線画像読取システムを構成するカセッテ型放射線画像読取装置（以下「放射線画像読取装置」という）２０の撮像パネルに照射される。放射線画像読取装置２０では、照射された放射線の強度に基づいて画像データが生成される。コントローラ６０では、放射線画像読取装置２０から供給された画像データを用いて画質の良好な放射線画像の表示や出力等が行われる。
【００１８】
図２は、放射線画像読取装置２０の構造を示す図である。照射された放射線の強度に応じて画像データを生成して出力する撮像パネル２１は、炭素繊維等を用いて構成された筐体４０に収納されている。この撮像パネル２１は、照射された放射線の強度に応じて蓄積された電荷を読み出す走査駆動回路２４や蓄積された電荷に基づき画像データを生成して出力する信号選択回路２６を有している。
【００１９】
また、放射線画像読取装置２０には、放射線画像読取装置２０の動作を制御する制御回路２８、書き換え可能な読み出し専用メモリ（例えばフラッシュメモリ）等を用いることにより撮像パネル２１から出力された画像データを記憶するメモリ２９、放射線画像読取装置２０の動作を切り換えるための操作部３０、放射線の照射を検出するセンサ３１、撮影された放射線画像の表示や放射線画像の撮影準備の完了等を表示するための表示部３２、撮像パネル２１を駆動して画像データを得るための電力や表示部３２で表示を行うための電力および制御回路２８やメモリ２９を動作させるための電力を供給する電源部３３、放射線発生装置１０と放射線画像読取装置２０の動作を同期させるための通信用のコネクタ３４が設けられている。
【００２０】
なお、放射線画像読取装置２０に、コントローラ６０を接続するためのコネクタ（図示せず）を設けて、メモリ２９とコントローラ６０とを通信ケーブルを介して接続可能としてもよく、またメモリ２９を着脱可能としてコントローラ６０等に装着できるようにしてもよい。また、表示部３２の表面に所望の強度を有する保護部材を設けるものとすれば、放射線画像読取装置２０の取り扱い中に表示部３２が損傷を受けてしまうことを防止できる。
【００２１】
撮像パネル２１の放射線照射面側には、放射線の散乱成分を吸収するためのグリッド３５が必要に応じて配設されている。さらに、放射線画像読取装置２０の持ち運びや放射線画像の撮影時の位置調整を容易とするため把手４２が筐体４０に設けられている。
【００２２】
なお、筐体４０の内部や走査駆動回路２４、信号選択回路２６、制御回路２８、メモリ２９などは、図示しない放射線遮蔽部材で覆われており、筐体４０の内部での放射線の散乱や各回路に放射線が照射されることが防止される。
【００２３】
図３は、撮像パネル２１の構成を示しており、撮像パネル２１は所定の剛性を得られるだけの厚みを有する誘電基板２１１を有している。この誘電基板は例えばガラスを用いて構成される。誘電基板２１１上には金属の薄膜を用いた複数のマイクロプレート２１２-(1,1)〜２１２-(m,n)が２次元配置されている。マイクロプレート２１２間には走査線２１５-1〜２１５-mと信号線２１６-1〜２１６-nが例えば直交するように配設される。マイクロプレート２１２-(1,1)には、１つのトランジスタ２２０-(1,1)が接続されている。このトランジスタ２２０-(1,1)は、例えば電界効果トランジスタが用いられており、ドレイン電極あるいはソース電極がマイクロプレート２１２-(1,1)に接続されると共に、ゲート電極は走査線２１５-1と接続される。ドレイン電極がマイクロプレート２１２-(1,1)に接続されるときにはソース電極が信号線２１６-1と接続され、ソース電極がマイクロプレート２１２-(1,1)に接続されるときにはドレイン電極が信号線２１６-1と接続される。またマイクロプレート２１２-(1,1)は電荷蓄積コンデンサ２２２-1の一方の電極とされる。このようにして１つの画素が形成される。他のマイクロプレート２１２にも同様にトランジスタ２２０と接続されており、トランジスタ２２０のゲート電極には走査線２１５が接続されると共に、ソース電極あるいはドレイン電極には信号線２１６が接続される。
【００２４】
図４は、撮像パネル２１の一部断面図を示しており、誘電基板２１１上には走査線２１５と接続されるゲート電極２２０ｇが形成される。このゲート電極２２０ｇ上にゲート絶縁膜２２０ｐが形成されると共に、ゲート絶縁膜２２０ｐ上にはアモルファスシリコン等を用いた半導体層２２０ｃが形成される。この半導体層２２０ｃにソース電極２２０ｓとドレイン電極２２０ｄが形成されて電界効果トランジスタが構成される。このソース電極２２０ｓあるいはドレイン電極２２０ｄの一方が信号線２１６と接続されると共に他方の電極がマイクロプレート２１２に接続される。
【００２５】
また、誘電基板２１１上には外部側のマイクロプレートとしての電極２２２ａが形成されると共に、この電極上に二酸化シリコンあるいは窒化シリコン等の誘電体２２２ｂが形成される。さらに誘電体２２２ｂ上にマイクロプレート２１２が形成されて、マイクロプレート２１２と電極２２２ａと誘電体２２２ｂで電荷蓄積コンデンサ２２２が形成される。電荷蓄積コンデンサ２２２の誘電体２２２ｂ上に形成されたマイクロプレート２１２は、トランジスタ２２０と接続されると共に、誘電基板２１１上に形成された電極２２２ａは接地される。
【００２６】
トランジスタ２２０はパッシベーション層２２５で被覆されると共に、電荷蓄積コンデンサ２２２のマイクロプレート２１２上には電荷阻止層２２６が形成される。
【００２７】
さらに、パッシベーション層２２５や電荷阻止層２２６、走査線２１５（図示せず）および信号線２１６（図示せず）上には、放射線が照射されることにより電子−正孔対が生成されて抵抗値が変化する光導電層２２７が形成される。この光導電層２２７としては暗抵抗値が高いものが望ましく、アモルファスセレン、酸化鉛、硫化カドミウム、ヨウ化第２水銀、または光導電性を示す有機材料（Ｘ線吸収コンパウンドが添加された光伝導性ポリマを含む）などが用いられ、特にアモルファスセレンが望ましい。光導電層２２７上には誘電層２２８が形成されることが好ましく、誘電層２２８上にはバイアス電極２２９が形成される。
【００２８】
ここで、バイアス電極２２９に電圧源から高電圧（例えば数ｋＶ）が印加された状態で放射線が光導電層２２７に入射されると、放射線の強度に応じた量の電子−正孔対が生成されると共に、バイアス電極２２９に高電圧が印加されていることから、生成された電荷は誘電層２２８側に移動されると共に、前記とは逆極性の電荷は電荷阻止層２２６側に移動される。また、誘電層２２８によってバイアス電極２２９から光導電層２２７への電荷の注入が阻止されると共に、電荷阻止層２２６によって電荷蓄積コンデンサ２２２のマイクロプレート２１２から光導電層２２７への電荷の注入が阻止される。このため、光導電層２２７を介して漏洩電流が流れることを阻止することができ、放射線の強度に応じた量の電荷を電荷蓄積コンデンサ２２２に蓄えることができる。
【００２９】
このようにして、図３に示す各マイクロプレート２１２-(1,1)〜２１２-(m,n)を一方の電極とする電荷蓄積コンデンサ２２２-(1,1)〜２２２-(m,n)に放射線像を示す電荷を蓄積することができると共に、電荷蓄積コンデンサ２２２-(1,1)〜２２２-(m,n)に蓄積された電荷量を判別して画像データを生成することができる。
【００３０】
また撮像パネル２１では、信号線２１６-1〜２１６-nに、例えばドレイン電極が接続された初期化用のトランジスタ２３２-1〜２３２-nが設けられている。このトランジスタ２３２-1〜２３２-nのソース電極は接地されている。また、ゲート電極はリセット線２３１と接続される。
【００３１】
撮像パネル２１の走査線２１５-1〜２１５-mとリセット線２３１は、図３に示すように走査駆動回路２４と接続されている。走査駆動回路２４から走査線２１５-1〜２１５-mのうちの１つ走査線２１５-p（pは1〜mのいずれかの値）に電荷読出信号ＲＳが供給されると、この走査線２１５-pに接続されたトランジスタ２２０-(p,1)〜２２０-(p,n)がオン状態とされて、電荷蓄積コンデンサ２２２-(p,1)〜２２２-(p,n)に蓄積された電荷が信号線２１６-1〜２１６-nにそれぞれ読み出される。信号線２１６-1〜２１６-nは、電荷検出器２３３-1〜２３３-nに接続されており、電荷検出器２３３-1〜２３３-nでは信号線２１６-1〜２１６-n上に読み出された電荷量に比例する電圧信号ＳＶ-1〜ＳＶ-nが生成される。この電荷検出器２３３-1〜２３３-nから出力された電圧信号ＳＶ-1〜ＳＶ-nが信号選択回路２６に供給される。
【００３２】
信号選択回路２６は、レジスタ２６ａとＡ／Ｄ変換器２６ｂを用いて構成されており、レジスタ２６ａには電荷検出器２３３-1〜２３３-nから電圧信号が供給される。レジスタ２６ａでは、供給された電圧信号が順次選択されて、Ａ／Ｄ変換器２６ｂで（例えば、１２ビットないし１４ビットの）ディジタルのデータとされる。このデータは制御回路２８に供給される。なお、バイアス電極２２９に高電圧を印加した状態で、走査駆動回路２４からリセット信号ＲＴをリセット線２３１に供給してトランジスタ２３２-1〜２３２-nをオン状態とすると共に、走査線２１５-1〜２１５-mに電荷読出信号ＲＳを供給してトランジスタ２２０-(1,1)〜２２０-(m,n)がオン状態とすると、電荷蓄積コンデンサ２２２-(1,1)〜２２２-(m,n)に蓄えられた電荷がトランジスタ２３２-1〜２３２-nを介して放出して、撮像パネル２１の初期化、すなわち残留電荷の除去を行うことができる。
【００３３】
制御回路２８には操作部３０やセンサ３１およびメモリ２９が接続されており、操作部３０からの操作信号ＰＳやセンサ３１からのセンサ信号ＳＳに基づいて放射線画像読取装置２０の動作が制御される。操作部３０は複数のスイッチが設けられており、操作部３０からのスイッチ操作に応じた操作信号ＰＳに基づき、撮像パネル２１を初期化してからバイアス電極２２９に高電圧を印加して放射線照射の待機状態としたり、撮像パネル２１を初期化することなくバイアス電極２２９に高電圧を印加して放射線照射の待機状態とすることが行われる。
【００３４】
また制御回路２８では、センサ信号ＳＳに基づいて放射線の照射が終了されたことが検出されたときや、放射線発生装置１０から放射線照射終了信号がコネクタ３４を介して供給されたときに、走査制御信号ＲＣや出力制御信号ＳＣの生成が行われる。この走査制御信号ＲＣが走査駆動回路２４に供給されて、走査制御信号ＲＣに基づき走査線２１５-1〜２１５-mに対しての電荷読出信号ＲＳの供給やリセット線２３１に対してのリセット信号ＲＴの供給が行われる。出力制御信号ＳＣは信号選択回路２６に供給されて、レジスタ２６ａに蓄えられている電荷検出器２３３-1〜２３３-nからの電圧信号の選択動作が制御されて、例えば撮像パネル２１が上述のように（ｍ×ｎ）個のマイクロプレートで構成されている場合には、電荷蓄積コンデンサ２２２-(1,1)〜２２２-(m,n)に蓄積された電荷に基づくデータをデータＤＰ(1,1)〜ＤＰ(m,n)とすると、データＤＰ(1,1)、ＤＰ(1,2)、・・・ＤＰ（1,n)、ＤＰ(2,1)、・・・、ＤＰ(m,n)の順とされて画像データＤＴとしてメモリ２９に記憶させる処理も行われる。さらに、画像データＤＴから撮影された放射線画像を表示するための画像表示信号の生成も行われる。
【００３５】
なお、放射線画像読取装置２０で得られた画像データＤＴをメモリ２９に記憶する際に、画像データの対数変換処理を行うものとすれば、コントローラ６０における画像データの処理を簡単とすることができる。また、上記の対数変換は、読み出された電荷量を電荷検出器２３３で電圧信号ＳＶに変換するときに同時に行っても良い。こうして対数変化後にＡ／Ｄ変換器２６ｂでディジタルデータとすることにより、電圧信号ＳＶが小さい領域での放射線情報の分解能が高くなる。
【００３６】
また、図５に示すように放射線画像読取装置２０には電源部３３を有しており、撮像パネル２１を駆動して画像データを得るために必要とされる電力ＶＰが放射線画像読取装置２０の各回路等に供給される。なお、図示せずも電源部３３に外部から電力が供給されたときには、この外部から供給された電力を用いて各部に電力ＶＰを供給するものとしてもよい。
【００３７】
コントローラ６０の動作を制御するためのＣＰＵ(Central Processing Unit)６１には、システムバス６２と画像バス６３が接続されると共に、入力インタフェース６７が接続される。なお、コントローラ６０の動作を制御するためのＣＰＵ６１は、メモリ６４に記憶された制御プログラムに基づいて動作が制御される。
【００３８】
システムバス６２と画像バス６３には、表示制御回路６５、フレームメモリ制御回路６６、出力インタフェース６８、データ読出回路６９、ディスク制御回路７０等が接続されており、システムバス６２を利用しＣＰＵ６１によって各回路の動作が制御されると共に、画像バス６３を介して各回路間での画像データの転送等が行われる。
【００３９】
データ読出回路６９では、放射線画像読取装置２０から取り外されたメモリ２９が装着可能とされて、メモリ２９に記憶されている画像データの読み出しが行われる。なお、データ読出回路６９に通信ケーブルを介して放射線画像読取装置２０を接続して画像データの読み出しを行うものとしても良い。
【００４０】
フレームメモリ制御回路６６には、フレームメモリ７１が接続されており、データ読出回路６９によってメモリ２９から読み出された画像データがフレームメモリ制御回路６６を介してフレームメモリ７１に記憶される。また、フレームメモリ７１に記憶された画像データは読み出されて表示制御回路６５やディスク制御回路７０に供給される。
【００４１】
表示制御回路６５には、画像表示装置７２が接続されており画像表示装置７２の画面上に表示制御回路６５に供給された画像データに基づく放射線撮影画像が表示される。ここで、放射線画像読取装置２０の画素数よりも画像表示装置７２の表示画素数が少ない場合には、画像データを間引きして読み出すことにより画素数を削減させて、あるいは複数の画素の画素データから例えば平均値等を算出することにより１つの画像データを生成して複数の画素の画素データと置き換えることにより画素数を削減させることで、画面上に撮影画像全体を表示させることができる。また、画像表示装置７２の表示画素数分に相当する領域の画像データを読み出すものとすれば、所望の位置の撮影画像を詳細に表示させることができる。
【００４２】
フレームメモリ７１からディスク制御回路７０に画像データが供給される際には、例えば連続して画像データが読み出されてディスク制御回路７０内のＦＩＦＯメモリに書き込まれ、その後順次ディスク装置７３に記録される。
【００４３】
さらに、フレームメモリ７１から読み出された画像データやディスク装置７３から読み出された画像データを出力インタフェース６８を介して外部機器１００に供給することもできる。
【００４４】
外部機器１００としては、レーザーイメージャとも呼ばれる走査型レーザー露光装置が用いられる。この走査型レーザー露光装置では、画像データによりレーザービーム強度を変調し、従来のハロゲン化銀写真感光材料や熱現象ハロゲン化銀写真感光材に露光したあと適切な現像処理を行うことによって放射線画像のハードコピーが得られるものである。
【００４５】
この走査型レーザー露光装置は、レーザー光源としてルビーレーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザーなど固体レーザー；Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒイオンレーザー、Ｋｒイオンレーザー、Ｃ０２レーザー、Ｃ０レーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、Ｎ２レーザー、エキシマーレーザーなどの気体レーザー；ＩｎＧａＰレーザー、ＡｌＧａＡｓレ‐ザー、ＧａＡｓレーザー、ＩｎＧａＡｓレ‐ザー、ＩｎＡｓＰレーザー、ＣｄＳｎＰ２レーザー、ＧａＳｂレーザー，ＧａＮレーザーなど半導体レーザー；化学レーザー、色素レーザーがあげられる。
【００４６】
ハロゲン化銀写真感光材料はポリエステル、３酢酸アセート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネートそしてポリノルボルネン系樹脂等の着色あるいは無着色の透明な高分子材料を支持体に、接着性を付与する下引き層を塗布し、更にその上に支持体の片面もしくは両面にハロゲン化銀粒子を分散したゼラチンなどの高分子層が塗設される。片面のみにハロゲン化銀粒子などを含む感光層が塗設される場合は、該層の別の面にハレーション防止染料、帯電防止剤、マット剤等を必要に応じて含むゼラチン層を塗設することができる。この層のゼラチンなどの高分子膜は該感光材料が環境の湿度変化や水中での処理中に強いカールを起こさないように、その膜厚を調整することができる。
【００４７】
この感光材料で用いられ感光層はハロゲン化銀粒子を分散する。このハロゲン化銀粒子は沃臭化銀、臭化銀、塩化銀、塩臭化銀などの組成であって、形状はサイコロ状、８面体、ジャガイモ状、球状、棒状、平板状などで、その粒径分布は狭いものから広いものまで目的によって選択できる。平均粒径は球状のハロゲン化銀粒子として換算して０．１〜１μｍが好ましい。平板状の場合は平均アスペクト比が１００：１〜２：１のものを用いることができる。該ハロゲン化銀粒子の内部と表面のハロゲン組成の異なる多重層構造のコア／シェル型粒子を用いることが好ましい。該ハロゲン化銀粒子の製造方法は特開昭５９−１７７５３５号、同５９−１７８４４号、同６０−３５７２６、同６０−１４７７２７号等を参考にすることができる。これらのハロゲン化銀粒子はハイポやセレン化合物、テルル化合物そして金化合物を用いて化学増感することが好ましく、ハロゲン化銀粒子生成時にイリジウム化合物やその他金属イオン、そして増感色素を添加することができる。該感材に用いられる増感色素の分光極大波長は５００〜１５００ｎｍであり、シアニン色素やメロシアニン色素が一般に用いられ、その構造等については、例えばＣ．Ｅ．Ｋ．Ｍｅｅｓ，Ｔ．Ｈ．Ｊａｍｅｓ著、The Theory of the Photographic Process，第３版１９８〜２０１ページ（マクミラン、ニューヨーク、１９８６）に記載されている。また該感光層に保存中や現像処理中のカブリ上昇を抑制する種々の含窒素有機化合物や硫黄原子を含有するメルカプト化合物を含有することが好ましい。さらに該感光層中にイラジエイションを防止する染料を含有することができる。また現像処理後の膜面に凹凸を与えて外光の反射を抑えるための非感光性のハロゲン化銀粒子を含有することができる。該感光層の上層には感光層を保護するゼラチン保護層を塗設することができ、該層には目的に応じて帯電防止剤、マット剤、スベリ剤などを含有せしめることができる。そして感光層ならびにその保護層中にゼラチン鎖を架橋して膜面を強化する硬膜剤を含有することが好ましい。
【００４８】
ハロゲン化銀感光材料は自動現像機を用いて現像処理することが好ましく、処理時間（Dry to Dry）は１０秒〜２１０秒で処理することができる。該自動現像機で用いる現像液には現像主薬として特開平４−１５４６４１、特開平４−１６８４１号記載のジヒドロキシベンゼン類や３−ピラゾリドン類、またアスコルビン酸類を用いることが好ましい。保恒剤として亜硫酸塩、アルカリ剤として水酸化塩や炭酸塩が特開昭６１−２８７０８号や特開昭６０−９３４３９号記載の緩衝剤とともに用いられる。溶解助剤としてグリコール類、銀スラッジ防止剤としてスルフィド、ジスルフィルド化合物やトリアジンが用いられる。有機抑制剤はアゾール系有機防止剤、無機抑制剤は臭化カリウムなどＬ．Ｆ．Ａ．メイソン著「フォトグラフィック・プロセッンング・ケミストリー」フォーカルプレス社刊（１９６６年）の２２６〜２２９ページ記載の化合物を用いることができる。また有機キレート剤、ジアルデヒド系現像硬膜剤を含むことができる。現像処理をするときの現像液の補充量は５−１５ｍｌ／４つ切り１枚が好ましい。定着液としては当業界で一般に用いられている定着素材を含むことができ、キレート剤や定着硬膜剤、そして定着促進剤を含むことができる。
【００４９】
特開平９−３１１４０７号記載の、上記のようなウエット処理を行わずに熱現像を行うハロゲン化銀感材を用いることができる。この感材は支持体上に少なくとも１層の感光層を有し、有機銀塩、感光性ハロゲン化銀粒子、銀イオンのための還元剤及びバインダイーを含有する熱現像感光材料である。該感光材料のハロゲン化銀粒子の組成は沃臭化銀、臭化銀、塩臭化銀もしくは臭化銀であり、立方体、８面体、球形、ジャガイモ状で平均粒径は球形粒子として換算して０．２〜０．０１０μｍが好ましい。更に該ハロゲン化銀粒子にハイポやセレンそして金化合物で化学増感を施し、４００〜１５００ｎｍに感色性を付与する分光増感色素を用いることが好ましい。本感材では感材の保存中のカブリの上昇を抑制するために有機カルボン酸塩やイソシアネート化合物を含有することが好ましい。該感材に用いる有機銀塩は炭素数が１０〜３０の長鎖カルボン酸銀塩が好ましい。その例としてベへン酸銀、ステアリン酸銀、オレイン酸銀、ラウリン酸銀、カプロン酸銀、ミリスチン酸銀、パルミチン酸銀、マレイン酸銀、フマル酸銀、酒石酸銀、リノール酸銀、酪酸銀及び樟脳酸銀及びこの混合物である。有機銀塩のための還元剤はフェニドンやハイドロキノンなどのジヒドロキシベンゼン類が用いられる。その外に広範囲の還元剤を用いることができ、例えばアミドオキシム類、アジン類、脂肪族カルボン酸アリールヒドロアジドとアスコルビン酸との組合せなどである。また、該感材の感光層の上に保護膜を塗設することが好ましく、この保護膜には帯電防止剤やマット剤、スベリ剤などを目的に応じて添加することができる。これら感光層および保護層は、接着性を付与する下引き層を塗布したポリエステル、３酢酸アセート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネートそしてポリノルボルネン系樹脂等の着色あるいは無着色の透明な高分子材料を支持体に上に塗設する。感光層の塗布をしていない支持体上にハレーション防止染料やマット剤、帯電防止剤を含有したバッキング層を塗布することが好ましい。該感光材料は走査型レーザー露光装置を用いて画像信号が露光され、そして８０℃以上２００℃以下で熱現像が行われる。
【００５０】
また、この放射線画像情報処理装置で得られた画像情報は、例えば特開平８−２８２０９９号に記載されているように、走査型レーザー露光装置を用いて画像信号により高密度レーザービームで露光することによって顕色成分を有する転写層から受容層に転写することにより、ハードコピーを得ることができる。
【００５１】
この走査型レーザー露光装置は、レーザー光源としてルビーレーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザーなど固体レーザー；ＨｅーＮｅレーザー、Ａｒイオンレーザー、Ｋｒイオンレーザー、Ｃ０２レーザー、Ｃ０レーザー、ＨｅーＣｄレーザー、Ｎ２レーザー、エキシマーレーザーなどの気体レーザー；ＩｎＧａＰレーザー、ＡｌＧａＡｓレーザー、ＧａＡｓレーザー、ＩｎＧａＡｓレーザー、ＩｎＡｓＰレーザー、ＣｄＳｎＰ２レーザー、ＧａＳｂレーザー，ＧａＮレーザーなど半導体レーザー；化学レーザー、色素レーザーがあげられる。レーザー光は４００〜１２００ｎｍである。
【００５２】
該感材は３つの支持体から構成される。第１の支持体上に顕色成分を設けた転写材料と、第３の支持体を有した剥離材料を転写層と対面するように設け、第１の支持体側から高密度エネルギー光を像様に露光することによって、露光部分の支持体と転写層の結合力をアブレーションによって低下させ、単車材料と剥離材料を引き離して、転写層の露光部を剥離材料上に転写した後、剥離材料の露光部の転写層と、第２の支持体上に発色成分を含有する受容層を有した受容材料の受容層側と重ね合わせ画像を形成することを特徴とする。ここでいうアブレーションとは、画像露光部分の転写層の破壊は起こらず、支持体と転写層間の結合力のみが低下するあるいはなくなる、あるいは画像露光部分の転写層の一部が熱破壊して飛散する等のほかに、画像露光部分の転写層に亀裂が生じるまでの現象まで含む。画像形成は、潜像形成時または潜像形成後に発色成分と顕色成分を混合させることにより行われ、更に加熱または加圧することが好ましい。加熱する手段はオープン、サーマルヘッド、ヒートロール、ホットスタンプ、熱ペン等温度のみをかけるものでも、温度をかけると同時に圧力をかけるものでもよい。第１層の顕色成分は例えば有機還元剤で第２の支持体の発色成分は有機還元剤により発色する銀源である。有機還元剤は例えばスクシンイミド、フタルイミド、２−メチルスクシンイミド、ジチオウラシル、５−メチル−５−ｎ−ペンチルヒダトイン、フタルイミド等があげられる。銀源としては脂肪族カルボン酸との銀塩（例えばベヘン酸銀、ステアリン酸銀、オレイン酸銀、ラウリン酸銀などである。
【００５３】
また特開平９−１８８０７３号記載の熱転感熱記録方法を用いることができる。熱転写シートの染料層面と熱転写受像シートの受容層面とが接するように向かい合わせ、染料層と受容層の界面にサーマルへッド等の加熱印加手段により、画像情報に応じた熱エネルギーを与えることにより、染料層中の染料を受容層に移行させる。さらに移行した後に熱転写シートの背面側からサーマルへッド等の加熱印加手段により所定の熱エネルギーを与えることにより、未反応染料の定着を行う。染料層の熱移行性の染料の具体例は例えば特開昭５９−７８８９３号、同５９−１０９０９３９４号、同６０−２３９８号の公開公報に記戴されているものをあげることができる。染料層に用いられるバインダー樹脂の代表例はセルロース系、ポリアクリル酸系、ポリビニルアルコール系などから選ぶことができる。受容層は昇華染料が染着しやすい樹脂が選ばれ、例えばポリオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂などから選ぶことができる。
【００５４】
さらにピエゾ効果などにより、入力する画像信号に基づいてインク微粒子を像様に射出して画像を形成する、いわゆるインクジェットによって画像を出力することが可能であり、さらに画像信号を光信号に置き換えて、トナーによる画像を形成するゼログラフィのひとつである、いわゆるデジタルコピアーにより画像を出力することができる。
【００５５】
入力インタフェース６７には、キーボード等の入力装置７４が接続されており、入力装置７４を操作することで、得られた画像データの識別のための識別情報の入力などが行われる。
【００５６】
なお、フレームメモリ７１には、放射線画像読取装置２０から供給された画像データを記憶するものとしたが、供給された画像データをＣＰＵ６１で処理してから記憶するものとしてもよい。
【００５７】
また、ディスク装置７３には、フレームメモリ７１に記憶されている放射線画像読取装置２０から供給された画像データや、その画像データをＣＰＵ６１で処理した画像データを、識別情報などと共に保存することができる。
【００５８】
次に、動作について説明する。被写体５の放射線画像を得る際には、放射線発生装置１０と放射線画像読取装置２０の撮像パネル２１の間に被写体５が位置するものとされて、放射線発生装置１０から放射された放射線が被写体５に照射されると共に、被写体５を通り抜けた放射線が撮像パネル２１に入射するものとされる。
【００５９】
放射線画像読取装置２０の操作部３０が操作されて動作が開始されると、操作されたスイッチに応じて撮像パネル２１の初期化が行われる。撮像パネル２１の初期化は、バイアス電極２２９に高電圧を印加した状態でトランジスタ２２０-(1,1)〜２２０-(m,n)，２３２-1〜２３２-nがオン状態とされ、電荷蓄積コンデンサ２２２-(1,1)〜２２２-(m,n)に蓄えられた電荷を放出（すなわち、電荷の消去）することにより行われる。
【００６０】
このように、撮像パネル２１の初期化が行われるので、撮像パネル２１に電荷が蓄えられていても、この電荷が撮影された画像に影響を及ぼすことが防止される。なお、蓄えられた電荷の読出動作を行うことにより、蓄えられた電荷を放出させるものとしてもよい。
【００６１】
撮像パネル２１の初期化が終了して撮影の準備が完了すると、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイで構成された表示部３２に、撮影が可能であることが表示される。その後、バイアス電極２２９に高電圧を印加した状態で放射線発生装置１０のスイッチが操作されると、放射線発生装置１０から被写体５に向けて放射線が所定時間だけ照射されると共に、放射線画像読取装置２０では、センサ３１からのセンサ信号ＳＳによって放射線の照射が行われているか否かの判別が行われる。また、放射線発生装置１０と放射線画像読取装置２０が接続される場合には、放射線照射終了信号ＤＦＥが放射線発生装置１０から放射線画像読取装置２０に供給されて、放射線の照射終了を判別することができる。なお、放射線発生装置１０と放射線画像読取装置２０が接続される場合には、放射線画像読取装置２０の操作部３０を操作して放射線発生装置１０での放射線の照射を制御するものとしてもよい。
【００６２】
放射線画像読取装置２０の撮像パネル２１に入射される放射線の強度は、被写体５による放射線吸収の度合いが異なるため、被写体５によって変調される。被写体５によって変調された放射線が撮像パネル２１に照射されると、撮像パネル２１の電荷蓄積コンデンサ２２２-(1,1)〜２２２-(m,n)には、照射された放射線の強度に基づく電荷が蓄えられる。
【００６３】
放射線発生装置１０からの放射線の照射が終了し、放射線画像読取装置２０の制御回路２８で、センサ３１からのセンサ信号ＳＳに基づき放射線の照射が終了されたと判別されたとき、あるいは放射線照射終了信号ＤＦＥによって放射線の照射が終了されたと判別されたときには、制御回路２８から走査駆動回路２４に走査制御信号ＲＣが供給される。この走査制御信号ＲＣに基づき走査線２１５-1〜２１５-mに対して順次電荷読出信号ＲＳが供給されて、電荷蓄積コンデンサ２２２-(1,1)〜２２２-(m,n)に蓄えられた電荷が順次読み出される。また、制御回路２８から信号選択回路２６に出力制御信号ＳＣが供給されて、レジスタ２６ａに蓄えられている電荷検出器２３３-1〜２３３-nからの電圧信号の選択動作が制御されて、選択された電圧信号に基づきデータが生成されて画像データＤＴとしてメモリ２９に記憶される。
【００６４】
電荷蓄積コンデンサ２２２-(1,1)〜２２２-(m,n)に蓄えられた電荷の読み出しが終了されると、次の撮影を行うことが出来るように、電荷読出信号ＲＳとリセット信号ＲＴによってトランジスタ２２０-(1,1)〜２２０-(m,n)、２３２-1〜２３２-nをオン状態として、撮像パネル２１の初期化が行われる。また、メモリ２９に新たに記憶可能な画像データのデータ量が判別されて、１画面分の画像データを記録できるときには次の撮影が可能とされる。
【００６５】
以下同様にして、順次放射線画像の撮影が行われると共に、画像データＤＴは順次メモリ２９に記憶される。
【００６６】
また、放射線画像の撮影が行われたとき、制御回路２８では画像データＤＴに基づき画像表示信号ＤＳが生成される。この画像表示信号ＤＳが表示部３２に供給されて、表示部３２に放射線画像が表示されるので、撮影が正しく行われたか否かを容易に確認することができる。
【００６７】
さらに、制御回路２８では、画像データＤＴに画像処理（階調処理：画像を診断に適した濃度およびコントラストで表現するための処理、周波数処理：画像の鮮鋭度をコントロールするための処理、ダイナミックレンジ圧縮処理：画像全体を見やすい範囲に収めるための処理、照射野認識：放射線が照射された領域を識別する処理、平行移動、回転移動、白黒反転など）を施してから画像表示信号ＤＳを生成するものとしてもよい。この場合、表示部３２には処理後の放射線画像が表示され、あるいは処理前の放射線画像が表示されてから操作部３０の操作キーを操作したときに処理後の放射線画像が表示される。このように、処理後の放射線画像が表示されることにより、所望の放射線画像を得ることが出来たか否かを確認することができる。
【００６８】
また、制御回路２８では、操作部３０の例えば画像確認用の操作キーが操作されたときにメモリ２９に記憶された画像データＤＴを読み出して画像表示信号ＤＳを生成し、表示部３２に処理前あるいは処理後の放射線画像を表示するものとしてもよい。このようにメモリ２９に記憶された画像データＤＴを読み出して表示部３２に放射線画像を表示するものとすれば、コントローラ６０を用いることなくメモリ２９にどのような放射線画像が記憶されているかを容易に確認することができる。また、表示部３２に表示された放射線画像を参照して、不要な放射線画像の画像データＤＴをメモリ２９から消去することもできる。また、処理前と処理後の放射線画像をスイッチによって切り換えて表示することにより、簡単で容易に処理の効果を確認することもできる。
【００６９】
制御回路２８では、メモリ２９に記憶された画像データＤＴのデータ量を監視して、メモリ２９に記憶された放射線画像の枚数や記憶可能な放射線画像の枚数およびメモリ２９の空き容量が例えば１画面分の画像データのデータ量よりも少なくなったことを示す警告等を表示するための情報表示信号ＤＪが生成される。この情報表示信号ＤＪが表示部３２に供給されることにより、表示部３２の表示によってメモリ２９の使用状態を容易に確認することができる。なお、図示せずも警告は音声等で行うものとしてもよい。
【００７０】
さらに、放射線画像の撮影に関する情報、例えばＩＤ番号，氏名，生年月日，性別，撮影部位，撮影日時等の情報から構成される識別情報を予め例えばメモリ２９に記憶させておくものとし、放射線画像の撮影毎に順次識別情報を表示部３２に表示したり、撮影された画像が表示部３２に表示されて例えば確認スイッチ等が操作されたときに、次に撮影する人の識別情報を表示するものとすれば、表示部３２の表示を利用して所望の放射線画像の撮影を効率よく行うことができる。なお、表示部３２には、識別情報の全てを順次表示するものとしてもよく、また識別情報の一部を順次表示するものとしてもよい。さらに、放射線画像の撮影に関する情報として撮影条件もメモリ２９に記憶させて、撮影条件を表示部３２に表示することにより、正しい撮影条件で撮影を行うことができると共に、カセッテ型放射線画像読取装置と放射線発生装置１０を通信ケーブル等で接続して撮影条件を放射線発生装置１０に供給することにより撮影を簡単に行うことができる。また、得られた画像データＤＴを識別情報や撮影条件と対応させてメモリ２９に記憶するものとすれば、識別情報等を利用して画像データＤＴの管理を容易とすることができる。なお、メモリ２９には画像データの書き換えや消去を禁止するデータ保護手段を設けるものとすれば、撮影終了後にデータ保護手段によって画像データ等の書き換えや消去を禁止することにより、メモリ２９に記憶された画像データ等を保護することができる。
【００７１】
また、放射線画像の撮影時に撮影順序を変更した場合や撮影を追加して行った場合には、操作部３０を操作して識別情報や撮影条件を変更できる。
【００７２】
ところで、図２に示す放射線画像読取装置２０では、表示部３２を前面側の端部に設けるものとしたが、表示部３２が放射線画像の撮影時に撮し込まれないように、撮像パネル２１に重ならない位置に設けるものであれば、前面側端部に限られるものではない。また表示部３２は大きくても小さくても良いと共に、放射線画像読取装置２０の後面側に設けるものとしてもよい。例えば、撮像画像を大きく表示できるように表示面積の大きな表示部を図６Ａに示すように放射線画像読取装置２０の裏面側に設けることができる。
【００７３】
さらに、図６Ｂに示すように、放射線画像を表示するための表示装置３２Ａを放射線画像読取装置２０とは別個に設けるものとしてもよい。この場合、表示装置を放射線画像読取装置から着脱可能とすれば、放射線画像読取装置の携行性を向上させることができる。
【００７４】
また、表示部や表示装置が小さい場合には、表示画素数が撮像パネル２１の画素数よりも少ない。このため、画像データを間引きしたり、所定画像数単位の画像データから平均値等の代表データを設定することでデータ量を削減して画像表示信号ＤＳを生成し、この画像表示信号ＤＳを表示部や表示装置に供給することで、表示画素数が少なくとも放射線画像全体を表示することができる。また、所望の領域の画像データに基づいて画像表示信号ＤＳを生成し、この画像表示信号ＤＳを表示部や表示装置に供給することで、表示画素数が少なくとも所望の領域の放射線画像を詳細に表示することができる。
【００７５】
図７は、表示部３２での表示例を示しており、図７Ａに示すように例えば表示部が１つの表示素子３２１で構成されているときには、放射線画像と識別情報および撮影条件等が１つの表示素子３２１で表示される。この場合、各表示を全て１つの画面上に表示するものとしても良く、また各表示を１つの画面上に切り換えて表示するものとしてもよい。また、図７Ｂに示すように表示部が２つの表示素子３２２，３２３で構成されているときには、放射線画像と識別情報や撮影条件等が別個の表示素子で表示される。さらに、図７Ｃに示すように表示部の表示画面上にタッチパネルが設けられているときには、放射線画像と識別情報および撮影条件等だけでなく、タッチパネルのスイッチ３２４sに対応して動作を示す表示が行われる。
【００７６】
撮影された放射線画像の表示や出力をコントローラ６０で行う場合には、ケーブルを介してメモリ２９にコントローラ６０が接続され、あるいは放射線画像読取装置２０からメモリ２９が取り外されてコントローラ６０に装着され、コントローラ６０でメモリ２９に記憶されている画像データＤＴや識別情報等がダウンロードされる。このメモリ２９からダウンロードされた画像データＤＴは、データ読出回路６９やフレームメモリ制御回路６６等を介してフレームメモリ７１に記憶される。このフレームメモリ７１に記憶された画像データを用いて、画像表示装置７２に放射線画像を表示したり、外部機器１００から放射線画像のハードコピー等を出力させることができる。また、フレームメモリ７１に記憶された画像データの階調処理等を行って、処理後の画像データに基づいて放射線画像の表示や出力を行うこともできる。このフレームメモリ７１に記憶された画像データや階調処理などが行われた画像データはディスク装置７３に保存することができると共に、画像データがディスク装置７３に保存されたときには保存されている画像データを用いて放射線画像の表示や出力を行うこともできる。
【００７７】
なお、放射線画像読取装置２０の表示部３２で処理後の放射線画像を表示するために画像データの処理が行われたときには、メモリ２９に処理後の画像データを記憶するものとすれば、この画像データをコントローラ６０で読み出すことにより、コントローラ６０側で画像データの処理を行うことなく良好な放射線画像を出力させることができる。
【００７８】
また、ディスク装置７３に画像データと共に識別情報等を保存することで、ディスク装置７３に保存された画像データの管理や識別等を容易に行うことができる。なお、メモリ２９に識別情報等が記憶されていないときには、コントローラ６０に設けられた入力装置７４を用いて識別情報の入力が行われる。この識別情報の入力は、キーボードを操作したり、磁気カード、バーコード、ＨＩＳ（病院内情報システム：ネットワークによる情報管理）を利用して行われる。また、メモリ２９に対しての識別情報等の記憶は、メモリ２９をコントローラ６０に装着して、あるいはメモリ２９を装着した放射線画像読取装置２０とコントローラ６０をケーブル等で接続して、コントローラ６０の入力装置７４を用いて記憶させることができる。
【００７９】
このように上述の実施の形態では、放射線画像読取装置２０の表示部３２にメモリ２９の使用状態や放射線画像読取装置２０の動作状態あるいは放射線画像や放射線画像の撮影に関する情報が表示されるので、放射線画像の撮影を正しく容易に行うことができると共に所望の放射線画像を得ることができたか否かをコントローラを用いることなく簡単に確認できる。
【００８０】
なお、撮像パネルは、照射された放射線の強度に応じた電荷を光導電層で生成し、この電荷を２次元状に配列された多数の電荷蓄積コンデンサで蓄積し、この蓄積された電荷を読み出して画像データを生成するものに限られるものではなく、検出用デバイスを他のものに変えて構成することで、様々な放射線画像読取装置とすることができる。例えば照射された放射線をシンチレータ等の蛍光体によって光エネルギーに変換し、この光エネルギーをフォトダイオードで読み取って画像データを生成する放射線画像読取装置であっても良い。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、画像処理機能と表示機能を組み込んで、撮影場所で画像の確認を可能としたカセッテ型放射線画像読取装置およびこのカセッテ型放射線画像読取装置を有した可搬型放射線画像読取システムに適用される。
【符号の説明】
【００８２】
１０  放射線発生装置
２０  カセッテ型放射線画像読取装置
２１  撮像パネル
２８  制御回路
２９  メモリ
３０  操作部
３２  表示部
３２Ａ  表示装置
６０  コントローラ
３２１、３２２、３２３  表示素子
３２４ｓ  スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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