(57)【要約】【課題】良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。【解決手段】本発明に係る発光装置１０００は、第１領域１００ａと、第２領域１００ｂと、に区画された基板１００と、第１領域１００ａの基板１００の上方に設けられた第１クラッド層１０４と、第１クラッド層１０４の上方に設けられ、少なくとも１つの側面に出射面を有する活性層１０６と、活性層１０６の上方に設けられた第２クラッド層１０８と、第２領域１００ｂの基板１００の上方であって、出射面から出射される光の光路上に配置された光分離部１３０と、を含み、出射面から出射される光１０は、光分離部１３０によって、光分離部１３０で反射される反射光１２と、光分離部１３０を透過する透過光１４とに分離される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域と、第２領域と、に区画された基板と、
前記第１領域の前記基板の上方に設けられた第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上方に設けられ、少なくとも１つの側面に出射面を有する活性層と、
前記活性層の上方に設けられた第２クラッド層と、
前記第２領域の前記基板の上方であって、前記出射面から出射される光の光路上に配置された光分離部と、
を含み、
前記出射面から出射される光は、前記光分離部によって、前記光分離部で反射される反射光と、前記光分離部を透過する透過光とに分離される、発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記光分離部は、誘電体多層膜を有し、
前記光分離部の入射面は、誘電体多層膜で構成されている、発光装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記出射面から出射される光は、異なる２つの偏波成分を有し、
前記反射光は、前記偏波成分のうちの一方の成分を有する光であり、
前記透過光は、前記偏波成分のうちの他方の成分を有する光である、発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、利得領域を構成し、
前記利得領域は、前記活性層の第１側面側の端面と、前記第１側面と対向する第２側面側の端面と、を有し、
前記第１側面側の端面および前記第２側面側の端面の少なくとも一方は、前記出射面である、発光装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記利得領域は、前記第１側面の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられている、発光装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記活性層は、平面的に見て、前記第１側面および前記第２側面と傾いて接続する第３側面をさらに有し、
前記出射面から出射される光は、平面的に見て、前記第３側面と平行な方向に向かって進む、発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記基板の上面は、前記第１領域と前記第２領域との境界に段差を有し、
前記第１領域の前記基板の上面は、前記第２領域の前記基板の上面よりも上方であり、
前記光分離部は、前記段差によって形成される段差側面と接している、発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記光分離部は、プリズムである、発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、
を含む、発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記第１側面および前記第２側面の少なくとも一方は、複数の前記出射面を有する、発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発光装置と、
前記発光装置の前記透過光を受光する受光部と、
を含む、発光モジュール。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記受光部は、フォトダイオードである、発光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置および発光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
端面発光型の半導体発光デバイスにおいて、出射面の形成は、一般的に劈開によって行われる。劈開は、例えば、スクライブ装置、ブレーキング装置等を用いて行われることができる。しかしながら、デバイスによっては、劈開では、出射面の位置精度が十分ではない場合がある。
【０００３】
これに対し、出射面の位置精度を向上させるために、出射面をエッチングにより形成する技術がある。しかしながら、エッチングでは、エッチング可能な深さが限られるため、出射面から出射される光が上下方向に拡がることで、光の一部がエッチングされた領域の底面部で反射される場合がある。これにより、光の断面形状がいびつになってしまい、良好な断面形状を有する光を得ることができないという問題がある。
【０００４】
例えば、特許文献１では、エッチングされた領域の底面部をテーパー形状にすることで出射光がエッチングされた領域の底面部で反射されることを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６３−３１８１８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的の一つは、良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明に係る発光装置は、
第１領域と、第２領域と、に区画された基板と、
前記第１領域の前記基板の上方に設けられた第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上方に設けられ、少なくとも１つの側面に出射面を有する活性層と、
前記活性層の上方に設けられた第２クラッド層と、
前記第２領域の前記基板の上方であって、前記出射面から出射される光の光路上に配置された光分離部と、
を含み、
前記出射面から出射される光は、前記光分離部によって、前記光分離部で反射される反射光と、前記光分離部を透過する透過光とに分離される。
【０００８】
本願発明に係る発光装置によれば、良好な断面形状を有する光を得ることができる。
【０００９】
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下「Ｂ」という）を形成する」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
【００１０】
本願発明に係る発光装置において、
前記光分離部は、誘電体多層膜を有し、
前記光分離部の入射面は、誘電体多層膜で構成されていることができる。
【００１１】
本願発明に係る発光装置において、
前記出射面から出射される光は、異なる２つの偏波成分を有し、
前記反射光は、前記偏波成分のうちの一方の成分を有する光であり、
前記透過光は、前記偏波成分のうちの他方の成分を有する光であることができる。
【００１２】
本願発明に係る発光装置において、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、利得領域を構成し、
前記利得領域は、前記活性層の第１側面側の端面と、前記第１側面と対向する前記第２側面側の端面と、を有し、
前記第１側面側の端面および前記第２側面側の端面の少なくとも一方は、前記出射面であることができる。
【００１３】
本願発明に係る発光装置において、
前記利得領域は、前記第１側面の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられていることができる。
【００１４】
本願発明に係る発光装置において、
前記活性層は、平面的に見て、前記第１側面および前記第２側面と傾いて接続する第３側面をさらに有し、
前記出射面から出射される光は、平面的に見て、前記第３側面と平行な方向に向かって進むことができる。
【００１５】
本願発明に係る発光装置において、
前記基板の上面は、前記第１領域と前記第２領域との境界に段差を有し、
前記第１領域の前記基板の上面は、前記第２領域の前記基板の上面よりも上方であり、
前記光分離部は、前記段差によって形成される段差側面と接していることができる。
【００１６】
本願発明に係る発光装置において、
前記光分離部は、プリズムであることができる。
【００１７】
本願発明に係る発光装置において、
前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、
を含むことができる。
【００１８】
なお、本発明に係る記載では、「電気的に接続」という文言を、例えば、「特定の部材（以下「Ｃ部材」という）に「電気的に接続」された他の特定の部材（以下「Ｄ部材」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ｃ部材とＤ部材とが、直接接して電気的に接続されているような場合と、Ｃ部材とＤ部材とが、他の部材を介して電気的に接続されているような場合とが含まれるものとして、「電気的に接続」という文言を用いている。
【００１９】
本願発明に係る発光装置において、
前記第１側面および前記第２側面の少なくとも一方は、複数の前記出射面を有することができる。
【００２０】
本願発明に係る発光モジュールは、
本願発明に係る発光装置と、
前記発光装置の前記透過光を受光する受光部と、
を含む。
【００２１】
本願発明に係る発光モジュールにおいて、
前記受光部は、フォトダイオードであることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１の実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図２】第１の実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図３】第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図４】第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図５】第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】第２の実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図９】第２の実施形態に係る発光装置の断面を示す模式図。
【図１０】第２の実施形態の活性層を第１側面側から平面的に見た図。
【図１１】第３の実施形態に係る発光モジュールを模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
１．  第１の実施形態
１．１．  第１の実施形態に係る発光装置
まず、第１の実施形態に係る発光装置１０００について、図面を参照しながら説明する。図１は、発光装置１０００を模式的に示す平面図である。図２は、発光装置１０００を模式的に示す断面図であり、図１のII−II線断面図である。
【００２４】
発光装置１０００は、図１および図２に示すように、基板１００と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６、第２クラッド層１０８と、光分離部１３０と、を含む。発光装置１０００は、さらに、例えば、バッファー層１０２と、コンタクト層１１０と、絶縁層１１２と、第１電極１１４と、第２電極１１６と、を有することができる。
【００２５】
基板１００としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などを用いることができる。基板１００は、第１領域１００ａと第２領域１００ｂとに区画されている。図示の例では、基板１００は、第１領域１００ａと、第１領域１００ａを挟む第２領域１００ｂとに区画されている。基板１００の上面は、第１領域１００ａと第２領域１００ｂとの境界に段差を有していることができる。すなわち、第１領域１００ａと第２領域１００ｂとは、段差によって区画されていることができる。段差は、活性層１０６の側面１０５，１０７を露出させる工程で、第２領域１００ｂの基板１００がエッチングされることにより形成される。したがって、第１領域１００ａの基板１００の上面は、第２領域１００ｂの基板１００の上面よりも上方に位置している。基板１００は、段差によって形成された段差側面１０１を有していることができる。これにより、発光装置１０００では、後述する光分離部１３０を段差側面１０１に突き当てて配置することができるため、光分離部１３０を精度良く配置することができる。図示はしないが、基板１００の上面は、平坦な面であって、段差を有さなくてもよい。この場合、バッファー層１０２の一部、または、バッファー層１０２と第１クラッド層１０４の一部とが、第２領域１００ｂの基板１００上に形成されていてもよい。
【００２６】
バッファー層１０２は、第１領域１００ａの基板１００上に形成されている。バッファー層１０２は、その上方に形成される層の結晶性を向上させることができる。バッファー層１０２としては、例えば、基板１００よりも結晶性の良好な（例えば欠陥密度の低い）第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ層などを用いることができる。
【００２７】
第１クラッド層１０４は、バッファー層１０２上に形成されている。例えば、第１導電型の半導体からなる。第１クラッド層１０４としては、例えば、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層などを用いることができる。
【００２８】
活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に形成されている。例えば、ＧａＡｓウェル層とＡｌＧａＡｓバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。活性層１０６の形状は、例えば直方体（立方体である場合を含む）などである。
【００２９】
活性層１０６の一部は、図１に示すように、複数の利得領域を構成していることができる。図示の例では、３つの利得領域１２０を示したが、その数は特に限定されない。利得領域１２０には、光を生じさせることができ、この光は、利得領域１２０内で利得を受けることができる。
【００３０】
活性層１０６は、図１に示すように、第１側面１０５と第２側面１０７とを有する。第１側面１０５と第２側面１０７とは、対向している。図示の例では、第１側面１０５と第２側面１０７とは、平行である。第１側面１０５と第２側面１０７は、反射防止膜（図示しない）によって覆われていることができる。反射防止膜としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３層の単層、および、ＳｉＯ２層、ＳｉＮ層、Ｔａ２Ｏ５層や、これらの多層膜などからなる誘電体多層膜を用いることができる。利得領域１２０は、図１に示すように、平面的に見て、第１側面１０５側から第２側面１０７側まで、直線状に延びている。利得領域１２０の平面形状は、例えば、矩形である。利得領域１２０は、第１側面１０５に設けられた第１端面１２２と、第２側面１０７に設けられた第２端面１２４とを有する。第１端面１２２と、第２端面１２４は、対向する面であり、共振器を構成することができる。第１端面１２２および第２端面１２４は、利得領域１２０に生じる光を出射する出射面であることができる。なお、第１端面１２２および第２端面１２４のいずれか一方の端面が、出射面であってもよい。この場合、出射面と反対側の端面は、反射部（図示しない）によって覆われていてもよい。反射部は、例えば誘電体多層膜ミラーなどである。図示の例では、第１側面１０５には、複数の第１端面１２２が設けられ、第２側面１０７には、複数の第２端面１２４が設けられている。すなわち、活性層１０６の側面１０５，１０７の各々は、複数の出射面を有している。
【００３１】
第２クラッド層１０８は、図２に示すように、活性層１０６上に形成されている。第２クラッド層１０８は、例えば、第２導電型（例えばｐ型）の半導体からなる。第２クラッド層１０８としては、例えば、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層などを用いることができる。
【００３２】
例えば、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８の各々は、活性層１０６よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０６は、光を増幅する機能を有することができる。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。
【００３３】
発光装置１０００では、第１電極１１４と第２電極１１６との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、利得領域１２０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域１２０内で光の強度が増幅される。利得領域１２０内で生じる光は、第１端面１２２と第２端面１２４との間で、多重反射し、レーザー発振する。レーザー発振した光の一部は、第１端面１２２および第２端面１２４から出射光１０として出射される。
【００３４】
コンタクト層１１０は、第２クラッド層１０８上に形成されている。コンタクト層１１０としては、第１電極１１４とオーミックコンタクトする層を用いることができる。コンタクト層１１０は、例えば、第２導電型の半導体からなる。コンタクト層１１０としては、例えば、ｐ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。
【００３５】
第１電極１１４は、例えば、図２に示すように、基板１００の下の全面に形成されている。第１電極１１４は、該第１電極１１４とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１００）と接していることができる。第１電極１１４は、基板１００を介して、第１クラッド層１０４と電気的に接続されている。第１電極１１４は、発光装置１０００を駆動するための一方の電極である。第１電極１１４としては、例えば、基板１００側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。
【００３６】
第２電極１１６は、コンタクト層１１０上に形成されている。第２電極１１６は、各利得領域１２０に対応して、設けられている。第２電極１１６は、コンタクト層１１０を介して、第２クラッド層１０８と電気的に接続されている。第２電極１１６は、発光装置１０００を駆動するための他方の電極である。第２電極１１６としては、例えば、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。第２電極１１６とコンタクト層１１０との接触面は、利得領域１２０と同様の平面形状を有している。図示の例では、第２電極１１６とコンタクト層１１０との接触面の平面形状によって、電極１１４，１１６間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１２０の平面形状が決定されることができる。すなわち、発光装置１０００は、利得導波型であることができる。なお、図示はしないが、発光装置１０００は、利得領域１２０の側面（第１端面１２２，第２端面１２４を除く）を屈折率の異なる部材で囲むことにより光を閉じこめる屈折率導波型であってもよい。
【００３７】
絶縁層１１２は、図１に示すように、コンタクト層１１０上であって、第２電極１１６が形成されていない領域に形成されている。絶縁層１１２としては、例えば、ＳｉＯ２層、ＳｉＮ層、ＳｉＯＮ層などを用いることができる。
【００３８】
光分離部１３０は、図２に示すように、第２領域１００ｂの基板１００上であって、出射光１０の光路上に配置されている。図示の例では、光分離部１３０は、２つ設けられ、第１端面１２２から出射される出射光１０の光路上と、第２端面１２４から出射される出射光１０の光路上とに配置されている。光分離部１３０は、例えば、段差側面１０１と接している。光分離部１３０は、出射光１０を、光分離部１３０で反射される反射光１２と、光分離部１３０を透過する透過光１４とに分離することができる。光分離部１３０は、例えば、プリズムである。光分離部１３０の材料としては、例えば、石英を用いることができる。光分離部１３０の形状は、例えば、三角柱状である。図示の例では、光分離部１３０の形状は、断面形状が直角二等辺三角形である三角柱状である。光分離部１３０の入射面１３２は、例えば、直角二等辺三角形の斜辺を含む面であることができる。したがって、反射光１２は、上方（基板１００の厚さ方向）に向かって進むことができる。なお、光分離部１３０は、出射光１０に対する入射面１３２の角度を調整することにより、反射光１２の進む方向を制御することができる。出射光１０の一部は、光分離部１３０によって反射されて、上方（基板１００の厚さ方向）に向かって進む反射光１２となることができる。したがって、入射光１０のうちの反射光１２となる光は、第２領域１００ｂの基板１００の上面（エッチングされた領域の底面部）で、反射されない。したがって、発光装置１０００では、良好な断面形状を有する光（反射光１２）を得ることができる。なお、透過光１４は、側方（基板１００の面内方向）に向かって進むことができる。
【００３９】
光分離部１３０の入射面１３２は、図２に示すように、光学層１３４で構成されている。光学層１３４は、例えば、偏波選択膜であることができる。これにより、例えば、出射光１０が２つの異なる偏波成分（Ｓ偏光、Ｐ偏光）を有する場合、光分離部１３０は、出射光１０のうちの一方の偏波成分（例えば、Ｓ偏光）を反射光１２に、他方の偏波成分（例えば、Ｐ偏光）を透過光１４に、分離することができる。また、光学層１３４は、例えば、反射膜であることができる。これにより、光学層１３４は、出射光１０を光学層１３４の反射率に対応した光強度比を有する反射光１２と透過光１４とに、分離することができる。光学層１３４としては、例えば、ＴｉＯ２層とＴａ２Ｏ５層を交互に積層した多層膜、ＳｉＯ２層とＴｉＯ２層を交互に積層した多層膜、ＳｉＯ２層とＴａ２Ｏ５層を交互に積層した多層膜などからなる誘電体多層膜を用いることができる。光学層１３４は、各層の膜厚、材料、積層数などを制御することにより、求められる特性を得ることができる。なお、光学層１３４は、形成されなくてもよい。
【００４０】
本実施の形態に係る発光装置１０００の一例として、ＧａＡｓ系の場合について説明したが、発光装置１０００は、発光利得領域が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。
【００４１】
本実施の形態に係る発光装置１０００の一例として、端面発光型の半導体レーザーについて説明したが、発光装置１０００は、例えば、端面発光型のＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの端面発光型の発光装置を用いることができる。
【００４２】
発光装置１０００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００４３】
発光装置１０００では、光分離部１３０が、第２領域１００ｂの基板１００上であって、出射光１０の光路上に配置されていることができる。出射光１０の一部は、光分離部１３０によって反射されて、上方（基板１００の厚さ方向）に向かって進む反射光１２となることができる。したがって、入射光１０のうちの反射光１２となる光は、第２領域１００ｂの基板１００の上面（エッチングされた領域の底面部）で、反射されない。したがって、発光装置１０００では、良好な断面形状を有する光（反射光１２）を得ることができる。
【００４４】
発光装置１０００では、発光素子を構成する第１クラッド層１０４，活性層１０６，第２クラッド層１０８と、光学素子を構成する光分離部１３０とを、同一基板１００上に形成することができる。すなわち、発光装置１０００では、発光素子および光学素子をモノリシックに集積することができる。これにより、発光装置１０００は、例えば、別途、光学素子を設置する場合と比較して、装置の小型化を図ることができる。さらに、光分離部１３０の入射面１３２と、活性層１０６の出射面（第１端面１２２、第２端面１２４）との間の距離を近づけることができるため、より断面の径が小さい光（反射光１２、透過光１４）を得ることができる。
【００４５】
発光装置１０００では、基板１００が、第１領域１００ａと第２領域１００ｂとの境界に段差側面１０１を有していることができる。これにより、発光装置１０００では、光分離部１３０を段差側面１０１に突き当てて配置することができるため、光分離部１３０を精度良く配置することができる。
【００４６】
１．２．  第１の実施形態に係る発光装置の製造方法
次に、第１の実施形態に係る発光装置１０００の製造方法について説明する。
【００４７】
図３〜図７は、第１の実施形態に係る発光装置１０００の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図３〜図７は、図２に示す断面図に対応している。
【００４８】
図３に示すように、基板１００上に、バッファー層１０２、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、コンタクト層１１０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いることができる。
【００４９】
図４に示すように、コンタクト層１１０上に絶縁層１１２を成膜する。成膜は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法等を用いることができる。
【００５０】
図５に示すように、絶縁層１１２をパターニングする。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを用いて行われる。これにより、第２電極１１６が形成される領域の絶縁層１１２および第２領域１００ｂの基板１００の上面の絶縁層１１２が除去される。
【００５１】
図６に示すように、第２電極１１６を形成する。第２電極１１６は、例えば、真空蒸着法、リフトオフ法の組み合わせにより所望の形状に形成されることができる。次に、第１電極１１４を形成する。第１電極１１４は、例えば、上述した第２電極１１６の製法の例示と同じである。なお、第１電極１１４及び第２電極１１６の形成順序は、特に限定されない。
【００５２】
図７に示すように、基板１００の一部、バッファー層１０２、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、コンタクト層１１０をパターニングする。パターニングは、例えば、ドライエッチングを用いることができる。これにより、活性層１０６の第１側面１０５および第２側面１０７を露出することができる。エッチングにより活性層１０６の側面１０５，１０７を露出することができるため、劈開で側面１０５，１０７を露出する場合と比較して、位置精度を向上でき、かつ生産性の向上を図ることができる。本工程で基板１００の一部がエッチングされることにより、基板１００の上面に段差が形成される。
【００５３】
次に、第１側面１０５および第２側面１０７に反射防止部（図示しない）を形成する。反射防止部は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法、イオンアシスト蒸着(Ion Assisted Deposition)法などにより形成される。次に、基板１００を、スクライブ装置、ブレーキング装置等で、チップ毎に切断する工程を有してもよい。
【００５４】
図２に示すように、光分離部１３０を第２領域１００ｂの基板１００上であって、出射光１０の光路上に設置する。光分離部１３０は、例えば、接着剤（図示しない）によって、第２領域１００ｂの基板１００上に設置されることができる。基板１００は、第１領域１００ａと第２領域１００ｂとの境界に段差側面１０１を有している。これにより、光分離部１３０を段差側面１０１に突き当てて配置することができるため、光分離部１３０を精度良く配置することができる。
【００５５】
以上の工程により、発光装置１０００を製造することができる。
【００５６】
発光装置１０００の製造方法では、光分離部１３０を基板１００上に設置する際に、段差側面１０１に突き当てて設置することができる。したがって、発光装置１０００の製造方法によれば、光分離部１３０を精度良く配置することができる。
【００５７】
２．  第２の実施形態
次に、第２の実施形態に係る発光装置２０００について、図面を参照しながら説明する。図８は、発光装置２０００を模式的に示す平面図である。図９は、発光装置２０００の断面を模式的に示す図であり、図８のIX−IX線断面を示す図である。以下、第２の実施形態に係る発光装置２０００において、第１の実施形態に係る発光装置１０００の構成部材と同様の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００５８】
発光装置２０００は、図８に示すように、利得領域１２０が、活性層１０６の第１側面１０５側から第２側面１０７側まで、直線状に、第１側面１０５の垂線Ｐに対して傾いた方向に向かって設けられている。これにより、利得領域１２０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。ここで、図１０は、活性層１０６を第１側面１０５側から平面的に見た図である。図１０に示すように、第１端面１２２と第２端面１２４は、重なっていない。すなわち、第１端面１２２と第２端面１２４のずれ幅ｘは、正の値となる。これにより、利得領域１２０に生じる光を第１端面１２２と第２端面１２４の間で、直接的に多重反射させないことができる。その結果、直接的な共振器を構成させないことができるため、利得領域１２０に生じる光のレーザー発振をより確実に抑制または防止することができる。したがって、発光装置２０００は、レーザー光でない光を発することができる。なお、一の利得領域１２０が有する第１端面１２２と第２端面１２４とが重なっていないのであって、図示はしないが例えば、一の利得領域１２０が有する第１端面１２２は、他の利得領域１２０が有する第２端面１２４と重なっていてもよい。
【００５９】
活性層１０６は、図８に示すように、平面的に見て、第１側面１０５と第２側面１０７とを傾いて接続する第３側面１０９を有する。第３側面１０９は、第１側面１０５に対して角度θの傾きで接続している。傾き角θは、第１端面１２２から出射される出射光１０が、第３側面１０９と平行な方向に向かって進む角度であることができる。傾き角θは、例えば、スネルの法則により求めることができる。第１側面１０５と第２側面１０７は、平行である。したがって、第２側面１０７側においても同様に、第２端面１２４から出射される出射光１０は、平面的に見て、第３側面１０９と平行な方向に向かって進むことができる。第３側面１０９と平行な方向は、平面的に見て、基板１００の側面と平行または垂直な方向である。したがって、出射光１０は、基板１００の側面に対して平行または垂直な方向に向かって進むことができる。
【００６０】
光分離部１３０は、基板１００は、第１領域１００ａと第２領域１００ｂとの境界に段差側面１０１を有している。これにより、図８に示すように、光分離部１３０を段差側面１０１の一部に突き当てて配置することができるため、光分離部１３０を精度良く配置することができる。
【００６１】
本実施形態に係る発光装置２０００は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装置、計測装置などの光源に適用されることができる。
【００６２】
発光装置２０００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００６３】
発光装置２０００では、利得領域１２０は、第１側面１０５の垂線Ｐに対して傾いた方向に向かって設けられていることができる。さらに、利得領域１２０では、第１側面１０５側から平面的にみて、第１端面１２２と第２端面１２４とは、重なっていないことができる。これにより、上述したとおり、利得領域１２０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。したがって、スペックルノイズを低減させることができる。さらに、発光装置２０００では、利得領域１２０に生じる光は、利得領域１２０内において利得を受けながら進行して、外部に出射されることができる。したがって、従来の一般的なＬＥＤ（Light Emitting Diode）よりも高い出力を得ることができる。以上のように、発光装置２０００では、スペックルノイズを低減でき、かつ高出力化を図ることができる。
【００６４】
発光装置２０００では、出射光１０が、平面的に見て、第３側面１０９と平行な方向に向かって進むように、活性層１０６の第３側面１０９が、第１側面１０５と第２側面１０７とを傾いて接続していることができる。したがって、出射光１０は、平面的に見て、基板１００の側面に対して平行または垂直な方向に進むことができる。発光装置２０００では、利得領域１２０が、第１側面１０５の垂線Ｐに対して傾いた方向に向かって設けられている場合であっても、基板１００の側面に対して平行または垂直な出射光１０を得ることができる。
【００６５】
３．  第３の実施形態
次に、第１の実施形態に係る発光装置１０００を有する発光モジュール３０００について、図面を参照しながら説明する。図１１は、発光モジュール３０００を模式的に示す断面図である。なお、図１１では、便宜上、受光部３１００を簡略化して示している。以下、第３の実施形態に係る発光モジュール３０００において、第１の実施形態に係る発光装置１０００の構成部材と同様の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００６６】
発光モジュール３０００は、図１１に示すように、発光装置１０００と、受光部３１００と、を含む。発光モジュール３０００は、さらに、例えば、サブマウント３２００と、パッケージ３３００と、蓋部３４００と、を含むことができる。
【００６７】
発光装置１０００は、サブマウント３２００に実装されている。サブマウント３２００に実装された発光装置１０００は、パッケージ３３００内に収納されている。発光装置１０００の第２電極１１６は、図示はしないが、例えば、ワイヤボンディングによって、サブマウント３２００上の配線に電気的に接続されてもよい。反射光１２は、上方（基板１００の厚さ方向）に向かって進み、蓋部３４００を透過して外部に出射される。透過光１４は、側方（基板１００の面内方向）に向かって進み、受光部３１００によって、受光される。
【００６８】
受光部３１００は、透過光１４を受光することによって、利得領域１２０の光出力をモニターすることができる。すなわち、発光モジュール３０００では、透過光１４をモニター光として利用することができる。受光部３１００は、パッケージ３３００の内壁に実装されている。受光部３１００は、透過光１４の光路上に設けられていることができる。図１１に示す例では、受光部３１００が、透過光１４の光路上であって、パッケージ３３００の対向する内壁にそれぞれ設けられている。なお、受光部３１００は、パッケージ３３００の対向する内壁の一方に設けられてもよい。活性層１０６が、複数の利得領域１２０を構成している場合、受光部３１００は、各利得領域１２０の出射面に対応して、複数設けられることができる。これにより、受光部３１００は、複数の利得領域１２０の各々の光出力をモニターすることができる。なお、例えば、複数の利得領域１２０に対し、一つの受光部３１００が対応していてもよい。これにより、例えば、複数の利得領域を交互に駆動するような場合に、受光素子の総数が減少し、発光装置の電圧調整等を行う外部電子回路（図示しない）を簡素化することができる。受光部３１００としては、例えば、フォトダイオードを用いることができる。受光部３１００としては、例えば、真性半導体層をｐ型領域とｎ型領域で挟んだ半導体接合を有するｐｉｎ型フォトダイオードを用いることができる。
【００６９】
サブマウント３２００は、パッケージ３３００に固定されている。サブマウント３２００としては、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、銅タングステン合金を用いることができる。
【００７０】
パッケージ３３００は、発光装置１０００、受光部３１００、およびサブマウント３２００を収納することができる。パッケージ３３００の内壁には、受光部３１００が実装されている。パッケージ３３００としては、セラミック材料を用いることができる。パッケージ３３００は、例えば、ガラス板からなる蓋部３４００によって密閉封止されていることができる。蓋部３４００は、反射光１２を透過させることができる。
【００７１】
発光モジュール３０００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００７２】
本実施形態に係る発光モジュール３０００では、透過光１４を受光部３１００において受光することによって、利得領域１２０の光出力をモニターすることができる。したがって、モニターされた光出力に基づいて、第１電極１１４および第２電極１１６に印加する電圧値を調整することができる。これにより、発光モジュール３０００は、輝度むらを低減し、また、明るさを自動調整することができる。なお、発光装置１０００の光出力を、印加する電圧値にフィードバックする制御は、例えば、外部電子回路（図示しない）を用いて行うことができる。
【００７３】
なお、上述した実施形態は一例であって、これらに限定されるものではない。例えば、各実施形態および変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【００７４】
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００７５】
１００  基板、１００ａ  第１領域、１００ｂ  第２領域、１０１  段差側面、１０２  バッファー層、１０４  第１クラッド層、１０５  第１側面、１０６  活性層、１０７  第２側面、１０８  第２クラッド層、１０９  第３側面、１１０  コンタクト層、１１２  絶縁層、１１４  第１電極、１１６  第２電極、１２０  利得領域、１２２  第１端面、１２４  第２端面、１３０  光分離部、１３２  入射面、１３４  光学層、１０００  発光装置、２０００  発光装置、３０００  発光モジュール、３１００  受光部、３２００  サブマウント、３３００  パッケージ、３４００  蓋部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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