(57)【要約】【課題】  表面凹凸の抑制された位相差層を備えた光学素子を製造する製造方法を提供する。【解決手段】  光透過性を有する基材２と、重合性液晶化合物を含む液晶組成物を重合してなる位相差層３と、導電性を有する透明導電膜５とを有する光学素子１の製造方法において、基材２に対して直接もしくは間接に、重合性液晶化合物を含む液晶組成物を塗布して液晶塗布膜を作製し、該液晶塗布膜に含まれる重合性液晶化合物を重合させて該液晶塗布膜を位相差層３となす位相差層形成工程と、基材２に対して直接もしくは間接に、導電性を有する導電材料を含む導電膜組成物にて透明導電膜５を形成する透明導電膜形成工程と、を備え、透明導電膜形成工程が行われた後に位相差層形成工程が行われることにより、表面凹凸の抑制された位相差層３を備えた光学素子１が提供される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する基材と、重合性液晶化合物を含む液晶組成物を重合してなる位相差層と、導電性を有する透明導電膜とを有する光学素子の製造方法であって、
基材に対して直接もしくは間接に、重合性液晶化合物を含む液晶組成物を塗布して液晶塗布膜を作製し、該液晶塗布膜に含まれる重合性液晶化合物を重合させて該液晶塗布膜を位相差層となす位相差層形成工程と、
基材に対して直接もしくは間接に、導電性を有する導電材料を含む導電膜組成物にて透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、を備え、
透明導電膜形成工程が行われた後に、位相差層形成工程が行われることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項２】
位相差層形成工程では、位相差層が、基材の面内方向に所定のパターンにて形成される、請求項１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項３】
基材に対して直接もしくは間接に、光硬化性樹脂を含む樹脂組成物を塗布し重合させて柱状体を形成する柱状体形成工程を備え、
該柱状体形成工程では、柱状体が、基材の面内方向に所定のパターンにて形成される、請求項１または２に記載の光学素子の製造方法。
【請求項４】
基材に対して直接もしくは間接に、突起を基材の面内方向に所定のパターンにて設ける突起形成工程を備え、
該突起形成工程では、形成される突起は、柱状体の基端部から先端部までの高さよりも該突起の基端部から先端部までの高さが小さくなるように形成される、請求項３に記載の光学素子の製造方法。
【請求項５】
突起形成工程では、突起は、基材に対して直接もしくは間接に、光硬化性樹脂を含む樹脂組成物を重合することで形成される、請求項４に記載の光学素子の製造方法。
【請求項６】
柱状体と突起が、同一の光硬化性樹脂を含む樹脂組成物にて同時に形成されることにより、柱状体形成工程と突起形成工程が同時に行われる、請求項５に記載の光学素子の製造方法。
【請求項７】
突起形成工程では、突起は、基材に対して直接もしくは間接に、ポジレジストを用いたフォトリソグラフィー法にて形成される、請求項４に記載の光学素子の製造方法。
【請求項８】
透明導電膜形成工程では、透明導電膜が、基材の面内方向に所定のパターンにて形成される、請求項１から７のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
【請求項９】
基材に対して直接もしくは間接に、入射光のうち所定の可視光線を透過光として分光可能な着色層を有してなるカラーフィルタ層を形成するカラーフィルタ層形成工程が行われる、請求項１から８のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
【請求項１０】
カラーフィルタ層形成工程では、可視光線の透過スペクトルを異にする複数種類の着色層がそれぞれの種類の着色層について定められたパターンにて形成されることにより、複数種類の着色層を有してなるカラーフィルタ層が形成される、請求項９に記載の光学素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかの製造方法によって得られる光学素子。
【請求項１２】
請求項１１に記載の光学素子を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子の製造方法。光学素子、および該光学素子を備える液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、一対の基板の間に駆動用の液晶材料を封入してなる駆動用液晶層を備える液晶セルの外側に偏光板を配置してなる構造を備える。液晶表示装置の構造を構成するための各部材の精密化の進展とともに、液晶表示装置の小型化が進み、また、液晶表示装置は携帯電話やＰＤＡ等といった機器に幅広く用いられるようになっている。液晶表示装置については、昼夜や屋内外を問わず様々な時と場所で使用できるようなものが要請される。こうした要請に応えるべく、液晶表示装置については、省電力化に加えて、液晶画面の高輝度化や高コントラスト化などといった表示特性の向上が、重要な課題となっている。
【０００３】
液晶表示装置には、多数の画素を有する画素部が、所定の配置パターンにて形成されている。液晶表示装置の液晶画面に表示される画像は、画素部を通る光のパターンによって形成される。画像の形成に用いられる光の違いに応じて様々な種類の液晶表示装置が提案されている。液晶表示装置外部の外光を取り込むとともにその外光の反射光を利用する反射表示機能（反射型の表示を行う機能）を有してなる液晶表示装置（反射型液晶表示装置）が提案されている。反射型液晶表示装置は、液晶セル内に反射板を配している。反射板は、液晶セル内に取り込まれて駆動用液晶層を通った入射光を反射させて反射光を形成する。この反射光が、再び駆動用液晶層を進行し、画像を構成するために用いられる。
【０００４】
このほかにも、液晶表示装置内部に内蔵されたバックライトを光源とする光を利用する透過表示機能（透過型の表示を行う機能）を有してなる液晶表示装置（透過型液晶表示装置）が提案されている。透過型液晶表示装置では、バックライトから出た光が、液晶セル内に入射され、さらに駆動用液晶層を通る。そして、駆動用液晶層を通りぬけた光は、画像を構成するために用いられる。
【０００５】
液晶表示装置のうち、反射型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置に比べて省電力化を図ることができる。透過型液晶表示装置は、反射型液晶表示装置に比べて、屋内などの外光の弱い場所で高輝度・高コントラストな液晶画面を得やすい。
【０００６】
そこで、反射型液晶表示装置と透過型液晶表示装置の利点を取り入れた液晶表示装置として、反射表示機能と透過表示機能の両方の機能を有する液晶表示装置（半透過半反射型液晶表示装置）が提案されている。半透過半反射型液晶表示装置は、透過表示機能と反射表示機能の両方の機能を発揮する（透過部と反射部の表示を両立させる）ものである。例えば、半透過半反射型液晶表示装置は、晴天時の屋外などといった十分な光量の外光がある場所では、反射部のみ、あるいは、透過部と反射部の両者を利用して液晶画面が表示され、反射部での液晶画面の表示が困難になる夜間や暗所では、透過部を主に利用して液晶画面が表示される。そして、半透過半反射型液晶表示装置は、反射型液晶表示装置の利点としての省電力化の効果と、透過型液晶表示装置の利点としての高輝度、高コントラスト化の効果の両方の効果を発揮するものである。
【０００７】
半透過半反射型液晶表示装置においては、画素部に、透過表示機能にて表示される液晶画面の領域に対応して定められる透過部と、反射表示機能にて表示される液晶画面の領域に対応して定められる反射部とが形成されている。通常、画素部を構成する１つの画素ごとに、透過部と反射部の組み合わせが1セット形成される。透過部は、バックライトを光源とする光が進行する部分に対応し、反射部は、外光の反射光が進行する部分に対応している。
【０００８】
半透過半反射型液晶表示装置においては、１つの画素に形成される透過部と反射部の間で、光の進行経路および駆動用液晶層の通過回数に相違が存在している。光の進行経路の相違は、透過部を通る光における常光と異常光の位相差と、反射部を通る光における常光と異常光の位相差との間に相違を生じさせる。さらに、駆動用液晶層の通過回数の相違は、透過部を通る光と反射部を通る光との間で、光路長の相違を生じさせる。反射部を通る光は、駆動用液晶層を２回通過し、透過部を通る光は、駆動用液晶層を１回通過する。すなわち、駆動用液晶層では、反射部を通る光の光路長は、駆動用液晶層の厚み（セルギャップ）の２倍の長さであり、透過部を通る光の光路長は、駆動用液晶層の厚み（セルギャップ）に相当する長さとなる。これらの位相差の相違と光路長の相違は、透過部と反射部の表示の両立を困難にする。
【０００９】
そこで、従来、半透過半反射型液晶表示装置においては、１／４波長板としての機能を有する位相差フィルムを液晶セルの基板の外側に貼り付けてなる構成が備えられていた。これにより、半透過半反射型液晶表示装置では、偏光板を通った直線偏光が円偏光に変換されていた。そして、この構成によって、半透過半反射型液晶表示装置は、透過部と反射部の表示の両立を実現させていた。ところが、このような半透過半反射型液晶表示装置では、透過部を通る光が十分有効には活用されない。すなわち、透過部の表示特性が損なわれる。
【００１０】
これに対し、半透過半反射型液晶表示装置として、反射部に位相差層を設けた基板を有するものが提案されている。ここに、位相差層は、上記したような１／４波長板としての機能を発揮可能な層構造である。そのような位相差層は、重合性官能基を有する液晶化合物（重合性液晶化合物）を含む液晶組成物でなる層構造として具体的に形成される（特許文献１）。反射部に位相差層を設けた半透過半反射型液晶表示装置によれば、反射部の位相差層が、反射部と透過部とのセルギャップを調整する機能を発揮するとともに１／４波長板の機能を発揮する。これにより、反射部に位相差層を設けた半透過半反射型液晶表示装置は、透過部の表示特性を損なうことなく反射表示を実現可能なものとなり、半透過半反射型液晶表示装置の表示特性を高めることが可能となる（特許文献２、３）。その他、半透過半反射型液晶表示装置として、１／２波長板としての機能を有する層を設けたものが提案されている。この液晶表示装置によれば、反射板で反射されたバックライトからの光を偏光板に吸収させないようにすることができ、バックライトからの光のリサイクルが可能になる（特許文献４）。
【００１１】
反射部に位相差層を設けた半透過半反射型液晶表示装置は、例えば、次のように組み立てられる。まず、対面配置させる基板（第１の基板と第２の基板）が作製される。第１の基板は、光透過性を有する基材に対して反射部に対応する領域に位相差層を形成し、その後、位相差層を被覆してＩＴＯ（Indium Tin Oxide、インジウムスズ酸化物）などの透明導電膜を形成される。そして、第１の基板には、光硬化性樹脂からなる柱状体が形成される。第２の基板は、反射部に対応する部分に反射板を取り付け、透過部に対応する領域を光透過可能に構成されている。また、第２の基板には、ゲート線やＴＦＴ（Thin Film Transistor）などの電極形成用素子が取り付けられており、さらに、透明導電膜が形成されている。第２の基板の透明導電膜は、電極形成用素子に対して電気的に接続されている。
【００１２】
次に、第１の基板と第２の基板が対面して配置される。このとき、第１の基板の反射部と透過部に対応する部分が、それぞれ第２の基板の反射部と透過部に対応する部分に対面される。また、第１の基板の柱状体の先端が第２の基板に当接される。このとき、柱状体を除く第１の基板と、第２の基板との間には、柱状体の高さに応じて隙間が存在する。
【００１３】
さらに、第１の基板と、第２の基板との間の隙間に、駆動用の液晶材料が封入される。これにより、駆動用液晶層が形成される。こうして、液晶セルが形成され、さらに液晶セルの外側に偏光板が取り付けられ、半透過半反射型液晶表示装置が製造される。
【００１４】
ところで、反射部に位相差層を設けた基板を有する半透過半反射型液晶表示装置では、反射部の位相差層は、セルギャップを調節する層としての機能を果たすことから、位相差層の表面には、予定されない表面凹凸の発生が抑制されることが重要である。位相差層に大きな表面凹凸が存在すると、反射部に位相差層を形成した基板と駆動用液晶層との接触界面に表面凹凸が生じるため、セルギャップにムラが生じ、反射部の表示特定が損なわれる。また、この位相差層が１／４波長板としての機能を果たすことからしてみても、やはり、位相差層の表面には、予定されない表面凹凸の発生が抑制されることが重要である。位相差層に大きな表面凹凸が生じると、反射部に形成された位相差層の厚みにムラが生じ、反射部の表示特性が損なわれる。
【００１５】
特に、半透過半反射型液晶表示装置の駆動用液晶層の駆動方式がＭＶＡ（Multi-Domain Vertical Alignment）方式やＣＰＡ（Continuous Pinwheel Alignment）方式である場合、上記したような位相差層の表面凹凸の抑制は重要である。ＭＶＡ方式やＣＰＡ方式の液晶表示装置では、第１の基板や第２の基板に、所定のパターンに形成された透明導電膜を設けるほか、所定の位置に所定形状の突起が設けられる。また、例えば、ＶＡ（Vertical Alignment）方式の液晶表示装置において、第１の基板の画素内の所定領域に、液晶セルの厚み方向に平行な断面の形状を半楕円形に形成された突起が設けられることがある。ここに、このように第１の基板や第２の基板に設けられる突起は、いずれも駆動用液晶層に含まれる駆動用液晶の配向を規制するものである。すなわち、第１の基板と第２の基板の少なくともいずれかに設けられた突起の設置位置および形状によって、駆動用液晶の配向が規制される。このとき、駆動用液晶の配向が効果的に規制されることで、突起のない液晶表示装置に比べて視野角の広い液晶表示装置が得られる。
【００１６】
【特許文献１】特開２０００−２２１５０６号公報
【特許文献２】特表２００６−５２７４０８号公報
【特許文献３】特開２００４−００４４９４号公報
【特許文献４】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、反射部に位相差層を設けた基板を有する半透過半反射型液晶表示装置では、反射部に位相差層を形成した基板における駆動用液晶層との接触界面に凹凸（表面凹凸）が皺状（条状）に生じることがあり、さらに、その皺状の表面凹凸の大きさが反射部の表示特性に悪影響を及ぼすほどの大きさになることもあった。このことが、半透過半反射型液晶表示装置の製造効率を低下させてしまうという問題を生じさせていた。
【００１８】
特に、ＶＡ方式やＭＶＡ方式やＣＰＡ方式の半透過半反射型液晶表示装置においては、第１の基板や第２の基板を構成する面のうち駆動用液晶層に対する接触面（接触界面）に、突起による表面凹凸のほかに、予定されない凹凸が大きく形成されてしまう。その予定されない凹凸は、突起によって規制された駆動用液晶の配向を大きく乱す。このことが、半透過半反射型液晶表示装置の反射部における表示特性を著しく低下させる結果を招いていた。
【００１９】
本発明者らは、位相差層の表面に凹凸が生じる原因が、透明導電膜と位相差層の形成順序にあることを突き止め、本発明を完成するに至った。
【００２０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、表面凹凸の抑制された位相差層を備えた光学素子の製造方法、その製造方法によって得られる光学素子、および、その光学素子を組み込んだ液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、
（１）  光透過性を有する基材と、重合性液晶化合物を含む液晶組成物を重合してなる位相差層と、導電性を有する透明導電膜とを有する光学素子の製造方法であって、基材に対して直接もしくは間接に、重合性液晶化合物を含む液晶組成物を塗布して液晶塗布膜を作製し、該液晶塗布膜に含まれる重合性液晶化合物を重合させて該液晶塗布膜を位相差層となす位相差層形成工程と、基材に対して直接もしくは間接に、導電性を有する導電材料を含む導電膜組成物にて透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、を備え、透明導電膜形成工程が行われた後に、位相差層形成工程が行われることを特徴とする光学素子の製造方法、
（２）  位相差層形成工程では、位相差層が、基材の面内方向に所定のパターンにて形成される、上記（１）に記載の光学素子の製造方法、
（３）  基材に対して直接もしくは間接に、光硬化性樹脂を含む樹脂組成物を塗布し重合させて柱状体を形成する柱状体形成工程を備え、該柱状体形成工程では、柱状体が、基材の面内方向に所定のパターンにて形成される、上記（１）または（２）に記載の光学素子の製造方法、
（４）  基材に対して直接もしくは間接に、突起を基材の面内方向に所定のパターンにて設ける突起形成工程を備え、該突起形成工程では、形成される突起は、柱状体の基端部から先端部までの高さよりも該突起の基端部から先端部までの高さが小さくなるように形成される、上記（３）に記載の光学素子の製造方法、
（５）  突起形成工程では、突起は、基材に対して直接もしくは間接に、光硬化性樹脂を含む樹脂組成物を重合することで形成される、上記（４）に記載の光学素子の製造方法、
（６）  柱状体と突起が、同一の光硬化性樹脂を含む樹脂組成物にて同時に形成されることにより、柱状体形成工程と突起形成工程が同時に行われる、上記（５）に記載の光学素子の製造方法、
（７）  突起形成工程では、突起は、基材に対して直接もしくは間接に、ポジレジストを用いたフォトリソグラフィー法にて形成される、上記（４）に記載の光学素子の製造方法、
（８）  透明導電膜形成工程では、透明導電膜が、基材の面内方向に所定のパターンにて形成される、上記（１）から（７）のいずれかに記載の光学素子の製造方法、
（９）  基材に対して直接もしくは間接に、入射光のうち所定の可視光線を透過光として分光可能な着色層を有してなるカラーフィルタ層を形成するカラーフィルタ層形成工程が行われる、上記（１）から（８）のいずれかに記載の光学素子の製造方法、
（１０）  カラーフィルタ層形成工程では、可視光線の透過スペクトルを異にする複数種類の着色層がそれぞれの種類の着色層について定められたパターンにて形成されることにより、複数種類の着色層を有してなるカラーフィルタ層が形成される、上記（９）に記載の光学素子の製造方法、
（１１）  上記（１）から（１０）のいずれかの製造方法によって得られる光学素子、
（１２）  上記（１１）に記載の光学素子を備えることを特徴とする液晶表示装置、を要旨とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、透明導電膜形成工程が行われた後に位相差層形成工程が行われることにより、光学素子における位相差層の表面について、その位相差層の表面凹凸の発生が効果的に抑制される。
【００２３】
本発明において、位相差層形成工程では、位相差層が所定のパターンにて形成されてもよい。その場合、本発明の製造方法によって得られる光学素子は、半透過半反射型液晶表示装置の基板に容易に組み込んで使用できるものとなる。その光学素子を組み込んだ半透過半反射型液晶表示装置は、光学素子に形成される位相差層のパターンを、半透過半反射型液晶表示装置における反射部のパターンに対応するパターンとすることで、具体的に実現されうる。
【００２４】
また、光学素子を組み込んだ液晶表示装置について駆動用液晶を駆動するために駆動用液晶層に印加されるべき電圧（駆動電圧）の大きさは、光学素子が透明導電膜の全面を覆って位相差層を形成している場合の駆動電圧のほうが、光学素子が透明導電膜の全面を覆って位相差層を形成していない場合における駆動電圧に比べて、高くなる。この点、本発明において、位相差層が所定のパターンにてパターン形成される場合、光学素子の平面視上、透明導電膜の形成領域の少なくとも一部に対して重なり合わないように位相差層をパターン形成することができる。その場合、透明導電膜の一部の領域は位相差層に覆われず、光学素子は、透明導電膜の表面を露出させた状態となる。すると、光学素子を組み込んだ液晶表示装置において、透明導電膜より駆動液晶層に印加された電圧が位相差層の影響を受けてしまう虞は小さくなる。
【００２５】
本発明では、基材の面内方向の所定の位置に、光硬化性樹脂からなる柱状体を所定のパターンで形成するという柱状体形成工程が行われてもよい。製造される光学素子が液晶表示装置に組み込まれて用いられる場合、柱状体により、液晶表示装置の駆動用液晶層のセルギャップが維持される。
【００２６】
本発明では、基材の面内方向の所定の位置に、光硬化性樹脂やポジレジストからなる突起を形成するという突起形成工程が行われてもよい。この場合、製造される光学素子は、ＶＡ方式やＭＶＡ方式やＣＰＡ方式の液晶表示装置の基板に容易に組み込んで使用されるものとなる。それらの液晶表示装置において、その突起は、駆動用液晶層の駆動用液晶の配向を規制する機能を発揮する。
【００２７】
本発明では、柱状体と突起とが、同一の光硬化性樹脂を含んでなる樹脂組成物にてハーフトーンマスクを用いて同時に形成されてよい。このとき、柱状体と突起は、互いに同じ樹脂組成物で形成される。このように柱状体と突起とが同一物で同時に形成されると、柱状体と突起の製造工程を短縮することが可能となる。
【００２８】
本発明では、透明導電膜が、基材の面内方向に所定のパターンにて形成されてもよい。そのような透明導電膜を備えた光学素子が液晶表示装置に組み込まれた場合、その液晶表示装置は、駆動用液晶層の厚み方向に対して傾斜した方向に電界を生じさせることができるものとなる。その液晶表示装置は、ＰＶＡ（Patterned Vertical Alignment）方式やＣＰＡ方式の液晶表示装置として使用可能なものとなる。すなわち、本発明の光学素子が液晶表示装置の基板に組み込まれることにより、ＶＡ方式やＭＶＡ方式やＰＶＡ方式やＣＰＡ方式の液晶表示装置を構成することが容易になる。
【００２９】
本発明において、透明導電膜が、基材の面内方向に所定のパターンにて形成され、且つ、突起形成工程が実施されてもよい。本発明の製造方法によれば、パターン形成された透明導電膜と突起を備えた光学素子が得られる。そのような光学素子が液晶表示装置に組み込まれた場合、次のような効果が生じる。まず、液晶表示装置において、透明導電膜がパターン形成されていることで、パターン形成された透明導電膜のうち電圧を印加される部分と印加されない部分を生じさせることができる。これにより、液晶表示装置は、駆動用液晶層内の電場分布を所定の分布パターンとなるようにすることが可能なものとなる。ここで、液晶表示装置の電圧分布が所定のパターンとなる場合、駆動用液晶層内の駆動用液晶は、駆動用液晶をなす液晶分子の配向を局所的に変更することが可能な状態となる。そして、駆動用液晶層内の液晶分子の配向を局所的に変更することが可能となるため、本発明によれば、視野角の広狭を制御することが可能な液晶表示装置を得ることが可能となる。
【００３０】
本発明の製造方法によって得られる光学素子は、液晶表示装置を構成する液晶セルの第１の基板と第２の基板のいずれかもしくは両方に組み込まれることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明は、基材２と位相差層３と透明導電膜５とを有する光学素子１の製造方法である。
【００３２】
＜第１の実施形態に対応する光学素子の製造方法＞
まず、本発明の「光学素子の製造方法」の実施例の１つの形態（第１の実施形態）について説明する。
【００３３】
本発明の光学素子の製造方法は、基材２に対して直接もしくは間接に位相差層３を形成する位相差層形成工程と、基材２に対して直接もしくは間接に透明導電膜５を形成する透明導電膜形成工程とを備える。そして、本発明の光学素子の製造方法は、透明導電膜形成工程が行われた後に、位相差層形成工程が行われる。
【００３４】
本発明の光学素子の製造方法の第１の実施形態では、図１（Ａ）に示すように、光学素子１として、基材２に、位相差層３と、透明導電膜５とを形成しており、且つ、透明導電膜５が形成された後に位相差層３が形成されてなるものが得られる。
【００３５】
なお、図１（Ａ）に示す光学素子１の具体的な実施例では、光学素子１は、基材２に対して透明導電膜５及び配向膜（図示せず）を介して間接に位相差層３を形成している。なお、「基材２に対して直接もしくは間接」という構成には、「基材２の所定の面の全領域に対して直接もしくは間接」という構成、および、「基材２の所定の面の一部の領域に対して直接もしくは間接」という構成の両方の構成が含まれる。
【００３６】
本発明の製造方法にて得られる光学素子１は、所定の領域（領域Ｋ）における表面凹凸の大きさを、所定の大きさを超えない範囲の値とするものである。
【００３７】
ここで、「所定の領域Ｋ」とは、「光学素子の表面のうち、基材に対して透明導電膜と位相差層の積層によって形成される表面（積層面の最表面）（表面Ａ）」における所定の領域であり、かつ、「表面Ａの領域のうち、光学素子の平面視上、位相差層の形成された領域に対して重なり合う領域」である（図７）。なお、図７では、便宜上、配向膜等は省略されている。
【００３８】
「表面凹凸」および「表面凹凸の大きさ」は、光学素子１の表面Ａの面内方向のプロファイル（profile）、および、光学素子１の縦断面のプロファイル（profile）を測定することによって特定することができる。
【００３９】
光学素子１の表面Ａの面内方向のプロファイル（profile）と光学素子１の縦断面のプロファイルは、原子間力電子顕微鏡（ＡＦＭ；Atomic Force Microscope）を用いて、次のように測定される。
【００４０】
光学素子１の表面Ａの面内方向のプロファイル（profile）は、表面Ａの凹凸の状態を図面化あるいは画像化してなるものである。光学素子１の表面Ａの面内方向のプロファイル（profile）は、表面Ａの領域Ｋの部分を、その光学素子１の面内方向にＡＦＭによって走査されることで測定される。測定された表面Ａの面内方向のプロファイルに基づき、光学素子１は、光学素子１の表面Ａの領域Ｋに表面凹凸が存在するか否かという点、および、表面凹凸が存在する場合、その表面凹凸は光学素子の平面視上どのような形状となっているかという点について、観測される。
【００４１】
光学素子１の領域Ｋに表面凹凸が認められる場合、光学素子１の縦断面のプロファイルがＡＦＭによって測定される。ここに、プロファイルの測定対象となる光学素子１の縦断面は、平面視上、光学素子１の厚み方向に平行な断面（縦断面）であって、且つ、表面凹凸の凸部と凹部を通過する縦断面である。例えば、図７（Ａ）（Ｂ）に示すように、光学素子１の領域Ｋに、表面凹凸が条状に形成され、その表面凹凸において凸部９０の頂上部と凹部９１の底部がいずれも条状に形成されている場合（図７（Ａ））、次のように光学素子１の縦断面について、そのプロファイルが測定される。すなわち、光学素子１の厚み方向に平行な断面（縦断面）であって、且つ、条状に形成された凸部９０の頂上部と凹部の底部９１を通過する方向（破線Ｆが延びる方向）の縦断面について、光学素子１の縦断面のプロファイル（断面プロファイル）が測定される。
【００４２】
光学素子１の領域Ｋの表面凹凸について測定されたプロファイルに基づき、その表面凹凸における凸部９０の頂上部と凹部９１の底部の位置が特定される。光学素子の厚み方向の距離であって光学素子の表面近傍に選択された位置Ｇ（図７（Ｂ）において符号Ｇにて示す、透明導電膜５の表面位置が位置Gとして選択されてもよい）から凸部９０の頂上部までの距離（Ｈ１）が測定される。さらに、光学素子の厚み方向の距離であって位置Ｇから凹部の底部までの距離（Ｈ２）が測定される。そして、隣り合う凸部と凹部についてＨ１とＨ２の差（ΔＨ＝｜Ｈ１−Ｈ２｜）が算出される。このとき、Ｈ１、Ｈ２の測定点はつぎのように定められる。断面プロファイルにおいて、領域Ｋの中央位置に対応する位置（中央位置）を定める。この中央位置（１箇所）が測定点となる。そして、その１箇所の測定点について、最も近接した凹部の底部と、凸部の頂上部を特定する。この測定点についてΔＨが算出される。ここに算出されたΔＨは、「１つの断面プロファイルに基づく光学素子の領域Ｋの「表面凹凸の大きさ」」として定義される（図７（Ｂ））。
【００４３】
光学素子１の領域Ｋの「表面凹凸の大きさ」を定めるにあたっては、さらに、断面プロファイルを得るために選択される縦断面として、３つの縦断面が選択され、各断面プロファイル（３種類の断面プロファイル）に対して、ΔＨが算出される。そして、各断面プロファイル（３種類の断面プロファイル）に基づき算出されたΔＨが、更に、平均される。これによって算出された値が、光学素子の領域Ｋの「表面凹凸の大きさ」たるΔＨとして定義される。
【００４４】
なお、光学素子１の領域Ｋの断面プロファイルを得るために選択される３つの縦断面は、光学素子１において表面凹凸が存在する互いに異なる位置に選択される。
【００４５】
光学素子１の領域Ｋにおける表面凹凸の測定にあたり、位置Ｇは、Ｈ１、Ｈ２を定めるための便宜上の基準となる位置として選択された位置であり、物理的にＨ１、Ｈ２を測定可能な位置であれば、光学素子の表面の位置であってもその表面から離れた位置であってもかまわない。位置Gの違いは、表面凹凸の大きさΔＨに影響をあたえない。
【００４６】
本発明の製造方法によって得られる光学素子１は、領域Ｋにおいて、表面凹凸の大きさΔＨが８０ｎｍ程度未満に抑えられる。また、より好ましい光学素子１として、表面凹凸の大きさΔＨが５０ｎｍ以下に抑えられたものを得ることができる。
【００４７】
ここで、光学素子１においては、光学素子の位相差層３の凸部９０と凹部９１とで位相差の差が１０ｎｍ程度以内に抑えられることが、位相差層の「予定された位相差量の大きさ」からの誤差が過剰に大きくならず、好ましい。
【００４８】
そこで、ΔＨが２００ｎｍの場合、位相差の差を１０ｎｍ以下に抑えるためには、Δｎが０．０５以下の液晶化合物しか、位相差層を構成する液晶化合物として好ましく使用することができなくなる。ΔHが１２０ｎｍの場合は、同様にΔｎが０．０８以下の液晶化合物しか使用できない。これに対し、本発明では、ΔＨを８０ｎｍ未満に抑えられるため、Δｎが０．１２５程度以下の液晶化合物であれば使用可能である。また、本発明では、ΔHを５０ｎｍ以下に抑制できるため、Δｎが０．２０以下の液晶化合物が使用可能となり、位相差層を構成する液晶化合物の選択肢が増大する。
【００４９】
光学素子１の領域ＫにおけるΔHが抑えられることに伴う他の効果として、次のようなことが挙げられる。光学素子が、領域Ｋにおいて予定していない過剰に大きな凹凸が存在するものである場合、そのような光学素子が組み込まれた液晶表示装置では、駆動用液晶の配向に悪影響が生じる虞がある。つまり、液晶表示装置において駆動用液晶の配向状態が予定されない状態となってしまい、それが液晶表示装置のコントラストを低下させてしまうという虞がある。そこで、光学素子１は、領域ＫにおいてΔHがより抑えられたものであるほど、上記した虞が低減され、好ましい光学素子となる。
【００５０】
また、光学素子１を組み込んだ液晶表示装置では、透明導電膜と駆動用液晶層の間の位相差層が、駆動用液晶を駆動させるための電界を弱める。この点でも、光学素子１は、領域ＫにおいてΔHがより抑えられたものであるほど好ましい。
【００５１】
なお、光学素子１を組み込んだ液晶表示装置は、透明導電膜と駆動用液晶層の間に位相差層を形成する液晶表示装置となっている。そして、この液晶表示装置は、「透明導電膜と駆動用液晶層の間に位相差層を形成しない液晶表示装置と比べて、位相差層を形成した領域に対面する駆動用液晶層の部分のセルギャップを大きくしてなる構成」を備えることが好ましい。ただし、この比較は、光学素子１を組み込んだ液晶表示装置の駆動用液晶層を構成する駆動用液晶のΔｎと、透明導電膜と駆動用液晶層の間に位相差層を形成しない液晶表示装置の駆動用液晶層を構成する駆動用液晶のΔｎが同じであることを前提とする。上記のようにセルギャップが定められると、液晶表示装置は、位相差層が駆動用液晶層の電界を弱めることを考慮した構成を備えることとなる。すなわち、セルギャップのみを異にする液晶表示装置について駆動用液晶層を通る光の位相差を比較した場合、駆動用液晶層に与えられる電界が弱められたとしても、セルギャップが大きい液晶表示装置は、セルギャップが小さい液晶表示装置よりも、駆動用液晶層を通る光に十分な位相差を与える。
【００５２】
「基材２について」
基材２を構成する材料は、光透過性を有するものであれば、特に限定されるものではない。例えば、基材２は、透明材料により形成されたものを適宜採用できる。基材２の光線透過率は、適宜選定可能である。基材２は、単層で構成されてなるものでも、複数種類の材料にて多層に構成されてなるものでもよい。
【００５３】
基材２は、光学的に等方性を有するように構成されていることが好ましい。基材２としては、ガラス基板などのガラス材の他、種々の材質からなる板状体を適宜選択できる。また、基材２は、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、トリアセチルセルロースなどからなるプラスチック基板であってもよいし、またさらにポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリプロプレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルケトンなどのフィルムを用いることもできる。これらのなかでも、基材２は無アルカリガラスであることが好ましい。また、基材２は、その剛性について特に限定されず、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板等の可撓性のない透明なリジットな部材、あるいは透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性を有する透明なフレキシブルな部材を用いることができる。
【００５４】
「透明導電膜５について」
透明導電膜５とは、透明な膜、且つ、導電性を有する膜を示す。ここに、「透明な膜」とは、例えばガラス上に製膜された膜の場合、ガラスについて測定された可視光線（波長４００〜７００（ｎｍ））の透過率（Ｒ１）に対して、ガラスと膜とを合わせた積層体について測定した透過率（Ｒ２）の比率（Ｒ２／Ｒ１）が０．６以上であることを示すものとする。また、「導電性を有する膜」とは、対象となる膜の抵抗率が10-3（Ω・cm）以下である場合を示すものとする。
【００５５】
透明導電膜５を構成する材料（導電材料）としては、ＩＴＯ、酸化アルミニウムや酸化ガリウムを添加された酸化亜鉛、酸化アンチモンやフッ素をドープされた酸化スズが挙げられるが、抵抗率の低さの点では、透明導電膜５を構成する導電材料がＩＴＯであることが好ましい。すなわち、透明導電膜５は、ＩＴＯを導電材料とする導電膜組成物からなるＩＴＯ膜であることが好ましい。
【００５６】
「透明導電膜形成工程」
透明導電膜５を形成する工程（透明導電膜形成工程）は、導電材料を含む導電膜組成物を用い、従前より公知な方法を適宜用いて実施することができる。具体的には、透明導電膜形成工程には、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、塗布法（ディツプコーティング法、スプレー法、スピンコーティング法など）、クラスタービーム法、ＰＬＤ法（Pulsed Laser Deposition法）などを用いることができる。
【００５７】
透明導電膜形成工程においては、透明導電膜５が、平面視上、所定のパターンにて形成されてもよい。この場合、透明導電膜５は、基板２の面内方向の所定の領域であって所定のパターンに応じて定められる領域に、形成される。なお、透明導電膜５が所定のパターンにて形成される場合、そのパターンとしては、ストライプ状のパターン、格子状のパターン、多角形の領域でなる透明導電膜５のユニットを多数配置してなるパターン、などを挙げることができる。
【００５８】
透明導電膜５のパターン形成は、レジストを用いた方法などにより形成可能である。具体的には、透明導電膜５のパターン形成は、例えば、次のように形成可能である。導電膜組成物が所定の面に一面にスパッタリングされて、透明導電膜が形成される。このとき、透明導電膜の形成領域は、透明導電膜５の形成を予定される領域よりも広範囲の領域にわたる。次に、透明導電膜を覆うようにレジストが塗布されてレジスト膜が形成される。これとは別に、所定のパターンにて開口部を形成したマスクが準備される。そして、そのマスクを介してレジスト膜に向けて活性放射線が照射されて、レジスト膜に硬化部と非硬化部が形成される。レジスト膜のうち非硬化部にあたる部分は現像処理により取り除かれる。これにより、透明導電膜のうち、透明導電膜５の形成を予定される部分に対応する部分がレジスト膜に覆われる。そして、透明導電膜のうちレジスト膜に覆われていない部分がエッチングされる。エッチングの後、透明導電膜５の形成を予定される部分に対応する部分に形成されたレジスト膜が取り除かれる。このとき、透明導電膜のうち、透明導電膜５の形成を予定される部分に対応する部分は、除去されず、所定の面上に残される。こうして、透明導電膜５がパターン形成される。すなわち、パターン形成されていない透明導電膜から、パターン形成された透明導電膜が形成される。
【００５９】
「位相差層３について」
位相差層３は、液晶化合物を含む液晶組成物にてなる層であり、液晶化合物をなす液晶分子を所定の方向に規則的に配向させてなる層構造を備える。位相差層３を構成する液晶化合物の配向は、具体的には、例えば、光学素子１を組み込む液晶表示装置の構成に応じて定められる位相差層３の光学機能に応じて、ホモジニアス配向（水平配向）、ホメオトロピック配向（垂直配向）、ツイスト配向、ハイブリッド配向、ベンド配向などから適宜選択される。なお、位相差層３が、液晶化合物をホモジニアス配向してなる構造にて構成される場合、位相差層３は、いわゆる正のＡプレートとしての光学機能を有する層をなし、また、位相差層３が、ホメオトロピック配向した液晶化合物にて構成される場合では、正のCプレートとしての光学機能を有する層をなす。
【００６０】
なお、位相差層３の厚さ方向に法線（Ｈ）を有する平面（Ｓ）を想定し、法線Ｈに平行してｚ軸、平面Ｓの面内方向に互いに直交するｘ軸とｙ軸とを想定して、ｘ軸とｙ軸とｚ軸とで張られる３次元空間を想定した場合にあって、位相差層３のｘ軸、ｙ軸、z軸方向の屈折率を、それぞれＮｘ、Ｎｙ、Ｎｚとした場合に、位相差層３が正のＡプレートである場合とは、Ｎｘ＞Ｎｙ＝Ｎｚ、もしくはＮｙ＞Ｎｘ＝Ｎｚである場合を示し、位相差層が正のＣプレートである場合とは、Ｎｘ＝Ｎｙ＜Ｎｚである場合を示すものとする。
【００６１】
位相差層３を構成する液晶化合物としては、重合性官能基を有する重合性液晶化合物や、高分子液晶化合物等を適宜用いることができる。さらに、位相差層３を構成する液晶化合物としては、ネマチック規則性、スメクチック規則性を有する液晶相を形成し得る液晶化合物であれば特に限定されるものではないが、ネマチック規則性を有する液晶化合物（ネマチック液晶化合物）を好適に使用できる。位相差層３を構成する液晶としてネマチック規則性を有する液晶化合物が選択される場合、ネマチック規則性を有する液晶化合物の中でも、液晶化合物を構成する液晶分子の分子構造中に２つ以上の重合性基を有するネマチック液晶化合物が、好適に使用されることができる。より具体的に、そのようなネマチック液晶化合物として、特表平１１−５１３０１９号公報に開示されているような重合性液晶化合物を使用することができる。
【００６２】
なお、位相差層３を構成する液晶化合物としては、「液晶化合物をなす液晶分子が重合性液晶化合物のモノマー分子であるもの」、「液晶化合物をなす液晶分子が重合性液晶化合物のオリゴマー分子であるもの」、「液晶化合物をなす液晶分子が重合性液晶化合物のポリマー分子であるもの」等が、それぞれ単体で用いられてよい。また、これらの二種以上を混合してなるものが、位相差層３を構成する液晶化合物として採用されてもよい。
【００６３】
位相差層３を構成する重合性液晶化合物としては、重合性液晶化合物をなす液晶分子の分子構造中に不飽和二重結合を重合性官能基として有するものが好ましく、分子構造の両末端に不飽和二重結合を有するもの（不飽和二重結合を２以上有するもの）がより好ましい。
【００６４】
位相差層３を構成する重合性液晶化合物は、棒状の分子構造を有する棒状重合性液晶化合物、あるいは円盤状の分子構造を有する重合性液晶化合物、所謂ディスコティック重合性液晶化合物を用いることができる。特に、位相差層３を構成する重合性液晶化合物としては、棒状重合性液晶化合物を好ましく用いることができる。
【００６５】
位相差層３を構成する重合性液晶化合物は、架橋重合性を有する液晶化合物をあげることができ、架橋重合性を有するネマチック液晶化合物（架橋性ネマチック液晶化合物）などを好ましい液晶化合物としてあげることができる。架橋性ネマチック液晶化合物としては、例えば、１分子中に（メタ）アクリロイル基、エポキシ基、オキタセン基、イソシアネート基等の重合性基を少なくとも１個有するモノマー、オリゴマー、ポリマー等が挙げられる。また、このような架橋性液晶化合物として、より具体的には、下記化１〜１２で表される化合物のうちの１種または複数種を混合して用いることができる。
【００６６】
【化１】
2010032591.tif 000003
【００６７】
（式（１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ水素又はメチル基を示し、Ｘは水素、塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜４のアルキル基、メトキシ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、ａ及びｂは、それぞれ個別に２〜１２の整数を表す。）
【００６８】
【化２】
2010032591.tif 000004
【００６９】
【化３】
2010032591.tif 000005
【００７０】
【化４】
2010032591.tif 000006
【００７１】
【化５】
2010032591.tif 000007
【００７２】
【化６】
2010032591.tif 000008
【００７３】
【化７】
2010032591.tif 000009
【００７４】
【化８】
2010032591.tif 000010
【００７５】
【化９】
2010032591.tif 000011
【００７６】
【化１０】
2010032591.tif 000012
【００７７】
【化１１】
2010032591.tif 000013
【００７８】
【化１２】
2010032591.tif 000014
【００７９】
位相差層３は、その位相差層３に入射される光に位相差を生じさせるものである。したがって、光が所定の方向に位相差層３を通過すると、常光と異常光の間に所定の位相差が生じる。ここに位相差は、リタデーション量により決定される。リタデーション量は、位相差層３の複屈折率（Δｎ）と膜厚（ｄ）との積により定められる。位相差層３は、光に位相差を生じさせるものであるので、屈折率異方性を有する（Δｎがゼロでない）ように形成される。ところで、屈折率異方性を示すΔｎは、位相差層３を構成する液晶化合物や位相差層３の下地をなす面の配向規制力に応じて様々に異なる値をとる。位相差層３は、位相差層３を構成する液晶化合物の配向する方向（主軸（遅相軸もしくは進相軸）の方向）に対して平行な面を想定するとともに、その面内に、液晶化合物の主軸方向に対して直角なＸ軸と、主軸方向に対して平行なＹ軸とを仮定した場合に、位相差層１２を構成する液晶化合物は、液晶化合物のＸ軸方向の屈折率ｎXとＹ軸方向の屈折率ｎYとの差（Δｎ＝｜ｎX−ｎY｜）が０．０３〜０．２０程度であることが好ましく、０．０５〜０．１５程度であることがより好ましい。
【００８０】
Δｎが０．０３未満である場合、位相差層３が所望のリタデーション量を光に生じさせるものになるために、位相差３の膜厚が過剰に厚くなってしまう虞がある。位相差層３の厚みが過剰に厚くなると、位相差層３を構成する液晶化合物の配向に乱れが生じる虞が大きくなる。一方、Δｎが０．２０を超える場合、位相差層３が所望のリタデーション量を光に生じさせものになるために、位相差層３の膜厚が過剰に薄くなってしまう虞がある。位相差層３の膜厚が過剰に薄い場合、所定の厚みを有する位相差層３を得るために位相差層３をなす膜の厚みを制御することが困難になる。
【００８１】
複屈折率の測定は、次のように、位相差層３のリタデーション値と膜厚を測定することにより算出できる。まず、リタデーション値は、ＲＥＴＳ−１２５０ＶＡ（大塚電子社製）等の市販の光学材料検査装置を測定装置として用いて測定できる。リタデーション値を測定される光（測定光）の波長は、可視領域（３８０〜７８０ｎｍ、測定装置の制約によっては４００〜８００ｎｍ）であることが好ましく、特に、比視感度の最も大きい５５０ｎｍ付近で測定することがより好ましい。
【００８２】
位相差層３の膜厚は、触針式段差計等を用いて測定することができ、ＤＥＫＴＡＫ（Ｓｌｏａｎ社製）等の市販の測定機器を好適に使用できる。なお、これらの測定機器は、位相差層３のみならず、光学素子１を構成する各層各部の膜厚を測定するために使用することができるものである。
【００８３】
「位相差層形成工程」
位相差層３を形成する工程（位相差層形成工程）は、次のように行われる。まず、液晶化合物を含む液晶組成物が調製される。次に、液晶組成物が所定の面（光学素子１を構成する基材２などの「部材や層」における所定の面）上に塗布される。このとき、その所定の面上に、液晶塗布膜が形成される。つぎに、液晶塗布膜に含まれる液晶化合物は、所定の方向に配向される。さらに、液晶塗布膜に含まれる液晶化合物を所定の方向に配向してなる状態が維持されつつ、液晶塗布膜に含まれる液晶化合物をなす重合性液晶分子が重合される。これにより、液晶塗布膜が硬化し、その液晶塗布膜が位相差層３となる。
【００８４】
＜位相差層３の形成の際に用いられる液晶組成物＞
位相差層３が形成されるにあたり、液晶組成物にて液晶塗布膜が作製される。液晶塗布膜の作製の際に用いられる液晶組成物は、重合性液晶化合物を含む組成物として構成される。この重合性液晶化合物は、上記したような位相差層３を構成する液晶化合物として使用可能な液晶化合物である。
【００８５】
位相差層３を形成するための液晶組成物においては、重合性液晶化合物の他に、光重合開始剤が含まれることが好ましい。光重合開始剤としては、ラジカル重合性開始剤を好適に使用できる。ラジカル重合性開始剤は、紫外線等のエネルギーによりフリーラジカルを発生するものであり、例えば、ベンジル（ビベンゾイルとも言う）、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルサルファイド、ベンジルメチルケタール、ジメチルアミノメチルベンゾエート、２−ｎ−ブトキシエチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、メチロベンゾイルフォーメート、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−２ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１フェニルプロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン等が挙げることができる。本発明においては、市販の光重合開始剤を使用することもでき、例えば、イルガキュア１８４、イルガキュア３６９、イルガキュア６５１、イルガキュア９０７（いずれも、チバ・スペシャリティー・ケミカルズ社製）、ダロキュアー（メルク社製）、アデカ１７１７（旭電化工業株式会社製）等のケトン系化合物や、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，５，４’−テトラフェニル−１，２’ビイミダゾール（黒金化成株式会社製）等のビイミダゾール系化合物を好適に使用できる。
【００８６】
光重合開始剤は、重合性液晶化合物の配向性を大きく損なわない範囲で添加することが好ましい。光重合開始剤の添加量としては、一般的には重合性液晶化合物に対して０．０１〜１５質量％、好ましくは０．１〜１２質量％、より好ましくは、０．５〜１０質量％の範囲で液晶組成物に添加することができる。
【００８７】
なお、位相差層３を形成するための液晶組成物には、光重合開始剤の他に増感剤が、本発明の目的が損なわれない範囲で添加されてよい。
【００８８】
また、位相差層３を形成するための液晶組成物は、更に熱重合開始剤を含んでなることが好ましい。重合性液晶化合物の重合反応は、加熱によっても進行可能な反応であるが、液晶組成物が熱重合開始剤を含有していることにより、等方相の状態にある重合性液晶を効率的に重合させて硬化することができる。このとき、位相差層３の形成を予定される下地面の領域から外れた領域（予定外領域）に液晶塗布膜が形成されてしまった場合に、液晶相の液晶化合物を含む位相差層３がその予定外領域に形成されないようにすることができる。すなわち、液晶塗布膜の部分に含まれる重合性液晶化合物が等方相の状態になされ、その状態にて重合性液晶化合物が重合される。
【００８９】
熱重合開始剤としては、ラジカル重合性開始剤を好適に使用できる。例えば、２，２’−アゾビスイソブチルニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、１，１’−アゾビス−１−シクロヘキシルニトリル、ジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレート、４，４’−アゾビス−４−シアノバレル酸、１，１’−アゾビス（１−アセトキシ−１−フェニルエタン）等のアゾ化合物、ベンゾイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド、１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン等の有機過酸化物、を挙げることができる。
【００９０】
熱重合開始剤は、重合性液晶化合物の配向性を大きく損なわない範囲で添加することが好ましい。熱重合開始剤の添加量としては、一般的には液晶化合物に対し０．０１〜１５質量％、好ましくは０．１〜１２質量％、より好ましくは、０．５〜１０質量％の範囲で液晶組成物に添加することができる。
【００９１】
位相差層３を形成するための液晶組成物は、界面活性剤を含有するものであることが好ましい。液晶組成物が界面活性剤を含有することにより、液晶塗布膜において気体に対して接触する面（気体界面、露出面）で、液晶化合物の配向に乱れが生じる虞を抑制できる。具体的には、空気雰囲気下にて液晶塗布膜を形成する場合には、液晶塗布膜の空気界面での液晶化合物の配向を制御することができる。
【００９２】
界面活性剤として使用可能なものは、重合性液晶化合物が液晶相をなすことを損なうものでなければ、特に限定されることはない。例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル、ポリオキシエチレン誘導体、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロック重合体、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン等の非イオン性界面活性剤、脂肪酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸塩、アルキルリン酸塩、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル塩、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、特殊ポリカルボン酸型高分子界面活性剤、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル等の陰イオン性界面活性剤等が挙げられる。
【００９３】
界面活性剤の添加量としては、一般的には液晶化合物に対して０．０１〜１質量％、好ましくは０．０５〜０．５質量％の範囲で、液晶組成物に添加することができる。
【００９４】
位相差層３を形成するための液晶組成物には、液晶化合物を含む非液体の組成物、および、その非液体の組成物を所定の溶媒に添加して溶解してなる液体もしくは懸濁してなる液体の組成物（液晶組成液）の両者が含まれる。
【００９５】
液晶組成物を下地面に塗布する工程を経由して位相差層３が作製される際、液晶組成物として、液晶組成液が用いられる。
【００９６】
液晶組成液を構成する溶媒としては、液晶組成物を構成する各成分（重合性液晶化合物、および、重合性液晶化合物以外の各成分）を溶解できるものであれば特に限定されるものではなく、有機溶媒を好適に使用できる。有機溶媒としては、酢酸３−メトキシブチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン等を1種類または２種類以上を混合してなるものを好適に使用できる。
【００９７】
なお、位相差層３に求められる光学機能がいわゆる負のＣプレートとしての機能であり、それに応じて重合性液晶化合物に求められる配向がコレステリック配向である場合には、液晶組成物には、カイラル剤が含有されることが好ましい。液晶組成物がカイラル剤を含有する場合、液晶組成物にて形成される位相差層は、コレステリック配向した液晶化合物を有する層として形成される。
【００９８】
カイラル剤としては、例えば１つもしくは２つ以上の不斉炭素を有する化合物、キラルなアミン、キラルなスルフォキシド等のようにヘテロ原子上に不斉点がある化合物、またはクムレン、ビナフトール等の軸不斉を持つ化合物等が挙げられる。カイラル剤としては、少量でも液晶分子の配向に螺旋ピッチを誘発させる効果の大きなカイラル剤を選択することが好ましく、より具体的には、例えばＭｅｒｃｋ社製Ｓ−８１１等の市販のものを用いることができる。
【００９９】
＜液晶組成液の塗布＞
重合性液晶化合物を含む液晶組成液が調製されると、調製された液晶組成液が所定の面上に塗布される（塗布処理）。
【０１００】
調製された液晶組成液を所定の面上に塗布するにあたり、液晶組成液の塗布方法は、従前より公知な塗布方法を用いることができる。塗布方法としては、ダイコート、バーコート、スライドコート、ロールコート等といった各種印刷法やスピンコートなどの方法やこれらを組み合わせた方法を適宜用いることが具体的に例示できる。
【０１０１】
＜液晶組成液を塗布される面について＞
液晶組成液を塗布される「所定の面」は、光学素子１を構成する各種の「部材や層」の表面のうち、位相差層３の下地面となることを予定される面である。ところで、光学素子１では、所定の基材２が用いられており、その基材２に対して直接もしくは間接に位相差層３が形成される。位相差層３が基材２に対して直接形成される場合、位相差層３の下地面は基材２の面となる。位相差層３が基材２に対して間接に形成される場合、位相差層３の下地面は、基材２の面とは異なる所定の層の面、となる。本発明の製造方法で得られる光学素子１は、基材２に透明導電膜５を形成した後に位相差層３を形成してなる。このように透明導電膜５の面上に位相差層３が形成される場合、位相差層３の下地面は、透明導電膜５となっている。すなわち、位相差層３のうち透明導電膜５の面上に形成される領域については、位相差層３は基材２に対して間接に形成される。また、位相差層３の下地面は、「位相差層３を構成する液晶化合物を所定の方向に配向させる能力（配向能）」を備える面であることが好ましい。下地面がこのような面であることにより、位相差層３を構成する液晶化合物が所定の方向により一層配向しやすくなる。位相差層３の下地面が配向能を備える場合としては、具体的に、基材２と位相差層３との間の位置に、基材２と異なる所定の層をなす配向膜（図示せず）が形成され、配向膜の表面が位相差層３の下地面となる場合が挙げられる。配向膜は、その表面に、液晶化合物を配向させる配向能を付与する処理を施されている。したがって、配向膜の表面に、所定の方向に液晶化合物を配向させた位相差層３が容易に形成できる。なお、配向膜に液晶化合物を配向させる配向能を付与するための処理としては、形成された配向膜にラビングをするという処理や、配向膜に偏光を照射するという処理や、配向膜に斜め方向から露光するという処理があげられる。
【０１０２】
なお、配向膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等が通常使用される。そのほかにも、市販の配向膜が使用されてもよい。例えば、サンエバー（日産化学株式会社製）、ＱＬ及びＬＸシリーズ（日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社製）、ＡＬシリーズ（ＪＳＲ株式会社製）、リクソンアライナー（チッソ株式会社製）等の配向膜が、位相差層３の下地面を形成する層として用いられてもよい。
【０１０３】
また、配向膜にラビングをするという処理は、レーヨン、綿、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート等の材料から選択されるラビング布を金属ロールに巻きつけ、これを配向膜に接した状態で回転させるか、ロールを固定したまま基材２を搬送することにより、配向膜の表面をラビング布で摩擦する方法が通常用いられる。
【０１０４】
＜液晶塗布膜に含まれる重合性液晶化合物の配向処理＞
液晶組成液の塗布により、基材表面や配向膜表面などの所定の面（下地面）上に液晶塗布膜が形成される。液晶塗布膜には、その液晶塗布膜に含まれる重合性液晶化合物を配向させる処理（配向処理）が施される。
【０１０５】
配向処理としては、「液晶塗布膜を加熱して、液晶塗布膜の温度を、液晶塗布膜の中に含まれる液晶分子が液晶相となる温度（液晶相温度）以上、この液晶塗布膜中の液晶分子が等方相（液体相）となる温度未満にする」という処理が挙げられる。このとき液晶塗布膜の加熱手段は、特に限定されず、加熱雰囲気下におく手段でもよいし、赤外線で加熱する手段でもよい。位相差層３を正のＡプレートの光学機能を有する層とする場合、このような配向処理により、液晶塗布膜に含まれる液晶化合物をなす液晶分子は水平配向する。位相差層３を正のＣプレートの機能を有する層とする場合、配向処理により、液晶塗布膜に含まれる液晶化合物をなす液晶分子は垂直配向する。
【０１０６】
水平配向や垂直配向など所定の方向に液晶分子を配向させる方法としては、上記方法による他、液晶塗布膜に含まれる液晶分子の種類やこの液晶塗布膜の状態に応じ、液晶塗布膜を減圧乾燥する方法によっても実現可能であり、また、液晶塗布膜に対して所定方向から電場や磁場を負荷する方法によっても実現可能である。
【０１０７】
なお、上記塗布処理と配向処理の間には、適宜、液晶塗布膜に残存する溶媒を留去する処理（留去処理）が実施されてよい。この留去処理は、例えば、液晶塗布膜が低圧下に置かれることで、実施可能である。
【０１０８】
＜液晶塗布膜に含まれる重合性液晶化合物の重合処理＞
配向処理の後、液晶塗布膜に含まれる液晶化合物が重合される（重合処理）。重合処理の際、液晶塗布膜に含まれる液晶分子を所定の方向に配向させた状態が維持される。
【０１０９】
重合性液晶化合物の重合反応は、液晶組成物中に添加された光重合開始剤の感光波長の光（具体的には例えば紫外線）などの活性放射線（液晶化合物もしくは光重合開始剤の反応性官能基を励起するエネルギー線）を、液晶相の状態になっている液晶化合物を含有している液晶塗布膜に向けて、その液晶塗布膜全面に照射することで進行する。このとき、液晶塗布膜に照射する光の波長は、この液晶塗布膜中に含まれている光重合開始剤の種類に応じて適宜選択される。なお、液晶塗布膜に照射する光は、単色光に限らず、光重合開始剤の感光波長を含む一定の波長域を持った光であってもよい。
【０１１０】
液晶塗布膜に含まれる重合性液晶化合物が重合されることにより、液晶塗布膜が位相差層３となる。
【０１１１】
「所定のパターンにて形成された位相差層３について」
位相差層形成工程では、位相差層３が、平面視上、所定のパターンにて形成（パターン形成）されていてもよい。このとき、位相差層３は、基材２の面内方向に、その所定のパターンに応じた領域に形成される。
【０１１２】
なお、位相差層３のパターンは次のようなものであってもよい。例えば、位相差層３は、位相差層３の形成を予定される面の平面視上、ストライプ状のパターンや、マトリックス状のパターンにて形成されてよい。
【０１１３】
発明においては、位相差層３が所定のパターンにてパターン形成される場合、光学素子の平面視上、位相差層３の形成領域の少なくとも一部の領域が透明導電膜５の形成領域に対して重なり合わないように、位相差層３をパターン形成することができる。その場合、透明導電膜５の一部の領域は位相差層３に覆われず、光学素子１は、透明導電膜５の表面の少なくとも一部を露出させた状態を形成可能となる。そのような光学素子１によれば、光学素子１を組み込んだ液晶表示装置について駆動用液晶を駆動するために駆動用液晶層に印加されるべき電圧（駆動電圧）の大きさを、光学素子が透明導電膜の全面を覆って位相差層を形成している場合の駆動電圧よりも、低く抑えることが可能となる。
【０１１４】
パターン形成された位相差層３は、次のように、液晶塗布膜に重合処理が実施されることによって、作製されうる。なお、この重合処理は、液晶塗布膜に対して、上記に説明した配向処理と同じ配向処理が実施され、さらに必要に応じて上記に説明した留去処理と同じ留去処理が実施された後に実施される。
【０１１５】
＜重合性液晶化合物の重合処理＞
位相差層３をパターン形成するための重合処理は、液晶塗布膜に向けて、紫外線などの活性放射線を照射されることで実施される。ただし、この重合処理では、活性放射線は、位相差層３を形成しようとする部分に対応した所定のパターンにてパターン形成されたフォトマスクを介して、液晶塗布膜に照射される。これにより、液晶塗布膜における活性放射線の被照射部分に含まれる重合性液晶化合物の重合反応が進み、液晶塗布膜において活性放射線が照射されなかった部分では重合性液晶化合物の重合反応が進まない（部分的重合処理）。部分的重合処理により活性放射線の被照射部分に含まれる重合性液晶化合物の重合反応が完了した後、液晶塗布膜における活性放射線が照射されなかった部分の液晶組成液が除去される。この除去は、有機溶剤などによる現像処理によって実現できる。
【０１１６】
現像処理は、例えば次のように実施される。重合性液晶化合物の重合処理の際にフォトマスクを用いた部分的重合処理が実施された後、液晶塗布膜を形成した基材２は、該基材全体を所定の溶液内に浸漬される。ここに、基材２を浸漬する「所定の溶液」とは、液晶分子の重合反応が不十分で未硬化な状態にある液晶組成物を溶解可能な溶液を示す。これにより、液晶塗布膜において重合性液晶化合物の重合反応が進まなかった部分は、基材２から取り除かれる。
【０１１７】
こうして、液晶相の重合性液晶化合物の重合構造を形成してなる層が、基材２の表面などの下地面上に、所定のパターンで形成される（パターニングされる）。このとき、液晶塗布膜のうち活性放射線の被照射部分が位相差層３となる。このように、重合処理が、フォトマスクを介した活性放射線の照射と現像処理を用いた方法（フォトリソグラフィー法）にて実施されることにより、パターン形成された位相差層３が作製される。
【０１１８】
光学素子１が、パターン形成された位相差層３を備えるものである場合、半透過半反射型液晶表示装置に組み込み可能な光学素子１を得ることができる。図２、３に示すように、光学素子１において、例えば、平面視上、半透過半反射型液晶表示装置の反射部に対応する位置となることを予定された領域（反射部領域２００）を覆って且つ透過部に対応する位置となることを予定された領域（透過部領域２０１）を覆わないように、位相差層３が備えられる。このとき、位相差層３の厚みを透過部と反射部との間に求められる所定の段差の大きさに対応する値とするように、位相差層３が形成される。こうすることで、光学素子１は、半透過半反射型液晶表示装置に組み込み可能なものとなる。
【０１１９】
なお、位相差層３をパターン形成するための重合処理は、次のように実施されてもよい。液晶塗布膜が液晶相を示す状態で、光重合開始剤の感光波長の光などの活性放射線が、フォトマスクを介して、液晶塗布膜に照射される（露光される）。フォトマスクは、位相差層３のパターンに対応した所定のパターンにて光を通過させる領域を形成している。この露光の際、重合性液晶化合物の重合反応が、液晶塗布膜における活性放射線の被照射部分にて進行する（部分的重合処理）。部分的重合処理により重合反応が進行した後、重合性液晶化合物が等方相となる温度（Ｔi）まで液晶塗布膜が加熱される。この後の処理について、次の第１の方法や第２の方法が実施される。
【０１２０】
第１の方法では、液晶塗布膜がその状態でさらに感光波長の光などの活性放射線を全体に照射される。これにより、液晶塗布膜に含まれる未重合の状態にある重合性液晶化合物の重合反応が進行される。
【０１２１】
第２の方法では、液晶塗布膜を温度Ｔｉまで加熱した後、さらに液晶塗布膜の温度をＴｉ以上の所定の温度まで加熱する。このとき、液晶塗布膜に含まれる未重合の状態にある重合性液晶化合物の熱重合が行われる。こうして、液晶塗布膜に含まれる重合性液晶化合物の重合反応が所定の重合度に至るまで進められる。
【０１２２】
そのほか、位相差層３を所定の部分にパターン形成する方法としては、「液晶組成物を、従前より公知な印刷方法を用いて所定の部分に塗布することで、液晶塗布膜を成膜する成膜工程」と、「液晶塗布膜に含まれる重合性液晶を所定の方向に配向させる配向工程」と、「重合性液晶を重合反応させることで液晶塗布膜を硬化させて液晶塗布膜を位相差層となす重合工程」とでなる方法（印刷法）を挙げることができる。
【０１２３】
＜第２の実施形態について＞
本発明の製造方法は、第１の実施形態の製造方法を構成する工程に加えて、柱状体４を形成する工程（柱状体形成工程）備えてもよい（第２の実施形態）。
【０１２４】
本発明の第２の実施形態は、基材２に対して直接もしくは間接に位相差層３を形成する位相差層形成工程と、基材２に対して直接もしくは間接に透明導電膜５を形成する透明導電膜形成工程と、基材２に対して直接もしくは間接に柱状体４を形成する柱状体形成工程とを備える。そして、この製造方法では、透明導電膜形成工程が行われた後、位相差層形成工程が行われる。
【０１２５】
本発明の第２の実施形態で得られる光学素子１としては、図１（Ｂ）、（Ｃ）、図８（Ａ）、に示すように、基材２に対して、位相差層３と、透明導電膜５と、柱状体４とを形成したものがあげられる。
【０１２６】
「柱状体について」
第２の実施形態では、柱状体形成工程にて、柱状体４が形成される。柱状体４は、形状を特に限定されるものではないが、製造容易な形状であるという理由で、円柱状に形成されている。柱状体４は、光学素子１の平面視上所定の位置に所定のパターンにて、多数配置されている。柱状体４は、その基端部を位相差層３の表面上の位置とするように形成されていてよく、また、柱状体４の基端部を位相差層３と透明導電膜５の間の位置とするように形成されていてもよい（図１（Ｂ）、図８（Ａ））。
【０１２７】
柱状体４は、樹脂材料を含む樹脂組成物（柱状体形成用樹脂組成物）にて形成され、好ましくは光硬化性樹脂を含む樹脂組成物にて形成される。柱状体４を構成する光硬化性樹脂は、特に限定されるものではないが、屈折率異方性を有しない透明な樹脂材料が好ましく用いられ、特に、透明な有機材料で形成されたものが好ましく用いられる。柱状体４を構成する有機材料としては、耐圧性、耐熱性に優れる点で、紫外線硬化型樹脂が好ましく用いられる。柱状体４を構成する樹脂材料として紫外線硬化性樹脂が用いられる場合、紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ポリエステルアクリレート、ポリエステルメタクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリスチリルメタクリレート、ポリエーテルメタアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート（特に、それぞれビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型の骨格を有するエポキシアクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシアクリレート）、ポリカーボネート、ポリブタジエンアクリレート、シリコーンアクリレート、メラミンアクリレート等の多官能オリゴマーであって官能基の数が１〜１０のもの等が具体的に挙げられる。また、紫外線硬化性樹脂としては、２−エチルヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、１，６−ヘキサンジオールアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート等の単官能モノマー及び多官能モノマーも好ましいものとして挙げられる。
【０１２８】
第２の実施形態の製造方法によって得られる光学素子１においては、柱状体４は、平面視上、基材２の面内方向に柱状体４の設置を予定された所定の領域（柱状体設置予定領域）として特定される位置に形成される。柱状体設置予定領域は、光学素子１を組み込む液晶表示装置の設計に応じて適宜設定される。柱状体設置予定領域は、通常、「液晶表示装置において平面視上隣り合う画素間の隙間にあたる領域」内の所定の領域に、設定される。
【０１２９】
「柱状体形成工程」
第２の実施形態では、次のように柱状体４が形成される（柱状体形成工程）。
【０１３０】
柱状体４は、次のように、フォトリソグラフィー法を用いて形成されることができる。まず、柱状体形成用樹脂組成物が調製される。柱状体形成用樹脂組成物が所定の面上に塗布され、これにより塗布膜（柱状体形成用塗布膜）が形成される。例えば、柱状体形成用樹脂組成物が位相差層３の外部露出表面上に塗布されて、位相差層３上に柱状体形成用塗布膜が形成される。次に、柱状体設置予定領域に対応するパターンにてパターン形成されたフォトマスクが準備される。そのフォトマスクを介して柱状体形成用塗布膜に向けて、紫外線などの活性放射線が照射される。活性放射線の被照射部分では、柱状体形成用塗布膜が硬化する。活性放射線が照射されなかった部分では、柱状体形成用塗布膜の硬化が進まない。柱状体形成用塗布膜における活性放射線が照射されなかった部分は、現像処理により取り除かされる。こうして、柱状体設置予定領域に、柱状体形成用塗布膜の硬化物が形成される。この硬化物が柱状体４に相当する。
【０１３１】
なお、本発明の第２の実施形態では、基材２に対して位相差層３、透明導電膜５をそれぞれ形成する工程（位相差層形成工程、透明導電膜形成工程）は、それぞれ第１の実施形態における位相差層形成工程、透明導電膜形成工程と同じである。また第２の実施形態においては、第１の実施形態と同様に、位相差層３や透明導電膜５は、パターン形成されていてもよい。第２の実施形態において位相差層３や透明導電膜５がパターン形成される場合、位相差層３や透明導電膜５のパターン形成方法としては、それぞれ第１の実施形態における位相差層３や透明導電膜５のパターン形成方法と同じ方法が採用される。
【０１３２】
また、第２の実施形態においては、光学素子１を構成する基材２、位相差層３、透明導電膜５の個々の構造および個々の材料は、それぞれ第１の実施形態において光学素子１を構成する基材２、位相差層３、透明導電膜５の個々の構造、材料と同じである。
【０１３３】
＜第３の実施形態について＞
第１の実施形態、第２の実施形態は、基材に対して直接もしくは間接に、突起を基材の面内方向に所定のパターンにて設けられる工程（突起形成工程）を備えていてもよい（第３の実施形態）。
【０１３４】
第３の実施形態によれば、突起６を備える光学素子１が形成される（図１（Ｃ）、図８（Ｂ））。なお、図１（Ｃ）、図８（Ｂ）には、第３の実施形態の製造方法により得られる光学素子１における実施例の１つが、示されている。
【０１３５】
本発明の第３の実施形態は、基材２に対して直接もしくは間接に位相差層３を形成する位相差層形成工程と、基材２に対して直接もしくは間接に透明導電膜５を形成する透明導電膜形成工程と、基材２に対して直接もしくは間接に柱状体４を形成する柱状体形成工程と、突起形成工程を備える。そして、この製造方法について、図１（Ｃ）の光学素子が製造される場合を例にとると、透明導電膜形成工程が行われた後、位相差層形成工程が行われ、その後、柱状体形成工程と突起形成工程が順次もしくは同時に行われる。
【０１３６】
突起６は、樹脂組成物（ここでは突起形成用樹脂組成物）からなる。この突起６は、光学素子１を組み込んだ液晶表示装置において、液晶表示装置の駆動用液晶層に含まれる駆動用液晶の配向を制御することを目的として設けられる構造体である。したがって、突起６を構成する樹脂組成物は、屈折率異方性を有しない光透過性を有する樹脂材料であれば、この目的を達成することが可能な範囲で特に限定されない。突起６を構成する突起形成用樹脂組成物は、光硬化性樹脂を含む樹脂組成物を挙げることができる。突起形成用樹脂組成物に含まれることの可能な光硬化性樹脂は、柱状体４を構成する光硬化性樹脂の範囲と同じ範囲に属する材料から、適宜選択されてよい。その他にも、突起６は、具体的に、ポジレジストにより形成されてもよい。
【０１３７】
突起６が、ポジレジストにて形成される場合、ポジレジストとしては、エネルギーの照射によって分解等を生じて現像液溶解性が高くなる性質を有するものが用いられる。具体的には、ポジレジストとしては、ナフトキノンジアジド、ベンゾキノンジアジドなどのキノンジアジド類や、ジアゾメルドラム酸、ジアゾジメドン、３−ジアゾ−２，４−ジオンなどのジアゾ化合物や、ｏ−ニトロベンジルエステル、オニウム塩、オニウム塩とポリフタルアルデヒド、コリン酸ｔ−ブチルの混合物と、ＯＨ基を持ちアルカリに可溶なハイドロキノン、フロログルシン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンなどのモノマーや、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂などのノボラック樹脂、スチレンとマレイン酸、マレイミドの共重合物、フェノール系とメタクリル酸、スチレン、アクリロニトリルの共重合物などのポリマーの混合物もしくは縮合物、あるいはポリメチルメタクリレート、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸ヘキサフルオロブチル、ポリメタクリル酸ジメチルテトラフルオロプロピル、ポリメタクリル酸トリクロロエチル、メタクリル酸メチル−アクリルニトリル共重合体、ポリメチルイソプロペニルケトン、ポリα−シアノアクリレート、ポリトリフルオロエチル−α−クロロアクリレートなどを挙げることができる。これらの中でも汎用性の面から、ポジレジストとしては、ノボラック樹脂を主成分とする混合・縮合物が好ましく用いられる。
【０１３８】
突起６の個々の形状、大きさ、形成位置は、光学素子１の用途に応じて適宜設定される。したがって、光学素子１において、突起６の形成パターンは適宜設定される。
【０１３９】
光学素子１において、突起６は、平面視上、基材２の面内方向に突起６の設置を予定された所定の領域（突起設置予定領域）に形成される。突起設置予定領域は、平面視上、柱状体設置予定領域とは重なり合わない領域に定められる。また、突起設置予定領域は、光学素子１を組み込む液晶表示装置の設計に応じて適宜設定される。
【０１４０】
突起６の形状や大きさは、適宜設定される。例えば、ＶＡ方式の液晶表示装置に組み込まれる光学素子１では、突起６の形状は、通常は、半楕円球状や錐体状の形状に形成される。また、突起６の大きさは、突起６の先端が柱状体４の先端よりも突出した位置にならないような大きさにて形成される。したがって、突起６の基端部から先端部までの高さは、柱状体４の基端部から先端部までの高さよりも小さい。突起は、その高さが０．５〜２．０μm程度となるように形成される。
【０１４１】
「突起形成工程」
突起６は次のように形成される（突起形成工程）。突起６が光硬化性樹脂を含む樹脂組成物にて形成される場合、突起形成工程では、次のように、フォトリソグラフィー法を用いて突起６の形成が行われる。まず、突起形成用樹脂組成物が調製される。突起形成用樹脂組成物が所定の面上に塗布され、これにより塗布膜（突起形成用塗布膜）が形成される。例えば、突起形成用樹脂組成物が位相差層３の外部露出表面上に塗布されて、位相差層３上に突起形成用塗布膜が形成される。次に、突起設置予定領域に対応するパターンにてパターン形成されたフォトマスクが準備される。そのフォトマスクを介して突起形成用塗布膜に向けて、紫外線などの活性放射線が照射される。活性放射線の被照射部位では、突起形成用塗布膜が硬化する。活性放射線が照射されなかった部位では、突起形成用塗布膜の硬化が進まない。突起形成用塗布膜における活性放射線が照射されなかった部位は、現像処理により取り除かされる。こうして、突起設置予定領域に、突起形成用塗布膜の硬化物が形成される。この硬化物が突起６に相当する。
【０１４２】
第３の実施形態では、柱状体形成工程と突起形成工程とが別々の工程として実施されてなるものであるのみならず、この２つの工程が同時に実施されてなるものであってもよい。これは、「柱状体４と突起６とが、同一の樹脂組成物にて構成され、且つ、柱状体４と突起６が、フォトリソグラフィー法を用いて形成される」ことで、具体的に実現できる。ただし、この場合、柱状体４と突起６の形成領域が、平面視上、重なり合わない。
【０１４３】
「柱状体形成工程と突起形成工程の同時実施」
まず、柱状体形成用樹脂組成物と突起形成用樹脂組成物を兼ねる樹脂組成物（樹脂組成物Ｑ）が調製される。その樹脂組成物Ｑが所定の面上に塗布され、これにより塗布膜（柱状体と突起の形成用塗布膜）が形成される。例えば、樹脂組成物Ｑが位相差層３の外部露出面上に塗布されて、位相差層３上に、柱状体４と突起６の形成用塗布膜が形成される。次に、柱状体形成予定位置と突起設置予定領域に対応するパターンにてパターン形成されたフォトマスクが準備される。ただし、そのフォトマスクにおいて柱状体４のパターンにあたる部分と突起６のパターンにあたる部分との光線透過率は異なる。具体的に、そのフォトマスクとして、ハーフトーンマスクが挙げられる。そして、そのようなフォトマスクを介して、柱状体４と突起６の形成用塗布膜に向けて、紫外線などの活性放射線が照射される。活性放射線の被照射部位では、柱状体４と突起６の形成用塗布膜が硬化する。活性放射線が照射されなかった部位では、柱状体４と突起６の形成用塗布膜の硬化が進まない。柱状体４と突起６の形成用塗布膜における活性放射線が照射されなかった部分は、現像処理により取り除かされる。こうして、柱状体形成予定位置と突起設置予定領域に、それぞれ柱状体４と突起６の形成用塗布膜の硬化物が同時に形成される。この硬化物のうち柱状体形成予定位置に形成されたものが、柱状体４に相当し、硬化物のうち突起設置予定領域に形成されたものが、突起６に相当する。
【０１４４】
なお、突起６がポジレジストにて形成される場合、突起形成工程では、次のように、ハーフトーンマスクを用いたフォトリソグラフィー法を用いて突起６の形成が行われる。まず、突起６を構成するポジレジスト組成物が調製される。そのポジレジスト組成物が所定の面上に塗布され、これによりレジスト膜が形成される。例えば、レジスト組成物が位相差層３の外部露出表面上に塗布されて、位相差層３上にレジスト膜が形成される。次に、突起設置予定領域以外の領域に対応するパターンにてパターン形成されたフォトマスクが準備される。そのフォトマスクを介してレジスト膜に向けて、活性放射線が照射される。活性放射線の被照射部位では、突起形成用塗布膜が現像処理可能に可溶化する。そして、現像処理によりレジスト膜のうち可溶化された部分がとり除かれる。こうして、レジスト膜の硬化物が所望のパターンにて形成される。この硬化物が突起６に相当する。
【０１４５】
＜第４の実施形態について＞
第１の実施形態、第２の実施形態、第３の実施形態の製造方法は、基材に対して直接もしくは間接にカラーフィルタ層を形成する工程（カラーフィルタ層形成工程）を備えてもよい（第４の実施形態）。
【０１４６】
第４の実施形態によって得られる光学素子１は、次に示すように、カラーフィルタ層１３を備えるものである（図２，３）
【０１４７】
「カラーフィルタ層について」
カラーフィルタ層１３は、着色層２７を有して形成される。
【０１４８】
着色層２７は、入射光のうち所定の可視光線を透過光として分光可能な層である。このような着色層２７は、次に示すような材料組成物を用いて形成することができる。具体的には、着色層２７の材料組成物（着色層組成物）は、例えば、所定の色を呈する顔料と、樹脂組成物を配合してなる樹脂組成物などを挙げることができ、市販のカラーフィルタ用着色レジスト、例えば、ザ・インクテック社製のＩＴ−Ｇ  Ｒ２４６、ＩＴ−Ｇ  Ｇ４４５、ＩＴ−Ｇ  Ｂ５０６を適宜使用することができる。なお、着色層２７の色相は、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、イエローなど適宜選択される。
【０１４９】
「カラーフィルタ層形成工程」
カラーフィルタ層１３は、次のように形成される（カラーフィルタ層形成工程）。第４の実施形態について、図２，３に示す光学素子１を製造する場合を例にとると、カラーフィルタ層形成工程は、透明導電膜形成工程よりも前に実施される。カラーフィルタ層形成工程は、着色層２７を基材２に対して直接もしくは間接に形成することで実施される。着色層２７は、所定の面の上に着色層組成物を塗布して塗布膜を得て、その塗布膜を硬化させることによって得ることができる。ここに、着色層２７を形成する「所定の面」は、光学素子１を構成する所定の「部材や層」の表面である。例えば、図３に示すように、着色層２７が、基材２に対して直接形成される場合には、「所定の面」は、基材２の表面となる。
【０１５０】
カラーフィルタ層形成工程では、複数種類の着色層２７が形成されて、その複数の着色層２７を有するカラーフィルタ層１３が形成されてもよい。この場合、各種類の着色層２７は、互いに可視光線の透過スペクトルを異にする層である。このとき、カラーフィルタ層１３は、色相を異にする着色層２７を備えてなる層になる。
【０１５１】
カラーフィルタ層１３が複数種類の着色層２７を有して形成される場合、各種類の着色層２７は、それぞれの着色層２７について定められたパターンにて形成される。
【０１５２】
カラーフィルタ層１３が複数種類の着色層２７を備える場合において、カラーフィルタ層１３の具体例としては、具体的に図２，３に示す例をあげることができる。
【０１５３】
図２，３に示すカラーフィルタ層１３は、３種類の着色層２７でなる。この３種類の着色層２７は、三色（３種類）の着色層２７（２７ａ，２７ｂ，２７ｃ）であり、互いに透過スペクトルを異にする。カラーフィルタ層１３は、着色層２７（２７ａ，２７ｂ，２７ｃ）を面順次に配列してなる（図２）。着色層２７ａ，２７ｂ，２７ｃのそれぞれは、矩形状の着色層を間欠的に配置してなる間欠的な短冊状のパターン（縞状のパターン）をなして形成されており、さらに間欠的な短冊状パターンをなす着色層２７ａ，２７ｂ，２７ｃを構成する１つ１つの層は、細長帯状に形成されている。
【０１５４】
着色層２７ａ，２７ｂ，２７ｃは光透過性を有しており、図２，３の例では、透過する可視光を分光してそれぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光となす。
【０１５５】
このような着色層２７ａ，２７ｂ，２７ｃは、それぞれの透過スペクトルに応じて、各透過スペクトルに対応する顔料と樹脂などを配合してなる着色材料を溶媒に分散させた着色層組成物を基材２に塗布して形成される塗膜を、例えばフォトリソグラフィー法で、例えば矩形状などといった所定形状にパターニングすることで形成することができる。そのほかにも、着色層２７ａ，２７ｂ，２７ｃは、着色層組成物を所定形状に基材２に塗布することによっても形成できる。
【０１５６】
なお、カラーフィルタ層１３が複数種類の着色層２７を備える場合、着色層２７の組み合わせパターンについても、図２，３に示すようなＲＧＢ方式の三色の場合のほか、その補色系であるＣＭＹ方式とすることも可能であり、さらに二色の場合、または四色以上の場合なども採りうる。また着色層２７のパターンの形状も、矩形状のパターン形成する場合のほか、三角形状などの微細パターンを基材２などの所定の面上に多数分散配置するパターンの場合など、目的に応じて種々のパターンを採りうる。
【０１５７】
カラーフィルタ層１３が図２，３に示すような複数種類の着色層２７を備える場合、ＲＧＢの三色の着色層（赤色（Ｒ）２７ａ，緑色（Ｇ）２７ｂ，青色（Ｂ）２７ｃ）のそれぞれについての所定の領域は、それぞれ、画素部と着色層２７との交差範囲を定める領域（画素部指定領域２２）をなす。そして、このカラーフィルタ１０においては、図２に二点鎖線で示すように、三色の着色層（赤色（Ｒ）２７ａ，緑色（Ｇ）２７ｂ，青色（Ｂ）２７ｃ）にて定められる三つの画素部指定領域２２があわさって、一つの絵素２１が形成される。
【０１５８】
なお、第４の実施形態において、カラーフィルタ層形成工程で複数種類の色相の着色層が形成される場合に、位相差層形成工程にて、位相差層３がパターン形成されてよい。ただし、その場合、平面視上、各種類の着色層の形成領域の少なくとも一部と、位相差層３の形成領域とが重なりあうように、位相差層３が形成されることが好ましい。これにより、いずれの色相の着色層を通過する光についてみても、着色層を通過する光の少なくとも一部が位相差層３を通過できる。
【０１５９】
＜第５の実施形態について＞
第１の実施形態、第２の実施形態、第３の実施形態、第４の実施形態の製造方法は、ブラックマトリクス１５を形成する工程（ＢＭ形成工程）を備えていてもよい（第５の実施形態）。
【０１６０】
ブラックマトリクス（ＢＭ）は、が多数の画素部を集合させて構成される場合に、画素部を画素ごとに区画化するために光学素子１に設けられることが多い。
【０１６１】
第４の実施形態においてＢＭ形成工程が備えられる場合を例として説明する。図４、図５は、光学素子１の実施例の一つを説明するための断面を示すそれぞれ概略平面図、概略断面図である。ここに挙げる第５の実施形態の光学素子は、基材２上に着色層２７や位相差層３、柱状体４を積層する前に、基材２上にブラックマトリクス１５を積層して形成されてなるものである（図４、５）。第５の実施形態において、図４，５に示すような光学素子を製造する場合を例とすると、ＢＭ形成工程は、カラーフィルタ層形成工程、透明導電膜形成工程、位相差層形成工程、柱状体形成工程、突起形成工程の前に実施される。
【０１６２】
「ブラックマトリクス１５」
図４，５に示す第５の実施形態の光学素子１の例においては、基材２の一方の表面に遮光性のブラックマトリクス１５が縦横に格子状（格子縞状）に形成され、これによりブラックマトリクス１５の非形成領域が開口部２０として格子点状に多数形成される。このとき、１つ１つの開口部２０は、光学素子１が液晶表示装置に組み込まれた際、平面視上、液晶表示装置の１つの画素の範囲を指定する領域（有効表示領域（画素部全体のうち画像表示に使用される領域）における画素１つ分の領域）に相当し、ブラックマトリクス１５の形成領域は、各画素部に輪郭を付する遮光部を指定する領域に相当する。そして、その遮光部が、光学素子１においてはブラックマトリクス１５の設置された部分に対応する。
【０１６３】
なお、図４，５に示す光学素子１の例では、ブラックマトリクス１５を配置した基材２の上には、開口部２０の所定の領域を覆うように三色の着色層２７ａ，２７ｂ，２７ｃが、面順次に配列されている（図４、図５）。このカラーフィルタ１０では、開口部２０が着色層２７ａ，２７ｂ，２７ｃによってそれぞれ被覆されて、それぞれの色相に応じた画素の範囲が指定され、そして着色層２７ａ，２７ｂ，２７ｃそれぞれの異なる色相の画素の範囲があわさって（図４では、開口部２０の領域３つをあわせた範囲にて特定される領域）、一つの絵素２１を指定する範囲が特定される。
【０１６４】
第５の実施形態において、着色層２７ａ，２７ｂ，２７ｃは、上記第４の実施形態のカラーフィルタ層形成工程と同様に、色相ごとに、フォトリソグラフィー法などの方法を適宜用いて形成できる。
【０１６５】
また、ブラックマトリクス１５は、遮光部としての機能として、「塗工される着色層２７ａ，２７ｂ，２７ｃを透過する光の混色を防止する機能」や、「液晶表示装置に組み込まれる際に、基板に配置される回路であって駆動用液晶を駆動させるために用いられるＴＦＴなどの駆動回路などを、外光から隠蔽する機能」を併せもつ。
【０１６６】
ブラックマトリクス１５の配置形状は矩形格子状である場合に限定されず、ストライプ状や三角格子状などに形成してもよい。
【０１６７】
「ＢＭ形成工程」
ＢＭ形成工程は次のように実施される。ＢＭ形成工程は、例えば、ブラックマトリクス１５の材料をなす金属クロム薄膜やタングステン薄膜等、遮光性又は光吸収性を有する金属薄膜を基材２面にパターニングすることにより、形成することができる。また、ブラックマトリクス１５は、黒色顔料を含む樹脂等の有機材料を所定形状に印刷するもしくはフォトリソグラフィー法により形成することも可能である。その他、ＢＭ形成工程は、ブラックマトリクスをなす材料を所定形状に塗工することによっても実現できる。
【０１６８】
本発明の製造方法にて得られる光学素子１は、液晶表示装置に組み込まれることができる。光学素子１を組み込んだ液晶表示装置の構成は、図６（Ａ）（Ｂ）に示すような液晶表示装置の１例を用いて、次のように説明される。
【０１６９】
＜液晶表示装置５０について＞
図６（Ａ）（Ｂ）には、光学素子を組み込んだ液晶表示装置を説明するための液晶表示装置として、第５の実施形態の製造方法で得られる光学素子を組み込んだ液晶表示装置が模式的に示されている。図６に示す例では、第５の実施形態の製造方法で得られる光学素子１は、第１の実施形態で得られる光学素子に柱状体４と突起６と着色層２７とブラックマトリクス１５を設けてなるものである。すなわち、図６の例における光学素子１は、図４に示す第５の実施形態で得られる光学素子１に対して突起６を光学素子の最表面に更に設けてなる構造をなす。また、液晶表示装置は、ＶＡ方式の半透過半反射型液晶表示装置５０である。図６（Ａ）は、液晶表示装置の概略断面図であり、「光学素子１についての断面を見た場合に図５に示す断面となる」ような断面である。図６（Ｂ）は、液晶表示装置の概略断面図であり、「光学素子１についての断面を見た場合に図４のＩＶ−ＩＶ線断面に示す断面となる」ような断面である。
【０１７０】
図６（Ａ）（Ｂ）に示す半透過半反射型液晶表示装置５０は、対面する一対の基板３１（第１の基板３２、第２の基板３３）の間に液晶（駆動用液晶；負の誘電率異方性を有する）３４を封入して駆動用液晶層３５を形成してなる液晶セルを備えるとともに、その液晶セルの厚み方向外側に直線偏光板３９，４０を配置し、さらに液晶セルの厚み方向外側のうち第２の基板３３の外側の位置にバックライト（図示せず）を配置してなる。バックライトは、これを光源とする光が液晶セルの第２の基板３３に向かうように配置されている。
【０１７１】
半透過半反射型液晶表示装置５０は、透過部と反射部とを備える。透過部は、半透過半反射液晶表示装置５０のうち、「バックライトから液晶セルに入射した光が第２の基板３３、駆動用液晶層３５、第１の基板３２を、この順序で通過することにより、画像を形成する」ために用いられる部分である。反射部は、半透過半反射液晶表示装置５０のうち、「液晶セルに入射した外光が第１の基板３２、駆動用液晶層３５を通過し、第２の基板３３で反射され、再び駆動用液晶層３５、第１の基板３２を通ることにより、画像を形成する」ために用いられる部分である。
【０１７２】
第１の基板３２は、基材２上に遮光性のブラックマトリクス（ＢＭ）１５でなる遮光部によって、有効表示領域の外縁が形成される。有効表示領域とは、液晶表示装置５０の液晶表示画面を構成する画素部の存在領域に相当する領域である。また、遮光部の形成により、平面視上、ＢＭの外縁で囲まれる領域として微細にパターニングされた多数の画素を指定する領域が、有効表示領域内に区画形成される。すなわち、遮光部は、有効表示領域の外縁を形成するとともに、有効表示領域を１つ１つの画素に区画する。
【０１７３】
第１の基板３２には、遮光部が、平面視上、第１の基板３２の面内方向に個々の画素を取り巻くように形成されている。第１の基板３２の個々の画素は、透過部に対応する領域（透過部領域２００）と反射部に対応する領域（反射部領域２０１）とを有する。
【０１７４】
ＢＭ１５は、基材２のインセル側（駆動用液晶層３５に対面する面側）表面の全面に遮光性材料を塗工した上でフォトリソグラフィー法により所望形状に形成することができる。図６（Ａ）（Ｂ）では、ＢＭ１５は、縦横格子状の形状に形成される。
【０１７５】
第１の基板３２には、画素部の透過部領域２００と反射部領域２０１を覆って着色層２７でなるカラーフィルタ層１３が積層される。このとき、基材２の面うちＢＭ１５が積層された面を面Ｍとし、基材２の面のうち、面Ｍに対して基材２の背面にあたる面を面Ｎとする場合に、カラーフィルタ層１３は、基材２に対して面Ｍ側の位置に形成される。
【０１７６】
カラーフィルタ層１３は、ＲＧＢの３種類の色相の着色層２７にて構成される。各色の種類の着色層２７は、顔料レジストを用いて構成される。各種類の着色層２７は、短冊状の形状に形成される。また、各種類の着色層２７は、ＢＭ１５によって格子状に形成された画素部を覆って形成される。なお、各種類の着色層２７の形成は、フォトリソグラフィー法にて実現される。このとき、Ｒ（Red）の色相の着色層２７（Ｒ）、Ｇ（Green）の色相の着色層２７（Ｇ）、B（Blue）の色相の着色層２７（Ｂ）は、面順次に形成される。
【０１７７】
第１の基板３２には、透明導電膜５が形成される。透明導電膜５は、位相差層３、突起６、柱状体４の形成の前に形成されるものである。第１の基板３２において、透明導電膜５は、第１の基板３２の面内方向に対して一面に形成される。
【０１７８】
第１の基板３２には、位相差層３が形成される。位相差層３は、基材２に対して面Ｍ側に形成される。位相差層３は、平面視上、画素部の反射部領域２０１に対して重なり合う領域に、パターン形成される。これにより、第１の基板３２の組み込まれた半透過半反射液晶表示装置において、反射部を構成する第１の基板３２の部分の厚みと、透過部を構成する第１の基板３２の部分の厚みとが異なることになる。
【０１７９】
位相差層３は、反射部領域２０１に対向する駆動用液晶層３５の厚み（セルギャップ）が、透過部領域２００に対向する駆動用液晶層３５の厚み（セルギャップ）の概半分になる厚みになるように設計される。
【０１８０】
さらに、位相差層３は、その厚みについて、例えば１／４波長に相当する位相のずれを光に生じるように設計される。そして、例えば、液晶セル内に封止された駆動用液晶層３５は、駆動用液晶層３５に電圧が印加された時に、反射部では光の位相差が１／４波長となり、透過部では位相差が１／２波長、駆動用液晶層３５に電圧が印加されない時には、反射部、透過部共に位相差がゼロとなるように、駆動用液晶層３５を構成する駆動用液晶３４をなす液晶分子の屈折率異方性Δｎおよびセルギャップ（Ｄ）および配向が設計されている。
【０１８１】
第１の基板には、柱状体４と突起６とが、柱状体設置予定領域と突起設置予定領域に、光硬化性樹脂材料などの樹脂材料にて、それぞれ形成される。
【０１８２】
第１の基板３２には、柱状体４が、第１の基板３２と第２の基板３３の間に介在するように多数形成される。柱状体４は、液晶セルを形成する際に第１の基板３２に基端を有し且つ第２の基板３３に先端を接することができるような長さにて、形成される。これにより、駆動用液晶層３５のセルギャップＤが所定の大きさに保たれる。
【０１８３】
突起６は、図６（Ａ）（Ｂ）では、楕円球をその長軸を法線方向とする平面で半分に分割してなる形状（半楕円球状）に形成される。突起６の突起設置予定領域は、個々の画素部における反射部領域２０１の中央に、各１つ形成されるようなパターンで突起設置予定領域が指定される。
【０１８４】
第２の基板３３は、その第２の基板３３の表面且つ第１の基板に対して対面する面内の領域であって、半透過半反射液晶表示装置における反射部と透過部に対応する領域を、それぞれ第２の基板３３側の反射部領域と透過部領域となしている。
【０１８５】
第２の基板３３側の反射部領域には、光透過性を有する基材１１上に、第１の基板３２から第２の基板３３に向かう方向に液晶層３５内を進行する光を反射させる反射板３８が設けられている。なお、第２の基板３３の基材１１は、第１の基板３２の基材２として使用可能な範囲のものから選択される。
【０１８６】
第２の基板３３側の透過部領域は、バックライトを光源とする光を透過させるとともに、第２の基板３３から第１の基板３２に向かう方向に光の駆動用液晶層内の進行を可能に構成される。
【０１８７】
第２の基板３３には、インセル側に、ＴＦＴ等の画素スイッチング素子、データ線、走査線等の電気回路部（図示せず）が形成されている。さらに、第２の基板３３において、透明導電膜４２が、平面視上、第１の基板３２における個々の画素部の形状に合わせて形成される。すなわち、第２の基板３３には、透明導電膜４２は、個々の画素部の区分けパターンに合わせたパターンにて形成される。第２の基板３３における透明導電膜４２は、第１の基板３２における透明導電膜５と同じものを用いて形成できる。ただし、第２の基板３３において、電気回路部と透明導電膜４２は、「液晶セルを形成するにあたり第１の基板に対して第２の基板を対面させた場合に第１の基板３２の柱状体に対して接触しないような領域」に、形成される。
【０１８８】
液晶セルの外側には、直線偏光板３９，４０（第１の直線偏光板３９、第２の直線偏光板４０）が設けられており、第１の基板３２の外側に設けられる第１の直線偏光板３９、第２の基板の外側に設けられる第２の直線偏光板４０は、その透過軸を互いに直交して配置され、これら２枚の直線偏光板３９，４０は、クロスニコル状態を構成している。
【０１８９】
なお、この半透過半反射型液晶表示装置５０には、必要に応じて、第１の基板３２と第１の偏光板３９との間に位相差フィルム４１を適宜配置してよい。なお、位相差フィルム４１には、もし使うなら正のＡプレートとしての機能や正のCプレートとしての機能や負のCプレートを有する位相差フィルムなどの単体が用いられ、もしくは、これらの位相差フィルムを適宜組み合わせたものが用いられる。
【０１９０】
なお、上記した液晶表示装置の説明は、液晶表示装置がＶＡ方式の半透過半反射型液晶表示装置である場合についての説明であった。しかしながら、この記載は、本発明の光学素子を組み込み可能な液晶表示装置は、ＶＡ方式の半透過半反射型液晶表示装置に限定するものではない。
【０１９１】
本発明の製造方法について、次に示すように、実施例を用いてより詳細に説明する。
【実施例】
【０１９２】
本発明の製造方法を用いて光学素子を作製するにあたり、基材を準備した。
【０１９３】
＜基材の準備＞
基材として、洗浄処理を施された低膨張率無アルカリガラス板（コーニング社製１７３７ガラス  １００ｍｍ×１００ｍｍ、厚み０．７ｍｍ）（ガラス基材）が、準備された。
【０１９４】
＜各種組成物の調製＞
次に、光学素子の作製に使用される液晶組成物、柱状体形成用の樹脂組成物、突起形成用の樹脂組成物、着色層を形成するための組成物といった各種組成物が次に示すような組成に調製された。
【０１９５】
＜液晶組成物＞
下記に示す各成分（重合性液晶化合物、光重合開始剤、重合禁止剤、溶剤）が混合されるとともに、７０℃で３０分間攪拌されて混合液にした。そして、その混合液の温度が室温まで降温された。この室温にされた混合液が、液晶組成物となる。
【０１９６】
（液晶組成物の組成（成分および各成分の配合量））
・重合性液晶化合物  （化１２におけるＸ＝６の化合物）      ２８．７５重量部
・光重合開始剤  （イルガキュア９０７）                      １．２４重量部
・重合禁止剤  （２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）    ０．０１重量部
・溶剤  （ジエチレングリコールジメチルエーテル）          ７０．００重量部
【０１９７】
＜柱状体形成用の樹脂組成物と突起形成用の樹脂組成物＞
柱状体形成用の樹脂組成物および突起形成用の樹脂組成物については、いずれも樹脂組成物（樹脂組成物Ａ）が用いられた。樹脂組成物Ａは、下記に示す成分と組成にて構成されるフォトレジストである。
【０１９８】
（樹脂組成物Ａの組成）
・モノマー・・・・・１４．０重量部
（サートマー（株）製、ＳＲ３９９）
・ポリマー１・・・・・１３．０重量部
・開始剤・・・・・２．０重量部
（チバガイギー社製、イルガキュア９０７）
・開始剤・・・・・１．０重量部
（チバガイギー社製、イルガキュア３６５）
・溶剤・・・・・７０．０重量部
（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）
【０１９９】
＜着色層を形成するための組成物＞
着色層を形成するための組成物には、顔料分散型フォトレジストが用いられた。着色層を構成する材料たる顔料分散型フォトレジストについては、赤色（Ｒ）着色画素を構成する着色材料（赤色（Ｒ）着色画素用フォトレジスト）が採用された。
【０２００】
顔料分散型フォトレジストは、着色材料として顔料を用い、分散液組成物（顔料、分散剤及び溶剤を含有する）にビーズを加え、分散機で３時間分散させ、その後ビーズを取り除いた分散液とクリアレジスト組成物（ポリマー、モノマー、添加剤、開始剤及び溶剤を含有する）とを混合したものである。その組成を下記に示す。尚、分散機としては、ペイントシェーカー（浅田鉄工社製）を用いた。
【０２０１】
赤色（Ｒ）着色画素用フォトレジストの組成は、次に示すとおりである。
【０２０２】
＜赤色（Ｒ）着色画素用フォトレジストの組成＞
・赤顔料・・・・・４．８重量部
（Ｃ．Ｉ．ＰＲ２５４（チバスペシャリティケミカルズ社製  クロモフタールＤＰＰ  Ｒｅｄ  ＢＰ））
・黄顔料・・・・・１．２重量部
（Ｃ．Ｉ．ＰＹ１３９（ＢＡＳＦ社製  パリオトールイエローＤ１８１９））
・分散剤・・・・・３．０重量部
（ゼネカ（株）製  ソルスパース２４０００）
・モノマー・・・・・４．０重量部
（サートマー（株）製  ＳＲ３９９）
・ポリマー１・・・・・５．０重量部
・開始剤・・・・・１．４重量部
（チバガイギー社製  イルガキュア９０７）
・開始剤・・・・・０．６重量部
（２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール）
・溶剤・・・・・８０．０重量部
（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）
【０２０３】
尚、本明細書に記載されたポリマー１は、ベンジルメタクリレート：スチレン：アクリル酸：２−ヒドロキシエチルメタクリレート＝１５．６：３７．０：３０．５：１６．９（モル比）の共重合体１００モル％に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを１６．９モル％付加したものであり、重量平均分子量は４２５００である。
【０２０４】
実施例１
＜透明導電膜の形成＞
ガラス基材上の表面上に、透明導電膜を、次のように形成した。
【０２０５】
透明導電膜を形成するための材料としては、ＩＴＯが選択された。そして、ＩＴＯが、ガラス基材の表面に、スパッタリングされた。このとき、ガラス基材の表面に、透明導電膜が一面に形成された。このとき、ガラス基材面上に透明導電膜を形成してなる部材（導電膜形成基材）が得られた。
【０２０６】
＜配向膜の形成＞
導電膜形成基材上に配向膜形成用組成物（ＪＳＲ株式会社製、ＡＬ１２５４）をスピンコーターにて塗布した。このとき、ガラス基材面上に塗布膜（配向膜形成用塗布膜）が形成され、ガラス基材面上に塗布膜（配向膜形成用塗布膜）を形成してなる部材（積層材Ａ）が得られた。塗布条件は、配向膜の膜厚が０．１μｍ以下となるよう調整した。積層材Ａを、２３０℃のオーブン内で３０分間焼成した。次いで、積層材Ａの塗布膜の表面に配向処理を施した。配向処理は、積層材Ａを構成する塗布膜の表面がラビングされることによって実施された。ラビングは、ラビング装置によって実施された。この配向処理により、積層材Ａの塗布膜が、配向膜となる。
【０２０７】
＜位相差層形成工程＞
積層材Ａの配向膜表面上には、位相差層が、次のように形成された。なお、光学素子において、位相差層は、予め定められたストライプ状のパターンにてパターン形成された。
【０２０８】
まず、積層材Ａの配向膜表面上に、液晶組成物を塗布した。これにより、積層材Ａの配向膜表面上に液晶塗布膜が形成され、積層材Ａの配向膜面上に液晶塗布膜を形成してなる部材（積層材Ｂ）が得られた。なお、液晶組成物の塗布は、スピンコート法にて実施された。液層組成物の塗布の後、積層材Ｂは、８０℃で３分間、予備焼成（プリベーク）された。
【０２０９】
次に、ストライプ状のパターンを形成されたフォトマスクを準備した。ここに、フォトマスクのストライプ状のパターンは、光学素子の位相差層のパターンに対応するパターンである。
【０２１０】
準備されたフォトマスクは、予備焼成された積層材Ｂの液晶塗布膜に対して間隔をあけて対面する位置に配置された。このとき、フォトマスクにおいてストライプ状のパターンが形成された領域は、光学素子において位相差層を設けようとする領域に対面した。さらに、積層材Ｂの液晶塗布膜に露光処理を施した。露光処理は、紫外線（波長３６５ｎｍ、線量２００ｍＪ／ｃｍ２）が積層材Ｂの液晶塗布膜に向けてフォトマスクを介して照射されることによって、実施された。露光処理の後、積層材Ｂの液晶塗布膜に現像処理を施した。現像処理は、メチルエチルケトンによるバット現像（現像時間５秒間）によって行われた。このとき、積層材Ｂの液晶塗布膜は、ストライプ状のパターンにてパターン形成された膜となった。
【０２１１】
現像処理の後、積層材Ｂを、２３０℃で３０分間、焼成（本焼成（ポストベーク））した。これにより、積層材Ｂの液晶塗布膜は、ストライプ状のパターンにてパターン形成された位相差層となる。位相差層は、線幅３０μm程度のストライプ状のパターンに形成された。位相差層は、このストライプ状の層構造を１つのユニットとしてそれらのユニットを多数備えたものとして形成される。また、位相差層の膜厚は、２．０μmであった。なお、位相差層の厚みは、触針型膜厚計にて測定された。
【０２１２】
このように積層材Ｂに露光処理と現像処理を施すことで、ガラス基材に透明導電膜を形成した後に配向膜およびパターン形成された位相差層を形成してなる本発明の光学素子が作製された。光学素子の位相差層では、位相差層に含まれる重合性液晶化合物が、ホモジニアス配向している。すなわち、この位相差層は、いわゆる正のＡプレートとして機能する層である。
【０２１３】
次に、得られた光学素子について、光学素子の面内方向の表面プロファイルを測定した。光学素子の面内方向の表面プロファイルはＡＦＭにて測定された。このとき、光学素子の表面において、平面視上、位相差層の形成領域に重なり合う領域（領域Ｋ）に、大きな表面凹凸が認められるか否かについての観測が、実施された。この光学素子では、光学素子の表面における領域Ｋ内の表面凹凸の発生がごくわずかに認められるにとどまっていることが、確認された。
【０２１４】
ＡＦＭにより測定された光学素子の１つの断面プロファイルは、図９に示されるとおりである。断面プロファイルとして選択された面は、平面視上、領域Ｋを通過する面（位相差層の設置領域を通過する面）であるが、柱状体の設置領域を通過しない面である。断面プロファイルに基づき測定された光学素子の領域Ｋにおける表面凹凸の大きさは、２４ｎｍであった。
【０２１５】
なお、表面凹凸の大きさを測定するにあたり、ΔＨが測定される。ΔＨは、３つ選択された縦断面についての各断面プロファイルに基づき測定された。３つの縦断面は、次のように選択された。位相差層を構成する多数のストライプ状の層構造から３つを選択し、それらの３つの層構造における各表面凹凸の形成領域の中央位置に各１つ、計３つの縦断面が選択された。次に、各縦断面について断面プロファイルを測定した。そして、その断面プロファイルにおいて表面凹凸の形成が認められる領域における中央位置１箇所を定め、その定められた位置から最も近い位置に認められる凸部の頂上部と凹部の底部が、Ｈ１、Ｈ２の測定対象として選択された。そして、ΔＨは、３つの断面プロファイルのそれぞれについて測定されたＨ１とＨ２の差の値として３つ特定される。このΔＨの平均値として、表面凹凸の大きさが測定された。
【０２１６】
実施例２
実施例１で得られた光学素子に、次に示すように、柱状体を形成した（柱状体形成工程）。
【０２１７】
＜柱状体形成工程＞
実施例１で得られた光学素子の表面上の所定の領域に、柱状体を、次のようなフォトリソグラフィー法にて形成した。なお、柱状体が形成される「光学素子の表面」は、実施例１の光学素子の表面のうち位相差層の形成面である。また、柱状体が形成される「所定の領域」は、実施例２の光学素子において柱状体の設置を予定された領域（柱状体設置予定領域）に対応して、指定される領域である。
【０２１８】
＜フォトリソグラフィー法による柱状体の形成＞
実施例１の光学素子の表面のうち位相差層の形成面に、樹脂組成物Ａを一面に塗布した。樹脂組成物Ａの塗布は、スピンコート法にて実施された。このとき、実施例１の光学素子の表面のうち位相差層の形成面上に、塗布膜が形成され、実施例１の光学素子に塗布膜を形成してなる部材（積層材Ｃ）が形成された。次に、積層材Ｃの塗布膜の乾燥処理を施した。乾燥処理により、積層材Ｃの塗布膜に含まれる溶剤が留去された。具体的に、乾燥処理は、積層材Ｃが減圧状態下に静置されることで実施された。乾燥処理の後、積層材Ｃを、８０℃、３分間の条件で、予備焼成（プリベーク）した。
【０２１９】
次に、所定のパターンを形成されたフォトマスクを準備した。ここに、このフォトマスクの所定のパターンは、光学素子の柱状体設置予定領域に対応する領域の形成パターンに対応するパターンである。
【０２２０】
柱状体の形成用に準備されたフォトマスクは、予備焼成された積層材Ｃの塗布膜に対して間隔をあけて対面する位置に配置された。このとき、フォトマスクにおいて所定のパターンが形成された領域は、光学素子において柱状体を設けようとする領域に対面された。さらに、積層材Ｃの塗布膜に露光処理を施した。露光処理は、紫外線（波長３６５ｎｍ、線量１００ｍＪ／ｃｍ２）が積層材Ｃの塗布膜に向けてフォトマスクを介して照射されることによって、実施された。露光処理の後、積層材Ｃの塗布膜に現像処理を施した。現像処理は、０．１％ＫＯＨ水溶液を用いたスプレー現像（現像時間６０秒）によって行われた。現像処理の後、積層材Ｃを、２３０℃、３０分間の条件で、焼成（ポストベーク）した。このとき、積層材Ｃの塗布膜における所定の部分が、柱状体となる。これにより、位相差層の形成面上に柱状体を形成してなる光学素子が得られた。
【０２２１】
なお、この光学素子において、個々の柱状体は、円柱状（直径１０μｍ、高さ２μｍ程度）に形成された。
【０２２２】
得られた光学素子について、光学素子の面内方向の表面プロファイルと光学素子の縦断面の断面プロファイルが測定された。光学素子の面内方向の表面プロファイルは、実施例１と同じく、ＡＦＭにて測定された。光学素子の表面の領域Ｋにおいて、平面視上、ストライプ状の大きな表面凹凸の存在が認められた。また、光学素子の縦断面形状の断面プロファイルの測定にあたり、その断面プロファイルの測定対象となる光学素子の縦断面としては、実施例１において選択された縦断面と同じ面が選択された。ＡＦＭにより測定された光学素子の断面プロファイルは、図１０に示されるとおりである。このプロファイルに基づき測定された光学素子の領域Ｋにおける表面凹凸の大きさは、３１nm程度であった。
【０２２３】
実施例３
実施例２で得られた光学素子に、次に示すように、高さ１μmの突起を形成した（突起形成工程）。
【０２２４】
＜突起形成工程＞
実施例２の光学素子の表面上の所定の領域に、突起を、フォトリソグラフィー法にて形成した。なお、突起が形成される「光学素子の表面」は、実施例２の光学素子の表面のうち位相差層の形成面である。また、突起が形成される「所定の領域」は、得ようとする光学素子において予め定められた領域（突起設置予定領域）に対応する領域である。突起を構成する材料には、実施例２の柱状体の形成の際に用いられた材料と同じく、樹脂組成物Ａが採用された。また、突起の形成方法としてのフォトリソグラフィー法には、実施例２の柱状体の形成の際に採用されたフォトリソグラフィー法と同じ方法が用いられた。ただし、突起の形成方法としてのフォトリソグラフィー法では、露光時の照射線量は、露光（５０ｍＪ／ｃｍ２）である。また、突起の形成方法としてのフォトリソグラフィー法では、フォトマスクに形成されたパターンが、実施例２の柱状体の形成の際に用いたフォトマスクに形成されたパターンとは異なっている。すなわち、突起の形成にあたって用いられるフォトマスクの所定のパターンは、光学素子の突起設置予定領域に対応する領域の形成パターンに対応するパターンである。実施例３では、位相差層の形成面上に柱状体と突起を形成してなる光学素子が得られた。
【０２２５】
なお、この光学素子において、個々の突起は、半楕円体状（直径１０μｍ、高さ１μｍ程度）に形成された。
【０２２６】
得られた光学素子について、実施例１と同じ方法で、光学素子の面内方向の表面プロファイルを測定した。光学素子の表面の領域Ｋにおいて、平面視上、ストライプ状の表面凹凸の存在は、わずかに認められるに留まっていた。また、断面プロファイルの対象となる「光学素子の縦断面」は、実施例１と同じ方法で選択された。光学素子の領域Ｋにおける表面凹凸の大きさは、３５ｎｍであった。
【０２２７】
実施例４
「透明導電膜形成工程を実施した後であって基材に配向膜を形成する前に柱状体形成工程が実施される」という点を除いて、実施例２と同じ方法を用いて、光学素子が得られた。
【０２２８】
この光学素子は、基材を備えるとともに、柱状体を形成した後で位相差層を形成してなるものである。
【０２２９】
得られた光学素子について、実施例１と同じ方法で、光学素子の面内方向の表面プロファイルが測定された。光学素子の表面の領域Ｋにおいて、平面視上、ストライプ状の表面凹凸の存在は、わずかに認められるに留まっていた。また、断面プロファイルの対象となる「光学素子の縦断面」は、実施例１と同じ方法で選択された。光学素子の領域Ｋにおける表面凹凸の大きさは、２３ｎｍであった。
【０２３０】
実施例５
「ガラス基材に着色層を形成する工程（カラーフィルタ層形成工程）が実施される」という点、「透明導電膜が着色層表面上に形成される」という点を除いて、実施例１と同じ材料および方法を用いて、光学素子が得られた。なお、カラーフィルタ層形成工程は、次に示すように実施された。
【０２３１】
＜カラーフィルタ層形成工程＞
なお、カラーフィルタ層形成工程は、着色層を形成する工程でなる。そして、着色層を形成する工程は、次に示すように実施された。
【０２３２】
基材に対して、赤色（Ｒ）の顔料分散型フォトレジストをスピンコート法で塗布し、減圧乾燥により溶剤を減じ、８０℃、３分間の条件でプリベークし、露光（１００ｍＪ／ｃｍ２）した。引き続き０．１％ＫＯＨ水溶液を用いたスプレー現像を５０秒行った後、２３０℃、３０分間ポストベークし、膜厚２．２μｍの赤色（Ｒ）着色層を形成し、赤色の着色層が一面形成された。
【０２３３】
得られた光学素子について、実施例１と同じ方法で、光学素子の面内方向の表面プロファイルが測定された。光学素子の表面の領域Ｋにおいて、平面視上、ストライプ状の表面凹凸の存在は、わずかに認められるに留まっていた。また、断面プロファイルの対象となる「光学素子の縦断面」は、実施例１と同じ方法で選択された。光学素子の領域Ｋにおける表面凹凸の大きさは、２５ｎｍであった。
【０２３４】
実施例６
柱状体を形成するための光学素子として、実施例５の光学素子を用いたほかは、実施例２と同じ材料および方法を用いて、柱状体を備える光学素子を作成した。得られた光学素子について、実施例１と同じ方法で、光学素子の領域Ｋにおける表面凹凸の大きさを測定したところ、その大きさは３１ｎｍであった。
【０２３５】
比較例１
配向膜を形成した位置がガラス基板の表面であること、および、位相差層の形成後に透明導電膜を形成したこと以外は、実施例１と同じ材料を用い、実施例１と同じ位相差層形成工程、透明導電膜形成工程を実施して、光学素子を得た。比較例１では、基材を備えるとともに位相差層を形成した後に透明導電膜を形成してなる光学素子が得られた。
【０２３６】
得られた光学素子について、光学素子の面内方向の表面プロファイルと光学素子の縦断面の断面プロファイルが測定された。光学素子の面内方向の表面プロファイルは、実施例１と同じく、ＡＦＭにて測定された。光学素子の表面の領域Ｋにおいて、平面視上、ストライプ状の大きな表面凹凸の存在が認められた。また、光学素子の縦断面形状の断面プロファイルの測定にあたり、その断面プロファイルの測定対象となる光学素子の縦断面としては、実施例１において選択された縦断面と同じ面が選択された。光学素子の領域Ｋにおける表面凹凸の大きさは、８０ｎｍであった。
【０２３７】
比較例２
比較例１で得られる光学素子における表面上に、更に、柱状体の形成が行われた。柱状体の形成は、実施例２と同じ工程を用いて実施された。こうして、基材を備えるとともに位相差層を形成した後に透明導電膜を形成し更にその後に柱状体を形成してなる光学素子が得られた。
【０２３８】
得られた光学素子について、実施例１と同じ方法で、光学素子の面内方向の表面プロファイルと光学素子の縦断面の断面プロファイルが測定された。光学素子の表面の領域Ｋにおいて、平面視上、ストライプ状の大きな表面凹凸の存在が、認められた。また、光学素子の縦断面の断面プロファイルに基づき、なお、断面プロファイルの測定対象となる「光学素子の縦断面」は、実施例１と同じ方法で選択された。ＡＦＭにより測定された光学素子の断面プロファイルは、図１１に示されるとおりである。このプロファイルに基づき測定された光学素子の領域Ｋにおける表面凹凸の大きさは、１２８ｎｍであった。
【０２３９】
比較例３
比較例２で得られた光学素子に対して、実施例３の突起形成工程と同じ工程を用いて、高さ１μmの突起を形成した。ただし、突起が形成される「光学素子の表面」は、実施例３と異なり、比較例２の光学素子の表面のうち透明導電膜の形成面である。
【０２４０】
得られた光学素子について、実施例１と同じ方法で、光学素子の面内方向の表面プロファイルと光学素子の縦断面の断面プロファイルが測定された。光学素子の表面の領域Ｋにおいて、平面視上、ストライプ状の大きな表面凹凸の存在が、認められた。また、光学素子の縦断面の断面プロファイルに基づき、なお、断面プロファイルの測定対象となる「光学素子の縦断面」は、実施例１と同じ方法で選択された。光学素子の領域Ｋにおける表面凹凸の大きさは、２０９ｎｍであった。
【０２４１】
比較例４
「ガラス基材に着色層を形成する工程（カラーフィルタ層形成工程）が実施される」という点、「配向膜が着色層表面上に形成される」という点を除いて、比較例１と同じ材料および方法を用い光学素子が得られた。なお、カラーフィルタ層形成工程は、実施例５と同じ方法が用いられた。
【０２４２】
比較例４で得られた光学素子について、実施例１と同じ方法で、光学素子の面内方向の表面プロファイルが測定された。光学素子の表面の領域Ｋにおいて、平面視上、ストライプ状の表面凹凸は、大きなものが認められた。また、断面プロファイルの対象となる「光学素子の縦断面」は、実施例１と同じ方法で選択された。光学素子の領域Ｋにおける表面凹凸の大きさは、８１ｎｍであった。
【０２４３】
比較例５
柱状体を形成するための光学素子として、比較例４の光学素子を用いたほかは、実施例２と同じ材料および方法を用いて、柱状体を備える光学素子を作成した。得られた光学素子について、実施例１と同じ方法で、光学素子の領域Ｋにおける表面凹凸の大きさを測定したところ、その大きさは１３４ｎｍであった。
【図面の簡単な説明】
【０２４４】
【図１】（Ａ）本発明の製造方法により得られる光学素子の例を示す断面模式図である。（Ｂ）本発明の製造方法により得られる光学素子の例を示す断面模式図である。（Ｃ）本発明の製造方法により得られる光学素子の例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の製造方法により得られる光学素子の一例を模式的に示す概略平面図である。
【図３】（Ａ）図２のＩ−Ｉ線断面を模式的に示す図である。（Ｂ）図２のＩＩ−ＩＩ線断面を模式的に示す図である。
【図４】本発明の第５の実施形態の光学素子の一例を模式的に示す概略平面図である。
【図５】図４のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面を模式的に示す図である。
【図６】（Ａ）本発明の製造方法により得られる光学素子を組み込んだ液晶表示装置の例における概略断面図である。（Ｂ）本発明の製造方法により得られる光学素子を組み込んだ液晶表示装置の例における概略断面図である。
【図７】（Ａ）本発明の製造方法により得られる光学素子の表面凹凸を説明するための概略平面図である。（Ｂ）本発明の製造方法により得られる光学素子の表面凹凸を説明するための概略断面図である。
【図８】（Ａ）本発明の製造方法により得られる光学素子の他の例の１つを示す断面模式図である。（Ｂ）本発明の製造方法により得られる光学素子の他の例の１つを示す断面模式図である。
【図９】実施例１におけるＡＦＭの測定結果を示す図である。
【図１０】実施例２におけるＡＦＭの測定結果を示す図である。
【図１１】比較例２におけるＡＦＭの測定結果を示す図である。
【符号の説明】
【０２４５】
１    光学素子
２    基材
３    位相差層
４    柱状体
５    透明導電膜
６    突起
１１  基材
１３  カラーフィルタ層
１５  ブラックマトリクス
２７  着色層
３１  一対の基板
３２  第１の基板
３３  第２の基板
５０  半透過半反射型液晶表示装置
【図１】
2010032591.tif 000015
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2010032591.tif 000019
【図６】
2010032591.tif 000020
【図７】
2010032591.tif 000021
【図８】
2010032591.tif 000022
【図９】
2010032591.tif 000023
【図１０】
2010032591.tif 000024
【図１１】
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