(57)【要約】【課題】リソグラフィ装置内で使用するために、ウェーハのプロファイルの局所的相違を測定する感度が上昇した気体ゲージを提供する。【解決手段】気体ゲージは、オブジェクトまでの距離を割り出すように配置された気体送出管を有する。気体送出管は気体導管を含み、これを通して適切な測定気体が供給される。測定気体は、圧力下で出口を介して気体送出管を出て、相互作用領域内のオブジェクトに衝突し、跳ね返った気体の圧力が圧力検出器によって測定される。小さい原子番号を有する気体を使用することができる。圧力センサは気体出口で、又はその付近で気体導管を少なくとも部分的に囲む気体送出管内に配置された薄膜を含むことができる。圧力センサは気体導管の周囲に配置された薄膜ディスクを含むことができる。圧力センサは、実質的に共通の面に配置され、気体導管から隔置されるが、それでもそれを囲むことができる適切な複数の圧力要素を含むことができる。【選択図】図２
2010114445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定ノズルからオブジェクトまでの距離を割り出すための測定ノズルを含む気体ゲージであって、
前記気体ゲージが、測定気体を前記測定ノズル内に提供するために前記測定ノズル内に延在する気体導管を備え、
前記測定ノズルが、前記オブジェクトに衝突する前記測定気体によって引き起こされる圧力を測定する圧力センサを備え、
前記気体ゲージが、前記測定気体として原子番号が小さい気体を使用して動作可能である、気体ゲージ。
【請求項２】
前記測定気体に水素及び／又はヘリウムが使用される、請求項１に記載の気体ゲージ。
【請求項３】
前記圧力センサが、前記測定ノズルからの前記測定気体の出口の領域に配置された薄膜を備える、請求項１又は２に記載の気体ゲージ。
【請求項４】
前記圧力センサが、前記気体導管の周囲に配置された薄膜ディスクを備える、請求項１又は２に記載の気体ゲージ。
【請求項５】
前記圧力センサが、前記気体導管の周囲の実質的に共通の面に配置された複数の薄膜ディスクを備える、請求項１又は２に記載の気体ゲージ。
【請求項６】
測定ノズルからオブジェクトまでの距離を割り出すための測定ノズルであって、前記オブジェクトに衝突する測定気体によって引き起こされる圧力を測定する圧力センサを備える測定ノズルと、
測定気体を測定ノズル内に提供するために前記測定ノズル内に延在する気体導管と、
を備え、
前記圧力センサが、前記測定ノズルからの前記測定気体の出口の領域に配置された薄膜を備える、気体ゲージ。
【請求項７】
前記気体導管の容積が３．５×１０-7ｍ3より小さい、請求項１、２又は６に記載の気体ゲージ。
【請求項８】
請求項１、２又は６に記載の気体ゲージを備えるリソグラフィ装置。
【請求項９】
パターン付き放射ビームを基板に投影することを含むデバイス製造方法であって、前記基板の表面プロファイルが、請求項１、２又は６に記載の気体ゲージを使用して測定される、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明の実施形態は気体ゲージ、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。
【０００３】
[0003]  以上で述べたようなリソグラフィ装置の実施形態は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許公開第２００５／０２４１３７１号から知られている。既知の装置では、ウェーハまでの距離を測定する圧力センサを含む気体ゲージを使用する。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]  既知の気体ゲージは、ウェーハの景観プロファイルの変化に関して限定された感度帯域幅を有する。発明者達は、リソグラフィ装置内で使用するために、ウェーハのプロファイルの局所的相違を測定する感度が上昇した気体ゲージを創出している。
【０００５】
[0005]  本発明の態様によれば、測定ノズルからオブジェクトまでの距離を割り出す測定ノズルを含む気体ゲージが提供され、気体ゲージは、測定気体を測定ノズル内に提供するために測定ノズル内に延在する気体導管を含み、測定ノズルは、オブジェクトに衝突する測定気体によって引き起こされる圧力を測定する圧力センサを含み、気体ゲージは、測定気体として原子番号が小さい気体を使用して動作可能である。
【０００６】
[0006]  本発明の別の態様によれば、以上で述べたような気体ゲージを含むリソグラフィ装置が提供される。
【０００７】
[0007]  本発明のさらに別の態様によれば、パターン付き放射ビームを基板に投影することを含むデバイス製造方法が提供され、基板の表面プロファイルは、以上で述べたような気体ゲージを使用して測定される。
【０００８】
[0008]  本発明のさらなる特徴及び利点、さらに本発明の様々な実施形態の構造及び動作を、添付図面を参照しながら以下で詳細に説明する。本発明は、本明細書で説明する特定の実施形態に限定されないことが分かる。このような実施形態は、本明細書では例示のためにのみ提示されている。本明細書に含まれる教示に基づき、当業者には追加の実施形態が明白になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
[0009]  本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付図面は、本発明の実施形態を図示し、さらに、記述とともに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるようにする働きをする。
【図１】[0010]  本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0011]  本発明の実施形態による気体ゲージを示した概略図である。
【図３】[0012]  本発明のさらなる実施形態による気体ゲージを示した概略図である。
【図４】[0013]  本発明の実施形態による気体ゲージを示した概略断面図である。
【図５】[0014]  本発明の実施形態による気体ゲージの特徴的な帯域幅曲線の例を概略的に示した図である。
【００１０】
[0015]  本発明の特徴及び利点は、以下で述べる詳細な説明を図面と組み合わせて考慮することにより、さらに明白になり、ここで同様の参照文字は全体を通して対応する要素を識別する。図面では、同様の参照番号は全体的に同一、機能的に類似する、及び／又は構造的に類似する要素を示す。要素が最初に現れた図面を、対応する参照番号の最も左側の桁で示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0016]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ又は複数の実施形態を開示する。開示される（複数の）実施形態は、本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される（複数の）実施形態に限定されない。本発明は添付の請求の範囲によって画定される。
【００１２】
[0017]  記載される（複数の）実施形態、及び「１つの実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」などへの本明細書における言及は、記載される（複数の）実施形態が特定のフィーチャ、構造、又は特徴を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定のフィーチャ、構造、又は特徴を含まないことを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
【００１３】
[0018]  本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア又はその任意の組合せで実現することができる。本発明の実施形態は、１つ又は複数のプロセッサで読み取り、実行することができる機械可読媒体に記憶した命令としても実現することができる。機械可読媒体は、機械（例えば計算デバイス）により読み取り可能な形態で情報を記憶するか、伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械可読媒体は読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）、及びその他を含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかし、このような記述は便宜的なものにすぎず、このような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。
【００１４】
[0019]  しかし、このような実施形態についてさらに詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実現できる例示的環境を提示することが有益である。
【００１５】
[0020]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
[0021]  −  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0022]  −  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0023]  −  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0024]  −  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１６】
[0025]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１７】
[0026]  支持構造は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を支えている。該支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１８】
[0027]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１９】
[0028]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２０】
[0029]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００２１】
[0030]  本明細書で示すように、本装置は反射タイプである（例えば反射マスクを使用する）。あるいは、装置は透過タイプでもよい（例えば透過マスクを使用する）。
【００２２】
[0031]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２３】
[0032]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００２４】
[0033]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２５】
[0034]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２６】
[0035]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、投影システムＰＳを通過し、これは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブラインアラインメントマークとして知られる）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２７】
[0036]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２８】
[0037]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２９】
[0038]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３０】
[0039]  ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３１】
[0040]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３２】
[0041]  以上に関して検討したようなリソグラフィ装置は、本発明の態様により、ウェーハの高さプロファイルを割り出すために図２から図４に関して述べたような気体ゲージを含む。
【００３３】
[0042]  図２は、本発明の態様による気体ゲージの断面の実施形態を示す。気体ゲージ２０は、例えばリソグラフィ装置（図示せず）内に配置されたウェーハなどのオブジェクト２８までの距離を割り出すように配置された気体送出管２４を含む。気体送出管２４は気体導管２４ａを含み、これを通して適切な測定気体が源２２から入口導管２２ａを介して供給される。測定気体は、圧力下で出口２７を介して気体送出管２４を出て、相互作用領域２７ａ内のオブジェクト２８に衝突すると想像される。測定気体がオブジェクトの表面から跳ね返ると、その圧力が圧力検出器又は測定ユニット２６によって測定される。このような測定は、動的モードで、つまり気体送出管がオブジェクト２８の表面をスキャンしている場合にて、又はオブジェクト２８に対して気体送出管２４の１つ又は複数の休止位置では静止モードにて、実行することができる。
【００３４】
[0043]  測定できるようにするために、気体送出管２４は、圧力測定ユニット２６の近傍に測定容積部(measurement volume)２５を生成するリストリクタ(restrictor)２３を含むことができる。例えば圧力測定ユニットに、マイクロフォンを使用することができる。本発明の態様によれば、測定気体に小さい原子番号を有する気体を使用する。気体ゲージ２０は、原子番号が小さい気体を含んだ対応する気体源２２を含むか、そこから送出を受けることができる。例えば、ヘリウム及び／又は水素の場合に、感度帯域幅(sensitivity bandwidth)に関する良好な結果が得られることが判明している。測定気体は必ずしも小さい原子番号を有する気体を１００％含まなくてもよいことが認識される。測定気体が、例えば小さい原子番号を有する気体を少なくとも５０％含む場合に、感度を改良することができる。感度の改良に関するさらなる詳細について、図５を参照しながら検討する。
【００３５】
[0044]  図３は、本発明のさらなる態様による気体ゲージのさらなる実施形態の概略断面図を示している。気体ゲージ３０は、図２に示した実施形態と同様に、例えば小さい原子番号を有する気体などの適切な測定気体を供給するために気体源３２を含むことができる。測定気体は、気体入口３２ａを介して気体送出管３４内に供給される。気体送出管３４は、測定チャンバを画定するリストリクタ３３を含むことができる。本発明の態様によれば、気体ゲージ３０は、少なくとも部分的に気体導管３４ａを囲む気体送出管３４内に配置された圧力センサ３６を備え、前記センサは気体出口３７に、又はその付近に配置される。実施形態では、圧力センサは気体導管３４ａの周囲に配置された薄膜ディスク(membrane disk)を含む。圧力センサの他の幾何形状が可能であることが認識される。例えば圧力センサは、気体導管３４ａと実質的に共通の面に配置され、そこから隔置されるが、それでもそれを囲むことができる適切な複数の圧力要素を含むことができる。実施形態では、１２０°隔置可能な３つの圧力センサを使用する。圧力センサの構成に関するさらなる詳細は、図４を参照しながら示される。
【００３６】
[0045]  気体ゲージ出口の外面（例えば図３のアイテム３６）を圧力センサ薄膜(pressure member membrane)などの圧力センサと少なくとも部分的に置き換えることにより、気体ゲージの帯域幅感度が向上し、圧力センサ薄膜を可能な限り気体ゲージ出口（例えば図３のアイテム３７）に近づけて配置できることが判明している。その結果となる感度帯域幅の詳細について、図５を参照しながら検討する。
【００３７】
[0046]  さらに、圧力センサ薄膜を気体ゲージの外面の近くに配置するか、外面を圧力センサ薄膜と置き換えることにより、気体送出管２４ａ（例えば図２のアイテム２５）の容積を減少させることができ、これは感度帯域幅を向上させる。
【００３８】
[0047]  図２に示すような気体ゲージの場合、気体をマイクロフォン又は圧力センサ２６に送出するために必要な容積は、送出管２４の容積２４ａとほぼ同じである。本発明の実施形態によれば、圧力センサを気体出口に、又はその付近に配置することにより、気体送出管の容積を、例えば２分の１に減少させることができる。したがって典型的な気体送出管の容積を、例えば３．５×１０-7ｍ3より小さくすることができる。
【００３９】
[0048]  図４は、本発明の態様による気体ゲージの実施形態の概略断面図を示している。図４０ａは、圧力センサ４２ａを含み、気体導管４３の周囲に配置されたノズル４１の断面を概略的に描いている。実施形態では、圧力センサ４２ａは、ＭＥＭＳ技術を使用して生産されたセンサの場合に例えば６０マイクロメートルの範囲の厚さを有する薄膜ディスクを含む。この実施形態では、圧力センサ４２ａを容易に製造することができる。
【００４０】
[0049]  図４０ｂは、圧力センサ構成を含むノズル４１の別の実施形態の概略断面図を表し、複数の圧力センサ要素４２ｂが使用されている。この場合、複数の圧力要素は実質的に１つの幾何学的面に配置され、気体導管４３を少なくとも部分的に囲むために相互に変位している。この構成では、圧力センサ要素を、水平面に平行になるように位置合わせすることができる。圧力センサを製造するために適切な材料は、例えば圧電結晶(piezo-crystals)又は半導体材料を含むが、それに限定されない。実施形態では、図４０ｂに描かれた圧力センサは、ＭＥＭＳ技術を使用して生産されたセンサの場合に例えば約６０マイクロメートルの範囲の厚さがあるディスクの形状を有する。
【００４１】
[0050]  図５は、本発明の実施形態による気体ゲージの典型的な感度帯域幅曲線の略図を示している。図５（ａ）は、最先端の気体ゲージに対応する感度曲線Ａ１と本発明の実施形態による気体ゲージに対応する曲線Ｂ１との比較を概略的に示し、圧力センサは図３に示すように気体出口に配置されている。圧力センサが出口にある気体ゲージの帯域幅感度が向上した結果、ウェーハ表面又は任意の他の表面をより迅速にスキャンし、表面の高さの凹凸（景観 landscape）を割り出すことができる。
【００４２】
[0051]  図５（ｂ）は、最先端の気体ゲージに対応する感度曲線（Ａ２）と本発明の別の態様による気体ゲージの感度曲線（Ｂ２）との比較を概略的に示し、測定気体には小さい原子番号を有する気体が選択されている。測定気体にヘリウムを使用する場合では、１〜１０００Ｈｚの範囲の周波数で感度範囲が約１５ｄＢになることが分かる（曲線Ｂ２参照）。最先端の気体ゲージの場合（曲線Ａ２参照）、同じ範囲で感度の低下は約２５ｄＢである。
【００４３】
[0052]  本発明の態様を別個に検討しているが、図３で述べたような圧力センサを含み、小さい原子番号を有する測定気体を使用して動作可能である気体ゲージも、同様に想定されることが理解される。
【００４４】
[0053]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００４５】
[0054]    以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィによって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力又はその組合せを適用することにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
【００４６】
[0055]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００４７】
[0056]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
【００４８】
結論
[0057]  発明の概要及び要約の項目は、発明者が想定するような本発明の１つ又は複数の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。
【００４９】
[0058]  以上では、特定の機能の実現を例示する機能的構成要素及びその関係の助けにより、本発明の実施形態について説明してきた。機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って恣意的に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的な境界を画定することができる。
【００５０】
[0059]  特定の実施形態に関する以上の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更する、及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。本明細書の言葉遣い又は用語は説明のためのもので、制限するものではなく、したがって本明細書の用語又は言葉遣いは、当業者には教示及び案内の観点から解釈されるべきことを理解されたい。
【００５１】
[0060]  本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても制限されず、請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。
【図１】
2010114445.tif 000003
【図２】
2010114445.tif 000004
【図３】
2010114445.tif 000005
【図４】
2010114445.tif 000006
【図５】
2010114445.tif 000007
【外国語明細書】
2010114445000001.pdf