(57)【要約】【課題】純錫めっき或いは錫合金めっきが施された銅又は銅合金の平角導体を熱処理しても、耐食性並びに挿抜耐久性に優れると共に、コネクタ嵌合した後もウイスカーの発生を抑制したＦＦＣ用のめっきＣｕ平角導体を提供することにある。具体的には、発生するウイスカーの最大長を５０μｍ以下とすることにある。【解決手段】少なくとも端子部が形成されるＣｕ平角導体上には、パラジウムの含有率が３〜２５質量％のＳｎＰｄ合金めっき層、その上に純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層が形成され、前記めっき層の合計厚さが０．５〜２．０μｍで且つ純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層の厚さが０．３〜１．０μｍであるめっきＣｕ平角導体とすることによって、解決される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも端子部が形成される銅又は銅合金の平角導体上に、パラジウムの含有率が３〜２５質量％の錫―パラジウム合金めっき層、その上に純錫めっき層或いは錫系合金めっき層が形成され、前記めっき層の合計厚さが０．５〜２．０μｍで且つ純錫めっき層或いは錫系合金めっき層の厚さが０．３〜１．０μｍであることを特徴とする銅又は銅合金からなる平角導体。
【請求項２】
前記錫系合金めっきが、錫―ビスマス合金めっき、錫―銀合金めっき、錫―亜鉛合金めっきから選ばれる１種であることを特徴とする請求項１に記載の銅又は銅合金からなる平角導体。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれかに記載される銅又は銅合金平角導体の複数本が、必要な間隔で接着剤付絶縁テープによってラミネートされて平行に配置され、且つ端子部が形成されていることを特徴とするフレキシブルフラットケーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐食性並びに挿抜耐久性に優れると共に、コネクタ嵌合部分でのウイスカーの発生を抑制した純錫や錫合金のめっき層を有する銅或いは銅合金平角導体並びにそれを用いたフレキシブルフラットケーブルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器等の小型化や軽量化に伴い、搭載される配線材料も小型化が進んでいる。このため限られたスペースに収まると共にその可とう性も要求される。例えば、平角状の導体を複数本平面状に並べ、これをテープ状の絶縁体材料によって両側からラミネートしたフレキシブルフラットケーブル（以下、ＦＦＣ）が使用されている。このＦＦＣは、端末部を口出し加工してプリント配線基板等に接続配線されるが、接触抵抗を小さくしたり、半田付性を向上させるため、前記平角導体端子部には錫―鉛合金めっき（以下、ＳｎＰｂ合金めっき）や金めっき（以下、Ａｕめっき）が施される。しかしながら、Ａｕめっきは高価なためコストアップとなる問題がある。また、ＳｎＰｂ合金めっきはめっき層にＰｂを含んでいるため、Ｐｂの溶出による環境問題が指摘されている。このため、Ｐｂを含有しない純錫めっき（以下、Ｓｎめっき）や錫―ビスマス合金めっき（以下、ＳｎＢｉ合金めっき）、錫―銀合金めっき（以下、ＳｎＡｇ合金めっき）、錫―亜鉛合金めっき（以下、ＳｎＺｎ合金めっき）等の錫系合金めっき（以下、Ｓｎ系合金めっき）が検討されている。しかしながら、これ等の平角導体を用いたＦＦＣは、コネクタと嵌合して長期に使用するとウイスカーと称する針状結晶が成長してくることが知られている。このようなウイスカーの成長は、銅配線間等での短絡を生じて電子機器等のトラブルに繋がり好ましくない。特に、銅系の導体に純Ｓｎめっきを形成し、ついで熱処理を施すような場合には、銅原子がＳｎめっき中に拡散して行き、銅と錫の金属間化合物を形成する。この金属間化合物は、錫とは結晶構造が異なるため、格子間距離に歪ができて圧縮応力が生じる。そして、この圧縮応力がウイスカー発生の駆動力となって、ウイスカーが発生し易くなる。
このため、特許文献１に記載されるような錫系合金めっきが検討されている。すなわち、
導電基体上に、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎの少なくとも１種を０．１〜１５重量％含有するＳｎ合金メッキを形成し、その上層に、Ｚｎメッキ、Ａｇメッキ、ＳｎＺｎ合金メッキ、ＳｎＡｇ合金メッキ又はＳｎＢｉ合金メッキを形成することを提案している。このように２層めっき構造とすることによって耐ウイスカー性が向上するとは思われるが、これがアニール処理された場合には錫と銅との金属間化合物が成長するので、ウイスカー発生の駆動力となる内部応力が生じることが避けられない。
【特許文献１】特開２００７−４６１５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
よって本発明が解決しようとする課題は、純錫めっき或いは錫合金めっきが施された銅又は銅合金の平角導体（以下、めっきＣｕ平角導体）を熱処理しても、耐食性並びに挿抜耐久性に優れると共に、コネクタ嵌合した後もウイスカーの発生を抑制したＦＦＣ用のめっきＣｕ平角導体を提供することにある。具体的には、発生するウイスカーの最大長を５０μｍ以下とすることにある。さらに、前記のめっきＣｕ平角導体を用いることによって、耐食性並びに挿抜耐久性に優れると共に、コネクタと長期間嵌合して使用してもウイスカーの発生を抑制して、銅配線間等での短絡等がない電気的特性に優れた端子部を形成したＦＦＣを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前記解決しようとする課題は、請求項１に記載するように、少なくとも端子部が形成されるＣｕ平角導体上に、パラジウムの含有率が３〜２５質量％のＳｎＰｄ合金めっき層、その上に純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層が形成され、前記めっき層の合計厚さが０．５〜２．０μｍで且つ純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層の厚さが０．３〜１．０μｍであるめっきＣｕ平角導体とすることによって、解決される。
また、請求項２に記載するように、前記Ｓｎ系合金めっきが、ＳｎＢｉ合金めっき、ＳｎＡｇ合金めっき、ＳｎＺｎ合金めっきから選ばれる１種であるめっきＣｕ平角導体とすることによって、より好ましく解決される。
【０００５】
さらに、請求項３に記載するように、請求項１又は２のいずれかに記載されるめっきＣｕ平角導体の複数本が、必要な間隔で接着剤付絶縁テープによってラミネートされて平行に配置され、且つ端子部が形成されているＦＦＣとすることによって、解決される。
【発明の効果】
【０００６】
以上のような本発明によれば、少なくとも端子部が形成されるＣｕ平角導体上に、パラジウムの含有率が３〜２５質量％のＳｎＰｄ合金めっき層、その上に純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層が形成され、前記めっき層の合計厚さが０．５〜２．０μｍで且つ純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層の厚さが０．３〜１．０μｍのめっきＣｕ平角導体としたので、通電アニール等の熱処理を施しても、Ｃｕ平角導体からの銅の拡散をＳｎＰｄ合金めっき層が抑制するので、錫―銅合金層や金属化合物相の生成がない。このため、ウイスカー成長の駆動力となるめっき皮膜の圧縮応力が減少し、耐ウイスカー性が改善される。また、ウイスカーが発生したとしてもその最大長さは５０μｍ以下のものであるから、短絡等を生じない電気的特性に優れたＦＦＣ用のめっきＣｕ平角導体が得られる。そして、さらに耐食性並びに挿抜特性に優れためっきＣｕ平角導体である。
このため、ＳｎＰｄ合金めっき層上に、純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層、特にＳｎＢｉ合金めっき、ＳｎＡｇ合金めっき、ＳｎＺｎ合金の１種を形成しても確実にウイスカーの発生を防止でき、めっきの種類の幅が広がり種々の用途に対応できるＳｎ合金めっきＣｕ平角導体とすることができる。
【０００７】
そして、前記の純Ｓｎ或いはＳｎ系合金めっきＣｕ平角導体の複数本を用い、必要な間隔で接着剤付絶縁テープによってラミネートされて平行に配置し、端子部を形成したＦＦＣとすることによって、コネクタと長期に渡って嵌合して使用しても発生するウイスカーの最大長を５０μｍ以下に抑えられるので、銅配線間等で短絡等が生じることがない電気的特性に優れた小型のＦＦＣが得られると共に、耐食性並びに挿抜耐久性にも優れたＦＦＣである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下に本発明の実施の形態を説明する。本発明は、少なくとも端子部が形成されるＣｕ平角導体上に、パラジウムの含有率が３〜２５質量％のＳｎＰｄ合金めっき層が形成され、さらにその上に純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層を有する構造で、且つ前記めっき層の合計厚さが０．５〜２．０μｍであると共に、純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層の厚さが０．３〜１．０μｍとなるように構成しためっきＣｕ平角導体であって、ＦＦＣ用の導体として使用できる。以下に詳細に説明する。
【０００９】
ＦＦＣ用に使用する純Ｓｎめっき或いはＳｎ系合金めっきが施されたＣｕ平角導体は、通常Φ０．１〜０．２ｍｍ程度に伸線された銅丸線にＳｎめっき等を施した後、圧延加工を行うことによって０．０３〜０．１ｍｍの厚さに圧延され、通電アニール等の熱処理を施すことによって製造されている。しかし、このような熱処理によって、めっきＣｕ平角導体の表面から順次、Ｃｕ３Ｓｎ金属間化合物相、Ｃｕ６Ｓｎ５金属間化合物相が成長する。この金属間化合物の形成は体積膨張によってめっき層に圧縮応力が生じる。この圧縮応力がウイスカー発生の駆動力となっていることが確認された。さらに、前記金属間化合物相は凹凸状に成長するため、表面に残留させる純Ｓｎめっき層やＳｎ系合金めっき層の厚さにバラツキを生じさせることになる。この状態を、図１（ｂ）に模式的に示した。符号１はＣｕ平角導体、２はＣｕ３Ｓｎ金属間化合物相、３はＣｕ６Ｓｎ５金属間化合物相、４は純Ｓｎめっき層の断面である。
【００１０】
そこで、図１（ｂ）における符号２、３で示した凹凸状に生成するＣｕ金属間化合物の生成を抑えることによって、純Ｓｎめっき層は圧縮応力が生じない均一な厚さの層とすることができ、ウイスカーの発生も抑制できるのではないかと考え検討を重ねた。その結果、特定量のパラジウム（Ｐｄ）を含有するＳｎＰｄ合金めっき層をＣｕ平角導体上に設けることによって、Ｃｕ平角導体から純Ｓｎめっき層へのＣｕの熱拡散を抑えることが可能であることが確認された。このＳｎＰｄめっき層は、通常はＣｕ平角導体の全面に施されるが、少なくとも純Ｓｎ、Ｓｎ系合金めっきが施されることになる端子部が形成される部分のみに施せば良い。このようにＣｕの拡散を抑制できることにより、金属間化合物の生成を防止しその上に形成する純ＳｎやＳｎ系合金のめっき層を均一な厚さとすることができ、ウイスカーの発生も抑制される。例え発生しても極めて長さが短いウイスカーのため、配線回路での短絡等を生じることがない。具体的には、ウイスカーの最大長が５０μｍ以下である。この状態を図１（ａ）に示した。図面から明らかな如く、ＳｎＰｄ合金めっき層５をＣｕ平角導体１上に形成することによって、Ｃｕ金属間化合物相の生成は殆ど見られず純Ｓｎめっき層４が均一に形成されていることが判る。なお、前記ＳｎＰｄ合金めっきは、パラジウム含有量を３〜２５質量％とすることが好ましいことも確認された。これは、パラジウム含有量が３質量％未満であると、パラジウムによる金属間化合物の抑制効果が殆どなく、また、２５質量％を超えるとＳｎＰｄ合金めっき層にクラックが生じ易くなると共に、コスト的にも問題があるので好ましくないためである。
さらに、前記のめっき層の合計厚さが０．５〜２．０μｍであると共に、純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層の厚さが０．３〜１．０μｍとなるように構成することが好ましいことが確認された。すなわち、めっき層（熱処理後の純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層、ＳｎＰｄ合金めっき層の合計厚さ）の厚さを上記の範囲としないと、ウイスカーの最大長が大きくなったり、耐食性や挿抜特性が問題になるためである。また、純Ｓｎ或いはＳｎ系合金めっき層の厚さを０．３〜１．０μｍとするのは、ウイスカーの供給源となる錫原子の量をコントロールすることによって、ウイスカーの発生をより抑制するためであり、さらには、耐食性並びに挿抜耐久性に優れためっきＣｕ平角導体とするためである。なお、純Ｓｎ或いはＳｎ系合金めっき層は、通常前記めっきの融点以上の温度で、０．０５〜数秒間加熱することによって得ることができる。さらには、Ｓｎめっきの融点以下の温度で長時間加熱することによっても良いし、両者の加熱処理を組合せて行っても良い。そして、このようなめっきＣｕ平角導体を用い端子部を形成したＦＦＣとすれば、コネクタと嵌合して長期間使用しても銅配線間等での短絡等が生じることがない優れたＦＦＣが得られる。
【００１１】
そして、前記Ｓｎ系合金めっきは、ＳｎＢｉ合金、ＳｎＡｇ合金、ＳｎＺｎ合金から選択して使用できる。また、Ｂｉ、Ａｇ、Ｚｎの含有量は、それぞれの合金中に０．１〜３質量％程度とするのが良い。本発明のようにＳｎＰｄ合金めっき層をＣｕ平角導体上に施すので、前記のＳｎ系合金めっきを問題なく使用することができる。なお、このめっき層はＣｕ平角導体の全面に施す必要はなく、基本的には少なくとも端子部を形成する部分に施せば良い。このようにして得られためっきＣｕ平角導体は、コネクタと長期間嵌合して使用しても銅配線間等での短絡等が生じることがない程度のウイスカーの発生に抑制され、また、耐食性並びに挿抜耐久性に優れためっきＣｕ平角導体となる。このように、純Ｓｎめっきだけではなく、用途によってＳｎ系合金めっきを選択できるＣｕ平角導体を提供できることになる。
【００１２】
そして、上述した純ＳｎめっきやＳｎ系合金めっきが施されためっきＣｕ平角導体の複数本を、必要な間隔で接着剤付絶縁テープによってラミネートして平行に配置し、ついで端子部を形成したＦＦＣとすることによって、前記端子部とコネクタとを嵌合して長期に使用してもウイスカーの発生が抑制され、具体的にはウイスカーの最大長を５０μｍ以下に抑制することによって、銅配線間等での短絡を生じることがなくなる。発生するウイスカーの最大長を５０μｍ以下に抑制することができると共に、純Ｓｎ或いはＳｎ系合金めっき層は均一性に優れているので、耐食性並びに挿抜特性に優れためっきＣｕ平角導体である。なお、前記耐食性は硫化水素腐食ガス試験に合格するものであり、また挿抜特性は、めっきＣｕ平角導体の端子部とコネクタとの押抜操作を３０回行っても接触抵抗の低下が少ない特性である。このようなめっきＣｕ平角導体を使用することにより、小型の電子機器類にも十分に対応できるＦＦＣが得られる。なお、通常のＦＦＣについて簡単に説明すると、例えば純ＳｎめっきＣｕ平角導体を数本〜数十本所定の間隔で平行に並べ、ポリエチレンテレフタレート(以下、ＰＥＴ)やポリイミド樹脂（以下、ＰＩ）等の絶縁フィルムで両側からラミネートして被覆し、適所で切断し少なくとも一方の端部がコネクタ（例えば、ＺＩＦ型コネクタ）と接続する端末部となるように切削して形成することによって製造されたものである。
【実施例】
【００１３】
以下に実施例及び比較例を記載して、本発明の効果を述べる。Φ０．８ｍｍの軟銅丸線に電解めっき法によりＳｎＰｄ合金（Ｐｄ含有量が３〜２５質量％）めっき層を形成した。ついでこの上に、表１に記載するような純Ｓｎめっき層、Ｂｉ含有量が１質量％のＳｎＢｉ合金めっき層、Ａｇ含有量が１質量％のＳｎＡｇ合金めっき層及びＺｎ含有量が１質量％のＳｎＺｎ合金めっき層のそれぞれを施した。このめっき軟銅丸線を伸線加工によりΦ０．１２ｍｍまで伸線し、ついで圧延加工並びに通電アニールを施し、熱処理が施された厚さが０．０３５ｍｍのめっきＣｕ平角導体とした。同様に、ＳｎＰｄ合金めっきを施さない場合、並びにＳｎＰｄ合金のＰｄ含有量を変えためっきＣｕ平角導体も作製した。
つぎに、得られたそれぞれのめっきＣｕ平角導体の断面を鏡面研磨した後、生成された各めっき層の厚さ並びにＳｎＣｕ化合物層の有無を調べた。また、前記のめっきＣｕ平角導体２０本を並列に並べポリエステルフィルムでラミネートし、端部のポリエステルフィルムを除去して端子部に加工し、ついで端子部を形成してＦＦＣとした。このＦＦＣについて、耐ウイスカー性、耐食性及び押抜特性を測定して評価した。
耐ウイスカー性は、前記めっきＣｕ平角導体の端子部にコネクタ（ＪＳＴ社製のＺＩＦタイプで、Ｓｎリフロー処理が施されたものである。）を嵌合し、常温常湿下で５００時間保持した後、端子部の表面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）によって観察して発生したウイスカーの最大長さを測定した。ウイスカーの最大長が５０μｍ以下の場合を合格として〇印で、５０μｍを超え１００μｍまでの場合を△印で、１００μｍを超えている場合には×印で記載した。
また、耐食性として、前記めっきＣｕ平角導体の端子部にＡｕ／Ｎｉめっき（Ａｕの厚さが０．３μｍ、Ｎｉの厚さが３．０μｍ）を施したＪＳＴ社製のノンＺＩＦコネクタを嵌合し、硫化水素１０ＰＰＭ、湿度８５％の雰囲気中に４８時間放置して腐食ガス試験を実施した。この試料についてテスターによる接触抵抗を測定し、試験前の接触抵抗値に対して接触抵抗値の増加率が２０％未満のものを合格として○印で、２０％以上増加したものを不合格として×印で示した。
さらに、前記端子部とコネクタとの押抜特性を調べた。前記めっきＣｕ平角導体の端子部とコネクタ（ＪＳＴ社製のＺＩＦタイプで、Ｓｎリフロー処理が施されたもの）による挿入と引抜き操作を３０回行った後の端子部について、テスターによる接触抵抗を測定し、試験前の接触抵抗値に対して接触抵抗値の増加率が２０％未満のものを合格として○印で、２０％以上増加したものを不合格として×印で示した。結果を表１に示した。
【００１４】
【表１】
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【００１５】
表１に示した実施例１〜１３から明らかなように、Ｃｕ平角導体上にパラジウムの含有率が３〜２５質量％のＳｎＰｄ合金めっき層、その上に純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層が形成され、前記めっき層の合計厚さが０．５〜２．０μｍで且つ純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層の厚さを０．３〜１．０μｍとしためっきＣｕ平角導体は、ＳｎＣｕ化合物層の生成が見られず、また、前記めっきＣｕ平角導体の複数本をラミネートし、さらに端子部を形成したＦＦＣは、耐ウイスカー性、耐食性及び押抜特性のすべてに合格するものであった。これに対して、比較例１〜１３に示した、前記の本発明範囲を外れる場合には、ＳｎＣｕ化合物層の発生、耐ウイスカー性、耐食性及び押抜特性のいずれかの項目が不合格であった。
【００１６】
より詳細に説明する。実施例１、２、１２及び１３に示したように、Ｐｄ含有量が３〜２５質量％のＳｎＰｄ合金めっき層上に、純Ｓｎめっき層が０．３０〜１．００μｍで、合計のめっき層厚さが０．５０〜２．００μｍの範囲のものは、ＳｎＣｕ化合物層の発生がなく、耐ウイスカー性、耐食性及び押抜特性のすべての項目に合格するものである。さらに、実施例３、４及び９に示したように、Ｐｄ含有量が３〜２５質量％のＳｎＰｄ合金めっき層上に、ＳｎＢｉ合金めっき層が０．３０〜１．００μｍで、合計のめっき層厚さが０．５０〜２．００μｍの範囲のものは、ＳｎＣｕ化合物層の発生がなく、耐ウイスカー性、耐食性及び押抜特性のすべての項目に合格するものである。実施例５、６及び１０に示したように、Ｐｄ含有量が３〜２５質量％のＳｎＰｄ合金めっき層上に、ＳｎＡｇ合金めっき層が０．３０〜１．００μｍで、合計のめっき層厚さが０．５０〜２．００μｍの範囲のものは、ＳｎＣｕ化合物層の発生がなく、耐ウイスカー性、耐食性及び押抜特性のすべての項目に合格するものである。実施例７、８及び１１に示したように、Ｐｄ含有量が３〜２５質量％のＳｎＰｄ合金めっき層上に、ＳｎＺｎ合金めっき層が０．３０〜１．００μｍで、合計のめっき層厚さが０．５０〜２．００μｍの範囲のものは、ＳｎＣｕ化合物層の発生がなく、耐ウイスカー性、耐食性及び押抜特性のすべての項目に合格するものである。
【００１７】
これに対して、比較例１及び２に示すように、ＳｎＰｄ合金めっきをＣｕ平角導体上に施さないものは、純Ｓｎ或いはＳｎＢｉ合金めっきのいずれにもＳｎＣｕ化合物層の発生見られ、このため発生するウイスカーの最大長が５０μｍを超えるものが観測された。（△印で示した）また、比較例３及び４に示したとおり、Ｃｕ平角導体上に施すＳｎＰｄ合金めっきに用いるＳｎＰｄ合金は、Ｐｄ含有量が２．８質量％では、下地Ｃｕの熱拡散抑制効果が不十分であり、また、Ｐｄ含有量が２７質量％ではコネクタの挿抜特性が不十分であった。
比較例５に示すように、純Ｓｎめっき層の厚さが０．１９μｍ、また、比較例７のように０．２８μｍと薄すぎると耐食性や挿抜特性が低下する。逆に比較例６のように、純Ｓｎめっき層の厚さが１．３７μｍと厚くなりすぎると、最大長が１００μｍを超えるウイスカーが発生して耐ウイスカー性が悪くなる。（×印で示した）また、比較例８及び９のように、めっき層がＳｎＢｉ合金めっきの場合においても、ＳｎＢｉ合金めっき層の厚さが０．２４μｍのように薄い場合は、耐食性や挿抜特性が悪く、また、１．２８μｍのように厚すぎると、耐ウイスカー性が悪くなる。（×印で示した）さらに、比較例１０及び１１のように、めっき層がＳｎＡｇ合金めっきの場合においても、ＳｎＡｇ合金めっき層の厚さが０．２４μｍのように薄い場合は、耐食性や挿抜特性が悪くなり、また、１．２８μｍのように厚く、合計のめっき層の厚さも２．０１μｍと厚くなると、耐ウイスカー性が悪くなる。（×印で示した）また、比較例１２及び１３のように、めっき層がＳｎＺｎ合金めっきの場合においても、ＳｎＺｎ合金めっき層の厚さが０．２４μｍのように薄い場合は、耐食性や挿抜特性が悪く、また、１．２８μｍのように厚すぎると、耐ウイスカー性が悪くなって好ましくない。（×印で示した）
【産業上の利用可能性】
【００１８】
本発明の純Ｓｎ或いはＳｎ系めっきＣｕ平角導体は、特にコネクタと長期間嵌合して使用してもウイスカーの発生を十分抑制し、銅配線間等での短絡等が生じることがない電気的特性に優れたものであるから、特に小型の電子機器類用のＦＦＣとして有用なものである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図面はＣｕ平角導体のめっき層の断面を示す模式図で、（ａ）は本発明のめっきＣｕ平角導体、（ｂ）は従来のめっきＣｕ平角導体の場合を示す。
【符号の説明】
【００２０】
１  Ｃｕ平角導体
２、３  Ｃｕ金属間化合物相
４  純Ｓｎめっき層
５  ＳｎＰｄ合金めっき層
【図１】
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