(57)【要約】【課題】Ｓｉ原盤の凹凸形状に成膜した複版を凸部に欠けが生じることなく剥離し得るモールドおよびその製造方法を提供する。【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有するモールド１０の製造方法において、凹凸パターンを有するＳｉ原盤２６の表面に、イオン化傾向が水素よりも小さい金属、例えば、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属膜からなる剥離層１６を形成する剥離層形成工程と、剥離層１６の形成後にモールドを構成する金属基板１２を電鋳形成する電鋳工程と、電鋳工程の後、剥離層１６と金属基板１２とを備える複版をＳｉ原盤２６から剥離する剥離工程とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸パターンを有するＳｉ原盤の表面に、イオン化傾向が水素よりも小さい金属を含む金属膜からなる剥離層を形成する剥離層形成工程と、
前記剥離層の形成後に、前記凹凸パターンの凹部を埋めるように、金属基板を電鋳形成する電鋳工程と、
前記電鋳工程の後、前記剥離層と前記金属基板とを備えた複版を前記Ｓｉ原盤から剥離する剥離工程とを備え、前記複版であるモールドを得ることを特徴とするモールドの製造方法。
【請求項２】
前記イオン化傾向が水素よりも小さい金属を含む金属膜が、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属膜であることを特徴とする請求項１記載のモールドの製造方法。
【請求項３】
前記剥離層形成工程と前記電鋳工程との間に、前記剥離層の凹凸パターンに沿って磁性層を形成する磁性層形成工程を有することを特徴とする請求項１または２記載のモールドの製造方法。
【請求項４】
前記剥離層形成工程は、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＡＬＤ（原子層堆積法）、ＣＶＤ（化学気相成長法）、無電解メッキから選ばれる方法で成膜することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のモールドの製造方法。
【請求項５】
前記スパッタリングが、バイアススパッタリングまたはイオンビームスパッタリングであることを特徴とする請求項４記載のモールドの製造方法。
【請求項６】
前記剥離層形成工程と前記電鋳工程との間に、前記剥離層の凹凸パターンに沿って導電性金属からなる導電層を形成する導電層形成工程を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のモールドの製造方法。
【請求項７】
凹凸パターンを有するＳｉ原盤の表面に、イオン化傾向が水素よりも小さい金属を含む金属膜からなる剥離層を形成する剥離層形成工程と、
前記剥離層の形成後に、前記凹凸パターンの凹部を埋めるように充填層を形成する充填層形成工程と、
前記充填層の形成後に、金属基板を電鋳形成する電鋳工程と、
前記電鋳工程の後に、前記剥離層、前記充填層および前記金属基板を備えた複版を前記Ｓｉ原盤から剥離する剥離工程とを備え、前記複版であるモールドを得ることを特徴とするモールドの製造方法。
【請求項８】
前記イオン化傾向が水素よりも小さい金属を含む金属膜が、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属膜であることを特徴とする請求項７記載のモールドの製造方法。
【請求項９】
前記剥離層形成工程は、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＡＬＤ、ＣＶＤ、無電解メッキから選ばれる方法で成膜することを特徴とする請求項７または８記載のモールドの製造方法。
【請求項１０】
前記スパッタリングが、バイアススパッタリングまたはイオンビームスパッタリングであることを特徴とする請求項９記載のモールドの製造方法。
【請求項１１】
前記充填層が金属材料からなることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項記載のモールドの製造方法。
【請求項１２】
前記剥離層形成工程と前記充填層形成工程との間に、前記剥離層の凹凸パターンに沿って磁性層を形成する磁性層形成工程を有することを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項記載のモールドの製造方法。
【請求項１３】
前記導電層形成工程または前記充填層形成工程が、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＡＬＤ、ＣＶＤ、無電解メッキから選ばれる方法により前記導電層または前記充填層を成膜することを特徴とする請求項６〜１２のいずれか１項記載のモールドの製造方法。
【請求項１４】
前記スパッタリングが、バイアススパッタリングまたはイオンビームスパッタリングであることを特徴とする請求項１３記載のモールドの製造方法。
【請求項１５】
凹凸パターンを有するモールドであって、
電鋳によって形成された金属基板と、該金属基板上における凹凸パターンの表面に、イオン化傾向が水素よりも小さい金属を含む金属膜により形成された剥離層とを備えることを特徴とするモールド。
【請求項１６】
前記イオン化傾向が水素よりも小さい金属を含む金属膜が、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属膜であることを特徴とする請求項１５記載のモールド。
【請求項１７】
前記金属基板と前記剥離層との間に、凹凸パターンに沿う磁性層を備えたことを特徴とする請求項１５または１６記載のモールド。
【請求項１８】
前記剥離層の膜厚は、１〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか１項記載のモールド。
【請求項１９】
前記剥離層と前記金属基板との間に、凹凸パターンに沿う導電性金属からなる導電層を備えたことを特徴とする請求項１５〜１８のいずれか１項記載のモールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はモールドおよびその製造方法に係り、特に、ハードディスク装置に用いられる磁気ディスク等の磁気記録媒体の製造工程の１つである、被転写媒体（スレーブ媒体ともいう）にフォーマット情報等の磁気情報パターンを磁気転写する工程の際に用いる磁気転写用モールド（マスター担体）やディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）の作製に用いるモールド、ナノインプリントに用いるモールドなど、表面に微細な凹凸パターンを有するモールドの製造方法および該方法により作製されたモールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブに使用される磁気ディスクは、ドライブに組み込まれる前に、スレーブ媒体にフォーマット情報やアドレス情報が書き込まれることにより製造されるのが一般的である。この書き込みは、磁気ヘッドにより行うこともできるが、これらのフォーマット情報やアドレス情報を担持したマスター担体より一括転写する方法が効率的であり、好ましい。
【０００３】
この磁気転写技術は、磁性層による凹凸パターンを有するマスター担体とスレーブ媒体とを密着させた状態で、片側または両側に電磁石装置、永久磁石装置等の磁界生成手段を配設して転写用磁界を印加し、マスター担体の有する情報（たとえばサーボ信号）に対応する磁化パターンの転写を行うものである。
【０００４】
このような磁気転写に使用するマスター担体の一例としては、基板の表面に情報信号に対応する凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンの表面に薄膜磁性層を被覆形成してなるものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００５】
このマスター担体の凹凸パターンは、フォトレジストが塗布されたＳｉ原盤を回転させながら情報に応じて変調したレーザーまたは電子ビームを照射してパターンを描画し、このフォトレジストを現像した凹凸を有するＳｉ原盤の表面にスパッタリング等により電鋳メッキ用の導電層を形成し、次いで、この導電層の上に電鋳メッキを行って複版となる金属の型をとった後、この複版を剥離することで基板表面に凹凸形状を複写しているモールドを作製してなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２１６１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述の磁気転写用のモールド（マスター担体）においては、透磁率の高い物質からなる磁性層が必要であり、特許文献１に記載の技術では、Ｓｉ原盤の凹凸パターンに直接磁性層が成膜され、この磁性層を導電層とするか、別に導電層を成膜してから、モールドの基板となる金属盤を電鋳メッキにより形成しているため、Ｓｉ原盤と磁性層との接合力が大きく、複版の剥離が困難となる問題を有している。
【０００８】
また、Ｓｉ原盤の凹凸パターンに直接モールドの基板を電鋳するためには、予め導電層を成膜する必要があり、例えばＮｉ導電層をスパッタリング等によって成膜し、その後にモールドの基板を電鋳メッキにより形成するものであり、この場合においても、Ｎｉ導電層は上記磁性層よりは剥離しやすいが、Ｓｉ原盤の凹凸パターンの微細化が進展すると、モールドの複製凸部が欠けてしまい、パターン形状の精度が低下することが問題となっている。
【０００９】
さらに、上記モールドの基板を電鋳処理により形成する場合において、その電鋳液は酸性であり、この電鋳液に導電層を成膜したＳｉ原盤を浸漬して通電したときに、上記導電層が電鋳液の酸で溶解して通電不良が発生し、所望の基板が形成できないことも問題となる。
【００１０】
このような課題は、磁気転写用マスター担体に限らず、表面に微細な凹凸パターンを持つモールド構造体について共通する課題である。
【００１１】
特に、Ｓｉ原盤の微細凹凸パターンにおける凸部のアスペクト比が大きくなると、つまり凸部の幅が狭く高さが高い凹凸形状を有するモールドの作製については、当該モールド（複版）のＳｉ原盤からの良好な剥離性を確保して、凸部に欠けが発生することを抑制する必要がある。
【００１２】
つまり、高アスペクト比の凹凸パターンを有するＳｉ原盤からのモールド（複版）の複製において、モールドの剥離が困難な理由としては、第１にＳｉ原盤の凹部パターン内に形成されたモールドの高アスペクト比形状の凸部に応力が集中することが挙げられ、特に凸部の先端両側面においてＳｉ原盤に対する結合力が大きいことが、剥離時にこの部分に応力が集中して凸部先端が欠ける要因となっている。
【００１３】
しかも前述のように、磁気転写用モールドにおいては、Ｓｉ原盤の凹部パターン内に磁性層を形成する場合があり、この磁性層としてのＦｅＣｏ層等とＳｉ原盤との密着結合力が強いことも要因となっている。
【００１４】
一方、上記のようなＳｉ原盤に対するモールドの剥離性を高めるには、Ｓｉ原盤に予め有機系離型剤を塗布することが考えられるが、剥離性が向上する効果が得られる反面、この離型剤がＳｉ原盤およびモールド表面に残存し、それに伴う磁気転写工程等で付着欠陥を生起する問題を有している。
【００１５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、Ｓｉ原盤の凹凸形状に成膜した複版を凸部に欠けが生じることなく剥離し、１枚の原盤を繰り返し使用可能とするモールドおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のモールドの製造方法は、凹凸パターンを有するＳｉ原盤の表面に、イオン化傾向が水素よりも小さい金属を含む金属膜からなる剥離層を形成する剥離層形成工程と、
前記剥離層の形成後に、前記凹凸パターンの凹部を埋めるように、金属基板を電鋳形成する電鋳工程と、
前記電鋳工程の後、前記剥離層と前記金属基板とを備えた複版を前記Ｓｉ原盤から剥離する剥離工程とを備え、前記複版であるモールドを得ることを特徴とするものである。
【００１７】
ここで、上記「モールド」とは、表面に所望の凹凸パターン形状を有する構造体であり、その凹凸パターンの形状に応じた磁化パターンを被転写媒体に転写するための磁気転写用のマスター担体、その凹凸パターンの形状を被転写媒体に転写するための、ディスクリートトラックメディアやビットパターンメディアの製造におけるモールド、ナノインプリントにおけるモールドなどであるとともに、光ディスク等の製造におけるスタンパーなどが含まれる。
【００１８】
また、上記「金属基板」とは、モールドを構成する層のうち電鋳により形成された層を意味するものとする。
【００１９】
前記製造方法における剥離層形成工程のイオン化傾向が水素よりも小さい金属を含む金属膜は、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属膜で構成することが好適である。その際、前記金属基板は、Ｎｉ電鋳により形成するのが好適である。
【００２０】
前記製造方法において前記剥離層形成工程と前記電鋳工程との間に、前記剥離層の凹凸パターンに沿って磁性層を形成する磁性層形成工程を有してもよい。
【００２１】
また、前記剥離層は、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＡＬＤ（原子層堆積法）、ＣＶＤ（化学気相成長法）、無電解メッキから選ばれる方法で成膜することができる。
【００２２】
また、前記剥離層形成工程と前記電鋳工程との間に、前記剥離層の凹凸パターンに沿って導電性金属からなる導電層を形成する導電層形成工程を有するようにしてもよい。
【００２３】
さらに、本発明のモールドの製造方法は、凹凸パターンを有するＳｉ原盤の表面に、イオン化傾向が水素よりも小さい金属を含む金属膜からなる剥離層を形成する剥離層形成工程と、
前記剥離層の形成後に、前記凹凸パターンの凹部を埋めるように充填層を形成する充填層形成工程と、
前記充填層の形成後に、金属基板を電鋳形成する電鋳工程と、
前記電鋳工程の後に、前記剥離層、前記充填層および前記金属基板を備えた複版を前記Ｓｉ原盤から剥離する剥離工程とを備え、前記複版であるモールドを得ることを特徴とするものである。なお、上記充填層は金属材料からなることが好適である。
【００２４】
前記製造方法における剥離層形成工程のイオン化傾向が水素よりも小さい金属を含む金属膜は、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属膜で構成することが好適である。その際、前記金属基板は、Ｎｉ電鋳により形成するのが好適である。
【００２５】
また、前記剥離層は、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＡＬＤ、ＣＶＤ、無電解メッキから選ばれる方法で成膜することができる。
【００２６】
前記製造方法において前記剥離層形成工程と前記充填層形成工程との間に、前記剥離層の凹凸パターンに沿って磁性層を形成する磁性層形成工程を有してもよい。
【００２７】
なお、前者の方法における前記導電層形成工程または後者の方法における前記充填層形成工程は、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＡＬＤ、ＣＶＤ、無電解メッキから選ばれる方法により前記導電層または前記充填層を成膜するものであることが好適である。
【００２８】
そして、上記スパッタリングは、バイアススパッタリングまたはイオンビームスパッタリングであることが好適である。
【００２９】
一方、本発明のモールドは、凹凸パターンを有するモールドであって、
電鋳によって形成された金属基板と、該金属基板上における凹凸パターンの表面に、イオン化傾向が水素よりも小さい金属を含む金属膜により形成された剥離層とを備えることを特徴とするものである。
【００３０】
ここで「金属基板上における凹凸パターンの表面」とは、金属基板自体の形状としての凹凸パターンの表面若しくは凹凸パターン形状を有しない金属基板上に形成された層の形状としての凹凸パターンの表面、又はこれらの凹凸パターン上に形成された他の層の表面を意味するものとする。
【００３１】
前記モールドにおける剥離層のイオン化傾向が水素よりも小さい金属を含む金属膜は、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属膜で構成することが好適である。
【００３２】
前記金属基板と前記剥離層との間に、凹凸パターンに沿う磁性層を備えてもよい。その際、前記金属基板は、Ｎｉ電鋳により形成されたＮｉ基板で構成するのが好適である。
【００３３】
また、前記剥離層の膜厚は、１〜３０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１〜２０ｎｍであり、特に好ましくは２〜１０ｎｍである。
【００３４】
また、前記剥離層と前記金属基板との間に、凹凸パターンに沿う導電性金属からなる導電層を備えてもよい。
【００３５】
剥離層に用いる金属は、イオン化傾向が水素よりも小さい金属、例えば、上記Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕおよびＰｄから選ばれる金属であり、より好ましくはＰｔ、Ｏｓ、Ｉｒであり、特に好ましくはＰｔである。
【００３６】
上記剥離層は、前記のように１〜３０ｎｍと膜厚が薄いために、酸化されると電気抵抗が大きく増加しやすい。電気抵抗が大きくなると電鋳の初期に通電不良が起きたり、Ｓｉ原盤凹部をきれいに埋める形で電鋳膜が成長しなかったりする不具合が生じやすくなる。このため、上記剥離層には、イオン化傾向が水素よりも小さく、酸化物を生成しにくい金属を用いる必要がある。
【発明の効果】
【００３７】
本発明のモールドの製造方法によれば、イオン化傾向が水素よりも小さい金属、例えば、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属膜からなる剥離層が存在することにより、Ｓｉ原盤に対する複版の剥離性が向上する。つまり、イオン化傾向が水素よりも小さく酸化されにくい剥離層の存在に起因して、複版の剥離時にＳｉ原盤と複版との結合力が低下し、複版の凸部への応力集中が軽減されて凸部パターンの欠けが防止されることにより、高アスペクト比の凹凸パターン形状であっても、形状安定性のよいモールドを得ることができる。
【００３８】
また、上記剥離層は、その後に形成された金属基板または磁性層または導電層と一体となって、複版としてＳｉ原盤より剥離されるため、凹凸パターンの形状母材となるＳｉ原盤は複数回の繰り返し使用が可能である。
【００３９】
さらに、前記剥離層は、イオン化傾向が水素よりも小さい金属で形成されているため、金属基板の電鋳時における酸性の電鋳液に浸漬されて通電された際に、溶解することなく剥離性および導電性を維持することができる。これにより、その後の良好な電鋳処理および剥離処理を実施することができる。
【００４０】
一方、本発明のモールドによれば、剥離した複版であるモールドの凹凸表面が剥離層で被覆されていることにより、有機系離型剤を使用したときのような付着欠陥の発生を防止することができる。
【００４１】
さらに、本発明によれば、モールドに微細形状の凹凸パターンを精度よく形成できるため、磁気転写または形状転写の転写特性に優れたモールドを得ることができる。また、本発明に係るモールドを用いることにより、品質の安定した転写を実現できる。
【００４２】
つまり、本発明によれば、凹凸パターンにおける線幅が狭くなったり高さが高くなったりしても、凸部のパターン崩れが無く、凹凸形状の再現性が高いモールドを得ることができる。これにより、例えば磁気転写用のモールドでは、磁気転写後の信号品位に優れるマスター担体が得られ、例えば形状転写用のモールドでは、転写形状の再現性に優れるナノインプリント、ディスクリートトラックメディア、ビットパターンメディア用のモールドまたは高品質の光ディスク用スタンパーを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態に係るモールドとしての磁気転写用マスター担体の部分拡大斜視図である。
【図２】図１の磁気転写用マスター担体の全体構成を示す平面図である。
【図３】図１の磁気転写用マスター担体の作製工程を順に示す断面図である。
【図４】複版凸部の台形形状の定義に関する説明図である。
【図５】他の形態のマスター担体の作製工程を順に示す断面図である。
【図６】複版凸部内部に非充填領域が形成される様子を示す断面図である。
【図７】Ｐｔ剥離層を有する本発明実施例１とＮｉ剥離層を有する比較例１の複版におけるパターン形成性を対比した顕微鏡写真を示す図である。
【図８】Ｒｕ剥離層を有する本発明実施例２とＮｉ剥離層を有する比較例２の複版におけるパターン形成性を対比した顕微鏡写真を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１および図２に示す本発明の実施の形態としてのモールドは磁気転写用マスター担体の例である。
【００４５】
〔マスター担体の説明〕
図１は一実施形態に係る磁気転写用マスター担体の部分拡大斜視図であり、図２は図１の磁気転写用マスター担体の全体平面図である。なお、各図は説明の便宜上、実際の寸法とは異なる比率で示している。
【００４６】
図１に示すように、本実施形態に係る磁気転写用マスター担体１０は、金属製のマスター基板１２と磁性層１４と剥離層１６とで構成されている。マスター基板１２は表面に転写情報に応じた微細な凹凸パターンを有しており、この凹凸面に磁性層１４が被覆形成され、該磁性層１４の上に更に剥離層１６が被覆形成されてなる。なお、図には示さないが、剥離層１６の上に保護層や潤滑層を設ける態様が好ましい。
【００４７】
微細な凹凸パターンの凸部は、平面視で長方形であり、トラック方向（図１の矢印方向）の長さＡと、トラック幅方向（半径方向）の長さＬ、並びに突起の高さ（厚さ）Ｈの値は、記録密度や記録信号波形等により設計される。例えば、長さＡが８０ｎｍに、長さＬが２００ｎｍに設定される。
【００４８】
ハードディスク装置に用いられる磁気ディスクのサーボ信号の場合、この微細パターンは、トラック方向の長さＡに比べてトラック幅方向の長さＬの方が長く形成される。例えば、トラック幅方向の長さＬが０．０５〜２０μｍ、トラック方向（円周方向）の長さＡが０．０５〜５μｍであることが好ましい。この範囲でトラック幅方向の方が長いパターンを選ぶことが、サーボ信号の情報を担持するパターンとしては好ましい。
【００４９】
凸部パターンの高さＨ（凹部パターンの深さ）は、２０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、３０〜６００ｎｍの範囲がより好ましい。
【００５０】
また、図２に示すように、マスター担体１０の全体形状は、中心孔１２ａを有する円盤状のディスクに形成されており、内周部および外周部を除く片面の円環状領域１２ｂに図１のような凹凸パターンが形成される。
【００５１】
なお、マスター担体１０において、マスター基板１２がＮｉ等を主体とした強磁性体の場合には、このマスター基板１２のみで磁気転写が可能であり、磁性層１４は被覆しなくてもよいが、転写特性のよい磁性層１４を設けることにより、より良好な磁気転写が行える。
【００５２】
本例のマスター担体１０は、後述するように、転写すべき情報に応じた凹凸パターンが形成されたＳｉ原盤（反転型原盤）に、剥離層１６と磁性層１４を形成し、次いで、Ｎｉ電鋳によって所定厚さのＮｉ金属層によるマスター基板１２を積層し、剥離層１６、磁性層１４およびマスター基板１２が一体となった複版を、原盤から剥離した後、外周部分および中心孔１２ａの部分を所望のサイズに打ち抜いて作製してなるものである。
【００５３】
〔第１のマスター担体の製造方法の説明〕
次に、上記マスター担体１０（モールド）の製造方法を、図３に基づいて説明する。先ず、図３（ａ）に示すように、表面が平滑なシリコンウエハーである原板２０（ガラス板、石英ガラス板でもよい）の上に、電子線レジスト液をスピンコート法等により塗布してレジスト層２２を形成し(レジスト塗布工程)、ベーキング処理（プレベーク）を行う。
【００５４】
次いで、高精度な回転ステージまたはＸ−Ｙステージを備えた不図示の電子ビーム露光装置のステージ上に原板２０をセットし、この原板２０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビーム２４を照射し（図３（ｂ））、レジスト層２２の略全面に所定のパターン、たとえば各トラックに回転中心からトラック幅方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターン（図１の凸部パターン形状）を円周上の各トラックの各フレームに対応する部分に描画露光する（電子線描画工程）。
【００５５】
次いで、図３（ｃ）に示すように、レジスト層２２を現像処理し、露光部分を除去して、残ったレジスト層２２による所望厚さの被覆層を形成する。この被覆層が次工程（エッチング工程）のマスクとなる。現像処理の後には、レジスト層２２と原板２０との密着力を高めるためにベーキング処理（ポストベーク）を行う。
【００５６】
次いで、図３（ｄ）に示すように、レジスト層２２の開口部２５より原板２０を表面より所定深さだけ除去（エッチング）する。このエッチングにおいては、アンダーカット（サイドエッチ）を最小にすべく、異方性のエッチングが望ましい。このような、異方性のエッチングとしては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Reactive Ion Etching）が好ましく採用できる。
【００５７】
次いで、図３（ｅ）に示すように、レジスト層２２を除去する。レジスト層２２の除去方法は、乾式法としてアッシングが採用でき、湿式法として剥離液による除去法が採用できる。このアッシング工程により、所望の凹凸パターンの反転型が形成されたＳｉ原盤２６が作製される。
【００５８】
次いで、図３（ｆ）に示すように、Ｓｉ原盤２６の凹凸面に均一厚さで導電性を有する剥離層１６を形成する剥離層形成工程を実施する。この剥離層１６を形成する材料としては、イオン化傾向が水素よりも小さい金属、具体的には、白金族に属する白金Ｐｔ、オスミウムＯｓ、イリジウムＩｒ、ルテニウムＲｕ、パラジウムＰｄに金Ａｕを加えたグループから選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属膜、つまり、単金属または合金（このグループから選ばれた金属と、その他の金属との合金（例：ＰｔＮｉ、ＲｕＮｉ）を含む。）により形成される。この剥離層１６に用いる金属としては、より好ましくはＰｔ、Ｏｓ、Ｉｒであり、特に好ましくはＰｔである。
【００５９】
上記剥離層１６は、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＡＬＤ（原子層堆積法：Atomic Layer Deposition）、ＣＶＤ（化学気相成長法：Chemical Vapor Deposition）、無電解メッキから選ばれる金属成膜方法で成膜することができる。本例では剥離層１６として、スパッタ法によりＰｔ膜が形成される。ここで、上記スパッタリングは、凹凸パターンの被覆性および材料選択の観点から、バイアススパッタリングまたはイオンビームスパッタリングであることが好適である。
【００６０】
剥離層１６の膜厚は、１〜３０ｎｍであり、より好ましくは１〜２０ｎｍであり、特に好ましくは２〜１０ｎｍである。なお、本明細書において「剥離層の膜厚」とは、凹凸パターンの影響を受けない平坦面における剥離層の膜厚を意味するものとし、凹凸パターンの影響を受ける部分における実際の膜厚はこれらの範囲から外れることを許容する。以下膜厚について、後述する導電層、磁性層、充填層および金属基板についても同様である。
【００６１】
剥離層１６の膜厚が上記範囲より厚すぎると剥離性が大きくなりすぎるため、電鋳を開始した直後に電鋳膜自身の応力で複版（モールド）側がＳｉ原盤から剥離してしまい、「シワ」や「穴あき」といった不具合が発生する問題を有する。
【００６２】
また、上記剥離層１６のみでは導電性が不足するなど膜厚が足りない場合は、剥離層１６を成膜した後に、Ｎｉ等の導電性金属による導電層を重ねて成膜するようにしてもよい。つまり、前記剥離層形成工程の後に、剥離層１６の上に導電性金属をスパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＡＬＤ、ＣＶＤ、無電解メッキなどの金属成膜方法で成膜する導電層形成工程を実施してもよい。例えば、厚さ２ｎｍのＰｔ剥離層を成膜した後に、厚さ６ｎｍのＮｉ導電層を成膜する。ここで、剥離層形成と同様に、上記スパッタリングは、凹凸パターンの被覆性および材料選択の観点から、バイアススパッタリングまたはイオンビームスパッタリングであることが好適である。
【００６３】
また、上記Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕおよびＰｄの単一金属のみでは剥離性が高すぎて、かえってパターン形成が難しくなるために剥離力を制御したい場合は、これらの金属を含む合金、例えばＰｔ３０Ｎｉ７０を剥離層として用いてもよい。
【００６４】
次いで、図３（ｇ）に示すように、上記剥離層１６の上に磁性材料による磁性層１４を形成する磁性層形成工程を実施する。なお、磁性層１４は、剥離層１６と上記導電層との間に形成してもよい。この場合、磁性層形成工程は、剥離層形成工程と導電層形成工程との間で実施される。または、磁性層１４は、上記導電層を形成した後に形成してもよい。この場合、磁性層形成工程は、導電層形成工程の後に実施される。
【００６５】
磁性層１４の形成は、磁性材料を真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＡＬＤ、ＣＶＤ等の真空成膜手段、メッキ（無電解メッキを含む）などにより成膜する。磁性層１４の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）を用いることができる。特に、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉが好ましく用いることができる。磁性層１４の厚さは、１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が好ましい。
【００６６】
次いで、図３（ｈ）に示すように、Ｓｉ原盤２６の表面に形成された剥離層１６および磁性層１４を陰極として電鋳（電着）を行い、所望の厚さのマスター基板（金属基板）１２（ここでは、Ｎｉ電鋳膜）を形成する電鋳工程を実施する。
【００６７】
この電鋳工程は、電鋳装置の電解液中にＳｉ原盤２６を浸し、Ｓｉ原盤２６上の導電性を担う層（本実施形態では、剥離層１６および磁性層１４）を陰極として、この陰極と陽極との間を通電することにより行われる。このとき、電解液の濃度、ｐＨ、電流のかけ方等は、形成されるマスター基板１２となるＮｉ電鋳膜に歪みのない最適条件となるように調整されることが求められる。
【００６８】
そして、上記のようにして電鋳が終了した後、所定厚のマスター基板１２が積層されたＳｉ原盤２６が電鋳装置の電解液から取り出され、剥離槽（図示略）内の純水に浸される。
【００６９】
次いで、剥離槽内において、剥離層１６、磁性層１４およびマスター基板１２が一体となった複版としてのマスター担体１０をＳｉ原盤２６から剥離する剥離工程を実施し、図３（ｉ）に示すようなマスター担体１０を得る。このマスター担体１０の表面には、Ｓｉ原盤２６に形成した凹凸パターンから反転複製した凹凸パターンが形成されている。
【００７０】
剥離層１６の上に保護層を形成する場合には、打抜き加工により、Ｓｉ原盤２６から剥離した後のマスター担体１０の内径および外径を所定のサイズに打抜き、その後にカーボン膜をスパッタ法で形成する。
【００７１】
このようにして、磁気転写用マスター担体１０が製造される。また、磁気強度を大きくしたい場合には、Ｓｉ原盤２６から剥離し、打抜き加工した後のマスター担体１０に、もう１度磁性層を形成（後載せ）し、その後に保護層を形成する。
【００７２】
上記の製造方法によれば、剥離工程における複版としてのマスター担体１０の剥離性がよく、凹凸パターンの凸部先端の欠けの発生を防止できる。これにより、Ｓｉ原盤２６の凹凸形状を正確に現出させた磁気転写用マスター担体１０を得ることができ、信号品質の良好な磁気転写が可能となる。
【００７３】
また、図１に示したとおり、マスター担体１０における凹凸パターンの凸部は、トラック方向断面で台形であり、凸部の立ち上がり角度が９０°に近づくほど（断面矩形に近づくほど）、マスター担体１０をＳｉ原盤２６から剥離しにくくなる。
【００７４】
本例の製造方法によれば、従来に比べて複版であるマスター担体１０の剥離性が改善されるため、凸部の形状を矩形に近づけることができ、凹凸パターンの高密度化および高精度化を実現でき、磁気記録媒体に転写記録する情報の高密度化および高精度化が図れることになる。また、磁気転写用マスター担体の場合には、少なくともサーボパターンを含んだ磁性層による高密度かつ高精度な微細凹凸パターンを表面上に有するため、このマスター担体を磁気記録媒体と重ねて磁気転写技術を用いて磁界を印加することにより、磁気記録媒体に磁性層のパターンに対応した磁化パターンを高密度かつ高精度に転写することができ、特性の優れたメディアを簡易に作製することができる。
【００７５】
また、本例の製造方法によれば、Ｓｉ原盤２６上に離型剤を使用したときのような残留物が残らないため１つのＳｉ原盤２６を繰り返し使用することができ、同じＳｉ原盤２６より複数（例えば３０枚）のマスター担体１０が作製でき、製造コストの低減化が図れる。
【００７６】
〔凸部の好ましい形態について〕
上記図３においては、マスター担体１０に形成する凹凸パターンの形状は、矩形状に略記しているが、実際には、図１に示す形状から、記録情報の高密度化に伴って、図４に示すように、凸部のトップ幅が狭くかつ高く、つまりアスペクト比がさらに高く形成されるようになっている。これに応じて、Ｓｉ原盤２６からのマスター担体１０の剥離性も変化するものである。
【００７７】
図４は、上記マスター担体１０の凸部の台形形状を示す断面模式図である。なお、便宜上マスター担体１０の層構造は省略している。凸部の「高さ」および台形斜面の「傾斜角」は図示の通りであり、後述の「半値幅」は半分の高さ位置での凸部幅を示すものとして定義され、また、凸部の台形形状のアスペクト比は「高さ／半値幅」と定義される。
【００７８】
そして、本実施形態におけるマスター担体の凸部の高さ・半値幅について実施上好ましい範囲は、高さ：５〜８００ｎｍ、半値幅：３〜２００００ｎｍである。より好ましい範囲は、高さ：１０〜６００ｎｍ、半値幅：７〜５０００ｎｍである。特に好ましい範囲は、高さ２０〜４００ｎｍ、半値幅：１０〜５００ｎｍである。具体的には、例えば、高さ１００ｎｍで半値幅４０ｎｍ〜２５０ｎｍの複数の凸部パターンが同一のマスター担体１０内に存在している。
【００７９】
アスペクト比について好ましい範囲は、０．０５〜５０．０である。より好ましい範囲は、０．０２〜１０．０である。特に好ましい範囲は、０．２〜５．０である。具体的には、例えば、アスペクト比０．５（＝１００／２５０）〜２．５（＝１００／４０）の複数の凸部パターンが同一のマスター担体１０内に存在している。
【００８０】
台形斜面の傾斜角について好ましい範囲は、２０〜９０°である。より好ましい範囲は、３０〜８９°である。特に好ましい範囲は、４０〜８８°である。具体的には、例えば、約８２°に設計する。
【００８１】
なお、厳密な台形ではなく、凸形状のボトム部を裾引き形状にする（角を丸くする）と複版の剥離性が一層向上する。
【００８２】
マスター担体１０における凸部パターンの台形形状は、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によって実現できる。エッチングレート、エンチングガスの種類、混合比などを変えることで台形の傾斜角を制御する。
【００８３】
〔第２のマスター担体の製造方法の説明〕
次に、別の実施形態のマスター担体の製造方法を、図５に基づいて説明する。この製造方法は、剥離層形成後マスター基板（金属基板）形成前に、Ｓｉ原盤の凹凸パターンの凹部を埋めるための充填層を形成する点で、図３を用いて前述した上記製造方法と異なる。すなわち、図３（ｇ）までの工程は上記製造方法と同一であり、同一の構成要素については同一の符号を付し、同一の要素についての説明は特に必要のない限り省略する。
【００８４】
図５（ａ）は、シリコンウエハー原板２０の表面に凹凸パターン形状を形成した後、剥離層１６および磁性層１４を順に形成する工程を経たときのＳｉ原盤の状態を示す概略断面図である。すなわち、図３（ｇ）に示す状態に相当するものである。
【００８５】
そして、本実施形態の製造方法では、図５（ａ）に示す状態からさらに充填層１３を形成し（図５（ｂ））、電鋳によりマスター基板１２を形成し（図５（ｃ））、複版をＳｉ原盤２６から剥離することにより、マスター担体３０が得られる（図５（ｄ））。
【００８６】
充填層１３は、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＡＬＤ、ＣＶＤ、無電解メッキから選ばれる金属成膜方法で成膜することができる。ここで、上記スパッタリングは、凹凸パターンの充填性および材料選択の観点から、バイアススパッタリングまたはイオンビームスパッタリングであることが好適である。充填層１３の形成方法として特に好適なのは、凹凸パターンの凹部の充填性が優れているバイアススパッタリング若しくはイオンビームスパッタリングまたはＡＬＤである。充填層１３の材料としては、特に制限されず、導電層、磁性層または電鋳により形成される金属基板の材料と同様のものが挙げられる。すなわち、上記導電層や磁性層が、この充填層を兼ねてもよい。
【００８７】
前述したように、微細な凹凸パターンを有するモールドの製造において、原盤から複版を剥離する際に生じる複版の凸部の欠損が問題となっている。その主な要因として原盤と複版との接合力が大きいことを挙げたが、さらに複版凸部内部に充填されない領域（非充填領域）が形成されることもその要因の１つとして考えられる。例えば、この非充填領域は、図６に示すように、凹凸パターン上に形成された比較的厚い膜（例えば磁性層１４とする）が凹部の開口を狭めることにより（図６（ａ））、その後の電鋳工程において金属材料が凹部の深部にまで充填されにくくなることが原因で形成される。そこで、充填層１３は、特に凹凸パターンの凹部を埋めることを目的として形成される。例えば、バイアススパッタリングにより充填層を形成した場合には、スパッタ粒子による膜の堆積とバイアス印加によるＡｒイオンエッチングとが膜形成面上で同時に進行しているため、凹部の開口付近に堆積した膜の一部が再スパッタされて、凹部の深部まで充填することが可能となる。なお、十分な厚さの膜を堆積すれば埋め込み面は平坦になる。
【００８８】
このように、本実施形態マスター担体も、イオン化傾向が水素よりも小さい金属を含む剥離膜を有していることにより、前述した実施形態と同様の効果を奏する。また、凹部の充填を目的とした充填層１３を有することにより、本実施形態のマスター担体は、凹凸パターン線幅が細くなっても非充填領域を生じることなく良好に凹部を充填することができるため、上記複版の凸部の欠損をさらに防止することが可能となる。
【００８９】
〔他の形態のモールドについて〕
上記の実施形態では、磁気転写用マスター担体に係るモールドについて説明したが、本発明は前述のように、ディスクリートトラックメディア用のモールド、ナノインプリント用のモールドなどについても適用可能である。
【００９０】
これらの微細凹凸パターンを有するディスクリートトラックメディア用のモールド、ナノインプリント用のモールドは、その微細凹凸面を対象物に押圧してその形状転写を行う方式のものである。これらのモールドは、例えば前記マスター担体１０において磁性層１４を除いた構造、すなわち剥離層１６に重ねてマスター基板１２に相当する金属基板を電鋳により形成してなるものである。
【００９１】
したがって、その製造方法は、図３の工程において図３（ｇ）の磁性層形成工程を省略する以外は同様の工程によって製造できるものである。なお、凹凸パターンの形状は上記磁気転写用マスター担体のものとは異なっているが、それに対応した剥離層の形成により良好な剥離性を確保して、ベース材となる金属基板上に高密度かつ高精度に凹凸パターンを形成し、表面に剥離層が一体に付着しているモールドをＳｉ原盤より剥離形成する点では異ならない。光ディスク製造用のモールド（スタンパー）についても同様である。
【００９２】
そして、上記モールドの製造方法によれば、Ｐｔなどのイオン化傾向が水素よりも小さい金属を含有する剥離層を有すると共に、表面に高密度かつ高精度の凹凸パターン形状を有するモールドが簡易に得られる。これにより、このモールドを押圧転写する際にも剥離性が確保される。特に、インプリントモールドの場合には、インプリント技術を用いて形状パターニングを行う際に、このモールドを磁気記録媒体の形成過程でのマスクとなる樹脂層表面に圧接することにより、媒体表面に一括して形状転写することができる。同様の方式で、特性の優れたディスクリートトラックメディアやビットパターンメディアなどの磁気記録媒体を簡易に作製することができる。
【００９３】
上記のように各種モールドの形態に応じて、その層構成は、例えば次のようなパターンがある。第１パターンは、［剥離層／導電層／磁性層／金属基板］の順に構成された層構成である。第２パターンは、［剥離層／磁性層／導電層／金属基板］の順に構成された層構成である。第３パターンは、［剥離層／磁性層／金属基板］の順に構成された層構成である。第４パターンは、［剥離層／導電層／金属基板］の順に構成された層構成である。第５パターンは、［剥離層／金属基板］の順に構成された層構成である。さらに、第６パターンは、［剥離層／磁性層／充填層（導電層を兼ねる）／金属基板］の順に構成された層構成である。第７パターンは、［剥離層／充填層（導電層および磁性層を兼ねる）／金属基板］の順に構成された層構成である。
【００９４】
例えば、前述の磁気転写用のマスター担体では、剥離層にＰｔを使用した場合に、その剥離性は厚さ２〜５ｎｍで良好な結果が得られ、６ｎｍを越えて厚くなるとＮｉ基板の電鋳条件によっては複版にシワが発生する場合がある。一方、厚さが２〜３ｎｍのＰｔでは、連続膜とはなっていないので、磁性層を成膜しない場合には、電鋳に必要とされる通電性が不足することになる。そのため、例えば、剥離層としてＰｔを厚さ２ｎｍに成膜した後に、導電層としてＮｉを厚さ６ｎｍに成膜して電鋳時の導電性を確保している。また、磁性層を成膜する場合でも導電層を形成してもよく、例えば、Ｐｔ剥離層（３ｎｍ厚）／Ｎｉ導電層（６ｎｍ厚）／ＦｅＣｏ磁性層（３０ｎｍ厚）／Ｎｉ電鋳層（１５０μｍ厚）のように構成してもよい。なお、上記に例示した各層の厚さは、モールドの種類、各層の材質、各層の厚さの比率等の組み合わせに応じて変化するものであり、最適値を示すものではない。
【００９５】
〔実施例１〕
磁気転写用のモールド（マスター担体）の層構成の例であり、半値幅３０ｎｍ、高さ１００ｎｍの微細な凹状パターンが形成されたＳｉ原盤の表面に、スパッタ法にて厚さ３ｎｍのＰｔからなる剥離層を形成し、次いで、同じくスパッタ法にて、ＦｅＣｏからなる厚さ２０ｎｍの磁性層を形成した。このＰｔ剥離層（３ｎｍ）とＦｅＣｏ層（２０ｎｍ）の２層を形成したＳｉ原盤の上にマスター基板として厚さ１５０μｍとなるようにＮｉを電鋳して複版を形成した。この複版をＳｉ原盤から剥離することにより、その表面に凸状反転パターンを有するとともに当該反転パターンの表面に磁性層およびＰｔ剥離層が形成された磁気転写用マスター担体を得た。
【００９６】
〔実施例２〕
ディスクリートトラックメディア用のモールドの層構成の例であり、半値幅２０ｎｍ、高さ６０ｎｍの微細な凹状パターンが形成されたＳｉ原盤の表面に、スパッタ法にて厚さ９ｎｍのＲｕからなる剥離層を形成し、次いで、Ｒｕ剥離層（９ｎｍ）を形成したＳｉ原盤の上に基板として厚さ１５０μｍとなるようにＮｉを電鋳して複版を形成した。この複版をＳｉ原盤から剥離することにより、その表面に凸状反転パターンを有するとともに当該反転パターンの表面にＲｕ剥離層が形成された形状転写用のモールドを得た。
【００９７】
〔実施例３〕
磁気転写用のモールド（マスター担体）の層構成の例であり、半値幅２０ｎｍ、高さ６０ｎｍの微細な凹状パターンが形成されたＳｉ原盤の表面に、スパッタ法にて厚さ３ｎｍのＰｔからなる剥離層を形成し、次いで、バイアススパッタ法にて、ＦｅＣｏからなる厚さ６０ｎｍの磁性層をＳｉ原盤の凹部を充填するように形成した。このＰｔ剥離層（３ｎｍ）とＦｅＣｏ層（６０ｎｍ）の２層を形成したＳｉ原盤の上にマスター基板として厚さ１５０μｍとなるようにＮｉを電鋳して複版を形成した。この複版をＳｉ原盤から剥離することにより、その表面に凸状反転パターンを有するとともに当該反転パターンの表面に磁性層およびＰｔ剥離層が形成された磁気転写用マスター担体を得た。
【００９８】
〔実施例４〕
ディスクリートトラックメディア用のモールドの層構成の例であり、半値幅２０ｎｍ、高さ６０ｎｍの微細な凹状パターンが形成されたＳｉ原盤の表面に、スパッタ法にて厚さ９ｎｍのＲｕからなる剥離層を形成し、次いで、バイアススパッタ法にて、Ｒｕからなる厚さ６０ｎｍの導電層をＳｉ原盤の凹部を充填するように形成した。このＲｕ剥離層（９ｎｍ）とＲｕ導電層（６０ｎｍ）の２層を形成したＳｉ原盤の上に基板として厚さ１５０μｍとなるようにＮｉを電鋳して複版を形成した。この複版をＳｉ原盤から剥離することにより、その表面に凸状反転パターンを有するとともに当該反転パターンの表面にＲｕ導電層およびＲｕ剥離層が形成された形状転写用のモールドを得た。
【００９９】
〔実施例５〕
磁気転写用のモールド（マスター担体）の層構成の例であり、半値幅２０ｎｍ、高さ６０ｎｍの微細な凹状パターンが形成されたＳｉ原盤の表面に、スパッタ法にて厚さ３ｎｍのＰｔからなる剥離層を形成し、次いで、イオンビームスパッタ法にて、ＦｅＣｏからなる厚さ６０ｎｍの磁性層をＳｉ原盤の凹部を充填するように形成した。このＰｔ剥離層（３ｎｍ）とＦｅＣｏ層（６０ｎｍ）の２層を形成したＳｉ原盤の上にマスター基板として厚さ１５０μｍとなるようにＮｉを電鋳して複版を形成した。この複版をＳｉ原盤から剥離することにより、その表面に凸状反転パターンを有するとともに当該反転パターンの表面に磁性層およびＰｔ剥離層が形成された磁気転写用マスター担体を得た。
【０１００】
〔実施例６〕
ディスクリートトラックメディア用のモールドの層構成の例であり、半値幅２０ｎｍ、高さ６０ｎｍの微細な凹状パターンが形成されたＳｉ原盤の表面に、スパッタ法にて厚さ９ｎｍのＲｕからなる剥離層を形成し、次いで、イオンビームスパッタ法にて、Ｒｕからなる厚さ６０ｎｍの導電層をＳｉ原盤の凹部を充填するように形成した。このＲｕ剥離層（９ｎｍ）とＲｕ導電層（６０ｎｍ）の２層を形成したＳｉ原盤の上に基板として厚さ１５０μｍとなるようにＮｉを電鋳して複版を形成した。この複版をＳｉ原盤から剥離することにより、その表面に凸状反転パターンを有するとともに当該反転パターンの表面にＲｕ導電層およびＲｕ剥離層が形成された形状転写用のモールドを得た。
【０１０１】
〔実施例７〕
ディスクリートトラックメディア用のモールドの層構成の例であり、半値幅２０ｎｍ、高さ６０ｎｍの微細な凹状パターンが形成されたＳｉ原盤の表面に、スパッタ法にて厚さ９ｎｍのＲｕからなる剥離層を形成し、次いで、ＡＬＤ法にて、Ｒｕからなる厚さ６０ｎｍの導電層をＳｉ原盤の凹部を充填するように形成した。このＲｕ剥離層（９ｎｍ）とＲｕ導電層（６０ｎｍ）の２層を形成したＳｉ原盤の上に基板として厚さ１５０μｍとなるようにＮｉを電鋳して複版を形成した。この複版をＳｉ原盤から剥離することにより、その表面に凸状反転パターンを有するとともに当該反転パターンの表面にＲｕ導電層およびＲｕ剥離層が形成された形状転写用のモールドを得た。
【０１０２】
〔実施例８〕
ディスクリートトラックメディア用のモールドの層構成の例であり、半値幅２０ｎｍ、高さ６０ｎｍの微細な凹状パターンが形成されたＳｉ原盤の表面に、ＡＬＤ法にて厚さ６９ｎｍのＲｕからなる剥離層を形成し、次いで、このＲｕ剥離層（６９ｎｍ）を形成したＳｉ原盤の上に基板として厚さ１５０μｍとなるようにＮｉを電鋳して複版を形成した。この複版をＳｉ原盤から剥離することにより、その表面に凸状反転パターンを有するとともに当該反転パターンの表面にＲｕ剥離層が形成された形状転写用のモールドを得た。
【０１０３】
〔比較例１〕
上記実施例１におけるＰｔ剥離層を、Ｎｉ剥離層（厚さ３ｎｍ）に変更して、その他の磁性層、Ｎｉ基板は同様に形成して、比較例１の複版を作製した。なお、Ｎｉはイオン化傾向が水素よりも大きい金属である。
【０１０４】
〔比較例２〕
上記実施例２におけるＲｕ剥離層を、Ｎｉ剥離層（厚さ９ｎｍ）に変更して、その他のＮｉ基板は同様に形成して、比較例２の複版を作製した。
【０１０５】
〔測定１〕
磁気転写用のモールド（マスター担体）の例である上記実施例１（Ｐｔ：３ｎｍ／ＦｅＣｏ：２０ｎｍ／Ｎｉ：１５０μｍ）、比較例１（Ｎｉ：３ｎｍ／ＦｅＣｏ：２０ｎｍ／Ｎｉ：１５０μｍ）の複版について、Ｓｉ原盤からの剥離後における凸パターンの表面状態を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって観察した結果を、図７に示す。
【０１０６】
パターン形状は、高さ１００ｎｍ、半値幅３０ｎｍの凸状のラインパターンとドットパターンとし、そのパターンピッチを８０ｎｍ，１００ｎｍ，１２０ｎｍと変更してモールドを作製し、測定観察している。
【０１０７】
図７のＳＥＭ写真に見られるように、実施例１においては、比較例１に比べて、ラインパターンの凸形状（写真で白く見える部位）の幅が細く明確であり、またドットパターンの凸部の点が小さく明確であり、良好なパターン形状が再現できており、Ｐｔ剥離層による適正な剥離性が得られたことを確認した。なお、比較例１では、凸形状に欠けが見られ、Ｎｉ剥離層では剥離性能が不足することが分かった。
【０１０８】
〔測定２〕
ディスクリートトラックメディア用のモールドの例である上記実施例２（Ｒｕ：９ｎｍ／Ｎｉ：１５０μｍ）、比較例２（Ｎｉ：９ｎｍ／Ｎｉ：１５０μｍ）の複版について、Ｓｉ原盤からの剥離後における凸パターンの表面状態を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって観察した結果を、図８に示す。
【０１０９】
パターン形状は、高さ６０ｎｍ、半値幅２０ｎｍの凸状のラインパターンとドットパターンとして比較している。
【０１１０】
図８のＳＥＭ写真に見られるように、実施例２においては、比較例２に比べて、ラインパターンの凸形状（写真で白く見える部位）の幅が細く明確であり、またドットパターンの凸部の点が小さく明確であり、良好なパターン形状が再現できており、Ｒｕ剥離層による適正な剥離性が得られたことを確認した。
【０１１１】
〔剥離試験について〕
上記のような剥離面の観察による剥離状態の測定観察に加えて、模擬的に剥離力を測定することによっても効果が確認できた。
【０１１２】
この剥離試験方法は、試験片と金属リベットと引張試験機を用いる。試験片は、Ｓｉウエハに対しドット状またはライン状の凹部が近接配置された模擬的な凹凸パターンを形成し、その凹凸パターン上にスパッタリングによって各種材質の剥離層を成膜し、さらにこの剥離層上にＮｉベース膜をスパッタリングすることにより得られる。この試験片のＮｉベース膜に対し、形状が同一の金属リベットの一端を接着剤（エポキシ系接着剤）によって固着し、金属リベットの他端に引張治具を固着し、この引張治具を引張試験機で引っ張り、試験片を剥離したときの引張試験機による引張力を測定して、剥離に要する力つまり剥離力［ＭＰａ］として対比するものである。
【０１１３】
その試験結果において、Ｐｔ剥離層は格段に剥離力が小さく、Ｎｉ剥離層の約１／３程度であり、ＦｅＣｏ層の１／６以下の値であった。これは、実際の磁気転写用マスター担体の複版モールドの作製における剥離状態と適合した特性を示している。
【０１１４】
上記のような剥離試験を実施している際に、その試験結果を解析している段階で、剥離性と剥離層の金属の酸化度合（金属元素に対する酸素元素の割合）との関連性を有することが推測された。したがって、剥離層の金属として、イオン化傾向が水素よりも小さい金属、つまり、酸化しにくい金属を使用することが、剥離性を高めると考えられる。その要因としては、剥離層中の金属が酸化されることにより形成される金属酸化物とＳｉ原盤中の酸化珪素との結合力が密着力の起源となっていることが推定され、その点より、前述のＰｔ剥離層がＮｉ剥離層に比べて酸化程度が低いことより高い剥離性が得られることが推定される。同様の要因を考慮すると、イオン化傾向が水素よりも小さい金属としては、白金族に属する白金Ｐｔ、オスミウムＯｓ、イリジウムＩｒ、ルテニウムＲｕ、パラジウムＰｄに金Ａｕを加えたグループから選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属膜、つまり、単金属または合金により形成された剥離層が有効である。
【符号の説明】
【０１１５】
１０、３０    磁気転写用マスター担体（モールド）
１２    マスター基板（金属基板）
１３    充填層
１４    磁性層
１６    剥離層
２０    原板
２２    レジスト層
２４    電子ビーム
２６    原盤
【図１】
2010225260.tif 000003
【図２】
2010225260.tif 000004
【図３】
2010225260.tif 000005
【図４】
2010225260.tif 000006
【図５】
2010225260.tif 000007
【図６】
2010225260.tif 000008
【図７】
2010225260.tif 000009
【図８】
2010225260.tif 000010