(57)【要約】【課題】偏光特性が低下するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】この半導体レーザ素子１０では、半導体基板１１の主面１１ａは、［０１１］方向に沿った方向にオフ角度を有する（１００）面であるとともに、［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜している。リッジ部２１ｂとリッジ部３１ｂとの中心線Ｌ２は、半導体基板１１の中心線Ｌ１よりも［０−１−１］方向側に位置する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の主面上に配置され、第１リッジ部を有する第１半導体レーザ素子部と、
前記半導体基板の主面上に配置され、第２リッジ部を有する第２半導体レーザ素子部とを備え、
前記半導体基板の主面は、［０１１］方向に沿った方向にオフ角度を有する（１００）面であり、
前記第１リッジ部および前記第２リッジ部は、［０１−１］方向に沿った方向に延びるように形成され、
前記半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜している場合、［０１１］方向に沿った方向において、前記第１リッジ部と前記第２リッジ部との中心位置は、前記半導体基板の主面の中心位置よりも［０−１−１］方向側に位置し、
前記半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［１００］方向側に傾斜している場合、［０１１］方向に沿った方向において、前記第１リッジ部と前記第２リッジ部との中心位置は、前記半導体基板の主面の中心位置よりも［０１１］方向側に位置することを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記第１半導体レーザ素子部は、前記第１リッジ部上に配置される第１電極層を含み、
前記第２半導体レーザ素子部は、前記第２リッジ部上に配置される第２電極層を含み、
前記半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜している場合、前記第１電極層の前記第１リッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅は、前記第１電極層の前記第１リッジ部よりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて大きく、かつ、前記第２電極層の前記第２リッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅は、前記第２電極層の前記第２リッジ部よりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて大きく、
前記半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［１００］方向側に傾斜している場合、前記第１電極層の前記第１リッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅は、前記第１電極層の前記第１リッジ部よりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて小さく、かつ、前記第２電極層の前記第２リッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅は、前記第２電極層の前記第２リッジ部よりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
［０１１］方向に沿った方向において、前記第１リッジ部と前記第２リッジ部との中心位置は、前記半導体基板の主面の中心位置から１０μｍ以上離れた位置に位置していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
［０１１］方向に沿った方向において、前記第１リッジ部と前記第２リッジ部との中心位置は、前記半導体基板の主面の中心位置から２０μｍ以下離れた位置に位置していることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第１半導体レーザ素子部は、赤色半導体レーザ素子部を含み、
前記赤色半導体レーザ素子部の前記第１リッジ部は、前記第２半導体レーザ素子部の第２リッジ部に比べて、前記半導体基板の主面の中心位置に近い位置に配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記第１半導体レーザ素子部は、赤色半導体レーザ素子部を含み、
前記第２半導体レーザ素子部は、赤外半導体レーザ素子部を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記赤色半導体レーザ素子部は、前記半導体基板の主面上の［０１１］方向側の部分に配置され、
前記赤外半導体レーザ素子部は、前記半導体基板の主面上の［０−１−１］方向側の部分に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記半導体基板の主面の［０１１］方向に沿った方向の幅は、略２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記第１半導体レーザ素子部および前記第２半導体レーザ素子部は、［０１−１］方向に向かってレーザ光を出射することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子が取り付けられるサブマウントとを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体レーザ素子およびそれを備えた半導体レーザ装置に関し、特に、複数の半導体レーザ素子部を含む半導体レーザ素子およびそれを備えた半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の半導体レーザ素子部を含む半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置が知られている。図８は、従来の一例による半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置の構造を概略的に示した断面図である。図９は、図８に示した従来の一例による半導体レーザ素子の構造を示した平面図である。
【０００３】
図８に示すように、従来の一例による半導体レーザ素子３１０を備えた半導体レーザ装置３０１は、半導体レーザ素子３１０と、半導体レーザ素子３１０が取り付けられたサブマウント３０２とを備えている。
【０００４】
半導体レーザ素子３１０は、図８および図９に示すように、ＧａＡｓなどからなる半導体基板３１１と、半導体基板３１１の主面３１１ａ上に配置された赤色半導体レーザ素子部３２０および赤外半導体レーザ素子部３３０とを含んでいる。
【０００５】
半導体基板３１１の主面３１１ａは、［０１１］方向（図９参照）に沿った方向にオフ角度を有する（１００）面である。また、半導体基板３１１の主面３１１ａは、［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜している。
【０００６】
赤色半導体レーザ素子部３２０および赤外半導体レーザ素子部３３０は、［０１１］方向に沿った方向に互いに所定の間隔を隔てて配置されている。
【０００７】
また、赤色半導体レーザ素子部３２０は、図８に示すように、半導体層３２１と、半導体層３２１上に形成された電極層３２２とを含んでいる。
【０００８】
半導体層３２１は、半導体基板３１１の主面３１１ａと平行に延びる活性層３２１ａを含んでいる。また、半導体層３２１には、図８および図９に示すように、［０１−１］方向に沿った方向に延びるリッジ部３２１ｂと、リッジ部３２１ｂの［０１１］方向側に配置された外側支持部３２１ｃと、リッジ部３２１ｂの［０−１−１］方向側に配置された内側支持部３２１ｄとが形成されている。この外側支持部３２１ｃおよび内側支持部３２１ｄは、互いに約１０μｍの間隔を隔てて配置されているとともに、リッジ部３２１ｂよりも大きい高さ（厚み）を有する。また、図８に示すように、リッジ部３２１ｂの半導体基板３１１側の部分には、［０１−１］方向に沿った方向に延びる光導波路３２１ｅが形成されている。電極層３２２は、半田層３０３を介してサブマウント３０２に取り付けられている。
【０００９】
また、赤外半導体レーザ素子部３３０は、半導体層３３１と、半導体層３３１上に形成された電極層３３２とを含んでいる。
【００１０】
半導体層３３１は、半導体基板３１１の主面３１１ａと平行に延びる活性層３３１ａを含んでいる。また、半導体層３３１には、図８および図９に示すように、［０１−１］方向（図９参照）に沿った方向に延びるリッジ部３３１ｂと、リッジ部３３１ｂの［０１１］方向側に配置された内側支持部３３１ｃと、リッジ部３３１ｂの［０−１−１］方向側に配置された外側支持部３３１ｄとが形成されている。この内側支持部３３１ｃおよび外側支持部３３１ｄは、互いに約１０μｍの間隔を隔てて配置されているとともに、リッジ部３３１ｂよりも大きい高さ（厚み）を有する。また、図８に示すように、リッジ部３３１ｂの半導体基板３１１側の部分には、［０１−１］方向に沿った方向に延びる光導波路３３１ｅが形成されている。電極層３３２は、半田層３０３を介してサブマウント３０２に取り付けられている。
【００１１】
また、図９に示すように、［０１１］方向に沿った方向の半導体基板３１１の主面３１１ａの長さ（Ｗ３０１）は、約２５０μｍであるとともに、リッジ部３２１ｂとリッジ部３３１ｂとの間隔（Ｗ３０２）は、約１１０μｍに設定されている。また、［０１１］方向に沿った方向において、リッジ部３２１ｂとリッジ部３３１ｂとの中心線Ｌ３２は、半導体基板３１１の主面３１１ａの中心線Ｌ３１上に位置している。
【００１２】
また、電極層３２２の外側支持部３２１ｃ上に配置される部分３２２ａの長さ（Ｗ３２１）は、例えば３２μｍであるとともに、電極層３２２の内側支持部３２１ｄ上に配置される部分３２２ｂの長さ（Ｗ３２２）は、例えば２２μｍである。また、電極層３３２の内側支持部３３１ｃ上に配置される部分３３２ａの長さ（Ｗ３３１）は、例えば２２μｍであるとともに、電極層３３２の外側支持部３３１ｄ上に配置される部分３３２ｂの長さ（Ｗ３３２）は、例えば３２μｍである。
【００１３】
なお、上記のように、複数の半導体レーザ素子部を含む半導体レーザ素子は、例えば、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００６−３０３０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、半導体基板の主面がオフ角度を有しない場合、通常、半導体レーザ素子から出射するレーザ光の偏光方向は、活性層と略平行になる。すなわち、活性層に垂直な方向を０°とすると、レーザ光の偏光角は、約９０°になる。
【００１６】
しかしながら、図８および図９に示した従来の一例による半導体レーザ素子３１０では、半導体基板３１１の主面３１１ａがオフ角度を有しているので、半導体基板３１１の主面３１１ａ上に形成された赤色半導体レーザ素子部３２０の活性層３２１ａおよびリッジ部３２１ｂ周辺や、赤外半導体レーザ素子部３３０の活性層３３１ａおよびリッジ部３３１ｂ周辺に歪が生じる。このため、赤色半導体レーザ素子部３２０および赤外半導体レーザ素子部３３０から出射するレーザ光の偏光角は、９０°からずれた値になる。これにより、半導体レーザ素子３１０の偏光特性が低下する。
【００１７】
また、半導体レーザ素子３１０を小型化するために、半導体基板３１１の主面３１１ａの［０１１］方向に沿った方向の長さ（Ｗ３０１）を、例えば約２００μｍにした場合、リッジ部３２１ｂとリッジ部３３１ｂとの間隔（Ｗ３０２）は約１１０μｍに設定する必要があるので、電極層３２２の部分３２２ａの長さ（Ｗ３２１）は、例えば１２μｍになるとともに、部分３２２ｂの長さ（Ｗ３２２）は、例えば２２μｍになる。また、電極層３３２の部分３３２ａの長さ（Ｗ３３１）は、例えば２２μｍになるとともに、部分３３２ｂの長さ（Ｗ３３２）は、例えば１２μｍになる。
【００１８】
このように、半導体基板３１１の主面３１１ａの［０１１］方向に沿った方向の長さ（Ｗ３０１）を例えば約２００μｍにした構造では、赤色半導体レーザ素子部３２０および赤外半導体レーザ素子部３３０から出射するレーザ光の偏光角は、９０°からさらにずれた値になる。
【００１９】
この点に関して、本願発明者が鋭意検討した結果、以下のことを見出した。具体的には、赤色半導体レーザ素子部３２０から出射するレーザ光の偏光角は、赤外半導体レーザ素子部３３０から出射するレーザ光の偏光角に比べて、９０°からのずれ量が大きくなることを見出した。
【００２０】
また、電極層３２２のリッジ部３２１ｂに対する［０１１］方向側および［０−１−１］方向側の長さは、赤色半導体レーザ素子部３２０から出射するレーザ光の偏光角に影響するとともに、電極層３３２のリッジ部３３１ｂに対する［０１１］方向側および［０−１−１］方向側の長さは、赤外半導体レーザ素子部３３０から出射するレーザ光の偏光角に影響するということを見出した。そして、これらの影響により、レーザ光の偏光角の９０°からのずれ量が大きくなるということを見出した。
【００２１】
すなわち、本願発明者は、半導体基板３１１の主面３１１ａの［０１１］方向に沿った方向の長さ（Ｗ３０１）を例えば約２００μｍにした場合、赤色半導体レーザ素子部３２０および赤外半導体レーザ素子部３３０（特に、赤色半導体レーザ素子部３２０）から出射するレーザ光の偏光特性が低下するのを抑制するのが困難であるという問題点があることを見出した。
【００２２】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、偏光特性が低下するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子およびそれを備えた半導体レーザ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ素子は、半導体基板と、半導体基板の主面上に配置され、第１リッジ部を有する第１半導体レーザ素子部と、半導体基板の主面上に配置され、第２リッジ部を有する第２半導体レーザ素子部とを備え、半導体基板の主面は、［０１１］方向に沿った方向にオフ角度を有する（１００）面であり、第１リッジ部および第２リッジ部は、［０１−１］方向に沿った方向に延びるように形成され、半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜している場合、［０１１］方向に沿った方向において、第１リッジ部と第２リッジ部との中心位置は、半導体基板の主面の中心位置よりも［０−１−１］方向側に位置し、半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［１００］方向側に傾斜している場合、［０１１］方向に沿った方向において、第１リッジ部と第２リッジ部との中心位置は、半導体基板の主面の中心位置よりも［０１１］方向側に位置する。
【００２４】
この第１の局面による半導体レーザ素子では、上記のように、半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜している場合、第１リッジ部と第２リッジ部との中心位置は、半導体基板の中心位置よりも［０−１−１］方向側に位置し、半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［１００］方向側に傾斜している場合、第１リッジ部と第２リッジ部との中心位置は、半導体基板の中心位置よりも［０１１］方向側に位置する。これにより、半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜している場合に、第１リッジ部上に形成される電極層の第１リッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅（長さ）が［０−１−１］方向側の部分の幅（長さ）に比べて小さくなるのを抑制することができる。同様に、第２リッジ部上に形成される電極層の第２リッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅（長さ）が［０−１−１］方向側の部分の幅（長さ）に比べて小さくなるのを抑制することができる。また、半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［１００］方向側に傾斜している場合に、第１リッジ部上に形成される電極層の第１リッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅（長さ）が［０−１−１］方向側の部分の幅（長さ）に比べて大きくなるのを抑制することができる。同様に、第２リッジ部上に形成される電極層の第２リッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅（長さ）が［０−１−１］方向側の部分の幅（長さ）に比べて大きくなるのを抑制することができる。このため、半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部）の電極層を例えば半田層を用いてサブマウントに取り付ける際に、第１半導体レーザ素子部の第１リッジ部および活性層周辺や、第２半導体レーザ素子部の第２リッジ部および活性層周辺に生じる歪が大きくなるのを抑制することができる。これにより、半導体基板の主面に垂直な方向を０°とした場合に、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部から出射するレーザ光の偏光角が、９０°からずれるのを抑制することができる。その結果、半導体レーザ素子の偏光特性が低下するのを抑制することができる。
【００２５】
なお、本明細書中において、レーザ光の偏光角は、半導体基板の主面に垂直な方向（活性層に垂直な方向）を０°とし、半導体基板の主面と平行な方向（活性層と平行な方向）を９０°としている。
【００２６】
上記第１の局面による半導体レーザ素子において、好ましくは、第１半導体レーザ素子部は、第１リッジ部上に配置される第１電極層を含み、第２半導体レーザ素子部は、第２リッジ部上に配置される第２電極層を含み、半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜している場合、第１電極層の第１リッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅は、第１電極層の第１リッジ部よりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて大きく、かつ、第２電極層の第２リッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅は、第２電極層の第２リッジ部よりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて大きく、半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［１００］方向側に傾斜している場合、第１電極層の第１リッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅は、第１電極層の第１リッジ部よりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて小さく、かつ、第２電極層の第２リッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅は、第２電極層の第２リッジ部よりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて小さい。このように構成すれば、半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部）の電極層（第１電極層および第２電極層）を例えば半田層を用いてサブマウントに取り付ける際に、第１半導体レーザ素子部の第１リッジ部および活性層周辺や、第２半導体レーザ素子部の第２リッジ部および活性層周辺に生じる歪が大きくなるのを、容易に抑制することができる。これにより、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部から出射するレーザ光の偏光角が、９０°からずれるのを容易に抑制することができる。その結果、半導体レーザ素子の偏光特性が低下するのを容易に抑制することができる。
【００２７】
上記第１の局面による半導体レーザ素子において、好ましくは、［０１１］方向に沿った方向において、第１リッジ部と第２リッジ部との中心位置は、半導体基板の主面の中心位置から１０μｍ以上離れた位置に位置している。このように構成すれば、半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部）の電極層（第１電極層および第２電極層）を例えば半田層を用いてサブマウントに取り付ける際に、第１半導体レーザ素子部の第１リッジ部および活性層周辺や、第２半導体レーザ素子部の第２リッジ部および活性層周辺に生じる歪が大きくなるのを、より抑制することができる。これにより、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部から出射するレーザ光の偏光角が、９０°からずれるのをより抑制することができる。その結果、半導体レーザ素子の偏光特性が低下するのをより抑制することができる。
【００２８】
この場合、好ましくは、［０１１］方向に沿った方向において、第１リッジ部と第２リッジ部との中心位置は、半導体基板の主面の中心位置から２０μｍ以下離れた位置に位置している。このように構成すれば、第１リッジ部が第１半導体レーザ素子部の端部近傍に配置されるのを抑制することができるとともに、第２リッジ部が第２半導体レーザ素子部の端部近傍に配置されるのを抑制することができる。これにより、第１半導体レーザ素子部の第１リッジ部および活性層周辺や、第２半導体レーザ素子部の第２リッジ部および活性層周辺の結晶性が低下するのを抑制することができるので、半導体レーザ素子の特性が低下するのを抑制することができる。
【００２９】
上記第１の局面による半導体レーザ素子において、第１半導体レーザ素子部は、赤色半導体レーザ素子部を含み、赤色半導体レーザ素子部の第１リッジ部は、第２半導体レーザ素子部の第２リッジ部に比べて、半導体基板の主面の中心位置に近い位置に配置されていてもよい。
【００３０】
上記第１の局面による半導体レーザ素子において、第１半導体レーザ素子部が赤色半導体レーザ素子部を含み、第２半導体レーザ素子部が赤外半導体レーザ素子部を含むように構成してもよい。
【００３１】
この場合、好ましくは、赤色半導体レーザ素子部は、半導体基板の主面上の［０１１］方向側の部分に配置され、赤外半導体レーザ素子部は、半導体基板の主面上の［０−１−１］方向側の部分に配置されている。このように構成すれば、赤色半導体レーザ素子部および赤外半導体レーザ素子部から出射するレーザ光の偏光角が９０°からずれるのを容易に抑制することができるので、半導体レーザ素子の偏光特性が低下するのを容易に抑制することができる。
【００３２】
上記第１の局面による半導体レーザ素子において、好ましくは、半導体基板の主面の［０１１］方向に沿った方向の幅は、略２００μｍ以下である。このように半導体基板の幅が小さい半導体レーザ素子では、半導体レーザ素子から出射するレーザ光の偏光角は９０°からずれやすいので、半導体基板の幅が小さい半導体レーザ素子を上記のように構成することは、特に有効である。
【００３３】
上記第１の局面による半導体レーザ素子において、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部を、［０１−１］方向に向かってレーザ光を出射するように構成してもよい。
【００３４】
この発明の第２の局面による半導体レーザ装置は、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子が取り付けられるサブマウントとを備える。このように構成すれば、偏光特性が低下するのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００３５】
以上のように、本発明によれば、偏光特性が低下するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子および半導体レーザ装置を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施形態による半導体レーザ素子を備えた２波長半導体レーザ装置の構造を概略的に示した断面図である。
【図２】図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の構造を示した断面図である。
【図３】図１に示した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子の構造を示した平面図である。
【図４】比較例１による半導体レーザ素子を備えた２波長半導体レーザ装置の構造を概略的に示した断面図である。
【図５】図４に示した比較例１による２波長半導体レーザ素子の構造を示した平面図である。
【図６】比較例２による半導体レーザ素子を備えた２波長半導体レーザ装置の構造を概略的に示した断面図である。
【図７】図６に示した比較例２による２波長半導体レーザ素子の構造を示した平面図である。
【図８】従来の一例による半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置の構造を概略的に示した断面図である。
【図９】図８に示した従来の一例による半導体レーザ素子の構造を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００３８】
図１〜図３を参照して、本発明の一実施形態による半導体レーザ素子１０を備えた２波長半導体レーザ装置１の構造について説明する。なお、２波長半導体レーザ装置１は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例である。
【００３９】
本発明の一実施形態による２波長半導体レーザ装置１は、図１に示すように、半導体レーザ素子１０と、半導体レーザ素子１０が取り付けられたサブマウント２とを備えている。
【００４０】
半導体レーザ素子１０は、図２に示すように、ＧａＡｓなどからなる半導体基板１１と、半導体基板１１の主面１１ａ上の所定領域に配置された赤色半導体レーザ素子部２０および赤外半導体レーザ素子部３０とを含んでいる。なお、赤色半導体レーザ素子部２０は、本発明の「第１半導体レーザ素子部」の一例であり、赤外半導体レーザ素子部３０は、本発明の「第２半導体レーザ素子部」の一例である。
【００４１】
ここで、本実施形態では、半導体基板１１の主面１１ａは、［０１１］方向（図３参照）に沿った方向に約１３°のオフ角度を有する（１００）面である。また、半導体基板１１の主面１１ａは、［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜している。
【００４２】
また、半導体基板１１の主面１１ａは、図３に示すように、［０１１］方向に沿った方向に、約２００μｍの幅（Ｗ１）を有するように形成されている。
【００４３】
赤色半導体レーザ素子部２０は、約６６０ｎｍ帯の波長のレーザ光を発振するとともに、赤外半導体レーザ素子部３０は、約７８５ｎｍ帯の波長のレーザ光を発振する。
【００４４】
また、赤色半導体レーザ素子部２０は、半導体基板１１の主面１１ａ上の［０１１］方向側の部分に形成されており、赤外半導体レーザ素子部３０は、半導体基板１１の主面１１ａ上の［０−１−１］方向側の部分に形成されている。また、赤色半導体レーザ素子部２０および赤外半導体レーザ素子部３０は、［０１１］方向に沿った方向に互いに約２０μｍの間隔（Ｗ１１）を隔てて配置されている。
【００４５】
また、赤色半導体レーザ素子部２０は、約８０μｍの幅（Ｗ１２）を有するとともに、半導体基板１１の［０１１］方向側の端面から約１０μｍの間隔（Ｗ１３）を隔てて配置されている。また、赤外半導体レーザ素子部３０は、約８０μｍの幅（Ｗ１４）を有するとともに、半導体基板１１の［０−１−１］方向側の端面から約１０μｍの間隔（Ｗ１５）を隔てて配置されている。
【００４６】
また、赤色半導体レーザ素子部２０は、図２に示すように、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層２１と、半導体層２１上に形成された約４μｍの厚みを有する電極層２２とを含んでいる。なお、電極層２２は、本発明の「第１電極層」の一例である。
【００４７】
半導体層２１は、半導体基板１１の主面１１ａと平行に延びる活性層２１ａを含んでいる。また、半導体層２１には、図２および図３に示すように、［０１−１］方向（図３参照）に沿った方向に延びるリッジ部２１ｂと、リッジ部２１ｂの［０１１］方向側に配置された外側支持部２１ｃと、リッジ部２１ｂの［０−１−１］方向側に配置された内側支持部２１ｄとが形成されている。この外側支持部２１ｃおよび内側支持部２１ｄは、互いに約１０μｍの間隔を隔てて配置されているとともに、リッジ部２１ｂよりも大きい高さ（厚み）を有する。また、外側支持部２１ｃは、約４０μｍ以上の幅を有し、内側支持部２１ｄは、約３０μｍ以下の幅を有する。なお、リッジ部２１ｂは、本発明の「第１リッジ部」の一例である。
【００４８】
また、図２に示すように、リッジ部２１ｂの半導体基板１１側の部分には、［０１−１］方向に沿った方向に延びる光導波路２１ｅが形成されている。そして、赤色半導体レーザ素子部２０は、［０１−１］方向に向かってレーザ光を出射するように形成されている。
【００４９】
電極層２２は、図１に示すように、約３μｍの厚みを有する半田層３を介してサブマウント２に取り付けられている。
【００５０】
また、赤外半導体レーザ素子部３０は、図２に示すように、ＡｌＧａＡｓ系の半導体層３１と、半導体層３１上に形成された約４μｍの厚みを有する電極層３２とを含んでいる。なお、電極層３２は、本発明の「第２電極層」の一例である。
【００５１】
半導体層３１は、半導体基板１１の主面１１ａと平行に延びる活性層３１ａを含んでいる。また、半導体層３１には、図２および図３に示すように、［０１−１］方向（図３参照）に沿った方向に延びるリッジ部３１ｂと、リッジ部３１ｂの［０１１］方向側に配置された内側支持部３１ｃと、リッジ部３１ｂの［０−１−１］方向側に配置された外側支持部３１ｄとが形成されている。このリッジ部３１ｂと赤色半導体レーザ素子部２０のリッジ部２１ｂとの間隔（Ｗ２）（図３参照）は、約１１０μｍに設定されている。なお、リッジ部３１ｂは、本発明の「第２リッジ部」の一例である。
【００５２】
また、内側支持部３１ｃおよび外側支持部３１ｄは、互いに約１０μｍの間隔を隔てて配置されているとともに、リッジ部３１ｂよりも大きい高さ（厚み）を有する。また、内側支持部３１ｃは、約５０μｍ以上の幅を有し、外側支持部３１ｄは、約２０μｍ以下の幅を有する。
【００５３】
すなわち、本実施形態では、図３に示すように、［０１１］方向に沿った方向において、リッジ部２１ｂとリッジ部３１ｂとの中心線（中心位置）Ｌ２は、半導体基板１１の主面１１ａの中心線（中心位置）Ｌ１に対して、約１０μｍ以上約２０μｍ以下だけ［０−１−１］方向側に配置されている。すなわち、リッジ部２１ｂは、リッジ部３１ｂに比べて、半導体基板１１の中心線（中心位置）Ｌ１に近い位置に配置されている。
【００５４】
また、［０１１］方向に沿った方向において、電極層２２と電極層３２との中心線（中心位置）Ｌ３は、半導体基板１１の主面１１ａの中心線（中心位置）Ｌ１上に配置されている。
【００５５】
そして、本実施形態では、電極層２２の外側支持部２１ｃ上に配置される部分２２ａの長さ（Ｗ２１）は、約２２μｍ以上であり、電極層２２の内側支持部２１ｄ上に配置される部分２２ｂの長さ（Ｗ２２）に比べて大きい。すなわち、電極層２２のリッジ部２１ｂよりも［０１１］方向側の部分の幅は、電極層２２のリッジ部２１ｂよりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて大きい。
【００５６】
また、電極層３２の内側支持部３１ｃ上に配置される部分３２ａの長さ（Ｗ３１）は、約３２μｍ以上であり、電極層３２の外側支持部３１ｄ上に配置される部分３２ｂの長さ（Ｗ３２）に比べて大きい。すなわち、電極層３２のリッジ部３１ｂよりも［０１１］方向側の部分の幅は、電極層３２のリッジ部３１ｂよりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて大きい。
【００５７】
また、図２に示すように、リッジ部３１ｂの半導体基板１１側の部分には、［０１−１］方向に沿った方向に延びる光導波路３１ｅが形成されている。そして、赤外半導体レーザ素子部３０は、［０１−１］方向に向かってレーザ光を出射するように形成されている。
【００５８】
電極層３２は、図１に示すように、約３μｍの厚みを有する半田層３を介してサブマウント２に取り付けられている。このサブマウント２には、凹部２ａが形成されている。これにより、隣接する半田層３同士が電気的に接続されるのを抑制することが可能である。
【００５９】
本実施形態では、上記のように、半導体基板１１の主面１１ａは、［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜しており、リッジ部２１ｂとリッジ部３１ｂとの中心線Ｌ２は、半導体基板１１の主面１１ａの中心線Ｌ１よりも［０−１−１］方向側に配置されている。これにより、電極層２２のリッジ部２１ｂよりも［０１１］方向側の部分の幅が、電極層２２のリッジ部２１ｂよりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて小さくなるのを抑制することができる。同様に、電極層３２のリッジ部３１ｂよりも［０１１］方向側の部分の幅が、電極層３２のリッジ部３１ｂよりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて小さくなるのを抑制することができる。このため、赤色半導体レーザ素子部２０の活性層２１ａおよびリッジ部２１ｂ周辺や、赤外半導体レーザ素子部３０の活性層３１ａおよびリッジ部３１ｂ周辺に生じる歪が大きくなるのを抑制することができる。これにより、赤色半導体レーザ素子部２０および赤外半導体レーザ素子部３０から出射するレーザ光の偏光角が、９０°からずれるのを抑制することができる。その結果、半導体レーザ素子１０（２波長半導体レーザ装置１）の偏光特性が低下するのを抑制することができる。
【００６０】
また、本実施形態では、上記のように、電極層２２の外側支持部２１ｃ上に配置される部分２２ａの長さ（Ｗ２１）を、電極層２２の内側支持部２１ｄ上に配置される部分２２ｂの長さ（Ｗ２２）に比べて大きくし、かつ、電極層３２の内側支持部３１ｃ上に配置される部分３２ａの長さ（Ｗ３１）を、電極層３２の外側支持部３１ｄ上に配置される部分３２ｂの長さ（Ｗ３２）に比べて大きくしている。これにより、電極層２２のリッジ部２１ｂよりも［０１１］方向側の部分の幅が、電極層２２のリッジ部２１ｂよりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて小さくなるのを、容易に抑制することができる。また、電極層３２のリッジ部３１ｂよりも［０１１］方向側の部分の幅が、電極層３２のリッジ部３１ｂよりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて小さくなるのを、容易に抑制することができる。
【００６１】
また、本実施形態では、上記のように、リッジ部２１ｂとリッジ部３１ｂとの中心線Ｌ２を、半導体基板１１の中心線Ｌ１から１０μｍ以上離れた位置に配置することによって、赤色半導体レーザ素子部２０の活性層２１ａおよびリッジ部２１ｂ周辺や、赤外半導体レーザ素子部３０の活性層３１ａおよびリッジ部３１ｂ周辺に生じる歪が大きくなるのを、より抑制することができる。これにより、赤色半導体レーザ素子部２０および赤外半導体レーザ素子部３０から出射するレーザ光の偏光角が、９０°からずれるのをより抑制することができる。
【００６２】
また、本実施形態では、上記のように、リッジ部２１ｂとリッジ部３１ｂとの中心線Ｌ２を、半導体基板１１の中心線Ｌ１から２０μｍ以下離れた位置に配置することによって、リッジ部２１ｂが赤色半導体レーザ素子部２０（半導体層２１）の端部近傍に配置されるのを抑制することができるとともに、リッジ部３１ｂが赤外半導体レーザ素子部３０（半導体層３１）の端部近傍に配置されるのを抑制することができる。これにより、赤色半導体レーザ素子部２０の活性層２１ａおよびリッジ部２１ｂ周辺や、赤外半導体レーザ素子部３０の活性層３１ａおよびリッジ部３１ｂ周辺の結晶性が低下するのを抑制することができるので、半導体レーザ素子１０（２波長半導体レーザ装置１）の特性が低下するのを抑制することができる。
【００６３】
また、本実施形態では、上記のように、半導体基板１１の主面１１ａの幅（Ｗ１）を、約２００μｍにしている。このように半導体基板１１の幅が小さい半導体レーザ素子１０では、半導体レーザ素子１０から出射するレーザ光の偏光角は９０°からずれやすいので、半導体基板１１の幅が小さい半導体レーザ素子１０を上記のように構成することは、特に有効である。
【００６４】
次に、図１、図３〜図７を参照して、上記した本発明の一実施形態による半導体レーザ素子１０（２波長半導体レーザ装置１）の効果を確認するために行った比較実験について説明する。この比較実験では、上記した本実施形態に対応した実施例による２波長半導体レーザ装置１と、比較例１による２波長半導体レーザ装置１０１と、比較例２による２波長半導体レーザ装置２０１とについて、レーザ光の偏光角を測定した。以下、詳細に説明する。
【００６５】
実施例による２波長半導体レーザ装置１では、図１および図３に示すように、［０１１］方向に沿った方向において、リッジ部２１ｂとリッジ部３１ｂとの中心線Ｌ２が、半導体基板１１の主面１１ａの中心線Ｌ１に対して約１０μｍだけ［０−１−１］方向側にずれた位置に配置されるように、リッジ部２１ｂおよび３１ｂを形成した。また、上記実施形態と同様、電極層２２と電極層３２との中心線Ｌ３が、半導体基板１１の主面１１ａの中心線Ｌ１上に配置されるように、電極層２２および３２を形成した。
【００６６】
すなわち、電極層２２の外側支持部２１ｃ上に配置される部分２２ａの長さ（Ｗ２１）を、約２２μｍに形成するとともに、電極層２２の内側支持部２１ｄ上に配置される部分２２ｂの長さ（Ｗ２２）を、約１２μｍに形成した。また、電極層３２の内側支持部３１ｃ上に配置される部分３２ａの長さ（Ｗ３１）を、約３２μｍに形成するとともに、電極層３２の外側支持部３１ｄ上に配置される部分３２ｂの長さ（Ｗ３２）を、約２μｍに形成した。実施例による２波長半導体レーザ装置１のその他の構造は、上記第１実施形態と同様にした。なお、実施例による２波長半導体レーザ装置１は、１０個作製した。
【００６７】
比較例１による２波長半導体レーザ装置１０１では、図４および図５に示すように、［０１１］方向に沿った方向において、赤色半導体レーザ素子部１２０の半導体層１２１のリッジ部１２１ｂと赤外半導体レーザ素子部１３０の半導体層１３１のリッジ部１３１ｂとの中心線Ｌ１２が、半導体基板１１の主面１１ａの中心線Ｌ１上に配置されるように、リッジ部１２１ｂおよび１３１ｂを形成した。また、上記実施例と同様、電極層１２２と電極層１３２との中心線Ｌ１３が、半導体基板１１の主面１１ａの中心線Ｌ１上に配置されるように、電極層１２２および１３２を形成した。
【００６８】
すなわち、電極層１２２の外側支持部１２１ｃ上に配置される部分１２２ａの長さ（Ｗ１２１）を、約１２μｍに形成するとともに、電極層１２２の内側支持部１２１ｄ上に配置される部分１２２ｂの長さ（Ｗ１２２）を、約２２μｍに形成した。また、電極層１３２の内側支持部１３１ｃ上に配置される部分１３２ａの長さ（Ｗ１３１）を、約２２μｍに形成するとともに、電極層１３２の外側支持部１３１ｄ上に配置される部分１３２ｂの長さ（Ｗ１３２）を、約１２μｍに形成した。比較例１による２波長半導体レーザ装置１０１のその他の構造は、上記実施例による２波長半導体レーザ装置１と同様にした。なお、比較例１による２波長半導体レーザ装置１０１は、１５個作製した。
【００６９】
比較例２による２波長半導体レーザ装置２０１では、図６および図７に示すように、比較例１と同様、［０１１］方向に沿った方向において、赤色半導体レーザ素子部２２０の半導体層２２１のリッジ部２２１ｂと赤外半導体レーザ素子部２３０の半導体層２３１のリッジ部２３１ｂとの中心線Ｌ２２が、半導体基板１１の主面１１ａの中心線Ｌ１上に配置されるように、リッジ部２２１ｂおよび２３１ｂを形成した。そして、電極層２２２と電極層２３２との中心線Ｌ２３が、半導体基板１１の主面１１ａの中心線Ｌ１に対して約５μｍだけ［０１１］方向側に配置されるように、電極層２２２および２３２を形成した。
【００７０】
すなわち、電極層２２２の外側支持部２２１ｃ上に配置される部分２２２ａの長さ（Ｗ２２１）を、約１７μｍに形成するとともに、電極層２２２の内側支持部２２１ｄ上に配置される部分２２２ｂの長さ（Ｗ２２２）を、約１７μｍに形成した。また、電極層２３２の内側支持部２３１ｃ上に配置される部分２３２ａの長さ（Ｗ２３１）を、約２７μｍに形成するとともに、電極層２３２の外側支持部２３１ｄ上に配置される部分２３２ｂの長さ（Ｗ２３２）を、約７μｍに形成した。比較例２による２波長半導体レーザ装置２０１のその他の構造は、上記実施例による２波長半導体レーザ装置１と同様にした。なお、比較例２による２波長半導体レーザ装置２０１は、５個作製した。
【００７１】
そして、実施例、比較例１および比較例２について、レーザ光の偏光角を測定するとともに、実施例、比較例１および比較例２毎に、レーザ光の偏光角の平均値を算出した。その結果を以下の表１に示す。
【００７２】
【表１】
2010177528.tif 000003
【００７３】
表１を参照して、赤色半導体レーザ素子部から出射するレーザ光の偏光角は、赤外半導体レーザ素子部から出射するレーザ光の偏光角に比べて、９０°からのずれ量が大きくなることが判明した。
【００７４】
具体的には、実施例では、赤色半導体レーザ素子部２０から出射するレーザ光の偏光角の平均値は約７９．９°であり、赤外半導体レーザ素子部３０から出射するレーザ光の偏光角の平均値は約８５．０°であった。また、比較例１では、赤色半導体レーザ素子部１２０から出射するレーザ光の偏光角の平均値は約６９．９°であり、赤外半導体レーザ素子部１３０から出射するレーザ光の偏光角の平均値は約７８．４°であった。また、比較例２では、赤色半導体レーザ素子部２２０から出射するレーザ光の偏光角の平均値は約７７．５°であり、赤外半導体レーザ素子部２３０から出射するレーザ光の偏光角の平均値は約８５．５°であった。
【００７５】
これは、以下の理由によるものと考えられる。すなわち、赤色半導体レーザ素子部はＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層を含んでおり、赤外半導体レーザ素子部はＡｌＧａＡｓ系の半導体層を含んでいる。ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層は、Ｐ（リン）を含み、かつ、４元混晶であるので、Ｐ（リン）を含まず、かつ、３元混晶であるＡｌＧａＡｓ系の半導体層に比べて、半導体層（活性層およびリッジ部周辺など）が歪にくい。このため、赤色半導体レーザ素子部から出射するレーザ光の偏光角は、赤外半導体レーザ素子部から出射するレーザ光の偏光角に比べて、９０°からのずれ量が大きくなったと考えられる。
【００７６】
また、赤色半導体レーザ素子部の電極層のリッジ部に対する［０１１］方向および［０−１−１］方向の長さが、赤色半導体レーザ素子部から出射するレーザ光の偏光角に影響することが判明した。
【００７７】
具体的には、電極層２２の部分２２ａの長さ（Ｗ２１）が電極層２２の部分２２ｂの長さ（Ｗ２２）よりも約１０μｍ大きい実施例では、赤色半導体レーザ素子部２０から出射するレーザ光の偏光角の平均値は約７９．９°であった。また、電極層１２２の部分１２２ａの長さ（Ｗ１２１）が電極層１２２の部分１２２ｂの長さ（Ｗ１２２）よりも約１０μｍ小さい比較例１では、赤色半導体レーザ素子部１２０から出射するレーザ光の偏光角の平均値は約６９．９°であった。また、電極層２２２の部分２２２ａの長さ（Ｗ２２１）が電極層２２２の部分２２２ｂの長さ（Ｗ２２２）と同じ比較例２では、赤色半導体レーザ素子部２２０から出射するレーザ光の偏光角の平均値は約７７．５°であった。
【００７８】
このように、赤色半導体レーザ素子部の電極層の外側支持部上に配置される部分の長さが、電極層の内側支持部上に配置される部分の長さに対して大きくなるにしたがって、赤色半導体レーザ素子部から出射するレーザ光の偏光角は、９０°からのずれ量が小さくなることが判明した。
【００７９】
これは、以下の理由によるものと考えられる。すなわち、半導体基板１１の主面１１ａが［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜している場合、活性層およびリッジ部周辺に歪が生じる。そして、半導体レーザ素子を半田層を用いてサブマウントに固定する際に、赤色半導体レーザ素子部の電極層の外側支持部上に配置される部分の長さを、電極層の内側支持部上に配置される部分の長さに対して大きくすることによって、活性層およびリッジ部周辺に生じる歪が大きくなるのを抑制することができるので、レーザ光の偏光角が９０°からずれるのを抑制することができたためであると考えられる。
【００８０】
なお、赤外半導体レーザ素子部については、実施例の偏光角の平均値と比較例２の偏光角の平均値とは同程度の値になったが、赤色半導体レーザ素子部と同様の傾向が見られた。
【００８１】
なお、今回開示された実施形態および実施例は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態および実施例の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれる。
【００８２】
例えば、上記実施形態では、２つの半導体レーザ素子部を含む半導体レーザ素子（半導体レーザ装置）に本発明を適用した例について示したが、本発明はこれに限らず、３つ以上の半導体レーザ素子部を含む半導体レーザ素子（半導体レーザ装置）にも適用可能である。
【００８３】
また、上記実施形態では、半導体レーザ素子（半導体レーザ装置）を、赤色半導体レーザ素子部および赤外半導体レーザ素子部を含むように構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、半導体レーザ素子（半導体レーザ装置）を、赤色半導体レーザ素子部と、赤外半導体レーザ素子部以外の半導体レーザ素子部とを含むように構成してもよい。また、半導体レーザ素子（半導体レーザ装置）を、赤色半導体レーザ素子部および赤外半導体レーザ素子部以外の半導体レーザ素子部を含むように構成してもよい。
【００８４】
また、上記実施形態では、ＧａＡｓからなる半導体基板を用いた場合について示したが、本発明はこれに限らず、ＧａＡｓ以外からなる半導体基板を用いてもよい。
【００８５】
また、上記実施形態では、半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜している場合について示したが、本発明はこれに限らず、半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［１００］方向側に傾斜している場合にも適用可能である。この場合、２つのリッジ部の中心線（中心位置）が、半導体基板の主面の中心線（中心位置）に対して、［０１１］方向側に位置するように、２つのリッジ部を配置すればよい。
【００８６】
また、上記実施形態では、半導体基板の主面が［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜している場合に、電極層のリッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅を、電極層のリッジ部よりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて大きくした例について示したが、本発明はこれに限らず、２つのリッジ部の中心線（中心位置）が、半導体基板の主面の中心線（中心位置）に対して、［０−１−１］方向側に位置していれば、電極層のリッジ部よりも［０１１］方向側の部分の幅を、電極層のリッジ部よりも［０−１−１］方向側の部分の幅に比べて大きくしなくてもよい。
【００８７】
また、上記実施形態では、２つのリッジ部の中心線（中心位置）を、半導体基板の主面の中心線（中心位置）から約１０μｍ以上離れた位置に配置した例について示したが、本発明はこれに限らず、２つのリッジ部の中心線（中心位置）を、半導体基板の主面の中心線（中心位置）から約１０μｍよりも小さい距離だけ離れた位置に配置してもよい。
【００８８】
また、上記実施形態では、半導体基板の主面の［０１１］方向に沿った方向の幅を、約２００μｍにした例について示したが、本発明はこれに限らず、半導体基板の主面の［０１１］方向に沿った方向の幅を、約２００μｍ以外の大きさにしてもよい。
【００８９】
また、上記実施形態では、２つのリッジ部の中心線（中心位置）を、半導体基板の主面の中心線（中心位置）から約２０μｍ以下だけ離れた位置に配置した例について示したが、本発明はこれに限らず、半導体層や半導体基板の幅が上記実施形態よりも大きい場合には、２つのリッジ部の中心線（中心位置）を、半導体基板の主面の中心線（中心位置）から約２０μｍよりも大きい距離だけ離れた位置に配置することも可能である。
【００９０】
また、上記実施形態では、赤色半導体レーザ素子部を半導体基板の主面上の［０１１］方向側の部分に配置し、赤外半導体レーザ素子部を半導体基板の主面上の［０−１−１］方向側の部分に配置した例について示したが、本発明はこれに限らず、赤色半導体レーザ素子部を半導体基板の主面上の［０−１−１］方向側の部分に配置し、赤外半導体レーザ素子部を半導体基板の主面上の［０１１］方向側の部分に配置してもよい。
【００９１】
また、上記実施形態では、赤色半導体レーザ素子部および赤外半導体レーザ素子部を、［０１−１］方向に向かってレーザ光を出射するように形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、赤色半導体レーザ素子部および赤外半導体レーザ素子部を、［０−１１］方向に向かってレーザ光を出射するように形成してもよい。
【００９２】
また、上記実施形態では、半導体基板の主面を、［０１１］方向に沿った方向に約１３°のオフ角度を有するように形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、半導体基板の主面を、［０１１］方向に沿った方向に約１３°以外のオフ角度を有するように形成してもよい。
【００９３】
また、上記実施形態では、電極層を約４μｍの厚みに形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、電極層を約４μｍ以外の厚みに形成してもよい。
【００９４】
また、上記実施形態では、半田層を約３μｍの厚みに形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、半田層を約３μｍ以外の厚みに形成してもよい。
【００９５】
また、上記実施形態では、半導体レーザ素子を、半田層を用いてサブマウントに取り付けた例について示したが、本発明はこれに限らず、半導体レーザ素子を、半田層以外の接着層を用いてサブマウントに取り付けてもよい。
【符号の説明】
【００９６】
１  ２波長半導体レーザ装置（半導体レーザ装置）
２  サブマウント
１０  半導体レーザ素子
１１  半導体基板
１１ａ  主面
２０  赤色半導体レーザ素子部（第１半導体レーザ素子部）
２１ｂ  リッジ部（第１リッジ部）
２２  電極層（第１電極層）
３０  赤外半導体レーザ素子部（第２半導体レーザ素子部）
３１ｂ  リッジ部（第２リッジ部）
３２  電極層（第２電極層）
Ｌ１  中心線（中心位置）
Ｌ２  中心線（中心位置）
【図１】
2010177528.tif 000004
【図２】
2010177528.tif 000005
【図３】
2010177528.tif 000006
【図４】
2010177528.tif 000007
【図５】
2010177528.tif 000008
【図６】
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【図７】
2010177528.tif 000010
【図８】
2010177528.tif 000011
【図９】
2010177528.tif 000012