(57)【要約】【課題】複数ヘッドでレーザアニールした場合にユニット毎の移動度のバラツキによって生ずる輝度ムラを解消する。【解決手段】アニールで用いられたレーザヘッドの異なるユニット間で、画素回路の信号値書込のための走査パルスのパルス波形（パルス幅やパルス電圧レベル）を異なるものとする。これにより信号値書込及び移動度補正の期間や、書込速度を調整し、駆動トランジスタの移動度補正が、どのユニットでも同等の補正状態となるようにする。【選択図】図８
2010243891.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、発光素子と、信号線に供給される信号値を入力するスイッチングトランジスタと、上記発光素子に対して入力された信号値に応じた電流印加を行う駆動トランジスタとを有する画素回路が、マトリクス状に配置された画素アレイと、
上記画素アレイに対して配設された上記信号線に、上記画素アレイの各画素回路に与える信号値を出力する信号値出力部と、
上記スイッチングトランジスタを導通制御して上記信号線上の信号値を上記画素回路に入力させる走査パルスを各画素回路にライン単位で与えると共に、各ラインに与える上記走査パルスは、上記画素アレイの各ラインについての上記駆動トランジスタの移動度に応じて設定されたパルス波形とする書込制御部と、
を備えた表示装置。
【請求項２】
上記画素アレイを構成する画素回路の各ラインは、製造過程において、複数のレーザヘッドによるレーザスキャンでレーザアニール処理されており、同一のレーザヘッドによってレーザアニール処理された複数のラインによるユニット毎に、上記駆動トランジスタの移動度が計測され、
上記書込制御部では、各ユニット毎に計測された移動度に応じて、各ユニット毎に上記走査パルスのパルス波形設定がされている請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
上記書込制御部は、上記走査パルスのパルス波形設定として、移動度に応じたパルス幅設定を行う請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
上記書込制御部は、上記駆動トランジスタの移動度が小さいユニットほど、上記スイッチングトランジスタの信号値入力のための導通時間が長く、上記駆動トランジスタの移動度が大きいユニットほど上記スイッチングトランジスタの信号値入力のための導通時間が短くなるパルス幅設定を行う請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
上記書込制御部は、上記走査パルスのパルス波形設定として、移動度に応じたパルス電圧レベル設定を行う請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
上記書込制御部は、上記駆動トランジスタの移動度が小さいユニットほど、上記スイッチングトランジスタによる信号値の書込速度が速くなり、上記駆動トランジスタの移動度が大きいユニットほど、上記スイッチングトランジスタによる信号の書込速度が遅くなるパルス電圧レベル設定を行う請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
移動度の計測のためのモニタ用トランジスタが設けられている請求項２に記載の表示装置。
【請求項８】
少なくとも、発光素子と、信号線に供給される信号値を入力するスイッチングトランジスタと、上記発光素子に対して入力された信号値に応じた電流印加を行う駆動トランジスタとを有する画素回路が、マトリクス状に配置された画素アレイと、
上記画素アレイに対して配設された上記信号線に、上記画素アレイの各画素回路に与える信号値を出力する信号値出力部と、
上記スイッチングトランジスタを導通制御して上記信号線上の上記信号値を上記画素回路に入力させる走査パルスを各画素回路にライン単位で与える書込制御部とを有する表示装置の表示駆動方法として、
上記書込制御部は、上記画素アレイの各ラインについて上記駆動トランジスタの移動度に応じてパルス波形を設定し、設定したパルス波形により、各ラインに対して走査パルスを与える表示駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を有する画素回路がマトリクス状に配置された画素アレイを有する表示装置と、その表示駆動方法に関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
【特許文献１】特開２００８−１５８３７７
【特許文献２】特開２００８−４００２４
【背景技術】
【０００３】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electroluminescence）発光素子を画素に用いたアクティブマトリクス方式の表示装置では、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子（一般には薄膜トランジスタ：ＴＦＴ）によって制御する。即ち有機ＥＬは電流発光素子のため、ＥＬ素子に流れる電流量をコントロールすることで発色の階調を得ている。
【０００４】
アクティブ有機ＥＬディスプレイの開発が始まった頃は、駆動電流を確保できる低温ポリシリコンＴＦＴが主に研究され、画素間の駆動トランジスタの特性ばらつきが最大の課題と認識され、それを補正するさまざまな画素回路が提案された。
現在ではこの課題はほぼ解決され十分な面内均一性を確保したディスプレイが得られるようになってきている。しかし、低温ポリシリコンＴＦＴは基板ガラスの大型化が困難であり、大型基板化が容易なアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）ＴＦＴを有機ＥＬの駆動回路とする方式の開発が活発になってきた。
【０００５】
しかし、アモルファスシリコンＴＦＴは閾値変動が大きいことが問題であり、これを如何に解決するかが課題となった。
図１７には、横軸に移動度、縦軸に閾値（ΔＶｔｈ）変動をとった図を示す。アモルファスシリコンＴＦＴは、移動度は低温ポリシリコンに比べて低く、閾値変動は大きい。
大型テレビジョン用途の場合は、画素ピッチが比較的大きくとれるためトランジスタサイズに余裕があり、それほど高い移動度は必要ではない。従って移動度の小さいアモルファスシリコンＴＦＴもその点では問題がない。しかし、閾値変動は十分に小さくなくてはならず、その点で不利である。
ここで、閾値変動が小さく、またアモルファスシリコンＴＦＴより高い移動度のものとして有用であるのがマイクロシリコン（μ−Ｓｉ：微結晶シリコン）ＴＦＴである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
μ−ＳｉＴＦＴのプロセス技術の一つとして高出力半導体レーザーを用いたｄＬＴＡ（Diode Laser Thermal Annealing）と呼ばれるアニール技術（ラスターレーザースキャン）が開発されている。これはａ−Ｓｉ膜をレーザダイオードによってアニールすることで微結晶Ｓｉ膜を形成するものである。
このプロセスはガラス基板サイズの制約を受けない。
但し、この方法を単一のレーザヘッドで行った場合、スキャンに時間がかかってしまう。そこで同時に複数のレーザヘッドを用いてスキャンすることで、用いたレーザヘッドの数だけ工数を削減することが可能となる。
【０００７】
現在、複数のレーザヘッドを用いたプロセス技術の開発が進められているが、異なる複数のレーザヘッドからのレーザでアニールした場合、レーザの出力がばらつくためＴＦＴの移動度がばらついてしまう。その結果としてラスターレーザースキャン方向に対して垂直方向の輝度のバラツキが問題となる。
【０００８】
図１８にそのバラツキを模式的に示す。１本のレーザヘッドで２０ライン分ラスターレーザースキャンし、それを１ユニットとしたパネルとしている。ユニット＃１は第１のレーザヘッドでスキャンした部分、ユニット＃２は第２のレーザヘッドでスキャンした部分、ユニット＃３は第３のレーザヘッドでスキャンした部分である。
そして、これら３本のレーザヘッドを使用して製造した場合の表示パネルに、全画面範囲で同一輝度の映像信号を与えたときに、図のような輝度ムラが生じる。図では説明のため極端にムラを示しているが、実際、異なるレーザヘッドでアニール処理された部分毎に、ＴＦＴの移動度のバラツキが生じる結果、図のようなユニット単位での輝度ムラが生じるものとなる。
【０００９】
一方、上記特許文献１では、画面のシェーディングを抑制するため、有機ＥＬ素子に付加する容量を変化させることで駆動トランジスタのソース電位の上昇量を調整し、輝度バラツキを調整する方法が提案されている。しかしこの場合、有機ＥＬ素子に付加する容量を大きくすると、画素中に容量がレイアウトできない場合がある。
特許文献２では、移動度バラツキに対して、ＴＦＴのレイアウトを変更することで輝度バラツキに対応する方法が提案されている。即ち移動度の小さなユニットではＴＦＴのＬ長を短くＷ長を長くし、移動度の大きなユニットではＬ長を長くＷ長を短くする。しかしユニットの移動度がパネルによって異なると容易に対応できなくなる。
【００１０】
そこで本発明は、図１８のようなユニット毎の移動度のバラツキに起因する輝度ムラを解消することを目的とし、さらに画素構造のレイアウト変更が必要がなく、さまざまな移動度バラツキのパネルに容易に対応することができる手法を提案する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の表示装置は、少なくとも、発光素子と、信号線に供給される信号値を入力するスイッチングトランジスタと、上記発光素子に対して入力された信号値に応じた電流印加を行う駆動トランジスタとを有する画素回路が、マトリクス状に配置された画素アレイと、上記画素アレイに対して配設された上記信号線に、上記画素アレイの各画素回路に与える信号値を出力する信号値出力部と、上記スイッチングトランジスタを導通制御して上記信号線上の信号値を上記画素回路に入力させる走査パルスを各画素回路にライン単位で与えると共に、各ラインに与える上記走査パルスは、上記画素アレイの各ラインについての上記駆動トランジスタの移動度に応じて設定されたパルス波形とする書込制御部とを備える。
また上記画素アレイを構成する画素回路の各ラインは、製造過程において、複数のレーザヘッドによるレーザスキャンでレーザアニール処理されており、同一のレーザヘッドによってレーザアニール処理された複数のラインによるユニット毎に、上記駆動トランジスタの移動度が計測され、上記書込制御部では、各ユニット毎に計測された移動度に応じて、各ユニット毎に上記走査パルスのパルス波形設定がされている。
例えば上記書込制御部は、上記走査パルスのパルス波形設定として、移動度に応じたパルス幅設定を行う。或いは、移動度に応じたパルス電圧レベル設定を行う。
【００１２】
このような本発明では、例えばユニット毎に、画素回路の信号値書込のための走査パルスのパルス波形（パルス幅やパルス電圧レベル）を異なるものとする。これは、信号値書込の際の駆動トランジスタの移動度補正が、どのユニットでも同等の補正状態となるように信号値書込及び移動度補正の時間や、信号値書込速度を調整する意味を持つ。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、ライン毎に移動度バラツキが存在しても、輝度差の無い映像表示が可能となる。特に、複数のレーザヘッドによるアニール処理に起因する移動度バラツキが存在しても、輝度差の無い映像出力ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態の表示装置のブロック図である。
【図２】実施の形態の画素回路の回路図である。
【図３】実施の形態の画素回路の動作の説明図である。
【図４】実施の形態の移動度補正の説明図である。
【図５】実施の形態の画素回路を制御するライトスキャナの説明図である。
【図６】実施の形態のユニット及びモニタ用ＴＦＴの説明図である。
【図７】実施の形態の移動度計測の説明図である。
【図８】第１の実施の形態としての走査パルスの説明図である。
【図９】第１の実施の形態の書込制御の説明図である。
【図１０】第１の実施の形態のパルス幅設定の説明図である。
【図１１】第１の実施の形態のパルス幅設定に関する書込時間と移動度の関係の説明図である。
【図１２】第２の実施の形態としての走査パルスの説明図である。
【図１３】第２の実施の形態の書込制御の説明図である。
【図１４】第２の実施の形態のパルス電圧レベル設定の説明図である。
【図１５】第２の実施の形態のパルス電圧による書込速度の説明図である。
【図１６】第２の実施の形態のパルス電圧レベル設定の説明図である。
【図１７】ＴＦＴの閾値変動と移動度の説明図である。
【図１８】複数ヘッドアニールで生ずる輝度ムラの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を次の順序で説明する。
［１．表示装置及び画素回路の構成］
［２．画素回路動作］
［３．ライトスキャナの構成及びパルス設定］
［４．第１の実施の形態としてのパルス幅設定］
［５．第２の実施の形態としてのパルス電圧レベル設定］
［６．変形例］
【００１６】
［１．表示装置及び画素回路の構成］
図１に実施の形態の有機ＥＬ表示装置の構成を示す。
この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子を発光素子とし、アクティブマトリクス方式で発光駆動を行う画素回路１０を含むものである。
図示のように、有機ＥＬ表示装置は、多数の画素回路１０が列方向と行方向（ｍ行×ｎ列）にマトリクス状に配列された画素アレイ２０を有する。なお、画素回路１０のそれぞれは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれかの発光画素となり、各色の画素回路１０が所定規則で配列されてカラー表示装置が構成される。
【００１７】
各画素回路１０を発光駆動するための構成として、水平セレクタ１１、ドライブスキャナ１２、ライトスキャナ１３を備える。
また水平セレクタ１１により選択され、表示データとしての輝度信号の信号値（階調値）に応じた電圧を画素回路１０に供給する信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・が、画素アレイ上で列方向に配されている。信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・は、画素アレイ２０においてマトリクス配置された画素回路１０の列数分だけ配される。
【００１８】
また画素アレイ２０上において、行方向に書込制御線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・、電源制御線ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・が配されている。これらの書込制御線ＷＳＬ及び電源制御線ＤＳＬは、それぞれ、画素アレイ２０においてマトリクス配置された画素回路１０の行数分だけ配される。
【００１９】
書込制御線ＷＳＬ（ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・）はライトスキャナ１３により駆動される。
ライトスキャナ１３は、設定された所定のタイミングで、行状に配設された各書込制御線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・に順次、走査パルスＷＳ（ＷＳ１，ＷＳ２・・・）を供給して、画素回路１０を行単位で線順次走査する。
【００２０】
電源制御線ＤＳＬ（ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・）はドライブスキャナ１２により駆動される。ドライブスキャナ１２は、ライトスキャナ１３による線順次走査に合わせて、行状に配設された各電源制御線ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・に電源パルスＤＳ（ＤＳ１，ＤＳ２・・・）を供給する。電源パルスＤＳ（ＤＳ１，ＤＳ２・・・）は駆動電位（Ｖｃｃ）、初期電位（Ｖｓｓ）の２値に切り替わる電源電圧とされる。
なおドライブスキャナ１２，ライトスキャナ１３は、クロックｃｋ及びスタートパルスｓｐに基づいて、走査パルスＷＳ、電源パルスＤＳのタイミングを設定する。
【００２１】
水平セレクタ１１は、ライトスキャナ１３による線順次走査に合わせて、列方向に配された信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・に対して、画素回路１０に対する入力信号としての信号値電位（Ｖｓｉｇ）と基準値電位（Ｖｏｆｓ）を供給する。
【００２２】
図２に画素回路１０の構成例を示している。この画素回路１０が、図１の構成における画素回路１０のようにマトリクス配置される。
なお、図２では簡略化のため、信号線ＤＴＬと書込制御線ＷＳＬ及び電源制御線ＤＳＬが交差する部分に配される１つの画素回路１０のみを示している。
【００２３】
この画素回路１０は、発光素子である有機ＥＬ素子１と、１個の保持容量Ｃｓと、サンプリングトランジスタＴｓ、駆動トランジスタＴｄとしてのｎチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とで構成されている。
【００２４】
保持容量Ｃｓは、一方の端子が駆動トランジスタＴｄのソースに接続され、他方の端子が同じく駆動トランジスタＴｄのゲートに接続されている。
画素回路１０の発光素子は例えばダイオード構造の有機ＥＬ素子１とされ、アノードとカソードを備えている。有機ＥＬ素子１のアノードは駆動トランジスタＴｄのソースに接続され、カソードは所定の配線（カソード電位Ｖｃａｔ）に接続されている。
なお容量Ｃｅｌは有機ＥＬ素子１の寄生容量を示している。
【００２５】
サンプリングトランジスタＴｓは、そのドレインとソースの一端が信号線ＤＴＬに接続され、他端が駆動トランジスタＴｄのゲートに接続される。
またサンプリングトランジスタＴｓのゲートは書込制御線ＷＳＬに接続されている。
駆動トランジスタＴｄのドレインは電源制御線ＤＳＬに接続され、ソースは有機ＥＬ素子１のアノードに接続されている。
なお、駆動トランジスタＴｄのゲートノードを「Ａ点」、ソースノードを「Ｂ点」とする。
【００２６】
有機ＥＬ素子１の発光駆動は、基本的には次のようになる。
信号線ＤＴＬに信号電位Ｖｓｉｇが印加されたタイミングで、サンプリングトランジスタＴｓが書込制御線ＷＳＬによってライトスキャナ１３から与えられる走査パルスＷＳによって導通される。これにより信号線ＤＴＬからの入力信号Ｖｓｉｇが保持容量Ｃｓに書き込まれる。
駆動トランジスタＴｄは、ドライブスキャナ１２によって駆動電位Ｖｃｃが与えられている電源制御線ＤＳＬからの電流供給により、保持容量Ｃｓに保持された信号電位に応じた電流Ｉｄｓを有機ＥＬ素子１に流し、有機ＥＬ素子１を発光させる。
【００２７】
つまり、各フレーム期間において、画素回路１０に信号値（階調値）Ｖｓｉｇが保持容量Ｃｓに書き込まれる動作が行われるが、これにより表示すべき階調に応じて駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが決まる。
駆動トランジスタＴｄは飽和領域で動作することで有機ＥＬ素子１に対して定電流源として機能する。即ち駆動トランジスタＴｄは次の式１に示した値を持つ定電流源となる。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ・（Ｗ／Ｌ）・Ｃｏｘ・（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2・・・（式１）
但し、Ｉｄｓは飽和領域で動作するトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流、μは移動度、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘはゲート容量、Ｖｔｈは駆動トランジスタＴｄの閾値電圧を表している。
この式１から明らかな様に、飽和領域ではトランジスタのドレイン電流Ｉｄｓはゲート・ソース間電圧Ｖｇｓによって制御される。駆動トランジスタＴｄは、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定に保持される為、定電流源として動作し、有機ＥＬ素子１を一定の輝度で発光させることができる。
これによって有機ＥＬ素子１では、階調値に応じた輝度の発光が行われる。
【００２８】
［２．画素回路動作］
図３に画素回路１０の動作波形を示す。
図３では、電源制御線ＤＳＬを介してドライブスキャナ１２から供給される電源パルスＤＳを示している。電源パルスＤＳとしては駆動電圧Ｖｃｃ又は初期電圧Ｖｓｓが与えられる。
また書込制御線ＷＳＬを介してライトスキャナ１３によってサンプリングトランジスタＴｓのゲートに与えられる走査パルスＷＳを示している。
また、ＤＴＬ入力信号として、水平セレクタ１１によって信号線ＤＴＬに与えられる電位を示す。当該電位は信号値Ｖｓｉｇ及び基準値Ｖｏｆｓによる電位となる。
また、Ａ点（Ｔｄゲート）、Ｂ点（Ｔｄソース）として、駆動トランジスタＴｄのゲート電圧の変化とソース電圧の変化を示している。
【００２９】
図３の時点ｔ０までは、前フレームの発光が行われている。この発光状態では、電源制御線ＤＳＬには電源パルスＤＳとして駆動電圧Ｖｃｃが供給されている。サンプリングトランジスタＴｓはオフした状態である。このとき駆動トランジスタＴｄは飽和領域で動作するように設定されているため、有機ＥＬ素子１に流れる電流Ｉｄｓは駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じて、上述した式１に示される値をとる。
【００３０】
図３の時点ｔ０から、今回のフレームの発光のための１サイクルの動作が行われる。
この１サイクルは、次のフレームにおける時点ｔ０に相当するタイミングまでの期間となる。
時点ｔ０では、ドライブスキャナ１２が電源制御線ＤＳＬを初期電圧Ｖｓｓとする。
初期電圧Ｖｓｓは、有機ＥＬ素子１の閾値Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和よりも小さく設定されている。つまりＶｓｓ＜Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔである。
これにより有機ＥＬ素子１は消光し、電源制御線ＤＳＬに向けて電流が流れ、有機ＥＬ素子１のアノードは初期電圧Ｖｓｓに充電される。即ち図３に示すように駆動トランジスタＴｄのソース電圧（Ｂ点）は初期電圧Ｖｓｓまで低下する。
【００３１】
時点ｔ１〜ｔ２の期間に、閾値補正動作の準備を行う。即ち信号値ＤＴＬ＝基準値Ｖｏｆｓとされているときに、走査パルスＷＳをＨレベルとし、サンプリングトランジスタＴｓをオンとする。
これによって駆動トランジスタＴｄのゲート電位（Ａ点）が基準値Ｖｏｆｓの電位とされる。
この時、電源制御線ＤＳＬは初期電位Ｖｓｓのままであるので、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧はＶｏｆｓ−Ｖｓｓという値をとる。
【００３２】
このように、駆動トランジスタＴｄのゲート電位とソース電位を、駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈよりも十分に大きくすることが閾値補正動作のための準備となる。なお従って、Ｖｏｆｓ−Ｖｓｓ＞Ｖｔｈとなるように、基準値Ｖｏｆｓ及び初期電圧Ｖｓｓが設定されている必要がある。
【００３３】
時点ｔ２〜ｔ３において閾値補正動作が行われる。
この場合、電源制御線ＤＳＬの電源パルスＤＳが駆動電圧Ｖｃｃとされる。これにより電源制御線ＤＳＬから有機ＥＬ素子１のアノードに向けて電流が流れる。
この場合、有機ＥＬ素子１のリーク電流が駆動トランジスタＴｄに流れる電流よりもかなり小さい限り、駆動トランジスタＴｄの電流は保持容量Ｃｓと容量Ｃｅｌを充電するために使われる。即ち有機ＥＬ素子１のアノード電位Ｖｅｌについて、Ｖｅｌ≦Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌである限り、当該電流は保持容量Ｃｓと容量Ｃｅｌを充電するために使われる。
【００３４】
このとき、Ｂ点電位（駆動トランジスタＴｄのソース電位）は、図３に示すように時間と共に上昇してゆく。一定時間経過後、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧はＶｔｈという値をとる。このとき、Ｖｅｌ＝Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ≦Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌとなっている。
その後、時点ｔ３で走査パルスＷＳをＬレベルとし、サンプリングトランジスタＴｓがオフとなって閾値補正動作を完了する。
【００３５】
時点ｔ４〜ｔ５で信号値の書込及び移動度補正が行われる。
即ち信号線電位がＶｓｉｇとなった後、時点ｔ４で走査パルスＷＳをＨレベルとし、サンプリングトランジスタＴｓをオンして、駆動トランジスタＴｄのゲートに信号値Ｖｓｉｇを入力する。
信号値Ｖｓｉｇは階調に応じた電圧となっている。駆動トランジスタＴｄのゲート電位はサンプリングトランジスタＴｓをオンしているために信号値Ｖｓｉｇの電位となるが、電源制御線ＤＳＬが駆動電圧Ｖｃｃとなっていることで電流が流れ、ソース電位は時間とともに上昇してゆく。
【００３６】
このとき、駆動トランジスタＴｄのソース電圧が有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和を越えなければ、駆動トランジスタＴｄの電流は保持容量Ｃｓと容量Ｃｅｌを充電するのに使用される。つまり有機ＥＬ素子１のリーク電流が駆動トランジスタＴｄに流れる電流よりもかなり小さければという条件である。
そしてこのときは、駆動トランジスタＴｄの閾値補正動作は完了しているため、駆動トランジスタＴｄが流す電流は移動度μを反映したものとなる。
具体的にいうと、移動度が大きいものはこの時の電流量が大きく、ソースの上昇も早い。逆に移動度が小さいものは電流量が小さく、ソースの上昇は遅くなる。
これによって駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧は移動度を反映して小さくなり、一定時間経過後に完全に移動度を補正するＶｇｓとなる。
【００３７】
図４に移動度補正の原理を示す。図４は横軸に信号値としての電圧、縦軸に有機ＥＬ素子１に流れる電流Ｉｄｓをとっている。そして実線は移動度μの大きい画素回路Ｘ、破線は移動度μの小さい画素回路Ｙの場合としている。
或る信号値Ｖｓｉｇ１を与えた場合、移動度が高い画素回路ほどＢ点の電圧上昇ΔＶが大きい。つまり、補正前では画素回路Ｘ、Ｙの電流量の差は大きいが、電圧上昇ΔＶの差により、移動度補正後は電流量の差が小さくなる。このため、各画素回路１０での移動度の違いによる輝度バラツキを補正することが可能となる。
【００３８】
このように保持容量Ｃｓへの信号値Ｖｓｉｇの書込と移動度補正が行われる。
図３の時点ｔ５では、走査パルスＷＳが立ち下がり、サンプリングトランジスタＴｓがオフとなって信号値書込が終了し、有機ＥＬ素子１を発光させる。
駆動トランジスタＴｄは上記（式１）のとおり、ゲート・ソース間電圧に応じた電流Ｉｄｓを流す。駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは一定であるので、駆動トランジスタＴｄは、一定電流Ｉｄｓを有機ＥＬ素子１に流すことになる。そしてＢ点電位が有機ＥＬ素子１に電流Ｉｄｓが流れる電圧まで上昇することで有機ＥＬ素子１は発光する。
その後、次の発光サイクル（次のフレームの時点ｔ０）となるまで、発光が継続される。
【００３９】
なお、このような動作において、有機ＥＬ素子１は発光時間が長くなるとそのＩ−Ｖ特性は変化してしまう。そのため図中Ｂ点の電位も変化する。
しかしながら、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは一定値に保たれているので、有機ＥＬ素子１に流れる電流は変化しない。よって有機ＥＬ素子１のＩ−Ｖ特性が劣化しても、一定電流が常に流れ続け、ＥＬ素子の輝度が変化することはない。
【００４０】
ここで、本例の画素アレイ２０は、図１８で説明したようにそのμ−ＳｉＴＦＴのプロセス技術の一つとして複数のレーザヘッド（高出力半導体レーザ）を用いたアニール処理（ラスターレーザースキャン）を行うものである。
すると、同一のレーザヘッドを用いたライン群（ユニット）毎に、駆動トランジスタＴｄの移動度のバラツキが生じ、図１８に示したような輝度バラツキが生ずる。
【００４１】
画素回路１０の駆動トランジスタＴｄとしてのＴＦＴの移動度のバラツキに対しては、上記のように画素回路１０の発光のための信号値の書込の際の移動度補正によって、各画素毎の移動度補正ができる。しかしその移動度補正は補正時間（時点ｔ４〜ｔ５）をのばしすぎると補正のかかりすぎのためムラが反転してしまうことがある。
さらに、図１８のようなユニット単位での移動度バラツキの異なるつなぎ目が複数存在していた場合、ムラが消える補正完了時間の範囲が異なる。
すると、パネル全体を同一の波形の走査パルスＷＳによって補正期間を決めると、ユニットのつなぎ目のムラが消える箇所も存在するが、ムラが反転してしまう箇所も存在してしまう。
このため、図１８のようにレーザアニールに起因するユニット単位の移動度バラツキに関しては、上記発光動作サイクルにおける移動度補正が適正に働かないことがある。
そこで本実施の形態では、ユニット単位で移動度に応じて走査パルスのパルス波形を設定する。
【００４２】
［３．ライトスキャナの構成及びパルス設定］
図５でライトスキャナ１３について説明する。なお、図５ではドライブスキャナ１２は図示を省略している。
画素アレイ２０の製造プロセスで行われる複数ヘッドによるレーザアニールは、例えば２０ラインを１つのユニット（同一レーザヘッドでアニールされる複数ラインのユニット）とし行われる。
以下では、説明及び図示の簡略化のため、２ラインを１ユニットと仮定して説明していく。
即ち図５においては６行分の画素ラインを示しているが、１ライン目と２ライン目の画素ラインをユニット＃１のライン、３ライン目と４ライン目の画素ラインをユニット＃２のライン、５ライン目と６ライン目の画素ラインをユニット＃３のラインとする。
つまりレーザアニールが３つのレーザヘッドによって行われた例とし、ユニット＃１のラインは第１のレーザヘッドで、ユニット＃２のラインは第２のレーザヘッドで、ユニット＃３のラインは第３のレーザヘッドで、それぞれレーザアニールされたものとしている。
【００４３】
ライトスキャナ１３は、上述のように書込制御線ＷＳＬ（ＷＳＬ１，ＷＳＬ２，ＷＳＬ３・・・）に走査パルスＷＳを出力し、各ラインの画素回路１０のサンプリングトランジスタＴｓの導通制御を行う。
ここで、ライトスキャナ１３には、走査パルスＷＳを発生するＷＳ発生部３０として、各ユニット＃１、＃２，＃３に対応するＷＳ発生部３０＃１、３０＃２、３０＃３が設けられている。
ＷＳ発生部３０＃１、３０＃２、３０＃３はそれぞれ、シフトレジスタ、パルス幅可変部、パルス電圧可変部等を備え、所定の波形とされた走査パルスＷＳを所定のタイミングで各書込制御線ＷＳＬに対して出力する。
【００４４】
ユニット＃１のラインに対応するＷＳ発生部３０＃１は、ユニット＃１のラインの画素回路１０に対応して決められた波形の走査パルスＷＳ＃１を出力する。
ユニット＃２のラインに対応するＷＳ発生部３０＃２は、ユニット＃２のラインの画素回路１０に対応して決められた波形の走査パルスＷＳ＃２を出力する。
ユニット＃３のラインに対応するＷＳ発生部３０＃３は、ユニット＃３のラインの画素回路１０に対応して決められた波形の走査パルスＷＳ＃３を出力する。
走査パルスＷＳ＃１、ＷＳ＃２、ＷＳ＃３は、後述するが、各ユニット＃１の画素回路１０の駆動トランジスタＴｄの移動度に応じてパルス幅、又はパルス電圧レベルが設定された波形とされる。
【００４５】
そのためＷＳ発生部３０＃１、３０＃２、３０＃３に対して、パルス波形を指示する設定部３１が設けられる。設定部３１は、ＷＳ発生部３０＃１、３０＃２、３０＃３のそれぞれに対して、走査パルスＷＳ＃１、ＷＳ＃２、ＷＳ＃３としてのパルス幅又はパルス電圧レベルを指示する。
メモリ３２には、各走査パルスＷＳ＃１、ＷＳ＃２、ＷＳ＃３としてのパルス幅又はパルス電圧レベルの設定値が記憶されている。
設定部は、各ユニット＃１、＃２，＃３について、計測された駆動トランジスタＴｄの移動度に応じて、メモリ３２のテーブルから設定すべきパルス幅又はパルス電圧レベルを確認し、その値に応じてＷＳ発生部３０＃１、３０＃２、３０＃３を制御する。
【００４６】
メモリ３２には、各ＷＳ発生部３０＃１、３０＃２、３０＃３に対する、パルス幅又はパルス電圧レベルとしての設定値が、例えば工場出荷前に書き込まれる。
即ち表示パネルが製造された段階で、各ユニットについての移動度が測定され、その移動度と、移動度に応じた適正なパルス波形の設定値が算出される。そしてその設定値がメモリ３２に記憶される。
【００４７】
図６にその手法の一例を示す。
図６には画素アレイ２０の各ラインをユニット別に模式的に示している。画素アレイ２０の隅には、モニタ用ＴＦＴ５０（５０＃１、５０＃２、５０＃３）が配置される。
即ち画素アレイ２０の製造プロセスにおいては、各画素回路１０とともにモニタ用ＴＦＴ５０も作成しておく。
モニタ用ＴＦＴ５０＃１は、ユニット＃１としてのレーザアニール範囲に形成され、モニタ用ＴＦＴ５０＃２は、ユニット＃２としてのレーザアニール範囲に形成され、モニタ用ＴＦＴ５０＃３は、ユニット＃３としてのレーザアニール範囲に形成される。
【００４８】
このモニタ用ＴＦＴ５０を用いて、各ユニットのＴＦＴの移動度を、計測器１００で計測する。
図７（ａ）に計測手法を示す。モニタ用ＴＦＴ５０のドレイン、ソース、ゲートに対し、計測器１００の検出ピンＰ１，Ｐ２，Ｐ３がセットできるようにする。そしてモニタ用ＴＦＴ５０のＩＶ特性を計測器１００を使って測定し、そこから移動度を算出する。
図７（ｂ）にはＴＦＴのゲート・ソース電圧Ｖｇｓとドレイン・ソース電流Ｉｄｓの特性を示しているが、所定のゲート・ソース電圧Ｖｇｓを与え、電流Ｉｄｓを測定することで、移動度μを求めることができる。
即ちショックレーの式
Ｉｄｓ＝ｋμ／２（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2
（ｋはＬ長、Ｗ長、ゲート絶縁体の誘電率、厚さから決まる値）を使って、測定したＴＦＴのＩＶ特性から移動度μは導出される。
【００４９】
図６のように、各ユニット毎のモニタ用ＴＦＴ５０＃１、５０＃２、５０＃３について、それぞれ測定し、各ユニット＃１，＃２，＃３についての移動度を測定する。
この場合、ライン毎にモニタ用ＴＦＴ５０が形成されているなら、例えばユニット＃１について多数のモニタ用ＴＦＴ５０＃１が存在するが、１つのモニタ用ＴＦＴ５０＃１のみを用いても良いし、多数のモニタ用ＴＦＴ５０＃１の平均値等を用いても良い。
各ユニット＃１，＃２，＃３についての移動度μ（μ＃１，μ＃２，μ＃３）が測定されたら、その各移動度から設定値算出部１０１が、走査パルスＷＳ＃１、ＷＳ＃２、ＷＳ＃３としてのパルス幅又はパルス電圧レベルの設定値を算出する。そして設定値をメモリ３２に記憶させる。
【００５０】
なお、計測器１００は別体の汎用検出装置、設定値算出部１０１はパーソナルコンピュータ等の演算処置装置でも良いし、本例の表示装置に対する専用の装置としてもよい。また、計測器１００、設定値算出部１０１としての構成を表示装置内部に組み込んでおき、任意の時点で、各ユニット＃１，＃２，＃３の移動度計測、設定値算出、及びメモリ３２への設定値書込を行うことができるようにしてもよい。
【００５１】
また、予め移動度の各値に応じた設定値のテーブルデータをメモリ３２に記憶させておいても良い。
そして測定した各ユニットの移動度μを、メモリ３２に書き込むようにする。
設定部３１は、計測によってメモリ３２に書き込まれた各ユニット＃１，＃２，＃３の移動度μ＃１，μ＃２，μ＃３を読み出し、さらに、メモリ３２のテーブルデータを参照して、移動度μ＃１，μ＃２，μ＃３に対応する設定値を決定する。そして決定した設定値で、ＷＳ発生部３０＃１、３０＃２、３０＃３にパルス波形を指示するようにしても良い。
【００５２】
［４．第１の実施の形態としてのパルス幅設定］
上述のように、ライトスキャナ１３は、ユニット毎に走査パルスＷＳのパルス波形を設定して出力する。ここでは、パルス波形の設定として、ユニット毎の移動度計測に基づいて、パルス幅（サンプリングトランジスタＴｓの導通期間）を設定する例を第１の実施の形態として述べる。
【００５３】
本例では、ユニット毎の移動度に応じて走査パルスＷＳのパルス幅を設定し、画素回路１０への書込時間をユニット毎に変化させることで、図２のＢ点の電圧の上昇量、すなわち移動度補正量を調節し、ユニット間の輝度バラツキを低減する。
図８に、走査パルスＷＳの例を示す。
以下では、ユニット＃１は画素回路１０の移動度が小さいユニット、ユニット＃２は画素回路１０の移動度が中程度のユニット、ユニット＃３は画素回路１０の移動度が大きいユニットであるとした例とする。
【００５４】
ライトスキャナ１３には、上述のように各ユニット＃１，＃２，＃３に対応してＷＳ発生部３０＃１，３０＃２，３０＃３が形成され、それぞれ対応するユニットに応じたパルス幅に設定された走査パルスＷＳを出力する。
ユニット＃１の移動度が小さい画素回路１０に対する書込制御線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２（ＷＳＬ７，ＷＳＬ８）に対しては、ＷＳ発生部３０＃１が、最も広いパルス幅ｗ１とした走査パルスＷＳ＃１を出力する。
ユニット＃２の移動度が中程度の画素回路１０に対する書込制御線ＷＳＬ３，ＷＳＬ４に対しては、ＷＳ発生部３０＃２が、中程度のパルス幅ｗ２とした走査パルスＷＳ＃２を出力する。
ユニット＃３の移動度が大きい画素回路１０に対する書込制御線ＷＳＬ５，ＷＳＬ６に対しては、ＷＳ発生部３０＃３が、最も短いパルス幅ｗ３とした走査パルスＷＳ＃３を出力する。
【００５５】
図９に各走査パルスＷＳによる各ラインへの走査波形を示す。クロックＣＫは水平同期クロックである。
ライトスキャナ１３は各ラインの画素回路１０に対して、図のように順次、走査パルスＷＳを与える。そして、ユニット＃１のラインに対してはパルス幅ｗ１、ユニット＃２のラインに対してはパルス幅ｗ２、ユニット＃３のラインに対してはパルス幅ｗ３の走査パルスＷＳ（ＷＳ＃１、ＷＳ＃２、ＷＳ＃３）を出力する。
図２に示したようにサンプリングトランジスタＴｓはｎチャネルＴＦＴであり、走査パルスＷＳがＨレベルの期間が、信号値Ｖｓｉｇの書込及び移動度補正の期間となる。
なお、図３に１つの画素回路１０の１サイクルの波形を示したが、この図９で示す走査パルスＷＳ（ＷＳ＃１、ＷＳ＃２、ＷＳ＃３）は、図３の時点ｔ４〜ｔ５のパルスである。図３で述べたように、閾値補正のために時点ｔ１〜ｔ３も走査パルスＷＳはＨレベルとされるが、その期間の走査パルスＷＳのＨレベル部分の図示は、図９では省略している。
【００５６】
このようにライトスキャナ１３は、ユニット毎にパルス幅の異なる走査パルスＷＳを出力するが、これによって複数ヘッドのレーザアニールに起因する輝度バラツキが低減又は解消できることについて説明する。
【００５７】
図１０に横軸に書込時間、縦軸に有機ＥＬ素子１に流れる電流をとったグラフを示す。ここでは、同一の信号値Ｖｓｉｇを与えたときの各ユニット＃１，＃２，＃３の特性を示している。これは図３の時点ｔ４〜ｔ５の期間の特性に相当する。
一点鎖線は移動度の小さいユニット＃１、破線は移動度の中程度のユニット＃２、実線は移動度の大きいユニット＃３の特性である。
【００５８】
移動度の大きいユニット＃３では、信号値Ｖｓｉｇの書込の際に電流量の増加が速い。このため図中Ｘ３のタイミングで信号値書込が完了でき、Ｘ３時点後移動度補正ができる。また、ユニット＃２，＃１では、移動度が小さいことから、書込完了タイミングがＸ２，Ｘ３のように遅くなる。
【００５９】
ここで、従来のように、各ユニットに共通のパルス幅の走査パルスＷＳを与えた場合を考える。即ち走査パルスＷＳのパルス幅で規定される書込及び移動度補正期間（図３の時点ｔ４〜ｔ５）の長さが同じとする場合である。
ユニット毎の移動度の差に応じた輝度バラツキを解消するには、電流量が同じとなるように移動度補正を行うことになる。例えば図１０の特性の場合ユニット＃１、＃２の輝度バラツキを解消するとすると、ポイントＣ１で電流量が一致するため、図１０下部に示す走査パルスＷＳ−Ｚ１というように、パルス幅を設定する。つまりポイントＣ１のタイミングを移動度補正完了点として移動度補正を行うようにする。しかしその場合、ユニット＃３に対しては、輝度バラツキは解消できない。電流量が一致しないためである。
また例えば、ユニット＃１、＃３の輝度バラツキを解消するとすると、ポイントＣ２で電流量が一致するため、走査パルスＷＳ−Ｚ２というようにパルス幅を設定する。つまりポイントＣ２のタイミングを移動度補正完了点として移動度補正を行うようにする。しかしその場合は、ユニット＃２に対しては、輝度バラツキは解消できないこととなる。
つまり、ユニット毎の組合せ毎に移動度補正の完了点がばらつくため、全てのユニットに適切な移動度補正を行うことができない。さらに、移動度補正時間を長くすると、発光時の電流量も低下するため、全体の発光輝度として不利となる。
【００６０】
そこで本実施の形態では、上述のように走査パルスＷＳのパルス幅、つまり信号値書込及び移動度補正の期間を、ユニット毎に設定することで、各ユニット毎で適切な移動度補正がなされ、各ユニットの輝度バラツキを解消する。
例えば或る信号値Ｖｓｉｇに対して、発光輝度Ｌ１（電流量Ｉ１）を得たいとする。
ユニット＃３は、書込開始から時間ＴＭ３で、当該電流量Ｉ１の状態となる。従って、走査パルスＷＳ＃３を、時間ＴＭ３に相当するパルス幅ｗ３とする。
ユニット＃２は、書込開始から時間ＴＭ２で、当該電流量Ｉ１の状態となる。従って、走査パルスＷＳ＃２を、時間ＴＭ２に相当するパルス幅ｗ２とする。
ユニット＃１は、書込開始から時間ＴＭ１で、当該電流量Ｉ１の状態となる。従って、走査パルスＷＳ＃１を、時間ＴＭ１に相当するパルス幅ｗ１とする。
すると、どのユニットでも、或る信号値Ｖｓｉｇに対して、電流量Ｉ１を有機ＥＬ素子１に流し、輝度Ｌ１の発光を得ることができる。
つまり、ユニット毎に信号値書込及び移動度補正の期間を調整することで、ユニット毎の移動度の差を解消し、均一な輝度の発光を行うことができる。
【００６１】
図１１は、横軸に移動度、縦軸に書込及び移動度補正時間をとったときに、輝度（有機ＥＬ素子１の電流量）が一定となるカーブを示したものである。
つまり、移動度がμａ，μｂと異なる場合に、書込及び移動度補正時間をそれぞれＴＭａ．ＴＭｂとすれば、一定の発光輝度が得られることを示している。このような関係で、上記の各ユニット＃１，＃２，＃３に対する走査パルスＷＳ＃１、ＷＳ＃２、ＷＳ＃３のパルス幅（＝書込及び移動度補正時間）が設定されればよい。
【００６２】
以上のことからわかるように本例では、ユニット＃１，＃２，＃３の移動度の計測値に応じて、ライトスキャナ１３は、各ユニット＃１，＃２，＃３に対する走査パルスＷＳのパルス幅（図３の時点ｔ４〜ｔ５のパルス幅）を設定する。このパルス幅設定は、図１１の関係を保つ設定とする。
すると、複数のレーザヘッドによるレーザアニール処理によってユニット毎の移動度バラツキが存在しても、輝度差の無い映像出力ができることになる。
【００６３】
［５．第２の実施の形態としてのパルス電圧レベル設定］
続いて第２の実施の形態として、ライトスキャナ１３がユニット毎の移動度計測に基づいて、パルス電圧レベルを設定する例を述べる。
本例では、ユニット毎の移動度に応じて走査パルスＷＳのパルス電圧レベル（Ｈレベル電圧）を設定し、画素回路１０への信号値Ｖｓｉｇの書込速度をユニット毎に変化させることで、ユニット間の輝度バラツキを低減する。
【００６４】
図１２に、走査パルスＷＳの例を示す。
この場合も、ユニット＃１は画素回路１０の移動度が小さいユニット、ユニット＃２は画素回路１０の移動度が中程度のユニット、ユニット＃３は画素回路１０の移動度が大きいユニットであるとする。
【００６５】
ライトスキャナ１３のＷＳ発生部３０＃１，３０＃２，３０＃３は、各ユニット＃１，＃２，＃３のそれぞれに応じてパルス電圧レベル（Ｈレベル電圧）に設定された走査パルスＷＳを出力する。
ユニット＃１の移動度が小さい画素回路１０に対する書込制御線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２（ＷＳＬ７，ＷＳＬ８）に対しては、ＷＳ発生部３０＃１が、最も高い電圧ＡＭ１とした走査パルスＷＳ＃１を出力する。
ユニット＃２の移動度が中程度の画素回路１０に対する書込制御線ＷＳＬ３，ＷＳＬ４に対しては、ＷＳ発生部３０＃２が、中程度の電圧ＡＭ２とした走査パルスＷＳ＃２を出力する。
ユニット＃３の移動度が大きい画素回路１０に対する書込制御線ＷＳＬ５，ＷＳＬ６に対しては、ＷＳ発生部３０＃３が、最も低い電圧ＡＭ３とした走査パルスＷＳ＃３を出力する。
【００６６】
図１３に各走査パルスＷＳによる各ラインへの走査波形を示す。クロックＣＫは水平同期クロックである。
ライトスキャナ１３は各ラインの画素回路１０に対して、図のように順次、走査パルスＷＳを与える。そして、ユニット＃１のラインに対してはＨレベル電圧ＡＭ１、ユニット＃２のラインに対してはＨレベル電圧ＡＭ２、ユニット＃３のラインに対してはＨレベル電圧ＡＭ３の走査パルスＷＳ（ＷＳ＃１、ＷＳ＃２、ＷＳ＃３）を出力する。
上述のようにサンプリングトランジスタＴｓはｎチャネルＴＦＴであり、走査パルスＷＳがＨレベルの期間が、信号値Ｖｓｉｇの書込及び移動度補正の期間となる。
なお、この図１３も、図３の時点ｔ４〜ｔ５のパルスのみ示し、閾値補正のために時点ｔ１〜ｔ３の走査パルスＷＳの図示は省略している。
【００６７】
このようにライトスキャナ１３は、ユニット毎にＨレベル電圧が異なる走査パルスＷＳ＃１、ＷＳ＃２、ＷＳ＃３を出力するが、これによって複数ヘッドのレーザアニールに起因する輝度バラツキが低減又は解消できることについて説明する。
【００６８】
図１４（ａ）は上述した図１０と同様に、横軸に書込時間、縦軸に有機ＥＬ素子１に流れる電流をとったグラフである。そして同一の信号値Ｖｓｉｇを与えたときの各ユニット＃１，＃２，＃３の特性（図３の時点ｔ４〜ｔ５の期間の特性）を示している。
一点鎖線は移動度の小さいユニット＃１、破線は移動度の中程度のユニット＃２、実線は移動度の大きいユニット＃３の特性である。
【００６９】
走査パルスＷＳのパルス幅が各ユニット＃１，＃２，＃３に対して同一であると、各ユニットにそれぞれ適切な移動度補正ができないことは先に述べたとおりである。
ここで本例では、各ユニット＃１，＃２，＃３に対し、パルス幅は同一であるが、Ｈレベル電圧が異なる走査パルスＷＳ＃１、ＷＳ＃２、ＷＳ＃３を与える。
走査パルスＷＳのＨレベル電圧を上げると、書き込むスピードが速くなること、ピーク輝度が上昇すること、信号値Ｖｓｉｇを書き込んだ後の電流の落ち具合が速くなるといった特徴が見られる。
【００７０】
図１５で、走査パルスＷＳのＨレベル電圧を上昇させることで書き込みスピードを上げる原理を説明する。
図１５（ａ）はサンプリングトランジスタＴｓのゲートに高いＨレベル電圧の走査パルスＷＳを与えた場合、図１５（ｂ）はサンプリングトランジスタＴｓのゲートに低いＨレベル電圧の走査パルスＷＳを与えた場合を示している。
画素回路１０に対する信号値Ｖｓｉｇの書込時間ｔは、
ｔ＝（ΔＶ×Ｃ）／Ｉｓｐ
と表すことができる。
ここでΔＶはＡ点の電圧上昇量、Ｃは保持容量Ｃｓの容量、ＩｓｐはサンプリングトランジスタＴｓのドレイン−ソース間の電流を示す。
そしてサンプリングトランジスタＴｓの電流Ｉｓｐは、ゲートに与えられるＨレベル電圧が高いほど、大きくなる。
従って、走査パルスＷＳのＨレベル電圧が高いほど、電流Ｉｓｐが大きくなり、上記式から書込時間ｔが短くなることがわかる。
【００７１】
そして、このように走査パルスＷＳのＨレベル電圧によって、サンプリングトランジスタＴｓを介して信号値Ｖｓｉｇが画素回路１０に書き込まれる速度が変わることを利用して、補正完了時間を短縮、調整することが可能となる。
即ち、移動度の低いユニット程、走査パルスＷＳのＨレベル電圧を高くすることで、図１４（ｂ）の特性を得ることができる。
つまり、ユニット＃２、＃１に対する走査パルスＷＳ＃２，ＷＳ＃１のＨレベル電圧をそれぞれ所要レベル高くすることで、図中左側に特性カーブをシフトさせた特性が得られる。
ここで走査パルスＷＳのパルス幅を図１４（ｂ）の下方に示す「ｗ」であるとすると、このパルス幅ｗの期間で、各ユニットの移動度補正完了点を一致させることができる。
走査パルスＷＳのパルス幅ｗは、図３の時点ｔ４〜ｔ５の期間、即ち書込及び移動度補正期間である。
図１４（ｂ）の場合、このパルス幅ｗの期間の終了時、つまり移動度補正の完了タイミングで、各ユニット＃１，＃２，＃３が同じ電流Ｉ２（輝度Ｌ２）となっている。
つまりどのユニットでも、或る信号値Ｖｓｉｇに対して、電流量Ｉ２を有機ＥＬ素子１に流し、輝度Ｌ２の発光を得ることができる。
【００７２】
図１６に横軸にＨレベル電圧、縦軸に補正完了時間をとったグラフを示す。各ユニット＃１，＃２，＃３について実際に測定すると図示のようなグラフになる。
補正完了時間を点線に設定したい場合（つまり走査パルスＷＳのパルス幅＝ｗとしたい場合）は、ユニット＃１，＃２，＃３に対して、図面下方に示すようにそれぞれ走査パルスＷＳ＃１、ＷＳ＃２、ＷＳ＃３についてＨレベル電圧ＡＭ１，ＡＭ２，ＡＭ３を設定すればよい。
【００７３】
以上のように、ユニット毎に信号値書込及び移動度補正の期間に与える走査パルスＷＳのＨレベル電圧を調整することで、ユニット毎の移動度の差を解消し、均一な輝度の発光を行うことができる。
【００７４】
［６．変形例］
以上、実施の形態について説明してきたが、本発明としてはさらに多様な変形例が考えられる。
例えば画素回路１０の構成については全く上記例に限定されず、他にも多様な構成が採用できる。即ち、少なくとも、発光素子と、信号線ＤＴＬに供給される信号値Ｖｓｉｇを入力するスイッチングトランジスタＴｓと、発光素子に対して入力された信号値Ｖｓｉｇに応じた電流印加を行う駆動トランジスタＴｄとを有する画素回路であればよい。
【００７５】
走査パルスＷＳのパルス幅や、Ｈレベル電圧の設定は、各ユニットの移動度に応じて設定されるものであるが、その設定の具体例は各種考えられる。
例えばパルス幅を設定する例の場合、前後のパルスの存在（閾値補正のための期間）や水平周期との兼ね合いで適切な範囲でユニット毎に設定されればよい。またＨレベル電圧を設定する例の場合は、Ｈレベルとしての所定の最大電圧〜最小電圧の範囲内で調整されればよい。
また、パルス幅とＨレベル電圧を複合的に設定する例も考えられる。
また実施の形態では、ユニット単位で走査パルスＷＳのパルス幅やＨレベル電圧を設定する例を述べたが、例えばユニットに関わらず、ライン毎で移動度に応じて異なるように設定してもよい。
また、同一ユニット（同一のレーザヘッドでアニールされた部分）であっても、物理的に離れている部分では、異なるパルス波形設定を行うようにすることも考えられる。例えば図８の書込制御線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２の部分と、書込制御線ＷＳＬ７，ＷＳＬ８の部分は同一ユニットであるが、これらを異なるパスル幅設定とするなどである。つまり移動度に応じた走査パルスＷＳのパルス波形設定は、ユニット単位で行うことに限られるものではない。
【符号の説明】
【００７６】
１  有機ＥＬ素子、１０  画素回路、１１  水平セレクタ、１２  ドライブスキャナ、１３  ライトスキャナ、  ２０  画素アレイ、３０（３０＃１，３０＃２，３０＃３）  ＷＳ発生部、３１  設定部、３２  メモリ、１００  計測器、１０１  設定値算出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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