(57)【要約】【課題】横電界方式であって、額縁の大きくなるのを回避でき、液晶内に発生する電界分布に影響を与えることなく、出力の大きな太陽電池あるいは光センサを内蔵した液晶表示装置の提供。【解決手段】液晶を挟持して対向配置される一対の基板を備えた液晶表示装置であって、  前記一対の基板のうち一方の基板は、前記液晶側の面の画素領域に、第１電極、光電気変換層、第２電極、絶縁膜、第３電極を有し、  前記第１電極、前記光電気変換層、前記第２電極は、前記一方の基板側からこの順で順次積層されて形成され、  前記光電気変換層への光照射によって発生する電圧が前記第１電極と前記第２電極とから取り出され、  前記第３電極は、前記第２電極よりも上方に前記絶縁膜を介して前記第２電極に重畳して形成され、  前記液晶は、前記第３電極と前記第２の電極との間の電位差により発生する電界によって駆動される【選択図】  図１
2010107533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持して対向配置される一対の基板を備えた液晶表示装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板は、前記液晶側の面の画素領域に、第１電極、光電気変換層、第２電極、絶縁膜、第３電極を有し、
前記第１電極、前記光電気変換層、前記第２電極は、前記一方の基板側からこの順で順次積層されて形成され、
前記光電気変換層への光照射によって発生する電圧が前記第１電極と前記第２電極とから取り出され、
前記第３電極は、前記第２電極よりも上方に前記絶縁膜を介して前記第２電極に重畳して形成され、
前記液晶は、前記第３電極と前記第２の電極との間の電位差により発生する電界によって駆動されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２電極には、前記第３電極に印加される電位に対して基準となる電位が印加されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記一方の基板は、前記液晶側の面に、第１の方向に延在する複数のゲート信号線と、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する複数のドレイン信号線とを備え、
隣接する一対のゲート信号線と隣接する一対のドレイン信号線とで囲まれる領域を画素領域とし、
前記画素領域に、薄膜トランジスタを備え、前記薄膜トランジスタは、前記ゲート信号線に接続されるゲート電極と、前記ドレイン信号線に接続されるドレイン電極と、前記第３電極に接続されるソース電極とを有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２電極は面状の電極であり、前記第３電極は前記第２電極に重畳された複数の線状の電極を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１電極、前記光電気変換層、前記第２電極は、太陽電池として機能することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１電極、前記光電気変換層、前記第２電極は、光センサとして機能することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第２電極は金属膜で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第２電極は、画素領域の一部分において透明導電膜で形成され、他の部分において金属膜で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第３電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、太陽電池あるいは光センサを内蔵する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（パネル）は、その画像表示部に形成された複数の画素のそれぞれに、独立に光透過率を制御させることによって画像を得るようになっている。それぞれの画素における光透過率の制御は、当該画素に形成された一対の電極（画素電極と対向電極）に電圧を印加し、この一対の電極の間の電位差により発生する電界によって液晶の分子を挙動させることによって行っている。
【０００３】
このような液晶表示装置において、たとえば下記特許文献１に示すように、液晶表示装置に太陽電池を具備させ、この太陽電池をたとえば表示用の電力源として用い、これにより電力消費の低減を図ったものが知られている。
【０００４】
特許文献１は、セグメント方式であって背面に反射板を備える反射型の液晶表示装置が対象とされ、該液晶表示装置と反射板との間に太陽電池を配置させた構成が開示されている。なお、特許文献１では、前記太陽電池の詳細な構成は説明されていないが、液晶駆動装置（図中符号５で示される）との結線状態から、前記反射板は電極として機能されておらず、それぞれ別体となっている液晶表示装置と太陽電池を組み合わせた構成となっていると推測される。
【０００５】
上述の特許文献１の他に、本願発明に関連する文献として、たとえば、下記特許文献２、特許文献３、特許文献４がある。
【０００６】
特許文献２は、画像表示部が形成された基板上であって、シール材に囲まれた領域の外方に、該画像表示部内の薄膜トランジスタの半導体層と同一の材料で構成された太陽電池を備えたものが開示されている。
【０００７】
特許文献３は、液晶をはさんで対向する一対の基板のうち、カラーフィルタが形成されている基板の液晶側の面に、ブラックマトリックスを一方の電極とする太陽電池を備えたものが開示されている。
【０００８】
特許文献４は、液晶をはさんで対向する表裏一対の基板のうち、表面側基板の内面に各画素間の間隙に対応させて、ブラックマスクを兼ねる太陽電池を備えたものが開示されている。
【特許文献１】特開昭６３−２８７８２７号公報
【特許文献２】特開平５−１８８３９３号公報
【特許文献３】特開平１１−２９５７２５号公報
【特許文献４】特開平８−９４９９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ここで、液晶表示装置として、液晶を挟持して対向配置される一対の基板のうち、一方の基板の液晶側の面の画素領域に、画素電極とともに対向電極を配置させ、これら電極の間に基板と平行な成分を有する電界を発生させることによって、液晶の分子を挙動させる構成のものが知られている。
【００１０】
このような液晶表示装置は、いわゆる横電界方式あるいはＩＰＳ（In Plane Switching）方式と称されるもので、広視野角の画像表示が得られることが知られている。
【００１１】
そして、このような液晶表示装置に、上記特許文献における技術を適用させようとする場合に、次に示すような問題が生じる。
【００１２】
液晶表示装置のシール材に囲まれた画像表示領域の外方に太陽電池を配置させることは、いわゆる額縁と称される領域（画像表示領域の外輪郭と基板の外輪郭との間の領域）を大きくすることになる。そして、たとえ額縁を大きくさせることなく太陽電池を配置させても、その面積を大きくできないことから出力を大きくとれないことになる。
【００１３】
また、ブラックマトリックス等が形成された基板（画素電極および対向電極が形成された基板とは異なる他の基板）側に太陽電池を配置させることは、該太陽電池の電極に生じる電位によって、表示に寄与させる電界（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴによってできる電界）以外の電界を液晶に及ぼしてしまうことになる。さらに、太陽電池の電極を画素電極および対向電極が形成された基板側へ引き回す場合に、その構成が複雑となってしまう。
【００１４】
なお、上述した説明では、太陽電池を内蔵させることについて示したが、太陽電池の替わりに光センサを内蔵させる場合においても同様となる。
【００１５】
本発明の目的は、いわゆる横電界方式であって、額縁の大きくなるのを回避でき、液晶内に発生する電界分布に影響を与えることなく、出力の大きな太陽電池あるいは光センサを内蔵した液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される一対の基板のうち一方の基板の液晶側の面の画素領域に導電層が形成され、この導電層の下層に該導電層を一方の電極とする太陽電池等を形成するともに、前記導電層の上層に該導電層を対向電極とする画素を構成するようにしたものである。
【００１７】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００１８】
（１）本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される一対の基板を備えた液晶表示装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板は、前記液晶側の面の画素領域に、第１電極、光電気変換層、第２電極、絶縁膜、第３電極を有し、
前記第１電極、前記光電気変換層、前記第２電極は、前記一方の基板側からこの順で順次積層されて形成され、
前記光電気変換層への光照射によって発生する電圧が前記第１電極と前記第２電極とから取り出され、
前記第３電極は、前記第２電極よりも上方に前記絶縁膜を介して前記第２電極に重畳して形成され、
前記液晶は、前記第３電極と前記第２の電極との間の電位差により発生する電界によって駆動されることを特徴とする。
【００１９】
（２）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記第２電極には、前記第３電極に印加される電位に対して基準となる電位が印加されることを特徴とする。
【００２０】
（３）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記一方の基板は、前記液晶側の面に、第１の方向に延在する複数のゲート信号線と、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する複数のドレイン信号線とを備え、
隣接する一対のゲート信号線と隣接する一対のドレイン信号線とで囲まれる領域を画素領域とし、
前記画素領域に、薄膜トランジスタを備え、前記薄膜トランジスタは、前記ゲート信号線に接続されるゲート電極と、前記ドレイン信号線に接続されるドレイン電極と、前記第３電極に接続されるソース電極とを有することを特徴とする。
【００２１】
（４）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記第２電極は面状の電極であり、前記第３電極は前記第２電極に重畳された複数の線状の電極を有することを特徴とする。
【００２２】
（５）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記第１電極、前記光電気変換層、前記第２電極は、太陽電池として機能することを特徴とする。
【００２３】
（６）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記第１電極、前記光電気変換層、前記第２電極は、光センサとして機能することを特徴とする。
【００２４】
（７）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記第１電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする。
【００２５】
（８）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記第２電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする。
【００２６】
（９）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記第２電極は金属膜で形成されていることを特徴とする。
【００２７】
（１０）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記第２電極は、画素領域の一部分において透明導電膜で形成され、他の部分において金属膜で形成されていることを特徴とする。
【００２８】
（１１）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記第３電極は透明導電膜で形成されていることを特徴とする。
【００２９】
なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００３０】
このように構成した液晶表示装置は、いわゆる横電界方式であって、額縁の大きくなるのを回避でき、液晶内に発生する電界分布に影響を与えることなく、出力の大きな太陽電池あるいは光センサを内蔵させることができる。
【００３１】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【００３３】
〈実施例１〉
（全体の構成）
図２は、本発明による液晶表示装置の実施例１を示す概略平面図である。図２は、たとえば携帯電話用の液晶表示装置を例に挙げて示している。図２において、液晶（図４において符号ＬＣで示す）を挟持して基板ＳＵＢ１、基板ＳＵＢ２が対向配置されている。
【００３４】
基板ＳＵＢ２は、基板ＳＵＢ１よりも若干面積が小さく形成され、基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部を露出させるようにして配置されている。基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部には液晶表示装置の各画素を駆動させるための半導体装置（チップ）ＳＥＣがフェースダウンされて搭載されている。
【００３５】
基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間に基板ＳＵＢ２の周辺に沿った環状のシール材ＳＬが形成され、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間の固着がなされている。また、このシール材ＳＬは前記液晶ＬＣを封止するようにもなっている。
【００３６】
基板ＳＵＢ１の液晶側の面のシール材ＳＬによって囲まれた領域には、図中ｘ方向に延在され図中ｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成され、図中ｙ方向に延在され図中ｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。また、隣接するゲート信号線ＧＬの間にはゲート信号線ＧＬと平行に延在されるコモン信号線ＣＬが形成されている。
【００３７】
隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれた矩形状の領域は画素が形成される領域（図中点線楕円枠Ａ内）となり、これら画素がマトリックス状に配置されることにより画像表示部ＡＲ（図中一点鎖線で囲まれた領域）が構成されるようになっている。なお、画素の構成については後述する。
【００３８】
前記ゲート信号線ＧＬは、それぞれ、図中左右のいずれかの端部が、たとえば画像表示部ＡＲとシール材ＳＬとの間の領域に形成された引き出し配線ＷＧとして引き出され、この引き出し配線ＷＧは、半導体装置ＳＥＣ側に配置されたシール材ＳＬ（図中符号ＳＬｓで示す）を超えて延在され、該半導体装置ＳＥＣの出力電極に接続されるようになっている。ゲート信号線ＧＬのそれぞれは引き出し配線ＷＧを通して半導体装置ＳＥＣから走査信号が供給されるようになっている。
【００３９】
前記ドレイン信号線ＤＬは、それぞれ、図中下端部が引き出し配線ＷＤとして引き出され、この引き出し配線ＷＤは、半導体装置ＳＥＣ側に配置されたシール材ＳＬ（図中符号ＳＬｓで示す）を超えて延在され、該半導体装置ＳＥＣの出力電極に接続されるようになっている。ドレイン信号線ＤＬのそれぞれは引き出し配線ＷＤを通して半導体装置ＳＥＣから映像信号が供給されるようになっている。
【００４０】
前記コモン信号線ＣＬは、それぞれ、たとえば図中右側の端部が、たとえば画像表示部ＡＲとシール材ＳＬとの間の領域に形成された引き出し配線ＷＣに共通接続され、この引き出し配線ＷＣは、半導体装置ＳＥＣ側に配置されたシール材ＳＬ（図中符号ＳＬｓで示す）を超えて延在され、該半導体装置ＳＥＣの出力電極に接続されるようになっている。コモン信号線ＣＬのそれぞれは引き出し配線ＷＣを通して半導体装置ＳＥＣから前記映像信号に対して基準となる信号（基準信号）が供給されるようになっている。この基準信号は、一定電位あるいはいわゆる交流駆動される電位とする信号からなっている。
【００４１】
前記画素は、図２において図中点線楕円枠Ａ内を拡大して示した拡大図Ａ'に示すように等価回路として示している。拡大図Ａ'に示すように、画素は、ゲート信号線ＧＬからの走査信号の供給によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを通してドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、この画素電極ＰＸとの間に電界を発生させる対向電極ＣＴとを備えている。対向電極ＣＴは、前記コモン信号線ＣＬを通して基準信号が供給されるようになっている。なお、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間には容量が形成され、画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長い時間蓄積できるようになっている。
【００４２】
このような構成からなる画素は、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電位差によって基板（たとえば基板ＳＵＢ１）に対して平行な成分をもつ電界が発生し、このような電界によって液晶の分子を挙動させるようになっている。このような画素を有する液晶表示装置はいわゆる横電界方式、あるいはＩＰＳ方式と称されている。
【００４３】
そして、このような構成からなる液晶表示装置は、図示していないが、基板ＳＵＢ１の液晶側の画像表示部ＡＲの全域において太陽電池（図４においいて符号ＳＥＢで示す）が形成されている。この太陽電池ＳＥＢについては後に詳述する。
【００４４】
（画素の構成）
図３は、基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成された画素の構成を示す平面図である。また、図１は、図３のI−I線における断面図を示している。
【００４５】
まず、図１に示すように、基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる電極（第１電極）ＴＭ１が形成されている。尚、電極ＴＭ１と基板ＳＵＢ１との間に絶縁膜などの他の層が形成されていてもよい。また、電極ＴＭ１の上面には該電極ＴＭ１の表面の全域にわたって半導体層からなる光電気変換層ＣＶＬが形成されている。さらに、該光電気変換層ＣＶＬの表面の全域にわたってたとえばＩＴＯ等の透明導電膜からなる電極（第２電極）ＴＭ２が形成されている。電極ＴＭ１、光電気変換層ＣＶＬ、電極ＴＭ２の順次積層体は、太陽電池ＳＥＢを構成し、光電気変換層ＣＶＬに光が照射されることによって電極ＴＭ１、電極ＴＭ２から電圧を取り出すことができるようになっている。
【００４６】
電極ＴＭ１は、たとえば画像表示部ＡＲの形成領域の全域に形成され、その端子は、前記シール材ＳＬの外側の基板ＳＵＢ１上に引き出されるようになっている。これにより、太陽電池ＳＥＢをたとえば基板ＳＵＢ２側に形成する場合と比べて、基板ＳＵＢ１上への配線の引き回しを容易に行うことができるようになる。光電気変換層ＣＶＬは、たとえば画像表示部ＡＲの形成領域の全域に形成されている。また、光電気変換層ＣＶＬは、たとえばアモルファスシリコンからなり、異なる不純物層の順次積層体（図示せず）から構成されている。ここで、電極ＴＭ２は、液晶表示装置の画素ＰＩＸにおける対向電極ＣＴを兼ねる構成となっている。これにより、対向電極ＣＴは隣接する他の画素の対向電極ＣＴと、そして図２に示したコモン信号線ＣＬとも共通に形成されることになる。このように、電極ＴＭ２と対向電極ＣＴとを共通に形成することにより、液晶表示装置の製造の工数を低減させる効果を奏する。また、液晶表示装置の画像表示部ＡＲの全域において太陽電池ＳＥＢを構成することによって、その面積を大きくでき、出力電力を大きくすることができる。
【００４７】
基板ＳＵＢ１の表面には、対向電極ＣＴ（電極ＴＭ２）を被って層間絶縁膜ＩＮ（図１参照）が形成され、この層間絶縁膜ＩＮの上面にゲート信号線ＧＬが形成されている。ゲート信号線ＧＬは該層間絶縁膜ＩＮによって前記光電気変換層ＣＶＬとの電気的接続が回避されるようになっている。
【００４８】
そして、基板ＳＵＢ１の表面には、さらに、ゲート信号線ＧＬをも被って絶縁膜ＧＩ（図１参照）が形成されている。この絶縁膜ＧＩは後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するようになっている。
【００４９】
絶縁膜ＧＩの表面であってゲート信号線ＧＬの一部に重畳する薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域に、たとえばアモルファスシリコンからなる半導体層ＡＳが島状に形成されている。前記薄膜トランジスタＴＦＴは、前記半導体層ＡＳの表面に、互いに対向配置されたドレイン電極ＤＴ、ソース電極ＳＴが形成されることにより、ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）型トランジスタが構成されるようになる。
【００５０】
絶縁膜ＧＩの表面には図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、このドレイン信号線ＤＬの一部を前記半導体層ＡＳの表面に延在させることにより、該延在部を薄膜トランジスタＴＦＴの前記ドレイン電極ＤＴとするようになっている。また、ドレイン信号線ＤＬの形成の際に、薄膜トランジスタＴＦＴの前記ソース電極ＳＴが形成され、このソース電極ＳＴは半導体層ＡＳの形成領域を超えて画素領域に延在するパッド部ＰＤを具備するように構成されている。このパッド部ＰＤは後述の画素電極ＰＸと電気的に接続される部分として構成される。
【００５１】
前記基板ＳＵＢ１の表面にはドレイン信号線ＤＬ等をも被って保護膜ＰＡＳ（図１参照）が形成されている。この保護膜ＰＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避するための絶縁膜からなり、たとえば、無機絶縁膜および有機絶縁膜の積層構造から構成される。有機絶縁膜を用いるのはたとえば保護膜ＰＡＳの表面を平坦化する効果を得るためである。
【００５２】
保護膜ＰＡＳの表面の画素領域には、画素電極ＰＸが形成されている。画素電極ＰＸは、たとえば図中ｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数（図ではたとえば３個）の線状の電極からなり、これら各電極は、前記薄膜トランジスタＴＦＴ側の端部において互いに接続された接続部ＪＮを備えている。画素電極ＰＸは、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜から構成されている。画素電極ＰＸの接続部ＪＮの一部は、保護膜ＰＡＳに予め形成されたスルーホールＴＨを通して前記ソース電極ＳＴのパッド部ＰＤに電気的に接続されるようになっている。
【００５３】
また、基板ＳＵＢ１の表面には、図示していないが、画素電極ＰＸをも被って配向膜が形成されている。この配向膜は、基板ＳＵＢ２側に形成される後述の配向膜とともに、液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定するように機能する。
【００５４】
図４は、図３のIV−IV線における断面図を示し、基板ＳＵＢ１とともに、液晶ＬＣを介して対向配置される基板ＳＵＢ２をも示している。
【００５５】
基板ＳＵＢ１には、その液晶側の面から、電極ＴＭ１、光電気変換層ＣＶＬ、電極ＴＭ２（対向電極ＣＴ）がこの順で順次積層されて、太陽電池ＳＥＢが形成されている。そして、電極ＴＭ２（対向電極ＣＴ）よりも上層の層から配向膜までの各層は省略して示しているが、前記電極ＴＭ２（対向電極ＣＴ）を含んで画素を構成する層（図中符号ＰＣＬで示す）が形成されている。
【００５６】
基板ＳＵＢ２は、その液晶側の面において、各画素領域に開口を有するブラックマトリックス（遮光膜）ＢＭが形成され、該開口を塞ぐようにしてカラーフィルタＦＩＬが形成されている。このカラーフィルタＦＩＬは、隣接して配置される３つの画素領域において、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色を呈するものが配置されている。また、ブラックマトリックスＢＭ、カラーフィルタＦＩＬを被うようにして平坦化膜ＯＣが形成され、この平坦化膜ＯＣの表面には配向膜（図示せず）が形成されている。
【００５７】
このように構成された液晶表示装置は、前記光電気変換層ＣＶＬに、たとえば図中矢印αに示すように基板ＳＵＢ２側からブラックマトリックスＢＭの開口を通して光照射されることより、電極ＴＭ１、電極ＴＭ２から電圧を取り出せるようになる。
【００５８】
この場合、電極ＴＭ２は、電極ＴＭ１によって生じる電界をシールドするように機能し、該電界が液晶ＬＣ側に及んでしまうのを防止できるようになる。このため、液晶ＬＣには、表示に寄与させる電界（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴによってできる電界）のみを発生させることができ、前記太陽電池ＳＥＢの形成によって、液晶ＬＣ内に発生する電界分布に影響を与えてしまうようなことはなくなる。
【００５９】
〈実施例２〉
図５は、本発明の液晶表示装置の実施例２を示す構成図で、図３に対応した図となっている。また、図５のVI−VI線における断面図を図６に示している。
【００６０】
図５において、図３の場合と比較して異なる構成は、電極ＴＭ２（対向電極ＣＴ）にあり、該電極ＴＭ２（対向電極ＣＴ）は画素ごとに独立したパターンで形成されているようになっている。すなわち、該電極ＴＭ２（対向電極ＣＴ）は、画素領域の僅かな周辺を除く中央部に、面状の電極として形成されている。そして、各画素領域におけるそれぞれの電極ＴＭ２（対向電極ＣＴ）を電気的に接続させるため、たとえばゲート信号線ＧＬに隣接して配置されるコモン信号線ＣＬに、電極ＴＭ２（対向電極ＣＴ）の一辺部を重畳させるように形成させている。コモン信号線ＣＬは、その材料として電気的抵抗の小さなたとえば金属膜によって構成されている。
【００６１】
このように構成した場合にも、実施例１と同様に、電極ＴＭ１、光電気変換層ＣＶＬ、電極ＴＭ２（対向電極ＣＴ）によって太陽電池ＳＥＢを構成でき、電極ＴＭ２（対向電極ＣＴ）を含み該電極ＴＭ２（対向電極ＣＴ）よりも上層の各層によって画素を構成できるようになる。
【００６２】
〈実施例３〉
上述した実施例では、電極ＴＭ２（対向電極ＣＴ）を透明導電膜によって形成したものである。液晶表示装置をいわゆる透過型のものとして構成したためである。このため、液晶表示装置をいわゆる反射型のものとして構成する場合には、電極ＴＭ２（対向電極ＣＴ）をたとえばＡｌ等の光反射効率のよい金属膜で形成するようにしてもよい。また、画素領域の一部において透明導電膜によって形成し、他の部分を金属層で形成するようにしてもよい。これにより、いわゆる半透過型の液晶表示装置を構成することができるからである。
【００６３】
〈実施例４〉
上述した実施例では、電極ＴＭ１、光電気変換層ＣＶＬ、電極ＴＭ２の順次積層体を太陽電池ＳＥＢとして構成したものである。しかし、電極ＴＭ１、光電気変換層ＣＶＬ、電極ＴＭ２の順次積層体を光センサとして構成するようにしてもよい。光センサを太陽電池ＳＥＢと同様の構成で形成できるからである。この光センサは、たとえば、基板ＳＵＢ２側から入射する外光の光量または基板ＳＵＢ１側から入射するバックライトからの光量を検出し、その検出値に基づいて前記バックライトの電力供給を制御するように構成できる。
【００６４】
以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の液晶表示装置の実施例１を示す画素の構成図で、図３のI−I線における断面図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の実施例１を示す概略平面図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の実施例１を示す画素の平面図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】本発明の液晶表示装置の実施例２を示す画素の平面図である。
【図６】図５のVI−VI線における断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＳＬ……シール材、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＣＬ……コモン信号線、ＷＧ……引き出し配線（ゲート信号線の）、ＷＤ……引き出し配線（ドレイン信号線の）、ＷＣ……引き出し配線（コモン信号線の）、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、ＴＭ１……電極（太陽電池の一方の電極）、ＴＭ２……電極（太陽電池の他方の電極）、ＣＶＬ……光電気変換層、ＩＮ……層間絶縁膜、ＧＩ……絶縁膜、ＡＳ……半導体層、ＤＴ……ドレイン電極、ＳＴ……ソース電極、ＰＤ……パッド部、ＰＡＳ……保護膜、ＴＨ……スルーホール、ＳＥＢ……太陽電池、ＰＣＬ……画素を構成する層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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