(57)【要約】【課題】比較的低い電圧で駆動することのできる発光素子、かかる発光素子を備えた信頼性の高い発光装置、表示装置および電子機器を提供すること。【解決手段】発光素子１は、陰極９と、陽極３と、陰極９と陽極３との間に設けられ、駆動電圧が印加されることにより発光する発光部６と、前記陽極３と前記発光部６との間に設けられ、前記陰極９側の層に正孔を注入する正孔注入層４とを有し、前記正孔注入層４は、シアノ基を有するキノキサリン誘導体を含んで構成されることを特徴とする。【選択図】図１
2010225689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、駆動電圧が印加されることにより発光する発光部と、
前記陽極と前記発光部との間に設けられ、前記陰極側の層に正孔を注入する正孔注入層とを有し、
前記正孔注入層は、シアノ基を有するキノキサリン誘導体を含んで構成されることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記キノキサリン誘導体は、その分子中に２以上のシアノ基を含む請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記キノキサリン誘導体は、キノキサリンの２量体を骨格として有する請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記キノキサリン誘導体は、下記式（１）または下記式（２）で示される化合物である請求項３に記載の発光素子。
【化１】
2010225689.tif 000021
【化２】
2010225689.tif 000022
【請求項５】
前記キノキサリン誘導体は、キノキサリンの単量体を骨格として有する請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項６】
前記キノキサリン誘導体は、下記式（３）で示される化合物である請求項５に記載の発光素子。
【化３】
2010225689.tif 000023
【請求項７】
前記正孔注入層と前記発光部との間に設けられ、前記陰極側の層に正孔を輸送する正孔輸送層を有し、
前記正孔輸送層は、アミン系材料を含む請求項１ないし６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記アミン系材料は、下記式（４）で示される化合物である請求項７に記載の発光素子。
【化４】
2010225689.tif 000024
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光装置を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、発光装置、表示装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。
【０００３】
このような発光素子としては、例えば、陰極と陽極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を積層し、発光させるものが知られている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。このような構成の発光素子は、高い電流効率（発光効率）が得られるものの、各層間の界面が多くなるため、駆動電圧が高くなりやすい問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２８７６９１号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｈｉｔｏｓｈｉ  Ｋｕｍａ，  ｅｔ．ａｌ，ＳＩＤ  ０７  ＤＩＧＥＳＴ，Ｐ１５０４（２００７）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、比較的低い電圧で駆動することのできる発光素子、かかる発光素子を備えた発光装置、表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光素子は、陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、駆動電圧が印加されることにより発光する発光部と、
前記陽極と前記発光部との間に設けられ、前記陰極側の層に正孔を注入する正孔注入層とを有し、
前記正孔注入層は、シアノ基を有するキノキサリン誘導体を含んで構成されることを特徴とする。
これにより、比較的低い電圧で駆動することのできる発光素子を提供することができる。
【０００８】
本発明の発光素子では、前記キノキサリン誘導体は、その分子中に２以上のシアノ基を含むことが好ましい。
これにより、正孔注入層は、より効率よく正孔輸送層に正孔を注入することができる。
本発明の発光素子では、前記キノキサリン誘導体は、キノキサリンの２量体を骨格として有することが好ましい。
このような化合物を用いた場合、容易に成膜が可能であるため、好適に用いることができる。
【０００９】
本発明の発光素子では、前記キノキサリン誘導体は、下記式（１）または下記式（２）で示される化合物であることが好ましい。
【化１】
2010225689.tif 000003
【化２】
2010225689.tif 000004
このような化合物は、電子輸送性および正孔注入性に特に優れており、発光素子の使用時における駆動電圧をより低いものとすることができる。
本発明の発光素子では、前記キノキサリン誘導体は、キノキサリンの単量体を骨格として有することが好ましい。
このような化合物を用いた場合、容易に成膜が可能であるため、好適に用いることができる。
【００１０】
本発明の発光素子では、前記キノキサリン誘導体は、下記式（３）で示される化合物であることが好ましい。
【化３】
2010225689.tif 000005
このような化合物は、電子輸送性および正孔注入性に特に優れており、発光素子の使用時における駆動電圧をより低いものとすることができる。
【００１１】
本発明の発光素子では、前記正孔注入層と前記発光部との間に設けられ、前記陰極側の層に正孔を輸送する正孔輸送層を有し、
前記正孔輸送層は、アミン系材料を含むことが好ましい。
アミン系材料は、シアノ基含有キノキサリン誘導体により電子を好適に引き抜かれることができ、容易に正孔が注入されることができる材料である。このため、正孔輸送層の構成材料としてアミン系材料を用いることにより、正孔注入層を介して陽極から好適に正孔が注入されることができ、発光素子は、より低い電圧であっても好適に駆動できるものとなる。
【００１２】
本発明の発光素子では、前記アミン系材料は、下記式（４）で示される化合物であることが好ましい。
【化４】
2010225689.tif 000006
このような化合物は、シアノ基含有キノキサリン誘導体により電子をより好適に引き抜かれることができ、特に容易に正孔が注入されることができるため、発光素子は、より低い電圧であっても好適に駆動できるものとなる。
【００１３】
本発明の発光装置は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。
これにより、比較的低電圧で駆動できる発光装置を提供することができる。
本発明の表示装置は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、比較的低電圧で駆動できる表示装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、比較的低電圧で駆動できる電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光素子の縦断面を模式的に示す図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る発光素子の縦断面を模式的に示す図である。
【図３】本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図４】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の発光素子、発光装置、表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光素子の縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
【００１６】
図１に示す発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）１は、複数種の有機発光材料が、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）に発光することにより、白色発光する有機発光素子である。
このような発光素子１は、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５と複数の発光層からなる発光部６と電子輸送層７と電子注入層８と陰極９とがこの順に積層されてなるものである。また、発光部６は、陽極３側から陰極９側に、赤色発光層（第１の発光層）６１と中間層６２と青色発光層（第２の発光層）６３と緑色発光層（第３の発光層）６４とがこの順に積層された積層体である。
そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１０で封止されている。
【００１７】
このような発光素子１にあっては、陽極３および陰極９に駆動電圧が印加されることにより、赤色発光層６１、青色発光層６３、および緑色発光層６４に対し、陰極９側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。これにより、発光素子１は、白色発光する。
【００１８】
基板２は、陽極３を支持するものである。本実施形態の発光素子１は、基板２側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）であるため、基板２および陽極３は、それぞれ、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされている。
基板２の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような基板２の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００１９】
なお、発光素子１が基板２と反対側から光を取り出す構成（トップエミッション型）の場合、基板２には、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。
不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
【００２０】
以下、発光素子１を構成する各部を順次説明する。
［陽極］
陽極３は、後述する正孔注入層４を介して正孔輸送層５に正孔を注入する電極である。この陽極３の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
【００２１】
陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００２２】
［陰極］
一方、陰極９は、後述する電子注入層８を介して電子輸送層７に電子を注入する電極である。この陰極９の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極９の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
【００２３】
特に、陰極９の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極９の構成材料として用いることにより、陰極９の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極９の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、２００〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態の発光素子１は、ボトムエミッション型であるため、陰極９に、光透過性は、特に要求されない。
【００２４】
［正孔注入層］
正孔注入層４は、陽極３からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。
本発明において、正孔注入層４は、その構成材料（正孔注入材料）として、シアノ基を有するキノキサリン誘導体（以下、「シアノ基含有キノキサリン誘導体」ともいう。）を含む。本発明は、この点に特徴を有する。
【００２５】
シアノ基含有キノキサリン誘導体は、シアノ基を有するため電子吸引性が高いものである。一方で、シアノ基含有キノキサリン誘導体は、そのキノキサリン骨格が優れた電子輸送性を有するため、電子輸送性に優れている。このような電子吸引性に優れたシアノ基と電子輸送性に優れたキノキサリン骨格とを有するシアノ基含有キノキサリン誘導体は、陽極３から正孔注入層４に正孔が注入された際に、隣接する陰極９側の層（正孔輸送層５）から効率よく電子を引き抜いて隣接する陰極９側の層（正孔輸送層５）に正孔を注入するとともに、引き抜いた電子を効率よく陽極３に輸送することができる。このため、比較的低電圧であっても陽極３から注入される正孔は、発光部６に届きやすいものとなり、発光素子１は、比較的低電圧で駆動できるものとなる。
【００２６】
正孔注入材料として用いることのできるシアノ基含有キノキサリン誘導体としては、シアノ基を有するキノキサリン誘導体であれば特に限定されず、例えば、キノキサリンの単量体やキノキサリンの２量体、３量体等のオリゴマー、キノキサリンのポリマー等の各種キノキサリン骨格を有する化合物のシアノ化物が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
シアノ基含有キノキサリン誘導体としては、より具体的には、例えば下記式（５−１）〜式（５−１０）で表わされる化合物が挙げられる。
【００２７】
【化５】
2010225689.tif 000007
【００２８】
【化６】
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【００２９】
上述した中でも、キノキサリンの単量体および２量体を骨格として有するシアノ基含有キノキサリン誘導体は、容易に、成膜が可能であるため、好適に用いることができる。これらの化合物を用いた場合、真空蒸着等の気相成膜法で好適に正孔注入層４を形成することができる。
また、キノキサリンの単量体を骨格として有するシアノ基含有キノキサリン誘導体においては、前記式（５−１）で示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体を用いることがより好ましい。このような化合物は、電子輸送性および正孔注入性に特に優れており、発光素子１の使用時における駆動電圧をより低いものとすることができる。
【００３０】
また、キノキサリンの２量体を骨格として有するシアノ基含有キノキサリン誘導体においては、前記式（５−５）および／または前記式（５−６）で示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体を用いることがより好ましい。このような化合物は、電子輸送性および正孔注入性に特に優れており、発光素子１の使用時における駆動電圧をより低いものとすることができる。
【００３１】
また、シアノ基含有キノキサリン誘導体は、その分子中に２以上のシアノ基を有することが好ましく、４以上のシアノ基を有することがより好ましい。これにより、正孔注入層４は、より効率よく正孔輸送層５に正孔を注入することができる。
また、上述したシアノ基含有キノキサリン誘導体に加えて、他の正孔注入材料が含まれていてもよい。
このような正孔注入材料としては、特に限定されないが、例えば、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、下記式（６）に示すＮ，Ｎ’−ビス−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）−Ｎ, Ｎ’−ジフェニル−ビフェニル−４−４’−ジアミン等が挙げられる。
【００３２】
【化７】
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【００３３】
このような正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、１〜８０ｎｍであるのがより好ましい。これにより、発光素子１の駆動電圧をより低いものとすることができる。
特に、シアノ基含有キノキサリン誘導体がキノキサリンの単量体を骨格として有する場合には、正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１０ｎｍであるのが好ましく、１〜５ｎｍであるのがより好ましい。これにより、シアノ基含有キノキサリン誘導体が結晶化して、正孔注入層４の電気抵抗が高くなるのを防止しつつ、シアノ基含有キノキサリン誘導体の効果を好適に発揮することができる。
【００３４】
［正孔輸送層］
正孔輸送層５は、正孔注入層４と接触して設けられており、陽極３から正孔注入層４を介して注入された正孔を赤色発光層６１まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層５の構成材料には、各種ｐ型の高分子材料や、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができ、例えば、アミンをその化学構造中に有するアミン系材料を用いることができる。
【００３５】
アミン系材料は、シアノ基含有キノキサリン誘導体により電子を好適に引き抜かれることができ、容易に正孔が注入されることができる材料である。このため、正孔輸送層５の構成材料としてアミン系材料を用いることにより、正孔注入層４を介して陽極３から好適に正孔が注入されることができ、発光素子１は、より低い電圧であっても好適に駆動できるものとなる。
【００３６】
アミン系材料としては、例えば、下記式（４）に示されるＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）等のテトラアリールベンジジン誘導体、テトラアリールジアミノフルオレン化合物またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３７】
【化８】
2010225689.tif 000010
【００３８】
特に、上述した中でも、アミン系材料としては、上記式（４）に示されるＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）を用いることが好ましい。このような化合物は、シアノ基含有キノキサリン誘導体により電子を、より好適に引き抜かれることができ、特に容易に正孔が注入されることができるため、発光素子１は、より低い電圧であっても好適に駆動できるものとなる。
このような正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍであるのが好ましく、１０〜１００ｎｍであるのがより好ましい。
【００３９】
［発光部］
上述したように、発光部６は、陽極３側から、赤色発光層（第１の発光層）６１と中間層６２と、青色発光層（第２の発光層）６３と緑色発光層（第３の発光層）６４とが積層された積層体である。
【００４０】
（赤色発光層）
この赤色発光層（第１の発光層）６１は、赤色（第１の色）に発光する赤色発光材料（第１の発光材料）を含んで構成されている。
このような赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００４１】
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記式（７）に示すテトラアリールジインデノペリレン誘導体等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等を挙げられる。
【００４２】
【化９】
2010225689.tif 000011
【００４３】
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。
【００４４】
また、赤色発光層６１の構成材料としては、前述したような赤色発光材料に加えて、この赤色発光材料をゲスト材料とするホスト材料（第１のホスト材料）を用いてもよい。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。このような第１のホスト材料は、例えば、ゲスト材料である赤色発光材料をドーパントとして第１のホスト材料にドープして用いることができる。
【００４５】
このような第１のホスト材料としては、用いる赤色発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、下記式（８）に示すようなアントラセン誘導体、２−ｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）等のアントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの４量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、下記式（９）に示されるナフタセン誘導体等のナフタセンおよびその誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
また、赤色発光材料が赤色燐光材料を含む場合、第１のホスト材料としては、例えば、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニルカルバゾール、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００４６】
【化１０】
2010225689.tif 000012
【００４７】
【化１１】
2010225689.tif 000013
【００４８】
赤色発光層６１に第１のホスト材料が含まる場合、赤色発光層６１中における赤色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．０１〜１０ｗｔ％であるのが好ましく、０．１〜５ｗｔ％であるのがより好ましい。赤色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、後述する青色発光層６３や緑色発光層６４の発光量とのバランスをとりつつ赤色発光層６１を発光させることができる。
また、赤色発光層６１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜２０ｎｍ程度であるのが好ましく、３〜５ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００４９】
（中間層）
この中間層６２は、前述した赤色発光層６１と後述する青色発光層６３との層間にこれらに接するように設けられている。そして、中間層６２は、青色発光層６３から赤色発光層６１へ輸送される電子の量を調節する機能を有する。また、中間層６２は、赤色発光層６１から青色発光層６３へ輸送される正孔の量を調節する機能を有する。また、中間層６２は、赤色発光層６１と青色発光層６３との間で励起子のエネルギーが移動するのを阻止する機能を有する。この機能により、赤色発光層６１および青色発光層６３をそれぞれ効率よく発光させることができる。この結果、各発光層をバランスよく発光させることができ、発光素子１は目的とする色（本実施形態では白色）を発光することができるものとなるとともに、発光素子１の発光効率および発光寿命の向上を図ることができる。
【００５０】
このような中間層６２の構成材料としては、中間層６２が前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、正孔を輸送する機能を有する材料（正孔輸送材料）、電子を輸送する機能を有する材料（電子輸送材料）等を用いることができる。
このような中間層６２に用いられる正孔輸送材料としては、中間層６２が前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、前述した正孔輸送材料のうちのアミン骨格を有するアミン系材料を用いることができるが、ベンジジン系アミン誘導体を用いるのが好ましい。
【００５１】
特に、ベンジジン系アミン誘導体のなかでも、中間層６２に用いられるアミン系材料としては、２つ以上の芳香環基を導入したものが好ましく、テトラアリールベンジジン誘導体がより好ましい。このようなベンジジン系アミン誘導体としては、例えば、前記式（４）に示されるＮ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）や、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラナフチル−ベンジジン（ＴＮＢ）などが挙げられる。このようなアミン系材料は、一般に、正孔輸送性に優れている。したがって、赤色発光層６１から中間層６２を介して青色発光層６３へ正孔を円滑に受け渡すことができる。
【００５２】
中間層６２に用いることができる電子輸送材料としては、中間層６２が前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、アセン系材料を用いることができる。アセン系材料は、電子輸送性に優れるため、青色発光層６３から中間層６２を介して赤色発光層６１へ電子を円滑に受け渡すことができる。また、アセン系材料は励起子に対する体制に優れているため、中間層６２の励起子による劣化を防止または抑制し、その結果、発光素子１の耐久性を優れたものとすることができる。
【００５３】
このようなアセン系材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、ヘキサセン誘導体、ヘプタセン誘導体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体を用いるのが好ましく、アントラセン誘導体を用いることがより好ましい。アントラセン誘導体としては、例えば、前記式（８）に示されるアントラセン誘導体、２−ｔ−ブチル−９，１０−ジ−２−ナフチルアントラセン（ＴＢＡＤＮ）等が挙げられる。
また、中間層６２の平均厚さは、特に限定されないが、５〜５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜３０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００５４】
（青色発光層）
青色発光層（第２の発光層）６３は、青色（第２の色）に発光する青色発光材料（第２の発光材料）を含んで構成されている。
このような青色発光材料としては、特に限定されず、各種青色蛍光材料、青色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００５５】
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、下記式（１０）で示されるジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５６】
【化１２】
2010225689.tif 000014
【００５７】
青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。より具体的には、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。
【００５８】
また、青色発光層６３の構成材料としては、前述したような青色発光材料に加えて、この青色発光材料をゲスト材料とするホスト材料（第２のホスト材料）を用いてもよい。青色発光層６３に用いることのできる第２のホスト材料としては、前述した赤色発光層６１の第１のホスト材料と同様のホスト材料を用いることができる。
青色発光層６３が第２のホスト材料を含む場合、青色発光層６３中における青色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．０１〜２０ｗｔ％であるのが好ましく、１〜１５ｗｔ％であるのがより好ましい。青色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、赤色発光層６１や後述する緑色発光層６４の発光量とのバランスをとりつつ青色発光層６３を発光させることができる。
また、青色発光層６３の平均厚さは、特に限定されないが、５〜５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜４０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００５９】
（緑色発光層）
緑色発光層（第３の発光層）６４は、緑色（第３の色）に発光する緑色発光材料（第３の発光材料）を含んで構成されている。
このような緑色発光材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料、緑色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００６０】
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、下記式（１１）に示すキナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００６１】
【化１３】
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【００６２】
緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。中でも、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つが、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものが好ましい。より具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウムが挙げられる。
また、緑色発光層６４はホスト材料（第３のホスト材料）を含んでいてもよい。緑色発光層６４の第３のホスト材料としては、前述した赤色発光層６１のホスト材料と同様のホスト材料を用いることができる。
【００６３】
緑色発光層６４が第３のホスト材料を含む場合、緑色発光層６４中における緑色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．０１〜２０ｗｔ％であるのが好ましく、０．５〜１５ｗｔ％であるのがより好ましい。緑色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、赤色発光層６１や青色発光層６３の発光量とのバランスをとりつつ緑色発光層６４を発光させることができる。
また、緑色発光層６４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜４０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００６４】
（電子輸送層）
電子輸送層７は、陰極９から電子注入層８を介して注入された電子を緑色発光層６４に輸送する機能を有するものである。
電子輸送層７の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、下記式（１２）に示すトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、下記式（１３）に示される化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６５】
【化１４】
2010225689.tif 000016
【００６６】
【化１５】
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【００６７】
電子輸送層７の平均厚さは、特に限定されないが、０．５〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００６８】
（電子注入層）
電子注入層８は、陰極９からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層８の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
【００６９】
このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層８を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。
【００７０】
アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等が挙げられる。
【００７１】
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層８の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．２〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、０．２〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００７２】
（封止部材）
封止部材１０は、陽極３、積層体１５、および陰極９を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部材１０を設けることにより、発光素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止（耐久性向上）等の効果が得られる。
封止部材１０の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、封止部材１０の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、封止部材１０と陽極３、積層体１５、および陰極９との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
また、封止部材１０は、平板状として、基板２と対向させ、これらの間を、例えば熱硬化性樹脂等のシール材で封止するようにしてもよい。
以上のように構成された発光素子１によれば、正孔注入層４にシアノ基含有キノキサリン誘導体が含まれることにより、発光部６へ効率よく正孔が注入され、発光素子１の駆動電圧が低いものとなる。また、低電圧で効率よく発光させることができることから、発光素子１の発光寿命も長いものとなる。
【００７３】
以上のような発光素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１］  まず、基板２を用意し、この基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
【００７４】
［２］  次に、陽極３上に正孔注入層４を形成する。
正孔注入層４は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔注入層４は、例えば、正孔注入材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極３上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【００７５】
正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層４を比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
【００７６】
また、本工程に先立って、陽極３の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極３の上面を親液性を付与すること、陽極３の上面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、基板２の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。
なお、シアノ基含有キノキサリン誘導体がキノキサリンの単量体または２量体を骨格として有する場合、気相プロセスを用いて好適に、正孔注入層４を形成することができる。
【００７７】
［３］  次に、正孔注入層４上に正孔輸送層５を形成する。
正孔輸送層５は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料を、正孔注入層４上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【００７８】
［４］  次に、正孔輸送層５上に、赤色発光層６１を形成する。
赤色発光層６１は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［５］  次に、赤色発光層６１上に、中間層６２を形成する。
中間層６２は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
【００７９】
［６］  次に、中間層６２上に、青色発光層６３を形成する。
青色発光層６３は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［７］  次に、青色発光層６３上に、緑色発光層６４を形成する。
緑色発光層６４は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
【００８０】
［８］  次に、緑色発光層６４上に電子輸送層７を形成する。
電子輸送層７は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、電子輸送層７は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、緑色発光層６４上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【００８１】
［９］  次に、電子輸送層７上に、電子注入層８を形成する。
電子注入層８の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層８は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
［１０］  次に、電子注入層８上に、陰極９を形成する。
陰極９は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
以上のような工程を経て、発光素子１が得られる。
最後に、得られた発光素子１を覆うように封止部材１０を被せ、基板２に接合する。
【００８２】
＜第２実施形態＞
図２は、本発明の発光素子の第２実施形態の縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図２中の上側、すなわち陰極９側を「上」、下側、すなわち陽極３側を「下」として説明を行う。
本実施形態にかかる発光素子１Ａは、発光部６Ａが一層の発光層であること以外は、前述した第１実施形態の発光素子１と同様である。
【００８３】
発光部６Ａは、発光材料を含んで構成されている。
発光部６Ａに用いることのできる発光材料としては、特に限定されず、上述した赤色発光材料、青色発光材料、緑色発光材料等を適宜１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
また、発光部６Ａには、発光材料を担持するホスト材料が含まれていてもよい。
このようなホスト材料としては、上述した第１の実施形態の赤色発光層６１に用いることのできるホスト材料が挙げられる。
以上のような構成によっても、本発明の第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００８４】
上述したような発光素子１、１Ａは、例えば、発光装置（本発明の発光装置）に用いることができる。
このような発光装置は、前述したような発光素子１、１Ａを備えるため、比較的低電圧で駆動できるものとなっている。
また、このような発光装置は、例えば照明等に用いる光源等として使用することができる。
また、発光装置中の複数の発光素子１をマトリックス状に配置することにより、ディスプレイ装置に用いる発光装置を構成することができる。
【００８５】
次に、本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の一例について説明する。
図２は、本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
図２に示すディスプレイ装置１００は、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応して設けられた複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを備える発光装置１０１と、カラーフィルタ１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂとを有している。ここで、ディスプレイ装置１００は、トップエミッション構造のディスプレイパネルである。なお、ディスプレイ装置の駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
【００８６】
発光装置１０１は、基板２１と発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、駆動用トランジスタ２４とを有している。
基板２１上には、複数の駆動用トランジスタ２４が設けられ、これらの駆動用トランジスタ２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
各駆動用トランジスタ２４は、シリコンからなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
平坦化層２２上には、各駆動用トランジスタ２４に対応して発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。
【００８７】
発光素子１Ｒは、平坦化層２２上に、反射膜３２、腐食防止膜３３、陽極３、積層体１５、陰極９、陰極カバー３４がこの順に積層されている。本実施形態では、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陽極３は、画素電極を構成し、各駆動用トランジスタ２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。また、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陰極９は、共通電極とされている。
【００８８】
なお、発光素子１Ｇ、１Ｂの構成は、発光素子１Ｒの構成と同様である。また、図２では、図１と同様の構成に関しては、同一符号を付してある。また、反射膜３２の構成（特性）は、光の波長に応じて、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ間で異なっていてもよい。
隣接する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士の間には、隔壁３１が設けられている。
また、このように構成された発光装置１０１上には、これを覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層３５が形成されている。
【００８９】
カラーフィルタ１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂは、前述したエポキシ層３５上に、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられている。
カラーフィルタ１９Ｒは、発光素子１Ｒからの白色光Ｗを赤色に変換するものである。また、カラーフィルタ１９Ｇは、発光素子１Ｇからの白色光Ｗを緑色に変換するものである。また、カラーフィルタ１９Ｂは、発光素子１Ｂからの白色光Ｗを青色に変換するものである。このようなカラーフィルタ１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂを発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。
【００９０】
また、隣接するカラーフィルタ１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂ同士の間には、遮光層３６が形成されている。これにより、意図しないサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが発光するのを防止することができる。
そして、カラーフィルタ１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂおよび遮光層３６上には、これらを覆うように封止基板２０が設けられている。
【００９１】
以上説明したようなディスプレイ装置１００は、単色表示であってもよく、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに用いる発光材料を選択することにより、カラー表示も可能である。
このようなディスプレイ装置１００（本発明の表示装置）は、前述したような発光装置を用いるため、比較的低電圧で駆動することのできるものである。そのため、少ない消費電力で高品位な画像を表示することができる。
【００９２】
図３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【００９３】
図４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【００９４】
図５は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００９５】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【００９６】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００９７】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００９８】
なお、本発明の電子機器は、図３のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図４の携帯電話機、図５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【００９９】
以上、本発明の発光素子、発光装置、表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前述した実施形態では、発光素子が１層、３層の発光層を有するものについて説明したが、発光層が２層または４層以上であってもよい。このような場合であっても、各発光層に共通のホスト材料を含ませることにより、上述したような効果が得られる。また、発光層の発光色としては、前述した実施形態のＲ、Ｇ、Ｂに限定されない。
また、例えば、前述した実施形態において、シアノ基含有キノキサリン誘導体等の各種誘導体は、必ずしもその基本骨格から誘導されて製造されるものでなくてもよい。
【実施例】
【０１００】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．発光素子の製造
（実施例１）
＜１＞  まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１０１】
＜２＞  次に、ＩＴＯ電極上に、前記式（５−５）に示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体（[2.2']Biquinoxalinly-6,7,6',7'-teracarbonitrile）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ４０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜３＞  次に、正孔注入層上に、前記式（４）に示されるＮ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１０２】
＜４＞  次に、正孔輸送層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの赤色発光層（第１の発光層）を形成した。赤色発光層の構成材料としては、赤色発光材料（ゲスト材料）として前記式（７）に示されるテトラアリールジインデノペリレン誘導体を用い、ホスト材料として前記式（９）に示されるナフタセン誘導体用いた。また、赤色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を１．０ｗｔ％とた。
【０１０３】
＜５＞  次に、赤色発光層上に、中間層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ７ｎｍの中間層を形成した。中間層の構成材料としては、前記式（４）に示されるＮ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）を用いた。
＜６＞  次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの青色発光層（第２の発光層）を形成した。青色発光層の構成材料としては、青色発光材料として前記式（１０）で示されるジスチリルジアミン系化合物を用い、前記式（８）に示されるアントラセン誘導体を用いた。また、青色発光層中の青色発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、６．０ｗｔ％とした。
【０１０４】
＜７＞  次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの緑色発光層（第３の発光層）を形成した。緑色発光層の構成材料としては、緑色発光材料（ゲスト材料）として前記式（１１）に示されるキナクリドン誘導体を用い、ホスト材料として前記式（８）に示されるアントラセン誘導体を用いた。また、緑色発光層中の緑色発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、１．０ｗｔ％とした。
【０１０５】
＜８＞  次に、緑色発光層上に、前記式（１２）に示されるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜９＞  次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
【０１０６】
＜１０＞  次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。
＜１１＞  次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、白色発光する図１に示すような発光素子を製造した。
【０１０７】
（実施例２）
正孔注入層の構成材料として、前記式（５−６）に示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体（[2.2']Biquinoxalinly-3,6,7,3',6',7'-hexacarbonitrile）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。
（実施例３）
正孔注入層の構成材料として、前記式（５−１）に示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体（[Quinoxaline-2,3,6,7-teracarbonitrile）を用い、正孔注入層の平均厚さを２ｎｍ、正孔輸送層の平均厚さを３０ｎｍとした以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。
【０１０８】
（比較例１）
正孔注入層の構成材料として、下記式（１４）に示されるシアノ基を含まないキノキサリン誘導体を用い、正孔注入層の平均厚さを４０ｎｍ、正孔輸送層の平均厚さを２０ｎｍとした以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。
【０１０９】
【化１６】
2010225689.tif 000018
【０１１０】
（比較例２）
正孔注入層の構成材料として、前記式（６）に示されるＮ，Ｎ’−ビス−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）−Ｎ, Ｎ’−ジフェニル−ビフェニル−４−４’−ジアミンを用い、正孔注入層の平均厚さを４０ｎｍ、正孔輸送層の平均厚さを２０ｎｍとした以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。
【０１１１】
２．評価
２−１．発光効率および駆動電圧の評価
実施例１〜３および比較例１、２の発光素子について、直流電源を用いて発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流を流し、輝度計を用いて輝度を測定した。測定された輝度から、発光効率（ｃｄ／Ａ、電流あたりの輝度）を求めた。また、このときの駆動電圧（Ｖ）を測定した。
【０１１２】
２−２．発光寿命の評価
実施例１〜３および比較例１、２の発光素子について、直流電源を用いて発光素子に初期輝度を一定として発光させ、輝度計を用いて輝度を測定し、その輝度が初期の輝度の８０％となるまでの時間（ＬＴ８０）を測定した。
表１に、上記の評価結果を示す。
【０１１３】
【表１】
2010225689.tif 000019
【０１１４】
表１から明らかなように、実施例１〜３の発光素子は、電流密度が一定の使用条件下において比較例１、２の発光素子と比較して駆動電圧が低いものであった。また、実施例１〜３の発光素子は、比較例１、２の発光素子と比較して発光寿命が長いものであった。
【０１１５】
３．発光素子の製造
（実施例４）
＜１＞  まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１１６】
＜２＞  次に、ＩＴＯ電極上に、前記式（５−５）に示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体（[2.2']Biquinoxalinly-6,7,6',7'-teracarbonitrile）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ４０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜３＞  次に、正孔注入層上に、前記式（４）に示されるＮ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１１７】
＜４＞  次に、正孔輸送層上に、発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ４０ｎｍの発光層（発光部）を形成した。発光層の構成材料としては、赤色発光材料（ゲスト材料）として前記式（７）に示されるテトラアリールジインデノペリレン誘導体を用い、ホスト材料として前記式（９）に示されるナフタセン誘導体用いた。また、赤色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を１．０ｗｔ％とした。
【０１１８】
＜５＞  次に、発光層上に、前記式（１３）に示される化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜６＞  次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜７＞  次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。
＜８＞  次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、白色発光する図２に示すような発光素子を製造した。
【０１１９】
（実施例５）
正孔注入層の構成材料として、前記式（５−６）に示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体（[2.2']Biquinoxalinly-3,6,7,3',6',7'-hexacarbonitrile）を用いた以外は、前記実施例４と同様にして発光素子を製造した。
（実施例６）
正孔注入層の構成材料として、前記式（５−１）に示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体（[Quinoxaline-2,3,6,7-teracarbonitrile）を用い、正孔注入層の平均厚さを２ｎｍ、正孔輸送層の平均厚さを４０ｎｍとした以外は、前記実施例４と同様にして発光素子を製造した。
【０１２０】
（比較例３）
正孔注入層の構成材料として、前記式（１４）に示されるシアノ基を含まないキノキサリン誘導体を用い、正孔注入層の平均厚さを４０ｎｍ、正孔輸送層の平均厚さを１０ｎｍとした以外は、前記実施例４と同様にして発光素子を製造した。
（比較例４）
正孔注入層の構成材料として、前記式（６）に示されるＮ，Ｎ’−ビス−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）−Ｎ, Ｎ’−ジフェニル−ビフェニル−４−４’−ジアミンを用い、正孔注入層の平均厚さを４０ｎｍ、正孔輸送層の平均厚さを１０ｎｍとした以外は、前記実施例４と同様にして発光素子を製造した。
【０１２１】
４．評価
４−１．発光効率および駆動電圧の評価
実施例４〜６および比較例３、４の発光素子について、直流電源を用いて発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流を流し、輝度計を用いて輝度を測定した。測定された輝度から、発光効率（ｃｄ／Ａ、電流あたりの輝度）を求めた。また、このときの駆動電圧（Ｖ）を測定した。
【０１２２】
４−２．発光寿命の評価
実施例４〜６および比較例３、４の発光素子について、直流電源を用いて発光素子に初期輝度を一定として発光させ、輝度計を用いて輝度を測定し、その輝度が初期の輝度の８０％となるまでの時間（ＬＴ８０）を測定した。
表２に、上記の評価結果を示す。
【０１２３】
【表２】
2010225689.tif 000020
【０１２４】
表２から明らかなように、実施例４〜６の発光素子は、電流密度が一定の使用条件下において比較例３、４の発光素子と比較して駆動電圧が低いものであった。また、実施例４〜６の発光素子は、比較例３、４の発光素子と比較して発光寿命が長いものであった。
【符号の説明】
【０１２５】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｇ、１Ｒ……発光素子  ２……基板  ３……陽極  ４……正孔注入層  ５……正孔輸送層  ６、６Ａ……発光部  ６１……赤色発光層（第１の発光層）  ６２……中間層  ６３……青色発光層（第２の発光層）  ６４……緑色発光層（第３の発光層）  ７……電子輸送層  ８……電子注入層  ９……陰極  １０……封止部材  １５……積層体  １９Ｂ、１９Ｇ、１９Ｒ……カラーフィルタ  １００……ディスプレイ装置  １０１……発光装置  １００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ……サブ画素  ２０……封止基板  ２１……基板  ２２……平坦化層  ２４……駆動用トランジスタ  ２４１……半導体層  ２４２……ゲート絶縁層  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース電極  ２４５……ドレイン電極  ２７……配線  ３１……隔壁  ３２……反射膜  ３３……腐食防止膜  ３４……陰極カバー  ３５……エポキシ層  ３６……遮光層  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ
【図１】
2010225689.tif 000025
【図２】
2010225689.tif 000026
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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