(57)【要約】【目的】  本発明の目的は、アーム部が基部から剥がれてしまうのを抑制することができるプローブカード及びプローブカードの製造方法を提供する。【構成】  プローブカードは、基板１００と、基板１００上に一列に並べて配列された複数の第１、第２のプローブ２００ａ、２００ｂとを備える。第１、第２のプローブ２００ａ、２００ｂは、基部２１０ａ、２１０ｂと、アーム部２２０ａ、２２０ｂと、接触部２３０ａ、２３０ｂとを有する。基部２１０ｂの幅寸法は基部２１０ａの幅寸法よりも大きい。Ｒ１は隣り合う基部２１０ａと基部２１０ｂとの間の距離、Ｒ２は隣り合う基部２１０ａと基部２１０ａとの間の距離、Ｒ３は隣り合う基部２１０ｂと基部２１０ｂとの間の距離であり、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が同一である。【選択図】      図１
2010281623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブ基板と、このプローブ基板に一列に配列された複数の第１のプローブ、及び第２のプローブとを備え、
第１、第２のプローブは、前記プローブ基板上に設けられており且つ幅寸法が異なる第１、第２の基部と、
この第１、第２の基部上に設けられた第１、第２のアーム部と、
この第１、第２のアーム部の先端部上に設けられた第１、第２の接触部とを有しており、
隣り合う前記第１、第２の基部の間の距離が、隣り合う前記第１の基部の間の距離と同じであることを特徴とするプローブユニット。
【請求項２】
第１、第２の面を有する配線基板と、
配線基板の第１面に間隔を空けて平行に配置されるメイン基板と、
配線基板とメイン基板の間を接続する接続部材と、
配線基板の第２面に固着されるプローブユニットとを備えており、
プローブユニットは、プローブ基板と、このプローブ基板に一列に配列された複数の第１のプローブ、及び第２のプローブとを備え、
第１、第２のプローブは、前記プローブ基板上に設けられており且つ幅寸法が異なる第１、第２の基部と、
この第１、第２の基部上に設けられた第１、第２のアーム部と、
この第１、第２のアーム部の先端部上に設けられた第１、第２の接触部とを有しており、
隣り合う前記第１、第２の基部の間の距離が、隣り合う前記第１の基部の間の距離と同じであることを特徴とするプローブカード。
【請求項３】
プローブ基板上に複数の第１のプローブと、第２のプローブとが一列に形成されるプローブユニットの製造方法において、
プローブ基板上に第１のレジストを塗布し、この第１のレジストに複数の第１の開口とこの第１の開口と幅寸法が異なる第２の開口とを形成し、この第１、第２の開口に導電材料を充填して第１、第２のプローブの第１、第２の基部を作成し、
その後、第１のレジスト上に第２のレジストを塗布し、この第２のレジストに複数の第３の開口と第４の開口とを形成し、この第３、第４の開口に導電材料を充填して第１、第２のプローブの第１、第２のアーム部を作成しており、
前記第１、第２の開口を形成する際に、隣り合う前記第１、第２の開口の間の距離が、隣り合う前記第１の開口の間の距離と同じにしたことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載のプローブユニットの製造方法において、
第１、第２のプローブの第１、第２のアーム部を作成した後、
その後、第２のレジスト上に第３のレジストを塗布し、この第３のレジストに複数の第５の開口と第６の開口とを形成し、この第５、第６の開口に導電材料を充填して第１、第２のプローブの第１、第２の接触部を作成することを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの電気的諸特性を測定するのに使用されるプローブユニット、プローブカード及びプローブユニットの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１におけるプローブカードは、プローブ基板と、プローブ基板上に一列で形成された複数のプローブとを備えている。各プローブは、プローブ基板に固定された基部と、この基部から延存するアーム部と、半導体デバイスに接触可能な接触部とを有しており、次のようにプローブ基板上に形成される。
【０００３】
まず、プローブ基板上に第１のレジストを塗布し、この第１のレジストに複数の開口を形成し、この開口に導電材料を充填してプローブの基部を作成する。その後、第１のレジスト上に第２のレジストを塗布し、この第２のレジストに複数の開口を形成し、この開口に導電材料を充填してプローブのアーム部を作成する。その後、第２のレジスト上に第３のレジストを塗布し、この第３のレジストに複数の開口を形成し、この開口に導電材料を充填してプローブの接触部を作成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１２１４７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このプローブの形成工程には、第２のレジストに開口を作成するための露光工程までに前記プローブ基板に熱が加えられる工程がある。この工程では、前記プローブ基板表面の研磨ダメージによる変質相を除去するためのイオンミリングやレジストを固めるためのプリベークが行われる。前記熱が前記プローブ基板を通じて第１のレジストに作用すると、該第１のレジストが膨張し、その結果、第１のレジストのプローブの基部の間の部分が盛り上がる。
【０００６】
ここで、第１のレジストと第２のレジストは屈折率が異なるので、第２のレジストを露光するときにレジスト界面で光が反射する。熱膨張によって第１のレジストのプローブの基部の間の部分が盛り上がり、飛び出しが生じていると、この盛り上がった部分により露光の光が斜めに反射され、露光不良による第２のレジストのパターン崩れが発生する。
【０００７】
プローブカードでは、プローブが半導体デバイスの電極パッドの位置に応じて配列されているため、隣り合うプローブの間隔は一定になっていない。プローブの間隔が大きいと、第１のレジストのプローブの基部の間の部分の体積が大きく熱膨張により大きく盛り上がるため、アーム部が第１のレジストの盛り上がりによって基部から離れることがあった。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みて創案されたものであって、その目的とするところは、アーム部と基部との密着性を強固にすることができるプローブユニット、プローブカード及びプローブユニットの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のプローブユニットは、プローブ基板と、このプローブ基板に一列に配列された複数の第１のプローブ、及び第２のプローブとを備える。第１、第２のプローブは、前記プローブ基板上に設けられており且つ幅寸法が異なる第１、第２の基部と、この第１、第２の基部上に設けられた第１、第２のアーム部と、この第１、第２のアーム部の先端部上に設けられた第１、第２の接触部とを有しており、隣り合う前記第１、第２の基部の間の距離が、隣り合う前記第１の基部の間の距離と同じである。
【００１０】
このようなプローブユニットによる場合、隣り合う前記第１、第２の基部の間の距離が、隣り合う前記第１の基部の間の距離と同じになっているので、プローブ基板上に第１のレジストを塗布し、第１のレジストに複数の第１の開口と第２の開口とを形成し、この第１、第２の開口に導電材料を充填して第１、第２の基部を作成すると、第１のレジストの隣り合う第１、第２の基部の間の部分の幅寸法と、該第１のレジストの隣り合う第１の基部の間の部分の幅寸法とが同じになる。このため、イオンミリング工程やプリベーク工程によりプローブ基板に熱が加えられたとしても、第１のレジストの隣り合う第１、第２の基部の間の部分及び該第１のレジストの隣り合う第１の基部の間の部分の一方が他方に比べて大きく盛り上がるのを防止することができる。よって、第１のレジスト上に第２のレジストを塗布して第１、第２のアーム部を作成しても、第１、第２のアーム部が傾き、第１、第２の基部から剥がれるのを抑制することができるので、アーム部と基部との密着性を強固にすることができる。
【００１１】
本発明のプローブカードは、第１、第２の面を有する配線基板と、配線基板の第１面に間隔を空けて平行に配置されるメイン基板と、配線基板とメイン基板の間を接続する接続部材と、配線基板の第２面に固着される上記プローブユニットとを備えている。
【００１２】
本発明のプローブユニットの製造方法は、プローブ基板上に複数の第１のプローブと、第２のプローブとが一列に形成されるものである。このプローブユニットの製造方法は、プローブ基板上に第１のレジストを塗布し、この第１のレジストに複数の第１の開口とこの第１の開口と幅寸法が異なる第２の開口とを形成し、この第１、第２の開口に導電材料を充填して第１、第２のプローブの第１、第２の基部を作成し、その後、第１のレジスト上に第２のレジストを塗布し、この第２のレジストに複数の第３の開口と第４の開口とを形成し、この第３、第４の開口に導電材料を充填して第１、第２のプローブの第１、第２のアーム部を作成しており、前記第１、第２の開口を形成する際に、隣り合う前記第１、第２の開口の間の距離が、隣り合う前記第１の開口の間の距離と同じにしている。
【００１３】
このようなプローブユニットの製造方法による場合、隣り合う前記第１、第２の開口の間の距離が、隣り合う前記第１の開口の間の距離と同じであるので、第１のレジストの隣り合う第１、第２の開口の間の部分の幅寸法と、該第１のレジストの隣り合う前記第１の開口の間の部分の幅寸法とが同じになる。このため、イオンミリング工程やプリベーク工程によりプローブ基板に熱が加えられたとしても、第１のレジストの隣り合う第１、第２の開口の間の部分及び該第１のレジストの隣り合う第１の開口の間の部分の一方が他方に比べて大きく盛り上がるのを防止することができる。よって、第１のレジスト上に第２のレジストを塗布して第１、第２のアーム部を作成しても、第１、第２のアーム部が傾き、第１、第２の基部から剥がれるのを抑制することができるので、アーム部と基部との密着性を強固にすることができる。
【００１４】
前記プローブユニットの製造方法は、第１、第２のプローブの第１、第２のアーム部を作成した後、その後、第２のレジスト上に第３のレジストを塗布し、この第３のレジストに複数の第５の開口と第６の開口とを形成し、この第５、第６の開口に導電材料を充填して第１、第２のプローブの第１、第２の接触部を作成することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明のプローブカードの概略的断面図である。
【図２】上記プローブカードの図１中のα部分の概略的拡大図であって、（ａ）が断面図、（ｂ）が底面図である。
【図３】上記プローブカードの製造工程のうち、プローブ基板上に塗布された第１のレジストに第１、第２の開口を形成する工程を示す模式図であって、（ａ）が平面図、（ｂ）が断面図である。
【図４】上記プローブカードの製造工程のうち、第１、第２の開口に導電材料をメッキする工程を示す模式図であって、（ａ）が平面図、（ｂ）が断面図である。
【図５】上記プローブカードの製造工程のうち、第１のレジスト上に第２のレジストを塗布する工程を示すと共に、前記第１のレジストの第１、第２の開口の間の部分が盛り上がった状態を示す模式図であって、（ａ）が平面図、（ｂ）が断面図である。
【図６】上記プローブカードの製造工程のうち、第２のレジストに第３、第４の開口を形成する工程を示す模式図であって、（ａ）が平面図、（ｂ）が断面図である。
【図７】上記プローブカードの製造工程のうち、第３、第４の開口に導電材料をメッキする工程を示す模式図であって、（ａ）が平面図、（ｂ）が断面図である。
【図８】上記プローブカードの製造工程のうち、第３のレジストに第５、第６の開口を形成する工程を示す模式図であって、（ａ）が平面図、（ｂ）が断面図である。
【図９】上記プローブカードの製造工程のうち、第５、第６の開口に導電材料をメッキする工程を示す模式図であって、（ａ）が平面図、（ｂ）が断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態に係るプローブカードについて上記図１を参照しつつ説明する。図１に示すプローブカードは、半導体デバイス１０の電気的諸特性を測定するのに使用されるものである。このプローブカードは、複数のプローブユニットＵ、ＳＴ基板３００（配線基板）と、メイン基板４００と、複数の接続部材５００と、補強板６００と、複数の支持部７００とを備えている。以下、詳しく説明する。
【００１７】
メイン基板４００としては周知のプリント基板を用いている。このメイン基板４００の下面には複数の電極４１０が設けられている。また、メイン基板４００の上面の外縁部には複数の外部電極４２０が設けられている。電極４１０と外部電極４２０とはメイン基板４００の上下面又は内部に設けられた導電ラインにより各々接続されている。
【００１８】
補強板６００はメイン基板４００よりも硬い板体（例えばステンレス鋼等の板体）である。この補強板６００はメイン基板４００の上面に複数のネジ８１０により取り付けられている。この補強板６００によりメイン基板４００の撓みが抑止される。
【００１９】
各支持部７００は略Ｌ字状の部材であって、メイン基板４００の両端部の下面に取り付けられている。この支持部７００の先端部によりＳＴ基板３００の両端部が支持される。ＳＴ基板３００は支持部７００の先端部に支持された状態で、ネジ８１０の先端部により押圧される。これにより、ＳＴ基板３００が、メイン基板４００の下面に間隔を空けて平行に配置される。
【００２０】
ＳＴ基板３００としてはセラミック基板を用いている。このＳＴ基板３００の下面(第２面)上には薄膜配線３１０が設けられている。また、ＳＴ基板３００の上面(第１面)には、複数の電極３２０が設けられている。薄膜配線３１０と電極３２０とはＳＴ基板３００の内部に設けられたスルーホール３３０により接続されている。
【００２１】
各接続部材５００は略く字状の導電部材である。この接続部材５００がメイン基板４００の電極４１０とＳＴ基板３００の電極３２０との間に介在し、両者を接続する。
【００２２】
各プローブユニットＵは、プローブ基板１００と、複数の第１、第２のプローブ２００ａ、２００ｂとを有する。
【００２３】
プローブ基板１００はネジや粘着樹脂を用いてＳＴ基板３００の下面に取り付けられる。このプローブ基板１００としてはシリコン基板やセラミック基板等を用いている。このプローブ基板１００の面上には、図２（ｂ）に示すように、複数の第１、第２のプローブ２００ａ、２００ｂが（上記図３（ｂ）乃至図９（ｂ）も併せて参照）が二列に並べて配設されている。また、プローブ基板１００の面上には、図２に示すように、複数の電極１１０と、この電極１１０と第１、第２のプローブ２００ａ、２００ｂとを各々接続する複数の導電ライン１２０とが設けられている。電極１１０は導電ワイヤ９００を介してＳＴ基板３００の薄膜配線３１０に接続される。なお、電極１１０及び導電ライン１２０はプローブ基板１００上に印刷された印刷パターンである。図２（ａ）においては、説明の便宜上、電極１１０の厚みが誇張して示されている。半導体デバイス１０の電極１１の大きさも同様に誇張して示している。
【００２４】
各第１のプローブ２００ａは、基部２１０ａと、アーム部２２０ａと、接触部２３０ａとを有している。基部２１０ａは、プローブ基板１００のプローブ基板１００に固着されている。アーム部２２０ａは基部２１０ａからプローブ基板１００の面上に沿って平行に延びており且つプローブ基板１００に向けて弾性変形可能になっている。接触部２３０ａは、アーム部２２０ａの先端部に設けられた略円錐状の部位である。この接触部２３０ａが半導体デバイス１０の電極１１に接触可能になっている。接触部２３０ａが半導体デバイス１０の電極１１に接触し押圧されることにより、アーム部２２０ａがプローブ基板１００に向けて弾性変形する。
【００２５】
各第２のプローブ２００ｂは、基部２１０ｂの幅寸法が基部２１０ａの幅寸法よりも大きくなっている点で相違する。それ以外について、第２のプローブ２００ｂは第１のプローブ２００ａと同じである。すなわち、アーム部２２０ｂはアーム部２２０ａと同じものであり、接触部２３０ｂは接触部２３０ａと同じものである。
【００２６】
第１、第２のプローブ２００ａ、２００ｂは、接触部２３０ａ、２３０ｂの先端位置が半導体デバイス１０の電極１１の位置に対応するようにプローブ基板１００上に二列に並べて配置されている。各列において、第１のプローブ２００ａ同士が隣り合い、第２のプローブ２００ｂ同士が隣り合い、第１のプローブ２００ａと第２のプローブ２００ｂとが隣り合っている。
【００２７】
図２（ｂ）において、D１は隣り合う基部２１０ａと基部２１０ｂとの間の距離を、D２は隣り合う基部２１０ａと基部２１０ａとの間の距離を、D３は隣り合う基部２１０ｂと基部２１０ｂとの間の距離を示している。D１、D２及びD３は基部２１０ａ、２１０ｂをプローブ基板１００上に作成可能な最小距離、具体的には後述する第１のレジストの厚さの１／４で統一されている。本実施の形態では、第１のレジストの膜厚が１００μｍであるので、D１、D２及びD３は約２５μｍとなっている。
【００２８】
以下、第１、第２のプローブ２００ａ、２００ｂをプローブ基板１００上に形成する方法（すなわち、プローブユニットＵの製造方法）について上記図２乃至図８を参照しつつ説明する。なお、ここでは、後述する第１、第２及び第３のレジストとして化薬マイクロケム社のＳＵ−８を用いている。説明の便宜上、第１、第２のプローブ２００ａ、２００ｂをプローブ基板１００上に一列で形成されるものとする。図２乃至図８において、電極１１０の厚みが誇張して示されている。
【００２９】
まず、プローブ基板１００の表面の研磨ダメージによる変質相をイオンミリング法により除去する。その後、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、プローブ基板１００の表面上に第１のレジストＲ１を塗布し、該第１のレジストＲ１をプリベークして固める。その後、第１のレジストＲ１にマスクを用いて露光、現像を行い、該第１のレジストＲ１に複数の第１、第２の開口Ｒ１１ａ、Ｒ１１ｂを形成する。このとき、隣り合う第１の開口Ｒ１１ａと第２の開口Ｒ１１ｂとの間の距離Ｄ４、隣り合う第１の開口Ｒ１１ａと第１の開口Ｒ１１ａとの間の距離Ｄ５及び隣り合う第２の開口Ｒ１１ｂと第２の開口Ｒ１１ｂとの間の距離Ｄ６が、Ｄ１、Ｄ２及びＤ３と同じになるように第１、第２の開口Ｒ１１ａ、Ｒ１１ｂを形成する。なお、現像後、第１、第２の開口Ｒ１１ａ、Ｒ１１ｂの底にレジストが残っている場合には、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置を用いて残渣除去を行う。
【００３０】
その後、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、第１、第２の開口Ｒ１１ａ、Ｒ１１ｂに電解メッキにより導電材料を充填し、第１、第２のプローブ２００ａ、２００ｂの基部２１０ａ、２１０ｂを作成する。これにより、基部２１０ａ、２１０ｂは、Ｄ１、Ｄ２及びＤ３が上記最小寸法で同一となるようにプローブ基板１００上に配設される。
【００３１】
その後、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１のレジストＲ１上に第２のレジストＲ２を塗布し、該第２のレジストＲ２をプリベークして固める。第２のレジストＲ２の露光工程前のイオンミリング工程や第２のレジストＲ２を固めるためのプリベーク工程によりプローブ基板１００に熱が加わる。この熱がプローブ基板１００を通じて第１のレジストＲ１に伝わることにより、第１のレジストＲ１が膨張してその体積が増する。その結果、図５（ｂ）に示すように、第１のレジストＲ１の基部２１０ａと基部２１０ｂとの間の部分Ｒ１２、第１のレジストＲ１の基部２１０ａと基部２１０ａとの間の部分Ｒ１３及び第１のレジストＲ１の基部２１０ｂと基部２１０ｂとの間の部分Ｒ１４が盛り上がる。Ｄ４、Ｄ５及びＤ６（すなわち、Ｄ１、Ｄ２及びＤ３）が上記最小寸法で同一に設定されているので、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４の盛り上がり量は同一となり、最小限に抑えられる。
【００３２】
その後、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、この第２のレジストＲ２にマスクを用いて露光、現像を行い、該第２のレジストＲ２に複数の第３、第４の開口Ｒ２１ａ、Ｒ２１ｂを形成する。その後、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、第３、第４の開口Ｒ２１ａ、Ｒ２１ｂに電解メッキにより導電材料を充填し、第１、第２のプローブ２００ａ、２００ｂのアーム部２２０ａ、２２０ｂを作成する。
【００３３】
その後、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、第２のレジストＲ２上に第３のレジストＲ３を塗布し、該第３のレジストＲ３をプリベークして固める。その後、第３のレジストＲ３にマスクを用いて露光、現像を行い、該第３のレジストＲ３に凹状の複数の第５、第６の開口Ｒ３１ａ、Ｒ３１ｂを形成する。その後、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、第５、第６の開口Ｒ３１ａ、Ｒ３１ｂに電解メッキにより導電材料を充填し、第１、第２のプローブ２００ａ、２００ｂの接触部２３０ａ、２３０ｂを作成する。
【００３４】
その後、第１、第２及び第３のレジストＲ１、Ｒ２、Ｒ３を周知の溶剤等を用いてプローブ基板１００上から除去する。
【００３５】
このように製造されたプローブユニットＵのプローブ基板１００をネジ又は粘着樹脂によりＳＴ基板３００に取り付ける。その後、ＳＴ基板３００の電極３２０とメイン基板４００の電極４１０との間に接続部材５００を各々介在させる。
【００３６】
以上のようなプローブカードによる場合、隣り合う基部２１０ａと基部２１０ｂとの間の距離Ｄ１、隣り合う基部２１０ａと基部２１０ａとの間の距離Ｄ２、隣り合う基部２１０ｂと基部２１０ｂとの間の距離Ｄ３が上記最小寸法で同一となっている。このため、上記イオンミリング工程及びプリベーク工程によりプローブ基板１００に熱が加えられ、当該熱により第１のレジストＲ１が膨張したとしても、第１のレジストＲ１の基部２１０ａと基部２１０ｂとの間の部分Ｒ１２、第１のレジストＲ１の基部２１０ａと基部２１０ａとの間の部分Ｒ１３及び第１のレジストＲ１の基部２１０ｂと基部２１０ｂとの間の部分Ｒ１４が盛り上がる量を同一にし、且つ最小限に抑えることができる。よって、第１のレジストＲ１上に第２のレジストＲ２を塗布して第１、第２のアーム部２２０ａ、２２０ｂを作成しても、第１、第２のアーム部２２０ａ、２２０ｂが傾き、第１、第２の基部２１０ａ、２１０ｂから剥がれるのを抑制することができるので、第１、第２の基部２１０ａ、２１０ｂと第１、第２のアーム部２２０ａ、２２０ｂとの密着性を強固にすることができる。
【００３７】
なお、上記プローブカードは、特許請求の範囲に記載された範囲において任意に設計変更することが可能である。以下、詳しく述べる。
【００３８】
また、上記プローブユニットは、幅寸法が異なる基部を有する第１、第２のプローブを備える構成であるとしたが、幅寸法が異なる基部を有する３種類以上のプローブがプローブ基板上に少なくとも一列に配列された構成とすることも可能である。この場合も、前記プローブの全ての基部の間の距離を同じに設定する。
【００３９】
また、上記プローブユニットは、複数の第１、第２のプローブ２００ａ、２００ｂが二列に並べて配列されているとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、少なくとも一列で配置されていれば良く、３列以上で配列することを除外するものではない。上記実施の形態では、基部の間の距離Ｄ１、Ｄ２及びＤ３は最小寸法で同じであるとしたが、最小寸法でなくても良い。すなわち、全てのプローブの基部の間の距離については、同じに設定されていれば良い。ただ、幅寸法が最も小さい基部の間の距離に合せて同一に設定されていることが好ましい。例えば、上記実施の形態の場合、R１及びR３がR２と同じになるように基部２１０ｂの幅寸法を変更すれば良い。なお、上述したように３種類以上のプローブがプローブ基板上に形成されている場合の基部の間の距離についても前述のとおりである。
【００４０】
上記プローブユニットは、第２のプローブ２００ｂと第２のプローブ２００ｂとが隣り合うとしたが、第２のプローブ２００ｂと第２のプローブ２００ｂとが隣り合わないように配置することも可能である。この場合、第２のプローブ２００ｂを一つとすることも可能である。
【００４１】
また、第１のプローブ２００ａは、基部２１０ａ、アーム部２２０ａ及び接触部２３０ａを有する三段構造であるとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、４段以上の構造とすることも可能である。この場合、アーム部は２段目に相当するものであれば良く、その形状は問わない。このような点は、第２のプローブ２００ｂについても第１のプローブ２００ａと同様である。アーム部２２０ｂ及び接触部２３０ｂは、アーム部２２０ａ及び接触部２３０ａと同じであるとしたが、相違していても良い。なお、接触部２３０ａ、２３０ｂは省略することが可能である。
【００４２】
上記実施の形態では、プローブ基板に熱が加えられる工程として、イオンミリング工程及び第２のレジストの露光前のプリベーク工程であるとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、プローブ基板に熱が加えられ、第１のレジストが膨張し得る工程であれば、本発明は適応し得る。
【００４３】
なお、上記実施の形態では、プローブカードの各部を構成する素材、形状や寸法等はその一例を説明したものであって、同様の機能を実現し得る限り任意に設計変更することが可能である。
【符号の説明】
【００４４】
Ｕ・・・・・プローブユニット
１００・・・プローブ基板
２００ａ・・第１のプローブ
２１０ａ・基部
２２０ａ・アーム部
２３０ａ・接触部
２００ｂ・・第２のプローブ
２１０ｂ・基部
２２０ｂ・アーム部
２３０ｂ・接触部
３００・・ＳＴ基板（配線基板）
４００・・メイン基板
５００・・接続部材
６００・・補強板
７００・・支持部
Ｒ１・・・・第１のレジスト
Ｒ１１ａ・第１の開口
Ｒ１１ｂ・第２の開口
Ｒ２・・・・第２のレジスト
Ｒ２１ａ・第１の開口
Ｒ２１ｂ・第２の開口
Ｒ３・・・・第３のレジスト
Ｒ３１ａ・第１の開口
Ｒ３１ｂ・第２の開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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