(57)【要約】      （修正有）【課題】実用的な耐熱性を有しつつ、絶縁層の面方向の線膨張率が極めて小さく、チップ型ＬＥＤパッケージ用として優れた基板を提供する。【解決手段】導体層２と絶縁層１と放熱板３とをこの順で積層する。前記絶縁層１は、無機繊維及び／又は有機繊維からなるシートと溶剤可溶性の液晶ポリエステルとから形成する。こうして得られる積層体を、チップ型ＬＥＤパッケージ用基板として使用する。前記絶縁層１には、無機充填剤を含有させることが好ましい。【選択図】図３
2010114427.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ型ＬＥＤパッケージ用の基板であって、導体層と絶縁層と放熱板とをこの順で積層してなり、前記絶縁層が無機繊維及び／又は有機繊維からなるシートと溶剤可溶性の液晶ポリエステルとから形成されていることを特徴とする基板。
【請求項２】
前記絶縁層が無機充填剤を含むことを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記無機充填剤が酸化ケイ素及び／又は酸化アルミニウムからなることを特徴とする請求項２記載の基板。
【請求項４】
前記絶縁層の５０℃〜１００℃の範囲で求められる線膨張率が１３ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の基板。
【請求項５】
前記液晶ポリエステルが、その全構造単位の合計に対して、下記式（１）で表される構造単位を３０．０〜４５．０モル％、下記式（２）で表される構造単位を２７．５〜３５．０モル％、及び下記式（３）で表される構造単位を２７．５〜３５．０モル％有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の基板。
（１）−Ｏ−Ａｒ1−ＣＯ−
（２）−ＣＯ−Ａｒ2−ＣＯ−
（３）−Ｘ−Ａｒ3−Ｙ−
（式中、Ａｒ1は、フェニレン基又はナフチレン基を表す。Ａｒ2は、フェニレン基、ナフチレン基又は以下の式（４）で表される基を表す。Ａｒ3は、フェニレン基又は以下の式（４）で表される基を表す。Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、Ｏ又はＮＨを表す。Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3の芳香環に結合している水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。）
（４）−Ａｒ11−Ｚ−Ａｒ12−
（式中、Ａｒ11及びＡｒ12は、それぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基を表す。Ｚは、Ｏ、ＣＯ又はＳＯ2を表す。）
【請求項６】
前記式（３）のＸ及びＹの少なくとも一方がＮＨであることを特徴とする請求項５記載の基板。
【請求項７】
前記液晶ポリエステルが、その全構造単位の合計に対して、ｐ−ヒドロキシ安息香酸に由来する構造単位及び２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸に由来する構造単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造単位を３０．０〜４５．０モル％、４−アミノフェノールに由来する構造単位を２７．５〜３５．０モル％、並びにテレフタル酸に由来する構造単位、イソフタル酸に由来する構造単位及び２，６−ナフタレンジカルボン酸に由来する構造単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造単位を２７．５〜３５．０モル％有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の基板。
【請求項８】
前記シートがガラスクロスであることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の基板。
【請求項９】
前記絶縁層が、前記シートに前記液晶ポリエステル及び溶剤を含む溶液組成物を含浸した後、前記溶剤を除去することにより形成されていることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の基板。
【請求項１０】
前記導体層が銅を含むことを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の基板。
【請求項１１】
前記放熱板が銅を含むことを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の基板。
【請求項１２】
請求項１〜１１の何れかに記載の基板と、ＬＥＤとを備えることを特徴とするチップ型ＬＥＤパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ型ＬＥＤパッケージ用の基板、及び当該基板を用いてなるチップ型ＬＥＤパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やカメラ一体形ＶＴＲ等の電子機器に搭載されるディスプレイには、外観や操作性、視認性等の付加価値が求められるようになっている。そのため、その発光装置の光源として、視覚的効果が高く、小型で消費電力の少ないＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ：発光ダイオード）が重要視されている。これまで、ＬＥＤを用いた発光装置においては、砲弾型ＬＥＤパッケージが主として用いられていたが、電子機器のより一層の小型化や薄型化に対応するため、基板表面にＬＥＤを実装してなるチップ型ＬＥＤパッケージの使用が増加してきている。
【０００３】
このようなチップ型ＬＥＤパッケージに用いられる基板としては、プリプレグ（熱硬化性樹脂を含浸したシート状ガラス繊維基材)を絶縁層として用い、該プリプレグに銅箔を加圧積層してなる積層板が使用される。例えば、特許文献１には脂環式エポキシ樹脂とシート状ガラス繊維基材とから形成されたプリプレグを絶縁層として用いてなる基板が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３１６１７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示されている基板を用いてチップ型ＬＥＤパッケージを製造すると、該チップ型ＬＥＤパッケージの信頼性は、必ずしも十分といえないものであった。その原因に関して本発明者等が検討した結果、このようなエポキシ樹脂を絶縁層に用いてなる基板にあっては、絶縁層の基板表面に平行な方向の線膨張率（以下、「面方向の線膨張率」という）が比較的大きく、チップ型ＬＥＤパッケージの作動に伴って生じる発熱により、ＬＥＤ実装部に悪影響を及ぼすことがあることが明らかとなった。そして、ひどい場合には、ＬＥＤが基板から剥がれるといった問題も有していた。また、チップ型ＬＥＤパッケージを製造するに当たっては、ハンダを用いてＬＥＤを基板に実装することが一般的に行われている。したがって、当該基板にはハンダに対する耐熱性（ハンダ耐性）も強く求められている。そこで本発明の目的は、実用的な耐熱性を有しつつ、絶縁層の面方向の線膨張率が極めて小さく、チップ型ＬＥＤパッケージ用として優れた基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の＜１＞を提供する。
＜１＞：チップ型ＬＥＤパッケージ用の基板であって、導体層と絶縁層と放熱板とをこの順で積層してなり、前記絶縁層が無機繊維及び／又は有機繊維からなるシートと溶剤可溶性の液晶ポリエステルとから形成されている基板。
【０００７】
また、本発明は、＜１＞の基板に係る好適な実施態様として、以下の＜２＞〜＜１１＞を提供する。
＜２＞：前記絶縁層が無機充填剤を含む、＜１＞の基板。
＜３＞：前記無機充填剤が酸化ケイ素及び／又は酸化アルミニウムからなる、＜２＞の基板。
＜４＞：前記絶縁層の５０℃〜１００℃の範囲で求められる線膨張率が、１３ｐｐｍ／℃以下である、＜１＞〜＜３＞の何れかの基板。
＜５＞：前記液晶ポリエステルが、その全構造単位の合計に対して、下記式（１）で表される構造単位を３０．０〜４５．０モル％、下記式（２）で表される構造単位を２７．５〜３５．０モル％、及び下記式（３）で表される構造単位を２７．５〜３５．０モル％有する、＜１＞〜＜４＞の何れかの基板。
（１）−Ｏ−Ａｒ1−ＣＯ−
（２）−ＣＯ−Ａｒ2−ＣＯ−
（３）−Ｘ−Ａｒ3−Ｙ−
（式中、Ａｒ1は、フェニレン基又はナフチレン基を表す。Ａｒ2は、フェニレン基、ナフチレン基又は以下の式（４）で表される基を表す。Ａｒ3は、フェニレン基又は以下の式（４）で表される基を表す。Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、Ｏ又はＮＨを表す。Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3の芳香環に結合している水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。）
（４）−Ａｒ11−Ｚ−Ａｒ12−
（式中、Ａｒ11及びＡｒ12は、それぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基を表す。Ｚは、Ｏ、ＣＯ又はＳＯ2を表す。）
＜６＞：前記式（３）のＸ及びＹの少なくとも一方がＮＨである、＜５＞の基板。
＜７＞：前記液晶ポリエステルが、その全構造単位の合計に対して、ｐ−ヒドロキシ安息香酸に由来する構造単位及び２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸に由来する構造単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造単位を３０．０〜４５．０モル％、４−アミノフェノールに由来する構造単位を２７．５〜３５．０モル％、並びにテレフタル酸に由来する構造単位、イソフタル酸に由来する構造単位及び２，６−ナフタレンジカルボン酸に由来する構造単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造単位を２７．５〜３５．０モル％有する、＜１＞〜＜４＞の何れかの基板。
＜８＞：前記シートが、ガラスクロスである、＜１＞〜＜７＞の何れかの基板。
＜９＞：前記絶縁層が、前記シートに前記液晶ポリエステル及び溶剤を含む溶液組成物を含浸した後、前記溶剤を除去することにより形成されている、＜１＞〜＜８＞の何れかの基板。
＜１０＞：前記導体層が銅を含む、＜１＞〜＜９＞の何れかの基板。
＜１１＞：前記放熱板が銅を含む、＜１＞〜＜１０＞の何れかの基板。
【０００８】
さらに、本発明は、前記何れかの基板を用いてなる以下の＜１２＞を提供する。
＜１２＞：＜１＞〜＜１１＞の何れかの基板と、ＬＥＤとを備える、チップ型ＬＥＤパッケージ。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の基板は、実用的に十分な耐熱性を有しつつ、絶縁層の面方向の線膨張率が極めて小さいという特性を有する。したがって、当該基板はチップ型ＬＥＤパッケージ用として極めて有用であり、信頼性に優れたチップ型ＬＥＤパッケージを得ることができる。そして、本発明の基板を用いてなるチップ型ＬＥＤパッケージを備えた発光装置は、極めて信頼性が高いため、産業上極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明で用いる銅張積層板の製造過程を模式的に表す断面図である。
【図２】本発明の基板の製造過程を模式的に表す断面図である。
【図３】本発明のチップ型ＬＥＤパッケージの構成を模式的に表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の基板は、導体層と絶縁層と放熱板とをこの順で積層してなり、当該絶縁層が無機繊維及び／又は有機繊維からなるシートと溶剤可溶性の液晶ポリエステルとから形成されていることを特徴とする。以下、溶剤可溶性の液晶ポリエステル、無機繊維及び／又は有機繊維からなるシート、該液晶ポリエステルと該シートとを用いたプリプレグの製造方法、絶縁層と導体層及び放熱板との積層による基板の製造方法に関し、順次説明する。なお、必要に応じて図面を参照するが、同一構成要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、図面中の構成要素の寸法等は見易さのため任意になっている。
【００１２】
＜液晶ポリエステル＞
本発明に用いる液晶ポリエステルとは、溶融時に光学異方性を示し、４５０℃以下の温度で異方性溶融体を形成するという特性を備えたポリエステルをいう。本発明に使用する液晶ポリエステルとしては、その全構造単位の合計に対して、下記式（１）で表される構造単位（以下、「構造単位（１）」という）を３０．０〜４５．０モル％、下記式（２）で表される構造単位（以下、「構造単位（２）」という）を２７．５〜３５．０モル％、及び下記式（３）で表される構造単位（以下、「構造単位（３）」という）を２７．５〜３５．０モル％有するものが好ましい。
（１）−Ｏ−Ａｒ1−ＣＯ−
（２）−ＣＯ−Ａｒ2−ＣＯ−
（３）−Ｘ−Ａｒ3−Ｙ−
（式中、Ａｒ1は、フェニレン基又はナフチレン基を表す。Ａｒ2は、フェニレン基、ナフチレン基又は以下の式（４）で表される基を表す。Ａｒ3は、フェニレン基又は以下の式（４）で表される基を表す。Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、Ｏ又はＮＨを表わす。Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3の芳香環に結合している水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。）
（４）−Ａｒ11−Ｚ−Ａｒ12−
（式中、Ａｒ11及びＡｒ12は、それぞれ独立に、フェニレン又はナフチレンを表す。Ｚは、Ｏ、ＣＯ又はＳＯ2を表す。）
【００１３】
構造単位（１）は、芳香族ヒドロキシカルボン酸由来の構造単位であり、該芳香族ヒドロキシカルボン酸としては、例えば、パラヒドロキシ安息香酸、メタヒドロキシ安息香酸、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸、１−ヒドロキシ−４−ナフトエ酸等が挙げられる。
【００１４】
構造単位（２）は、芳香族ジカルボン酸由来の構造単位であり、該芳香族ジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，５−ナフタレンジカルボン酸、ジフェニルエ−テル−４，４’−ジカルボン酸、ジフェニルスルホン−４，４’−ジカルボン酸、ジフェニルケトン−４，４’−ジカルボン酸等が挙げられる。
【００１５】
構造単位（３）は、芳香族ジオール、フェノール性水酸基を有する芳香族アミン又は芳香族ジアミンに由来する構造単位である。該芳香族ジオールとしては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス−（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス−（４−ヒドロキシフェニル）スルホン等が挙げられる。また、該フェノール性水酸基を有する芳香族アミンとしては、ｐ−アミノフェノール、３−アミノフェノール等が挙げられ、該芳香族ジアミンとしては、１，４−フェニレンジアミン、１，３−フェニレンジアミン等が挙げられる。
【００１６】
本発明に用いる液晶ポリエステルは溶剤可溶性であり、かかる溶剤可溶性とは、温度５０℃において、１重量％以上の濃度で溶剤に溶解することを意味する。この場合の溶剤とは、後述する溶液組成物の調製に用いる好適な溶剤の何れか１種であり、詳細は後述する。
【００１７】
このような溶剤可溶性の液晶ポリエステルとしては、前記構造単位（３）として、フェノール性水酸基を有する芳香族アミン及び／又は芳香族ジアミンに由来する構造単位を含むものが好ましい。すなわち、構造単位（３）として、Ｘ及びＹの少なくとも一方がＮＨである構造単位を含むと好ましく、実質的に全ての構造単位（３）が、以下の式（３’）で表される構造単位（以下、「構造単位（３’）」という）であることがより好ましい。
（３’）−Ｘ−Ａｒ3−ＮＨ−
（式中、Ａｒ3及びＸは、前記と同義である。）
【００１８】
このように構造単位（３’）を、構造単位（３）として有する液晶ポリエステルは、溶剤に対する溶解性が一層優れており、後述する溶液組成物を用いての絶縁層の製造がより容易となるという利点もある。
【００１９】
構造単位（１）は全構造単位の合計に対して、３０．０〜４５．０モル％の範囲で含まれると好ましく、３５．０〜４０．０モル％の範囲で含まれるとより好ましい。このようなモル分率で構造単位（１）を含む液晶ポリエステルは、液晶性を十分維持しながらも、溶剤に対する溶解性がより優れる傾向にある。さらに、構造単位（１）を誘導する芳香族ヒドロキシカルボン酸の入手性も合わせて考慮すると、該芳香族ヒドロキシカルボン酸としては、ｐ−ヒドロキシ安息香酸及び／又は２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸が好適である。
【００２０】
構造単位（２）は全構造単位の合計に対して、２７．５〜３５．０モル％の範囲で含まれると好ましく、３０．０〜３２.５モル％の範囲で含まれるとより好ましい。このようなモル分率で構造単位（２）を含む液晶ポリエステルは、液晶性を十分維持しながらも、溶剤に対する溶解性がより優れる傾向にある。さらに、構造単位（２）を誘導する芳香族ジカルボン酸の入手性も合わせて考慮すると、該芳香族ジカルボン酸としては、テレフタル酸、イソフタル酸及び２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群より選ばれる少なくも１種であると好ましい。
【００２１】
構造単位（３）は全構造単位の合計に対して、３０．０〜３２.５モル％の範囲で含まれると好ましく、こうすることにより液晶ポリエステルの溶剤可溶性は一層良好になる。
【００２２】
また、得られる液晶エステルがより高度の液晶性を発現する点では、構造単位（２）と構造単位（３）とのモル比は、［構造単位（２）］／［構造単位（２）］で表して、０．９／１．０〜１．０／０．９の範囲が好適である。
【００２３】
次に液晶ポリエステルの製造方法について簡単に説明する。該液晶ポリエステルは、種々公知の方法により製造可能である。好適な液晶ポリエステルである、構造単位（１）、構造単位（２）及び構造単位（３）からなる液晶ポリエステルを製造する場合、これら構造単位を誘導するモノマーを、エステル形成性・アミド形成性誘導体に転換した後、重合させして液晶ポリエステルを製造する方法が、操作が簡便であるため好ましい。
【００２４】
前記エステル形成性・アミド形成性誘導体について、例を挙げて説明する。芳香族ヒドロキシカルボン酸や芳香族ジカルボン酸のような、カルボキシル基を有するモノマーのエステル形成性・アミド形成性誘導体としては、当該カルボキシル基が、ポリエステルやポリアミドを生成する反応を促進するように、ハロホルミル基やアシルオキシカルボニル基等の反応活性の高い基になって、酸塩化物や酸無水物等を形成しているものや、当該カルボキシル基が、エステル交換・アミド交換反応によりポリエステルやポリアミドを生成するように、アルコール類やエチレングリコールなどとエステルを形成しているもの等が挙げられる。芳香族ヒドロキシカルボン酸や芳香族ジオールのような、フェノール性水酸基を有するモノマーのエステル形成性・アミド形成性誘導体としては、エステル交換反応によりポリエステルやポリアミドを生成するように、フェノール性水酸基がカルボン酸類とエステルを形成しているもの等が挙げられる。また、芳香族ジアミンのような、アミノ基を有するモノマーのアミド形成性誘導体としては、例えば、アミド交換反応によりポリアミドを生成するように、アミノ基がカルボン酸類とアミドを形成しているもの等が挙げられる。
【００２５】
これらの中でも液晶ポリエステルをより簡便に製造するうえでは、芳香族ヒドロキシカルボン酸と、芳香族ジオール、フェノール性水酸基を有する芳香族アミン、芳香族ジアミンといったフェノール性水酸基及び／又はアミノ基を有するモノマーとを、脂肪酸無水物でアシル化してエステル形成性・アミド形成性誘導体（アシル化物）とした後、該アシル化物のアシル基と、カルボキシ基を有するモノマーのカルボキシ基とがエステル交換・アミド交換を生じるようにして重合させ、液晶ポリエステルを製造する方法が特に好ましい。このような液晶ポリエステルの製造方法は、例えば、特開２００２−２２０４４４号公報又は特開２００２−１４６００３号公報に記載されている。
【００２６】
アシル化においては、フェノール性水酸基とアミノ基との合計に対して、脂肪酸無水物の使用量が１．０〜１．２モル倍であることが好ましく、１．０５〜１．１モル倍であるとより好ましい。脂肪酸無水物の添加量が１．０モル倍未満では、重合時にアシル化物や原料モノマーが昇華して反応系が閉塞し易い傾向があり、また、１．２モル倍を超える場合には、得られる液晶ポリエステルの着色が著しくなる傾向がある。
【００２７】
アシル化は、１３０〜１８０℃で５分〜１０時間行うことが好ましく、１４０〜１６０℃で１０分〜３時間行うことがより好ましい。アシル化に使用される脂肪酸無水物は、価格と取扱性の観点から、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水イソ酪酸又はこれらから選ばれる２種以上の混合物が好ましく、特に好ましくは、無水酢酸である。
【００２８】
アシル化に続く重合は、１３０〜４００℃の範囲で０．１〜５０℃／分の割合で昇温しながら行うことが好ましく、１５０〜３５０℃の範囲で０．３〜５℃／分の割合で昇温しながら行うことがより好ましい。また、重合においては、アシル化物のアシル基がカルボキシル基の０．８〜１．２モル倍であることが好ましい。
【００２９】
アシル化及び／又は重合の際には、平衡を移動させるため、副生する脂肪酸や未反応の脂肪酸無水物は蒸発させる等して系外へ留去することが好ましい。
【００３０】
なお、アシル化や重合においては触媒の存在下に行ってもよい。該触媒としては、従来からポリエステルの重合用触媒として公知のものを使用することができ、例えば、酢酸マグネシウム、酢酸第一錫、テトラブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、三酸化アンチモン等の金属塩触媒、Ｎ,Ｎ-ジメチルアミノピリジン、Ｎ―メチルイミダゾール等の有機化合物触媒を挙げることができる。これらの触媒の中でも、Ｎ,Ｎ-ジメチルアミノピリジン、Ｎ―メチルイミダゾール等の窒素原子を２個以上含む複素環状化合物が好ましく使用される（特開２００２−１４６００３号公報参照）。該触媒は、通常モノマーの投入時に一緒に投入され、アシル化後も除去することは必ずしも必要ではなく、該触媒を除去しない場合には、アシル化からそのまま重合に移行することができる。
【００３１】
このような重合で得られた液晶ポリエステルはそのまま、本発明に用いることができるが、耐熱性や液晶性という特性の更なる向上のためには、より高分子量化させることが好ましく、かかる高分子量化には固相重合を行うことが好ましい。この固相重合に係る一連の操作を説明する。前記の重合で得られた、比較的低分子量の液晶ポリエステルを取り出し、粉砕してパウダー状もしくはフレーク状にする。続いて、粉砕後の液晶ポリエステルを、例えば、窒素等の不活性ガスの雰囲気下、２０〜３５０℃の範囲で、１〜３０時間固相状態で加熱処理するという操作により固相重合は実施できる。該固相重合は、攪拌しながらでも、攪拌することなく静置した状態で行ってもよい。なお、後述する好適な流動開始温度の液晶ポリエステルを得るといった観点から、該固相重合の好適条件を詳述すると、反応温度は２１０℃を越えることが好ましく、より好ましくは２２０℃〜３５０℃の範囲である。反応時間は１〜１０時間から選択されることが好ましい。
【００３２】
本発明に用いる液晶ポリエステルは、流動開始温度が２５０℃以上であると、導体層と絶縁層との間の接着性が得られ易く、かかる接着性は後述する基板の薄膜加工によっても著しく低下しないという効果が発現されるため好ましい。ここでいう流動開始温度とは、フローテスターによる溶融粘度の評価において、９．８ＭＰａの圧力下で液晶ポリエステルの溶融粘度が４８００Ｐａ・ｓ以下になる温度をいう。なお、この流動開始温度は、液晶ポリエステルの分子量の目安として当業者には周知のものである（小出直之編、「液晶ポリマー−合成・成形・応用−」、９５〜１０５頁、シーエムシー、１９８７年６月５日発行）。
【００３３】
液晶ポリエステルの流動開始温度は、２５０℃以上３００℃以下であることがより好ましい。流動開始温度が３００℃以下であれば、液晶ポリエステルの溶剤に対する溶解性がより良好になることに加え、後述する溶液組成物を得たとき、その粘度が著しく大にならないので、該溶液組成物の取扱性が良好となる傾向がある。かかる観点から、流動開始温度が２６０℃以上２９０℃以下の液晶ポリエステルがさらに好ましい。なお、液晶ポリエステルの流動開始温度をこのような好適な範囲に制御するには、前記固相重合の重合条件を適宜最適化すればよい。
【００３４】
＜溶液組成物＞
本発明の基板を構成する絶縁層を得るには、液晶ポリエステル及び溶剤を含む溶液組成物、特に溶剤に液晶ポリエステルを溶解させてなる溶液組成物を用いることが好ましい。液晶ポリエステルとして、上述の好適な液晶ポリエステル、特に前記構造単位（３’）を含む液晶ポリエステルを用いた場合、該液晶ポリエステルはハロゲン原子を含まない非プロトン性溶剤に対して十分な溶解性を発現する。ここでハロゲン原子を含まない非プロトン性溶剤としては、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル系溶剤；アセトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル等のエステル系溶剤；γ―ブチロラクトン等のラクトン系溶剤；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶剤；トリエチルアミン、ピリジン等のアミン系溶剤；アセトニトリル、サクシノニトリル等のニトリル系溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、テトラメチル尿素、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶剤；ニトロメタン、ニトロベンゼン等のニトロ系溶剤；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の硫黄系溶剤、ヘキサメチルリン酸アミド、トリｎ−ブチルリン酸等のリン系溶剤が挙げられる。なお、上述の液晶ポリエステルの溶剤可溶性とは、これらから選ばれる少なくとも１つの非プロトン性溶剤に可溶であることを指すものである。
【００３５】
溶液組成物に、前記のような非プロトン性溶剤を用いた場合、該非プロトン性溶剤１００重量部に対して、液晶ポリエステルを２０〜５０重量部、好ましくは２２〜４０重量部溶解させると好ましい。該溶液組成物に対する液晶ポリエステル含有量がこのような範囲であると、プリプレグを製造する際に、前記シートに該溶液組成物を含浸する効率が良好になり、含浸後の溶剤を乾燥除去する際に、厚みムラ等が生じるといった不都合も起こり難い傾向がある。
【００３６】
また、前記溶液組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリフェニルエーテル及びその変性物、ポリエーテルイミド等の熱可塑性樹脂；グリシジルメタクリレートとポリエチレンの共重合体に代表されるエラストマー；フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂等の熱硬化性樹脂等、液晶ポリエステル以外の樹脂を一種又は二種以上添加してもよい。ただし、このような他の樹脂を用いる場合においても、これら他の樹脂も該溶液組成物に使用した溶剤に可溶であることが好ましい。また、前記溶液組成物は、必要に応じて、フィルターなどによってろ過して溶液中に含まれる微細な異物を除去してもよい。
【００３７】
＜無機充填剤＞
本発明の基板を構成する絶縁層の面方向の線膨張率をより低くし、また、前記絶縁層の熱伝導性を高くして、基板の放熱性を高くする観点からは、前記絶縁層には前記シート及び前記液晶ポリエステルの他に無機充填剤を含有させることが好ましい。この場合、前記溶液組成物に、該無機充填剤を合わせて用いることにより、得られる絶縁層に無機充填剤を含有させることができる。かかる無機充填剤としては、シリカ、アルミナ、酸化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム等の無機充填剤が使用可能であるが、面方向の線膨張率をより一層小さくする観点からは、酸化ケイ素及び／又は酸化アルミニウムからなる無機充填剤が好ましく、このような無機充填剤としてはシリカ及び／又はアルミナが好ましい。当該無機充填剤は粒状、繊維状、板状等、いずれの形状のものも使用できるが、入手性及び経済性を考慮すると、粒状のものが好ましい。なお、この場合、液晶ポリエステルと無機充填剤との合計重量を基にして、無機充填剤の含有量が５〜９０重量％であると好ましく、１０〜８０重量％であるとさらに好ましい。
【００３８】
また、無機充填剤の他に有機充填剤や添加剤を使用することもできる。かかる有機充填剤や添加剤は、本発明の目的を著しく損なわない範囲で、その種類及び使用量が決定される。具体的に有機充填剤を例示すると、硬化エポキシ樹脂、架橋ベンゾグアナミン樹脂、架橋アクリルポリマー、ポリアミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリフェニルエーテル及びその変性物、ポリエーテルイミド等の熱可塑性樹脂からなる有機充填剤、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂等の熱硬化性樹脂からなる有機充填剤が挙げられる。また、該添加剤としては、シランカップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等が挙げられる。
【００３９】
＜無機繊維及び／又は炭素繊維からなるシート＞
本発明に用いるシートは、通気性のあるペーパー、織物、不織布シート等であって無機繊維及び／又は炭素繊維からなるものである。ここで、無機繊維としては、ガラスに代表されるセラミック繊維であり、ガラス繊維、アルミナ系繊維、ケイ素含有セラミック系繊維等が挙げられる。これらの中でも、入手性が良好であることから、主としてガラス繊維からなるシート、すなわちガラスクロスが好ましい。
【００４０】
前記ガラスクロスとしては、含アルカリガラス繊維、無アルカリガラス繊維、低誘電ガラス繊維からなるものが好ましい。また、ガラスクロスを構成する繊維として、その一部にガラス以外のセラミックからなるセラミック繊維又は炭素繊維が混入されていてもよい。また、ガラスクロスを構成する繊維は、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤等のカップリング剤で表面処理されていてもよい。
【００４１】
これらの繊維からなるガラスクロスを製造する方法としては、ガラスクロスを形成する繊維を水中に分散し、必要に応じてアクリル樹脂等の糊剤を添加して、抄紙機にて抄造後、乾燥させることで不織布を得る方法や、公知の織成機を用いる方法を挙げることができる。
【００４２】
繊維の織り方としては、平織り、朱子織り、綾織り、ななこ織り等が利用できる。織り密度は、好ましくは１０〜１００本／２５ｍｍであり、ガラスクロスとしては、単位面積当たりの質量が１０〜３００ｇ／ｍ2のものが好ましく使用される。前記ガラスクロスの厚みは、通常、１０〜２００μｍ程度であり、好ましくは１０〜１８０μｍである。
【００４３】
また、市場から容易に入手できるガラスクロスを用いることも可能である。このようなガラスクロスとしては、電子部品の絶縁含浸基材として種々のものが市販されており、旭シュエーベル（株）、日東紡績（株）、有沢製作所（株）等から入手することができる。なお、市販のガラスクロスにおいて、好適な厚みのものとしては、ＩＰＣ呼称で１０３５、１０７８、２１１６、７６２８のものが挙げられる。
【００４４】
＜基板の製造方法＞
本発明の基板の絶縁層は、例示したような溶剤可溶性の液晶ポリエステルと前記シート（好ましくはガラスクロス）とから形成された樹脂含浸基材（プリプレグ）を用いて製造されたものであると好ましく、該溶液組成物を該シートに含浸した後、溶剤を除去することで得られるプリプレグが特に好ましい。溶剤除去後のプリプレグに対する液晶ポリエステル及び必要に応じて用いられる無機充填剤等の他の成分の合計付着量としては、得られたプリプレグの重量を基にして３０〜８０重量％であることが好ましく、４０〜７０重量％であることがより好ましい。
【００４５】
ここでは、シートとして好適なガラスクロスを用いた場合の基板の製造方法を説明する。ガラスクロスに溶液組成物を含浸するには、典型的には該溶液組成物を仕込んだ浸漬槽を準備し、この浸漬層に該ガラスクロスを浸漬することで実施することができる。ここで、用いた溶液組成物の液晶ポリエステル含有量、浸漬槽に浸漬する時間、溶液組成物が含浸されたガラスクロスを引き上げる速度を、適宜最適化すれば、上述の好適な液晶ポリエステル及び他の成分の合計付着量は容易に制御することができる。
【００４６】
このようにして、溶液組成物を含浸したガラスクロスから、溶剤を除去することで、プリプレグを製造することができる。溶剤を除去する方法は特に限定されないが、操作が簡便である点で、溶剤の蒸発により行うことが好ましく、加熱、減圧、通風又はこれらを組み合わせた方法が用いられる。また、プリプレグの製造には、溶剤を除去した後、さらに加熱処理を行ってもよい。このような加熱処理によると、溶剤除去後のプリプレグに含まれる液晶ポリエステルをさらに高分子量化することができる。この加熱処理に係る処理条件としては、例えば、窒素等の不活性ガスの雰囲気下、２４０〜３３０℃で、１〜３０時間加熱処理するといった方法を挙げることができる。なお、より良好な耐熱性を有する基板を得るといった観点からは、該加熱処理の処理条件としては、その加熱温度が２５０℃を越えるようにすることが好ましく、より好ましくは加熱温度が２６０〜３２０℃の範囲である。該加熱処理の処理時間は１〜１０時間から選択されることが、生産性の点で好ましい。
【００４７】
かくして製造されたプリプレグは、ＪＩＳ  Ｃ６４８１「プリント配線板用銅張積層板試験方法」に準拠して、熱機械分析（ＴＭＡ）装置［温度範囲：５０℃〜１００℃］により求められる面方向の線膨張率が極めて小さいものとなる。該線膨張率は、１３ｐｐｍ／℃以下であると好ましく、１０ｐｐｍ／℃以下であるとより好ましく、９ｐｐｍ／℃以下であるとさらに好ましい。なお、通常、このようなプリプレグは収縮することはないので、この面方向の線膨張率の下限は０ｐｐｍ／℃以上となる。
【００４８】
該プリプレグが極めて小さい線膨張率を呈する原因は必ずしも明白ではないが、本発明者等は以下のように推定する。溶剤可溶性の液晶ポリエステルを特に溶液組成物として、無機繊維及び／又は有機繊維からなるシートに含浸すると、該溶液組成物は該シートの空隙を効率よく充填することができる。こうして得られたプリプレグは、該プリプレグ中にボイド状の欠陥を形成し難くなるため、ボイド状欠陥にある気体の膨張等の影響を受け難い。また、本発明者等は溶剤可溶性の液晶ポリエステルを溶液組成物としてシートに含浸する方法で得られるプリプレグは、従来の液晶ポリエステルを溶融させてシートに含浸する溶融法で得られるプリプレグに比して、液晶ポリエステルとシートを形成している繊維との間に良好な接着性を発現することも見出している。このような含浸に係る効率と該接着性とが相乗的に働いて、線膨張率を小さくしていると推定される。
【００４９】
次に、得られたプリプレグの一方の面には、ＬＥＤを実装した後に該ＬＥＤと電気的に接合し得る配線を形成するための導体層を積層し、他方の面には、チップ型ＬＥＤパッケージ稼動時に生じる熱を効率的に外部へと放熱する放熱板を積層することにより、本発明の基板は製造される。該導体層としては、優れた導電性を発現する点で銅を含むものが好ましく、銅又は銅合金からなるものが好ましい。該放熱板としては、優れた放熱性を発現する点で銅やアルミニウムを含むもの、すなわち金属製であるものが好ましく、銅又は銅合金からなるものが好ましい。
【００５０】
このような導体層や放熱板をプリプレグと積層させる方法としては、該プリプレグに銅を含む金属箔（銅箔等）を積層する方法、金属微粒子（銅微粒子等）をプリプレグ上にコートする方法等が挙げられる。
【００５１】
金属箔の積層方法としては、例えば接着剤を用いて金属箔とプリプレグとを接着する方法、熱プレスにより熱融着させる方法が挙げられる。接着剤を使用する場合、市販のエポキシ樹脂系接着剤やアクリル樹脂系接着剤等が使用可能である。また、熱プレスする場合の処理条件としては、使用するプリプレグのスケール、形状又は使用する金属箔の厚み、種類により適宜最適化できるが、真空下で熱プレスすることが特に好ましい。なお、該熱プレスにおける処理条件は、得られる積層体が良好な表面平滑性を発現するようにして、処理温度や処理圧力を適宜最適化することが好ましい。この処理温度は、該熱プレスに使用するプリプレグを製造する際に使用した加熱処理の温度条件を基点とすることができる。具体的には、プリプレグを製造する際に使用した加熱処理に係る温度条件の最高温度をＴmax［℃］としたとき、このＴmaxを越える温度で熱プレスすることが好ましく、Ｔmax＋５［℃］以上の温度で熱プレスすることがより好ましい。該熱プレスに係る温度の上限は、用いるプリプレグに含有される液晶ポリエステルの分解温度を下回るように選択されるが、好ましくは該分解温度を３０℃以上下回るようにすることが好ましい。なお、ここでいう分解温度は熱重量減少分析等の公知の手段で求められるものである。また、該熱プレスの処理時間は１〜３０時間、プレス圧力は１〜３０ＭＰaから選択される。
【００５２】
また、金属微粒子、特に銅微粒子のコート方法としては、めっき法、スクリーン印刷法、スパッタリング法等が利用できる。これらの中でもコート法としてはめっき法が好ましく、具体的には無電解めっきや電解めっきを用いることが好ましい。また、このようなめっき法で得られた導体層の特性をさらに向上させるためにも、めっき後の導体層を加熱処理することが好ましく、かかる加熱処理の処理条件に関しても、前記熱プレスの処理条件として記した条件と同等のものが採用される。
【００５３】
前記の中でも、好適な材質、すなわち銅を含有する導体層や放熱板を製造するうえでは、銅箔を用いて、該導体層や該放熱板をプリプレグに積層することが作業性の面で好ましい。また、銅箔を用いることは経済性の点でも有利である。
【００５４】
ここで、銅箔を導体層及び放熱板の積層に使用して、基板を製造する方法について図１を参照して、その概要を説明する。
【００５５】
まず、前記シート（好ましくはガラスクロス）に、溶剤可溶性の液晶ポリエステル、無機充填剤（好ましくは球状シリカ）及び溶剤（好ましくは、非プロトン性極性溶剤）とを含む溶液組成物を含浸した後、該溶剤を除去することで製造されたプリプレグ１Ａを準備する。
【００５６】
次に、このプリプレグ１Ａの両面に銅箔２Ａ，３Ａを、熱プレスにより積層する（図１（Ａ））。このような熱プレスにより基板１０が得られる（図１（Ｂ））。当該基板１０において、プリプレグ１Ａにある液晶ポリエステルは、熱プレスに係る加熱処理により高分子量化され、より高分子量化した液晶ポリエステルを備えた絶縁層１となる。基板１０で積層された銅箔２Ａ，３Ａは、一方が導体層２に、他方が放熱板３となる。
【００５７】
＜チップ型ＬＥＤパッケージの製作＞
次に、上述のようにして得られた基板１０を用いて、チップ型ＬＥＤパッケージを製造する工程の概要を、図２を参照して説明する。
【００５８】
まず、ＬＥＤを実装する領域Ｒを薄膜加工して、薄膜加工基板２０を得る（図２（Ｃ））。この領域Ｒを薄膜加工するには、ドリル加工あるいはレーザー加工が採用される。なお、かかる領域Ｒを薄膜加工する際には、薄膜部が放熱板３に到達しないようにする。このようにして得られた薄膜加工基板２０の両面にめっき等により、銅層２Ｂ，３Ｂを、さらに堆積させることによりめっき形成基板３０が得られる（図２（Ｄ））。
【００５９】
次に、銅箔２Ａと銅層２Ｂとからなる導体層２に配線４を形成する（図２（Ｅ））。このような配線の形成には通常、エッチング（加工）が用いられる。まず、配線のパターンが所定のパターンになるようにマスキングを行い、マスキングされた銅箔の部分とマスキングされていない銅箔の部分において、後者の銅箔の部分をウェット法（薬剤処理）というエッチング加工によって除去する。このエッチング加工に用いる薬剤としては、例えば塩化第二鉄水溶液が挙げられる。また、該マスキングには、市販のエッチングレジストやドライフィルムを用いればよい。
【００６０】
次いで、マスキングされた銅箔部分からエッチングレジストやドライフィルムをアセトンや水酸化ナトリウム水溶液で除去する。このようにして所定の配線４を形成することができる。配線４が形成された配線形成基板４０は、ＬＥＤを実装する領域Ｒ’と実装されたＬＥＤを電気的に接合する配線４を備えたものとなる。
【００６１】
次に、図３に示すように、領域Ｒ’にＬＥＤ５０を実装する。この実装には、まず領域Ｒ’にハンダを塗布し、その上にＬＥＤ５０を載置し、その後リフロー炉等を通過させてハンダを溶融することで、ＬＥＤ５０を配線形成基板４０に固定する。固定されたＬＥＤ５０と配線４とを電気的に接合する金属配線５をボンディング等で形成する。
【００６２】
さらに、トランスファー成形等を用いて、ＬＥＤ５０を封止樹脂６で封止する。ここでトランスファー成形とは、型締めした金型内に樹脂を圧入する手法をいう。このような一連の操作によって、チップ型ＬＥＤパッケージ１００は製造される。かかるチップ型ＬＥＤパッケージ１００には、導体層２と放熱板３とを接合するビアホールが設けられていてもよい。こうすることにより、ＬＥＤ５０あるいは配線４で発生する熱を効率的に放熱板側へと流し、効率的な放熱が行えるようになる。
【実施例】
【００６３】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。例中、得られた基板の評価方法は次のとおりである。
【００６４】
［耐熱性］
基板の片面に塩化第二鉄溶液（木田株式会社製；４０°ボーメ）を用いてφ２．０ｍｍのパッドを形成し、３５０℃のはんだこてをはんだあり・なしの状態で５秒間、１０秒間、３０秒間押し当てた後、表面の状態を目視にて観察を行った。銅箔のデラミネーションや膨れが確認されなかった場合を○とし、銅箔のデラミネーションや膨れが確認された場合を×とした。
【００６５】
［線膨張率］
基板の両面から塩化第二鉄溶液(木田株式会社製；４０°ボーメ)で全ての銅箔を除去し、ＪＩＳ  Ｃ６４８１「プリント配線板用銅張積層板試験方法」に準拠して、熱機械分析（ＴＭＡ）装置（セイコーインスツル株式会社製）により面方向の線膨張率を評価した（温度範囲５０〜１００℃，１Ｓｔ  スキャン）。
【００６６】
［熱伝導率］
基板の両面から塩化第二鉄溶液(木田株式会社製；４０°ボーメ)で全ての銅箔を除去し、温度波熱分析法測定装置（株式会社アイフェイズ製「ａｉ−Ｐｈａｓｅ  Ｍｏｂｉｌｅ１」）により熱拡散率を測定し、示差走査熱量（ＤＳＣ）測定装置（ＰＥＲＫＩＮ  ＥＬＭＥＲ社製「ＤＳＣ７」）により比熱を測定し、自動比重測定装置（関東メジャー株式会社製「ＡＳＧ−３２０Ｋ」）により比重を測定し、熱拡散率と比熱と比重との積を熱伝導率とした。
【００６７】
実施例１
（１）液晶ポリエステルの製造
攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸１９７６ｇ（１０．５モル）、４−ヒドロキシアセトアニリド１４７４ｇ（９．７５モル）、イソフタル酸１６２０ｇ（９．７５モル）及び無水酢酸２３７４ｇ（２３．２５モル）を仕込んだ。反応器内を十分に窒素ガスで置換した後、窒素ガス気流下で１５分かけて１５０℃まで昇温し、温度を保持して３時間還流させた。その後、留出する副生酢酸及び未反応の無水酢酸を留去しながら１７０分かけて３００℃まで昇温し、トルクの上昇が認められる時点を反応終了とみなし、内容物を取り出し、比較的低分子量のプレポリマーを得た。取り出したプレポリマーを室温まで冷却し、粗粉砕機で粉砕し、得られたプレポリマー粉末の流動開始温度を、フローテスター（株式会社島津製作所製「ＣＦＴ−５００」）により測定したところ、２３５℃であった。次に、このプレポリマー粉末を、窒素雰囲気において２２３℃３時間固相重合させ、液晶ポリエステルを粉末状で得た。この液晶ポリエステルの流動開始温度を前記と同様にして測定した結果、２７０℃であった。
【００６８】
（２）溶液組成物の調製
前記（１）で得られた液晶ポリエステル２２００ｇをＮ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド(ＤＭＡｃ)７８００ｇに加え、１００℃で２時間加熱して溶液組成物を得た。この溶液組成物の粘度を、Ｂ型粘度計（東機産業株式会社製「ＴＶＬ−２０型」；ローターＮｏ．２１（回転数：５ｒｐｍ））を用いて、温度２３℃で測定した結果、３２０ｃＰであった。
【００６９】
（３）プリプレグの製造
厚み９６μｍ（ＩＰＣ名称２１１６）のガラスクロス（株式会社有沢製作所製）に、前記（２）で得られた溶液組成物を含浸し、熱風式乾燥機により設定温度１６０℃の条件で溶媒を蒸発させてプリプレグを得た。得られたプリプレグにおいて、ガラスクロスに対する液晶ポリエステルの付着量は約３５重量％であり、平均厚みは８２μｍ、厚みバラツキは３％であった。
【００７０】
（４）基板の製造
まず、プリプレグを熱風式乾燥機により窒素雰囲気下２９０℃で３時間熱処理した。熱処理後のプリプレグを２枚重ね、両側に厚み１８μｍの銅箔（三井金属株式会社製「３ＥＣ‐ＶＬＰ」）を重ねた。次いで、高温真空プレス機（北川精機株式会社製「高温真空プレス  ＶＨ１−１７６５」）により３４０℃２０分５ＭＰａの条件にて熱プレスし一体化させ、基板を得た。得られた基板について、耐熱性及び線膨張率を評価した。結果を表１に示す。
【００７１】
実施例２
実施例１（３）で厚み４５μｍ（ＩＰＣ名称１０７８）のガラスクロス（株式会社有沢製作所製）を使用した以外は、実施例１と同様にして、プリプレグを得、基板を得た。得られたプリプレグにおいて、ガラスクロスに対する液晶ポリエステルの付着量は約５５重量％であり、平均厚みは５５μｍ、厚みバラツキは３％であった。得られた基板について、耐熱性及び線膨張率を評価した。結果を表１に示す。
【００７２】
比較例１
市販のエポキシ樹脂ガラスクロス基材銅張板（日立化成株式会社製「ＭＣＬ−Ｅ６７」；厚み１００μｍで内、銅箔厚み１８μｍ）について、線膨張率を評価した。結果を表１に示す。
【００７３】
比較例２
市販の液晶ポリエステル両面板（新日鐵化学社株式会製「エスパネックスＬ  ＬＢ０９−５０−０９ＮＥ」；厚み５０μｍで内、銅箔厚み９μｍ）について、耐熱性を評価した。結果を表１に示す。
【００７４】
実施例３
実施例１（２）で得られた溶液組成物に、シリカフィラー（Ｋｏｒｅａ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｍａｔｅｒｉａｌ社製「ＣＡ−００２０」）を液晶ポリエステルに対し２０体積％添加し、かつ、実施例１（３）で厚み４５μｍ（ＩＰＣ名称１０７８）のガラスクロス（株式会社有沢製作所製）を使用した以外は、た以外は、実施例１と同様にして、プリプレグを得、基板を得た。得られたプリプレグにおいて、ガラスクロスに対する液晶ポリエステル及びシリカフィラーの合計付着量は約６０重量％であり、平均厚みは６０μｍ、厚みバラツキは３％であった。得られた基板について、線膨張率を評価した。結果を表１に示す。
【００７５】
実施例４
実施例１（２）で得られた溶液組成物に、体積平均粒径０．３μｍの球状アルミナ（住友化学株式会社製「スミコランダムＡＡ−０．３」）、体積平均粒径１．５μｍの球状アルミナ（住友化学株式会社製「スミコランダムＡＡ−１．５」）及び体積平均粒径１８μｍの球状アルミナ（住友化学株式会社製「スミコランダムＡＡ−１８」）を液晶ポリエステルに対しそれぞれ３．１体積％、６．１体積％及び３０．８体積％添加した以外は、実施例１と同様にして、プリプレグを得、基板を得た。得られたプリプレグにおいて、ガラスクロスに対する液晶ポリエステル及び３種類の球状アルミナの合計付着量は約４１重量％であり、平均厚みは１０９μｍ、厚みバラツキは３％であった。得られた基板について、線膨張率及び熱伝導率を評価した。結果を表１に示す。
【００７６】
実施例５
実施例１（２）で得られた溶液組成物に、体積平均粒径０．３μｍの球状アルミナ（住友化学株式会社製「スミコランダムＡＡ−０．３」）、体積平均粒径１．５μｍの球状アルミナ（住友化学株式会社製「スミコランダムＡＡ−１．５」）及び体積平均粒径１８μｍの球状アルミナ（住友化学株式会社製「スミコランダムＡＡ−１８」）を液晶ポリエステルに対しそれぞれ５．８体積％、１１．４体積％及び５７．７体積％添加した以外は、実施例１と同様にして、プリプレグを得、基板を得た。得られたプリプレグにおいて、ガラスクロスに対する液晶ポリエステル及び３種類の球状アルミナの合計付着量は約７２重量％であり、平均厚みは１７９μｍ、厚みバラツキは３％であった。得られた基板について、線膨張率及び熱伝導率を評価した。結果を表１に示す。
【００７７】
（実施例６）
実施例１（２）で得られた溶液組成物に、体積平均粒径０．３μｍの球状アルミナ（住友化学株式会社製「スミコランダムＡＡ−０．３」）、体積平均粒径１．５μｍの球状アルミナ（住友化学株式会社製「スミコランダムＡＡ−１．５」）及び体積平均粒径１８μｍの球状アルミナ（住友化学株式会社製「スミコランダムＡＡ−１８」）を液晶ポリエステルに対しそれぞれ３．１体積％、６．１体積％及び３０．８体積％添加し、かつ、実施例１（３）で厚み４５μｍ（ＩＰＣ名称１０７８）のガラスクロス（株式会社有沢製作所製）を使用した以外は、実施例１と同様にして、プリプレグを得、基板を得た。得られたプリプレグにおいて、ガラスクロスに対する液晶ポリエステル及び３種類の球状アルミナの合計付着量は約６４重量％であり、平均厚みは７６μｍ、厚みバラツキは３％であった。得られた基板について、線膨張率及び熱伝導率を評価した。結果を表１に示す。
【００７８】
実施例７
実施例１（２）で得られた溶液組成物に、体積平均粒径０．３μｍの球状アルミナ（住友化学株式会社製「スミコランダムＡＡ−０．３」）、体積平均粒径１．５μｍの球状アルミナ（住友化学株式会社製「スミコランダムＡＡ−１．５」）及び体積平均粒径１８μｍの球状アルミナ（住友化学株式会社製「スミコランダムＡＡ−１８」）を液晶ポリエステルに対しそれぞれ５．８体積％、１１．４体積％及び５７．７体積％添加し、かつ、実施例１（３）で厚み４５μｍ（ＩＰＣ名称１０７８）のガラスクロス（株式会社有沢製作所製）を使用した以外は、実施例１と同様にして、プリプレグを得、基板を得た。得られたプリプレグにおいて、ガラスクロスに対する液晶ポリエステル及び３種類の球状アルミナの合計付着量は約８４重量％であり、平均厚みは１３４μｍ、厚みバラツキは３％であった。得られた基板について、線膨張率及び熱伝導率を評価した。結果を表１に示す。
【００７９】
【表１】
2010114427.tif 000003
【符号の説明】
【００８０】
１Ａ・・・プリプレグ、    ２Ａ，３Ａ・・・銅箔、
１・・・絶縁層、    ２・・・導体層、    ３・・・放熱板、
１０・・・基板、    ５０・・・ＬＥＤ、    １００・・・チップ型ＬＥＤパッケージ。
【図１】
2010114427.tif 000004
【図２】
2010114427.tif 000005
【図３】
2010114427.tif 000006