(57)【要約】【課題】一種のモールド流入口に剥離現象の発生を避けるウインドウ型半導体パッケージを提供する。【解決手段】半導体パッケージは、主に1つの基板、基板に貼り付ける一主面を有する1つのチップ、チップと基板の基板コア層とを接着する1つのダイアタッチング層、複数のボンディングワイヤ及び1つのモールド封止体を含む。基板のスロットの一端にチップ寸法を超える1つのモールド流入口を形成し、二個、または、これより多いモールド流れ障害物は、基板コア層上に付着してダイアタッチング区域の一縁部とスロットの両側縁との交差部位に位置し、更に、モールド流入口の両側に僅かに突出するためモールド流れによる衝撃はダイアタッチング層に加える応力を抵抗してモールド流入口に剥離現象の発生を避けると共に、ダイアタッチング間隙を維持することも可能である。【選択図】図１
2010114388.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールド流入口に剥離現象の発生を避けるウインドウ型半導体パッケージであって、
１つの第一モールド流れ障害物と、１つの第二モールド流れ障害物と、１つの上表面、１つの下表面と上下表面を貫通する１つのスロットを有し、この上表面に１つのダイアタッチング区域を定義し、ダイアタッチング区域を超えるスロットの一端に１つのモールド流入口を形成し、前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物は基板コア層の上表面に付着してダイアタッチング区域の一縁部とスロットの両側縁との交差部位に位置し、更にモールド流入口の両側に突出する基板コア層とを有する１つの基板と、
１つの主面と該主面上に設置される複数の電極を有し、主面の寸法はダイアタッチング区域と対応する１つのチップと、
前記チップの主面を前記基板の前記基板コア層の上表面に貼り付け、且つ前記チップの電極群をスロットの内に照準合わせる１つのダイアタッチング層と、
前記スロットを通過して前記チップの電極群を基板に電気的に接続させる複数のボンディングワイヤと、
前記基板コア層の上表面に形成され、モールド流入口から前記スロット内に充填してボンディングワイヤ群を密封する１つのモールド封止体を備えることを特徴とするウインドウ型半導体パッケージ。
【請求項２】
前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物は１つの半田マスク層の一部になってもよいが、相互連結されなくそれぞれ独立に設置され、ることを特徴とする請求項１に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
【請求項３】
前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物との間の間隙はスロットの幅より小さくならないことを特徴とする請求項１に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
【請求項４】
前記基板コア層の上表面にて前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物が覆った面積は１０％より大きくならないことを特徴とする請求項１に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
【請求項５】
前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物との外形を細長状にし、前記ダイアタッチング区域内にある前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物の部位はスロットの両反対側縁に沿う１つの長さを有し、この長さは、前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物の僅かな突出部位の長さより長くなり、そして、前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物の１つの幅よりも長くなることを特徴とする請求項１に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
【請求項６】
前記第一モールド流れ障害物と前記第二モールド流れ障害物はチップの主面と接触することを特徴とする請求項１に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
【請求項７】
前記基板は更に複数のボールパッドと１つの下半田マスク層を含み、ボールパッド群は前記基板コア層の下表面に設置され、下半田マスク層は基板コア層の下表面に形成されてボールパッド群を露出することを特徴とする請求項１に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
【請求項８】
前記ダイアタッチング区域を超えるスロットの他端に１つのモールド流出口を形成し、このモールド流出口の両側に複数の支持バンプを設置し、この複数の支持バンプは前記基板コア層の上表面に付着することを特徴とする請求項１に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
【請求項９】
前記複数の支持バンプは前記第一モールド流れ障害物及び前記第二モールド流れ障害物と同一半田マスク層の一部になり、且つ相互連結されなくそれぞれ独立に設置されることを特徴とする請求項８に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記スロットを１つの中央スロットにし、前記基板コア層は更に上下表面を貫通する複数の周辺スロットを有することを特徴とする請求項１に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記ダイアタッチング区域の１つの縁部にある複数の周辺スロットに複数の支持突起棒を設置し、この複数の支持突起棒は前記基板コア層の上表面に付着することを特徴とする請求項１０に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記複数の支持突起棒は前記第一モールド流れ障害物及び前記第二モールド流れ障害物と同一半田マスク層の一部になり、且つ相互連結されなくそれぞれ独立に設置されることを特徴とする請求項１１に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記ダイアタッチング区域を超える前記スロットの他端に１つのモールド流出口を形成し、このモールド流出口の両側に複数の支持バンプを設置し、この複数の支持バンプは前記基板コア層の上表面に付着し、且つ該スロットを１つの中央スロットにし、前記基板コア層は更に上下表面を貫通する複数の周辺スロットを有し、ダイアタッチング区域の１つの縁部にある周辺スロット群に複数の支持突起棒を設置し、この複数の支持突起棒は前記基板コア層の上表面に付着し、且つ前記複数の支持バンプと前記複数の支持突起棒は前記ダイアタッチング区域に突出することを特徴とする請求項１に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記基板コア層は更に複数の応力釈放孔を有し、前記ダイアタッチング区域にはこの応力釈放孔群に照準を合わせる複数の隅部を有することを特徴とする請求項１に記載のウインドウ型半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に一種のモールド流入口に剥離現象の発生を避けるウインドウ型半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体パッケージには、ダイアタッチング層を介しチップを基板上に貼り付けてモールド樹脂で密封することになる。基板に内部電気接続用のウインドウが有る場合、モールド封止体を基板上とウインドウに形成する時に基板の上表面とウインドウとの間に１つの狭いモールド流入口が生じるので、モールド封止体を形成する時に生じる樹脂注入圧力の衝撃はモールド流入口両側のダイアタッチング層に応力を加えることにより、ダイアタッチング層は圧縮されて変形し、更にダイアタッチング境界面が侵入されて実装品質が悪くなってしまう。
【０００３】
図１に示すように、周知のウインドウ型半導体パッケージ１００は主に１つの基板１１０、１つのチップ１３０、１つのダイアタッチング層１４０、複数のボンディングワイヤ１６０及び１つのモールド封止体１６０を含む。基板１１０は１つの基板コア層１２０と１つだけの下半田マスク層１１４を含み、基板コア層１２０は１つの上表面１２１、１つの下表面１２２及びウインドウとして上下表面を貫通する１つのスロット１２３を有する。図２は基板１１０の基板コア層１２０の上表面１２１を示す図であり、基板コア層１２０の上表面１２１は、完全に半田マスク層を含まなくてよい、半田マスク層のようにすべすべした表面にならないため、ダイアタッチング層１４０と直接貼り付ける接着効果を増進することができる。図２に示すように、基板コア層１２０の上表面１２１に１つのダイアタッチング区域１２４を定義し、モールド封止体１６０を形成するモールド流れ方向１６１に応じ、ダイアタッチング区域１２４を超えるスロット１２３の一端に１つのモールド流入口１２３Ａを形成し、スロット１２３の他端にも一つのモールド流出口１２３Ｂを形成するが、モールド流入口１２３Ａとモールド流出口１２３Ｂはチップ１３０に覆われることができない。チップ１３０は１つの主面１３１と主面１３１の上に設置される複数の電極１３２を有する。ダイアタッチング層１４０を介しチップ１３０の主面１３１を基板１１０の基板コア層１２０に貼り付ける時、チップ１３０の複数の電極１３２をスロット１２３の内に照準合わせる。複数のボンディングワイヤ１６０はスロット１２３を通過してチップ１３０の複数の電極１３２を基板１１０と対応するフィンガー１１７に電気的に接続する。モールド封止体１６０は基板１１０の上とスロット１２３の内に形成されてチップ１３０と複数のボンディングワイヤ１６０を密封する。また、複数の半田ボール１７０が基板１１０のボールパッド１１３に設置され、モールド封止体１６０を形成するモールド樹脂注入作業中において、図２に示すように、モールド流れ方向１６１はモールド流入口１２３Ａより流れ込みモールド流入口１２３Ｂより流れ出してスロット１２３に十分に充填している。モールド流入口１２３Ａの両側縁にあるダイアタッチング層１４０は、モールド流れ圧力を受け易く圧縮や変形が生じ、且つモールド封止体１６０のシリコン充填物や固体顆粒に傷つけられる結果、モールド流入口１２３Ａの付近にあるダイアタッチング層１４０の部位は応力の緩和作用がなくなり、更にモールド封止体１６０は、モールド流入口１２３Ａの両側縁にある元のダイアタッチング層１４０のダイアタッチング境界面を一部占めることにより、モールド流入口１２３Ａに剥離現象を発生することになる。
【０００４】
また、中華民国特許ＮＯ．I２９１,７６１にダイアタッチング剤によりチップのボンディングパッドの汚染を防止する一種のパッケージが提出されているが、このようなパッケージには、基板のダイアタッチング表面にある半田マスク層に少なくとも１つのダイアタッチング剤誘導開口を形成し、ワイヤボンディングスロットの両側にそれぞれ１つの半田マスクバーを形成する。それにより、ダイアタッチング作業中にダイアタッチング剤がチップのボンディングパッドを汚染することが防止できるが、モールド流入口の両側縁にあるダイアタッチング層はモールド流れ衝撃を受けるため変形や剥離となる問題が有効に解決できない。更に、スロットの両端(モールド流入口を含み)は半田マスク層に覆われることにより、モールド流入口はより狭くなってモールド流入口の両側にあるダイアタッチング層の一部はモールド流れ圧力の衝撃を受け、悪い影響が更に大きくなり、製品の信頼性及び製造の歩留率まで影響する。
【０００５】
【特許文献１】台湾特許ＮＯ．I２９１,７６１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の主な目的は一種のモールド流入口に剥離現象の発生を避けるウインドウ型半導体パッケージを提供することにある。
本発明のもう１つの目的は一種のモールド流入口に剥離現象の発生を避けるウインドウ型半導体パッケージを提供し、このようなパッケージは一定のダイアタッチング間隔を維持することができ、ダイアタッチング層の溢れ現象を改善するウインドウ型半導体パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明では、次に述べる技術が提案されている。本発明により、一種のモールド流入口に剥離現象の発生を避けるウインドウ型半導体パッケージは主に１つの基板、１つのチップ、１つのダイアタッチング層、複数のボンディングワイヤ及び１つのモールド封止体を含む。基板は１つの基板コア層、１つの第一モールド流れ障害物と１つの第二モールド流れ障害物を含む。基板コア層は１つの上表面、１つの下表面と上下表面を貫通する１つのスロットを有し、上表面には１つのダイアタッチング区域を定義し、ダイアタッチング区域を超えるスロットの一端に１つのモールド流入口を形成する。第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物は、基板コア層の上表面に付着してダイアタッチング区域の一縁部とスロットの両側縁との交差部位に位置し、更にモールド流入口の両側に僅かに突出する。チップは１つの主面と主面上に設置される複数の電極を有し、主面の寸法はダイアタッチング区域と対応する。ダイアタッチング層はチップの主面を基板の基板コア層の上表面に貼り付け、且つチップの複数の電極をスロットの内に照準合わせる。複数のボンディングワイヤはスロットを通過してチップの複数の電極を基板に電気的に接続させる。モールド封止体は基板コア層の上表面に形成され、形成法としてはモールド流入口からスロットに充填して複数のボンディングワイヤを密封する。
【０００８】
上述目的を達するために本発明では、更に他の技術を採用する。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物は１つの半田マスク層の一部になってもよいが、相互連結されなくそれぞれ独立に設置される。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物との間の間隙はスロットの幅より小さくならなくてもよい。
【０００９】
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、基板コア層の上表面にて第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物が覆った面積は１０％より大きくならなくてもよい。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物との外形を細長状にしてもよい、ダイアタッチング区域内にある第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物の部位はスロットの両反対側縁に沿う１つの長さを有し、この長さは、第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物の僅かな突出部位の長さより長くなり、そして、第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物の１つの幅よりも長くなる。
【００１０】
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物はチップの主面と接触することができる。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、基板は更に複数のボールパッドと１つの下半田マスク層を含み、複数のボールパッドは基板コア層の下表面に設置され、下半田マスク層は基板コア層の下表面に形成されて複数のボールパッドを露出する。
【００１１】
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、ダイアタッチング区域を超えるスロットの他端に１つのモールド流出口を形成し、このモールド流出口の両側に複数の支持バンプを設置し、この複数の支持バンプは基板コア層の上表面に付着する。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、複数の支持バンプは第一モールド流れ障害物及び第二モールド流れ障害物と同一半田マスク層の一部になってもよい、且つ相互連結されなくそれぞれ独立に設置される。
【００１２】
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、該スロットを１つの中央スロットにしてもよい、基板コア層は更に上下表面を貫通する複数の周辺スロットを有する。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、ダイアタッチング区域の１つの縁部にある複数の周辺スロットに複数の支持突起棒を設置し、この複数の支持突起棒は基板コア層の上表面に付着する。
【００１３】
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、複数の支持突起棒は第一モールド流れ障害物及び第二モールド流れ障害物と同一半田マスク層の一部になってもよい、且つ相互連結されなくそれぞれ独立に設置される。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、複数の支持バンプと複数の支持突起棒はダイアタッチング区域に僅かに突出してもよい。
上述ウインドウ型半導体パッケージにおいて、基板コア層は更に複数の応力釈放孔を有し、ダイアタッチング区域には複数の応力釈放孔に照準を合わせる複数の隅部を有する。
【００１４】
以上のように、本発明にかかるウインドウ型半導体パッケージは下記の利点と効果を有する。
第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物の僅かな突出部位を介しモールド流れの衝撃はダイアタッチング層に加える応力を抵抗し、且つモールド封止体のシリコン充填物や固体顆粒に傷つけられることを減らしてモールド流入口に剥離現象の発生及びダイアタッチング層の変形を改善している。
第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物がダイアタッチング区域内にある部位は一定のダイアタッチング間隔を維持することができ、それにより、ダイアタッチング層の溢れ現象を改善している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の一実施例を図を参照して説明する。但し、これらの付図は皆簡略化されており、本発明の基本構造や実施方法の説明として使用され、本発明に関係する素子だけを示し、実際に実施する素子の数、形状と寸法などを示すことができない。例えば、分かり易い図を提供するため、寸法は拡大したり簡略したりされる修正をしたことが有る。実際に実施する素子の数、形状と寸法は設計に応じ選択可能となって詳細な素子配置はより複雑になることがある。
【００１６】
本発明の一実施例における一種のモールド流入口に剥離現象の発生を避けるウインドウ型半導体パッケージを、チップ側辺に沿うモールド流入口の断面を示す図３と一中心線の横方向に沿うスロットの断面を示す図４を参照しながら例を挙げて説明していく。該ウインドウ型半導体パッケージ２００は、主に１つの基板２１０、１つのチップ２３０、１つのダイアタッチング層２４０、複数のボンディングワイヤ２６０及び１つのモールド封止体２６０を含む。基板２１０は、１つの基板コア層２２０を含み、ここで、上表面を示す図６、下表面を示す図６、図６の７−７線に沿う断面を示す図７及び図６の８-８線に沿う断面を示す図８により説明される。
【００１７】
基板コア層２２０は１つの上表面２２１、１つの下表面２２２と１つのスロット２２３を有し、スロット２２３は上下表面２２１、２２２を貫通している。図４に示すように、上表面２２１はチップ２３０の搭載として基板コア層２２０に使用され、下表面２２２は外部接続端子の設置として基板コア層２２０に使用される。スロット２２３はウインドウとして内部電気接続素子、例えばボンディングワイヤの通過に利用されることができる。図６に示すように、上表面２２１に１つのダイアタッチング区域２２４を定義し、ダイアタッチング区域２２４を超えるスロット２２３の一端に１つのモールド流入口２２３Ａを形成させる。モールド流入口２２３Ａは、ダイアタッチング作業の後にモールド封止体２６０を形成する液状モールド樹脂を上表面２２１からスロット２２３に充填する通路である。ダイアタッチング区域２２４を超えるスロット２２３の他端に１つのモールド流出口２２３Ｂを形成することができ、モールド流れ方向２６１(液状モールド樹脂の充填方向)はモールド流入口２２３Ａからモールド流出口２２３Ｂに向って流れるようになる。基板２１０の基材層である基板コア層２２０は、単層や複数層のガラス繊維強化樹脂を積層して出来たものであるので、基板２１０の基本強度と粘り強さを提供している。１つの実施形態において、基板コア層２２０は更に上表面２２１を全面的に覆った１つの半田マスク層(図に示せず)を含み、この半田マスク層によってダイアタッチング強度が低下するかもしれないが、モールド流れ障害物２１１、２１２の固着力や高さを増加することができる。本実施例において、基板コア層２２０は完全にガラス繊維強化樹脂で形成され、ダイアタッチング区域２２４内にある上表面２２１の大部分面積(６０％以上)は直接ダイアタッチング用に提供されることにより、ダイアタッチング強度の増強とパッケージ高さの低下などの効果が有る。また、ダイアタッチング区域２２４外にある上表面２２１の面積は直接にモールド封止体２６０に覆われることにより、基板２１０とモールド封止体２６０との間の結合力を増強することが可能となる。
【００１８】
基板２１０は更に１つの第一モールド流れ障害物２１１と１つの第二モールド流れ障害物２１２を含み、両方とも基板コア層２２０の上表面２２１に付着してダイアタッチング区域２２４の１つの第一縁部２２４Ａとスロット２２３の両側縁２２３Ｃとの交差部位に位置し、更にモールド流入口２２３Ａの両側に僅かに突出する。以上に述べた第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２との配置はこれから述べる幾つの効用が有る。第一、モールド流入口２２３Ａへ流れ込むモールド流れの圧力はモールド流入口２２３Ａの両側にあるダイアタッチング層２４０に加える応力を集中的に抵抗して可能となるので、ダイアタッチング間隙はモールド封止体２６０に不規則侵入されることを起因にするダイアタッチング強度の不均等を避ける。第二、一定のダイアタッチング間隔を維持することができ、ダイアタッチング層２４０の溢れ現象を改善するが、封じ込め方式でダイアタッチング層２４０を抵抗しないから、モールド封止体２６０に十分充填されないダイアタッチング間隙の発生を避ける。第三、小塊状の第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２の使用によって基板コア層２２０の上表面２２１にある第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２の占め面積が減少でき、ダイアタッチング強度とモールド封止体２６０の結合力に影響を及ぼすことがない。通常、基板コア層２２０の上表面２２１にある第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２の占め面積は１０％より大きくならなくてよい。
【００１９】
第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２は、半田マスク層と同一材質若しくは他の材質を採用することができ、同一半田マスク層の一部となれば好ましいと思われるし、且つ、相互連結されなくそれぞれ独立に設置されることにより、半田マスク層の一次パターン化露光ステップを介し形成されることができるだけではなく、極めて精確な所定位置に設置させることを制御しても可能となり、更に同一高度を有するので、低コスト及び高精確度の障害物設置を提供することができる。１つの実施形態において、第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２との間の間隙Ｓ１はスロット２２３の幅Ｓ２(図６に示すよう)より小さくならなくてよい、よって、モールド流入口２２３Ａのモールド流れに対する抵抗を影響しない。
【００２０】
より具体的に言えば、モールド流出口２２３Ｂの両側に複数の支持バンプ２１６を設置して、複数のこの支持バンプ２１６は基板コア層２２０の上表面２２１に付着する。複数の支持バンプ２１６は第一モールド流れ障害物２１１及び第二モールド流れ障害物２１２と同一半田マスク層の一部になってよい、相互連結されなくそれぞれ独立に設置される。また、実装チップの異なりに応じ基板２１０のスロット形状、数量、及び位置を調整すべく、チップの電極をスロットの内に照準合わせるように内部電気接続の便利性を提供している。本実施例において、スロット２２３を１つの中央スロットにしてよい、基板コア層２２０は更に上下表面２２１、２２２を貫通する複数の周辺スロット２２６を有し、ダイアタッチング区域２２４の１つの第二縁部２２４Ｂにある複数の周辺スロット２２６は複数の支持突起棒２１６を設置することができる。この複数の支持突起棒２１６は基板コア層２２０の上表面２２１に付着し、第一モールド流れ障害物２１１及び第二モールド流れ障害物２１２と同一半田マスク層の一部になってよい、相互連結されなくそれぞれ独立に設置される。複数の支持バンプ２１６と複数の支持突起棒２１６はダイアタッチング区域２２４に僅かに突出すれば好ましい、それにより、チップ２３０はダイアタッチング区域２２４に照準合わせられるかどうかを光学や視覚で検査して可能である。一方、照準を合わせなかったら、第一モールド流れ障害物２１１、第二モールド流れ障害物２１２、複数の支持バンプ２１６及び複数の支持突起棒２１６の中には、ある僅かな突出部位はチップ２３０に遮蔽される可能性がある。
【００２１】
これから、第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２の具体形状について説明すること。図６に示すように、第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２を細長状にしてよいが、より具体的に言えば、細長状よりも矩形に接近している。ダイアタッチング区域２２４の内にある第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２はスロット２２３の両反対側縁２２３Ｃに沿う１つの長さを有し、この長さは、第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２の僅かな突出部位の長さより長くなるだけではなく、第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２の幅よりも長くなるため、ダイアタッチング区域２２４の内と外にある第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２の面積比例を及びモールド流れ方向２６１と同一方向の第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２を細長状に調整することができ、よって、第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２はモールド流れを抵抗する功能が確保でき、衝撃を受けっても移動することがない。また、第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２がスロット２２３の両反対側縁２２３Ｃに沿う長さはスロット２２３の両反対側縁２２３Ｃの中央区域(図７と図８に参照して)までを超えないようにするので、第一モールド流れ障害物２１１、第二モールド流れ障害物２１２はダイアタッチング層２４０との間の間隙長さを短くすることができる。例え第一モールド流れ障害物２１１、第二モールド流れ障害物２１２はダイアタッチング層２４０との間にダイアタッチング間隙が有っても、スロット２２３に充填したモールド封止体２６０に十分充填されてしまう。
【００２２】
本実施例において、図６と図８に示すように、基板２１０は更に複数のボールパッド２１３と１つの下半田マスク層２１４を含み、この複数のボールパッド２１３は基板コア層２２０の下表面２２２に設置され、下半田マスク層２１４は基板コア層２２０の下表面２２２に形成されて複数のボールパッド２１３を露出させる(図８に示すように)。
【００２３】
再び図３と図４を参照し、チップ２３０は１つの主面２３１と主面２３１に設置される複数の電極２３２を有し、チップ２３０の集積回路(例えばメモリ素子)は主面２３１に形成され、複数の電極２３２は集積回路の外部接続タミナルとして用いられ、通常にアルミや銅で出来たボンディングパッドが採用され、若しくは、主面２３１に突出した導電バンプも用いられることが可能である。また、チップ２３０の主面２３１の寸法はダイアタッチング区域２２４に対応し、１つの具体構造において、ダイアタッチング区域２２４の寸法は基板コア層２２０の上表面２２１より略小さくなってＣＳＰ(Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  ＰＡＣｋＡｇｅ)に適用する。本実施例において、図４に示すように、複数の電極２３２は主面２３１の中央区域に配置され、チップ２３０は更に主面２３１の周辺区域に配置される複数の周辺電極２３３を有する。
【００２４】
ダイアタッチング層２４０を介しチップ２３０の主面２３１を基板２１０の基板コア層２２０の上表面２２１に貼り付ける時、チップ２３０の複数の電極２３２をスロット２２３内に照準合わせるようにする。ダイアタッチング層２４０はＢ-ステージ接着剤、液体接着剤、両面粘着テープ若しくは周知のダイアタッチング部材を採用して製造され、ここで、Ｂ-ステージ接着剤はプロセス中に適当な粘着性と稠密性を有するため比較的に適用である。ダイアタッチング層２４０は通常に熱硬化性樹脂を含む。本実施形態において、図６に示すように、第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２がスロット２２３の両反対側縁２２３Ｃに沿う長さはスロット２２３の両反対側縁２２３Ｃの中央部位までを超えなく若しくはより短くなるので、モールド封止体２６０はスロット２２３を経由してダイアタッチング層２４０と隣接する第一モールド流れ障害物２１１及び第二モールド流れ障害物２１２との間に生じるダイアタッチング間隙に十分充填することができる。
【００２５】
再び図４を参照し、複数のボンディングワイヤ２６０はスロット２２３を通過してチップ２３０の複数の電極２３２を基板２１０の複数のフィンガー２１７に電気的に接続し、再び基板２１０の配線構造(図に示せず)を経由し対応するボールパッド２１３に電気接続させる。複数のボンディングワイヤ２６０をワイヤボンディングで形成した金線若しくはインナーリード接合用の基板リードにすることができる。本実施形態において、更に複数の周辺ボンディングワイヤ２６１を有し、この複数の周辺ボンディングワイヤ２６１は周辺スロット２２６を通過してチップ２３０の周辺電極２３３を基板２１０の複数の周辺フィンガー２１８に電気的に接続する。
【００２６】
モールド封止体２６０は基板コア層２２０の上表面２２１に形成され、そして、モールド流入口２２３Ａを経由しスロット２２３の内に充填されて複数のボンディングワイヤ２６０を密封する。モールド封止体２６０はトランスファモールディング(ＴｒＡｎＳｆｅｒ  Ｍｏｌｄｉｎｇ)技術を用い形成されるので、モールド形成過程中に樹脂注入圧力が発生してしまうが、本発明の第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２の僅かな突出部位によって、樹脂注入圧力はモールド流入口２２３Ａの両側にあるダイアタッチング層２４０に過度の圧力を加えないように実現できる。
【００２７】
一方、図４に示すよう、パッケージの外部接続端子としての複数のボンディングボール２７０は基板２１０の複数のボールパッド２１３に設置される。
実施例において、図３に示すように、第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２はチップ２３０の主面２３１に接触することができるが、限定されることがない。
【００２８】
図５、６及び７に示すように、基板コア層２２０は更に複数の応力釈放孔２２６を有すれば好ましい、ダイアタッチング区域２２４は複数の応力釈放孔２２６に照準を合わせる複数の隅部を有し、チップ２３０と基板２１０との間のダイアタッチング間隔はダイアタッチング層２４０に十分充填されない場合、チップ２３０の隅部はモールド封止体２６０に覆われるため基板２１０を直接に圧迫することがない。
【００２９】
従って、第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２の僅かな突出部位を利用し、モールド封止体２６０の流れ衝撃はダイアタッチング層２４０に加える応力を抵抗し、且つモールド封止体２６０のシリコン充填物や固体顆粒に傷つけられることを減らしてモールド流入口２２３Ａに剥離現象の発生及びダイアタッチング層２４０の変形を改善している。また、ダイアタッチング区域２２４内にある第一モールド流れ障害物２１１と第二モールド流れ障害物２１２は一定のダイアタッチング間隔を維持することができ、それにより、ダイアタッチング層２４０の溢れ現象を改善している。
【００３０】
以上、本発明をその好適な実施例に基づいて説明したが、本発明の保護範囲は後付の特許申請範囲で限定されて、この保護範囲に基準して、本発明の精神と範囲内に触れるどんな変更や修正は本発明の保護範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】従来のウインドウ型半導体パッケージを示す断面図である。
【図２】従来のウインドウ型半導体パッケージの基板の上表面を示す図である。
【図３】本発明の一実施例によウインドウ型半導体パッケージにおいてチップの側辺に沿って切断したモールド流入口を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施例による該ウインドウ型半導体パッケージにおいて中心線に沿って切断した基板のスロットを示す断面図である。
【図５】本発明の一実施例による該ウインドウ型半導体パッケージの基板の上表面を示す図である。
【図６】本発明の一実施例による該ウインドウ型半導体パッケージの基板の下表面を示す図である。
【図７】本発明の一実施例による図５の７−７線に沿って切断した基板の断面を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施例による図５の８−８線に沿って切断した基板の断面を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
Ｓ１：第一モールド流れ障害物と第二モールド流れ障害物との間の間隙、  Ｓ２：スロットの幅、  １００：ウインドウ型半導体パッケージ、  １１０：基板、  １１３：ボールパッド、  １１４：下半田マスク層、  １１７：フィンガー、  １２０：基板コア層、  １２１：上表面、  １２２：下表面、  １２３：スロット、  １２３Ａ：モールド流入口、  １２３Ｂ：モールド流出口ダイアタッチング区域、  １３０：チップ、  １３１：主面、  １３２：電極、  １４０：ダイアタッチング層、  １６０：ボンディングワイヤ、  １６０：モールド封止体、  １６１：モールド流れ方向、  １７０：ボンディングボール、  ２００：ウインドウ型半導体パッケージ、  ２１０：基板、  ２１１：第一モールド流れ障害物、  ２１２：第二モールド流れ障害物、  ２１３：ボールパッド、  ２１４：下半田マスク層、  ２１６：支持バンプ、  ２１６：支持突起棒、  ２１７：フィンガー、  ２１８：周辺フィンガー、  ２２０：基板コア層、  ２２１：上表面、  ２２２：下表面、  ２２３：スロット、  ２２３Ａ：モールド流入口、  ２２３Ｂ：モールド流出口、  ２２３Ｃ：側縁、  ２２４：ダイアタッチング区域、  ２２４Ａ：第一縁部、  ２２４Ｂ：第二縁部、  ２２６：周辺スロット、  ２２６：応力釈放孔、  ２３０：チップ、  ２３１：主面、  ２３２：電極、  ２３３：周辺電極、  ２４０：ダイアタッチング層、  ２６０：ボンディングワイヤ、  ２６１：周辺ボンディングワイヤ、  ２６０：モールド封止体、  ２６１：モールド流れ方向、  ２６２：モールド流れ通路、  ２７０：ボンディングボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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