(57)【要約】【課題】検出感度の校正を容易に行うことができる表面検査装置及びその校正方法を提供する。【解決手段】照明光学系２により標準異物ウエハ１１０の表面に照明光を照射しつつ、その照射光により標準異物ウエハ１１０の表面を走査し、検出光学系３の検出器３１〜３４により標準異物ウエハ１１０の表面からの散乱光を検出し、その散乱光の検出結果と予め定めた基準値とを用いて検出器３１〜３４の光電子増倍管３３１〜３３４の検出感度を補正するための補正パラメータＣｏｍｐを算出し、その補正パラメータＣｏｍｐを経時劣化パラメータＰ、光学的特性パラメータＯｐｔ、及びセンサ特性パラメータＬｒに分離して管理する。【選択図】図４
2010203776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査体の表面に照明光を照射する照射手段と、
前記照射手段からの照射光を前記被検査体の表面に走査する走査手段と、
前記被検査体の表面からの散乱光を検出する１つ以上の光検出手段と、
前記光検出手段の検出感度を測定するための基準となる測定光を発生する測定光発生手段から前記光検出手段に入射した測定光の検出結果と予め定めた基準値とを用いて前記光検出手段の検出感度を補正するための感度補正値を演算する補正値演算手段と、
前記感度補正値を表面検査装置の検出感度に影響する複数の要因に対応する要素パラメータに分離する分離演算手段と、
前記分離演算手段で分離した要素パラメータを記憶する記憶手段と
を備えたことを特徴とする表面検査装置。
【請求項２】
請求項１記載の表面検査装置において、
前記測定光発生手段は、前記照射手段からの照明光に対して基準となる測定光を発生する基準被検査体を備えたことを特徴とする表面検査装置。
【請求項３】
請求項１記載の表面検査装置において、
前記測定光発生手段は、基準となる測定光を前記光検出手段に入射する光源を備えたことを特徴とする表面検査装置。
【請求項４】
請求項１記載の表面検査装置において、
前記複数の要素パラメータは、前記光検出手段の経時劣化状態に関する要素パラメータを含むことを特徴とする表面検査装置。
【請求項５】
請求項１記載の表面検査装置において、
前記複数の要素パラメータは、前記光検出手段の光学特性に関する要素パラメータを含むことを特徴とする表面検査装置。
【請求項６】
請求項１記載の表面検査装置において、
前記複数の要素パラメータは、前記光検出手段のリニアリティー特性に関する要素パラメータを含むことを特徴とする表面検査装置。
【請求項７】
請求項１記載の表面検査装置において、
前記要素パラメータを時系列的に表示する表示手段を備えたことを特徴とする表面検査装置。
【請求項８】
請求項１記載の表面検査装置において、
前記検出結果の基準値との差分、又は前記検出結果の基準値に対する比率を表示する表示手段を備えたことを特徴とする表面検査装置。
【請求項９】
請求項１記載の表面検査装置において、
前記要素パラメータの少なくとも１つが予め定めた範囲外の場合、オペレータに警告を報知する警告手段を備えたことを特徴とする表面検査装置。
【請求項１０】
請求項１記載の表面検査装置において、
前記要素パラメータの少なくとも１つが予め定めた範囲外の場合、その原因が前記経時劣化であるか光学条件であるかを判定する判定手段を備えたことを特徴とする表面検査装置。
【請求項１１】
被検査体の表面に照明光を照射する照射手段と、前記照射手段からの照射光を前記被検査体の表面に走査する走査手段と、前記被検査体の表面からの散乱光を検出する１つ以上の光検出手段とを備え、
前記光検出手段の検出感度を測定するための基準となる測定光を発生する測定光発生手段から前記光検出手段に入射した測定光の検出結果と予め定めた基準値とを用いて前記光検出手段の検出感度を補正するための感度補正値を演算し、該感度補正値を表面検査装置の検出感度に影響する複数の要因に対応する要素パラメータに分離して記憶することを特徴とする表面検査装置の校正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被検査物の表面に存在する異物、きず、欠陥、汚れ等（以下、これらを総称して異物と記載する）を検出する検査装置及びその校正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程において、品質や歩留りの低下を抑制するためには、半導体ウエハ（以下、単にウエハと記載する）の表面上の異物、傷、欠陥、汚れ等（以下、これらを総称して異物と記載する）を検出し、その異物の種類、大きさ、或いは検出数等について統計管理を行うことにより、各種製造装置や工程の清浄度を定量的に把握し、製造工程を的確に管理することが重要である。そこで、従来から半導体デバイスの製造工程においては、表面検査装置によるウエハの表面検査が実施されている。
【０００３】
ウエハ表面の異物を検出する表面検査装置としては、レーザ光等の検査光をウエハの表面に照射し、ウエハの表面で発生した反射光又は散乱光を検出することにより、ウエハの表面に存在する異物を検出するものが知られている（特許文献１等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−３０４２８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上に述べたような統計管理により製造工程の管理が的確に行われるためには、統計管理に用いる情報の精度の確保が条件である。そのため、表面検査装置の校正を定期的に行い、表面検査における検出精度を一定に保つことが必要不可欠である。
【０００６】
表面検査装置における検出感度の校正としては、例えば、標準粒径の異物サンプルを表面に施したウエハ（以下、標準異物ウエハと記載する）に照明光を照射して異物サンプルからの散乱光を検出し、異物サンプルの粒径と散乱光の検出値の関係が予め定めた検量線に合うように検出感度を調整することにより行う校正がある。
【０００７】
しかしながら、このような検出感度の校正においては、オペレータが表面検査装置を構成する各部材の劣化状態や温度ドリフト状態など、種々の条件を総合的に加味して検出感度の調整の妥当性を検証する必要があり、検出感度の校正が非常に複雑なものになっていた。
【０００８】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、検出感度の校正を容易に行うことができる表面検査装置及びその校正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、被検査体の表面に照明光を照射する照射手段と、前記照射手段からの照射光を前記被検査体の表面に走査する走査手段と、前記被検査体の表面からの散乱光を検出する複数の光検出手段と、前記複数の光検出手段の検出感度を測定するための基準となる測定光を発生する測定光発生手段と、前記測定光発生手段から前記光検出手段に入射された測定光の検出結果と予め定めた基準値とを用いて前記光検出手段の検出感度を補正するための感度補正値を演算する補正値演算手段と、前記感度補正値を表面検査装置の検出感度に影響する複数の要因に対応する要素パラメータに分離する分離演算手段とを備えたものとする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明においては、表面検査装置における検出感度の校正作業を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表面検査装置の全体構成を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係るウエハ及びその走査の様子を示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る標準異物ウエハを示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る表面検査の校正処理を示すフローチャートである。
【図５】本発明の一実施の形態に係る表面検査装置の校正処理における補正パラメータ演算結果確認画面を示す図である。
【図６】本発明の一実施の形態に係る表面検査装置の校正処理におけるサマリ確認画面を示す図である。
【図７】本発明の一実施の形態に係る表面検査装置の校正処理における来歴確認画面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
【００１３】
（１）表面検査装置の構成
図１は、本実施の形態に係る表面検査装置の全体構成を示す図である。
【００１４】
図１において、本実施の形態の表面検査装置は、被検査体（例えば、ウエハ、ハードディスク、液晶基板など）の一例であるウエハ１０を載置するウエハ載置部１と、ウエハ１０の表面（被検査面）に照明光を照射する照明光学系２と、ウエハ１０の表面からの散乱光を検出する検出光学系３と、表面検査装置における駆動系を制御するメカ制御部４と、表面検査装置の全体の制御を行う全体制御部５とを備えている。
【００１５】
ウエハ載置部１は、ウエハ１０を吸着・保持するウエハチャック１１と、ウエハチャック１１を保持する回転ステージ１２と、回転ステージ１２を保持する直進ステージ１３と、直進ステージ１３を保持するベース１４とを備えている。
【００１６】
回転ステージ１２は、直進ステージ１３に対して回転駆動することにより、ウエハチャック１１をウエハ１０と共に回転駆動させる。また、直進ステージ１３は、ベース１４に対して直線駆動することにより、回転ステージ１２を直線駆動させる。ウエハ１０の表面（被検査面）に照明光を照射しながらウエハ１０を回転駆動又は直進駆動、或いはその両方を行うことにより、照明光をウエハ１０の表面に走査する。
【００１７】
照明光学系２は、照明光であるレーザ（例えば、Ａｒレーザ、窒素レーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、エキシマレーザ、など）を生成して射出するレーザ光源２０と、レーザ光源２０から射出されたレーザを偏光に変換する照明光偏光フィルタ２１と、照明光偏光フィルタ２１を透過したレーザを反射する反射ミラー２２，２３と、図示しない駆動装置により駆動され、レーザの進行経路（光路）を切り換える照明角度切換ミラー２４とを備えている。
【００１８】
照明角度切換ミラー２４が、駆動装置（図示せず）により照明光の光路上に配置された場合（図１の位置２４ａに配置された場合）、レーザ光源２から射出された照明光は、照明角度切換ミラー２４及び反射ミラー２２を介してウエハ１０の表面に対して斜方（例えば、３０°以下の角度）から照射される。また、照明角度切換ミラー２４が照明光の光路上から退避させられた場合（図１の位置２４ｂに配置された場合）、光源２から射出された照明光は、反射ミラー２３を介してウエハ１０の表面に対して略垂直に照射される。照明角度切換ミラー２４の位置は、全体制御部５により制御される。
【００１９】
ウエハ１０における照明光の照射位置に異物が存在する場合は、その異物の大きさや形状に応じた散乱光が生じる。
【００２０】
検出光学系３は、ウエハ１０の表面からの散乱光を検出する複数の検出器３１〜３４と、検出器３１〜３４から出力されたアナログの検出信号をデジタルの検出信号に変換するＡ／Ｄ変換器３４１〜３４４と、Ａ／Ｄ変換器３４１〜３４４からの検出信号に対してデータ処理（後述）を行い全体制御部５に入力するデータ処理部３５と、全体制御部５からの指令に基づき検出器３１〜３４の光電子増倍管３３１〜３３４（後述）に印加する電圧（以下、印加電圧と記載する）を制御する印加電圧制御部３６とを備えている。
【００２１】
検出器３１，３２は、ウエハ１０の表面を基準とした仰角が予め定めた基準角度（例えば、３０°）以下の角度をなすように配置されている。以下、そのような検出器３１，３２を特に低角度検出光学系と記載する。また、検出器３３，３４は、基準角度よりも大きな仰角をなすように配置されている。以下、そのような検出器３３，３４を特に高角度検出光学系と記載する。
【００２２】
なお、低角度検出光学系及び高角度検出光学系のそれぞれにおいては、ウエハ１０上における照明光の照射位置を囲むように複数の検出器が配置されているが、図面の煩雑化を避けるため、図１においては低角度検出光学系の検出器として２つの検出器３１，３２を、高角度検出光学系の検出器として２つの検出器３３，３４をそれぞれ代表して示し、その他の検出器については図示及び説明を省略する。
【００２３】
検出器３１は、ウエハ１０からの散乱光を集光する集光レンズ３１１と、集光レンズ３１１により集光された散乱光を偏光に変換する検出光偏光フィルタ３２１と、検出光偏光フィルタ３２１を透過した散乱光を受光して、その受光量に応じた量の電流に変換し、検出信号としてＡ／Ｄ変換器３４１に入力する光電子増倍管（ＰＭＴ：Photomultiplier Tube）３３１とを備えている。また、検出器３２〜３４は検出器３１と同様の構成を有しており、それぞれ、集光レンズ３１２〜３１４、検出光偏光フィルタ３２２〜３２４、及び光電子増倍管３３２〜３３４を備えている。
【００２４】
Ａ／Ｄ変換器３４１〜３４４は、検出器３１〜３４から出力されるアナログの検出信号（電流信号）をデジタルの検出信号（電圧信号）に変換し、データ処理部３５に入力する。
【００２５】
データ処理部３５は、Ａ／Ｄ変換器３４１〜３４４からの検出信号のうち、その検出信号の電圧値（以下、検出電圧値と記載する）が予め定めた閾値を越えたものを抽出するデータ処理を行い、抽出した検出信号を全体制御部５に入力する。データ処理部３５のデータ処理に用いる閾値は、検出器３１〜３４のそれぞれからの検出信号に対して個別に設定されており、その閾値は全体制御部５の記憶部８（後述）に記憶されている。全体制御部５に入力された検出信号は記憶部８に記憶される。
【００２６】
印加電圧制御部３６は、予め定められ全体制御部５の記憶部８に記憶された設定値（後述）に基づいて、検出器３１〜３４の各光電子増倍管３３１〜３３４の印加電圧を制御する。
【００２７】
光電子増倍管３３１〜３３４は、その印加電圧を変えることにより、検出感度を変えることができる。ここで、検出感度とは、受光量（光電子増倍管３３１〜３３４に到達した光量）と検出電圧値（Ａ／Ｄ変換器３４１〜３４１の出力電圧）の関係で表されるものである。例えば、受光量が一定とした場合、光電子増倍管３３１〜３３４の印加電圧を高くすると、検出電圧値は高くなり（つまり、検出感度が高くなり）、逆に印加電圧を低くすると検出電圧は低くなる（つまり、検出感度が低くなる）。このような光電子増倍管３３１〜３３４において、受光量が一定の条件で印加電圧を変化させた場合、印加電圧変化前後の検出電圧値の比率（＝変化後検出電圧値／変化前検出電圧値）をＲ、光電子増倍管によって定まる値（ＰＭＴ乗数）をｋと定義すると、印加電圧と検出電圧値の関係は下記の式で表される。
【００２８】
Ｒ＝（変化後印加電圧／変化前印加電圧）＾ｋ    ・・・式１
上記式１に基づいて光電子増倍管３３１〜３３４の印加電圧を変化させることにより、検出電圧値を調整することができ、したがって、検出感度を調整することができる。
【００２９】
メカ制御部４は、全体制御部５からの指令に基づいてウエハ載置部１、ロードポート４１、及び搬送アーム４２などに設けられた駆動装置の動作を制御する。
【００３０】
ロードポート４１は、表面検査を施す前後のウエハ１０を収納した図示しない容器（例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ウエハカセット）を載置し、ウエハ１を表面検査装置に出し入れするインターフェース部である。
【００３１】
搬送アーム４２は、ウエハ１０を保持して表面検査装置内を搬送するものであり、ロードポート４１やウエハ載置部１の間におけるウエハ１０の搬送を行う。
【００３２】
図２は、本実施の形態に係わるウエハ１０及びその走査の様子を示す図である。
【００３３】
図２において、ウエハ１０は、その周上にウエハ１０の方向決めの基準となるノッチ１５を有している。
【００３４】
このようなウエハ１０をノッチ１５が下端となるように配置した場合において、そのウエハ１０の中心を原点としたＸ−Ｙ座標系を定義する。また、Ｘ−Ｙ座標系の原点Ｏ（ウエハ１０の中心）からの距離をＲ、Ｘ−Ｙ座標系の原点Ｏを中心として時計回りに回転したときのＸ軸とのなす角（回転角）をθとするＲ−θ座標系を定義する。このように定義したＸ−Ｙ座標系とＲ−θ座標系の関係は変化しないので、両座標系上の位置は互いに変換可能である。
【００３５】
ウエハ１０の表面（被検査面）に照明光を照射しながらウエハ１０を回転駆動しつつ直進駆動することにより、照明光をウエハ１０の表面に螺旋状に走査する。照明光の走査中、回転ステージ１２及び直進ステージ１３の位置情報（回転ステージ１２の向き、及び直進ステージ１３の可動方向における位置）は、ウエハ１０上の照明光の照射位置の座標情報として、ウエハ載置部１の動作を制御するメカ制御部４から全体制御部５に出力される。
【００３６】
全体制御部５は、ウエハ載置部１、照明光学系２、検出光学系３、及びメカ制御部４を含む表面検査装置全体の動作を制御するものであり、入力処理部６、情報表示部７、及び記憶部８を備えている。
【００３７】
入力処理部６は、例えば、キーボードやマウス、或いはタッチパネルなどであり、ウエハ１０の表面検査や表面検査装置の校正に用いる各種設定値、各種指令などの入力を行う。
【００３８】
情報表示部７は、例えば、ディスプレイなどであり、ウエハ１０の表面検査や表面検査装置の校正に用いる各種設定値の設定画面、表面検査や校正の結果（欠陥マップ、欠陥寸法別ヒストグラム）、ウエハのスロット番号、或いは、などを表示する。また、表面検査や校正の結果が異常と判定された場合は、異常が生じた旨の警告を表示する。
【００３９】
記憶部８は、例えば、ハードディスクやメモリなどであり、回転ステージ１２及び直進ステージ１３の位置情報、及びその位置情報と関連付けられた検出器３１〜３４からの検出信号、表面検査に用いる設定値、自動分析装置の校正に用いる検査レシピ（後述）、各種パラメータ、各種ソフトウェア等が記憶されている。
【００４０】
全体制御部５は、記憶部８に記憶されたにより入力された各種設定値やソフトウェア等に基づいて、表面検査装置の各構成装置を制御する。
【００４１】
（２）検出感度の校正
次に、本実施の形態の表面検査装置における検出感度の校正について説明する。
【００４２】
本実施の形態における検出感度の校正は、光学条件等を定めた検査レシピ（後述）に基づいて表面検査装置を設定し、標準粒径の異物サンプルを表面に施した標準異物ウエハ１１０（後述）に照明光を照射して異物サンプルからの散乱光を検出し、異物サンプルの粒径と各光電子増倍管３３１〜３３４の検出電圧値の関係が検量線に合うように各光電子増倍管３３１〜３３４の検出感度を補正する補正パラメータ（後述）を算出し、その補正パラメータを用いて各光電子増倍管３３１〜３３４の検出感度を補正する。
【００４３】
なお、本実施の形態では、複数の光学条件（複数の照明角度、照明偏光条件および、受光偏光条件を組合せた、照明条件、受光条件）のそれぞれについて補正パラメータを算出し、管理を行う。
【００４４】
（２−１）検査レシピ
検査レシピは、様々なプロセスを経て作成された光学条件や検査結果表示条件等の諸条件を一つの情報として管理するものである。検査レシピは、検査対象や検出したい情報等の種類毎に用意され、記憶部８に記憶されている。
【００４５】
（２−２）標準異物ウエハ１１０
図３は、本実施の形態に係る標準異物ウエハ１１０を示す図である。
【００４６】
図３において、標準異物ウエハ１１０は、その標準異物ウエハ１１０の方向を決める基準となるノッチ１１１を有しており、標準異物ウエハ１１０の中心としたＸ−Ｙ座標系、及びＲ−θ座標系（図示せず）がウエハ１０と同様に定義されている。標準異物ウエハ１１０の表面には、その中心から等距離で周方向に等間隔に配置された複数（例えば６つ）のＰＳＬ塗布領域１１２〜１１７が設けられている。つまり、標準異物ウエハ１１０上の予め定められた座標位置に各ＰＳＬ塗布領域１１２〜１１７は配置されている。
【００４７】
ＰＳＬ塗布領域１１２〜１１７は、ＰＳＬ（Poly Styrene Latex）粒子が塗布された領域である。ＰＳＬ粒子は、粒径制御された異物サンプルである。ＰＳＬ塗布領域１１２〜１１７には、それぞれ異なる粒径のＰＳＬ粒子が塗布されており、補正パラメータの算出に適した粒径のＰＳＬ粒子が塗布されたＰＳＬ塗布領域を照明光で走査し、散乱光を光電子増倍管３３１〜３３４により検出する。
【００４８】
ＰＳＬ塗布領域１１２〜１１７からの散乱光を検出する場合の検出電圧値は次のように求める。まず、ＰＳＬ塗布領域１１２〜１１７のそれぞれについて検出電圧値と検出頻度のヒストグラムを作成する。そのヒストグラムはガウス分布またはそれに近い分布を示す。ピーク値を対象となるＰＳＬ領域に塗布されたＰＳＬ粒子の大きさの異物に対する検出電圧値とする。
【００４９】
なお、本実施の形態においては、それぞれ異なるサイズのＰＳＬ粒子を塗布した複数のＰＳＬ塗布領域１１２〜１１７を設けた標準異物ウエハ１１０を用いたがこれに限られず、例えば、それぞれ異なるサイズのＰＳＬ粒子を塗布した複数の標準異物ウエハを用い、それら複数の標準異物ウエハのそれぞれにおける検出電圧値を求めても良い。
【００５０】
（２−３）補正パラメータＣｏｍｐ
補正パラメータは、各光電子増倍管３３１〜３３４の印加電圧として予め定められた初期値（例えば、仕様上の標準値、或いは、初回校正時の設定値）に対する補正値であり、初期値に対する比率で表される。
【００５１】
検出感度の調整は、予め定められた光学条件において、検量線と検出電圧値の差が無くなるように各光電子増倍管３３１〜３３４の印加電圧を調整することにより行う。印加電圧の調整に用いる補正パラメータＣｏｍｐは、上記式１を用いて求められる。すなわち、検量線の示す電圧値と検出電圧値の比率を上記式１のＲに代入し、変化後印加電圧を求め、初期値と変化後印加電圧との比率を補正パラメータＣｏｍｐとして算出する。
【００５２】
ここで、各光学条件をＣｎ（Ｃ１〜Ｃｎ：ｎは自然数）、各光電子増倍管をｎ（１〜ｎ：ｎは自然数）と定義し、それらに関係する補正パラメータをＣｏｍｐ（ｎ，Ｃｎ）と定義し、さらに、影響する要因によって、経時劣化パラメータＰ、光学的特性パラメータＯｐｔ、及びセンサ特性パラメータＬｒの３つの要素パラメータを定義すると、補正パラメータＣｏｍｐ（ｎ，Ｃｎ）は下記の式で表される。
【００５３】
Ｃｏｍｐ（ｎ，Ｃｎ）
＝Ｐ（ｎ）×Ｏｐｔ（ｎ，Ｃｎ）×Ｌｒ（ｎ）    ・・・式２
（２−３．１）経時劣化パラメータ：Ｐ
光電子増倍管３３１〜３３４のそれぞれの経時劣化の状態に関係する要素パラメータである。光電子増倍管３３１〜３３４は、使用開始時からの総受光量に応じて、検出電圧の低下が生じる。つまり、要素パラメータは、光電子増倍管の受光に伴う劣化を補正する項目であり、すべての光学条件に共通して影響するパラメータであり、したがって、校正処理時に用いる検査レシピの種類に関わらず、経時劣化パラメータによる検出感度の調整を行う。
【００５４】
（２−３．２）光学的特性パラメータ：Ｏｐｔ
光電子増倍管３３１〜３３４における光学的特性のバラツキ状態に関係する要素パラメータであり、光学条件（各光電子増倍管、照明偏光条件、受光変更条件など）毎に調整される。この要素パラメータは、経時劣化パラメータによる検出感度の調整だけでは調整できない、光学条件に依存するパラメータである。
【００５５】
（２−３．３）センサ特性パラメータ：Ｌｒ
光電子増倍管３３１〜３３４のそれぞれのセンサ特性、すなわち、入射光量に関する出力信号のリニアリティーのバラツキ状態に関係する要素パラメータである。この要素パラメータは、通常は装置の組み立て時、或いは、光電子増倍管３３１〜３３４を交換時の校正処理において算出され、記憶部８に記憶されているパラメータである。したがって、定期的な校正処理においては、個別に算出せず、記憶部８に記憶されているものを用いる。
【００５６】
（２−４）校正処理手順
図４は、本実施の形態に係る表面検査装置の校正処理を示すフローチャートである。
【００５７】
まず、記憶部８に記憶されている検査レシピの中から、校正処理に用いる１つ以上の検査レシピを設定し、校正処理を開始する。
【００５８】
全体制御部５は、まず、検査レシピに基づいて表面検査装置の各光学系を設定し（ステップＳ１０）、標準異物ウエハ１１０の表面を照射光により走査し、検出した散乱光のデータ（検出電圧値）と検出座標を関連付けて記憶部８に記憶する（ステップＳ２０）。
【００５９】
初めに選択した検査レシピの全てについて標準異物ウエハ１１０の走査を行い、検出電圧値を取得したかどうかを判定し（ステップＳ３０）、ＮＯであれば（すなわち、未実施の検査レシピがある場合）、ステップＳ１０，Ｓ２０を繰り返す。
【００６０】
ステップＳ３０での判定結果がＹＥＳである場合、補正パラメータＣｏｍｐ及び関連する経時劣化パラメータＰ、光学的特性補正パラメータＯｐｔを算出し、記憶部８に補正パラメータ候補、及び要素パラメータ候補として一時的に記憶する（ステップＳ４０）。
【００６１】
次いで、記憶部８に候補として記憶された経時劣化パラメータＰが予め定めた正常値範囲内（管理上限値Ｐ_ｍａｘと管理下限値Ｐ_ｍｉｎの間）かどうかと、光学系パラメータＯｐｔ予め定めた正常値範囲内（管理上限値Ｏｐｔ_ｍａｘと管理下限値Ｏｐｔ_ｍｉｎの間）かどうかを判定し（ステップＳ５０，Ｓ６０）、両方の判定結果がＹＥＳであれば、補正パラメータの演算結果確認画面（後の図５〜図７参照）においてオペレータが測定結果を確認する（ステップＳ７０）。ステップＳ７０での確認において、オペレータによる確認がＯＫであれば構成処理を終了し（正常終了）、ＮＧであれば校正が異常であるとして処理を終了する（異常終了）。一方、ステップＳ５０での判定結果がＮＯである場合、経時劣化パラメータＰの異常を情報表示部７に表示して校正処理を終了する（ステップＳ５５）。また、ステップＳ６０での判定結果がＮＯである場合、光学系パラメータの異常を情報表示部７に表示して校正を終了する（ステップＳ６５）。
【００６２】
（２−５）補正パラメータ演算結果
校正処理における補正パラメータ演算結果は表面検査装置の情報表示部７に補正パラメータ演算結果確認画面として表示される。校正処理における補正パラメータの演算結果確認（図４のステップＳ７０）では、この補正パラメータ演算結果確認画面を参照して演算結果の確認を行う。補正パラメータ演算結果確認画面は以下に示す３つの確認画面を備えている。
【００６３】
（２−５．１）補正パラメータ演算結果確認画面１７１（メイン画面）
図５は校正処理における補正パラメータ演算結果確認画面を示す図である。
【００６４】
図５において、補正パラメータ演算結果表示画面１７１は、検査レシピを一覧表示する検査レシピ表示部１７２と、補正パラメータの演算結果を表示する結果表示部１７３と、後述するサマリ確認画面２７１、又は来歴確認画面３７１を表示するためのボタン１７４，１７５と、演算された補正パラメータの候補を表面検査装置の補正値として反映するための更新ボタン１７６と、その補正値を反映せずに校正処理を終了するためのキャンセルボタン１７７とを有している。
【００６５】
検査レシピ表示部１７２で例えば検査レシピ１７８を選択すると、表示部１７９，１８０に検査レシピ名および検査実行時間が表示され、結果表示部１７３には検査レシピ１７８に関する補正パラメータの演算結果が表示される。本例では、検査レシピとして経時劣化に関する補正パラメータ、つまり、光学的特性パラメータに依存せず、センサ特性パラメータが固定である補正パラメータを算出するための検査レシピを用いた場合を例に取り説明する。
【００６６】
結果表示部１７３には、表面検査装置における各検出器（図５では一例として１０個の検出器の場合を示す）の寸法、検出値の基準値、校正処理における検出値、補正パラメータの更新値（更新候補）、及び補正パラメータの前回値が表示される。
【００６７】
検出器の寸法は、各検出器の光電子増倍管の直径であり、図５の例では検出器Ｌ１〜Ｌ６が直径５０ｎｍ、検出器Ｈ１〜Ｈ４が直径６０ｎｍの光電子増倍管を用いることを示している。
【００６８】
基準値は、選択された検査レシピにおいて標準値（例えば仕様値）とされる検出電圧値、及びその上下のずれ量の許容値（マージン）で表される。
【００６９】
検出値は、校正処理における検出電圧値、及び検出電圧値と基準値との差分で表される。つまり、点線で示す領域１８１に表示された数値が検査レシピ１７２の条件における各光電子増倍管の検出電圧値である。差分の表示においては、その基準値に対する差分の割合に応じて、各差分の表示部を色分けして表示する。例えば、検出器Ｌ１，Ｌ３のように、差分がマージンの範囲内でありマージンの予め定めた割合を超えた場合（例えば、差分が１５以上の場合）は、点線で示す領域１８３，１８４を黄色など注意を促す色で表示する。また、検出器Ｌ４のように、差分がマージンを超えた場合は、実線で示す領域１８５を赤色など警告を示す色で表示する。なお、注意や警告を表示する方法は上記に限られず、反転表示や点滅表示等、オペレータに注意、警告を促す表示であれば足りる。なお、検出値の表示部に、例えば、校正処理における検出電圧値、及び検出電圧値と基準値との比率で表し、その比率に対してマージンを設定しても良い。
【００７０】
更新値は、校正処理において算出された補正値パラメータの候補値が表示される。画面上の更新ボタン１７６が押されることにより、更新値として点線で示す領域１８２に表示された数値が補正値として反映される。なお、図５では一例として経時劣化の要素パラメータの更新値を示す。
【００７１】
前回値は、前回の校正結果（前回の更新値反映後）の補正パラメータを示しており、経時劣化パラメータ、光学的特性パラメータ、センサ特性パラメータのそれぞれが表示される。
【００７２】
補正パラメータ演算結果表示画面１７１において、ボタン１７４が押される（選択される）と、サマリ確認画面２７１（後の図６参照）に切り換わり、ボタン１７５が押されると、来歴確認画面３７１（後の図７参照）に切り換わる。
【００７３】
（２−５．２）サマリ確認画面２７１
図６は、校正処理におけるサマリ確認画面２７１を示す図である。
【００７４】
図６において、サマリ確認画面２７１は、各検査レシピにおける検出電圧値の基準値との差分を一覧表示する差分一覧表示部２７２と、補正パラメータ演算結果表意画面１７１に戻るためのボタン２７３とを有している。
【００７５】
一覧表示部は２７２には、表面検査装置における各検出器（図６では一例として８個の検出器の場合を示す）の検出値（電圧値）の基準値との差分が、光学条件毎（検査レシピ毎）に表示される。光学条件としては、検査レシピ番号（条件Ｎｏ．）の他に、それぞれの検査レシピにおける照明角度、偏光条件等が表示される。差分の表示においては、その基準値に対する差分の割合に応じて、各差分の表示部を色分けして表示する。例えば、検出器Ｌ１，Ｌ３，Ｈ１のように、差分がマージンの範囲内でありマージンの予め定めた割合を超えた場合（例えば、差分が１５以上の場合）は、点線で示す領域２７５〜２７８，２８０を黄色など注意を促す色で表示する。また、検出器Ｌ４のように、差分がマージンを超えた場合は、点線で示す領域２７４、実線で表す領域２７９を赤色など警告を示す色で表示する。
【００７６】
一覧表示部２７２において、例えば、検出器Ｌ４のように、光学条件（検査レシピ）によらず検出値の差分がマージンを超えている場合、その検出器Ｌ４の光電子増倍管が劣化し、交換必要であることがわかる。また、光学条件５に示すように、特定の光学条件において、検出器によらず検出値の差分がマージンを越えた場合は、その光学条件における感度変動が起こっていることがわかる。
【００７７】
なお、一覧表示部２７２において、例えば、検出値電圧値と基準値の比率を表示しても良い。
【００７８】
（２−５．３）来歴確認画面３７１
図７は、校正処理における来歴確認画面３７１を示す図である。
【００７９】
図７において、来歴表示画面３７１は、検査レシピを一覧表示する検査レシピ表示部３７２と、補正パラメータの各要素パラメータを時系列的に表示するグラフ表示部３７３と、補正パラメータ演算結果表意画面１７１に戻るためのボタン３７４とを有している。
【００８０】
検査レシピ表示部２３２で例えば検査レシピ３７５を選択すると、表示部３７６〜３７８に検査レシピ名、検査実行時間、及び要素パラメータ名が表示され、グラフ表示部３７３には検査レシピ３７２に関する補正パラメータの要素パラメータの演算結果が表示される。本例では、経時劣化パラメータＰについて表示した場合を例に取り説明する。
【００８１】
グラフ表示部３７３には、表面検査装置における各検出器（図７では一例として８個の検出器の場合を示す）の経時劣化パラメータを、過去複数回（例えば１０回）の校正処理について時系列的にグラフとして表示する。また、経時劣化パラメータの管理上限値Ｐ_ｍａｘ及び管理下限値Ｐ_ｍｉｎ（つまり、許容値の上限値及び下限値）をそれぞれ点線３７９，３８０で示す。この経時変化パラメータＰについては、例えば、初期調整時は１．０に設定し、校正処理を行う毎に更新を行う。
【００８２】
グラフ表示部３７３において、各検出器における経時劣化パラメータの左側の値（より古い値）は、初期値である１．０に近い値を示しているが、時間が経過するのに伴って、すなわち、検出器の光電子増倍管の総受光量が増加するのに伴って数値が増加しているのがわかる。例えば、検出器Ｌ４のように、経時劣化パラメータ許容値を超えている場合、その検出器Ｌ４の光電子増倍管が劣化し、交換必要であることがわかる。
【００８３】
なお、光学的特性パラメータについて時系列的に表示した場合、光学系が正常である場合は、一定の範囲内で緩やかな変動を示すが、異常等が生じた場合は、その一定範囲を超えた変動を示すので、異常の発生及びその時期を確認することができる。
【００８４】
（３）本発明の実施の形態の効果
以上のように構成した本実施の形態においては、検出器における光電子増倍管の印加電圧を補正する補正パラメータを、検出感度に影響する複数の要因のそれぞれに対応する要素パラメータに分離して管理するよう構成したので、オペレータが表面検査装置を構成する各部材の劣化状態や温度ドリフト状態など、種々の条件を総合的に加味して検出感度の調整の妥当性を検証することが容易となり、したがって、表面検査装置における検出感度の校正を容易に行うことができる。
【００８５】
また、これにより、校正作業の熟練度の低いオペレータにおいても、熟練度の高いオペレータと同様に校正作業を行うことができるので、校正作業を行うオペレータに要求される熟練度を抑制することができ、校正作業、及び、それを含む表面検査全体の効率を向上することができる。
【００８６】
（４）その他
以上に本発明の実施の形態を説明したが、この実施の形態は本発明の精神の範囲内で種々の変更が可能である。
【００８７】
本実施の形態においては、標準粒径の異物サンプルを表面に施した標準異物ウエハ１１０を用いて補正パラメータＣｏｍｐを算出するよう構成したがこれに限られず、予め定められた輝度の光を発生させる標準光源を用い、その標準光源からの光を検出器３１〜３４で検出し、標準光源からの光の輝度と各光電子増倍管３３１〜３３４の検出電圧値の関係が検量線に合うように各光電子増倍管３３１〜３３４の検出感度を補正する補正パラメータＣｏｍｐを算出しても良い。
【００８８】
また、ウエハ１０の表面（被検査面）に照明光を照射しながら、ウエハ１０を回転ステージ１２により回転駆動しつつ直進ステージ１３により直線駆動することにより、照明光をウエハ１０の表面に螺旋状に走査するよう校正したが、Ｘ軸方向及びＹ軸方向走査する構成であっても良い。
【００８９】
さらに、照射光学系２によってウエハ１０に照射される照明光のウエハ表面上における形状は線状であっても良い。
【００９０】
また、検出光学系３は、ミラー、レンズ等を用いた結像系であっても良いし、散乱光における特定の回折光を除去する空間フィルタを備えていても良いし、楕円球を用いて散乱光を集光する構成としても良い。
【００９１】
また、検出器として光電子増倍管を用いて散乱光を検出する構成としたが、時間遅延積分型センサやＣＣＤセンサを用いて散乱光を検出する構成としても良い。
【符号の説明】
【００９２】
１  ウエハ載置部
２  照明光学系
３  検出光学系
４  メカ制御部
５  全体制御部
６  入力処理部
７  情報表示部
８  記憶部
１０  ウエハ
１１  ウエハチャック
１２  回転ステージ
１３  直進ステージ
１４  ベース
１５  ノッチ
２０  レーザ光源
２１  照明光偏光フィルタ
２２，２３  反射ミラー
２４  照明角度切換ミラー
３１〜３４  検出器
４１  ロードポート
４２  搬送アーム
１１０  標準異物ウエハ
１１１  ノッチ
１１３〜１１７  ＰＳＬ塗布領域
３１１〜３１４  集光レンズ
３２１〜３２４  検出光偏光フィルタ
３３１〜３３４  光電子増倍管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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