(57)【要約】 【課題】従来のＮＦ3の電解合成では、電極表面や電極近傍での直接電解によりＮＦ3が合成されるが、アンモニウムイオンの拡散速度を越えて電流を流すと、過剰のＦラジカルとアンモニウムイオンとの反応は電極表面で進行できなくなり、電流効率は低下する。【解決手段】本発明では、溶融塩電解でフッ化アンモニウムからＮＦ3を合成する際に、該フッ化アンモニウムの成分であるフッ化物イオンの放電で生成するフッ素ラジカル（Ｆ・）と反応して高次金属フッ化物を合成できる金属イオンを溶解させる。これにより、溶解させた金属イオンが過剰のＦラジカルと反応して高次の金属フッ化物となる。従って電極表面や電極近傍での直接電解に必要な量を超える電流を流しても、電流が無駄なく使用され、目的のＮＦ3を高電流効率で合成できる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素質電極を陽極として用い、フッ化アンモニウムを含む混合溶融塩中で、該フッ化アンモニウムから三フッ化窒素ガスを電解合成する方法において、前記溶融塩に前記フッ化アンモニウムの成分であるフッ化物イオンの放電で生成するフッ素ラジカル（Ｆ・）と反応して高次金属フッ化物を電解合成できる金属イオンを溶解して、該金属イオンを前記フッ化アンモニウムの成分であるフッ化物イオンの放電で生成するフッ素ラジカル（Ｆ・）と反応させて前記高次金属フッ化物を生成させ、該高次金属フッ化物とアンモニウムイオンを電極表面および溶液中で反応させ、三フッ化窒素ガスを合成することを特徴とする三フッ化窒素の電解合成方法。
【請求項２】
炭素質電極が、非晶質カーボン電極、グラファイト電極、金属フッ化物含有炭素電極及び導電性ダイヤモンド電極から選択されるある請求項1記載の三フッ化窒素の電解合成方法。
【請求項３】
炭素質電極の基材がグラファイト又は非晶質カーボンである請求項1の記載の三フッ化窒素の電解合成造方法。
【請求項４】
混合溶融塩が、ＮＨ4Ｆ−ＫＦ−ＨＦ又はＮＨ4Ｆ−ＨＦから成る請求項1記載の三フッ化窒素の電解合成方法。
【請求項５】
金属イオンが、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｌｉ及びＣｓから選ばれる1以上の金属のイオンであり、電解液中での金属イオン濃度が０．０１Ｍ以上、飽和以下である請求項１記載の三フッ化窒素の電解合成方法。
【請求項６】
陽極の電流密度が、０．０１〜１０Ａ／ｃｍ2である請求項１記載の三フッ化窒素の電解合成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフッ化アンモニウムを含む混合溶融塩を用いる三フッ化窒素ガスの電解合成方法に関し、高電流密度で操業しても、陽極効果の発生が抑制され、電極消耗によるスラッジの発生が回避され、更に高効率にて三フッ化窒素ガス合成を継続できる電解合成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
三フッ化窒素（ＮＦ3)は、１９２８年にＲｕｆｆらにより溶融塩電解を用いて初めて合成された窒素のフッ化物で、米国のＮＡＳＡにより計画、実行された惑星探査ロケットの燃料酸化剤として大量に消費され、多大な関心が寄せられるようになった。現在は、半導体製造工程でのドライエッチング用ガスおよび半導体や液晶ディスプレー製造工程でのＣＶＤチャンバーのクリーニングガスとして大量に使用されている。近年、ＣＶＤチャンバーのクリーニングガスとして使用されている四フッ化炭素（ＣＦ4)、六フッ化二炭素（Ｃ2Ｆ6）などのＰＦＣ(Perfluorinated Compound)が地球温暖化現象に大きく作用していることが判明し、京都議定書などにより国際的にその使用が制限または禁止されようとしているが、ＮＦ3はそれらの制限又は禁止薬剤には含まれておらず、しかもエッチング速度が大きいうえに、除害装置により分解できるので、ＮＦ3はさらに大量に使用されるようになってきている。
【０００３】
フッ化物イオンを含む混合溶融塩浴で炭素質電極を用いる場合、電極表面上で、式（１）で示したフッ化物イオンの放電によるフッ素発生反応あるいは電解フッ素化反応が起きると同時に、式（２）に示したような共有結合性のＣ−Ｆ結合をもったフッ化グラファイト（ＣＦ）nが生成し、電極表面を被覆する。この（ＣＦ）nは表面エネルギーが極端に低いために電解浴との濡れ性が悪い。（ＣＦ）nはジュール熱によって式（３）に示したように四フッ化炭素（ＣＦ4）や六フッ化二炭素（Ｃ2Ｆ6）などに熱分解するが、式（２）の速度が式（３）よりも大きくなると、炭素電極表面が（ＣＦ）nによって被覆されて電極と電解液の接触する面積が減少し、ついには電流が流れなくなり、所謂、陽極効果が発生する。
【０００４】
HF2- → 1/2F2 + HF + e-                               （１）
ｎC + nHF2- → (CF)n + nHF + ne-                      （２）
(CF)n・→・ｘC + ｙCF4, ｚC2F6, etc                      （３）
【０００５】
ＮＦ3の製造には化学法と溶融塩電解法がある。化学法ではＫＦ−ＨＦ系溶融塩を電気分解することによってＦ2を得、これと溶融酸性フッ化アンモニウム中でアンモニアと反応させたり、金属フッ化物アンモニウム錯体と反応させることによってＮＦ3を得ている。溶融塩電解法ではフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）−ＫＦ−ＨＦ系溶融塩、あるいは、ＮＨ4Ｆ−ＨＦ系溶融塩を電解することによって直接ＮＦ3を得ている。電解浴としてＮＨ4Ｆ−ＫＦ−ＨＦ系溶融塩を用いる場合には炭素質電極を陽極として用いる。この方法では、前記のＫＦ−ＨＦ系溶融塩を電解してＦ2を得る場合と同様に、陽極効果の発生を防止するために煩雑な電解浴中の水濃度管理が必要であり、臨界電流密度以下で操業する必要がある。さらに、式（３）によって生成したＣＦ4、Ｃ2Ｆ6が目的とするＮＦ3ガスの純度を低下させるという問題がある。ＣＦ4とＮＦ3の沸点が極めて近い（沸点差はわずか１℃）ために蒸留分離が困難で、高純度ＮＦ3を得るためにはコストの嵩む精製方法を採用せざるを得ないという問題がある。
【０００６】
ＮＨ4Ｆ−ＨＦ系溶融塩を電解浴に用いる場合には、通常陽極としてニッケルを用いる。この方法ではＣＦ4に汚染されていないＮＦ3を合成できるという利点がある。しかし、ニッケルは電解中に溶解しニッケルフッ化物スラッジとして電解セル底部に蓄積するため、定期的な電解浴交換や定期的な電極交換が不可欠であり、継続的なＮＦ3の製造を困難にしている。また、ニッケルの溶解量は通電量の３〜５％に達し、電流密度を増加させるとニッケルの溶解が著しく増加するために高電流密度での電解が困難である。
最近になって、陽極効果を発生しない炭素質電極として、また、ニッケルに代わるＮＦ3の製造用電極としてダイヤモンド電極が注目されている（非特許文献１及び非特許文献２）。
【０００７】
導電性ダイヤモンド電極は熱的、化学的に安定な電極材料であり、導電性ダイヤモンド電極を利用した種々の電解プロセスが提案されている。特許文献1は、導電性ダイヤモンドを電極触媒とした導電性ダイヤモンド電極を用いて廃液中の有機物を酸化分解する処理方法を提案している。特許文献２は導電性ダイヤモンド電極を陽極と陰極に使用し、有機物を電気化学的に処理する方法を提案している。特許文献３では導電性ダイヤモンド電極を陽極として使用するオゾン合成方法が、特許文献４では導電性ダイヤモンド電極を陽極に使用したペルオキソ硫酸合成が提案されている。また、特許文献５では導電性ダイヤモンド電極を陽極にもちいた微生物の殺菌方法が提案されている。
【０００８】
特許文献６では、導電性ダイヤモンドがフッ化水素を含有する溶融塩電解に適用できることが開示されている。導電性ダイヤモンドを陽極に用いてＮＨ4Ｆ−ＨＦ系の溶融塩の電解を行った場合、電解液と電極の濡れ性が低下することはなく陽極効果が発生しないこと、電極消耗によるスラッジの発生が抑制され、また、ＣＦ4の発生が極めて少ないことを見出した。これらの原因は明らかではないが、導電性ダイヤモンド電極では、電解によってダイヤモンド層の最表面がフッ素終端されるだけで、化学的に安定なダイヤモンド構造は変化しないため、Ｃ−Ｆ共有結合性化合物の生成が進行せず、陽極効果、ＣＦ4発生、及び電極消耗が抑制されると推察される。また、ダイヤモンド構造が安定なために高電流密度で通電してもこの構造が維持されると推察される。
【０００９】
特許文献７では、ガス流通下で高次金属フッ化物を加熱するフッ素ガスの製造方法が開示されているが、溶融塩電解においてＮＦ3を電解合成する方法における高次金属フッ化物の利用については開示されていない。
【非特許文献１】Electrochemistry 75, 934 (2007)
【非特許文献２】Journal of Fluorine Chemistry 296, 128 (2007)
【特許文献１】特開平７−２９９４６７号公報
【特許文献２】特開２０００−２２６６８２号公報
【特許文献３】特開平１１−２６９６８５号公報
【特許文献４】特開２００１−１９２８７４号公報
【特許文献５】特開２００４−１９５３４６号公報
【特許文献６】特開２００６−２４９５５７号公報
【特許文献７】特開２００７−１７６７６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、これらの炭素質電極はニッケル電極に比べてＮＦ3生成の電流効率が低く、また、ダイヤモンド電極を用いた場合、電流密度を高くするとさらに電流効率が低下してしまい、実用的でなかった。従って、スラッジを発生しないという利点を有する炭素質電極を工業的に利用するためには改善が必要となっていた。
【００１１】
本発明は、炭素質電極を使用しても、また、ダイヤモンド電極を高電流密度で操業しても陽極効果の発生や、ＣＦ4の発生、及びスラッジの発生が少なく、ＮＦ3を安定的に合成できる電解方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、炭素質電極を陽極として用い、フッ化アンモニウムを含む混合溶融塩中で、該フッ化アンモニウムから三フッ化窒素ガスを電解合成する方法において、前記溶融塩に前記フッ化アンモニウムの成分であるフッ化物イオンの放電で生成するフッ素ラジカル（Ｆ・）と反応して高次金属フッ化物を電解合成できる金属イオンを溶解して、該金属イオンを前記フッ化アンモニウムの成分であるフッ化物イオンの放電で生成するフッ素ラジカル（Ｆ・）と反応させて前記高次金属フッ化物を生成させ、該高次金属フッ化物とアンモニウムイオンを電極表面および溶液中で反応させ、三フッ化窒素ガスを合成することを特徴とする三フッ化窒素の電解合成方法である。本発明方法では、アンモニウムイオンを電極表面及び電極近傍は勿論、前記高次金属フッ化物と溶液中でも反応させ、三フッ化窒素ガスを合成できる。
【００１３】
炭素質電極は、非晶質カーボン電極、グラファイト電極、金属フッ化物含有炭素電極、導電性ダイヤモンド電極のいずれかであることが好ましく、導電性ダイヤモンドで被覆されている電極の場合、電極基材はグラファイト、非晶質カーボンであることが好ましい。混合溶融塩は、ＮＨ4Ｆ―ＫＦ―ＨＦまたはＮＨ4Ｆ−ＨＦからなり、金属イオンは、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｌｉ及びＣｓから選ばれる1種以上の金属のイオンであり、対になる陰イオンはフッ化物イオンであることが好ましい。酸化物や、他のハロゲン化物でもよいが、電解浴に添加すれば、陰イオンの交換が起こり、フッ化物になる。
陽極の電流密度は０．０１〜１０Ａ／ｃｍ2であることが、又電解液中での金属イオン濃度は０．０１Ｍ以上から飽和状態までであることが望ましい。実際の操業では、飽和濃度以上の金属イオンを添加し、過飽和に相当する金属イオンが、電解系に存在させるようにすることもできるが、この場合、過剰分はスラッジや塩とし沈殿し、溶液部分は飽和濃度となっている。従って本発明における飽和とは、過飽和に相当する金属イオンを添加する態様を含む。
【００１４】
以下本発明を詳細に説明する。
ＮＦ3の電解合成において、目的とする陽極反応は、
NH4+ + 7F- →  NF3 + 4HF + 6e-                    （４）
で示される。
【００１５】
この目的反応以外に、
NH4+ + 8F- →  N2 + 8HF + 6e-                      （５）
2NH3 →  N2 + 6H+ + 6e-                            （６）
などの副反応によってＮ2が生成し、この他にも、Ｎ2Ｆ2、Ｎ2Ｆ4、Ｏ2、Ｎ2Ｏなどが生成する。
【００１６】
参考として、ニッケル陽極では、
Ni→Ni2 + + 2e-                                    （７）
で示されるニッケルの溶解反応も進行し、ニッケルフッ化物のスラッジが発生する。
【００１７】
反応機構の詳細は非特許文献１、２に記載されているが、
（HF）nF- → nHF + F・+ e-                      （８）
のように、フッ化物イオンの放電により生じるＦラジカル（Ｆ・）が、ＮＦ3の電解合成のフッ素化剤である。陽極に炭素質電極を用いたＮＦ3の電解合成では、原料であるアンモニウムイオンの電極への拡散により前記電解合成反応の速度が支配される。アンモニウムイオンの拡散速度を越えて電流を流すと、過剰のＦラジカルとアンモニウムイオンとの反応は電極表面で進行できなくなり、電流効率は低下する。なお、過剰のフッ素ラジカルは、フッ素分子となって溶液中へ逸散し、それは溶液中でアンモニアイオンと反応するが、ほとんど窒素が生成するので、電流効率が低下する。
【００１８】
一方、本発明のように、適切な金属イオンを溶解させると、アンモニウムイオンの拡散速度を越えて流した電流は、過剰のＦラジカルを生成させるが、このＦラジカルは溶解させた金属イオンと反応して高次の金属フッ化物となり、それは電極近傍で不均一化反応により高次の金属フッ化物イオンとなって溶液中へと溶解する。この高次金属フッ化物イオンが十分に存在していると、溶液中のアンモニウムイオンとの反応がすばやく進行して、溶液中においても目的のＮＦ3を生成する。例えばＮｉイオンの場合、
NH4+ + 2NiF62- ＋F-→ NF3 + 2NiF3- + 4HF            （９）
のように反応し、結果として、全体の電流効率（電極近傍でのフッ素化と陽極液中でのフッ素化の和）が増大できるものと推察される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、溶融塩電解でフッ化アンモニウムから三フッ化窒素（ＮＦ3）を合成する際に、該フッ化アンモニウムの成分であるフッ化物イオンの放電で生成するフッ素ラジカル（Ｆ・）と反応して高次金属フッ化物を電解合成できる金属イオンを溶解させる。これらの金属イオンを溶解させていない従来のＮＦ3の電解合成では、電極表面や電極近傍での直接電解によりＮＦ3が合成されるが、アンモニウムイオンの拡散速度を越えて電流を流すと、過剰のＦラジカルとアンモニウムイオンとの反応は電極表面で進行できなくなり、電流効率は低下する。
【００２０】
これに対し、本発明では、溶解させた金属イオンが過剰のＦラジカルと反応して高次の金属フッ化物となり、それは電極近傍で不均一化反応により高次の金属フッ化物イオンに変換される。従って電極表面や電極近傍での直接電解に必要な量を超える電流を流しても、電流が無駄なく使用され、目的のＮＦ3を高電流効率で合成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の提案するＮＦ3合成方法の詳細を説明する。
本発明で使用される陽極は、スラッジ生成の小さい炭素質電極とし、非晶質カーボン電極、グラファイト電極、金属フッ化物含有炭素電極が利用可能であるが、特にダイヤモンド電極がその化学的安定性からその使用が望ましい。金属フッ化物含有炭素電極の金属フッ化物としては、ＬｉＦ、ＬｉＦ−ＣａＦ2、ＭｇＦ2、ＣａＦ2などが知られている。
【００２２】
導電性ダイヤモンド電極は、電極基体上に導電性ダイヤモンドを担持して製造される。該電極基体の材質及び形状は材質が導電性であれば特に限定されず、シリコン、炭化珪素、グラファイト、非晶質カーボンなどの非金属材料と、チタン、ニオブ、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、タングステン、ニッケルなどの金属材料が使用できるが、フッ化水素を含有する電解浴中での化学的安定性の観点から、グラファイトまたは非晶質カーボンなどの炭素質材料であることが好ましい。電極の形状としては、板状、メッシュ状、棒状、パイプ状、ビーズなどの球状、或いは、多孔性板状などが使用できる。
【００２３】
前記電極基材へのダイヤモンドの担持法も特に限定されず、任意のものを使用できる。代表的なダイヤモンド製造法をしては熱フィラメントＣＶＤ(化学蒸着)法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、プラズマアークジェット法及び物理蒸着（ＰＶＤ）法などがある。いずれの方法も、ダイヤモンド原料として水素ガス及び炭素源の混合ガスが用いるが、ダイヤモンドに導電性を付与するために、原子価の異なる元素(以下、ドーパント)を微量添加する。ドーパントとしては、硼素、リンや窒素が好ましく、好ましい含有量は１〜１００，０００ｐｐｍ、更に好ましくは１００〜１０，０００ｐｐｍである。いずれのダイヤモンド製造法を用いた場合であっても、合成した導電性ダイヤモンド層中に無定形炭素やグラファイト成分が残存する。ダイヤモンド層の安定性の観点から無定形炭素やグラファイト成分は少ない方が好ましく、ラマン分光分析において、ダイヤモンドに帰属する１３３２ｃｍ-1のピーク強度と、グラファイトのＧ−バンドに帰属する１５６０ｃｍ-1のピーク強度の比が、１対０．３から１対０．８の間にある導電性ダイヤモンドの使用が特に好ましい。
【００２４】
代表的な導電性ダイヤモンド電極合成方法として熱フィラメントＣＶＤ法について説明する。炭素源となるメタン、アルコール、アセトンなどの有機化合物とドーパントを水素ガスなどと共にフィラメントに供給する。フィラメントを水素ラジカルなどが発生する温度１８００〜２８００℃に加熱し、この雰囲気内にダイヤモンドが析出する温度領域（７５０〜９５０℃）になるように導電性基材を配置する。混合ガスの供給速度は反応容器のサイズに依るが、圧力が１５〜７６０Ｔｏｒｒであることが好ましい。
【００２５】
前記導電性基材表面を研磨することは、基材とダイヤモンド層の密着性が向上するため好ましく、平均表面粗さ（Ｒａ）は０．１〜１５μｍ、１０点表面粗さ（Ｒｚ）は１〜１００μｍが好ましい。また、基材表面にダイヤモンド粉末を核付けすることは、均一なダイヤモンド層成長に効果がある。基材上には通常０．００１〜２μｍの粒径のダイヤモンド微粒子層が析出する。該ダイヤモンド層の厚さは蒸着時間により調節することができるが、経済性の観点から１〜１０μｍとするのが好ましい。
【００２６】
非晶質カーボン電極、金属フッ化物含有炭素電極、グラファイト電極のほか、前記導電性ダイヤモンド被覆電極などを陽極に使用し、陰極にニッケル、ステンレスなどを用いて、ＮＨ4Ｆ−ＨＦ系溶融塩、またはＮＨ4Ｆ−ＫＦ−ＨＦ系溶融塩中で電流密度０．０１〜１０Ａ／ｃｍ2で電気分解を行なうことによって陽極からＮＦ3を得ることができる。
【００２７】
金属イオンの溶解は、フッ化物などの金属塩（たとえばニッケルであれば、ＮｉＦ2、ＮＨ4ＮｉＦ3などが好ましい）を添加して溶解する他、一定量の金属を電解液に浸漬し、溶解または陽極溶解させることもできる。溶解濃度は、０．０１Ｍから飽和の範囲に制御することが好ましい。金属としては高次の金属フッ化物イオンを形成するものであれば利用でき、Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｏなどが好ましい。これらの金属は、６個のフッ化物イオンが配位した高次の金属フッ化物イオン（錯イオン）を形成すると推定される。
【００２８】
また、本発明において、添加する金属やそのイオンとして、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｌｉ及びＣｓのいずれか２種以上を同時に使用すると、前述の高次酸化状態の金属イオンばかりでなく、例えば、ＬｉとＮｉであればＬｉ2ＮｉＦ6、ＣｓとＮｉであればＣｓＮｉ2Ｆ6のような高次酸化状態の錯塩が、炭素質電極表面上に析出する。析出した高次酸化状態の錯塩は、目的であるアンモニウムイオンのフッ素化反応を促進し、さらにＮＦ3生成の電流効率を高めると推察される。
【００２９】
電解セルの材質は、高温のフッ化水素に対する耐食性の点から、軟鋼、ニッケル合金、及びフッ素系樹脂などを使用することができる。陽極で合成されたＮＦ3と、陰極で発生する水素ガスの混合を防止するため、陽極側と陰極側が、隔壁、隔膜などによって全部、或いは一部が区画されることが好ましい。
【００３０】
電解浴であるＮＨ4Ｆ−ＨＦ系溶融塩は一水素二フッ化アンモニウム（酸性フッ化アンモニウム）または／およびフッ化アンモニウムに無水フッ化水素ガスを吹き込むことなどによって、ＮＨ4Ｆ−ＫＦ−ＨＦ系溶融塩は酸性フッ化カリウムと酸性フッ化アンモニウムの混合塩に無水フッ化水素ガスを吹き込むことなどによって調製される。
【００３１】
調製直後の電解浴中には数百ｐｐｍ程度の水が混入するため、従来の炭素電極を陽極に使用した電解槽では陽極効果を抑制する目的で、０．０１Ａ／ｃｍ2以下の低電流密度での脱水電解などによって水分除去を行なう必要があったが、導電性ダイヤモンド電極を使用した電解槽では脱水電解などの特別な操作は不要で、ＮＦ3を電解合成することができる。
【００３２】
陽極で発生したＮＦ3に同伴する微量のＨＦは、顆粒状のフッ化ナトリウムを充填したカラムを通すことで除去できる。また、ＮＦ3合成の際に少量の窒素や微量の酸素、及び一酸化二窒素（亜酸化窒素）が副生するが、このうち一酸化二窒素（亜酸化窒素）は水とチオ硫酸ナトリウム、あるいはゼオライトを通過させることで除去し、酸素は活性炭により除去することができる。この様な方法でＮＦ3に同伴する微量ガスを除去することによって高純度のＮＦ3の合成が可能となる。
【００３３】
電解中に電極消耗、及びスラッジの発生がほとんど進行しないため、電極更新、及び電解浴更新による電解停止の頻度が低減する。電解によって消費されるＨＦとＮＨ4Ｆ（またはＮＨ3）の補給のみ行なえば、長期に渡る安定したＮＦ3合成が可能である。
【００３４】
次に本発明に係る三フッ化窒素の電解合成の実施例及び比較例を記載するが、これらは本発明を限定するものではない。
【００３５】
［実施例１］
導電性基材としてグラファイト板を使用して、熱フィラメントＣＶＤ装置を用いて、以下の条件で導電性ダイヤモンド電極を作成した。
【００３６】
粒径１μｍのダイヤモンド粒子からなる研磨剤を用いて、基材表面を研磨した。基材表面の平均表面粗さ（Ｒａ）は０．２μｍ、１０点表面粗さ（Ｒｚ）は６μｍであった。次いで、粒径４ｎｍのダイヤモンド粒子を基材表面に核付けした後、熱フィラメントＣＶＤ装置に装着した。水素ガス中に１vol％のメタンガスと０．５ｐｐｍのトリメチルボロンガスを添加した混合ガスを、５リットル／分の速度で装置内に流しながら、装置内圧力を７５Ｔｏｒｒに保持し、フィラメントに電力を印加して温度２４００℃に昇温した。このとき基材温度は８６０℃であった。８時間ＣＶＤ操作を継続し、ＣＶＤ操作終了後に基材を分析した。ラマン分光分析及びＸ線回折分析によりダイヤモンドが析出していることが確認され、ラマン分光分析における１３３２ｃｍ-1のピーク強度と１５６０ｃｍ-1のピーク強度の比は、１対０．４であった。また、基材の一部を破壊してＳＥＭ観察したところ、厚さは４μｍであった。
【００３７】
作製した導電性ダイヤモンド電極を、建浴直後のＮＨ4Ｆ−１．７ＨＦ溶融塩中に陽極として取り付け、陰極にニッケル板を使用し、セル内には、Ｎｉイオンが飽和濃度で溶解するようにＮｉＦ2を添加した後、電流密度０．１３Ａ／ｃｍ2で定電流電解を実施した。電解２４時間後の陽極発生ガスを分析したところ、ＮＦ3生成の電流効率は５０%であった。スラッジの発生がほとんどなかった。
【００３８】
［比較例１］
Ｎｉイオンを溶解せずに実施例1と同一の条件で電解を実施したところ、電解２４時間後の陽極発生ガスの分析から、ＮＦ3生成の電流効率は３６％であった。
【００３９】
［比較例２］
陽極にＮｉ板を用いたこと以外は実施例1と同一の条件で電解を実施したところ、電解２４時間後の陽極発生ガスの分析から、ＮＦ3生成の電流効率は５８％であった。しかしながら、電解後のセル内には多量のスラッジが生成した。
【００４０】
［実施例２］
電流密度を０．４Ａ／ｃｍ2としたこと以外は、実施例１と同様の電解を実施したところ、ＮＦ3生成の電流効率は５０％であった。
【００４１】
［比較例３］
Ｎｉイオンを溶解せずに実施例２と同一の条件で電解を実施したところ、電解２４時間後の陽極発生ガスの分析から、ＮＦ3生成の電流効率は１２％であった。
【００４２】
［実施例３］
ＮＨ4Ｆ−２ＨＦ溶融塩中にＬｉイオンおよびＮｉイオンをそれぞれ飽和濃度まで溶解させ、温度１２０℃、電流密度０．１Ａ／ｃｍ2で、実施例１の装置にて定電流電解を実施した。電解１００時間後の陽極発生ガス分析から、ＮＦ3生成の電流効率は６５％であった。
【００４３】
［比較例４］
金属イオンを溶解せずに実施例３と同一の条件で電解を実施したところ、電解１００時間後の陽極発生ガス分析から、ＮＦ3生成の電流効率は４５％であった。