(57)【要約】【課題】リーク電流を低減し、クロストークの発生を防止する有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板上に形成される第１電極配線と、基板および第１電極配線上に形成される層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に中空状に形成されるゲート電極と、層間絶縁膜およびゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される有機半導体膜と、ゲート電極の中空部より内側に配置され、有機半導体膜、ゲート絶縁膜および層間絶縁膜を貫通し、かつ第１電極配線に達するコンタクトホールと、ゲート電極の内周部に沿って一部重なって有機半導体膜上に形成され、かつコンタクトホールを通って第１電極配線に接続する第１電極と、第１電極を有機半導体膜上で取り囲むとともにゲート電極の外周部に沿って一部重なって中空状に形成される第２電極と、ゲート絶縁膜、有機半導体膜、第１電極および第２電極上に形成される表面保護膜とを備える有機薄膜トランジスタ。【選択図】図１
2010225622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成される第１電極配線と、
前記絶縁性基板および前記第１電極配線上に形成される層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に平面視で中空状に形成される中空部を有するゲート電極と、
前記層間絶縁膜および前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成される有機半導体膜と、
前記ゲート電極の中空部より内側に配置され、前記有機半導体膜、前記ゲート絶縁膜および前記層間絶縁膜を貫通し、かつ前記第１電極配線に達するように形成されたコンタクトホールと、
平面視で前記ゲート電極の内周部に沿って一部重なるように前記有機半導体膜上に配置され、かつ前記コンタクトホールを通って前記第１電極配線に接続する第１電極と、
平面視で前記第１電極を前記有機半導体膜上で取り囲むとともに前記ゲート電極の外周部に沿って一部重なるように配置される中空部を有する第２電極と、
前記ゲート絶縁膜、前記有機半導体膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される表面保護膜とを備えている有機薄膜トランジスタ。
【請求項２】
平面視で中空状に形成される中空部を有する保護膜が、平面視で中空部を有する前記ゲート電極に対応して重なるように前記有機半導体膜上に配置され、前記保護膜の幅は、前記ゲート電極と平面視で同じ幅で、または前記ゲート電極より平面視で狭い幅で形成されており、前記第１電極が、前記保護膜の内周部に沿って一部重なるように配置されており、前記第２電極が、前記保護膜の外周部に沿って一部重なるように配置されている、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項３】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成される第１電極配線と、
前記絶縁性基板および前記第１電極配線上に形成される層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に平面視で中空状に形成される中空部を有するゲート電極と、
前記層間絶縁膜および前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極の中空部より内側に配置され、前記ゲート絶縁膜および前記層間絶縁膜を貫通し、かつ前記第１電極配線に達するように形成されたコンタクトホールと、
平面視で前記ゲート電極の内周部に沿って一部重なるように前記有機半導体膜上に配置され、かつ前記コンタクトホールを通って前記第１電極配線に接続する第１電極と、
平面視で前記第１電極を前記有機半導体膜上で取り囲むとともに前記ゲート電極の外周部に沿って一部重なるように配置される中空部を有する第２電極と、
前記ゲート絶縁膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される有機半導体膜と、
前記ゲート絶縁膜、前記有機半導体膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される表面保護膜とを備えている有機薄膜トランジスタ。
【請求項４】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に平面視で中空状に形成される中空部を有するゲート電極と、
前記絶縁性基板および前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成される有機半導体膜と、
平面視で前記ゲート電極の内周部に沿って一部重なるように前記有機半導体膜上に配置される第１電極と、
平面視で前記第１電極を前記有機半導体膜上で取り囲むとともに前記ゲート電極の外周部に沿って一部重なるように配置される中空部を有する第２電極と、
前記有機半導体膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される層間絶縁膜と、
前記ゲート電極の中空部より内側に配置され、前記層間絶縁膜を貫通し、かつ前記第１電極に達するように形成されたコンタクトホールと、
前記層間絶縁膜上に配置され、かつ前記コンタクトホールを通って前記第１電極に接続する第１電極配線と、
前記層間絶縁膜および前記第１電極配線上に形成される表面保護膜とを備えている有機薄膜トランジスタ。
【請求項５】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に平面視で中空状に形成される中空部を有するゲート電極と、
前記絶縁性基板およびゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、
平面視で前記ゲート電極の内周部に沿って一部重なるように前記ゲート絶縁膜上に配置される第１電極と、
平面視で前記第１電極を前記ゲート絶縁膜上で取り囲むとともに前記ゲート電極の外周部に沿って一部重なるように配置される中空部を有する第２電極と、
前記ゲート絶縁膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される有機半導体膜と、
前記ゲート絶縁膜、前記有機半導体膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される層間絶縁膜と、
前記ゲート電極の中空部内側に配置され、前記層間絶縁膜および前記有機半導体膜を貫通し、かつ前記第１電極に達するように形成されたコンタクトホールと、
前記層間絶縁膜上に配置され、かつ前記コンタクトホールを通って前記第１電極に接続する第１電極配線と、
前記層間絶縁膜および前記第１電極配線上に形成される表面保護膜とを備えている有機薄膜トランジスタ。
【請求項６】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に平面視で中空状に形成される中空部を有するゲート電極と、
前記絶縁性基板および前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成される有機半導体膜と、
平面視で前記ゲート電極の内周部に沿って一部重なるように前記有機半導体膜上に配置される第１電極と、
平面視で前記第１電極を同一平面上で取り囲むとともに前記ゲート電極の外周部に沿って一部重なるように配置される中空部を有する第２電極と、
前記有機半導体膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される保護膜と、
前記ゲート電極の中空部より内側に形成され、前記絶縁性基板、前記ゲート絶縁膜および前記有機半導体膜を貫通し、かつ前記第１電極に達するように形成されたコンタクトホールと、
前記絶縁性基板の裏面上に配置され、かつ前記コンタクトホールを通って前記第１電極に接続する第１電極配線とを備えている有機薄膜トランジスタ。
【請求項７】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に平面視で中空状に形成される中空部を有するゲート電極と、
前記絶縁性基板および前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、
平面視で前記ゲート電極の内周部に沿って一部重なるように前記ゲート絶縁膜上に配置される第１電極と、
平面視で前記第１電極を前記ゲート絶縁膜上で取り囲むとともに前記ゲート電極の外周部に沿って一部重なるように配置される中空部を有する第２電極と、
前記ゲート絶縁膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される有機半導体膜と、
前記ゲート絶縁膜、前記有機半導体膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される保護膜と、
前記ゲート電極の中空部より内側に形成され、前記絶縁性基板および前記ゲート絶縁膜を貫通し、かつ前記第１電極に達するように形成されたコンタクトホールと、
前記絶縁性基板の裏面上に配置され、かつ前記コンタクトホールを通って前記第１電極に接続する第１電極配線とを備えている有機薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記ゲート絶縁膜の表面が平坦に形成されている、請求項１〜７のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記ゲート絶縁膜の表面が塗布法によって平坦に形成されている、請求項８に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
前記層間絶縁膜の表面が平坦に形成されている、請求項１〜５のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
前記層間絶縁膜の表面が塗布法によって平坦に形成されている、請求項１０に記載の有機薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機薄膜トランジスタ（以下、「有機ＴＦＴ」という）は、フレキシブル基板上に大面積かつ低コストで作製できる可能性がある。そのため、特にフレキシブルディスプレイの駆動素子として有望視されている。このような駆動素子は、通常、複数の有機ＴＦＴをマトリクス状に配置して、隣り合う有機ＴＦＴ同士を接続することによって構成されている。
【０００３】
しかしながら、有機ＴＦＴに用いられる有機半導体材料については、酸化などの劣化よって有機ＴＦＴを構成する素子にばらつきが発生し易くなっている。特に、有機半導体膜の周辺部においては、膜厚の薄い部分でばらつきが大きくなり易い。そのため、このような部分では表面リークなどによってリーク電流が大きくなり易く、その結果、クロストークが発生するという問題が生ずる。
【０００４】
このようなクロストークの発生を防止するための構造が、特許文献１に開示されている。特許文献１では、図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示すように、基板２０１上に第１ゲート電極２０２および第２ゲート電極２０３が設けられている。また、第１ゲート電極２０２および第２ゲート電極２０３を絶縁するためのゲート絶縁膜２０４が、基板２０１、第１ゲート電極２０２および第２ゲート電極２０３を覆うとともに、平面視で第１ゲート電極２０２および第２ゲート電極２０３に沿って配置されている。さらに、ゲート絶縁膜２０４上には、第１電極２０５と、第１電極２０５を取り囲む第２電極２０６と、第２電極２０６を取り囲む第３電極２０７と、第３電極２０７を取り囲む第４電極２０８とが設けられている。すなわち、有機半導体膜がパターニングされていない場合には、第１電極２０５からの電流の流れを遮るように第２電極２０６が第１電極２０５を取り囲んで配置される一方で、有機半導体膜がパターニングされている場合には、有機半導体膜の周辺部に電流が流れないように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−４９８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の構造では、第１ゲート電極２０２または第２ゲート電極２０３の角部および側壁部でゲート絶縁膜２０４の形状が急激に変化しており、このような部分ではゲート絶縁膜２０４が薄くなるおそれがある。ゲート絶縁膜２０３の薄くなった部分では、第１ゲート電極２０２または第２ゲート電極２０４と第１電極２０５、第２電極２０６、第３電極２０７または第４電極２０８との間で発生するリーク電流が大きくなり、依然としてクロストークが発生するという問題が残ることとなる。
【０００７】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、リーク電流を低減して、クロストークの発生を防止するように構成される有機薄膜トランジスタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
課題を解決するために本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成される第１電極配線と、前記絶縁性基板および前記第１電極配線上に形成される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に平面視で中空状に形成される中空部を有するゲート電極と、前記層間絶縁膜および前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成される有機半導体膜と、前記ゲート電極の中空部より内側に配置され、前記有機半導体膜、前記ゲート絶縁膜および前記層間絶縁膜を貫通し、かつ前記第１電極配線に達するように形成されたコンタクトホールと、平面視で前記ゲート電極の内周部に沿って一部重なるように前記有機半導体膜上に配置され、かつ前記コンタクトホールを通って前記第１電極配線に接続する第１電極と、平面視で前記第１電極を前記有機半導体膜上で取り囲むとともに前記ゲート電極の外周部に沿って一部重なるように配置される中空部を有する第２電極と、前記ゲート絶縁膜、前記有機半導体膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される表面保護膜とを備えている。
【０００９】
この場合、平面視で中空状に形成される中空部を有する保護膜が、平面視で中空部を有する前記ゲート電極に対応して重なるように前記有機半導体膜上に配置され、前記保護膜の幅は、前記ゲート電極と平面視で同じ幅で、または前記ゲート電極より平面視で狭い幅で形成されており、前記第１電極が、前記保護膜の内周部に沿って一部重なるように配置されており、前記第２電極が、前記保護膜の外周部に沿って一部重なるように配置されていてもよい。
【００１０】
本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成される第１電極配線と、前記絶縁性基板および前記第１電極配線上に形成される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に平面視で中空状に形成される中空部を有するゲート電極と、前記層間絶縁膜および前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の中空部より内側に配置され、前記ゲート絶縁膜および前記層間絶縁膜を貫通し、かつ前記第１電極配線に達するように形成されたコンタクトホールと、平面視で前記ゲート電極の内周部に沿って一部重なるように前記有機半導体膜上に配置され、かつ前記コンタクトホールを通って前記第１電極配線に接続する第１電極と、平面視で前記第１電極を前記有機半導体膜上で取り囲むとともに前記ゲート電極の外周部に沿って一部重なるように配置される中空部を有する第２電極と、前記ゲート絶縁膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される有機半導体膜と、前記ゲート絶縁膜、前記有機半導体膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される表面保護膜とを備えている。
【００１１】
本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に平面視で中空状に形成される中空部を有するゲート電極と、前記絶縁性基板および前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成される有機半導体膜と、平面視で前記ゲート電極の内周部に沿って一部重なるように前記有機半導体膜上に配置される第１電極と、平面視で前記第１電極を前記有機半導体膜上で取り囲むとともに前記ゲート電極の外周部に沿って一部重なるように配置される中空部を有する第２電極と、前記有機半導体膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される層間絶縁膜と、前記ゲート電極の中空部より内側に配置され、前記層間絶縁膜を貫通し、かつ前記第１電極に達するように形成されたコンタクトホールと、前記層間絶縁膜上に配置され、かつ前記コンタクトホールを通って前記第１電極に接続する第１電極配線と、前記層間絶縁膜および前記第１電極配線上に形成される表面保護膜とを備えている。
【００１２】
本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に平面視で中空状に形成される中空部を有するゲート電極と、前記絶縁性基板およびゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、平面視で前記ゲート電極の内周部に沿って一部重なるように前記ゲート絶縁膜上に配置される第１電極と、平面視で前記第１電極を前記ゲート絶縁膜上で取り囲むとともに前記ゲート電極の外周部に沿って一部重なるように配置される中空部を有する第２電極と、前記ゲート絶縁膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される有機半導体膜と、前記ゲート絶縁膜、前記有機半導体膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される層間絶縁膜と、前記ゲート電極の中空部内側に配置され、前記層間絶縁膜および前記有機半導体膜を貫通し、かつ前記第１電極に達するように形成されたコンタクトホールと、前記層間絶縁膜上に配置され、かつ前記コンタクトホールを通って前記第１電極に接続する第１電極配線と、前記層間絶縁膜および前記第１電極配線上に形成される表面保護膜とを備えている。
【００１３】
本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に平面視で中空状に形成される中空部を有するゲート電極と、前記絶縁性基板および前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成される有機半導体膜と、平面視で前記ゲート電極の内周部に沿って一部重なるように前記有機半導体膜上に配置される第１電極と、平面視で前記第１電極を同一平面上で取り囲むとともに前記ゲート電極の外周部に沿って一部重なるように配置される中空部を有する第２電極と、前記有機半導体膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される保護膜と、前記ゲート電極の中空部より内側に形成され、前記絶縁性基板、前記ゲート絶縁膜および前記有機半導体膜を貫通し、かつ前記第１電極に達するように形成されたコンタクトホールと、前記絶縁性基板の裏面上に配置され、かつ前記コンタクトホールを通って前記第１電極に接続する第１電極配線とを備えている。
【００１４】
本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に平面視で中空状に形成される中空部を有するゲート電極と、前記絶縁性基板および前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、平面視で前記ゲート電極の内周部に沿って一部重なるように前記ゲート絶縁膜上に配置される第１電極と、平面視で前記第１電極を前記ゲート絶縁膜上で取り囲むとともに前記ゲート電極の外周部に沿って一部重なるように配置される中空部を有する第２電極と、前記ゲート絶縁膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される有機半導体膜と、前記ゲート絶縁膜、前記有機半導体膜、前記第１電極および前記第２電極上に形成される保護膜と、前記ゲート電極の中空部より内側に形成され、前記絶縁性基板および前記ゲート絶縁膜を貫通し、かつ前記第１電極に達するように形成されたコンタクトホールと、前記絶縁性基板の裏面上に配置され、かつ前記コンタクトホールを通って前記第１電極に接続する第１電極配線とを備えている。
【００１５】
さらに、本発明では、前記ゲート絶縁膜の表面が平坦に形成されていると好ましい。
【００１６】
本発明では、前記ゲート絶縁膜の表面が塗布法によって平坦に形成されていると好ましい。
【００１７】
本発明では、前記層間絶縁膜の表面が平坦に形成されていると好ましい。
【００１８】
本発明では、前記層間絶縁膜の表面が塗布法によって平坦に形成されていると好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、第１電極の電流がコンタクトホールを通じて第１電極配線によって取り出されるため、第１電極の電流が確実に第１電極配線に流れ、第１電極の電流がゲート電極に流れることによって発生するリーク電流が低減されることとなる。その結果、クロストークの発生が防止されることとなる。
【００２０】
本発明によれば、平面視で中空状に形成される中空部を有する保護膜が、平面視でゲート電極の中空部に対応して重なるように有機半導体膜上に配置され、保護膜によって、第１電極と第２電極との間で発生する表面リーク電流が遮られ、確実に低減されることとなる。その結果、クロストークの発生がより確実に防止されることとなる。
【００２１】
本発明によれば、ゲート絶縁膜の表面が平坦に形成されており、ゲート電極と第１電極および第２電極とを絶縁するゲート絶縁膜において、ゲート絶縁膜に薄くなる部分が生じ難くなり、ゲート絶縁膜の薄くなった部分においてゲート電極と第１電極および第２電極との間に発生するリーク電流をさらに低減できる。その結果、クロストークの発生がより確実に防止されることとなる。
【００２２】
本発明によれば、ゲート絶縁膜の表面が塗布法によって平坦に形成されており、ゲート絶縁膜の表面がより確実に平坦に形成されることとなる。そのため、さらに、ゲート絶縁膜に薄くなる部分が生じ難くなり、ゲート絶縁膜の薄くなった部分においてゲート電極と第１電極および第２電極との間に発生するリーク電流をさらに低減できる。その結果、クロストークの発生がより確実に防止されることとなる。
【００２３】
本発明によれば、層間絶縁膜の表面が平坦に形成されており、ゲート電極と第１電極配線とを絶縁する層間絶縁膜において、層間絶縁膜に薄くなる部分が生じ難くなり、層間絶縁膜の薄くなった部分においてゲート電極と第１電極配線との間に発生するリーク電流をさらに低減できる。その結果、クロストークの発生がより確実に防止されることとなる。
【００２４】
本発明によれば、層間絶縁膜の表面が塗布法によって平坦に形成されており、層間絶縁膜の表面がより確実に平坦に形成されることとなる。そのため、さらに、層間絶縁膜に薄くなる部分が生じ難くなり、層間絶縁膜の薄くなった部分においてゲート電極と第１電極配線との間に発生するリーク電流をさらに低減できる。その結果、クロストークの発生がより確実に防止されることとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施形態における有機薄膜トランジスタを概略的に示す平面図である。（ｂ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の第２実施形態における有機薄膜トランジスタを概略的に示す平面図である。（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の第３実施形態における有機薄膜トランジスタを概略的に示す平面図である。（ｂ）は、図３（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の第４実施形態における有機薄膜トランジスタを概略的に示す平面図である。（ｂ）は、図４（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の第５実施形態における有機薄膜トランジスタを概略的に示す平面図である。（ｂ）は、図５（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の第６実施形態における有機薄膜トランジスタを概略的に示す平面図である。（ｂ）は、図６（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の第７実施形態における有機薄膜トランジスタを概略的に示す平面図である。（ｂ）は、図７（ａ）のＧ−Ｇ断面図である。
【図８】実施例１の有機薄膜トランジスタにおけるゲート電圧・ドレイン電流特性のグラフを示す図である。
【図９】実施例２の有機薄膜トランジスタにおけるゲート電圧・ドレイン電流特性のグラフを示す図である。
【図１０】実施例３の有機薄膜トランジスタにおけるゲート電圧・ドレイン電流特性のグラフを示す図である。
【図１１】実施例４の有機薄膜トランジスタにおけるゲート電圧・ドレイン電流特性のグラフを示す図である。
【図１２】実施例５の有機薄膜トランジスタにおけるゲート電圧・ドレイン電流特性のグラフを示す図である。
【図１３】実施例６の有機薄膜トランジスタにおけるゲート電圧・ドレイン電流特性のグラフを示す図である。
【図１４】実施例７の有機薄膜トランジスタにおけるゲート電圧・ドレイン電流特性のグラフを示す図である。
【図１５】比較例の有機薄膜トランジスタにおけるゲート電圧・ドレイン電流特性のグラフを示す図である。
【図１６】（ａ）は、比較例の有機薄膜トランジスタの平面図である。（ｂ）は、図１６（ａ）のＨ−Ｈ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
［第１実施形態］
図１（ａ）および図１（ｂ）を参照して、本発明の第１実施形態における有機薄膜トランジスタ（以下、「有機ＴＦＴ」という）について以下に説明する。有機ＴＦＴには、フィルム状に形成される絶縁性基板（以下、「基板」という）１が設けられている。基板１の表面１ａ上の中央部には、基板１を横断するように帯状に形成される第１電極配線２が配置されている。また、基板１の表面１ａおよび第１電極配線２を覆うように層間絶縁膜３が配置されており、この層間絶縁膜３の表面３ａは、塗布法によって平坦に形成されている。
【００２７】
層間絶縁膜３の表面３ａ上には、ゲート電極４が配置されている。このゲート電極４には、平面視で中空状に形成される中空部が設けられている。このゲート電極４から第１電極配線２と直交する方向に延びる一対のゲート電極配線５が配置されている。また、層間絶縁膜３の表面３ａおよびゲート電極４を覆うように、ゲート絶縁膜６が配置されており、このゲート絶縁膜６の表面６ａは、塗布法によって平坦に形成されている。このゲート絶縁膜６の表面６ａを覆うように、有機半導体膜７が配置されており、有機半導体膜７の表面７ａは、平坦に形成されている。ゲート電極４の中空部より内側には、層間絶縁膜３、ゲート絶縁膜６および有機半導体膜７を貫通し、かつ第１電極配線２に達するように形成されたコンタクトホール８が配置されている。
【００２８】
有機半導体膜７の表面７ａ上には、第１電極９が設けられている。第１電極９の外周部は、平面視でゲート電極４の内周部に沿って一部重なるように配置されている。また、第１電極９は、コンタクトホール８を通って第１電極配線２に接続している。さらに、有機半導体膜７上には、第２電極１０が設けられている。この第２電極１０には、平面視で第１電極９を取り囲むように形成される中空部が設けられている。この内周部は、平面視でゲート電極４の外周部に沿って一部重なるように配置されている。また、第２電極１０から任意の方向に延びる第２電極配線１１が配置されている。ゲート絶縁膜６、有機半導体膜７、第１電極９および第２電極１０を覆うように、図１（ｂ）で仮想線により示す表面保護膜１２が配置されている。なお、図１（ａ）では、表面保護膜１２を省略し図示していない。
【００２９】
ここで、第１実施形態の有機ＴＦＴについて、さらなる具体的な構成の一例を説明する。基板１はポリイミドフィルムから作製され、基板１の厚さは７５μｍとなっている。第１電極配線２はクロムから作製される厚さ５ｎｍの層と金から作製される厚さ５０ｎｍの層との積層から構成されている。層間絶縁膜３はポリイミドから作製され、層間絶縁膜３の厚さは約１μｍとなっている。ゲート電極４は金から作製され、かつマスク蒸着法によって形成されている。ゲート電極４の厚さは５０ｎｍとなっている。ゲート絶縁膜６はポリイミドから作製され、ゲート絶縁膜６の厚さは約３３０ｎｍとなっている。有機半導体膜７はペンタセンから作製され、かつマスク蒸着法により形成されている。有機半導体膜７の厚さは１２０ｎｍとなっている。コンタクトホール８はレーザー加工により形成されている。第１電極９は金から作製され、第１電極９の厚さは１００ｎｍとなっている。第２電極１０は金から作製されている。表面保護膜１２はポリパラキシリレンから作製され、表面保護膜１２の厚さは１μｍとなっている。
【００３０】
このように構成された複数の有機ＴＦＴは、マトリクス状に配置されることとなる。隣り合う有機ＴＦＴの第１電極配線２は、互いに接続されるとともに、それぞれの基板１の端部で、図１（ａ）および図１（ｂ）で図示しないコンタクトホールを通って外部の回路と接続されている。第２電極配線１１は、図示しないコンタクトホールを介して、図示しない画素電極に接続し、ソース接地電位とする。なお実際の二次元機能素子では、マトリクスの画素電極は、例えば感圧導電ゴムや有機ＥＬ素子などの機能素子を介してソース電位やドレイン電位に接続されることとなる。隣り合う有機ＴＦＴのゲート電極配線５は、互いに接続されるとともに、それぞれの基板１の端部で、図１（ａ）および図１（ｂ）で図示しないコンタクトホールを通って外部の回路と接続されている。ゲート電極配線５および第１電極配線２を順次時分割選択して電圧を印加することによって、マトリクス駆動が可能となっている。
【００３１】
なお、第１実施形態における有機ＴＦＴの具体的な構成は、このような構成に限定されるものではなく、各構成要素の厚さ、材料、形成方法および加工方法等は適宜変更可能である。
【００３２】
［第２実施形態］
図２（ａ）および図２（ｂ）を参照して、本発明の第２実施形態における有機ＴＦＴについて以下に説明する。第２実施形態の有機ＴＦＴの基本的な構成は第１実施形態と同様である。第１実施形態と同様の要素については、第１実施形態と同様の名称および符号を用いて説明する。以下、第１実施形態と異なる点について説明する。
【００３３】
有機半導体膜７上には、保護膜１３が設けられている。この保護膜１３には、平面視で中空状に形成された中空部が設けられている。この中空部は、平面視でゲート電極４と対応して重なるように配置されている。図２（ａ）では、一例として、保護膜１３の幅が、平面視でゲート電極４の幅と同等に形成されているが、他の例として、保護膜１３の幅が、平面視でゲート電極４の幅より狭く形成されてもよい。また、有機半導体膜７の表面７ａおよび保護膜１３上には、第１電極１４が、平面視で保護膜１３の内周部に沿って一部重なるように配置されている。さらに、有機半導体膜７の表面７ａおよび保護膜１３上には、第２電極１５が設けられている。この第２電極１５には、第１電極１４を取り囲むように形成される中空部が設けられている。この第２電極１５の内周部は、平面視で保護膜１３の外周部に沿って一部重なるように配置されている。第２電極１５から任意の方向に延びる第２電極配線１６が配置されている。ゲート絶縁膜６、有機半導体膜７、保護膜１３、第１電極１４および第２電極１５を覆うように、図２（ｂ）で仮想線により示す表面保護膜１７が形成されている。なお、図２（ａ）では、表面保護膜１７を省略し図示していない。
【００３４】
すなわち、保護膜１３が、平面視でゲート電極４に対応して重なるように配置されているため、第１電極１４と第２電極１５との間のリーク電流が保護膜１３によってより確実に遮られることとなる。
【００３５】
ここで、具体的な構成の一例として、この保護膜１３はポリパラキシリレンから作製され、かつマスク蒸着法によって形成されているとよい。保護膜１３の厚さは１００ｎｍとなっているとよい。ただし、保護膜１３は、このような構成に限定されるものではない。
【００３６】
［第３実施形態］
図３（ａ）および図３（ｂ）を参照して、本発明の第３実施形態における有機ＴＦＴについて以下に説明する。有機ＴＦＴには、フィルム状に形成される基板２１が設けられている。基板２１の表面２１ａ上の中央部には、基板２１を横断するように帯状に形成された第１電極配線２２が配置されている。また、基板２１の表面２１ａおよび第１電極配線２２を覆うように層間絶縁膜２３が配置されており、この層間絶縁膜２３の表面２３ａは、塗布法によって平坦に形成されている。
【００３７】
層間絶縁膜２３の表面２３ａ上には、ゲート電極２４が配置されている。このゲート電極２４には、平面視で中空状に形成される中空部が設けられている。このゲート電極２４から第１電極配線２２と直交する方向に延びる一対のゲート電極配線２５が配置されている。また、層間絶縁膜２３の表面２３ａおよびゲート電極２４を覆うように、ゲート絶縁膜２６が配置されており、このゲート絶縁膜２６の表面２６ａは、塗布法によって平坦に形成されている。ゲート電極２４の中空部より内側には、層間絶縁膜２３およびゲート絶縁膜２６を貫通し、かつ第１電極配線２２に達するように形成されたコンタクトホール２７が配置されている。
【００３８】
ゲート絶縁膜２６の表面２６ａ上には、第１電極２８が設けられている。この第１電極２８の外周部は、平面視でゲート電極２４の内周部に沿って一部重なるように配置されている。また、第１電極２８は、コンタクトホール２７を通って第１電極配線２２に接続している。さらに、ゲート絶縁膜２６上には、第２電極２９が設けられている。この第２電極２９には、第１電極２８を取り囲むように形成される中空部が設けられている。この第２電極２９の内周部は、平面視でゲート電極２４の外周部に沿って一部重なるように配置されている。また、第２電極２９から任意の方向に延びる第２電極配線３０が配置されている。ゲート絶縁膜２６の表面２６ａ、第１電極２８および第２電極２９を覆うように、有機半導体膜３１が配置されており、この有機半導体膜３１の表面３１ａは、平坦に形成されている。さらに、ゲート絶縁膜２６および有機半導体膜３１を覆うように、図３（ｂ）で仮想線により示す表面保護膜３２が配置されている。なお、図３（ａ）では、表面保護膜３２を省略し、図示していない。
【００３９】
第３実施形態の有機ＴＦＴについて、さらなる具体的な構成の一例を説明する。基板２１はポリイミドフィルムから作製され、基板２１の厚さは７５μｍとなっている。第１電極配線２２はクロムから作製される厚さ５ｎｍの層と金から作製される厚さ５０ｎｍの層との積層から構成されている。層間絶縁膜２３はポリイミドから作製され、層間絶縁膜２３の厚さは約１μｍとなっている。ゲート電極２４は金から作製され、ゲート電極２４の厚さは５０ｎｍとなっている。ゲート絶縁膜２６はポリイミドから作製され、ゲート絶縁膜２６の厚さは約３３０ｎｍとなっている。コンタクトホール２７はレーザー加工により形成されている。第１電極２８は金から構成され、第１電極２８の厚さは１００ｎｍとなっている。第２電極２９は金から作製されている。有機半導体膜３１はペンタセンから作製され、かつマスク蒸着法により形成されている。有機半導体膜３１の厚さは１２０ｎｍとなっている。表面保護膜３２はポリパラキシリレンから構成されており、表面保護膜３２の厚さは１μｍとなっている。
【００４０】
このように構成された複数の有機ＴＦＴは、マトリクス状に配置されることとなる。隣り合う有機ＴＦＴの第１電極配線２２およびゲート電極配線２５は、第１実施形態と同様に、互いにそれぞれ接続されるとともに外部の回路と接続されている。第２電極配線３０は図示しないコンタクトホールを介して、図示しない画素電極に接続し、ソース接地電位とする。ゲート電極配線２５および第１電極配線２２を順次時分割選択して電圧を印加することによって、マトリクス駆動が可能となっている。
【００４１】
なお、第３実施形態における有機ＴＦＴの具体的な構成は、このような構成に限定されるものではなく、各構成要素の厚さ、材料、形成方法および加工方法等は適宜変更可能である。
【００４２】
［第４実施形態］
図４（ａ）および図４（ｂ）を参照して、本発明の第４実施形態における有機ＴＦＴについて以下に説明する。有機ＴＦＴには、フィルム状に形成される基板４１が設けられている。基板４１の表面４１ａ上には、ゲート電極４２が設けられている。このゲート電極４２には、平面視で中空状に形成された中空部が設けられている。このゲート電極４２から延びる一対のゲート電極配線４３が配置されている。基板４１の表面４１ａおよびゲート電極４２を覆うように、ゲート絶縁膜４４が配置されており、このゲート絶縁膜４４の表面４４ａは、塗布法によって平坦に形成されている。
【００４３】
ゲート絶縁膜４４の表面４４ａを覆うように、有機半導体膜４５が配置されており、有機半導体膜４５の表面４５ａは、平坦に形成されている。有機半導体膜４５の表面４５ａには、第１電極４６が設けられている。第１電極４６の外周部は、ゲート電極４２の内周部に沿って平面視で一部重なるように配置されている。有機半導体膜４５上には、第２電極４７が設けられている。この第２電極４７には、第１電極４６を取り囲むように形成される中空部が設けられている。この第２電極４７の内周部は、平面視でゲート電極４２の外周部に沿って一部重なるように配置されている。この第２電極４７から任意の方向に延びる第２電極配線４８が配置されている。
【００４４】
ゲート絶縁膜４４、有機半導体膜４５、第１電極４６および第２電極４７を覆うように、層間絶縁膜４９が配置されており、この層間絶縁膜４９の表面４９ａは、塗布法により平坦に形成されている。ゲート電極４４の中空部より内側には、層間絶縁膜４９を貫通し、かつ第１電極４６に達するように形成されたコンタクトホール５０が配置されている。層間絶縁膜４９上には、ゲート電極配線４３に直交する方向で、基板１を横断するように帯状に形成された第１電極配線５１が配置されている。この第１電極配線５１は、コンタクトホール５０を通って第１電極４６に接続している。さらに、層間絶縁膜４９および第１電極配線５１を覆うように、図４（ｂ）で仮想線により示す表面保護膜５２が配置されている。なお、図４（ａ）では、表面保護膜５２を省略して、図示していない。
【００４５】
第４実施形態の有機ＴＦＴについて、さらなる具体的な構成の一例を説明する。基板４１はポリイミドフィルムから作製されている。ゲート電極４２はクロムから作製される厚さ５ｎｍの層と金から作製される厚さ５０ｎｍの層との積層から構成されている。ゲート絶縁膜４４はポリイミドから作製され、ゲート絶縁膜４４の厚さは約３３０ｎｍとなっている。有機半導体膜４５はペンタセンから作製され、かつマスク蒸着法により形成されている。有機半導体膜４５の厚さは１２０ｎｍとなっている。第１電極４６は金から作製され、第１電極４６の厚さは５０ｎｍとなっている。第２電極４７は金から作製されている。層間絶縁膜４９はポリイミドから作製され、層間絶縁膜４９の厚さは約１μｍとなっている。コンタクトホール５０はレーザー加工により形成されている。第１電極配線５１はアルミから構成され、第１電極配線５１の厚さは１μｍとなっている。表面保護膜５２はポリパラキシリレンから作製され、表面保護膜５２の厚さは１μｍとなっている。
【００４６】
このように構成された複数の有機ＴＦＴは、マトリクス状に配置されることとなる。隣り合う有機ＴＦＴの第１電極配線５１およびゲート電極配線４３は、第１実施形態と同様に、互いにそれぞれ接続されるとともに外部の回路と接続されている。第２電極配線４８は、図示しないコンタクトホールを介して、図示しない画素電極に接続し、ソース接地電位とする。ゲート電極配線４３および第１電極配線５１を順次時分割選択して電圧を印加することによって、マトリクス駆動が可能となっている。
【００４７】
なお、第４実施形態における有機ＴＦＴの具体的な構成は、このような構成に限定されるものではなく、各構成要素の厚さ、材料、形成方法および加工方法等は適宜変更可能である。
【００４８】
［第５実施形態］
図５（ａ）および図５（ｂ）を参照して、本発明の第５実施形態における有機ＴＦＴについて以下に説明する。有機ＴＦＴには、フィルム状に形成される基板６１が設けられている。基板６１の表面６１ａ上には、ゲート電極６２が配置されている。このゲート電極６２には、平面視で中空状に形成された中空部が設けられている。さらに、ゲート電極６２から延びる一対のゲート電極配線６３が配置されている。基板６１の表面６１ａおよびゲート電極６２を覆うように、ゲート絶縁膜６４が配置されており、このゲート絶縁膜６４の表面６４ａは、塗布法によって平坦に形成されている。
【００４９】
ゲート絶縁膜６４の表面６４ａ上には、第１電極６５が設けられている。この第１電極６５の外周部は、平面視でゲート電極６２の内周部に沿って一部重なるように形成されている。ゲート絶縁膜６４の表面６４ａ上には、第２電極６６が設けられている。この第２電極６６には、第１電極６５を取り囲むように形成される中空部が設けられている。この第２電極６６の内周部は、平面視でゲート電極６２の外周部に沿って一部重なるように配置されている。この第２電極６６から任意の方向に延びる第２電極配線６７が配置されている。ゲート絶縁膜６４、第１電極６５および第２電極６６を覆うように、有機半導体膜６８が設けられ、この有機半導体膜６８の表面６８ａは、平坦に形成されている。
【００５０】
ゲート絶縁膜６４および有機半導体膜６８を覆うように、層間絶縁膜６９が配置されており、層間絶縁膜６９の表面６９ａは、塗布法によって平坦に形成されている。ゲート電極６２の中空部より内側には、有機半導体膜６８および層間絶縁膜６９を貫通し、かつ第１電極６５に達するように形成されたコンタクトホール７０が配置されている。層間絶縁膜６９上には、ゲート電極配線６３に直交する方向で、基板１を横断するように帯状に形成された第１電極配線７１が配置されている。第１電極配線７１は、コンタクトホール７０を通って第１電極６５に接続している。層間絶縁膜６９および第１電極配線７１を覆うように、図５（ｂ）で仮想線により示す表面保護膜７２が配置されている。なお、図５（ａ）では、表面保護膜７２を省略して、図示していない。
【００５１】
第５実施形態の有機ＴＦＴについて、さらなる具体的な構成の一例を説明する。基板６１はポリイミドフィルムから作製されている。ゲート電極６２はクロムから作製される厚さ５ｎｍの層と金から作製される厚さ５０ｎｍの層との積層から構成されている。ゲート絶縁膜６４はポリイミドから作製され、ゲート絶縁膜６４の厚さは約３３０ｎｍとなっている。第１電極６５は金から作製され、第１電極６５の厚さは５０ｎｍとなっている。第２電極６６は金から作製されている。有機半導体膜６８はペンタセンから作製され、かつマスク蒸着法により形成されている。有機半導体膜６８の厚さは１２０ｎｍとなっている。層間絶縁膜６９はポリイミドから作製され、層間絶縁膜６９の厚さは約１μｍとなっている。コンタクトホール７０はレーザー加工により形成されている。第１電極配線７１はアルミから構成され、第１電極配線７１の厚さは１μｍとなっている。表面保護膜７２はポリパラキシリレンから構成され、表面保護膜７２の厚さは１μｍとなっている。
【００５２】
このように構成された複数の有機ＴＦＴは、マトリクス状に配置されることとなる。隣り合う有機ＴＦＴの第１電極配線７１およびゲート電極配線６３は、第１実施形態と同様に、互いにそれぞれ接続されるとともに外部の回路と接続されている。第２電極配線６７は図示しないコンタクトホールを介して、図示しない画素電極に接続し、ソース接地電位とする。ゲート電極配線６３および第１電極配線７１を順次時分割選択して電圧を印加することによって、マトリクス駆動が可能となっている。
【００５３】
なお、第５実施形態における有機ＴＦＴの具体的な構成は、このような構成に限定されるものではなく、各構成要素の厚さ、材料、形成方法および加工方法等は適宜変更可能である。
【００５４】
［第６実施形態］
図６（ａ）および図６（ｂ）を参照して、本発明の第６実施形態における有機ＴＦＴについて以下に説明する。有機ＴＦＴには、フィルム状に形成される基板８１が設けられている。基板８１の表面８１ａ上には、ゲート電極８２が設けられている。このゲート電極８２には、平面視で中空状に形成される中空部が設けられている。ゲート電極８２から延びる一対のゲート電極配線８３が配置されている。基板８１およびゲート電極８２を覆うように、ゲート絶縁膜８４が配置されており、ゲート絶縁膜８４の表面８４ａは、塗布法によって平坦に形成されている。
【００５５】
ゲート絶縁膜８４の表面８４ａ上には、有機半導体膜８５が配置されており、有機半導体膜８５の表面８５ａは平坦に形成されている。有機半導体膜８５上には、第１電極８６が設けられている。第１電極８６の外周部は、ゲート電極８２の内周部に沿って平面視で一部重なるように配置されている。さらに、ゲート絶縁膜８４の表面８４ａ上には、第２電極８７が設けられている。この第２電極８７には、第１電極８６を取り囲むように中空部が設けられている。この第２電極８７の内周部は、平面視でゲート電極８２の外周部に沿って一部重なるように配置されている。さらに第２電極８７から任意の方向に延びる第２電極配線８８が配置されている。
【００５６】
ゲート電極８２の中空部より内側には、基板８１、ゲート絶縁膜８４および有機半導体膜８５を貫通するように形成されたコンタクトホール８９が配置されている。基板８１の裏面８１ｂ上には、ゲート電極配線８３に直交する方向で、基板１を横断するように帯状に形成された第１電極配線９０が配置されている。第１電極配線９０は、コンタクトホール８９を通って第１電極８６に接続している。さらに、ゲート絶縁膜８４、有機半導体膜８５、第１電極８６および第２電極８７を覆うように、図６（ｂ）で仮想線により示す表面保護膜９１が配置されている。なお、図６（ａ）では、表面保護膜９１を省略し、図示していない。
【００５７】
第６実施形態の有機ＴＦＴについて、さらなる具体的な構成の一例を説明する。基板８１はポリイミドフィルムから作製されている。ゲート電極８２はクロムから作製される厚さ５ｎｍの層と金から作製される厚さ５０ｎｍの層との積層から構成されている。ゲート絶縁膜８４はポリイミドから作製され、ゲート絶縁膜８４の厚さは約３３０ｎｍとなっている。有機半導体膜８５はペンタセンから作製され、かつマスク蒸着法により形成されている。有機半導体膜８５の厚さは１２０ｎｍとなっている。第１電極８６は金から作製されており、第１電極８６の厚さは５０ｎｍとなっている。第２電極８７は金から作製されている。コンタクトホール８９はレーザー加工により形成されている。第１電極配線９０はアルミから作製され、かつマスク蒸着法により形成されている。第１電極配線９０の厚さは１μｍとなっている。表面保護膜９１はポリパラキシリレンから作製され、表面保護膜９１の厚さは１μｍとなっている。
【００５８】
このように構成された複数の有機ＴＦＴは、マトリクス状に配置されることとなる。隣り合う有機ＴＦＴの第１電極配線９０およびゲート電極配線８３は、第１実施形態と同様に、互いにそれぞれ接続されるとともに外部の回路と接続されている。第２電極配線８８は、図示しないコンタクトホールを介して、図示しない画素電極に接続し、ソース接地電位とする。ゲート電極配線８３および第１電極配線９０を順次時分割選択して電圧を印加することによって、マトリクス駆動が可能となっている。
【００５９】
なお、第６実施形態における有機ＴＦＴの具体的な構成は、このような構成に限定されるものではなく、各構成要素の厚さ、材料、形成方法および加工方法等は適宜変更可能である。
【００６０】
［第７実施形態］
図７（ａ）および図７（ｂ）を参照して、本発明の第７実施形態における有機ＴＦＴについて以下に説明する。有機ＴＦＴには、フィルム状に形成される基板１０１が設けられている。基板１０１の表面１０１ａ上には、ゲート電極１０２が配置されている。このゲート電極１０２には、平面視で中空状に形成された中空部が設けられている。ゲート電極１０２から延びる一対のゲート電極配線１０３が配置されている。基板１０１およびゲート電極１０２を覆うように、ゲート絶縁膜１０４が配置されており、ゲート絶縁膜１０４の表面１０４ａは、塗布法によって平坦に形成されている。
【００６１】
ゲート絶縁膜１０４の表面１０４ａ上には、第１電極１０５が設けられている。第１電極１０５の外周部は、平面視でゲート電極１０２の内周部に沿って一部重なるように配置されている。ゲート絶縁膜１０４の表面１０４ａ上には、第２電極１０６が設けられている。この第２電極１０６には、第１電極１０５を取り囲むように形成される中空部が設けられている。この第２電極１０６の内周部は、平面視でゲート電極１０２の外周部に沿って一部重なるように配置されている。第２電極１０６から任意の方向に延びる第２電極配線１０７が配置されている。
【００６２】
ゲート電極１０２の中空部より内側には、基板１０１およびゲート絶縁膜１０４を貫通するように形成されたコンタクトホール１０８が配置されている。基板１０１の裏面１０１ｂ上には、ゲート電極配線１０３に直交する方向で、基板１を横断するように帯状に形成された第１電極配線１０９が配置されている。第１電極配線１０９は、コンタクトホール１０８を通って第１電極１０５に接続している。ゲート絶縁膜１０４、第１電極１０５および第２電極１０６を覆うように、有機半導体膜１１０が配置されており、この有機半導体膜１１０の表面１１０ａは、平坦に形成されている。ゲート絶縁膜１０４および有機半導体膜１１０を覆うように、図７（ｂ）で仮想線により示す表面保護膜１１１が配置されている。なお、図７（ａ）では、表面保護膜１１１を省略し、図示していない。
【００６３】
第７実施形態の有機ＴＦＴについて、さらなる具体的な構成の一例を説明する。基板１０１はポリイミドフィルムから作製されている。ゲート電極１０２はクロムから作製される厚さ５ｎｍの層と金から作製される厚さ５０ｎｍの層との積層から構成されている。ゲート絶縁膜１０４はポリイミドから作製され、ゲート絶縁膜１０４の厚さは約３３０ｎｍとなっている。第１電極１０５は金から作製され、第１電極１０５の厚さは５０ｎｍとなっている。第２電極１０６は金から作製されている。コンタクトホール１０８はレーザー加工により形成されている。第１電極配線１０９は、アルミから作製され、かつマスク蒸着法により形成されている。第１電極配線１０９の厚さは１μｍとなっている。有機半導体膜１１０はペンタセンから作製され、かつマスク蒸着法により形成されている。有機半導体膜１１０の厚さは１２０ｎｍとなっている。表面保護膜１１１はポリパラキシリレンから作製され、表面保護膜１１１の厚さは１μｍとなっている。
【００６４】
このように構成された複数の有機ＴＦＴは、マトリクス状に配置されることとなる。隣り合う有機ＴＦＴの第１電極配線１０９およびゲート電極配線１０３は、第１実施形態と同様に、互いにそれぞれ接続されるとともに外部の回路と接続されている。第２電極配線１０７は、図示しないコンタクトホールを介して、図示しない画素電極に接続し、ソース接地電位とする。ゲート電極配線１０３および第１電極配線１０９を順次時分割選択して電圧を印加することによって、マトリクス駆動が可能となっている。
【００６５】
なお、第７実施形態における有機ＴＦＴの具体的な構成は、このような構成に限定されるものではなく、各構成要素の厚さ、材料、形成方法および加工方法等は適宜変更可能である。
【００６６】
ここで、本発明の第１実施形態〜第7実施形態で述べた塗布法について例示すると、ディップ法、スピンコート法、スクリーン印刷法、スタンプ法、インクジェット法、ディスペンサ法およびスプレー法などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６７】
以上のように、本発明の第１実施形態〜第７実施形態によれば、第１電極の電流がコンタクトホールを通じて第１電極配線によって取り出されるため、第１電極の電流が確実に第１電極配線に流れ、第１電極の電流がゲート電極に流れることによって発生するリーク電流が低減されることとなる。その結果、クロストークの発生が防止されることとなる。
【００６８】
本発明の第２実施形態によれば、平面視で中空状に形成される中空部を有する保護膜が、平面視でゲート電極の中空部に対応して重なるように有機半導体膜上に配置され、第１電極と第２電極との間で発生する表面リーク電流が遮られ、確実に低減されることとなる。その結果、クロストークの発生がより確実に防止されることとなる。
【００６９】
本発明の第１実施形態〜第７実施形態によれば、ゲート絶縁膜の表面が平坦に形成されており、ゲート電極と第１電極および第２電極とを絶縁するゲート絶縁膜において、ゲート絶縁膜に薄くなる部分が生じ難くなり、ゲート絶縁膜の薄くなった部分においてゲート電極と第１電極および第２電極との間に発生するリーク電流をさらに低減できる。その結果、クロストークの発生がより確実に防止されることとなる。
【００７０】
本発明の第１実施形態〜第７実施形態によれば、ゲート絶縁膜の表面が塗布法によって平坦に形成されており、ゲート絶縁膜の表面がより確実に平坦に形成されることとなる。そのため、さらに、ゲート絶縁膜に薄くなる部分が生じ難くなり、ゲート絶縁膜の薄くなった部分においてゲート電極と第１電極および第２電極との間に発生するリーク電流をさらに低減できる。その結果、クロストークの発生がより確実に防止されることとなる。
【００７１】
本発明の第１実施形態〜第５実施形態によれば、層間絶縁膜の表面が平坦に形成されており、ゲート電極と第１電極配線とを絶縁する層間絶縁膜において、層間絶縁膜に薄くなる部分が生じ難くなり、層間絶縁膜の薄くなった部分においてゲート電極と第１電極配線との間に発生するリーク電流をさらに低減できる。その結果、クロストークの発生がより確実に防止されることとなる。
【００７２】
本発明の第１実施形態〜第５実施形態によれば、層間絶縁膜の表面が塗布法によって平坦に形成されており、層間絶縁膜の表面がより確実に平坦に形成されることとなる。そのため、さらに、層間絶縁膜に薄くなる部分が生じ難くなり、層間絶縁膜の薄くなった部分においてゲート電極と第１電極配線との間に発生するリーク電流をさらに低減できる。その結果、クロストークの発生がより確実に防止されることとなる。
【００７３】
ここまで本発明の実施形態について述べたが、本発明は既述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変形および変更が可能である。
【００７４】
［実施例１］
実施例１では、第１実施形態の有機ＴＦＴを用いるものとする。第１実施形態の有機ＴＦＴにおいて、第１電極９をソース接地電位として、ゲート電極３に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第２電極１０に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極９と第２電極１０との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となり、図８に示すようなゲート電圧・ドレイン電流の特性を示した。また、第１実施例の有機ＴＦＴにおいて、第２電極１０をソース接地電位として、ゲート電極３に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第１電極９に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極９と第２電極１０との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となった。
【００７５】
［実施例２］
実施例２では、第２実施形態の有機ＴＦＴを用いるものとする。第２実施形態の有機ＴＦＴにおいて、第１電極１４をソース接地電位として、ゲート電極３に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第２電極１５に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極１４と第２電極１５との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となり、図９に示すようなゲート電圧・ドレイン電流の特性を示した。また、第２実施形態の有機ＴＦＴにおいて、第２電極１５をソース接地電位として、ゲート電極３に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第１電極１４に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極１４と第２電極１５との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となった。
【００７６】
［実施例３］
実施例３では、第３実施形態の有機ＴＦＴを用いるものとする。第３実施形態の有機ＴＦＴにおいて、第１電極２８をソース接地電位として、ゲート電極２４に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第２電極２９に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極２８と第２電極２９との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となり、図１０に示すようなゲート電圧・ドレイン電流の特性を示した。また、第３実施形態の有機ＴＦＴにおいて、第２電極２９をソース接地電位として、ゲート電極２４に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第１電極２８に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極２８と第２電極２９との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となった。
【００７７】
［実施例４］
実施例４では、第４実施形態の有機ＴＦＴを用いるものとする。第４実施形態の有機ＴＦＴにおいて、第１電極４６をソース接地電位として、ゲート電極４２に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第２電極４７に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極４６と第２電極４７との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となり、図１１に示すようなゲート電圧・ドレイン電流の特性を示した。また、第４実施形態の有機ＴＦＴにおいて、第２電極４７をソース接地電位として、ゲート電極４２に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第１電極４６に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極４６と第２電極４７との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となった。
【００７８】
［実施例５］
実施例５では、第５実施形態の有機ＴＦＴを用いるものとする。第５実施形態の有機ＴＦＴにおいて、第１電極６５をソース接地電位として、ゲート電極６２に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第２電極６６に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極６５と第２電極６６との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となり、図１２に示すようなゲート電圧・ドレイン電流の特性を示した。また、第５実施形態の有機ＴＦＴにおいて、第２電極６６をソース接地電位として、ゲート電極６２に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第１電極６５に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極６５と第２電極６６との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となった。
【００７９】
［実施例６］
実施例６では、第６実施形態の有機ＴＦＴを用いるものとする。第６実施形態の有機ＴＦＴにおいて、第１電極８６をソース接地電位として、ゲート電極８２に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第２電極８７に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極８６と第２電極８７との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となり、図１３に示すようなゲート電圧・ドレイン電流の特性を示した。また、第６実施例の有機ＴＦＴにおいて、第２電極８７をソース接地電位として、ゲート電極８２に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第１電極８６に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極８６と第２電極８７との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となった。
【００８０】
［実施例７］
実施例７では、第７実施形態の有機ＴＦＴを用いるものとする。第７実施形態の有機ＴＦＴにおいて、第１電極１０５をソース接地電位として、ゲート電極１０２に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第２電極１０６に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極１０５と第２電極１０６との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となり、図１４に示すようなゲート電圧・ドレイン電流の特性を示した。また、第７実施形態の有機ＴＦＴにおいて、第２電極１０６をソース接地電位として、ゲート電極１０２に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第１電極１０５に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極１０５と第２電極１０６との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となった。
【００８１】
［比較例］
比較例では、図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示す有機ＴＦＴを用いるものとする。この有機ＴＦＴでは、第１電極２０５をソース接地電位として、ゲート電極２０２に６０Ｖのゲート電圧を印加し、かつ第２電極２０６に６０Ｖのドレイン電圧を印加したところ、第１電極２０５と第２電極２０６との間にドレイン電流が流れて、有機ＴＦＴがオン状態となり、図１５に示すようなゲート電圧・ドレイン電流の特性を示した。
【００８２】
以上の結果に基づいて、本発明の実施例１〜実施例７と比較例との対比をする。図８〜図１５を参照すると、ゲート電圧が０Ｖ付近のときに、実施例１〜実施例７におけるリーク電流が、比較例におけるリーク電流よりも小さくなっていることが確認できた。この場合、実施例１〜実施例７は比較例よりもクロストークが発生し難いこととなる。
【符号の説明】
【００８３】
１，２１，４１，６１，８１，１０１  基板
１ａ，２１ａ，４１ａ，６１ａ，８１ａ，１０１ａ  表面
２，２２，５１，７１，９０，１０９  第１電極配線
３，２３，４９，６９  層間絶縁膜
３ａ，２３ａ，４９ａ，６９ａ  表面
４，２４，４２，６２，８２，１０２  ゲート電極
５，２５，４３，６３，８３，１０３  ゲート電極配線
６，２６，４４，６４，８４，１０４  ゲート絶縁膜
６ａ，２６ａ，４４ａ，６４ａ，８４ａ，１０４ａ  表面
７，３１，４５，６８，８５，１１０  有機半導体膜
７ａ，３１ａ，６８ａ，８５ａ，１１０ａ  表面
８，２７，５０，７０，８９，１０８  コンタクトホール
９，１４，２８，４６，６５，８６，１０５  第１電極
１０，１５，２９，４７，６６，８７，１０６  第２電極
１１，１６，３０，４８，６７，８８，１０７  第２電極配線
１２，１７，３２，５２，７２，９１，１１１  表面保護膜
１３  保護膜
【図１】
2010225622.tif 000003
【図２】
2010225622.tif 000004
【図３】
2010225622.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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