(57)【要約】【課題】ＡＣＦで電子部品を実装するためガラス基板裏面からレーザ光を照射するときにＡＣＦを適切な温度に加熱することができる構造を有する基板モジュールを提供する。【解決手段】ガラス基板２０上に表示用配線２３およびＦＰＣ用配線７３を設けるほか、ＬＳＩチップ４０のバンプ電極４０ａが設けられていないその短辺近傍に、電気的に他と接続されていないベタパターンの加熱用配線２４を設ける。この加熱用配線２４がレーザ光で加熱されることにより、温度が低くなりやすいＬＳＩチップ４０の短辺近傍の温度が低下せずに温度分布が調節され、結果としてＡＣＦ８１を適切な温度に（典型的には均一に）加熱することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が異方性導電接着剤によって基板上に実装された基板モジュールであって、
導体パターンが形成された透明基板と、
前記透明基板面上に配置される異方性導電接着剤と、
前記異方性導電接着剤が配置される前記透明基板の表面側から所定の圧着手段で加圧され、前記透明基板の裏面側から照射される光で加熱される前記異方性導電接着剤によって実装される電子部品と
を備え、
前記導体パターンは、前記光を吸収することにより前記異方性導電接着剤の温度分布を調節する熱を発する加熱領域を有する加熱パターンを含むことを特徴とする、基板モジュール。
【請求項２】
前記加熱パターンは、前記加熱領域のみからなり、前記透明基板に形成された他の導体パターンまたは前記電子部品と電気的に接続されないことを特徴とする、請求項１に記載の基板モジュール。
【請求項３】
前記電子部品は、前記異方性導電接着剤を介して前記導体パターンに接続される複数の接続端子を有しており、
前記加熱領域は、前記光が照射されるときに、前記複数の接続端子に接する前記異方性導電接着剤の複数の領域のうち熱伝導による温度低下が大きい領域近傍に対応する前記透明基板上の領域に形成されることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の基板モジュール。
【請求項４】
前記電子部品は、長方形状の集積回路チップであって、長辺に沿ってのみ前記複数の接続端子を有しており、
前記加熱領域は、前記接続端子を有しない前記集積回路チップの短辺近傍に対応する前記透明基板上の領域に形成されることを特徴とする、請求項３に記載の基板モジュール。
【請求項５】
前記透明基板は、画像を表示する表示部を含み、
前記電子部品は、外部から与えられる信号に基づいて前記表示部を駆動する駆動素子を含む、請求項１から請求項４までのいずれかに記載の基板モジュール。
【請求項６】
電子部品が異方性導電接着剤によって基板上に実装された基板モジュールの製造方法であって、
透明基板に導体パターンを形成するパターン形成工程と、
前記透明基板面上に異方性導電接着剤を配置する仮配置工程と、
前記異方性導電接着剤が配置される前記透明基板の表面側から所定の圧着手段で加圧するとともに、前記透明基板の裏面側から前記光を照射することで、前記電子部品を前記異方性導電接着剤により実装する実装工程と
を備え、
前記パターン形成工程では、前記導体パターンに含まれる加熱パターンであって、前記光を吸収することにより前記異方性導電接着剤の温度分布を調節する熱を発する加熱領域を有する加熱パターンを形成することを特徴とする、基板モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板モジュールおよびその製造方法に関し、より詳しくは、異方性導電膜を用いて実装された電子部品を含む基板モジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ガラス基板などに電子部品を実装する場合、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film：以下「ＡＣＦ」という）を用いることがある。図４は、このＡＣＦを用いて電子部品を実装した、携帯電話などに搭載される従来の液晶モジュール６００の模式平面図である。
【０００３】
図４に示すように、液晶モジュール６００は、対向して配置された２枚のガラス基板６１０、６１５と、ＬＳＩチップ６３０と、ＦＰＣ基板６４０とを備えている。以下、本明細書において液晶モジュールとは、対向して配置された２枚のガラス基板、ガラス基板に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品を含み、バックライトや偏光板などは含まないものをいう。
【０００４】
２枚のガラス基板６１０、６１５に挟まれた空間は、シール材（図示しない）によって液晶（図示しない）が封止された表示部６２０を形成する。また、ガラス基板６１０の張出部６１１には、表示部６２０を駆動するために必要なドライバ機能を有する大規模集積回路（Large Scale Integration：以下「ＬＳＩ」という）チップ６３０、および外部の電子機器に接続されるフレキシブルプリント配線（Flexible Printed Circuit：以下、「ＦＰＣ」という）基板６４０がそれぞれチップ用ＡＣＦ６３０ａおよびＦＰＣ用ＡＣＦ６４０ａを用いて実装されている。そして外部からＦＰＣ基板６４０を介してＬＳＩチップ６３０に映像信号、制御信号および電源電圧が与えられると、映像が表示部６２０に表示される。
【０００５】
このような液晶モジュールを製造する際、チップ用ＡＣＦ６３０ａを用いてＬＳＩチップ６３０を実装するには、ＬＳＩチップ６３０の上面（ＬＳＩチップ６３０の基板面に向かう面と反対側の面）に対して所定の温度に加熱されたヒートツールと呼ばれる熱圧着のための部材を当接させ、このヒートツール（ホットバーとも呼ばれる）を基板面に向かって押しつけることにより所定の圧力を加える手法がとられることが多い。
【０００６】
このようにヒートツールで熱圧着する手法は比較的簡単な装置で実現することができるが、このヒートツール全体の温度を均一にすることは難しい。またヒートツールの汚れなどによりＡＣＦを加熱するための温度を常に一定に保つことも難しい。さらにＡＣＦの温度を適切に設定することも難しい。
【０００７】
そこで、ヒートツールに代えて、加熱を行わない圧着ツールで所定の圧力を加えるとともに、電子部品の上方から電子部品（またはベースフィルム）にレーザ光を照射し、またはガラス基板の裏面（電子部品が搭載される面と反対側の面）からレーザ光を照射することにより、ＡＣＦを加熱する従来の手法がある（例えば特許文献１を参照）。レーザ光は照射範囲や熱量を容易に制御することができるので、このレーザ光を用いることによりＡＣＦを加熱するための温度を容易に制御することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−２３７４５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、電子部品の上方から電子部品にレーザ光を照射する場合には、電子部品を均一に加熱することができるとしても、ＡＣＦを均一に加熱することができるわけではない。特に、電子部品の端部近傍のＡＣＦは、その外側（の基板部分へ）熱が逃げてしまうため、圧着に必要な温度に達しない場合がある。
【００１０】
また、ガラス基板の裏面からレーザ光を照射する場合であっても、電子部品の端部近傍のＡＣＦの温度は低下しやすく、ＡＣＦを均一に加熱することは困難である。特に、電子部品の端部近傍に設けられる接続端子に接続される（ガラス基板上に形成される）配線（典型的には、アルミニウム（Ａｌ）またはタンタル（Ｔａ）を含む金属材料によって形成される電極）や電子部品の裏面も加熱されるため、電子部品の中央付近に対応するＡＣＦの一部は十分に加熱されるが、配線に接続されるべき接続端子が設けられていない電子部品の端部近傍のＡＣＦの一部は十分に加熱されず、結果的に当該ＡＣＦの一部が圧着に必要な温度に達しない場合がある。
【００１１】
そこで、本発明は、ＡＣＦを用いて電子部品をガラス基板などの透明基板に実装するため、基板裏面からレーザ光のような加熱のための光を照射するときに、ＡＣＦを適切な温度に加熱することができる構造を有する基板モジュール、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
第１の発明は、電子部品が異方性導電接着剤によって基板上に実装された基板モジュールであって、
導体パターンが形成された透明基板と、
前記透明基板面上に配置される異方性導電接着剤と、
前記異方性導電接着剤が配置される前記透明基板の表面側から所定の圧着手段で加圧され、前記透明基板の裏面側から照射される光で加熱される前記異方性導電接着剤によって実装される電子部品と
を備え、
前記導体パターンは、前記光を吸収することにより前記異方性導電接着剤の温度分布を調節する熱を発する加熱領域を有する加熱パターンを含むことを特徴とする。
【００１３】
第２の発明は、第１の発明において、
前記加熱パターンは、前記加熱領域のみからなり、前記透明基板に形成された他の導体パターンまたは前記電子部品と電気的に接続されないことを特徴とする。
【００１４】
第３の発明は、第１または第２の発明において、
前記電子部品は、前記異方性導電接着剤を介して前記導体パターンに接続される複数の接続端子を有しており、
前記加熱領域は、前記光が照射されるときに、前記複数の接続端子に接する前記異方性導電接着剤の複数の領域のうち熱伝導による温度低下が大きい領域近傍に対応する前記透明基板上の領域に形成されることを特徴とする。
【００１５】
第４の発明は、第３の発明において、
前記電子部品は、長方形状の集積回路チップであって、長辺に沿ってのみ前記複数の接続端子を有しており、
前記加熱領域は、前記接続端子を有しない前記集積回路チップの短辺近傍に対応する前記透明基板上の領域に形成されることを特徴とする。
【００１６】
第５の発明は、第１から第４までのいずれか１つの発明において、
前記透明基板は、画像を表示する表示部を含み、
前記電子部品は、外部から与えられる信号に基づいて前記表示部を駆動する駆動素子を含む。
【００１７】
第６の発明は、電子部品が異方性導電接着剤によって基板上に実装された基板モジュールの製造方法であって、
透明基板に導体パターンを形成するパターン形成工程と、
前記透明基板面上に異方性導電接着剤を配置する仮配置工程と、
前記異方性導電接着剤が配置される前記透明基板の表面側から所定の圧着手段で加圧するとともに、前記透明基板の裏面側から前記光を照射することで、前記電子部品を前記異方性導電接着剤により実装する実装工程と
を備え、
前記パターン形成工程では、前記導体パターンに含まれる加熱パターンであって、前記光を吸収することにより前記異方性導電接着剤の温度分布を調節する熱を発する加熱領域を有する加熱パターンを形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
上記第１の発明によれば、導体パターンは光を吸収することにより異方性導電接着剤の温度分布を調節する熱を発する加熱領域を有する加熱パターンを含むよう形成されるので、異方性導電接着剤により電子部品を透明基板に実装するため、基板裏面側からレーザ光のような加熱のための光を照射するときに、この加熱パターンが加熱されることにより、異方性導電接着剤を適切な温度に加熱することができる。
【００１９】
上記第２の発明によれば、加熱パターンは加熱領域のみからなり、透明基板に形成された他の導体パターンまたは電子部品と電気的に接続されないので、電気的な接続関係を考慮する必要がなく、加熱に適した大きさおよび形状で形成することができる。
【００２０】
上記第３の発明によれば、光が照射されるときに、複数の接続端子に接する異方性導電接着剤の複数の領域のうち熱伝導による温度低下が大きい領域近傍に対応する透明基板上の領域に加熱領域を形成するので、この加熱領域により温度低下が大きい領域の温度低下を妨げることができ、異方性導電接着剤を適切な温度に（典型的には均一に）加熱することができる。
【００２１】
上記第４の発明によれば、接続端子を有しない集積回路チップの短辺近傍に対応する透明基板上の領域に加熱領域を形成するので、温度が低下しやすい集積回路チップの短辺近傍の温度を低下させないようにすることができる。
【００２２】
上記第５の発明によれば、第１から第４までのいずれか１つの発明と同様の効果を奏する、例えば液晶モジュールなどの表示部を備えた（表示用）基板モジュールを提供することができる。
【００２３】
上記第６の発明によれば、第１の発明と同様の効果を奏する基板モジュールの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶モジュールを示す模式平面図である。
【図２】上記実施形態において、図１に示す液晶モジュール１０の構造を示す図であって、より詳細には図２（Ａ）は、図１に示す液晶モジュール１０の斜視図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の矢線Ａ−Ａに沿った液晶モジュール１０の断面図である。
【図３】上記実施形態において、ＬＳＩチップ４０およびその周辺部分をガラス基板２０の裏面側から見た平面図である。
【図４】従来の液晶モジュールの模式平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
＜１．  液晶モジュールの構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る液晶モジュール１０の構成を示す模式平面図である。液晶モジュール１０は、図に示すように、対向して配置された２枚のガラス基板２０、２５と、ＬＳＩチップ４０とを備えている。なお、さらにコンデンサ等の電子部品を備えていてもよい。
【００２６】
２枚のガラス基板２０、２５に挟まれた空間には、シール材（図示しない）によって液晶（図示しない）が封止された表示部３０が形成される。ガラス基板２０の張出部２０ａには、液晶を駆動するために必要なドライバ機能を有するＬＳＩチップ４０や、外部に接続されるＦＰＣ基板５０が実装されている。外部からＦＰＣ基板５０を介してＬＳＩチップ４０に映像信号が与えられると、ＬＳＩチップ４０は表示部３０に映像を表示する。
【００２７】
ＬＳＩチップ４０は、ゲートドライバ、ソースドライバおよびＤＣ／ＤＣコンバータの回路パターン等が微細加工技術を用いてシリコン基板の表面に形成されるとともに、それらの回路パターンを外部に接続するための接続端子としてのバンプ電極が形成されたベアチップ（パッケージングを行う前のチップ）である。なおバンプ電極の高さは、例えば約１５μｍである。なおこのようにベアチップであるＬＳＩチップ４０を張出部２０ａにフェイスダウンボンディングする構成は一例であって、例えばＬＳＩチップ４０を表面実装型のパッケージにパッケージングしたＬＳＩデバイスをガラス基板２０上に実装してもよい。
【００２８】
ＦＰＣ基板５０は、厚み１２〜５０μｍの可撓性の絶縁性フィルム５１の片面に、厚み８〜５０μｍの銅箔からなる複数本の配線層７４が形成された基板であり、自由に折り曲げられる。なお、配線層７４は、絶縁性フィルム５１の片面だけでなく、両面に形成されていてもよい。
【００２９】
図２は、図１に示す液晶モジュール１０の構造を示す図であって、より詳細には図２（Ａ）は、図１に示す液晶モジュール１０の斜視図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の矢線Ａ−Ａに沿った液晶モジュール１０の断面図である。なお、図中に示されているレーザ光は矢印の方向へ照射され、圧着ツール１００は矢印の方向へ押圧される。これらはＡＣＦを熱圧着されるために用いられる。詳しくは後述する。
【００３０】
図２（Ｂ）に示すように、ＬＳＩチップ４０では、ＡＣＦ８１を用いたフェイスダウンボンディングにより、その表面に形成されたバンプ電極４０ａが、張出部２０ａに形成されたＦＰＣ用配線７３の一端および表示部３０に延びる表示用配線２３と接続されている。また、ＦＰＣ基板５０の絶縁性フィルム５１に形成された配線層７４も、ＡＣＦ８２を用いてＦＰＣ用配線７３の他端に接続されている。このようにして、ＦＰＣ基板５０の配線層７４とＬＳＩチップ４０の入力端子とがＦＰＣ用配線７３を介して接続されるので、外部からＦＰＣ基板５０の各配線層７４に与えられる映像信号、クロック信号などの信号、基準電圧などはそれぞれＬＳＩチップ４０の対応する入力端子に与えられる。
【００３１】
このような接続に用いられるＡＣＦ８１、８２は、エポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂に微細な導電性粒子を混ぜ合わせてフィルム状に成型したものである。ここで、ＡＣＦ８１を用いて、ＬＳＩチップ４０と表示用配線２３およびＦＰＣ用配線７３とを接続する場合について図２および図３を参照して説明する。
【００３２】
図３は、ＬＳＩチップ４０およびその周辺部分をガラス基板２０の裏面側から見た平面図である。なお、表示用配線２３およびＦＰＣ用配線７３とそれに対応するバンプ電極４０ａとの数は実際にはそれぞれ数十ないし百を超えることが多いが、図中では簡略に示されており、配線の幅や間隔なども実際とは異なり簡略に示されている。
【００３３】
まず、図３に示されるように、表示用配線２３およびＦＰＣ用配線７３の端部近傍を全て含むようようにガラス基板２０上にＡＣＦ８１を供給する。具体的には、このＡＣＦ８１は、テープ状のセパレータに貼り付けられており、ＡＣＦ供給装置によって上記位置に仮圧着された後、セパレータのみが取り外されることによりガラス基板２０上に貼り付けられる（仮配置される）。その後ＬＳＩチップ４０は、バンプ電極４０ａが対応する配線端部近傍の上方に位置するように、チップマウンタによってＡＣＦ８１の表面に載置される。
【００３４】
次に、図示されないレーザ光源を含むレーザ照射装置によって、ガラス基板２０の裏面側すなわちＬＳＩチップ４０が載置されていない面のＡＣＦ８１が供給されている領域へレーザ光が照射される。このレーザ光源は、例えば赤外線波長帯（約８００〜１１００ｎｍ）のダイオードレーザ光源やＹＡＧレーザ光源などであり、典型的にはアルミニウム（Ａｌ）またはタンタル（Ｔａ）を含む材料によって形成される表示用配線２３およびＦＰＣ用配線７３により吸収可能な波長のレーザ光を適切な強さで適切な時間（例えばパルスで）照射する。ただし、４μｍ〜１０μｍ程度の波長帯のレーザ光は、上記配線により吸収可能であっても、ガラス基板に対して損傷を与えることがあるため使用しないのが一般的である。
【００３５】
＜２．  加熱用配線の構成＞
また、図３に示されるように、ガラス基板２０上には表示用配線２３およびＦＰＣ用配線７３の他に、電気的に他と接続されていないベタパターンの加熱用配線２４が設けられている。この加熱用配線２４の構成および機能について詳しく説明する。
【００３６】
この加熱用配線２４は、他の配線と同一の素材、典型的にはアルミニウム（Ａｌ）またはタンタル（Ｔａ）を含む材料によって形成されており、他の配線が形成されていない領域であるＬＳＩチップ４０の短辺部両側の下方（裏面方向）近傍に形成されている。
【００３７】
なお、厳密には加熱用配線２４は、単なる導体パターンであって配線としての機能を有していないが、電気的に他と接続されていない点を除き、表示用配線２３およびＦＰＣ用配線７３と同一の材料でかつ同一の製造プロセスにより形成されるので、本明細書ではこれらを総括して配線と称する。
【００３８】
また、無電解めっき等のウェットプロセスやスパッタや蒸着などのドライプロセスにより、ガラス基板にアルミニウム（Ａｌ）またはタンタル（Ｔａ）を含む導体層を形成し、フォトエッチングなどの工程を経て所望の導体パターンを形成する製造プロセスは周知であるので詳しい説明は省略する。
【００３９】
ここで前述したレーザ光源から照射されたレーザ光は、赤外線波長帯の光であるものとし、このレーザ光をほとんど吸収しないガラス基板２０を透過して、上記加熱用配線２４と、表示用配線２３およびＦＰＣ用配線７３と、ＬＳＩチップ４０の裏面とに吸収される。このレーザ光はエネルギー密度が極めて高いので、吸収されることにより大きな熱エネルギーに変換され、ＡＣＦ８１に伝達される。また、ＡＣＦ８１もレーザ光を吸収するため、加熱される。
【００４０】
こうしてＡＣＦ８１を所定の温度に加熱しながらＬＳＩチップ４０の上面から（図示されない圧着装置に取り付けられた）圧着ツール１００により所定の時間、所定の圧力を加えると、バンプ電極４０ａの下方に位置するＡＣＦ８１のみに圧力が加わる。その結果、ＡＣＦ８１内に分散していた導電性粒子が接触しながら重なって導電経路を形成する。このとき、圧力が加わらなかったＡＣＦ８１内の導電性粒子は導電経路を形成しないので、面に沿った方向には絶縁性が保持される。圧力を加えながらＡＣＦ８１を加熱すれば、ＡＣＦ８１に含まれる熱硬化性樹脂が硬化するので、加圧終了後もＡＣＦ８１内に形成された導電経路はそのまま維持される。
【００４１】
なお、ＡＣＦ８１の代わりに、ＡＣＦ８１のようなフィルム状ではなく、ペースト状の熱硬化性樹脂内に導電性粒子を混ぜ合わせた異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）を使用してもよい。本明細書では、これら異方性導電膜および異方性導電ペーストをまとめて異方性導電接着剤という。
【００４２】
このように、加熱用配線２４はＡＣＦ８１の下方に位置するが、ＡＣＦ８１により導電経路が形成されるよう設けられているわけではなく、レーザ光を吸収させてＡＣＦ８１を加熱するために設けられている。
【００４３】
すなわち、この加熱用配線２４が設けられない従来の構成では、ＬＳＩチップ４０の長手方向端部近傍の（バンプ電極４０下方と接する）ＡＣＦ８１は、その熱がＬＳＩチップ４０外側方向の温度の低いガラス基板２０領域、特にＬＳＩチップ４０の短辺外側近傍のガラス基板２０領域へ伝わって逃げてしまう。なお、ＬＳＩチップ４０の短辺外側近傍以外のＬＳＩチップ４０の長手方向近傍には、図３に示されるように、表示用配線２３またはＦＰＣ用配線７３が（引き出されるように）設けられているため、これらの配線がレーザ光を吸収することにより、その近傍のガラス基板２０領域の温度は高くなる。そうして、従来の構成では、ＬＳＩチップ４０の長手方向端部近傍のＡＣＦ８１は、その長手方向中央近傍のＡＣＦ８１よりも温度が低くなる。
【００４４】
しかし、加熱用配線２４が設けられている本実施形態のガラス基板２０では、この加熱用配線２４の領域近傍の温度は、加熱用配線２４が加熱されることによって高くなる。その結果、ＬＳＩチップ４０の長手方向端部近傍の（バンプ電極４０下方と接する）ＡＣＦ８１の温度は低下することなく、その長手方向中央近傍の（バンプ電極４０下方と接する）ＡＣＦ８１の温度と略一致させることができる。
【００４５】
なお、図３に示される加熱用配線２４の数、大きさ、配置位置、および形状等は一例であって、ＬＳＩチップ４０のバンプ電極４０下方に位置するＡＣＦ８１の温度を略一致させ、または略一致させる方向に調整することができる熱を発するものであればよい。また、加熱用配線２４は、電気的に他と接続されていてもよく、例えばＬＳＩチップ４０の長手方向端部のバンプ電極４０ａと接続される表示用配線２３またはＦＰＣ用配線７３の形状を変形させることにより、加熱用配線２４を形成してもよい。もっとも図３に示される加熱用配線２４は、他の配線や電子部品との電気的な接続関係を考慮する必要がないので、加熱に適した大きさおよび形状で形成することができる点で好適である。
【００４６】
このように加熱用配線２４は、ＡＣＦ８１（が貼り付けられる領域）の温度プロファイルを適宜に設定するための領域、すなわちＡＣＦ８１の温度分布を調節するための熱を発する加熱領域を含んでいればよく、さらには温度の低いＬＳＩチップ４０の外側方向への熱伝導により、ＬＳＩチップ４０のバンプ電極４０下方に位置するＡＣＦ８１の温度低下が比較的大きくなる領域の近傍に加熱領域を含んでいることが好ましい。
【００４７】
なお、上記温度プロファイルは、温度と基板面の位置との対応関係を規定するものとして簡単に説明したが、実際には圧着工程においてＡＣＦに与えられる熱の総量を考慮して、基板面の位置と温度と時間との対応関係（すなわち基板上の任意の位置における温度の経時変化）を規定するものであることが好ましい。
【００４８】
＜３．  効果＞
上記実施形態によれば、ＡＣＦ近傍であって温度が低くなりやすい領域であるＬＳＩチップ４０の長手方向端部近傍の領域、ここではＬＳＩチップ４０の短辺部近傍に加熱用配線２４をガラス基板２０上に配置する。このことからＡＣＦを用いて電子部品をガラス基板に実装するため、基板裏面からレーザ光のような加熱のための光を照射するときに、この加熱用配線２４が加熱されて温度分布を調節する熱を発生することにより、温度が低くなりやすい領域の温度が低下せず、結果としてＡＣＦを適切な温度に（典型的には均一に）加熱することができる。
【００４９】
＜４．  変形例＞
上記実施形態では液晶モジュールである基板モジュールについて説明したが、液晶表示装置に使用される液晶モジュールに限定されず、有機または無機のＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel；ＰＤＰ）、真空蛍光ディスプレイ（Vacuum Fluorescent Display）、電子ペーパなどの各種表示装置に使用される基板モジュールにも同様に適用することができ、また表示装置以外に使用される各種基板モジュールにも同様に適用することができる。さらに上記実施形態ではガラス基板を使用したが、レーザ光などの光を透過する透明基板、例えば耐熱プラスチック製の透明基板などを使用してもよい。
【００５０】
また、上記実施形態では、ＬＳＩチップ４０を実装するために加熱用配線２４を設ける例について説明したが、その他の電子部品、例えば安定化コンデンサまたは昇圧コンデンサとして機能するセラミックチップコンデンサ、チップ抵抗器、チップコイルなどの受動部品を実装し、または発光ダイオード（ＬＥＤ）、ダイオード、トランジスタ、その他のＬＳＩチップなどの能動部品をＡＣＦにより実装するためガラス基板２０上に加熱用配線２４を設ける構成であってもよい。この場合には、１つの電子部品における複数の端子をＡＣＦを介して基板と接続するための温度プロファイルを適宜に設定するように加熱用配線を設ける構成の他に、他の電子部品を含めて基板に貼り付けられたＡＣＦ全てに対する温度プロファイルを適宜に設定することができるように加熱用配線を設ける構成などが考えられる。
【００５１】
なお、上記実施形態では加熱用配線２４を設けるが、この構成に代えて導体パターン以外の部材、例えばレーザ光を吸収する素材のプラスチック片やテープなどを貼り付ける構成であってもよい。もっとも、これらを正確な位置に貼り付けることは困難であり、また剥がすための工程も必要であるため、製造時の工数が増加する。また、ＡＣＦ８１の形状を工夫する（加熱用配線２４が設けられるべき領域にも設ける）ことで加熱用配線２４を省略する構成であってもよい。もっとも、ＡＣＦは矩形の形状で貼り付けられ、導体パターンのように自由な形状を設定することができないのが一般的であるため、この構成では製造コストが増加する。この点、加熱用配線２４は、他の配線パターンと同時に形成することができるため製造コストが増加することはなく、正確な位置に自由な形状で容易に設けることができる点で好適である。
【符号の説明】
【００５２】
１０…液晶モジュール
２０、２５…ガラス基板
２０ａ…張出部
２３  …表示用配線
２４  …加熱用配線
３０…表示部
４０…ＬＳＩチップ
４０ａ…バンプ電極
５０…ＦＰＣ基板
７３…ＦＰＣ用配線
７４…ＦＰＣ基板の配線層
８１、８２…ＡＣＦ（異方性導電膜）
【図１】
2010177235.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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