(57)【要約】【課題】本発明は、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくい優れた寸法安定性を有するバックグラインド用基体フィルム及びバックグラインドフィルムを提供することを目的とする。【解決手段】表裏層及び中間層を含む少なくとも３層からなるバックグラインド用基体フィルムであって、中間層が、ポリプロピレン系樹脂０〜６０重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）４０〜１００重量％を含む樹脂組成物からなり、かつ、表裏層が、ポリプロピレン系樹脂４０〜１００重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ｂ）０〜６０重量％を含む樹脂組成物（ａ）、又は、ポリプロピレン系樹脂６０〜１００重量％、及びビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水添物０〜４０重量％を含む樹脂組成物（ｂ）からなるバックグラインド用基体フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏層及び中間層を含む少なくとも３層からなるバックグラインド用基体フィルムであって、
中間層が、ポリプロピレン系樹脂０〜６０重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）４０〜１００重量％を含む樹脂組成物からなり、かつ、
表裏層が、以下の樹脂組成物（ａ）又は樹脂組成物（ｂ）からなるバックグラインド用基体フィルム。
樹脂組成物（ａ）：
ポリプロピレン系樹脂４０〜１００重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ｂ）０〜６０重量％を含む樹脂組成物、
樹脂組成物（ｂ）：
ポリプロピレン系樹脂６０〜１００重量％、及びビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水添物０〜４０重量％を含む樹脂組成物。
【請求項２】
オレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）及び（Ｂ）が、ポリプロピレン系樹脂中に、プロピレンとエチレンとの共重合体ゴムが微分散している海−島構造を有するエラストマーである請求項１記載のバックグラインド用基体フィルム。
【請求項３】
オレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）が、ｏ−ジクロロベンゼンを溶媒として用いた温度０〜１４０℃の間の温度上昇溶離分別における０℃での溶出量が、全溶出量に対して６０〜８０重量％である請求項１又は２記載のバックグラインド用基体フィルム。
【請求項４】
厚みが５０〜３００μｍである請求項１〜３のいずれかに記載のバックグラインド用基体フィルム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のバックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを有するバックグラインドフィルム。
【請求項６】
請求項５に記載のバックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去することを特徴とする半導体ウェハのバックグラインド方法。
【請求項７】
表層／中間層／裏層の順で共押出成形することを特徴とするバックグラインド用基体フィルムの製造方法であって、
中間層が、ポリプロピレン系樹脂０〜６０重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）４０〜１００重量％を含む樹脂組成物からなり、かつ、
表裏層が、以下の樹脂組成物（ａ）又は樹脂組成物（ｂ）からなるバックグラインド用基体フィルムの製造方法。
樹脂組成物（ａ）：
ポリプロピレン系樹脂４０〜１００重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ｂ）０〜６０重量％を含む樹脂組成物、
樹脂組成物（ｂ）：
ポリプロピレン系樹脂６０〜１００重量％、及びビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水添物０〜４０重量％を含む樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの裏面研削（以下、「バックグラインド」という）する際に、該半導体ウェハに貼着して使用されるバックグラインドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体を製造する場合には、半導体ウェハの表面にイオン注入、エッチング等で回路を形成した後、ウェハを所定の厚さにするためにウェハの回路形成面とは反対の面をグラインダー等で研削するバックグラインド工程を経るのが一般的である。
【０００３】
この半導体ウェハのバックグラインド時に、半導体ウェハの破損を防止し、研削加工を容易にするため、半導体ウェハの回路形成面（表面）に裏面研削用表面保護フィルム（バックグラインドフィルム）を貼着して保護する方法がとられている。
【０００４】
バックグラインドフィルムは、バックグラインド時の摩擦熱により加熱され、バックグラインド終了後は常温まで冷却される。従来用いられているバックグラインドフィルムは、バックグラインド終了後の冷却過程で収縮するため半導体ウェハ側に反りが発生することが知られている。
【０００５】
近年、半導体ウェハの超薄型化（５０μｍ以下）により、バックグラインドフィルムの反りに追随して貼着された半導体ウェハにも反りが発生しやすくなり、ひいては半導体ウェハチップに欠けが発生するという問題が生じている（例えば、図１参照）。そのため、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程で反りが生じにくい寸法安定性に優れるバックグラインドフィルムが望まれてきている。
【０００６】
かかるウェハの反りの問題を解決するべく、種々のバックグラインドフィルムが開発されており、例えば、粘着剤層上にエチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＡ）フィルムをラミネートし、さらに粘着剤及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムをラミネートして得られる半導体ウェハ加工用保護シートが知られている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、特許文献１に記載された保護シートでは、極めて引張り弾性率の低い層を別途中間層として設けることにより、基材のわずかな寸法変化を緩和し、ウェハの反りを抑制することが提案されているが、緩和しきれない寸法変化が発生した場合には、反りが大きくなる等の問題があった。
【０００７】
さらに、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン系共重合体からなる基材フィルムの片表面に粘着剤を塗布した半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム（例えば、特許文献２参照）や、ジエン系ブロック重合体の水素添加物及び極性基変性オレフィン系重合体から選ばれる少なくとも１種を含むエラストマーからなるバックグラインドテープ（例えば、特許文献３参照）が知られている。しかしながら、これらの特許文献においては、５０μｍ程度の薄型半導体ウェハに使用される場合については十分な検討がなされておらず、その結果、これらの文献の保護材料では、薄型半導体ウェハの反り抑制という点では十分ではなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１２８２９２号公報
【特許文献２】特開２００６−２６１４８２号公報
【特許文献３】特開２００５−１９１２９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくい優れた寸法安定性を有し、かつ、フィルム巻き取り時におけるブロッキングが抑制できるバックグラインド用基体フィルム、該バックグラインド用基体フィルムを含むバックグラインドフィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意研究を行った結果、表裏層及び中間層を含む少なくとも３層からなるバックグラインド用基体フィルムであって、中間層が、ポリプロピレン系樹脂０〜６０重量％、及びオレフィン系熱可塑性エラストマー４０〜１００重量％を含む樹脂組成物からなり、かつ、表裏層が、（ａ）ポリプロピレン系樹脂４０〜１００重量％、及びオレフィン系熱可塑性エラストマー０〜６０重量％を含む樹脂組成物、又は、（ｂ）ポリプロピレン系樹脂６０〜１００重量％、及びビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水添物０〜４０重量％を含む樹脂組成物からなるバックグラインド用基体フィルムが、バックグラインド工程において寸法安定性に優れ、かつ、フィルム巻き取り時におけるブロッキングが抑制できることを見いだした。かかる知見に基づき、さらに研究を重ねて本発明を完成するに至った。
【００１１】
即ち、本発明は下記のバックグラインド用基体フィルム、該基体フィルムを含むバックグラインドフィルム、半導体ウェハのバックグラインド方法、及びバックグラインド用基体フィルムの製造方法を提供する。
項１．表裏層及び中間層を含む少なくとも３層からなるバックグラインド用基体フィルムであって、
中間層が、ポリプロピレン系樹脂０〜６０重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）４０〜１００重量％を含む樹脂組成物からなり、かつ、
表裏層が、以下の樹脂組成物（ａ）又は樹脂組成物（ｂ）からなるバックグラインド用基体フィルム。
樹脂組成物（ａ）：
ポリプロピレン系樹脂４０〜１００重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ｂ）０〜６０重量％を含む樹脂組成物、
樹脂組成物（ｂ）：
ポリプロピレン系樹脂６０〜１００重量％、及びビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水添物０〜４０重量％を含む樹脂組成物。
項２．オレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）及び（Ｂ）が、ポリプロピレン系樹脂中に、プロピレンとエチレンとの共重合体ゴムが微分散している海−島構造を有するエラストマーである上記項１記載のバックグラインド用基体フィルム。
項３．オレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）が、ｏ−ジクロロベンゼンを溶媒として用いた温度０〜１４０℃の間の温度上昇溶離分別における０℃での溶出量が、全溶出量に対して６０〜８０重量％である上記項１又は２記載のバックグラインド用基体フィルム。
項４．厚みが５０〜３００μｍである上記項１〜３のいずれかに記載のバックグラインド用基体フィルム。
項５．上記項１〜４のいずれかに記載のバックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを有するバックグラインドフィルム。
項６．上記項５に記載のバックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去することを特徴とする半導体ウェハのバックグラインド方法。
項７．表層／中間層／裏層の順で共押出成形することを特徴とするバックグラインド用基体フィルムの製造方法であって、
中間層が、ポリプロピレン系樹脂０〜６０重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）４０〜１００重量％を含む樹脂組成物からなり、かつ、
表裏層が、以下の樹脂組成物（ａ）又は樹脂組成物（ｂ）からなるバックグラインド用基体フィルムの製造方法。
樹脂組成物（ａ）：
ポリプロピレン系樹脂４０〜１００重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ｂ）０〜６０重量％を含む樹脂組成物、
樹脂組成物（ｂ）：
ポリプロピレン系樹脂６０〜１００重量％、及びビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水添物０〜４０重量％を含む樹脂組成物。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくく寸法安定性に優れている。また、基体フィルム巻き取り時におけるブロッキングを効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】バックグラインド用基体フィルムの反りに追随して半導体ウェハにも反りが発生し欠けが発生することを模式的に示した図である。
【図２】バックグラインド用基体フィルムの反りの測定方法を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
１．バックグラインド用基体フィルム
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、表裏層及び中間層を含む少なくとも３層からなり、表裏層および中間層は、下記に示す樹脂組成物から形成される。ここで、表裏層とは、中間層の表面及び裏面に形成される表層と裏層の両層を示すものである。
【００１５】
中間層は、ポリプロピレン系樹脂０〜６０重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）４０〜１００重量％を含む樹脂組成物からなり、
表裏層は、
樹脂組成物（ａ）：ポリプロピレン系樹脂４０〜１００重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ｂ）０〜６０重量％を含む樹脂組成物、又は
樹脂組成物（ｂ）：ポリプロピレン系樹脂６０〜１００重量％、及びビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水添物０〜４０重量％を含む樹脂組成物
から形成されるものである。
【００１６】
表裏層として、樹脂組成物（ａ）を用いた場合を、バックグラインド用基体フィルム１とし、表裏層として、樹脂組成物（ｂ）を用いた場合を、バックグラインド用基体フィルム２として、以下に、バックグラインド用基体フィルム１、２の組成について、詳述する。
【００１７】
１．１  バックグラインド用基体フィルム１
（１）  中間層
バックグラインド用基体フィルム１の中間層は、ポリプロピレン系樹脂０〜６０重量、及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）４０〜１００重量％を含む樹脂組成物（以下、中間層用樹脂組成物という）からなる。
（１−１）ポリプロピレン系樹脂
本発明で用いるポリプロピレン系樹脂（ＰＰ）としては、結晶性のものが好ましい。結晶性プロピレン系樹脂としては、プロピレンの単独重合体あるいはプロピレンと少量のα−オレフィン及び／又はエチレンとのランダム又はブロック共重合体が挙げられる。
【００１８】
ポリプロピレン系樹脂が共重合体である場合には、α−オレフィン及び／又はエチレンの共重合割合は以下に示す割合であることが好ましい。
【００１９】
ランダム共重合体の場合、該共重合体中に、プロピレン以外のα−オレフィン及び／又はエチレンが、一般に合計で１０重量％以下であり、好ましくは０．５〜７重量％である。また、ブロック共重合体の場合、該共重合体中に、プロピレン以外のα−オレフィン及び／又はエチレンが、一般に合計で４０重量％以下であり、好ましくは１〜４０重量％であり、より好ましくは１〜２５重量％、さらに好ましくは２〜２０重量％、特に好ましくは３〜１５重量％である。
【００２０】
これらのポリプロピレン系重合体は、２種以上の重合体を混合したものであってもよい。
【００２１】
ポリプロピレンの結晶性の指標としては、例えば、融点、結晶融解熱量等が用いられ、融点は１２０〜１７６℃、結晶融解熱量は６０〜１２０Ｊ／ｇであることが好ましい。
【００２２】
該ポリプロピレン系樹脂は、気相重合法、バルク重合法、溶媒重合法及び任意にそれらを組み合わせて多段重合を採用することができ、また、重合体の数平均分子量についても特に制限はないが、好ましくは１０，０００〜１，０００，０００に調整される。
【００２３】
この結晶性ポリプロピレン系樹脂としては、ＪＩＳ  Ｋ７２１０に準拠して、温度２３０℃で、荷重２１．１８Ｎで測定したときのＭＦＲ（メルトフローレート）が、一般に０．５〜２０ｇ／１０分であり、好ましくは０．５〜１０ｇ／１０分である。
【００２４】
（１−２）オレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）
本発明で用いるオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）としては、ポリプロピレン系樹脂成分と、プロピレンとエチレンとの共重合体ゴム成分を含有するものが好ましく、ポリプロピレン系樹脂（マトリックス相）中に、プロピレンとエチレンとの共重合体ゴムが微分散している海−島構造を有するエラストマーであることがより好ましい。
【００２５】
オレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）は、ポリプロピレン系樹脂成分が１０〜４０重量％であることが好ましく、２０〜３０重量％であることがより好ましい。また、プロピレンとエチレンとの共重合体ゴム成分は、６０〜９０重量％であることが好ましく、７０〜８０重量％であることがより好ましい。
【００２６】
（ｉ）ポリプロピレン系樹脂成分
ポリプロピレン系樹脂としては、アイソタクチックインデックスが９０％以上のプロピレン単独重合体が好ましく、９５％以上であるプロピレン単独重合体であることがより好ましい。ポリプロピレン系樹脂のアイソタクチックインデックスが９０％未満では、オレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）の耐熱性が劣る傾向にある。
【００２７】
（ｉｉ）プロピレンとエチレンとの共重合体ゴム成分
プロピレンとエチレンの共重合割合は、特に限定されるものではなく、適宜決定することができる。一例としては、例えば、プロピレン/エチレン＝１０〜９０／９０〜１０（重量％）等を挙げることできる。
【００２８】
共重合体ゴムには、プロピレンとエチレン以外にも共重合成分を含んでもよい。共重合成分としては、例えば、１,４−ヘキサジエン、５−メチル１,５−ヘキサジエン、１,４−オクタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、ジシクロペンタジエン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−ブチリデン−２−ノルボルネン、２−イソプロペニル−５−ノルボルネン等の非共役ジエンを挙げることができる。これらの添加量は特に限定されるものではなく、本発明の効果を損なわない範囲で添加することができる。
【００２９】
本発明で用いるオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）は、ｏ−ジクロロベンゼンを溶媒として用いた、温度０〜１４０℃の間の温度上昇溶離分別における０℃での溶出量が全溶出量に対して６０〜８０重量％であることが好ましい。０℃での溶出量がこの範囲であると反りを効果的に抑制できるため好ましい。
【００３０】
ここで、温度上昇溶離分別（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｒｉｓｉｎｇ Ｅｌｕｔｉｏｎ Ｆｒａｃｔｉｏｎａｔｉｏｎ；ＴＲＥＦ）は、公知の分析法である。具体的な測定方法としては、例えば、特開２００３−７６５４号公報に開示されている方法等を挙げることができる。
【００３１】
（ｉｉｉ）オレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）の製造方法
本発明で用いるオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）の製造方法は、特に限定されるものではなく、公知のいかなる方法であってもよいが、下記に製造方法の一例を示す。
【００３２】
第一段階で、反応容器にプロピレンを供給して、触媒の存在下に温度５０〜１５０℃（好ましくは、５０〜１００℃）、プロピレン分圧０．５〜４．５ＭＰａ（好ましくは、１．０〜３．５ＭＰａ）の条件で、プロピレン単独重合体の重合を実施する。
【００３３】
引き続いて、第二段階で、プロピレンとエチレンを供給して、触媒の存在下に温度５０〜１５０℃（好ましくは５０〜１００℃）、プロピレン及びエチレン分圧各０．３〜４．５ＭＰａ（好ましくは０．５〜３．５ＭＰａ）の条件で、プロピレン−エチレン共重合体の重合を実施して製造する。
【００３４】
（１−３）中間層用樹脂組成物
本発明のバックグラインド用基体フィルム１に用いる中間層用樹脂組成物は、前記ポリプロピレン系樹脂０〜６０重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）４０〜１００重量％を含むものであり、前記ポリプロピレン系樹脂１０〜５０重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）５０〜９０重量％を含むことが好ましく、前記ポリプロピレン系樹脂２０〜４０重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）６０〜８０重量％を含むことがより好ましい。中間層用樹脂組成物の組成が前記範囲内であることにより、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程における寸法安定性が優れるため好ましい。
【００３５】
また、前記樹脂組成物には、前記ポリプロピレン系樹脂又はオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）以外にも酸化防止剤、耐候性剤等の公知の添加剤を含むことができる。その添加範囲としては、特に限定されるものではないが、樹脂組成物全固形分中１０重量％以下であることが好ましく、５〜１重量％の範囲を挙げることができる。
【００３６】
（２）  表裏層
本発明において、表層及び裏層は、同じ組成の樹脂組成物からなる層であってもよく、また、異なる樹脂組成物からなる層であってもよいが、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくく寸法安定性に優れる点から、表層と裏層が同一の樹脂組成物からなることが好ましい。
【００３７】
本明細書においては、表層を形成する樹脂組成物を表層用樹脂組成物とし、裏層を形成する樹脂組成物を裏層用樹脂組成物とする。また、これらをまとめて表裏層用樹脂組成物ということもある。
【００３８】
バックグラインド用基体フィルム１の表裏層樹脂組成物は、ポリプロピレン系樹脂４０〜１００重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ｂ）０〜６０重量％を含む樹脂組成物（ａ）である。
【００３９】
ポリプロピレン系樹脂としては、前記中間層で用いることができるものと同じものを挙げることができ、オレフィン系熱可塑性エラストマー（Ｂ）としては、前記中間層で用いるオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ａ）と同様のものを挙げることができる。
【００４０】
本発明において用いるポリプロピレン系樹脂は耐熱性が優れるため、バックグラインド時の摩擦熱による加熱に対しても十分な耐性を有するものである。
【００４１】
本発明のバックグラインド用基体フィルム１に用いる表裏層用樹脂組成物は、ポリプロピレン系樹脂４０〜１００重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ｂ）０〜６０重量％を含むものであり、前記ポリプロピレン系樹脂６０〜１００重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ｂ）０〜４０重量％を含むことが好ましく、前記ポリプロピレン系樹脂７０〜１００重量％及びオレフィン系熱可塑性エラストマー（Ｂ）０〜３０重量％を含むことがより好ましい。表裏層用樹脂組成物の組成が前記範囲内であることにより、基体フィルム巻き取り時のブロッキングを抑制できるため好ましい。
【００４２】
また、前記表裏層用樹脂組成物には、前記ポリプロピレン系樹脂、オレフィン系熱可塑性エラストマー（Ｂ）以外にも酸化防止剤、耐候性剤等を含むことができる。その添加範囲としては、特に限定されるものではないが、樹脂組成物全固形部中１０重量％以下であることが好ましく、５〜１重量％の範囲を挙げることができる。
【００４３】
１．２  バックグラインド用基体フィルム２
（１）  中間層
バックグラインド用基体フィルム２における中間層は、バックグラインド用基体フィルム１の中間層と同様である。
【００４４】
（２）  表裏層
バックグラインド用基体フィルム２においても、表層及び裏層は、同じ組成の樹脂組成物からなる層であってもよく、また、異なる樹脂組成物からなる層であってもよいが、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくく寸法安定性に優れる点から、表層と裏層が同一の樹脂組成物からなる層であることが好ましい。
【００４５】
バックグラインド用基体フィルム２の表裏層用樹脂組成物は、ポリプロピレン系樹脂６０〜１００重量％、及びビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水添物０〜４０重量％を含む樹脂組成物（ｂ）である。
【００４６】
（２−１）ポリプロピレン系樹脂
ポリプロピレン系樹脂としては、バックグラインド用基体フィルム１の中間層用樹脂組成物に用いるものと同じものを挙げることができる。
【００４７】
（２−２）ビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水添物
ビニル芳香族炭化水素とは、少なくとも１つのビニル基を有する芳香族炭化水素のことであり、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、１，１−ジフェニルエチレン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−アミノエチルスチレン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｐ−アミノエチルスチレン等を挙げることができる。これらは一種単独又は二種以上を混合して使用することができる。これらの中でも、スチレンが好ましい。
【００４８】
共役ジエン炭化水素とは、１対の共役二重結合を有するジオレフィンであり、例えば、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン（イソプレン）、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン等を挙げることができる。これらは一種単独又は二種以上を混合して使用することができる。これらの中でも、ブタジエンが好ましい。
【００４９】
バックグラインド用基体フィルム２の表裏層用樹脂組成物には、前記ビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体を用いるものであるが、該共重合体の水素添加物とする方が、表裏層用樹脂組成物に含まれるポリプロピレン樹脂との相溶性の点から好ましい。また、共役ジエン炭化水素中の二重結合の存在により引き起こされる酸化劣化等に起因してフィルムが脆くなる傾向があるが、水素添加物では、その酸化劣化等を防止できるため好ましい。
【００５０】
ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物は、共役ジエン炭化水素に由来の二重結合を、公知の方法により水素添加（例えば、ニッケル触媒等）して飽和にしておくことが好ましい。これにより、前記効果に加えて、さらに、耐熱性、耐薬品性、耐久性等に優れたより安定な樹脂にすることができるため好ましい。
【００５１】
ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物の水添率は、共重合体中の共役ジエン炭化水素に由来する二重結合の８５％以上であることが好ましく、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上である。この水添率は、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて測定することができる。
【００５２】
ビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水素添加物におけるビニル芳香族炭化水素単位の含有量は、通常５〜４０重量％であり、好ましくは５〜１５重量％である。また、共役ジエン炭化水素単位の含有量は、通常６０〜９５重量％であり、好ましくは８５〜９５重量％である。スチレン系単量体単位の含有量は、紫外分光光度計又は核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて、ジエン系単量体単位の含有量は、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて測定することができる。
【００５３】
ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の硬度（ＪＩＳＫ６２５３ デュロメータータイプＡ）は、通常４０〜９０程度であり、好ましくは、５５〜８５程度である。
【００５４】
また、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の比重（ＡＳＴＭＤ２９７）は、通常０．８５〜１．０程度であり、ＭＦＲ（ＡＳＴＭ Ｄ１２３８：２３０℃、２１．２Ｎ）は、通常２〜６ｇ／１０分程度である。
【００５５】
ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、通常１０万〜５０万程度であり、好ましくは１５万〜３０万程度であればよい。重量平均分子量は、市販の標準ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定できる。
【００５６】
（２−３）表裏層用樹脂組成物
本発明のバックグラインド用基体フィルム２に用いる表裏層用樹脂組成物（ｂ）は、ポリプロピレン系樹脂６０〜１００重量％、及びビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水添物０〜４０重量％を含むものであり、ポリプロピレン系樹脂６５〜９０重量％、及びビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水添物１０〜３５重量％を含むことが好ましく、ポリプロピレン系樹脂７０〜８５重量％、及びビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水添物１５〜３０重量％を含むことがより好ましい。表裏層用樹脂組成物の組成が前記範囲内であることにより、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程における寸法安定性が優れ、かつ、基体フィルム巻き取り時のブロッキングを抑制できるため好ましい。
【００５７】
また、前記表裏層用樹脂組成物には、前記ポリプロピレン系樹脂、ビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体又はその水添物以外にも酸化防止剤、耐候性剤等を含むことができる。その添加範囲としては、特に限定されるものではないが、樹脂組成物固形分中１０重量％以下であることが好ましく、５〜１重量％の範囲を挙げることができる。
【００５８】
１．３  層構成
本発明のバックグラインド用基体フィルム（バックグラインド用基体フィルム１及び２）は、前述のように表裏層及び中間層を含む少なくとも３層からなるものである。具体的には、表層／中間層／裏層の順番で積層されたフィルムである。また、前記３層に限られるものではなく、本発明の効果を損なわない範囲で、前記以外の層（例えば、接着剤層等）を含んでいてもよい。
【００５９】
表層／中間層／裏層の厚み比率は、１／１／１〜１／４０／１であることが好ましく、１／１／１〜１／１０／１であることがより好ましく、１／１／１〜１／６／１であることがさらに好ましい。厚み比率が、前記範囲内にあることで多層化時における溶融粘度差による成形不良が発生しにくい、又中間層の全体に占める割合が大きくなることで、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくいため好ましい。
【００６０】
本発明のバックグラインド用基体フィルムの総厚みは、容易にロ−ル状に巻くことができる程度であれば良く、特に限定されないが、例えば、８０〜２３０μｍであることが好ましく、１００〜１８０μｍであることがより好ましい。
【００６１】
中間層の厚みは、６０〜２２０μｍであることが好ましく、８０〜１５０μｍであることがより好ましい。中間層の厚みがこの範囲にあることで優れた寸法安定性が得られるため好ましい。
【００６２】
表裏層の厚みは、５〜７０μｍであることが好ましく、５〜５０μｍであることがより好ましい。
【００６３】
本発明のバックグラインド用基体フィルム１及び２は、いずれも、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくく寸法安定性に優れており、さらに、基体フィルム巻き取り時におけるブロッキングを効果的に抑制することができるものである。
【００６４】
２．バックグラインド用基体フィルムの製造方法
本発明のバックグラインド用基体フィルムの製造方法は、前述の表層用樹脂組成物、中間層用樹脂組成物、裏層用樹脂組成物を、表層／中間層／裏層の順で共押出成形する工程を含むものであり、共押出成形方法としては、Ｔダイスまたは環状ダイスを使用した押出法等、従来から用いられている方法を適宜用いることができる。これらの中でも、基材フィルムの厚み精度の点から、Ｔダイスを使用した押出法が好ましい。
【００６５】
以下、Ｔダイスを使用した押出法について説明する。
【００６６】
複数の押出機を用い、それぞれの原料樹脂をそれぞれの押出機に投入し、上記と同様にしてロール状の多層基体フィルムを得る。具体的には、表層／中間層／裏層からなる３層のバックグラインド用基体フィルムを成形する場合、上記の各層の原料樹脂を用いて成形する。
【００６７】
上記の原料樹脂組成物は、ドライブレンド又は溶融混練し調製することができる。原料樹脂組成物をスクリュー式押出機に供給し、１８０〜２２５℃でＴダイからフィルム状に押出し、これを５０〜７０℃の冷却ロ−ルに通しながら冷却して実質的に無延伸で引き取る。あるいは、原料樹脂を一旦ペレットとして取得した後、上記の様に押出成形してもよい。
【００６８】
なお、引き取りの際に実質的に無延伸とするのは、バックグラインド工程において、延伸したことによるフィルムの収縮を抑制するためである。この実質的に無延伸とは、無延伸、あるいは、バックグラインド時のウェハの反りに影響を与えない程度の僅少の延伸を含むものである。通常、フィルム引き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであればよい。
【００６９】
上記で得られるバックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを設ける方法は、公知の方法を採用することができる。バックグラインドフィルムは、通常テープ状にカットされたロール巻き状態で取得される。
【００７０】
３．バックグラインドフィルム
本発明のバックグラインドフィルムは、前述のバックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを有するものである。より具体的には、前述のバックグラインド用基体フィルムの片方の表面上に公知の粘着剤をコートして粘着剤層が形成され、さらに該粘着剤層上に離型フィルムが設けられて、バックグラインドフィルムが製造される。
【００７１】
粘着剤層の厚さは、例えば、１０〜２００μｍ程度であり、離型フィルムの厚さは、例えば、１０〜１００μｍ程度であればよい。
【００７２】
粘着剤層で用いられる粘着剤成分としては、公知の粘着剤を特に制限なく使用できる。例えば、特開２００６−１２８２９２号公報等に記載された粘着剤成分を用いることができる。なお、離型フィルムも公知のものが用いられる。
【００７３】
粘着剤としては、たとえば、一般的に使用されている感圧性粘着剤を使用でき、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の適宜な粘着剤を用いることができる。これらのなかでも、半導体ウェハヘの接着性、剥離後の半導体ウェハの超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００７４】
具体的には、（メタ）アクリル酸エステルを主たる構成単量体単位とする単独重合体および共重合体から選ばれたアクリル系重合体、その他の官能性単量体との共重合体、およびこれら重合体の混合物が用いられる。例えば、（メタ）アクリル酸エステルとしては、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル等が好ましく使用できる。
【００７５】
バックグラインドフィルムは、通常テープ状にカットされたロール巻き状態で取得される。
【００７６】
４．半導体ウェハのバックグラインド方法
本発明のバックグラインド方法は、バックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面（回路面）に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去する。
【００７７】
具体的には、該バックグラインドフィルムの粘着剤層から離型フィルムを剥離して、粘着剤層の表面を露出させて、その粘着剤層を介して集積回路が組み込まれた側の半導体ウェハの表面に貼着する。半導体ウェハの研削前の厚みは、通常、３００〜１０００μｍ程度である。次いで、半導体ウェハを固定して、その裏面を常法により研削する。研削後の半導体ウェハの厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類、用途等に応じて選択されるが、例えば、５０〜２００μｍ程度となる。裏面研削が終了した後、必要に応じケミカルエッチング工程やＣＭＰ（メカノケミカルポリッシング）工程を追加してもよい。その後、バックグラインドフィルムを剥離（除去）する。また、必要に応じて、バックグラインドフィルム剥離後に、半導体ウェハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄等の洗浄処理が施される。
【実施例】
【００７８】
以下に、本発明を、実施例及び比較例を用いてより詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００７９】
実施例１〜５、比較例１、２
（樹脂組成物の製造）
表１に示すそれぞれの原料を表１に示す配合割合でドライブレンドし、樹脂組成物とした。なお、表１中に記載された原料は、次の通りである。
【００８０】
＜ポリプロピレン系樹脂＞
ノバテックＰＰ  ＦＸ４Ｅ（ＭＦＲ（ＪＩＳ  Ｋ７２１０、２３０℃、荷重２１．１８Ｎ）：５．３ｇ／１０分、結晶の融解に基づくピーク：１３０℃、９５Ｊ／ｇ、結晶化に基づくピーク：７５℃、９５Ｊ／ｇ、日本ポリプロ（株）製）。
【００８１】
＜オレフィン系熱可塑性エラストマー＞
ゼラスＺＴ８１３  （三菱化学（株）製）。
【００８２】
（バックグラインド用基体フィルムの製造）
表層用樹脂組成物、中間層用樹脂組成物及び裏層用樹脂組成物をこの順でバレル温度１８０〜２２０℃の多層押出機に供給した。２３０℃のＴダイスから押出し、設定温度４０℃の引き取りロールにて冷却固化して、無延伸の状態で巻き取った。得られたフィルムのそれぞれの層の厚みは、表１に示す通りである。
【００８３】
実施例６〜９、比較例３、４
（樹脂組成物の製造）
表２に示すそれぞれの原料を表２に示す配合割合でドライブレンドし、樹脂組成物とした。なお、表２中に記載された原料は、次の通りである。
【００８４】
＜ポリプロピレン系樹脂＞
ノバテックＰＰ  ＦＸ４Ｅ（ＭＦＲ（ＪＩＳ  Ｋ７２１０、２３０℃、荷重２１．１８Ｎ）：５．３ｇ／１０分、結晶の融解に基づくピーク：１３０℃、９５Ｊ／ｇ、結晶化に基づくピーク：７５℃、９５Ｊ／ｇ、日本ポリプロ（株）製）。
【００８５】
＜オレフィン系熱可塑性エラストマー＞
ゼラスＺＴ８１３  （三菱化学（株）製）。
【００８６】
＜ＳＥＢＳ＞
スチレン−ブタジエンブロック共重合体水素添加物、ＭＤ６９４５（商品名）、クレイトンポリマージャパン（株）製。
【００８７】
（バックグラインド用基体フィルムの製造）
表層用樹脂組成物、中間層用樹脂組成物及び裏層用樹脂組成物をこの順でバレル温度１８０〜２２０℃の多層押出機に供給した。２３０℃のＴダイスから押出し、設定温度４０℃の引き取りロールにて冷却固化して、無延伸の状態で巻き取った。得られたフィルムのそれぞれの層の厚みは、表２に示す通りである。
【００８８】
実施例１〜９及び比較例１〜４で得られたフィルムについて、下記評価方法で評価を行った。その結果を表１、２に示す。
【００８９】
評価方法
（反りの評価）
ウェハの代替として、常温（２５℃）から５０℃の温度域で、半導体ウェハと同程度に寸法安定性の良いポリイミド（ＰＩ）テープ（スコッチポリイミドテープ  Ｎｏ.５４３４、厚さ５３μｍ、住友スリーエム（株）製）を使用した。
【００９０】
作製したバックグラインド用基体フィルムに上記ＰＩテープ（幅２ｃｍ×長さ１４ｃｍ）を貼付け、サンプルとして切り出し、２枚のステンレス板（厚み２ｍｍ）に挟み、５０℃に設定したオーブン内で１０分間加熱した。その後、サンプルを取り出して常温（２５℃）で１０分間放冷し、フィルムの収縮によって発生する反りを測定した。
【００９１】
反り量は、バックグラインド用基体フィルムにＰＩテープを貼り付けた状態で、バックグラインド用基体フィルムが上側になるように水平面上に置き、該水平面から最も浮いているＰＩテープの端部の高さ（ｍｍ）を測定した（図２）。測定値が３ｍｍ以下であれば、半導体ウェハの反りの問題がなく実用できるレベルである。
【００９２】
（ブロッキングの評価）
得られた基体フィルムの任意の場所から、たて１００ｍｍ×よこ３０ｍｍ（フィルムの流れ方向をたて方向、幅方向をよこ方向としてサンプルを切り出した）の大きさに測定用サンプルを２枚切り出した。２枚の測定用サンプルを、同一面（冷却ロールと接する面）同士がたて４０ｍｍ×よこ３０ｍｍの面積で重なり合うようにし、この重なり合った測定用サンプルを２枚のガラス板で挟み、その上から、サンプルが重なり合っている部分に６００ｇの重りをのせた。これを４０℃の恒温槽の中に入れ、７日間放置した。７日後、恒温槽より取り出したサンプルを、新東科学（株）製剥離試験器（Ｐｅｅｌｉｎｇ  ＴＥＳＴＥＲ  ＨＥＩＤＯＮ−１７）にセットし、引張り速度２００ｍｍ／分で、１８０度せん断剥離強度を測定した。測定値が、４．９Ｎ／１０ｍｍ以下であれば、ブロッキングなしとした。
【００９３】
【表１】
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【００９４】
【表２】
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【図１】
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【図２】
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