(57)【要約】      （修正有）【課題】電子デバイスあるいは回路基板に欠陥があっても、損傷を与えずに所定の部品を回収することのできる回収可能電子部品を提供する。【解決手段】電子部品は、第１の面及び第２の面を有するベース絶縁層１０と、第１の面及び第２の面を有し、ベース絶縁層１０に固定された電子デバイス１８と、電子デバイス１８の第１の面とベース絶縁層１０の第２の面との間に配置された接着剤層１６と、電子デバイス１８の第１の面とベース絶縁層１０の第２の面との間に配置された除去性層２６とを含む。ベース絶縁層１０は、除去性層２６を介して電子デバイス１８に固定される。除去性層２６は、電子デバイス１８からベース絶縁層１０を剥離することが可能である。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面及び第２の面を有するベース絶縁層と、
第１の面及び第２の面を有し、前記ベース絶縁層に固定された電子デバイスと、
前記電子デバイスの前記第１の面と前記ベース絶縁層の前記第２の面との間に配置された接着剤層と、
前記電子デバイスの前記第１の面と前記ベース絶縁層の前記第２の面との間に配置された除去性層とを備え、前記ベース絶縁層は、前記除去性層を介して前記電子デバイスに固定され、前記除去性層は、前記ベース絶縁層を前記電子デバイスから剥離することが可能である電子部品。
【請求項２】
前記除去性層により、前記電子デバイスを損傷せずに前記ベース絶縁層から前記電子デバイスを回収できる請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記電子デバイスの前記第１の面又は前記第２の面の上のＩ／Ｏコンタクトと、前記ベース絶縁層の前記第１の面又は前記第２の面の上に配置された電気導体とをさらに備え、前記Ｉ／Ｏコンタクトは、前記電気導体と電気的に接続している請求項１記載の電子部品。
【請求項４】
前記除去性層は、前記電子デバイスの前記ベース絶縁層からの除去を助長するために相互に分離可能な複数の部分層を有する請求項１記載の電子部品。
【請求項５】
電気接続構造をさらに備え、前記電気接続構造は、
前記ベース絶縁層の前記第１の面から前記電子デバイスの前記第１の面上のＩ／Ｏコンタクトまで延出する少なくとも１つのビアと、
前記ビアの少なくとも一部に配置され、前記ビアを貫通して前記電子デバイス上の前記Ｉ／Ｏコンタクトまで延出する導電性材料とを備える請求項１記載の電子部品。
【請求項６】
第１の面と、第２の面と、前記ベース絶縁層上の電子デバイス実装場所に対応する少なくとも１つのアパーチャとを有するフレームパネルをさらに備え、前記フレームパネルの前記第１の面は、前記ベース絶縁層の前記第２の面に固定される請求項１記載の電子部品。
【請求項７】
前記除去性層は、前記電子デバイスの最高損傷閾値温度よりも低い融点を有し、前記融点より高いが、前記電子デバイスの前記最高損傷閾値温度よりは低い温度に前記除去性層がさらされた場合、前記電子デバイスは、前記ベース絶縁層の前記第２の面から除去される請求項１記載の電子部品。
【請求項８】
前記除去性層は、前記ベース絶縁層の最高損傷閾値温度よりも低い融点を有し、前記融点より高いが、前記ベース絶縁層の前記最高損傷閾値温度よりは低い温度に前記除去性層がさらされた場合、前記電子デバイスは、前記ベース絶縁層の前記第２の面から除去される請求項１記載の電子部品。
【請求項９】
前記除去性層は、溶媒中で溶解可能であり、前記電子デバイスは、前記溶媒との接触に対して化学的耐性を有し、前記除去性層が前記溶媒にさらされた場合、前記電子デバイスは、前記ベース絶縁層の前記第２の面から除去される請求項１記載の電子部品。
【請求項１０】
前記除去性層は、溶媒中で溶解可能であり、前記電子デバイスを除く前記配線構造部品は、前記溶媒との接触に対して化学的耐性を有し、前記除去性層が前記溶媒にさらされた場合、前記電子デバイスは、前記ベース絶縁層の前記第２の面から除去される請求項１記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線構造の製造に関する実施形態を含む。本発明は、配線構造からチップその他の電気部品を回収する方法に関する実施形態を含む。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ、個別受動素子、ＢＧＡキャリアその他の電気素子などの電子デバイスのプリント回路基板、基板、配線構造又はフレックス回路への接合は、一般に、はんだ又は接着剤によって実行される。エリアアレイはんだ実装構体において、温度を上昇してはんだをリフローし、冷却後硬化して電気的接続を形成する。電子デバイスの熱膨張係数（ＣＴＥ）と電子デバイスが実装される基板のＣＴＥとがごく近い値を有していない用途において、熱サイクリングがはんだ接合部に応力を与え、はんだの疲れ破損を引起こす場合がある。この問題の克服方法の１つは、はんだ接合部の応力を除去するために、充填エポキシなどのポリマー樹脂アンダーフィルによってはんだ接合部を包み込むことである。部品の片面又は両面に液体樹脂を供給し、毛管作用によって部品の下方で樹脂を流動させることにより、アンダーフィルを塗布できる。
【０００３】
２００℃程度の高温にさらされることにより影響を受けやすい電子デバイスは、高温熱可塑性接合材料を使用すべきではない。さらに、硬化などの後の処理工程、或いは熱可塑性材料の溶融温度又は軟化温度を超えるある特定の組み立て工程に、低温熱可塑性材料をさらすことはできない。そのため、かかる電子デバイスの処理に際しては、相対的に低い温度（２００℃未満）で硬化されるが、後の処理工程中又は使用環境において高温でも安定している熱硬化性接着剤が使用される。さらに、接合温度で応力０のポイントが確立され且つ低い接合温度が通常の動作温度における配線構体の応力を減少させるので、低温接着及び低温接合が好ましい。
【０００４】
複数の電子デバイスが共通の基板に実装され、はんだ実装及びアンダーフィル硬化の後にデバイスのうち１つに欠陥があることが判明した場合、欠陥デバイスを取り除き、新たな部品と交換することにより、基板及び基板上に配置された他の電子デバイスを救済することが一般に望ましい。熱可塑性アンダーフィル樹脂の使用に関する問題は、それが通常の処理温度で再溶融しないことである。そのため、欠陥のある電子デバイスを除去することは不可能であり、回路全体を廃棄しなければならない。従って、処理温度が低く、応力の少ない熱可塑性接着剤を使用すると、その処理工程は修理不可能になる。さらに、再溶融可能で修理可能な熱可塑性樹脂は高温での処理を必要とするので、応力の高い構造となり、予定した多くの用途には適合しない。
【０００５】
さらに、配線構造が電子部品の面に直接実装される埋め込みチップに適用される場合にも、同様の問題が起こる。それらの用途において、電子部品を配線構造に接合するために熱可塑性接着剤を使用した場合、熱可塑性材料の溶融温度が高いために構造に過剰な応力がかかるか、或いは熱可塑性材料の溶融温度が低いために部品の動作及び／又は組み立て温度が厳密に制限される。さらに、チップを膜に接合する間に熱可塑性接着剤は液体に変わり、その結果、処理中にチップが動いてしまう場合がある。それらの用途に熱硬化性接着剤を使用すると、応力は減少し且つ動作温度及び組み立て温度の範囲は広がるが、電子部品の回収は不可能ではないが、極めて困難になる。
【０００６】
埋め込みチップビルドアップ（ＥＣＢＵ）又はチップスファーストビルドアップ（ＣＦＢＵ）技術と呼ばれる現在の埋め込みチップ処理において、ベアチップは、周囲Ｉ／Ｏパッド又は周辺Ｉ／Ｏパッドと共に実装されるか、或いは上面にＩ／Ｏパッドのアレイが分散された状態で実装され、はんだ接合部又はワイヤボンドの必要なく高密度配線構造を形成する。プリント回路基板などの回路基板レベル構体に適合する大型のコンタクトパッドに複雑な半導体チップを接続するチップキャリアを形成するために、ＥＣＢＵ処理又はＣＦＢＵ処理を使用できる。それらの高性能チップは数百ドルの価値を有する場合があるが、チップを回路基板にインタフェースするために形成されるキャリアは、一桁安い価格になる場合がある。全ての複雑な配線構造は、短絡及び／又は開路などの処理欠陥を有しているので、歩留まりの低下は避けられない。従来のフリップチップ又はワイヤボンデッドチップキャリア構体において、高価なチップを組み立てる前に、配線構造は完成品として製造され、電気的に試験される。従って、配線構造の欠陥は高価なチップの損失の原因とはならない。ＥＣＢＵ処理において、チップは、配線構造の製造前に配線構造に接合されるので、欠陥のないチップが不良パッケージと共に廃棄される可能性がある。
【特許文献１】米国特許第４７８３６９５号明細書
【特許文献２】米国特許第４８９４１１５号明細書
【特許文献３】米国特許第４９３３０４２号明細書
【特許文献４】米国特許第４９８１８１１号明細書
【特許文献５】米国特許第５１６９６７８号明細書
【特許文献６】米国特許第５１６９９１１号明細書
【特許文献７】米国特許第５３５３１９５号明細書
【特許文献８】米国特許第５３５３４９８号明細書
【特許文献９】米国特許第５４５２１８２号明細書
【特許文献１０】米国特許第５４９７０３３号明細書
【特許文献１１】米国特許第５５２７７４１号明細書
【特許文献１２】米国特許第５８６６９５２号明細書
【特許文献１３】米国特許第５８８８８３７号明細書
【特許文献１４】米国特許第５９４６５４６号明細書
【特許文献１５】米国特許第６２３９４８２号明細書
【特許文献１６】米国特許第６２３９９８０号明細書
【特許文献１７】米国特許第６２４２２８２号明細書
【特許文献１８】米国特許第６３９６１５３号明細書
【特許文献１９】米国特許第６４７５８７７号明細書
【特許文献２０】米国特許第６９９４８９７号明細書
【発明の開示】
【０００７】
一実施形態では、本発明は、電子部品を提供する。電子部品は、第１の面及び第２の面を有するベース絶縁層と、第１の面及び第２の面を有し、ベース絶縁層に固定された電子デバイスと、電子デバイスの第１の面とベース絶縁層の第２の面との間に配置された接着剤層と、電子デバイスの第１の面とベース絶縁層の第２の面との間に配置された除去性層とを含む。ベース絶縁層は、除去性層を介して電子デバイスに固定される。
【０００８】
除去性層は、電子デバイスからベース絶縁層を剥離することが可能である。除去は、電子部品の所定の部品に損傷を与えることなく実行できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は、電子デバイス又は配線構造の製造に関する実施形態を含む。本発明は、デバイスからチップその他の電気部品を回収する方法に関する実施形態を含む。方法は、欠陥のある配線構造又はパッケージからチップなどの無損傷の電子デバイスを回収してもよい。方法は、樹脂アンダーフィルその他の埋め込みチップ技術に関連する処理において有用であってもよい。しかし、方法は、配線構造又はパッケージからの電子デバイスの回収が望まれる用途に使用してもよい。
【００１０】
一実施形態では、方法は、配線構造又は電子部品を提供してもよい。方法は、電子デバイス又はベース絶縁層に除去性層を塗布することと、電子デバイス又はベース絶縁層に接着剤層を塗布することと、接着剤層を使用して、電子デバイスをベース絶縁層に固定することとを含んでもよい。
【００１１】
電子部品は、第１の面及び第２の面を有するベース絶縁層と、第１の面及び第２の面を有する電子デバイスとを含むことができる。電子デバイスは、ベース絶縁層に固定される。電子デバイス及びベース絶縁層の対向する面の間に規定されたボリュームの中には、接着剤層及び除去性層がある。特に、接着剤層は、電子デバイスの第１の面とベース絶縁層の第２の面との間に配置してもよく、除去性層は、電子デバイスの第１の面とベース絶縁層の第２の面との間に配置してもよい。
【００１２】
ベース絶縁層として使用するのに適する材料は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、液晶ポリマー、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ）樹脂、エポキシ又はシリコーンのうち１つ以上を含んでもよい。ベース絶縁層として使用するのに適する市販の材料は、ＫＡＰＴＯＮ  Ｈポリイミド又はＫＡＰＴＯＮ  Ｅポリイミド（Ｅ．  Ｉ．  ｄｕ  Ｐｏｎｔ  ｄｅ  Ｎｅｍｏｕｒｓ社製）、ＡＰＩＣＡＬ  ＡＶポリイミド（鐘淵化学工業（株）製）、ＵＰＩＬＥＸポリイミド（宇部興産（株）製）及びＵＬＴＥＭポリエーテルイミド（Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社製）を含んでもよい。図示される実施形態では、ベース絶縁層は、ＫＡＰＴＯＮ  Ｈポリイミドとして完全に硬化される。
【００１３】
ベース絶縁層は、配線構造、フレックス回路、回路基板その他の構造を形成してもよい。配線構造は、１つ以上の電子デバイスを実装でき、それらの電子デバイスと相互に接続できる。一実施形態に関して、ベース絶縁層に関する選択特性は、処理中の寸法変化を最小限に抑える弾性係数、熱膨張率及び吸湿膨張率を含む。可撓性を維持するために、ベース絶縁層の厚さは最小限に抑えられてもよい。ベース絶縁層は、第１の面及び第２の面の双方に任意にメタライゼーションの層を支持し、且つ後続の処理工程を通して寸法の安定性を維持するのに十分な剛性（厚さ、支持構造又は材料特性のいずれかによる）を有していなければならない。
【００１４】
ベース絶縁層の厚さに関して、適切な厚さは、最終用途、電子デバイスの数及び種類などに関連して選択してもよい。厚さは約１０μｍを超えてもよい。厚さは約５０μｍ未満であってもよい。一実施形態では、ベース絶縁層は、約１０μｍ〜約２０μｍ、約２０μｍ〜約３０μｍ、約３０μｍ〜約４０μｍ又は約４０μｍ〜約５０μｍの範囲の厚さ、或いは約５０μｍを超える厚さを有する。ベース絶縁層が回路基板である一実施形態に関して、ベース絶縁層の適切な厚さは回路基板内の層の数に基づいてもよい。一般に、回路基板の層の数は約２０〜約５０以上の範囲であり、各層は約１００μｍの厚さを有する。
【００１５】
接着剤層は熱硬化性接着剤である。適切な接着剤の例は、熱硬化性ポリマーを含んでもよい。適切な熱硬化性ポリマーは、エポキシ、シリコーン、アクリル酸樹脂、ウレタン、ポリエーテルイミド又はポリイミドを含んでもよい。適切な市販の熱硬化性接着剤は、ＣＩＢＡ  ＧＥＩＧＹ  ４１２（Ｃｉｂａ  Ｇｅｉｇｙにより製造）、ＡＭＯＣＯ  ＡＩ−１０（Ａｍｏｃｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎにより製造）及びＰＹＲＥ−ＭＩ（商標）（Ｅ．  Ｉ．  ｄｕ  Ｐｏｎｔ  ｄｅ  Ｎｅｍｏｕｒｓ社製）などのポリイミドを含んでもよい。ＣＩＢＡ  ＧＥＩＧＹ  ４１２は、約３６０℃のガラス遷移温度を有する。他の適切な接着剤は、熱可塑性接着剤、水硬化接着剤、常温硬化接着剤及び放射線硬化接着剤を含んでもよい。
【００１６】
一実施形態では、低温感知接着剤層は、電子デバイスをベース絶縁層に固定又は接合する。この場合、低温感知接着剤層は、接着剤層及び除去性層の双方の機能を果たしてもよい。接着剤は、規定された低い剥離温度で接着力を失う。
【００１７】
適切な低温感知接着剤は熱硬化性接着剤であってもよい。適切な低温感知接着剤の例は、エポキシ又はポリイミドを含む。多くの市販の接着剤の特性が利用可能であり、接着剤材料は、硬化温度、低温破壊温度（適用可能である場合）、ガス放出、熱安定性及び酸化安定性、並びに関心温度範囲における接合強度などの要因に基づいて選択してもよい。低温感知接着剤の選択は、低温感知接着剤の熱膨張率を配線デバイスの１つ以上の部品に整合させることを含んでもよい。一実施形態では、低温感知接着剤は、約１５ｐｐｍ／℃〜約２０ｐｐｍ／℃の範囲の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有してもよい。低温感知接着剤は、配線デバイスの動作温度より低い温度で接着力を失わなければならない。さらに、電子デバイスと化学的に相互作用しない低温感知接着剤を選択する必要がある。
【００１８】
ベース絶縁層の面の上に約５μｍを超える厚さを有する層を形成するために、接着剤層を塗布してもよい。一実施形態では、接着剤層は、約５μｍ〜約１０μｍ、約１０μｍ〜約２０μｍ、約２０μｍ〜約３０μｍ、約３０μｍ〜約４０μｍ又は約４０μｍ〜約５０μｍの範囲の厚さ、或いは約５０μｍを超える厚さを有する。
【００１９】
接着剤層は、スピンコーティング、スプレーコーティング、ローラコーティング、メニスカスコーティング、スクリーン印刷、ステンシル、パターンプリント蒸着、ジェッティングその他の塗布方法によりベース絶縁層に塗布してもよい。一実施形態では、接着剤は、ドライフィルムラミネーションにより塗布される。接着剤層は、ベース絶縁層の第２の面の一部又は全体を被覆するように塗布してもよい。例えば、電子デバイス実装場所などのベース絶縁面上の選択された領域に接着剤層が塗布してもよく、電気コンタクトパッド又は電気試験パッドなどのベース絶縁層の面上の別の領域は被覆されないままであってもよい。これは、ジェッティングなどの直接塗布方法により実行してもよいし、或いは回路基板、基板又は部品の上にはんだマスク樹脂を選択的に塗布するために使用されるステンシル又はスクリーン印刷の標準構体処理工程により実行してもよい。直接塗布処理は、約５０μｍ未満の厚さを有する層を付着させてもよく、スクリーン印刷技術は、約５０μｍを超える厚さを有する付着層を形成してもよい。
【００２０】
一実施形態では、接着剤層は、液体の形で電子デバイスに付着され、乾燥してもよい。接着剤層自体は液体の形で塗布してもよいし、例えば溶媒と混合された液体溶液の一部として付着してもよい。一実施例では、適切な液体熱硬化性ポリマーは、６６．４重量％のＮ−ｍｐを含む液体溶液中の２４．８重量％のＣＩＢＡ  ＧＥＩＧＹ  ４１２、ＦＣ  ４３０（商標）（３Ｍ社製の界面活性剤）の０．１重量％溶液及び８．３重量％のＤＭＡＣを含んでもよい。この材料の小滴は、約２００μｍ〜約１，０００μｍの被覆膜を形成するのに十分な体積で電子デバイス上に供給してもよい。接着剤溶液が付着された後、約１５０℃で１０〜２０分、約２２０℃で１０〜２０分及び約３００℃で１０〜２０分などの一連の熱工程を経て材料を乾燥してもよい。熱工程の回数及び持続時間、並びに使用される温度は、利用される特定の熱硬化性ポリマーその他の材料に依存する。この乾燥シーケンスにより、熱硬化性接着剤溶液から溶媒が除去され、電子デバイス上には完全に乾燥した接着剤の層が残される。熱硬化性ポリマーは完全に架橋し、溶媒溶液に溶解することはなく、極めて高い温度にさらされない限り軟化しない。
【００２１】
電子デバイスをベース絶縁層に接合又は固定するために、必要に応じて、接着剤層は完全に硬化してもよい。除去性層の溶融温度より低い硬化温度を使用する必要がある。
【００２２】
一実施形態では、除去性層は熱可塑性ポリマーを含む。除去性層を形成する際に使用するのに適する熱可塑性ポリマーは、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、シリコーン、シロキサン又はエポキシを含む熱可塑性樹脂を含むが、これらに限定されない。適切な熱可塑性ポリマーの例は、ＸＵ  ４１２（Ｃｉｂａ  Ｇｅｉｇｙより市販）、ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓにより製造されているポリエーテルイミド樹脂であるＵＬＴＥＭ  １０００及びＵＬＴＥＭ  ６０００、Ｖｉｃｔｒｅｘより市販されているポリエーテルエーテルケトンであるＶＩＴＲＥＸ、Ｃｉｂａ  Ｇｅｉｇｙより市販されているポリエーテルスルホンであるＸＵ  ２１８、及びＵｎｉｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅより市販されているポリエーテルスルホンであるＵＤＥＬ  １７００（商標）を含む。
【００２３】
電子デバイスに除去性層を塗布するための適切な方法は、スプレーコーティング、スピンコーティング、ロールコーティング、メニスカスコーティング、ディップコーティング、トランスファーコーティング、ジェッティング、ドロップディスペンシング、パターンプリント蒸着又はドライフィルムラミネーションを含む。除去性層は、約５μｍを超える厚さを有してもよい。一実施形態では、除去性層は、約５μｍ〜約１０μｍ、約１０μｍ〜約２０μｍ、約２０μｍ〜約３０μｍ、約３０μｍ〜約４０μｍ又は約４０μｍ〜約５０μｍの範囲の厚さ、或いは約５０μｍを超える厚さを有する。
【００２４】
電子デバイスが単独の部品の形態である間又は電子デバイスがパネル又はウェハの形態である時点で、除去性層は電子デバイスに塗布してもよい。例えば、電子デバイスが半導体チップである場合、除去性層はウェハレベルで塗布してもよいし、或いはウェハ処理が完了し且つウェハソーイングが実行された後に塗布してもよい。ウェハは、半導体ウェハダイシング機器を使用して２つ以上の個別のチップに切り離される。ソーイングによる破砕片を除去するために、チップは水洗してもよい。或いは、ウェハソーイング後、除去性層は、個別に分離されたチップに直接塗布してもよい。除去性層がウェハレベルで塗布される場合、除去性層は、スピンコーティング又はスプレーコーティングにより１つのチップに付着してもよい。個別に分離されたチップに除去性層が塗布される場合、スプレーコーティング又はドロップディスペンシングにより除去性層を塗布してもよい。エリアアレイチップスケール部品などの小型実装電子デバイスの場合、電子デバイスは、複数のデバイスが一体に処理されるパネルとして製造してもよいので、除去性層は、ロールコーティング、メニスカスコーティング又は別のバッチ塗布方法により塗布してもよい。
【００２５】
除去性層は、電子デバイスの第１の面の一部又は全体を被覆するように塗布してもよい。例えば、除去性層材料は、デバイス実装場所などの電子デバイスの選択された領域に塗布してもよく、その場合、Ｉ／Ｏコンタクト又は電子デバイス上の他の所望の領域は被覆されないままである。これは、ジェッティングなどの直接塗布システムにより達成してもよいし、或いは回路基板、基板又は部品にはんだマスク樹脂を選択的に塗布するために使用されるステンシル又はスクリーン印刷の標準構体処理工程により達成してもよい。
【００２６】
除去性層が電子デバイスの第１の面を部分的に被覆する場合、接着剤層もベース絶縁層の第２の面を同様に部分的に被覆する必要がある。特に、電子デバイスがベース絶縁層に配置され且つベース絶縁層に接合された場合、除去性層によって被覆されない電子デバイスの第１の面上の領域が接着剤と接触しないように、ベース絶縁層上の電子デバイス実装場所の選択された領域に接着剤層が塗布される必要がある。
【００２７】
除去性層は、可溶性ポリマー又は溶媒膨潤性ポリマーから製造してもよい。従って、除去性層を溶解、軟化又は膨潤するために、配線構造に溶媒又は溶媒混合物を塗布してもよい。これにより、電子デバイスは、ベース絶縁層及び配線構造から剥離される。この電子デバイス回収方法において、配線構造及び実装されたデバイスは溶媒浴の中に浸漬してもよい。浴中の溶媒は、除去性層の少なくとも一部を溶解、軟化又は膨潤する。この溶媒和により、電子デバイスの第１の面から配線構造を除去できる。低温感知電子デバイスその他の部品は、熱回収処理で使用されるような望ましくないほど高い温度にはさらされない。可溶性ポリマー又は溶媒膨潤性ポリマーは、熱可塑性ポリマーであってもよい。
【００２８】
適切な溶媒は、除去性層を溶解、軟化又は膨潤することが可能な溶媒を含む。除去性層の材料組成に関連して、特定の溶媒を選択してもよい。除去性層の材料に依存して、適切な溶媒は、アセトン、アニソール、アセトフェノン、ベンゼン、トルエン、アルコール、ｇ−ブチルアトン、Ｎ−メチルピロリドン、塩化メチレン及びジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などのうち１つ以上を含んでもよい。他の適切な溶媒は、硫酸などのｐＨ感知除去性層材料のための酸及び塩基を含む。
【００２９】
一実施例では、４重量部のメタクレゾールと１６重量部のオルソジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）との第１の溶媒混合物及び４重量部のメタクレゾールと１６重量部のアセトフェノンとの第２の溶媒混合物により、ＵＬＴＥＭ  ６０００から製造された溶媒溶解性除去性層が溶解される。これらの材料比は、必要に応じて変更してもよい。さらに、ＰＥＥＫ（商標）を含む溶媒溶解性ポリマーが濃硫酸の中で溶解してもよく、ＸＵ  ２１８熱可塑性材料を含む溶媒溶解性ポリマーがｇ−ブチルアクトン、Ｎ−メチルピロリドン、塩化メチレン、アセトン及びアセトフェノンなどの溶媒の中で溶解してもよい。
【００３０】
機能中の電子デバイスを不良な配線構造から回収する場合、電子デバイスと化学的に反応しない溶媒又は電子デバイスを損傷しない溶媒を使用する必要がある。これに対し、機能中の配線構造から不良な電子デバイスを除去することが望まれる場合には、配線構造の部品（電子デバイス及び除去性層を除く）と化学的に反応しない溶媒又はそれらの部品を損傷しない溶媒を使用する必要がある。さらに、除去性層を溶解し且つ電子デバイスを回収するために、熱と共にウェットエッチング剤を併用してもよい。
【００３１】
低温感知接着剤は、十分に低い閾値温度で接着力又は機械的強度を失いやすい。一実施形態では、除去性層は、接着材料に接着力を失わせ、それにより電子デバイスを剥離させる低温にさらしてもよい。別の実施形態では、除去性層は、接着材料を脆くして破損させ、それにより電子デバイスを剥離させる低温にさらしてもよい。保持装置は電子デバイスを固定し、それを配線構造に対して保持してもよい。低温感知接着剤を含む配線構造は、約−７５℃以下の温度まで冷却してもよい。温度は、除去性層の特性に基づいて選択される。
【００３２】
機能中の電子デバイスを不良なベース絶縁層から分離し、配線構造から回収する場合、配線構造は、電子デバイスの最低損傷閾値温度より高い温度まで冷却される必要がある。電子デバイスの最低損傷閾値温度は、電子デバイスの活性部品を損傷せずにデバイスをさらすことができる最低の温度である。これに対し、機能中のベース絶縁層から不良な電子デバイスを除去し、配線構造から電子デバイスを回収することが所望される場合、配線構造は、機能中のベース絶縁層の最低損傷閾値温度より高い温度まで冷却される必要がある。機能中のベース絶縁層の最低損傷閾値温度は、部品を損傷せずに機能中のベース絶縁層をさらすことができる最低の温度である。
【００３３】
電子デバイスが配線構造から除去された後、残留接着剤層及びビアの中に配置された導電性材料が電子デバイス上に残る場合がある。電子デバイスの面上及びビアの中の残留する導電性材料又は過剰な残留接着剤層は、ウェットエッチング、プラズマエッチング、化学エッチング又は反応性イオンエッチングにより除去してもよく、残留接着剤材料は、プラズマエッチング、化学エッチング又は反応性イオンエッチングにより除去してもよい。さらに、導電性材料が金属製である場合、電子デバイス上に残留する導電性材料の部分は、金属エッチングにより除去してもよい。導電性材料がＣｕ又はＴｉ：Ｃｕバイメタル構造を含む場合、薄いＴｉメタライゼーションを所定の場所に残すために、Ｃｕは硝酸によってエッチングしてもよい。
【００３４】
残留する接着剤層及び導電性材料が電子デバイスから除去された後、デバイスは、ほぼ当初の状態にあり、別の配線構造に組み付けることが可能である。
【００３５】
除去性層を形成する一実施形態では、熱可塑性ポリマーは液体の形態で電子デバイスに付着された後、乾燥される。熱可塑性ポリマーは液体の形で塗布してもよく、或いは例えば溶媒と混合された溶液の一部として付着してもよい。一実施例では、２．５重量％のＤＭＡＣ（ジメチルアセトアミド）の４．１重量％溶液であるＣＩＢＹ  ＧＥＩＧＩ  ＸＵ  ４１２、２７．３重量％のアニソール及び６６．１重量％のｇ−ブチロールアクトン（ＧＢＬ）を混合することにより、適切な溶液が形成される。この材料の小滴は、約１００μｍ〜約１，０００μｍの範囲の厚さを有する被覆膜を形成するのに十分な体積で電子デバイス上に供給してもよい。液体熱可塑性ポリマーが付着された後、材料は一連の熱工程を経て乾燥してもよい。適切な熱工程の一例は、約１５０℃で１０〜２０分、約２２０℃で１０〜２０分及び約３００℃で１０〜２０分であってもよい。熱工程の回数及び持続時間、並びに使用される温度は、利用される特定の熱可塑性ポリマーに依存する。この乾燥シーケンスにより、溶媒が熱可塑性ポリマー溶液から除去され、完全に乾燥した熱可塑性ポリマーの層が電子デバイス上に残される。その結果、除去性層が形成される。
【００３６】
考慮すべき別の要素は、硬化中に部品に加えられる圧力である。当然、圧力が高くなるほどボンドラインが細くなる。十分に太いボンドラインを可能にする圧力より高い圧力が必要とされる場合、ボンドライン太さを調整するために、接着剤にスペーサ材料を添加してもよい。スペーサ材料は、望ましい熱伝導率及び電気抵抗を固有の特性として有している限り、より高い機能性を有するように選択してもよい。
【００３７】
除去性層が硬化可能材料である場合、除去性層が形成された後、除去性層は硬化してもよい。除去性層は、放射線又は熱と放射線との組合せにより熱硬化してもよい。適切な放射線は、紫外線（ＵＶ）光、電子ビーム及び／又はマイクロ波を含んでもよい。ウェハソーイング及びチップのピックアンドプレースの工程において自動ビジョンシステムがウェハソーレーンとＩ／Ｏコンタクト形状とを識別できるように、硬化後の除去性層は、可視波長で十分に透明でなければならない。除去性層がそのように透明であると、ウェハソーイング中のソーの整列が可能になると共に、位置決め中のチップその他の電子デバイスの整列が可能になる。さらに、硬化後の除去性層は、ベース絶縁層を貫通するビアのアブレーションを実行するために使用される波長でレーザー穴あけが可能でなければならない。例えば、硬化後の除去性層は、レーザー穴あけ可能であるのが望ましい。
【００３８】
接着剤層の塗布後、接着剤層は硬化してもよい。接着剤がＢステージポイントに至るまで、接着剤層は部分的に硬化される。Ｂステージにおいて、接着剤層は完全には硬化されていないが、その後の処理を実行できるほど十分に安定している。接着剤層は、熱により又は熱と放射線との組合せにより硬化してもよい。適切な放射線は、ＵＶ光及び／又はマイクロ波を含んでもよい。硬化中に揮発性物質が存在する場合、接着剤からの揮発性物質の除去を促進するために、部分真空を使用してもよい。
【００３９】
図１（ａ）を参照すると、本発明の一実施形態では、ベース絶縁層１０は、第１の面１２及び第２の面１４を有する。処理中のベース絶縁層の寸法を安定させるために、ベース絶縁層は、フレーム構造（図１には図示せず）に固定される。ベース絶縁層は、電気絶縁材料から形成される。さらに、ベース絶縁層は、導電性材料を固定できるポリマー膜であってもよい。
【００４０】
図１（ｂ）に示すように、ベース絶縁層の第２の面に接着剤層１６を塗布してもよい。接着剤層は、電子デバイス１８に接合できる（図１（ｃ）を参照）。従って、接着剤層は、電子デバイスをベース絶縁層に固定又は接合できる。
【００４１】
図１（ｃ）に示すように、電子デバイスは、第１の面２０及び第２の面２２を有する。電子デバイスの第１の面は、１つ以上のＩ／Ｏコンタクト２４が配置されるデバイスの活性面であってもよい。電子デバイスに配置してもよいＩ／Ｏコンタクトの例には、パッド、ピン、バンプ及びはんだボールが含まれる。図示される実施形態では、Ｉ／ＯコンタクトはＩ／Ｏパッドである。他の適切な電子デバイスは、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、ビデオプロセッサ又はＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）などの実装半導体チップ又は非実装半導体チップ、個別受動素子又はボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）キャリアであってもよい。一実施形態では、電子デバイスは、第１の面にＩ／Ｏコンタクトパッドのアレイが配置された半導体シリコンチップである。
【００４２】
図１（ｃ）をさらに参照すると、電子デバイスの第１の面に除去性層２６が塗布される。その後、電子デバイス及び除去性層の部分構体は、ベース絶縁層に組み付けられてもよい。
【００４３】
一実施形態では、除去性層を有する電子デバイスの活性面が接着剤層と接触する状態で配置されるように、電子デバイスの活性面又は第１の面は、ベース絶縁層の第２の面と接触する状態で配置してもよい（図１（ｄ）を参照）。例えば、この場合にはチップである各電子デバイスをダイシングされたウェハから又はワッフルパックなどの個別に分離されたチップのトレイから取り上げる自動ピックアンドプレースシステムの加熱ステージにベース絶縁層を配置してもよい。部分的に硬化した接着剤層は加熱され、それにより、接着剤は軟化して粘性を有するようになるが、硬化はされない。その後、チップの活性面がベース絶縁層の第２の面と対向し、それにより、各チップのＩ／Ｏコンタクトがベース絶縁層上の標準点と整列されるように、チップは第１の面を下に向けて配置される（図１（ｄ）を参照）。
【００４４】
図２（ａ）に示す一実施形態では除去性層がは電子デバイスの第１の面に塗布される。除去性層は電子デバイスに塗布してもよく、第１の実施形態では上述したように硬化される。接着剤層は、除去性層の上で電子デバイスの第１の面に塗布してもよく、図２（ａ）に示すように、電子デバイスをベース絶縁層に接合するために使用される。適切な塗布方法は、上述したのと同一の方法である。
【００４５】
図２（ｃ）を参照すると、除去性層及び接着剤層を有する電子デバイスの活性面又は第１の面は、ベース絶縁層の第２の面と接触するように配置してもよい。処理中のベース絶縁層の寸法を安定させるために、ベース絶縁層はフレーム構造に固定されている。自動化システムにおいて、この場合にはチップである各電子デバイスをダイシングされたウェハから又はワッフルパックなどの個別に分離されたチップのトレイから取り上げる自動ピックアンドプレースシステムの加熱ステージにベース絶縁層を配置してもよい。その後、チップは加熱され、それにより、部分的に硬化していた接着剤は軟化し、粘性を有するようになるが、硬化はされない。次に、電子デバイスの第１の面がベース絶縁層の第２の面と接触するようにチップは配置され、それにより、各チップのＩ／Ｏコンタクトは、ベース絶縁層上の標準点と整列される。接着剤層は、上述したように完全に硬化してもよい。
【００４６】
図３（ａ）を参照すると、一実施形態では、処理中のベース絶縁層の寸法を安定させるために、ベース絶縁層はフレーム構造（図示せず）に固定される。本実施形態では、図３（ｂ）に示すように、除去性層は、電子デバイスに塗布されるのではなく、ベース絶縁層の第２の面に塗布される。除去性層は、上述の方法で塗布してもよい。
【００４７】
ベース絶縁層の選択された領域から除去性層が除去される場合、はんだ実装リフロー中にはんだから保護される金属領域を規定するために除去性層が使用されるように、パターニングされた除去性層がはんだマスク材料として使用してもよい。パターニングされた除去性層がはんだマスクとして使用される場合、除去性層ははんだマスク規定方式で使用される。この方式において、はんだマスク材料は、はんだコンタクトパッドの縁部を被覆し、はんだがボンドを形成する領域を規定する。或いは、パターニングされた除去性層は、非はんだマスク規定方式で使用してもよい。非はんだマスク規定方式において、一般に、はんだマスクは、はんだコンタクトパッドの縁部と重なり合わず、金属パッドがはんだ領域を規定する。非はんだマスク規定方式は、各はんだパッドの周囲に狭い領域が取り残され、それらの領域に、アンダーフィル接着剤がその後の電子デバイスの除去を妨げる永久ボンドを形成する可能性があるので、はんだマスク規定方式より好ましくない。はんだマスクは、はんだパッドその他の隣接する金属形状からつながるトレースを被覆するために使用される。
【００４８】
共晶スズ：鉛はんだの場合のはんだ付着は、約２２０℃の熱にさらされ、鉛の含有量が多いスズ：鉛はんだの場合は、約３００℃の熱にさらされ、鉛を含有しないはんだは約２４０℃〜約２６０℃の温度にさらされる。本実施形態における除去性層の材料は、その融点が選択されたはんだ系のはんだリフロー温度を超えるように選択される必要がある。除去性層は、上述された除去性層と同一である。
【００４９】
接着剤層は、電子デバイスの第１の面に塗布され、電子デバイスをベース絶縁層に接合するために使用される（図３（ｃ）を参照）。接着剤層は、上述したように電子デバイスに塗布される。しかし、本実施形態では、接着剤層は、事前に電子デバイスと組み立てられた除去性層の外側に向いた面に塗布されるのではなく、電子デバイスの第１の面に直接塗布される。
【００５０】
ベース絶縁層上の電子デバイス実装場所の領域を部分的に被覆するように除去性層が塗布される場合、接着剤層は、電子デバイスの第１の面を部分的に被覆するように塗布される必要がある。特に、電子デバイスがベース絶縁層と対向するように配置され且つベース絶縁層に接合された場合に、除去性層によって被覆されないベース絶縁層の第２の面上の領域が接着剤と接触しないように、接着剤層は、電子デバイスの選択された領域に塗布される必要がある。接着剤がＢステージに入るまでに、接着剤層は部分的に硬化してもよい。
【００５１】
電子デバイスの活性面又は第１の面は、ベース絶縁層の第２の面と接触するように配置してもよい。電子デバイスの活性面には接着剤層が配置されており、活性面は除去性層と接触する（図３（ｄ）を参照）。電子デバイスをベース絶縁層上に配置するために自動ピックアンドプレースシステムを使用してもよい。電子デバイスをベース絶縁層に接合するために、接着剤層は硬化してもよい。除去性層の溶融温度より低い硬化温度を使用する必要がある。
【００５２】
一実施形態では、ベース絶縁層は、第１の面及び第２の面を有する（図４（ａ）を参照）。処理中のベース絶縁層の寸法を安定させるために、ベース絶縁層はフレーム構造（図示せず）に固定される。本実施形態では、除去性層はベース絶縁層に塗布され、上述したように硬化される（図４（ｂ）を参照）。
【００５３】
図４（ｃ）に示すように、接着剤層は、除去性層の外側に向いた面に向けてベース絶縁層の第２の面に塗布される。接着剤層は、上述したように塗布してもよい。
【００５４】
電子デバイスの活性面がベース絶縁層上で接着剤層と接触する状態で配置されるように（図４（ｄ）を参照）、電子デバイスの活性面又は第１の面は、ベース絶縁層の第２の面と接触する状態で配置してもよい。電子デバイスをベース絶縁層上に配置するために、自動ピックアンドプレースシステムを使用してもよい。
【００５５】
図５（ａ）及び図５（ｂ）を参照すると、ベース絶縁層の第２の面に低温感知接着剤層２８が塗布される。低温感知接着剤層は、少なくとも１つの電子デバイスをベース絶縁層に接合する。低温感知接着剤は、処理中及び使用中に接着剤が電子デバイスをベース絶縁層に有効に接合する場合に有用であろう。
【００５６】
電子デバイスの活性面が低温感知接着剤層と接触する状態で配置されるように（図５（ｂ）を参照）、電子デバイスの活性面又は第１の面は、ベース絶縁層の第２の面と接触する状態で配置してもよい。例えば、この場合にはチップである各電子デバイスをダイシングされたウェハから又はワッフルパックなどの個別に分離されたチップのトレイから取り上げる自動ピックアンドプレースシステムの加熱ステージにベース絶縁層を配置してもよい。低温感知接着剤が部分的にしか硬化されていない場合、接着剤が軟化し、粘性を有するように、低温感知接着剤は加熱してもよい。その後、チップの活性面がベース絶縁層の第２の面と対向するように配置され、それにより、各チップのＩ／Ｏコンタクトがベース絶縁層上の標準点と整列されるように、チップは第１の面を下に向けて配置される。電子デバイスをベース絶縁層に接合するために、低温感知接着剤は完全に硬化してもよい。
【００５７】
一実施形態では、図６（ａ）に示すように、低温感知接着剤は、ベース絶縁層にではなく、電子デバイスの第１の面に塗布される。接着剤がＢステージに入るまでに、低温感知接着剤は部分的に硬化してもよい。低温感知接着剤は、上述したように取り扱われ、処理され、組み立てられてもよい。その後、低温感知接着剤は完全に硬化される。
【００５８】
低温感知接着剤を有する電子デバイスの活性面又は第１の面は、ベース絶縁層の第２の面と接触してもよい（図６（ｂ）を参照）。処理中にベース絶縁層の寸法を安定させるために、ベース絶縁層はフレーム構造に固定してもよい。
【００５９】
配線構造及びベース絶縁層から電子デバイスを回収するために、最終処理工程に至るまで、封止工程を遅らせてもよい。しかし、処理中、封止されないままの電子デバイスをベース絶縁層上に放置すると、封止されていない面が平坦ではないため、パターニングに関してベース絶縁層に問題が起こる場合がある。
【００６０】
処理中にベース絶縁層の寸法を安定させるために、ベース絶縁層はフレーム構造に固定される。一実施形態では、フレームパネル３０は、第１の面３２及び第２の面３４を有する。フレームは、ベース絶縁層上の電子デバイスの場所ごとに１つのアパーチャ又は開口部３８を規定する面を有する（図７（ａ）及び図７（ｂ）を参照）。
【００６１】
ベース絶縁層は、図８に示すようにフレームパネルに固定してもよい。フレームパネルは、配線構造の製造中にフレーム構造（先に示した通り）の代わりに又はフレーム構造に加えてベース絶縁層を安定させる。さらに、フレームパネルは、処理中のベース絶縁層の封止されていない面の平坦度を向上してもよい。フレームパネルは、配線構造の相対的に永久的な部品であってもよい。図７（ａ）に示すように、フレームパネルは、複数の開口部３８を含むほど十分に大きくてもよい。各開口部は、ベース絶縁層上の異なる電子デバイス実装場所に対応し、それにより、フレームパネルは、複数の電子デバイス実装場所に対して安定性を与え且つ平坦度を向上する。或いは、フレームパネルは単一の開口部を含み、ベース絶縁層上の１つの電子デバイス実装場所に対して安定性を与え且つ平坦度を向上するような大きさに規定してもよい。
【００６２】
適切なフレームパネルは、金属、セラミック又はポリマー材料から形成してもよい。適切なポリマー材料は、ポリイミド、エポキシ又はエポキシ混合物を含んでもよい。ポリマー材料は、１つ以上の補強充填材を含んでもよい。かかる充填材は、繊維又は小さな無機物粒子を含んでもよい。適切な繊維は、ガラス繊維又は炭素繊維であってもよい。適切な粒子は、炭化ケイ素、窒化ホウ素又は窒化アルミニウムを含んでもよい。フレームパネルは成形ポリマー構造であってもよい。一実施形態では、フレームパネルは、チタン、鉄、銅又はスズから選択された金属である。或いは、金属は、合金、又はステンレス鋼又はＣｕ：Ｉｎｖａｒ：Ｃｕなどの金属複合材料であってもよい。フレームパネルが形成される特定の材料は、所望の熱膨張係数、剛性その他の所望の機械的特性に基づいて特定の構造に合わせて選択してもよい。フレームパネルは金属被覆膜を有してもよい。被覆に適する金属はニッケルを含んでもよい。フレームパネルはポリマー被覆膜を有してもよい。適切なポリマー被覆膜材料は、接着力を向上するポリイミドを含んでもよい。
【００６３】
フレーム構造及び／又はフレームパネルにより、処理中にベース絶縁層を安定させてもよい。しかし、フレーム構造又はフレームパネルの使用は不要であってもよい。例えば、ロールツーロール処理は、フレーム構造又はフレームパネルの使用を必要としなくてもよい。
【００６４】
フレームパネルは、約１０ｐｐｍ／℃超の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有してもよい。フレームパネルは、約２０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有してもよい。一実施形態では、フレームパネルは、電子デバイスの厚さと等しい又はそれに近い厚さを有してもよい。
【００６５】
一実施形態では、フレームパネルの第１の面は、ベース絶縁層の第２の面に固定される（図８（ａ）及び図８（ｂ）を参照）。ベース絶縁層は、接着剤層４０を使用してフレームパネルに接合してもよい。フレームパネルをベース絶縁層に接合するのに適する接着剤は、適切な接着剤材料として先に列挙された材料を少なくとも含む。適切な塗布方法は、先に列挙された方法を含む。
【００６６】
さらに、フレームパネルをベース絶縁層に接合するために使用される接着剤層が電子デバイスをベース絶縁層に接合するために使用される接着剤層と同一である場合、電池デバイス及びフレームパネルは、ベース絶縁層の上に同時に配置され且つ同時に硬化してもよい。これにより、処理工程が簡単になるか又は処理工程の数が減少するであろう。例えば、図９に示すように、ベース絶縁層１４の第２の面は、熱硬化性接着剤層１６で被覆され、接着剤材料はＢステージまで硬化される。図９（ｂ）に示すように、ベース絶縁層の第２の面は、フレームパネル３０の第１の面に貼り合わされる。除去性層が既に固定されている電子デバイス１８は、フレームパネル３０の開口部の中でベース絶縁層の第２の面に配置される（図９（ｃ）及び図９（ｄ）を参照）。フレームパネル及び電子デバイスの双方をベース絶縁層に接合するために、接着剤層は完全に硬化される。
【００６７】
フレームパネルの各開口部は、ｘ寸法及びｙ寸法において電子デバイスより約０．２ｍｍ〜約５ｍｍの範囲で大きくてもよい。このようにサイズを大きくすることにより、後に電子デバイスをベース絶縁層の上に容易に配置できる。或いは、電子デバイスがベース絶縁層上に配置され且つ／又はベース絶縁層に接合された後に、フレームパネルがベース絶縁層上に配置してもよい。
【００６８】
図１０（ａ）を参照すると、例えば、ベース絶縁層の第２の面は接着剤層によって被覆され、接着剤はＢステージまで硬化される。図１０（ｂ）に示すように、除去性層が塗布されている電子デバイスは、ベース絶縁層の第２の面に配置される。図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）に示すように、ベース絶縁層の第２の面は、フレームパネルの第１の面に貼り合わされる。電子デバイスは、フレームパネルの開口部の中に配置される。最後に、フレームパネル及び電子デバイスをベース絶縁層に接合するために、接着剤層は完全に硬化される。
【００６９】
一実施形態では、部分構体は、除去性層及び接着剤層を含み、サンドイッチ構造を形成するために除去性層と接着剤層との間にバリア被覆膜が配置される。バリア被覆膜は、接着剤層からの反応性種の移動を阻止してもよく、且つ処理中に接着剤層と除去性層との反応を防止してもよい。かかる反応が起こった場合、除去性層と接着剤層との境界面が弱体化するか又はそれらの層の間に欠陥箇所が形成されてしまうであろう。例えば、硬化などの高温処理中、熱硬化性接着剤層は、除去性層の熱可塑性材料と反応する場合がある。
【００７０】
除去性層が電子デバイスに塗布された後、又はベース絶縁層及び除去性層が硬化された後に、バリア被覆膜は除去性層の外側に向いた面に（除去性層の「上に重ねて」）塗布してもよい。バリア被覆膜は、有機物層又は無機物層のいずれであってもよい。有機物バリア被覆膜が使用される実施形態では、接着剤層又は除去性層のいずれかを塗布するのに適切であると本明細書中で指示される方法により、バリア被覆膜はベース絶縁層又は電子デバイスに塗布してもよい。塗布方法は化学気相成長、プラズマ蒸着又は反応性スパッタリングを含むが、それらに限定されない。無機物バリア被覆膜が使用される実施形態では、バリア被覆膜は、例えばＣＶＤ、蒸着又はスパッタリングにより付着してもよい。バリア被覆膜が電子デバイスの面に塗布される場合、ウェハ処理が完了し、ウェハソーイングが実行される前の段階で、バリア被覆膜はウェハレベルで塗布してもよい。或いは、バリア被覆膜は、ウェハソーイングの後に個別に分離されたチップに塗布してもよい。
【００７１】
バリア被覆膜は、ポリオレフィン、ポリエステル又はアモルファス水素化炭素から選択された１つ以上の有機物材料を含んでもよい。他の適切なバリア被覆膜は、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＷＯ3又はＺｒＯ2などの無機物材料から形成してもよい。
【００７２】
一実施形態では、電子デバイスとベース絶縁層との電気的接続は、電子デバイスがベース絶縁層に接合された後に形成される。特に、電子デバイスに配置されたＩ／Ｏコンタクトとベース絶縁層に配置された電気導体との間で、電気的接続が形成される。
【００７３】
図１１を参照すると、ベース絶縁層に配置してもよい適切な電気導体４０は、パッド、ピン、バンプ又ははんだボールを含む。ベース絶縁層と電子デバイスとの間の電気的接続は、特定用途向けパラメータに基づいて選択された構造であってもよい。例えば、ベース絶縁層、接着剤層及び除去性層を貫通して、電子デバイス上の１つ以上のＩ／Ｏコンタクトに至るアパーチャ、穴又はビア４２を形成してもよい（図１１を参照）。一実施形態では、ビアの大きさは、マイクロビアとなるように規定してもよい。レーザーアブレーティング、機械的穴あけ、打ち抜き、ウェット化学エッチング、プラズマエッチング又は反応性イオンエッチングにより、ビアを形成してもよい。
【００７４】
レーザーアブレーション技術によりビアが形成される場合、ベース絶縁層はフレーム構造により支持してもよく、裏返された後に自動レーザーシステムに配置してもよい。レーザーシステムは、選択された場所でベース絶縁層に対してレーザーアブレーションを実行するようにプログラムしてもよい。この処理により、ベース絶縁層、接着剤層及び除去性層を貫通して、電子デバイス１８上の複数のＩ／Ｏコンタクト２４に至る盲穴ビアが形成される。電子デバイス上のＩ／Ｏコンタクトを露出させるためにビア内部の残留灰及び残留接着剤層を除去するスミア除去処理又はスカム除去処理が、レーザーアブレーションの後に必要に応じて実行してもよい。この工程は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマクリーン又はウェット化学エッチングにより実行してもよい。ベース絶縁層の第１の面に、トレース、パワープレーン又は接地平面が必要に応じて形成してもよい。
【００７５】
図１１（ｂ）を参照すると、ビアの中に、電子デバイス上のＩ／Ｏコンタクト及びベース絶縁層１０の第１の面まで延出する図中符号４４により示される導電性材料を配置してもよい。導電性材料は導電性ポリマーであってもよく、ジェッティング又はスクリーニングにより付着してもよい。適切な導電性材料の例は、金属粒子充填材を含むエポキシ、ポリスルホン又はポリウレタンを含んでもよい。適切な金属粒子は、銀及び金を含む。他の適切な金属は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＴｉを含んでもよい。充填材を含むポリマー材料の代わりに、本来導電性であるポリマーを使用してもよい。適切な導電性ポリマーはポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリ−３−へキシルチオフェン、ポリナフタレン、硫化ポリ−ｐ−フェニレン及びポリ−ｐ−フェニレンビニレンを含む。粘度及び安定性が問題になる場合には、導電率をさらに向上するために、本来導電性であるポリマーに導電性充填材を充填してもよい。
【００７６】
導電性材料が金属である場合、スパッタリング、蒸着、電気めっき又は無電解めっきのうち１つ以上を含む方法により、導電性材料は付着してもよい。一実施形態では、ベース絶縁層の第１の面及び電子デバイス上のＩ／Ｏコンタクトまで延出するビアの露出面は、スパッタめっき及び電気めっきを組合せたシーケンスを使用してメタライズされる。ベース絶縁層の第１の面及びビアが真空スパッタシステムに対して露出された状態で、ベース絶縁層は真空スパッタシステムの中に配置される。残留接着剤材料及び自然の金属酸化物を除去するために、バックスパッタ工程は、露出されたデバイスのＩ／Ｏコンタクトをスパッタエッチングする。さらに、バックスパッタ工程は、ベース絶縁層の表面の中までエッチングする。金属Ｉ／Ｏコンタクトのスパッタエッチングは、その後に実行されるメタライゼーション工程の接触抵抗を低下するが、ベース絶縁層のエッチングは、ベース絶縁層の第１の面に対する金属の接着力を向上する。
【００７７】
図１１（ｂ）に示すように、ベース絶縁層の第１の面、ビアを規定する側壁及び露出されたＩ／Ｏコンタクトに、シード金属層４４がスパッタ蒸着される。Ｔｉ又はＣｒなどのバリア金属及びＣｕ又はＡｕなどの非バリア金属を含有する二重金属系を使用してもよい。バリア金属は、約１，０００Å〜約３，０００Åの範囲の厚さにめっきでき、非バリア金属は、約０．２μｍ〜約２．０μｍの範囲の厚さにめっきできる。金属蒸着工程は、ベース絶縁層の第１の面、すなわち素子側ではない面に金属配線部を形成してもよい。
【００７８】
スパッタリング工程に続いて、図１１（ｃ）に示すように、ベース絶縁層の第１の面に、非バリアシード金属層の相対的に厚い層が電気めっきされる。適切なメタライゼーションパターニング処理は、図１１に示すような半加法的処理又はパターンプレートアップ処理を含んでもよい。約２μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さを有する層を形成するために、ビア側壁を含むベース絶縁層のメタライズ面が金属によって電気めっきされる。図１１（ｃ）を参照すると、ベース絶縁層の第１の面を覆うようにフォトマスク材料が配置され、第１の面の選択された領域を露出させるために、フォトマスク材料はフォトパターニングされる。配線トレース、Ｉ／Ｏコンタクト及びビアなどの金属を保持することが望まれるベース絶縁層の第１の面上の領域は、フォトレジストで被覆されたままであり、金属が除去されるベース絶縁面の領域は露出されて被覆されない。複数の金属ウェットエッチング浴により、ベース絶縁層の露出された表面領域のめっきされた金属及びスパッタリングされた金属は除去されるが、残る領域はマスク材料によりウェットエッチング剤から保護される。エッチング工程の完了後、残ったフォトレジスト材料は除去される。フォトレジスト材料の除去によって、図１１（ｄ）に示すような所望のメタライゼーションパターンを得られる。
【００７９】
１つのシーケンスにおいて、減法的金属パターニング処理が使用される。この方法では、ベース絶縁層の第１の面を覆うようにフォトマスク材料が配置され、その後、第１の面の選択された領域を露出させるために、フォトマスク材料はフォトパターニングされる。配線トレース、Ｉ／Ｏコンタクト及びビアなどの金属を保持することが望まれるベース絶縁層の第１の面上の領域は、フォトレジストで被覆されたままであるが、金属を除去することが望まれるベース絶縁層の面の領域は、図１１（ｃ）に示すように被覆されないままである。ビア側壁を含むベース絶縁層の第１の面の露出されたメタライズ領域は、約４μｍ〜約２０μｍの範囲の厚さまで電気めっきされる。めっきされた金属は、パターニングされたフォトレジストのまっすぐな側壁に続く側壁を有するので、フォトレジストの厚さは、めっき金属の厚さを超えてはならない。めっき処理工程の完了後、残ったフォトレジスト材料が除去される。その結果、図１１（ｄ）に示すように、シード金属がめっきされなかったベース絶縁層の第１の面上のメタライズ領域が得られる。所望のメタライゼーションパターンを残すために、複数の標準ウェット金属エッチング浴により、露出されたシード金属を除去してもよい。はんだ付け処理を使用して、ベース絶縁層と電子デバイスとの間の電気的接続がさらに形成してもよい。
【００８０】
以上説明された処理工程の結果、第１の配線層４８及び第１の配線層から電子デバイスのＩ／Ｏコンタクトへの電気的接続が完成する。マイクロプロセッサ、ビデオプロセッサ及びＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）などの半導体チップを含む１つ以上の複雑な電子デバイスへの配線において、必要とされるチップＩ／Ｏコンタクトの全てに関して経路を完全に規定するために、追加の配線層が必要となる場合もある。かかる電子デバイスの場合、ベース絶縁層の第１の面に、１つ以上の追加配線層を形成してもよい。経路規定がさほど複雑ではないさらに単純な電子デバイスの場合には、配線層はただ１つ形成されればよい。
【００８１】
一実施形態では、追加配線層は、第１の配線層に追加の絶縁層５０を接合することにより形成される。図１２（ａ）に示す一実施形態では、追加絶縁層は、第１の面５２及び第２の面５４を有し、接着剤層５６によって被覆される。本発明において使用するのに適する接着剤は、先に適切な接着剤材料であるとして指示された材料を含む。接着剤層が熱硬化性材料を含む場合、接着剤層が追加絶縁層に塗布された後、接着剤はＢステージまで硬化される。
【００８２】
接着剤層を追加配線層に塗布するのに適する方法は、スプレーコーティング、スピンコーティング、ロールコーティング、メニスカスコーティング、ディップコーティング、トランスファーコーティング、ジェッティング、ドロップディスペンシング、パターンプリント蒸着又はドライフィルムラミネーティングを含む。接着剤層は、約５μｍを超える厚さを有してもよい。一実施形態では、除去性層は、約５μｍ〜約１０μｍ、約１０μｍ〜約２０μｍ、約２０μｍ〜約３０μｍ、約３０μｍ〜約４０μｍ又は約４０μｍ〜約５０μｍの範囲の厚さ、或いは約５０μｍを超える厚さを有してもよい。別の実施形態では、接着剤層は、追加絶縁層の面に塗布される事前製造済み自然接着膜であってもよい。
【００８３】
図１２（ｂ）を参照すると、追加絶縁層の第２の面は、ベース絶縁層の第１の面（部品側ではない側）と接触するように配置される。追加絶縁層をベース絶縁層及び配線層４８に接合するために、接着剤層は完全に硬化される。一実施形態では、加熱真空ラミネーションシステムを使用して、追加絶縁層はベース絶縁層の第１の面に貼り合わされる。
【００８４】
追加絶縁層上の電気導体４０は、ベース絶縁層上の電気導体４０に電気的に接続される。例えば、図１２（ｃ）に示すように、追加絶縁層及び接着剤層を貫通して、ベース絶縁層上の選択された電気導体に至るビアを形成してもよい。追加絶縁層及び接着剤層に導電性ビアを形成するために、上述したように第１の配線層にビアを形成し且つ導電性材料を蒸着するために使用された処理工程と同一の処理工程を使用してもよい（図１２（ｄ）を参照）。
【００８５】
一実施形態では、第１の配線層に関して上述したメタライゼーション工程及びパターニング工程を使用して、第２の配線層を完成するために、追加絶縁層の第１の面はメタライズされる。同様にして複数の追加配線層を形成してもよい。
【００８６】
図１２（ｄ）及び図１３に示すように、複数の配線層は協働して、配線構体６０を規定する。配線構体は、第１の面６２及び第２の面６４を有する。任意の金属トレースをパシベートし且つ構体又はパッケージＩ／Ｏコンタクトに対して使用されるコンタクトパッドを規定するために、構体の第１の面を誘電体マスク材料又ははんだマスク材料６８によって被覆することにより、配線構体は完成してもよい。パッケージＩ／Ｏコンタクトは、さらに堅牢なＩ／Ｏコンタクトを形成するために露出されたコンタクトパッドに塗布されるＴｉ：Ｎｉ：Ａｕなどの追加金属蒸着膜を有してもよい。追加金属蒸着膜は、無電解めっきにより塗布してもよい。Ｉ／Ｏコンタクトパッドには、ピン、はんだ球又はリード線を装着してもよいし、或いはパッドアレイを形成するように、そのままの状態で放置してもよい。図１３は、ボールグリッドアレイの場合のようなはんだ球のアレイを有する配線構体６０を示す。他の配線構造を使用してもよい。例えば、配線構体は、ピングリッドアレイの場合のようなピンのアレイを有してもよい。
【００８７】
１つの配線層であるか又は複数の配線層を含む配線構体であるかのいずれであってもよいが、配線構造が完成した時点で、全ての配線が正しいか否かが標準電気試験ステーションにより判定される。正しいとは、回路に開路又は短絡が存在しないことを意味する。配線構造に欠陥があること又は配線構造の別の部品に欠陥があることが試験により示された場合、欠陥を含むパッケージから有用な電子デバイスを回収してもよい。或いは、電子デバイスに欠陥があると判明した場合、欠陥デバイスが配線構造から除去され、新たなデバイスと交換してもよい。
【００８８】
一実施形態では、除去性層は、軟化温度又は融点を有してもよい。除去性層をその軟化温度又は融点まで加熱することにより、配線構造から電子デバイスを回収してもよい。その温度に達した時点で、ベース絶縁層及び配線構造から剥離又は除去される電子デバイスを回収できる。除去性層を軟化又は溶融するために、除去性層は熱源にさらされる。電子デバイスが保持装置により堅固に固定されている間に、この技術を使用して、配線構造が電子デバイスから剥ぎ取られてもよい。適切な保持装置は、真空クランプ又は機械的クランプを採用してもよい。クランプは、配線構造の縁部を把持し、配線構造を電子デバイスから除去するか又は剥ぎ取ってもよい。
【００８９】
除去性層により、電子デバイス又は電子デバイスの活性面上の素子に損傷を与えずに、電子デバイスを回収できる。低Ｋ（誘電率）層間誘電体を使用しているために機械的強度が低く、損傷される半導体デバイスの出現に伴い、そのように電子デバイスを回収できることは特に重要になっている。
【００９０】
別の除去方法において、二次加熱源が電子デバイス及びデバイスを取り囲む領域を局所的に加熱するような加熱ステージに配線構造を装着してもよい。除去性層は、軟化温度又は融点まで加熱される。除去性層が熱可塑性ポリマー又は熱硬化性ポリマーを含む場合、ポリマーの材料特性により判定される温度に除去性層をさらすことにより、除去性層は軟化又は溶融してもよい。適切な温度範囲は、約２５０℃〜約３５０℃の範囲であってもよい。
【００９１】
損傷を受けずに機能している電子デバイスが不良なベース絶縁層から分離される場合、除去性層の融点は、電子デバイスの最高損傷閾値温度より低くなければならない。電子デバイスの最高損傷閾値温度は、電子デバイスを損傷せずに電子デバイス（デバイス上の全ての回路を含む）をさらすことができる最高温度である。これに対し、損傷を受けずに機能しているベース絶縁層から不良な電子デバイスを除去することが望まれる場合には、除去性層の融点は、ベース絶縁層の最高損傷閾値温度より低くなければならない。ベース絶縁層（層上の全ての回路を含む）の最高損傷閾値温度は、部品を損傷せずにベース絶縁層をさらすことができる最高温度である。従って、欠陥のある電子デバイス又はその他の欠陥部品のうち任意の部品が配線構造から除去してもよい。
【００９２】
一実施形態では、配線構造は、配線構造を規定し且つ形成するように電子デバイスをベース絶縁層に電気的に接続するために相対的に微細なピッチ（約５０μｍ〜約１，０００μｍ）のはんだ球のアレイを利用するフリップチップ又はチップスケール電子デバイスを含む。除去性層は、アンダーフィルの塗布前に塗布される必要がある。除去性層をアンダーフィルの塗布前に塗布しない場合、はんだ実装された電子デバイスがアンダーフィルの硬化前に欠陥デバイスであると判明した時は電子デバイスを除去できるが、アンダーフィルが硬化した後では電子デバイスを容易に除去できなくなってしまう。アンダーフィルは、リフロー後にはんだ球を封止し、電子デバイスを配線構造のはんだパッドに電気的に接続してもよい。従って、アンダーフィルは基板に接合するのではなく、除去性層に接合する。電子デバイス実装場所の下方に除去性層を塗布することにより、アンダーフィルの硬化が起こった後に電子デバイスを除去できる。
【００９３】
一実施形態では、配線構造は加熱ステージに装着してもよい。二次加熱源は、電子デバイス及びデバイスを取り囲む領域を局所的に加熱する。除去性層及び電子デバイスを配線構造に装着するはんだ接続部は、それらの軟化点又は融点まで加熱される。その結果、除去性層及び電子デバイスは剥離し、熱硬化性アンダーフィルは全く影響を受けない状態で、電子デバイスを実装場所から除去できる。残留物又は破砕片を除去するために、先にデバイスが実装されていた場所は洗浄してもよい。最後に、はんだ球を有する新たな電子デバイスが配線構造に実装され、はんだ付けされ且つアンダーフィルを塗布されることにより、欠陥部品の交換が完了してもよい。
【００９４】
はんだ球などのはんだ接続又は導電性ポリマーリード線により電子デバイスが配線構造に電気的に装着されている場合、電子デバイスを配線構造から除去するために、電気接続部及び除去性層は、その融点又は軟化点まで加熱される必要がある。電子デバイスを剥離するように導電性ポリマー材料を溶融又は軟化するために、導電性ポリマー材料により形成された電子デバイスと配線構造との物理的結合部を加熱してもよい。或いは、除去性層が溶融又は軟化された後、可能であれば電気的接続部が物理的に破壊してもよい。
【００９５】
本明細書中に開示された実施形態を採用することにより、チップオンフレックス、プラスチック高密度配線（ＨＤＩ）、ハイＩ／Ｏカウントプロセッサチップは利を得るであろう。チップオンフレックス処理において、電子デバイスがベース絶縁層に接合された後に、複雑な配線構造を製造する必要がある。多数のチップＩ／Ｏパッドの経路を規定するために必要となる層の数が多く且つ必要とされる各配線層が複雑であるため、製造は複雑になる。しかし、配線構造ごとの欠陥率は約２％〜約１０％と高い。修理処理を利用できない限り、複雑な配線構造の歩留まり低下は、高価なプロセッサチップを廃棄せざるを得ないという失点を伴う。開示された方法のうち１つ以上の方法により回収により、通常の動作温度で安定しており且つ高いはんだリフロー温度に耐えることができるが、電子素子を配線構造から回収する必要がある場合には除去可能である接合部の相対的に低応力の回収処理を提供できる。
【００９６】
一実施形態では、電子デバイスを配線構造から除去できるようにするために、最終処理工程まで封止を遅らせてもよい。配線層が完了した後、配線構造の試験が実行される。配線構造及び電子デバイスに欠陥がないと判明した場合、電子デバイス及び配線構造を湿気及び熱機械的応力からさらに保護するために、電子デバイスを取り囲む領域を封止してもよい。ベース絶縁層及び電子デバイスを完全に埋め込むために、ベース絶縁層及び露出された電子デバイスが封止材料７０により封止してもよい（図１３を参照）。別の実施形態では、ベース絶縁層及び電子デバイスを埋め込むために、ベース絶縁層及び露出された電子デバイスは部分的に封止してもよい（図１３を参照）。一実施形態では、封止を実行するために、ポッティング処理又は成形処理が使用される。適切な成形処理は、鋳込み成形、トランスファー成形又は圧縮成形を含んでもよい。ダムアンドフィル封止方法が利用されるのが好ましい。
【００９７】
使用してもよい封止材料は、熱可塑性ポリマー及び熱硬化性ポリマーを含む。適切な脂肪族ポリマー及び芳香族ポリマーは、ポリエーテルイミド、アクリル酸樹脂、ポリウレタン、ポリプロピレン、ポリスルホン、ポリテトラフルオロエチレン、エポキシ、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、室温加硫（ＲＴＶ）シリコーン及びウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、シリコーンなどを含んでもよい。一実施形態では、相対的に低い硬化温度を利用できるという理由により、封止材料は熱硬化性ポリマーである。封止材料は充填材料を含んでもよい。熱伝導率、熱膨張率、粘度及び吸水率などの種々の成形材料特性を適合させるように、充填材料の種類、大きさ及び量を使用してもよい。例えば、それらの材料は、粒子、繊維、スクリーン、マット又は無機物粒子の板を含んでもよい。適切な充填材料は、ガラス、シリカ、セラミック、炭化ケイ素、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ガリウムその他の金属、金属酸化物、金属炭化物、金属窒化物、或いは金属ケイ化物を含んでもよい。他の適切な充填材料は、炭素系材料を含んでもよい。
【００９８】
フレームパネルが使用される場合、電子デバイスの実装前（図９を参照）、電子デバイスの実装後（図１０を参照）又は配線構体の完成後（図１４を参照）にフレームパネルを適用してもよい。配線構体の完成後にフレームパネルが適用される方法の場合、フレームパネルの主面に接着剤が塗布され、フレームパネルは、配線構体の第２の面に接合される。それらのフレームパネル装着方法の全てにおいて、フレームパネルの各開口部の内側縁部と開口部の中に配置された電子デバイスの外側縁部との間に空隙又はモート領域が存在してもよい。この空隙は充填されないままであってもよいし、或いは封止材料によって完全に又は部分的に充填してもよい。フレームパネル開口部の内側縁部と電子デバイスの外側縁部との間の空隙は、約１０％充填から約９０％充填の範囲で部分的に充填してもよい。封止材料は硬化してもよい。ある特定の実施形態では、封止材料と接着剤層とを同時に硬化するのが有益であってもよい。
【００９９】
ベース絶縁層及び露出された電子デバイスが封止された後、電子デバイスを熱から保護するために、電子デバイスの第２の面に蓋／サーマルスプレッダ７２を接合してもよい。蓋／サーマルスプレッダは、熱境界面材料（ＴＩＭ）７４によって接合される。蓋／サーマルスプレッダは、接着剤７６を使用してフレームパネルの第２の面に接合してもよい。或いは、約５Ｗ〜約１００Ｗ以上の消散を伴う高出力デバイスの場合、デバイスの動作中の熱除去を助けるために、電子デバイスの背面は露出されたままにしてもよい。
【０１００】
本明細書中で説明された実施形態は、特許請求の範囲に記載される本発明の要素に対応する要素を有する組成、構造、システム及び方法の例である。本明細書の説明により、当業者は、特許請求の範囲に記載される本発明の要素に同様に対応する代替要素を有する実施形態を製造し且つ使用することが可能になるであろう。従って、本発明の範囲は、特許請求の範囲の用語と相違しない組成、構造、システム及び方法を含み且つ特許請求の範囲の用語との間に実質的でない相違を有する他の構造、システム及び方法をさらに含む。本明細書においてある特定の特徴及び実施形態のみを図示し且つ説明したが、多くの変形及び変更は当業者には明らかであろう。添付の特許請求の範囲は、全てのかかる変形及び変更を包含する。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の一実施形態に従ってベース絶縁層に接合される電子デバイスを示した横断面側面図である。
【図２】本発明の別の実施形態に従ってベース絶縁層に接合される電子デバイスを示した横断面側面図である。
【図３】本発明の別の実施形態に従ってベース絶縁層に接合される電子デバイスを示した横断面側面図である。
【図４】本発明の別の実施形態に従ってベース絶縁層に接合される電子デバイスを示した横断面側面図である。
【図５】本発明の別の実施形態に従ってベース絶縁層に接合される電子デバイスを示した横断面側面図である。
【図６】本発明の別の実施形態に従ってベース絶縁層に接合される電子デバイスを示した横断面側面図である。
【図７】フレームパネルを示した平面図である。
【図８】本発明の別の実施形態に従ってベース絶縁層に接合されるフレームパネルを示した横断面側面図である。
【図９】本発明の別の実施形態に従ってフレームパネルの中でベース絶縁層に接合される電子デバイスを示した横断面側面図である。
【図１０】本発明の別の実施形態に従ってベース絶縁層に接合される電子デバイス及びフレームパネルを示した横断面側面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係るビアの形成及びベース絶縁層のメタライゼーションを示した横断面側面図である。
【図１２】本発明の別の実施形態に従って配線層に接合される追加のベース絶縁層を示した横断面側面図である。
【図１３】本発明の別の実施形態に従って製造された配線構体を示した横断面側面図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１０…ベース絶縁層、１２…ベース絶縁層の第１の面、１４…ベース絶縁層の第２の面、１６…接着剤層、１８…電子デバイス、２０…電子デバイスの第１の面、２２…電子デバイスの第２の面、２４…Ｉ／Ｏコンタクト、２６…除去性層、２８…低温感知接着剤層、３０…フレームパネル、３８…アパーチャ、４０…電気導体、４２…ビア、４４…導電性材料、４８…配線層、６０…配線構体、６８…はんだマスク材料
【図１】
2010114111.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2010114111.tif 000013
【図１２】
2010114111.tif 000014
【図１３】
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【外国語明細書】
2010114111000001.pdf