(57)【要約】【課題】本発明のシンチレータパネルを用いることにより、シンチレータパネルとセンサパネルを均一に密着させることが可能となり、画像ムラのない良好な画像を得ることができる。【解決手段】一方の面に複数の光電変換素子が二次元状に配列されて形成された光電変換基板と、Ｘ線により可視領域で発光するシンチレータパネルの発光面を対向させた構成の放射線検出パネルに用いるシンチレータパネルであって、該シンチレータパネルにおける中央部膜厚が周辺部膜厚より厚い層であることを特徴とするシンチレータパネル。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に複数の光電変換素子が二次元状に配列されて形成された光電変換基板と、Ｘ線により可視領域で発光するシンチレータパネルの発光面を対向させた構成の放射線検出パネルに用いるシンチレータパネルであって、該シンチレータパネルにおける中央部膜厚が周辺部膜厚より厚い層であることを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項２】
前記シンチレータパネルの中央部と周辺部の平均膜厚の差が、下記式（１）で示すように、１％以上、１０％以下であることを特徴とする請求項１に記載のシンチレータパネル。
平均膜厚の差（％）＝｛（中央部の膜厚）−（周辺部の膜厚）｝／（周辺部の膜厚）×１００・・式（１）
【請求項３】
前記シンチレータパネルが、少なくとも蛍光体層と蛍光体層を支持する基材を持つことを特徴とする請求項１または２に記載のシンチレータパネル。
【請求項４】
前記基材は前記蛍光体層と接し、可とう性を有する基材と、剛性を有する基材からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項５】
前記基材よりも、前記蛍光体層の面積が小さいことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項６】
一方の面に複数の光電変換素子が二次元状に配列されて形成された光電変換基板と、少なくとも対向部材と蛍光体放射線を光に変換するシンチレータパネルが対向し、シンチレータパネルの中央部の厚さが、周辺部の厚さよりも厚く、さらに光電変換基板と、シンチレータパネル基材の間隙部分で、蛍光体層の周辺部に接着剤を充填させることにより作製されることを特徴とする放射線画像検出装置。
【請求項７】
放射線画像検出装置であって、光電変換基板、シンチレータパネル、接着剤からなる空間を減圧することで作製されることを特徴とする放射線画像検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出パネルであるシンチレータパネルおよびそれを用いた放射線画像検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上にフォトダイオード等の複数の光電変換素子を二次元状に配列し、光電変換素子の放射線入射側にシンチレータを配置したセンサパネルを用いた放射線画像検出器（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ（ＦＰＤ）ともいう。）が開発されている。このような放射線画像検出器は、通常、センサパネルに照射された放射線をシンチレータで可視光等の他の波長の光に変換し、変換した光を光電変換素子に入射させて素子内で電荷を発生させ、発生した電荷を取り出すことで、放射線情報を変換して最終的に電気信号として検出するように構成される。
【０００３】
一方センサパネル上に蛍光体層を設けるのではなく、別の基材に蛍光体層を設け、シンチレータパネルとし、シンチレータパネルとセンサパネルを貼り合わせた方式の放射線検出装置が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００４】
この様な方法もシンチレータパネルとセンサパネルを均一に密着させることが良好な画像を得る鍵となるため、その圧着の方法を工夫しなければ、中に空気が残り画像ムラの原因となる。特にシンチレータパネルとセンサパネルの周囲に接着剤を配置し、中の空間を減圧しながら密着させる場合は、均一に密着が出来ないと、正常に接着が出来ずに画像ムラの原因になる。
【０００５】
本発明のシンチレータパネルを用いると、中央部が先に密着するため、空気の抜けが良好で、均一に密着できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−６０１８６号公報
【特許文献２】特開２００７−２８５７０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明のシンチレータパネルを用いることにより、シンチレータパネルとセンサパネルを均一に密着させることが可能となり、画像ムラのない良好な画像を得ることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の上記課題は以下の構成により達成される。
【０００９】
１．一方の面に複数の光電変換素子が二次元状に配列されて形成された光電変換基板と、Ｘ線により可視領域で発光するシンチレータパネルの発光面を対向させた構成の放射線検出パネルに用いるシンチレータパネルであって、該シンチレータパネルにおける中央部膜厚が周辺部膜厚より厚い層であることを特徴とするシンチレータパネル。
【００１０】
２．前記シンチレータパネルの中央部と周辺部の平均膜厚の差が、下記式（１）で示すように、１％以上、１０％以下であることを特徴とする前記１に記載のシンチレータパネル。
【００１１】
平均膜厚の差（％）＝｛（中央部の膜厚）−（周辺部の膜厚）｝／（周辺部の膜厚）×１００・・式（１）
３．前記シンチレータパネルが、少なくとも蛍光体層と蛍光体層を支持する基材を持つことを特徴とする前記１または２に記載のシンチレータパネル。
【００１２】
４．前記基材は前記蛍光体層と接し、可とう性を有する基材と、剛性を有する基材からなることを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【００１３】
５．前記基材よりも、前記蛍光体層の面積が小さいことを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【００１４】
６．一方の面に複数の光電変換素子が二次元状に配列されて形成された光電変換基板と、少なくとも対向部材と蛍光体放射線を光に変換するシンチレータパネルが対向し、シンチレータパネルの中央部の厚さが、周辺部の厚さよりも厚く、さらに光電変換基板と、シンチレータパネル基材の間隙部分で、蛍光体層の周辺部に接着剤を充填させることにより作製されることを特徴とする放射線画像検出装置。
【００１５】
７．放射線画像検出装置であって、光電変換基板、シンチレータパネル、接着剤からなる空間を減圧することで作製されることを特徴とする放射線画像検出装置。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、シンチレータパネルとセンサパネルを均一に密着させることが可能となり、画像ムラのない良好な画像を得ることができるシンチレータパネルを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態に係る放射線画像検出器の外観斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】基板上の構成を示す平面図である。
【図４】ＣＯＦやＰＣＢ基板等が取り付けられた基板を説明する図である。
【図５】図２における放射線検出パネルの拡大断面図である。
【図６】外力による基板と支持体との接近に抗して基板と支持体との間隔を確保するスペーサの機能を説明する図である。
【図７】シンチレータの蛍光体が層状に形成された場合の放射線検出パネルの拡大断面図である。
【図８】本実施形態に係る放射線検出パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図９】本実施形態に係る放射線検出パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図１０】本実施形態に係る放射線画像検出器の製造方法を示すフローチャートである。
【図１１】放射線検出パネルの製造に用いられるチャンバの構成を説明する図である。
【図１２】基板に予め塗布されたスペーサを含む接着剤を表す図である。
【図１３】チャンバの基台上に載置された基板を表す図である。
【図１４】チャンバの基台上の基板上に載置された支持体を表す図である。
【図１５】支持体に予め塗布されたスペーサを含む接着剤を表す図である。
【図１６】チャンバ基台とフィルムとの間の空間が減圧され基板と支持体とが貼り合わされた状態を説明する図である。
【図１７】（Ａ）放射線検出パネルの基板と支持体との間の接着剤部分に形成された開口部を表す図であり、（Ｂ）接着剤が水平方向に押し広げられて封止された開口部を表す図である。
【図１８】放射線検出パネルの基板と支持体との間の接着剤部分に形成された開口部を表す図である。
【図１９】接着剤の開口部を封止するために塗布された接着剤を表す図である。
【図２０】蛍光体と平坦化層との間の接着剤が均等な厚さで塗布されていないシンチレータを表す図である。
【図２１】支持体とシンチレータとの間に設けられた遮光層を表す図である。
【図２２】シンチレータパネル構成図である。
【図２３】蛍光体層蒸着装置である。
【図２４】ボート配置の俯瞰図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明は、シンチレータパネルの中央部を周辺部より厚くすることにより、センサパネルとシンチレータパネルの中央部が先に密着するため、空気の抜けが良好となり、均一に密着でき、画像ムラのない良好な画像を得ることが出来るというものである。
【００１９】
本発明のシンチレータパネルは一方の面に複数の光電変換素子が二次元状に配列されて形成された光電変換基板と、Ｘ線により可視領域で発光するシンチレータパネルの発光面を対向させた構成の放射線検出パネルに用いるシンチレータパネルであって、該シンチレータパネルにおける中央部膜厚が周辺部膜厚より厚い層であり、シンチレータパネルの中央部と周辺部の平均膜厚の差が、下記式（１）で示すように、１％以上、１０％以下であることを特徴とする。
【００２０】
本発明でいうシンチレータパネルの中央部とは、蛍光体全体面積の１０％の面積を占める部分を指し、周辺部とは蛍光体の端部より帯状に１０％の面積を占める部分を指す。また、前記基材よりも、前記蛍光体層の面積が小さいことを特徴とする。
【００２１】
また、蛍光体層の中央部の膜厚が、周辺部に対して厚いとは、下記式（１）にて算出した値が、何％であるかで定義される。
【００２２】
平均膜厚の差（％）＝｛（中央部の膜厚）−（周辺部の膜厚）｝／（周辺部の膜厚）×１００・・式（１）
《シンチレータパネルの厚さの差の計測》
シンチレータパネルの厚さはノギス、三次元測定機、渦電流式膜厚計などで測定することが出来る。
【００２３】
中央部の厚さとは、面積１／９のサイズを中心部から切り出し、その厚さの平均と分散を計測する。端部の厚さとは蛍光体層端部から等幅の短冊を切り出し、その面積の合計が全体の１／９となる部分を端部の測定領域とし、各数点を１０点以上測定し、その厚さを記録する。
【００２４】
両者の集団をｔ検定し、平均値に有意差があると測定された場合、その厚さの平均値を比較し、中央部分が厚くなっていれば、本発明のシンチレータパネルとして、良好に用いることが出来る。
【００２５】
［センサパネルおよび放射線画像検出器］
以下、まず、センサパネルおよび放射線画像検出器の実施形態について説明する。
【００２６】
なお、以下では、センサパネル３や放射線画像検出器１における各部材の相対的な位置関係、特に上下関係について、放射線画像検出器１の筐体２の放射線入射面Ｘ側を上側に向け、筐体２における放射線入射面Ｘとは反対側の面Ｙ側を下側に向けて配置した場合の位置関係に基づいて説明する。
【００２７】
図１は、本実施形態に係る放射線画像検出器の外観斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図１や図２に示すように、放射線画像検出器１では、筐体２内にセンサパネル３が収納されて構成されている。
【００２８】
筐体２は、カーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板５１とバック板５２とで形成された、いわば弁当箱型である場合が示されているが、筐体２を一体的に形成するいわばモノコック型とすることも可能である。また、筐体２の側面部分には、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ５３や蓋５４、外部の装置と接続される端子５５、電源スイッチ５６等が配置されている。
【００２９】
筐体２の内部には、図２に示すように、基板４や対向部材５、シンチレータ６等を備えたセンサパネル３が配置されている。また、センサパネル３の下方には、図示しない鉛の薄板等を介して基台７が配置され、基台７には、電子部品８等が配設されたＰＣＢ基板９や緩衝部材１０等が取り付けられている。
【００３０】
センサパネル３では、上記のように構成された基板４の上面４ａ上には、図３に示すように、走査線１１や信号線１２、結線１４の端縁部分にそれぞれ入出力端子（パッドともいう）１８が形成されている。各入出力端子１８には、図４に示すように、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）１９が異方性導電接着フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や異方性導電ペースト（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）等の異方性導電性接着材料２０を介して圧着されている。また、ＣＯＦ１９は、基板４の裏面４ｂ側に引き回されており、裏面４ｂ側でＰＣＢ基板９とＣＯＦ１９とが圧着されて接続されるようになっている。
【００３１】
また、図４に示すように、基板４の上面４ａの複数の光電変換素子１５等が形成された部分には、複数の光電変換素子１５等による表面の凹凸を平坦化し、図４では図示を省略するシンチレータ６が光電変換素子１５に対向するように配置された際にその下地とするために、複数の光電変換素子１５等を被覆するように透明な樹脂等が塗布されて平坦化層２１が形成されている。
【００３２】
シンチレータ６（図２参照）は、入射した放射線を光に変換するものであり、蛍光体を主たる成分とする。
【００３３】
本実施形態では、対向部材５はガラス基板で構成されているが、この他にも、例えばＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）等の樹脂板や樹脂フィルム等で構成することも可能である。
【００３４】
図５は、図２におけるセンサパネルの端部部分の拡大図である。なお、図５において、センサパネル３の各部材の相対的な大きさや厚さ、部材間の間隔等は、必ずしも現実のセンサパネル３の構造を反映していない。
【００３５】
図５に示すように、センサパネル３は、対向部材５が、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが複数の光電変換素子１５や平坦化層２１に対向するように基板４の上方から基板４に載置されて形成されている。
【００３６】
また、基板４と対向部材５との間隙部分であってシンチレータ６の周囲の部分には、接着剤２２が配置されている。すなわち、基板４と対向部材５の両者は接着剤２２により接続されており、基板４と対向部材５と接着剤２２とで外部から区画された内部空間Ｃが形成されている。
【００３７】
接着剤２２は、シンチレータ６の周囲の全周にわたって配置されて基板４と対向部材５と接着しており、そのシンチレータ６や光電変換素子１５等を含む内部空間Ｃは、基板４と対向部材５と接着剤２２とで密閉されている。しかも、内部空間Ｃの内部圧力が大気圧より低くなるように、内部空間Ｃの内部が減圧されて形成されている。
【００３８】
接着剤２２は、例えば光が照射されると硬化する光硬化型の接着剤や加熱することにより硬化する熱硬化型の接着剤が好ましく用いられる。また、シンチレータ６は湿気があると劣化する場合があるため、減圧されている内部空間Ｃの内部の空気が、さらにドライエアやＡｒ等の不活性ガスで置換されていればより好ましい。
【００３９】
本実施形態では、接着剤２２中には、断面円形状の棒状のスペーサＳ（Ｓａ）や、球形状のスペーサＳ（Ｓｂ）が含まれている。そのため、図６に示すように、大気圧より減圧されている内部空間Ｃに外気圧が働いて基板４と対向部材５とが接近するように外力が加わっても、接着剤２２中のスペーサＳが基板４と対向部材５との接近に抗して基板４と対向部材５との間隔を確保するようになっている。
【００４０】
本実施形態に係る放射線画像検出器１およびセンサパネル３によれば、基板４と対向部材５と接着剤２２とで区画され密閉された内部空間Ｃを大気圧より減圧することで、外気圧を利用して内部空間Ｃの内部で、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａを適切に平坦化層２１に当接させて、シンチレータ６を損傷することなく、蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａと光電変換素子１５との距離をセンサパネル３の全域において一様とすることが可能となり、シンチレータ６の蛍光体６ａの先端Ｐａと光電変換素子１５等との距離の均一化を図ることが可能となる。
【００４１】
また、シンチレータ６の蛍光体６ａの先端Ｐａと光電変換素子１５等との距離が均一となるため、センサパネル３の基板４上の全ての光電変換素子１５において鮮鋭性が一様となり、画像全体において鮮鋭性が一様な放射線画像を検出することが可能となる。
【００４２】
さらに、シンチレータ６の蛍光体６ａの先端Ｐａと、光電変換素子１５や平坦化層２１とが、接着剤等を介さずに当接するため、蛍光体の先端Ｐａと光電変換素子１５との距離が接近するようになる。そのため、蛍光体の先端Ｐａから出力される光が放射線検出パネル３の基板４の面方向に拡散しないうちに光電変換素子１５に入射するようになり、各光電変換素子１５における鮮鋭性がさらに向上し、得られる画像における鮮鋭性を全体的に向上させることが可能となる。
【００４３】
なお、本実施形態では、シンチレータ６の蛍光体６ａが、上記のように柱状結晶構造を有する場合について説明したが、シンチレータ６の蛍光体６ａは、必ずしも、柱状結晶構造を有するものである必要はなく、本発明は、図２０に示したように蛍光体が層状に形成されたシンチレータを用いる場合にも同様に適用することが可能である。
【００４４】
すなわち、図７に示すように、例えばＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等で構成された蛍光体６ａを対向部材５に塗布してシンチレータ６＊を層状に形成し、シンチレータ６＊が光電変換素子１５に対向するように対向部材５を基板４上に載置して基板４と対向部材５と接着剤２２とで内部空間Ｃを密閉して減圧する。
【００４５】
このように構成すれば、本実施形態の場合と同様に、外気圧により、内部空間Ｃの内部でシンチレータ６＊の蛍光体６ａの光電変換素子１５側の端面Ｐｃが平坦化層２１に対して全面的に当接させるようになるため、蛍光体６ａの端面Ｐｃと光電変換素子１５との距離をセンサパネル３の全域において一様とすることが可能となり、シンチレータ６の蛍光体６ａの端面Ｐａと光電変換素子１５等との距離の均一化を図ることが可能となる。
【００４６】
また、そのため、センサパネル３の基板４上の全ての光電変換素子１５において鮮鋭性が一様となり、画像全体において鮮鋭性が一様な放射線画像を検出することが可能となる。
【００４７】
［センサパネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法］
次に、本実施形態に係るセンサパネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法について説明する。上記のセンサパネル３や放射線画像検出器１は、図８〜図１０に示すフローチャートに従って製造される。
【００４８】
センサパネル３や放射線画像検出器１の製造においては、大きく分けて２つの方法があるが、まず、図８のフローチャートに従って、基板４上に、シンチレータ６を支持する対向部材５を載置するようにしてセンサパネル３を製造する方法について説明する。
【００４９】
本実施形態では、センサパネル３の製造において、図１１に示すような基台３１とフィルム３２と蓋部材３３とを有するチャンバ３０が用いられる。
【００５０】
チャンバ３０の基台３１と蓋部材３３の各側面には、Ｏリング状のシール部材３４ａ、３４ｂがそれぞれ配設されており、基台３１のシール部材３４ａと蓋部材３３のシール部材３４ｂで上下からフィルム３２を挟持するようにしてフィルム３２を密封状に固定するようになっている。
【００５１】
基台３１の底部は、平面状に形成されており、さらに、図示しない開口部を介して減圧用ポンプ３５が取り付けられている。また、フィルム３２は、紫外線を透過し、伸縮性を有する素材で形成されている。また、本実施形態では、蓋部材３３の内部には紫外線照射装置３６が取り付けられている。さらに、本実施形態では、蓋部材３３にはポンプ３７が図示しない開口部を介して取り付けられている。なお、蓋部材３３については、ポンプ３７を設ける代わりに単なる開口部を設けるように構成することも可能である。
【００５２】
センサパネル３の製造においては、まず、図１２に示すように、スペーサＳを含む接着剤２２を、基板４の上面４ａ上の光電変換素子１５や平坦化層２１等の周囲に塗布して配置する（図８のステップＳ１）。後述するように基板４と対向部材５とは光電変換素子１５とシンチレータ６とが対向するように載置されるが、その際に、接着剤２２がシンチレータ６の周囲の部分に位置するように、基板４の上面４ａ上に予め接着剤２２が塗布される。
【００５３】
続いて、図１３に示すように、このように接着剤２２が配置された基板４が、チャンバ３０の基台３１上に載置される（図８のステップＳ２）。そして、図１４に示すように、その上方から、対向部材５を、シンチレータ６が光電変換素子に対向するように基板４上に載置する（図８のステップＳ３）。本実施形態では、このようにして、接着剤２２が塗布された基板４上に対向部材５を載置することで、接着剤２２を、基板４と対向部材５との間隙部分であってシンチレータ６の周囲の部分に配置するようになっている。
【００５４】
なお、本実施形態のように、予め接着剤２２が塗布された基板４上に対向部材５を載置することで接着剤２２を配置する代わりに、図１５に示すように、接着剤２２を予め対向部材５側に塗布しておき、それを基板４上に載置することで、基板４と対向部材５との間隙部分に接着剤２２を配置するように構成することも可能である。その際、接着剤２２は、支持体５のシンチレータ６の周囲に予め塗布される。また、基板４上に対向部材５を載置した後に接着剤２２を基板４と対向部材５との間隙部分に挿入するようにして、接着剤２２をシンチレータ６の周囲の部分に配置するようにすることも可能である。
【００５５】
続いて、図１１に示したように、基台３１上に載置されたセンサパネル３の対向部材５の上方側から対向部材５を被覆するようにフィルム３２が載置され（図８のステップＳ４）、その上方からチャンバ３０の蓋部材３３が取り付けられる。
【００５６】
そして、前述したように、基板４と対向部材５と接着剤２２とで外部から区画された内部空間Ｃ内の湿気（水蒸気）を排除するために、チャンバ３０内の空気、或いは少なくともセンサパネル３を含むチャンバ３０の基台３１とフィルム３２との間の空間（以下、下方空間Ｒ１という。図１１参照）内の空気をドライエアや不活性ガスで置換する。
【００５７】
そして、減圧用ポンプ３５を駆動して、センサパネル３を含むチャンバ３０の基台３１とフィルム３２との間の空間（以下、下方空間Ｒ１という。図１１参照）を減圧することで、センサパネル３の内部空間Ｃ（図５等参照）を大気圧より低い圧力（例えば０．２気圧〜０．５気圧）に減圧していく。
【００５８】
チャンバ３０の蓋部材３３とフィルム３２との間の空間（以下、上方空間Ｒ２という。図１１参照）は大気圧のままであるため、チャンバ３０の下方空間Ｒ１を減圧していくと、図１６に示すように、センサパネル３の対向部材５の上方からフィルム３２が張り付くようになり、センサパネル３は、フィルム３２を介して上方から上方空間Ｒ２の大気圧と対向部材５の自重等で押圧されて、基板４と対向部材５とが貼り合わされる（図８のステップＳ５）。
【００５９】
その際、接着剤２２に前述したようなスペーサＳが含まれていれば、外気圧による外力でシンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが平坦化層２１等に強く押し付けられて損傷してしまったり、蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが平坦化層２１等の表面から浮き上がったりしてしまうことを防止することが可能となる。
【００６０】
なお、その際、チャンバ３０の蓋部材３３側のポンプ３７を駆動させてチャンバ３０の上方空間Ｒ２を適度に加圧して、センサパネル３の基板４と対向部材５とを確実に貼り合わせるように構成することも可能であり、チャンバ３０の上方空間Ｒ２の圧調整は適宜行われる。
【００６１】
本実施形態では、基本的には、以上のようにして、基板４と対向部材５とが接着剤２２を介して減圧の環境下で貼り合わされるとともに、基板４と対向部材５と接着剤２２とで外部から区画された内部空間Ｃ（図５参照）が、その内部圧力が大気圧より低くなるように減圧された状態となる。そして、センサパネル３を、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａや層状の蛍光体６ａの端面Ｐｃが、基板４上に形成された複数の光電変換素子１５やそれを被覆する平坦化層２１の表面に当接する状態に形成することができる。
【００６２】
本実施形態では、さらに、図１６の状態で貼り合わされたセンサパネル３に対してチャンバ３０の蓋部材３３に設けられた紫外線照射装置３６から紫外線を照射して、接着剤２２を硬化し、基板４と対向部材５とを確実に貼り合わせるようになっている（図９のステップＳ６）。そのため、本実施形態では、接着剤２２として、光硬化型、特に紫外線硬化型の接着剤が用いられており、対向部材５は、光、特に紫外線を透過する材料で形成されている。
【００６３】
また、対向部材５を透過した紫外線がシンチレータ６や光電変換素子１５等に悪影響を及ぼすことを防止するために、図２１に示すように、対向部材５とシンチレータ６との間に、光（紫外線）を遮光する遮光層２３を形成することが好ましい。なお、遮光層２３は、支持体５とシンチレータ６との間ではなく、或いは対向部材５とシンチレータ６との間に設けるとともに、対向部材５のシンチレータ６が設けられた面とは反対側の面側に形成することも可能である。
【００６４】
一方、上記のように、接着剤配置工程（ステップＳ１）や対向部材載置工程（図８、図９のステップＳ３）において、チャンバ３０の下方空間Ｒ１がまだ減圧されていない大気圧の状態で、最初からシンチレータ６の周囲の全周にわたって接着剤２２を配置すると、基板４と対向部材５と接着剤２２とで外部から区画され密閉された内部空間Ｃの内部の圧力が大気圧になる。
【００６５】
そして、その状態で、減圧貼り合わせ工程（ステップＳ５）においてチャンバ３０の下方空間Ｒ１を減圧すると、内部空間Ｃの内部の空気（またはドライエアや不活性ガス。以下同じ。）がうまく引き出されずに、内部空間Ｃの内部の圧力が大気圧のままとなってしまったり、或いはまだ軟らかい接着剤２２によるシールを破壊して内部空間Ｃから下方空間Ｒ１に空気が噴出し、接着剤２２によるシールが破壊されてしまう場合がある。
【００６６】
これらの場合、少なくともセンサパネル３をチャンバ３０内から大気圧中に取り出すと、基板４と対向部材５と接着剤２２とで外部から区画された内部空間Ｃの内部の圧力は大気圧のままとなり、内部空間Ｃが大気圧より減圧されているという本発明に必須の要件が実現されない場合がある。
【００６７】
そのため、本実施形態では、図１７（Ａ）に示すように、接着剤２２を放射線検出パネル３の基板４と対向部材５との間隙部分に配置するが、シンチレータ６の周囲の全周にわたって接着剤２２を配置するのではなく、内部空間Ｃとその外側の空間とを連通する開口部２４が接着剤２２部分に単数或いは複数形成されるように、接着剤２２を基板４や対向部材５に予め配置するようになっている（図８、図９のステップＳ１）。
【００６８】
そして、その状態で、減圧貼り合わせ工程（ステップＳ５）を実行してチャンバ３０の下方空間Ｒ１を減圧すると、内部空間Ｃの内部の空気が接着剤２２の開口部２４から引き出され、内部空間Ｃの内部の圧力も確実に減圧される。また、予め開口部２４の開口の大きさを適切な大きさに形成しておくと、減圧貼り合わせ工程（ステップＳ５）において、図１７（Ｂ）に示すように、上方空間Ｒ２からの大気圧による押圧等でセンサパネル３の基板４と対向部材５とが互いに接近する際に、それにより接着剤２２が水平方向に押し広げられて、いわば自動的に開口部２４が封止される。
【００６９】
そして、この状態で、図１６に示したように、チャンバ３０内の紫外線照射装置３６から紫外線が照射され、接着剤２２が硬化されて（図９のステップＳ６）、基板４と支持体５とが確実に貼り合わされることで、内部空間Ｃが大気圧より減圧された状態で封止される（ステップＳ７）。なお、自動的に封止した開口部２４の部分に新たに接着剤を塗布して硬化させて、封止を確実にするように構成することも可能である。
【００７０】
また、接着剤２２の開口部２４をより大きく形成しておき、減圧貼り合わせ工程（ステップＳ５）の後、改めて開口部２４に接着剤を塗布して封止するように構成することも可能である。図１８に示すように、接着剤２２の開口部２４を広めに形成すると、その状態で、減圧貼り合わせ工程（図８、図９のステップＳ５）を実行してチャンバ３０の下方空間Ｒ１を減圧すると、内部空間Ｃの内部の空気が接着剤２２の開口部２４から引き出され、内部空間Ｃの内部の圧力が減圧される。
【００７１】
そして、図１６に示したように、その状態でチャンバ３０内の紫外線照射装置３６から紫外線が照射され、接着剤２２が硬化されて基板４と対向部材５とが確実に貼り合わされる（図９のステップＳ６）。しかし、この場合は、上記の場合と異なり、接着剤２２が水平方向に押し広げられても、開口部２４は封止されず、開口したままとなる。
【００７２】
本実施形態のチャンバ３０では、下方空間Ｒ１が減圧されると、センサパネル３にチャンバ３０のフィルム３２が張り付くようになるため、この状態では開口部２４に新たに接着剤を塗布して開口部２４を封止する作業を行い難い。そこで、図示を省略するが、本実施形態では、減圧貼り合わせ工程（ステップＳ５）の後、センサパネル３を一旦チャンバ３０から取り出し、注射器様のディスペンサや紫外線照射装置を備える別のチャンバに移し替える。
【００７３】
この移し替えの際に、開口部２４から内部空間Ｃの内部に空気が入り込み、内部空間Ｃの内部の圧力が大気圧に戻るが、この別のチャンバ内を減圧してセンサパネル３の内部空間Ｃを減圧し、その状態でディスペンサから開口部２４の部分に本実施形態では接着剤２２と同じ材料の紫外線硬化型の接着剤２５を塗布する（図１９参照）。接着剤２２とは異なる種類の接着剤２５を塗布してもよい。そして、紫外線硬化装置から紫外線を照射して接着剤２５を硬化させて開口部２４を封止する（図９のステップＳ７）。
【００７４】
なお、この別のチャンバ内を減圧してセンサパネル３の内部空間Ｃを減圧する前に、このチャンバ内の空気をドライエアやＡｒ等の不活性ガスで置換した後で減圧するように構成すれば、内部空間Ｃの内部の空気がドライエア等で置換され、シンチレータ６の湿気による劣化を防止することが可能となり好ましい。
【００７５】
次に、放射線画像検出器１の製造においては、図１０のフローチャートに示すように、上記のようにしてセンサパネル３の製造工程（ステップＳ１０）が終了すると、続いて、前述したように、シンチレータ６の対向部材５と貼り合わされた基板４上に形成された入出力端子１８（図４参照）に、異方性導電接着フィルムを貼付したり異方性導電ペーストを塗布する等して、ＣＯＦ１９を圧着するＣＯＦ圧着工程が行われ（図１０のステップＳ１１）、さらに、入出力端子１８とＣＯＦ１９との通電を検査するＣＯＦ通電検査工程（ステップＳ１２）が行われるようになっている。
【００７６】
続いて、ＣＯＦ１９が基板４の裏面４ｂ（図４参照）側に引き回されてＰＣＢ基板９とＣＯＦ１９とが圧着されて接続されるＰＣＢ基板圧着工程が行われるようになっている（図１０のステップＳ１３）。
【００７７】
そして、基板４等における金属製の部材の露出部分等の腐食する可能性がある部分に対して腐食防止のためにシリコンゴムや樹脂を塗布する腐食防止工程が行われた後（ステップＳ１４）、上記のようにしてＣＯＦ１９やＰＣＢ基板９等が取り付けられた放射線検出パネル３に図示しない支持台や基台等が固定されてモジュール化されるモジュール形成工程が行われる（ステップＳ１５）。
【００７８】
そして、最終的にモジュール化されたセンサパネル３が筐体２（図１等参照）内に収納されて（図１０のステップＳ１６）、放射線画像検出器１が製造されるようになっている。
【００７９】
以上のように、本実施形態に係るセンサパネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法によれば、大気圧より減圧された減圧雰囲気下でセンサパネル３の基板４と対向部材５とを接着剤２２を介して貼り合わせることが可能となり、基板４と対向部材５と接着剤２２とで区画され密閉された内部空間Ｃを確実に大気圧より減圧することが可能となる。
【００８０】
（蛍光体層）
本発明の放射線変換パネルは、蒸着基板上に反射層を有し、この反射層上に蛍光体層を有する。
【００８１】
本発明に係る蛍光体層に用いられる蛍光体とは、Ｘ線等の入射された放射線のエネルギーを吸収して、波長が３００ｎｍから８００ｎｍの電磁波、即ち可視光線を中心に紫外光から赤外光に亘る電磁波（光）を発光する蛍光体をいう。
【００８２】
蛍光体母材としては、種々の公知の蛍光体材料を使用することができる。これらの中でも、Ｘ線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成できるため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層の厚さを厚くすることが可能であることから、本発明においては、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が好ましく用いられる。
【００８３】
蛍光体層の平均膜厚は、発光強度、鮮鋭性の面から１００μｍ以上であることが必要であり、１００μｍ〜１０００μｍであることが好ましく、特に１００μｍ〜６００μｍが好ましい。
【００８４】
本発明に係る、第一の蛍光体層は、蒸着基板に、より近い側に位置する層であり、蛍光体母材からなり、膜厚が０．１〜５０μｍである。蒸着基板に、より近い側に位置する層とは、蒸着基板と接触する層であるか、または後述のように蒸着基板と蛍光体層との間に保護層を有する場合には、保護層に接触する層である。
【００８５】
第一の蛍光体層の蛍光体母材としては、上述のヨウ化セシウムまたは臭化セシウムが好ましく用いられる。
【００８６】
本発明に係る蛍光体母材からなり、とは第一の蛍光体層が、賦活剤を含まず、蛍光体母材から形成されていることをいう。賦活剤を含まずとは、賦活剤の蛍光体層に対する含有量が、０．０１質量％以下であることをいう。
【００８７】
本発明に係る賦活剤とは、蛍光体母材中に含有されることで、発光効率を上昇し得る元素である。賦活剤としては、タリウム化合物、ナトリウム化合物、ルビジウム化合物等が挙げられるが、特にタリウム化合物が好ましく用いられる。
【００８８】
タリウム化合物としては、種々のタリウム化合物（＋Ｉと＋IIIの酸化数の化合物）を使用することができる。好ましいタリウム化合物はヨウ化タリウム（ＴｌＩ）、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）、塩化タリウム（ＴｌＣｌ）、またはフッ化タリウム（ＴｌＦ、ＴｌＦ３）等である。
【００８９】
蛍光体母材中に含有させるには、蛍光体母材と賦活剤を含む蒸発源を加熱し、蒸着基板上に蒸着する方法により行うことができる。
【００９０】
蛍光体母材が、ヨウ化セシウムの場合賦活剤としては、タリウムが好ましく、臭化セシウムの場合には、ユーロピウムが好ましく用いられる。
【００９１】
（放射線変換パネルの作製方法）
本発明に係る柱状結晶は、気相法により形成されることが好ましい。即ち、本発明に係る蛍光体層が気相法によって製膜されていることが好ましく、具体的には、蒸着堆積法（蒸着法）により形成されることが好ましい。
【００９２】
本発明の放射線変換パネルを作製する方法の典型的例について図を参照しながら説明する。なお、図２２は、放射線変換パネル１０１の例の概略構成を示す断面図である。
【００９３】
放射線変換パネル１０１は、基材１０２上に反射層１０３を有し、反射層１０３上に保護層１０４を有し、保護層１０４上に蛍光体層１０５を有する。
【００９４】
図２３は、蒸着装置の概略構成を示す図面である。放射線変換パネル１０１の作製方法においては、下記で説明する蒸発装置１０７を好適に用いることができる。
【００９５】
〈蒸着装置〉
図２３に示す通り、蒸着装置１０７は箱状の真空容器１０８を有しており、真空容器１０８の内部には真空蒸着用のボート１０９が配されている。ボート１０９は蒸着源の被充填部材であり、当該ボート１０９には電極が接続されている。当該電極を通じてボート１０９に電流が流れると、ボート１０９がジュール熱で発熱するようになっている。放射線用シンチレータパネル１０１の製造時においては、蛍光体母材、あるいは蛍光体母材と賦活剤化合物とを含む混合物がボート１０９に充填され、そのボート１０９に電流が流れることで、上記蛍光体母材または混合物を加熱・蒸発させることができるようになっている。
【００９６】
なお、被充填部材として、ヒータを巻回したアルミナ製のるつぼを適用してもよいし、高融点金属製のヒータを適用してもよい。
【００９７】
真空容器１０８の内部であってボート１０９の直上には、反射層１０３および保護層１０４を設けた蒸着基板１０２を保持するホルダ１１０が配されている。
【００９８】
ホルダ１１０にはヒータ（図示略）が配されており、当該ヒータを作動させることでホルダ１１０に装着した蒸着基板１を加熱することができるようになっている。蒸着基板１０１を加熱した場合には、表面の吸着物を離脱・除去したり、その表面に形成される蛍光体層との間に不純物層が形成されるのを防止したり、その表面に形成される蛍光体層との密着性を強化したり、表面に形成される蛍光体層の膜質の調整を行うことができるようになっている。
【００９９】
ホルダ１１０には当該ホルダ１１０を回転させる回転機構１１１が配されている。回転機構１１１は、ホルダ１１０に接続された回転軸１１１ａとその駆動源となるモータ（図示略）から構成されたもので、当該モータを駆動させると、回転軸１１１ａが回転してホルダ１１０をボート１０９に対向させた状態で回転させることができるようになっている。
【０１００】
蒸着装置１０７では、上記構成の他に、真空容器１０８に真空ポンプ１１２が配されている。真空ポンプ１１２は、真空容器１０８の内部の排気と真空容器１０８の内部へのガスの導入とを行うもので、当該真空ポンプ１１２を作動させることにより、真空容器１０８の内部を一定圧力のガス雰囲気下に維持することができるようになっている。
【０１０１】
本発明に係る第一の蛍光体層は、ボート１０９に蛍光体母材を充填し、装置内を排気すると同時に窒素等の不活性なガスを導入口から導入して１．３３３Ｐａ〜１．３３×１０−３Ｐａ程度の真空とし、次いで、蛍光体母材を加熱蒸発させて、蒸着基板の表面に蛍光体母材の蒸着結晶を堆積し、蛍光体層１０５が形成される。
【０１０２】
蒸着後の膜厚を本願の範囲に調整するには、たとえばボートの配置を適正化することで膜厚を最適化する。本願発明ではシンチレータパネルの中央部が厚いものが好ましいため、中央部に多く蒸気流が到達するようにボートの数、充填量、蒸着基板からボートまでの距離などを設定する。例えば図２４に示す配置でボートを設置し、上記条件で蒸着をすることで、中心部の膜厚を調整することが出来る。基板回転軸中央部におかれたボートの充填量は、周辺部におかれたボートの充填量の５〜７０％であることが好ましい。また、中央部におかれたボートの加熱開始は周辺部のボートの加熱開始より遅いことが好ましい。
【０１０３】
（蒸着基板）
本発明に係る蒸着基板は、反射層および蛍光体層を担持可能な板状、フィルム体であり、Ｘ線等の放射線を入射線量に対し１０％以上を透過させることが可能なものである。
【０１０４】
蒸着基板としては、各種のガラス、高分子材料、金属等を用いることができる。
【０１０５】
例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、サファイア、チッ化珪素、炭化珪素などのセラミック基板、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素など半導体基板、またセルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、炭素繊維強化樹脂シート等の高分子フィルム（プラスチックフィルム）、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートなどが挙げられる。
【０１０６】
蒸着基板としては、厚さ５０〜５００μｍの可とう性を有する高分子フィルムであることが好ましい。ここで、「可とう性を有する」とは１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００〜６０００Ｎ／ｍｍ２であることをいい、かかる蒸着基板としてポリイミドまたはポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。
【０１０７】
なお、「弾性率」とは引張試験機を用い、ＪＩＳ−Ｃ２３１８に準拠したサンプルの標線が示すひずみとそれに対応する応力が直線的な関係を示す領域において、ひずみ量に対する応力の傾きを求めたものである。これがヤング率と呼ばれる値であり、本発明では、このヤング率を弾性率と定義する。
【０１０８】
蒸着基板は、上記のように１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００〜６０００Ｎ／ｍｍ２であることが好ましい。より好ましくは１２００〜５０００Ｎ／ｍｍ２である。
【０１０９】
具体的には、ポリエチレンナフタレート（Ｅ１２０＝４１００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエチレンテレフタレート（Ｅ１２０＝１５００Ｎ／ｍｍ２）、ポリブチレンナフタレート（Ｅ１２０＝１６００Ｎ／ｍｍ２）、ポリカーボネート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）、シンジオタクチックポリスチレン（Ｅ１２０＝２２００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエーテルイミド（Ｅ１２０＝１９００Ｎ／ｍｍ２）、ポリアリレート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）、ポリスルホン（Ｅ１２０＝１８００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエーテルスルホン（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）等からなる高分子フィルムが挙げられる。
【０１１０】
これらは単独で用いてもよく、積層あるいは混合して用いてもよい。中でも、特に好ましい高分子フィルムとしては、上述のようにポリイミドまたはポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。
【０１１１】
（反射層）
本発明の放射線変換パネルは、より高輝度性能を発揮するため、蒸着基板上に反射層を設けることが好ましい。反射層は、蛍光体層で発せられた蛍光の蒸着基板方向に放射進行する電磁波を反射しうる層である。
【０１１２】
反射層は反射率の高い金属で形成することが好ましい。反射率の高い金属膜層としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ａｕからなる群の中の物質を含む材料が挙げられる。本発明に係る反射層の形成方法は既知のいかなる方法でも構わないが、例えば、上記原材料を使用したスパッタ処理が挙げられる。
【０１１３】
金属としては、電気伝導率で６．０Ｓ／ｍ（ジーメンス毎メートル）以上のものであることが好ましく、より好ましくは３０Ｓ／ｍ以上である。具体的にはＡｌ（４０Ｓ／ｍ）、Ａｇ（６７Ｓ／ｍ）、Ａｕ（４６Ｓ／ｍ）が反射率や電気伝導率の点で好ましい。
【０１１４】
反射層は、真空蒸着、スパッタ蒸着、又はメッキにより蒸着基板上に直接付着することができるが、生産性の観点からスパッタ蒸着が好ましい。膜厚に関しては、付着方法によるが、真空蒸着の場合は５０ｎｍ〜４００ｎｍ、スパッタ蒸着の場合は２０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。
【０１１５】
（保護層）
蛍光体による反射層の腐食等を防止するため、反射層と蛍光体層の間に保護層を形成してもよい。
【０１１６】
保護層は溶剤に溶解した樹脂を塗布、乾燥して形成することが好ましい。樹脂としては、ガラス転位点が３０〜１００℃のポリマーであることが蒸着結晶と蒸着基板との膜付の点で好ましい。
【０１１７】
具体的には、ポリウレタン樹脂、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル樹脂、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられるが、特にポリエステル樹脂であることが好ましい。
【０１１８】
保護層の膜厚としては接着性の点で０．１μｍ以上が好ましく、保護層表面の平滑性確保の点で３．０μｍ以下が好ましい。より好ましくは保護層の厚さが０．２〜２．５μｍの範囲である。
【０１１９】
保護層作製に用いる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。
【０１２０】
（保護膜）
本発明の放射線変換パネルは、当該パネルを防湿し、蛍光体層の劣化を抑制するため、放射線変換パネルの外周を保護膜で保護することが好ましい。
【０１２１】
保護膜としては透湿度の低いフィルム保護フィルム、ポリパラキシリレンのような耐湿膜などが挙げられる。
【０１２２】
例えば、保護フィルムの場合、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）を用いることができる。ＰＥＴの他には、ポリエステルフィルム、ポリメタクリレートフィルム、ニトロセルロースフィルム、セルロースアセテートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等を用いることができる。また、必要とされる防湿性にあわせて、これらフィルムに金属酸化物などを蒸着した蒸着フィルムを複数枚積層した構成とすることもできる。
【０１２３】
また、蒸着基板上に蛍光体層を設けた放射線変換パネルの蒸着基板側と蛍光体層側の互いに対向する面には、互いを熱融着して封止するための熱融着性の樹脂が用いられることが好ましい。熱融着層としては、一般に使用されるインパルスシーラーで融着可能な樹脂フィルムを使用できる。例えば、エチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）やポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム等が挙げられるが、これに限られたものではない。
【０１２４】
放射線変換パネルを上下の保護フィルムで挟み、減圧雰囲気中で上下の保護フィルムが接触する端部を融着することにより封止することができる。
【０１２５】
保護フィルムの厚さは１０〜１００μｍであることが好ましい。
【０１２６】
保護フィルムは防湿性が付与されているが、具体的には透湿度（水蒸気透過率ともいう）が５０ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましく、更に好ましくは１０ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であり、特に好ましくは１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である。ここで、保護フィルムの透湿度はＪＩＳ  Ｚ  ０２０８により規定された方法を参照して測定することができる。
【０１２７】
透湿度は以下の方法で測定することができる。４０℃において、前記保護フィルムを境界面とし、一方の側を９０％ＲＨ（相対湿度）、他方の側を吸湿剤を用いて乾燥状態に保つ。この状態で２４時間にこの保護フィルムを通過する水蒸気の質量（ｇ）（保護フィルムを１ｍ２に換算する）を保護フィルムの透湿度と定義する。
【０１２８】
保護フィルムの透湿度を上記の範囲に調整し、防湿性を向上させる観点から、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルム上に酸化アルミナ薄膜を蒸着した蒸着フィルムが好ましく用いられる。
【０１２９】
保護フィルムの光透過率とは、空気だけの場合の光透過率を１００％に設定して各保護フィルムの光透過率を相対値で表した。上記の光透過率は下記式に従って求められる。
【０１３０】
光透過率（％）＝（透過光／入射光）×１００
また、保護膜としては、ポリパラキシリレンなどの耐湿膜を用いても良い。ポリパラキシリレンは、上記蛍光体層が形成された蒸着基板をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ジパラキシリレンが昇華した上記中に露出させておくことにより、シンチレータと蒸着基板の全表面がポリパラキシリレン膜で被服されたシンチレータパネルを得ることができる。
【実施例】
【０１３１】
《実施例１》
〔シンチレータパネルの作成〕
（金属反射層の形成）
厚さ１２５μｍのポリイミド基板の一方の表面に第１の金属薄膜として厚さ２０ｎｍのニッケルクロム合金薄膜をスパッタ法により形成した。続いて第２の金属薄膜として厚さ１００ｎｍの銀薄膜をスパッタ蒸着で形成した。
【０１３２】
（保護層の形成）
バイロン６３０（東洋紡社製：高分子ポリエステル樹脂）          １００質量部
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）                                    ９０質量部
トルエン                                                        ９０質量部
上記処方を混合し、ビーズミルにて１５時間分散し、塗設用の塗布液を得た。この塗布液を上記グラファイトシート基板のスパッタ面に乾燥膜厚が１．０μｍになるようにバーコーターで塗布した後、１００℃で８時間乾燥することで保護層を作製した。
【０１３３】
（蒸着基板の準備）
保護層を作成した基板を金属製の枠に合わせ、図２３の蒸着装置の基板ホルダ１１０にセットした。
【０１３４】
（シンチレータ層（蛍光体層）の形成）
基板の保護層側に母材（ＣｓＩ：賦活剤なし）および賦活剤（ＴｌＩ）を図２３に示した蒸着装置を使用して蒸着させ、次のようにシンチレータ層（蛍光体層）を形成した。また、蒸着装置に用いるボートの配置は図２４（ａ）を用いた。
【０１３５】
まず母材（ＣｓＩ：賦活剤なし）と賦活剤（ＴｌＩ）を抵抗加熱るつぼに充填し、また回転する基板ホルダの金属製の枠に基板を設置し、基板と蒸発源との間隔を４００ｍｍに調節した。
【０１３６】
続いて蒸着装置内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａに真空度を調整した後、６ｒｐｍの速度で基板を回転させた。また、抵抗加熱るつぼと同時に基板の加熱を開始し、基板温度が２００℃に達した後は２００℃を保持した。蒸着を終了後、基板ホルダから基板を取り外し、シンチレータ層が形成されたプレートを得た。プレートはカッターにて３００ｍｍに断裁した。
【０１３７】
（保護膜の作製）
シンチレータ層面側の保護フィルムとして、ラミネート層付のバリアフィルムである“バリアロックス”（コート有り）１０１１ＨＧ−ＣＷ（＃１２）東レフィルム加工（株）を用いた。
【０１３８】
基板側の保護フィルムは、シンチレータ層面側の保護フィルムと同じものを使用し、保護膜で覆われたシンチレータパネル実施例１を得た。
【０１３９】
〔膜厚測定〕
渦電流式膜厚計でシンチレータパネルの膜厚を測定し、記録した。
【０１４０】
測定データは表１に示す。
【０１４１】
〔放射線検出機作成〕
作成したシンチレータパネルを光電変換基板と密着させ、放射線検出器を作成した。図示されていない水平な筐体底板にセンサ部を設置し、シンチレータパネルを光電変換基板に重ねて配置した。さらに圧力調整用のスポンジシートとゴムシートを配置し、筐体蓋を重ねた。筐体蓋と筐体底板は密着し、ネジで固定できるようになっている。筐体蓋は、圧力をかけないと、底板とは密着していない状態である。そこで筐体蓋側に重りを載せて、筐体底板と圧着させその状態でネジ止めする。ネジ止め後は固定され、自由に運搬できる。蓋を押さえる重さ（圧力）を密着圧力とし、密着圧力を表１に記した。
【０１４２】
《実施例２〜４》
表１に示した膜厚になるようにボートの充填量とボート−蒸着基板の距離を調整したほかは実施例１と同様にして実施例２〜４のサンプルを作成した。
【０１４３】
《比較例１および２》
蒸着を図２３に示す蒸着機にて行ったほかは実施例１と同様にして比較例１および２用のサンプルを作成した。
【０１４４】
〔評価〕
（ＭＴＦ測定）
鉛製のＭＴＦチャートを通して管電圧８０ｋＶｐのＸ線を各試料の裏面（蛍光体層が形成されていない面）から照射し、画像データをシンチレータに密着したＣＭＯＳフラットパネルで検出しハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して当該ハードディスクに記録されたＸ線像の変調伝達関数（ＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ））を調査した。その調査結果（空間周波数１サイクル／ｍｍにおけるＭＴＦ値（％））を下記表１に示す。表１中の調査結果において、ＭＴＦ値が高いほど鮮鋭性に優れている。
【０１４５】
（耐湿測定）
上記サンプルを４０度９０％のサーモ機に２ヶ月投入したときのＭＴＦの変化を耐湿（ＭＴＦ）として評価した。サーモ投入前に得られたＭＴＦと投入後に得られたＭＴＦを比較し、初期との相対値を表１に記録した。
【０１４６】
画欠（画像欠陥）は上記サーモ投入後、信号が得られなくなった画素数により評価した。評価は次の通りである。
【０１４７】
○  画欠は全く観察されない
△  画欠が少し観察されるが、実用上許容される
×  画欠が多く、実用できないレベル
測定及び評価結果を表１に示す。
【０１４８】
【表１】
2010276571.tif 000002
【０１４９】
その結果、本発明の実施例１〜４のサンプルは、比較例１及び２に比較して、ＭＴＦ測定及び耐湿測定値も良好な値を示していることが解る。
【符号の説明】
【０１５０】
１  放射線画像検出器
３  放射線検出パネル
４  基板
４ａ  面
５  支持体
５ａ  シンチレータが設けられた面
６  シンチレータ
６ａ  蛍光体
１５  光電変換素子
２２、２５  接着剤
２３  遮光層
２４  開口部
３１  基台
３２  フィルム
Ｃ  内部空間
Ｐａ  蛍光体の柱状結晶の鋭角状の先端
Ｒ１  基台とフィルムとの間の空間（下方空間）
Ｓ  スペーサ
【図１】
2010276571.tif 000003
【図２】
2010276571.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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