(57)【要約】【課題】品質の均一性が保たれ、信頼性が向上する。【解決手段】複数個の半導体素子１１０が搭載された被処理基板を、成形金型１５０のキャビティ１５３に配置して、キャビティ１５３内に、第１のゲート１４０から第１の樹脂１３１ａを注入すると共に、キャビティ１５３を挟み第１のゲート１４０に対向して配置された第２のゲート２４０から第２の樹脂２３１ａを注入して、キャビティ１５３の中央部において両樹脂を衝突させた後、当該樹脂をキャビティ１５３の周縁部に流動させて、半導体素子１１０が封止される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板上に搭載された複数個の半導体素子を、樹脂により一括して封止する樹脂封止方法において、
複数個の半導体素子が搭載された被処理基板を、成形金型のキャビティに配置する工程と、
前記キャビティ内に、第１の樹脂注入部から第１の樹脂を注入すると共に、前記キャビティを挟み前記第１の樹脂注入部に対向して配置された第２の樹脂注入部から第２の樹脂を注入して、前記キャビティの中央部において前記第１の樹脂と前記第２の樹脂を衝突させ、当該樹脂を前記キャビティの周縁部に流動させる工程と、
を具備することを特徴とする樹脂封止方法。
【請求項２】
前記樹脂がフィラーを含有していることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止方法。
【請求項３】
複数の前記第１，前記第２の樹脂注入部がそれぞれ配列され、
前記第１，前記第２の樹脂をそれぞれ保持し、前記第１，前記第２の樹脂注入部にそれぞれ連通して配置された第１，第２の樹脂保持部から、前記第１，前記第２の樹脂を、複数の前記第１，前記第２の樹脂注入部を介して、前記キャビティ内に注入することを特徴とする請求項１記載の樹脂封止方法。
【請求項４】
前記第１，前記第２の樹脂注入部の配置間隔を前記配列の中央部から端部に向かうに連れて漸次段階的に狭くすることを特徴とする請求項３記載の樹脂封止方法。
【請求項５】
前記第１，前記第２の樹脂注入部の前記キャビティ内への注入面積を前記配列の中央部から端部に向かうに連れて漸次段階的に小さくすることを特徴とする請求項３記載の樹脂封止方法。
【請求項６】
複数の前記第１，前記第２の樹脂注入部に連通された前記第１，前記第２の樹脂保持部が複数配置され、
複数の前記第１，前記第２の樹脂保持部からの、前記第１，前記第２の樹脂注入部を介した前記キャビティ内への前記第１，前記第２の樹脂の注入時期を前記配列の中央部から端部に向かうに連れて漸次段階的に遅くすることを特徴とする請求項３記載の樹脂封止方法。
【請求項７】
複数の前記第１，前記第２の樹脂注入部に連通された前記第１，前記第２の樹脂保持部が複数配置され、
複数の前記第１，前記第２の樹脂保持部からの、前記第１，前記第２の樹脂注入部を介した前記キャビティ内への前記第１，前記第２の樹脂の注入圧力を前記配列の中央部から端部に向かうに連れて漸次段階的に小さくすることを特徴とする請求項３記載の樹脂封止方法。
【請求項８】
前記第１，前記第２の樹脂注入部にダミーキャビティを配置して、前記第１，前記第２の樹脂を、前記ダミーキャビティを通過させて前記第１，前記第２の樹脂注入部から前記キャビティ内に注入することを特徴とする請求項１記載の樹脂封止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は樹脂封止方法に関し、特に基板に搭載された複数個の半導体素子を封止用樹脂により封止する樹脂封止方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造においては、大判の支持基板上に搭載された複数個の半導体素子を、封止用金型のキャビティ内に配置し、トランスファ成形法を用いて一括して樹脂封止した後、当該封止用樹脂と支持基板を半導体素子単位にダイシングして分離し、複数の半導体装置を得る方法（ＭＡＰ（Molded Array Package）法）が行われている。
【０００３】
この方法は、半導体装置の生産性を高めることができ、例えば、ＦＢＧＡ（Fine pitch Ball Grid Array）型またはＦＬＧＡ（Fine pitch Land Grid Array）型の半導体装置の製造には好適である。
【０００４】
近年、半導体装置の更なる生産性向上のため、支持基板の寸法（平面寸法）をより大型化（大面積化）して、当該支持基板に搭載する半導体素子の数を増加させる方法が採られている。これに伴い、一括封止を行うための封止用金型のキャビティの大きさも大型化（大面積化）する傾向にある。
【０００５】
上記支持基板は、配線基板、回路基板あるいはインターポーザーとも称される。
また、近年の電子機器の小型化、薄型化ならびに高機能化に伴い、当該電子機器に搭載される半導体装置もより高機能化、高集積化が図られつつある。
【０００６】
このため、前記ＦＢＧＡ型あるいはＦＬＧＡ型の半導体装置においても、樹脂封止部の薄型化が要求され、これに対応するため、樹脂封止用金型におけるキャビティの深さもより浅くなる傾向にある。
【０００７】
一方、前記半導体装置の高集積化・高機能化に伴い、半導体素子の電極と支持基板に設けられた電極端子とを接続するボンディングワイヤの数も増加し、その配置もより高密度化されつつある。
【０００８】
しかしながら、前記ＭＡＰ法を適用し、複数個の半導体素子が搭載された大判の支持基版を、浅くされたキャビティ内に配置して樹脂封止を行おうとすると、封止用樹脂の流動距離が長く、また流動する空間が狭いことから、キャビティ内において封止用樹脂の流動性が低下する。また、半導体素子の電極と支持基板上の電極端子とを接続するボンディングワイヤが多数且つ高密度に配設されていることによっても、充填する樹脂の流動性が阻害される。
【０００９】
この結果、封止用樹脂を、キャビティ内に均一に充填させることが困難となり、樹脂封止部内にボイドなどが生成されて、半導体装置の不良の一因を生じてしまう。
前記キャビティ内の樹脂の流動性を制御するために、例えば、基板上の樹脂充填領域内において、半導体装置形成領域の周辺部に、樹脂の流入を鈍らせるための流量調整部を配置することが提案されている（特許文献１参照）。
【００１０】
当該特許文献１により提案される方法によれば、半導体形成領域とその周辺部との封止樹脂の注入速度をほぼ均等にすることにより、キャビティ内に樹脂を均一に注入して、ボイドなどの生成を抑制して封止することができるとされている。
【特許文献１】特開２００５−１６７０２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、前記特許文献１に開示される方法にあっては、流量調整部を配置することによって、基板における半導体素子の配設領域が減じて、ＭＡＰ法による生産性向上の効果が低下してしまう。
【００１２】
また、一般に、半導体素子を封止するために用いられる樹脂には、封止後の固化された樹脂の機械的強度の確保及び熱膨張係数の調整のために、フィラーが含有されている。半導体装置の生産性向上のため、また半導体装置の薄型化、高集積化に伴い、大型化（大面積化）した、あるいは浅くなった（断面積が小となった）キャビティに、上記特許文献１に示されるようにキャビティの一方から樹脂を注入すると、キャビティ内での樹脂の流動性が低下して、樹脂内のフィラーが偏在してしまう。
【００１３】
その結果、後のダイシング処理によって得られる個々の半導体装置は、機械的強度の低下及び／あるいは吸湿・除湿特性が変化するなどして、品質の均一性を維持できず信頼性が低下してしまう。
【００１４】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、品質の均一性が保たれ、高い信頼性を有する半導体装置を製造することができる樹脂封止方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明によれば、被処理基板上に搭載された複数個の半導体素子を、樹脂により一括して封止する樹脂封止方法において、複数個の半導体素子が搭載された被処理基板を、成形金型のキャビティに配置する工程、前記キャビティ内に、第１の樹脂注入部から第１の樹脂を注入すると共に、前記キャビティを挟み前記第１の樹脂注入部に対向して配置された第２の樹脂注入部から第２の樹脂を注入して、前記キャビティの中央部において両樹脂を衝突させた後、当該樹脂を前記キャビティの周縁部に流動させる工程、を具備することを特徴とする樹脂封止方法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
上記の樹脂封止方法によれば、品質の均一性が保たれ、高い信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明による樹脂封止方法の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
＜第１の実施の形態＞
本発明の第１の実施の形態における、樹脂封止装置１００の透視的平面模式図を、図１に示す。図２は、図１のＡ−Ａ'断面における模式図である。
【００１８】
当該樹脂封止装置１００は、対向する上部金型１５１及び下部金型１５２を備えた成形金型１５０を具備している。
当該樹脂封止装置１００を用いての封止処理の際には、一方の主面に複数個の半導体素子１１０がマトリクス状に配列して搭載された配線基板１２０が、下部金型１５２と上部金型１５１の間に配置され、当該下部金型１５２と上部金型１５１の間に形成されたキャビティ１５３内に封止用樹脂が注入されることにより、前記複数個の半導体素子１１０の一括樹脂封止が行われる。
【００１９】
成形金型１５０には、平面形状が矩形であるキャビティ１５３の、対向する２辺に沿って、当該キャビティ１５３内に封止用樹脂を注入する第１の充填部１６０ならびに第２の充填部２６０が配設されている。
【００２０】
当該第１の充填部１６０は、上部金型１５１に形成され共通の空間を形成している第１のカル部１６１と、下部金型１５２に形成された円筒状の第１のポット１６３−１〜１６３−５、及びそれぞれの第１のポット１６３内を上下動する第１のプランジャ１６２−１〜１６２−５を備えている。前記第１のカル部１６１は、それぞれ第１のゲート１４０を具備した第１のランナ部１４１−１〜１４１−１２を介して前記キャビティ１５３に接続されている。
【００２１】
一方、第２の充填部２６０は、第２のカル部２６１と、第２のポット２６３−１〜２６３−５、及びそれぞれの第２のポット２６３内を上下動する第２のプランジャ２６２−１〜２６２−５を備えている。そして第２のカル部２６１は、それぞれ第２のゲート２４０を設けた第２のランナ部２４１−１〜２４１−１２を介してキャビティ１５３に接続されている。
【００２２】
即ち、第１の充填部１６０からキャビティ１５３内へ封止用樹脂を導入する第１のゲート１４０、ならびに第２の充填部２６０からキャビティ１５３内へ封止用樹脂を導入する第２のゲート２４０は、それぞれ１２個配設され、キャビティ１５３に接続されている。
【００２３】
このように、本実施の形態にあっては、前記キャビティ１５３内に対して、対向する２辺から封止用樹脂が注入される。
かかる構成において、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０は、隣りあうゲートの中心間の距離（ゲート間隔Ｗｐ）は一定とされているが、その幅は、キャビティ１５３の中央部に対応して位置するゲートの幅Ｗｇ１に比して、キャビティ１５３の端部に位置するゲート幅Ｗｇ２が狭くされている。
【００２４】
例えば、寸法が横１９５ｍｍ×縦７０ｍｍの配線基板１２０に対して封止を行う成形金型１５０で、そのキャビティ１５３の寸法が横１９１ｍｍ×縦６０ｍｍ×高さ０．４ｍｍである場合、ゲート間隔Ｗｐは９．４ｍｍとされ、中央部に位置するゲートの幅Ｗｇ１は４．８ｍｍ、端部に位置するゲートの幅Ｗｇ２は３．８ｍｍに設定される。
【００２５】
当該ゲートの幅Ｗｇは、中央部に位置するゲートから端部に位置するゲートに向かって、漸次段階的に狭くされている。
なお、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の高さＨは、それぞれ例えば０．１５ｍｍとされる。
【００２６】
また、成形金型１５０には、前記ゲート１４０，２４０が配設されない辺において、キャビティ１５３を挟んで対向する位置に、キャビティ１５３と連通する第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０が配設されている。前記の寸法の成形金型１５０の場合、第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０の幅ｗｇは１ｍｍから４ｍｍ、高さｈ（図示せず）は０．００５ｍｍから０．０２ｍｍ、隣接するエアーベント間の間隔ｗｐは４ｍｍから１０ｍｍとされる。
【００２７】
前記成形金型１５０を用いての樹脂封止法にあっては、まず、被処理配線基板１２０が下部金型１５２に配置される。当該配線基板１２０の一方の主面（上面）には、複数個の半導体素子が所定の間隔をもってマトリクス状に搭載されている。
【００２８】
しかる後、上部金型１５１が下部金型１５２上に下降する。これにより、下部金型１５２と上部金型１５１との間に形成されるキャビティ１５３内に、前記配線基板１２０が配置される。
【００２９】
そして、第１の充填部１６０の第１のプランジャ１６２−１〜１６２−５のそれぞれには、固形状の第１の樹脂タブレット１３１がセットされ、一方、第２の充填部２６０の第２のプランジャ２６２−１〜２６２−５のそれぞれにも、固形状の第２の樹脂タブレット２３１がセットされる。
【００３０】
成形金型１５０は、予め加熱されており、セットされた第１の樹脂タブレット１３１及び第２の樹脂タブレット２３１は溶融して、第１のプランジャ１６２及び第２のプランジャ２６２の上昇に伴い、配線基板１２０を配置したキャビティ１５３内に向かって注入される。
【００３１】
即ち、溶融状態にある封止用樹脂は、第１のカル部１６１及び第２のカル部２６１からそれぞれ、第１のランナ部１４１及び第２のランナ部２４１においてその流路が調整され、第１のゲート１４０ならびに第２のゲート２４０を介してキャビティ１５３内に注入される。
【００３２】
当該封止用樹脂の流入に伴い、キャビティ１５３内にあったガスは、矩形状キャビティの他の２辺に配設された第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０から排出される。
【００３３】
ここで、当該樹脂封止装置１００を用いた樹脂封止処理における樹脂の流れについて、図２ならびに図３乃至図６を参照して説明する。
前述の如く、複数の半導体素子１１０が搭載された配線基板１２０を下部金型１５２に配置し、上部金型１５１を下降させ、上部金型１５１と下部金型１５２とによって、配線基板１２０の縁部を挟持する。
【００３４】
これにより、図２に示すように、下部金型１５２と上部金型１５１との間のキャビティ１５３に、被処理配線基板１２０が配置される。
次いで、第１のポット１６３−１〜１６３−５における第１のプランジャ１６２−〜１６２−５上に第１の樹脂タブレット１３１を投入し、また第２のポット２６３−１〜２６３−５における第２のプランジャ２６２−１〜２６２−５上に、第２の樹脂タブレット２３１を投入する。
【００３５】
当該樹脂タブレット１３１及び樹脂タブレット２３１には、キャビティ１５３に注入して硬化させた後の機械的強度の確保及び熱膨張係数の調整のために、予めフィラーが含有されている。
【００３６】
フィラーとしては、一定の粒度分布をもった、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ2）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）などの微細粒子が用いられる。また、フィラーの形状としては、球状または粉砕状などがあるが、フィラーを含む封止用樹脂のキャビティ１５３への充填率向上の観点からは球状のものがより好ましい。勿論、プロセス条件及び／あるいは形成する半導体装置の要求特性等に応じて、形状または材料が異なるフィラーを混合して用いてもよい。
【００３７】
成形金型１５０は、予め所定の温度（例えば１５０℃〜１９０℃）に加熱されており、投入された前記第１の樹脂タブレット１３１ならびに第２の樹脂タブレット２３１は、加熱されて溶融する。
【００３８】
第１の樹脂タブレット１３１が溶融した第１の樹脂１３１ａは、第１のプランジャ１６２−１〜１６２−５により一斉に等圧で圧送されて、第１のカル部１６１に充填される。同様に、第２の樹脂タブレット２３１が溶融した第２の樹脂２３１ａは、第２のプランジャ２６２−１〜２６２−５により、一斉に圧送されて、第２のカル部２６１に充填される。
【００３９】
第１のカル部１６１に充填された第１の樹脂１３１ａは、前記複数の第１のプランジャ１６２によって更に圧送され、第１のランナ部１４１を通過して第１のゲート１４０からキャビティ１５３内へ注入される。同様に、第２のカル部２６１に充填された第２の樹脂２３１ａは、複数の第２のプランジャ２６２によって更に圧送され、第２のランナ部２４１を通過して第２のゲート２４０からキャビティ１５３内へ注入される。
【００４０】
即ち、前記プランジャ１６２ならびにプランジャ２６２による加圧を同時に行うことにより、キャビティ１５３内には、第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａが、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方から、ほぼ同時に注入される。
【００４１】
この時、前記第１のゲート１４０−１〜１４０−１２は、互いに等間隔Ｗｐで配置されるも、中央部におけるゲートの幅Ｗｇ１が端部におけるゲートの幅Ｗｇ２よりも広くされ、中央部に位置するゲートから端部におけるゲートに向かい、その幅が漸次段階的に狭くされている。即ち、中央部におけるゲート部は、端部におけるゲートに比べ大きな断面積を有する。
【００４２】
このため、当該第１のゲート１４０からキャビティ１５３内へ注入される第１の樹脂１３１ａは、図３に示すように、当該キャビティ１５３の中央部において、端部よりも多くの量が注入される。なお、図４は、図３のＡ−Ａ'断面を示す模式図である。当該図３のＡ−Ａ'断面は、前記図１のＡ−Ａ'断面に対応している。
【００４３】
この時、当該第１の樹脂１３１ａは、半導体素子１１０の存在により流動が遅れる箇所が生じるため、その先端部形状が波形を有して、キャビティ１５３内に注入されていく。
同様に、第２のゲート２４０から注入される第２の樹脂２３１ａも、当該キャビティ１５３の中央部において端部よりも多くの量が注入され、且つ半導体素子１１０の存在によりその先端部形状が波形を有して、キャビティ１５３内に注入されていく。
【００４４】
この様な注入状態から、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方から注入される第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａは、まずキャビティ１５３のほぼ中央部において衝突する（かかる衝突状態は図示せず）。
【００４５】
衝突後、中央部の第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａは、一体となりつつ横方向（第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０側）に流れる。
また、より外側のゲートから注入された第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａも、衝突後同様に一体となりつつエアーベント方向に流れる。
【００４６】
即ち、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方から注入された第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａは、キャビティ１５３のほぼ中央部において衝突後、一体となりつつキャビティ１５３の中央部から横方向（第１のエアーベント１７０方向ならびに第２のエアーベント２７０方向）へ流動していく（図示せず）。
【００４７】
このように、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方から、第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａがキャビティ１５３内に注入されることにより、当該キャビティ１５３内は封止用樹脂１３０によって充填される。
【００４８】
かかる状態を図５及び図６に示す。なお、図６は、図５のＡ−Ａ'断面における模式図である。当該図５のＡ−Ａ'断面も、前記図１のＡ−Ａ'断面に対応している。
本実施の形態にあっては、成形金型１５０の、キャビティ１５３を挟んで対向する第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方から樹脂用樹脂を注入して、キャビティ１５３内を当該封止用樹脂１３０により充填する。
【００４９】
従って、従来技術の如く、キャビティ１５３の片側のみから封止用樹脂を注入した場合に比べ、その流動距離を短くすることができる。また、封止用樹脂１３０がキャビティ１５３の中央部から第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０方向に向かって充填されるため、キャビティ１５３内のガスをその中央部から次第に押し出していくことができ、封止用樹脂１３０中へのボイドの混入を防止することができる。
【００５０】
キャビティ１５３への封止用樹脂１３０の充填後、成形金型１５０における熱により当該封止用樹脂１３０を硬化する。
当該封止用樹脂１３０の硬化後、例えば上部金型１５１を上昇させ、被処理基板、即ち複数の半導体素子１１０が封止用樹脂１３０により一括して封止された配線基板１２０を、下部金型１５２から取り出す。
【００５１】
しかる後、恒温槽等を用い、当該配線基板１２０を例えば１５０℃〜１９０℃に加熱して、封止用樹脂１３０を完全硬化せしめる。
ここで、前記複数の半導体素子１１０が封止用樹脂１３０により一括して封止された配線基板１２０を、図７に示す。同図において、半導体素子１１０の存在位置を点線で示している。
【００５２】
そして、当該図７において破線により囲んだ領域１２１を拡大して図８に示す。当該図８では、封止用樹脂１３０の表示を省略している。
即ち、配線基板１２０の一方の主面上には、複数個の半導体素子１１０がマトリスク状に搭載され、半導体素子１１０のそれぞれは、配線基板１２０上に接着剤１２２により固定されている。そして当該半導体素子１１０の電極１１１と配線基板１２０上の電極端子１１２とがボンディングワイヤ１１３により接続されている。
【００５３】
そして、複数個の半導体素子１１０ならびにボンディングワイヤ１１３は、封止用樹脂１３０（図示せず）により一括して封止されている。
前述の如く、封止用樹脂１３０が完全に硬化された後、当該配線基板１２０の他方の主面（裏面）に配設された電極端子には、外部接続用電極としてはんだボールが配設される（図示せず）。
【００５４】
しかる後、当該配線基板１２０及び封止用樹脂１３０を、その厚さ方向に、個々の半導体素子１１０単位に切断・分離（ダイシング）することにより、図９に示す半導体装置１８０が形成される。なお、当該図９にあっては、半導体装置１８０の構成を具示するために、断面構造を開示している。
【００５５】
当該半導体装置１８０は、配線基板１２０の他方の主面に形成されたはんだボール１１５を介して、電子機器の回路基板などに実装される。
前述の如く、本実施の形態にあっては、成形金型１５０において、キャビティ１５３を挟んで対向する第１のゲート１４０、及び第２のゲート２４０の双方から樹脂用樹脂を注入して、キャビティ１５３内に当該封止用樹脂１３０を充填する。
【００５６】
これにより、キャビティ１５３内において、特定粒径のフィラー１３２の偏在を生ずることがなく、図１０に示すように、半導体装置１８０において、封止用樹脂１３０内には粒径の異なるフィラー１３２を混在させることができる。
【００５７】
即ち、前記第１の実施の形態における封止方法によれば、キャビティ１５３に対し、その対向する辺において配置された第１のゲート１４０ならびに第２のゲート２４０から、第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａをそれぞれ注入するため、第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａの流動距離は当該キャビティのほぼ中央部に至る距離であって短い。
【００５８】
従って、当該第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａに含有されるフィラー１３２の偏在が防止され、当該フィラーを封止用樹脂１３０内に均一に分布させることができる。
【００５９】
この結果、キャビティ１５３内の部位に関わらず、個々の半導体装置１８０における封止用樹脂１３０の品質は均一となり、当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
更に、第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａの流動距離が短いことから、キャビティ１５３内に封止用樹脂１３０を短時間で充填することができ、半導体装置１８０の生産性が向上する。
【００６０】
次に、前記第１の実施の形態の変形例として、ゲートの配列間隔またはゲートの高さを変える形態を示す。
＜変形例１−１＞
変形例１−１における封止装置３００の透視的平面を、模式的に図１１に示す。
【００６１】
当該封止装置３００においては、キャビティ１５３を挟んで対向するように配列された第１のゲート１４０−１〜１４０−１２の、中央部に位置するゲート１４０−６と１４０−７との間隔Ｗｐ１を例えば８ｍｍ程度とし、端部に位置するゲート１４０−１と１４０−２との間隔Ｗｐ２を、例えば１１ｍｍ程度として、中央部の配列間隔Ｗｐ１を端部側の配列間隔Ｗｐ２よりも狭くしている。
【００６２】
他方の端部に位置するゲート１４０−１１と１４０−１２との間隔Ｗｐ２も、中央部の配列間隔Ｗｐ１よりも広い。
同様に、第２のゲート２４０−１〜２４０−１２の中央部に位置するゲート２４０−６と２４０−７との間隔Ｗｐ１を例えば８ｍｍ程度とし、端部に位置するゲート２４０−１と２４０−２との間隔Ｗｐ２を、例えば１１ｍｍ程度として、中央部の配列間隔Ｗｐ１を端部側の配列間隔Ｗｐ２よりも狭くしている。
【００６３】
そして、他方の端部に位置するゲート２４０−１１と２４０−１２との間隔Ｗｐ２も、中央部の配列間隔Ｗｐ１よりも広い。
なお、いずれのゲートも、等しい断面積を有する。
【００６４】
このように第１のゲート１４０−１〜１４０−１２ならびに第２のゲート２４０−１〜２４０−１２を、それぞれ中央部から端部側に向かって、その配列間隔を漸次段階的に広くすることにより、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方からキャビティ内に注入される第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａの注入量は、当該キャビティの中央部において多く、端部に近づくに従ってその量が減じられる。
【００６５】
従って、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方から注入される第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａは、まずキャビティ１５３のほぼ中央部において拡がり、衝突する。
【００６６】
衝突後は、一体となりつつ横方向（第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０側）に流動する。
また、より外側のゲートから流入した第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａも衝突し、同様に一体となりつつ横方向（第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０側）に流れて、当該キャビティ１５３内は封止用樹脂１３０によって充填される。
【００６７】
＜変形例１−２＞
変形例１−２における封止装置４００の透視的平面を、模式的に図１２に示す。
また、当該封止装置４００の、図１２における線Ｂ−Ｂ'に沿う断面を図１３（Ａ）に示し、図１２における線Ｃ−Ｃ'に沿う断面を図１３（Ｂ）に示す。
【００６８】
当該封止装置４００にあっては、第１のゲート１４０（１４０−１〜１４０−１２）ならびに第２のゲート２４０（２４０−１〜２４０−１２）の幅Ｗｇを、例えば、４ｍｍ程度、配列間隔Ｗｐを、例えば、９．４ｍｍ程度とする。
【００６９】
そして、中央部に位置するゲート（１４０−６，１４０−７、２４０−６，２４０−７など）の高さＨ１を、例えば、０．１７ｍｍ程度とする（図１３（Ａ）参照）。また、端部に位置するゲート（１４０−１，１４０−１２、２４０−１，２４０−１２など）の高さＨ２を、例えば、０．１５ｍｍ程度とする（図１３（Ｂ）参照）。
【００７０】
すなわち、キャビティ１５３に配列された複数の第１のゲート１４０ならびに第２のゲート２４０において、中央部に位置するゲートの高さは、端部側にあるゲートの高さよりも高くされている。
【００７１】
そして、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０においては、それぞれ中央部から端部側に向かって、その高さが漸次段階的に低くされている。
かかる構成によれば、中央部に位置するゲートは、端部に位置するゲートよりも大きな断面積を有する。
【００７２】
従って、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方から注入される第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａは、中央部に位置するゲートからより多く（多量に）注入される。
【００７３】
このため、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方から注入される第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａは、まずキャビティ１５３の中央部において衝突し、衝突後、一体となりつつ横方向（第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０側）に流動する。
【００７４】
そして、より外側のゲートから注入される第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａも順次衝突して、一体となりつつ更に横方向（第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０側）に流動する。
【００７５】
このようにして、当該キャビティ１５３内は封止用樹脂１３０によって充填され、被処理配線基板１２０上に搭載された複数個の半導体素子は、封止用樹脂１３０により被覆される。
【００７６】
なお、ここでは、ゲートの幅、高さ（注入面積）及び配列間隔を変えた場合を示したが、それぞれを個別に変えるに止まらず、ゲートの幅、高さ、あるいは配列間隔の何れかを相互に組み合わせることもできる。
【００７７】
＜第２の実施の形態＞
本第２の実施の形態では、半導体素子が配列して搭載される配線基板が、複数の小区画に分離されている例を挙げる。
【００７８】
当該第２の実施の形態における、半導体素子が配列して搭載された配線基板の平面形状を、模式的に図１４に示す。
当該配線基板５２０は矩形状の平面形状を有し、その寸法は例えば縦７５ｍｍ×横２５０ｍｍであって、その長手方向に直交する方向に設けられた２本のスリット５２１によって、配線基板領域５２０ａ，５２０ｂ，５２０ｃに区切られている。
【００７９】
当該配線基板領域５２０ａ，５２０ｂ，５２０ｃのそれぞれには、半導体素子５１０が複数個、マトリクス状に搭載されている。
このように配線基板に対しスリットを配して当該配線基板を小区画に分割し、それぞれの区画単位で封止樹脂部を形成することによって、樹脂封止後、当該配線基板に発生する反りの量を低減することができるが、当該スリットは必要に応じて適用されればよい。
【００８０】
このように矩形状を有し、その小区画毎に複数個の半導体素子が搭載された配線基板に対して樹脂封止処理を行うために、図１５に示される封止装置５００が適用される。
図１５は、当該封止装置５００の透視的平面形態を、模式的に示し、また図１６は、図１５におけるＤ−Ｄ'断面を示す。
【００８１】
封止装置５００は、対向する上部金型１５１及び下部金型１５２を有する成形金型１５０を備えている。
図１５に示される如く、成形金型１５０には、前記配線基板領域５２０ａ，５２０ｂ，５２０ｃに対応して、矩形状を有する３つのキャビティ１５３ａ，１５３ｂ，１５３ｃが配設されている。
【００８２】
そして、それぞれのキャビティにおいては、対向する辺に位置して、第１の充填部１６０及び第２の充填部２６０が配設されている。
キャビティ１５３ａに配設された第１の充填部１６０は、上部金型１５１に形成され共通の空間を形成している第１のカル部１６１−１と、下部金型１５２に形成された円筒状の第１のポット１６３−１，１６３−２、及びそれぞれの第１のポット１６３内を上下動する第１のプランジャ１６２−１，１６２−２を備えている。前記第１のカル部１６１は、第１のランナ部１４１−１〜１４１−６からライン状ゲート１４０を介して前記キャビティ１５３に接続されている。
【００８３】
一方、第２の充填部２６０は、第２のカル部２６１と、第２のポット２６３−１，２６３−２、及びそれぞれの第２のポット２６３内を上下動する第２のプランジャ２６２−１，２６２−２を備えている。そして第２のカル部２６１は、第２のランナ部２４１−１〜２４１−６からライン状ゲート２４０を介してキャビティ１５３ａに接続されている。
【００８４】
また、上部金型１５１において、第１のゲート１４０と第１のランナ部１４１との間には第１のダミーキャビティ１４２が、また第２のゲート２４０と第２のランナ部２４１との間に第２のダミーキャビティ２４２が、それぞれ前記キャビティ１５３ａ，１５３ｂ，１５３ｃの辺に沿ってライン状に配置されている（図１６参照）。
【００８５】
なお、第１のダミーキャビティ１４２、第２のダミーキャビティ２４２、ならびに第１のライン状ゲート１４０、第２のライン状ゲート２４０の長さは、キャビティの樹脂注入辺（第１のゲート１４０及び第２のゲートが設けられる辺）の長さよりも短く設定され、前記キャビティの樹脂注入辺の両端近傍にはゲートは配置されない。
【００８６】
例えば、配線基板５２０の１つ小区画に対応するキャビティ１５３ａの寸法を、縦６５ｍｍ、横７８ｍｍ、高さ０．３３ｍｍとする場合、当該小区画の縦辺に対応する第１のダミーキャビティ１４２、第２のダミーキャビティ２４２、及び第１のライン状ゲート１４０、第２のライン状ゲート２４０の長さはそれぞれ６２ｍｍとされる。
【００８７】
そして、前記キャビティ１５３ａ，１５３ｂ，１５３ｃには、それぞれにおいて、前記ライン状ゲートが配置されない辺、即ち、前記スリットに平行な辺には、エアーベントが配設されている（図示せず）。
【００８８】
当該成形金型１５０を用いての樹脂封止処理にあっては、まず、下部金型１５２に被処理配線基板５２０が配置され、例えば上部金型１５１がその下部金型１５２側に下降される。
【００８９】
これにより、下部金型１５２と上部金型１５１との間に配線基板５２０が挟まれる。
この時、配線基板５２０における小区画の配線基板領域５２０ａ，５２０ｂ，５２０ｃは、キャビティ１５３ａ，１５３ｂ，１５３ｃ内にそれぞれ配置される。
【００９０】
そして、第１のプランジャ１６２及び第２のプランジャ２６２により圧送された第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａは、それぞれ第１のダミーキャビティ１４２内及び第２のダミーキャビティ２４２内に一旦充填され、第１のライン状のゲート１４０及び第２のライン状のゲート２４０を介して、それぞれのキャビティ１５３ａ，１５３ｂ，１５３ｃに注入される。
【００９１】
即ち、第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａは、配線基板領域５２０ａ，５２０ｂ，５２０ｃが配置されたそれぞれのキャビティ１５３ａ，１５３ｂ，１５３ｃに向かって、第１のライン状ゲート１４０及び第２のライン状ゲート２４０の双方から圧送され、それぞれのキャビティ１５３は封止用樹脂１３０によって充填される。
【００９２】
かかる樹脂の注入の際、第１のダミーキャビティ１４２、第２のダミーキャビティ２４２及び第１のライン状のゲート１４０、第２のライン状のゲート２４０が、キャビティ１５３の樹脂注入辺の長さよりも短く設定されていることから、当該樹脂は、まず各小区画におけるキャビティの中央部に対して注入されて扇状に拡がり、当該キャビティの中央部において衝突する。
【００９３】
そして、当該樹脂は、一体となりつつ前記エアーベントが配置された方向に流動して、キャビティの周縁部にまで至り、配線基板上の複数の半導体素子を被覆する。
次に、第２の実施の形態の変形例として、樹脂の充填部の変形例を示す。
【００９４】
＜変形例２−１＞
本変形例２−１における封止装置５００ａは、上部金型及び下部金型を有する成形金型５５０ａを具備している。
【００９５】
当該成形金型５５０ａは、図１７に示す如く、３つのキャビティ５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃを具備している。
そして、それぞれのキャビティには、当該キャビティの対向する２辺に、第１のライン状ゲート５４０及び第２のライン状ゲート６４０が配設されている。
【００９６】
即ち、キャビティ５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃのそれぞれにあっては、第１の充填部５６０が、第１のランナ部５４１、第１のダミーキャビティ５４２、及び第１のライン状ゲート５４０を介して当該キャビティに連通し、また第２の充填部６６０が、第２のランナ部６４１、第２のダミーキャビティ６４２、及び第２のライン状ゲート６４０を介してキャビティに連通している。
【００９７】
ここで、第１の充填部５６０は、上部金型に形成された空間である第１のカル部、下部金型に形成された円筒状の第１のポット５６３、及び第１のポット５６３内を上下動する第１のプランジャを備えている。また上部金型の第１のカル部は、第１のライン状ゲート５４０を設けた第１のランナ部５４１を介してキャビティ５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃに連通している。
【００９８】
同じく、第２の充填部６６０は、第２のカル部、第２のポット６６３、及び第２のポット６６３内を上下動する第２のプランジャを備えており、一方、第２のカル部は第２のライン状ゲート６４０を設けた第２のランナ部６４１を介してキャビティ５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃに連通している。
【００９９】
そして、前記キャビティ５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃには、それぞれにおいて、前記ゲートが配置されない辺、即ち、前記スリットとは直交する方向の２辺に、エアーベントが配設されている（図示せず）。
【０１００】
かかる構成によれば、第１の充填部５６０及び第２の充填部６６０の全てが、キャビティ５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃに対して同一の側（図１７では紙面の左側）に一列状に配置される。
【０１０１】
従って、成形金型５５０ａはより小型化されて、封止装置５００ａは、前記封止装置５００に比べ、小型化が可能となる。
当該封止装置５００ａを用いての樹脂封止処理にあっては、まず、第１のポット５６３の第１のプランジャ上に第１の樹脂タブレットを投入し、また第２のポット６６３の第２のプランジャ上に第２の樹脂タブレットを投入する。
【０１０２】
第１の樹脂タブレット及び第２の樹脂タブレットには、フィラーが含まれている。
第１の樹脂タブレット及び第２の樹脂タブレットの投入後、成形金型５５０ａによって加熱が行われ、第１の樹脂タブレットが溶融した第１の樹脂は、第１のプランジャによって圧送されて、第１のカル部に充填される。同様に、第２の樹脂タブレットが溶融した第２の樹脂は、第２のプランジャによって圧送されて、第２のカル部に充填される。
【０１０３】
第１のカル部に充填された第１の樹脂は、第１のプランジャによって更に圧送され、第１のランナ部５４１を通過して第１のダミーキャビティ５４２内に充填され、更に第１のライン状ゲート５４０からキャビティ５５３ａ内へ注入される。同様に、第２のプランジャにより、第２のカル部に充填された第２の樹脂は、第２のプランジャによって更に圧送され、第２のランナ部６４１を通過して第２のダミーキャビティ６４２内に充填され、更に第２のライン状ゲート６４０からキャビティ５５３ａ内へ注入される。
【０１０４】
キャビティ５５３ｂ，５５３ｃに対しても、同様に樹脂の注入がなされる。
即ち、キャビティ５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃには、それぞれ独立して、第１の樹脂及び第２の樹脂が、第１のライン状ゲート５４０及び第２のライン状ゲート６４０の双方から注入される。
【０１０５】
かかる樹脂の注入の際、第１のダミーキャビティ５４２、第２のダミーキャビティ６４２及び第１のライン状のゲート５４０、第２のライン状のゲート６４０が、キャビティ５５３ａの樹脂注入辺の長さよりも短く設定されていることから、当該樹脂は、まず各小区画におけるキャビティの中央部に対して注入されて扇状に拡がり、当該キャビティの中央部において衝突する。
【０１０６】
そして、当該樹脂は、一体となりつつ前記エアーベントが配置された方向に流動して、キャビティの周縁部にまで至り、配線基板上の複数の半導体素子を被覆する。
そして、キャビティ５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃ内に配置された被処理基板は、封止用樹脂によって封止される。
【０１０７】
＜変形例２−２＞
本変形例２−２における封止装置５００ｂは、図１８に示す如く、上部金型及び下部金型を有する成形金型５５０ｂを備えている。
【０１０８】
そして、当該成形金型５５０ｂは、３つのキャビティ５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃを具備している。
それぞれのキャビティには、当該キャビティの対向する２辺に、第１のライン状ゲート５４０及び第２のライン状ゲート６４０が配設されている。
【０１０９】
そして、前記キャビティ５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃには、それぞれにおいて、前記ゲートが配置されない辺、即ち、前記スリットとは直交する方向の辺には、エアーベントが配設されている（図示せず）。
【０１１０】
そして、第１の第１のランナ部５４１及び第２のランナ部６４１は、隣接するキャビティ５５３ａ，５５３ｂ間、ならびにキャビティ５５３ｂ，５５３ｃ間に配設される場合、一体化されて、共用ランナ部７４１が構成されている。
【０１１１】
当該共用ランナ部７４１を配設することにより、隣りあうキャビティ間の距離を小さくすることができ、封止装置５００ｂは前記封止装置５００ａに比較して更に小型化することが可能となる。
【０１１２】
すなわち、第１のプランジャ（図示を省略）によって圧送された第１の樹脂（図示を省略）は、第１のポット５６３から共用ランナ部７４１に流動する。同じくして、第２のプランジャ（図示を省略）によって第２のポット６６３から第２の樹脂（図示を省略）も共用ランナ部７４１に流動する。第１の樹脂及び第２の樹脂は共用ランナ部７４１で合流する。
【０１１３】
共用ランナ部７４１で合流した樹脂は更に圧送され、第１のダミーキャビティ及び第２のダミーキャビティにそれぞれ分岐して流入して、第１のダミーキャビティ及び第２のダミーキャビティを充填し、更には第１のライン状ゲート５４０ならびに第２のライン状ゲート６４０からキャビティ５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃに注入される。
【０１１４】
かかる樹脂の注入の際、第１のダミーキャビティ５４２、第２のダミーキャビティ６４２及び第１のライン状のゲート５４０、第２のライン状のゲート６４０が、キャビティ５５３ａの樹脂注入辺の長さよりも短く設定されていることから、当該樹脂は、まず各小区画におけるキャビティの中央部に対して注入されて扇状に拡がり、当該キャビティの中央部において衝突する。
【０１１５】
そして、当該樹脂は、一体となりつつ前記エアーベントが配置された方向に流動して、キャビティの周縁部にまで至り、配線基板上の複数の半導体素子を被覆する。
そして、キャビティ５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃ内に配置された被処理基板は、封止用樹脂によって封止される。
【０１１６】
＜第３の実施の形態＞
本第３の実施の形態にあっては、キャビティに配された複数個のプランジャを独立して制御し、動作させる。
【０１１７】
当該第３の実施の形態における封止装置６００の透視的平面形態を、模式的に図１９に示す。
封止装置６００は、上部金型１５１及び下部金型１５２を有する成形金型１５０を具備している。
【０１１８】
成形金型１５０には、キャビティ１５３を挟んで対向する位置に、当該キャビティ１５３に封止樹脂を注入する第１の充填部１６０ならびに第２の充填部２６０が、それぞれ５個ずつ分離して、且つ列状に配設されている。
【０１１９】
封止処理時には、複数個の半導体素子１１０が搭載された配線基板１２０が下部金型１５２と上部金型１５１の間にセットされ、それらの間のキャビティ１５３に封止用樹脂が注入されることにより、当該配線基板１２０上に搭載された複数個の半導体素子１１０は一括して樹脂封止される。
【０１２０】
かかる封止装置６００においては、第１のランナ部１４１ならびに第２のランナ部２４１は、一体的に形成されていない。
即ち、図１９に示されるように、第１のランナ部１４１ならびに第２のランナ部２４１は、第１のポット１６３−１〜１６３−５毎、ならびに第２のポット２６３−１〜２６３−５毎に、互いに分離して配設されている。
【０１２１】
従って、第１の充填部１６０及び第２の充填部２６０における加圧は、加圧圧力及び／または加圧タイミングをそれぞれ異ならせることができる。
このような封止装置６００を用いた樹脂封止方法について、図２０並びに図２１を参照して説明する。図２０は、図１９におけるＥ−Ｅ'断面を示し、図２１は、配線基板上に搭載した複数個の半導体素子の封止状態を、透視的平面をもって模式的に示す。
【０１２２】
まず、下部金型１５２に、複数の半導体素子１１０を搭載した配線基板１２０を設置し、上部金型１５１を下降させ、上部金型１５１と下部金型１５２とによって、配線基板１２０の縁部を挟持する。
【０１２３】
これにより、下部金型１５２と上部金型１５１との間のキャビティ１５３に、配線基板１２０が配置される。
次いで、第１のポット１６３−１〜１６３−５の第１のプランジャ１６２−１〜１６２−５上に、それぞれ第１の樹脂タブレット１３１を投入し、また第２のポット２６３−１〜２６３−５の第２のプランジャ２６２−１〜２６２−５上に、それぞれ第２の樹脂タブレット２３１を投入する。当該成型金型１５０が予め加熱されていることから、第１の樹脂タブレット１３１及び第２の樹脂タブレット２３１は溶融する。
【０１２４】
第１の樹脂タブレット１３１が溶融した第１の樹脂１３１ａは、第１のプランジャ１６２のそれぞれによって圧送されて、第１のカル部１６１−１〜１６１−５に充填される。同様に、第２の樹脂タブレット２３１が溶融した第２の樹脂２３１ａは、第２のプランジャ２６２のそれぞれによって圧送されて、第２のカル部２６１−１〜２６１−５に充填される。
【０１２５】
この時、５個の第１のプランジャ１６２、ならびに５個の第２のプランジャ２６２における加圧力は、中央部のプランジャ（１６２−３，２６２−３）における加圧力が縁部におけるプランジャ（１６２−１，１６２−５、２６２−１，２６２−５）における加圧力よりも大とされている。
【０１２６】
中央部のプランジャと縁部のプランジャとの間に位置するプランジャ（１６２−２，１６２−４、２６２−２，２６２−４）は、両加圧力の中間の加圧力とされる（図２０参照）。
【０１２７】
第１のカル部１６１に充填された第１の樹脂１３１ａは、第１のプランジャ１６２によって更に圧送され、第１のランナ部１４１を通過して第１のゲート１４０からキャビティ１５３へ注入される。
【０１２８】
同様に、第２のプランジャ２６２により、第２のカル部２６１に充填された第２の樹脂２３１ａは、第２のプランジャ２６２によって更に圧送され、第２のランナ部２４１を通過して第２のゲート２４０からキャビティ１５３へ注入される。
【０１２９】
即ち、キャビティ１５３には、第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａが第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方から注入される。
前述の如く、プランジャの位置に対応して、当該プランジャにおける加圧力を変えることにより、第１のプランジャ１６２配列及び第２のプランジャ２６２配列の中央部に位置するプランジャの加圧力が、縁部に位置するプランジャの加圧力よりも大きいため、図２１に示されるように、中央部における樹脂の注入速度は縁部側よりも速い。
【０１３０】
同様に、第２のゲート２４０から注入される第２の樹脂２３１ａも、中央部における注入速度が縁部側よりも速い。
従って、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方から注入される第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａは、まずキャビティの中央部に位置する配線基板部分上において衝突し、衝突後は一体となりつつ横方向（第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０側）に流れる。
【０１３１】
更に、より外側のゲートから注入される第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａも衝突して、同様に横方向（第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０側）に流れる。
【０１３２】
このように、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方から注入された第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａは、キャビティ１５３の中央部から横方向（第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０側）に向かって注入され、当該キャビティに収容された配線基板１２０上に搭載された半導体素子１１０を被覆する。
【０１３３】
かかる第３の実施の形態の変形例として、封止用成形金型の第１の充填部及び第２の充填部における樹脂に対する加圧タイミング及び／あるいは加圧力を異ならしめることができる。
【０１３４】
＜変形例３−１＞
ここでは、第１の充填部１６０及び第２の充填部２６０の配置された位置により、樹脂への加圧タイミングを異ならせる。
【０１３５】
封止装置６００における成形金型１５０においては、第１のプランジャ１６２−１〜１６２−５、ならびに第２のプランジャ２６２−１〜２６２−５における加圧圧力を全て等しくする。
【０１３６】
一方、当該第１のプランジャ１６２及び第２のプランジャ２６２の加圧を開始する加圧タイミングを、中央部に位置するプランジャ１６２−３，２６２−３と、縁部に位置するプランジャ１６２−１，１６２−５、２６２−１，２６２−５と異ならしめ、中央部に位置するプランジャ１６２−３，２６２−３における加圧を早めるよう制御する。
【０１３７】
即ち、５個の第１のプランジャ１６２のうち、まずその中央に位置するプランジャ１６２−３、また５個の第１のプランジャ２６２のうち、その中央に位置するプランジャ２６２−３において加圧を開始し、次いでその両隣に位置するプランジャ（１６２−２，１６２−４、２６２−２，２６２−４）において加圧を開始し、更にその後両端に位置するプランジャ（１６２−１，１６２−５、２６２−１，２６２−５）において加圧を開始する。
【０１３８】
このような樹脂注入方法によっても、図２１に示される如く、第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａが第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方から注入され、第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａは、キャビティ１５３内において、まずその中央部において衝突し、一体となりつつ中央部から側端部に向かい流動を開始する。
【０１３９】
そして当該樹脂は、横方向（第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０側）に流れ、キャビティ１５３内は当該封止用樹脂１３０によって充填される。
＜変形例３−２＞
ここでは、第１の充填部１６０及び第２の充填部２６０の配置位置によって注入のための加圧力、ならびに加圧タイミングを異ならしめる。
【０１４０】
封止装置６００における成形金型１５０においては、第１のプランジャ１６２−１〜１６２−５、ならびに第２のプランジャ２６２−１〜２６２−５の加圧圧力をその配置位置に対応して異ならしめると共に、当該第１のプランジャ１６２−１〜１６２−５及び第２のプランジャ２６２−１〜２６２−５に対する加圧開始タイミングを、中央部に位置するプランジャ１６２−３，２６２−３と、縁部に位置するプランジャ１６２−１，１６２−５、２６２−１，２６２−５と異ならしめ、中央部に位置するプランジャ１６２−３，２６２−３における加圧を早めるよう制御する。
【０１４１】
即ち、第１のプランジャ１６２のうち、まずその中央に位置するプランジャ１６２−３、また第２のプランジャ２６２のうち、その中央に位置するプランジャ２６２−３において第１の圧力をもって加圧を開始し、次いでその両隣に位置するプランジャ１６２−２，１６２−４、２６２−２，２６２−４）において前記第１の圧力の例えば９０％の圧力をもって加圧を開始する。
【０１４２】
更にその後、両端に位置するプランジャ（１６２−１，１６２−５、２６２−１，２６２−５）において、前記第１の圧力の例えば７５％の圧力をもって加圧を開始する。
このような樹脂注入方法によっても、前記図２１に示される如く、第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａが第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の双方から注入されると、第１の樹脂１３１ａ及び第２の樹脂２３１ａは、キャビティ１５３内において、まずその中央部において衝突し、一体となりつつ中央部から側端部に向かい流動を開始する。
【０１４３】
そして当該樹脂は、横方向（第１のエアーベント１７０及び第２のエアーベント２７０側）に流れ、キャビティ１５３内は当該封止用樹脂１３０によって充填される。
なお、当該第３の実施の形態においても、第１のゲート１４０及び第２のゲート２４０の幅、配列間隔、配列間隔と高さ、幅と高さ、または幅、配列間隔及び高さを変えることを実施してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】本発明の第１の実施の形態における、封止装置の構成を示す透視的平面模式図である。
【図２】前記第１の実施の形態における、封止装置の構成を示す断面模式図である。
【図３】前記第１の実施の形態における、半導体素子の封止工程を示す透視的平面模式図である。
【図４】前記第１の実施の形態における、半導体素子の封止工程を示す断面模式図である。
【図５】前記第１の実施の形態において、封止装置内における半導体素子の封止形態を示す透視的平面模式図である。
【図６】前記第１の実施の形態において、封止装置内における半導体素子の封止形態を示す断面模式図である。
【図７】前記第１の実施の形態における、配線基板上の半導体素子の形態を示す平面模式図である。
【図８】前記第１の実施の形態における、配線基板上の半導体素子の要部平面拡大模式図である。
【図９】前記第１の実施の形態における、個片化された半導体装置の断面模式図である。
【図１０】前記第１の実施の形態における、個片化された半導体装置の拡大断面模式図である。
【図１１】前記第１の実施の形態の変形例１−１における、封止装置の構成を示す透視的平面模式図である。
【図１２】前記第１の実施の形態の変形例１−２における、封止装置の構成を示す透視的平面模式図である。
【図１３】前記第１の実施の形態の変形例１−２における、封止装置の構成を示す要部断面模式図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態における、配線基板の構成を示す平面模式図である。
【図１５】前記第２の実施の形態における、封止装置の構成を示す透視的平面模式図である。
【図１６】前記第２の実施の形態における、封止装置の構成を示す断面模式図である。
【図１７】前記第２の実施の形態の変形例２−１における、封止装置の構成を示す透視的平面模式図である。
【図１８】前記第２の実施の形態の変形例２−２における、封止装置の構成を示す透視的平面模式図である。
【図１９】本発明の第３の実施の形態における、封止装置の構成を示す透視的平面模式図である。
【図２０】前記第３の実施の形態における、封止装置の充填部の構成を示す断面模式図である。
【図２１】前記第３の実施の形態における、封止装置内における半導体素子の封止形態を示す透視的平面模式図である。
【符号の説明】
【０１４５】
１００  樹脂封止装置
１１０  半導体素子
１２０  配線基板
１４０  第１のゲート
１４１  第１のランナ部
１５０  成形金型
１５３  キャビティ
１６０  第１の充填部
１６１  第１のカル部
１６３  第１のポット
１７０  第１のエアーベント
２４０  第２のゲート
２４１  第２のランナ部
２６０  第２の充填部
２６１  第２のカル部
２６３  第２のポット
２７０  第２のエアーベント
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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