(57)【要約】【課題】質量体が裏面側ガラス基板および表面側ガラス基板に対し静電気力によって貼り付くのを防ぎ、過大な衝撃を受けたときにも質量体を損傷させるのを防ぐことが可能な容量式加速度センサと、裏面側ガラス基板および表面側ガラス基板の凹み部分に形成される貼り付き防止膜および衝撃緩衝膜として、安価で加工が行いやすいものを採用することが可能な容量式加速度センサの製造方法とを提供する。【解決手段】裏面側および表面側ガラス基板６，７の凹み部分６ａ，７ｂに形成される貼り付き防止膜および衝撃緩衝膜としてＡｌ（ＮｉまたはＴｉも可）よりなる層８Ａ，８Ｂを設ける。その製造時には、層８Ｂが基板１のエッチング時に損傷を受けないように層８Ｂ上にシリコン窒化膜等の保護カバーを形成し、後に保護カバーを除去する。また、質量体４１の角部分を面取りする。【選択図】図１２
2010032538.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定電極と、
角部分を有し、前記固定電極に空隙を介して対向する可動電極たる質量体と、
前記固定電極と前記質量体とを挟み、前記固定電極が接合され、前記質量体を浮遊状態に保ちつつ支持する第１および第２の絶縁性基板と
を備え、
前記質量体の前記角部分は面取りがなされている
容量式加速度センサ。
【請求項２】
一主面に選択的にエッチングを行った非絶縁性基板を第１の絶縁性基板の表面に接合する工程（ａ）と、
前記一主面に対向する前記非絶縁性基板の他の主面に選択的にエッチングを施して、前記非絶縁性基板から、固定電極と、角部分を有し、かつ、前記固定電極に空隙を介して対向し、かつ、前記第１の絶縁性基板に空隙を介して対向し、かつ、前記第１の絶縁性基板に浮遊状態で支持される可動電極たる質量体とを形成する工程（ｂ）と、
前記質量体にエッチングを施して前記角部分を面取りする工程（ｃ）と、
第２の絶縁性基板を、前記質量体が前記第２の絶縁性基板に空隙を介して対向するよう前記非絶縁性基板に接合する工程（ｄ）と
を備える容量式加速度センサの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の容量式加速度センサの製造方法であって、
前記非絶縁性基板はシリコン基板であり、
前記工程（ｃ）における前記エッチングはアルカリ系エッチング液を用いたウェットエッチングで行われる
容量式加速度センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、一対の固定電極と、それらの間に配設された、加速度によって変位する可動電極たる質量体とを備えた容量式加速度センサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１６は、従来の容量式加速度センサの構造の一例を示す上面図である。この容量式加速度センサは、固定電極２，３、可動電極たる質量体４および外枠部分５を備えている。固定電極２，３と質量体４との間には空隙Ｇが設けられ、両者が接しないように対向して配置されている。また、固定電極２，３および質量体４と外枠部分５との間にも空隙が設けられ、三者がともに接しないように配置されている。
【０００３】
質量体４は加速度を受けると変位する。よって、質量体４と固定電極２，３との間のそれぞれの空隙Ｇの距離に変化が生じる。この変化を静電容量の変化として検出することで、容量式加速度センサは加速度を電気信号に変換する。
【０００４】
また、この容量式加速度センサを裏面側および表面側から見た斜視図をそれぞれ図１７および図１８に示す。また、図１６ないし図１８中の切断線Ａ−Ａにおける断面図を図１９に示す。
【０００５】
固定電極２，３、質量体４および外枠部分５はいずれも、例えばシリコン基板等の一枚の基板１からフォトリソグラフィ技術やエッチング技術などを用いて形成される。そして、固定電極２，３、質量体４および外枠部分５は、それらの表面側および裏面側において、裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７により挟まれている。なお、図１７および図１８においては、容量式加速度センサの内部構造を明確に示すために、裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７をそれぞれ容量式加速度センサから分離して示している。
【０００６】
図１７〜図１９に示すように、質量体４は、一面にＨ字型の突起部４ｂを有する直方体の形状を有している。そして、直方体中の１組の対辺のそれぞれから梁状部分４ａが延び、梁状部分４ａは支持部４ｇにつながっている。
【０００７】
支持部４ｇは裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７に接合されており、これらと梁状部分４ａとによって、質量体４は変位可能な浮遊状態に保たれる。また、固定電極２，３および外枠部分５も裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７に接合されている。すなわち、固定電極２，３および質量体４は、外枠部分５、裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７により密封保護されている。
【０００８】
なお、裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７にはそれぞれ、裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７が空隙Ｘ，Ｙを介して質量体４に接触しないように、質量体４の表面４ｆ，４ｃに対向した部分に凹み部分６ａ，７ｂが設けられている。そして、この凹み部分６ａ，７ｂには、それぞれアルミニウム層８Ａおよび金とクロムとを積層した金／クロム層８Ｃが設けられている。
【０００９】
これらの膜はいずれも、基板１と裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７とを陽極接合法等により接合する際や製品化後の使用時などに、静電気力によって質量体４が凹み部分６ａ，７ｂにおいて裏面側ガラス基板６または表面側ガラス基板７に貼り付いてしまうことを防止する導電性膜である。そして同時に、製品化後に落下等の過大な衝撃を受けたときに質量体４が裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７と衝突するのを防ぐ衝撃緩衝膜としても機能する。
【００１０】
なお、表面側ガラス基板７には、固定電極２，３のそれぞれに接続するためのコンタクトホール７ａ，７ｃ、および質量体４の支持部４ｇに接続するためのコンタクトホール７ｄが設けられている。また、固定電極２，３および支持部４ｇのコンタクトホールに露出する部分にはそれぞれ、外部への接触端子となる端子部２ａ，３ａ，４ｈが設けられている。そして、このコンタクトホール７ａ，７ｃ，７ｄからそれぞれの電極の電位が検出され、各電極間での静電容量の変化が検出される。
【００１１】
また、表面側ガラス基板７と固定電極２，３、質量体４および外枠部分５との間には、製造時に形成されたシリコン酸化膜等のマスク１０Ｃが残置している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２０００−１８７０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記構造の容量式加速度センサを製造する際には、まず、固定電極２，３、質量体４および外枠部分５を途中まで形成しておいた基板１に、コンタクトホール７ａ，７ｃ，７ｄ、凹み部分７ｂおよび金／クロム層８Ｃを形成済みの表面側ガラス基板７を陽極接合法等により接合する。そして、表面側ガラス基板７が接合された基板１にエッチングを行って固定電極２，３、質量体４および外枠部分５をそれぞれ形成し、その後、凹み部分６ａおよびアルミニウム層８Ａを形成済みの裏面側ガラス基板６が陽極接合法等により基板１に接合される。
【００１４】
さて、凹み部分７ｂに形成する金／クロム層８Ｃは、高価でしかも加工性が悪かった。よって、静電気力による貼り付き防止膜および衝撃緩衝膜として他の材料を用いることが望まれる。
【００１５】
例えば裏面側ガラス基板６の凹み部分６ａに設けられるアルミニウム層８Ａと同様、表面側ガラス基板７にも金／クロム層８Ｃに代わってアルミニウム層を形成することが考えられる。アルミニウム層であれば、金／クロム層に比べ安価であり加工が行いやすいからである。
【００１６】
なお、このように容量式加速度センサの凹み部分６ａ，７ｂのいずれにもアルミニウム層を形成するという考え方は、例えば特許文献１の〔００６０〕段落に開示されている。
【００１７】
ところが、アルミニウム層を凹み部分７ｂに形成して表面側ガラス基板７を基板１に接合し、基板１にエッチングを行うと、固定電極２，３、質量体４および外枠部分５の形成時にアルミニウム層がエッチング液にさらされてしまい、その影響を受けてアルミニウム層が損傷してしまう、という問題がある。特に、基板１にシリコン基板を採用してウェットエッチングにより固定電極や質量体を形成する場合、そのエッチング液には水酸化カリウム水溶液などのアルカリ系エッチング液が用いられるが、アルミニウムはこれらのアルカリ系エッチング液に対し損傷しやすい。アルミニウム層が充分に形成されないと、静電気力による貼り付きの防止や衝撃の緩衝が充分に行えない。
【００１８】
このことから、従来の容量式加速度センサにおいては、凹み部分７ｂに形成する貼り付き防止膜および衝撃緩衝膜としては、基板１に対するエッチング液に耐性を有するが高価で加工性に劣る金／クロム層８Ｃを用いざるを得なかった。
【００１９】
そこで、この発明の課題は、質量体が裏面側ガラス基板および表面側ガラス基板に対し静電気力によって貼り付くのを防ぎ、過大な衝撃を受けたときにも質量体を損傷させるのを防ぐことが可能な容量式加速度センサと、裏面側ガラス基板および表面側ガラス基板の凹み部分に形成される貼り付き防止膜および衝撃緩衝膜として、安価で加工が行いやすいものを採用することが可能な容量式加速度センサの製造方法とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
請求項１に記載の発明は、固定電極と、角部分を有し、前記固定電極に空隙を介して対向する可動電極たる質量体と、前記固定電極と前記質量体とを挟み、前記固定電極が接合され、前記質量体を浮遊状態に保ちつつ支持する第１および第２の絶縁性基板とを備え、前記質量体の前記角部分は面取りがなされている容量式加速度センサである。
【００２１】
請求項２に記載の発明は、一主面に選択的にエッチングを行った非絶縁性基板を第１の絶縁性基板の表面に接合する工程（ａ）と、前記一主面に対向する前記非絶縁性基板の他の主面に選択的にエッチングを施して、前記非絶縁性基板から、固定電極と、角部分を有し、かつ、前記固定電極に空隙を介して対向し、かつ、前記第１の絶縁性基板に空隙を介して対向し、かつ、前記第１の絶縁性基板に浮遊状態で支持される可動電極たる質量体とを形成する工程（ｂ）と、前記質量体にエッチングを施して前記角部分を面取りする工程（ｃ）と、第２の絶縁性基板を、前記質量体が前記第２の絶縁性基板に空隙を介して対向するよう前記非絶縁性基板に接合する工程（ｄ）とを備える容量式加速度センサの製造方法である。
【００２２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の容量式加速度センサの製造方法であって、前記非絶縁性基板はシリコン基板であり、前記工程（ｃ）における前記エッチングはアルカリ系エッチング液を用いたウェットエッチングで行われる容量式加速度センサの製造方法である。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１に記載の発明によれば、質量体の角部分は面取りがなされているので、衝撃が加わることにより質量体が変位して第１または第２の絶縁性基板や固定電極に衝突したとしても、質量体が損傷しにくい。
【００２４】
請求項２に記載の発明によれば、工程（ｃ）において質量体にエッチングを施して角部分を面取りするので、請求項５に記載の容量式加速度センサを製造することができる。
【００２５】
請求項３に記載の発明によれば、非絶縁性基板はシリコン基板であり、工程（ｃ）におけるエッチングはアルカリ系エッチング液を用いたウェットエッチングで行われるので、質量体の角部分の面取りが容易に行える。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施の形態１に係る容量式加速度センサを示す断面図である。
【図２】実施の形態２に係る容量式加速度センサの製造方法の一工程を示す図である。
【図３】実施の形態２に係る容量式加速度センサの製造方法の一工程を示す図である。
【図４】実施の形態２に係る容量式加速度センサの製造方法の一工程を示す図である。
【図５】実施の形態２に係る容量式加速度センサの製造方法の一工程を示す図である。
【図６】実施の形態２に係る容量式加速度センサの製造方法の一工程を示す図である。
【図７】実施の形態２に係る容量式加速度センサの製造方法の一工程を示す図である。
【図８】実施の形態２に係る容量式加速度センサの製造方法の一工程を示す図である。
【図９】実施の形態２に係る容量式加速度センサの製造方法の一工程を示す図である。
【図１０】実施の形態２に係る容量式加速度センサの製造方の一工程法を示す図である。
【図１１】実施の形態２に係る容量式加速度センサの製造方法の一工程を示す図である。
【図１２】実施の形態３に係る容量式加速度センサを示す断面図である。
【図１３】実施の形態４に係る容量式加速度センサの製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１４】実施の形態４に係る容量式加速度センサの製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１５】実施の形態４に係る容量式加速度センサの製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１６】従来の容量式加速度センサを示す上面図である。
【図１７】従来の容量式加速度センサを示す斜視図である。
【図１８】従来の容量式加速度センサを示す斜視図である。
【図１９】従来の容量式加速度センサを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
＜実施の形態１＞
本実施の形態は、後述する実施の形態２に係る製造方法により製造される容量式加速度センサであって、裏面側ガラス基板および表面側ガラス基板のいずれの凹み部分にも、貼り付き防止膜および衝撃緩衝膜としてアルミニウム層が設けられた容量式加速度センサである。
【００２８】
図１は本実施の形態に係る容量式加速度センサの構造を示す断面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る容量式加速度センサの構造は、金／クロム層８Ｃがアルミニウム層８Ｂに置き換わっていること以外は図１６〜図１９に示した従来の容量式加速度センサと同じ構造である。
【００２９】
すなわち、本実施の形態に係る容量式加速度センサは、固定電極２，３、可動電極たる質量体４および外枠部分５を備えている。なお、固定電極２，３、質量体４および外枠部分５の厚さはいずれも例えば約１４０μｍである。固定電極２，３と質量体４との間には空隙Ｇが設けられ、両者が接しないように質量体４の側面４ｄ，４ｅにおいて固定電極２，３がそれぞれ対向して配置されている。なお、図１における紙面に垂直な方向の側面４ｄ，４ｅの長さは例えば約３０００μｍである。また、空隙Ｇにおける固定電極２，３と質量体４との間の距離は例えば約５μｍである。また、固定電極２，３および質量体４と外枠部分５との間にも空隙が設けられ、三者がともに接しないように配置されている。
【００３０】
固定電極２，３、質量体４および外枠部分５はいずれも、例えばシリコン基板等の一枚の基板１からフォトリソグラフィ技術やエッチング技術などを用いて形成される。そして、固定電極２，３、質量体４および外枠部分５は、それらの表面側および裏面側において、裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７により挟まれている。裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７は固定電極２，３および質量体４の保護カバーとして機能し、その熱膨張係数が基板１の熱膨張係数に近く設定された珪酸系の耐熱性のガラス基板である。なお、その厚さはいずれも例えば約４００μｍである。
【００３１】
また、質量体４は、一面にＨ字型の突起部４ｂを有する直方体の形状を有しており、直方体中の１組の対辺のそれぞれから梁状部分（図１６における符号４ａに相当）が延び、梁状部分は支持部（図１６における符号４ｇに相当）につながっている。なお、質量体４のうち突起部４ｂの存在しない部分の厚さは例えば約５０μｍである。
【００３２】
ここで、質量体４に突起部４ｂを設けているのは、加速度に対する感度を上げるために質量体４の軽量化を図りつつ、かつ、表面側ガラス基板７と質量体４との間の距離に比べ、裏面側ガラス基板６と質量体４との間の距離を大きくしすぎないようにして、裏面側ガラス基板６側への質量体４の変位を規制するためである。
【００３３】
例えば容量式加速度センサが落下等して大きな衝撃を受けた場合、突起部４ｂが設けられていないと、質量体４が裏面側ガラス基板６の方に大きく変位して梁状部分が損壊する可能性がある。しかし、変位を規制する突起部４ｂが存在すれば、質量体４の裏面側ガラス基板６に対するストッパとして機能するので、梁状部分が損壊する可能性を低くすることができる。
【００３４】
そして、質量体４の支持部は裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７に接合されており、これらと梁状部分とによって、質量体４は変位可能な浮遊状態に保たれる。また、固定電極２，３および外枠部分５も裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７に接合されている。すなわち、固定電極２，３および質量体４は、外枠部分５、裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７により密封保護されている。
【００３５】
なお、裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７にはそれぞれ、裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７が空隙Ｘ，Ｙを介して質量体４に接触しないように、質量体４に対向した部分に例えば深さ約１５μｍの凹み部分６ａ，７ｂが設けられている。そして、この凹み部分６ａ，７ｂにはそれぞれ、貼り付き防止膜および衝撃緩衝膜として機能するアルミニウム層８Ａ，８Ｂが設けられている。なお、アルミニウム層８Ａ，８Ｂの厚さは例えば約５μｍである。また、空隙Ｘ，Ｙにおける質量体４とアルミニウム層８Ａ，８Ｂとの間の距離は例えば約１０μｍである。
【００３６】
なお、表面側ガラス基板７には、固定電極２，３のそれぞれに接続するためのコンタクトホール７ａ，７ｃ、および質量体４の支持部に接続するためのコンタクトホール（図１８における符号７ｄに相当）が設けられている。また、固定電極２，３および質量体４の支持部のコンタクトホールに露出する部分にはそれぞれ、外部への接触端子となる端子部２ａ，３ａおよび図１６における符号４ｈに相当するものが設けられている。
【００３７】
これらのコンタクトホールからそれぞれの電極の電位が検出される。そして、各電極間での静電容量の変化が検出される。なお、固定電極は１つであっても同様の動作をさせることができる。その場合は、コンタクトホール７ａまたは７ｃの一方と質量体４の支持部に接続されるコンタクトホールとを、表面側ガラス基板７に設ければよい。
【００３８】
また、表面側ガラス基板７と固定電極２，３、質量体４および外枠部分５との間には、製造時に形成されたシリコン酸化膜等のマスク１０Ｃが残置している。
【００３９】
なお、金／クロム層に比べ安価で加工が行いやすく、アルカリ系エッチング液に対し損傷しやすい材料としては、アルミニウムの他にもニッケルやチタンが挙げられる。よってここでは、凹み部分６ａ，７ｂに形成される貼り付き防止膜および衝撃緩衝膜としてアルミニウム層８Ａ，８Ｂを挙げたが、その代わりに凹み部分６ａ，７ｂにニッケル層やチタン層を形成するようにしてもよい。
【００４０】
その場合も、アルミニウム層８Ａ，８Ｂの場合と同様、質量体４が裏面側ガラス基板６および表面側ガラス基板７に対し静電気力によって貼り付くのを防ぎ、過大な衝撃を受けたときにも質量体４を損傷させるのを防ぐことが可能な容量式加速度センサを得ることができる。
【００４１】
＜実施の形態２＞
本実施の形態は、実施の形態１に係る容量式加速度センサを製造する製造方法である。
【００４２】
図２〜図１１は、本実施の形態に係る容量式加速度センサの製造方法を示す断面図である。
【００４３】
まず、図２に示すようにアルミニウム層８Ａの形成された裏面側ガラス基板６を準備する。裏面側ガラス基板６の形成にあたっては一例として、例えば厚さ約４００μｍのガラス基板を用意し、その一主面に選択的にサンドブラストを行って凹み部分６ａを形成する。そして、アルミニウム膜を全面に蒸着し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて凹み部分６ａ内にのみアルミニウム膜を残してアルミニウム層８Ａを形成する。
【００４４】
次に、アルミニウム層８Ｂの形成された表面側ガラス基板７を準備する。表面側ガラス基板７の形成にあたっては一例として、まず、図３に示すように、例えば厚さ約４００μｍのガラス基板を用意し、その一主面にレジスト膜等のマスク１０Ａを設け、これをパターニングしてサンドブラストを行い、凹み部分７ｂを形成する。そして、マスク１０Ａを除去してアルミニウム膜を全面に蒸着し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図４に示すように凹み部分７ｂ内にのみアルミニウム膜を残してアルミニウム層８Ｂを形成する。
【００４５】
そして、後の基板１のエッチング工程においてアルミニウム層８Ｂの保護膜となる例えばシリコン窒化膜１１を、アルミニウム層８Ｂを覆うように表面側ガラス基板７の主面の全面に形成する。そして、図５に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて凹み部分７ｂ内にのみシリコン窒化膜１１を残す。具体的には例えば、凹み部分７ｂの上部にのみレジストを形成して、レジストで覆われていない部分のシリコン窒化膜をドライエッチングにより除去すればよい。
【００４６】
次に、図６に示すように、表面側ガラス基板７の凹み部分７ｂの形成された表面とは反対側の主面に、レジスト等のマスク１０Ｂを形成し、固定電極２，３および質量体４の支持部へのコンタクトホール形成用のパターニングを行う。なおこのとき、外枠部分５に接地電位を与えるためのコンタクトホールをさらに設けるようにしてもよい。そして、マスク１０Ｂの側からサンドブラストを行い、図７に示すように７ａ，７ｃ等のコンタクトホールを形成して表面側ガラス基板７の形成を終了する。なお、ここでサンドブラストを用いた理由は、ウェットエッチングを採用した場合、サイドエッチ量が大きくコンタクトホールの開口幅が広がってしまい容量式加速度センサの小型化が阻止されてしまうからであり、ドライエッチングを採用した場合、そのエッチングレートがサンドブラストに比して小さく製造に多大な時間を要するからである。
【００４７】
続いて、片面が鏡面研磨された厚さ約２５０μｍのシリコンウェハ等を基板１の材料として用意し、基板１の鏡面研磨された面に例えばシリコン酸化膜からなるマスク１０Ｃを形成し、これに異方性エッチングによるパターニングを行う。そして、マスク１０Ｃを用いてエッチングを行うことにより、溝幅の狭い細溝１ａおよび細溝１ａに比して溝幅の広い溝１ｂを基板１に選択的に形成する。
【００４８】
なお、基板１Ａの材料としてシリコンウェハを用いる場合、その主表面の結晶方位が＜１１０＞のウェハ（すなわち（１１０）ウェハ）を用いると良い。そして、細溝１ａおよび溝１ｂの形成に当たっては、例えば濃度約２０重量％の水酸化カリウム水溶液のようなアルカリ系エッチング液を用いたウェットエッチングを行えばよい。なお、アルカリ系エッチング液としては、水酸化カリウム水溶液の他に水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液等を採用してもよい。
【００４９】
（１１０）ウェハの場合、結晶面（１１０）に対して垂直となる結晶面｛１１１｝に沿って異方性エッチングが行われやすく、細溝１ａおよび溝１ｂを、その深さｄに比べて溝幅ｗが極めて小さくなるようにすることができる。例えば、ｗ／ｄ＜０．０５となるようなハイアスペクト比を得ることも可能である。
【００５０】
また、結晶面｛１１１｝に沿って異方性エッチングが行われやすいので、開口幅の違いによってそのエッチング深さを変えることができる。よって、マスク１０Ｃの開口幅を適宜設定して、細溝１ａを浅く、溝１ｂを深く形成することができる。なお、ここでは細溝１ａの深さが例えば約５０μｍとなるようにしておけばよい。
【００５１】
なお、基板１の素材として厚さ約２５０μｍのシリコンウェハを例示した理由はハンドリングの容易さからである。
【００５２】
そして、図９に示すように表面側ガラス基板７の凹み部分７ａが形成された面と、基板１の細溝１ａおよび溝１ｂの形成された面とを密着させて、これらを陽極接合法により接合する。
【００５３】
なお、マスク１０Ｃとしてシリコン酸化膜を採用した場合、その厚さが１μｍ程度であれば、これを挟んだ状態であっても表面側ガラス基板７と基板１とを陽極接合法により接合することは可能であるので、マスク１０Ｃを残置させたまま接合を行っても良い。
【００５４】
そして、接合が行われた基板１の接合面とは反対側の面からラップオフ（研削）を行い、その厚さを例えば約１４０μｍ程度になるように仕上げる。
【００５５】
次に、図１０に示すように、ラップオフを行った面に、比較的低温で被着可能な例えばシリコン窒化膜をマスク１０Ｄとして形成する。そして、マスク１０Ｄにパターニングを行い、これを用いてエッチングを行うことにより、固定電極２，３、質量体４および外枠部分５を形成する。
【００５６】
すなわち、溝１ｂが固定電極２，３と外枠部分５とを完全に分断して空隙Ｚを形成し、かつ、細溝１ａがエッチングパターンである凹み部分１ｃと連通して質量体４および突起部４ｂを形成するようにエッチングを行う。なお、このエッチングにおいては、例えば濃度約３２重量％の水酸化カリウム水溶液のようなアルカリ系エッチング液を用いたウェットエッチングを行えばよい。
【００５７】
シリコン窒化膜１１はアルカリ系エッチング液に対して耐性を有するので、このエッチングの際にアルミニウム層８Ｂが損傷しない。チタン、ニッケルなどアルカリ系エッチング液に対して耐性を有しない材料であっても同様である。よって、金／クロム膜に比べ安価で加工が行いやすいがエッチングに耐性を有しない材料であっても、衝撃緩衝膜として採用することができる。なお、シリコン窒化膜を衝撃緩衝膜の保護膜として採用すれば、安価に形成でき、かつ、その除去が行いやすい。
【００５８】
なお、図９に示した工程においてラップオフして基板１を薄型化した理由は、厚さ約５０μｍの質量体４を形成するに際し、凹み部分１ｃのエッチング深さをできるだけ浅くするためである。
【００５９】
次に、マスク１０Ｃのうち接合面ではない部分と、マスク１０Ｄと、シリコン窒化膜１１とを、例えばフッ酸を用いたウェットエッチングにより除去する。そして、陽極接合法や共晶現象を利用した接合法により、図１１に示すように裏面側ガラス基板６のアルミニウム層８Ａが形成された面を基板１に接合する。
【００６０】
そして、７ａ，７ｃ等のコンタクトホール内に例えば厚さ約３μｍのアルミニウム薄膜２ａ，３ａを被着させ、図１に示した容量式加速度センサが完成する。
【００６１】
＜実施の形態３＞
本実施の形態は、実施の形態１に係る容量式加速度センサの変形例である。本実施の形態においては、質量体の角部分に面取りがなされている。
【００６２】
図１２は、本実施の形態に係る容量式加速度センサを示す断面図である。なお、図１２においては、実施の形態１にかかる容量式加速度センサと同様の機能を有する要素については同一符号を付している。
【００６３】
図１２に示すように、本実施の形態にかかる容量式加速度センサにおいては、図１における質量体４に代わって、角部分が面取りされた面取り部４１ａ〜４１ｄを備える質量体４１が設けられ、図１における固定電極２，３に代わって、面取り部２１ａ，２１ｂを備える固定電極２１および面取り部３１ａ，３１ｂを備える固定電極３１が設けられている。
【００６４】
このように質量体の角部分が面取りされておれば、衝撃が加わることにより質量体４１が変位して、裏面側ガラス基板６、表面側ガラス基板７または固定電極２１，３１のいずれかに衝突したとしても、質量体４１が損傷しにくい。
【００６５】
なお、固定電極２１，３１の面取り部２１ａ，２１ｂ，３１ａ，３１ｂについては、質量体４１に面取り部４１ａ〜４１ｄを形成するに伴って形成されるのであって、必ずしもその形成が必要というわけではない。
【００６６】
＜実施の形態４＞
本実施の形態は、実施の形態３に係る容量式加速度センサの製造方法である。実施の形態２が実施の形態１に係る容量式加速度センサの製造方法であったことから、本実施の形態は実施の形態２の変形例でもある。よって、本実施の形態においては、実施の形態２と異なる点についてのみ説明を行う。
【００６７】
図１３〜図１５は、本実施の形態において追加される工程を示す図である。まず、実施の形態２の場合と同様、図２〜図１０に示した工程を行って、基板１から固定電極２，３、質量体４および外枠部分５を形成する。
【００６８】
次に、図１３に示すように、例えば濃度調節したフッ酸を用いたウェットエッチングにより、マスク１０Ｄおよびシリコン窒化膜１１を残置させつつ質量体４の表面およびコンタクトホール７ａ，７ｃに露出した部分のマスク１０Ｃ（シリコン酸化膜）を除去する。
【００６９】
続いて、図１４に示すように、質量体４にさらなるエッチングを施して、その角部分を面取りし、質量体４１とする。なお、このエッチングにおいても、例えば濃度約３２重量％の水酸化カリウム水溶液のようなアルカリ系エッチング液を用いたウェットエッチングを適当な時間の間だけ行えばよい。基板１にシリコン基板を用いる場合、アルカリ系エッチング液を用いたウェットエッチングを行えば、質量体４１の角部分の面取りが容易に行える。
【００７０】
なおこのとき、固定電極２，３の角部分にもエッチングが施され、面取り部２１ａ，２１ｂを備える固定電極２１、および、面取り部３１ａ３１ｂを備える固定電極３１が形成される。
【００７１】
このエッチングに際しては、基板１のうちマスク１０Ｃ，１０Ｄに覆われた部分はエッチングされにくいが、それ以外の部分はさらにエッチングが行われ、特に角部分がエッチングされやすい。よって、角部分を面取りすることができる。また、このエッチングによって、例えば実施の形態１の質量体４の場合に比べて、質量体４１の厚さｔ（図１２の拡大図中に表示）は若干薄くなるが、センサとして使用するにあたっては問題のない程度に抑えることができる。
【００７２】
最後に、図１５に示すように、例えばフッ酸を用いたウェットエッチングにより、マスク１０Ｄおよびシリコン窒化膜１１を除去する。
【００７３】
そして、上記の追加工程の後に裏面側ガラス基板６を接合し、７ａ，７ｃ等のコンタクトホール内にアルミニウム薄膜２ａ，３ａを被着させれば、図１２に示した容量式加速度センサが完成する。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明は、容量式加速度センサ及びその製造方法に利用可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１  基板、２，２１，３，３１  固定電極、４，４１  質量体、５  外枠部分、６  裏面側ガラス基板、７  表面側ガラス基板、８Ａ，８Ｂ  アルミニウム層、１１  シリコン窒化膜、４１ａ〜４１ｄ  面取り部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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