(57)【要約】【課題】専用の治具を用いることなく端子台を二つの板状の導体に容易に位置決めできるようにして、生産効率の向上を図ることのできる半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタＵＨ，ＵＬと帰還ダイオードＤＵＨ，ＤＵＬの上面に接合される導体２１，２２の接続片２１ａ，２２ａにそれぞれ湾曲膨出部３８を設ける。端子台６９を湾曲膨出部３８に当接させて位置決めし、その状態で端子台６９を接続片２１ａ，２２ａの上面に固定する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極側パワー半導体素子と負極側パワー半導体素子がヒートシンク上に並列に配置され、
前記正極側パワー半導体素子のコレクタ電極部が第１の導体を介して直流電源の正極に電気的に接続される一方で、
前記負極側パワー半導体素子のエミッタ電極部が第２の導体を介して前記直流電源の負極に電気的に接続され、
前記正極側パワー半導体素子のエミッタ電極部と前記負極側パワー半導体素子のコレクタ電極部が第３の導体を介して交流機器に電気的に接続され、
前記正極側パワー半導体素子と負極側パワー半導体素子の各ゲート電極部に信号線がワイヤーボンディングによって接続されている半導体装置であって、
前記第１の導体と第２の導体のいずれか一方と前記第３の導体にそれぞれ平板状の接続片が設けられ、
これらの二つの接続片が、前記正極側パワー半導体素子と負極側パワー半導体素子の各上面に重合固定され、
前記二つの接続片に位置決め部が設けられ、
前記信号線を支持する端子台が前記位置決め部で位置決めされた状態で前記二つの接続片の上に固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記位置決め部は、前記接続片に設けられた湾曲膨出部であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ヒートシンクの上面に当該ヒートシンクと線膨張係数の異なる絶縁層が一体に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記位置決め部は、前記接続片に設けられた切欠き溝であり、この切欠き溝に前記端子台に設けられた係止突起が係合することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ヒートシンク上に複数の半導体素子が実装されて成る半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
直流電力と交流電力を変換する電力変換装置として、ヒートシンクの上面に複数の半導体素子が実装された半導体装置を用いたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の半導体装置は、ヒートシンクの上面に絶縁層が設けられ、その絶縁層の上に直流電源の正極に接続される第１の導電層と、信号線に接続される第２の導電層が設けられている。そして、第１の導電層の上方には直流電源の負極に接続される平板状の導体の接続片が平行に配置され、第１の導電層と接続片の間に、パワー半導体素子（例えば、ＩＧＢＴ：Insulated Gate Bipolar Transistor）がはんだ固定されている。パワー半導体素子は、コレクタ電極部が第１の導電層に接続され、エミッタ電極部が接続片に接続されている。また、絶縁層の上に設置された第２の導電層はワイヤーボンディング等によってパワー半導体素子のゲート電極部に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２３６１０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、この従来の半導体装置においては、ヒートシンク上に電極用の第１の導電層と信号線接続用の第２の導電層が並列に配置されているため、ヒートシンクの上面側の占有面積が広くなり、半導体装置が大型化することが懸念される。
また、近年、一つのヒートシンク上に正極側パワー半導体素子と負極側パワー半導体素子を実装することがあり、特に、この場合には半導体装置の大型化の問題が顕著となり易い。
【０００５】
このため、現在、共通のヒートシンク上に正極側パワー半導体素子と負極側パワー半導体素子を並列に配置し、各パワー半導体素子の上面にそれぞれ板状の導体を重合固定するとともに、信号線を支持する端子台を二つの板状の導体の上面に固定し、この端子台の端子部を各パワー半導体素子のゲート電極部にワイヤーボンディングによって接続することを検討している。
ところが、この場合、端子台を二つの板状の導体の上面に固定するに際して、専用の治具によって端子台を板状の導体に位置決めしなければならないため、端子台の固定作業が煩雑になり、生産効率が悪いことが問題となる。
【０００６】
そこで、この発明は、専用の治具を用いることなく端子台を二つの板状の導体に容易に位置決めできるようにして、生産効率の向上を図ることのできる半導体装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決する請求項１に記載の発明は、正極側パワー半導体素子（例えば、後述の実施形態におけるハイ側のトランジスタＵＨ）と負極側パワー半導体素子（例えば、後述の実施形態におけるロー側のトランジスタＵＬ）がヒートシンク（例えば、後述の実施形態におけるヒートシンク３１）上に並列に配置され、前記正極側パワー半導体素子のコレクタ電極部が第１の導体（例えば、後述の実施形態におけるＰバスバー２０）を介して直流電源（例えば、後述の実施形態におけるバッテリ３）の正極に電気的に接続される一方で、前記負極側パワー半導体素子のエミッタ電極部が第２の導体（例えば、後述の実施形態におけるＮバスバー２１）を介して前記直流電源の負極に電気的に接続され、前記正極側パワー半導体素子のエミッタ電極部と前記負極側パワー半導体素子のコレクタ電極部が第３の導体（例えば、後述の実施形態におけるＯｕｔバスＴｒＵ２２）を介して交流機器（例えば、後述の実施形態におけるモータ４）に電気的に接続され、前記正極側パワー半導体素子と負極側パワー半導体素子の各ゲート電極部に信号線がワイヤーボンディングによって接続されている半導体装置であって、前記第１の導体と第２の導体のいずれか一方と前記第３の導体にそれぞれ平板状の接続片（例えば、後述の実施形態における接続片２１ａ，２２ａ）が設けられ、これらの二つの接続片が、前記正極側パワー半導体素子と負極側パワー半導体素子の各上面に重合固定され、前記二つの接続片に位置決め部（例えば、後述の実施形態における湾曲膨出部３８）が設けられ、前記信号線を支持する端子台（例えば、後述の実施形態における端子台６９）が前記位置決め部で位置決めされた状態で前記二つの接続片の上に固定されていることを特徴とする。
これにより、端子台を二つの導体の接続片に固定する場合には、二つの接続片の位置決め部によって端子台を位置決めし、その状態で端子台を各接続片に固定することが可能になる。また、端子台は、二つの接続片の上に固定されるため、ヒートシンクの上面を大きく占有することがない。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体装置において、前記位置決め部は、前記接続片に設けられた湾曲膨出部（例えば、後述の実施形態における湾曲膨出部３８）であることを特徴とする。
これにより、端子台を接続片の湾曲膨出部に当接させることによって端子台を位置決めすることが可能になる。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の半導体装置において、前記ヒートシンクの上面に当該ヒートシンクと線膨張係数の異なる絶縁層（例えば、後述の実施形態における絶縁層４４）が一体に設けられていることを特徴とする。
これにより、接続片上の湾曲膨出部を端子台の位置決め用だけでなく、ヒートシンクと絶縁層が線膨張係数の差によって撓み変形するときに、接続片をヒートシンクの撓み変形に追従させるための変形許容部としても利用することが可能になる。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の半導体装置において、前記位置決め部は、前記接続片に設けられた切欠き溝（例えば、後述の実施形態における切欠き溝７５）であり、この切欠き溝に前記端子台に設けられた係止突起（例えば、後述の実施形態における係止突起７６）が係合することを特徴とする。
これにより、端子台の係止突起を接続片の切欠き溝に係合させることによって端子台を位置決めすることが可能になる。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に記載の発明によれば、専用の治具を用いることなく、二つの接続片の位置決め部によって端子台を位置決めし、その状態で端子台を各接続片に固定することができるため、位置決めの容易化によって生産効率の向上を図ることができる。
さらに、この発明によれば、端子台が二つの接続片の上に位置決め状態で固定され、ヒートシンクの上面を大きく専用することがないため、不具合無く半導体装置全体の小型化を図ることができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明によれば、接続片に湾曲膨出部を設け、その湾曲膨出部を位置決め部としたため、加工の容易な簡単な構成によって端子台を確実に位置決めすることができる。
【００１３】
請求項３に記載の発明によれば、湾曲膨出部を端子台の位置決め用だけでなく、ヒートシンクと絶縁層が線膨張係数の差によって撓み変形するときに、接続片をヒートシンクの撓み変形に追従させるための変形許容部としても利用できるため、製造コストの高騰を招くことなく応力による半導体素子の劣化をも未然に防止することができる。
【００１４】
請求項４に記載の発明によれば、接続片に切欠き溝を設け、端子台の係止突起をその切欠き溝に係合させることによって端子台を接続片に位置決めするため、簡単な構成でありながら端子台を接続片に正確に位置決めすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】この発明の一の実施形態のパワーコントロールユニットの回路図である。
【図２】この発明の一実施形態の半導体装置の端子台を取り付ける前の斜視図である。
【図３】この発明の一実施形態の半導体装置の斜視図である。
【図４】この発明の一実施形態の半導体装置の側面図である。
【図５】この発明の一実施形態の半導体装置の図４のＢ部を拡大した側面図である。
【図６】この発明の一実施形態の半導体ユニットの背面図である。
【図７】この発明の一実施形態のパワーモジュールの図６のＡ−Ａ断面に対応する拡大断面図である。
【図８】この発明の他の実施形態の半導体装置の模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
次に、この発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１はハイブリッド車両用のパワーコントロールユニット（ＰＣＵ）１を含む回路の概略構成を示している。このハイブリッド車両はエンジン（図示せず）と、エンジンの機械的出力により駆動される発電機（ＧＥＮ）２と、発電機２の発電出力により充電される高圧系の直流電源であるバッテリ（ＢＡＴ）３と、バッテリ３の放電出力と発電機２の発電出力の少なくとも一方を用いて駆動輪（図示せず）を駆動する三相交流式のモータ（ＭＯＴ）４と、を備えている。
【００１７】
パワーコントロールユニット１は、昇圧回路や降圧回路として機能するコンバータ（ＤＣ／ＤＣＣＯＮＶ）７と、直流電力を三相交流電力に変換してモータ４を駆動するとともに、モータ４で発電された三相交流電力を直流電力に変換する第１インバータ（Ｔｒ／Ｍ  ＰＤＵ）５と、発電機２で発電された三相交流電力を直流電力に変換する第２インバータ（ＧＥＮ  ＰＤＵ）６と、を備えている。
モータ４の駆動時には、コンバータ７で昇圧されたバッテリ３の直流電力、若しくは、第２インバータ２で直流に変換された発電機２の発電電力が第１インバータ５によって任意の出力の三相交流電力に変換され、その電力がモータ４に供給される。また、バッテリ３への充電時には、第１インバータ５で直流電力に変換されたモータ４の回生電力、若しくは、第２インバータ６で直流電力に変換された発電機２の発電電力がコンバータ７によって設定電圧の直流電力に降圧され、その電力がバッテリ３に供給される。
コンバータ７、第１インバータ５及び第２インバータ６は、制御基板（ＥＣＵ）８からの制御指令によりゲートドライブ基板（ＧＤＣＢ）９を介して駆動制御される。
【００１８】
第１インバータ５は、複数のパワー半導体素子（例えば、ＩＧＢＴ：Insulated Gate Bipolar Transistor）を具備するブリッジ回路５ａと平滑コンデンサ５ｂが設けられたパルス幅変調（ＰＷＭ）によるＰＷＭインバータによって構成されている。この第１インバータ５にはモータ４とコンバータ７が接続されている。
【００１９】
第２インバータ６は、第１インバータ５と同様に、複数のパワー半導体素子を具備するブリッジ回路６ａと平滑コンデンサ６ｂが設けられたパルス幅変調（ＰＷＭ）によるＰＷＭインバータ等によって構成されている。また、この第２インバータ６には発電機２とコンバータ７が接続されている。
【００２０】
第１インバータ５と第２インバータ６の各ブリッジ回路５ａ，６ａには、Ｕ相，Ｖ相，Ｗ相の各相に対応するハイ側（正極側）のトランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨとロー側（負極側）のトランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬが設けられている。各相のハイ側のトランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨはコンバータ７の正極側端子Ｐｔに接続され、ロー側のトランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬはコンバータ７の負極側端子Ｎｔに接続されている。各相毎の対をなすトランジスタＵＨとＵＬ，ＶＨとＶＬ，ＷＨとＷＬはそれぞれ直列に接続され、各相のトランジスタの対はコンバータ７に対して並列に接続されている。また、各トランジスタＵＨ，ＵＬ，ＶＨ，ＶＬ，ＷＨ，ＷＬのコレクタ電極部−エミッタ電極部間には、エミッタ電極部からコレクタ電極部に向けて順方向となるようにして、帰還ダイオードＤＵＨ，ＤＵＬ，ＤＶＨ，ＤＶＬ，ＤＷＨ，ＤＷＬが各々接続されている。
【００２１】
図２，図３は、半導体装置７０のブロックを示している。
この半導体装置７０は、第１インバータ５のＵ相のハイ側のトランジスタＵＨとロー側のトランジスタＵＬを、対応する帰還ダイオードＤＵＨ，ＤＵＬとともにヒートシンク３１上に一体化したものである。なお、第１インバータ５のＶ相、Ｗ相のハイ側とロー側のトランジスタＶＨ，ＶＬ，ＷＨ，ＷＬと帰還ダイオードＤＶＨ，ＤＶＬ，ＤＷＨ，ＤＷＬと、第２インバータ６の各相のハイ側とロー側のトランジスタＵＨ，ＵＬ，ＶＨ，ＶＬ，ＷＨ，ＷＬと帰還ダイオードＤＵＨ，ＤＵＬ，ＤＶＨ，ＤＶＬ，ＤＷＨ，ＤＷＬについても同様の構成の半導体装置７０として構成されている。したがって、以下では第１インバータ５のＵ相の半導体装置７０を代表として説明し、他の半導体装置７０については異なる構成についてのみ説明するものとする。
【００２２】
ヒートシンク３１は、アルミニウム材料から成り、矩形板状の台座４３の下面に下側に向けて突出する複数のピン状のフィン４０（図６，図７参照）が一体形成されている。また、台座４３の上面には、熱伝導性に優れた窒化アルミの絶縁層４４が一体に形成されており、絶縁層４４の上面には一対のベース電極４５，４６が並列に設置されている。なお、窒化アルミの絶縁層４４の線膨張係数は、アルミニウム材料から成るヒートシンク３１の線膨張係数よりも小さい。
【００２３】
一方のベース電極４５はコンバータ７の正極側端子Ｐｔ（図１参照）と導通するＰバスバー２０（第１の導体）に接続され、他方のベース電極４６はモータ４のＵ相端子に接続されるＯｕｔバスＴｒＵ２２（第３の導体）に接続されている。一方のベース電極４５の上方には、ＯｕｔバスＴｒＵ２２から延出した接続片２２ａが平行に配置され、ベース電極４５と接続片２２ａの間にハイ側のトランジスタＵＨと帰還ダイオードＤＵＨが接続されている。なお、ハイ側のトランジスタＵＨは、コレクタ電極部がベース電極４５（Ｐバスバー２０）に接続され、エミッタ電極部が接続片２２ａ（ＯｕｔバスＴｒＵ２２）に接続されている。
【００２４】
他方のベース電極４６の上方には、コンバータ７の負極側端子Ｎｔ（図１参照）と導通するＮバスバー２１（第２の導体）の接続片２１ａが平行に配置され、ベース電極４６とＮバスバー２１の接続片２１ａの間にロー側のトランジスタＵＬと帰還ダイオードＤＵＬが接続されている。なお、ロー側のトランジスタＵＬは、コレクタ電極部がベース電極４６（ＯｕｔバスＴｒＵ２２）に接続され、エミッタ電極部がＮバスバー２１に接続されている。
なお、Ｖ相とＷ相の半導体装置７０においては、ＯｕｔバスＴｒＵ２２に代えて、モータ４のＶ相端子に接続されるＯｕｔバスＴｒＶ２３（図１参照）と、モータ４のＷ相端子に接続されるＯｕｔバスＴｒＷ２４（図１参照）が用いられている。また、第２インバータ６のＵ，Ｖ，Ｗの各相の半導体装置７０では、ＯｕｔバスＴｒＵ２５、ＯｕｔバスＴｒＶ２６、ＯｕｔバスＴｒＷ２７（図１参照）が用いられている
【００２５】
ここで、ＯｕｔバスＴｒＵ２２の接続片２２ａとＮバスバー２１の接続片２１ａは略長方形状に形成され、両者の長辺がヒートシンク３１の台座４３の辺に対して平行になるように配置されている。そして、両接続片２２ａ，２１ａの長手方向のほぼ中間位置には湾曲膨出部３８が形成されている。この湾曲膨出部３８は、上方（ヒートシンク３１から離間する方向）に膨出する弧状断面が接続片２２ａ，２１ａの幅方向の全域に亘って連続して形成されており、接続片２２ａ，２１に外力が作用したときに、湾曲膨出部３８の両縁が容易に撓んで接続片２２ａ，２１ａの撓み変形を許容するようになっている。
この実施形態の半導体装置７０においては、アルミニウム材料から成るヒートシンク３１の上面に、アルミニウムよりも線膨張係数の小さい窒化アルミの絶縁層４４が一体に設けられているため、トランジスタＵＨ，ＵＬの発熱時に線膨張係数の差によってヒートシンク３１と絶縁層４４に撓み変形が生じる可能性がある。ヒートシンク３１と絶縁層４４に撓み変形が生じた場合には、接続片２２ａ，２１ａが撓み許容部である湾曲膨出部３８の両縁で撓んでヒートシンク３１と絶縁層４４の変形に追従するため、このとき帰還ダイオードＤＵＨ，ＤＵＬやトランジスタＵＨ，ＵＬには大きな応力が作用しなくなる。
【００２６】
また、両接続片２２，２１の上面には、図３に示すように、トランジスタＵＨ，ＵＬのゲート電極部やその他の電子機器に接続される信号線を保持するための端子台６９が取り付けられている。端子台６９は絶縁材料によって形成され、両接続片２２ａ，２１ａの幅方向の全域に跨る長尺なブロックによって構成されている。端子台６９の上面には信号線が接続される信号端子３９が設けられ、この信号端子３９とトランジスタＵＨ，ＵＬやその他の電子機器の間がワイヤーボンディングによって接続されている。なお、図中４８は、ワイヤーボンディングによる接続線である。
【００２７】
図４，図５は、半導体装置７０の側面を示している。
端子台６９は、これらの図に示すように、下面が偏平に形成されるとともに、下面に隣接する一方のコーナー部分に、接続片２２ａ，２１ａの湾曲膨出部３８の外形に合致する湾曲した凹部２８が設けられている。端子台６９は、コーナー部分の凹部２８を接続片２２ａ，２１ａの湾曲膨出部３８に係合（当接）させることによって、接続片２２ａ，２１ａに対して位置決めし、その状態で接続片２２ａ，２１ａの上面に固定されている。
【００２８】
図６は、第１インバータ５のＵ相，Ｖ相，Ｗ相の３つの半導体装置７０が樹脂ケース３４で保持された半導体ユニット３２を示し、図７は、この半導体ユニット３２の下面側に流路ケース４１が取り付けられたパワーモジュール３０を示している。
この実施形態では、第１インバータ５のＵ相，Ｖ相，Ｗ相の３つの半導体装置７０が一つのパワーモジュール３０として一体化されている。
【００２９】
３つの半導体装置７０は一列に並べられ、これらの半導体装置７０の周縁部と上面側が樹脂ケース３４によって覆われている。
なお、樹脂ケース３４は、枠部が最初に半導体装置７０と一体化され、その後に各半導体装置７０の上部を覆うように枠部内にポッティングが行われる。このため、各半導体装置７０の上部は樹脂ケース３４のポッディング部内に埋設されるが、Ｐバスバー２０、ＯｕｔバスＴｒＵ２２、Ｎバスバー２１の各接続端子部と、端子台６９から引き出された信号ピン３７は樹脂ケース３４の外側に露出している。
【００３０】
流路ケース４１は、半導体ユニット３２の樹脂ケース３４の下面に結合されて、樹脂ケース３４との間に冷却媒体の流路を形成するものであり、上面の略中央部には、各ヒートシンク３１のフィン４０を受容する凹部４２が形成されている。また、流路ケース４１の長手方向の一端には、図６に示すように、凹部４２内に冷媒を導入するための導入管５２が接続され、長手方向の他端には凹部４２から冷媒を排出するための排出管５３が接続されている。
流路ケース４１の上面には樹脂ケース３４が重合され、その状態で樹脂ケース３４と流路ケース４１がボルト５０によって締結固定されている。また、樹脂ケース３４と流路ケース４１の間には環状のシール部材４７が介装されている。
【００３１】
以上のように、このパワーモジュール３０で用いられる各半導体装置７０は、ＯｕｔバスＴｒＵ２２とＮバスバー２１の接続片２２ａ，２１ａの上面に端子台６９が固定設置され、端子台６９上の信号端子３９とトランジスタＵＨ，ＵＬやその他の電子機器の間がワイヤーボンディングによって接続されているため、ヒートシンク３１の台座４３部分の面積を縮小化することができる。したがって、この半導体装置７０を用いた場合には、パワーモジュール３０全体をより小型化することができる。
【００３２】
そして、半導体装置７０においては、端子台６９を接続片２２ａ，２１ａ上に固定設置するに際して、二つの接続片２２ａ，２１ａの湾曲膨出部３８に端子台６９の凹部２８を係合（当接）させ、その状態で端子台６９を接続片２２ａ，２１ａに固定することができるため、専用の治具を用いることなく、端子台６９を接続片２２ａ，２１ａに正確に位置決めすることができる。したがって、この半導体装置７０の構造を採用することにより、生産効率の向上を図ることができる。
なお、端子台６９上の信号線の引き出し位置は、端子台６９の前後長の設計によって最適位置に設定することができる。
【００３３】
また、この半導体装置７０では、接続片２２ａ，２１ａに形成した湾曲膨出部３８によって端子台６９を位置決めするため、接続片２２ａ，２１ａの構造が単純で製造が容易であるという利点がある。
【００３４】
さらに、この実施形態の場合、線膨張係数差によってヒートシンク３１と絶縁層４４が撓み変形したときに、接続片２２ａ，２１ａの湾曲膨出部３８の両縁が接続片２２ａ，２１ａをヒートシンク３１に追従させて変形させる変形許容部としても機能するため、熱応力による帰還ダイオードＤＵＨ，ＤＵＬやトランジスタＵＨ，ＵＬの劣化をも未然に防止することができる。
【００３５】
なお、この発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の設計変更が可能である。例えば、上記の実施形態においては、接続片２２ａ，２１ａに上方に突出する湾曲膨出部３８を設け、この湾曲膨出部３８を端子台６９に対する位置決め部としたが、図８に示すように、接続片２２ａ，２１ａの両側部に位置決め部として切欠き溝７５を形成するようにしても良い。この場合、端子台６９の下面に切欠き溝７５に対応する係止突起７６を形成しておき、係止突起７６を切欠き溝７５に嵌合すれば良い。この実施形態の場合も、簡単な構成でありながら端子台６９を接続片２２ａ，２１ａに正確に位置決めすることができる。
【符号の説明】
【００３６】
３…バッテリ（直流電源）
４…モータ（交流機器）
２０…Ｐバスバー（第1の導体）
２１…Ｎバスバー（第２の導体）
２２…ＯｕｔバスＴｒＵ（第３の導体）
２１ａ，２２ａ…接続片
３１…ヒートシンク
３８…湾曲膨出部（位置決め部）
４４…絶縁層
６９…端子台
７０…半導体装置
７５…切欠き溝（位置決め部）
７６…係止突起
ＵＨ…ハイ側のトランジスタ（正極側パワー半導体素子）
ＵＬ…ロー側のトランジスタ（負極側パワー半導体素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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