(57)【要約】【課題】ウェハの積層構造、圧力センサー素子、圧電振動子、ウェハの積層方法を提供する。【解決手段】力を受けて変位する平板状のダイアフラム層１２、前記ダイアフラム層１２に接続される支持部（第１支持部３２、第２支持部３４）を支持する支持部層３０、前記支持部に接続され、前記支持部層３０を介して前記変位を検出する感圧素子１８を有する感圧素子層１４の順に積層される圧力センサー素子１０であって、前記支持部層３０は、前記支持部と前記支持部層３０とを連結し、前記支持部を前記ダイアフラム層１２に接続したのちに切断可能な梁３８、４０を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の第１層、前記第１層に接続される部材を支持する第２層、の順に積層して形成されるウェハの積層構造であって、
前記第２層は、
前記部材と前記第２層とを連結し前記部材を前記第１層に接続したのちに切断可能な梁、を有することを特徴とするウェハの積層構造。
【請求項２】
前記梁には、前記梁より細く形成された切断部が介装され、前記切断部を切断することにより前記梁を切断することを特徴とする請求項１に記載のウェハの積層構造。
【請求項３】
前記切断部は、前記梁の両側面の互いに対向する位置にＶ字の切り込みが入った形態を有することを特徴とする請求項２に記載のウェハの積層構造。
【請求項４】
前記切断部は、前記梁の両側面の互いに対向する位置にＭ字の切り込みが入った形態を有することを特徴とする請求項２に記載のウェハの積層構造。
【請求項５】
前記切断部は、前記梁より細い複数の細線により形成されたことを特徴とする請求項２に記載のウェハの積層構造。
【請求項６】
前記切断部には、金属がメッキされたことを特徴とする請求項２乃至５に記載のウェハの積層構造。
【請求項７】
感圧部と、前記感圧部の両端に接続される一対の基部を有する感圧素子と、前記感圧素子を囲む第１の枠部と、前記第１の枠部と各前記基部とを接続する連結部とを有する感圧素子層と、
一方の面が圧力を受圧する受圧部であって、前記受圧部が前記圧力を受圧したときに撓む領域を可撓部とする前記感圧素子層の一方の主面側を覆う平板状のダイアフラム層と、
前記ダイアフラム層と前記感圧素子層との間に積層される支持部層と、を備え、
前記支持部層は、前記感圧素子の前記一対の基部に対向する位置で各前記基部を支持する一対の支持部と、一対の前記支持部を囲む第２の枠部と、前記第２の枠部と前記各支持部とを接続する梁と、を有し、
前記梁が、
前記支持部層の各前記支持部が、前記ダイアフラム層の他方の面であって前記可撓部に固定されたのちに切断可能な梁であることを特徴とする圧力センサー素子。
【請求項８】
前記支持部層は、
前記ダイアフラム層に接続することにより前記感圧素子からの振動を抑制する振動抑制部と、
前記支持部層と前記振動抑制部とを連結し前記振動抑制部を前記ダイアフラム層に接続したのちに切断可能な第２の梁と、を有することを特徴とする請求項７に記載の圧力センサー素子。
【請求項９】
力を受けて変位するダイアフラム層、支持部層、感圧素子層、基台層の順に積層して形成される圧力センサー素子であって、
前記感圧素子層は、
前記変位を検出する振動部と、前記振動部の検出軸方向の両端に形成された一対の基部と、を有する感圧素子と、
前記一対の基部を保持し前記基台層に接続する第１の枠部と、を有し、
前記支持部層は、
前記一対の基部に対向する位置に配置され前記ダイアフラム層及び前記一対の基部に接続する一対の支持部と、
前記一対の支持部を囲み、前記ダイアフラム層及び前記第１の枠部と接続する第２の枠部と、を有するとともに、
前記支持部層は、
前記第２の枠部と前記一対の支持部とを連結し前記支持部を前記ダイアフラム層に接続したのちに切断可能な梁を有することを特徴とする圧力センサー素子。
【請求項１０】
前記支持部層は、
前記ダイアフラム層の前記感圧素子からの振動を抑制する振動抑制部と、
前記第２の枠部と前記振動抑制部とを連結し前記振動抑制部を前記ダイアフラム層に接続したのちに切断可能な第２の梁と、を有することを特徴とする請求項９に記載の圧力センサー素子。
【請求項１１】
平板状の基部層、前記基部層に接続される圧電振動片を支持する振動片層、の順に積層して形成される圧電振動子であって、
前記振動片層は、
前記圧電振動片と前記振動片層とを連結し前記圧電振動片を前記基部層に接続したのちに切断可能な梁、を有することを特徴とする圧電振動子。
【請求項１２】
平板状の第１層、前記第１層に接続される部材を梁を介して支持する第２層、の順に積層して形成されるウェハの積層方法であって、
前記梁は、前記部材を前記第１層に接続したのちに切断することを特徴とするウェハの積層方法。
【請求項１３】
前記梁には、前記梁より細く形成された切断部が介装され、前記切断部を切断することにより前記梁を切断することを特徴とする請求項１２に記載のウェハの積層方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力センサー素子及び圧電振動子に関し、特に素子を構成するウェハの積層構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、水圧計、気圧計、差圧計などとして圧電振動素子を感圧素子として使用した圧力センサーが知られている。感圧素子は、感圧部と前記感圧部の両端に接続される一対の基部とを有する。特許文献１〜３に記載されているように、被測定圧力を受圧して撓む可撓部を有するダイアフラムに支持部を介して搭載された前記圧電振動素子は、例えば、板状の圧電基板上に電極パターンが形成され、力の検出方向に検出軸を設定しており、前記検出軸の方向に直交する方向から圧力がダイアフラムの受圧部で受圧すると前記可撓部が撓み、前記支持部を介して前記圧電振動子に力が加わると、前記圧電振動子は検出軸の方向に引張り応力が生じるため前記圧電振動子の共振周波数が変化し、前記共振周波数の変化から被測定圧力の圧力値を検出する。
【０００３】
このような圧力センサーをより高精度にするための従来技術が特許文献１〜３には開示されている。図１１は、特許文献１に開示された第１の従来技術に係る圧力センサー素子を示す。図１１に示すように圧力センサー素子２２０は、ダイアフラム２１２を有する圧力センサー２１０における前記ダイアフラム２１２に形成された対をなす支持部２１８に載置される圧力センサー素子２２０であって、前記圧力センサー素子２２０は前記支持部２１８に固定される２つの基部２２２と前記基部間に位置する振動部２２４とを有し、前記基部２２２の固定部から前記振動部２２４までの間に切欠き２２２ａ、２２２ｂを設けた構成が開示されている。これによりダイアフラム２１２による振動部２２４に対する曲げ変形、すなわち厚み方向の変位は前記切欠き２２２ａ、２２２ｂの形成箇所に集中するため、振動部２２４に対して作用する非線形的な力を抑制し、圧力センサー素子２２０の振動部２２４に対する悪影響を低減している。
【０００４】
また図１２は、特許文献２に開示された第２の従来技術に係る圧力センサー素子を示す。図１２（ａ）は側面方向から見た側方断面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ線で区切った垂直断面図である。図１２に示すように圧力センサー素子３２０は、感圧素子として圧電振動片３３０を搭載する圧力センサー素子３２０であって、可撓部となる薄肉部３２２の一方の面に、前記圧電振動片３３０を固定するための対を成す支持部３２４を有し、対を成す前記支持部３２４間に厚肉化するための突出部３２６を有する構成が開示されている。これにより支持部３２４間に形成した突出部３２６はその変形が抑制され、当該箇所が円弧状に変形するということを避けることができる。このため、圧力負荷による突出部３２６の変形により、支持部３２４間に位置する突出部３２６が圧電振動片３３０の振動部に接触することがなくなる。よって当該接触に伴う周波数変化量の検出精度、すなわち圧力検出の精度の劣化を抑制することができる。
【０００５】
さらに図１３は、特許文献３に開示された第３の従来技術に係る圧力センサー素子を示す。図１３に示すように圧力センサー素子は、振動腕４３４、４３５の両端に基部４３６、４３７を有する圧電振動片４３１と、前記両端の基部４３６、４３７の其々が接合された台座部４４４、４４５を有するとともに、周縁部４４２が固定されるようにした薄板状のダイアフラム４４０とを備えた圧力センサー素子であって、前記ダイアフラム４４０は、全体外形が略長方形又は略正方形に形成されており、前記台座部４４４、４４５は、前記ダイアフラム４４０の中央部４４０ｂを挟んだ両側に配置され、前記中央部４４０ｂに向かうに従って、その向かう方向と直交する幅方向の寸法を小さくするように形成された構成を有している。これにより、ダイアフラム４４０は中央部４４０ｂに向かうに従って撓みやすくなるため、圧力を受けた場合、中央部４４０ｂに向かうほど変位量が大きくなる。したがって、中央部４４０ｂを挟んで両側に配置された台座部４４４に基部４３６、４３７が接合された圧電振動片４３１は変形しやすくなるため、感度よく圧力を測定できる圧力センサー素子となる。
【０００６】
これらの圧力センサーの構成要素は、ダイアフラムの変位量を双音叉素子等の感圧素子に伝える構造であることから、受圧する被測定圧力に対する変位量が大きいほうが、より高い感度を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−３３３４５２号公報
【特許文献２】特開２００７−３２７９２２号公報
【特許文献３】特開２００８−２４１２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ダイアフラムが受圧する被測定圧力に対する変位量を増やすためには、ダイアフラムの板厚を薄くする必要がある。特許文献１乃至３において、ダイアフラムは、双音叉振動子を支持するための支持部や中央部の厚肉部等を有しているので、平板の基板から当該ダイアフラムを形成するための掘り込み加工が必要となる。しかしながら、このような凹凸を有する形状のダイアフラムを加工する際、ダイアフラムの加工の最中に破損が生じやすいという問題があった。
【０００９】
即ち、ダイアフラムをフォトエッチングにて形成しようとすると、水晶の有する結晶歪に起因したエッチチャンネルが発生し、当該エッチチャンネルに起因したピンホールがダイアフラムに形成されることによって、圧力センサー素子内を真空に保つことができないという問題があった。
【００１０】
更に、ダイアフラムをサンドブラストにて形成しようとすると、ブラストの圧力によりダイアフラム形成面がクラックや割れ等により破損してしまうという問題、並びにクラックにより貫通孔等が生じるので、圧力センサー素子内を真空に保つことができないという問題があった。
【００１１】
そこで、ダイアフラムを平坦な部材で構成し、部材の所定の厚みになるまで研磨を行う等により薄く加工することにより平坦な基板を形成するので、ピンホールの発生や破損を防止することができる。
【００１２】
一方、ダイアフラムを平坦な部材で構成した場合、双音叉振動子がダイアフラムに接触することなく振動できるように、双音叉振動子とダイアフラムとを隙間を空けて接続するための構造が必要となる。
【００１３】
隙間を空けるため、支持部層を追加することとなるが、外周枠に連結して支持部を保持するための梁が必要となってくる。この梁は、双音叉振動子の振動の阻害要因となって感度を劣化させる原因となるので、この劣化を回避する工夫が必要となる。
【００１４】
そこで本発明は、上記問題点に着目し、圧電振動子の振動を阻害し感度を劣化させることを防止した、ウェハの積層構造、圧力センサー素子、圧電振動子、ウェハの積層方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
［適用例１］平板状の第１層、前記第１層に接続される部材を支持する第２層、の順に積層して形成されるウェハの積層構造であって、前記第２層は、前記部材と前記第２層とを連結し前記部材を前記第１層に接続したのちに切断可能な梁、を有することを特徴とするウェハの積層構造。
【００１６】
上記構成により、第１層は、エッチングや、サンドブラストにより掘り込む工程はなく、凹凸を有する構造を積層により形成することができるので、エッチチャンネルやクラック、割れなどを発生させることなく薄肉の板材を容易に形成し、歩留まりの高いウェハの積層構造となる。
【００１７】
［適用例２］前記梁には、前記梁より細く形成された切断部が介装され、前記切断部を切断することにより前記梁を切断することを特徴とする適用例１に記載のウェハの積層構造。
これにより、梁おいて切断される位置が特定されるとともに、切断部は梁より細く形成されているため、切断が容易となる。
【００１８】
［適用例３］前記切断部は、前記梁の両側面の互いに対向する位置にＶ字の切り込みが入った形態を有することを特徴とする適用例２に記載のウェハの積層構造。
これにより、切断部の切断箇所が切断部の中央１箇所となるので、切り屑やガスの発生が最小減に抑えることができる。
【００１９】
［適用例４］前記切断部は、前記梁の両側面の互いに対向する位置にＭ字の切り込みが入った形態を有することを特徴とする適用例２に記載のウェハの積層構造。
これにより、切断部の切断箇所は切断部の両端２箇所となるため、切断後の梁は空間的に離間するので、切断された梁の残りの部分が互いに接触することはなく、これにより第１層が変位する場合においても、変位の妨げとなることを防止することができる。
【００２０】
［適用例５］前記切断部は、前記梁より細い複数の細線により形成されたことを特徴とする適用例２に記載のウェハの積層構造。
これにより、切断箇所は細線の中央一箇所か、両端２箇所となり、ウェハの積層構造の設計に応じて適用例３または適用例４のいずれかと同様の効果を持たせることができる。さらに切断部は複数の細線により形成されているため、積層前に切断部が破断する虞を低減するとともに、積層後の切断を容易に行うことができる。
【００２１】
［適用例６］前記切断部には、金属がメッキされたことを特徴とする適用例２乃至５に記載のウェハの積層構造。
これにより、切断部にレーザ光を照射して切断部を容易に焼き切ることができるので、作業効率を向上させることができる。
【００２２】
［適用例７］感圧部と、前記感圧部の両端に接続される一対の基部を有する感圧素子と、前記感圧素子を囲む第１の枠部と、前記第１の枠部と各前記基部とを接続する連結部とを有する感圧素子層と、一方の面が圧力を受圧する受圧部であって、前記受圧部が前記圧力を受圧したときに撓む領域を可撓部とする前記感圧素子層の一方の主面側を覆う平板状のダイアフラム層と、前記ダイアフラム層と前記感圧素子層との間に積層される支持部層と、を備え、前記支持部層は、前記感圧素子の前記一対の基部に対向する位置で各前記基部を支持する一対の支持部と、一対の前記支持部を囲む第２の枠部と、前記第２の枠部と前記各支持部とを接続する梁と、を有し、前記梁が前記支持部層の各前記支持部が、前記ダイアフラム層の他方の面であって前記可撓部に固定されたのちに切断可能な梁であることを特徴とする圧力センサー素子。
【００２３】
上記構成により、支持部は、一方の面がダイアフラム層に接続され、他方の面が感圧素子に接続される。そして梁は支持部をダイアフラム層に接続すると切断するので、支持部は支持部層に対してフリーとなり、支持部はダイアフラム層の変位を確実に振動部に伝達することができるため、感度の劣化を防止した積層構造による圧力センサー素子となる。
【００２４】
［適用例８］前記支持部層は、前記ダイアフラム層に接続することにより前記感圧素子からの振動を抑制する振動抑制部と、前記支持部層と前記振動抑制部とを連結し前記振動抑制部を前記ダイアフラム層に接続したのちに切断可能な第２の梁と、を有することを特徴とする適用例７に記載の圧力センサー素子。
【００２５】
これにより、振動抑制部はダイアフラム層と接続される一方、第２の梁は振動抑制部をダイアフラム層に接続したのちに切断するため、振動抑制部は支持部層に対してフリーとなる。よって振動抑制部はダイアフラムの変位を阻害して感度を低下させることなく振動部からの振動を抑制する圧力センサー素子となる。
【００２６】
［適用例９］力を受けて変位するダイアフラム層、支持部層、感圧素子層、基台層の順に積層して形成される圧力センサー素子であって、前記感圧素子層は、前記変位を検出する振動部と、前記振動部の検出軸方向の両端に形成された一対の基部と、を有する感圧素子と、前記一対の基部を保持し前記基台層に接続する第１の枠部と、を有し、前記支持部層は、前記一対の基部に対向する位置に配置され前記ダイアフラム層及び前記一対の基部に接続する一対の支持部と、前記一対の支持部を囲み、前記ダイアフラム層及び前記第１の枠部と接続する第２の枠部と、を有するとともに、前記支持部層は、前記第２の枠部と前記一対の支持部とを連結し前記支持部を前記ダイアフラム層に接続したのちに切断可能な梁を有することを特徴とする圧力センサー素子。
【００２７】
上記構成により、支持部は、一方の面がダイアフラム層に接続され、他方の面が一対の基部に接続される。よって、一対の基部は一対の支持部を介してダイアフラム層の変位を受けその相対位置が変化するため、振動部はダイアフラム層の変位に伴う力を検出することができる。一方、第２の枠部と支持部を連結する梁は支持部をダイアフラム層に接続すると切断するので、支持部は支持部層に対してフリーとなり、支持部はダイアフラム層の変位を確実に第１基部及び第２基部を介して振動部に伝達することができるため、感度の劣化を防止した積層構造の圧力センサー素子となる。
【００２８】
［適用例１０］前記支持部層は、前記ダイアフラム層の前記感圧素子からの振動を抑制する振動抑制部と、前記第２の枠部と前記振動抑制部とを連結し前記振動抑制部を前記ダイアフラム層に接続したのちに切断可能な第２の梁と、を有することを特徴とする適用例９に記載の圧力センサー素子。
【００２９】
これにより、振動抑制部はダイアフラム層と接続される一方、第２の梁は振動抑制部をダイアフラム層に接続したのちに切断するため、振動抑制部は第２の枠部に対してフリーとなる。よって振動抑制部はダイアフラムの変位を阻害して感度を低下させることなく振動部からの振動を抑制することができる。
【００３０】
［適用例１１］平板状の基部層、前記基部層に接続される圧電振動片を支持する振動片層、の順に積層して形成される圧電振動子であって、前記振動片層は、前記圧電振動片と前記振動片層とを連結し前記圧電振動片を前記基部層に接続したのちに切断可能な梁、を有することを特徴とする圧電振動子。
【００３１】
上記構成により、圧電振動片は梁により振動片枠に支持されているため、圧電振動片と基部との接続位置のばらつきが抑制されるとともに、梁が切断されると圧電振動片は、引き出し電極の形成された長手方向に一端を固定端とし片持ち支持状態で導電性接着剤を介して基部層に接続されるため、マウント応力が軽減される。さらに梁を介して振動片枠に接続された状態ではスプリアスの発生の虞があるが、このように梁は切断されるのでスプリアスの発生を回避することができる。
【００３２】
［適用例１２］平板状の第１層、前記第１層に接続される部材を梁を介して支持する第２層、の順に積層して形成されるウェハの積層方法であって、前記梁は、前記部材を前記第１層に接続したのちに切断することを特徴とするウェハの積層方法。
【００３３】
上記方法により、第１層は、エッチングや、サンドブラストにより掘り込む工程はなく、凹凸を有する構造を積層により形成することができるので、エッチチャンネルやクラック、割れなどを発生させることなく薄肉の板材を容易に形成し、歩留まりの高いウェハの積層構造を形成することができる。
【００３４】
［適用例１３］前記梁には、前記梁より細く形成された切断部が介装され、前記切断部を切断することにより前記梁を切断することを特徴とする適用例１２に記載のウェハの積層方法。
これにより、梁おいて切断される位置が特定されるとともに、切断部は梁より細く形成されているため、容易に切断することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】第１実施形態に係る圧力センサー素子の模式図である。
【図２】第１実施形態に係る圧力センサー素子の分解斜視図である。
【図３】第１実施形態に係る第１連結部及び第２連結部の模式図である。
【図４】第１実施形態に係る第１連結部及び第２連結部の模式図である。
【図５】第１実施形態に係る梁及び切断部の模式図である。
【図６】参考例の分解斜視図である。
【図７】第２実施形態に係る圧力センサー素子の模式図である。
【図８】第２実施形態に係る圧力センサー素子の分解斜視図である。
【図９】第３実施形態に係る圧電振動子の模式図である。
【図１０】第３実施形態に係る圧電振動子の分解斜視図である。
【図１１】第１の従来技術に係る圧力センサー素子の模式図である。
【図１２】第２の従来技術に係る圧力センサー素子の模式図である。
【図１３】第３の従来技術に係る圧力センサー素子の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。なお以下の図については直交座標系（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸）を用いる。
【００３７】
第１実施形態に係る圧力センサー素子を図１、図２に示す。図１（ａ）は真上（＋Ｚ方向）から見た模式図、図１（ｂ）は正面（＋Ｙ方向）から見た模式図、図２は各層ごとに分解した斜視図である。第１実施形態に係る圧力センサー素子１０は、一方の面が被測定圧力を受圧する受圧部であって、前記受圧部が前記被測定圧力を受圧することによって撓む可撓部を有する平板状のダイアフラム層１２、前記ダイアフラム層１２の他方の面であって前記可撓部に接続される支持部３４と前記支持部３４を支持する第２の枠部３６とで構成された支持部層３０、前記支持部に接続され、前記支持部を介して前記被測定圧力を検出する感圧素子１８を有する感圧素子層１４の順に積層される圧力センサー素子１０であって、前記支持部層３０は、前記支持部３４と前記第２の枠部３６とを連結し前記支持部３４を前記ダイアフラム層１２に接続したのちに切断可能な梁３８、４０を有する。
【００３８】
より詳細には、前記受圧部が前記被測定圧力を受圧することによって変位するダイアフラム層１２、支持部層３０、感圧素子層１４、基台層４４の順に積層して形成される圧力センサー素子１０であって、前記感圧素子層１４は、前記被測定圧力を検出する感圧部である振動部２０と、前記振動部２０の検出軸方向の両端に形成された一対の基部（第１基部２２、第２基部２４）と、を有する感圧素子１８と、前記一対の基部（第１基部２２、第２基部２４）を保持し前記基台層４４に接続する第１の枠部１６と、を有し、前記支持部層３０は、前記一対の基部（第１基部２２、第２基部２４）に対向する位置に配置され前記ダイアフラム層１２及び前記一対の基部（第１基部２２、第２基部２４）に接続する一対の支持部（第１支持部３２、第２支持部３４）と、前記一対の支持部（第１支持部３２、第２支持部３４）を囲み、前記ダイアフラム層１２及び前記第１の枠部１６と接続する第２の枠部３６と、を有するとともに、前記支持部層３０は、前記第２の枠部３６と前記一対の支持部（第１支持部３２、第２支持部３４）とを連結し前記支持部を前記ダイアフラム層１２に接続したのちに切断可能な梁３８、４０を有するものである。ここで、ダイアフラム層１２、支持部層３０、感圧素子層１４、基台層４４は水晶等のウェハから形成されたものであり、外形は同一の寸法を有しているものとする。
【００３９】
平板層であるダイアフラム層１２は、水晶等で形成された矩形の板材である。ダイアフラム層１２は、水晶原石から切り出された水晶素板（不図示）をラップ研磨により所定の厚みになるまで研磨し、鏡面研磨を行って平坦度を高め、更に、前記水晶基板の表面に残留している応力の緩和や加工痕等の加工変質層を除去するために希フッ酸等により前記水晶基板の表面をエッチングすることにより形成される。よって水晶素板（不図示）そのものをエッチングや、サンドブラストにより掘り込む工程はないので、従来技術で述べたようなエッチチャンネルやクラック、割れなどを発生させることなく薄肉の板材を容易に形成することができる。
【００４０】
感圧素子層１４は、水晶等の圧電素板にフォトリソ技法とエッチング技法とを用いて加工を施すことにより形成され、第１の枠部１６、感圧素子１８、第１連結部２６、第２連結部２８を有する。感圧素子１８は感圧部である振動部２０と振動部２０の検出軸方向の両端に形成された一対の基部（第１基部２２、第２基部２４）を有し、中心線Ｃを基準とした線対称な形状を有している。
【００４１】
感圧素子１８は、振動部が２本の柱状ビームから構成された双音叉型圧電振動片、振動部が１本の柱状ビームから構成されたシングルビーム型圧電振動片、ＳＡＷ共振片、厚みすべり振動片等として形成されたものである。感圧素子は、中心線Ｃを基準として線対称な形状を有し、振動部２０の検出軸方向（長手方向）がダイアフラム層１２の変位方向（±Ｚ方向）に対して垂直（±Ｘ方向）となるように配置されている。そして振動部２０は、長手方向の一端にある第１基部２２が第１支持部３２に固定され、第１基部２２の振動部２０を挟んだ反対側にある第２基部２４が第２支持部３４に固定されている。よって第１基部２０は第１支持部を介してダイアフラム層１２に接続され、第２基部２４は第２支持部を介してダイアフラム層１２に接続される。したがって第１支持部３２及び第２支持部３４が互いに接近する方向に変位すると振動部２０は圧縮応力を受け、逆に互いに離れる方向に変位すると振動部２０は伸長応力を受けることになる。
【００４２】
また感圧素子１８は発振回路（不図示）と電気的に接続され、発振回路（不図示）から供給される交流電圧により、固有の共振周波数で振動するものである。特に本実施形態で用いられている双音叉型圧電振動片は、厚みすべり振動片などに比べて、伸長・圧縮応力に対する共振周波数の変化が極めて大きく共振周波数の可変幅が大きいので、わずかな圧力差を検出するような分解能力に優れる圧力センサーにおいては好適である。双音叉型圧電振動片は、伸長応力を受けると振動部２０の振幅幅が小さくなるので共振周波数が高くなり、圧縮応力を受けると振動部２０の振幅幅が大きくなるので共振周波数は低くなる。振動部２０には励振電極（不図示）が形成され、第１基部２２、第２基部２４、第１連結部２６、第２連結部２８には前記励振電極と接続する引き出し電極（不図示）が形成され、引き出し電極（不図示）は第１の枠部１６の外側の側面にまで延伸され、延伸された引き出し電極（不図示）の端部（不図示）と発振回路（不図示）を接続することにより、発振回路（不図示）は励振電極（不図示）と電気的に接続され、感圧素子は固有の共振周波数で振動することができる。
【００４３】
第１連結部２６は第１の枠部１６と第１基部２２とを連結し、第２連結部２８は第１の枠部１６と第２基部２８とを連結するものであるが、感圧素子１８等に比べて充分細い幅を有するとともに、振動部２０の長手方向（±Ｘ方向）に対して垂直に延びる成分（±Ｙ方向）を有する。これにより、第１基部２２及び第２基部２４が振動部２０の長手方向（±Ｘ方向）に変位した場合、第１連結部２６及び第２連結部２８において、長手方向に垂直な成分が長手方向（±Ｘ方向）に屈曲することが可能となるので、第１基部２２及び第２基部２４の長手方向への動きを妨げることを低減することができる。
【００４４】
そして、第１連結部２６及び第２連結部２８は図３（ａ）〜（ｄ）、図４（ａ）〜（ｄ）に示すようにいくつかの形態をとることができる。図３（ａ）のように第１連結部２６及び第２連結部２８を第１の枠部１６の長辺１６ａの内側から延出させ波型の形状とすることにより両者にバネ性を持たせている。これにより第１連結部２６及び第２連結部２８に応力が集中することを回避して破壊限界点を高めることができる。図３（ｂ）、（ｃ）に示すように、Ｌ字型またはコの字型とすることにより、第１連結部２６及び第２連結部２８の長手方向（±Ｘ方向）に垂直（±Ｙ方向）な成分が直角に折れた位置において長手方向に屈曲可能となる。なお、図１、図２に示すように第１連結部２６及び第２連結部２８は、振動部２０の長手方向（±Ｘ方向）に対して垂直な方向（±Ｙ方向）に延びる棒状に形成してもよい。
【００４５】
さらに図３（ｄ）に示すように、第１連結部２６及び第２連結部２８を第１の枠部１６内側のコーナーから斜め方向に延出させ、それぞれ第１基部２２、第２基部２４に接続する構成とすることができる。さらにこの状態で第１連結部２６及び第２連結部２８を図３（ａ）に示すように波型にしても良い。このような形状とすることで第１連結部２６及び第２連結部２８にバネ性を持たせることができ、第１連結部２６及び第２連結部２８に応力が集中しないので破壊限界点を高めることができる。
【００４６】
また図４（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｌ字型またはコの字型の第１連結部２６及び第２連結部２８を第１の枠部１６の短辺１６ｂの内側から延出させそれぞれ第１基部２２、第２基部２４に接続した構成とすることができる。これにより第１基部２２及び第２基部２４との接続箇所を減らし、感圧素子１８の感度劣化を防止できる。この場合、図４（ｃ）（図３（ａ）に対応）、図４（ｄ）（図３（ｂ）に対応）に示すように、第１連結部２６及び第２連結部２８を２本ずつ設けることにより振動部２０の長手方向（±Ｘ方向）に対して対称性を持たせて一方への偏りをなくしてバランスを保つようにしても良い。さらに図３（ｂ）、（ｃ）、及び図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の場合は、フォトリソ・エッチング加工におけるマスクが作りやすいため、安定量産が可能となる。このように第１連結部２６及び第２連結部２８は複数の形態をとることができるが、第１基部２２及び第２基部２４の動きやすさに差が生じないように、中心線Ｃを基準とした線対称な関係を有している。
【００４７】
支持部層３０は、水晶等の圧電素板にフォトリソ・エッチング加工を施すことにより形成され、一対の基部（第１基部２２、第２基部２４）に対向する位置に配置されダイアフラム層１２及び一対の基部（第１基部２２、第２基部２４）に接続する一対の支持部（第１支持部３２、第２支持部３４）と、一対の支持部（第１支持部３２、第２支持部３４）を囲み、ダイアフラム層１２及び第１の枠部１６と接続する第２の枠部３６と、第２の枠部３６と一対の支持部（第１支持部３２、第２支持部３４）とをそれぞれ連結し、支持部をダイアフラム層１２に接続したのち切断する梁３８、４０からなる。そして支持部は中心線Ｃを基準とした線対称な形状を有している。
【００４８】
梁３８、４０には切断部４２が設けられ、支持部層３０をダイアフラム層１２に積層した後に容易に切断できるようになっている。このように梁３８、４０を切断するため第１支持部３２及び第２支持部３４は支持部層３０の第２の枠部３６からフリーとなるため、ダイアフラム層１２の変位を妨げることはない。
【００４９】
図５（ａ）〜（ｄ）に示すように、切断部４２としては、以下の４つの形態が挙げられる。なお、いずれの切断部４２も支持部層３０に第２の枠部３６、第１支持部３２、第２支持部３４、梁３８、４０をフォトリソ・エッチング加工する際に同時に形成可能であり、ＹＡＧレーザ等を用いて焼き切ることができる。
【００５０】
まず、図５（ａ）に示すように、切断部４２は、梁３８、４０のそれぞれ両側面の互いに対向する位置にＶ字の切り込みが入った形態とすることができる。これにより、切断部４２の切断箇所が一対のＶ字の切り込みの頂点が互いに対向する切断部４２の中央１箇所となるので、切り屑やガスの発生が最小減に抑えられ、感圧素子１８、または後述の圧電振動子７０の真空封止を容易に行うことができる。
【００５１】
次に、図５（ｂ）に示すように、切断部４２は、梁３８、４０のそれぞれ両側面の互いに対向する位置にＭ字の切り込みが入った形態とすることができる。これにより、切断部４２の切断箇所は一対のＭ字の切り込みの２つの頂点が互いに対向する切断部４２の両端２箇所となるため、切断後の梁３８、４０は空間的に離間するので、切断された梁３８、４０がそれぞれ互いに接触することはなく、これによりダイアフラム層１２の変位の妨げとなることを確実に防止することができる。なお、切断後に菱形の切り屑４２ａが発生するが、真空封止の際に吸引して取り出すことができる。
【００５２】
さらに、図５（ｃ）に示すように、切断部４２は、複数の細線４２ｂにより形成することができる。これにより、切断部４２の切断箇所は切断部４２ｂを構成する複数の細線４２ｂ（図５（ｃ）では３本）のそれぞれ中央１箇所（計３箇所）か、両端２箇所（計６箇所）となり、感圧素子１８、及び後述の圧電振動子７０の設計に応じて図５（ａ）に示す切断部４２または図５（ｂ）に示す切断部４２のいずれかと同様の効果を持たせることができる。さらに切断部４２は複数の細線４２ｂにより形成されているため、積層前に切断部４２が破断する虞を低減するとともに、積層後の切断を容易に行うことができる。
【００５３】
なお、図５（ｄ）に示すように梁３８、４０（切断部４２）を支持部層３０の第２の枠部３６の短辺３６ｂの内側から延出させてそれぞれ第１支持部３２、第２支持部３４に接続してもよい。切断部４２を切断することにより隙間が形成され、切り残された梁３８、４０同士が互いに干渉することはないので、第１支持部３２及び第２支持部３４はそれぞれ±Ｘ方向に変位が可能となる。ここで切断部４２の形状は図５（ａ）〜（ｃ）のいずれでも良い。
【００５４】
上述のように切断部４２はＹＡＧレーザ等で焼き切ることになるが、切断部４２に金属（不図示）をメッキすることが好適である。金属（不図示）を切断部４２にメッキすることによりレーザ光のエネルギーを金属（不図示）が吸収し、切断部４２を高熱に晒して容易に切断することができ、作業効率を向上させることができる。なお、上述のように切断の際に切り屑やガスが発生するが、真空封止の際に吸引して取り除くことができる。
【００５５】
基台層４４は、水晶等の圧電素板にフォトリソ・エッチング加工またはサンドブラストを施すことにより形成され、感圧素子層１４に対向する面に形成された凹部４６と、前記凹部４６を囲むように形成された周縁部４８とを有する。凹部４６は感圧素子層１４の感圧素子１８に基台部４４が当接しないように設けられたものである。また凹部４６には封止孔（不図示）が形成され、基台部４２を積層後に封止孔（不図示）から真空引きをして封止孔（不図示）を封止して感圧素子１８を真空封止することができる。
【００５６】
圧力センサー素子１０の組み立ては、まず、ダイアフラム層１２の周縁と第２の枠部３６を整合させた状態で、ダイアフラム層１２に支持部層３０を積層する。このときダイアフラム層１２の所定の位置に第１支持部３２及び第２支持部３４を積層する。そして第２の枠部３６と第１支持部３２及び第２支持部３４を連結する梁３８、４０の切断部４２をＹＡＧレーザ等により切断する。
【００５７】
次に、第２の枠部３６に感圧素子層１４の第１の枠部１６を積層し、第１支持部３２に感圧素子層１４の第１基部２２を積層し、第２支持部３４に第２基部２４を積層する態様で支持部層３０に感圧素子層１４を積層する。
【００５８】
そして、第１の枠部１６に周縁部４８を積層する態様で感圧素子層１４に基台層４４を積層する。いずれの積層においても低融点ガラスを用いた接合方法、アルコキシド、オルガノシノキシ基などを含む接合部材を用い、当該接合部材にプラズマや紫外線等のエネルギー線を照射することにより活性化させて接合する方法、金錫合金等の共晶合金による被膜を接合部材に用いた共晶接合方法などを用いてもよく、また固相接合を用いてもよい。最後に基台層４４に形成された封止孔（不図示）から上述の切断部４２の切断により生じた切り屑（４２ａ）やガスとともに真空吸引を行い、封止孔（不図示）を封止することにより圧力センサー素子１０が形成される。なおダイアフラム層１２、支持部層３０、感圧素子層１４、基台層４４を同一材料（水晶等の圧電材料）することにより、線膨張係数が各層で互いに一致するため、温度変化に伴う感圧素子１８（振動部２０）への応力の発生を抑制して圧力測定値の誤差を抑制することができる。
【００５９】
第１実施形態のように、ダイアフラム（ダイアフラム層１２）の厚みが均一の場合、感圧素子１８の振動が第１支持部３２及び第２支持部３４を介してダイアフラムに伝わるとダイフラム自身が振動を始める。このときダイアフラムの固有振動数と感圧素子１８の共振周波数とが結合してしまう。また感圧素子１８の共振周波数の近傍に複共振、スプリアスとして出現してしまい、感圧素子１８に電気的に接続された発振回路（不図示）から発振される出力の周波数に変動が生じるという問題があった。
【００６０】
一方、本願出願人は図６の参考例の分解斜視図に示すように、感圧素子からリークする振動に起因したダイアフラム自体の振動を抑制するために、特願２００８−２６７５０１号において、ダイアフラムの所定の位置に厚肉の島となる振動抑制部を設けることを提案した。すなわち振動腕の両端に基部１３６を有する圧電振動片１３１と、前記両端の基部１３６のそれぞれが接合された一対の支持部１４５を有するとともに、薄膜状の受圧面１４１を備え、前記受圧面１４１の周縁部１４２が固定されるようにした薄膜状のダイアフラム１４０と、前記周縁部１４２と接合する基板１２０と、を備えた圧力センサー素子１１０であって、前記ダイアフラム１４０には、平面視して前記受圧面１４１の中心と前記一対の支持部１４５を通る直線方向又は／及び前記受圧面１４１の中心を通り、前記直線方向と直交方向のそれぞれに略二分割した切り込みが配置された厚肉部１５０（島）を形成した圧力センサー素子１１０を提案した。
【００６１】
本発明の第１実施形態のような４層構造において振動抑制部を設ける場合には、支持部層３０に振動抑制部を形成する必要がある。しかし、振動抑制部は支持部層３０により保持されるため、振動抑制部をダイアフラム層１２に接続すると振動抑制部がダイアフラムの変位を阻害することになる。
【００６２】
そこで、第２実施形態において、ダイアフラムの変位の阻害を回避する振動抑制部を有する圧力センサー素子について述べる。
第２実施形態に係る圧力センサー素子を図７、図８に示す。図７（ａ）は真上（＋Ｚ方向）から見た模式図、図７（ｂ）は正面（＋Ｙ方向）からみた模式図、図８は各層ごとに分解した斜視図である。第２実施形態に係る圧力センサー素子５０は、基本的な構造は第１実施形態と共通するが、支持部層５２は、ダイアフラム層１２に接続することにより振動部２０からの振動を抑制する振動抑制部６４と、支持部層５２と振動抑制部６４とを連結し振動抑制部６４をダイアフラム層１２に接続したのちに切断する第２の梁６６と、を有する構成である。さらに第２の梁６６には第１実施形態で述べたように切断部６８が形成されている。
【００６３】
振動抑制部６４は、積層時にダイアフラム層１２の所定の位置に接続されるように配置され、振動抑制部６４は第２の枠部５８により第２の梁６６を介して支持されている。また振動抑制部６４は一定の大きさを有するが、第１支持部５４、第２支持部５６、第２の枠部５８、梁６０、６２及び支持部層５２に積層される感圧素子１８と干渉しない位置に配置される。第２の梁６６は、第２の枠部５８の長辺５８ａの内側から延出して振動抑制部６６に接続している。切断部６８の形状については第１実施形態の切断部４２と同様であるので説明を省略する。切断部６８の切断は振動抑制部６４をダイアフラム層１２に接続したのちに行う、すなわち、第１実施形態の切断部４２を切断する工程と同様の工程にて切断することができ、作業工程が煩雑化することはなく、第１実施形態と同様の工程で各層を積層することができる。
【００６４】
このように、ダイアフラム層１２、支持部層５２、感圧素子層１４、基台層４４を積層して形成された圧力センサー素子５０において、振動抑制部６４はダイアフラム層１２と接続される一方、第２の梁６６は振動抑制部６４をダイアフラム層１２に接続したのちに切断するため、振動抑制部６４は支持部層５２に対してフリーとなる。よって振動抑制部６４はダイアフラムの変位を阻害して感度を低下させることなく感圧素子１８からの振動を抑制する圧力センサー素子５０となる。
【００６５】
第１実施形態及び第２実施形態においては、平板状の第１層（ダイアフラム１２層）、前記第１層（ダイアフラム層１２）に接続される部材（第１支持部３２、第２支持部３４）を支持する第２層（支持部層３０、５２）、の順に積層して形成されるウェハの積層構造であって、前記第２層（支持部層３０、５２）は、前記部材（第１支持部３２、第２支持部３４）と前記第２層（支持部層３０、５２の第２の枠部３６、５８）とを連結し、前記部材（第１支持部３２、第２支持部３４）を前記第１層（ダイアフラム層１２）に接続したのちに切断可能な梁３８、４０、６０、６２を有することが共通の特徴となっている。
【００６６】
第３実施形態に係る圧電振動子を図９、図１０に示す。図９（ａ）は真上（＋Ｚ方向）から見た模式図、図９（ｂ）は正面（＋Ｙ方向）から見た模式図、図１０は各層ごとに分解した斜視図（導電性接着剤９０の記載を省略）である。第３実施形態に係る圧電振動子７０は、圧電振動片７４を搭載した積層構造の圧電振動子７０である。すなわち、平板状の基部層８２、前記基部層８２に導電性接着剤９０を介して接続される圧電振動片７４を支持する振動片層７２、の順に積層して形成される圧電振動子７０であって、前記振動片層７２は、前記圧電振動片７４と前記振動片層７２（振動片枠７６）とを連結し前記圧電振動片７４を前記基部層８２に接続したのちに切断可能な梁７８、を有し、外形の寸法が等しい基部層８２、中間層９２、振動片層７２、リッド層９６の積層構造となっており、いずれも水晶等により形成されている。特に第３実施形態の圧電振動子７０は、平板状の第１層（基部層８２）、前記第１層（基部層８２）に導電性接着剤９０を介して接続される部材（圧電振動片７４）を支持する第２層（振動片層７２）、の順に積層して形成されるウェハの積層構造であって、前記第２層（振動片層７２）は、前記部材（圧電振動片７４）と前記第２層（振動片枠７６）とを連結し、前記部材（圧電振動片７４）を前記第１層（基部層８２）に接続したのちに切断可能な梁７８、を有することを特徴とする。
【００６７】
振動片層７２は、圧電振動片７４、振動片枠７６、梁７８により構成されている。厚みすべり振動片、音叉振動片、ＳＡＷ共振片等として形成された圧電振動片７２には励振電極（不図示）と励振電極（不図示）と接続された引き出し電極８０が設けられている。引き出し電極８０は基部層８２側に対向しており、圧電振動片７２の長手方向の一方に設けられている。
【００６８】
基部層８２には、振動片層７２と対向する面の引き出し電極８０と対向する位置に接続電極８４が設けられ、接続電極８４は裏面にある外部電極８６に貫通電極８８を介して接続される。また基部層８２には封止孔（不図示）が形成され積層後に圧電振動片７４を真空封止することができる。接続電極８４は引き出し電極８０と導電性接着剤９０により接続される。これにより励振電極（不図示）は、引き出し電極８０、導電性接着剤９０、接続電極８４、貫通電極８８、外部電極８６を介して発振回路（不図示）に電気的に接続可能となり、圧電振動片７４は所定の共振周波数で発振することができる。
【００６９】
そして、導電性接着剤９０は接着後も一定の厚みを有し、さらに引き出し電極８０、接続電極８４も一定の厚みを結有するため、これらの厚みを足し合わせた厚みを有する矩形の枠で形成された中間層９２を基部層８２と振動片層７６との間に介装している。
【００７０】
また振動片枠７２と圧電振動片７４とを連結する梁７８には、第１実施形態及び第２実施形態と同様に切断部９４が設けられＹＡＧレーザ等により容易に切断できるようになっているものとする。
【００７１】
リッド層９６は、第１実施形態及び第２実施形態における基台層４４と同様に形成され、振動片層７２に対向する面に形成されリッド層９６が圧電振動片７４と当接しないように設けられた凹部９８と、前記凹部９８を囲むように形成された周縁部１００とを有する。
【００７２】
圧電振動子７０の積層は、まず基部層８２に中間層９２を積層し、基部層８２に設けられた接続電極８０上に導電性接着剤９０をマウントする。そして中間層９２に振動片層７２を積層するとともに導電性接着剤９０と引き出し電極８０とを接着する。接着したのちに梁７８（切断部９４）を切断し、そののちリッド層９６を振動片層７２に積層する。そして封止孔（不図示）から真空引きを行い、封止孔を封止することにより圧電振動子７０が形成される。
【００７３】
このように形成された圧電振動子７０において、圧電振動片７４は梁７８により振動片枠７６に支持されているため、圧電振動片７４と基部層８２（導電性接着剤９０）との接続位置のばらつきが抑制されるとともに、梁７８が切断されると圧電振動片７４は、引き出し電極８０の形成された長手方向の一端を固定端とし、片持ち支持状態で導電性接着剤９０を介して基部層８２に接続されるため、マウント応力が軽減される。さらに梁７８を介して振動片枠７６に接続された状態ではスプリアスの発生の虞があるが、このように梁７８は切断されるのでスプリアスの発生を回避することができる。
【００７４】
以上述べたように、本実施形態に係るウェハの積層構造、圧力センサー素子１０、５０、圧電振動子７０、及びウェハの積層方法によれば、第１層（ダイアフラム層１２、基部層８２）は、エッチングや、サンドブラストにより掘り込む工程はなく、凹凸を有する構造を積層により形成することができるので、エッチチャンネルやクラック、割れなどを発生させることなく薄肉の板材を容易に形成し、歩留まりの高いウェハの積層構造となる。
【００７５】
また、梁３８、４０（６０、６２、７８）には、前記梁３８、４０より細く形成された切断部４２（６８、９４）が介装され、前記切断部４２を切断することにより前記梁３８、４０を切断するため、梁３８、４０において切断される位置が特定されるとともに、切断部４２は梁３８、４０より細く形成されているため、切断が容易となる。
【００７６】
切断部４２（６８、９４）は、前記梁３８、４０（６０、６２、７８）の両側面の互いに対向する位置にＶ字の切り込みが入った形態にすることにより、切断部４２の切断箇所が切断部４２の中央１箇所となるので、切り屑やガスの発生が最小減に抑えることができる。
【００７７】
また切断部４２は、前記梁３８、４０の両側面の互いに対向する位置にＭ字の切り込みが入った形態にすることにより、切断部４２の切断箇所は切断部４２の両端２箇所となるため、切断後４２の梁３８、４０は空間的に離間するので、切断された梁３８、４０の残りの部分が互いに接触することはなく、これにより第１層（ダイアフラム層１２、基部層８２）が変位する場合においても、変位の妨げとなることを防止することができる。
【００７８】
さらに、切断部４２（６８、９４）は、梁３８、４０（６０、６２、７８）より細い複数の細線４２ｂにより形成することにより、切断箇所は細線４２ｂの中央一箇所か、両端２箇所となり、ウェハの積層構造の設計に応じて上述のＶ字の切り込みを入れた場合、またはＭ字の切り込みを入れた場合のいずれかと同様の効果を持たせることができる。さらに切断部４２は複数の細線に４２ｂより形成されているため、積層前に切断部４２が破断する虞を低減するとともに、積層後の切断を容易に行うことができる。
【００７９】
そして、切断部４２（６８、９４）には、金属（不図示）がメッキされたことにより、切断部４２にレーザ光を照射して切断部４２を容易に焼き切ることができるので、作業効率を向上させることができる。
【００８０】
第１実施形態及び第２実施形態において、支持部（第１支持部３２、５４、第２支持部３４、５６）は、一方の面がダイアフラム層１２に接続され、他方の面が感圧素子１８に接続される。そして梁３８、４０、６０、６２は支持部（第１支持部３２、５４、第２支持部３４、５６）をダイアフラム層１２に接続すると切断するので、支持部（第１支持部３２、５４、第２支持部３４、５６）は支持部層３０、５２（第２の枠部３６、５８）に対してフリーとなり、支持部（第１支持部３２、５４、第２支持部３４、５６）はダイアフラム層１２の変位を確実に振動部２０に伝達することができるため、感度の劣化を防止した圧力センサー素子１０、５０となる。
【００８１】
より詳細には支持部（第１支持部３２、５４、第２支持部３４、５６）は、一方の面がダイアフラム層１２に接続され、他方の面が一対の基部（第１基部３２、第２基部３４）に接続される。よって、一対の基部（第１基部３２、第２基部３４）は一対の支持部（第１支持部３２、第２支持部３４）を介してダイアフラム層１２の変位を受けその相対位置が変化するため、振動部２０はダイアフラム層１２の変位に伴う力を検出することができる。一方、第２の枠部３６、５８と支持部（第１支持部３２、５４、第２支持部３４、５６）を連結する梁３８、４０、６０、６２は支持部（第１支持部３２、５４、第２支持部３４、５６）をダイアフラム層に接続すると切断するので、支持部（第１支持部３２、５４、第２支持部３４、５６）は支持部層３０、５２（第２の枠部３６、５８）に対してフリーとなり、支持部（第１支持部３２、５４、第２支持部３４、５６）はダイアフラム層１２の変位を確実に第１基部２２及び第２基部２４を介して振動部２０に伝達することができるため、感度の劣化を防止した積層構造の圧力センサー素子１０、５０となる。
【００８２】
さらに第２実施形態において、振動抑制部６４はダイアフラム層１２と接続される一方、第２の梁６６は振動抑制部６４をダイアフラム層１２に接続したのちに切断するため、振動抑制部６４は支持部層５２に対してフリーとなる。よって振動抑制部６４はダイアフラムの変位を阻害して感度を低下させることなく振動部２０からの振動を抑制する圧力センサー素子５０となる。
【００８３】
第３実施形態において、圧電振動片７４は梁７８により振動片枠７６に支持されているため、圧電振動片７４と基部層８２（導電性接着剤９０）との接続位置のばらつきが抑制されるとともに、梁７８が切断されると圧電振動片７４は、引き出し電極８０の形成された長手方向の一端を固定端とし、片持ち支持状態で導電性接着剤９０を介して基部層８２に接続されるため、マウント応力が軽減される。さらに梁７８を介して振動片枠７６に接続された状態ではスプリアスの発生の虞があるが、このように梁７８は切断されるのでスプリアスの発生を回避することができる。
【符号の説明】
【００８４】
１０………圧力センサー素子、１２………ダイアフラム層、１４………感圧素子層、１６………第１の枠部、１８………感圧素子、２０………振動部、２２………第１基部、２４………第２基部、２６………第１連結部、２８………第２連結部、３０………支持部層、３２………第１支持部、３４………第２支持部、３６………第２の枠部、３８………梁、４０………梁、４２………切断部、４４………基台層、４６………凹部、４８………周縁部、５０………圧力センサー素子、５２………支持部層、５４………第１支持部、５６………第２支持部、５８………第２の枠部、６０………梁、６２………梁、６４………振動抑制部、６６………第２の梁、６８………切断部、７０………圧電振動子、７２………振動片層、７４………圧電振動片、７６………振動片枠、７８………梁、８０………引き出し電極、８２………基部層、８４………接続電極、８６………外部電極、８８………貫通電極、９０………導電性接着剤、９２………中間層、９４………切断部、９６………リッド層、９８………凹部、１００………周縁部、１１０………圧力センサー素子、１２０………基板、１３１………圧電振動片、１３６………基部、１４０………ダイアフラム、１４１………受圧面、１４２………周縁部、１４５………支持部、２１０………圧力センサー、２１２………ダイアフラム、２１８………支持部、２２０………圧力センサー素子、２２２………基部、２２４………振動部、３２０………圧力センサー素子、３２２………薄肉部、３２４………支持部、３２６………突出部、３３０………圧電振動片、４３１………圧電振動片、４３４………振動腕、４３５………振動腕、４３６………基部、４３７………基部、４４０………ダイアフラム、４４２………周縁部、４４４………台座部、４４５………台座部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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