(57)【要約】【課題】ＥＣＣ構造が適用されつつも効率的に製造することができる上記タイプの磁気記憶媒体と、そのような磁気記憶媒体が搭載された情報記憶装置と、そのような磁気記憶媒体を製造する磁気記憶媒体製造方法とを提供する。【解決手段】磁気ディスク１５０において、第１磁性層１５５と、この第１磁性層１５５が有する保磁力よりも小さい保磁力を有した第２磁性層１５６とが積層されてなる、情報が磁気的に記録されるトラック１６０と、第１磁性層１５５のみからなる、上記のトラック１６０どうしを分離するガード・バンド１７０とを備えた。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々に情報が磁気的に記録される複数の記録部と、互いに隣り合う記録部どうしを分離する分離部とを有する磁気記憶媒体において、
第１磁性層と、
前記第１磁性層が有する保磁力よりも小さい保磁力を有し、前記記録部において所定の厚みに形成され前記分離部において厚み方向に部分的あるいは全て除去された第２磁性層とを有することを特徴とする磁気記憶媒体。
【請求項２】
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に形成され、該第１磁性層と該第２磁性層との間の磁気的な相互作用を調整する制御層を有することを特徴とする請求項１記載の磁気記憶媒体。
【請求項３】
前記分離部が、磁化の向きが１方向に揃えられたものであることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気記憶媒体。
【請求項４】
当該磁気記憶媒体が、前記記録部と前記分離部とで構成されたサーボパターンを有し、
前記サーボパターンを構成する記録部における磁化の向きと、該サーボパターンを構成する分離部における磁化の向きとが互いに逆向きとなっていることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１項記載の磁気記憶媒体。
【請求項５】
各々に情報が磁気的に記録される複数の記録部と、互いに隣り合う記録部どうしを分離する分離部とを有する磁気記憶媒体が搭載された情報記憶装置において、
前記磁気記憶媒体が、
第１磁性層と、
前記第１磁性層が有する保磁力よりも小さい保磁力を有し、該第１磁性層に対して磁気的な相互作用を有する、前記記録部において所定の厚みを有し前記分離部において厚み方向に部分的あるいは全て除去された第２磁性層とを有し、
前記磁気記憶媒体に対し、情報記録及び／又は情報再生を行うヘッドを備えたことを特徴とする情報記憶装置。
【請求項６】
各々に情報が磁気的に記録される複数の記録部と、互いに隣り合う記録部どうしを分離する分離部とを有する磁気記憶媒体を製造する磁気記憶媒体製造方法において、
第１磁性層と、該第１磁性層が有する保磁力よりも小さい保磁力を有し、該第１磁性層に対して磁気的な相互作用を有する磁性膜とからなる積層物を形成する積層物形成過程と、
前記磁性膜を、局所的に、該磁性膜の厚み方向に部分的あるいは全て除去することで、前記記録部が所定の厚みを有し前記分離部が厚み方向に部分的あるいは全て除去された第２磁性層を形成する除去過程とを有することを特徴とする磁気記憶媒体製造方法。
【請求項７】
前記分離部の磁化の向きを１方向に揃える磁化配向過程を、さらに有することを特徴とする請求項６記載の磁気記憶媒体製造方法。
【請求項８】
前記磁化配向過程が、前記積層物形成過程で形成され、前記除去過程を経た積層物に磁界を印加しながら、該積層物を加熱する過程であることを特徴とする請求項７記載の磁気記憶媒体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、情報が磁気的に記録される磁気記憶媒体、そのような磁気記憶媒体を搭載した情報記憶装置、および、そのような磁気記憶媒体を製造する磁気記憶媒体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの分野では、日常的に多量の情報が取り扱われるようになっており、このような多量の情報を記録再生する情報記憶装置の１つとして、ハードディスク装置（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）が使用されている。ＨＤＤは記録容量が大きく情報へのアクセス速度が速いという特徴を持ち、ディスク状の磁気記録媒体、およびこの磁気記録媒体に対して情報記録や情報再生を実行する磁気ヘッドを備えている。
【０００３】
図１は、従来、ＨＤＤの多くに搭載されている磁気ディスクの内部構造を示す模式的な断面図である。
【０００４】
この図１に示す磁気ディスク５００は、アルミニウム製あるいはガラス製の基板５１０上に、軟磁性裏打ち層５２０、下地層５３０、記録層５４０、および保護層５５０が、基板５１０側からこの記載順で積層された構造を有している。
【０００５】
記録層５４０は磁性材料で形成されており、この記録層５４０に、情報が磁化の向きで記録される。また、この記録層５４０には、ディスク面に対して垂直な方向に磁気異方性が付与されており、情報は、この磁気異方性に従って、ディスク面に対して垂直な方向の磁化の向きで記録される。このような記録方式は垂直磁気記録方式と呼ばれており、多くの磁気記憶媒体に採用されている。
【０００６】
軟磁性裏打ち層５２０は軟磁性材料で形成されており、磁気ヘッドによる情報記録時に記録磁界が通る磁路としての役割を果たす。また、下地層５３０は非磁性材料で形成されており、記録層５４０の形成時に、この記録層５４０で上記の磁気異方性が生じるための結晶成長を助ける役割を果たす。保護層５５０は、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等で形成されており、磁気ディスク５００のディスク面を保護する役割を果たす。
【０００７】
ここで、磁気ディスクについては、これまでも高い年率で面記録密度が高まっており、現在でもさらなる記録密度向上が求められている。しかしながら、図１に示す磁気ディスク５００のような構造を有する磁気記憶媒体では、次のような理由によりさらなる記録密度の向上が難しい。
【０００８】
ＨＤＤの記録密度を向上させるためには、トラック幅の縮小や記録ビット長の短縮が必要であるが、トラック幅を縮小させると、隣接するトラックどうしで、いわゆる干渉が生じ易くなる。この干渉とは、記録時において磁気記録情報が目的外の隣接トラックに重ね書きされてしまう現象や、再生時において、目的外の隣接トラックからの漏洩磁界によるクロストークが起きてしまう現象を総称したものである。これらの現象は、いずれも再生信号のＳ／Ｎ比の低下を招き、エラーレートの劣化を引き起こす要因となる。
【０００９】
そこで、この干渉を回避して高いトラック密度を実現する方法として、ビットパターンド型の磁気記憶媒体やディスクリート・トラック型（例えば、特許文献１〜３参照。）の磁気記憶媒体が提案されている。
【００１０】
図２は、ディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体の一例について内部構造を示す模式的な断面図である。ここで、断面図は基板中心から外径に向かって、半径方向に切断した場合の断面図である。
【００１１】
尚、この図２では、図１に示す構成要素と同等な構成要素については、この図１と同じ符号を付して示されており、以下では、それらの構成要素については重複説明を省略する。
【００１２】
この図２の断面図が示す内部構造は、従来のディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体における典型的な構造である。
【００１３】
図２の磁気ディスク６００では、記録層６１０が、磁性材料で形成されたトラック６１１と、非磁性材料で形成され隣接するトラックどうしを分離するガード・バンド６１２とで構成されている。図２の磁気ディスク６００では、このようなガード・バンド６１２による隣接するトラックどうしの分離により、トラック間での磁気的相互作用が低減され、上述した干渉が回避される。
【００１４】
この図２の磁気ディスク６００は、次のような製造方法により製造される。
【００１５】
図３は、図２に示すディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体を製造する製造方法を示す模式図である。
【００１６】
この製造方法では、ステップＳ１０において、まず、基板５１０（図３では図示が省略されている）上に、上記の軟磁性裏打ち層５２０と下地層５３０と所定の磁性層６２０が形成され、磁性層６２０上に紫外線硬化樹脂のレジスト６３０が塗布される。また、ステップＳ１０では、上記のガード・バンド６１２の幅と同じ幅を有する突起がガード・バンド６１２と同じピッチで形成されたモールド６４０が用意される。ステップＳ１０では、このモールド６４０が未硬化状態のレジスト６３０に押し付けられる。このモールド６４０の押付けにより、ガード・バンド６１２に相当する部分の窪みが形成される。そして、このステップＳ１０では、モールド６４０越しの紫外線照射によってレジスト６３０が硬化され、その後に、モールド６４０が外される。このステップＳ１０の次に、上記の窪みの底に残っているレジスト６３０の残膜が反応性イオンミリング（ＲＩＥ）等によって除去され（ステップＳ１１）。これにより、トラック６１１となる箇所を保護するマスク６３０が完成する。
【００１７】
続いて、イオンミリング（ＩＭ）等が実行されて、マスク６３０で保護されている箇所以外の磁性膜６２０が除去される（ステップＳ１２）。これにより、トラック６１１が形成される。
【００１８】
その後、トラック６１１上のマスク６３０がＲＩＥ等によって除去され（ステップＳ１３）、さらに、ＳｉＯ２等の非磁性材料の膜６５０の形成によりトラック６１１間の溝が埋められる（ステップＳ１４）。
【００１９】
続いて、ＩＭ等で余剰なＳｉＯ２等が除去されて平坦化が行われて、ガード・バンド６１２が完成する（ステップＳ１５）。さらに、ディスク面へのＤＬＣのコーティングにより保護層５５０が形成されて（ステップＳ１６）、図２の磁気ディスク６００が完成する。
【００２０】
ところで、以上に説明したディスクリート・トラック型の磁気ディスク以外にも、記録密度の向上が期待できる磁気記憶媒体として、以下に説明するＥＣＣ（Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）構造を有する磁気記憶媒体が提案されている。
【００２１】
一般に、記録密度向上のためのトラック幅の狭小化等により情報を担持する部分の体積が小さくなると、いわゆる熱揺らぎ等により情報の長期安定性が損なわれてしまう。熱揺らぎに対する耐性を高めるには、情報を担持する部分の保磁力を高めれば良いが、そのような保持力の上昇は磁化を反転し難くし、情報記録を困難なものとしてしまう。ＥＣＣ構造は、以下に説明するように磁気記憶媒体における情報の長期安定性を担保しつつ情報記録を容易に行えるようにすることで、記録密度の向上を可能とする構造である。
【００２２】
図４は、ＥＣＣ構造を模式的に示す図である。
【００２３】
この図４にはＥＣＣ構造を有する記録層７００が示されている。
【００２４】
ＥＣＣ構造は、保持力の大きな磁性層と保持力の小さな磁性層とを、これら２つの磁性層の間に交換相互作用が働くように積層した構造である。図４の記録層７００は、硬磁性材料等で形成された保持力の大きな磁性層である下部ハード層７０１と、軟磁性材料等で形成された保持力の小さな磁性層である上部ソフト層７０２とを有している。ここで、軟磁性材料とは、下部ハード層７０１に比べて垂直磁気異方性が小さいという意味である。そして、この図４の記録層７００では、これら２つの磁性層が、Ｒｕ等の導電材料で形成された結合制御層７０３を間に挟んで積層されている。結合制御層７０３は、下部ハード層７０１と上部ソフト層７０２との間に働く交換結合作用を調整する働きをする。
【００２５】
まず、この記録層７００では、下部ハード層７０１の大きな保持力によって、熱揺らぎに対する強い耐性が実現されている。
【００２６】
また、この記録層７００では、上部ソフト層７０２の保持力が小さいことから、上部ソフト層７０２の磁化は、記録磁界の印加に対して敏感に反応して反転しようとする。ここで、下部ハード層７０１と上部ソフト層７０２との間には交換結合作用が働く。そのため、上部ソフト層７０２で磁化が反転しようとすると、下部ハード層７０１の磁化が反転を促される。その結果、下部ハード層７０１の磁化は、下部ハード層７０１単体での磁化反転に要する磁界よりも弱い磁界で反転することとなる。
【００２７】
このように、ＥＣＣ構造によれば、下部ハード層７０１の大きな保磁力による熱揺らぎに対する強い耐性と、交換相互作用による下部ハード層７０１での磁化反転に対する促進とによって、情報の長期安定性と情報記録の容易化とを両立させることができる。
【００２８】
尚、ここでは、結合制御層７０３によって交換結合作用が調整されたＥＣＣ構造を例示したが、一般的には、上記のような下部ハード層と上部ソフト層とを直に積層しただけでもこれら２つの磁性層の間には交換結合作用が働く。即ち、ＥＣＣ構造の中には、上記のような結合制御層を持たないものもある。
【００２９】
ここで、上述したディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体のトラックに、上述したＥＣＣ構造を適用することが考えられる。このような適用により、一層の記録密度向上効果を得ることができる。
【００３０】
この適用では、図２のトラック６１１が、図４に示すＥＣＣ構造を有することとなる。そのため、図３の製造方法では、ステップＳ１０において、磁性膜６２０として、図４に示すＥＣＣ構造を有する磁性膜が形成されることとなる。
【特許文献１】特開平９−９７４１９号公報
【特許文献２】特開２０００−２９３８４２号公報
【特許文献３】特開２００３−１６６２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３１】
しかしながら、ＥＣＣ構造が適用されたディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体では、製造時に２層構造あるいは３層構造で形成される磁性層が厚くなりがちである。その結果、ガード・バンドのための非磁性材料で埋められる窪みをエッチングで形成することが困難になることがある。このようなエッチングの困難さは、作業効率の低下を招いてしまう。
【００３２】
さらに、磁性層が厚くてエッチングで形成された窪みが深い場合、この窪みがトラックの高さよりも低い高さまでしか非磁性材料で埋められず、磁気ディスクのディスク面に凹凸が生じてしまうことがある。このような凹凸は、磁気ヘッドの浮上特性に悪影響を与えてしまう。このような事態を回避するためには、例えば、図３のステップＳ１４での非磁性材料の膜６５０の形成を厚めに実行し、その後に平坦化を行うことが考えられる。しかしながら、これら一連の作業によって、エッチングによる深い窪みを埋めて、良好な磁気ヘッドの浮上に必要な１０ｎｍ以下の平坦さを実現することは技術的に極めて難しい。そのため、このような作業には、複雑なプロセスが必要で作業効率の低下を招き、延いては製造コストが嵩むこととなる。
【００３３】
このため、ＥＣＣ構造が適用されたディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体の実現のためには、上記のような製造上の困難さを抑えて効率的に製造することができる磁気記憶媒体が望まれている。
【００３４】
尚、ここまで、ＥＣＣ構造が適用される磁気記憶媒体として、ディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体を例示し、効率的に製造することができる磁気記憶媒体が望まれているという課題について説明してきた。しかしながら、このような課題は、例えばビットパターンド型の磁気記憶媒体のように、情報が記録される記録部と、互いに隣り合う記録部どうしを分離する分離部とを有するタイプの磁気記憶媒体に共通に適用できる課題である。
【００３５】
本件は、上記事情に鑑み、ＥＣＣ構造が適用されつつも効率的に製造することができる上記タイプの磁気記憶媒体と、そのような磁気記憶媒体が搭載された情報記憶装置と、そのような磁気記憶媒体を製造する磁気記憶媒体製造方法とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
上記目的を達成する磁気記憶媒体の基本形態は、各々に情報が磁気的に記録される複数の記録部と、互いに隣り合う記録部どうしを分離する分離部とを有する磁気記憶媒体である。この磁気記憶媒体の基本形態は、第１磁性層と、第２磁性層とを有している。そして、この磁気記憶媒体の基本形態では、第２磁性層が、上記第１磁性層が有する保磁力よりも小さい保磁力を有し、上記記録部において所定の厚みに形成され上記分離部において厚み方向に部分的あるいは全て除去されている。
【００３７】
また、上記目的を達成する情報記憶装置の基本形態は、各々に情報が磁気的に記録される複数の記録部と、互いに隣り合う記録部どうしを分離する分離部とを有する磁気記憶媒体が搭載された情報記憶装置である。この情報記憶装置の基本形態では、上記磁気記憶媒体が、第１磁性層と、第２磁性層とを有している。そして、この情報記憶装置の基本形態では、第２磁性層が、上記第１磁性層が有する保磁力よりも小さい保磁力を有し、上記記録部において所定の厚みに形成され上記分離部において厚み方向に部分的あるいは全て除去されている。
【００３８】
また、上記目的を達成する磁気記憶媒体製造方法の基本形態は、各々に情報が磁気的に記録される複数の記録部と、互いに隣り合う記録部どうしを分離する分離部とを有する磁気記憶媒体を製造する磁気記憶媒体製造方法である。この磁気記憶媒体製造方法の基本形態は、積層物形成過程と、除去過程とを有している。積層物形成過程は、第１磁性層と、その第１磁性層が有する保磁力よりも小さい保磁力を有し、その第１磁性層に対して磁気的な相互作用を有する磁性膜とからなる積層物を形成する過程である。また、除去過程は、上記磁性膜を、局所的に、その磁性膜の厚み方向に部分的あるいは全て除去することで、上記記録部が所定の厚みを有し上記分離部が厚み方向に部分的あるいは全て除去された第２磁性層を形成する過程である。
【発明の効果】
【００３９】
本件によれば、ＥＣＣ構造が適用されつつも効率的に製造することができる磁気記憶媒体と、そのような磁気記憶媒体が搭載された情報記憶装置と、そのような磁気記憶媒体を製造する磁気記憶媒体製造方法とを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、上記に基本形態について説明した磁気記憶媒体、情報記憶装置、および磁気記憶媒体製造方法の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００４１】
まず、磁気記憶媒体および情報記憶装置の第１実施形態について説明する。
【００４２】
図５は、基本形態について説明した情報記憶装置の具体的な一実施形態に相当するハードディスク装置（ＨＤＤ）を示す図である。
【００４３】
この図５に示すハードディスク装置（ＨＤＤ）１００は、パーソナルコンピュータ等といった上位装置に組み込まれ、その上位装置における情報記憶手段として利用されるものである。
【００４４】
このハードディスク装置１００には、円盤状の磁気ディスク１５０が、図の奥行き方向に重なって複数枚搭載されている。この磁気ディスク１５０は、上記で基本形態について説明した磁気記憶媒体の第１実施形態に相当する。
【００４５】
ここで、上述の磁気記憶媒体および情報記憶装置の基本形態に対し、次の応用形態が考えられる。この応用形態では、上記記録部が帯状のトラックであり、上記分離部が、互いに隣り合うトラックどうしを分離するものである。
【００４６】
この応用形態は、上述のディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体に相当する。ここで、この応用形態では、上記トラックが、上述のＥＣＣ構造を有していることから、このトラック内において、熱揺らぎに対する耐性と情報記録の容易さとを両立させることができる。
【００４７】
図５の磁気ディスク１５０は、同心円状の複数本のトラック１６０を有するディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体であり、この応用形態の具体的な一実施形態にも相当している。
【００４８】
また、この磁気ディスク１５０は、各トラック１６０において、ディスク面に対して垂直な方向の磁化による磁気パターンで情報が記録されるいわゆる垂直磁気記憶媒体でもある。ハードディスク装置１００には、スピンドルモータ１０１が搭載されており、磁気ディスク１５０は、このスピンドルモータ１０１によって回転される。
【００４９】
さらに、ハードディスク装置１００には、磁気ディスク１５０のディスク面に沿って移動するアーム１０２、アーム１０２の駆動に用いられるボイスコイルモータ１０３も搭載されている。
【００５０】
アーム１０２は、磁気ディスク１５０に対して情報の書き込みと読み出しとを行う磁気ヘッド１０４を先端に保持している。そして、このアーム１０２が、ボイスコイルモータ１０３によって所定角度の範囲内で回動されることによって、磁気ヘッド１０４が磁気ディスク１５０のディスク面に沿って動かされる。この磁気ヘッド１０４が、上述した情報記憶装置の基本形態における磁気ヘッドの一例に相当する。
【００５１】
図６は、図５に示す磁気ディスクの内部構造を示す模式的な断面図である。
【００５２】
この図６には、磁気ディスク１５０から切り出された一部についての、トラック１６０に直交する切断線に沿った断面図が示されている。
【００５３】
本実施形態の磁気ディスク１５０は、基板１５１上に、密着層１５２、軟磁性裏打ち層１５３、下地層１５４、第１磁性層１５５、および第２磁性層１５６が、基板１５１側からこの記載順で積層された構造を有している。
【００５４】
基板１５１は、直径が２．５インチ（６３．５ｍｍ）のディスク形状を有した板厚が０．６３５ｍｍのガラス基板である。
【００５５】
密着層１５２は、基板１５１上における後述の軟磁性裏打ち層１５３の成膜を助ける役割を果たすもので、基板１５１と軟磁性裏打ち層１５３との双方の材料に対して密着性がたかいＣｒで形成された、厚さが５ｎｍの層である。
【００５６】
軟磁性裏打ち層１５３は、磁気ヘッド１０４からの記録磁界の磁路として働くものである。本実施形態では、軟磁性裏打ち層１５３は、厚さが２０ｎｍの２枚のＣｏ８０Ｚｒ１０Ｎｂ１０膜で、厚さが０．８ｎｍのＲｕ膜を挟んだ３層構造を有している。尚、「Ｃｏ８０Ｚｒ１０Ｎｂ１０」という記載における下付きの数字は、各数字が添えられている元素の組成比を表わしている。各Ｃｏ８０Ｚｒ１０Ｎｂ１０膜は、ディスク面に平行で半径に沿った方向の磁化容易軸を有している。また、両者に挟まれたＲｕ膜は、２枚のＣｏ８０Ｚｒ１０Ｎｂ１０膜を互いに反強磁性的に結合させる働きをし、これにより各Ｃｏ８０Ｚｒ１０Ｎｂ１０膜の磁化は互いに逆方向を向くこととなる。この構造は、アンチパラレル構造（ＡＰＳ：Ａｎｔｉ−Ｐａｒａｌｌｅｌ−Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）と呼ばれている。このアンチパラレル構造により、各Ｃｏ８０Ｚｒ１０Ｎｂ１０膜の磁化が発する漏れ磁界は互いに打ち消しあうこととなり、軟磁性裏打ち層１５３からの漏れ磁界が抑制され、情報再生時のノイズが抑えられることとなっている。この軟磁性裏打ち層１５３が有する飽和磁化は約１２００ｅｍｕ／ｃｃであり、異方性磁界は１２０Ｏｅとなっている。
【００５７】
下地層１５４は、後述の第１磁性層１５５の形成時に、この第１磁性層１５５で、垂直磁気記録方式に即した、ディスク面に垂直な磁気異方性が生じるための結晶成長を助ける役割を果たすものである。この下地層１５４は、Ｐｔで形成された、厚さが５ｎｍの層であり、第１磁性層１５５の形成時に上記のような結晶成長を促すために（１１１）配向している。
【００５８】
第１磁性層１５５は、ディスク面に垂直な磁気異方性を有する磁性層であり、Ｃｏ５０Ｐｔ５０−８ＴｉＯ２で形成された厚さが７ｎｍの層である。この第１磁性層１５５の磁気特性は、飽和磁化が３５０ｅｍｕ／ｃｃ、異方性磁界が４２ｋＯｅ、異方性定数が７．４×１０６ｅｒｇ／ｃｃとなっている。この第１磁性層１５５は、異方性磁界や異方性定数の上記のような大きな値から分かるように、大きな磁気異方性を有している。このように大きな磁気異方性を有しているということは、この第１磁性層１５５が、大きな保持力を有していることを意味している。この第１磁性層１５５は、上述の基本形態における第１磁性層の一例に相当する。
【００５９】
第２磁性層１５６も、第１磁性層１５５と同様にディスク面に垂直な磁気異方性を有する磁性層である。さらに、本実施形態では、第２磁性層１５６は、一様な磁性層から、トラック１６０に相当する同心円状の領域を残して他の領域が、第１磁性層１５５が露出するまで除かれた形状を有している。また、この第２磁性層１５６は、Ｃｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６で形成された厚さが６ｎｍの層であり、その磁気特性は、飽和磁化が１０５６ｅｍｕ／ｃｃ、異方性磁界が１．６ｋＯｅ、異方性定数が８．５×１０５ｅｒｇ／ｃｃとなっている。この第２磁性層１５６は、異方性磁界や異方性定数が上記の第１磁性層１５５の異方性磁界や異方性定数よりも大幅に小さくなっている。即ち、この第２磁性層１５６は、第１磁性層１５５よりも磁気異方性が小さく、延いては第１磁性層１５５よりも保持力が小さくなっている。この第２磁性層１５６は、上述の基本形態における第２磁性層の一例に相当する。
【００６０】
また、図６では図示が省略されているが、本実施形態では、第２磁性層１５６における間隙が非磁性材料であるＳｉＯ２で埋められており、さらに、その上層に、ディスク面保護のためのＤＬＣ製で厚さが３ｎｍの保護層が形成されている。また、保護層の上には、ディスク面に対する磁気ヘッド１０４の滑りを良くするための潤滑剤が厚さ１ｎｍで塗布されている。
【００６１】
本実施形態の磁気ディスク１５０では、上記の第１磁性層１５５と第２磁性層１５６とが積層されている同心円状の箇所が、情報記録や情報再生の対象であるトラック１６０となっている。このトラック１６０は、上述したように大きな保持力を有する第１磁性層１５５と、この第１磁性層１５５の保磁力よりも小さな保磁力を有する第２磁性層とが積層されている。そして、これら積層された２つの磁性層の間には、いわゆる交換相互作用が働くことから、このトラック１６０では、上述のＥＣＣ構造を有することとなっている。このＥＣＣ構造より、トラック１６０では、熱揺らぎに対する高い耐性と、情報記録の容易さとが両立されることとなっている。このトラック１６０が、上記の基本形態における記録部の一例に相当する。また、このトラック１６０は、ディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体に相当する上述の応用形態におけるトラックの一例にも相当している。
【００６２】
一方で、本実施形態の磁気ディスク１５０では、トラック１６０どうしの間には、磁性層としては、上記の第１磁性層１５５のみが存在することとなっている。以下、この部分を、ガード・バンド１７０と呼ぶ。このガード・バンド１７０では、上記の交換相互作用は働かないので、第１磁性層１５５の大きな保磁力に起因する情報記録の困難さがそのまま残されている。その結果、このガード・バンド１７０は、互いに隣り合うトラック１６０どうしを分離する役割を果たすこととなっている。このガード・バンド１７０が、上記の基本形態における分離部の一例に相当する。また、このガード・バンド１７０は、ディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体に相当する上述の応用形態における分離部の一例にも相当している。
【００６３】
図６には、磁気ディスク１５０の断面図の上に、磁化反転に要する磁界である反転磁界の、トラック１６０に直行する方向についての分布を示すグラフＧ１が示されている。尚、保磁力も、磁化反転に要する磁界であるが、以下では、この保持力と反転磁界とを特に区別せずに用いて説明を行う。
【００６４】
上述のようにトラック１６０では、交換相互作用によって第１磁性層１５５での磁化反転が第２磁性層１５６での磁化反転による補助を受ける。このため、トラック１６０における第１磁性層１５５および第２磁性層１５６の双方での磁化反転に要する反転磁界は、第１磁性層１５５単体での磁化反転に要する反転磁界よりも小さなものとなっている。一方で、ガード・バンド１７０での磁化反転には、第１磁性層１５５単体での磁化反転に要する大きな反転磁界が必要となる。具体的には、図６のグラフＧ１から分かるように、トラック１６０における反転磁界が約１３ｋＯｅであるのに対し、ガード・バンド１７０における反転磁界は約４０ｋＯｅとなっている。
【００６５】
ここで、一般的なＨＤＤで採用されている磁気ヘッドで情報記録時に発生可能な最大磁界は１２〜１５ｋＯｅ程度である。本実施形態では、ＨＤＤ１００の磁気ヘッド１０４が情報記録時に発生させる記録磁界Ｈｗが、図６のグラフＧ１に示すように１５ｋＯｅに設定されている。この記録磁界Ｈｗは、トラック１６０における反転磁界よりも大きいが、ガード・バンド１７０における反転磁界よりは小さい。そのため、トラック１６０にはこの記録磁界Ｈｗによる情報記録が可能となるが、ガード・バンド１７０への記録は確実に禁止されることとなる。
【００６６】
このように、本実施形態の磁気ディスク１５０では、相対的に反転磁界の小さなトラック１６０が、相対的に反転磁界の大きなガード・バンド１７０で分離されることで、ディスクリート・トラック型の構造が実現されている。ここで、本実施形態の磁気ディスク１５０では、このようなディスクリート・トラック型の構造を得るには、詳細については後述する次のような処理だけで済む。即ち、第２磁性層１５６の構成材料（Ｃｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６）で一様に形成した磁性層から、トラック１６０として利用する箇所以外の他の箇所を除去するという処理だけで済む。このため、本実施形態の磁気ディスク１５０では、下地層上の磁性層の全てが除去されてガード・バンドが形成される従来のディスクリート・トラック型の磁気ディスク等に比べて、効率的に製造することができるようになっている。
【００６７】
さらに、本実施形態では、ガード・バンド１７０の磁化が、基板１５１側を向く下向き方向に揃えられている。本実施形態では、このようにガード・バンド１７０の磁化の方向を１方向に揃えることで、情報再生時のノイズが低減されている。
【００６８】
このことは、上述の基本形態に対し、次の応用形態が好適であることを示している。即ち、上記分離部が、磁化の向きが１方向に揃えられたものであるという応用形態である。
【００６９】
本実施形態のガード・バンド１７０は、この応用形態における分離部の一例にも相当している。
【００７０】
ガード・バンド１７０の磁化の上記のような配向には、ガード・バンド１７０における反転磁界を超える配向磁界が必要となる。
【００７１】
以下、若干繰返しとなるが、トラック１６０における反転磁界と、ガード・バンド１７０における反転磁界と、トラック１６０への情報記録に使われる記録磁界と、ガード・バンド１７０での磁化の配向に要する配向磁界との関係について説明する。また、以下では、この説明を、トラック１６０についての磁化曲線と、ガード・バンド１７０についての磁化曲線とを使って行う。
【００７２】
図７は、トラックについての磁化曲線と、ガード・バンドについての磁化曲線とを示すグラフである。
【００７３】
図７には、横軸に磁界がとられ縦軸に磁化の大きさがとられたグラフＧ２が示され、そのグラフＧ２上に、トラック１６０についての磁化曲線Ｌ１と、ガード・バンド１７０についての磁化曲線Ｌ２とが記載されている。
【００７４】
また、このグラフＧ２には、トラック１６０についての磁化曲線Ｌ１と横軸との交点に対応する、トラック１６０における正負２種類の反転磁界Ｈｃｔが矢印で示されている。上述の図６のグラフＧ１では、トラック１６０における正の反転磁界Ｈｃｔが示されており、上述したように、その反転磁界Ｈｃｔの値は約１３ｋＯｅとなっている。
【００７５】
グラフＧ２には、ガード・バンド１７０についての磁化曲線Ｌ２と横軸との交点に対応する、ガード・バンド１７０における正負２種類の反転磁界Ｈｃｇも矢印で示されている。一方、図６のグラフＧ１では、ガード・バンド１７０における正の反転磁界Ｈｃｇが示されており、上述したように、その反転磁界Ｈｃｇの値は約４０ｋＯｅとなっている。
【００７６】
さらに、グラフＧ２には、正負２種類の記録磁界Ｈｗが記載されている。この記録磁界Ｈｗは、図７での各磁界を示す矢印の長さの比較から分かるように、トラック１６０における反転磁界Ｈｃｔよりも大きく、ガード・バンド１７０における反転磁界Ｈｃｔよりも小さい。図６のグラフＧ１では、正の記録磁界Ｈｗが示されており、上述したように、その記録磁界Ｈｃｗの値が約１５ｋＯｅとなっている。この記録磁界Ｈｗによれば、トラック１６０への情報記録のみが可能であって、ガード・バンド１７０への書き滲み等が回避されることが、図７のグラフＧ２からも分かる。
【００７７】
また、グラフＧ２には、ガード・バンド１７０の磁化を１方向に揃えるのに要する配向磁界Ｈｉが記載されている。上述したように、本実施形態の磁気ディスク１５０では、ガード・バンド１７０の磁化が、基板１５１側を向く下向き方向に揃えられている。図７では、この下向き方向への配向に対応した、正の配向磁界Ｈｉが記載されている。配向磁界Ｈｉは、ガード・バンド１７０における正の反転磁界Ｈｃｔよりも大きくなっている。
【００７８】
尚、本実施形態では、ガード・バンド１７０の磁化の配向は、この図７に示すような配向磁界Ｈｉよりも小さな磁界を印加することで行われる。本実施形態では、このような小さな磁界を印加による磁化の配向が、磁気ディスク１５０に対する瞬間的な加熱によってガード・バンド１７０の反転磁界を一時的に低減させることで可能となっている。この方法については、後で、磁気記憶媒体製造方法の一実施形態についての説明の中で詳細に説明する。
【００７９】
次に、本実施形態の磁気ディスク１５０に形成されているサーボパターンについて説明する。
【００８０】
図８は、図５の磁気ディスクにおけるサーボパターンを示す模式図である。
【００８１】
この図８に示すように、本実施形態の磁気ディスク１５０では、トラック１６０は、１９２個のセクタ１６１に区切られている。そして、磁気ヘッド１０４から見たときの磁気ディスク１５０の回転方向（矢印Ｒ）における各セクタ１６１の先頭にサーボパターン１８０が形成されている。
【００８２】
このサーボパターン１８０は、磁気ヘッド１０４が目的のトラック１６０を正確になぞるように磁気ヘッド１０４の位置を制御するサーボ制御に使われるサーボマークや、プリアンブル部、グレーコード、ポジションコード等を現している。
【００８３】
以下、本実施形態におけるサーボパターン１８０について、次のような従来の磁気ディスクや従来のディスクリート・トラック型の磁気ディスクそれぞれにおけるサーボパターンと比較しながら説明する。従来の磁気ディスクは、一様な磁性膜からなる記録層を有する磁気ディスクである。従来のディスクリート・トラック型の磁気ディスクは、トラック間が非磁性材料で埋められた磁気ディスクである。
【００８４】
尚、サーボパターンが表わしているマークやコード、および、サーボパターンを用いたサーボ制御等については公知であるので、ここでは説明を割愛する。
【００８５】
図９は、図８に示すサーボパターンの拡大図である。また、図１０は、図９のサーボパターンに対応する従来の磁気ディスクにおけるサーボパターンを示す図であり、図１１は、図９のサーボパターンに対応する従来のディスクリート・トラック型の磁気ディスクにおけるサーボパターンを示す図である。
【００８６】
また、各図には、サーボパターンの上面図と、その上面図における次のような拡大断面図とが示されている。図９には、サーボパターンの上面図における切断線Ａ−Ａに沿った拡大断面図が示されている。図１０には、サーボパターンの上面図における切断線Ｂ−Ｂに沿った拡大断面図が示されている。図１１には、サーボパターンの上面図における切断線Ｃ−Ｃに沿った拡大断面図が示されている。さらに、各拡大断面図には、その拡大断面図が示す断面におけるサーボパターン内の磁化の向きが矢印で示されている。
【００８７】
図１０に示す従来の磁気ディスクにおけるサーボパターン５６０は、磁化の向きが互いに逆向きになっている第１および第２の２つのパターン部分５６１，５６２によって構成されている。上述のようにこの従来の磁気ディスクは、一様な磁性膜からなる記録層を有しており、サーボパターン５６０は、互いに逆極性となっている２種類の記録磁界によって記録層に書き込まれたものである。
【００８８】
また、図１１に示す従来のディスクリート・トラック型の磁気ディスクにおけるサーボパターン６６０は、磁性材料からなり磁化を有する第１パターン部分６６１と、非磁性材料からなり磁化を持たない第２パターン部分６６２とで構成されている。このサーボパターン６６０は、次のような手順で形成される。まず、トラックとともに第１パターン部分６６１が形成される。次に、第１パターン部分６６１の間が非磁性材料で埋められて第２パターン部分６６２が形成される。さらに、第１パターン部分６６１の磁化が１方向に揃えられる。このような一連の処理によってサーボパターン６６０が得られる。
【００８９】
これらのサーボパターンに対し、図９に示す本実施形態の磁気ディスク１５０におけるサーボパターン１８０は、次の第１パターン部分１８１と第２パターン部分１８２とで構成されている。第１パターン部分１８１は、上記の第１磁性層１５５と第２磁性層１５６とからなるＥＣＣ構造を有する部分である。第２パターン部分１８２は、第１磁性層１５５のみからなる部分である。また、第１パターン部分１８１の磁化は、図６において基板１５１側とは反対向きの上向き方向に揃えられている。そして、第２パターン部分１８２の磁化は、ガード・バンド１７０の磁化と同じ向きであって、第１パターン部分１８１の磁化の向きとは逆向きの下向き方向に揃えられている。
【００９０】
本実施形態における２つのパターン部分１８１，１８２は、トラック１５５やガード・バンド１５６とともに形成される。また、第２パターン部分１８２の磁化は、ガード・バンド１７０の磁化を下向き方向に揃える際に一緒に揃えられる。第１パターン部分１８１の磁化は、第２パターン部分１８２の磁化がこのように揃えられた後に、磁化を上向き方向に配向させる記録磁界Ｈｗを印加することによって上向き方向に揃えられる。また、第２パターン部分１８２がガード・バンド１７０と同じ構造を有しているので、上記の記録磁界Ｈｗでは第２パターン部分１８２の磁化は反転しないこととなる。これにより、第１パターン部分１８１の磁化の配向の際に、第２パターン部分１８２の磁化が誤って反転するといった事態が回避される。
【００９１】
本実施形態では、サーボパターン１８０がこのように構成されていることから、例えば図１０に示すように記録磁界で書き込まれただけのサーボパターンに比べて長期安定性に優れたものとなっている。また、本実施形態のサーボパターン１８０は、上記のトラック１６０と同様に、例えば図１１に示す従来のディスクリート・トラック型の磁気ディスクにおけるサーボパターン６６０よりも効率的に製造することができる。
【００９２】
ここで、本実施形態では、サーボパターン１８０を構成する２つのパターン部分の磁化が互いに逆向きとなっている。これにより、本実施形態のサーボパターン１８０は、例えば互いに同じ向きの磁化を有する２つのパターン部分で構成されたサーボパターンに比べて、次のような利点を有することとなっている。
【００９３】
図１２は、図９のサーボパターンとは異なり、２つのパターン部分の磁化が互いに同じ向きを向いている別形態のサーボパターンを示す図である。
【００９４】
この図１２には、上記の別形態のサーボパターンの上面図と、その上面図における切断線Ｄ−Ｄに沿った拡大断面図が示されている。さらに、その拡大断面図には、その拡大断面図が示す断面におけるサーボパターン内の磁化の向きが矢印で示されている。
【００９５】
この図１２に示すサーボパターン１８０’は、第１パターン部分１８１’と第２パターン部分１８２’とで構成されている。第１パターン部分１８１’は、第１磁性層１５５’と第２磁性層１５６’とからなるＥＣＣ構造を有する部分である。第２パターン部分１８２’は、第１磁性層１５５’のみからなる部分である。このように、この図１２に示すサーボパターン１８０’は、構造的には、図９のサーボパターン１８０と同様である。
【００９６】
ここで、一般に、サーボパターンから得られる信号の振幅は、サーボパターンを構成する２つのパターン部分それぞれが発する磁界の強度の差に依存する。
【００９７】
この図１２のサーボパターン１８０’では、２つのパターン部分の磁化が互いに同じ向きを向いていることから、このサーボパターン１８０’では、このサーボパターン１８０’から得られる信号の振幅が小さい。その結果、この図１２のサーボパターン１８０’は、サーボ制御の確度の点で不利となる。
【００９８】
これに対し、図９に示す本実施形態のサーボパターン１８０では、２つのパターン部分の磁化が互いに逆向きとなっているので、それら２つのパターン部分それぞれが発する磁界の強度の差が大きい。このため、本実施形態のサーボパターン１８０によれば振幅の大きな信号を得ることができ、確度の高いサーボ制御を行うことができる。
【００９９】
これら本実施形態のサーボパターン１８０が有する利点は、上述の基本形態に対し、次の応用形態が好適であることを意味している。まず、この応用形態の磁気記憶媒体は、上記記録部と上記分離部とで構成されたサーボパターンを有する。そして、この応用形態では、上記サーボパターンを構成する記録部における磁化の向きと、該サーボパターンを構成する分離部における磁化の向きとが互いに逆向きとなっている。
【０１００】
本実施形態のサーボパターン１８０は、この応用形態におけるサーボパターンの一例に相当している。また、本実施形態のサーボパターン１８０を構成する第１パターン部分１８１および第２パターン部分１８２は、それぞれこの応用形態における記録部および分離部の各一例に相当する。
【０１０１】
以上で、磁気記憶媒体および情報記憶装置の第１実施形態についての説明を終了し、以下、第２実施形態について説明する。尚、この第２実施形態は、磁気ディスクにおけるトラックやガード・バンドの構成が上述の第１実施形態と異なっている。そこで、以下では、第２実施形態についてこの第１実施形態との相違点に注目した説明を行う。また、この第２実施形態に続いて後述する第３から第５までの各実施形態についても、この第２実施形態と同様に、第１実施形態との相違点に注目した説明を行う。
【０１０２】
図１３は、第２実施形態における磁気ディスクの内部構造を示す模式的な断面図である。
【０１０３】
尚、この図１３では、図６に示す第１実施形態の磁気ディスク１５０の構成要素と同等な構成要素については図６と同じ符号を付して示されており、以下では、これらの構成要素についての重複説明を省略する。
【０１０４】
この図１３に示す磁気ディスク２００は、基本形態について上述した磁気記憶媒体の第２実施形態に相当する。この磁気ディスク２００では、上述の第１実施形態とは異なり、ガード・バンド２２０に相当する領域に第２磁性層２０１が残っている。その結果、この図１３に示す磁気ディスク２００では、ガード・バンド２２０は、第１磁性層１５５と、上記の窪みの底に相当する薄い第２磁性層２０１とが積層された構造となっている。そのため、本実施形態では、このガード・バンド２２０も、トラック２１０と同様にＥＣＣ構造を有することとなっている。
【０１０５】
ただし、このガード・バンド２２０をなす第２磁性層２０１は、トラック２１０をなす第２磁性層２０１よりも薄いため、ガード・バンド２２０でのＥＣＣ構造で生じる交換相互作用がトラック２１０での交換相互作用よりも弱い。その結果、ガード・バンド２２０における反転磁界は、トラック２１０における反転磁界よりも大きくなる。ここで、ディスクリート・トラック型の構造が実現されるためには、記録磁界によるガード・バンド２２０への情報記録は完全に禁止されている必要がある。即ち、ガード・バンド２２０における反転磁界が、記録磁界よりも大きくなっている必要がある。
【０１０６】
上述したように、ガード・バンド２２０での交換相互作用が、ガード・バンド２２０をなす第２磁性層２０１の厚みによって決まることから、ガード・バンド２２０における反転磁界の大きさもこの第２磁性層２０１の厚みによって決まる。
【０１０７】
図１４は、図１３のガード・バンドにおける反転磁界と、そのガード・バンドをなす第２磁性層の厚みとの関係を示すグラフである。
【０１０８】
この図１４のグラフＧ３では、横軸にガード・バンド２０１をなす第２磁性層の厚みｔ２がとられ、縦軸にガード・バンド２０１における反転磁界がとられている。そして、このグラフＧ３において、第２磁性層の厚みｔ２が増すにつれて反転磁界が低下する様子が、丸印を結ぶラインＬ３で示されている。
【０１０９】
ここで、本実施形態における記録磁界Ｈｗは、上述の第１実施形態における記録磁界Ｈｗと同じ１５ｋＯｅとなっている。従って、反転磁界をこの記録磁界Ｈｗ（１５ｋＯｅ）よりも大きくして、ガード・バンド２２０への情報記録を完全に禁止するためには、第２磁性層の厚みｔ２を４ｎｍ以下とする必要があることがこの図１４のグラフＧ３から分かる。これを受けて、本実施形態では、ガード・バンド２０１をなす第２磁性層の厚みｔ２は３ｎｍに設定されている。その結果、ガード・バンド２２０の反転磁界は、図１４のグラフＧ３から読み取れるように約１９ｋＯｅとなっている。
【０１１０】
図１３には、本実施形態の磁気ディスク２００の断面図の上に、トラック２１０に直行する方向についての反転磁界の分布を示すグラフＧ４が示されている。
【０１１１】
本実施形態では、トラック２１０の反転磁界は、上述の第１実施形態のトラック２１０の反転磁界と同様に約１３ｋＯｅとなっている。また、ガード・バンド２２０の反転磁界は、上記のように約１９ｋＯｅである。一方、記録磁界Ｈｗは、上記のように１５ｋＯｅである。このため、この図１３のグラフＧ４に示されているように、記録磁界Ｈｗが、トラック２１０における反転磁界より大きく、ガード・バンド２２０における反転磁界より小さくなっている。
【０１１２】
本実施形態のトラック２１０およびガード・バンド２２０も、それぞれ上述の基本形態における記録部および分離部の各一例に相当する。また、本実施形態の第２磁性層２０１も、上述の基本形態における第２磁性層の一例に相当する。
【０１１３】
以上、説明したように、本実施形態では、ガード・バンド２０１に第２磁性層を残しつつも、この第２磁性層の厚みを適切な厚みとすることで、ディスクリート・トラック型の構造が実現されている。
【０１１４】
尚、以上に説明した第２実施形態からは、ガード・バンドには、このガード・バンドの反転磁界が記録磁界を下回らない程度なら、第２磁性層が残っていても良いことが分かる。
【０１１５】
次に、第３実施形態について説明する。
【０１１６】
図１５は、第３実施形態における磁気ディスクの内部構造を示す模式的な断面図である。
【０１１７】
尚、この図１５では、図６に示す第１実施形態の磁気ディスク１５０の構成要素と同等な構成要素については図６と同じ符号を付して示されており、以下では、これらの構成要素についての重複説明を省略する。
【０１１８】
この図１５に示す磁気ディスク２５０は、基本形態について上述した磁気記憶媒体の第３実施形態に相当する。この磁気ディスク２５０では、上述の第１実施形態と同様に、ガード・バンド２７０は保持力が相対的に大きい第１磁性層２５１のみで構成されている。ただし、この磁気ディスク２５０では、第１実施形態とは異なり、ガード・バンド２７０の第１磁性層２５１が、トラック２６０の第１磁性層２５１よりも薄くなっている。その結果、本実施形態では、ガード・バンド２７０における反転磁界が、第１実施形態のガード・バンド１７０における反転磁界よりも若干小さくなっている。
【０１１９】
ここで、ディスクリート・トラック型の構造が実現されるためには、上述したように、ガード・バンド２２０における反転磁界が、記録磁界よりも大きくなっている必要がある。このため、ガード・バンド２７０に相当する領域の第１磁性層２５１については、少なくとも、このガード・バンド２７０において記録磁界よりも大きな反転磁界が得られる程度の厚みが必要となる。
【０１２０】
図１６は、図１５のガード・バンドにおける反転磁界と、そのガード・バンドをなす第１磁性層の厚みとの関係を示すグラフである。
【０１２１】
この図１６のグラフＧ５では、横軸にガード・バンド２５１をなす第１磁性層の厚みｔ１がとられ、縦軸にガード・バンド２５１における反転磁界がとられている。そして、このグラフＧ５において、第１磁性層の厚みｔ１が増すにつれて反転磁界が上昇する様子が、丸印を結ぶラインＬ４で示されている。
【０１２２】
本実施形態でも、記録磁界Ｈｗは、上述の第１実施形態における記録磁界Ｈｗと同じ１５ｋＯｅとなっている。これに対し、第１磁性層が３ｎｍ程度の厚みを有していれば、この記録磁界Ｈｗ（１５ｋＯｅ）を大幅に上回る３０ｋＯｅ程度の反転磁化がガード・バンド２７０において得られることがこの図１６のグラフＧ５から分かる。
【０１２３】
本実施形態では、ガード・バンド２７０をなす第１磁性層の厚みｔ１は、トラック２６０をなす第１磁性層の厚み（第１実施形態と同様の７ｎｍ）よりも２ｎｍだけ薄い５ｎｍに設定されている。その結果、ガード・バンド２７０の反転磁界は、図１６のグラフＧ５から読み取れるように約３８ｋＯｅとなっている。
【０１２４】
図１５には、本実施形態の磁気ディスク２５０の断面図の上に、トラック２６０に直行する方向についての反転磁界の分布を示すグラフＧ６が示されている。
【０１２５】
本実施形態では、トラック２６０の反転磁界は、上述の第１実施形態のトラック２６０の反転磁界と同様に約１３ｋＯｅとなっている。また、ガード・バンド２７０の反転磁界は、上記のように約３８ｋＯｅである。一方、記録磁界Ｈｗは、上記のように１５ｋＯｅであるので、この図１５のグラフＧ６に示されているように、記録磁界Ｈｗが、トラック２６０における反転磁界より大きく、ガード・バンド２７０における反転磁界より小さくなっている。
【０１２６】
以上、説明したように、本実施形態では、ガード・バンド２７０の第１磁性層を、トラック２６０の第１磁性層よりも薄くしつつも、この第１磁性層の厚みを適切な厚みとすることで、ディスクリート・トラック型の構造が実現されている。
【０１２７】
尚、以上に説明した第３実施形態からは、ガード・バンドの第１磁性層については、このガード・バンドの反転磁界が記録磁界を下回らない程度なら、トラックの第１磁性層よりも薄くしても良いことが分かる。
【０１２８】
このことは、上述の基本形態に対し、次の応用形態が考えられることを意味している。この応用形態では、上記第２磁性層は、上記記録部において所定の厚みを有し上記分離部において厚み方向に全て除去されたものである。さらに、この応用形態では、上記第１磁性層が、上記分離部における厚みが上記記録部における厚みよりも薄く形成されている。
【０１２９】
本実施形態のガード・バンド２７０は、この応用形態における分離部の一例に相当する。
【０１３０】
ここまでに説明した第２および第３の各実施形態からは、ガード・バンドについては、このガード・バンドの反転磁界が記録磁界を下回らない程度なら、保持力の小さな第２磁性層が残っていても良いことが分かる。あるいは、第２磁性層とともに保持力の大きな第１磁性層も除かれて第１磁性層がトラックの第１磁性層よりも薄くなっていても良いことが分かる。このことは、例えば、第２磁性層の構成材料（Ｃｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６）で形成された一様な磁性層の一部を除去してトラックやガード・バンドを形成するに当たって、ある程度まで、この磁性層の膜厚方向に加工マージンが保証されていることを意味している。つまり、上述した各実施形態の磁気ディスクは、このような加工マージンが保証されているという意味においても、効率的に製造することができる磁気記憶媒体であるといえる。
【０１３１】
次に、第４実施形態について説明する。
【０１３２】
図１７は、第４実施形態における磁気ディスクの内部構造を示す模式的な断面図である。
【０１３３】
尚、この図１７では、図６に示す第１実施形態の磁気ディスク１５０の構成要素と同等な構成要素については図６と同じ符号を付して示されており、以下では、これらの構成要素についての重複説明を省略する。
【０１３４】
この図１７に示す磁気ディスク３００は、基本形態について上述した磁気記憶媒体の第４実施形態に相当する。この磁気ディスク３００では、上述の第１実施形態と同様に、ガード・バンド３２０は保持力が相対的に大きい第１磁性層１５５のみで構成されている。ただし、この磁気ディスク３００では、第１実施形態とは異なり、トラック３１０が、第１磁性層１５５と第２磁性層１５６との間に、これら２つの磁性層の間における交換相互作用を調整する結合制御層３０１が設けられたＥＣＣ構造を有している。
【０１３５】
第２磁性層１５６は、上述したようにＣｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６で形成されている。このため、第２磁性層１５６はｈｃｐ構造を有することとなっている。また、本実施形態では、上述の第１実施形態と同様に、垂直磁気記録方式が採用されているために、第２磁性層１５６では、ｈｃｐ構造のｃ軸がディスク面に対して垂直な方向を向いている。上記の結合制御層３０１は、第２磁性層１５６の形成時に、上記のような結晶成長を助ける役割も担っている。このような役割を担うには、結合制御層３０１が、ｆｃｃ構造を有し（１１１）配向しているか、あるいは、ｈｃｐ構造を有し（００１）配向していることが望ましい。本実施形態では、上記の結合制御層３０１は、Ｃｏにｈｃｐ構造を有するＲｕが添加された合金であるＣｏ８０Ｒｕ２０によって、（００１）配向するように形成されている。
【０１３６】
ここで、２つの磁性層の間に結合制御層が設けられた３層構造のＥＣＣ構造を有するトラックでは、２つの磁性層間の交換相互作用を強化して反転磁界を好適に低減するためには、結合制御層が適度に薄い薄膜である必要がある。結合制御層があまり厚くなり過ぎると、２つの磁性層が互いに離れ過ぎて、むしろ両者間での交換相互作用が弱まってしまい、その結果、トラックの反転磁界が上昇してしまうためである。
【０１３７】
図１８は、図１７のトラックの反転磁界と結合制御層の厚みとの関係を示すグラフである。
【０１３８】
この図１８に示すグラフＧ７では、横軸に結合制御層３０１の厚みｔｃがとられ、縦軸にトラック３１０の反転磁界がとられている。そして、このグラフＧ７には、結合制御層３０１の厚みの増加に対する反転磁界の変化が丸印を結ぶラインＬ５で示されている。
【０１３９】
このグラフＧ７から、結合制御層３０１が非常に薄いうちは、２つの磁性層が直に積層された場合よりも反転磁界が低減されていることが分かる。そして、この結合制御層３０１がある程度以上に厚くなると、２つの磁性層が直に積層された場合よりも反転磁界が大きくなってしまうことが分かる。さらに、結合制御層３０１の厚みｔｃが１ｎｍを超えて厚くなると、記録磁界Ｈｗ（１５ｋＯｅ）すらも大幅に上回ってしまい、トラック３１０への情報記録がもはや不可能となってしまっている。
【０１４０】
本実施形態では、結合制御層３０１の厚みｔｃは、２つの磁性層が直に積層された場合よりも小さな反転磁界が得られる０．６ｎｍに設定されている。
【０１４１】
以上、説明したように、本実施形態では、トラック３１０における２つの磁性層の間に両者間の交換相互作用を調整する結合制御層３０１が設けられることで、このトラック３１０の反転磁界が一層低減されている。
【０１４２】
このことは、上述の基本形態に対し、次の応用形態が好適であることを意味している。即ち、上記第１磁性層と上記第２磁性層との間に形成され、その第１磁性層とその第２磁性層との間の磁気的な相互作用を調整する制御層を有するという応用形態である。
【０１４３】
本実施形態のトラック３１０は、上記の結合制御層３０１は、この応用形態における結合制御層の一例に相当する。
【０１４４】
尚、本実施形態では、結合制御層３０１による交換相互作用の強化の程度が、上述したようにこの結合制御層３０１の厚みｔｃによって調整されている。
【０１４５】
ここで、このような結合制御層を有するＥＣＣ構造において交換相互作用の強化の程度を調整する方法としては、本実施形態のような結合制御層の厚みによる調整の他に、結合制御層の構成材料における組成比によって調整するという方法もある。以下、この組成比による調整について説明する。
【０１４６】
また、以下の説明では、結合制御層の構成材料としては、上述の第４実施形態の結合制御層３０１のようにＣｏ−Ｒｕ合金を想定する。また、結合制御層の厚みは、図１８のグラフＧ７において好適な反転磁界が得られる０．４ｎｍに固定する。
【０１４７】
図１９は、トラックの反転磁界と結合制御層の構成材料における組成比との関係を示すグラフである。
【０１４８】
この図１９に示すグラフＧ８では、横軸にＣｏ−Ｒｕ合金におけるＣｏの組成比ｘがとられ、縦軸にトラックの反転磁界がとられている。そして、このグラフＧ８には、Ｃｏの組成比ｘの増加に対する反転磁界の変化が丸印を結ぶラインＬ６で示されている。
【０１４９】
このグラフＧ８から、Ｃｏの組成比ｘが小さいときには交換相互作用によるトラックの反転磁界の低減効果が現れていないことが分かる。これは、Ｃｏの組成比ｘが小さいときには、Ｃｏ−Ｒｕ合金がほとんど非磁性材料となってトラックを構成する２つの磁性層が互いに磁気的に分断されてしまい両者間に交換相互作用が働かないことによる。
【０１５０】
Ｃｏの組成比ｘがある程度の値を超えると、Ｃｏ−Ｒｕ合金の磁性が強まり交換相互作用が表れてくる。そして、Ｃｏの組成比ｘが８０％程度に達すると、反転磁界は、２つの磁性層が直に積層された場合の反転磁界よりも低くなる。さらに、Ｃｏの組成比ｘが増加すると、今度は、２つの磁性層の結合状態が、両者が直に積層された状態に近付くので、反転磁界は若干増加することとなる。
【０１５１】
以上、説明したように、ＥＣＣ構造における交換相互作用の強化の程度については、結合制御層の構成材料における組成比によって調整することもでき、これによってトラックについて好適に低減された反転磁界を得ることができる。
【０１５２】
尚、ここまで、ＥＣＣ構造における交換相互作用を強めるための結合制御層の構成材料として、Ｃｏ−Ｒｕ合金を例示したが、結合制御層の構成材料はこれに限るものではない。この結合制御層の構成材料は、Ｃｏと、ｈｃｐ構造を有する金属との合金であれば、例えばＣｏ−Ｔｉ合金やＣｏ−Ｚｒ合金等であっても良い。
【０１５３】
また、上述の図１７に示す第５実施形態の磁気ディスク３００では、結合制御層３０１は、トラック３１０についてのみ設けられているが、ＥＣＣ構造における交換相互作用を調整する結合制御層はこのような形態に限るものではない。この結合制御層は、例えば第１磁性層上に一様に積層されガード・バンドにも存在しているといった形態であっても良い。このような形態の場合、トラックの結合制御層のみが交換相互作用を強める働きをすることとなる。
【０１５４】
次に、第５実施形態について説明する。
【０１５５】
図２０は、第５実施形態における磁気ディスクの内部構造を示す模式的な断面図である。
【０１５６】
尚、この図２０では、図６に示す第１実施形態の磁気ディスク１５０の構成要素と同等な構成要素については図６と同じ符号を付して示されており、以下では、これらの構成要素についての重複説明を省略する。
【０１５７】
この図２０に示す磁気ディスク３５０は、基本形態について上述した磁気記憶媒体の第５実施形態に相当する。この磁気ディスク３５０は、基本的には、図６に示す第１実施形態の磁気ディスク１５０とほぼ同等な構成を有している。ただし、この磁気ディスク３５０では、第２磁性層１５６が形成される前に、第１磁性層３５１がＡｒガスあるいは酸素ガスの雰囲気中に一定時間曝されて、第１磁性層３５１の表面に酸化層等の変性層３５１ａが形成されている。第２磁性層１５６は、この変性層３５１ａの上に形成されている。
【０１５８】
このような変性層３５１ａは、上述の第４実施形態における結合制御層３０１と同様に、第１磁性層３５１と第２磁性層１５６との間の交換相互作用を強めることによってトラック３６０の反転磁界を一層低減させる働きをする。
【０１５９】
この本実施形態における変性層３５１ａも、記録層が結合制御層を有したタイプの上述の応用形態における結合制御層の一例に相当する。
【０１６０】
ここで、第１磁性層３５１がＡｒガスあるいは酸素ガスの雰囲気中にあまり長時間に亘って曝されると、変性層３５１ａにおける非磁性が強くなって交換相互作用を弱めてしまい、トラック３６０の反転磁界をむしろ増加させてしまう。このため、本実施形態では、上記ガス中での暴露時間を、トラック３６０の反転磁界が、２つの磁性層が直に積層された場合の反転磁界よりも低くなる好適な暴露時間に設定する必要がある。
【０１６１】
このトラック３６０の反転磁界と暴露時間との関係を下記の表１に示す。
【０１６２】
【表１】
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【０１６３】
この表１には、上記の第１磁性層３５１を、５ＰａのＡｒガスおよび酸素ガスの雰囲気中に、様々な暴露時間に亘って曝して図２０の磁気ディスク３５０を得たときの各暴露時間に対するトラック３６０の反転磁界が記載されている。
【０１６４】
この表１から、Ａｒガスについては、２０秒以下の暴露時間において、トラック３６０の反転磁界が、２つの磁性層が直に積層された場合の反転磁界（上述の第１実施形態において示したように１３ｋＯｅ）よりも小さくなっていることが分かる。一方、暴露時間が３０秒を超えると反転磁界が上記の記録磁界Ｈｗ（１５ｋＯｅ）を大幅に上回ってしまいトラック３６０への情報記録が不可能となってしまっている。
【０１６５】
また、酸素ガスについては、１０秒以下の暴露時間において、トラック３６０の反転磁界が、２つの磁性層が直に積層された場合の反転磁界よりも小さく、２０秒を超えると情報記録が不可能な程に反転磁界が増加してしまうことが表１から読み取れる。
【０１６６】
以上、説明したようにＡｒガスや酸素ガスの雰囲気中への第１磁性層３５１の暴露によってトラック３６０の反転磁界を一層低減させることができる。一方で、その暴露時間には限度があり、Ａｒガスについては２０秒以下が望ましく、酸素ガスについては１０秒以下が望ましい。
【０１６７】
以上で、磁気記憶媒体および情報記憶装置の第１〜第５の各実施形態についての説明を終了し、次に、磁気記憶媒体製造方法の具体的な実施形態について説明する。
【０１６８】
尚、以下に説明する磁気記憶媒体製造方法の具体的な実施形態は、図６に示す第１実施形態の磁気ディスク１５０を製造するための磁気ディスク製造方法である。
【０１６９】
図２１は、図６の磁気ディスクを製造する磁気ディスク製造方法におけるステップＳ１０１〜ステップＳ１０４の一連の処理を示す模式図である。また、図２２は、この磁気ディスク製造方法におけるステップＳ１０５〜ステップＳ１０８の一連の処理を示す模式図である。そして、図２３は、磁気ディスク製造方法におけるステップＳ１０９〜ステップＳ１１１の一連の処理を示す模式図である。
【０１７０】
この磁気ディスク製造方法では、まず、ステップＳ１０１において、基板１５１上に、密着層１５２、軟磁性裏打ち層１５３、下地層１５４、第１磁性層１５５、Ｃｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６層１５６’、およびＤＬＣ層１５７が積層された積層物が形成される。ここで、Ｃｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６層１５６’は、上記の第２磁性層１５６の元となる一様な磁性層である。また、このステップＳ１０１では、これらの各層が、基板１５１側から上記の記載順で積層される。
【０１７１】
上記の積層物はスパッタ法によって形成され、その形成には、複数の製膜チャンバが連結されているスパッタ装置が用いられる。ステップＳ１０１では、このスパッタ装置のロード室から基板１５１が装置内部に投入され、以下に説明する形成処理が順次に実行されて上記の積層物が形成される。そして、形成が完了するとスパッタ装置のアンロード室からその積層物が取り出される。尚、本実施形態では、このスパッタ装置では、スパッタガスとしてＡｒガスが用いられる。
【０１７２】
以下、ステップＳ１０１において実行される、このスパッタ装置を用いた積層物の形成処理について説明する。
【０１７３】
まず、基板１５１上に、上記の密着層１５２（厚さが５ｎｍのＣｒの層）が、０．２Ｐａという低いガス圧の下で１２ｋＷのスパッタパワーで形成される。本実施形態では、上記のような低いガス圧の下で密着層１５２を形成することで、この密着層１５２の密着力が高められている。
【０１７４】
次に、密着層１５２の上に、上記の軟磁性裏打ち層１５３が形成される。この軟磁性裏打ち層１５３は、上述したようにアンチパラレル構造を有しており、２枚のＣｏ８０Ｚｒ１０Ｎｂ１０膜でＲｕ膜を挟んだ３層構造となっている。本実施形態では、Ｃｏ８０Ｚｒ１０Ｎｂ１０膜は、０．４Ｐａのガス圧の下で２ｋＷのスパッタパワーで形成され、Ｒｕ膜は、０．４Ｐａのガス圧の下で０．４ｋＷのスパッタパワーで形成される。
【０１７５】
ここで、本実施形態では、Ｃｏ８０Ｚｒ１０Ｎｂ１０のターゲットが、そのターゲットの中心と基板１５１の中心とがほぼ一致して並ぶようにチャンバ内に配置される。その結果、Ｃｏ８０Ｚｒ１０Ｎｂ１０膜が基板１５１の半径に沿った方向に放射状に形成されることとなる。その形成の過程では、Ｃｏ８０Ｚｒ１０Ｎｂ１０の磁気的なクラスタが形成されるとともにＣｏ８０Ｚｒ１０Ｎｂ１０膜内に歪みが生じる。そして、その歪みによる磁歪の逆効果によって、Ｃｏ８０Ｚｒ１０Ｎｂ１０膜内に、ディスク面に平行で半径に沿った方向を磁化容易軸とした磁気異方性が生じることとなる。
【０１７６】
軟磁性裏打ち層１５３の形成が終了すると、その軟磁性裏打ち層１５３上に、上記の下地層１５４（厚さが２０ｎｍのＰｔの層）が、５Ｐａというガス圧の下で１ｋＷのスパッタパワーで形成される。
【０１７７】
そして、この下地層１５４上に、上記の第１磁性層１５５（厚さが７ｎｍのＣｏ５０Ｐｔ５０−８ＴｉＯ２の層）が、１０Ｐａというガス圧の下で１ｋＷのスパッタパワーで形成される。さらに、この第１磁性層１５５の上に、厚さが６ｎｍのＣｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６層１５６’が、１Ｐａというガス圧の下で１ｋＷのスパッタパワーで形成される。
【０１７８】
最後に、Ｃｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６層１５６’の上に、ＤＬＣ層１５７が形成されて上記の積層物の形成が完了する。
【０１７９】
図２１のステップＳ１０１では、さらに、このように形成された積層物に対して、赤外線ランプ炉を用いたパルスアニールが施される。このパルスアニールでは、５０℃／秒の昇温速度で温度が上げられ、３００℃で約１０秒保持した後に温度が下げられる。このような処理により、第１磁性層１５５およびＣｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６層１５６’等に上述したような磁気特性が付与される。
【０１８０】
以上に説明したステップＳ１０１の一連の処理が、上述の磁気記憶媒体製造方法の基本形態における積層物形成過程の一例に相当する。
【０１８１】
次に、ステップＳ１０１で得られた積層物におけるＤＬＣ層１５７の上に、紫外線硬化樹脂であるＵＶレジスト４０１が５０ｎｍの厚さで塗布される（ステップＳ１０２）。
【０１８２】
ここで、ＵＶレジスト４０１は各種製造されているが、一例として、東洋合成社製のＰＡＫ−０１シリーズ等を用いることができる。
【０１８３】
また、このステップＳ１０２では、ＵＶレジスト４０１の塗布がスピンコート法によって行われる。まず、スピンコータで上記の積層物を１０００ｒｐｍで回転させながら、その回転中の積層物の上に適量のＵＶレジスト４０１を滴下する。滴下の後、上記の回転速度で３０秒間回転が続けられる。その後、回転速度を４０００ｒｐｍに上げてさらに３０秒間回転させることで、ＵＶレジスト４０１が５０ｎｍの厚さで均一に塗布されることとなる。
【０１８４】
次のステップＳ１０３では、塗布されたＵＶレジスト４０１に、トラックパターン等に対応した凹凸が表面に形成され紫外線を透過させる透明モールド４０２が、その凹凸をＵＶレジスト４０１に向けて押し当てられる。本実施形態では、透明モールド４０２における、トラックパターンに対応した凹凸は、凸の幅が３０ｎｍで、凹の幅が８０ｎｍで、ピッチが１１０ｎｍの同心円状の凹凸となっている。また、この透明モールド４０２には、上述したサーボパターンに対応した凹凸も形成されている。
【０１８５】
ステップＳ１０３では、このような透明モールド４０２がＵＶレジスト４０１に押し当てられ、その透明モールド４０２越しに概ね１０秒間のＵＶ照射が行われる。このＵＶ照射によって、ＵＶレジスト４０１は硬化する。
【０１８６】
このＵＶレジスト４０１の硬化後に、ＵＶレジスト４０１から、透明モールド４０２が剥がされる（ステップＳ１０４）。本実施形態では、このステップＳ１０４を経て、上記の積層物の上に、トラック等となるべき保護領域を保護するマスクが形成される。尚、このステップＳ１０４の段階では、上記の保護領域以外の他の領域にも、ＵＶレジスト４０１が若干残る。以下、この若干残ったＵＶレジスト４０１を残膜４０１ａと呼ぶ。
【０１８７】
次に、上記の残膜４０１ａと、この残膜４０１ａ下のＤＬＣ層１５７が酸素プラズマエッチングによって除去される（ステップＳ１０５）。このステップＳ１０５では、この酸素プラズマエッチングは、酸素とＡｒとのガス流量比を１：１、トータルガス圧を１Ｐａ、ＲＦエッチングパワーを１ｋＷとした条件下で実行される。
【０１８８】
このステップＳ１０５では、残膜４０１ａ以外のＵＶレジスト４０１の下のＤＬＣ層１５７は残ることとなるが、この残ったＤＬＣ層１５７は、ＵＶレジスト４０１とともに上記のマスクとしての役割を果たすこととなる。
【０１８９】
ステップＳ１０５の後に、一様なＣｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６層１５６’のうち、上記のマスクで保護されている保護領域以外の他の領域が、イオンビームエッチング装置を使ったイオンビームエッチングによって除去される（ステップＳ１０６）。このステップＳ１０６の処理が、上述の磁気記憶媒体製造方法の基本形態における除去過程の一例に相当する。
【０１９０】
このステップＳ１０６の処理では、まず、エッチング用ガスとしてＡｒガスが用いられる。また、イオンビームエッチング装置内のガス圧は０．０５Ｐａに設定され、イオンビームエッチング装置のグリッド１のプラス加速電圧が５００Ｖに設定され、グリッド２のマイナス収束電圧が−５００Ｖに設定される。そして、このような設定条件下で、ＲＦグロー放電により形成されたＡｒ＋イオンがイオンビーム源から放出され、さらにニュートライザで中和されてＡｒ原子となって上記の積層物に照射される。このような照射によって、Ｃｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６層１５６’のうち、上記のマスクで保護されている保護領域以外の他の領域にＡｒ原子が衝突し、その衝突によってその領域のＣｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６層１５６’がエッチングされることとなる。以上に説明した、ステップＳ１０６の処理によって、第１磁性層１５５の上に、図６にも示した上記の第２磁性層１５６が形成されることとなる。
【０１９１】
ここで、エッチングレートはイオンビームエッチング装置内のガス圧や上記の２つのグリッドにおけるグリッド電圧に依存するが、上記のような条件下では、６ｎｍのＣｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６層１５６’に対する除去が４秒程度で完了する。仮に、従来、ディスクリート・トラック型の磁気ディスクを製造するときのように下地層１５４上の磁性層を第１磁性層１５５も含めて全て除去すると仮定すると、上記のような条件下では、約２倍のエッチング時間が必要となる。このことから、第１磁性層１５５を残してエッチングを行う本実施形態の磁気ディスク製造方法は、上記のような従来の製造方法に比べて効率的であり量産性に優れていることが分かる。
【０１９２】
ステップＳ１０６の処理によって第２磁性層１５６が形成されると、次に、その第２磁性層１５６上に残っているＵＶレジスト４０１とＤＬＣ層１５７とが除去される（ステップＳ１０７）。このステップＳ１０７の処理は、上述のステップＳ１０５における酸素プラズマエッチングと同じ処理によって行われる。このステップＳ１０７の処理を経て、図６にも示したトラック１６０とガード・バンド１７０とが完成する。
【０１９３】
次に、第２磁性層１５６の間隙が次のような非磁性材料１５８で充填される（ステップＳ１０７）。
【０１９４】
この充填用の非磁性材料１５８は、結晶質でも非晶質でも構わない。また、酸化物、窒化物、合金、単元素の金属のいずれでも構わない。ただし、後述するように非磁性材料１５８と第２磁性層１５６との上にＤＬＣ製の保護層が形成されることから、この保護層の密着性の均一化という観点からは、第２磁性層１５６と同様な材料特性を有していることが望ましい。例えば、本実施形態では、第２磁性層１５６がＣｏを主成分とした磁性材料で形成されていることから、非磁性材料１５８もＣｏを主成分としていることが望ましい。
【０１９５】
また、例えば、第２磁性層１５６が、本実施形態とは異なり、酸化物が添加された磁性材料で形成されることも考えられる。そのような場合、非磁性材料１５８として、その酸化物と同じ酸化物が添加された材料を用いることは、第２磁性層１５６と非磁性材料１５８とで、非磁性材料１５８に対する密着性を同程度にするという点で都合が良いといえる。
【０１９６】
具体的には、非磁性材料１５８は、Ｃｏに、ＣｒやＭｏといった非磁性材料を添加した材料でも良い。あるいは、Ｃｏベースでは無いが、第３繊維金属であるＣｒをベースにしたＣｒ−Ｍｏ合金や、Ｃｒ−Ｗ合金等といった材料でも良い。また、第２磁性層１５６が、本実施形態とは異なり、酸化物が添加された磁性材料であるＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２で形成されている場合には、非磁性材料１５８としてＣｏＣｒ−ＴｉＯ２を用いるとＤＬＣ製の保護層の密着性の均一性が向上する。また、第２磁性層１５６が、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２で形成されている場合には、非磁性材料１５８としてＣｏＣｒ−ＳｉＯ２を用いると保護層の密着性の均一性が向上する。
【０１９７】
上述したように、本実施形態では、第２磁性層１５６がＣｏを主成分とした磁性材料で形成されていることから、非磁性材料１５８として、Ｃｏを主成分としたＣｏ５０Ｃｒ２５Ｍｏ２５が採用されている。
【０１９８】
ステップＳ１０８の処理では、この非磁性材料１５８による充填が、通常のＲＦスパッタにバイアスが印加されたバイアススパッタによって行われる。Ｃｏ５０Ｃｒ２５Ｍｏ２５のターゲットが使われ、スパッタ装置内のガス圧は１０Ｐａに設定され、ＲＦスパッタ電圧は２００Ｖ、基板側バイアス電圧は−６０Ｖに設定されている。ステップＳ１０８の処理では、このような条件下で、約２０秒間のスパッタ時間でのスパッタが実行される。
【０１９９】
本実施形態では、上記のような比較的高いガス圧でのバイアススパッタによって、非磁性材料１５８の充填中は、凸状となっている第２磁性層１５６の上に一旦堆積したＣｏ５０Ｃｒ２５Ｍｏ２５がエッチングされやすくなっている。その結果、約２０秒間のスパッタによって、第２磁性層１５６の間隙が充填された後の非磁性材料１５８の表面が均されて概ね平坦になる。尚、上記のような条件では、第２磁性層１５６の高さを超えて余剰に堆積した非磁性材料１５８の厚みは約５ｎｍとなる。
【０２００】
非磁性材料１５８の充填が終了すると、上記の余剰に堆積した約５ｎｍ分の非磁性材料１５８が、イオンビームエッチングにより除去される（ステップＳ１０９）。イオンビームエッチングはビームの直進性が高いので、このステップＳ１０９の処理では、余剰な非磁性材料１５８が均一にエッチングされることとなる。尚、このステップＳ１０９でのイオンビームエッチングは、上記のステップＳ１０６でＣｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６層１５６’を除去するイオンビームエッチングにおける設定条件と同じ条件下で実行される。
【０２０１】
余剰な非磁性材料１５８のエッチングが終了すると、まず、第２磁性層１５６と非磁性材料１５８との表面に平坦化処理が施され、その表面上へのＤＬＣ製の保護層１７１の形成と、その保護層１７１上への潤滑剤１７２の塗布が行われる（ステップＳ１１０）。このステップＳ１１０では、保護層１７１の形成は、上記のステップＳ１０１におけるＤＬＣ層１５７の形成と同様にスパッタ法によって行われる。尚、この保護層１７１の形成やステップＳ１０１におけるＤＬＣ層１５７の形成は、このスパッタ法に限らず、例えばＣＶＤ（化学気相成長）法や、ＦＣＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ  Ｃａｔｈｏｄｉｃ  Ａｒｃ）法等によって行われても良い。また、ステップＳ１１０で保護層１７１上に塗布される潤滑剤１７２は、パーフルオロポリエーテルを主鎖として末端基がＯＨやフェニル基等からなる有機系液体潤滑剤である。尚、この有機系液体潤滑剤は、上記のＤＬＣ製の保護層１７１に良好に塗布できる潤滑剤の一例である。また、保護層１７１の材質によっては、潤滑剤１７２を塗布しなくても良い。
【０２０２】
このステップＳ１１０までの処理で、図６等に示した上述の磁気記憶媒体の第１実施形態である磁気ディスク１５０が得られる。ただし、このステップＳ１１０が終了した段階では、ガード・バンド１７０、図９のサーボパターン１８０の第１パターン部分１８１および第２パターン部分１８２についての磁化は未だ配向されていない。
【０２０３】
そこで、上記のステップＳ１１０が終了すると、次のような磁化配向処理が実行される（ステップＳ１１１）。まず、ガード・バンド１７０および図９のサーボパターン１８０の第２パターン部分１８２の磁化を、基板１５１側を向く下向き方向に揃える磁化配向処理が実行される。次に、サーボパターン１８０の第１パターン部分１８１の磁化を、基板１５１側とは逆向きの上向き方向に揃える磁化配向処理が実行される。
【０２０４】
ガード・バンド１７０については、上述したように磁化が１方向に揃えられていることで、情報再生時のノイズの低減という効果を得ることができる。ステップＳ１１１による磁化配向処理のうち、特にガード・バンド１７０に対する磁化配向処理は、このような効果を得るために実行される。
【０２０５】
このことは、上述の磁気記憶媒体製造方法の基本形態に対し、次の応用形態が好適であることを意味している。即ち、上記分離部の磁化の向きを１方向に揃える磁化配向過程を、さらに有するという応用形態である。
【０２０６】
上記のステップＳ１１１の処理は、この応用形態における磁化過程の一例に相当する。
【０２０７】
上記の図７等を参照して説明したように、ガード・バンド１７０や第２パターン部分１８２における反転磁界Ｈｃｇは、トラック１６０や第１パターン部分１８１における反転磁界Ｈｔｇよりも大きく、本実施形態では概ね４０ｋＯｅとなっている。このため、この４０ｋＯｅの反転磁界Ｈｃｇを超える、例えば４２ｋＯｅの配向磁界Ｈｉを印加すること等によりガード・バンド１７０や第２パターン部分１８２の磁化を反転させて所望の方向に揃えることができる。
【０２０８】
ここで、このような大きな配向磁界Ｈｉの印加には、例えば電磁石を利用する場合には電磁石に非常に大きな電流を供給しなければならず、また永久磁石を利用する場合には永久磁石を印加対象物に非常に接近させなければならないといった困難さが伴う。そこで、本実施形態では、以下のような方法により、ガード・バンド１７０や第２パターン部分１８２に対する磁化を、上記の大きな配向磁界Ｈｉよりも小さな配向磁界で反転させることが可能となっている。
【０２０９】
本実施形態では、ガード・バンド１７０および第２パターン部分１８２に対する磁化配向処理が、磁気ディスク１５０を瞬間的に加熱して、ガード・バンド１７０や第２パターン部分１８２を構成する第１磁性層１５５の保磁力を一時的に低減させて行われる。また、本実施形態では、この磁気ディスク１５０の瞬間的な加熱が、磁気ディスク１５０にキセノンランプからの光を瞬間的に照射することで行われる。これにより、ガード・バンド１７０や第２パターン部分１８２の磁化を、上記の大きな配向磁界Ｈｉよりも小さな配向磁界で反転させることができる。
【０２１０】
このことは、上述の磁化配向過程を有するタイプの応用形態に対し、次の応用形態が好適であることを示している。即ち、上記磁化配向過程が、上記積層物形成過程で形成され、上記除去過程を経た積層物に磁界を印加しながら、その積層物を加熱する過程であるという応用形態である。そして、この応用形態の一例として、上記磁化配向過程が、上記積層物に対してキセノンランプからの光を照射することでその積層物を加熱する過程であるという応用形態が考えられる。
【０２１１】
上記のステップＳ１１１の処理は、これらの応用形態における磁化過程の一例に相当する。
【０２１２】
上記のステップＳ１１１では、具体的には、磁界の印加にＳｍ−Ｃｏからなる永久磁石が使われる。そして、この永久磁石の上に、上記の磁気ディスク１５０が、第１磁性層１５５に対して基板１５１側を向く磁界が印加されるように載置される。この状態の磁気ディスク１５０に対して、キセノンランプからの光が約１ｍｓｅｃの間照射される。この光の照射により、磁気ディスク１５０の温度は瞬間的におよそ１５０℃まで上昇する。そして、その後、磁気ディスク１５０が冷却していく冷却過程において、ガード・バンド１７０や第２パターン部分１８２の磁化が、永久磁石からの磁界の向きに応じて、基板１５１側を向く下向き方向に配向されることとなる。
【０２１３】
尚、この段階では、ガード・バンド１７０や第２パターン部分１８２の磁化だけでなく、トラック１６０や第１パターン部分１８１の磁化も全て上記の下向き方向に揃えられている。ここで、第１パターン部分１８１の磁化については、図９のサーボパターン１８０を完成させるためには、第２パターン部分１８２の磁化とは逆向きに配向させる必要がある。
【０２１４】
そこで、ステップＳ１１１では、第１パターン部分１８１の磁化を、第２パターン部分１８２の磁化とは逆向きの上向き方向に配向すべく、再度の磁界の印加が実行される。ただし、この磁化配向は、記録磁界と同程度の大きさの磁界で十分であるので、上記のような光の照射は不要となる。そして、このときには、第１磁性層１５５や第２磁性層１５６に対して基板１５１側とは反対側を向く磁界が印加される。このような磁界の印加により、第１パターン部分１８１の磁化が、上記の上向き方向に配向される。尚、この第１パターン部分１８１の磁化反転に使われる記録磁界と同程度の大きさの磁界は、ガード・バンド１７０や第２パターン部分１８２の反転磁界よりも小さいので、これらの箇所における下向き方向を向いた磁化はそのまま維持される。これにより、図９のサーボパターン１８０が、各パターン部分の磁化の向きも含めて完成することとなる。
【０２１５】
また、この記録磁界と同程度の大きさの磁界により、トラック１６０の磁化も、第１パターン部分１８１の磁化と同じ上向き方向に配向される。ただし、このトラック１６０の磁化については、図５のＨＤＤ１００に搭載されて、そのＨＤＤ１００において情報が記録される際に、記録磁界によって情報に応じた所望の向きに配向されることとなる。
【０２１６】
以上、図２１〜図２２を参照して説明した本実施形態の磁気ディスク製造方法によれば、上述したようにステップＳ１０６でのエッチング対象がＣｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６層１５６’だけであることから処理が効率的である。また、エッチング対象がＣｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６層１５６’だけであることから、そのエッチングで形成される窪みが浅くて済み、その分、ステップＳ１０８での充填処理等も効率的となる。このように、本実施形態の磁気ディスク製造方法によれば、ＥＣＣ構造が適用された上記のディスクリート・トラック型の磁気ディスク１５０を効率的に製造することができる。
【０２１７】
尚、上記では、基本形態について上述した磁気記憶媒体の一実施形態としてディスクリート・トラック型の磁気ディスクを例示したが、この基本形態について上述した磁気記憶媒体はこれに限るものではない。この磁気記憶媒体は、例えば、各々にビット情報が記録される複数のドットが配列されたいわゆるビットパターンド型の磁気ディスク等であっても良い。
【０２１８】
また、上記の各実施形態では、磁気ディスクを構成する各層の材料や厚み、さらに、それら各層を形成するに当たっての各種設定条件等について具体的に示した。しかしながら、これら各層の材料や厚みや各種設定条件等については、上記の具体的なものに限らず、他の材料や厚みや設定条件等であっても良い。
【０２１９】
以下、上述した基本形態を含む種々の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０２２０】
（付記１）
各々に情報が磁気的に記録される複数の記録部と、互いに隣り合う記録部どうしを分離する分離部とを有する磁気記憶媒体において、
第１磁性層と、
前記第１磁性層が有する保磁力よりも小さい保磁力を有し、前記記録部において所定の厚みに形成され前記分離部において厚み方向に部分的あるいは全て除去された第２磁性層とを有することを特徴とする磁気記憶媒体。
【０２２１】
（付記２）
前記第２磁性層は、前記記録部において所定の厚みを有し前記分離部において厚み方向に全て除去されたものであって、さらに、
前記第１磁性層が、前記分離部における厚みが前記記録部における厚みよりも薄く形成されたものであることを特徴とする付記１記載の磁気記憶媒体。
【０２２２】
（付記３）
前記記録部が帯状のトラックであり、
前記分離部が、互いに隣り合うトラックどうしを分離するものであることを特徴とする付記１又は２記載の磁気記憶媒体。
【０２２３】
（付記４）
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に形成され、該第１磁性層と該第２磁性層との間の磁気的な相互作用を調整する制御層を有することを特徴とする付記１から３のうちいずれか１項記載の磁気記憶媒体。
【０２２４】
（付記５）
前記分離部が、磁化の向きが１方向に揃えられたものであることを特徴とする付記１から４のうちいずれか１項記載の磁気記憶媒体。
【０２２５】
（付記６）
当該磁気記憶媒体が、前記記録部と前記分離部とで構成されたサーボパターンを有し、
前記サーボパターンを構成する記録部における磁化の向きと、該サーボパターンを構成する分離部における磁化の向きとが互いに逆向きとなっていることを特徴とする付記１から５のうちいずれか１項記載の磁気記憶媒体。
【０２２６】
（付記７）
各々に情報が磁気的に記録される複数の記録部と、互いに隣り合う記録部どうしを分離する分離部とを有する磁気記憶媒体が搭載された情報記憶装置において、
前記磁気記憶媒体が、
第１磁性層と、
前記第１磁性層が有する保磁力よりも小さい保磁力を有し、該第１磁性層に対して磁気的な相互作用を有する、前記記録部において所定の厚みを有し前記分離部において厚み方向に部分的あるいは全て除去された第２磁性層とを有し、
前記磁気記憶媒体に対し、情報記録及び／又は情報再生を行うヘッドを備えたことを特徴とする情報記憶装置。
【０２２７】
（付記８）
各々に情報が磁気的に記録される複数の記録部と、互いに隣り合う記録部どうしを分離する分離部とを有する磁気記憶媒体を製造する磁気記憶媒体製造方法において、
第１磁性層と、該第１磁性層が有する保磁力よりも小さい保磁力を有し、該第１磁性層に対して磁気的な相互作用を有する磁性膜とからなる積層物を形成する積層物形成過程と、
前記磁性膜を、局所的に、該磁性膜の厚み方向に部分的あるいは全て除去することで、前記記録部が所定の厚みを有し前記分離部が厚み方向に部分的あるいは全て除去された第２磁性層を形成する除去過程とを有することを特徴とする磁気記憶媒体製造方法。
【０２２８】
（付記９）
前記分離部の磁化の向きを１方向に揃える磁化配向過程を、さらに有することを特徴とする付記８記載の磁気記憶媒体製造方法。
【０２２９】
（付記１０）
前記磁化配向過程が、前記積層物形成過程で形成され、前記除去過程を経た積層物に磁界を印加しながら、該積層物を加熱する過程であることを特徴とする付記９記載の磁気記憶媒体製造方法。
【０２３０】
（付記１１）
前記磁化配向過程が、前記積層物に対してキセノンランプからの光を照射することで該積層物を加熱する過程であることを特徴とする付記１０記載の磁気記憶媒体製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０２３１】
【図１】従来、ＨＤＤの多くに搭載されている磁気ディスクの内部構造を示す模式的な断面図である。
【図２】ディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体の一例について内部構造を示す模式的な断面図である。
【図３】図２に示すディスクリート・トラック型の磁気記憶媒体を製造する製造方法を示す模式図である。
【図４】ＥＣＣ構造を模式的に示す図である。
【図５】基本形態について説明した情報記憶装置の具体的な一実施形態に相当するハードディスク装置（ＨＤＤ）を示す図である。
【図６】図５に示す磁気ディスクの内部構造を示す模式的な断面図である。
【図７】トラックについての磁化曲線と、ガード・バンドについての磁化曲線とを示すグラフである。
【図８】図５の磁気ディスクにおけるサーボパターンを示す模式図である。
【図９】図８に示すサーボパターンの拡大図である。
【図１０】図９のサーボパターンに対応する従来の磁気ディスクにおけるサーボパターンを示す図である。
【図１１】図９のサーボパターンに対応する従来のディスクリート・トラック型の磁気ディスクにおけるサーボパターンを示す図である。
【図１２】図９のサーボパターンとは異なり、２つのパターン部分の磁化が互いに同じ向きを向いている別形態のサーボパターンを示す図である。
【図１３】第２実施形態における磁気ディスクの内部構造を示す模式的な断面図である。
【図１４】図１３のガード・バンドにおける反転磁界と、そのガード・バンドをなす第２磁性層の厚みとの関係を示すグラフである。
【図１５】第３実施形態における磁気ディスクの内部構造を示す模式的な断面図である。
【図１６】図１５のガード・バンドにおける反転磁界と、そのガード・バンドをなす第１磁性層の厚みとの関係を示すグラフである。
【図１７】第４実施形態における磁気ディスクの内部構造を示す模式的な断面図である。
【図１８】図１７のトラックの反転磁界と結合層の厚みとの関係を示すグラフである。
【図１９】トラックの反転磁界と結合制御層の構成材料における組成比との関係を示すグラフである。
【図２０】第５実施形態における磁気ディスクの内部構造を示す模式的な断面図である。
【図２１】図６の磁気ディスクを製造する磁気ディスク製造方法におけるステップＳ１０１〜ステップＳ１０４の一連の処理を示す模式図である。
【図２２】図６の磁気ディスクを製造する磁気ディスク製造方法におけるステップＳ１０５〜ステップＳ１０８の一連の処理を示す模式図である。
【図２３】図６の磁気ディスクを製造する磁気ディスク製造方法におけるステップＳ１０９〜ステップＳ１１１の一連の処理を示す模式図である。
【符号の説明】
【０２３２】
１００    ハードディスク装置
１０１    スピンドルモータ
１０２    アーム
１０３    ボイスコイルモータ
１０４    磁気ヘッド
１５０，２００，２５０，３００，３５０，５００，６００    磁気ディスク
１５１，５１０    基板
１５２    密着層
１５３，５２０    軟磁性裏打ち層
１５４，５３０    下地層
１５５，２５１，３５１    第１磁性層
１５６，２０１    第２磁性層
１５６’    Ｃｏ８０Ｃｒ１４Ｐｔ６層
１５７    ＤＬＣ層
１５８    非磁性材料
１６０，２１０，２６０，３１０，３６０，６１１    トラック
１６１    セクタ
１７０，２２０，２７０，３２０，６１２    ガード・バンド
１７１，５５０    保護層
１７２    潤滑剤
１８０，１８０’，５６０，６６０    サーボパターン
１８１，１８１’，５６１，６６１    第１パターン部分
１８２，１８２’，５６２，６６２    第２パターン部分
３０１，７０３    結合制御層
３５１ａ    変性層
４０１    ＵＶレジスト
４０１ａ    残膜
４０２    透明モールド
５４０，６１０，７００    記録層
６２０    磁性層
６３０    レジスト
６４０    モールド
６５０    非磁性材料の膜
７０１    下部ハード層
７０２    上部ソフト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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