(57)【要約】【課題】ＭＩＣ基板とＬＴＣＣ基板との間のグランド電流経路を短くすること。【解決手段】表層にストリップ線路２２が形成されたＭＩＣ基板２１と、表層にストリップ線路パターン３２が形成され、内層に内層グランドパターン３３が形成され、ＭＩＣ基板２１よりも厚いＬＴＣＣ基板３１と、ＭＩＣ基板を支持するＭＩＣ実装キャリア２０と、ＬＴＣＣ基板３１を支持するＬＴＣＣ実装キャリア３０と、ＭＩＣ実装キャリア２０およびＬＴＣＣ実装キャリア３０を支持するシャーシとを備えた高周波回路機器において、ＬＴＣＣ基板３１における内層グランドパターン３３より上層部をＭＩＣ基板２１側の側方に突出させ、該突出部３１ａとＭＩＣ実装キャリア２０の上面とを導電性接着剤３５によって接合する。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表層に第１のストリップ線路が形成された第１の基板と、表層に前記第１のストリップ線路に接続される第２のストリップ線路が形成され、内層に内層グランドパターンが形成され、前記第１の基板よりも厚い第２の基板と、前記第１の基板を支持する金属製の第１基板用キャリアと、前記第２の基板を支持する金属製の第２基板用キャリアと、前記第１の基板および第２の基板が隣接するように前記第１および第２基板用キャリアを支持するシャーシとを備えた高周波回路機器において、
前記第２の基板における内層グランドパターンより上層部を前記第１の基板側の側方に突出させ、該突出部と前記第１基板用キャリアの上面とを導電性接着剤によって接合することを特徴とする高周波回路機器。
【請求項２】
表層に第１のストリップ線路が形成された第１の基板と、表層に前記第１のストリップ線路に接続される第２のストリップ線路が形成され、内層に内層グランドパターンが形成され、前記第１の基板よりも厚い第２の基板と、前記第１の基板を支持する金属製の第１基板用キャリアと、前記第２の基板を支持する金属製の第２基板用キャリアと、前記第１の基板および第２の基板が隣接するように前記第１および第２基板用キャリアを支持するシャーシとを備えた高周波回路機器において、
前記第２の基板の内層に形成される内層グランドパターンを第１の基板側の側面に露出させ、該露出部と前記第１基板用キャリアとを導電性部材によって接合することを特徴とする高周波回路機器。
【請求項３】
前記導電性部材は、導電性接着剤であることを特徴とする請求項２に記載の高周波回路機器。
【請求項４】
前記導電性部材は、金属製リボンであることを特徴とする請求項２に記載の高周波回路機器。
【請求項５】
前記導電性部材は、軟金属であることを特徴とする請求項２に記載の高周波回路機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の基板と、第１の基板と厚さが異なり、第１の基板の側方に配置された第２の基板とを有する高周波回路機器に関し、特に両基板間のグランド導体の接続構造の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＩＣ（マイクロ波集積回路  Microwave  Integrated  Circuit）基板実装デバイスと、ＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミック  Low  Temperature  Co-fired  Ceramic）基板実装デバイスを備える高周波回路機器においては、ＭＩＣ基板の表層とＬＴＣＣ基板の表層とに高周波信号を伝送する線路パターンを設け、各線路パターンをワイヤーなどで接続することで、基板間で高周波信号を伝送させるとともに、グランド電流をＭＩＣ基板の下側に配されるＭＩＣ基板用キャリア、ＬＴＣＣ基板の下側に配されるＬＴＣＣ基板用キャリア、ＬＴＣＣ基板に形成されたグランドビア、ＬＴＣＣ基板の内層に形成された内層グランドパターンの経路で流すようにしている。
【０００３】
特許文献１では、２つの誘電体多層基板の内層接地導体の下層側に段差をそれぞれ設け、各段差が対向するように２つの誘電体多層基板を対向配置し、２つの段差によって形成される凹部に突起部が挿入されるように、突起部を有するキャリアを２つの誘電体多層基板の下側に配することで、２つの誘電体多層基板の表層をワイヤを介して伝搬する高周波信号電流と、各内層接地導体、突起部を流れるグランド電流との経路差を小さくすることで、該経路差による高周波の放射や反射を抑え、電気特性の劣化を低減するようにしている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２５８７６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記したＭＩＣ基板およびＬＴＣＣ基板を有する高周波回路機器においては、ＭＩＣ基板とＬＴＣＣ基板の基板厚さが異なるが、両基板の表層を伝搬する高周波信号の経路長を短くするために、両基板の表層高さを同じにしており、このため、ＭＩＣ基板やＬＴＣＣ基板を固定する各キャリアの厚さを調整したり、各キャリアを固定するシャーシに段差を設けたりしている。このような構造の場合、ＭＩＣ基板とＬＴＣＣ基板との隙間、段差が大きくなり、両基板間のグランド電流経路が長くなり、損失が大きくなり、電流特性を悪化させる問題があった。特許文献１の手法は、同じ基板厚さの２つの基板を接続する場合には有効であるが、基板厚さが異なる２つの基板を接続する場合の対策としては有効ではない。
【０００６】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、厚さが異なる２つの基板間のグランド電流の経路長を短くして、電気特性の劣化を低減することが可能な高周波回路機器を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成する本発明では、表層に第１のストリップ線路が形成された第１の基板と、表層に前記第１のストリップ線路に接続される第２のストリップ線路が形成され、内層に内層グランドパターンが形成され、前記第１の基板よりも厚い第２の基板と、前記第１の基板を支持する金属製の第１基板用キャリアと、前記第２の基板を支持する金属製の第２基板用キャリアと、前記第１の基板および第２の基板が隣接するように前記第１および第２基板用キャリアを支持するシャーシとを備えた高周波回路機器において、前記第２の基板における内層グランドパターンより上層部を前記第１の基板側の側方に突出させ、該突出部と前記第１基板用キャリアの上面とを導電性接着剤によって接合することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、第２の基板における内層グランドパターンより上層部を第１の基板側の側方に突出させ、該突出部と第１基板用キャリアの上面とを導電性接着剤によって接合するようにしており、内層グランドパターンが第１基板用キャリアに直接接続されることになり、これにより両基板間のグランド電流経路を短縮することができ、電気特性の劣化を低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の高周波回路機器の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明は下記の実施の形態に限定されるものではない。
【００１０】
実施の形態１．
図１〜図４を用いて実施の形態１について説明する。図１は、本発明にかかる高周波回路機器の構成を示す斜視図である。図２は、図１における上面図である。図３は、図２におけるＡ−Ａ断面図である。図４は、図３のＢ部拡大図である。高周波回路機器１００は、段差１１ａが設けられた底部１１と、四つの側面とを有する箱状のシャーシ１０を備えている。この場合、底部１１が高い側にＭＩＣデバイス２が搭載され、底部１１が低い側にＬＴＣＣデバイス３が搭載されている。
【００１１】
図３，図４に示すように、ＭＩＣデバイス２は、シャーシ１０の底部１１に固定される金属製のＭＩＣ実装キャリア２０と、ＭＩＣ実装キャリア２０上に実装されるＭＩＣ基板２１とを備えている。ＬＴＣＣデバイス３は、シャーシ１０の底部１１に固定される金属製のＬＴＣＣ実装キャリア３０と、ＬＴＣＣ実装キャリア３０上に実装されるＬＴＣＣ基板３１とを備えている。
【００１２】
図４に示すように、ＭＩＣ基板２１の表層にはマイクロストリップ線路を構成するストリップ線路パターン２２が形成され、ＬＴＣＣ基板３１の表層には、マイクロストリップ線路を構成するストリップ線路パターン３２が形成されており、両基板２１、３１の表層に形成された各ストリップ線路パターン２２，３２はワイヤー（あるいはリボン）４で接続されている。ストリップ線路パターン２２、ワイヤー４、ストリップ線路パターン３２を介して両基板２１、３１間を高周波信号が伝送される。
【００１３】
ＭＩＣ基板２１は、ＬＴＣＣ基板３１よりも厚さが薄い。ＭＩＣ基板２１の表層の高さとＬＴＣＣ基板３１の表層の高さとが略同一になるように、シャーシ１０の底部１１に段差１１ａが形成され、またＭＩＣ実装キャリア２０およびＬＴＣＣ実装キャリア３０の厚さが調整されている。両基板２１，３１の表層高さを同じにするのは、両基板２１，３１の表層を伝搬する高周波信号の経路長を短くするためである。
【００１４】
ＭＩＣ基板２１においては、表層のストリップ線路パターン２２とともにマイクロストリップ線路を構成するグランド導体は、ＭＩＣ実装キャリア２０によって代用している。勿論、ＭＩＣ基板２１の裏面にグランドパターンを形成してもよい。一方、ＬＴＣＣ基板３１は、ＭＩＣ基板２１よりも基板厚さが厚いため、ＬＴＣＣ基板３１の内層に内層グランドパターン３３を形成し、この内層グランドパターン３３とＬＴＣＣ基板３１の表層のストリップ線路パターン３２とでマイクロストリップ線路を構成している。内層グランドパターン３３は、ＭＩＣ実装キャリア２０の表層とほぼ同じ高さ位置に形成されている。
【００１５】
この実施の形態１においては、図４に示すように、ＬＴＣＣ基板３１におけるＭＩＣ基板２１と接する側に段差を設け、ＬＴＣＣ基板３１におけるグランドパターン３３より上層側に側方に延びる突出部３１ａを形成している。また、ＭＩＣデバイス２におけるＬＴＣＣ基板３１と隣接する側においては、ＭＩＣ基板２１を欠如させ、ＭＩＣ実装キャリア２０を露出させている。そして、ＭＩＣ実装キャリア２０の露出面２０ａとＬＴＣＣ基板の突出部３１ａとの間に所定間隔の隙間を設け、この隙間に導電性接着剤３５を介在させ、導電性接着剤３５によってＭＩＣ実装キャリア２０とＭＩＣ基板２１のグランドパターン３３とを接合している。
【００１６】
これにより、両基板間で接続されるマイクロストリップ線路のグランド電流経路（リターン電流経路）は、破線矢印Ｇで示すように、ＭＩＣ実装キャリア２０→導電性接着剤３５→ＬＴＣＣ基板３１のグランドパターン３３となり、ほぼ直線状となる。したがって、両基板間でのグランド電流経路を短縮することができ、電気特性の劣化を低減させることができる。
【００１７】
図５は、従来の高周波回路機器を示すものである。図５に示すように、従来技術においては、ＭＩＣデバイス２とＬＴＣＣデバイス３との間には、隙間が形成されており、ＭＩＣ基板２１からＬＴＣＣ基板３１へのグランド電流経路は、矢印Ｇで示すように、ＭＩＣ実装キャリア２０の上面→ＭＩＣ実装キャリア２０の側面→シャーシ１０の表面→ＬＴＣＣ実装キャリア３０の側面→ＬＴＣＣ基板３１の内層グランドパターン（グランドビア、内層グランドパターン）となり、グランド電流経路が長くなっていた。
【００１８】
これに対し、実施の形態１では、ＭＩＣ実装キャリア２０と、ＬＴＣＣ基板３１における内層グランドパターン３３とを直接接合しているので、両基板間でのグランド電流経路を短縮することができ、電気特性の劣化を低減させることができる。
【００１９】
実施の形態２．
図６は、この発明の実施の形態２を示す断面図である。実施の形態２においては、ＬＴＣＣ基板３１の内層グランドパターン３３をＭＩＣデバイス２側の側面に露出させ、この露出部３３ａとＭＩＣ実装キャリア２０とを導電性接着剤３５により接合している。
【００２０】
このような構造により、グランド電流経路は、矢印Ｇで示すように、ＭＩＣ実装キャリア２０→導電性接着剤３５→ＬＴＣＣ基板３１の内層グランドパターン３３となり、ほぼ直線状となる。したがって、実施の形態１に比べより簡易的な構造で、両基板間でのグランド電流経路を短縮することができ、電気特性の劣化を低減させることができる。
【００２１】
実施の形態３．
図７は、この発明の実施の形態３を示す断面図である。実施の形態３においては、ＬＴＣＣ基板３１の内層グランドパターン３３をＭＩＣデバイス２側の側面に露出させ、露出部３３ａとＭＩＣ実装キャリア２０とを金属リボン５０により接合している。金属リボン５０の一端は、内層グランドパターン３３の露出部３３ａに接続し、他端は、ＭＩＣ実装キャリア２０の露出面２０ａに接続している。
【００２２】
このような構造により、グランド電流経路は、矢印Ｇで示すように、ＭＩＣ実装キャリア２０→金属リボン５０→ＬＴＣＣ基板３１の内層グランドパターン３３となり、ほぼ直線状となる。したがって、簡易的な構造で両基板間でのグランド電流経路を短縮することができ、電気特性の劣化を低減させることができる。
【００２３】
実施の形態４．
図８は、この発明の実施の形態３を示す断面図である。実施の形態４においては、ＬＴＣＣ基板３１の内層グランドパターン３３をＭＩＣデバイス２側の側面に露出させ、露出させた内層グランドパターン３３とＭＩＣ実装キャリア２０とをインジウムなどの柔らかい軟金属６０により接合している。軟金属６０の一端は、少なくとも内層グランドパターン３３の露出部に接続し、他端は、ＭＩＣ実装キャリア２０の側面に接続しており、軟金属６０は、ＭＩＣデバイス２とＬＴＣＣデバイス３との間の隙間に埋め込まれる。
【００２４】
このような構造により、グランド電流経路は、矢印Ｇで示すように、ＭＩＣ実装キャリア２０→軟金属６０→ＬＴＣＣ基板３１の内層グランドパターン３３となり、ほぼ直線状となる。したがって、簡易的な構造で両基板間でのグランド電流経路を短縮することができ、電気特性の劣化を低減させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明の高周波回路機器は、第１の基板と、第１の基板と厚さが異なり、第１の基板の側方に配置された第２の基板とをマイクロストリップ線路で接続する高周波回路機器に適用して好適である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施の形態１の構成を示す斜視図である。
【図２】図１における上面図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ断面図である。
【図４】図３におけるＢ部拡大図である。
【図５】従来技術を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態３の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態４の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００２７】
２  ＭＩＣデバイス
３  ＬＴＣＣデバイス
４  ワイヤー
１０  シャーシ
１１  底部
２０  ＭＩＣ実装キャリア
２１  ＭＩＣ基板
２２  ストリップ線路パターン
３０  ＬＴＣＣ実装キャリア
３１  ＬＴＣＣ基板
３２  ストリップ線路パターン
３３  内層グランドパターン
３３ａ  露出部
３５  導電性接着剤
５０  金属リボン
６０  軟金属
１００  高周波回路機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2010114272.tif 000008
【図７】
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【図８】
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