【事件の表示】
　特許第６７１４８８４号発明「高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６７１４８８４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１３〕、〔１４〜２６〕について訂正することを認める。
　特許第６７１４８８４号の請求項１〜６、８〜２６に係る特許を維持する。
　特許第６７１４８８４号の請求項７に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第６７１４８８４号（以下、「本件特許」という。）は、２０１７年（平成２９年）８月３０日（優先権主張　平成２８年９月１３日　平成２９年３月１７日（ＪＰ）日本国）を国際出願日とする出願であって、令和２年６月１０日にその特許権の設定登録がされ、同年７月１日に特許掲載公報が発行された。その特許についての特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
　令和　２年１２月２８日　　：特許異議申立人　高垣　泰志（以下「申立
　　　　　　　　　　　　　　　人」という。）による請求項１〜１４に係
　　　　　　　　　　　　　　　る特許に対する特許異議の申立て
　令和　３年　３月２３日付け：取消理由通知
　　　　同年　５月２５日　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提
　　　　　　　　　　　　　　　出
　　　　同年　７月１５日　　：申立人による意見書の提出
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　令和３年５月２５日提出の訂正請求書における訂正請求（以下、「本件訂正請求」といい、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）は、次の訂正事項１〜１０からなる（下線部は訂正箇所を示す。）。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１について、
「酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．７５〜０．９９の範囲であり、かつＢ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１〜４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０〜０．４５の範囲である、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられるガラス基板。」
との記載を、
「酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．７５〜０．９９の範囲であり、かつＢ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１〜４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０〜０．４５の範囲である、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　
β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲であり、
　前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられるガラス基板。」
に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項１、２、３、６、８〜１３も同様に訂正する。）。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４について、
「酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１〜０．９９の範囲であり、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０％超０．０１２％以下であり、Ｂ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、かつアルカリ土類金属酸化物を合計含有量として０．１〜１３％の範囲で含有する、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下であり、波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられるガラス基板。」
との記載を、
「酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１〜０．９９の範囲であり、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０％超０．０１２％以下であり、Ｂ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、かつアルカリ土類金属酸化物を合計含有量として０．１〜１３％の範囲で含有する、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　
β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲であり、
　前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下であり、波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられるガラス基板。」
に訂正する（請求項４の記載を直接的又は間接的に引用する請求項５、６、８〜１３も同様に訂正する。）。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項７を削除する。
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項８について「請求項１〜７のいずれか一項に記載のガラス基板。」との記載を、「請求項１〜
６
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項９について「請求項１〜８のいずれか一項に記載のガラス基板。」との記載を、「請求項１〜
６、
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項１０について「請求項１〜９のいずれか一項に記載のガラス基板。」との記載を、「請求項１〜
６、８、
（７）訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項１１について「請求項１〜１０のいずれか一項に記載のガラス基板。」との記載を、「請求項１〜
６、８〜
（８）訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項１２について「請求項１〜１１のいずれか一項に記載のガラス基板。」との記載を、「請求項１〜
６、８〜
（９）訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項１３について「請求項１〜１２のいずれか一項に記載のガラス基板。」との記載を、「請求項１〜
６、８〜
（１０）訂正事項１０
　ア　訂正事項１０−１
　特許請求の範囲の請求項１４について、
「請求項１〜１３のいずれか一項に記載のガラス基板と、
　前記ガラス基板の前記主表面上に形成された配線層とを具備し、
　３５ＧＨｚにおける伝送損失が１ｄＢ／ｃｍ以下である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板。」
との記載を、
「
ガ
　前記ガラス基板の前記主表面上に形成された配線層とを具備し、
　
前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．７５〜０．９９の範囲であり、かつＢ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１〜４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０〜０．４５の範囲である、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　
前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下であり、
　３５ＧＨｚにおける伝送損失が１ｄＢ／ｃｍ以下である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板。」
に訂正する。
　イ　訂正事項１０−２
　特許請求の範囲の請求項１５に、「
前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０．０１２％以下である、請求項１４に記載の回路基板。
　ウ　訂正事項１０−３
　特許請求の範囲の請求項１６に、「
前記ガラス基板は、波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上である、請求項１４又は１５に記載の回路基板。
　エ　訂正事項１０−４
　特許請求の範囲の請求項１７に、
「
ガラス基板と、
　
前記ガラス基板の前記主表面上に形成された配線層とを具備し、
　
前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１〜０．９９の範囲であり、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０％超０．０１２％以下であり、Ｂ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、かつアルカリ土類金属酸化物を合計含有量として０．１〜１３％の範囲で含有する、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　
前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下であり、波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上であり、
　
３５ＧＨｚにおける伝送損失が１ｄＢ／ｃｍ以下である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板
を追加する。
　オ　訂正事項１０−５
　特許請求の範囲の請求項１８に、「
前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１〜４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０〜０．４５の範囲である、請求項１７に記載の回路基板。
　カ　訂正事項１０−６
　特許請求の範囲の請求項１９に、「
前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、Ａｌ２Ｏ３の含有量が０〜１０％の範囲である、請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の回路基板。
　キ　訂正事項１０−７
　特許請求の範囲の請求項２０に、「
前記ガラス基板は、β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲である、請求項１４〜１９のいずれか一項に記載の回路基板。
　ク　訂正事項１０−８
　特許請求の範囲の請求項２１に、「
前記ガラス基板は、３５ＧＨｚにおける比誘電率が１０以下である、請求項１４〜２０のいずれか一項に記載の回路基板。
　ケ　訂正事項１０−９
　特許請求の範囲の請求項２２に、「
前記ガラス基板は、５０〜３５０℃における平均熱膨張係数が３〜１５ｐｐｍ／℃の範囲である、請求項１４〜２１のいずれか一項に記載の回路基板。
　コ　訂正事項１０−１０
　特許請求の範囲の請求項２３に、「
前記ガラス基板は、ヤング率が４０ＧＰａ以上である、請求項１４〜２２のいずれか一項に記載の回路基板。
　サ　訂正事項１０−１１
　特許請求の範囲の請求項２４に、「
前記ガラス基板は、気孔率が０．１％以下である、請求項１４〜２３のいずれか一項に記載の回路基板。
　シ　訂正事項１０−１２
　特許請求の範囲の請求項２５に、「
前記ガラス基板は、厚さが０．０５〜１ｍｍの範囲であると共に、基板面積が２２５〜１００００ｃｍ２の範囲である、請求項１４〜２４のいずれか一項に記載の回路基板。
　ス　訂正事項１０−１３
　特許請求の範囲の請求項２６に、「
前記ガラス基板は、非晶質である、請求項１４〜２５のいずれか一項に記載の回路基板。
（１１）一群の請求項及び別の訂正単位とする求めについて
　訂正前の請求項１〜１４は一群の請求項であるところ、本件訂正事項１〜１０に係る特許請求の範囲の訂正は、特許法第１２０条の５第４項の規定に従い、この一群の請求項〔１〜１４〕を訂正の単位として請求されたものである。
　また、特許権者は、訂正後の請求項１４〜２６に係る訂正について、当該訂正が認められるときに、その他の一群の請求項である請求項１〜１３とは別の訂正単位として扱われることを求めている。
２　訂正要件（訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否について）の判断
（１）訂正事項１及び２について
　訂正事項１及び２は、それぞれ、本件訂正前の請求項１及び４において「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」なる事項を追加して、「ガラス基板」を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」なる事項は本件特許に係る明細書の段落【００４１】及び本件訂正前の請求項７に記載されているから、訂正事項１及び２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　さらに、訂正事項１及び２は、発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではなく、また、当該訂正事項により、訂正前の特許請求の範囲には含まれないとされていた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることとなるという事情は認められないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項３について
　訂正事項３は、本件訂正前の請求項７を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（３）訂正事項４〜９について
　訂正事項４〜９は、それぞれ、本件訂正前の請求項４〜９における選択的引用請求項の一部を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（４）訂正事項１０について
　訂正事項１０は、本件訂正前の請求項１４において、請求項１〜１３を引用する部分をそれぞれ独立した形に書き下して引用関係を解消し、本件訂正後の請求項１４〜２６とするものであるから、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものであり、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（５）独立特許要件について
　特許異議申立ては、本件訂正前の全ての請求項１〜１４についてされているので、訂正事項１〜１０に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
３　小括
　以上のとおり、本件訂正請求は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって、上記別の訂正単位とする求めに照らし、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１３〕、〔１４〜２６〕について訂正することを認める。
第３　特許異議の申立てについて
１　本件発明
　本件訂正請求が認められることは前記第２に記載のとおりであるので、本件訂正請求により訂正された請求項１〜２６に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明２６」といい、まとめて「本件発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜２６に記載された事項により特定される次のとおりのものである（下線部は訂正箇所を示す。）。
「【請求項１】
　酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．７５〜０．９９の範囲であり、かつＢ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１〜４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０〜０．４５の範囲である、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　
β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲であり、
　前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられるガラス基板。
【請求項２】
　酸化物基準のモル百分率で、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０．０１２％以下である、請求項１に記載のガラス基板。
【請求項３】
　波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上である、請求項１又は２に記載のガラス基板。
【請求項４】
　酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１〜０．９９の範囲であり、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０％超０．０１２％以下であり、Ｂ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、かつアルカリ土類金属酸化物を合計含有量として０．１〜１３％の範囲で含有する、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　
β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲であり、
　前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下であり、波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられるガラス基板。
【請求項５】
　酸化物基準のモル百分率で、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１〜４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０〜０．４５の範囲である、請求項４に記載のガラス基板。
【請求項６】
　酸化物基準のモル百分率で、Ａｌ２Ｏ３の含有量が０〜１０％の範囲である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のガラス基板。
【請求項７】（削除）
【請求項８】
　３５ＧＨｚにおける比誘電率が１０以下である、請求項１〜
６
【請求項９】
　５０〜３５０℃における平均熱膨張係数が３〜１５ｐｐｍ／℃の範囲である、請求項１〜
６、
【請求項１０】
　ヤング率が４０ＧＰａ以上である、請求項１〜
６、８、
【請求項１１】
　気孔率が０．１％以下である、請求項１〜
６、８〜
【請求項１２】
　厚さが０．０５〜１ｍｍの範囲であると共に、基板面積が２２５〜１００００ｃｍ２の範囲である、請求項１〜
６、８〜
【請求項１３】
　非晶質である、請求項１〜
６、８〜
【請求項１４】
　
ガ
　前記ガラス基板の前記主表面上に形成された配線層とを具備し、
　
前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．７５〜０．９９の範囲であり、かつＢ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１〜４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０〜０．４５の範囲である、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　
前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下であり、
　３５ＧＨｚにおける伝送損失が１ｄＢ／ｃｍ以下である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板。
【請求項１５】
　
前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０．０１２％以下である、請求項１４に記載の回路基板。
【請求項１６】
　
前記ガラス基板は、波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上である、請求項１４又は１５に記載の回路基板。
【請求項１７】
　
ガラス基板と、
　
前記ガラス基板の前記主表面上に形成された配線層とを具備し、
　
前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１〜０．９９の範囲であり、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０％超０．０１２％以下であり、Ｂ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、かつアルカリ土類金属酸化物を合計含有量として０．１〜１３％の範囲で含有する、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　
前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下であり、波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上であり、
　
３５ＧＨｚにおける伝送損失が１ｄＢ／ｃｍ以下である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板
【請求項１８】
　
前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１〜４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０〜０．４５の範囲である、請求項１７に記載の回路基板。
【請求項１９】
　
前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、Ａｌ２Ｏ３の含有量が０〜１０％の範囲である、請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項２０】
　
前記ガラス基板は、β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲である、請求項１４〜１９のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項２１】
　
前記ガラス基板は、３５ＧＨｚにおける比誘電率が１０以下である、請求項１４〜２０のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項２２】
　
前記ガラス基板は、５０〜３５０℃における平均熱膨張係数が３〜１５ｐｐｍ／℃の範囲である、請求項１４〜２１のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項２３】
　
前記ガラス基板は、ヤング率が４０ＧＰａ以上である、請求項１４〜２２のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項２４】
　
前記ガラス基板は、気孔率が０．１％以下である、請求項１４〜２３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項２５】
　
前記ガラス基板は、厚さが０．０５〜１ｍｍの範囲であると共に、基板面積が２２５〜１００００ｃｍ２の範囲である、請求項１４〜２４のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項２６】
　
前記ガラス基板は、非晶質である、請求項１４〜２５のいずれか一項に記載の回路基板。
２　取消理由の概要
　令和３年３月２３日付けの取消理由通知で通知した取消理由の概要は、次のとおりである。
（１）取消理由１
　本件訂正前の請求項１〜６、８〜１１、１３に係る発明は、引用文献１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件訂正前の請求項１〜６、８〜１１、１３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。
（２）取消理由２
　本件訂正前の請求項１〜６、８〜１３に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２及び３に記載の本件特許の優先日当時における技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１〜６、８〜１３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
＜引用文献等一覧＞
引用文献１：国際公開第２０１５／０２３５２５号（甲第１号証）
引用文献２：特表２００５−５３７２０９号公報（甲第５号証）
引用文献３：特表２００８−５４４９４２号公報（甲第６号証）
３　取消理由において採用しなかった特許異議申立理由の概要
　申立人が主張する特許異議申立理由のうち、上記２の取消理由において採用しなかった特許異議申立理由は、概略、以下のとおりである。
（１）申立理由１
　本件訂正前の請求項１〜１４に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１〜１４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである（特許異議申立書第６頁第３３行〜第１５頁最終行）。
（２）申立理由２
　ア　本件訂正前の請求項１、４、１４に係る発明について
　本件訂正前の請求項１、４、１４には、「１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる」と記載されているが、当該記載は、下限だけを示すような数値範囲限定であるから、請求項１、４、１４に係る発明は、その範囲が明確でない。
　したがって、本件訂正前の請求項１、４、１４に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである（特許異議申立書第１６頁第２行〜第９行）。
　イ　本件訂正前の請求項４に係る発明について
　本件訂正前の請求項４には、「Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０％超０．０１２％以下」と記載されている。
　一方、本件特許に係る明細書の段落【００７６】には、０．０％は０．０５％未満と同義であることが記載されており、この記載から上記「Ｆｅの含有量」の下限である「０％超」は、０．０５％以上と解されるが、この場合、上記「Ｆｅの含有量」の上限である「０．０１２％以下」よりも大きくなる。
　また、上記「Ｆｅの含有量」の上限である「０．０１２％」は、０．０５％未満であるから、段落【００７６】の記載から０．０％と同義であると解されるが、上記「Ｆｅの含有量」の下限である「０％超」より小さくなる。
　そうすると、上記の「Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０％超０．０１２％以下」なる記載によって特定される請求項４に係る発明は、その範囲が明確でない。
　したがって、本件訂正前の請求項４に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである（特許異議申立書第１６頁第１０行〜第２３行）。
＜甲号証一覧＞
甲第１号証：国際公開第２０１５／０２３５２５号（引用文献１）
甲第２号証：特表２０１０−５０８２２６号公報
甲第３号証：特開昭６４−５１３４５号公報
甲第４号証：特開平９−２８３９号公報
甲第５号証：特表２００５−５３７２０９号公報（引用文献２）
甲第６号証：特表２００８−５４４９４２号公報（引用文献３）
４　引用文献、甲号証及び参考文献の記載内容について
（１）引用文献１の記載内容及び引用発明
　ア　引用文献１の記載内容
　引用文献１には、以下の記載がある（当審注：下線は当審による。「…」は当審による省略を意味する。以下も同様。）。
　なお、日本語訳は引用文献１に対応する特表２０１６−５２８１５２号公報の記載による。
（ア）「[0002[　The disclosure relates to glasses that do not contain alkali metals or their oxides. More particularly, the disclosure relates to glasses that either contain low levels of alkali metals and/or alkali metal oxides or are alkali-doped and alkali- free and are formable by down-draw processes such as slot-draw and fusion-draw techniques. …」
（日本語訳：［０００２］本開示は、アルカリ金属またはそれらの酸化物を含有しないガラスに関する。より詳しくは、本開示は、低レベルのアルカリ金属および／またはアルカリ金属酸化物を含有するかまたはアルカリドープおよび無アルカリであるかどちらかであり且つスロット延伸および溶融延伸技術などのダウンドロー法によって形成可能であるガラスに関する。…）
（イ）「[0016[　In some embodiments, the glasses described herein are formable by down-draw processes that are known in the art, such as slot-draw and fusion-draw processes. 
The fusion draw process is an industrial technique that has been used for the large-scale manufacture of thin glass sheets.
the fusion draw process yields thin glass sheets with superior flatness and surface quality.
（日本語訳：［００１６］いくつかの実施形態において、本明細書に記載されるガラスは、スロット延伸および溶融延伸法（fusion draw process）など、本技術分野に公知のダウンドロー法によって形成可能である。
溶融延伸法は、薄いガラス板の大規模製造のために使用されている工業技術である。
溶融延伸法は、すぐれた平面度および表面の品質を有する薄いガラス板をもたらす。
（ウ）第１１〜１３頁表１（Table 1）の試料１３〜３６「
 
 
」
（エ）「[0038[　A method of making the glasses described herein is also provided, the method includes providing a glass melt comprising SiO2, B2O3, and at least one of Al2O3 and P2O5, wherein the glass melt is substantially free of alkali metal oxide modifiers, and down-drawing the glass melt to form the glass. In some embodiments, the step of down-drawing the glass comprises slot-drawing the glass melt and, in other embodiments, 
fusion-drawing the glass melt.
（日本語訳：［００３８］また、本明細書に記載されるガラスを製造する方法が提供される。この方法は、ＳｉＯ２と、Ｂ２Ｏ３と、Ａｌ２Ｏ３およびＰ２Ｏ５の少なくとも１つとを含み、アルカリ金属酸化物改質剤を実質的に含有しないガラス溶融体を提供する工程と、ガラス溶融体をダウンドローしてガラスを形成する工程とを有してなる。いくつかの実施形態において、ガラスをダウンドローする工程は、ガラス溶融体をスロット延伸する工程を含み、他の実施形態において、
ガラス溶融体を溶融延伸する工程を含む。
（オ）「[0040[　Being substantially free of alkali metals, the glasses described herein are suitable for use in thin film transistor (TFT) display applications. …
The glasses described herein may also be used in
touch interfaces
（日本語訳：［００４０］　本明細書に記載されるガラスは、アルカリ金属を実質的に含有しないので、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ディスプレイ用途に使用するために適している。…また、本明細書に記載されるガラスは、様々な電子デバイスのカラーフィルター基板、カバーガラス、または
タッチインターフェースにおいて使用されてもよい
　イ　引用文献１に記載された発明
　上記ア（イ）〜（エ）の記載を、試料３２の「ガラス」に注目して整理すると、引用文献１には、以下の発明（以下、「引１発明」という。）が記載されている。
「ガラス組成が、ＳｉＯ２　６０．５９モル％、Ａｌ２Ｏ３　８．１６モル％、Ｂ２Ｏ３　２３．４３％モル、Ｎａ２Ｏ　０．０３モル％、Ｋ２Ｏ　０．０１モル％、ＭｇＯ　３．４４モル％、ＣａＯ　４．０９モル％、ＳｒＯ　０．０１モル％、ＳｎＯ２　０．１２モル％、ＺｒＯ２　０．１０モル％、Ｆｅ２Ｏ３　０．０１モル％であり、ガラス溶融体を溶融延伸（fusion-drawing）する工程により形成された、すぐれた平面度を有するガラス基板。」
（２）引用文献２、引用文献３の記載内容
　ア　引用文献２の記載内容
　引用文献２には、下記の事項が記載されている。
「【００２６】
　…フュージョン・プロセスから製造されたガラス基板には、研磨が必要ない。現行のガラス基板の研磨では、原子間力顕微鏡により測定して、約０．５ｎｍより大きい平均表面粗さ（Ｒａ）を有するガラス基板を製造できる。フュージョン・プロセスを用いて本発明により製造されたガラス基板は、原子間力顕微鏡により測定して、約０．５ｎｍ未満の平均表面粗さを有する。」
　イ　引用文献３の記載内容
　引用文献３には、下記の事項が記載されている。
　「【００６４】
　…フュージョンプロセスにより製造されたガラス基板は、研磨が必要ない。現在のガラス基板研磨は、原子間力顕微鏡により測定して、約０．５ｎｍ（Ｒａ）より大きい平均表面粗さを持つガラス基板を製造できる。本発明により製造された、フュージョンプロセスを用いたガラス基板は、原子間力顕微鏡により測定して０．５ｎｍ未満の平均表面粗さを有する。…」
（３）甲第２号証〜甲第４号証の記載内容
　ア　甲第２号証の記載内容
　甲第２号証には、下記の事項が記載されている。
「【０００１】
　
本発明は低い誘電率を有するグラスファイバー
　イ　甲第３号証の記載内容
　甲第３号証には、下記の事項が記載されている。
「
本発明は、誘電率の非常に低いガラス繊維用ガラス組成物
　ウ　甲第４号証の記載内容
　甲第４号証には、下記の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、低誘電率および低誘電正接ガラス繊維
（４）申立人が令和３年７月１５日に意見書と共に提出した参考文献１（特開２０１５−２４９５９号公報）、参考文献２（特開２０１６−９４３３９号公報）の記載内容
　ア　参考文献１の記載内容
　参考文献１には、下記の事項が記載されている。
（ア）「【００１２】
　
ガラス形成工程の最中にガラス中の水分量を低く維持することにより、通常、高溶融温度（溶融温度はここでは、ガラスが200ポアズの粘度を有する温度として定義される）でそれほど効率的ではない他の清澄成分…を、Ａｓ２Ｏ３の代わりに必要であれば使用して、そのガラスをうまく清澄することができることが分かった。
コーニング社のコード1737のガラスのような、ダウンドロー法を用いて形成されるガラスの形成に特に適している。
（イ）「【００１６】
　
ガラスの水分量またはβ−ＯＨ値は、様々な方法で減少させることができる。例えば、単にバッチ材料を適切に選択することにより、ガラス中の水分をある程度調節することができる。さらに、ハロゲン化物材料のような乾燥剤を加えることにより、水分を減少させても差し支えない。
（ウ）「【００２８】
　ここに記載されている方法は、幅広い様々なガラス、特に、それらの形成領域に白金を用いたダウンドロー製造法により形成されたガラスに適用できる。本発明をコーニング社のコード1737のガラスに適用する例が、下記の表Ｉを参照して、以下に示されている。
これらのガラスは、この種の製品の商業的製造に典型的に使用されているオーバーフローダウンドロー溶融装置と同様の研究所規模の連続溶融装置内で調製した。
表Ｉの実施例４は、市販されているコーニング社のコード1737のガラスに密接に対応し、
ガラスのβ−ＯＨ値が減少するにつれ、ガラス中の気体状混在物（混在物／ポンド）も減少する。
【００２９】
　
表Ｉは、本発明を説明する、酸化物基準重量部で表した、β−ＯＨレベルが変更された類似のガラス組成物を列記している。個々の成分の合計がほぼ100であるので、全ての実際的な目的のために、列記した値が重量パーセントを表すものと考えてもよい。表ＩＡは、酸化物基準のモルパーセントで表した同一のガラス組成を列記している。
（エ）「【００３２】
【表１】
 
【００３３】
【表２】
」
　イ　参考文献２の記載内容
　参考文献２には、下記の事項が記載されている。
（ア）「【００７１】
　
また、ガラスの水分量を示すβ−ＯＨ値は、その値が小さいほどＴｇおよび歪点が高くなる傾向にある。他方、β−ＯＨ値が大きいほど、熔融温度を低下させる傾向にある。
β−ＯＨ値は、原料の選択により調整することができる。例えば、含水量の高い原料（例えば水酸化物原料）を選択したり、塩化物等のガラス中の水分量を減少させる原料の含有量を調整したりすることで、β−ＯＨ値を増減させることができる。また、ガラス熔解に用いるガス燃焼加熱（酸素燃焼加熱）と電気加熱（直接通電加熱）の比率を調整することでβ−ＯＨ値を調整することができる。さらに、炉内雰囲気中の水分量を増加させたり、熔解時に熔融ガラスに対して水蒸気をバブリングしたりすることで、β−ＯＨ値を増加させることができる。
（イ）「【０１０１】
【表１−１】
」
（ウ）「【０１０４】
（実施例１−２５）
　
実施例１−４に示す組成
オーバーフローダウンドロー法により厚さ０．７ｍｍの薄板状に成形し、
【０１０５】
　上記のように得られた実施例１−２５のガラス基板の熔融温度は１６１０℃、
β−ＯＨ値は０．２０ｍｍ-1で
（５）当審が本件特許の優先日当時の技術常識を示すために引用する引用文献４（特開２０１４−２２４０２５号公報）の記載内容
　引用文献４には、下記の事項が記載されている。
「【００２８】
　
ガラスのβＯＨを高める方法は、特に限定されるものではないが、好ましくは熔融工程において、熔融ガラス中の水分量を高める操作が挙げられる。ここで、熔融ガラス中の水分量を高める操作としては、例えば、熔融雰囲気に水蒸気を付加する処理や、熔融物内に水蒸気を含むガスをバブリングする処理等が挙げられる
【００２９】
　通常、これらの方法によれば、ガラス中に水を導入することができ、
βＯＨを高めることができるが、その向上率はガラス組成によって異なる。これは、ガラス組成によってガラス中への水の取り込み易さが異なるためである。
【００３０】
　水を取り込みやすいガラス組成の場合、上記のようなβＯＨを高める処理を行うことで、ガラスのβＯＨを大幅に向上させることができる。しかし、水を取り込みにくいガラス組成の場合、同じ条件の処理を行っても、水を取り込みやすい組成のガラスと同程度までガラスのβＯＨの値を高めることは難しく、得られるガラスのβＯＨは低くなる。
【００３１】
　また、水を取り込みやすいガラス組成の場合、通常の製造方法により作製されたガラスであっても、熔融雰囲気（大気雰囲気）中の水分を積極的に取り込むため、水を取り込みにくいガラス組成に比べて、βＯＨの値が高くなる。
【００３２】
　
このように、ガラス中への水の取り込み易さは、ガラス組成によって違いがある。
５　当審の判断
（１）取消理由１、取消理由２について
　ア　本件発明１について
　本件発明１と引１発明とを対比すると、引１発明の「ＳｉＯ２　６０．５９モル％」の「ガラス基板」は、本件発明１の「ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板」に相当する。
　そうすると、両発明は、「ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板」である点で一致し、次の点で相違する。
（相違点１）本件発明１は、「酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．７５〜０．９９の範囲であり、かつＢ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１〜４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０〜０．４５の範囲である」のに対し、引１発明は「ガラス組成が、ＳｉＯ２　６０．５９モル％、Ａｌ２Ｏ３　８．１６モル％、Ｂ２Ｏ３　２３．４３％モル、Ｎａ２Ｏ　０．０３モル％、Ｋ２Ｏ　０．０１モル％、ＭｇＯ　３．４４モル％、ＣａＯ　４．０９モル％、ＳｒＯ　０．０１モル％、ＳｎＯ２　０．１２モル％、ＺｒＯ２　０．１０モル％、Ｆｅ２Ｏ３　０．０１モル％」である点。
（相違点２）本件発明１は、「少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下」である「ガラス基板」であるのに対し、引１発明は、「ガラス溶融体を溶融延伸（fusion-drawing）する工程により形成された、すぐれた平面度を有するガラス基板」である点。
（相違点３）本件発明１は、「３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下」なる発明特定事項を備えるものであるのに対し、引１発明は、当該発明特定事項を備えていない点。
（相違点４）本件発明１は、「１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる」なる発明特定事項を備えるものであるのに対し、引１発明は、当該発明特定事項を備えていない点。
（相違点５）本件発明１は、「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」である「ガラス基板」であるのに対し、引１発明は、当該発明特定事項を備えていない点。
　事案に鑑み、相違点５について検討する。
　参考文献１（上記４（４）ア（イ））、参考文献２（上記４（４）イ（ア））、引用文献４（上記４（５））に記載されるように、β−ＯＨ値は、原料の選択やガラス溶解時の雰囲気等の製造条件やガラス組成に起因するガラス中への水の取り込み易さに依存することが本件特許の優先日当時の技術常識である。
　一方、引用文献１には、原料の選択やガラス溶解時の雰囲気等の製造条件が十分に記載されていないから、引１発明のガラス基板が、参考文献１に記載のガラスや参考文献２に記載のガラス基板と同等の製造条件で製造されたものとすることには証拠がない。
　また、引１発明のガラス基板と参考文献１に記載のガラス（上記４（４）ア（ウ）、（エ）の実施例４）や参考文献２に記載のガラス基板（上記４（４）イ（イ）、（ウ）の実施例１−２５）とはガラス組成が異なるから、両者がガラス中への水の取り込み易さに関して同等であるとする証拠もない。
　そうすると、引用文献１に記載されたガラスが参考文献１、２に記載されたガラスと同等のβ−ＯＨを有するものであることを示す証拠はなく、参考文献１、２に記載されたガラスが「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」のものであっても、引１発明のガラス基板が「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」を満たすとまでは言うことができないから、相違点５は実質的なものである。
　次に、相違点５に係る本件発明１の特定事項の容易想到性について検討すると、本件発明１は本件特許に係る明細書【００４１】に記載されるように、低誘電損失性をさらに向上させるために、「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」とするものであるところ、参考文献１、２を含めて、このような技術事項を示す証拠はない。
　また、引１発明のガラス基板は、低誘電損失性が必要とされるものでもないから、引１発明において、引用文献２及び３に記載の本件特許の優先日当時における技術常識及び参考文献１、２に記載された技術事項を考慮しても、「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」を満たすようにして、低誘電損失性をさらに向上させることは当業者が容易に想到し得たこととはいえない。
　よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、引用文献１に記載された発明ではなく、また、引用文献１に記載された発明及び引用文献２及び３に記載の本件特許の優先日当時における技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　イ　本件発明４について
　本件発明４と引１発明とを対比すると、引１発明の「ＳｉＯ２　６０．５９モル％」の「ガラス基板」は、本件発明１の「ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板」に相当する。
　そうすると、両発明は、「ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板」である点で一致し、次の点で相違する。
（相違点１’）本件発明４は、「酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１〜０．９９の範囲であり、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０％超０．０１２％以下であり、Ｂ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、かつアルカリ土類金属酸化物を合計含有量として０．１〜１３％の範囲で含有する」のに対し、引１発明は「ガラス組成が、ＳｉＯ２　６０．５９モル％、Ａｌ２Ｏ３　８．１６モル％、Ｂ２Ｏ３　２３．４３％モル、Ｎａ２Ｏ　０．０３モル％、Ｋ２Ｏ　０．０１モル％、ＭｇＯ　３．４４モル％、ＣａＯ　４．０９モル％、ＳｒＯ　０．０１モル％、ＳｎＯ２　０．１２モル％、ＺｒＯ２　０．１０モル％、Ｆｅ２Ｏ３　０．０１モル％」である点。
（相違点２’）本件発明４は、「少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下」である「ガラス基板」であるのに対し、引１発明は、「ガラス溶融体を溶融延伸（fusion-drawing）する工程により形成された、すぐれた平面度を有するガラス基板」である点。
（相違点３’）本件発明４は、「３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下」なる発明特定事項を備えるものであるのに対し、引１発明は、当該発明特定事項を備えていない点。
（相違点４’）本件発明４は、「１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる」なる発明特定事項を備えるものであるのに対し、引１発明は、当該発明特定事項を備えていない点。
（相違点５’）本件発明４は、「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」である「ガラス基板」であるのに対し、引１発明は、当該発明特定事項を備えていない点。
（相違点６）本件発明４は、「波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上である」なる発明特定事項を備えるものであるのに対し、引１発明は、当該発明特定事項を備えていない点。
　事案に鑑み、相違点５’について検討する。
　相違点５’は相違点５と同様であるので、上記アと同様に判断されるから、相違点５’は実質的なものであって、引１発明において、引用文献２及び３に記載の本件特許の優先日当時における技術常識及び参考文献１、２に記載された技術事項を考慮しても、「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」を満たすようにして、低誘電損失性をさらに向上させることは当業者が容易に想到し得たこととはいえない。
　よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、引用文献１に記載された発明ではなく、また、引用文献１に記載された発明及び引用文献２及び３に記載の本件特許の優先日当時における技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　ウ　本件発明２、３、５、６、８〜１３について
　請求項２、３、５、６、８〜１３は請求項１又は請求項４を引用するものであるから、本件発明２、３、５、６、８〜１３は本件発明１又は本件発明４と事情は同じである。
　よって、本件発明２、３、５、６、８〜１３は、引用文献１に記載された発明ではなく、また、引用文献１に記載された発明及び引用文献２及び３に記載の本件特許の優先日当時における技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　エ　本件発明１４について
　上記アと同様に、本件発明１４と引１発明とを対比すると、両発明は、「ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板」である点で一致し、「ガラス基板」に関して上記相違点１〜３と同様の点で相違する他、次の点で相違する。
（相違点７）本件発明１４は、「ガラス基板と、前記ガラス基板の前記主表面上に形成された配線層とを具備し」ており、「３５ＧＨｚにおける伝送損失が１ｄＢ／ｃｍ以下である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板」であるのに対し、引１発明は、当該発明特定事項を備えていない点。
　事案に鑑み、相違点７について検討する。
　まず、引用文献１の段落［００４０］には、「タッチインターフェイス」という記載があり（上記４（１）ア（オ））、タッチインターフェイスにはガラス基板の表面に電極を形成するものもあることから、これが「回路基板」と解されるとしても、「タッチインターフェイス」が「１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板」であるとする証拠はないから、相違点７は実質的なものである。
　次に、相違点７に係る本件発明１４の特定事項の容易想到性について検討すると、引用文献１には、引１発明のガラス基板が高周波信号の誘電損失が低減されたものであることを示す記載はなく、これを「１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板」に適用とする動機付けは生じることがないから、引用文献２及び３に記載の本件特許の優先日当時における技術常識を考慮しても、引１発明のガラス基板を「１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板」に適用することは当業者が容易に想到し得たこととはいえない。
　よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１４は、引用文献１に記載された発明ではなく、また、引用文献１に記載された発明及び引用文献２及び３に記載の本件特許の優先日当時における技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　オ　本件発明１７について
　上記イと同様に、本件発明１７と引１発明とを対比すると、両発明は、「ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板」である点で一致し、「ガラス基板」に関して相違点１’〜３’、６と同様の点で相違する他、次の点で相違する。
（相違点７’）本件発明１７は、「ガラス基板と、前記ガラス基板の前記主表面上に形成された配線層とを具備し」ており、「３５ＧＨｚにおける伝送損失が１ｄＢ／ｃｍ以下である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板」であるのに対し、引１発明は、当該発明特定事項を備えていない点。
　事案に鑑み、相違点７’について検討する。
　相違点７’は相違点７と同様であるので、上記エと同様に判断されるから、相違点７’は実質的なものであって、引用文献２及び３に記載の本件特許の優先日当時における技術常識を考慮しても、引１発明のガラス基板を「１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板」に適用とすることは当業者が容易に想到し得たこととはいえない。
　よって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１７は、引用文献１に記載された発明ではなく、また、引用文献１に記載された発明及び引用文献２及び３に記載の本件特許の優先日当時における技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　カ　本件発明１５、１６、１８〜２６について
　請求項１５、１６、１８〜２６は請求項１４又は１７を引用するものであるから、本件発明１５、１６、１８〜２６は本件発明１４又は１７と事情は同じである。
　よって、本件発明１５、１６、１８〜２６は、引用文献１に記載された発明ではなく、また、引用文献１に記載された発明及び引用文献２及び３に記載の本件特許の優先日当時における技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　キ　小活
　以上のとおりであるから、取消理由１、取消理由２に理由はない。
（２）申立理由１について
　ア　本件発明１、４について
　甲第２号証〜甲第４号証には、β−ＯＨ値について記載されていないから、これらの証拠を考慮しても、上記（１）ア及びイの判断に影響しない。
　したがって、引１発明において、甲第２号証〜甲第４号証に記載された技術事項を考慮しても、「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」を満たすようにして、低誘電損失性をさらに向上させることは当業者が容易に想到し得たこととはいえない。
　よって、本件発明１、４は、引用文献１（甲第１号証）、甲第２号証〜甲第４号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　イ　本件発明２、３、５、６、８〜１３について
　請求項２、３、５、６、８〜１３は請求項１又は請求項４を引用するものであるから、本件発明２、３、５、６、８〜１３は本件発明１又は本件発明４と事情は同じである。
　よって、本件発明２、３、５、６、８〜１３は、引用文献１（甲第１号証）、甲第２号証〜甲第４号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　ウ　本件発明１４、１７について
　甲第２号証〜甲第４号証（上記４（３））には、それぞれ、ガラス繊維の発明が記載されており、回路基板について記載されていないから、これらの証拠を考慮しても、上記（１）エ及びオの判断に影響しない。
　したがって、甲第２号証〜甲第４号証に記載された技術事項を考慮しても、引１発明のガラス基板を「１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板」に適用とすることは当業者が容易に想到し得たこととはいえない。
　よって、本件発明１４、１７は、引用文献１（甲第１号証）、甲第２号証〜甲第４号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　エ　本件発明１５、１６、１８〜２６について
　請求項１５、１６、１８〜２６は請求項１４又は１７を引用するものであるから、本件発明１５、１６、１８〜２６は本件発明１４又は１７と事情は同じである。
　よって、本件発明１５、１６、１８〜２６は、引用文献１（甲第１号証）、甲第２号証〜甲第４号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　オ　小活
　以上のとおりであるから、申立理由１に理由はない。
（３）申立理由２について
　ア　本件発明１、４、１４について
　請求項１、４、１４には、「１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる」と記載されており、当該記載は、下限だけを示すような数値範囲限定であるものの、「高周波デバイス」で扱われる「高周波信号」には、本件特許の優先日当時の技術常識から一定の上限が存在することを考慮すれば、このような記載がある結果、本件発明１、４、１４は、その範囲が不明確になっているとはいえない。
　イ　本件発明４について
　本件特許に係る明細書の段落【００７６】には、「表１における組成において、（０．０）は、成分含有量が０．０５％未満であることを示す。」と記載されているが、この記載は「表１における組成」において適用されるものであって、表１において「０．０」と記載された値は、実際の数値の小数点第二位を四捨五入した結果、「０．０」となる値であると解するのが妥当である。
　したがって、「表１における組成」ではない請求項４の「Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０％超０．０１２％以下」なる記載において、「０．０」％ではなく「０％」とされる下限や「０．０１２％」とされる小数点第三位まで規定される小数で特定された下限に対して、段落【００７６】の上記記載を適用することは合理的ではない。
　そうすると、請求項４の「Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０％超０．０１２％以下」なる記載は、その文言どおりに解すればよいから、本件発明４は、その範囲が不明確になっているとはいえない。
　ウ　小活
　以上のとおりであるから、申立理由２に理由はない。
（４）申立人の主張について
　申立人が令和３年７月１５日提出の意見書においてする主張については以下のとおり、採用することができない。
　ア　本件発明１〜６、８〜１３について
（ア）申立人は、本件特許に係る明細書の段落【００８２】、【００９１】には、例４として従来のソーダライムガラス基板のβ−ＯＨ値が「０．１９ｍｍ−１」であることが記載されており、例５として従来の無アルカリガラス基板のβ−ＯＨ値が「０．２８ｍｍ−１」であるが記載されているから、「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」であることは、従来のガラス基板が備える一般的なβ−ＯＨ値を規定しているに過ぎない旨を主張する。
　しかしながら、参考文献１（上記４（４）ア（イ））、参考文献２（上記４（４）イ（ア））、引用文献４（上記４（５））に記載されるように、β−ＯＨ値は、原料の選択やガラス溶解時の雰囲気等の製造条件やガラス組成に起因するガラス中への水の取り込み易さに依存することが本件特許の優先日当時の技術常識である。
　したがって、例４、例５を根拠にしても、従来のガラス基板がその製造条件や組成によらず、常に「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」であると言うことはできない。
（イ）申立人は、本件特許に係る明細書の段落【００４１】の記載を根拠に通常のガラス製造を行った場合には、ガラス基板のβ−ＯＨ値は、０．０５ｍｍ−１以上になり、引用文献１には、特殊なガラス製造を行うことも記載されていないから、引１発明のガラス基板の「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」に含まれる旨を主張する。
　しかしながら、この主張において、通常のガラス製造で製造したガラス基板のβ−ＯＨ値が、０．６ｍｍ−１以下になることを示す証拠はないから、必ずしも、引１発明のガラス基板の「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」に含まれるとはいえない。
（ウ）申立人は、参考文献１、参考文献２の記載を根拠にして、市販品を含む従来の一般的なオーバーフローダウンドロー法で成形されたガラス基板のβ−ＯＨ値が、０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲に含まれることが明らかである旨を主張する。
　しかしながら、上記５（１）アで検討したとおり、参考文献１、参考文献２の記載を根拠にしても、市販品を含む従来の一般的なオーバーフローダウンドロー法で成形されたガラス基板がその製造条件や組成によらず、常に「β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲」のものであると言うことはできない。
　イ　本件発明１４〜２６について
　申立人は、引用文献１の段落［００４０］（上記４（１）ア（オ））にガラス基板がタッチインターフェイスに使用されることが記載されていることを根拠にして、本件発明１４〜２６が進歩性を有しない旨を主張する。
　しかしながら、上記５（１）エで検討したとおり、段落［００４０］の記載を考慮しても、引１発明のガラス基板を「１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板」に適用とすることは当業者が容易に想到し得たこととはいえない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、請求項１〜６、８〜２６に係る特許は、特許異議申立書に記載された申立理由、及び、取消理由に記載した取消理由によっては、取り消すことができない。
　また、他に請求項１〜６、８〜２６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　そして、本件訂正請求により、請求項７は削除されたため、請求項７に係る特許についての特許異議の申立ては、その対象となる特許が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法１３５条の規定により、その申立てを却下する。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年９月２８日（２０２１．９．２８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．７５〜０．９９の範囲であり、かつＢ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１〜４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０〜０．４５の範囲である、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲であり、
　前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられるガラス基板。
　【請求項２】
　酸化物基準のモル百分率で、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０．０１２％以下である、請求項１に記載のガラス基板。
　【請求項３】
　波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上である、請求項１又は２に記載のガラス基板。
　【請求項４】
　酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１〜０．９９の範囲であり、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０％超０．０１２％以下であり、Ｂ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、かつアルカリ土類金属酸化物を合計含有量として０．１〜１３％の範囲で含有する、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲であり、
　前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下であり、波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられるガラス基板。
　【請求項５】
　酸化物基準のモル百分率で、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１〜４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０〜０．４５の範囲である、請求項４に記載のガラス基板。
　【請求項６】
　酸化物基準のモル百分率で、Ａｌ２Ｏ３の含有量が０〜１０％の範囲である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のガラス基板。
　【請求項７】（削除）
　【請求項８】
　３５ＧＨｚにおける比誘電率が１０以下である、請求項１〜
６
　【請求項９】
　５０〜３５０℃における平均熱膨張係数が３〜１５ｐｐｍ／℃の範囲である、請求項１〜
６、
　【請求項１０】
　ヤング率が４０ＧＰａ以上である、請求項１〜
６、８、
　【請求項１１】
　気孔率が０．１％以下である、請求項１〜
６、８〜
　【請求項１２】
　厚さが０．０５〜１ｍｍの範囲であると共に、基板面積が２２５〜１００００ｃｍ２の範囲である、請求項１〜
６、８〜
　【請求項１３】
　非晶質である、請求項１〜
６、８〜
　【請求項１４】
　
ガ
　前記ガラス基板の前記主表面上に形成された配線層とを具備し、
　
前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．７５〜０．９９の範囲であり、かつＢ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１〜４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０〜０．４５の範囲である、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下であり、
　３５ＧＨｚにおける伝送損失が１ｄＢ／ｃｍ以下である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板。
　【請求項１５】
　前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０．０１２％以下である、請求項１４に記載の回路基板。
　【請求項１６】
　前記ガラス基板は、波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上である、請求項１４又は１５に記載の回路基板。
　【請求項１７】
　ガラス基板と、
　前記ガラス基板の前記主表面上に形成された配線層とを具備し、
　前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１〜０．２％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１〜０．９９の範囲であり、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０％超０．０１２％以下であり、Ｂ２Ｏ３の含有量が１８．５〜３０％の範囲であり、かつアルカリ土類金属酸化物を合計含有量として０．１〜１３％の範囲で含有する、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
　前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下であり、波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上であり、
　３５ＧＨｚにおける伝送損失が１ｄＢ／ｃｍ以下である、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに用いられる回路基板。
　【請求項１８】
　前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１〜４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０〜０．４５の範囲である、請求項１７に記載の回路基板。
　【請求項１９】
　前記ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、Ａｌ２Ｏ３の含有量が０〜１０％の範囲である、請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の回路基板。
　【請求項２０】
　前記ガラス基板は、β−ＯＨ値が０．０５〜０．６ｍｍ−１の範囲である、請求項１４〜１９のいずれか一項に記載の回路基板。
　【請求項２１】
　前記ガラス基板は、３５ＧＨｚにおける比誘電率が１０以下である、請求項１４〜２０のいずれか一項に記載の回路基板。
　【請求項２２】
　前記ガラス基板は、５０〜３５０℃における平均熱膨張係数が３〜１５ｐｐｍ／℃の範囲である、請求項１４〜２１のいずれか一項に記載の回路基板。
　【請求項２３】
　前記ガラス基板は、ヤング率が４０ＧＰａ以上である、請求項１４〜２２のいずれか一項に記載の回路基板。
　【請求項２４】
　前記ガラス基板は、気孔率が０．１％以下である、請求項１４〜２３のいずれか一項に記載の回路基板。
　【請求項２５】
　前記ガラス基板は、厚さが０．０５〜１ｍｍの範囲であると共に、基板面積が２２５〜１００００ｃｍ２の範囲である、請求項１４〜２４のいずれか一項に記載の回路基板。
　【請求項２６】
　前記ガラス基板は、非晶質である、請求項１４〜２５のいずれか一項に記載の回路基板。