【事件の表示】
　特許第６７９３２８２号発明「球状シリカ粉末」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６７９３２８２号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６７９３２８２号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜７に係る特許についての出願は、２０２０年（令和２年）１月３０日（優先権主張平成３１年３月２６日、令和１年６月２５日、いずれも日本国（ＪＰ））を国際出願日として出願され、令和２年１１月１１日にその特許権の設定登録がされ、同年１２月２日に特許掲載公報が発行され、その後、全請求項に係る特許に対して、令和３年６月２日付けで、特許異議申立人　森山　涼子（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。
第２　本件発明 
　本件特許の請求項１〜７に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明７」といい、これらを総称して「本件発明」という。）は、それぞれ、特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　樹脂に配合してシート状に成形した後、共振器法にて周波数３５〜４０ＧＨｚの条件で測定した該シートの誘電正接（ｔａｎδｃ）から、下記の式（Ｉ）を用いて算出される溶融球状シリカ粉末の誘電正接において、誘電正接低減処理前の比表面積が１〜３０ｍ２／ｇである溶融球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＡ）をＡ、誘電正接低減処理後の前記溶融球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＢ）をＢとしたとき、Ｂ／Ａが０．７０以下であり、前記誘電正接低減処理が、原料の球状溶融シリカ粉末を５００〜１１００℃の温度で、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）を１０００〜２６４００（℃・ｈ）とする所定時間、加熱処理することを含み、前記誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末の比表面積が１〜３０ｍ２／ｇであることを特徴とする、誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末。
【数１】
ただし、式（Ｉ）において記号の意味は次の通り。
Vf；シート中の球状溶融シリカ粉末の体積分率
tanδr；樹脂シート（フィラー配合無し）の誘電正接
【請求項２】
　平均円形度が０．８５以上であることを特徴とする請求項１に記載の誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末。
【請求項３】
　密度が１．８〜２．４ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１または２に記載の誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末。
【請求項４】
　表面処理剤で表面処理されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか一項に記載の誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末。
【請求項５】
　ＪＩＳ　Ｚ　０２０８−１９７６の条件Ｂ（温度４０℃−相対湿度９０％）の透湿度が０．１（ｇ／ｍ２・２４ｈ）以下の防湿袋で保存した請求項１〜４のいずれか一項に記載の誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末。
【請求項６】
　請求項１〜５のいずれか一項に記載の誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末を含有してなることを特徴とする樹脂シート。
【請求項７】
　請求項１〜４のいずれか一項に記載の誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末をＪＩＳ　Ｚ　０２０８−１９７６の条件Ｂ（温度４０℃−相対湿度９０％）の透湿度が０．１（ｇ／ｍ２・２４ｈ）以下の防湿袋で保存する保存方法。」
第３　特許異議申立理由の概要
　申立人は、以下の甲第１〜１２号証を提出し、本件発明１〜７に係る特許は、以下の理由により、取り消すべきものである旨を主張する。
　１　特許法第２９条第１項第３号（新規性欠如）及び同条第２項（進歩性欠如）について
　本件発明１〜７は、甲第１号、甲第２号証又は甲第７号証に記載された発明であるか、甲第１１号証及び甲第１２号証を組み合わせることにより、または、これらに周知技術・慣用技術を組み合わせることにより当業者が容易に発明をすることができたものである。
　２　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件違反）について
（１）本件発明１では、「前記誘電正接低減処理が、原料の球状溶融シリカ粉末を５００〜１１００℃の温度で、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）を１０００〜２６４００（℃・ｈ）とする所定時間、加熱処理することを含み」と特定しているのに対して、本件特許明細書の【００５９】【表２】の実施例で効果が確認されているのは、加熱温度が６００〜１０００℃の範囲で、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）が１０００〜１２０００（℃・ｈ）の範囲である場合に過ぎず、かかる範囲を超えた場合において、誘電正接低減処理後のＢ／Ａが０．７０以下となるかは不明である。
　さらに、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）とＢ／Ａとの関係について、実施例とともに比較例のデータを勘案してみても、当該関係に明確な相関は認められず、本件発明１で加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）が１０００〜２６４００（℃・ｈ）の範囲に特定されていたとしても、Ｂ／Ａが０．７０以下とならない場合があるといえる。
　したがって、発明の詳細な説明において具体的に効果が確認されている実施例から、本件発明１における加熱処理条件の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとは認められない。
　また、本件発明１を引用する本件発明２〜７についても同様である。
（２）本件発明１では、誘電正接低減のための加熱処理後の工程について一切特定していないのに対して、本件特許明細書の【００２２】には、「電気炉内にて自然放冷後、１１０℃〜３００℃の状態で球状シリカ粉末を回収し、さらに湿度４０％ＲＨ以下の環境下にて２５℃にまで冷却し、１５〜２５℃にて保管し、防湿アルミ袋にて回収することにより製造する」ことが記載されており、実施例においても、誘電正接低減のための加熱処理後に同様の冷却、回収、保管工程を経た場合のみが記載されている。誘電正接低減のための加熱処理後に所定の冷却、回収、保管工程を経なければ、球状シリカの粒子の表面の吸着水及び極性官能基量が変化して、誘電正接の増加に影響し、それにより本件発明１で特定する「Ｂ／Ａが０．７０以下」を満たさない虞がある。
　したがって、誘電正接低減のための加熱処理後の上記工程を経た場合に関する発明の詳細な説明の記載及び実施例から、誘電正接低減のための加熱処理後の上記工程を経ない場合を含む本件発明１の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとは認められない。
　また、本件発明１を引用する本件発明２〜７についても同様である。
（３）本件発明の課題は、本件特許明細書の【００１０】に記載されたとおり、「誘電正接が低い球状シリカ粉末を提供すること」であると認められる。
　そして、本件特許明細書の実施例及び比較例での誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＢ）を確認すると、実施例では６．９×１０−４〜８．０×１０−３であるのに対して比較例では３．２×１０−４〜２．７×１０−３であるところ、実施例は、比較例よりも、低い誘電正接が得られておらず、本件発明の上記課題を解決できるとはいえないので、本件発明１〜７は本件発明の課題を解決できることを当業者が認識できる範囲を超えているから、発明の詳細な説明に記載された発明とはいえない。
　３　各甲号証
　　　甲第１号証：特開２０１１−２１９４２９号公報
　　　甲第２号証：特開２０１８−１４５０３７号公報
　　　甲第３号証：電材向け放熱フィラー製品カタログ、昭和電工株式会社セラミックス事業部、２０１３年７月１８日（改訂日）
　　　甲第４号証：特開２０１９−１９２２２号公報
　　　甲第５号証：特開２００５−５４１２９号公報
　　　甲第６号証：卜部吉庸、二酸化ケイ素の結晶構造について、サイエンスネット、第２５号、 Ｐ．１０〜１３、２００５年１１月発行
　　　甲第７号証：特開２００８−１６２８４９号公報
　　　甲第８号証：特開２００４−１８９５７７号公報
　　　甲第９号証：特開２０１６−１２１０４４号公報
　　　甲第１０号証：特願２０２０−５１２６３１号の審査段階で令和２年８月２７日に出願人（本件特許権者）により提出された意見書
　　　甲第１１号証：今井祐介、高周波用誘電体コンポジット開発におけるセラミックス粉体フィラー、粉砕、ホソカワミクロン株式会社、Ｎｏ．５８、Ｐ．２２−２７、２０１４年１２月１５日（発行日）
　　　甲第１２号証：宮田謙一、熱処理微粉末シリカの水蒸気吸着特性、日本化学雑誌、第８６巻、第１２号、Ｐ．１２４１〜１２４４、１９６５年１２月１０（発行日）
第４　各甲号証の記載事項等について
１　甲第１号証の記載事項及び甲第１号証に記載された発明
（１）甲第１号証の記載事項
　甲第１号証には以下（１ａ）〜（１ｄ）の記載がある。
（１ａ）「【０００１】
　本発明は硬化性組成物、及びこの硬化性組成物から形成される歯科用硬化物に関する。
・・・
【００１０】
　本発明は上記事由に鑑みてなされたものであり、高い審美性、強度、及び耐久性を有すると共に高い表面滑沢性を有する硬化物を形成することができる硬化性組成物、及びこの硬化性組成物を硬化して得られる歯科用硬化物を提供することを目的とする。」
（１ｂ）「【００３４】
　球状結晶制御粉体は、天然物又は合成物を原料として得られる。天然物としては、二酸化ケイ素を主成分とする無機鉱物が挙げられる。合成物は、例えば珪石などの天然石を湿式または乾式粉砕するなどして得られる出発原料を、火炎溶融法により球状化することで得られる。また、ゾルゲル法などによって合成物を得ることもできる。下記において、合成物である球状結晶制御粉体について、更に詳しく説明する。
【００３５】
　球状結晶制御粉体は、例えば出発原料に対して火炎溶融法による処理が施されることで得られる。火炎溶融法は、無機成分の粉砕物等の出発原料を火炎中で溶融して球状化する方法である。出発原料は破砕物でも球状粉体であってもよく、また破砕物と球状粉体との混合物であってもよい。この火炎溶融法によって、溶融した出発原料が表面張力により球状化する。この火炎溶融法によれば、適度の粒径を有する球状結晶制御粉体が容易に得られる。
【００３６】
　出発原料としては、珪石、珪砂、石英、クリストバライト、非晶質シリカ、ヒュームドシリカ、ケイ酸エチル、シリカゾル等の、シリカ源となる材料が挙げられる。好適な態様においては、出発原料が酸素等のキャリアガスに分散した状態で、火炎中に投入される。火炎は、例えばプロパン、ブタン、メタン、液化天然ガス、ＬＰＧ、重油、灯油、軽油、微粉炭等の燃料が酸素と燃焼することによって発生する。高温の火炎を発生させる観点から、火炎の発生のために酸素ガスバーナーを用いることが好ましい。・・・このような火炎溶融法により、真球度が高い球状結晶制御粉体が得られる。キャリアガス中の出発原料の濃度は、出発原料の充分な分散性を確保する観点から、０．１〜２０ｋｇ／Ｎｍ３が好ましく、０．２〜１０ｋｇ／Ｎｍ３がより好ましい。
・・・
【００３８】
　火炎溶融法やゾルゲル法により得られる球状結晶制御粉体は、一般には非晶質である。この非晶質の球状結晶制御粉体に、部分的な結晶化が生じる条件で熱処理が施されることで、球状結晶制御粉体中の各粒子中に非晶質の部分と結晶質の部分とが混在するようになる。更に、この熱処理によって、粒子中の非晶質の部分と結晶質の部分との割合が容易に制御される。その結果、球状結晶制御粉体の屈折率も容易に調整される。
【００３９】
　特に火炎溶融法による処理と、それに続く熱処理とが採用されると、球状結晶制御粉体が適度の粒径に容易に調整されるようになる。更に熱処理の条件が適宜調整されることで、所望の相対バックグラウンド高さ（すなわち所望の非晶質部分と結晶質部分の割合）を有し、且つ所望の屈折率を有する球状結晶制御粉体が容易に得られるようになる。
 【００４０】
　熱処理時の処理温度は、球状結晶制御粉体を溶融させない観点から１７００℃以下が好ましく、１４００℃以下がより好ましく、１１００℃以下が更に好ましい。またこの処理温度は、球状結晶制御粉体の部分的な結晶化を促進させて生産性を向上させる観点からは、６００℃以上が好ましく、８００℃以上がより好ましく、１０００℃以上が更に好ましい。これらの観点を総合すると、処理温度は、６００〜１７００℃が好ましく、８００〜１４００℃がより好ましく、１０００〜１１００℃が更に好ましい。
【００４１】
　処理時間は、処理温度との関係で適宜決定される。処理温度が高ければ、短い処理時間で結晶化が促進されて球状結晶制御粉体の屈折率が上がる。処理時間は、結晶化を促進させ、屈折率を向上させる観点から、０．０１時間以上が好ましく、０．５時間以上がより好ましい。また、生産性を向上させる観点から、処理時間は１００時間以下が好ましく、２４時間以下がより好ましい。これらの観点を総合すると、処理時間は、０．０１〜１００時間が好ましく、０．５〜２４時間がより好ましい。
・・・
【００４５】
　球状結晶制御粉体の平均粒径は、０．０１〜５０μｍの範囲であることが好ましい。球状結晶制御粉体の平均粒径が０．０１μｍ以上であれば、この球状結晶制御粉体を含有する硬化性組成物の粘度上昇が抑制され、また硬化性組成物の粘度上昇が起きることなく硬化性組成物中に球状結晶制御粉体が多量に配合されることも可能となる。更に、硬化性組成物の硬化物の強度が更に向上する。また、球状結晶制御粉体の平均粒径が５０μｍ以下であれば、硬化物の表面滑沢性が更に向上する。球状結晶制御粉体の平均粒子径は、０．１〜２０μｍがより好ましく、１〜１０μｍが更に好ましい。平均粒子径を上記範囲内に制御するには、後述する製造方法において、火炎中に投入する原料粒子の粒子径を調整すればよい。
【００４６】
　球状結晶制御粉体には、カップリング剤による表面処理が施されていることが好ましい。カップリング剤は硬化性組成物に混合することにより配合してもよい。歯科用材料を得るための硬化性組成物に含有される球状結晶制御粉体の場合には、一般に歯科用として用いられているカップリング剤が使用されることが好ましい。カップリング剤としては、例えばγ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシランなどの公知のカップリング剤が挙げられる。」
（１ｃ）「【００６５】
　尚、硬化性組成物は歯科用硬化物を形成するために好適であるが、封止材料、接着剤、積層板形成材料等の電子材料用途にも適用可能である。」
（１ｄ）「【００６６】
［粉体の製造］
（粉体Ａ）
　酸素をキャリアガスとして用い、ＬＰＧを対酸素比（容量比）１．１で燃焼させて、約２０００℃の火炎を発生させた。この火炎中に、平均粒子径２．０μｍの天然珪石粉砕物（純度９９．９％）を投入し、平均粒子径２．２μｍの非晶質シリカ粒子を得た。この非晶質シリカ粒子１００質量部に、硝酸カルシウム四水和物を４．２質量部（酸化物換算で１．００質量部）添加し、更にエタノールを加えて、ボールミルで３０分間混合した。この混合物からエタノールを除去した後、１１００℃で２４時間熱処理を施すことで、粉体Ａを得た。
・・・
【００７８】
【表１】
」
（２）甲第１号証に記載された発明
　前記（１ｂ）の記載及び前記（１ｄ）の粉体Ａに注目すると、甲第１号証には、
「火炎溶融法により得られた平均粒子径
が
　なお、甲第１号証の実施例である粉体Ｂ、Ｃのいずれかに注目して、甲第１号証に記載された発明を認定した場合にも、上記粉体Ａに注目して認定した甲１発明に対する判断と同じ判断が成立するので、後記第５では、粉体Ａに注目して認定した甲１発明について検討する。
２　甲第２号証の記載事項及び甲第２号証に記載された発明
（１）甲第２号証の記載事項
　甲第２号証には以下（２ａ）、（２ｂ）の記載がある。
（２ａ）「【０００１】
　本発明は、樹脂組成物に添加することに好適な結晶質シリカ粉体である樹脂組成物添加用球状結晶質シリカ粉体に関する。
・・・
【０００６】
　本発明では上記実情に鑑み粒度分布を制御することにより樹脂組成物に添加したときに高い性能を発揮することが可能な樹脂組成物添加用球状結晶質シリカ粉体及びその粉体を添加した樹脂組成物を提供することを解決すべき課題とする。」
（２ｂ）「【００１７】
（樹脂組成物添加用球状結晶質シリカ粉体：以下、「球状結晶質シリカ粉体」と称する）
　本実施形態の球状結晶質シリカ粉体は結晶質シリカからなる。結晶質シリカとはＸ線回折評価による結晶化度が５０％以上のものである。結晶化度としては８０％以上であることが望ましく、８５％以上、９０％以上であることがより好ましい。結晶化度を向上する方法としては特に限定しないが加熱による方法が例示できる。結晶質シリカはシリカを８０％以上含有する。
【００１８】
　「球状」であるためには円形度が０．８以上である。特に、０．８８以上であることが望ましく、０．９０以上、０．９２以上であることがより好ましい。円形度の測定は、画像解析装置（シスメックス社製：フロー式粒子像解析装置：ＦＰＩＡ３０００）により測定した値である。（円形度）＝（面積が等しい真円の周囲長）÷（粒子の周囲長）で算出される値として算出し、任意の粒子５千個について測定した平均値を採用した。１に近づくほど真球に近い。円形度を向上する方法としては特に限定しないが、先述した結晶化度を向上する前のシリカ粉体を爆燃法（ＶＭＣ法）や溶融法により製造して円形度が高いシリカ粉体を製造することにより結晶化度を向上した後も高い円形度を保つことができる。また、ＢＥＴ法（窒素）により測定した比表面積が、３．０ｍ２/ｇ以下であることが望ましく、２．０ｍ２/ｇ以下、１．０ｍ２/ｇ以下であることがより好ましい。比表面積を小さくするためには表面を滑らかにしたり、円形度を高くしたりすることで実現できる。
・・・
【００２２】
・製造方法の例
　球状結晶質シリカ粉体を製造する方法としては、球状の非晶質シリカからなる粒子材料を加熱し（加熱工程）、結晶化する方法が例示できる。また、加熱工程の前に、結晶化を促進することができる金属元素を含む化合物を粒子表面に付着させても良い（付着工程）。結晶化を促進できる金属元素とは、例えばアルカリ金属、Al、Mg、Ti、Znなどから選択することができる。
【００２３】
　非晶質シリカからなる粒子材料は、その形態が製造される球状結晶質シリカ粉体の形態に反映されるため、製造したい球状結晶質シリカ粉体に求められる粒度分布、平均粒径、円形度をもつものが採用される。例えば金属ケイ素の粉末を酸素と共に火炎中に投入することでシリカを得るいわゆる爆燃法（ＶＭＣ法）と称される方法の採用、シリカ粒子を火炎中に投入しシリカを溶融させた後に冷却することでシリカ粒子を得る溶融法と称される方法の採用が好ましい。ＶＭＣ法・溶融法によれば円形度が高い非晶質シリカからなる粒子材料を得ることが可能である。更に原料となる金属ケイ素やシリカに結晶化を促進できる金属元素を含ませたり、結晶化を促進できる金属元素を含む化合物を混合したりしてＶＭＣ法や溶融法に供することで得られる非晶質シリカからなる粒子材料中に結晶化を促進できる金属を含有させることも可能であり、その場合には付着工程を採用しなくてもそのまま加熱工程に供することで効率的に球状結晶質シリカ粉体を得ることも可能である。
【００２４】
　加熱工程は非晶質シリカからなる粒子材料を１０００℃から１５００℃の温度範囲で加熱する工程である。加熱温度の設定は非晶質シリカからなる粒子材料の結晶化が進行する温度である。加熱時間としては非晶質シリカからなる粒子材料が必要な結晶化度になるまで行うが上限として１０時間、５時間、３時間程度になるようにすると生産性の観点から好ましい。加熱を行う具体的な方法としては特に限定しないが、ガス炉（バッチ式、連続式）、電気炉、ロータリーキルンなどの公知の装置・方法が採用できる。
【００２５】
（樹脂組成物）
　本実施形態の樹脂組成物は、上述の球状結晶質シリカ粉体とその球状結晶質シリカ粉体を分散する樹脂材料とを有する。樹脂材料としては特に限定しないが、ポリオレフィン・ポリエステル・ポリアミドなどの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂（硬化前のもの、硬化後のものを含む）が例示できる。採用する樹脂に応じて球状結晶質シリカ粉体に対して表面処理を行うことができる。表面処理はシランカップリング剤などが採用でき、樹脂材料との親和性を向上するなどの目的で行われる。」
（２）甲第２号証に記載された発明
　前記（２ｂ）によると、甲第２号証には、
「溶融法で得られた球状の非晶質シリカからなる粒材料に対して、１０００℃から１５００℃の温度範囲で、上限として１０時間、５時間、または３時間程度加熱することで得られた、比表面積が３．０ｍ２/ｇ以下である球状結晶質シリカ粉体。」（以下、「甲２発明」という。）が記載されているといえる。
３　甲第７号証の記載事項及び甲第７号証に記載された発明
（１）甲第７号証の記載事項
　甲第７号証には以下（７ａ）〜（７ｃ）の記載がある。
（７ａ）「【０００１】　
　本発明は、メモリーなどの半導体素子用封止材の充填剤に適した、表面に微量の金属あるいは金属酸化物を有する高純度のクリストバライト粒子、及びその製造方法に関するものである。
・・・
【０００６】
　本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ウラン及びトリウムの含有量が少なく、かつアルカリ金属及びアルカリ土類金属の含有量が少ない高純度のクリストバライト粒子、及びこのクリストバライト粒子を短時間で効率よく、しかも経済的に製造する方法を提供することを目的とする。」
（７ｂ）「【００１１】
　以下、本発明について詳細に説明する。
　本発明のクリストバライト粒子は、表面の一部あるいは全面にアルミニウム、マグネシウム及びチタンから選ばれる金属あるいはこれらの金属酸化物層が存在する高純度のクリストバライト粒子であり、該クリストバライト粒子は、ウラン及びトリウムのそれぞれの含有量が１ｐｐｂ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のそれぞれの含有量が１０ｐｐｍ以下、最大粒径が２００μｍ以下の高純度非晶質シリカを、アルミニウム、マグネシウム及びチタンから選ばれる金属を含有する有機金属化合物又は該化合物のゾルもしくはスラリーで表面処理した後、１，０００〜１，６００℃で加熱処理することにより製造することができる。
【００１２】
　本発明で使用する原料となる高純度非晶質シリカは、合成又は天然に存在する高純度水晶や結晶シリカを粉砕し所定の粒度に調整したものや、この粒度調整した粉砕粒子を火炎中に通し溶融球状化させることで得られる球状非晶質シリカである。必要とする粒度に調整するために異なる粒度の球状シリカをブレンドしても良い。
・・・
【００１９】
　上記表面処理した高純度非晶質シリカを、１，０００〜１，６００℃、好ましくは１，２００〜１，５００℃で加熱処理することで、クリストバライト粒子が得られる。加熱温度が低すぎるとクリストバライト化率が低く、高すぎると粒子同士が融着してしまう。
・・・　
【００２１】
　加熱処理は、表面を処理した原料シリカを石英製の容器に入れ、所定の温度に設定された管状炉、箱形炉、トンネル炉などを使用し、空気中、窒素などの不活性ガス中などで行うことができる。また、加熱方法は１，０００〜１，６００℃に設定できるものであれば電気、燃焼ガスなどいずれでも良い。加熱処理時間は１時間以上であることが好ましく、より好ましくは２時間〜３０時間である。
　加熱処理後は、処理温度から２００℃まで５℃／分以下で冷却することが好ましい。これより早く冷却するとクリストバライト化率が低下するおそれがある。より望ましくは３℃／分以下である。２００℃まで冷却させたら、その後室温まで自然放冷することが好ましい。
・・・
【００２５】　
　本発明の方法により得られたクリストバライト粒子は、粒子表面に微量のアルミニウム、マグネシウム及びチタンから選ばれる金属やアルミナなどのこれらの金属酸化物を有することから高活性表面を有しており、触媒としての利用が考えられる。また、表面処理せずに又は表面をカップリング剤などで被覆することで半導体素子封止用樹脂組成物の充填剤として用いられる他、高品質セラミックスや透明石英ガラス原料として好適に用いることができる。
　ここで、得られた表面の一部あるいは全面にアルミニウム、マグネシウム及びチタンから選ばれる金属あるいはこれらの金属酸化物層を有する高純度クリストバライト粒子を半導体素子封止用樹脂組成物の充填剤として使用する場合は、単独で、あるいは従来から公知の非晶質シリカや結晶シリカとブレンドして使用することができる。」
（７ｃ）「【００２７】　
　表１に本発明の実施例、比較例で使用した原料である高純度シリカ（シリカＡ〜Ｃ）、及び通常のシリカ（シリカＤ）中の不純物含有量、並びに粒度について示した。
【００２８】
【表１】
・・・
【００３１】
［実施例１〜７、比較例１］　
　１ｋｇの表１で示されるシリカを高速混合装置に入れ、高速で混合しながら表２で示されるアルミニウム、チタン又はマグネシウム化合物溶液をスプレーで塗布し、シリカの表面処理を１０分間行った。表面処理量を下記表３に示す。表面処理したシリカを１００℃で５時間乾燥させた後、１次粒子に解砕した。
　解砕した１次粒子を常温から１，４００℃まで６時間かけて昇温し、１，４００℃で６時間維持、その後１，４００℃から６００℃まで６時間、６００℃から２００℃まで４時間かけて下げた。２００℃から室温までは自然放冷した。
　得られたクリストバライト粒子について、金属含有量、最大粒径及びクリストバライト化率を測定した。なお、クリストバライト化率の算出方法は、下記に示す。これらの結果を表３に示す。
【００３２】
【表３】
」
（２）甲第７号証に記載された発明
　前記（７ｂ）の記載及び前記（７ｃ）の表１におけるシリカＢに注目すると、甲第７号証には、
「粉砕粒子を火炎中に通して溶融球状化することで得られた、比表面積が１．８ｍ２/ｇである球状非晶質シリカに対して、１０００℃から１６００℃の温度範囲で、１時間以上加熱することで得られたクリストバライト粒子。」（以下、「甲７発明」という。）が記載されているといえる。
　なお、甲第７号証の表１におけるシリカＣに注目して、甲第７号証に記載された発明を認定した場合にも、上記シリカＢに注目して認定した甲７発明に対する判断と同じ判断が成立するので、後記第５では、シリカＢに注目して認定した甲７発明について検討する。
４　甲第３号証〜甲第６号証、甲第８号証〜甲第１２号証の記載事項
　摘記は省略するが、甲第３号証〜甲第６号証、甲第８号証〜甲第１２号証には、次の事項について記載されているといえる。
（１）甲第３号証の記載事項
　結晶性及び溶融シリカの基礎物性に関して、溶融シリカの密度ρが２．２１ｇ／ｃｍ３であること（最終頁「（ご参考）各種フィラーの物性値」の項）。
（２）甲第４号証の記載事項
　球状シリカフィラー用粉末の円形度が０．９０以上であること（【００１４】）。
（３）甲第５号証の記載事項
　吸着性シリカ充填材の保管方法に関して、冷却後は直ちにガスバリア性に優れた梱包袋もしくは容器に保管することが望ましいこと（【００５７】）。
（４）甲第６号証の記載事項
　二酸化ケイ素の結晶構造に関して、クリストバライトの密度が２．３ｇ／ｃｍ３であること（１１頁右欄「３．クリストバライト」の項）。
（５）甲第８号証の記載事項
　シリカ粉末の平均粒子径が４．７μｍ、比表面積が１．９ｍ２／ｇであること（【００４７】表１）。
（６）甲第９号証の記載事項
　無孔質シリカ微粒子の平均粒径が０．５μｍ、比表面積が５．５ｍ２／ｇであること（【００８２】）。
（７）甲第１０号証の記載事項
　本件特許の審査段階において、本件特許権者が、バルクのシリカの誘電正接が十分に低い値を示していても、粉末にしたとき、粒子径が小さくなるにつれて比表面積が増大し、それに伴い、誘電正接を低減させる要因となり得る吸着水やシラノール基といった極性官能基等が増えることは当該技術分野における技術常識であると主張したこと（「（２）拒絶理由３（明確性要件）」の項）。
（８）甲第１１号証の記載事項
　一般に、セラミックス粉体の表面には水酸基等の極性官能基が存在し、この極性基の存在は誘電損失の増大に繋がると考えられること、さらに、ＭｇＯ自体はアイソタクティックポリプロピレン（iPP）よりも低いtanδ値を有するため、大粒径化等の手段により表面極性基の影響を抑えれば、コンポジット化によるtanδ値の低減の可能性が有ることを示唆していると考えられること（２４頁「３．１　酸化マグネシウム系フィラー（粒径の影響）」の項）。
（９）甲第１２号証の記載事項
　シリカ粒子の処理温度を調整することにより、シリカ粒子の表面から、吸着水やシラノール基といった極性官能基等を低減でき、処理温度を５００℃以上にすることで、シリカ表面に存在するシラノール基のモル数（αＯＨ）が常温時（０℃）に比べて低下すること（図７等）。
第５　特許異議申立理由についての当審の判断
　１　特許法第２９条第１項第３号（新規性欠如）及び同条第２項（進歩性欠如）について
（１）甲第１号証を主たる証拠とした新規性欠如及び進歩性欠如について
（１−１）本件発明１について
　ア　対比
　本件発明１と甲１発明とを対比すると、甲１発明における「火炎溶融法により得られた」「非晶質シリカ粒子」は、本件発明１における「原料の球状溶融シリカ粉末」に相当する。
　そして、甲１発明における上記「非晶質シリカ粒子」の「平均粒子径が２．２μｍである」ことは、粒子直径ｄ（ｍ）及び粒子の密度ρ（ｋｇ／ｍ３）から粒子の比表面積Ａ（ｍ２／ｇ）を概算する式であるＡ＝６／（ρ×ｄ）と、一般的な溶融・非晶質シリカの密度ρが２．２１ｇ／ｃｍ３程度であること（必要であれば、前記第４の４（１）参照のこと）を用いて、その比表面積は１．２３ｍ２／ｇ程度と概算されるから、本件発明１における加熱処理前の溶融球状シリカ粉末の「比表面積が１〜３０ｍ２／ｇである」ことに相当する。
　さらに、甲１発明における「１１００℃で２４時間熱処理を施すこと」は、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）が２６４００（℃・ｈ）であることから、本件発明１における「誘電正接低減処理」と、「５００〜１１００℃の温度で、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）を１０００〜２６４００（℃・ｈ）とする所定時間、加熱処理することを含む」点で共通する。
　また、甲１発明における「球状結晶制御粉体」は、火炎溶融法により溶融・球状となった非晶質シリカ粒子に上記熱処理を施すことで得られたものであるから、本件発明１における「溶融球状シリカ粉末」に相当する。
　そうすると、本件発明１と甲１発明は、
「加熱処理前の球状溶融シリカ粉末の比表面積が１〜３０ｍ２／ｇであり、前記加熱処理が、原料の球状溶融シリカ粉末を５００〜１１００℃の温度で、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）を１０００〜２６４００（℃・ｈ）とする所定時間、加熱処理することを含む、加熱処理後の溶融球状シリカ粉末。」である点で一致するが、以下の点で相違する。
＜相違点１Ａ＞
　加熱処理に関して、本件発明１では、「誘電正接低減処理」であるのに対して、甲１発明では、誘電正接を低減するための処理であることが明らかでない点。
＜相違点１Ｂ＞
　本件発明１は、「樹脂に配合してシート状に成形した後、共振器法にて周波数３５〜４０ＧＨｚの条件で測定した該シートの誘電正接（ｔａｎδｃ）から、下記の式（Ｉ）を用いて算出される溶融球状シリカ粉末の誘電正接において、誘電正接低減処理前の比表面積が１〜３０ｍ２／ｇである溶融球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＡ）をＡ、誘電正接低減処理後の前記溶融球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＢ）をＢとしたとき、Ｂ／Ａが０．７０以下」であるのに対し、甲１発明は、そのことが明らかでない点。
＜相違点１Ｃ＞　
　本件発明１は、「誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末の比表面積が１〜３０ｍ２／ｇ」であるのに対し、甲１発明は、そのことが明らかでない点。
　イ　判断
（ア）まず、前記アの相違点１Ａ及び１Ｂについてまとめて検討すると、本件発明１は、Ｂ／Ａが０．７０以下となるようにすべく、所定の誘電正接低減処理を行っており、当該誘電正接低減処理とは、前記第２のとおり、「原料の球状溶融シリカ粉末を５００〜１１００℃の温度で、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）を１０００〜２６４００（℃・ｈ）とする所定時間、加熱処理することを含」むものであるが、本件特許明細書には、当該誘電正接低減処理に関して、
「【００２２】　本発明の誘電正接低減処理した球状シリカ粉末は、原料の球状シリカ粉末を高温加熱処理することによって製造することができる。
原料の球状シリカ粉末を５００〜１１００℃の温度で、かつ、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）を１０００〜２６４００（℃・ｈ）とする所定時間（例えば、約１〜５２時間）
熱風あるいは電気炉にて処理し、電気炉内にて自然放冷後、１１０℃〜３００℃の状態で球状シリカ粉末を回収し、さらに湿度４０％ＲＨ以下の環境下にて２５℃にまで冷却し、１５〜２５℃にて保管し、防湿アルミ袋にて回収することにより製造する。
【００２３】
　
上記の製造方法により、比表面積といった粉体特性を変化させずに、球状シリカ粒子の表面の吸着水および極性官能基を低減させることができる。
と記載されており、Ｂ／Ａが０．７０以下となるように誘電正接を低減させるべく、球状シリカ粒子の表面の吸着水および極性官能基を低減させるためには、上記加熱処理を行うとともに、「電気炉内にて自然放冷後、１１０℃〜３００℃の状態で球状シリカ粉末を回収し、さらに湿度４０％ＲＨ以下の環境下にて２５℃にまで冷却し、１５〜２５℃にて保管し、防湿アルミ袋にて回収すること」を要するものと認められる。この点、実施例においても、高温加熱処理後に同様の冷却、回収、保管工程を経ることが具体的に示されている。
　一方、甲１発明では、前記アに示す通り、原料の球状溶融シリカ粉末に対して本件発明１と同様の加熱処理を行っているものの、当該加熱処理後の冷却、回収、保管工程については何ら特定がなく、甲第１号証には、「電気炉内にて自然放冷後、１１０℃〜３００℃の状態で球状シリカ粉末を回収し、さらに湿度４０％ＲＨ以下の環境下にて２５℃にまで冷却し、１５〜２５℃にて保管し、防湿アルミ袋にて回収する」ことについては記載も示唆もないから、甲１発明における上記加熱処理が誘電正接を低減するための処理であるといえないし、当該加熱処理後の溶融球状シリカ粉末が「Ｂ／Ａが０．７０以下」を満たすとはいえない。
　したがって、前記相違点１Ａ及び１Ｂは実質的な相違点であるから、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１が甲１発明であるとはいえない。
（イ）次に、前記相違点１Ａ及び１Ｂに係る本件発明１の発明特定事項の容易想到性について検討すると、甲第１号証には、溶融球状シリカ粉末の誘電正接を低減させることについて記載も示唆もされておらず、甲１発明において、「Ｂ／Ａが０．７０以下」となるようにする動機付けは存在しないものであり、このことは、甲第２〜１２号証の記載事項に左右されるものでもない。
　そうすると、甲１発明において、溶融球状シリカ粉末を、誘電正接低減についての前記相違点１Ａ及び１Ｂに係る本件発明１の発明特定事項を有するものとすることを、甲第２〜１２号証のいずれかの記載事項に基づいて当業者が容易になし得るとはいえない。
　したがって、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明１を、甲１発明及び甲第２〜１２号証のいずれかの記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（１−２）本件発明２〜７について
　ア　本件発明１を引用する本件発明２〜７と甲１発明とを対比した場合、いずれの場合であっても、少なくとも前記（１−１）アの相違点１Ａ及び１Ｂの点で相違する。
　そして、前記相違点１Ａ及び１Ｂは実質的な相違点であることは前記（１−１）イ（ア）に記載のとおりであるから、本件発明２〜７が甲１発明であるとはいえない。
　イ　更に、前記（１−１）イ（イ）に記載した理由と同様の理由により、本件発明１を引用する本件発明２〜７も、そのほかの相違点について検討するまでもなく、甲１発明及び甲第２〜１２号証のいずれかの記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２）甲第２号証を主たる証拠とした新規性欠如及び進歩性欠如について
（２−１）本件発明１について
　ア　対比
　本件発明１と甲２発明とを対比すると、甲２発明における「溶融法で得られた球状の非晶質シリカからなる粒材料」は、本件発明１における「原料の球状溶融シリカ粉末」に相当する。
　そして、甲２発明における「球状結晶質シリカ粉体」の「比表面積が３．０ｍ２/ｇ以下である」ことは、本件発明１における加熱処理後の溶融球状シリカ粉末の「比表面積が１〜３０ｍ２／ｇである」ことに相当する。
　さらに、甲２発明における「１０００℃から１５００℃の温度範囲で、上限として１０時間、５時間、または３時間程度加熱すること」は、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）が３０００〜１５０００（℃・ｈ）であることから、本件発明１における「誘電正接低減処理」と、「５００〜１１００℃の温度で、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）を１０００〜２６４００（℃・ｈ）とする所定時間、加熱処理することを含む」点で共通する。
　また、甲２発明における「球状結晶質シリカ粉体」は、溶融法で得られた球状の非晶質シリカからなる粒材料に上記熱処理を施すことで得られたものであるから、本件発明１における「溶融球状シリカ粉末」に相当する。
　そうすると、本件発明１と甲２発明は、
「加熱処理が、原料の球状溶融シリカ粉末を５００〜１１００℃の温度で、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）を１０００〜２６４００（℃・ｈ）とする所定時間、加熱処理することを含み、加熱処理後の溶融球状シリカ粉末の比表面積が１〜３０ｍ２／ｇである、加熱処理後の溶融球状シリカ粉末。」である点で一致するが、以下の点で相違する。
＜相違点２Ａ＞
　加熱処理に関して、本件発明１では、「誘電正接低減処理」であるのに対して、甲２発明では、誘電正接を低減するための処理であることが明らかでない点。
＜相違点２Ｂ＞
　本件発明１は、「樹脂に配合してシート状に成形した後、共振器法にて周波数３５〜４０ＧＨｚの条件で測定した該シートの誘電正接（ｔａｎδｃ）から、下記の式（Ｉ）を用いて算出される溶融球状シリカ粉末の誘電正接において、誘電正接低減処理前の比表面積が１〜３０ｍ２／ｇである溶融球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＡ）をＡ、誘電正接低減処理後の前記溶融球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＢ）をＢとしたとき、Ｂ／Ａが０．７０以下」であるのに対し、甲１発明は、そのことが明らかでない点。
＜相違点２Ｃ＞　
　本件発明１は、「誘電正接低減処理前の溶融球状シリカ粉末の比表面積が１〜３０ｍ２／ｇ」であるのに対し、甲２発明は、そのことが明らかでない点。
　イ　判断
（ア）まず、前記アの相違点２Ａ及び２Ｂについてまとめて検討すると、前記（１）（１−１）イ（ア）で検討した通り、本件発明１では、Ｂ／Ａが０．７０以下となるように誘電正接を低減させるべく、球状シリカ粒子の表面の吸着水および極性官能基を低減させるためには、上記加熱処理を行うとともに、「電気炉内にて自然放冷後、１１０℃〜３００℃の状態で球状シリカ粉末を回収し、さらに湿度４０％ＲＨ以下の環境下にて２５℃にまで冷却し、１５〜２５℃にて保管し、防湿アルミ袋にて回収すること」を要するものと認められる。
　一方、甲２発明では、前記アに示す通り、原料の球状溶融シリカ粉末に対して本件発明１と同様の加熱処理を行っているものの、当該加熱処理後の冷却、回収、保管工程については何ら特定がなく、甲第２号証には、「電気炉内にて自然放冷後、１１０℃〜３００℃の状態で球状シリカ粉末を回収し、さらに湿度４０％ＲＨ以下の環境下にて２５℃にまで冷却し、１５〜２５℃にて保管し、防湿アルミ袋にて回収する」ことについては記載も示唆もないから、甲２発明における上記加熱処理が誘電正接を低減するための処理であるといえないし、当該加熱処理後の溶融球状シリカ粉末が「Ｂ／Ａが０．７０以下」を満たすとはいえない。
　したがって、前記相違点２Ａ及び２Ｂは実質的な相違点であるから、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１が甲２発明であるとはいえない。
（イ）次に、前記相違点２Ａ及び２Ｂに係る本件発明１の発明特定事項の容易想到性について検討すると、甲第２号証には、溶融球状シリカ粉末の誘電正接を低減させることについて記載も示唆もされておらず、甲２発明において、「Ｂ／Ａが０．７０以下」となるようにする動機付けは存在しないものであり、このことは、甲第１、３〜１２号証の記載事項に左右されるものでもない。
　そうすると、甲２発明において、溶融球状シリカ粉末を、誘電正接低減についての前記相違点２Ａ及び２Ｂに係る本件発明１の発明特定事項を有するものとすることを、甲第１、３〜１２号証のいずれかの記載事項に基づいて当業者が容易になし得るとはいえない。
　したがって、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明１を、甲２発明及び甲第１、３〜１２号証のいずれかの記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２−２）本件発明２〜７について
　ア　本件発明１を引用する本件発明２〜７と甲２発明とを対比した場合、いずれの場合であっても、少なくとも前記（２−１）アの相違点２Ａ及び２Ｂの点で相違する。
　そして、前記相違点２Ａ及び２Ｂは実質的な相違点であることは前記（２−１）イ（ア）に記載のとおりであるから、本件発明２〜７が甲２発明であるとはいえない。
　イ　更に、前記（２−１）イ（イ）に記載した理由と同様の理由により、本件発明１を引用する本件発明２〜７も、そのほかの相違点について検討するまでもなく、甲２発明及び甲第１、３〜１２号証のいずれかの記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（３）甲第７号証を主たる証拠とした新規性欠如及び進歩性欠如について
（３−１）本件発明１について
　ア　対比
　本件発明１と甲７発明とを対比すると、甲７発明における「粉砕粒子を火炎中に通して溶融球状化することで得られた」「球状非晶質シリカ」は、本件発明１における「原料の球状溶融シリカ粉末」に相当する。
　そして、甲７発明における「球状非晶質シリカ」の「比表面積が１．８ｍ２/ｇである」ことは、本件発明１における加熱処理前の球状溶融シリカ粉末の「比表面積が１〜３０ｍ２／ｇである」ことに相当する。
　さらに、甲７発明における「１０００℃から１６００℃の温度範囲で、１時間以上加熱すること」は、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）が１０００（℃・ｈ）以上であることから、本件発明１における「誘電正接低減処理」と、「５００〜１１００℃の温度で、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）を１０００〜２６４００（℃・ｈ）とする所定時間、加熱処理することを含む」点で共通する。
　また、甲７発明における「クリストバライト粒子」は、粉砕粒子を火炎中に通して溶融球状化することで得られた球状非晶質シリカに上記熱処理を施すことで得られたものであるから、本件発明１における「溶融球状シリカ粉末」に相当する。
　そうすると、本件発明１と甲７発明は、
「加熱処理前の球状溶融シリカ粉末の比表面積が１〜３０ｍ２／ｇであり、前記加熱処理が、原料の球状溶融シリカ粉末を５００〜１１００℃の温度で、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）を１０００〜２６４００（℃・ｈ）とする所定時間、加熱処理することを含む、加熱処理後の溶融球状シリカ粉末。」である点で一致するが、以下の点で相違する。
＜相違点７Ａ＞
　加熱処理に関して、本件発明１では、「誘電正接低減処理」であるのに対して、甲７発明では、誘電正接を低減するための処理であることが明らかでない点。
＜相違点７Ｂ＞
　本件発明１は、「樹脂に配合してシート状に成形した後、共振器法にて周波数３５〜４０ＧＨｚの条件で測定した該シートの誘電正接（ｔａｎδｃ）から、下記の式（Ｉ）を用いて算出される溶融球状シリカ粉末の誘電正接において、誘電正接低減処理前の比表面積が１〜３０ｍ２／ｇである溶融球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＡ）をＡ、誘電正接低減処理後の前記溶融球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＢ）をＢとしたとき、Ｂ／Ａが０．７０以下」であるのに対し、甲７発明は、そのことが明らかでない点。
＜相違点７Ｃ＞　
　本件発明１は、「誘電正接低減処理前の溶融球状シリカ粉末の比表面積が１〜３０ｍ２／ｇ」であるのに対し、甲７発明は、そのことが明らかでない点。
　イ　判断
（ア）まず、前記アの相違点７Ａ及び７Ｂについてまとめて検討すると、前記（１）（１−１）イ（ア）で検討した通り、本件発明１では、Ｂ／Ａが０．７０以下となるように誘電正接を低減させるべく、球状シリカ粒子の表面の吸着水および極性官能基を低減させるためには、上記加熱処理を行うとともに、「電気炉内にて自然放冷後、１１０℃〜３００℃の状態で球状シリカ粉末を回収し、さらに湿度４０％ＲＨ以下の環境下にて２５℃にまで冷却し、１５〜２５℃にて保管し、防湿アルミ袋にて回収すること」を要するものと認められる。
　一方、甲７発明では、前記アに示す通り、原料の球状溶融シリカ粉末に対して本件発明１と同様の加熱処理を行っているものの、当該加熱処理後の冷却、回収、保管工程については何ら特定がなく、甲第７号証には、「電気炉内にて自然放冷後、１１０℃〜３００℃の状態で球状シリカ粉末を回収し、さらに湿度４０％ＲＨ以下の環境下にて２５℃にまで冷却し、１５〜２５℃にて保管し、防湿アルミ袋にて回収する」ことについては記載も示唆もないから、甲７発明における上記加熱処理が誘電正接を低減するための処理であるといえないし、当該加熱処理後の溶融球状シリカ粉末が「Ｂ／Ａが０．７０以下」を満たすとはいえない。
　したがって、前記相違点７Ａ及び７Ｂは実質的な相違点であるから、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１が甲７発明であるとはいえない。
（イ）次に、前記相違点７Ａ及び７Ｂに係る本件発明１の発明特定事項の容易想到性について検討すると、甲第７号証には、溶融球状シリカ粉末の誘電正接を低減させることについて記載も示唆もされておらず、甲７発明において、「Ｂ／Ａが０．７０以下」となるようにする動機付けは存在しないものであり、このことは、甲第１〜６、８〜１２号証の記載事項に左右されるものでもない。
　そうすると、甲７発明において、溶融球状シリカ粉末を、誘電正接低減についての前記相違点７Ａ及び７Ｂに係る本件発明１の発明特定事項を有するものとすることを、甲第１〜６、８〜１２号証のいずれかの記載事項に基づいて当業者が容易になし得るとはいえない。
　したがって、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明１を、甲７発明及び甲第１〜６、８〜１２号証のいずれかの記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（３−２）本件発明２〜７について
　ア　本件発明１を引用する本件発明２〜７と甲７発明とを対比した場合、いずれの場合であっても、少なくとも前記（３−１）アの相違点７Ａ及び７Ｂの点で相違する。
　そして、前記相違点７Ａ及び７Ｂは実質的な相違点であることは前記（３−１）イ（ア）に記載のとおりであるから、本件発明２〜７が甲７発明であるとはいえない。
　イ　更に、前記（３−１）イ（イ）に記載した理由と同様の理由により、本件発明１を引用する本件発明２〜７も、そのほかの相違点について検討するまでもなく、甲７発明及び甲第１〜６、８〜１２号証のいずれかの記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（４）申立人の主張の検討
　ア　申立人は、本件特許明細書の【０００６】において、本件発明の背景技術として、「球状シリカの粒子の表面には、吸着水やシラノール基といった極性官能基等が多く存在し、特に、誘電正接が焼結された基板としての特性よりも悪化するという問題点がある。」と記載されていること、甲第１０号証に記載のとおり、本件特許権者は審査段階において、「バルクのシリカの誘電正接が十分に低い値を示していても、粉末にしたとき、粒子径が小さくなるにつれて比表面積が増大し、それに伴い、誘電正接を低減させる要因となり得る吸着水やシラノール基といった極性官能基等が増えることは当該技術分野における技術常識です。」と主張していたこと、及び、甲第１１号証の２４頁左欄には、「一般に、セラミックス粉体の表面には水酸基等の極性官能基が存在し、この極性基の存在は誘電損失の増大に繋がると考えられる。」と記載されており、さらに、同頁右欄には、「ＭｇＯ自体はiPPよりも低いtanδ値を有するため、大粒径化等の手段により表面極性基の影響を抑えれば、コンポジット化によるtanδ値の低減の可能性が有ることを示唆していると考えられる。」と記載されていることから、球状シリカの粒子の表面から、吸着水やシラノール基といった極性官能基等を低減することにより、当該シリカの粒子を含む樹脂組成物の誘電正接が改善することは、本件発明の出願日前に周知であったことは明らかである旨、並びに、甲第１２号証の図７には、シリカ粒子の処理温度を調整することにより、シリカ粒子の表面から、吸着水やシラノール基といった極性官能基等を低減できることが開示されており、具体的には、処理温度を５００℃以上にすることで、シリカ表面に存在するシラノール基のモル数（αＯＨ）が常温時（０℃）に比べて大幅に低下することが読み取れるから、当業者であれば、甲第１１号証と甲第１２号証の記載事項に基いて、誘電正接が低い球状シリカ粉末を提供するという課題を解決するために、シリカの粒子の処理温度を調整することにより、シリカの粒子の表面から、吸着水やシラノール基といった極性官能基等を低減することを容易に想到できる旨を主張する（特許異議申立書３７頁５行目〜３９頁下から２行目）。
　イ　しかしながら、確かに甲第１１号証の２４頁左欄及び右欄には、申立人がいうとおり上記記載が認められるものの、いずれの記載も「３．１　酸化マグネシウム系フィラー（粒径の影響）」という項目下の記載であり、セラミックス粉体がシリカ粒子であることについては何ら記載されていない。
　また、甲第１２号証についても、図７において、処理温度を５００℃以上にすることで、シリカ表面に存在するシラノール基のモル数（αＯＨ）が常温時（０℃）に比べて低下することが示されているものの、かかる加熱処理後の冷却、回収、保管工程については何ら記載がなく、加熱処理により離脱したシラノール基がシリカ表面に再吸着して誘電正接が再び増加しないように配慮することについては記載も示唆もないから、「Ｂ／Ａが０．７０以下」となるように誘電正接が低減されているとまではいえないし、このことが当業者にとって容易になし得る設計事項であるともいえない。
　したがって、甲第１１号証及び甲第１２号証に記載された技術分野に一定の関連性があり、双方の物質、作用機序の一部に共通性があったとしても、甲第１１号証及び甲第１２号証の記載事項を組み合わせることには動機付けがないし、仮に甲第１１号証及び甲第１２号証の記載事項を組み合わせることができたとしても、本件発明１の「樹脂に配合してシート状に成形した後、共振器法にて周波数３５〜４０ＧＨｚの条件で測定した該シートの誘電正接（ｔａｎδｃ）から、下記の式（Ｉ）を用いて算出される溶融球状シリカ粉末の誘電正接において、誘電正接低減処理前の比表面積が１〜３０ｍ２／ｇである溶融球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＡ）をＡ、誘電正接低減処理後の前記溶融球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＢ）をＢとしたとき、Ｂ／Ａが０．７０以下」であるとの発明特定事項に至るものでもない。
　よって、申立人の前記アの主張は採用できない。
（５）小括
　以上のとおりであるから、前記第３の１の特許異議申立理由は理由がない。
２　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件違反）について
（１）サポート要件の判断手法
　特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により、当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであるので、以下、この観点に基づいて検討する。
（２）本件発明の課題
　本件発明の課題は、本件特許明細書の【００１０】に記載されたとおり、「誘電正接が低い球状シリカ粉末を提供すること」である。
（３）前記第３の２（３）の特許異議申立理由についての検討
（３−１）本件発明１では、誘電正接低減処理前の原料球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＡ）をＡ、誘電正接低減処理後の球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＢ）をＢとしたときのＢ／Ａが０．７０以下であることが特定されているものの、前記Ｂ（ｔａｎδｆＢ）の値自体は特定されていない。
　一方、本件特許明細書の【００５９】【表２】の実施例１〜９では、Ｂ（ｔａｎδｆＢ）が６．９×１０−４〜８．０×１０−３の範囲で、上記Ｂ／Ａが０．１６〜０．５２となっており、同【００６０】【表３】の比較例１〜５では、Ｂ（ｔａｎδｆＢ）が３．２×１０−４〜２．７×１０−３の範囲で、上記Ｂ／Ａが０．７６〜０．９０となっているところ、実施例と比較例で同一の球状シリカ粉末を用いた場合に着目すると、例えば、原料シリカ粉末１を用いた実施例１〜５と比較例１〜３、５を比較すると、比較例よりも実施例の方がＢ（ｔａｎδｆＢ）及びＢ／Ａがともに低くなっているし、また、原料シリカ粉末４を用いた実施例９と比較例４を比較しても同様の傾向が見て取れる。すなわち、比較例よりも実施例の方が、誘電正接が低いことが読み取れるから、実施例の範囲において、上記課題を解決できるものと認識することができる。
（３−２）「当業者において課題解決できると認識できる範囲」の認定
　上記（３−１）のとおり、発明の詳細な説明の実施例の記載から、実施例１〜９に係る溶融球状シリカ粉末について、当業者は、本件発明の課題を解決することができるものと認識できるといえる。
　そして、上記（３−１）に照らすと、実施例における溶融球状シリカ粉末以外に、誘電正接低減処理前の誘電正接Ａよりも誘電正接低減処理後の誘電正接Ｂの方が溶融球状シリカ粉末の誘電正接が低い誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末、より具体的にはＢ／Ａが０．７０以下であるような誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末であれば、実施例と同様に、本件発明の課題を解決することができると解するのが相当であり、Ｂ／Ａが０．７０以下である誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末が上記各実施例から遠くかけ離れたものであるとは言い難い。
　そうすると、上記実施例の記載や技術常識などに照らすと、上記実施例に記載された、溶融球状シリカ粉末と同等の特性を発現し、もって、当業者が本件発明の課題が解決できると認識できる範囲として、本件発明１が規定するような、「Ｂ／Ａが０．７０以下」である誘電正接低減処理後の溶融球状シリカ粉末を認めることができるから、結局、「当業者において課題解決できると認識できる範囲」は、本件発明１の範囲を包含するものと解するのが合理的である。
（３−３）サポート要件適合性について
　上記（１）の判断手法に照らして、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、上記（３−２）の「当業者において課題解決できると認識できる範囲」のものであるか否かを検討すると、上記（３−２）のとおり、本件発明１は、「当業者において課題解決できると認識できる範囲」のものであるし、本件発明２〜７についても同様であるから、本件発明１〜７は、特許法第３６条第６項第１号のサポート要件の規定に適合するというべきである。
　したがって、前記第３の２（３）の特許異議申立理由は理由がない。
（４）前記第３の２（１）及び（２）の特許異議申立理由についての検討
　前記（３）で検討したとおり、本件発明１〜７はサポート要件を満たしているところ、申立人は誘電正接低減処理の処理条件が実施例より広すぎるので拡張ないし一般化できない旨の主張をしているのでこの点について検討する。
　本件発明１には、「誘電正接低減処理前の比表面積が１〜３０ｍ２／ｇである溶融球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＡ）をＡ、誘電正接低減処理後の前記溶融球状シリカ粉末の誘電正接（ｔａｎδｆＢ）をＢとしたとき、Ｂ／Ａが０．７０以下」と記載されていることからして、本件発明１の「溶融球状シリカ粉末」は、「Ｂ／Ａが０．７以下」を実現できる処理条件の「誘電正接低減処理」で得られたものであることが明らかであるから、前記（３）（３−２）のとおり、発明の詳細な説明において具体的に効果が確認されている実施例から、「Ｂ／Ａが０．７以下」を実現できる処理条件の「誘電正接低減処理」で得られた溶融球状シリカ粉末まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるといえる。
　そして、本件発明１には、「Ｂ／Ａが０．７以下」を実現できる処理条件であることが特定されているから、誘電正接低減のための加熱処理の条件が
「５００〜１１００℃の温度で、加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）を１０００〜２６４００（℃・ｈ）とする所定時間」の範囲であって、さらに前記加熱処理後の工程の特定がなくとも、発明の詳細な説明の上記実施例から、本件発明１の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるといえる。
　したがって、前記第３の２（１）及び（２）の特許異議申立理由は理由がない。
第５　むすび
　以上のとおりであるので、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜７に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年９月１４日（２０２１．９．１４）