【事件の表示】
　特許第６７９７７９７号発明「セラミックス金属回路基板およびそれを用いた半導体装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６７９７７９７号の請求項１ないし１２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６７９７７９７号の請求項１ないし１２に係る特許についての出願は、平成２８年６月１日（優先権主張、平成２７年７月９日、日本国）を国際出願日とする出願であり、令和２年１１月２０日にその特許権が設定登録され、令和２年１２月９日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、令和３年６月８日に特許異議申立人佐藤徹（以下、「申立人」という。）により、請求項１ないし１２に係る特許に対する特許異議の申立てがされたものである。
第２　本件発明
１　本件発明について
　特許第６７９７７９７号の請求項１ないし１２に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明１２」という。）は、特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された次の事項により特定されるものである。
「【請求項１】
　セラミックス基板と、このセラミックス基板の第１の面及び第２の面にそれぞれ接合層を介して接合された第１の金属板及び第２の金属板とを備えるセラミックス金属回路基板において、
　前記第１の金属板の、前記セラミックス基板との接合面の反対側の面に金属被膜が設けられ、
　前記第２の金属板の、前記セラミックス基板との接合面の反対側の面の一部には半導体素子又は金属端子を実装するために金属被膜が設けられていない箇所が存在し、
　前記第１の金属板及び前記第２の金属板は、それぞれ、銅と、銅合金と、アルミニウムと、アルミニウム合金とから選ばれた１種類からなり、
　前記第１の金属板及び／又は前記第２の金属板の、前記金属被膜が設けられた面の最大高さＲｚは、１．５μｍ以下であり、
　前記金属被膜の平均膜厚は、１０μｍ以下である、
　ことを特徴とするセラミックス金属回路基板。
【請求項２】
　前記接合層には前記第１の金属板及び前記第２の金属板の側面からはみ出たはみ出し部が形成されていることを特徴とする請求項１記載のセラミックス金属回路基板。
【請求項３】
　前記第１の金属板及び前記第２の金属板の側面および前記はみ出し部を覆うように金属被膜が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のセラミックス金属回路基板。
【請求項４】
　前記接合層はＡｇ、Ｃｕ、Ａｌから選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のセラミックス金属回路基板。
【請求項５】
　前記金属被膜がニッケル、金、またはこれらを主成分とする合金から選択される選ばれる１種であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項であることを特徴とするセラミックス金属回路基板。
【請求項６】
　前記セラミックス基板が、窒化珪素基板、窒化アルミニウム基板、酸化アルミニウム基板から選択される１種であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のセラミックス金属回路基板。
【請求項７】
　前記第２の金属板の表面の前記金属被膜が設けられていない箇所に前記金属端子を接合したことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のセラミックス金属回路基板。
【請求項８】
　前記第１の金属板が再結晶組織を有していることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のセラミックス金属回路基板。
【請求項９】
　前記第１の金属板及び前記第２の金属板の平均結晶粒径は、２００μｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載のセラミックス金属回路基板。
【請求項１０】
　請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の前記セラミックス金属回路基板に半導体素子を実装したことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
　前記第２の金属板の表面の金属被膜が設けられていない箇所に半田層を介して前記半導体素子を実装したことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
　前記半田層は鉛フリー半田で構成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。」
２　本件発明１ないし１２の優先権主張の効果の有効性について
　本件発明１に関し、本件発明１の発明特定事項のうち、「前記第１の金属板及び／又は前記第２の金属板の、前記金属被膜が設けられた面の最大高さＲｚは、１．５μｍ以下」については、本件特許に係る出願の優先権の基礎となる出願（特願２０１５−１３８０３６号）の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載されていない。
　よって、本件発明１について、優先権主張は認められない。
　また、本件発明１を直接または間接的に引用する本件発明２ないし１２についても、優先権主張は認められない。
　したがって、本件発明１ないし１２について、現実の出願日である平成２８年６月１日が、特許法第２９条の規定の適用についての基準日となる。
第３　申立理由の概要
　申立人は、証拠方法として下記甲第１ないし４号証を提出して、以下の申立理由１ないし２により、請求項１ないし１２に係る本件特許を取り消すべきである旨主張している。
１　申立理由１（進歩性）
　本件発明１は、甲第１号証に記載された発明、及び周知技術（甲第２号証ないし甲第３号証）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　また、本件発明２ないし１２は、甲第１号証に記載された発明、甲第４号証に記載された技術及び周知技術（甲第２号証ないし甲第３号証）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるあるから、本件発明２ないし１２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
２　申立理由２（実施可能要件）
　発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
〈証拠方法〉
　甲第１号証：特開２０１３−２３７１００号公報
　甲第２号証：特開２００７−８１２１７号公報
　甲第３号証：国際公開第２０１５／１１４９８７号
　甲第４号証：特開２００３−１１２９８０号公報
第４　甲号証の記載、甲号証に記載された発明
１　甲第１号証
　甲第１号証には、「セラミックス回路基板」に関して、以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付与した。）。
「【請求項１】
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一面にろう材層を介し接合された銅を主体とした回路板と、前記回路板の表面に被着されたＮｉめっき層を有するセラミックス回路基板の製造方法であって、ろう材を介しセラミックス基板の一面に回路原板を配置する配置工程と、セラミックス基板の一面に回路原板を加熱し接合する接合工程と、接合工程で形成されてなる回路板を化学研磨する化学研磨工程と、化学研磨工程の後に回路板の表面にＮｉめっき層を被着するめっき工程と、を含み、前記回路原板は、調質記号１／２Ｈ〜Ｈ相当の銅または銅合金からなる銅板であり、前記接合工程は、その温度プロファイルにおいて、第１の温度域と、前記第１の温度域の後に配置された、ろう材が溶融する温度で加熱する第２の温度域とを有し、前記第１の温度域の温度が４００〜７５０℃であることを特徴するセラミックス回路基板の製造方法。」
「【請求項４】
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一面にろう材層を介し接合された銅または銅合金からなる回路板と、前記回路板の表面に被着されたＮｉめっき層を有するセラミックス回路基板であって、前記回路板は下記で定義される第１再結晶相および第２再結晶相を含み、前記Ｎｉめっき層は、前記第１再結晶相の表面上に形成された粒状相および前記第２再結晶相の表面上に形成された平滑相を含み、前記粒状相と平滑相との境界部における酸素濃度が２５．０原子％以下であるセラミックス回路基板。」
第１再結晶相：成長方位が回路板の表面の垂直方向に対して±３０°以内である結晶子からなり、当該結晶子の長軸長の平均値が１００〜４００μｍである相
第２再結晶相：成長方位が回路板の表面の平行方向に対して±３０°以内である結晶子からなり、当該結晶子の長軸長の平均値が１００〜４００μｍである相」
「【０００１】
本発明は、セラミックス基板の一面に銅を主体とした回路板がろう材を介して接合されたセラミックス回路基板の製造方法およびセラミックス回路基板に係る発明である。
【背景技術】
【０００２】
かかる技術分野に関連する先行技術が、下記特許文献１〜３に開示されている。特許文献１に開示されたセラミックス回路基板は、「セラミックス基板の表面に金属回路板をろう材を介して取着するとともに、該金属回路基板の表面にニッケルめっき層を被着させて成るセラミックス回路基板であって、前記ニッケルめっき層の表面粗さを十点平均粗さ（Ｒｚ）で１０μｍ以下としたことを特徴とする」セラミックス回路基板である。また、特許文献１には、そのようなセラミックス回路基板の製造方法として、セラミックス基板にろう材を介して接合された金属回路板を過酸化水素が５〜１５％添加された３〜７％硫酸浴に５〜１０分間（室温）で酸洗いし、当該金属回路板の表面を十点平均粗さ（Ｒｚ）で１０μｍ以下となし、その後無電解めっき法や電界めっき法でニッケルめっき層を金属回路板の表面に形成する製造方法が記載されている。」
「【０００７】
　すなわち、接合工程は、回路板の出発材である銅からなる回路原板とセラミックス基板とをろう材を介して接合する加熱プロセスである。そして、
接合工程では、
回路原板に付加される熱により回路原板を構成する結晶子は再結晶し、粗粒化する
接合工程を経て形成されてなる回路板９ａには、
回路板９ａの表面の垂直方向に対して±３０°以内の成長方位を有する結晶子Ｃ１を主体とした第１再結晶相Ｎ１、回路板９ａの表面の平行方向に対して±３０°以内の成長方位を有する結晶子Ｃ２を主体とした第２再結晶相Ｎ２
が生じる
「【０００９】
　そして、化学研磨工程後のＮｉめっき工程において、図５（ｃ）に示すように、回路板９ａの表面にＮｉめっき層９ｉが被着される。上記のような表面状態の回路板９ａの表面に形成された
Ｎｉめっき層９ｉには、上記第１再結晶相Ｎ１の表面状態が転写された表面が粗い粒状相Ｍ１と、上記第２再結晶相Ｎ２の表面状態が転写された表面が平滑な平滑相Ｍ２
が形成されるとともに、上記第１再結晶相Ｎ１と第２再結晶相Ｎ２の境界部Ｋに生じた段差Ｄ１や凹部Ｏ１も粒状相Ｍ１と平滑相Ｍ２の境界に転写される
上記粒状相Ｍ１と平滑相Ｍ２の境界に存在する凹部Ｏ２や段差Ｄ２
「【００１２】
かかる知見に基づき構成された本発明の一態様は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一面にろう材層を介し接合された銅を主体とした回路板と、前記回路板の表面に被着されたＮｉめっき層を有するセラミックス回路基板の製造方法であって、ろう材を介しセラミックス基板の一面に回路原板を配置する配置工程と、セラミックス基板の一面に回路原板を加熱し接合する接合工程と、接合工程で形成されてなる回路板を化学研磨する化学研磨工程と、化学研磨工程の後に回路板の表面にＮｉめっき層を被着するめっき工程と、を含み、前記回路原板は、調質記号１／２Ｈ〜Ｈ相当の銅または銅合金からなる銅板であり、前記接合工程は、その温度プロファイルにおいて、第１の温度域と、前記第１の温度域の後に配置された、ろう材の溶融温度で加熱する第２の温度域とを有し、前記第１の温度域の温度が４００〜７５０℃であることを特徴するセラミックス回路基板の製造方法である。」
「【００１４】
ここで、上記配置工程において配置される回路原板は、配置工程の後行われる接合工程において回路原板に付加される熱により再結晶して組織が変化し、回路基板を構成する回路板となる回路板の出発材料である。この回路原板としては、定義される調質記号１／２Ｈ〜Ｈ相当の銅または銅合金からなる銅板を選択する。
【００１５】
銅または銅合金からなる回路原板の平均結晶粒径は１００μm以下
【００１６】
さらに、上記態様の回路基板の製造方法において、図３（ａ）に示すように、接合工程の温度プロファイルＰＡは、ろう材が溶融する温度で加熱する第２の温度域Ｐ５の前に、４００〜７５０℃の温度で加熱する第１の温度域Ｐ３が配置されている。その結果、図４（ａ）に示すように、
接合工程を経て回路原板が加熱することにより形成された接合体３の回路板１ａは、
結晶子Ｓ１の長軸長Ｌ１の平均値が１００〜４００μｍ
晶子Ｓ２の長軸長の平均値Ｌ２が１００〜４００μｍ
結晶子Ｓ３の長軸長の平均値も１００〜４００μｍ程度
【００１７】
このように、特に、それぞれ第１再結晶相Ｑ１および第２再結晶相Ｑ２を構成する
結晶子Ｓ１，Ｓ２の長軸長Ｌ１，Ｌ２は所定範囲に制御されて結晶子が微細化されるため
化学研磨工程において、
形成される段差Ｔ１および凹部Ｕ１は
非常に小さい
回路板１ａ
には過大な大きさの段差や凹部が形成されていないので、Ｎｉめっき層１ｉ
に形成される段差Ｔ２および凹部Ｕ２は
非常に小さいので、
所望の溶融半田の濡れ広がり性を確保することができる
「【００２０】
本発明の別の態様は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一面にろう材層を介し接合された銅または銅合金からなる回路板と、前記回路板の表面に被着されたＮｉめっき層を有するセラミックス回路基板であって、前記回路板は下記で定義される第１再結晶相および第２再結晶相を含み、前記Ｎｉめっき層は、前記第１再結晶相の表面上に形成された粒状相および前記第２再結晶相の表面上に形成された平滑相を含み、前記粒状相と平滑相との境界部における酸素濃度が２５．０原子％以下であるセラミックス回路基板である。但し、酸素濃度が低すぎると、Ｎｉめっき表面に極微量の不動態膜を形成して過剰の酸化を防止することができにくくなる。このため、前記粒状相と平滑相との境界部における酸素濃度が２原子％以上となることが好ましい。一方、酸素濃度が２５原子％超となると、半導体素子の実装過程で用いるはんだを酸化させてしまい、所望のはんだ濡れ性が確保できず、半導体素子と回路基板との接合を介するはんだ相内においてボイドが散在する不具合が生じることがある。
第１再結晶相：成長方位が回路板の表面の垂直方向に対して±３０°以内である結晶子からなり、当該結晶子の長軸長の平均値が１００〜４００μｍである相
第２再結晶相：成長方位が回路板の表面の平行方向に対して±３０°以内である結晶子からなり、当該結晶子の長軸長の平均値が１００〜４００μｍである相」
「【００２６】
加えて、粒状相と平滑相との境界部に形成された段差が１．０〜１０．０μｍであるか、前記粒状相と平滑相との境界部に形成された凹部の深さが５．０〜２５．０μｍであることが望ましい。境界部に形成された段差や凹部の大きさが上位範囲とすることにより、境界部に形成された酸化層による障壁のみならず、境界部に形成された該段差や凹部が物理的な障壁となり溶融半田の濡れ広がりを阻害することを効果的に抑制でき、溶融半田の濡れ広がり性をさらに高めることができる。」
「【００３０】
まず、本発明に係る回路基板の基本的構成について、その正断面図である図１（ａ）および平面図である図１（ｂ）を参照して説明する。なお、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
回路基板１は、セラミックス基板１ｅと、セラミックス基板１ｅの一面に配置されたろう材層１ｄを介してセラミックス基板１ｅに接合された銅または銅合金からなる回路板１ａと、セラミックス基板１ｅの他面に配置されたろう材層１ｆを介してセラミックス基板１ｅに接合された金属製の放熱板１ｈと、回路板１ａおよび金属製の放熱板１ｈの表面に形成されたＮｉめっき層１ｉ，１ｋとを
構成として有している
【００３１】
図１（ｂ）に示すように、回路板１ａは、平面方向において形成された間隙１ｇを介し配置された第１の回路板１ｂおよび第２の回路板１ｃの二の銅板で構成されており、これらにより回路パターンが形成されている。なお、回路板１ａは、１枚であってもよく、３枚以上であってもよい。ここで、放熱板１ｈおよびろう材層１ｆは任意に配置される要素であるが、以下の説明では、ろう材層１ｄと同一構成のろう材層１ｆを介して
銅またはそ銅合金からなる放熱板１ｈ
回路基板の製造工程において、回路板１ａおよび放熱板１ｈに係る各工程の内容は同一である
【００３２】
回路板１ａ
回路基板に実装される半導体素子
【００３３】
窒化珪素質焼結体でセラミックス基板１ｅを構成する場合には、例えば窒化珪素９０〜９７質量％、ＭｇまたはＹその他希土類元素を含む焼結助剤３〜１０質量％を含む原料粉末に、適量の有機バインダ、可塑剤、分散剤および有機溶剤を添加し、ボールミル等で混合し、スラリーを形成し、当該スラリーをドクターブレード法やカレンダーロール法で成形し、薄板状の成形体であるセラミックスグリーンシートを形成し、しかる後に、セラミックスグリーンシートを所望の形状となるよう打ち抜きまたは裁断をし、１７００〜１９００℃の温度で焼成することにより、窒化珪素質焼結体からなるセラミックス基板１ｅを得ることができる。なお、以下の実施例・比較例では、セラミックス基板１ｅとして、全原料粉１００重量部においてＳｉ３Ｎ４を９３質量％、Ｍｇを酸化物換算で４質量％、Ｙを酸化物換算で３質量％含む、縦横の大きさが其々３０ｍｍおよび４０ｍｍ、厚みが０．３２ｍｍの窒化珪素基板を使用した。
【００３４】
以下、上記窒化珪素基板を使用した回路基板の製造方法について説明する。
【００３５】
［配置工程］
まず、配置工程を行う。図２（ａ）に示すように、上記セラミックス基板１ｅの一面にろう材２ｄを塗布しておく。次いで、ろう材２ｄを介しセラミックス基板１ｅの一面に回路原板２ａを配置し、被接合体２を形成する。この回路原板２ａは、配置工程後に引き続き行われる、回路原板２ａとセラミックス基板１ｅとの接合工程において回路原板２ａに付加される熱によりその組織が変化し、回路基板１を構成する回路板１ａ（図１参照）となる回路板１ａの出発材料であり、上記したように調質記号１／２Ｈ〜Ｈ相当の銅または銅合金からなる銅板を使用する。以下の実施例では、回路原板２ａとして２種、厚みが０．５ｍｍの無酸素銅基板Ｃ１０２０Ｈ材（ＪＩＳ規格 Ｈ３１００）で調質記号１／２Ｈ相当の回路原板２ａおよび同材質で調質記号Ｈ相当の回路原板２ａを使用した。回路原板２の縦横の大きさは、接合工程における熱膨張を考慮し、各々２９．５ｍｍおよび３９．５ｍｍとセラミックス基板１ｅの大きさより小さいものを使用した。また、比較例としては、同材質および同寸法で調質記号のみＯ相当および１／４Ｈ相当の回路原板を使用した。
【００３６】
接合工程を経た後にろう材層１ｄ（図１（ａ）参照）となるろう材２ｄの材質は、特段限定されないが、代表的には、高強度・高封着性等が得られる、共晶組成であるＡｇとＣｕを主体としＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ等の活性金属を添加したＡｇ−Ｃｕ系活性ろう材、さらにセラミックス基板Ｓと回路板の接合強度の観点から好ましくはこれにＩｎが添加された三元系のＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系活性ろう材を使用することが好ましい。以下の実施例では、表１に示す、溶解温度が異なる３種のろう材としてＡ〜Ｃの組成となるよう調整されたろう材粉末１００質量部に対し、有機バインダとしてアクリル系樹脂を５．３質量部、有機溶剤としてα-テルピネオール１９．１質量部、界面活性剤および分散剤０．５質量部を混合したろう材ペーストを使用した。なお、表１には、図３（ａ）に示す温度プロファイルＰＡにおいて、ろう材を溶融させる温度である第２の温度域Ｐ５の温度を、「第２の温度域 加熱温度」の欄に示している。
【００３７】
【表１】 
」
「【００４０】
［化学研磨工程］
必要に応じ行うエッチング工程の後、化学研磨工程において、接合工程において形成された接合体の回路板の表面を化学研磨する。なお、この回路板は、上記したように加熱プロセスである接合工程を経て回路原板の組織が再結晶化したものである。化学研磨工程は、接合工程等で荒れた回路板の表面を清浄化し、その平滑性を回復させるために行われるプロセスであり、例えば、接合体を５０℃程度の温度で管理された化学研磨液に３〜１０分程度浸漬して行う。この化学研磨液としては、例えば、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）からなる混合溶液を用いることができる。そして、第１再結晶相および第２再結晶相の境界部に過大な大きさの段部や凹部を形成させないという点からは、好ましくは硫酸５．０〜３０．０重量％、過酸化水素２．０〜１０．０重量％を含む混合溶液を使用することが望ましい。下記の実施例・比較例の化学研磨工程では、硫酸および過酸化水素の組成範囲を変化させつつ、５０℃に管理された化学研磨液に接合体を５分間浸漬する条件で化学研磨を行った。
【００４１】
［めっき工程］
化学研磨工程の後、図２（ｃ）に示すめっき工程において、回路板１ｄの表面にＮｉめっき層１ｉを被着する。ここで、Ｎｉめっき層１ｉは、電界めっき法・無電解めっき法いずれで形成してもよいが、以下の実施例・比較例では無電解めっき法でＮｉめっき層１ｉを形成した。具体的には、化学研磨工程を経た接合体３を、ニッケル（Ｎｉ）を主成分としリン（Ｐ）の濃度が８重量％に調整された無電解メッキ液を８５℃に管理し、その無電解メッキ液中に２５分間浸漬し、
厚みが５μｍのＮｉめっき層１ｉが回路板１ａの表面に形成
「【００４４】
有機バインダを除去するための温度域Ｐ１の後には、図３（ａ）に示すように、第１の昇温部Ｐ２を介し、４００〜７５０℃の範囲で温度が制御される第１の温度域Ｐ３が配置され、第１の保持帯Ｐ３の後には、第２の昇温部Ｐ４を介し、ろう材が溶融する温度、具体的にはろう材の融点に対し２５〜７５℃高い温度範囲から選択される所望の温度で制御される第２の温度域Ｐ５が配置されている。ここで、第１の温度域Ｐ３は、４００〜７５０℃の範囲で温度制御されていればよく、例えば図３（ａ）に示す温度プロファイルＰＡの第１の温度域Ｐ３のように４００〜７５０℃の範囲から選択された一の温度で保持するようにしてもよく、図３（ｂ）に示す温度プロファイルＰＢの第１の温度域Ｐ３のように当該温度範囲の中で序々に昇温するようにしてもよい。また、図３（ｃ）に示す温度プロファイルＰＣの第１の温度域Ｐ３のように、４００〜７５０℃の温度の中から選択された一の温度Ｐ３１を前段で一定に保持し、その後昇温部Ｐ３２を介し、当該温度範囲の中で選択された前記温度Ｐ３１よりも高い温度Ｐ３３で一定に保持するよう、第１の温度域Ｐ３の中に二の温度域Ｐ３１およびＰ３３を設けてもよい。なお、以下の実施例・比較例では、図３（ａ）に示す温度プロファイルで温度を制御した。
【００４５】
第１の昇温部Ｐ２の昇温速度は、上記したように２．０〜２０．０℃／分とすることが好ましい。昇温速度をこの範囲にすることにより、Ｎｉめっき層を構成する粒状相および平滑相のうち、Ｎｉめっき層の表面における任意の１０ｍｍ×１０ｍｍの領域における粒状相の面積率が４０％以下となる。すなわち、理由は不明であるが、第１の昇温部Ｐ２の昇温速度を上記範囲にすることにより、回路板を構成する第１再結晶相および第２再結晶相のうち、回路板の表面における任意の１０ｍｍ×１０ｍｍの領域における第１再結晶相の面積率は４０％以下となる。ここで、第１再結晶相は、結晶成長方向が回路板の表面の垂直方向に対して±３０°以内の結晶子から構成され、その表面に露出した結晶子の粒界が化学研磨工程において侵食されやすい。その結果、Ｎｉめっき層のうち上記第１再結晶相の表面上に形成された粒状相は、当該第１再結晶相の表面において結晶子の粒界が腐食した状態が反映され、平滑相の表面粗さ（Ｒａ）が０．１〜０．３μｍ程度であるのに対し、粒状相の表面粗さ（Ｒａ）は１．０〜２．０μｍと粗い。このため、Ｎｉめっき層の表面から選択された１０ｍｍ×１０ｍｍの領域における粒状相の面積率が４０％を超えると、溶融半田の濡れ広がり性が低下する。このため、第１の昇温部Ｐ２の昇温速度は、２．０〜２０．０℃／分とすることが好ましい。」
「【００５１】
各実施例および比較例で得られた回路基板の特性を表３に示す。なお、回路板を構成する第１再結晶相および第２再結晶相の各々の結晶子の長軸長の平均値は、回路基板を厚み方向に切断し、その回路板の切断面を５００番および１０００番のエメリー紙で粗研磨、粒径０．１μｍのダイヤモンド砥粒で仕上げ研磨、硫酸２０質量％および過酸化水素５．５質量％の化学研磨液で化学研磨（エッチング）し、走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：SEM）で撮像して得られた切断面の画像から各々第１再結晶相および第２再結晶相を確認した。そして、第１再結晶相および第２再結晶相各々の相の中から選択した任意の１０区画の１ｍｍ×１ｍｍの領域にある結晶子の長軸長を確認し、その平均値を求めた。
「【００５２】
【表３】
」
「【００５６】
Ｎｉめっき層の粒状相と平滑相の境界部に形成された段差または凹部の深さは、当該境界部から選択した任意の１０点について、レーザー式３次元評価装置（オリンパス株式会社製、ＯＬＳ３０００）で測定し、その平均値を求めた
【００５７】
溶融半田の濡れ広がり性の指標である濡れ広がり率には次のようにして求めた。Ｓｎ３．５質量％、Ａｇ０．５質量％、残部Ｃｕの組成で、縦横が各々１０ｍｍ、厚みが０．１５ｍｍの半田シートを準備し、この半田シートを回路板の表面にセットし、５０％Ｈ２−５０％Ｎ２に混合ガス雰囲気中において、２７０℃×５分間の条件にて加熱し、その後冷却した。そして、回路板の表面において溶融凝固した後の半田面積のＡ１、半田シート面積をＡ０とし、（Ａ１／Ａ０）×１００を濡れ広がり率とし、溶融前の半田シートに対し、溶融後の半田シートがどの程度濡れ広がったかを評価した。なお、
回路板に接続される半導体素子との接合強度の面から、濡れ広がり率は８５％以上であることが望まし
【００５８】
表３に示す実施例１〜２７および比較例１〜４によれば、次のことが確認された。回路原板として調質記号が１／２Ｈ〜Ｈ相当の銅または銅合金からなる銅板を用い、第１の温度域が４００〜７５０℃である実施例１〜２７によれば、いずれも回路板を構成する第１再結晶相および第２再結晶相の結晶子の長軸長は１００〜４００μｍとなり、
Ｎｉめっき層の粒状相と平滑相の境界部に形成された段差の深さは１０μｍ以下、凹部の深さは２０μｍいずれとも小さく、
その結果濡れ広がり率も８５％以上となった
　上記摘記事項の記載より、甲第１号証には、次の技術的事項が記載されているといえる。
・段落【００３０】の記載によれば、「回路基板１は、セラミックス基板１ｅと、セラミックス基板１ｅの一面に配置されたろう材層１ｄを介してセラミックス基板１ｅに接合された銅または銅合金からなる回路板１ａと、セラミックス基板１ｅの他面に配置されたろう材層１ｆを介してセラミックス基板１ｅに接合された金属製の放熱板１ｈと、回路板１ａおよび金属製の放熱板１ｈの表面に形成されたＮｉめっき層１ｉ，１ｋとを」「構成として有している」。
・段落【００３２】の記載によれば、「回路基板」には「半導体素子」が実装される。そして、「回路基板」は「回路板１ａ」を有するものであるから、「半導体素子」が「回路板１ａ」に実装されるのは明らかである。
・段落【００３１】の記載によれば、「放熱板１ｈ」は「銅またはそ銅合金からなる」。
・段落【００４１】の記載によれば、「Ｎｉめっき層１ｉ」は「厚みが５μｍ」である。そして、段落【００３１】に「回路基板の製造工程において、回路板１ａおよび放熱板１ｈに係る各工程の内容は同一である」と記載されていることを考慮すれば、「回路板１ａおよび金属製の放熱板１ｈの表面に形成されたＮｉめっき層１ｉ，１ｋ」は「厚みが５μｍ」である。
　上記技術的事項より、甲第１号証には、回路基板として以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。
「セラミックス基板と、セラミックス基板の一面に配置されたろう材層を介してセラミックス基板に接合された銅または銅合金からなる回路板と、セラミックス基板の他面に配置されたろう材層を介してセラミックス基板に接合された金属製の放熱板と、回路板および金属製の放熱板の表面に形成されたＮｉめっき層とを有し、
　放熱板は銅または銅合金からなり、
　半導体素子が回路板に実装され、
　回路板および金属製の放熱板の表面に形成されたＮｉめっき層は厚みが５μｍである
　回路基板。」
２　甲第２号証
　甲第２号証には、「回路基板」に関して、以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付与した。）。
「【請求項１】
　セラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面に金属放熱板が設けられた回路基板の製造方法であって、
　前記
セラミックス基板の一方の面に前記金属回路を形成し、他方の面に前記金属放熱板を形成した後に化学研磨を行ない
　前記
化学研磨を行った後に防錆剤を付与する
「【０００５】
　しかしながら、近年、鉛のもつ有毒性のために、回路基板上に半導体素子を実装する際に用いるはんだとしては、特に鉛レスはんだが広く用いられるようになった。鉛レスはんだは鉛を全く含まず、例えば、錫、銀等を主成分とする。具体的には、Ｓｎ−３．５％Ａｇ、Ｓｎ−５％Ａｇ−０．５％Ｃｕ、Ｓｎ−２．５％Ａｇ−１％Ｂｉ−０．５％Ｃｕ、Ｓｎ−８％Ｚｎ−３％Ｂｉ等が用いられている。この場合、上記の化学研磨と無電解Ｎｉ−Ｐめっきを用いた方法で製造された金属回路上にこれらのはんだ層を形成すると、金属回路表面のめっき層に含まれるＰ（隣）成分と、鉛レスはんだ層とが反応を起こし脆性層が生成される場合がある。これにより、はんだ層が脆くなり半導体モジュールの信頼性が低下するという問題があった。さらに、無電解Ｎｉ−Ｐめっきの工程を行う場合には、このめっき工程だけでなく、めっき前の脱脂、酸化スケール除去および硫酸パラジュウムあるいは塩化パラジュウム溶液などの触媒付与処理、さらに、セラミックス部分の残留パラジュウムの除去処理等、めっき後にはめっき液を洗浄除去する工程等、これに付随して多数の工程も必要になるため、回路基板製造コストが上昇するという問題もある。従って、このめっきの工程を行わないで信頼性の高い回路基板を製造することが望まれた。
【０００６】
　本発明は斯かる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、
はんだ濡れ性及び耐腐食性に優れ、ワイヤーボンディングが容易にできる回路基板を、めっき工程を用いずに得る
「【０００８】
　本発明は以上のように構成されているので、
はんだ濡れ性及び耐腐食性に優れ、ワイヤーボンディングが容易にできる金属回路が形成された回路基板をめっき工程を経ることなしに得る
「【００２１】
　次に、防錆剤付与工程を行なう。この工程は、金属回路表面に防錆の効果をもつ防錆層を形成する工程である。このためには、前記の工程を経た基板を例えば有機防錆剤であるベンゾトリアゾール系防錆剤をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）に溶かした０．５〜５％溶液を用い、主に室温（２５℃）で０．５〜５分間浸漬することにより行われる。ベンゾトリアゾール系防錆剤の具体的な好適例としては、１、２、３−ベンゾトリアゾール、４−メチルベンゾトリアゾール等である。ここで、塩素を含む防錆剤を用いた場合、塩素成分が、はんだ濡れ性およびワイヤーボンディング性を劣化させる不具合があり、また、多湿環境下では防錆効果が維持することができなくなる。したがって、塩素を含む１−クロロ−１、２、３−ベンゾトリアゾールなどの使用は望ましくない。また、防錆剤の形成方法としては、上記の浸漬法の他に、回路基板を減圧環境下において、ベンゾトリアゾールの昇華性を利用して、ベンゾトリアゾール固形物を１００〜２００℃で加熱することで、回路基板表面に蒸着させることも可能である。これらによって、例えば金属回路表面がＣｕの場合には０．０５〜１０μｍの防錆層が形成される。この防錆層によって、金属回路等の表面への酸素供給が遮断されるために、金属回路の腐食が抑制される。また、はんだ濡れ性ならびにワイヤーボンディングの容易さを確保するためにも防錆層の厚さの範囲を制御することが肝要である。また、鉛レスはんだを実装に用いる場合には、Ｃｕ回路およびＣｕ放熱板表面のはんだ濡れ性を向上させることが必要となるため、ロジンアミン、ドデシルアミンなどの有機アミン石鹸を用いて、上記の防錆層の範囲に制御することがより望ましい。」
「【００５３】
　金属配線パターン認識度は、ワイヤーボンダー（MPB-1000：カイジョー製）において金属配線のパターン認識におけるパターン位置精度を調べ、基準位置に対する位置ずれが±０．１ｍｍ以下となっている場合を「良好」とした。」
「【００５６】
【表２】
」
　上記摘記事項の記載より、甲第２号証には、次の技術的事項（以下、「甲第２号証記載の技術事項」という。）が記載されているといえる。
「セラミックス基板の一方の面に金属回路を形成し他方の面に金属放熱板を形成した後に化学研磨を行ない、化学研磨を行った後に防錆剤を付与することにより、はんだ濡れ性及び耐腐食性に優れ、ワイヤーボンディングが容易にできる回路基板を、めっき工程を用いずに得る」技術。
３　甲第３号証
　甲第３号証には、「パワーモジュール用基板」に関して、以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付与した。）。
「[請求項１]　単体又は複数個の
金属銅板（１２）からなる回路銅板（１３）がセラミック基板（１１）の一方の主面に接合され
金属銅板（１２）上にパワー半導体素子（１５）
が接合されると共に、
パワー半導体素子（１５）と
金属銅板（１２）がボンディングワイヤ（１８）で接続されて実装されるパワーモジュール用基板
において、
　前記
金属銅板（１２）の
パワー半導体素子（１５）が接合される部位の表面に銀又は金を主成分とするコーティング被膜（１９）を有すると共に、
ボンディングワイヤ（１８）の端部が接続される部位の表面に前記コーティング被膜（１９）を有さない
　上記摘記事項の記載より、甲第３号証には、次の技術的事項（以下、「甲第３号証記載の技術事項」という。）が記載されているといえる。
「金属銅板からなる回路銅板がセラミック基板の一方の主面に接合され、金属銅板上にパワー半導体素子が接合されると共に、パワー半導体素子と金属銅板がボンディングワイヤで接続されて実装されるパワーモジュール用基板において、金属銅板のパワー半導体素子が接合される部位の表面に銀又は金を主成分とするコーティング被膜を有すると共に、ボンディングワイヤの端部が接続される部位の表面に前記コーティング被膜を有さないパワーモジュール用基板」とする技術。
４　甲第４号証
　甲第４号証には、「金属−セラミックス接合体」に関して、以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付与した。）。
「【請求項１】　
セラミックス基板とこのセラミックス基板上にろう材を介して接合された金属板とを有する金属−セラミックス接合体において、金属板の底面からはみ出すろう材の長さが３０μｍより長く且つ２５０μｍ以下
「【０００７】
ろう材を介して熱衝撃などに対する信頼性を高めるためには、銅板の端部からろう材をはみ出させる
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、金属板とろう材との接合境界からのろう材はみ出し量が−３０〜＋５０μｍであっても、市場の要求に対して十分な耐熱衝撃性が得られない。また、金属板とろう材との接合境界からのろう材はみ出し量が２５０μｍ以上では、十分に高い耐熱衝撃性が得られるが、近年の著しい軽薄短小の市場動向においては、このはみ出し量が大きいため、基板の外形寸法も設計上許容し難い大きさとなり、より小さいサイズにしてもはみ出し量が２５０μｍの場合と比べて遜色のない耐熱衝撃性が求められている。
【０００９】したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、
十分な耐熱衝撃性を確保し、且つ基板の外形が小さく、高信頼性と小型化を両立
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、部品搭載面積をできるだけ大きく設計できるようにろう材のはみ出し量を最適に制御することにより、十分な耐熱衝撃性を確保し、且つ基板の外形が小さく、高信頼性と小型化を両立した金属−セラミックス接合体を提供することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】すなわち、本発明による金属−セラミックス接合体は、セラミックス基板とこのセラミックス基板上にろう材を介して接合された金属板とを有する金属−セラミックス接合体において、金属板の底面からはみ出すろう材の長さが３０μｍより長く且つ２５０μｍ以下、好ましくは５０μｍ乃至２００μｍ、または金属板の底面からはみ出すろう材の長さが金属板の厚さの２５％以上、好ましくは３０％以上であることを特徴とする。
【００１２】上記の金属−セラミックス接合体において、金属板のスカート量が５０μｍ以下であるのが好ましい。セラミックス基板の材料は、酸化物、窒化物または炭化物のいずれかであるのが好ましい。金属板は、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを主成分とする合金のいずれかからなるのが好ましい。ろう材は、少なくともＡｇと活性金属を含むか、あるいは少なくともＡｌを含むのが好ましい。また、金属板およびろう材の部分にＮｉめっき、Ｎｉ合金めっき、Ａｕめっき、防錆処理の少なくとも一つが施されているのが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明による金属−セラミックス接合体の実施の形態では、セラミックス基板とこのセラミックス基板上にろう材を介して接合された金属板とを有する金属−セラミックス接合体において、金属板の底面からはみ出すろう材の長さが３０μｍより長く且つ２５０μｍ、好ましくは５０μｍ乃至２００μｍ、または金属板の底面からはみ出すろう材の長さが金属板の厚さの２５％以上、好ましくは３０％以上とする。」
「【００２７】次に、この回路パターン間や基板の縁面の不要なろう材を除去するため、１．４％ＥＤＴＡ、６％過酸化水素、３％アンモニアの液組成からなる混合溶液にディップして、ろう材１２を除去した（図３（ａ））。その後、 再度Ｃｕ板１４の両面に所望の回路パターンのＵＶ硬化アルカリ剥離型レジスト１８を塗布し（図３（ｂ））、塩化銅と過酸化水素水と塩酸からなるエッチング液によりＣｕ板１４を１５分間再度エッチングした（図３（ｃ））。その後、３．５％水酸化ナトリウム水溶液によりレジスト１８を除去し（図４（ａ））、Ｎｉ−Ｐ無電解メッキ２０を施した（図４（ｂ））。」
　上記摘記事項の記載より、甲第４号証には、次の技術的事項（以下、「甲第４号証記載の技術事項」という。）が記載されているといえる。
「セラミックス基板とこのセラミックス基板上にろう材を介して接合された金属板とを有する金属−セラミックス接合体において、金属板の底面からはみ出すろう材の長さが３０μｍより長く且つ２５０μｍ以下とすることにより、十分な耐熱衝撃性を確保し、且つ基板の外形が小さく、高信頼性と小型化を両立する」技術。
第５　当審の判断
１　申立理由１（進歩性）について
（１）請求項１について
ア　対比
（ア）甲１発明の「セラミックス基板」は、本件発明１の「セラミックス基板」に相当する。
　甲１発明の「セラミックス基板の一面に配置されたろう材層」及び「セラミックス基板の他面に配置されたろう材層」は、セラミックス基板と回路板とを接合する層及びセラミックス基板と放熱板とを接合する層であるから、本件発明１の「接合層」に相当する。
　甲１発明の「セラミックス基板の他面に配置されたろう材層を介してセラミックス基板に接合された金属製の放熱板」は、本件発明１の「このセラミックス基板の第１の面」に「接合層を介して接合された第１の金属板」に相当する。
　また、甲１発明の「セラミックス基板の一面に配置されたろう材層を介してセラミックス基板に接合された銅または銅合金からなる回路板」は、本件発明１の「このセラミックス基板の」「第２の面」に「接合層を介して接合された」「第２の金属板」に相当する。
　そして、甲１発明の「回路基板」は、「セラミックス基板と、セラミックス基板の一面に配置されたろう材層を介してセラミックス基板に接合された銅または銅合金からなる回路板と、セラミックス基板の他面に配置されたろう材層を介してセラミックス基板に接合された金属製の放熱板」を有するから、本件発明１の「セラミックス基板と、このセラミックス基板の第１の面及び第２の面にそれぞれ接合層を介して接合された第１の金属板及び第２の金属板とを備えるセラミックス金属回路基板」に相当する。
（イ）甲１発明において「金属製の放熱板の表面に形成されたＮｉめっき層」を有することは、本件発明１の「前記第１の金属板の、前記セラミックス基板との接合面の反対側の面に金属被膜が設けられ」ることに相当する。
（ウ）甲１発明の「半導体素子が回路板に実装され」ることは、本件発明１の「前記第２の金属板の、前記セラミックス基板との接合面の反対側の面の一部には半導体素子」「を実装する」「箇所が存在」することに相当する。
　ただし、半導体素子を実装する箇所について、本件発明１は、「金属被膜が設けられていない」のに対して、甲１発明はその旨特定されていない点で相違する。
（エ）甲１発明が「銅または銅合金からなる回路板」を有し「放熱板は銅または銅合金からな」ることは、本件発明１の「前記第１の金属板及び前記第２の金属板は、それぞれ、銅と、銅合金」「とから選ばれた１種類からな」ることに相当する。
（オ）本件発明１は「前記第１の金属板及び／又は前記第２の金属板の、前記金属被膜が設けられた面の最大高さＲｚは、１．５μｍ以下」であるのに対して、甲１発明はその旨特定されていない点で相違する。
（カ）甲１発明の「回路板および金属製の放熱板の表面に形成されたＮｉめっき層は厚みが５μｍである」ことは、本件発明１の「前記金属被膜の平均膜厚は、１０μｍ以下である」ことに含まれる。
　以上を総合すると、本件発明１と甲１発明とは、以下の一致点及び相違点を有する。
〈一致点〉
「セラミックス基板と、このセラミックス基板の第１の面及び第２の面にそれぞれ接合層を介して接合された第１の金属板及び第２の金属板とを備えるセラミックス金属回路基板において、
　前記第１の金属板の、前記セラミックス基板との接合面の反対側の面に金属被膜が設けられ、
　前記第２の金属板の、前記セラミックス基板との接合面の反対側の面の一部には半導体素子を実装する箇所が存在し、
　前記第１の金属板及び前記第２の金属板は、それぞれ、銅と、銅合金とから選ばれた１種類からなり、
　前記金属被膜の平均膜厚は、１０μｍ以下である、
　ことを特徴とするセラミックス金属回路基板。」
〈相違点１〉
　半導体素子を実装する箇所について、本件発明１は、「金属被膜が設けられていない」のに対して、甲１発明はその旨特定されていない点
〈相違点２〉
　本件発明１は「前記第１の金属板及び／又は前記第２の金属板の、前記金属被膜が設けられた面の最大高さＲｚは、１．５μｍ以下」であるのに対して、甲１発明はその旨特定されていない点
（イ）相違点についての判断
　事案に鑑み相違点２について検討する。
　甲第１号証の段落【００１７】に記載されるように、甲１発明は、回路基板のＮｉめっき層に形成される段差および凹部を非常に小さくすることにより所望の溶融半田の濡れ広がり性を確保するものである。
　そして、段落【００２６】には、粒状相と平滑相との境界部に形成された凹部の深さが５．０〜２５．０μｍであることが望ましいと記載され、段落【００５７】ないし【００５８】には、Ｎｉめっき層に形成された段差の深さは１０μｍ以下、凹部の深さは２０μｍで望ましい濡れ広がり率となると記載され、また、【表３】には、実施例におけるＮｉめっき層の段差が３．２〜１１．７μｍ、凹部の深さ（当審注：表３の「凹部」は「凹部の深さ」と認める。）が２．５〜２６．３μｍであることが記載されている。
　してみると、甲１発明は、回路基板のＮｉめっき層に形成される段差が３．２μｍ以上、凹部の深さが２．５μｍ以上であっても溶融半田の濡れ広がり性を確保できるものであり、Ｎｉめっき層に形成される段差や凹部の深さを、わざわざ甲第１号証に記載された最小値（２．５μｍ）よりも小さい１．５μｍ以下とする動機は認められない。
　ここで、段落【００５６】の記載によれば、Ｎｉめっき層の段差または凹部の深さは、任意の１０点について測定しその平均値を求めたものであるから、甲第１号証におけるＮｉめっき層の段差または凹部の深さは、Ｎｉめっき層が設けられた面の最大高さＲｚより小さい値であることは明らかである。
　してみると、甲１発明において、Ｎｉめっき層が設けられた面の最大高さＲｚを１．５μｍ以下とする動機はない。
　また、甲第２号証ないし甲第４号証には、上記「第４」の「２」ないし「４」に記載された甲第２号証記載の技術事項ないし甲第４号証記載の技術事項が記載されているものの、金属被膜が設けられた面の最大高さＲｚを１．５μｍ以下とすることは、記載も示唆もされていない。
　したがって、甲１発明に甲第２号証記載の技術事項ないし甲第４号証記載の技術事項を適用しても、上記相違点２に係る本件発明１の構成を導き出すことはできない。
　そして、本件発明１は、本件明細書の段落【００３５】に記載されるように、「金属板表面に金属被膜を設けることにより、最大高さ粗さＲｚを１．５μｍ以下、さらには０．８μｍ以下にすることができる。最大高さ粗さＲｚを小さくすることにより、放熱部材との密着性を向上させることができる。」ものである。
　よって、甲１発明において相違点２に係る構成を採用することは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
（ウ）小括
　以上のことより、相違点１について検討するまでもなく、請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２ないし４号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（２）請求項２ないし１２について
　本件発明２ないし１２は、本件発明１にさらに限定した構成を追加したものであるから、相違点２に係る構成を有したものである。よって、上記（１）に示した理由と同じ理由により、請求項２ないし１２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２ないし４号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
２　申立理由２（実施可能要件）について
（１）申立人の主張
　申立人は特許異議申立書（第３１頁第１９行〜第３２頁第１９行）において、概略次のように主張している。
　本件特許明細書の段落【００３５】には、「前述のように接合温度が高い接合方法を用いた場合、銅板やアルミニウム板は２次再結晶まで起きる。２次再結晶粒は平均粒径が２００〜１０００μｍになる。この程度の大きな結晶粒となると金属板表面の最大高さ粗さＲｚが２μｍ以上となり、さらには４μｍ以上となってしまう。金属板表面に金属被膜を設けることにより、最大高さ粗さＲｚを１．５μｍ以下、さらには０．８μｍ以下にすることができる。」と記載されるのに対し、実施例及び比較例には、銅板やアルミニウム板の２次再結晶の平均粒径について一切記載されておらず、そのうえ、比較例１では、実施例１と同じ金属板を有する試料１について金属板の表裏に金属被膜を全く設けない金属板の最大高さ（粗さ）Ｒｚは３．５μｍと記載され、比較例２では、同じ試料１を用いて表裏に金属被膜を設けた金属板の最大高さ（粗さ）Ｒｚが４．４μｍである一方、裏面のみ金属被膜を設けた実施例１では、金属被膜が設けられた面の最大高さ（粗さ）Ｒｚが１．２μｍと記載されており、実施例及び比較例を考慮すると、同じ金属板を用いても、金属被膜を形成する箇所や、金属被膜の形成方法によって、最大高さＲｚは変動すると考えられる。
　したがって、本件特許明細書の段落【００３５】に記載のとおり、再結晶組織になることにより結晶粒が調整され表面に凹凸が形成された金属板表面に金属被膜を形成すればＲｚを調整できるのか、それとも、実施例の表等から読み取れるとおり、金属被膜の形成方法がＲｚに影響を与えるのかが判然としない。
　そして、本件特許明細書等には、金属被膜を形成するための条件の中からどの条件に着目し、着目した条件をどのように調整すれば、Ｒｚを小さく調整できるかについて記載されていないので、本件特許明細書等の記載から、最大高さＲｚが１．５μｍ以下である金属被膜を得ることは、当業者に期待し得る程度を越える試行錯誤や複雑高度な実験等を必要とする。
　したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明１ないし１２を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえず、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
（２）当審の判断
　上記主張について検討する。
　本件請求項１では、金属被膜を設けた面の最大粗さＲｚが１．５μｍ以下であることを特定しているのであって、金属被膜を設けさえすれば、その面の最大粗さＲｚが１．５μｍ以下となることを特定しているのではない。
　そして、出願時の技術水準からみて、金属被膜を設けた面の最大粗さＲｚを１．５μｍ以下とする手段は当業者が容易に採用し得たものと認められるから、当業者は本件請求項に係る発明を実施できるものと認められる。
　つまり、実施例１と比較例２との比較より、金属被膜を形成する箇所や金属被膜の形成方法によって、金属被膜を設けた面の最大高さ粗さＲｚは変動するものと認められるとしても、金属被膜の形成条件の調整や金属被膜を成膜した後の処理等により、金属被膜を設けた面の最大高さ粗さＲｚを１．５μｍ以下とすることは、当業者が過度な試行錯誤をすることなく実施し得ることと認められる。
　したがって、本件の発明の詳細な説明の記載は、本件請求項に係る発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されており、申立人の主張は採用できない。
（３）まとめ
　以上のとおり、請求項１ないし１２に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものではない。
第６　むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし１２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし１２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年９月３０日（２０２１．９．３０）