(57)【要約】【課題】長期間使用しても透過率低下の少ないペリクルを提供すること。【解決手段】フッ素樹脂を含むペリクル膜に２２０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射する工程を有することを特徴とする、ペリクルの製造方法。ペリクル膜に２２０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射する工程は、低圧水銀ランプ、重水素ランプ、キセノンエキシマランプ、及び、ＡｒＦエキシマレーザーよりなる群から選択された少なくとも１つの紫外線光源により２２０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射する工程であることが好ましい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素樹脂を含むペリクル膜に２２０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射する工程を有することを特徴とする、
ペリクルの製造方法。
【請求項２】
フッ素樹脂を含むペリクル膜を基板上に形成する工程、
基板からペリクル膜を剥離する工程、及び、
ペリクル膜に２２０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射する工程をこの順で有する、
請求項１に記載のペリクルの製造方法。
【請求項３】
前記紫外光を照射する工程が、低圧水銀ランプにより１８５ｎｍの波長の光を含む紫外光を照射する工程である、請求項１又は２に記載のペリクルの製造方法。
【請求項４】
前記紫外光を照射する工程が、重水素ランプにより１６０ｎｍ以上２２０ｎｍ以下の波長の光を含む紫外光を照射する工程である、請求項１又は２に記載のペリクルの製造方法。
【請求項５】
前記紫外光を照射する工程が、キセノンエキシマランプにより紫外光を照射する工程である、請求項１又は２に記載のペリクルの製造方法。
【請求項６】
前記紫外光を照射する工程が、ＡｒＦエキシマレーザー光を照射する工程である、請求項１又は２に記載のペリクルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ペリクルの製造方法及びペリクルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体デバイス又は液晶表示板などの製造においては、半導体ウエハ又は液晶用基板に光を照射してパターニングをする手法が採用されている。この場合に、用いる露光原版にゴミが付着していると、このゴミが光を吸収したり、光を反射してしまうため、転写したパターニングが変形したり、エッジががさついたりしてしまい、寸法、品質、外観などが損なわれ、半導体装置や液晶表示板などの性能や製造歩留まりの低下を来すという問題があった。
【０００３】
このため、露光原版の表面に、ゴミよけのために露光用の光をよく通過させるペリクルを貼着する方法が行われている。この場合、ゴミは露光原版の表面には直接付着せず、ペリクル膜上に付着するため、リソグラフィー時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、ペリクル上のゴミはデフォーカスされ、転写に無関係となる利点がある。
【０００４】
このペリクルは光をよく通過させるニトロセルロース、酢酸セルロース、フッ素樹脂などからなる透明なペリクル膜を、アルミニウム等からなるペリクル枠の上部に接着剤で接着し、ペリクル枠の下部にはアクリル樹脂、シリコーン樹脂等からなる粘着層を形成して構成されている（特許文献１〜４参照）。
【０００５】
リソグラフィーの解像度は次第に高くなってきており、その解像度を実現するために徐々に波長の短い光が光源として用いられるようになってきている。具体的には紫外光は、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）と移行しており、近年ではＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）が使用され始めた。
ここで特にＡｒＦレーザーが露光光として使用される場合に、マスクのパターン表面に成長性異物が生成する場合がある。これは、マスクが置かれる環境中に存在する有機物又は無機物ガスがＡｒＦレーザー光と反応し、マスクの表面に固体として析出するためであると考えられる。またマスクが洗浄される時の洗浄残渣が（この場合はイオン種である場合が多いが）マスク上に残り、その残留イオン種がＡｒＦレーザー光で反応し、やはりマスクの表面に固体として析出する場合があるとも考えられている。これらのパターン上への異物の析出が発生すると、その異物はウエハに転写されるため、重大な欠陥になる。したがって、マスクが使用される環境の有機物又は無機物ガスの濃度を管理したり、マスクの洗浄残渣を抑制する検討が進められている。
【０００６】
上記のマスク上への異物の析出が、マスクのパターン面とは逆の裏面（一般にガラス面と言われる）に発生したり、又は、ペリクル膜上に発生する場合がある。この場合は、析出した異物は、ガラス面の場合はマスクの厚みの分だけウエハ上の焦点がずれるため、析出した異物がウエハに転写されることはない。またペリクル膜上への析出した異物の場合も、ペリクル膜とパターン面との距離の分だけ焦点がずれるため、こちらの場合も析出した異物がウエハに転写されることはない。
【０００７】
しかし、これらのガラス面、ペリクル膜上へ析出した異物は、露光光の散乱を招き、その結果としてマスクの透過率低下を引き起こす。マスクの透過率が低下すると、その分だけウエハに到達する光量が減り、ウエハ上に描かれるパターンの線幅のばらつきの原因になり、結果として半導体素子の品質低下につながる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭５８ー２１９０２３号公報
【特許文献２】米国特許第４８６１４０２号明細書
【特許文献３】特公昭６３−２７７０７号公報
【特許文献４】特開平７−１６８３４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、長期間使用しても透過率低下の少ないペリクルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の上記課題は、以下の＜１＞、＜７＞に記載の手段により解決された。好ましい実施態様である＜２＞〜＜６＞とともに以下に記載する。
＜１＞  フッ素樹脂を含むペリクル膜に２２０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射する工程を有することを特徴とする、ペリクルの製造方法、
＜２＞  フッ素樹脂を含むペリクル膜を基板上に形成する工程、基板からペリクル膜を剥離する工程、及び、ペリクル膜に２２０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射する工程をこの順で有する、＜１＞に記載のペリクルの製造方法、
＜３＞  前記紫外光を照射する工程が、低圧水銀ランプにより１８５ｎｍの波長の光を含む紫外光を照射する工程である、＜１＞又は＜２＞に記載のペリクルの製造方法、
＜４＞  前記紫外光を照射する工程が、重水素ランプにより１４０ｎｍ以上２２０ｎｍ以下の波長の光を含む紫外光を照射する工程である、＜１＞又は＜２＞に記載のペリクルの製造方法、
＜５＞  前記紫外光を照射する工程が、キセノンエキシマランプにより紫外光を照射する工程である、＜１＞又は＜２＞に記載のペリクルの製造方法、
＜６＞  前記紫外光を照射する工程が、ＡｒＦエキシマレーザー光を照射する工程である、＜１＞又は＜２＞に記載のペリクルの製造方法、
＜７＞  ＜１＞〜＜６＞いずれか１つの製造方法により得られたことを特徴とするペリクル。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、長期間使用しても透過率低下の少ないペリクルを提供することができた。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明のペリクルの製造方法は、フッ素樹脂を含むペリクル膜に２２０ｎｍ以下の波長の紫外光（ＵＶ光）を照射する工程を有することを特徴とする。
本発明者等は、フッ素樹脂を含むペリクル膜に、２２０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射することで、ペリクル膜上に異物が析出しにくくなることを見いだし、本発明の完成に至ったものである。
【００１３】
以下、本発明を詳細に説明する。
フッ素樹脂を含むペリクル膜は一般的に平滑で清浄な基板の上に成膜され、その後基板から剥離することで製造される。その膜がペリクルフレームに貼り付けられ、フレームの反対側に粘着層を形成することでペリクルが完成する。ここでペリクル膜を基板から剥離した後に、このペリクル膜に２２０ｎｍ以下のＵＶ光を照射することが好ましい。ペリクル膜への２２０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射する工程は、基板上のペリクル膜に対して行うこともできるが、膜の両面に紫外光を照射して、膜の両面を改質する観点から、ペリクル膜を基板から剥離後に行うことが好ましい。ペリクル膜を２２０ｎｍ以下の波長を有する紫外光で照射することにより、このペリクルが露光装置内で使用される際にペリクル膜上に異物が析出しにくくなる。
【００１４】
ペリクル膜上に異物が析出しないと、異物による散乱が生じず、透過率の低下が防げる。この現象は、詳細な作用機序は不明であるが、フッ素樹脂を含むペリクル膜に２２０ｎｍ以下のＵＶ光を照射することによりフッ素樹脂の表面が改質され、異物の原因となるガス、その他がペリクル膜表面に吸着してもペリクル膜上で異物に成長することが妨げられるためと考えられる。
【００１５】
このペリクル膜への紫外光の照射に使用されるＵＶ光源は２２０ｎｍ以下の波長が照射されるＵＶ光源が使用可能であり、例えば、１８５ｎｍの波長の光が照射される低圧水銀ランプ、１６０〜２２０ｎｍの波長の光を含む重水素ランプ、エキシマランプでは１７２ｎｍの波長の光を出すキセノンエキシマランプ、１９３ｎｍの波長の光が照射されるＡｒＦレーザー等が使用可能である。
すなわち、本発明において、ペリクル膜に２２０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射する工程は、低圧水銀ランプ、重水素ランプ、キセノンエキシマランプ、及び、ＡｒＦエキシマレーザーよりなる群から選択された少なくとも１つの紫外線光源により２２０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射する工程であることが好ましい。
【００１６】
低圧水銀ランプは、点灯中の水銀蒸気圧が１〜１０Ｐａ程度のものを指し、１８４．９ｎｍ、２５３．７ｎｍの紫外光を主とした光源である。低圧水銀ランプにより紫外光を照射すると、１８５ｎｍの波長の紫外光が照射される。
重水素ランプは、重水素を封入した水素放電管であり、重水銀ランプからは、紫外部全域（１６０ｎｍ〜４００ｎｍ）の波長域にわたる連続スペクトルが得られる。本発明においては、紫外線照射光源として重水素ランプを使用することにより、１６０ｎｍ〜２２０ｎｍの波長の光が照射される。
【００１７】
エキシマレーザーとは希ガスやハロゲンなどの混合ガスを用いてレーザー光を発生させる装置であり、使用する希ガス、混合ガス等によって、特定のパルスを発振する。
キセノンエキシマランプからは、１７２ｎｍの波長を有する紫外光が照射され、ＡｒＦエキシマレーザーからは、１９３ｎｍの波長を有する紫外光が照射される。
【００１８】
紫外光源としては、特に限定されないが、上述した低圧水銀ランプ、重水素ランプ、キセノンエキシマランプ及びＡｒＦエキシマレーザーが入手容易である点から好ましく、これらの中でも特に、大面積を一括で照射できるという点で、低圧水銀ランプ及びキセノンエキシマランプが好ましい。
【００１９】
紫外線の強度は特に限定されないが、０．１μＷ／ｃｍ2〜２０ｍＷ／ｃｍ2であることが好ましい。紫外線の照射強度が上記範囲内であると紫外線照射による効果が発揮されるので好ましい。
また、紫外線照射時間は特に限定されないが、ある程度の処理時間で効果は飽和する。また、過剰に紫外線を照射すると、膜の劣化が生じる場合がある。したがって、膜の劣化を防止し、さらに製造を簡便にするという観点から、紫外線照射時間は効果が生じる範囲で短い方が好ましい。
実際のペリクル作製工程においては、使用する紫外線強度に応じて、予め効果が飽和する時間を測定した上で、紫外線照射時間を決定する、又は、照射時間の目標値を設定した上で、紫外線強度を調整する等により、紫外線強度及び照射時間を設定することが好ましい。
【００２０】
ペリクルは、一般に、以下のような工程で製造される。すなわち、ペリクル膜を構成する樹脂を溶解した溶液を表面が平滑な基板上に滴下し、均一な液膜とする。この液膜を乾燥し樹脂だけの膜にしたところで、基板から樹脂膜だけを剥離しペリクル膜とする。接着剤、粘着剤等を塗布したアルミフレームに剥離したペリクル膜を貼り付け、フレーム外側の不要な膜を切断・除去することによりペリクルを完成させる。
本発明のペリクルの製造方法は、（１）フッ素樹脂を含むペリクル膜を基板上に形成する工程、（２）基板からペリクル膜を剥離する工程、及び、（３）ペリクル膜に２２０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射する工程をこの順で有することが好ましい。
以下、各工程について詳述する。
【００２１】
（１）フッ素樹脂を含むペリクル膜を基板上に形成する工程
（フッ素樹脂）
本発明において、ペリクル膜は、フッ素樹脂を含む。ペリクル膜は、フッ素樹脂を主成分として含有することが好ましく、具体的には、塗布乾燥後のペリクル膜の８０重量％以上がフッ素樹脂であることが好ましく、９０重量％以上がフッ素樹脂であることがより好ましく、ペリクル膜がフッ素樹脂のみからなることがさらに好ましい。
フッ素樹脂は特に限定されないが、環状構造を有するパーフルオロエーテル重合体（商品名：旭硝子（株）製サイトップＣＴＸ−Ｓ）、又は、テトラフルオロエチレンと環状パーフルオロエーテル基を有する含フッ素モノマーとの共重合体（商品名：デュポン社製テフロンＡＦ１６００）等が例示される。
なお、前記フッ素樹脂は、含フッ素単量体と、その他の単量体との共重合体であってもよい。
【００２２】
（基板）
ペリクル膜を形成する基板（フッ素樹脂を含むペリクル膜を製膜するための製膜基板）は、ある程度の剛性を有し、表面が平坦で平滑な基板であれば、公知のものから適宜選択すればよい。例えば青板ガラスや石英ガラス等の種々のガラス板や、半導体製造に用いられる単結晶シリコンウエハ等も好適に用いることができる。
【００２３】
（ペリクル膜の製膜方法）
ペリクル膜は、公知の種々の方法を用いて基板上に製膜することができるが、通常は樹脂を溶解しうる溶媒に溶解して溶液とし、スピンコート法、スプレーコート法あるいはバーコート法等の既存の塗工方法を用いて製膜基板上に塗布され、その後溶媒を除去する製膜方法が好ましく用いられる。これらの中で、薄膜の膜厚制御性に優れ均一な膜厚の薄膜が得られやすいスピンコート法が特に好適である。
スピンコート法等により製膜基板上に塗布された樹脂溶液は製膜基板ごとクリーンオーブン等を用いて加熱され溶媒が除去・乾燥されることが好ましい。このようにして製膜基板上にフッ素含有樹脂膜（ペリクル膜）が製膜される。
【００２４】
ここで、ペリクル膜の膜厚は特に限定されないが、０．１〜２０μｍであることが好ましい。高い透明性を維持する観点から、ペリクル膜の膜厚は薄いことが好ましいが、強度を保持する観点から、ある程度の膜厚が必要とされる。このため、半導体製造用ペリクルで一般的な６インチサイズでは、ペリクル膜の膜厚は０．２μｍ〜２μｍであることが好ましく、より大きなサイズである液晶用ペリクルではペリクル膜の膜厚は１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
ペリクル膜の膜厚が上記範囲内であると、透明性及び強度に優れるので好ましい。
【００２５】
（２）基板からペリクル膜を剥離する工程
基板からペリクル膜を剥離する工程は、ペリクル膜が損なうことなく剥離されれば特に限定されないが、例えば、ペリクル膜の端面に樹脂製の枠をテープ等で貼り付け、この枠を持ち上げて製膜基板からペリクル膜を剥離して、自立膜を得る方法が例示できる。
なお、本発明において、以下のペリクル枠にペリクル膜を貼り付けることでペリクルを作製できる。
【００２６】
（ペリクル枠）
本発明に用いられるペリクル枠は、マスクの形状に応じて適宜設計されるものであるが、通常ペリクル枠の形状はリング状あるいは矩形状、正方形状であり、マスクに設けられた回路パターン部を覆う大きさと形状とを備えている。矩形状、正方形状のペリクル枠の角は丸みがついていても構わない。ペリクル枠の高さは通常１〜１０ｍｍ程度であり、好ましくは３〜７ｍｍ程度である。その材質としてはアルミニウム等の金属や樹脂等が好適に用いられる。
【００２７】
ペリクル枠の内面には塵埃等を吸着するための粘着剤等が設けられていてもよい。ペリクルをマスクに固定する際にペリクルとマスクとにより形成される密閉空間の、内部と外部との気圧差を解消するために、ペリクル枠に連通孔が設けられていてもよく、さらに当該連通孔から塵埃が侵入することを防ぐためのフィルター等が設けられていてもよい。
【００２８】
（ペリクル）
本発明の製膜方法により製膜されたフッ素含有樹脂膜がペリクル膜として接着剤等を用いてペリクル枠上に設置されて、ペリクルとなる。ペリクル膜が設置された面と反対側のペリクル枠の端面には、該ペリクルをマスクに固定するための接着剤や両面粘着テープ等が付与され、さらに当該マスクに固定するための接着剤や両面粘着テープ等を保護するための保護フィルムが付与された後、専用のケースに収納され、フォトリソグラフィ工程で使用されるまで保管される。
【００２９】
なお、本発明の製造方法により製造されたペリクルは、半導体製造用露光装置又は液晶製造用露光装置に好適に使用される。
【実施例】
【００３０】
以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３１】
（実施例１）
サイトップＣＴＸ−Ｓ（旭硝子（株）製）をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた４％溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により７６０ｒｐｍでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で３０分間乾燥後、１８０℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。このペリクル膜に照射強度が２０ｍＷ／ｃｍ2の低圧水銀ランプの光を１分間照射した。
【００３２】
表面がアルマイト処理されたアルミニウム製のフレーム（外寸：１４９ｍｍ×１２２ｍｍ×５．８ｍｍ）の上面に膜接着剤を、下面にマスク粘着剤を塗布した。その後膜接着剤側をペリクル膜に貼り付け、フレームの外周の膜を切断しペリクルを完成させた。ペリクル膜の透過率を測定したところ１９３ｎｍの波長に対して９９．８％であった。
ここで、透過率測定のスポットサイズは６ｍｍφであり、前記測定スポット中に異物が発生すると、透過率が低下する。
【００３３】
このペリクルをフォトマスクに貼り付け、そのペリクル付きのフォトマスクを内寸が縦横２００ｍｍ、高さ１００ｍｍの密閉容器に保管した。なおこの密閉容器には、シリコーン樹脂０．２ｇを同封した。１週間放置した後フォトマスクを取り出し、ペリクルをフォトマスクから剥がし、ペリクル膜を暗室で集光にて確認したところ異物の析出は見られなかった。またペリクル膜の透過率を測定したところ１９３ｎｍの波長に対して９９．８％であり、透過率の変化はみられなかった。
【００３４】
（実施例２）
サイトップＣＴＸ−Ｓ（旭硝子（株）製）をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた４％溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により７６０ｒｐｍでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で３０分間乾燥後、１８０℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。このペリクル膜に照射強度が１μＷ／ｃｍ2の重水素ランプの光を１０秒間照射した。
【００３５】
表面がアルマイト処理されたアルミニウム製のフレーム（外寸：１４９ｍｍ×１２２ｍｍ×５．８ｍｍ）の上面に膜接着剤を、下面にマスク粘着剤を塗布した。その後膜接着剤側をペリクル膜に貼り付け、フレームの外周の膜を切断しペリクルを完成させた。ペリクル膜の透過率を測定したところ１９３ｎｍの波長に対して９９．８％であった。
【００３６】
このペリクルをフォトマスクに貼り付け、そのペリクル付きのフォトマスクを内寸が縦横２００ｍｍ、高さ１００ｍｍの密閉容器に保管した。なおこの密閉容器には、シリコーン樹脂０．２ｇを同封した。１週間放置した後フォトマスクを取り出し、ペリクルをフォトマスクから剥がし、ペリクル膜を暗室で集光にて確認したところ異物の析出は見られなかった。またペリクル膜の透過率を測定したところ１９３ｎｍの波長に対して９９．８％であり、透過率の変化はみられなかった。
【００３７】
（実施例３）
サイトップＣＴＸ−Ｓ（旭硝子（株）製）をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた４％溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により７６０ｒｐｍでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で３０分間乾燥後、１８０℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。このペリクル膜に照射強度が１ｍＷ／ｃｍ2のキセノンエキシマランプにより１０秒間照射した。
【００３８】
表面がアルマイト処理されたアルミニウム製のフレーム（外寸：１４９ｍｍ×１２２ｍｍ×５．８ｍｍ）の上面に膜接着剤を、下面にマスク粘着剤を塗布した。その後膜接着剤側をペリクル膜に貼り付け、フレームの外周の膜を切断しペリクルを完成させた。ペリクル膜の透過率を測定したところ１９３ｎｍの波長に対して９９．８％であった。
【００３９】
このペリクルをフォトマスクに貼り付け、そのペリクル付きのフォトマスクを内寸が縦横２００ｍｍ、高さ１００ｍｍの密閉容器に保管した。なおこの密閉容器には、シリコーン樹脂０．２ｇを同封した。１週間放置した後フォトマスクを取り出し、ペリクルをフォトマスクから剥がし、ペリクル膜を暗室で集光にて確認したところ異物の析出は見られなかった。またペリクル膜の透過率を測定したところ１９３ｎｍの波長に対して９９．８％であり、透過率の変化はみられなかった。
【００４０】
（実施例４）
サイトップＣＴＸ−Ｓ（旭硝子（株）製）をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた４％溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により７６０ｒｐｍでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で３０分間乾燥後、１８０℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。このペリクル膜に照射強度が１ｍＷ／ｃｍ2のＡｒＦレーザー光を１０秒間照射した。
【００４１】
表面がアルマイト処理されたアルミニウム製のフレーム（外寸：１４９ｍｍ×１２２ｍｍ×５．８ｍｍ）の上面に膜接着剤を、下面にマスク粘着剤を塗布した。その後膜接着剤側をペリクル膜に貼り付け、フレームの外周の膜を切断しペリクルを完成させた。ペリクル膜の透過率を測定したところ１９３ｎｍの波長に対して９９．８％であった。
【００４２】
このペリクルをフォトマスクに貼り付け、そのペリクル付きのフォトマスクを内寸が縦横２００ｍｍ、高さ１００ｍｍの密閉容器に保管した。なおこの密閉容器には、シリコーン樹脂０．２ｇを同封した。１週間放置した後フォトマスクを取り出し、ペリクルをフォトマスクから剥がし、ペリクル膜を暗室で集光にて確認したところ異物の析出は見られなかった。またペリクル膜の透過率を測定したところ１９３ｎｍの波長に対して９９．８％であり、透過率の変化はみられなかった。
【００４３】
（比較例１）
サイトップＣＴＸ−Ｓ（旭硝子（株）製）をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた４％溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により７６０ｒｐｍでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で３０分間乾燥後、１８０℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。
【００４４】
表面がアルマイト処理されたアルミニウム製のフレーム（外寸：１４９ｍｍ×１２２ｍｍ×５．８ｍｍ）の上面に膜接着剤を、下面にマスク粘着剤を塗布した。その後膜接着剤側をペリクル膜に貼り付け、フレームの外周の膜を切断しペリクルを完成させた。ペリクル膜の透過率を測定したところ１９３ｎｍの波長に対して９９．８％であった。
【００４５】
このペリクルをフォトマスクに貼り付け、そのペリクル付きのフォトマスクを内寸が縦横２００ｍｍ、高さ１００ｍｍの密閉容器に保管した。なおこの密閉容器には、シリコーン樹脂０．２ｇを同封した。１週間放置した後フォトマスクを取り出し、ペリクルをフォトマスクから剥がし、ペリクル膜を暗室で集光にて確認したところペリクル膜表面に約１ｕｍサイズの多数の異物の析出がみられた。またペリクル膜の透過率を測定したところ１９３ｎｍの波長に対して９７．８％になっており、透過率の低下が確認された。
【００４６】
比較例１では、同封したシリコーン樹脂からはシロキサン蒸気が発生し、この蒸気がペリクル膜上で異物に成長したため、透過率の低下が生じたと考えられる。一方、上述のとおり、ペリクル膜に２２０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射した実施例１〜４のペリクルでは、このような異物の成長は認められず、透過率の低下は認められなかった。