【事件の表示】
　特許第６６２２８９３号発明「発光装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６６２２８９３号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−７〕について訂正することを認める。
　特許第６６２２８９３号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６６２２８９３号の請求項１〜７に係る特許についての出願の特許出願までの経緯は次のとおりである。
　平成１４年　１月１８日　：　特願２００２−１０７６６号（優先日：平成１３年１１月９日）の特許出願（以下、「原出願」という。）
　平成２０年　３月２８日　：　原出願の一部の特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２００８−８７５３０号、以下「第１世代分割出願」という。）
　平成２４年　５月　２日　：　第１世代分割出願の一部の特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２０１２−１０５１８４号、以下「第２世代分割出願」という。）
　平成２５年１１月２０日　：　第２世代分割出願の一部の特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２０１３−２３９６７９号、以下「第３世代分割出願」という。）
　平成２６年　６月２７日　：　第３世代分割出願の一部の特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２０１４−１３２５１４号、以下「第４世代分割出願」という。）
　平成２７年　５月２６日　：　第４世代分割出願の一部の特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２０１５−１０６２０８号、以下「第５世代分割出願」という。）
　平成２８年　３月１８日　：　第５世代分割出願の一部の特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２０１６−５４９８１号、以下「第６世代分割出願」という。）
　平成２９年　９月　１日　：　第６世代分割出願の一部の特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２０１７−１６８４２２号、以下「第７世代分割出願」という。）
　平成３０年１２月２５日　：　第７世代分割出願の一部の特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２０１８−２４１３８２号）
　その後、令和１年１１月２９日にその特許権の設定登録がされ、令和１年１２月１８日に特許掲載公報が発行された。その特許についての本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
　令和　２年　６月１８日　　　：　特許異議申立人渡邉孝充による特許異議の申立て
　令和　２年　９月　７日付け　：　取消理由通知書
　令和　２年１０月２３日　　　：　特許権者による意見書の提出及び訂正の請求（以下、「本件訂正請求」という。）
　令和　２年１２月１７日　　　：　特許異議申立人渡邉孝充による意見書の提出
第２　本件訂正請求による訂正の適否について
１　訂正の内容
（１）訂正事項１
  特許請求の範囲の請求項１に「前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第３の配線と、を有し、」と記載されているのを、「前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　請求項１の記載を引用する請求項７も同様に訂正する。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２に「前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第３の配線と、を有し、」と記載されているのを、「前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　請求項２の記載を引用する請求項７も同様に訂正する。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項３に「前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第３の配線と、を有し、」と記載されているのを、「前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　請求項３の記載を引用する請求項７も同様に訂正する。
（４）訂正事項４
  特許請求の範囲の請求項４に「前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第３の配線と、を有し、」と記載されているのを、「前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　請求項４の記載を引用する請求項７も同様に訂正する。
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項５に「前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第３の配線と、を有し、」と記載されているのを、「前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　請求項５の記載を引用する請求項７も同様に訂正する。
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項６に「前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第３の配線と、を有し、」と記載されているのを、「前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　請求項６の記載を引用する請求項７も同様に訂正する。
（７）一群の請求項について
　本件訂正請求は、一群の請求項［１〜７］に対して請求されたものである。
２　本件訂正請求による訂正（以下、「本件訂正」という。）の適否についての判断
（１）訂正事項１について
ア　訂正の目的の適否
　訂正前の請求項１に係る発明では、「第３の配線」について、「第１のトランジスタのゲート」との重なりについて限定されていないものとされているが、訂正後の請求項１に係る発明では、「
前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　新規事項の有無
　訂正事項１の「
前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　よって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１は、訂正後の請求項１に係る発明の技術的範囲を狭めるものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
エ　独立特許要件の適否
　本件においては、訂正前の請求項１については特許異議の申立てがされているので、訂正事項１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項に規定される独立特許要件は課されない。
（２）訂正事項２について
ア　訂正の目的の適否
　訂正前の請求項２に係る発明では、「第３の配線」について、「第１のトランジスタのゲート」との重なりについて限定されていないものとされているが、訂正後の請求項２に係る発明では、「
前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　よって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　新規事項の有無
　訂正事項２の「
前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　よって、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項２は、訂正後の請求項２に係る発明の技術的範囲を狭めるものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
エ　独立特許要件の適否
　本件においては、訂正前の請求項２については特許異議の申立てがされているので、訂正事項２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項に規定される独立特許要件は課されない。
（３）訂正事項３について
ア　訂正の目的の適否
　訂正前の請求項３に係る発明では、「第３の配線」について、「第１のトランジスタのゲート」との重なりについて限定されていないものとされているが、訂正後の請求項３に係る発明では、「
前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　よって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　新規事項の有無
　訂正事項３の「
前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　よって、訂正事項３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項３は、訂正後の請求項３に係る発明の技術的範囲を狭めるものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
エ　独立特許要件の適否
　本件においては、訂正前の請求項３については特許異議の申立てがされているので、訂正事項３に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項に規定される独立特許要件は課されない。
（４）訂正事項４について
ア　訂正の目的の適否
　訂正前の請求項４に係る発明では、「第３の配線」について、「第１のトランジスタのゲート」との重なりについて限定されていないものとされているが、訂正後の請求項４に係る発明では、「
前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　よって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　新規事項の有無
　訂正事項４の「
前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　よって、訂正事項４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項４は、訂正後の請求項４に係る発明の技術的範囲を狭めるものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
エ　独立特許要件の適否
　上記アのとおり、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、そして、本件においては、訂正前の請求項４については特許異議の申立てがされていないので、訂正事項４に関して、訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項に規定される独立特許要件が課される。
　そこで、本件訂正後の請求項４に係る発明（以下「本件訂正発明４」という。また、本件訂正後の請求項１〜３、５、６に係る発明を、それぞれ、順に「本件訂正発明１」〜「本件訂正発明３」、「本件訂正発明５」、「本件訂正発明６」という。）が、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か）について、以下、検討する。
（ア）本件訂正発明４
「【請求項４】
　発光素子と、
　前記発光素子の画素電極にソース又はドレインの一方が電気的に接続され、飽和領域で動作する第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。」
（イ）特許法第２９条第２項（進歩性）について
ａ　文献の記載
（ａ）文献１の記載
　文献１（特開平１１−２４６０４号公報。取消理由通知において引用した引用文献１であり、特許異議申立書に記載の甲第１号証）には、以下の事項が記載されている（下線は合議体が付与した。）。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】　基板上に、複数の走査線と、該走査線の延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線と、該データ線に並列する複数の共通給電線と、前記データ線と前記走査線とによりマトリクス状に形成された画素領域とを有し、該画素領域の各々には、前記走査線を介して走査信号が第１のゲート電極に供給される第１の薄膜トランジスタと、該第１の薄膜トランジスタを介して前記データ線から供給される画像信号を保持する保持容量と、該保持容量によって保持された前記画像信号が第２のゲート電極に供給される第２の薄膜トランジスタと、前記画素領域毎に形成された画素電極と前記データ線を跨いで複数の前記画素電極に対応する対向電極との層間において前記画素電極が前記第２の薄膜トラジスタを介して前記共通給電線に電気的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する有機半導体膜を具備する発光素子とを有する表示装置において、
前記有機半導体膜のうち、発光領域は、前記有機半導体膜よりも厚い絶縁膜からなるバンク層で囲まれているとともに、該バンク層は、前記データ線の少なくとも一部を覆うように構成されていることを特徴とする表示装置。
・・・
【請求項９】　請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記共通給電線と前記データ線とは材料及び膜厚が同一で、かつ、
前記共通給電線の線幅は、前記データ線の線幅よりも広い
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子を薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという。）で駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置に関するものである。さらに詳しくは、その表示特性を向上するためのレイアウトの最適化技術に関するものである。」
「【００１９】
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００２０】（アクティブマトリクス基板の全体構成）図１は、表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。
【００２１】この図に示すように、本形態の表示装置１では、その基体たる透明基板１０の中央部分が表示部２とされている。透明基板１０の外周部分のうち、データ線ｓｉｇの両端側には画像信号を出力するデータ側駆動回路３（第１の駆動回路）、および検査回路５が構成され、走査線ｇａｔｅの両端側には走査信号を出力する走査側駆動回路４（第２の駆動回路）が構成されている。これらの駆動回路３、４では、Ｎ型のＴＦＴとＰ型のＴＦＴとによって相補型ＴＦＴが構成され、この相補型ＴＦＴは、シフトレジスタ、レベルシフタ、アナログスイッチなどを構成している。なお、透明基板１０上において、データ側駆動回路３よりも外周領域には、画像信号や各種の電位、パルス信号を入力するための端子群とされる実装用パッド６が形成されている。
【００２２】このよう構成した表示装置１では、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板と同様、透明基板１０上に、複数の走査線ｇａｔｅと、該走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇとが構成され、これらのデータ線ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとによりマトリクス状に形成された複数の画素領域７が構成されている。
【００２３】これらの画素領域７のいずれにも、図２に示すように、
走査線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極２１（第１のゲート電極）に供給される第１のＴＦＴ２０
このＴＦＴ２０のソース・ドレイン領域の一方は、データ線ｓｉｇに電気的に接続され
他方は電位保持電極ｓｔに電気的に接続されている
【００２４】電位保持電極ｓｔには第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１（第２のゲート電極）が電気的に接続されている。
第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域の一方は、共通給電線ｃｏｍに電気的に接続されている一方、他方は発光素子４０の一方の電極（後述する画素電極）に電気的に接続されている
「【００２６】（画素領域の構成）このように構成した表示装置１の各画素領域７の構造を図３ないし図６（Ａ）を参照して詳述する。
【００２７】図３は、本形態の表示装置１に形成されている複数の画素領域７のうちの３つの画素領域７を拡大して示す平面図、図４、図５、および図６（Ａ）はそれぞれは、そのＡ−Ａ′線における断面図、Ｂ−Ｂ′線における断面図、およびＣ−Ｃ′線における断面図である。
【００２８】まず、図３におけるＡ−Ａ′線に相当する位置では、図４に示すように、透明基板１０上には各画素領域７の各々に第１のＴＦＴ２０を形成するための島状のシリコン膜２００が形成され、その表面にはゲート絶縁膜５０が形成されている。また、ゲート絶縁膜５０の表面にはゲート電極２１が形成され、該ゲート電極２１に対して自己整合的に高濃度の不純物が導入されたソース・ドレイン領域２２、２３が形成されている。ゲート絶縁膜５０の表面側には第１の層間絶縁膜５１が形成され、この層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール６１、６２を介して、ソース・ドレイン領域２２、２３にはデータ線ｓｉｇ、および電位保持電極ｓｔがそれぞれ電気的に接続されている。
【００２９】各画素領域７には走査線ｇａｔｅと並列するように、走査線ｇａｔｅやゲート電極２１と同一の層間（ゲート絶縁膜５０と第１の層間絶縁膜５１との間）には容量線ｃｌｉｎｅが形成されており、この容量線ｃｌｉｎｅに対しては、第１の層間絶縁膜５１を介して電位保持電極ｓｔの延設部分ｓｔ１が重なっている。このため、容量線ｃｌｉｎｅと電位保持電極ｓｔの延設部分ｓｔ１とは、第１の層間絶縁膜５１を誘電体膜とする保持容量ｃａｐを構成している。なお、電位保持電極ｓｔおよびデータ線ｓｉｇの表面側には第２の層間絶縁膜５２が形成されている。
【００３０】図３におけるＢ−Ｂ′線に相当する位置では、図５に示すように、透明基板１０上に形成された第１の層間絶縁膜５１および第２の層間絶縁膜５２の表面に各画素領域７に対応するデータ線ｓｉｇが２本、並列している状態にある。
【００３１】図３におけるＣ−Ｃ′線に相当する位置では、図６（Ａ）に示すように、透明基板１０上には共通給電線ｃｏｍを挟む２つの画素領域７に跨がるように、第２のＴＦＴ３０を形成するための島状のシリコン膜３００が形成され、その表面にはゲート絶縁膜５０が形成されている。また、ゲート絶縁膜５０の表面には、
共通給電線ｃｏｍを挟むように、各画素領域７の各々にゲート電極３１がそれぞれ形成され
【００３２】ここで、
画素電極４１は発光素子４０の一方の電極を構成している
画素電極４１の表面には正孔注入層４２および有機半導体膜４３が積層され、
有機半導体膜４３の表面には
対向電極ｏｐが形成されている
【００３３】このように構成された発光素子４０では、対向電極ｏｐおよび画素電極４１をそれぞれ正極および負極として電圧が印加され、図７に示すように、印加電圧がしきい値電圧を越えた領域で有機半導体膜４３に流れる電流（駆動電流）が急激に増大する。その結果、発光素子４０は、エレクトロルミネッセンス素子あるいはＬＥＤ素子として発光し、発光素子４０の光は、対向電極ｏｐに反射されて透明な画素電極４１および透明基板１０を透過して出射される。
【００３４】このような発光を行うための駆動電流は、対向電極ｏｐ、有機半導体膜４３、正孔注入層４２、画素電極４１、第２のＴＦＴ３０、および共通給電線ｃｏｍから構成される電流経路を流れるため、第２のＴＦＴ３０がオフ状態になると、流れなくなる。但し、本形態の表示装置１では、走査信号によって選択されて第１のＴＦＴ２０がオン状態になると、データ線ｓｉｇから画像信号が第１のＴＦＴ２０を介して保持容量ｃａｐに書き込まれる。従って、第２のＴＦＴ３０のゲート電極は、第１のＴＦＴ２０がオフ状態になっても、保持容量ｃａｐによって画像信号に相当する電位に保持されるので、第２のＴＦＴ３０はオン状態のままである。それ故、発光素子４０には駆動電流が流れ続け、この画素は点灯状態のままである。この状態は、新たな画像データが保持容量ｃａｐに書き込まれて、第２のＴＦＴ３０がオフ状態になるまで維持される。」
「【００５７】［その他の形態］なお、上記形態では、保持容量ｃａｐを構成するのに容量線ｃｌｉｎｅ（容量電極）を形成したが、従来技術で説明したように、ＴＦＴを構成するためのポリシリコン膜を利用して保持容量ｃａｐを構成してもよい。
【００５８】また、図１１に示すように、共通給電線ｃｏｍと電位保持電極ｓｔとの間に保持容量ｃａｐを構成してもよい。この場合には、
図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、電位保持電極ｓｔとゲート電極３１とを電気的に接続させるためのゲート電極３１の延設部分３１０を共通給電線ｃｏｍの下層側にまで拡張
　
　図２、図３、図６、図１１、図１２は、以下のとおりのものである。
　文献１の上記記載によれば、文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「発光素子４０と、
　発光素子４０の画素電極４１にソース・ドレイン領域３２、３３の一方３２が電気的に接続される第２のＴＦＴ３０と、
　第１のＴＦＴ２０と、
　第１のＴＦＴ２０のソース・ドレイン領域２２、２３の一方２３に電気的に接続されるデータ線ｓｉｇと、
　第１のＴＦＴ２０のゲート電極２１に電気的に接続される走査線ｇａｔｅと、
　第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域３２、３３の他方３３に電気的に接続される共通給電線ｃｏｍと、を有し、
　画素電極４１は発光素子４０の一方の電極を構成し、画素電極４１の表面には正孔注入層４２および有機半導体膜４３が積層され、有機半導体膜４３の表面には対向電極ｏｐが形成されており、
　共通給電線ｃｏｍの線幅は、データ線ｓｉｇの線幅よりも広い、表示装置。」
（ｂ）文献２の記載
　文献２（特開２００１−５４２６号公報。取消理由通知において引用した引用文献２であり、特許異議申立書に記載の甲第２号証）には、以下の事項が記載されている。
「【００３７】
【発明の実施の形態】まず、本願発明のアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の回路構成を図１（Ａ）に示す。図１（Ａ）のアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置は、基板上に形成されたＴＦＴによって画素部１０１、画素部の周辺に配置されたデータ信号側駆動回路１０２及びゲート信号側駆動回路１０３が形成される。なお、データ側信号側駆動回路とゲート信号側駆動回路はどちらも画素部を挟んで１対で設けても構わない。
・・・
【００４０】画素部１０１にはマトリクス状に複数の画素１０４が配列される。画素１０４の拡大図を図１（Ｂ）に示す。図１（Ｂ）において、１０５はスイッチング用ＴＦＴであり、ゲート信号を入力するゲート配線１０６とデータ信号を入力するデータ配線（ソース配線ともいう）１０７に接続されている。
【００４１】また、１０８は電流制御用ＴＦＴであり、そのゲートはスイッチング用ＴＦＴ１０５のドレインに接続される。そして、電流制御用ＴＦＴ１０８のドレインは抵抗体１０９を介してＥＬ素子１１０に接続され、ソースは電源供給線１１１に接続される。ＥＬ素子１１０は電流制御用ＴＦＴ１０８に接続された陽極（画素電極）と、ＥＬ層を挟んで陽極に対向して設けられた陰極（対向電極）とでなり、陰極は所定の電源１１２に接続されている。」
「【００６５】電流制御用ＴＦＴ２０２はＥＬ素子に注入される電流量を制御するための素子であり、比較的多くの電流が流れる。そのため、チャネル幅（Ｗ）はスイッチング用ＴＦＴのチャネル幅よりも大きく設計することが好ましい。また、電流制御用ＴＦＴ２０２に過剰な電流が流れないように、チャネル長（Ｌ）は長めに設計することが好ましい。望ましくは一画素あたり０．５〜２μＡ（好ましくは１〜１．５μＡ）となるようにする。
【００６６】以上のことを踏まえると、図９に示すようにスイッチング用ＴＦＴのチャネル長をＬ１（但しＬ１＝Ｌ１a＋Ｌ１b）、チャネル幅をＷ１とし、電流制御用ＴＦＴのチャネル長をＬ２、チャネル幅をＷ２とした時、Ｗ１は０．１〜５μm（代表的には１〜３μm）、Ｗ２は０．５〜３０μm（代表的には２〜１０μm）とするのが好ましい。また、Ｌ１は０．２〜１８μm（代表的には２〜１５μm）、Ｌ２は０．１〜５０μm（代表的には１〜２０μm）とするのが好ましい。但し、以上の数値に限定する必要はない。なお、図９に記載されたＬ３は抵抗体の長さ、Ｗ３は抵抗体の幅である。」
「【００８１】また、４９は透明導電膜でなる画素電極（ＥＬ素子の陽極）であり、第２層間絶縁膜４８及び第１パッシベーション膜４７にコンタクトホール（開孔）を開けた後、形成された開孔部において電流制御用ＴＦＴ２０２のドレイン配線３２に接続されるように形成される。なお、図２のように画素電極４９とドレイン領域２７とが直接接続されないようにしておくと、ＥＬ層のアルカリ金属が画素電極を経由して活性層へ侵入することを防ぐことができる。
【００８２】画素電極４９の上には酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜または有機樹脂膜でなる第３層間絶縁膜５０が０．３〜１μmの厚さに設けられる。この第３層間絶縁膜５０は画素電極４９の上にエッチングにより開口部が設けられ、その開口部の縁はテーパー形状となるようにエッチングする。テーパーの角度は１０〜６０°（好ましくは３０〜５０°）とすると良い。
【００８３】第３層間絶縁膜５０の上にはＥＬ層５１が設けられる。ＥＬ層５１は単層又は積層構造で用いられるが、積層構造で用いた方が発光効率は良い。一般的には画素電極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層の順に形成されるが、正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層のような構造でも良い。本願発明では公知のいずれの構造を用いても良いし、ＥＬ層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。」
「【００８９】陰極５２はＥＬ層５１を形成した後、大気解放しないで連続的に形成することが望ましい。陰極５２とＥＬ層５１との界面状態はＥＬ素子の発光効率に大きく影響するからである。なお、本明細書中では、画素電極（陽極）、ＥＬ層及び陰極で形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。」
　図１Ｂ、図２は、以下のとおりのものである。
（ｃ）文献３の記載
　文献３（特開２００１−７６８７３号公報。取消理由通知において引用した引用文献３であり、特許異議申立書２４ページ「（３−５）」に記載の「引用文献１」）には、以下の事項が記載されている。
「【００６０】また、４６は透明導電膜でなる画素電極（ＥＬ素子の陽極）であり、第２パッシベーション膜４５、第２層間絶縁膜４４及び第１パッシベーション膜４１にコンタクトホール（開孔）を開けた後、形成された開孔部において電流制御用ＴＦＴ２０２のドレイン配線３７に接続されるように形成される。」
「【００６２】従って、ＥＬ層４７のうち画素電極に直接触れる層を印刷法で形成し、それ以降は気相法で形成することが好ましい。勿論、下層のＥＬ材料が溶解しない溶媒を用いて印刷することができれば全ての層を印刷法で形成することもできる。画素電極に直接触れる層としては、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層がありえるが、いずれの層を形成する場合においても本発明を用いることができる。」
「【００７１】以上のようにしてＥＬ層４７を印刷法により形成したら、次に陰極４８、保護電極４９が形成される。これら陰極４８、保護電極４９は真空蒸着法で形成すればよい。また、陰極４８と保護電極４９を大気解放しないで連続的に形成することによりＥＬ層の劣化をさらに抑制することができる。また、本明細書中では、画素電極（陽極）、ＥＬ層及び陰極で形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。」
　図２は、以下のとおりのものである。
（ｄ）文献４の記載
　文献４（特開２００１−１９５０１６号公報。取消理由通知において引用した引用文献４であり、特許異議申立書２４ページ「（３−５）」に記載の「引用文献２」）には、以下の事項が記載されている。
「【０００５】アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置は、画素部を形成する各画素に電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴという）を設け、ＥＬ素子に流す電流量を前記ＦＥＴで制御する点に特徴がある。ところが、ＦＥＴの電気特性が画素間でばらついてしまうと各画素に設けられたＥＬ素子の発光特性もばらついてしまうといった問題が生じていた。」
「【００１２】図１において、１１は単結晶半導体基板、１２は素子間を分離するための絶縁膜（以下、フィールド絶縁膜という）である。基板１１としては単結晶シリコン基板もしくは単結晶シリコンゲルマニウム基板を用いれば良く、Ｐ型基板であってもＮ型基板であっても良い。
【００１３】ここでは画素内に二つのＦＥＴを形成している。２０１はスイッチング用素子として機能するＦＥＴ（以下、スイッチング用ＦＥＴという）、２０２はＥＬ素子へ流す電流量を制御する電流制御用素子として機能するＦＥＴ（以下、電流制御用ＦＥＴという）であり、どちらもｎチャネル型ＦＥＴで形成されている。」
「【００２３】スイッチング用ＦＥＴ２０１のドレインは電流制御用ＦＥＴ２０２のゲートに接続されている。具体的には電流制御用ＦＥＴ２０２のゲート電極３５はスイッチング用ＦＥＴ２０１のドレイン領域１４とドレイン配線２２を介して電気的に接続されている。また、ソース配線３６は電流供給線（電源供給線ともいう）２１２（図２（Ａ）参照）に電気的に接続される。
【００２４】電流制御用ＦＥＴ２０２はＥＬ素子２０３に注入される電流量を制御するための素子であるが、ＥＬ素子の劣化を考慮するとあまり多くの電流を流すことは好ましくない。そのため、電流制御用ＦＥＴ２０２に過剰な電流が流れないように、チャネル長（Ｌ）は長めに設計することが好ましい。望ましくは一画素あたり０．５〜２μＡ（好ましくは１〜１．５μＡ）となるようにする。」
「【００３８】また、４０は反射性が高く、仕事関数の小さい導電膜でなる画素電極（ＥＬ素子の陰極）であり、第２層間絶縁膜３９及び第１パッシベーション膜３８にコンタクトホール（開孔）を開けた後、形成された開孔部において電流制御用ＦＥＴ２０２のドレイン配線３７に接続されるように形成される。画素電極４０としてはアルミニウム合金や銅合金など低抵抗な導電膜を用いることが好ましい。勿論、他の導電膜との積層構造としても良い。
【００３９】次に、画素電極４０の端部（角部）を覆うように絶縁膜４１を形成する。画素電極４０の端部に発光層等の有機ＥＬ材料が形成されると電界集中により集中的に劣化してしまう恐れがあるからである。この絶縁膜４１は画素と画素との間（画素電極と画素電極との間）の隙間を埋めるようにして設けられる。」
「【００４８】正孔注入層４３の上には透明導電膜でなる陽極４４が設けられる。本実施形態の場合、発光層４３で生成された光はＦＥＴから遠ざかる方向に向かって放射されるため、陽極は透光性（透明）でなければならない。透明導電膜としては酸化インジウムと酸化スズとの化合物や酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物を用いることができるが、耐熱性の低い発光層や正孔注入層を形成した後で形成するため、可能な限り低温で成膜できるものが好ましい。
【００４９】陽極４４まで形成された時点でＥＬ素子２０３が完成する。なお、ここでいうＥＬ素子２０３は、画素電極（陰極）４０、発光層４２、正孔注入層４３及び陽極４４で形成されたコンデンサを指す。図２に示すように画素電極４０は画素の面積にほぼ一致するため、画素全体がＥＬ素子として機能する。従って、発光の利用効率が非常に高く、明るい画像表示が可能となる。」
「【００７６】次に、図５（Ａ）に示すように有機樹脂からなる第２層間絶縁膜３４０を形成する。有機樹脂としてはポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用することができる。特に、第２層間絶縁膜３４０は平坦化の意味合いが強いので、平坦性に優れたアクリルが好ましい。本実施例ではＦＥＴによって形成される段差を十分に平坦化しうる膜厚でアクリル膜を形成する。好ましくは１〜５μm（さらに好ましくは２〜４μm）とすれば良い。
【００７７】次に、第２層間絶縁膜３４０及び第１パッシベーション膜３３９にドレイン配線３３８に達するコンタクトホールを形成し、画素電極３４１を形成する。本実施例では画素電極３４１として３００ｎｍ厚のアルミニウム合金膜（１wt%のチタンを含有したアルミニウム膜）を形成する。
【００７８】次に、図５（Ｂ）に示すように絶縁膜３４２を形成する。絶縁膜３４２は１００〜３００ｎｍ厚のシリコンを含む絶縁膜もしくは有機樹脂膜をパターニングして形成すれば良い。この絶縁膜３４２は画素と画素との間（画素電極と画素電極との間）を埋めるように形成される。この絶縁膜３４２は次に形成する発光層等の有機ＥＬ材料が画素電極３４１の端部を覆わないようにするために設けられる。
【００７９】次に、発光層３４３をスピンコート法により形成する。具体的には、発光層３４３となる有機ＥＬ材料をクロロフォルム、ジクロロメタン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン等の溶媒に溶かして塗布し、その後、熱処理を行うことにより溶媒を揮発させる。こうして有機ＥＬ材料でなる被膜（発光層）が形成される。本実施例では、緑色に発光する発光層としてポリフェニレンビニレンを５０ｎｍの厚さに形成する。また、溶媒としては１，２−ジクロロメタンを用い、８０〜１５０℃のホットプレートで１分の熱処理を行って揮発させる。
【００８０】次に、正孔注入層３４４を２０ｎｍの厚さに形成する。本実施例では正孔注入層３４４としてポリチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を水溶液としてスピンコート法により塗布し、１００〜１５０℃のホットプレートで１〜５分の熱処理を行って水分を揮発させる。この場合、ポリフェニレンビニレンは水に溶けないため、発光層３４３を溶解させることなく正孔注入層３４４を形成することが可能である。
【００８１】なお、正孔注入層３４４としてその他のポリマー系有機材料やモノマー系有機材料を用いることも可能である。モノマー系有機材料を用いる場合は、蒸着法を用いて形成すれば良い。また、無機材料を用いることもできる。
【００８２】本実施例では発光層及び正孔注入層でなる二層構造とするが、その他に正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等を設けても構わない。このように組み合わせは既に様々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。
【００８３】発光層３４３及び正孔注入層３４４を形成したら、透明導電膜でなる陽極３４５を１２０ｎｍの厚さに形成する。本実施例では、酸化インジウムに１０〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を添加した透明導電膜を用いる。成膜方法は、発光層３４３や正孔注入層３４４を劣化させないように室温で蒸着法により形成することが好ましい。」
　図１、図２（Ｂ）、図５（Ａ）、（Ｂ）は、以下のとおりのものである。
【図２】
　したがって、文献４には、「アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、ＥＬ素子を陰極、発光層、正孔注入層、陽極の順に積層したものとし、ＥＬ素子の陰極を画素電極とすること。」との技術的事項が記載されていると認められる。
ｂ　進歩性についての当審の判断
（ａ）対比
　本件訂正発明４と引用発明とを対比する。
（ａ１）引用発明の「発光素子４０」、「画素電極４１」、「第２のＴＦＴ３０」、「第１のＴＦＴ２０」、「データ線ｓｉｇ」、「（第１のＴＦＴ２０の）ゲート電極２１」、「走査線ｇａｔｅ」、「共通給電線ｃｏｍ」は、それぞれ、本件訂正発明４の「発光素子」、「画素電極」、「第１のトランジスタ」、「第２のトランジスタ」、「第１の配線」、「（前記第２のトランジスタの）ゲート」、「第２の配線」、「第３の配線」に相当する。また、引用発明の「表示装置」は、「発光素子４０」を有するから、本件訂正発明４の「発光装置」に対応する。
（ａ２）したがって、本件訂正発明４と引用発明との一致点と相違点は以下のとおりと認められる。
＜一致点＞
「発光素子と、
　前記発光素子の画素電極にソース又はドレインの一方が電気的に接続される第１のトランジスタと、
　第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第３の配線と、を有し、
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　「第１のトランジスタ」について、本件訂正発明４では、「飽和領域で動作する第１のトランジスタ」であるのに対し、引用発明では、「第２のＴＦＴ３０」についてそのような特定はなされていない点。
＜相違点２＞
　「第２のトランジスタ」について、本件訂正発明４では、「前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタ」であるのに対し、引用発明では、「第１のＴＦＴ２０」についてそのような特定はなされていない点。
＜相違点３＞
　「第３の配線」について、本件訂正発明４では、「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」のに対し、引用発明では、「共通給電線ｃｏｍ」について、第２のＴＦＴ３０のゲートと重なりを有するとの特定はなされていない点。
（ｂ）判断
　以下、相違点について検討する。
　事案に鑑み、相違点３について、先に検討する。
　文献１の段落【００３１】に、「共通給電線ｃｏｍを挟むように、各画素領域７の各々にゲート電極３１がそれぞれ形成され」と記載されているように、文献１の図６（Ａ）及びその説明箇所には、「第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１と重なりを有する共通給電線ｃｏｍ」は記載も示唆もされていない。
　また、文献１には、段落【００２３】に、「ＴＦＴ２０のソース・ドレイン領域の一方は、データ線ｓｉｇに電気的に接続され、他方は電位保持電極ｓｔに電気的に接続されている。」と記載されており、［その他の形態］について、段落【００５８】には、「電位保持電極ｓｔとゲート電極３１とを電気的に接続させるためのゲート電極３１の延設部分３１０を共通給電線ｃｏｍの下層側にまで拡張し」と記載されている。
　そうすると、文献１には、図１２（Ａ）、（Ｂ）にも示されているように、「第１のＴＦＴ２０のソース・ドレインの他方が電気的に接続されている電位保持電極ｓｔと、第１のＴＦＴ２０のゲート電極３１とを電気的に接続させるための、ゲート電極３１の延設部分３１０と、共通給電線ｃｏｍとが、重なりを有する」との構成が開示されているといえるものの、当該「ゲート電極３１の延設部分３１０」は、「第１のＴＦＴ２０のゲート３１」に相当する部分ではない。
　したがって、相違点３に係る本件訂正発明４の「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」との構成は、文献１には記載されていない。
  また、相違点３に係る本件訂正発明４の上記構成は、文献２〜４にも記載されておらず、本願の原出願の優先日前において周知であるともいえない。
　よって、相違点１、２について判断するまでもなく、本件訂正発明４は、当業者であっても引用発明及び文献２〜４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　よって、本件訂正発明４は、特許法第２９条第２項の規定に違反していない。
（ウ）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　本件特許明細書の発明の詳細な説明の段落【００１３】、【００１４】、【００２１】、【００２３】、【００２４】、【００４９】、【００５２】の記載から、本件訂正発明４の課題は、「各ＴＦＴの特性バラツキを低減し、輝度のバラツキを低減すること」、「ＴＦＴの特性バラツキに関係しないＯＬＥＤのバラツキをも低減し、輝度のバラツキを低減すること」、「画素部における開口率を向上させる画素構成を提供すること」にあると理解される。
　そして、本件訂正発明４では、「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する第３の配線」と特定されているところ、第１のトランジスタのゲートと、該ゲートと重なりを有する第３の配線とを電極とする容量を形成することが特定されているといえるから、本件訂正発明４は、上記課題を解決できるといえると考えるべきである。
　したがって、本件訂正発明４において特定される範囲においてまで、本件訂正発明４の課題が解決されることを、発明の詳細な説明の記載及び本件の原出願の優先日当時の技術常識から理解することができる。
　以上のとおりであるから、本件訂正された特許請求の範囲の請求項４の記載は、本件訂正された特許明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件の原出願の優先日当時の技術常識に照らして、当業者が本件訂正された特許明細書に記載された本件訂正発明４の課題を解決できると認識できる範囲を超えておらず、サポート要件に適合するというべきである。
　よって、本件訂正発明４は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものである。
（エ）独立特許要件の適否についてのまとめ
　本件訂正発明４は、上記（イ）のとおり、特許法第２９条第２項の規定に違反しておらず、上記（ウ）のとおり、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものである。
　また、本件訂正発明４は、他の独立特許要件を満たしているものである。
　よって、本件訂正発明４は、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合する（特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。）。
オ　本件訂正発明４の訂正の適否についての判断のまとめ
　以上のとおりであるから、本件訂正発明４の訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定、並びに同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合する。
（５）訂正事項５について
ア　訂正の目的の適否
　訂正前の請求項５に係る発明では、「第３の配線」について、「第１のトランジスタのゲート」との重なりについて限定されていないものとされているが、訂正後の請求項５に係る発明では、「
前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　よって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　新規事項の有無
　訂正事項５の「
前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　よって、訂正事項５は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項５は、訂正後の請求項５に係る発明の技術的範囲を狭めるものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
エ　独立特許要件の適否
　上記アのとおり、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、そして、本件においては、訂正前の請求項５については特許異議の申立てがされていないので、訂正事項５に関して、訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項に規定される独立特許要件が課される。
　そこで、本件訂正発明５が、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か）について、以下、検討する。
（ア）本件訂正発明５
「【請求項５】
　発光素子と、
　前記発光素子の陽極にソース又はドレインの一方が電気的に接続され、飽和領域で動作する第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。」
（イ）特許法第２９条第２項（進歩性）について
ａ　文献の記載
（ａ）文献１の記載
　文献１には、上記（４）エ（イ）ａ（ａ）に摘記の事項が記載され、同（４）エ（イ）ａ（ａ）の引用発明が記載されていると認められる。
（ｂ）文献２の記載
　文献２には、上記（４）エ（イ）ａ（ｂ）に摘記の事項が記載されている。
（ｃ）文献３の記載
　文献３には、上記（４）エ（イ）ａ（ｃ）に摘記の事項が記載されている。
（ｄ）文献４の記載
　文献４には、上記（４）エ（イ）ａ（ｄ）に摘記の事項が記載され、（４）エ（イ）ａ（ｄ）の技術的事項が記載されていると認められる。
ｂ　進歩性についての当審の判断
（ａ）対比
　本件訂正発明５と引用発明とを対比する。
（ａ１）引用発明の「発光素子４０」、「第２のＴＦＴ３０」、「第１のＴＦＴ２０」、「データ線ｓｉｇ」、「（第１のＴＦＴ２０の）ゲート電極２１」、「走査線ｇａｔｅ」、「共通給電線ｃｏｍ」は、それぞれ、本件訂正発明５の「発光素子」、「第１のトランジスタ」、「第２のトランジスタ」、「第１の配線」、「（前記第２のトランジスタの）ゲート」、「第２の配線」、「第３の配線」に相当する。また、引用発明の「表示装置」は、「発光素子４０」を有するから、本件訂正発明５の「発光装置」に対応する。
（ａ２）したがって、本件訂正発明５と引用発明との一致点と相違点は以下のとおりと認められる。
＜一致点＞
「発光素子と、
　前記発光素子の電極にソース又はドレインの一方が電気的に接続される第１のトランジスタと、
　第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第３の配線と、を有し、
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。」
＜相違点＞
＜相違点４＞
　「第１のトランジスタ」について、本件訂正発明５では、「飽和領域で動作する第１のトランジスタ」であるのに対し、引用発明では、「第２のＴＦＴ３０」についてそのような特定はなされていない点。
＜相違点５＞
　「第２のトランジスタ」について、本件訂正発明５では、「前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタ」であるのに対し、引用発明では、「第１のＴＦＴ２０」についてそのような特定はなされていない点。
＜相違点６＞
　「第３の配線」について、本件訂正発明５では、「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」のに対し、引用発明では、「共通給電線ｃｏｍ」について、第２のＴＦＴ３０のゲートと重なりを有するとの特定はなされていない点。
＜相違点７＞
　第１のトランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続される発光素子の電極は、本件訂正発明５では「発光素子の陽極」であるのに対し、引用発明では、「第２のＴＦＴ３０」の「ソース・ドレイン領域３２、３３の一方３２」は、発光素子４０の画素電極４１に接続されたものである点。
（ｂ）判断
　以下、相違点について検討する。
　事案に鑑み、相違点６について、先に検討する。
　上記（４）エ（イ）ｂ（ｂ）で、本件訂正発明４に係る相違点３について検討したのと同じ理由で、相違点６に係る本件訂正発明５の「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」との構成は、文献１には記載されていない。
  また、相違点６に係る本件訂正発明５の上記構成は、文献２〜４にも記載されておらず、本願の原出願の優先日前において周知技術であるともいえない。
　よって、相違点４、５、７について判断するまでもなく、本件訂正発明５は、当業者であっても引用発明及び文献２〜４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　よって、本件訂正発明５は、特許法第２９条第２項の規定に違反していない。
（ウ）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　上記（４）エ（ウ）で、本件訂正発明４について検討したのと同じ理由で、本件訂正発明５は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものである。
（エ）独立特許要件の適否についてのまとめ
　本件訂正発明５は、上記（イ）のとおり、特許法第２９条第２項の規定に違反しておらず、上記（ウ）のとおり、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものである。
　また、本件訂正発明５は、他の独立特許要件を満たしているものである。
　よって、本件訂正発明５は、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合する（特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。）。
オ　本件訂正発明５の訂正の適否についての判断のまとめ
　以上のとおりであるから、本件訂正発明５の訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定、並びに同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合する。
（６）訂正事項６について
ア　訂正の目的の適否
　訂正前の請求項６に係る発明では、「第３の配線」について、「第１のトランジスタのゲート」との重なりについて限定されていないものとされているが、訂正後の請求項５に係る発明では、「
前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　よって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　新規事項の有無
　訂正事項６の「
前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　よって、訂正事項６は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項６は、訂正後の請求項６に係る発明の技術的範囲を狭めるものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
エ　独立特許要件の適否
　上記アのとおり、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、そして、本件においては、訂正前の請求項６については特許異議の申立てがされていないので、訂正事項６に関して、訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項に規定される独立特許要件が課される。
　そこで、本件訂正発明６が、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か）について、以下、検討する。
（ア）本件訂正発明６
「【請求項６】
　発光素子と、
　前記発光素子の陰極にソース又はドレインの一方が電気的に接続され、飽和領域で動作する第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。」
（イ）特許法第２９条第２項（進歩性）について
ａ　文献の記載
（ａ）文献１の記載
　文献１には、上記（４）エ（イ）ａ（ａ）に摘記の事項が記載され、同（４）エ（イ）ａ（ａ）の引用発明が記載されていると認められる。
（ｂ）文献２の記載
　文献２には、上記（４）エ（イ）ａ（ｂ）に摘記の事項が記載されている。
（ｃ）文献３の記載
　文献３には、上記（４）エ（イ）ａ（ｃ）に摘記の事項が記載されている。
（ｄ）文献４の記載
　文献４には、上記（４）エ（イ）ａ（ｄ）に摘記の事項が記載され、（４）エ（イ）ａ（ｄ）の技術的事項が記載されていると認められる。
ｂ　進歩性についての当審の判断
（ａ）対比
　本件訂正発明６と引用発明とを対比する。
（ａ１）引用発明の「発光素子４０」、「第２のＴＦＴ３０」、「第１のＴＦＴ２０」、「データ線ｓｉｇ」、「（第１のＴＦＴ２０の）ゲート電極２１」、「走査線ｇａｔｅ」、「共通給電線ｃｏｍ」は、それぞれ、本件訂正発明６の「発光素子」、「第１のトランジスタ」、「第２のトランジスタ」、「第１の配線」、「（前記第２のトランジスタの）ゲート」、「第２の配線」、「第３の配線」に相当する。また、引用発明の「表示装置」は、「発光素子４０」を有するから、本件訂正発明６の「発光装置」に対応する。
（ａ２）したがって、本件訂正発明６と引用発明との一致点と相違点は以下のとおりと認められる。
＜一致点＞
「発光素子と、
　前記発光素子の電極にソース又はドレインの一方が電気的に接続される第１のトランジスタと、
　第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第３の配線と、を有し、
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。」
＜相違点＞
＜相違点８＞
　「第１のトランジスタ」について、本件訂正発明６では、「飽和領域で動作する第１のトランジスタ」であるのに対し、引用発明では、「第２のＴＦＴ３０」についてそのような特定はなされていない点。
＜相違点９＞
　「第２のトランジスタ」について、本件訂正発明６では、「前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタ」であるのに対し、引用発明では、「第１のＴＦＴ２０」についてそのような特定はなされていない点。
＜相違点１０＞
　「第３の配線」について、本件訂正発明６では、「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」のに対し、引用発明では、「共通給電線ｃｏｍ」について、第２のＴＦＴ３０のゲートと重なりを有するとの特定はなされていない点。
＜相違点１１＞
　第１のトランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続される発光素子の電極は、本件訂正発明６では「発光素子の陰極」であるのに対し、引用発明では、「第２のＴＦＴ３０」の「ソース・ドレイン領域３２、３３の一方３２」は、発光素子４０の画素電極４１に接続されたものである点。
（ｂ）判断
　以下、相違点について検討する。
　事案に鑑み、相違点１０について、先に検討する。
　上記（４）エ（イ）ｂ（ｂ）で、本件訂正発明４に係る相違点３について検討したのと同じ理由で、相違点１０に係る本件訂正発明６の「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」との構成は、文献１には記載されていない。
  また、相違点１０に係る本件訂正発明６の上記構成は、文献２〜４にも記載されておらず、本願の原出願の優先日前において周知技術であるともいえない。
　よって、相違点８、９、１１について判断するまでもなく、本件訂正発明６は、当業者であっても引用発明、文献２〜４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　よって、本件訂正発明６は、特許法第２９条第２項の規定に違反していない。
（ウ）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　上記（４）エ（ウ）で、本件訂正発明４について検討したのと同じ理由で、本件訂正発明６は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものである。
（エ）独立特許要件の適否についてのまとめ
　本件訂正発明６は、上記（イ）のとおり、特許法第２９条第２項の規定に違反しておらず、上記（ウ）のとおり、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものである。
　また、本件訂正発明６は、他の独立特許要件を満たしているものである。
　よって、本件訂正発明６は、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合する（特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。）。
オ　本件訂正発明６の訂正の適否についての判断のまとめ
　以上のとおりであるから、本件訂正発明６の訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定、並びに同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合する。
３　小括
　上記のとおり、訂正事項１ないし６に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定、並びに同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合する。
　したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜７〕について訂正することを認める。
第３　訂正後の本件発明
　本件訂正発明１〜７は、それぞれ、訂正特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　発光素子と、
　前記発光素子の画素電極にソース又はドレインの一方が電気的に接続される第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。
【請求項２】
　発光素子と、
　前記発光素子の陽極にソース又はドレインの一方が電気的に接続される第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。
【請求項３】
　発光素子と、
　前記発光素子の陰極にソース又はドレインの一方が電気的に接続される第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。
【請求項４】
　発光素子と、
　前記発光素子の画素電極にソース又はドレインの一方が電気的に接続され、飽和領域で動作する第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。
【請求項５】
　発光素子と、
　前記発光素子の陽極にソース又はドレインの一方が電気的に接続され、飽和領域で動作する第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。
【請求項６】
　発光素子と、
　前記発光素子の陰極にソース又はドレインの一方が電気的に接続され、飽和領域で動作する第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有す
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。
【請求項７】
　請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
　前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、少なくとも一つ以上の角部を有する発光装置。」
第４　取消理由通知に記載した取消理由について
１　取消理由の概要
　本件訂正前の請求項１〜３に係る特許に対して、当審が令和２年９月７日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
ア　本件特許の請求項１〜３に係る発明は、引用文献１（特開平１１−２４６０４号公報。甲第１号証）に記載された発明、及び引用文献２（特開２００１−５４２６号公報。甲第２号証）、引用文献３（特開２００１−７６８７３号公報。特許異議申立書２４ページに記載の「引用文献１」）、引用文献４（特開２００１−１９５０１６号公報。特許異議申立書２４ページに記載の「引用文献２」）に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。よって、請求項１〜３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである。
イ　請求項１〜３に係る特許は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
２　引用文献の記載
（１）引用文献１の記載
　引用文献１には、上記第２の２（４）エ（イ）ａ（ａ）に摘記の事項が記載され、同（４）エ（イ）ａ（ａ）の引用発明が記載されていると認められる。
（２）引用文献２の記載
　引用文献２には、上記第２の２（４）エ（イ）ａ（ｂ）に摘記の事項が記載されている。
（３）引用文献３の記載
　引用文献３には、上記第２の２（４）エ（イ）ａ（ｃ）に摘記の事項が記載されている。
（４）引用文献４の記載
　引用文献４には、上記第２の２（４）エ（イ）ａ（ｄ）に摘記の事項が記載され、同（４）エ（イ）ａ（ｄ）の技術的事項が記載されていると認められる。
３　当審の判断
（１）特許法第２９条第２項（進歩性）について
ア　本件訂正発明１について
（ア）対比
　本件訂正発明１と引用発明とを対比する。
ａ　引用発明の「発光素子４０」、「画素電極４１」、「第２のＴＦＴ３０」、「第１のＴＦＴ２０」、「データ線ｓｉｇ」、「（第１のＴＦＴ２０の）ゲート電極２１」、「走査線ｇａｔｅ」、「共通給電線ｃｏｍ」は、それぞれ、本件訂正発明１の「発光素子」、「画素電極」、「第１のトランジスタ」、「第２のトランジスタ」、「第１の配線」、「（前記第２のトランジスタの）ゲート」、「第２の配線」、「第３の配線」に相当する。また、引用発明の「表示装置」は、「発光素子４０」を有するから、本件訂正発明１の「発光装置」に対応する。
ｂ　そうすると、本件訂正発明１と引用発明との一致点と相違点は次のとおりと認められる。
＜一致点＞
「発光素子と、
　前記発光素子の画素電極にソース又はドレインの一方が電気的に接続される第１のトランジスタと、
　第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第３の配線と、を有し、
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。」
＜相違点＞
＜相違点Ａ＞
　「第２のトランジスタ」について、本件訂正発明１では、「前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタ」であるのに対し、引用発明では、「第１のＴＦＴ２０」についてそのような特定はなされていない点。
＜相違点Ｂ＞
　「第３の配線」について、本件訂正発明１では、「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」のに対し、引用発明では、「共通給電線ｃｏｍ」について、第２のＴＦＴ３０のゲートと重なりを有するとの特定はなされていない点。
（イ）判断
　事案に鑑み、相違点Ｂについて、先に検討する。
　上記第２の２（４）エ（イ）ｂ（ｂ）で、本件訂正発明４に係る相違点３について検討したのと同じ理由で、相違点Ｂに係る本件訂正発明１の「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」との構成は、引用文献１には記載されていない。
　また、相違点Ｂに係る本件訂正発明１の上記構成は、引用文献２〜４にも記載されておらず、本願の原出願の優先日前において周知であるともいえない。
　よって、相違点Ａについて判断するまでもなく、本件訂正発明１は、当業者であっても引用発明及び引用文献２〜４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
イ　本件訂正発明２について
（ア）対比
　本件訂正発明２と引用発明とを対比する。
ａ　引用発明の「発光素子４０」、「第２のＴＦＴ３０」、「第１のＴＦＴ２０」、「データ線ｓｉｇ」、「（第１のＴＦＴ２０の）ゲート電極２１」、「走査線ｇａｔｅ」、「共通給電線ｃｏｍ」は、それぞれ、本件訂正発明２の「発光素子」、「第１のトランジスタ」、「第２のトランジスタ」、「第１の配線」、「（前記第２のトランジスタの）ゲート」、「第２の配線」、「第３の配線」に相当する。また、引用発明の「表示装置」は、「発光素子４０」を有するから、本件訂正発明２の「発光装置」に対応する。
ｂ　したがって、本件訂正発明２と引用発明との一致点と相違点は以下のとおりと認められる。
＜一致点＞
「発光素子と、
　前記発光素子の電極にソース又はドレインの一方が電気的に接続される第１のトランジスタと、
　第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第３の配線と、を有し、
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。」
＜相違点＞
＜相違点Ｃ＞
　「第２のトランジスタ」について、本件訂正発明２では、「前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタ」であるのに対し、引用発明では、「第１のＴＦＴ２０」についてそのような特定はなされていない点。
＜相違点Ｄ＞
　「第３の配線」について、本件訂正発明２では、「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」のに対し、引用発明では、「共通給電線ｃｏｍ」について、第２のＴＦＴ３０のゲートと重なりを有するとの特定はなされていない点。
＜相違点Ｅ＞
　第１のトランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続される発光素子の電極は、本件訂正発明２では「発光素子の陽極」であるのに対し、引用発明では、「第２のＴＦＴ３０」の「ソース・ドレイン領域３２、３３の一方３２」は、発光素子４０の画素電極４１に接続されたものである点。
（イ）判断
　事案に鑑み、相違点Ｄについて、先に検討する。
　上記第２の２（４）エ（イ）ｂ（ｂ）で、本件訂正発明４に係る相違点３について検討したのと同じ理由で、相違点Ｄに係る本件訂正発明２の「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」との構成は、引用文献１には記載されていない。
　また、相違点Ｄに係る本件訂正発明２の上記構成は、引用文献２〜４にも記載されておらず、本願の原出願の優先日前において周知であるともいえない。
　よって、相違点Ｃ、Ｅについて判断するまでもなく、本件訂正発明２は、当業者であっても引用発明及び引用文献２〜４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
ウ　本件訂正発明３について
（ア）対比
　本件訂正発明３と引用発明とを対比する。
ａ　引用発明の「発光素子４０」、「第２のＴＦＴ３０」、「第１のＴＦＴ２０」、「データ線ｓｉｇ」、「（第１のＴＦＴ２０の）ゲート電極２１」、「走査線ｇａｔｅ」、「共通給電線ｃｏｍ」は、それぞれ、本件訂正発明３の「発光素子」、「第１のトランジスタ」、「第２のトランジスタ」、「第１の配線」、「（前記第２のトランジスタの）ゲート」、「第２の配線」、「第３の配線」に相当する。また、引用発明の「表示装置」は、「発光素子４０」を有するから、本件訂正発明３の「発光装置」に対応する。
ｂ　したがって、本件訂正発明３と引用発明との一致点と相違点は以下のとおりと認められる。
＜一致点＞
「発光素子と、
　前記発光素子の電極にソース又はドレインの一方が電気的に接続される第１のトランジスタと、
　第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続される第３の配線と、を有し、
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。」
＜相違点＞
＜相違点Ｆ＞
　「第２のトランジスタ」について、本件訂正発明３では、「前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタ」であるのに対し、引用発明では、「第１のＴＦＴ２０」についてそのような特定はなされていない点。
＜相違点Ｇ＞
　「第３の配線」について、本件訂正発明３では、「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」のに対し、引用発明では、「共通給電線ｃｏｍ」について、第２のＴＦＴ３０のゲートと重なりを有するとの特定はなされていない点。
＜相違点Ｈ＞
　第１のトランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続される発光素子の電極は、本件訂正発明３では「発光素子の陰極」であるのに対し、引用発明では、「第２のＴＦＴ３０」の「ソース・ドレイン領域３２、３３の一方３２」は、発光素子４０の画素電極４１に接続されたものである点。
（イ）判断
　事案に鑑み、相違点Ｇについて、先に検討する。
　上記第２の２（４）エ（イ）ｂ（ｂ）で、本件訂正発明４に係る相違点３について検討したのと同じ理由で、相違点Ｇに係る本件訂正発明３の「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」との構成は、引用文献１には記載されていない。
　また、相違点Ｇに係る本件訂正発明２の上記構成は、引用文献２〜４にも記載されておらず、本願の原出願の優先日前において周知であるともいえない。
　よって、相違点Ｆ、Ｈについて判断するまでもなく、本件訂正発明３は、当業者であっても引用発明及び引用文献２〜４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　上記第２の２（４）エ（ウ）、同（５）エ（ウ）、同（６）エ（ウ）で、それぞれ本件訂正発明４〜６について検討したのと同じ理由で、本件訂正発明１〜３は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものである。
（３）特許異議申立人の意見について
ア　特許異議申立人渡邉孝充は、令和２年１２月１７日に提出した意見書７〜９ページにおいて、異議申立書に記載の甲第１号証（特開平１１−０２４６０４号公報）であって取消理由通知書に記載の引用文献１の特許請求の範囲の請求項１、段落００２４、段落００５８の記載事項について主張し、段落００５８について、「すなわち、第２のＴＦＴ３０・・・ゲート電極３１の延設部分３１０と、共通給電線ｃｏｍ（・・・）と、第１の層間絶縁膜５１と、によって保持容量ｃａｐを構成すること、が記載されている。これは、第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１と、第１の層間絶縁膜５１を介してゲート電極３１と、第１の層間絶縁膜５１を介してゲート電極３１と重なる共通給電線ｃｏｍと、によって保持容量ｃａｐを構成すること、が記載されているに等しいといえる。以上より、引用文献１には、「前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する
　しかしながら、引用文献１において、ゲート電極３１の延設部分３１０は、ゲート電極３１ではないから、引用文献１において、「第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１と、第１の層間絶縁膜５１を介してゲート電極３１と、第１の層間絶縁膜５１を介してゲート電極３１と重なる共通給電線ｃｏｍと、によって保持容量ｃａｐを構成すること、が記載されているに等しい」ということはできない。
　したがって、本件訂正発明１〜７は、特許法第２９条第２項の規定によって、取消決定されるべきものではない。
イ　特許異議申立人渡邉孝充は、同意見書１０〜１１ページにおいて、本件特許明細書の段落００５２と段落００４９の記載から、「保持容量を形成するためには、上記のように、ゲート電極と第３の配線との間には誘電体としてゲート絶縁膜が設けられていることが必須であるところ、訂正後の請求項１〜７のいずれにもそのような構成は記載されておらず、発明特定事項が不足していることは明らかである。よって、・・・特許法第３６条第６項第１号に係る拒絶理由を有する。」と主張している。
　しかしながら、保持容量を形成するために、ゲート電極と第３の配線との間には誘電体としてゲート絶縁膜が設けられていることが必須であることは自明なことであり、本件訂正後の請求項［１〜７］が、保持容量を形成するための誘電体としてのゲート絶縁膜が設けられていないものを包括的に記載したものであるとは認められない。
　したがって、「出願時の技術常識に照らしても、請求項に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない場合」には該当せず、発明特定事項は不足していない。
　よって、本件訂正発明１〜７は、特許法第３６条第６項第１号の規定によって、取消決定されるべきものではない。
第５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
１　特許異議申立理由の概要
　特許異議申立人渡邉孝充は、主たる証拠として甲第１号証（特開平１１−２４６０４号公報。当審注：上記第２の１（４）エ（イ）ａ（ａ）の「文献１」）、及び、従たる証拠として、甲第２号証（特開２００１−５４２６号公報。審決注：上記第２の１（４）エ（イ）ａ（ｂ）の「文献２」）、並びに甲第３号証（特開２００１−１０９４０５号公報）を提出し、請求項１〜３に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり（以下「申立理由１」という。）、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜３の記載には不備があり、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反してされたものである（以下「申立理由２」という。）から、請求項１〜３に係る特許を取り消すべきものである旨主張する。
２　申立理由１について
（１）上記第４の３（１）ア（イ）で判断したとおり、同（ア）における相違点Ｂについて、相違点Ｂに係る本件訂正発明１の「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」との構成は、引用文献１には記載されていない。
  また、相違点Ｂに係る本件訂正発明１の上記構成は、引用文献２〜４にも記載されておらず、本願の原出願の優先日前において周知であるともいえない。
　更に、相違点Ｂに係る本件訂正発明１の「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」との構成は、甲第３号証にも記載されていない。
　よって、本件訂正発明１は、当業者であっても引用発明並びに引用文献２〜４及び甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）上記第４の３（１）イ（イ）で判断したとおり、同（ア）における相違点Ｄについて、相違点Ｄに係る本件訂正発明２の「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」との構成は、引用文献１には記載されていない。
  また、相違点Ｄに係る本件訂正発明２の上記構成は、引用文献２〜４にも記載されておらず、本願の原出願の優先日前において周知であるともいえない。
　更に、相違点Ｄに係る本件訂正発明２の「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」との構成は、甲第３号証にも記載されていない。
　よって、本件訂正発明２は、当業者であっても引用発明並びに引用文献２〜４及び甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（３）上記第４の３（１）ウ（イ）で判断したとおり、同（ア）における相違点Ｇについて、相違点Ｇに係る本件訂正発明３の「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」との構成は、引用文献１には記載されていない。
  また、相違点Ｇに係る本件訂正発明３の上記構成は、引用文献２〜４にも記載されておらず、本願の原出願の優先日前において周知であるともいえない。
　更に、相違点Ｇに係る本件訂正発明３の「前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する」との構成は、甲第３号証にも記載されていない。
　よって、本件訂正発明３は、当業者であっても引用発明並びに引用文献２〜４及び甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
３　申立理由２について
　特許異議申立人渡邉渡邉孝充は、特許異議申立書２９〜３０ページにおいて、「「第３の配線が第１のトランジスタのゲート電極と重なる」点、または「第３の配線が第１のトランジスタのゲート電極と重なることによって容量を形成する」点が、請求項１〜３の発明特定事項として記載されていないから、請求項１〜３に係る発明は、「保持容量」を形成し得ない構成をも含み、本件特許発明の作用・効果を奏し得ないことになり、請求項１〜３に係る発明の範囲が不明確となっている。よって、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。」旨を主張する。
　しかしながら、本件訂正後の請求項１〜３には、「第３の配線が第１のトランジスタのゲート電極と重なる」点が記載されており、また、保持容量を形成するために、ゲート電極と第３の配線との間には誘電体としてゲート絶縁膜が設けられていることが必須であることは自明なことであるから、本件訂正発明１〜３は、「保持容量」を形成し得ない構成は含まないものといえる。
　したがって、本件訂正発明１〜３は明確であり、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たす。
　よって、特許異議申立人渡邉孝充のかかる主張は、採用することはできない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年２月２４日（２０２１．２．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　発光素子と、
　前記発光素子の画素電極にソース又はドレインの一方が電気的に接続される第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。
　【請求項２】
　発光素子と、
　前記発光素子の陽極にソース又はドレインの一方が電気的に接続される第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。
　【請求項３】
　発光素子と、
　前記発光素子の陰極にソース又はドレインの一方が電気的に接続される第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。
　【請求項４】
　発光素子と、
　前記発光素子の画素電極にソース又はドレインの一方が電気的に接続され、飽和領域で動作する第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。
　【請求項５】
　発光素子と、
　前記発光素子の陽極にソース又はドレインの一方が電気的に接続され、飽和領域で動作する第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。
　【請求項６】
　発光素子と、
　前記発光素子の陰極にソース又はドレインの一方が電気的に接続され、飽和領域で動作する第１のトランジスタと、
　前記第１のトランジスタよりチャネル形成領域のチャネル長が短い第２のトランジスタと、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続される第１の配線と、
　前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２の配線と、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され
、前記第１のトランジスタのゲートと重なりを有する
　前記第３の配線は、少なくとも前記第１の配線より線幅が大きい領域を有する発光装置。
　【請求項７】
　請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
　前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、少なくとも一つ以上の角部を有する発光装置。