(57)【要約】【課題】製造コストの低減及び製品の信頼性向上を図ることができる液体噴射ヘッドの製造方法及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】第２の基板用ウェハー１３０の、第１の基板用ウェハー１１０側とは反対側の面に、耐エッチング性を有するフィルム５７を接着剤３６で接着して第１の基板用ウェハー１１０をエッチングし、エッチング後にフィルム５７の第２の基板用ウェハー１３０との接着部にレーザー４００を照射してフィルム５７と接着剤３６との間に空間を設け、空間内の気体を加熱及び膨張させて空間を拡大させ、フィルム５７を第２の基板用ウェハー１３０から剥離した後、第２の基板用ウェハー１３０の表面に残存する接着剤３６を除去し、第１の基板用ウェハー１１０及び第２の基板用ウェハー１３０にレーザーを照射して第１の基板用ウェハー１１０及び第２の基板用ウェハー１３０を各チップに分割する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出するノズルに連通する圧力発生室を有する第１の基板と、前記第１の基板上に設けられて前記圧力発生室に圧力を付与する圧電素子と、当該圧電素子を保持する空間からなる圧電素子保持部を有し前記第１の基板に接合される第２の基板とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記第１の基板が形成される第１の基板用ウェハー上に前記第２の基板が形成される第２の基板用ウェハーを接合すると共に、当該第２の基板用ウェハーの前記第１の基板用ウェハー側とは反対側の面に、耐エッチング性を有するフィルムを接着剤で接着するフィルム接着工程と、
前記第１の基板用ウェハーをウェットエッチングすることにより当該第１の基板用ウェハーに前記圧力発生室を形成する圧力発生室形成工程と、
前記フィルムの前記第２の基板用ウェハーとの接着部分にレーザーを照射して前記フィルムを局所的に熱膨張させることで、前記フィルムと前記接着剤との間に空間を設ける空間形成工程と、
前記空間内の気体を加熱及び膨張させることで前記空間を拡大させる膨張工程と、
前記フィルムを前記第２の基板用ウェハーから剥離する剥離工程と、
前記第２の基板用ウェハーの表面に残存する接着剤を除去する除去工程と、
前記第１の基板用ウェハー及び前記第２の基板用ウェハーに対してレーザーを照射して、当該第１の基板用ウェハー及び当該第２の基板用ウェハーを各チップに分割する分割工程とを有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記空間形成工程では、前記フィルムと前記接着剤との間に前記空間を複数ヶ所設けることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記空間形成工程に用いるレーザーが、ＣＯ２レーザーであることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記除去工程では、ＣＯ２レーザーを前記接着剤に照射することで前記第２の基板用ウェハーから前記接着剤を除去することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記分割工程では、前記第１の基板用ウェハー及び前記第２の基板用ウェハーに対して前記レーザーを照射することでこれらのウェハーに当該レーザーが照射されていない部分よりも脆弱な脆弱部を設け、前記第１の基板用ウェハー及び前記第２の基板用ウェハーに外力を加えて当該第１の基板用ウェハー及び当該第２の基板用ウェハーを前記脆弱部に沿って分割することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記フィルム接着工程では、前記フィルムを前記第２の基板用ウェハーの周縁部に選択的に接着することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項７】
ウェハーの一方面に耐エッチング性を有するフィルムを接着剤で接着するフィルム接着工程と、
前記ウェハーをウェットエッチングするエッチング工程と、
前記フィルムの前記ウェハーとの接着部分にレーザーを照射して前記フィルムを局所的に熱膨張させることで、前記フィルムと前記接着剤との間に空間を設ける空間形成工程と、
前記空間内の気体を加熱及び膨張させることで前記空間を拡大させる膨張工程と、
前記フィルムを前記ウェハーから剥離する剥離工程と、
前記ウェハーの表面に残存する接着剤を除去する除去工程と、
前記ウェハーに対してレーザーを照射して、当該ウェハーを各チップに分割する分割工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノズル開口から液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法及びウェットエッチングでエッチング加工を施して製造するデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、圧電素子等の圧力発生素子で液体に圧力を付与することによりノズルから液滴を吐出する液体噴射ヘッドが知られており、その代表例として、ノズルからインク滴を吐出するインクジェット式記録ヘッド（以下、単にヘッドとも言う）が知られている。具体的には、インクを吐出するノズルに連通する圧力発生室が形成される流路形成基板と、この流路形成基板の一方面側に形成される圧電素子と、流路形成基板の圧電素子側の面に接着される保護基板とを有するものが知られている。
【０００３】
また、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法としては、流路形成基板が形成される流路形成基板用ウェハー上に保護基板が形成される保護基板用ウェハーを接合すると共に、保護基板用ウェハーの流路形成基板用ウェハー側とは反対側の面に耐エッチング性を有する保護フィルムを接着剤で接着し、流路形成基板用ウェハーをウェットエッチングして圧力発生室等を形成した後、各ウェハーを各チップに分割する方法が知られている。また、各チップに分割するための分割予定線となる脆弱部をレーザーで流路形成基板用ウェハー及び保護基板用ウェハーに形成するために、ウェットエッチングを行った後、ＣＯ２レーザー等のレーザーを保護フィルム及び接着剤の分割予定線に沿った部分に照射することで分割予定線に沿って保護フィルム及び接着剤を切断除去し、その後各チップに分割する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−８２１６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の方法では、レーザーで脆弱部を形成する部分の保護フィルムと接着剤とを焼き切って除去しているため、レーザーの出力を比較的高くしなければならず、製造コストが高騰しやすいという問題があった。特に、保護フィルムが耐熱性に優れた材料で構成されている場合、焼き切るのに大きなエネルギーが必要となるため、レーザーを高出力で照射しなければならず、製造コストの高騰は避けられなかった。
【０００６】
また、上記従来方法では、保護フィルム及び接着剤をレーザーで焼き切る際に、焼き切った保護フィルムの断片等の比較的大きな異物が生じやすい。こうした異物は、周囲に飛散して予期せぬ部分に付着し、製品不良の原因となる可能性がある。つまり上記従来方法では、保護フィルム及び接着剤を焼き切る際に生じる異物により、製品の信頼性が低下してしまう虞があった。
【０００７】
また、上記のような問題を解決するためには、保護フィルムを保護基板用ウェハーから剥離させることを想到することができるが、保護フィルムは接着剤で強固に保護基板用ウェハーに固着されているので、容易に剥離することが困難であった。
【０００８】
なおこのような問題は、インクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドの製造時だけではなく、一方面に耐エッチング保護膜を形成してエッチングを行った後、レーザーを照射してウェハーをチップ毎に分割することで製造する各種センサーなどのデバイスの製造時においても同様に存在する。
【０００９】
本発明はこのような事情に鑑み、製造コストの低減及び製品の信頼性向上を図ることができる液体噴射ヘッドの製造方法及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明の態様は、液体を吐出するノズルに連通する圧力発生室を有する第１の基板と、前記第１の基板上に設けられて前記圧力発生室に圧力を付与する圧電素子と、当該圧電素子を保持する空間からなる圧電素子保持部を有し前記第１の基板に接合される第２の基板とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記第１の基板が形成される第１の基板用ウェハー上に前記第２の基板が形成される第２の基板用ウェハーを接合すると共に、当該第２の基板用ウェハーの前記第１の基板用ウェハー側とは反対側の面に、耐エッチング性を有するフィルムを接着剤で接着するフィルム接着工程と、前記第１の基板用ウェハーをウェットエッチングすることにより当該第１の基板用ウェハーに前記圧力発生室を形成する圧力発生室形成工程と、前記フィルムの前記第２の基板用ウェハーとの接着部分にレーザーを照射して前記フィルムを局所的に熱膨張させることで、前記フィルムと前記接着剤との間に空間を設ける空間形成工程と、前記空間内の気体を加熱及び膨張させることで前記空間を拡大させる膨張工程と、前記フィルムを前記第２の基板用ウェハーから剥離する剥離工程と、前記第２の基板用ウェハーの表面に残存する接着剤を除去する除去工程と、前記第１の基板用ウェハー及び前記第２の基板用ウェハーに対してレーザーを照射して、当該第１の基板用ウェハー及び当該第２の基板用ウェハーを各チップに分割する分割工程とを有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる本態様では、従来方法のように高出力のレーザーを照射してフィルムを焼き切る必要がないため、製造コストの高騰の原因となるレーザーの出力を低く抑えることができ、製造コストの低減を図ることができる。またフィルムを焼き切っていないため、比較的大きな異物が生じにくい。したがって、異物を原因とする製品不良の発生を抑えることができ、製品の信頼性向上を図ることができる。なお、「耐エッチング性」とは、ウェットエッチングで用いるエッチング液に対してエッチングされない、又は、非常にエッチングされ難い性質を有するものを指す。
【００１１】
ここで、前記空間形成工程では、前記フィルムと前記接着剤との間に前記空間を複数ヶ所設けることが好ましい。これによれば、膨張工程時に複数の空間それぞれが膨張するため、フィルムがさらに剥がしやすくなり、製造にかかる時間の短縮を図ることができる。
【００１２】
また、前記空間形成工程に用いるレーザーが、ＣＯ２レーザーであることが好ましい。これによれば、フィルムと接着剤とに、アルカリ性のエッチング液に対する耐性に優れるポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）で構成されたものと、エポキシ系のものとをそれぞれ使用することができる。ＣＯ２レーザーは、ＰＰＴＡで構成されたものとエポキシ系の接着剤とに良好に吸収されるからである。
【００１３】
また、前記除去工程では、ＣＯ２レーザーを前記接着剤に照射することで前記第２の基板用ウェハーから前記接着剤を除去することが好ましい。これによれば、第２の基板用ウェハーから比較的容易且つ確実に接着剤を除去することができる。
【００１４】
また、前記分割工程では、前記第１の基板用ウェハー及び前記第２の基板用ウェハーに対して前記レーザーを照射することでこれらのウェハーに当該レーザーが照射されていない部分よりも脆弱な脆弱部を設け、前記第１の基板用ウェハー及び前記第２の基板用ウェハーに外力を加えて当該第１の基板用ウェハー及び当該第２の基板用ウェハーを前記脆弱部に沿って分割することが好ましい。これによれば、第１の基板用ウェハー及び第２の基板用ウェハーを比較的容易にチップ毎に分割することができる。
【００１５】
また、前記フィルム接着工程では、前記フィルムを前記第２の基板用ウェハーの周縁部に選択的に接着することが好ましい。これによれば、フィルムを比較的容易に除去することができる。また、第２の基板（第２の基板用ウェハー）上に設けられる配線パターン等に影響を及ぼすことを抑制することができる。
【００１６】
また、本発明の他の態様は、ウェハーの一方面に耐エッチング性を有するフィルムを接着剤で接着するフィルム接着工程と、前記ウェハーをウェットエッチングするエッチング工程と、前記フィルムの前記ウェハーとの接着部分にレーザーを照射して前記フィルムを局所的に熱膨張させることで、前記フィルムと前記接着剤との間に空間を設ける空間形成工程と、前記空間内の気体を加熱及び膨張させることで前記空間を拡大させる膨張工程と、前記フィルムを前記ウェハーから剥離する剥離工程と、前記ウェハーの表面に残存する接着剤を除去する除去工程と、前記ウェハーに対してレーザーを照射して、当該ウェハーを各チップに分割する分割工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法にある。
かかる本態様では、従来方法のように高出力のレーザーを照射してフィルムを焼き切る必要がないため、製造コストの高騰の原因となるレーザーの出力を低く抑えることができ、製造コストの低減を図ることができる。またフィルムを焼き切っていないため、比較的大きな異物が生じにくい。したがって、異物を原因とする製品不良の発生を抑えることができ、製品の信頼性向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る液体噴射ヘッドの分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る液体噴射ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る製造工程を示す拡大断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る製造工程を示す断面図である。
【図９】保護基板用ウェハーを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及びそのＡ−Ａ′断面図である。
【００１９】
本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩの第１の基板となる流路形成基板１０は、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなる。そして図１に示すように、流路形成基板１０には、他方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁１１によって区画された圧力発生室１２がその幅方向（短手方向）に２列並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向一端部側には、インク供給路１３と連通路１４とが隔壁１１によって区画されている。また、連通路１４の一端には、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるリザーバー１００の一部を構成する連通部１５が形成されている。すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、インク供給路１３、連通路１４、及び連通部１５からなる液体流路が設けられている。
【００２０】
上述のように形成された流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１３とは反対側の端部近傍に連通するノズル２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。
【００２１】
一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、酸化膜からなる弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、弾性膜５０とは異なる材料の酸化膜からなる絶縁体膜５５が、積層形成されている。なお、絶縁体膜５５は、上述した弾性膜５０と共に、振動板を構成している。
【００２２】
そして絶縁体膜５５上には、下電極膜６０と圧電体層７０と上電極膜８０とが積層形成されて、弾性膜５０を変形させて圧力発生室１２内に圧力を付与する圧力発生手段である圧電素子３００を構成している。
【００２３】
また、圧電素子３００の個別電極である各上電極膜８０には、インク供給路側の端部近傍から引き出され、絶縁体膜５５上まで延設されるリード電極９０が接続されている。
【００２４】
このような圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上、すなわち下電極膜６０、弾性膜５０及びリード電極９０上には、圧電素子３００を保持する空間からなる圧電素子保持部３２を有して、第２の基板となる保護基板３０が接着剤３５によって接合されている。圧電素子保持部３２は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間からなる。また圧電素子保持部３２は密封されていても、密封されていなくてもよい。また保護基板３０には、リザーバー１００の少なくとも一部を構成するリザーバー部３１が形成されている。リザーバー部３１は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板１０の連通部１５と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバー１００を構成している。また、流路形成基板１０の連通部１５を圧力発生室１２毎に複数に分割して、リザーバー部３１のみをリザーバーとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板１０に圧力発生室１２のみを設け、流路形成基板１０と保護基板３０との間に介在する部材（例えば、弾性膜５０、絶縁体膜５５等）にリザーバーと各圧力発生室１２とを連通するインク供給路１３を設けるようにしてもよい。
【００２５】
このような保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２６】
また、保護基板３０には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられている。そして、各圧電素子３００から引き出されたリード電極９０の端部近傍は、貫通孔３３内に露出している。
【００２７】
また、保護基板３０上には、並設された圧電素子３００を駆動するための駆動回路１２０が固定されている。この駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路１２０とリード電極９０とは、ボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線１２１を介して電気的に接続されている。
【００２８】
また、このような保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜４１によってリザーバー部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料で形成される。この固定板４２のリザーバー１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバー１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２９】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩでは、図示しない外部インク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、リザーバー１００からノズル２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路１２０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、圧電素子３００で、振動板を撓み変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル２１からインク滴が吐出する。
【００３０】
以下、このようなインクジェット式記録ヘッドＩの製造方法について、図３〜図９を参照して説明する。ここで、図３〜図８は、本発明の一実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの製造工程を示す圧力発生室の長手方向の断面図である。また、図７（ａ）は、図６（ａ）の保護フィルムと保護基板用ウェハーとの接着部の拡大断面図であり、図７（ｂ）は、図６（ｂ）の保護フィルムと保護基板用ウェハーとの接着部の拡大断面図である。また、図９は保護基板用ウェハーの平面図である。
【００３１】
まず、図３（ａ）に示すように、円板状のシリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー１１０（第１の基板用ウェハー）の表面に、弾性膜５０となる酸化膜５１を形成し、この弾性膜５０（酸化膜５１）上に弾性膜５０とは異なる材料の酸化膜からなる絶縁体膜５５を形成する。酸化膜５１の形成方法は、特に限定されないが、例えば、流路形成基板用ウェハー１１０を拡散炉等で熱酸化することにより比較的容易に形成することができる。
【００３２】
次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁体膜５５上で且つ流路形成基板用ウェハー１１０の各圧力発生室１２が形成される領域に相対向する領域に、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０からなる圧電素子３００を形成し、上電極膜８０上にリード電極９０を形成する。
【００３３】
次に、図４（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０に、絶縁体膜５５や接着剤３５等を介して保護基板用ウェハー１３０（第２の基板用ウェハー）を接合する。この保護基板用ウェハー１３０には、圧電素子保持部３２、リザーバー部３１及び貫通孔３３が予め形成されている。そして保護基板用ウェハー１３０を圧電素子保持部３２を圧電素子３００に対向させた状態で、流路形成基板用ウェハー１１０に接合することで、圧電素子３００は圧電素子保持部３２内に収容される。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の保護基板用ウェハー１３０とは反対面側を加工して、流路形成基板用ウェハー１１０を所定の厚みとする。
【００３５】
次に、図４（ｃ）に示すように、保護基板用ウェハー１３０の流路形成基板用ウェハー１１０とは反対側の面に、保護フィルム５７を接着する（フィルム接着工程）。具体的には、保護フィルム５７を保護基板用ウェハー１３０の周縁部に選択的に接着する。つまり接着剤３６を、保護基板用ウェハー１３０の流路形成基板用ウェハー１１０とは反対側の面の周縁部で且つ、積層されたウェハーから切り分けられるチップの外側の部分に塗布し、かかる接着剤３６で保護フィルム５７を保護基板用ウェハー１３０に接合する。接着剤３６は特に限定されるものではないが、本実施形態では、広く一般に使用されている耐アルカリ性に優れるエポキシ系のものを用いた。なお、耐アルカリ性に優れるエポキシ系のものを用いたのは、詳しくは後述するが、圧力発生室形成工程におけるウェットエッチングのエッチング液にアルカリ性の水溶液を用いるからである。また、保護フィルム５７は、保護基板用ウェハー１３０と略同一の大きさ及び形状を有するものである。かかる保護フィルム５７を保護基板用ウェハー１３０に接合することで、保護基板用ウェハー１３０に設けられたリザーバー部３１及び貫通孔３３等の開口部を封止している。保護フィルム５７の材料は特に限定されるものではないが、本実施形態では、耐アルカリ性に優れるポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）を用いた。すなわち本実施形態の保護フィルム５７及び接着剤３６は、アルカリ性の水溶液からなるエッチング液に良好に耐え得る耐エッチング性を有する材料からなる。
【００３６】
次に、図５（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の保護基板用ウェハー１３０とは反対側の表面に、圧力発生室１２等のインク流路を形成する際のマスクとなる所定パターンのエッチング保護膜５６を形成する（マスク形成工程）。
【００３７】
次に、図５（ｂ）に示すように、エッチング保護膜５６をマスクとして流路形成基板用ウェハー１１０を水酸化カリウム水溶液で異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、圧力発生室１２、インク供給路１３、連通路１４及び連通部１５を形成する（圧力発生室形成工程）。ここで、保護基板用ウェハー１３０は保護フィルム５７で覆われているので、保護基板用ウェハー１３０に設けられたリザーバー部３１及び貫通孔３３等の開口部や、圧電素子保持部３２内にエッチング液が侵入してしまうことは防止されており、圧電素子３００が破壊してしまうことは抑制されている。なお、圧電素子保持部３２が密封されていない場合であっても、保護フィルム５７によって圧電素子保持部３２内にエッチング液が侵入してしまうことは防止することができ、圧電素子３００の破壊を抑制することができる。
【００３８】
次に、図６（ａ）に示すように、保護フィルム５７の保護基板用ウェハー１３０との接着部にＣＯ２レーザーからなるレーザー４００を照射して保護フィルム５７を局所的に熱膨張させることで、図７（ａ）に示すように、保護フィルム５７と接着剤３６との間に空間Ａを設ける（空間形成工程）。詳述すると、本実施形態では保護フィルム５７がＰＰＴＡで構成されている。この場合、ＣＯ２レーザーからなるレーザー４００を保護フィルム５７の保護基板用ウェハー１３０との接着部に照射すると、保護基板用ウェハー１３０や流路形成基板用ウェハー１１０等にはレーザー４００が吸収されないが、保護フィルム５７にはレーザー４００が吸収され、保護フィルム５７はレーザー４００が照射された部分だけ局所的に加熱されて膨張する。このようなレーザー４００による保護フィルム５７の局所的な熱膨張により、保護フィルム５７と接着剤３６との間に空間Ａが設けられる。また本空間形成工程ではレーザー４００を連続的ではなく断続的に照射して、図７（ａ）に示すように、空間Ａを保護フィルム５７と接着剤３６との間に複数ヶ所設けることが好ましい。後述する膨張工程時に複数の空間Ａのそれぞれが膨張するため保護フィルム５７が保護基板用ウェハー１３０からさらに剥がしやすくなり、製造にかかる時間の短縮を図ることができるからである。なお空間Ａを数多く設けると、それに伴って、レーザー４００の照射時間が増加して製造コストも製造時間も増加する。したがって実際には、保護フィルム５７と保護基板用ウェハー１３０との接着部の大きさ、製造コスト、製造時間、及び保護フィルム５７の保護基板用ウェハー１３０からの剥離しやすさなどを考慮して、ある程度実験的に製造することで最適な条件を検討するのがよい。
【００３９】
次に、空間Ａ内の気体を加熱及び膨張させることで空間Ａを拡大させる（膨張工程）。具体的には、図６（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０、保護基板用ウェハー１３０及び保護フィルム５７の接合体をホットプレート５００に載置し、流路形成基板用ウェハー１１０や保護基板用ウェハー１３０等を介して保護フィルム５７及び接着剤３６を加熱する。これにより、図７（ｂ）に示すように、空間Ａ内の気体が加熱されて膨張し空間Ａが拡大する。すなわち本膨張工程により、保護フィルム５７は、図７（ｂ）に示すように、図７（ａ）に示す空間形成工程の時点よりも、剥離部分が増加する。したがって、本膨張工程によって保護フィルム５７は、さらに保護基板用ウェハー１３０から剥がしやすくなる。ここで、ホットプレート５００の温度は、空間Ａ内の気体が膨張する程度にすればよいが、１２０〜１４０℃程度にするのが好ましい。ホットプレート５００の温度を１２０〜１４０℃程度に保持すると、空間Ａ内の気体を膨張させることができると共に、流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用ウェハー１３０の熱による損傷を抑制することができるからである。
【００４０】
次に、図８（ａ）に示すように、保護フィルム５７を保護基板用ウェハー１３０から剥離する（剥離工程）。
【００４１】
次に、図８（ｂ）に示すように、保護フィルム５７を剥離した後の保護基板用ウェハー１３０の表面に残存する接着剤３６を除去する（除去工程）。具体的には、ＣＯ２レーザー６００を接着剤３６に照射して、接着剤３６を完全に保護基板用ウェハー１３０の表面から除去する。本実施形態では、エポキシ系の接着剤３６を使用しており、かかる接着剤３６はＣＯ２レーザー６００を良好に吸収するため、保護基板用ウェハー１３０から容易且つ良好に接着剤３６を除去することができる。
【００４２】
次に、図示は省略するが、インク供給路１３とリザーバー部３１との境界にある弾性膜５０及び絶縁体膜５５を除去する。これにより、リザーバー部３１が圧力発生室１２と連通し、リザーバー１００が形成される。次に、保護基板用ウェハー１３０の流路形成基板用ウェハー１１０とは反対側の面に圧電素子３００を駆動する駆動回路１２０を設け、駆動回路１２０とリード電極９０とを接続配線１２１で接続する。そして、エッチング保護膜５６を除去した後、流路形成基板用ウェハー１１０の保護基板用ウェハー１３０とは反対側の面にノズル２１が穿設されたノズルプレート２０を接合し、保護基板用ウェハー１３０にコンプライアンス基板４０を接合する。
【００４３】
次に、流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用ウェハー１３０に対してレーザーを照射して、流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用ウェハー１３０を各チップに分割する（分割工程）。なおチップとは、各ウェハーから切り分けられる部材、すなわち保護基板３０や流路形成基板１０のことを言う。具体的には、接合した流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用ウェハー１３０に対してＹＡＧレーザーなどのレーザーを照射して、図９に示すように、各ウェハーにレーザーが照射されていない部分よりも脆弱な脆弱部７００を設ける。このとき、本実施形態では上記のような工程で、保護基板用ウェハー１３０上の保護フィルム５７と接着剤３６とが除去されているため、脆弱部７００を良好に形成することができると共に、ウェハー分割性の向上も図られている。
【００４４】
その後は図示は省略するが、接合された各ウェハー（流路形成基板用ウェハー１１０、保護基板用ウェハー１３０等）を伸縮性を有するエキスパンドテープ上に貼着した後、エキスパンドテープに放射方向の張力を与えるなどして、接合された流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用ウェハー１３０に外力を加えて脆弱部７００に沿ってチップ毎に分割する。上述した工程により上記のインクジェット式記録ヘッドＩは製造できる。
【００４５】
上述したように、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩの製造方法では、従来方法のように高出力のレーザーを照射して保護フィルム５７を焼き切る必要がないため、製造コストの高騰の原因となるレーザーの出力を低く抑えることができ、製造コストの低減を図ることができる。また保護フィルム５７を焼き切っていないため、比較的大きな異物が生じにくい。したがって、異物を原因とする製品不良の発生を抑えることができ、製品の信頼性向上を図ることができる。
【００４６】
また、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩの製造方法では、空間形成工程において、保護フィルム５７と接着剤３６との間に空間Ａを複数ヶ所設けている。これにより、さらに保護フィルム５７が剥がしやすくなり、製造にかかる時間の短縮を図ることができる。
【００４７】
また、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩの製造方法では、空間形成工程に用いるレーザーが、ＣＯ２レーザーである。これにより、保護フィルムと接着剤とに、アルカリ性のエッチング液に対する耐性に優れるポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）で構成されたものと、エポキシ系のものとをそれぞれ使用することができる。ＣＯ２レーザーは、ＰＰＴＡで構成されたものとエポキシ系の接着剤とに良好に吸収されるからである。
【００４８】
また、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩの製造方法では、除去工程において、ＣＯ２レーザーを接着剤３６に照射することで保護基板用ウェハー１３０から接着剤３６を除去している。これにより、保護基板用ウェハー１３０上に残存するエポキシ系の接着剤３６を、比較的容易且つ確実に除去することができる。
【００４９】
また、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩの製造方法では、フィルム接着工程において、保護フィルム５７を保護基板用ウェハー１３０の周縁部に選択的に接着している。これにより、保護フィルム５７を比較的容易に除去することができる。また、保護基板３０（保護基板用ウェハー１３０）上に設けられる配線パターン等に影響を及ぼすことを抑制することができる。
【００５０】
ところで、上記本実施形態の空間形成工程では、レーザー４００で保護フィルム５７を局所的に熱膨張させることで空間Ａを形成しているが、空間Ａは、レーザー４００ではなくホットプレートなどで加熱することでも形成することができる。しかしながら、レーザー４００を照射する以外の方法で空間Ａを形成する場合は、流路形成基板用ウェハー１１０や保護基板用ウェハー１３０に熱による損傷が生じる可能性がある。例えば、ホットプレートによる加熱だけで空間Ａを形成しようとすると、ホットプレートを１７０℃程度に保持しなければならず、流路形成基板用ウェハー１１０や保護基板用ウェハー１３０に過大な熱が加わりこれらのウェハーに熱による損傷が生じる可能性がある。また、ハロゲンランプなどで加熱して空間Ａを形成する場合においても同様である。本実施形態では、流路形成基板用ウェハー１１０や保護基板用ウェハー１３０には吸収されないレーザー４００で、保護フィルム５７及び接着剤３６を加熱して保護フィルム５７と接着剤３６との間に空間Ａを形成している。したがって、空間Ａを形成する際に過大な熱が流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用ウェハー１３０に加わることはなく、両ウェハーの熱による損傷を確実に抑制することができる。また、ホットプレート５００で１２０〜１４０℃程度に保持することで、流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用ウェハー１３０の熱による損傷を生じさせないようにしながら、空間Ａ内の気体を膨張させて、空間Ａを拡大している。したがって、製造時における歩留まりの向上を図ることができる。
【００５１】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は構造や材質などを含めて、上述した実施形態に限定されるものではない。
【００５２】
例えば、上記実施形態では、膨張工程において、ホットプレート５００に各ウェハーを載置して加熱するようにしたが、ハロゲンランプ等を用いて加熱しても良い。空間Ａを加熱して膨張させるのであればどのような方法であってもよい。
【００５３】
また、上記実施形態では、除去工程時に保護基板用ウェハー１３０の表面に残存する接着剤３６をＣＯ２レーザー６００で除去していたが、例えば、研磨加工などの機械加工で除去しても良い。
【００５４】
また、上記実施形態では、接着剤３６にエポキシ系のものを用いたが、耐エッチング性を有すると共に、ＣＯ２レーザーを吸収する性質を有するものであれば好適に用いることができる。
【００５５】
また、上記実施形態では、分割工程時において、流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用ウェハー１３０にレーザーで脆弱部７００を形成したあと、外力を加えてチップ毎に分割している。しかしながら本発明はこれに限定されるものではなく、高出力のレーザーでチップ毎に割断してもよい。
【００５６】
また、上述した実施形態では、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子を有するインクジェット式記録ヘッドＩを例示して説明した。しかしながら本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、厚膜型の圧電素子を有するインクジェット式記録ヘッド、或いはゾル−ゲル法、ＭＯＤ法、スパッタリング法等により形成される圧電材料を有する薄膜型の圧電素子を有するインクジェット式記録ヘッドであっても適用することができる。
【００５７】
また、上述の実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００５８】
さらに、本発明は、液体噴射ヘッドの製造方法に限定されず、ウェハーの一方面に耐エッチング保護膜を形成してエッチングを行った後、レーザーを照射してウェハーをチップ毎に分割して製造する各種センサーなどのデバイスの製造に広く適用することができる。また、複数枚のウェハーで構成されているデバイスの製造時にも適用することができる。
【符号の説明】
【００５９】
Ｉ  インクジェット式記録ヘッド、  １０  流路形成基板、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル、  ３０  保護基板、  ３１  リザーバー部、  ３２  圧電素子保持部、  ３３  貫通孔、  ３５、３６  接着剤、  ４０  コンプライアンス基板、  ４１  封止膜、  ４２  固定板、  ４３  開口部、  ５０  弾性膜、  ５１  酸化膜、  ５５  絶縁体膜、  ５６  エッチング保護膜、  ５７  保護フィルム、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  １００  リザーバー、  １１０  流路形成基板用ウェハー、  １２０  駆動回路、  １２１  接続配線、  １３０  保護基板用ウェハー、  ３００  圧電素子、  ４００、６００  レーザー、  ５００  ホットプレート、  ７００  脆弱部、  Ａ  空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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