(57)【要約】【課題】膜種、膜厚、表面粗さ、結晶方位などの異なる多種多様なウェーハに対応できる欠陥検出精度が向上可能な欠陥検査装置を実現する。【解決手段】ウェーハ１００からの反射光が光検出器２０７により検出され、Ａ／Ｄ変換１１２を介してローパスフィルタ１１４、減算器１１５に供給され、低周波数成分が減算された信号が非線形フィルタ処理部１１８に供給される。処理部１１８にて信号時間幅を用いたノイズ除去が行われ、異物・欠陥判定部１０８で、予め定められた検出しきい値と比較され、散乱光強度値がしきい値以上であれば、異物・欠陥判定部１０８は異物・欠陥判定情報を発生する。処理部１１８にて、信号幅を用いたノイズ除去を行っているので、小さな異物を検出可能なしきい値に基づいて、異物・欠陥を検出することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査物体表面上または表面近傍内部に存在する異物や欠陥を検出する欠陥検査装置において、
被検査物体が配置され、被検査物体にレーザ光を走査させるための走査移動ステージと、
レーザ光源と、
上記レーザ光源から発せられるレーザ光を被検査物体表面上の予め定められた大きさの照明スポットに照射する照明ユニットと、
上記照明スポットからの光を検出して電気信号に変換するする光検出器と、
上記光検出器から出力された信号のうち、被検査物体の異物・欠陥から発生される信号とは異なる低周波成分を除去する低周波除去部と、
上記低周波除去部からの出力信号のうちの一定の時間幅を有する信号を抽出する監視期間判定部と、
上記監視期間判定部により出力された信号のうち、一定信号強度以上の信号を選択する信号選択器と、
上記信号選択器からの出力信号に基づいて、上記被検査物体表面上または表面近傍内部に存在する異物や欠陥の大きさを算出する粒径算出部と、
を備えることを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の欠陥検査装置において、上記走査移動ステージに配置された被検査物体の走査座標を検出する検査座標検出部を備え、上記監視期間判定部は、上記走査移動ステージの主走査回転速度、上記検査座標検出手段から得られる走査方向の座標位置、上記照明スポットの大きさのうちのいずれか一つまたは複数の組み合わせに基づき算出された上記一定の時間幅を有する信号を抽出することを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項３】
請求項２に記載の欠陥検査装置において、上記低周波除去部は、上記走査移動ステージの主走査回転速度、上記検査座標検出手段から得られる走査方向の座標位置、上記照明スポットの大きさのうちのいずれか一つまたは複数の組み合わせに基づき算出された低周波数成分を上記光検出器から出力された信号から除去することを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項４】
請求項２に記載の欠陥検査装置において、上記監視期間判定部は、上記低周波除去部からの出力信号のうち、一定のしきい値以上の信号のみ通過させるしきい値判定部と、このしきい値判定部から出力された信号のうち、一定の時間幅を有する信号のみを通過させる監視期間判定器と、この監視期間判定器から出力された信号のうち、上記一定のしきい値より大のしきい値より大きい信号強度を有する信号を選択する信号選別器とを有することを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項５】
請求項２に記載の欠陥検査装置において、上記走査移動ステージの主走査回転速度、上記検査座標検出手段から得られる走査方向の座標位置、上記照明スポットの大きさのうちの少なくとも1つを操作者が入力する入力部を備えることを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項６】
被検査物体表面上または表面近傍内部に存在する異物や欠陥を検出する欠陥検査方法において、
被検査物体にレーザ光を走査して、被検査物体表面上の予め定められた大きさの照明スポットを照射し、
上記照明スポットからの光を検出して電気信号に変換し、
上記電気信号に変換された信号のうち、被検査物体の異物・欠陥から発生される信号とは異なる低周波成分を除去し、
上記低周波成分が除去された信号のうちの一定の時間幅を有する信号を抽出し、
上記一定の時間幅を有する信号のうち、一定信号強度以上の信号を選択し、
上記定信号強度以上の信号に基づいて、上記被検査物体表面上または表面近傍内部に存在する異物や欠陥の大きさを算出することを特徴とする欠陥検査方法。
【請求項７】
請求項６に記載の欠陥検査方法において、上記一定の時間幅は、上記被検査物体の主走査回転速度、上記被検査物体の走査方向の座標位置、上記照明スポットの大きさのうちのいずれか一つまたは複数の組み合わせに基づき算出されることを特徴とする欠陥検査方法。
【請求項８】
請求項７に記載の欠陥検査方法において、上記被検査物体の主走査回転速度、上記被検査物体の走査方向の座標位置、上記照明スポットの大きさのうちのいずれか一つまたは複数の組み合わせに基づき算出された低周波数成分を除去することを特徴とする欠陥検査方法。
【請求項９】
請求項７に記載の欠陥検査方法において、上記低周波が除去された信号のうち、一定のしきい値以上の信号のみ通過させ、通過させた信号のうち、一定の時間幅を有する信号のうち、上記一定のしきい値より大のしきい値より大きい信号強度を有する信号を選択し、上記定信号強度以上の信号に基づいて、上記被検査物体表面上または表面近傍内部に存在する異物や欠陥の大きさを算出することを特徴とする欠陥検査方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の欠陥検査方法において、上記被検査物体の主走査回転速度、上記被検査物体の走査方向の座標位置、上記照明スポットの大きさのうちの少なくとも1つを操作者が入力部により設定することを特徴とする欠陥検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、被検査物表面の欠陥を検査する装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
被検査物の表面検査において、例えば、半導体デバイスの製造工程では、ベアウェーハにパターンを転写し、エッチングで削ることによって回路を形成してゆく。回路を形成していく様々な半導体デバイスの製造工程において、ウェーハ表面に付着した異物や欠陥などは歩留まりを低下させる大きな要因となっている。
【０００３】
ウェーハ表面に付着した異物や欠陥は各製造工程において管理されており、ベアウェーハ表面に付着している異物やウェーハ表面に存在する欠陥などを高感度、及び、高スループットで検出するのが、表面検査装置である。
【０００４】
ウェーハ上の異物、欠陥を検査する方法としては、電子ビーム等の荷電粒子線を用いる方法と、光を用いる方法とに大別され、光を用いる方法はカメラを用いてウェーハ表面の画像を撮影し、画像情報を解析するものと、ウェーハ表面で散乱された光を光電子増倍管のような受光素子で検出し光の散乱の程度を解析するものがある。
【０００５】
なお、光の散乱の程度を解析する一例として特許文献１に記載のものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６３−１４３８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
レーザ光をウェーハ上に照射する方式の表面検査装置は、一般に、レーザ光をウェーハ表面に照射し、照射によって異物から発生する散乱光を検出器で検出し、Ａ／Ｄ変換を行い、Ａ／Ｄ変換後のデジタルデータから、異物・欠陥の大きさを算出する。
【０００８】
表面検査の高スループット化のため、ワーク（ウェーハ）を搭載した検査テーブルを高速で回転させ、一軸方向に水平に検査テーブルを搭載したステージを走査させる方式となっている。異物・欠陥の大きさ情報とステージからの座標情報をもとに、ワーク全面の異物・欠陥マップを算出する。
【０００９】
検出対象の異物・欠陥から発生する信号とは別に、表面状態、膜種や膜厚，表面粗さによって、被検査物からの反射光には低周波変動成分が含まれる。また、被検査物移動手段からの振動等の影響でも、低周波数成分が発生する。
【００１０】
この低周波数成分は、照明光の大きさ、被検査物移動手段の速度、移動位置からなるパラメータで決定されるため、一定ではない。
【００１１】
従来技術においては、この低周波数成分をフィルタにより、除去または抑制していたが、カットオフ周波数設定は回路定数によって定まるため柔軟に変化させるのは困難であることから、前記各種条件に対応させて低周波成分を除去することが困難であった。
【００１２】
また、通過信号の歪を考慮すると、通過信号帯域には余裕を持たせる必要があるため、減衰周波数帯域を十分広くとることは難しく、精度よく低周波数成分を除去または抑制することが困難であった。
【００１３】
従って、低周波成分をカットするためのフィルタ通過後に残留する低周波変動成分の分だけ、異物信号検出判定しきい値レベルを、嵩上げさせる必要があり、検出感度がこの分、劣化するという課題があった。
【００１４】
また、表面状態、膜種や膜厚、表面粗さによって、異物・欠陥から発生する反射光自体も変化しており、一定のしきい値では、条件の変化に対応することができず、高精度な異物・欠陥の検出が困難であるという課題があった。
【００１５】
本発明の目的は、膜種、膜厚、表面粗さ、結晶方位などの異なる多種多様なウェーハに対応できる欠陥検出精度が向上可能な欠陥検査装置及び欠陥検査方法を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明は次のように構成される。
【００１７】
欠陥検査装置において、被検査物体が配置され、被検査物体にレーザ光を走査させるための走査移動ステージと、レーザ光源と、上記レーザ光源から発せられるレーザ光を被検査物体表面上の予め定められた大きさの照明スポットに照射する照明ユニットと、上記照明スポットからの光を検出して電気信号に変換するする光検出器と、上記光検出器から出力された信号のうち、被検査物体の異物・欠陥から発生される信号とは異なる低周波成分を除去する低周波除去部と、上記低周波除去部からの出力信号のうちの一定の時間幅を有する信号を抽出する監視期間判定部と、上記監視期間判定部により出力された信号のうち、一定信号強度以上の信号を選択する信号選択器と、上記信号選択器からの出力信号に基づいて、上記被検査物体表面上または表面近傍内部に存在する異物や欠陥の大きさを算出する粒径算出部とを備える。
【００１８】
また、欠陥検査方法において、被検査物体にレーザ光を走査して、被検査物体表面上の予め定められた大きさの照明スポットを照射し、上記照明スポットからの光を検出して電気信号に変換し、上記電気信号に変換された信号のうち、被検査物体の異物・欠陥から発生される信号とは異なる低周波成分を除去し、上記低周波成分が除去された信号のうちの一定の時間幅を有する信号を抽出し、上記一定の時間幅を有する信号のうち、一定信号強度以上の信号を選択し、上記定信号強度以上の信号に基づいて、上記被検査物体表面上または表面近傍内部に存在する異物や欠陥の大きさを算出する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、膜種、膜厚、表面粗さ、結晶方位などの異なる多種多様なウェーハに対応できる欠陥検出精度が向上可能な欠陥検査装置及び欠陥検査方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例１である異物・欠陥検出方法を用いた異物・欠陥検査装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施例１における照明・光学系を示す図である。
【図３】本発明の実施例１における走査の説明図である。
【図４】本発明の実施例１における異物・欠陥信号の走査位置違いによる差（信号幅差）を示す図である。
【図５】本発明の実施例１における異物・欠陥信号としきい値とを示す図である。
【図６】本発明の実施例１における非線形処理部の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付図面を用いて、本発明の実施例を説明するが、本発明の装置及び方法は、各図面に示された構成に限定されるものではなく、その技術思想の範囲内で種々変形可能である。
【実施例１】
【００２２】
図１に、本発明の実施例１である異物・欠陥検出方法を用いた異物・欠陥検査装置の概略構成図である。
【００２３】
図１において、被検査物体である半導体ウェーハ１００はチャック１０１に真空吸着されており、このチャック１０１は、回転ステージ１０３と並進ステージ１０４から成る被検査物体移動ステージ１０２、Ｚステージ１０５上に搭載されている。回転ステージ１０３にて回転移動を行い、並進ステージ１０４にて並進移動を行う。
【００２４】
図２は、半導体ウェーハ１００の上方に配置されている照明・検出光学系１１０を示す側面（Ａ）及び平面（Ｂ）を示す図である。図２において、照明光の光源２００にはレーザ光源を用いる。光源２００から出た照射ビーム２０１は照射レンズ（照明ユニット）２０２に入射し、予め定められた大きさの照明スポット２０３を形成する。照明光は例えばＰ偏光であり、被検査物体である半導体ウェーハ１００の表面に、概略、結晶Ｓｉに対するブリュースター角で斜入射するように構成されている。
【００２５】
このため、照明スポット２０３は概略楕円形状をしており、照度が照明スポット中心部のｅの２乗分の１（ｅは自然対数の底）に低下する輪郭線の内部を、ここであらためて照明スポットと定義することにする。
【００２６】
この照明スポット２０３の長軸方向の幅２０４をｄ１、短軸方向の幅２０５をｄ２とする。照明スポット２０３は、図２の（Ｂ）における点線の矢印で示すように角度方向走査２０８を行う。
【００２７】
図３に示すように被検査物体移動ステージ１０２は、回転移動と並進移動とを時間と共に組合せて変化させることで、相対的に照明スポット２０３を半導体ウェーハ１００の概略全表面上で螺旋状に走査させる。回転ステージ１０３が１回転する間に、走査はｄｒだけ移動する。ｄＲ＞ｄ１であると、半導体ウェーハ１００上で螺旋状走査において照明光が照射されず、検査されない隙間領域ができてしまうので、通常、ｄｒ＜ｄ１に設定する。本発明の実施例１では、照明スポット２０３の走査は半導体ウェーハ１００の内周から外周に向かって行うが、逆であっても差し支えない。
【００２８】
また、本発明の実施例１では、半導体ウェーハ１００の内周から外周までの概略全領域で、回転ステージ１０３を概略角速度一定で、かつ並進ステージ１０４を概略線速度一定で駆動させる。
【００２９】
図４は、前記走査の結果、半導体ウェーハ１００の表面に対する照明スポット２０３の相対移動線速度が、内周部に比べて外周部で大きくなることを示す図である。
【００３０】
被検査物体移動ステージ１０２には、検査中のウェーハ１００の主走査座標位置（角度）と副走査座標位置（距離）を検出するために、検査座標検出部１０６が取り付けてある。本実施例１では、主走査座標位置（角度）の検出に光学読み取り式のロータリーエンコーダを用い、副走査座標位置（距離）に光学読み取り式のリニアエンコーダを用いているが、共に、高精度で角度または直線上の位置が検出できるセンサであれば、他の検出原理を用いたものでも良い。
【００３１】
集光レンズ２０９は、レーリー散乱に従うような微小な異物に対して効率良くその散乱光を捕捉できるよう、低い仰角で散乱光を集光できる構成にしてある。この構成において、異物・欠陥２０６からの散乱光は、集光レンズ２０９を通過し、光検出器２０７で検出される。
【００３２】
光検出器２０７からは光散乱光信号が得られる。本発明の実施例１では光検出器２０７として光電子増倍管を用いているが、異物からの散乱光を高感度に検出できる光検出器であれば他の検出原理の光検出器であっても良い。
【００３３】
前述のように本実施例では、半導体ウェーハ１００の内周から外周までの概略全領域で、回転ステージ１０３を概略角速度一定で駆動させており、半導体ウェーハ１００の表面に対する照明スポット２０３の相対移動線速度は、内周に比べて外周で大きくなる。そのため、半導体ウェーハ１００上にある異物が照明スポット２０３の短軸方向幅２０５の距離ｄ２を横切る時間は、異物２０６が半導体ウェーハ１００の外周部にあるときは、内周部にあるときに比べて短い。そのため、光検出器２０７から増幅器１１１（図１に示す）を経て得られる散乱光信号の信号強度の時間変化波形は、一般的に、図４に示すように、外周部すなわち異物２０６が走査方向の半径位置が大きい場所にあるほど、信号ピークの半値幅が小さくなる。
【００３４】
次に、本発明の実施例１における信号処理を説明する。
【００３５】
光検出器２０７からの散乱光信号は増幅器１１１で増幅された後、図１に示すＡ／Ｄ変換器１１２で予め定められたサンプリング間隔ｄＴ毎にサンプリングされ、デジタルデータに変換される。サンプリング間隔ｄＴは図４に示す信号波形を十分な時間分解能でサンプリングできるように決める。
【００３６】
例えば、図４における最小信号波形幅である最外周部での半値幅をｄＳｏｕｔとすると、ｄＴ＝ｄＳｏｕｔ÷１０とする。このサンプリングにより、図４に示す信号波形に対応する時系列デジタルデータ群が得られる。
【００３７】
ところで、この時系列デジタルデータ群は、本来必要とする、検出された異物・欠陥の大きさに対応する散乱光の強度情報の他に、図５に示すように低周波数の信号成分５００を含んでいる。
【００３８】
一般に、低周波数の信号成分は、被検査物体移動ステージ１０２の主走査回転速度、座標検出部１０６から得られる走査方向の座標位置、照明スポットの大きさ、更に被検査物体表面上の、作成された膜種や膜厚、表面粗さ、結晶方位、反り量、によって変化するため一定値とはならない。
【００３９】
そこで、異物・欠陥の大きさを正しく算出するためには、一定の低周波数成分を除去した後に、低周波成分の変動分を考慮して、異物・欠陥の判定レベルを高くする必要がある。
【００４０】
異物・欠陥の判定レベルを高くすると、異物・欠陥の検出感度が劣化してしまう。
【００４１】
そこで、本発明の実施例１においては、散乱光の強度情報から一定の低周波成分を除去した後、信号の幅成分も異物・欠陥検出の要素とすることにより、異物・欠陥を判定する信号強度判定レベルを低い値に設定可能とし、異物・欠陥の検出感度を向上することができるように構成している。
【００４２】
以下、上記構成について説明する。
【００４３】
本発明の実施例１では、Ａ／Ｄ変換器１１２からのデジタルデータに対して、デジタルフィルタリングの一例として可変ローパスフィルタ１１４処理を行い、低周波数成分のみのデータを作成して、Ａ／Ｄ変換器１１２からのデータから減算器１１５にて減算している。
【００４４】
ここで、可変ローパスフィルタ１１４のパラメータの一例であるカットオフ周波数の値は、被検査物体移動ステージ１０２の回転数、座標検出部１０６から得られる走査方向の座標位置、照明スポットの大きさ、更に被検査物体表面上の、作成された膜種や膜厚、表面粗さ、結晶方位、反り量、の情報を基に、演算器１１６にて設定される。この演算器１１６の算出パラメータは検査座標検出部１０６と上位ＣＰＵ１０７からの情報に基づくものであり、次式（１）にて表すことができる。
【００４５】
カットオフ周波数＝1÷(照明スポット短径÷回転数÷(２×円周率×半径座標位置））÷Ａ      ・・・（１）
なお、上記式（１）において、Ａは、膜種、膜厚、表面粗さ、結晶方位、反り量から規定される係数である。この係数Ａは、ウエーハ種毎に実験により算出される。
【００４６】
また、照明スポットの大きさ、被検査物体表面上の、作成された膜種、膜厚、表面粗さ、結晶方位、反り量は、入力部１１９を介して、ユーザー（操作者）にて設定し、検査装置内にて演算する。
【００４７】
この入力部１１９としては、キーボード又はマウス等のポンテイングデバイスを用いてもよい。また、前述の必要な情報を記憶した独立したメモリを図示しないインターフェースを介して、検査装置へ入力してもよい。
【００４８】
減算器１１５により低周波成分が除去されて得られた散乱光強度値は、非線形フィルタ処理部１１８にて信号時間幅を用いたノイズ除去が行われ、異物・欠陥判定部１０８で、予め定められた検出しきい値と比較され、散乱光強度値がしきい値以上であれば、異物・欠陥判定部１０８は異物・欠陥判定情報を発生する。
【００４９】
異物・欠陥判定情報が発生すると、異物・欠陥座標検出部１０９は検査座標検出部１０６からの情報に基づいて、検出された異物・欠陥の座標位置を算出する。また、粒径算出部１１７は散乱光強度値から、検出された異物・欠陥の大きさを算出する。
【００５０】
このように本発明の実施例１では、増幅器１１１から得られた信号に対して、可変ローパスフィルタ処理をして低周波数成分の影響を取り除いた後に異物・欠陥の大きさを算出する。
【００５１】
図５に示すように、異物・欠陥信号５０１が低周波数成分５００に重畳した信号に対して、低周波数分除去処理５０２を行い、検出信号５０６が得られる。この状態でのしきい値５０５では、低周波成分が除去されない状態でのしきい値５０４より、低いレベルとすることができるものの、小さな異物・欠陥信号５０３は、検出することができない。
【００５２】
これに対して、非線形フィルタ処理５０７にて弁別５０８を行うことにより、一定のパルス幅以上の信号を抽出し、抽出した信号５１０、５１１に対して、しきい値以上か否かを判断することにより、異物・欠陥信号か否かを判断する。
【００５３】
このため、弁別処理５０８により抽出された信号に対するしきい値５０９を下げることが可能となり、従来検出できなかった異物・欠陥信号５１１を適切に検出可能となる。
【００５４】
非線形フィルタ処理５０７は、被検査物体移動ステージ１０２の回転数、座標検出部１０６から得られる走査方向の座標位置、照明スポットの大きさの条件から求まる異物・欠陥検出信号の半値幅を基に、規定監視時間（幅）５１２を算出し、低レベルノイズ信号のうちの低レベルノイズ信号等を除去するため、異物・欠陥検出信号が規定しきい値５１３以上である期間が規定監視時間５１２以上である信号のみ、元データを通過させるように構成する。規定監視時間５１２以上の時間幅を有する信号が欠陥や異物による信号と判断可能であるからである。
【００５５】
規定監視時間５１２は、次式（２）により表すことができる。
【００５６】
規定監視時間＝照明スポット短径÷(２×円周率×半径座標位置×回転数)÷２      ・・・（２）
規定監視時間５１２は、演算器１１６によって算出される。なお、上記式（２）に示された半径座標位置等の要素は、式（１）と同様である。
【００５７】
また、照明スポット短径、半径座標位置、回転数の一つ以上の要素を入力手段１１９を用いて操作者が入力してすることもできる。
【００５８】
図６に非線形フィルタ処理部１１８の内部構成例を示す図である。図６において、減算器１１５からの出力信号、つまり、非線形フィルタ入力５３０と規定しきい値５１３がしきい値判定器５１４に供給される。
【００５９】
しきい値判定器５１４は、規定しきい値５１３よりも大きいデータのみを通過させ、回路遅延器５１６で遅延された後、監視期間判定器５１５に供給される。監視期間判定器５１５では、規定監視時間５１２よりも長いデータのみを通過させ、回路遅延器５１７と信号選別器５１９へ供給する。
【００６０】
回路遅延器５１７に供給された信号は、信号選択器５１８を介して信号選択器５１９へ供給される。信号選別器５１９は、監視機関判定器５１５の判定情報を基に信号しきい値５０９以上のデータを選別し、非線形フィルタ信号５３１を異物・欠陥判定部１０８に出力する。
【００６１】
以上のように、本発明の実施例によれば、被検査物体であるウェーハ１００表面からの反射光から得られた信号について、低周波成分をカットした後、照明スポット短径、半径座標位置、ウェーハ回転数に基づいて得られる規定監視時間より長い時間幅を一定信号強度レベル以上において有する信号のみ通過させ、その後、小さな異物を検出可能なしきい値５０９に基づいて、異物・欠陥を検出するように構成している。
【００６２】
したがって、膜種、膜厚、表面粗さ、結晶方位などの異なる多種多様なウェーハに対応できる欠陥検出精度が向上可能な欠陥検査装置及び欠陥検査方法を実現することができる。
【００６３】
なお、上述した実施例では、不所望の低周波数変動成分をローパスフィルタ１１４による処理により抽出した後に、元のデジタルデータから差し引くことで、低周波数変動成分を除去しているが、低周波数変動成分を直接除去するハイパスフィルタ処理またはバンドパスフィルタ処理を用いるよう構成しても、もちろん構わない。
【００６４】
また、上述した例においては、低周波のカットオフ周波数を、照明スポット短径、ステージの走査回転数、半径座標位置に基づいて算出しているが、これらの算出要素の関係なく予め定めた一定の低周波のカットオフ周波数により、低周波をカットする構成であっても、本発明は適用可能である。
【００６５】
また、表面検査の結果は、図示しない出力部から出力される。この出力部としては、表示装置又はプリンタ等の印刷装置を用いてもよい。
【００６６】
また、結果情報を図示しないインターフェースを介して、検査装置に内蔵したメモリへ記憶させてもよい。または、結果情報を図示しないインターフェースを介して、独立したメモリへ記憶させてもよい。
【００６７】
また、規定監視時間５１２は、式（２）により算出する例を示したが、規定監視時間は、照明スポット短径、円周率、半径座標位置、ステージの走査回転数にうちのいずれか一つ又は二つ以上の組み合わせに基づいて決定してもよい。
【００６８】
同様に、カットオフ周波数は、式（１）により算出する例を示したが、規定監視時間は、照明スポット短径、円周率、半径座標位置、ステージの走査回転数にうちのいずれか一つ又は二つ以上の組み合わせに基づいて決定してもよい。
【００６９】
また、可変ローパスフィルタ１１４は、高周波ノイズ成分等を除去するために、帯域制限フィルタとすることも可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１００・・・半導体ウェーハ、１０１・・・チャック、１０２・・・被検査物体移動ステージ、１０３・・・回転ステージ、１０４・・・並進ステージ、１０５・・・Ｚステージ、１０６・・・検査座標検出部、１０７・・・上位ＣＰＵ、１０８・・・異物・欠陥判定部、１０９・・・異物・欠陥座標検出部、１１０・・・照明・検出光学系、１１１・・・増幅器、１１２・・・Ａ／Ｄ変換器、１１４・・・可変ローパスフィルタ、１１５・・・減算器、１１６・・・演算器、１１７・・・粒径算出部、１１８・・・非線形フィルタ処理部、１１９・・・入力手段、２００・・・照明光の光源、２０１・・・照射ビーム、２０２・・・照射レンズ、２０３・・・照明スポット、２０６・・・異物・欠陥、２０７・・・光検出器、２０９・・集光レンズ、５００・・・低周波数の信号成分、５０１・・・異物・欠陥信号が低周波数成分に畳重、５０２・・・低周波数分除去を行う、５０３・・・小さな異物・欠陥信号、５０４・・・従来しきい値、５０５・・・低周波数分除去後しきい値、５０６・・・低周波数分除去後の検出信号、５０７・・・非線形フィルタ処理、５０８・・・弁別処理、５０９・・・低周波数分除去、非線形フィルタ後のしきい値、５１０・・・検出信号、５１１・・・従来検出できなかった異物・欠陥信号、５１２・・・規定監視時間、５１３・・・規定しきい値、５１４・・・しきい値判定器、５１５・・・監視期間判定器、５１６・・・回路遅延器、５１７・・・回路遅延器、５１８・・・信号選択器、５１９・・・信号選別器、５３０・・・非線形フィルタ入力、５３１・・・非線形フィルタ出力
【図１】
2010210568.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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