(57)【要約】【課題】遮光層が腐食する可能性が低い固体撮像装置を含む画像読取装置を提供する。【解決手段】光源と、固体撮像装置と、を含み、前記固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に配置された複数の画素と、前記半導体基板に配置され、前記画素に電気的に接続された回路と、を有し、前記回路は、複数の層間絶縁層と、平面視において隣り合う前記画素の間に位置する遮光層と、複数の前記層間絶縁層のうちの最上層に配置された配線層と、前記最上層に配置され、前記配線層を覆う被覆層と、を有し、前記被覆層は、窒化シリコン層を有し、前記被覆層には、平面視において前記画素および前記遮光層と重なる位置に、前記窒化シリコン層を貫通する第１開口部が設けられ、前記遮光層は、前記最上層よりも下層の前記層間絶縁層に配置され、前記遮光層は、前記第１開口部の底面よりも下方に位置している、画像読取装置。【選択図】図２
2020191319.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から照射された光が被読取媒体で反射した光に基づき、前記被読取媒体に形成されている画像を読み取る固体撮像装置と、
を含み、
前記固体撮像装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板に配置された複数の画素と、
前記半導体基板に配置され、前記画素に電気的に接続された回路と、
を有し、
前記回路は、
複数の層間絶縁層と、
平面視において隣り合う前記画素の間に位置する遮光層と、
複数の前記層間絶縁層のうちの最上層に配置された配線層と、
前記最上層に配置され、前記配線層を覆う被覆層と、
を有し、
前記被覆層は、窒化シリコン層を有し、
前記被覆層には、平面視において前記画素および前記遮光層と重なる位置に、前記窒化シリコン層を貫通する第１開口部が設けられ、
前記遮光層は、前記最上層よりも下層の前記層間絶縁層に配置され、
前記遮光層は、前記第１開口部の底面よりも下方に位置している、画像読取装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記回路は、
前記最上層に配置され、前記被覆層に覆われたパッドを有し、
前記被覆層には、平面視において前記パッドと重なる位置に、前記被覆層を貫通する第２開口部が設けられている、画像読取装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記層間絶縁層は、酸化シリコン層である、画像読取装置。
【請求項４】
半導体基板に、複数の画素を形成する工程と、
前記半導体基板に、前記画素に電気的に接続され、複数の層間絶縁層を有する回路を形成する工程と、
を含み、
前記回路を形成する工程は、
平面視において隣り合う前記画素の間に位置する遮光層を形成する工程と、
複数の前記層間絶縁層のうちの最上層に、配線層を形成する工程と、
前記最上層に、前記配線層を覆い、窒化シリコン層を有する被覆層を形成する工程と、
平面視において前記画素および前記遮光層と重なる位置に、前記窒化シリコン層を貫通する第１開口部を形成する工程と、
を含み、
前記遮光層は、前記最上層よりも下層の前記層間絶縁層に形成され、
前記遮光層は、前記第１開口部の底面よりも下方に位置する、固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記回路を形成する工程では、
前記最上層にパッドを形成し、
前記被覆層を形成する工程では、
前記パッドを覆う前記被覆層を形成し、
前記第１開口部を形成する工程では、
前記被覆層の平面視において前記パッドと重なる位置に、前記被覆層を貫通する第２開口部を形成する、固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記層間絶縁層は、酸化シリコン層である、固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像読取装置および固体撮像装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサーなどの固体撮像装置を用いたスキャナー等の画像読取装置や、これに印刷機能を加えたコピー機や複合プリンターなどが開発されている。
【０００３】
近年、固体撮像装置の用途は、民生向けから産業向けへと拡大している。産業向けでは、高温高湿環境下での使用も想定される。そのため、ＣＯＭＳイメージセンサーのＩＣ（Integrated Circuit）を保護するためのパッシベーション膜として、耐湿性の高い膜を用いる必要がある。
【０００４】
例えば特許文献１では、パッシベーション膜として、酸化シリコン膜よりも耐湿性に優れた窒化シリコン膜を用いたＣＭＯＳ固体撮像素子が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２９５９５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、フォトダイオードが設けられた画素部の上方にも窒化シリコン膜が配置されている。窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜よりも屈折率が高いため、大気中からパッシベーション膜に光が入射する場合には、窒化シリコン膜の方が反射率が高い。そのため、特許文献１では、画素部に入射する光量が少なくなり、感度が低下する場合がある。
【０００７】
しかしながら、画素部の上方の窒化シリコン膜を除去すると、オーバーエッチによって回路を構成する配線層などが露出して腐食してしまう場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る画像読取装置の一態様は、
光源と、
前記光源から照射された光が被読取媒体で反射した光に基づき、前記被読取媒体に形成されている画像を読み取る固体撮像装置と、
を含み、
前記固体撮像装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板に配置された複数の画素と、
前記半導体基板に配置され、前記画素に電気的に接続された回路と、
を有し、
前記回路は、
複数の層間絶縁層と、
平面視において隣り合う前記画素の間に位置する遮光層と、
複数の前記層間絶縁層のうちの最上層に配置された配線層と、
前記最上層に配置され、前記配線層を覆う被覆層と、
を有し、
前記被覆層は、窒化シリコン層を有し、
前記被覆層には、平面視において前記画素および前記遮光層と重なる位置に、前記窒化シリコン層を貫通する第１開口部が設けられ、
前記遮光層は、前記最上層よりも下層の前記層間絶縁層に配置され、
前記遮光層は、前記第１開口部の底面よりも下方に位置している。
【０００９】
前記画像読取装置の一態様において、
前記回路は、
前記最上層に配置され、前記被覆層に覆われたパッドを有し、
前記被覆層には、平面視において前記パッドと重なる位置に、前記被覆層を貫通する第２開口部が設けられていてもよい。
【００１０】
前記画像読取装置の一態様において、
前記層間絶縁層は、酸化シリコン層であってもよい。
【００１１】
本発明に係る固体撮像装置の製造方法の一態様は、
半導体基板に、複数の画素を形成する工程と、
前記半導体基板に、前記画素に電気的に接続され、複数の層間絶縁層を有する回路を形成する工程と、
を含み、
前記回路を形成する工程は、
平面視において隣り合う前記画素の間に位置する遮光層を形成する工程と、
複数の前記層間絶縁層のうちの最上層に、配線層を形成する工程と、
前記最上層に、前記配線層を覆い、窒化シリコン層を有する被覆層を形成する工程と、
平面視において前記画素および前記遮光層と重なる位置に、前記窒化シリコン層を貫通する第１開口部を形成する工程と、
を含み、
前記遮光層は、前記最上層よりも下層の前記層間絶縁層に形成され、
前記遮光層は、前記第１開口部の底面よりも下方に位置する。
【００１２】
前記固体撮像装置の製造方法の一態様において、
前記回路を形成する工程では、
前記最上層にパッドを形成し、
前記被覆層を形成する工程では、
前記パッドを覆う前記被覆層を形成し、
前記第１開口部を形成する工程では、
前記被覆層の平面視において前記パッドと重なる位置に、前記被覆層を貫通する第２開口部を形成してもよい。
【００１３】
前記固体撮像装置の製造方法の一態様において、
前記層間絶縁層は、酸化シリコン層であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態に係る複合機の外観を模式的に示す斜視図。
【図２】第１実施形態に係る複合機のスキャナーユニットの内部構造を模式的に示した斜視図。
【図３】第１実施形態に係る複合機のイメージセンサーモジュールの構成を模式的に示す分解斜視図。
【図４】第１実施形態に係る複合機の複数の固体撮像装置を模式的に示す平面図。
【図５】第１実施形態に係る複合機の固体撮像装置を模式的に示す平面図。
【図６】第１実施形態に係る複合機の固体撮像装置を模式的に示す断面図。
【図７】第１実施形態に係る複合機の固体撮像装置を模式的に示す断面図。
【図８】第１実施形態に係る複合機の固体撮像装置の製造方法を説明するためのフローチャート。
【図９】第１実施形態に係る複合機の固体撮像装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】第１実施形態に係る複合機の固体撮像装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１１】第１実施形態に係る複合機の固体撮像装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１２】第１実施形態に係る複合機の固体撮像装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１３】第１実施形態に係る複合機の固体撮像装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１４】第１開口部が設けられていない固体撮像装置を模式的に示す平面図。
【図１５】第１開口部が設けられていない固体撮像装置を模式的に示す断面図。
【図１６】ディッシングが発生する固体撮像装置を模式的に示す平面図。
【図１７】ディッシングが発生する固体撮像装置を模式的に示す断面図。
【図１８】第１実施形態の変形例に係る複合機の固体撮像装置を模式的に示す平面図。
【図１９】第１実施形態の変形例に係る複合機の固体撮像装置を模式的に示す断面図。
【図２０】第２実施形態に係る複合機の固体撮像装置を模式的に示す平面図。
【図２１】第２実施形態に係る複合機の固体撮像装置を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００１６】
１．  第１実施形態
１．１．  複合機
１．１．１．  構成
第１実施形態に係る複合機１０００について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る複合機１０００の外観を模式的に示す斜視図である。
【００１７】
複合機１０００は、図１に示すように、画像記録装置であるプリンターユニット４０２と、画像読取装置であるスキャナーユニット４０３と、を含む。具体的には、複合機１０００は、装置本体であるプリンターユニット４０２と、プリンターユニット４０２の上部に設けられたアッパーユニットであるスキャナーユニット４０３と、を一体に備えている。なお、以下、図１においての前後方向をＸ軸方向とし、左右方向をＹ軸方向として説明する。
【００１８】
プリンターユニット４０２は、図１に示すように、枚葉の記録媒体、すなわち印刷用紙や単票紙を送り経路に沿って送る図示しない搬送部と、送り経路の上方に設けられ、記録媒体にインクジェット方式で印刷処理を行う図示しない印刷部と、前面に設けられたパネル形式の操作部４６３と、搬送部、印刷部および操作部４６３を搭載した図示しない装置フレームと、これらを覆う装置ハウジング４６５と、を備えている。装置ハウジング４６５には、印刷を終えた記録媒体が排出される排出口４６６が設けられている。また、図示は省略するが、後面下部には、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）ポートおよび電源ポートが設けられている。すなわち、複合機１０００は、ＵＳＢポートを介してコンピューター等に接続可能に構成されている。
【００１９】
スキャナーユニット４０３は、後端部のヒンジ部４０４を介してプリンターユニット４０２に回動自在に支持されており、プリンターユニット４０２の上部を開閉自在に覆っている。すなわち、スキャナーユニット４０３を回動方向に引き上げることで、プリンターユニット４０２の上面開口部を露出させ、当該上面開口部を介して、プリンターユニット４０２の内部が露出させる。一方、スキャナーユニット４０３を回動方向に引き降ろし、プリンターユニット４０２上に載置することで、スキャナーユニット４０３によって当該上面開口部を閉塞する。このように、スキャナーユニット４０３を開放することで、インクカートリッジの交換や紙詰まりの解消等が可能な構成となっている。
【００２０】
図２は、スキャナーユニット４０３の内部構造を模式的に示した斜視図である。図１および図２に示されるように、スキャナーユニット４０３は、筐体であるアッパーフレーム４１１と、アッパーフレーム４１１に収容された画像読取部４１２と、アッパーフレーム４１１の上部に回動自在に支持された上蓋４１３と、を備えている。図２に示すように、アッパーフレーム４１１は、画像読取部４１２を収容する箱型の下ケース４１６と、下ケース４１６の天面を覆う上ケース４１７と、を備えている。上ケース４１７には、ガラス製の図示しない原稿載置板、すなわち原稿台が広く配設されており、被読取面を下にした被読取媒体、すなわち原稿をこれに載置する。一方、下ケース４１６は、上面を開放した浅い箱状に形成されている。
【００２１】
図３は、イメージセンサーモジュール４２０の構成を模式的に示す分解斜視図である。図３に示される例では、イメージセンサーモジュール４２０は、ケース４２１、光源４２２、レンズ４２３、モジュール基板４２４、および画像を読み取るための固体撮像装置１００を含んで構成されている。光源４２２、レンズ４２３、および固体撮像装置１００は、ケース４２１とモジュール基板４２４との間に収容されている。ケース４２１には、スリットが設けられている。光源４２２は、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの各発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）を有し、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、および青色ＬＥＤを高速に切り換えながら順番に発光させる。光源４２２が発する光は、当該スリットを介して被読取媒体へ照射され、被読取媒体からの光は、当該スリットを介してレンズ４２３に入力される。レンズ４２３は、入力された光を固体撮像装置１００へと導く。
【００２２】
固体撮像装置１００は、光源４２２から照射された光が被読取媒体で反射した光に基づき、当該被読取媒体に形成されている画像を読み取る。具体的には、固体撮像装置１００では、入射した光に応じて、画素２にキャリアが蓄積される。画素２と電気的に接続された出力回路は、画素２に蓄積されたキャリアの量に応じた電圧を読み出して増幅し、出力信号として出力する。スキャナーユニット４０３では、出力回路によって画素２ごとに出力された出力信号に基づいて、画像を生成する。
【００２３】
図４は、複数の固体撮像装置１００を模式的に示す平面図である。図４に示されるように、複数の固体撮像装置１００は、モジュール基板４２４上にＸ軸方向に並んで配置されている。固体撮像装置１００のＸ軸方向の大きさは、例えば、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下である。
【００２４】
１．１．２．  固体撮像装置
次に、固体撮像装置１００について、図面を参照しながら説明する。図５は、固体撮像装置１００を模式的に示す平面図である。図６は、固体撮像装置１００を模式的に示す図５のＶＩ−ＶＩ線断面図である。図７は、固体撮像装置１００を模式的に示す図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。なお、図５〜図７では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【００２５】
固体撮像装置１００は、図５〜図７に示すように、例えば、半導体基板１０と、画素２を構成する不純物領域２０，２２と、ピニング層３０と、回路１０２と、を含む。回路１０２は、不純物領域２４，２６，２８と、電極層４０と、層間絶縁層５０，５２，５４と、被覆層５６と、プラグ６０，６２，６４と、遮光層７０，７２と、配線層８０，８２，８４と、パッド９０と、を含む。なお、便宜上、図５では、層間絶縁層５２，５４および被覆層５６の図示を省略している。
【００２６】
半導体基板１０は、例えば、第１導電型の半導体基板である。第１導電型は、例えば、ｎ型である。半導体基板１０は、例えば、シリコンにリンなどの不純物が添加されたｎ型のシリコン基板である。半導体基板１０の不純物濃度は、例えば、５×１０１４ａｔｏｍ／ｃｍ３程度である。不純物濃度は、例えば、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectroscopy）によって測定することができる。
【００２７】
第１不純物領域２０は、半導体基板１０に配置されている。第１不純物領域２０は、第１導電型と異なる第２導電型の不純物領域である。第２導電型は、例えば、ｐ型である。第１不純物領域２０は、例えば、シリコンにボロンなどの不純物領域が添加されたｐ型の不純物領域である。第１不純物領域２０の不純物濃度は、例えば、１×１０１５ａｔｏｍ／ｃｍ３以上１×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ３以下である。第１不純物領域２０には、例えば、グランド電位が印加される。グランド電位は、例えば、０Ｖである。
【００２８】
第２不純物領域２２は、第１不純物領域２０に配置されている。第２不純物領域２２の深さは、第１不純物領域２０の深さよりも小さい。第２不純物領域２２は、例えば、シリコンにリンなどの不純物領域が添加されたｎ型の不純物領域である。第２不純物領域２２の不純物濃度は、半導体基板１０の不純物濃度よりも高い。第２不純物領域２２の不純物濃度は、例えば、１×１０１５ａｔｏｍ／ｃｍ３以上１×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３以下である。
【００２９】
第２不純物領域２２は、複数配置されている。複数の第２不純物領域２２は、第１方向に所定のピッチで並んでいる。図示の例では、第１方向は、Ｘ軸方向である。第１不純物領域２０は、複数の第２不純物領域２２を互いに電気的に分離している。さらに、第１不純物領域２０は、半導体基板１０と第２不純物領域２２とを電気的に分離している。
【００３０】
第２不純物領域２２と、第１不純物領域２０の平面視において第２不純物領域２２と重なる部分２０ａとは、画素２を構成している。複数の画素２は、半導体基板１０に配置されている。画素２は、フォトダイオードによって構成されている。画素２は、光が照射されてキャリアを発生させ、かつ該キャリアを蓄積する。なお、「平面視において」とは、半導体基板１０の厚さ方向から見ることをいい、図示の例では、Ｚ軸方向から見ることである。
【００３１】
第３不純物領域２４、第４不純物領域２６、および第５不純物領域２８は、図６に示すように、半導体基板１０に配置されている。
【００３２】
第３不純物領域２４は、例えば、平面視において、第２不純物領域２２を囲っている。第５不純物領域２８は、例えば、不純物領域２４，２６間に設けられている。不純物領域２４，２６は、例えば、シリコンにリンなどの不純物領域が添加されたｎ型の不純物領域である。第５不純物領域２８は、例えば、シリコンにボロンなどの不純物領域が添加されたｐ型の不純物領域である。
【００３３】
ピニング層３０は、第２不純物領域２２の表面に配置されている。ピニング層３０は、シリコンにボロンなどの不純物領域が添加されたｐ型の不純物領域である。ピニング層３０の不純物濃度は、例えば、１×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３以上１×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３以下である。ピニング層３０は、第２不純物領域２２において、光によらない熱励起によって生じるキャリアによる暗電流を低減することができる。図示の例では、平面視において、ピニング層３０の形状は、第２不純物領域２２の形状と同じである。
【００３４】
電極層４０は、不純物領域２４，２６，２８に配置されている。電極層４０は、不純物領域２４，２６，２８に電位を付与するための部材である。
【００３５】
第１層間絶縁層５０は、不純物領域２０，２４，２６，２８およびピニング層３０に配置されている。第１層間絶縁層５０は、例えば、酸化シリコン層である。第１層間絶縁層５０には、第１コンタクトホール５０ａが設けられている。
【００３６】
第１プラグ６０は、第１コンタクトホール５０ａに配置されている。第１プラグ６０は、電極層４０と第１配線層８０とを接続している。
【００３７】
第１遮光層７０は、第１層間絶縁層５０に配置されている。第１遮光層７０は、平面視において、隣り合う画素２の間に位置している。第１遮光層７０は、平面視において、第１不純物領域２０と重なり、第２不純物領域２２と重なっていない。第１遮光層７０は、第１不純物領域２０に入射する光を遮る。第１遮光層７０は、例えば、第１不純物領域２０に電気的に接続されている。第１遮光層７０には、例えば、グランド電位が印加される。そのため、第１遮光層７０にグランド電位よりも高い電位が印加される場合に比べて、寄生容量を小さくすることができる。
【００３８】
第１遮光層７０は、平面視において、第１不純物領域２０の部分２０ｂと重なる部分７０ａを有している。第１不純物領域２０は、隣り合う第２不純物領域２２の間の部分２０ｂを有している。図７に示す例では、部分７０ａのＸ軸方向の大きさＷ１は、部分２０ｂのＸ軸方向の大きさＷ２と同じである。平面視において、部分２０ｂ，７０ａの形状は、例えば、長方形である。平面視において、部分２０ｂの中心と部分７０ａの中心とは、例えば、重なっている。
【００３９】
第１配線層８０は、図６に示すように、第１層間絶縁層５０に配置されている。第１配線層８０は、第１プラグ６０を介して、電極層４０と電気的に接続されている。
【００４０】
第２層間絶縁層５２は、第１層間絶縁層５０に配置されている。第２層間絶縁層５２は、第１遮光層７０および第１配線層８０を覆っている。第２層間絶縁層５２は、例えば、酸化シリコン層である。第２層間絶縁層５２には、第２コンタクトホール５２ａが設けられている。
【００４１】
第２プラグ６２は、第２コンタクトホール５２ａに配置されている。第２プラグ６２は、第１配線層８０と第２配線層８２とを接続している。
【００４２】
第２遮光層７２は、第２層間絶縁層５２に配置されている。第２遮光層７２は、平面視において、隣り合う画素２の間に位置している。第２遮光層７２は、平面視において、第１不純物領域２０と重なり、第２不純物領域２２と重なっていない。第２遮光層７２は、第１不純物領域２０に入射する光を遮る。第２遮光層７２は、例えば、第１不純物領域２０に電気的に接続されている。第２遮光層７２には、例えば、グランド電位が印加される。
【００４３】
第２遮光層７２は、平面視において、第１不純物領域２０の部分２０ｂと重なる部分７２ａを有している。図７に示すように、部分７２ａのＸ軸方向の大きさＷ３は、部分２０ｂのＸ軸方向の大きさＷ２と同じである。図示の例では、第２遮光層７２の部分７２ａの大きさＷ３は、第１遮光層７０の部分７０ａの大きさＷ１と同じである。平面視において、第２遮光層７２の形状および大きさは、例えば、第１遮光層７０の形状および大きさと同じである。
【００４４】
第２配線層８２は、図６に示すように、第２層間絶縁層５２に配置されている。第２配線層８２は、第２プラグ６２を介して、第１配線層８０と電気的に接続されている。
【００４５】
第３層間絶縁層５４は、第２層間絶縁層５２に配置されている。図示の例では、第３層間絶縁層５４は、複数の層間絶縁層５０，５２，５４のうちの最上層である。層間絶縁層５０，５２は、最上層である第３層間絶縁層５４よりも下層の層間絶縁層である。第３層間絶縁層５４は、第２遮光層７２および第２配線層８２を覆っている。第３層間絶縁層５４は、例えば、酸化シリコン層である。第３層間絶縁層５４には、第３コンタクトホール５４ａが設けられている。
【００４６】
第３プラグ６４は、第３コンタクトホール５４ａに配置されている。第３プラグ６４は、第２配線層８２と第３配線層８４とを接続している。
【００４７】
第３配線層８４は、第３層間絶縁層５４に配置されている。第３配線層８４は、第３プラグ６４を介して、第２配線層８２と電気的に接続されている。
【００４８】
パッド９０は、第３層間絶縁層５４に配置されている。パッド９０の一部は、被覆層５６に覆われている。パッド９０には、例えば、図示しないワイヤーボンディングが接続されている。パッド９０は、第３配線層８４と電気的に接続されている。電極層４０、プラグ６０，６２，６４、遮光層７０，７２、配線層８０，８２，８４、およびパッド９０の材質は、例えば、アルミニウム、銅、金、チタン、窒化チタン、タングステンなどである。
【００４９】
被覆層５６は、第３層間絶縁層５４に配置されている。被覆層５６は、第３配線層８４およびパッド９０を覆っている。被覆層５６は、パッシベーション層である。
【００５０】
被覆層５６は、例えば、酸化シリコン層５７と、窒化シリコン層５８と、を有している。酸化シリコン層５７は、第３層間絶縁層５４に配置されている。窒化シリコン層５８は、酸化シリコン層５７に配置されている。
【００５１】
被覆層５６には、第１開口部５６ａが設けられている。第１開口部５６ａは、平面視において、画素２および遮光層７０，７２と重なる位置に設けられている。図示の例では、第１開口部５６ａは、平面視において、第１不純物領域２０と重なる位置に設けられている。例えば、平面視において、第１開口部５６ａの大きさおよび形状は、第１不純物領域２０の大きさおよび形状と同じである。第１開口部５６ａは、窒化シリコン層５８をＺ軸方向に貫通している。図示の例では、第１開口部５６ａは、窒化シリコン層５８および酸化シリコン層５７を貫通し、第３層間絶縁層５４に到達している。遮光層７０，７２は、第１開口部５６ａの底面５９よりも下方に位置している。図示の例では、遮光層７０，７２は、底面５９よりも−Ｚ軸方向に位置している。図示の例では、底面５９は、第１開口部５６ａを規定する第３層間絶縁層５４の面である。なお、図５では、第１開口部５６ａを破線で図示している。
【００５２】
被覆層５６には、第２開口部５６ｂが設けられている。第２開口部５６ｂは、平面視において、パッド９０と重なる位置に設けられている。第２開口部５６ｂは、被覆層５６をＺ軸方向に貫通している。なお、図５では、第２開口部５６ｂを破線で図示している。
【００５３】
固体撮像装置１００では、図６に示すように、遮光層の層数は、配線層の層数よりも少ない。図示の例では、遮光層の層数は、２層であり、配線層の層数は、３層である。遮光層は、第３層間絶縁層５４に配置されていない。
【００５４】
半導体基板１０は、図６に示すように、例えば、第１領域１０ａと、第１領域１０ａと異なる第２領域１０ｂと、を有している。第２領域１０ｂは、例えば、半導体基板１０の第１領域１０ａ以外の領域である。平面視において、不純物領域２０，２２、ピニング層３０、遮光層７０，７２は、第１領域１０ａと重なっている。平面視において、不純物領域２４，２６，２８、電極層４０、プラグ６０，６２，６４、配線層８０，８２，８４、およびパッド９０は、第２領域１０ｂと重なっている。
【００５５】
回路１０２は、半導体基板１０に配置されている。回路１０２は、画素２と電気的に接続されている。第１配線層８０は、例えば、図示せぬ配線を介して、画素２と電気的に接続されている。回路１０２は、例えば、出力回路、ＣＤＳ（Correlated Double Sampling）、およびＡＤＣ（Analog-to-Digital Converter）から構成されている。出力回路は、複数の画素２に対応して複数設けられる。出力回路は、第２不純物領域２２と電気的に接続されている。出力回路は、画素２に蓄積されたキャリアの量に応じた電圧を読み出して増幅し、出力信号として出力する。固体撮像装置１００を含むスキャナーユニット４０３では、出力回路によって画素２ごとに出力された出力信号に基づいて、画像を生成する。
【００５６】
出力回路は、上記のように、複数の画素２に対応して複数設けられる。そのため、画素２のピッチを小さくして高解像度化を図るためには、第２領域１０ｂの上方において配線層の層数を多くする必要がある。一方、第１領域１０ａの上方には、画素２の端子が設けられればよく、層数は少なくてよい。
【００５７】
なお、上記では、遮光層の層数が２層であり、配線層の層数が３層である例について説明したが、遮光層の層数が配線層の層数よりも少なければ、その数は特に限定されない。例えば、図示はしないが、遮光層の層数が１層であり、配線層の層数が２層であってもよい。
【００５８】
１．１．３．  固体撮像装置の製造方法
次に、固体撮像装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図８は、固体撮像装置１００の製造方法を説明するためのフローチャートである。図９〜図１３は、固体撮像装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【００５９】
固体撮像装置１００の製造方法は、画素２を形成する工程と、回路１０２を形成する工程と、を含む。以下、具体的に説明する。
【００６０】
図９に示すように、半導体基板１０に、複数の画素２を形成する（ステップＳ１）。具体的には、半導体基板１０に第１不純物領域２０を形成する。第１不純物領域２０は、例えば、イオン注入法により、半導体基板１０にボロンを注入することにより形成される。次に、第１不純物領域２０に第２不純物領域２２を形成する。第２不純物領域２２は、例えば、イオン注入法により、第１不純物領域２０の一部にリンを注入することにより形成される。以上により、画素２を形成することができる。
【００６１】
さらに、半導体基板１０に、不純物領域２４，２６，２８を形成する。不純物領域２４，２６は、例えば、イオン注入法により、半導体基板１０にリンを注入することにより形成される。不純物領域２４，２６は、第２不純物領域２２と同じ工程で形成されてもよい。第５不純物領域２８は、例えば、イオン注入法により、半導体基板１０にボロンを注入することにより形成される。
【００６２】
次に、第２不純物領域２２上にピニング層３０を形成する（ステップＳ２）。ピニング層３０は、例えば、イオン注入法により、第２不純物領域２２にボロンを注入することにより形成される。
【００６３】
次に、不純物領域２４，２６，２８上に電極層４０を形成する（ステップＳ３）。電極層４０は、例えば、スパッタ法による成膜、ならびにフォトリソグラフィーおよびエッチングによるパターニングによって形成される。なお、電極層４０を形成後にピニング層３０を形成してもよい。
【００６４】
図１０に示すように、不純物領域２０，２４，２６，２８上およびピニング層３０上に、電極層４０を覆う第１層間絶縁層５０を形成する（ステップＳ４）。第１層間絶縁層５０は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成される。次に、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）によって、第１層間絶縁層５０の上面を研磨して平坦化する。
【００６５】
次に、第１層間絶縁層５０をパターニングして、第１層間絶縁層５０に第１コンタクトホール５０ａを形成する（ステップＳ５）。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
【００６６】
次に、第１コンタクトホール５０ａに第１プラグ６０を形成する（ステップＳ６）。第１プラグ６０は、例えば、スパッタ法による成膜、ならびにフォトリソグラフィーおよびエッチングによるパターニングによって形成される。
【００６７】
次に、第１層間絶縁層５０上に、第１遮光層７０および第１配線層８０を形成する（ステップＳ７）。第１遮光層７０および第１配線層８０は、例えば、スパッタ法による成膜、ならびにフォトリソグラフィーおよびエッチングによるパターニングによって形成される。
【００６８】
図１１に示すように、第１層間絶縁層５０上に、第１遮光層７０および第１配線層８０を覆う第２層間絶縁層５２を形成する（ステップＳ８）。第２層間絶縁層５２は、例えば、ＣＶＤ法により形成される。次に、例えば、ＣＭＰによって、第２層間絶縁層５２の上面を研磨して平坦化する。
【００６９】
次に、第２層間絶縁層５２をパターニングして、第２層間絶縁層５２に第２コンタクトホール５２ａを形成する（ステップＳ９）。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
【００７０】
次に、第２コンタクトホール５２ａに第２プラグ６２を形成する（ステップＳ１０）。第２プラグ６２は、例えば、スパッタ法による成膜、ならびにフォトリソグラフィーおよびエッチングによるパターニングによって形成される。
【００７１】
次に、第２層間絶縁層５２上に、第２遮光層７２および第２配線層８２を形成する（ステップＳ１１）。第２遮光層７２および第２配線層８２は、例えば、スパッタ法による成膜、ならびにフォトリソグラフィーおよびエッチングによるパターニングによって形成される。
【００７２】
図１２に示すように、第２層間絶縁層５２上に、第２遮光層７２および第２配線層８２を覆う第３層間絶縁層５４を形成する（ステップＳ１２）。第３層間絶縁層５４は、例えば、ＣＶＤ法により形成される。次に、例えば、ＣＭＰによって、第３層間絶縁層５４の上面を研磨して平坦化する。
【００７３】
次に、第３層間絶縁層５４をパターニングして、第３層間絶縁層５４に第３コンタクトホール５４ａを形成する（ステップＳ１３）。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
【００７４】
次に、第３コンタクトホール５４ａに第３プラグ６４を形成する（ステップＳ１４）。第３プラグ６４は、例えば、スパッタ法による成膜、ならびにフォトリソグラフィーおよびエッチングによるパターニングによって形成される。
【００７５】
次に、第３層間絶縁層５４上に、第３配線層８４およびパッド９０を形成する（ステップＳ１５）。第３配線層８４およびパッド９０は、例えば、スパッタ法による成膜、ならびにフォトリソグラフィーおよびエッチングによるパターニングによって形成される。
【００７６】
図１３に示すように、第３層間絶縁層５４上に、第３配線層８４およびパッド９０を覆う被覆層５６を形成する（ステップＳ１６）。具体的には、第３層間絶縁層５４上に、第３配線層８４およびパッド９０を覆う酸化シリコン層５７を形成する。酸化シリコン層５７は、例えば、ＣＶＤ法により形成される。次に、例えば、ＣＭＰによって、酸化シリコン層５７の上面を研磨して平坦化する。次に、酸化シリコン層５７上に窒化シリコン層５８を形成する。窒化シリコン層５８は、例えば、ＣＶＤ法により形成される。次に、例えば、ＣＭＰによって、窒化シリコン層５８の上面を研磨して平坦化する。以上により、被覆層５６を形成することができる。
【００７７】
図６に示すように、被覆層５６をパターニングして、被覆層５６に第１開口部５６ａおよび第２開口部５６ｂを形成する（ステップＳ１７）。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。本工程において、第３層間絶縁層５４もエッチングされる。これにより、第１開口部５６ａの底面５９は、第３層間絶縁層５４に位置する。本工程では、第２遮光層７２が底面５９よりも下方に位置するように、第１開口部５６ａを形成する。本工程では、第２遮光層７２を露出させず、パッド９０を露出させる。パッド９０は、エッチングストッパーとして機能する。
【００７８】
以上の工程により、固体撮像装置１００を製造することができる。
【００７９】
固体撮像装置１００の製造方法では、上述したステップＳ４,Ｓ８，Ｓ１２によって複数の層間絶縁層５０，５２，５４を形成する。さらに、上述したステップＳ４〜Ｓ１７によって回路１０２を形成する。
【００８０】
１．２．  効果
第１実施形態に係る複合機１０００のスキャナーユニット４０３に含まれる固体撮像装置１００は、例えば、以下の効果を有する。
【００８１】
固体撮像装置１００では、遮光層７０，７２は、最上層である第３層間絶縁層５４よりも下層の層間絶縁層５０，５２に配置され、遮光層７０，７２は、第１開口部５６ａの底面５９よりも下方に位置している。そのため、固体撮像装置１００では、遮光層７０，７２は、第１開口部５６ａによって露出されていない。これにより、遮光層が露出されている場合に比べて、遮光層７０，７２が腐食する可能性を低くすることができる。
【００８２】
固体撮像装置１００では、被覆層５６は、窒化シリコン層５８を有し、被覆層５６には、平面視において画素２および遮光層７０，７２と重なる位置に、窒化シリコン層５８を貫通する第１開口部５６ａが設けられている。そのため、固体撮像装置１００では、画素２に入射する光が窒化シリコン層５８によって反射されることを防ぐことができる。これにより、被覆層５６に第１開口部５６ａが設けられていない場合に比べて、画素２に入射する光の量を多くすることができる。したがって、固体撮像装置１００は、画素２に蓄積されるキャリアの量を増やすことができ、高い感度を有することができる。よって、スキャナーユニット４０３では、スキャナーの露光時間を短くすることができ、高速化を図ることができる。
【００８３】
例えば、図１４および図１５に示すように、第１開口部５６ａが設けられておらず、平面視において画素２と重なる位置に窒化シリコン層５８が設けられていると、画素２に入射する光が窒化シリコン層５８によって反射される。そのため、画素２に入射する光の量が少なくなる。
【００８４】
なお、図１４は、第１開口部５６ａが設けられていない固体撮像装置を模式的に示す平面図である。また、図１５は、第１開口部５６ａが設けられていない固体撮像装置を模式的に示す図１４のＸＶ−ＸＶ線断面図である。なお、便宜上、図１４では、層間絶縁層５２，５４および被覆層５６の図示を省略している。
【００８５】
さらに、固体撮像装置１００では、遮光層７０，７２は、第１開口部５６ａの底面５９よりも下方に位置しており、第３層間絶縁層５４に遮光層は配置されていない。そのため、Ｚ軸に対して斜め方向から固体撮像装置１００に入射する光が、画素２に入射し易い。これにより、固体撮像装置１００は、画素２に入射する光の量を多くすることができる。
【００８６】
例えば図１５に示すように、第３層間絶縁層５４に遮光層７４が配置されていると、Ｚ軸に対して斜め方向から入射する光が遮光層７４によって遮られ、画素２に入射する光の量が少なくなる。さらに、第１開口部５６ａを形成すると、遮光層７４が露出する場合がある。
【００８７】
さらに、固体撮像装置１００では、遮光層７０，７２は、平面視において隣り合う画素２の間に位置している。そのため、遮光層７０，７２を有していない場合に比べて、隣り合う第２不純物領域２２を、より確実に電気的に分離することができる。そのため、スキャナーユニット４０３では、スキャンされた画像において色が滲んだように見えるクロストークが発生する可能性を低くすることができる。
【００８８】
固体撮像装置１００では、被覆層５６には、平面視においてパッド９０と重なる位置に、被覆層５６を貫通する第２開口部５６ｂが設けられている。固体撮像装置１００では、第１開口部５６ａを形成する工程において、第２開口部５６ｂを形成することができる。すなわち、開口部５６ａ，５６ｂを同じ工程で形成することができる。そのため、開口部５６ａ，５６ｂを別々の工程で形成する場合に比べて、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００８９】
固体撮像装置１００では、層間絶縁層５０，５２，５４は、酸化シリコン層である。酸化シリコン層は、窒化シリコン層よりも屈折率が高いため、大気中から層間絶縁層５０，５２，５４に光が入射する場合には、窒化シリコン層の方が反射率が高い。そのため、固体撮像装置１００では、層間絶縁層５０，５２，５４が窒化シリコン層である場合に比べて、画素２に入射する光の量を多くすることができる。
【００９０】
固体撮像装置１００では、第２層間絶縁層５２をＣＭＰによって研磨する際に、第２層間絶縁層５２が過剰に研磨されるディッシングが発生し難い。
【００９１】
例えば、図１６および図１７に示すように、平面視において隣り合う画素２の間に第１遮光層７０が設けられていないと、第２層間絶縁層５２をＣＭＰによって研磨する際に、第１遮光層７０の密度が小さい部分において、第２層間絶縁層５２が過剰に研磨されるディッシングが発生する。これにより、例えば、第２遮光層７２のパターニングを行う際に、フォトリソグラフィーにおけるフォーガスが合わず、第２遮光層７２に欠陥が生じる場合がある。
【００９２】
なお、図１６は、ディッシングが発生する固体撮像装置を模式的に示す平面図である。また、図１７は、ディッシングが発生する固体撮像装置を模式的に示す図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線断面図である。なお、便宜上、図１６では、ピニング層３０、層間絶縁層５０，５２，５４、被覆層５６、および第２遮光層７２の図示を省略している。
【００９３】
また、上記では、第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型としたが、第１導電型をｐ型とし、第２導電型をｎ型としてもよい。すなわち、半導体基板１０および不純物領域２２，２４，２６の導電型は、ｐ型であり、不純物領域２０，２８およびピニング層３０の導電型は、ｎ型であってもよい。
【００９４】
１．３．  変形例
次に、第１実施形態の変形例に係る複合機の固体撮像装置１００について、図面を参照しながら説明する。図１８は、第１実施形態の変形例に係る複合機の固体撮像装置１００を模式的に示す平面図である。図１９は、第１実施形態の変形例に係る複合機の固体撮像装置１００を模式的に示す図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線断面図である。なお、便宜上、図１９では、ピニング層３０、層間絶縁層５０，５２，５４、および被覆層５６の図示を省略している。
【００９５】
以下、第１実施形態の第１変形例に係る複合機において、上述した第１実施形態に係る複合機１０００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００９６】
第１実施形態の第１変形例に係る複合機は、固体撮像装置１００以外は、複合機１０００と同じ構成である。上述した複合機１０００の固体撮像装置１００では、図７に示すように、第１遮光層７０の部分７０ａのＸ軸方向の大きさＷ１と、第２遮光層７２の部分７２ａのＸ軸方向の大きさＷ３とは、等しかった。
【００９７】
これに対し、第１実施形態の第１変形例に係る複合機の固体撮像装置１００では、図１８および図１９に示すように、第２遮光層７２の部分７２ａの大きさＷ３は、第１遮光層７０の部分７０ａの大きさＷ１よりも小さい。そのため、固体撮像装置１００では、大きさＷ１と大きさＷ３とが同じ場合に比べて、Ｚ軸に対して斜め方向から固体撮像装置１００に入射する光が部分７２ａにおいて遮光され難い。これにより、画素２に入射する光の量を多くすることができ、感度を高めることができる。
【００９８】
２．  第２実施形態
２．１．  複合機
次に、第２実施形態に係る複合機について、図面を参照しながら説明する。図２０は、第２実施形態に係る複合機の固体撮像装置１００を模式的に示す平面図である。図２１は、第２実施形態に係る固体撮像装置１００を模式的に示す図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線断面図である。なお、便宜上、図２０では、ピニング層３０、層間絶縁層５０，５２，５４、被覆層５６、および遮光層７２の図示を省略している。
【００９９】
以下、第２実施形態に係る複合機において、上述した第１実施形態に係る複合機１０００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１００】
第２実施形態に係る複合機は、固体撮像装置１００以外は、複合機１０００と同じ構成である。上述した複合機１０００の固体撮像装置１００では、図７に示すように、第１遮光層７０の部分７０ａのＸ軸方向の大きさＷ１は、第１不純物領域２０の部分２０ｂのＸ軸方向の大きさＷ２と同じであった。さらに、第２遮光層７２の部分７２ａのＸ軸方向の大きさＷ３は、第１不純物領域２０の部分２０ｂのＸ軸方向の大きさＷ２と同じであった。
【０１０１】
これに対し、第２実施形態に係る複合機の固体撮像装置１００では、図２０および図２１に示すように、第１遮光層７０の部分７０ａのＸ軸方向の大きさＷ１は、第１不純物領域２０の部分２０ｂのＸ軸方向の大きさＷ２よりも小さい。さらに、第２遮光層７２の部分７２ａのＸ軸方向の大きさＷ３は、第１不純物領域２０の部分２０ｂのＸ軸方向の大きさＷ２よりも小さい。
【０１０２】
第２実施形態に係る複合機の固体撮像装置１００では、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とは、例えば、等しい。第１距離Ｄ１は、平面視において、隣り合う第２不純物領域２２のうちの一方の第２不純物領域２２と部分７０ａとの間の距離である。第２距離Ｄ２は、平面視において、隣り合う第２不純物領域２２のうちの他方の第２不純物領域２２と部分７０ｂとの間の距離である。第１距離Ｄ１および第２距離Ｄ２は、例えば、０．４μｍである。
【０１０３】
第１遮光層７０の部分７０ａの大きさＷ１は、例えば、隣り合う空乏層４の間のＸ軸方向の距離Ｄ３以下である。距離Ｄ３は、隣り合う空乏層４の間のＸ軸方向の距離である。大きさＷ１は、距離Ｄ３と等しくてもよいし、距離Ｄ３より小さくてもよい。固体撮像装置１００は、第２不純物領域２２と、第１不純物領域２０の一部と、で構成された空乏層４を含む。空乏層４は、第２不純物領域２２と、第１不純物領域２０の一部とが空乏化されて形成される。図２１に示すように、空乏層４は、第１不純物領域２０と第２不純物領域２２との境界Ａから第１不純物領域２０側へも伸びる。第２不純物領域２２の不純物濃度が１×１０１５ａｔｏｍ／ｃｍ３以上１×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３以下の場合、空乏層４は、境界Ａから第１不純物領域２０側に約０．４μｍ伸びる。
【０１０４】
なお、便宜上、上述した第１実施形態に係る複合機１０００の固体撮像装置１００、および第１実施形態の変形例に係る複合機の固体撮像装置１００を説明する図では、空乏層４を省略して図示している。
【０１０５】
第１遮光層７０は、部分７０ｂを有している。部分７０ｂは、平面視において、第２不純物領域２２の第２方向に位置している。第２方向は、第１方向と直交する方向であり、図示の例では、Ｙ軸方向である。図示の例では、部分７０ｂは、第２不純物領域２２の＋Ｙ軸方向と−Ｙ軸方向とに位置している。平面視において、部分７０ｂは、第２不純物領域２２と離間している。平面視において、部分７０ｂと第２不純物領域２２との間には、第１不純物領域２０が位置している。
【０１０６】
２．２．  効果
第２実施形態に係る複合機のスキャナーユニット４０３に含まれる固体撮像装置１００は、例えば、以下の効果を有する。
【０１０７】
固体撮像装置１００では、第１遮光層７０の部分７０ａのＸ軸方向の大きさＷ１は、第１不純物領域２０の部分２０ｂのＸ軸方向の大きさＷ１よりも小さい。そのため、固体撮像装置１００では、空乏層４の第１不純物領域２０で構成された部分４ａにも光が照射される。そのため、大きさＷ１が大きさＷ２と同じ場合に比べて、空乏層４に蓄積されるキャリアの量を増やすことができる。これにより、固体撮像装置１００は、高い感度を有することができる。
【０１０８】
固体撮像装置１００では、平面視において、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とは、等しい。そのため、固体撮像装置１００では、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とが異なる場合に比べて、一方の第２不純物領域２２を有する空乏層４と、他方の第２不純物領域２２を有する空乏層４と、のキャリアの蓄積量の差を小さくすることができる。これにより、一方の第２不純物領域２２を有する画素２と、他方の第２不純物領域２２を有する画素２と、の感度の差を小さくすることができる。
【０１０９】
固体撮像装置１００では、第１遮光層７０の部分７０ｂは、平面視において、第２不純物領域２２のＹ軸方向に位置し、平面視において、部分７０ｂは、第２不純物領域２２と離間している。そのため、固体撮像装置１００では、平面視において第２不純物領域２２のＹ軸方向に位置する空乏層４に、光が照射される。
【０１１０】
本発明は、本願に記載の特徴や効果を有する範囲で一部の構成を省略したり、各実施形態や変形例を組み合わせたりしてもよい。
【０１１１】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成を含む。実質的に同一の構成とは、例えば、機能、方法、および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成である。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１１２】
２…画素、４…空乏層、４ａ…部分、１０…半導体基板、１０ａ…第１領域、１０ｂ…第２領域、２０…第１不純物領域、２０ａ，２０ｂ…部分、２２…第２不純物領域、２４…第３不純物領域、２６…第４不純物領域、２８…第５不純物領域、３０…ピニング層、４０…電極層、５０…層間絶縁層、５０ａ…第１コンタクトホール、５２…層間絶縁層、５２ａ…第２コンタクトホール、５４…層間絶縁層、５４ａ…第３コンタクトホール、５６…被覆層、５６ａ…第１開口部、５６ｂ…第２開口部、５７…酸化シリコン層、５８…窒化シリコン層、６０…第１プラグ、６２…第２プラグ、６４…第３プラグ、７０…遮光層、７０ａ，７０ｂ…部分、７２…遮光層、７２ａ…部分、７４…遮光層、８０，８２，８４…配線層、９０…パッド、１００…固体撮像装置、１０２…回路、４０２…プリンターユニット、４０３…スキャナーユニット、４０４…ヒンジ部、４１１…アッパーフレーム、４１２…画像読取部、４１３…上蓋、４１６…下ケース、４１７…上ケース、４２０…イメージセンサーモジュール、４２１…ケース、４２２…光源、４２３…レンズ、４２４…モジュール基板、４６３…操作部、４６５…装置ハウジング、４６６…排出口、１０００…複合機、
【図１】
2020191319.tif 000003
【図２】
2020191319.tif 000004
【図３】
2020191319.tif 000005
【図４】
2020191319.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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