【事件の表示】
　特許第６１７２１３９号発明「樹脂組成物、及びこれを用いたポリイミド樹脂膜、ディスプレイ基板とその製造方法」に関する特許異議の申立てについてされた令和元年５月３０日付け異議の決定に対し、知的財産高等裁判所において決定の一部取消しの判決（令和元年（行ケ）第１００９６号、令和２年６月３日）があったので、決定が取り消された部分の請求項２，９，１０に係る発明についてさらに審理のうえ、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１７２１３９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔２、９、１０〕について訂正することを認める。
　特許第６１７２１３９号の請求項２、９、１０に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
１　本件特許
　特許第６１７２１３９号（以下、「本件特許」という。）に係る出願（特願２０１４−５００９０７号）は、平成２５年２月１５日（優先権主張：平成２４年２月２３日、特願２０１２−３７３６９号）の国際出願日に出願人日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社（以下、「特許権者」という。）によりされた特許出願であり、平成２９年７月１４日に特許権の設定登録（請求項の数８）がされ、平成２９年８月２日に特許公報の発行がされたものである。
　なお、令和２年８月２１日付けで「日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社」を「ＨＤマイクロシステムズ株式会社」とする登録名義人の表示の変更がされた。
　　　
２　本件特許異議の申立て
　本件特許につき平成３０年２月２日付けで特許異議申立人野田澄子（以下、「申立人」という。）により「特許第６１７２１３９号の特許請求の範囲の全請求項に記載された発明についての特許は取り消されるべきものである。」という趣旨の本件特許異議の申立てがされた。
　以降の手続の経緯は、以下のとおりである。
　平成３０年　４月２７日付け　取消理由通知
　平成３０年　７月　６日　　　意見書・訂正請求書
　平成３０年　７月１３日付け　通知書（申立人あて）
　平成３０年　８月２０日　　　意見書（申立人）
　平成３０年１０月１６日付け　取消理由通知（決定の予告）
　平成３０年１２月１７日　　　意見書・訂正請求書
　平成３１年　２月１２日付け　通知書（申立人あて）
　平成３１年　３月１４日　　　意見書（申立人）
（上記のとおり、平成３０年１２月１７日に新たな訂正請求がされたから、平成３０年７月６日付けの訂正請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により、取り下げられたものとみなす。）
３　異議の決定
　特許庁は、令和元年５月３０日、「特許第６１７２１３９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、７、８〕、〔２、９、１０〕、〔３、１１、１２〕、〔４、１３、１４〕、５、〔６、１５、１６〕及び〔１７−１９〕について訂正することを認める。特許第６１７２１３９号の請求項１ないし４及び６ないし１９に係る特許を取り消す。特許第６１７２１３９号の請求項５に係る特許に対する本件特許異議の申立てを却下する。」との決定（以下、「一次決定」という。）をし、その謄本が同年６月７日に特許権者に送達された。
４　訴えの提起
　特許権者は、令和元年７月４日、一次決定を不服として知的財産高等裁判所に訴えを提起した（令和元年（行ケ）第１００９６号）。
５　判決
　同裁判所は、令和２年６月３日、「１　特許庁が異議２０１８−７０００９５号事件について令和元年５月３０日にした決定のうち，特許第６１７２１３９号の請求項２，９及び１０に係る部分を取り消す。２　 原告のその余の請求を棄却する。３　訴訟費用は，これを２分し，その１を原告の負担とし，その１を被告の負担とする。」旨の判決（以下、「本件取消判決」という。）を言渡し、この判決はその後確定した。
６　審理の再開
　その後、本件特許異議の申立ての審理が再開された。
　上記５のとおり、本件特許の請求項１，３〜８，１１〜１９に係る発明についての特許に対する本件特許異議の申立てに対する一次決定については既に確定しているので、以下、本件特許の請求項２，９，１０に係る発明についての特許に対する本件特許異議の申立てについて、判断することとする。
　そして、この異議の決定で判断する請求項２，９，１０は、上記３で述べたとおり、本件取消判決で確定した請求項１，３〜８，１１〜１９と別な一群の請求項である。
第２　訂正の請求について
１　訂正の内容
　平成３０年１２月１７日付けの訂正請求書による訂正の請求は、本件特許の特許請求の範囲を上記訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項２，９，１０について訂正することを求めることを含むものであり、訂正後の請求項２，９，１０に係る内容は、以下のとおりである。下線は、訂正箇所を示す。
ア　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２に、
「（ａ）ポリイミド前駆体が、一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【化１】
（一般式（１）中、Ｒ１は芳香族環を有する２価の有機基を示し、Ｒ２は芳香族環を有する４価の有機基を示す。）」
と記載されているのを、
「
（ａ）
と、（ｂ）３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン及びフェニルトリメトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と、（ｃ）有機溶剤と、を含有し、前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２〜２質量％である樹脂組成物であって、
　前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布、加熱し、１〜５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む、ディスプレイ基板の製造方法に用いられる、樹脂組成物。
【化１】
（一般式（１）中、Ｒ１は芳香族環を有する２価の有機基を示し、Ｒ２は芳香族環を有する４価の有機基を示す。）」
に訂正する。
イ　訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項７に、
「請求項１ないし６のいずれかに記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。」
とあるうち、請求項２を引用するものについて、新たに請求項９を設け「請求項
２
ウ　訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項８に、
「請求項７に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。」
とあるうち、請求項７のうち請求項２を引用するものについて、新たに請求項１０を設け「請求項
９
エ　一群の請求項について
　本件訂正前の旧請求項１ないし８は、いずれも旧請求項１を直接又は間接的に引用するものであるから、本件訂正前の請求項１ないし８は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
２　検討
　なお、以下の検討において、この訂正請求による訂正を「本件訂正」といい、本件訂正前の特許請求の範囲における請求項１ないし８を「旧請求項１」ないし「旧請求項８」、本件訂正後の特許請求の範囲における請求項２，９，１０を、それぞれ「新請求項２」，「新請求項９」，「新請求項１０」という。
　　　
（１）訂正の目的要件について
　上記の各訂正事項による訂正の目的につき検討する。
ア　訂正事項２に係る訂正
　訂正事項２に係る訂正は、旧請求項２につき、同項で引用する旧請求項１に記載した事項を書き下して引用形式であったものを独立形式に改めた上で、明細書【００２９】に記載したアルコキシシラン化合物の種別のうち好適な４種のものに係る事項、明細書【００３８】及び【実施例】に記載した支持体の種別に係る事項及び明細書【００４０】に記載したポリイミド樹脂膜の厚さに係る事項を付加するとともに、「（ｂ）アルコキシシラン化合物」の使用量範囲の下限値を引き上げて範囲を縮小することにより、特許請求の範囲を減縮して新請求項２としているものと認められる。
　してみると、上記訂正事項２に係る訂正は、引用項形式で記載した請求項を独立項形式に改めること及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものとも認められる。
　したがって、上記訂正事項２に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に規定の目的要件に適合するものである。
イ　訂正事項８に係る訂正
　訂正事項８に係る訂正は、旧請求項７につき、同項で択一的に引用する旧請求項１ないし６を新請求項２のみに限定して新請求項９とするものであり、さらに、上記アで説示したとおり、旧請求項２は、訂正事項２に係る訂正によって特許請求の範囲を減縮して新請求項２としたものであるから、訂正事項８に係る訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　したがって、上記訂正事項８に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定の目的要件に適合するものである。
ウ　訂正事項９に係る訂正
　訂正事項９に係る訂正は、旧請求項８につき、同項で引用する旧請求項７において更に択一的に引用する旧請求項１ないし６を新請求項２のみに限定した新請求項９を引用して新請求項１０とするものである。
　そして、上記イで説示したとおり、訂正事項８に係る訂正により訂正された新請求項９は、その技術的範囲を総加しても、旧請求項７に対して、特許請求の範囲が実質的に減縮されているのであるから、同項を引用する新請求項９を引用する新請求項１０についても、その技術的範囲を総加した場合、旧請求項８に対して、特許請求の範囲が実質的に減縮されているものと認められる。
　してみると、訂正事項９に係る訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　したがって、訂正事項９に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定の目的要件に適合するものである。
エ　小括
　以上のとおり、本件訂正に係る訂正事項２，８，９に係る各訂正は、いずれも、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に規定の目的要件に適合するものである。
（２）新規事項の追加及び特許請求の範囲の実質的拡張・変更について
　上記（１）に示したとおり、訂正事項２，８，９に係る訂正により、新請求項２，９，１０は、訂正前の特許請求の範囲及び特許に係る明細書に記載された事項に基づき、特許請求の範囲を旧請求項２，７，８に記載された事項に対して減縮していることが明らかであるから、上記訂正事項２，８，９による訂正は、いずれも新たな技術的事項を導入しないものであり、また、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものではないことが明らかである。
　してみると、上記訂正事項２，８，９による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定を満たすものである。
（３）独立特許要件について
　なお、本件の特許異議の申立ては、旧請求項１ないし８に係る全ての発明についての特許につき、申立てがされているから、訂正の適否の検討において独立特許要件につき検討すべき請求項が存するものではない。
３　訂正に係る検討のまとめ
　以上のとおり、訂正事項２，８，９は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号又は第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項並びに第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔２、９、１０〕について訂正を認める。
第３　本件発明
　上記第２で述べたとおり、訂正事項２，８，９は認められるから、訂正後の本件特許に係る請求項２，９，１０は、平成３０年１２月１７日付け訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項２，９，１０に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項２】
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と、（ｂ）３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン及びフェニルトリメトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と、（ｃ）有機溶剤と、を含有し、前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２〜２質量％である樹脂組成物であって、
　前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布、加熱し、１〜５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む、ディスプレイ基板の製造方法に用いられる、樹脂組成物。
【化１】
（一般式（１）中、Ｒ１は芳香族環を有する２価の有機基を示し、Ｒ２は芳香族環を有する４価の有機基を示す。）
【請求項９】
　請求項２に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。
【請求項１０】
　請求項９に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。」
（以下、訂正後の上記請求項２，９，１０に係る各発明につき、項番に従い「本件発明２」、「本件発明９」、「本件発明１０」という。という。また、併せて「本件発明」と総称することがある。）
第４　申立人が主張する取消理由
　申立人の特許異議申立ての理由の概略は以下のとおりである。
　　　
取消理由１：訂正前の請求項１ないし８に係る発明は、いずれも、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができるものではなく、それらの発明についての特許は、同法第２９条に違反してされたものであるから、同法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消されるべきものである。
取消理由２：訂正前の請求項１ないし８に係る発明は、いずれも、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができるものではなく、それらの発明についての特許は、同法第２９条に違反してされたものであるから、同法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消されるべきものである。
取消理由３：訂正前の請求項５に係る発明は、その所期の効果を奏さない実施態様を含むものであり、（本件特許に係る明細書の）発明の詳細な説明に記載したものとはいえないから、訂正前の請求項５の記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合するものではなく、同条同項（柱書）の規定を満たしていないものであって、訂正前の請求項５に係る発明についての特許は、同法第３６条第６項の規定を満たしていない特許出願にされたものであるから、同法第１１３条第４号の規定に該当し、取り消されるべきものである。
・申立人提示の甲号証
甲第１号証：特開２０１０−２０２７２９号公報
甲第２号証：特公平０６−０５１８０３号公報
甲第３号証：特開２００５−０６８３４７号公報
甲第４号証：特表２０１１−５１４２６６号公報
甲第５号証：特開２０１１−２２５６７５号公報
甲第６号証：特開２０１１−０４６９１８号公報
（以下、上記甲第１号証ないし甲第６号証につき「甲１」ないし「甲６」と略していう。）
第５　当審が通知した取消理由（決定の予告）の概要
　当審が平成３０年１０月１６日付けで通知した取消理由（決定の予告）の概要は、以下のとおりである。
取消理由２（上記第４における取消理由２と同旨）：平成３０年７月６日に提出された訂正請求書で訂正された請求項１ないし８に係る発明は、いずれも、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができるものではなく、それらの発明についての特許は、同法第２９条に違反してされたものであるから、同法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消されるべきものである。
取消理由ａ：平成３０年７月６日に提出された訂正請求書で訂正された請求項１及び３ないし８に係る発明は、その所期の効果を奏さない実施態様を含むものであり、（本件特許に係る明細書の）発明の詳細な説明に記載したものとはいえないから、平成３０年７月６日に提出された訂正請求書で訂正された請求項１及び３ないし８の記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合するものではなく、同条同項（柱書）の規定を満たしていないものであって、平成３０年７月６日に提出された訂正請求書で訂正された請求項１及び３ないし８に係る発明についての特許は、同法第３６条第６項の規定を満たしていない特許出願にされたものであるから、同法第１１３条第４号の規定に該当し、取り消されるべきものである。
第６　取消理由（決定の予告）についての当審の判断
　本件取消判決は、上記第５の取消理由２について判示しており、判決主文が導き出されるのに必要な事実認定及び法律判断に係る判示事項は、行政事件訴訟法３３条１項の規定により、当審を拘束するから、以下に述べるように、取消理由（決定の予告）によっては、本件発明２，９，１０に係る特許を取り消すことはできない。
１　取消理由２について
（１）甲１（特開２０１０−２０２７２９号公報）
　甲１は、申立人が提出した甲第１号証であり、判決における甲１でもある。
ア　甲１に記載された事項
　甲１には、一次決定のとおり、以下の事項が記載されており、これらは、判決（第１０５頁第２行〜第１２２頁【図１】）に甲１の記載事項としても摘示されている。
（ａ−１）
「【請求項１】
　液状の樹脂組成物をキャリア基板上に塗布成膜して固体状の樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された固体状の樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程、の各工程を含む、表示デバイス又は受光デバイスであるフレキシブルデバイスの製造法に用いられる、フレキシブルデバイス基板となる前記液状の樹脂組成物であって、一般式（１）
【化１】
（一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は
【化２】
から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されても良い）、Ｒ２は
【化３】
から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である）で表される構造を有するポリイミド前駆体と有機溶媒とを含有してなるフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物。
【請求項２】
　ポリイミド前駆体の重量平均分子量が、１５，０００から２００，０００である請求項1に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物。
【請求項３】
　請求項１又は２に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物をキャリア基板上に塗布成膜して固体状のポリイミド樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された固体状の樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程の各工程を含む、表示デバイス又は受光デバイスであるフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項４】
　ポリイミド樹脂膜の厚さが、１〜２０μｍである請求項３に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項５】
　ポリイミド樹脂膜のガラス転移温度が、３００℃以上である請求項３又は４に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項６】
　ポリイミド樹脂膜の１００℃〜２００℃の範囲における熱膨張係数が、２０ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項３から５のいずれかに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項７】
　請求項３から６のいずれかに記載されたフレキシブルデバイスの製造方法により製造された表示デバイス又は受光デバイスであるフレキシブルデバイス。
【請求項８】
　フレキシブルデバイスが、電子ペーパー、ディスプレイ又は太陽電池の受光素子である請求項７に記載のフレキシブルデバイス。」
（ａ−２）
「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　しかしながら、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬディスプレイ用基板、電子ペーパー用基板等の表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板、薄膜太陽電池等の受光デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板等のフレキシブルデバイス基板用としては、簡易な工程に適用でき、かつ、要求特性を高度に満足するものは知られていない。即ち、前記フレキシブルデバイス
基板用としては、さらなる薄膜化の要求がなされ、また、工程上一旦キャリア基板上に薄膜を形成した状態でその上に各種回路を形成し、その後に剥離することができる液状樹脂組成物が要求されるが、このような工程に用いることができ、かつ、高度な要求特性を有する液状樹脂組成物は知られていない。
　本発明は、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパー等の表示デバイス、太陽電池の受光デバイスであるフレキシブルデバイスにおいて、ガラス基板等のキャリア基板上に塗布することで簡単にかつ所望の膜厚の薄膜を形成し、その樹脂薄膜上に回路やディスプレイ層等を形成できるとともに、耐熱性に優れ、熱膨張係数の低いポリイミド膜となって、回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず、回路等のはがれなどの欠陥も生じず、そしてその後、キャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができる、液状のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物、これを用いたフレキシブルデバイス及びその製造方法を提供するものである。」
（ａ−３）
「【発明の効果】
【０００９】
　本発明における液状のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物は、低熱膨張、高耐熱性、高靭性に優れ、表示デバイス又は受光デバイスの基板として適したポリイミド薄膜を形成できる。
　また、現在の主流である、ベースフィルムとしてすでにフィルムとして成型されている、厚さの決まったものを用いるのではなく、デバイスの製造に即して塗布成膜する液状の組成物を使用するため、スピンコートやスクリーン印刷などによりガラス基板などのキャリア基板上に塗布できる。この時、塗布膜厚を変化させることにより、樹脂膜（ベースフィルム）の厚さを所望の厚さ、特に薄膜に調整することも可能となり、したがってフレキシブルデバイスのさらなる薄型化も可能となる。これにより、最終製品の小型化、軽量化も可能となる。
　また、ガラス基板等のキャリア基板上に薄く塗布することで簡単にかつ所望の膜厚の薄膜として成膜でき、その上に回路やディスプレイ層等を形成できるとともに、耐熱性に優れ、熱膨張係数の低いポリイミド膜となって、回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず、回路等のはがれなどの欠陥も生じない上、その後キャリア基板から剥がす際には、ポリイミド膜自体にも、その上に形成された回路等にも欠陥を生じることがなく、きれいに剥がせるものである。従って、これを用いた表示デバイス又は受光デバイスとなるフレキシブルデバイスの製造方法は、キャリア基板上に形成されたベースフィルムに直接回路を形成し、その後剥離することが可能となるため、再転写の製造工程を省略することができる。そして得られるフレキシブルデバイスは、薄くても靱性が高く、耐熱性にも優れるものとなる。」
（ａ−４）
「【００１９】
　さらに、本発明のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物には、被塗布体との接着性向上のため、シランカップリング剤、チタンカップリング剤等のカップリング剤を添加することができる。上記カップリング剤としては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、γ−アミノエチルトリエトキシシラン、γ−アミノエチルトリメトキシシラン、γ−アミノエチルトリプロポキシシラン、γ−アミノエチルトリブトキシシラン、γ−アミノブチルトリエトキシシラン、γ−アミノブチルトリメトキシシラン、γ−アミノブチルトリプロポキシシラン、γ−アミノブチルトリブトキシシラン、などが挙げられ、また上記チタンカップリング剤としては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシチタン、γ−アミノプロピルトリメトキシチタン、γ−アミノプロピルトリプロポキシチタン、γ−アミノプロピルトリブトキシチタン、γ−アミノエチルトリエトキシチタン、γ−アミノエチルトリメトキシチタン、γ−アミノエチルトリプロポキシチタン、γ−アミノエチルトリブトキシチタン、γ−アミノブチルトリエトキシチタン、γ−アミノブチルトリメトキシチタン、γ−アミノブチルトリプロポキシチタン、γ−アミノブチルトリブトキシチタン、などが挙げられる。これらは２種以上を併用してもよい。このときの使用量は、ポリイミド前駆体（樹脂分）に対して、０．１質量％以上、３質量％以下が好ましい。
　その他、必要に応じて、各種添加剤を配合することも可能である。」
（ａ−５）
「【００２０】
　本発明の液状のポリイミド前駆体樹脂組成物の塗布は、キャリア基板（支持体）に均一な厚みを形成できる方法であれば、種類を問わず適用できる。例として、ダイコーティングやスピンコーティング、スクリーン印刷による塗布が可能である。
　本発明における液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を塗布、乾燥、イミド閉環して得られるポリイミド樹脂膜の厚さは、１〜２０μｍであることが望ましい。これは、厚さが１μｍに満たない場合にポリイミドフィルムが十分な耐性を保持できず、フレキシブルデバイスとして使用したとき応力に耐え切れず破壊されるためである。また、２０μｍを超えて厚くなると、フレキシブルデバイスの薄型化が困難となってしまう。したがって、フレキシブルデバイスとして十分な耐性を保持しながらより薄膜化するには、２〜１０μｍの厚みであることが最も望ましい。
【００２１】
　本発明のフレキシブルデバイスの製造方法において、ポリイミド前駆体樹脂組成物を塗布するキャリア基板（支持体）は、自立性を持つ硬質なものであって、耐熱性があれば良い。つまり製造工程上必要とされる高温にさらされても変形しない素材を用いていれば良い。具体的には、一般に２００℃以上、好ましくは２５０℃以上のガラス転移温度を持つ素材を用いるのが望ましく、このようなものとしてはガラスが挙げられる。キャリア基板の厚さは、０．３ｍｍから５．０ｍｍが好ましく、０．５ｍｍから３．０ｍｍがより好ましく、０．７ｍｍから１．５ｍｍであるものがさらに好ましい。
・・（中略）・・
【００２２】
　本発明のフレキシブルデバイスの製造方法においては、以上のようにして形成したポリイミド膜の上に、表示デバイス、受光デバイスに必要な回路を形成する工程を含む。・・（中略）・・
　以上のようにして、回路等が表面に形成された固体状のポリイミド樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する。剥離方法に特に制限はなく、例えばキャリア基板側からレーザー等を照射することで剥離を行っても良い。本発明により得られるポリイミド樹脂膜は、高い靭性を有するので、キャリア基板（支持体）と単に物理的に剥離することも可能である。
　本発明における、フレキシブルデバイスとしては、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパーといった表示デバイス、太陽電池、ＣＭＯＳなどの受光デバイスを挙げることが出来る。特に、薄型化かつフレキシブル性を付与したいデバイスへの適用に最適である。」
（ａ−６）
「【実施例】
【００２３】
（実施例１）
　窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに、ｐ−フェニレンジアミン５．４１ｇとＮ−メチルピロリドン１８１．０３ｇを仕込み、１５分間、４０℃で加熱攪拌しモノマーを溶解させた。その後ｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１４．７１ｇを加え、さらに３０分間攪拌し、粘度１１００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体の重量平均分子量は７００００であった。
　得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン基板上にスピンコートで塗布した後、１３０℃のホットプレートで２分間ベークし、厚さ５μｍになるように製膜した。次いで、硬化炉を用い２００℃で３０分間、さらに３５０℃で６０分間加熱硬化してイミド化し、ポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂膜を得た。イミド化後の膜厚は３μｍであった。この樹脂フィルムをシリコン基板より剥離し、熱特性、機械特性を測定し、その結果を纏めて表１に示した。
【００２４】
　測定条件は、次の通り。
　ガラス転移温度：サーマルメカニカルアナライザー（株式会社リガク製、測定温度範囲２５〜４５０℃、試料サイズ５ｍｍ×１５ｍｍ）
　熱分解温度：サーマルメカニカルアナライザー（株式会社リガク製、測定温度範囲２５〜４５０℃、試料サイズ５ｍｍ×１５ｍｍ）
　熱膨張率：サーマルメカニカルアナライザー（株式会社リガク製、測定温度範囲２５〜４５０℃、試料サイズ５ｍｍ×１５ｍｍ）
　破断点応力：オートグラフ（株式会社島津製作所製、試料サイズ１０ｍｍ×６０ｍｍ）
　弾性率：オートグラフ（株式会社島津製作所製、試料サイズ１０ｍｍ×６０ｍｍ）
　伸び：オートグラフ（株式会社島津製作所製、試料サイズ１０ｍｍ×６０ｍｍ）
　重量平均分子量：ゲルパーミエーションクロマトグラフ（株式会社島津製作所製）」
　　　
（ａ−７）
「【００３２】
ディスプレイデバイスの製造例
　上記実施例１〜５及び比較例１〜３で得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を用いたフレキシブル液晶ディスプレイの製造例を示す。
　図１に示すようにキャリア基板としてガラス基板を用い、ガラス基板上に各液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を、スピンコートで塗布した後、１３０℃のホットプレートで２分間ベークし、厚さ約５μｍになるように製膜した。次いで、硬化炉を用い２００℃で３０分間、さらに３５０℃で６０分間加熱硬化してイミド化し、固体状の樹脂膜であるポリイミド樹脂フィルムを形成した。この膜厚は３μｍである。このポリイミド膜上に、既知の方法に従って図２に示すようにＴＦＴ電極を形成することができる、さらにその上に既知の方法に従って、図３に示すように液晶表示素子、カバーフィルムの層を形成することができる。その後、図４に示すようにガラス基板から、フレキシブルデバイスを剥離することができる。
　このようにして得られる、実施例のフレキシブル液晶ディスプレイは良好な性能を示すが、比較例のものはポリイミド膜物性が劣るため、信頼性に優れるフレキシブル液晶ディスプレイは得られない。
【００３３】
【表１】
　表１に示したように、本発明の一般式（１）で表される構成単位を有するポリイミド前駆体を用いた樹脂膜は、ガラス転移温度、熱分解温度、熱膨張率などの熱特性、破断点応力、弾性率、伸びなどの機械特性に優れる。これに対し、一般式（１）で表される構成単位を有さない比較例１〜３は、熱特性、機械特性に劣る。また、実施例のポリイミド前駆体は、薄膜の樹脂膜にもかかわらず、その上に形成した各種回路（ＴＦＴ電極、液晶表示素子）にはがれなどの欠陥を生じさせることなくキャリア基板からの剥離性に優れる。」
イ　甲１に記載された発明
　上記アの記載事項（特に摘示（ａ−１）の下線部）からみて、甲１には、
「液状の樹脂組成物をキャリア基板上に塗布成膜して固体状の樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された固体状の樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程、の各工程を含む、表示デバイスであるフレキシブルデバイスの製造法に用いられる、フレキシブルデバイス基板となる前記液状の樹脂組成物であって、下記一般式（１）で表される構造を有する重量平均分子量が１５，０００から２００，０００のポリイミド前駆体と有機溶媒とを含有してなるフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物。
【化１】
（一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は
【化２】
から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されても良い）、Ｒ２は
【化３】
から選択される四価の有機基であり、ｎは繰り返し数を表す正の整数である。）」に係る発明（以下「甲１発明１」という。）、
「甲１発明１のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物をキャリア基板上に塗布成膜してなる固体状のポリイミド樹脂膜。」に係る発明（以下「甲１発明２」という。）及び
「甲１発明１のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物をキャリア基板上に塗布成膜して甲１発明２の固体状のポリイミド樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜上に回路を形成する工程、前記回路が表面に形成された固体状の樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程の各工程を含む製造方法により製造されたディスプレイである表示デバイス。」に係る発明（以下「甲１発明３」という。）がそれぞれ記載されているものといえる。
　これらは、判決（第１２２頁「イ　甲１に記載された発明」欄）においても甲１発明１〜３として認定されている。
（２）甲２（特公平０６−０５１８０３号公報）に記載された事項
　甲２は、申立人が提出した甲第２号証であり、判決における甲２でもある。そして、甲２には、以下の事項が記載されており、これらは、判決（第１３７頁第１９行〜第１３７頁第１８行）に甲２の記載事項としても摘示されている。
（ｂ−１）
「本発明は、金属酸化物が均一に配合されてなる金属酸化物含有ポリイミド系重合体成形物に関するものである。」（第２欄第３行〜第４行）
（ｂ−２）
「ポリイミド系重合体は、その前駆体であるポリアミック酸系重合体に含まれるシランカップリング剤は、重合体に配合される金属アルコキシド、その他の物質の分散性、混合性を向上せしめるのに有用であって、組成物からの成形物においてそれを含まない成形物に比して熱膨張率などの特性にもとづく寸法安定性が著しく改善される。」（第５欄第１５行〜第２１行）
（ｂ−３）
「かかるシランカップリング剤としては、１個以上のアミノ基、特に第１級および／あるいは第２級のアミノ基を有する例えばγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、１個以上のグリシジル基を有する例えばγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、あるいは１個以上のメルカプト基を有する例えばγ−メルカプトプロピルトリエトキシシランなどが好適なものとして挙げられる。その他、フェニルトリメトキシシランの如きフェニル系シランカップリング剤、トリメチルクロロシランの如きハロゲン系シランカップリング剤、ジメチルトリメチルシリルアミンの如きシリルアミン系シランカップリング剤、ビニルトリアセトキシシランの如きアシロキシシラン系シランカップリング剤、N-トリメチルシリルアセトアミドの如きアセトアミドシラン系シランカップリング剤なども使用しうるものとして例示できる。これらシランカップリング剤において、特にポリイミド系重合体あるいは、その前駆体であるポリアミック酸系重合体の官能基、例えば-COOH， -NH2，などと反応性を有するようなシランカップリング剤を用いた場合は効果が著しい。」（第６欄第５行〜第７欄第２行）
（ｂ−４）
「本発明におけるシランカップリング剤を含むポリイミド系重合体あるいはポリアミック酸系重合体と金属アルコキシドとよりなる組成物を例えば、キャスト成形してなる組成物が高耐熱性、高強度、寸法安定性に優れることに関する作用機構については必ずしも明確ではないが、金属アルコキシドがモノマー状態または部分縮合物の形態でポリイミド成分と混合されるため成形時の加熱処理による縮合によって生成される金属酸化物が極めて均一な状態で分散され、しかもこの際シランカップリング剤を含むことから、金属酸化物がポリイミド成分との間の何らかの相互作用や化学的結合などを促進させることなどによるものと推測される。」（第１０欄第１９行〜第３０行）
（３）甲３（特開２００５−０６８３４７号公報）に記載された事項
　甲３は、申立人が提出した甲第３号証であり、判決における甲３でもある。そして、甲３には、以下の事項が記載されており、これらは、判決（第１３７頁第１９行〜第１３９頁第１６行）に甲３の記載事項としても摘示されている。
（ｃ−１）
「【０００６】
　本発明は、透明性を損なわずに、寸法安定性に優れ、かつ無機化合物基板との密着性が高いシリカ粒子が分散してなる新規なポリイミド組成物およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　本発明者らは、上記課題を解決するために、鋭意検討した結果、アルコキシシラン及び／またはその部分加水分解重縮合化合物（Ａ）と、アミノ基含有アルコキシシラン、水素結合性又はイオン結合性官能基を含有するアミノ化合物から選ばれる１種以上の化合物（Ｂ）とを、ポリイミド溶液中、加水分解・重縮合を行うことで、上記目的にかなう材料になることを見出し、本発明に至った。」
（ｃ−２）
「【００１９】
　本発明のポリイミド組成物の製造方法で使用するのアルコキシシラン及び／またはその部分加水分解重縮合化合物（Ａ）としては、例としてテトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン類が挙げられ、部分加水分解重縮合物はこれらの１種以上のアルコキシシラン類に酸またはアルカリ化合物を触媒として加水分解、重縮合することにより得られるものである。寸法安定性、即ち線膨張率の低減効果が大きいことから、テトラメトキシシラン、又はテトラエトキシシランを用いることが好ましい。
【００２０】
　本発明の製造方法で使用される、アミノ基を有するアルコキシシランとしては、例として３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノエチルアミノメチルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、２−（２−アミノエチルチオエチル）トリエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等をあげることができるが、これらに限定されるものではなく、これらの中から選ばれる1種以上のアミノ基を含有するアルコキシシランが使用されることが好ましい。寸法安定性や密着性への効果が大きいことから、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシランを用いることがより好ましい。」
（４）甲４（特表２０１１−５１４２６６号公報）に記載された事項
　甲４は、申立人が提出した甲第４号証であり、判決における甲４でもある。そして、甲４には、以下の事項が記載されており、これらは、判決（第１３９頁第１７行〜第１４０頁第１７行）に甲４の記載事項としても摘示されている。
（ｄ−１）
「【０００１】
　本発明は、チップオンフィルム（ＣＯＦ）技法またはフレキシブル銅張積層板（ＦＣＣＬ）に特に有用である、ポリイミド銅張積層板に関する。」
（ｄ−２）
「【００１４】
　上で示した問題を解決するために、本発明は、シランカップリング剤を含むポリイミド積層板を提供する。本発明の積層板は中間の接着剤層を全く含有せず、ポリイミド層は、表面粗さの低い銅箔に対する強い接着性、高透明度、良好な機械的特性、ならびに十分な寸法安定性および熱安定性の各長所を兼ね備える。本発明は、現在および将来の商業的必要に応えるものである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
　商業的必要に応えるため、本発明の一目的は、シランカップリング剤を含有するポリイミド積層板を提供することにある。このポリイミド積層板は、シランカップリング剤を含有するポリイミド層と、銅箔の層とを含み、この場合、ポリイミド層は、ジアミンモノマーと、二無水物モノマーと、有機溶媒と、１種または複数種の有機官能基を有するシランカップリング剤とを含む前駆体から形成され、銅箔の表面粗さは０．７μｍ未満である。
【００１６】
　ポリイミド層と銅箔との間の接着性を高めるために、接着促進剤としての特定のシランカップリング剤がポリイミド前駆体コーティング溶液中に直接組み込まれる。このように利用する場合、シランカップリング剤は、最終的に硬化した状態のポリイミド層に対する銅箔の接着性を高める一方で前駆体コーティング溶液の特性（例えば、分子量、粘度、安定性）をあまり下げないように、注意深く選択されなければならない。この目的のために、シランカップリング剤が一般に有するべき有機官能基とは、（例えば、水素結合を介して）ポリイミドと良好に相互作用し得るがポリイミド前駆体とは直接反応しない有機官能基である。この観点から、しばしばポリイミドと共に使用される、典型的な第１級アミノ官能性シランおよびそれほど典型的ではないが第２級アミノ官能性シラン（例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン）は好ましくなく、なぜなら、これらの官能性シランは（例えば、ポリマー前駆体のカルボン酸基との塩の形成、またはアミド結合を有するポリマー前駆体からの芳香族アミンの置換を介して）ポリマー前駆体の骨格と直接反応し、その結果、粘度不安定性および／またはポリマー分子量の損失が生じ得るからである。」
（ｄ−３）
「【００１８】
　本発明に好ましいシランカップリング剤は、尿素基またはカルバメート基を含有する。最も好ましいシランカップリング剤は、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシランまたはγ−ウレイドプロピルトリエトキシシランである。」
　
（５）甲５（特開２０１１−２２５６７５号公報）に記載された事項
　甲５は、申立人が提出した甲第５号証であり、判決における甲５でもある。そして、甲５には、以下の事項が記載されており、これらは、判決（第１４０頁第１８行〜第１４２頁第１６行）に甲５の記載事項としても摘示されている。
（ｅ−１）
「【０００１】
　本発明は、熱伝導性接着樹脂組成物、それを含む積層体および半導体装置に関する。」
（ｅ−２）
「【０００５】
　特に樹脂と無機フィラーとを含む樹脂組成物では、樹脂と無機フィラーの相溶性が低いと、無機フィラーの周囲に樹脂で覆われない部分、即ちボイド（空隙）を生じる。具体的には、フィラーの凝集物に形成される隙間に樹脂が入り込めず、その隙間がボイドとなる。ボイドを生じると、気体で構成される隙間が熱伝導率を低下させ、かつフィラーの密度も下がるため、熱伝導率を低下させてしまう。このため、一定の熱伝導性を得るためには、大量のフィラーを添加しなくてはならないため、接着性が損なわれやすい。つまり、良好な熱伝導性と接着性を有する、好ましくはさらに良好な耐熱性を有する樹脂組成物が望まれている。
【０００６】
　本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ポリイミド樹脂と無機フィラーを含む樹脂組成物の、熱伝導性の向上と、接着性の向上とを両立させること、好ましくはさらに耐熱性の向上を実現すること、を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　本発明者らは、ポリイミド樹脂と無機フィラーの相溶性を高めることによって、無機フィラーの周囲をポリイミド樹脂が隙間なく覆い、ボイドを抑制すること、それにより少ない無機フィラー含量でも高い熱伝導性が得られることを見出した。」
（ｅ−３）
「【００１０】
　本発明の第１は、熱伝導性接着樹脂組成物に関する。
　［１］　ポリイミド樹脂（Ａ）と、２５〜６０体積％の無機フィラー（Ｂ）とを含む熱伝導性接着樹脂組成物であって、前記ポリイミド樹脂（Ａ）は、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの重縮合ユニットを含み、前記テトラカルボン酸二無水物と前記ジアミンの合計のうち、イミド環を構成するカルボニル基以外のカルボニル基を有する芳香族テトラカルボン酸二無水物（α１）と、カルボニル基を有する芳香族ジアミン（β１）との合計割合が１．０モル％以上２９．０モル％以下であり、かつ前記イミド環を構成するカルボニル基以外のカルボニル基は、ケト基、オキシカルボニル基、ジオキシカルボニル基またはアミド基（ただし、アミド基に含まれる窒素原子は、イミド環を構成する窒素原子である）を構成し、  前記ポリイミド樹脂（Ａ）を構成するテトラカルボン酸二無水物が、前記芳香族テトラカルボン酸二無水物（α１）とともに式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物をさらに含むか、または前記ポリイミド樹脂（Ａ）を構成するジアミンが、前記芳香族ジアミン（β１）とともに式（２）で表されるジアミンをさらに含む、熱伝導性接着樹脂組成物。
【化１】
〔式（１）のｍおよび式（２）のｎは、それぞれ０以上の整数である〕」
（ｅ−４）
「【００５６】
　シランカップリング剤（Ｃ）の例には、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２-メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリクロルシラン、Ｎ-（２-アミノエチル）-３-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ-（２-アミノエチル）-３-アミノプロピルトリメトキシシラン、３-アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ-２-（アミノエチル）-３-アミノプロピルトリエトキシシラン、３-アミノプロピルトリメトキシシラン、３-アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ-フェニル-３-アミノプロピルトリメトキシシラン、３-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、２-（３,４-エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ-（１,３-ジメチルブチリデン）-３-（トリエトキシシリル）-１-プロパンアミン、Ｎ,Ｎ'-ビス（３-（トリメトキシシリル）プロピル）エチレンジアミン、ポリオキシエチレンプロピルトリアルコキシシラン、ポリエトキシジメチルシロキサン、ｐ-スチリルトリメトキシシラン、３-アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが含まれる。」
（ｅ−５）
「【００５８】
　このように本発明の接着樹脂組成物は、それに含まれる無機フィラー（Ｂ）の含量が比較的低いにもかかわらず、熱伝導に寄与する無機フィラー（Ｂ）の割合が高く、熱伝導率が高いことを特徴とする。そのため、接着性や耐熱性や可撓性に優れており、かつ十分な熱伝導性を有する樹脂組成物となる。
【００５９】
　本発明の接着樹脂組成物は、無機フィラー（Ｂ）の含量が比較的低いにもかかわらず、熱伝導率が高いのは、ポリイミド樹脂（Ａ）と無機フィラー（Ｂ）の相溶性が高く、無機フィラー（Ｂ）の周囲をポリイミド樹脂（Ａ）が隙間なく覆い、ボイドを抑制できるからである。つまり、ポリイミド樹脂（Ａ）に含まれる「イミド環を構成するカルボニル基以外のカルボニル基」が、無機フィラー（Ｂ）表面の官能基と相互作用することで、ポリイミド樹脂（Ａ）と無機フィラー（Ｂ）の相溶性が高まり、無機フィラー（Ｂ）の周囲をポリイミド樹脂（Ａ）が隙間なく覆うことで、ボイドを抑制できるからである。ボイドを抑制できると、気体で構成される隙間が熱伝導率を低下させたり、フィラーの密度も低下させたりしないため、熱伝導率を高めることができる。」
　
（６）甲６（特開２０１１−０４６９１８号公報）に記載された事項
　甲６は、申立人が提出した甲第６号証であり、判決における甲６でもある。そして、甲６には、以下の事項が記載されており、これらは、判決（第１４２頁第１７行〜第１４５頁第１行）に甲６の記載事項としても摘示されている。
（ｆ−１）
「【０００１】
　本発明は、電子部品の絶縁膜又は表面保護膜用樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品に関する。さらに詳しくは、耐熱性を有する電子部品の絶縁膜又は表面保護膜用樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたレリーフパターンの製造方法、並びに当該レリーフパターンを表面保護膜、層間絶縁膜等として備える電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
　ポリイミド樹脂は耐熱性に優れるという性質を有しているため、半導体素子等の分野で幅広く使用されている。特にポリイミド樹脂は、層間絶縁膜、及び封止剤と半導体チップとの間に設けられる表面保護膜（バッファーコート）として用いられている。
【０００３】
　ここで、表面保護膜とは、前工程で形成されたアルミ薄膜回路及び酸化膜が、後工程の作業中にダメージを受けたり、半導体チップ実装後、封止材とシリコンとの熱膨張係数の違いによってクラックが生じたりするのを防ぐ役割を果たす膜である。特にポリイミド樹脂からなる表面保護膜は、上述のようにチップを外的損傷から保護するだけでなく、α線阻止能が高いことから、放射線損傷から保護する能力も有するため注目されている。さらに、ポリイミド樹脂は、簡単かつ確実にパターニング加工を行うツールとしても注目されている。」
（ｆ−２）
「【０００６】
　しかしながら、従来のポリイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂では、現像後に形成されたレリーフパターンが最終加熱時において膜が溶融し開口パターンの寸法が小さくなる又は開口パターンが消失する（以下、「メルト」という）という問題があった。これは、ポリイミド前駆体及びポリベンゾオキサゾール前駆体が、最終加熱時にガラス転移点を越える温度となるために起こる現象である。」
　
（ｆ−３）
「【００１１】
　本発明の目的は、最終加熱時においてメルトを起こすことなく、また、最終加熱以降の加熱においても架橋成分等の昇華及びガス成分の発生が少ない層間絶縁膜又は表面保護膜を成膜可能な樹脂組成物を提供することである。
・・・
【００１３】
　本発明によれば、以下の樹脂組成物等が提供される。
１．（Ａ）下記式（Ｉ）で表される構造単位を有し、酸性官能基若しくはその誘導基を両末端に有する重合体、
【化１】
（式中、Ｘ１は、２〜８価の有機基である。Ｙ１は、２〜８価の有機基である。Ｒ１は水素原子又は炭素数１〜２０の有機基である。Ｒ２は水素原子又は１価の有機基である。Ｒ１又はＲ２が複数あるとき、複数のＲ１又はＲ２は同一でも異なってもよい。ｐ及びｑは、それぞれ０〜４の整数である。ｌ及びｍは、それぞれ０〜２の整数である。ｎは重合体中の構造単位の数を示す２以上の整数である。）
　（Ｂ）溶媒、及び
　（Ｃ）下記式（ＩＩ）で表される化合物
【化２】
（式中、Ｒ３は、１価の有機基である。）
を含んでなる電子部品の絶縁膜又は表面保護膜用樹脂組成物。」
（ｆ−４）
「【００５５】
　本発明の樹脂組成物が含む（Ｃ）成分は、下記式（ＩＩ）で表される化合物である。
【化６】
（式中、Ｒ３は、１価の有機基である。）
　この化合物は、（Ａ）成分の前記酸性官能基又はその誘導基である末端基と反応すると推定される。それにより本発明の優れた効果が得られると推定される。」
（ｆ−５）
「【００６９】
　本発明の組成物は、上記（Ａ）〜（Ｄ）成分の他に、シリコン基板に対する接着性増強剤としてシランカップリング剤（但し前記（Ｃ）成分を除く）を含むことができる。
　上記シランカップリング剤としては、反応性の点からアルコキシシラン類が好ましい。  アルコキシシラン類としては、例えばビニルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（３−（トリメトキシシリル）プロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（３−トリメトキシシリルプロピル）ピロール、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）−ｔ−ブチルカルバメート、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、（フルフリルオキシメチル）トリエトキシシラン等が挙げられる。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。」
（７）甲２２（「便覧　ゴム・プラスチック配合薬品」２００３年１２月２日、株式会社ポリマーダイジェスト発行、第３９３〜３９９頁）に記載された事項
　甲２２は、判決における甲２２である。そして、甲２２には、以下の事項が記載されており、これらは、判決（第１３５頁第２２行〜第１３６頁第１９行）に甲２２の記載事項としても摘示されている。
（ｇ−１）
「２１．カップリング剤（接着促進剤）
・・・
◆（１２）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン・・・
〔特性〕分子量２３６，比重１．０６，屈折率１．４２７，沸点２９０℃／７６０ｍｍ。水に溶け，ｐＨ３．０〜４．５で完全に溶解する。多くの有機溶剤に可溶。ポリエステル，エポキシ樹脂，メラミン樹脂，ポリエチレン，ポリカーボネート，ＡＢＳ，塩ビ樹脂，ポリウレタンに有用。・・・シリカ入りの硫黄加硫ＳＢＲ，ＥＰＤＭに添加すると物性が大幅に増大する。
◆（１９）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン・・・
〔特性〕分子量２２１，比重０．９４，屈折率１．４２０，沸点２１７℃／７６０ｍｍ。水に可溶。とくに塩ビ樹脂に有効で，エポキシ樹脂，メラミン樹脂，フェノール樹脂，ポリプロピレン，ポリカーボネート，ナイロン樹脂，ＥＰＭ，ＥＰＤＭその他の硫黄加硫ゴム，ポリウレタン，多硫化ゴムにも利用できる。
◆（２０）３−アミノプロピルトリメトキシシラン・・・
〔特性〕分子量１７９．３，比重１．０１（２５℃），屈折率１．４２２，沸点２１５℃。
◆（２１）Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン・・・
〔特性〕分子量２５５．４，比重１．０７，屈折率１．５０４，沸点３１２℃／７６０ｍｍ。ポリイミド，エポキシ樹脂，フェノール樹脂，メラミン樹脂に有用。
◆（２７）γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン・・・
〔特性〕分子量２６４，比重０．９１，屈折率１．３８６，水に溶ける。エポキシ樹脂，メラミン樹脂，フェノール樹脂などの複合材に卓効がある。」（第３９３頁第１行〜第３９８頁第２５行）
（８）本件発明２について
ア　本件発明２と甲１発明１との対比
　本件発明２と甲１発明１とを対比すると、両者は、
「（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と、（ｃ）有機溶剤と、を含有する樹脂組成物であって、
　前記樹脂組成物を基板に塗布、加熱し、ポリイミド樹脂膜を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む、ディスプレイ基板の製造方法に用いられる、樹脂組成物。
【化１１】
（一般式（１）中、Ｒ１は芳香族環を有する２価の有機基を示し、Ｒ２は芳香族環を有する４価の有機基を示す。）」の点で一致しており、以下の点で相違するものと認められ、これらの一致点及び相違点は、判決（第１３４頁第１８行〜第１９行）においても認定されている。
相違点３：本件発明２では「（ｂ）３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と、・・を含有し、前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２〜２質量％である」のに対して、甲１発明１では、本件発明２の上記特定の「（ｂ）アルコキシシラン化合物」を含有すること及びその含有量につき特定されていない点
相違点２ａ：「ポリイミド樹脂膜を形成する工程」において、本件発明２では「シリコン基板又はガラス基板」を使用するとともに「１〜５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂膜」を形成するのに対して、甲１発明１では「キャリア基板」を使用するとともに「固体の樹脂膜」の膜厚につき特定されていない点
イ　相違点３についての判断
ａ　甲１には、甲１発明１において、ポリイミド樹脂膜の支持体への密着性を向上させることができるカップリング剤として、本件発明２記載の特定のアルコキシシラン化合物は記載されていない。また、本件発明２記載の特定のアルコキシシラン化合物がキャリア基板に形成したポリイミド樹脂膜上に回路を形成後、キャリア基板から剥離するフレキシブルデバイス基板形成用のポリアミド樹脂組成物から形成した樹脂膜のキャリア基板への密着性を向上させるのに適するものであることが本件優先日時点の当業者の技術常識であったことを認めることができる証拠もない。
　そうすると、甲１に接した当業者が、本件発明２に記載された特定のアルコキシシラン化合物を選択する動機付けがあるとは認められないから、相違点３が容易想到であると認めることはできない。
　なお、これは、判決（第１３５頁第２行〜第１１行）においても認定するとおりであり、行政事件訴訟法３３条１項の規定による拘束を逸脱するものではない。
ｂ　甲２２について
　甲２２（記載事項（ｇ−１））によると、本件優先日時点において、プラスチックに添加するシランカップリング剤として、甲１の段落【００１９】に記載されたγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシランと、本件発明２における３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシランが知られていたと認められる。そして、甲２２には、甲１に記載されたγ−アミノプロピルトリエトキシシランの特性として、「とくに塩ビ樹脂に有効で，エポキシ樹脂，メラミン樹脂，フェノール樹脂，ポリプロピレン，ポリカーボネート，ナイロン樹脂，ＥＰＭ，ＥＰＤＭその他の硫黄加硫ゴム，ポリウレタン，多硫化ゴムにも利用できる。」と記載され（同じく甲１に記載されたγ−アミノプロピルトリメトキシシランの特性は、甲２２には記載されていない。）、本件発明２に記載された３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランであるγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランについては、「ポリエステル，エポキシ樹脂，メラミン樹脂，ポリエチレン，ポリカーボネート，ＡＢＳ，塩ビ樹脂，ポリウレタンに有用。」、「シリカ入りの硫黄加硫ＳＢＲ，ＥＰＤＭに添加すると物性が大幅に増大する。」、３−ウレイドプロピルトリエトキシシランであるγ−ウレイドプロピルトリエトキシシランについては、「エポキシ樹脂，メラミン樹脂，フェノール樹脂などの複合材に卓効がある。」とそれぞれ記載されている。
　しかしながら、甲２２に記載されたシランカップリング剤のうち、ポリイミドへの添加について言及されているのは、（２１）のＮ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランのみであり、甲２２には、甲１や本件発明２に記載された上記のアルコキシシラン化合物が、ポリイミドに添加されるシランカップリング剤であるとの記載はない。
　そうすると、甲２２を根拠に、本件発明２記載のアルコキシシラン化合物をポリイミドに添加することが容易想到であると認めることはできない。
　なお、これは、判決（第１３５頁第２１行〜第１３７頁第１７行）においても認定するとおりであり、行政事件訴訟法３３条１項の規定による拘束を逸脱するものではない。
ｃ　甲２〜甲６について
　甲２において、シランカップリング剤は、金属アルコキシドやその他の物質のポリイミド系重合体の前駆体であるポリアミック酸系重合体への分散性、混合性を向上させ、熱膨張率などの特性にもとづく寸法安定性を改善することを目的とするものであり（記載事項（ｂ−１）〜（ｂ−４））、本件発明２のように、「支持体と十分な密着性」を有し、かつ、「物理的な方法で綺麗に剥離する」というものではないから、本件発明２とは異なる目的のために配合されている。
　甲３において、アルコキシシラン化合物は、透明性を損なわずに、寸法安定性に優れ、かつ無機化合物基板との密着性が高いシリカ粒子が分散してなる新規なポリイミド組成物及びその製造方法を提供するために、ポリイミド溶液に添加し、ポリイミド溶液において水の存在下で反応させるものであり（記載事項（ｃ−１）〜（ｃ−２））、本件発明２において、アルコキシシランが、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸の組成物に配合されるのとは、配合対象が異なっている上、本件発明２のように、「支持体と十分な密着性」を有し、かつ、「物理的な方法で綺麗に剥離する」というものではないから、本件発明２とは異なる目的のために配合されている。
　甲４は、ポリイミド銅張積層板のポリイミド層と銅箔との間の接着性を高めるために、ポリイミド前駆体コーティング溶液中に、アルコキシシランを組み込むというもので（記載事項（ｄ−１）〜（ｄ−３））、本件発明２のように、「支持体と十分な密着性」を有し、かつ、「物理的な方法で綺麗に剥離する」というものではないから、本件発明２とは異なる目的のために配合されている。
　甲５は、良好な熱伝導性と接着性を有し、さらに、良好な耐熱性を有する樹脂組成物を提供することを目的とするものであるが、（Ｃ）成分の例として、３−ウレイドプロピルトリエトキシシランを含む組成物が、ポリイミド樹脂と無機フィラーの相溶性を高め、ボイド（空隙）を抑制し、少ない無機フィラー含量でも高い熱伝導性が得られると記載されており（記載事項（ｅ−１）〜（ｅ−５））、本件発明２のように、「支持体と十分な密着性」を有し、かつ、「物理的な方法で綺麗に剥離する」というものではないから、本件発明２とは異なる目的のために配合されている。
　甲６は、電子部品の絶縁膜又は表面保護膜用樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品に関するものであり、最終加熱時においてメルトを起こすことなく、最終加熱以降の加熱においても架橋成分等の昇華及びガス成分の発生が少ない層間絶縁膜又は表面保護膜を製造するために、３−ウレイドプロピルトリエトキシシランを添加することができるというものであり、シリコン基板に対する接着性増強剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシランなどのアルコキシシラン化合物を含むことができるとの記載があるが（記載事項（ｆ−１）〜（ｆ−５））、「支持体と十分な密着性」を有し、かつ、「物理的な方法で綺麗に剥離すること」が可能なポリイミド樹脂膜を形成することが可能な樹脂組成物を提供するという本件発明２とは添加目的が異なっている。
　そうすると、甲２〜６によって、甲２〜６にされたアルコキシシラン化合物を本件発明２のために用いるという動機付けがあるとは認められないから、相違点３が容易想到であると認めることはできない。
　なお、これは、判決（第１４５頁第２行〜第１４６頁第２３行）においても認定するとおりであり、行政事件訴訟法３３条１項の規定による拘束を逸脱するものではない。
　
ｄ　以上によると、本件発明２は、当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできず、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、特許法第２９条２項の規定に違反したものではないから、本件発明２に係る特許は、同法第１１３条２項に該当せず、取り消すべきものではない。
（３）本件発明９、１０について
　本件発明９は、請求項２に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜に係る発明、本件発明１０は、請求項９に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板に係る発明であるところ、本件発明２が容易想到でないことからすると、本件発明９、１０は、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、特許法第２９条２項の規定に違反したものではないから、本件発明９、１０に係る特許は、同法第１１３条２項に該当せず、取り消すべきものではない。
　なお、この判断は、判決（第１５０頁第１０行〜第１２行、第１５１頁第３行〜５行）の判断と同じである。
２　取消理由ａについて
（１）取消理由（決定の予告）の内容
　通知した内容は、以下のとおりである。なお、下線は当審が付した。
ア　本件発明の解決課題
　本件発明の解決しようとする課題は、本件特許明細書の記載（特に【０００７】）からみて、「支持体と十分な密着性を有し、かつ、支持体から剥離する際にレーザーを用いずに、物理的な方法で綺麗に剥離することが可能なポリイミド樹脂膜（プラスチック基板）を形成することが可能」で「良好な機械特性及び耐熱性を有するポリイミド樹脂膜を形成することが可能な樹脂組成物」及び「該樹脂 組成物を用いたポリイミド樹脂膜と、ディスプレイ基板の製造方法」の提供にあるものと認められる。
　
イ　本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載
　本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載のうち実施例（比較例）に係る部分以外の部分（【０００１】ないし【００４６】）の記載を検討すると、
「（（ｂ）アルコキシシラン化合物）
　本発明の樹脂組成物は、（ａ）ポリイミド前駆体に対して（ｂ）アルコキシシラン化合物を０．０１〜２質量％含有する。
　（ｂ）アルコキシシラン化合物を０．０１〜２質量％含有することで、ＴＦＴなどの半導体素子を形成する際に、支持体と十分な密着性を有し、かつ、支持体から剥離する際にレーザーを用いずに、物理的な方法で綺麗に剥離することが可能（剥離性が良好）なポリイミド樹脂膜（プラスチック基板）を形成することが可能な樹脂組成物を提供することができる。
　（ｂ）アルコキシシラン化合物の含有量が０．０１質量％以上であることで、良好な支持体との十分な密着性を付与することができ、また（ｂ）アルコキシシラン化合物の含有量が２質量％以下であることで、良好な剥離性を付与し、さらにポリイミド樹脂膜に良好な耐熱性と機械特性を付与することができる。（ｂ）アルコキシシラン化合物の含有量は、（ａ）ポリイミド前駆体に対して、０．０２〜２質量％であることが好ましく、０．０５〜１質量％であることはより好ましく、０．０５〜０．５質量％であることがさらに好ましく、０．１〜０．５質量％であることが特に好ましい。」（【００２６】）
及び
「（ｂ）アルコキシシラン化合物としては、一般式(２)又は（３）で表されるいずれかの化合物を用いることが好ましい。
・・（中略）・・
　一般式（２）又は（３）で表される化合物としては、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、γ−アミノエチルトリエトキシシラン、γ−アミノエチルトリメトキシシラン、γ−アミノエチルトリプロポキシシラン、γ−アミノエチルトリブトキシシラン、γ−アミノブチルトリエトキシシラン、γ−アミノブチルトリメトキシシラン、γ−アミノブチルトリプロポキシシラン、γ−アミノブチルトリブトキシシラン、等が挙げられ、また、これらは２種以上を併用して用いてもよい。これらの中でも、支持体と十分な密着性を有し、かつ、支持体から剥離する際に剥離性が良好なポリイミド樹脂膜を与える観点から、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシランのいずれかを用いることが好ましく、３−ウレイドプロピルトリエトキシシランを用いることが最も好ましい。」（【００２７】〜【００２９】）
とそれぞれ記載されているところ、当該記載からみて、アルコキシシラン化合物の量比については、ポリイミド前駆体に対してアルコキシシラン化合物を０．０１〜２質量％含有することにより、支持体と十分な密着性を有し、かつ、支持体から剥離する際に物理的な方法で剥離することが可能（すなわち剥離性が良好）であるとの効果を奏することが理解できるが、「一般式（２）又は（３）で表される化合物」として例示される多種のアルコキシシラン化合物のうち、「支持体と十分な密着性を有し、かつ、支持体から剥離する際に剥離性が良好なポリイミド樹脂膜を与える観点から」好適であるとされる
「３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン」以外の他のアルコキシシラン化合物を使用した場合につき、上記所期の効果を得られるであろうと当業者が認識し得る作用機序については、理解することができない。
　また、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載のうち実施例（比較例）に係る部分（【００４７】ないし【００８８】）の記載を検討すると、上記「支持体と十分な密着性を有し、かつ、支持体から剥離する際に剥離性が良好なポリイミド樹脂膜を与える観点から」好適であるとされる
「３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン」の４種を使用した極めて限られた実施例に係る記載のみであり、他のアルコキシシラン化合物を使用した場合につき、上記所期の効果を得られるであろうと当業者が認識し得るような実験例に係る記載がない。
（なお、ちなみに、「３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン」及び「ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン」の２種は、上記「一般式（２）又は（３）で表される化合物」に該当するものでさえない（「トリエトキシシラン」である。）。）
　なお、本件特許に係る出願の日において、上記請求項１及び３ないし６に記載された事項を具備する発明につき、当業者が上記課題を解決できると認識することができるような技術常識が存するものとも認められない。
　したがって、本件特許の請求項１及び３ないし６並びに同各項を引用する請求項７及び８に記載された事項を具備する発明が、上記解決課題を解決できるであろうと当業者が認識できるものとはいえないから、本件発明１及び３ないし８が、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載したものということはできない。
（２）判断
　上記第３で示したとおり、本件発明２，９，１０におけるアルコキシシラン化合物は、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン及びフェニルトリメトキシシランからなる群から選択される１以上のものである。
　そして、上記（１）のとおり、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシランは、実施例において上記所期の効果が得られているものであるから、当業者が上記課題を解決できると認識できるものである。
　したがって、本件発明２，９，１０は、発明の詳細な説明に記載したものであるから、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由ａによっては、これらの特許を取り消すことはできない。
第７　取消理由（決定の予告）で採用しなかった特許異議の申立ての理由
　当審は、本件発明２，９，１０に係る特許は、申立人の特許異議の申立て理由によって、取り消すことはできないと判断する。
１　取消理由１について
　本件発明２と甲１発明１との対比については、上記第６の１（８）アに示したとおりである。そして、上記第６の１（８）イに示したとおり、相違点３は実質的な相違点であるから、取消理由１によっては、これらの特許を取り消すことはできない。
２　取消理由３について
　上記第４で示したとおり、取消理由３は、訂正前の請求項５に係る発明を対象としており、上記第２で示したとおり、訂正前の請求項２，７，８に係る発明を減縮したものである本件発明２，９，１０は対象となっていないから、取消理由３によっては、これらの特許を取り消すことはできない。
第８　むすび
　以上のとおりであるから、当審が通知した取消理由及び申立人が申立書に記載した特許異議申立ての理由によっては、請求項２，９，１０に係る本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項２，９，１０に係る本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年１１月２日（２０２０．１１．２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　（ａ）
一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸
３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、γ−アミノエチルトリエトキシシラン、γ−アミノエチルトリメトキシシラン、γ−アミノエチルトリプロポキシシラン、γ−アミノエチルトリブトキシシラン、γ−アミノブチルトリエトキシシラン、γ−アミノブチルトリメトキシシラン、γ−アミノブチルトリプロポキシシラン、及びγ−アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物
前記
成分
前記
成分
０．２
　前記樹脂組成物を
シリコン基板又はガラス基板
、１〜５０μｍの膜厚を有する
　【化１１】
（一般式（１）中、Ｒ１は芳香族環を有する２価の有機基を示し、Ｒ２は芳香族環を有する４価の有機基を示す。）
　【請求項２】
　
（ａ）
と、（ｂ）３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン及びフェニルトリメトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と、（ｃ）有機溶剤と、を含有し、前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２〜２質量％である樹脂組成物であって、
　前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布、加熱し、１〜５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む、ディスプレイ基板の製造方法に用いられる、樹脂組成物。
　【化１】
（一般式（１）中、Ｒ１は芳香族環を有する２価の有機基を示し、Ｒ２は芳香族環を有する４価の有機基を示す。）
　【請求項３】
　（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と、（ｂ）３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、γ−アミノエチルトリエトキシシラン、γ−アミノエチルトリメトキシシラン、γ−アミノエチルトリプロポキシシラン、γ−アミノエチルトリブトキシシラン、γ−アミノブチルトリエトキシシラン、γ−アミノブチルトリメトキシシラン、γ−アミノブチルトリプロポキシシラン、及びγ−アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と、（ｃ）有機溶剤と、を含有し、前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２〜２質量％である樹脂組成物であって、
　前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布、加熱し、１〜５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む、ディスプレイ基板の製造方法に用いられる、樹脂組成物。
　【化１２】
（一般式（１）中、Ｒ１は芳香族環を有する２価の有機基を示し、Ｒ２は下記式（７）で表される４価の有機基を示す。）
　【化１３】
　【請求項４】
　
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と、（ｂ）３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、γ−アミノエチルトリエトキシシラン、γ−アミノエチルトリメトキシシラン、γ−アミノエチルトリプロポキシシラン、γ−アミノエチルトリブトキシシラン、γ−アミノブチルトリエトキシシラン、γ−アミノブチルトリメトキシシラン、γ−アミノブチルトリプロポキシシラン、及びγ−アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と、（ｃ）有機溶剤と、を含有し、前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２〜１質量％である樹脂組成物であって、
　前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布、加熱し、１〜５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む、ディスプレイ基板の製造方法に用いられる、樹脂組成物。
　【化１４】
（一般式（１）中、Ｒ１は芳香族環を有する２価の有機基を示し、Ｒ２は芳香族環を有する４価の有機基を示す。）
　【請求項５】（削除）
　【請求項６】
　
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と、（ｂ）３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、γ−アミノエチルトリエトキシシラン、γ−アミノエチルトリメトキシシラン、γ−アミノエチルトリプロポキシシラン、γ−アミノエチルトリブトキシシラン、γ−アミノブチルトリエトキシシラン、γ−アミノブチルトリメトキシシラン、γ−アミノブチルトリプロポキシシラン、及びγ−アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と、（ｃ）有機溶剤と、を含有し、前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２〜２質量％であり、前記（ａ）成分の重量平均分子量が１５，０００〜２００，０００である樹脂組成物であって、
　
前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布、加熱し、１〜５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む、ディスプレイ基板の製造方法に用いられる、樹脂組成物。
　【化１５】
（一般式（１）中、Ｒ１は下記式（３）で表される２価の有機基を示し、Ｒ２は芳香族環を有する４価の有機基を示す。）
　【化１６】
　【請求項７】
　請求項
１
　【請求項８】
　請求項７に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
　【請求項９】
　請求項２に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。
　【請求項１０】
　請求項９に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
　【請求項１１】
　請求項３に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。
　【請求項１２】
　請求項１１に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
　【請求項１３】
　請求項４に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。
　【請求項１４】
　請求項１３に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
　【請求項１５】
　請求項６に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。
　【請求項１６】
　請求項１５に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
　【請求項１７】
　（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と、（ｂ）３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、γ−アミノエチルトリエトキシシラン、γ−アミノエチルトリメトキシシラン、γ−アミノエチルトリプロポキシシラン、γ−アミノエチルトリブトキシシラン、γ−アミノブチルトリエトキシシラン、γ−アミノブチルトリメトキシシラン、γ−アミノブチルトリプロポキシシラン、及びγ−アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と、（ｃ）有機溶剤と、を含有し、前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２〜２質量％である樹脂組成物であって、
　前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布、加熱し、１〜５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む、ディスプレイ基板の製造方法に用いられる、樹脂組成物。
　【化１７】
（一般式（１）中、Ｒ１は下記式（３）で表される２価の有機基を示し、Ｒ２は下記式（７）で表される４価の有機基を示す。）
　【化１８】
　【請求項１８】
　請求項１７に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。
　【請求項１９】
　請求項１８に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。