(57)【要約】【課題】一つのデバイスで複数種のテラヘルツ周波数透過特性が設定可能なテラヘルツ電磁波透過デバイスを得る【解決手段】ＰＦ6含有のポリピロールからなる導電性高分子膜１上にポリエチレングリコールからなる電界質層２が形成され、導電性高分子膜１及び電界質層２により積層構造本体５を構成する。積層構造本体５の表面上に平行電極である上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８が形成され、積層構造本体５の裏面上に平行電極である下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８が形成される。上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８及び下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８は互いに平面視直交する。上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８と下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８とが平面視重複する、導電性高分子膜１内の領域がドープ状態遷移領域３として規定される。【選択図】図３
2010210314.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性高分子材料で構成され、イオン性ドープ材を含み、該イオン性ドープ材含有状態でテラヘルツ周波数の電磁波入力時に誘電率の実部が負の特性を有する第１の層と、
前記第１の層上に形成され、電解質材料からなる第２の層とを備え、前記第１及び第２の層とにより一方主面及び他方主面を有する積層構造が形成され、
前記積層構造の一方主面上に形成される少なくとも一つの第１の電極と、
前記積層構造の他方主面上に形成される少なくとも一つの第２の電極とをさらに備え、前記少なくとも一つの第１の電極と前記少なくとも一つの第２の電極とが平面視重複する前記第１の層の領域が少なくとも一つのドープ状態遷移領域として規定され、
前記少なくとも一つのドープ状態遷移領域はそれぞれ、対応する前記第１及び第２の電極間で所定のバイアス電圧を設定することにより、前記イオン性ドープ材を含有するインドープ状態及び前記イオン性ドープ材を有さない脱ドープ状態の一方の設定状態に可変設定可能であることを特徴とする、
テラヘルツ電磁波透過デバイス。
【請求項２】
請求項１記載のテラヘルツ電磁波透過デバイスであって、
前記少なくとも一つの第１の電極は、平面視第１の方向に沿って形成される複数の第１の平行電極を含み、前記複数の第１の平行電極はそれぞれ形成幅が０．０１〜２ｍｍで互いに所定間隔毎に形成され、
前記少なくとも一つの第２の電極は、前記第１の方向に対し平面視垂直方向の第２の方向に沿って形成される複数の第２の平行電極を含み、前記複数の第２の平行電極はそれぞれ形成幅が０．０１〜２ｍｍで互いに前記所定間隔毎に形成される、
テラヘルツ電磁波透過デバイス。
【請求項３】
請求項１あるいは請求項２記載のテラヘルツ電磁波透過デバイスであって、
前記導電性高分子材料はポリピロールを含み、
前記電解質材料はポリエチレングリコールを含み、
前記イオン性ドープ材はＰＦ6を含む、
テラヘルツ電磁波透過デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、テラヘルツ電磁波に対し特定の周波数透過特性を有するテラヘルツ電磁波透過デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
テラヘルツ時間領域分光法の研究分野において、金属膜に対し格子状に複数の開口部を設けることにより、共鳴透過現象により、テラヘルツ電磁波における特定の周波数（波長）に関し開口率を超える透過率（透過率の増強("Enhanced Optical Transmission"）)を発揮する透過デバイスが研究されている。このような透過特性（スペクトル）を有する透過デバイスは例えば、非特許文献１に開示されている。また、上記非特許文献１では、透過デバイスを構成する金属膜としてポリピロール膜等の導電性高分子膜の有効性が指摘されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】"Terahertz time-domain spectroscopy studies of subwavelength hole arrays in metallic films",T.Matsui et al.,Physica B 394(2007)363-367
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、これらの透過デバイスは複数の開口部の形状、間隔等により、特定のテラヘルツ周波数透過特性を発揮することができるに留まる。すなわち、一の透過デバイスは一のテラヘルツ周波数透過特性のみ発揮することができるにすぎなかった。
【０００５】
したがって、複数種のテラヘルツ周波数透過特性を有する透過デバイスを得るためには、複数個の透過デバイスを準備する必要があり、必要以上に手間及びコストを費やしてしまうという問題点があった。
【０００６】
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、一つのデバイスで複数種のテラヘルツ周波数透過特性が設定可能なテラヘルツ電磁波透過デバイスを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る請求項１記載のテラヘルツ電磁波透過デバイスは、導電性高分子材料で構成され、イオン性ドープ材を含み、該イオン性ドープ材含有状態でテラヘルツ周波数の電磁波入力時に誘電率の実部が負の特性を有する第１の層と、前記第１の層上に形成され、電解質材料からなる第２の層とを備え、前記第１及び第２の層とにより一方主面及び他方主面を有する積層構造が形成され、前記積層構造の一方主面上に形成される少なくとも一つの第１の電極と、前記積層構造の他方主面上に形成される少なくとも一つの第２の電極とをさらに備え、前記少なくとも一つの第１の電極と前記少なくとも一つの第２の電極とが平面視重複する前記第１の層の領域が少なくとも一つのドープ状態遷移領域として規定され、前記少なくとも一つのドープ状態遷移領域はそれぞれ、対応する前記第１及び第２の電極間で所定のバイアス電圧を設定することにより、前記イオン性ドープ材を含有するインドープ状態及び前記イオン性ドープ材を有さない脱ドープ状態の一方の設定状態に可変設定可能であることを特徴とする。
【０００８】
請求項２記載のテラヘルツ電磁波透過デバイスは、請求項１記載のテラヘルツ電磁波透過デバイスであって、前記少なくとも一つの第１の電極は、平面視第１の方向に沿って形成される複数の第１の平行電極を含み、前記複数の第１の平行電極はそれぞれ形成幅が０．０１〜２ｍｍで互いに所定間隔毎に形成され、前記少なくとも一つの第２の電極は、前記第１の方向に対し平面視垂直方向の第２の方向に沿って形成される複数の第２の平行電極を含み、前記複数の第２の平行電極はそれぞれ形成幅が０．０１〜２ｍｍで互いに前記所定間隔毎に形成される。
【０００９】
請求項３記載のテラヘルツ電磁波透過デバイスは、請求項１あるいは請求項２記載のテラヘルツ電磁波透過デバイスであって、前記導電性高分子材料はポリピロールを含み、前記電解質材料はポリエチレングリコールを含み、前記イオン性ドープ材はＰＦ6を含む。
【発明の効果】
【００１０】
この発明における請求項１記載のテラヘルツ電磁波透過デバイスにおいて、少なくとも一つのドープ状態遷移領域はそれぞれ、対応する第１及び第２の電極間で所定のバイアス電圧を設定することにより、イオン性ドープ材を含有するインドープ状態及びイオン性ドープ材を有さない脱ドープ状態の一方の設定状態に可変設定可能である。
【００１１】
したがって、テラヘルツ電磁波透過デバイスは、少なくとも一つのドープ状態遷移領域を選択的に脱ドープ状態に設定することにより、テラヘルツ周波数透過特性に関し、少なくとも一つのドープ状態遷移領域に選択的に開口部を設けたのと実質的に同一の効果を有する。
【００１２】
その結果、請求項１記載の本願発明のテラヘルツ電磁波透過デバイスは、脱ドープ状態に設定するドープ状態遷移領域の態様を適宜変更することができるため、一のデバイスによって、テラヘルツ周波数透過特性を複数種に渡って可変設定することができる効果を奏する。
【００１３】
請求項２記載のテラヘルツ電磁波透過デバイスによって、少なくとも一つのドープ状態遷移領域として、一辺が上記形成幅の平面視正方形状を呈し、第１及び第２の方向共に所定間隔毎に設けられた平面視格子状の複数のドープ状態遷移領域を得ることができる。
【００１４】
したがって、平面視格子状の複数のドープ状態遷移領域を選択的に脱ドープ状態に設定することにより、一のデバイスによって、比較的簡単な構成で、テラヘルツ電磁波に対し複数種の周波数透過特性を可変設定することができる。
【００１５】
導電性高分子材料はポリピロールを含むため、テラヘルツ電磁波透過デバイスは室温で設定状態を安定して維持することができる。また、イオン性ドープ材はポリピロールと相性の良いＰＦ6を含むため、インドープ時に高い導電性を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】この発明の実施の形態であるのテラヘルツ電磁波透過デバイスの上面構成を示す上面図である。
【図２】実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスの動作状態を模式的に示す説明図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面構造及び電圧付与部を示す説明図である。
【図４】図１で示した導電性高分子膜における誘電率の実部曲線及び虚部曲線の一例を示すグラフである。
【図５】実施の形態の導電性高分子膜内で規定されるドープ状態遷移領域を模式的に示す説明図である。
【図６】ドープ状態遷移領域の状態遷移内容を模式的に示す説明図である。
【図７】本実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスのテラヘルツ周波数透過特性検出用の分光装置の構成を示す説明図である。
【図８】本実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスを用いた分光装置の構成を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（テラヘルツ電磁波透過デバイス）
図１はこの発明の実施の形態であるのテラヘルツ電磁波透過デバイスの上面構成を示す上面図である。図２は実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスの動作状態を模式的に示す説明図である。図３は図２のＡ−Ａ断面構造及び電圧付与部を示す説明図である。
【００１８】
図３に示すように、数十μｍの膜厚の導電性高分子膜１（第１の層）及び数μｍ程度の膜厚の導電性高分子膜１上に形成された電界質層２（第２の層）からなる積層構造本体５がテラヘルツ電磁波透過デバイス本体となる。
【００１９】
導電性高分子膜１は導電性高分子材料としてポリピロールを用いて構成されている。さらに、導電性高分子膜１はイオン性ドープ材であるＰＦ6を含んでいる。すなわち、導電性高分子膜１はＰＦ6含有のポリピロールから構成される。導電性高分子膜１は例えばピロールをＰＦ6を加えた液で電解重合してポリピロールを得ることにより形成することができる。
【００２０】
図４は導電性高分子膜１における誘電率の実部曲線Ｌｒ及び虚部曲線Ｌｉの一例を示すグラフである。同図で示すように、導電性高分子膜１は膜厚が２５μｍで、導電率が２００Ｓ／ｃｍ程度のものを示している。同図に示すように、テラヘルツ電磁波に対し、実部曲線Ｌｒが負の値を示している。
【００２１】
導電性高分子膜１上にＰＦ6を含み、電解質材料であるポリエチレングリコールからなる電界質層２が形成される。電界質層２は、例えば、ＰＦ6を溶解させたポリエチレングリコールをスピンコート法等を用いて導電性高分子膜１上に塗布することにより形成される。なお、電界質層２は固体で構成することは勿論、容器等に収納することにより液体で構成しても良い。
【００２２】
そして、図１に示すように、積層構造本体５の表面（一方主面）上にメタル等からなる上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８（第１の平行電極）が形成される。上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８はそれぞれ形成幅ｄ１（０．０１〜２．０ｍｍ）を有し、形成間隔ｄ２毎に図中横方向（第１の方向）に沿って互いに平行に形成される。なお、形成間隔ｄ２は例えば形成幅ｄ１と同レベルに設定される。
【００２３】
一方、積層構造本体５の裏面（他方主面）上にメタル等からなる下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８（第２の平行電極）が形成される。下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８はそれぞれ形成幅ｄ１を有し、形成間隔ｄ２毎に図中縦方向（第１の方向に平面視垂直な第２の方向）に沿って互いに平行に形成される。
【００２４】
図５は導電性高分子膜１内で規定されるドープ状態遷移領域を模式的に示す説明図である。同図に示すように、上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８と下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８とが平面視重複する、導電性高分子膜１内の領域がドープ状態遷移領域３となる。すなわち、上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８と下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８との位置関係により、導電性高分子膜１内に平面視格子状（一辺ｄ１）の８×８のドープ状態遷移領域３が規定されることになる。
【００２５】
図６はドープ状態遷移領域の状態遷移内容を模式的に示す説明図である。同図において、一の上部電極ＥＵ及び一の下部電極ＥＬによる平面視重複領域内に形成される一のドープ状態遷移領域３の断面構造を模式的に示している。
【００２６】
同図(a) に示すように、上部電極ＥＵ，下部電極ＥＬ間において上部電極ＥＵが正となる所定レベルの正バイアスが発生するように、上部電極ＥＵ及び下部電極ＥＬにそれぞれ電位設定すると、ドープ状態遷移領域３内のＰＦ6は電界質層２に移動する脱ドープ動作が行われ、ドープ状態遷移領域３は脱ドープ状態３Ｏに遷移する。
【００２７】
ドープ状態遷移領域３は脱ドープ状態３Ｏに遷移すると絶縁性を有するため、テラヘルツ電磁波に対する周波数透過特性（テラヘルツ周波数透過特性）に関し、ドープ状態遷移領域３を脱ドープ領域３Ｏに設定することはドープ状態遷移領域３に開口部を設けたのと実質的に同一の効果を有する。なお、電界質層２、下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８、及び上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８はテラヘルツ電磁波を透過させる性質を有する。また、下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８及び上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８の膜厚は薄く形成する方が望ましい。
【００２８】
一方、同図(b) に示すように、上部電極ＥＵ，下部電極ＥＬ間において上部電極ＥＵが負となる所定レベルの負バイアスが発生するように、上部電極ＥＵ及び下部電極ＥＬにそれぞれ電位設定すると、電界質層２内のＰＦ6はドープ状態遷移領域３に移動するインドープ動作が行われ、ドープ状態遷移領域３は導電性を有するインドープ状態３Ｉとなる。
【００２９】
また、ドープ状態遷移領域３は脱ドープ状態３Ｏあるいはインドープ状態３Ｉに一度設定されると、上記正バイアス及び上記負バイアスの付与の停止後においても、ドープ状態遷移領域３は設定された状態（脱ドープ状態３Ｏ，インドープ状態３Ｉ）を維持する。
【００３０】
なお、上部電極ＥＵ，下部電極ＥＬに付与する電圧して、０．１Ｖ〜５０Ｖが考えられる。必要な条件は、上記正バイアス発生時にドープ状態遷移領域３を確実に脱ドープ状態３Ｏに設定できる電圧が付与でき、上記負バイアス発生時にドープ状態遷移領域３を確実にインドープ状態３Ｉに設定することができることである。
【００３１】
加えて、上記正バイアス及び上記負バイアス時の電位差を制御して、脱ドープ状態３Ｏ及びインドープ状態３Ｉの度合を調整することにより、ドープ状態遷移領域３における透過光の強度を調整することができる。
【００３２】
以下、図２及び図３等を参照して、実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスのテラヘルツ周波数透過特性の設定動作を説明する。なお、以下では正バイアス発生して、ドープ状態遷移領域３を脱ドープ状態３Ｏに設定するための電圧設定をＯＮ動作設定、負バイアス発生してドープ状態遷移領域３をインドープ状態３Ｉに設定するための電圧設定をＯＦＦ動作設定として説明する。
【００３３】
図２に示すように、上部電極ＥＵ１、ＥＵ３、ＥＵ５及びＥＵ７並びに下部電極ＥＬ１、ＥＬ３、ＥＬ５及びＥＬ７をＯＮ動作設定すると、これらの電極が平面視重複するドープ状態遷移領域３を脱ドープ領域３Ｏに設定することができる。すなわち、図２に示す上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８及び下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８に対する電位設定により、図５で示した８×８のドープ状態遷移領域３のうち、４×４のドープ状態遷移領域３を選択的に脱ドープ状態３Ｏに設定することができる。
【００３４】
次に、図３を参照して、下部電極ＥＬ７上に存在し、かつ、上部電極ＥＵ１、ＥＵ３、ＥＵ５及びＥＵ７下に位置するドープ状態遷移領域３に着目した上記ＯＮ動作設定について説明する。
【００３５】
図３に示すように、電圧付与部６はスイッチ部１０及び電源１１から構成され、スイッチ部１０によって電源１１の正極１１Ｐから得られる正電圧及び負極１１から得られる負電圧が上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８及び下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８に選択的に付与される。
【００３６】
図３の構成において、スイッチ部１０内の端子Ｐ１３，Ｐ１４間及び端子Ｐ２３，Ｐ２４間を短絡状態とし、端子Ｐ１１，Ｐ１２間及び端子Ｐ２１，Ｐ２２間を開放状態にする。この設定により、電源１１の正極１１Ｐから得られる正電圧が上部電極線Ｌ１に付与され、電源１１の負極１１から得られる負電圧が下部電極ＥＬ７に付与される。その結果、ドープ状態遷移領域３を脱ドープ状態３Ｏに設定する電位設定が行える。
【００３７】
一方、スイッチ部１０内の端子Ｐ１３，Ｐ１４間及び端子Ｐ２３，Ｐ２４間を開放状態とし、端子Ｐ１１，Ｐ１２間及び端子Ｐ２１，Ｐ２２間を短絡状態にする。この設定により、上記負電圧が上部電極線Ｌ１に付与され、上記正電圧が下部電極ＥＬ７に付与される。その結果、ドープ状態遷移領域３をインドープ状態３Ｉに設定する電位設定が行える。
【００３８】
図３で示す接続状態のスイッチ部１０は、電源１１の正極１１Ｐを端子Ｐ３、端子Ｐ１３、端子Ｐ１４を介して上部電極線Ｌ１に電気的に接続する。その結果、上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８に対応する上部電極線Ｌ１に電源１１の正電圧が付与される。なお、端子Ｐ１１，Ｐ１２間は開放されている。
【００３９】
この上部電極線Ｌ１はスイッチＳＷ１，ＳＷ３，ＳＷ５及びＳＷ７を介して上部電極ＥＵ１，ＥＵ３，ＥＵ５及びＥＵ７に接続される。
【００４０】
一方、スイッチ部１０によって、電源１１の負極１１は端子Ｐ２、端子Ｐ２３、端子Ｐ２４を介して下部電極ＥＬ７に接続される。その結果、下部電極ＥＬ７に電源１１の負電圧が付与される。なお、端子Ｐ２１，Ｐ２２間は開放されている。
【００４１】
このような状態で、スイッチＳＷ１，ＳＷ３，ＳＷ５及びＳＷ７を順に所定期間オン状態に設定することにより、上部電極ＥＵ１，ＥＵ３，ＥＵ５及びＥＵ７下のドープ状態遷移領域３を順次、脱ドープ状態３Ｏに設定することができる。なお、図３では、スイッチＳＷ１がオン状態を終え、スイッチＳＷ３がオン状態の状況を示している。前述したように、一度、脱ドープ状態３Ｏに設定されたドープ状態遷移領域３はＯＦＦ動作設定によりインドープ状態３Ｉに設定されるまで脱ドープ状態３Ｏを維持する。
【００４２】
このように、本実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスにおいて、電圧付与部６により上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８及び下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８それぞれに選択的に電圧を付与することにより、８×８のドープ状態遷移領域３それぞれに対し独立してインドープ状態３Ｉあるいは脱ドープ状態３Ｏに状態設定することができる。
【００４３】
したがって、複数のドープ状態遷移領域３を選択的に脱ドープ状態３Ｏにして絶縁性を持たせることにより、本実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスはテラヘルツ周波数特性に関し、導電性高分子膜１のドープ状態遷移領域３部分に開口部を設けたのと実質的に同一な効果を有する。
【００４４】
複数のドープ状態遷移領域３における脱ドープ状態３Ｏの設定態様は多様であり複数種実現可能である。したがたって、本実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスは、脱ドープ状態３Ｏに設定するドープ状態遷移領域３の態様を適宜変更することができるため、複数種の脱ドープ状態３Ｏの設定態様に伴い、複数種のテラヘルツ周波数透過特性を得ることができる。
【００４５】
その結果、本実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスは、一のデバイスによって、複数種のテラヘルツ周波数透過特性を可変設定することができる効果を奏する。
【００４６】
なお、テラヘルツ周波数透過特性は、定性的には脱ドープ状態３Ｏとしたドープ状態遷移領域３，３間の間隔が密な程、高い周波数レベルのテラヘルツ周波数透過特性を有する。また、ドープ状態遷移領域３の形成幅、すなわち、上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８及び下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８の形成幅は小さいほど、高い周波数レベルのテラヘルツ周波数透過特性を発揮することができる。
【００４７】
また、脱ドープ状態３Ｏに設定するドープ状態遷移領域３で形成される平面形状を、円、正方形、卍状等、様々な形状に設定することにより、特異なテラヘルツ周波数透過特性を持たせることが期待できる。
【００４８】
加えて、形成方向が互いに平面視直交する平行電極である上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８及び下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８を積層構造本体５の表面及び裏面に形成することにより、平面視格子状の複数のドープ状態遷移領域を規定することにより、一のデバイスによって、比較的簡単な構成で、複数種のテラヘルツ周波数透過特性を可変設定することができる。
【００４９】
さらに、導電性高分子膜１の高分子材料としてポリピロールを用いているため、本実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスは室温で安定している。すなわち、テラヘルツ電磁波透過デバイスは、室温において、設定されたドープ状態遷移領域３の状態（脱ドープ状態３Ｏ，インドープ領域３Ｉ）を安定して維持することができる。
【００５０】
また、本実施の形態では、イオン性ドープ材としてポリピロールと相性の良いＰＦ6を用いているため、ドープ状態遷移領域３がインドープ状態３Ｉに設定されるとき、高い導電性が得られる。したがって、ドープ状態遷移領域３の脱ドープ状態３Ｏからインドープ領域３Ｉへの遷移時において、テラヘルツ電磁波に対し、開口部が完全に塞がれたのと実質同一の効果を発揮することができる。
【００５１】
なお、本実施の形態では、導電性高分子膜１及び電界質層２共にイオン性ドープ材であるＰＦ6を含有させたが、少なくとも導電性高分子膜１内にＰＦ6を含有させれば良い。
【００５２】
（分光装置によるテラヘルツ周波数透過特性の検出）
図７は本実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスのテラヘルツ周波数透過特性の検出用の分光装置の構成を示す説明図である。
【００５３】
同図に示すように、フェムトセカンドレーザ２１から放射される光パルスは、ミラー２２、ビームスプリッタ２３を経て、ポンプ光とプローブ光に分けられる。ポンプ光はテラヘルツパルス電磁波を発生させるため、エミッタ２４へと導かれる。そして、エミッタ２４よりテラヘルツ電磁波を照射させ、放射面ミラー２５で反射させて、本実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスである電磁波透過デバイス２０に照射し、この電磁波透過デバイス２０を透過した透過光を放射面ミラー２７を介してレシーバ２８で検出する。
【００５４】
一方、プローブ光は、波遅延部３０、ミラー２９を介してレシーバ２８に与えられる。遅延部３０は光路上の可動鏡３０Ｄを移動させる等によりプローブ光を遅延させることができる。
【００５５】
そして、遅延部３０によってプローブ光を適宜遅延させながら、レシーバ２８によりプローブ光があたった時点の透過光の波形を時間分解計測し、その波形をフーリエ変換する等により、電磁波透過デバイス２０の透過光のテラヘルツ周波数透過特性を検出することができる。
【００５６】
図７で示す分光装置を用いることにより、本実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスの脱ドープ状態３Ｏの設定態様によって決定される、テラヘルツ周波数透過特性を容易、かつ正確に検出することができる。
【００５７】
（分光装置を用いたテラヘルツ電磁波透過デバイスの応用）
図８は本実施の形態のテラヘルツ電磁波透過デバイスを用いた分光装置の構成を示す説明図である。
【００５８】
同図に示すように、テラヘルツ周波数透過特性が既に検出済みの電磁波透過デバイス２０を用い、電磁波透過デバイス２０を透過した透過光を被検査体３５に照射し、被検査体３５の透過光を放射面ミラー２７に導いている。なお、他の構成は、図７で示した分光装置と同じであるため、説明を省略する。
【００５９】
図８で示すような分光装置を用いることによって、電磁波透過デバイス２０の透過光に対する被検査体３５のテラヘルツ周波数透過特性を容易、かつ正確に検出することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１  導電性高分子膜
２  電界質層
３  ドープ状態遷移領域
５  積層構造本体
６  電圧付与部
１０  スイッチ部
１１  電源
【図１】
2010210314.tif 000003
【図２】
2010210314.tif 000004
【図３】
2010210314.tif 000005
【図４】
2010210314.tif 000006
【図５】
2010210314.tif 000007
【図６】
2010210314.tif 000008
【図７】
2010210314.tif 000009
【図８】
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