(57)【要約】【課題】形状変形を起こすまでの寿命が改善されたスタンパを提供する。【解決手段】表面にデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンが凹凸で形成され、内周および外周が加工され、裏面で内周端および外周端と裏面主面とが同一平面になっていることを特徴とするスタンパ。【選択図】図３
2010176772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンが凹凸で形成され、内周および外周が加工され、裏面で内周端および外周端と裏面主面とが同一平面になっていることを特徴とするスタンパ。
【請求項２】
前記裏面の粗さＲａが７ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
【請求項３】
面内で厚さの差が３μｍ以内であることを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
【請求項４】
基板上に電子ビームレジストを塗布し、
電子ビームリソグラフィーにより、前記電子ビームレジストにデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンを描画し、現像して凹凸を形成し、
前記電子ビームレジストの凹凸面に導電化膜を形成した後、電鋳によりＮｉ電鋳層を形成し、
Ｎｉ電鋳層を剥離してスタンパを形成し、
必要に応じてＮｉ電鋳層の形成および剥離を繰り返してスタンパを複製し、
前記スタンパの内周および外周を加工した後に裏面研磨を行う
ことを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項５】
前記スタンパは、ファザースタンパから複製されたマザースタンパ、マザースタンパから複製されたサンスタンパ、またはサンスタンパから複製されたドウタースタンパであることを特徴とする請求項４に記載のスタンパの製造方法。
【請求項６】
前記Ｎｉ電鋳層を剥離してスタンパを形成した後、得られたスタンパをスリミングすることを特徴とする請求項４に記載のスタンパの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スタンパおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に組み込まれる磁気記録媒体において、隣接トラック間の干渉によりトラック密度の向上が妨げられるという問題が顕在化している。特に記録ヘッド磁界のフリンジングの低減は重要な技術課題である。
【０００３】
このような問題に対して、記録トラック間を物理的に分離するディスクリートトラック型媒体（ＤＴＲ媒体）が提案されている。ＤＴＲ媒体では、記録時に隣接トラックの情報を消去するサイドイレース現象、再生時に隣接トラックの情報を読み出すサイドリード現象などを低減できるため、トラック密度を高めることができる。したがって、ＤＴＲ媒体は高密度の磁気記録媒体として期待されている。
【０００４】
また、単一の磁性ドットを単一の記録セルとして記録再生を行うビットパターンド媒体（ＢＰＭ）が、熱揺らぎ現象および媒体ノイズを抑制できる高密度の磁気記録媒体として提案されている。
【０００５】
個々のＤＴＲ媒体やＢＰＭを電子線（ＥＢ）リソグラフィー技術によって製造すると、製造コストが著しく増大する。そこで、製造コストを低減するためには、電子線（ＥＢ）リソグラフィーにより微細パターンを形成した原盤からＮｉスタンパを作製し、Ｎｉスタンパから射出成形により樹脂スタンパを大量に作製し、その樹脂スタンパを用いＵＶ（紫外線硬化）インプリントによってＤＴＲ媒体やＢＰＭを製造する方法が有効である。この方法を用いれば、安価かつ大量にＤＴＲ媒体やＢＰＭを製造できる。
【０００６】
同様の技術は、光ディスクの製造にも採用されている。Ｎｉスタンパから射出成形により光ディスクを製造する場合、Ｎｉスタンパは１０万ショットの射出成形に耐えられることが知られている。
【０００７】
しかし、Ｎｉスタンパから射出成形によりＤＴＲ媒体やＢＰＭを製造するための樹脂スタンパを作製する場合、数千ショットでＮｉスタンパが許容範囲を超える形状変形を起こし、樹脂スタンパの形状も悪化することがわかった。この原因は、ＤＴＲ媒体やＢＰＭのパターンが光ディスクのパターンに比べて１／１０以下の微細なものであるため、射出成形時に５０〜７０ｔという高い型締め力を加える必要があることによると考えられる。
【０００８】
特許文献１は、光ディスク面の均一性を保つために、スタンパの裏面を研磨する方法を開示している。しかし、特許文献１の方法を採用してＤＴＲ媒体やＢＰＭを製造するための樹脂スタンパを作製しても、Ｎｉスタンパが許容範囲を超える形状変形を起こすまでの寿命を改善できるわけではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平５−２７７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、形状変形を起こすまでの寿命が改善されたスタンパおよびそのようなスタンパを製造できる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様によれば、表面にデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンが凹凸で形成され、内周および外周が加工され、裏面で内周端および外周端と裏面主面とが同一平面になっていることを特徴とするスタンパが提供される。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、基板上に電子ビームレジストを塗布し、電子ビームリソグラフィーにより、前記電子ビームレジストにデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンを描画し、現像して凹凸を形成し、前記電子ビームレジストの凹凸面に導電化膜を形成した後、電鋳によりＮｉ電鋳層を形成し、Ｎｉ電鋳層を剥離してスタンパを形成し、必要に応じてＮｉ電鋳層の形成および剥離を繰り返してスタンパを複製し、前記スタンパの内周および外周を加工した後に裏面研磨を行うことを特徴とするスタンパの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の実施形態によれば、形状変形を起こすまでの寿命が改善されたスタンパおよびそのようなスタンパを製造できる方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】ディスクリートトラック媒体（ＤＴＲ媒体）を示す平面図。
【図２】ビットパターンド媒体（ＢＰＭ）を示す平面図。
【図３】本発明の実施形態に係るスタンパの製造方法を示す断面図。
【図４】スタンパの打ち抜きを示す平面図。
【図５】磁気記録媒体（ＤＴＲ媒体またはＢＰＭ）の製造方法示す断面図。
【図６】本発明の実施形態に係るマザースタンパの製造方法を示す断面図。
【図７】本発明の実施形態に係るサンスタンパおよびドウタースタンパの製造方法を示す断面図。
【図８】スタンパ面内の厚さの差とＲＲＯ変位量との関係を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明者らは、Ｎｉスタンパから射出成形によりＤＴＲ媒体やＢＰＭを製造するための樹脂スタンパを作製する場合、Ｎｉスタンパが許容範囲を超える形状変形を起こすまでの寿命が短くなる原因を検討した。その結果、Ｎｉスタンパの裏面にバリがあると、射出成形機の金型にスタンパをセットする際に金型とスタンパとの間に空隙が生じ、５０〜７０ｔという高い型締め力を加えたときにＮｉスタンパに高負荷がかかって形状変形を起こすことがわかった。ここで、バリとは、裏面主面（バリの存在しない個所）の表面粗さ（Ｒａ）を超える高さを持つ突起と定義する。
【００１６】
Ｎｉスタンパ裏面のバリは、打ち抜き刃を用いてスタンパの内周および外周をプレス加工する際に生じる。この際、スタンパの内周および外周に生じるバリの高さは通常１５μｍ程度になる。従来の方法では、作製したＮｉスタンパの表面（パターンが形成された面）に保護膜を塗布し、裏面研磨を行った後に、スタンパの内周および外周をプレス加工するので、射出成形時にバリが残っている。
【００１７】
本発明の方法によれば、スタンパの内周および外周を加工した後に裏面研磨を行うので、射出成形時にバリは残っていない。このため、射出成形機の金型にスタンパをセットする際に金型とスタンパとの間に空隙が生じにくく、５０〜７０ｔという高い型締め力が加わってもＮｉスタンパに高負荷がかかりにくく、形状変形を起こすまでの寿命を長くすることができる。
【００１８】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。  
図１に、ディスクリートトラック媒体（ＤＴＲ媒体）１の周方向に沿う平面図を示す。図１に示すように、媒体１の周方向に沿って、サーボ領域２と、データ領域３が交互に形成されている。サーボ領域２には、プリアンブル部２１、アドレス部２２、バースト部２３が含まれる。データ領域３には互いに分断されたディスクリートトラック３１が含まれる。
【００１９】
図２に、ビットパターンド媒体（ＢＰＭ）１０の周方向に沿う平面図を示す。図２に示すように、サーボ領域２は図１と同様な構成を有する。データ領域３には互いに分断された磁性ドット３２が含まれる。
【００２０】
本発明においては、図１に示されるＤＴＲ媒体または図２に示されるＢＰＭのデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンが凹凸で形成されたスタンパを製造する。
【００２１】
以下、図３（ａ）〜（ｆ）を参照しながら本発明の実施形態に係るＮｉスタンパの製造方法を説明する。
【００２２】
図３（ａ）に示すように、基板５１として６インチ径のＳｉウエハーを用意した。一方、日本ゼオン社製のレジストＺＥＰ−５２０Ａをアニソールで２倍に希釈し、０．０５μｍのフィルタでろ過してレジスト溶液を調製した。基板５１上にレジスト溶液をスピンコートした後、２００℃で３分間プリベークして、厚さ約５０ｎｍのレジスト層５２を形成した。次に、ＺｒＯ／Ｗ熱電界放射型の電子銃エミッターを有する電子ビーム描画装置を用い、加速電圧５０ｋＶの条件で、基板５１上のレジスト層５２に所望のパターンを直接描画した。描画時にはサーボパターン、バーストパターン、アドレスパターン、トラックパターンを形成するための信号と、描画装置のステージ駆動系（少なくとも一方向の移動軸の移動機構と回転機構とを有する、いわゆるＸ−θステージ駆動系）へ送る信号と、電子ビームの偏向制御信号とを同期させて発生する信号源を用いた。描画中に線速度５００ｍｍ／ｓのＣＬＶ（ｃｏｎｓｔａｎｔ  ｌｉｎｅａｒ  ｖｅｌｏｃｉｔｙ）でステージを回転させるとともに、半径方向にもステージを移動させた。また、１回転毎に電子ビームに偏向をかけて、同心円をなすトラック領域を描画した。このとき、１回転あたり７．８ｎｍずつ送り、１０周で１トラック（１アドレスビット幅に相当）を形成した。次に、現像液ＺＥＤ−Ｎ５０（日本ゼオン社製）に９０秒間浸漬してレジストを現像した後、ＺＭＤ−Ｂ（日本ゼオン社製）に９０秒間浸漬してリンスを行い、エアーブローにより乾燥させ、レジスト原盤を作製した。
【００２３】
図３（ｂ）に示すように、レジスト原盤の表面にスパッタリングによって導電化膜５３を成膜した。導電化膜５３には純ＮｉまたはＮｉに微量のＶもしくはＲｕを混合した合金が用いられる。具体的には、チャンバーを８×１０-3Ｐａまで真空引きした後、アルゴンガスを導入してチャンバー内の圧力を１Ｐａに調整し、４００ＷのＤＣパワーを印加して４０秒間スパッタを行い、厚さ約１０ｎｍの導電化膜５３を成膜した。
【００２４】
図３（ｃ）に示すように、導電化膜５３を形成したレジスト原盤をスルファミン酸ニッケルメッキ液（昭和化学（株）製、ＮＳ−１６０）に浸漬し、９０分間Ｎｉ電鋳して、厚さ約３００μｍの電鋳層５４を形成した。電鋳浴条件は次の通りである。
【００２５】
スルファミン酸ニッケル：６００ｇ／Ｌ
ホウ酸：４０ｇ／Ｌ
界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム）：０．１５ｇ／Ｌ
液の温度：５５℃
ｐＨ：４．０
電流密度：２０Ａ／ｄｍ2。
【００２６】
図３（ｄ）に示すように、レジスト原盤から電鋳層５４および導電化膜５３を剥離した。この状態では、導電化膜５３にレジスト残渣が付着しているので、酸素ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によりレジスト残渣を除去した。具体的には、チャンバーを真空引きした後、酸素ガスを１００ｍｌ／ｍｉｎで導入してチャンバー内の圧力を４Ｐａに調整し、１００Ｗのパワーを印加して２０分間酸素ＲＩＥを行った。こうした導電化膜および電鋳層を含むＮｉスタンパ５５を得た。
【００２７】
図３（ｅ）に示すように、必要に応じて、スタンパスリミングを行ってもよい。たとえば、ｐＨ２に調整したスルファミン酸にＮｉスタンパ５５を３０分浸漬することにより、パターンの幅を１０〜１５ｎｍ細くすることができる。
【００２８】
図３（ｆ）に示すように、裏面研磨を行う前に、Ｎｉスタンパ５５の内周および外周を打ち抜き加工した。図４（ａ）に示すように目標の径よりも大きな径に形成したＮｉスタンパ５５を打ち抜き加工して、図４（ｂ）に示すように内周および外周を目標の径にする。具体的には、Ｎｉスタンパ５５の表面に保護膜（商品名：Ｓｉｌｉｔｅｃｔ）を塗布して打ち抜き装置（ＳＩＢＥＲＴ社ＯＭＩＣＲＯＮ）にセットし、外径７５ｍｍ、内径７ｍｍのリング状金属刃を、スタンパ５５のパターンの中心に合わせてセンタリングして打ち抜き加工を行った。打ち抜き加工後にＮｉスタンパ５５の裏面を観察したところ、内周端および外周端に高さ約１５μｍのバリ５６が生じていた。
【００２９】
図３（ｇ）に示すように、打ち抜き加工後のＮｉスタンパ５５の裏面を鏡面研磨した。ここで、鏡面研磨とは、表面粗さ（Ｒａ）がおおよそ５０ｎｍ以下であり、光反射が可能なレベルの研磨と定義する。本実施形態においては、鏡面研磨法としてバフ研磨を用いた。バフ研磨とは、ダイヤモンドあるいは酸化アルミニウムなどのペースト状研磨剤や懸濁液（スラリー）を研磨布にしみ込ませて行う研磨である。このような手法でＮｉスタンパ５５の裏面を鏡面研磨することにより、図３（ｆ）で生じた内周端および外周端にバリが完全に除去され、Ｎｉスタンパ５５の裏面で内周端および外周端と裏面主面とが同一平面になった。
【００３０】
次いで、図５（ａ）〜（ｉ）を参照して、スタンパを用いた磁気記録媒体（ＤＴＲ媒体またはＢＰＭ）の製造方法を説明する。
【００３１】
まず、図３（ａ）〜（ｇ）を参照して説明した方法で製造したＮｉスタンパ５５を射出成形装置（東芝機械製）にセットし、射出成形法により樹脂スタンパ７０を作製する。樹脂材料には、日本ゼオン製環状オレフィンポリマーＺＥＯＮＯＲ  １０６０Ｒ、帝人化成製ポリカーボネートＡＤ５５０３などが用いられる。
【００３２】
図５（ａ）に示すように、ガラス基板７１上に、厚さ１２０ｎｍのＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性下地層（図示せず）、厚さ２０ｎｍのＲｕからなる配向制御用の下地層（図示せず）、厚さ１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2からなる磁気記録層７２、厚さ１５ｎｍのカーボンからなるエッチング保護層７３、厚さ３〜５ｎｍの金属層７４を順次成膜する。ここでは、簡略化のために、軟磁性下地層および配向制御層は図示していない。
【００３３】
金属層７４には、後述するＵＶレジスト（フォトポリマー剤、２Ｐ剤）との密着性がよく、後述するＨｅ＋Ｎ2ガスによるエッチング時に完全に剥離可能な金属が用いられる。具体的な金属は、ＣｏＰｔ、Ｃｕ、Ａｌ、ＮｉＴａ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｒ、ＮｉＮｂＺｒＴｉである。特に、ＣｏＰｔ、Ｃｕ、Ｓｉは、ＵＶレジストとの密着性およびＨｅ−Ｎ2ガスによる剥離性の両方に優れている。
【００３４】
図５（ｂ）に示すように、金属層７４の上にＵＶレジスト７５を厚さ５０ｎｍになるようにスピンコートする。ＵＶレジスト７５は、モノマー、オリゴマーおよび重合開始剤を含み、紫外線硬化性を示す。たとえば、モノマーとして８５％のイソボルニルアクリレート（ＩＢＯＡ）、オリゴマーとして１０％のポリウレタンジアクリレート（ＰＵＤＡ）、重合開始剤として５％のダロキュア１１７３を含む組成物を用いることができる。このレジスト７４に対向するように樹脂スタンパ７０を配置する。
【００３５】
図５（ｃ）に示すように、樹脂スタンパ７０を用いてインプリントを行い、樹脂スタンパ７０の凹部に対応してＵＶレジスト７５の凸部を形成した後、樹脂スタンパ７０を通して紫外線を照射し、ＵＶレジスト７５を硬化させる。
【００３６】
図５（ｄ）に示すように、樹脂スタンパ７０を除去した後、パターン化されたＵＶレジスト７５の凹部の底に残っているレジスト残渣を除去する。たとえばＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチング装置を用い、プロセスガスとして酸素を導入してチャンバー圧を２ｍＴｏｒｒとし、コイルＲＦパワーおよびプラテンＲＦパワーをそれぞれ１００Ｗ、エッチング時間を３０秒とする。
【００３７】
図５（ｅ）に示すように、ＵＶレジスト７５のパターンをマスクとして、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングにより金属層７４をエッチングする。この工程は必ずしも行う必要はない。たとえば、レジスト残渣を除去する際に、異方性の高いエッチング条件を用いれば、レジスト残渣および金属層をエッチングできる。具体的には、ＩＣＰエッチング装置でプラテンＲＦパワーを３００Ｗ程度まで高くすると、エッチング異方性を高くすることができる。金属層７４にＳｉを用いた場合はＣＦ4ガスでエッチングしてもよい。
【００３８】
図５（ｆ）に示すように、ＵＶレジスト７５のパターンをマスクとして、エッチング保護層７３をパターニングする。たとえば、ＩＣＰエッチング装置を用い、プロセスガスとしてＯ2を導入してチャンバー圧を２ｍＴｏｒｒとし、コイルＲＦパワーとプラテンＲＦパワーをそれぞれ１００Ｗ、エッチング時間を３０秒とする。
【００３９】
図５（ｇ）に示すように、エッチング保護層７３のパターンをマスクとしてＨｅまたはＨｅ＋Ｎ2（混合比１：１）を用いたイオンビームエッチングを行い、磁気記録層７２の一部をエッチングして凹凸を形成するとともに、凹部に残った磁気記録層７２を失活させて非磁性層７６を形成する。このとき、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）イオンガンを用いることが好ましい。たとえば、マイクロ波パワー８００Ｗ、加速電圧１０００Ｖで２０秒間エッチングして磁気記録層７２に深さ１０ｎｍの凹部を形成するとともに、磁性が失活した厚さ５ｎｍの非磁性層７６を形成する。これと同時に、残存している金属層（たとえばＣｕ）７４を除去する。これは、金属層７４が残存した状態では、次工程で酸素ＲＩＥによるエッチング保護層（カーボン）７３の剥離ができなくなるからである。
【００４０】
図５（ｈ）に示すように、エッチング保護層（カーボン）７３のパターンを除去する。たとえば、たとえば、酸素ガスを用い、１００ｍＴｏｒｒ、１００Ｗ、エッチング時間３０秒の条件でＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を行う。
【００４１】
図５（ｉ）に示すように、ＣＶＤ（化学気相堆積法）に厚さ４ｎｍのカーボンからなる表面保護膜７７を形成する。表面保護膜７７上に潤滑剤を塗布することによりＤＴＲ媒体またはＢＰＭを製造する。
【００４２】
次に、図６（ａ）〜（ｇ）を参照して本発明の実施形態に係るマザースタンパの製造方法を説明する。
【００４３】
図６（ａ）に示すように、基板５１上のレジスト層５２を塗布し、電子ビーム（ＥＢ）描画を行い、現像してレジスト原盤を作製する。図６（ｂ）に示すように、レジスト原盤の表面に導電化膜５３を成膜する。図６（ｃ）に示すように、電鋳を行い、電鋳層５４を形成する。これらの工程は図３（ａ）〜（ｃ）と同様である。
【００４４】
図６（ｄ）に示すように、レジスト原盤から電鋳層５４および導電化膜５３を剥離してＮｉスタンパを形成する。このようにして作製したＮｉスタンパをファザースタンパ５５と呼ぶ。酸素ＲＩＥでファザースタンパ５５の表面を酸化して酸化層５７を形成する。この酸化層５７はパシベーション層および剥離層として作用する。図６（ｅ）に示すように、ファザースタンパ５５表面の酸化層５７上に導電化膜５８を成膜する。図６（ｆ）に示すように、電鋳を行って電鋳層５９を形成する。図６（ｇ）に示すように、ファザースタンパ表面の酸化層５７を境界として電鋳層５９および導電化膜５８を剥離してマザースタンパ６０を得る。マザースタンパ６０に形成されるパターンは、ＥＢ描画装置で描画したパターンと逆転したパターンになる。
【００４５】
ＤＴＲ媒体またはＢＰＭを製造するための樹脂スタンパを作製するには、ファザースタンパよりはマザースタンパを用いたほうが好適である。これは、ＤＴＲ媒体またはＢＰＭに形成されるパターンがＥＢ描画機で描画されるパターンと同一になるからである。
【００４６】
ＥＢ描画のための所要時間は、一般的に、１．８インチのＤＴＲ媒体で３〜４日、２．５インチのＤＴＲ媒体で１週間である。このため、量産性の観点からスタンパを複製できると好適である。
【００４７】
図７（ａ）〜（ｆ）を参照して、複製スタンパであるサンスタンパおよびドウタースタンパの製造方法を説明する。
【００４８】
図７（ａ）に示すようにマザースタンパ６０を用意し、図７（ｂ）に示すようにマザースタンパ６０の表面を酸素ＲＩＥで酸化して酸化層６１を形成する。図７（ｃ）に示すように酸化層６１の表面に導電化膜（図示せず）をスパッタリングにより成膜した後、電鋳を行って電鋳層６２を形成する。図７（ｄ）に示すように、電鋳層６２および導電化膜を剥離してサンスタンパ６３を作製する。サンスタンパ６３に形成されるパターンはファザースタンパ５５と同じである。マザースタンパ６０は再利用することができ、表面酸化、導電化膜の成膜、電鋳層の形成、電鋳層および導電化膜の剥離により、再びサンスタンパ６３を作製できる。
【００４９】
図７（ｅ）に示すようにサンスタンパ６３の表面を酸素ＲＩＥで酸化して酸化層６４を形成する。図７（ｆ）に示すように、酸化層６４の表面に導電化膜（図示せず）をスパッタリングにより成膜した後、電鋳を行って電鋳層６５を形成する。その後、電鋳層６５および導電化膜を剥離してドウタースタンパを作製する。ドウタースタンパに形成されるパターンはマザースタンパと同じである。
【００５０】
以上の方法を繰り返すことにより、ファザースタンパから複製スタンパを大量に作製することができる。
【００５１】
以下、本発明の効果についてより詳細に説明する。上述したように、本発明の方法でスタンパを作製すると、スタンパ裏面のバリがなくなり、裏面で内周端および外周端と裏面主面とが同一平面になるため、射出成形時にスタンパ寿命が大幅に延びる。
【００５２】
本発明の方法で作製した樹脂スタンパおよびこれを用いて製造されたＤＴＲ媒体またはＢＰＭは、ＲＲＯ（リピータブルランアウト）が、従来よりも小さくなることがわかった。ＲＲＯは、トラック同期位置歪みともいい、トラックの真円からのずれを示す。従来の方法で作製したスタンパは、射出成形を繰り返すたびに内周および外周に残存しているバリがつぶれていくので、スタンパ自身に歪みが生じる。このため、樹脂スタンパおよびこれを用いて製造されたＤＴＲ媒体またはＢＰＭではＲＲＯが増大する。
【００５３】
本発明の方法で作製したスタンパは安全面でも優れている。従来の方法で作製したスタンパの内周端および外周端が鋭利な刃物状になっており、慎重に取り扱わないと手が負傷するおそれがあった。本発明の方法で作製したスタンパは、内周端および外周端が研磨されているため、手で触れても負傷しない。
【００５４】
本発明の方法で作製されたスタンパは反りを抑制できる。反りの生じたＮｉスタンパから射出成形によって樹脂スタンパを作製し、この樹脂スタンパを用いてＤＴＲ媒体またはＢＰＭを製造するとＲＲＯが増大することが知られている。このため、Ｎｉスタンパの反りが小さいほどよい。従来の方法で作製したスタンパはラジアルチルトが±０．６度程度になることがあるが、本発明の方法で作製したスタンパはラジアルチルトが±０．２度程度まで抑制できる。この現象は以下のように説明できる。裏面研磨工程ではＮｉスタンパに応力がかかって歪みが生じた状態になるが、この状態でＮｉスタンパが反ることはない。従来の方法では、内部応力の大きい状態で打ち抜き加工をするため、打ち抜き加工時に一気に応力が緩和し、Ｎｉスタンパに反りが発生すると考えられる。本発明では、裏面研磨の前に打ち抜き加工をするので、応力緩和することがなくなり、Ｎｉスタンパの反りを抑制できると考えられる。
【００５５】
本発明の方法はダストの付着の抑制にも効果がある。Ｎｉスタンパを裏面鏡面研磨するにはバフ研磨を行う。この工程の後に、裏面についたスラリーを除去するために洗浄工程を行う。従来の方法では、鏡面研磨の後に内外周の打ち抜き加工を行うため、打ち抜き時に発生した切削クズが付着した状態である。本発明の方法では、内外周の打ち抜き加工を行い、裏面鏡面研磨を行った後に、洗浄工程を行うので切削クズを除去することができ、付着するダストが少なくなる。このため、歩留り向上およびコスト低減を実現できる。
【００５６】
以下、本発明において用いられる材料および個々の工程の詳細について説明する。
【００５７】
［ＵＶレジスト］
ＵＶレジスト（２Ｐ剤）は紫外線硬化性を持つ材料であり、モノマー、オリゴマー、重合開始剤を含む組成物であり、溶媒は含まない。
【００５８】
モノマーとしては下記のようなものが用いられる。
【００５９】
・アクリレート類
ビスフェノールＡ・エチレンオキサイド変性ジアクリレート（ＢＰＥＤＡ）
ジペンタエリスリトールヘキサ（ペンタ）アクリレート（ＤＰＥＨＡ）
ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート（ＤＰＥＨＰＡ）
ジプロピレングリコールジアクリレート（ＤＰＧＤＡ）
エトキシレイテッドトリメチロールプロパントリアクリレート（ＥＴＭＰＴＡ）
グリセリンプロポキシトリアクリレート（ＧＰＴＡ）
４−ヒドロキシブチルアクリレート（ＨＢＡ）
１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（ＨＤＤＡ）
２−ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）
２−ヒドロキシプロピルアクリレート（ＨＰＡ）
イソボルニルアクリレート（ＩＢＯＡ）
ポリエチレングリコールジアクリレート（ＰＥＤＡ）
ペンタエリスリトールトリアクリレート（ＰＥＴＡ）
テトラヒドロフルフリルアクリレート（ＴＨＦＡ）
トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）
トリプロピレングリコールジアクリレート（ＴＰＧＤＡ）
・メタクリレート類
テトラエチレングリコールジメタクリルレート（４ＥＤＭＡ）
アルキルメタクリレート（ＡＫＭＡ）
アリルメタクリレート（ＡＭＡ）
１，３−ブチレングリコールジメタクリレート（ＢＤＭＡ）
ｎ−ブチルメタクリレート（ＢＭＡ）
ベンジルメタクリレート（ＢＺＭＡ）
シクロヘキシルメタクリレート（ＣＨＭＡ）
ジエチレングリコールジメタクリレート（ＤＥＧＤＭＡ）
２−エチルヘキシルメタクリレート（ＥＨＭＡ）
グリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）
１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート（ＨＤＤＭＡ）
２−ヒドロキシエチルメタクリレート（２−ＨＥＭＡ）
イソボルニルメタクリレート（ＩＢＭＡ）
ラウリルメタクリレート（ＬＭＡ）
フェノキシエチルメタクリレート（ＰＥＭＡ）
ｔ−ブチルメタクリレート（ＴＢＭＡ）
テトラヒドロフルフリルメタクリレート（ＴＨＦＭＡ）
トリメチロールプロパントリメタクリレート（ＴＭＰＭＡ）
特に、イソボルニルアクリレート（ＩＢＯＡ）、トリプロピレングリコールジアクリレート（ＴＰＧＤＡ）、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（ＨＤＤＡ）、ジプロピレングリコールジアクリレート（ＤＰＧＤＡ）、ネオペンチルグリコールジアクリレート（ＮＰＤＡ）、エトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート（ＴＩＴＡ）などは粘度を１０ｃＰ以下にすることができるため良好である。
【００６０】
オリゴマーとしては、たとえばウレタンアクリレート系材料、たとえばポリウレタンジアクリレート（ＰＵＤＡ）やポリウレタンヘキサアクリレート（ＰＵＨＡ）、その他、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、フッ化ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ−Ｆ）、ポリカーボネートジアクリエート、フッ化ポリカーボネートメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ−ＰＣ−Ｆ）などが用いられる。
【００６１】
重合開始剤としては、チバガイギー社製イルガキュア１８４およびチバガイギー社製ダロキュア１１７３などが用いられる。
【００６２】
［残渣除去］
ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により、レジストの凹部の底に残存している残渣を除去する。プラズマソースは、低圧で高密度プラズマを生成可能なＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）が好適であるが、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマや、一般的な並行平板型ＲＩＥ装置を用いてもよい。ＵＶレジスト（２Ｐ剤）の残渣除去には酸素ガスを用いるのが好ましい。
【００６３】
［磁性失活エッチング］
記録再生ヘッドの浮上性を考慮すると凹凸の深さを１０ｎｍ以下にすることが好ましいが、信号出力を確保するために磁気記録層の膜厚が１５ｎｍ程度必要となる。そこで、磁気記録層の膜厚１５ｎｍのうち、１０ｎｍを物理的に除去し残りの５ｎｍを磁気的に失活させるようにすれば、記録ヘッドの浮上性を確保しつつサイドイレースおよびサイドリードを抑制できるので、ＤＴＲ媒体およびＢＰＭを製造できる。厚さ５ｎｍの磁気記録層を磁気的に失活させる方法として、ＨｅやＮ2イオンを曝露する方法が用いられる。Ｈｅイオンを曝露した場合、曝露時間に従ってヒステリシスループの角型を維持したままＨｃ（保磁力）が減少し、やがてヒステリシスがなくなる（磁性失活）。この場合、Ｈｅガスの曝露時間が不十分であると、角型のよい（Ｈｎ（反転核形成磁界）がある）ヒステリシスが保持される。しかし、このことは、凹部底部の磁性層に記録能力があることを意味し、ＤＴＲ媒体またはＢＰＭの利点が失われる。一方、Ｎ2イオンを曝露した場合、曝露時間に従ってヒステリシスループの角型が劣化して、やがてヒステリシスがなくなる。この場合、Ｈｎは急激に劣化するが、Ｈｃが減少しにくい。しかし、Ｎ2ガス曝露時間が不十分であると、凹部底部にＨｃの大きい磁性層が残ることになり、ＤＴＲ媒体またはＢＰＭの利点が失われる。そこで、Ｈｅガスによる磁性失活とＮ2ガスによる磁性失活の挙動が異なることに着目し、Ｈｅ＋Ｎ2混合ガスを用いることにより、磁気記録層をエッチングしながら効率的に凹部底部の磁気記録層の磁性を失活することができる。
【００６４】
［レジスト剥離］
磁気記録層の磁性を失活させた後、ＵＶレジストを剥離する。ＵＶレジストは、酸素プラズマ処理を行うことで容易に剥離できる。このとき、磁気記録層の表面に残存しているカーボンからなるエッチング保護層も剥離される。
【００６５】
［保護膜形成および後処理］
最後にカーボン保護膜を形成する。カーボン保護膜は、凹凸へのカバレッジをよくするためにＣＶＤで成膜することが望ましいが、スパッタ法または真空蒸着法でもよい。ＣＶＤ法によれば、ｓｐ3結合炭素を多く含むＤＬＣ膜が形成される。カーボン保護膜の膜厚が２ｎｍ未満だとカバレッジが悪くなり、１０ｎｍを超えるとヘッドと媒体との磁気スペーシングが大きくなってＳＮＲが低下するので好ましくない。保護膜上に潤滑剤を塗布する。潤滑剤としては、たとえばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。
【実施例】
【００６６】
実施例１
図３に示した方法でＮｉスタンパ（ファザースタンパ）を作製した。内周および外周の打ち抜き後に、ファザースタンパの裏面を鏡面研磨するために、酸化アルミニウム粒子を分散させたスラリーを用いてバフ研磨を行った。得られたファザースタンパの裏面の凹凸を触針段差計によって測定したところ、内周端および外周端にバリはなく、内周端および外周端と裏面主面とが同一平面になっていた。
【００６７】
このファザースタンパを射出成形機にセットし、型締め力５０ｔ、サイクル時間１０秒の条件で樹脂スタンパを連続的に成形した。１０ショット目の樹脂スタンパと１万ショット目の樹脂スタンパの表面形状をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で観察した。その結果、両者の表面形状に顕著な違いは認められなかった。このように樹脂スタンパを連続的に成形しても、樹脂スタンパは形状の劣化を示さないことがわかった。
【００６８】
実施例２
本実施例ではＮｉスタンパの裏面の表面粗さ（Ｒａ）について検討した。
【００６９】
実施例１と同様の方法でＮｉスタンパを作製した。このＮｉスタンパの裏面の表面粗さ（Ｒａ）は７ｎｍであった。
【００７０】
比較のために、裏面に研磨布を押し当て自転および公転させて機械的に研磨したＮｉスタンパを作製した。このスタンパは、裏面の内周端および外周端にバリをもたないが、Ｒａが３０ｎｍ以上であった。このスタンパを用いて実施例１と同様に樹脂スタンパを成形したところ、１万ショットを超えても樹脂スタンパは形状の劣化を示さないことがわかった。
【００７１】
また、比較のために、裏面を研磨しないＮｉスタンパを作製し、このスタンパを用いて実施例１と同様に樹脂スタンパを成形した
上記の３種の樹脂スタンパのＲＲＯを光ディスク検査装置（パルステック社製ＤＤＵ−１０００）で評価した。その結果、Ｒａ７ｎｍのスタンパから射出成形された樹脂スタンパは、研磨なしのＮｉスタンパまたはＲａ３０ｎｍ以上のスタンパから射出成形された樹脂スタンパよりもＲＲＯが小さかった。
【００７２】
さらに、バフ研磨条件を変えて、裏面の表面粗さ（Ｒａ）が異なるＮｉスタンパを作製した。各々のＮｉスタンパから射出成形により樹脂スタンパを作製し、上記と同様にＲＲＯを評価した。
【００７３】
表１に、Ｎｉスタンパ裏面のＲａと樹脂スタンパのＲＲＯとの関係を示す。表１から、裏面のＲａが７ｎｍ以下であるＮｉスタンパから作製された樹脂スタンパは、研磨なしのＮｉスタンパから作製された樹脂スタンパよりもＲＲＯが改善されることがわかった。Ｎｉスタンパの裏面のＲａは小さければ小さいほどよい。しかし、スタンパ裏面のＲａを基板のＲａ（約０．６ｎｍ）よりも小さくすることは極めて困難である。したがって、現実的に樹脂スタンパのＲＲＯを低減する効果が得られるのは、裏面のＲａが０．６〜７ｎｍのＮｉスタンパであるといえる。
【表１】
2010176772.tif 000003
【００７４】
実施例３
実施例１と同様の方法でＮｉスタンパを作製した。スタンパ裏面のＲａは７ｎｍであった。このスタンパ面内で厚さを測定したところ、厚さの最大値は２８２μｍ、最小値は２７９μｍであり、厚さの差ΔＴは３μｍ以内であった。
【００７５】
また、研磨装置にセットするスタンパの水平度を変えて鏡面研磨を行い、裏面のＲａが７ｎｍであるが、面内の厚さの差ΔＴが異なる数種のＮｉスタンパを用意した。
【００７６】
これらのＮｉスタンパからそれぞれ樹脂スタンパを成形した。得られた樹脂スタンパのＲＲＯを光ディスク検査装置（パルステック社製ＤＤＵ−１０００）で評価した。図８に、Ｎｉスタンパ面内の厚さの差ΔＴとＲＲＯ変位量との関係を示す。
【００７７】
樹脂スタンパはＲＲＯ変位量が０．５以下であることが好ましいので、Ｎｉスタンパ面内のΔＴは３μｍ以内であることが好ましい。Ｎｉスタンパ面内のΔＴは小さければ小さいほどよい。しかし、ΔＴを０．３μｍ（全厚の約１／１０００）よりも小さくすることは極めて困難である。したがって、現実的に樹脂スタンパのＲＲＯを低減する効果が得られるのは、ΔＴが０．３〜３μｍのＮｉスタンパであるといえる。
【００７８】
実施例４
図３（ｅ）に示したスタンパスリミングを行った以外は実施例１と同様の方法でＮｉスタンパを作製した。スリミング工程は、ｐＨ２に調整したスルファミン酸にＮｉスタンパを３０分浸漬することで行った。
【００７９】
実施例１で作製したスタンパはトラックピッチが７５ｎｍ、凸部の幅が２５ｎｍ、凹部（記録トラックに対応する）の幅が５０ｎｍであった。スタンパスリミングを行ったスタンパはトラックピッチが７５ｎｍ、凸部の幅が１５ｎｍ、凹部の幅が６０ｎｍであった。
【００８０】
実施例５
図６の方法でＮｉスタンパ（マザースタンパ）を作製した。その後、図３（ｆ）および（ｇ）の内外周の打ち抜き加工および裏面鏡面研磨を行ってマザースタンパを作製した。マザースタンパ上のパターンはトラックピッチが７５ｎｍ、凹部の幅が２５ｎｍであった。このマザースタンパを射出成形機に導入して樹脂スタンパを作製した。樹脂スタンパの材料には、日本ゼオン製ＺＥＯＮＯＲ  １０６０Ｒを用いた。その後、図４に示した方法でＤＴＲ媒体を製造した。金属層にはＣｕを用いた。ＵＶレジスト（２Ｐ剤）には、８５％のＩＢＯＡ、１０％のＰＵＤＡ、および５％のダロキュア１１７３を含む組成物を用いた。
【００８１】
製造したＤＴＲ媒体は、トラックピッチが７５ｎｍ、記録トラック幅が５０ｎｍ、凹部の幅が２５ｎｍであった。このＤＴＲ媒体の表面に潤滑剤を塗布した。このＤＴＲ媒体をＨＤＤドライブに搭載して特性を評価した。その結果、記録再生ヘッドの位置決め精度は６ｎｍ、オントラックでのＢＥＲ（ビットエラーレート）は−５乗であった。
【００８２】
ＤＴＲ媒体またはＢＰＭを製造するには、ＮｉマザースタンパまたはＮｉドウタースタンパを用いるのが好適である。これは、ＥＢ描画されたレジスト原盤のパターンと同じパターンをＤＴＲ媒体に転写することができるためである。
【００８３】
実施例６
実施例５の方法でマザースタンパを作製した後、図７に示した方法でサンスタンパを作製した。その後、図１（ｆ）の内外径加工および図１（ｇ）の裏面鏡面研磨を行ってサンスタンパを作製した。得られたサンスタンパの裏面の凹凸を触針段差計によって測定したところ、内周端および外周端にバリはなく、内周端および外周端と裏面主面とが同一平面になっていた。
【００８４】
このサンスタンパを射出成形機にセットし、型締め力５０ｔ、サイクル時間１０秒の条件で樹脂スタンパを連続的に成形した。１０ショット目の樹脂スタンパと１万ショット目の樹脂スタンパの表面形状をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で観察した。その結果、両者の表面形状に顕著な違いは認められなかった。このようにサンスタンパを用いて樹脂スタンパを連続的に成形しても、樹脂スタンパは形状の劣化を示さないことがわかった。こうして、サンスタンパを用いた場合でも、ファザースタンパを用いた場合と同様の効果があることが確認できた。
【００８５】
実施例７
実施例６の方法でサンスタンパを作製した。続けて、ｐＨ２に調整したスルファミン酸に３０分浸漬することによりサンスタンパのスリミングを行った。スリミング前にはトラックピッチが７５ｎｍ、凸部の幅が２５ｎｍ、凹部（記録トラックに対応する）の幅が５０ｎｍであったが、スリミング後には凸部の幅が１５ｎｍ、凹部（記録トラックに対応する）の幅が６０ｎｍになった。
【００８６】
その後、図７（ｅ）および（ｆ）のように酸化層の形成、導電化層の成膜、電鋳層の形成を行った後、電鋳層および導電化層を剥離してドウタースタンパを作製した。得られたドウタースタンパの凹部の幅は１５ｎｍであった。
【００８７】
このドウタースタンパを射出成形機に導入して樹脂スタンパを作製した。樹脂スタンパの材料には、日本ゼオン製ＺＥＯＮＯＲ  １０６０Ｒを用いた。その後、図４に示した方法でＤＴＲ媒体を製造した。金属層にはＣｕを用いた。ＵＶレジスト（２Ｐ剤）には、８５％のＩＢＯＡ、１０％のＰＵＤＡ、および５％のダロキュア１１７３を含む組成物を用いた。
【００８８】
製造したＤＴＲ媒体は、トラックピッチが７５ｎｍ、記録トラック幅が６０ｎｍ、凹部の幅が１５ｎｍであった。このＤＴＲ媒体の表面に潤滑剤を塗布した。このＤＴＲ媒体をＨＤＤドライブに搭載して特性を評価した。その結果、記録再生ヘッドの位置決め精度は６ｎｍ、オントラックでのＢＥＲ（ビットエラーレート）は−６乗であった。
【００８９】
本実施例で製造したＤＴＲ媒体は、実施例５で製造したＤＴＲ媒体よりも記録トラック幅が１０ｎｍ広いため、向上したＢＥＲが得られた。これはスリミングを行ったことによる効果である。
【００９０】
既に述べたようにＤＴＲ媒体またはＢＰＭを製造するには、ＮｉマザースタンパまたはＮｉドウタースタンパを用いるのが好適であり、量産性を考えるとサンスタンパ作製時にスタンパスリミングを行うのがより好適である。スタンパスリミングはウエットエッチングであるため、薬液管理を厳密にしないと、ダスト発生を生じたりスリミングレートが変動したりする問題がある。ここで、ファザースタンパのスリミングを行うようにすると、スリミングに失敗した場合にＥＢ描画からやり直す必要がある。しかし、ＥＢ描画は３日〜１週間程度かかるため、復旧にかかる時間が長くリスクが大きい。一方、サンスタンパをスリミングする場合、スリミングに失敗したとしても、復旧するには再びマザースタンパからサンスタンパを作製するだけでよいため、数時間のタイムロスで済む。
【００９１】
実施例８
ＥＢ描画により図２に示したパターンを描画した以外は実施例５と同様の方法でＢＰＭを作製した。作製したＢＰＭのビットサイズは５５ｎｍ×２０ｎｍであった。
【００９２】
ＢＰＭはＢＥＲの定義ができないため、信号振幅強度を評価した。ＢＰＭを一方向に着磁し、ドライブへ組み込んで再生波形を観察したところ、信号振幅強度は２００ｍＶであった。記録再生ヘッド位置決め精度は６ｎｍであった。ＤＴＲ媒体と同様の作製方法でＢＰＭも作製できることがわかった。
【符号の説明】
【００９３】
１…ＤＴＲ媒体、１０…ＢＰＭ、２…サーボ領域、２１…プリアンブル部、２２…アドレス部、２３…バースト部、３…データ領域、３１…ディスクリートトラック、３２…磁性ドット、５１…基板、５２…レジスト層、５３…導電化膜、５４…電鋳層、５５…Ｎｉスタンパ（ファザースタンパ）、５６…バリ、５７…酸化層、５８…導電化膜、５９…電鋳層、６０…マザースタンパ、６１…酸化層、６２…電鋳層、７０…樹脂スタンパ、７１…ガラス基板、７２…磁気記録層、７３…エッチング保護層、７４…金属層、７５…ＵＶレジスト、７６…非磁性層、７７…表面保護膜。
【図１】
2010176772.tif 000004
【図２】
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【図３】
2010176772.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010176772.tif 000010
【図８】
2010176772.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンが凹凸で形成され、内周および外周が加工され、裏面において内周端および外周端と裏面主面とが同一平面にあるように加工されていることを特徴とするスタンパ。
【請求項２】
前記裏面の粗さＲａが７ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
【請求項３】
面内で厚さの差が３μｍ以内であることを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
【請求項４】
基板上に電子ビームレジストを塗布し、
電子ビームリソグラフィーにより、前記電子ビームレジストにデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンを描画し、現像して凹凸を形成し、
前記電子ビームレジストの凹凸面に導電化膜を形成した後、電鋳によりＮｉ電鋳層を形成し、
Ｎｉ電鋳層を剥離してスタンパを形成し、
必要に応じてＮｉ電鋳層の形成および剥離を繰り返してスタンパを複製し、
前記スタンパの内周および外周を加工した後に裏面研磨を行う
ことを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項５】
前記スタンパは、第1のスタンパから複製された第２のスタンパ、第２のスタンパから複製された第３のスタンパ、または第３のスタンパから複製された第４のスタンパであることを特徴とする請求項４に記載のスタンパの製造方法。
【請求項６】
前記Ｎｉ電鋳層を剥離してスタンパを形成し、得られたスタンパをスリミングすることを特徴とする請求項４に記載のスタンパの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月7日(2010.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一態様によれば、表面にデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンが凹凸で形成され、内周および外周が打ち抜き加工され、裏面で内周端および外周端と裏面主面とが同一平面になるように、打ち抜き加工後に発生したバリが除去され、裏面の粗さＲａが７ｎｍ以下であることを特徴とするスタンパが提供される。  
本発明の別の態様によれば、表面にデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンが凹凸で形成され、内周および外周が打ち抜き加工され、裏面で内周端および外周端と裏面主面とが同一平面になるように、打ち抜き加工後に発生したバリが除去され、面内で厚さの差が３μｍ以内であることを特徴とするスタンパが提供される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の他の態様によれば、基板上に電子ビームレジストを塗布し、電子ビームリソグラフィーにより、前記電子ビームレジストにデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンを描画し、現像して凹凸を形成し、前記電子ビームレジストの凹凸面に導電化膜を形成した後、電鋳によりＮｉ電鋳層を形成し、Ｎｉ電鋳層を剥離してスタンパを形成し、前記スタンパの内周および外周を打ち抜き加工し、裏面で内周端および外周端と裏面主面とが同一平面になるように、打ち抜き加工後に発生したバリを除去し、裏面の粗さＲａを７ｎｍ以下にすることを特徴とするスタンパの製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンが凹凸で形成され、内周および外周が打ち抜き加工され、裏面で内周端および外周端と裏面主面とが同一平面になるように、打ち抜き加工後に発生したバリが除去され、裏面の粗さＲａが７ｎｍ以下であることを特徴とするスタンパ。
【請求項２】
表面にデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンが凹凸で形成され、内周および外周が打ち抜き加工され、裏面で内周端および外周端と裏面主面とが同一平面になるように、打ち抜き加工後に発生したバリが除去され、面内で厚さの差が３μｍ以内であることを特徴とするスタンパ。
【請求項３】
基板上に電子ビームレジストを塗布し、
電子ビームリソグラフィーにより、前記電子ビームレジストにデータ領域の記録トラックまたは記録ビットに対応するパターンおよびサーボ領域の情報に対応するパターンを描画し、現像して凹凸を形成し、
前記電子ビームレジストの凹凸面に導電化膜を形成した後、電鋳によりＮｉ電鋳層を形成し、
Ｎｉ電鋳層を剥離してスタンパを形成し、
前記スタンパの内周および外周を打ち抜き加工し、
裏面で内周端および外周端と裏面主面とが同一平面になるように、打ち抜き加工後に発生したバリを除去し、裏面の粗さＲａを７ｎｍ以下にする
ことを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項４】
前記スタンパは、ファザースタンパから複製されたマザースタンパ、マザースタンパから複製されたサンスタンパ、またはサンスタンパから複製されたドウタースタンパであることを特徴とする請求項３に記載のスタンパの製造方法。
【請求項５】
前記Ｎｉ電鋳層を剥離してスタンパを形成した後、得られたスタンパをスリミングすることを特徴とする請求項３に記載のスタンパの製造方法。