(57)【要約】【課題】データ量を抑えつつ、高いスループットが得られるように基板処理装置において基板を搬送可能な搬送スケジュールを設定すること【解決手段】複数の単位ブロックと、単位ブロックの各搬送路に設けられ、互いに独立して複数のモジュール間で基板を搬送する主搬送機構と、基板が格納されるキャリアと前記各単位ブロックとの間で基板を受け渡し、各単位ブロックへの前記基板の搬入出を行う搬入出用搬送機構と、単位ブロック毎の過去の基板の搬送履歴のデータが記憶されるメモリと、主搬送機構が搬送路を１周する時間をサイクルタイムとすると、基板の搬送履歴のデータに基づいて単位ブロック毎にサイクルタイムを更新し、更新された当該サイクルタイムに基づいて各単位ブロックにおける前記基板の搬送スケジュールを設定する設定部と、を備えるように装置を構成する。【選択図】図５
2020191331.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のモジュールと基板の搬送路とを各々備え、上流側のモジュールから下流側のモジュールへと前記基板を順次搬送して各々処理する複数の単位ブロックと、
前記各搬送路に設けられ、互いに独立して前記複数のモジュール間で基板を搬送する主搬送機構と、
前記基板が格納されるキャリアと前記各単位ブロックとの間で前記基板を受け渡し、前記各単位ブロックへの前記基板の搬入出を行う搬入出用搬送機構と、
前記単位ブロック毎の過去の基板の搬送履歴のデータが記憶されるメモリと、
前記主搬送機構が前記搬送路を１周する時間をサイクルタイムとすると、前記基板の搬送履歴のデータに基づいて単位ブロック毎に前記サイクルタイムを更新し、更新された当該サイクルタイムに基づいて各単位ブロックにおける前記基板の搬送スケジュールを設定する設定部と、
を備えた基板処理装置。
【請求項２】
前記基板の搬送履歴のデータは、前記単位ブロックにおいて行われた処理毎の基板の搬送枚数のデータであり、
前記設定部は、前記単位ブロックにて行われた各処理に対応するサイクルタイムの算出用パラメータに基づいて前記サイクルタイムを算出する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の単位ブロックにおける処理を各々指定する搬送レシピが記憶されるメモリが設けられ、
前記サイクルタイム算出用のパラメータは、前記搬送レシピに対応する時間のパラメータである請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記設定部は、
一の前記単位ブロックにて行われた各処理に対応する前記サイクルタイム算出用のパラメータのうちの一部のパラメータを、前記処理毎の基板の搬送枚数に基づいて選択し、当該選択したパラメータに基づいて前記サイクルタイムを更新する請求項２または３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記一部のパラメータの選択は、
前記一の単位ブロックにおける前記基板の搬送枚数の合計値に対する予め設定された割合の枚数と、搬送レシピに対応する基板の搬送枚数を多いものから順に選択して合計した枚数との比較に基づいて行われる請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記サイクルタイム算出用のパラメータは前記搬送レシピに対応する時間のパラメータであり、
前記設定部は、選択された前記一部のパラメータのうちの最小値に基づいて前記サイクルタイムを更新する請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記設定部は、
前記一部のパラメータの最小値を整数値に補正する整数化処理を行い、前記サイクルタイムを更新する請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記設定部は、前記各主搬送機構及び前記搬入出用搬送機構により前記基板の搬送が行われていないときに、各単位ブロックのサイクルタイムを更新する請求項１ないし７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項９】
複数のモジュールと基板の搬送路とを各々備える複数の単位ブロックにて、上流側のモジュールから下流側のモジュールへと前記基板を順次搬送して各々処理する工程と、
前記各搬送路に設けられる主搬送機構により、互いに独立して前記複数のモジュール間で基板を搬送する工程と、
搬入出用搬送機構により、前記基板が格納されるキャリアと前記各単位ブロックとの間で前記基板を受け渡し、前記各単位ブロックへの前記基板の搬入出を行う工程と、
前記単位ブロック毎の過去の基板の搬送状況のデータをメモリに記憶する工程と、
前記主搬送機構が前記搬送路を１周する時間をサイクルタイムとすると、前記基板の搬送履歴のデータに基づいて単位ブロック毎に前記サイクルタイムを更新する工程と、
更新された前記サイクルタイムに基づいて各単位ブロックにおける前記基板の搬送スケジュールを設定する工程と、
を備えた基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に対してフォトリソグラフィが行われる。このフォトリソグラフィを行うための基板処理装置としては、各々異なる処理を行う複数の処理モジュールに対して、搬送機構が順番にウエハを搬送するように構成される場合が有る。また、同じロットのウエハに同一の処理を並行して行うことができるように、上記の処理モジュールについては同一のものが複数設けられる場合が有る。
【０００３】
特許文献１では、複数の単位ブロックが積層されて構成される処理ブロックを備え、上記のようにウエハに異なる処理を行う処理モジュール、及び同一の処理を行う処理モジュールが、各単位ブロックに設けられた塗布、現像装置について示されている。各単位ブロックにおいて、各処理モジュールにおける処理時間を同じ処理を行う処理モジュールの数で除した値の最大値と、基板搬送機構が単位ブロックを１周回する最短時間とのうちの長い方が、基板搬送機構が単位ブロックを１周回する時間（サイクルタイム）とされる。このサイクルタイムと、処理モジュールに含まれる加熱モジュールの処理時間と、に基づいて当該加熱モジュールにおけるウエハの滞在サイクル数（基板搬送機構の周回動作の回数）が決定されて、各単位ブロックにおけるウエハの搬送スケジュールが設定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１４７４２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は、データ量を抑えつつ、高いスループットが得られるように基板処理装置において基板を搬送可能な搬送スケジュールを設定することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の基板処理装置は、複数のモジュールと基板の搬送路とを各々備え、上流側のモジュールから下流側のモジュールへと前記基板を順次搬送して各々処理する複数の単位ブロックと、
前記各搬送路に設けられ、互いに独立して前記複数のモジュール間で基板を搬送する主搬送機構と、
前記基板が格納されるキャリアと前記各単位ブロックとの間で前記基板を受け渡し、前記各単位ブロックへの前記基板の搬入出を行う搬入出用搬送機構と、
前記単位ブロック毎の過去の基板の搬送履歴のデータが記憶されるメモリと、
前記主搬送機構が前記搬送路を１周する時間をサイクルタイムとすると、前記基板の搬送履歴のデータに基づいて単位ブロック毎に前記サイクルタイムを更新し、更新された当該サイクルタイムに基づいて各単位ブロックにおける前記基板の搬送スケジュールを設定する設定部と、
を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、データ量を抑えつつ、高いスループットが得られるように基板処理装置において基板を搬送可能な搬送スケジュールを設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本開示の一実施形態である塗布、現像装置の横断側面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図３】搬送スケジュールの一例を示す表図である。
【図４】前記搬送スケジュールを設定するためのサイクルタイムを算出に用いるテーブルを示す表図である。
【図５】前記テーブルの一部を示す表図である。
【図６】前記テーブルを格納する制御部及び制御部が行う作用を示す説明図である。
【図７】前記テーブルが更新される様子を示す説明図である。
【図８】前記テーブルが更新される様子を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本開示の基板処理装置の一実施形態である塗布、現像装置１について、図１の平面図、図２の縦断側面図を夫々参照しながら説明する。塗布、現像装置１は、互いに区画されたキャリアブロックＤ１と、処理ブロックＤ２と、インターフェイスブロックＤ３と、をこの順に前方から後方に向かって接続して構成されている。インターフェイスブロックＤ３の後方には露光機Ｄ４が接続されている。キャリアブロックＤ１には、多数枚のウエハＷを格納するキャリア１０の載置台１１と、開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリア１０からウエハＷを搬送するための搬送機構１３と、が設けられている。
【００１０】
処理ブロックＤ２は、ウエハＷに液処理及び加熱処理を行う単位ブロックＥ１〜Ｅ６が下から順に積層されて構成されており、単位ブロックＥ１〜Ｅ６は互いに区画されている。この例では、単位ブロックＥ１〜Ｅ３は互いに同様に構成されており、液処理として、薬液の塗布による反射防止膜の形成及びレジストの塗布によるレジスト膜の形成を行う。また、単位ブロックＥ４〜Ｅ６は互いに同様に構成されており、液処理として現像によるレジストパターンの形成を行う。各単位ブロックＥ（Ｅ１〜Ｅ６）において、互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。
【００１１】
単位ブロックＥ１〜Ｅ６のうち代表して、図１に示した単位ブロックＥ６について説明する。単位ブロックＥ６の左右の中央には、前後方向に伸びるウエハＷの搬送路１４が形成されている。搬送路１４の左右の一方側には、４つの現像モジュールが設けられており、各現像モジュールをＤＥＶ１〜ＤＥＶ４として表している。搬送路１４の他方側には、載置されたウエハＷが加熱されるように熱板を備える加熱モジュールが前後に多数並べて設けられている。熱板の温度、即ちウエハＷの加熱温度は変更自在である。この加熱モジュールとしては、露光後、現像前の加熱処理であるＰＥＢ（Post Exposure Bake）を行うＣＳＷＰ１〜ＣＳＷＰ３と、現像後の加熱処理を行うＣＧＨＰ１〜ＣＧＨＰ３とが設けられている。
【００１２】
上記の搬送路１４には、単位ブロックＥ６でウエハＷを搬送する搬送アームＦ６が設けられている。搬送アームＦ６は、搬送路１４を昇降移動、前後移動、垂直軸周りに回動自在な基台２１を備えている。基台２１上にはウエハＷを各々支持可能な２つの基板保持部２２が設けられ、基板保持部２２は互いに独立して基台２１に対して進退することができる。後述のようにウエハＷを搬送フローの下流側のモジュールへと搬送するにあたり、一方の基板保持部２２が進退することでモジュールからウエハＷを受け取り、続いて他方の基板保持部２２が当該モジュールに進入し、保持しているウエハＷを当該モジュールに送出することができる。つまり、モジュールにおいてウエハＷを入れ替えるように搬送することが可能であり、このような搬送を入れ替え搬送とする。なお、モジュールとはウエハＷが載置される場所であり、ウエハＷに処理を行うモジュールについては処理モジュールと記載する場合が有る。
【００１３】
単位ブロックＥ１〜Ｅ３について、単位ブロックＥ６との差異点を中心に説明すると、単位ブロックＥ１〜Ｅ３は、現像モジュールＤＥＶ（ＤＥＶ１〜ＤＥＶ４）の代わりに、反射防止膜形成モジュール及びレジスト膜形成モジュールを備えている。レジスト膜形成モジュールは、ウエハＷに薬液としてレジストを供給してレジスト膜を形成する。反射防止膜形成モジュールは反射防止膜形成用の薬液をウエハＷに供給して反射防止膜を形成する。また、単位ブロックＥ１〜Ｅ３においては、加熱モジュールＣＳＷＰ（ＣＳＷＰ１〜ＣＳＷＰ３）及びＣＧＨＰ（ＣＧＨＰ１〜ＣＧＨＰ３）の代わりに、反射防止膜形成後、レジスト膜形成後のウエハＷを各々加熱するための加熱モジュールが設けられる。図２では、搬送アームＦ６に相当する各単位ブロックＥ１〜Ｅ５の搬送アームについて、Ｆ１〜Ｆ５として示しており、主搬送機構である搬送アームＦ１〜Ｆ６は互いに同様に構成されている。
【００１４】
処理ブロックＤ２におけるキャリアブロックＤ１側には、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸び、互いに積層された多数のモジュールからなるタワーＴ１が設けられている。このタワーＴ１には、受け渡しモジュールＴＲＳ１０、ＴＲＳ２０、ＴＲＳ１〜ＴＲＳ３と、温度調整モジュールＳＣＰＬ１、ＳＣＰＬ２と、温度調整モジュールＳＣＰＬ′１、ＳＣＰＬ′２と、が設けられている。
【００１５】
受け渡しモジュールＴＲＳ１〜ＴＲＳ３は、搬送アームＦ１〜Ｆ３が各々アクセス可能な高さに設けられている。温度調整モジュールＳＣＰＬ（ＳＣＰＬ１、ＳＣＰＬ２）及びＳＣＰＬ′（ＳＣＰＬ′１、ＳＣＰＬ′２）は、搬送アームＦ４、Ｆ５、Ｆ６が各々アクセス可能な高さに設けられている。これら温度調整モジュールＳＣＰＬ、ＳＣＰＬ′については、載置されたウエハＷを冷却して温度調整するステージを備えている。加熱モジュールＣＳＷＰの次にウエハＷが搬送される温度調整モジュールをＳＣＰＬとし、加熱モジュールＣＧＨＰの次にウエハＷが搬送される温度調整モジュールをＳＣＰＬ′としている。温度調整モジュールＳＣＰＬ′については、単位ブロックＥ４〜Ｅ６で処理済みのウエハＷを、当該単位ブロックＥ４〜Ｅ６から搬出するために載置する搬出モジュールである。また、タワーＴ１の近傍には、タワーＴ１を構成する各モジュールにアクセス可能で昇降自在な搬送機構１５が設けられている。
【００１６】
続いて、インターフェイスブロックＤ３について説明する。このインターフェイスブロックＤ３は、単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨がるように上下に伸びるタワーＴ２〜Ｔ４を備えている。このタワーＴ２には、多数の受け渡しモジュールＴＲＳが積層されて設けられている。そして、この受け渡しモジュールＴＲＳは単位ブロックＥ１〜Ｅ６に対応する各高さに設けられている。単位ブロックＥ１〜Ｅ３に対応する高さの受け渡しモジュールをＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１３、単位ブロックＥ４〜Ｅ６に対応する高さの受け渡しモジュールをＴＲＳ４〜ＴＲＳ６として夫々示している。受け渡しモジュールＴＲＳ４〜ＴＲＳ６は、単位ブロックＥ４〜Ｅ６へウエハＷを各々搬入するための搬入モジュールである。
【００１７】
タワーＴ３、Ｔ４は、タワーＴ２を左右から挟むように設けられている。タワーＴ３、Ｔ４には、各種のモジュールが含まれるが、図示及び説明を省略する。また、インターフェイスブロックＤ３は、各タワーＴ２〜Ｔ４に対してウエハＷを搬送する搬送機構１６〜１８を備えている。搬送機構１６は、タワーＴ２及びタワーＴ３に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構であり、搬送機構１７は、タワーＴ２及びタワーＴ４に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構である。搬送機構１８は、タワーＴ２と露光機Ｄ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送機構である。搬送機構１３、１５、１６〜１８は、キャリア１０と処理ブロックＤ２との間でウエハＷを受け渡す搬入出用搬送機構を構成する。
【００１８】
後述のように塗布、現像装置１内でのウエハＷの搬送経路は、搬送レシピにより指定される。以下、その搬送経路の一例を説明する。ウエハＷは、キャリア１０から搬送機構１３により、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１０に搬送される。ウエハＷは、この受け渡しモジュールＴＲＳ１０から搬送機構１５により受け渡しモジュールＴＲＳ１〜ＴＲＳ３に振り分けられる。そして、当該ウエハＷは、受け渡しモジュールＴＲＳ１〜ＴＲＳ３から搬送アームＦ１〜Ｆ３により、単位ブロックＥ１〜Ｅ３に取り込まれ、反射防止膜形成モジュール→加熱モジュール→レジスト膜形成モジュール→加熱モジュールの順で搬送される。それによって反射防止膜、レジスト膜がウエハＷに順に形成された後、当該ウエハＷは受け渡しモジュールＴＲＳ１１〜ＴＲＳ１３に搬送され、搬送機構１６、１８により、露光機Ｄ４へ搬送され、レジスト膜が所定のパターンに沿って露光される。
【００１９】
露光後のウエハＷは、搬送機構１８により露光機Ｄ４から取り出され、タワーＴ４のモジュールを介して搬送機構１７に受け取られる。搬送機構１７は、ウエハＷを受け渡しモジュールＴＲＳ４、ＴＲＳ５、ＴＲＳ６の順に繰り返し搬送し、ウエハＷをこれらの受け渡しモジュールに振り分ける。そして、受け渡しモジュールＴＲＳ４〜ＴＲＳ６に搬送されたウエハＷは、搬送アームＦ４〜Ｆ６により加熱モジュールＣＳＷＰ→温度調整モジュールＳＣＰＬ→現像モジュールＤＥＶ→加熱モジュールＣＧＨＰ→温度調整モジュールＳＣＰＬ′の順で搬送される。それにより、ウエハＷに形成されたレジスト膜について、ＰＥＢ、温度調整、現像、温度調整が順に行われる。然る後、ウエハＷは搬送機構１５により、単位ブロックＥ４〜Ｅ６から搬出されて受け渡しモジュールＴＲＳ２０に搬送され、搬送機構１３によってキャリア１０に戻される。この単位ブロックＥ１〜Ｅ６の全てにウエハＷが搬送される搬送経路を示したが、使用する搬送レシピによっては、単位ブロックＥ１〜Ｅ６のうちの一部の単位ブロックにはウエハＷが搬送されずに処理が行われる。
【００２０】
ところで、上記のようにウエハＷが搬送されるにあたり、一つの単位ブロックＥにおいて搬送の順番が同じである同一の複数のモジュールについては、マルチモジュールとする。従って、現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ４が同じマルチモジュールを構成し、温度調整モジュールＳＣＰＬ１、ＳＣＰＬ２が同じマルチモジュールを構成し、温度調整モジュールＳＣＰＬ′１、ＳＣＰＬ′２が同じマルチモジュールを構成している。また、加熱モジュールＣＳＷＰ１〜ＣＳＷＰ３が同じマルチモジュールを構成し、加熱モジュールＣＧＨＰ１〜ＣＧＨＰ３が同じマルチモジュールを構成している。また、上記の搬送フローにおける各工程をステップと記載する場合が有る。即ち、同じマルチモジュールを構成する各モジュールは、互いに同じステップを実施するモジュールである。
【００２１】
また、一つの単位ブロックＥにおいて、異なるステップのモジュール間における搬送アームＦの搬送回数を搬送アームＦの工程数とする。上記の搬送経路の例で単位ブロックＦ６については、加熱モジュールＣＳＷＰ→温度調整モジュールＳＣＰＬ→現像モジュールＤＥＶ→加熱モジュールＣＧＨＰ→温度調整モジュールＳＣＰＬ′と、４回搬送が行われるため、工程数は４である。なお、このように搬送経路が設定されているため、加熱モジュールＣＳＷＰ、温度調整モジュールＳＣＰＬについては上流側のモジュールに相当し、現像モジュールＤＥＶ、加熱モジュールＣＧＨＰについては下流側のモジュールに相当する。
【００２２】
キャリア１０に格納されて塗布、現像装置１に搬送されるウエハＷは、塗布、現像装置１に設けられる後述の制御部４により設定されるプロセスジョブ（ＰＪ）により管理される。ＰＪは、搬送レシピ及び塗布、現像装置１内に搬送するウエハＷを指定する情報であり、同じＰＪとして設定されたウエハＷについては、同種の処理を受ける同じロットのウエハＷである。このＰＪの設定には、後述の搬送スケジュールの設定が含まれる。その搬送スケジュールに基づいた搬送が終了すると、ＰＪが終了する。
【００２３】
上記の搬送レシピは、各モジュールの処理内容、異なる種類のモジュール間におけるウエハＷの搬送順序、及び使用されるモジュールを指定するデータであり、管理するために搬送レシピの各々には名称が付される。上記のモジュールについての処理内容は、ウエハＷに処理を行うためにモジュールを構成する各部を動作させるための情報である。さらに具体的に述べると、モジュールにおける各部の動作に要する時間、ウエハＷを加熱する場合には加熱の温度、ウエハＷに液処理を行う場合には各液をウエハＷに供給するタイミングや順番などが、当該処理内容に含まれる。搬送レシピは、このようにモジュールの処理内容及びモジュール間での搬送順序を指定するため、単位ブロックＥ１〜Ｅ６において行われるウエハＷの処理を各々指定することになる。また、搬送順序を指定することで搬送レシピは、上記の搬送アームＦ１〜Ｆ６の工程数についても指定している。
【００２４】
なお、上記の搬送レシピに含まれる使用されるモジュールの指定とは、マルチモジュールを構成する複数のモジュールのうちのいずれが使用されるかという指定であるが、以下の説明では便宜上、マルチモジュールを構成する全てのモジュールがウエハＷの処理に用いられるものとする。つまり、上記の単位ブロックＥ６の現像モジュールＤＥＶについてはＤＥＶ１〜ＤＥＶ４が全て用いられる。ところで、一つの単位ブロックＥ内で同じステップを実施するモジュールの数を、使用可能モジュール数とする。例えば単位ブロックＥ６の現像モジュールＤＥＶについては上記のようにＤＥＶ１〜ＤＥＶ４の４つが使用されるため、使用可能モジュール数は４である。搬送レシピは、上記のように使用されるモジュールを指定するため、この使用可能モジュール数についても指定している。
【００２５】
また後述の制御部４により搬送レシピに基づいて各種の演算が行われ、各モジュールにおけるウエハＷの処理時間及びＯＨＴ（Over Head Time）が算出される。ＯＨＴとは、モジュールへのウエハＷの搬入から処理までに必要な時間と、ウエハＷの処理後、モジュールから当該ウエハＷが搬出可能になるまでに必要な時間との合計である。モジュールにおけるウエハＷの処理時間とＯＨＴとの合計が、ウエハＷがモジュールに滞在するにあたり、少なくとも必要な滞在時間（ＭＵＴ：Module Using Time）であり、このＭＵＴについても算出される。
【００２６】
例えばロットが異なるウエハＷは互いに異なるキャリア１０に格納され、一のキャリア１０からのウエハＷの払い出しが終わると、次のキャリア１０からのウエハＷの払い出しが行われる。塗布、現像装置１では、装置に搬入されたウエハＷが順番に下流側に向かうように搬送される。即ち後から搬入されたウエハＷが、先に搬入されたウエハＷを追い越して下流側のモジュールへ移動しないように搬送が行われる。従って、各単位ブロックＥには同じロットのウエハＷがまとまって、即ち同じＰＪのウエハＷがまとまって搬入される。
【００２７】
搬送アームＦ（Ｆ１〜Ｆ６）については、単位ブロックＥ（Ｅ１〜Ｅ６）においてアクセスするモジュールの間を順番にサイクリックに移動して、ウエハＷを１枚ずつ、上流側のモジュールから下流側のモジュールへ受け渡すサイクル搬送を行う。つまり単位ブロックＥ６であれば、搬送アームＦ６が搬送路１４を繰り返し周回移動し、単位ブロックＥ６への搬入モジュールである受け渡しモジュールＴＲＳ６側から、搬出モジュールである温度調整モジュールＳＣＰＬ′側へ向かうウエハＷの搬送が繰り返し行われる。搬送アームＦが、搬送路１４を１周する時間をサイクルタイム（ＣＴ）とする。なお、このように定義されるため、ＣＴは単位ブロックＥのスループットに対応する値である。そして、ウエハＷに順番を割り当て、ウエハＷの順番と搬送先のモジュールとを対応付けて、上記の搬送アームＦによるサイクルを指定したデータを時系列に並べて作成したものを搬送スケジュールとする。塗布、現像装置１へ搬入される前に予め作成された搬送スケジュールに従って、ウエハＷは当該塗布、現像装置１内を搬送される。
【００２８】
図３は、単位ブロックＥ６において搬送されるウエハＷの搬送スケジュールの一例を示している。このように表として示される搬送スケジュールについて説明する。横方向に並んだセルの１列は１つのサイクルを表し、表の下方に向かうほど後の時間のサイクルである。縦方向に並んだセルの列は、ウエハＷの搬送先のモジュールを表している。そして、セル内に記載されたＩＤ番号とＩＤ番号から下方に伸びる矢印とにより、どのサイクルで、どのモジュールに、どのウエハＷが搬送されて滞在するかが示されている。
【００２９】
具体的に時系列で見ると、ＩＤ番号を付したセルのサイクルにてウエハＷはモジュールに搬送され、矢印を付したセルに対応するサイクルでは、当該ウエハＷはサイクルの初めから終わりまでモジュールに滞在する。そして、矢印を付したセルの一つ下の矢印が付されていないセルのサイクルで、当該ウエハＷはモジュールから搬出される。また、ウエハＷがモジュールに滞在するサイクルの数を、そのモジュールにおけるウエハＷの滞在サイクル数とする。具体的に述べると、搬送スケジュールの表において、ＩＤ番号を付したセルの数（＝１）＋当該ＩＤ番号を付したセルの下方に位置して矢印が付されたセルの数＝滞在サイクル数である。
【００３０】
例えば図３より、温度調整モジュールＳＣＰＬについてはＩＤ番号を付したセルの下方に矢印を付したセルが２つ並べられるため、当該加熱モジュールＣＳＷＰにおける滞在サイクル数は３である。セル中の英字はウエハＷに設定されているＰＪを表し、数字は一つのＰＪにおける単位ブロックＥ６への搬入順を表している。以降の説明では、各ウエハＷについて言及する際に、ＩＤ番号を用いる場合が有る。なお、図３は、ウエハＡ１〜Ａ２５を単位ブロックＥ４〜Ｅ６に振り分けて搬送するように設定された搬送レシピの搬送スケジュールを示しているため、図３の搬送スケジュールには当該ウエハＡ１〜Ａ２５のうちの一部のみが示されている。
【００３１】
また、各ＰＪのウエハＷは順次、単位ブロックＥ内に搬送されるが、図３ではＰＪ-Ａ、つまり１つのＰＪのみのウエハＷの搬送スケジュールを示している。なお、この図３に示す搬送スケジュールは、搬送アームＦ６についての動作を示す搬送スケジュールである。単位ブロックＥ６からの搬出モジュールであるＳＣＰＬ′について搬送アームＦ６は搬入のみ行い、ＳＣＰＬ′からのウエハＷの搬出は他の搬送機構が行う。そのため、ＳＣＰＬ′の滞在サイクル数については、このＳＣＰＬ′への搬入に要するサイクルのみカウントし、１としている。
【００３２】
後に具体的に述べるが、搬送スケジュールは上記の搬送アームＦのＣＴに基づいて設定される。このＣＴが長すぎると、モジュールにおいてウエハＷが処理を終えて搬出可能となってから搬送アームＦがアクセスして当該モジュールからの搬出が行われるまでの待機時間（後待機時間とする）が長くなりすぎるように搬送スケジュールが設定されてしまう。その結果として、装置のスループットの低下を招く。一方で、ＣＴが短すぎると、上記の後待機時間を抑制することができるが、図３で示した縦方向に並ぶセルの数が増え、搬送スケジュールのデータが膨大なものとなる。結果として、搬送スケジュールを記憶するために大容量のメモリが必要になり、現実的では無い。従って、ＣＴを適切な値に設定することが求められる。
【００３３】
そして、後に具体例を示すようにＣＴを設定するにあたり、各単位ブロックＥでＣＴを一律の値に設定してしまうと、行われる処理に適さないＣＴが設定されることで、上記のモジュールにおける後待機時間が長くなる単位ブロックＥが発生してしまう場合が有る。そこで、塗布、現像装置１に設けられる制御部４としては、単位ブロックＥ１〜Ｅ６のＣＴを個別に再設定（更新）し、再設定したＣＴに基づいて各単位ブロックＥの搬送スケジュールを作成する。
【００３４】
このＣＴの再設定の概要を述べると、各単位ブロックＥについての過去のウエハＷの搬送履歴のデータを制御部４のメモリに記憶しておく。具体的にはウエハＷの搬送履歴として、各搬送レシピによって単位ブロックＥを通過したウエハＷの枚数（搬送枚数）が記憶される。一方、各搬送レシピからは、当該搬送レシピに対応するＣＴ（説明の便宜上、標準ＣＴとする）を算出することができる。つまり、この標準ＣＴに対応付けられるように、上記のウエハＷの搬送枚数がメモリに記憶されている。このメモリのデータより、ウエハＷの搬送枚数が比較的多い搬送レシピに対応する標準ＣＴに基づいて、ＣＴの再設定が行われる。即ち、極めて概略的に述べると、単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各々において過去に比較的多く使用された搬送レシピが今後も多く使用されるものとして、その搬送レシピに適したサイクルタイムを再設定する。なお、この再設定を行うために十分な搬送履歴が得られる前においては、例えば任意のＣＴを設定して装置を運用し、搬送履歴が十分に蓄積された適切なタイミングで再設定を行う。
【００３５】
以下、サイクルタイム算出用の時間のパラメータである標準ＣＴの算出方法について説明しておく。上記のように搬送レシピでは使用するモジュールが指定されるが、この使用されるモジュールについて既述したＭＵＴを算出し、このＭＵＴを使用可能モジュール数で除して除算値を求める。例えば、単位ブロックＥ６の現像モジュールＤＥＶについて、ＭＵＴが４７．０秒であるとする。この現像モジュールＤＥＶの使用可能モジュール数は４であるため、４７．０秒／４＝１１．７５秒がＤＥＶについての除算値である。単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各モジュールについて、同様に除算値を算出し、その除算値の中で最大のものを標準ＣＴの第１の候補値とする。また、各単位ブロックＥについて、単位ブロックＥの工程数×所定の時間を算出する。例えば単位ブロックＥ６については上記のように工程数が４であるため、所定の時間が例えば３．７秒である場合には算出値は１４．８秒となる。そして、算出した各単位ブロックＥについての工程数×所定の時間の中から最大のものを標準ＣＴの第２の候補値とする。
【００３６】
そして、標準ＣＴについて第１の候補値及び第２の候補値のうちの大きい方を、標準ＣＴとして決定する。即ち、単位ブロックＥのいずれかのステップにおけるモジュールの処理が処理ブロックＤ２におけるスループットのボトルネックとなる場合、そのステップに応じた標準ＣＴとする。一方で、単位ブロックＥのいずれかの搬送アームＦの工程数が処理ブロックＤ２における処理のボトルネックとなる場合、その搬送アームＦの工程数に応じた標準ＣＴとする。
【００３７】
続いて上記のウエハＷの搬送枚数が記憶されるメモリの構成について詳しく説明する。当該メモリには、図４に示す搬送データテーブル３が記憶される。この搬送データテーブル３には、搬送レシピの名称（図の例では名称をＡ〜Ｚとしている）が記憶され、そして単位ブロックＥ毎にこの搬送レシピの名称に対応付けられて、ウエハＷの搬送枚数が記憶される。また、搬送データテーブル３には、単位ブロックＥ毎の各搬送レシピに対応するウエハＷの搬送枚数の合計が、ウエハＷの総通過枚数として記憶されている。さらに搬送データテーブル３には、単位ブロックＥ毎の再設定されたＣＴが記憶されると共に、各搬送レシピから算出される既述の標準ＣＴが、搬送レシピの名称に対応付けられて記憶されている。
【００３８】
上記の搬送データテーブル３に記憶されるデータに基づいたＣＴの再設定の手順を説明する。先ず、サイクルタイムの算出対象の単位ブロックにおいて、各搬送レシピに対応するウエハＷの通過枚数のうちで最も多いものを選択し、当該単位ブロックにて搬送されたウエハＷの総通過枚数に対する予め設定した割合の枚数（設定割合枚数とする）を超えるか否か判定する。設定割合枚数を越えていなければ、各搬送レシピに対応するウエハＷの通過枚数のうち、２番目に多いものについても選択し、選択した各ウエハＷの通過枚数を互いに加算する。つまり最も多いウエハＷの枚数、２番目に多いウエハＷの通過枚数を互いに加算する。そして、そのように加算した通過枚数が設定割合枚数を超えるか否か判定する。依然として設定割合枚数を超えていなければ、各搬送レシピに対応するウエハＷの通過枚数のうち、３番目に多いものも選択し、選択したウエハＷの通過枚数を互いに加算する。つまり最も多いウエハＷの通過枚数、２番目に多いウエハＷの通過枚数、３番目に多いウエハＷの通過枚数を互いに加算する。そして、加算した通過枚数が設定割合枚数を超えるか否か判定する。
【００３９】
設定割合枚数を超えると判定されるまで、このような多いものから順となるウエハＷの通過枚数の選択、及び選択したウエハＷの通過枚数の加算値と設定枚数との比較を行う。そして設定枚数を超えると判定されたら、新たなウエハＷの通過枚数の選択は行わず、既に選択したウエハＷの通過枚数に対応付けられている搬送レシピを、ＣＴ算出対象の搬送レシピとして決定する。そして、このＣＴ算出対象の搬送レシピに対応する標準ＣＴのうち、最短のものを選択する。さらにこの選択した標準ＣＴについて、整数化処理を行う。この整数化処理は、選択した最小の標準ＣＴの小数点以下の数値を切り捨てることにより行う。この整数化処理を行った標準ＣＴを、ＣＴとして決定する。各単位ブロックについて、このようなＣＴの決定を行う。
【００４０】
具体的に、単位ブロックＥ４におけるＣＴの算出手順を説明する。この説明にあたり、図４から単位ブロックＥ４に関するデータを抜き出して表示した図５も適宜参照する。例えば、上記のウエハＷの総通過枚数に対する予め設定した割合は７０％であるものとし、図４、図５で表示しているように、単位ブロックＥ４の総通過枚数が３５００枚であるものとする。即ち、上記の設定割合枚数は３５００×０．７＝２４５０枚であるものとする。そして、搬送レシピＡで搬送されたものが１２００枚、搬送レシピＢで搬送されたものが０枚、搬送レシピＣで搬送されたものが９００枚であるものとする。また、搬送レシピＬで搬送されたものが５００枚、搬送レシピＭで搬送されたものが６０枚、搬送レシピＮで搬送されたものが４０枚、搬送レシピＺで搬送されたものが１５枚であるものとする。搬送レシピＡ〜Ｃ、Ｌ〜Ｎ、Ｚ以外の搬送レシピで搬送されたウエハＷの通過枚数は表示を省略しているが、各々６０枚より少ない枚数であるものとする。また、搬送レシピＡ、Ｂ、Ｃ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｚの標準ＣＴは夫々１４．４秒、１１．８秒、１５．５秒、１３．２秒、１２．０秒、１６．０秒、１６．０秒であるものとする。
【００４１】
搬送レシピに対応するウエハＷの通過枚数のうち、最も多いものは１２００枚であり、この１２００枚が選択され、設定割合枚数である２４５０枚と比較される。この選択した１２００枚は、設定割合枚数を超えていないため、２番目に多い通過枚数である９００枚も選択される。このように選択された１２００枚と９００枚との加算値である２１００枚が、設定割合枚数と比較される。この加算値である２１００枚は設定割合枚数を超えていないため、３番目に多い通過枚数である５００枚も選択される。このように選択された１２００枚、９００枚、５００枚の加算値である２６００枚が設定割合枚数と比較される。この加算値は設定割合枚数を超えているため、続けてのウエハＷの通過枚数の選択は行われない。
【００４２】
そして、この選択されたウエハＷの通過枚数である１２００枚、９００枚、５００枚に対応付けられている搬送レシピＡ、Ｃ、ＬがＣＴ算出対象の搬送レシピとして選択される。図５では、このように選択されたウエハＷの通過枚数、選択された搬送レシピ、選択された搬送レシピに対応する標準ＣＴが記載された表中のセルにグレースケールを付して示している。続いて、選択された搬送レシピＡ、Ｃ、Ｌに対応する標準ＣＴ１４．４秒、１５．５秒、１３．２秒のうち、最短の標準ＣＴとして搬送レシピＬの１３．２秒が選択される。続いて、この１３．２秒について、整数化処理により小数点以下の値が切り捨てられ、得られた１３秒が単位ブロックＥ４のＣＴとして決定される。
【００４３】
既述のようにＣＴの決定を行う理由について説明する。既述のＣＴ算出対象の搬送レシピを決定するにあたり、例えばウエハＷの通過枚数が多い順から所定の数のものを選択することも考えられる。例えばウエハＷの通過枚数が多いものから順に５つ選び出して、ＣＴ算出対象の搬送レシピとすることも考えられる。しかし、その場合、搬送レシピ間でウエハＷの通過枚数に大きく偏りが存在する場合、通過枚数が非常に少ない搬送レシピの標準ＣＴに基づいてＣＴが決定され、使用される頻度が少ない搬送レシピに応じたＣＴとなる不具合が発生することが考えられる。具体的に述べると、搬送レシピのうち、最もウエハＷの通過枚数の多いものが３０００枚、次にウエハＷの枚数が多いものが５枚であるように搬送が行われ、この通過枚数が５枚の搬送レシピがＣＴ算出対象の搬送レシピとして選択されることが考えられる。そして、この通過枚数が５枚の搬送レシピの標準ＣＴに基づいてＣＴが設定される場合には、既述のように比較的多く用いられる予定の搬送レシピに対応したものとはならない。そのため、既述のようにウエハＷの通過枚数を多いものから順に選択して得られる合計枚数と設定割合枚数とを比較して、ＣＴ算出対象の搬送レシピを決定することが好ましい。
【００４４】
ただし、そのように設定割合枚数との比較に基づいて、ＣＴ算出対象の搬送レシピを選択することには限られない。例えばウエハＷの通過枚数が最も多いもののみを、ＣＴ算出対象の搬送レシピとして選択し、その搬送レシピの標準ＣＴを整数化処理して、ＣＴを算出してもよい。従って、例えばＣＴ算出対象の搬送レシピとしては、少なくともウエハＷの通過枚数が最も多いものが選択される。
【００４５】
そして、上記の例ではＣＴ算出対象の搬送レシピを選択後は、最短の標準ＣＴを選択しているが、そのように標準ＣＴの選択することには限られない。例えば、選択した算出対象の搬送レシピの各標準ＣＴについての平均値を取得し、この平均値を整数化処理してＣＴを決定してもよい。その他には例えば選択した算出対象の搬送レシピの各暫定サイクルタイムについて標準偏差を取得し、平均値−標準偏差〜平均値＋標準偏差の範囲内の任意の値としてもよい。ただし、上記のように最小となる標準ＣＴを選択することで、既述のようにモジュール待機時間が抑えられ、単位ブロックＥのスループットを向上させることができるので、好ましい。
【００４６】
ところで上記の整数化処理は、サイクルタイムに基づいて搬送スケジュールを設定する際に演算が複雑になることを防ぐために行っている。そのため、整数化処理における小数点以下の値については切り捨てることには限られず、例えば切り上げてもよいし、四捨五入してもよい。ただし、既述したようにウエハＷのモジュールでの処理後の待機時間を少なくするためには、サイクルタイムが短い方が有利である。さらに小数点以下の僅かな値の変更で搬送スケジュールのデータ量は大きく変動しない（搬送スケジュールの表における縦方向のセルの数が大きく増加しない）。従って、上記のように整数化処理としては小数点以下の値の切り捨てを行うことが好ましい。
【００４７】
続いて塗布、現像装置１に設けられるコンピュータである制御部４について、図６を参照して説明する。搬送スケジュールを設定するための設定部をなす制御部４は、既述した搬送データテーブル３が記憶されるメモリを備えている。また、制御部４は、各搬送レシピが格納される搬送レシピ用のメモリ４１を備えており、当該メモリ４１に格納されるデータに基づき、既述の標準ＣＴの算出が行われる。さらに制御部４は、後述するようにデータテーブル３のデータ退避用のメモリ４２を備えている。また、制御部４は、タッチパネルなどにより構成される操作部４３を備えており、当該操作部４３から装置のオペレータは、各種の操作を行うことができる。具体的には例えば、後述するデータテーブル３及び退避用のメモリ４２のデータの削除や、メモリ４１にアクセスすることによる搬送レシピについての追加、削除、変更などを行うことができる
【００４８】
図中４４はプログラムである。このプログラム４４は、コンパクトディスク、ハードディスク、メモリーカード及びＤＶＤなどの記憶媒体に格納された状態で、制御部４にインストールされている。図６では、塗布、現像装置１の起動から塗布、現像装置のシャットダウンまでにプログラム４４が行う処理を、搬送制御ステップＳ１〜Ｓ５として時系列で示している。Ｓ１〜Ｓ５のうち、搬送データテーブル３へデータの書き込みが行われる搬送制御ステップについては、当該搬送制御ステップを示すカラムから当該データテーブル３へ向かう点線の矢印を示している。そして、搬送データテーブル３からのデータの読み出しが行われる搬送制御ステップについては、搬送データテーブル３から当該搬送制御ステップを示すカラムへ向かう点線の矢印を示している。
【００４９】
ステップＳ１〜Ｓ５の各々の概略を述べる。搬送制御ステップＳ１では塗布、現像装置１の起動時に行われ、前回の装置のシャットダウン前にメモリ４２へ退避させたファイル４５のデータが搬送データテーブル３に書き込まれる。搬送制御ステップＳ２では、搬送レシピ用のメモリ４１のデータに応じて、搬送データテーブル３のデータが修正される。搬送制御ステップＳ３では、図４、図５で説明したＣＴの再設定が行われる。搬送制御ステップＳ４では、装置内におけるウエハＷの搬送結果に応じて、搬送データテーブル３のウエハＷの通過枚数が更新される。搬送制御ステップＳ５では、塗布、現像装置１のシャットダウン時において、メモリ４２へ搬送データテーブル３のデータが退避され、ファイル４５として格納される。上記の搬送制御ステップＳ１は、この搬送制御ステップＳ５で退避されたファイル４５のデータを搬送データテーブル３に書き込んでいる。つまり、装置のシャットダウン前のウエハＷの搬送履歴がＣＴの再設定に利用される。
【００５０】
搬送制御ステップＳ２についてさらに説明すると、この搬送制御ステップＳ２はＣＴを算出する際、即ち搬送制御ステップＳ３を実施する直前に行われる。搬送制御ステップＳ２では、搬送データテーブル３に記憶される搬送レシピの名称と、搬送レシピ用のメモリ４１に格納される搬送レシピの名称とが照合される。例えばオペレータによって、搬送制御ステップＳ２の実施前に搬送レシピ用のメモリ４１から一部の搬送レシピが削除されていたとする。その場合は上記の照合により搬送データテーブル３から、その一部の搬送レシピについてのデータが削除される。具体的には、搬送レシピの名称、当該搬送レシピに対応するウエハＷの通過枚数、当該搬送レシピに対応する標準ＣＴが夫々搬送データテーブル３から削除される。さらに、そのウエハＷの通過枚数の削除に応じて、搬送データテーブル３における各単位ブロックのウエハＷの総通過枚数が更新される。
【００５１】
図７は搬送レシピＡ〜Ｚのうち搬送レシピＡが、搬送レシピ用のメモリ４１から削除された場合において、搬送データテーブル３から当該搬送レシピＡに関するデータが削除されて更新される様子を例示している。このようにメモリ４１から搬送レシピＡが削除された場合には、この搬送制御ステップＳ２の後の搬送制御ステップＳ３で行われるＣＴの再設定は、搬送レシピＢ〜ＺについてのウエハＷの通過枚数に基づいて行われることになる。搬送レシピが削除される毎に搬送データテーブル３のデータを更新してもよいが、上記のようにＣＴの算出直前に搬送データテーブル３が更新されることで、データの更新回数が抑制される。そのため、制御部４が行う処理が低減されるため好ましい。
【００５２】
搬送制御ステップＳ３では既述したように搬送データテーブル３の各データに基づき、ＣＴの再設定が行われ、このＣＴが搬送データテーブル３に書き込まれる。この搬送制御ステップＳ３は、塗布、現像装置１における各搬送機構１３、１５、１６〜１８及びＦ１〜Ｆ６がウエハＷを搬送していないときに行われる。これは塗布、現像装置１にウエハＷが搬送されているときにＣＴが変更されると、その搬送中のウエハＷについて搬送スケジュールの再設定が必要となり、そのような搬送中の再設定は、搬送機構の負荷が大きくなってしまうためである。
【００５３】
具体的には例えば、塗布、現像装置１の電源投入後、最初のキャリア１０が塗布、現像装置１に搬入されて当該キャリア１０内のウエハＷについてＰＪの設定がなされるまでに、この搬送制御ステップＳ３が行われる。ただし、一つのＰＪのウエハＷの塗布、現像装置１における搬送が終了し、後続のウエハＷが塗布、現像装置１に搬入されるまでの間隔が比較的長い場合、この間隔においてＣＴの再設定を行ってもよい。例えば、装置の稼働中にオペレータが塗布、現像装置１へのキャリア１０の搬送状況を見てＣＴを再設定するように制御部４の操作部４３から指示を出してもよい。また、例えば装置の稼働中の任意の期間にウエハの搬入間隔が比較的長く空くことを見込んで、その期間に合わせてタイマーをセットしておき、当該期間中にＣＴの再設定がなされるようにしてもよい。
【００５４】
続いて搬送制御ステップＳ４についてさらに詳しく説明すると、ＰＪが終了する毎に搬送データテーブル３のデータが更新される。つまり、一のＰＪの各ウエハＷについて、搬送スケジュールに従った搬送が終わると、このＰＪの搬送レシピにより搬送された各単位ブロックＥのウエハＷの通過枚数が更新される。また、この通過枚数の更新に合わせて、総通過枚数も更新される。ただし、この通過枚数の更新は、正常に搬送が終了したウエハＷについて行われる。従って、キャリア１０から搬送されて、キャリア１０に戻されたウエハＷの枚数分のみ、通過枚数が更新される。また、既述したウエハＷの処理を目的とせず、モジュールや搬送機構のテストなどを目的としたＰＪが設定される場合が有るが、そのようなＰＪで搬送されたウエハＷの分の通過枚数の更新は行わないものとする。
【００５５】
例えば搬送レシピＢを指定するＰＪ−Ｂで合計２５枚のウエハＷが塗布、現像装置１へ搬送されたとする。このＰＪ−Ｂは、上記のテスト用のＰＪではなく、ウエハＷの処理用のＰＪである。そして、このＰＪ−ＢのウエハＷについて、単位ブロックＥ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５、Ｅ６に夫々９枚、８枚、８枚、０枚、０枚、２５枚搬送され、各ウエハＷが正常にキャリア１０に戻されてＰＪ−Ｂが終了したとする。図８は、このＰＪ−Ｂの終了後に搬送データテーブル３が更新される様子を示している。ＰＪ−Ｂの終了前に比べてＰＪ−Ｂの終了後、搬送レシピＢに対応する単位ブロックＥ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５、Ｅ６のウエハＷの通過枚数について、９枚、８枚、８枚、０枚、０枚、２５枚夫々上昇する。単位ブロックＥ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５、Ｅ６のウエハＷの総通過枚数についても、９枚、８枚、８枚、０枚、０枚、２５枚夫々上昇する。なお、この搬送制御ステップＳ４において搬送データテーブル３にデータが無い搬送レシピによる搬送が完了すると、その搬送レシピの名称、当該搬送レシピの標準ＣＴ、その搬送レシピによるウエハＷの通過枚数が追加されるように、搬送データテーブル３が更新される。
【００５６】
このように搬送データテーブル３の更新が行われるため、上記の搬送制御ステップＳ３のＣＴの再設定は、正常に搬送が終了してキャリア１０に１枚以上ウエハＷが格納されたＰＪを対象として行われることになる。そして、キャリア１０からの搬送開始前に中止になったＰＪのウエハＷや、ウエハＷの搬送開始後に全てのウエハＷについての搬送が異常となり、キャリア１０に戻されることなく回収されたＰＪのウエハＷについてはＣＴの再設定の対象とはならない。
【００５７】
ところで、制御部４を構成する操作部４３でオペレータが所定の操作を行うと、搬送データテーブル３及び退避用のメモリ４２の初期化が行われ、搬送データテーブル３のデータ及び退避用のメモリ４２のファイル４５が削除される。このように削除が可能な構成とされているのは、装置の運用が変更されたときに、古い運用によって得られた過去のデータを基にＣＴが設定されないようにする、つまり単位ブロックＥにおける処理に不適切なＣＴが設定されないようにするためである。
【００５８】
上記のプログラム４４について補足して説明する。当該プログラム４４は既述のＣＴの再設定及び当該ＣＴに基づいた搬送スケジュールの設定を行う他に、設定した搬送スケジュールに基づいて制御部４から制御信号を出力するように命令（各ステップ）が組まれている。この制御信号により塗布、現像装置１の各部の動作が制御され、搬送スケジュールに基づいてウエハＷが搬送されて、処理が行われる。
【００５９】
続いて、既述のように再計算されたサイクルタイムに基づいた、図３で示した単位ブロックＥ６におけるＰＪ−Ａの搬送スケジュールを設定するプロセスを述べておく。図３の搬送スケジュールは、既述の入れ替え搬送が比較的多く行われるように設定されている。なお、搬送スケジュールの表は既述したルールで表示されるため、一のモジュールについて、一のウエハＷが搬入されるサイクルの直前（一つ前）のサイクルで他のウエハＷが滞在するように示されていれば、これらのウエハＷについて入れ替え搬送される。
【００６０】
上記のＰＪ−Ａで指定される搬送レシピＡについては、単位ブロックＥ４〜Ｅ６へウエハＷを搬送して処理を行うように設定されている。そのために、単位ブロックＥ４〜Ｅ６への搬入モジュールである受け渡しモジュールＴＲＳ４〜ＴＲＳ６へ、ウエハＷを搬送する搬送機構１７について、単位ブロックＥ４〜Ｅ６のサイクルタイムに同期して動作する。具体的に、搬送機構１７は上記のように受け渡しモジュールＴＲＳ４〜ＴＲＳ６に繰り返し順番にウエハＷを搬送するが、１サイクルタイム毎に１枚のウエハＷを搬送する。つまり、単位ブロックＥ４〜Ｅ６の各々に、３サイクル毎に１枚ウエハＷが搬送される。そして、搬送レシピに基づいて、下記の表１のように使用可能モジュール数、処理時間、ＯＨＴ、ＭＵＴが決められるものとする。また、再設定されたサイクルタイムは１２秒であるものとする。
【００６１】
【表１】
2020191331.tif 000003
【００６２】
先ず、搬送フローの各ステップにおけるウエハＷの滞在サイクル数が算出される。この滞在サイクル数は、ＭＵＴ／サイクルタイムとされ、この演算値の小数点以下の数値が０でない場合にはその値を切り上げ、整数値として滞在サイクル数を算出する。従ってＰＪ−ＡにおけるＣＳＷＰ、ＳＣＰＬ、ＤＥＶ、ＣＧＨＰ、ＳＣＰＬ′の滞在サイクル数は、夫々８、２、１１、２、１となる。これらを補正前の滞在サイクル数とする。続いて、この補正前の滞在サイクル数を補正する。この補正としては、Ｎ回（Ｎは整数）のサイクルに１回ウエハＷが単位ブロックＥ６に搬送されるものとして、補正前の滞在サイクル数の値以上で、Ｎの整数倍であり、且つ補正後の値がなるべく小さくなるように行う。上記のようにこの例ではＮ＝３である。従って、ＣＳＷＰ、ＳＣＰＬ、ＤＥＶ、ＣＧＨＰについての滞在サイクル数は９、３、１２、３に夫々補正される。
【００６３】
そして、各ウエハＷについて単位ブロックＥ６に搬入される順に、マルチモジュールを構成する複数のモジュールのうち、いずれのモジュールを搬送先とするかを決める。この搬送先の決定については、先ず、搬送先を決めるウエハＷが当該マルチモジュールに搬送されるサイクル（説明の便宜上、基準サイクルとする）で、使用可能なマルチモジュールのうち、いくつのモジュールに搬送可能であるかについて判断される。即ち、基準サイクルにおいてウエハＷを搬送する際にウエハＷに占有されていないモジュールがいくつ有るかについて判断される。この判断の結果、マルチモジュールの中で搬送可能なモジュールが１つしかない場合には、その搬送可能なモジュールが搬送先として決められる。
【００６４】
一方、マルチモジュールの中で搬送可能なモジュールが複数有ると判断された場合、搬送可能なモジュールのうち、基準サイクルに最も近いサイクルで、搬送先を決定するウエハＷよりも先に当該マルチモジュールに搬送されたウエハＷが搬出されるモジュールはどれかが判断される。この基準サイクルに最も近いサイクルとしては、基準サイクルと同一のサイクルも含む。そして、そのように最も近いサイクルでウエハＷが搬出されると判断されたモジュールが、ウエハＷの搬送先として決定される。そのようなルールに従って、単位ブロックＥ６に搬送されるウエハＡの搬送先を割り振り、図３の搬送スケジュールが設定されている。
【００６５】
例えば、ＳＣＰＬ（ＳＣＰＬ１、ＳＣＰＬ２）について、ウエハＡ１、Ａ４、Ａ７・・・の順にウエハＷの搬送先を決めていくにあたり、ウエハＡ４の搬送先を決定する工程について、具体的に説明する。図３の搬送スケジュールにおいてウエハＡ４がＳＣＰＬに搬送されるサイクルに番号１３を付して示しており、この例では、当該サイクル１３が上記の基準サイクルである。このサイクル１３では、ウエハＡ１がＳＣＰＬ１から搬出される。その一方でＳＣＰＬ２はウエハＷにより占有されていない。従って、ウエハＡ４は、ＳＣＰＬ１、ＳＣＰＬ２のいずれであっても搬送可能である。そして、サイクル１３から見て、ＳＣＰＬ１よりもＳＣＰＬ２の方が、ウエハＷが搬出されるサイクルが近く、サイクル１３と同一である。従って、ＳＣＰＬ１をウエハＡ４の搬送先として決定される。
【００６６】
この塗布、現像装置１によれば、上記のようにサイクルタイムが単位ブロックＥ毎に設定される。従って、各単位ブロックにおいてウエハＷがモジュールに滞留する時間が抑制され、高いスループットを得ることができる。また、サイクルタイムが短くなりすぎて、搬送スケジュールのデータの容量が膨大になってしまうことを防ぐことができる
【００６７】
なお、標準ＣＴについて既述の例では搬送データテーブル３に記憶されるものとしたが、そのように搬送データテーブル３に記憶されなくてもよい。搬送データテーブル３には搬送レシピの名称が記憶されるので、ＣＴの再設定時にこの搬送レシピの名称に基づき、搬送レシピが記憶されるメモリ４１から対応する搬送レシピのデータを検索し、標準ＣＴを算出して用いてもよい。つまり装置の起動中、搬送データテーブル３に常時標準ＣＴが保持される構成としなくてもよい。また、搬送データテーブル３に記憶されるウエハＷの通過枚数として、例えば一つの単位ブロックＥを同じ搬送レシピでウエハＷが２枚通過する毎に、この単位ブロックＥの当該搬送レシピに対応する通過枚数が１つ更新されるようにしてもよい。つまり、搬送履歴として単位ブロックＥにおける搬送レシピ間におけるウエハＷの通過枚数の分布が搬送データテーブル３に記憶されればよく、通過枚数そのものの値が搬送データテーブル３に記憶されることには限られない。
【００６８】
ところで、本開示は上記の構成の塗布、現像装置１に適用されることには限られない。処理ブロックに搭載されるモジュールとしては上記の例に限られず、従って本開示の基板処理装置としては、塗布、現像装置１として構成されることには限られない。例えば、絶縁膜を形成する薬液を塗布するモジュール、ウエハＷを洗浄する洗浄液を供給するモジュール、ウエハＷを互いに貼り合わせるための接着剤を供給するモジュールなどが処理ブロックに設けられる装置構成とされてもよい。つまり、本開示の基板処理装置は、塗布、現像装置として構成されることには限られない。また、ウエハＷについては単位ブロックＥ間を移動するように搬送されることには限られず、キャリア１０から一つの単位ブロックＥに搬送され、その単位ブロックで処理を終えたらキャリア１０に戻されるように搬送されてもよい。
【００６９】
なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００７０】
（参考例）
一の搬送レシピによりキャリア１０から単位ブロックＥ１〜Ｅ３への各々にウエハＷを搬送して塗布処理を行い、キャリア１０に戻す。つまり単位ブロックＥ４〜Ｅ６へはウエハＷを搬送せず、現像処理は行わないものとした。この単位ブロックＥ１〜Ｅ３のサイクルタイムを１２．０秒とした。即ち、１時間あたりのスループットとしては３００枚である。一方、他の搬送レシピによりキャリア１０から単位ブロックＥ４〜Ｅ６への各々にウエハＷを搬送して現像処理を行い、キャリア１０に戻す。つまり、単位ブロックＥ１〜Ｅ３へはウエハＷを搬送せず、塗布処理は行わないものとした。この単位ブロックＥ４〜Ｅ６のサイクルタイムを１７．０秒とした。即ち、１時間あたりのスループットとしては２１１枚である。そして、これら単位ブロックＥ４〜Ｅ６における或るステップのモジュールについて、ＭＵＴが１５３秒で使用可能モジュール数が９であり、このステップが単位ブロックＥ４〜Ｅ６の処理の律速になっているものとする。
【００７１】
上記の単位ブロックＥ４〜Ｅ６のサイクルタイムを、単位ブロックＥ１〜Ｅ３のサイクルタイムと同じ１２秒に変更したとする。既述したように補正前のサイクルタイムは、ＭＵＴ／サイクルタイムの小数点以下の値を切り上げて得られる１３（つまり１５３／１２＝１３として算出）となる。そして、上記のようにこの滞在サイクル数を３の倍数となるように補正するため、補正後の滞在サイクル数は１５となる。従って、モジュールから搬出可能になってから搬出されるまでの待機時間は、１２秒×１５−１５３秒＝２７秒となる。しかし、単位ブロックＥ４〜Ｅ６のサイクルタイムを変更せずに１７．０秒とした場合、滞在サイクル数は１５３秒／１７秒＝９である。そして、３の倍数となるように補正しても補正後の滞在サイクル数は９である。従って、上記の後待機時間は１７秒×９−１５３秒＝０秒である。つまり、単位ブロックＥ１〜Ｅ３のサイクルタイムに合わせて、単位ブロックＥ４〜Ｅ６のサイクルタイムを設定すると、単位ブロックＥ４〜Ｅ６を通過するウエハＷのスループットの低下が起きてしまう。従って、既述した実施形態で述べたように単位ブロック毎にサイクルタイムを設定することが有効である。
【符号の説明】
【００７２】
ＣＧＨＰ、ＣＳＷＰ        加熱モジュール
ＤＥＶ                    現像モジュール
Ｆ１〜Ｆ６                搬送機構
ＳＣＰＬ  ＳＣＰＬ′      温度調整モジュール
Ｗ                        ウエハ
１３                      搬送機構
１４                      搬送路
３                        搬送データテーブル
４                        制御部
【図１】
2020191331.tif 000004
【図２】
2020191331.tif 000005
【図３】
2020191331.tif 000006
【図４】
2020191331.tif 000007
【図５】
2020191331.tif 000008
【図６】
2020191331.tif 000009
【図７】
2020191331.tif 000010
【図８】
2020191331.tif 000011