(57)【要約】【課題】カンチレバータイプのプローブ針は、電極パッドと接触時、パッド表面の高抵抗層を削り取って電気抵抗の上昇を防いで測定を行う。研磨を伴う付着高抵抗物クリーニングによりプローブ針が磨耗し、プローブ針の交換作業によってプロービングテストの作業効率を低下する。【解決手段】プローブ針を、一つのパッドに接触する接触部の先端に先端頂部（Ａ）、（Ｂ）を２種類載置し、片持ち側にある先端頂部（Ｂ）は、最初の接触操作においてカンチレバーの撓リによって、パッド電極表面の高抵抗層をスクライブ動作で溝を形成し金属表面を露出させる。開放端側にある先端頂部（Ａ）は再度の接触操作により露出した金属表面に接触して低抵抗コンタクトの測定を実現する。これで高抵抗層のくず類は測定用接触部側、つまり先端頂部（Ａ）には付着せず、長期の測定継続が可能となる。先端頂部（Ｂ）を高硬度材料のもので作製して研磨耐性が大幅に増大する。【選択図】図１
2010181340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象の導電端子との電気的接続のためのプローブ針であって、
前記プローブ針は、プローブカード基板に片持ち支持される梁部と、前記梁部の非支持側の先端領域において前記梁部から突出し、１つの前記導電端子と接触する接触部とを備え、
前記接触部は、前記梁部から伸びる柱状部と前記柱状部先端面に形成された前記接触のための複数の先端頂部とを有し、
前記複数の先端頂部は、少なくとも、互いに異なる、第１種の先端頂部と第２種の先端頂部とからなることを特徴とするプローブ針。
【請求項２】
前記柱状部先端面における前記第１種の先端頂部の形成位置は、前記第２種の形成位置より、前記梁部の前記非支持側の先端方向にあることを特徴とする請求項１記載のプローブ針。
【請求項３】
前記第１種の先端頂部と前記第２種の先端頂部は、互いに形成形状が異なることを特徴とする請求項１または２記載のプローブ針。
【請求項４】
前記第１種の先端頂部と前記第２種の先端頂部は、互いに形成材料が異なることを特徴とする請求項１または３記載のプローブ針。
【請求項５】
前記第２種の先端頂部の形成材料の硬度は、前記第１種の先端頂部の形成材料の硬度よりも大きいことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のプローブ針。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブ用のプローブ針に関し、特に半導体デバイスなどの導電端子と電気的接続を行って、そのデバイスの電気的特性検査を行うプロービングテストなどに用いられるプローブ用のプローブ針に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造工程のウエハ試験においては、半導体ウエハ上に多数形成された電極パッド（導電端子）それぞれに、プローブカードに設けられたプローブのプローブ針を接触させ、予め準備したテストプログラムによって各種の電気的特性評価を行う、いわゆる通電試験（プロービングテスト）が行われている。近年、ウエハに形成される多数の半導体チップの、その１チップ内に集積される回路数が飛躍的に増加し、そのために半導体チップの電極パッド数も大幅に増大し、回路集積度の増大によってパッド間の間隔もますます狭まるようになってきている。それに伴って、プローブカードに設けられるプローブ数も増大し、かつ各プローブ針の配置間隔もより狭小化してきている。
【０００３】
こうした状況の中で、プローブ針先端を電極パッドに接触させてテストするプロービングテストにおいては、プローブ針の先端を、微小・狭小化しや電極パッドの表面位置に的確に位置決めし、さらに、確実に、電極パッドとの電気的通電が行われるようコンタクトさせることが非常に重要となる。
【０００４】
従来、プローブカード基板に取り付けられるプローブのプローブ針の構造については、その検査対象基板やテスト内容などの用途に応じて、種々の提案がなされている。
特に、片持ち梁型（カンチレバータイプ）のプローブ針を有するプローブに関し、例えば、ブレード状ガード電極に取り付けたプローブ針の提案や、テストを繰り返した結果、プローブ針が劣化した際に、プローブ針の個別プローブの交換を容易にするためにモジュール化した構造を有するものの提案、またノイズの影響を低減化するために絶縁被覆した各プローブ針の中間部を接地配線する構造の提案、また基板中のスルーホールやコンタクトホールの孔での配線の通電検査をするのに適したプローブ針を有するプローブなどの提案などがなされている。
【０００５】
また、より狭小な電極パッド間隔の検査に対応するカンチレバータイプ構造を有するプローブ針として、シリコン基板を用い、これにフォトリソグラフィー技術と半導体プロセス技術を適用して、例えば、図７に示すようなプローブ針１０１の構造とその製造方法が提案されている。
【０００６】
図７（１）下面図、同（２）正面図、同（３）側面図によって示すように、従来提案されているプローブ針１０１は、梁部としてカンチレバー１０２と、カンチレバー１０２の先端において立ち上がって伸びる接触子としての柱状部１０３および先端頂部１０４からなっている。柱状部１０３は、プローブカード基板に片持ち支持されたカンチレバー１０２の一端に形成されており、柱状部１０３の先端に先端頂部１０４が形成されていて、柱状部１０３の高さは数十〜数百μｍ、そのカンチレバー１０２と接続する基部幅が数十μｍのものとし、これらの材料として、ニッケル合金の例が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３１１０５２号公報
【特許文献２】特開２００５−０４３２８１号公報
【特許文献３】特開２００６−０７１３５８号公報
【特許文献４】特開２００７−２１８８４０号公報
【特許文献５】特開２００６−１１９０２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
正確なプロービングテストを全うするための重要なポイントの一つは、先に述べたように、プローブ針の先端部が半導体デバイスなどの電極パッド（導電端子）と、十分に低い電気抵抗で接触することを実現することである。
【０００９】
金属材料で作製される電極パッドの表面においては、デバイスの製造プロセスの結果や、その保存環境などの影響から、通常、変質層やごみ、油膜など付着汚染層などの高抵抗層が存在し、プローブ針の先端がパッドと接触の際、プローブ針とパッドとのコンタクト電気抵抗が高抵抗になってしまう。特に、例えばＡｌ（アルミニウム）電極などの酸化されやすい材料の場合は、電極パッドの表面に高抵抗の酸化層が形成され、プローブ針を接触の際、電気抵抗が高抵抗となるケースが多く見られる。
【００１０】
そういった、プローブ針接触時に低い電気抵抗を得るために、従来より、プローブ針の先端頂部が一定強度で電極パッド表面に押し付けることによって、高抵抗層の除去、あるいは層の突き破りを図り、プローブ針先端頂部を、高抵抗層の下層の低抵抗部（金属部）に接触しやすくすることが行われている。
【００１１】
特に、前述のようなカンチレバータイプのプローブ針の場合においては、プローブ針先端頂部を電極パッド表面にほぼ垂直に押し付けられた際には、カンチレバー部が撓（しな）うことによって、プローブ針先端頂部が電極パッド表面を、カンチレバーが伸びる方向に前後に引っかいて、浅く溝を掘るような動作（スクライブ動作と称する）をするので、これによってパッド表面の高抵抗層を削り取ることが行われている。
【００１２】
しかし、このようなスクライブ動作を伴う方法を繰り返すうち、電極パッド表面を削り取ってできた削りくずがプローブ針の先端頂部に固着し、かつ蓄積するため、プローブ針の接触時の電気抵抗が上昇してしまうといった現象が生じる。このため、一定の回数用いたプローブ針の先端頂部を、定期的にクリーニングする作業が必要である。このクリーニング作業は、先端頂部の単なる液体洗浄の他に、そこに高抵抗物質などが硬く付着しているケースが多いため、それを除去するのに、先端頂部の機械的な研磨作業によるクリーニングを伴う。その結果、プローブ針の、特に先端頂部が磨耗してプローブの寿命を短くし、プロービングテスト工程自体の作業効率を大きく低下させることともなっている。
【００１３】
このような、研磨による磨耗をできるだけ避けるためには、プローブ針（の、少なくとも先端頂部）を硬い材料、例えば、Ｗ（タングステン）などを利用することが考えられる。他方、接触時の電気抵抗を低くしたいとの要請には、電気抵抗が低い材料、例えばＰｔ（プラチナ）やＩｒ（イリジウム）が適しているものの磨耗しやすい。従来のプローブ針の材料は、これらの硬度と電気抵抗との兼ね合いの中から材料選択をする必要があった。
【００１４】
そこで、本発明の課題は、特に、カンチレバータイプのプローブ針において、その接触時、電極パッド表面の高抵抗層を効果的に削り取って、接触時の電気抵抗の上昇をできるだけ回避し、かつ、クリーニングなどにより発生するプローブ針の磨耗をできるだけ回避し、プローブ針交換の期間を長くして、プロービングテストの作業効率を高く維持することが可能な、プローブ針を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明のプローブ針は、
検査対象の導電端子との電気的接続のためのプローブ針であって、
前記プローブ針は、プローブカード基板に片持ち支持される梁部と、前記梁部の非支持側の先端領域において前記梁部から突出し、１つの前記導電端子と接触する接触部とを備え、
前記接触部は、前記梁部から伸びる柱状部と前記柱状部先端面に形成された前記接触のための複数の先端頂部とを有し、
前記複数の先端頂部は、少なくとも、互いに異なる、第１種の先端頂部と第２種の先端頂部とからなることを特徴とする。
【００１６】
さらに、
前記柱状部先端面における前記第１種の先端頂部の形成位置は、前記第２種の形成位置より、前記梁部の前記非支持側の先端方向にあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のプローブ針を適用して、プロービングテストを行うことにより、プローブ針の接触時、電極パッド表面の高抵抗層を効果的に削り取ることが可能で、かつ、プローブ針と電極パッドとの接触時の電気抵抗の上昇をできるだけ回避することができるため、正確な電気的な特性検査が可能となる。また、多数回プロービング適用時におけるコンタクトの電気抵抗の上昇を防ぐため、プローブ針のクリーニングを要するが、本発明のプローブ針の適用により、プローブ針のクリーニングの頻度を大幅に減少でき、またクリーニング時の研磨による磨耗をミニマム化し、プローブ針交換の期間長くして、プロービングテストの作業効率を高く維持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明のプローブ針の構成を説明するための図
【図２】本発明のプローブ針のコンタクト時における作用を説明する図
【図３】本発明の製造工程を説明する図（その１）
【図４】本発明の製造工程を説明する図（その２）
【図５】本発明の製造工程を説明する図（その３）
【図６】本発明の製造工程を説明する図（その４）
【図７】従来のプローブ針の構成を説明するための図
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施の形態を、添付図を参照しつつ説明する。
【実施例】
【００２０】
（本発明のプローブ針の基本的構成と接触時の動作と作用）
図１に、本発明のプローブ針の基本的構成を示す。
【００２１】
図１（１）下面図、同（２）正面図、同（３）側面図によって示すように、本発明のプローブ針１は、片持ちの梁部としてカンチレバー２と、カンチレバー２の、開放された先端側（カンチレバー２の他側の先端においてプローブカード基板に接続して片持ちされる）においてカンチレバー２に直交して伸びる接触部３があり、その接触部３は、カンチレバー２から伸びる柱状部４、およびその先端面から伸びるように形成された、電極パッドと接触する２つの先端頂部、先端頂部（Ａ）５と先端頂部（Ｂ）６からなっている。
【００２２】
先端頂部（Ａ）５と先端頂部（Ｂ）６は、互いに異なる種類の先端頂部であり、その種類としては、例えば、先端頂部（Ａ）５と先端頂部（Ｂ）６とは、お互いに形状・材料が異なる。先端頂部（Ａ）５と先端頂部（Ｂ）６は、プロービングテストにおける電極パッドとの接触時、主たる役割が異なり、先端頂部（Ａ）５は、柱状部４の先端面上においてカンチレバー２の開放部位側の先端側にあって、電極パッドとの電気的接続を行い、先端頂部（Ｂ）６の位置は先端頂部（Ａ）５よりカンチレバー２の片持ち部位側にあって、電極バッド表面を引っかいて、浅く溝を掘るような動作（スクライブ動作）をし、パッド表面の高抵抗層を除去するように働く。
【００２３】
図２は、本発明のプローブ針を用いたプロービングテストにおいて、プローブ針と電極パッドとの接触時での動作過程を表すプローブ針などの側面断面模式図であり、これによって、本プローブ針の基本的な動作とその作用について述べる。
【００２４】
図２（１）において、プローブ針１は、図１で示したものと同様に、カンチレバー２、接触部３、その接触部３は柱状部４と先端頂部（Ａ）５と先端頂部（Ｂ）６からなることを示す。同時に、図示するように、同断面図が表すＸ−Ｙ−Ｚ軸の座標軸も記入する。カンチレバー２は、その一方端部がプローブカード基板７にて片持ち状に取り付けられ、Ｘ軸方向に伸びるとする。
【００２５】
そして、図示されないテーブル上に固定された半導体ウエハなどに形成された、一つの電極パッド８（すなわち、ウエハ設置系にある電極パッド８）の表面（そこには高抵抗層９が形成されている）に対し、プローブ針１の接触部３の接触用部位である、先端頂部（Ａ）５と先端頂部（Ｂ）６を接触させることが可能のように配置される。このとき、電極パッド８の面はＸ−Ｙ面に平行に配置され、接触部３である柱状部４と先端頂部（Ａ）５と先端頂部（Ｂ）６はＸ−Ｙ面に垂直なＺ軸と平行する配置である。
【００２６】
先端頂部（Ａ）５と先端頂部（Ｂ）６とを電極パッド８と接触するためには、プローブ針１とプローブカード基板７を含むプローブ系（電極パッド８が配されるウエハ設置系とは独立）を、Ｚ軸に平行に、同図中の矢印Ｆで示すように降下させる。
【００２７】
逆に、プローブ系を固定し、ウエハ設置系を上昇させるとしても良い。そのとき、通常のプローブ装置と同様に、両系とも上下（Ｚ軸方向）のみの移動を許容し、ウエハ面（Ｘ−Ｙ面）方向への移動は行われないことは言うまでも無い。
【００２８】
図２（２）は、プローブ系とウエハ設置系が、先端頂部（Ａ）５と先端頂部（Ｂ）６とが電極パッド８に接触し、更に互いに一定程度の強い力で押し付けられることによって、カンチレバー２は弾性変形の範囲で、図示するように、カンチレバー２に撓（しな）りが生じ、その先端は上方に持ち上げられるように変形する。
【００２９】
その際、突き出た接触部３の２つの先端頂部が、電極パッド８表面上を接触しながらカンチレバー２の開放部位の先端方向（マイナスＸ軸方向）に変位しつつ、Ｘ−Ｚ平面内を回転するように動き、電極パッド８上を一定距離をこすって移動する。
【００３０】
このような構成の場合、Ｘ−Ｚ平面内回転運動に回転中心は片持ち固定端側に来ることから、カンチレバー開放端部位側にある先端頂部（Ａ）５は、電極パッド８表面から浮き上がる様に動き、他方、回転中心に近い先端頂部（Ｂ）６の先端は電極パッド８表面から電極内部方向に食込むように動く。その結果、スクライブ動作が先端頂部（Ｂ）６によって顕著に行われ、電極パッド８表面に高抵抗層９が存在すれば、この層をスクライブしてスクライブ溝１０が形成され、下層の電極パッド８の金属表面が露出される。
【００３１】
高抵抗層９のスクライブを主導する先端頂部（Ｂ）６の形状、特に先端形状を、上記のようなスクライブ動作により高抵抗層に溝を形成するのに適した形状、例えば先端頂部のエッジの位置と幅を、こすって移動する方向に直角かつ幅広くすることなどが考えられる。また先端頂部（Ｂ）６の材料についても、より硬い素材、これは金属など導電性であることは必ずしも必要条件ではない。
【００３２】
その後、図２（３）に示すように、いったんプローブ系とウエハ設置系との間隔を取るようにして分離させ、接触部４と電極パッド８との接触を解除する。
【００３３】
そして、図２（４）に示すように、再び接触部４を下降させることで、電極パッド５と先端頂部（Ａ）５と先端頂部（Ｂ）６がスクライブ溝１０の電極金属露出位置で接触し、低抵抗値でプロービングによる電気的測定が可能となる。
【００３４】
このとき、先端頂部（Ａ）５のみが電気的コンタクトを担うようにしてよい。つまり、先端頂部（Ａ）５は、上記のように、プローブ針のスクライブ動作においては、高抵抗層への溝形成で主たる役割を担っていない。従って、前記のように、先端頂部（Ｂ）６をスクライブ動作に適した形状・材料（非導電性材料を含む）とするのに対し、この先端頂部（Ａ）５の形状、特に先端形状をスクライブ溝１０内に容易に入って電極パッドの金属面にコンタクトするように、比較的鋭角を有する形状が適していよう。また先端頂部（Ａ）５の材料は、上記接触部４の動きから磨耗する程度は先端頂部（Ｂ）６に比して小さいことから、材料硬度は低くても問題なく、導電性の高い、電気的に低抵抗材料を適用するのが良い。
【００３５】
以上述べたように、本発明のプローブ針１は、図２で示したようにカンチレバー２の撓（しな）り作用の結果生じるスクライブ動作で、主に先端頂部（Ｂ）６によって電極パッド８の高抵抗層９にスクライブ溝１０を形成し、いったん開放した後、再度、プローブ針１を電極パッド表面とコンタクトして、主に先端頂部（Ａ）５によって電気的に低抵抗の導電を実現する。
【００３６】
上記のことから明らかなように、削りとられる汚れや酸化物などの電極パッド上の高抵抗層は、主に先端頂部（Ｂ）６の先端近傍に付着する。他方電気的な接続は主に先端頂部（Ａ）５によって行われ、これの先端部には汚れなどの削りカスの付着を避けることができるので、電気抵抗の上昇に伴う頻繁なクリーニングなどを行うことなく、スクライブ動作を伴うプロービングテストを長期間にわたって継続的に行える。
【００３７】
（製造実施例）
図３〜６に示した模式的な断面図を用いて、本発明のプローブ針の製造実施例の工程を説明する。
【００３８】
図３（１）に示すように、Ｓｉ基板１１上に、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、化学気相成長）によって、厚さ２００ｎｍのＳｉＯ２膜１２を成膜し、周知のフォトリソグラフィー技術によるパターニングと、エッチングにより開口部１３を形成する。例えば、この開口部１３の大きさを１０μｍ□とする。
【００３９】
次に、図３（２）に示すように、開口部１３から、ＫＯＨ水溶液によって、Ｓｉ基板１１を所定の深さ（例えば、１０μｍ）まで、異方性ウエットエッチングを行って、異方性エッチング孔１４を形成する。これによって、底部が尖った形状の孔が形成される。
【００４０】
次いで、図３（３）に示すように、異方性ウエットエッチング孔１４の内壁のＳｉを、酸素プラズマを用いたアッシングで、深さ約１μｍ酸化して、内壁酸化膜１５を形成する。
【００４１】
そして、図３（４）に示すように、この基板上全面に、異方性ウエットエッチング孔１４を埋めるように、Ｐｔ（白金）膜をスパッタリングで成膜する。
次に、図４（５）に示すように、成膜された基板表面を機械研磨などの研磨処理１７によって平坦化して、平面領域にＳｉＯ２膜１２の表面が露出し、異方性ウエットエッチング孔１４内のみにＰｔが埋め込まれるようにして、Ｐｔ埋め込み部１８を形成する。これが、後述するように、先端が尖った形状で、導電性の高いＰｔを用いたプローブ針の、一つの種類の先端頂部である。
【００４２】
次に、基本的に、図３（１）〜（４）、図４（５）に示した製造工程を繰り返して、異なる種類の先端頂部となる部分を製造する。
【００４３】
図４（６）に示すように、基板表面全体に、例えばＣＶＤによって、厚さ２００ｎｍのＳｉＯ２膜１９を成膜し、周知のフォトリソグラフィー技術によるパターニングと、エッチングにより、Ｐｔ埋め込み部１８に隣接して、ＳｉＯ２膜１２とＳｉＯ２膜１９とを貫通する開口部２０を形成する。例えば、この開口部２０の大きさを１０μｍ□とする。
【００４４】
そして、図４（７）に示すように、ＳＦ6とＣ４Ｆ８の混合ガスを用いたプラズマドライエッチングを用いて、Ｓｉ基板１１を所定の深さ（例えば、１０μｍ）まで、エッチングを行って、異方性ドライエッチング孔２１を形成する。これによって、今度は底部が平坦な形状の孔が形成される。
【００４５】
次いで、図４（８）に示すように、異方性ドライエッチング孔２１の内壁のＳｉを、酸素プラズマを用いたアッシングで、深さ約１μｍ酸化して、内壁酸化膜２２を形成する。
【００４６】
そして、図５（９）に示すように、この基板上全面に、異方性ドライエッチング孔２１を埋めるように、Ｗ（タングステン）膜２３をスパッタリングで成膜する。
【００４７】
次に、図５（１０）に示すように、成膜された基板表面を機械研磨などの研磨処理２４によって平坦化して、Ｗ膜２３およびＳｉＯ２膜１９を取り除き、平面領域にＳｉＯ２膜１２の表面が露出し、異方性ドライエッチング孔２１内のみにＷが埋め込まれるようにして、Ｗ埋め込み部２５を形成する。
【００４８】
そして、図５（１１）に示すように、この基板表面全体に、例えばＣＶＤによって、厚さ１００μｍのＳｉＯ２膜２６を成膜し、周知のフォトリソグラフィー技術によるパターニングと、エッチングにより、Ｐｔ埋め込み部１９とＷ埋め込み部２５の表面が出る領域を露出するように、開口部２７を形成する。
【００４９】
次に、図５（１２）に示すように、この基板上全面に、開口部２７を埋めるように、Ｃｕ（銅）膜２８をスパッタリングで成膜する。
【００５０】
そして、図６（１３）に示すように、成膜された基板表面を機械研磨などの研磨処理２９によって平坦化して、平面領域にＳｉＯ２膜２６の表面が露出し、開口部２７内のみにＣｕが埋め込まれるようにして、Ｃｕ埋め込み部３０を形成する。
【００５１】
さらに、図６（１４）に示すように、この基板表面全体に、例えばＣＶＤによって、厚さ５０μｍのＳｉＯ２膜３１を成膜し、周知のフォトリソグラフィー技術によるパターニングと、エッチングにより、Ｃｕ埋め込み部３０の表面を露出し、かつ、そのＣｕの露出面の端部から、例えば横手長さ方向１０００μｍを有する開口部を形成する。そして、その開口部を埋めるように、再度、Ｃｕ（銅）膜をスパッタリングで成膜し、次いで、成膜された基板表面を機械研磨などの研磨処理によって平坦化して、平面領域にＳｉＯ２膜３１の表面が露出し、開口部内のみにＣｕが埋め込まれるようにして、Ｃｕ埋め込み部３２を形成する。
【００５２】
最後に、図６（１５）に示すように、フッ酸溶液でＳｉＯ２膜をエッチングし、基板からリフトオフして、プローブ針３３を完成する。図示するように、プローブ針３３は、Ｃｕのカンチレバー３４、これと接続するＣｕの柱状部３５、そして、その先端面に、互いに異なる形状と材料からなる、先端が鋭角のＰｔ先端頂部３６と、先端が矩形平面のＷ先端頂部３７が接続する。このように、本発明のプローブ針は、従来のシリコンデバイスの製造技術を用いて容易に製造できる。
【００５３】
以上、詳述したように、本発明のプローブ針は、カンチレバータイプのプローブ針であって、カンチレバーの開放端部位側の先端の領域に、カンチレバーに直交して下に垂直に伸びる柱状部と、その柱状部の先端面に、互いに異なる種類の先端頂部を少なくとも２種有して、測定対象とする一つの電極端子（電極パッド）にコンタクトする。一方の種類の先端頂部Ｂより、プローブ針とパッドとの接触時、カンチレバーの撓（しな）りを用いて電極パッド上の高抵抗層をスクライブしてスクライブ溝を形成し、高抵抗層の下の導電性金属を効果的の露出させるように作用する。他方の種類の先端頂部Ａはスクライブ動作には多くは関与せず、スクライブ溝が形成された後、再度プローブ針とパッドとのコンタクトがなされたとき、これによって、露出した導電性金属と接触し、低電気抵抗の接触が実現でき、プロービングテストをスムースに実施できることとなる。
【００５４】
従って、先端頂部Ａの柱状部先端面内における配置位置は、一つの電極パッドに接触する位置で、かつカンチレバーの非支持側の、つまり開放された側の先端方向の部位にあり、他方、先端頂部Ｂの柱状部先端面内における配置位置は、先端頂部Ａに隣接し、かつ、それよりカンチレバーの固定された片持ち支持端側に配置するのが望ましい。この位置に配することで、カンチレバーの押し付けによる撓（しな）りによって、カンチレバー先端部が上方へ変位する際、先端頂部Ｂは、接触部と電極パッドとの接触点における回転移動の回転中心により近い位置にあることになり、電極パッド上にスクライブ溝形成が容易により深く形成可能となることとなる。
【００５５】
また、このような作用をより効果的に得るためには、先端頂部Ａの形状は、スクライブされた溝の形状に適応してコンタクトし易い、かつ、低抵抗化が実現し易い形状、例えば、先端が尖った構造（実施例で提示）、逆に、先端面が露出した導電性金属面と接触面積が大きい構造など選択できる。
【００５６】
他方、先端頂部Ｂの形状は、カンチレバーのしなりによるスクライブで溝をより容易に形成できる構造、例えば、先端が四角柱構造で、そのエッジを用いてスクライブする構造（実施例で提示）、さらにより幅広くスクライブ溝が形成しやすい先端のエッジ刃の横幅を広くした構造、あるは逆に小さなしなりの力で溝を形成し易くするために、エッジ刃を鋭く狭い構造にするなどプロービング時の動作特性によって適宜設計できよう。
【００５７】
また、先端頂部Ａと先端頂部Ｂは、主たる機能が異なることから、それぞれに適した形成材料を選ぶことが望ましい。先端頂部Ａの場合は、導電性金属、特に低抵抗性の材料が望ましく、加えて耐摩耗性を有するものが適している。上記の実施例で使用したＰｔのほかに、例えば、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、各種銅合金、Ｃ（カーボン）などが挙げられよう。先端頂部Ｂは、その材料の硬度が先端頂部Ａのそれより高いものが望ましく、勿論、高抵抗材料、非導電材料でも良い。上記実施例で使用したＷ以外に、例えば、炭化金属（ＴｉＣ、ＴａＣ）、窒化金属（ＴｉＮ、ＴａＮ）、酸化物（酸化チタン、アルミナ）、共有結合固体（ダイアモンド）などを挙げることができる。
【００５８】
また、上記の説明や実施の形態においては、先端頂部Ａと先端頂部Ｂがそれぞれ１個宛の構成例について述べてきたが、必ずしもそれに限らないことはいうまでもない。例えば、先端頂部Ａと先端頂部Ｂがそれぞれ複数個、カンチレバーが伸びる方向とは直交方向に、つまり、図１（３）に側面図において、先端頂部Ａ５と先端頂部Ｂ６がそれぞれ複数個ずつ奥行き方向に並ぶように構成しても良い。あるいは、先端頂部Ａ５と先端頂部Ｂ６が、互いの位置関係を維持しながら、複数列ずつ並行に形成される構成でもよい。
【００５９】
このように構成された本発明のプローブ針は、先端頂部Ａで電気接触し、先端頂部Ｂではその前のコンタクトで高抵抗層をスクライブするので、高抵抗層の削りカスなどは、全て先端頂部Ｂに付着し、先端頂部Ａに付着しない。従って、測定時のコンタクト不良は排除され、このプローブ針を用いたプローブテストでは、多くのデバイスに対して支障なく連続運用でき、テスト効率が大きく向上する。さらに、付着した削りカスなどのクリーニングにおいては、硬度の高い材料の先端頂部Ｂのみに対して行えば良く、従って、研磨処理などを行っても先端頂部Ｂの磨耗は少なく、プローブ針の使用寿命が大きく伸びるといった効果も得ることができる。
【符号の説明】
【００６０】
１、３３、１０１  プローブ針
２、３４、１０２  カンチレバー
３    接触部
４、３５、１０３  柱状部
５    先端頂部（Ａ）
６    先端頂部（Ｂ）
７    プローブカード基板
８    電極パッド
９    高抵抗層
１０  スクライブ溝
１１  Ｓｉ基板
１２、１９、２６、３１  ＳｉＯ２膜
１３、２０、２７  開口部
１４  異方性ウエットエッチング孔
１５、２２  内壁酸化膜
１６  Ｐｔ膜
１７、２４、２９  研磨処理
１８  Ｐｔ埋め込み部
２１  異方性ドライエッチング孔
２３  Ｗ膜
２５  Ｗ埋め込み部
２８  Ｃｕ膜
３０、３２  Ｃｕ埋め込み部
３６  Ｐｔ先端頂部
３７  Ｗ先端頂部
１０４  先端頂部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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