(57)【要約】【課題】幅広い排気ガス環境において、排気ガス中の水素濃度を精度よく検出するガス濃度検出装置を提供する。【解決手段】被測定ガス中に露出される拡散抵抗層８２と、拡散抵抗層８２に覆われたセンサ電極９２と、を備え、センサ電極９２の表面におけるガス成分比率に応じた出力を発するセンサ１と、被測定ガスの一部を内部空間４１，４２内に隔離して酸素の汲み込みまたは汲み出しを行うポンプセル３と、該内部空間４１，４２内の被測定ガス中のガス成分比率に応じた出力を発するセンサセル５と、を備え、センサセル５の出力が所定値となるようにポンプセル３を作動させた場合のポンプセル３の電流値を被測定ガスのガス成分比率に応じた出力として取得するセンサ２と、を備え、センサ１のセンサ電流ｉ１とセンサ２のセンサ電流ｉ２との出力差ｉＨ２に基づいて、被測定ガス中の水素濃度を検出する。【選択図】図１
2010210521.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定ガス中に露出される抵抗層と、前記抵抗層に覆われた電極と、を備え、前記電極の表面におけるガス成分比率に応じた出力を発する第１センサと、
被測定ガスの一部をガス室内に隔離して酸素の汲み込みまたは汲み出しを行うポンプセルと、前記ガス室内の被測定ガス中のガス成分比率に応じた出力を発するセンサセルと、を備え、前記センサセルの出力が所定値となるように前記ポンプセルを作動させた場合の該ポンプセルの電流値を被測定ガスのガス成分比率に応じた出力として取得する第２センサと、
前記第１センサと前記第２センサの出力差に基づいて、被測定ガス中の水素濃度を検出する水素濃度検出手段と、
を備えることを特徴とするガス濃度検出装置。
【請求項２】
前記水素濃度検出手段は、被測定ガスの状態量に基づいて、前記出力差と前記水素濃度との関係を補正する補正手段を含むことを特徴とする請求項１記載のガス濃度検出装置。
【請求項３】
前記補正手段は、被測定ガスの温度を取得する温度取得手段を更に備え、取得した温度が高いほど前記出力差に対応する水素濃度が高くなるように補正を行うことを特徴とする請求項２記載のガス濃度検出装置。
【請求項４】
前記補正手段は、被測定ガスの背圧を取得する背圧取得手段を更に備え、取得した背圧が多量であるほど、前記出力差に対応する水素濃度が高くなるように補正を行うことを特徴とする請求項２または３記載のガス濃度検出装置。
【請求項５】
前記第２センサは、前記ガス室内を前記センサセルの電極が露出している側と前記ポンプセルの電極が露出している側とに隔てる第２拡散層を含み、
前記センサセルの電極の表面に到達するガスの状態量が前記第１センサの電極の表面に到達するガスのそれと同等となるように、前記拡散層および前記第２拡散層のガス拡散特性がそれぞれ調整されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項記載のガス濃度検出装置。
【請求項６】
前記第１センサと前記第２センサとは一体に形成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項記載のガス濃度検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ガス濃度検出装置に係り、特に、内燃機関から排出される排気ガス中の特定成分の濃度を検出するうえで好適なガス濃度検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特開２００７−１５５６０５号公報には、内燃機関の排気ガス中の特定検出成分の濃度を検出する排気ガスセンサシステムが開示されている。このシステムでは、２組のセンサセルを備えている。各センサセルは、排気ガス中に露出される拡散抵抗層と該拡散抵抗層に覆われた電極とをそれぞれ備え、該電極表面におけるガス成分比率に応じた出力を発する限界電流式の空燃比センサとしての機能を有している。また、特に一方のセンサセル（第１セル）の拡散抵抗層の表面には、Ｈ２（水素）成分の分解・反応を促進するための触媒層が設けられている。
【０００３】
このようなシステムにおいて、排気ガス中にＨ２成分が含まれている場合、第１セルではＨ２成分が触媒層で反応して消失する。このため、第１セルのセンサ出力は、Ｈ２成分の影響が排除された出力が検出される。一方、他方のセンサセル（第２セル）では、該触媒層を有していないため、Ｈ２成分が直接拡散抵抗層内へ侵入する。拡散速度の速いＨ２成分は、Ｏ２やＮＯｘ等の酸化剤に比して多量に電極表面へ到達する。このため、第２セルのセンサ出力は、Ｈ２成分の影響により実際の空燃比よりもリッチな値が検出される。上記従来のシステムでは、この出力差を利用して水素濃度を検出することとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１５５６０５号公報
【特許文献２】特開２００４−５３５７９号公報
【特許文献３】特開２００３−１４９２０１号公報
【特許文献４】特開２００５−２４１５４０号公報
【特許文献５】特開２００１−１２４７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来のシステムでは、排気ガスがリッチである状況下、すなわち排気ガス中の酸化剤が不足している状況下では、上記触媒層でのＨ２成分の酸化反応が制限されてしまう。このため、上記システムでは、水素濃度を精度よく検出できる排気ガス環境がリーン時に限定されてしまい、幅広い排気ガス環境に対応することが困難であった。
【０００６】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、幅広い排気ガス環境において、排気ガス中の水素濃度を精度よく検出することが可能なガス濃度検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の発明は、上記の目的を達成するため、ガス濃度検出装置であって、
被測定ガス中に露出される抵抗層と、前記抵抗層に覆われた電極と、を備え、前記電極の表面におけるガス成分比率に応じた出力を発する第１センサと、
被測定ガスの一部をガス室内に隔離して酸素の汲み込みまたは汲み出しを行うポンプセルと、前記ガス室内の被測定ガス中のガス成分比率に応じた出力を発するセンサセルと、を備え、前記センサセルの出力が所定値となるように前記ポンプセルを作動させた場合の該ポンプセルの電流値を被測定ガスのガス成分比率に応じた出力として取得する第２センサと、
前記第１センサと前記第２センサの出力差に基づいて、被測定ガス中の水素濃度を検出する水素濃度検出手段と、
を備えることを特徴とする。
【０００８】
第２の発明は、第１の発明において、
前記水素濃度検出手段は、被測定ガスの状態量に基づいて、前記出力差と前記水素濃度との関係を補正する補正手段を含むことを特徴とする。
【０００９】
第３の発明は、第２の発明において、
前記補正手段は、被測定ガスの温度を取得する温度取得手段を更に備え、取得した温度が高いほど前記出力差に対応する水素濃度が高くなるように補正を行うことを特徴とする。
【００１０】
第４の発明は、第２または第３の発明において、
前記補正手段は、被測定ガスの背圧を取得する背圧取得手段を更に備え、取得した背圧が多量であるほど、前記出力差に対応する水素濃度が高くなるように補正を行うことを特徴とする。
【００１１】
第５の発明は、第１乃至第４の何れか１つの発明において、
前記第２センサは、前記ガス室内を前記センサセルの電極が露出している側と前記ポンプセルの電極が露出している側とに隔てる第２拡散層を含み、
前記センサセルの電極の表面に到達するガスの状態量が前記第１センサの電極の表面に到達するガスのそれと同等となるように、前記拡散層および前記第２拡散層のガス拡散特性がそれぞれ調整されていることを特徴とする。
【００１２】
第６の発明は、第１乃至第５の何れか１つの発明において、
前記第１センサと前記第２センサとは一体に形成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項記載のガス濃度検出装置。
【発明の効果】
【００１３】
被測定ガス中に含まれる水素（Ｈ２）成分は、他の成分に比して、特に、Ｏ２やＮＯｘなどの酸化剤に比して拡散速度が速いという特性を有している。このため、第１センサの拡散層表面にＨ２とＯ２とがバランスの取れた割合で存在している場合であっても、該拡散層で覆われた電極の表面には、Ｈ２がＯ２に比して多量に到達する。この結果、第１センサに生ずるセンサ電流は、このＨ２成分の影響により、被測定ガスの実際の空燃比に対してリッチ側にシフトした値となる。一方、第２センサでは、ポンプセルが酸素の汲み込みまたは汲み出しを行うことによって、ガス室内へ取り込まれた被測定ガスが所定の酸素過剰率となるように調整される。このため、Ｏ２成分が少ないリッチガスが該ガス室内に取り込まれた場合であっても、Ｈ２成分を平衡化する能力を高く保つことができる。したがって、第２センサに生ずるセンサ電流は、Ｈ２成分の影響を受けることなく、常に被測定ガスの実際の空燃比に対応した値となる。
【００１４】
つまり、第１の発明によれば、被測定ガス中にＨ２成分が含まれている影響が、第１センサのセンサ電流値のみに反映される。このため、第１センサのセンサ電流値と第２センサのセンサ電流値との出力差は、被測定ガス中のＨ２成分の濃度と相関を有するものとなる。このため、本発明によれば、両センサの出力差に基づいて、被測定ガス中の水素濃度を精度よく検出することができる。これにより、被測定ガスの空燃比状態に影響されることなく、幅広い排気ガス環境において水素濃度を常に精度よく検出することができる。
【００１５】
被測定ガス中の水素濃度が同じであっても、該被測定ガスの温度、背圧等の条件が異なれば、第１センサのセンサ電流と第２センサのセンサ電流との出力差も変化する。第２の発明によれば、被測定ガスの状態量に基づいて、かかる出力差と水素濃度との関係が補正される。このため、本発明によれば、被測定ガスの状態によらず、水素濃度を精度よく検出することができる。
【００１６】
第３の発明によれば、被測定ガスの温度が高いほど、該出力差に対応する水素濃度が高くなるように補正される。このため、本発明によれば、被測定ガスの温度によらず、水素濃度を精度よく検出することができる。
【００１７】
第４の発明によれば、被測定ガスの背圧が高いほど、該出力差に対応する水素濃度が高くなるように補正される。このため、本発明によれば、被測定ガスの背圧によらず、水素濃度を精度よく検出することができる。
【００１８】
第５の発明によれば、第１センサの電極表面に到達する被測定ガスの状態量と、第２センサのセンサセルの電極表面に到達する被測定ガスの状態量とが同等になるように、拡散層および第２拡散層の拡散特性が調整される。このため、本発明によれば、被測定ガスの状態量に対する依存性を、第１センサと第２センサとで同等にすることができるので、各センサ毎に特別な補正を行うことなく、水素濃度を検出することができる。
【００１９】
第６の発明によれば、第１センサと第２センサとが一体化されているので、部品点数の削減に伴う製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施の形態に係るガス濃度検出装置１０の構成を説明するための図である。
【図２】本発明の実施の形態において実行されるルーチンのフローチャートである。
【図３】センサ電流差ｉＨ２とＨ２濃度との関係を示すマップである。
【図４】センサ電流ｉ２と空燃比Ａ／Ｆとの関係を示すマップである。
【図５】ガス濃度検出装置１０の構造の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
実施の形態．
［実施の形態の構成］
先ず、図１を参照して、本実施の形態に係るガス濃度検出装置の構成について説明する。図１は、本実施の形態に係るガス濃度検出装置１０の構成を説明するための図である。より具体的には、図１（Ａ）は、ガス濃度検出装置１０の断面図である。また、図１（Ｂ）は、ガス濃度検出装置１０を図１（Ａ）中のＢの方向から見た図である。図１に示すガス濃度検出装置１０は、例えば、内燃機関（エンジン）から排出された排ガス中の水素成分（Ｈ２）の濃度を検出する水素濃度検出装置である。
【００２２】
図１（Ｂ）に示すとおり、ガス濃度検出装置１０は、センサ１とセンサ２とで構成されている。センサ１およびセンサ２は、何れも排気ガスの空燃比に応じた電流値をリニアに検出する空燃比センサとして機能する。以下、各センサの構成について詳細に説明する。
【００２３】
先ず、図１を参照して、センサ２の詳細な構成について詳細に説明する。センサ２は、ポンプセル３、スペーサ４、センサセル５、スペーサ６、およびヒータ７を順次積層することにより形成されている。ポンプセル３は、該ポンプセル３を介して酸素の汲み出しあるいは汲み込みを行う機能を有し、固体電解質体３１と、該固体電解質体３１を挟むように配置された第１ポンプ電極３２および第２ポンプ電極３３を有している。素子である固体電解質体３１は、酸素イオン導電性を有しており、例えば、シート状に成形されたＺｒＯ２，ＨｆＯ２，ＴｈＯ２，ＢｉＯ３等が使用される。この固体電解質体３１を挟むように配置された第１ポンプ電極３２および第２ポンプ電極３３は、例えば、スクリーン印刷等の方法により形成することができる。
【００２４】
固体電解質体３１の表面に形成された第１ポンプ電極３２は、被測定ガスである排ガスが存在する空間、すなわち、エンジンの排気通路内に露出している。第１ポンプ電極３２としては、例えば、Ｐｔ等の貴金属を含む多孔質サーメット電極を用いることができる。
【００２５】
一方、第１ポンプ電極３２と対向するように固体電解質体３１の背面に形成された第２ポンプ電極３３は、後述する第１内部空間４１に露出している。第２ポンプ電極３３としては、例えば、Ｐｔ等の貴金属を含む多孔質サーメット電極を用いることができる。
【００２６】
ポンプセル３には、固体電解質体３１、第１ポンプ電極３２、および第２ポンプ電極３３を貫通する導入孔としてのピンホール３４が形成されている。ピンホール３４の孔径は、ピンホール３４を介して、後述する第１内部空間４１に導入される排ガスの拡散速度が所定速度となるように設計されている。第１内部空間４１は、ピンホール３４と後述する多孔質保護層８１とを介して、被測定ガスが存在する空間に連通している。
【００２７】
また、固体電解質体３１の第１ポンプ電極３２側には、ピンホール３４を含む第１ポンプ電極３２の表面とその周辺を覆うように、多孔質保護層８１が形成されている。多孔質保護層８１は、例えば、多孔質アルミナ等により形成することができる。この多孔質保護層８１により、第１ポンプ電極３２の被毒を防止することができるとともに、排ガスに含まれるスス等によるピンホール３４の目詰まりを防止することができる。
【００２８】
スペーサ４には、上述した第１内部空間４１と、第２内部空間４２とが形成されている。２つの内部空間４１，４２は拡散抵抗層４３を介して連通している。拡散抵抗層４３は、例えば、多孔質アルミナ等により形成することができる。
【００２９】
センサセル５は、固体電解質体５１と、該固体電解質体５１を挟むように配置された第１センサ電極５２および第２センサ電極５３を有している。第１センサ電極５２および第２センサ電極５３は、例えば、スクリーン印刷等の方法により形成することができる。
【００３０】
固体電解質体５１の表面に形成された第１センサ電極５２は、第２内部空間４２に露出している。この第１センサ電極５２としては、例えば、Ｐｔ等の貴金属を含む多孔質サーメット電極を用いることができる。
【００３１】
一方、第１センサ電極５２と対向するように、固体電解質体５１の背面に形成された第２センサ電極５３は、スペーサ６に形成された大気ダクト６１に露出している。大気ダクト６１には、大気が導入される。この第２センサ電極５３としては、例えば、Ｐｔ等の貴金属を含む多孔質サーメット電極を用いることができる。大気ダクト６１は、スペーサ６に切り欠きを設けることにより形成することができる。
【００３２】
ヒータ７は、シート状の絶縁層７２，７３と、これらの絶縁層７２，７３の間に埋設されたヒータ電極７１とを有している。絶縁層７２，７３は、例えば、アルミナ等のセラミックスにより形成される。ヒータ電極７１は、例えば、Ｐｔとアルミナ等のセラミックスとのサーメットにより形成される。
【００３３】
次に、センサ１の構成について詳細に説明する。センサ１は、センサセル９、スペーサ６、およびヒータ７を順次積層することにより、センサ２と一体に形成されている。センサセル９は、上述した固体電解質体３１と、該固体電解質体３１を挟むように配置された第１センサ電極９２および第２センサ電極９３を有している。第１センサ電極９２および第２センサ電極９３は、例えば、スクリーン印刷等の方法により形成することができる。
【００３４】
固体電解質体３１の表面に形成された第１センサ電極９２は、被測定ガスである排ガスが存在する空間、すなわち、エンジンの排気通路内に露出している。第１センサ電極９２としては、例えば、Ｐｔ等の貴金属を含む多孔質サーメット電極を用いることができる。
【００３５】
一方、第１センサ電極９２と対向するように固体電解質体３１の背面に形成された第２センサ電極９３は、上述した大気ダクト６１に露出している。この第２センサ電極９３としては、例えば、Ｐｔ等の貴金属を含む多孔質サーメット電極を用いることができる。  
【００３６】
また、固体電解質体３１の第１センサ電極９２側には、該第１センサ電極９２の表面とその周辺を覆うように、多孔質からなる拡散抵抗層８２が形成されている。拡散抵抗層８２は、例えば、多孔質アルミナ等により形成することができる。この拡散抵抗層８２により、第１センサ電極９２の被毒を防止することができる。尚、該拡散抵抗層８２の気孔率、気孔径分布、電極に対する比表面積等は、拡散抵抗層４３との関係で決定される。より具体的には、第１センサ電極９２の表面に到達する排気ガスの状態（温度、背圧等）が、第１センサ電極５２の表面に到達する排気ガスのそれと同等になるように、換言すれば、各電極に対する拡散抵抗層の拡散距離、比表面積が同比率になるように、これらの拡散抵抗層の厚さ、堆積等が調整されている。
【００３７】
［実施の形態の動作］
（センサ１の動作原理）
先ず、センサ１の動作原理について説明する。センサ１は、所謂１セル方式の限界電流式の空燃比センサとして機能する。すなわち、拡散抵抗層８２は、排気通路の内部で排気ガスに晒された状態で用いられる。そして、排気ガス中の各種成分は、拡散抵抗層８２の表面に達した後、拡散によりそれらの内部を進行する。
【００３８】
排気ガス中には、ＣＯ、Ｈ２、ＨＣ等の還元剤と、Ｏ２、ＮＯｘ等の酸化剤が含まれている。それらの成分は、第１センサ電極９２や第２センサ電極９３の表面に到達する過程、および到達後の燃焼により完全に反応し合う。理論空燃比が実現されている場合は、酸化剤と還元剤とが共に消滅する。これに対して、空燃比がリッチである場合は還元剤が残存し、空燃比がリーンである場合は酸化剤が残存する事態が生ずる。
【００３９】
センサセル９は、第２センサ電極９３から第１センサ電極９２に向かう電圧が印加されている場合、第１センサ電極９２側に残存する酸素を第２センサ電極９３側へポンピングする。他方、第１センサ電極９２側に還元剤が残存している場合は、その還元剤を消失させるために必要な酸素を第２センサ電極９３側から第１センサ電極９２側へポンピングする。このため、センサセル９には、第１センサ電極９２の表面に到達した還元剤と酸化剤との比率、すなわちその表面における空燃比に応じたセンサ電流ｉ１が生じる。センサ１は、かかるセンサ電流ｉ１に基づいて、排気ガスの空燃比を検出する。
【００４０】
（センサ２の動作原理）
次に、センサ２の動作原理について説明する。センサ２は、所謂２セル方式の限界電流式の空燃比センサとして機能する。すなわち、多孔質保護層８１は、排気通路の内部で排気ガスに晒された状態で用いられる。上述したとおり、排気ガス中には、還元剤と酸化剤とが含まれている。そして、排気ガス中の各種成分は、多孔質保護層８１の表面に達した後、拡散によりそれらの内部を進行し、ピンホール３４を介して、第１内部空間４１に導入される。この第１内部空間４１に導入される排気ガス量は、多孔質保護層８１およびピンホール３４の拡散抵抗により決定される。
【００４１】
後述するポンプセル３によって、酸素の汲み出しまたは汲み込みが行われた排気ガスは、拡散抵抗層４３内を拡散して第２内部空間４２へ導入される。センサセル５では、第２内部空間４２内の酸素分圧と大気ダクト６１の酸素分圧との比率に応じた起電力Ｖｓが生じる。センサ２では、この起電力Ｖｓが所定の基準電圧Ｖｃとなるように、すなわち第１内部空間４１および第２内部空間４２内の空燃比が一定となるように、ポンプセル３にセンサ電流ｉ２を流すように構成されている。より具体的には、第１内部空間４１へ導入された排気ガスの空燃比が理論空燃比である場合のセンサ電流ｉ２がゼロとなり、空燃比がリーンである場合には、該第１内部空間４１内から酸素を汲み出すようにセンサ電流ｉ２（ｉ２＞０）が流れ、反対に排気ガスの空燃比がリッチである場合には、該第１内部空間４１内へ酸素を汲み込むようにセンサ電流ｉ２（ｉ２＜０）が流れるように調整されている。したがって、センサ２は、かかるセンサ電流ｉ２に基づいて、排気ガスの空燃比を検出する。
【００４２】
（水素濃度の検出原理）
次に、本実施の形態のガス濃度検出装置１０を用いた水素濃度検出原理について説明する。排気ガス中に含まれるＨ２成分は、他の成分に比して、特に、Ｏ２やＮＯｘなどの酸化剤に比して、拡散速度が早いという特性を有している。このため、例えば、拡散抵抗層８２の表面に、Ｈ２とＯ２とがバランスの取れた割合で存在していたとすれば、第１センサ電極９２の表面には、Ｈ２がＯ２に比して多量に到達することとなる。
【００４３】
第１センサ電極９２の表面に、還元剤であるＨ２が、酸化剤であるＯ２より多量に到達すれば、その表面付近において還元剤が過多となり、その付近の空燃比はリッチとなる。したがって、この場合、排気ガスの空燃比が理論空燃比であるにも関わらず、センサセル９のセンサ電流ｉ１は、Ｈ２成分の影響によって、空燃比がリッチであることを表す電流値になってしまう。
【００４４】
これに対し、センサ２では、Ｏ２成分が少ないリッチガスが第１内部空間へ導入された場合であっても、ポンプセル３のポンピング作用により、該空間内のＯ２成分が所定比率（理論空燃比）となるまで補われる。つまり、該空間内は、導入される排気ガスの空燃比によらず常に一定のＯ２比率に維持されるので、該空間内のＨ２成分を平衡化する能力を常に高く維持することができる。
【００４５】
このようなセンサ２によれば、第１内部空間４１へ導入された排気ガス中のＨ２成分は、拡散抵抗層４３内を拡散して第２内部空間４２へ導入される過程で消失する。このため、第１センサ電極５２の表面には、Ｈ２成分とＯ２成分との平衡反応後の排気ガスが到達し、センサセル５の出力は、排気ガス中のＨ２成分の影響が排除された値となる。上述したとおり、ポンプセル３のセンサ電流ｉ２は、センサセル５の出力のフィードバックに基づいて設定される。したがって、センサ電流ｉ２は、排気ガス中のＨ２成分の影響を受けず、正確な空燃比を表す電流値となる。
【００４６】
このように、排気ガスにＨ２成分が含まれている影響が、センサ１のセンサ電流値ｉ１のみに反映される。そして、その影響は、排気ガス中のＨ２濃度が高いほど大きなものとなる。この場合、センサ１のセンサ電流ｉ１とセンサ２のセンサ電流ｉ２との差は、排気ガス中のＨ２成分の濃度と相関を有するものとなる。したがって、本実施の形態のガス濃度検出装置１０では、これらのセンサ電流の差ｉＨ２＝｜ｉ１−ｉ２｜に基づいて、Ｈ２濃度を精度よく検出することができる。
【００４７】
尚、センサ電流の差ｉＨ２とＨ２濃度との関係は排気ガスの状態量によって変化する。このため、センサ電流の差ｉＨ２をこれらの状態量で補正することで、Ｈ２濃度の検出精度を更に向上させることができる。より具体的には、第１センサ電極５２の表面および第１センサ電極９２の表面に到達した排気ガスの温度が高いほど、或いはこれらの排気ガスの背圧が高いほど、センサ電流の差ｉＨ２が大きくなるように補正することとする。これにより、排気ガスの状態によらず、Ｈ２濃度を精度よく検出することができる。
【００４８】
［実施の形態における具体的処理］
次に、図２乃至図４を参照して、本実施の形態において実行する処理の具体的内容について説明する。図２は、本実施の形態のガス濃度検出装置が排気ガスの空燃比およびＨ２濃度を検出するルーチンのフローチャートである。
【００４９】
図２に示すルーチンでは、先ず、ガス濃度検出の実行条件が成立しているか否かが判定される（ステップ１００）。ここでは、具体的には、エンジンのイグニッション（ＩＧ）がＯＮされているか、エンジンが始動されているか、ガス濃度検出装置１０のセンサが活性しているか等のガス濃度検出の前提となる条件の成立有無が判定される。その結果、実行条件が成立していないと判定された場合には、ガス濃度検出を行うことができないと判断されて、本ルーチンは速やかに終了される。
【００５０】
一方、上記ステップ１００において、ガス濃度検出の実行条件の成立が判定された場合には、次のステップに移行し、センサセル９のセンサ電流ｉ１およびポンプセル３のセンサ電流ｉ２がそれぞれ検出される（ステップ１０２）。次に、上記ステップ１０２において検出されたセンサ電流ｉ１およびｉ２を用いて、センサ電流の差ｉＨ２（＝｜ｉ１−ｉ２｜）が算出される(ステップ１０４)。
【００５１】
次に、Ｈ２濃度が取得される（ステップ１０６）。図３は、センサ電流差ｉＨ２とＨ２濃度との関係を示すマップである。システムは図３に示すマップを記憶している。ここでは、具体的には、かかるマップに従って、センサ電流差ｉＨ２に対応するＨ２濃度が特定される。
【００５２】
次に、空燃比Ａ／Ｆが取得される（ステップ１０８）。図４は、センサ電流ｉ２と空燃比Ａ／Ｆとの関係を示すマップである。システムは図４に示すマップを記憶している。ここでは、具体的には、かかるマップに従って、センサ電流ｉ２に対応する空燃比が特定される。
【００５３】
以上説明したとおり、本実施の形態のシステムによれば、酸素成分が少ない排気ガスであっても、センサ電流ｉ２は該排気ガス中のＨ２成分の影響が排除された値となる。このため、排気ガスの空燃比状態によらず、常に正確なＨ２濃度を検出することができる。
【００５４】
また、本実施の形態のシステムによれば、センサ１およびセンサ２は通常の空燃比センサとしても機能する。特に、センサ２はその出力からＨ２成分の影響が排除されている。このため、センサ２のセンサ電流ｉ２を用いることで、Ｈ２等の共存ガスの影響が排除された正確な空燃比を検出することができる。
【００５５】
ところで、上述した実施の形態のガス濃度検出装置１０の構造は、図１に示すとおり、センサ１とセンサ２とが縦列に一体化された構造となっているが、該ガス濃度検出装置１０の構造はこれに限られない。すなわち、センサ１とセンサ２とが近接して配置されているのであれば、これらのセンサが並列に一体化された構造としてもよいし、また、これらのセンサが一体化されずに、単に近接して配置される構造でもよい。
【００５６】
図５は、ガス濃度検出装置１０の構造の変形例を示す図である。尚、図５中（Ａ）は、該ガス濃度検出装置１０を積層方向から見た図を、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）におけるＢ−Ｂの断面図を、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）におけるＣ−Ｃの断面図を、それぞれ示している。また、図５において上述した図１と共通する要素には、同一の符号を付してその説明を省略する。図５に示すとおり、このガス濃度検出装置１０は、センサ１とセンサ２とが並列に一体化されている。このような構造にすることで、図１に示すガス濃度検出装置と同様に、センサ１とセンサ２とを一体化することができる。
【００５７】
また、本実施の形態のガス濃度検出装置１０では、第１センサ電極９２の表面に到達する排気ガスのガス拡散影響と、第１センサ電極５２の表面に到達する排気ガスのそれとが同等になるように、拡散抵抗層８２，４３の気孔率等を調整し、センサ電流ｉ１およびｉ２を検出する際の排気ガスの条件を揃えることとしている。しかしながら、センサ電流検出時の排気ガスの条件を揃える方法はこれに限られない。すなわち、各センサ電極９２，５２に到達する排気ガスのガス拡散影響の差分を、センサ電流ｉ１，ｉ２或いはこれらのセンサ電流の差ｉＨ２を補正することにより排除する構成としてもよい。
【００５８】
尚、上述した実施の形態においては、拡散抵抗層８２が前記第１の発明における「抵抗層」に、第１センサ電極９２が前記第１の発明における「電極」に、センサ１が前記第１の発明における「第１センサ」に、内部空間４１，４２が前記第１の発明における「ガス室」に、センサセル５が前記第１の発明における「センサセル」に、センサ２が前記第１の発明における「第２センサ」に、それぞれ相当するとともに、システムが上記ステップ１０６の処理を実行することにより、前記第１の発明における「水素濃度検出手段」が実行されている。
【００５９】
また、上述した実施の形態においては、拡散抵抗層４３が前記第５の発明における「第２抵抗層」に相当している。
【符号の説明】
【００６０】
１  センサ
２  センサ
３  ポンプセル
４  スペーサ
５  センサセル
６  スペーサ
７  ヒータ
９  センサセル
１０  ガス濃度検出装置
３１  固体電解質体
３２  第１ポンプ電極
３３  第２ポンプ電極
３４  ピンホール
４１  第１内部空間
４２  第２内部空間
４３  拡散抵抗層
５１  固体電解質体
５２  第１センサ電極
５３  第２センサ電極
６１  大気ダクト
７１  ヒータ電極
７２，７３  絶縁層
８１  多孔質保護層
８２  拡散抵抗層
９２  第１センサ電極
９３  第２センサ電極
【図１】
2010210521.tif 000003
【図２】
2010210521.tif 000004
【図３】
2010210521.tif 000005
【図４】
2010210521.tif 000006
【図５】
2010210521.tif 000007