【事件の表示】
　特許第６４８２０１３号発明「構造体およびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４８２０１３号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、４〜１４〕、〔１５、１６〕及び〔１７、１８〕について訂正することを認める。
　特許第６４８２０１３号の請求項１ないし１８に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第６４８２０１３号の請求項１〜１８に係る特許についての出願は、平成２９年１１月６日を国際出願日とする日本語特許出願であって、平成３１年２月２２日にその特許権の設定登録がされ、平成３１年３月１３日に特許掲載公報が発行された。
　その後、本件特許の全請求項（請求項１〜１８）に係る特許に対し、特許異議申立人　高橋　恒（以下、「異議申立人」という。）より、令和１年９月１０日に特許異議の申立てがされたものであり、その後の経緯は次のとおりである。
　令和１年１２月２７日付け：　取消理由通知書
　令和２年　３月　５日　　：　意見書の提出及び訂正の請求（特許権者）
　　　同年　４月１３日　　：　意見書の提出（異議申立人）
　　　同年　６月３０日付け：　取消理由通知書（決定の予告）
　　　同年　８月２７日　　：　意見書の提出及び訂正の請求（特許権者）
　なお、令和２年８月２７日の訂正の請求に対して、異議申立人から意見書の提出はされなかった。
第２　訂正の適否についての判断
　令和２年８月２７日に特許権者より請求された訂正（以下、「本件訂正」という。）は適法になされたものと判断する。
　以下、その理由につき詳述する。
　なお、先になされた令和２年３月５日付けの訂正の請求については、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。
１　訂正の内容
　本件訂正は、一群の請求項１〜１４のうちの請求項１、４〜１４について及び他の一群の請求項１５〜１８について請求されたものであり、特許法第１２０条の５第４項の規定に従うものであるところ、その訂正の内容（訂正事項）は、次のとおりである。
　なお、本件訂正後の請求項１７、１８について、特許権者は、当該請求項に係る訂正が認められる場合には、一群の請求項１５〜１８の他の請求項とは別の訂正単位として扱われることを求めている。　
（１）　一群の請求項１、４〜１４に係る訂正
ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１の記載を以下のとおり訂正する（当審注：下線は訂正箇所を示す。以下、同じ。）。当該訂正後の請求項１の記載を引用する請求項１１〜１４も同様に訂正する。
　「【請求項１】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、前記固定部材が酸化物および窒化物の少なくとも１つを含
み
前記固定部材は、下地と、前記下地の表面の上に配置された膜とを含み、前記複数の粒子は、前記下地の前記表面の上に配置され前記下地の前記表面からの距離が互いに異なる２以上の粒子を含み、前記膜は、複数の微結晶を含む、
ことを特徴とする構造体。」
イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４の記載を以下のとおり訂正する。当該訂正後の請求項４の記載を引用する請求項１１〜１４も同様に訂正する。
　「【請求項４】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、前記固定部材は、下地と、前記下地の上に配置された膜とを含み、
前記膜は、複数の微結晶を含み、前記膜は、前記下地の上に配置された第１膜と、前記第１膜の上に配置された第２膜とを含み、
前記下地の
第１
と、前記第１膜と前記第２膜との間に配置された第２粒子と
第１
第１
第１
ことを特徴とする構造体。」
ウ　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項５の記載を以下のとおり訂正する。当該訂正後の請求項５の記載を引用する請求項１１〜１４も同様に訂正する。
　「【請求項５】
　
各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、前記固定部材は、下地と、前記下地の上に配置された膜とを含み、前記複数の粒子は、前記下地の表面に接触するように前記下地の前記表面に沿って２次元状に配置された粒子を含み、前記２次元状に配置された粒子は、前記膜を介して相互に離隔して配置され、かつ、前記膜によって覆われ、
前記膜は、複数の微結晶を含み、前記複数の粒子の各々は、前記膜の前記複数の微結晶の少なくとも１つに接している、
ことを特徴とす
る構
エ　訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項６の記載を以下のとおり訂正する。当該訂正後の請求項６の記載を引用する請求項１１〜１４も同様に訂正する。
　「【請求項６】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記固定部材を覆うように配置された被覆膜を有し、
前記被覆膜は、複数の微結晶を含み、
れ、前記固定部材は、下地と、前記下地の表面の上に配置された膜とを含み、前記複数の粒子は、前記下地の前記表面に接触するように前記下地の前記表面に沿って２次元状に配置された粒子を含む、
ことを特徴とする構造体。」
オ　訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項７の記載を以下のとおり訂正する。当該訂正後の請求項７の記載を引用する請求項１１〜１４も同様に訂正する。
　「【請求項７】
　
各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記固定部材を覆うように配置された被覆膜を有し、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、
　前記被覆膜の不活性ガスの含有率は、前記固定部材における不活性ガスの含有率よりも高い、
ことを特徴とす
る構
カ　訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項８の記載を以下のとおり訂正する。当該訂正後の請求項８の記載を引用する請求項１１〜１４も同様に訂正する。
　「【請求項８】
　
各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記固定部材を覆うように配置された被覆膜を有し、前記被覆膜は、複数の微結晶を含み、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、
　前記被覆膜の原子量または分子量は、前記固定部材の原子量または分子量よりも大きい
ことを特徴とす
る構
キ　訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項９の記載を以下のとおり訂正する。当該訂正後の請求項９の記載を引用する請求項１０〜１４も同様に訂正する。
　「【請求項９】
　
各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記固定部材を覆うように配置された被覆膜を有し、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、
　前記被覆膜は、複数の微結晶を含み、前記被覆膜の前記複数の微結晶の粒界に不活性ガスが存在する、
ことを特徴とす
る構
（２）　一群の請求項１５〜１８に係る訂正
ア　訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項１５の記載を以下のとおり訂正する。当該訂正後の請求項１５の記載を引用する請求項１６も同様に訂正する。
　「【請求項１５】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子を互いに離隔するように形成する第１工程と、
　前記複数の粒子を覆うように
複数の微結晶を含む
み、
　
前記第１工程および前記第２工程を含む処理を繰り返す、
ことを特徴とする構造体の製造方法。」
イ　訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項１７の記載を以下のとおり訂正する。当該訂正後の請求項１７の記載を引用する請求項１８も同様に訂正する。
　「【請求項１７】
　
各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子を互いに離隔するように形成する第１工程と、
　
前記複数の粒子を覆うように複数の微結晶を含む膜を形成する第２工程と、を含み、
　
前記第１工程では、スパッタリング法によって前記複数の粒子を形成し、前記第２工程では、スパッタリング法によって前記膜を形成し、
　前記第１工程および前記第２工程を含む処理を繰り返す、
ことを特徴とす
る構
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）　一群の請求項１、４〜１４に係る訂正について
ア　訂正事項１について
　訂正事項１は、本件訂正前の請求項１に係る発明において、「固定部材」について「下地と、前記下地の表面の上に配置された膜とを含み、前記複数の粒子は、前記下地の前記表面の上に配置され前記下地の前記表面からの距離が互いに異なる２以上の粒子を含み、前記膜は、複数の微結晶を含む」なる発明特定事項を付加するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、それにより実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことは明らかである。　
　更に、当該発明特定事項は、願書に添付した明細書における、「固定部材１０は、例えば、下地２と、下地２の上に配置された膜４とを含みうる。」（【００１２】）、「膜４は、高融点材料、例えば、融点が１４００℃以上の材料で構成されうる。膜４は、複数の微結晶を含みうるが、非晶質であってもよい。」（【００１４】）、「複数の粒子３は、下地２の表面に接触するように下地２の表面に沿って２次元状に配置された粒子３’を含みうる。」（【００１７】）、「構造体１の製造方法は、図３Ａに例示されるように、各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子３を互いに離隔するように形成し、個々の粒子３を島状に配置する第１工程と、図３Ｂに例示されるように、複数の粒子３をそれぞれ覆うように膜４を形成する第２工程とを含みうる。ここで、第１工程および第２工程を含む処理を複数回にわたって実施することによって図３Ｃ、図３Ｄに例示されるように積層され、その結果、図１Ａに例示されるように、下地２の表面からの距離が互いに異なる複数の粒子３を有する構造体１を得ることができる。」（【００１８】）等の記載から導かれるものであるから、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものである。
イ　訂正事項２について
　訂正事項２は、本件訂正前の請求項４に係る発明において、「前記下地の上に配置された膜」について「前記膜は、複数の微結晶を含み、前記膜は、前記下地の上に配置された第１膜と、前記第１膜の上に配置された第２膜とを含み」なる発明特定事項を付加し、また、「各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子」について「前記下地の表面に接触するように前記下地の前記表面に沿って２次元状に配置された第１粒子と、前記第１膜と前記第２膜との間に配置された第２粒子とを含み、前記２次元状に配置された第１粒子は、前記第１膜を介して相互に離隔して配置され、かつ、前記第１膜によって覆われている」なる発明特定事項を付加するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、それらにより実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことは明らかである。
　更に、これらの発明特定事項は、願書に添付した明細書における、上記【００１２】、【００１４】及び【００１８】（上記ア参照。）等の記載から導かれるものであるから、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものである。
ウ　訂正事項３について
　訂正事項３は、本件訂正前の請求項５が本件訂正前の請求項４の記載を引用するものであったものを、請求項間の引用関係を解消して独立形式のものとする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものに該当する。
　また、訂正事項３は、本件訂正前の請求項５が引用する本件訂正前の請求項４における「前記表面に沿って」を「前記下地の前記表面に沿って」に限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、これらの訂正は実質的な内容の変更を伴うものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないこと、及び、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであることは明らかである。
エ　訂正事項４について
　訂正事項４は、本件訂正前の請求項６に係る発明において、「被覆膜」について「前記被覆膜は、複数の微結晶を含み」なる発明特定事項を付加し、「固定部材」について「下地と、前記下地の表面の上に配置された膜とを含み」なる発明特定事項を付加し、また、「複数の粒子」について「前記下地の前記表面に接触するように前記下地の前記表面に沿って２次元状に配置された粒子を含む」なる発明特定事項を付加するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、それらにより実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことは明らかである。
　更に、それらの発明特定事項は、願書に添付した明細書における、上記【００１２】及び【００１７】（上記ア参照。）の記載並びに「被覆膜８は、複数の微結晶を含みうるが、非晶質であってもよい。」（【００３７】）等の記載から導かれるものであるから、訂正事項４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものである。
オ　訂正事項５について
　訂正事項５は、本件訂正前の請求項７が本件訂正前の請求項６の記載を引用するものであったものを、請求項間の引用関係を解消して独立形式のものとする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものに該当し、また、それにより実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないこと、及び、当該訂正が願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであることは明らかである。
カ　訂正事項６について
　訂正事項６は、本件訂正前の請求項８が本件訂正前の請求項６または７の記載を引用するものであったものを、請求項間の引用関係を解消するとともに、本件訂正前の請求項６のみの発明特定事項をすべて付加して独立形式のものとする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること及び同第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、訂正事項６は、本件訂正前の請求項８に係る発明において、「被覆膜」について「前記被覆膜は、複数の微結晶を含み」なる発明特定事項を付加するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、更に、当該発明特定事項は、願書に添付した明細書における、上記【００３７】（上記エ参照。）の記載等の記載から導かれるものであるから、訂正事項６は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものである。
　そして、これらの訂正は実質的な内容の変更を伴うものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないこと、及び、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであることは明らかである。　
キ　訂正事項７について
　訂正事項７は、本件訂正前の請求項９が本件訂正前の請求項６乃至８いずれか１項の記載を引用するものであったものを、請求項間の引用関係を解消するとともに、本件訂正前の請求項６のみの発明特定事項をすべて付加して独立形式のものとする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること及び同第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、それにより実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないこと、及び、当該訂正が願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであることは明らかである。
（２）　一群の請求項１５〜１８に係る訂正について
ア　訂正事項８について
　訂正事項８は、本件訂正前の請求項１５に係る発明において、「膜」について「複数の微結晶を含む膜」なる発明特定事項を付加し、また、「前記第１工程および前記第２工程を含む処理を繰り返す」なる発明特定事項を付加するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、それにより実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことは明らかである。
　更に、これらの発明特定事項は、願書に添付した明細書における、上記【００１４】及び【００１８】（上記（１）ア参照。）等の記載から導かれるものであるから、訂正事項８は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものである。
イ　訂正事項９について
　訂正事項９は、本件訂正前の請求項１７が本件訂正前の請求項１５を引用する本件訂正前の請求項１６の記載を引用するものであったものを、請求項間の引用関係を解消して独立形式のものとする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものに該当する。
　また、訂正事項９は、本件訂正前の請求項１７が引用する本件訂正前の請求項１５における「膜」について「複数の微結晶を含む膜」なる発明特定事項を付加するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、更に、当該発明特定事項は、願書に添付した明細書における、上記【００１４】（上記（１）ア参照。）等の記載から導かれるものであるから、訂正事項９は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものである。
　そして、これらの訂正は実質的な内容の変更を伴うものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないこと、及び、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであることは明らかである。　
３　小括
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号又は第４号に掲げる事項を目的とするものに該当し、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものといえる。
　また、本件訂正後の請求項１７、１８については、特許権者の求めに応じ、別の訂正単位とすることを認める。
　よって、標記結論のとおり、本件特許第６４８２０１３号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、本件訂正後の請求項〔１、４〜１４〕、〔１５、１６〕及び〔１７、１８〕について訂正することを認める。
第３　本件訂正後の本件発明
　上記「第２」のとおり本件訂正は適法になされたものと認められるので、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜１８に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明１８」といい、これらをまとめて「本件発明」という。）は、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲の請求項１〜１８に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、前記固定部材が酸化物および窒化物の少なくとも１つを含み、前記固定部材は、下地と、前記下地の表面の上に配置された膜とを含み、前記複数の粒子は、前記下地の前記表面の上に配置され前記下地の前記表面からの距離が互いに異なる２以上の粒子を含み、前記膜は、複数の微結晶を含む、
ことを特徴とする構造体。
【請求項２】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、前記固定部材が複数の微結晶を含み、前記複数の微結晶の粒界に不活性ガスが存在する、
ことを特徴とする構造体。
【請求項３】
　前記固定部材における前記不活性ガスの含有率は、０．５原子％以上である、
ことを特徴とする請求項２に記載の構造体。
【請求項４】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、前記固定部材は、下地と、前記下地の上に配置された膜とを含み、前記膜は、複数の微結晶を含み、前記膜は、前記下地の上に配置された第１膜と、前記第１膜の上に配置された第２膜とを含み、前記複数の粒子は、前記下地の表面に接触するように前記下地の前記表面に沿って２次元状に配置された第１粒子と、前記第１膜と前記第２膜との間に配置された第２粒子とを含み、前記２次元状に配置された第１粒子は、前記第１膜を介して相互に離隔して配置され、かつ、前記第１膜によって覆われている、
ことを特徴とする構造体。
【請求項５】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、前記固定部材は、下地と、前記下地の上に配置された膜とを含み、前記複数の粒子は、前記下地の表面に接触するように前記下地の前記表面に沿って２次元状に配置された粒子を含み、前記２次元状に配置された粒子は、前記膜を介して相互に離隔して配置され、かつ、前記膜によって覆われ、
前記膜は、複数の微結晶を含み、前記複数の粒子の各々は、前記膜の前記複数の微結晶の少なくとも１つに接している、
ことを特徴とする構造体。
【請求項６】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記固定部材を覆うように配置された被覆膜を有し、前記被覆膜は、複数の微結晶を含み、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、前記固定部材は、下地と、前記下地の表面の上に配置された膜とを含み、前記複数の粒子は、前記下地の前記表面に接触するように前記下地の前記表面に沿って２次元状に配置された粒子を含む、
ことを特徴とする構造体。
【請求項７】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記固定部材を覆うように配置された被覆膜を有し、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、
　前記被覆膜の不活性ガスの含有率は、前記固定部材における不活性ガスの含有率よりも高い、
ことを特徴とする構造体。
【請求項８】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記固定部材を覆うように配置された被覆膜を有し、前記被覆膜は、複数の微結晶を含み、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、
　前記被覆膜の原子量または分子量は、前記固定部材の原子量または分子量よりも大きいことを特徴とする構造体。
【請求項９】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記固定部材を覆うように配置された被覆膜を有し、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、
　前記被覆膜は、複数の微結晶を含み、前記被覆膜の前記複数の微結晶の粒界に不活性ガスが存在する、
ことを特徴とする構造体。
【請求項１０】
　前記被覆膜における前記不活性ガスの含有率は、０．５原子％以上である、
ことを特徴とする請求項９に記載の構造体。
【請求項１１】
　前記複数の粒子の各々が１０００ｎｍ以下の寸法を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の構造体。
【請求項１２】
　前記複数の粒子の各々が１００ｎｍ以下の寸法を有する、
ことを特徴とする請求項１１に記載の構造体。
【請求項１３】
　前記固定部材は、融点が１４００℃以上の材料で構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の構造体。
【請求項１４】
　前記複数の粒子において、隣接する粒子の間の距離が、１ｎｍ以上かつ１０ｎｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の構造体。
【請求項１５】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子を互いに離隔するように形成する第１工程と、
　前記複数の粒子を覆うように複数の微結晶を含む膜を形成する第２工程と、
を含み、
　前記第１工程および前記第２工程を含む処理を繰り返す、
ことを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項１６】
　前記第１工程では、スパッタリング法によって前記複数の粒子を形成し、前記第２工程では、スパッタリング法によって前記膜を形成する、
ことを特徴とする請求項１５に記載の構造体の製造方法。
【請求項１７】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子を互いに離隔するように形成する第１工程と、
　前記複数の粒子を覆うように複数の微結晶を含む膜を形成する第２工程と、を含み、
　前記第１工程では、スパッタリング法によって前記複数の粒子を形成し、前記第２工程では、スパッタリング法によって前記膜を形成し、
　前記第１工程および前記第２工程を含む処理を繰り返す、
ことを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項１８】
　前記第１工程では、スパッタリング法によって前記複数の粒子を形成し、前記第２工程では、スパッタリング法によって前記膜を形成し、
　下地をスパッタリング装置に搬入した後、前記下地を前記スパッタリング装置から搬出することなく、前記下地に対して前記処理を繰り返す、
ことを特徴とする請求項１７に記載の構造体の製造方法。」
第４　取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について
１　取消理由の概要
　本件訂正前（令和２年３月５日付けの訂正後）の請求項１、４、６及び１１〜１８に係る発明に対して、当審が令和２年６月３０日付けで特許権者に通知した取消理由（進歩性欠如）の要旨は、次のとおりである。
　本件訂正前の請求項１、４、６及び１１〜１８に係る発明は、本件特許の出願前に日本国内において頒布された下記引用例１に記載された発明に基いて、本件特許の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１、４、６及び１１〜１８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである（以下、「取消理由１」という。）。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用例１：特開平５−１１７８４４号公報（甲第４号証）
２　取消理由１（進歩性欠如）についての当審の判断
（１）　引用例１の記載事項
　引用例１には、以下の事項が記載されている。
ア　「【請求項１】 真空雰囲気中で、第１の試料を蒸着する工程と、第２の試料を超微粒子状にイオンビームスパッタする工程とを繰り返し行い、基板上に第１の試料層に超微粒子状の第２の試料が分散された任意の厚さの超微粒子分散膜を形成させることを特徴とする超微粒子分散膜の製法。」
イ　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は触媒、電極の作製に有利に適用できる超微粒子分散膜製法に関する。」
ウ　「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】機能性材料として１００Å以下の超微粒子の分散膜を利用する場合、１００Å以下の粒子の物性はその粒径によって大きく変化する。そのため、これら粒子の物性機能を十分引き出すには粒径のそろえた分散膜製造が必要である。」
エ　「【００１０】本発明において、基板としてはＳｉＯ2，ＴｉＯ2，ＳｎＯ2などの光学的に透明な材料が使用され、第１の試料としては基板材料としてあげた同じ材料が使用される。また、第２の試料としてはＡｕ，Ａｇ，Ｃｕなどの可視光域に吸収端を有する金属、ＣｄＳ，ＣｕＣｌなどの可視光域に吸収端を有する半導体が使用される。」
オ　「【００１１】第１の試料の蒸着はイオンビームスパッタ、マグネクトロンスパッタ、真空蒸着などいずれの蒸着法で行ってもよい。」（当審注：当該「マグネクトロンスパッタ」は「マグネトロンスパッタ」の誤記と認められる。以下、同じ。）
カ　「【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１によって説明する。図１において、１は真空容器、２はイオン銃、３はＡｕターゲット、４はＳｉＯ2蒸発源、５はＳｉＯ2基板、６は電子銃である。
【００１４】１．Ａｕターゲット３をイオン銃２によりアルゴンイオンでスパッタを行い、ＳｉＯ2 基板５上にＡｕ超微粒子の粒径が２０Åになるまで成膜を行った。このＡｕターゲット３のスパッタ条件は下記の通りである。
○ イオン銃２のイオンビーム加速電圧：１ＫＶ、同イオンビーム電流：１０ｍＡ
○ ＳｉＯ2基板５温度：室温
○ イオンビーム入射角度（イオン銃２とＡｕターゲット３のなす角度）：４５°
○ スパッタ角度（Ａｕターゲット３とＳｉＯ2基板５のなす角度）：４５°
○ 作動真空度（真空容器１内圧力）：２×１０-4Torr
【００１５】２．次に、ＳｉＯ2蒸発源４を電子銃６の電子ビーム（電子電流１００ｍＡ、電子ビーム加速電圧１０ＫＶ）にて蒸発させ、膜厚２００Åまで成膜し、ＳｉＯ2でＡｕ超微粒子を十分に覆うようにした。
【００１６】３．上記の１．，２．の操作を１０回行い、膜厚２０００Åの超微粒子分散膜を作成した。
【００１７】Ａｕ超微粒子を真空蒸着法で作製した試粒は粒径分布が±４０Å程度であったのに対し、本発明のイオンビームスパッタ法で作製したＡｕ超微粒子分散膜試料は粒径分布は±１０Åであり、粒径のそろったものであった。本発明の上記実施例で得られたＳｉＯ2中のＡｕ超微粒子の粒径分布を図２に示す。この図２と前述した図５と比較すると粒径分布において本発明方法が優れていることが明らかである。」（当審注：引用例１において、上記「１．」、「２．」、「３．」は、実際にはそれぞれ丸囲み数字の「１」、「２」、「３」である。）
キ　「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ク　「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ケ　「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）引用例１に記載された発明（引用１発明１及び引用１発明２）
　上記（１）エによれば、基板と第１の試料は同じ材料であって、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2等が使用されるといえ、第２の試料はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＣｄＳ、ＣｕＣｌ等が使用されるといえる。
　また、上記（１）アによれば、基板上に第１の試料を蒸着する工程と、第２の試料を超微粒子状にイオンビームスパッタする工程とを繰り返し行い形成された、第１の試料層に超微粒子状の第２の試料が分散された任意の厚さの超微粒子分散膜が記載されているといえ、上記（１）ウによれば、当該超微粒子の粒径は１００Å以下であるといえる。
　更に、上記（１）カによれば、基板上にまず第２の試料を超微粒子状にイオンビームスパッタした後、第１の試料を蒸着する工程と、第２の試料を超微粒子状にイオンビームスパッタする工程とを繰り返し行うことが把握できる。
　したがって、引用例１には、次の発明（以下、「引用１発明１」という。）が記載されていると認められる。
「第１の試料はＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2等であり、
第２の試料はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＣｄＳ、ＣｕＣｌ等であり、
ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2等の基板上に、第２の試料を超微粒子状にイオンビームスパッタした後、第１の試料を蒸着する工程と、第２の試料を超微粒子状にイオンビームスパッタする工程とを繰り返し行い形成された、
第１の試料層に粒径１００Å以下の超微粒子状の第２の試料が分散された任意の厚さの超微粒子分散膜。」
　また、上記（１）オによれば、引用例１には更に、第１の試料の蒸着はイオンビームスパッタ、マグネクトロンスパッタ、真空蒸着などいずれの蒸着法で行ってもよいことが示されており、そうすると、引用例１には次の発明（以下、「引用１発明２」という。）も記載されていると認められる。
「第１の試料はＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2等であり、
第２の試料はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＣｄＳ、ＣｕＣｌ等であり、
第２の試料を超微粒子状にイオンビームスパッタした後、第１の試料をイオンビームスパッタ、マグネクトロンスパッタ、真空蒸着等の方法で蒸着する工程と、
第２の試料を超微粒子状にイオンビームスパッタする工程とを繰り返し行い、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2等の基板上に第１の試料層に粒径１００Å以下の超微粒子状の第２の試料が分散された任意の厚さの超微粒子分散膜を形成させる超微粒子分散膜の製法。」
（３）　本件発明１について
ア　対比
　本件発明１と引用１発明１とを対比する。
　まず、引用１発明１における「基板」及び「第１の試料層」はそれぞれ本件発明１における「下地」及び「膜」に相当するといえ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2はいずれも耐熱性の高い（融点１４００℃以上）酸化物材料であるので、引用１発明１における「ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2等の基板」及び「基板上」の「ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2等」からなる「第１の試料層」は、本件発明１における「下地と、前記下地の表面の上に配置された膜とを含み」、「酸化物および窒化物の少なくとも１つを含」む「固定部材」に相当するといえる。
　そうすると、当該「膜」に関し、両発明は少なくとも次の相違点１を有するものと認められる。
＜相違点１＞
　本件発明１では、「前記膜は、複数の微結晶を含む」のに対し、引用１発明１では、「第１の試料層」が、複数の微結晶を含むか否か不明である点。
イ　相違点１について
　相違点１について検討する。
（ア）　引用例１における、上記（１）オの「【００１１】第１の試料の蒸着はイオンビームスパッタ、マグネクトロンスパッタ、真空蒸着などいずれの蒸着法で行ってもよい。」なる記載事項及び上記（１）カの「【００１５】２．次に、ＳｉＯ2蒸発源４を電子銃６の電子ビーム（電子電流１００ｍＡ、電子ビーム加速電圧１０ＫＶ）にて蒸発させ、膜厚２００Åまで成膜し、ＳｉＯ2でＡｕ超微粒子を十分に覆うようにした。」なる記載事項等から、直ちに引用１発明１における「第１の試料層」が複数の微結晶を含むということはできず、そのようにいうに足りる本件出願当時の技術常識も見当たらないから、上記相違点１は実質的な相違点である。
（イ）　次に、相違点１の容易想到性について検討する。
　引用例１には、当該「第１の試料層」が複数の微結晶を含むことについて、何らの記載も示唆もなく、また、「水素吸蔵金属元素を含む粒子」を微結晶を含む「固定部材」である「膜」で覆うことが、本件出願当時における公知技術であるというに足りる証拠も見当たらないから、引用１発明１において、「第１の試料層」を複数の微結晶を含むものとすることが、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
　一方、本件発明１は、「膜４は、複数の微結晶を含みうる。不活性ガス７は、例えば、該複数の微結晶の粒界に存在する。膜４の粒界に不活性ガスを積極的に取り込むことによって、粒界を通じて空気中の水分が構造体１の内部に侵入し、粒子３を酸化して、水素吸蔵能力を低下させることを抑制することができる。」（本件明細書の【００２６】参照。）及び「また、粒界に取り込んだ不活性ガス７を除去すると、通路（空間）を発生させることができる。この通路は、構造体１に水素を吸蔵させる際、水素の通り道として機能しうる。そこで、膜４に不活性ガス７を積極的に取り込ませ、膜４における粒界の数を増加させるほど、水素は構造体１の内部にまで到達しやすくなり、水素吸蔵能力を向上させることができる。」（同【００２７】参照。）という有利な効果を奏するものといえる。
　
ウ　以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、引用１発明１に対して進歩性が欠如するということはできない。
（４）　本件発明４について
　本件発明４と引用１発明１とを対比すると、両発明は少なくとも、上記（３）アの相違点１と同様の相違点を有するものといえ、また、当該相違点に係る本件発明４の構成は上記（３）イにおける相違点１の検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
　したがって、本件発明４についても、引用１発明１に対して進歩性が欠如するということはできない。
（５）本件発明６について
ア　対比
　本件発明６と引用１発明１とを対比すると、両発明は少なくとも次の相違点２を有する。
＜相違点２＞
　本件発明６は「前記固定部材を覆うように配置された被覆膜」を有し、「前記被覆膜は、複数の微結晶を含」むのに対し、引用１発明１は、当該「被覆膜」について明示していない点。
イ　相違点２について
　相違点２について検討する。
（ア）　引用１発明１は、「第１の試料を蒸着する工程と、第２の試料を超微粒子状にイオンビームスパッタする工程とを繰り返し」行っていることから、最後に形成された第１の試料層は、本件発明６の「被覆膜」に相当し、それ以前に形成された第１の試料層、すなわち、本件発明６の「固定部材」に相当するものを被覆するものであるということができる。
　しかしながら、上記（３）イ（ア）のとおり、引用１発明１における「第１の試料層」が複数の微結晶を含むということはできないから、上記相違点２は実質的な相違点である。
（イ）　そして、上記（３）イ（イ）のとおり、当該相違点２に係る本件発明６の構成を容易想到の事項というに足りる証拠も見当たらず、また、本件発明６は、当該構成を具備することにより、「被覆膜８の粒界に不活性ガスを積極的に取り込むことによって、粒界を通じて空気中の水分が構造体１の内部に侵入し、粒子３を酸化して、水素吸蔵能力を低下させることを抑制することができる。」（本件明細書の【００３４】参照。）及び「また、粒界に取り込んだ不活性ガス７を除去すると、通路（空間）を発生させることができる。この通路は、構造体１に水素を吸蔵させる際、水素の通り道として機能しうる。そこで、被覆膜８に不活性ガス７を積極的に取り込ませ、被覆膜８における粒界の数を増加させるほど、水素は構造体１の内部にまで到達しやすくなり、水素吸蔵能力を向上させることができる。」（本件明細書の【００３５】参照。）という有利な効果を奏するものといえる。
ウ　以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明６は、引用１発明１に対して進歩性が欠如するということはできない。
（６）　本件発明１１〜１４について
　本件発明１１〜１４は、本件発明１、４及び６の発明特定事項をすべて具備するものであるから、上記（３）〜（５）の本件発明１、４及び６についての検討と同様、引用１発明１に対して進歩性が欠如するということはできない。
（７）　本件発明１５について
ア　対比
　本件発明１５と引用１発明２とを対比する。
　まず、引用１発明２における「第２の試料を超微粒子状にイオンビームスパッタした後、第１の試料をイオンビームスパッタ、マグネクトロンスパッタ、真空蒸着等の方法で蒸着する工程と、第２の試料を超微粒子状にイオンビームスパッタする工程とを繰り返し行い」は、本件発明１５における「複数の粒子」を「形成する第１工程と、「前記複数の粒子を覆うように」「膜を形成する第２工程と、を含み、前記第１工程および前記第２工程を含む処理を繰り返す」に相当するといえる。
　そうすると、当該「膜」に関し、両発明は少なくとも次の相違点１’を有するものと認められる。
＜相違点１’＞
　本件発明１５において、「第２工程」で形成される「膜」は、「複数の微結晶を含む」のに対し、引用１発明２において、「蒸着する工程」で形成される「第１の試料層」が、複数の微結晶を含むか否か不明である点。
イ　相違点１’について
　相違点１’について検討すると、相違点１’は、上記（３）アの相違点１と同様の相違点であるといえ、また、当該相違点１’に係る本件発明１５の構成は上記（３）イにおける相違点１の検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
ウ　以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１５は、引用１発明２に対して進歩性が欠如するということはできない。
（８）　本件発明１６について
　本件発明１６は、本件発明１５の発明特定事項をすべて具備するものであるから、上記（７）の本件発明１５についての検討と同様、引用１発明２に対して進歩性が欠如するということはできない。
（９）　本件発明１７について
　本件発明１７と引用１発明２とを対比すると、両発明は少なくとも、上記（７）アの相違点１’と同様の相違点を有するものといえ、また、当該相違点に係る本件発明１７の構成は上記（７）イにおける相違点１’の検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
　したがって、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１７は、引用１発明２に対して進歩性が欠如するということはできない。
（１０）本件発明１８について
　本件発明１８は、本件発明１７の発明特定事項をすべて具備するものであるから、上記（９）の本件発明１７についての検討と同様、引用１発明２に対して進歩性が欠如するということはできない。
３　小括
　以上の検討のとおり、本件発明１、４、６及び１１〜１８は、引用例１に記載された発明に対して進歩性が欠如するということはできないから、請求項１、４、６及び１１〜１８に係る特許は、特許法第２９条の規定に違反してされたものであるとはいえず、同法第１１３条第２号に該当しないため、取消理由１（進歩性欠如）を理由に、取り消すことはできない。
第５　取消理由通知（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由について
１　採用しなかった特許異議申立理由の概要
　異議申立人が、特許異議申立書において主張する特許異議申立理由のうち、当審が取消理由通知（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由の要旨は、次のとおりである。
（１）　（新規性欠如）設定登録時の請求項１、４、６、８、１１〜１７に係る発明は甲第１、２又は３号証に記載された発明であるから、請求項１、４、６、８、１１〜１７に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものであり、特許法第１１３条第２号に該当するから、取り消されるべきものである（以下、「申立理由１」という。）。
（２）　（進歩性欠如）設定登録時の請求項１〜１８に係る発明は、甲第１、２、３又は４号証に記載された発明及び甲第１〜１０号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許法第１１３条第２号に該当するから、取り消されるべきものである（以下、「申立理由２」という。）。
（３）　（サポート要件違反）設定登録時の請求項２〜１８に係る特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、特許法第１１３条第４号に該当するから、取り消されるべきものである（以下、「申立理由３」という。）。
２　申立理由１（新規性欠如）及び２（進歩性欠如）について
　異議申立人は、甲第１〜１０号証（以下、単に「甲１」などという。）を提出し、甲１に記載された発明による設定登録時の請求項１、４、１１〜１６に係る発明の新規性欠如、甲２に記載された発明による設定登録時の請求項１、６、８、１１〜１３、１５に係る発明の新規性欠如、甲３に記載された発明による設定登録時の請求項１、４、６、８、１１〜１３、１５〜１７に係る発明の新規性欠如の申立理由１を主張し、また、甲１に記載された発明を主たる発明とする設定登録時の請求項１〜５、１１〜１６に係る発明の進歩性欠如、甲２に記載された発明を主たる発明とする設定登録時の請求項１、６〜１５に係る発明の進歩性欠如、甲３に記載された発明を主たる発明とする設定登録時の請求項１〜１３、１５〜１８に係る発明の進歩性欠如、甲４に記載された発明を主たる発明とする設定登録時の請求項２、３、５、７〜１０に係る発明の進歩性欠如（なお、甲４は上記「第４」における引用例１のことであり、請求項１、４、６、１１〜１８に係る発明については、上記「第４」のとおり。）の申立理由２を主張する。
　しかしながら、当該主張は、以下の理由により、採用することはできない。
（１）　証拠一覧
　甲１：特開２００６−３００５６０号公報
　甲２：特開２００４−２７５９５１号公報
　甲３：特開平１１−１３３２２９号公報
　甲４：特開平５−１１７８４４号公報
　甲５：真壁　保志ほか，「Ｍｏスパッタ膜の微視的形態に関する研究」，
　　　　真空，１９９２年，第３５巻，第６号，第５５９〜５６６頁
　甲６：特開平７−２５８８４５号公報
　甲７：特開２００９−４１１０８号公報
　甲８：特開２００８−２６１０３１号公報
　甲９：特開平１１−２４２２５０号公報
　甲１０：特開平６−２２２４１１号公報
（２）　甲１〜４の記載事項
ア　甲１の記載事項
　甲１には、以下の事項が記載されている。
（ア）　「【００１５】
　本発明に係る水素センサの実施形態の構成について図面を参照して説明する。なお、以下の全ての図面においては図面を見やすくするために、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせて示してある。
　図１と図２は本発明に係る水素センサの構成を示すもので、この水素センサＡは、絶縁基板（絶縁基体）１の上面のほぼ全域に半導体層２が積層され、この半導体層２の上面にＳｉ３Ｎ４からなる薄膜絶縁層３が形成されている。さらに、この薄膜絶縁層３の上面に島状に粒子が分散配置された構造の水素吸収体４が形成され、この水素吸収体４の露出した面を覆うように水素透過膜５が形成されている。また、前記半導体層２の表面上であって先の水素吸収体４の左右両側に位置するように内側電極６、６と、前記半導体層２の表面上であって先の水素吸収体４の左右両側であって先の内側電極６、６よりも更に外側に位置するように外側電極７、７が形成されている。」
（イ）　「【００１７】　
　前記水素吸収体（水素吸排材料体）４は、Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ｐｔ、Ｐｔ合金のいずれかからなる粒子あるいはその他の白金族元素あるいはそれらの合金元素が粒子状となって島状に分散配置された構造であることが好ましい。また、これらの金属の他に一般的に水素吸蔵合金として知られるＬａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、希土類金属、Ｃａ、Ｖあるいはこれらを含む合金などのいずれかを用いても良いのは勿論である。ここで水素吸収体４は、上述の金属あるいは合金の水素吸排材料からなるが、これらの水素吸排材料を先の絶縁薄膜層３の上に成膜する際、後に形成する対の電極間を導通させないパターンとする必要がある。パターン形成に当たってはフォトリソ法が好適に用いられる。他の形態としては島状にとぎれとぎれの状態で粒子が分散されてなり、全体として導電性を有しない、絶縁体として機能する状態のものとすることが好ましい。図１と図２ではこの水素吸収体４を膜状として略して示した。図１と図２のパターンでは水素吸収体４が電極と離れているため、連続膜であっても本発明の効果を奏するが、水素吸収体４は拡大すると島状に粒子が分離して形成された集合体の絶縁体として機能する程度の膜厚とすることがより好ましい。例えばこの水素吸収体４は抵抗値１ＭΩ程度以上の絶縁体とされ、水素吸収体４はその膜厚として０.５ｎｍ〜５ｎｍ程度の範囲とすることが好ましい。
【００１８】　
　このような島状に分散した水素吸収体４は真空蒸着法、スパッタ法などの成膜法により薄膜絶縁層３の上に粒子を堆積させて成膜する場合に膜として生成される前の状態で成膜を中止することで製造することができる。例えば、Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ｐｔ、Ｐｔ合金などはいずれも良導電性の金属材料であり、膜として生成すると導電体となるので、導電体となる前の絶縁体の状態で成膜を停止すれば複数の粒子が島状に分散配置された構造の水素吸収体３を得ることができる。従って、先に説明した膜厚の範囲に形成するならば絶縁体としての水素吸収体４を薄膜絶縁層３の上に形成することができる。この形態で水素吸収体４の縦幅は絶縁基板１の縦幅よりも若干短く、横幅は絶縁基板１の横幅の数分の１に形成されている。従って図１と図２における水素吸収体４の左右両側には半導体層２が露出されている。
【００１９】　
　水素透過膜５は、リンを添加した二酸化珪素のターゲットなどの成膜源を予め作成しておき、スパッタ法などの成膜法により、水素吸収体４を覆うように形成されている。水素透過膜５の膜厚は、０.５ｎｍ〜５ｎｍになるようにすることが好ましい。膜厚が０.５ｎｍ以下では、可燃性ガスに対して、僅かではあるが感度を持つ可能性があり、５ｎｍ以上では、水素透過膜５を水素が透過する際の抵抗が大きくなり、それに伴って応答速度が遅くなり、水素センサとしては好ましくない。また、リンの添加量は、０．１ｗｔ％〜１．０ｗｔ％の範囲であることが好ましい。リンの添加量が０．１ｗｔ％以下では、水素透過膜５を水素が透過する際の抵抗が大きくなり、それに伴って応答速度が遅くなり、水素センサとしては好ましくなく、１．０ｗｔ％以上では、スパッタ装置などの反応容器内にリンが蓄積し、容器内を汚染するという問題が生じる可能性がある。」
（ウ）　「【００２５】
（実施例１）
　図１と図２に示す構成であって、縦３ｍｍ、横３ｍｍ、膜厚０．４３ｍｍのサファイア基板上に厚さ０.０５μｍのシリコンをドープしたＧａＮ膜を形成し、その上にＳｉ３Ｎ４からなる薄膜絶縁層３を形成した。この薄膜絶縁層３の上面に縦２．５ｍｍ、横１ｍｍの長方形状のＰｄからなる厚さ１２Åの水素吸収体４の島状の膜を形成した。この水素吸収体４の膜は薄膜絶縁層上において絶縁体であった。次に、水素吸収体４を覆うように、ＳｉＯ２にリンをドープした水素透過膜５を膜厚２０Åで形成した。ＳｉＯ２に対してドープするＰ（リン）の量をそれぞれ０．１ｗｔ％、０．５ｗｔ％、１．０ｗｔ％として、３種類の水素透過膜を作成した。」
イ　甲２の記載事項
　甲２には、以下の事項が記載されている。
（ア）　「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる不都合を解消して、金属の超微粒子の凝集を妨げて、優れた水素貯蔵性能を備える水素貯蔵材料を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、本発明の水素貯蔵材料は、多孔質体と、該多孔質体の空孔内に保持された水素吸蔵能を備える金属超微粒子と、該多孔質体の表面を被覆して酸素を遮断し水素を選択的に透過する被膜とを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明の水素貯蔵材料は、水素吸蔵能を備える金属超微粒子が、多孔質体の空孔内に保持されているので、該金属超微粒子が相互に凝集することを防止して、該金属超微粒子の比表面積を大きくし、優れた水素貯蔵性能を得ることができる。また、本発明の水素貯蔵材料は、前記多孔質体の表面が、酸素を遮断し水素を選択的に透過する被膜により被覆されているので、水素の吸蔵／放出を妨げることなく、前記金属超微粒子の酸化を阻止することができ、繰り返し使用による水素貯蔵性能の低下を防止することができる。」
（イ）　「【００１５】
前記多孔質体は、平均直径が５〜２００オングストロームの範囲にある空孔を備えるものであればよく、金属酸化物、ゼオライト、炭素質材料等を挙げることができる。前記金属酸化物としては、アルミナ、シリカ等を挙げることができ、前記炭素質材料等としては、活性炭、カーボンナノチューブ等を挙げることができる。」
（ウ）　「【００２１】
【実施例１】
本実施例では、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４）結晶をエチレングリコールに溶解させた溶液（濃度０．４ミリモル／ｌ）に、空隙率０．５（５０％）、有効入口径６オングストロームの清浄なＸ型ゼオライトを浸漬し、該ゼオライトの空孔（平均直径９オングストローム）に該溶液を充填させた。このとき、減圧雰囲気に保持した前記ゼオライトに前記溶液を導入する差圧吸引方式を用いることにより、前記空孔に対する該溶液の充填を効率よく行うことができる。
【００２２】
次に、前記溶液を、前記ゼオライトを浸漬したまま、２００℃に加熱し、窒素ガス気流により生成水を除去しながら、３時間還流処理した。前記還流処理後、前記溶液から前記ゼオライトを取り出し、不活性ガス雰囲気の減圧下にて乾燥することにより、空孔内に平均粒子径５ｎｍのＮｉ超微粒子が保持されたゼオライトを得た。前記還流処理は、同時に超音波による撹拌を行うことにより、前記空孔内に前記Ｎｉ超微粒子が均一に保持されたゼオライトを得ることができる。
【００２３】
次に、前記Ｎｉ超微粒子が保持されたゼオライトの表面に、ＰＶＤ法によりＰｄからなる厚さ０．１μｍの被膜を形成し、水素貯蔵材料を得た。前記被膜は、酸素を遮断し、水素を選択的に透過する機能を備えている。」
ウ　甲３の記載事項
　甲３には、以下の事項が記載されている。
（ア）　「【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する図１に示すように、偏光子１は透光性を有するガラス等の誘電体基板（以下、単に基板という）２の少なくとも一方の主面上に偏光層３を設けたものであり、この偏光層３は基板２上に、光吸収異方性を有する（形状異方性を有する）金属粒子４ａが多数分散され層状をなす島状金属薄膜層ともいうべき金属粒子層４と透光性を有する誘電体層５とが交互に複数積層されてなるものである。また、図２に示すように、上下に位置する誘電体層の組成及び屈折率を異なるようにした単位積層体Ｐを１層以上積層させている。」
（イ）　「【００１９】金属粒子４ａにはＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ等の貴金属元素やＣｕ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ及びＷ等の遷移金属から選択される一種以上の金属であることが好ましく、基板２や誘電体層５との濡れ性が悪く凝集しやすい金属でしかも酸化され難く、誘電体層５中で金属粒子４ａとして存在し得るものが好ましい。これらの内、特に好ましいものは、低融点なため凝集が容易で、ガラスとの濡れが悪く、しかも酸化され難いＡｕと、安価でガラスとの濡れ性が悪いＣｕである。なお、金属粒子４ａは金属単体に限定されるものではなく合金でもよい。」
（ウ）　「【００３２】
【実施例】次に、より具体的で好適な実施例について説明する。まず、図２における基板２として、厚さ約１ｍｍ，面積約７６０ｍｍ2 の石英ガラス基板（軟化点：１０００〜１２００℃、屈折率１．４９）を用い、この基板２上に誘電体層５としてＭｇＯ，ＺｎＳ，ＭｇＦ2 の薄膜層を、金属粒子層４として金（Ａｕ）の薄膜層を、交互に積層することによりＡｕ微粒子を含むＭｇＯ層（屈折率１．７），Ａｕ微粒子を含むＺｎＳ層（屈折率２．３５），Ａｕ微粒子を含むＭｇＦ2 層（屈折率１．７）の３層構造を周期単位とする単位積層体Ｐを３層積層させた。
【００３３】すなわち、基板上にマグネトロンスパッタ成膜法により真空度２．０×１０-3Ｔoor 、成膜速度１０．６ｎｍ／秒で膜厚３０ｎｍの第１層目の金属薄膜層であるＡｕ薄膜層を形成し、このＡｕ薄膜層上に真空度２．０×１０-3Ｔoor 、成膜速度０．２ｎｍ／秒で膜厚９８２．５ｍの第１層目の誘電体薄膜層であるＭｇＯ薄膜層を形成する。その後、上記と同様にして第２層目の金属薄膜層であるＡｕ薄膜層を形成し、このＡｕ薄膜層上に真空度２．０×１０-3Ｔoor 、成膜速度０．４ｎｍ／秒で膜厚１９６５ｎｍの第２層目の誘電体薄膜層であるＺｎＳ薄膜層を形成する。その後、上記と同様にして第３層目の金属薄膜層であるＡｕ薄膜層を形成し、このＡｕ薄膜層上に真空度２．０×１０-3Ｔoor 、成膜速度０．３ｎｍ／秒で膜厚９８２．５ｎｍの第３層目の誘電体薄膜層であるＭｇＦ2 薄膜層を形成する。
【００３４】上記一連の工程を３回繰り返して、Ａｕ微粒子を含む三種類の誘電体層から成る単位積層体を３層積層させた基板体を得る。
【００３５】次いで、上記基板体の熱塑性変形を行うが、石英ガラスの軟化点近傍の温度である１５００℃において加熱、延伸を行い、加熱によりＡｕ金属微粒子を凝集させてＡｕ金属粒子とし、このＡｕ金属粒子を延伸により形状異方性を持たせるとともに、Ａｕ金属粒子の配向化も行わせる。」
エ　甲４の記載事項
　上記「第４」２（１）と同様である。
（３）甲１〜４に記載された発明
ア　甲１に記載された発明（甲１発明１及び甲１発明２）
　上記（２）ア(ウ）の記載事項から、甲１の実施例１には、
「サファイア基板、サファイア基板上に形成したシリコンドープのＧａＮ膜、ＧａＮ膜の上に形成したＳｉ３Ｎ４からなる薄膜絶縁層、薄膜絶縁層の上面に形成した縦２．５ｍｍ、横１ｍｍ、厚さ１２ÅのＰｄからなる水素吸収体の島状の膜、水素吸収体の島状の膜を覆うリンドープのＳｉＯ２からなる水素透過膜を有する水素センサ。」（以下、「甲１発明１」という。）
及び
「サファイア基板上にシリコンドープのＧａＮ膜を形成し、ＧａＮ膜の上にＳｉ３Ｎ４からなる薄膜絶縁層を形成し、薄膜絶縁層の上面に縦２．５ｍｍ、横１ｍｍ、厚さ１２ÅのＰｄからなる水素吸収体の島状の膜を形成し、水素吸収体の島状の膜を覆うようにリンドープのＳｉＯ２からなる水素透過膜を形成することを含む水素センサの製造方法。」（以下、「甲１発明２」という。）
が記載されているということができる。
イ　甲２に記載された発明（甲２発明１及び甲２発明２）
　上記（２）イ（ウ）の記載事項から、甲２の実施例１には、
「ゼオライトの空孔（平均直径９オングストローム）内に保持された平均粒子径５ｎｍのＮｉ超微粒子、Ｎｉ超微粒子が保持されたゼオライトの表面にＰＶＤ法により形成されたＰｄからなる厚さ０．１μｍの被膜を有する水素貯蔵材料。」（以下、「甲２発明１」という。）
及び
「ゼオライトの空孔（平均直径９オングストローム）内に保持される平均粒子径５ｎｍのＮｉ超微粒子を形成し、Ｎｉ超微粒子が保持されたゼオライトの表面にＰｄからなる厚さ０．１μｍの被膜をＰＶＤ法により形成することを含む水素貯蔵材料の製造方法。」 （以下、「甲２発明２」という。）
が記載されているということができる。
ウ　甲３に記載された発明（甲３発明１及び甲３発明２）
　上記（２）ウ（ウ）の記載事項から、甲３の実施例には偏光子（発明の名称参照。）に関し、
「石英ガラス基板と、基板上にＡｕ微粒子を含むＭｇＯ層（屈折率１．７）、Ａｕ微粒子を含むＺｎＳ層（屈折率２．３５）、Ａｕ微粒子を含むＭｇＦ2 層（屈折率１．７）の３層構造を周期単位とする単位積層体Ｐを３層積層させた偏光子。」（以下、「甲３発明１」という。）
及び
「石英ガラス基板を準備する工程と、マグネトロンスパッタ成膜法により基板上に誘電体層としてＭｇＯ，ＺｎＳ，ＭｇＦ2 の薄膜層を、金属粒子層として金（Ａｕ）の薄膜層を、交互に積層する工程と、石英ガラスの軟化点近傍の温度である１５００℃において加熱、延伸を行い、加熱によりＡｕ金属微粒子を凝集させてＡｕ金属粒子とする工程を有する偏光子の製造方法。」（以下、「甲３発明１」という。）
が記載されているということができる。
エ　甲４に記載された発明（甲４発明）
　甲４は上記「第４」における引用例１のことであるから、甲４には、上記「第４」２（１）において認定した引用１発明１（以下では、「甲４発明」ということとする。）が記載されているということができる。
（４）　甲１発明１に基づく本件発明１〜５、１１〜１４の新規性及び進歩性について
ア　本件発明１と甲１発明１の対比
　本件発明１と甲１発明１とを対比すると、甲１発明１における「Ｐｄからなる水素吸収体の島状の膜」は、上記（２）ア（ア）等の記載事項から「島状に粒子が分散配置された構造」であるので、本件発明１における「水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子」に相当するといえ、また、甲１発明１における「ＧａＮ膜」及び「ＳｉＯ２からなる水素透過膜」は、本件発明１における「固定部材」の下地」及び「膜」にそれぞれ相当するといえる。
　そして、両発明は少なくとも次の相違点Ａを有するものと認められる。
＜相違点Ａ＞
　本件発明１において、当該「固定部材」である「膜」が「複数の微結晶」を含むのに対し、甲１発明１における「ＳｉＯ２からなる水素透過膜」が複数の微結晶を含むか否か不明である点。
イ　相違点Ａについて
　相違点Ａについて検討する。
（ア）　上記（２）ア（イ）の【００１９】の記載事項における、「ＳｉＯ２からなる水素透過膜」が「スパッタ法などの成膜法」で形成されるという記載事項から、直ちに当該「ＳｉＯ２からなる水素透過膜」が複数の微結晶を含むということはできないから、相違点Ａは実質的な相違点である。
（イ）　次に、相違点Ａの容易想到性について検討する。
　甲１発明１における当該「ＳｉＯ２からなる水素透過膜」が、複数の微結晶を含むことについては、甲１に何らの記載も示唆もされておらず、甲２〜１０を子細にみても、「水素吸蔵金属元素を含む粒子」を微結晶を含む「固定部材」である「膜」で覆うことについて教示する記載を認めることはできない。そうである以上、甲１〜１０の記載事項に基づいて、当該相違点Ａに係る本件発明１の構成を容易想到の事項ということはできない。そして、本件発明１は、「第４」２（３）イ（イ）に記載のとおり、複数の微結晶を含む「膜」とすることにより、上記の有利な効果を奏するものといえる。
　
ウ　本件発明２及び４について
　また、本件発明２及び４と甲１発明１との対比においても、少なくとも、上記アの相違点Ａと同様の相違点が存するものといえ、また、当該相違点に係る本件発明の構成は上記イにおける相違点Ａの検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
エ　本件発明３、５、１１〜１４について
　更に、本件発明３、５、１１〜１４は、本件発明１、２又は４の発明特定事項をすべて具備するものであるから、上記ア〜ウの検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
オ　以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１〜５、１１〜１４は、甲１発明１に対して新規性及び進歩性が欠如するということはできない。
（５）　甲１発明２に基づく本件発明１５及び１６の新規性及び進歩性について
ア　本件発明１５について
　本件発明１５と甲１発明２とを対比すると、両発明は少なくとも、上記（４）アの相違点Ａと同様の相違点を有するものといえ、また、当該相違点に係る本件発明１５の構成は上記（４）イにおける相違点Ａの検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
イ　本件発明１６について
　また、本件発明１６は、本件発明１５の発明特定事項をすべて具備するものであるから、上記アの検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
ウ　以上のとおりであるから、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１５及び１６は、甲１発明２に対して新規性及び進歩性が欠如するということはできない。
（６）　甲２発明１に基づく本件発明１及び６の新規性及び進歩性について
ア　本件発明１と甲２発明１の対比
　本件発明１と甲２発明１とを対比すると、甲２発明１における「Ｎｉ超微粒子」は、本件発明１における「水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子」に相当し、また、甲２発明１における「ゼオライト」は本件発明１における「固定部材」に相当するといえるものの、両発明は少なくとも次の相違点Ｂを有するものと認められる。
＜相違点Ｂ＞
　本件発明１において、「固定部材」が「下地」及び「膜」からなるのに対し、甲２発明１における「ゼオライト」は多孔質体であって「下地」及び「膜」からなるものではない点。
イ　相違点Ｂについて
　相違点Ｂは実質的な相違点であることは明らかであるので、相違点Ｂの容易想到性について検討する
　上記（２）イ（ア）の記載事項によれば、甲２に記載された水素貯蔵材料の発明は、「水素吸蔵能を備える金属超微粒子」を「多孔質体の空孔内に保持」することで、「金属の超微粒子の凝集」を妨げるという課題を解決するものであるから、当該「多孔質体」は必須の手段であることが理解できる。
　そうすると、甲２発明１において、当該「多孔質体」に相当する「ゼオライト」はその主体となるものであるから、それに代えて、当該「多孔質体」とは異なる相違点Ｂに係る「下地」及び「膜」を採用すると、甲２発明１自体が成立しないこととなるため、当該採用には阻害要因が存するものというべきである。
　また、甲１、３〜１０の記載事項をみても、当該相違点Ｂに係る本件発明１の構成を容易想到とするに足りる記載は見当たらない。
ウ　本件発明６について
　また、本件発明６と甲２発明１との対比においても、両発明は少なくとも、上記アの相違点Ｂと同様の相違点を有するものといえ、また、当該相違点に係る本件発明６の構成は上記イにおける相違点Ｂの検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
エ　以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１及び６は、甲２発明１に対して新規性及び進歩性が欠如するということはできない。
（７）　甲２発明１に基づく本件発明７の進歩性について
ア　対比
　本件発明７と甲２発明１とを対比すると、甲２発明１における「Ｎｉ超微粒子」は、本件発明７における「水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子」に相当し、甲２発明１における「ゼオライト」は、本件発明７における「固定部材」相当し、甲２発明１における「ゼオライトの表面にＰＶＤ法により形成されたＰｄからなる厚さ０．１μｍの被膜」は、本件発明７における「固定部材を覆うように配置された被覆膜」相当するといえる。
　しかしながら、両発明は少なくとも次の相違点Ｃを有するものと認められる。
＜相違点Ｃ＞
　本件発明７においては、「被覆膜」の不活性ガス含有率が「固定部材」の不活性ガス含有率よりも高いのに対し、甲２発明１は、「ゼオライトの表面にＰＶＤ法により形成されたＰｄからなる厚さ０．１μｍの被膜」及び「ゼオライト」の不活性ガス含有率について明示するものではない点。
イ　相違点Ｃについて
　相違点Ｃの容易想到性について検討すると、甲１〜１０には、当該不活性ガス含有率については何ら記載されていないから、これらの証拠の記載事項に基づいて、甲２発明１において、当該相違点Ｃに係る本件発明７の構成を備えるものとすることが、当業者において容易に想到し得るものとはいい難く、一方、本件発明７は、「第４」２（５）イ（イ）に記載のとおり不活性ガスを含む「被覆膜」とすることにより、上記の有利な効果を奏するものといえる。
ウ　以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明７は、甲２発明１に対して進歩性が欠如するということはできない。
（８）　甲２発明１に基づく本件発明８及び９の新規性及び進歩性について
ア　本件発明８と甲２発明１の対比
　本件発明８と甲２発明１とを対比すると、甲２発明１における「Ｎｉ超微粒子」は、本件発明８における「水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子」に相当し、甲２発明１における「ゼオライト」は本件発明８における「固定部材」相当し、甲２発明１における「ゼオライトの表面にＰＶＤ法により形成されたＰｄからなる厚さ０．１μｍの被膜」は本件発明８における「固定部材を覆うように配置された被覆膜」相当するといえる。
　しかしながら、両発明は少なくとも次の相違点Ｄを有するものと認められる。
＜相違点Ｄ＞
　本件発明８では、「固定部材を覆うように配置された被覆膜」が「複数の微結晶」を含むのに対し、甲２発明１では、「ゼオライトの表面にＰＶＤ法により形成されたＰｄからなる厚さ０．１μｍの被膜」が複数の微結晶を含むか否か不明である点。
イ　相違点Ｄについて
（ア）　甲２発明１における「Ｐｄからなる厚さ０．１μｍの被膜」が「ＰＶＤ法」で形成されることのみをもって、直ちに当該「Ｐｄからなる厚さ０．１μｍの被膜」が複数の微結晶を含むということはできないから、相違点Ｄは実質的な相違点である。
　
（イ）　次に、相違点Ｄの容易想到性について検討する。
　甲１〜１０には、「水素吸蔵金属元素を含む粒子」の「固定部材」を微結晶を含む「被覆膜」で被覆することについて何ら記載されていないから、これらの証拠の記載事項に基づいて、甲２発明１において、当該相違点Ｄに係る本件発明８の構成を備えるものとすることが、当業者において容易に想到し得るものとはいい難く、一方、本件発明は、「第４」２（５）イ（イ）に記載のとおり複数の微結晶を含む「被覆膜」とすることにより、上記の有利な効果を奏するものといえる。
ウ　本件発明９について
　また、本件発明９と甲２発明１との対比においても、両発明は少なくとも、上記アの相違点Ｄと同様の相違点を有するものといえ、また、当該相違点に係る本件発明９の構成は上記イにおける相違点Ｄの検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
エ　以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明８及び９は、甲２発明１に対して新規性及び進歩性が欠如するということはできない。
（９）　甲２発明１に基づく本件発明１０〜１４の新規性及び進歩性について
　本件発明１０〜１４は、本件発明１、６〜９のいずれかの発明特定事項をすべて具備するものであるから、上記（６）〜（８）の検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
（１０）　甲２発明２に基づく本件発明１５の新規性及び進歩性について
ア　対比
　本件発明１５と甲２発明２とを対比すると、両発明は少なくとも次の相違点Ｅを有するものと認められる。
＜相違点Ｅ＞
　本件発明１５は、複数の粒子を形成する第１工程と、「微結晶を含む膜」を形成する第２工程が繰り返し行うのに対し、甲２発明２は、「Ｎｉ超微粒子が保持されたゼオライトの表面にＰｄからなる厚さ０．１μｍの被膜をＰＶＤ法により形成」している点。
イ　相違点Ｅについて
　相違点Ｅは実質的な相違点であるので、相違点Ｅの容易想到性について検討すると、甲２発明２における「Ｎｉ超微粒子」の形成はゼオライトに保持されるように行うものであり、また、上記「被膜」の形成は、「Ｎｉ超微粒子が保持されたゼオライトの表面」を被覆するものであるので、当該「被膜」の形成後、更に「Ｎｉ超微粒子」の形成工程と「被膜」の形成工程とを繰り返し行うことを、当業者は想定し得ないというほかない。
ウ　以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１５は、甲２発明２に対して新規性及び進歩性が欠如するということはできない。
（１１）　甲３発明１に基づく本件発明１〜１３の新規性及び進歩性について
ア　本件発明１、２、４、５、６、８及び９と甲３発明１との対比
　本件発明１、２、４、５、６、８及び９と甲３発明１とを対比すると、少なくとも次の相違点Ｆが存するものと認められる。
＜相違点Ｆ＞
　本件発明１、２、４、５、６、８及び９はいずれも、「水素吸蔵金属元素を含む粒子」を覆う「固定部材」や「膜」又は「固定部材」を被覆する「被覆膜」が「複数の微結晶」を含んでいるのに対し、甲３発明１において、「誘電体層」が「複数の微結晶」を含むか否か不明である点。
イ　相違点Ｆについて
（ア）　相違点Ｆについて検討すると、上記（２）ウ（ウ）の【００３３】の記載事項における「誘電体層」が「マグネトロンスパッタ成膜法」で形成されるという記載事項から、直ちに当該「誘電体層」が複数の微結晶を含むということはできないから、相違点Ｆは実質的な相違点である。
（イ）　次に、相違点Ｆの容易想到性について検討する。
　甲１〜１０には、「水素吸蔵金属元素を含む粒子」を覆う「固定部材」や「膜」又は「固定部材」を被覆する「被覆膜」を微結晶を含むものとすることについて何ら記載されていないから、これらの証拠の記載事項に基づいて、当該「誘電体層」を複数の微結晶を含むものとすることが、当業者において容易に想到し得るものとはいい難く、一方、本件発明１、２、４、５、６、８及び９は、「第４」２（３）イ（イ）又は「第４」２（５）イ（イ）に記載のとおり、複数の微結晶を含む「固定部材」や「膜」又は「被覆膜」とすることにより、上記の有利な効果を奏するものといえる。
ウ　本件発明７と甲３発明１との対比
　また、本件発明７と甲３発明１とを対比すると、両発明は少なくとも次の相違点Ｇを有するものと認められる。
＜相違点Ｇ＞
　本件発明７は、「被覆膜」の不活性ガス含有率が「固定部材」の不活性ガス含有率よりも高いのに対し、甲３発明１は、「誘電体層」の不活性ガス含有率についての明示がない点。
エ　相違点Ｇについて
　相違点Ｇの容易想到性について検討すると、甲１〜１０には、当該不活性ガス含有率について何ら記載されていないから、これらの証拠の記載事項に基づいて、甲３発明１において、当該相違点Ｇに係る本件発明７の構成を備えるものとすることが、当業者において容易に想到し得るものとはいい難く、一方、本件発明は、「第４」２（５）イ（イ）に記載のとおり不活性ガスを含む「被覆膜」とすることにより、上記の有利な効果を奏するものといえる。
オ　本件発明３、１０〜１３について
　更に、本件発明３、１０〜１３は、本件発明１、２、４〜９のいずれかの発明特定事項をすべて具備するものであるから、上記ア〜エの検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
カ　以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１〜１３は、甲３発明１に対して新規性及び進歩性が欠如するということはできない。
（１２）　甲３発明２に基づく本件発明１５〜１８の新規性及び進歩性について
ア　本件発明１５及び１７と甲３発明２との対比
　本件発明１５及び１７と甲３発明２とを対比すると、少なくとも上記相違点Ｆと同様の相違点が存するものといえ、また、当該相違点に係る本件発明の構成は上記（１１）イにおける相違点Ｆの検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
イ　本件発明１６及び１８について
　また、本件発明１６は、本件発明１５の発明特定事項をすべて具備するものであり、本件発明１８は、本件発明１７の発明特定事項をすべて具備するものであるから、上記アの検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
ウ　以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明１５〜１８は、甲３発明２に対して新規性及び進歩性が欠如するということはできない。
（１３）　甲４発明に基づく本件発明２、３、５、８〜１０の進歩性について
ア　本件発明２、５、８及び９と甲４発明との対比
　本件発明２、５、８及び９と甲４発明とを対比すると、少なくとも次の相違点Ｈが存するものと認められる。
＜相違点Ｈ＞
　本件発明２、５、８及び９はいずれも、「水素吸蔵金属元素を含む粒子」を覆う「固定部材」や「膜」又は「固定部材」を被覆する「被覆膜」が「複数の微結晶」を含んでいるのに対し、甲４発明は、「第１の試料層」が「複数の微結晶」を含むか否か不明である点。
イ　相違点Ｈについて
　相違点Ｈの容易想到性について検討すると、上記「第４」２（３）イの相違点１についての検討及び同（５）イの相違点２についての検討のとおり、、甲４には、甲４発明における当該「第１の試料層」が複数の微結晶を含むことについて何らの記載も示唆もなく、甲１〜３、５〜１０にも、この点に関する教示はないから、甲１〜１０の記載事項に基づいて、甲４発明において当該「第１の試料層」を複数の微結晶を含むものとすることが、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。そして、本件発明は、「第４」２（３）イ（イ）又は「第４」２（５）イ（イ）に記載のとおり複数の微結晶を含む「固定部材」や「膜」又は「被覆膜」とすることにより、上記の有利な効果を奏するものである。
ウ　また、本件発明３は本件発明２の発明特定事項をすべて具備するものであり、本件発明１０は本件発明９の発明特定事項をすべて具備するものであるから、上記ア及びイの検討と同様、当業者において容易に想到し得るものとはいい難い。
エ　以上のとおりであるから、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２、３、５、８及び９は、甲４発明に対して進歩性が欠如するということはできない。
（１４）　甲４発明に基づく本件発明７の進歩性について
ア　対比
　本件発明７と甲４発明とを対比すると、両発明は少なくとも次の相違点Ｉを有するものと認められる。
＜相違点Ｉ＞
　本件発明７は、「被覆膜」の不活性ガス含有率が「固定部材」の不活性ガス含有率よりも高いのに対し、甲４発明はこの点を有しない点。
イ　相違点Ｉについて
　相違点Ｉの容易想到性について検討すると、甲１〜１０には、当該不活性ガス含有率について何ら記載されていないから、これらの証拠の記載事項に基づいて、甲４発明において、当該相違点Ｉに係る本件発明７の構成を備えるものとすることが、当業者において容易に想到し得るものとはいい難く、一方、本件発明は、「第４」２（５）イ（イ）に記載のとおり不活性ガスを含む「被覆膜」とすることにより、上記の有利な効果を奏するものといえる。
ウ　以上のとおりであるから、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明７は、甲４発明に対して進歩性が欠如するということはできない。
（１５）　小括
　以上の検討のとおり、本件発明１〜１８は、甲１、２、３又は４に記載された発明に対して新規性及び進歩性が欠如するということはできないから、請求項１〜１８に係る特許は、特許法第２９条の規定に違反してされたものであるとはいえず、同法第１１３条第２号に該当しないため、申立理由１（新規性欠如）及び申立理由２（進歩性欠如）を理由に、取り消すことはできない。
３　申立理由３（サポート要件違反）について
（１）　申立理由３（サポート要件違反）についての具体的な指摘事項は、要するに、設定登録時の請求項２〜１８に係る発明において、「固定部材」や「膜」が、水素吸蔵金属元素を含む粒子が水素を吸蔵して発熱した際に、凝集を防止し得る耐熱性を有する材料であることを表す事項が特定されていないため、「水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子の凝集を抑制する」（本件明細書の【０００５】）という本件発明の課題を解決することができず、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えることとなるというものである。
（２）　しかしながら、発明の詳細な説明の記載に接した当業者であれば、「各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置され、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれている」（本件明細書の【０００６】）及び「各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子を互いに離隔するように形成する第１工程と、前記複数の粒子を覆うように膜を形成する第２工程とを含む」（同【０００７】）という、当該「水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子」が固定部材又は膜により取り囲まれ又は覆われる構造的特徴により、当該粒子間には当該固定部材又は当該膜が介在することとなり、介在物がない場合に比して、当該粒子の凝集を抑制することができ、もって本件課題の解決に至ることを理解できるのであるから、本件発明２〜１８は、発明の詳細な説明の記載に基づいて、当業者において、当該課題が解決できると認識し得る範囲内のものであるということができる。
（３）　小括
　以上のとおりであるから、請求項２〜１８に係る特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえず、同法第１１３条第４号に該当しないため、申立理由３（サポート要件違反）を理由に、取り消すことはできない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件特許の請求項１〜１８に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許の請求項１〜１８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年１２月１日（２０２０．１２．１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、前記固定部材が酸化物および窒化物の少なくとも１つを含
み
前記固定部材は、下地と、前記下地の表面の上に配置された膜とを含み、前記複数の粒子は、前記下地の前記表面の上に配置され前記下地の前記表面からの距離が互いに異なる２以上の粒子を含み、前記膜は、複数の微結晶を含む、
ことを特徴とする構造体。
　【請求項２】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、前記固定部材が複数の微結晶を含み、前記複数の微結晶の粒界に不活性ガスが存在する、
ことを特徴とする構造体。
　【請求項３】
　前記固定部材における前記不活性ガスの含有率は、０．５原子％以上である、
ことを特徴とする請求項２に記載の構造体。
　【請求項４】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、前記固定部材は、下地と、前記下地の上に配置された膜とを含み、
前記膜は、複数の微結晶を含み、前記膜は、前記下地の上に配置された第１膜と、前記第１膜の上に配置された第２膜とを含み、
前記下地の
第１
と、前記第１膜と前記第２膜との間に配置された第２粒子と
第１
第１
第１
ことを特徴とする構造体。
　【請求項５】
　
各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、前記固定部材は、下地と、前記下地の上に配置された膜とを含み、前記複数の粒子は、前記下地の表面に接触するように前記下地の前記表面に沿って２次元状に配置された粒子を含み、前記２次元状に配置された粒子は、前記膜を介して相互に離隔して配置され、かつ、前記膜によって覆われ、
前記膜は、複数の微結晶を含み、前記複数の粒子の各々は、前記膜の前記複数の微結晶の少なくとも１つに接している、
ことを特徴とす
る構
　【請求項６】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記固定部材を覆うように配置された被覆膜を有し、
前記被覆膜は、複数の微結晶を含み、
れ、前記固定部材は、下地と、前記下地の表面の上に配置された膜とを含み、前記複数の粒子は、前記下地の前記表面に接触するように前記下地の前記表面に沿って２次元状に配置された粒子を含む、
ことを特徴とする構造体。
　【請求項７】
　
各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記固定部材を覆うように配置された被覆膜を有し、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、
　前記被覆膜の不活性ガスの含有率は、前記固定部材における不活性ガスの含有率よりも高い、
ことを特徴とす
る構
　【請求項８】
　
各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記固定部材を覆うように配置された被覆膜を有し、前記被覆膜は、複数の微結晶を含み、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、
　前記被覆膜の原子量または分子量は、前記固定部材の原子量または分子量よりも大きい
ことを特徴とす
る構
　【請求項９】
　
各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子が相互に離隔されるように固定部材の中に配置された構造体であって、前記固定部材を覆うように配置された被覆膜を有し、前記複数の粒子の各々の表面の全体が前記固定部材によって取り囲まれ、
　前記被覆膜は、複数の微結晶を含み、前記被覆膜の前記複数の微結晶の粒界に不活性ガスが存在する、
ことを特徴とす
る構
　【請求項１０】
　前記被覆膜における前記不活性ガスの含有率は、０．５原子％以上である、
ことを特徴とする請求項９に記載の構造体。
　【請求項１１】
　前記複数の粒子の各々が１０００ｎｍ以下の寸法を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の構造体。
　【請求項１２】
　前記複数の粒子の各々が１００ｎｍ以下の寸法を有する、
ことを特徴とする請求項１１に記載の構造体。
　【請求項１３】
　前記固定部材は、融点が１４００℃以上の材料で構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の構造体。
　【請求項１４】
　前記複数の粒子において、隣接する粒子の間の距離が、１ｎｍ以上かつ１０ｎｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の構造体。
　【請求項１５】
　各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子を互いに離隔するように形成する第１工程と、
　前記複数の粒子を覆うように
複数の微結晶を含む
み、
　前記第１工程および前記第２工程を含む処理を繰り返す、
ことを特徴とする構造体の製造方法。
　【請求項１６】
　前記第１工程では、スパッタリング法によって前記複数の粒子を形成し、前記第２工程では、スパッタリング法によって前記膜を形成する、
ことを特徴とする請求項１５に記載の構造体の製造方法。
　【請求項１７】
　
各々が水素吸蔵金属元素を含む複数の粒子を互いに離隔するように形成する第１工程と、
　
前記複数の粒子を覆うように複数の微結晶を含む膜を形成する第２工程と、を含み、
　
前記第１工程では、スパッタリング法によって前記複数の粒子を形成し、前記第２工程では、スパッタリング法によって前記膜を形成し、
　前記第１工程および前記第２工程を含む処理を繰り返す、
ことを特徴とす
る構
　【請求項１８】
　前記第１工程では、スパッタリング法によって前記複数の粒子を形成し、前記第２工程では、スパッタリング法によって前記膜を形成し、
　下地をスパッタリング装置に搬入した後、前記下地を前記スパッタリング装置から搬出することなく、前記下地に対して前記処理を繰り返す、
ことを特徴とする請求項１７に記載の構造体の製造方法。