(57)【要約】【課題】支持体の上に微細な多層配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に搭載する複合配線基板及びその製造方法において、支持体を剥離する工程における収率を向上させ、歩留まりの良い複合配線基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】第１配線基板と、第２配線基板とが接合部で接合され、前記第１配線基板と前記第２配線基板とが対向する間隙の、前記接合部以外の領域にアンダーフィルが充填された複合配線基板であって、前記第１配線基板の、前記第２配線基板と対向する側の最表面絶縁樹脂層上に、前記アンダーフィルの前記第２配線基板への這い上がりを調整する調整部位が形成されている、複合配線基板及びその製造方法とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線基板と、第２配線基板とが接合部で接合され、
前記第１配線基板と前記第２配線基板とが対向する間隙の、前記接合部以外の領域にアンダーフィルが充填された複合配線基板であって、
前記第１配線基板の、前記第２配線基板と対向する側の最表面絶縁樹脂層上に、前記アンダーフィルの前記第２配線基板への這い上がりを調整する調整部位が形成されている、
ことを特徴とする複合配線基板。
【請求項２】
前記調整部位は、すべての前記接合部を含む接合領域の外周部に、平面視で枠状に、断面視で凸状に形成され、高さは１０〜１００μｍである、
ことを特徴とする請求項１に記載の複合配線基板。
【請求項３】
前記調整部位は、前記アンダーフィルの注入後に形成されるフィレット幅よりも平面方向に長い、
ことを特徴とする、請求項１または２に記載の複合配線基板。
【請求項４】
第１配線基板と、第２配線基板とが接合部で接合され、
前記第１配線基板と前記第２配線基板とが対向する間隙の、前記接合部以外の領域にアンダーフィルが充填された複合配線基板の製造方法であって、
以下の工程を順次含む、
ことを特徴とする複合配線基板の製造方法。
１）前記第１配線基板の、前記第２配線基板と対向する側の最表面絶縁樹脂層上に、前記アンダーフィルの前記第２配線基板への這い上がりを調整する調整部位を形成する工程。２）前記第１配線基板と、支持体付きの前記第２配線基板と、を接合部で接合する工程。３）前記第１配線基板と前記第２配線基板とが対向する間隙の、前記接合部以外の領域にアンダーフィルを充填する工程。
４）前記アンダーフィルを硬化する工程。
５）前記第２配線基板から前記支持体を剥離する工程。
【請求項５】
前記支持体はガラスである、
ことを特徴とする請求項４に記載の複合配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ用配線基板の一種である複合配線基板、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年半導体装置の高速、高集積化が進む中で、ＦＣ−ＢＧＡ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ-Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）用配線基板に対しても、半導体素子との接続端子の狭ピッチ化、配線の微細化が求められている。一方、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板とマザーボードとの接続は、従来とほぼ変わらないピッチの接続端子での接続が要求されている。
【０００３】
前記の配線の微細化、半導体素子との接続端子の狭ピッチ化のため、シリコン上に配線を形成して半導体素子接続用の基板（シリコンインターポーザ）として、それぞれＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に接続する方式が特許文献１に開示されている。また、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板の表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）等で平坦化してから微細な多層配線層を形成する方式が特許文献２に開示されている。また、支持体の上に微細な多層配線層を形成した配線基板をＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に搭載した後、支持体を剥離することで、狭ピッチで微細な多層配線を有する複合配線基板を作製する方式が特許文献３に開示されている。
【０００４】
シリコンインターポーザは、シリコンウェハを利用して、半導体前工程用の設備を用いて作製されている。シリコンウェハは形状、サイズに制限があり、１枚のウェハから作製できるインターポーザの数が少なく、製造設備は高価であるため、インターポーザも高価となる。また、シリコンウェハが半導体であることから、伝送特性も劣化するという問題がある。
【０００５】
また、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板の表面の平坦化を行いその上に微細な多層配線層を形成する方式においては、シリコンインターポーザに見られる伝送特性劣化の問題は無いが、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板の製造不良と、難易度の高い微細な多層配線層形成時の不良との合算で収率が低下する問題や、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板の反り、歪みに起因した半導体素子の実装精度の問題がある。
【０００６】
また、支持体の上に微細な多層配線層を形成した配線基板をＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に搭載して複合配線基板を作製する方式では、伝送特劣化の問題はなく、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板と微細な多層配線層とを別々に作成するため合算で収率が低下する問題もない。しかしながら、この方式では、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に搭載した後に支持体を剥離するため、支持体の剥離時に不良が発生し収率が低下する問題があった。すなわち、微細な多層配線層と比較して厚く剛性の高い支持体を剥離する必要があるので、製造工程において高い精度の加工制御を必要とする問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２８０４９０号公報
【特許文献２】特開２０１４−２２５６７１号公報
【特許文献３】国際公開第２０１８／０４７８６１号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、支持体の上に微細な多層配線層を形成した配線基板（以下、第２配線基板と称する）を、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板（以下、第１配線基板と称する）に搭載する複合配線基板の製造において、支持体を剥離する工程における収率を向上させ、歩留まりの良い複合配線基板の製造方法、及びそれによって得られる複合配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、第１配線基板と、第２配線基板とが接合部で接合され、
前記第１配線基板と前記第２配線基板とが対向する間隙の、前記接合部以外の領域にアンダーフィルが充填された複合配線基板であって、
前記第１配線基板の、前記第２配線基板と対向する側の最表面絶縁樹脂層上に、前記アンダーフィルの前記第２配線基板への這い上がりを調整する調整部位が形成されている、
ことを特徴とする複合配線基板としたものである。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記調整部位は、すべての前記接合部を含む接合領域の外周部に、平面視で枠状に、断面視で凸状に形成され、高さは１０〜１００μｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の複合配線基板としたものである。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記調整部位は、前記アンダーフィルの注入後に形成されるフィレット幅よりも平面方向に長い、ことを特徴とする、請求項１または２に記載の複合配線基板としたものである。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、第１配線基板と、第２配線基板とが接合部で接合され、
前記第１配線基板と前記第２配線基板とが対向する間隙の、前記接合部以外の領域にアンダーフィルが充填された複合配線基板の製造方法であって、
以下の工程を順次含む、ことを特徴とする複合配線基板の製造方法としたものである。
１）前記第１配線基板の、前記第２配線基板と対向する側の最表面絶縁樹脂層上に、前記アンダーフィルの前記第２配線基板への這い上がりを調整する調整部位を形成する工程。２）前記第１配線基板と、支持体付きの前記第２配線基板と、を接合部で接合する工程。３）前記第１配線基板と前記第２配線基板とが対向する間隙の、前記接合部以外の領域にアンダーフィルを充填する工程。
４）前記アンダーフィルを硬化する工程。
５）前記第２配線基板から前記支持体を剥離する工程。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、前記支持体はガラスである、ことを特徴とする請求項４に記載の複合配線基板の製造方法としたものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、支持体の上に微細な多層配線層を形成した第２配線基板を、第１配線基板に搭載する複合配線基板の製造において、新規な形状工夫によって支持体を精度良く剥離できるため、工程の収率を向上させることが可能となる。そのため、歩留まり良く製造できる複合配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る、複合配線基板の一例を示す模式断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る複合配線基板に、半導体素子を実装した半導体パッケージの一例を示す模式断面図である。
【図３】支持体の上に微細な多層配線層を形成する第２配線基板の製造プロセスの一例を工程順に示す模式断面図である。
【図４】図３に続く製造プロセスを工程順に示す模式断面図である。
【図５】図４に続く製造プロセスを工程順に示す模式断面図である。
【図６】図５に続く製造プロセスを工程順に示す模式断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る、複合配線基板の製造方法の製造プロセスを工程順に示す模式断面図（図７（ｂ）のみ模式平面図）である。
【図８】図７に続く製造プロセスを工程順に示す模式断面図である。
【図９】図８に続く製造プロセスを工程順に示す模式断面図であり、（ｃ）は（ｂ）の破線円Ａ部を拡大した図である。
【図１０】従来の複合配線基板の製造工程中の一形態であり、（ａ）は第１配線基板と第２配線基板との接合前の模式断面図、（ｂ）は支持体剥離前の模式断面図、（ｃ）はアンダーフィルが充填時にはみ出した場合の模式平面図、（ｄ）ははみ出した部分を拡大して示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の一実施形態に関わる複合配線基板及びその製造方法について図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する各図において相互に対応する部分には同一符号を付し、重複部分においては後述での説明を適宜省略する。また、各図面は説明を容易にするために適宜誇張して表現している。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態に係る、複合配線基板の一例を示す模式断面図である。
本発明の一実施形態に係る複合配線基板１００は、第１配線基板１と、第２配線基板３とが接合部１８で接合され、第１配線基板１と第２配線基板３とが対向する間隙の、接合部１８以外の領域にアンダーフィル２が充填された複合配線基板であって、第１配線基板１の、第２配線基板３と対向する側の最表面絶縁樹脂層（ソルダーレジスト）２１上に、アンダーフィル２の第２配線基板３への這い上がり（図１０で後述する）を調整するための調整部位３０が形成されている。
【００１８】
すなわち、複合配線基板１００は、第１配線基板１の一方の面に、樹脂と配線とが積層されてなるビルドアップ配線層のみで形成された微細な多層配線層を備えた薄い第２配線基板３が、はんだバンプまたは銅ポスト（銅ピラー）または金バンプなどで接合（接合部１８）されている。また、第１配線基板１と第２配線基板３との間隙が絶縁性の接着材料であるアンダーフィル２で充填されている。
【００１９】
調整部位３０の好ましい形状、高さ、長さについては、後述（図７〜図９）の本発明の一実施形態に係る、複合配線基板の製造方法において説明する。
【００２０】
アンダーフィル２は、第１配線基板１と第２配線基板３とを固定し、接合部１８を封止するために用いられる接着材料である。アンダーフィル２としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂の１種またはこれらの樹脂の２種類以上が混合された樹脂に、フィラーとしてのシリカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、または酸化亜鉛等が加えられた材料が好適である。
【００２１】
図２は、本発明の一実施形態に係る複合配線基板１００に、半導体素子を実装した半導体パッケージ１０００の一例を示す模式断面図である。
【００２２】
半導体パッケージ１０００は、本発明の一実施形態に係る複合配線基板１００が備える第２配線基板３の、第１配線基板１とは逆側の面に半導体素子４が銅ピラー及びその先端の半田で接合（接合部２０）され、半導体素子４と第２配線基板３との間隙がアンダーフィル２２で充填されている。
【００２３】
アンダーフィル２２は半導体素子４と第２配線基板３とを固定し、接合部２０を封止するために用いられる接着剤であり、アンダーフィル２と同様の材料で構成される。
【００２４】
第２配線基板３と半導体素子４との接合部２０の個々の間隔は、第２配線基板３と第１配線基板１との接合部１８の個々の間隔よりも狭いことが要求される。そのため、第２配線基板３において、半導体素子４と接合する側の方が、第１配線基板１と接合する側よりも微細な多層配線が必要となる。例えば、現在のハイバンドメモリ（ＨＢＭ）の使用に対応するためには、第２配線基板３では配線幅を２μｍ以上６μｍ以下にする必要がある。特性インピーダンスを５０Ωにあわせるためには、配線幅が２μｍ、配線高さ２μｍの場合、配線間の絶縁膜厚は２.５μｍとなる。従って、配線も含めたい１層の厚さは４.５μｍとなり、この厚さで５層の第２配線基板３を形成する場合、第２配線基板３は、総厚２５μｍ程度となる。
【００２５】
前記の通り、第２配線基板３の厚みは総厚２５μｍ程度と薄く、そのままの状態では第１配線基板１と接合するのが困難であるため、支持体を用いて剛直性を担保することが有効である。また、２μｍ程度の幅と高さを有する配線を形成するには、平坦な支持体が必要となる。これらの理由により、第２配線基板３は、剛直で平坦な支持体上に剥離層６と保護層７とシード層８を介して形成される。尚、支持体上には剥離層６、保護層７、シード層８以外の層を設けてもよい。
【００２６】
次に図３から図６の模式断面図を用いて、支持体５の上に微細な多層配線層を形成する第２配線基板３の製造プロセスの一例を工程順に示す。
まず、図３（ａ）に示すように、支持体５の一方の面に、後の工程で支持体５を剥離するために必要な剥離層６を形成する。
【００２７】
剥離層６は、例えば、ＵＶ光などの光を吸収して発熱、もしくは、変質によって剥離可能となる樹脂でもよく、熱による発泡によって剥離可能となる樹脂でもよい。ＵＶ光などの光によって剥離可能となる樹脂を用いる場合、後述のように、剥離層６を設けた側とは反対側の面から支持体５に光を照射して、第２配線基板と第１配線基板との接合体から支持体５を剥離する。このため、支持体５は、透明性を有する必要があり、例えばガラスを用いることが好ましい。ガラスは平坦性に優れており、第２配線基板３の微細なパターン形成にも適している、また、ガラスはＣＴＥ（ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｘｐａｎｓｉｏｎ、熱膨張率）が小さく歪みにくいことから、パターン配置精度及び平坦性の確保に優れる。支持体５としてガラスを用いる場合、ガラスの厚さは、製造プロセスにおける反りの発生を抑制する観点から厚い方が望ましく、例えば０．７ｍｍ以上、好ましくは１．１ｍｍ以上の厚みとする。
【００２８】
また、ガラスのＣＴＥは３ｐｐｍ以上１５ｐｐｍ以下が好ましく、第１配線基板１、半導体素子４のＣＴＥと比較して９ｐｐｍ程度がより好ましい。一方、剥離層６として熱によって発泡する樹脂を用いる場合は、第２配線基板３と第１配線基板１との接合体を加熱することで支持体５を剥離する。この場合、支持体５には、歪みの少ない例えばメタルやセラミックスなどを用いることができる。本発明の複合配線基板の製造方法では、剥離層６としてＵＶ光を吸収して剥離可能となる樹脂を用い、支持体５にはガラスを用いることが好ましい。
【００２９】
次に、図３（ｂ）に示すように、剥離層６の上に保護層７を形成する。保護層７は、後の工程で支持体５を剥離する際に第２配線基板３を保護するための層であり、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂の１種またはこれらの樹脂の２種類以上が混合された樹脂であり、第２配線基板３
を支持体５から剥離後に除去可能な樹脂である。保護層７については、スピンコート、ラミネート等、樹脂の性状に応じて適宜形成することができる。本発明の複合配線基板の製造方法の一実施形態ではアクリル系樹脂をラミネート法により形成する。
【００３０】
次に、図３（ｃ）に示すように、真空中で、保護層７上にシード層８を形成する。シード層８は配線形成用において、電解めっきの給電層として作用する。シード層８は、例えば、スパッタリング法、またはＣＶＤ法などにより形成され、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｉＮ、Ｃｕ３Ｎ４、Ｃｕ合金など単体もしくはそれらを複数組み合わせたものを採用することができる。本発明の複合配線基板の製造方法では、電気特性、製造の容易性の観点及びコスト面を考慮して、チタン層、続いて銅層を順次スパッタリング法で形成する。チタン層と銅層の合計の膜厚は、電解めっきの給電層として１μｍ以下とすることが好ましい。本発明の複合配線基板の製造方法の一実施形態ではＴｉ：５０ｎｍ、Ｃｕ：３００ｎｍを形成する。
【００３１】
次に図３（ｄ）に示すようにレジストパターン９を形成し、電解めっきにより導体層（第１電極）１０を形成する。導体層１０は半導体素子４と接合用の電極となる。電解めっき法としては電解ニッケルめっき、電解銅めっき、電解クロムめっき、電解Ｐｄめっき、電解金めっき、電解ロジウムめっき、電解イリジウムめっき等が挙げられるが、電解銅めっきであることが簡便かつ安価で、電気伝導性が良好であることから望ましい。電解銅めっきの厚みは、回路の接続信頼性、及び製造コストの観点から、１μｍ以上３０μｍ以下であることが望ましい。その後、図４（ａ）に示すようにレジストパターン９を除去する。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示すように絶縁樹脂層１１を形成する。絶縁樹脂層１１は導体層１０が絶縁樹脂層１１の層内に埋め込まれるように形成する。本実施形態では、絶縁樹脂層１１として例えば、感光性のエポキシ系樹脂をスピンコート法により形成する。感光性のエポキシ樹脂は比較的低温で硬化することができ、形成後の硬化による収縮が少ないため、その後の微細パターン形成に優れる。絶縁樹脂層１１としては、感光性のエポキシ系樹脂を用いてスピンコート法により形成する他、絶縁樹脂フィルムを真空ラミネータで圧縮キュアを行って形成することも可能であり、この場合は平坦性の良い絶縁膜を形成することができる。その他、例えばポリイミドを絶縁樹脂として用いることも可能である。
【００３３】
次に、図４（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー法により、導体層１０上に開口部１１ａを設ける。開口部１１ａに対して、現像時の残渣除去を目的として、プラズマ処理を行ってもよい。
【００３４】
次に、図４（ｄ）に示すように、開口部１１ａを含む表面上にシード層１２を設ける。シード層１２の構成については前述したシード層８と同様で、適宜構成、厚みを変更可能である。本発明の複合配線基板の製造方法の一実施形態ではＴｉ：５０ｎｍ、Ｃｕ：３００ｎｍをスパッタリング法で形成する。
【００３５】
次に、図５（ａ）に示すように、シード層１２上にレジストパターン１３を形成し、その開口部に電解めっきにより導体層（配線層）１４を形成する。導体層１４は、第２配線基板３の内部の配線層となる。本発明の複合配線基板の製造方法の一実施形態では導体層１４として銅を形成する。その後、図５（ｂ）に示すようにレジストパターン１３を除去する。その後、不要なシード層１２をエッチング除去する。
【００３６】
次に、図４（ｂ）から図５（ｂ）後のシード層除去までの工程を繰り返し、図５（ｃ）に示すような、導体層（配線層）１４が多層化された基板を得る。導体層１４の内、最表面に配置される導体層（第２電極）１５は、第１配線基板１との接合用の電極となる。
【００３７】
次に、図６（ａ）に示すように、最表面絶縁樹脂層１６を形成する。最表面絶縁樹脂層１６は、絶縁樹脂層１１を覆うように、露光、現像により導体層１５が露出するように開口部を備えるように形成する。本発明の複合配線基板の製造方法の一実施形態では、最表面絶縁樹脂層１６として感光性エポキシ樹脂を使用する。尚、最表面絶縁樹脂層１６は絶縁樹脂層１１と同一材料でも構わない。
【００３８】
次に、図６（ｂ）に示すように導体層１５の表面の酸化防止とはんだバンプの濡れ性をよくするため、表面処理層１７を設ける。本発明の複合配線基板の製造方法の一実施形態では、表面処理層１７として無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきを成膜する。尚、表面処理層１７には、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｏｉｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ  Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ、水溶性プレフラックス）による表面処理膜を形成してもよい。また、無電解スズめっき、無電解Ｎｉ／Ａｕめっきなどから適宜用途に応じて選択してもよい。
【００３９】
次に、図６（ｃ）に示すように、表面処理層１７上に、はんだ材料を搭載した後、一度溶融冷却して固着させることで、はんだバンプからなる、第１配線基板１との接合部１８ａを得る。これにより、支持体５付き第２配線基板３が完成する。
【００４０】
続いて、図７〜図９の模式断面図（図７（ｂ）のみ模式平面図）を用いて、本発明の一実施形態に係る、複合配線基板の製造方法の製造プロセスを工程順に説明する。
【００４１】
図７（ａ）、図７（ｂ）に示すように、第１配線基板１の、第２配線基板との接合領域４０の周辺に、第２配線基板へのアンダーフィル這い上がりを調整するための調整部位３０を形成する。ここで接合領域４０とは、すべての接合部１８ｂを含む領域である。調整部位３０は、第１配線基板１の、第２配線基板３と対向する側の最表面絶縁樹脂層２１（ソルダーレジスト）上に、第２配線基板３との接合領域４０の周辺を取り囲むように、平面視で枠状、断面視で凸状（矩形が好ましい）の樹脂層として形成する。調整部位３０の高さＨは、アンダーフィルを注入する第１配線基板と第２配線基板との間隙（スタンドオフ）の５割以上でアンダーフィル注入のために間隙よりも小さいことが望ましく、一般的なはんだ高さを考慮すると、１０〜１００μｍが望ましい。尚、本発明の複合配線基板の模式断面図では、後述の図８（ｃ）以外、見易さのために、調整部位３０の高さを間隙の広さとほぼ同等に描いている。
【００４２】
調整部位３０の幅Ｗは、アンダーフィルの注入に支障がなく、かつアンダーフィル注入時に形成されるフィレット部２Ｆの幅ｗｆ（後述の図８（ｃ）参照）よりも平面方向に長いことが好ましい。また、調整部位３０を設置する位置は第２配線基板との接合領域４０の最外周のはんだバンプと、接しない程度に近いことが望ましい。さらに、調整部位３０にはアンダーフィルをより注入しやすくするための微細な孔を設けてもよい。
【００４３】
調整部位３０の形成方法としては、予めフィルム材料を枠形状に断裁し、第１配線基板１に接着する。その他の形成方法としては、スクリーンや感光性材料を使用し露光、現像を行って、第１配線基板１の最表面絶縁樹脂層２１上に形成しても構わない。
【００４４】
次に、図８（ａ）に示すように、支持体５上に形成された第２配線基板３の接合部１８ａに合わせて第１配線基板１の接合部１８ｂを設計、製造した第１配線基板１に対して、支持体５上に形成された第２配線基板３を配置する。
【００４５】
続いて、図８（ｂ）に示すように、支持体５上に形成された第２配線基板３と第１配線基板１の間隙にアンダーフィル２を注入し、はんだ接合部の封止を行う。アンダーフィル２には第１配線基板１と第２配線基板３との間隙の体積に応じて、適宜注入量を設定して注入する。本発明では調整部位３０の存在により、アンダーフィル２の注入時に、アンダーフィル２が第２配線基板３の外側へ急速に排出されることがなく、第２配線基板３へのアンダーフィル２の這い上がりが抑制されるとともに、アンダーフィル２が平面視で、より矩形状に接合領域４０（図７（ｂ）参照）上に広がって充填される。
【００４６】
図８（ｃ）は図８（ｂ）の破線円Ａ部を拡大した図である。このように、通常アンダーフィル２は、第２配線基板３と第１配線基板１の間隙よりも外側まで斜面状に広がるフィレット部２Ｆを生じるため、本発明の一実施形態に係る複合配線基板が備える調整部位３０の幅Ｗはフィレット部２Ｆの幅ｗｆよりも平面方向に長いことが好ましい。
【００４７】
次に、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、支持体５を剥離する。剥離層６は、ＵＶ光をレーザ光１９で照射して剥離する。すなわち、支持体５の第１配線基板１とは逆側の面からレーザ光２０を支持体５との界面に形成された剥離層６に照射し剥離可能な状態とすることで、図９（ｂ）に示すように支持体５を取り外すことが可能となる。本発明の一実施形態に係る複合配線基板では、アンダーフィルの第２配線基板３への這い上がりを調整する調整部位３０が存在することにより、第２配線基板３へのアンダーフィルの這い上がりが抑制されているので、高い収率を確保することができる。
【００４８】
次に、保護層７とシード層８を除去する。本発明の実施形態では、保護層７は、アクリル系樹脂を用いており、アルカリ系溶剤（１％ＮａＯＨ、２．３％ＴＭＡＨ）によって除去する。さらに、シード層８は、保護層７側からチタンと銅を用いており、それぞれアルカリ系のエッチング剤と、酸系のエッチング剤にて溶解除去することができる。このようにして、第２配線基板３と第１配線基板１とが接合された本発明の一実施形態に係る複合配線基板１００を得る。
【００４９】
この後、表面に露出した導体層１０上に、酸化防止と半田バンプの濡れ性をよくするため、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき、ＯＳＰ、無電解スズめっき、無電解Ｎｉ／Ａｕめっきなどの表面処理を施してもよい。
【００５０】
＜作用効果＞
上述したような複合配線基板１００の構成とその製造方法を用いた場合の作用効果について、従来の複合配線基板の製造工程中の一形態である図１０（比較例）を対照して説明する。
【００５１】
図１０（ａ）に示すように、支持体５上に形成された第２配線基板３の接合部１８ａに合わせて第１配線基板１の接合部１８ｂを設計、製造した第１配線基板１に対して、支持体５上に形成された第２配線基板３を配置し、図１０（ｂ）に示すように、支持体５上に形成された第２配線基板３と第１配線基板１を接合した後、アンダーフィル５２を充填し支持体５上に形成された第２配線基板３と第１配線基板１とを固定し、接合部１８を封止する。
【００５２】
しかしながら、前記でアンダーフィル５２を充填する際に、アンダーフィル５２の広がりは本来、平面視で矩形状には進まないため、図１０（ｃ）に示すように、はみだし部５２ａが発生しやすい。図１０（ｄ）は、はみ出した部分を拡大して示す模式断面図であるが、このように支持体５の端部には、アンダーフィル５２による這い上がり（Ｄ部）が生じている。
【００５３】
支持体５付き第２配線基板３の側面に接するアンダーフィル５２の高さはアンダーフィル２の充填時の塗布量と塗布速度、支持体５付き第２配線基板３と第１配線基板１の間隙へのアンダーフィル２の浸透速度により決まるため、形状を精度良くコントロールすることが難しい。また、アンダーフィル５２は這い上がり性が高いため、アンダーフィル５２は支持体５の側面に接触した状態で硬化される。
【００５４】
すなわち、比較例の図１０（ｄ）の形態では、支持体５の端部にアンダーフィル５２が這い上がり、支持体５が硬化したアンダーフィル５２により固定されているため、支持体５付き第２配線基板３と第１用配線基板１との接合体から、支持体５を剥離することが困難になる場合がある。強引に剥離すると第２配線基板３で断線や、絶縁樹脂のクラックが発生し、複合配線基板の収率が大きく低下する。
【００５５】
上述の実施形態は一例であって、その他、具体的な細部構造などについては適宜に変更可能であることは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の複合配線基板及びその製造方法は、主基板と半導体素子との間に介在し第２配線基板等を備える複合配線基板を有する半導体装置とその製造に応用することができる。
【符号の説明】
【００５７】
１          第１配線基板（ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板）
２、２２、５２    アンダーフィル（保護樹脂）
５２ａ          アンダーフィルはみ出し部
２Ｆ      フィレット部
３          第２配線基板（インターポーザ）
４          半導体素子
５          支持体
６          剥離層
７          保護層
８、１２    シード層
９、１３  レジストパターン
１０        導体層（第１電極）
１１        絶縁樹脂層
１１ａ      開口部
１４        導体層（配線層）
１５        導体層（第２電極）
１６        最表面絶縁樹脂層
１７        表面処理層
１８        第２配線基板−第１配線基板の接合部
１８ａ      第２配線基板の接合部
１８ｂ      第１配線基板の接合部
１９        レーザ光
２０        半導体素子−第２配線基板接合部
２１        第１配線基板の最表面絶縁樹脂層（ソルダーレジスト）
３０        アンダーフィルの第２配線基板への這い上がり調整部位
４０        第２配線基板接合領域
１００      複合配線基板
１０００    半導体パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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