(57)【要約】【課題】耐光性が高く、従来よりも均一な光学物性を発現する偏光素子を提供する。【解決手段】基板１１と、基板１１の一面側に平面視略ストライプ状に設けられた複数の凸条部１３と、各々の凸条部１３に設けられるとともに凸条部１３の延在方向に沿って延びる積層細線１６とを備え、積層細線１６は、凸条部１３側に設けられた下層細線１４と、下層細線１４に積層された上層細線１５と、を有し、下層細線１４および上層細線１５は、凸条部１３の短手方向の両側面１３ａ，１３ｂのうち一方の側面１３ａ側に設けられた第１細線１４ａ，１５ａと、他方の側面１３ｂ側に設けられた第２細線１４ｂ，１５ｂと、をそれぞれ有し、下層細線１４に属する第１細線１４ａの材料と上層細線１５に属する第１細線１５ａの材料とが異なり、下層細線１４に属する前記第２細線１４ｂの材料と上層細線１５ｂに属する第２細線１５ｂの材料とが異なることを特徴とする。【選択図】図１
2010210706.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一面側に平面視略ストライプ状に設けられた複数の凸条部と、
各々の前記凸条部に設けられるとともに前記凸条部の延在方向に沿って延びる積層細線とを備え、
前記積層細線は、前記凸条部側に設けられた下層細線と、前記下層細線に積層された上層細線と、を有し、
前記下層細線および前記上層細線は、前記凸条部の短手方向の両側面のうち一方の側面側に設けられた第１細線と、他方の側面側に設けられた第２細線と、をそれぞれ有し、
前記下層細線に属する前記第１細線の材料と前記上層細線に属する前記第１細線の材料とが異なり、
前記下層細線に属する前記第２細線の材料と前記上層細線に属する前記第２細線の材料とが異なることを特徴とする偏光素子。
【請求項２】
前記下層細線に属する前記第１細線及び前記第２細線の材料が同一であり、
前記上層細線に属する前記第１細線及び前記第２細線の材料が同一であることを特徴とする請求項１に記載の偏光素子。
【請求項３】
前記下層細線の全体が前記上層細線によって覆われていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の偏光素子。
【請求項４】
前記第１細線および前記第２細線は相対的に光の反射性が高い光反射性材料か、または相対的に光の吸収性が高い光吸性収性材料からなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の偏光素子。
【請求項５】
前記下層細線に属する前記第１細線と前記第２細線とが前記光反射性材料からなり、
前記上層細線に属する前記第１細線と前記第２細線とが前記光吸収性材料からなることを特徴とする請求項４に記載の偏光素子。
【請求項６】
隣接する前記下層細線において、前記第１細線の体積が互いに異なり、前記第２細線の体積が互いに異なると共に、前記下層細線の体積が互いに略等しく、
前記第１細線の体積は、前記基板の一端側から遠ざかる方向に連続的に減少し、
前記第２細線の体積は、前記基板の他端側から遠ざかる方向に連続的に減少することを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の偏光素子。
【請求項７】
隣接する前記上層細線において、前記第１細線の体積が互いに異なり、前記第２細線の体積が互いに異なると共に、前記上層細線の体積が互いに略等しく、
前記第１細線の体積は、前記基板の一端側から遠ざかる方向に連続的に減少し、
前記第２細線の体積は、前記基板の他端側から遠ざかる方向に連続的に減少することを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の偏光素子。
【請求項８】
前記凸条部と前記積層細線とを覆う保護膜を備え、
隣り合う前記凸条部および前記積層細線の間の領域には、前記保護膜が充填されない空隙部が形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の偏光素子。
【請求項９】
隣り合う前記凸条部および前記積層細線を覆う前記保護膜は、前記空隙部の上部で接触し前記空隙部を覆っていることを特徴とする請求項８に記載の偏光素子。
【請求項１０】
前記保護膜は、透光性の絶縁性材料で形成されていることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の偏光素子。
【請求項１１】
前記光反射性材料はアルミニウム、金、銀、銅、クロム、チタン、ニッケル、タングステン、鉄の中から選ばれる材料であり、
前記光吸収性材料は、シリコン、ゲルマニウム、モリブデン、テルルの中から選ばれる材料であることを特徴とする請求項３に記載の偏光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
様々な電気光学装置の光変調装置として、液晶装置が用いられている。液晶装置の構造として、対向配置された一対の基板間に液晶層が挟持されているものが広く知られ、所定の偏光された光を液晶層に入射するための偏光素子や、電圧無印加時に液晶分子の配列を制御する配向膜が備えられる構成が一般的である。
【０００３】
偏光素子としては、ヨウ素や二色性染料を含む樹脂フィルムを一方向に延伸することで、ヨウ素や二色性染料を延伸方向に配向させて製造するフィルム型の偏光素子や、透明な基板上にナノスケールの細線を敷き詰めて形成されるワイヤーグリッド型の偏光素子が知られている。
【０００４】
ワイヤーグリッド型偏光素子は、無機材料から構成するため、耐熱性に優れているという特長を有しており、特に耐熱性が要求される箇所に好適に使用される。例えば、液晶プロジェクタのライトバルブ用の偏光素子として好適に用いられる。このようなワイヤーグリッド型の偏光素子としては、例えば特許文献１のような技術が開示されている。
【０００５】
特許文献１では、金属膜をエッチングしてパターニングし細線を形成する従来の方法に代え、基板上に形成した凹凸部に対して斜め方向からの斜方スパッタ法で金属材料を堆積させ、堆積した金属微粒子層を細線としている。この方法によると、可視光領域で所望の偏光特性をもち、かつ生産性の高い偏光素子が提供できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１４８３４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の偏光素子は、斜方スパッタを行って基板上の凸部に細線を形成すると、基板の面内の位置によって細線の材料である無機微粒子の堆積量に偏りが生じるという課題がある。すなわち、特許文献１に示された方法では、基板の表面において金属材料の材料源からの距離が様々に異なる。そのため、堆積される各金属材料は基板の表面の位置によって目標の大きさに対して例えば±５０％程度の偏りができてしまう。金属材料の大きさに偏りが生じると、隣り合う細線間の距離や、細線の幅・高さなど、偏光素子の光学物性に密接な関係のあるパラメータが変わってしまうため、偏光素子全体で均一な光学物性を発現することができない。
【０００８】
そこで、本発明は、耐光性が高く、従来よりも均一な光学物性を発現する偏光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明の偏光素子は、基板と、前記基板の一面側に平面視略ストライプ状に設けられた複数の凸条部と、各々の前記凸条部に設けられるとともに前記凸条部の延在方向に沿って延びる積層細線とを備え、前記積層細線は、前記凸条部側に設けられた下層細線と、前記下層細線に積層された上層細線と、を有し、前記下層細線および前記上層細線は、前記凸条部の短手方向の両側面のうち一方の側面側に設けられた第１細線と、他方の側面側に設けられた第２細線と、をそれぞれ有し、前記下層細線に属する前記第１細線の材料と前記上層細線に属する前記第１細線の材料とが異なり、前記下層細線に属する前記第２細線の材料と前記上層細線に属する前記第２細線の材料とが異なることを特徴とする。
【００１０】
このように構成することで、上層細線の第１細線と下層細線の第１細線との光反射特性及び光吸収特性を異ならせることができる。また、上層細線の第２細線と下層細線の第２細線との光反射特性及び光吸収特性を異ならせることができる。これにより、上層細線と下層細線の光反射特性及び光吸収特性を調整し、積層細線の光反射特性及び光吸収特性を調整することができる。したがって、本発明の偏光素子によれば、従来よりも透過率、光吸収率、および表示コントラストを向上させ、要求される特性を満足する偏光素子を得ることができる。
【００１１】
また、本発明の偏光素子は、前記下層細線に属する前記第１細線及び前記第２細線の材料が同一であり、前記上層細線に属する前記第１細線及び前記第２細線の材料が同一であることを特徴とする。
【００１２】
このように構成することで、下層細線の機能と上層細線の機能を異ならせることができる。また、下層細線及び上層細線それぞれの形成を容易にすることができる。
【００１３】
また、本発明の偏光素子は、前記下層細線の全体が前記上層細線によって覆われていることを特徴とする。
【００１４】
このように構成することで、下層細線の劣化を防止して偏光分離機能が低下することを防止できる。
【００１５】
また、本発明の偏光素子は、前記第１細線および前記第２細線は相対的に光の反射性が高い光反射性材料か、または相対的に光の吸収性が高い光吸性収性材料からなることを特徴とする。
【００１６】
このように構成することで、高い光反射性を有する第１細線及び第２細線を形成することができる。また、高い光吸収性を有する第１細線及び第２細線を形成することができる。これにより、上層細線及び下層細線に所望の光反射特性・光吸収特性を付与することができる。
【００１７】
また、本発明の偏光素子は、前記下層細線に属する前記第１細線と前記第２細線とが前記光反射性材料からなり、前記上層細線に属する前記第１細線と前記第２細線とが前記光吸収性材料からなることを特徴とする。
【００１８】
このように構成することで、下層細線により所望の光反射性を確保しつつ、上層細線により所望の光吸収性を確保することができる。これにより、偏光素子を表示装置に用いた場合の表示コントラストを向上させることができる。
【００１９】
また、本発明の偏光素子は、隣接する前記下層細線において、前記第１細線の体積が互いに異なり、前記第２細線の体積が互いに異なると共に、前記下層細線の体積が互いに略等しく、前記第１細線の体積は、前記基板の一端側から遠ざかる方向に連続的に減少し、前記第２細線の体積は、前記基板の他端側から遠ざかる方向に連続的に減少することを特徴とする。
【００２０】
このように構成することで、基板の一端側から他端側へ向かう方向に生じた第１細線の体積の偏りが、基板の他端側から一端側へ向かう方向に生じた第２細線の体積の偏りによって相殺される。したがって、ターゲットからの距離によってスパッタ粒子の堆積量に偏りが生じる斜方スパッタ法により下層細線を形成した場合であっても、体積の均一な下層細線を形成することができる。
【００２１】
また、本発明の偏光素子は、隣接する前記上層細線において、前記第１細線の体積が互いに異なり、前記第２細線の体積が互いに異なると共に、前記上層細線の体積が互いに略等しく、前記第１細線の体積は、前記基板の一端側から遠ざかる方向に連続的に減少し、前記第２細線の体積は、前記基板の他端側から遠ざかる方向に連続的に減少することを特徴とする。
【００２２】
このように構成することで、基板の一端側から他端側へ向かう方向に生じた第１細線の体積の偏りが、基板の他端側から一端側へ向かう方向に生じた第２細線の体積の偏りによって相殺される。したがって、ターゲットからの距離によってスパッタ粒子の堆積量に偏りが生じる斜方スパッタ法により上層細線を形成した場合であっても、体積の均一な上層細線を形成することができる。
【００２３】
また、本発明の偏光素子は、前記凸条部と前記積層細線とを覆う保護膜を備え、隣り合う前記凸条部および前記積層細線の間の領域には、前記保護膜が充填されない空隙部が形成されていることを特徴とする。
【００２４】
このように構成することで、隣り合う凸条部および金属細線の間の領域には空隙部が形成されているため、金属細線間が保護膜で埋没することなく、優れた光学特性を備えた偏光素子とすることができる。
【００２５】
また、本発明の偏光素子は、隣り合う前記凸条部および前記積層細線を覆う前記保護膜は、前記空隙部の上部で接触し前記空隙部を覆っていることを特徴とする
【００２６】
このように構成することで、属細線間には空気や成形加工時の雰囲気ガス（もしくは真空）を封入可能な空隙部が形成される。そのため、優れた光学特性を備えた偏光素子とすることができる。
【００２７】
また、本発明の偏光素子は、前記保護膜は、透光性の絶縁性材料で形成されていることを特徴とする。
【００２８】
このように構成することで、金属細線が周囲と絶縁されるので、例えば偏光素子を装置に組み込む場合に装置の配線と金属細線が意に反して通電することがなく、安定した動作が可能な電子デバイスを提供できる。
【００２９】
また、本発明の偏光素子は、前記光反射性材料はアルミニウム、金、銀、銅、クロム、チタン、ニッケル、タングステン、鉄の中から選ばれる材料であり、前記光吸収性材料は、シリコン、ゲルマニウム、モリブデン、テルルの中から選ばれる材料であることを特徴とする。
【００３０】
このように構成することで、所望の反射性を有する光反射性材料を得ることができ、所望の光吸収性を有する光吸収性材料が得られる。また、これらの半金属材料は酸化し難いため、劣化しにくく信頼性の高い偏光素子とすることができる。特に、偏光素子が高温となる用途に用いる場合、高温環境下では酸化反応が促進されるが、これらの半金属材料を用いることで耐久性の高い偏光素子とすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る偏光素子の概略図である。
【図２】第１実施形態の偏光素子の製造工程を示す工程断面図である。
【図３】第１実施形態の偏光素子の製造工程を示す工程断面図である。
【図４】第１実施形態の偏光素子の変形例を示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る偏光素子の製造装置の拡大図である。
【図６】第１実施形態の偏光素子の製造工程を示す工程断面図である。
【図７】電子機器の一形態であるプロジェクタの概略図である。
【図８】本実施形態の偏光素子を備えた液晶装置の一例を示す概略構成図である。
【図９】電子機器の一形態である携帯電話の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
[第１実施形態]
以下、本発明の第１実施形態に係る偏光素子について図面を参照して説明する。図１（ａ）は本実施形態に係る偏光素子の概略構成を示す模式的な斜視図であり、図１（ｂ）は偏光素子をＹＺ平面で切断した模式的な断面図である。
【００３３】
なお、以下の説明においてはＸＹＺ座標系を設定し、このＸＹＺ座標系を参照しつつ各部材の位置関係を説明する。この際、水平面内における所定の方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、垂直面内においてＸ軸方向とＹ軸方向のそれぞれに直交する方向をＺ軸方向とする。本実施形態の場合、細線の延在方向をＸ軸方向とし、細線の配列軸をＹ軸方向としている。また、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせている。
【００３４】
図１（ａ）に示すように、偏光素子１は、基板１１を備えている。
基板１１は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性材料を形成材料としている。偏光素子１を適応する用途によっては、偏光素子１が蓄熱し高温になるため、基板１１は、耐熱性の高いガラスや石英を形成材料とすることが好ましい。
【００３５】
基板１１の表面（一面側）には、Ｘ軸方向に延在する複数の溝部１２が形成されている。溝部１２の間には、Ｘ軸方向に延在する複数の凸条部１３が平面視で略ストライプ状に設けられている。溝部１２は、可視光の波長よりも短い周期でＹ軸方向に均等な間隔で形成されており、凸条部１３も同周期で配列している。
【００３６】
図１（ｂ）に示すように、凸条部１３は三角形の断面形状を有しており、側面１３ａ，１３ｂは、底面１２ａから遠ざかる方向にテーパ状の傾斜を備えて形成されている。溝部１２および凸条部１３の寸法は、例えば、凸条部１３の高さｈ：１００ｎｍ、幅Ｓ：７０ｎｍ、底面１２ａの幅Ｌ：７０ｎｍ、周期（ピッチ）ｄ：１４０ｎｍ、である。
【００３７】
図１（ａ）に示すように、凸条部１３の上には、基板１１上に一方向に延在して形成され、下層細線１４と上層細線１５とからなる積層細線１６が設けられている。
図１（ｂ）に示すように、下層細線１４は凸条部１３の両側面（傾斜面）１３ａ，１３ｂにまたがって付設されており、凸条部１３の延在方向と同じくＸ軸方向に延在して形成されている。
上層細線１５は下層細線１４に積層して形成され、下層細線１４と同様に凸条部１３の両側面（傾斜面）１３ａ，１３ｂにまたがって付設されている。また、凸条部１３の延在方向と同じくＸ軸方向に延在して形成されている。
【００３８】
下層細線１４及び上層細線１５は、それぞれ第１細線１４ａ，１５ａと、第２細線１４ｂ，１５ｂと、を有している。第１細線１４ａ，１５ａは、凸条部１３の一方の側面１３ａに形成され、第２細線１４ｂ，１５ｂは凸条部１３の他方の側面１３ｂに形成されている。
【００３９】
下層細線１４に属する第１細線１４ａ及び第２細線１４ｂは、同一の材料により形成されている。これらの形成材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）のような金属材料等、光反射性が相対的に高い光反射性材料が用いられる。
また、上層細線１５に属する第１細線１５ａ及び第２細線１５ｂは、同一の材料により形成されている。これらの形成材料としては、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）のような半金属材料等、光吸収性が相対的に高い光吸収性材料が用いられる。
【００４０】
本実施形態では、隣接する下層細線１４，１４において、第１細線１４ａ，１４ａの体積が互いに異なっている。すなわち、凸条部１３の一方の側面１３ａに形成される第１細線１４ａの体積は、図１（ｂ）に示すように基板１１の一端（Ｙ軸負方向側の端部）から遠ざかり基板１１の他端（Ｙ軸正方向側の端部）に近づくほど徐々に小さくなっている。換言すると、第１細線１４ａの体積は、基板１１の一端側から遠ざかる方向に連続的に減少している。
【００４１】
また、隣接する下層細線１４，１４では、第２細線１４ｂ，１４ｂの体積も互いに異なっている。すなわち、凸条部１３の他方の側面１３ｂに形成される第２細線１４ｂの体積は、図１（ｂ）に示すように基板１１の他端（Ｙ軸正方向側の端部）から遠ざかり基板１１の一端（Ｙ軸負方向側の端部）に近づくほど徐々に小さくなっている。換言すると、第２細線１４ｂの体積は、基板１１の他端側から遠ざかる方向に連続的に減少している。
ここで、異なる体積の第１細線１４ａと第２細線１４ｂからなる下層細線１４の各々の体積は略等しくなっている。
【００４２】
また、本実施形態では、隣接する上層細線１５，１５においても、第１細線１５ａ，１５ａの体積が互いに異なっている。すなわち、凸条部１３の一方の側面１３ａに形成される第１細線１５ａの体積は、図１（ｂ）に示すように基板１１の一端（Ｙ軸負方向側の端部）から遠ざかり基板１１の他端（Ｙ軸正方向側の端部）に近づくほど徐々に小さくなっている。換言すると、第１細線１５ａの体積は、基板１１の一端側から遠ざかる方向に連続的に減少している。
【００４３】
同様に、隣接する下層細線１５，１５では、第２細線１５ｂ，１５ｂの体積も互いに異なっている。すなわち、凸条部１３の他方の側面１３ｂに形成される第２細線１５ｂの体積は、図１（ｂ）に示すように基板１１の他端（Ｙ軸正方向側の端部）から遠ざかり基板１１の一端（Ｙ軸負方向側の端部）に近づくほど徐々に小さくなっている。換言すると、第２細線１５ｂの体積は、基板１１の他端側から遠ざかる方向に連続的に減少している。
ここで、異なる体積の第１細線１５ａと第２細線１５ｂからなる上層細線１５の各々の体積は略等しくなっている。
【００４４】
このように、各々の体積が略等しい下層細線１４と上層細線１５とにより形成された積層細線１６は各々の体積が略等しく、自身の延在方向と直交する方向（Ｙ軸方向）に振動する直線偏光（ＴＭ波）を透過させ、自身の延在方向（Ｘ軸方向）に振動する直線偏光（ＴＥ波）を反射若しくは吸収させるようになっている。
【００４５】
ここで、図１（ｂ）に示すように、積層細線１６は、凸条部１３のピッチをｄ、積層細線１６の高さをｈ１、積層細線１６の高さｈ１／２における幅をｂとしたときに、下記の式（１）及び式（２）を満足するように形成されている。
【００４６】
０．１≦ｈ１／ｄ≦０．５  …（１）
０．１≦ｂ／ｄ≦０．９    …（２）
【００４７】
次に、本実施形態の偏光素子１の製造方法について説明する。
図２及び図３は偏光素子１の製造方法の説明図である。
まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板等の基板材料１１Ａを用意し、基板材料１１Ａの一面側にレジスト材料をスピンコートにより塗布し、これをプリベークすることでレジスト層２０ａを形成する。レジスト材料としては、例えば、化学増幅型のポジ型フォトレジストＴＤＵＲ−Ｐ３３８ＥＭ（東京応化工業（株）社製）を用いる。本実施形態では、レジスト層２ａを例えば約２００ｎｍに形成する。
【００４８】
次に、例えば波長が２６６ｎｍのレーザ光を露光光として用いた二光束干渉露光法によりレジスト層２０ａを露光する。二光束干渉露光法では、レジスト層２０ａに干渉光を照射することで、レーザ光の波長よりも狭い形成ピッチでレジスト層２０ａを露光する。次いで、レジスト層２０ａをベーク（ＰＥＢ）した後、レジスト層２０ａを現像する。これにより、図２（ｂ）に示すように、縞状のパターンを有するレジスト２０を形成する。また、本実施形態では、レジスト２０の縞状のパターンのピッチは例えば１４０ｎｍであり、高さは例えば約２００ｎｍである。
【００４９】
次に、レジスト２０を介してドライエッチング処理を行い、基板材料１１Ａを約５０ｎｍ〜約３００ｎｍ程度掘り下げることで基板材料１１Ａをパターニングする。そして、図２（ｃ）に示すように被処理面１ａに溝部１２、凸条部１３を有する基板１を形成する。本実施形態では、溝部１２が例えば約１００ｎｍの深さとなるまでエッチングを行う。また、本実施形態では、エッチングガスにＣ２Ｆ６，ＣＦ４，ＣＨＦ３の混合ガスを用い、反応条件として、ガス流量：Ｃ２Ｆ６／ＣＦ４／ＣＨＦ３＝２０／３０／３０ｓｃｃｍ、放電出力：３００Ｗ、圧力：５Ｐａ、反応時間：３０〜４０ｓｅｃでエッチングを行う。
【００５０】
以上により、基板１１の一面側に平面視で略ストライプ状の複数の凸条部１３が形成される。ここで、凸条部１３の高さｈを５０ｎｍ≦ｈ２≦３００ｎｍの範囲とすると、偏光素子の生産性を必要以上に低下させることなく所望の性能が得られ、量産化する上で好ましい。
【００５１】
次に、例えばＡｌからなる一対のターゲットを用いた対向ターゲット式のスパッタ装置により、凸条部１３が形成された基板１１に対して図３（ａ）に示すように斜め方向からスパッタ粒子を堆積させ、凸条部１３の一方の側面１３ａに第１細線１４ａを形成する。なお、図３（ａ）〜図３（ｄ）では、スパッタ粒子の入射方向を矢印で表している。
【００５２】
図３（ａ）に示すように、基板１１の表面では、スパッタ装置のターゲット近い側（Ｙ軸負方向側）の凸条部１３に堆積するスパッタ粒子は多くなる。また、ターゲットから遠い側（Ｙ軸正方向側）の凸条部１３に堆積するスパッタ粒子は少なくなる。そのため、凸条部１３の一方の側面１３ａに形成される第１細線１４ａの体積は、図３（ａ）に示すように、スパッタ装置のターゲットに近い側（Ｙ軸負方向側）ほど大きく、ターゲットから遠い側（Ｙ軸正方向側）ほど小さくなる傾向がある。
【００５３】
これにより、基板１１の表面の一方向（Ｙ軸方向）において第１細線１４ａの体積に偏りができてしまう。すなわち凸条部１３上の第１細線１４ａは、その体積がスパッタ装置のターゲットから近い基板１１の一端側から、ターゲットから遠い基板１１の他端側へ向けて、連続的に減少するように形成される。
【００５４】
そこで、本実施形態では、図３（ｂ）に示すように、第１細線１４ａを形成する際にスパッタ粒子を堆積させた方向と逆の方向から、対向ターゲット式のスパッタ装置により凸条部１３の他方の側面１３ｂにスパッタ粒子を堆積させて第２細線１４ｂを形成する。これにより、凸条部１３の各々に第１細線１４ａと第２細線１４ｂとからなる細線１４を形成する。
【００５５】
このとき、基板１１上のスパッタ装置のターゲットに近い凸条部１３に堆積するスパッタ粒子は多くなり、ターゲットから遠い凸条部１３に堆積するスパッタ粒子は少なくなる。そのため、第２細線１４ｂの体積は、スパッタ装置のターゲットに近い（Ｙ軸正方向側）ほど大きく、ターゲットから遠い（Ｙ軸負方向側）ほど小さくなる傾向がある。
【００５６】
そこで、本実施形態では、第１細線１４ａを形成する際にスパッタ粒子を堆積させた方向と正反対の方向からスパッタ粒子を堆積させて第２細線１４ｂを形成している。これにより、第１細線１４ａの体積の偏りと、第２細線１４ｂの体積の偏りを正反対にすることができる。そして、第１細線１４ａの体積の偏りが第２細線１４ｂの正反対の体積の偏りによって相殺され、第１細線１４ａと第２細線１４ｂからなる下層細線１４の各々の体積が基板１１の表面で略等しくなる。したがって、複数の凸条部１３の各々に、均一な大きさ（体積）の下層細線１４を形成することができる。
【００５７】
次に、下層細線１４と同様の工程により、上層細線１５を下層細線１４上に積層させて形成する。具体的には、まず、例えばＧｅ，Ｓｉ，Ｍｏ等の半金属材料からなる一対のターゲットを用いた対向ターゲット式のスパッタ装置を用意する。本実施形態では、ターゲットの材料としてＧｅを用いる。そして、図３（ｃ）に示すように、スパッタ装置を用いて斜め方向から凸条部１３の一方の側面１３ａ側にスパッタ粒子を堆積させる。これにより、下層細線１４に積層させて上層細線１５の第１細線１５ａを形成する。
【００５８】
このとき、基板１１上のスパッタ装置のターゲットに近い凸条部１３に堆積するスパッタ粒子は多くなり、ターゲットから遠い凸条部１３に堆積するスパッタ粒子は少なくなる。そのため、第１細線１５ａの体積は、スパッタ装置のターゲットに近い（Ｙ軸負方向側）ほど大きく、ターゲットから遠い（Ｙ軸正方向側）ほど小さくなる傾向がある。
【００５９】
そこで、本実施形態では、図３（ｄ）に示すように、第１細線１５ａを形成する際にスパッタ粒子を堆積させた方向と正反対の方向からスパッタ粒子を堆積させる。そして、下層細線１４に積層させて第２細線１５ｂを形成する。これにより、第１細線１５ａの体積の偏りと、第２細線１５ｂの体積の偏りを正反対にすることができる。そして、第１細線１５ａの体積の偏りが第２細線１５ｂの正反対の体積の偏りによって相殺され、第１細線１５ａと第２細線１５ｂからなる複数の上層細線１５の各々の体積が基板１１の表面で略等しくなる。したがって、複数の凸条部１３の各々に、均一な大きさ（体積）の上層細線１５を形成することができる。
【００６０】
以上の工程により、複数の凸条部１３の各々に下層細線１４と上層細線１５からなる均一な体積の積層細線１６を形成することができ、凸条部１３と積層細線１６を備えた偏光素子１を製造することができる。
【００６１】
次に、本実施形態の偏光素子１の作用について説明する。
本実施形態の偏光素子１は、上述したように、下層細線１４に属する第１細線１４ａ及び第２細線１４ｂがＡｌ等の相対的に光反射性の高い光反射性材料により形成されている。また、上層細線１５に属する第１細線１５ａ及び第２細線１５ｂがＧｅ等の相対的に光吸収性の高い光吸収性材料により形成されている。
【００６２】
そのため、下層細線１４により所望の光反射性を確保しつつ、上層細線１５により所望の光吸収性を確保することができる。したがって、偏光素子１を液晶表示装置等に用いた場合の表示コントラストを向上させることができる。
【００６３】
また、上記のような材料を用いて第１細線１４ａ，１５ａ及び第２細線１４ｂ，１５ｂを形成することで、高い光反射性を有する第１細線１４ａ及び第２細線１４ｂを形成することができる。また、高い光吸収性を有する第１細線１５ａ及び第２細線１５ｂを形成することができる。これにより、上層細線１４及び下層細線１５に所望の光反射特性・光吸収特性を付与することができる。
【００６４】
また、実施形態の偏光素子１は、下層細線１４に属する第１細線１４ａ及び第２細線１４ｂが同一の材料により形成され、上層細線１５に属する第１細線１５ａ及び第２細線１５ｂが同一の材料により形成されている。
【００６５】
そのため、下層細線１４の機能と上層細線１５の機能を異ならせることができる。すなわち、上記のように下層細線１４に主に光反射機能を担わせ、上層細線１５に光吸収吸収機能を担わせることが可能になる。また、例えば対向ターゲットスパッタ装置により偏光素子１を製造する場合には、下層細線１４及び上層細線１５をそれぞれ同一のターゲットを用いて形成することができる。したがって、下層細線１４及び上層細線１５の形成を容易にして、偏光素子１の製造を容易にすることができる。
【００６６】
また、本実施形態の偏光素子１は、下層細線１４に属する第１細線１４ａと上層細線１５に属する第１細線１５ａとが、異なる材料で形成されている。また、下層細線１４に属する第２細線１４ｂと、上層細線１５に属する第２細線１５ｂとが、異なる材料により形成されている。
【００６７】
そのため、上層細線１４に属する第１細線１４ａと、上層細線１５に属する第１細線１５ａの光反射特性及び光吸収特性を異ならせることができる。また、上層細線１４に属する第２細線１４ｂと、上層細線１５に属する第２細線１５ｂの光反射特性及び光吸収特性を異ならせることができる。これにより、上層細線１５と下層細線１４の光反射特性及び光吸収特性を調整し、積層細線１６の光反射特性及び光吸収特性を調整することができる。
【００６８】
また、本実施形態の偏光素子１は、隣接する下層細線１４，１４において、第１細線１４ａ，１４ａ体積が互いに異なり、第２細線１４ｂ，１４ｂの体積が互いに異なると共に、下層細線１４，１４の体積が互いに略等しくなっている。また、第１細線１４ａの体積は、基板１１の一端側から遠ざかる方向に連続的に減少し、第２細線１４ｂの体積は、基板１１の他端側から遠ざかる方向に連続的に減少している。
【００６９】
そのため、基板１１の一端側から他端側へ向かう方向に生じた第１細線１４ａの体積の偏りが、基板１１の他端側から一端側へ向かう方向に生じた第２細線１４ｂの体積の偏りによって相殺される。したがって、ターゲットからの距離によってスパッタ粒子の堆積量に偏りが生じる斜方スパッタ法により下層細線１４を形成した場合であっても、体積の均一な下層細線１４を形成することができる。
【００７０】
また、本実施形態の偏光素子１は、隣接する上層細線１５，１５において、第１細線１５ａ，１５ａの体積が互いに異なり、第２細線１５ｂ，１５ｂの体積が互いに異なると共に、上層細線１５の体積が互いに略等しくなっている。また、第１細線１５ａの体積は、基板１１の一端側から遠ざかる方向に連続的に減少し、第２細線１５ｂの体積は、基板１１の他端側から遠ざかる方向に連続的に減少している。
【００７１】
そのため、基板１１の一端側から他端側へ向かう方向に生じた第１細線１５ａの体積の偏りが、基板１１の他端側から一端側へ向かう方向に生じた第２細線１５ｂの体積の偏りによって相殺される。したがって、ターゲットからの距離によってスパッタ粒子の堆積量に偏りが生じる斜方スパッタ法により上層細線１５を形成した場合であっても、体積の均一な上層細線１５を形成することができる。
【００７２】
また、本実施形態の偏光素子１は、下層細線１４を形成するための光反射性材料としてＡｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｗ，Ｆｅ等の反射性に優れた金属材料を用いている。また、上層細線１５を形成するための光吸収性材料としてＳｉ，Ｇｅ，Ｍｏ，Ｔｅ等の光吸収性に優れた半金属材料を用いている。
【００７３】
そのため、所望の反射性を有する光反射性材料を得ることができ、所望の光吸収性を有する光吸収性材料がえられる。また、これらの半金属材料は酸化し難いため、劣化しにくく信頼性の高い偏光素子とすることができる。特に、偏光素子が高温となる用途に用いる場合、高温環境下では酸化反応が促進されるが、これら半金属材料を用いることで耐久性の高い偏光素子とすることが可能となる。
【００７４】
また、積層細線１６を下層細線１４と上層細線１５との積層構造とすることで、ＴＥ波を選択的に減衰させることができる。上層細線１５が光吸収層、下層細線１４が光反射層の場合には、上層側から入射したＴＥ波は、上層細線１５の光吸収作用によって減衰されるが、ＴＥ波の一部は吸収されずに下層細線１４（ワイヤーグリッドとして機能）で反射される。この反射したＴＥ波は上層を投下する際の吸収・干渉効果により更に減衰される。よって、以上のようなＴＥ波の選択的な減衰効果により、所望の偏光特性を得ることができる。なお、上記の上層細線１５と下層細線１４との機能が逆の場合には、下層側（光吸収層）から光を入射させることで同様の効果を得ることができる。
【００７５】
以上説明したように、本実施形態によれば、従来よりも透過率、光吸収率、および表示コントラストを向上させ、要求される特性を満足する偏光素子１を得ることができる。
【００７６】
次に、本実施形態の変形例について、図４を用いて説明する。図４（ａ）〜図４（ｃ）は、それぞれ図３（ｄ）に相当する偏光素子の変形例の断面図である。図３（ｄ）においては、下層細線１４の第１細線１４ａと第２細線１４ｂは、上層細線１５の第１細線１５ａと第２細線１５ｂとによって完全には覆われていない。
【００７７】
しかし、図４（ａ）に示すように、凸条部１３の一方の側面１３ａに下層細線１４の第１細線１４ａのみを形成し、下層細線１４の第１細線１４ａの全体をその上層に形成した上層細線１５の第１細線１５ａによって完全に覆うようにしてもよい。
【００７８】
また、図４（ｂ）に示すように、凸条部１３の両側面１３ａ，１３ｂに下層細線１４の第１細線１４ａ、第２細線１４ｂを形成し、これらの全体を完全に覆うように上層細線１５の第１細線１５ａ及び第２細線１５ｂを形成してもよい。
【００７９】
また、図４（ｃ）に示すように、凸条部１３の一方の側面１３ａに下層細線１４の第１細線１４ａのみを形成し、これの全体を完全に覆うように上層細線１５の第１細線１５ａ及び第２細線１５ｂを形成してもよい。
【００８０】
図４（ａ）〜図４（ｃ）に示す変形例において、下層細線１４がＡｌ等の光反射性材料により形成され、上層細線１５がＧｅ等の光吸収性材料により形成されている場合には、光反射材料が光吸収材料によって完全に覆われた状態となっている。したがって、２００℃以上の高温環境の下でもＡｌ等の光反射材料の酸化を防止することができ、偏光分離機能が劣化することを防止できる。
【００８１】
［第２実施形態］
以下、本発明の第２実施形態に係る偏光素子について図面を参照して説明する。
図５（ａ）は本実施形態に係る偏光素子の概略構成を示す模式的な斜視図であり、図５（ｂ）は偏光素子をＹＺ平面で切断した模式的な断面図である。本実施形態の偏光素子２は、積層細線１６の表面を覆う保護膜を有する点で上述の第１実施形態と異なっている。その他の点は第１実施形態と同様であるので、同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。
【００８２】
図５（ａ）に示すように、偏光素子２は、基板１１および積層細線１６の表面を覆う保護膜１７を備えている。保護膜１７は、シリコン酸化膜等の透光性絶縁膜によって形成されている。保護膜１７は、凸条部１３の両側面および積層細線１６を覆ってＸ軸方向に延在する第１保護膜１７ａと、積層細線１６の上部を覆ってＸ軸方向に延在する第２保護膜１７ｂと、溝部１２の底面１２ａを覆ってＸ軸方向に延在する第３保護膜１７ｃと、を備えている。
【００８３】
第２保護膜１７ｂ同士は、Ｙ軸方向において互いに接続されており、複数の第２保護膜１７ｂが一体となって積層細線１６の上面全体を覆っている。第１保護膜１７ａ、第２保護膜１７ｂ及び第３保護膜１７ｃに囲まれた領域は空隙部１８になっており、空隙部１８の内部は真空又は空気、あるいは保護膜１７形成時の原料ガスによって満たされている。第２保護膜１７ｂの基板１１とは反対側の面は、積層細線１６のパターンを反映し、積層細線１６と平面的に重なる箇所は盛り上がり、空隙部１８と平面的に重なる箇所は凹んでおり、わずかに波打っている。
【００８４】
また、図５（ｂ）に示すように、底面１２ａから第２保護膜１７ｂの上面（保護膜１７の上面）までの高さＨは、例えば３００ｎｍである。本実施形態の場合、隣接する第２保護膜１７ｂ同士は互いに接続されている構成としているが、第２保護膜１７ｂ同士は必ずしも接続される必要はない。例えば第２保護膜１７ｂ同士の間に僅かに隙間が形成されている構成も可能である。この場合、積層細線１６毎に保護膜１７が形成され、Ｘ軸方向に延在する複数の保護膜１７がＹ軸方向に均等な間隔で多数配列されることになる。
【００８５】
第１保護膜１７ａの厚み（Ｙ軸方向の厚み）は、Ｙ軸方向において隣接する第１保護膜１７ａ同士が互いに接触しない（すなわち第１保護膜１７ａ間に空隙部１８が形成される）厚みとされる。また、第２保護膜１７ｂのＹ軸方向の幅は、第１保護膜１７ａを含む凸条部１３および積層細線１６のＹ軸方向の幅よりも大きく形成されている。更に、第３保護膜１７ｃは第１保護膜１７ａ及び第２保護膜１７ｂと一体に形成されている。これら、第１保護膜１７ａ、第２保護膜１７ｂ及び第３保護膜１７ｃによって囲まれた空間は空隙部１８となっている。
【００８６】
次に、本実施形態の偏光素子２の製造方法について説明する。
図６は偏光素子２の製造方法の説明図である。本実施形態の偏光素子２の製造工程は、積層細線１６を形成する工程までは第１実施形態の偏光素子１の製造方法と共通させることができるので、説明は省略する。以下では、保護膜１７の形成工程について説明する。図６は、第１実施形態の図３に対応する図となっている。
【００８７】
まず、図６（ａ）に示すように、積層細線１６上にＣＶＤ法を用いて保護膜を成膜する。ここで、保護膜１７の形成方法にはＣＶＤ法の外にも、一般に用いられる方法として蒸着法やスパッタ法が考えられる。しかし、蒸着法を用いた場合には、蒸着に用いられる装置内の膜原料が配置される位置から保護膜の形成面への射出角が、形成面上の位置により異なり、膜原料と形成面との距離が厳密には一定ではない。そのため、製造される保護膜の厚みに差が生じ、偏光素子の品質が一定しない。また、スパッタ法は、成膜速度が非常に遅いため、本発明が想定する成膜速度を実現できない。そのため、ＣＶＤ法を用いた成膜を行った場合に、本発明が実施可能である。
【００８８】
図６（ａ）に示すように、積層細線１６を備えた基板１１をＣＶＤ法の作業環境下に配置し、保護膜１７の原料気体１７ｇを供給する。原料気体１７ｇは、底面１２ａにまで行き渡り、保護膜１７が形成される。本実施形態では保護膜１７としてシリコン酸化物を形成することとし、原料気体１７ｇとしてＴＥＯＳと酸素（Ｏ２）の混合気体を用いることとする。図面ではＴＥＯＳとＯ２は区別して表記しておらず、いずれも原料気体１７ｇとして図示している。
【００８９】
保護膜１７はシリコン酸化物以外にもシリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン窒素酸化物（ＳｉＯＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などの絶縁性の材料を使用することができ、選択する保護膜１７にあわせて原料気体１７ｇを適切なものを選ぶことができる。また、ＣＶＤ法は、熱ＣＶＤ法およびプラズマＣＶＤ法のいずれも使用することができる。本実施形態ではプラズマＣＶＤ法を用いることとしている。本実施形態の反応条件は、例えば、ガス流量：ＴＥＯＳ／Ｏ２＝１２／３８８ｓｃｃｍ、出力：４００Ｗ、圧力：４０Ｐａ、反応温度：１１０℃、反応時間：２ｍｉｎである。
【００９０】
図に示すように、原料気体１７ｇを反応させると、化学反応により生成する保護膜１７が近接した積層細線１６と基板１１の表面に堆積する。保護膜の成膜速度は例えば１００ｎｍ／ｍｉｎである。成膜初期の段階では、保護膜１７は、底面１２ａ、凸条部１３の表面、積層細線１６の外周に堆積する。反応が進行すると、積層細線１６を包み込むように保護膜１７が成長する。また、隣り合う積層細線１６の周囲に形成された保護膜１７同士の間隔は、成長した保護膜１７の厚みの分だけ徐々に狭くなる。
【００９１】
次に、図６（ｂ）に示すように、更に反応が進行すると、保護膜１７の厚みの分だけ隣接する積層細線１６間の空隙は狭くなるため、溝部１２に原料気体１７ｇが進入しにくくなる。そのため原料気体１７ｇは、溝部１２に侵入する前に積層細線１６に形成された保護膜１７で次々と反応が進行し、積層細線１６で優先的に保護膜１７の形成が進行する。
【００９２】
ここで、反応速度が遅い場合には、保護膜１７の厚みによって積層細線１６間の空隙が狭くなっても溝部１２に原料気体１７ｇが行き渡る十分な時間があるため、優先的に積層細線１６に保護膜１７が形成されることはなく、表面全体で反応が進行する。そのため、形成される保護膜１７により、溝部１２は徐々に埋没していく。このように溝部１２が埋没した構造は光学特性上望ましくないため、本実施形態では反応速度を速め、積層細線１６間の空隙を残存させることとしている。
【００９３】
また、本発明の積層細線１６は、凸条部１３の両側面からＹ軸方向に向かって、ひさしのように張り出して形成されている。このような形状の積層細線１６の表面において、符号１６ｃで示す積層細線１６の下端部付近に保護膜１７が堆積するためには、原料気体１７ｇが溝部１２の内部に侵入し、積層細線１６を回り込んで下端部１６ｃに達する必要がある。従って、積層細線１６は、下端部１６ｃにおいて保護膜１７の堆積が行われにくい構造となっている。反応条件によっては、下端部１６ｃにおいて積層細線１６を空隙部１８に露出させることもできる。
【００９４】
図６（ｃ）に示すように、更に反応が進行すると、隣接する積層細線１６で成長を続ける保護膜１７が、隣同士で互いに接するに至る。これにより、隣接する積層細線１６の間には、保護膜１７で囲まれた空隙部１８が形成される。
【００９５】
図６（ｄ）に示すように、更に反応が進行すると、保護膜１７の表面は徐々に平坦に近づき、厚い保護膜１７が形成される。以上のようにして、本実施形態の偏光素子２が完成する。
【００９６】
以上のような構成の偏光素子２によれば、保護膜１７によって積層細線１６が保護されるため、積層細線１６の酸化を防ぐことができるとともに、凸条部１３および積層細線１６の間の領域には空隙部１８が形成されているため、信頼性が高く優れた光学特性を備えた偏光素子２とすることができる。
【００９７】
また、本実施形態では、隣接する積層細線１６の上部に設けられた第２保護膜１７ｂは、配列軸方向に平行な方向において互いに接触していることとしている。そのため、金属細線間には空気や成形加工時の雰囲気ガス（もしくは真空）を封入可能な空隙部１８が形成され、優れた光学特性を備えた偏光素子２とすることができる。
【００９８】
また、本実施形態では、保護膜１７は透光性の絶縁性材料で形成されていることとしている。積層細線１６が絶縁性材料に覆われて周囲と絶縁するので、例えば偏光素子２を装置に組み込む場合に積層細線１６が装置の配線と通電することがない。
【００９９】
また、以上のような構成の偏光素子２の製造方法によれば、積層細線１６の酸化劣化や破損を防ぐための保護膜１７の形成に、ＣＶＤ法を用いることとしている。成膜速度が早いというＣＶＤ法の特徴により、成膜が進行すると空隙部１８に原料気体１７ｇが行き渡るよりも先に成膜反応が起こるようになり、積層細線１６の上端部で優先して保護膜が成長する。すると、積層細線１６の間の膜成長が停止し、積層細線１６間が保護膜１７で埋没することなく優れた光学特性を備えた偏光素子２を容易に製造することができる。
【０１００】
なお、本実施形態においては、保護膜１７のみで積層細線１６を保護することとしたが、保護膜１７の上に更に複数の堆積膜を積層させることとしても良い。
【０１０１】
［投射型表示装置］
次に、本発明の電子機器の実施形態について説明する。図７に示すプロジェクタ８００は、光源８１０、ダイクロイックミラー８１３、８１４、反射ミラー８１５、８１６、８１７、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、射出レンズ８２０、光変調部８２２、８２３、８２４、クロスダイクロイックプリズム８２５、投射レンズ８２６、を有している。
【０１０２】
光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。なお、光源８１０としては、メタルハライド以外にも超高圧水銀ランプ、フラッシュ水銀ランプ、高圧水銀ランプ、Ｄｅｅｐ ＵＶランプ、キセノンランプ、キセノンフラッシュランプ等を用いることも可能である。
【０１０３】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用の光変調部８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光と緑色光のうち、緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調部８２３に入射される。青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過し、長い光路による光損失を防ぐために設けられた入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９及び出射レンズ８２０を含むリレー光学系８２１を介して、青色光が光変調部８２４に入射される。
【０１０４】
光変調部８２２〜８２４は、液晶ライトバルブ８３０を挟んで両側に、入射側偏光素子８４０と射出側偏光素子部８５０と、が配置されている。入射側偏光素子８４０と射出側偏光素子部８５０とは、互いの透過軸が直交して（クロスニコル配置）配置されている。
【０１０５】
入射側偏光素子８４０は反射型の偏光素子であり、透過軸と直交する振動方向の光を反射させる。
【０１０６】
一方、射出側偏光素子部８５０は、第１偏光素子（プリ偏光板、プリポラライザ）８５２と、第２偏光素子８５４と、を有している。第１偏光素子８５２には、保護膜を備え耐熱性が高い、上述した第２実施形態の本発明の偏光素子を用いる。また、第２偏光素子８５４は、有機材料を形成材料とする偏光素子である。射出側偏光素子部８５０は、いずれも吸収型の偏光素子であり、偏光素子８５２，８５４が協働して光を吸収している。なお、第１偏光素子８５２には、第１実施形態の本発明の偏光素子を用いることとしても良い。
【０１０７】
一般に、有機材料で形成される吸収型の偏光素子は、熱により劣化しやすいことから、高い輝度が必要な大出力のプロジェクタの偏光手段として用いる事が困難である。しかし、本発明のプロジェクタ８００では、第２偏光素子８５４と液晶ライトバルブ８３０との間に、耐熱性の高い無機材料で形成された第１偏光素子８５２を配置しており、偏光素子８５２，８５４が協働して光を吸収している。そのため、有機材料で形成される第２偏光素子８５４の劣化が抑えられる。
【０１０８】
各光変調部８２２〜８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【０１０９】
以上のような構成のプロジェクタ８００は、射出側偏光素子部８５０に、上述した本発明の偏光素子を用いることとしているため、高出力の光源を用いても偏光素子の劣化が抑えられる。そのため、信頼性が高く優れた表示特性を有するプロジェクタ８００とすることができる。
【０１１０】
［液晶装置］
図８は、本発明にかかる偏光素子を備えた液晶装置３００の一例を示した断面模式図である。本実施形態の液晶装置３００は、素子基板３１０，対向基板３２０の間に液晶層３５０が挟持され構成されている。
【０１１１】
素子基板３１０及び対向基板３２０は、偏光素子３３０、３４０を備えている。偏光素子３３０、３４０は、前述した第２実施形態の偏光素子であり、それぞれガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板上に、保護膜を備えた金属細線が形成された構造を備えている。
【０１１２】
偏光素子３３０は基板本体３３１と金属細線３３２及び保護膜３３３を、偏光素子３４０は基板本体３４１と金属細線３４２及び保護膜３４３をそれぞれに備えている。本実施形態では、基板本体３３１、３４１は偏光素子の基板であると同時に液晶装置用の基板も兼ねている。また、金属細線３３２と金属細線３４２は、互いに交差するように配置されている。いずれの偏光素子も、金属細線が内面側（液晶層３５０側）に配置されている。
【０１１３】
偏光素子３３０の内面側には、画素電極３１４や不図示の配線やＴＦＴ素子を備え、配向膜３１６が設けられている。同様に、偏光素子３４０の内面側には、共通電極３２４や配向膜３２６が設けられている。
【０１１４】
このような構成の液晶装置においては、基板本体３３１，３４１が、液晶装置用の基板と、偏光素子用の基板との機能をかねることから、部品点数を削減することができる。そのため、装置全体が薄型化でき、液晶装置３００の機能を向上させることができる。更に、装置構造が簡略化されるので、製造が容易であるとともにコスト削減を図ることができる。
【０１１５】
なお、本実施形態の液晶装置においては、第２実施形態の偏光素子を用いることとしたが、保護膜を備えない第１実施形態の偏光素子を用いることもできる。その場合には、保護膜３３３，３４３の位置に、別途各偏光素子を保護するための保護層を設けることとすると良い。
【０１１６】
［電子機器］
次に、本発明の電子機器に係る他の実施形態について説明する。図９は、図８に示した液晶装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図である。図９に示す携帯電話（電子機器）１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。これにより、信頼性に優れ、高品質な表示が可能な表示部を具備した携帯電話１３００を提供することができる。
【０１１７】
また、本発明の液晶装置は、上記携帯電話の他にも、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、プロジェクタ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。
【０１１８】
尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上述の実施形態において説明した偏光素子では、下層細線と上層細線の材料を異ならせるために、下層細線に属する第１細線と第２細線とを同一の材料で形成するとともに、上層細線に属する第１細線と第２細線とを同一の材料で形成した。しかし、下層細線に属する第１細線と上層細線に属する第１細線の材料を異ならせ、上層細線に属する第２細線と上層細線に属する第２細線の材料とを異ならせる場合、例えば次のような組合せにしてもよい。下層細線の第１細線と上層細線の第２細線とを同一の材料により形成し、下層細線の第２細線と上層細線の第１細線を同一の材料により形成する。これにより、下層細線及び上層細線の第１細線の材料と第２細線の材料を互い違いにすることができ、積層細線の光反射・吸収特性を調整することができる。また、下層細線の第１細線及び第２細線と上層細線の第１細線及び第２細線の各々を全て異なる材料により形成してもよい。
【０１１９】
また、本実施形態においては、凸条部１３は断面形状が三角形であることとしたが、断面形状はこれに限らない。図で示した形状の他に、例えば、矩形、台形などの断面形状を採用することができる。
【０１２０】
また、細線の形成材料は、上述の実施形態に限定されない。例えば、必要に応じてアルミニウムやその他の反射性を有する金属材料を主として含む合金を形成材料として用いることとしても構わない。
【０１２１】
また、スパッタ装置のターゲットの材料は、例えば、アルミニウム、ゲルマニウム、モリブデン等を用いて、これらの材料からなる細線や、これらの材料を適宜組み合わせて材料の異なる細線を積層させて形成してもよい。
【０１２２】
また、基板材料としては、ガラスの他に、石英、プラスチック等の透光性材料を用いることができる。偏光素子を適応する用途によっては、偏光素子が蓄熱し高温になるため、基板は、耐熱性の高いガラスや石英を形成材料とすることが好ましい。
【符号の説明】
【０１２３】
１１  基板、１３  凸条部、１３ａ  側面、１３ｂ  側面、１４  下層細線、１４ａ  第１細線、１４ｂ  第２細線、１５  上層細線、１５ａ  第１細線、１５ｂ  第２細線、１６  積層細線、１７  保護膜、１８  空隙部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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