【事件の表示】
　特許第６８０８７１４号発明「洗浄組成物」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６８０８７１４号の請求項１ないし２３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許に係る出願は、平成２８年（２０１６年）７月２８日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１５年８月３日　米国）を国際出願日とする出願であって、令和２年１２月１１日に特許権の設定登録（請求項の数２３）がされ、令和３年１月６日に特許掲載公報が発行され、同年６月２５日に合同会社ＳＡＳ（以下「申立人」という。）により請求項１〜２３の係る特許に対して特許異議の申立がされたものである。
第２　本件発明について
　１　本件発明１〜２３
　本件請求項１〜２３に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明２３」といい、まとめて「本件発明」ということもある。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　（ａ）０．５〜２５重量パーセントのアルカリ性化合物、
　（ｂ）１〜２５重量パーセントのアルコールアミン化合物、
　（ｃ）０．１〜２０重量％のヒドロキシルアンモニウム化合物、
　（ｄ）５〜９５重量％の有機溶媒、
　（ｅ）０．１〜５重量％の腐食防止剤化合物、および
　（ｆ）２〜２５重量％の水
を含
み、１２．４以上のｐＨを有する
【請求項２】
　前記アルカリ性化合物が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、２−ヒドロキシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
　前記アルコールアミン化合物が、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジグリコールアミン
、Ｎ
【請求項４】
　前記ヒドロキシルアンモニウム化合物が、硫酸ヒドロキシルアンモニウム、塩酸ヒドロキシルアンモニウム、硝酸ヒドロキシルアンモニウムおよびリン酸ヒドロキシルアンモニウムからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
　前記ヒドロキシルアンモニウム化合物が、硫酸ヒドロキシルアンモニウムである、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
　前記溶媒が、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ−エチルピロリドン（ＮＥＰ）、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルスルホン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、ホルムアミド、テトラメチル尿素、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
　前記溶媒が、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）またはテトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）である、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
　前記腐食防止剤
化合物
【請求項９】
　前記腐食防止剤
化合物
【請求項１０】
　前記腐食防止剤
化合物
の０
【請求項１１】
　前記腐食防止剤
化合物
の０
【請求項１２】
　前記腐食防止剤
化合物
【化１】
の化合物であって、式中、
　Ｒ１は水素、置換または非置換Ｃ１−Ｃ１２直鎖または分岐アルキル、置換または非置換Ｃ５−Ｃ１０シクロアルキルまたはヘテロシクロアルキル、および置換または非置換Ｃ６−Ｃ１２アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され、
　Ｒ２〜Ｒ５はそれぞれ独立して、水素、ハロゲン、置換または非置換Ｃ１−Ｃ１２直鎖または分岐アルキル、置換または非置換Ｃ５−Ｃ１０シクロアルキルまたはヘテロシクロアルキル、および置換または非置換Ｃ６−Ｃ１２アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択されるか、または隣接する任意の２個のＲ２〜Ｒ５が、それらが結合する環炭素原子と共に６員環を形成する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
　前記腐食防止剤
化合物
【化２】
【化３】
である、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
　半導体基板上における未露光の感光性ポリマーフィルム、露光した架橋ポリマーフィルムまたは非感光性ポリマーフィルムを
、６
〜８
【請求項１５】
　（ｉ）半導体基板上の、少なくとも１種のポリイミドポリマーまたはポリイミド前駆体ポリマーを含有する感光性ポリマーフィルムを、パターニングして、パターン化されたフィルムを形成する工程、
　（ｉｉ）前記パターン化されたフィルムを、イオン注入、プラズマもしくはウエットエッチング、または金属蒸着で処理する工程、および
　（ｉｉｉ）請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載の組成物を使用して前記感光性ポリマーフィルムを剥離する工程、
　を含む、半導体デバイスの製造方法。
【請求項１６】
　（ｉ）アブレーション条件下でポリマーフィルムをレーザーに露光させる工程、および
（ｉｉ）請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載の組成物を用いてレーザーアブレーションデブリを洗浄する工程を含む、半導体デバイスの製造方法。
【請求項１７】
　（ｉ）ポリマーフィルムを含む半導体基板を提供すること、
　（ｉｉ）任意で、光または他の照射光源を用いて前記ポリマーフィルムをフラッド露光すること、
　（ｉｉｉ）任意で、露光処理後の前記ポリマーフィルムを露光後ベーク処理にかけること、
　（ｉｖ）任意で、露光後ベークされたポリマーフィルムをハードベークにかけること、
　（ｖ）レーザーを用いてレーザーアブレーションプロセスにより前記ポリマーフィルム内にビアを開口して、パターン化されたポリマーフィルムを形成すること、
　（ｖｉ）組成物を用いて前記パターン化されたポリマーフィルムからレーザーアブレーション後デブリを除去すること、
　（ｖｉｉ）ビア上に溶融した導電性ペーストを塗布することによって、ビアの内側を含む領域に導電性ポストを形成すること、
　（ｖｉｉｉ）任意で、ポリマーフィルムの上から導電性ペーストを除去するために、前記パターン化されたポリマーフィルムを導電性ペースト除去剤溶液ですすぐこと、
　（ｉｘ）高温で組成物を用いて前記パターン化されたポリマーフィルムの非アブレーション領域を除去すること、および
　（ｘ）任意で、前記パターン化されたポリマーフィルムを水または水溶液ですすぎ、残留物を除去すること、
　を含むプロセスであって、
　（ｖｉ）および（ｉｘ）の工程で用いられる前記組成物の各々は、請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載の組成物である、プロセス。
【請求項１８】
　前記基板が銅であり、前記ポリマーフィルムが、（ａ）置換または非置換直鎖アルケニル基および置換または非置換直鎖アルキニル基から選択される少なくとも１つの官能基を持つ末端封鎖基を有する、少なくとも１種の可溶性ポリイミドポリマー、（ｂ）少なくとも１種の反応性官能性化合物（ＲＦＣ）、（ｃ）少なくとも１種の開始剤、および（ｄ）少なくとも１種の溶媒、を含む組成物から得られる、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項１９】
　レーザーアブレーションが、マスクを用いた投影エキシマレーザーを使用することにより達成される、請求項１８に記載のプロセス。
【請求項２０】
　レーザーの波長が、３５５ｎｍ以下である、請求項１８に記載のプロセス。
【請求項２１】
　レーザーの波長が、３０８ｎｍ以下である、請求項１８に記載のプロセス。
【請求項２２】
　（ａ）アルカリ性化合物、（ｂ）アルコールアミン化合物、（ｃ）ヒドロキシルアンモニウム化合物、（ｄ）有機溶媒、（ｅ）腐食防止剤化合物、および（ｆ）水、を含む組成物であって、前記組成物のｐＨが
１２．４
し０
〜０
【請求項２３】
　２５℃
で５
〜１
２２
　２　本件明細書の記載
　本件特許明細書には次の記載がある。
（１）「【０００２】
　ポリマーフィルムのレーザーアブレーションの間、デブリが常に形成され、その量およびタイプは、フィルムの組成およびアブレーションの処理条件に依存する。このデブリは大部分がテラス上に堆積されるが、一部は構造体の底部および内壁へ到達し得る。はんだ付けや金属蒸着などのさらなる構成要素の構築工程を可能にするためには、完全な除去が必須である。フィルムに影響を与えることなくそのようなデブリを化学洗浄することは、本発明の焦点の１つである。さらに、本発明の組成物の設計は、組成物が高温で効率的な剥離剤として作用することを可能にする。
【０００３】
　本開示は、室温（たとえば、２５℃）でのレーザーアブレーション後洗浄プロセスのための洗浄組成物を記載し、当該洗浄組成物は、再加工プロセスのためおよび／または高温（たとえば、６５〜８５℃）での後処理後のためのポリマー層の剥離組成物としても働き得る。
・・・
【０００８】
　本開示の幾つかの実施形態は、レーザーアブレーションプロセスの後、残留物を洗浄するのに適し、また、異なる処理条件下では、ポリマー層の剥離にも適する組成物に関する。レーザーアブレーション後プロセスの後に洗浄組成物として使用される場合、半導体基板上のポリマー層は、たとえ除去されたとしてもわずかしか除去されないことが必須である。剥離プロセスで使用される場合、ポリマー層の全てが除去され、下にある基板が清浄であることが重要である。本発明者らは、予想外にも、本明細書に記載の組成物が上記の洗浄プロセスおよび剥離プロセスの両方において有効に使用され得ることを発見した。」
（２）本件発明における各成分についての記載
　ア　（ａ）アルカリ性化合物
「【００１０】
　本開示の洗浄／剥離組成物に使用され得る前記アルカリ性化合物（ａ）は、特に限定されない。幾つかの実施形態では、前記アルカリ性化合物は、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、炭酸カリウムおよび重炭酸カリウムなどの無機塩基、ならびに第４級アンモニウム水酸化物などの有機塩基を含む。好ましいアルカリ性化合物は、第４級アンモニウム水酸化物である。前記第４級アンモニウム水酸化物の例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、２−ヒドロキシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）およびそれらの混合物からなる群から選択することができる第４級アンモニウム水酸化物が含まれるが、これらに限定されるものではない。好ましい第４級アンモニウム水酸化物は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドおよび２−ヒドロキシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドである。より好ましい第４級アンモニウム水酸化物はテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである。」
　イ　（ｂ）成分
「【００１２】
　本開示の洗浄／剥離組成物に使用される前記アルコールアミン化合物（ｂ）は、特に限定されない。これらのアルコールアミン化合物としては、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、３−アミノ−１−プロパノール、アミノ−２−プロパノール、２−アミノ−１−ブタノール、５−アミノ−１−ペンタノール、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、３−メチルアミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、トリス（ヒドロキシメチル）アミノエタン、１−ジメチルアミノ−２−プロパノール、１−アミノ−１−シクロペンタンメタノール、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２−イソプロピルアミノエタノール、２−プロピルアミノエタノール、２−（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）エタノール、５−アミノ−２，２−ジメチルペンタノール、２−アミノ−３−メチル−１−ブタノール、Ｎ−メチルアミノエタノール、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルエタノールアミンおよびこれらのアルコールアミンの２種以上の混合物が含まれるが、これらに限定されるものではない。」
　ウ　（ｃ）ヒドロキシルアンモニウム化合物
「【００１４】
　本開示の洗浄／剥離組成物に使用され得る前記ヒドロキシルアンモニウム化合物（ｃ）は、特に限定されない。ヒドロキシルアンモニウム化合物の例としては、硫酸ヒドロキシルアンモニウム、塩酸ヒドロキシルアンモニウム、硝酸ヒドロキシルアンモニウム、リン酸ヒドロキシルアンモニウム、過塩素酸ヒドロキシルアンモニウム、クエン酸ヒドロキシルアンモニウム、および酢酸ヒドロキシルアンモニウムが含まれるが、これらに限定されるものではない。」
　エ　（ｄ）有機溶剤
「【００１６】
　本開示の組成物における有機溶剤（ｄ）（たとえば、水混和性有機溶媒）としては、水との相溶性の高いもの、たとえば、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ−エチルピロリドン（ＮＥＰ）、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルスルホン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、ホルムアミド、テトラメチル尿素、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）、およびそれらの混合物が含まれ得る。幾つかの実施形態では、前記有機溶媒は、水に対し、約０．８以下（たとえば、約０．７５以下、約０．７以下）および／または約０．５以上（たとえば、約０．５５以上、約０．６以上、または約０．６５以上）の相対エネルギー差（ＲＥＤ）を有するものから選択される。ＲＥＤは、ハンセン空間におけるハンセンパラメータとハンセン空間における相互作用半径（Ｒｏ）との距離の比（Ｒａ）である。Ｒａは、次の式により定義される：（Ｒａ）２＝４（δｄ２−δｄ１）２＋（δｐ２−δｐ１）２＋（δｈ２−δｈ１）２（式中、δｄ、δｐ、およびδｈはそれぞれ分散、分子間力、および分子間水素結合の間のエネルギーである。）ハンセンパラメータのさらなる詳細は、次の参考文献に記載される：「Ｈａｎｓｅｎ，　Ｃｈａｒｌｅｓ　（２００７）．Ｈａｎｓｅｎ　Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ　Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ：Ａ　ｕｓｅｒ’ｓ　ｈａｎｄｂｏｏｋ，　Ｓｅｃｏｎｄ　Ｅｄｉｔｉｏｎ．Ｂｏｃａ　Ｒａｔｏｎ，　Ｆｌａ：ＣＲＣ　Ｐｒｅｓｓ．ＩＳＢＮ　９７８−０−８４９３−７２４８−３」。
【００１７】
　特定の実施形態では、前記有機溶媒（たとえば、水混和性有機溶媒）は、グリコールエーテルであってもよい。前記グリコールエーテルとしては、グリコールモノ（Ｃ１−Ｃ６）アルキルエーテルおよびグリコールジ（Ｃ１−Ｃ６）アルキルエーテルが含まれてもよく、これには（Ｃ１−Ｃ２０）アルカンジオール、（Ｃ１−Ｃ６）アルキルエーテル、および（Ｃ１−Ｃ２０）アルカンジオールジ（Ｃ１−Ｃ６）アルキルエーテルが含まれるが、これらに限定されるものではない。グリコールエーテルの例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、酢酸トリエチレングリコールエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、モノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジプロピレン
グリコール
【００１８】
　本開示の組成物における好ましい溶媒は、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびテトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）である。より好ましい溶媒は、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）である。」
　オ　（ｅ）腐食防止剤
「【００２０】
　本開示の洗浄／剥離組成物に使用され得る腐食防止剤化合物（ｅ）としては、芳香族ヒドロキシル化合物、アセチレン系アルコール、カルボキシル基含有有機化合物およびその無水物、ならびにトリアゾール化合物が含まれるが、これらに限定されるものではない。」（当審注；段落【００２７】まで続くが摘記を省略する。）
（３）本件発明の各成分の量についての記載
　ア　「【０００９】
　幾つかの実施形態では、本明細書に記載の洗浄／剥離組成物は、（ａ）０．５〜２５重量パーセントのアルカリ性化合物、（ｂ）１〜２５重量パーセントのアルコールアミン化合物、（ｃ）０．１〜２０重量％のヒドロキシルアンモニウム化合物、（ｄ）５〜９５重量％の有機溶媒、（ｅ）０．１〜５重量％の腐食防止剤化合物、および（ｆ）２〜２５重量％の水を含む。」
　イ　（ａ）の量
「【００１１】
　本開示の洗浄／剥離組成物に使用されるアルカリ性化合物（ａ）は、本開示の組成物の総量に対し、約０．５重量％以上（たとえば、約１重量％以上、約２．５重量％以上、または約５重量％以上）〜約２５重量％以下（たとえば、約２０重量％以下、約１７．５重量％以下、約１５重量％以下、約１２．５重量％以下、または約１０重量％以下）の量で存在する。」
　ウ　（ｂ）の量
「【００１３】
　本開示の洗浄／剥離組成物に使用されるアルコールアミン化合物（ｂ）は、組成物の総量に対し、約１重量％以上（たとえば、約２重量％以上、約３重量％以上、または約４重量％以上）〜約２５重量％以下（たとえば、約２２．５重量％以下、約２０重量％以下、約１７．５重量％以下、約１５重量％以下、約１２．５重量％以下、約１０重量％以下、約７．５重量％以下、または約５重量％以下）の量で存在する。」
　エ　（ｃ）の量
「【００１５】
　本開示の洗浄／剥離組成物に使用されるヒドロキシルアンモニウム化合物は、組成物の総量に対し、約０．１重量％以上（たとえば、約０．５重量％以上、約１重量％以上、約１．５重量％以上、または約２重量％以上）〜約２０重量％以下（たとえば、約１７重量％以下、約１４重量％以下、約１１重量％以下、約８重量％以下、または約５重量％以下）の量で存在する。」
　オ　（ｄ）の量
「【００１９】
　本開示の洗浄／剥離組成物に使用される溶媒は、組成物の総量に対し、約５重量％以上（たとえば、約１０重量％以上、約１５重量％以上、約２０重量％以上、約２５重量％以上、約３０重量％以上、約３５重量％以上、約４０重量％以上、または約４５重量％以上）〜約９５重量％以下（たとえば、約９０重量％以下、約８５重量％以下、約８０重量％以下、約７５重量％以下、約７０重量％以下、約６５重量％以下、約６０重量％以下、約５５重量％以下、または約５０重量％以下）の量で存在する。」
　カ　（ｅ）の量
「【００２８】
　本開示の洗浄／剥離組成物に使用される腐食防止剤化合物は、前記組成物の総量に対し、約０．１重量％以上（たとえば、約０．２重量％以上、約０．４重量％以上、約０．６重量％以上、約０．８重量％以上、または約１重量％以上）〜約５重量％以下（たとえば、約４重量％以下、約３重量％以下、約２重量％以下、約１．５重量％以下、約１重量％以下、約０．５重量％以下、または約０．３重量％以下）の量で存在する。幾つかの実施形態では、腐食防止剤の好ましい量は、前記組成物の総量に対して０．２重量％〜０．４重量％である。」
　キ　（ｆ）の量
「【００２９】
　本開示の洗浄／剥離組成物に使用される（脱イオン水、純水、超純水などの）水の量は、前記組成物の総量に対し、約２重量％以上（たとえば、約４重量％以上、約６重量％以上、または約８重量％以上）〜約２５重量％以下（たとえば、約２０重量％以下、約１７．５重量％以下、約１５重量％以下、約１２．５重量％以下、または約１０重量％以下）である。」
（４）実施例
「【００８２】
・・・
　洗浄／剥離組成物の実施例
【００８３】
　水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）２．５部、モノエタノールアミン４．３部、硫酸ヒドロキシルアンモニウム０．５部、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）８５部、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール０．２部、および水７．５部を用いて組成物を調製した。当該洗浄／剥離組成物のｐＨは、メトロームｐＨ電極（部品番号６．０２３３／１００）を備えたメトロームモデル７１６ベースユニットを用いて測定すると１４．９であった。前記洗浄／剥離組成物の動粘度は、キャノン−フェンスケ粘度計１５０サイズを用いて２５℃で測定した。動粘度は８．５ｃＳｔであった。
　洗浄手順の実施例
【００８４】
　積層ウエハＬＡ−１は、１”×２”片に切断し、上記で得られた洗浄／剥離組成物３００ｍＬを含有する６００ｍＬのビーカーに垂直に配置した。前記ビーカーの内容物を２５℃で磁気棒を用いて攪拌した。温度は、温度調節器を用いて一定に維持した。５分後に、ウエハ片を取り出し、すぐに水ですすぎ、窒素パージを用いて乾燥させた。洗浄の有効性は、光学顕微鏡を用いて、および金のスパッタリング後ＳＥＭにより、決定した。ウエハのトップダウン画像および断面画像は両方、洗浄後に残留物がないことを明らかにした。膜厚損失の程度は、Ｄｅｋｔａｋプロフィルメータを使用して残りの膜の厚さを測定することによって決定した。アブレーションデブリはフィルムに損傷を与えずに完全に除去された。膜厚の損失は観察されなかった。
　剥離手順の実施例
【００８５】
　積層ウエハＬＡ−１は、１”×２”片に切断し、上記で得られた洗浄／剥離組成物３００ｍＬを含有する６００ｍＬのビーカーに垂直に配置した。前記ビーカーの内容物を８５℃で磁気棒を用いて攪拌した。温度は、温度調節器を用いて一定に維持した。６０分後に、ウエハ片を取り出し、すぐに水ですすぎ、窒素パージを用いて乾燥させた。剥離の有効性は、光学顕微鏡を用いて、および金のスパッタリング後ＳＥＭにより、決定した。ウエハのトップダウン画像および断面画像は両方、洗浄後に残留物がないことを明らかにした。膜厚損失の程度は、Ｄｅｋｔａｋプロフィルメータを使用して残りの膜の厚さを測定することによって決定した。レーザーアブレーション後に残留するポリマー層の完全な剥離が観察された。」
第３　特許異議の申立についての判断
　１　特許異議の申立の概要
（１）特許異議の申立の概要は次のように、本件発明１〜２３は、特許法第３６条第６項第１号に規定される要件を満たさないというものであり、申立人は次の甲第１号証を提示した。
（２）甲第１号証（特開２０１２−２２７２９１号公報）の記載事項
　甲第１号証には、次の記載がある。
　ア　「【請求項７】
　水と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、有機溶媒とを組み合わせて含有し、ｐＨが１．５〜５．０に調整されたことを特徴とする半導体基板洗浄用の洗浄組成物。
【請求項８】
　前記有機溶媒を洗浄組成物中に５〜４０質量％含有させたことを特徴とする請求項７に記載の洗浄組成物。」
　イ　「【００１４】
　本発明の洗浄組成物は、水（ａ）と、塩基性有機化合物（ｂ）と、特定の酸性有機化合物（ｃ）と、有機溶媒（ｄ）とを組み合わせて含有し、ｐＨを酸性の特定領域に調整したことを特徴とする。・・・
【００２７】
　洗浄組成物中における水溶性有機溶剤の含有量は、洗浄組成物の全質量に対して、３〜４９質量％の濃度で使用することが好ましく、５〜４０質量％の濃度で使用することがより好ましく、８〜３０質量％の濃度で使用することが特に好ましい。上記下限値以上とすることで、有機溶媒を導入したことによる特有の作用、具体的にはメタルの表面性状の維持や剥離の防止、シリコンウエハの腐食抑制効果を高いレベルで引き出すことができる。一方、上記上限値以下とすることで、洗浄組成物の十分な洗浄性能を妨げず好ましい。なお、上記下限値は好ましい実施形態における設定として特に重要であり、洗浄対象となる材料や洗浄組成物の成分によっては、これが過少量であるとかえって洗浄性を劣化させることにもなる。」
　ウ　「【００５６】
＜実施例、比較例＞
　以下の表１に示す成分をそこに示した組成（質量％）で水に含有させて洗浄組成物１０１〜１２７を調液した（実施例）。水は、半導体製造工程で使用される一般的な超純水を用いた。また、上記実施例に対し以下の表１に示す成分組成について代え、洗浄組成物ｃ１１〜ｃ１７（比較例）を調液した。なお、表中に組成（質量％、ｐｐｍ）を示した成分はこの量を含有させ、塩基性有機化合物は各試料について示したｐＨになる量で含有させた。これらに水の組成（質量％）を合わせて１００質量％となることを意味する。
【００５７】
＜洗浄試験＞
　上記第１及び第２実施形態について、ビアホール形成後、パターンウエハを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察したところ、いずれもビアホール壁面にプラズマエッチング残渣及びアッシング残渣が認められた（図１（ｃ）及び図２（ｃ）参照）。また、上記第３実施形態について、配線形成後、パターンウエハをＳＥＭにより観察したところ、配線の上面及び側面にプラズマエッチング残渣及びアッシング残渣が認められた（図３（ｃ）参照）。なお、各評価についてどの実施形態を対象にしたかは、各評価項目に図面の番号を記載することにより示している。複数の実施形態を対象としたものについては、その平均評価値とした。
【００５８】
　表１に記載した温度に調温した上記各洗浄組成物に上記残渣の付着したパターンウエハの切片（約２ｃｍ×２ｃｍ）を浸漬し、表１〜３に記載した浸漬時間後にパターンウエハの切片を取り出し、直ちに超純水で水洗、Ｎ2乾燥を行った。浸漬試験後のパターンウエハの切片の断面及び表面をＳＥＭで観察し、フォトレジスト及び残渣（プラズマエッチング残渣及びアッシング残渣）の除去性（特大メタルの洗浄性）、並びに、Ａｌべた膜剥れの抑制性、ベアシリコンウエハの変色の抑制性、Ａｌ配線の表面荒れ防止性について下記の判断基準に従って評価を行った。除去性及び腐食性の評価結果を表１に記載した。
【００５９】
　＜ビアホールないしリセス周辺の表面の残渣除去：図１〜図３＞
　ＡＡ：フォトレジスト及び残渣が完全に除去された。
　　Ａ：フォトレジスト及び残渣がほぼ完全に除去された。
　　Ｂ：フォトレジスト及び残渣の溶解不良物が残存していた。
　　Ｃ：フォトレジスト及び残渣がほとんど除去されていなかった。
【００６０】
　＜Ａｌべた膜剥れの抑制性＞
　ＡＡ：Ａｌべた膜剥れは見られなかった。
　　Ａ：Ａｌべた膜剥れが配線全体に対して０．１％以下で起こっていた。
　　Ｂ：Ａｌべた膜剥れが配線全体に対して１％以下で起こっていた。
　　Ｃ：Ａｌべた膜剥れが配線全体に対して５％以下で起こっていた。」
　エ　「【００６４】【表１】
」
　２　申立人の主張及び当審の判断
（１）申立理由の概要
　申立人は、本件発明１〜２３について、それらの記載が特許法第３６条第６項第１号の規定の要件、いわゆるサポート要件を満たさないと主張している。
（２）サポート要件の判断手法
　ア　判断の枠組み
　一般に「特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであり，明細書のサポート要件の存在は，特許出願人（…）が証明責任を負うと解するのが相当である。・・・」されているところ、〔知財高裁平成１７年（行ケ）１００４２号平成１７年１１月１１日判決言渡。〕このような観点に基づいて、申立人の主張を後記（３）以降で検討する。
　イ　本件発明の課題について
（ア）本件発明１〜１３、２２〜２３について
　前記第２、２（１）に摘記した本件特許明細書の段落【０００８】の記載から、上記各発明の課題は、「レーザーアブレーションプロセスの後、残留物を洗浄するのに適し、また、異なる処理条件下では、ポリマー層の剥離にも適する組成物」を提供することであると認められる。
（イ）本件発明１４〜２１について
　上記各発明の課題は、「レーザーアブレーションプロセスの後、残留物を洗浄するのに適し、また、異なる処理条件下では、ポリマー層の剥離にも適する組成物を用いた製造方法」を提供することであると認められる。
（３）本件発明１について
　ア　成分（ａ）について
（ア）申立人の主張の概要
　ａ　アルカリ性化合物について、本件発明１において「０．５〜２５重量％のアルカリ性化合物」と特定されているのに対して、アルカリ性化合物の具体例としては、前記第２、２（４）に摘記した本件特許明細書の段落【００８３】に記載された「水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）２．５部」だけである。そして、本件発明１のように「アルカリ性化合物」に拡張・一般化すること、及びその量を「０．５〜２５重量％」に拡張・一般化することはできない。
　ｂ　前記１（２）エに摘記した甲１の段落【００６４】【表１】を参照すると、アルカリ性化合物がＴＭＡＨであるの試料番号１０６とアルカリ化合物がＫＯＨである試料番号１０８とは、残渣除去性が大きく相違している。このように、アルカリ化合物の種類によっては、本件発明の課題が解決できない発明を含むものである。
（イ）当審の判断
　ａ　前記（２）アに示した枠組みに照らすと、申立人の主張は、本件発明１は、「０．５〜２５重量％のアルカリ性化合物」の具体例が１つしか記載されていないので、それ以外の態様は、前記（２）イ（ア）において認定した課題を解決できると認識できる範囲を超えている可能性があるという主張と解されるが、具体的にどの部分が「課題を解決できると認識できる範囲」を超えているか主張するものでない。そして、一般に具体例と技術常識に基づいて、当該具体例を含む所定の範囲においてその課題を解決できると認識でき、かつ、本件発明１について、「０．５〜２５重量％のアルカリ性化合物」という範囲の中にその課題を解決できないといえる具体的な態様が含まれていることを申立人が具体的に立証しているわけでもない。したがって、主張は、採用できない。
　ｂ　前記１（２）エに摘記した１の段落【００６４】【表１】を参照すると、試料番号１０６と試料番号１０８とでは、アルカリ性化合物の種類以外に、有機溶媒（Ｓｌ）の量が試料番号１０６では、１質量％含有されているのに対し、試料番号１０８では、１０質量％であるという点で違いがあることが読み取れる。そして、試料番号１０６では残渣除去性がＢであるのに対し、試料番号１０８では残渣除去性がＡＡである違いがあるのは、塩基性有機化合物の違いによるのか、有機溶媒の量が異なることによるのかは判然としない。前記１（２）アに摘記した甲１の請求項８の記載からみて、試料番号１０６における有機溶媒の量が５質量％以上でないことが要因であると解される。申立人の主張は採用できない。
　イ　成分（ｂ）について
（ア）申立人の主張の概要
　アルコールアミン化合物について、本件発明１において「１〜２５重量％のアルコールアミン化合物」と特定されているのに対して、アルコールアミン化合物の具体例としては、前記第２、２（４）に摘記した本件特許明細書の段落【００８３】に記載された「モノエタノールアミン４．３部」だけである。そして、本件発明１のように「アルコールアミン」に拡張・一般化すること、及びその量を「１〜２５重量％」に拡張・一般化することはできない。
（イ）当審の判断
　前記ア（イ）ａと同様である。
　ウ　成分（ｃ）について
（ア）申立人の主張の概要
　ヒドロキシルアンモニウム化合物について、本件発明１において「０．１〜２０重量％のヒドロキシルアンモニウム化合物」と特定されているのに対して、ヒドロキシルアンモニウム化合物の具体例としては、前記第２、２（４）に摘記した本件特許明細書の段落【００８３】に記載された「硫酸ヒドロキシルアンモニウム０．５部」だけである。そして、本件発明１のように「ヒドロキシルアンモニウム」に拡張・一般化すること、及びその量を「０．５〜２５重量％」に拡張・一般化することはできない。
（イ）当審の判断
　前記ア（イ）ａと同様である。
　エ　成分（ｄ）について
（ア）申立人の主張の概要
　有機溶媒について、本件発明１において「５〜９５重量％の有機溶媒」と特定されているのに対して、有機溶媒の具体例としては、前記第２、２（４）に摘記した本件特許明細書の段落【００８３】に記載された「テトラヒドロフルフリルアルコール８５部」だけである。そして、本件発明１のように「有機溶媒」に拡張・一般化すること、及びその量を「５〜９５重量％」に拡張・一般化することはできない。
（イ）当審の判断
　前記ア（イ）ａと同様である。
　オ　成分（ｅ）について
（ア）申立人の主張の概要
　腐食防止剤化合物について、本件発明１において「０．１〜５重量％の腐食防止剤化合物」と特定されているのに対して、腐食防止剤化合物の具体例としては、前記第２、２（４）に摘記した本件特許明細書の段落【００８３】に記載された「５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール０．２部」だけである。そして、本件発明１のように「腐食防止剤化合物」に拡張・一般化すること、及びその量を「０．１〜５重量％」に拡張・一般化することはできない。
（イ）当審の判断
　前記ア（イ）ａと同様である。
　カ　組成物のｐＨについて
（ア）申立人の主張の概要
　組成物のｐＨについて、本件発明１において「１２．４以上のｐＨを有する」と特定されているのに対して、組成物のｐＨの具体例としては、前記第２、２（４）に摘記した本件特許明細書の段落【００８３】に記載された「１４．９」だけである。そして、本件発明１のように「１２．４以上のｐＨを有する組成物に拡張・一般化することはできない。
（イ）当審の判断
　前記ア（イ）ａと同様である。
（４）本件発明２について
　ア　申立人の主張の概要
　アルカリ化合物について、本件発明２において「テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、２−ヒドロキシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）およびこれらの混合物からなる群から選択される」と特定されているのに対して、アルカリ性化合物の具体例としては、前記第２、２（４）に摘記した本件特許明細書の段落【００８３】に記載された「水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）」だけである。そして、本件発明２のうち水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）以外のアルカリ化合物に拡張・一般化することはできない。
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（５）本件発明３について
　ア　申立人の主張の概要
　アルコールアミン化合物について、本件発明３において「モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジグリコールアミン
、Ｎ
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（６）本件発明４について
　ア　申立人の主張の概要
　ヒドロキシルアンモニウム化合物について、本件発明４において「硫酸ヒドロキシルアンモニウム、塩酸ヒドロキシルアンモニウム、硝酸ヒドロキシルアンモニウムおよびリン酸ヒドロキシルアンモニウムからなる群から選択される」と特定されているのに対し、ヒドロキシルアンモニウム化合物の具体例としては、前記第２、２（４）に摘記した本件特許明細書の段落【００８３】に記載された「硫酸ヒドロキシルアンモニウム」だけである。そして、本件発明４のように硫酸ヒドロキシルアンモニウム以外のヒドロキシルアンモニウム化合物に拡張・一般化することはできない。
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（７）本件発明５について
　ア　申立人の主張の概要
　本件発明５においては、（ｃ）成分のヒドロキシルアンモニウム化合物が特定されているが、（ｃ）成分以外の（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｄ）成分、（ｅ）成分については特定されていないから、本件発明１と同様にサポート要件を満たさない。
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（８）本件発明６について
　ア　申立人の主張の概要
　本件発明６においては、（ｄ）成分について、「Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ−エチルピロリドン（ＮＥＰ）、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルスルホン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、ホルムアミド、テトラメチル尿素、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）およびこれらの混合物からなる群から選択される」と特定されているのに対して、有機溶媒の具体例としては、前記第２、２（４）に摘記した本件特許明細書の段落【００８３】に記載された「テトラヒドロフルフリルアルコール」だけである。そして、本件発明６のようにテトラヒドロフルフリルアルコール以外の有機溶媒に拡張・一般化することはできない。
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（９）本件発明７について
　ア　申立人の主張の概要
　本件発明７においては、（ｄ）成分について、「ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）またはテトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）である」と特定されているのに対して、有機溶媒の具体例としては、前記第２、２（４）に摘記した本件特許明細書の段落【００８３】に記載された「テトラヒドロフルフリルアルコール」だけである。そして、本件発明６のようにテトラヒドロフルフリルアルコール以外の有機溶媒に拡張・一般化することはできない。
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（１０）本件発明８について
　ア　申立人の主張の概要
　本件発明８においては、（ｅ）成分について、「トリアゾール、ベンゾトリアゾール、置換トリアゾールまたは置換ベンゾトリアゾールである」と特定されているのに対して、腐食防止剤の具体例としては、前記第２、２（４）に摘記した本件特許明細書の段落【００８３】に記載された「５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール」だけである。そして、本件発明８のように５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール以外の有機溶媒に拡張・一般化することはできない。
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（１１）本件発明９について
　ア　申立人の主張の概要
　本件発明９においては、（ｄ）成分の有機溶媒が特定されているが、（ｄ）成分以外の（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分、（ｅ）成分については特定されていないから、本件発明１と同様にサポート要件を満たさない。
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（１２）本件発明１０について
　ア　申立人の主張の概要
　本件発明１０においては、（ｅ）成分について、「全組成物の０．５重量％以下」と特定されているが、（ｅ）成分以外の（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分、（ｄ）成分については特定されていないから、本件発明１と同様にサポート要件を満たさない。
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（１３）本件発明１１について
　ア　申立人の主張の概要
　本件発明１１においては、（ｅ）成分について、「全組成物の０．３重量％以下」と特定されているが、（ｅ）成分以外の（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分、（ｄ）成分については特定されていないから、本件発明１と同様にサポート要件を満たさない。
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（１４）本件発明１２について
　ア　申立人の主張の概要
　本件発明１２においては、（ｅ）成分について、化学式（Ｉ）で限定しているが、（ｅ）成分以外の（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分、（ｄ）成分については特定されていないから、本件発明１と同様にサポート要件を満たさない。
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（１５）本件発明１３について
　ア　申立人の主張の概要
　本件発明１３においては、（ｅ）成分について、化学式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｋ）で限定しているが、（ｅ）成分以外の（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分、（ｄ）成分については特定されていないから、本件発明１と同様にサポート要件を満たさない。
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（１６）本件発明１４〜２１について
　ア　申立人の主張の概要
　本件発明１４〜２１は、本件発明１〜１３に係る組成物を用いた半導体デバイスの製造方法であるが、本件発明１〜１３に係る組成物がサポート要件を満たさないので、半導体デバイスの製造法についてもサポート要件を満たさない。
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（１７）本件発明２２について
　ア　申立人の主張の概要
　本件発明２２は、（ｄ）成分について、「有機溶媒が水に対し０．５〜０．８の相対エネルギー差（ＲＥＤ）を有する」という特定されているが、（ｄ）成分以外の（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分、（ｅ）成分については特定されていないから、本件発明１と同様にサポート要件を満たさない。
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
（１６）本件発明２３について
　ア　申立人の主張の概要
　本件発明２３は、本件発明２２にさらに、「２５℃
で５
〜１
　イ　当審の判断
　前記（３）ア（イ）ａと同様である。
　３　小括
　以上のとおり、申立人の主張はいずれも認められない。特許異議の申立の理由により、本件発明の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たさないものということはできない。
第４　むすび
　以上のとおり、本件発明１〜２３に係る特許を取り消すべきということはできない。
　また、他に本件発明１〜２３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年１１月１６日（２０２１．１１．１６）