【事件の表示】
　特許第６６２１９９０号発明「紫外発光ダイオード」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６６２１９９０号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜７〕について訂正することを認める。
　特許第６６２１９９０号の請求項１〜７に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６６２１９９０号（以下「本件特許」という。）の請求項１〜７に係る特許についての出願は、平成２７年１月１５日（優先権主張　平成２６年１月１６日）に出願され、令和元年１１月２９日にその特許権の設定登録がされ、令和元年１２月１８日に特許掲載公報が発行された。
　本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
　令和２年　６月１８日　　：特許異議申立人中野圭二（以下「申立人」という。）による請求項１〜７に係る特許に対する特許異議の申立て
　令和２年１０月２１日付け：取消理由通知書
　令和２年１２月２５日　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
　なお、令和３年３月１２日付けで当審から申立人に対し訂正請求があった旨の通知（特許法第１２０条の５第５項）をするとともに、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、申立人から意見書は提出されなかった。
第２　訂正の適否についての判断
　１　訂正の内容
（１）令和２年１２月２５日に提出された訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）は、次のとおりである（下線は、訂正箇所として特許権者が付したものである。）。
　ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に、
　「光が放射される発光主面を有する基板、ｎ型層、活性層、およびｐ型層がこの順で積層された積層構造を有し、さらに、
　前記ｐ型層上にｐ型電極を有し、かつ前記ｐ型層、および前記活性層の一部の領域を除去して露出させた前記ｎ型層上にｎ型電極を有する発光ダイオードであって、
　発光ピーク波長が２２０〜３５０ｎｍの範囲にあり、
　前記ｎ型層が、ＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ層（０．６５≦Ｘ１≦０．８０）であり、
　前記ｎ型電極が、前記ｎ型層に直接に接して形成されており、
　前記ｎ型電極の固有接触抵抗値（Ω・ｃｍ２）を該ｎ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除したｎ型電極抵抗値が１．０Ω未満であり、
　２５℃において、駆動電流値１５０ｍＡにおける発光出力密度が１０Ｗ／ｃｍ２以上であり、
　２５℃で駆動電流値を１５０ｍＡとしたときの駆動電圧値が１０Ｖ以下であることを特徴とした紫外発光ダイオード。」と記載されているのを、
　「光が放射される発光主面を有する基板、ｎ型層、活性層、およびｐ型層がこの順で積層された積層構造を有し、さらに、
　前記ｐ型層上にｐ型電極を有し、かつ前記ｐ型層、および前記活性層の一部の領域を除去して露出させた前記ｎ型層上にｎ型電極を有する発光ダイオードであって、
　発光ピーク波長が２２０〜３５０ｎｍの範囲にあり、
　前記基板が、転位密度が１０６ｃｍ−２以下であるＡｌＮ単結晶基板であり、
　前記発光ピーク波長の紫外光に対する前記基板の内部透過率が８５％以上であり、
　前記ｎ型層が、ＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ層（０．６５≦Ｘ１≦０．８０）であり、
　前記活性層が、量子井戸層と障壁層とが組み合わされた量子井戸構造を有し、該量子井戸構造は３層以上前記量子井戸層を有する多重量子井戸構造であり、前記量子井戸層および前記障壁層のそれぞれがＡｌＧａＮ層であり、
　前記ｐ型層が、前記活性層上に順に積層された、ｐ型ＡｌＸ３Ｇａ１−Ｘ３Ｎ層（０．５≦Ｘ３≦１．０）、ｐ型ＡｌＸ４Ｇａ１−Ｘ４Ｎ層、ｐ型ＩｎＹＧａ１−ＹＮ層（０≦Ｘ３≦０．１）層を備え、Ｘ１≦Ｘ４≦Ｘ３であり、
　前記ｎ型電極が、前記ｎ型層に直接に接して形成されており、
　
前記ｎ型電極は、
となる電極面積で形成されており
　前記ｎ型電極の電極面積が０．００２〜０．５ｃｍ２であり、
　
前記ｐ型電極は、
発光出力（Ｗ）を該ｐ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除した
１０．
以上となる電極面積で形成されており、
　２５℃で駆動電流値を１５０ｍＡとしたときの駆動電圧値が
９．７
　イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４に、
　「前記発光主面を有する基板が、窒化アルミニウム単結晶からなることを特徴とした請求項１〜３のいずれかに記載の紫外発光ダイオード。」と記載されているのを、
　「
前記ｎ型電極が、前記ｎ型層上に順に形成された、第１の電極金属層および第２の電極金属層を備え、
　前記第１の電極金属層が、Ｔｉ、Ｖ及びＴａから選ばれる少なくとも１種からなる金属層であり、
　前記第２の電極金属層が、前記第１の電極金属層上に順に形成された、Ｔｉ、Ｖ及びＴａから選ばれる少なくとも１種からなる接合金属層、仕事関数が４．０ｅＶ〜４．８ｅＶであり且つ比抵抗が１．５×１０−６Ω・ｃｍ〜４．０×１０−６Ω・ｃｍである金属からなる高導電性金属層、並びに、Ａｕ及び／又はＰｔからなる貴金属層を含む多層構造を有し、
　前記ｐ型電極が、Ｎｉ及びＡｕを含む電極材料により形成されている
　ウ　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項７に、
　「前記基板が、窒化アルミニウム単結晶基板であり、
　駆動電流値を１５０ｍＡとして２５℃で連続運転した際、発光出力値が初期発光出力値の７０％となるまでの寿命時間が１０００時間以上であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の紫外発光ダイオード。」と記載されているのを、
　「
　
（２）なお、本件訂正は、一群の請求項〔１〜７〕に対して請求されたものである。
　２　訂正要件の判断
（１）訂正事項１について
　ア　訂正の目的
（ア）訂正事項１は、以下の内容からなるものである。
　ａ　訂正前の請求項１に記載された発明の「基板」を、「転位密度が１０６ｃｍ−２以下であるＡｌＮ単結晶基板」に限定し、「前記発光ピーク波長の紫外光に対する前記基板の内部透過率が８５％以上」と更に限定すること。
　ｂ　訂正前の請求項１に記載された発明の「活性層」を、「量子井戸層と障壁層とが組み合わされた量子井戸構造を有し、該量子井戸構造は３層以上前記量子井戸層を有する多重量子井戸構造であり、前記量子井戸層および前記障壁層のそれぞれがＡｌＧａＮ層であり」と限定すること。
　ｃ　訂正前の請求項１に記載された発明の「ｐ型層」を、「前記活性層上に順に積層された、ｐ型ＡｌＸ３Ｇａ１−Ｘ３Ｎ層層（０．５≦Ｘ３≦１．０）、ｐ型ＡｌＸ４Ｇａ１−Ｘ４Ｎ層、ｐ型ＩｎＹＧａ１−ＹＮ層（０≦Ｘ３≦０．１）層を備え、Ｘ１≦Ｘ４≦Ｘ３であり」と限定すること。
　ｄ　訂正前の請求項１に記載された発明の「前記ｎ型電極の固有接触抵抗値（Ω・ｃｍ２）を該ｎ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除したｎ型電極抵抗値が１．０Ω未満」であることを、「前記ｎ型電極は、前記ｎ型電極の固有接触抵抗値（Ω・ｃｍ２）を該ｎ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除したｎ型電極抵抗値が１．０Ω未満となる電極面積で形成されており」、かつ、「前記ｎ型電極の電極面積が０．００２〜０．５ｃｍ２であり」と限定すること。
　ｅ　訂正前の請求項１に記載された発明の「２５℃において、駆動電流値１５０ｍＡにおける発光出力密度が１０Ｗ／ｃｍ２以上」であることを、「前記ｐ型電極は、２５℃において、駆動電流値１５０ｍＡにおける発光出力（Ｗ）を該ｐ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除した発光出力密度が１０．１Ｗ／ｃｍ２以上となる電極面積で形成されており」と限定すること。
　ｆ　訂正前の請求項１に記載された発明の「２５℃で駆動電流値を１５０ｍＡとしたときの駆動電圧値が１０Ｖ以下」であったのを、「９．７Ｖ以下」と限定すること。
（イ）したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　イ　新規事項追加の有無
（ア）上記ア（ア）ａについて
　本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）の【００３１】及び【００４２】には、「基板」として、「転位密度が１０６ｃｍ−２以下であるＡｌＮ単結晶基板」が、好ましい例として記載されている。
　また、本件明細書等の【００３２】には、基板の内部透過率について、「前記発光ピーク波長の紫外光に対する前記基板の内部透過率が８５％以上」と、好ましい例として記載されている。
（イ）上記ア（ア）ｂについて
　本件明細書等の【００４３】及び【００４４】には、「活性層」として、「量子井戸層と障壁層とが組み合わされた量子井戸構造を有し、該量子井戸構造は３層以上前記量子井戸層を有する多重量子井戸構造であり、前記量子井戸層および前記障壁層のそれぞれがＡｌＧａＮ層」であるものが記載されている。
（ウ）上記ア（ア）ｃについて
　本件明細書等の【００４９】〜【００５１】には、「図１に例示する紫外発光ダイオード１は、
ｐ型ＡｌＸ３Ｇａ１−Ｘ３Ｎ層５、ｐ型ＡｌＸ４Ｇａ１−Ｘ４Ｎ層６、ｐ型ＩｎＹＧａ１−ＹＮ層７の順で活性層４上に積層された
ｐ型層８
０．５≦Ｘ３≦１．０
Ｘ１≦Ｘ４≦Ｘ３
０≦Ｙ≦０．１
　したがって、本件明細書等には、「ｐ型層」として、「前記活性層上に順に積層された、ｐ型ＡｌＸ３Ｇａ１−Ｘ３Ｎ層層（０．５≦Ｘ３≦１．０）、ｐ型ＡｌＸ４Ｇａ１−Ｘ４Ｎ層、ｐ型ＩｎＹＧａ１−ＹＮ層（０≦Y≦０．１）層を備え、Ｘ１≦Ｘ４≦Ｘ３」であるものが記載されている。
（エ）上記ア（ア）ｄについて
　本件明細書等の【００６０】及び【００６１】には、「…（前略）…、その一定の電極形成条件を採用した際に、ｎ型電極抵抗値が１．０Ω未満となるような電極面積を算出し、その電極面積のｎ型電極を形成すればよい。」及び「…（前略）…、ｎ型電極面積とｎ型電極抵抗値との関係に基づいてｎ型電極抵抗値が１．０Ω未満となるｎ型電極面積を決定して、紫外発光ダイオードを作製している」と記載されており、「ｎ型電極抵抗値が１．０Ω未満」であることは、ｎ型電極の電極面積により定まることが記載されているといえる。
　したがって、本件明細書等には、「前記ｎ型電極は、前記ｎ型電極の固有接触抵抗値（Ω・ｃｍ２）を該ｎ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除したｎ型電極抵抗値が１．０Ω未満となる電極面積で形成されており」との事項が記載されている。
　また、本件明細書等の【００５７】には、「また、電極面積は、ｎ型電極抵抗に合わせて適宜調整すればよく、紫外発光ダイオードの大きさにもよるが、通常、０．５〜０．０００１ｃｍ２の範囲内である」と記載されている。
　そして、表１〜３中の実施例１〜１７におけるｎ型電極の電極面積の最小値は「０．００２」（ｃｍ２）である。
　したがって、本件明細書等には、「前記ｎ型電極の電極面積が０．００２〜０．５ｃｍ２であり」との事項が記載されているといえる。
（オ）上記ア（ア）ｅについて
　本件明細書等の【００２７】には、「…（前略）…。本発明における発光出力密度とは、本発明の紫外発光ダイオードの、上述の発光スペクトルの全光束測定によって求められる発光出力（Ｗ）を、紫外発光ダイオードのｐ型電極の面積（ｃｍ２）で除した値である。」と記載されている。
　また、上記【００２７】の記載より、「発光出力密度」は、「ｐ型電極の面積」により定まるものと理解できる。
　更に、本件明細書等の表１〜３中の実施例１〜１７より、２５℃において、駆動電流値１５０ｍＡにおける発光出力密度の最小値は「１０．１Ｗ／ｃｍ２」（実施例５）であるから、「発光出力密度」が「１０．１Ｗ／ｃｍ２」のものは、本件明細書等に記載されているといえる。
　したがって、「前記ｐ型電極は、２５℃において、駆動電流値１５０ｍＡにおける発光出力（Ｗ）を該ｐ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除した発光出力密度が１０．１Ｗ／ｃｍ２以上となる電極面積で形成されており」との事項は、本件明細書等に記載されているといえる。
（カ）上記ア（ア）ｆについて
　「２５℃で駆動電流値を１５０ｍＡとしたときの駆動電圧値」について、本件明細書等の表１〜３中の実施例１〜１７における駆動電圧値の最大値は「９．７Ｖ」（実施例１６）であるから、「２５℃で駆動電流値を１５０ｍＡとしたときの駆動電圧値」として「９．７Ｖ以下」のものは、本件明細書等に記載されている。
　したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
　ウ　特許請求の範囲の実質拡張変更の有無
　上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
　したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
　エ　訂正事項１の小括
　よって、訂正事項１は、訂正要件を満たす。
（２）訂正事項２について
　ア　訂正の目的
（ア）　訂正事項２は、以下の内容からなるものである。
　ａ　請求項４が引用する訂正後の請求項１が、上記（１）ア（ア）のとおり、「基板」が「転位密度が１０６ｃｍ−２以下であるＡｌＮ単結晶基板」に限定されたことに伴い、訂正前の請求項４の「前記発光主面を有する基板が、窒化アルミニウム単結晶からなる」の記載との関係が明瞭でなくなったことから、当該記載を削除して、明瞭にすること。
　ｂ　「ｎ型電極」を、「前記ｎ型層上に順に形成された、第１の電極金属層および第２の電極金属層を備え、
　前記第１の電極金属層が、Ｔｉ、Ｖ及びＴａから選ばれる少なくとも１種からなる金属層であり、
　前記第２の電極金属層が、前記第１の電極金属層上に順に形成された、Ｔｉ、Ｖ及びＴａから選ばれる少なくとも１種からなる接合金属層、仕事関数が４．０ｅＶ〜４．８ｅＶであり且つ比抵抗が１．５×１０−６Ω・ｃｍ〜４．０×１０−６Ω・ｃｍである金属からなる高導電性金属層、並びに、Ａｕ及び／又はＰｔからなる貴金属層を含む多層構造を有し」と限定すること。
　ｃ　更に、「ｐ型電極」を「Ｎｉ及びＡｕを含む電極材料により形成されている」と限定すること。
（イ）したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮、及び特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　イ　新規事項追加の有無
（ア）上記ア（ア）ａについて
　「前記発光主面を有する基板が、窒化アルミニウム単結晶からなる」との記載の削除は、訂正後の請求項１と重複する記載を削除するものであるから、新規事項を追加するものではない。
（イ）上記ア（ア）ｂについて
　本件明細書等の【００５５】には、「ｎ型電極」について、「…（前略）…。特許文献２には、III族窒化物単結晶からなるｎ型半導体層の上にｎ型コンタクト電極を形成する方法であって、該ｎ型半導体層上にＴｉ、ＶおよびＴａからなる群より選ばれる少なくとも１種からなる金属層からなる第一の電極金属層を形成した後、８００℃以上１２００℃以下の温度で熱処理を行う工程、及び、第一の電極金属層上に仕事関数が４．０ｅＶ〜４．８ｅＶであり且つ比抵抗が１．５×１０−６Ω・ｃｍ〜４．０×１０−６Ω・ｃｍである金属からなる高導電性金属層を含んでなる第二の電極金属層を形成した後、７００℃以上１０００℃以下の温度で熱処理を行う工程とを含む、ｎ型コンタクト電極の形成方法が開示されている。…（後略）…。」と記載されている。
（ウ）上記ア（ア）ｃについて
　本件明細書等の【００５５】には、「ｐ型電極」について、「ｐ型電極（ｐ型電極層）１０は、公知のｐ型オーミック電極材料を使用することができる。…（中略）…、例えば、特許第３４９９３８５号公報（特許文献３）に記載されている、ＮｉおよびＡｕを含む電極材料を好ましく採用することができる。特許文献３の内容はここに参照を以って組み入れられる。」と記載されている。
　したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
　ウ　特許請求の範囲の実質拡張変更の有無
　上記ア及びイにも照らせば、訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
　したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
　エ　訂正事項２の小括
　よって、訂正事項２は、訂正要件を満たす。
（３）訂正事項３について
　ア　訂正の目的
　訂正事項３は、請求項７が引用する訂正後の請求項１が、上記（１）ア（ア）のとおり、「基板」が「転位密度が１０６ｃｍ−２以下であるＡｌＮ単結晶基板」に限定されたことに伴い、訂正前の請求項７の「前記発光主面を有する基板が、窒化アルミニウム単結晶からなる」の記載との関係が明瞭でなくなったことから、当該記載を削除して、明瞭にするものである。
　したがって、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　イ　新規事項追加の有無
　「前記基板が、窒化アルミニウム単結晶基板であり」との記載の削除は、訂正後の請求項１と重複する記載を削除するものであるから、新規事項を追加するものではない。
　したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
　ウ　特許請求の範囲の実質拡張変更の有無
　上記ア及びイにも照らせば、訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
　したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
　エ　訂正事項３の小括
　よって、訂正事項３は、訂正要件を満たす。
　３　訂正の適否の小括
　以上のとおり、本件訂正は、訂正要件を満たす。
　よって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、本件訂正後の請求項〔１〜７〕について訂正することを認める。
第３　本件訂正後の請求項
　本件訂正は上記第２のとおり認められたので、本件訂正後の請求項１〜７に係る発明（以下「本件発明１」〜「本件発明７」といい、これらを総称して「本件発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
　光が放射される発光主面を有する基板、ｎ型層、活性層、およびｐ型層がこの順で積層された積層構造を有し、さらに、
　前記ｐ型層上にｐ型電極を有し、かつ前記ｐ型層、および前記活性層の一部の領域を除去して露出させた前記ｎ型層上にｎ型電極を有する発光ダイオードであって、
　発光ピーク波長が２２０〜３５０ｎｍの範囲にあり、
　前記基板が、転位密度が１０６ｃｍ−２以下であるＡｌＮ単結晶基板であり、
　前記発光ピーク波長の紫外光に対する前記基板の内部透過率が８５％以上であり、
　前記ｎ型層が、ＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ層（０．６５≦Ｘ１≦０．８０）であり、
　前記活性層が、量子井戸層と障壁層とが組み合わされた量子井戸構造を有し、該量子井戸構造は３層以上前記量子井戸層を有する多重量子井戸構造であり、前記量子井戸層および前記障壁層のそれぞれがＡｌＧａＮ層であり、
　前記ｐ型層が、前記活性層上に順に積層された、ｐ型ＡｌＸ３Ｇａ１−Ｘ３Ｎ層層（０．５≦Ｘ３≦１．０）、ｐ型ＡｌＸ４Ｇａ１−Ｘ４Ｎ層、ｐ型ＩｎＹＧａ１−ＹＮ層（０≦Ｘ３≦０．１）層を備え、Ｘ１≦Ｘ４≦Ｘ３であり、
　前記ｎ型電極が、前記ｎ型層に直接に接して形成されており、
　前記ｎ型電極は、前記ｎ型電極の固有接触抵抗値（Ω・ｃｍ２）を該ｎ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除したｎ型電極抵抗値が１．０Ω未満となる電極面積で形成されており、
　前記ｎ型電極の電極面積が０．００２〜０．５ｃｍ２であり、
　前記ｐ型電極は、２５℃において、駆動電流値１５０ｍＡにおける発光出力（Ｗ）を該ｐ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除した発光出力密度が１０．１Ｗ／ｃｍ２以上となる電極面積で形成されており、
　２５℃で駆動電流値を１５０ｍＡとしたときの駆動電圧値が９．７Ｖ以下であることを特徴とした紫外発光ダイオード。
【請求項２】
　前記ｐ型電極の面積が０．０００１〜０．０１ｃｍ２である請求項１に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項３】
　前記発光主面に凹凸構造が形成されていることを特徴とした請求項１又は２に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項４】
　前記ｎ型電極が、前記ｎ型層上に順に形成された、第１の電極金属層および第２の電極金属層を備え、
　前記第１の電極金属層が、Ｔｉ、Ｖ及びＴａから選ばれる少なくとも１種からなる金属層であり、
　前記第２の電極金属層が、前記第１の電極金属層上に順に形成された、Ｔｉ、Ｖ及びＴａから選ばれる少なくとも１種からなる接合金属層、仕事関数が４．０ｅＶ〜４．８ｅＶであり且つ比抵抗が１．５×１０−６Ω・ｃｍ〜４．０×１０−６Ω・ｃｍである金属からなる高導電性金属層、並びに、Ａｕ及び／又はＰｔからなる貴金属層を含む多層構造を有し、
　前記ｐ型電極が、Ｎｉ及びＡｕを含む電極材料により形成されていることを特徴とした請求項１〜３のいずれかに記載の紫外発光ダイオード。
【請求項５】
　前記活性層、および前記ｐ型層が、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（但し、Ｘは、０≦Ｘ≦１．０）で表されるIII族窒化物半導体からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の紫外発光ダイオード。
【請求項６】
　発光ピーク波長が２２０〜２４５ｎｍの範囲にあり、外部量子効率が０．３％以上であり、
　駆動電流値を１５０ｍＡとして２５℃で連続運転した際、発光出力値が初期発光出力値の７０％となるまでの寿命時間が３００時間以上であることを特徴とした請求項１〜５のいずれかに記載の紫外発光ダイオード。
【請求項７】
　駆動電流値を１５０ｍＡとして２５℃で連続運転した際、発光出力値が初期発光出力値の７０％となるまでの寿命時間が１０００時間以上であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の紫外発光ダイオード。」
第４　令和２年１０月２１日付け取消理由通知書で通知した取消理由の概要
　本件訂正前の請求項１〜７に係る特許に対して、当審が令和２年１０月２１日付け取消理由通知書（以下、単に「取消理由通知書」という。）により特許権者に通知した取消理由の概要は、次のとおりである。
　なお、取消理由通知書において採用しなかった特許異議申立理由は存在しない。
１．本件特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
２．本件特許は、発明の詳細な説明の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
３．下記の請求項に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の文献に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、下記の請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
＜引用文献等一覧＞
　甲第１号証：特開２０１３−１３８０９３号公報
　甲第２号証：特開２０１３−２４３４１１号公報
　甲第３号証：特開２０１４−２０３８７４号公報
　甲第４号証：特開２０１３−１６１９０２号公報
　甲第５号証：特開２００５−３５４０２０号公報
　引用文献１：KINOSHITA Toru et al., ”Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy”, Applied Physics Express 5 (2012) 122101（当審注：本件明細書等【０００８】記載の【非特許文献３】である。）
第５　取消理由通知書で通知した取消理由に対する当審の判断
　１　特許法第３６条第６項第１号について
（１）訂正前の請求項１に記載された「基板」は、訂正事項１により、「前記基板が、転位密度が１０６ｃｍ−２以下であるＡｌＮ単結晶基板であり」及び「前記発光ピーク波長の紫外光に対する前記基板の内部透過率が８５％以上であり」と限定され、本件訂正後の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「訂正明細書等」という。）の【００１０】〜【００１２】に記載された「高出力密度と低駆動電圧特性を有する紫外発光ダイオードを提供すること」という本件課題を解決するための前提事項が特定されたことから、訂正事項１により訂正された「基板」は、本件課題を解決できると認識できるものとなった。
（２）訂正前の請求項１に記載された「発光出力密度が１０Ｗ／ｃｍ２以上」及び「駆動電圧値が１０Ｖ以下」との特定は、訂正事項１（上記第２の１（１）ア）により、「発光出力密度が１０．１Ｗ／ｃｍ２以上」及び「駆動電圧値が９．７Ｖ以下」と訂正され、訂正明細書等に記載したものとなった。
（３）取消理由通知では、「即ち、上記「高出力密度」と「低駆動電圧特性」とは相反する要請であり、訂正明細書等をみても、当該相反する要請をどのように満たすのか、その原理的な説明はなされておらず、【表１】及び【表２】に記載された特定の実施例がこれを満たしているにとどまるものである。」と説示したが、下記のとおりであるから、「高出力密度」と「低駆動電圧特性」との要請をどのように満たすのかは、訂正明細書等より理解することができるといえる。
　ａ　本件発明１は、「２５℃において、駆動電流値１５０ｍＡにおける発光出力密度が１０．１Ｗ／ｃｍ２以上」及び「２５℃で駆動電流値を１５０ｍＡとしたときの駆動電圧値が９．７Ｖ以下」と特定しており、当該数値範囲を満たす全ての紫外発光ダイオードを含むものである。
　ｂ　ここで、実施例１（ｐ型電極面積「０．００１ｃｍ２」、１５０ｍＡ動作時の発光出力密度「２８．６Ｗ／ｃｍ２」）及び実施例１７（ｐ型電極面積「０．００２ｃｍ２」、１５０ｍＡ動作時の発光出力密度「１５．２Ｗ／ｃｍ２」）、或いは比較例１（ｐ型電極面積「０．００１ｃｍ２」、１５０ｍＡ動作時の発光出力密度「２８．８Ｗ／ｃｍ２」）及び比較例４（ｐ型電極面積「０．０００３ｃｍ２」、１５０ｍＡ動作時の発光出力密度「７２．８Ｗ／ｃｍ２」）を対比してみれば、１５０ｍＡ動作時において、ｐ型電極の面積を変えることで、発光出力密度を制御し得ることが理解できる。
　また、実施例１（ｎ型電極面積「０．００２ｃｍ２」、１５０ｍＡ動作時の駆動電圧「８．８Ｖ」）及び比較例１（ｎ型電極面積「０．０００８ｃｍ２」、１５０ｍＡ動作時の駆動電圧「１２．３Ｖ」）、或いは実施例１６（ｎ型電極面積「０．００３ｃｍ２」、１５０ｍＡ動作時の駆動電圧「９．７Ｖ」）及び比較例４（ｎ型電極面積「０．０００８ｃｍ２」、１５０ｍＡ動作時の駆動電圧「１４．０Ｖ」）を対比してみれば、１５０ｍＡ動作時において、ｎ型電極の面積を変えることで、駆動電圧値を制御し得ることが理解できる。
　ｃ　上記ｂによれば、「発光出力密度」及び「駆動電圧値」は、それぞれ、「ｐ型電極の面積」及び「ｎ型電極の面積」により、独立して制御し得るものと解される。
　ｄ　したがって、「高出力密度」と「低駆動電圧特性」とは、独立して制御可能であることが、訂正明細書等に記載されているといえるから、上記数値範囲を満たす全ての紫外発光ダイオードを作成し得ることについて、訂正明細書等に記載されているといえる。
（４）以上のとおりであるから、本件発明１〜７は、訂正明細書等に記載したものである。
　２　特許法第３６条第４項第１号について
　上記１（３）のとおり、本件発明１〜７の「発光出力密度」及び「駆動電圧値」は、それぞれ、ｐ型電極の面積及びｎ型電極の面積により、独立して制御し得るものと理解できる。
　したがって、訂正明細書等は、本件発明１〜７を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。
　３　特許法第２９条第２項について１（引用文献１に記載された発明を主引用発明として）
（１）本件発明１に対して
　ア　引用文献の記載事項
（ア）引用文献１に記載された事項
　ａ　引用文献１には、図面と共に、以下の事項が記載されている（下線は当審が付与した。以下同じ。）。
「A schematic of the DUV-LED structure fabricated in this study is shown in Fig. 2. First, a100-nm-thick AlN homo epitaxial layer was grown on the polished HVPE-AlN surface, followed by a 1.0-μm -thick  Si-doped n- Al0.75Ga0.25N hetero epitaxial layer. Typical full width at half maximum (FWHM) values of the (0002) and(10-12) reflections of HRXRD ω-rocking curves obtained from the n- Al0.75Ga0.25N layer were 90 and 60 arcsec, respectively. The active region consisted of three multiple quantum wells (MQWs), followed by a Mg-doped p-AlN electron blocking layer and a p- Al0.75Ga0.25N cladding layer. In this work, a p-GaN layer was deposited on the cladding layer to form p-type ohmic contact in spite of serious optical loss due to DUV light absorption in GaN.
（日本語仮訳：本研究で作製したDUV-LED構造の模式図を図2に示す。まず、
研磨されたHVPE-AlN表面に100nm厚のAlNホモエピタキシャル層を成長させ、次に
Siドープn-Al0.75Ga0.25Nヘテロエピタキシャル層を成長させ
活性領域は３つの多重量子井戸(MQW)からなり、Mgドープのp-AlN電子阻止層とp- Al0.75Ga0.25Nクラッド層が続い
「DUV-LEDs of 400 × 600 μm2 size were fabricated by conventional LED processing techniques of photolithography, dry etching, and metal evaporation. The finger-shape electrode area was approximately 0.001 cm２. Thin Ni/Au and Ti/Al/Au films were used as p- and n-type contacts, respectively. After the LED processing, the back side of the substrate was mechanically polished to remove the PVT portion of the AlN substrate. The thickness of the remaining HVPE-AlN substrate was approximately 170 μm. The electroluminescence(EL) spectra of the on-wafer configuration were measured using a charge-coupled device photodetector with a spectrometer through the substrate before and after removing the PVT portion of the AlN substrate. Then, the LED wafer was diced, and each chip was flip-chip-mounted on a sintered AlN submount with Au-Sn solder bumps. The submount with an LED chip was glued on a 1× 0:5mm2 sintered AlN carrier with the Ag paste. The electrical and optical characteristics of the fabricated DUV-LEDs 
were measured under continuous wave (CW) current injection at room temperature. The output power was measured by using a calibrated integration sphere.
（日本語仮訳：
フォトリソグラフィー、ドライエッチング
400×600μm2サイズのDUV-LED
指状電極面積は約0.001ｃｍ２であった
フリップチップマウントした
電気的および光学的特性は、室温で連続波（CW）電流注入下で測定した。出力電力は、校正された積分球を用いて測定した
「The EL spectra of a flip-chip-mounted DUV-LED under forward bias are shown in Fig. 5. In addition to the emission peak at a wavelength of 268 nm, a weak parasitic peak at a wave length of around 300 nm was observed besides the main peak. This peak is likely to be due to the recombination from the conduction band to the deep acceptor level in the p- Al0.75Ga0.25N cladding layer.
（日本語仮訳：図5に
フリップチップ実装型 DUV-LED
「Figure 6 shows the output power and EQE of the DUV-LED as a function of injection current. The CW output power and EQE at an injection current of 250mA reached 28mW and 2.4%, respectively. The output power increased super linearly when the injection current was increased above 100 mA. The EQE also increased from 1.3 to 2.4% within creasing injection current. These characteristics of output power and EQE were reported to be due to the thermal activation in p-type layers caused by self-heating effect.
（日本語仮訳：図6に射出電流の関数としての DUV-LED の出力電力と EQE を示す。
注入電流250mAでのCW出力電力は28mW、EQEは2.4%に達した
「In summary, AlGaN-based DUV-LEDs were fabricated on HVPE-AlN substrates grown on bulk PVT-AlN substrates. The DUV-LEDs exhibited a single emission peaking at 268 nm through the HVPE-AlN substrate by removing the PVT-AlN substrate, which yielded the reduction of optical loss due to absorption in AlN substrate. The output power and EQE of the DUV-LEDs were recorded to be as high as28mW and 2.4%, respectively.
（日本語仮訳：本研究では、PVT-AlN基板上に成長させたHVPE-AlN基板上にAlGaNベースのDUV-LEDを作製し、PVT-AlN基板を除去することで268nmの単一発光ピークを示した。その結果、PVT-AlN基板を除去することで、HVPE-AlN基板を介して
268nmに単一の発光ピークを示し
「Fig. 2
」
「Fig. 6
」
　ｂ　引用文献１に記載された技術的事項
　上記ａの記載から、引用文献１には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。
（ア）図２から、
露出したn- Al0.75Ga0.25Nヘテロエピタキシャル層上に、ｎ型コンタクトを形成した
　また、引用文献１の「フォトリソグラフィー、ドライエッチング、金属蒸着の従来のLED加工技術を用いて、400×600 μm2サイズのDUV-LEDを作製した」との記載と合わせて図２をみれば、「
p-GaN層、Mgドープのp-AlN電子阻止層とp- Al0.75Ga0.25Nクラッド層、３つの多重量子井戸(MQW)の一部の領域」が、ドライエッチングにより除去され、Siドープn- Al0.75Ga0.25Nヘテロエピタキシャル層が露出させられていること
（イ）引用文献１には「指状電極面積は約0.001ｃｍ２であった」と記載されているところ、発光素子の構造と各電極の配置に鑑みれば、「ｐ型オーミックコンタクト」の形状を示していることは明らかである。
（ウ）引用文献１には「製造されたDUV-LEDの
電気的および光学的特性は、室温で連続波（CW）電流注入下で測定した
注入電流150mAでのCW出力電力は13mW、EQEは2.0%である
　ｃ　引用文献１に記載された発明
　上記ａ〜ｂより、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
＜引用発明＞
「400×600 μm2サイズのフリップチップ実装型DUV-LEDであって、
　研磨されたHVPE-AlN基板の表面に100nm厚のAlNホモエピタキシャル層を成長させ、
　次にSiドープn- Al0.75Ga0.25Nヘテロエピタキシャル層を成長させ、
　活性領域は３つの多重量子井戸(MQW)からなり、
　Mgドープのp-AlN電子阻止層とp-Al0.75Ga0.25Nクラッド層が続き、
　クラッド層上にp-GaN層を堆積させ、
　ｐ型オーミックコンタクトを形成し、指状電極面積は約0.001ｃｍ２であり、
　p-GaN層、Mgドープのp-AlN電子阻止層とp-Al0:75Ga0:25Nクラッド層及び３つの多重量子井戸(MQW)の一部の領域が、ドライエッチングにより除去され、露出したSiドープn-Al0.75Ga0.25Nヘテロエピタキシャル層上に、ｎ型コンタクトを形成し、
　電気的および光学的特性は、室温で連続波（CW）電流注入下で測定し、
　出力電力は、校正された積分球を用いて測定し、
　注入電流150mAでのCW出力電力は13mW、EQEは2.0%であるDUV-LED。」
　イ　対比
（ア）引用発明の「DUV-LED」、「HVPE-AlN基板」、「Siドープn-Al0.75Ga0.25Nヘテロエピタキシャル層」、「３つの多重量子井戸(MQW)」、「Mgドープのp-AlN電子阻止層とp-Al0.75Ga0.25Nクラッド層、p-GaN層」、「ｐ型オーミックコンタクト」及び「ｎ型コンタクト」は、それぞれ本件発明１の「紫外発光ダイオード」、「基板」、「ｎ型層」、「活性層」、「ｐ型層」、「ｐ型電極」及び「ｎ型電極」に相当する。
（イ）引用発明の「DUV-LED」は、「フリップチップ実装型」であるから、「DUV-LED」からの放射光は「HVPE-AlN基板」側から放射される。
　したがって、引用発明の「HVPE-AlN基板」は、本件発明１の「光が放射される発光主面を有する基板」といえる。
（ウ）引用発明の「ｎ型コンタクト」は、「p-GaN層、Mgドープのp-AlN電子阻止層とp- Al0.75Ga0.25Nクラッド層及び３つの多重量子井戸(MQW)の一部の領域が、ドライエッチングにより除去され」、「露出したSiドープn- Al0.75Ga0.25Nヘテロエピタキシャル層上」に形成されている。
　したがって、引用発明は、本件発明１の「前記ｐ型層、および前記活性層の一部の領域を除去して露出させた前記ｎ型層上にｎ型電極を有する」との構成を備えるといえる。
（エ）引用発明の「DUV-LED」は、「268nmの単一発光ピーク」を示すものであるから、本件発明１の「発光ピーク波長が２２０〜３５０ｎｍの範囲にあり」との構成を満たしている。
（オ）引用発明は、「Siドープn-Al0.75Ga0.25Nヘテロエピタキシャル層」を有していることから、本件発明１の「前記ｎ型層が、ＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ層（０．６５≦Ｘ１≦０．８０）であり」との構成を満たしている。
（カ）引用発明の「ｎ型コンタクト」は、「露出したSiドープn-Al0.75Ga0.25Nヘテロエピタキシャル層」上に形成されていることから、本件発明１の「前記ｎ型電極が、前記ｎ型層に直接に接して形成されており」との構成を満たすといえる。
（キ）上記（ア）〜（カ）のとおりであるから、本件発明１と引用発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。
＜一致点＞
　「光が放射される発光主面を有する基板、ｎ型層、活性層、およびｐ型層がこの順で積層された積層構造を有し、さらに、
　前記ｐ型層上にｐ型電極を有し、かつ前記ｐ型層、および前記活性層の一部の領域を除去して露出させた前記ｎ型層上にｎ型電極を有する発光ダイオードであって、
　発光ピーク波長が２２０〜３５０ｎｍの範囲にあり、
　前記ｎ型層が、ＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ層（０．６５≦Ｘ１≦０．８０）であり、
　前記ｎ型電極が、前記ｎ型層に直接に接して形成されている、紫外発光ダイオード。」
＜相違点＞
・相違点１
　「ｎ型電極」について、本件発明１では、「前記ｎ型電極の固有接触抵抗値（Ω・ｃｍ２）を該ｎ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除したｎ型電極抵抗値が１．０Ω未満となる電極面積で形成されて」おり、ｎ型電極の電極面積は、「０．００２〜０．５ｃｍ２」であるのに対して、引用発明では不明である点。
・相違点２
　「ｐ型電極」について、本件発明１では、「前記ｐ型電極は、２５℃において、駆動電流値１５０ｍＡにおける発光出力（Ｗ）を該ｐ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除した発光出力密度が１０．１Ｗ／ｃｍ２以上となる電極面積で形成されて」いるのに対して、引用発明では不明である点。
・相違点３
　「駆動電圧値」について、本件発明１では、「２５℃で駆動電流値を１５０ｍＡとしたときの駆動電圧値が９．７Ｖ以下」であるのに対して、引用発明では不明である点。
・相違点４
　「基板」について、本件発明１では、基板は、「転位密度が１０６ｃｍ−２以下であるＡｌＮ単結晶基板」であり、「前記発光ピーク波長の紫外光に対する前記基板の内部透過率が８５％以上」であるのに対して、引用発明では、基板の「転位密度」及び「発光ピーク波長の紫外光に対する基板の内部透過率」は不明である点。
・相違点５
　「活性層」について、本件発明１では、「前記活性層が、量子井戸層と障壁層とが組み合わされた量子井戸構造を有し、該量子井戸構造は３層以上前記量子井戸層を有する多重量子井戸構造であり、前記量子井戸層および前記障壁層のそれぞれがＡｌＧａＮ層であ」るのに対して、引用発明では不明である点。
・相違点６
　「ｐ型層」について、本件発明１では、「前記ｐ型層が、前記活性層上に順に積層された、ｐ型ＡｌＸ３Ｇａ１−Ｘ３Ｎ層層（０．５≦Ｘ３≦１．０）、ｐ型ＡｌＸ４Ｇａ１−Ｘ４Ｎ層、ｐ型ＩｎＹＧａ１−ＹＮ層（０≦Ｘ３≦０．１）層を備え、Ｘ１≦Ｘ４≦Ｘ３であ」るのに対して、引用発明では不明である点。
　ウ　判断
（ア）相違点１及び相違点２について
　事案に鑑みて、相違点１及び相違点２を合わせて検討する。
　ａ　引用発明は、「400×600 μm2サイズのフリップチップ実装型DUV-LED」であるところ、「フリップチップ実装型DUV-LED」の「サイズ」とは、図２でいうと、「HVPE-AlN基板」の表面法線方向から見たときの面積であると解されるから、結局、「露出したSiドープn-Al0.75Ga0.25Nヘテロエピタキシャル層」の表面及び「p-GaN層」の表面の合計面積であると解される。そして、当該「露出したSiドープn-Al0.75Ga0.25Nヘテロエピタキシャル層」の表面及び「p-GaN層」の表面は、それぞれｎ型コンタクト及びｐ型オーミックコンタクトが形成される面であるといえる。
　そうすると、引用発明では、ｎ型コンタクト及びｐ型オーミックコンタクトが形成される面の合計面積が当該「サイズ」の値と一致し、０．００２４ｃｍ２（400×600 μm2）と解される。
　そして、引用発明の「ｐ型オーミックコンタクト」の面積は、「約0.001ｃｍ２」であるから、引用発明の「ｎ型コンタクト」の面積は、約０．００１４ｃｍ２（０．００２４−０．００１）を超えることはないといえる。
　ｂ　一方、相違点１に係る「ｎ型電極の電極面積」は、「０．００２〜０．５ｃｍ２」であるから、引用発明において、相違点１の構成に至るためには、チップサイズを維持しつつｐ型オーミックコンタクトの面積を小さくするか、又は、チップサイズを大きくしつつｐ型オーミックコンタクトの面積をさほど大きくしないかのいずれかが必要である。
（ａ）しかしながら、チップサイズを維持しつつｐ型オーミックコンタクトの面積を小さくするということは、発光層の面積を減少させるという帰結をもたらすところ、これは、発光出力の低下につながることから、特別な事情がなければ行われないことであり、引用文献１の記載を参酌しても、引用発明において、発光層の面積を小さくする特別な事情は認められないものである。
（ｂ）また、引用発明において、チップサイズを大きくしつつｐ型オーミックコンタクトの面積をさほど大きくしないことについては、チップサイズを大きくすることの技術的意義が、発光出力の増大（発光層の面積の増大）であることは技術常識であり、チップサイズを大きく変更するに応じて、相似的に発光層も大きく形成されることが自然であるから、引用発明のチップサイズを大きく変更するに際して、相似的に大きく形成され、発光出力が増大されるはずの発光層、ひいてはｐ型オーミックコンタクトの面積を変更しないとすることは、当業者が容易に想到し得ることとはいえず、引用文献１の記載を参酌しても、引用発明において、前記の構成とする動機は認められないものである。
　ｃ　したがって、引用発明において、相違点１及び相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことではない。
（イ）小括
　上記（ア）のとおりであるから、相違点３〜６について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたということができない。
（２）本件発明２〜７に対して
　本件発明２〜７は、本件発明１の構成を全て具備するものであるから、本件発明２〜７も本件発明１と同じ理由により、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたということができない。
　４　特許法第２９条第２項について２（甲第１号証に記載された発明を主引用発明として）
（１）本件発明１に対して
　ア　引用文献の記載事項
（ア）甲第１号証（特開２０１３−１３８０９３号公報）に記載された事項
　ａ　甲第１号証には、図面と共に、次の記載がなされている。
「【００５２】
　図９に示すように、本発明素子１０は、
サファイア（０００１）基板１１上にＡｌＮ層１２とＡｌＧａＮ層１３を成長させた基板をテンプレート１４として用い、当該テンプレート１４上に、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１５、活性層１６、Ａｌモル分率が活性層１６より大きいｐ型ＡｌＧａＮの電子ブロック層１７、ｐ型ＡｌＧａＮのｐ型クラッド層１８、ｐ型ＧａＮのｐ型コンタクト層１９を順番に積層した積層構造を有し
ｎ型クラッド層１５より上部の活性層１６、電子ブロック層１７、ｐ型クラッド層１８、ｐ型コンタクト層１９からなる積層構造（デバイス構造層に相当）の一部が、ｎ型クラッド層１５の一部表面が露出するまで反応性イオンエッチング等により除去され、ｎ型クラッド層１６上の第１領域（Ａ１）に活性層１６からｐ型コンタクト層１９までの積層構造が形成されている。ｎ型クラッド層１５は、第１領域（Ａ１）以外の第２領域（Ａ２）において表面が露出す
「【００５７】
　
ｐ型コンタクト層１９の表面に、
ｐ電極２１が、第２領域（Ａ２）内のｎ型クラッド層１５の露出面の溝２０が形成されたｎ電極形成面に
ｎ電極２２が形成され
【００５８】
　尚、図９に示す素子構造は、図１５に示す従来の発光ダイオードの素子構造と、ｎ電極２２の下地構造（本コンタクト構造）を除き、基本的に同じである。従って、本発明素子１０は、本コンタクト構造に特徴がある。従って、
ｎ型クラッド層１５のＡｌＮモル分率が６０％以上に場合において、活性層のバンドギャップエネルギに換算すると４．４ｅＶ以上（中心発光波長では約２８０ｎｍ以下）の紫外線発光素子において
ｎ電極２２の接触抵抗の低抵抗化及びバラツキ抑制効果が図られ、電気的特性の向上（特に順方向電圧の低電圧化）及び歩留まりの向上が期待される
「図９
」
　ｂ　甲第１号証に記載された発明
　上記アから、甲第１号証には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
＜甲１発明＞
「サファイア（０００１）基板１１上にＡｌＮ層１２とＡｌＧａＮ層１３を成長させた基板をテンプレート１４として用い、
　当該テンプレート１４上に、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１５、活性層１６、Ａｌモル分率が活性層１６より大きいｐ型ＡｌＧａＮの電子ブロック層１７、ｐ型ＡｌＧａＮのｐ型クラッド層１８、ｐ型ＧａＮのｐ型コンタクト層１９を順番に積層した積層構造を有し、
　ｎ型クラッド層１５より上部の活性層１６、電子ブロック層１７、ｐ型クラッド層１８、ｐ型コンタクト層１９からなる積層構造（デバイス構造層に相当）の一部が、ｎ型クラッド層１５の一部表面が露出するまで反応性イオンエッチング等により除去され、
　ｎ型クラッド層１６上の第１領域（Ａ１）に活性層１６からｐ型コンタクト層１９までの積層構造が形成され、
　ｎ型クラッド層１５は、第１領域（Ａ１）以外の第２領域（Ａ２）において表面が露出し、（【００５２】）
　ｐ型コンタクト層１９の表面にｐ電極２１が、第２領域（Ａ２）内のｎ型クラッド層１５の露出面の溝２０が形成されたｎ電極形成面にｎ電極２２が形成され、（【００５７】）
　ｎ型クラッド層１５のＡｌＮモル分率が６０％以上の場合において、活性層のバンドギャップエネルギに換算すると４．４ｅＶ以上（中心発光波長では約２８０ｎｍ以下）の紫外線発光素子において、ｎ電極２２の接触抵抗の低抵抗化及びバラツキ抑制効果が図られ、電気的特性の向上（特に順方向電圧の低電圧化）及び歩留まりの向上が期待される、（【００５８】）
　紫外線発光素子。」
　イ　対比
（ア）甲１発明の「テンプレート１４」は、「サファイア（０００１）基板１１上にＡｌＮ層１２とＡｌＧａＮ層１３を成長させた基板」であり、ｎ型クラッド層等が積層されるものであるから、当該「テンプレート１４」は、本件発明１の「基板」に相当するといえる。
　また、甲１発明の「ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１５」及び「活性層１６」は、それぞれ本件発明１の「ｎ型層」及び「活性層」に相当し、甲１発明の「Ａｌモル分率が活性層１６より大きいｐ型ＡｌＧａＮの電子ブロック層１７」、「ｐ型ＡｌＧａＮのｐ型クラッド層１８」及び「ｐ型ＧａＮのｐ型コンタクト層１９」は、全て「ｐ型」の層であるから、本件発明１の「ｐ型層」に相当するといえる。
（イ）甲１発明は、「当該テンプレート１４上に、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１５、活性層１６、Ａｌモル分率が活性層１６より大きいｐ型ＡｌＧａＮの電子ブロック層１７、ｐ型ＡｌＧａＮのｐ型クラッド層１８、ｐ型ＧａＮのｐ型コンタクト層１９を順番に積層した積層構造を有し」ていることから、本件発明１の「基板、ｎ型層、活性層、およびｐ型層がこの順で積層された積層構造」を有しているといえる。
（ウ）甲１発明の「ｐ電極２１」及び「ｎ電極２２」は、それぞれ本件発明１の「ｐ型電極」及び「ｎ型電極」に相当する。
　そして、甲１発明の「ｐ電極２１」は、「ｐ型コンタクト層１９の表面」に形成されるものであるから、本件発明１の「前記ｐ型層上にｐ型電極を有し」との構成を満たしている。
　また、甲１発明では、「ｎ型クラッド層１５より上部の活性層１６、電子ブロック層１７、ｐ型クラッド層１８、ｐ型コンタクト層１９からなる積層構造（デバイス構造層に相当）の一部が、ｎ型クラッド層１５の一部表面が露出するまで反応性イオンエッチング等により除去され」ている。
　そして、甲１発明の「ｎ電極２２」は、「ｎ型クラッド層１５の露出面の溝２０が形成されたｎ電極形成面」に形成されていることから、甲１発明は、本件発明１の「かつ前記ｐ型層、および前記活性層の一部の領域を除去して露出させた前記ｎ型層上にｎ型電極を有する」との構成を備えるといえる。
（エ）甲１発明は「ｎ型クラッド層１５のＡｌＮモル分率が６０％以上に場合において、活性層のバンドギャップエネルギに換算すると４．４ｅＶ以上（中心発光波長では約２８０ｎｍ以下）の紫外線発光素子」であるから、本件発明１の「発光ピーク波長が２２０〜３５０ｎｍの範囲にあり」及び「前記ｎ型層が、ＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ層（０．６５≦Ｘ１≦０．８０）であり」との構成を満たしている。
（オ）甲１発明の「ｎ電極２２」は、「ｎ型クラッド層１５の露出面の溝２０が形成されたｎ電極形成面」に形成されていることから、本件発明１の「前記ｎ型層に直接に接して形成されており」との構成を満たしている。
（カ）上記（ア）〜（オ）より、本件発明１と甲１発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。
＜一致点＞
「基板、ｎ型層、活性層、およびｐ型層がこの順で積層された積層構造を有し、さらに、
　前記ｐ型層上にｐ型電極を有し、かつ前記ｐ型層、および前記活性層の一部の領域を除去して露出させた前記ｎ型層上にｎ型電極を有する発光ダイオードであって、
　発光ピーク波長が２２０〜３５０ｎｍの範囲にあり、
　前記ｎ型層が、ＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ層（０．６５≦Ｘ１≦０．８０）であり、
　前記ｎ型電極が、前記ｎ型層に直接に接して形成されている、紫外発光ダイオード。」
＜相違点＞
・相違点１
　「ｎ型電極」について、本件発明１では、「前記ｎ型電極の固有接触抵抗値（Ω・ｃｍ２）を該ｎ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除したｎ型電極抵抗値が１．０Ω未満となる電極面積で形成されて」おり、ｎ型電極の電極面積は、「０．００２〜０．５ｃｍ２」であるのに対して、甲１発明では不明である点。
・相違点２
　「ｐ型電極」について、本件発明１では、「前記ｐ型電極は、２５℃において、駆動電流値１５０ｍＡにおける発光出力（Ｗ）を該ｐ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除した発光出力密度が１０．１Ｗ／ｃｍ２以上となる電極面積で形成されて」いるのに対して、甲１発明では不明である点。
・相違点３
　「駆動電圧値」について、本件発明１では、「２５℃で駆動電流値を１５０ｍＡとしたときの駆動電圧値が９．７Ｖ以下」であるのに対して、甲１発明では不明である点。
・相違点４
　「基板」について、本件発明１では、基板は、「光が放射される発光主面を有」し、「転位密度が１０６ｃｍ−２以下であるＡｌＮ単結晶基板」であり、「前記発光ピーク波長の紫外光に対する前記基板の内部透過率が８５％以上」であるのに対して、甲１発明では、基板の「発光主面」、「転位密度」及び「発光ピーク波長の紫外光に対する基板の内部透過率」は不明である点。
・相違点５
　「活性層」について、本件発明１では、「前記活性層が、量子井戸層と障壁層とが組み合わされた量子井戸構造を有し、該量子井戸構造は３層以上前記量子井戸層を有する多重量子井戸構造であり、前記量子井戸層および前記障壁層のそれぞれがＡｌＧａＮ層であ」るのに対して、甲１発明では不明である点。
・相違点６
　「ｐ型層」について、本件発明１では、「前記ｐ型層が、前記活性層上に順に積層された、ｐ型ＡｌＸ３Ｇａ１−Ｘ３Ｎ層層（０．５≦Ｘ３≦１．０）、ｐ型ＡｌＸ４Ｇａ１−Ｘ４Ｎ層、ｐ型ＩｎＹＧａ１−ＹＮ層（０≦Ｘ３≦０．１）層を備え、Ｘ１≦Ｘ４≦Ｘ３であ」るのに対して、甲１発明では不明である点。
　ウ　判断
（ア）相違点１及び相違点２について
　事案に鑑みて、相違点１及び相違点２を合わせて検討する。
　ａ　甲１発明の「ｎ電極２２」の面積は不明であるが、その上限は、上面電極型発光素子のチップサイズに応じて定まるものといえ、チップサイズが大きくなれば、「ｎ電極２２」の面積も大きく設計し得るものと理解できる。
　そして、チップサイズは、実施に当たり適宜設計されるものであるから、相違点１に係る「ｎ型電極の電極面積」が「０．００２〜０．５ｃｍ２」である構成は、甲１発明のチップサイズをある程度よりも大きくすることで、満たされ得るものということができる。
　ｂ　相違点２に係る「発光出力密度」は、「発光出力（Ｗ）」を「ｐ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除した」ものであるから、甲１発明の「ｐ電極２１」の「電極面積」をある程度よりも小さくすることで、相違点２に係る「２５℃において、駆動電流値１５０ｍＡにおける発光出力密度が１０．１Ｗ／ｃｍ２以上」との事項は、満たされ得るということができる。
　そして、「ｐ電極２１」の「電極面積」は、発光層の全領域に電流を注入し得るよう形成されるものであることから、発光層の面積と実質的に等しいものと解され、よって、上述の「ｐ電極２１」の「電極面積」をある程度よりも小さくするということは、発光層の面積をある程度よりも小さくすることに等しいものと理解できる。
　ｃ　ここで、上記ａのとおり、甲１発明のチップサイズを大きく設計した場合に、相違点１に係る構成が満たされ得るとしても、チップサイズを大きく設計することの技術的意義は、発光出力の増大（発光層の面積の増大）であることが技術常識であることを踏まえると、チップサイズを大きく設計するということは、発光層の面積がある程度よりも大きくなることを意味するものと理解できる。
　ｄ　一方、上記ｂのとおり、相違点２に係る構成は、甲１発明の「ｐ電極２１」の「電極面積」がある程度よりも小さく設計された時に満たされ得るものであるから、ある程度よりも発光層の面積が小さくなることを意味するものである。
　ｅ　そうすると、上記ｃ及びｄより、甲１発明において、相違点１と相違点２とを同時に満たす構成には、発光層の面積を、（チップサイズを調整すること等により）単に大きくしたり、単に小さくしたりするだけで至ることはない。そして、これらの構成に至るための動機があることを示す証拠はなく、本件発明１は、相違点１及び相違点２を同時に満たすことにより、高い発光出力密度を得て、光源装置を小型化し得ると共に、駆動電圧を低減するという効果を奏するものである。
　ｆ　以上のとおりであるから、本件発明１は、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできないものである。
（イ）小括
　上記（ア）のとおりであるから、相違点３〜６について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたということはできないものである。
（２）本件発明２〜７に対して
　本件発明２〜７は、本件発明１の構成を全て具備するものであるから、本件発明２〜７も本件発明１と同じ理由により、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたということはできないものである。
　５　特許法第２９条第２項について３（甲第２号証に記載された発明を主引例発明として）
（１）本件発明１に対して
　ア　引用文献の記載事項
（ア）甲第２号証（特開２０１３−２４３４１１号公報）に記載された事項
　ａ　甲第２号証には、図面と共に、次の記載がなされている。
「【００２６】
　III族窒化物半導体素子（深紫外発光素子）
　本発明の一実施形態に係る
半導体素子１は波長が３００ｎｍ以下（深紫外領域）の光を発する発光素子
基板１１上に形成されたバッファ層１２上において、半導体素子１はＮ型クラッド層１３、活性層１４および
III族窒化物積層体１０が順に積層された構造を有し
Ｐ型キャップ層１６には正電極２１が形成されている
【００２７】
　本実施形態では、
III族窒化物積層体１０は、Ｐ型クラッド層１５としてのＰ型ＡｌＧａＩｎＮ層と、Ｐ型キャップ層１６としてのＰ型ＧａＮ層と、が積層された構成を有し
【００２８】
　基板１１は、半導体素子１の製造時の処理温度に耐える材料であれば、特に制限されず、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＺｎＯ、ＺｒＢ２などを用いればよい。本実施形態ではサファイア単結晶を用いることが好ましい。」
「【００３２】
　また、
Ｎ型クラッド層１３の積層面の一部は積層方向に露出し
この露出している面には負電極２０が形成され
「【０１０１】
　発光素子の作製
　参考例７
　参考例１と同様の手順でＡｌＮ層（バッファ層）を基板上に層厚み０．４５μｍで形成した後、基板温度が１１５０℃、ＴＭＧ流量が１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭＡ流量が３５μｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニア流量が１．５ｓｌｍ、テトラエチルシラン流量が２ｎｍｏｌ／ｍｉｎ、全流量が１０ｓｌｍ、圧力が５０Ｔｏｒｒの条件で
ＳｉドーピングＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層（Ｎ型クラッド層）
形成し
【０１０２】
　次いで、活性層を以下のようにして形成した。まず、ＴＭＧ流量が１４μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭＡが１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニア流量が１．５ｓｌｍの条件で障壁層を層厚み７ｎｍで形成した。次いで、アンモニア流量を変化させずに、ＴＭＧ流量を２３μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭＡ流量を５μｍｏｌ／ｍｉｎに変化させた条件で井戸層を層厚み２ｎｍで形成後した後、再度障壁層を層厚み７ｎｍで形成した。すなわち、活性層はＭＱＷ構造を有していた。
【０１０３】
　（III族窒化物積層体の作製）
　（Ｐ型Ａｌ０．８Ｇａ０．２Ｎ層の形成）
　次いで、ＴＭＧ流量が５μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭＡ流量が３５μｍｏｌ／ｍｉｎ、Ｃｐ２Ｍｇ流量が０．５μｍｏｌ／ｍｉｎの条件でＭｇドーピングＡｌ０．８Ｇａ０．２Ｎ層（Ｐ型クラッド層）を層厚み３０ｎｍで形成した。
【０１０４】
　（Ｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層の形成）
　次いで、ＴＭＧ流量を１０μｍｏｌ／ｍｉｎに増やして、ＭｇドーピングＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ（Ｐ型クラッド層）を層厚み５０ｎｍで形成した。この参考例においては、ＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ層は、上記
ＭｇドーピングＡｌ０．８Ｇａ０．２Ｎ層、およびＭｇドーピングＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層の２層から構成されており、両層がＰ型クラッド層となる
【０１０５】
　（Ｐ型ＧａＮ層の形成）
　その後、基板温度が１０８０℃、ＴＭＧ流量が２２μｍｏｌ／ｍｉｎ、Ｃｐ２Ｍｇ流量が０．５μｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニア流量が２．０ｓｌｍ（Ｖ／III比＝４０２０）、全流量が７ｓｌｍ、圧力が１５０Ｔｏｒｒの条件（参考例１と同様）でＰ型ＧａＮ層（ＭｇドーピングＧａＮ層）を層厚みが０．２μｍとなるように形成した。このＰ型ＧａＮ層の成長速度を参考例１と同様の方法により測定した結果、成長速度は０．４８μｍ／ｈであった。」
「【０１０７】
　次いで、基板を複数個の１５ｍｍ角程度の正方形に切断し、窒素雰囲気中，２０分間，８００℃の条件で熱処理を行った。次いで、フォトリソグラフィーにより所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンの形成されていない窓部を
反応性イオンエッチングによりＳｉドーピングＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層（Ｎ型クラッド層）の表面が露出するまでエッチングし
「図１
」
　ｂ　甲第２号証に記載された技術的事項
　図１から、Ｎ型クラッド層１３の
露出している面に直接に接して負電極２０が形成され
　ｃ　甲第２号証に記載された発明
　上記ａ〜ｂより、甲第２号証には次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されているものと認められる。
＜甲２発明＞
　「基板１１上に形成されたバッファ層１２上において、半導体素子１はＮ型クラッド層１３、活性層１４およびIII族窒化物積層体１０が順に積層された構造を有し、（【００２６】）
　III族窒化物積層体１０は、Ｐ型クラッド層１５としてのＰ型ＡｌＧａＩｎＮ層と、Ｐ型キャップ層１６としてのＰ型ＧａＮ層と、が積層された構成を有し、（【００２７】）
　Ｎ型クラッド層１３の積層面の一部は積層方向に露出し、この露出している面には負電極２０が形成されており、（【００３２】、上記ｂ）
　Ｐ型キャップ層１６には正電極２１が形成されている、（【００２６】）
　波長が３００ｎｍ以下（深紫外領域）の光を発する発光素子であって、（【００２６】）
　前記ｎ型クラッド層１３は、ＳｉドーピングＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層であり、（【０１０１】）
　反応性イオンエッチングによりＳｉドーピングＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層（Ｎ型クラッド層）の表面が露出するまでエッチングし、（【０１０７】）
　前記Ｐ型クラッド層１５は、ＭｇドーピングＡｌ０．８Ｇａ０．２Ｎ層、およびＭｇドーピングＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層の２層から構成されている、（【０１０４】）
　深紫外発光素子。」
　イ　対比
（ア）甲２発明の「基板１１」、「Ｎ型クラッド層１３」、「活性層１４」、「III族窒化物積層体１０」、「正電極２１」、「負電極２０」及び「深紫外発光素子」は、それぞれ本件発明１の「基板」、「ｎ型層」、「活性層」、「ｐ型層」、「ｐ型電極」、「ｎ型電極」及び「紫外発光ダイオード」に相当する。
（イ）甲２発明は、「基板１１上に形成されたバッファ層１２上において、半導体素子１はＮ型クラッド層１３、活性層１４およびIII族窒化物積層体１０が順に積層された構造を有し」ていることから、本件発明１の「基板、ｎ型層、活性層、およびｐ型層がこの順で積層された積層構造」を有しているといえる。
（ウ）甲２発明は、「反応性イオンエッチングによりＳｉドーピングＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層（Ｎ型クラッド層）の表面が露出するまでエッチングし」、「この露出している面には負電極２０が形成されて」いることから、本件発明１の「かつ前記ｐ型層、および前記活性層の一部の領域を除去して露出させた前記ｎ型層上にｎ型電極を有する」との構成を有しているといえる。
（エ）甲２発明の「深紫外発光素子」は、「波長が３００ｎｍ以下（深紫外領域）の光を発する発光素子」であるから、甲２発明は、本件発明１の「発光ピーク波長が２２０〜３５０ｎｍの範囲にあり」との特定を満たすといえる。
（オ）甲２発明の「ｎ型クラッド層１３」は、「ＳｉドーピングＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層」であるから、本件発明１の「前記ｎ型層が、ＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ層（０．６５≦Ｘ１≦０．８０）であり」との特定を満たすといえる。
（カ）上記（ア）〜（オ）より、本件発明１と甲２発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。
＜一致点＞
　「基板、ｎ型層、活性層、およびｐ型層がこの順で積層された積層構造を有し、さらに、
　前記ｐ型層上にｐ型電極を有し、かつ前記ｐ型層、および前記活性層の一部の領域を除去して露出させた前記ｎ型層上にｎ型電極を有する発光ダイオードであって、
　発光ピーク波長が２２０〜３５０ｎｍの範囲にあり、
　前記ｎ型層が、ＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ層（０．６５≦Ｘ１≦０．８０）であり、
　前記ｎ型電極が、前記ｎ型層に直接に接して形成されている、紫外発光ダイオード。」
＜相違点＞
・相違点１
　「ｎ型電極」について、本件発明１では、「前記ｎ型電極の固有接触抵抗値（Ω・ｃｍ２）を該ｎ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除したｎ型電極抵抗値が１．０Ω未満となる電極面積で形成されて」おり、ｎ型電極の電極面積は、「０．００２〜０．５ｃｍ２」であるのに対して、甲２発明では不明である点。
・相違点２
　「ｐ型電極」について、本件発明１では、「前記ｐ型電極は、２５℃において、駆動電流値１５０ｍＡにおける発光出力（Ｗ）を該ｐ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除した発光出力密度が１０．１Ｗ／ｃｍ２以上となる電極面積で形成されて」いるのに対して、甲２発明では不明である点。
・相違点３
　「駆動電圧値」について、本件発明１では、「２５℃で駆動電流値を１５０ｍＡとしたときの駆動電圧値が９．７Ｖ以下」であるのに対して、甲２発明では不明である点。
・相違点４
　「基板」について、本件発明１では、基板は、「光が放射される発光主面を有」し、「転位密度が１０６ｃｍ−２以下であるＡｌＮ単結晶基板」であり、「前記発光ピーク波長の紫外光に対する前記基板の内部透過率が８５％以上」であるのに対して、甲２発明では、基板の「発光主面」、「転位密度」及び「発光ピーク波長の紫外光に対する基板の内部透過率」は不明である点。
・相違点５
　「活性層」について、本件発明１では、「前記活性層が、量子井戸層と障壁層とが組み合わされた量子井戸構造を有し、該量子井戸構造は３層以上前記量子井戸層を有する多重量子井戸構造であり、前記量子井戸層および前記障壁層のそれぞれがＡｌＧａＮ層であ」るのに対して、甲２発明では不明である点。
・相違点６
　「ｐ型層」について、本件発明１では、「前記ｐ型層が、前記活性層上に順に積層された、ｐ型ＡｌＸ３Ｇａ１−Ｘ３Ｎ層層（０．５≦Ｘ３≦１．０）、ｐ型ＡｌＸ４Ｇａ１−Ｘ４Ｎ層、ｐ型ＩｎＹＧａ１−ＹＮ層（０≦Ｘ３≦０．１）層を備え、Ｘ１≦Ｘ４≦Ｘ３であ」るのに対して、甲２発明では不明である点。
　ウ　判断
（ア）相違点１及び相違点２について
　事案に鑑みて、相違点１及び相違点２を合わせて検討する。
　上記本件発明１と甲２発明との相違点１〜６は、本件発明１と甲１発明との相違点１〜６（上記４（１）イ）と同じであり、甲２発明の「負電極２０」の面積は、甲１発明と同様に不明であることを踏まえると、上記相違点１及び相違点２についての判断は、本件発明１と甲１発明との相違点１及び相違点２に対する判断（上記４（１）ウ（ア））と、同様に判断される。
　したがって、本件発明１は、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできないものである。
（イ）小括
　上記（ア）のとおりであるから、相違点３〜６について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできないものである。
（２）本件発明２〜７に対して
　本件発明２〜７は、本件発明１の構成を全て具備するものであるから、本件発明２〜７も本件発明１と同じ理由により、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできないものである。
第７　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１〜７に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年９月３０日（２０２１．９．３０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　光が放射される発光主面を有する基板、ｎ型層、活性層、およびｐ型層がこの順で積層された積層構造を有し、さらに、
　前記ｐ型層上にｐ型電極を有し、かつ前記ｐ型層、および前記活性層の一部の領域を除去して露出させた前記ｎ型層上にｎ型電極を有する発光ダイオードであって、
　発光ピーク波長が２２０〜３５０ｎｍの範囲にあり、
　前記基板が、転位密度が１０６ｃｍ−２以下であるＡｌＮ単結晶基板であり、
　前記発光ピーク波長の紫外光に対する前記基板の内部透過率が８５％以上であり、
　前記ｎ型層が、ＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ層（０．６５≦Ｘ１≦０．８０）であり、
　前記活性層が、量子井戸層と障壁層とが組み合わされた量子井戸構造を有し、該量子井戸構造は３層以上の前記量子井戸層を有する多重量子井戸構造であり、
　前記量子井戸層および前記障壁層のそれぞれがＡｌＧａＮ層であり、
　前記ｐ型層が、前記活性層上に順に積層された、ｐ型ＡｌＸ３Ｇａ１−Ｘ３Ｎ層（０．５≦Ｘ３≦１．０）、ｐ型ＡｌＸ４Ｇａ１−Ｘ４Ｎ層、及びｐ型ＩｎＹＧａ１−ＹＮ（０≦Ｙ≦０．１）層を備え、Ｘ１≦Ｘ４≦Ｘ３であり、
　前記ｎ型電極が、前記ｎ型層に直接に接して形成されており、
　
前記ｎ型電極は、
となる電極面積で形成されており
　前記ｎ型電極の電極面積が０．００２〜０．５ｃｍ２であり、
　
前記ｐ型電極は、
発光出力（Ｗ）を該ｐ型電極が設置された部分の電極面積（ｃｍ２）で除した
１０．１
となる電極面積で形成されており
　２５℃で駆動電流値を１５０ｍＡとしたときの駆動電圧値が
９．７
　【請求項２】
　前記ｐ型電極の面積が０．０００１〜０．０１ｃｍ２である請求項１に記載の紫外発光ダイオード。
　【請求項３】
　前記発光主面に凹凸構造が形成されていることを特徴とした請求項１又は２に記載の紫外発光ダイオード。
　【請求項４】
　前記ｎ型電極が、前記ｎ型層上に順に形成された、第１の電極金属層および第２の電極金属層を備え、
　前記第１の電極金属層が、Ｔｉ、Ｖ、及びＴａから選ばれる少なくとも１種からなる金属層であり、
　前記第２の電極金属層が、前記第１の電極金属層上に順に形成された、Ｔｉ、Ｖ、及びＴａから選ばれる少なくとも１種からなる接合金属層、仕事関数が４．０〜４．８ｅＶであり且つ比抵抗が１．５×１０−６〜４．０×１０−６Ω・ｃｍである金属からなる高導電性金属層、並びに、Ａｕ及び／又はＰｔからなる貴金属層を含む多層構造を有し、
　前記ｐ型電極が、Ｎｉ及びＡｕを含む電極材料により形成されている
　【請求項５】
　前記活性層、および前記ｐ型層が、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（但し、Ｘは、０≦Ｘ≦１．０）で表されるＩＩＩ族窒化物半導体からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の紫外発光ダイオード。
　【請求項６】
　発光ピーク波長が２２０〜２４５ｎｍの範囲にあり、外部量子効率が０．３％以上であり、
　駆動電流値を１５０ｍＡとして２５℃で連続運転した際、発光出力値が初期発光出力値の７０％となるまでの寿命時間が３００時間以上であることを特徴とした請求項１〜５のいずれかに記載の紫外発光ダイオード。
　【請求項７】
　
ことを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の紫外発光ダイオード。