(57)【要約】【課題】機能膜の厚みのばらつきが抑えられる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】電気光学装置（としての有機ＥＬ装置１１）は、素子基板上に設けられた発光素子と、発光素子を区画すると共に高さが異なる第１領域６２ａと第２領域６２ｂとを有する隔壁６２と、を備え、発光素子を構成する少なくとも１つの膜が液体プロセスを用いて形成され、第１領域６２ａと第２領域６２ｂとのうち高さの高い領域に、第１領域６２ａと第２領域６２ｂとの撥液性を相対的に異ならせるラミネートフィルム６９が転写されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた電気光学素子と、
前記電気光学素子を区画すると共に高さが異なる第１領域と第２領域とを有する隔壁と、を備え、
前記電気光学素子を構成する少なくとも１つの膜が液体プロセスを用いて形成され、
前記第１領域と前記第２領域とのうち高さの高い領域に、前記第１領域と前記第２領域との撥液性を相対的に異ならせる撥液性制御膜が転写されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記隔壁によって囲まれた領域は、長辺と短辺とを有する開口部となっており、
前記第１領域は、前記長辺の領域を含み、
前記第２領域は、前記短辺の領域を含み、
前記第１領域の撥液性が前記第２領域の撥液性に比べて相対的に高いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記高さの高い領域は、前記電気光学素子を駆動させるための駆動回路要素部の厚みを利用して設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記高さの高い領域は、前記基板上の所望の領域に成膜した膜を基に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記高さの高い領域は、レジストパターンニング層を基に設けられていることを特徴する電気光学装置。
【請求項６】
基板上に電気光学素子を形成する領域を区画すると共に高さが異なる第１領域と第２領域とを備える隔壁を形成する工程と、
前記第１領域と前記第２領域とのうち高さの高い領域に、前記第１領域と前記第２領域との撥液性を相対的に異ならせる撥液性制御膜を転写する工程と、
前記隔壁で囲まれた開口部に電気光学性を備える液体を吐出する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記開口部は、長辺と短辺とを有し、
前記隔壁を形成する工程は、前記長辺の領域を含むように前記第１領域を形成し、前記短辺の領域を含むように前記第２領域を形成し、
前記撥液性制御膜を転写する工程は、前記第１領域が前記第２領域と比べて相対的に液体の撥液性が高くなるように前記第１領域に前記撥液性制御膜を転写することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記隔壁を形成する工程の前に、前記第１領域と前記第２領域とのうちいずれか一方の領域に前記電気光学素子を駆動させるための駆動回路要素部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６又は請求項７に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記隔壁を形成する工程の前に、前記第１領域と前記第２領域とのうちいずれか一方の領域に膜を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６又は請求項７に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記隔壁を形成する工程の前に、前記第１領域と前記第２領域とのうちいずれか一方の領域に、前記隔壁を形成する工程までに形成したレジストパターンニング層の少なくとも一部を残しておくことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項６又は請求項７に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記撥液性制御膜を転写する工程の前に、前記隔壁に親液化処理を施すことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記親液化処理は、プラズマ処理であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出法を用いて形成された機能膜を有する電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した電気光学装置の一つに、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に発光材料からなる発光層が挟持された構造を有している。有機ＥＬ装置の製造方法としては、例えば、特許文献１や特許文献２に記載のように、発光材料をインク化し、インクジェット法を用いてインクを基板上の発光領域に吐出して発光層を形成する工程を含んでいる。基板上の発光領域周辺には、所定部分にインクを充填するために、例えば、有機材料（例えば、アクリル樹脂）からなる隔壁（バンク）が形成されている。
【０００３】
隔壁によって区画された発光領域を含む開口部は、例えば、長辺側と短辺側とを有するトラック状となっている。短辺側に形成されている円弧の内側は、インクの濡れ性が悪く、インクが充填しにくいという問題がある。一方、長辺側は、インクが溢れ易いという問題がある。これにより、開口部に吐出されたインクの厚みにばらつきが生じ、その結果、均一な発光を得ることができないという問題がある。
【０００４】
そこで、例えば、特許文献３に記載のように、隔壁によって区画された開口部にインクを充填させやすくするための無機材料（例えば、シリコン酸化膜）を、有機材料の隔壁の下側に一部を露出させて形成することにより、インクの濡れ性を向上させて開口部内の膜厚を均一にさせる方法が知られている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１８５３５４号公報
【特許文献２】ＷＯ０１／０７４号明細書
【特許文献３】特開２００３−１８７９７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記有機ＥＬ装置における発光領域が高精細になってくると円弧の曲率が大きくなり、特に乾燥過程で円弧の部分のインクが後退しやすくなる。これにより、インクが充填しにくくなり、更に、膜厚を確保するためにインクをより多く補充すると、長辺側でインクが溢れ易いという問題が生じる。すなわち、長辺側と短辺側とでインクに対する接触角の差があることから、開口部内のインクの厚みにバラツキが生じ、発光層が不均一に成膜され、均一に発光することが出来ない（発光特性にばらつきが生じる）という問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板上に設けられた電気光学素子と、前記電気光学素子を区画すると共に高さが異なる第１領域と第２領域とを有する隔壁と、を備え、前記電気光学素子を構成する少なくとも１つの膜が液体プロセスを用いて形成され、前記第１領域と前記第２領域とのうち高さの高い領域に、前記第１領域と前記第２領域との撥液性を相対的に異ならせる撥液性制御膜が転写されていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、第１領域と第２領域とのうち、高い方の領域に撥液性制御膜が転写されているので、隔壁の第１領域と第２領域とにおいて、液体の充填性が悪い部分の撥液性を低くし、液体が溢れやすい部分の撥液性を高くすることができる。よって、隔壁によって区画された開口部内にまんべんなく液体を充填することが可能となり、開口部全体に亘って略均一な膜厚が得られる電気光学素子を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記隔壁によって囲まれた領域は、長辺と短辺とを有する開口部となっており、前記第１領域は、前記長辺の領域を含み、前記第２領域は、前記短辺の領域を含み、前記第１領域の撥液性が前記第２領域の撥液性に比べて相対的に高いことが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、隔壁における第２領域と比較して第１領域の撥液性が高いので、開口部の長辺を含む第１領域の周辺から液体が溢れ出すことを防ぐことができる。一方、第１領域と比べて第２領域の撥液性が低いので、第２領域に液体を馴染ませることが可能となり、開口部において液体が充填しにくい短辺を含む第２領域に液体を充填させることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記高さの高い領域は、前記電気光学素子を駆動させるための駆動回路要素部の厚みを利用して設けられていることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、高さの高い領域が駆動回路要素部（例えば、ＴＦＴ素子や配線）の厚みを利用して設けられているので、高さの高い領域を形成する新たな工程を設けなくてもよい。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記高さの高い領域は、前記基板上の所望の領域に成膜した膜を基に形成されていることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、所望の領域に形成した膜を基に高さの高い領域が設けられているので、ＴＦＴ素子や配線などを利用する方法と比べて、新規の製造工程を必要とするものの、確実に所望の領域に高さの異なる領域を形成することができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記高さの高い領域は、レジストパターンニング層を基に設けられていることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、製造過程で用いたレジストパターンニング層を基に高さの高い領域を形成しているので、新規に高い領域を設けるための製造工程を増やさなくてもよい。
【００１８】
［適用例６］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に電気光学素子を形成する領域を区画すると共に高さが異なる第１領域と第２領域とを備える隔壁を形成する工程と、前記第１領域と前記第２領域とのうち高さの高い領域に、前記第１領域と前記第２領域との撥液性を相対的に異ならせる撥液性制御膜を転写する工程と、前記隔壁で囲まれた開口部に電気光学性を備える液体を吐出する工程と、を有することを特徴とする。
【００１９】
この方法によれば、第１領域と第２領域との高さを異ならせ、高い方の領域に撥液性制御膜を転写するので、第１領域と第２領域とにおいて撥液性を異ならせることが可能となる。これにより、隔壁の第１領域と第２領域とにおいて、液体の充填性が悪い部分の撥液性を低くし、液体が溢れやすい部分の撥液性を高くすることができる。よって、隔壁によって区画された開口部の中全体に液体を充填することが可能となり、開口部全体に亘って略均一な膜厚を得ることができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記開口部は、長辺と短辺とを有し、前記隔壁を形成する工程は、前記長辺の領域を含むように前記第１領域を形成し、前記短辺の領域を含むように前記第２領域を形成し、前記撥液性制御膜を転写する工程は、前記第１領域が前記第２領域と比べて相対的に液体の撥液性が高くなるように前記第１領域に前記撥液性制御膜を転写することが好ましい。
【００２１】
この方法によれば、開口部における長辺の領域を含む第１領域が、短辺の領域を含む第２領域と比べて撥液性が高いので、開口部の長辺側から開口部の外側に液体が溢れることを防ぐことができる。一方、第２領域の撥液性が低いので、開口部における短辺側に液体を馴染ませることが可能となり、液体を充填させることができる。よって、開口部の中に均一な膜厚を形成することができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記隔壁を形成する工程の前に、前記第１領域と前記第２領域とのうちいずれか一方の領域に前記電気光学素子を駆動させるための駆動回路要素部を形成することが好ましい。
【００２３】
この方法によれば、高さの高い領域を駆動回路要素部（例えば、ＴＦＴ素子や配線）の厚みを利用して設けるので、高さの高い領域を形成する新たな工程を設けなくてもよい。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記隔壁を形成する工程の前に、前記第１領域と前記第２領域とのうちいずれか一方の領域に膜を形成することが好ましい。
【００２５】
この方法によれば、高さの高い領域を、新たに形成した膜の厚みを利用して設けるので、ＴＦＴ素子や配線などを利用する方法と比べて新規の製造工程を必要とするものの、確実に所望の領域に高さの異なる領域を形成することができる。
【００２６】
［適用例１０］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記隔壁を形成する工程の前に、前記第１領域と前記第２領域とのうちいずれか一方の領域に、前記隔壁を形成する工程までに形成したレジストパターンニング層の少なくとも一部を残しておくことが好ましい。
【００２７】
この方法によれば、製造過程で用いたレジストパターンニング層を基に高さの高い領域を形成しているので、新規に高い領域を設けるための製造工程を増やさなくてもよい。
【００２８】
［適用例１１］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記撥液性制御膜を転写する工程の前に、前記隔壁に親液化処理を施すことが好ましい。
【００２９】
この方法によれば、撥液性制御膜を転写する前に親液化処理をするので、隔壁全体を親液化することが可能となり、その後、高さの高い領域のみに撥液性制御膜を転写させて撥液性を高くすることができる。よって、液体を充填させる領域の撥液性を低く（親液性に）することができると共に、液体が溢れやすい領域の撥液性を高くすることができる。
【００３０】
［適用例１２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記親液化処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
【００３１】
この方法によれば、プラズマ処理によって親液化させた後、必要な領域に撥液性制御膜を転写させるので、撥液化処理を行ったあとにプラズマ処理を行う方法と比較して、親液化させた領域の親液性を低下させることを防ぐことができる。よって、撥液性の高い領域と低い領域とを区別して形成することができる。
【００３２】
［適用例１３］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００３３】
この構成によれば、電気光学的に安定した機能を発揮することができる電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、以下参照する各図面において構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、トップエミッション構造でもよいし、ボトムエミッション構造でも適用可能である。
【００３５】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。
【００３６】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）とが設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む陽極２４と、陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００３７】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００３８】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００３９】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００４０】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板としての素子基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００４１】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。
【００４２】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００４３】
素子基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００４４】
図３は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、図３は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４５】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、発光領域４２において発光が行われるものであり、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された発光素子層４４と、発光素子層４４上に形成された陰極（共通電極）２５とを有する。素子基板３１としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる。
【００４６】
回路素子層４３には、素子基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜４５が形成され、下地保護膜４５上にＴＦＴ素子２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜４５上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜４６が形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。なお、回路素子層４３に形成された発光素子２７を駆動させるものを駆動回路要素部と呼ぶ。
【００４７】
更に、回路素子層４３には、下地保護膜４５及び半導体膜４６を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなるゲート電極５３（走査線）が形成されている。
【００４８】
ゲート絶縁膜５２及びゲート電極５３上には、透明な第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５が形成されている。第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極５３は、半導体膜４６のチャネル領域５１に対応する位置に設けられている。
【００４９】
半導体膜４６のソース領域４７は、ゲート絶縁膜５２及び第１層間絶縁膜５４を貫通して設けられたコンタクトホール５６を介して、第１層間絶縁膜５４上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５を貫通して設けられたコンタクトホール５７を介して、第２層間絶縁膜５５上に形成された陽極２４と電気的に接続されている。
【００５０】
陽極２４は、例えば、発光領域４２ごとに形成されている。また、陽極２４は、透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、例えば、平面的に略矩形状の形状となっている。なお、回路素子層４３には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスターが形成されている。また、上記したように、回路素子層４３には、各陽極２４に接続された駆動用のトランジスター（ＴＦＴ素子２３）が形成されている。
【００５１】
発光素子層４４は、マトリックス状に配置された発光素子２７を具備して素子基板３１上に形成されている。詳述すると、発光素子層４４は、陽極２４上に形成された機能層２６と、機能層２６を区画する隔壁（バンク）６２とを主体として構成されている。機能層２６は、例えば、正孔注入層６３と、発光層６４などから構成されている。
【００５２】
回路素子層４３と隔壁６２との間には、絶縁層６６が形成されている。絶縁層６６としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等の無機材料が挙げられる。絶縁層６６は、隣り合う陽極２４間の絶縁性を確保すると共に、発光領域４２の形状を所望の形状（例えば、トラック形状）にするために、陽極２４の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、陽極２４と絶縁層６６とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。更に言い換えれば、絶縁層６６は、発光領域４２を除いた領域に形成されていることになる。
【００５３】
隔壁６２は、例えば、断面に見て傾斜面を有する台形状であり、発光領域４２（発光素子２７）を囲むように形成されている。つまり、囲まれた領域が隔壁６２の開口部６７（６７ｂ）となる。隔壁６２の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機材料が挙げられる。
【００５４】
機能層２６は、上記したように、正孔注入層６３と発光層６４とを有して構成されており、隔壁６２に囲まれた領域、すなわち開口部６７（発光領域４２）に、インクジェット法を用いて順に形成されている。
【００５５】
正孔注入層６３は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６３は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成することができる。
【００５６】
発光層６４は、正孔注入層６３の上に形成されており、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。機能層２６上及び隔壁６２上を含む基板上の全体には、陰極２５が全面成膜（ベタ成膜）されている。
【００５７】
陰極２５は、例えば、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体である。陰極２５の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、樹脂などからなる封止部材（図示せず）が積層されている。陽極２４と、機能層２６と、陰極２５とによって電気光学素子としての発光素子２７が構成されている。
【００５８】
上述した発光層６４は、陽極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層６４には、正孔注入層６３から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層６４において、これらが結合したときに光を発する。以下、インクジェット法を用いて、隔壁６２の開口部６７（６７ａ，６７ｂ）の中に機能層２６となる液体を貯めるための隔壁６２の構造について説明する。
【００５９】
（第１実施形態）
＜隔壁の構造＞
図４は、有機ＥＬ装置を構成する隔壁の構造を示す模式図である。（ａ）は、隔壁の構造を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す隔壁のＡ−Ａ’断面に沿う模式断面図である。（ｃ）は、（ａ）に示す隔壁のＢ−Ｂ’断面に沿う模式断面図である。（ｄ）は、（ａ）に示す隔壁のＣ−Ｃ’断面に沿う模式断面図である。なお、図４では、有機ＥＬ装置１１における上記した機能層２６及び陰極２５等の図示を省略している。
【００６０】
図４に示すように、有機ＥＬ装置１１（隔壁６２）は、上記したように開口部６７を有する。開口部６７は、平面的に長辺（長手方向）と短辺（短手方向）とを有するトラック状に形成されている。具体的には、隔壁６２の開口部６７は、長辺と短辺とを有する発光領域４２と、発光領域４２の短辺側に形成された円弧６８の領域とを有する。
【００６１】
図４（ａ）に示すように、隔壁６２は、平面的に第１領域６２ａと第２領域６２ｂとを有する。具体的には、第１領域６２ａは、開口部６７を挟んで交互に形成されており、開口部６７の長辺方向に沿った縦方向のストライプ状となっている。より具体的には、縦方向に並ぶ複数の開口部６７において、長辺を含む領域が第１領域６２ａとなっている。一方、縦方向（長辺方向）に並ぶ開口部６７において、円弧６８を含む領域が第２領域６２ｂとなっている。
【００６２】
また、第１領域６２ａは、第２領域６２ｂより相対的に高さが高く形成されている。具体的には、第１領域６２ａは、第２領域６２ｂより、例えば０．２μｍ高くなっている。これは、第１領域６２ａの下方に配線等（例えば、電源線）が形成されているためである。言い換えれば、第１領域６２ａの高さを第２領域６２ｂと比べて相対的に高くするために、第１領域６２ａに配線を集めて形成している。
【００６３】
また、第１領域６２ａは、第２領域６２ｂより相対的に撥液性が高くなっている。具体的には、隔壁６２における第１領域６２ａに撥液性制御膜としてのラミネートフィルム６９を転写させることにより、第１領域６２ａの撥液性を第２領域６２ｂ（下地）と比べて高くしている。すなわち、開口部６７における長辺（直線側）を含む第１領域６２ａの撥液性が高く、短辺（円弧６８側）を含む第２領域６２ｂの撥液性が低くなっている。
【００６４】
ここで、「撥液性が高い」とは、液体との接触角が相対的に大きいことを指す。つまり、開口部６７から撥液性を高くした長辺側の第１領域６２ａに、液体が溢れにくくなったと言える。一方、「撥液性が低い」とは、液体との接触角が相対的に小さいことを指す。つまり、開口部６７における撥液性を低くした短辺側（円弧６８を含む領域）の第２領域６２ｂに、液体が充填しやすくなったと言える。言い換えれば、発光層６４等の液体を隔壁６２の開口部６７全体に充填させることが可能となり、発光層６４等の厚さを均一にすることができる。隔壁６２の詳細な材料及び製造方法については後述する。
【００６５】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図５は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。図６は、有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図３、図５、図６を参照しながら説明する。図５に示すように、ステップＳ１〜ステップＳ６によって回路素子層から隔壁までを形成する。また、ステップＳ１１〜ステップＳ１６によって有機ＥＬ装置１１が完成する。なお、各種配線や電極、駆動用ＴＦＴ等を形成する製造工程については、周知の工程と同様なので、ここではそれらの説明を省略又は簡略化し、これ以降の工程について詳しく説明する。
【００６６】
まずステップＳ１では、素子基板３１上に、公知の成膜技術を用いて回路素子層４３（以下、図３参照）を形成する。ステップＳ２では、回路素子層４３上に、ＩＴＯからなる陽極２４を形成する。なお、回路素子層４３における第１領域６２ａには、各ＴＦＴ素子２３に電力を供給する図示しない電力供給線（例えば、電源線）が配置されている。よって、回路素子層４３における第１領域６２ａの高さは、第２領域６２ｂの高さより高く（例えば、０．２μｍ）形成されている。
【００６７】
ステップＳ３では、回路素子層４３及び陽極２４上に、絶縁層６６（画素分離膜）を形成する。詳しくは、まず、絶縁層６６の材料となる、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を含んだ絶縁層を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、回路素子層４３及び陽極２４上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層のうち発光領域４２に対応する領域に開口部６７ａを形成し、絶縁層６６を完成させる。
【００６８】
ステップＳ４では、絶縁層６６上に隔壁６２を形成する。まず、隔壁６２の材料の塗工液を絶縁層６６上及び陽極２４に塗布する。具体的には、隔壁６２の液体との接触角が９０°となるように撥液剤の容量を調整した撥液剤入りアクリル樹脂の塗工液である。次に、塗工液を乾燥させて隔壁層を形成する。その後、この隔壁層における発光領域４２に対応する領域に開口部６７ｂを形成する。これにより、隔壁６２の形状が完成する。
【００６９】
ステップＳ５では、隔壁６２に酸素（Ｏ２）プラズマ処理（親液化処理）を施す。酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃である。このような条件で処理することで、隔壁６２の撥液性を酸素プラズマ処理を施す前と比べて低くすることができる。
【００７０】
ステップＳ６では、隔壁６２における第１領域６２ａに、第２領域６２ｂと比べて撥液性を高くするためのラミネートフィルム６９を転写する。上記したように、第１領域６２ａの高さは、第２領域６２ｂの高さに比べて高く形成されている。
【００７１】
ラミネートフィルム６９の製造方法は、フッ素コーティング剤（例えば、住友スリーエム社製、ノベック（登録商標）ＥＧＣ−１７２０）を、厚さ２０μｍのポリエチレンテレフタレート製ベースフィルム（例えば、帝人デュポン社製、ＡＴ３０１）にバーコーターで塗工し、１００℃で３０秒加熱することにより製造する。これにより、８０ｎｍの膜付きフィルムを形成する。その後、大気圧ラミネータにより、高さの高い第１領域６２ａのみにラミネートフィルム６９を貼り付ける。
【００７２】
その結果、第１領域６２ａの撥液性を、第２領域６２ｂの撥液性と比べて高くすることができ、接触角が大きい第１領域６２ａと、接触角が小さい第２領域６２ｂとを有する隔壁６２が完成する。
【００７３】
以上により、隔壁６２における第１領域６２ａは液体（機能液）との接触角が例えば９０°となり、第２領域６２ｂは液体（機能液）との接触角が例えば５０°となって、隔壁６２の形成が完了する。
【００７４】
次にステップＳ１１では、陽極２４上における絶縁層６６及び隔壁６２によって囲まれた発光領域４２に、正孔注入層６３の材料を含んだ機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出する。詳しくは、機能液の液滴を、陽極２４を底部とし絶縁層６６及び隔壁６２を側壁とする凹部に向けて吐出する。
【００７５】
正孔注入層６３の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いることができる。ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ分散液の一例としては、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの重量比が１：１０、かつ固形分濃度が０．５％であり、ジエチレングリコールを５０％含み、残量が純水であるものを用いることができる。
【００７６】
ステップＳ１２では、機能液を乾燥させて正孔注入層６３を形成する。詳しくは、機能液を高温環境下で乾燥又は焼成して溶媒を蒸発させ、機能液に含まれるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを固形化させることにより、開口部６７内に正孔注入層６３を形成する。乾燥の条件としては、例えば２００℃の環境下で、素子基板３１を１０分間放置する。膜厚は、例えば、５０ｎｍである。
【００７７】
ステップＳ１３では、正孔注入層６３上に、発光層６４の材料を含んだ機能液６１を液滴吐出法により吐出する。発光層６４の機能液６１としては、例えば、赤色蛍光材料を固形分濃度０．８％で含み、シクロヘキシルベンゼンを溶媒とするものを用いることができる。
【００７８】
上述したように、隔壁６２の開口部６７における直線（長手方向）を含む領域が撥液性の高い第１領域６２ａとなっているので、機能液６１が開口部６７の外側に溢れることを抑えることができる（図６（ａ）参照）。一方、隔壁６２の開口部６７における短辺側（円弧６８を含む領域）が撥液性の低い第２領域６２ｂとなっているので、第２領域６２ｂに濡れて成膜される機能液６１が後退することを抑えることができる。言い換えれば、円弧６８の領域まで機能液６１を充填させることができる。これにより、開口部６７内の発光層６４の厚みが不均一になることを抑えることができる。
【００７９】
ステップＳ１４では、機能液６１を乾燥させて、発光層６４を形成する（図６（ｂ）参照）。詳しくは、機能液を高温環境下で乾燥又は焼成して溶媒を蒸発させ、機能液に含まれる赤色蛍光材料等を固形化させることにより発光層６４を形成する。乾燥させる条件としては、例えば１００℃の環境下で素子基板３１を１時間放置する。形成された発光層６４の膜厚としては、例えば、１００ｎｍである。こうして形成された発光層６４は、正孔注入層６３より大きな面積を有しているため、発光層６４のうち比較的平坦な領域を発光に用いることができる。
【００８０】
ステップＳ１５では、発光層６４の形成された素子基板３１上の略全体に、カルシウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極２５を形成する。形成されたカルシウム膜は、例えば、５ｎｍである。形成されたアルミニウム膜は、例えば、３００ｎｍである。
【００８１】
ステップＳ１６では、陰極２５上に、例えば、接着剤及びガラス基板を用いて封止を行うことにより有機ＥＬ素子が形成され、その結果、有機ＥＬ装置１１が完成する。
【００８２】
以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８３】
（１）第１実施形態によれば、隔壁６２における第１領域６２ａと第２領域６２ｂとの高さを変えているので、高い方の第１領域６２ａに撥液性の高いラミネートフィルム６９（撥液性制御膜）を転写することが可能となり、第１領域６２ａと、酸素プラズマ処理を施したままの第２領域６２ｂとで撥液性を異ならせることが可能となる。これにより、液体の充填性が悪い第２領域６２ｂの撥液性を低くし、液体が溢れやすい第１領域６２ａの撥液性を高くすることができる。よって、隔壁６２によって区画された開口部６７の中全体に液体を充填することが可能となり、開口部６７全体に亘って略均一な膜厚を得ることができる。
【００８４】
（２）第１実施形態によれば、酸素プラズマ処理を施してから第１領域６２ａにラミネートフィルム６９を転写するので、先に撥液性の高いラミネートフィルム６９を転写してから酸素プラズマ処理を施す方法と比較して、第１領域６２ａの接触角が小さくなることを防ぐことができる。
【００８５】
（３）第１実施形態によれば、高さの異なる第１領域６２ａと第２領域６２ｂとを、平面的に縦方向のストライプ状にしているので、縦方向に同色の発光層６４を配置した場合、液体が開口部６７の外側に溢れたとしても同じ高さの領域が同色の配置になっているので、発光層６４が混色することを抑えることができる。
【００８６】
（第２実施形態）
＜隔壁の構造＞
図７は、第２実施形態の隔壁の構造を示す模式図である。（ａ）は、隔壁の構造を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す隔壁のＡ−Ａ’断面に沿う模式断面図である。（ｃ）は、（ａ）に示す隔壁のＢ−Ｂ’断面に沿う模式断面図である。以下、隔壁の構造を、図７を参照しながら説明する。
【００８７】
なお、図７に示す有機ＥＬ装置７１（隔壁７２）は、第１実施形態と同様に、上記した機能層２６及び陰極２５等の図示を省略している。また、第２実施形態の隔壁７２の第１領域７２ａと第２領域７２ｂとは、平面的に短辺方向に沿ったストライプ状に交互に設けている部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【００８８】
図７に示すように、第２実施形態の有機ＥＬ装置７１（隔壁７２）は、第１実施形態の隔壁６２と同様の開口部６７を有している。隔壁７２は、開口部６７における直線を含む領域（長辺側）を含む第１領域７２ａと、開口部６７における円弧６８の領域（短辺側）を含む第２領域７２ｂとを有している。
【００８９】
第１実施形態と異なる部分として、第１領域７２ａと第２領域７２ｂとの配置が、平面的に開口部６７における短辺方向に沿ったストライプ状となっている。具体的には、短辺方向に沿って並ぶ開口部６７において、直線を含む領域が第１領域７２ａとなっている。一方、短辺方向に沿って並ぶ開口部６７において、円弧６８を含む領域が第２領域７２ｂとなっている。
【００９０】
また、第１領域７２ａは、第２領域７２ｂより相対的に高さが高く形成されている。具体的には、第１領域７２ａは、第２領域７２ｂより０．２μｍ高くなっている。これは、第１領域７２ａの下方に配線等が形成されているためである。言い換えれば、第１領域７２ａの高さを第２領域７２ｂの高さと比べて相対的に高くするために、第１領域７２ａに配線を集めて形成している。
【００９１】
また、第１領域７２ａは、第２領域７２ｂより相対的に撥液性が高くなっている。詳述すると、第１実施形態と同様に、撥液性を高くするべき隔壁７２の第１領域７２ａにラミネートフィルム７９を転写させることにより、第１領域７２ａの撥液性を第２領域７２ｂの撥液性と比べて高めている。すなわち、開口部６７における長辺（直線側）を含む領域の撥液性が高く、短辺（円弧６８）を含む領域の撥液性が低くなっている。
【００９２】
つまり、開口部６７から撥液性を高くした長辺側（直線側）の第１領域７２ａに、液体が溢れにくくなったと言える。また、撥液性を低くした開口部６７における短辺側（円弧６８側）の第２領域７２ｂに、液体が充填しやすくなったと言える。
【００９３】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
以下、第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を説明する。なお、有機ＥＬ装置を形成するための処理工程は、第１実施形態と同様である。ここでは、図５を参照しながら、第１実施形態と異なる部分のみ説明する。
【００９４】
図５に示すように、ステップＳ１では、素子基板３１上に回路素子層４３を形成する。第２実施形態における回路素子層４３の第１領域７２ａに相当する部分には、各ＴＦＴ素子２３に電力を供給する電力供給線等が配置されている。これにより、回路素子層４３における第１領域７２ａの高さは、第２領域７２ｂの高さより高く（例えば、０．２μｍ）形成されている。その後、ステップＳ２〜ステップＳ５までを、第１実施形態と同様に行う。
【００９５】
ステップＳ６では、隔壁７２における第１領域７２ａの撥液性を、第２領域７２ｂに比べて高くする。上記したように、第１領域７２ａの高さは、第２領域７２ｂの高さに比べて高く形成されている。まず、高い領域の第１領域７２ａ上に撥液性を調整するためのラミネートフィルム７９を貼り付ける。
【００９６】
ラミネートフィルム７９の製造方法は、第１実施形態と同様である。これにより、横方向に第１領域７２ａと第２領域７２ｂとが交互に延びる隔壁７２を形成することができる。
【００９７】
以上のように、隔壁７２の全体に親液処理（酸素プラズマ処理）をしてから第１領域７２ａのみにラミネートフィルム７９を転写するので、例えば、第１領域７２ａは液体（機能液）との接触角が９０°となり、第２領域７２ｂは液体（機能液）との接触角が５０°となる。
【００９８】
上述したように、隔壁７２の開口部６７における直線を含む領域が撥液性の高い第１領域７２ａとなっているので、機能液が開口部６７の外側に溢れることを抑えることができる。一方、隔壁７２の開口部６７における短辺側（円弧６８を含む領域）が撥液性の低い第２領域７２ｂとなっているので、第２領域７２ｂに濡れて成膜される機能液が後退することを抑えることができる。言い換えれば、円弧６８の領域まで液体を充填させることができる。これにより、開口部６７内の発光層６４の厚みが不均一になることを抑えることができる。以下、ステップＳ１１〜ステップＳ１６を行うことにより、第２実施形態の有機ＥＬ装置７１が完成する。
【００９９】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１００】
（４）第２実施形態によれば、平面的に短辺方向に沿って並ぶ開口部６７の長辺を含む領域を高くするので、高くする領域が長辺方向に多少ずれたとしても、殆どの長辺を含む領域を高くすることが可能となり、開口部６７の長辺側から第１領域７２ａに液体が溢れることをより抑えることができる。言い換えれば、撥液性を高くする第１領域７２ａの範囲を、第１実施形態と比較して調整しやすい。
【０１０１】
（第３実施形態）
＜電子機器の構成＞
図８は、上記した有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例として携帯電話機を示す模式図である。以下、有機ＥＬ装置を備えた携帯電話機の構成を、図８を参照しながら説明する。
【０１０２】
図８に示すように、携帯電話機９１は、表示部９２及び操作ボタン９３を有している。表示部９２は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１１（７１）によって、均一に発光することができる等、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した有機ＥＬ装置１１（７１）は、上記携帯電話機９１の他、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器などの表示装置などの各種電子機器に用いることができる。
【０１０３】
以上詳述したように、第３実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１０４】
（５）第３実施形態によれば、上記した第１実施形態又は第２実施形態の有機ＥＬ装置１１（７１）を備えているので、電気光学的に安定した機能を発揮することができる（例えば、高品位な画像を形成することができる）。
【０１０５】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【０１０６】
（変形例１）
上記したように、隔壁６２，７２に酸素プラズマ処理を施してから、高さの高い第１領域６２ａ，７２ａに、第２領域６２ｂ，７２ｂより相対的に撥液性が高いラミネートフィルム６９，７９を転写することにより、撥液性の高い領域と低い領域とを形成することに限定されず、以下のような方法で形成するようにしてもよい。
【０１０７】
図９は、有機ＥＬ装置の製造方法の変形例を示す工程図である。以下、図９及び図４を参照しながら、第１実施形態と異なる部分を説明する。まず、ステップＳ１〜ステップＳ３において、回路素子層４３、陽極２４、絶縁層６６を形成する。このとき、第１実施形態と異なる部分として、開口部６７における直線を含む領域が、円弧６８を含む領域と比較して、高さが低くなるように形成する。これにより、ステップＳ４において隔壁６２を形成した際、直線を含む領域が低く形成される。次に、ステップＳ１０５では、高さが高い円弧６８を含む領域に、撥液性を低くするためのラミネートフィルムを転写する。
【０１０８】
ラミネートフィルムの製造方法は、アクリル樹脂を厚さ２０μｍのポリエチレンテレフタレート製ベースフィルム（例えば、帝人デュポン社製、ＡＴ３０１）にバーコーターで塗工し、１００℃で３０秒加熱することにより製造する。これにより、４００ｎｍの膜付きフィルムが完成する。次に、大気圧ラミネータにより、高さの高い領域（円弧６８側）のみにラミネートフィルムを貼り付ける。次に、ステップＳ１０６では、隔壁６２にＵＶオゾン処理を施す。ＵＶオゾン処理は、例えば、低圧水銀ランプで２分間実施する。
【０１０９】
以上により、隔壁６２における直線を含む第１領域６２ａは液体（機能液）との接触角が７０°となり、円弧６８を含む第２領域６２ｂは液体（機能液）との接触角が３０°となって、隔壁６２の形成が完了する。
【０１１０】
これにより、開口部６７における直線を含む領域の撥液性が高いので、機能液が開口部６７の外側に溢れることを抑えることができる。一方、開口部６７における短辺側（円弧６８を含む領域）の撥液性が低いので、濡れて成膜される機能液が後退することを抑えることができる。つまり、開口部６７全体に液体を行き渡らせることができる。
【０１１１】
なお、以上のような形成方法を、第１実施形態の隔壁６２（縦ストライプ）に行うことに限定されず、第２実施形態の隔壁７２（横ストライプ）に適用するようにしてもよい。
【０１１２】
（変形例２）
上記した隔壁６２，７２の開口部６７の形状は、平面的に区分けされたトラック形状に限定されず、例えば、図１０に示すような有機ＥＬ装置８１の開口部８７の形状に適用するようにしてもよい。図１０に示す隔壁（共通隔壁８２）は、複数の発光素子２７を含む画素領域を区画する共通隔壁８２を示している。この共通隔壁８２は、発光領域８３の直線を含む撥液性の高い第１領域８２ａと、それ以外の領域（円弧６８を含む領域）である撥液性の低い第２領域８２ｂとを有する。この共通隔壁８２によれば、開口部８７における円弧６８を含む領域が撥液性の低い第２領域８２ｂとなっているので、第２領域８２ｂに濡れて成膜される機能液（例えば、発光層の機能液）が後退することを抑えることができる。また、開口部８７における直線を含む領域が撥液性の高い第１領域８２ａとなっているので、機能液が開口部８７の外側に溢れることを抑えることができる。更に、共通隔壁８２において、円弧６８を含まない第２領域８２ｂが存在することによって、発光領域８３に充分な機能液が入らなかった場合の充填不良を抑えることができる。よって、発光領域８３において、均一な発光特性を得ることができる。
【０１１３】
（変形例３）
上記した実施形態では、段差を設けるために高くしたい領域の下側に配線等を形成することに限定されず、例えば、絶縁膜などの構造物（膜）を成膜したり、レジストパターンニング層を残すようにして形成するようにしてもよい。構造物の絶縁膜としては、例えば、シリコン酸化膜を用いてマスク蒸着したり、成膜及びエッチングで形成することができる。これによれば、確実に所望の領域を高く形成することができる。また、構造物は、開口部６７の周囲のみを高くし、その部分のみにラミネートフィルム６９，７９を貼るようにしてもよい。また、レジストパターン層は、配線等を形成した際に用いたものを利用する。
【０１１４】
（変形例４）
上記した第１実施形態では、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光領域別にラミネートフィルム６９を貼り付ける範囲（第１領域６２ａと第２領域６２ｂ）を変えなかったが、Ｒ、Ｇ、Ｂ毎にラミネートフィルム６９を貼り付ける範囲を変えるようにしてもよい。これによれば、Ｒ、Ｇ、Ｂの機能液とラミネートフィルム６９との接触角がそれぞれ異なった様な場合、機能液が開口部６７の長辺側から溢れることをより抑えることができる。
【０１１５】
（変形例５）
上記した実施形態では、有機ＥＬ装置１１，７１の機能膜の形成において説明したが、これに限定されず、カラーフィルターの形成等に適用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図４】第１実施形態の有機ＥＬ装置を構成する隔壁の構造を示す模式図であり、（ａ）は隔壁の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す隔壁のＡ−Ａ’断面に沿う模式断面図、（ｃ）は（ａ）に示す隔壁のＢ−Ｂ’断面に沿う模式断面図。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法の一部を示す模式断面図。
【図７】第２実施形態の隔壁の構造を示す模式図であり、（ａ）は隔壁の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す隔壁のＡ−Ａ’断面に沿う模式断面図、（ｃ）は（ａ）に示す隔壁のＢ−Ｂ’断面に沿う模式断面図。
【図８】有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例として携帯電話機を示す模式図。
【図９】有機ＥＬ装置の製造方法の変形例を示す工程図。
【図１０】隔壁の変形例を示す模式図であり、（ａ）は隔壁の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す隔壁のＡ−Ａ’断面に沿う模式断面図、（ｃ）は（ａ）に示す隔壁のＢ−Ｂ’断面に沿う模式断面図。
【符号の説明】
【０１１７】
１１，７１，８１…有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子、２４…陽極、２５…陰極、２６…機能層、２７…発光素子、３１…基板としての素子基板、３２…表示領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４２…発光領域、４３…回路素子層、４４…発光素子層、４５…下地保護膜、４６…半導体膜、４７…ソース領域、４８…ドレイン領域、５１…チャネル領域、５２…ゲート絶縁膜、５３…ゲート電極、５４…第１層間絶縁膜、５５…第２層間絶縁膜、５６…コンタクトホール、５７…コンタクトホール、６２，７２…隔壁、６２ａ，７２ａ，８２ａ…第１領域、６２ｂ，７２ｂ，８２ｂ…第２領域、６３…正孔注入層、６４…発光層、６６…絶縁層、６７，８７…開口部、６８…円弧、６９，７９…撥液性制御膜としてのラミネートフィルム、８２…共通隔壁、９１…電子機器としての携帯電話機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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