(57)【要約】【課題】ケースに起因した異物の発生による製造不良や信頼性低下を防止できる容量式力学量センサ装置の製造方法を提供する。【解決手段】ケース５１が複数個連結されてなる多連ケース５０を準備する多連ケース準備工程Ｓ１と、多連ケース５０を構成しているケース５１に、センサチップ４１を搭載するセンサチップ搭載工程Ｓ２と、センサチップ搭載工程Ｓ２後において、多連ケース５０を構成しているケース５１に蓋７１を接合して、ケース５１内を密封状態とする蓋接合工程Ｓ４と、蓋接合工程Ｓ４後において、多連ケース５０を個々のケース５１に分割する多連ケース分割工程Ｓ５とを有してなる容量式力学量センサ装置９０の製造方法とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電容量変化によって印加力学量を検出するセンサチップがケース内に密封状態で収容されてなる、容量式力学量センサ装置の製造方法であって、
前記ケースが複数個連結されてなる多連ケースを準備する多連ケース準備工程と、
前記多連ケースを構成しているケースに、前記センサチップを搭載するセンサチップ搭載工程と、
前記センサチップ搭載工程の後において、前記多連ケースを構成しているケースに蓋を接合して、ケース内を密封状態とする蓋接合工程と、
前記蓋接合工程の後において、前記多連ケースを個々のケースに分割する多連ケース分割工程とを有してなることを特徴とする容量式力学量センサ装置の製造方法。
【請求項２】
前記センサチップ搭載工程の後において、前記センサチップにワイヤをボンディングするワイヤボンディング工程を有してなり、
前記ワイヤボンディング工程の後において、前記蓋接合工程を実施することを特徴とする請求項１に記載の容量式力学量センサ装置の製造方法。
【請求項３】
前記多連ケースが、セラミックからなり、
前記多連ケースにおいて、ケースの連結部に溝が形成され、
前記多連ケース分割工程において、
前記溝の形成部分を破断して、前記多連ケースを個々のケースに分割することを特徴とする請求項１または２に記載の容量式力学量センサ装置の製造方法。
【請求項４】
前記蓋が、前記多連ケースを構成しているケースを一括して蓋する多連蓋であり、
前記多連ケース分割工程において、
前記多連ケースと同時に、前記多連蓋を分割することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の容量式力学量センサ装置の製造方法。
【請求項５】
前記多連蓋に、前記多連ケースと同時に分割するためのスリットが形成されてなることを特徴とする請求項４に記載の容量式力学量センサ装置の製造方法。
【請求項６】
前記多連蓋が、セラミックからなり、
前記多連ケース分割工程において、前記多連蓋における前記スリットの形成部分を破断することを特徴とする請求項５に記載の容量式力学量センサ装置の製造方法。
【請求項７】
前記多連ケースは、前記ケースが行列状に連結されてなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の容量式力学量センサ装置の製造方法。
【請求項８】
前記多連ケースは、前記ケースが単列状に連結されてなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の容量式力学量センサ装置の製造方法。
【請求項９】
前記容量式力学量センサ装置が、車載用で、加速度検出に用いられることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の容量式力学量センサ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記多連ケースにおいて、平面内で直交するＸ方向とＹ方向の各加速度をそれぞれ検出する２個の前記センサチップが、２個の隣り合う前記ケースにそれぞれ配置されてなり、
前記隣り合う２個のケースを一組のケースとして、前記多連ケースを分割することを特徴とする請求項９に記載の容量式力学量センサ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量変化によって印加力学量を検出するセンサチップがケース内に密封状態で収容されてなる、容量式力学量センサ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
容量式力学量センサは、静電容量変化によって印加力学量を検出するもので、車載用および民生用の加速度センサとして現在主流となっているセンサ構造である。このような容量式力学量センサが、例えば、特開平１１−３２６３６５号公報（特許文献１）と特開２００４−３３３１３３号公報（特許文献２）に開示されている。
【０００３】
図７に、特許文献１に開示された容量式力学量センサを示す。図７（ａ）は、容量式力学量センサ１１の平面模式図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）中におけるＡ−Ａ断面の断面模式図である。尚、図７（ａ）でハッチングされた部位は断面ではなく、実際は平面である。
【０００４】
図７に示す容量式力学量センサ１１は、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板に半導体製造技術を利用したＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）形成の加工を施して製造する。
【０００５】
図７（ａ）に示すように、可動部１２は、アンカー部１３と、アンカー部１３に支持された矩形枠状のバネ部１４と、バネ部１４と連結された重錘部１５と、重錘部１５の両側に櫛歯形状に形成された可動電極１６とから構成されている。一方、可動電極１６の一方側に対向して櫛歯形状の第１の固定電極１７が形成されていると共に、可動電極１６の他方側に対向して第２の固定電極１８が形成されている。上記可動部１２及び各固定電極１７，１８には、重量軽減のための矩形状の貫通孔３１が複数形成されている。また、ＳＯＩ基板のパッド部２５〜２７には、可動電極１６および固定電極１７，１８から電気信号を取出すための電極パッド２８〜３０が形成されている。
【０００６】
図７（ｂ）に示すように、容量式力学量センサ１１は、第１の半導体層１９と第２の半導体層２０との間に絶縁層２１（支持部に相当）を有するＳＯＩ基板によって構成されており、第１の半導体層１９及び絶縁層２１は、可動部１２及び各固定電極１７，１８が形成される領域において第２の半導体層２０が露出するように除去されている。このようにして、容量式力学量センサ１１では、可動部１２の両端が絶縁層２１上に支持されていると共に、各固定電極１７，１８が絶縁層２１上に片持ち支持された形態となっている。
【０００７】
図８（ａ）は、図７と同様の容量式力学量センサがパッケージされた状態を示す図で、容量式力学量センサ装置９０を部分的にカットして示した斜視図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）の容量式力学量センサ装置９０におけるケース５１の側面の外観図である。また、図８（ｃ）は、図８（ａ）に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法を示す工程フロー図である。
【０００８】
図８（ａ）に示す容量式力学量センサ装置９０においては、図７と同様の静電容量変化によって印加力学量を検出するセンサチップ４１と、センサチップ４１の制御回路が形成された回路チップ４２とが、図のように積層されてケース５１に貼り付けられている。ケース５１は、センサチップ４１や回路チップ４２を構成するシリコン（Ｓｉ）と熱膨張係数が比較的近いセラミックからなり、ワイヤ６１のボンディングのためのパッド５２や蓋７１のシーム溶接のための開口端部５３が、部分的にメタライズされている。
【０００９】
図８（ａ）に示す容量式力学量センサ装置９０は、図８（ｃ）の製造工程で製造される。すなわち、最初に、ステップＳ９１で、生産性を考慮して、図８（ｂ）に示すケース５１が複数個連結されてなる多連ケースを準備する。次に、ステップＳ９２で、多連ケースを破断して、個々のケース５１に分割する。尚、セラミックからなる多連ケースにおいて、分割位置となる上記ケースの連結部には、焼成前の段階で溝が形成されており、焼成後において所定の分割位置で確実に破断できるようにしている。次に、ステップＳ９３で、分割された個々のケース５１に、回路チップ４２とセンサチップ４１を図８（ａ）のように順に貼り合わせて搭載する。次に、ステップＳ９４において、回路チップ４２とセンサチップ４１の間、および回路チップ４２とケース５１のパッド５２の間で、ワイヤ６１をボンディングする。最後に、ステップＳ９５において、ケース５１の開口端部５３に蓋７１を配置してシーム溶接し、ケース５１の内部をシールする。
【００１０】
以上で、図８（ａ）に示す容量式力学量センサ装置９０が製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平１１−３２６３６５号公報
【特許文献２】特開２００４−３３３１３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
図８に示した容量式力学量センサ装置９０のセンサチップ４１には、対向する櫛歯形状の可動電極と固定電極が形成されており、該電極間の加工精度は、数ミクロンである。従って、製造工程内において微細な異物がセンサチップ４１の電極間に付着すると製造不良となるが、一度異物が発生すると洗浄を繰り返しても除去することは困難である。従って、製造工程内における異物の発生要因は、製造される容量式力学量センサ装置の信頼性低下要因となる。
【００１３】
一方、図８（ｃ）に示した容量式力学量センサ装置９０の製造工程においては、ステップＳ９１において生産性のよい多連ケースを準備し、ステップＳ９２において該多連ケースを破断して個々のケース５１に分割する。このため、図８（ｂ）に示すように、ケース５１の側面は、溝の切り込み面５４ａ，５４ｂと、隣接するケース５１間の連結部の破断面５５とで構成されている。ケース５１の破断面５５は、切り込み面５４ａ，５４ｂに較べて表面が荒れた状態にあり、微細な異物が発生する確率が高く、上記した容量式力学量センサ装置の不良要因や信頼性低下要因になっていると考えられる。
【００１４】
そこで本発明は、静電容量変化によって印加力学量を検出するセンサチップがケース内に密封状態で収容されてなる容量式力学量センサ装置の製造方法であって、ケースに起因した異物の発生による製造不良や信頼性低下を防止できる容量式力学量センサ装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１に記載の発明は、静電容量変化によって印加力学量を検出するセンサチップがケース内に密封状態で収容されてなる、容量式力学量センサ装置の製造方法であって、前記ケースが複数個連結されてなる多連ケースを準備する多連ケース準備工程と、前記多連ケースを構成しているケースに、前記センサチップを搭載するセンサチップ搭載工程と、前記センサチップ搭載工程の後において、前記多連ケースを構成しているケースに蓋を接合して、ケース内を密封状態とする蓋接合工程と、前記蓋接合工程の後において、前記多連ケースを個々のケースに分割する多連ケース分割工程とを有してなることを特徴としている。
【００１６】
上記容量式力学量センサ装置の製造方法においても、従来の製造方法と同様に、ケースが複数個連結された生産性のよい多連ケースから製造工程をスタートする。しかしながら、上記容量式力学量センサ装置の製造方法では、最初に多連ケースを個々のケースに分割してからセンサチップを搭載する従来の製造方法と異なり、多連ケースの個々のケースへの分割をいちばん最後にする。すなわち、上記容量式力学量センサ装置の製造方法においては、多連ケースの儘でセンサチップの搭載を行い、調整や特性検査を経てケースに蓋を接合し、ケース内を密封状態とした後で分割する。従って、上記容量式力学量センサ装置の製造方法においては、表面が荒れた状態となり微細な異物の発生確率が高い分割後のケースに残る分割面は、ケースが密封された後で形成されることとなる。このため、上記分割面から微細な異物が発生しても、ケース内に入り込むことはない。このため、上記容量式力学量センサ装置の製造方法によれば、数ミクロンの加工精度で形成されたセンサチップをケース内に収容する場合であっても、従来と較べてケースの生産性を悪化させることなく、ケースに起因した異物の発生による製造不良や信頼性低下を防止することができる。
【００１７】
また、多連ケースの儘でセンサチップ搭載および蓋接合を行う上記容量式力学量センサ装置の製造方法では、多連ケースを構成している個々のケースの位置が決まっている。このため、後工程を行うに際しての位置決めは、多連ケースの位置決めを一度行うだけでよい。従って、製造工程における位置決めを効率化することができ、製造コストも低減することができる。
【００１８】
以上のようにして、上記容量式力学量センサ装置の製造方法は、静電容量変化によって印加力学量を検出するセンサチップがケース内に密封状態で収容されてなる容量式力学量センサ装置の製造方法であって、ケースに起因した異物の発生による製造不良や信頼性低下を防止できると共に、製造コストも低減できる容量式力学量センサ装置の製造方法となっている。
【００１９】
上記容量式力学量センサ装置において、ケースに設けられた外部接続端子とセンサチップとの電気的な接続手段は、例えばワイヤボンディングあるいはフリップチップ接続のいずれであってもよい。
【００２０】
ワイヤボンディングとする場合には、上記容量式力学量センサ装置の製造方法は、言うまでもなく請求項２に記載のように、前記センサチップ搭載工程の後において、前記センサチップにワイヤをボンディングするワイヤボンディング工程を有してなり、前記ワイヤボンディング工程の後において、前記蓋接合工程を実施する構成とする。
【００２１】
また、フリップチップ接続とする場合には、前記センサチップ搭載工程において、センサチップをケースに設けられた外部接続端子に半田接続して、センサチップをケースに搭載する。
【００２２】
上記容量式力学量センサ装置の製造方法は、例えば請求項３に記載のように、前記多連ケースが、セラミックからなり、前記多連ケースにおいて、ケースの連結部に溝が形成され、前記多連ケース分割工程において、前記溝の形成部分を破断して、前記多連ケースを個々のケースに分割する場合に好適である。
【００２３】
セラミックからなるケースは、上記センサチップや該センサチップの制御回路が形成された回路チップの材料であるシリコン（Ｓｉ）と熱膨張係数が近い材料であり、センサチップや回路チップを接合したときのシリコンチップにかかる応力を低減することができる。また、多連ケースとしたときの連結部に溝を形成して薄くすることで、高強度であるにもかかわらず、容易に破断することができるようになる。一方、セラミックの破断面は、表面が非常に荒れた状態となり、微細な異物の発生確率が高いことが問題となる。しかしながら、上記容量式力学量センサ装置の製造方法によれば、シリコンチップをケース内に封入した後で破断するため、上記問題点を克服することができる。
【００２４】
上記容量式力学量センサ装置の製造方法においては、請求項４に記載のように、前記蓋が、前記多連ケースを構成しているケースを一括して蓋する多連蓋であり、前記多連ケース分割工程において、前記多連ケースと同時に、前記多連蓋を分割することが好ましい。これによれば、多連ケースを用いる場合と同様に蓋の生産性が上がると共に、多連蓋の分割が多連ケースと同時に行われるため、多連蓋を分割するための追加工程が必要なくなる。これによって、上記容量式力学量センサ装置の全体としての生産性を高めることができる。
【００２５】
この場合、請求項５に記載のように、前記多連蓋に、前記多連ケースと同時に分割するためのスリットが形成されてなることが好ましい。該スリットは、多連蓋を分割するための分割ラインとして利用することができ、スリットの形成部分は薄くなるため、分割が容易になる。例えば請求項６に記載のように、前記多連蓋を、セラミックとする場合には、前記多連ケース分割工程において、前記多連蓋における前記スリットの形成部分を容易かつ確実に破断することができる。
【００２６】
上記容量式力学量センサ装置の製造方法において、前記多連ケースは、例えば請求項７に記載のように、前記ケースが縦横複数の行列状に連結されてなる生産性の高いものであってよい。また、請求項８に記載のように、前記ケースが単列状に連結されてなるもので、連続的なライン加工処理に適するものであってもよい。
【００２７】
上記製造方法による
前記容量式力学量センサ装置は、安価で高信頼性を有した容量式力学量センサ装置とすることができるため、請求項９に記載のように、車載用で、加速度検出に用いられる場合に好適である。
【００２８】
この場合、例えば請求項１０に記載のように、前記多連ケースにおいて、平面内で直交するＸ方向とＹ方向の各加速度をそれぞれ検出する２個の前記センサチップが、２個の隣り合う前記ケースにそれぞれ配置されてなるように構成し、前記隣り合う２個のケースを一組のケースとして、前記多連ケースを分割することもできる。これによれば、Ｘ方向とＹ方向の２軸の容量式加速度センサ装置を、容易で安価に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の容量式力学量センサ装置の製造方法を示す工程フロー図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、図１の製造方法により図８（ａ）の容量式力学量センサ装置９０を製造する場合についての製造工程別の模式的な上面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は、図１の製造方法により図８（ａ）の容量式力学量センサ装置９０を製造する場合についての製造工程別の模式的な上面図である。
【図４】図２，３に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法についての別の変形例で、（ａ），（ｂ）は、多連蓋７０を利用する容量式力学量センサ装置９１の製造方法を示した、製造工程別の模式的な上面図である。
【図５】図２，３に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法についての別の変形例で、図３（ａ）の工程に対応した模式的な上面図である。
【図６】車載用の加速度検出に用いられる容量式力学量センサ装置を製造する場合の例で、（ａ），（ｂ）は、それぞれ、図２（ｃ）と図３（ａ）の工程に対応した模式的な上面図である。
【図７】特許文献１に開示された容量式力学量センサを示す図で、（ａ）は、容量式力学量センサ１１の平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）中におけるＡ−Ａ断面の断面模式図である。
【図８】（ａ）は、図７と同様の容量式力学量センサがパッケージされた状態を示す図で、容量式力学量センサ装置９０を部分的にカットして示した斜視図である。（ｂ）は、（ａ）の容量式力学量センサ装置９０におけるケース５１の側面の外観図である。また、（ｃ）は、（ａ）に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法を示す工程フロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明は、静電容量変化によって印加力学量を検出するセンサチップがケース内に密封状態で収容されてなる、容量式力学量センサ装置の製造方法に関する。以下、本発明を実施するための形態を、図に基づいて説明する。
【００３１】
図１は、本発明の容量式力学量センサ装置の製造方法を示す工程フロー図である。また、図２（ａ）〜（ｃ）と図３（ａ），（ｂ）は、図１の製造方法により図８（ａ）の容量式力学量センサ装置９０を製造する場合についての製造工程別の模式的な上面図である。図２（ａ）〜（ｃ）と図３（ａ），（ｂ）の各図において、図８（ａ）の容量式力学量センサ装置９０と同様の部分については、同じ符号を付した。
【００３２】
図１に示す容量式力学量センサ装置の製造方法においては、最初に、多連ケース準備工程であるステップＳ１で、生産性を考慮して、図２（ａ）に示すようなケース５１が複数個連結されてなる多連ケース５０を準備する。尚、図２（ａ）の多連ケース５０を構成しているケース５１においては、後工程でワイヤ６１のボンディングのためのパッド５２や蓋７１のシーム溶接のための開口端部５３が、部分的にメタライズされている。多連ケース５０は、セラミックからなる。多連ケース５０において、ケース５１の連結部には、溝５４が形成されている。溝５４は、セラミックの焼成前の段階で形成し、焼成後において溝５４の形成部分を破断して、多連ケース５０を個々のケース５１に確実に分割するようにしたものである。図１のステップＳ１における多連ケースの準備工程は、図８（ｃ）のステップＳ９１における多連ケースの準備工程と同じである。
【００３３】
次に、図１のセンサチップ搭載工程であるステップＳ２で、図２（ｂ）に示すように、多連ケース５０を構成しているケース５１に、回路チップ４２とセンサチップ４１を順に貼り合わせて搭載する。
【００３４】
次に、図１のワイヤボンディング工程であるステップＳ３で、図２（ｃ）に示すように、回路チップ４２とセンサチップ４１の間、および回路チップ４２とケース５１のパッド５２の間で、ワイヤ６１をボンディングする。
【００３５】
次に、図１の蓋接合工程であるステップＳ４で、図３（ａ）に示すように、多連ケース５０を構成しているケース５１に蓋７１をシーム溶接により接合して、ケース５１内を密封状態とする。蓋７１の材質は、多連ケース５０（ケース５１）と同じセラミックであることが好ましいが、樹脂、ガラス、金属等であってもよい。ケース５１と蓋７１の接合方法も、シーム溶接に限らず、例えば接着剤を用いるようにしてもよい。
【００３６】
最後に、図１の多連ケース分割工程であるステップＳ５で、図３（ｂ）に示すように、多連ケース５０における溝５４の形成部分を破断して、多連ケース５０を個々のケース５１に分割する。
【００３７】
以上で、図８（ａ）に示す容量式力学量センサ装置９０が製造される。
【００３８】
上記した図１〜３に示す容量式力学量センサ装置９０の製造方法においても、図８（ｃ）に示した従来の製造方法と同様に、ケース５１が複数個連結された生産性のよい多連ケース５０から製造工程をスタートする。しかしながら、図１〜３に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法では、図８（ｃ）に示した最初に多連ケースを個々のケースに分割してからセンサチップを搭載する従来の製造方法と異なり、多連ケース５０の個々のケース５１への分割をいちばん最後にする。すなわち、図１〜３に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法においては、多連ケース５０の儘で回路チップ４２およびセンサチップ４１の搭載とワイヤ６１のボンディングを行い、調整や特性検査を経てケース５１に蓋７１を接合し、ケース５１内を密封状態とした後で分割する。従って、図１〜３の容量式力学量センサ装置９０の製造方法においては、表面が荒れた状態となり微細な異物の発生確率が高い分割後のケース５１に残る分割面（図８（ｂ）に示した破断面５５）は、ケース５１が密封された後で形成されることとなる。このため、上記分割面から微細な異物が発生しても、ケース５１内に入り込むことはない。このため、図１〜３に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法によれば、数ミクロンの加工精度で形成されたセンサチップ４１をケース５１内に収容する場合であっても、図８（ｃ）に示した従来と較べてケースの生産性を悪化させることなく、ケース５１に起因した異物の発生による製造不良や信頼性低下を防止することができる。
【００３９】
また、多連ケース５０の儘でセンサチップ４１の搭載、ワイヤ６１のボンディングおよび蓋７１の接合を行う図１〜３に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法では、多連ケース５０を構成している個々のケース５１の位置が決まっている。このため、後工程を行うに際しての位置決めは、多連ケース５０の位置決めを一度行うだけでよい。従って、製造工程における位置決めを効率化することができ、製造コストも低減することができる。
【００４０】
以上のようにして、図１〜３に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法は、静電容量変化によって印加力学量を検出するセンサチップ４１がケース５１内に密封状態で収容されてなる容量式力学量センサ装置９０の製造方法であって、ケース５１に起因した異物の発生による製造不良や信頼性低下を防止できると共に、製造コストも低減できる容量式力学量センサ装置の製造方法となっている。
【００４１】
尚、図１〜３に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法においては、ケース５１に設けられた外部接続端子であるパッド５２とセンサチップ４１（および回路チップ４２）の電気的な接続手段として、ワイヤボンディングが用いられていた。しかしながら、ケースに設けられた外部接続端子とセンサチップとの電気的な接続手段は、これに限らず、例えばフリップチップ接続であってもよい。フリップチップ接続とする場合には、図１のセンサチップ搭載工程であるステップＳ２で、センサチップ（および回路チップ）をケースに設けられた外部接続端子に半田接続して、センサチップをケースに搭載する。
【００４２】
また、図１〜３に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法においては、セラミックからなる多連ケース５０が用いられていた。そして、該多連ケース５０において、分割位置となるケース５１の連結部に溝５４が形成され、図１のステップＳ５および図３（ｂ）に示す多連ケース分割工程において、溝５４の形成部分を破断して、多連ケース５０を個々のケース５１に分割していた。
【００４３】
セラミックからなるケース５１は、センサチップ４１や該センサチップ４１の制御回路が形成された回路チップ４２の材料であるシリコン（Ｓｉ）と熱膨張係数が近い材料であり、センサチップ４１や回路チップ４２を接合したときのシリコンチップにかかる応力を低減することができる。また、多連ケース５０としたときの連結部に溝５４を形成して薄くすることで、高強度であるにもかかわらず、容易に破断することができるようになる。一方、セラミックの破断面は、表面が非常に荒れた状態となり、微細な異物の発生確率が高いことが問題となる。しかしながら、図１〜３の容量式力学量センサ装置９０の製造方法によれば、シリコンチップをケース５１内に封入した後で破断するため、上記問題点を克服することができる。
【００４４】
以上のように、多連ケース５０（ケース５１）の材料としては、セラミックであることが好ましい。しかしながら、上記した容量式力学量センサ装置の製造方法における多連ケースの材料は、これに限らず、例えば樹脂材料であってもよい。樹脂材料からなる多連ケースの場合には、個々のケースへの分割手段として、例えばブレードやレーザによる切断を利用する。この場合にも、上記製造方法によれば、切断面に起因した異物の発生による製造不良や信頼性低下を防止できると共に、製造コストも低減することができる。
【００４５】
次に、図２，３に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法の変形例について説明する。
【００４６】
図４（ａ），（ｂ）は、多連蓋７０を利用する容量式力学量センサ装置９１の製造方法を示した、製造工程別の模式的な上面図である。
【００４７】
図４（ａ），（ｂ）は、図３（ａ），（ｂ）に対応した図で、図２（ａ）〜（ｃ）に示した製造工程の後で、図３に示した蓋７１とは異なり、図４（ａ）に示す多連蓋７０を図２（ｃ）に示す多連ケース５０に接合する。多連蓋７０は、図４（ａ）に示すように、多連ケース５０を構成しているケース５１を一括して蓋するものである。多連蓋７０には、次の図４（ｂ）に示す分割工程において多連ケース５０と同時に分割するためのスリット７２が形成されている。
【００４８】
次の、図４（ｂ）に示す多連ケース分割工程においては、多連ケース５０と多連蓋７０を同時に分割する。これによって、各容量式力学量センサ装置９１が製造される。
【００４９】
上記のように、多連蓋７０を用いる場合には、多連ケース分割工程において、多連ケース５０と同時に、多連蓋７０を分割することが好ましい。これによれば、多連ケース５０を用いる場合と同様に蓋の生産性が上がると共に、多連蓋７０の分割が多連ケース５０と同時に行われるため、多連蓋７０を分割するための追加工程が必要なくなる。これによって、図３に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法に較べて、容量式力学量センサ装置９１の全体としての生産性を高めることができる。
【００５０】
尚、多連蓋７０の材質は、図３に示した蓋７１と同様に、セラミックであることが好ましいが、樹脂、ガラス、金属等であってもよい。また、多連ケース５０と多連蓋７０の接合方法も、シーム溶接に限らず、例えば接着剤を用いるようにしてもよい。
【００５１】
また、図４（ａ）に示す多連蓋７０にはスリット７２が形成されていたが、セラミックからなる多連蓋７０を用いる場合には、図４（ｂ）に示す記多連ケース分割工程において、多連ケース５０と同時に、多連蓋７０におけるスリット７２の形成部分を容易かつ確実に破断することができる。また、樹脂、ガラス、金属等からなる多連蓋７０を用いる場合にも、スリット７２は、該多連蓋を分割するための分割ラインとして利用することができ、スリット７２の形成部分は薄くなるため、ブレードやレーザによる切断分割が容易になる。
【００５２】
図５は、図２，３に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法についての別の変形例で、図３（ａ）の工程に対応した模式的な上面図である。
【００５３】
図２，３に示した容量式力学量センサ装置９０の製造方法において、多連ケース５０は、ケース５１が縦横複数の行列状に連結されてなる生産性の高いものであった。一方、図５において用いられている多連ケース５０ａは、ケース５１が単列状に連結されてなるもので、連続的なライン加工処理に適するものである。
【００５４】
上記製造方法による
容量式力学量センサ装置は、いずれも安価で高信頼性を有した容量式力学量センサ装置とすることができるため、車載用で、加速度検出に用いられる場合に好適である。
【００５５】
図６は、上記車載用の加速度検出に用いられる容量式力学量センサ装置を製造する場合の例で、図６（ａ），（ｂ）は、それぞれ、図２（ｃ）と図３（ａ）の工程に対応した模式的な上面図である。
【００５６】
図６（ａ）に示す多連ケース５０ｂにおいては、平面内で直交するＸ方向とＹ方向の各加速度をそれぞれ検出する２個のセンサチップ４１ｘ、４１ｙが、２個の隣り合うケース５１にそれぞれ配置されてなるように構成されている。そして、図６（ｂ）に示す工程では、２個の隣り合うケース５１に架かる蓋７３を接合して、センサチップ４１ｘ、４１ｙがそれぞれ配置された２個のケース５１を、一組のケースとなるようにしている。この図６（ｂ）に示す多連ケース５０ｂを、次工程において蓋７３が架かっていない溝５４の形成部分で分割することにより、Ｘ方向とＹ方向の２軸の容量式加速度センサ装置を、容易で安価に製造することができる。
【００５７】
以上のようにして、上記した容量式力学量センサ装置の製造方法は、静電容量変化によって印加力学量を検出するセンサチップがケース内に密封状態で収容されてなる容量式力学量センサ装置の製造方法であって、ケースに起因した異物の発生による製造不良や信頼性低下を防止できる容量式力学量センサ装置の製造方法となっている。
【符号の説明】
【００５８】
９０，９１  容量式力学量センサ装置
４１，４１ｘ、４１ｙ  センサチップ
４２  回路チップ
５０，５０ａ，５０ｂ  多連ケース
５１  ケース
５４  溝
６１  ワイヤ
７０  多連蓋
７１，７３  蓋
７２  スリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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