(57)【要約】【課題】基板にドライフィルムをラミネートするラミネート装置において、基板間のフィルム継ぎ目領域を低減し、生産性を向上する。【解決手段】基板Ｗの両面に、それぞれドライフィルムｆ１，ｆ２を供給するフィルム供給手段２０，２１と、基板搬送路を挟んで対配置され、それぞれ回動自在に軸支された仮付けローラ１６，１７を有し、前記仮付けローラにより前記ドライフィルムを介して前記基板の両面を加圧しながら該基板を搬送し、基板両面にドライフィルムを仮付けするフィルム仮付け手段と、前記基板搬送路を挟んで対配置され、それぞれ回動自在に軸支された加熱ローラ１８，１９を有し、前記基板両面に仮付けされたドライフィルムを前記加熱ローラにより加熱しながら該基板を搬送し、基板両面に前記ドライフィルムをラミネートする加熱ラミネート手段とを備える。【選択図】図１
2010131837.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の両面にドライフィルムレジストをラミネートするラミネート装置において、
水平方向に形成された基板搬送路を搬送される前記基板の両面に、それぞれドライフィルムレジストを供給するフィルム供給手段と、
前記基板搬送路を挟んで対配置され、それぞれ回動自在に軸支された仮付けローラを有し、前記仮付けローラにより前記ドライフィルムレジストを介して前記基板の両面を加圧しながら該基板を搬送し、基板両面にドライフィルムレジストを仮付けするフィルム仮付け手段と、
前記基板搬送路を挟んで対配置され、それぞれ回動自在に軸支された加熱ローラを有し、前記基板両面に仮付けされたドライフィルムレジストを前記加熱ローラにより加熱しながら該基板を搬送し、基板両面に前記ドライフィルムレジストをラミネートする加熱ラミネート手段とを備え、
少なくとも前記対配置された加熱ローラのいずれかは、基板両面に仮付けされたドライフィルムレジストに対し、接触または非接触の状態となるよう移動自在に設けられ、その非接触の状態にあっては、いずれの加熱ローラも前記ドライフィルムレジストに接触せず、その接触の状態にあっては、全ての加熱ローラが前記ドライフィルムレジストに接触する配置となされることを特徴とするラミネート装置。
【請求項２】
前記基板を搬送する前記仮付けローラの回動が停止された状態で、搬送停止された基板の後端と、後続で搬送される基板の先端とを検出し、基板間距離を所定距離とする基板間距離調整手段を備えることを特徴とする請求項１に記載されたラミネート装置。
【請求項３】
前記フィルム仮付け手段よりも上流の基板搬送路において、該基板搬送路を挟んで対配置され、それぞれ回動自在に軸支された導電性のクリーンローラを有し、
前記クリーンローラを回動させることにより基板両面を除塵しながら基板搬送するクリーニング手段を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載されたラミネート装置。
【請求項４】
前記フィルム仮付け手段よりも上流の基板搬送路において、
搬送される基板表面よりも上方に突出すると共に、前記基板の左右側方において、それぞれ該基板の幅方向に移動自在に設けられたピン部材を有し、
前記ピン部材を前記基板の左右側部に当接させて該基板を所定位置とするセンタリング手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載されたラミネート装置。
【請求項５】
基板の両面にドライフィルムレジストをラミネートするラミネート方法において、
水平方向に形成された基板搬送路を搬送される前記基板の両面に、それぞれドライフィルムレジストを供給するステップと、
前記基板搬送路を挟んで対配置され、それぞれ回動自在に軸支された仮付けローラにより、前記ドライフィルムレジストを介して基板両面を加圧しながら該基板を搬送し、基板両面にドライフィルムレジストを仮付けするステップと、
前記基板の搬送を一時停止するステップと、
搬送が一時停止された前記基板の上流側から後続の基板を搬送し、該搬送される基板の先端と、前記一時停止された基板の後端との距離寸法が、所定寸法になると、基板搬送を再開するステップと、
前記基板搬送路を挟んで対配置され、それぞれ回動自在に軸支された加熱ローラを、前記基板の両面に仮付けされたドライフィルムレジストに対し、非接触の状態から接触させるステップと、
前記加熱ローラにより前記基板を搬送しながら加熱し、基板両面に前記ドライフィルムレジストをラミネートするステップとを実行することを特徴とするラミネート方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワークであるフレキシブル基板等の基板にドライフィルムレジストをラミネートするラミネート装置に関し、特にラミネート後の基板間のフィルム繋ぎ部分を低減することのできるラミネート装置及びラミネート方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、感光性の樹脂組成物であるドライフィルムレジスト（単にドライフィルムと呼ぶ）をフレキシブル基板（以下、単に基板と呼ぶ）にラミネート処理する技術として、基板にドライフィルムを重ね、その両面側から加圧しつつ加熱し、基板にドライフィルムを圧着（ラミネート）する方法がある（特許文献１参照）。近年では、基板両面に回路パターンを形成するため、基板両面に対しドライフィルムをラミネートするのが一般的である。
【０００３】
具体的には、図５（ａ）の模式的な側面図に示すように、ワークである基板２００を例えば水平方向に搬送し、その上方及び下方からドライフィルム２０１、２０２をそれぞれ基板２００の両面に供給する。そして、基板２００を挟み込むように設けられた上下一対の加圧ローラ２０３、２０４により、基板２００の両面を加圧しながら加熱することで、基板２００にドライフィルム２０１，２０２をラミネートする。
【特許文献１】特開２００２−５２６１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のラミネート装置では、図５（ｂ）に示すように基板一枚ごとにラミネート処理がなされると、加圧ローラ２０３，２０４の回転を一時停止し、次にラミネートする基板２００の位置合わせが行われる。
【０００５】
しかしながら、このような構成にあっては、図５（ｂ）の状態、即ち、発熱する加圧ローラ２０３、２０４が停止状態でドライフィルム２０１，２０２に接し、ドライフィルム２０１，２０２が熱による重合反応を起こして変質する。このため、図５（ｃ）に示すように、変質部分２０１ａ、２０２ａが基板２００にラミネートされないよう、或いは、停止したローラ２０３，２０４の熱が基板端部へ悪影響を与えないように、基板間のフィルム繋ぎ部分を所定間隔（例えば３ｃｍ以上）空ける必要があった。その結果、ドライフィルム２０１，２０２の無駄となる部分が多くなり、その分コストが嵩むという課題があった。
【０００６】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、基板にドライフィルムレジストをラミネートするラミネート装置において、基板間のフィルム継ぎ目領域を低減し、生産性を向上することのできるラミネート装置及びラミネート方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記した課題を解決するために、本発明に係るラミネート装置は、基板の両面にドライフィルムレジストをラミネートするラミネート装置において、水平方向に形成された基板搬送路を搬送される前記基板の両面に、それぞれドライフィルムレジストを供給するフィルム供給手段と、前記基板搬送路を挟んで対配置され、それぞれ回動自在に軸支された仮付けローラを有し、前記仮付けローラにより前記ドライフィルムレジストを介して前記基板の両面を加圧しながら該基板を搬送し、基板両面にドライフィルムレジストを仮付けするフィルム仮付け手段と、前記基板搬送路を挟んで対配置され、それぞれ回動自在に軸支された加熱ローラを有し、前記基板両面に仮付けされたドライフィルムレジストを前記加熱ローラにより加熱しながら該基板を搬送し、基板両面に前記ドライフィルムレジストをラミネートする加熱ラミネート手段とを備え、少なくとも前記対配置された加熱ローラのいずれかは、基板両面に仮付けされたドライフィルムレジストに対し、接触または非接触の状態となるよう移動自在に設けられ、その非接触の状態にあっては、いずれの加熱ローラも前記ドライフィルムレジストに接触せず、その接触の状態にあっては、全ての加熱ローラが前記ドライフィルムレジストに接触する配置となされることに特徴を有する。
また、前記基板を搬送する前記仮付けローラの回動が停止された状態で、搬送停止された基板の後端と、後続で搬送される基板の先端とを検出し、基板間距離を所定距離とする基板間距離調整手段を備えることが望ましい。
【０００８】
このようにフィルム仮付け手段を設けているため、従来のように加熱ローラにドライフィルムレジストを常に接触させてドライフィルムレジストのシワ、たるみ、空気の巻き込み等を防止する必要がなく、加熱によるラミネート処理直前まで、加熱ローラをドライフィルムレジストから離隔した状態とすることができる。
即ち、前記基板間距離調整手段の機能時に、ドライフィルムレジストが仮付けされた基板が一時的に搬送停止されても、加熱ローラがドライフィルムレジストに接触しない状態とすることにより、加熱ローラの熱による悪影響を受けないようにすることができる。
したがって、基板間の距離（フィルム継ぎ目領域）を従来よりも大幅に短く設定することができ、基板間のフィルム継ぎ目領域を低減し、生産性を向上することができる。
【０００９】
また、前記フィルム仮付け手段よりも上流の基板搬送路において、該基板搬送路を挟んで対配置され、それぞれ回動自在に軸支された導電性のクリーンローラを有し、前記クリーンローラを回動させることにより基板両面を除塵しながら基板搬送するクリーニング手段を備えることが望ましい。
このようにクリーニング手段を設けることにより、除塵された基板に対し直ぐさまラミネート処理を施すことができる。
【００１０】
また、前記フィルム仮付け手段よりも上流の基板搬送路において、搬送される基板表面よりも上方に突出すると共に、前記基板の左右側方において、それぞれ該基板の幅方向に移動自在に設けられたピン部材を有し、前記ピン部材を前記基板の左右側部に当接させて該基板を所定位置とするセンタリング手段を備えることが望ましい。
このように予めセンタリング手段において基板幅方向の位置合わせを行うことにより、その後の基板の位置調整（基板間の距離調整等）を容易とすることができる。
【００１１】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係るラミネート方法は、基板の両面にドライフィルムレジストをラミネートするラミネート方法において、水平方向に形成された基板搬送路を搬送される前記基板の両面に、それぞれドライフィルムレジストを供給するステップと、前記基板搬送路を挟んで対配置され、それぞれ回動自在に軸支された仮付けローラにより、前記ドライフィルムレジストを介して基板両面を加圧しながら該基板を搬送し、基板両面にドライフィルムレジストを仮付けするステップと、前記基板の搬送を一時停止するステップと、搬送が一時停止された前記基板の上流側から後続の基板を搬送し、該搬送される基板の先端と、前記一時停止された基板の後端との距離寸法が、所定寸法になると、基板搬送を再開するステップと、前記基板搬送路を挟んで対配置され、それぞれ回動自在に軸支された加熱ローラを、前記基板の両面に仮付けされたドライフィルムレジストに対し、非接触の状態から接触させるステップと、前記加熱ローラにより前記基板を搬送しながら加熱し、基板両面に前記ドライフィルムレジストをラミネートするステップとを実行することに特徴を有する。
【００１２】
このように予め基板両面にドライフィルムレジストを仮付けすることにより、従来のように加熱ローラにドライフィルムレジストを常に接触させてドライフィルムレジストのシワ、たるみ、空気の巻き込み等を防止する必要がなく、加熱によるラミネート処理直前まで、加熱ローラをドライフィルムレジストから離隔した状態とすることができる。
即ち、ドライフィルムレジストが仮付けされた基板を一時的に搬送停止しても、加熱ローラは、ドライフィルムレジストに接触しないため、その熱による悪影響が生じず、一時的に搬送停止された基板の後端と後続基板の先端との距離（フィルム継ぎ目領域）を従来よりも大幅に短く設定することができる。
その結果、基板間のフィルム継ぎ目領域が低減され、生産性を向上することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板にドライフィルムレジストをラミネートするラミネート装置において、基板間のフィルム継ぎ目領域を低減し、生産性を向上することのできるラミネート装置及びラミネート方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係るラミネート装置及びラミネート方法の実施の形態について説明する。図１は、本発明のラミネート装置の側面図であり、図２は、ラミネート装置の平面図である。また、図３は、ラミネート装置の主要部拡大図である。
このラミネート装置１００は、土台部１の上に、ワークであるフレキシブル基板Ｗ（単に基板Ｗと呼ぶ）の位置合わせ（センタリング）を行うセンタリング部２（センタリング手段）と、基板Ｗの表面に付着している塵をクリーンローラにより除去するクリーニング部３（クリーニング手段）と、基板Ｗの上下面にドライフィルムレジスト（単にドライフィルムと呼ぶ）を貼り付け、ラミネートするラミネート部４と、ラミネート後の基板Ｗを巻き取る巻き取り部５を備える。ラミネート部４の筐体外面には、このラミネート装置１００の設定・操作を行うための操作パネル１０が設けられている。
【００１５】
基板位置合わせを行うセンタリング部２には、基板Ｗを搬送する複数の搬送ローラ６が敷設されている。基板搬送方向に沿って両側、且つ、隣接するローラ６間には、ローラ上面よりも上方に突出すると共に、基板Ｗの左右側方において基板幅方向に移動自在に設けられた複数のピン部材７が配列されている。これらのピン部材７は、モータ等の駆動手段８により移動可能となされている。
【００１６】
基板Ｗの搬入前には、前記ピン部材７は搬送ローラ６の両端寄りに配置されている。基板Ｗの左右側方に位置するピン部材７は、基板搬入後に基板Ｗに接近するよう移動し、基板Ｗの左右側部に当接し、基板Ｗの位置を所定位置に調整（センタリング）するようになされている。尚、基板センタリング時のピン部材７の移動距離は、操作パネル１０から入力設定された基板Ｗのサイズによって決定される。
【００１７】
クリーニング部３には、基板搬送路を挟んで対配置され、図示しない駆動手段により回動自在に軸支された導電性のクリーンローラ１１，１２と、クリーニング処理時にローラ面に接し、その表面に付着している塵を吸着除去するロール状のクリーニングテープ１３，１４とが、搬送方向に沿って２段に設けられている。
即ち、クリーニング部３に搬入された基板Ｗの両面は、２段構成のクリーンローラ１１，１２のローラ面に接しながら搬送されることにより、表面に付着していた塵がクリーンローラ１１，１２のローラ面に吸着される。クリーンローラ１１，１２のローラ面に付着した塵は、クリーニングテープ１３，１４により除去されるため、基板Ｗの表面に接する際には、クリーンローラ１１，１２のローラ面は、常にクリーンな状態となされている。
【００１８】
尚、クリーニング部３の搬入口付近には、搬入された基板Ｗの先端部を検出する先端検出センサ４６が設けられ、その検出信号をトリガーとして、クリーンローラ１１，１２が図示しないアクチュエータにより、瞬間的に互いに所定距離だけ離隔する方向に付勢される。これにより、クリーンローラ１１，１２のローラ面は、基板先端部を所定距離（例えば２，３ｍｍ）飛び越した状態から、基板面に接触する。これにより、薄板である基板Ｗのクリーンローラ１１，１２への巻き込みが防止される。
【００１９】
また、ラミネート部４は、クリーニング処理後の基板Ｗを搬入する複数のコロからなる乗り継ぎコンベア１５と、搬入された基板Ｗの上下両面に対しそれぞれドライフィルムｆ１，ｆ２を供給するフィルム供給手段とを備える。さらに、基板搬送路を挟んで対配置され、それぞれ回動自在に軸支された仮付けローラ１６，１７及び、その後段のヒートローラ１８，１９（加熱ローラ）を備える。
【００２０】
前記仮付けローラ１６，１７の上方及び下方には、フィルム供給手段として、ドライフィルムロール２０，２１がそれぞれ設けられている。ドライフィルムロール２０，２１は、長尺の帯状体であるドライフィルムｆ１，ｆ２がそれぞれロール状に巻回されており、繰り出し軸２２，２３によって軸周りに回転自在に軸支されている。尚、繰り出し軸２２，２３は、その位置が例えば手動により微調整可能に設けられ、ドライフィルムロール２０，２１の高さを最適化できるようになされている。
【００２１】
ドライフィルムロール２０，２１からは、ドライフィルムｆ１，ｆ２がそれぞれ引き出され、最初にセパレートシャフト２４，２５に掛架されている。このセパレートシャフト２４，２５においてドライフィルムｆ１，ｆ２は、その片面から保護フィルムｆ１ａ，ｆ２ａが剥離される。剥離された保護フィルムｆ１ａ，ｆ２ａは軸周りに回転自在に設けられた巻き取り軸２６，２７によって巻き取られ、分離したドライフィルムｆ１，ｆ２本体は供給シャフト２８，２９に掛架され、仮付けローラ１６，１７に供給されている。
【００２２】
また、保護フィルムｆ１ａ，ｆ２ａが剥離された後のドライフィルムｆ１，ｆ２が通過する位置付近には、それぞれ除電バー３０，３１が設けられ、帯電による塵の付着が防止されるようになされている。
また、仮付けローラ１６、１７は、それぞれ図３に示すようにモータ等の回転駆動部４１、４２により基板Ｗの搬送方向に回転する。このうち、上側に設けられた仮付けローラ１６は、図３に示すように、シリンダ駆動部４０により昇降移動可能となされている。そして、仮付けローラ１６が最下降した状態で、仮付けローラ１６の下端がドライフィルムｆ１を介して基板Ｗ上面に圧接され、さらに、基板Ｗの下面にドライフィルムｆ２を介して仮付けローラ１７の上端が圧接されるようになされている。
尚、ドライフィルムｆ１，ｆ２の仮付け処理時以外にあっては、仮付けローラ１６は基板搬送路と離れて上方に位置する状態となされている。また、前記仮付けローラ１６，１７と回転駆動部４１，４２とシリンダ駆動部４０とによりフィルム仮付け手段が構成される。
【００２３】
また、基板搬送路を挟んで対配置されたヒートローラ１８，１９は、図３に示すようにモータ等の回転駆動部４４，４５により基板Ｗの搬送方向に回転する。このうち、上側に設けられたヒートローラ１８は、図３に示すようにシリンダ駆動部４３により昇降移動可能となされ、最下降した状態で基板Ｗ上面（ドライフィルムｆ１）を加圧するようになされている。そして、ヒートローラ１８が最下降した状態で、ヒートローラ１８の下端がドライフィルムｆ１を介して基板Ｗ上面に圧接され、さらに、基板Ｗの下面にドライフィルムｆ２を介してヒートローラ１９の上端が圧接されるようになされている。
尚、ドライフィルムｆ１，ｆ２の基板Ｗへの加熱圧着処理時以外は、ヒートローラ１８は基板搬送路から離れて上方に位置し、基板Ｗ上面と所定距離が離隔した状態となされている。また、ヒートローラ１８，１９と回転駆動部４４，４５とシリンダ駆動部４３とにより加熱ラミネート手段が構成されている。
【００２４】
より詳しく説明すると、ヒートローラ１８，１９の下流において、巻き取り部５側には、中継ローラ３６が設けられており、この中継ローラ３６の上端高さと（下側の）仮付けローラ１７の上端高さとは略同じ位置になされている。
図３に示すように、それら中継ローラ３６と仮付けローラ１７の高さ位置は、それらの間に位置する（下側の）ヒートローラ１９の上端高さよりも所定寸法（例えば１５ｍｍ）高い位置となるよう段差が設けられている。このため、仮付けローラ１７と中継ローラ３６との間に掛架された基板Ｗ（及びドライフィルムｆ１，ｆ２）は、その段差分以上を（上側の）ヒートローラ１８によって下側に押さえつけない限り、ヒートローラ１９の上端は基板Ｗ下面（ドライフィルムｆ２）と接触しない状態となされている。
【００２５】
したがって、昇降移動可能に設けられた上側のヒートローラ１８が前記段差分以上の所定距離を下降移動し、ドライフィルムｆ１を介して基板Ｗの上面に圧接することにより、基板Ｗの下面がドライフィルムｆ２を介して下側のヒートローラ１９に圧接される。
また、ヒートローラ１８，１９は遠赤外線ヒータ（図示せず）を有しているため、基板Ｗ（ドライフィルムｆ１，ｆ２）は、その両面が加熱されながら搬送され、仮付けされているドライフィルムｆ１，ｆ２が完全に貼り付けられ、ラミネート処理される。
【００２６】
尚、ラミネート後の基板Ｗ表面に帯電による塵の付着が発生しないよう、ヒートローラ１８，１９の後方には除電バー３２，３３が設けられている。また、ヒートローラ１８，１９の近傍には、ローラ表面温度を検出する非接触温度センサ３４，３５がそれぞれ設けられ、その検出温度によりヒートローラ１８，１９の温度制御がなされるよう構成されている。
【００２７】
また、ラミネート処理が連続的に施される複数の基板Ｗの基板間距離を調整するための基板間距離調整手段として、ドライフィルムｆ１，ｆ２の仮付けがなされる基板Ｗの後端位置を検出する基板後端位置検出センサ４８と、その基板Ｗに続く基板Ｗの先端位置を検出する基板先端位置検出センサ４９とが、それぞれクリーニング部３側に設けられている。尚、前記基板間距離調整手段としては、仮付けローラ１６，１７の回転駆動を行う前記回転駆動部４１，４２及び、前記検出センサ４８，４９の検出結果に基づき、前記回転駆動部４１，４２等を制御する制御部（図示せず）も含まれる。
【００２８】
また、巻き取り部５には、前記中継ローラ３６と、この中継ローラ３６からラミネート後の基板Ｗ（帯状のドライフィルムｆ１，ｆ２に連続的にラミネートされた複数基板Ｗ）が掛架され、それを一定の回転速度で巻き取る巻取軸３７が設けられている。
また、中継ローラ３６の上方には、基板Ｗをラミネートした帯状のドライフィルムｆ１，ｆ２の側縁部（エッジ部）を検出し、その蛇行防止のために検出信号が利用される超音波センサ３８（所謂ＥＰＣ（Ｅｄｇｅ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）用センサ）が設けられている。
【００２９】
続いて、図４のフローに基づいて、このラミネート装置１００における基板Ｗへのドライフィルムのラミネート動作を説明する。尚、この動作説明においては、順次搬入されるワークとしてのフレキシブル基板Ｗを順に基板Ｗ１，基板Ｗ２，基板Ｗ３，・・・と表す。
例えば基板供給装置（図示せず）により連続的に基板Ｗがセンタリング部２に供給されると、最初の基板Ｗ１は搬送ローラ６によりクリーニング部３に向かって搬送される。そして、センタリング部２に敷設された搬送ローラ６の後段部において、左右側方に配置されたピン部材７が基板Ｗ１の側部に近づいて当接し、基板Ｗ１が搬送路中央を通過するようセンタリングされる（図４のステップＳＴ１）。
【００３０】
次いで、センタリングされた基板Ｗ１の先端がクリーニング部３に搬入され、基板先端位置検出センサ４６により検出されると、その検出信号をトリガーとして、クリーンローラ１１，１２がそれぞれ、互いに離隔する方向に瞬間的に昇降移動する。これにより、クリーンローラ１１，１２のローラ面は、基板先端部を所定距離（例えば２，３ｍｍ）飛び越した状態で基板面に接触する。このようになされることにより、薄板である基板Ｗのクリーンローラ１１，１２への巻き込みが防止される。
【００３１】
そして、基板Ｗ１はクリーンローラ１１，１２により前方に搬送されると共に、クリーンローラ１１，１２のローラ面により基板上下面の塵が吸着される（図４のステップＳＴ２）。
クリーニング処理された基板Ｗ１は、ラミネート部４に搬入され、その先端から後端に向けて、仮付けローラ１６，１７により基板両面にドライフィルムｆ１，ｆ２が圧着され仮付けされる（図４のステップＳＴ３）。
【００３２】
ここで、基板後端位置検出センサ４８の検出により、基板Ｗ１後端が所定位置に達すると、制御部（図示せず）により仮付けローラ１６，１７の回動が停止される。基板Ｗ１は一時的に搬送停止され、このとき基板先端はヒートローラ１８，１９よりも上流側に位置した状態となる（図４のステップＳＴ４）。
尚、この基板Ｗ１の搬送の一時停止は、後続の基板Ｗ２との間隔を所定距離に合わせるために行われる。
【００３３】
一方、後続の基板Ｗ２は、クリーニング部３のクリーンローラ１１，１２により除塵された後に、その基板先端部が所定位置に達すると（先端部位置検出センサ４９により検出）、前記基板Ｗ１の後端との間隔が所定距離となる（図４のステップＳＴ５）。
【００３４】
ここで、前記ステップＳＴ３のように基板Ｗ１に予めドライフィルムｆ１，ｆ２を仮付けしているため、従来のようにヒートローラにドライフィルムｆ１，ｆ２を常に接触させてドライフィルムのシワ、たるみ、空気の巻き込み等を防止する必要がなく、加熱によるラミネート処理直前まで、ヒートローラ１８，１９をドライフィルムｆ１，ｆ２から離隔した状態とすることができる。
即ち、前記ステップＳＴ４のように、ドライフィルムｆ１，ｆ２が仮付けされた基板Ｗ１を一時的に搬送停止しても、ヒートローラ１８，１９は、ドライフィルムｆ１，ｆ２に接触しないため、その熱による悪影響が生じることなく、一時的に搬送停止された基板Ｗ１の後端と後続基板Ｗ２の先端との距離（フィルム継ぎ目領域）を従来よりも大幅に短く設定することができる。
【００３５】
その後基板Ｗ１にあっては、搬送再開されると共に（図４のステップＳＴ６）、下降したヒートローラ１８がドライフィルムｆ１を介して基板Ｗ１の上面に接し、下方に押された基板Ｗ１の下面がドライフィルムｆ２を介してヒートローラ１９に接する（図４のステップＳＴ７）。
また、ヒートローラ１８，１９の回動により基板Ｗ１は搬送され、先端から後端にかけて両面が加熱されることにより、仮付けされていたドライフィルムｆ１，ｆ２が完全にラミネートされる（図４のステップＳＴ８）。
基板Ｗ１が全てラミネート処理されると、この基板Ｗ１と後続の基板Ｗ２の搬送は一時停止され、ヒートローラ１８が上昇移動して、ヒートローラ１８、１９は共に搬送路（ドライフィルムｆ１，ｆ２）から離れた状態となる（図４のステップＳＴ９）。
【００３６】
尚、ここで、後続の基板Ｗ２については、図４のステップＳＴ５の状態に遷移する。
即ち、基板Ｗ２の後端と、さらにその後続の基板Ｗ３の先端との距離間隔が所定寸法となると、基板Ｗ２のヒートローラ１８，１９による加熱処理が開始されると共に、基板Ｗ１の搬送も再開される。そして、ラミネートされた基板Ｗ１は、中継ローラ３６の上方に設けられた超音波センサ３８によるエッジ部検出によって蛇行防止制御がなされ、巻き取り軸３７によって巻き取られる（図４のステップＳＴ１０）。
【００３７】
以上のように、本発明に係るラミネート装置及びラミネート方法の実施の形態によれば、基板Ｗ１に予めドライフィルムｆ１，ｆ２を仮付けするため、従来のようにヒートローラにドライフィルムｆ１，ｆ２を常に接触させてドライフィルムのシワ、たるみ、空気の巻き込み等を防止する必要がない。このため、加熱によるラミネート処理直前まで、ヒートローラ１８，１９をドライフィルムｆ１，ｆ２から離隔した状態とすることができる。
即ち、基板間距離の調整時に、ドライフィルムｆ１，ｆ２が仮付けされた基板Ｗ１が一時的に搬送停止されても、ヒートローラ１８，１９は、ドライフィルムｆ１，ｆ２に接触しないため、その熱による悪影響が生じることない。
したがって、基板間距離を従来よりも大幅に短く設定することができ、基板間のフィルム継ぎ目領域を低減し、生産性を向上することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は、ワークであるフレキシブル基板等の基板にドライフィルムレジストをラミネートするラミネート装置に関する。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は、本発明のラミネート装置の側面図である。
【図２】図２は、図１のラミネート装置の平面図である。
【図３】図３は、図１のラミネート装置の主要部拡大図である。
【図４】図４は、図１のラミネート装置の動作を示すフロー図である。
【図５】図５は、従来のラミネート方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４０】
１      土台部
２      センタリング部（センタリング手段）
３      クリーニング部（クリーニング手段）
４      ラミネート部
５      巻取部
６      搬送ローラ
７      ピン部材
８      駆動手段
１０    操作パネル
１１    クリーンローラ
１２    クリーンローラ
１３    クリーニングテープ
１４    クリーニングテープ
１５    乗り継ぎコンベア
１６    仮付けローラ（フィルム仮付け手段、基板間距離調整手段）
１７    仮付けローラ（フィルム仮付け手段、基板間距離調整手段）
１８    ヒートローラ（加熱ローラ、加熱ラミネート手段）
１９    ヒートローラ（加熱ローラ、加熱ラミネート手段）
２０    ドライフィルムロール（フィルム供給手段）
２１    ドライフィルムロール（フィルム供給手段）
２２    繰り出し軸
２３    繰り出し軸
２４    セパレートシャフト
２５    セパレートシャフト
２６    巻き取り軸
２７    巻き取り軸
２８    供給シャフト
２９    供給シャフト
３０    除電バー
３１    除電バー
３２    除電バー
３３    除電バー
３４    非接触温度センサ
３５    非接触温度センサ
３６    中継ローラ
３７    巻き取り軸
３８    超音波センサ
４０    シリンダ駆動部（フィルム仮付け手段）
４１    回転駆動部（フィルム仮付け手段）
４２    回転駆動部（フィルム仮付け手段）
４３    シリンダ駆動部（加熱ラミネート手段）
４４    回転駆動部（加熱ラミネート手段）
４５    回転駆動部（加熱ラミネート手段）
４８    基板後端位置検出センサ（基板間距離調整手段）
４９    基板先端位置検出センサ（基板間距離調整手段）
１００  ラミネート装置
ｆ１    ドライフィルムレジスト
ｆ２    ドライフィルムレジスト
Ｗ      フレキシブル基板（基板）
【図１】
2010131837.tif 000003
【図２】
2010131837.tif 000004
【図３】
2010131837.tif 000005
【図４】
2010131837.tif 000006
【図５】
2010131837.tif 000007