【事件の表示】
　特許第６５３９３３６号発明「半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６５３９３３６号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−８〕について訂正することを認める。
　特許第６５３９３３６号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６５３９３３６号（以下「本件特許」という。）の請求項１〜８に係る特許についての出願は，２０１５年（平成２７年）１０月２０日（優先権主張　平成２７年３月２３日：日本）を国際出願日とする出願であって，令和元年６月１４日にその特許権の設定登録がされ，令和元年７月３日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は，以下のとおりである。
令和元年１２月２６日：特許異議申立人南雲嘉明により請求項１〜８に係る特許に対する特許異議の申立て
令和元年１２月２７日：特許異議申立人中谷浩美により請求項１〜８に係る特許に対する特許異議の申立て
令和２年４月１７日付け：取消理由通知書
令和２年６月１５日：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
令和２年８月３日：特許異議申立人中谷浩美による意見書の提出
令和２年１１月９日付け：取消理由通知書（決定の予告）
令和３年１月８日：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
令和３年３月４日：特許異議申立人中谷浩美による意見書の提出
第２　訂正の適否についての判断
　令和３年１月８日付け訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）の請求は，本件特許の特許請求の範囲を，上記訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１〜８について訂正することを求めるものであって，その内容は以下のとおりである。
１．訂正の内容
（１）訂正事項１
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１に
「１００％強度が，３〜１４Ｎ／１５ｍｍであり」
とあるのを，訂正後の
「１００％強度が，３．６〜１１．３Ｎ／１５ｍｍであり」
と訂正する。（請求項１の記載を引用する請求項２〜８も同様に訂正する。）
（２）訂正事項２
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１に
「復元率が，７５〜１００％である」
とあるのを，訂正後の
「復元率が，８１〜１００％である」
と訂正する。（請求項１の記載を引用する請求項２〜８も同様に訂正する。）
（３）一群の請求項について
　訂正前の請求項１〜８について，訂正事項１，２を含む請求項１の記載を，その他の請求項２〜８がそれぞれ引用しているものであるから，請求項２〜８は，訂正事項１，２によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。よって，訂正前の請求項１〜８に対応する訂正後の請求項〔１〜８〕は，特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
２．訂正の目的の適否，新規事項の有無，及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
（１．１）訂正の目的の適否
　訂正事項１は，「１００％強度」の範囲を「３〜１４Ｎ／１５ｍｍ」から「３．６〜１１．３Ｎ／１５ｍｍ」に狭めるものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（１．２）新規事項の有無
　訂正事項１は，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「明細書等」という。）の段落０１３３の表１の記載に基づくものである。よって，訂正事項１は明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり，新規事項を追加するものではない。
（１．３）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１は，本件訂正前の請求項１に係る発明及び請求項２〜８に係る発明の技術的範囲を狭めるものであり，それらのカテゴリーや対象，目的を変更するものではないから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
（２）訂正事項２について
（２．１）訂正の目的の適否
　訂正事項２は，「復元率」の範囲を「７５〜１００％」から「８１〜１００％」に狭めるものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（２．２）新規事項の有無
　訂正事項２は，明細書等の段落０１３３の表１に記載された事項に基づくものである。よって，訂正事項２は明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり，新規事項を追加するものではない。
（２．３）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項２は，本件訂正前の請求項１に係る発明及び請求項２〜８に係る発明の技術的範囲を狭めるものであり，それらのカテゴリーや対象，目的を変更するものではないから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
（３）小括
　以上のとおり，本件訂正請求による訂正は，特許法１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，特許法１２０条９項において準用する１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　したがって，特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−８〕について訂正することを認める。
第３　訂正後の本件発明　
　本件訂正請求により訂正された請求項１〜８に係る発明（以下，それぞれ「本件発明１」〜「本件発明８」という。）は，訂正特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された以下の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　１００％強度が，３．６〜１１．３Ｎ／１５ｍｍであり，
復元率が，８１〜１００％である
半導体加工用シートであって，
　前記１００％強度は，前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において，長さ方向の両端を，つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ，速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り，つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの力の強さであり，
　前記復元率は，前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において，長さ方向の両端を，つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ，その後，つかみ具間の長さが２００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り，つかみ具間の長さが２００ｍｍに拡張された状態で１分間保持し，その後，つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に戻し，つかみ具間の長さが１００ｍｍに戻された状態で１分間保持し，その後，６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り，引張測定の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを超えた時のつかみ具間の長さを測定し，当該長さから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ２（ｍｍ）とし，前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ２００ｍｍから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ１（ｍｍ）としたとき，次式（Ｉ）
　復元率（％）＝｛１−(Ｌ２÷Ｌ１)｝×１００ ・・・ （Ｉ）
から算出される値である
ことを特徴とする半導体加工用シート。
【請求項２】
　基材と，前記基材の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体加工用シート。
【請求項３】
　前記基材は，熱可塑性エラストマーを含有することを特徴とする請求項２に記載の半導体加工用シート。
【請求項４】
　前記粘着剤層は，エネルギー線硬化性粘着剤を含有し，前記１００％強度および前記復元率は，前記半導体加工用シートにエネルギー線を照射した後の測定に基づく値であることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体加工用シート。
【請求項５】
　個片化された複数の半導体チップが一方の面に貼付された請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体加工用シートを用意する工程，
前記半導体チップの１つを，前記半導体加工用シートの他方の面側から前記一方の面側に向けて突き上げる工程，および
突き上げられた前記半導体チップをピックアップする工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
　前記半導体チップの１つの突き上げを，前記半導体加工用シートと接する面に平面を含む突き上げブロックを用いて行うことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
　前記突き上げブロックは，前記半導体加工用シートに対して垂直に独立して移動可能な複数のプレートからなることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
　前記半導体加工用シートにおいて，突き上げられる半導体チップに隣接する半導体チップが貼付された領域は，前記半導体チップの１つを突き上げる際に実質的に動かないことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。」
第４　取消理由通知（決定の予告）における取消理由の概要
　本件訂正前の請求項１〜８に係る特許に対して，当審が令和２年１１月９日付けの取消理由通知（決定の予告）により特許権者に通知した取消理由の概要は，令和２年６月１５日に提出された訂正請求書により訂正請求された訂正後の特許請求の範囲の請求項１において特定されている「１００％強度」は「３〜１２Ｎ／１５ｍｍ」であり，「復元率」は「８０〜１００％」であるところ，本件特許の発明の詳細な説明において課題が解決できる数値範囲として開示されている「１００％強度」及び「復元率」の数値範囲は，それぞれ「３．６〜１１．３Ｎ／１５ｍｍ」及び「８１〜１００％」であり，当該数値範囲を上記請求項１に係る発明における「１００％強度」及び「復元率」の範囲まで拡張ないし一般化できると認めることはできないから，本件訂正前の請求項１〜８に係る発明は，特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項１号に規定する要件を充足しない，というものである。
第５　当審の判断
１．取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について
（１）本件発明１〜８（３６条６項１号）について
　本件訂正により，訂正前の特許請求の範囲の請求項１の「１００％強度が，３〜１４Ｎ／１５ｍｍであり」との発明特定事項は，訂正後の「１００強度が，３．６〜１１．３Ｎ／１５ｍｍであり」と訂正され，「復元率が，７５〜１００％である」との発明特定事項は，訂正後の「復元率が，８１〜１００％である」と訂正され，請求項１の記載を引用する請求項２〜８も同様に訂正された。
　したがって，本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１〜８の記載は，特許法３６条６項１号に規定する要件を充足するから，取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由によっては，本件請求項１〜８に係る特許を取り消すことはできない。
（２）異議申立人の主張について
ア　異議申立人中谷浩美は令和元年１２月２７日提出の異議申立書において，実施例で用いた特定の基材及び特定の粘着剤層がそれぞれ特定の厚みとなっている半導体加工用シート以外については，本件発明の課題を解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えていると主張している。
　しかしながら，本件特許明細書の記載（特に段落０１１７〜０１３４）によれば，本件発明１〜８は，「１００％強度」及び「復元率」を特定することにより本件発明の課題を解決するものであると理解できる。すなわち，「厚み」は課題解決手段ではなく，また，本件発明１〜８における「１００％強度」及び「復元率」の範囲内であるにもかかわらず，「厚み」が本件特許明細書の実施例と異なる場合に本件発明の課題を解決し得ないとの特段の事情を認めることはできない。したがって，上記の主張は採用できない。
イ　異議申立人中谷浩美は令和３年３月４日提出の意見書において，次の旨を主張している。
・本件発明が解決しようとする課題は，本件特許明細書段落００１０に記載された，「半導体チップを良好にピックアップすることができる半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法を提供すること」である。また，本件特許明細書の段落０００９の記載から，本件特許権者は，「突き上げの高さが良好であること」と「基材の固定が良好であること」のいずれが欠けていたとしても，「半導体チップを良好にピックアップすることができる」という本件特許発明が解決しようとする課題を解決し得ないことを認識している。
　上記を踏まえると，本件特許明細書の比較例２は，「突き上げ高さについての評価」は「良好」となっているものの「基材の固定についての評価」は「不良」であるから，両方の評価が「良好」でない比較例２の「１００％強度」の数値「１１．３Ｎ／１５ｍｍ」では，本件特許発明の課題が解決できるとはいえない。同様に，本件特許明細書の比較例１も両方の評価が「良好」ではないから，本件特許明細書の比較例１の「復元率」の数値「８１％」では，本件特許発明の課題が解決できるとはいえない。
　しかしながら，本件特許明細書の表１によれば，「１００％強度」とその「突き上げ高さについての評価」，及び，「復元率」とその「基材の固定についての評価」は，それぞれ独立に評価されるものと理解でき，「１００％強度」が「３．６〜１１．３Ｎ／１５ｍｍ」であれば「突き上げ高さについての評価」が「良好」であり，「復元率」が「８１〜１００％」であれば，「基材の固定についての評価」が「良好」であると理解できる。なお，「１００％強度」と「復元率」をそれぞれ個別に評価できることは，片方の評価だけが「良好」である例（比較例１，２）が存在することからも明らかである。
　そうすると，例えば，表１の比較例２は「１００％強度」が「１１．３Ｎ／１５ｍｍ」であるが「復元率」が「４３％」であるから，本件特許の課題を解決し得ない（本件発明の範囲に含まれない）例であるものの，比較例２から進んで，「１００％強度」を例えば「１１．３Ｎ／１５ｍｍ」としつつ，「復元率」を「８１〜１００％」の範囲に調整すれば本件特許の課題を解決し得ることは，本件特許明細書の記載から当業者であれば直ちに理解できることであるといえる。
　したがって上記の主張は採用できない。なお，上記意見書におけるその余の主張（ピックアップの条件，基材の材料）は，いずれも本件発明１〜８に特定される「１００％強度」及び「復元率」によっては本件特許の課題を解決し得ないことを具体的証拠に基づいて示すものではなく，採用できない。
２．取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
（１）異議申立理由の概要
　異議申立人南雲嘉明（以下「申立人Ａ」という。）による，令和元年１２月２６日付け特許異議申立書（以下「異議申立書Ａ」という。）に記載した特許異議の申立ての理由の概要は，本件特許の請求項１〜８に係る特許は，下記の申立理由のとおり，特許法１１３条４号に該当する，というものである。
・申立理由Ａ−１（明確性）
　本件訂正前の請求項１〜８に係る発明は，特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項２号の規定に適合するものではないから，本件特許の請求項１〜８に係る特許は，同法１１３条４号に該当する。
・申立理由Ａ−２（サポート要件）
　本件訂正前の請求項１〜８に係る発明は，特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項１号の規定に適合するものではないから，本件特許の請求項１〜８に係る特許は，同法１１３条４号に該当する。
　異議申立人中谷浩美（以下「申立人Ｂ」という。）による，令和元年１２月２７日付け特許異議申立書（以下「異議申立書Ｂ」という。）に記載した特許異議の申し立ての理由の概要は，本件特許の請求項１〜８に係る特許は，下記の申立理由のとおり，特許法１１３条２号及び４号に該当する，というものである。
・申立理由Ｂ−１（サポート要件）
　本件訂正前の請求項１〜８に係る発明は，特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項１号の規定に適合するものではないから，本件特許の請求項１〜８に係る特許は，同法１１３条４号に該当する。
・申立理由Ｂ−２（実施可能要件）
　本件訂正前の請求項１〜８に係る発明について，本件特許明細書には当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されておらず，特許法３６条４項１号の規定に適合するものではないから，本件特許の請求項１〜８に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由Ｂ−３（新規性）
　本件訂正前の請求項１〜５に係る発明は，甲１号証に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜５に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由Ｂ−４（進歩性）
　本件訂正前の請求項１〜５に係る発明は，甲１号証に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由Ｂ−５（進歩性）
　本件訂正前の請求項６〜８に係る発明は，甲１号証に記載された発明に甲５号証〜甲７号証に記載の周知慣用技術を適用することにより当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，同法１１３条２号に該当する。
（２）証拠方法
ア　上記異議申立書Ａとともに提出された証拠方法は，以下のとおりである。
文献１Ａ：“プラスチック−引張特性の求め方−第１部：通則”，ＪＩＳ　Ｋ　７１６１−１：２０１４，インターネット＜ＵＲＬ：http://www.kikakurui.co./k7/k7161-1-2014-01.html＞
文献２Ａ：“加硫ゴム及び熱可塑性ゴム−引張特性の求め方”，ＪＩＳ　Ｋ　６２５１：２０１０，インターネット＜ＵＲＬ：https://kikakurui.com/k6/k6251-2010-01.html＞
文献３Ａ：Ａ．Ｎ．Ｇｅｎｔ　（訳）ゴム科学技術研究委員会，“連載　ゴムの科学と技術［第１４回］　第１０章　エラストマーの強さ”，日本ゴム協会誌，１９８３年，第５６巻，第９号，ｐ．５７３−５９１
イ　上記異議申立書Ｂとともに提出された証拠方法は，以下のとおりである。
文献１Ｂ：特開２００７−６３３４０号公報
文献２Ｂ：“セプトン＜Ｒ＞ハイブラー＜Ｒ＞高性能熱可塑性エラストマー　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ”，２０１８年５月，[online]，２０１８年５月，株式会社クラレエラストマー事業部，インターネット［令和元年１２月１７日検索］＜ＵＲＬ：
https://www.kuraray.co.jp/uploads/5b6973dcdf8f2/septon_technical_brochure_japanese.pdf＞（当審註：＜Ｒ＞は丸にＲを示す。）
文献３Ｂ：特開２００２−１０５２１７号公報
文献４Ｂ：特開平４−３５３５３０号公報
文献５Ｂ：特開２００７−３１７７４８号公報
文献６Ｂ：特開２００９−４６０９号公報
文献７Ｂ：特開２０１２−１９１２３７号公報
文献８Ｂ：知財高裁平成２１年４月２３日判決（平成１８年（行ケ）第１０４８９号），写し
（３）文献の記載
　文献１Ａの記載事項は以下のとおりである。
「８ 状態調節 
　試験片は，試験する材料の規格に従って状態調節を行う。この規定がなく，受渡当事者間の合意（例えば，高温・低温測定）もない場合は，ＪＩＳ　Ｋ　７１００の中の最も適した条件を選んで，１６時間以上行う。 
推奨する温度及び湿度は，（２３±２）℃，（５０±１０）％である。試験する材料が，湿度に影響を受けない場合には，湿度制御を行う必要はない。」
　文献２Ａの記載事項は以下のとおりである。
「１４ 試験温度 
　試験は，ＪＩＳ　Ｋ　６２５０の６．１（試験室の標準温度）で実施する。他の温度で試験を行う場合には，ＪＩＳ　Ｋ　６２５０の１１．２．２（その他の試験温度）から選ぶことが望ましい。比較を目的とした一連の評価は，すべて同じ温度で行う。」
　文献３Ａの記載事項は以下のとおりである。
「このような引張強さが温度とともに変化するのは，主としてセグメントの易動度の変化によるものである。」（５８５頁左欄１０〜１１行）
「無定形エラストマーは，温度が上昇すると徐々に引張強度が低下する（図２１）のに対して，ひずみ結晶性エラストマーは，ある臨界温度Ｔｃで急激に低下する４８）〜５１）（図２７）。この温度は図２７に示したように架橋度に強く依存する。」（５８６頁右欄１０〜１４行）
　文献３Ａの図２１，２７として以下の図が示されている。
　
　文献１Ｂの記載事項は以下のとおりである。
「【０００６】
　本発明の目的は，エキスパンド性に優れ，かつエキスパンド後の半導体ウエハ加工用粘着テープの復元率が高い等の半導体ウエハ加工用粘着テープに要求される性能に優れたフィルム基材およびそれを用いた半導体ウエハ加工用粘着テープを提供することにある。」
「【００１０】
　まず，フィルム基材１について説明する。 
フィルム基材１は，主としてプロピレン系共重合体を含む樹脂組成物で構成されている
「【００１５】
　
前記樹脂組成物は，さらに熱可塑性エラストマーを含むことが好ましい
　前記熱可塑性エラストマーとしては，室温において弾性を示す天然および合成の重合体であれば特に限定されず，例えば天然ゴム，ポリブタジエン，ポリイソプレン，ポリクロロブタジエン，エチレン−プロピレンゴム，エチレン−ブテンゴム等のオレフィン系熱可塑性エラストマー，スチレン−ブタジエン共重合体（ランダム共重合体，ブロック共重合体，グラフト共重合体等），スチレン−イソプレン共重合体（ランダム共重合体，ブロック共重合体，グラフト共重合体等）等のスチレン系熱可塑性エラストマー，アクリロニトリル−ブタジエン共重合体，イソプレン−イソブチレン共重合体，イソブチレン−ブタジエン共重合体，エチレン−プロピレン−ジエン三元共重合体，エチレン−プロピレン−ブテン三元共重合体，チオロールゴム，多加硫ゴム，ポリウレタンゴム，ポリエーテルゴム，エピクロルヒドリンゴム等およびこれらの熱可塑性エラストマーに水添加した重合体，例えば水添スチレン−ブタジエン共重合体，水添スチレン−イソプレン共重合体等が挙げられる。これら中でもスチレン系熱可塑性エラストマーが特に好ましい。これにより，復元性が向上するとともに半導体ウエハを加工する際にフィルム基材１が裂けることを抑制することができる。」
「【００３９】
　次に，本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが，本発明はこれに限定されるものでは無い。
（実施例１）
１．フィルム基材の製造 
　
プロピレン系共重合体としてＭＦＲ０．７，密度０．９ｇ／ｃｍ３，引張弾性率５４０ＭＰａのプロピレンとエチレンのブロック共重合体（サンアロマー社製）６０重量％と，スチレン含有量２０％，密度０．９ｇ／ｃｍ３，復元率９９％のスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体４０重量％（クラレ社製）とを含む樹脂組成物をドライブレンドした後，Ｔ型ダイスの押出成形機で押し出して引張弾性率１１０ＭＰａのフィルム基材（厚さ１００μｍ）を得た
【００４０】
２．半導体ウエハ加工用粘着テープの製造 
　２−エチルヘキシルアクリレート２９．７重量％，酢酸ビニル６９．３重量％および２−ヒドロキシエチルメタクリレート１重量％を常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させ重量平均分子量１５０，０００のベース樹脂Ａを得た。 このベース樹脂１００重量部に対して，エネルギー線硬化型樹脂として２官能ウレタンアクリレート１００重量部（三菱レイヨン社製，重量平均分子量が１１，０００）と，架橋剤としてポリイソシアネート化合物（コロネートＬ，日本ポリウレタン社製）１５重量部と，エネルギー線重合開始剤として２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５重量部とを酢酸エチルに溶解した後，
前述したフィルム基材に乾燥後の粘着層厚みが１０μｍになるよう塗布し，８０℃で５分間乾燥させることにより半導体ウエハ加工用粘着テープを得た
【００４１】
（実施例２） 
　
スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の配合量を５０重量％にした以外は，実施例１と同様にした
【００４２】
（実施例３） 
　
スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の配合量を２５重量％にした以外は，実施例１と同様にした
「【００４９】
３．熱可塑性エラストマーおよびフィルム基材の復元率 
　復元率は，熱可塑性エラストマー単体，各実施例および各比較例で得られたフィルム基材の１号型引張試験片（ＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定）を作製した。得られた１号型引張試験片に４０ｍｍ長の標線を引き，チャック間を４０ｍｍに設定したテンシロン万能試験機（Ａ＆Ｄ社製）に標線を合わせてセットし，２００ｍｍ/ｍｉｎの速度で１００％伸張（４０ｍｍ伸張）した後，２分間保持してからチャックを開放し，チャック開放から５分後に１号型引張試験片の標線間距離を測定して復元率（下記式）を求めた。
式）復元率（％） ＝ （８０−チャック開放後の標線間距離）／４０Ｘ１００」
　文献１Ｂの表１として以下の表が示されている。
　文献２Ｂの記載事項は以下のとおりである。
（３頁下段）
（８頁中段）
文献３Ｂの記載事項は以下のとおりである。
「【００２９】実施例１〜４，比較例１
〈基材フィルムの製造〉
オレフィン系重合体成分，ビニル芳香族エラストマー成分及びスチレン系重合体成分として表１に記載したものをそれぞれ使用し，表１に記載した配合割合でそれらを混合してオレフィン系樹脂組成物を調製し，Ｔダイより樹脂温度２００〜２６０℃で，厚さ１７０μｍ，幅３００ｍｍの単層フィルムを押し出して基材フィルムを製造した
【００３０】
【表１】
【００３１】表１中の各成分の内容は以下のとおりである。
〈オレフィン系樹脂〉
(1) 「Ｑ−４０１Ｆ」：Ｍｏｎｔｅｌｌ ＳＤＫ Ｓｕｎｒｉｓｅ Ｌｔｄ．製のリアクターブレンド法によって製造されているポリプロピレンとエチレンプロピレンゴム成分とを主成分とする融点約１６０℃の樹脂組成物。
(2) 「ＫＳ−０８１Ｐ」：Ｍｏｎｔｅｌｌ ＳＤＫ Ｓｕｎｒｉｓｅ Ｌｔｄ．製のポリプロピレンとエチレンプロピレンゴム成分とを主成分として含む融点１６２℃樹脂組成物。」
「【００３５】
【表２】
」
　文献４Ｂの記載事項は以下のとおりである。
「【０００９】このような基材フィルムとして具体的にはエチレンプロピレンラバー（ＥＰＲ），線状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ），エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン系の高伸縮性フィルムが好適に用いられる。フィルムの厚みは内容物，用途に応じて３０μ〜２００μ程度とする。３０μ以下では外傷に対する抵抗性に劣る場合があり，２００μ以上では追従性に劣る場合がある。」
「【００１５】
【実施例】
実施例１
基材としてＥＰＲ（厚さ１００μ，伸度１１００％，１００％モジュラス３０ｋｇ／ｃｍ２，日本合成ゴム（株）製　　ＥＰＯ７Ｐ）
　文献５Ｂの記載事項は以下のとおりである。
「【００５５】
　吸着駒１０２の上面の周辺部には，複数の吸引口１０３と，同心円状に形成された複数の溝１０４とが設けられている。溝１０４を設けずに吸引口１０３を全体に多く配置してもかまわない。吸引口１０３および溝１０４のそれぞれの内部は，吸着駒１０２を上昇させてその上面をダイシングテープ４の裏面に接触させる際，吸引機構（図示は省略）によって−９０ｋＰａ〜−６０ｋＰａの吸引力で減圧される。このとき，ダイシングテープ４の裏面が下方に吸引され，吸着駒１０２の上面と密着する。」
「【００７１】
　次に，図１７に示すように，中間の第２のブロック１１０Ｂと内側の第３のブロック１１０Ｃとを同時に上方に突き上げてダイシングテープ４を押し上げる。これにより，チップ１Ｃを支える第２のブロック１１０Ｂの上面の外周（角部）の位置が，第１のブロック１１０Ａによって支えられていた状態に比較して，より内側に移るため，チップ１Ｃとダイシングテープ４との剥離が第２のブロック１１０Ｂの上面の外周より外側の領域からチップ１Ｃの中心方向へと進行する。図１８は，このときの吸着駒１０２の上面近傍を示す拡大斜視図である（チップ１Ｃとダイシングテープ４の図示は省略）。」
　文献６Ｂの記載事項は以下のとおりである。
「【０１１３】
　吸着駒１０２の上面の周辺部には，複数の吸引口１０３と，同心円状に形成された複数の溝１０４とが設けられている場合と複数の吸引孔のみの場合がある。吸引口１０３および溝１０４のそれぞれの内部は，吸着駒１０２を上昇させてその上面をダイシングテープ４の裏面に接触させる際，図示しない吸引機構によって減圧される。このとき，ダイシングテープ４の裏面が下方に吸引され，吸着駒１０２の上面と密着する。」
「【０１２９】
　次に，図１７に示すように，中間のブロック１１０ｂと内側のブロック１１０ｃとを同時に上方に突き上げてダイシングテープ４を押し上げる。これにより，チップ１を支えるブロック１１０ｂの上面の外周（角部）の位置が，ブロック１１０ａによって支えられていた状態に比較して，より内側に移るため，チップ１とダイシングテープ４との剥離がブロック１１０ｂの上面の外周より外側の領域からチップ１の中心方向へと進行する。図１８は，このときの吸着駒１０２の上面近傍を示す拡大斜視図である（チップ１とダイシングテープ４の図示は省略）。」
　文献７Ｂの記載事項は以下のとおりである。
「【００５６】
　吸着駒１０２の上面の周辺部には，複数の吸引口１０３と，同心円状に形成された複数の溝１０４とが設けられている。溝１０４を設けずに吸引口１０３を全体に多く配置してもかまわない。吸引口１０３および溝１０４のそれぞれの内部は，吸着駒１０２を上昇させてその上面をダイシングテープ４の裏面に接触させる際，吸引機構（図示は省略）によって−９０ｋＰａ〜−６０ｋＰａの吸引力で減圧される。このとき，ダイシングテープ４の裏面が下方に吸引され，吸着駒１０２の上面と密着する。」
「【００８７】
　次に，図２３に示すように，中間の第２のブロック１１０Ｂと内側の第３のブロック１１０Ｃとを同時に上方に突き上げてダイシングテープ４を押し上げる。これにより，チップ１Ｃを支える第２のブロック１１０Ｂの上面の外周（角部）の位置が，第１のブロック１１０Ａによって支えられていた状態に比較して，より内側に移るため，チップ１Ｃとダイシングテープ４との剥離が第２のブロック１１０Ｂの上面の外周より外側の領域からチップ１Ｃの中心方向へと進行する。図２４は，このときの吸着駒１０２の上面近傍を示す拡大斜視図である（チップ１Ｃとダイシングテープ４の図示は省略）。」
　文献８Ｂの記載事項は以下のとおりである。
「上記アのとおり，発明の詳細な説明には，本件数値（少なくとも１５０ｐｐｍ）の水を含ませることにより所期の作用効果を奏したとの直接の記載は一切なく，実験に用いられた水の量のうち本件数値に最も近似する水の量である１０９ｐｐｍの水しか存在しない場合にはセボフルランの分解を抑制することができず，２０６ｐｐｍ以上の水が存在する場合にはセボフルランの分解を抑制することができたとの記載（実施例４のうち４０℃の場合）があるのみである。」（１０９頁１２〜１７行）
「また，発明の詳細な説明には，水の量が増えるに従ってセボフルランの分解度が減少する傾向にあることが記載されている（実施例１，３及び４）といえるが，ｐＨが３．０であり，「いまだ十分なレベルに達していなかった」サンプル７（１０９ｐｐｍ）につき，「もう少し水分を増加させ（た）」数値，あるいは，「やや余裕を持たせた数値」が，なぜ１０９ｐｐｍの約１．３８倍，２０６ｐｐｍの約０．７３倍である１５０ｐｐｍとなるのかにつき，これを合理的に説明する証拠が一切ない以上，被告らの「もう少し水分を増加させ（た）」数値，「やや余裕を持たせた数値」との主張は，科学的な裏付けを欠いた単なる憶測にすぎないといわざるを得ない。」（１１０頁１０〜１８行）
（４）申立理由についての当審の判断
　上記申立理由のうち，申立理由Ａ−２及びＢ−１（サポート要件）は，取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由と同旨であるから，申立理由Ａ−２及びＢ−１（サポート要件）についての当審の判断は上記第５の１．に示したとおりである。
　そして，他の申立理由についての当審の判断は以下のとおりである。
（４．１）申立理由Ａ−１（明確性）について
　異議申立書Ａの４．（３）において申立人Ａは，次のような要旨の主張をしている。
・本件発明１〜８における「１００％強度」及び「復元率」は，本件特許請求の範囲において特定された測定方法の記載からみて，いずれも引張応力ないし引張強さに関連する特性であると解されるところ，文献１Ａ〜３Ａからも明らかなとおり，引張応力ないし引張強さが測定温度に依存することは技術常識である。しかしながら，本件特許請求の範囲には，「１００％強度」及び「復元率」の測定温度が記載されていないから，本件発明における「半導体加工用シート」の「１００％強度」及び「復元率」を一義的に定めることができず，本件特許請求の範囲の請求項１〜８の記載は不明確である。
　しかしながら，本件発明１〜８が，本件「半導体加工用シート」の使用時に本件発明１〜８に特定される「１００％強度」及び「復元率」であることによって，良好なピックアップ動作を行うものであることに照らせば，当該「１００％強度」及び「復元率」が，本件「半導体加工用シート」をピックアップ動作に使用する時の温度であることは明らかであるから，本件特許請求の範囲の請求項１〜８の記載は明確である。
　したがって，申立理由Ａ−１（明確性）によっては，本件請求項１〜８に係る特許を取り消すことはできない。
（４．２）申立理由Ｂ−２（実施可能要件）について
　申立人Ｂは，「実施例で用いた特定の基材及び特定の粘着剤層がそれぞれ特定の厚みとなっている半導体加工用シート以外については，本件特許発明１〜８に係る半導体加工用シートをどのようにして作るかが理解できず，また，そのような物をつくるために，当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤，複雑高度な実験棟をする必要がある。」と主張している（異議申立書Ｂの１１頁６行〜１０行）。
　しかしながら，本件特許明細書の段落０１１７〜０１３４には，特定の材料を用いて本件発明１〜４に係る半導体加工用シートを作製する方法が具体的に説明され，当該シートをダイボンディング装置によりピックアップ動作に使用できること，すなわち本件発明５〜８に係る半導体装置の製造方法が実施できることが具体的に説明されている。そうすると，本件特許明細書の記載により，本件発明１〜４に係る物を作ることができ，使用することができること，また，本件発明５〜８に係る製造方法を実施できることを当業者は理解できるといえる。よって，本件特許明細書は，本件発明１〜８の実施ができる程度に明確かつ十分に記載されたものである。
　したがって，申立理由Ｂ−２（実施可能要件）によっては，本件請求項１〜８に係る特許を取り消すことはできない。
（４．３）申立理由Ｂ−３（新規性）について
（４．３．１）引用発明１の認定
　上記（３）で摘記した文献１Ｂの記載によれば，文献１Ｂには次の発明（以下「引用発明１」）が記載されているものと認められる。
「プロピレン系共重合体としてＭＦＲ０．７，密度０．９ｇ／ｃｍ３，引張弾性率５４０ＭＰａのプロピレンとエチレンのブロック共重合体（サンアロマー社製）と，スチレン含有量２０％，密度０．９ｇ／ｃｍ３，復元率９９％のスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（クラレ社製）とを含む樹脂組成物からなるフィルム基材を有し，
フィルム基材の復元率が８０〜９１％である半導体ウエハ加工用粘着テープであって，
前記復元率は，
フィルム基材の１号型引張試験片（ＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定）を作製し，得られた１号型引張試験片に４０ｍｍ長の標線を引き，チャック間を４０ｍｍに設定したテンシロン万能試験機（Ａ＆Ｄ社製）に標線を合わせてセットし，２００ｍｍ/ｍｉｎの速度で１００％伸張（４０ｍｍ伸張）した後，２分間保持してからチャックを開放し，チャック開放から５分後に１号型引張試験片の標線間距離を測定して下記（式）により求めた復元率である，半導体ウエハ加工用粘着テープ。
（式）復元率（％） ＝ （８０−チャック開放後の標線間距離）／４０Ｘ１００」
（４．３．２）対比・判断
　本件発明１と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１における「半導体ウエハ加工用粘着テープ」は，本件発明１における「半導体加工用シート」に相当する。
イ　引用発明１の復元率の測定では，チャック間を４０ｍｍに設定した試験片を４０ｍｍ伸張して８０ｍｍとしているから，引用発明１の（式）における「４０」（＝８０ｍｍ−４０ｍｍ）は，本件発明１における「Ｌ１」すなわち「拡張された状態におけるつかみ具間の長さ」から「初期のつかみ具間の長さ」を引いた長さに相当する。また，引用発明１における「チャック開放後の標線間距離」から設定されたチャック間（４０ｍｍ）を引いた長さが，本件発明１における「Ｌ２」に相当する。そうすると，引用発明１の（式）における
（８０―チャック開放後の標線間距離）
＝（４０―（チャック解放後の標線間距離−４０））
は，本件発明１における（Ｌ１−Ｌ２）に相当する。ここで，本件発明１の式（Ｉ）で｛１−（Ｌ２÷Ｌ１）｝＝（Ｌ１−Ｌ２）／Ｌ１であるから，引用発明１の（式）は本件発明１の（式１）に相当する。
ウ　上記イから，引用発明１における「フィルム基材の復元率が８０〜９１％である」ことは，本件発明１における「半導体加工用シート」が「復元率が８１〜１００％」であることに対応する。
　以上ア〜ウによれば，本件発明１と引用発明１の一致点及び相違点は以下のとおりである。
＜一致点＞
「半導体加工用シート。」
＜相違点１＞
　本件発明１では，「前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において，長さ方向の両端を，つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ，速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り，つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの力の強さ」である「１００％強度」が，「３．６〜１１．３Ｎ／１５ｍｍ」であるのに対し，引用発明１では，「１００％強度」が特定されていない点。
＜相違点２＞
　本件発明１では，「半導体加工用シート」の「復元率が，８１〜１００％」であるのに対し，引用発明１では，「半導体ウエハ加工用粘着テープ」の「フィルム基材」の「復元率が８０〜９１％」であるものの，「半導体ウエハ加工用粘着テープ」の復元率は特定されていない点。
　以上のとおり，本件発明１は引用発明１と同一ではない。そのため，本件発明１を減縮した発明である本件発明２〜５も引用発明と同一ではない。したがって，申立理由Ｂ−３（新規性）によっては，本件請求項１〜５に係る特許を取り消すことはできない。
（４．３．３）申立人Ｂの主張について
　申立人Ｂは，文献２Ｂには「ポリプロピレンと，セプトン４０５５たるスチレン系共重合体とを含む組成物の１００％モジュラスが６．７ＭＰａである」ことが，文献３Ｂには「ポリプロピレンとエチレンプロピレンゴム成分を主成分として含むオレフィン系樹脂と，スチレン系樹脂との混合物の１００％モジュラスが４．３５〜８．７６ＭＰａである」ことが，文献４Ｂには「エチレンプロピレンラバー（ＥＰＲ）の１００％モジュラスが３ＭＰａである」ことが示されているから，文献１Ｂに記載された，プロピレン及びエチレンのプロピレン系共重合体と，熱可塑性エラストマーたるスチレン系共重合体とで構成されたフィルム基材は，１００％モジュラスが３〜８．７６ＭＰａ程度，すなわち，１００％強度が５〜１３Ｎ／１５ｍｍ程度であると主張している。
　しかしながら，文献１Ｂにおいて復元率の数値とともに開示されているフィルム基材の材料は，「プロピレン系共重合体としてＭＦＲ０．７，密度０．９ｇ／ｃｍ３，引張弾性率５４０ＭＰａのプロピレンとエチレンのブロック共重合体（サンアロマー社製）と，スチレン含有量２０％，密度０．９ｇ／ｃｍ３，復元率９９％のスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（クラレ社製）」であって，文献２Ｂ〜４Ｂは，文献１Ｂの上記材料の１００％強度を記載したものではない。したがって，上記申立人Ｂの主張は採用できない。
（４．４）申立理由Ｂ−４及びＢ−５（進歩性）について
　上記（４．３）で指摘した，本件発明１と引用発明１の相違点１，２について検討する。
　はじめに相違点１について検討すると，文献１Ｂには，フィルム基材として「プロピレン系共重合体」と「熱可塑性エラストマー」を含む樹脂を用いることが記載されており，文献２Ｂ〜４Ｂには，プロピレン系共重合体と熱可塑性エラストマーであるスチレン系共重合体を含む樹脂の１００％強度が５〜１３Ｎ／１５ｍｍであることが記載されている。しかしながら，文献１Ｂの段落０００６には，「半導体ウエハ加工用粘着テープの復元率が高い」「フィルム基材」を提供することが発明の目的として記載されているところ，文献２Ｂ〜４Ｂの各樹脂の復元率は不明であるから，上記引用発明１の目的に照らし，引用発明１において１００％強度が５〜１３Ｎ／１５ｍｍである文献２Ｂ〜４Ｂの樹脂をフィルム基材の材料として採用する動機がない。
　また，文献５Ｂ〜８Ｂ，文献１Ａ〜３Ａにも，「１００％強度」を「３．６〜１１．３Ｎ／１５ｍｍ」とすることは記載も示唆もされていない。
　よって，引用発明１において相違点１に係る構成とすることは，当業者が容易になし得たことではない。そうすると，相違点２について検討するまでもなく，本件発明１は，引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。本件発明１を減縮した発明である本件発明２〜８についても同様である。
　したがって，申立理由Ｂ−４及びＢ−５（進歩性）によっては，本件請求項１〜８に係る特許を取り消すことはできない。
第６　結言
　したがって，本件請求項１〜８に係る特許は，取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，取り消すことはできない。さらに，他に本件請求項１〜８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年６月９日（２０２１．６．９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　１００％強度が、
３．６
１１．３
　復元率が、
８１
半導体加工用シートであって、
　前記１００％強度は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの力の強さであり、
　前記復元率は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍに拡張された状態で１分間保持し、その後、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に戻し、つかみ具間の長さが１００ｍｍに戻された状態で１分間保持し、その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、引張測定の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを超えた時のつかみ具間の長さを測定し、当該長さから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ２（ｍｍ）とし、前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ２００ｍｍから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ１（ｍｍ）としたとき、次式（Ｉ）
　復元率（％）＝｛１−（Ｌ２÷Ｌ１）｝×１００　・・・　（Ｉ）
から算出される値である
ことを特徴とする半導体加工用シート。
　【請求項２】
　基材と、前記基材の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体加工用シート。
　【請求項３】
　前記基材は、熱可塑性エラストマーを含有することを特徴とする請求項２に記載の半導体加工用シート。
　【請求項４】
　前記粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤を含有し、前記１００％強度および前記復元率は、前記半導体加工用シートにエネルギー線を照射した後の測定に基づく値であることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体加工用シート。
　【請求項５】
　個片化された複数の半導体チップが一方の面に貼付された請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体加工用シートを用意する工程、
　前記半導体チップの１つを、前記半導体加工用シートの他方の面側から前記一方の面側に向けて突き上げる工程、および
　突き上げられた前記半導体チップをピックアップする工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項６】
　前記半導体チップの１つの突き上げを、前記半導体加工用シートと接する面に平面を含む突き上げブロックを用いて行うことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項７】
　前記突き上げブロックは、前記半導体加工用シートに対して垂直に独立して移動可能な複数のプレートからなることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項８】
　前記半導体加工用シートにおいて、突き上げられる半導体チップに隣接する半導体チップが貼付された領域は、前記半導体チップの１つを突き上げる際に実質的に動かないことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。