(57)【要約】【課題】熱アシスト記録に適した軟磁性裏打ち層の特性を改善した磁気記録媒体を提供する。【解決手段】信号書き込みを信号保持時、および信号再生時の温度よりも高い温度で行う磁気記録装置に用いる磁気記録媒体において、非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層、下地層、磁気記録層及び保護層がこの順に積層されてなり、前記軟磁性裏打ち層が少なくとも第１の軟磁性層、温度特性制御層、第２の軟磁性層の３層からなることを特徴とする磁気記録媒体。【選択図】図１
2010176748.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録時の信号書き込みを信号保持時、および信号再生時の温度よりも高い温度で行う磁気記録装置に用いる磁気記録媒体において、非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層、下地層、磁気記録層及び保護層がこの順に積層されてなり、前記軟磁性裏打ち層が少なくとも第１の軟磁性層、温度特性制御層、第２の軟磁性層の３層からなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記温度特性制御層はフェリ磁性材料からなり、そのフェリ磁性材料の補償温度が再生時の温度近辺であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
記録時における前記第２の裏打ち層の飽和磁束密度が温度特性制御層の飽和磁束密度よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記軟磁性裏打ち層を構成する層のうち前記３層が非磁性基体側から第１の軟磁性層、温度特性制御層、第２の軟磁性層の順に積層されてなり、前記第２の軟磁性層の膜厚が前記第１の軟磁性層の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に関する。この磁気記録媒体は各種磁気記録装置に搭載される。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録の高記録密度を実現する技術として、「垂直磁気記録方式」が、最近実用化されている。これは、記録磁化が記録媒体の面に対して垂直な方向に行われるもので、従来の記録磁化が面に対して平行であった長手磁気記録方式と置き換りつつある。
【０００３】
この垂直磁気記録方式に用いられる垂直磁気記録媒体（略して垂直媒体）は主に、硬質磁性材料からなる磁気記録層と、磁気記録層の記録磁化を垂直方向に配向させるための下地層、磁気記録層の表面を保護する保護層、そしてこの記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料からなる裏打ち層から構成される。
【０００４】
垂直磁気記録の高密度化のための媒体設計の指針として、磁気記録層を構成する磁性粒子の磁気的な分離度を高め、磁化反転単位を小さくしていくことが一つとして挙げられる。基本的に、磁気記録層の膜厚は媒体面内方向に一様であるため、磁化反転単位を小さくしていくことは、磁化反転単位の高さが一定で断面積を小さくすることを意味する。その結果、それ自身に作用する反磁界が小さくなり、反転磁界は大きくなる。このように、磁化反転単位の形状で考えた場合、記録密度を高めることは、より大きな書き込み磁界を必要とする。
【０００５】
一方で、記録信号の長期安定性のためには、熱エネルギーｋＴに対する粒子のエネルギーＫｕＶの値を十分に高める必要があることが知られている（ここで、ｋはボルツマン定数、Ｋは絶対温度、Ｋｕは結晶磁気異方性、Ｖは活性化体積である）。先に述べた磁化反転単位サイズの低減は、Ｖの低下を意味し、この影響により信号不安定性、いわゆる”熱揺らぎ”の問題が生じる。これを回避するためにはＫｕを増大させる必要があるが、一般にＫｕと反転磁界は比例関係にあるため、これも書き込み磁界の増大を招く結果となる。
【０００６】
このような書き込み能力の課題に対する新しいアプローチとして、熱アシスト記録という記録方式が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。これは、磁性材料におけるＫｕの温度依存性、すなわち高温ほどＫｕが小さいという特性を利用したものである。つまり、磁気記録層を加熱して一時的にＫｕ、すなわち反転磁界を低減させ、その間に書き込みを行うというものである。温度が戻った(下がった)後はＫｕが元の高い値に戻るため、安定して記録信号を保持できる。このような新しい記録方式を想定する場合、磁気記録媒体は、従来の指針に加え、熱の作用を考慮する必要が出てくる。
【０００７】
一方で、現行の垂直磁気記録媒体の書き込み能力については、軟磁性裏打ち層も重要な役割を果たし、一般に、記録層に比して、膜厚が大きく、かつ飽和磁束密度(或いは飽和磁化)の大きい磁性材料が選択され、記録を補助する。
【０００８】
しかしながら、このような裏打ち層は、トータルの磁化量が大きいことを意味し、記録層に比して再生ヘッドからの距離は遠ざかるものの、再生時にはノイズ源として作用する。このようなトレードオフの中で最適化する方法としては、記録層−裏打ち層間に挿入する非磁性中間層の膜厚や、裏打ち層の膜厚・飽和磁化を制御する手法がある。この他には、反強磁性層を付与する方法、ＡＦＣ結合を利用する方法も提案されている。ただし、これらも性質上、軟磁性裏打ち層の膜厚を増加させることによりその効果は弱まってしまう。
【０００９】
垂直磁気記録媒体の基本構成をそのままに熱アシスト記録媒体に転用する場合、前記した軟磁性裏打ち層も磁性材料からなるため、その磁気特性も温度による影響を受ける。例えば、現行用いられているＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とした合金では温度上昇により飽和磁化Ｍｓが低下することが考えられる。特許文献１では、基板上に従来の軟磁性材料からなる第１の軟磁性裏打ち層、フェリ磁性からなる第２の裏打ち層、誘電体層及び凹凸層を含む非磁性中間層、記録層、保護層がこの順に積層された熱アシスト磁気記録媒体が提案されている。
【００１０】
特許文献１における上記の構成では、第２の裏打ち層は、常温付近を補償温度（信号再生時の温度）に設定されている。このため、常温時は見かけ上非磁性材料として機能し、記録時には補償温度でないために、裏打ち層の一部として機能する。すなわち、記録時には再生時に比して磁気ヘッド−裏打ち層の距離が縮まるために書き込み能力に優れ、再生時には逆に距離が遠ざかるため、裏打ち層起因のスパイクノイズが抑制されるという効果を示す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−１６４４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来の垂直記録媒体の考え方では、裏打ち層の膜厚は記録時の効果と再生時のノイズ源とのトレードオフの関係にある。また、熱アシスト記録においては、特許文献１に示すように、裏打ち層に起因するノイズ低減の利点があり、トレードオフの関係を打破する手段として有効である。しかし、特許文献１ではヘッドに近い側の裏打ち層としてフェリ磁性材料を用いているため、材料特性上、現行の裏打ち層材料に比して磁束密度が小さいという問題があった。すなわち、この構成ではヘッド磁束を集中しづらく、磁界勾配を急峻にできないという課題があった。
【００１３】
本発明は上述の問題に鑑み、なされたものであって、その目的とするところは、熱アシスト記録に適した軟磁性裏打ち層の特性を改善した磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述の問題を解決するために、本発明の磁気記録媒体は、信号書き込みを信号保持時の温度よりも高い温度で行う磁気記録装置に用いる磁気記録媒体において、非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層、下地層、磁気記録層及び保護層がこの順に積層されてなり、前記軟磁性裏打ち層が少なくとも第１の軟磁性層、温度特性制御層、第２の軟磁性層の３層からなることを特徴とする。
【００１５】
本発明においては、前記温度特性制御層はフェリ磁性材料からなり、そのフェリ磁性材料の補償温度が再生温度（磁気記録を再生するときの温度、通常は常温付近である）近辺であることが好ましい。また、前記第２の軟磁性層の記録時における飽和磁束密度が温度特性制御層の飽和磁束密度よりも大きいことが好ましい。また、前記軟磁性裏打ち層を構成する層のうち前記３層が非磁性基体側から第１の軟磁性層、温度特性制御層、第２の軟磁性層の順に積層されてなり、前記第２の軟磁性層の膜厚が前記第１の軟磁性層の膜厚よりも薄いことが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
熱アシスト信号記録時には、温度特性制御層も磁化され、第１の軟磁性層、温度特性制御層、第２の軟磁性層が一体となって磁化されるためヘッド磁束を集中して引き込むことができる。また、飽和磁化の大きな第２の軟磁性層が最もヘッドに近いことから、急峻な磁界勾配を実現することができる。一方、記録再生時の温度が補償温度近辺であると、再生時には温度特性制御層の磁化は見かけ上０となる。従って、ノイズ源となりうる磁化は第１の軟磁性層、第２の軟磁性層のみとなる。したがって、信号記録時にはヘッド磁束を集中でき、急峻な磁界勾配を実現することができ、再生時にはノイズを低減させた磁気記録媒体となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の磁気記録媒体の１実施態様を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の磁気記録媒体の構成例を説明するための図である。磁気記録媒体は、非磁性基体１上に、非磁性基体１側から第１の軟磁性層３と温度特性制御層４と第２の軟磁性層５がこの順に形成されてなる軟磁性裏打ち層２、下地層６、磁気記録層７、保護層８が順次積層される。なお、保護層８の上には潤滑剤層がさらに形成されていてもよい。
【００１９】
本発明の磁気記録媒体において、非磁性基体（非磁性基板）１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、或いは結晶化ガラス等を用いることができる。成膜時や記録時の基板温度を１００℃程度以内に抑えることができる場合は、ポリカーボネイト、ポリオレフィン等の樹脂からなるプラスチック基板を用いることもできる。その他、Ｓｉ基板も用いることもできる。
【００２０】
軟磁性層裏打ち層２は、現行の垂直磁気記録方式と同様、磁気ヘッドからの磁束を制御して記録性能を向上することを目的として形成される。軟磁性層裏打ち層２を第１の軟磁性層３、温度特性制御層４、第２の軟磁性層５の３層構造とすることにより、熱アシスト記録時と再生時それぞれにおける３層トータルでの性能が変化するという特徴を有する。即ち、熱アシスト信号記録時には、第１の軟磁性層３、第２の軟磁性層５とともに温度特性制御層も磁化され、第１の軟磁性層、温度特性制御層、第２の軟磁性層が一体となって磁化されるためヘッド磁束を集中して引き込むことができる。
【００２１】
一方、再生時には温度特性制御層の磁化は見かけ上０となる。従って、ノイズ源となりうる磁化は第１の軟磁性層、第２の軟磁性層のみとなる。従って、信号記録時にはヘッド磁束を集中でき、急峻な磁界勾配を実現することができ、再生時にはノイズを低減させた磁気記録媒体となる。このような特徴を実現するために、第１の軟磁性層３及び第２の軟磁性層５は現行垂直磁気記録媒体における軟磁性層を構成する材料と同様の材料を用い、温度特性制御層３はフェリ磁性材料からなるものとし、再生時の温度が補償温度（正の磁化と負の磁化がちょうど相殺される温度）であるような温度特性を有するものとする。再生時の温度が補償温度であるような温度特性を有するフェリ磁性材料としては、ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅＣｏなどを例示でき、各々の組成比により補償温度と再生時の温度が等しくなるように制御することができる。
【００２２】
また、本発明においては、温度特性制御層４に比して第２の軟磁性層５の飽和磁化が大きいことが好ましい。軟磁性裏打ち層の中で最もヘッドに近い第２の軟磁性層５の飽和磁化が大きいと、急峻な磁界勾配を実現することができる。このような温度特性制御層４と第２の軟磁性層５の例としては、例えば、記録時の飽和磁化Ｍｓが４００ｅｍｕ／ｃｃ未満であるＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅＣｏからなる温度特性制御層４と、例えば、記録時の飽和磁化が４００ｅｍｕ／ｃｃ以上であるＦｅＣｏ合金、ＦｅＮｉ合金、ＣｏＮｉ合金からなる第２の軟磁性層５の組み合わせを例示できる。
【００２３】
第１の軟磁性層３或いは第２の軟磁性層５としては、現行の垂直磁気記録媒体に用いられる材料を適用することができる。例えば、結晶質のＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、ＣｏＦｅ合金等、微結晶質のＦｅＴａＣ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＮｉＰ等を用いることができる。記録能力を向上するためには、軟磁性層の飽和磁化は大きい方が好ましい。なお、軟磁性層の膜厚の最適値は、磁気記録に用いる磁気ヘッドの構造や特性によって変化するが、再生時のノイズを考慮すると、ヘッドに近い第２の軟磁性層５は膜厚を薄く設定することが好ましく、５０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下とすることが好ましい。一方、膜厚増加による平坦性の悪化や、生産性との兼ね合いから総膜厚は１００ｎｍ以下であることが望ましい。成膜方法としては、通常用いられるスパッタ法が用いられる。
【００２４】
軟磁性層で膜厚がおよそ５０ｎｍを超えるような厚さとした場合、磁壁が形成され、さらに、記録層近傍の磁化が揺らぐなどして垂直成分の磁化を発生し、ノイズ源となる場合がある。これを抑制するために、軟磁性裏打ち層を単磁区化することが好ましく、反強磁性層或いは硬磁性層を付与することが可能である。付与するのは、軟磁性層直下、直上、中間のいずれも可能で、両層の積層も可能である。その他、軟磁性裏打ち層を、非磁性層と積層する構成を用いることも可能である。特に、非磁性層の膜厚を制御し、非磁性層を介しての反強磁性結合を用いるなどして垂直成分磁化を抑制することも可能である。
【００２５】
温度特性制御層３は、フェリ磁性を有する遷移−希土類金属を用いることができる。再生温度近辺で補償温度となるように組成を調整することが必要である。膜厚は用いるヘッドによって適宜最適化されるべきであるが、十分な温度特性を示すためには５ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００２６】
下地層６は、１）その上に形成される磁気記録層７を構成する磁性材料の結晶粒子径や結晶配向を制御するため、また、２）軟磁性裏打ち層２と磁気記録層７の磁気的な結合を防ぐため、に用いられる層である。従って、非磁性であることが好ましく、結晶構造は磁気記録層の磁性材料に合わせて適宜選択することが必要であるが、非晶質構造でも用いることは可能である。例えば、直上の磁気記録層７に、六方最密充填（ｈｃｐ）構造を取るＣｏを主体とした磁性材料を用いる場合は、同じｈｃｐ構造もしくは面心立方（ｆｃｃ）構造をとる材料が好ましく用いられる。具体的には、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ或いはこれらを含む合金材料が好ましく用いられる。膜厚は、薄いほど書き込み容易性は向上するが、１）、２）の指針を考慮すれば、ある程度の膜厚が必要で、３〜３０ｎｍの範囲内とすることが好ましい。
【００２７】
磁気記録層７は、結晶系の磁性材料が好ましく用いられる。Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉなどの磁性元素を主体とした直径数ｎｍの柱状の結晶粒子が、サブｎｍ程度の厚さの非磁性体で隔てられた構造をとることが好ましい。例えば、磁性結晶粒としては、ＣｏＰｔ合金に、Ｃｒ、Ｂ、Ｔａ、Ｗなどの金属を添加した材料、ＦｅＰｔ合金にＮｉ、Ｃｕなどを添加した材料を用いることができる。非磁性体としてはＳｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ或いはＴａの酸化物や窒化物などを添加したものが好ましく用いられる。成膜方法としては、例えばマグネトロンスパッタリング法などが挙げられる。好ましくは、前記下地層上の結晶部分に磁性結晶粒がエピタキシャル成長し、下地層の粒界部分に前記非磁性体が配するような、１対１の結晶成長をする構造が好ましい。
【００２８】
磁気記録層７に含まれる磁性層のうち、少なくとも一層は結晶磁気異方性定数が大きい材料が好ましく、少なくとも５．０×１０6ｅｒｇ／ｃｍ3以上、さらに好ましくは１．０×１０7ｅｒｇ／ｃｍ3以上であることが好ましい。膜厚としては、２０ｎｍ以下とすることが好ましい。また、二層を積層した構造とすることもできる。少なくとも一方を前述のような構造やＫｕ値と持つものとし、もう一方は非磁性体で隔てられない構造とすることもでき、非晶質材料とすることもでき、Ｋｕ値も比較的小さくても可能である。
【００２９】
保護層８は、従来使用されている保護膜を用いることができ、例えば、カーボンを主体とする保護膜を用いることができる。単層ではなく、例えば異なる性質の二層カーボンや、金属膜とカーボン膜、酸化膜とカーボンの積層膜とすることもできる。
【実施例】
【００３０】
以下に本発明の垂直磁気記録媒体を、実施例を用いて説明する。これらの実施例は、本発明の磁気記録媒体を好適に説明するための代表例に過ぎず、これらに限定されるものではない。
【００３１】
＜実施例１＞
非磁性基体１として表面が平滑な円盤状のガラス基板を用い、これを洗浄後、スパッタリング装置内に導入し、Ｃｏ86Ｎｂ5Ｚｒ9ターゲットを用いてＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下でＣｏＮｂＺｒをスパッタして、厚さ５０ｎｍのＣｏＮｂＺｒからなる第１の軟磁性層３を形成した。
【００３２】
続いて、Ｔｂ24Ｆｅ50Ｃｏ24ターゲットを用いＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下でスパッタして、ＴｂＦｅＣｏからなる温度特性制御層４を膜厚３０ｎｍで成膜した。
【００３３】
続いて、Ｃｏ86Ｎｂ5Ｚｒ9ターゲットを用いてＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下でスパッタしてＣｏＮｂＺｒを２０ｎｍの厚さで成膜し、ＣｏＮｂＺｒからなる第２の軟磁性層５を形成した。
【００３４】
次に、Ｔａターゲットを用いてＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下でスパッタしてＴａ層を５ｎｍ成膜し、引き続いてＲｕターゲットを用いてＡｒガス圧６０ｍＴｏｒｒ下でスパッタしてＲｕ層を２０ｎｍ成膜し、Ｔａ／Ｒｕ下地層６を形成した。
【００３５】
続いて（Ｃｏ73Ｐｔ27）90（ＳｉＯ2）10ターゲットを用いて、Ａｒガス圧３０ｍＴｏｒｒ下でスパッタしてＣｏＰｔ−ＳｉＯ2磁性層を１５ｎｍ形成し磁気記録層７とした。
【００３６】
次に、ＣＶＤ法によりカーボンからなる保護層８を４ｎｍ成膜後、真空装置から取り出した。その後、パーフルオロポリエーテルからなる厚さ２ｎｍの液体潤滑材層をディップ法により形成し、磁気記録媒体とした。なお、スパッタリングにおいては、熱伝導防止層と磁気記録層の成膜にはＲＦマグネトロンスパッタリング、その他の層はＤＣマグネトロンスパッタリング法にて行った。
【００３７】
Ｋｅｒｒ効果測定装置を用いて、上記で得られた磁気記録媒体の記録層のヒステリシスループを取得したところ、保磁力Ｈｃ＝１４．８ｋＯｅ、Ｓ＝１．０であった。
また、ＸＲＤ回折を評価したところ、実施例１においてはＣｏＮｂＺｒ、ＴｂＦｅＣｏ、Ｔａが非晶質構造であることがわかった。
【００３８】
表１に、得られた磁気記録媒体の電磁変換特性の結果を示す。電磁変換特性評価は、垂直磁気記録用ヘッドにレーザースポット加熱機構を搭載した熱アシスト用ヘッドを用い、スピンスタンドテスターにて行った。レーザーパワーは記録層温度２５０℃となるように設定し、記録時或いは重ね書き時にレーザーパワーをＯＮにし、読み出し時はレーザーパワーをＯＦＦにして行った。ヘッドは、記録トラック幅１２０ｎｍ、再生トラック幅８０ｎｍのものを用いた。この表では、書き込み電流一定で行った数値を示した。
【００３９】
＜比較例１＞
ＴｂＦｅＣｏ温度特性制御層３を成膜しなかった以外は全て実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
Ｋｅｒｒ効果測定装置を用いて、上記で得られた磁気記録媒体の記録層のヒステリシスループを取得したところ、保磁力Ｈｃ＝１４．８ｋＯｅ、Ｓ＝１．０であり、かつループ形状も実施例１で得られたものと一致していた。
また、ＣｏＮｂＺｒ、ＴｂＦｅＣｏ、Ｔａは実施例１と同様、非晶質構造であり、Ｃｕ、Ｒｕ、ＣｏＰｔのピーク位置、強度は実施例１におけるそれぞれのピーク位置、強度と一致していた。
得られた磁気記録媒体の電磁変換特性の結果を実施例１の結果とともに表１に示す。
【００４０】
＜比較例２＞
ＴｂＦｅＣｏ温度特性制御層３に換えて、Ｃｏ86Ｎｂ5Ｚｒ9ターゲットを用いてＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下でＣｏＮｂＺｒを３０ｎｍ形成した以外は全て実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
Ｋｅｒｒ効果測定装置を用いて、上記で得られた磁気記録媒体の記録層のヒステリシスループを取得したところ、保磁力Ｈｃ＝１４．８ｋＯｅ、Ｓ＝１．０であり、かつループ形状も実施例１で得られたものと一致していた。
また、ＣｏＮｂＺｒ、ＴｂＦｅＣｏ、Ｔａは実施例１と同様、非晶質構造であり、Ｃｕ、Ｒｕ、ＣｏＰｔのピーク位置、強度は実施例１におけるそれぞれのピーク位置、強度と一致していた。
得られた磁気記録媒体の電磁変換特性の結果を実施例１、比較例１の結果とともに表１に示す。
【００４１】
＜比較例３＞
ＴｂＦｅＣｏ温度特性制御層３の膜厚を５０ｎｍとし、第２の軟磁性ＣｏＺｒＮｂ層を成膜しなかった以外は全て実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
Ｋｅｒｒ効果測定装置を用いて、上記で得られた磁気記録媒体の記録層のヒステリシスループを取得したところ、保磁力Ｈｃ＝１４．８ｋＯｅ、Ｓ＝１．０であり、かつループ形状も実施例１で得られたものと一致していた。
また、ＣｏＮｂＺｒ、ＴｂＦｅＣｏ、Ｔａは実施例１と同様、非晶質構造であり、Ｃｕ、Ｒｕ、ＣｏＰｔのピーク位置、強度は実施例１におけるそれぞれのピーク位置、強度と一致していた。
得られた磁気記録媒体の電磁変換特性の結果を実施例１、比較例１、２の結果とともに表１に示す。
【００４２】
【表１】
2010176748.tif 000003
【００４３】
Ｋｅｒｒ効果測定装置を用いた実施例１、比較例１、２の磁気記録媒体の記録層のヒステリシスループ及びＸＲＤ回折の検討結果から、軟磁性裏打ち層の構成を変更しても、記録層の結晶構造や微細構造に影響がないことがわかった。
【００４４】
表１から、実施例１で得られた磁気記録媒体は、比較例１、２で得られた磁気記録媒体に比して、記録密度の指標となるＳＮＲ値が最も高いことがわかる。また、今回用いたヘッドでは、ＯＷ値が３５［−ｄＢ］以上であれば、媒体に十分な書き込み性能があると考えられるが、実施例１に磁気記録媒体はその値よりもさらに５［−ｄＢ］以上高い値を示しており、高い書き込み性能を示している。
【００４５】
比較例１及び２では、ＯＷ特性は比較的良好で十分な書き込み性能を有するが、実施例１に対してＳＮＲが大幅に劣る結果となっている。これは、再生時の裏打ち層からのノイズが大きいためである。これは、比較例１と２を比べた場合に、ＣｏＺｒＮｂ膜厚の厚い比較例２のＳＮＲが劣ることからも裏付けられる。
【００４６】
比較例３は比較例１及び２に比してＳＮＲは優れるが、ＯＷ特性に劣る。これは、記録時にヘッドに近い部分に磁束密度の低いＴｂＦｅＣｏが配置されているためにやや書き込み性能にやや劣る一方、再生時には裏打ち層起因のノイズが低減されるためにＳＮＲが大きいと考えられる。この比較例３を実施例１と比べた場合、ＯＷ、ＳＮＲ共に下回っている。ＯＷは３５［−ｄＢ］を上回っていることから、飽和記録はされており、ＳＮＲが小さいのはヘッドによる磁界勾配の差で生じていると考えられる。すなわち、磁束密度の大きな磁性材料が裏打ち層表面に薄く形成されている実施例１では、磁界勾配を急峻にして形成されるビット間の遷移ノイズを低減しつつ、薄膜のためにノイズ成分が小さく抑えられていると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明によれば、良好な書き込み性能を示す磁気記録媒体を得ることができる。
【符号の説明】
【００４８】
１：非磁性基体
２：軟磁性裏打ち層
３：第１の軟磁性層
４：温度特性制御層
５：第２の軟磁性層
６：下地層
７：磁気記録層
８：保護層
【図１】
2010176748.tif 000004