(57)【要約】      （修正有）【課題】昇華性ドーパントが昇華する速度を低下させる効果を向上できるシリコン単結晶引上装置を提供する。【解決手段】シリコン単結晶引上装置１は、ドープされたシリコン単結晶４１をチョクラルスキー法により融液５から引き上げるシリコン単結晶引上装置１であって、引上炉２と、引上炉２の内部又は外部に設けられる試料室２７と、試料室２７に設けられ、融液５に供給する昇華性ドーパント２３を内部に収容し、試料室２７の内部と外部とを移動可能な試料管６と、引上炉２の内部に設けられ、試料管６に接合されて試料管６から供給される昇華性ドーパントを融液５に供給する供給部７と、試料室２７に接続され、試料管６の外面を冷却する冷却用ガスを試料室２７の内部を介して引上炉２の内部に位置する試料管６の外面に供給可能なガス供給部２８と、を備える。【選択図】図１
2010163306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引き上げるシリコン単結晶引上装置であって、
引上炉と、
前記引上炉の内部又は外部に設けられる試料室と、
前記試料室に設けられ、前記融液に供給する昇華性ドーパントを内部に収容し、前記試料室の内部と外部とを移動可能な試料管と、
前記引上炉の内部に設けられ、前記試料管に接合されて該試料管から供給される前記昇華性ドーパントを前記融液に供給する供給部と、
前記試料室に接続され、前記試料管の外面を冷却する冷却用ガスを前記試料室の内部を介して前記引上炉の内部に位置する前記試料管の前記外面に供給可能なガス供給部と、を備えることを特徴とするシリコン単結晶引上装置。
【請求項２】
前記試料室の内部に供給された前記冷却用ガスの温度は、２０〜３０℃である請求項１に記載のシリコン単結晶引上装置。
【請求項３】
前記冷却用ガスは、前記試料室の内部に３〜１０Ｌ／ｍｉｎの速度で供給される請求項１又は２に記載のシリコン単結晶引上装置。
【請求項４】
前記試料室は、前記引上炉に外付けされ、
前記試料管は、前記試料室の内部と前記引上炉の内部との間を昇降可能である請求項１から３のいずれか１項に記載のシリコン単結晶引上装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン単結晶引上装置に関し、具体的には、引上炉内の坩堝に融液を貯留し、チョクラルスキー（ＣＺ）法により、ドープされたシリコン単結晶を融液から引き上げるシリコン単結晶引上装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ドーパントをシリコン結晶に添加する方法としては、昇華性ドーパントが収容された試料管を、引上炉内の融液の上方の所定位置まで下降させ、融液から輻射される輻射熱によって昇華性ドーパントを加熱して昇華させて、昇華によって気体となった昇華性ドーパントを融液に導入する方法が知られている。
【０００３】
気化した昇華性ドーパントを融液に導入する方法の１つとしては、中空の供給部の開口端を融液の上方に配置し、気化した昇華性ドーパントを試料管から供給部へ送り、アルゴンガス等の不活性ガスからなるキャリアガスによって搬送される昇華性ドーパントを、供給部から融液に向けて吹き付ける方式が挙げられる。
【０００４】
昇華性ドーパントを融液へ投入する単位時間あたりの投入量が多すぎると、シリコン単結晶は有転位化するおそれがあり、好ましくない。このような問題を解決するために、試料管に熱遮蔽板を設けて、融液からの輻射熱を遮り、昇華性ドーパントが気化する速度を低下させて単位時間あたりの投入量を制限する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２４５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された技術によれば、引上炉内の状況に応じて試料管の温度を調節し、昇華性ドーパントが昇華する速度を低下させる構成とはなっていないため、昇華性ドーパントの気化する速度を低下させる効果が十分でない。
【０００７】
本発明は、昇華性ドーパントが昇華する速度を低下させる効果を向上できるシリコン単結晶引上装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）  本発明のシリコン単結晶引上装置は、ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引き上げるシリコン単結晶引上装置であって、引上炉と、前記引上炉の内部又は外部に設けられる試料室と、前記試料室に設けられ、前記融液に供給する昇華性ドーパントを内部に収容し、前記試料室の内部と外部とを移動可能な試料管と、前記引上炉の内部に設けられ、前記試料管に接合されて該試料管から供給される前記昇華性ドーパントを前記融液に供給する供給部と、前記試料室に接続され、前記試料管の外面を冷却する冷却用ガスを前記試料室の内部を介して前記引上炉の内部に位置する前記試料管の前記外面に供給可能なガス供給部と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
（２）  前記試料室の内部に供給された前記冷却用ガスの温度は、２０〜３０℃であることが好ましい。
【００１０】
（３）  前記冷却用ガスは、前記試料室の内部に３〜１０Ｌ／ｍｉｎの速度で供給されることが好ましい。
【００１１】
（４）  前記試料室は、前記引上炉に外付けされ、前記試料管は、前記試料室の内部と前記引上炉の内部との間を昇降可能であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、昇華性ドーパントが昇華する速度を低下させる効果を向上できるシリコン単結晶引上装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態のシリコン単結晶引上装置を説明する概略図を示す。
【図２】本実施形態に係るガス供給部が設けられた試料室及び試料管が供給部に接合された状態の部分拡大縦断面図である。
【図３】本実施形態に係る試料管が供給部に接合される直前の状態の部分拡大縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明のシリコン単結晶引上装置１の実施形態について具体的に説明する。図１は本実施形態のシリコン単結晶引上装置１を説明する概略図である。図１に示すように、本実施形態のシリコン単結晶引上装置１は、引上炉（チャンバ）２と、坩堝３と、ヒータ９と、保温筒１３と、整流筒１５と、引き上げ機構４と、試料室２７と、ガス供給部２８と、試料管６と、供給部７と、接合手段１１と、熱遮蔽部材８と、を備えている。
【００１５】
引上炉２は、その上方にシリコン単結晶４１を引き上げるための開口を有する炉である。引上炉２は、その内部を真空に保ち、ＣＺ法による結晶成長に用いることができる。
【００１６】
坩堝３は、引上炉２の内部に設けられ、多結晶シリコン（Ｓｉ）からなる原料を溶融した融液５を収容する。坩堝３は、黒鉛坩堝３２とその内側の石英坩堝３１とから構成されている。ヒータ９は、坩堝３の周囲に設けられ、坩堝３の中にあるシリコン原料を加熱して溶融する。保温筒１３は、ヒータ９と引上炉２の内側の面との間に設けられ、ヒータ９からの輻射熱を遮断し、保温する。なお、本明細書において「内側」とは引上炉２の中心側を意味し、「外側」とは引上炉２の中心から反対側へ離れた側を意味する。
【００１７】
整流筒１５は、坩堝３の上方に設けられ、筒状の形状を備える。整流筒１５により、パージガス（引上炉２の内部の不純物を除去するように排出されるガス）は、引上炉２の上下方向に流通することができる。
【００１８】
引上げ機構４は、坩堝３の上方における整流筒１５の内側に設けられている。引上げ機構４は、引上げ用ケーブル４ａと、引上げ用ケーブル４ａの下端に取り付けられた種結晶ホルダ４ｂとを備える。この種結晶ホルダ４ｂによって種結晶が把持される。
【００１９】
試料室２７は、引上炉２の上方に外付けされ、試料管６を内部に収容する。試料管６は試料室２７に設けられ、引上炉２の内部の融液５に供給する昇華性ドーパント（不純物）２３を内部に収容できる。試料管６は、試料室２７の内部と外部とを移動可能であり、試料室２７の内部と引上炉２の内部との間を昇降可能な昇降手段２５に取り付けられて、試料室２７の内部と引上炉２の内部との間を昇降できる。
【００２０】
ガス供給部２８は、試料室２７に接続されている。ガス供給部２８は、試料室２７の内部の試料管６の外面を冷却する冷却用ガスを試料室２７に供給する。
【００２１】
供給部７は、中空の形状を備え、引上炉２の内部に設けられ、整流筒１５の外面に配置されている。供給部７は、引上炉２の内部へ下降した試料管６と接合手段１１により接合され、試料管６から供給される昇華性ドーパント２３を融液５に供給する。
【００２２】
熱遮蔽部材８は、引上炉２の内部における供給部７よりも外側に設けられる。熱遮蔽部材８は、融液５の輻射熱を遮蔽する筒状の部材である。
【００２３】
次に、本実施形態に係るシリコン単結晶引上装置１の各部について詳細に説明する。図２は、本実施形態に係るガス供給部２８が設けられた試料室２７及び試料管６が供給部７に接合された状態のシリコン単結晶引上装置１の部分縦断面図である。
【００２４】
図１又は図２に示すように、試料室２７は、成長させるシリコン単結晶４１にドープする昇華性ドーパント２３を収容するものである。試料室２７は、引上炉２の上方に、後述する遮蔽手段２４を介して外付けされている。ここで、試料室２７に収容される昇華性ドーパント２３としては、シリコン単結晶４１にＮ型の電気的特性を与えるためのＮ型用のドーパントである、砒素Ａｓ及び赤燐Ｐが挙げられる。砒素Ａｓ及び赤燐Ｐは、昇華可能な昇華性ドーパントであるため、比較的低い温度で固相から気相に気化させることができる。
【００２５】
試料室２７に昇華性ドーパント２３を収容する際には、試料管６に昇華性ドーパント２３が収容されるとともに、試料管６が試料室２７に収容される。試料管６は、縦長で、略円筒形の形状を有する。試料管６は、試料室２７の内部から引上炉２の内部に延びるように設けられるガイドレール２５ｂの溝に沿って配置され、ガイドレール２５ｂに案内されて、試料室２７の内部と引上炉２の内部との間を昇降する。試料室２７に接続されているガス供給部２８については、後に詳述する。
【００２６】
昇降手段２５は、試料管６を、供給部７に接合するように昇降させるものである。昇降手段２５は、試料管６が摺動可能なガイドレール２５ｂ及びガイドレール２５ｂに沿って試料管６を昇降させるワイヤ機構２５ａを備える。ワイヤ機構２５ａは、試料管６に取り付けられるワイヤ２６と、ワイヤ２６を巻き取る巻き取りドラム２５２と、巻き取りドラム２５２を駆動するモータ２５１と、を備える。ワイヤ機構２５ａは、試料管６をガイドレール２５ｂに沿ってワイヤ２６により昇降させる機構であり、モータ２５１により巻取りドラム２５２を駆動して、ワイヤ２６を介して試料管６の高さ位置を調節する。
【００２７】
ガイドレール２５ｂは、試料室２７の内部から供給部７に向かって設けられ、試料管６が昇降する位置を規定するものである。ガイドレール２５ｂは、黒鉛材からなることが好ましい。ガイドレール２５ｂを黒鉛材から形成することにより、高い耐熱性を持たせることができる。
【００２８】
これらの昇降手段２５は、図１に示すように、シリコン単結晶４１及び引上げ機構４と干渉せず、融液５に接触しない位置に配置される。昇降手段２５を引上げ機構４と干渉しない位置に配置することにより、シリコン単結晶４１を引き上げながら昇華性ドーパント２３を投入することができる。
【００２９】
遮蔽手段２４は、引上炉２と試料室２７とを熱的に遮断するものである。遮蔽手段２４は、試料室２７から引上炉２の内部に向かってガイドレール２５ｂが延びる方向に直交するように設けられている。遮蔽手段２４としては、スライドゲートバルブが好ましく用いられる。引上炉２の内部の輻射熱及び雰囲気は、遮蔽手段２４により熱的に遮断される。このため、所望のタイミングで試料室２７の内部の圧力を調整し、遮蔽手段２４を開放して昇華性ドーパント２３を気化させたり、遮蔽手段２４を閉じて試料室２７の内部を大気圧に戻し、試料管６に昇華性ドーパント２３を繰返し投入したりすることができる。
【００３０】
図２に示すように、ガス供給部２８は、試料室２７のワイヤ機構２５ａ側（上方側）に接続されている。ガス供給部２８は、試料管６の外面を冷却する冷却用ガスを試料室２７の内部を介して引上炉２の内部に位置する試料管６の外面に供給できる。ガス供給部２８は、配管で構成されている。この配管は、試料室２７の上方に位置する他の配管（図示せず）から分岐している。引上炉２に供給するアルゴンガスは、他の配管を流通しており、他の配管から分岐したガス供給部２８においても、アルゴンガスが流通する。したがって、ガス供給部２８は、冷却用ガスとしてアルゴンガスを試料室２７に供給することができる。
【００３１】
試料室２７の内部に供給された冷却用ガスの温度は、昇華性ドーパント２３を昇華させる速度を適切な値にする観点から、２０〜３０℃であり、好ましくは、２２．５〜２７．５℃である。
【００３２】
冷却用ガスを試料室２７の内部に供給する速度は、３〜１０Ｌ／ｍｉｎの速度であり、好ましくは３〜５Ｌ／ｍｉｎの速度である。冷却用ガスを供給する速度がこの範囲であると、冷却用ガスを試料管６の外面に適切に吹き付けることができる。また、冷却用ガスを吹き付けることにより、融液５の表面５ａに大きな影響を与えることもない。
【００３３】
図３は、本実施形態に係る試料管６が供給部７に接合される直前の状態の部分拡大縦断面図である。図３に示すように、試料管６は、管状の試料管本体６４と、供給部７側に向かって突出する凸部６１とを備える。凸部６１は、試料管６をガイドレール２５ｂに沿って配置した場合に供給部７側となる端部に設けられている。凸部６１は、試料管６の試料管本体６４の端面６３の略中央部から突出し、略球状の形状を有する。「略球状の形状」とは、完全な球状ではないが、大部分が球状の曲面を備えていることを意味する。この凸部６１は、後述する供給部７とともに、試料管６と供給部７とを接合し、試料管６と供給部７との間を連通させる接合手段１１を構成する。
【００３４】
凸部６１の内部は中空である。試料管６の供給部７側の端部には、試料管６の内部から外部へ連通する排出口６２が設けられる。排出口６２には、複数の貫通孔６７が形成された板状体６６が取り付けられている。上述の接合手段１１は、試料管６の供給部７側の端部に設けられ複数の貫通孔６７を備える板状体６６によって仕切られている。この複数の貫通孔６７の直径は、例えば１〜３ｍｍ程度である。試料管６は、遮蔽手段２４が開いたときに、ワイヤ機構２５ａの駆動によって、ガイドレール２５ｂを摺動して降下する。試料管６は、降下した後、引上炉２の内部に設けられた供給部７と接合される。試料管６が供給部７と接合された際に、排出口６２に取り付けられた板状体６６の複数の貫通孔６７より、試料管６の内部から供給部７の内部へと昇華性ドーパント２３が流通する。
【００３５】
図１に示すように、供給部７は、シリコン単結晶４１及び引上げ機構４と干渉せず、融液５に接触しない位置に配置される。供給部７の材質は、融液５等の輻射熱による高温に耐える材質を用いることができ、具体的には石英を用いることができる。
【００３６】
供給部７は、昇華性ドーパント２３を融液５に導く供給部本体７４と、供給部７の上方の端部に設けられ、試料管６側へ突出する接合部７２とを備える。接合部７２は、試料管６の凸部６１が嵌合可能な凹形状を有する凹部７１を備える。試料管６の凸部６１と供給部７の凹部７１とは、試料管６と供給部７とを接合する接合手段１１を構成する。接合手段１１は、上述の凸部６１及び凹部７１が接合された状態のボールジョイント構造で形成される。凹部７１は、ガイドレール２５ｂに沿って降下した試料管６の凸部６１が嵌合して接合するように、ガイドレール２５ｂの軌道上に配置される。
【００３７】
凹部７１の内面は、試料管６の凸部６１との接触面となり、この接触面が曲面となるように形成される。凹部７１の内面は、試料管６の凸部６１の外面に対応する湾曲した湾曲形状を有する。凹部７１の最も深く窪んだ部分には、供給口７３が設けられている。供給口７３は、中空の供給部７の内部へと連続している。
【００３８】
次に、本実施形態のシリコン単結晶引上装置１の使用例について説明する。
まず、図１に示すように、種結晶ホルダ４ｂによって種結晶（図示せず）が把持された状態で、坩堝３の中にシリコン原料を入れ、ヒータ９を用いて加熱し、シリコン原料を溶融して融液５にする。融液５の溶融状態が安定化したところで、引上げ用ケーブル４ａを降下して種結晶ホルダ４ｂに把持させた種結晶を融液５に浸漬する。種結晶を融液５になじませた後で、引上げ用ケーブル４ａを上昇させ、融液５からシリコン単結晶（シリコン単結晶インゴット）４１を引上げて成長させる。シリコン単結晶４１を成長させる際、坩堝３を回転軸１６によって回転させる。それとともに、引上げ機構４の引上げ用ケーブル４ａを、回転軸１６の回転方向と同じ方向又は逆の方向に回転させる。ここで、回転軸１６は鉛直方向にも駆動することができ、坩堝３を任意の上方方向の位置に上下動させることもできる。
【００３９】
このとき、引上炉２の内部は外気を遮断して真空状態（例えば数ＫＰａ程度）に減圧し、パージガスとして不活性ガスのアルゴンガス１７を供給しつつ、ポンプを用いてアルゴンガス１７を排気する。引上炉２の内部にアルゴンガス１７を流通させることにより、引上炉２の内部で発生した蒸発物を、アルゴンガス１７とともに引上炉２の外部に除去することができる。このときのアルゴンガス１７の供給流量は、結晶成長の各プロセスによって各々設定することができる。
【００４０】
シリコン単結晶４１が成長してくると、融液５の減少によって融液５と坩堝３との接触面積が変化し、坩堝３からの酸素溶解量が変化するため、引き上げられるシリコン単結晶４１中の酸素濃度分布に影響が出る。ここで、坩堝３の上方及びシリコン単結晶４１の周囲に、熱遮蔽部材８が設けられているので、引上炉２の上方より供給されるアルゴンガス１７は熱遮蔽部材８により融液５の表面５ａの中央に導かれ、さらに融液５の表面５ａを経由して融液５の表面５ａの周縁部に導かれる。アルゴンガス１７は、融液５からの蒸発物とともに、引上炉２の下部に設けた排気口（図示せず）から排出される。それにより、融液５の表面５ａ上のガス流速を安定化させ、融液５から蒸発する酸素を安定な状態に保つことができる。
【００４１】
また、坩堝３、融液５、ヒータ９等の高温部で発生する輻射熱の大部分は、熱遮蔽部材８により、種結晶及び成長するシリコン単結晶４１に対して遮断される。熱遮蔽部材８の下端と融液５の表面５ａとの距離は、坩堝３の上下動によって調整してもよく、熱遮蔽部材８の昇降装置による上下動によって調整してもよい。
【００４２】
稼働中の引上炉２の内部に昇華性ドーパント２３を投入するにあたり、遮蔽手段２４を閉じた状態で試料室２７を開放し、試料室２７に収容されている試料管６に昇華性ドーパント２３を投入する。図２に示すように、試料管６は、昇降手段２５のワイヤ機構２５ａに接続され、ワイヤ機構２５ａによってガイドレール２５ｂを摺動し、昇降する。
【００４３】
その後、シリコン単結晶４１に昇華性ドーパント２３をドープし始めるタイミング、すなわちシリコン単結晶４１の肩部から直胴部の前半部まで成長したタイミングで、遮蔽手段２４を開放する。ここで、遮蔽手段２４を開放する際には、昇華性ドーパント２３を試料室２７の所定の位置に収納して試料室２７の扉を閉めた後、試料室２７側の真空ポンプを作動させて引上炉２の内部と試料室２７の内部とを調圧してから、遮蔽手段２４を開放するようにする。
【００４４】
試料管６が、ガイドレール２５ｂに案内されて引上炉２内に入ると、融液５の表面５ａからシリコン単結晶４１への輻射熱の一部が、試料管６の融液側の一端（下方側）に当たる。また、熱遮蔽部材８から照射される輻射熱の一部が、試料管６の下方側に当たる。ガス供給部２８により試料室２７の内部を介して供給されたアルゴンガスは、試料管６の外面の上方側に吹き付けられている。試料管６の下方側において輻射熱により昇華性ドーパント２３が気化しても、試料管６の上方側より冷却用ガスが供給されているため、試料管６の上方側では、輻射熱によって急激に温度が上昇することがない。したがって、試料管６の内部で昇華性ドーパント２３が気化する速度が低下する。
【００４５】
図３に示すように、試料管６は、試料管６の下方に配置されている供給部７に接合される。具体的には、試料管６の供給部７側の端部に設けられた凸部６１が、供給部７の試料管６側の端部に設けられた接合部７２の凹部７１に嵌合する。試料管６の供給部７側の端部には、排出口６２が形成されており、排出口６２には、細かい複数の貫通孔６７を備える板状体６６が取り付けられている。このため、接合手段１１の凸部６１及び凹部７１が接合されると、板状体６６の複数の貫通孔６７を介して、気化した昇華性ドーパント２３が、試料管６から供給部７へ供給される。
【００４６】
昇華性ドーパント２３は、供給部７から融液５に吹き付けて供給される。昇華性ドーパント２３を融液５に供給する速度は、昇華性ドーパント２３を融液５に供給する開始の時点における残りの融液５の質量１ｋｇあたりの分速で規定される。その供給速度は、好ましくは０．０１〜０．０３５ｇ／ｍｉｎ・ｋｇである。
【００４７】
本実施形態によれば、次のような効果が奏される。
本実施形態によれば、試料室２７にガス供給部２８を接続し、このガス供給部２８が試料管６の外面を冷却する冷却用ガスを試料室２７の内部を介して引上炉２の内部に位置する試料管６の外面に供給する構成とした。このため、試料管６の下方側において輻射熱により昇華性ドーパント２３が気化しても、試料管６の上方側より冷却用ガスが供給されているため、試料管６の上方側では、輻射熱によって急激に温度が上昇することがない。したがって、昇華性ドーパント２３が気化する速度を低下させることができる。
【００４８】
また、ガス供給部２８より試料室２７の内部に供給するガスの流量を調節することにより、輻射熱の温度や、試料管６に収容した昇華性ドーパント２３の量に応じて、昇華性ドーパント２３が気化する速度を調節することができる。
【００４９】
また、冷却用ガスは、試料室２７の内部に供給され、試料室２７を通じて試料管６に吹き付けられる。このため、冷却用ガスの温度は、引上炉２の内部の雰囲気と混合されて上昇しにくい。したがって、試料室２７に供給した所望の温度で、冷却用ガスを試料管６に吹き付けることができる。
【００５０】
また、本実施形態によれば、試料室２７を引上炉２に外付けし、試料管６を試料室２７の内部と引上炉２の内部との間で昇降可能な構成とした。このため、昇華性ドーパント２３は、試料室２７に収容されている間は、引上炉２の内部における融液５等からの輻射熱を受けない。したがって、試料管６を試料室２７の内部に配置するか、引上炉２の内部に下降させるかを調節することにより、昇華性ドーパント２３が気化するタイミングを調節することができる。
【００５１】
本発明の実施形態は、上記の実施形態に何ら限定されることなく、本発明の技術的範囲は、これに限定されるものではない。
【００５２】
上記の実施形態では、試料室２７は引上炉２に外付けされているが、試料室２７は、引上炉２の内部に設けられてもよい。
例えば、引上炉の内部に設けた試料室の内部から、試料室の外部の融液側に向かって延びるガイドレールを設け、試料室と引上炉内の雰囲気との間にスライドゲートバルブを配置し、試料管がワイヤ機構によりガイドレールに沿って昇降する構成としてもよい。
【００５３】
なお、上記の実施形態では、吹き付け法により昇華性ドーパント２３を融液５に供給するようにしているが、供給部７を融液５に浸漬する浸漬法を用いて昇華性ドーパント２３を融液５に供給してもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１      シリコン単結晶引上装置
２      引上炉
５      融液
６      試料管
７      供給部
２３    昇華性ドーパント
２７    試料室
２８    ガス供給部
４１    シリコン単結晶
【図１】
2010163306.tif 000003
【図２】
2010163306.tif 000004
【図３】
2010163306.tif 000005