【事件の表示】
　特許第６４４０８８０号発明「低Ｂの希土類磁石」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４４０８８０号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−８〕、〔９−１２〕について訂正することを認める。
　特許第６４４０８８０号の請求項１、２、４ないし１２に係る特許を維持する。
　特許第６４４０８８０号の請求項３に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６４４０８８０号の請求項１ないし１２に係る発明についての出願は、２０１４年１１月２６日（優先権主張２０１３年１１月２７日、中国）を国際出願日とする出願である特願２０１６−５３５１４５号の一部を平成３０年３月２３日に新たな特許出願としたものであって、平成３０年１１月３０日にその特許権が設定登録され、平成３０年１２月１９日に特許掲載公報が発行された。その特許についての本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
　令和　１年　６月１９日　　：特許異議申立人宇佐川ゆり子により請求項１ないし１２に係る特許に対する特許異議の申立て
　令和　１年　９月２５日付け：取消理由通知
　令和　１年１２月２６日　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
　令和　２年　２月１３日　　：特許異議申立人による意見書の提出
　令和　２年　５月１９日付け：取消理由通知（決定の予告）
　令和　２年　８月１７日　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
　なお、令和２年８月１７日に訂正の請求がなされたので、特許法第１２０条の５第７項の規定により、令和１年１２月２６日になされた訂正の請求は取り下げられたものとみなす。
第２　訂正の適否
１　訂正の内容
　令和２年８月１７日付けの訂正請求の趣旨は、特許第６４４０８８０号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−８〕、〔９−１２〕について訂正することを求めるものであり、その訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は次のとおりである（下線は、訂正箇所を示す。）。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％、Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％、Ｃｕ：０．３ａｔ％〜０．８ａｔ％、Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％、及び残量のＴと不可避の不純物とを含有し、」と記載されているのを、「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％、Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％、Ｃｕ：
０．６
前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され、
り、前記Ｔは主にＦｅを含む元素であり、前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下であり、前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である
　請求項１を直接又は間接的に引用する請求項２及び４ないし８も同様に訂正する。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２に「前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％〜１．０ａｔ％であり、前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下、Ｃの含有量が１ａｔ％以下、及びＮの含有量が０．５ａｔ％以下に制御される」と記載されているのを、「
前
、
　請求項２を直接又は間接的に引用する請求項４ないし８も同様に訂正する。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項３を削除する。
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項４に「前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相であり、前記高Ｃｕ相結晶と前記中Ｃｕ相結晶の合計含有量は粒界組成の６５体積％以上を占めることを特徴とする請求項３に記載の低Ｂの希土類磁石。」と記載されているのを、「前記高Ｃｕ相結晶と前記中Ｃｕ相結晶の合計含有量は粒界組成の６５体積％以上を占めることを特徴とする請求項
１又は２
　請求項４を直接又は間接的に引用する請求項５ないし７も同様に訂正する。
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項９に「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％、Ｂ：５．２ａｔ％〜５．８ａｔ％、Ｃｕ：０．３ａｔ％〜０．８ａｔ％、Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％、及び残量のＴと不可避の不純物を含有し、前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素であり、」と記載されているのを、「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％、Ｂ：５．２ａｔ％〜５．８ａｔ％、Ｃｕ：
０．６
前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され、
前記Ｔは更にＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下であり、
前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相であり、
　請求項９を直接又は間接的に引用する請求項１０ないし１２も同様に訂正する。
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項１０に「前記ＲＨはＤｙ、Ｈｏ又はＴｂから選ばれる少なくとも一種であり、前記Ｔは更にＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％〜１．０　ａｔ％であり、前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下、Ｃの含有量が１ａｔ％以下及びＮの含有量が０．５ａｔ％以下に制御される」と記載されているのを、「前記ＲＨはＤｙ、Ｈｏ又はＴｂから選ばれる少なくとも一種であり
、
、
（７）一群の請求項
　上記訂正事項１ないし４に係る本件訂正前の請求項１ないし８について、請求項２ないし８は請求項１を直接又は間接的に引用しており、上記訂正事項５ないし６に係る本件訂正前の請求項９ないし１２について、請求項１０ないし１２は請求項９を直接又は間接的に引用しているから、本件訂正前の請求項１ないし８に対応する本件訂正の請求項〔１−８〕と、本件訂正前の請求項９ないし１２に対応する本件訂正の請求項〔９−１２〕はそれぞれ、特許法第１２０条の５第４項に規定する関係を有する一群の請求項である。
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、独立特許要件
（１）訂正事項１について
ア　訂正の目的
　訂正事項１は、訂正前の請求項１に記載されていた原料成分「Ｃｕ」について、「Ｃｕ：０．３ａｔ％〜０．８ａｔ％」とあったのを「Ｃｕ：
０．６
前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され、
前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下であり
　また、訂正前の請求項１に記載されていた「希土類磁石」について、「
前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である
　よって、訂正事項１は、請求項１について、特許請求の範囲を減縮するものである。
　また、請求項１を直接又は間接的に引用する請求項２及び４ないし８も同様に、特許請求の範囲を減縮するものである。
　したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。
イ　新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　「Ｃｕ：０．６」であることは、明細書の段落【００２１】の表５の実施例３、段落【００２６】の表７、段落【００４１】の表１３の実施例３に記載されている。
　「前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％〜１．０ａｔ％であり、前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下、Ｃの含有量が１ａｔ％以下、及びＮの含有量が０．５ａｔ％以下に制御される」ことは、訂正前の請求項２および明細書の段落【０００８】に記載されている。
　また、「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ」ることは、訂正前の請求項３および明細書の段落【０００６】に、「前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相であ」ることは、訂正前の請求項４および明細書の段落【０００７】に記載されている。 
　よって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（２）訂正事項２について
ア　訂正の目的
　訂正事項２は、上記訂正事項１に係る訂正により請求項１が訂正されたことにともない、請求項２の重複する記載を削除するものであり、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
イ　新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　訂正事項２は、重複する記載を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（３）訂正事項３について
　訂正事項３は、請求項３を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９条で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（４）訂正事項４について
ア　訂正の目的
　訂正事項４は、上記訂正事項１に係る訂正により請求項１が訂正されたことにともない請求項４の重複する記載を削除するとともに、訂正事項３に係る訂正により請求項３が削除されたことにともない「請求項３に記載の低Ｂの希土類磁石」と記載されているのを「請求項１又は２に記載の低Ｂの希土類磁石」と訂正するものであり、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
イ　新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　訂正事項４は、重複する記載を削除するとともに、従属先の請求項を整理するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（５）訂正事項５について
ア　訂正の目的
　訂正事項５は、訂正前の請求項９に記載されていた原料成分「Ｃｕ」について、「Ｃｕ：０．３ａｔ％〜０．８ａｔ％」とあったのを「Ｃｕ：
０．６
前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され、
前記Ｔは更にＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下であり
　また、訂正前の請求項９に記載されていた「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶」について、「
前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相であり
　よって、訂正事項５は、請求項９について、特許請求の範囲を減縮するものである。
　また、請求項９を直接又は間接的に引用する請求項１０ないし１２も同様に、特許請求の範囲を減縮するものである。
　したがって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。
イ　新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
（ア）「Ｃｕ」に関する訂正について
　「Ｃｕ：０．６」であることは、明細書の段落【００４１】の表１３の実施例３に記載されている。
（イ）「Ｘ」および「Ｏの含有量」に関する訂正について
　「前記Ｔは更にＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％〜１．０ａｔ％であり、前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下、Ｃの含有量が１ａｔ％以下及びＮの含有量が０．５ａｔ％以下に制御される」ことは、訂正前の請求項１０および明細書の段落【０００８】に記載されている。
（ウ）「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶」に関する訂正について
　明細書の段落【００４２】に「比較例１−３、実施例１−４の焼結体で作った磁石を洗浄し、表面がきれいになった後、真空熱処理炉の中で、磁石の表面に厚さが５μｍのＤｙＦ3粉末を塗り、塗った後の真空乾燥された磁石を８５０℃の温度でＡｒ雰囲気中で２４時間Ｄｙの粒界拡散処理を実施した。蒸発したＤｙ金属原子の焼結磁石表面への供給量を調節し、焼結磁石表面に金属蒸発材料からなる薄膜を形成する前に、付着した金属原子を焼結磁石の結晶粒界相に拡散させた。」、段落【００４４】に「同様に、実施例１から実施例４に対してＦＥ−ＥＰＭＡ測定を行い、計算した結果により、高Ｃｕ相結晶と中Ｃｕ相結晶が粒界組成の６５体積％以上を占めることが分かった。」と記載されるように、願書に添付した明細書には、Ｄｙを結晶粒界相に拡散させた磁石において、高Ｃｕ相結晶と中Ｃｕ相結晶が粒界組成の６５体積％以上を占めることが記載されている。
　そして、段落【０００７】に「好ましい実施形態において、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相、前記高Ｃｕ相結晶と前記中Ｃｕ相結晶の総含有量は粒界組成の６５体積％以上を占める。」と記載されていることを考慮すると、Ｄｙを結晶粒界相に拡散させた磁石において形成される「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶」も「前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相」であるものと認められる。 
　また、訂正前の請求項１０に「前記ＲＨはＤｙ、Ｈｏ又はＴｂから選ばれる少なくとも一種」と記載されおり、ＲＨはＤｙを含むものである。
　してみると、粒界にＲＨが拡散した磁石においても「高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相」であることは、願書に添付した明細書、特許請求の範囲に記載した事項であると言える。 
　以上のことより、訂正事項５は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（６）訂正事項６について
ア　訂正の目的
　訂正事項６は、上記訂正事項５に係る訂正により請求項９が訂正されたことにともない、請求項１０の重複する記載を削除するものであり、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　したがって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
イ　新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　訂正事項６は、重複する記載を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
３　小括
　以上とおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　よって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−８〕、〔９−１２〕について訂正することを認める。
第３　本件発明
　上記「第２」のとおり本件訂正は認められるので、本件特許の請求項１ないし１２に係る発明（以下、「本件発明１ないし１２」という。）は、その訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された次の事項により特定されるものである。なお、訂正部分について、当審で下線を付与した。
「【請求項１】
　Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：
　Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％、
　Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％、
　Ｃｕ：
０．６
　Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％、及び
　残量のＴと不可避の不純物とを含有し、
　
前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ ａｔ％以下に制御され、
　前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素であり、
　前記Ｔは主にＦｅを含む元素であり、
　
前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ ａｔ％よりも多く１．０ ａｔ％以下であり、
　前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、
　前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相であ
【請求項２】
　前記不可避の不純物において、Ｃの含有量が１ ａｔ％以下、及びＮの含有量が０．５ａｔ％以下に制御されることを特徴とする請求項１に記載の低Ｂの希土類磁石。
【請求項３】
（削除）
【請求項４】
　
前
１又は２
【請求項５】
　前記の希土類磁石は最大磁気エネルギー積が４３ＭＧＯｅを超えるＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石であることを特徴とする請求項４に記載の低Ｂの希土類磁石。
【請求項６】
　ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、前記元素の総組成は０．３ａｔ％〜１．０ａｔ％であることを特徴とする請求項５に記載の低Ｂの希土類磁石。
【請求項７】
　前記Ｒ中、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｇｄ又はＴｂの含有量は１ａｔ％以下であることを特徴とする請求項６に記載の低Ｂの希土類磁石。
【請求項８】
　希土類磁石成分の溶融液を希土類磁石用合金に製造する工程と、
　前記希土類磁石用合金を粗粉砕してから微粉砕し、微粉に調製する工程と、
　前記微粉を磁場成形法で成形体に製造し、且つ真空又は不活性ガス中、９００℃〜１１００℃の温度で前記成形体を焼結し、粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させる工程とを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の低Ｂの希土類磁石を製造するための方法。
【請求項９】
　Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：
　Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％、
　Ｂ：５．２ａｔ％〜５．８ａｔ％、
　Ｃｕ：
０．６
　Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％、
　及び残量のＴと不可避の不純物を含有し、
　前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素であり、
　
前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ ａｔ％以下に制御され、
　前記Ｔは主にＦｅを含む元素であり、
　
前記Ｔは更にＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ ａｔ％よりも多く１．０ ａｔ％以下であり、
　前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、
　
前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相であり、
　前記希土類磁石は、粒界にＲＨが拡散したことを特徴とする低Ｂの希土類磁石。
【請求項１０】
　前記ＲＨはＤｙ、Ｈｏ又はＴｂから選ばれる少なくとも一種であり
、
、
【請求項１１】
　前記希土類磁石成分の溶融液を希土類磁石用合金に製造する工程と、
　前記希土類磁石用合金を粗粉砕してから微粉砕し、微粉に調製する工程と、
　前記微粉を磁場成形法で成形体に製造し、且つ真空又は不活性ガス中、９００℃〜１１００℃の温度で前記成形体を焼結し、粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させる工程と、
　７００℃〜１０５０℃の温度でＲＨ粒界拡散処理する工程とを含むことを特徴とする請求項９に記載の低Ｂの希土類磁石を製造するための方法。
【請求項１２】
　更に時効処理の工程、即ち、前記ＲＨ粒界拡散処理後の磁石を４００℃〜６５０℃の温度で時効処理する工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。」
第４　取消理由通知に記載した取消理由について
１　取消理由の概要
　当審が令和２年５月１９日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）の要旨は、次のとおりである。
　請求項１ないし２、４ないし８に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された引用文献１に記載された発明に引用文献３及び引用文献４に記載された発明を適用して、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、下記の請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　また、請求項９ないし１２に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された引用文献５に記載された発明に引用文献３及び引用文献４に記載された発明を適用して、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、下記の請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
〈引用文献等〉
引用文献１：特開２０１２−１５１６９号公報（甲第２号証）
引用文献３：特開平１−２１９１４３号公報（甲第５号証）
引用文献４：特開２０１３−２３６０７１号公報（甲第７号証）
引用文献５：特開２０１１−２１１０６９号公報（甲第３号証）
２　引用文献の記載事項・引用発明
（１）引用文献１（甲第２号証）
　取消理由通知（決定の予告）において引用した引用文献１には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付与した。以下、同様。）。
ア　「【請求項１】
　
Ｒ２Ｆｅ１４Ｂを主として含む主相
を備えた焼結体からなり、
　
ＲはＮｄを必須元素として含む希土類元素
　前記粒界相が、希土類元素の合計原子濃度の異なる第１粒界相と第２粒界相と第３粒界相とを含み、
　前記第３粒界相は、前記第１粒界相および前記第２粒界相より前記希土類元素の合計原子濃度が低く、かつ前記第１粒界相および前記第２粒界相よりＦｅの原子濃度が高いことを特徴とする
Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類永久磁石
イ　「【００２８】
　Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石に含まれる
Ｔは、Ｆｅを必須とする金属であり、Ｆｅ以外にＣｏ、Ｎｉなどの他の遷移金属を含むものとすることができる
Ｆｅ以外にＣｏを含む場合、Ｔｃ（キュリー温度）を改善することができ好ましい
ウ　「【００３１】
　さらに、
Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石の酸素濃度は低いほど好ましく、０．５質量％以下であることが好ましく、０．２質量％以下であることがより好ましい
　
また、Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石の炭素濃度は低いほど好ましく、０．５質量％以下であることが好ましく、０．２質量％以下であることがより好ましい
エ　「【００３６】
　また、
永久磁石用合金材料に含まれる金属粉末としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｚｒ、ＴｉＡｌ合金、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔａなどの粉末を用いることができ、特に限定されない
【００３７】
　金属粉末は、永久磁石用合金材料中に０．００２質量％〜９質量％含まれていることが好ましく、０．０２質量％〜６質量％含まれていることがより好ましく、さらに０．６質量％〜４質量％含まれていることが好ましい。金属粉末の含有量が０．００２質量％未満であると、Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石の粒界相が、希土類元素の合計原子濃度の異なる第１粒界相と第２粒界相と第３粒界相とを含み、第３粒界相が、第１粒界相および第２粒界相より希土類元素の合計原子濃度が低く、かつ第１粒界相および第２粒界相よりＦｅの原子濃度が高いものとならず、Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石の保磁力（Ｈｃｊ）を十分に向上させることができない恐れがある。また、金属粉末の含有量が９質量％を超えると、Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石の磁化（Ｂｒ）や最大エネルギー積（ＢＨｍａｘ）などの磁気特性の低下が顕著となるため好ましくない。」
オ　「【００４７】
「実験例１」
　Ｎｄメタル（純度９９ｗｔ％以上）、Ｐｒメタル（純度９９ｗｔ％以上）、Ｄｙメタル（純度９９ｗｔ％以上）、フェロボロン（Ｆｅ８０％、Ｂ２０ｗ％）、Ａｌメタル（純度９９ｗｔ％以上）、Ｃｏメタル（純度９９ｗｔ％以上）、Ｃｕメタル（純度９９ｗｔ％以上）、Ｇａメタル（純度９９ｗｔ％以上）、鉄塊（純度９９％ｗｔ以上）を表１に示す
合金Ａ
の成分組成になるように秤量し、アルミナるつぼに装填し
【００４８】
【表１】
【００４９】
　その後、アルミナるつぼの入れられた高周波真空誘導炉の炉内をＡｒで置換し、
１４５０℃まで加熱して溶融させて水冷銅ロールに溶湯を注ぎ、ロール周速度１．０ｍ／秒、平均厚み０．３ｍｍ程度となるようにＳＣ（ストリップキャスト）法により、鋳造合金薄片を得
【００５０】
　次に、
鋳造合金薄片を以下に示す水素解砕法により解砕した
　次に、
水素解砕された鋳造合金薄片に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛０．０２５ｗｔ％を添加し、ジェットミル（ホソカワミクロン１００ＡＦＧ）により、０．６ＭＰａの高圧窒素を用いて、水素解砕された鋳造合金薄片を平均粒度（ｄ５０）４．５μｍに微粉砕して粉末とした
【００５１】
　このようにして得られた表１に示す平均粒度の
Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金からなる粉末
合金Ａ
に、
金属粉末を
（永久磁石用合金材料中に含まれる金属粉末の濃度（質量％））で添加して混合することにより永久磁石用合金材料を製造した
【００５２】
【表２】
【００５３】
【表３】
【００５４】
　次に、このようにして
得られた永久磁石用合金材料を、横磁場中成型機を用いて成計圧力０．８ｔ／ｃｍ２でプレス成型して圧粉体とした
得られた圧粉体を真空中で焼結した
焼結温度は１０８０℃で焼結した
カ　表１及び表３の記載によれば、実験例３には、組成がＮｄ：９．２ａｔ％、Ｐｒ：２．９ａｔ％、Ｄｙ：１．８ａｔ％、Ｂ：５．５ａｔ％、Ａｌ：０．３ａｔ％、Ｇａ：０．１ａｔ％、Ｃｏ：２．３ａｔ％、Ｃｕ：０．１ａｔ％、Ｔｂ：０．０ａｔ％、Ｆｅ：７７．４ａｔ％、Ｃ：０．０７ａｔ％、Ｏ：０．０５ａｔ％、Ｎ：０．０１ａｔ％のＲ−Ｔ−Ｂ系合金からなる粉末にＦｅ金属粉末を１．０ｗｔ％（永久磁石用合金材料に含まれるＦｅ金属粉末の濃度）で添加して混合した永久磁石用合金材料より製造されたＲ−Ｔ−Ｂ系磁石が記載されている。
　当該
永久磁石用合金材料は、
以下の組成を有する
 
Ｎｄ：９．１６ａｔ％、Ｐｒ：２．８６ａｔ％、Ｄｙ：１．７６ａｔ％、Ｂ：５．４２ａｔ％、Ａｌ：０．２４ａｔ％、Ｇａ：０．０９ａｔ％、Ｃｏ：２．３５ａｔ％、Ｃｕ：０．１ａｔ％、Ｔｂ：０．０ａｔ％、Ｆｅ：７７．９ａｔ％、Ｃ：０．０５ａｔ％、Ｏ：０．０４ａｔ％、Ｎ：０．０１ａｔ％
　上記摘記事項「ア」及び「カ」より、引用文献１には以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
「Ｒ２Ｆｅ１４Ｂを主として含む主相を備えた焼結体からなるＲ−Ｔ−Ｂ系希土類永久磁石であって、
　組成がＮｄ：９．１６ａｔ％、Ｐｒ：２．８６ａｔ％、Ｄｙ：１．７６ａｔ％、Ｂ：５．４２ａｔ％、Ａｌ：０．２４ａｔ％、Ｇａ：０．０９ａｔ％、Ｃｏ：２．３５ａｔ％、Ｃｕ：０．１ａｔ％、Ｔｂ：０．０ａｔ％、Ｆｅ：７７．９ａｔ％、Ｃ：０．０５ａｔ％、Ｏ：０．０４ａｔ％、Ｎ：０．０１ａｔ％からなる永久磁石用合金材料により製造されたＲ−Ｔ−Ｂ系磁石。」
（２）引用文献３（甲第５号証）
　取消理由通知（決定の予告）において引用した引用文献３には、図面とともに以下の事項が記載されている。
 ア　「原子比でＮｄとＰｒの合計が１２〜１７ａｔ％、
Ｂ５〜１４ａｔ％、Ｃｏ２０ａｔ％以下、
Ｃｕ０．０２〜０．５ａｔ％、
残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなることを特徴とする焼結永久磁石材料。」（特許請求の範囲の請求項１、第１頁左下欄第５−１０行）
イ　「この発明は、
Ｆｅ−Ｂ−Ｒを基本系としＣｏを含有する希土類焼結永久磁石
に係り、Ｃｕを含有して磁石特性を著しく改良した永久磁石
ウ　「発明の目的
　この発明は、
Ｃｏを含んだＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｒ系永久磁石材料において、
高い保磁力と優れた角型性を有する永久磁石材料
発明の概要
　この発明は、かかる目的を達成するため、永久磁石材料の組成について種々検討したところ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｒ系をベースとし、
ごく少量のＣｕを含むＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｒ−Ｃｕ系の一定の組成範囲の合金粉末を成形し、これを焼結し、さらに特定の温度で熱処理することにより、磁石特性、特に残留磁束密度の低下がなく、保磁力と減磁曲線の角型性が著しく向上した永久磁石材料が得られる
原子比でＮｄとＰｒの合計が１２〜１７ａｔ％、
Ｂ５〜１４ａｔ％、
Ｃｏ２０ａｔ％以下
Ｃｕ０．０２〜０．５ａｔ％
残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなることを特徴
とする焼結永久磁石材料
また、
前記組成からなる平均粒度０．５μｍ〜１０μｍの合金粉末を成形し、
非酸化性または還元性雰囲気中で、
９００〜１２００℃で焼結し、
焼結後、４３０〜６００℃の温度で熱処理することを特徴とする焼結永久磁石材料の製造方法である。
発明の効果
　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｒ−Ｃｕ系永久磁石は、Ｆｅ−Ｂ−Ｒ系をベースとする化合物磁石として、従来のアモルファス薄膜や超急冷リボンとは全く異なる結晶性のＸ線解析パターンを示し、正方晶系結晶構造を主相とする。
　この発明の特徴である極少量のＣｕの含有は、Ｃｏを含有するＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｒ系永久磁石材料の熱処理条件を緩和し、残留磁束密度を低下させることなく、１３ｋＯｅ以上の高い保磁力と優れた減磁曲線の角型性を得ることができ、その結果とじて２５ＭＧＯｅ以上の高い最大エネルギー積が得ることができる。
　この発明においてＣｕは、Ｃｏを含有する従来のＦｅ−Ｂ−Ｒ系において要求される厳しい熱処理条件、すなわち、狭い最適温度範囲と早い冷却速度条件を緩和し、広い最適温度と自由な冷却速度を選ぶことが可能となる。これらは大型の磁石の熱処理や、熱処理後の冷却時の磁石のヒビ割れに対しても極めて有効である。」（第２頁右上欄第１行−同頁右下欄第９行）
エ　「永久磁石組成の限定理由
・・・中略・・・
　また、
Ｎｄ、Ｐｒの一部を、Ｄｙ、Ｔｂなどの重希土類元素で０．２ａｔ％〜３．０ａｔ％置換することにより、さらに高い保磁力を得ることができる
　さらに、希土類元素中に含まれる不純物の内、Ｌａ、Ｃｅなどは少量、例えば全希土類元素中の５ａｔ％以下、の範囲で含有してもよい。
　本系永久磁石材料において、Ｃｏは、例えばｌａｔ％程度の少量でも耐酸化性向上に効果があり、また、Ｔｃ増大に有効であり、Ｃｏの置換量により約３１０〜７５０℃の任意のＴｃをもつ合金が得られる。
　Ｃｏ量は、永久磁石のｉＨｃを１２ｋＯｅ以上とするため添加するが、Ｔｃの改善効果とコストの点を考慮して、２０ａｔ％以下の含有とする。Ｃｏ成分としては、Ｒ−Ｃｏ合金等を添加することもできる。Ｃｏ量の好ましい範囲は１〜８ａｔ％である。
・・・中略・・・
　この発明において
Ｃｕは、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｒ系永久磁石において、他の磁気特性、すなわち残留磁束密度Ｂや最大エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘを全く低下させることなく、熱処理条件の緩和が可能であり、その結果として保磁力を上げ、かつ減磁曲線の角型性を改善し、（ＢＨ）ｍａｘの向上を図ることが可能となるため添加する
　第１図にＣｕ量と得られた磁気特性の変化を示す如く、Ｃｕは極僅かの添加でもＣｏを含有するＦｅ−Ｂ−Ｒ系磁石の磁気特性を大幅に改善する。
　この発明において、
Ｃｕ量は、
０．５ａｔ％を超えると焼結密度が低下するため、上限は０．５ａｔ％とする
オ　「さらに、
使用原料中に含まれ、あるいは製造工程中に混入する少量のＣ、Ｓ、Ｐ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉの存在はこの発明の効果を損ねるものではない
カ　「また、
保磁力をさらに高めたり、磁石や粉末の耐酸化性を向上させるために、１ａｔ％以下のＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｉを含有してもよい
　上記摘記事項「ウ」、「エ」の記載より、引用文献３には以下の技術（以下、「引用文献３記載の技術」という。）が記載されているといえる。
「Ｃｕ０．０２〜０．５ａｔ％、Ｃｏ２０ａｔ％以下を含むＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｒ−Ｃｕ系永久磁石材料であり、
　Ｃｕは、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｒ系永久磁石において、他の磁気特性、すなわち残留磁束密度Ｂや最大エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘを全く低下させることなく、熱処理条件の緩和が可能であり、その結果として保磁力を上げ、かつ減磁曲線の角型性を改善し、（ＢＨ）ｍａｘの向上を図ることが可能となるために添加する」技術
（３）引用文献４（甲第７号証）
　取消理由通知（決定の予告）において引用した引用文献４には、図面とともに以下の事項が記載されている。
ア　「【請求項１】
　
Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型結晶相を主相とし、Ｒ1aＴbＭcＳｉdＢe組成（Ｒ１はＳｃ及びＹを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種以上で、ＴはＦｅ及びＣｏから選ばれる１種又は２種、ＭはＡｌ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｐ，Ｓ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗの中から選ばれる１種又は２種以上、Ｓｉはケイ素、Ｂはホウ素、ａ〜ｅは合金の原子％で、１２≦ａ≦１７、０≦ｃ≦１０、０．３≦ｄ≦７、５≦ｅ≦１０、残部がｂ）
イ　「【００２０】
　本発明において、異方性焼結体はＳｉを含有していることが必須であり、このときＳｉは異方性焼結体乃至前記合金中に０．３〜７原子％のＳｉを含有していることで磁石内へのＤｙ／Ｔｂの供給と磁石の結晶粒界における拡散を著しく高める。Ｓｉ量が０．３原子％より低いと、保磁力増大効果に有意な差が見られない。一方、Ｓｉ量が７原子％を超えると、原因は明らかではないが保磁力増大効果に有意な差が見られなくなる。更に、そのような多量の添加は残留磁束密度の低下を招くため実用材料としての価値を著しく損ねる。Ｓｉ添加量としては０．３〜７原子％が保磁力増大に効果的であるが、残留磁束密度を高めるという観点からは添加量は少ないほうが望ましい。最終的に求められる磁気特性に依存するが、Ｓｉ添加量として好ましくは０．５〜３原子％、より好ましくは０．６〜２原子％である。
なお、残部は
Ｃ，Ｎ，Ｏ等の不可避的な不純物である
　上記摘記事項「ア」、「イ」の記載より、引用文献４には以下の技術事項（以下、「引用文献４記載の技術事項」という。）が記載されているといえる。
「Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ型結晶相を主相とした希土類焼結磁石において、Ｃ，Ｎ，Ｏ等は不可避的な不純物である」こと。
（４）引用文献５（甲第３号証）
　取消理由通知（決定の予告）において引用した引用文献５には、図面とともに以下の事項が記載されている。
ア　「【請求項１】
　
コアと、前記コアを被覆するシェルと、を有するＲ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石の結晶粒子群を備え、
　前記シェルにおける重希土類元素の質量の比率が、前記コアにおける重希土類元素の質量の比率よりも高く
　前記結晶粒子において前記シェルが最も厚い部分が、粒界三重点に面している、
　焼結磁石。」
イ　「【００２３】
　（焼結磁石）
　本実施形態の
焼結磁石が備える結晶粒子は
Ｒ２Ｔ１４Ｂ
ウ　「【００２５】
　希土類元素Ｒは、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれる少なくとも一種であればよい。遷移金属元素Ｔは、Ｆｅ又はＣｏの少なくもいずれかであればよい。軽希土類元素は、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕからなる群より選ばれる少なくとも一種であればよい。重希土類元素は、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれる少なくとも一種であればよい。なお、
焼結磁石は、必要に応じて、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｂｉ等の他の元素を更に含んでもよい
エ　「【００４９】
　焼結体における酸素の含有量は３０００質量ｐｐｍ以下であることが好ましく、２５００質量ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１０００質量ｐｐｍ以下であることが最も好ましい。
酸素量が少ないほど、得られる焼結磁石中の不純物が少なくなり、焼結磁石の磁気特性が向上する
オ　「【００７３】
　（実施例１）
　＜第１工程＞
　
３１ｗｔ％Ｎｄ−０．２ｗｔ％Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｏ−０．０７ｗｔ％Ｃｕ−０．１５ｗｔ％Ｚｒ−０．９ｗｔ％Ｇａ−０．９ｗｔ％Ｂ−ｂａｌ．Ｆｅの組成を有する原料合金をストリップキャストで作製した
水素吸蔵粉砕によって原料合金の粉末を調製した
【００７４】
　
原料合金の粉末
ジェットミルで微粉砕して、平均粒径が４μｍである微粉を得た
【００７５】
　
微粉を、電磁石中に配置された金型内に充填し、磁場中で成形して成形体を作製し
【００７６】
　
成形体を、真空中、１０５０℃で４時間焼結し
焼結体を得
【００７７】
　＜第２工程＞
　焼結体を１０ｍｍ×１０ｍｍ×３ｍｍに加工した。加工後の
焼結体にＤｙＨ２を含む拡散剤を塗布し
【００７８】
　＜第３工程及び第４工程＞
　第３工程では、
拡散剤を塗布した焼結体をＡｒ雰囲気において６００℃で４８時間熱処理し
【００７９】
　第４工程直後の焼結体を、その温度が３００℃になるまで、５０℃／分の冷却速度で冷却した。冷却後の焼結体を
Ａｒ雰囲気において５４０℃で２時間時効処理し
焼結磁石を得た
　上記摘記事項「ア」、「イ」、「オ」の記載より、引用文献５には以下の発明（以下、「引用発明５」という。）が記載されているといえる。
「コアと、前記コアを被覆するシェルと、を有するＲ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石の結晶粒子群を備えた焼結磁石であり、
　３１ｗｔ％Ｎｄ−０．２ｗｔ％Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｏ−０．０７ｗｔ％Ｃｕ−０．１５ｗｔ％Ｚｒ−０．９ｗｔ％Ｇａ−０．９ｗｔ％Ｂ−ｂａｌ．Ｆｅの組成を有する原料合金を用い、
　前記シェルにおける重希土類元素の質量の比率が、前記コアにおける重希土類元素の質量の比率よりも高い、
　Ｒ２Ｔ１４Ｂ結晶粒子を備える焼結磁石。」
３　当審の判断
（１）対比及び判断
ア　本件発明１について
（ア）対比
　本件発明１と引用発明１とを対比する。
ａ　引用発明１の「Ｒ２Ｆｅ１４Ｂを主として含む主相を備えた焼結体からなるＲ−Ｔ−Ｂ系希土類永久磁石」は、本件発明１の「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石」に相当する。
ｂ　引用発明１の「永久磁石用材料」の組成が「Ｎｄ：９．１６ａｔ％、Ｐｒ：２．８６ａｔ％、Ｄｙ：１．７６ａｔ％」を有することは、希土類原料の合計が１３．７８ａｔ％であるから本件発明１の「原料成分」が「Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％」に含まれ、「前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素」であることに相当する。
ｃ　引用発明１の「永久磁石用材料」の組成が「Ｂ：５．４２ａｔ％」を有することは、本件発明１の「原料成分」が「Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％」に含まれる。
ｄ　本件発明１と引用発明１とは「原料成分」が「Ｃｕ」を含有する点で共通するものの、本件発明１のＣｕの含有量が「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」であるのに対し、引用発明１は「０．１ａｔ％」である点で相違する。
ｅ　引用発明１の「永久磁石用材料」の組成が「Ｃｏ：２．３５ａｔ％」を有することは、本件発明１の「原料成分」が「Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％」に含まれる。
ｆ　引用発明１の「永久磁石用材料」の組成が「Ｆｅ：７７．９ａｔ％」を有することは、本件発明１の「原料成分」が「残量のＴ」「を含有し、」「前記Ｔは主にＦｅを含む元素であること」に相当する。
ｇ　引用発明１の「永久磁石用材料」の組成が「Ｃ：０．０５ａｔ％、Ｏ：０．０４ａｔ％、Ｎ：０．０１ａｔ％」を有することは、本件発明１の「原料成分」が「不可避の不純物とを含有し、」「前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され」ることに相当する。
ｈ　引用発明１の「永久磁石用材料」の組成が「Ａｌ：０．２４ａｔ％、Ｇａ：０．０９ａｔ％、」を有することは、本件発明１の「原料成分」が「前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、」「Ｇａ」「から選ばれる」「元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下」に含まれる。
　ただし、本件発明１の「Ｘ」は「Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種類の元素」であるのに対し、引用発明１ではその旨特定されていない点で相違する。
ｉ　本件発明１は「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」のに対し、引用発明１はその旨特定されていない点で相違する。 
ｊ　引用発明１の「永久磁石用材料」の組成が「Ｂ：５．４２ａｔ％」であり、本件発明１の「原料成分」の「Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％」に含まれるから、引用発明１の「永久磁石用材料により製造されたＲ−Ｔ−Ｂ系磁石」は、本件発明１の「低Ｂの希土類磁石」に相当する。
ｋ　したがって、両者は以下の一致点と相違点とを有する。
〈一致点〉
「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：
　Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％、
　Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％、
　Ｃｕ、
　Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％、及び
　残量のＴと不可避の不純物とを含有し、
 前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され、
　前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素であり、
　前記Ｔは主にＦｅを含む元素であり、
前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｇａから選ばれる元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下であることを特徴とする低Ｂの希土類磁石。」
〈相違点１〉
　Ｃｕの含有量が、本件発明１は「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」であるのに対し、引用発明１は「０．１ａｔ％」である点。
〈相違点２〉
　Ｘが、本件発明１は「Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種類の元素」であるのに対し、引用発明１ではその旨特定されていない点。
〈相違点３〉
　本件発明１は「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」のに対し、引用発明１はその旨特定されていない点。 
（イ）判断
　事案に鑑み、相違点１及び相違点３について検討する。
　引用文献３には「０．５ａｔ％を超えると焼結密度が低下するため、上限は０．５ａｔ％とする。」（「２（２）エ」参照）と記載されており、引用文献３記載の技術のＣｕの添加量を０．５ａｔ％を超えた値とすることについては阻害要因がある。
　仮に引用発明１に引用文献３記載の技術を組み合わせたとしても、引用文献３記載の技術は、Ｃｕを０．０２〜０．５ａｔ％添加するものであるから、Ｃｕの含有量を「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」とする本件発明１の上記相違点１に係る構成を得ることはできない。
　そして、引用文献３には、希土類磁石の粒界に「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」ことは記載されていない。
　また、引用文献４にも、Ｃｕの含有量を「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」とすること、希土類磁石の粒界に「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」ことは記載されていない。
　なお、本件発明１は、Ｃｕと適量のＣｏを複合添加することにより、粒界に三種のＣｕリッチ相を形成し、磁石の角形比や耐熱性への改善効果を得る（本件明細書の段落【０００４】、【００４５】参照）ものである。
　したがって、引用文献１、３及び４に記載された発明に基づいて、本件発明１の上記相違点１及び相違点３に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　また、特許異議申立人が提出したその他の証拠（甲第１、３、４、６号証）にも、Ｃｕの含有量を「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」とすること、希土類磁石の粒界に「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」ことは記載されておらず、甲第１ないし７号証に記載された発明に基づいて、本件発明１の上記相違点１及び相違点３に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　よって、相違点２について検討するまでもなく、請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
 イ　本件発明２、４ないし８について
　本件発明１の構成を全て含み、更に他の構成を含んだ本件発明２、４ないし８は、本件発明１と同様に引用文献１、３及び４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、請求項２、４ないし８に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
ウ　本件発明９について
（ア）対比
　本件発明９と引用発明５とを対比する。
ａ　引用発明５の「Ｒ２Ｔ１４Ｂ結晶粒子を備える焼結磁石」は、本件発明９の「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石」に相当する。
ｂ　引用発明５の「原料合金」の組成が「３１ｗｔ％Ｎｄ−０．２ｗｔ％Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｏ−０．０７ｗｔ％Ｃｕ−０．１５ｗｔ％Ｚｒ−０．９ｗｔ％Ｇａ−０．９ｗｔ％Ｂ−ｂａｌ．Ｆｅ」であることは、ａｔ％に換算すると、「１４．１７ａｔ％Ｎｄ−０．４９ａｔ％Ａｌ−０．５６ａｔ％Ｃｏ−０．０７ａｔ％Ｃｕ−０．１１ａｔ％Ｚｒ−０．８５ａｔ％Ｇａ−５．４９ａｔ％Ｂ−７８．２６ａｔ％Ｆｅ」である。
　してみると、引用発明５の「原料合金」の組成が「３１ｗｔ％Ｎｄ」（１４．１７ａｔ％Ｎｄ）を有することは、本件発明９の「原料成分」が「Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％」に含まれ、「前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素」であることに相当する。
ｃ　引用発明５の「原料合金」の組成が「０．９ｗｔ％Ｂ」（５．４９ａｔ％Ｂ）を有することは、本件発明９の「原料成分」が「Ｂ：５．２ａｔ％〜５．８ａｔ％」に含まれる。
ｄ　本件発明９と引用発明５とは「原料成分」が「Ｃｕ」を含有する点で共通するものの、本件発明９のＣｕの含有量が「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」であるのに対し、引用発明５は「０．０７ｗｔ％」である点で相違する。
ｅ　引用発明５の「原料合金」の組成が「０．５ｗｔ％」（０．５６ａｔ％Ｃｏ）を有することは、本件発明９の「原料成分」が「Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％」に含まれる。
ｆ　引用発明５の「原料合金」の組成が「ｂａｌ．Ｆｅ」（７８．２６ａｔ％Ｆｅ）を有することは、本件発明９の「原料成分」が「残量のＴ」「を含有し、」「前記Ｔは主にＦｅを含む元素であること」に相当する。
ｇ　本願発明９は「原料成分」が「不可避の不純物を含有し、」「前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され」るのに対し、引用発明５はその旨特定されていない点で相違する。
ｈ　本件発明９と引用発明５とは「原料成分」が「前記Ｔは更にＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、」「Ｇａ」「から選ばれる」「元素」である点で共通するものの、本件発明９の「Ｘ」は「Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種類の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下」であるのに対し、引用発明５ではその旨特定されていない点で相違する。
ｉ　本件発明９は「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相」であるのに対し、引用発明５はその旨特定されていない点で相違する。
ｊ　引用発明５の「Ｒ２Ｔ１４Ｂ結晶粒子を備える焼結磁石」が「コアと、前記コアを被覆するシェルと、を有するＲ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石の結晶粒子群を備え」、「前記シェルにおける重希土類元素の質量の比率が、前記コアにおける重希土類元素の質量の比率よりも高い」ことは、本件発明９の「前記希土類磁石は、粒界にＲＨが拡散した」ことに相当する。
ｋ　引用発明５の「原料合金」の組成は「０．９ｗｔ％Ｂ」（Ｂ：５．４９ａｔ％）であり、本件発明９の「原料成分」の「Ｂ：５．２ａｔ％〜５．８ａｔ％」に含まれるから、引用発明５の「Ｒ２Ｔ１４Ｂ結晶粒子を備える焼結磁石」は、本件発明９の「低Ｂの希土類磁石」に相当する。
ｌ　したがって、両者は以下の一致点と相違点とを有する。
〈一致点〉
「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：
　Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％、
　Ｂ：５．２ａｔ％〜５．８ａｔ％、
　Ｃｕ、
　Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％、
　及び残量のＴを含有し、
　前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素であり、
　前記Ｔは主にＦｅを含む元素であり、且つ、
　前記Ｔは更にＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｇａから選ばれる元素であり、
　前記希土類磁石は、粒界にＲＨが拡散したことを特徴とする低Ｂの希土類磁石。」
〈相違点４〉
　Ｃｕの含有量が、本件発明９は「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」であるのに対し、引用発明５は「０．０７ｗｔ％」である点。
〈相違点５〉
　本願発明９は「原料成分」が「不可避の不純物を含有し、」「前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され」るのに対し、引用発明５はその旨特定されていない点。
〈相違点６〉
　Ｘが、本件発明９は「Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種類の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下」であるのに対し、引用発明５はその旨特定されていない点。
〈相違点７〉
　本件発明９は「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相」であるのに対し、引用発明５はその旨特定されていない点。 
（イ）判断
　事案に鑑み、相違点４及び相違点７について検討する。
　引用文献３には「０．５ａｔ％を超えると焼結密度が低下するため、上限は０．５ａｔ％とする。」（「２（２）エ」参照）と記載されており、引用文献３記載の技術のＣｕの添加量を０．５ａｔ％を超えた値とすることについては阻害要因がある。
　仮に引用発明５に引用文献３記載の技術を組み合わせたとしても、引用文献３記載の技術は、Ｃｕを０．０２〜０．５ａｔ％添加するものであるから、Ｃｕの含有量を「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」とする本件発明９の上記相違点４に係る構成を得ることはできない。
　そして、引用文献３には、希土類磁石の粒界に「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」ことは記載されていない。
　また、引用文献４にも、Ｃｕの含有量を「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」とすること、希土類磁石の粒界に「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」ことは記載されていない。
　なお、本件発明９は、Ｃｕと適量のＣｏを複合添加することにより、粒界に三種のＣｕリッチ相を形成し、磁石の角形比や耐熱性への改善効果を得る（本件明細書の段落【０００４】、【００４５】参照）ものである。
　したがって、引用文献５、３及び４に記載された発明に基づいて、本件発明９の上記相違点４及び相違点７に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　また、特許異議申立人が提出したその他の証拠（甲第１、２、４、６号証）にも、Ｃｕの含有量を「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」とすること、希土類磁石の粒界に「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」ことは記載されておらず、甲第１ないし７号証に記載された発明に基づいて、本件発明９の上記相違点４及び相違点７に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　よって、相違点５及び６について検討するまでもなく、請求項９に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
エ　本件発明１０ないし１２について
　本件発明９の構成を全て含み、更に他の構成を含んだ本件発明１０ないし１２は、本件発明９と同様に引用文献５、３及び４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、請求項１０ないし１２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
第５　取消理由において採用しなかった特許異議申立理由について
１　特許異議申立理由の概要
　特許異議申立書における特許異議申立ての要旨は、次のとおりである。
（１）申立理由１
　請求項１、３ないし５、８に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の甲第１または２または３号証に記載された発明に甲第４ないし６号証に記載された発明を適用して、また、甲第７号証に記載された発明に甲第４及び６号証に記載された発明を適用して、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、３ないし５、８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　請求項２に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の甲第２号証に記載された発明に甲第４ないし６号証に記載された発明を適用して、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　請求項６に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の甲第１または２号証に記載された発明に甲第４ないし６号証に記載された発明を適用して、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　請求項７に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の甲第１または３号証に記載された発明に甲第４ないし６号証に記載された発明を適用して、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　請求項９、１１ないし１２に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の甲第３号証に記載された発明に甲第４ないし６号証に記載された発明を適用して、また、甲第７号証に記載された発明に甲第４及び６号証に記載された発明を適用して、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項９、１１ないし１２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　請求項１０に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の甲第３号証に記載された発明に甲第１、２、４ないし６号証に記載された発明を適用して、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：国際公開第２００４／０８１９５４号
甲第２号証：特開２０１２−１５１６９号公報
甲第３号証：特開２０１１−２１１０６９号公報
甲第４号証：特開２０１３−２１６９６５号公報
甲第５号証：特開平１−２１９１４３号公報
甲第６号証：国際公開第２０１３／１１４８９２号
甲第７号証：特開２０１３−２３６０７１号公報
（２）申立理由２
　請求項１ないし９、１１及び１２に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない特許出願に対してなされたものである。
（３）申立理由３
　請求項２ないし５、請求項８ないし１２に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号の規定を満たしていない特許出願に対してなされたものである。
２　申立理由１（進歩性）について
（１）甲号証の記載事項、甲号証に記載された発明、甲号証に記載された技術事項
ア　甲第１号証
　甲第１号証の請求項１ないし３、第１２頁第１２から１６行、第１３頁第７行から第１５頁第９行の記載によれば、甲第１号証には実施例１として以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。
「Ｎｄ：３１．０質量％、Ｃｏ：１．０質量％、Ｇａ：０．０２質量％、Ｂ：０．９３〜１．０２質量％、Ａｌ：０．２質量％、Ｃｕ：０．１質量％、残部：Ｆｅからなる組成の各元素を溶解し、ストリップキャスト法により凝固させ、
　水素脆化法により原料粗粉を得、この原料粗粉を微粉砕し微粉末を得、
　前記微粉末を磁界中成型し、アルゴンガス（Ａｒ）を導入しつつ８００℃にて１時間保持した後、１０４０℃にて２時間保持し焼結して製造された、
　酸素：０．３６−０．４０質量％、窒素：０．００４−０．０１５質量％、炭素：０．０４−０．０５質量％である主相がＲ２Ｔ１４Ｂ型結晶構造を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石。」
イ　甲第２号証
　甲第２号証の記載事項及び引用発明は、「第４」の「２」の「（１）引用文献１」に記載されたとおりのものである。
ウ　甲第３号証
　甲第３号証の記載事項及び引用発明は、「第４」の「２」の「（４）引用文献５」に記載されたとおりのものである。
エ　甲第４号証
　甲第４号証の段落【請求項１】、【０００５】、【００３４】、【００３５】、【００４２】には、以下の技術事項（以下、「甲第４号証記載の技術」という。）が記載されている。
「Ｂの含有量が４．８原子％以上、５．５原子％以下で、Ｒ２Ｆｅ１４Ｂを主として含む主相を備えるＲ−Ｔ−Ｂ系合金にＲ２Ｔ１７相が含まれている場合、Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石の保磁力や角形性を低下させるため、Ｒ２Ｔ１７相を焼結過程で消滅させる」技術。
オ　甲第５号証
　甲第５号証の記載事項及び記載される技術は、「第４」の「２」の「（２）引用文献３」に記載されたとおりのものである。
カ　甲第６号証
　甲第６号証の段落[0029]、[0038]には、以下の技術事項（以下、「甲第６号証記載の技術」という。）が記載されている。
「主相であるＲ２Ｔ１４Ｂ相を含むＲ−Ｔ−Ｂ−Ｇａ系磁石用原料合金において、Ｆｅの一部をＣｏと置換し、残留磁束密度Ｂｒの温度係数を改善し、減磁曲線における角型性を向上させる」技術。
キ　甲第７号証
　甲第７号証の【請求項１】、段落【００１９】、段落【００５１】ないし【００５５】、段落【００７３】ないし【００７４】、段落【０１２１】ないし【０１２７】の記載によれば、甲第７号証には実施例９または実施例２２として以下の発明（以下、「甲７発明」という。）が記載されている。
「Ｎｄが１２．５原子％、Ｐｒが２原子％、Ａｌが０．５原子％、Ｃｕが０．４原子％、Ｂが５．５原子％、Ｓｉが１．３原子％、Ｆｅが残部からなる合金、または、Ｎｄが１２．５原子％、Ｐｒが２．０原子％、Ａｌが１．２原子％、Ｃｕが０．４原子％、Ｂが５．５原子％、Ｓｉが１．３原子％、Ｆｅが残部からなる合金をストリップキャスト法により得、
　前記合金を粗粉末とし、続いて、微粉砕し、
　得られた微粉末を磁界中で配向させながら成形し、次いでＡｒ雰囲気の焼結炉内で１０６０℃で焼結して焼結ブロックを作製して磁石体を得、
　続いて、酸化テルビウム粉末の混濁液に磁石体を浸し、酸化テルビウムにより覆われた磁石体に対しＡｒ雰囲気中で粒界拡散処理を施して得た、
　Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ型結晶相を主相とした希土類焼結磁石。」
（２）甲第１号証に基づく進歩性について
ア　本件発明１について
（ア）対比
　本件発明１と甲１発明とを対比する
ａ　甲１発明の「主相がＲ２Ｔ１４Ｂ型結晶構造を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石」は、本件発明１の「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石」に相当する。
ｂ　甲１発明の「Ｎｄ：３１．０質量％、Ｃｏ：１．０質量％、Ｇａ：０．０２質量％、Ｂ：０．９３〜１．０２質量％、Ａｌ：０．２質量％、Ｃｕ：０．１質量％、残部：Ｆｅからなる組成」のものを用い「酸素：０．３６−０．４０質量％、窒素：０．００４−０．０１５質量％、炭素：０．０４−０．０５質量％である」ことは、Ｂが０．９３質量％の時の割合を原子％に換算すると、おおよそ「Ｎｄ：１３．９ａｔ％、Ｃｏ：１．１ａｔ％、Ｇａ：０．０２ａｔ％、Ｂ：５．６ａｔ％、Ａｌ：０．４８ａｔ％、Ｃｕ：０．１ａｔ％、Ｏ：１．５４ａｔ％、Ｎ：０．０４ａｔ％、Ｃ：０．２４ａｔ％、残部Ｆｅからなる組成」である。
　してみると、甲１発明の組成が「Ｎｄ：３１．０質量％」を有することは、本件発明１の「原料成分」が「Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％」に含まれ、「前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素」であることに相当する。
ｃ　甲１発明の組成が「Ｂ：０．９３質量％」を有することは、本件発明１の「原料成分」が「Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％」に含まれる。
ｄ　本件発明１と甲１発明とは「原料成分」が「Ｃｕ」を含有する点では共通するものの、本件発明１のＣｕの含有量が「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」であるのに対し、甲１発明は「０．１質量％」である点で相違する。
ｅ　甲１発明の組成が「Ｃｏ：１．０質量％」を有することは、本件発明１の「原料成分」が「Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％」に含まれる。
ｆ　甲１発明の組成が「残部Ｆｅ」であることは、本件発明１の「原料成分」が「残量のＴ」「を含有し、」「前記Ｔは主にＦｅを含む元素であること」に相当する。
ｇ　本件発明１と甲１発明とは「原料成分」が「不可避の不純物とを含有し、」「前記不可避の不純物において、Ｏ」を含有する点では共通するものの、本件発明１のＯの含有量が「１ａｔ％以下に制御され」るのに対し、甲１発明は「０．３６−０．４０質量％」である点で相違する。
ｈ　甲１発明が「Ｇａ：０．０２質量％」、「Ａｌ：０．２質量％」を有することは、本件発明１の「原料成分」が「前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、」「Ｇａ」「から選ばれる」「元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下」に含まれる。
　ただし、本件発明１の「Ｘ」は「Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種類の元素」であるのに対し、甲１発明ではその旨特定されていない点で相違する。
ｉ　本件発明１は「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」のに対し、甲１発明はその旨特定されていない点で相違する。 
ｊ　甲１発明の組成は「Ｂ：０．９３質量％」であり、本件発明１の「原料成分」の「Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％」に含まれるから、甲１発明の「Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石」は、本件発明１の「低Ｂの希土類磁石」に相当する。
ｋ　したがって、両者は以下の一致点と相違点とを有する。
〈一致点〉
「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：
　Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％、
　Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％、
　Ｃｕ、
　Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％、及び
　残量のＴと不可避の不純物とを含有し、
 前記不可避の不純物において、Ｏを含有し、
　前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素であり、
　前記Ｔは主にＦｅを含む元素であり、
前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｇａから選ばれる元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下であることを特徴とする低Ｂの希土類磁石。」
〈相違点８〉
　Ｃｕの含有量が、本件発明１は「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」であるのに対し、甲１発明は「０．１質量％」である点。
〈相違点９〉
　Ｏの含有量が、本件発明１は「１ａｔ％以下に制御され」るのに対し、甲１発明は「０．３６−０．４０質量％」である点。
〈相違点１０〉
　Ｘが、本件発明１は「Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種類の元素」であるのに対し、引用発明１ではその旨特定されていない点。
〈相違点１１〉
　本件発明１は「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」のに対し、引用発明１はその旨特定されていない点。 
（イ）判断
　事案に鑑み、相違点８及び相違点１１について検討する。
　甲第４号証には、Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金にＲ２Ｔ１７相が含まれている場合、Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石の保磁力や角形性を低下させるため、Ｒ２Ｔ１７相を焼結過程で消滅させる技術（甲第４号証記載の技術）が、甲第５号証には、Ｃｏ２０ａｔ％以下含むＦｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｒ系永久磁石材料においてＣｕ０．０２〜０．５ａｔ％添加する技術（引用文献３記載の技術）が、甲第６号証には、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｇａ系磁石用原料合金において、Ｆｅの一部をＣｏと置換し、残留磁束密度Ｂｒの温度係数を改善し、減磁曲線における角型性を向上させる技術（甲第６号証記載の技術）が記載されているものの、甲第４ないし６号証のいずれにも、Ｃｕの含有量を０．６〜０．８ａｔ％とすることは、記載も示唆もされていない。
　また、甲第４ないし６号証のいずれにも、希土類磁石の粒界に「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」ことは記載されていない。
　そして、本件発明１は、Ｃｕと適量のＣｏを複合添加することにより、粒界に三種のＣｕリッチ相を形成し、磁石の角形比や耐熱性への改善効果を得る（本件明細書の段落【０００４】、【００４５】参照）ものである。
　したがって、甲第１号証及び甲第４ないし６号証に記載された発明に基づいて、本件発明１の上記相違点８及び相違点１１に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　よって、相違点９及び１０について検討するまでもなく、請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
 イ　本件発明２，４ないし８について
　本件発明１の構成を全て含み、更に他の構成を含んだ本件発明２，４ないし８は、本件発明１と同様に甲第１号証及び甲第４ないし６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、請求項２，４ないし８に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
（３）甲第２号証に基づく進歩性について
　本件発明１と甲第２号証に記載された発明（引用発明１）との一致点及び相違点は、「第４」の「３（１）ア（ア）」に記載したとおりである。
　事案に鑑み、相違点１及び３について検討する。
　上記「（２）ア（イ）」で検討したとおり、甲第４ないし６号証のいずれにも、Ｃｕの含有量を０．６〜０．８ａｔ％とすること、希土類磁石の粒界に「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」ことは記載されていない。
　したがって、甲第５号証に加え甲第４号証、甲第６号証の記載を考慮しても、甲第２号証及び甲第４ないし６号証に記載された発明に基づいて、本件発明１の上記相違点１及び３に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　よって、相違点２について検討するまでもなく、請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
　また、本件発明１の構成を全て含み、更に他の構成を含んだ本件発明２、４ないし８は、本件発明１と同様に甲第２号証及び甲第４ないし６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、請求項２、４ないし８に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
（４）甲第３号証に基づく進歩性について
ア　本件発明１について
（ア）対比
　甲第３号証に記載された発明（甲３発明）は、「第４」の「２（４）」に引用発明５として記載されたとおりのものである。
　本件発明１と甲３発明とを対比する。
ａ　甲３発明の「Ｒ２Ｔ１４Ｂ結晶粒子を備える焼結磁石」は、本件発明１の「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石」に相当する。
ｂ　甲３発明の「３１ｗｔ％Ｎｄ−０．２ｗｔ％Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｏ−０．０７ｗｔ％Ｃｕ−０．１５ｗｔ％Ｚｒ−０．９ｗｔ％Ｇａ−０．９ｗｔ％Ｂ−ｂａｌ．Ｆｅの組成を有する原料合金」は、ａｔ％に換算すると、「１４．１７ａｔ％Ｎｄ−０．４９ａｔ％Ａｌ−０．５６ａｔ％Ｃｏ−０．０７ａｔ％Ｃｕ−０．１１ａｔ％Ｚｒ−０．８５ａｔ％Ｇａ−５．４９ａｔ％Ｂ−７８．２６ａｔ％Ｆｅの組成を有する原料合金」である。
　してみると、甲３発明の「原料合金」の組成が「３１ｗｔ％Ｎｄ」を有することは、本件発明１の「原料成分」が「Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％」に含まれ、「前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素」であることに相当する。
ｃ　甲３発明の「原料合金」の組成が「０．９ｗｔ％Ｂ」を有することは、本件発明１の「原料成分」が「Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％」に含まれる。
ｄ　本件発明１と甲３発明とは「原料成分」が「Ｃｕ」を含有する点では共通するものの、本件発明１のＣｕの含有量が「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」であるのに対し、甲３発明は「０．０７ｗｔ％」である点で相違する。
ｅ　甲３発明の「原料合金」の組成が「０．５ｗｔ％Ｃｏ」を有することは、本件発明１の「原料成分」が「Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％」に含まれる。
ｆ　甲３発明の「原料合金」の組成が「ｂａｌ．Ｆｅ」であることは、本件発明１の「原料成分」が「残量のＴ」「を含有し、」「前記Ｔは主にＦｅを含む元素であること」に相当する。
ｇ　本件発明１の「原料成分」が「不可避の不純物とを含有し、」「前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され」るのに対し、甲３発明はその旨特定されていない点で相違する。
ｈ　本件発明１と甲３発明とは「原料合金」が「前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、」「Ｇａ」「から選ばれる」「元素」である点で共通するものの、本件発明１の「Ｘ」は「Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種類の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下」であるのに対し、甲３発明ではその旨特定されていない点で相違する。
ｉ　本件発明１は「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」のに対し、甲３発明はその旨特定されていない点で相違する。 
ｊ　甲３発明の組成は「０．９ｗｔ％Ｂ」であり、本件発明１の「原料成分」の「Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％」に含まれるから、甲３発明の「焼結磁石」は、本件発明１の「低Ｂの希土類磁石」に相当する。
ｋ　したがって、両者は以下の一致点と相違点とを有する。
〈一致点〉
「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：
　Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％、
　Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％、
　Ｃｕ、
　Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％、及び
　残量のＴを含有し、
　前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素であり、
　前記Ｔは主にＦｅを含む元素であり、
前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｇａから選ばれる元素であることを特徴とする低Ｂの希土類磁石。」
〈相違点１２〉
　Ｃｕの含有量が、本件発明１は「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」であるのに対し、甲３発明は「０．１質量％」である点。
〈相違点１３〉
　本件発明１は「原料成分」が「不可避の不純物を含有し、」「前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され」るのに対し、甲３発明はその旨特定されていない点。
〈相違点１４〉
　Ｘが、本件発明１は「Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種類の元素であり、Ｘ元素の組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下」であるのに対し、甲３発明ではその旨特定されていない点。
〈相違点１５〉
　本件発明１は「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」のに対し、甲３発明はその旨特定されていない点。 
（イ）判断
　事案に鑑み、相違点１２及び相違点１５について検討する。
　上記「（２）ア（イ）」に記載したように、甲第４ないし６号証のいずれにも、Ｃｕの含有量を０．６〜０．８ａｔ％とすること、希土類磁石の粒界に「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」ことは記載されていない。
　そして、本件発明１は、Ｃｕと適量のＣｏを複合添加することにより、粒界に三種のＣｕリッチ相を形成し、磁石の角形比や耐熱性への改善効果を得る（本件明細書の段落【０００４】、【００４５】参照）ものである。
　したがって、甲第３号証及び甲第４ないし６号証に記載された発明に基づいて、本件発明１の上記相違点１２及び相違点１５に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　よって、相違点１３及び１４について検討するまでもなく、請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
 イ　本件発明２、４ないし８について
　本件発明１の構成を全て含み、更に他の構成を含んだ本件発明２、４ないし８は、本件発明１と同様に甲第３号証及び甲第４ないし６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、請求項２、４ないし８に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
ウ　本件発明９について
　本件発明９と甲第３号証に記載された発明（引用発明５）との一致点及び相違点は、「第４」の「３（１）ウ（ア）」に記載したとおりである。
　事案に鑑み、相違点４及び７について検討する。
　上記「（２）ア（イ）」で検討したとおり、甲第４ないし６号証のいずれにも、Ｃｕの含有量を０．６〜０．８ａｔ％とすること、希土類磁石の粒界に「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」ことは記載されていない。
　したがって、甲第５号証に加え甲第４号証、甲第６号証の記載を考慮しても、甲第３号証及び甲第４ないし６号証に記載された発明に基づいて、本件発明９の上記相違点４及び７に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　よって、相違点５及び６について検討するまでもなく、請求項９に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
　また、本件発明９の構成を全て含み、更に他の構成を含んだ本件発明１０ないし１２は、本件発明９と同様に甲第３号証及び甲第４ないし６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、請求項１０ないし１２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
（５）甲第７号証に基づく進歩性について
ア　本件発明１について
（ア）対比
　本件発明１と甲７発明とを対比する
ａ　甲７発明の「Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ型結晶相を主相とした希土類焼結磁石」は、本件発明１の「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石」に相当する。
ｂ　甲７発明の合金が「Ｎｄが１２．５原子％、Ｐｒが２原子％」を有することは希土類の合計が１４．５原子％であるから、本件発明１の「原料成分」が「Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％」に含まれ、「前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素」であることに相当する。
ｃ　甲７発明の合金が「Ｂが５．５原子％」を有することは、本件発明１の「原料成分」が「Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％」に含まれる。
ｄ　本件発明１と甲７発明とは「原料成分」が「Ｃｕ」を含有する点では共通するものの、本件発明１のＣｕの含有量が「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」であるのに対し、甲７発明は「０．４原子％」である点で相違する。
ｅ　本件発明１の「原料合金」が「Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％」であるのに対し、甲７発明にはその旨特定されていない点で相違する。
ｆ　甲７発明の合金が「Ｆｅが残部からなる」ことは、本件発明１の「原料成分」が「残量のＴ」「を含有し、」「前記Ｔは主にＦｅを含む元素であること」に相当する。
ｇ　本件発明１の「原料成分」が「不可避の不純物とを含有し、」「前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され」るのに対し、甲７発明にはその旨特定されていない点で相違する。
ｈ　本件発明１と甲７発明とは「原料成分」が「前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ」「から選ばれる」「元素」である点で共通するものの、本件発明１の「Ｘ」は「Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種類の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下」であるのに対し、甲７発明ではその旨特定されていない点で相違する。
ｉ　本件発明１は「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」のに対し、甲７発明はその旨特定されていない点で相違する。 
ｊ　甲７発明の合金は「Ｂが５．５原子％」であり、本件発明１の「原料成分」の「Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％」に含まれるから、甲７発明の「Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石」は、本件発明１の「低Ｂの希土類磁石」に相当する。
ｋ　したがって、両者は以下の一致点と相違点とを有する。
〈一致点〉
「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：
　Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％、
　Ｂ：５．２ａｔ％〜５．６ａｔ％、
　Ｃｕ、及び
　残量のＴを含有し、
　前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素であり、
　前記Ｔは主にＦｅを含む元素であり、
前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉから選ばれる元素であることを特徴とする低Ｂの希土類磁石。」
〈相違点１６〉
　Ｃｕの含有量が、本件発明１は「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」であるのに対し、甲７発明は「０．４原子％」である点。
〈相違点１７〉
　本件発明１の「原料合金」が「Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％」であるのに対し、甲７発明にはその旨特定されていない点。
〈相違点１８〉
　本件発明１の「原料成分」が「不可避の不純物とを含有し、」「前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され」るのに対し、甲７発明にはその旨特定されていない点。
〈相違点１９〉
　Ｘが、本件発明１は「Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種類の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下」であるのに対し、甲７発明ではその旨特定されていない点。
〈相違点２０〉
　本件発明１は「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」のに対し、引用発明１はその旨特定されていない点。 
（イ）判断
　事案に鑑み、相違点１６及び相違点１９について検討する。
　上記「（２）ア（イ）」に記載したように、甲第４及び６号証のいずれにも、Ｃｕの含有量を０．６〜０．８ａｔ％とすること、希土類磁石の粒界に「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」ことは記載されていない。
　そして、本件発明１は、Ｃｕと適量のＣｏを複合添加することにより、粒界に三種のＣｕリッチ相を形成し、磁石の角形比や耐熱性への改善効果を得る（本件明細書の段落【０００４】、【００４５】参照）ものである。
　したがって、甲第７号証及び甲第４、６号証に記載された発明に基づいて、本件発明１の上記相違点１６及び相違点１９に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　よって、相違点１７、１８及び２０について検討するまでもなく、請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
 イ　本件発明２、４ないし８について
　本件発明１の構成を全て含み、更に他の構成を含んだ本件発明２、４ないし８は、本件発明１と同様に甲第７号証及び甲第４、６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、請求項２、４ないし８に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
ウ　本件発明９について
（ア）対比
　本件発明９と甲７発明とを対比する
ａ　甲７発明の「Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ型結晶相を主相とした希土類焼結磁石」は、本件発明９の「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石」に相当する。
ｂ　甲７発明の合金が「Ｎｄが１２．５原子％、Ｐｒが２原子％」を有することは希土類原料の合計が１４．５原子％であるから、本件発明９の「原料成分」が「Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％」に含まれ、「前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素」であることに相当する。
ｃ　甲７発明の合金が「Ｂが５．５原子％」を有することは、本件発明９の「原料成分」が「Ｂ：５．２ａｔ％〜５．８ａｔ％」に含まれる。
ｄ　本件発明９と甲７発明とは「原料成分」が「Ｃｕ」を含有する点では共通するものの、本件発明９のＣｕの含有量が「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」であるのに対し、甲７発明は「０．４原子％」である点で相違する。
ｅ　本件発明９の「原料成分」が「Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％」であるのに対し、甲７発明はその旨特定されていない点で相違する。
ｆ　甲７発明の合金が「Ｆｅが残部からなる」ことは、本件発明９の「原料成分」が「残量のＴ」「を含有し、」「前記Ｔは主にＦｅを含む元素であること」に相当する。
ｇ　本件発明９は「原料成分」が「不可避の不純物を含有し、」「前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され」るのに対し、甲７発明はその旨特定されていない点で相違する。
ｈ　本件発明９と甲７発明とは「原料成分」が「前記Ｔは更にＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ」「から選ばれる」「元素」である点で共通するものの、本件発明９の「Ｘ」は「Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種類の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下」であるのに対し、甲７発明ではその旨特定されていない点で相違する。
ｉ　本件発明９は「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相」であるのに対し、甲７発明はその旨特定されていない点で相違する。
ｊ　甲７発明の「Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ型結晶相を主相とした希土類焼結磁石」が「酸化テルビウム粉末の混濁液に磁石体を浸漬し、酸化テルビウムにより覆われた磁石体に対しＡｒ雰囲気中で粒界拡散処理を施して得た」ものであることは、本件発明９の「前記希土類磁石は、粒界にＲＨが拡散した」ことに相当する。
ｋ　甲７発明の合金は「Ｂが５．５原子％」であり、本件発明９の「原料成分」の「Ｂ：５．２ａｔ％〜５．８ａｔ％」に含まれるから、引用発明５の「Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ型結晶相を主相とした希土類焼結磁石」は、本件発明９の「低Ｂの希土類磁石」に相当する。
ｌ　したがって、両者は以下の一致点と相違点とを有する。
〈一致点〉
「Ｒ2Ｔ14Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：
　Ｒ：１３．５ａｔ％〜１４．５ａｔ％、
　Ｂ：５．２ａｔ％〜５．８ａｔ％、
　Ｃｕ、
　及び残量のＴを含有し、
　前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素であり、
　前記Ｔは主にＦｅを含む元素であり、且つ、
　前記Ｔは更にＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉから選ばれる元素であり、
　前記希土類磁石は、粒界にＲＨが拡散したことを特徴とする低Ｂの希土類磁石。」
〈相違点２１〉
　Ｃｕの含有量が、本件発明９は「０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」であるのに対し、甲７発明は「０．４原子％」である点。
〈相違点２２〉
　本件発明９の「原料成分」が「Ｃｏ：０．３ａｔ％〜３ａｔ％」であるのに対し、甲７発明はその旨特定されていない点。
〈相違点２３〉
　本願発明９は「原料成分」が「不可避の不純物を含有し、」「前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され」るのに対し、甲７発明はその旨特定されていない点。
〈相違点２４〉
　Ｘが、本件発明９は「Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種類の元素であり、Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下」であるのに対し、甲７発明ではその旨特定されていない点。
〈相違点２５〉
　本件発明９は「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相」であるのに対し、引用発明５はその旨特定されていない点。 
（イ）判断
　事案に鑑み、相違点２１及び相違点２４について検討する。
　上記「（２）ア（イ）」に記載したように、甲第４及び６号証のいずれにも、Ｃｕの含有量を０．６〜０．８ａｔ％とすること、希土類磁石の粒界に「高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」ことは記載されていない。
　そして、本件発明９は、Ｃｕと適量のＣｏを複合添加することにより、粒界に三種のＣｕリッチ相を形成し、磁石の角形比や耐熱性への改善効果を得る（本件明細書の段落【０００４】、【００４５】参照）ものである。
　したがって、甲第７号証及び甲第４、６号証に記載された発明に基づいて、本件発明９の上記相違点２１及び相違点２４に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　よって、相違点２２、２３及び２５について検討するまでもなく、請求項９に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
エ　本件発明１０ないし１２について
　本件発明９の構成を全て含み、更に他の構成を含んだ本件発明１０ないし１２は、本件発明９と同様に甲第７号証及び甲第４、６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、請求項１０ないし１２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
３　申立理由２（サポート要件）について
　特許異議申立人は特許異議申立書において、
（１）「低酸素磁石でなければ本発明の効果が得られないことを、出願人自らが、明確に開示している。しかしながら、本件特許発明の請求項１及び請求項９には酸素含有量を特定し得る規定は、一切存在しない。」（第３３頁第１３−１５行）、
（２）「本特許における角形比や耐熱性への改善効果は、粒界に三種のＣｕリッチ相を形成することで得られるということが明確に開示されている。しかしながら、一般に、希土類焼結磁石の技術分野では、特定の組成を有するからといって必ず特定の相が析出するわけではなく、主に熱処理等の製造過程の条件を適切に制御することによって、磁石中の析出相のコントロールを行っている。このような技術常識にもかかわらず、本特許の請求項１や請求項９においてはその組成のみが規定されているだけであり、本件特許発明の効果を得るための要件が十分に記載されているとすることはできない。」（第３４頁第７−１４行）、
（３）「実施例５は、そもそも本件特許の請求項１で規定している重要な要件を満たさないものであり、請求項２及び請求項６の発明は明細書（発明の詳細な説明）の記載により十分にサポートされていない。」（第３５頁第１３−１５行）と主張している。
（４）上記主張について検討する。
　本件訂正により、請求項１及び請求項９は「前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１ａｔ％以下に制御され、」「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」ものとなった。
　したがって、特許異議申立人の上記（１）、（２）の主張は採用できない。
　また、全ての実施例が有する構成を請求項に記載される必要はなく、実施例２、実施例４、実施例６にはＡｌ、Ｓｉ等から選ばれる少なくとも三種の元素を０．３ａｔ％〜１．０ａｔ％含有させた例が記載されているから、請求項１、２、６に係る発明は、発明の詳細な説明の記載によりサポートされている。よって、特許異議申立人の上記（３）の主張は採用できない。
４　申立理由３（明確性）について
　特許異議申立人は特許異議申立書において、
（１）「本願特許明細書の請求項３、請求項４、請求項８、請求項９、請求項１１には、『高Ｃｕ相結晶』、『中Ｃｕ相結晶』、『低Ｃｕ相結晶』との文言が記載されており、これら三種のＣｕ相結晶が粒界相に形成される旨が記載されている。これら請求項に記載の磁石には、当然Ｃｕを含む相は無数に存在するが、それらの相においてどの程度が『高』で、どの程度が『低』であるのかについて、いずれの請求項にも（発明の詳細な説明）にも一切説明されておらず、勿論本件技術分野における技術常識に照らしても一義的には定まらない。そのため、この記載における高〜低Ｃｕ相結晶というものが何を示しているのか特定できない。」（第３５頁第２０−２７行）、
（２）「請求項２，１０では、『前記Ｔはさらに（更に）Ｘを含み』と規定され、Ｘ元素の含有が必須の要件とされているにもかかわらず、いずれの請求項でもＸの含有量が０ａｔ％の場合を含む記載にとなっている。このため、この請求項２及び請求項１０の記載は不明確である。」（第３６頁第２３−２６行）と主張している。
（３）上記主張について検討する。
　請求項１及び請求項９は「前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ2系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ6Ｔ13Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ5系相である」との構成を有するものである。
　そして、当該構成より、「高Ｃｕ相結晶」は分子組成が「ＲＴ2系相」で「中Ｃｕ相結晶」や「低Ｃｕ相結晶」よりＣｕ含有量が多い結晶であること、「中Ｃｕ相結晶」は分子組成が「Ｒ6Ｔ13Ｘ系相」で「低Ｃｕ相結晶」よりＣｕ含有量が多い結晶であること、「低Ｃｕ相結晶」は分子組成は「ＲＴ5系相」で「高Ｃｕ相結晶」や「中Ｃｕ相結晶」よりＣｕ含有量が少ない結晶であることが明らかであるから、磁石にＣｕを含む結晶相が多数存在し得るとしても、結晶の分子組成及びＣｕ含有量の相対的な高低より各結晶相は特定可能であり、高〜低Ｃｕ相結晶が何を示しているのか特定できないとはいえない。
　また、本件訂正により、訂正前の請求項２、１０の「Ｘ」に関する構成を含む請求項１、９は「Ｘ元素の総組成は０ａｔ％よりも多く１．０ａｔ％以下」と０ａｔ％の場合を含まないものとなった。
　したがって、特許異議申立人の上記（１）、（２）の主張は採用できない。
５　特許異議申立人の意見書での主張について
（１）取消理由１（進歩性）について
　特許異議申立人は令和２年２月１３日の意見書において、「引用文献１の【００３６】には永久磁石用合金材料に含まれる金属粉末としてＣｕが例示されている共に、【００３７】にはこの金属粉末の好ましい含有量として０．００２質量％〜９質量％、より好ましい含有量として０．０２質量％〜６質量％、更に好ましい含有量として０．６質量％〜６質量％が記載されている。つまり、引用文献１には、本件特許発明におけるＣｕ含有量０．３〜０．８ａｔ％を満足させることが可能であると考えられる十分に広い範囲のＣｕ添加量が記載されている。」（第７頁第１６−２１行）と主張している。
　しかしながら、引用文献１の上記記載は、永久磁石用合金材料に含まれるＣｕのａｔ％を特定し得るものではない。
　また、引用文献１の上記記載は、多数の元素を列挙し０．００２質量％〜９質量％という広い範囲を規定したものであり、上記記載に基づいて、特定のＣｕ含有量に限定された本件発明１及び本件発明９の「原料成分」が「Ｃｕ：０．６ａｔ％〜０．８ａｔ％」である構成が容易であるとはいえない。
　よって、特許異議申立人の主張は採用できない。
（２）取消理由３（明確性）について
　特許異議申立人は令和２年２月１３日の意見書において、「ＲＴ２、Ｒ６Ｔ１３Ｘ、ＲＴ５の組成が特定されても、各相結晶におけるＣｕ含有量は依然として不明である。よって、この『高』、『中』、『低』がそれぞれ如何なる範囲を表しているのか、依然として不明である。」（第２０頁第４−６行）、「『ＸはＴに包含されている』にもかかわらず、」「中Ｃｕ相結晶の分子組成は『Ｒ６Ｔ１３Ｘ』とされており、この中Ｃｕ相結晶の分子組成における『Ｔ』と『Ｘ』との関係が不明である。」（第２０頁第１２−１４行）と主張している。
　しかしながら、各相結晶におけるＣｕの具体的な含有量が如何なる範囲であるのか特定されていないとしても、「高」、「中」、「低」により、Ｃｕ含有量の相対的な高低の関係は明らかである。
　そして、上記「第５」の「４（３）」で述べたように、高〜低Ｃｕ相結晶が何を示しているのか特定できないとはいえない。
　したがって、特許異議申立人の主張は採用できない。
　また、「中Ｃｕ相結晶」の分子組成における「Ｔ」と「Ｘ」との関係が不明であるとの主張は、特許異議申立書に記載された申立理由とも、本件訂正により生じた取消理由であるとも認められず、特許異議申立人の上記「（２）」の主張は採用できない。
第６　むすび
　以上のとおり、請求項１、２、４ないし１２に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由又は特許異議申立書に記載した異議申立理由によっては取り消すことはできない。さらに、他に請求項１、２、４ないし１２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　また、請求項３に係る特許は、上記のとおり訂正により削除された。これにより、特許異議申立人宇佐川ゆり子による特許異議の申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１で準用する同法第１３５条の規定により却下する。
　よって、結論とのとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年１１月４日（２０２０．１１．４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　Ｒ２Ｔ１４Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：
　Ｒ：１３．５　ａｔ％〜１４．５　ａｔ％、
　Ｂ：５．２　ａｔ％〜５．６　ａｔ％、
　Ｃｕ：
０．６
　Ｃｏ：０．３　ａｔ％〜３　ａｔ％、及び
　残量のＴと不可避の不純物とを含有し、
　
前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１　ａｔ％以下に制御され、
　前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素であり、
　前記Ｔは主にＦｅを含む元素であり、
　
前記ＴはさらにＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、Ｘ元素の総組成は０　ａｔ％よりも多く１．０　ａｔ％以下であり、
　
前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、
　
前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ２系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ６Ｔ１３Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ５系相であ
　【請求項２】
　
前
、
　【請求項３】
（削除）
　【請求項４】
　
前
１又は２
　【請求項５】
　前記の希土類磁石は最大磁気エネルギー積が４３ＭＧＯｅを超えるＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石であることを特徴とする請求項４に記載の低Ｂの希土類磁石。
　【請求項６】
　ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、前記元素の総組成は０．３　ａｔ％〜１．０　ａｔ％であることを特徴とする請求項５に記載の低Ｂの希土類磁石。
　【請求項７】
　前記Ｒ中、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｇｄ又はＴｂの含有量は１　ａｔ％以下であることを特徴とする請求項６に記載の低Ｂの希土類磁石。
　【請求項８】
　希土類磁石成分の溶融液を希土類磁石用合金に製造する工程と、
　前記希土類磁石用合金を粗粉砕してから微粉砕し、微粉に調製する工程と、
　前記微粉を磁場成形法で成形体に製造し、且つ真空又は不活性ガス中、９００℃〜１１００℃の温度で前記成形体を焼結し、粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させる工程とを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の低Ｂの希土類磁石を製造するための方法。
　【請求項９】
　Ｒ２Ｔ１４Ｂ主相を含む希土類磁石であって、下記の原料成分：
　Ｒ：１３．５　ａｔ％〜１４．５　ａｔ％、
　Ｂ：５．２　ａｔ％〜５．８　ａｔ％、
　Ｃｕ：
０．６
　Ｃｏ：０．３　ａｔ％〜３　ａｔ％、
　及び残量のＴと不可避の不純物を含有し、
　前記ＲはＮｄを含む少なくとも一種の希土類元素であり、
　
前記不可避の不純物において、Ｏの含有量が１　ａｔ％以下に制御され、
　前記Ｔは主にＦｅを含む元素であり、
　
前記Ｔは更にＸを含み、ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ又はＳから選ばれる少なくとも三種の元素であり、Ｘ元素の総組成は０　ａｔ％よりも多く１．０　ａｔ％以下であり、
　前記希土類磁石の粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させ、
　
前記高Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ２系相、前記中Ｃｕ相結晶の分子組成はＲ６Ｔ１３Ｘ系相、前記低Ｃｕ相結晶の分子組成はＲＴ５系相であり、
　前記希土類磁石は、粒界にＲＨが拡散したことを特徴とする低Ｂの希土類磁石。
　【請求項１０】
　前記ＲＨはＤｙ、Ｈｏ又はＴｂから選ばれる少なくとも一種であり
、
、
　【請求項１１】
　前記希土類磁石成分の溶融液を希土類磁石用合金に製造する工程と、
　前記希土類磁石用合金を粗粉砕してから微粉砕し、微粉に調製する工程と、
　前記微粉を磁場成形法で成形体に製造し、且つ真空又は不活性ガス中、９００℃〜１１００℃の温度で前記成形体を焼結し、粒界に高Ｃｕ相結晶、中Ｃｕ相結晶と低Ｃｕ相結晶を形成させる工程と、
　７００℃〜１０５０℃の温度でＲＨ粒界拡散処理する工程とを含むことを特徴とする請求項９に記載の低Ｂの希土類磁石を製造するための方法。
　【請求項１２】
　更に時効処理の工程、即ち、前記ＲＨ粒界拡散処理後の磁石を４００℃〜６５０℃の温度で時効処理する工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。