【事件の表示】
　特許第６５９１４５５号発明「高熱伝導性窒化珪素焼結体、それを用いた窒化珪素基板および窒化珪素回路基板並びに半導体装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６５９１４５５号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１９〕について訂正することを認める。
　特許第６５９１４５５号の請求項２〜１９に係る特許を維持する。
　特許第６５９１４５５号の請求項１に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６５９１４５５号の請求項１〜１９に係る特許についての出願は、２０１６年（平成２８年）１月１９日（優先権主張　平成２７年１月２３日）を国際出願日とする出願であって、令和１年９月２７日にその特許権の設定登録がされ、同年１０月１６日に特許掲載公報が発行された。
　本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
　　令和２年　４月１６日　　：　特許異議申立人　佐藤徹による請求項１〜１９に係る特許に対する特許異議の申立て
　　令和２年　６月　９日付け：　取消理由通知書
　　　　同年　８月　７日　　：　訂正の請求（特許権者）
　なお、上記のとおり訂正の請求があったので、特許法第１２０条の５第５項の規定に従い、特許異議申立人に意見書を提出する機会を与えたが、応答はなかった。
第２　訂正の適否についての判断
　令和２年８月７日になされた訂正の請求（以下、その訂正を「本件訂正」という。）は、以下のとおり、適法になされたものと判断する。
１　訂正の内容
　本件訂正は、一群の請求項を構成する請求項１〜１９を訂正の単位として請求されたものであり、特許法第１２０条の５第４項の規定に従うものであるところ、その訂正の内容（訂正事項）は、次のとおりである。
（１）　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１を削除する。
（２）　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２に「前記Ｉ２９．３°およびＩ２９．７°は希土類元素−ハフニウム−酸素系化合物結晶に応じたピークであり、前記Ｉ２７．０°およびＩ３６．１°はβ−Ｓｉ３Ｎ４結晶に応じたピークであることを特徴とする請求項１記載の高熱伝導性窒化珪素焼結体。」とあるのを、独立形式に改め、「
熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上である高熱伝導性窒化珪素焼結体において、窒化珪素焼結体の任意の断面をＸＲＤ分析したときに、回折角２９．３±０．２°、２９．７±０．２°、２７．０±０．２°、３６．１±０．２°で検出される最強ピーク強度をＩ２９．３°、Ｉ２９．７°、Ｉ２７．０°、Ｉ３６．１°としたときに、ピーク比（Ｉ２９．３°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０１〜０．０８を満たし、かつ、ピーク比（Ｉ２９．７°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０２〜０．１６を満たし、
高
（３）　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項４における引用請求項を「請求項１ないし請求項３のいずれか１項」から「請求項
２
（４）　訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項５における引用請求項を「請求項１ないし請求項４のいずれか１項」から「請求項
２
（５）　訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項７における引用請求項を「請求項１ないし請求項６のいずれか１項」から「請求項
２
（６）　訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項８における引用請求項を「請求項１ないし請求項７のいずれか１項」から「請求項
２
（７）　訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項９における引用請求項を「請求項１ないし請求項８のいずれか１項」から「請求項
２
（８）　訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項１０における引用請求項を「請求項１ないし請求項９のいずれか１項」から「請求項
２
（９）　訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項１１における引用請求項を「請求項１ないし請求項１０のいずれか１項」から「請求項
２
（１０）　訂正事項１０
　特許請求の範囲の請求項１２における引用請求項を「請求項１ないし請求項１１のいずれか１項」から「請求項
２
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）　訂正事項１について
　訂正事項１は、本件訂正前の請求項１を削除するというものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）　訂正事項２について
　訂正事項２は、本件訂正前の請求項２が請求項１の記載を引用する記載であるところ、請求項１の記載を引用しないものとして、独立形式へ改める訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものであり、また、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）訂正事項３〜１０について
　訂正事項３〜１０は、訂正事項１により削除した請求項１を引用しないように、引用請求項の中から請求項１を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
３　小括
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものに該当し、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　よって、本件特許の願書に添付した特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、本件訂正後の請求項〔１〜１９〕について訂正することを認める。
第３　本件訂正後の本件発明
　上記「第２」のとおり本件訂正は適法になされたものと認められるので、本件特許請求の範囲の請求項２〜１９に係る発明（以下、「本件発明２」などといい、まとめて「本件発明」ということがある。）は、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲の請求項２〜１９に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　「【請求項２】
熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上である高熱伝導性窒化珪素焼結体において、窒化珪素焼結体の任意の断面をＸＲＤ分析したときに、回折角２９．３±０．２°、２９．７±０．２°、２７．０±０．２°、３６．１±０．２°で検出される最強ピーク強度をＩ２９．３°、Ｉ２９．７°、Ｉ２７．０°、Ｉ３６．１°としたときに、ピーク比（Ｉ２９．３°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０１〜０．０８を満たし、かつ、ピーク比（Ｉ２９．７°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０２〜０．１６を満たし、前記Ｉ２９．３°およびＩ２９．７°は希土類元素−ハフニウム−酸素系化合物結晶に応じたピークであり、前記Ｉ２７．０°およびＩ３６．１°はβ−Ｓｉ３Ｎ４結晶に応じたピークであることを特徴とする
高
【請求項３】
前記希土類元素−ハフニウム−酸素系化合物結晶は、構成元素は同じで組成比が異なる化合物結晶を２種以上含有することを特徴とする請求項２に記載の高熱伝導性窒化珪素焼結体。
【請求項４】
前記ピーク比（Ｉ２９．３°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）と前記ピーク比（Ｉ２９．７°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）との和が０．０３〜０．２０を満たすことを特徴とする請求項２ないし請求項３のいずれか１項に記載の高熱伝導性窒化珪素焼結体。
【請求項５】
３４．８±０．２°に検出される最強ピーク強度をＩ３４．８°としたとき、ピーク比（Ｉ３４．８°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０２以下（ゼロ含む）であることを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれか１項に記載の高熱伝導性窒化珪素焼結体。
【請求項６】
前記Ｉ２９．３°およびＩ２９．７°は希土類元素−ハフニウム−酸素系化合物結晶に応じたピークであり、前記希土類元素−ハフニウム−酸素系化合物結晶は、Y1.6Hf0.3O3結晶、Y 0.5Hf0.5O1.75結晶、Y0.1Hf0.9O1.95結晶から選択される２種以上を含有することを特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれか１項に記載の高熱伝導性窒化珪素焼結体。
【請求項７】
イットリウムを含有していることを特徴とする請求項２ないし請求項６のいずれか１項に記載の高熱伝導性窒化珪素焼結体。
【請求項８】
前記窒化珪素焼結体の任意の断面で、粒界相の最大径が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項２ないし請求項７のいずれか１項に記載の高熱伝導性窒化珪素焼結体。
【請求項９】
窒化珪素結晶粒子の長径の平均粒径が１〜１０μｍであることを特徴とする請求項２ないし請求項８のいずれか１項に記載の高熱伝導性窒化珪素焼結体。
【請求項１０】
焼結体の気孔率が３％以下（ゼロ含む）であることを特徴とする請求項２ないし請求項９のいずれか１項に記載の高熱伝導性窒化珪素焼結体。
【請求項１１】
５０Ｈｚでの比誘電率をεｒ５０、１ｋＨｚでの比誘電率をεｒ１０００としたとき、（εｒ５０−εｒ１０００）／εｒ５０≦０．１であることを特徴とする請求項２ないし請求項１０のいずれか１項に記載の高熱伝導性窒化珪素焼結体。
【請求項１２】
請求項２ないし請求項１１のいずれか１項に記載の高熱伝導性窒化珪素焼結体から成ることを特徴とする窒化珪素基板。
【請求項１３】
前記窒化珪素基板の厚さが０．１０ｍｍ以上０．７０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１２記載の窒化珪素基板。
【請求項１４】
前記窒化珪素基板の厚さが０．１０ｍｍ以上０．３０ｍｍ未満であることを特徴とする請求項１３記載の窒化珪素基板。
【請求項１５】
前記高熱伝導性窒化珪素焼結体中の窒化珪素結晶粒子の長径の最大径は、前記窒化珪素基板の厚さの２０％以下であることを特徴とする請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項に記載の窒化珪素基板。
【請求項１６】
請求項１２ないし請求項１５のいずれか１項に記載の窒化珪素基板に金属板を接合したことを特徴とする窒化珪素回路基板。
【請求項１７】
前記窒化珪素基板の少なくとも一方の表面に複数個の金属板を接合したことを特徴とする請求項１６記載の窒化珪素回路基板。
【請求項１８】
少なくとも一つの金属板の厚さは０．７０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１６または請求項１７のいずれか１項に記載の窒化珪素回路基板。
【請求項１９】
請求項１６ないし請求項１８のいずれか１項に記載の窒化珪素回路基板に半導体素子を搭載したことを特徴とする半導体装置。」
第４　取消理由通知に記載した取消理由について
１　取消理由の概要
　当審が令和２年６月９日付けで特許権者に通知した取消理由は、本件訂正前の請求項１、４、５、７〜１９に係る発明に対するものであって、その要旨は次のとおりである。
（１）　（サポート要件違反）本件明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件出願時の技術常識に基づいて、当業者が本件発明の課題を解決することができると認識できる範囲は、窒化珪素焼結体が「希土類−ハフニウム−酸素系化合物結晶」に応じた所定のピーク強度を有する場合であるといえるから、この点を限定しない本件訂正前の請求項１、４、５、７〜１９に係る発明は、上記範囲を超えるものである。
（２）　（明確性要件違反）本件訂正前の請求項１、４、５、７〜１９に係る発明の発明特定事項により、高熱伝導性窒化珪素焼結体が、希土類元素−ハフニウム−酸素系化合物結晶を含むことを限定しているのか否かが不明であり、それらの発明を正確に把握することができない。
２　取消理由１（サポート要件違反）及び２（明確性要件違反）についての当審の判断
　本件発明２〜１９は、上記取消理由１及び２の対象外である本件訂正前の請求項２に係る発明の全ての発明特定事項（「前記Ｉ２９．３°およびＩ２９．７°は希土類元素−ハフニウム−酸素系化合物結晶に応じたピークであり、前記Ｉ２７．０°およびＩ３６．１°はβ−Ｓｉ３Ｎ４結晶に応じたピークである」という発明特定事項）を具備するものであるので、本件発明２〜１９に対して、上記取消理由１及び２は妥当しない。
　したがって、当該取消理由１及び２を理由に、本件請求項２〜１９に係る特許を取り消すことはできない。
第５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
１　標記特許異議申立理由の概要
　特許異議申立人が、特許異議申立書において主張する特許異議申立理由のうち、当審が上記取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由の要旨は、次のとおりである。
（１）　（委任省令要件違反）本件訂正前の請求項１〜１９に係る特許は、発明の詳細な説明の記載が、経済産業省令で定めるところにより記載したものではなく、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、特許法第１１３条第４号に該当するから、取り消されるべきものである（以下、「申立理由１」という。）。
（２）　（実施可能要件違反）本件訂正前の請求項１〜１９に係る特許は、発明の詳細な説明の記載が、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではなく、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、特許法第１１３条第４号に該当するから、取り消されるべきものである（以下、「申立理由２」という。）。
（３）　（サポート要件違反）本件訂正前の請求項１〜１９に係る特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、特許法第１１３条第４号に該当するから、取り消されるべきものである（以下、「申立理由３」という。）。
２　申立理由１（委任省令要件違反）についての当審の判断
（１）　申立理由１（委任省令要件違反）についての具体的な指摘事項は、要するに、本件発明は特定のＸＲＤピーク比を特定の範囲とすることで、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上である高熱伝導性窒化珪素焼結体を得て、「強度と絶縁耐圧性とを共に向上させた窒化珪素焼結体を提供する」（本件明細書の段落【０００４】参照。）という本件発明の課題を解決するものと認められるが、一方で、３点曲げ強度及びＸＲＤピーク比が本件発明の範囲外である比較例１及び２においても、「比較例１〜２は、熱伝導率や３点曲げ強度は優れていた」（同段落【００４７】参照。）とされ、比較例２においては２０ｋＶ／ｍｍという実施例１０と同等の絶縁耐圧を有しており（同【表６】参照。）、そうすると、上記特定のＸＲＤピーク比を特定の範囲とすることと、上記課題解決に至る熱伝導率、３点曲げ強度及び絶縁耐圧性との技術的な関係が不明であり、当業者が上記課題解決のための手段を理解することができないというものである。
　
（２）　当該申立理由１について検討すると、特許法第３６条第４項第１号所定の委任省令要件で、発明の詳細な説明に記載することが求められるのは、発明の属する技術分野、発明が解決しようとする課題及びその解決手段といった事項と解されるところ、本件明細書の発明の詳細な説明の記載によれば、まず、本件発明の属する技術分野は「高熱伝導性窒化珪素焼結体、それを用いた窒化珪素基板および窒化珪素回路基板並びに半導体装置」（【０００１】参照。）に関するものであり、本件発明の課題は上記（１）に記載のとおり、「強度」と「絶縁耐圧性」の向上にあることを理解することができる。
　そして、【表３】には、「特定のＸＲＤピーク比を特定の範囲」内とした実施例の３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上であるのに対し、「特定のＸＲＤピーク比を特定の範囲」外とした比較例の３点曲げ強度は６００ＭＰａ未満であることが示されていることから、特定のＸＲＤピーク比を特定の範囲とするという手段による「強度」向上作用を、また、【表６】及び【表８】には、「特定のＸＲＤピーク比を特定の範囲」内とした実施例は、「特定のＸＲＤピーク比を特定の範囲」外とした比較例に対して、絶縁耐圧が同等以上であり、かつ、ＴＣＴ試験後の絶縁耐圧の低下割合が低いことが示されていることから、特定のＸＲＤピーク比を特定の範囲とするという手段による「絶縁耐圧性」向上作用を、それぞれ看取することができるから、上記課題の解決手段についても理解することができる。
　したがって、本件明細書の発明の詳細な説明には、特許異議申立人が指摘するような委任省令要件違反に係る記載不備は見当たらないから、申立理由１を理由に、本件請求項２〜１９に係る特許を取り消すことはできない。
３　申立理由２（実施可能要件違反）についての当審の判断
（１）　申立理由２（実施可能要件違反）についての具体的な指摘事項は、要するに、本件明細書の実施例に記載の特定の構成元素、組成及び組成比を有する特定の焼結助剤粉末と、窒化珪素粉末とを焼結して得られた窒化珪素焼結体以外の窒化珪素焼結体においては、どのような構成元素、組成及び組成比を有する焼結助剤粉末を、窒化珪素粉末と共に、どのような焼結温度、焼結時間、及び焼結速度等の条件において焼結することで、本件発明の課題を解決できる窒化珪素焼結体が得られるのか理解できず、このような焼結体を得ることは、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を必要とするというものである。
（２）　当該申立理由２について検討すると、まず、「物の発明」について実施をすることができるとは、その物を作れ、かつ、その物を使用できることであるから、この観点から本件明細書の発明の詳細な説明の記載をみると、【００４１】〜【００５８】の実施例には、「熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上」であり、「３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上」であり、ピーク強度Ｉ２９．３°およびＩ２９．７°を示す希土類元素−ハフニウム−酸素系化合物結晶を有し、「ピーク比（Ｉ２９．３°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０１〜０．０８」を満たし、かつ、「ピーク比（Ｉ２９．７°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０２〜０．１６」を満たす本件発明に相当する窒化珪素焼結体の製造方法、及び、当該窒化珪素焼結体が、上記本件発明の課題を解決し、窒化珪素基板として使用できることが記載されているといえる。
　更に、焼結助剤として実施例以外の希土類元素を用いた場合についても、上記実施例における製造方法の記載及び希土類元素が類似の性質を有するという本件出願時の技術常識に基づいて、上記所定のピーク強度及び物性を有する本件発明の窒化珪素焼結体を製造し得ることを当業者であれば理解できるといえる。
　したがって、本件明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明を実施できる程度に明確かつ十分に説明されているといえるから、申立理由２を理由に、本件請求項２〜１９に係る特許を取り消すことはできない。
４　申立理由３（サポート要件違反）についての当審の判断
（１）　申立理由３（サポート要件違反）についての具体的な指摘事項は、要するに、本件明細書の発明の詳細な説明の記載から、上記本件発明の課題解決に至るものとして認識できるのは、実施例に記載された特定の化合物結晶を含む窒化珪素焼結体のみであり、それ以外の化合物結晶を含む本件発明全体にまでこれを拡張ないし一般化することはできないというものである。
（２）　当該申立理由３について検討すると、本件訂正後の本件発明は、当該化合物結晶として、希土類元素−ハフニウム−酸素系化合物結晶を有するものとなっているところ、当該希土類元素が実施例以外の元素である場合についても、希土類元素が類似の性質を有するという本件出願時の技術常識に照らせば、その特性を類推することができるから、当業者であれば、本件発明全体についても、当該実施例及び技術常識に基づいて、上記本件発明の課題解決に至るものであると認識し得ると解するのが相当である。
　したがって、上記の特許異議申立人の指摘は当たらず、申立理由３を理由に、本件請求項２〜１９に係る特許を取り消すことはできない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件特許の請求項２〜１９に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許の請求項２〜１９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　更に、本件特許の特許請求の範囲の請求項１は、本件訂正により削除され、当該請求項１に係る特許についての特許異議の申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年１１月２４日（２０２０．１１．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
（削除）
　【請求項２】
熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上である高熱伝導性窒化珪素焼結体において、窒化珪素焼結体の任意の断面をＸＲＤ分析したときに、回折角２９．３±０．２°、２９．７±０．２°、２７．０±０．２°、３６．１±０．２°で検出される最強ピーク強度をＩ２９．３°、Ｉ２９．７°、Ｉ２７．０°、Ｉ３６．１°としたときに、ピーク比（Ｉ２９．３°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０１〜０．０８を満たし、かつ、ピーク比（Ｉ２９．７°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０２〜０．１６を満たし、
高
　【請求項３】
前記希土類元素−ハフニウム−酸素系化合物結晶は、構成元素は同じで組成比が異なる化合物結晶を２種以上含有することを特徴とする請求項２に記載の高熱伝導性窒化珪素焼結体。
　【請求項４】
前記ピーク比（Ｉ２９．３°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）と前記ピーク比（Ｉ２９．７°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）との和が０．０３〜０．２０を満たすことを特徴とする請求項
２
　【請求項５】
３４．８±０．２°に検出される最強ピーク強度をＩ３４．８°としたとき、ピーク比（Ｉ３４．８°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０２以下（ゼロ含む）であることを特徴とする請求項
２
　【請求項６】
前記Ｉ２９．３°およびＩ２９．７°は希土類元素−ハフニウム−酸素系化合物結晶に応じたピークであり、前記希土類元素−ハフニウム−酸素系化合物結晶は、Ｙ１．６Ｈｆ０．３Ｏ３結晶、Ｙ０．５Ｈｆ０．５Ｏ１．７５結晶、Ｙ０．１Ｈｆ０．９Ｏ１．９５結晶から選択される２種以上を含有することを特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれか１項に記載の高熱伝導性窒化珪素焼結体。
　【請求項７】
イットリウムを含有していることを特徴とする請求項
２
　【請求項８】
前記窒化珪素焼結体の任意の断面で、粒界相の最大径が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項
２
　【請求項９】
窒化珪素結晶粒子の長径の平均粒径が１〜１０μｍであることを特徴とする請求項
２
　【請求項１０】
焼結体の気孔率が３％以下（ゼロ含む）であることを特徴とする請求項
２
　【請求項１１】
５０Ｈｚでの比誘電率をεｒ５０、１ｋＨｚでの比誘電率をεｒ１０００としたとき、（εｒ５０−εｒ１０００）／εｒ５０≦０．１であることを特徴とする請求項
２
　【請求項１２】
請求項
２
　【請求項１３】
前記窒化珪素基板の厚さが０．１０ｍｍ以上０．７０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１２記載の窒化珪素基板。
　【請求項１４】
前記窒化珪素基板の厚さが０．１０ｍｍ以上０．３０ｍｍ未満であることを特徴とする請求項１３記載の窒化珪素基板。
　【請求項１５】
前記高熱伝導性窒化珪素焼結体中の窒化珪素結晶粒子の長径の最大径は、前記窒化珪素基板の厚さの２０％以下であることを特徴とする請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項に記載の窒化珪素基板。
　【請求項１６】
請求項１２ないし請求項１５のいずれか１項に記載の窒化珪素基板に金属板を接合したことを特徴とする窒化珪素回路基板。
　【請求項１７】
前記窒化珪素基板の少なくとも一方の表面に複数個の金属板を接合したことを特徴とする請求項１６記載の窒化珪素回路基板。
　【請求項１８】
少なくとも一つの金属板の厚さは０．７０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１６または請求項１７のいずれか１項に記載の窒化珪素回路基板。
　【請求項１９】
請求項１６ないし請求項１８のいずれか１項に記載の窒化珪素回路基板に半導体素子を搭載したことを特徴とする半導体装置。