【事件の表示】
　特許第６６３８８２３号発明「半導体装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６６３８８２３号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−１３〕について」）訂正することを認める。
　特許第６６３８８２３号の請求項１、５ないし１３に係る特許を維持する。
　特許第６６３８８２３号の請求項２ないし４に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６６３８８２３号の請求項１ないし１３に係る発明についての出願は、平成２８年１０月２４日に出願されたものであって、令和２年１月７日にその特許権が設定登録され、令和２年１月２９日に特許掲載公報が発行された。その特許についての本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
　令和　２年　７月２８日　　：特許異議申立人　橋本　清（以下、「申立人」という。）により請求項１ないし１３に係る特許に対する特許異議の申立て
　令和　２年１０月２０日付け：取消理由通知
　令和　２年１２月１０日　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
　なお、令和３年１月６日付けで、特許権者により訂正の請求があった旨の通知をし申立人に意見を求めたが、申立人から応答はなかった。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の趣旨及び内容
　令和２年１２月１０日にされた訂正請求の趣旨は、特許第６６３８８２３号の明細書、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−１３〕について訂正することを求めるものであり、その訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は次のとおりである（下線は、訂正箇所を示す。）。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１の「少なくとも前記キャップ基板を覆うモールド樹脂と、を備えた半導体装置。」を「少なくとも前記キャップ基板を覆うモールド樹脂と、を備え
、前記基板上に、前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、前記中空部が、前記絶縁膜と前記キャップ基板との間に形成され、前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された
　請求項１を直接又は間接的に引用する請求項５ないし１３も同様に訂正する。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１の「前記基板上に形成された発熱部と、前記基板の上方に、前基板との間に中空部を持つように形成されたギャップ基板」を「前記基板上に形成された発熱部と、前記基板の上方に、前
記
　請求項１を直接又は間接的に引用する請求項５ないし１３も同様に訂正する。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項２を削除する。
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項３を削除する。
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項４を削除する。
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項５の「前記反射膜が、平面視で前記発熱部の中心の少なくとも６割の面積を覆うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。」を「前記反射膜が、平面視で前記発熱部の中心の少なくとも６割の面積を覆うことを特徴とする請求項
１
（７）訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項７の「前記反射膜の中波長赤外線に対する反射率が０．９以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。」を「前記反射膜の中波長赤外線に対する反射率が０．９以上であることを特徴とする請求項１
，５
（８）訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項９の「前記反射膜が金属で出来た層を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。」を「前記反射膜が金属で出来た層を含むことを特徴とする請求項１
，５
（９）訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項１１の「前記中空部が真空であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置。」を「前記中空部が真空であることを特徴とする請求項１
，５
（１０）訂正事項１０
　特許請求の範囲の請求項１２の「前記キャップ基板の熱伝導率が前記基板より低いことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置。」を「前記キャップ基板の熱伝導率が前記基板より低いことを特徴とする請求項１
，５
（１１）訂正事項１１
　特許請求の範囲の請求項１３の「前記基板がＳｉＣで出来ていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置。」を「前記基板がＳｉＣで出来ていることを特徴とする請求項１
，５
（１２）訂正事項１２
　明細書の段落【０００７】に「この発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された発熱部と、基板の上方に、基板との間に中空部を持つように形成されたキャップ基板と、発熱部の上方に、赤外線を反射する反射膜と、少なくとも前記キャップ基板を覆うモールド樹脂と、を備える。」と記載されているのを、「この発明の半導体装置は、基板と、
前記
前記
前記
前記
中波長
、前記基板上に、前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、前記中空部が、前記絶縁膜と前記ギャップ基板との間に形成され、前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された
２　訂正要件についての判断
（１）一群の請求項
　本件訂正前の請求項１ないし１３について、請求項２ないし１３は請求項１を直接又は間接的に引用しているから、本件訂正前の請求項１ないし１３に対応する本件訂正後の請求項１ないし１３は、特許法第１２０条の５第４項に規定する関係を有する一群の請求項である。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
ア　訂正事項１について
（ア）訂正の目的
　訂正事項１は、訂正前の請求項１に記載された「基板」、「発熱部」、「中空部」、「キャップ基板」、「反射膜」について、「前記基板上に、前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、前記中空部が、前記絶縁膜と前記キャップ基板との間に形成され、前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された」と限定するものである。
　よって、訂正事項１は、請求項１について、特許請求の範囲を減縮するものである。
　また、請求項１を直接又は間接的に引用する請求項５ないし１３も同様に、特許請求の範囲を減縮するものである。
　したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。
（イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　訂正前の請求項２には、「前記基板上に、前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、前記中空部が、前記絶縁膜と前記キャップ基板との間に形成され、前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された」と記載されている。また、明細書の段落【００１４】に「基板２の上には発熱部４を覆うように絶縁膜８が形成されている」と、段落【００１６】に「中空部１０は絶縁膜８、封止枠１８、キャップ基板３によって囲まれており、気密性が保たれている」と、段落【００１５】に「絶縁膜８の上には反射膜９が設けられている」と記載されており、明細書には、基板上に発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、中空部が絶縁膜とキャップ基板との間に形成され、反射膜が絶縁膜上に形成されることが記載されている。
　よって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
イ　訂正事項２について
（ア）訂正の目的
　訂正事項２は、訂正前の請求項１に記載されていた「前記基板上に形成された発熱部と、前記基板の上方に、前基板との間に中空部を持つように形成されたギャップ基板」を「前記基板上に形成された発熱部と、前記基板の上方に、前記基板との間に中空部を持つように形成されたギャップ基板」と訂正するものであり、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
（イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　明細書の段落【００１１】に「図１および図２に示すように、基板２の上に発熱部４が形成されている」と、段落【００１６】に「基板２とキャップ基板３の間には中空部１０があり、その高さは１０μｍ程度である」と記載されており、明細書には、キャップ基板３との間に中空部１０を形成する基板は発熱部４が形成された基板２であることが記載されている。
　よって、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
ウ　訂正事項３について
　訂正事項３は、請求項２を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９条で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
エ　訂正事項４について
　訂正事項４は、請求項３を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９条で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
オ　訂正事項５について
　訂正事項５は、請求項４を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９条で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
カ　訂正事項６について
　訂正事項６は、請求項５が引用する請求項の数を減少させるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、また、訂正事項３ないし５により削除された請求項２ないし４の引用を解消するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
　そして、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号および第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９条で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
キ　訂正事項７について
　訂正事項７は、請求項７が引用する請求項の数を減少させるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、また、訂正事項３ないし５により削除された請求項２ないし４の引用を解消するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
　そして、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号および第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９条で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
ク　訂正事項８について
　訂正事項８は、請求項９が引用する請求項の数を減少させるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、また、訂正事項３ないし５により削除された請求項２ないし４の引用を解消するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
　そして、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項８は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号および第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９条で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
ケ　訂正事項９について
　訂正事項９は、請求項１１が引用する請求項の数を減少させるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、また、訂正事項３ないし５により削除された請求項２ないし４の引用を解消するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
　そして、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項９は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号および第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９条で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
コ　訂正事項１０について
　訂正事項１０は、請求項１２が引用する請求項の数を減少させるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、また、訂正事項３ないし５により削除された請求項２ないし４の引用を解消するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
　そして、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項１０は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号および第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９条で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
サ　訂正事項１１について
　訂正事項１１は、請求項１３が引用する請求項の数を減少させるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、また、訂正事項３ないし５により削除された請求項２ないし４の引用を解消するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
　そして、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項１１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号および第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９条で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
シ　訂正事項１２について
（ア）訂正の目的
　訂正事項１２は、訂正前の明細書の段落【０００７】に記載されていた「この発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された発熱部と、基板の上方に、基板との間に中空部を持つように形成されたキャップ基板と、発熱部の上方に、赤外線を反射する反射膜と、少なくとも前記キャップ基板を覆うモールド樹脂と、を備える。」を「この発明の半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された発熱部と、前記基板の上方に、前記基板との間に中空部を持つように形成されたキャップ基板と、前記発熱部の上方に中波長赤外線を反射する反射膜と、少なくとも前記キャップ基板を覆うモールド樹脂と、を備え、前記基板上に、前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、前記中空部が、前記絶縁膜と前記ギャップ基板との間に形成され、前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された。」と訂正するものであり、上記訂正事項１及び２に係る訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と明細書の段落【０００７】の記載との整合を図るものであり、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　したがって、訂正事項１２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
（イ）新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　明細書の段落【００４７】に「すなわち、反射膜９の反射率を大きくすればよい。よって、中波長赤外線領域における反射率が０．９以上であるのが望ましい。」と記載されており、明細書には、反射膜は中波長赤外線を反射することが記載されている。
　また、明細書の段落【００１４】に「基板２の上には発熱部４を覆うように絶縁膜８が形成されている」と、段落【００１６】に「中空部１０は絶縁膜８、封止枠１８、キャップ基板３によって囲まれており、気密性が保たれている」と、段落【００１５】に「絶縁膜８の上には反射膜９が設けられている」と記載されており、明細書には、基板上に発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、中空部が絶縁膜とギャップ基板との間に形成され、反射膜が絶縁膜上に形成されることが記載されている。
　よって、訂正事項１２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項１２は、特許法第１２０条の５第第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
３　小括
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　よって、明細書及び特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−１３〕について訂正することを認める。
第３　本件発明
　上記「第２」のとおり本件訂正は認められるので、本件特許の請求項１ないし１３に係る発明（以下、「本件発明１ないし１３」という。）は、その訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された次の事項により特定されるものである。なお、訂正部分について、当審で下線を付与した。
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に形成された発熱部と、
　前記基板の上方に、前
記
　前記発熱部の上方に中波長赤外線を反射する反射膜と、
　少なくとも前記キャップ基板を覆うモールド樹脂と、
を備え
、
　前記基板上に、前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、前記中空部が、前記絶縁膜と前記キャップ基板との間に形成され、前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された
【請求項２】
（削除）
【請求項３】
（削除）
【請求項４】
（削除）
【請求項５】
　前記反射膜が、平面視で前記発熱部の中心の少なくとも６割の面積を覆うことを特徴とする請求項
１
【請求項６】
　前記反射膜が、平面視で前記発熱部の少なくとも全面を覆うことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
　前記反射膜の中波長赤外線に対する反射率が０．９以上であることを特徴とする請求項１
，５
【請求項８】
　前記反射膜の、波長範囲が５．１〜７．８μｍの赤外線に対する反射率が０．９以上であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
　前記反射膜が金属で出来た層を含むことを特徴とする請求項１
，５
【請求項１０】
　前記反射膜が、Ａｌ、黄銅、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｐｄのいずれかの金属で出来た層を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
　前記中空部が真空であることを特徴とする請求項１
，５
【請求項１２】
　前記キャップ基板の熱伝導率が前記基板より低いことを特徴とする請求項１
，５
【請求項１３】
　前記基板がＳｉＣで出来ていることを特徴とする請求項１
，５
第４　取消理由通知に記載した取消理由について
１　取消理由の概要
　当審が令和２年１０月２０日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（１）取消理由１（新規性について）
ア　引用文献１に記載された発明に基づく新規性について
　請求項３ないし１３に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された引用文献１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項３ないし１３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。
イ　引用文献２に記載された発明に基づく新規性について
　請求項３、５ないし１１に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された引用文献２に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項３、５ないし１１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。
（２）取消理由２（進歩性について）
ア　引用文献１に記載された発明に基づく進歩性について
　請求項１に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された引用文献１に記載された発明及び引用文献３ないし５に記載された周知技術に基づいて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
イ　引用文献２に記載された発明に基づく進歩性について
　請求項１に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された引用文献２に記載された発明及び引用文献３ないし５に記載された周知技術に基づいて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（３）引用文献一覧
　引用文献１：特開２０１６−１４３７８２号公報（甲第１号証）
　引用文献２：特開２０１６−１６７６５９号公報（甲第２号証）
　引用文献３：実願昭６３−４０７８３号（実開平１−１４５１３３号）のマイクロフィルム（甲第３号証）
　引用文献４：特開２００６−２３７４０５号公報（甲第４号証）
　引用文献５：特開２０１１−１８６７１号公報（甲第５号証）
（４）取消理由３（サポート要件について）
　本件の明細書の段落【０００５】、【０００６】の記載によれば、本件発明は「発熱部から放射される赤外線が中空部を介してモールド樹脂に吸収され、モールド樹脂の温度が高くなるという問題」を解決し「モールド樹脂の温度上昇を抑えた半導体装置を提供することを目的」とするものであるのに対して、本件の請求項３および４には「モールド樹脂」が構成要件として特定されておらず、本件の請求項３および４に係る発明は、「モールド樹脂」を有さない半導体装置を含むものである。
　そして、「モールド樹脂」を有さない半導体装置において、「モールド樹脂の温度上昇を抑えた半導体装置を提供」できると当業者が認識できるものとは認められない。
　してみると、請求項３および４に係る発明は、発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えており、出願時の技術常識に照らしても、請求項３および４に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。
　請求項３または４を引用する請求項５ないし１３についても同様である。
　したがって、請求項３ないし１３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではなく、請求項３ないし１３に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
（５）取消理由４（明確性について）
　本件の請求項１、３および４には「前基板」が構成要件として特定されているのに対して、本件の明細書に「前基板」は記載されておらず、「前基板」が如何なるものであるのか特定できない。また、技術常識に照らしても「前基板」が如何なるものであるのか、当業者に明らかであるとはいえない。
　したがって、構成要件として「前基板」を有する請求項１、３および４に係る発明は、明確でない。
　請求項１、３、４のいずれかに従属する請求項２、５ないし１３についても同様である。
　よって、請求項１ないし１３に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
２　引用文献の記載事項、引用発明等
（１）引用文献１
ア　引用文献１の記載事項
　引用文献１には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。）
「【００６０】
　図１〜図３は、本発明の第１実施形態に基づく電子装置を示している。本実施形態の
電子装置
は、基板１
シールチップ４、
電子素子７を備えている
【００６１】
　基板１は、半導体材料の単結晶よりなる。本実施形態においては、
基板１は、Ｓｉ
からなる
基板１の材質は、Ｓｉ
【００６２】
　基板１は、主面１１１と、裏面１１２と、を有する。」
「【００６５】
　
基板１には、素子配置用凹部１４が形成されている
【００６６】
　素子配置用凹部１４は、主面１１１から凹んでいる。
素子配置用凹部１４には、電子素子７が配置されている
「【００７４】
　シールチップ４は、厚さ方向において主面１１１と同じ側を向くシールチップ主面４１およびシールチップ主面４１とは反対側を向くシールチップ裏面４２を有している。シールチップ４は、主面１１１側において素子配置用凹部１４の少なくとも一部を覆っている。本実施形態においては、
シールチップ４は、素子配置用凹部１４のすべてを覆って
Ｓｉからなる
「【００７６】
　本実施形態においては、素子配置用凹部１４は、シールチップ４によって密閉状態とされている。また、
素子配置用凹部１４は、空隙領域１４５を含んでいる
空隙領域１４５は、
真空とされた空間である
「【００８７】
　
電子素子７は、
ＡＳＩＣ
素子である
「【０１２６】
　図１８は、本発明の第５実施形態に基づく電子装置を示している。本実施形態の電子装置Ａ５は、シールチップ４にシールチップシールド層４４が形成されている。また、基板１に基板シールド層１８が形成されている。
【０１２７】
　
シールチップシールド層４４は
Ｃｕ
からなる層で
シールチップ４のシールチップ裏面４２に形成され
シールチップ裏面４２のすべてを覆っている
【０１２８】
　基板シールド層１８は、たとえばＣｕに代表される金属などの導電性材料からなる層である。基板シールド層１８は、基板１の裏面１１２に形成されている。また、基板シールド層１８は、裏面１１２のすべてを覆っている。基板シールド層１８は、電子装置Ａ１内に設けられたグランドラインに導通することが好ましい。
【０１２９】
　このような実施形態によっても、素子配置用凹部１４に収容された電子素子７をシールチップ４によってより適切に保護することができる。また、基板シールド層１８およびシールチップシールド層４４によって、電子素子７から発せられる電磁波が外部に漏れてしまうことや、外部からノイズとしての電磁波が電子素子７に到達することを回避することができる。
【０１３０】
　図１９および図２０は、本発明の第６実施形態に基づく電子装置を示している。本実施形態の電子装置Ａ６は、基板１、絶縁層２、導電層３、シールチップ４、裏面電極パッド３４２および電子素子７を備えている。図１９は、電子装置Ａ６の厚さ方向に沿う断面における断面図である。図２０は、電子装置Ａ６の要部拡大断面図である。
【０１３１】
　基板１は、半導体材料の単結晶よりなる。本実施形態においては、基板１は、Ｓｉ単結晶からなる。基板１の材質は、Ｓｉに限定されず、たとえば、ＳｉＣであってもよい。基板１の厚さは、たとえば、２００〜５５０μｍである。基板１には、電子素子７が配置されている。」
「【０１３５】
　基板１には、素子配置用凹部１４および２つの貫通孔１７が形成されている。
【０１３６】
　素子配置用凹部１４は、主面１１１から凹んでいる。素子配置用凹部１４には、電子素子７が配置されている。素子配置用凹部１４の深さ（主面１１１と後述の素子配置用凹部底面１４２との、厚さ方向における離間寸法）は、たとえば、１００〜３００μｍである。素子配置用凹部１４は、厚さ方向視において矩形状である。素子配置用凹部１４の形状は、主面１１１として（１００）面を採用したことに依存している。」
「【０１５０】
　シールチップ４は、厚さ方向において主面１１１と同じ側を向くシールチップ主面４１およびシールチップ主面４１とは反対側を向くシールチップ裏面４２を有している。シールチップ４は、主面１１１側において素子配置用凹部１４の少なくとも一部を覆っている。本実施形態においては、シールチップ４は、素子配置用凹部１４のすべてを覆っている。シールチップ４は、たとえばＳｉからなる。また、シールチップ４には、電子装置Ａ６の機能の一部を果たす集積回路が作りこまれていてもよい。シールチップ４は、主面１１１に接合層４５によって接合されている。接合層４５は、導電性材料でも絶縁性材料であってもよい。
【０１５１】
　本実施形態においては、素子配置用凹部１４は、シールチップ４によって密閉状態とされている。また、素子配置用凹部１４は、空隙領域１４５を含んでいる。空隙領域１４５は、不活性ガスなどの気体または真空とされた空間である。本実施形態においては、素子配置用凹部１４は、そのすべてが空隙領域１４５によって占められている。空隙領域１４５は、電子素子７に接している。また、電子素子７とシールチップ４との間には、空隙領域１４５が介在している。」
「【０１６３】
　電子素子７は、素子配置用凹部底面１４２に搭載されている。電子素子７の一例としては、たとえば集積回路素子が挙げられ、具体的には、いわゆるＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）素子である。あるいは、電子素子７の他の例としては、インダクタやキャパシタなどの受動素子が挙げられる。」
「【０１７５】
　図２３は、本発明の第８実施形態に基づく電子装置を示している。本実施形態の電子装置Ａ８は、シールチップ４にシールチップシールド層４４が形成されている。
【０１７６】
　
シールチップシールド層４４は、
Ｃｕ
からなる層である
【０１７７】
　このような実施形態によっても、素子配置用凹部１４に収容された電子素子７をシールチップ４によってより適切に保護することができる。
【０１７８】
　図２４は、電子装置Ａ８の変形例を示している。本変形例においては、
シールチップ４のシールチップ主面４１にシールチップシールド層４４が形成されている
【０１７９】
　このような変形例によっても、素子配置用凹部１４に収容された電子素子７をシールチップ４によってより適切に保護することができる。」
・段落【００６０】によれば、電子装置は、基板１、シールチップ４、電子素子７を備える。
・段落【００６１】によれば、基材１の材質はＳｉであり、段落【００６５】によれば、基材１には素子配置用凹部１４が形成されるから、基板１は、素子配置用凹部１４が形成され、材質はＳｉＣである。
・段落【００６６】によれば、素子配置用凹部１４には電子素子７が配置され、段落【００８７】によれば、電子素子７はＡＳＩＣ素子であるから、電子素子７は、素子配置用凹部１４に配置されたＡＳＩＣ素子である。
・段落【００７４】によれば、シールチップ４は、素子配置用凹部１４のすべてを覆っており、Ｓｉからなる。
・段落【００７６】によれば、素子配置用凹部１４は、真空とされた空間である空隙領域１４５を含んでいる。
・段落【０１２７】によれば、第５実施形態のシールチップシールド層４４は、Ｃｕからなる層であり、シールチップ４のシールチップ裏面４２に形成され、シールチップ裏面４２のすべてを覆っている。また、図１８からは、シールチップ裏面４２は素子配置用凹部１４側の面であることが見てとれる。
　してみると、素子配置用凹部１４側の面であるシールチップ４のシールチップ裏面４２のすべてを覆って、Ｃｕからなる層であるシールチップシールド層４４が形成されるといえる。
・段落【０１７６】によれば、第８実施形態のシールチップシールド層４４は、Ｃｕからなる層であり、段落【０１７８】によれば、シールチップ４のシールチップ主面４１にシールチップシールド層４４が形成される。図２４からは、シールチップ主面４１は素子配置用凹部１４と反対側の面であること、及び、シールチップシールド層４４がシールチップ主面４１のすべてを覆って設けられることが見てとれる。
　してみると、素子配置用凹部１４側と反対側の面であるシールチップ４のシールチップ主面４１のすべてを覆って、Ｃｕからなる層であるシールチップシールド層４４が形成されるといえる。
イ　引用文献１に記載された発明
　以上のことから、引用文献１には、第５実施形態または第８実施形態の「電子装置」として、以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
「素子配置用凹部１４が形成され、材質はＳｉＣである基板１、
　素子配置用凹部１４に配置されたＡＳＩＣ素子である電子素子７、
　素子配置用凹部１４のすべてを覆っているＳｉからなるシールチップ４を備え、
　素子配置用凹部１４は、真空とされた空間である空隙領域１４５を含み、
　素子配置用凹部１４側の面であるシールチップ４のシールチップ裏面４２のすべてを覆って、Ｃｕからなる層であるシールチップシールド層４４が形成された、または、素子配置用凹部１４側と反対側の面であるシールチップ４のシールチップ主面４１のすべてを覆って、Ｃｕからなる層であるシールチップシールド層４４が形成された、
　電子装置。」
（２）引用文献２
ア　引用文献２の記載事項
　引用文献２には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。）
「【００３２】
　
電子部品
は、
容器１０と、振動片２０と、発熱体３０と
を含む
【００３３】
　容器１０は、図１および図２に示すように、振動片２０、発熱体３０、遮蔽板４０、および電子素子５０を収容している。なお、容器１０は、電子部品１００を構成するその他の部材を収容していてもよい。
容器１０は、基板１２と、リッド１４と、を含んで構成されている
【００３４】
　基板１２は、例えば、セラミックパッケージである。図示の例では、基板１２は、セラミックグリーンシートを成形して積層した後、焼成して形成されたセラミック積層パッケージである。
基板１２は凹部を有し、凹部内の空間（収容室）１６に振動片２０、発熱体３０
が収容されている
基板１２の上部には開口部が設けられ、当該開口部をリッド１４で覆うことにより収容室１６が形成されている
収容室１６は、
真空状態
である
「【００３６】
　リッド１４は、基板１２の開口部を覆っている。リッド１４の形状は、例えば、板状である。リッド１４としては、例えば、基板１２と同じ材質の板部材（例えばセラミックスプレート）や、コバール、４２アロイ、ステンレス鋼などの金属板を用いることができる。リッド１４は、例えば、シールリング、低融点ガラス、接着剤などの接続部材１８を介して、基板１２に接続されている。」
「【００４３】
　発熱体３０は、容器１０に収容されている。これにより、
発熱体３０が
振動片２０を
加熱する
「【００４６】
　
発熱体３０は、
発熱用ＩＣである
「【００５３】
　第２層４４は、第１層４２上に形成されている。図示の例では、第２層４４は、第１層４２の全面を覆っている。第２層４４は、振動片２０から放射される熱（赤外線）を反射させることができる。なお、赤外線とは、波長が０．７μｍ以上１０００μｍ以下の電磁波をいう。なお、第２層４４は、第１層４２の上面４３ａのみに配置されていてもよい。また、第１層４２が赤外線に対して透明な部材である場合、第２層４４は、第１層４２の下面４３ｂ（上面４３ａとは反対側の面）のみに配置されていてもよい。
【００５４】
　
第２層４４の材質は、
Ａｕ
Ａｇ
Ｃｕ
Ａｌ
のいずれか
である
「【００５７】
　電子素子５０は、基板１２に配置（搭載）されている。図示の例では、電子素子５０は、基板１２を構成する７つの層のうちの下から２層目の層の上面に配置されている。電子素子５０は、基板１２の凹部の内底面に配置されている。電子素子５０は、接着剤等の接続部材（図示せず）で基板１２に接続されている。電子素子５０の上面には、複数の電極パッド（図示せず）が設けられている。電子素子５０の上面に設けられた各電極パッドと、基板１２に設けられている各電極とは、ボンディングワイヤー７６を介して、電気的に接続されている。
【００５８】
　電子素子５０は、温度特性を持つ（温度により出力信号が変動する）素子である。電子素子５０は、例えば、発振用ＩＣである。発振用ＩＣには、例えば、発振用回路と温度制御用回路とが含まれている。」
「【００７３】
　３．  第３実施形態
　次に、第３実施形態に係る電子部品について、図面を参照しながら説明する。図６は、第３実施形態に係る電子部品３００を模式的に示す断面図である。以下、第３実施形態に係る電子部品３００において、第１実施形態に係る電子部品１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。また、図６中の各部材の上側にある面を「上面」、下側にある面を「下面」として説明する。
【００７４】
　
電子部品３００は、
反射部３１０を含んで構成されている
【００７５】
　反射部３１０は、容器１０（リッド１４）と振動片２０との間に配置されている。反射部３１０は、容器１０の、振動片２０の上面（遮蔽板４０が配置されている側の面と反対の面）と向き合う面、すなわち、図示の例では、
リッド１４の下面（収容室１６を規定する面）
反射部３１０は、
リッド１４の下面の全面に形成されている
【００７６】
　反射部３１０と振動片２０との間には、空隙が設けられている。反射部３１０は、振動片２０に向き合って配置されている。図示の例では、振動片２０の上面と反射部３１０とが向き合って（対向して）いる。
【００７７】
　反射部３１０は、平面視で振動片２０と重なるように配置されている。振動片２０は、平面視で反射部３１０の外周以内に配置されている。なお、振動片２０が、平面視で反射部３１０の外周以内に配置されているとは、振動片２０の外周の全部が平面視で反射部３１０よりも内側にある場合と、振動片２０の外周の一部が平面視で反射部３１０の外周の一部と重なり、かつ、振動片２０の外周の他の一部が平面視で反射部３１０の内側にある場合と、振動片２０の外周の全部が平面視で反射部３１０の外周と重なるとともに、振動片２０の外周よりも内側の領域が反射部３１０の外周の内側にある場合と、を含む。
【００７８】
　反射部３１０の赤外線の反射率は、リッド１４の赤外線の反射率よりも大きい。ここで、リッド１４の赤外線の反射率は、リッド１４の、振動片２０側を向く面（リッド１４の下面）であって、平面視で反射部３１０と重なる領域の赤外線の反射率である。
【００７９】
　反射部３１０の材質は、赤外線に対する反射率が大きい材料であることが好ましい。
反射部３１０の材質としては、
第２層４４の材質として例示したものを用いることができる
【００８０】
　電子部品３００では、
振動片２０から放射された赤外線
は、反射部３１０によって反射される
・段落【００３２】によれば、電子部品は、容器１０と、振動片２０と、発熱体３０と、を含み、段落【００３３】によれば、容器１０は、基板１２と、リッド１４と、を含んで構成されているから、電子部品は、基板１２と、リッド１４と、振動片２０と、発熱体３０と、を含む。
　また、段落【００３４】によれば、基板１２は凹部を有し、凹部内の空間（収容室）１６に振動片２０、発熱体３０が収容され、基板１２の上部には開口部が設けられ、当該開口部をリッド１４で覆うことにより収容室１６が形成され、収容室１６は、真空状態である。
　してみると、電子部品は、凹部を有する基板１２、凹部内の空間（収容室）１６に収容される振動片２０、発熱体３０、基板１２の上部には設けられた開口部を覆うことにより収容室１６を形成するリッド１４を有し、収容室１６は真空状態であるといえる。
・段落【００４３】によれば、発熱体３０が振動片２０を加熱し、段落【００４６】によれば、発熱体３０は発熱用ＩＣであるから、発熱体３０は発熱用ＩＣであり振動片２０を加熱する。
・段落【００７５】によれば、反射部３１０は、リッド１４の下面（収容室１６を規定する面）の全面に形成され、段落【００８０】によれば、振動片２０から放射された赤外線は、反射部３１０によって反射されるから、振動片２０から放射された赤外線を反射する反射部３１０がリッド１４の下面（収容室１６を規定する面）の全面に形成される。
・段落【００５４】によれば、第２層４４の材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのいずれかであり、段落【００７９】によれば、反射部３１０の材質としては、第２層４４の材質として例示したものを用いることができるから、反射部３１０はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのいずれかから成る。
・段落【００７４】によれば、電子部品３００は、反射部３１０を含んで構成されている。
イ　引用文献２に記載された発明
　以上のことから、引用文献２には、第３実施形態の「電子部品３００」として、以下の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているといえる。
「凹部を有する基板１２、
　凹部内の空間（収容室）１６に収容される振動片２０、発熱体３０、
　基板１２の上部に設けられた開口部を覆うことにより収容室１６を形成するリッド１４を有し、
　収容室１６は真空状態であり、
　発熱体３０は発熱用ＩＣであり振動片２０を加熱し、
　振動片２０から放射された赤外線を反射する反射部３１０がリッド１４の下面（収容室１６を規定する面）の全面に形成され、
　反射部３１０はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのいずれかから成る、
　電子部品３００。」
（３）引用文献３
ア　引用文献３の記載事項
　引用文献３には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。）
「そして、第５図に示すように、
キャップ５を取り付けた半導体装置を樹脂６によりモールド
イ　引用文献３に記載された技術事項
　上記記載事項から、引用文献３には、以下の技術（以下、「引用文献３記載の技術」という。）が記載されているといえる。
「キャップを取り付けた半導体装置を樹脂によりモールドすること。」
（４）引用文献４
ア　引用文献４の記載事項
　引用文献４には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。）
「【０００８】
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品装置の断面を示す断面図である。
【０００９】
　同図に示す
電子部品装置において、素子機能部１と
電極パッド２が
素子基板３に形成され
回路基板５が
素子基板３と機械的（構造的に）接合され
素子機能部１は、その周囲をダム８で取り囲まれ
このダム８にはキャップ９が接合されており、素子機能部１の上方に空隙１０が形成されるように素子機能部１を封止し
封止樹脂１１によって、被覆され
「【００１５】
　
封止樹脂１１は、素子基板３、キャップ９及び回路基板５で構成される複合体を環境ストレス及び機械的ストレスから保護する
イ　引用文献４に記載された技術事項
　上記記載事項から、引用文献４には、以下の技術（以下、「引用文献４記載の技術」という。）が記載されているといえる。
「素子機能部と電極パッドが素子基板に形成され、回路基板が素子基板と機械的（構造的に）接合された電子部品装置において、素子機能部はその周囲をダムで取り囲まれ、ダムにキャップが接合されており、素子機能部の上方に空隙が形成されるように素子機能部を封止し、封止樹脂によって被覆され、素子基板、キャップ及び回路基板で構成される複合体を環境ストレス及び機械的ストレスから保護すること。」
（５）引用文献５
ア　引用文献５の記載事項
　引用文献５には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。）
「【００１９】
　図１に示すように、
デバイス封止体１は、基板２と、
弾性表面波デバイス１０と、弾性表面波デバイス１０を封止するように基板２上に形成された樹脂層３
とを備え
【００２０】
　
弾性表面波デバイス１０は、
弾性表面波チップ１１と、
電極指１２と、電極指１２を囲繞するように弾性表面波チップ１１上に形成された中空構造体１３とを有し
　中空構造体１３は、例えば永久レジスト等を用いたパターニングによって弾性表面波チップ１１上に形成することができる。また、中空構造体１３によって形成された空間層Ｃの内部には、規則的に配置された電極指１２を有するインターデジタル変換器（Inter Digital Transducer, IDT）が設けられ、弾性表面波の伝播領域になっている。」
「【００２２】
　
樹脂層３は、弾性表面波デバイス１０の外面に密着するように形成された樹脂による層であり、
弾性表面波デバイス１０が樹脂層３で封止
イ　引用文献５に記載された技術事項
　上記記載事項から、引用文献５には、以下の技術（以下、「引用文献５記載の技術」という。）が記載されているといえる。
「基板と、弾性表面波チップと、電極指と電極指を囲繞するように弾性表面波チップ上に形成された中空構造体とを有し基板に実装された弾性表面波デバイスと、弾性表面波デバイスを封止するように基板上に形成された樹脂層を設けること。」
３　当審の判断
（１）取消理由１（新規性）について
　本件訂正により、それぞれ独立形式で記載された請求項３および４は削除され、請求項３に係る取消理由１はその対象が存在しないものとなった。
　また、本件訂正により、請求項５ないし１３は請求項３および４に従属しない請求項となった。
　したがって、請求項５ないし１３は、取消理由１を通知していない請求項１のみに従属した請求項であり、本件発明５ないし１３は取消理由１の対象外のものとなった。
（２）取消理由２（進歩性）について
ア　引用文献１に記載された発明に基づく進歩性について
（ア）本件発明１と引用発明１との対比
ａ　引用発明１の「素子配置用凹部１４が形成され」た「基板１」は、本件発明１の「基板」に相当する。そして、引用発明１の「素子配置用凹部１４に配置されたＡＳＩＣ素子である電子素子７」は作動中に発熱するのは明らかであるから、本件発明１の「前記基板上に形成された発熱部」に相当する。
ｂ　引用発明１の「素子配置用凹部１４は、真空とされた空間である空隙領域１４５を含」むから、引用発明１の「素子配置用凹部１４のすべてを覆っている」「シールチップ４」は、本件発明１の「前記基板の上方に、前記基板との間に中空部を持つように形成されたキャップ基板」に相当する。
ｃ　引用発明１の「シールチップシールド層４４」は「シールチップ４」に設けられ「Ｃｕからなる」から、「電子素子７」の上方に設けられたＣｕ層である。
　ここで、本件の明細書段落【００４７】の「すなわち、反射膜９の反射率を大きくすればよい。よって、中波長赤外線領域における反射率が０．９以上であるのが望ましい。・・・具体的には、Ａｌ、黄銅、Ｃｕ・・・などである。」との記載を考慮すれば、Ｃｕ層は中波長赤外線を反射する。
　してみると、引用発明１の「シールチップシールド層４４」は、本件発明１の「前記発熱部の上方に中波長赤外線を反射する反射膜」に相当する。
ｄ　本件発明１は「少なくとも前記キャップ基板を覆うモールド樹脂」を備えるのに対して、引用発明１はその旨特定されていない点で相違する。
ｅ　本件発明１は「前記基板上に、前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、前記中空部が、前記絶縁膜と前記キャップ基板との間に形成され、前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された」のに対して、引用発明１はその旨特定されていない点で相違する。
ｆ　引用発明１の「電子装置」は「ＡＳＣＩ素子である電子素子７」を有するものであるから、「半導体装置」といい得るものである。
（イ）一致点及び相違点
　したがって、本件発明１と引用発明１とは、以下の一致点と相違点とを有する。
〈一致点〉
「基板と、
　前記基板上に形成された発熱部と、
　前記基板の上方に、前記基板との間に中空部を持つように形成されたキャップ基板と、
　前記発熱部の上方に中波長赤外線を反射する反射膜と、
を備えた半導体装置。」
〈相違点１〉
　本件発明１は「少なくとも前記キャップ基板を覆うモールド樹脂」を備えるのに対して、引用発明１はその旨特定されていない点
〈相違点２〉
　本件発明１は「前記基板上に、前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、前記中空部が、前記絶縁膜と前記キャップ基板との間に形成され、前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された」のに対して、引用発明１はその旨特定されていない点
（ウ）相違点についての判断
　事案に鑑み、相違点２について検討する。
　引用発明１は、反射膜（Ｃｕからなる層であるシールチップシールド層４４）がキャップ基板（シールチップ４）の裏面４２または主面４１に形成されたものであり、引用発明１において、あえて発熱部（電子素子７）が形成された基板（基板１）上に発熱部を覆うように絶縁膜を形成し、反射膜を絶縁膜上に形成する理由は存在しない。
　また、基板上に発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、反射膜が前記絶縁膜上に形成された構成とすることは、引用文献３ないし５には記載されておらず周知技術であるとも認められない。
　よって、相違点２に係る本件発明１の構成は、引用発明１に基づいて当業者が容易に採用し得たものではない。
　したがって、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明１及び引用文献３ないし５に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
イ　引用文献２に記載された発明に基づく進歩性について
（ア）本件発明１と引用発明２との対比
ａ　引用発明２の「凹部を有する基板１２」は、本件発明１の「基板」に相当する。そして、引用発明２の「凹部内の空間（収容室）１６に収容される振動片２０」は、「発熱体３０」により加熱されるものであり発熱しているのは明らかであるから、本件発明１の「前記基板上に形成された発熱部」に相当する。
ｂ　引用発明２の「基板１２の上部に設けられた開口部を覆うことにより収容室１６を形成するリッド１４」は、本件発明１の「前記基板の上方に、前記基板との間に中空部を持つように形成されたキャップ基板」に相当する。
ｃ　引用発明２の「赤外線を反射する反射部３１０」は「リッド１４」に形成され「Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌからなる」から、「振動片２０」の上方に設けられたＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌからなる層である。
　ここで、本件の明細書段落【００４７】の「すなわち、反射膜９の反射率を大きくすればよい。よって、中波長赤外線領域における反射率が０．９以上であるのが望ましい。・・・具体的には、Ａｌ、黄銅、Ｃｕ・・・などである。」との記載を考慮すれば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌからなる層は中波長赤外線を反射する。
　してみると、引用発明２の「赤外線を反射する反射部３１０」は、本件発明１の「前記発熱部の上方に中波長赤外線を反射する反射膜」に相当する。
ｄ　本件発明１は「少なくとも前記キャップ基板を覆うモールド樹脂」を備えるのに対して、引用発明２はその旨特定されていない点で相違する。
ｅ　本件発明１は「前記基板上に、前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、前記中空部が、前記絶縁膜と前記キャップ基板との間に形成され、前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された」のに対して、引用発明２はその旨特定されていない点で相違する。
ｆ　引用発明２の「電子部品３００」は「発熱用ＩＣ」である「発熱体３０」を有するものであるから、「半導体装置」といい得るものである。
（イ）一致点及び相違点
　したがって、本件発明１と引用発明２とは、以下の一致点と相違点とを有する。
〈一致点〉
「基板と、
　前記基板上に形成された発熱部と、
　前記基板の上方に、前記基板との間に中空部を持つように形成されたキャップ基板と、
　前記発熱部の上方に中波長赤外線を反射する反射膜と、
を備えた半導体装置。」
〈相違点３〉
　本件発明１は「少なくとも前記キャップ基板を覆うモールド樹脂」を備えるのに対して、引用発明２はその旨特定されていない点
〈相違点４〉
　本件発明１は「前記基板上に、前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、前記中空部が、前記絶縁膜と前記キャップ基板との間に形成され、前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された」のに対して、引用発明２はその旨特定されていない点
（ウ）相違点についての判断
　事案に鑑み、相違点４について検討する。
　引用発明２は、反射膜（反射部３１０）がキャップ基板（リッド１４）の下面に形成されたものであり、引用発明２において、あえて発熱部（振動片２０）が収容される基板（凹部を有する基板１２）上に発熱部を覆うように絶縁膜を形成し、反射膜を絶縁膜上に形成する理由は存在しない。
　また、基板上に発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、反射膜が前記絶縁膜上に形成された構成とすることは、引用文献３ないし５には記載されておらず周知技術であるとも認められない。
　よって、相違点４に係る本件発明１の構成は、引用発明２に基づいて当業者が容易に採用し得たものではない。
　したがって、相違点３について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明２及び引用文献３ないし５に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（３）取消理由３について
　本件訂正により、請求項３および４は削除され、請求項３および４に係る取消理由３はその対象が存在しないものとなった。
　また、本件訂正により、請求項５ないし１３は請求項３および４に従属しない請求項となった。
　したがって、本件発明５ないし１３に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものとはいえない。
（４）取消理由４について
　本件訂正により、請求項１の「前基板」との記載は「前記基板」となり、本件発明１は明確なものとなったから、請求項１および請求項１に直接又は間接的に従属する請求項５ないし１３に係る取消理由４は解消した。
　また、本件訂正により、請求項３および４は削除されるとともに、請求項５ないし１３は請求項３および４に従属しない請求項となったので、請求項３、４および、請求項３、４に直接又は間接的に従属する請求項５ないし１３に係る取消理由４はその対象が存在しないものとなった。
　したがって、本件発明１および本件発明５ないし１３に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものとはいえない。
第５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
１　特許異議申立て理由の概要
（１）申立理由１（甲第１号証に基づく進歩性について）
　訂正前の請求項２、１０に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第１号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２、１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（２）申立理由２（甲第２号証に基づく進歩性について）
　訂正前の請求項２、１０、１３に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第２号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２、１０、１３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　また、訂正前の請求項１２に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第２号証および甲第６号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（３）申立理由３（サポート要件について）
　訂正前の請求項１、３、４には、「前記発熱部の上方に中波長赤外線を反射する反射膜と、」の記載がある。
　この記載によれば、「反射膜」は、中波長赤外線を、「発熱部」の上方に向けて反射するものと解され、請求項１、３、４に係る「反射膜」は、「発熱部」の上方に配された「モールド樹脂」に向けて、中波長赤外線を反射する態様を含み、「モールド樹脂」の温度は上昇すると考えられる。
　このため、請求項１、３、４の記載は、本件明細書の段落【０００６】に記載された「モールド樹脂の温度上昇を抑えた半導体装置を提供する」ための手段が反映されておらず、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求するものである。
（４）申立理由４（明確性について）
　訂正前の請求項１、３、４には、「前記発熱部の上方に中波長赤外線を反射する反射膜と、」の記載がある。
　当該記載は、「上方に」が「反射する」を修飾して中波長赤外線の反射方向を特定するのか、「反射膜」を修飾して「反射膜」が形成された位置を特定するのか不明確である。
（５）証拠一覧
　甲第１号証：特開２０１６−１４３７８２号公報（引用文献１）
　甲第２号証：特開２０１６−１６７６５９号公報（引用文献２）
　甲第６号証：熱物性ハンドブック、日本熱物性学会編、株式会社養賢堂発行、第１版、１９９０年５月３０日、２４〜２５頁、１９２〜１９３頁、２６２〜２６３頁
２　各甲号証の記載事項
（１）甲第１号証
　甲第１号証の記載事項に関しては、上記「第４」の「２（１）ア」の「引用文献１の記載事項」に記載したとおりである。
　そして、甲第１号証に記載された発明（以下、「甲１発明」という。）は、上記「第４」の「２（１）イ」の「引用発明１」と同一である。
（２）甲第２号証
　甲第２号証の記載事項に関しては、上記「第４」の「２（２）ア」の「引用文献２の記載事項」に記載したとおりである。
　そして、甲第２号証に記載された発明（以下、「甲２発明」という。）は、上記「第４」の「２（２）イ」の「引用発明２」と同一である。
（３）甲第６号証
ア　甲第６号証の記載事項
　甲第６号証の１９２〜１９３頁には、ステンレス鋼の熱伝導率が１０．９〜２９．３Ｗ／（ｍ・Ｋ）であることが、２６３頁には、炭化ケイ素の熱伝導率が４７〜２７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）であることが記載されている。
イ　甲第６号証に記載された技術事項
　上記記載事項から、甲第６号証には、以下の技術（以下、「甲第６号証記載の技術」という。）が記載されているといえる。
「ステンレス鋼の熱伝導率は炭化ケイ素の熱伝導率より低いこと。」
３　当審の判断
（１）申立理由１について
ア　請求項２について
　本件訂正により、請求項２は削除され、請求項２に係る申立てはその対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下すべきものである。
イ　請求項１０について
　請求項１０は、請求項９に従属する請求項であるから、本件訂正により訂正された請求項１に間接的に従属する請求項である。
　ここで、上記「第４」の「３（２）ア（イ）」のとおり、本件発明１と引用発明１とは相違点２を有するから、本件発明１０と甲１発明とは、相違点２を有する。
　そして、上記「第４」の「３（２）ア（ウ）」で検討したように、相違点２に係る本件発明１０の構成は、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）申立理由２について
ア　請求項２について
　本件訂正により、請求項２は削除され、請求項２に係る申立てはその対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下すべきものである。
イ　請求項１０、１３について
　請求項１０は、請求項９に従属する請求項であり、請求項１３は、請求項１、５〜１２に従属する請求項であるから、請求項１０および１３はいずれも、令和２年１２月１０日にされた訂正請求により訂正された請求項１に直接または間接的に従属する請求項である。
　ここで、上記「第４」の「３（２）イ（イ）」のとおり、本件発明１と引用発明２とは、相違点４を有するから、本件発明１０および本件発明１３と甲２発明とはそれぞれ、相違点４を有する。
　そして、上記「第４」の「３（２）イ（ウ）」で検討したように、相違点４に係る本件発明１０および本件発明１３の構成は、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
ウ　請求項１２について
　請求項１２は、請求項１、５〜１１に従属する請求項であるから、本件訂正により訂正された請求項１に直接または間接的に従属する請求項である。
　ここで、上記「第４」の「３（２）イ（イ）」のとおり、本件発明１と引用発明２とは、相違点４を有するから、本件発明１２と甲２発明とは、相違点４を有する。
　また、上記「２（３）イ」のように、甲第６号証には、ステンレス鋼の熱伝導率は炭化ケイ素の熱伝導率より低いことが記載されるものの、「前記基板上に、前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、前記中空部が、前記絶縁膜と前記キャップ基板との間に形成され、前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された」構成（相違点４に係る構成）とすることは、甲第６号証には記載されていない。
　以上のことより、上記「第４」の「３（２）イ（ウ）」での検討を考慮すると、相違点４に係る本件発明１２の構成は、甲２発明および甲第６号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（３）申立理由３について
ア　請求項１について
　本件訂正により訂正された請求項１には、「前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、・・・中略・・・前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された」と記載されている。
　当該記載によれば、「反射膜」が「絶縁膜」の上方に形成されていることが明らかである。
　してみると、訂正された請求項１の「前記発熱部の上方に中波長赤外線を反射する反射膜と、」の記載は、「中波長赤外線を反射する反射膜」が「発熱部」の上方に位置することを表しているものと認められる。
　そして、「発熱部」の上方に位置する「反射膜」により中波長赤外線は反射されるから、「発熱部」の上方に配された「モールド樹脂」の温度が反射された中波長赤外線により上昇するとは認められない。
　したがって、請求項１は、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求するものではない。
イ　請求項３および４について
　本件訂正により、請求項３および４は削除され、請求項３および４に係る申立てはその対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下すべきものである。
（４）申立理由４について
ア　請求項１について
　上記「（３）ア」で検討したように、訂正された請求項１の「前記発熱部の上方に中波長赤外線を反射する反射膜と、」の記載は、「中波長赤外線を反射する反射膜」が「発熱部」の上方に位置することを表しているものと認められる。
　したがって、当該記載が不明瞭であるとはいえない。
イ　請求項３および４について
　本件訂正により、請求項３および４は削除され、請求項３および４に係る申立てはその対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下すべきものである。
第６　むすび
　以上のとおり、請求項１、５ないし１３に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由又は特許異議申立書に記載した異議申立理由によっては取り消すことはできない。さらに、他に請求項１、５ないし１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　また、請求項２ないし４に係る特許は、上記のとおり、訂正により削除された。これにより、申立人による特許異議の申立てについて、請求項２ないし４に係る申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１で準用する同法第１３５条の規定により却下する。
 　よって、結論とのとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年３月３０日（２０２１．３．３０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置
　【技術分野】
　【０００１】
　この発明は中空部を有する半導体装置に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　半導体チップを内蔵するパッケージとして、モールド樹脂で封止するプラスチックパッケージが利用されている。プラスチックパッケージは、セラミックを用いて封止するセラミックパッケージに比べて廉価であるという利点がある。しかし、モールド樹脂はセラミックに比べて耐熱温度が低いため、半導体チップ内の発熱部からの発熱により、半導体チップと接するモールド樹脂の温度が耐熱温度付近以上に上がることがある。その結果、モールド樹脂が炭化して、半導体チップとの界面から剥離するなどの問題があった。
　【０００３】
　モールド樹脂の温度上昇を抑えるために、特許文献１〜３に例示された中空部を有した封止構造を用いることは有効である。中空部が半導体チップの発熱部分とモールド樹脂との間を断熱するからである。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００４】
　【特許文献１】　実開平１−１４５１３３号公報
　【特許文献２】　特開２００６−２３７４０５号公報
　【特許文献３】　特開２０１１−１８６７１号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００５】
　しかし、半導体チップからの発熱量が多い場合には、中空部を有した封止構造を用いたとしても、発熱部から放射される赤外線が中空部を介してモールド樹脂に吸収され、モールド樹脂の温度が高くなるという問題がある。このため、発熱量が多い高出力半導体デバイスなどではモールド樹脂を用いたプラスチックパッケージが使えず、中空部を有したセラミックパッケージを使わなければならない場合があり、パッケージ価格がプラスチックパッケージに比べて高くなってしまう。
　【０００６】
　この発明は上述した問題を解決するためになされたもので、モールド樹脂の温度上昇を抑えた半導体装置を提供することを目的とする。
　【課題を解決するための手段】
　【０００７】
　この発明の半導体装置は、基板と、
前記
前記
前記
前記
中波長
、前記基板上に、前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、前記中空部が、前記絶縁膜と前記キャップ基板との間に形成され、前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された
　【発明の効果】
　【０００８】
この発明によれば、中空部を有する半導体装置において、モールド樹脂の温度上昇を抑えることができる。
　【図面の簡単な説明】
　【０００９】
　【図１】実施の形態１の半導体装置を示す断面図である。
　【図２】実施の形態１の半導体装置を示す断面図である。
　【図３】実施の形態１の半導体装置を示す上面図である。
　【図４】実施の形態１の半導体装置の変形例を示す断面図である。
　【図５】実施の形態１の半導体装置をパッケージ化した状態を示す断面図である。
　【図６】実施の形態１の半導体装置に使用する基板を加工する工程を示す断面図である。
　【図７】実施の形態１の半導体装置に使用するキャップ基板を加工する工程を示す断面図である。
　【図８】実施の形態１の半導体装置をパッケージ化する工程を示す断面図である。
　【図９】シミュレーションに用いた中空部を有しない構造を示す斜視図である。
　【図１０】シミュレーションに用いた中空部を有しない構造を示す断面図である。
　【図１１】シミュレーションに用いた中空部を有する構造を示す断面図である。
　【図１２】中空部を有する構造の発熱部の温度分布を示すグラフである。
　【図１３】実施の形態２の半導体装置を示す断面図である。
　【図１４】実施の形態３の半導体装置を示す断面図である。
　【発明を実施するための形態】
　【００１０】
実施の形態１．
［構成］
　実施の形態１の半導体装置１の構成について説明する。図１および図２は半導体装置１の断面図であり、それぞれ図３におけるＡＡ断面およびＢＢ断面である。図３は半導体装置１の上面図である。ただし図３ではキャップ基板３や反射膜９等の図示を省略している。
　【００１１】
　図１および図２に示すように、基板２の上に発熱部４が形成されている。基板２は材料がＳｉＣであり、厚さが１００μｍ程度である。図示していないが、鏡面にした基板２の上面にエピタキシャル成長させたＧａＮ層やＡｌＧａＮ層を用いて能動素子であるＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｏｂｉｌｉｔｙ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成されており、ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層の界面にはチャネルが形成されている。ここでは発熱部４はこのチャネルである。ＨＥＭＴには、ゲート電極５、ソース電極６、ドレイン電極７が形成されており、それぞれ電極パッド１３〜１５に電気的に接続されている。これらの電極の長さは５０〜１００μｍ程度であり、幅はゲート電極５が１本当たり１〜５μｍ程度、ソース電極６とドレイン電極７がどちらも１０〜５０μｍ程度である。
　【００１２】
　なお、ここでは半導体装置にはＨＥＭＴが１つのみ含まれる場合を示したが、ＨＥＭＴが２つ以上含まれてもよい。また、基板２はＳｉＣ基板である必要はなく、ＧａＡｓやＳｉ、ＳｉＧｅ、ＧａＮ、ＩｎＰなどの基板でもよい。また能動素子はＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＨＦＥＴ（Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、バイポーラトランジスタなどであってもよい。また、抵抗やキャパシタ、インダクタなどの受動素子を含み、それらと能動素子が電気回路を構成してもよい。
　【００１３】
　基板２にはビア２２が形成されている。ビア２２はソース電極パッド１４および裏面電極２１と電気的に接続されている。基板２の上には接合パッド１１が発熱部４を囲むように設けられ、接合パッド１１の上に封止枠１８が設けられている。さらに、ゲート電極パッド１３、ドレイン電極パッド１５の上にはバンプ１９が設けられている。
　【００１４】
　基板２の上には発熱部４を覆うように絶縁膜８が形成されている。ここでは絶縁膜８はバンプ１９、封止枠１８を除いた全領域に形成されている。
　【００１５】
　絶縁膜８の上には反射膜９が設けられている。平面視で、反射膜９は絶縁膜８よりも狭い領域に形成されている。反射膜８は赤外線を反射する性質を持ち、平面視で、発熱部４とほぼ重なるように配置されている。
　【００１６】
　封止枠１８、バンプ１９に支えられるようにしてキャップ基板３が設けられている。キャップ基板３は材料がＳｉであり、厚さが１００μｍ程度である。キャップ基板３にはビア２３が形成されている。ゲート電極５およびドレイン電極７はバンプ１９、電極パッド１６を介して、キャップ基板３の上面に設けられた電極２４に取り出されている。基板２とキャップ基板３の間には中空部１０があり、その高さは１０μｍ程度である。中空部１０は絶縁膜８、封止枠１８、キャップ基板３によって囲まれており、気密性が保たれている。
　【００１７】
　なお、実施の形態１の半導体装置１ではキャップ基板３の下面は全面が平面になっているが、封止枠１８の高さが十分に取れない場合には、図４に示すようにキャップ基板３を凹形状にすることで中空部１０を確保する構造でもよい。ここではキャップ基板３は基板２の上に設けた封止材２５上に載っており、封止材２５は樹脂で出来ている。
　【００１８】
　また、実施の形態１の半導体装置１ではキャップ基板３は基板２の表面を全て覆うように形成されているが、必ずしも全面を覆っている必要はなく、発熱部４の上方に密閉された中空部１０を持つ構造であればよい。
　【００１９】
　また、キャップ基板３に配線以外のエレメントを形成してもよく、例えば基板２の上に形成したＨＥＭＴを含む電気回路用の整合回路を形成してもよい。さらに、キャップ基板３の材料としてエピタキシャル成長面のある半導体基板を用いてもよく、キャップ基板３にトランジスタ等の能動素子やエピタキシャル抵抗を形成し、これらを用いて電気回路を構成してもよい。
　【００２０】
　次に、半導体装置１をパッケージ化した構成について説明する。図５は半導体装置１がパッケージ化された状態を示す断面図である。裏面電極２１の下にＡｕＳｎはんだ等によるダイボンド材３０を介してベース２６が接合されている。ベース２６はソース電極６を電気的に外部に接続するために用いられる。ベース２６には放熱材としての役目もあるため、放熱特性のよい部材が適しており、材料として例えばＣｕＷを用いる。また、ドレイン電極７、ソース電極６を電気的に外部に接続するために、リード２７がワイヤ２８を介して、キャップ基板３の上面に形成された電極２４と電気的に接続されている。
　【００２１】
　半導体装置１の周囲には、半導体装置１を封止したモールド樹脂２９が形成されている。モールド樹脂２９によって封止されることで、半導体装置１が外部から保護される。
　【００２２】
　ここで、１００Ｗ程度の発熱が想定される半導体装置の場合について述べる。図３ではゲート電極５が２本の場合を示しているが、１００Ｗ程度の発熱が想定される半導体装置の場合は、ゲート電極の長さが５００μｍ程度、ゲート電極の本数が５０〜１００本程度となる。そうするとＨＥＭＴの幅は２〜４ｍｍとなる。
　【００２３】
　上記のように１００Ｗ程度の発熱がある場合、発熱部の温度は１００〜３００℃程度となる場合がある。ウィーンの変位則によると、黒体放射のピーク波長λ（μｍ）はＴを温度（℃）として次式で与えられる。
　λ＝２８９６／（Ｔ＋２７３）
発熱部４からの放射のピーク波長も近似的にこの式に従うとすると、温度が１００〜３００℃の場合にはピーク波長は５．１〜７．８μｍである。この範囲の波長は中波長赤外線（３〜８μｍ）に分類される。
　【００２４】
［製造方法］
　実施の形態１の半導体装置１の製造方法、および、半導体装置１をモールド樹脂で封止する方法について説明する。
　【００２５】
　基板２対する加工を図６に沿って説明する。図６は図３におけるＢＢ断面である。基板２の上には、図示していないが、すでにＧａＮ層やＡｌＧａＮ層が積層されているものとする。まず、図６（ａ）のように基板２上面に、ゲート電極５、ソース電極６、ドレイン電極７、接合パッド１１、電極パッド１３〜１５を形成する。ただし、図２では断面に電極パッド１３および１５が現れないため、これらの電極パッドを図示していない。接合パッド１１、電極パッド１３〜１５は、封止枠１８やバンプ１９が、基板２に対して密着性が悪い場合や、基板２に拡散する材料である場合に、その対策のために形成するものである。例えば、封止枠１８やバンプ１９の材料がＡｕである場合には、それらとのコンタクト面をＡｕにしておくのがよいため、レジストパターニング後に、蒸着でＴｉ、Ａｕを順次形成したあと、リフトオフによりパターンを形成する。金属の構成は、例えばＴｉを５０ｎｍ形成したあとＡｕを５００ｎｍ形成したものとする。Ｔｉはキャップ基板３との密着性とバリア性の確保、Ａｕは封止枠１８やバンプ１９との密着性確保のために用いる。ここでは、ＡｕやＡｕＳｎを封止枠１８やバンプ１９の材料とした場合で説明を行うため、接合パッド１２、電極パッド１６の表面もＡｕとしているが、封止枠１８やバンプ１９の材料に他の金属を用いる場合には、それに合わせて接合パッド１１、電極パッド１３〜１５の最表面の金属材料を選択する必要がある。
　【００２６】
　次に、図６（ｂ）のように絶縁膜８と反射膜９を形成する。絶縁膜８の形成のために、まず感光性のポリイミド材をウェハ全面に塗布し、フォトマスクで露光、現像をして、封止枠１８およびバンプ１９の形成箇所に開口を作製する。その後、窒素雰囲気中、２００℃〜３００℃で１時間程度ベークを行うとポリイミド材の溶媒が抜け、同時に架橋反応によりイミド化し、永久膜としての絶縁膜８が形成される。次に、反射膜９を発熱部４の上方、絶縁膜の上に形成する。反射膜９はＡｕを材料として蒸着リフトオフにより形成する。あるいは、メタルスパッタリング法により全面に形成したのち、レジストパターニングを行い、イオンミリング法などにより不要部分を除去する方法などで形成してもよい。
　【００２７】
　次に、図６（ｃ）のように基板２の裏面側を削って薄板化する。基板２を研削したのち、ダメージ層をポリッシュにより除去する。基板２の厚さは例えば１００μｍ程度にする。
　【００２８】
　次に、図６（ｄ）のようにビア２２と裏面電極２１の形成を行う。基板２の薄板化加工した面にレジストパターニングし、ウェットまたはドライエッチングによりビア２２の形成を行う。そして、基板２の下面に裏面電極２１を形成する。スパッタや蒸着ではビア２２の中に厚い金属膜を得ることが困難であるため、例えば、スパッタでＴｉ、Ａｕを連続成膜してから、さらにＡｕを電気めっきにより数μｍ程度めっきする。パターニングは、例えば、めっき後にレジストでパターニングし、ウェットエッチングやミリングにより、不要部分を取り除く。
　【００２９】
　次に、図６（ｅ）のようにＡｕを材料として封止枠１８およびバンプ１９を同時に形成する。ただし図６（ｅ）では、断面上にバンプ１９が存在しないため、バンプ１９は図示していない。レジストで封止枠１８の箇所とバンプ１９の箇所を除いてパターニングしてから、スパッタでシード層としてＡｕを３００ｎｍの厚さに形成して、さらにもう１層レジストで封止枠１８の箇所とバンプ１９の箇所を除いてパターニングし、封止枠１８とバンプ１９のシード層を露出する。露出部に対して電解Ａｕめっきを行い、同じ高さの封止枠１８およびバンプ１９を形成する。その後、レジスト除去、ミリング、レジスト除去を順次行うと、封止枠１８およびバンプ１９が完成する。なお、封止枠１８とバンプ１９は別々に形成してもよく、そうした場合、封止枠１８は導電性の金属である必然性はないため、ポリイミドなどの有機素材や、ガラスなどの無機素材で作製してもよい。また形成方法も、無電解めっきでもよいし、金属粒子等の材料を溶媒に混ぜたものを印刷法やインクジェット法によりパターニングしてもよい。
　【００３０】
　以上で基板２に対する加工が完了する。
　【００３１】
　キャップ基板３に対する加工を図７に沿って説明する。図７は図３におけるＡＡ断面である。まず、図７（ａ）のように接合パッド１２、電極パッド１６の形成を行う。形成方法として、レジストパターニング後、蒸着リフトオフにより形成する方法やメタルスパッタリング法により全面に形成したのち、レジストパターニングを行い、イオンミリング法などにより不要部分を除去する方法などがある。金属の構成は、例えばＴｉを５０ｎｍ形成したあとＡｕを５００ｎｍ形成したものとする。Ｔｉはキャップ基板３との密着性とバリア性の確保、Ａｕは封止枠１８やバンプ１９との密着性確保のために用いる。ここでは、ＡｕやＡｕＳｎを封止枠１８やバンプ１９の材料とした場合で説明を行うため、接合パッド１２、電極パッド１６の表面もＡｕとしているが、封止枠１８やバンプ１９の材料に他の金属を用いる場合には、それに合わせて接合パッド１２、電極パッド１６の最表面の金属材料を選択する必要がある。
　【００３２】
　次に、図７（ｂ）のようにキャップ基板３の上面側を削って薄板化する。キャップ基板３を研削したのち、ダメージ層をポリッシュにより除去する。キャップ基板３の厚さは例えば１００μｍ程度にする。
　【００３３】
　次に、図７（ｃ）のようにビア２３と電極２４の形成を行う。キャップ基板３の薄板化加工した面にレジストパターニングし、ウェットまたはドライエッチングによりビア２３の形成を行う。キャップ基板３の材質によってはレジストとの加工選択比がないため、Ｎｉ等の金属材料をレジストの代わりにパターニングする場合もある。そして、キャップ基板３の上面にスパッタでＴｉ、Ａｕを連続成膜してから、Ａｕを電気めっきによりさらに数μｍ程度めっきすることで電極２４を形成する。
　【００３４】
　以上でキャップ基板３に対する加工が完了する。
　【００３５】
　加工が完了した基板２とキャップ基板３をアライメントしてから、昇温、加圧して接合する。ここで示したようにどちらもＡｕを材料とする封止枠１８、バンプ１９を、接合パッド１２、電極パッド１６と接合する場合、両方の接合面にＡｒプラズマを照射して表面を削り、活性化させた状態で接合すると、Ａｕ同士の界面が消滅して接合された状態となる。接合状態は、接合面の平坦性が高いほど、接合時の温度が高いほど、接合時の圧力が高いほど良好であり、例えば、平坦性はＲａ＝２〜３ｎｍ、温度は３００℃、圧力は１００ＭＰａなどとするとよい。
　【００３６】
　こうして接合された基板２とキャップ基板３をダイシングして中空部１０を有する半導体装置１が完成する。
　【００３７】
　さらに、半導体装置１をモールド樹脂２９で封止する方法を図８に沿って説明する。まず、図８（ａ）のように半導体装置１をＣｕＷなどで出来たベース２６上にダイボンドする。そして、電極２４とリード２７の間にワイヤ２８で配線をする。ダイボンド材３０としては、耐熱性、放熱性の良い材料を選択するとよく、ＡｕＳｎのはんだや、さらに放熱性の高い焼結Ａｇなどを用いるとよい。
　【００３８】
　次に、図８（ｂ）のようにダイボンドした半導体装置１を金型３１にセットして、金型３１の中にモールド樹脂２９をモールド樹脂注入口３２から流し込む。モールド樹脂２９は高圧で流し込むことで半導体装置１や金型３１との間に隙間なく注入できて、成形を安定化させることができる。
　【００３９】
　最後に図８（ｃ）のように金型３１を外して、モールド樹脂２９による封止が完了する。
　【００４０】
［効果］
　実施の形態１の半導体装置１に適用した発明による効果を説明する。中空部１０は、発熱部４と、キャップ基板３やモールド樹脂２９との間を断熱する。そのため中空部１０は、発熱部４からの熱がモールド樹脂２９に伝わるのを防ぐ役割を持ち、モールド樹脂２９の温度上昇を抑える。しかし上述したように、発熱部４からの発熱量が１００Ｗ程度の場合、発熱部４の温度は１００〜３００℃に達する。温度が１００〜３００℃に達した発熱部４から放射される赤外線がキャップ基板３やモールド樹脂２９に吸収され、モールド樹脂２９の温度上昇が起こる。
　【００４１】
　ここで、中空部１０を設けることによりモールド樹脂２９の温度上昇が抑えられることを確認したシミュレーションについて説明する。シミュレーションのモデルとして中空部を有しない構造と、中空部を有する構造を用いた。
　【００４２】
　シミュレーションに用いた中空部を有しない構造について説明する。図９は中空部を有しない構造の斜視図であり、図１０は中空部を有しない構造の断面図である。中空部を有しない構造では、８５℃に固定したアルミブロック３３の上に１ｍｍ厚のＣｕＷベース２６を配置している。そしてベース２６の上に１００μｍ厚のＳｉＣ基板２が１０μｍ厚のＡｕＳｎダイボンド材３０でダイボンドされている。基板２上にはＧａＮ　ＨＥＭＴが形成されており、このＨＥＭＴのチャネルを発熱部４としている。なお、ＨＥＭＴが形成されている層の厚さは薄いとして、基板２の上に本来形成されるエピタキシャル層は省いており、発熱部４は基板２上面の一部に形成されているとしている。ＨＥＭＴはゲート幅が５０．４ｍｍ、ゲートフィンガー数が１２０とし、動作時の発熱量を９７Ｗとした。ベース２６および基板２の上部はモールド樹脂２９で覆われている。
　【００４３】
　シミュレーションに用いた中空部を有する構造について説明する。図１１は中空部を有する構造の断面図である。この構造では、基板２の上部に１０μｍ厚の中空部１０を挟んで１００μｍ厚のＳｉキャップ基板３が形成されている。中空部１０には窒素が充満されているとしている。その他の条件は中空部を有しない構造と同一である。
　【００４４】
　シミュレーションを実施した結果、モールド樹脂の最高温度は、中空部を有しない構造では１８７．９７℃、中空部を有する構造では１４３．００℃であり、中空部を有する構造のほうが大幅に低くなることが分かった。しかし、一般的なモールド樹脂の耐熱温度である１５０℃に対してマージンがない。ゆえに、モールド樹脂の温度上昇を抑えるためのさらなる対策が必要である。その対策である反射膜の導入による効果を以下に述べる。
　【００４５】
　実施の形態１の半導体装置１のように、反射膜９があれば、発熱部４から放射される赤外線が反射されるため、キャップ基板３やモールド樹脂２９で赤外線が吸収される割合が小さくなり、モールド樹脂２９の温度上昇がさらに抑えられる。
　【００４６】
　通常、発熱部４の温度はその中心付近が最も高く、周辺に行くに従って温度が低くなる。ステファン・ボルツマンの法則によると、黒体からの放射エネルギーは絶対温度（Ｋ）の４乗に比例する。発熱部４からの放射エネルギーも近似的に絶対温度の４乗に比例しているとすると、中心付近からの放射エネルギーが最も大きく、周辺に行くに従って放射エネルギーが小さくなることがわかる。したがって反射膜９は平面視で発熱部４の中心を覆うように配置されるのが望ましい。図１２は中空部を有する構造における発熱部４の温度分布をシミュレーションで計算した結果である。この図を見ると、発熱部４のうち温度が高い領域は、発熱部４の中心の８割程度の長さの領域であることが分かる。平面に換算すると温度が高い領域は８割×８割＝６．４割程度の面積の領域である。すなわち反射膜９は平面視で少なくとも発熱部４の中心部の６割程度の面積を覆うように配置されているのが望ましい。さらに、少なくとも発熱部４の全面を覆っているのが望ましい。
　【００４７】
　また、反射膜９が効率よく赤外線を反射するのが望ましいため、反射膜９の反射率は高いほうがよい。また、反射率と吸収率の関係は、透過がないとすると、
　反射率＝１−吸収率
である。さらに、放射に関するキルヒホッフの法則から
　吸収率＝放射率
である。つまり、
　反射率＝１−放射率
である。発熱部４からの熱伝導により反射膜９の温度も高くなっているため、反射膜９に放射率の高い材料が使われた場合、反射膜９からの赤外線放射のエネルギーが高くなり、モールド樹脂２９の温度上昇が起こる。したがって、この温度上昇を抑えるためには反射膜９の放射率を小さくすればよい。すなわち、反射膜９の反射率を大きくすればよい。よって、中波長赤外線領域における反射率が０．９以上であるのが望ましい。そして、反射膜９の材料として適しているのは、中波長赤外線の反射率が高く、透過率および吸収率の低い金属などである。具体的には、Ａｌ、黄銅、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｐｄなどである。また反射膜９として、反射率の高い物質層を含む多層膜を用いてもよい。
　【００４８】
　また、金属に赤外線が入射された場合、赤外線は金属の表面から深さ０．０３μｍ以上にはほとんど到達しないため、反射膜９の材料として金属を用いる場合に、その厚さを０．０３μｍ以上にするのがよい。
　【００４９】
　また反射膜９はその上面も下面（絶縁膜との接着面）も反射率が高いことが望ましいが、どちらかの面のみの反射率が高い場合でも効果を得ることができる。例えば下面のみ反射率が高い場合には、発熱部４から放射される赤外線が反射されるため、モールド樹脂２９の温度上昇を抑えることができる。また上面のみ反射率が高い場合には、反射膜９の上面の温度が高くなった場合でも、反射膜９の上面からの赤外線放射のエネルギーが抑えられるため、モールド樹脂２９の温度上昇を抑えることができる。反射膜の上面あるいは下面のどちらかの面のみ反射率が高い状況は、反射膜のどちらかの面のみが酸化して層が形成されているような場合に実現される。
　【００５０】
　なお、反射率は反射膜９の下面の表面状態にも依存し、この面が光沢面、鏡面、研磨面などと呼ばれる、表面粗さ（Ｒａ）が数ｎｍ〜数十ｎｍ以下の面であることが望ましい。逆に表面が粗くなるほど反射率は低下するため、表面が酸化するのを防止する目的で、中波長赤外線を透過しやすい絶縁膜（ＳｉＯなど）で反射膜９の下面をコーティングしてもよい。
　【００５１】
　また、中空部１０は、例えば窒素などの乾燥空気を充満させてもよいが、真空状態とするほうがさらによい。窒素の熱伝導率は０．０２４Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、半導体のＳｉの熱伝導率は１６８Ｗ／ｍ・Ｋ程度であるため、窒素の熱伝導率はＳｉに比べて４桁ほど低くなる。真空状態ではそれより熱伝導率が低くなり、発熱部４からモールド樹脂２９への熱伝導がさらに少なくなる。
　【００５２】
　基板２の材料は熱伝導率の高い物が望ましい。発熱部からの放熱経路は基板２の裏面からダイボンド材３０を経てベース２６へと至る経路であるため、基板２の熱伝導率が高いほど、放熱効率が高くなる。半導体基板の中でもＳｉＣ基板は熱伝導率が高く、材料として適している。
　【００５３】
　キャップ基板３の熱伝導率は基板２より低いことが望ましい。発熱部４で発生した熱の一部は熱伝導と放射によりキャップ基板３に到達するが、キャップ基板３の熱伝導率が基板２よりも低いことにより、発熱部４で発生した熱が基板２からベース２６へと選択的に多くの熱を逃がすことが可能になり、モールド樹脂２９の温度上昇が抑えられる。
　【００５４】
実施の形態２．
　実施の形態２の半導体装置について説明する。実施の形態２の半導体装置と実施の形態１の半導体装置の主な違いは、反射膜が形成された場所にある。ここでは主にその違いを説明する。
　【００５５】
　図１３は半導体装置１０１の断面図である。反射膜９はキャップ基板３の基板２に対向する面上に形成されている。このため、実施の形態１で説明したように反射膜９が、発熱部４から放射される赤外線がキャップ基板３やモールド樹脂２９に届くのを防ぐため、モールド樹脂２９の温度上昇が抑えられる。ここでは実施の形態１の絶縁膜８が省かれているが、絶縁膜があってもかまわない。
　【００５６】
　なお、反射膜９は反射率の高い物質層を含む２層以上の積層膜でもよく、基板２に最も近い層のみが反射の機能を持てばよい。例えば、キャップ基板３との密着性のよいＴｉをキャップ基板３と接着する層の材料とし、Ｔｉとの密着性がよく赤外線の反射率も高いＡｕを基板２に近い層の材料として用いた２層構造にしてもよい。
　【００５７】
実施の形態３．
　実施の形態３の半導体装置について説明する。実施の形態３の半導体装置と実施の形態１の半導体装置の主な違いは、反射膜が形成された場所にある。ここでは主にその違いを説明する。
　【００５８】
　図１４は半導体装置２０１の断面図である。反射膜９はキャップ基板３の基板２に対向する面の反対の面上に形成されている。このため、実施の形態１で説明したように反射膜９が、発熱部４から放射される赤外線がモールド樹脂２９に届くのを防ぐため、モールド樹脂２９の温度上昇が抑えられる。ここでは実施の形態１の絶縁膜８が省かれているが、絶縁膜があってもかまわない。
　【００５９】
　なお、キャップ基板３はＳｉで出来ているため、赤外線の吸収は少なく、発熱部４から放射される赤外線の多くを透過する。このため、発熱部４からの赤外線の多くが反射膜９に到達し、基板２側に向かって反射される。このようにキャップ基板３は赤外線の吸収率が低いことが望ましく、材料としてはＳｉのほか、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＧａＮ、ＩｎＰなどでもよい。
　【００６０】
　また、反射膜９は反射率の高い物質層を含む２層以上の積層膜でもよく、基板２から最も遠い層のみが反射の機能を持てばよい。例えば、キャップ基板３との密着性のよいＴｉをキャップ基板３と接着する層の材料とし、Ｔｉとの密着性がよく赤外線の反射率も高いＡｕを基板２から遠い層の材料として用いた２層構造にしてもよい。
　【００６１】
［実施の形態１〜３について］
　なお、実施の形態１〜３にそれぞれ適用した発明は、上記のようにそれぞれ単独で使用してもよいが、それらの発明を組み合わせて用いてもよい。
　【符号の説明】
　【００６２】
１，１０１，２０１　半導体装置、２　基板、３　キャップ基板、４　発熱部、５　ゲート電極、６　ソース電極、７　ドレイン電極、８　絶縁膜、９　反射膜、１０　中空部、１１，１２　接合パッド、１３，１４，１５，１６　電極パッド、１８　封止枠、１９　バンプ、２１　裏面電極、２２，２３　ビア、２４　電極、２５　封止材、２６　ベース、２７　リード、２８　ワイヤ、２９　モールド樹脂、３０　ダイボンド材、３１　金型、３２　モールド樹脂注入口、３３　アルミブロック
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に形成された発熱部と、
　前記基板の上方に、前
記
　前記発熱部の上方に中波長赤外線を反射する反射膜と、
　少なくとも前記キャップ基板を覆うモールド樹脂と、
を備え
、
　前記基板上に、前記発熱部を覆うように形成された絶縁膜を備え、前記中空部が、前記絶縁膜と前記キャップ基板との間に形成され、前記反射膜が、前記絶縁膜上に形成された
　【請求項２】
（削除）
　【請求項３】
（削除）
　【請求項４】
（削除）
　【請求項５】
　前記反射膜が、平面視で前記発熱部の中心の少なくとも６割の面積を覆うことを特徴とする請求項
１
　【請求項６】
　前記反射膜が、平面視で前記発熱部の少なくとも全面を覆うことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
　【請求項７】
　前記反射膜の中波長赤外線に対する反射率が０．９以上であることを特徴とする請求項１
，５
　【請求項８】
　前記反射膜の、波長範囲が５．１〜７．８μｍの赤外線に対する反射率が０．９以上であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
　【請求項９】
　前記反射膜が金属で出来た層を含むことを特徴とする請求項１
，５
　【請求項１０】
　前記反射膜が、Ａｌ、黄銅、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｐｄのいずれかの金属で出来た層を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
　【請求項１１】
　前記中空部が真空であることを特徴とする請求項１
，５
　【請求項１２】
　前記キャップ基板の熱伝導率が前記基板より低いことを特徴とする請求項１
，５
　【請求項１３】
　前記基板がＳｉＣで出来ていることを特徴とする請求項１
，５