(57)【要約】【課題】加熱効率を向上させた蒸着源、真空処理装置、及び蒸着方法を提供する。【解決手段】蒸着源は、蒸発容器と、分散板とを具備する。上記蒸発容器は、蒸着材料が収容される第１室と、上記蒸着材料が噴出する複数の噴出ノズルに連通し上記第１室の上に設けられた第２室とを有する。上記分散板は、上記蒸発容器内において上記第１室と上記第２室とを画定し、上記第１室に対面する第１面と、上記第２室に対面する第２面と、上記第１室と上記第２室とが連通する孔部とを有する。上記第２面における熱輻射率は、上記第１面における熱輻射率よりも低い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着材料が収容される第１室と、前記蒸着材料が噴出する複数の噴出ノズルに連通し前記第１室の上に設けられた第２室とを有する蒸発容器と、
前記蒸発容器内において前記第１室と前記第２室とを画定し、前記第１室に対面する第１面と、前記第２室に対面する第２面と、前記第１室と前記第２室とが連通する孔部とを有し、前記第２面における熱輻射率が前記第１面における熱輻射率よりも低い分散板と
を具備する蒸着源。
【請求項２】
請求項１に記載の蒸着源において、
前記第１面の表面粗さは、前記第２面の表面粗さより粗い
蒸着源。
【請求項３】
請求項１または２に記載の蒸着源において、
前記分散板は、前記第１室に対面する第１分散板と、前記第２室に対面する第２分散板とを有し、
前記第２分散板の熱輻射率が前記第１分散板の熱輻射率よりも低い
蒸着源。
【請求項４】
請求項１または２に記載の蒸着源において、
前記分散板は、前記第１室に対面する第３分散板と、前記第２室に対面する第４分散板とを有し、
前記分散板は、前記第３分散板と前記第４分散板との間に中間板を有し、
前記中間板の熱伝導率が前記第３分散板及び前記第４分散板のそれぞれの熱伝導率よりも低い
蒸着源。
【請求項５】
請求項４に記載の蒸着源において、
前記第４分散板の熱輻射率が前記第３分散板の熱輻射率よりも低い
蒸着源。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の蒸着源において、
前記第１面は、ブラスト処理面であり、前記第２面は、鏡面研磨面である
蒸着源。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の蒸着源において、
前記蒸発容器の外周に設けられた第１加熱機構と、前記複数の噴出ノズルの外周に設けられた第２加熱機構とを有する加熱機構をさらに具備する
蒸着源。
【請求項８】
蒸着材料が収容される第１室と、前記蒸着材料が噴出する複数の噴出ノズルに連通し前記第１室の上に設けられた第２室とを有する蒸発容器と、前記蒸発容器内において前記第１室と前記第２室とを画定し、前記第１室に対面する第１面と、前記第２室に対面する第２面と、前記第１室と前記第２室とが連通する孔部とを有し、前記第２面における熱輻射率が前記第１面における熱輻射率よりも低い分散板とを有する蒸着源と、
前記蒸着源を収容する真空容器と
を具備する真空処理装置。
【請求項９】
蒸着材料が収容される第１室と、前記蒸着材料が噴出する複数の噴出ノズルに連通し前記第１室の上に設けられた第２室とを有する蒸発容器と、前記蒸発容器内において前記第１室と前記第２室とを画定し、前記第１室に対面する第１面と、前記第２室に対面する第２面と、前記第１室と前記第２室とが連通する孔部とを有し、前記第２面における熱輻射率が前記第１面における熱輻射率よりも低い分散板とを有する蒸着源を用い、
前記蒸着源から基板に向けて前記蒸着材料を蒸発させることにより、前記蒸着材料を基板に蒸着する
蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着源、真空処理装置、及び蒸着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空処理装置の中には、蒸着源と基板とを対向させ、蒸着源の噴出ノズルから蒸着材料を噴出させて、蒸着材料を基板に蒸着するタイプのものがある。
【０００３】
このような真空処理装置では、蒸着源内における蒸着材料の蒸気圧を均一にするために、蒸着源の底部に滞留する蒸着材料と噴出ノズルとの間に複数の薄い分散板を配置する場合がある。
【０００４】
複数の分散板が蒸着材料と噴出ノズルとの間に介在することにより、例えば、蒸着源内での蒸着材料の蒸気の整流性が良好になり、噴出ノズル直下での蒸着源内における蒸着材料の蒸気圧分布が均一になる。これにより、基板には均一な厚みの蒸着材料が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開２０１８／０２５６３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、複数の分散板のそれぞれの板厚は薄いことから、その断熱効果は低い。分散板の断熱効果が低くなると、例えば、分散板に熱溜まりが生じて、噴出ノズルまたは蒸着材料を加熱する加熱効率が向上しない場合がある。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、加熱効率を向上させた蒸着源、真空処理装置、及び蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る蒸着源は、蒸発容器と、分散板とを具備する。
上記蒸発容器は、蒸着材料が収容される第１室と、上記蒸着材料が噴出する複数の噴出ノズルに連通し上記第１室の上に設けられた第２室とを有する。
上記分散板は、上記蒸発容器内において上記第１室と上記第２室とを画定し、上記第１室に対面する第１面と、上記第２室に対面する第２面と、上記第１室と上記第２室とが連通する孔部とを有する。上記第２面における熱輻射率は、上記第１面における熱輻射率よりも低い。
【０００９】
このような蒸着源によれば、複数の噴出ノズル及び蒸着材料が効率よく加熱されて、蒸着源の加熱効率が向上する。
【００１０】
蒸着源において、上記第１面の表面粗さは、上記第２面の表面粗さより粗くてもよい。
【００１１】
このような蒸着源によれば、第１面の表面粗さが第２面の表面粗さより粗く構成され、複数の噴出ノズル及び蒸着材料が効率よく加熱される。これにより、蒸着源の加熱効率が向上する。
【００１２】
蒸着源において、上記分散板は、上記第１室に対面する第１分散板と、上記第２室に対面する第２分散板とを有し、上記第２分散板の熱輻射率が上記第１分散板の熱輻射率よりも低くてもよい。
【００１３】
このような蒸着源によれば、第２分散板の熱輻射率が第１分散板の熱輻射率よりも低く構成され、複数の噴出ノズル及び蒸着材料が効率よく加熱される。これにより、蒸着源の加熱効率が向上する。
【００１４】
蒸着源において、上記分散板は、上記第１室に対面する第３分散板と、上記第２室に対面する第４分散板とを有し、上記分散板は、上記第３分散板と上記第４分散板との間に中間板を有し、上記中間板の熱伝導率が上記第３分散板及び上記第４分散板のそれぞれの熱伝導率よりも低くてもよい。
【００１５】
このような蒸着源によれば、中間板の熱伝導率が第３分散板及び第４分散板のそれぞれの熱伝導率よりも低く構成され、複数の噴出ノズル及び蒸着材料が効率よく加熱される。これにより、蒸着源の加熱効率が向上する。
【００１６】
蒸着源において、上記第４分散板の熱輻射率が上記第３分散板の熱輻射率よりも低くてもよい。
【００１７】
このような蒸着源によれば、第４分散板の熱輻射率が第３分散板の熱輻射率よりも低く構成され、複数の噴出ノズル及び蒸着材料が効率よく加熱される。これにより、蒸着源の加熱効率が向上する。
【００１８】
蒸着源において、上記第１面は、ブラスト処理面であり、上記第２面は、鏡面研磨面であってもよい。
【００１９】
このような蒸着源によれば、第１面は、ブラスト処理面であり、第２面は、鏡面研磨面であり、複数の噴出ノズル及び蒸着材料が効率よく加熱される。これにより、蒸着源の加熱効率が向上する。
【００２０】
蒸着源において、上記蒸発容器の外周に設けられた第１加熱機構と、上記複数の噴出ノズルの外周に設けられた第２加熱機構とを有する加熱機構をさらに具備してもよい。
【００２１】
このような蒸着源によれば、蒸発容器の外周に設けられた第１加熱機構と、複数の噴出ノズルの外周に設けられた第２加熱機構とを有するため、複数の噴出ノズル及び蒸着材料が効率よく加熱される。これにより、蒸着源の加熱効率が向上する。
【００２２】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る真空処理装置は、上記蒸着源と、上記蒸着源を収容する真空容器とを具備する。
【００２３】
このような真空処理装置によれば、複数の噴出ノズル及び蒸着材料が効率よく加熱されて、蒸着源の加熱効率が向上する。
【００２４】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る蒸着方法では、上記蒸着源が用いられ、上記蒸着源から基板に向けて上記蒸着材料を蒸発させることにより、上記蒸着材料が基板に蒸着される。
【００２５】
このような蒸着方法によれば、複数の噴出ノズル及び蒸着材料が効率よく加熱されて、蒸着源の加熱効率が向上する。
【発明の効果】
【００２６】
以上述べたように、本発明によれば、加熱効率を向上させた蒸着源、真空処理装置、及び蒸着方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施形態に係る真空処理装置の模式的断面図である。
【図２】図（ａ）は、蒸着源の模式的断面図である。図（ｂ）は、蒸着源の模式的上面図である。
【図３】蒸着源の変形例１に係る模式的断面図である。
【図４】蒸着源の変形例２に係る模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標が導入される場合がある。また、同一の部材または同一の機能を有する部材には同一の符号を付す場合があり、その部材を説明した後には適宜説明を省略する場合がある。
【００２９】
図１は、本実施形態に係る真空処理装置の模式的断面図である。
【００３０】
真空処理装置１は、真空容器１０と、基板搬送機構２０と、蒸着源３０Ａとを具備する。真空処理装置１は、蒸着源３０Ａから蒸着材料３０ｍを蒸発させて、蒸着材料３０ｍを基板９０に蒸着する蒸着装置である。
【００３１】
真空容器１０は、減圧状態を維持できる容器である。真空容器１０は、排気機構７０によって、その内部の気体が排気される。真空容器１０を基板搬送機構２０から蒸着源３０Ａに向かう方向（以下、Ｚ軸方向）に上面視したときの平面形状は、例えば、矩形状である。
【００３２】
真空容器１０は、基板搬送機構２０、蒸着源３０Ａ等を収容する。真空容器１０には、ガスを供給することが可能なガス供給機構が取り付けられてもよい。また、真空容器１０には、その内部の圧力を計測する圧力計が取り付けられてもよい。また、真空容器１０には、基板９０に形成された膜の蒸着速度等を間接的に計測する膜厚計が設けられてもよい。
【００３３】
基板搬送機構２０は、真空容器１０の上部に位置する。基板搬送機構２０は、Ｚ軸方向において蒸着源３０Ａに対向する。基板搬送機構２０は、基板９０を保持する基板ホルダ９１を支持しつつ、基板９０及び基板ホルダ９１をＹ軸方向に搬送する。すなわち、基板９０と蒸着源３０Ａとの相対位置が変化しながら、基板９０に蒸着材料３０ｍが蒸着される。基板９０は、例えば、矩形状の大型ガラス基板である。また、基板９０と蒸着源３０Ａとの間には、マスク部材９２が設けられてもよい。例えば、図１の例では、基板９０の蒸着源３０Ａと対向する面（蒸着面）にマスク部材９２が設けられる。
【００３４】
なお、基板搬送機構２０は、蒸着源３０Ａの側に設けられていてもよい。この場合、固定された基板９０に対して、蒸着源３０Ａを搬送する搬送機構とを走査することにより、基板９０と蒸着源３０Ａとの相対位置が変化して、基板９０に蒸着材料３０ｍが蒸着される。
【００３５】
蒸着源３０Ａは、真空容器１０の下部に位置する。蒸着源３０Ａは、蒸発容器３１（坩堝）と、噴出ノズル３２と、加熱機構３３と、分散板３４Ａと、カバー３５と、天板３６とを有する。蒸着源３０Ａは、Ｚ軸方向において基板９０に対向する。蒸着源３０Ａは、例えば、図示しない支持台に固定されている。蒸着源３０Ａは、１つに限らず、例えば、Ｙ軸方向に複数並設されてもよい。この場合、複数の蒸着源３０Ａのそれぞれは、互いに平行になってＹ軸方向に並ぶことになる。
【００３６】
蒸発容器３１は、基板９０が搬送される方向と直交する方向（Ｘ軸方向）に延在する。蒸発容器３１をＺ軸方向から上面視した場合、その外形は、例えば、長方形である。蒸発容器３１は、天板３６により、その上部が塞がれる。
【００３７】
複数の蒸着源３０Ａが真空容器１０に配置された場合、複数の蒸発容器３１のそれぞれには、種類が異なる蒸着材料３０ｍを充填することができる。これにより、基板９０に、層によって材料が異なる積層膜、層において異種の材料が混合した混合膜等を形成することができる。なお、蒸着材料３０ｍは、例えば、有機物、金属等である。
【００３８】
天板３６には、複数の噴出ノズル３２が設けられている。複数の噴出ノズル３２のそれぞれは、所定の間隔を隔てて、Ｘ軸方向に並設されている。複数の噴出ノズル３２は、基板９０に対向する。一例として、複数の噴出ノズル３２は、例えば、Ｘ軸方向における基板９０の幅よりも狭い領域に配置されている。
【００３９】
また、Ｘ軸方向に並ぶ複数の噴出ノズル３２においては、例えば、両側または両側近傍に配置された噴出ノズルが基板９０に背くように傾斜している。図１の例では、両側に配置された噴出ノズルを噴出ノズル３２１と表記している。例えば、噴出ノズル３２１の中心軸３２ｃは、Ｚ軸方向と交差している。なお、本実施形態では、噴出ノズル３２１を含めた複数の噴出ノズルのそれぞれを総括的に"噴出ノズル３２"と呼称する。
【００４０】
加熱機構３３は、蒸発容器３１の外側に配置されている。加熱機構３３は、蒸発容器３１の外周に設けられた下部加熱機構３３Ｄ（第１加熱機構）と、複数の噴出ノズル３２の外周に設けられた上部加熱機構３３Ｕ（第２加熱機構）とを有する。加熱機構３３は、誘導加熱方式または抵抗加熱方式の加熱機構である。なお、加熱機構３３は、カバー３５に覆われてもよい。
【００４１】
下部加熱機構３３Ｄは、例えば、蒸発容器３１の外周を囲んでいる。蒸発容器３１に収容された蒸着材料３０ｍが加熱機構３３によって加熱されると、蒸着材料３０ｍが複数の噴出ノズル３２から基板９０に向けて噴出する。
【００４２】
上部加熱機構３３Ｕは、例えば、複数の噴出ノズル３２の外周を囲んでいる。上部加熱機構３３Ｕが複数の噴出ノズル３２を加熱することにより、例えば、蒸着材料３０ｍの噴出ノズル３２における目詰まりが抑制される。
【００４３】
分散板３４Ａは、蒸発容器３１の内部に配置される。ここで、分散板３４Ａを含めた蒸着源３０Ａの詳細を図２（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【００４４】
図２（ａ）は、蒸着源の模式的断面図である。図２（ｂ）は、蒸着源の模式的上面図である。図２（ａ）は、図２（ｂ）のＡ−Ａ'断面図である。また、図２（ｂ）では、蒸着源３０Ａの内部を示すために、図２（ａ）に図示された天板３６が図示されていない。
【００４５】
蒸発容器３１は、第１室３１１（下部室）と、第１室３１１の上に設けられた第２室３１２（上部室）とを有する。第１室３１１には、蒸着材料３０ｍが収容される。第２室３１２は、蒸着材料３０ｍが噴出する複数の噴出ノズル３２に連通する。
【００４６】
第１室３１１から第２室３１２に向かう方向をＺ軸方向（第１方向）とした場合、蒸発容器３１は、例えば、Ｚ軸方向に直交するＹ軸方向（第２方向）における長さよりも、Ｚ軸方向及びＹ軸方向と直交するＸ軸方向（第３方向）における長さのほうが長く構成されている。蒸発容器３１の材料は、例えば、銅、タンタル、モリブデン、チタン、アルミニウム、鉄、ステンレス鋼、カーボン等である。
【００４７】
分散板３４Ａは、蒸発容器３１内に配置される。分散板３４Ａは、蒸発容器３１内に設けられた固定部３７に固定される。分散板３４Ａは、蒸発容器３１を第１室３１１と第２室３１２とに画定する。
【００４８】
分散板３４Ａは、例えば、一枚の厚い金属板により構成され、第１室３１１に対面する下面３４ｄ（第１面）と、第２室３１２に対面する上面３４ｕ（第２面）とを有する。さらに、分散板３４Ａは、第１室３１１と第２室３１２とが連通する複数の孔部３４１、３４２を有する。複数の孔部３４１、３４２が分散板３４Ａに設けられたことにより、第１室３１１で蒸発した蒸着材料３０ｍの蒸気が複数の孔部３４１、３４２を介して第２室３１２に進行し、さらに該蒸気が複数の噴出ノズル３２から蒸着源３０Ａ外に放出される。
【００４９】
蒸着源３０Ａでは、分散板３４Ａの上面３４ｕの熱輻射率が分散板３４Ａの下面３４ｄにおける熱輻射率よりも低く構成されている。例えば、下面３４ｄの表面粗さは、上面３４ｕの表面粗さより粗く構成されている。
【００５０】
下面３４ｄは、例えば、ブラスト処理面であり、上面３４ｕは、例えば、鏡面研磨面である。ブラスト処理としては、例えば、ＡＢＢ処理等が適用される。例えば、チタン製の蒸発容器３１及び天板３６において、下面３４ｄにおける熱輻射率は、０．４以上である。上面３４ｕにおける熱輻射率は、０．３以下である。なお、下面３４は、ブラスト処理面に代えて、酸化処理面としてもよい。また、ブラスト処理と酸化処理とを併用し、下面３４をブラスト酸化処理面としてもよい。
【００５１】
分散板３４Ａの厚みは、例えば、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下である。分散板３４Ａの材料は、例えば、ステンレス鋼、銅、タンタル、モリブデン、チタン、アルミニウム、鉄、カーボン等のいずれかである。なお、分散板３４Ａは、１個に限らず、Ｚ軸方向に複数重ねてもよい。
【００５２】
このような蒸着源３０Ａを用い、蒸着源３０Ａから基板９０に向けて蒸着材料３０ｍを蒸発させる方法を用いて、蒸着材料３０ｍが基板９０に蒸着する。
【００５３】
ここで、比較例として、分散板３４Ａの代わりに、鏡面研磨またはブラスト処理を施していない分散板を用いる手法がある。しかし、分散板は金属であり、分散板自体が所定の熱伝導性を有している。
【００５４】
このため、鏡面研磨またはブラスト処理が施されていない分散板を用いると、分散板全体が所謂ヒートシンクになって、上部加熱機構３３Ｕまたは下部加熱機構３３Ｄが形成する熱が分散板によって吸収されてしまう。
【００５５】
これにより、２つの比較例では、蒸着材料３０ｍの上方に配置した分散板に熱が溜ってしまい、噴出ノズル３２及び蒸着材料３０ｍを加熱する加熱効率が向上しない可能性がある。
【００５６】
これに対して、本実施形態の分散板３４Ａでは、上面３４ｕが鏡面になっている。また。上面３４ｕと反対側の下面３４ｄは、ブラスト処理面（凹凸面）になっている。
【００５７】
このような分散板３４Ａを備えた蒸着源３０Ａでは、上部加熱機構３３Ｕが形成する熱の中、蒸発容器３１の下方に逃げた熱は、鏡面である上面３４ｕによって反射され、この反射した熱が再び複数の噴出ノズル３２を加熱することになる。
【００５８】
一方、上部加熱機構３３Ｕによって形成された熱の中、上面３４ｕによって反射されずに分散板３４Ａ内に伝導した熱は、ブラスト処理面である下面３４ｄから効率よく蒸着材料３０ｍに向かって輻射する。これにより、蒸着材料３０ｍの上面が上部加熱機構３３Ｕによっても効率よく加熱される。
【００５９】
また、下部加熱機構３３Ｄによって形成された熱は、蒸着材料３０ｍの周りから蒸着材料３０ｍを加熱するともに、分散板３４Ａにまで伝導し、ブラスト処理面である下面３４ｄから蒸着材料３０ｍの上面に向かって効率よく輻射する。これにより、下部加熱機構３３Ｄによっても蒸着材料３０ｍの上面が効率よく加熱される。
【００６０】
このように、分散板３４Ａを備えた蒸着源３０Ａでは、噴出ノズル３２及び蒸着材料３０ｍの上面を加熱する加熱効率が著しく向上している。
【００６１】
（変形例１）
【００６２】
図３は、蒸着源の変形例１に係る模式的断面図である。
【００６３】
蒸着源３０Ｂにおいては、分散板３４Ｂが第１室３１１に対面する分散板３４Ｈ（第１分散板）と、第２室３１２に対面する分散板３４Ｌ（第２分散板）とを有する。分散板３４Ｌの熱輻射率は、分散板３４Ｈの熱輻射率よりも低い。また、分散板３４Ｂの上面３４ｕには、鏡面研磨加工が施され、下面３４ｄには、ブラスト処理が施されてもよく、鏡面研磨加工またはブラスト処理は、分散板３４Ｂに施されなくてもよい。
【００６４】
このような構成であれば、上部加熱機構３３Ｕが形成する熱は、低い熱輻射率を有する分散板３４Ｌの存在により分散板３４Ｂに吸収されにくくなる。これにより、複数の噴出ノズル３２は、上部加熱機構３３Ｕによって効率よく加熱される。また、上面３４ｕに鏡面研磨加工を施すことで、上部加熱機構３３Ｕによる加熱効率は、さらに向上する。
【００６５】
一方、上部加熱機構３３Ｕによって形成された熱の中、分散板３４Ｈ内にまで伝導した熱は、高い熱輻射率を有する分散板３４Ｈから効率よく蒸着材料３０ｍに向かって輻射する。これにより、蒸着材料３０ｍの上面が上部加熱機構３３Ｕによっても効率よく加熱される。
【００６６】
また、下部加熱機構３３Ｄによって形成された熱は、蒸着材料３０ｍの周りから蒸着材料３０ｍに伝導するともに、分散板３４Ｂにまで伝導する。そして、分散板３４Ｂにまで伝導した熱は、熱輻射率の高い分散板３４Ｈから蒸着材料３０ｍの上面に向かって効率よく輻射する。これにより、下部加熱機構３３Ｄによっても蒸着材料３０ｍの上面が効率よく加熱される。また、下面３４ｄにブラスト処理加工を施すことで、下部加熱機構３３Ｄによる加熱効率は、さらに向上する。
【００６７】
なお、分散板３４Ｌと分散板３４Ｈとは、互いに接触しているものの、それぞれを溶接することを要しない。これにより、分散板３４Ｌ及び分散板３４Ｈのそれぞれの熱膨張率が異なっても、分散板３４Ｂ全体が歪曲しにくくなる。
【００６８】
（変形例２）
【００６９】
図４は、蒸着源の変形例２に係る模式的断面図である。
【００７０】
蒸着源３０Ｃにおいては、分散板３４Ｃが第１室３１１に対面する分散板３４３（第３分散板）と、第２室３１２に対面する分散板３４４（第４分散板）とを有する。さらに、分散板３４Ｃは、分散板３４３と分散板３４４との間に中間板３４ｉを有する。ここで、中間板３４ｉの熱伝導率は、分散板３４３及び分散板３４４のそれぞれの熱伝導率よりも低くてもよい。また、分散板３４３、中間板３４ｉ、及び分散板３４４は、互いに接触しているものの、それぞれは互いに溶接されていない。
【００７１】
また、分散板３４４の熱輻射率は、分散板３４３の熱輻射率よりも低くてもよい。さらに、分散板３４Ｃの上面３４ｕには、鏡面研磨加工が施され、下面３４ｄには、ブラスト処理が施されてもよく、鏡面研磨加工またはブラスト処理は、分散板３４Ｂに施されなくてもよい。
【００７２】
このような構成であれば、上部加熱機構３３Ｕが形成する熱は、低い熱伝導率を有する中間板３４ｉの存在により分散板３４３側に吸収されにくくなる。これにより、複数の噴出ノズル３２は、上部加熱機構３３Ｕによって効率よく加熱される。また、分散板３４４を低い熱輻射率を有する分散板としたり、上面３４ｕに鏡面研磨加工を施したりすることで、上部加熱機構３３Ｕによる加熱効率は、さらに向上する。
【００７３】
また、下部加熱機構３３Ｄによって形成された熱は、蒸着材料３０ｍの周りから蒸着材料３０ｍに伝導するともに、分散板３４Ｃにまで伝導する。そして、分散板３４Ｃにまで伝導した熱は、中間板３４ｉの存在により分散板３４４側に吸収されにくくなる。これにより、下部加熱機構３３Ｄによっても蒸着材料３０ｍの上面が効率よく加熱される。また、分散板３４３を熱輻射率の高い分散板としたり、下面３４ｄにブラスト処理加工を施したりすることで、下部加熱機構３３Ｄによる加熱効率は、さらに向上する。
【００７４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。各実施形態は、独立の形態とは限らず、技術的に可能な限り複合することができる。
【符号の説明】
【００７５】
１…真空処理装置
１０…真空容器
２０…基板搬送機構
３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ…蒸着源
３０ｍ…蒸着材料
３１…蒸発容器
３２、３２１…噴出ノズル
３２ｃ…中心軸
３３…加熱機構
３３Ｄ…下部加熱機構
３３Ｕ…上部加熱機構
３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃ、３４Ｌ、３４Ｈ、３４３、３４４…分散板
３４ｄ…下面
３４ｕ…上面
３４ｉ…中間板
３５…カバー
３６…天板
３７…固定部
７０…排気機構
９０…基板
９１…基板ホルダ
９２…マスク部材
３１１…第１室
３１２…第２室
３４１、３４２…孔部
【図１】
2020132964.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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