(57)【要約】【課題】  入力される交流電圧が急激に変動しても、出力電圧の急上昇を抑制できる点灯装置、及び照明器具を提供する。【解決手段】  点灯装置１では、制御回路１４は、交流電力の力率を改善する力率改善回路及び交流電力を直流電力に変換する電力変換回路として電源回路１１が機能するように、スイッチング素子Ｑ１１をスイッチング制御する。電流可変回路１２は、負荷電流Ｉｏが流れるトランジスタ１２１、及びトランジスタ１２１を制御して負荷電流Ｉｏを調節する電流制御部１２２を有する。制御回路１４は、トランジスタ１２１の両端電圧を含む監視電圧Ｖｄ４の検出値である第１検出電圧Ｖｄ１が上限値を上回ると、スイッチング制御を停止する。【選択図】図１
2020191240.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電圧を入力されて交流電力を直流電力に変換し、直流電圧を光源に出力する電源回路と、
前記電源回路を制御する制御回路と、
前記光源に流れる負荷電流を調整する電流可変回路と、を備え、
前記電源回路は、スイッチング素子を有し、
前記制御回路は、前記交流電力の力率を改善する力率改善回路及び前記交流電力を前記直流電力に変換する電力変換回路として前記電源回路が機能するように、前記スイッチング素子をスイッチング制御し、
前記電流可変回路は、前記負荷電流が流れるトランジスタ、及び前記トランジスタを制御して前記負荷電流を調節する電流制御部を有し、
前記制御回路は、前記トランジスタの両端電圧を含む監視電圧の検出値が上限値を上回ると、前記スイッチング制御を停止する
点灯装置。
【請求項２】
前記制御回路は、前記スイッチング制御を停止した後、前記監視電圧の検出値が前記上限値以下になると、前記スイッチング制御を再開する
請求項１の点灯装置。
【請求項３】
前記制御回路は、前記スイッチング制御を停止した後、前記監視電圧の検出値が前記上限値より低い再開値以下になると、前記スイッチング制御を再開する
請求項１の点灯装置。
【請求項４】
前記交流電力又は前記交流電力を整流した電力から制御電圧を生成する制御電源をさらに備え、
前記制御回路は、前記制御電圧によって駆動される
請求項１乃至３のいずれか一項の点灯装置。
【請求項５】
前記電流可変回路は、前記トランジスタに直列接続された抵抗をさらに有し、
前記電流制御部は、前記抵抗の両端電圧が基準電圧に一致するように前記トランジスタを制御して前記負荷電流を調節する
請求項１乃至４のいずれか一項の点灯装置。
【請求項６】
前記監視電圧は、前記トランジスタと前記抵抗との直列回路の両端電圧である
請求項５の点灯装置。
【請求項７】
前記電源回路は、インダクタをさらに有し、前記スイッチング素子をオン状態にすることで前記インダクタにエネルギーを蓄積し、前記スイッチング素子をオフ状態にすることで前記インダクタから前記エネルギーを放出して、前記直流電力を生成し、
前記制御回路は、前記監視電圧の検出値が前記上限値を上回ると、前記スイッチング素子をオフ状態にすることで、前記スイッチング制御を停止する
請求項１乃至６のいずれか一つの点灯装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項の点灯装置と、前記点灯装置から直流電力を供給される光源と、前記光源を設ける筐体とを備える照明器具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、点灯装置、及び照明器具に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電源回路と、電流可変回路と、制御回路とを備える点灯装置がある（例えば特許文献１参照）。電源回路は、スイッチング素子を有するスイッチング電源回路であり、交流電圧を入力されて昇降圧動作を行い、光源に直流の出力電圧を出力する。電源回路では、入力の力率を改善する力率改善回路と、直流電圧を出力するコンバータとが一体に構成されている。電流可変回路は、光源に直列接続されたトランジスタと検出抵抗との直列回路を有し、トランジスタを制御することで光源に流れる負荷電流を調整する。制御回路は、電源回路及び電流可変回路をそれぞれ制御して、出力電圧及び負荷電流をそれぞれ制御する。
【０００３】
従来の点灯装置は、光源を消灯制御する場合、電源回路のスイッチング素子のスイッチング制御を継続しながら、電流可変回路のトランジスタをオフする。すなわち、光源の消灯制御では、電源回路から出力電圧が出力されている状態で、負荷電流がゼロになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−１５６８５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の従来の点灯装置では、入力される交流電圧の急激な変動時（電力系統の切替時、瞬時電圧低下からの復帰時など）、及び急激な負荷変動時に、出力電圧が跳ね上がることがある。このような出力電圧の急上昇は、点灯装置の不具合の要因となる可能性があった。
【０００６】
本開示の目的とするところは、入力される交流電圧が急激に変動しても、出力電圧の急上昇を抑制できる点灯装置、及び照明器具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様に係る点灯装置は、電源回路と、制御回路と、電流可変回路と、を備える。前記電源回路は、交流電圧を入力されて交流電力を直流電力に変換し、直流電圧を光源に出力する。前記制御回路は、前記電源回路を制御する。前記電流可変回路は、前記光源に流れる負荷電流を調整する。前記電源回路は、スイッチング素子を有する。前記制御回路は、前記交流電力の力率を改善する力率改善回路及び前記交流電力を前記直流電力に変換する電力変換回路として前記電源回路が機能するように、前記スイッチング素子をスイッチング制御する。前記電流可変回路は、前記負荷電流が流れるトランジスタ、及び前記トランジスタを制御して前記負荷電流を調節する電流制御部を有する。前記制御回路は、前記トランジスタの両端電圧を含む監視電圧の検出値が上限値を上回ると、前記スイッチング制御を停止する。
【０００８】
本開示の一態様に係る照明器具は、上述の点灯装置と、前記点灯装置から直流電力を供給される光源と、前記光源を設ける筐体とを備える。
【発明の効果】
【０００９】
以上説明したように、本開示では、入力される交流電圧が急激に変動しても、出力電圧の急上昇を抑制できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態に係る点灯装置を示すブロック図である。
【図２】図２は、比較例の点灯装置を示すブロック図である。
【図３】図３は、比較例の各部の波形を示す図である。
【図４】図４は、実施形態に係る点灯装置の各部の波形を示す図である。
【図５】図５は、第２変形例の点灯装置の一部を示すブロック図である。
【図６】図６は、第３変形例の点灯装置を示すブロック図である。
【図７】図７Ａは、実施形態に係る照明器具を示す断面図である。図７Ｂは、実施形態に係る別の照明器具を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下の実施形態は、一般に、点灯装置、および照明器具に関する。より詳細には、以下の実施形態は、交流電力を入力されて、直流電力を光源に供給する点灯装置、および照明器具に関する。
【００１２】
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１３】
（１）基本構成
図１は、本実施形態の点灯装置１の回路構成を示す。
【００１４】
点灯装置１は、電源回路１１と、電流可変回路１２と、検出回路１３と、制御回路１４とを、主構成として備える。
【００１５】
電源回路１１の入力端は、交流電源９に電気的に接続している。交流電源９は、１００Ｖ系又は２００Ｖ系の商用電力系統である。電源回路１１は、交流電源９から交流電力を供給され、交流電力を電力変換して直流電力を生成し、生成した直流電力を光源２へ供給する。交流電源９の電圧は交流電圧Ｖｉであり、交流電圧Ｖｉが電源回路１１に入力される。
【００１６】
電源回路１１は、昇降圧機能及び昇圧機能のいずれかを有するワンコンバータのスイッチング電源回路である。ワンコンバータでは、交流電力の力率を改善する力率改善回路と、交流電力を直流電力に変換する電力変換回路とが一体に構成されており、部品点数の低減、及び高効率化を図っている。すなわち、電源回路１１は、力率改善回路、及び電力変換回路として機能することができる。電源回路１１が昇降圧機能を有する場合、電源回路１１は、ＳＥＰＩＣ（Single Ended Primary Inductor Converter）回路、ＣＵＫ回路、及びＺＥＴＡ回路のいずれかの構成を備えることが好ましい。
【００１７】
図１の電源回路１１は、整流回路１１１、及びコンバータ１１２を備えており、コンバータ１１２は、ＳＥＰＩＣ回路を構成している。
【００１８】
整流回路１１１は、フルブリッジ接続された４個のダイオードを有するダイオードブリッジＤＢ１、及びコンデンサＣ１を備える。コンデンサＣ１は、ダイオードブリッジＤＢ１の出力端間に接続される。ダイオードブリッジＤＢ１は、交流電源９から入力された交流電圧Ｖｉを全波整流し、コンデンサＣ１の両端間には直流の脈流電圧が生成される。整流回路１１１が出力する脈流電圧は、コンバータ１１２に入力される。
【００１９】
コンバータ１１２は、整流回路１１１から脈流電圧を入力されて、直流の出力電圧Ｖｏを出力する。コンバータ１１２は、制御回路１４によって制御される。
【００２０】
具体的に、コンバータ１１２は、インダクタＬ１１，Ｌ１２、コンデンサＣ１１、出力コンデンサＣ１２、ダイオードＤ１１、スイッチング素子Ｑ１１、及び抵抗Ｒ１１を備えるＳＥＰＩＣ回路を構成する。コンデンサＣ１の正極（脈流電圧の高電位）と負極（脈流電圧の負電位）との間には、正極からインダクタＬ１１、コンデンサＣ１１、ダイオードＤ１１、出力コンデンサＣ１２を順に接続した直列回路が接続されている。インダクタＬ１１とコンデンサＣ１１との接続点とコンデンサＣ１の負極との間には、スイッチング素子Ｑ１１と抵抗Ｒ１１との直列回路が接続されている。図１のスイッチング素子Ｑ１１は、Ｎチャネルのエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：電界効果トランジスタ）である。スイッチング素子Ｑ１１のドレインは、インダクタＬ１１とコンデンサＣ１１との接続点に接続され、スイッチング素子Ｑ１１のソースは抵抗Ｒ１１の一端に接続される。抵抗Ｒ１１の他端は、コンデンサＣ１の負極に接続される。なお、スイッチング素子Ｑ１１は、ＭＯＳＦＥＴ以外に、例えばバイポーラトランジスタなどの他の半導体スイッチング素子であってもよい。
【００２１】
コンデンサＣ１１とダイオードＤ１１との接続点とコンデンサＣ１の負極との間には、インダクタＬ１２が接続されている。出力コンデンサＣ１２の両端電圧が出力電圧Ｖｏになる。なお、ダイオードＤ１１のアノードはコンデンサＣ１１に接続され、ダイオードＤ１１のカソードは出力コンデンサＣ１２の正極（出力電圧Ｖｏの高電位）に接続されている。
【００２２】
そして、スイッチング素子Ｑ１１がオンすると、コンデンサＣ１の正極、インダクタＬ１１、スイッチング素子Ｑ１１、抵抗Ｒ１１、コンデンサＣ１の負極の順序で電流が流れて、インダクタＬ１１にエネルギー（磁気エネルギー）が蓄積される。また、スイッチング素子Ｑ１１がオンすると、コンデンサＣ１１、スイッチング素子Ｑ１１、抵抗Ｒ１１、インダクタＬ１２、コンデンサＣ１１の順序で電流が流れて、インダクタＬ１２にエネルギー（磁気エネルギー）が蓄積される。
【００２３】
次に、スイッチング素子Ｑ１１がオフすると、コンデンサＣ１の正極、インダクタＬ１１、コンデンサＣ１１、ダイオードＤ１１、出力コンデンサＣ１２、コンデンサＣ１の負極の順序で電流が流れて、コンデンサＣ１１を充電する。また、スイッチング素子Ｑ１１がオフすると、インダクタＬ１２、ダイオードＤ１１、出力コンデンサＣ１２、インダクタＬ１２の順序で電流が流れて、出力コンデンサＣ１２を充電する。
【００２４】
そして、スイッチング素子Ｑ１１がオンオフすることによって、脈流電圧を入力とする昇降圧動作が行われ、出力コンデンサＣ１２の両端間に直流の出力電圧Ｖｏが発生する。電源回路１１は、出力電圧Ｖｏを出力する。
【００２５】
電源回路１１の出力端間（出力コンデンサＣ１２の両端間）には、光源２と電流可変回路１２との直列回路が接続されている。光源２と電流可変回路１２との直列回路には、出力電圧Ｖｏが印加される。光源２に流れる負荷電流Ｉｏは、電流可変回路１２によって制御される。電流可変回路１２は、負荷電流Ｉｏを制御することで光源２の光出力を調整し、光源２の点灯、消灯、及び調光を行うことができる。
【００２６】
光源２は、固体発光素子としてＬＥＤ（Light Emitting Diode）を用いており、直列接続された複数のＬＥＤを備える。隣り合う一対のＬＥＤでは、一方のＬＥＤのカソードが、他方のＬＥＤのアノードに接続している。光源２は、高電位側をアノード側とし、低電位側をカソード側とする。この場合、光源２のアノード側は、出力コンデンサＣ１２の正極に接続している。光源２のカソード側は、電流可変回路１２に接続している。
【００２７】
電流可変回路１２は、ＦＥＴ１２１（トランジスタ）と、電流制御部１２２とを備える。
【００２８】
ＦＥＴ１２１は、Ｎチャネルのエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴであり、ＦＥＴ１２１のドレインは、光源２のカソード側に接続している。なお、ＦＥＴ１２１の代わりに、例えばバイポーラトランジスタなどの他のトランジスタを用いてもよい。
【００２９】
電流制御部１２２は、オペアンプ１２２ａと、抵抗１２２ｂ，１２２ｃと、検出抵抗１２２ｄとを備える。ＦＥＴ１２１のソースは、検出抵抗１２２ｄの一端に接続している。検出抵抗１２２ｄの他端は、出力コンデンサＣ１２の負極に接続している。すなわち、電源回路１１の出力端間には、光源２とＦＥＴ１２１と検出抵抗１２２ｄとの直列回路が接続している。
【００３０】
抵抗１２２ｂの一端は、ＦＥＴ１２１のソースに接続し、抵抗１２２ｂの他端は、オペアンプ１２２ａの−側入力端子に接続している。すなわち、ＦＥＴ１２１のソースと検出抵抗１２２ｄとの接続点は、抵抗１２２ｂを介してオペアンプ１２２ａの−側入力端子に接続している。また、オペアンプ１２２ａの＋側入力端子には、制御回路１４から基準電圧Ｖｒ３が入力される。また、オペアンプ１２２ａの出力端子と−側入力端子との間には、抵抗１２２ｃが接続されている。さらに、オペアンプ１２２ａの出力端子は、ＦＥＴ１２１のゲートに接続している。そして、電流制御部１２２は、ＦＥＴ１２１のゲート電圧を制御することで、ＦＥＴ１２１と検出抵抗１２２ｄとの直列回路に流れる負荷電流Ｉｏを調節できる。
【００３１】
検出回路１３は、ツェナダイオード１３１、ダイオード１３２，１３５，１３６、及び抵抗１３３，１３４を備える。ツェナダイオード１３１のカソードは、ＦＥＴ１２１のドレイン（光源２とＦＥＴ１２１との接続点）に接続され、ツェナダイオード１３１のアノードはダイオード１３２のアノードに接続される。抵抗１３３，１３４の直列回路は、光源２とＦＥＴ１２１との直列回路に並列接続される。ダイオード１３５のアノードは、抵抗１３３，１３４の接続点に接続される。ダイオード１３６のアノードは、スイッチング素子Ｑ１１のソースに接続される。ダイオード１３２，１３５，１３６の各カソードは、制御回路１４の入力ポートＰ４に接続される。
【００３２】
検出回路１３は、ＦＥＴ１２１のドレイン電圧Ｖｄ４（ＦＥＴ１２１のドレインと出力コンデンサＣ１２の負極との間の電圧）を監視電圧としており、この監視電圧は、ＦＥＴ１２１の両端電圧（ドレイン−ソース間電圧）を含む。本実施形態では、監視電圧は、ＦＥＴ１２１と検出抵抗１２２ｄとの直列回路の両端電圧である。そして、検出回路１３では、ドレイン電圧Ｖｄ４からツェナダイオード１３１のツェナ電圧を差し引いた値が、第１検出電圧Ｖｄ１となる。この第１検出電圧Ｖｄ１が、監視電圧（ドレイン電圧Ｖｄ４）の検出値に対応する。第１検出電圧Ｖｄ１は、ダイオード１３２を介して、制御回路１４の入力ポートＰ４に入力される。
【００３３】
検出回路１３では、抵抗１３３，１３４の接続点の電圧（抵抗１３３，１３４の接続点と出力コンデンサＣ１２の負極との間の電圧）が第２検出電圧Ｖｄ２になる。第２検出電圧Ｖｄ２は、出力電圧Ｖｏに比例する。第２検出電圧Ｖｄ２は、ダイオード１３５を介して、制御回路１４の入力ポートＰ４に入力される。
【００３４】
検出回路１３では、抵抗Ｒ１１の両端電圧が第３検出電圧Ｖｄ３になる。第３検出電圧Ｖｄ３は、スイッチング素子Ｑ１１を流れるドレイン電流に比例する。第３検出電圧Ｖｄ３は、ダイオード１３６を介して、制御回路１４の入力ポートＰ４に入力される。
【００３５】
すなわち、検出回路１３では、ダイオード１３２，１３５，１３６がＯＲ回路を構成しており、第１検出電圧Ｖｄ１、第２検出電圧Ｖｄ２、及び第３検出電圧Ｖｄ３のうち、電圧値が最も高い検出電圧が、検出値Ｖｄ０として制御回路１４の入力ポートＰ４に選択的に入力される。また、入力ポートＰ４として制御回路１４のＯＣＰ（Over Current Protection）ポートを用いることで、第１検出電圧Ｖｄ１、第２検出電圧Ｖｄ２、及び第３検出電圧Ｖｄ３による各異常判定のための構成を簡略化することができる。
【００３６】
さらに、ＦＥＴ１２１のドレインは、制御回路１４の入力ポートＰ３に接続される。すなわち、入力ポートＰ３には、ＦＥＴ１２１のドレイン電圧Ｖｄ４が入力される。入力ポートＰ３には、例えば制御回路１４のＦＢ（Feedback）ポートを用いることができる。
【００３７】
図１の制御回路１４は、誤差検出部１４１、比較部１４２、及び駆動信号生成部１４３を備える。例えば、制御回路１４は、プロセッサ及びメモリを有するマイクロコンピュータなどのコンピュータを有している。そして、プロセッサがメモリに格納されているプログラムを実行することにより、コンピュータが誤差検出部１４１、比較部１４２、及び駆動信号生成部１４３として機能する。プロセッサが実行するプログラムは、ここではコンピュータのメモリに予め記録されているが、メモリカード等の非一時的な記録媒体に記録されて提供されてもよいし、インターネット等の電気通信回線を通じて提供されてもよい。また、制御回路１４は、ディスクリート部品を組み合わせて、誤差検出部１４１、比較部１４２、及び駆動信号生成部１４３の少なくとも１つを構成してもよい。例えば、誤差検出部１４１は、エラーアンプなどのハードウェアで構成されてもよく、比較部１４２はコンパレータなどのハードウェアで構成されてもよい。
【００３８】
そして、制御回路１４は、電源回路１１が、交流電源９から供給される交流電力の力率を改善する力率改善回路、及び交流電力を直流電力に変換する電力変換回路として機能するように、スイッチング素子Ｑ１１をスイッチング制御する。すなわち、制御回路１４は、電源回路１１を制御することで、出力電圧Ｖｏを制御することができる。さらに、制御回路１４は、基準電圧Ｖｒ３を生成し、出力ポートＰ２から基準電圧Ｖｒ３を電流制御部１２２へ出力する。すなわち、制御回路１４は、基準電圧Ｖｒ３の値を調整することで、負荷電流Ｉｏを制御することができる。
【００３９】
（２）電流制御
以下、負荷電流Ｉｏの制御について説明する。
【００４０】
電流可変回路１２のオペアンプ１２２ａの＋側入力端子には基準電圧Ｖｒ３が入力されている。そして、オペアンプ１２２ａは、イマジナリショート（Imaginary Short）の作用によって、オペアンプ１２２ａの−側入力端子の電位が基準電圧Ｖｒ３に等しくなるように出力電圧を調整する。つまり、負荷電流Ｉｏによって生じる検出抵抗１２２ｄの両端電圧が基準電圧Ｖｒ３に等しくなるように、オペアンプ１２２ａは出力電圧を調整する。
【００４１】
そして、オペアンプ１２２ａの出力電圧はＦＥＴ１２１のゲートに印加されるため、基準電圧Ｖｒ３によってＦＥＴ１２１のゲート電圧（ゲート−ソース間電圧）が決まる。電流制御部１２２は、ＦＥＴ１２１のゲート電圧を調整することで、負荷電流Ｉｏ（ＦＥＴ１２１のドレイン電流）を制御することができる。したがって、制御回路１４が、外部からの指示信号などに応じた基準電圧Ｖｒ３を設定することで、光源２の光出力が制御される。
【００４２】
（３）電圧制御
以下、出力電圧Ｖｏの制御について説明する。
【００４３】
誤差検出部１４１は、入力ポートＰ３を介してドレイン電圧Ｖｄ４を受け取る。そして、誤差検出部１４１は、ドレイン電圧Ｖｄ４から目標電圧Ｖｒ１を差し引いた差分電圧を表す誤差信号Ｙ１を生成し、誤差信号Ｙ１を駆動信号生成部１４３に引き渡す。誤差検出部１４１は、例えば、第１検出電圧Ｖｄ１及び目標電圧Ｖｒ１の各デジタル値を用いたデジタル演算によって、差分電圧をデジタル値で表す誤差信号Ｙ１を生成する。また、誤差検出部１４１は、第１検出電圧Ｖｄ１及び目標電圧Ｖｒ１の各アナログ電圧信号を用いたアナログ演算によって、差分電圧に相当するアナログ電圧信号を誤差信号Ｙ１として生成してもよい。
【００４４】
駆動信号生成部１４３は、スイッチング素子Ｑ１１を繰り返しオンオフさせるスイッチング制御を行うことで、電源回路１１を力率改善回路及び電力変換回路として機能させる。具体的に、駆動信号生成部１４３は、スイッチング素子Ｑ１１を一定の周期毎にターンオンさせ、誤差信号Ｙ１に基づいてオン期間を調整することで、出力電圧Ｖｏを制御する。駆動信号生成部１４３は、誤差信号Ｙ１に基づいて、ドレイン電圧Ｖｄ４が目標電圧Ｖｒ１に一致するように（差分電圧が０（ゼロ）になるように）、スイッチング素子Ｑ１１のオン期間を調整して、出力電圧Ｖｏを制御する。目標電圧Ｖｒ１は、光源２を点灯可能、かつ、できるだけ低い値に設定されることが好ましく、例えば２〜３Ｖ程度である。したがって、ＦＥＴ１２１のドレイン−ソース間電圧は、目標電圧Ｖｒ１から検出抵抗１２２ｄでの電圧降下を引いた値に維持され、ＦＥＴ１２１の電力損失を抑制することができる。
【００４５】
（４）異常判定
比較部１４２は、入力ポートＰ４を介して、第１検出電圧Ｖｄ１、第２検出電圧Ｖｄ２、及び第３検出電圧Ｖｄ３のいずれかを検出値Ｖｄ０として受け取る。検出値Ｖｄ０は、第１検出電圧Ｖｄ１、第２検出電圧Ｖｄ２、及び第３検出電圧Ｖｄ３のうち、電圧値が最も高い検出電圧の値である。ダイオード１３２，１３５，１３６の各順方向電圧は、第１検出電圧Ｖｄ１、第２検出電圧Ｖｄ２、及び第３検出電圧Ｖｄ３に比べて低く、検出値Ｖｄ０は、第１検出電圧Ｖｄ１、第２検出電圧Ｖｄ２、及び第３検出電圧Ｖｄ３のいずれかであるとみなせる。そして、比較部１４２は、検出値Ｖｄ０と上限値Ｖｒ２とを比較し、比較結果Ｙ２を駆動信号生成部１４３に通知する。比較部１４２は、検出値Ｖｄ０及び上限値Ｖｒ２の各デジタル値を比較してもよいし、検出値Ｖｄ０及び上限値Ｖｒ２の各アナログ電圧信号を比較してもよい。比較部１４２は、検出値Ｖｄ０と上限値Ｖｒ２との大小関係に対応する２値のアナログ電圧信号、又は大小関係に対応するビットデータを、比較結果Ｙ２として生成する。
【００４６】
検出値Ｖｄ０が第１検出電圧Ｖｄ１に対応する場合、比較部１４２は、監視電圧であるドレイン電圧Ｖｄ４が第１上限電圧を上回る過電圧異常の有無を判定する第１判定処理を行う。ドレイン電圧Ｖｄ４が第１上限電圧を上回れば、検出値Ｖｄ０（第１検出電圧Ｖｄ１）が上限値Ｖｒ２を上回る。ドレイン電圧Ｖｄ４には光源２の順方向電圧Ｖｆが含まれていないので、第１判定処理は、順方向電圧Ｖｆのばらつきに関わらず、高い判定精度を実現できる。
【００４７】
検出値Ｖｄ０が第２検出電圧Ｖｄ２に対応する場合、比較部１４２は、電源回路１１の出力端間が電気的に開放する開放異常の有無を判定する第２判定処理を行う。開放異常は、光源２の非装着及び光源２の故障などによって発生し、開放異常が発生すると出力電圧Ｖｏが通常時より上昇する。そして、出力電圧Ｖｏが第２上限電圧を上回れば、検出値Ｖｄ０が上限値Ｖｒ２を上回る。
【００４８】
検出値Ｖｄ０が第３検出電圧Ｖｄ３に対応する場合、比較部１４２は、スイッチング素子Ｑ１１のドレイン電流が過大になる過電流異常の有無を判定する第３判定処理を行う。過電流異常が発生すると、スイッチング素子Ｑ１１のドレイン電流が通常時より増加する。そして、ドレイン電流が上限電流を上回れば、検出値Ｖｄ０が上限値Ｖｒ２を上回る。
【００４９】
駆動信号生成部１４３は、誤差信号Ｙ１及び比較結果Ｙ２を受け取り、誤差信号Ｙ１及び比較結果Ｙ２に基づいて駆動信号Ｙ３を生成し、駆動信号Ｙ３をスイッチング素子Ｑ１１のゲートへ出力する。駆動信号Ｙ３は、スイッチング素子Ｑ１１をスイッチング制御するための電圧信号である。駆動信号Ｙ３の電圧値がＨ（Ｈｉｇｈ）レベルであれば、スイッチング素子Ｑ１１はオンし、駆動信号Ｙ３の電圧値がＬ（Ｌｏｗ）レベルであれば、スイッチング素子Ｑ１１はオフする。
【００５０】
駆動信号生成部１４３は、比較結果Ｙ２に基づいて、上述の過電圧異常、開放異常、及び過電流異常のいずれかが発生しているか否かを認識できる。そこで、駆動信号生成部１４３は、過電圧異常、開放異常、及び過電流異常のいずれも発生していなければ、上述のスイッチング制御を行う。駆動信号生成部１４３は、過電圧異常、開放異常、及び過電流異常のいずれかが発生していれば、上述のスイッチング制御を停止する。
【００５１】
（５）比較例
図２は、比較例の点灯装置１０の回路構成を示す。
【００５２】
点灯装置１０は、電源回路１１Ａ、電流可変回路１２、及び制御回路３を備えて、光源２へ負荷電流Ｉｏを供給する。なお、図１の点灯装置１と同様の構成には同一の符号を付して、説明を省略する。
【００５３】
電源回路１１Ａは、整流回路１１１、及びコンバータ１１３を備えており、コンバータ１１３は、ＳＥＰＩＣ回路を構成している。コンバータ１１３は、図１のコンバータ１１２から抵抗Ｒ１１を削除した構成である。
【００５４】
光源２とＦＥＴ１２１との直列回路には、抵抗１６１、１６２の直列回路が並列接続されており、ＦＥＴ１２１のドレインが抵抗１６１、１６２の接続点に接続されている。そして、ＦＥＴ１２１のドレイン電圧（ＦＥＴ１２１のドレインと出力コンデンサＣ１２の負極との間の電圧）が検出電圧Ｖｄ１１となる。
【００５５】
制御回路３は、出力電圧Ｖｏ、及び検出電圧Ｖｄ１１を入力されて、スイッチング素子Ｑ１１をスイッチング制御するための駆動信号Ｙ１１を出力する。
【００５６】
ＳＥＰＩＣ回路では、負荷電流Ｉｏの平均値Ｉｏａは、以下の式１で表される。なお、式１では、回路効率をη、交流電圧Ｖｉの振幅をＶｉｃ、スイッチング素子Ｑ１１のオン時間（オン期間の時間長さ）をＴｏｎ、インダクタＬ１１、Ｌ１２を構成する結合インダクタのインダクタンスをＬａ、スイッチング素子Ｑ１１のスイッチング周期をＴｓ、及び出力電圧Ｖｏの平均値をＶｏａとする。
【００５７】
【数１】
2020191240.tif 000003
【００５８】
制御回路３は、交流電源９から電源回路１１Ａへ供給される交流電力の力率を改善する力率改善回路として機能するように、スイッチング素子Ｑ１１をスイッチング制御する。この結果、交流電源９の周波数（５０Ｈｚ又は６０Ｈｚ）に対する制御ゲインが比較的低くなり、交流電圧Ｖｉの変動に対するスイッチング制御の反応は、交流電圧Ｖｉの変動に対する電流可変回路１２の反応に比べて遅くなる。したがって、交流電圧Ｖｉの急激な変動時には、出力電圧Ｖｏが過大に上昇してしまうという不具合が生じてしまう。
【００５９】
以下、交流電圧Ｖｉの急激な変動時における点灯装置１０の動作について、図３を用いて説明する。図３は、交流電圧Ｖｉ、駆動信号Ｙ１１、順方向電圧Ｖｆ、負荷電流Ｉｏ、検出電圧Ｖｄ１１、及び出力電圧Ｖｏの各波形を示す。
【００６０】
時間ｔ１１以前の交流電圧Ｖｉの振幅はαであり、駆動信号Ｙ１１は、一定の周期Ｔｓ毎にＬレベルからＨレベルに切り換わり、周期Ｔｓ毎にオン期間Ｔｏｎ１１に亘ってＨレベルを維持している。すなわち、駆動信号Ｙ１１は、交流電圧Ｖｉの振幅がαであれば、周期Ｔｓ毎にオン期間Ｔｏｎ１１を繰り返す。このとき、順方向電圧Ｖｆ、負荷電流Ｉｏ、検出電圧Ｖｄ１１、及び出力電圧Ｖｏは一定値を維持している。
【００６１】
そして、時間ｔ１１で、交流電圧Ｖｉの振幅がαから２αに急激に増大する。すなわち、時間ｔ１１以降の交流電圧Ｖｉの振幅は２αになる。このような交流電圧Ｖｉの急激な増大は、電力系統の切替時、又は瞬時電圧低下からの復帰時などに生じる。例えば、点灯装置には、当該点灯装置の仕様を保障できる交流電圧Ｖｉ（定格入力電圧）の範囲が予め定められている。そして、公称電圧が異なる複数の電力系統に対応できるように、点灯装置の定格入力電圧が、複数の公称電圧を含む広い範囲に設定されることがある。
【００６２】
時間ｔ１１において交流電圧Ｖｉの振幅がαから２αに急激に増大したとき、制御回路３によるスイッチング制御の反応は、電流可変回路１２の反応に比べて遅くなる。したがって、交流電圧Ｖｉの急激な増大が駆動信号Ｙ１１のオン期間に反映されるまでにはある程度の時間を要し、時間ｔ１１の直後では、駆動信号Ｙ１１は、時間ｔ１１以前のオン期間Ｔｏｎ１１を維持している。したがって、電源回路１１Ａが時間ｔ１１以降に出力する直流電力は、時間ｔ１１以前に比べて増加する。
【００６３】
一方、電流可変回路１２の反応は、制御回路３によるスイッチング制御の反応に比べて速い。したがって、電流可変回路１２は、時間ｔ１１直後にＦＥＴ１２１のドレイン−ソース間電圧を上昇させることで、負荷電流Ｉｏを一定に維持しようとする。この結果、検出電圧Ｖｄ１１が上昇し、出力電圧Ｖｏも上昇する。
【００６４】
すなわち、比較例では、交流電圧Ｖｉの急激な変動によって出力電圧Ｖｏが増大してしまう可能性があった。この結果、比較例では、出力電圧Ｖｏの変動による不具合が発生しやすかった。また、比較例では、出力コンデンサＣ１２などの部品の耐圧を変動する出力電圧Ｖｏの上限値に合わせる必要があり、出力電圧Ｖｏの変動が高コスト化の要因になっていた。
【００６５】
さらに、制御回路３は、出力電圧Ｖｏを監視しており、出力電圧Ｖｏが予め決められた閾値Ｖｒ１１を上回ると（時間ｔ１２）、異常電圧の発生を検出する。制御回路３は、異常電圧の発生を検出すると、スイッチング素子Ｑ１１のスイッチング制御を停止し、基準電圧Ｖｒ３を０Ｖまで低下させる（時間ｔ１３）。この結果、時間ｔ１３以降では、出力電圧Ｖｏは徐々に低下する。さらに、時間ｔ１３以降では、ＦＥＴ１２１はオフ状態を維持するので、負荷電流Ｉｏは０（ゼロ）にまで低下し、光源２が消灯する。出力電圧Ｖｏが低下する傾きは、出力コンデンサＣ１２の放電経路によって決まる。本比較例では、制御回路３は、スイッチング制御の停止中にスイッチング素子Ｑ１１をオフ状態に維持しており、時間ｔ１３以降の出力電圧Ｖｏの低下傾きは比較的小さくなる。
【００６６】
このように、比較例では、交流電圧Ｖｉの振幅が急激に増大すると、スイッチング制御を停止して、スイッチング素子Ｑ１１をオフ状態に維持するので、負荷電流Ｉｏが０になって、光源２が消灯していた。
【００６７】
（６）本実施形態における交流電圧Ｖｉの変動時の動作
一方、本実施形態の点灯装置１は、交流電圧Ｖｉの急激な変動時に以下のように動作する。図４は、本実施形態における交流電圧Ｖｉ、駆動信号Ｙ３、順方向電圧Ｖｆ、負荷電流Ｉｏ、第１検出電圧Ｖｄ１、及び出力電圧Ｖｏの各波形を示す。
【００６８】
時間ｔ１以前の交流電圧Ｖｉの振幅はαであり、駆動信号Ｙ３は、一定の周期Ｔｓ毎にＬレベルからＨレベルに切り換わり、周期Ｔｓ毎にオン期間Ｔｏｎ１に亘ってＨレベルを維持している。すなわち、駆動信号Ｙ３は、交流電圧Ｖｉの振幅がαであれば、周期Ｔｓ毎にオン期間Ｔｏｎ１を繰り返す。このとき、順方向電圧Ｖｆ、負荷電流Ｉｏ、第１検出電圧Ｖｄ１、及び出力電圧Ｖｏは一定値を維持している。
【００６９】
そして、時間ｔ１で、交流電圧Ｖｉの振幅がαから２αに急激に増大する。すなわち、時間ｔ１以降の交流電圧Ｖｉの振幅は２αになる。
【００７０】
時間ｔ１において交流電圧Ｖｉの振幅がαから２αに急激に増大したとき、制御回路１４によるスイッチング制御の反応は、電流可変回路１２の反応に比べて遅くなる。したがって、交流電圧Ｖｉの急激な増大が駆動信号Ｙ３のオン期間に反映されるまでにはある程度の時間を要し、時間ｔ１の直後では、駆動信号Ｙ３は、時間ｔ１以前のオン期間Ｔｏｎ１を維持している。したがって、電源回路１１が時間ｔ１以降に出力する直流電力は、時間ｔ１以前に比べて増加する。
【００７１】
一方、電流可変回路１２の反応は、制御回路１４によるスイッチング制御の反応に比べて速い。したがって、電流可変回路１２は、時間ｔ１直後にＦＥＴ１２１のドレイン−ソース間電圧を上昇させることで、負荷電流Ｉｏを一定に維持しようとする。この結果、第１検出電圧Ｖｄ１が上昇し、出力電圧Ｖｏも上昇する。そして、制御回路１４は、第１検出電圧Ｖｄ１に対応する検出値Ｖｄ０が上限値Ｖｒ２を上回ると（時間ｔ２）、駆動信号Ｙ３をＬレベルに維持して、スイッチング素子Ｑ１１のスイッチング制御を停止する。
【００７２】
しかし、制御回路１４は、スイッチング素子Ｑ１１のスイッチング制御を停止しても、外部からの指示信号などに応じた基準電圧Ｖｒ３を出力しており、時間ｔ２以降も負荷電流Ｉｏは一定値を維持する。この結果、時間ｔ２以降も光源２は点灯し続ける。
【００７３】
時間ｔ２以降では、出力コンデンサＣ１２が充電されなくなり、時間ｔ３において出力電圧Ｖｏは低下し始める。出力電圧Ｖｏが低下する傾きは、出力コンデンサＣ１２の放電経路によって決まる。出力電圧Ｖｏが低下すると、第１検出電圧Ｖｄ１も低下する。制御回路１４は、第１検出電圧Ｖｄ１に対応する検出値Ｖｄ０が上限値Ｖｒ２以下になると（時間ｔ４）、スイッチング素子Ｑ１１のスイッチング制御を再開する。時間ｔ４以降の駆動信号Ｙ３は、一定の周期Ｔｓ毎にＬレベルからＨレベルに切り換わり、周期Ｔｓ毎にオン期間Ｔｏｎ２に亘ってＨレベルを維持している。オン期間Ｔｏｎ２の時間長さは、オン期間Ｔｏｎ１の時間長さに比べて短い。すなわち、駆動信号Ｙ３は、交流電圧Ｖｉの振幅が２αであれば、周期Ｔｓ毎にオン期間Ｔｏｎ２を繰り返す。そして、出力電圧Ｖｏ及び第１検出電圧Ｖｄ１は、時間ｔ３から時間ｔ５に亘って低下し、時間ｔ５以降では、時間ｔ１以前と同じ値に維持される。
【００７４】
上述のように、制御回路１４は、第１検出電圧Ｖｄ１に対応する検出値Ｖｄ０が上限値Ｖｒ２を上回ると、スイッチング制御を停止する。したがって、点灯装置１は、入力される交流電圧Ｖｉが急激に変動しても、出力電圧Ｖｏの急上昇を抑制できる。さらに、制御回路１４は、第１検出電圧Ｖｄ１に対応する検出値Ｖｄ０が上限値Ｖｒ２以下にまで低下すると、スイッチング制御を再開する。この結果、交流電圧Ｖｉの振幅がαから２αに急激に増大したとしても、順方向電圧Ｖｆ及び負荷電流Ｉｏは一定値を維持しており、光源２は点灯し続ける。
【００７５】
（７）第１変形例
制御回路１４は、スイッチング素子Ｑ１１のスイッチング制御を停止した後、第１検出電圧Ｖｄ１に対応する検出値Ｖｄ０を予め決められた再開値と比較することが好ましい。この再開値は上限値Ｖｒ２より低い。制御回路１４は、第１検出電圧Ｖｄ１が再開値以下になると、スイッチング素子Ｑ１１のスイッチング制御を再開する。すなわち、制御回路１４は、スイッチング素子Ｑ１１のスイッチング制御の停止及び再開にヒステリシス特性を持たせている。
【００７６】
したがって、点灯装置１は、スイッチング制御の開始及び停止のチャタリングを抑制できる。
【００７７】
（８）第２変形例
点灯装置１は、図５に示すように、制御電源１５をさらに備えることが好ましい。
【００７８】
制御電源１５は、整流回路１１１が出力する脈流電圧を入力される。制御電源１５は、脈流電圧を所定の直流電圧である制御電圧Ｖｓに変換する。制御電圧Ｖｓは、制御回路１４に供給され、制御回路１４の駆動電圧になる。
【００７９】
整流回路１１１が出力する脈流電圧は、交流電圧Ｖｉの整流電圧であり、スイッチング素子Ｑ１１のスイッチング制御が停止しても、安定している。したがって、制御電源１５は、スイッチング素子Ｑ１１のスイッチング制御が停止しても、制御電圧Ｖｓを生成でき、制御回路１４の動作を安定させることができる。
【００８０】
また、制御電源１５は、交流電圧Ｖｉを制御電圧Ｖｓに変換してもよい。
【００８１】
（９）第３変形例
図６は、本変形例の点灯装置１Ａの構成を示す。点灯装置１Ａは、監視電圧であるＦＥＴ１２１のドレイン電圧Ｖｄ４のみを制御回路１４にフィードバックする。すなわち、制御回路１４の入力ポートＰ３，Ｐ４には、ドレイン電圧Ｖｄ４が入力される。ドレイン電圧Ｖｄ４が、監視電圧の検出値に対応する。
【００８２】
制御回路１４の比較部１４２は、ドレイン電圧Ｖｄ４を上限値Ｖｒ４と比較し、比較結果Ｙ２を駆動信号生成部１４３に通知する。
【００８３】
駆動信号生成部１４３は、比較結果Ｙ２に基づいて過電圧異常が発生しているか否かを認識できる。そこで、駆動信号生成部１４３は、過電圧異常が発生していなければ、スイッチング制御を行う。駆動信号生成部１４３は、過電圧異常が発生していれば、スイッチング制御を停止する。
【００８４】
なお、点灯装置１Ａは、第１変形例及び第２変形例の少なくとも一方の構成を備えていてもよい。
【００８５】
（１０）照明器具
図７Ａは、天井パネル８に埋込配設されるダウンライトである照明器具Ｂ１を示す。照明器具Ｂ１は、上述の点灯装置１（又は１Ａ）と、上述の光源２と、筐体６１、６２とを備える。筐体６１は、アルミニウムなどの金属によって、上面が閉塞され、下面が開口した有底の円筒形状に形成されている。筐体６１は光源２を支持し、筐体６１の上底面には、光源２が取り付けられている。光源２は、基板上に実装された複数のＬＥＤである。また、筐体６１の下面開口は円板状のカバー６３で閉塞されている。カバー６３は、ガラス又はポリカーボネートなどの透光性材料で形成されている。点灯装置１は、矩形箱状に形成された金属製の筐体６２に収納され、筐体６２に支持されており、天井パネル８の上面に配置されている。点灯装置１は、電気ケーブル７１及びコネクタ７２を介して光源２に電気的に接続されている。
【００８６】
図７Ｂは、天井パネル８に埋込配設される別のダウンライトである照明器具Ｂ２を示す。照明器具Ｂ２は、上述の点灯装置１（又は１Ａ）と、上述の光源２と、筐体６４とを備える。筐体６４は、アルミニウムなどの金属によって、上面が閉塞され、下面が開口した有底の円筒形状に形成されている。筐体６４の下面開口は、円板状のカバー６５で閉塞されている。カバー６５は、ガラス又はポリカーボネートなどの透光性材料で形成されている。筐体６４内は、円板状の仕切板６６によって上下に分割されている。仕切板６６の上面側には、点灯装置１が配置されており、筐体６４は点灯装置１を支持している。仕切板６６の下面には、光源２が配置されている。点灯装置１は、仕切板６６の通線孔６７を通る電気ケーブル７３によって、光源２と電気的に接続されている。
【００８７】
照明器具Ｂ１，Ｂ２のそれぞれは、上述の点灯装置１（又は１Ａ）を備えるので、入力される交流電圧Ｖｉが急激に変動しても、出力電圧Ｖｏの急上昇を抑制できる。
【００８８】
なお、光源２は、ＬＥＤに限らず、有機ＥＬ（Organic Electro Luminescence、OEL）、または半導体レーザ（Laser Diode、LD）などの他の固体発光素子を有していてもよい。
【００８９】
以上のように、実施形態に係る第１の態様の点灯装置（１又は１Ａ）は、電源回路（１１）と、制御回路（１４）と、電流可変回路（１２）と、を備える。電源回路（１１）は、交流電圧（Ｖｉ）を入力されて交流電力を直流電力に変換し、直流電圧（Ｖｏ）を光源（２）に出力する。制御回路（１４）は、電源回路（１１）を制御する。電流可変回路（１２）は、光源（２）に流れる負荷電流（Ｉｏ）を調整する。電源回路（１１）は、スイッチング素子（Ｑ１１）を有する。制御回路（１４）は、交流電力の力率を改善する力率改善回路及び交流電力を直流電力に変換する電力変換回路として電源回路（１１）が機能するように、スイッチング素子（Ｑ１１）をスイッチング制御する。電流可変回路（１２）は、負荷電流（Ｉｏ）が流れるトランジスタ（１２１）、及びトランジスタ（１２１）を制御して負荷電流（Ｉｏ）を調節する電流制御部（１２２）を有する。制御回路（１４）は、トランジスタ（１２１）の両端電圧を含む監視電圧（Ｖｄ４）の検出値（Ｖｄ０，Ｖｄ１，Ｖｄ４）が上限値（Ｖｒ２，Ｖｒ４）を上回ると、スイッチング制御を停止する。
【００９０】
上述の点灯装置（１又は１Ａ）は、入力される交流電圧（Ｖｉ）が急激に変動しても、出力電圧（Ｖｏ）の急上昇を抑制できる。
【００９１】
実施形態に係る第２の態様の点灯装置（１又は１Ａ）では、第１の態様において、制御回路（１４）は、スイッチング制御を停止した後、監視電圧の検出値（Ｖｄ０，Ｖｄ１，Ｖｄ４）が上限値（Ｖｒ２，Ｖｒ４）以下になると、スイッチング制御を再開することが好ましい。
【００９２】
上述の点灯装置（１又は１Ａ）では、交流電圧（Ｖｉ）の振幅が急激に増大したとしても、光源（２）は点灯し続ける。
【００９３】
実施形態に係る第３の態様の点灯装置（１又は１Ａ）では、第１の態様において、制御回路（１４）は、スイッチング制御を停止した後、監視電圧の検出値（Ｖｄ０，Ｖｄ１，Ｖｄ４）が上限値（Ｖｒ２，Ｖｒ４）より低い再開値以下になると、スイッチング制御を再開することが好ましい。
【００９４】
上述の点灯装置（１又は１Ａ）は、スイッチング制御のチャタリングを抑制できる。
【００９５】
実施形態に係る第４の態様の点灯装置（１又は１Ａ）は、第１乃至第３の態様のいずれか一つにおいて、交流電力又は交流電力を整流した電力から制御電圧（Ｖｓ）を生成する制御電源（１５）をさらに備えることが好ましい。制御回路（１４）は、制御電圧（Ｖｓ）によって駆動される。
【００９６】
上述の点灯装置（１又は１Ａ）では、制御電源（１５）は、スイッチング制御が停止しても、制御電圧（Ｖｓ）を生成でき、制御回路（１４）の動作を安定させることができる。
【００９７】
実施形態に係る第５の態様の点灯装置（１又は１Ａ）は、第１乃至第４の態様のいずれか一つにおいて、電流可変回路（１２）は、トランジスタ（１２１）に直列接続された抵抗（１２２ｄ）をさらに有する。電流制御部（１２２）は、抵抗（１２２ｄ）の両端電圧が基準電圧（Ｖｒ３）に一致するようにトランジスタ（１２１）を制御して負荷電流（Ｉｏ）を調節することが好ましい。
【００９８】
上述の点灯装置（１又は１Ａ）は、負荷電流（Ｉｏ）を定電流制御できる。
【００９９】
実施形態に係る第６の態様の点灯装置（１又は１Ａ）は、第５の態様において、監視電圧（Ｖｄ４）は、トランジスタ（１２１）と抵抗（１２２ｄ）との直列回路の両端電圧であることが好ましい。
【０１００】
上述の点灯装置（１又は１Ａ）では、両端電圧（Ｖｄ４）には光源（２）の順方向電圧（Ｖｆ）が含まれていないので、順方向電圧（Ｖｆ）のばらつきによる影響を抑制できる。
【０１０１】
実施形態に係る第７の態様の点灯装置（１又は１Ａ）は、第１乃至第６の態様のいずれか一つにおいて、電源回路（１１）は、インダクタ（Ｌ１１，Ｌ１２）をさらに有することが好ましい。電源回路（１１）は、スイッチング素子（Ｑ１１）をオン状態にすることでインダクタ（Ｌ１１，Ｌ１２）にエネルギーを蓄積し、スイッチング素子（Ｑ１１）をオフ状態にすることでインダクタ（Ｌ１１，Ｌ１２）からエネルギーを放出して、直流電力を生成する。制御回路（１４）は、監視電圧の検出値（Ｖｄ０，Ｖｄ１，Ｖｄ４）が上限値（Ｖｒ２，Ｖｒ４）を上回ると、スイッチング素子（Ｑ１１）をオフ状態にすることで、スイッチング制御を停止する。
【０１０２】
上述の点灯装置（１又は１Ａ）は、入力される交流電圧（Ｖｉ）が急激に変動しても、出力電圧（Ｖｏ）の急上昇を抑制できる。
【０１０３】
実施形態に係る第８の態様の照明器具（Ｂ１，Ｂ２）は、第１乃至第７の態様のいずれか一つの点灯装置（１又は１Ａ）と、点灯装置（１又は１Ａ）から直流電力を供給される光源（２）と、光源（２）を設ける筐体（６１，６４）とを備える。
【０１０４】
上述の照明器具（Ｂ１，Ｂ２）は、入力される交流電圧（Ｖｉ）が急激に変動しても、出力電圧（Ｖｏ）の急上昇を抑制できる。
【０１０５】
また、上述の実施形態および変形例は本開示の一例である。このため、本開示は、上述の実施形態および変形例に限定されることはなく、この実施形態および変形例以外であっても、本開示に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【０１０６】
１，１Ａ  点灯装置
１１  電源回路
１２  電流可変回路
１２１  ＦＥＴ（トランジスタ）
１２２  電流制御部
１２２ｄ  検出抵抗（抵抗）
１４  制御回路
１５  制御電源
２  光源
６１，６４  筐体
Ｑ１１  スイッチング素子
Ｌ１１，Ｌ１２  インダクタ
Ｖｉ  交流電圧
Ｖｏ  出力電圧（直流電圧）
Ｉｏ  負荷電流
Ｖｄ１  第１検出電圧（監視電圧の検出値）
Ｖｄ４  ドレイン電圧（監視電圧、監視電圧の検出値）
Ｖｒ２，Ｖｒ４  上限値
Ｖｓ  制御電圧
Ｖｒ３  基準電圧
Ｂ１，Ｂ２  照明器具
【図１】
2020191240.tif 000004
【図２】
2020191240.tif 000005
【図３】
2020191240.tif 000006
【図４】
2020191240.tif 000007
【図５】
2020191240.tif 000008
【図６】
2020191240.tif 000009
【図７】
2020191240.tif 000010