【事件の表示】
　特許第６７０２５２６号発明「静電チャック装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６７０２５２６号の請求項１ないし１３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６７０２５２６号の請求項１ないし１３に係る特許についての出願は、２０１９年（令和元年）１１月１１日（優先権主張　平成３１年２月２０日）に国際出願され、令和２年５月１１日にその特許権の設定登録がされ、同年６月３日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、同年１２月３日に特許異議申立人　金海松（以下、「特許異議申立人」という。）は、特許異議の申立てを行った（以下、この特許異議の申立てを行った特許異議申立書を「特許異議申立書」という。）。
第２　本件発明
　特許第６７０２５２６号の請求項１ないし１３に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明１３」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　基体の一主面に板状試料を静電吸着する静電チャック装置であって、
　前記基体の厚さ方向の断面形状は、前記一主面の中心から前記一主面の外周に向かって次第に湾曲する凸状曲面または凹状曲面をなし、
　前記一主面上の周縁部には、前記周縁部を一周するように、縦断面が略四角形状の環状突起部が設けられ、
　前記一主面上の前記環状突起部に囲まれた領域には、横断面が円形または多角形状であり、かつ縦断面が略四角形状の複数の凸状突起部が設けられ、
　前記一主面の中心に位置する前記凸状突起部の頂面の高さと前記環状突起部の上面の高さとの差が１μｍ以上かつ３０μｍ以下であり、
　前記凸状突起部は、前記板状試料と接する前記頂面、側面、および前記頂面と前記側面を連接するＲ面を有し、かつ、底面の直径に対する前記頂面の直径の比が０．７５以上であり、
　前記凸状突起部は、前記頂面と前記側面のなす角度が９０°以上かつ１６０°以下である静電チャック装置。
【請求項２】
　前記凸状突起部の前記頂面の中心線平均表面粗さＲａは０．０５μｍ以下である請求項１に記載の静電チャック装置。
【請求項３】
　前記環状突起部の前記上面の中心線平均表面粗さＲａは０．０５μｍ以下である請求項１または２に記載の静電チャック装置。
【請求項４】
　前記凸状突起部の前記頂面の直径は１００μｍ以上かつ１０００μｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
【請求項５】
　前記基体の厚さ方向の断面形状は、前記一主面の中心から前記一主面の外周に向かって次第に湾曲する凸状曲面をなし、
　前記一主面上の内周部に位置する前記凸状突起部の底面の直径に対する前記頂面の直径の比は、前記一主面上の外周部に位置する前記凸状突起部の底面の直径に対する前記頂面の直径の比よりも大きい請求項１〜４のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
【請求項６】
　前記内周部の面積の総和に対する前記内周部に位置する前記凸状突起部と前記板状試料との接触面積の総和の比Ａ１は、前記外周部の面積の総和に対する前記外周部に位置する前記凸状突起部と前記板状試料との接触面積の総和の比Ｂ１よりも大きい請求項５に記載の静電チャック装置。
【請求項７】
　前記外周部と前記内周部の間に中間部を有し、前記中間部に位置する前記凸状突起部の底面の直径は、前記外周部に位置する前記凸状突起部の底面の直径より大きく、かつ、前記内周部に位置する前記凸状突起部の底面の直径より小さい請求項６に記載の静電チャック装置。
【請求項８】
　前記比Ａ１と、前記比Ｂ１と、前記中間部の面積の総和に対する前記中間部に位置する前記凸状突起部と前記板状試料との接触面積の総和の比Ｃ１とは、下記の式（１）を満たす請求項６又は７に記載の静電チャック装置。
Ａ１＞Ｃ１＞Ｂ１　　（１）
【請求項９】
　前記基体の厚さ方向の断面形状は、前記一主面の中心から前記一主面の外周に向かって次第に湾曲する凹状曲面をなし、
　前記一主面上の外周部に位置する前記凸状突起部の底面の直径に対する前記頂面の直径の比は、前記一主面上の内周部に位置する前記凸状突起部の底面の直径に対する前記頂面の直径の比よりも大きい請求項１〜４のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
【請求項１０】
　前記外周部に位置する前記凸状突起部が前記板状試料と接触する面積の総和Ｂ２２は、前記内周部に位置する前記凸状突起部が前記板状試料と接触する面積の総和Ａ２２よりも大きい請求項９に記載の静電チャック装置。
【請求項１１】
　前記外周部と前記内周部の間に中間部を有し、前記中間部に位置する前記凸状突起部の底面の直径は、前記内周部に位置する前記凸状突起部の底面の直径より大きく、かつ、前記外周部に位置する前記凸状突起部の底面の直径より小さい請求項１０に記載の静電チャック装置。
【請求項１２】
　前記総和Ａ２２と、前記総和Ｂ２２と、前記中間部に位置する前記凸状突起部が前記板状試料と接触する面積の総和Ｃ２２が、下記の式（３）を満たす請求項１０又は１１に記載の静電チャック装置。
Ｂ２２＞Ｃ２２＞Ａ２２　　（３）
【請求項１３】
　前記一主面は、酸化アルミニウム−炭化ケイ素複合焼結体、酸化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウム焼結体または酸化イットリウム焼結体から構成される請求項１〜１２のいずれか１項に記載の静電チャック装置。」
第３　申立理由の概要
　特許異議申立人は、
（１）本件発明１ないし４及び１３は、特開２０１４−２４３６０４７号公報（以下、「甲第１号証」という。）に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、請求項１ないし４及び１３に係る特許は取り消すべきものである旨主張し、
（２）本件発明１ないし４及び１３について、主たる証拠として甲第１号証及び従たる証拠として特開２０１６−１３９６４９号公報（以下、「甲第２号証」という。）、国際公開第２０１６／０５２１１５号（以下、「甲第３号証」という。）、特開２００３−８６６６４号公報（以下、「甲第４号証」という。）を提出し、請求項１ないし４及び１３に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１ないし４及び１３に係る特許は取り消すべきものである旨主張し、
（３）本件発明１ないし４及び１３について、主たる証拠として甲第３号証及び従たる証拠として甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証を提出し、請求項１ないし４及び１３に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１ないし４及び１３に係る特許は取り消すべきものである旨主張し、
（４）請求項１ないし１３の記載は、発明の詳細な説明に記載したものでないから、請求項１ないし１３に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしておらず、請求項１ないし１３に係る特許は取り消すべきものである旨主張し、
（５）本件特許の明細書の発明の詳細な説明の記載は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでないから、請求項１ないし１３に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号の要件を満たしておらず、請求項１ないし１３に係る特許は取り消すべきものである旨主張する。
第４　甲各号証の記載
１　甲第１号証
　特許異議申立人が異議申立書において引用した、甲第１号証には以下の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。以下同じ。）
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　一主面を板状試料を載置する載置面とした基材と、前記板状試料を前記載置面に静電吸着する静電吸着用内部電極とを有する静電チャック部を備えた静電チャック装置において、
　前記一主面上の周縁部に環状突起部を設け、前記一主面上の前記環状突起部に囲まれた領域に前記環状突起部と同一の高さの複数の突起部を設け、
　前記環状突起部の上端部及び前記複数の突起部の上端部は、前記一主面の中心部を底面とする凹面上に位置していることを特徴とする静電チャック装置。」
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、静電チャック装置に関し、さらに詳しくは、半導体ウエハや液晶装置用ガラス基板等の板状試料を静電気力により吸着固定する際に好適に用いられ、半導体製造プロセスにおける物理気相成長法（ＰＶＤ）や化学気相成長法（ＣＶＤ）による成膜処理、プラズマエッチング等のエッチング処理、露光処理等の各種工程においても、耐摩耗性が高く、板状試料を所望の温度に制御することが可能な静電チャック装置に関するものである。」
「【０００９】
　また、特許文献３に記載の静電チャック装置では、微小突起部を有する基材とウェハとの間に冷却ガスを流しているので、外周部からのガスリーク量が面内で一定とならず、均熱性が低下したり、プラズマが不安定になるという問題点があった。
　また、特許文献４に記載の静電チャック装置では、内側の環状突起の高さを外側の環状突起の高さよりも高くすることで、ウェハの跳ね上げや温度の均一性を改善することができるものの、封止層の厚さが中央部と外周部とで異なることから、熱伝達が中央部と外周部で異なるという問題点があった。また、ウェハの載置面を凹状とすると、吸着や脱離の際にウェハが変形してしまい、よって、載置面とウェハの下面との接触面が摺れてパーティクルが発生し易くなるという問題点があった。
【００１０】
　本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、板状試料を吸着する際や脱離する際に該板状試料が変形する虞がなく、板状試料の温度が均一化され、しかも、パーティクルが発生し難い静電チャック装置を提供することを目的とする。」
「【００１３】
　この
静電チャック装置では、基材の一主面上の周縁部に環状突起部を設け、この一主面上の環状突起部に囲まれた領域に環状突起部と同一の高さの複数の突起部を設け、これら環状突起部の上端部及び複数の突起部の上端部を、一主面の中心部を底面とする凹面上に位置し
板状試料と環状突起部及び複数の突起部との接触が板状試料の全面にて確実に行われ、よって、板状試料を吸着する
　また、環状突起部の上端部と複数の突起部の上端部とで板状試料を密着状態で支持することにより、これらの上端部と板状試料との接触面が摺れる虞がなくなり、パーティクルが発生し難くなる。
【００１４】
　本発明の静電チャック装置では、
前記静電チャック部の他の主面側に冷却用ベース部を設け、前記環状突起部の前記冷却用ベース部の一主面からの高さと、前記領域の中央近傍に位置する前記突起部の前記冷却用ベース部の一主面からの高さとの差は、１μｍ以上かつ３０μｍ以下である
【００１５】
　この静電チャック装置では、
環状突起部の冷却用ベース部の一主面からの高さと、この環状突起部に囲まれた領域の中央近傍に位置する突起部の冷却用ベース部の一主面からの高さとの差を１μｍ以上かつ３０μｍ以下とした
「【００２９】
　静電チャック部２は、上面（一主面）が半導体ウエハ等の板状試料Ｗを載置する載置面とされた載置板（基材）１１と、この載置板１１と一体化され該載置板１１を支持する支持板１２と、これら載置板１１と支持板１２との間に設けられた静電吸着用内部電極１３及び静電吸着用内部電極１３の周囲を絶縁する絶縁材層１４と、支持板１２を貫通するようにして設けられ静電吸着用内部電極１３に直流電圧を印加する給電用端子１５とにより構成されている。
【００３０】
　そして、この
載置板１１の表面（一主面）１１ａ上の周縁部には、この周縁部を一周するように、断面四角形状の環状突起部２１が設けられ
この表面１１ａ上の環状突起部２１に囲まれた領域には、環状突起部２１と高さが同一であり横断面が円形状かつ縦断面が略矩形状の複数の突起部２２が設けられ
環状突起部２１の上端部２１ａ及び複数の突起部２２各々の上端部２２ａは、表面１１ａの中心点に底面が位置する凹面２３上に位置し
【００３１】
　次に、この静電チャック装置１について詳細に説明する。
　
静電チャック部２は、
全体が、中心部を底面とする凹面状となるように曲げ加工されている。
【００３２】
　
静電チャック部２の主要部を構成する載置板１１
は
セラミックスにより構成されている。
　ここで、載置板１１および支持板１２の電気抵抗を１×１０１４Ω・ｃｍ以上、かつ周波数２０Ｈｚにおける比誘電率を１３以上と限定した理由は、これらの範囲が板状試料Ｗの温度が均一化され、封止用媒体の漏れ量（リーク量）が減少し、プラズマが安定化する範囲だからである。」
「【００３５】
　
このようなセラミックスとしては、酸化アルミニウム−炭化ケイ素（Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＣ）複合焼結体、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）焼結体等の機械的な強度を有し、かつ腐食性ガス及びそのプラズマに対する耐久性を有する絶縁性のセラミックスが好適である
「【００３８】
　
この環状突起部２１の上端部２１ａ及び複数の突起部２２それぞれの上端部２２ａを凹面２３に位置したことにより、板状試料Ｗが環状突起部２１及び複数の突起部２２に密着状態で支持されることとなり、板状試料Ｗと環状突起部２１及び複数の突起部２２との間に隙間や摺れ等が生じなくなる。よって、パーティクルが発生し難くなる。
　この
環状突起部２１では、
上端部２１ａの表面粗さＲａを０．００１μｍ以上かつ０．０５０μｍ以下とすることが好ましい。
「【００７１】
　次いで、
静電チャック部２の載置板１１の上面の所定位置にブラスト加工等の機械加工を施し、環状突起部２１及び複数の突起部２２を形成する
　以上により、静電チャック部２及び冷却用ベース部３は、有機系接着剤層４を介して接合一体化され、静電チャック部２の載置板１１の表面１１ａに環状突起部２１及び複数の突起部２２が形成された本実施形態の静電チャック装置１が得られることとなる。
【００７２】
　本実施形態の静電チャック装置１によれば、載置板１１の表面１１ａ上の周縁部に環状突起部２１が設けられ、この表面１１ａ上の環状突起部２１に囲まれた領域に環状突起部２１と高さが同一の複数の突起部２２が設けられ、これら環状突起部２１の上端部２１ａ及び複数の突起部２２各々の上端部２２ａが表面１１ａの中心部を底面とする凹面２３上に位置しているので、板状試料Ｗを吸着する際や脱離する際に板状試料Ｗが変形する虞がなく、この板状試料Ｗの温度を均一化することができる。
　また、環状突起部２１の上端部２１ａと複数の突起部２２各々の上端部２２ａとで板状試料Ｗを密着状態で支持するので、これら上端部２１ａ、２２ａと板状試料Ｗとの接触面が摺れる虞がなく、パーティクルを発生し難くすることができる。」
「【００７５】
　また、図３に示すように、環状突起部２１の上端面２１ａに、ブラスト加工等の機械加工により微小突起部２４を１つ以上設け、新たに、微小突起部２４の上端部２４ａ及び複数の突起部２２各々の上端部２２ａを表面１１ａの中心点に底面が位置する凹面２３上に位置することとしてもよい。
　これにより、環状突起部２１の上端面２１ａの微小突起部２４を除く領域に、封止用媒体を流すことができ、板状試料Ｗの最外周部の温度を均一化することができる。」
「【００９０】
　次いで、これら載置板及び支持板を接合一体化することにより、静電チャック部を作製した後、この静電チャック部の全体の厚みを１．０ｍｍ、かつ載置板の表面を平坦面に研磨加工した。
　次いで、
載置板の表面を研磨加工することにより、この表面を平坦面とし、次いで、この表面にブラスト加工を施すことにより、この表面の周縁部に、幅５００μｍ、高さ３０μｍの環状突起部を、この表面のうち環状突起部に囲まれた領域に直径５００μｍ、高さ４０μｍの円柱状の複数の突起部を、それぞれ形成し
【図１】
　図１の静電チャック装置１は、環状突起部２１の上端部及び複数の突起部２２上端部は、一主面の中心部を底面として、外周部に向かって次第に湾曲する、凹面状に位置していると認められる。
　上記記載から、甲第１号証には、以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
「載置板の表面を平坦面に研磨加工した上で、この表面にブラスト加工を施すことにより、基材の一主面上の周縁部に断面四角形状の環状突起部と、一主面上の環状突起部に囲まれた領域に環状突起部と同一の高さの横断面が円形状かつ縦断面が略矩形状の複数の突起部を設け、
　これら環状突起部の上端部及び複数の突起部の上端部を、一主面の中心部を底面とする、外周部に向かって次第に湾曲する、凹面上に位置し、
　板状試料と環状突起部及び複数の突起部との接触が板状試料の全面にて確実に行われることにより、板状試料を吸着する静電チャック装置であって、
　環状突起部の冷却用ベース部の一主面からの高さと、この環状突起部に囲まれた領域の中央近傍に位置する突起部の冷却用ベース部の一主面からの高さとの差を１μｍ以上かつ３０μｍ以下とする。
　静電チャック装置。」
２　甲第２号証
　特許異議申立人が異議申立書において引用した、甲第２号証には以下の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は、静電チャック装置に関する。
「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　従来の静電チャック装置では、静電チャック部に載置される板状試料の温度を精度よく調整するのは容易ではなかった。例えば、板状試料の面内における温度の偏りを小さくするのは難しかった。」
「【００１６】
＜静電チャック部＞
　静電チャック部２は、上面が半導体ウエハ等の板状試料Ｗを載置する載置面１９とされた載置板１１と、載置板１１と一体化され該載置板１１を支持する支持板１２と、載置板１１と支持板１２との間に設けられた静電吸着用内部電極１３と、静電吸着用内部電極１３の周囲を絶縁する絶縁材層１４と、支持板１２を貫通して設けられ静電吸着用内部電極１３に直流電圧を印加する給電用端子１５と、を有している。
【００１７】
　図１および図２に示すように、
静電チャック部２の載置面１９には、突起部３０が複数個形成され
【００１８】
　また
載置面１９の周縁には、周縁壁１７が形成され
【００１９】
　載置板１１および支持板１２は、重ね合わせた面の形状を同じくする円板状のもので、例えば、機械的な強度を有し、かつ腐食性ガス及びそのプラズマに対する耐久性を有する絶縁性のセラミック焼結体からなる。載置板１１および支持板１２は、例えば、酸化アルミニウム−炭化ケイ素（Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＣ）複合焼結体、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）焼結体等からなる。
　特に、酸化アルミニウム−炭化ケイ素（Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＣ）複合焼結体（アルミナとＳｉＣとの複合材料）が好ましい。」
「【００３４】
＜突起部＞
　図１および図３に示すように、突起部３０は、載置板１１の上面である載置面１９に、載置面１９の底面１９ａから上方に突出して形成されている。突起部３０は、概ね円筒形状または円錐台形状とされ、底面１９ａに沿う断面は円形状である。
　なお、突起部３０の形状は、円筒形状、円錐台形状に限定されず、矩形筒状、三角筒状などとしてもよい。突起部３０の断面形状は、円形状に制限されず、矩形状、三角形状であってもよい。
【００３５】
　図３（ａ）に示すように、複数の突起部３０は、複数の第１突起部３０Ａと、複数の第２突起部３０Ｂと、複数の第３突起部３０Ｃと、を有する。
　図３（ｂ）に示すように、第１突起部３０Ａの底面１９ａからの高さは、第１の高さＨ１である。第２突起部３０Ｂの底面１９ａからの高さは、第１の高さＨ１よりも低い第２の高さＨ２である。第３突起部３０Ｃの底面１９ａからの高さは、第２の高さＨ２よりも低い第３の高さＨ３である。
　突起部３０の高さＨ１〜Ｈ３（底面１９ａからの高さ）は、６μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、６μｍ以上２０μｍ以下がより好ましい。
【００３６】
　図２に示すように、複数の第１突起部３０Ａは、静電チャック部２を平面視したときに、中心Ｃ１を有する円環状に配列されている。複数の第１突起部３０Ａからなる群を第１突起部群３０Ａ１という。複数の第１突起部３０Ａの高さは、第１突起部群３０Ａ１の周方向で互いに等しい。
【００３７】
　複数の第２突起部３０Ｂは、静電チャック部２を平面視したときに、中心Ｃ１を有する円環状に配列されている。複数の第２突起部３０Ｂからなる円環状の第２突起部群３０Ｂ１は、第１突起部群３０Ａ１に対して径方向に間隔をおいて配置されている。
　複数の第２突起部３０Ｂの高さは、第２突起部群３０Ｂ１の周方向で互いに等しい。
【００３８】
　複数の第３突起部３０Ｃは、静電チャック部２を平面視したときに、中心Ｃ１を有する円環状に配列されている。複数の第３突起部３０Ｃからなる円環状の第３突起部群３０Ｃ１は、第２突起部群３０Ｂ１に対して径方向に間隔をおいて配置されている。
　複数の第３突起部３０Ｃの高さは、第３突起部群３０Ｃ１の周方向で互いに等しい。
　第１〜第３突起部３０Ａ〜３０Ｃは、中心Ｃ１を有する略同心円状に配置されている。第１〜第３突起部３０Ａ〜３０Ｃを略同心円状に配置することによって、板状試料Ｗの周方向の温度分布を均一化することができる。
【００３９】
　図３（ａ）に示すように、第１〜第３突起部３０Ａ〜３０Ｃは、第１突起部３０Ａ、第２突起部３０Ｂ、第３突起部３０Ｃ、第２突起部３０Ｂからなる突起部群５０を一単位として配置することができる。第１〜第３突起部３０Ａ〜３０Ｃは、例えば、突起部３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｂが、この順に、径方向に繰り返して配置された構成とすることができる。
　第１〜第３突起部３０Ａ〜３０Ｃは互いに高さが異なるため、径方向に隣り合う突起部３０の高さは互いに異なる。
【００４０】
　以下、複数の突起部３０のうち最も高い第１突起部３０Ａの詳しい形状について説明する。
　図６（ａ）は、第１突起部３０Ａの平面図であり、図６（ｂ）は、板状試料Ｗを支持する第１突起部３０Ａの側面図である。なお、図６（ａ）および図６（ｂ）は、特徴部分を強調する目的で、実際の形状とは異なる寸法比率で図示されている。
　第１突起部３０Ａは、先端に位置する先端部３１と、略一定の傾きで先端側に向かって断面直径を小さくしていく柱部３２と、柱部３２と底面１９ａとを緩やかな曲率で接続する裾野部３４と、を有している。
【００４１】
　先端部３１は、上方に凸となる緩やかな湾曲面であり、先端部３１の最先端（最上端）は頂点４１である。先端部３１の表面は、先端部３１の周縁において柱部３２と滑らかに接続される角曲面３１ａと、角曲面３１ａの内側に位置する緩曲面３１ｂと、を含む。
【００４２】
　先端部３１は板状試料Ｗと当接し、先端部３１と当接した板状試料Ｗは、緩やかな曲面に追従して変形した状態となり得る。先端部３１の頂面４０は、板状試料Ｗと接触可能である。頂面４０は、頂点４１から下方に距離ｈ１の範囲の領域である。
　頂面４０は、上方（第１突起部３０Ａの突出方向）に凸となる湾曲面である。頂面４０を湾曲面とすることによって、先端部３１の周縁における欠け摩耗を抑制することができる。
　湾曲面とは、一定曲率の湾曲面、曲率が漸変する湾曲面、共通接線をもって接続された複数の湾曲面などである。湾曲面は、例えば球面、楕円球面などである。
【００４３】
　第１突起部３０Ａは、頂面４０の下端４０ａ（即ち、第１突起部３０Ａと板状試料Ｗの接触領域の境界）における形状が円形である。頂面４０の下端４０ａにおける直径ｄ１は、２００μｍ以上、４０００μｍ以下であることが好ましく、４００μｍ以上、２０００μｍ以下であることがより好ましい。
　頂面４０の下端４０ａにおける断面積は、直径ｄ１を用いて、π×（ｄ１／２）２として表される。したがって、頂面４０の下端４０ａにおける断面積は、０．０３１４ｍｍ２以上、１２．６ｍｍ２以下であることが好ましく、０．１２６ｍｍ２以上、３．１４ｍｍ２以下であることがより好ましい。
【００４４】
　頂面４０の下端４０ａにおける断面積を０．０３１４ｍｍ２以上とすることで、第１突起部３０Ａと板状試料Ｗとの接触面積を確保し、第１突起部３０Ａによる板状試料Ｗの温度制御を容易にすることができる。
　また、頂面４０の下端４０ａにおける断面積を１２．６ｍｍ２以下とすることで、板状試料Ｗに対する第１突起部３０Ａの接触状態のばらつきを少なくし、温度制御の精度を高めることができる。
【００４５】
　柱部３２は、底面１９ａ側から先端部３１に向かって、断面積が漸減するように形成されている。柱部３２の断面積の変化率、すなわち柱部３２の周面の傾きは高さ方向に沿って一定であってもよく、変化率（傾き）が高さ方向に沿って変わってもよい。
【００４６】
　図７は、第２突起部３０Ｂの側面図である。
　第２突起部３０Ｂは、先端部１３１と、略一定の傾きで先端側に向かって断面直径を小さくしていく柱部１３２と、柱部１３２と底面１９ａとを緩やかな曲率で接続する裾野部１３４と、を有している。
　
先端部１３１のうち板状試料Ｗと接触可能な領域を頂面１４０という。頂面１４０は、中央部１４０ａと、中央部１４０ａを囲む環状の外周部１４０ｂとを有する。
　
中央部１４０ａは、第２突起部３０Ｂの高さ方向に対して垂直な平坦面である。中央部１４０ａは平面視において例えば円形である。
　
外周部１４０ｂは、凸状の湾曲面である。外周部１４０ｂを湾曲面とすることによって、先端部１３１の周縁における欠け摩耗を抑制することができる。
「【００４８】
　頂面１４０の直径は、２００μｍ以上、４０００μｍ以下であることが好ましく、４００μｍ以上、２０００μｍ以下であることがより好ましい。頂面１４０の下端１４０ｃにおける断面積は、０．０３１４ｍｍ２以上、１２．６ｍｍ２以下であることが好ましく、０．１２６ｍｍ２以上、３．１４ｍｍ２以下であることがより好ましい。」
【図７】
　上記記載から、甲第２号証には、以下の事項（以下、「甲第２号証記載事項」という。）が記載されている。
「静電チャック部２の載置面１９に設けられた、突起部３０Ｂについて、
　先端部１３１と、略一定の傾きで先端側に向かって断面直径を小さくしていく柱部１３２と、柱部１３２と底面１９ａとを緩やかな曲率で接続する裾野部１３４と、を有し、
　先端部１３１のうち板状試料Ｗと接触可能な領域である頂面１４０は、中央部１４０ａと、中央部１４０ａを囲む環状の外周部１４０ｂとを有し、
　中央部１４０ａは、第２突起部３０Ｂの高さ方向に対して垂直な平坦面であり、中央部１４０ａは平面視において円形であり、
　外周部１４０ｂは、先端部１３１の周縁における欠け摩耗を抑制するために、凸状の湾曲面であり、外周部１４０ｂは平面視において円環形であること。」
３　甲第３号証
　特許異議申立人が異議申立書において引用した、甲第３号証には以下の事項が記載されている。
「技術分野
［０００１］　
本発明は、静電チャック装置に関する。
　本願は、２０１４年９月３０日に、日本に出願された特願２０１４−２０１３０４号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。」
「［０００６］　本発明は、上記の事情に鑑みてなされ、突起部の摩耗に伴う突起部と板状試料との間の接触面積の増加を抑制し、熱伝導特性の経時的変動をより小さくすることができる静電チャック装置の提供を目的とする。」
「［００２６］　図１、図２に示すように、
静電チャック部２の載置面１９には、
突起部３０が複数個形成されている。
［００２７］　また
載置面１９の周縁には、周縁壁１７が形成されている。周縁壁１７は、突起部３０と同じ高さに形成され
「［００３８］　接着材４は、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の耐熱性及び絶縁性を有し後述するヒータエレメント５と同一のパターン形状のシート状またはフィルム状の接着性樹脂であり、厚みは５μｍ〜１００μｍが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜５０μｍである。
　接着材４の面内の厚みのバラツキは１０μｍ以内が好ましい。接着材４の面内の厚みのバラツキが１０μｍを超えると、静電チャック部２とヒータエレメント５との面内間隔に１０μｍを超えるバラツキが生じる。その結果、ヒータエレメント５から静電チャック部２に伝わる熱の面内均一性が低下し、静電チャック部２の載置面１９における面内温度が不均一となるので、好ましくない。」
「［００４３］　接着材６は、冷却ベース部３の上面に絶縁部材７を接着し、接着材４と同様、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の耐熱性及び絶縁性を有するシート状またはフィルム状の接着性樹脂であり、厚みは５μｍ〜１００μｍが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜５０μｍである。
　接着材６の面内の厚みのバラツキは１０μｍ以内が好ましい。接着材６の面内の厚みのバラツキが１０μｍを超えると、冷却ベース部３と絶縁部材７との間隔に１０μｍを超えるバラツキが生じる。その結果、冷却ベース部３による静電チャック部２の温度制御の面内均一性が低下し、静電チャック部２の載置面１９における面内温度が不均一となるので、好ましくない。」
「［００４７］　樹脂層８は、例えば、シリコーン系樹脂組成物を加熱硬化した硬化体またはアクリル樹脂で形成されている。樹脂層８は、流動性ある樹脂組成物を静電チャック部２と冷却ベース部３の間に充填した後に加熱硬化させることで形成することが好ましい。静電チャック部２の下面にはヒータエレメント５が設けられており、これにより凹凸が形成されている。
また、冷却ベース部３の上面及び静電チャック部２の下面は必ずしも平坦ではない。流動性の樹脂組成物を冷却ベース部３と静電チャック部２の間に充填させた後に硬化させて樹脂層８を形成することで、静電チャック部２と冷却ベース部３の凹凸に起因して樹脂層８に空隙が生じることを抑制できる。これにより、樹脂層８の熱伝導特性を面内に均一にすることが出来、静電チャック部２の均熱性を高めることが出来る。
［００４８］　＜突起部＞
　図３Ａは、突起部３０の平面図であり、図３Ｂは、板状試料Ｗを支持する突起部３０の側面図である。図３Ａ、図３Ｂは、特徴部分を強調する目的で、実際の形状とは異なる寸法比率で図示されている。
　突起部３０は、載置板１１の上面である載置面１９に複数設けられており、載置面１９の底面１９ａから上方に突出して形成されている。
突起部３０は、概ね円錐台形状を有しており、底面１９ａに沿う断面が円形状である。
　突起部３０は、高さＨ（即ち、底面１９ａから頂点４１までの距離）が、６μｍ以上５０μｍ以下に形成されていることが好ましく、６μｍ以上２０μｍ以下に形成されていることがより好ましい。
［００４９］　
突起部３０は、先端に位置する先端部３１と、略一定の傾きで先端側に向かって断面直径を小さくしていく柱部３２と、柱部３２と底面１９ａとを緩やかな曲率で接続する裾野部３４と、を有し
［００５０］　
先端部３１は、緩やかな曲面で盛り上がっており、先端部３１の最先端には、頂点４１が位置する。先端部３１の表面は、先端部３１の周縁において柱部３２と滑らかに接続される角曲面３１ａと、角曲面３１ａの内側に位置する緩曲面３１ｂと、を含む。
　
角曲面３１ａの曲率半径は１μｍ未満であることが好ましく、０．５μｍ以下であることがより好ましい。
緩曲面３１ｂの曲率半径は、大きければ大きいほど好ましく、曲面となっていない平坦面であることが最も好ましい。
［００５１］　先端部３１は、板状試料Ｗと当接する。先端部３１において、板状試料Ｗは、緩やかな曲面に追従して、変形した状態となる。
先端部３１において、板状試料Ｗと突起部３０とが接触する領域を頂面４０とする。
「［００５３］　
頂面４０の表面粗さＲａは、０μｍ以上０．１μｍ以下とすることが好ましく、０μｍ以上０．０５μｍ以下とすることがより好ましく、０μｍ以上０．０３μｍ以下とすることがより一層好ましく、０μｍ以上０．０１５μｍ以下とすることが更により一層好ましい。頂面４０の表面粗さＲａを０μｍ以上０．１μｍ以下（より好ましくは０μｍ以上０．０５μｍ以下、より一層好ましくは０μｍ以上０．０３μｍ以下、更により一層好ましくは０μｍ以上０．０１５μｍ以下）とすることで、突起部３０と板状試料Ｗとの摩擦を抑制できる。これにより、板状試料Ｗとの接触によって板状試料Ｗが損傷することを防止する。また、板状試料Ｗを静電チャックに吸着又は離脱させる際に、突起部３０の摩耗が進みにくくなり、摩耗に起因するパーティクルの発生を抑制できる。
「［００５５］　本実施形態の突起部３０は、頂面４０の下端４０ａ（即ち、突起部３０と板状試料Ｗの接触領域の境界）における断面形状が円形である。頂面４０の下端４０ａにおける断面の直径ｄ１は、１００μｍ以上３０００μｍ以下であることが好ましく、２００μｍ以上２０００μｍ以下であることがより好ましい。頂面４０の下端４０ａにおける断面積は、直径ｄ１を用いて、断面積はπ×（ｄ１／２）２として表される。したがって、頂面４０の下端４０ａにおける断面積は、７．９×１０−３ｍｍ２以上７．１ｍｍ２以下であることが好ましく、３．１×１０−２ｍｍ２以上３．１ｍｍ２であることがより好ましい。」
「［００６８］　次に、
突起部３０を載置板１１の載置面１９に形成する方法を、図５Ａ〜図５Ｃを基に説明する。
　突起部３０は、例えば、砥石加工、レーザ彫刻等の機械的加工、あるいはサンドブラスト加工等を用いて行うことができる。また、仕上げとしての研磨は、微小砥粒とバフ材を用いたバフ研磨、または、微小砥粒と超音波とを用いた超音波研磨により、効率的に行うことができる。
　また、突起部３０の形成工程において、同様の工程を載置面１９の周縁に施すことで、周縁壁１７（図１、図２参照）を同時に形成できる。
　本実施形態においては、
サンドブラスト加工を行った後に研磨工程としてバフ研磨を行う場合について、説明する。
［００６９］　まず、載置板１１の上面である載置面１９を研磨加工して平坦面とし、さらに洗浄する。洗浄は、例えば、アセトン、イソプロピルアルコール、トルエン等の有機溶剤で脱脂を行い、その後、例えば、温水で洗浄する。
［００７０］　次いで、図５Ａに示すように、載置面１９に所定のパターン形状のマスク５１を形成する。マスク５１のパターン形状は、図２に示す突起部３０及び周縁壁１７を平面視したときのパターンと同一とする。マスク５１としては、感光性樹脂や板状マスクが好適に用いられる。
［００７１］　次いで、図５Ｂに示すように、
サンドブラスト加工を行い、マスク５１によって覆われていない部分に凹部５２を形成する。その結果として、マスク５１によって覆われている部分が残って凸部５３となる。凸部５３の間であって凹部５２の底には底面１９ａが形成される。
［００７２］　次いで、マスク５１を除去する。マスク５１が感光性樹脂からなる場合には、例えば、塩化メチレン等の剥離液を用いてマスク５１を除去できる。
［００７３］　次いで、
載置面１９の全体に対し、微小砥粒とバフ材を用いたバフ研磨を行う。
［００７４］　
バフ研磨工程を経ることで、載置面１９の凸部５３が、図５Ｃに示すような突起部３０となる。
　前工程であるサンドブラスト工程は、載置面１９の表面にダメージを与えて、マスク５１の形成されていない部分を掘削するように除去する工程である。したがって、
サンドブラスト工程により形成された凸部５３の特に角部５３ａ近傍には、表層部から内部に向かう表層クラックが残留している。表層クラックは、小さな応力で進行して剥離の起点となるため、パーティクル発生の原因となる。
　
バフ研磨を行うことで、サンドブラスト工程で形成された表層クラックを強制的に進行、剥離させ、表層クラックを除去できる。表層クラックを起点として剥離が進むことで、凸部５３の上面５３ｂ及び角部５３ａが丸くなり、図５Ｃに示すように、緩曲面３１ｂ及び角曲面３１ａが形成される。
［００７５］　また、バフ研磨を載置面１９の全体に行うことで、頂面４０を含む突起部３０の全体、及び載置面１９の底面１９ａを同時に研磨できる。これにより、頂面４０の表面粗さＲａを０．０３μｍ以下（より好ましくは０．０１５μｍ以下）とするとともに、突起部３０の柱部３２及び裾野部３４の周面、並びに底面１９ａを頂面４０の表面粗さに準ずる表面粗さとすることができる。頂面４０は、バフ研磨工程においてバフ材が均一に当たるが、底面１９ａは、バフ材が届きにくい部分があるため、部分的に表面性状が粗くなる場合がある。このような部分も含めて、バフ研磨工程により、底面１９ａの表面粗さＲａは、０．１μｍ以下とすることができる。」
「請求の範囲
・・・　中　略　・・・
［請求項５］　前記載置面が、酸化アルミニウム−炭化ケイ素複合焼結体、酸化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウム焼結体、または酸化イットリウム焼結体からなる請求項１〜４の何れか一項に記載の静電チャック装置。」
　上記記載から、甲第３号証には、以下の発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されている。
「静電チャック部２の載置面１９には、突起部３０が複数個形成され、
　載置面１９の周縁には、周縁壁１７が形成されており、周縁壁１７は、突起部３０と同じ高さであり、
　突起部３０は、概ね円錐台形状を有しており、底面１９ａに沿う断面が円形状であり、
　突起部３０は、先端に位置する先端部３１と、略一定の傾きで先端側に向かって断面直径を小さくしていく柱部３２と、柱部３２と底面１９ａとを緩やかな曲率で接続する裾野部３４と、を有し、
　先端部３１の表面は、先端部３１の周縁において柱部３２と滑らかに接続される角曲面３１ａと、角曲面３１ａの内側に位置する緩曲面３１ｂと、を含み、緩曲面３１ｂの曲率半径は、大きければ大きいほど好ましく、曲面となっていない平坦面であることが最も好ましく、
　先端部３１において、板状試料Ｗと突起部３０とが接触する領域を頂面４０とする、
　静電チャック装置。」
　また、上記記載から、甲第３号証には、以下の事項（以下、「甲第３号証記載事項」という。）が記載されている。
「静電チャック部２の載置面１９に形成された、突起部３０について、
　突起部３０は、概ね円錐台形状を有しており、底面１９ａに沿う断面が円形状であり、
　突起部３０は、先端に位置する先端部３１と、略一定の傾きで先端側に向かって断面直径を小さくしていく柱部３２と、柱部３２と底面１９ａとを緩やかな曲率で接続する裾野部３４と、を有し、
　先端部３１の表面は、先端部３１の周縁において柱部３２と滑らかに接続される角曲面３１ａと、角曲面３１ａの内側に位置する緩曲面３１ｂと、を含み、緩曲面３１ｂの曲率半径は、大きければ大きいほど好ましく、曲面となっていない平坦面であることが最も好ましく、
　突起部３０を載置板１１の載置面１９に形成する際に、
　サンドブラスト加工を行った後に研磨工程としてバフ研磨を行うことにより、
　サンドブラスト工程により形成された凸部５３の特に角部５３ａ近傍に残留する、パーティクル発生の原因となる表層部から内部に向かう表層クラックを強制的に進行、剥離させ、表層クラックを除去することにより、凸部５３の上面５３ｂ及び角部５３ａが丸くなること。」
４　甲第４号証
　特許異議申立人が異議申立書において引用した、甲第４号証には以下の事項が記載されている。
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、吸着固定装置及びその製造方法に関し、更に詳しくは、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体装置の製造ライン等において好適に用いられ、シリコンウエハ等の板状試料を、パーティクルの発生等の不具合が生じることなしに固定、矯正、搬送等を行うことが可能な
吸着固定装置及びその製造方法に関するものである。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】　基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面とされ、該吸着固定面は突起または溝が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされた吸着固定装置において、
前記凹凸面の凸部の頂面及び側面と、前記凹凸面の凹部の底面とは、共に研磨されていることを特徴とする吸着固定装置。
【請求項２】　前記凸部の頂面及び側面、及び前記凹部の底面の表面粗さＲａは０．２５Ｓ以下であることを特徴とする請求項１記載の吸着固定装置。
【請求項３】　前記凸部の周縁は、その断面形状が曲線であることを特徴とする請求項１または２記載の吸着固定装置。
【請求項４】　前記凸部の頂面の合計面積は、前記吸着固定面の全面積の０．３〜２０％であることを特徴とする請求項１、２または３記載の吸着固定装置。
【請求項５】　前記凸部の高さは１μｍ〜３０μｍであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載の吸着固定装置。
【請求項６】　基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面とされ、該吸着固定面には突起または溝が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされた吸着固定装置の製造方法であって、
基体の一主面に突起または溝を形成して凹凸面とする工程と、該凹凸面を、砥粒とバフ材を用いて研磨する工程とを備えたことを特徴とする吸着固定装置の製造方法。
【請求項７】　基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面とされ、該吸着固定面には突起または溝が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされた吸着固定装置の製造方法であって、
基体の一主面に突起または溝を形成して凹凸面とする工程と、該凹凸面を、砥粒と超音波を用いて研磨する工程とを備えたことを特徴とする吸着固定装置の製造方法。」
「【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体装置の製造ラインをはじめ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等の表示装置の製造ライン、ハイブリッドＩＣ等の組み立てライン等においては、シリコンウエハ、ガラス基板、プリント基板等の板状試料の固定、矯正、搬送等を行う際に、この板状試料を静電チャック方式や真空チャック方式により吸着して固定する吸着固定装置が用いられている。従来より用いられている吸着固定装置としては、例えば、板状試料を吸着固定する基体の上面を吸着固定面とし、この吸着固定面にサンドブラスト法等により突起または溝を形成して凹凸面となし、この凹凸面の凸部の頂面を研磨して板状試料の保持面とするとともに、この凹凸面の凹部をヘリウム（Ｈｅ）等の冷却ガスの供給路とした構造の吸着固定装置が知られている。このような吸着固定装置にあっては、板状試料を吸着固定面から離脱させるためのリフトピンが、この板状試料の周辺部に対応する前記基体の裏面の位置に設けられている。
【０００３】このような吸着固定装置にあっては、板状試料との接触面（凸部の頂面）が研磨されて鏡面となっていること、及び、これらの接触面の合計面積を吸着固定面に対して所定の範囲内としてあることによって、使用上十分な吸着力を確保している。また、吸着固定面に凹部を形成したことにより、シリコンウエハ等の板状試料にパーティクルを付着し難くすることができ、しかも、この板状試料を吸着固定面から容易に脱離させることができる。さらに、この凹部をヘリウム等の冷却ガスの供給路とすることで、板状試料を冷却して適切な温度に制御することができる。」
「【０００７】本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、パーティクルの発生等の不具合が生じることなしに、固定、矯正、搬送等を行うことができる吸着固定装置及びその製造方法を提供することを目的とする。」
「【００１１】請求項２記載の吸着固定装置は、請求項１記載の吸着固定装置において、前記凸部の頂面及び側面、及び前記凹部の底面の表面粗さＲａは０．２５Ｓ以下であることを特徴とする。この吸
着固定装置においては、前記凸部の頂面及び側面、及び前記凹部の底面の表面粗さＲａを０．２５Ｓ以下とすることにより、前記凸部の頂面及び側面と、前記凹部底面が鏡面となり、吸着固定面と板状試料との間の摩擦が極めて小さくなる。これにより、吸着固定面に固定した板状試料を、リフトピン等を用いて該吸着固定面から離脱する際のパーティクルの発生をさらに防止する。
「【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の吸着固定装置の製造方法の一実施の形態について説明する。ここでは、プラズマ発生用の高周波電極が一体化された形式の静電チャックを例にとり説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００１４】
本実施形態に係る製造方法により製造される静電チャックは、基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面とされ、該吸着固定面には突起または溝が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされている。
ここでは、理解を容易にするために、まず、本実施形態の吸着固定装置の製造方法により得られた静電チャックについて説明し、次いで、本実施形態の吸着固定装置の製造方法について説明する。」
「【００２２】
凸部１５、１５…は、図３及び図４に示すように、先端部が根元よりも小さい形状に形成され、凸部周縁が、断面形状が丸みを帯びた（曲線状）ように形成され
前記凸部の頂面２４
の表面粗さＲａが、
０．２５Ｓ以下となる
「【００２７】次に、本実施形態の静電チャックの製造方法について図５に基づき説明する。本実施形態に係る静電チャックは、吸着面１３ｂ内に形成される凹凸面の研磨以外は、従来からの公知の方法に従って製造される。凸部１５、１５…の形成は、例えば、砥石加工、レーザ彫刻等の機械的加工、あるいはサンドブラスト加工等を用いて行うことができる。また、凹凸面の研磨、すなわち、凸部１５の頂面２４及び側面２５と、凹部底面２６の研磨は、微小砥粒とバフ材を用いたバフ研磨、または、微小砥粒と超音波とを用いた超音波研磨により、効率的に行うことができる。
【００２８】以下、吸着面１３ｂ内に凸部１５、１５…を形成する方法としてサンドブラスト加工を、また、凹凸面を研磨する方法として微小砥粒とバフ材を用いたバフ研磨法を用いた場合について、図３を参照しつつ説明する。
【００２９】まず、図５（ａ）に示すように、誘電体３１の上面、すなわち板状試料を吸着する吸着面３１ｂを研磨加工して、例えば、表面粗さＲａが０．２５Ｓ以下の平坦面とし、この平滑となった吸着面３１ｂを洗浄する。この洗浄は、例えば、アセトン、イソプロピルアルコール、トルエン等の有機溶剤で脱脂を行い、その後、例えば、温水で洗浄する。
【００３０】次いで、この吸着面３１ｂに所定のパターン形状のマスク３２を形成する。このマスク３２のパターン形状は、図１に示す凸部１５、１５…のパターン形状と同一とする。このマスク３２としては、感光性樹脂や板状マスクが好適に用いられる。この方法は常法に従う。
【００３１】次いで、図５（ｂ）に示すように、サンドブラスト加工を行い、マスク３２によって覆われていない部分に凹部３３、３３…を形成する。その結果として、マスク３２によって覆われている部分が残って凸部３４、３４…となり、これらの凸部３４、３４間が凹部３３の底面３５となる。
【００３２】このサンドブラスト加工に使用される砥粒としては、アルミナ、炭化珪素、ガラスビーズ等が好ましく、砥粒の粒径は、３００メッシュアンダー（３００メッシュを通過したもの）、かつ、１５００メッシュオーバー（１５００メッシュを通過しないもの）程度とすることが好ましい。その後、マスク３２を除去する。この際、マスク３２が感光性樹脂からなる場合には、塩化メチレン等の剥離液を用いる。
【００３３】次いで、凸部３４、３４…の頂面及び側面と、凹部３３の底面３５とを、微小砥粒とバフ材を用いたバフ研磨法により、表面粗さＲａが０．２５Ｓ以下となるよう同時に鏡面研磨し、図５（ｃ）に示すように、凸部１５、１５…の頂面２４及び側面２５と、凹部２６の底面２７が共に鏡面研磨された静電チャックを得る。
【００３４】上記の微小砥粒としては、例えば、サンドブラスト加工に用いた砥粒と同一のものを使用することができるが、微小砥粒の粒径としては、８００メッシュアンダー（８００メッシュを通過したもの）、かつ、１５００メッシュオーバー（１５００メッシュを通過しないもの）程度とすることが好ましい。また、前記のバフ材としては、特に限定されるものではなく、例えば、樹脂製のバフ材を用いることができる。
【００３５】このバフ研磨に際しては、段階を踏む毎に、より微小な砥粒を用いて多段階に研磨することが好ましく、例えば８００メッシュの微小砥粒→１０００メッシュの微小砥粒→１５００メッシュの微小砥粒という具合に、段階を踏んで多段階に研磨するのが好ましい。バフ研磨法におけるその他の条件については、常法に従ってよく、例えば、前記の微小砥粒を含む研摩剤スラリーを被研摩面に注ぎながら、バフ材を用いて研磨する方法等が用いられる。研磨後、吸着面１３ｂを洗浄する。この洗浄は、例えば、アセトン等の有機溶剤で行い、脱脂する。この脱脂後には、例えば、温水で洗浄する。
【００３６】この静電チャックの製造方法にあっては、凹部３３の底面３５をも容易に研磨することができ、しかも、凸部３４の頂面及び側面と、凹部３３の底面３５とを同時に研磨することができるため、研磨コストを低減することができ、もって、パーティクル発生の原因が少なく、半導体ウエハ等の板状試料１の製品歩留まりを改善し得る静電チャックを安価に提供することができる。」
【図４】
【図５】
　上記記載から、甲第４号証には、以下の事項（以下、「甲第４号証記載事項」という。）が記載されている。
「静電チャックにおいて、
　基体の一主面が板状試料を吸着固定する吸着固定面となり、
　該吸着固定面には突起が形成されて凹凸面とされ、該凹凸面の凸部の頂面が前記板状試料の保持面とされているものであつて、
　凸部は、先端部が根元よりも小さい形状に形成され、凸部周縁が、断面形状が丸みを帯びた（曲線状）ように形成されていること。」
５　甲第５号証
　特許異議申立人が異議申立書において引用した、甲第５号証には以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、吸着固定装置の製造方法に関し、更に詳しくは、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体装置の製造ライン等において好適に用いられ、シリコンウエハ等の板状試料を、パーティクルの発生等の不具合が生じることなしに固定、矯正、搬送等を行うことが可能な吸着固定装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体装置の製造ラインをはじめ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等の表示装置の製造ライン、ハイブリッドＩＣ等の組み立てライン等においては、シリコンウエハ、ガラス基板、プリント基板等の板状試料の固定、矯正、搬送等を行う際に、この板状試料を静電チャック方式や真空チャック方式により吸着して固定する吸着固定装置が用いられている。
従来より用いられている吸着固定装置としては、例えば、板状試料を吸着固定する基体の上面を吸着固定面とし、この吸着固定面にサンドブラスト法等により突起または溝を形成して凹凸面となし、この凹凸面の凸部の頂面及び側面と、該凹凸面の凹部の底面とを共に研磨して前記凸部の頂面を板状試料の保持面とするとともに、この凹凸面の凹部をヘリウム（Ｈｅ）等の冷却ガスの供給路とした構造の吸着固定装置が知られている。
このような吸着固定装置にあっては、板状試料を吸着固定面から離脱させるためのリフトピンが、この板状試料の周辺部に対応する前記基体の裏面の位置に設けられている。」
第５　当審の判断
１　特許法第２９条第１項第３号について
（１）本件発明１について
ア　対比
　本件発明１と引用発明１を対比する。
（ア）引用発明１は、「基材の一主面上の周縁部に断面四角形状の環状突起部と、一主面上の環状突起部に囲まれた領域に環状突起部と同一の高さの横断面が円形状かつ縦断面が略矩形状の複数の突起部を設け、」「板状試料と環状突起部及び複数の突起部との接触が板状試料の全面にて確実に行われることにより、板状試料を吸着する」「静電チャック装置」であるから、板状試料は基材の一主面上に吸着されていると認められる。
　そうすると、引用発明１の「基材の一主面上の周縁部に断面四角形状の環状突起部と、一主面上の環状突起部に囲まれた領域に環状突起部と同一の高さの横断面が円形状かつ縦断面が略矩形状の複数の突起部を設け、」「板状試料と環状突起部及び複数の突起部との接触が板状試料の全面にて確実に行われることにより、板状試料を吸着する」ことは、本件発明１の「基体の一主面に板状試料を静電吸着する」ことに相当する。
（イ）引用発明１は、「環状突起部の上端部及び複数の突起部の上端部を、一主面の中心部を底面とする、外周部に向かって次第に湾曲する、凹面上に位置し」ているから、このことは、本件発明１の「前記基体の厚さ方向の断面形状は、前記一主面の中心から前記一主面の外周に向かって次第に湾曲する凸状曲面または凹状曲面をな」すことに相当する。
（ウ）引用発明１の「基材の一主面上の周縁部に断面四角形状の環状突起部」を設けることは、本件発明１の「前記一主面上の周縁部には、前記周縁部を一周するように、縦断面が略四角形状の環状突起部が設け」ることに相当する。
（エ）引用発明１の「一主面上の環状突起部に囲まれた領域に環状突起部と同一の高さの横断面が円形状かつ縦断面が略矩形状の複数の突起部を設け」ることと、本件発明１の「前記一主面上の前記環状突起部に囲まれた領域には、横断面が円形または多角形状であり、かつ縦断面が略四角形状の複数の凸状突起部」を設けることとは、前記一主面上の前記環状突起部に囲まれた領域には、横断面が円形または多角形状であり、かつ縦断面が略四角形状の複数の凸状突起部を設ける点で共通する。
（オ）引用発明１の「環状突起部の冷却用ベース部の一主面からの高さと、この環状突起部に囲まれた領域の中央近傍に位置する突起部の冷却用ベース部の一主面からの高さとの差を１μｍ以上かつ３０μｍ以下とする」ことは、本件発明１の「前記一主面の中心に位置する前記凸状突起部の頂面の高さと前記環状突起部の上面の高さとの差が１μｍ以上かつ３０μｍ以下であ」ることに相当する。
（カ）引用発明１の「突起部の上端部」は、本件発明１の「凸状突起部」の「頂面」に相当する。
　また、引用発明１の「突起部」は「縦断面が略四角形状」であるから、本件発明１の「凸状突起部」の「側面」に相当する構成を備えていると認められる。
　そうすると、引用発明１の「突起部」と本件発明１の「前記板状試料と接する前記頂面、側面、および前記頂面と前記側面を連接するＲ面を有」する「凸状突起部」とは、「前記板状試料と接する前記頂面および側面を有」する「凸状突起部」である点で共通する。
（キ）引用発明１の「静電チャック装置」は、本件発明１の「静電チャック装置」に対応する。
（ク）そうすると、本件発明１と引用発明１とは以下の点で一致し、また相違する。
［一致点］
「基体の一主面に板状試料を静電吸着する静電チャック装置であって、
　前記基体の厚さ方向の断面形状は、前記一主面の中心から前記一主面の外周に向かって次第に湾曲する凸状曲面または凹状曲面をなし、
　前記一主面上の周縁部には、前記周縁部を一周するように、縦断面が略四角形状の環状突起部が設けられ、
　前記一主面上の前記環状突起部に囲まれた領域には、横断面が円形または多角形状であり、かつ縦断面が略四角形状の複数の凸状突起部が設けられ、
　前記一主面の中心に位置する前記凸状突起部の頂面の高さと前記環状突起部の上面の高さとの差が１μｍ以上かつ３０μｍ以下であり、
　前記凸状突起部は、前記板状試料と接する前記頂面および側面を有する静電チャック装置。」
［相違点１］
　本件発明１は、「前記凸状突起部」が「前記頂面と前記側面を連接するＲ面を有し」ているのに対して、引用発明１の突起部は、頂面と側面を連接するＲ面を有していない点。
［相違点２］
　本件発明１は、「前記凸状突起部」は、「底面の直径に対する前記頂面の直径の比が０．７５以上であ」るのに対して、引用発明１の突起部は、底面の直径に対する前記頂面の直径の比が特定されていない点。
［相違点３］
　本件発明１は、「前記凸状突起部は、前記頂面と前記側面のなす角度が９０°以上かつ１６０°以下である」のに対して、引用発明１の突起部は、頂面と側面のなす角度が特定されていない点。
イ　判断
　事案に鑑み、相違点１ないし３について、まとめて判断すると、引用発明１は、突起部について、Ｒ面を有しておらず、また、Ｒ面を有する際の、底面の直径に対する突起部の上端部の直径の比や、突起部の上端部と側面のなす角度について言及されていないから、本件発明１は、引用発明１であるということはできない。
（２）請求項２ないし４及び１３について
　本件発明２ないし４及び１３は、「前記凸状突起部は、」「前記頂面と前記側面を連接するＲ面を有し、かつ、底面の直径に対する前記頂面の直径の比が０．７５以上であり、前記凸状突起部は、前記頂面と前記側面のなす角度が９０°以上かつ１６０°以下である」から、上記（１）イで検討したように、引用発明１であるということはできない。
（３）特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は、特許異議申立書において、凸状突起部が有するＲ面について、甲第１号証には明示が無いとしている（特許異議申立書第３７頁８行ないし１０行）。
　そして、請求項１に係る発明は、マスクを用いたサンドブラストとハブ研磨を併用して凸状突起部形成しているとしている（特許異議申立書第３７頁１３行ないし２３行）。
　その上で、甲第１号証では、ブラスト加工を行っており、甲第１号証の段落【００７２】の「環状突起部２１の上端部２１ａと複数の突起部２２各々の上端部２２ａとで板状試料Ｗを密着状態で支持する」との記載をもって、突起部の上端部には研磨等が施されている蓋然性が極めて高いとした上で、甲第４号証や甲第５号証の記載から、板状試料との接触面（凸部の頂面）が研磨されることは、静電チャック装置においては当然のことであるとし（特許異議申立書第３７頁２４行ないし第３８頁２１行）、その上で、甲第１号証では、請求項１に係る発明と同様の工程によって形成されるために、Ｒ面が形成されている蓋然性が極めて高いと主張している。（特許異議申立書第３８頁２２行ないし２８行）。
　しかしながら、甲第１号証の段落【００９０】に「研磨加工」と明示されているように、甲第１号証では、研磨工程を行う際には、その研磨工程について明示されているから、プラスト加工を行った後の研磨工程について明示されていない、甲第１号証について、ブラスト加工を行った後に研磨工程を行うことが当然のことであるとは認められない。
　加えて、特許異議申立人が主張する板状試料との接触面（凸部の頂面）が研磨されることは、甲第１号証では、段落【００９０】の「研磨工程」により、載置板の表面を平坦面とすることによりすでに行われているから、この「研磨工程」に加えて、さらに、ブラスト加工の後に、研磨工程を行うことが自明であるとはいえない。
　したがって、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
２　特許法第２９条第２項について
（１）本件発明１について
ア　引用発明１との対比・判断
（ア）対比
　本件発明１と引用発明１と対比すると、上記１（１）アで検討したように、本件発明１と引用発明１とは、以下の点で相違する（再掲）。
［相違点１］
　本件発明１は、「前記凸状突起部」が「前記頂面と前記側面を連接するＲ面を有し」ているのに対して、引用発明１の突起部は、頂面と側面を連接するＲ面を有していない点。
［相違点２］
　本件発明１は、「前記凸状突起部」は、「底面の直径に対する前記頂面の直径の比が０．７５以上であ」るのに対して、引用発明１の突起部は、底面の直径に対する前記頂面の直径の比が明示されていない点。
［相違点３］
　本件発明１は、「前記凸状突起部は、前記頂面と前記側面のなす角度が９０°以上かつ１６０°以下である」のに対して、引用発明１の突起部は、頂面と側面のなす角度が明示されていない点。
（イ）判断
　事案に鑑み、相違点１ないし３についてまとめて判断すると、甲２号証記載事項ないし甲第４号証記載事項にあるように、静電チャック装置において、板状試料を静電吸着する面に形成された複数の凸状突起において、パーティクルの発生を抑制するために、頂面と側面を連接するＲ面を備えるようにすることは公知の技術であるものの、その際に、形成された凸状突起について、底面の直径に対する頂面の直径の比が０．７５以上であることや、頂面と側面のなす角度が９０°以上かつ１６０°以下であることは、甲第２号証ないし甲第４号証には記載されておらず、このことが、本件の優先権主張日前に周知の事項であったとはいえない。
　そうすると、引用発明１について、相違点１ないし３に係る本件発明１の構成を採用することが、当業者であっても容易に想到し得たことであるとはいえない。
　したがって、本件発明１は、引用発明１及び甲第２号証ないし甲第４号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（ウ）特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は、特許異議申立書において、相違点２及び相違点３について、相違点２及び３に係る形状では、板状試料との摩擦によって凸状突起部の頂面から削られることで断面積が大きくなるため、接触面積の変化量は０にはならないから、相違点２及び相違点３に係る形状を備える本件発明１の凸状突起部は、課題を解決するための顕著な効果を有しておらず、本件発明１は引用発明１の有する効果とは異質な効果を有するものではなく、また、引用発明１の有する効果と同質の効果であるが際立って優れた効果を有するものでもなく、この効果が優先権主張日の技術水準から当業者が予測できないものに該当しないとし、相違点２及び相違点３で示される数値範囲には、臨界的意義が認められない旨主張する（特許異議申立書第４２頁６行ないし第４３頁１５行）。（１）
　さらに、特許異議申立人は、特許異議申立書において、相違点２について、凸状突起部の摩擦による断面積の変化率を小さくするためには、頂面の直径と底面の直径との比を１とする円柱状が最も好ましく、１より小さい値とする理由は、本件特許の段落【００２６】には記載されていないから、相違点２に係る数値は、当業者が決めることができる設計的事項に過ぎない旨主張する（特許異議申立書第４３頁１６行ないし第４３頁２６行）。（２）
　しかしながら、本件特許の発明の詳細な説明の段落【００９１】に
「前工程であるサンドブラスト工程は、載置面１１ａの表面にダメージを与えて、マスク５１の形成されていない部分を掘削するように除去する工程である。したがって、サンドブラスト工程により形成された凸部５３の特に角部５３ａ近傍には、表層部から内部に向かう表層クラックが残留している。表層クラックは、小さな応力で進行して剥離の起点となるため、パーティクル発生の原因となる。
　バフ研磨を行うことで、サンドブラスト工程で形成された表層クラックを強制的に進行、剥離させ、表層クラックを除去できる。表層クラックを起点として剥離が進むことで、凸部５３の上面５３ｂおよび角部５３ａが丸くなり、図６に示すように、Ｒ面２２ｃが形成される。」
と記載されているように、本件発明１は、パーティクル発生の原因となる、サンドブラスト工程で形成された表層クラックを除去するために、バフ研磨を行うことにより、凸状突起部の角部が丸くなるＲ面を有することを前提としている。そして、このバフ研磨により、凸状突起部の形状が、板状試料との摩擦によって凸状突起部の頂面から削られることで頂面の断面積が小さくなる可能性があるところ、その形状について、相違点２及び相違点３に係る形状とするものであるから、課題を解決するための顕著な効果を有するものであり、特許異議申立人の上記主張は採用できない。（１）
　また、上記の通り、本件発明１は、Ｒ面を有することにより、板状試料との摩擦によって凸状突起部の頂面から削られることで頂面の断面積が小さくなる可能性があるから、その形状を相違点２に係る数値とすることが、当業者が決めることができる設計的事項に過ぎないとはいえない。（２）
　したがって、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
イ　引用発明３との対比・判断
（ア）対比
　本件発明１と引用発明３を対比する。
ａ　引用発明３は、「静電チャック装置」であって、静電チャック部２の載置面１９に形成された突起部３０の先端３１において、板状試料Ｗと突起部３０とが接触する領域を頂面４０とするものであるから、引用発明３の「静電チャック装置」は、本件発明１の「基体の一主面に板状試料を静電吸着する静電チャック装置」に対応する。
ｂ　引用発明３は「静電チャック部２の載置面１９には、突起部３０が複数個形成され、載置面１９の周縁には、周縁壁１７が形成されて」いるから、この「周縁壁１７」を形成することと本件発明１の「前記一主面上の周縁部には、前記周縁部を一周するように、縦断面が略四角形状の環状突起部が設けられ」ることは、前記一主面上の周縁部には、前記周縁部を一周するように」設けられた「環状突起部を設け」る点で、共通する。
ｃ　また、引用発明３は、「静電チャック部２の載置面１９には、突起部３０が複数個形成され、載置面１９の周縁には、周縁壁１７が形成されて」おり、加えて、この「突起部３０は、概ね円錐台形状を有しており、底面１９ａに沿う断面が円形状であ」るから、この「突起部３０」を形成することと本件発明１の「前記一主面上の前記環状突起部に囲まれた領域には、横断面が円形または多角形状であり、かつ縦断面が略四角形状の複数の凸状突起部が設けられ」ることは、前記一主面上の前記環状突起部に囲まれた領域には、横断面が円形または多角形状であ」る「複数の凸状突起部が設け」る点で共通する。
ｄ　引用発明３は、「突起部３０は、先端に位置する先端部３１と、略一定の傾きで先端側に向かって断面直径を小さくしていく柱部３２と、柱部３２と底面１９ａとを緩やかな曲率で接続する裾野部３４と、を有し」ており、加えて「先端部３１において、板状試料Ｗと突起部３０とが接触する」から、この「先端部３１」、「柱部３２」を形成する面は、本件発明１の「前記板状試料と接する前記頂面」、「側面」に相当する。
　また、引用発明は「先端部３１の表面は、先端部３１の周縁において柱部３２と滑らかに接続される角曲面３１ａ」を含んでいるから、この「角曲面３１ａ」は、本件発明１の「前記頂面と前記側面を連接するＲ面」に相当する。
ｅ　そうすると、本件発明１と引用発明３とは以下の点で一致し、また相違する。
［一致点］
「基体の一主面に板状試料を静電吸着する静電チャック装置であって、
　前記一主面上の周縁部には、前記周縁部を一周するように環状突起部が設けられ、
　前記一主面上の前記環状突起部に囲まれた領域には、横断面が円形または多角形状である複数の凸状突起部が設けられ、
　前記凸状突起部は、前記板状試料と接する前記頂面、側面、および前記頂面と前記側面を連接するＲ面を有する静電チャック装置。」
［相違点４］
　本件発明１は、「前記基体の厚さ方向の断面形状は、前記一主面の中心から前記一主面の外周に向かって次第に湾曲する凸状曲面または凹状曲面をなし」、「前記一主面の中心に位置する前記凸状突起部の頂面の高さと前記環状突起部の上面の高さとの差が１μｍ以上かつ３０μｍ以下であ」るのに対して、引用発明は「周縁壁１７は、突起部３０と同じ高さであ」る点。
［相違点５］
　本件発明１は、「前記一主面上の周縁部には、前記周縁部を一周するように、縦断面が略四角形状の環状突起部が設けられ」ているのに対して、引用発明３において形成された「周縁壁１７」の縦断面の形状が特定されていない点。
［相違点６］
　本件発明１は、「前記一主面上の前記環状突起部に囲まれた領域には、横断面が円形または多角形状であり、かつ縦断面が略四角形状の複数の凸状突起部が設けられ」ているのに対して、引用発明３において形成された「突起部３０」は、「概ね円錐台形状を有しており、底面１９ａに沿う断面が円形状であ」ることは特定されているものの、縦断面の形状が明示されていない点。
［相違点７］
　本件発明１は、「前記凸状突起部」の「底面の直径に対する前記頂面の直径の比が０．７５以上であ」るのに対して、引用発明３は、「突起部３０」の底面の直径に対する「先端部３１」の直径の比について特定されていない点。
［相違点８］
本件発明１は、「前記凸状突起部は、前記頂面と前記側面のなす角度が９０°以上かつ１６０°以下である」のに対して、引用発明３は、先端部３１と「柱部３２」を形成する面のなす角度について特定されていない点。
（イ）判断
　事案に鑑み、相違点７及び８についてまとめて判断すると、甲第１号証及び甲第２号証並びに甲第４号証には、静電チャック装置において、板状試料を静電吸着する面に形成された複数の凸状突起において、凸状突起にＲ面を備える際に、凸状突起の底面の直径に対する頂面の直径の比が０．７５以上であることや、頂面と側面のなす角度が９０°以上かつ１６０°以下であることは記載されておらず、このことが、本件の優先権主張日前に周知の事項であったとはいえない。
　そうすると、引用発明３について、相違点７及び８に係る本件発明１の構成を採用することが、当業者であっても容易に想到し得たことであるとはいえない。
　したがって、本件発明１は、引用発明３及び甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（ウ）特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は、特許異議申立書において、相違点７及び８について、構成Ｇ（相違点７に対応する。）及び構成Ｈ（相違点８に対応する。）は、甲第３号証に記載されていると主張する（特許異議申立書第４４頁４行ないし７行）。
　しかしながら、上記第４の３に示すように、甲第３号証には、「前記凸状突起部」の「底面の直径に対する前記頂面の直径の比が０．７５以上であ」ることや、「前記凸状突起部は、前記頂面と前記側面のなす角度が９０°以上かつ１６０°以下である」ことは記載されていないから、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
（２）請求項２ないし４及び１３に係る発明について
　本件発明２ないし４及び１３は、板状試料を静電吸着する面に形成された複数の凸状突起において、凸状突起にＲ面を備える際に、凸状突起の底面の直径に対する頂面の直径の比が０．７５以上であり、且つ頂面と側面のなす角度が９０°以上かつ１６０°以下である静電チャック装置であるから、上記（１）で検討したように、甲第１号証ないし甲第４号証に記載された事項から、当業者が容易に想到し得るものではない。
３　特許法第３６条第６項第１号について
　特許異議申立人は、特許異議申立書において、本件特許の発明の詳細な説明に記載された表１の実施例１Ａ、実施例２Ａ、実施例３Ａや、表２の実施例１Ｂ、実施例２Ｂ、実施例３Ｂについて、板状資料との接触の程度を示す比は異なっているものの、その他の点は、完全に同一であるか、わずかに異なるものにすぎないのに対して、比較例１Ａや比較例１Ｂは、頂面の大きさと底面の大きさのいずれもが前記実施例に比べ非常に大きく、凸状突起部の個数も大きく異なると考えられるから、表１または表２に示す実施例が比較例に対して優れた温度均一性を示しているのは、本件特許の請求項１に記載された構成を満たすことによるものなのか、不明であるとし、発明の詳細な説明には、本件特許の請求項１に記載された構成を満たすことにより、優れた温度均一性を有することは記載されておらず、本件特許の請求項１に係る発明は、「発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲」を超えているために、本件特許の請求項１に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしておらず、加えて、本件特許の請求項１を引用した請求項２ないし１３に係る発明も同じ理由により特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしていない旨主張している（特許異議申立書第５２頁４行ないし第５３頁１４行）。
　しかしながら、本件特許の発明の詳細な説明に
「【００１７】　載置板１１の載置面１１ａ上の周縁部には、この周縁部を一周するように、断面四角形状の環状突起部２１が設けられている。載置板１１の載置面１１ａ上の環状突起部２１に囲まれた領域には、横断面が円形状かつ縦断面が略矩形状の複数の凸状突起部２２が設けられている。そして、図２に示すように、環状突起部２１の上面２１ａおよび複数の凸状突起部２２各々の頂面２２ａは、載置面１１ａの中心１１ｂに底面が位置する凸面または凹面２３上に位置している。」
「【００１８】　図１Ａや１Ｂに示すように、載置板１１の厚さ方向の断面形状は、載置面１１ａの中心１１ｂから載置面１１ａの外周１１ｃに向かって次第に湾曲する曲面状である凸面または凹面２３をなしている。詳細には、載置板１１の厚さ方向の断面形状は、載置面１１ａの中心１１ｂ（凸面または凹面２３の中心２３ａ）から載置面１１ａの外周１１ｃ（凸面または凹面２３の外周２３ｂ）に向かって、冷却用ベース部３の上面（一主面）３ａを基準とする高さ、すなわち上面３ａからの高さ、が次第に高くなるように又は低くなるように湾曲する曲面状である、凸面または凹面２３をなしている。すなわち、載置面１１ａは凸面または凹面２３をなしている。そして、図２に示すように、環状突起部２１の上面２１ａおよび複数の凸状突起部２２各々の頂面２２ａは、載置面１１ａの中心１１ｂに底面が位置する凸面または凹面２３上に位置している。すなわち、上面２１ａおよび頂面２２ａは、凸面または凹面２３の一部を形成する。」
「【００１９】　載置面１１ａの中心１１ｂ（凸面または凹面２３の中心２３ａ）に位置する凸状突起部２２の頂面２２ａの高さ（冷却用ベース部３の上面（一主面）３ａを基準とする高さ）と環状突起部２１の上面２１ａの高さ（冷却用ベース部３の上面（一主面）３ａを基準とする高さ）との差が１μｍ以上かつ３０μｍ以下であり、５μｍ以上かつ１５μｍ以下であることが好ましい。必要に応じて、頂面２２ａの高さの方が高くても良いし、上面２１ａの方が高くても良い。
　載置面１１ａの中心１１ｂの中心に位置する凸状突起部２２の頂面２２ａの高さと環状突起部２１の上面２１ａの高さとの差が１μｍ未満では、載置板１１を冷却用ベース部３に固定した場合、載置板１１が凸形状になることがある。一方、載置面１１ａの中心１１ｂの中心に位置する凸状突起部２２の頂面２２ａの高さと環状突起部２１の上面２１ａの高さとの差が３０μｍを超えると、板状試料Ｗを吸着する際に、この板状試料Ｗと載置板１１の載置面１１ａの間に隙間が生じて、板状試料Ｗの温度を均一化する性能が低下する。」
「【００２３】　凸状突起部２２のＲ面２２ｃは、頂面２２ａと側面２２ｂを連接する面であり、曲率半径が１０μｍ以上かつ５０μｍ以下の面である。凸状突起部２２のＲ面２２ｃの曲率半径が前記の範囲内であれば、凸状突起部２２の頂面２２ａが摩耗しても、板状試料Ｗと接触する面積の変化が小さい。よって、長期に使用しても板状試料Ｗの温度均一性が変化しない。」
「【００２６】　凸状突起部２２の底面２２ｄの直径ｄ１に対する、凸状突起部２２の頂面２２ａの直径ｄ２の比は０．７５以上であり、０．８０以上であることが好ましく、０．８５以上であることがより好ましい。また、凸状突起部２２の底面２２ｄの直径ｄ１に対する、凸状突起部２２の頂面２２ａの直径ｄ２の比の上限は０．９５以下である。
　凸状突起部２２の底面２２ｄの直径ｄ１に対する、凸状突起部２２の頂面２２ａの直径ｄ２の比は０．７５未満では、凸状突起部２２の頂面２２ａが摩耗したとき、凸状突起部２２の頂面２２ａにおける板状試料Ｗに接触する面積が徐々に大きくなり、長期に使用した場合、板状試料Ｗの面内の温度均一性が低下してしまう。」
「【００３０】　凸状突起部２２は、頂面２２ａと側面２２ｂのなす角度θが９０°以上かつ１６０°以下であり、９０°以上かつ１５０°以下であることが好ましい。
　頂面２２ａと側面２２ｂのなす角度θが９０°未満では、摩耗により、凸状突起部２２の頂面２２ａと板状試料Ｗとの接触面積が小さくなるため、摩耗の速度が大きくなり、パーティキュル等が多く発生するため好ましくない。一方、頂面２２ａと側面２２ｂのなす角度θが１６０°を超えると、摩耗により、凸状突起部２２の頂面２２ａと板状試料Ｗとの板状試料Ｗとの接触面積が大きくなるため、長期に使用した場合に、板状試料Ｗの面内の温度均一性が低下する。」
と記載されているように、本件発明１は、本件特許の発明の詳細な説明に記載されたものであるといえるから、本件特許の特許請求の範囲に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載された発明であり、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たす。
４　特許法第３６条第４項第１号について
　特許異議申立人は、特許異議申立書において、以下の点を上げ、本件特許の発明の詳細な説明の記載では、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない旨主張する（特許異議申立書第５３頁１５行ないし第５８頁１６行）。
（１）本件特許の発明の詳細な説明には、本件特許の請求項１に係る発明の凸状突起部の形状を規定する数値範囲について、その数値範囲の上下限の数値を境とした、従来技術に対する異質な効果や、従来技術の効果と同質の効果であるが際立って優れた効果が示されていないこと（特許異議申立書第５３頁１６行ないし第５４頁１行）。
（２）本件特許の発明の詳細な説明の表１、表２に記載された内容から、本件特許の請求項１に係る発明の凸状突起部の形状を規定する数値範囲について、臨界的意義を認めることができないこと（特許異議申立書第５４頁２行ないし１８行）。
（３）本件特許の発明の詳細な説明の表１、表２に記載された、比較例１Ａや比較例１Ｂは、本件特許発明の実施例に比べ、頂面の大きさや底面の大きさが非常に大きいから、本件特許の請求項１に係る発明の凸状突起部の形状を規定する数値範囲内で凸状突起部を形成しても、基体の載置面に吸着した板状試料の温度の均一性、並びに長時間使用による経時的な板状試料面内の温度均一性の変化が小さい静電チャック装置を提供することができないことが予想されること（特許異議申立書第５４頁１９行ないし第５７頁１１行）。
（４）本件特許の発明の詳細な説明の段落【００１９】には、載置板が凸形状となることで板状試料の温度均一化する性能が低下すると記載されており、一方、本件特許の請求項１に係る発明は、「前記基体の厚さ方向の断面形状は、前記一主面の中心から前記一主面の外周に向かって次第に湾曲する」「凸状曲面」をなしているから、板状試料の温度均一化する課題の点からは、本件特許の発明の詳細な説明の記載と、本件特許の特許請求の範囲の記載は矛盾していること（特許異議申立書第５７頁１２行ないし第５８頁９行）。
　しかしながら、本件特許の発明の詳細な説明には、上記段落【００１９】、【００２６】、【００３０】に記載されているように、本件発明１の凸状突起部の形状を規定する数値範囲について記載されている。
　また、本件特許の発明の詳細な説明に記載された、表１の実施例１Ａ、実施例２Ａ、実施例３Ａや、表２の実施例１Ｂ、実施例２Ｂ、実施例３Ｂは、温度均一性の評価においてＡないしＣの評価を得ているのであるから、その実施例の凸状突起部の形状を規定する数値範囲にある、本件発明１も同様の効果を有すると認められる。
　そうすると、本件特許の発明の詳細な説明の記載は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであると認められる。（１）、（２）、（３）
　また、本件特許の発明の詳細な説明の上記段落【００１９】には、「必要に応じて、頂面２２ａの高さの方が高くても良いし、上面２１ａの方が高くても良い。」と記載した上で、「載置面１１ａの中心１１ｂの中心に位置する凸状突起部２２の頂面２２ａの高さと環状突起部２１の上面２１ａの高さとの差が１μｍ未満では、載置板１１を冷却用ベース部３に固定した場合、載置板１１が凸形状になることがある。一方、載置面１１ａの中心１１ｂの中心に位置する凸状突起部２２の頂面２２ａの高さと環状突起部２１の上面２１ａの高さとの差が３０μｍを超えると、板状試料Ｗを吸着する際に、この板状試料Ｗと載置板１１の載置面１１ａの間に隙間が生じて、板状試料Ｗの温度を均一化する性能が低下する。」と記載されるように、段落【００１９】の記載は、基体の厚さ方向の断面形状が、一主面の中心から一主面の外周に向かって次第に湾曲する凸状曲面または凹状曲面をなすことを前提に、凸状突起部２２の頂面２２ａの高さと環状突起部２１の上面２１ａの高さとの差が１μｍ未満である際の問題点を述べているのであるから、本件発明１とは矛盾しているとはいえない。（４）
　そうすると、本件特許の明細書の発明の詳細な説明の記載は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであり、請求項１ないし１３に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号の要件を満たす。
第６　むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし１３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年３月２４日（２０２１．３．２４）