(57)【要約】      （修正有）【課題】導電層の視認性を防止する視認防止層、並びに、これを用いた導電性フィルム、タッチパネル、及び電子デバイスを提供する。【解決手段】導電層上に設けられる視認防止層であって、可視光の波長５００〜７００ｎｍの範囲において、屈折率が０．８±０．４または２．２５±０．４であり、透過率が１５％以上であり、光吸収率が７０％以下である視認防止層、並びに、これを用いた導電性フィルム、タッチパネル、及び電子デバイス。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層上に設けられる視認防止層であって、
可視光の波長５００〜７００ｎｍの範囲において、屈折率が０．８±０．４または２．２５±０．４であり、透過率が１５％以上であり、光吸収率が７０％以下である視認防止層。
【請求項２】
前記視認防止層は、
Ｃｕ，Ａｌ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂから選択される少なくとも１種の金属又は少なくとも２種を含む合金と、
Ｃｕを含む窒素化合物と、
Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂから選択される少なくとも１種の金属の酸化物とを含む請求項１に記載の視認防止層。
【請求項３】
前記視認防止層は、
Ａｕ，Ａｇから選択される少なくとも１種の金属又は少なくとも２種を含む合金と、
Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂから選択される少なくとも１種の金属の酸化物とを含む請求項１に記載の視認防止層。
【請求項４】
前記視認防止層の厚みが６〜６５ｎｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載の視認防止層。
【請求項５】
可視光領域で透明な支持体と、請求項１〜４のいずれか１項に記載の視認防止層と、導電層とをこの順で有する導電性フィルム。
【請求項６】
前記導電層の厚みが３５０〜３，０００ｎｍである、請求項５に記載の導電性フィルム。
【請求項７】
前記支持体が、樹脂材料を含有する請求項５又は６に記載の導電性フィルム。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の視認防止層、又は請求項５〜７のいずれか１項に記載の導電性フィルムを含む、タッチパネル。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の視認防止層、又は請求項５〜７のいずれか１項に記載の導電性フィルム、または、請求項８に記載のタッチパネルを有する、電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、視認防止層、並びに、これを用いた導電性フィルム、タッチパネル、及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
支持体上に、導電性細線が形成された導電性フィルムは、太陽電池、無機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、有機ＥＬ素子などの各種電子デバイスの電極、各種表示装置の電磁波シールド、タッチパネル、透明面状発熱体などに幅広く利用されている。
特に、近年、携帯電話、タブレット端末などの電子デバイスへのタッチパネルの搭載率が上昇しており、タッチパネル用電極部材として用いられる導電性フィルムの需要が急速に拡大している。
また、このような導電性フィルムとして、金属等の導電層からなるメッシュパターンを有する導電性フィルムが用いられている。
【０００３】
一方、導電層からなるメッシュパターンを有する導電性フィルムを、タッチパネル用電極部材として使用すると、外光が入射した際に、導電層からの反射光により、タッチパネルの使用者が導電層を視認できてしまうという、いわゆる骨見えの問題が発生することが知られている。
【０００４】
このような問題を解決する技術として、例えば、特許文献１には、低屈折率層と高屈折率層とを基材上に積層したことにより、ユーザによる電極フィルムの電極層のパターンの視認を防止することが可能な、電極フィルムが記載されている。また、特許文献２には、透視性電極の導線上に、窒化銅に酸素原子を添加した低反射層を設けることで、導線の金属光沢を軽減する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−０５８９５６号公報
【特許文献２】特開２０１６−１１０６２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の技術によっては、導電層からの反射光の低減が不十分であり、導電層が視認されてしまうため、反射率を低減し視認性の抑制効果の改善が望まれている。
【０００７】
そこで、本発明は、導電層の視認性を防止する視認防止層、並びに、これを用いた導電性フィルム、タッチパネル、及び電子デバイスを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、可視光の波長５００〜７００ｎｍの範囲において、屈折率、透過率、及び光吸収率をそれぞれ特定範囲とした薄膜により、導電層の視認性を抑制し得ることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、以下の構成により上記課題を達成することができることを見出した。
【０００９】
本発明の一態様は、導電層上に設けられる視認防止層であって、可視光の波長５００〜７００ｎｍの範囲において、屈折率が０．８±０．４または２．２５±０．４であり、透過率が１５％以上であり、光吸収率が７０％以下である視認防止層に関する。
【００１０】
本発明の一態様において、上記視認防止層は、
Ｃｕ，Ａｌ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂから選択される少なくとも１種の金属又は少なくとも２種を含む合金と、
Ｃｕを含む窒素化合物と、
Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂから選択される少なくとも１種の金属の酸化物とを含んでもよい。
【００１１】
本発明の一態様において、上記視認防止層は、
Ａｕ，Ａｇから選択される少なくとも１種の金属又は少なくとも２種を含む合金と、
Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂから選択される少なくとも１種の金属の酸化物とを含んでもよい。
【００１２】
本発明の一態様において、上記視認防止層の厚みが６〜６５ｎｍであってもよい。
【００１３】
本発明の一態様は、可視光領域で透明な支持体と、上記視認防止層と、導電層とをこの順で有する導電性フィルムに関する。
【００１４】
本発明の一態様において、導電層の厚みが３５０〜３，０００ｎｍであってもよい。
【００１５】
本発明の一態様において、支持体が、樹脂材料を含有してもよい。
【００１６】
本発明の一態様は、上記視認防止層、又は上記導電性フィルムを含むタッチパネルに関する。
【００１７】
本発明の一態様は、上記視認防止層、上記導電性フィルム、又は上記タッチパネルを有する電子デバイスに関する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、導電層の視認性を抑制し得る視認防止層、並びに、これを用いた導電性フィルム、タッチパネル、及び電子デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る導電性フィルムの一例を示す模式的な断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係る導電性フィルムの可視光領域における反射率を測定した結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、「±」を用いて表される数値範囲は、「−」によって計算された数値を下限値とし、「＋」によって計算された数値を上限値として含む範囲を意味する。
【００２１】
＜視認防止層＞
本発明の実施形態における視認防止層は、導電層上に設けられる視認防止層であって、可視光の波長５００〜７００ｎｍの範囲において、屈折率が０．８±０．４、又は２．２５±０．４であり、透過率が１５％以上であり、光吸収率が７０％以下である。
導電層の視認側（外光が入射する側）に、屈折率、透過率、及び光吸収率をそれぞれ特定の範囲とした視認防止層を設けることにより、視認防止層を透過しない光（視認防止層の表面反射光）と、視認防止層を通過した光（導電層の表面反射光）とを、互いに干渉させることができる。それにより、視認防止層からの光を抑制させる効果が得られ、導電層の視認性を抑制することができると考えられる。
【００２２】
本実施形態にかかる視認防止層は、可視光の波長５００〜７００ｎｍの範囲において、屈折率が０．８±０．４、又は２．２５±０．４であり、可視光の波長５００〜７００ｎｍでの屈折率の違いから、好ましくは０．８±０．３、又は２．２５±０．３であり、より好ましくは０．８±０．２、又は２．２５±０．２である。
【００２３】
本実施形態における視認防止層は、可視光の波長（λ）５００ｎｍから７００ｎｍの範囲において下記（式１）を満たすことが好ましい。
ｎ１＝√ｎ２・・・（式１）
ｎ１は支持体の屈折率であり、ｎ２は視認防止層の屈折率である。
視認防止層が（式１）を満たすことにより、導電層からの反射光の視認をより防止しやすくなる。
【００２４】
例えば、屈折率が１．４８〜１．６２のフィルム等を支持体とした場合、視認防止層の表面反射光は、視認防止層を透過した光にて打ち消す事ができる。
【００２５】
本実施形態にかかる視認防止層の厚みは、３ｎｍ以上であることが好ましく、４ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることが更に好ましく、６ｎｍ以上であることが特に好ましい。また、８０ｎｍ以下であることが好ましく、７０ｎｍ以下であることがより好ましく、６５ｎｍ以下であることが更に好ましい。
そして、視認性防止層の屈折率が１．８５〜２．６５である場合、視認防止層の厚みは、４０ｎｍ以上であることが好ましく、４５ｎｍ以上であることがより好ましく、５０ｎｍ以上であることが更に好ましい。また、８０ｎｍ以下であることが好ましく、７０ｎｍ以下であることがより好ましく、６５ｎｍ以下であることが更に好ましい。
そして、視認性防止層の屈折率が０．４〜１．２である場合、視認防止層の厚みは、３ｎｍ以上であることが好ましく、４ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることが更に好ましい。また、２０ｎｍ以下であることが好ましく、１５ｎｍ以下であることがより好ましく、１０ｎｍ以下であることが更に好ましい。
視認防止層は、フィルム走行速度等のスパッタ成膜条件を調整することにより、所望の膜厚を得る事ができる。
また、視認防止層の厚みは実施例に記載の方法により測定できる。
【００２６】
視認防止層は、可視光の波長５００〜７００ｎｍの範囲における透過率が１５％以上であり、透過率が低い材料は、可視光の波長５００〜７００ｎｍでの屈折率が、なだらかではあるが変化している。つまり、無色透明の支持体材料の屈折率は、可視光の波長５００〜７００ｎｍにおいて一定であるのに対して、金属、金属酸化物、金属窒素化物の屈折率は、可視光領域でなだらかに変化している点から、透過率は１５％以上が好ましく、１６％以上がより好ましい。透過率の上限には特に制限は無いが、透明な金属酸化物の表面は不活性であり、金属などとの密着性が低い。つまり、視認性防止層として、透明性が高過ぎる材料（例えば視認性防止層をＴｉＯ２単体で形成した場合）は、導電層である貴金属との密着性が低くなる懸念がある観点から３０％以下が好ましく、２５％以下がより好ましい。
また、視認防止層は、可視光の波長５００〜７００ｎｍの範囲における光吸収率が７０％以下であり、光吸収が多い材料は、可視光の波長５００〜７００ｎｍでの屈折率が、なだらかではあるが変化している点から、６７％以下が好ましい。光吸収率の下限には特に制限は無いが、透明な金属酸化物の表面は不活性であり、金属などとの密着性が低い点から３０％以上が好ましく、４０％以上がより好ましい。
【００２７】
視認防止層は、導電層の視認性を抑制し得る層であれば特に限定されないが、金属を含有することが好ましい。金属としては、Ｃｕ，Ａｌ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ａｕ，及びＡｇから選択される少なくとも１種の金属を含有することが好ましく、Ｃｕ，Ｎｉ，又はＴｉを含有することがより好ましく、少なくともＣｕを含有することが更に好ましく、Ｃｕの窒化物を含有することが特に好ましい。
ここで、視認防止層が金属を含有する形態は、金属単体、又は金属を主成分とする合金として金属を含有する形態であってもよく、金属を主成分とする化合物（例えば、金属酸化物、金属窒化物等）として金属を含有する形態であってもよい。視認防止層は、金属、又は合金、及び金属酸化物を含むことが好ましく、更に金属窒化物を含んでいてもよい。
【００２８】
具体的には、第一の態様として、視認防止層が、Ｃｕ，Ａｌ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂから選択される少なくとも１種の金属又は少なくとも２種を含む合金と、Ｃｕを含む窒素化合物と、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂから選択される少なくとも１種の金属の酸化物とを含むことが好ましい。
【００２９】
第一の態様にかかる視認防止層において、Ｃｕ，Ａｌ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂから選択される少なくとも１種の金属又は少なくとも２種を含む合金としては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｔｉ、Ｔａ、Ｔｉ，Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｒ合金が挙げられる。第一の態様における金属又は合金としては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｔｉ、又はＣｕ−Ｎｉ−Ｔｉが好ましく、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｔｉがより好ましい。
第一の態様にかかるＣｕを含む窒素化合物としては、Ｃｕの窒化物（Ｃｕ−Ｎ）を含むことが好ましく、Ｃｕ３Ｎを含むことがより好ましい。また、視認防止層は、窒素化合物として、Ｃｕ−Ｎの他にＡｌ−Ｎ，Ｎｉ−Ｎ，Ｔｉ−Ｎを含んでいてもよく、Ｃｕ３Ｎ，Ｎｉ−Ｎ，及びＴｉＮを含むことがより好ましい。
第一の態様にかかるＡｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂから選択される少なくとも１種の金属の酸化物としては、Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，Ｗ２Ｏ３，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｔａ２Ｏ５，ＭｏＯ３，Ｎｂ２Ｏ５が挙げられ、ＴｉＯ２が安価且つ成膜効率が高い観点からより好ましい。
なお、上述した金属以外に、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）などが数質量％程度含有されていてもよい。
【００３０】
第一の態様に係る視認防止層において、金属又は合金の含有量は、２０〜６０質量％が好ましく、３０〜５０質量％がより好ましい。窒素化銅の含有量は、４０〜７０質量％が好ましく、５０〜６０質量％がより好ましい。金属酸化物の含有量は、０．１〜５質量％が好ましく、０．５〜３質量％がより好ましい。
【００３１】
また、第二の態様として、視認防止層は、Ａｕ，Ａｇから選択される少なくとも１種の金属又は少なくとも２種を含む合金と、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂから選択される少なくとも１種の金属の酸化物とを含むことが好ましい。
【００３２】
第二の態様にかかる視認防止層において、Ａｕ，Ａｇから選択される少なくとも１種の金属又は少なくとも２種を含む合金としては、Ａｕ−Ａｇが挙げられる。第二の態様における金属又は合金としては、Ａｇが好ましい。
第二の態様にかかるＡｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂから選択される少なくとも１種の金属の酸化物としては、Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，Ｗ２Ｏ３，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｔａ２Ｏ５，ＭｏＯ３，Ｎｂ２Ｏ５が挙げられ、ＴｉＯ２が安価且つ成膜効率が高い観点からより好ましい。
なお、上述した金属以外に、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）などが数質量％程度含有されていてもよい。
【００３３】
第二の態様に係る視認防止層において、金属又は合金の含有量は、８０〜９９質量％が好ましく、９０〜９９質量％がより好ましい。金属酸化物の含有量は、１〜２０質量％が好ましく、１〜１０質量％がより好ましい。
【００３４】
また、本実施形態においては、視認防止層の形成方法は特に限定されないが、例えば、支持体上に、スパッタリング等で形成することができる。
例えば、支持体上の全面に視認防止層をスパッタリング法により形成した後に、塩素ガスプラズマエッチング法によりエッチングし、導電形状にパターニングすることができる。
なお、視認防止層は、導電層、及び視認防止層が接するその他の層との密着性を有することが好ましい。
【００３５】
本実施形態にかかる視認防止層は、導電層の電気伝導性の妨げにならない貴金属、及び耐候性に優れた合金組成からなる合金を母体として成膜することが好ましく、特に低エネルギーであっても暗色且つ電気抵抗が低い膜を得られる点から、銅を含む合金を母体のターゲット（例えば、大同特殊鋼製タッチパネル用合金、銅−ニッケル−チタン合金や三菱マテリアル製タッチパネル用銅合金など）とすることがより好ましい。
酸化物の透明性向上を目的として、必要に応じ、合金ターゲットの表面へチップ材を配置してもよく、チップ材としては、例えばＡｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ等から選ばれる材料が挙げられる。中でもＴｉの酸化物は透明性が高いため好ましい。具体的には高純度化学製、商品名：ＴＩＥ０３ＣＢ等を用いることができる。
【００３６】
これら材料の酸化物の屈折率は、材料により決まるため、複数の材料を用いても構わない。例えば、屈折率が高いＴｉの酸化物ＴｉＯ２の屈折率は２．７５（消衰係数≒０）程度であり、視認防止層の望ましい屈折率範囲２．２５±０．４の範囲を外れるが、金属Ｔｉの屈折率は１．８（消衰係数≧１）程度及びＴｉＮの屈折率は１．３（消衰係数≧１）程度なので、視認防止層の成膜時の、酸素ガス導入量を調整することでも、ｎ２を２．２５±０．４の範囲に調整、及び、酸化物以外が不透明（消衰係数が大きい）であっても透過率１５％以上を維持することが可能である。
【００３７】
酸素ガス導入量は、全圧に対して１〜６０％程度が好ましく、４０〜６０％がより好ましく、４５〜６０％が更に好ましい。
また、スパッタ時に使用するガスは、必要に応じてＨｅやＡｒ等のスパッタガス、窒素等の反応ガス、スパッタ兼冷却ガス、還元ガス等の導入比率及び導入量を調整すればよい。
なお、用いるガスの分圧は、ＵＬＶＡＣ製Ｑ−ｍａｓｓ（Ｑｕｌｅｅ）等によりモニタリングしながら流量調整することができる。各ガスの分圧の具体的な調整は、各ガスの導入量を調整することで、適切な導入ガス量とすることができる。
例えば、反応ガスとしての流量は、スパッタガスであるＡｒやＨｅ等の合計を１００とした場合に、３０〜１００程度であることが好ましい。
【００３８】
視認防止層の評価方法としては蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）やＸ線光電子分光分析（ＸＰＳ）を用いることができる。特にＸＰＳは、元素の結合状態を定量化できるため、視認防止層の評価方法として好ましい。
【００３９】
＜導電層＞
本発明の実施形態に係る導電層としては、任意のものを用いることができる。
導電層は、導電パターンの微細化及び大面積化に伴い導電の電気抵抗は制限を受けるため、導電層の材料としては特に制限は無いが電気抵抗が低いものが好ましい。
導電層は金属を含むことが好ましく、ＩＴＯよりも電気抵抗の低い材料からなることが好ましい。具体的には、例えば、Ｃｕ，Ａｌ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ａｕ，Ａｇから選択される少なくとも１種の金属や、導電性カーボン等を含むことが好ましく、Ａｕ，Ａｇ，又はＣｕを含有することが好ましく、導電率が高い点、酸化劣化し難い点、及び安価な点からＣｕを含有していることが更に好ましい。
【００４０】
また、導電層がＣｕを含有する場合、その含有量（原子組成比）は、コスト、加工性、抵抗率等の観点から、８０原子％以上であることが好ましく、９０原子％以上であることがより好ましい。
導電層は、２つ以上の導電層が積層されたものであってもよく、例えば、Ｃｕを含有する導電層と、Ｃｕ以外の金属を含有する導電層とが積層された構造であってもよい。
なお、上述した金属以外に、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）などが数質量％程度含有されていてもよい。
【００４１】
例えば、銅を用いて蒸着にて導電層を形成する場合は、銅の純度は得に限定されず、無酸素銅棒Ｃ１０１１（純度９９．９９％）でも、Ｃ１０２０（純度９９．９％）でも構わなく、銅材料は、棒であっても球状であっても、線状であっても、線を丸めた形状であっても、シートまたは板状であっても構わず、蒸着源となる銅の量は、少ない方が熱効率が高くなるため、成膜する厚み及び距離によって決めれば良い。
【００４２】
導電層の厚さは、パターニング時の加工性、電気抵抗などの観点から任意に選択可能であるが、好ましくは３５０ｎｍ〜２μｍの範囲内であり、より好ましくは３５０〜５００ｎｍの範囲内であるが、導電性フィルムの薄型化の観点では薄いほど好ましい。
本実施形態においては、導電層の線幅は、視認性がより抑制される理由から、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下がより好ましく、３μｍ以下がさらに好ましい。また隣接または交差する配線数や抵抗率の観点から、０．５μｍ以上であることが好ましく、０．８以上であることがより好ましく、１μｍ以上であることが更に好ましい。
【００４３】
例えば、導電層の厚みが３５０〜３，０００ｎｍであることが好ましく、３５０〜２，５００ｎｍであることがより好ましく、３５０〜２，０００ｎｍであることが更に好ましい。導電層がＣｕであり、導電層の線幅が２μｍである場合のＣｕ導電層の厚みは、０．５〜１．５μｍであることが好ましい。
【００４４】
支持体上に導電層を形成する方法としては、特に制限は無く、化学蒸着、スパッタ、鍍金などにより形成することができる。なお、これらの方法を２以上組み合わせて形成してもよく、既存の材料及び既存の工法である導電性液体を用いた塗工や浸透工法を組み合わせて形成してもよい。
また、支持体上に形成した導電層をパターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法、電子線リソグラフィー法などが挙げられる。
【００４５】
導電層は、目視認識し難い形状であれば特に制限は無く、所定のパターンを形成していてもよく、例えば、そのパターンは特に制限されない。例えば、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形などの（正）ｎ角形、円、楕円、星形などを組み合わせた幾何学図形であってもよく、メッシュ状（メッシュパターン）であってもよい。メッシュ状とは、交差する導電性細線により構成される複数の正方形状の開口部（格子）を含んでいる形状を意図する。
【００４６】
導電パターン形状は、形状形成工法やインプリント工法等にて形成することができるが、既存のプリント等工法で導電パターンを形成しても構わないし、導電パターン形状以外をエッチング（研磨）にて除去する場合等は、形状形成工法は無くても構わない。
支持体の表面に予め導電パターンを形成しておけば、研磨にて導電部以外の視認防止層及び導電層を除去することができる。
【００４７】
導電パターンの形成は、例えば、支持体を射出成形する場合、射出成形用のスタンパ表面に導電パターンを施すことで、導電パターンを形成することも可能である。または支持体表面にバーコーティング、スプレーコーティング法、およびグラビアコーティング法、ダイコーティング法、リバースロールコーティング法、等の公知の塗工法を用いて、導電パターンを形成する場合は、導電パターンを施したスタンパへ形状を転写しながら、塗布材料を固化することで、導電パターンを形成する事ができる。
【００４８】
塗布材料は、透明で前形状が転写できる材料であれば特に制限はなく、樹脂が好ましく、例えば、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等が使用できる。
樹脂は必要に応じて、ＩＰＡ、イソブタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等の溶媒に溶解させて用いることができる。
【００４９】
導電部以外の視認防止層及び導電層を除去する工法は特に制限は無いが、異なる組成の積層膜であっても、１括で不要部分を除去可能な研磨方法を利用してもよい。
研磨は、短時間で処理可能なＣＭＰ研磨が好適に利用でき、半導体製品用途にダマシンプロセスが多く検討されており、既存材料を好適に用いることができる。中でも銅やアルミニウム、金、銀、白金、等の導電性メタルと、前メタルの拡散，反応，腐食，等を抑える目的で形成されたバイアメタル材からなる積層体を、一括して研磨できる、メタル対応スラリ及び該材料を用いたダマシンプロセスを好適に用いる事ができる。
【００５０】
［導電性フィルム］
本実施形態に係る導電性フィルムは、可視光領域で透明な支持体と、視認防止層と、導電層とを有する導電性フィルムである。
支持体、視認防止層、及び導電層としては、上述の説明をそのまま援用し得る。
本実施形態に係る導電性フィルムは、上述した通り、本実施形態に係る視認防止層を有することにより、導電層の視認性を抑制することができる。
これは、詳細には明らかではないが、本発明者らは以下のように推測している。
すなわち、導電層の視認側（外光が入射する側）に、視認防止層と、支持体とを有することにより、視認防止層および視認防止層の表面および内部の各界面からの多重反射によるものも含めた反射波が干渉によって互いに打ち消し合い、結果として視認側への反射波が抑制されるためであると考えられる。
本実施形態にかかる導電性フィルムは、本発明の一実施形態の効果を損なわない限りにおいて、他の任意の層を有していてもよい。
例えば、表面の外光映りこみを防止するために、反射防止層を有していてもよく、製品の傷付や汚れ付着を防止するための機能を付与した保護層や防汚層を有していてもよい。
【００５１】
〔支持体〕
支持体は、導電層を支持できればその種類は制限されず、透明支持体であることが好ましい。導電性フィルムディスプレイ製品に用いる場合は、表示画面が明瞭に目視できる透明性を有することが好ましく、太陽電池等に用いる場合は、太陽光を遮光しない透明性を有することが好ましい。なお、透明とは、可視光領域において透明であることを意図し、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲において透過率８０％以上であることが好ましく、８５％以上がより好ましく、９０％以上が更に好ましい。
【００５２】
支持体の材料としては、例えば、透明樹脂材料、透明無機材料などが挙げられる。
透明樹脂材料としては、具体的には、例えば、トリアセチルセルロース等のセルロース系ポリマー；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリメチルペンテン、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンポリマー等のオレフィン系樹脂；ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂；ポリカーボネート；などが挙げられる。
一方、透明無機材料としては、具体的には、例えば、ソーダ硝子、無アリカリ硝子、パイレックス硝子等の硝子；透光性圧電セラミックス（ＰＬＺＴ）等のセラミックス；石英；サファイア支持体；などが挙げられる。
これらの支持体の材料は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。以上の他には特に制限はなく、可視光領域で透明であれば本実施形態に係る支持体の材料として使用できる。
【００５３】
支持体の厚みは、用途に応じて適宜設定することができるため特に限定されないが、通常、１０〜５０００μｍであることが好ましく、フィルムを用いる際は、１５〜２５０μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍであることが更に好ましい。
また、支持体の形状は特に限定されず、例えば、ロールの形で供給されるもの、巻き取れるほどには曲がらないが負荷をかけることによって湾曲するもの、曲がらないもののいずれであってもよい。
また、支持体の構成は、単一の層からなる構成に限られるものではなく、複数の層が積層された構成を有していてもよい。複数の層が積層された構成を有する場合は、同一組成の層が積層されてもよく、また、異なった組成を有する複数の層が積層されてもよい。
【００５４】
［タッチパネル］
本実施形態に係るタッチパネルは、上述した本実施形態に係る視認防止層、又は導電性フィルムを含むタッチパネルであり、本実施形態に係る導電性フィルムをタッチパネル用電極部材として用いることができる。
視認防止層、及び導電性フィルムとしては、上述の説明をそのまま援用し得る。
ここで、タッチパネル用電極部材の層構成としては、例えば、支持体の片側の表面に導電層が設けられた２枚の導電性フィルムを貼合する貼合方式、支持体の両側の表面に導電層が設けられた１枚の導電性フィルムを具備する方式などが挙げられる。
【００５５】
本実施形態に係るタッチパネルは、抵抗膜方式、電磁誘導方式、静電容量方式等、何れの方式であってもよい。なかでも、抵抗膜方式や静電容量方式のタッチパネルが好ましく、静電容量方式のタッチパネルがより好ましい。
【００５６】
［電子デバイス］
本実施形態に係る電子デバイスは、上述した本実施形態に係る視認防止層、導電性フィルムまたはタッチパネルを有する電子デバイスである。
視認防止層、導電性フィルム、及びタッチパネルとしては、上述の説明をそのまま援用し得る。
このような電子デバイスとしては、例えば、上述した本実施形態に係るタッチパネルを含む表示装置が挙げられ、具体的には、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、カーナビ、タブレット端末などが挙げられる。
【００５７】
図１は本実施形態に係る導電性フィルムの一例を示す模式的な断面図である。
図１に示す導電性フィルム１０は、支持体１と、視認防止層２と、導電層３とを有する。また、符号１００は、外光の入射方向を表す。
なお、図１は模式図であり、各層の厚みの関係や層構成などは必ずしも実際のものとは一致しない。
【実施例】
【００５８】
以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。
下記記載における「総」は総量を意味する。
【００５９】
（インプリント支持体の作製）
まず、支持体としてポリエチレンテレフタラート（東レ株式会社製、ルミラー（Ｕ３２厚み５０μｍ））フィルム上に、インプリント工法にて配線パターンを形成した。
配線パターンの形成には、紫外線硬化樹脂（東洋合成工業株式会社製、商品名ＰＡＫ）を用いた。該樹脂はプロピレングリコールモノメチルエーテル（クラレトレーディング社製：ＧｌｙｃｏｌＥｔｈｅｒ  ＰＭ）に樹脂の濃度が６０ｗｔ％になるように溶解させて、リバースロール工法にて、３μｍの厚みに塗工した。
次いで、配線幅２μｍ、深さ１．５〜３μｍのパターン形成した金属スタンパへ、前記紫外線硬化樹脂が塗工してなる原反に、張力を加えることで押し当てながら、所望の紫外線光量（８０Ｗの光源を２灯用い、計８００ｍＪ／ｃｍ２）で硬化させ、紫外線硬化樹脂にて配線パターン形状が転写された透明支持体（以後、インプリント支持体と称する）を作製し、各実施例、及び比較例に用いた。
【００６０】
（視認防止層）
インプリント支持体は、インプリント面側に、各種材料及びアルゴン、窒素、酸素等を導入して、２×１０ｅｘｐ−２Ｐａ以下程度の環境下、Ａｒの流量を１００とした場合のその他ガス流量は３０〜１００程度として、スパッタにて成膜し、視認防止層を得た。
【００６１】
（導電層）
蒸着用の坩堝は、真空セラミックス製のＥＢ蒸着用坩堝（坩堝製品名：ＶＣＡＡ−ＳＳまたはＭＧＯ−Ｓ）へ上述銅材料を設置し、１×１０ｅｘｐ−１Ｐａの環境下、該坩堝内へ設置した銅材料を電子ビームにて加熱溶融した蒸着工法にて、電子ビーム出力１５ｋＷ、インプリント支持体の搬送速度９．０ｍ／ｍｉｎの範囲にて銅を蒸着により成膜し膜厚１．５μｍの導電層を作製した。
【００６２】
〔実施例１〕
上記で得たインプリント支持体を用いて、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉからなる材料（大同特殊鋼株式会社製  ＮＣＴターゲット（Ｎｉ：６２ｗｔ％，Ｃｕ：３５ｗｔ％，Ｔｉ：３ｗｔ％））の表面へ５０ｍｍ×５０ｍｍの範囲に１つの割合で、Ｔｉチップ材（高純度化学製、商品名ＴＩＥ０３ＣＢ）を配置し、アルゴン１００ｓｃｃｍ、窒素７０ｓｃｃｍ、酸素３０ｓｃｃｍでスパッタリングし、実施例１の視認防止層を成膜した試料１を得た。
得られた試料１の視認防止層のＸＰＳ測定値を以下へ示した。
【００６３】
Ｃｕ総：５８．５ｗｔ％（窒素化銅：５２．７ｗｔ％）
Ｎｉ：３２ｗｔ％
Ｔｉ総：２．２ｗｔ％（酸化物のＴｉ：１．１ｗｔ％・・・５０ｗｔ％（Ｔｉ総における酸化物であるＴｉの割合））
Ｎ：３．５ｗｔ％
Ｏ総：３．２ｗｔ％
Ｃ：０．２ｗｔ％（コンタミ成分）
Ｓｉ：０．４ｗｔ％（コンタミ成分）
【００６４】
試料１の視認防止層の膜厚は６０ｎｍであった。視認防止層の可視光の波長５００〜７００ｎｍでの透過率、光吸収率は表１へ示す通り、各々１５〜１７％，６２〜６６％であった。
【００６５】
試料１の視認防止層上に、蒸着により導電層としてＣｕを積層し（３５０ｍｍ幅、フィルム幅方向の平均膜厚９７ｎｍ）、導電性フィルム１を得た。蒸着は、色彩計（ＭＩＮＯＬＴＡ社製ＤＰ−３００）にて、（Ｙ，ｘ，ｙ）を長手方向、及び幅方向でモニタリングしながら、Ｙ平均１２９．３（１２３．５〜１３１．６８）、ｘ平均０．３６４９（０．３６３４〜０．３６６８）、ｙ平均０．３６７４（０．３６６３〜０．３６８５）となるようにフィルム走行速度を調整して行った。
導電性フィルム１のＣＭＰ研磨液耐性は、室温浸漬試験良好（６分間で溶解）、加熱浸漬試験は５５℃２分間で溶解した。密着性はクロスカット０／１００であった。
【００６６】
〔実施例２〕
視認防止層の酸化物のＴｉの含有量が５０ｗｔ％を超える以外は、実施例１と同じ組成であり、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉからなる材料をアルゴン１００ｓｃｃｍ、窒素４０ｓｃｃｍ、酸素６０ｓｃｃｍでスパッタリングし、視認防止層を成膜した試料２を得た。
得られた試料２の視認防止層のＸＰＳ測定値を以下へ示した。
【００６７】
Ｃｕ総：５７．４ｗｔ％（窒素化銅：５１．７ｗｔ％）
Ｎｉ：３１ｗｔ％
Ｔｉ総：２．４ｗｔ％（酸化物のＴｉ：１．６８ｗｔ％・・・７０ｗｔ％（Ｔｉ総における酸化物であるＴｉの割合））
Ｎ：２．８ｗｔ％
Ｏ総：５．８ｗｔ％
Ｃ：０．３ｗｔ％（コンタミ成分）
Ｓｉ：０．３ｗｔ％（コンタミ成分）
【００６８】
試料２の視認防止層の膜厚は、５５ｎｍであった。視認防止層の可視光の波長５００〜７００ｎｍでの透過率、光吸収率は、各々１８〜２３％、５１〜６０％であった。
試料２の視認防止層上に、導電シード層としてＣｕを９７ｎｍ蒸着により積層し、導電性フィルム２を得た。導電性フィルム２の５５０ｎｍでの反射率は、１２．２％であった。
【００６９】
導電性フィルム２のＣＭＰ研磨液耐性は、室温浸漬試験良好（６分間で溶解）、加熱浸漬試験は５５℃２分間で溶解した。密着性はクロスカット０／１００であった。
【００７０】
〔実施例３〕
視認防止層をＡｇとし、アルゴン１００ｓｃｃｍでスパッタリングし、視認防止層を成膜した試料３を得た。
得られた試料３の視認防止層のＸＰＳ測定値を以下へ示した。
【００７１】
Ａｇ：９６．９ｗｔ％
Ｃｕ：０ｗｔ％
Ｎｉ：０ｗｔ％
Ｎ：０.５ｗｔ％
Ｏ：２ｗｔ％
Ｃ：０．２ｗｔ％（コンタミ成分）
Ｓｉ：０．４ｗｔ％（コンタミ成分）
【００７２】
試料３の視認防止層の膜厚は８ｎｍであった。視認防止層の可視光の波長５００〜７００ｎｍでの透過率、光吸収率、は各々１５〜１９％、４５〜５５％であった。
試料３の視認防止層上に、導電シード層としてＣｕを９７ｎｍ蒸着により積層し、導電性フィルム３を得た。導電性フィルム３の５５０ｎｍでの反射率は、１５％であった。
導電性フィルム３のＣＭＰ研磨液耐性は、室温浸漬試験良好（６分間で溶解）、加熱浸漬試験は５５℃２分間で溶解した。密着性はクロスカット０／１００であった。
【００７３】
〔比較例１〕
アルゴン１００ｓｃｃｍ、窒素９０ｓｃｃｍ、酸素１０ｓｃｃｍでスパッタリングした以外は、実施例１と同じ組成及び組成比のターゲットを用いて視認防止層を形成した試料４を得た。
得られた試料４の視認防止層のＸＰＳ測定値を以下へ示した。
【００７４】
Ｃｕ総：５９ｗｔ％（窒素化銅：５３ｗｔ％）
Ｎｉ：３２．５ｗｔ％
Ｔｉ総：２．４ｗｔ％（酸化物のＴｉ：０．９６ｗｔ％・・・４０ｗｔ％（Ｔｉ総における酸化物であるＴｉの割合））
Ｎ：３．３ｗｔ％
Ｏ総：２．２ｗｔ％
Ｃ：０．３ｗｔ％（コンタミ成分）
Ｓｉ：０．３ｗｔ％（コンタミ成分）
【００７５】
試料４の視認防止層の膜厚は５５ｎｍであった。視認防止層の可視光の波長５００〜７００ｎｍでの透過率、光吸収率、は各々１１〜１４％，５６〜６１％であった。
試料４の視認防止層上に、導電シード層としてＣｕを９７ｎｍ蒸着により積層し、導電性フィルム４を得た。導電性フィルム４の５５０ｎｍでの反射率は、３２％であった。
導電性フィルム４のＣＭＰ研磨液耐性は、室温浸漬試験良好（６分間で溶解）、加熱浸漬試験は５５℃２分間で溶解した。密着性はクロスカット０／１００であった。
【００７６】
〔比較例２〕
アルゴン１００ｓｃｃｍ、窒素１００ｓｃｃｍ、酸素０ｓｃｃｍでスパッタリングした以外は、実施例１と同じ組成及び組成比のターゲットを用いて視認防止層を形成した試料５を得た。
得られた試料５の視認防止層のＸＰＳ測定値を以下へ示した。
【００７７】
Ｃｕ総：６０ｗｔ％（窒素化銅：５４ｗｔ％）
Ｎｉ：３３ｗｔ％
Ｔｉ総：２．４ｗｔ％（酸化物のＴｉ：０ｗｔ％）
Ｎ：３．７ｗｔ％
Ｏ総：０．５ｗｔ％
Ｃ：０．２ｗｔ％（コンタミ成分）
Ｓｉ：０．２ｗｔ％（コンタミ成分）
【００７８】
試料５の視認防止層の膜厚は５５ｎｍであった。視認防止層の可視光の波長５００〜７００ｎｍでの透過率、光吸収率、は各々０．０２〜０．０４％，８０〜８３％であった。
試料５の視認防止層上に、導電シード層としてＣｕを９７ｎｍ蒸着により積層し、導電性フィルム５を得た。導電性フィルム５の５５０ｎｍでの反射率は、４２％であった。
導電性フィルム５のＣＭＰ研磨液耐性は、室温浸漬試験良好（６分間で溶解）、加熱浸漬試験は５５℃２分間で溶解した。密着性はクロスカット０／１００であった。
【００７９】
〔比較例３〕
膜厚を３０ｎｍとした以外は、実施例３と同じターッゲットを用い、アルゴン１００ｓｃｃｍで視認防止層をスパッタリング形成し試料６を得た。
得られた試料６の視認防止層のＸＰＳ測定値を以下へ示した。
【００８０】
Ａｇ：９８ｗｔ％
Ｃｕ：０ｗｔ％
Ｎｉ：０ｗｔ％
Ｎ：０．８ｗｔ％
Ｏ：０．５ｗｔ％
Ｃ：０．３ｗｔ％（コンタミ成分）
Ｓｉ：０．３ｗｔ％（コンタミ成分）
【００８１】
試料６の視認防止層の膜厚は３０ｎｍであった。視認防止層の可視光の波長５００〜７００ｎｍでの透過率、光吸収率、は各々２〜４％，５４〜６６％であった。
試料６の視認防止層上に、導電シード層としてＣｕを９７ｎｍ蒸着により積層し、導電性フィルム６を得た。導電性フィルム６の５５０ｎｍでの反射率は、３６％であった。
導電性フィルム６のＣＭＰ研磨液耐性は、室温浸漬試験良好（６分間で溶解）、加熱浸漬試験は５５℃２分間で溶解した。密着性はクロスカット０／１００であった。
【００８２】
〔比較例４〕
ターゲットをＣｕ（三菱マテリアル株式会社製  Ｃｕ（４Ｎ）ターゲット）とした以外は、実施例３と同じ条件、同じ膜厚にて視認防止層をスパッタリング形成し、試料７を得た。
得られた試料７の視認防止層のＸＰＳ測定値を以下へ示した。
【００８３】
Ｃｕ：９８ｗｔ％
Ｎｉ：０ｗｔ％
Ｎ：０．８ｗｔ％
Ｏ：０．５ｗｔ％
Ｃ：０．３ｗｔ％（コンタミ成分）
Ｓｉ：０．３ｗｔ％（コンタミ成分）
試料７の視認防止層の膜厚は８ｎｍであった。視認防止層の可視光の波長５００〜７００ｎｍでの透過率、光吸収率、は各々１５〜１６％，２１〜６０％であった。
試料７の視認防止層上に、導電シード層としてＣｕを９７ｎｍ蒸着により積層し、導電性フィルム７を得た。導電性フィルム７の５５０ｎｍでの反射率は、５７％であった。
導電性フィルム７のＣＭＰ研磨液耐性は、室温浸漬試験良好（６分間で溶解）、加熱浸漬試験は５５℃２分間で溶解した。密着性はクロスカット０／１００であった。
【００８４】
＜評価＞
（透過率、光吸収率、反射率）
Ａｕｄｉｏ  Ｄｅｖ社（旧Ｓｔｅａｇ社）製、装置名；ＥＴＡを用いて支持体の可視光領域での反射率を測定した。
また、各実施例及び比較例で得られた導電性フィルム（ＣＭＰ研磨前）について、Ａｕｄｉｏ  Ｄｅｖ社（旧Ｓｔｅａｇ社）製、製品装置名ＥＴＡを用いて、支持体側から可視光を入射し、可視光領域での透過率、光吸収率、反射率を各々測定した。
なお、各実施例及び比較例の導電性フィルムの反射率は、支持体表面からの反射率（８％程度）を含んだ反射率である。
各実施例、及び比較例に係る導電性フィルムについて、可視光の波長５５０ｎｍにおける反射率を測定した結果を図２に示す。
【００８５】
（膜厚）
視認防止層の膜厚は、Ｋｏｓａｋａ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｕ  Ｌｔｄ．製Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ  ＥＴ４０００Ａにて測定し、蛍光Ｘ線分析装置（日立ハイテクサイエンス製ＳＥＡ１２００ＶＸ（Ｒｈ））にて管電圧５０ｋＶ、管電流１０００μＡ、コリメータφ８ｍｍ、大気雰囲気にて、３０秒以上測定し、各々元素のＫα線の強度（ｃｐｓ）を確認して、膜厚と強度の関係を検量線作成して測定した。
【００８６】
【表１】
2020023120.tif 000003
【００８７】
（視認性の評価）
Ｃｕ積層体の可視光領域における反射率から、視認性を下記の基準により評価した。
可視光の波長（λ）５００ｎｍから７００ｎｍの範囲における反射率が２１未満：良好
可視光の波長（λ）５００ｎｍから７００ｎｍの範囲における反射率が２１以上：不良
【００８８】
以下のＣＭＰ研磨液耐性、密着性、元素、及び結合状態分析の評価は、導電層厚みが９７ｎｍである試料、つまり、蒸着またはスパッタリング１層目のＣｕシード層を形成した状態の試料を、各々評価用の試料とした。
【００８９】
（ＣＭＰ研磨液耐性）
既存の半導体等のＣｕ用ＣＭＰ研磨液であるアンカーテクノ社製ＭＳ５０００Ｓｌｕｒｒｙを、和光純薬株式会社製の過酸化水素水（試薬特級，濃度３０％，品番０８１−０４２１５）が２ｗｔ％になる様に、室温（２３±２℃）で混合し、ＣＭＰ研磨（過酸化水素２ｗｔ％）溶液とした。該ＣＭＰ研磨溶液の温度が２３±２℃である事を確認した後、導電層を９７ｎｍまで形成された導電性フィルムをサイズ３０ｍｍ×５０ｍｍにカットした試料を２分間づつ浸漬し、合計２０分間浸漬しＣＭＰ研磨液耐性を評価した。
合計２分間以上の浸漬で、導電層に変化が無かった試料を室温浸漬試験良好、導電層が剥離または溶解した試料を室温浸漬試験不良とした。
【００９０】
上記と同様に過酸化水素水が０．７５ｗｔ％になるように調整したＣＭＰ研磨溶液を加熱し、２３℃（室温）、３０℃、３５℃、４０℃、４５℃、５０℃、５５℃、及び６０℃の温度のＣＭＰ研磨液に、上記と同様に作成した試料を２分間浸漬した。
温度４５℃のＣＭＰ研磨液に２分間浸漬した試料において、導電層に変化が無かった試料を加熱浸漬試験良好とした。また、温度４５℃未満のＣＭＰ研磨液に２分間浸漬した試料において、導電層が剥離または溶解した試料を加熱浸漬試験不良とした。
【００９１】
（密着性）
得られた導電性フィルムを１×１ｍｍの桝目１０×１０個の碁盤目クロスカットで試験（ＪＩＳ  Ｋ  ５６００）し、１００分の剥離数をクロスカット試験結果とした。また、ダイヤテックス社製パイオラン養生粘着テープＹ−０９−ＧＲを、導電性フィルム表面へ貼りつけ、剥がす評価を、ピールテストと称し、該テープを剥がした跡を目視確認した。導電層等が剥がれた導電性フィルム試料を不良、剥がれなかった導電性フィルム試料を良好とした。
【００９２】
（元素及び結合状態分析（ＸＰＳ測定））
Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）測定値は、島津製作所製商品名ＥＳＣＡ３２００での分析、及び商品名ｋｒａｔｏｓで解析した数値である。また、ＸＰＳ測定は、ＡｒやＨｅ等のスパッタガス、及び測定のエッチングガスであるＡｒ等を除いた、材料元素と、スパッタに用いた反応ガス（窒素と酸素）と、コンタミ成分である炭素、及び珪素との合計を１００ｗｔ％とした含有率の数値である。
導電層が形成されていない視認防止層の測定値は、２×１０ｅｘｐ−６Ｐａ以下の減圧環境下、８ｋＶ、３０ｍＡで測定した結果の平均値である。導電層が形成された視認防止層の測定値は、導電層を同上条件でエッチングして導電層を測定、及び除去し、導電層と視認防止層の界面を除いて、さらに視認防止層の全部をエッチングしながら測定した結果の平均値である。
尚、導電層の測定値も、視認防止層と同様に、最表面を必要に応じて、酸化され易い銅等の場合は、酸化層を除去する目的でエッチングした表面を測定した結果の平均値である。視認防止層とインプリント支持体との境界は、インプリント支持体面の炭素ピークから判断した。
【００９３】
また、銅、及び窒素化銅は、各々、金属銅の銅は１１０１ｅＶ、窒素化銅の銅は１０９０ｅＶ、と容易に分離できる２ｓ軌道の測定結果であって、各スペクトルを２つのピークに分割した個々のピークについての結果、及び総量の平均値である。その他元素は、各々元素のメインピークで測定した結果である。
【００９４】
例えば、Ｔｉは、窒化物と酸化物及び金属の各スペクトルを３つのピークに分割した個々のピークについての結果及び総量である。
酸素は各々酸化物の酸素ピークを少なくとも４つ以上のピークに分割（炭素コンタミまたはコンタミ酸化物と考える酸素：５３５ｅＶ付近、配線材料の銅酸化物の酸素：５３３ｅＶ付近、Ｔｉまたはその他材料の酸化物と考える酸素：５３２ｅＶ付近以下）して測定した総量である。
炭素はＣ−ＣまたはＣ−Ｏ、及びＣ＝Ｏの２つのピークの総量、その他元素は、各々メインピークの軌道にて、検出状態に応じてピークを分割（例えば、窒素のピークはＴｉまたはＡｇであっても、各々Ｔｉの場合：４０１ｅＶ付近、屈折率が０．４〜１．２及び視認性防止層の厚みが５〜１０ｎｍを満たす視認性防止層がＡｇの場合：３９９ｅＶにケミカルシフトするだけで、窒素ピークにショルダーが観察されなかったため、ピークを分割しないで測定した。）して評価した総量の結果である。
【００９５】
表１に示す結果から、屈折率、透過率、及び光吸収率を特定の範囲とすることにより、導電層の視認性を抑制した視認防止層が得られ、導電性フィルムの反射率を低減し得ることが分かった。
【符号の説明】
【００９６】
１  支持体
２  視認防止層
３  導電層
【図１】
2020023120.tif 000004
【図２】
2020023120.tif 000005