(57)【要約】      （修正有）【課題】標的領域の少なくとも一部（例えば、腫瘍、腫瘍の一部または標的癌細胞）にハイパーサーミアを誘導するのに好適な方法を提供すること。【解決手段】標的ＲＦ吸収エンハンサー１３２（例えば、ＲＦ吸収粒子に結合された抗体）が患者に導入される。これらの標的ＲＦ吸収エンハンサーは、標的領域１３０内の特定の細胞を標的にし、その標的領域に向けられたハイパーサーミア生成ＲＦ信号１２０の効果を高める。標的ＲＦ吸収エンハンサーは、ある意味では、標的領域内の細胞に一つ以上のＲＦ吸収周波数を加え、その周波数（単数または複数）においてハイパーサーミア生成ＲＦ信号が標的細胞を加熱することを可能にする。【選択図】図１
2010167283.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本明細書に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願への相互参照）
本出願は、Ｓｙｓｔｅｍ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  Ｆｏｒ  ＲＦ−Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｈｙｐｅｒｔｈｅｒｍｉａと題され、２００４年５月７日に出願された、出願番号第６０／５６９，３４８号の仮出願の優先権とその利益とを主張し、上記仮出願は、参照のため、本明細書に援用される。本出願はまた、Ｓｙｓｔｅｍ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  ＲＦ−Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｈｙｐｅｒｔｈｅｒｍｉａと題され、２００４年１０月２０日に出願された、出願番号第１０／９６９，４７７号の非仮出願の一部継続出願であり、その優先権を主張する。上記非仮出願は、参照のため、本明細書に援用される。本出願はまた、Ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｆｏｒ  Ｃｏｍｂｉｎｅｄ  ＲＦ−Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｈｙｐｅｒｔｈｅｒｍｉａ  ａｎｄ  Ｒａｄｉｏｉｍｍｕｎｏｔｈｅｒａｐｙと題され、２００５年２月３日に出願された、米国特許出願番号第１１／０５０，４７８号にも関連し、Ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｆｏｒ  ＲＦ−Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｈｙｐｅｒｔｈｅｒｍｉａ  Ｕｓｉｎｇ  Ｂｉｏｌｏｇｉｃａｌ  Ｃｅｌｌｓ  ａｎｄ  Ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ  ａｓ  ＲＦ  Ｅｎｈａｎｃｅｒ  Ｃａｒｒｉｅｒｓと題され、２００５年２月３日に出願された、米国特許出願番号１１／０５０，４８１号にも関連する。両出願は、参照のため、本明細書に援用される。
【０００２】
（発明の分野）
本発明は、概して、無線周波数（ＲＦ）回路の分野に関連し、特に、標的領域にハイパーサーミア（ｈｙｐｅｒｔｈｅｒｍｉａ）を発生させるためのＲＦ送信器およびＲＦ受信器のシステムおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
（発明の背景）
ハイパーサーミアは、特に治療目的で人工的に誘導されたときの非常に高い加熱によって特徴付けられる。ＲＦ電磁エネルギーは、９０００Ｈｚから３ＴＨｚ（３０００ＧＨｚ）までの無線スペクトルに存在する任意の周波数の電磁エネルギーである。例えば病気の細胞を破壊すること（例えば、特許文献１）のような治療目的のために、ヒトの細胞内にハイパーサーミアを意図的に誘導するため、コンタクトアンテナを使用してＲＦ電磁放射を誘導することは、当業者には周知である。様々な文献に記述されているその他いくつかの従来技術のＲＦ加熱装置もまた、存在する（例えば、日本の大阪にあるＹａｍａｍｏｔｏ  Ｖｉｎｉｔｅｒ  Ｃｏ．製のＴｈｅｒｍｏｔｒｏｎ  ＲＦ−８システム、ロシア製のΘΚＣＴＰＡＴＥＰＭシステム、ならびにＬｅＶｅｅｎによる特許文献２、特許文献３、特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第４，８００，８９９号明細書
【特許文献２】米国特許第５，０９９，７５６号明細書
【特許文献３】米国再発行特許発明第３２，０６６号明細書
【特許文献４】米国特許第４，０９５，６０２号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（発明の要約）
本発明の１つの例示的な実施形態にしたがい、例えば腫瘍または腫瘍の一部または標的化された癌細胞のような標的の少なくとも一部にハイパーサーミアを誘導する方法が提供される。この第１の例示的な方法において、患者に対し、例えばＲＦ吸収粒子に結合した抗体のような標的化されたＲＦ吸収エンハンサーが、導入される。これら標的化されたＲＦ吸収エンハンサーは、標的領域における特定の細胞を標的化し、ハイパーサーミアを生成する標的領域に向けられるＲＦ信号の効果を強化する。ある意味で標的化されたＲＦ吸収エンハンサーは、標的領域内の細胞に１つ以上の人工的なＲＦ吸収周波数を追加し得る。このことにより、ハイパーサーミアを生成する上記の周波数（単数または複数の）におけるＲＦ信号が、標的化された細胞を加熱することを可能にし得る。
【０００６】
本発明の別の実施形態にしたがい、標的領域の少なくとも一部にハイパーサーミアを誘導する別の方法が提供される。この第２の例示的な方法の（標的化されたおよび／または標的化されない）ＲＦ吸収エンハンサーは、患者に導入され、多重周波数のハイパーサーミアを生成するＲＦ信号は、標的領域に向けられる。多重周波数のハイパーサーミアを生成するＲＦ信号は、ＲＦ吸収エンハンサーにおいてエネルギー吸収エンハンサー粒子として使用される粒子のサンプルに対応するように選択されるパラメータを有する周波数変調（ＦＭ；ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｍｏｄｕｌａｔｅｄ）された信号であり得る。例えば、ＦＭハイパーサーミア生成信号の中心周波数は、エネルギー吸収エンハンサー粒子として使用される名目的なサイズの粒子の共振周波数に対応し、ＦＭハイパーサーミア生成信号の変調は、粒子のサイズ許容範囲に対応し得る。
（項目１）
患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、該方法は、
（ａ）送信ヘッドと回路通信しているＲＦ生成器を有するＲＦ送信器を提供するステップであって、該ＲＦ生成器は、該送信ヘッドを介して送信に対して少なくとも１つの周波数を有するハイパーサーミア誘導ＲＦ信号を生成できる、ステップと、
（ｂ）該標的細胞に結合することによって特徴付けられた、標的ＲＦ吸収エンハンサーを提供するステップであって、それによって、該ＲＦ信号と該標的ＲＦ吸収エンハンサーとの間の相互作用による該ＲＦ信号に応答した標的細胞の加熱を増大する、ステップと、
（ｃ）該標的ＲＦ吸収エンハンサーを該患者に導入するステップと、
（ｄ）該標的ＲＦ吸収エンハンサーの少なくとも一部が該標的細胞の一部に結合することを待つステップと、
（ｅ）該送信ヘッドを介して送信された該ＲＦ信号が少なくとも標的細胞に結合された該標的ＲＦ吸収エンハンサーを通過し加温するような態様で、該標的細胞を含む該患者の体の少なくとも一部の近位に該送信ヘッドを配置するステップと、
（ｆ）該送信ヘッドを介して該ＲＦ信号を送信するステップであって、それによって、標的細胞に結合された該標的ＲＦ吸収エンハンサーを加温する、ステップと、
（ｇ）該患者を通過した該ＲＦ信号の少なくとも一部を受信するステップと
を包含する、方法。
（項目２）
項目１に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーの一部が、該標的細胞の細胞膜または該標的細胞内の分子構造に結合する、方法。
（項目３）
項目１に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーの一部が、該標的細胞によって摂取される、方法。
（項目４）
項目１に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記患者を通過したＲＦ信号の少なくとも一部を受信するステップが、受信ヘッドと回路通信している共振回路を有するＲＦ受信器を用いて実行される、方法。
（項目５）
項目１に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、ハイパーサーミアが誘導される該標的細胞の少なくとも１つの特性に基づいて、複数の異なる種類の標的ＲＦ吸収エンハンサーから前記標的ＲＦ吸収エンハンサーを選択するステップをさらに包含する、方法。
（項目６）
項目１に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも１つのＲＦ吸収粒子に結合された少なくとも１つの生体分子を含み、該生体分子は、該標的細胞の少なくとも１つの標的生体分子を標的にすることによって特徴付けられる、方法。
（項目７）
項目６に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの生体分子が、少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、さらに、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも１つのＲＦ吸収粒子に結合された少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、該抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分は、少なくとも１つの該標的細胞の標的生体分子を標的にすることによって特徴付けられる、方法。
（項目８）
項目６に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つのＲＦ吸収粒子が、少なくとも１つの圧電結晶を含み、該少なくとも１つの圧電結晶は関連する少なくとも１つの粒子周波数を有し、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さい少なくとも１つの圧電結晶に結合された該少なくとも１つの生体分子を含み、さらに、前記ＲＦ送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号が、該少なくとも１つの粒子周波数に対応する少なくとも１つの周波数を有する、方法。
（項目９）
項目８に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの粒子周波数が、前記少なくとも１つのＲＦ吸収粒子の共振周波数を含む、方法。
（項目１０）
項目６に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つのＲＦ吸収粒子が、少なくとも１つの同調電子回路を含み、該少なくとも１つの同調電子回路は関連する少なくとも１つの粒子周波数を有し、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さい少なくとも１つの同調電子回路に結合された該少なくとも１つの生体分子を含み、さらに、前記ＲＦ送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号が、該少なくとも１つの粒子周波数に対応する少なくとも１つの周波数を有する、方法。
（項目１１）
項目１０に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの同調電子回路が、少なくとも１つの同調ＲＦ（ＴＲＦ）回路を含み、該少なくとも１つのＴＲＦ回路は関連する少なくとも１つの粒子周波数を有し、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さい少なくとも１つのＴＲＦ回路に結合された該少なくとも１つの生体分子を含み、さらに、前記ＲＦ送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号が、該少なくとも１つの粒子周波数に対応する少なくとも１つの周波数を有する、方法。
（項目１２）
項目１１に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つのＴＲＦ回路が、受信されたＲＦ信号の整流のための少なくとも１つの整流器を含む、方法。
（項目１３）
項目１０に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの同調電子回路が、少なくとも１つのＬＣタンク回路を含み、該少なくとも１つのＬＣタンク回路は関連する少なくとも１つの粒子周波数を有し、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さい少なくとも１つのＬＣタンク回路に結合された該少なくとも１つの生体分子を含み、さらに、前記ＲＦ送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号が、該少なくとも１つの粒子周波数に対応する少なくとも１つの周波数を有する、方法。
（項目１４）
項目１０に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの同調電子回路が、受信されたＲＦ信号の整流のための少なくとも１つの整流器と回路通信している少なくとも１つのＬＣタンク回路であって、関連する少なくとも１つの粒子周波数を有する、少なくとも１つのＬＣタンク回路を含み、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さく少なくとも１つの整流器と回路通信している少なくとも１つのＬＣタンク回路に結合された該少なくとも１つの生体分子を含み、さらに、前記ＲＦ送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号が、該少なくとも１つの粒子周波数に対応する少なくとも１つの周波数を有する、方法。
（項目１５）
項目６に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つのＲＦ吸収粒子が、少なくとも１つの金属粒子を含み、さらに、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さい少なくとも１つの金属粒子に結合された該少なくとも１つの生体分子を含む、方法。
（項目１６）
項目６に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つのＲＦ吸収粒子が、少なくとも１つの金粒子を含み、さらに、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの生体分子とともに運ばれるのに十分小さい少なくとも１つの金粒子に結合された該少なくとも１つの生体分子を含む、方法。
（項目１７）
項目６に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つのＲＦ吸収粒子が、少なくとも１つの金属ナノ粒子を含み、さらに、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも１つのナノ粒子に結合された少なくとも１つの生体分子を含む、方法。
（項目１８）
項目６に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つのＲＦ吸収粒子が、少なくとも１つの金ナノ粒子を含み、さらに、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも１つの金ナノ粒子に結合された少なくとも１つの生体分子を含む、方法。
（項目１９）
項目６に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの生体分子が、少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも１つのＲＦ吸収粒子が、少なくとも１つの圧電結晶を含み、該少なくとも１つの圧電結晶は関連する少なくとも１つの粒子周波数を有し、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さい少なくとも１つの圧電結晶に結合された該少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、さらに、前記ＲＦ送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号が、該少なくとも１つの粒子周波数に対応する少なくとも１つの周波数を有する、方法。
（項目２０）
項目６に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの生体分子が、少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも１つのＲＦ吸収粒子が、少なくとも１つの同調電子回路を含み、該少なくとも１つの同調電子回路は関連する少なくとも１つの粒子周波数を有し、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さい少なくとも１つの同調電子回路に結合された該少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、さらに、前記ＲＦ送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号が、該少なくとも１つの粒子周波数に対応する少なくとも１つの周波数を有する、方法。
（項目２１）
項目２０に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの生体分子が、少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも１つの同調電子回路が、少なくとも１つの同調ＲＦ（ＴＲＦ）回路を含み、該少なくとも１つのＴＲＦ回路は関連する少なくとも１つの粒子周波数を有し、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さい少なくとも１つのＴＲＦ回路に結合された該少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、さらに、前記ＲＦ送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号が、該少なくとも１つの粒子周波数に対応する少なくとも１つの周波数を有する、方法。
（項目２２）
項目２１に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つのＴＲＦ回路が、受信されたＲＦ信号の整流のための少なくとも１つの整流器を含む、方法。
（項目２３）
項目２０に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの生体分子が、少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも１つの同調電子回路が、少なくとも１つのＬＣタンク回路を含み、該少なくとも１つのＬＣタンク回路は関連する少なくとも１つの粒子周波数を有し、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さい少なくとも１つのＬＣタンク回路に結合された該少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、さらに、前記ＲＦ送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号が、該少なくとも１つの粒子周波数に対応する少なくとも１つの周波数を有する、方法。
（項目２４）
項目２０に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの生体分子が、少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも１つの同調電子回路が、受信されたＲＦ信号の整流のための少なくとも１つの整流器と回路通信する少なくとも１つのＬＣタンク回路であって、関連する少なくとも１つの粒子周波数を有する、少なくとも１つのＬＣタンク回路を含み、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さい少なくとも１つの整流器と回路通信している少なくとも１つのＬＣタンク回路に結合された該少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、さらに、前記ＲＦ送信器によって送信された前記ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号が、該少なくとも１つの粒子周波数に対応する少なくとも１つの周波数を有する、方法。
（項目２５）
項目６に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの生体分子が、少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも１つのＲＦ吸収粒子が、少なくとも１つの金属粒子を含み、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さい少なくとも１つの金属粒子に結合された該少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含む、方法。
（項目２６）
項目６に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの生体分子が、少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも１つのＲＦ吸収粒子が、少なくとも１つの金粒子を含み、さらに、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、結合されかつ該患者の脈管系を介して標的細胞へ少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分とともに運ばれるのに十分小さい少なくとも１つの金粒子に結合された該少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含む、方法。
（項目２７）
項目６に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの生体分子が、少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも１つのＲＦ吸収粒子が、少なくとも１つの金属ナノ粒子を含み、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも１つのナノ粒子に結合された少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含む、方法。
（項目２８）
項目６に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記少なくとも１つの生体分子が、少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含み、前記少なくとも１つのＲＦ吸収粒子が、少なくとも１つの金ナノ粒子を含み、さらに、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちのかなりの数の各々が、少なくとも１つの金ナノ粒子に結合された少なくとも１つの抗体または抗体フラグメントもしくは他の標的部分を含む、方法。
（項目２９）
項目１、５、６、７、９、１４、１６、１８、１９、２４、または２６のうちのいずれか一項に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記ＲＦ信号が、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーにおいて使用されている特定のＲＦ吸収粒子に対応するように選択されたパラメータを有する周波数変調（ＦＭ）ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号である、方法。
（項目３０）
項目１、５、６、７、９、１４、１６、１８、１９、２４、または２６のうちのいずれか一項に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記ＲＦ信号が、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーにおいて使用されている名目上のＲＦ吸収粒子の共振周波数に対応する中心周波数を有する周波数変調（ＦＭ）ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号であり、該ＦＭハイパーサーミア生成信号の変調が、該標的ＲＦ吸収エンハンサーにおいて使用されている該ＲＦ吸収粒子のパラメータの範囲に対応する、方法。
（項目３１）
項目１４〜項目１７または項目２４〜項目２７のうちのいずれか一項に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記ＲＦ信号が、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーにおいて使用されている名目上にサイズ変更されたＲＦ吸収粒子の共振周波数に対応する中心周波数を有する周波数変調（ＦＭ）ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号であり、該ＦＭハイパーサーミア生成信号の変調が、該標的ＲＦ吸収エンハンサーにおいて使用されている該ＲＦ吸収粒子のサイズ許容範囲に対応する、方法。
（項目３２）
項目１、５、６、７、９、１４、１６、１８、１９、２４、または２６のうちのいずれか一項に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちの前記かなりの数の前記ＲＦ吸収粒子が、共振周波数の関連範囲という結果となる関連製造許容範囲を有し、さらに、前記ＲＦ信号が、該標的ＲＦ吸収エンハンサーのうちの該かなりの数の該ＲＦ吸収粒子の該製造許容範囲に関連する該共振周波数の範囲に対応する複数の周波数を含む、方法。
（項目３３）
患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、該方法は、
（ａ）送信ヘッドと回路通信しているＲＦ生成器を有するＲＦ送信器を提供するステップであって、該ＲＦ生成器は、該送信ヘッドを介して送信に対して少なくとも１つの周波数を有するハイパーサーミア誘導ＲＦ信号を生成できる、ステップと、
（ｂ）ＲＦ吸収エンハンサーを提供するステップであって、それによって、該ＲＦ信号と該ＲＦ吸収エンハンサーとの間の相互作用による該ＲＦ信号に応答した標的細胞の加熱を増大し、該ＲＦ吸収エンハンサーが、対応周波数の関連範囲という結果となる関連製造許容範囲を有し、さらに、該ＲＦ信号が、該ＲＦ吸収エンハンサーの該製造許容範囲に関連する共振周波数の範囲に対応する複数の周波数を含む、ステップと、
（ｃ）該ＲＦ吸収エンハンサーを該患者に導入するステップと、
（ｄ）該送信ヘッドを介して送信された該ＲＦ信号が少なくとも該ＲＦ吸収エンハンサーを通過し加温するような態様で、該標的細胞を含む該患者の体の少なくとも一部の近位に該送信ヘッドを配置するステップと、
（ｅ）該送信ヘッドを介して該ＲＦ信号を送信するステップであって、それによって、該ＲＦ吸収エンハンサーを加温する、ステップと
を包含する、方法。
（項目３４）
項目３３に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記ＲＦ信号が、前記ＲＦ吸収エンハンサーに対応するように選択されたパラメータを有する周波数変調（ＦＭ）ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号である、方法。
（項目３５）
項目３３に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記ＲＦ信号が、名目上のＲＦ吸収エンハンサーの共振周波数に対応する中心周波数を有する周波数変調（ＦＭ）ハイパーサーミア誘導ＲＦ信号であり、該ＦＭハイパーサーミア生成信号の変調が、該ＲＦ吸収エンハンサーの許容範囲に対応する、方法。
（項目３６）
項目３３に記載の患者の少なくとも標的細胞にハイパーサーミアを誘導する方法であって、前記対応周波数の範囲が、共振周波数の範囲を含む、方法。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、標的領域にハイパーサーミアを誘導する非侵襲ＲＦシステムの例示的なハイレベルブロック図である。
【図２】図２は、標的領域にハイパーサーミアを誘導するＲＦシステムの例示的なミディアムレベルブロック図である。
【図３】図３は、標的領域のいずれかの側における送信ヘッドと受信ヘッドとの例示的な実施形態である。
【図３Ａ】図３Ａは、標的領域のいずれかの側における送信ヘッドの例示的な実施形態である。
【図４】図４は、標的領域のいずれかの側における送信ヘッドと受信ヘッドとの例示的な実施形態である。
【図５】図５は、標的領域のいずれかの側における送信ヘッドの例示的な実施形態である。
【図６】図６は、標的領域のいずれかの側における送信ヘッドと受信ヘッドとの例示的な実施形態である。
【図７】図７は、標的領域にハイパーサーミアを誘導するＲＦ方法の実施形態の例示的なハイレベルフローチャートである。
【図８】図８は、標的領域にハイパーサーミアを誘導するＲＦ方法の実施形態の例示的なミディアムレベルフローチャートである。
【図９】図９は、標的領域にインビトロハイパーサーミアを誘導するＲＦ方法の実施形態の例示的なミディアムレベルフローチャートである。
【図１０】図１０は、細胞を分離する磁気的な方法の実施形態の例示的なミディアムレベルフローチャートである。
【図１１】図１１は、例示的なＲＦシステムのハイレベル概略ブロック図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、例示的なＲＦシステムのハイレベル概略ブロック図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、例示的なＲＦシステムのハイレベル概略ブロック図である。
【図１３】図１３は、別の例示的な送信ヘッドの正面／左から見た透視概略図である。
【図１４】図１４は、図１３の例示的な送信ヘッドの左側から見た概略図である。
【図１５】図１５は、例示的な送信ヘッドと受信ヘッドとして配置された図１３の例示的なヘッドの対の左側から見た概略図である。
【図１６】図１６は、さらに別の例示的な送信ヘッドの正面／左から見た透視概略図である。
【図１７】図１７は、図１６の例示的な送信ヘッドの左側から見た概略図である。
【図１８】図１８は、例示的な送信ヘッドと受信ヘッドとして配置された図１６例示的なヘッドの対の左側から見た概略図である。
【図１９】図１９は、送信ヘッドと受信ヘッドとの例示的な構成を示す概略図である。
【図２０】図２０は、送信ヘッドと受信ヘッドとの例示的な構成を示す概略図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、送信ヘッドと受信ヘッドとの例示的な構成を示す概略図である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、送信ヘッドと受信ヘッドとの例示的な構成を示す概略図である。
【図２２Ａ】図２２Ａは、送信ヘッドと受信ヘッドとの例示的な構成を示す概略図である。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、送信ヘッドと受信ヘッドとの例示的な構成を示す概略図である。
【図２３】図２３は、例示的なＲＦ生成器のミディアムレベル概略ブロック図である。
【図２４】図２４は、ＲＦ吸収エンハンサーに対するＲＦ吸収粒子の例示的な同調回路の概略回路図である。
【図２５】図２５は、ＲＦ吸収エンハンサーに対するＲＦ吸収粒子の例示的な同調回路の概略回路図である。
【図２６】図２６は、ＲＦ吸収エンハンサーに対するＲＦ吸収粒子の例示的な同調回路の概略回路図である。
【図２７】図２７は、ＲＦ吸収エンハンサーに対するＲＦ吸収粒子の例示的な同調回路の概略回路図である。
【図２８】図２８は、ＲＦ吸収エンハンサーに対するＲＦ吸収粒子の例示的な同調回路の概略回路図である。
【図２９】図２９は、ＲＦ吸収エンハンサーに対するＲＦ吸収粒子の例示的な同調回路の概略回路図である。
【図３０】図３０は、ＲＦ吸収エンハンサーに対するＲＦ吸収粒子の同調回路の例示的な実施の概略図である。
【図３１】図３１は、ＲＦ吸収エンハンサーに対するＲＦ吸収粒子の同調回路の例示的な実施の概略図である。
【図３２】図３２は、ＲＦ吸収エンハンサーに対するＲＦ吸収粒子の同調回路の例示的な実施の概略図である。
【図３３】図３３は、ＲＦ吸収エンハンサーに対するＲＦ吸収粒子の同調回路の例示的な実施の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
（詳細な記述）
本発明の例示的な実施形態は、本明細書に援用され本明細書の一部を構成する添付の図面において示されている。これは、上記で与えられた本発明の概略的な記述と以下で与えられる詳細な記述と合わせることにより、本発明の原理を例示化するのに役立つ。
【０００９】
図面を参照し、まずは図１を参照すると、標的領域１０６にハイパーサーミアを誘導する非侵襲ＲＦシステム１００の第１の例示的な実施形態が示されている。システム１００は、送信ヘッド１０４と回路通信するＲＦ送信器１０２と、受信ヘッド１０８と回路通信するＲＦ受信器１１０とを備える。本明細書で使用されている「回路通信（ｃｉｒｃｕｉｔ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）」は、デバイス間の通信関係を示すように使用されている。直接的な電気接続、直接的な光学接続、直接的な電磁接続、ならびに、間接的な電気接続、間接的な光学接続、間接的な電磁接続は、回路通信の例である。２つのデバイスは、一方からの信号が他方によって受信される場合に、その他のデバイスによって信号が改変されるか否かに関わらず、回路通信する。例えば、以下の１つ以上のデバイス（すなわち、送信器、光遮断器、デジタルまたはアナログのバッファ、アナログ積分器、その他の電子回路網、光ファイバー送受信器、または衛星でさえも）によって分離された２つのデバイスは、一方からの信号が他方に到達する場合に、信号が仲介デバイスによって改変される場合でさえも、回路通信する。最後の例として、互いが直接的に接続されてはいないが第３のデバイス（例えば、ＣＰＵ）とインターフェースを取ることが可能な２つのデバイス（例えば、キーボードとメモリ）は、回路通信する。
【００１０】
例示的なシステム１００において、ＲＦ送信器１０２は、送信ヘッド１０４を介して伝送するための周波数のＲＦ信号１２０を生成する。随意的に、ＲＦ送信器１０２は、生成されたＲＦ信号の周波数および／または出力を調整する制御を有し、かつ／または、所定の周波数および出力のＲＦ信号が送信ヘッド１０４を介して伝送されるモードを有し得る。加えて、ＲＦ送信器１０２は、可変振幅、パルス状の振幅、複数の周波数、等を有するＲＦ信号を提供する。
【００１１】
ＲＦ受信器１１０は、受信ヘッド１０８と回路通信する。ＲＦ受信器１１０は、受信ヘッド１０８の少なくとも一部が、送信ヘッド１０４を介して送信されたＲＦ信号１２０の周波数で共振するように調整される。結果として、受信ヘッド１０８は、送信ヘッド１０４を介して伝送されたＲＦ信号１２０を受信する。
【００１２】
送信ヘッド１０４および受信ヘッド１０８は、一般の標的領域１０６の両側の近くに配置される。一般の標的１０６は、処置される領域の一般の位置に存在する。一般の標的領域１０６は、例えば組織、血液細胞、骨髄細胞、等のような、任意の標的領域、または一種の細胞、または細胞のグループである。好ましくは、送信ヘッド１０４および受信ヘッド１０８は、一般の標的領域１０６との直接接触から絶縁（ｉｎｓｕｌａｔｅ）されている。好ましくは、送信ヘッド１０４および受信ヘッド１０８は、空隙１１２によって絶縁されている。送信ヘッド１０４と受信ヘッド１０８とを一般の標的領域１０６から絶縁する随意的な手段は、例えばＴｅｆｌｏｎ（登録商標）のような絶縁層または絶縁材料３１０（図３）をヘッド１０４、１０８と一般の標的領域１０６との間に挿入することを含む。その他の随意的な手段は、ヘッド１０４，１０８の上に絶縁領域を提供して、ヘッドが一般の標的領域１０６と直接接触して置かれることを可能にすることを含む。送信ヘッド１０４および受信ヘッド１０８は、以下でさらに詳細に記述されるように、１つ以上の導電性材料のプレートを含み得る。
【００１３】
一般の標的領域１０６は、エネルギーを吸収し、ＲＦ信号１２０が一般の標的領域１０６を介して移動する際に加温される。領域によって吸収されるエネルギーが多くなると、領域における温度が高くなる。通常、一般の標的領域１０６は、特定の標的領域１３０を含んでいる。特的の標的領域１３０は、例えば腫瘍のような、ハイパーサーミアを誘導することによって処置することが望まれる組織または高密度の細胞を含む。好ましくは、一般の標的領域は、例えば１０６°から１０７°の間で加熱される。このようにして、特定の標的領域１３０は、そして一般の標的領域１０６は、高密度のＲＦ信号１２０を受信する。結果として、特定の標的領域１３０は、より多くのエネルギーを吸収し、これにより、特定の標的領域１３０における温度は、周囲の一般の標的領域１０６における温度よりも高くなる。
【００１４】
標的領域におけるエネルギー吸収は、ＲＦ信号１２０の強さを増加させることによって増加され、上記信号の強さを増加させることは、一般の標的領域１０６を介して移動するエネルギーの量を増加させる。エネルギー吸収を増加させるその他の手段は、局所的な領域または特定の標的領域１３０に信号を集中すること、および／または、標的領域１３０のエネルギー吸収特性を向上させることを含む。
【００１５】
特定の標的領域１３０に高温を誘導する１つの方法は、送信ヘッドよりも小さな受信ヘッドを使用することを含む。小さな受信ヘッドは、以下で詳細に記述されるように高Ｑ値（ｈｉｇｈ−Ｑ）の共振回路を使用するため、より多くのエネルギーを拾い上げる。ＲＦ吸収エンハンサー１３２が随意に使用される。ＲＦ吸収エンハンサーは、特定の領域１３０がＲＦ信号からより多くのエネルギーを吸収しやすいようにする任意の手段または方法である。水溶液を注入することは、ＲＦ吸収を促進させるための１つの手段である。ＲＦ吸収を促進させるのに適切な水溶液は、例えば水、食塩水、金属（例：鉄）または複数の金属（例：鉄とその他の金属）の様々な組み合わせのような導電材料の懸濁粒子あるいは磁性粒子を含む水溶液を含む。一般に、これらの種類のＲＦエンハンサー（すなわち、標的化されない「一般のＲＦエンハンサー（ｇｅｎｅｒａｌ  ＲＦ  ｅｎｈａｎｃｅｒ）」）は、標的領域に直接導入される。その他の例示的な一般のＲＦエンハンサーは、以下で議論される。例えば、事実上すべての硫酸化金属の水溶液（例えば、硫化鉄水溶液、硫化銅水溶液、および／または、硫酸マグネシウム水溶液；例えば、（約５ｍｇ／ｋｇ質量の）硫化鉄水溶液、（約２ｍｇ／ｋｇ質量の）硫化銅水溶液、（約２０ｍｇ／ｋｇ質量の）硫化マグネシウム水溶液）、事実上すべての硫酸化金属のその他の溶液、注入可能な硫酸化金属（例えば、金塩）、ならびに、標的化されないその他のキャリアに添加されるＲＦ吸収粒子。好ましくは、これらの種類のＲＦエンハンサーは、針およびシリンジを用いることにより、標的領域に直接注入され得る。
【００１６】
ＲＦ吸収を促進させるその他の方法は、例えば金属粒子のようなＲＦ吸収エンハンサーに関連する抗体のような標的化されたＲＦエンハンサーを提供することを含む。抗体（および、以下で議論されるその他の標的化する成分）は、標的領域１３０における特定の標的細胞を標的化して、結びつける。一般に、抗体（およびその他の標的化する成分）は、任意の標的、例えば、腫瘍、細菌性の抗原、真菌性の抗原、ウィルス性の抗原、寄生性の抗原、マイコプラズマ抗原、組織適合性の抗原、分化抗原、およびその他の細胞膜抗原、病原体の表面抗原、毒素、酵素、アレルギー抗原、医薬活性な分子および任意の生物的活性な分子に対して配向され得る。ＲＦ促進粒子を抗体（および、少なくとも１つの標的化する成分を有するその他のキャリア）に結合することは、抗体（および、少なくとも１つの標的化する成分を有するその他のキャリア）を患者に注入して、特定の細胞とその他の特定の標的とを標的化することを可能にする。標的細胞に十分に高密度なＲＦエンハンサー１３２が添加されると、ＲＦ信号１２０は、特定の標的領域１３０を通過する。ＲＦエンハンサーは、さらなるエネルギー吸収を誘導して、一般の標的領域１０６に形成される温度よりも高い局所的な温度を、特定の標的領域１３０に形成する。加えて、異なる複数の金属（および、以下で議論されるその他のＲＦ吸収粒子）に結合される複数の抗体（および、少なくとも１つの標的化する成分を有するその他のキャリア）の組み合わせは、標的領域の局所的な領域にＲＦ吸収特性の変動を可能にするために使用され得る。ＲＦ吸収特性におけるこれらの変動は、特定の標的領域１３０の一様ではない加熱を可能にする。
【００１７】
標的化されたＲＦエンハンサーおよび一般のＲＦエンハンサーは、現在のＲＦ容量加熱デバイスを現在のＲＦアブレーションデバイスと同様に改良するように使用され得る。本出願の教示にしたがうＲＦ吸収エンハンサーとして振舞い得るような金属に結合された抗体は、市販ルートから入手され得る。
【００１８】
標的化されたＲＦエンハンサーおよび一般のＲＦエンハンサーは、インビトロのアプリケーションとインビボのアプリケーションとの両方に適用可能である。あるインビボのアプリケーションにおいて、標的化されたＲＦエンハンサーおよび／または一般のＲＦエンハンサーは、患者から標的領域が取り出されるよりも前に、標的領域に導入される。標的領域は、標的化されたＲＦエンハンサーおよび／または一般のＲＦエンハンサーが標的に結合した後に、患者から取り出され、１つ以上のＲＦ信号によって処置される。別のインビトロのアプリケーションにおいて、標的領域は、ＲＦエンハンサーが標的領域に導入されるよりも前に、患者から取り出される。標的領域のうちの１つが適切な血管に存在すると、標的化されたＲＦエンハンサーおよび／または一般のＲＦエンハンサーは、標的領域に導入される。その後、標的領域は、１つ以上のＲＦ信号によって処置される。
【００１９】
複数の周波数のＲＦ信号１２０が随意に使用される。複数の周波数のＲＦ信号は、標的領域を処置するように使用され得る。複数の周波数のＲＦ信号は、複数の異なる位置におけるエネルギー吸収率と、吸収率とがより厳密に制御されることを可能にする。複数の周波数の信号は、１つの信号に組み合わされ得るか、あるいは、複数のプレートの送信ヘッドまたは複数の伝送ヘッドを使用することにより、標的領域における１つ以上の特定の領域に向けられ得る。このことは、様々な形状、厚さおよび／または深さの特定の領域を有する標的領域を制御するのに有用である。同様に、パルス化されたＲＦ信号、可変周波数のＲＦ信号、および、ＲＦ信号のその他の組み合わせまたは変種は、特定の標的領域の加熱をより正確に制御および標的化するように、使用され得る。ＲＦ吸収を増加させるこれらの方法とその他の方法とは、特定の標的領域１３０のエネルギー吸収率を増加させるように、独立に使用されるか、または、いくつかの組み合わせで使用され得る。
【００２０】
加えて、磁性粒子（すなわち、磁気的に標的化されたＲＦエンハンサー）に結合した抗体（またはその他の標的化する成分）は、磁石または磁気共鳴映像（ＭＲＩ；ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｓｏｎａｎｔ  ｉｍａｇｉｎｇ）マシンを使用することにより、特定の位置に導かれる。このようにして、磁気的に標的化されたＲＦエンハンサーは、特定の標的領域または標的細胞に向けられ得る。さらに、磁気的に標的化されたＲＦエンハンサーが特定の標的細胞に結合されると、標的細胞は、磁力によってその他の細胞から分離され得る。磁力は、引力であるか反発力であるかのいずれかであり得る。磁石およびＭＲＩマシンはまた、注入された（または、そうでない場合は導入された）磁性粒子を、特定の位置に導くようにも使用され得る。上記で議論された磁気的な一般のＲＦエンハンサーはまた、例えば磁石またはＭＲＩマシンからの磁力を使用することにより、特定の標的領域または標的細胞に向けられ得る。
【００２１】
加えて、上記の教示にしたがうと、ＲＦ誘導ハイパーサーミアの標的は、特定の標的細胞であり得、身体の特定の領域には限定される必要はない。例えば血液癌のような特定の癌は、必ずしも局所的な領域には発現しない。上記で議論されたように、標的化されたＲＦエンハンサーは、特定の細胞を標的化するが、必ずしも局所化されない。例えばリンパ腫、白血病、および多発性骨髄腫のような血液癌の場合、そのような標的化されたＲＦ吸収エンハンサー（例えば、ＲＦ吸収粒子に結合した標的化する成分）は、患者に導入され、その後、身体の選択された領域（あるいは身体の全体）は、ＲＦエネルギーによる照射を受け、ＲＦ吸収エンハンサーは、加熱される細胞に結合され、それらの細胞を、ＲＦ吸収エンハンサーが結合されていない細胞よりも加熱する。
【００２２】
上記議論は、例えば、（ｉ）標的領域（一般のＲＦ吸収エンハンサー）のＲＦ加熱を促進するように標的領域に導入される溶液および／または懸濁液、（ｉｉ）標的化された細胞（標的化されたＲＦ吸収エンハンサー）のＲＦ加熱を促進するように、患者に導入され、特定の標的細胞を標的化する、ＲＦ吸収粒子に結合した抗体（または、その他の標的化する成分）のような、標的領域（これは、腫瘍または腫瘍の一部または標的細胞またはその他の標的であり得る）のＲＦ吸収を促進するための、いくつかの異なる種類のＲＦ吸収エンハンサーを提唱している。上記で議論されたように、これらのＲＦ吸収エンハンサーとその他のＲＦ吸収エンハンサーとは、標的領域のＲＦ吸収を増加するように、独立に使用されるか、または、いくつかの組み合わせで使用され得る。本明細書で記述される標的化されたＲＦ吸収エンハンサーは、標的細胞の共振周波数を効果的に変化させるものとして、すなわち、標的細胞に別の人工的な周波数（これは、ＲＦ吸収粒子の共振周波数であり得る）を追加するものとして、考えられる。なぜならば、標的化する成分を介して標的細胞に結合されるＲＦ吸収粒子は、その周波数であり得る標的粒子よりも、より多くのＲＦエネルギーを吸収して、より素早く加熱し得るからである。このようにして、標的細胞の１つ以上の共振周波数を決定しようとする代わりに、本発明のシステムおよび方法にしたがって使用される標的化されたＲＦ吸収エンハンサーは、たとえどんな（単数または複数の）人工的な周波数がハイパーサーミアを形成するように所望されている場合でさえも、（単数または複数の）人工的な周波数を標的細胞に効果的に追加するように使用され得る。
【００２３】
上記で議論された標的化されたＲＦ吸収エンハンサーは、１つ以上の標的に結合する部分と、例えば、標的化する成分を有し、ＲＦ吸収粒子に付着したキャリアのような、ＲＦエネルギーを比較的よく吸収する関連する部分とを有する。一般のＲＦ吸収エンハンサーはまた、ＲＦエネルギーを比較的よく吸収する関連する部分、例えば、ＲＦ吸収粒子あるいは、溶液または懸濁液中で（単数または複数の）ＲＦ吸収粒子に添加した標的化されていないキャリアをも有し得る。上記で列挙され、与えられたそのようなＲＦ吸収粒子のいくつかの例は、例えば金属、鉄、複数の金属の様々な組み合わせ、鉄と金属の組み合わせのような、導電材料の粒子、あるいは、磁性粒子を含む。その他の例は、以下で与えられる。もちろん、これらの粒子は、いわゆる「ナノ粒子（ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅ）」（そのサイズがナノメータ単位（例えば、１〜１０００ｎｍ）で測定される極めて小さな粒子）のサイズ、または、「マイクロ粒子（ｍｉｃｒｏｐａｒｔｉｃｌｅ）」（そのサイズがマイクロメータ単位（例えば、１〜１０００μｍ）で測定される極めて小さな粒子）のサイズであり得る。これら粒子が静脈内に注入される（または、そうでない場合は導入される）とき、好ましくは、そのような粒子は、少なくとも１つのキャリアによって（例えば、患者の身体内の）標的細胞または（例えば、患者の身体内の）標的領域へと結合され、搬送されるのに、十分小さい。本発明のその他の例示的な実施形態にしたがうと、例えば抗体を除くその他のキャリアを使用することにより、および／または、上記で明示的に特定された以外のその他のＲＦ吸収粒子を使用することにより、その他のＲＦ吸収エンハンサーが使用され得る。
【００２４】
ＲＦ吸収エンハンサーとしてのそのような（標的化されたものと標的されていないものとの両方の）その他のキャリアの例は、以下のいずれか１つ以上を含み得る：生体分子、生体細胞、マイクロ粒子送達システム、ナノ粒子送達システム、水溶性高分子、その他の高分子、有機的であるか合成応用材料（ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  ａｐｐｌｉｅｄ  ｍａｔｅｒｉａｌ）のような人工の材料からであるかに関わらず、生物的またはロボット的な構築物を含むその他の微小粒子の構築物、ならびに、分子性または細胞性のプロテオーム構造またはゲノム構造。さらに、これらキャリアは、ＲＦ吸収粒子に添加されるか、あるいは、ＲＦ吸収粒子を含んでおり、ＲＦ吸収エンハンサーを形成する。
【００２５】
ＲＦ吸収エンハンサーに対するキャリア（標的化されたものと標的化されないものの両方）として使用され得る例示的な生体分子は、以下のいずれか１つ以上を含み得る：有機的分子、ヌクレオチド、タンパク質、抗体、その他の特定のタンパク質、リガンド、オリゴヌクレオチド、遺伝物質、ヌクレオチド、ＤＮＡ、ＲＮＡ、ウィルス、レトロウィルス、有機金属分子、成長の早い細胞と腫瘍とによって素早く取り込まれるタンパク質、トランスフェリン、ＲＧＤ（ａｒｇ−ｇｌｙ−ａｓｐトリペプチド）ペプチド、およびＮＧＲ（ａｓｎ−ｇｌｙ−ａｒｇトリペプチド）ペプチド、葉酸、トランスフェリン、ガラクトサミン、およびＧＭ−ＣＳＦ（顆粒球・マクロファージ・コロニー刺激因子）。本明細書において、「有機金属分子（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  ｍｏｌｅｃｕｌｅ）」（または、単に有機金属）という用語は、有機基または分子の１つ以上の炭素原子と、主族、転移、ランタニド、またはアクチニドの１つの（または複数の）金属原子との間の、少なくとも１つの（イオン性または共有結合性、あるいは、局所性または非局所性の）結合相互作用が存在する分子を意味し、准金属（ボロン、シリコン、ゲルマニウム、ヒ素、およびテルリウム）の有機性誘導体、その他すべての金属と合金との有機誘導体、分子金属水素化物；金属アルコキシド、チオレート、アミド、およびリン化物；１５および１６のリガンドの有機基を含む錯塩；金属ニトロシル、ならびにその他同様なものを含み得る。このように個々のＲＦ吸収粒子に結合させＲＦ吸収エンハンサーを形成することに加え、いくつかの有機金属分子は、キャリア部分とＲＦ吸収金属部分との両方を有することにより、それ自身がＲＦ吸収エンハンサーとして機能し得る。これら有機金属分子は、直接注入（または、そうでない場合は導入）されるか、あるいは、有機物、生体分子、二元重合体、分子性または細胞性のプロテオーム構造またはゲノム構造に添加され得、あるいは、生物的、ロボット的、または人工的な合成応用材料に配置され得る。核医学（すなわち、ステロイドホルモンまたはブレイントレーサ（ｂｒａｉｎ  ｔｒａｃｅｒ）のような生体分子に結合する受容体のラベル付け）に有機金属を応用することは、文献において提唱されてきた。典型的に、医療の画像化に使用されるテクネチウムとラジオガリウムは、有機金属によって改変され得る。これら生体分子、すなわち、有機金属テクネチウムおよび有機金属ラジオガリウムは、それらの特定の加熱特性と画像化特性とにより、腫瘍を画像化することと無線周波数エンハンサーになるということとの２つの機能を果たし得る。加えて、有機金属テクネチウムおよび／または有機金属ラジオガリウムは、１つ以上の異なるＲＦ吸収粒子に結合され、例えば、本明細書に記述されているほぼすべてのＲＦ吸収粒子のうちの１つ以上に結合され、ＲＦ吸収エンハンサーを形成し得る。
【００２６】
ＲＦ吸収エンハンサーに対するキャリアとして使用され得る例示的な生体細胞（標的化されたものと標的化されていないものとの両方）は、以下のいずれか１つ以上を含み得る：白血球細胞、改変された白血球細胞、ワクチン刺激を受けた白血球細胞、膨張（ｅｘｐａｎｄ）された白血球細胞、Ｔ−細胞、および腫瘍浸潤リンパ球（ＴＩＬ；ｔｕｍｏｒ  ｉｎｆｉｌｔｒａｔｉｎｇ  ｌｙｍｐｈｏｃｙｔｅ）。一般に、これら細胞は、癌患者の腫瘍または循環血液から取り出され、組織培養皿または懸濁液で培養され、その後、ＲＦ吸収粒子は、細胞にマイクロ注入されるか吸収され、ＲＦ吸収エンハンサーを形成し得る。
【００２７】
ＲＦ吸収エンハンサーに対するキャリアとして使用され得る例示的なマイクロ粒子およびナノ粒子の送達システム（標的化されたものと標的化されていないものとの両方）は、以下のいずれか１つ以上を含み得る：リポソーム、免疫リポソーム（抗体または抗体フラグメントまたは非抗体性のリガンド標的成分に結合したリポソーム）、磁性リポソーム、ガラスビーズ、ラテックスビーズ、応用材料から形成されたその他の小胞、有機的修飾シリカ（ＯＲＭＯＳＩＬ；ｏｒｇａｎｉｃａｌｌｙ  ｍｏｄｉｆｉｅｄ  ｓｉｌｉｃａ）のナノ粒子、合成生体材のようなシリカ修飾された粒子およびナノ粒子、細胞に送達するためのＤＮＡ（またはその他の物質）を取り込む能力を有するその他のナノ粒子、遺伝物質を細胞に転写するベクターとして振る舞い得るその他のナノ粒子。これらのうちの多くは、直接的に取り込まれるが、そうでない場合は、標的細胞にインターナライズ（ｉｎｔｅｒｎａｌｉｚｅ）される。リポソームは、例えば核酸、ＤＮＡ、ＲＮＡ、ワクチン、薬品、および酵素のような物質を、標的領域または臓器に搬送するように使用される人工的な微小胞である。本出願の文脈において、リポソームは、（例えば、金属粒子、有機金属、ナノ粒子、等のような）ＲＦ吸収粒子を含み、上記粒子を標的細胞または臓器に搬送し得る。これらおよびその他のマイクロ粒子およびナノ粒子の送達システム（標的化されたものと標的化されていないもとの両方）は、本明細書で記述されているほぼすべてのＲＦ吸収粒子のうちの任意の１つ、または、２つ以上の組み合わせを搬送し、ＲＦ吸収エンハンサーを形成するように使用され得る。ＲＦ吸収エンハンサーに対するキャリアとして使用され得る例示的な高分子は、以下のいずれか１つ以上を含み得る：デキストラン、アルブミン、およびＰＬＡ（ポリラクチド）、ＰＬＧＡ（グリコールを有するポリラクチドまたはポリ乳酸−グリコール酸共重合体）、および／または、ヒドロキシプロピルメタクリルアミン（ＨＰＭＡ；ｈｙｄｒｏｘｙｐｒｏｐｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｍｉｎｅ）。
【００２８】
ＲＦ吸収エンハンサーに対するその他の例示的なキャリアは、有機的であるか合成応用材料のような人工の材料からであるかに関わらず、生物的またはロボット的な構築物を含むその他の微小粒子の構築物と同様に、分子性または細胞性のプロテオーム構築物またはゲノム構築物を含む。
【００２９】
標的化されたＲＦエンハンサーは、ＲＦ信号と標的化されたＲＦ吸収エンハンサーとの相互作用によって、ＲＦ信号に応答する標的細胞の加熱を増加させるように、標的細胞を標的化および結合することにより、特徴付けられる。標的細胞は、臓器または腫瘍または腫瘍の一部に存在するか、あるいは、血液細胞のように、循環または孤立された細胞であり得る。いくつかの標的化されたＲＦ吸収エンハンサーは、細胞膜または標的細胞の（例えば、内部にある１つ以上の生体分子のような）細胞内含有物に結合され得る。いくつかの標的化されたＲＦ吸収エンハンサーは、標的細胞によって取り込まれるか、そうでない場合はインターナライズされることにより、標的細胞に結合し得る。本明細書中で議論されるいくつかの標的化されたＲＦ吸収エンハンサーは、標的細胞の共振周波数を効果的に変化させるものとして、すなわち、標的細胞に別の人工的な周波数（これは、ＲＦ吸収粒子の共振周波数であり得る）を追加するものとして、考えられる。なぜならば、標的化する成分を介して標的細胞に結合されるＲＦ吸収粒子は、その周波数であり得る標的粒子よりも、より多くのＲＦエネルギーを吸収して、より素早く加熱し得るからである。標的化されたＲＦ吸収エンハンサーに対し、標的細胞を標的化および結合するための標的化する成分を有するキャリア（「標的化されたキャリア（ｔａｒｇｅｔｅｄ  ｃａｒｒｉｅｒ）」）は、本明細書で記述されている任意のＲＦ吸収粒子に（直接または間接に）添加され、ＲＦ信号を伝送してハイパーサーミアを形成するよりも前に、患者に対して導入される。ＲＦ吸収エンハンサーに対するいくつかの標的化されたキャリア（例えば、抗体、リガンド、およびＴＩＬ）は、標的細胞のいくつかの部分を標的化するための標的化する成分を生得的に有する。その他のＲＦ吸収エンハンサーのキャリア（例えば、リポソーム）は、標的細胞のいくつかの部分を標的化するために、１つ以上の標的化する成分を添加することにより、標的化するキャリアとなるように改変される必要があり得る。例えば、抗体または抗体フラグメントまたは非抗体性のリガンド標的成分に結合したリポソームである、免疫リポソームがそうである。いくつかの標的化されたキャリア（例えば、抗体、リガンド、および抗体フラグメント）は、標的細胞の１つ以上の「標的生体分子（ｔａｒｇｅｔ  ｂｉｏｍｏｌｅｃｕｌｅ）」を標的化し、標的細胞に結びつける。本明細書で使用されている「標的生体分子」という用語は、標的細胞内の構造、または、１つ以上の物質の選択的な結合によって特徴付けられる標的細胞の表面上での構造を意味する。例として、「標的生体分子」という用語は、細胞表面レセプター、腫瘍特異性マーカー、腫瘍関連組織マーカー、標的細胞マーカー、または、ＣＤマーカーのような標的細胞識別子、癌細胞のインターロイキンレセプター部位を含み、さらに、例えばリガンド、抗体、抗体フラグメント、細胞接着部位、生物高分子、合成生体材料、砂糖、脂質、または、その他のプロテオミックな操作または遺伝的な操作（組み換え技術を含む）を受けた構築物のような別の分子が結合しているその他の生体分子を含むが、それらには限定されない。標的化されたキャリアと��的化されたＲＦ吸収エンハンサーのキャリアを形成するように使用され得るその他の標的化する成分との例は、以下を含む：２価構築物、２重特異性構築物、融合タンパク質；抗体；抗体フラグメント；非抗体リガンド、および非抗体の標的化する成分（例えば、白血病性の芽細胞におけるＧＭ−ＣＳＦレセプターを標的化するＧＭ−ＣＳＦ、または、血管における内皮成長因子レセプターを標的化するガラクトサミン）。
【００３０】
腫瘍は、抗体によって認識される抗原を生成し得る。現在、ほぼすべての癌とその他とに対する抗体および抗体フラグメントの治験が進んでいる。腫瘍は、しばしば、高濃度および／または異常な形の糖タンパク質および糖脂質を示す。抗体は、これらを標的化することが知られている（例えば、抗ＭＵＣ−１は、乳癌または卵巣癌を標的化する）。腫瘍胎児抗原はまた、いくつかの腫瘍によって生成される。抗体は、これらを標的化することが知られている（例えば、抗ＴＡＧ７２［ａｎｔｉ−ｔｕｍｏｒ−ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ
ｇｌｙｃｏｐｒｏｔｅｉｎ−７２］は、大腸直腸癌、卵巣癌、および乳癌を標的化し、あるいは、抗ＣＥＡ［ａｎｔｉ−ｃａｒｃｉｎｏｅｍｂｒｙｏｎｉｃ  ａｎｔｉｇｅｎ］は、大腸直腸癌、小細胞肺癌、卵巣癌を標的化する）。組織特異性抗原もまた、標的化されてきた。抗体は、これらを標的化することが知られている（例えば、抗ＣＤ２５は、皮膚のＴ−細胞リンパ腫におけるインターロイキン−２レセプターを標的化する）。腫瘍における血管の素早い生成は、別の標的を提供する。抗体は、固形癌における内皮細胞を標的化するために、これら（抗ＶＥＧＲ［ａｎｔｉ−ｖａｓｃｕｌａｒ  ｅｎｄｏｔｈｅｌｉａｌ  ｇｒｏｗｔｈ−ｆａｃｔｏｒ  ｒｅｃｅｐｔｏｒ］）を標的化することが知られている。これらは、標的療法におけるリガンドとして使用されてきた、ここでのＲＦエンハンサーが添加され得る抗体のほんの数例である。本明細書に開示された複数のＲＦ吸収粒子のうちのいずれか１つ以上は、本明細書の教示にしたがい、ＲＦ信号を生成するハイパーサーミアに関連する標的化されたＲＦ吸収エンハンサーとして使用され得る物質を形成するように、これら抗体および抗体フラグメント（およびその他）のうちのいずれかに（直接的または間接的に）添加され得る。
【００３１】
既知のリガンド抗体のその他の例は、乳癌や卵巣癌のような、ＥＲＢＢ２レセプターを過剰に表す細胞において、ＥＲＢＢ２レセプターを標的化する、単クローン性の抗体トラスツマブ（ヘルセプチン）、または、リツキシマブ、すなわち、非ホジキンリンパ腫とその他のｂ−細胞リンパ増殖性疾患とにおいて、細胞表面抗原を標的化する、抗ＣＤ  ２０、または、Ｂ細胞のマーカーＣＤ−１９を標的化する、抗ＣＤ  １９抗体である。本明細書の教示にしたがい、ＲＦ信号を生成するハイパーサーミアに関連する標的化されたＲＦ吸収エンハンサーとして使用され得る物質を形成するように、ＲＦ吸収粒子のうちの任意の１つ以上が、これら抗体および抗体フラグメント（およびその他のもの）に（直接的または間接的に）添加され得る。
【００３２】
一般のＲＦ吸収エンハンサーに対し、標的化されていないキャリアは、本明細書で記述されているＲＦ吸収粒子のいずれかに（直接的または間接的に）添加され、ＲＦ信号を伝送してハイパーサーミアを形成するよりも前に、注入（または、そうでない場合は導入）される。上記標的化されていないキャリアは、例えば、特定の生体分子、オリゴヌクレオチド、特定の細胞（その表面に一般の接着分子を有し、それらがリガンドおよび抗体よりも特異的ではなく、一般の接着分子が、多くの異なる種類の細胞に添加され得るもの）などである。金ナノ粒子に添加されたＤＮＡ配列のような自身に添加されたオリゴヌクレオチドを有するナノ粒子は、例えばＮａｎｏｓｐｈｅｒｅ，Ｉｎｃ．，  Ｎｏｒｔｈｂｒｏｏｋ，  ＩＬ  ６００６２，米国特許第６，７７７，１８６号のような、様々なソースから入手可能である。
【００３３】
ＲＦ吸収粒子は、１つ以上の周波数のＲＦ電磁信号を、標的領域内またはその近くにおける処置されていない細胞よりも、実質的に多く吸収する粒子である。これは、ＲＦ信号が、ＲＦ吸収粒子（またはそれを囲む領域またはそれに近い細胞）を、標的領域内またはその近くにおける処置されていない細胞よりも、実質的に多く加熱することを可能にし、例えば、ＲＦ信号により、ＲＦ吸収粒子（またはそれらを囲む領域またはそれらに近い細胞）を、それらに結合されている標的細胞を殺す温度にまで加熱する一方で、標的細胞内またはその近くにおける処置されていない細胞が、それらを殺す温度にまでＲＦ信号によって加熱されないことを可能にする。例示的な標的のハイパーサーミアの温度は、ほぼ（または少なくともほぼ）４３℃，１０６．３゜Ｆ，１０６．５°Ｆ、および、１０６．７°Ｆ，および１０７°Ｆの値を含む。低いハイパーサーミアの温度を生成することもまた、望ましい（例えば、１０３°超、または１０４°超、または１０５°超）。上記温度は、標的領域内のハイパーサーミアからの壊死を直接的には引き起こし得ない一方で、例えば化学療法および／または放射線療法および／または放射免疫療法のような別の治療法との組み合わせにより、標的細胞内の細胞を殺すかダメージを与え得る。パルス化されたＲＦ信号は、非常に局所的により高い温度を生成し得る。上記で述べられた例示的なＲＦ吸収粒子は、例えば金、銅、マグネシウム、鉄、その他任意の金属、および／または、磁性粒子のような導電材料、あるいは、金、鉄、その他任意の金属、および／または、磁性粒子の様々な組み合わせと置換（ｐｅｒｍｕｔａｔｉｏｎ）とを含む。一般のＲＦ吸収エンハンサーおよび／または標的化されたＲＦ吸収エンハンサーに対するその他のＲＦ吸収粒子の例は、以下を含む：金属細管（ｔｕｂｕｌｅ）、（自然または合成の）圧電結晶から形成される粒子、非常に小さなＬＣ回路（例えば、並列ＬＣタンク回路、図２４および図３０）、同調無線周波数（ＴＲＦ；ｔｕｎｅｄ  ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）型の回路（例えば、タンク回路の２つのノードのうちの１つに接続された自由端を有する追加的なインダクタを有する並列ＬＣタンク回路、図２７および図３１）、その他の非常に小さな（振動性の）同調回路（例えば、図２５，２６，２８，２９および図３２〜３３）、中空粒子（例えば、リポソーム、磁性リポソーム、ガラスビーズ、ラテックスビーズ、応用材料から形成されたその他の小胞、マイクロ粒子、微小球体、等）であって、その他の物質を含むもの（例えば、アルゴンまたはその他の不活性ガスまたは比較的高い電磁エネルギー吸収を有するその他の物質を含む小さい粒子）、放射線療法または放射免疫療法に適切な放射性同位体（例えば、放射性金属、β−放射ランタノイド、銅の放射性核種、金の放射性核種、銅−６７、銅−６４、ルテチウム−１７７、イットリウム９０、ビスマス−２１３、レニウム−１８６、レニウム−１８８、アクチニウム−２２５、金−１２７、金−１２８、Ｉｎ−１１１、Ｐ−３２、Ｐｄ−１０３、Ｓｍ−１５３、Ｔｃ−９９ｍ、Ｒｈ−１０５、アスタチン−２１１、Ａｕ−１９９、Ｐｍ−１４９、Ｈｏ−１６６、およびタリウム−２０１塩化第一タリウム）の粒子、有機金属（例えば、テクネチウム９９ｍおよびラジオガリウムを含むもの）、合成材料から形成される粒子、生体材料から形成される粒子、ロボット的な粒子、人工の応用材料から形成される粒子、有機的修飾シリカ（ＯＲＭＯＳＩＬ）のようなナノ粒子。これらの粒子は、いわゆる「ナノ粒子」（そのサイズがナノメータ単位（例えば、１〜１０００ｎｍ）で測定される極めて小さな粒子）のサイズ、または、「マイクロ粒子」（そのサイズがマイクロメータ単位（例えば、１〜１０００μｍ）で測定される極めて小さな粒子）のサイズであり得る。好ましくは、これらの粒子は、少なくとも１つの生体分子に結合して、患者の血管系を介して標的細胞に搬送されるのに十分小さい。例えば、３〜３７ｎｍプラスマイナス５ｎｍの公称直径を有する金のナノ粒子は、ＲＦ吸収エンハンサー粒子として使用され得る。いくつかの放射性同位体は、「シード（ｓｅｅｄ）」として挿入され、ＲＦ吸収エンハンサーとしての役目を果たし得る。例えば、パラジウム１０３は、ＲＦ信号の存在下で、標的領域を加熱する。
【００３４】
様々な処置（例えば、癌を処置すること）に使用される放射性同位体の粒子の場合、本明細書の教示にしたがい、多段階の併用療法が使用され得る。第１の段階において、標的化されたキャリア（本来の標的化する成分を有するキャリア、または、標的化する成分が添加された標的化しないキャリアのいずれか）は、１つ以上のＲＦ吸収放射性核種に添加される。例えば、本明細書で言及された放射性金属のうち任意のものは、患者、標的特異性の細胞に導入され、そこからの放射（例えば、アルファ放射および／またはベータ放射および／またはオージェ電子放射）は、標的化された細胞にダメージを与えるか、殺すかする。この第１の段階は、ＲＦ吸収エンハンサーとして振舞い得るが細胞にダメージを与える放射を有しない放射性金属でラベル付けされた、その他の抗体（例えば、画像化に主に使用される放射性金属）の導入を含み得る。この第１の段階は、特定の抗体と特定の放射性同位体との関係で、当業者に知られている。その後、本発明にしたがう第２の段階において、ＲＦ吸収促進粒子として（部分的に劣化され得る）放射性同位体の粒子を使用することにより、本明細書の教示にしたがってＲＦ信号が伝送され、標的細胞に局所的なハイパーサーミアを生成する。そのような２段階の治療法は、第２のＲＦ誘導によるハイパーサーミアの段階の追加により、伝統的な放射免疫療法に対し、処置の有効性を向上させる。別の方法では、そのような２段階の治療法は、第２のＲＦ誘導によるハイパーサーミアの段階の追加と共に、第１の段階において、低容量の放射性同位体の放射を使用することにより、伝統的な放射免疫療法に対し、ほぼ同等の処置の有効性をもたらし得る（放射線療法の間、いくつかの放射性同位体が組織（例えば、骨髄）にダメージを与え得る）。２つの段階の間、所定の期間にわたって待機し得る。上記の期間は、例えば、使用されている特定の放射性金属からの放射の半減期に基づく期間にわたって、あるいは、第１の段階の後の患者の回復時間に基づく期間、あるいは、１つ以上の標的化されていない臓器（肝臓または腎臓）の分泌能力、新陳代謝能力、放射免疫療法の成分を除去する能力に基づく期間にわたってである。その際、この多段階の治療法に対し、放射線金属か、または、標的細胞において残存性が比較的高いその他のＲＦ吸収放射線核種を使用することは、有益であり得る。このことは、ＲＦエンハンサーとして放射免疫療法の成分を使用してハイパーサーミア生成ＲＦ信号を結合させる前に、標的化されていない臓器または細胞に分泌、新陳代謝、または、放射免疫療法の成分の除去を許すことにより、標的化されていない臓器または細胞にダメージを与えることを防ぎ得る。その後、例えば既知のプロトコルにしたがってイットリウム９０（Ｙ−９０）イブリツモマブ・チウキセタン（Ｙ−９０  ＺＥＶＡＬＩＮ（登録商標））（これは、ｂ−細胞のリンパ腫および白血病を処置するのに使用される）を処置された患者は、および、おそらくはインジウム−１１１（Ｉｎ−１１１）イブツリモマブ・チウキセタン（Ｉｎ−１１１  ＺＥＶＡＬＩＮ（登録商標））（これは、リツキシマブ処置に関連する画像化に関連して使用される）を注入された患者もまた、Ｙ−９０  ＺＥＶＡＬＩＮ（登録商標）および／または（Ｉｎ−１１１  ＺＥＶＡＬＩＮ（登録商標））によって標的化された細胞を加熱するように身体部位を介して結合されたハイパーサーミア生成ＲＦ信号を有し得る。生体分子に添加されるか添加されないかのいずれかの癌を処置するのに使用される放射性同位体の粒子は、様々な商業ソースから入手可能である。放射性金属は、単クローン抗体に添加され得る。例えば、９０−イットリウム・イブリツモマブ・チウセキタン［Ｚｅｖａｌｉｎ］または１３１−ヨウ素トシツモマブ（Ｂｅｘｘａｒ）は、抗ＣＤ２０抗体を標的化し、リンパ腫に使用される。無線周波数は、これら金属に追加的な作用を提供する。
【００３５】
非常に小さいＬＣ回路とその他の同調（振動性の）回路とは、上記では例示的なＲＦ吸収粒子とし言及されている。非常に小さいＬＣ回路とその他の同調（振動性の）回路（図２４〜２９）とは、同調回路の共振周波数およびその付近の周波数における信号が受信されたときに、振動（すなわち、加熱）によって標的細胞にダメージを与え得る。加えて、または代替的に、同調回路ＲＦ吸収粒子によって吸収されたＲＦエネルギーから細胞への直接的な無線周波数アブレーションが存在し得る。その電流は、細胞に向け、同調回路の粒子の１つ以上の金属接続を介することにより、細胞膜または細胞自身へと転送され得る（少なくとも１つの露出（ｅｘｐｏｓｅ）した電気接触２５０２とカプセル化の導電材料とに関連する以下の議論を参照のこと）。
【００３６】
本出願の目的で、本明細書に記述されているＲＦ吸収エンハンサーに対するキャリア（標的化されているまたは標的化されない）のうちのほぼすべてが、本明細書で記述されているほぼすべてのＲＦ吸収粒子および／または本明細書で記述されているＲＦ吸収粒子のほぼすべての組み合わせおよび／または置換に（直接的または間接的に）添加され、複数のＲＦ吸収エンハンサーのうちの任意の１つ以上を形成し得る。例えば、抗体キャリアは、１つ以上の圧電結晶、同調電気回路、同調ＲＦ（ＴＲＦ）回路、共振器Ｄを有するＴＲＦ回路（図２９）、ＬＣタンク回路、共振器Ｄを有するＬＣタンク回路（図２６）、金属粒子、および／または金属ナノ粒子に結合され得る（または、そうでない場合は運び得る）。その他の例として、ＴＩＬキャリアは、有機金属またはＴＲＦまたはその他任意の微小の電気回路粒子に添加されるか含み得、ＲＮＡまたはＤＮＡは、ＲＦ吸収材として振舞う有機金属分子に添加され得、抗体キャリアは、ＲＦ吸収材として振舞う有機金属分子に添加され得、金属（例えば、鉄）は、トランスフェリンに添加され得、リポソームは、ＲＦ吸収粒子を含み得、免疫リポソーム（抗体または抗体フラグメントまたは非抗体性のリガンド標的化成分に結合したリポソーム）は、ＲＦ吸収粒子を含み得、結合治療剤と標的化リガンドとにより、ＨＰＭＡ，ＰＬＡ，ＰＬＧＡ，アルバミン、およびデキストランのような水溶性の生分解性高分子上の部位を分離するように形成される、免疫分子（マイクロ容器（ｍｉｃｒｏｒｅｓｅｒｖｏｉｒ））は、ＲＦ吸収粒子と標的化する成分（抗体または非抗体）とに添加することによってＲＦ吸収エンハンサーを形成するように使用され得る。抗体あるいは抗体フラグメントあるいはその他のリガンドをリポソーム表面またはリポソーム表面にグラフトされたポリエチレングリコール（ＰＥＧ；ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ）のような水症性の高分子（ｈｙｄｒｏｐｉｃ  ｐｏｌｙｍｅｒ）の末端に結合させることによって形成されるものは、ＲＦ吸収粒子を含み得る。デキストランは、それに添加された金属粒子と標的化するペプチドとを有し得る。ＨＰＭＡの高分子は、添加された標的化するペプチドと金属粒子とを有し得る。リポソームは、金属性または熱伝導性の生体合成材料、すなわち、金属性または熱伝導性の生体合成材料、単クローン抗体と金属、単クローン抗体とＺｅｖａｌｉｎのような放射性同位体、抗体フラグメントと有機金属、抗体フラグメントと放射性同位体、融合タンパク質と有機金属、融合タンパク質と放射性同位体、２重特異性構築物と金属または有機金属、２重特異性構築物と２価構築物と放射性同位体とを内部に搬送し得る。腫瘍の浸透は、しばしば粒子のサイズによって妨げられるため、より小さなプロテオーム構築物とゲノム構築物とを形成する還元化技術と、より腫瘍特異的な組み換え技術とが、ＲＦ吸収エンハンサーの搬送を可能にする。他の例のように、マイクロ粒子およびナノ粒子の送達システム（標的化されたものと標的化されていないものとの両方）と本明細書のその他任意のキャリアとは、２つ以上の異なるＲＦ吸収粒子、例えば、２つの異なるサイズの金属粒子、金属粒子と電子回路、金属粒子とＲ��吸収ガス、電子回路とＲＦ吸収ガス、等を搬送し得る。例えば、そのようなＲＦ吸収粒子の組み合わせは、２つの異なる共振周波数のような２つの異なる周波数における吸収の促進を提供し得、あるいは、（金属粒子のような一般の粒子と結合される同調ＲＦ回路吸収粒子に見られるような）共振周波数と周波数範囲とにおける吸収の促進を提供し得る。このことは、複数の組織の深さにおけるマルチレベルの処置を容易にし得る。
【００３７】
加えて、前述のＲＦ吸収粒子のほぼすべては、キャリアにより、または、以下のようなその他のカプセル化する粒子により、一部または全部がカプセル化され得る：ガラスビーズ、ラテックスビーズ、リポソーム、磁性リポソーム、合成材料によって形成されたその他の小胞、等。同調回路の形態のＲＦ吸収粒子は、図２５のタンク回路と図２８のＴＲＦ回路とによって例示されているように、電気的に絶縁な材料２５００（例えば、ガラスビーズまたはラテックスビーズ）によって一部がカプセル化されており、標的領域における生物材料と接触するために、整流器Ｄと回路通信する少なくとも１つの露出した電気接触２５０２を有している。代替的に、同調回路の形態のＲＦ吸収粒子は、標的領域における生物材料と接触するために、整流器Ｄと回路通信する導電性の材料でカプセル化され得る。同様に、図２６の整流タンク回路と図２９の整流ＴＲＦ回路とによって例示されているように、受信したＲＦ信号を整流するように整流器Ｄを有するＲＦ吸収粒子は、電気的に絶縁な材料２５００で部分的にカプセル化されており、標的領域における生物材料と接触するために、整流器Ｄと回路通信する少なくとも１つの露出した電気接触２５０２を有しており、標的における細胞にダメージを与え、および／または、標的領域における細胞を加熱できるように、整流された電流が流れる経路を提供し得る。代替的に、受信したＲＦ吸収信号を整流する整流器を有するＲＦ吸収粒子は、標的領域における生物材料と接触するために、整流器と回路通信する導電性の材料でカプセル化されており、標的領域における細胞にダメージを与え、および／または、標的領域における細胞にダメージを与え、および／または、標的領域における細胞を加熱できるように、整流された電流が流れる経路を提供し得る。これらは、標準的なモノリシック回路製造技術および／または薄膜製造技術を使用することにより、製造され得る。モノリシック回路製造技術および／または薄膜製造技術を使用して図２４〜２９の微小なスパイラルインダクタを製造するための様々な技術は、例えば、米国特許第４，２９７，６４７号；５，０７０，３１７号；５，０７１，５０９号；５，３７０，７６６号；５，４５０，２６３号；６，００８，７１３号；および６，２４２，７９１号に知られている。キャパシタおよび整流器Ｄもまた、モノリシック回路製造技術および／または薄膜製造技術によって（例えば、一対の導電層とその間の誘電層とＰ−Ｎ接合とをそれぞれ用いて）製造され得る。このようにして、図２４〜２９の微小な（好ましくは、マイクロ粒子またはナノ粒子の）回路は、既知のモノリシック回路製造技術および／または薄膜製造技術を使用することにより、製造され得る。図３０〜３３は、いくつかの例示的な同調（振動性の）回路粒子の例示的な実施形態を示している。図３０は、図２５のＬＣ粒子の例示的な実施形態３０００を示している。例示的なＬＣ粒子３０００は、導電性のトレース３００８，３０１０を介してキャパシタ３００６と回路通信するインダクタ３００４を支持する基板３００２を備える。インダクタ３００４は、導電材料のスパイラル３０２０であり得る。キャパシタ３００６は、間隔を空けられた導電材料の２つのプレート３０２２，３０２４とその間の誘電体（図示されず）とによって形成され得る。プレート３０２２と導電経路３００８とは、プレート３０２４とインダクタ３０２０よりも下側に示されている。導電経路３００８は、ビア３０２１によってインダクタ３０２０に接続されている。図２０の電気絶縁材料２５００のカプセル化は、電気的に絶縁な材料３０２６の層により、少なくともインダクタ３００４と下側の基板３００２と協働する上側のキャパシタ３６００とを被覆することにより、実施され得る。図２５の露出された電気接触２５０２は、導電材料の露出したパッド３０３０として実施され得る。図３１は、図２８のＴＲＦ回路の例示的な実施形態３１００を示している。粒子３１００は、粒子３１００が追加的なインダクタ３１０２を有しているという点を除き、粒子３０００と同じものであり得る。インダクタ３１０２は、導電材料のスパイラル３１０４であり得、ビア３１０６により、インダクタ３００４とキャパシタ３００６とを接続するノード３００８と回路通信し得る。図３２は、図２６の整流タンク回路３２００の例示的な実施形態３２００を示している。粒子３２００は、粒子３２００が整流器３２０２を有しているという点を除き、粒子３０００と同じものであり得る。整流器３２０２は、当業者には周知なように、ｐ型領域（またはｎ型領域）３２０６と回路通信するｎ型半導体領域（またはｐ型領域）３２０４によって実施され得る。インダクタ３００４とキャパシタ３００６とを接続するノード３０１０は、ビア３２０８において整流器３２０２に接続され得る。同様に、露出したパッド３０３０は、ビア３２１０において整流器３２０２に接続され得る。図３３は、図２８の整流ＴＲＦ回路の例示的な実施形態３３００を示している。粒子３３００は、粒子３３００が整流器３２０２を有しているという点を除き、粒子３１００と同じものであり得る。図３２の整流器と同様に、整流器３２０２は、当業者には周知なように、ｐ型領域（またはｎ型領域）３２０６と回路通信するｎ型半導体領域（またはｐ型領域）３２０４によって実施され得る。インダクタ３００４とキャパシタ３００６とを接続するノード３０１０は、ビア３２０８において整流器３２０２に接続され得る。同様に、露出したパッド３０３０は、ビア３２１０において整流器３２０２に接続され得る。圧電結晶によって形成された粒子は、例えばＢｌｉｌｅｙ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．，  Ｅｒｉｅ，ＰＡのような、様々な商業的ソースから入手することができる。例えばネオン、アルゴンのような希ガス族のガスは、比較的低いＲＦ信号強度において、比較的大きな励起を示す。アルゴンを含む小さな粒子は、様々な商業的ソースから入手することができる。
【００３８】
本発明のＲＦ吸収エンハンサーを標的化された細胞部位に到達させるための様々な手段が考えられてきた。ＲＦ吸収エンハンサーは、流体の一部として腫瘍に（例えば、注射によって）直接的に導入されたり、そのような流体の一部として患者の血液循環に（例えば、注射によって）導入されたり、身体外の細胞と混合されたり（エクスビボ）、マイクロピペットにより標的細胞に挿入されたりし得る。ナノ粒子のＲＦ吸収エンハンサーは、エアロゾル吸入器、舌下および粘膜の吸収、ローションおよびクリーム、および皮膚用パッチ剤によって導入され得る。ＲＦ吸収エンハンサーは、針およびシリンジを用いることにより、患者に直接導入され得る。代替的に、それらは、カテーテルまたはポートを介することにより、患者に注入され得る。それらは、例えば腫瘍または腫瘍の一部のような標的領域に直接注入され得る。代替的に、それらは、静脈（ＩＶ；ｉｎｔｒａｖｅｎｏｕｓ）系を介して注入され、患者の血管系を介することにより、標的細胞に搬送され得る。本発明のＲＦ吸収エンハンサーは、細胞表面と結合して標的細胞壁に結合し（例えば、キャリアとして単クローン抗体を使用するもの）、あるいは、細胞によってインターナライズされ得る（例えば、キャリアとしてリポソームとナノ粒子とを使用するもの）。本発明の特定のＲＦ吸収エンハンサー（例えば、キャリアとしてＴＩＬを使用するもの）は、標的細胞によってインターナライズされ得る。加えて、特定のＲＦ吸収エンハンサー（例えば、金属放射性の「シード」）を患者に外科的に配置することもまた、望ましくあり得る。
【００３９】
ＲＦハイパーサーミア生成信号は、ＲＦエンハンサーの選択されたパラメータに対応する周波数、例えば、１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，９１５ＭＨｚ，１．２ＧＨｚを有し得る。いくつかのＲＦ周波数、例えば、６．７８ＭＨｚ±１５．０ｋＨｚ；１３．５６ＭＨｚ±７．０ｋＨｚ；２７．１２ＭＨｚ±１６３．０ｋＨｚ；４０．６８ＭＨｚ±２０．０ｋＨｚ；９１５ＭＨｚ±１３．０ＭＨｚ；２４５０ＭＨｚ±５０．０ＭＨｚは、産業、科学、および医療用の（ＩＳＭ；ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ  ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  ａｎｄ  ｍｅｄｉｃａｌ）設備に割り当てられてきた。連邦規定のコードのタイトル４７のパート１８を参照のこと。１３．５６ＭＨｚの逐次的な倍音（ｈａｒｍｏｎｉｃｓ）である高周波数のハイパーサーミア生成ＲＦ信号は、だんだんと深い組織に浸透していくことが考えられてきた。例えば、２７．１２ＭＨｚのハイパーサーミア生成ＲＦ信号は、１３．５６ＭＨｚよりも深く浸透し、４０．６８ＭＨｚのハイパーサーミア生成ＲＦ信号は、２７．１２ＭＨｚよりも深く浸透し、５４．２４ＭＨｚのハイパーサーミア生成ＲＦ信号は、４０．６８ＭＨｚよりも深く浸透し、６７．８０ＭＨｚのハイパーサーミア生成ＲＦ信号は、５４．２４ＭＨｚよりも深く浸透し、８１．３６ＭＨｚのハイパーサーミア生成ＲＦ信号は、６７．８０ＭＨｚよりも深く浸透し得る、等（肌を不快なまでに加熱するか肌を焼くまでの高いＲＦ周波数まで続く）。最適な深さレベルは、使用される抗体、患者の身体のサイズ、標的領域の位置と深さ、および関連する腫瘍に基づいて選択される。上記で議論されたように、異なる複数の周波数を組み合わせること、例えば、（例えば１３．５６ＭＨｚのような）低周波数のＲＦ成分と（例えば４０．６８ＭＨｚのような）高周波数の成分とを組み合わせることは、同じハイパーサーミア生成ＲＦ信号によって異なる深さの組織を標的化するために、使用され得る。
【００４０】
例えば、図２６，２９，３２および３３のように、示されているいくつかの例示的な粒子は、整流器Ｄを備える。本明細書で開示されているいずれのＲＦ吸収エンハンサー粒子もまた、ＲＦ信号の整流を引き起こし、その結果、（標的化されたＲＦ吸収エンハンサーの場合は）標的細胞にダメージを与え、および／または、（一般のＲＦ吸収エンハンサーの場合は）標的領域における細胞にダメージを与えるＤＣ電流を生成するために、関連する整流器または復調器（例えば、振動性回路と回路通信するダイオードまたは水晶）を粒子の一部または全体に備えている。粒子は、例えばこのようにして、ダイオードを有するＬＣタンク回路（図２６）、ダイオードをその上に実装するＴＲＦ（同調無線周波数）型の回路（図２９）またはダイオードを有する圧電結晶を有し得る。そのようなＲＦ吸収エンハンサー粒子は、整流されたＲＦ電流のための電流経路を提供するために、例えば接地誘導パッド（ｇｒｏｕｎｄｅｄ  ｌｅａｄ  ｐａｄ）によって患者が接地されることを要求し得る。さらに、当業者には周知なように、ＲＦ吸収エンハンサーを用いるか用いないかに関わらず、本明細書から教示される任意のＲＦ処置に関連して、例えば接地誘導パッドによって、患者を接地し得る。すぐ上のこれらの例は、受信ＲＦ信号のみによって電力供給され、受信信号を復号化し、無線局からの信号以外に外部の電力源を有さない高インピーダンスのイアホンに電力供給するのに十分なエネルギーを生成する、単純なＴＲＦ鉱石ラジオに類似していると考えることができる。この用途における粒子とともに、これら回路へのダイオードの追加は、例えば４３℃の所望のハイパーサーミア温度を生成する追加的な加熱効果を引き起こすＲＦ信号に応答して、標的領域内、および／または、複数の標的細胞内および／または複数の標的細胞の間に、ＤＣ電流の流れを引き起こし得る。これら粒子のいずれにおける整流器も、いずれかの極性の（受信ＲＦ信号の半波整流のための）単一のダイオード、または、反対の極性の（ＲＦ信号の全波整流のための）一対のダイオードであり得る。
【００４１】
本明細書で記述されている任意のＲＦ吸収粒子は、単独で、あるいは、その他の粒子または本明細書で記述されている粒子のほぼすべての組み合わせ、および／または、ほぼすべての置換で使用され得る。例えば、標的領域の処置のために、複数の異なるＲＦ吸収粒子を用いることにより、同じ標的化されたキャリアまたは同じ標的化する成分を使用することは、有益であり得る。同様に、本明細書で記述されている任意のＲＦ吸収粒子のうちのいずれかは、単独で、あるいは、本明細書で記述されている標的化する成分または標的化されたキャリアのほぼすべての組み合わせ、および／または、ほぼすべての置換で使用され得る。同様に、いくつかの標的領域（例えば、いくつかの腫瘍）に対して、例えば、内部に複数の異なる変異を有し得る悪性腫瘍に対しては、ＲＦ吸収エンハンサーにおいて、複数の異なる標的化する成分または標的化されたキャリアを使用することは、最適であり得る。したがって、ＲＦ吸収エンハンサーの標的化する成分、あるいは、ＲＦ吸収エンハンサーの標的化されたキャリアのほぼすべての組み合わせまたは置換は、本明細書で記述されているほぼすべての（複数の）ＲＦ吸収粒子の組み合わせおよび／または置換に添加され、本明細書の教示にしたがって使用されるＲＦ吸収エンハンサーを生成し得る。
【００４２】
本明細書で記述されているＲＦ吸収粒子のいくつか、例えば、金のナノ粒子、銅のナノ粒子、マグネシウムのナノ粒子、アルゴンが充填されたビーズ、本明細書で言及された任意の硫酸化金属の水溶液、アルゴンが充填されたその他の中空のナノ粒子、および任意の有機金属は、１３．５６ＭＨｚのハイパーサーミア生成ＲＦ信号に適合し得る。これらＲＦ吸収粒子を使用するＲＦ吸収エンハンサーはまた、１３．５６ＭＨｚの第２または第３の高調波と同程度の周波数を有するような、わずかに高い周波数で有効になることが期待されている。
【００４３】
一般のＲＦ吸収エンハンサーおよび／または標的化されたＲＦ吸収エンハンサーに使用されるいくつかの粒子は、上記共振周波数におけるＲＦエネルギーまたはその他の電磁エネルギーが、その他の周波数よりも遥かに大きな加熱を発生するように、自身に関連する１つ以上の共振周波数を有し得る。このようにして、本発明のシステムおよび方法にしたがうと、（一般または標的化された）ＲＦ吸収エンハンサー粒子の１つ以上の共振周波数を、ハイパーサーミアを形成するのに使用される１つ以上の電磁的な周波数に適合させることは、有益であり得る。加えて、ナノ粒子のサイズは、製造許容範囲の範囲内で変動し得、一般に、製造許容範囲を顕著に小さくすると、費用が高くなる。このようにして、ハイパーサーミアを形成するのに使用される単一の周波数に対し、その１つの周波数に関連するナノ粒子の名目的なサイズ（例えば、上記周波数における共振周波数を有するナノ粒子の名目的なサイズ）が存在し得る。しかしながら、その１つのサイズのみでナノ粒子を製造する費用は、法外に高くあり得る。その結果、費用の観点から、ＲＦ吸収エンハンサー粒子として、大きなサイズ許容範囲を有するナノ粒子を使用することは、有益（すなわち、低費用）であり得る。しかしながら、大きなサイズ許容範囲を有するナノ粒子のサンプルにおける粒子は、大幅に異なる複数の共振周波数を有し得る。したがって、特定のエネルギー吸収エンハンサー粒子によってハイパーサーミアを形成するように、周波数変調（ＦＭ）された信号を使用することは、有益であり得る。ハイパーサーミアを生成するのに使用されるＦＭ信号のパラメータは、エネルギー吸収エンハンサー粒子として使用される粒子の特定のサンプルに対応するように選択され得る。ＦＭハイパーサーミア生成信号の中心周波数は、エネルギー吸収エンハンサー粒子として使用される名目的なサイズの粒子の共振周波数に対応し得、ＦＭハイパーサーミア生成信号の変調は、エネルギー吸収エンハンサー粒子として使用される粒子のサイズ許容範囲に対応し得る。例えば、ハイパーサーミア生成ＲＦ信号は、３００〜５００ＫＨｚまたはそれ以上の周波数偏差を有するＦＭ信号によって変調され得、ＦＭ偏差内の共振周波数を有する任意の粒子は、振動して加熱を発生し得る。ハイパーサーミアを生成するのに使用されるＦＭ信号に関連して使用される標的化されたＲＦ吸収エンハンサー粒子は、標的の細胞の共振周波数の範囲を効果的に変化させる、すなわち、共振周波数の範囲を標的の細胞に追加すると考えることができる。このようにして、標的の細胞の１つ以上の共振周波数の範囲を決定しようとする代わりに、標的の細胞の共振周波数の範囲は、本発明のシステムと方法とにしたがうと、どんな周波数範囲がハイパーサーミアを形成するのに所望されている場合でも、効果的に変化させられ得る。本明細書に記述されているすべての実施形態により、エネルギー促進粒子のパラメータに対応するハイパーサーミアを生成するのに使用される信号に対し、周波数または周波数の範囲が選択され得、あるいは、概パーサーミアを生成するのに使用される信号に対し、周波数または周波数の範囲に対応するエネルギー吸収粒子が選択され得る。現存するその他の温熱療法のデバイスを、本明細書で議論されているようにＦＭハイパーサーミア生成ＲＦ信号を使用するように改変することは、有益であり得る。同様に、現存するその他の温熱療法を、本明細書で議論されているようにＦＭハイパーサーミア生成ＲＦ信号を使用するように改変することは、有益であり得る。
【００４４】
加えて、本明細書で議論されている任意の実施形態において、ハイパーサーミアを生成するのに使用されるＲＦ信号は、パルス化され変調されたＦＭ  ＲＦ信号か、または、パルス固定周波数信号であり得る。パルス化された信号は、比較的高い最大出力レベル（例えば、１０００ワット以上の「バースト（ｂｕｒｓｔ）」パルス、または、約１０％から約２５％の負荷サイクルを有する１０００ワットの信号）を許容し得、（標的化されたエンハンサーの場合は）周囲の細胞に、（一般のエンハンサーの場合は）周囲の領域に有害な影響を引き起こすような高温にまで上昇させることなしに、ＲＦ吸収エンハンサー粒子において、より高い局所的な温度（例えば、４３℃）を形成し得る。
【００４５】
いくつかのシステムは、赤外線サーモグラフィおよびサーマルＭＲＩと共にセンサを使用することにより、あるいは、レントゲン撮影手段を使用することにより、身体内の温度を遠隔的に決定するように使用され得る。そのような遠隔的に決定された温度は、ハイパーサーミアを生成するように送達された信号の電力を制御するように、フィードバックとして使用され得る。例えば、遠隔的に測定された温度は、ハイパーサーミア生成信号の電力を制御して、生成された温度を特定の温度設定ポイント（例えば４３℃）に維持するように、コントローラ（例えば、ＰＩＤコントローラまたは比例コントローラまたは比例−積分コントローラ）への入力信号として、使用され得る。
【００４６】
同様に、特定の放射性同位体の位置は、放射免疫療法の画像化のためのレントゲン撮影手段を使用することにより、遠隔的に決定され得る。したがって、本明細書で議論された任意の実施形態において、ＲＦ吸収エンハンサーは、（例えば、特定の放射性同位体、量子ドット、色のついた色素、蛍光色素、等のような）自身に追加または添加された物質を有し得る。上記物質は、ＲＦ吸収エンハンサーに導入されたときに、ＲＦ吸収エンハンサーの位置を遠隔的に決定するように使用され得る。すなわち、物質の位置が決定され、ＲＦ吸収エンハンサーの位置は、その物質の位置から推定できる。別の方法では、これら物質は、ＲＦ吸収エンハンサーが導入される前か後に導入され、ＲＦ吸収エンハンサーの位置を遠隔的に決定するように使用され得る。体内においてその位置が（例えば、ＣＴスキャナ、ＰＥＴスキャナ、および、そのような物質によって放射された粒子を検出することが可能なその他のシステムを用いることにより）モニタされ得る放射性同位体の例は、以下を含む：テクネチウム９９ｍ、放射性ガリウム、（ＰＥＴスキャンに対して）２ＦＤＧ（１８−Ｆ−２デオキシグルコースまたは１８−Ｆ−２フルオロデオキシグルコース）、ヨウ化物−１３１、陽電子放射ヨウ化物１２４、銅−６７、銅−６４、ルテチウム−１７７、ビスマス−２１３、レニウム−１８６、アクチウム−２２５、Ｉｎ−１１１、ヨウ化物１２３、ヨウ化物−１３１。これらのうちの任意の１つ以上は、ＲＦ吸収エンハンサーに追加され得る。これらのいくつか、例えば、テクネチウム９９ｍ、放射性ガリウム、２ＦＤＧ，ヨウ化物−１３１、銅−６７、銅−６４、ルテチウム−１７７、ビスマス−２１３、レニウム−１８６、アクチウム−２２５、およびＩｎ−１１１はまた、顕著な量のＲＦエネルギーを吸収し、その結果ＲＦ吸収促進粒子として機能し得、標的細胞または標的領域の温度を所望の温度レベルに上昇させるのに十分なＲＦエネルギーを吸収し、遠隔位置の決定を可能にする。そのように決定された位置は、一般のＲＦ吸収エンハンサーまたは標的化されたＲＦ吸収エンハンサーの位置のフィードバックを提供することにより、ハイパーサーミア生成ＲＦ信号によって領域または身体のどの部分が加熱され得るのかを知らせるように使用され得る。例えば、これら粒子の位置は（一般的なＲＦ吸収エンハンサーまたは標的化されたＲＦ吸収エンハンサーの位置と干渉することによって）、定期的に決定され得（すなわち、モニタされ）、標的化されたＲＦ吸収エンハンサーの十分な部分が所望の位置に存在するときに、ハイパーサーミア生成ＲＦ信号が印加される。別の例として、これら粒子の位置は（一般的なＲＦ吸収エンハンサーまたは標的化されたＲＦ吸収エンハンサーの位置と干渉することによって）、定期的に決定され得（すなわち、モニタされ）、ＲＦ吸収エンハンサーが過剰に拡散しているとき、または、所定の位置から動かされているときに、ハイパーサーミア生成ＲＦ信号は、停止され得る。このようにして、ＲＦ吸収エンハンサーの位置は、ＰＥＴスキャナ、ＣＴスキャナ、Ｘ線デバイス、質量分析器、または専門のＣＴスキャナ（例えば、Ｐｈｉｌｌｉｐｓ  Ｂｒｉｌｌｉａｎｃｅ  ＣＴ）、およ��／または、赤外線ＭＲＩ、近赤外線ＭＲＩ、サーマルＭＲＩ、ならびに、その他の光学的および／または熱的なスキャナを介することにより、決定され得る。ＰＥＴ走査に際し、画像化／処置のための既知の例示的な物質は、（ａ）細胞傷害性の薬剤（ｃｙｔｏｘｉｃ  ａｇｅｎｔ）に結合したＰＥＴ放射性金属に結合した抗体（または、標的化するペプチド）と、（ｂ）ベータ放射の放射性ヌクレオチドに結合したＰＥＴ放射性金属に結合した抗体（または、標的化するペプチド）とを含む。本明細書の教示にしたがうと、ＰＥＴ画像化をＲＦ生成ハイパーサーミアと組み合わせるために、１つ以上のＲＦ吸収粒子が、これらの物質に添加され得る（あるいは別の方法では、１つ以上のＲＦ吸収粒子が、細胞傷害性の薬剤またはベータ放射の放射性ヌクレオチドのいずれかを置換し得る）。このように、ＰＥＴ放射性金属に添加されたファージ表示（ｐｈａｇｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）のための抗体はまた、本明細書で議論されたＲＦ吸収粒子のうちのいずれか１つ以上に添加され得る。画像化とＲＦハイパーサーミア療法とのこの組み合わせは、ＰＥＴ，赤外線、近赤外線、およびＭＲＩで達成され得る。
【００４７】
画像化技術は、腫瘍（例えば、腫瘍または腫瘍の一部）へのＲＦ吸収エンハンサーの注入（または、そうでない場合は導入）をガイドするように使用され得る。注入の後、ハイパーサーミア生成ＲＦ信号は、標的領域に当てられ、感熱性の画像化は、ＲＦ信号によって生成される熱をモニタし、おそらくはＲＦ信号の電力を直接制御するのに使用され得る。その後、伝統的な方法を使用した追加的な３Ｄ画像化が、ハイパーサーミアの結果を決定するように使用され得る。加えて、ＲＦ吸収エンハンサーの画像化のために、例えば、感熱画像化、色のついた点、量子ドットのような、画像化の組み合わせが考えられる。
【００４８】
例えば一般のＲＦ吸収エンハンサー、標的化されたＲＦ吸収エンハンサー、温度を遠隔的に決定するための放射性同位体、遠隔的に位置することが可能な放射性同位体、等のいくつかの物質は、患者に注入されるものとして記述されてきた。これらのいくつかまたはすべては、針を有する注射器を使用して注入されることが期待される。針は、注入の後、または、ハイパーサーミアを生成するようにＲＦ信号が印加される前に患者から取り外され得る。別の方法では、前述の１つ以上を注入するように使用される針は、所定の場所に残され、ＲＦ吸収エンハンサーとして使用され得る。すなわち、針は、ＲＦ信号の存在下で加熱し得る選択されたいくつかのものから形成され得る。このように、通常の針は、ＲＦ吸収エンハンサーとして使用され得る。加えて、針は、ＲＦハイパーサーミア生成信号の選択された周波数で共振するように変更され得る。例えば、針の先端は、例えば針の先端において１／４波長コイルを含むように改変され得る。これによって、加熱が加速される。例えば、約１３．５６ＭＨｚのＲＦ周波数において、針の先端のまわりに被覆された（さらにおそらくは、例えばエナメルコーティングのように、電気的な絶縁体で被覆された）約６巻きの２２ゲージワイヤまたは２４ゲージワイヤは、針の先端においてＲＦ吸収を大いに促進し得、ＲＦ信号を受ける針の先端に高温部分を効果的に形成する。それに加えて、またはその代わりに、１つ以上のＲＦ吸収エンハンサーを注入するように使用される針は、その先端に外部の回路と回路通信する温度センサを有し、標的領域の温度を決定し得る。上記で議論されたように、この決定された温度は、標的領域の所望の温度を維持するために、ＲＦ信号の電力を制御するように使用され得る。
【００４９】
ウィルス（およびリポソームおよびおそらくはその他のキャリア）はまた、例えば、標的細胞の表面に取り込まれ得るタンパク質を製造するための遺伝子（またはその他の生体分子）を搬送するウィルス（および／またはリポソームおよび／またはその他のキャリア）を有し、標的化された細胞をより識別可能にし、標的化されたＲＦエンハンサーによって容易に添加されやすくすることにより、ＲＦ吸収エンハンサーに対する標的領域および標的化された細胞の受容性を高めるようにも使用され得る。例えば患者は、細胞を身体から取り除き、組織培養において細胞を成長させ細胞の個数を増やし、身体の外部で細胞を感染させ（エクスビボ）、その後それら細胞を再び患者に挿入することにより、ウィルスに感染させられ得る。あるいは、ウィルスは、身体または腫瘍に直接的に導入され得る（インビボ）。加えて、そのような標的化する遺伝子を有するウィルスはまた、例えばリポソームまたは微量注入液のようなその他の手段により、標的細胞に送達され得る。一旦、標的細胞が表面膜に取り込まれるタンパク質を製造すると、１投与量の標的化されたＲＦ吸収エンハンサーが身体に導入され、標的化されたキャリアそのものは、標的化された細胞膜における新しいタンパク質を標的化し、添加される。顕著な個数の標的化されたＲＦ吸収エンハンサーが新しいタンパク質に添加されるのを待機した後、ハイパーサーミア生成ＲＦ信号は、標的領域に伝送され、標的細胞は、致死量の熱またはその他の治療法を補強する用量の熱が与えられる。
【００５０】
再び図面を参照すると、図２は、ＲＦ信号２７０を、標的領域２８０を介することにより、ＲＦ受信器２５０と回路通信する受信ヘッド２６８まで伝送する、送信ヘッド２１８と回路通信するＲＦ送信器２００を有する例示的な実施形態を示している。ＲＦ送信器２００は、多重周波数の送信器であり、第１のＲＦ信号生成器２０４を含んでいる。第１のＲＦ信号生成器２０４は、第１の周波数Ｆ１、例えば１６メガヘルツの周波数の第１の信号を生成する。第１のＲＦ信号生成器２０４は、ＲＦ組み合わせ回路２１２と回路通信する帯域通過フィルタＢ．Ｐ．１  ２０６と回路通信する。帯域通過フィルタＢ．Ｐ．１  ２０６は、その他の周波数の信号が第１のＲＦ信号生成器２０４に到達するのを防ぐ単方向性の帯域通過フィルタである。
【００５１】
ＲＦ送信器２００は、第２のＲＦ信号生成器２０８を含む。第２のＲＦ信号生成器２０８は、例えば６メガヘルツ信号のような第２の周波数Ｆ２の第２の信号を生成する。第２の信号生成器２０８は、ＲＦ組み合わせ回路２１２とも回路通信する帯域通過フィルタＢ．Ｐ．２  ２１０と回路通信する。帯域通過フィルタＢ．Ｐ．２  ２１０は、その他の周波数の信号が第２のＲＦ信号生成器２０８に到達するのを防ぐ。随意的に、ＲＦ組み合わせ回路２１２は、第１および第２の信号がその他の信号生成器に流れるのを防ぐ回路を含み、これにより、帯域通過フィルタＢ．Ｐ．１  ２０６と帯域通過フィルタＢ．Ｐ．２  ２１０とに対するニーズを排除する。
【００５２】
ＲＦ組み合わせ回路２１２は、周波数Ｆ１の第１の信号と周波数Ｆ２の第２の信号とを組み合わせ、ＲＦ信号２７０を出力する。好ましくは、ＲＦ組み合わせ回路２１２は、第１のメータ２１４と回路通信する。第１のメータ２１４は、ＲＦ信号２７０の信号強度を検出するように使用される。ＲＦ信号２７０は、送信ヘッド２１８を介し標的２８０を通って受信ヘッド２６８に伝送される。随意的に、プラグ型のコネクタ２１６，２６６は、それぞれ、送信ヘッド２１８と受信ヘッド２６８との容易な接続／切断を可能にするように提供される。好ましくは、受信ヘッド２６８は、第２のメータ２６４と回路通信する。第２のメータ２６４は、受信ヘッド２６８によって受信されたＲＦ信号の強度を検出する。ＲＦ信号の強度における第１のメータ２１４と第２のメータ２６４との差は、標的領域２８０によって吸収されたエネルギーを計算するように使用され得る。受信ヘッド２６８はまた、ＲＦスプリッタ２６２と回路通信する。ＲＦスプリッタ２６２は、再び、ＲＦ信号２７０を、その成分である周波数Ｆ１の第１の信号と、周波数Ｆ２の第２の信号とに分裂させる。ＲＦスプリッタ２６２は、第１の同調回路２５４と回路通信する帯域通過フィルタＢ．Ｐ．１  ２５６と回路通信する。同様に、ＲＦスプリッタ２６２は、第２の同調回路２５８と回路通信する帯域通過フィルタＢ．Ｐ．２  ２６０と回路通信する。随意的に、帯域通過フィルタＢ．Ｐ．１  ２５６および帯域通過フィルタＢ．Ｐ．２  ２６０は、スプリッタまたは電力供給されたティー（ｔｅｅ）によって置換され得る。
【００５３】
第１の同調回路２５４は、受信ヘッド２６８の少なくとも一部が周波数Ｆ１で共鳴するように調整される。同様に、第２の同調回路２５８は、受信ヘッド２６８の少なくとも一部が周波数Ｆ２で共鳴するように調整される。受信ヘッド２６８は周波数Ｆ１とＦ２とで共鳴するため、ＲＦ信号２７０は、標的領域２８０を通過することを余儀なくされる。
【００５４】
随意的に、上記で示されたのと同様なＲＦ送信器を有しており、ＲＦ組み合わせ回路を含んでいない例示的な実施形態が提供される。その代わりに、ＲＦ送信器は、多重周波数の送信ヘッドを使用する。この実施形態において、送信ヘッドの第１の部分は、第１の周波数の信号を送信するように使用され、第２の部分は、第２の周波数の信号を送信するように使用される。加えて、随意的に、受信ヘッドおよび共振回路は、複数の部分（特定の部分が特定の周波数の信号を受信するように調整されている）を有する受信ヘッドを提供することにより、スプリッタを必要とせずに構成される。そのような送信ヘッドの例の詳細は、以下で詳細に示される。
【００５５】
図２は、受信ヘッドよりも大きな送信ヘッドを使用することによりＲＦ信号を特定の標的領域に集中させる別の手段を示している。大きな送信ヘッド２１８によって送信されたＲＦ信号２７０は、ＲＦ信号２７０が送信ヘッド２１８の近くよりも受信ヘッド２６８の近くでより多く集中するような方法で、受信ヘッド２６８によって受信される。ＲＦ信号２７０がより多く集中すると、特定の領域２８２によって吸収され得るエネルギーの量は、より高くなる。このようにして、大きな送信ヘッドを標的領域２８０の一方の側に配置し、小さな受信ヘッド２６８を特定の標的領域２８２の近くの他方の側に配置することは、ＲＦ信号２７０を特定の標的領域２８２に集中させるための手段である。随意的に、ＲＦ受信器２５０における同調回路２５４，２５８のうちの１つ以上は、高Ｑ値または高「Ｑ」を有するように調整される。共振回路に高「Ｑ」を提供することは、調整されたヘッドがより多くの量のエネルギーを拾うことを可能にする。
【００５６】
図３〜６は、例示的な送信ヘッドと受信ヘッドとの複数の配置を示している。加えて、送信ヘッドおよび受信ヘッドは、金属のプレートであり得る。図３は、一様でない厚さ３１４を有する送信ヘッド３０２を示している。送信ヘッド３０２は、標的領域と接触する絶縁層３０８により、標的領域３０６から電気的に絶縁されている。同様に、受信ヘッド３０４は、絶縁層３１０から電気的に絶縁されている。絶縁層３１０は、標的領域３０６と直接的に接触し得る。絶縁層３０８，３１０は、送信ヘッドと受信ヘッドとを標的領域から電気的に絶縁する追加的な手段を提供する。受信ヘッド３０４はまた、一様でない厚さ３１４および３１６を有する。受信ヘッド３０４は、送信ヘッド３０２よりも小さく、その前面に小さな断面領域を有している。受信ヘッド３０４の小さな断面領域は、特定の標的領域にＲＦ信号を集中することを容易にする。
【００５７】
図３Ａは、図３の送信ヘッド３０２の例示的な実施形態の面の図を示している。送信ヘッド３０２は、複数の別個の送信ヘッド３１４，３１６を含んでいる。送信ヘッド３１４は、例えば４メガヘルツのような第１の周波数での信号の伝送を提供する。送信ヘッド３１６は、例えば１０ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、または、上記で言及された１３．５６ＭＨｚの低次の倍音（例えば２７．１２ＭＨｚ）のような、第２の周波数での信号の伝送を提供する。好ましくは、送信ヘッド３１４および３１６は、互いに電気的に絶縁されている。加えて、各送信ヘッドに対して電力出力が制御され、特定の標的領域のサイズ、形状、または深さに基づき、特定の領域において電力出力が増加または減少することを可能にすることが好ましい。随意的に、送信ヘッド３１４のすべては、同じ電力出力を提供し、送信ヘッド３１６は、同じ電力出力を提供する。
【００５８】
明らかに、送信ヘッドは、別個の送信ヘッドを任意数含み得る。さらに、送信ヘッドは、複数の周波数の信号を伝送し得る。上記送信ヘッドは、１個、２個、３個、等の異なる複数の周波数の信号を伝送する送信ヘッドを含むが、それらには限定されない。それらのすべては、本発明の精神および範囲の中にあり、本発明の精神と範囲で考えられる。
【００５９】
図４は、さらに追加的な例示的な実施形態を示している。図４は、波状の表面４１２を有する送信ヘッド４０２と、波状の表面４１４を有する受信ヘッド４０４とを示している。その他の有用な表面の構成は、凸凹状（ｂｕｍｐｙ）の表面、平面状の表面、一様でない表面、こぶ状（ｍｏｕｎｄｅｄ）の表面、円錐状の表面、および、くぼみ状の表面を含む。様々な表面の形状は、可変性の加熱制御の深さを可能にする。受信ヘッド４１４の形状は、より薄く、より狭く（図示されず）、そして、一般の標的領域４０６に位置する特定の標的領域４１０のサイズと形状とに基づいて選択される。
【００６０】
図５は、非侵襲的な送信ヘッド５０２と侵襲的な針５１２とを用いる例示的な実施形態を示している。この実施形態において、針５１２の端部は、少なくとも部分的に一般の標的領域５０６の内部かつ特定の標的領域５１０の近くに配置される。針５１２は、好ましくは中空であり、針５１２の内部に延長部５１４を有する。針５１２の端部が特定の標的領域５１０の近くに配置されると、延長部５１４が延長し、特定の標的領域５１０に付着される。好ましくは、特定の標的領域５１０は、ＲＦ吸収エンハンサー５１６の大量の集中により、標的化されている。標的領域５１０そのものは、受信ヘッドになる。延長部５１４は、共振回路との回路通信を提供し、標的領域５１０は、所望の周波数で共鳴する。複数の延長部を提供することは、特定の標的領域５１０の同等以上の加熱を提供する。この実施形態は、ＲＦ信号が小さな領域に集中することを可能にする。
【００６１】
図６は、送信ヘッドと受信ヘッドとのさらに別の例示的な実施形態を示している。この実施形態において、送信ヘッド６０２は、第１の送信ヘッド部６０４と、第２の送信ヘッド部６０６とを含む。第１および第２の送信ヘッド部６０２，６０４は、絶縁部材６０８によって互いに電気的に絶縁されている。同様に、受信ヘッド６１２は、第１の受信部６１４と、第２の受信部１６とを有し、それらは絶縁部材６１８によって互いに電気的に絶縁されている。相互が電気的に絶縁されている複数の送信ヘッド部を提供することは、様々な形状およびサイズの標的領域を加熱するのに使用され得る複数の周波数を使用することを可能にする。異なる周波数は、より厚い標的領域、より薄い標的領域、またはより深い標的領域の加熱するために使用され、標的領域全体のより一様な加熱、または、所望される最大の加熱を可能にする。別の例示的な実施形態（図示されず）は、送信ヘッド部を形成する複数の同心円を含み、それらは、相互に電気的に分離または絶縁されている。
【００６２】
図７は、標的領域にハイパーサーミアを誘導するハイレベルな例示的な方法７００を示している。本方法は、ブロック７０２で開始する。ブロック７０４において、送信ヘッドが配置される。送信ヘッドの配置は、例えば標的領域の一方の側かつその近くに送信ヘッドを配置することによって達成される。ブロック７０６において、受信ヘッドが配置される。受信ヘッドの配置は、送信ヘッドを介して受信ヘッドに伝送されるＲＦ信号が標的領域を通過し得るように、標的領域の他方の側かつその近くに受信ヘッドを配置することによって同様に達成される。ブロック７０８において、ＲＦ信号は、送信ヘッドから受信ヘッドに伝送される。ＲＦ信号は、標的領域における細胞を通過して加温する。本方法は、ブロック７１０で終了し、所定の時間間隔の後に、および／または所望の加熱が達成されたという決定に応答して終了し得る。
【００６３】
図８は、標的領域にハイパーサーミアを誘導するハイレベルな例示的な方法８００を示している。方法は、ブロック８０２で開始する。ブロック８０４において、ＲＦ送信器が提供される。ＲＦ送信器は、ＲＦ周波数が変化または選択されることを可能にする任意の種類のＲＦ送信器であり得る。好ましくは、ＲＦ送信器は、可変周波数のＲＦ送信器である。随意的に、ＲＦ送信器はまた、多重周波数のＲＦ信号を提供することが可能な多重周波数の送信器であり得る。なおもさらに、随意的に、ＲＦ送信器は、可変振幅またはパルス化された振幅を有するＲＦ信号を伝送することが可能である。
【００６４】
好ましくは、送信ヘッドおよび受信ヘッドの異なる種類の様々な形状およびサイズが提供される。送信ヘッドは、ブロック８０６で選択される。送信ヘッドの選択は、提供されるＲＦ送信器の種類に一部基づき得る。例えば一般の標的領域または処置される特定の標的領域の深さ、サイズ、形状、ならびに、伝送される周波数の個数のような、その他のファクターもまた、送信ヘッドの選択を決定する際に使用され得る。
【００６５】
ＲＦ受信器は、ブロック８０８で提供される。ＲＦ受信器は、ＲＦ送信器の周波数（単数または複数）に調整される。ブロック８１０において、所望の受信ヘッドが選択される。送信ヘッドの選択と同様に、好ましくは、受信ヘッドは、特定のアプリケーションの所望の特性にフィットするように選択される。例えば、小さな断面を有する受信ヘッドは、特定の標的領域にＲＦ信号を集中させるように選択され得る。受信ヘッドの様々なサイズおよび形状は、所望の標的領域におけるＲＦ信号の最適な集中を可能にする。
【００６６】
標的領域におけるＲＦ吸収は、ブロック８１２において促進される。例えば、ＲＦ吸収率は、水溶液を注入することによって、好ましくは、導電性の材料の懸濁粒子を含む水溶液を注入することによって促進され得る。随意的に、標的領域におけるＲＦ吸収は、上記で議論されたように、標的領域を１つ以上の標的化されたＲＦ吸収エンハンサーにさらすことによって促進される。
【００６７】
送信ヘッドと受信ヘッドとの配置は、それぞれブロック８１４とブロック８１６とで実行される。送信ヘッドおよび受信ヘッドは、標的領域のいずれかの側かつその近くに配置される。送信ヘッドおよび受信ヘッドは、標的領域から絶縁されている。好ましくは、ヘッドは空隙を用いることにより、標的領域から絶縁されている。随意的に、ヘッドは絶縁材料を用いることにより、標的領域から絶縁されている。ＲＦ周波数（単数または複数）は、ブロック８１８で選択され、ＲＦ信号は、ブロック８２０で伝送される。好ましくは、所望のＲＦ周波数（単数または複数）をブロック８１８で選択することに加え、伝送の時間または持続時間もまた、選択される。例えば、持続時間は、特定の時間の長さに設定されるか、または、標的領域の少なくとも一部の温度を所望の温度／温度範囲（例えば、１０６°と１０７°との間）へと上昇させるように設定されるか、または、所望の温度変化に設定される。加えて、随意的に、ＲＦ信号のその他の改変は、この時点で選択される。例えば、上記の改変は、振幅、パルス化された振幅、ＲＦ信号のオン／オフ・パルスレート、可変ＲＦ信号のようなものであり、ＲＦ信号の周波数は、設定された時間にわたって変動するか、あるいは、設定された温度または温度の範囲または温度の変化に関連して変動し得る。本方法は、ブロック８２２で終了し、所定の時間間隔の後に、および／または所定の加熱が達成されたという決定に応答して終了し得る。
【００６８】
図９は、標的細胞にハイパーサーミアを誘導する例示的なインビトロ方法９００を示している。例示的なインビトロ方法９００は、ブロック９０２で開始する。ブロック９０４において、処置されるべき細胞は、患者から抽出され、容器に配置される。取り出された細胞は、１つ以上の標的細胞を含み、例えば針や注射器を用いた任意の方法によって抽出される。ブロック９０６において、ＲＦエンハンサーと結合した抗体は、抽出された細胞に提供され、さらされる。ＲＦエンハンサーと結合した抗体は、抽出された細胞の大きな方のセットに含まれる複数の細胞のうちの１つ以上に添加される。
【００６９】
ＲＦ送信器およびＲＦ受信器は、それぞれブロック９１０および９１２で提供される。送信ヘッドは、ブロック９１６において、容器内の標的細胞の一方の側かつその近くに配置される。ブロック９１８において、受信ヘッドは、標的細胞の他方の側かつその近くに配置される。ＲＦ信号は、例えば１０６°と１０７°との間にまで標的細胞の温度を上昇させるように、ブロック９１８で伝送される。
【００７０】
図１０は、細胞を分離する例示的なインビトロ方法１０００を示している。例示的なインビトロ方法は、ブロック１００２で開始する。ブロック１００４において、処置されるべき細胞は、患者から抽出され、容器に配置される。抽出された細胞は、１つ以上の標的細胞を含み、例えば針や注射器を用いた任意の方法によって抽出される。ブロック１００６において、磁性粒子（磁性の標的化されたＲＦ吸収エンハンサー）と結合した標的化するキャリア（本来の標的化する成分を有するもの、または、上記キャリアに結合した標的化する成分）は、抽出された細胞に提供され、さらされる。磁性の標的化されたＲＦ吸収エンハンサーは、抽出された細胞の大きな方のセットに含まれる複数の標的細胞のうちの１つ以上に添加される。磁気コイルは、ブロック１０１０で提供され、ブロック１０１２で励起される。標的化する成分に結合した標的細胞は、磁場に引き寄せられる。その後、標的化する成分に結合した標的細胞は、その他の細胞から分離される。標的細胞は、残りの細胞から１つ以上の標的細胞を掬い取ることにより、または、１つ以上の標的細胞を容器の１つ以上の領域に保持し、その他の細胞を取り除くことにより、分離され得る。本方法は、１つ以上の標的細胞がその他の細胞から分離された後に、ブロック１０２０で終了する。
【００７１】
図１１に示されるように、本発明にしたがう例示的なシステム１１００は、送信ヘッド１１０４を介して標的領域１１０６にＲＦエネルギーを転送するＲＦ生成器１１０２を有し得る。送信ヘッド１１０４は、コイルまたはその他のインダクタ１１１０に動作可能なように結合されたプレート１１０８を有し得る。そのような構成において、ヘッド１１０４は、ハイパーサーミア生成ＲＦ信号を伝送および／または受信するために、それ自身が共振回路を構成するか、または、構成要素とり得る。プレート１１０８は、コイルまたはその他のインダクタ１１１０と回路通信し得る。例えば、ＲＦ生成器１１０２は、ＹＡＥＳＵブランドのＦＴ−１０００ＭＰ  Ｍａｒｋ−Ｖトランシーバの送信部のような、市販の送信器であり得る。ハイパーサーミア生成信号は、ＹＡＥＳＵブランドのＦＴ−１０００ＭＰ  Ｍａｒｋ−Ｖトランシーバの送信部によって、当業者には周知な特定の遮断成分を切り落とす（ｃｌｉｐ）ことにより、約１３．５６ＭＨｚ（ＩＳＭ設備に対してＦＣＣが認可した周波数のうちの１つ）で生成され得る。ＲＦ生成器１１０２および送信ヘッド１１０４は、自身と回路通信するか自身と一体化した例えば自動または手動のアンテナ同調回路のような関連するアンテナ同調回路（図示されず）を有し、送信ヘッド１１０４および標的領域１１０６（および、もしあれば、その他の受信ヘッド）のインピーダンスを調整し得る。ＹＡＥＳＵブランドのＦＴ−１０００ＭＰ  Ｍａｒｋ−Ｖトランシーバの送信部は、そのような一体型のアンテナ同調回路を有する（「同調（Ｔｕｎｅ）」ボタンを押すと、ＲＦ生成器部に提示された負荷を、ユニットに自動的に調整させる）。ＲＦ生成器１２０２および送信ヘッドは、自身と回路通信するか自身と一体化した例えば自動または手動のアンテナ同調回路のような関連するアンテナ同調回路（図示されず）を有し、標的領域１２０６および受信器１２１２，１２１４の組み合わせのインピーダンスを調整し、そこでの変化を補償し得る。ＹＡＥＳＵブランドのＦＴ−１０００ＭＰ  Ｍａｒｋ−Ｖトランシーバの送信部は、そのような一体型のアンテナ同調回路を有する。以下で説明されるように、プレート１１０８とコイル１１１０との様々な構成が可能である。例えば円柱状のインダクタのコアの中心軸のようなコイルの中心軸は、標的領域に向けられ得る。
【００７２】
図１２Ａに例示されるように、本発明にしたがう例示的なシステム１２００は、送信ヘッド１２０４（この送信ヘッド１２０４は、コイルまたはその他のインダクタ１２１０に動作可能なように結合されたプレート１２０８を有し得る）を介し、標的領域１２０６を通過し、負荷１２１４に結合された受信ヘッド１２１２にＲＦエネルギーを伝送する、ＲＦ生成器１２０２を有し得る。受信ヘッド１２１２は、コイルまたはその他のインダクタ１２１８に動作可能なように結合されたプレート１２１６を有し得る。ＲＦ生成器１２０２は、ＹＡＥＳＵブランドのＦＴ−１０００ＭＰ  Ｍａｒｋ−Ｖトランシーバの送信部のような、市販の送信器であり得、上記で議論されたように、１３．５６ＭＨｚの信号を生成するように改変され得る。ＲＦ生成器１２０２および送信ヘッド１２０４は、自身と回路通信するか自身と一体化した例えば自動または手動のアンテナ同調回路のような関連するアンテナ同調回路（図示されず）を有し、送信ヘッド１２０４、標的領域１２０６、および、受信器１２１２，１２１４の組み合わせのインピーダンスを調整し、そこでの変化を補償し得る。ＹＡＥＳＵブランドのＦＴ−１０００ＭＰ  Ｍａｒｋ−Ｖトランシーバの送信部は、そのような一体型のアンテナ同調回路を有する。負荷１２１４は、非誘導的な抵抗性の負荷（例えば、接地した電力抵抗器）と同程度に単純であり、結合したＲＦエネルギーを散逸させ得る。以下で説明されるように、プレート１２０８，１２１６およびコイル１２１０，１２１８の様々な構成が可能である。
【００７３】
図１２Ｂに例示されるように、本発明にしたがう例示的なシステム１２２０は、送信ヘッド１２０４を介し、標的領域１２０６を通過し、受信ヘッド１２１２にＲＦエネルギーを伝送する、組み合わせのＲＦ生成器／負荷１２２２を有し得、これはまた、組み合わせのＲＦ生成器／負荷１２２２にも結合され得る。組み合わせのＲＦ生成器／負荷１２２２は、例えばＹＡＥＳＵブランドのＦＴ−１０００ＭＰ  Ｍａｒｋ−Ｖトランシーバのような、市販のトランシーバであり得、上記トランシーバは、送信ヘッド１２０４、標的領域１２０６、および受信ヘッド１２１２のインピーダンスを自動的に補正することが可能な、内蔵の自動アンテナ同調回路を有する。ＲＦ信号を用いてハイパーサーミアを生成する際、ＹＡＥＳＵブランドのＦＴ−１０００  ＭＰ  Ｍａｒｋ−Ｖトランシーバは、ＲＦエンハンサーが使用されるか否かに依存して、十分な熱を生成しなくなり得る。したがって、出力は、送信ヘッドを介し、標的領域を通り、受信ヘッドに結合する前に、電力増幅器を用いて増幅される必要があり得る。中間の標的領域を定義する送信ヘッドと受信ヘッドとを有する図１２Ａおよび図１２Ｂの構成は、ＲＦ信号を用いて標的領域（例えば、腫瘍またはＲＦエンハンサーによって処置される腫瘍の一部）にハイパーサーミアを生成することに関しては、本出願の出願時点では、支持されている。
【００７４】
図１３〜１４に示されるように、（送信ヘッドとしておよび／または受信ヘッドとしての）例示的なヘッド１３００は、コイルまたはその他のインダクタ１３０４に動作可能なように結合された導電性材料のプレート１３０２を有し得、インダクタ１３０４の軸は、プレート１３０２の表面１３０５に対してほぼ垂直または実質的に垂直に延伸し得る。そのような構成において、ヘッド１３００は、ハイパーサーミア生成ＲＦ信号を伝送および／または受信するために、それ自身が共振回路を構成するか、または、構成要素となり得る。導電性材料１３０２のプレートは、実質的に一様な厚さの平坦な導電性材料から形成される略円形のプレートであり得る。プレート１３０２の特定の特性（表面領域、厚さ、材料、等）は、特定のアプリケーションに依存し得、標的領域に向けられた電磁放射の周波数（単数または複数）に大いに依存し得る。プレート１３０２は、例えば銅、銀メッキされた銅またはブロンズから形成され、自立（ｓｅｌｆ−ｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇ）するか支持構造（図示されず）によって支持されるのに十分な厚さであり得る。プレート１３０２の表面領域は、標的領域のサイズに依存し得、大きな標的領域に対しては、大きなプレートが使用され得る。プレート１３０２の表面領域は、使用されるハイパーサーミア生成ＲＦ信号の周波数に依存し得、例えば２７．１２ＭＨｚまたは４０．６８ＭＨｚの高い周波数よりも例えば１３．５６ＭＨｚの低い周波数に広いプレートが使用され、使用されるハイパーサーミア生成ＲＦ信号の周波数の調整を助ける。
【００７５】
同様に、インダクタ１３０４の特定の特性（インダクタの個数、各インダクタのインダクタンス、各々の全長、各々の材料、各々の材料寸法、各々の巻き数、各々のコイル直径、各々のコイルコア材料、等）は、特定のアプリケーションに依存し得、標的領域に向けられた電磁放射の周波数（単数または複数）に大いに依存し得る。高いＲＦ周波数（例えば、約１００ＭＨｚおよびそれよりも高い周波数）において、インダクタ１３０４は、まっすぐな導線であり得る。インダクタ１３０４は、低いＲＦ周波数（例えば、約１３．５６ＭＨｚ）において、図に示されているような、導電性材料のコイル１３０４として構成され得る。インダクタ１３０４がコイルである場合、コイル１３０４は、コア１３０６を用いて形成され、上記コアは、例えば中心軸１３０７のような軸を有し得、上記軸は、プレート１３０２の表面１３０５にほぼ垂直または実質的に垂直であり得る。複数の周波数の電磁放射が標的領域に向けられる場合、対応する複数の電気的に絶縁なインダクタは、標的領域に向け、表面１３０５からほぼ垂直または実質的に垂直に延伸し得る。複数の電気的に絶縁なインダクタのうちのいくつかまたはすべては、コイルであり得、それらのうちのいくつかまたはすべては、同軸上にあり、なおかつ共通のコア１３０６を共有し得る。図１３に示されるように、インダクタ１３０４は、プレートの中心点１３０８（例えば、領域の中心または重心または軸の中心）から距離１３０９だけ間隔を空けられ得る。同様に、インダクタ１３０４の軸１３０７は、ある距離（図示されず）だけプレートの中心点１３０８から間隔を空けられ得る。図１４に示されるように、ヘッド１３００は、ＲＦ生成器（送信ヘッドの場合）、または負荷（受信ヘッドの場合）のいずれかと回路通信する関連する電気的コネクタ１３１２を有し得る。以下で記述されるように、プレート１３０２は、ポイント１３１０において、インダクタ１３０４と電気的に接続され得る。別の方法では、プレート１３０２は、インダクタ１３０４から電気的に絶縁され得る。上記インダクタは、プレートがインダクタ１３０４とは異なるように構成されること、例えば、プレート１３０２がインダクタ１３０４から独立に調整されるかまたは接地されることを可能にし得る。このようにして、コネクタ１３１２は、プレート１３０２および／またはインダクタ１３０４と回路通信し得、プレート１３０２およびインダクタ１３０４は、各々が関連するコネクタを有し得る。以下で議論されるように、コイル１３０４の他方の端部１３１４は、自由であるか、または、例えば可変キャパシタであり得るキャパシタのような同調回路に接続され得る。
【００７６】
約１３．５６ＭＨｚの周波数で使用する例示的なヘッドは、インダクタに電気的に接続された約１０インチの厚さの平坦な銅のほぼ円形状のディスクとして形成されたプレートを有し得る。上記インダクタは、プレートから約３インチ延伸する巻き線を用いて１インチの中空コアのまわりを周回し得る約６巻きの２２ゲージワイヤまたは２４ゲージワイヤから形成され得る。
【００７７】
図１５に示されるように、図１３〜図１４の２つの例示的ヘッド１３００は、送信ヘッド１３００ａおよび受信ヘッド１３００ｂの組として使用され得る。この構成において、送信ヘッド１３００ａは、コネクタ１３１２ａを介してＲＦ生成器と回路通信し、受信ヘッド１３００ｂは、コネクタ１３１２ｂを介して負荷と回路通信している可能性がある。ここにおいて、ＲＦ電磁エネルギーは、送信ヘッド１３００ａから受信ヘッド１３００ｂへと結合される。図１５に示されるように、そのような組は、プレート１３０２ａ、１３０２ｂおよびコイル１３０４ａ、１３０４ｂが異なる側に結合されている領域１５００を生成するように向きづけられ得る。より詳細には、送信ヘッド１３００ａおよび受信ヘッド１３００ｂは、領域１５００を生成するために、概ね互いに向き合っているそれらのプレート１３０２ａ、１３０２ｂ、互いに間隔をおいて配置されるそれらのインダクタ、および概ね互いに並行して延びるそれらの軸を用いて向きづけられ得る。領域１５００は、従って、面１５０２ａ近位プレート１３０２ａ、面１５０２ｂ近位プレート１３０２ｂ、面１５０４ａ近位インダクタ１３０４ａ、および面１５０４ｂ近位インダクタ１３０４ｂによって束縛される。この構成において、インダクタ１３０４ａの遠位端１５０２ａ、１５０２ｂは、それぞれ、反対プレート１３０２ｂ、１３０２ａの反対位置１５０８ｂ、１５０８ａと近位にあり、領域１５００を形成するのに役立つインダクタ１３０４ａ、１３０４ｂのオーバラップを生成することに留意されたい。この隣り合わせの構成において、ＲＦ電磁エネルギーが、インダクタ１３０４ａからインダクタ１３０４ｂに結合されることが予想される。同様に、ＲＦ電磁エネルギーがプレート１３０２ａからプレート１３０２ｂへと結合されることも考慮される。驚くことに、実質的に同等の周波数（またはそれらの高調波）に同調されたヘッド１３００ａ、１３００ｂの組は、歪み構成（プレートが互いに直接向き合ってなく、コイルの軸が歪んでいる）において配置され得、数フィート間隔において離され得、更に、ヘッド１３００ａからヘッド１３００ｂへのかなりのＲＦ電磁エネルギーの結合を可能にし得る。
【００７８】
他の例示的ヘッド構成は、例示的ヘッド１６００を示す（送信ヘッドおよび／または受信ヘッドとして）図１６〜図１７に示される。ヘッド１６００は、図１３〜図１４のヘッド１３００と多くの点において類似する。ヘッド１３００のように、ヘッド１６００は、コイルまたは他のインダクタ１６０４に動作的に結合された導電性材料のプレート１６０２、プレート１６０２の表面１６０５に対してインダクタ１６０４が概して垂直または実質的に垂直に延び得る軸を有し得る。そのような構成において、ヘッド１３００は、ハイパーサーミア生成ＲＦ信号の送信および／または受信のために共振回路の構成要素をそれ自体が構成し、またはその構成要素なり得る。以下に述べられるものを除いて、ヘッド１３００に対する上述の全ての論議は、ヘッド１６００にも適用する。インダクタ１６０４がコイルであった場合、コイル１６０４は、プレート１６０２の表面１６０５に対して、概してまたは実質的に垂直である中心軸１６０７のような軸を有し得るコア１６０６を使用して形成され得る。ヘッド１３００と違って、ヘッド１６００においては、インダクタ１６０４の軸１６０７はプレートの中心点と同軸であるように示される。ヘッド１６００がヘッド１３００のコイル１３０４と比べ、より近い間隔において配置されたコイル巻線を有するコイル１６０４を有することにも留意されたい。これは、コイル１６０４が、図１３のコイル１３０４より短く示されることを可能にする。図１７に示されるように、ヘッド１６００は、ＲＦ生成器（送信ヘッドの場合）、または負荷（受信ヘッドの場合）のどちらかと回路通信するために配置される関連電気コネクタ１６１２を有し得る。ここにおいて、ＲＦ電磁エネルギーは、送信ヘッド１３００ａから受信ヘッド１３００ｂへと結合される。後述されるように、プレート１６０２は、点１６１０においてインダクタ１６０４に電気接続され得る。代替として、プレート１６０２は、プレートがインダクタ１６０４と異なって構成されることを可能にし得る、例えば、プレート１６０２がインダクタ１６０４に対して独立して同調または接地されることを可能にし得る、インダクタ１６０４から電気絶縁され得る。従って、コネクタ１６１２は、プレート１６０２および／またはインダクタ１６０４と回路通信し得、プレート１６０２およびインダクタ１６０４の各々は、関連コネクタを有し得る。後述されるように、コイル１６０４の他方の端部１６１４は自由になり得または同調回路、例えば、可変コンデンサになり得るコンデンサに接続され得る。再度、上記されたものを除いて、ヘッド１３００に対する上述の全ての論議は、ヘッド１６００にも適用する。
【００７９】
図１６〜図１７の例示的ヘッドの組１６００は、送信ヘッド１６００ａおよび受信ヘッド１３００ｂの組として使用され得る。ここにおいて、送信ヘッド１６００ａは、コネクタ１６１２ａを介してＲＦ生成器と回路通信し、受信ヘッド１６００ｂは、コネクタ１６１２ｂを介して負荷と回路通信し、ＲＦ電磁エネルギーは、送信ヘッド１６００ａから受信ヘッド１６００ｂに結合される。そのような構成において、ヘッド１６００は、ハイパーサーミア生成ＲＦ信号の送信および／または受信のために共振回路の構成要素をそれ自体が構成し、またはその構成要素なり得る。ヘッド１６００の組が図１５に示されるものと同様に配置され得るが、インダクタの組が隣り合わせであり、プレートが互いに向き合っており、ヘッド１６００は、インダクタ１６０４がインダクタ１３０４よりかなり短いため、この構成に実際に適合（ｌｅｎｄ）されない。この構成に適合された場合、実質的により小さなターゲット領域および互いに直接向き合っていない対向プレートのかなりの部分があるであろう。ヘッド１６００は、図１８に示される構成に適合される。ここにおいて、ヘッド１６００ａ、１６００ｂの組は、「エンドファイアード（ｅｎｄ−ｆｉｒｅｄ）」構成において配置される。すなわち、コイル１６０４ａ，１６０４ｂは、コイルの端部が本質的に互いに向き合うように同軸である。図１８の構成において、プレート１６０２ａ，１６０２ｂは、互いに直接向き合う。以下により詳細に説明されるように、ＲＦ電磁エネルギーは、ヘッド１６００ａ，１６００ｂの間の領域１８００を介して送信ヘッド１３００ａから受信ヘッド１３００ｂに結合される。コイル１６０４ａ、１６０４ｂの中心軸、例えば、円柱インダクタコアの中心軸は、ターゲット領域に向けられ得る。
【００８０】
図１９は、図１８の「エンドファイアード」構成における２つのヘッド１６００ａ，１６００ｂを示す。ここにおいて、送信ヘッド１６００ａは、コネクタ１３１２ａに接続された同軸ケーブル１９００を介してＲＦ生成器と回路通信し、受信ヘッド１３００ｂは、コネクタ１３１２ｂに接続された同軸ケーブル１９０２を介して負荷と回路通信し、ＲＦ電磁エネルギーは、送信ヘッド１６００ａから受信ヘッド１６００ｂへ結合される。コネクタ１６１２ａ内のコンダクタ１９０４は、プレート１６０２ａおよびコイル１６０４ａと回路通信している。同様に、コネクタ１６１２ｂ内のコンダクタ１９０６は、プレート１６０２ｂおよびコイル１６０４ｂと回路通信している。１９１０，１９１２に概略的に示されるように、同軸ケーブル１９００，１９０２の遮蔽層は接地される。１９２０において比較的近い間隔において配置された光線によって概略的に示されるように、ＲＦ電磁エネルギーのかなりの結合がエンドファイアードインダクタ１６０４ａ，１６０４ｂの間に直接あることが考えられる。率はそれほど有意ではないが、１９３０においてより広い間隔において配置された光線によって概略的に示されるように、ＲＦ電磁エネルギーの更なる結合がプレート１６０２ａ，１６０２ｂの間にあることも考えられる。再度、驚くことに、同等の周波数（またはそれらの高調波）に実質的に同調されたそのようなヘッド１６００ａ，１６００ｂの組は、歪み構成（プレートが互いに直接向き合ってなく、コイルの軸が歪んでいる）において配置され得、数フィート間隔において離され、更に、ヘッド１６００ａからヘッド１６００ｂへのかなりのＲＦ電磁エネルギーの結合を可能にする。
【００８１】
図２０は、図１８および図１９の「エンドファイアード」構成における２つのヘッド１６００ａ，１６００ｂと比較して、以下を除いては同等である。ヘッド２０００ａ，２０００ｂは、インダクタ２００４ａ，２００４ｂから電気的に絶縁され、接地されたプレート２００２ａ，２００４ｂを有する。従って、図２０の構成においては、インダクタ２００４ａは、コネクタ２０１２ａに接続された同軸ケーブル１９００を介してＲＦ生成器と回路通信し、インダクタ２００４ｂは、コネクタ２０１２ｂに接続された同軸ケーブル１９０２を介して負荷と回路通信し、ＲＦ電磁エネルギーは、インダクタ２００４ａからインダクタ２００４ｂへ結合される。コネクタ２０１２ａ内のコンダクタ２０４０は、２００４ａと回路通信している。同様に、コネクタ２０１２ｂ内のコンダクタ２０４２は、コイル２００４ｂと回路通信している。１９１０，１９１２に概略的に示されるように、同軸ケーブル１９００，１９０２の遮蔽層は接地される。更に、２０４４，２０４６において概略的に示されるように、この構成においては、プレート２００２ａ，２００２ｂは接地される。２０２０において比較的近い間隔において配置された光線によって概略的に示されるように、ＲＦ電磁エネルギーのかなりの結合がエンドファイアードインダクタ２００４ａ，２００４ｂの間に直接あることが考えられる。
【００８２】
図２１Ａおよび図２１Ｂは、電磁放射線１９２０，２０２０をコイル１６０４ａ，２００４ａからコイル１６０４ｂ，２００４ｂへと結合する、図１８〜図２０に示されるエンドファイアードコイル１６０４ａ，１６０４ｂ，２００４ａ，２００４ｂを概略的に示す。図２１Ａにおいては、コイル１６０４ａ，２００４ａ，１６０４ｂ，２００４ｂの遠位端１６１４ａ，１６１４ｂ，２０１４ａ，２０１４ｂは、自由なものとして示される。代替的に、遠位端１６１４ａ，２０１４ａ，１６１４ｂ，２０１４ｂのどちらかまたは両方は、関連プレート１６０２，２００２があるか否かに関らず、電磁放射線１９２０，２０２０をコイル１６０４ａ，２００４ａからコイル１６０４ｂ，２００４ｂへと結合することを補助するために、能動または受動回路網に接続され得る。例えば、図２１Ｂに示されるように、コイル１６０４ａ，２００４ａ，１６０４ｂ，２００４ｂの遠位端１６１４ａ，２０１４ａ，１６１４ｂ，２０１４ｂのどちらかまたは両方は、電磁放射線をコイルからコイルへと結合することを補助するために、並行コンデンサＣ１，Ｃ２と回路通信している可能性がある。同様に、図２２Ａおよび図２２Ｂは、電磁放射線２２００をコイル１３０４ａから１３０４ｂへ結合する、図１５に示される隣り合わせのコイル１３０４ａ，１３０４ｂを概略的に示す。図２２Ａにおいては、コイル１３０４ａ，１３０４ｂの遠位端１３１４ａ，１３１４ｂは、自由なものとして示される。代替的に、遠位端１６１４ａ，１６１４ｂのどちらかまたは両方は、関連プレート１３０２があるか否かに関らず、電磁放射線２２００をコイル１３０４ａからコイル１３０４ｂへと結合することを補助するために、能動または受動回路網に接続され得る。例えば、図２２Ｂに示されるように、コイル１６０４ａ，１６０４ｂの遠位端１３１４ａ，１３１４ｂのどちらかまたは両方は、電磁放射線をコイルからコイルへと結合することを補助するために、並行コンデンサＣ３、Ｃ４と回路通信している可能性がある。対応プレートを有しない隣り合わせのコイル１３０４ａ，１３０４ｂは、それらの中心軸に沿った再放射のような再放射を互いから防ぐために、接地されたケージ、例えば、接地されたブロンズ遮蔽ボックスのようなファラデーケージ内に配置され得る。コイルとの回路通信における接地されていないプレートの使用は（例えば、図１３〜図１９）、プレート間にＲＦエネルギーを閉じ込める傾向にあり、これはファラデー遮蔽の必要性を回避し得る。例えば、プレートが約６”間隔において配置される、図１８の構成において配置され、送信される周波数に同調される上述された例示的ヘッドの組（１３．５６ＭＨｚ；巻線がプレートの表面から約３インチ延び、１インチの中空の周りの約６ターンの２２または２４のゲージワイヤから形成されたコイルに電気的に接続される、厚み約１０インチの平らな銅の円形に近いディスクとして形成されたプレート）に対して、送信されるＲＦは、基礎テストが示したように、ネオン管を使用して実質的にプレートの範囲内に残るように考えられる。
【００８３】
前述の任意のヘッドは、ハイパーサーミア生成ＲＦ信号の送信および／または受信のために使用され得る。
【００８４】
図２３は、標的領域２３０６を介してハイパーサーミア生成ＲＦエネルギーを受信ヘッド２３０４に結合する送信ヘッド２３０２と回路通信している例示的ＲＦ生成器２３００を示す。送信ヘッド２３０２と受信ヘッド２３０４との間の間隔は、必要ではないが好ましくは、異なるサイズの標的を適合させるように調節され得る。送信ヘッド２３０２および／または受信ヘッド２３０４は、例えば、ヘッド２３０２，２３０４間の間隔の差異および／または異なるターゲットによって引き起こされる、送信ヘッド２３０２と受信ヘッド２３０４との間のインピーダンスにおける差異を適合させるための回路網を有し得る。そのような回路網は、自動アンテナ整合回路網および／またはアンテナ整合のための手動調節可能可変構成要素、例えば、高電圧高電力ＲＦ可変コンデンサを含み得る。受信ヘッド２３０４は、無誘導性抵抗負荷（例えば、接地された電力抵抗器）のようにシンプルであり得る、結合されたＲＦエネルギーが散逸するための経路を提供する、負荷２３０８と回路通信している可能性がある。送信ヘッド２３０２および受信ヘッド２３０４の各々は、本明細書において示されおよび／または説明される様々な任意のヘッド構成のいずれかであり得る。送信ヘッド２３０２および／または受信ヘッド２３０４は、送信ヘッド２３０２によって送信されるかなりの量の電力が受信ヘッド２３０４によって受信されるまで、アンテナ整合のための任意の手動調節可能可変構成要素を調節するためにフィードバックとして使用され得る関連電力計を有し得る。一般に、そのような電力計は、ＲＦ生成器および／またはＲＦ受信器、および／または組み合わされたＲＦ生成器／受信器と個別または一体になり得る。個別の電力計が使用された場合、電力計は、送信ヘッド２３０２および受信ヘッド２３０４の同時調節および同調を容易にするために、送信ヘッド２３０２および受信ヘッド２３０４に対して遠隔に配置され得る。
【００８５】
図２３の例示的ＲＦ生成器２３００は、プリアンプ２３２４に選択可能周波数における約０．１ワットの電力レベルにおける信号２３２２を生成する水晶振動子２３２０を含む。信号２３２２は、可変負荷サイクルを行うために、例えば、可変負荷サイクルにおいてパルスＲＦ信号を提供するために、プリアンプ２３２４の前に修正され得る。上述されたように、所定のエネルギー吸収エンハンサー粒子を用いてハイパーサーミアを生成するために周波数変調（ＦＭ）ＲＦ信号を使用することは有益になり得る。従って、更にまたは代替的に、信号２３２２は、ＦＭ信号になるためにプリアンプ２３２４の前に修正され得る。例えば、プリアンプ２３２４は、信号２３２２を選択された変調周波数で変調し、信号をプリアンプ２３２４として増幅するために、増幅ＦＭ励振器によって置換され得る。ハイパーサーミアを生成するために使用されるＦＭ  ＲＦ信号のパラメータは、エネルギー吸収エンハンサー粒子として使用される粒子の特定サンプルに対応するように選択され得る。上述されたように、ＦＭハイパーサーミア生成ＲＦ信号の中心周波数は、エネルギー吸収エンハンサー粒子として使用される名目上にサイズ調節された粒子の共振周波数に対応し得、ＦＭハイパーサーミア生成ＲＦ信号の変調は、エネルギー吸収エンハンサー粒子として使用される粒子のサイズ許容範囲に対応し得る。
【００８６】
プリアンプ２３２４はＲＦ信号２３２２（または修正信号２３２２）を増幅し、中間電力増幅器２３２８に対して、約１０ワットの電力レベルにおいて信号２３２６を生成する。中間電力増幅器２３２８はＲＦ信号２３２６を増幅し、電力増幅器２３３２に対して、約１００ワットの電力レベルにて、ＲＦ信号２３３０を生成する。電力増幅器２３３２はＲＦ信号２３３０を増幅し、送信ヘッド２３０２に対して、０．００ワットから約１０００ワットの選択可能な電力レベルにて、選択可能な電力レベルＲＦ信号２３３４を生成する。電力計は、電力増幅器２３３２と送信ヘッド２３０２との間で回路通信するように配置され得、送信ヘッド２３０２へのＲＦ電力を計測する。同様に、電力計は、受信ヘッド２３０４と負荷２３０６との間で回路通信するように配置され得、受信ヘッド２３０４からのＲＦ電力を計測する。プリアンプ２３２４はハイブリッド増幅器であり得る。中間電力増幅器２３２８は、固体クラスＣの中間電力増幅器であり得る。電力増幅器２３３２は、ゼロバイアス・アースグリッドトライオード電力増幅器であり得、例えば、３ＣＸ１５０００Ａ７電力増幅器など、出力インピーダンスにおける変化によっても比較的影響されない。
【００８７】
示される例示的なＲＦ生成器２３００は、０．００ワットから約１０００ワットの調整可能な電力範囲にて、高電力固定周波数のハイパーサーミア生成ＲＦ信号を生成する。示される例示的なＲＦ生成器２３００は、選択された周波数または調整可能な周波数において、高電力固定周波数ハイパーサーミア生成ＲＦ信号を生成するように修正され得、それらのうちの任意はパルス変調またはＦＭ変調され得る。例えば、複数の別個の液晶、プリアンプ、およびＩＰＡは、例えば、１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚ、５４．２４ＭＨｚ、６７．８０ＭＨｚ、および８１．３６ＭＨｚ（図示されず）の異なる周波数におけるそれぞれにて、複数の周波数から選択された一つの周波数において、高電力のハイパーサーミアを生成する信号の生成のための電力増幅器２３３２に切り替え可能に接続され得る。
【００８８】
本発明は実施形態の記載によって示されており、その実施形態は一部の詳細において記載されているが、そのような詳細に請求の範囲を制限または限定するいかなる意図も、出願人は持ち合わせていない。さらなる利点および修正が当業者には明らかである。例えば、本明細書に記載される送信器回路および／または受信器回路のうちの任意のものは、実際には、本明細書において記載されるＲＦ吸収エンハンサ（一般および／またはターゲットの）の任意の組み合わせまたはその置換を用いて使用され得る。別の例として、ＲＦ信号（単一の周波数またはＦＭ変調された信号）は、例えば、方形波（例えば、３００Ｈｚ〜４００Ｈｚの方形波）などの別の信号で変調され得る。方形波を用いてＲＦ信号を変調することは、組織を刺激し、加熱を促進し得る。方形波は、利用される変調を強化し得る高調波を導入する。また、方形波は平均の負荷サイクルを変化させるために送信された信号をパルス化するために用いられ得る。別の例は、患者の全身体を治療するために、全身に誘発されたハイパーサーミアを含む。この例において、送信ヘッドおよび受信ヘッドは患者と同じ程度に大きく、ハイパーサーミアは全身に誘発される。血液を冷却することは、過熱を防ぐために必要とされ得、任意の方法において達成され得る。さらに、本明細書における方法の工程は、特定の工程が特定の順序において実行されるべきだとその状況が示していなければ、概して任意の順序にて実行され得る。さらに別の例として、本明細書の教示に従い、多くの標的化された、および標的化されていないＲＦ吸収エンハンサ、単独または組み合わせの任意を作成するためのキットはまた、本発明の範囲内であると考慮される。例えば、本明細書において教示された一つ以上のＲＦ吸収粒子を用いて、本明細書において教示された抗体、あるいは標的化されたキャリアまたは標的化されていないキャリアのうちの任意のものをラベリングするためのキットなどである。従って、本発明はまた、少なくとも第１のバイアルおよび第２のバイアルを備えるキットを考慮し、第１のバイアルは、本明細書において教示された、溶液中の抗体、あるいは標的化されたキャリアまたは標的化されていないキャリアのうちの任意の一つ以上を含み、第２のバイアルは、本明細書において教示された溶液中の任意の一つ以上のＲＦ吸収粒子を含む。それゆえ、より広範な局面において本発明は特定の詳細、代表的な装置および方法、ならびに、示され記載された例に限定されない。従って、出願人の一般的な発明の概念の趣旨および範囲から逸脱することなく、そのような詳細から展開がなされ得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図３Ａ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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