【事件の表示】
　特許第６６５５８３３号発明「スライス方法およびスライス装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６６５５８３３号の特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−３〕，４，〔５−９〕，１０，１１について訂正することを認める。
　特許第６６５５８３３号の請求項１−３，５−９，１１に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６６５５８３３号の請求項１〜１１に係る特許についての出願は，平成２８年３月３１日を出願日とする出願であって，令和２年２月６日にその特許権の設定登録がされ，令和２年２月２６日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は，以下のとおりである。
令和２年８月２６日：特許異議申立人中田義直（以下「申立人」という。）による請求項１〜３，５〜９，１１に係る特許に対する特許異議の申立て
令和２年１１月１０日付け：取消理由通知書
令和３年１月６日：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
令和３年３月９日：申立人による意見書の提出
第２　訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　令和３年１月６日提出の訂正請求書における訂正請求（以下「本件訂正請求」という。）は，次の訂正事項１〜５からなる。（下線部は訂正箇所を示す。）
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出工程と」とあるのを，「前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質
の一部
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４に「前記排出工程は，前記溶融した改質層物質の濡れ性を向上させて，当該溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように，前記改質層に電圧を印加する工程を有する，請求項１から３のいずれかに記載のスライス方法。」とあるのを，「
レーザ光を，集光部を介して被加工材の内部に集光させ，当該被加工材の内部における集光点近傍に改質層を形成する改質層形成工程と，
　
前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出工程と，
　
前記被加工材の内部に集光させた前記レーザ光を走査させることで，前記被加工材の内部に前記改質層により境界を形成する走査工程と，
　
前記改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程と，
を備え，
　
前記排出工程は，前記改質層形成工程の実行中に行われ，
　前記排出工程は，前記溶融した改質層物質の濡れ性を向上させて，当該溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように，前記改質層に電圧を印加する工程を有する
，ス
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項５に「前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出部と」とあるのを，「前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質
の一部
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１０に「前記排出部は，前記溶融した改質層物質の濡れ性を向上させて，当該溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように，前記改質層に電圧を印加する電圧印加部を有する，請求項５から９のいずれかに記載のスライス装置。」とあるのを，「
被加工材の内部に改質層を形成し，当該改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する基板のスライス装置であって，
　
レーザ光を，集光部を介して前記被加工材の内部に集光させ，当該被加工材の内部における集光点近傍に前記改質層を形成する改質層形成部と，
　
前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出部と，
　
前記集光部の温度を測定するための第１温度センサと，
　
前記被加工材の温度を測定するための第２温度センサと，
　
前記第１および第２の温度センサの測定結果に基づいて，前記改質層が融点以上，前記被加工材が融点以下および前記集光部が耐熱温度以下になるように排出部を制御する温度制御部と，
　
を備え，
　前記排出部は，前記溶融した改質層物質の濡れ性を向上させて，当該溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように，前記改質層に電圧を印加する電圧印加部を有する
，ス
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項１１に「前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出工程と」とあるのを，「前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質
の一部
（６）一群の請求項について
ア　訂正前の請求項１〜４について，請求項２〜４は請求項１を直接的又は間接的に引用しているものであって，訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって，訂正前の請求項１〜４に対応する訂正後の請求項１〜４は，特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
イ　訂正前の請求項５〜１０について，請求項６〜１０は請求項５を直接的又は間接的に引用しているものであって，訂正事項３によって記載が訂正される請求項５に連動して訂正されるものである。したがって，訂正前の請求項５〜１０に対応する訂正後の請求項５〜１０は，特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
ウ　また，訂正後の請求項４及び１０に係る訂正について，特許権者は，当該訂正が認められるときに，訂正前の一群の請求項とは別の訂正単位とすることを求めている。
２．訂正の目的の適否，新規事項の有無，特許請求の範囲の拡張・変更の存否及び独立特許要件について
（１）訂正事項１について
（１．１）訂正の目的の適否
　訂正事項１は，訂正前の請求項１に係る発明における「排出工程」において，訂正前の請求項１では溶融した改質層物質の一部が排出されるのか全部が排出されるのかが特定されていなかったところ，訂正後の請求項１では，溶融した改質層物質の一部が排出される旨を特定することで，特許請求の範囲を減縮しようとするものである。よって，訂正事項１は，特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（１．２）新規事項の有無
　訂正事項１について，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「特許明細書等」という。）の段落００５２には「改質層８の中で既レーザ照射部８ｆは溶融したＧａとして存在する」との記載があり，段落００５３には「被加工材１の端部においては，内圧により押し出された液体Ｇａが球状に凝固したＧａ部８ｇが生じる」との記載がある。また，特許明細書等の図３には，溶融したＧａの一部によって形成されたＧａ部８ｇが示されていると共に，溶融したＧａの残部である既レーザ照射部８ｆが被加工材１の外部に排出されずに存在していることが示されており（段落００５２及び段落００５３参照），同図４は，被加工材１の端部を情報から観察した写真であり，溶融したＧａが押し出され球状に凝固した部位８ｇが示されている（段落００５４参照。）。そうすると，特許明細書等には，「排出工程」において，溶融した改質層の全部ではなく一部が排出されることが記載されているものと理解できる。よって，訂正事項１は，特許明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり，特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項の規定に適合するものである。
（１．３）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１は，本件訂正前の請求項１に係る発明及び請求項２〜３に係る発明の発明特定事項を上位概念から下位概念にするものであり，カテゴリーや対象，目的を変更するものではないから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当しない。よって，訂正事項１は，特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条６項の規定に適合するものである。
（１．４）独立特許要件
　本件においては，訂正前の請求項１〜３，５〜９，１１について特許異議の申立がされているので，訂正前の請求項１〜３に係る訂正事項１に対して，特許法１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法１２６条７項の独立特許要件は課されない。
（２）訂正事項２について
（２．１）訂正の目的の適否
　訂正事項２は，訂正前の請求項４が訂正前の請求項１の記載を引用する請求項であったものを，独立形式の請求項へ改めるための訂正であって，特許法１２０条の５第２項ただし書４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものにすること」を目的とするものである。
（２．２）新規事項の有無
　訂正事項２は，何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから，特許明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり，特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項の規定に適合するものである。
（２．３）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
訂正事項２は，本件訂正前の請求項４を独立形式の請求項へ改める訂正であって，カテゴリーや対象，目的を変更するものではないから，特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条６項の規定に適合するものである。
（２．４）独立特許要件
　訂正事項２は，特許法１２０条の５第２項ただし書４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものにすること」を目的とする訂正であって，特許法１２０条の５第２項ただし書１号又は２号に掲げる事項を目的とする訂正ではないから，訂正後の請求項４に係る発明に対して，特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条７項の独立特許要件は課されない。
（３）訂正事項３及び５について
　訂正事項３及び５は訂正前の請求項５及び１１に対し訂正事項１と同様の訂正を行うものであるから，上記（１）で検討したのと同様にして，特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合するものである。
また，訂正後の請求項５及び１１に対して，特許法１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法１２６条７項の独立特許要件は課されない。
（４）訂正事項４について
　訂正事項４は，訂正前の請求項１０を，訂正前の請求項５を引用する形式から独立形式の請求項へ改める訂正であるから，上記（２）の検討と同様にして，特許法１２０条の５第２項ただし書４号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，特許法１２０条の５第９項において準用する特許法１２６条５項及び６項の規定に適合するものである。また，請求項１０に係る訂正事項４に対して，特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条７項の独立特許要件は課されない。
３．訂正の適否についてのまとめ
　以上のとおり，本件訂正請求による訂正は，特許法１２０条の５第２項ただし書１号又は４号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　したがって，特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−３〕，４，〔５−９〕，１０，１１について訂正することを認める。
第３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１〜１１に係る発明（以下，それぞれ「本件発明１」〜「本件発明１１」という。）は，訂正特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された以下の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　レーザ光を，集光部を介して被加工材の内部に集光させ，当該被加工材の内部における集光点近傍に改質層を形成する改質層形成工程と，
　前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質の一部を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出工程と，
　前記被加工材の内部に集光させた前記レーザ光を走査させることで，前記被加工材の内部に前記改質層により境界を形成する走査工程と，
　前記改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程と，
を備え，
　前記排出工程は，前記改質層形成工程の実行中に行われる，ことを特徴とするスライス方法。
【請求項２】
　前記排出工程は，前記被加工材を，前記改質層の融点以上，前記被加工材の融点以下かつ前記集光部の耐熱温度以下に加熱する，請求項１に記載のスライス方法。
【請求項３】
　前記排出工程は，前記溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように，前記被加工材の周囲を負圧にする工程を有する，請求項１または２に記載のスライス方法。
【請求項４】
　レーザ光を，集光部を介して被加工材の内部に集光させ，当該被加工材の内部における集光点近傍に改質層を形成する改質層形成工程と，
　前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出工程と，
　前記被加工材の内部に集光させた前記レーザ光を走査させることで，前記被加工材の内部に前記改質層により境界を形成する走査工程と，
　前記改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程と，
を備え，
　前記排出工程は，前記改質層形成工程の実行中に行われ，
　前記排出工程は，前記溶融した改質層物質の濡れ性を向上させて，当該溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように，前記改質層に電圧を印加する工程を有する，スライス方法。
【請求項５】
　被加工材の内部に改質層を形成し，当該改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する基板のスライス装置であって，
　レーザ光を，集光部を介して前記被加工材の内部に集光させ，当該被加工材の内部における集光点近傍に前記改質層を形成する改質層形成部と，
　前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質の一部を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出部と，
　前記集光部の温度を測定するための第１温度センサと，
　前記被加工材の温度を測定するための第２温度センサと，
　前記第１および第２の温度センサの測定結果に基づいて，前記改質層が融点以上，前記被加工材が融点以下および前記集光部が耐熱温度以下になるように排出部を制御する温度制御部と，
　を備える，スライス装置。
【請求項６】
　前記レーザ光と前記被加工材の間に前記レーザ光を透過するが，熱を遮断するフィルタを有する，ことを特徴とする請求項５に記載のスライス装置。
【請求項７】
　前記排出部は，前記被加工材と接触して加熱する接触式の熱源を有する，請求項５または６に記載のスライス装置。
【請求項８】
　前記排出部は，前記被加工材と接触せずに加熱する非接触式の熱源を有する，請求項５または６に記載のスライス装置。
【請求項９】
　前記排出部は，前記溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように，前記被加工材の周囲を負圧にする真空チャンバおよび真空ポンプを有する，請求項５から８のいずれかに記載のスライス装置。
【請求項１０】
　被加工材の内部に改質層を形成し，当該改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する基板のスライス装置であって，
　レーザ光を，集光部を介して前記被加工材の内部に集光させ，当該被加工材の内部における集光点近傍に前記改質層を形成する改質層形成部と，
　前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出部と，
　前記集光部の温度を測定するための第１温度センサと，
　前記被加工材の温度を測定するための第２温度センサと，
　前記第１および第２の温度センサの測定結果に基づいて，前記改質層が融点以上，前記被加工材が融点以下および前記集光部が耐熱温度以下になるように排出部を制御する温度制御部と，
　を備え
　前記排出部は，前記溶融した改質層物質の濡れ性を向上させて，当該溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように，前記改質層に電圧を印加する電圧印加部を有する，スライス装置。
【請求項１１】
　レーザ光を，集光部を介して被加工材の内部に集光させ，当該被加工材の内部における集光点近傍に改質層を形成する改質層形成工程と，
　前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質の一部を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出工程と，
　前記被加工材の内部に集光させた前記レーザ光を走査させることで，前記被加工材の内部に前記改質層により境界を形成する走査工程と，
　前記改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程と，
　を備え，
　前記排出工程は，前記溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように，前記被加工材の周囲を負圧にする工程を有する，ことを特徴とするスライス方法。」
第４　異議申立理由の概要
１．申立理由
　令和２年８月２６日付け特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由の概要は，本件特許の請求項１〜３，５〜９，１１に係る特許は，下記の申立理由Ａ〜Ｃのとおり，特許法１１３条２号又は４号に該当する，というものである。
・申立理由Ａ（新規性）
　本件訂正前の請求項１に係る発明は，甲１号証に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由Ｂ（進歩性）
　本件訂正前の請求項１〜３，５〜９，１１に係る発明は，甲１号証に記載された発明及び甲２号証〜甲６号証に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由Ｃ（実施可能要件）
　本件訂正前の請求項２及び５についての本件特許明細書の記載は，特許法３６条４項１号の規定に適合するものではないから，本件特許の請求項２及び５に係る特許は，同法１１３条４号に該当する。
２．証拠方法
　上記特許異議申立書とともに提出された証拠方法は，以下のとおりである。
甲１号証：米国特許出願公開第２０１３／０２４８５００号明細書及び部分訳文
甲２号証：特開２００３−１６８８２０号公報
甲３号証：特開平２−２９０６９０号公報
甲４号証：特開２００６−１６７７５６号公報
甲５号証：米国特許第６０７１７９５号明細書及び部分訳文
甲６号証：特開２０００−９４１７３号公報
第５　取消理由の概要
　訂正前の請求項１〜３，５〜９，１１に係る特許に対して，当審が令和２年１１月１０日付けの取消理由通知書により特許権者に通知した取消理由（以下「取消理由」という。）の概要は，以下のとおりである。
１．（新規性）請求項１に係る発明は，本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲１号証に記載された発明であり，特許法２９条１項３号に該当するから，請求項１に係る特許は，特許法２９条１項の規定に違反してされたものである。
２．（進歩性）請求項１〜３，５〜９，１１に係る発明は，本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲１号証に記載された発明並びに甲２号証〜甲５号証及び下記の周知例１に記載された事項に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，請求項１〜３，５〜９，１１に係る特許は，特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。
周知例１：特開２００８−１１４２２８号公報
第６　甲号証及び周知例の記載事項
１．甲号証の記載
（１）甲１号証の記載
　取消理由通知書で引用した甲１号証（米国特許出願公開２０１３／０２４８５００号明細書には，次の記載がある。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
「[0001] Group of the inventions relates to laser treatment of hard materials, in particular, to the method of separating surface layer of semiconductor crystals by means of a laser including laser cutting.」
（和訳：［０００１］一群の発明は硬質材料のレーザー処理に関し，特に，半導体結晶のレーザー切断を含む，レーザーによる半導体結晶の表層の分離方法に関する。）（和訳は当審で作成した。以下同じ。）
「[0009] In the preferred embodiment, a crystal or a crystal boule can be previously heated up to 100-1000℃. to avoid cracking of the crystal.」
（和訳：［０００９］好ましい実施形態によると，結晶または結晶ブールは，結晶の亀裂を回避するために，事前に１００〜１０００℃に加熱される。）
「Example 1
[0038] 
FIG. 3 shows the scheme 300 illustrating the first variation of the method by the example of separating the surface layer of the gallium nitride semiconductor crystal
 Laser beam is focused to the spot of 16 μm in diameter which provides energy density of 2 J/cm2
（和訳：実施例１
［００３８］
図３は，窒化ガリウム半導体結晶の表層を分離する実施例による方法の第１変形例を例示するスキーム３００を示す
レーザービームは，２Ｊ／ｃｍ２のエネルギー密度を提供する直径１６μｍのスポットに集束される
「[0039] 
Under action of the Nd:YAG laser beam 102 with wavelength λ=532 nm weakly absorbed in the gallium nitride crystal 101, focused under the upper crystal surface 105 at the depth of 100 μm, the crystal is locally heated up to temperature higher than 900℃. leading to chemical decomposition of gallium nitride crystal into gaseous nitrogen and liquid gallium in the vicinity 106 of the laser beam focus. Movement of the laser beam 102 focus at velocity of 1.5 cm/s in the horizontal (lateral) plane parallel to the crystal surface 105 through which laser beam enters the crystal, and perpendicular towards the axis 103 of the focused laser beam, lead to consequent decomposition of gallium nitride and to increase of width of the lateral cut 304 from left to right deep into the crystal. On achieving by the lateral cut 304 the right bound of the crystal in FIG. 3, continuity of the crystal 101 is disturbed and the upper layer 307 being higher the cut 304 is separated from the main crystal. To avoid cracking of the gallium nitride crystal caused by thermal stresses laser cutting is performed at temperature Tp=600℃
（和訳：［００３９］
１００μｍの深さで上部結晶面１０５下に集束され，窒化ガリウム結晶１０１に弱く吸収される，λ＝５３２ｎｍの波長を有するＮｄ：ＹＡＧレーザービーム１０２の作用下において，結晶が９００℃より高い温度に局所的に加熱されて，これにより窒化ガリウム結晶が，レーザービーム集束近傍１０６で窒素ガスおよび液体ガリウムに化学分解される。レーザービーム１０２集束が，レーザービームが結晶に入射する結晶面１０５に平行かつ集束レーザービームの軸１０３に直交する水平（横方向）面を１．５ｃｍ／ｓの速さで移動し，これに起因して窒化ガリウムの分解が起こり，左から右に結晶の奥深くに横方向切断３０４の幅が増加する。横方向切断３０４によって図３の結晶の右側境界面に到達すると，結晶１０１の連続性が乱され，切断３０４より高い上層３０７が主要結晶から分離される。熱応力によって窒化ガリウムに亀裂が起こるのを防ぐために，レーザー切断がＴｐ＝６００℃の温度で行われる
「  
FIG.3
」
（２）甲２号証の記載
　取消理由通知書で引用した甲２号証（特開２００３−１６８８２０号公報）には，次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，剥離方法及びレーザー光の照射方法及びこれらを用いた素子の製造方法に関する。更に詳しくは，レーザー光をライン状に照射することにより結晶層を剥離する剥離方法及びレーザー光の照射方法及びこれらを用いた素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ系化合物半導体により形成される半導体発光素子の製造方法の製造プロセスにおいて，サファイア基板上に形成されたＧａＮ系化合物結晶層を当該サファイア基板の裏面からレーザー光を照射することにより剥離する技術が知られている。
【０００３】例えば，特開２０００−１０１１３９号公報においては，サファイア基板上にＧａＮ層を形成し，
当該サファイア基板の裏面からレーザー光を照射することにより，ＧａＮ層を形成するＧａＮが分解され，当該ＧａＮ層からサファイア基板を剥離する技術が開示されている
「【００１８】レーザー光３の照射により結晶層２が分解され，基板１と結晶層２の結合が解放され，機械的な手法（例えば，チャッキングなど）により容易に基板１から結晶層２を剥離することが可能となる。
特に，結晶層２がＧａＮ系化合物結晶層である場合には，レーザー光３の照射により，基板１と結晶層２の境界付近に金属ガリウムが蓄積されることになるが，金属ガリウムの融点が３０℃程度であり，例えばレーザー光３が照射された積層体４をホットプレートなどで加熱することにより，基板１と結晶層２の接着力が低下し，基板１から容易に結晶層２を剥離することができる
また，金属ガリウムとともにＮ２ガスが発生するが，ライン状に成形されたレーザー光３をその長手方向と垂直な方向に順次照射していく場合，既にレーザー光３が照射され，基板１と結晶層２の結合力が低下した領域にＮ２が排気されることにより，過剰な応力が結晶層２に加わることがない。
（３）甲３号証の記載
　取消理由通知書で引用した甲３号証（特開平２−２９０６９０号公報）には，次の記載がある。
「［産業上の利用分野］
　この発明は，真空室の外部に設けられたレーザー発振装置から出射されたレーザー光を，透明な窓板を通過させて真空室内に導入することにより，
この真空室内に配設された被照射物にレーザー光を照射して実験等を行なう真空レーザー照射装置に関するものである
「まず構成を説明すると，第２図は，この実施例の真空レーザー照射装置の全体図を示し，図中符号１は載置台２上に載置された真空容器で，
この真空容器１内の真空室３は図示省略のバキューム装置により，高真空状態になるように設定されている
（第２頁左下欄７行〜１２行）
（４）甲４号証の記載
　取消理由通知書で引用した甲４号証（特開２００６−１６７７５６号公報）には，次の記載がある。
「【０００１】
　本発明は，レーザ溶接装置および溶接構造物の製造方法に関するものである。」
 
「【００２５】
　胴部２の側部には，窓状のレーザ光透過部材４が設けられている。このレーザ光透過部材４を介して密封容器外部から内部の溶接対象物に向けてレーザ光が照射される。レーザ光透過部材４の材料としては，溶接の際の温度や圧力等の環境に耐え得る材料であり，かつレーザ光のエネルギーを吸収しない材料が用いられる。これらの条件から，
レーザ光透過部材４の材料としては，石英ガラスを好適に用いることができる
「【００２８】
　また，
前記密封容器１の外部には，密封容器内部に連通する真空ポンプ（真空排気装置）２５が設けられている
（５）甲５号証の記載
　取消理由通知書で引用した甲５号証（米国特許第６０７１７９５号明細書）には，次の記載がある。
「In the specific embodiment, the laser radiation incident upon the sapphire donor substrate 104 may be 248 nm radiation from a KrF pulsed excimer laser having a pulse width of 38 ns. This radiation easily passes through the sapphire donor substrate 104 but is strongly absorbed by the GaN thin film 102 in a separation region 118. In this irradiation step 114, a relatively small laser beam preferably rasters the area of the film segment to be separated. The actual irradiation does not separate the film from its substrate. Because the irradiation process affects only the buried interface, 
the irradiation can be performed in either vacuum, air, or other ambient
（和訳：特定の実施形態では，サファイアドナー基板104に入射するレーザ放射は，38nsのパルス幅を有するKrFパルスエキシマーレーザからの248nm放射であってもよい。この放射線は，サファイアドナー基板104を容易に通過するが，分離領域118においてGaN薄膜102に強く吸収される。この照射ステップ114では，比較的小さなレーザビームは，好ましくは，分離されるフィルムセグメントの領域をラスタリングする。実際の照射は，フィルムを基板から分離することはない。照射工程は，埋設された界面のみに影響を与えるので，
照射は，真空中，空気中又は他の雰囲気中のいずれかで行うことができる
（６）甲６号証の記載
　甲６号証（特開２０００−９４１７３号公報）には，次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は，
レーザ加工機において，熱レンズ効果によって生ずるレンズの焦点位置の変動を調節するための装置およびその方法に関するものである
「【００１７】前記レンズ１８の側面には温度センサ３１が取付られ，その検出出力が制御装置３２に入力される。制御装置３２は温度センサの検出出力レベルに応じて，前記駆動モータ２３の回転方向及び回転量を決定し，それに従って駆動モータ２３を回転させる。」
「【００１９】さて，レーザ発振器（図示しない）からレーザビームが発振されて，ワーク１２に対する加工が行われている時には，制御装置３２は常時温度センサ３１を介してレンズ１８の温度を監視する。そして，レンズ１８の温度があらかじめ定められた範囲を逸脱すると，その逸脱量に応じた回転方向及び回転量で駆動モータ２３を回転させ，レンズホルダ１７を光軸方向へ移動させる。」
「【００２１】従って，この実施形態では以下のような効果を発揮する。
（１）
レーザ加工にともなうレンズ１８の温度の上昇に基づく熱レンズ効果によりレンズ１８が膨張して焦点距離が短くなる。この場合，温度センサ３１がレンズ１８の温度を検出し，焦点距離の変動分を補うように，制御装置３２が駆動モータ２３を駆動させる。この駆動に基づき，レンズホルダ１７を光軸方向の下降方向へ移動させ，レンズを適切な位置に配置させて，焦点位置をワーク１２の加工部と一致するように調節することができる
（２）・・・（以下略）・・・」
２．周知例の記載
　取消理由通知書で引用した周知例１（特開２００８−１１４２２８号公報）には，次の記載がある。
「【０００１】
　本発明は，レーザ加工機に関し，特に，状態診断を自動で実施可能なレーザ加工機に関するものである。」
「【００４２】
　また，加工レンズ１６２が汚れると，レーザビームが加工レンズ１６２を透過する際の温度上昇が大きくなる。たとえば図４−２に示すように，レンズモニタ出力と時間との関係を示す特性図において，レンズモニタ出力が該レンズモニタ出力の正常範囲の上限を定める正常上限値α３を上回った場合には，加工レンズ１６２が汚れているためメンテナンスが必要であると判断することができる。たとえば，レーザビームを３０秒間照射時のレンズモニタ出力が正常上限値α３を上回った場合には，加工レンズ１６２が汚れているためメンテナンスが必要であると判断することができる。ここで，
レンズモニタ出力としては，加工レンズ１６２の温度を検出する
第７　当審の判断
１．取消理由通知書に記載した取消理由について
１．１．取消理由１（２９条１項３号）について
（１）本件発明１について
（１．１）引用発明１
　上記第６の１．（１）の摘記から，特に，実施例１についての記載に注目すると，甲１号証には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「レーザビーム１０２を，窒化ガリウム結晶１０１の１００μｍの深さで上部結晶面１０５下に集束し，窒化ガリウム結晶１０１のレーザービーム集束近傍１０６で窒素ガスおよび液体ガリウムに化学分解を引き起こす工程と，
レーザービーム１０２を結晶に入射する結晶面１０５に平行かつ集束レーザービームの軸１０３に直交する水平（横方向）面を１．５ｃｍ／ｓの速さで移動し，これに起因して窒化ガリウムの分解が起こり，左から右に結晶の奥深くに横方向切断３０４の幅が増加し，横方向切断３０４によって結晶の右側境界面に到達すると，結晶１０１の連続性が乱され，切断３０４より高い上層３０７を主要結晶から分離される工程とを備え，
熱応力によって窒化ガリウムに亀裂が起こるのを防ぐために，レーザー切断がＴｐ＝６００℃の温度で行われる，
窒化ガリウム半導体結晶の表層を分離する方法。」
（１．２）対比
　本件発明１と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「レーザービーム１０２」及び「窒化ガリウム結晶１０１」は，本件発明１の「レーザ光」及び「被加工材」にそれぞれ相当する。また，引用発明１の「レーザービーム１０２」は「上部結晶面１０５下に集束」されていることから，本件発明１と同様に，「集光部を介して被加工材の内部に集光させ」ているものと理解できる。
イ　引用発明１の「窒化ガリウム結晶１０１のレーザービーム集束近傍１０６で窒素ガスおよび液体ガリウムに化学分解を引き起こす」ことは，本件発明１の「当該被加工材の内部における集光点近傍に改質層を形成する」ことに相当する。
ウ　上記ア，イから，引用発明１における「レーザビーム１０２を，窒化ガリウム結晶１０１の１００μｍの深さで上部結晶面１０５下に集束し，窒化ガリウム結晶１０１のレーザービーム集束近傍１０６で窒素ガスおよび液体ガリウムに化学分解を引き起こす工程」は，本件発明１における「レーザ光を，集光部を介して被加工材の内部に集光させ，当該被加工材の内部における集光点近傍に改質層を形成する改質層形成工程」に相当する。
エ　引用発明１は，「レーザー切断がＴｐ＝６００℃の温度で行われる」ものであるから，本件発明１と引用発明１は，ともに「前記被加工材を加熱する」「工程」を備える点で共通する。
オ　引用発明１における「レーザービーム１０２を結晶に入射する結晶面１０５に平行かつ集束レーザービームの軸１０３に直交する水平（横方向）面を１．５ｃｍ／ｓの速さで移動」させることは，本件発明１における「前記被加工材の内部に集光させた前記レーザ光を走査させること」に相当する。そうすると，引用発明１における「レーザービーム１０２を結晶に入射する結晶面１０５に平行かつ集束レーザービームの軸１０３に直交する水平（横方向）面を１．５ｃｍ／ｓの速さで移動し，これに起因して窒化ガリウムの分解が起こり，左から右に結晶の奥深くに横方向切断３０４の幅が増加し，横方向切断３０４によって結晶の右側境界面に到達すると，結晶１０１の連続体が乱され，切断３０４より高い上層３０７を主要結晶から分離される工程」は，本件発明１の「前記被加工材の内部に集光させた前記レーザ光を走査させる」「走査工程」に対応する。
カ　また，引用発明１における「レーザービーム１０２を結晶に入射する結晶面１０５に平行かつ集束レーザービームの軸１０３に直交する水平（横方向）面を１．５ｃｍ／ｓの速さで移動し，これに起因して窒化ガリウムの分解が起こり，左から右に結晶の奥深くに横方向切断３０４の幅が増加し，横方向切断３０４によって結晶の右側境界面に到達すると，結晶１０１の連続性が乱され，切断３０４より高い上層３０７を主要結晶から分離される工程」は，本件発明１における「前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程」に対応する。
キ　引用発明１における「窒化ガリウム半導体結晶の表層を分離する方法」は，本件発明１における「スライス方法」に相当する。
　以上によれば，本件発明１と引用発明１の一致点及び相違点は，以下のとおりである。
＜一致点＞
「レーザ光を，集光部を介して被加工材の内部に集光させ，当該被加工材の内部における集光点近傍に改質層を形成する改質層形成工程と，
　前記被加工材を加熱する工程と，
　前記被加工材の内部に集光させた前記レーザ光を走査させる走査工程と，
　前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程と，
を備える，
スライス方法。」
＜相違点１＞
　本件発明１では，「前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質の一部を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出工程」を備え，「前記排出工程は，前記改質層形成工程の実行中に行われる」のに対し，引用発明１では，当該「排出工程」が特定されていない点。
＜相違点２＞
　本件発明１では，「前記被加工材の内部に前記改質層により境界を形成する走査工程」及び「前記改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程」により被加工材のスライスを行っているのに対し，引用発明１では，「レーザービーム１０２を結晶に入射する結晶面１０５に平行かつ集束レーザービームの軸１０３に直交する水平（横方向）面を１．５ｃｍ／ｓの速さで移動」させ，「横方向切断３０４によって結晶の右側境界面に到達すると，結晶１０１の連続性が乱され，切断３０４より高い上層３０７を主要結晶から分離される」ことでスライスを行うものであり，「前記被加工材の内部に前記改質層により境界を形成する走査工程」及び「前記改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程」という２つの工程は特定されていない点。
（１．３）相違点についての判断
　上記相違点１について検討すると，甲２号証の段落００１８の記載によれば，金属ガリウムの融点は３０℃程度であることは技術常識であるから，「レーザー切断がＴｐ＝６００℃の温度で行われ」る引用発明１において，「窒化ガリウム結晶１０１のレーザービーム集束近傍１０６で窒素ガスおよび液体ガリウムに化学分解を引き起こす」，「レーザービーム１０２」を移動させることで「窒化ガリウムの分解が起こり，左から右に結晶の奥深くに横方向切断３０４の幅が増加」する際，レーザ照射箇所及びレーザ既照射箇所には液体ガリウムと窒素ガスが存在し，窒素ガスの圧力により液体ガリウムが外部へ排出されるものと理解できる。
　しかしながら，「前記溶融した改質層物質の一部を」「前記被加工材の外部に排出する」ことは，甲２号証の技術常識を参酌しても，引用発明１が備える事項であると認めることはできない。
　したがって，上記相違点１は，実質的な相違点である。
　よって，本件発明１と引用発明１は上記相違点１について相違するから，上記相違点２について判断するまでもなく，本件発明１は甲１号証に記載された発明ではない。
（２）取消理由１についてのまとめ
　以上のとおり，本件発明１は甲１号証に記載された発明ではないから，特許法２９条１項３号に該当する発明ではない。
１．２　取消理由２（２９条２項）について
（１）本件発明１について
ア　上記相違点１について検討すると，甲１号証の段落００３９には，「レーザービーム１０２」を移動させることで「窒化ガリウムの分解が起こり，左から右に結晶の奥深くに横方向切断３０４の幅が増加」することは記載されているが，「前記溶融した改質層物質
の一部
　また，甲２号証の段落００１８には，結晶層２がＧａＮ系化合物半導体である場合には，レーザー光３の照射により，基板１と結晶層２の境界付近に金属ガリウムが蓄積されることは記載されているが，改質層形成工程の実行中に前記被加工材を加熱して,前記溶融した改質層物質の一部を前記被加工材の外部に排出する排出工程については，記載も示唆もされていない。甲３〜甲５号証は，いずれもレーザー照射を真空において行うことは記載されているものの，上記相違点１に係る本件発明１の構成については，記載も示唆もされていない。さらに，周知例１にも，上記相違点１に係る本件発明１の構成については，記載も示唆もされていない。
　したがって，引用発明１において，甲１〜甲５号証及び周知例１に記載された技術的事項に基づいて，上記相違点１に係る本件発明１の構成とすることは，当業者が容易になし得たものとはいえない。
イ　上記相違点２について検討すると，引用発明１は，「レーザービーム１０２」を移動させることにより，「左から右に結晶の奥深くに横方向切断３０４の幅が増加し」，「横方向切断３０４によって結晶の右側境界面に到達すると」，「切断３０４より高い上層３０７を主要結晶から分離される」ものであり，「レーザービーム１０２」を移動させるという１つの工程によりスライスを行うものであるところ，それを「前記被加工材の内部に前記改質層により境界を形成する走査工程」及び「前記改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程」という２つの工程で行うように変更することは，記載も示唆もされていない。
　また，甲２号証〜甲５号証及び周知例１にも，上記相違点２に係る本件発明１の構成とすることについて，記載も示唆もされていない。
　したがって，引用発明１において甲１〜甲５号証及び周知例１に記載された技術的事項に基づいて，上記相違点２に係る本件発明１の構成とすることは，当業者が容易になし得たものとはいえない。
ウ　よって，本件発明１は，引用発明１，甲１〜甲５号証及び周知例１に記載された技術的事項から当業者が容易に想到し得た発明ではない。
（２）本件発明２〜３について
　本件発明２〜３は，いずれも本件発明１の全ての構成を有する発明であるから，本件発明１と同様に，引用発明１，甲１〜甲５号証及び周知例１に記載された技術的事項から当業者が容易に想到し得た発明ではない。
（３）本件発明５について
（３．１）引用発明１ａ
　上記１．１の（１）（１．１）で検討したとおり，甲１号証には，「窒化ガリウム半導体結晶の表層を分離する方法」の発明である引用発明１が記載されていることに照らすと，甲１号証には，当該方法を行う装置の発明として，次の発明（以下「引用発明１ａ」という。）が記載されているものと認められる。
「レーザビーム１０２を，窒化ガリウム結晶１０１の１００μｍの深さで上部結晶面１０５下に集束し，窒化ガリウム結晶１０１のレーザービーム集束近傍１０６で窒素ガスおよび液体ガリウムに化学分解を引き起こす手段と，
レーザービーム１０２を結晶に入射する結晶面１０５に平行かつ集束レーザービームの軸１０３に直交する水平（横方向）面を１．５ｃｍ／ｓの速さで移動し，これに起因して窒化ガリウムの分解が起こり，左から右に結晶の奥深くに横方向切断３０４の幅が増加し，横方向切断３０４によって結晶の右側境界面に到達すると，結晶１０１の連続性が乱され，切断３０４より高い上層３０７を主要結晶から分離する手段と，
熱応力によって窒化ガリウムに亀裂が起こるのを防ぐために，レーザー切断がＴｐ＝６００℃の温度で行われるようにする手段とを備えた，
窒化ガリウム半導体結晶の表層を分離する装置。」
（３．２）対比
　本件発明５と引用発明１ａを対比する。
ア　上記１．１の（１）（１．２）における本件発明１と引用発明１との対比を参照すると，引用発明１ａにおける「レーザビーム１０２を，窒化ガリウム結晶１０１の１００μｍの深さで上部結晶面１０５下に集束し，窒化ガリウム結晶１０１のレーザービーム集束近傍１０６で窒素ガスおよび液体ガリウムに化学分解を引き起こす手段」は，本件発明５における「レーザ光を，集光部を介して前記被加工材の内部に集光させ，当該被加工材の内部における集光点近傍に前記改質層を形成する改質層形成部」に相当する。
イ　本件発明５における「前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質の一部を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出部」と引用発明１ａにおける「熱応力によって窒化ガリウムに亀裂が起こるのを防ぐために，レーザー切断がＴｐ＝６００℃の温度で行われるようにする手段」は，「前記被加工材を加熱する」「手段」である点で共通する。
ウ　本件発明５における「被加工材の内部に改質層を形成し，当該改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する基板のスライス装置」と，引用発明１ａにおける「窒化ガリウム半導体結晶の表層を分離する装置」とは，「基板のスライス装置」である点で共通する。
　以上によれば，本件発明５と引用発明１ａの一致点及び相違点は，以下のとおりとなる。
＜一致点＞
「基板のスライス装置であって，
　レーザ光を，集光部を介して前記被加工材の内部に集光させ，当該被加工材の内部における集光点近傍に前記改質層を形成する改質層形成部と，
　前記被加工材を加熱する手段と，
　を備える，スライス装置。」
＜相違点１ａ＞
　本件発明５は，「前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質の一部を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出部」との構成を備えるのに対し，引用発明１ａは，「被加工材を加熱する」「手段」に対応する構成は備えているものの，上記「排出部」の構成は特定されていない点。
＜相違点２ａ＞
　「基板のスライス装置」について，本件発明５は，「被加工材の内部に改質層を形成し，当該改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する」ものであるのに対し，引用発明１ａは，当該構成を備えることが特定されていない点。
＜相違点３ａ＞
　本件発明５は，「前記集光部の温度を測定するための第１温度センサ」を備えるのに対し，引用発明１ａは，当該構成を備えることが特定されていない点。
＜相違点４ａ＞
　本件発明５は，「前記被加工材の温度を測定するための第２温度センサ」を備えるのに対し，引用発明１ａは，当該構成を備えることが特定されていない点。
＜相違点５ａ＞
　本件発明５は，「前記第１および第２の温度センサの測定結果に基づいて，前記改質層が融点以上，前記被加工材が融点以下および前記集光部が耐熱温度以下になるように排出部を制御する温度制御部」を備えるのに対し，引用発明１ａは，当該構成を備えることが特定されていない点。
（３．３）相違点についての判断
　上記相違点１ａ及び相違点２ａは，上記１．１の（１）（１．２）で認定した相違点１及び相違点２に，それぞれ対応するものである。そうすると，上記１．２の（１）ア，イで検討したのと同様に，引用発明１ａにおいて，甲１〜甲５号証及び周知例１に記載された技術的事項に基づいて，上記相違点１ａ及び相違点２ａに係る本件発明５の構成とすることは，当業者が容易になし得たものとはいえない。
　したがって，上記相違点３ａ〜５ａについて検討するまでもなく，本件発明５は，引用発明１ａ，甲１〜甲５号証及び周知例１に記載された技術的事項から当業者が容易に想到し得た発明ではない。
（４）本件発明６〜９について
　本件発明６〜９は，いずれも本件発明５の全ての構成を有する発明であるから，本件発明５と同様に，引用発明１，甲１〜甲５号証及び周知例１に記載された技術的事項から当業者が容易に想到し得た発明ではない。
（５）本件発明１１について
ア　上記１．１の（１）（１．２）における本願発明１と引用発明１の対比を参照しつつ本件発明１１と引用発明１を対比すると，両者の一致点及び相違点は以下のようになる。
＜一致点＞
「レーザ光を，集光部を介して被加工材の内部に集光させ，当該被加工材の内部における集光点近傍に改質層を形成する改質層形成工程と，
　前記被加工材を加熱する工程と，
　前記被加工材の内部に集光させた前記レーザ光を走査させる走査工程と，
　前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程と，
を備える，
スライス方法。」
＜相違点１ｂ＞
　本件発明１１では，「前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質の一部を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する排出工程」を備えるのに対し，引用発明１では，当該「排出工程」が特定されていない点。
＜相違点２ｂ＞
　本件発明１１では，「前記被加工材の内部に前記改質層により境界を形成する走査工程」及び「前記改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程」により被加工材のスライスを行っているのに対し，引用発明１では，「レーザービーム１０２を結晶に入射する結晶面１０５に平行かつ集束レーザービームの軸１０３に直交する水平（横方向）面を１．５ｃｍ／ｓの速さで移動」させ，「横方向切断３０４によって結晶の右側境界面に到達すると，結晶１０１の連続性が乱され，切断３０４より高い上層３０７を主要結晶から分離される」ことでスライスを行うものであり，「前記被加工材の内部に前記改質層により境界を形成する走査工程」及び「前記改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程」という２つの工程は特定されていない点。
＜相違点３ｂ＞
　本件発明１１では，「前記排出工程は，前記溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように，前記被加工材の周囲を負圧にする工程を有する」のに対し，引用発明１では，当該工程が特定されていない点。
イ　上記相違点のうち，相違点１ｂ及び相違点２ｂは，上記１．１の（１）（１．２）で認定した相違点１及び相違点２にそれぞれ対応するものである。そうすると，上記１．２の（１）ア，イで検討したのと同様に，引用発明１において甲１〜甲５号証及び周知例１に記載された技術的事項に基づいて，上記相違点１ｂ及び相違点２ｂに係る構成とすることは，当業者が容易になし得たものとはいえない。
　したがって，上記相違点３ｂについて検討するまでもなく，本件発明１１は，引用発明１，甲１〜甲５号証及び周知例１に記載された技術的事項から当業者が容易に想到し得た発明ではない。
（６）取消理由２についてのまとめ
　よって，本件発明１〜３，５〜９，１１は，引用発明１又は引用発明１ａ，甲１〜甲５号証及び周知例１に記載された技術的事項から当業者が容易に想到し得た発明ではない。
１．３　小括
　以上のとおりであるから，取消理由１，２によっては本件発明１〜３，５〜９，１１に係る特許を取り消すことはできない。
２．取消理由通知書において採用しなかった特許異議申立理由について
　上記申立理由Ａ〜Ｃのうち，申立理由Ａ〜Ｂは，以下の（１）を除き，取消理由通知書に記載した取消理由１〜２と同旨であるから，申立理由Ａ〜Ｂについての当審の判断は上記１．１〜１．３に示したとおりである。
　そして，他の申立理由についての当審の判断は以下のとおりである。
（１）申立理由Ｂ（進歩性）の本件発明２，５について
ア　本件発明２と引用発明１を対比すると，上記１．１の（１）（１．２）で認定した相違点１〜２に加え，本件発明２では「前記排出工程は」「前記集光部の耐熱温度以下に加熱する」のに対し，引用発明１では，「前記集光部の耐熱温度以下に加熱する」ことが特定されていない点で相違する（以下，「相違点３」という。）。
　ここで，甲６号証には，熱レンズ効果によって生ずるレンズの焦点位置の変動を調節するための装置及び方法として，温度センサ３１がレンズ１８の温度を検出し，焦点距離の変動分を補うように，制御装置３２が駆動モータ２３を駆動させることで，レンズを適切な位置に調節する技術が記載されている（段落０００１，００２１）。しかしながら，甲６号証には，「前記集光部の耐熱温度以下に加熱する」ことは記載も示唆もされていない。そうすると，引用発明１において，上記相違点３に係る本件発明２の「前記集光部の耐熱温度以下に加熱する」構成とすることは，甲６号証から容易に想到し得たことではない。
イ　本件発明５と引用発明１ａを対比すると，上記１．２の（３）（３．２）で認定した相違点１ａ〜５ａにおいて相違する。
　ここで，甲６号証の段落００１９には，温度センサ３１を介してレンズ１８の温度を監視することが記載されているから，「前記集光部の温度を測定するための第１温度センサ」について記載されているといえる。しかしながら，上記アで述べたとおり，甲６号証に記載されている技術は，熱レンズ効果によって生ずるレンズの焦点位置の変動を調節するために，温度センサ３１がレンズ１８の温度を検出し，焦点距離の変動分を補うように，制御装置３２が駆動モータ２３を駆動させることで，レンズを適切な位置に調節する技術であるから，上記相違点５ａの「前記第１および第２の温度センサの測定結果に基づいて，前記改質層が融点以上，前記被加工材が融点以下および前記集光部が耐熱温度以下になるように排出部を制御する温度制御部」については，記載も示唆もされていない。そうすると，引用発明１ａにおいて，上記相違点５ａに係る本件発明５の構成とすることは，甲６号証から容易に想到し得たことではない。
ウ　したがって，本件発明２は，引用発明１及び甲６号証から当業者が容易に発明をすることができたものではない。また，本件発明５は，引用発明１ａ及び甲６号証から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）申立理由Ｃ（実施可能要件）について
ア　請求項２の「集光部の耐熱温度」について
　特許明細書等の段落００３３の記載によれば，「対物レンズ７が本発明の「集光部」に対応する」ものであるところ，対物レンズは，特許明細書等の【背景技術】である段落０００８等に記載されているように，従来から用いられているものであるから，その耐熱温度の具体的な記載がなくとも，請求項２に係る発明は当業者であれば実施できるものである。
イ　請求項５の「排出部」について
　請求項５の「排出部」は，「前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに，ガスを発生させ，前記溶融した改質層物質の一部を，前記発生させたガスの圧力により，前記被加工材の外部に排出する」ものであるところ，請求項５を引用する請求項７には，「前記排出部は，前記被加工材と接触して加熱する接触式の熱源を有する」と記載され，請求項５を引用する請求項８には，「前記排出部は，前記被加工材と接触せずに加熱する非接触式の熱源を有する」と記載され，また，請求項５を引用する請求項９には，「前記排出部は，前記溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように，前記被加工材の周囲を負圧にする真空チャンバおよび真空ポンプを有する」と記載されている。
　そして，特許明細書等の段落００４９，００５２には，熱源２によりＧａの融点Ｔｍ以上に被加工材１を加熱する場合，Ｇａ部８ａ，Ｎ２ガス８ｄが発生するが，改質層８中で既レーザ照射部８ｆは溶融したＧａとして存在し，発生したＮ２ガス８ｄによる被加工材１の内部の圧力（内圧）は，溶融したＧａを押し出すことが記載され，また，同段落００６６には，「なお，上記第１，第２および第３の各実施の形態に係る熱源２では，接触式の熱源（例えばホットプレートなど）が用いられたが，本発明はこれに限らず，例えば，図７に示すような非接触式熱源４０が用いられてもよい。」と記載されており，上記請求項７及び８に記載されている接触式又は非接触式の熱源について記載されているといえる。
　さらに，同段落００５７には，「真空チャンバ２０は，被加工材１を覆うような形で設置されている。真空チャンバ２０の対物レンズ７側の面は，熱線カットフィルタ１２で構成されている。熱線カットフィルタ１２は，レーザ光５を９０％以上透過するが，熱線をカット（吸収）する。真空ポンプ２１は，真空チャンバの排気口に接続されており，真空チャンバ２０の内部を真空引きすることができる。」と記載されており，上記請求項９に記載されている真空チャンバ及び真空ポンプについて記載されているといえる。
　そうすると，特許明細書等には，請求項５に記載されている「排出部」について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているといえる。
第８　結言
　したがって，本件請求項１〜３，５〜９，１１に係る特許は，取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，取り消すことはできない。また，他に本件請求項１〜３，５〜９，１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年６月２３日（２０２１．６．２３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　レーザ光を、集光部を介して被加工材の内部に集光させ、当該被加工材の内部における集光点近傍に改質層を形成する改質層形成工程と、
　前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに、ガスを発生させ、前記溶融した改質層物質
の一部
　前記被加工材の内部に集光させた前記レーザ光を走査させることで、前記被加工材の内部に前記改質層により境界を形成する走査工程と、
　前記改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程と、
を備え、
　前記排出工程は、前記改質層形成工程の実行中に行われる、ことを特徴とするスライス方法。
　【請求項２】
　前記排出工程は、前記被加工材を、前記改質層の融点以上、前記被加工材の融点以下かつ前記集光部の耐熱温度以下に加熱する、請求項１に記載のスライス方法。
　【請求項３】
　前記排出工程は、前記溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように、前記被加工材の周囲を負圧にする工程を有する、請求項１または２に記載のスライス方法。
　【請求項４】
　
レーザ光を、集光部を介して被加工材の内部に集光させ、当該被加工材の内部における集光点近傍に改質層を形成する改質層形成工程と、
　
前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに、ガスを発生させ、前記溶融した改質層物質を、前記発生させたガスの圧力により、前記被加工材の外部に排出する排出工程と、
　
前記被加工材の内部に集光させた前記レーザ光を走査させることで、前記被加工材の内部に前記改質層により境界を形成する走査工程と、
　
前記改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程と、
を備え、
　
前記排出工程は、前記改質層形成工程の実行中に行われ、
　前記排出工程は、前記溶融した改質層物質の濡れ性を向上させて、当該溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように、前記改質層に電圧を印加する工程を有する
、ス
　【請求項５】
　被加工材の内部に改質層を形成し、当該改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する基板のスライス装置であって、
　レーザ光を、集光部を介して前記被加工材の内部に集光させ、当該被加工材の内部における集光点近傍に前記改質層を形成する改質層形成部と、
　前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに、ガスを発生させ、前記溶融した改質層物質
の一部
　前記集光部の温度を測定するための第１温度センサと、
　前記被加工材の温度を測定するための第２温度センサと、
　前記第１および第２の温度センサの測定結果に基づいて、前記改質層が融点以上、前記被加工材が融点以下および前記集光部が耐熱温度以下になるように排出部を制御する温度制御部と、
　を備える、スライス装置。
　【請求項６】
　前記レーザ光と前記被加工材の間に前記レーザ光を透過するが、熱を遮断するフィルタを有する、ことを特徴とする請求項５に記載のスライス装置。
　【請求項７】
　前記排出部は、前記被加工材と接触して加熱する接触式の熱源を有する、請求項５または６に記載のスライス装置。
　【請求項８】
　前記排出部は、前記被加工材と接触せずに加熱する非接触式の熱源を有する、請求項５または６に記載のスライス装置。
　【請求項９】
　前記排出部は、前記溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように、前記被加工材の周囲を負圧にする真空チャンバおよび真空ポンプを有する、請求項５から８のいずれかに記載のスライス装置。
　【請求項１０】
　
被加工材の内部に改質層を形成し、当該改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する基板のスライス装置であって、
　
レーザ光を、集光部を介して前記被加工材の内部に集光させ、当該被加工材の内部における集光点近傍に前記改質層を形成する改質層形成部と、
　
前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに、ガスを発生させ、前記溶融した改質層物質を、前記発生させたガスの圧力により、前記被加工材の外部に排出する排出部と、
　
前記集光部の温度を測定するための第１温度センサと、
　
前記被加工材の温度を測定するための第２温度センサと、
　
前記第１および第２の温度センサの測定結果に基づいて、前記改質層が融点以上、前記被加工材が融点以下および前記集光部が耐熱温度以下になるように排出部を制御する温度制御部と、
　
を備え、
　前記排出部は、前記溶融した改質層物質の濡れ性を向上させて、当該溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように、前記改質層に電圧を印加する電圧印加部を有する
、ス
　【請求項１１】
　レーザ光を、集光部を介して被加工材の内部に集光させ、当該被加工材の内部における集光点近傍に改質層を形成する改質層形成工程と、
　前記被加工材を加熱することにより前記被加工材の内部で前記改質層を溶融するとともに、ガスを発生させ、前記溶融した改質層物質
の一部
　前記被加工材の内部に集光させた前記レーザ光を走査させることで、前記被加工材の内部に前記改質層により境界を形成する走査工程と、
　前記改質層を境界として前記被加工材を少なくとも２枚以上の基板に分離する分離工程と、
　を備え、
　前記排出工程は、前記溶融した改質層物質を前記被加工材の外部に排出し易くするように、前記被加工材の周囲を負圧にする工程を有する、ことを特徴とするスライス方法。