(57)【要約】【課題】微小電子機械デバイスと、微小電子機械デバイスを作成する方法を提供する。【解決手段】プレート間にスペーサを備えた微小電子機械システム(MEMS)デバイスを製作する方法と、その方法によって形成されたMEMSデバイス。一実施形態では、MEMSデバイスは、事前形成された構成要素を各々が有する、前面基板と保持体を積層することによって製作される。前面基板には、その上に重ねて形成された静止電極が提供される。その上に重ねて形成された可動電極を含む保持体は、前面基板に結合される。いくつかの実施形態の保持体は、可動電極を前面基板に移転させた後で除去される。他の実施形態では、保持体は、前面基板上に留まり、MEMSデバイスのための背面板として機能する。フィーチャは、付着およびパターン形成、型押し、またはパターン形成およびエッチングによって形成される。スペーサは前面基板と背面板の間に提供されてそれらの間隙を維持する。【選択図】図１０
2010176141.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板から延びる第１の支持体を含む前面基板と、
前記第１の支持体が前記前面基板と背面板の面の間に置かれるように、前記前面基板と実質的に対向する面を有する背面板と、
前記前面基板と背面板の間に置かれた移動電極であって、前記第１の支持体上に支持された部分を含む移動電極と、
前記前面基板の前記第１の支持体および前記背面板の前記面の一方から延びる第２の支持体であって、前記前面基板の前記第１の支持体と前記背面板の前記面の間に配置される第２の支持体と
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２】
前記第１の支持体が、支柱およびレールの少なくとも一方を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第２の支持体が、支柱を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記移動電極の前記部分が、前記第１の支持体と前記第２の支持体の間に置かれる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記移動電極の前記部分が、開口を含み、前記第２の支持体が、前記移動電極の前記部分の前記開口を通って延びる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第２の支持体が、前記移動電極の前記部分から横方向に離れて配置される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記ＭＥＭＳデバイスが、干渉変調器を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
第１の面を有する前面基板であって、前記第１の面上に重ねて形成された光学スタックを含む前面基板と、
前記前面基板と対向し、前記第１の面に面する第２の面を有する背面板であって、支柱の高さが前記第１の面と前記第２の面の間の距離を定めるような、前記第２の面から前記第１の面に向かって延びる支柱を含む背面板と、
互いに実質的に平行に延びる複数の可動電極ストリップであって、前記第１の面と前記第２の面の間に置かれる可動電極ストリップと
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項９】
前記前面基板の前記第１の面が、前記可動電極ストリップがその内に配置されるアレイ領域を含み、前記前面基板が、前記第１の面の前記アレイ領域上に支柱を含まない、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前面基板と、
前記前面基板に対向し、前記前面基板に面する面を有する背面板と、
互いに実質的に平行に延びる複数の可動電極ストリップであって、前記ストリップが、前記前面基板と前記背面板の間に置かれ、前記ストリップの一部が、前記前面基板の方向に動くことができる、複数の可動電極ストリップと、
前記背面板の前記面から延びる複数の支柱であって、前記面の方向への前記ストリップの前記一部の運動を制限するように並べられる支柱と
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１１】
前記複数の可動電極ストリップが、前記複数の支柱から吊り下げられる、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを作成する方法であって、
前面基板から延びる第１の支持体を含む前面基板を提供するステップと、
面を有する背面板を提供するステップと、
前記第１の支持体が前記前面基板と前記背面板の前記面の間に置かれるように、前記前面基板を前記背面板に結合するステップと、
前記第２の支持体が前記前面基板の前記第１の支持体および前記背面板の前記面の一方から延びるように、前記前面基板の前記第１の支持体と前記背面板の前記面の間に第２の支持体を形成するステップと
を含む方法。
【請求項１３】
前記第１の支持体が、支柱およびレールの少なくとも一方を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の支持体が、支柱を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
移動電極の部分が、前記第１の支持体上に支持されるように、前記前面基板と前記背面板の間に移動電極を提供するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記移動電極の前記部分が、前記第１の支持体と前記第２の支持体の間に置かれるように、前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記第２の支持体が前記移動電極の前記部分を貫通するように、前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記第２の支持体が前記移動電極の前記部分から横方向に離れて配置されるように、前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記前面基板を前記背面板に結合する前に、前記前面基板の前記第１の支持体上に前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記前面基板を前記背面板に結合する前に、前記第２の支持体が前記第１の支持体と同じ材料から、前記第１の支持体と一体形成されるように、前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記前面基板を前記背面板に結合する前に、前記背面板の前記面上に前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】
前記第２の支持体を形成するステップが、前記前面基板を前記背面板に結合する前に、前記第２の支持体が前記背面板と同じ材料から、前記背面板と一体形成されるように、前記第２の支持体を形成するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２３】
第１の面を有し、前記第１の面上にアレイ領域と周辺領域とを含む前面基板と、
前記第１の面に面する第２の面を有する背面板であって、前記第１の面と前記第２の面がその間にギャップを有し、前記第２の面の上にアレイ領域と周辺領域とを含む背面板と、
前記前面基板の前記周辺領域上を延びる導電ラインと、
前記前面基板の前記周辺領域と前記背面板の前記周辺領域の間を延びる導電構造であって、前記導電ラインに接触する導電構造と
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２４】
前記導電構造が、前記導電ラインの上に配置される、請求項２３に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記導電構造が、前記導電ラインを通って貫通する、請求項２３に記載のデバイス。
【請求項２６】
干渉変調器表示デバイスを作成するための保持体アセンブリであって、前記干渉変調器表示デバイスが、前面基板と、前記前面基板上に重ねて形成された複数の実質的に透明な電極と、前記透明な電極上に重ねて形成された複数の可動電極とを含み、前記透明な電極と前記可動電極が、表示領域内にピクセルのアレイを定め、前記保持体アセンブリが、
面を有する除去可能な構造と、
前記面上に重ねて形成された複数の細長い導電ストリップであって、前記細長い導電ストリップが、互いに実質的に平行な方向に延びて、前記可動電極を定め、前記細長い導電ストリップの各々が、前記表示領域をまたぐ長さを有して、前記アレイの列内に多数のピクセルを定める、複数の細長い導電ストリップと
を含む保持体アセンブリ。
【請求項２７】
前記除去可能な構造が、基板を含む、請求項２６に記載の保持体アセンブリ。
【請求項２８】
前記除去可能な構造が、フィルムを含む、請求項２６に記載の保持体アセンブリ。
【請求項２９】
前記細長い導電ストリップの各々が、長さと幅を有し、前記長さと前記幅の比が、約１０：１から約１，０００，０００：１の間である、請求項２６に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３０】
前記除去可能な構造が、モリブデンから形成される、請求項２６に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３１】
前記除去可能な構造が、基板と前記複数の導電ストリップの間に置かれるように、前記除去可能な構造を支持する基板をさらに含む、請求項２６に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３２】
前記除去可能な構造が、実質的に前記基板の全部分上に形成される除去層である、請求項３１に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３３】
前記基板が、スルーホールを含む、請求項３１に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３４】
前記基板が、多孔性の材料から形成される、請求項３１に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３５】
前記基板が、エッチング、灰化、および前記前面基板を損傷することのない前記前面基板からの物理的な引きはがしの１つによって除去可能な材料から形成される、請求項３１に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３６】
前記基板が、前記基板の面上に形成された少なくとも１つの支柱をさらに含み、前記支柱が、前記導電ストリップを支持し、前記少なくとも１つの支柱が、前記基板と同じ材料から、前記基板と一体形成される、請求項３１に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３７】
前記除去可能な構造が、前記少なくとも１つの支柱を横方向に囲う犠牲層であり、前記犠牲層が、前記導電ストリップを部分的に支持する、請求項３６に記載の保持体アセンブリ。
【請求項３８】
請求項２６に記載の保持体アセンブリと、
複数の支持体と実質的に透明な電極とを含む前面基板であって、前記導電ストリップが前記支持体によって支持されるように、前記保持体アセンブリに結合される前面基板と
を含む干渉変調器。
【請求項３９】
前面基板と、前記前面基板上に重ねて形成された複数の実質的に透明な電極と、前記透明な電極上に重ねて形成された複数の可動電極とを含む、干渉変調器表示デバイスを作成する方法であって、前記透明な電極と前記可動電極が、表示領域内にピクセルのアレイを定め、前記前面基板が、前記前面基板上にキャビティを定める複数の支持体を含み、前記方法が、
面を有する除去可能な構造を提供するステップと、
前記面上に重ねて可動電極材料を付着するステップと、
前記可動電極材料の部分を選択的に露出するために、前記可動電極材料上に重ねてマスクを提供するステップと、
前記マスクを使用して前記可動電極材料を選択的にエッチングし、それによって、複数の可動電極ストリップを形成するステップであって、前記可動電極ストリップが、互いに実質的に平行な方向に延びる、ステップと、
前記可動電極ストリップが前記前面基板の前記キャビティに面するように、前記除去可能な構造を前記前面基板上に重ねて配置するステップであって、前記可動電極ストリップの各々が、前記表示領域をまたぐ長さを有して、前記アレイの列内に多数のピクセルを定める、ステップと
を含む方法。
【請求項４０】
前記除去可能な構造が、基板を含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記除去可能な構造が、実質的に平坦な面であり、前記可動電極材料が、前記実質的に平坦な面上に付着される、請求項３９に記載の方法。
【請求項４２】
前記除去可能な構造を配置した後で、前記除去可能な構造を除去するステップをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４３】
前記除去可能な構造が、モリブデンから形成される、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記除去可能な構造を除去するステップが、前記除去可能層を灰化するステップ、エッチングするステップ、および物理的に引きはがすステップの少なくとも１つを含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】
前記除去可能な構造が、高分子材料から形成される、請求項４２に記載の方法
【請求項４６】
前記除去可能な構造を提供する前に、基板を提供するステップをさらに含み、前記除去可能な構造を提供するステップが、前記基板上に前記除去可能な構造を形成するステップを含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４７】
前記除去可能な構造を提供する前に、前記基板上に支柱を形成するステップをさらに含み、
前記除去可能な構造を提供するステップが、除去可能層が前記支柱を横方向に囲い、前記支柱および除去可能層が一緒に実質的に平坦な面を形成するように、除去可能層を形成するステップを含み、
前記可動電極材料が、前記実質的に平坦な面上に付着される
請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
前記基板が、多孔性の材料から形成され、前記方法が、前記基板を通してエッチング剤を提供し、それによって、前記除去可能な構造を配置した後で、前記除去可能な構造を除去するステップをさらに含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項４９】
前記基板が、スルーホールを含み、前記方法が、前記基板の前記スルーホールを通してエッチング剤を提供し、それによって、前記除去可能な構造を配置した後で、前記除去可能な構造を除去するステップをさらに含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項５０】
アレイ領域と周辺領域とを含む前面基板であって、前記アレイ領域内に複数の下側領域をその間に定める複数の支持体を含み、前記周辺領域内にランドをさらに含み、前記ランドの少なくとも一部が、前記アレイ領域内の前記支持体と実質的に同じ高さを有する、前面基板と、
前記周辺領域内の前記ランド上に重ねて形成された複数の導体であって、前記導体が互いに電気的に絶縁される、複数の導体と、
前記前面基板の前記下側領域上に形成された導電層と
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項５１】
前記導体が、ルーティングトレースおよび可動電極ストリップの少なくとも一方を含む、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項５２】
前記複数の支持体が、前記前面基板の材料とは異なる材料から形成され、前記ランドが、前記前面基板の材料とは異なる材料から形成される、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項５３】
前記複数の支持体が、前記前面基板と同じ材料から、前記前面基板と一体形成され、前記ランドが、前記前面基板と同じ材料から、前記前面基板と一体形成される、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項５４】
前記前面基板が、前記周辺領域内に複数のトレンチをさらに含み、前記トレンチが、導電トレースを互いに電気的に絶縁する、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項５５】
前記複数の支持体が、前記アレイ領域内に複数のキャビティを定め、前記導電層が、前記キャビティ内に固定電極を形成する、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項５６】
前記キャビティ内の前記導電層が、前記導電トレースの材料と同じ材料を含む、請求項５５に記載のデバイス。
【請求項５７】
前記複数の支持体上に導電層をさらに含み、前記複数の支持体上の前記導電層が、前記キャビティ内の前記導電層の材料と同じ材料を含む、請求項５５に記載のデバイス。
【請求項５８】
前記複数の支持体が、レールを含む、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項５９】
複数の導電トレースが、前記ランド上に形成され、前記前面基板が、前記複数の導電トレースの部分上に形成された絶縁層をさらに含み、前記導電トレースが、前記前面基板の前記下側領域上に形成された前記導電層と実質的に同じ厚さを有し、前記導電トレースが、前記導電層の材料と同じ材料から形成される、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項６０】
前記前面基板上に重ねて形成された複数の可動電極をさらに含み、前記可動電極の各々が、前記アレイ領域上から前記周辺領域上に延び、前記可動電極の各々の部分が、前記導電トレースの１つの部分に電気的に接触する、請求項５０に記載のデバイス。
【請求項６１】
前記可動電極の各々の前記部分と前記導電トレースの１つの前記部分の間に置かれた導電接着材料をさらに含む、請求項６０に記載のデバイス。
【請求項６２】
干渉変調器の前面基板と組み合わせるための保持体であって、前記前面基板が、その上に形成された実質的に透明な電極を含み、
アレイ領域および周辺領域を含む基板と、
前記基板の前記アレイ領域上に重ねて形成された複数の可動電極ストリップであって、前記ストリップが、互いに実質的に平行に延びる、複数の可動電極ストリップと、
前記基板上に重ねて形成された複数のルーティングトレースであって、前記トレースの各々が、それぞれ１つの前記ストリップから前記周辺領域に延びる、複数のルーティングトレースと
を含む保持体。
【請求項６３】
アレイ領域と周辺領域とを含む前面基板であって、前記アレイ領域内に互いに平行に延びる複数のレールを含み、前記レールが前記アレイ領域内で複数のトラフを定め、前記周辺領域内にトレンチをさらに含み、前記トレンチの各々がそれぞれ１つの前記トラフから延びる、前面基板と、
前記トレンチ内に形成された行ルーティングトレースであって、前記アレイ領域内の前記トラフから前記周辺領域の少なくとも一部に延び、互いに電気的に絶縁される、行ルーティングトレースと
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項６４】
前記トレンチが、前記周辺領域内に下側領域を定め、前記下側領域が、前記アレイ領域から前記周辺領域の前記少なくとも一部に延びながら隆起する、請求項６３に記載のデバイス。
【請求項６５】
前記周辺領域の前記少なくとも一部上に配置された行ドライバをさらに含み、異法性導電フィルム（ＡＣＦ）が、前記行ドライバを前記行ルーティングトレースに電気的に接続する、請求項６３に記載のデバイス。
【請求項６６】
アレイ領域と、前記アレイ領域を囲む周辺領域とを含む、面を有する前面基板であって、
前記前面基板の前記面上の環状のシーリング領域であって、前記シーリング領域が、実質的に前記アレイ領域を囲み、前記アレイ領域に向かう方向に延びる第１の幅を有する、環状のシーリング領域と、
前記基板内に形成されたリセスであって、前記方向に延びる第２の幅を有し、前記第２の幅が前記第１の幅よりも大きく、前記シーリング領域の一部を横断して延び、前記前面基板の前記面の高さよりも低い高さを定めるリセスと、
前記前面基板の前記面上に形成された第１の導電層と、
前記リセス内に形成された第２の導電層であって、前記第１の導電層と前記第２の導電層が互いに途切れている、第２の導電層と
を含む前面基板
を含む微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項６７】
前記第１の導電層上に絶縁層をさらに含み、前記リセスが、側壁を含み、前記絶縁層が、前記リセスの前記側壁に延びる部分をさらに含む、請求項６６に記載のデバイス。
【請求項６８】
前記シーリング領域上の前記絶縁層上に形成された導電シール剤をさらに含み、前記シール剤が、前記リセスの前記側壁上の前記絶縁層の前記部分によって前記第１の導電層から電気的に絶縁されながら、前記第２の導電層に接触する、請求項６７に記載のデバイス。
【請求項６９】
微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを作成する方法であって、
アレイ領域およびルーティング領域を含む面を有する前面基板を提供するステップと、
前記前面基板の前記面のルーティング領域内に絶縁トレンチを形成するステップであって、前記絶縁トレンチが、底面と、側壁とを含み、前記絶縁トレンチの底面が、前記前面基板の前記面の高さよりも低い高さを定める、ステップと、
導電層が前記基板の前記面と前記絶縁トレンチの間で途切れるように、前記基板の前記面上および前記絶縁トレンチの前記底面上に導電層を形成するステップと
を含む方法。
【請求項７０】
導体が前記絶縁トレンチ上を横断するように、前記基板の前記面上に導体を形成するステップをさらに含む、請求項６９に記載の方法。
【請求項７１】
前記導体を形成するステップが、前記絶縁トレンチの前記底面上の前記導電層と接触するように前記導体を形成するステップを含み、前記方法が、前記導体と前記基板の前記面上の前記導電層の間、および前記導体と前記絶縁トレンチの前記側壁の間に絶縁層を形成するステップをさらに含む、請求項７０に記載の方法。
【請求項７２】
前記前面基板が、前記ルーティング領域と少なくとも部分的にオーバラップする環状のシーリング領域をさらに含み、前記シーリング領域が、実質的に前記アレイ領域を囲み、前記アレイ領域に向かう方向に延びる第１の幅を有し、前記絶縁トレンチが、前記方向に延びる第２の幅を有し、前記第２の幅が前記第１の幅よりも大きく、前記絶縁トレンチが、前記シーリング領域の一部を横断して延びる、請求項７１に記載の方法。
【請求項７３】
前記導電層を形成した後、前記絶縁層を形成する前に、シャドウマスクを用いて前記面の少なくとも一部をマスキングするステップをさらに含み、前記シャドウマスクが、前記絶縁トレンチの部分上の前記シーリング領域を横断するコネクタを含み、前記絶縁層を形成するステップが、前記面上の前記シャドウマスクを用いて前記前面基板の前記面上に絶縁材料を付着するステップを含む、請求項７２に記載の方法。
【請求項７４】
前記導体を形成するステップが、前記シーリング領域上の前記絶縁層上に導電シール剤を形成するステップを含む、請求項７３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２００７年５月１１日に出願された仮出願第６０／９１７，６０９号の、合衆国法典第３５編第１１９条（ｅ）下における優先権の利益を主張する。この優先出願の完全な開示が、参照により本明細書に組み込まれる。本出願は、ＭＥＭＳ  ＤＥＶＩＣＥ  ＦＡＢＲＩＣＡＴＥＤ  ＯＮ  Ａ  ＰＲＥ−ＰＡＴＴＥＲＮＥＤ  ＳＵＢＳＴＲＡＴＥと題する米国特許出願公開第２００６／００６７６４６  Ａ１号（整理番号ＩＲＤＭ．０９３Ａ）に関係する。
【０００２】
本発明は、微小電子機械デバイス（ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｄｅｖｉｃｅ）と、微小電子機械デバイスを作成するための方法に関する。より詳細には、本発明は、干渉変調器（ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ  ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）と、干渉変調器を作成するための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
微小電子機械システム（ＭＥＭＳ：  ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍ）は、微小機械要素（ｍｉｃｒｏ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｅｌｅｍｅｎｔ）と、アクチュエータと、電子デバイスとを含む。微小機械要素は、電気的および電気機械的デバイスを形成するために、基板および／もしくは付着材料層の一部をエッチングする、または層を付加する、付着、エッチング、および／または他のマイクロマシニング（ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ）プロセスを使用して、作成することができる。ＭＥＭＳデバイスの１つのタイプは、干渉変調器と呼ばれる。本明細書で使用される干渉変調器または干渉光変調器（ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）という用語は、光学干渉の原理を使用して光を選択的に吸収および／または反射するデバイスを指す。ある実施形態では、干渉変調器は、１対の導電プレートを含むことができ、その一方または両方は、全体的または部分的に透明であること、および／または光を反射することができ、適切な電気信号の印加時に相対運動を行うことが可能である。ある特定の一実施形態では、一方のプレートは、基板上に付着された静止層を含むことができ、他方のプレートは、空隙によって静止層から分離された金属膜を含むことができる。本明細書でより詳細に説明されるように、一方のプレートの別のプレートに対する位置は、干渉変調器に入射する光の光学干渉を変化させることができる。そのようなデバイスは、広範な用途を有し、既存製品を改良する際および未開発の新製品を作成する際に、これらのタイプのデバイスの特性を利用こと、および／またはその特徴を利用できるようにこれらのタイプのデバイスの特性を変更することは、当技術分野において有益である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】仮出願第６０／９１７，６０９号
【特許文献２】米国特許出願公開第２００６／００６７６４６  Ａ１号
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製作する方法と、その方法によって形成されたＭＥＭＳデバイスが提供される。一態様では、ＭＥＭＳデバイスは、前面基板（ｆｒｏｎｔ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と保持体（ｃａｒｒｉｅｒ）を結合することによって製作され、その各々は、その上に事前形成されたフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅ）を有する。フィーチャは、付着およびパターン形成によって、または成形（例えば、型押し、パターン形成およびエッチング、もしくはインスクライブ（ｉｎｓｃｒｉｂｉｎｇ））によって形成することができる。フィーチャが成形および付着によって形成されるいくつかの実施形態では、多数のパターンが、別々のマスクを使用することなく、多数のレベルを使用して形成される。別の態様では、ＭＥＭＳデバイスのためのルーティング構造（ｒｏｕｔｉｎｇ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を形成する方法が提供される。また別の態様では、ＭＥＭＳデバイスには、前面基板と背面板（ｂａｃｋｐｌａｔｅ）の間に空間を維持するためのスペーシング構造（ｓｐａｃｉｎｇ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）が提供される。別の態様では、光学ＭＥＭＳ（例えば干渉変調器）において望ましくない反射を防止するためのブラックマスク（ｂｌａｃｋ  ｍａｓｋ）を形成するための方法が提供される。上記の方法は、製造コストを低減するばかりでなく、より高い歩留まりも提供する。結果として得られるＭＥＭＳデバイスは、圧力変化および水漏れ（ｍｏｉｓｔｕｒｅ  ｌｅａｋａｇｅ）の影響をあまり受けない。
【０００６】
一態様では、ＭＥＭＳデバイスを作成する方法が提供される。前記方法は、透明な基板と、透明な基板上に重ねて形成された少なくとも部分的に透明な電極とを含む、透明な電極アセンブリを提供するステップと、保持体上に重ねて形成された光を反射する電極を含む、保持体を提供するステップと、光を反射する電極が少なくとも部分的に透明な電極に面してキャビティを形成するように、透明な電極アセンブリを保持体に結合するステップとを含む。
【０００７】
別の態様では、干渉デバイスアレイ（ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ  ａｒｒａｙ）を作成する方法が提供される。前記方法は、前面基板上にキャビティを定める支持体（ｓｕｐｐｏｒｔ）を含む、前面基板を提供するステップを含む。前面基板は、キャビティ内に形成された前面電極をさらに含む。前記方法は、保持体上に重ねて形成された可動電極を含む、保持体を提供するステップと、可動電極が前面電極の少なくとも一部に面して１つまたは複数の干渉デバイスを形成するように、前面基板を保持体に結合するステップとをさらに含む。
【０００８】
また別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが提供される。デバイスは、前面基板上にキャビティを定める複数の支持体を含む前面基板と、支持体によって支持される複数の可動電極とを含む。可動電極の各々は、支持体上にのった第１の部分と、第１の部分に隣接する第２の部分とを含む。第２の部分は、支持体上にのっていない。第１の部分は、第１の厚さを有する。第２の部分は、第２の厚さを有する。第２の厚さは、第１の厚さよりも大きい。
【０００９】
また別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスのアレイが提供される。アレイは、前面基板上にキャビティを定める複数の支持体を含む前面基板を含み、キャビティの各々は、底面を有する。デバイスは、前面基板と実質的に対向し、前面基板上に重なる背面板をさらに含む。背面板は、前面基板のキャビティに面する面を有する。その面は、前面基板から最も隔たっている。デバイスは、支持体と背面板の面の間に置かれる複数の機械的ストリップ（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｓｔｒｉｐ）も含む。機械的ストリップの各々は、多数のＭＥＭＳデバイスのための移動電極として機能する。キャビティの１つの底面と背面板の最も隔たった面の間の距離は、約６，５００Åから約２０μｍの間である。
【００１０】
別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが提供される。デバイスは、基板と同じ材料から、基板と一体形成される複数の支持体を含む基板と、移動電極を定める複数の機械的要素とを含む。機械的要素は、支持体上に支持される。
【００１１】
別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが提供される。デバイスは、面を有する基板を含む。基板は、面に形成された複数のトラフ（ｔｒｏｕｇｈ）を含む。トラフは、互いに実質的に平行に延びる。基板の面は、基板のより高い領域を定め、一方、トラフは、基板のより低い領域を定める。デバイスは、基板のより低い領域上に形成された複数の固定電極をさらに含む。
【００１２】
また別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）用の前面基板が提供される。前面基板は、基板上に複数のキャビティを定める複数の支持体を含む基板を含む。支持体は、基板と同じ材料から、基板と一体形成される。前面基板は、支持体の間のキャビティ内に形成された導電層をさらに含む。
【００１３】
別の態様では、干渉変調器を作成する方法が提供される。前記方法は、基板に属する複数の支持体を形成するステップを含む。支持体は、基板と同じ材料から、基板と一体形成される。前記方法は、機械的要素が支持体上に支持されるように、移動電極を定める複数の機械的要素を形成するステップをさらに含む。
【００１４】
別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）を作成する方法が提供される。前記方法は、平面基板を提供するステップと、ＭＥＭＳキャビティの高さを定める、基板と一体の支持構造を形成するステップとを含む。ＭＥＭＳキャビティは、フロア（ｆｌｏｏｒ）を有し、ＭＥＭＳキャビティは、移動電極の運動をその中に収めるように構成される。前記方法は、キャビティのフロア上に導電層を形成するステップをさらに含む。
【００１５】
別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが提供される。デバイスは、前面基板上に重ねて形成された複数の電極を含む前面基板と、電極が保持体と前面基板の間に置かれるように、前面基板と実質的に対向する保持体とを含む。保持体は、保持体から延びる複数のレール（ｒａｉｌ）を含む。デバイスは、前面基板と保持体のレールの間に置かれる複数の可動電極をさらに含む。
【００１６】
別の態様では、前面基板上に重ねて形成された静止電極を有する微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）前面基板に結合するための保持体が提供される。保持体は、複数のレールを含む基板を含む。レールは、レールと交互に並ぶトラフを定める。保持体は、レール上に重ねて形成された第１の部分およびトラフ内に形成された第２の部分を含む電極層も含む。電極層は、トラフとレールの間で途切れている。
【００１７】
また別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）アレイを作成する方法が提供される。ＭＥＭＳアレイは、第１の面を有する前面基板を含む。前面基板は、第１の面上に重ねて形成された複数の固定下側電極を含む。前記方法は、保持体基板に属する一体形成されたメサ（ｍｅｓａ）を有するように、保持体基板を成形するステップを含む。メサは、メサと交互に並ぶトラフを定める。前記方法は、保持体基板のメサ上に重ねて、また保持体基板のトラフ内に機械層を付着するステップをさらに含む。機械層は、トラフとメサの間で途切れている。
【００１８】
別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが提供される。デバイスは、前面基板から延びる第１の支持体を含む前面基板と、第１の支持体が前面基板と背面板の面の間に置かれるように、前面基板と実質的に対向する面を有する背面板と、前面基板と背面板の間に置かれた移動電極とを含む。移動電極は、第１の支持体上に支持された部分を含む。デバイスは、前面基板の第１の支持体および背面板の面の一方から延びる第２の支持体をさらに含む。第２の支持体は、前面基板の第１の支持体と背面板の面の間に配置される。
【００１９】
別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが提供される。デバイスは、第１の面を有する前面基板を含む。前面基板は、第１の面上に重ねて形成された光学スタック（ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｔａｃｋ）を含む。デバイスは、前面基板と対向する背面板も含む。背面板は、第１の面に面する第２の面を有する。背面板は、支柱（ｐｏｓｔ）の高さが第１の面と第２の面の間の距離を定めるような、第２の面から第１の面に向かって延びる支柱を含む。デバイスは、互いに実質的に平行に延びる複数の可動電極ストリップをさらに含む。ストリップは、第１の面と第２の面の間に置かれる。
【００２０】
また別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが提供される。デバイスは、前面基板と、前面基板に対向する背面板とを含む。背面板は、前面基板に面する面を有する。デバイスは、互いに実質的に平行に延びる複数の可動電極ストリップも含む。ストリップは、前面基板と背面板の間に置かれる。ストリップの一部は、前面基板の方向に動くことができる。デバイスは、背面板の面から延びる複数の支柱をさらに含み、支柱は、その面の方向へのストリップの一部の運動を制限するように並べられる。
【００２１】
別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを作成する方法が提供される。前記方法は、前面基板から延びる第１の支持体を含む前面基板を提供するステップと、面を有する背面板を提供するステップと、第１の支持体が前面基板と背面板の面の間に置かれるように、前面基板を背面板に結合するステップと、第２の支持体が前面基板の第１の支持体および背面板の面の一方から延びるように、前面基板の第１の支持体と背面板の面の間に第２の支持体を形成するステップとを含む。
【００２２】
別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが提供される。デバイスは、第１の面を有する前面基板を含む。前面基板は、第１の面上に、アレイ領域と、周辺領域とを含む。デバイスは、第１の面に面する第２の面を有する背面板も含む。第１の面と第２の面は、その間にギャップを有する。背面板は、第２の面の上に、アレイ領域と、周辺領域とを含む。デバイスは、前面基板の周辺領域上を延びる導電ラインと、前面基板の周辺領域と背面板の周辺領域の間を延びる導電構造とをさらに含む。導電構造は、導電ラインに接触する。
【００２３】
別の態様では、干渉変調器を作成するための保持体アセンブリが提供される。干渉変調器は、前面基板上に形成された実質的に透明な電極を含む前面基板を含む。保持体アセンブリは、面を有する除去可能な構造と、面上に重ねて形成された複数の細長い導電ストリップとを含む。細長い導電ストリップは、互いに実質的に平行な方向に延びる。
【００２４】
別の態様では、干渉変調器が提供される。干渉変調器は、面を有する除去可能な構造と、面上に重ねて形成された複数の細長い導電ストリップとを含む、保持体アセンブリを含む。細長い導電ストリップは、互いに実質的に平行な方向に延びる。干渉変調器は、複数の支持体と、実質的に透明な電極とを含む、前面基板も含む。前面基板は、導電ストリップが支持体によって支持されるように、保持体アセンブリに結合される。
【００２５】
また別の態様では、干渉変調器を作成する方法が提供される。干渉変調器は、前面基板上にキャビティを定める複数の支持体を含む前面基板を含む。前面基板は、キャビティ内に形成された下側電極をさらに含む。前記方法は、面を有する除去可能な構造を提供するステップと、面上に重ねて可動電極材料を付着するステップと、可動電極材料の部分を選択的に露出するために、可動電極材料上に重ねてマスクを提供するステップと、マスクを使用して可動電極材料を選択的にエッチングし、それによって、複数の可動電極ストリップを形成するステップとを含む。可動電極ストリップは、互いに実質的に平行な方向に延びる。前記方法は、可動電極ストリップが前面基板のキャビティに面するように、除去可能な構造を前面基板上に重ねて配置するステップをさらに含む。
【００２６】
別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが提供される。デバイスは、アレイ領域と、周辺領域とを含む、前面基板を含む。前面基板は、アレイ領域内に、複数の下側領域をその間に定める複数の支持体を含む。前面基板は、周辺領域内に、ランド（ｌａｎｄ）をさらに含む。ランドの少なくとも一部は、アレイ領域内の支持体と実質的に同じ高さを有する。デバイスは、周辺領域内のランド上に重ねて形成された複数の導体も含む。導体は、互いに電気的に絶縁される。デバイスは、前面基板の下側領域上に形成された導電層をさらに含む。
【００２７】
別の態様では、干渉変調器の前面基板と組み合わせるための保持体が提供される。前面基板は、その上に形成された実質的に透明な電極を含む。保持体は、アレイ領域および周辺領域を含む基板と、基板のアレイ領域上に重ねて形成された複数の可動電極ストリップとを含む。ストリップは、互いに実質的に平行に延びる。保持体は、基板上に重ねて形成された複数のルーティングトレース（ｒｏｕｔｉｎｇ  ｔｒａｃｅ）をさらに含む。トレースの各々は、それぞれ１つのストリップから周辺領域に延びる。
【００２８】
また別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが提供される。デバイスは、アレイ領域と、周辺領域とを含む、前面基板を含む。前面基板は、アレイ領域内に、互いに平行に延びる複数のレールを含む。レールは、アレイ領域内で複数のトラフを定める。前面基板は、周辺領域内に、トレンチをさらに含む。トレンチの各々は、それぞれ１つのトラフから延びる。デバイスは、トレンチ内に形成された行ルーティングトレースをさらに含む。行ルーティングトレースは、アレイ領域内のトラフから周辺領域の少なくとも一部に延びる。行ルーティングトレースは、互いに電気的に絶縁される。
【００２９】
別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが提供される。デバイスは、アレイ領域と、アレイ領域を囲む周辺領域とを含む、面を有する前面基板を含む。前面基板は、前面基板の面上に環状のシーリング領域（ｓｅａｌｉｎｇ  ｒｅｇｉｏｎ）を含む。シーリング領域は、実質的にアレイ領域を囲む。シーリング領域は、アレイ領域に向かう方向に延びる第１の幅を有する。前面基板は、基板内に形成されたリセス（ｒｅｃｅｓｓ）も含む。リセスは、前記方向に延びる第２の幅を有する。第２の幅は、第１の幅よりも大きい。リセスは、シーリング領域の一部を横断して延びる。リセスは、前面基板の面の高さよりも低い高さを定める。前面基板は前面基板の面上に形成された第１の導電層と、リセス内に形成された第２の導電層とをさらに含み、第１の導電層と第２の導電層は、互いに途切れている。
【００３０】
別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを作成する方法が提供される。前記方法は、アレイ領域および周辺領域を含む面を有する前面基板を提供するステップと、前面基板の面のルーティング領域内に絶縁トレンチを形成するステップとを含む。絶縁トレンチは、底面と、側壁とを含む。絶縁トレンチの底面は、前面基板の面の高さよりも低い高さを定める。前記方法は、導電層が基板の面と絶縁トレンチの間で途切れるように、基板の面上および絶縁トレンチの底面上に導電層を形成するステップをさらに含む。
【００３１】
別の態様では、干渉変調器を作成する方法が提供される。前記方法は、基板の面上にキャビティを含む基板を提供するステップと、液体混合物がキャビティの少なくとも部分を満たすように、光吸収材料を含む液体混合物を基板の面上にわたって提供するステップと、液体混合物を提供した後、光吸収材料の少なくとも一部がキャビティ内に残るように、基板のキャビティから液体混合物の成分を部分的に除去するステップとを含む。
【００３２】
別の態様では、干渉変調器が提供される。干渉変調器は、面を有する基板を含む。基板は、基板の面上に形成された複数の支持体を含む。干渉変調器は、基板の面上に形成された光吸収材料も含む。材料の実質的にすべては、支持体が面と出会う隅に配置される。
【００３３】
また別の態様では、干渉変調器を作成する方法が提供される。前記方法は、支持構造を基板上に重ねて形成するステップと、支持構造を形成した後、ブラックマスク材料を基板上に重ねて付着するステップとを含む。
【００３４】
別の態様では、静的干渉表示デバイス（ｓｔａｔｉｃ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）を作成する方法が提供される。前記方法は、第１の基板上に形成された部分的に透明な層を含む第１の基板を提供するステップを含む。第１の基板は、実質的に透明な材料から形成される。前記方法は、第２の基板上に形成されたミラー層を含む第２の基板を提供するステップも含む。第１の基板および第２の基板の少なくとも一方は、静的干渉デバイスがそれを表示するように構成された画像に基づいてパターン形成されたキャビティを含む。前記方法は、第１の基板を第２の基板と積層するステップをさらに含む。部分的に透明な層は、第２の基板に面する。ミラー層は、第１の基板に面する。一方の基板のキャビティは、他方の基板に面する。
【００３５】
別の態様では、静的干渉表示デバイスを作成する方法が提供される。前記方法は、複数のキャビティを含む第１の面を含む、第１の基板を提供するステップを含む。キャビティは、少なくとも１つの深さを有する。キャビティは、静的干渉表示デバイスがそれを表示するように構成された画像に少なくとも部分的に基づいてパターン形成される。前記方法はまた、第２の面を含む第２の基板を提供するステップと、第１の面が第２の面に面するように、第１の基板を第２の基板に結合するステップとを含む。
【００３６】
また別の態様では、静的干渉表示デバイスが提供される。デバイスは、第１の面を含む第１の基板を含む。第１の基板は、第１の面上に定められたキャビティを含む。キャビティは、静的干渉表示デバイスがそれを表示するように構成された画像に少なくとも部分的に基づいてパターン形成される。第１の基板は、実質的に透明な材料から形成される。デバイスは、第１の基板に結合される第２の基板も含む。第２の基板は、第１の面に面する第２の面を含む。デバイスは、第１の基板のキャビティ内に部分反射層をさらに含む。
【００３７】
また別の態様では、静的干渉表示デバイスが提供される。デバイスは、第１の面を含む第１の基板を含む。第１の基板は、第１の面上に定められたキャビティを含む。キャビティは、静的干渉表示デバイスがそれを表示するように構成された画像に少なくとも部分的に基づいてパターン形成される。デバイスは、第１の基板に結合される第２の基板も含む。第２の基板は、第１の面に面する第２の面を含む。第２の基板は、実質的に透明な材料から形成される。デバイスは、第１の基板の第１の面上のミラー層と、第２の基板の第２の面上の部分反射層とをさらに含む。
【００３８】
本発明と、従来技術より優れた達成される利点とを要約する目的で、本発明のある目的および利点が上で説明され、また以下でさらに説明される。もちろん、そのような目的または利点は必ずしもすべてが、本発明のいずれか特定の実施形態に従って達成できるわけではないことを理解されたい。したがって、例えば、当業者であれば、本明細書で教示または提案され得る他の目的または利点を必ずしも達成せずに、本明細書で教示される１つの利点または一群の利点を達成または最適化する方法で、本発明が具現または実施できることを理解されよう。
【００３９】
これらの実施形態のすべては、本開示の一部を形成する添付の特許請求の範囲および図面を参照しても、より良く理解することができる。加えて、添付の特許請求の範囲によって確定される本発明の主旨および範囲から逸脱することなく、様々な変更、修正、組合せ、および部分的組合せ（ｓｕｂ−ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）を施すことができる。本発明の上記および他の実施形態は、添付の図を参照しながら行われる好ましい実施形態についての以下の詳細な説明から、当業者には容易に明らかとなるが、本発明は、開示されたどの特定の好ましい実施形態にも限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】第１の干渉変調器の可動反射層は緩和位置にあり、第２の干渉変調器の可動反射層は作動位置にある、干渉変調器ディスプレイの一実施形態の一部を示す等角図である。
【図２】３×３干渉変調器ディスプレイを含む電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図３】図１の干渉変調器の例示的な一実施形態についての可動ミラー位置対印加電圧の図である。
【図４】干渉変調器ディスプレイを駆動するために使用できる行電圧と列電圧の組を示す図である。
【図５Ａ】図２の３×３干渉変調器ディスプレイの図である。
【図５Ｂ】図２の３×３干渉変調器ディスプレイに表示データのフレームを書き込むために使用できる行信号および列信号の１つの例示的なタイミング図である。
【図６Ａ】複数の干渉変調器を含む視覚的表示デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図６Ｂ】複数の干渉変調器を含む視覚的表示デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図７Ａ】図１のデバイスの断面図である。
【図７Ｂ】干渉変調器の一代替実施形態の断面図である。
【図７Ｃ】干渉変調器の別の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｄ】干渉変調器のまた別の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｅ】干渉変調器のさらなる代替実施形態の断面図である。
【図８】干渉変調器表示デバイスの一実施形態の上面図である。
【図９】干渉変調器表示デバイスの一実施形態の分解斜視図である。
【図１０】干渉変調器表示デバイスの成形前面基板の一実施形態の部分斜視図である。
【図１１Ａ】光学スタックなしの、図１０の成形前面基板の断面図である。
【図１１Ｂ】光学スタックの付着後の、図１１Ａの成形前面基板の断面図である。
【図１２Ａ】図１０−図１１Ｂの成形前面基板のような成形前面基板を形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図１２Ｂ】図１０−図１１Ｂの成形前面基板のような成形前面基板を形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図１２Ｃ】図１０−図１１Ｂの成形前面基板のような成形前面基板を形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図１２Ｄ】図１０−図１１Ｂの成形前面基板のような成形前面基板を形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図１３】一実施形態による、部分的に製作された干渉変調器表示デバイスのアレイ領域または表示領域の部分斜視図である。
【図１４Ａ】図１３の部分的に製作された干渉変調器表示デバイスの上面図である。
【図１４Ｂ】図１３の部分的に製作された干渉変調器表示デバイスのライン１４Ｂ−１４Ｂに沿って切られた断面図である。
【図１４Ｃ】明瞭性のために連続するレールによって形成される後壁が省略された、図１３の部分的に製作された干渉変調器表示デバイスのライン１４Ｃ−１４Ｃに沿って切られた断面図である。
【図１４Ｄ】図１４Ｂの部分的に製作された干渉変調器表示デバイスの拡大断面図である。
【図１５】行ドライバおよび列ドライバに対する相互接続を概略的に示した、一実施形態による、部分的に製作された干渉変調器表示デバイスの上面図である。
【図１６Ａ】一実施形態による、列ルーティング構造および行ルーティング構造を有する成形前面基板の上面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ａの行ルーティング構造の１つの拡大上面図である。
【図１６Ｃ】一実施形態による、図１６Ｂの行ルーティング構造のライン１６Ｃ−１６Ｃに沿って切られた断面図である。
【図１６Ｄ】別の実施形態による、図１６Ｂの行ルーティング構造のライン１６Ｃ−１６Ｃに沿って切られた断面図である。
【図１６Ｅ】一実施形態による、異法性導電フィルムがその間に置かれた、図１６Ｂの行ルーティング構造と行ドライバの断面図である。
【図１６Ｆ】図１６Ｅの行ルーティング構造のライン１６Ｆ−１６Ｆに沿って切られた断面図である。
【図１７Ａ】可動電極のためのルーティング構造の一実施形態の部分斜視図である。
【図１７Ｂ】図１７Ａのルーティング構造のライン１７Ｂ−１７Ｂに沿って切られた断面図である。
【図１７Ｃ】図１７Ａのルーティング構造のライン１７Ｃ−１７Ｃに沿って切られた断面図である。
【図１８Ａ】可動電極のためのルーティング構造の別の実施形態の部分斜視図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａのルーティング構造のライン１８Ｂ−１８Ｂに沿って切られた断面図である。
【図１８Ｃ】図１８Ａのルーティング構造のライン１８Ｃ−１８Ｃに沿って切られた断面図である。
【図１９】静止電極を有する前面基板と結合するための、可動電極のためのルーティングトレースを有する保持体の一実施形態の上面図である。
【図２０】シャドウマスクを使用して光学スタックを成形前面基板上に形成する方法の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図２１】一実施形態による、シャドウマスクを使用して図１７Ａのルーティング構造を形成する方法を示す概略斜視図である。
【図２２Ａ】従来の付着およびパターン形成技法を使用して前面基板を作成する方法の一実施形態を示す図である。
【図２２Ｂ】従来の付着およびパターン形成技法を使用して前面基板を作成する方法の一実施形態を示す図である。
【図２２Ｃ】従来の付着およびパターン形成技法を使用して前面基板を作成する方法の一実施形態を示す図である。
【図２３Ａ】下側電極および誘電体層を付着する前にパターン形成される付着された事前形成支持体を有する前面基板を作成する方法の一実施形態を示す図である。
【図２３Ｂ】下側電極および誘電体層を付着する前にパターン形成される付着された事前形成支持体を有する前面基板を作成する方法の一実施形態を示す図である。
【図２３Ｃ】下側電極および誘電体層を付着する前にパターン形成される付着された事前形成支持体を有する前面基板を作成する方法の一実施形態を示す図である。
【図２４Ａ】一実施形態による、静止電極を有する前面基板と結合するための保持体上の可動電極についてのルーティング構造の断面図である。
【図２４Ｂ】一実施形態による、静止電極を有する前面基板と結合するための保持体上の可動電極についてのルーティング構造の断面図である。
【図２５】一実施形態による、静止電極を有する前面基板と結合するための成形保持体の斜視図である。
【図２６Ａ】静止電極を有する前面基板と結合するための成形保持体を作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図２６Ｂ】静止電極を有する前面基板と結合するための成形保持体を作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図２６Ｃ】静止電極を有する前面基板と結合するための成形保持体を作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図２６Ｄ】静止電極を有する前面基板と結合するための成形保持体を作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図２６Ｅ】静止電極を有する前面基板と結合するための成形保持体を作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図２７Ａ】一実施形態による、エッジレールおよび支柱を有する成形保持体背面板の部分斜視図である。
【図２７Ｂ】図２７Ａの成形保持体背面板のライン２７Ｂ−２７Ｂに沿って切られた断面図である。
【図２７Ｃ】図２７Ａの成形保持体背面板のライン２７Ｃ−２７Ｃに沿って切られた断面図である。
【図２７Ｄ】図２７Ａの成形保持体背面板の上面図である。
【図２８】別の実施形態による、エッチホールを備えた可動電極を有する成形保持体背面板の部分斜視図である。
【図２９Ａ】成形保持体背面板を作成する方法の一実施形態を示す一連の概略断面図の１つである。
【図２９Ｂ】成形保持体背面板を作成する方法の一実施形態を示す一連の概略断面図の１つである。
【図２９Ｃ】成形保持体背面板を作成する方法の一実施形態を示す一連の概略断面図の１つである。
【図２９Ｄ】成形保持体背面板を作成する方法の一実施形態を示す一連の概略断面図の１つである。
【図３０Ａ】成形保持体背面板を作成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図３０Ｂ】成形保持体背面板を作成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図３０Ｃ】成形保持体背面板を作成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図３０Ｄ】成形保持体背面板を作成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図３１Ａ】成形保持体背面板を作成する方法のまた別の実施形態を示す図である。
【図３１Ｂ】成形保持体背面板を作成する方法のまた別の実施形態を示す図である。
【図３１Ｃ】成形保持体背面板を作成する方法のまた別の実施形態を示す図である。
【図３１Ｄ】成形保持体背面板を作成する方法のまた別の実施形態を示す図である。
【図３２Ａ】成形保持体背面板の実施形態の概略断面図である。
【図３２Ｂ】成形保持体背面板の実施形態の概略断面図である。
【図３２Ｃ】成形保持体背面板の実施形態の概略断面図である。
【図３２Ｄ】図３２Ｂの成形保持体背面板の概略上面図である。
【図３２Ｅ】図３２Ｄの成形保持体背面板の縁部の概略断面図である。
【図３３Ａ】パターン形成可動電極を有する成形保持体背面板を作成する方法のまた別の実施形態を示す図である。
【図３３Ｂ】パターン形成可動電極を有する成形保持体背面板を作成する方法のまた別の実施形態を示す図である。
【図３３Ｃ】パターン形成可動電極を有する成形保持体背面板を作成する方法のまた別の実施形態を示す図である。
【図３３Ｄ】パターン形成可動電極を有する成形保持体背面板を作成する方法のまた別の実施形態を示す図である。
【図３４Ａ】一実施形態による、可動電極ストリップ間で隆起する過剰機械層支持体を有する干渉変調器表示デバイスの概略部分斜視図である。
【図３４Ｂ】図３４Ａの干渉変調器表示デバイスのライン３４Ｂ−３４Ｂに沿って切られた概略断面図である。
【図３４Ｃ】図３４Ａの干渉変調器表示デバイスのライン３４Ｃ−３４Ｃに沿って切られた概略断面図である。
【図３４Ｄ】図３４Ａの干渉変調器表示デバイスのライン３４Ｄ−３４Ｄに沿って切られた概略断面図である。
【図３５Ａ】可動電極を前面基板に移転させるための除去可能保持体を作成する方法の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図３５Ｂ】可動電極を前面基板に移転させるための除去可能保持体を作成する方法の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図３５Ｃ】除去可能保持体を使用して干渉変調器表示デバイスを作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図３５Ｄ】除去可能保持体を使用して干渉変調器表示デバイスを作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図３６Ａ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図３６Ｂ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図３６Ｃ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図３６Ｄ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図３６Ｅ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図３７Ａ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図３７Ｂ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図３７Ｃ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図３７Ｄ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図３７Ｅ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図３８Ａ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法のまた別の実施形態を示す図である。
【図３８Ｂ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法のまた別の実施形態を示す図である。
【図３８Ｃ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法のまた別の実施形態を示す図である。
【図３８Ｄ】パターン形成可動電極を有する保持体を作成する方法のまた別の実施形態を示す図である。
【図３９Ａ】一実施形態による、前面基板と結合される、リベット支持構造を有する保持体の概略断面図である。
【図３９Ｂ】一実施形態による、前面基板支持構造を下にして逆転させた図３９Ａのリベット支持構造を有する干渉変調器表示デバイスの概略断面図である。
【図４０】干渉変調器表示デバイスの一実施形態の概略斜視図である。
【図４１Ａ】様々な実施形態による、干渉変調器表示デバイスのルーティング配置を概略的に示す図である。
【図４１Ｂ】様々な実施形態による、干渉変調器表示デバイスのルーティング配置を概略的に示す図である。
【図４１Ｃ】様々な実施形態による、干渉変調器表示デバイスのルーティング配置を概略的に示す図である。
【図４２Ａ】別の実施形態による、干渉変調器表示デバイスのルーティング配置を示す図である。
【図４２Ｂ】図４２Ａの干渉変調器表示デバイスのライン４２Ａ−４２Ａに沿って切られた断面図である。
【図４２Ｃ】図４２Ａの干渉変調器表示デバイスのライン４２Ｂ−４２Ｂに沿って切られた断面図である。
【図４３Ａ】完成デバイスの背面板としても機能する保持体を使用して干渉変調器表示デバイスを作成する方法の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図４３Ｂ】完成デバイスの背面板としても機能する保持体を使用して干渉変調器表示デバイスを作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図４３Ｃ】完成デバイスの背面板としても機能する保持体を使用して干渉変調器表示デバイスを作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図４４Ａ】前面基板上に導電シール剤を有するシャドウマスクを使用する方法の一実施形態を示す概略上面図である。
【図４４Ｂ】前面基板上に導電シール剤を有するシャドウマスクを使用する方法の一実施形態を示す拡大図である。
【図４４Ｃ】前面基板上に導電シール剤を有するシャドウマスクを使用する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図４４Ｄ】前面基板上に導電シール剤を有するシャドウマスクを使用する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図４４Ｅ】前面基板上に導電シール剤を有するシャドウマスクを使用する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図４５Ａ】除去可能保持体を使用して干渉変調器表示デバイスを作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図４５Ｂ】除去可能保持体を使用して干渉変調器表示デバイスを作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図４５Ｃ】除去可能保持体を使用して干渉変調器表示デバイスを作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図４５Ｄ】除去可能保持体を使用して干渉変調器表示デバイスを作成する方法の一実施形態を示す概略断面図である。
【図４６Ａ】可動電極層と背面板の間に延びるスペーサを有する干渉変調器表示デバイスの一実施形態の断面図である。
【図４６Ｂ】可動電極層を押さえるスペーサと支持体を有する図４６Ａの干渉変調器表示デバイスの斜視図である。
【図４７】可動電極層を貫通して延びるスペーサを有する干渉変調器表示デバイスのまた別の実施形態の斜視図である。
【図４８】スペーサを有する干渉変調器表示デバイスのまた別の実施形態の斜視図である。
【図４９Ａ】背面板から延びる止め支柱を有する干渉変調器表示デバイスの一実施形態の断面図である。
【図４９Ｂ】背面板から延びる止め支柱を有する干渉変調器表示デバイスの別の実施形態の断面図である。
【図４９Ｃ】背面板から延びる止め支柱を有する干渉変調器表示デバイスのまた別の実施形態の断面図である。
【図５０】表示領域内に支持体をもたない干渉変調器表示デバイスの一実施形態の断面図である。
【図５１】背面板から前面基板に延びるスペーサを有する干渉変調器表示デバイスの一実施形態の断面図である。
【図５２Ａ】パターン形成ブラックマスクを有する干渉変調器表示デバイスの一実施形態の断面図である。
【図５２Ｂ】一実施形態による、図５２Ａの干渉変調器表示デバイスの上面図である。
【図５３Ａ】干渉変調器表示デバイスのための部分湿潤ブラックマスクを作成する方法の一実施形態を示す図である。
【図５３Ｂ】干渉変調器表示デバイスのための部分湿潤ブラックマスクを作成する方法の一実施形態を示す図である。
【図５３Ｃ】干渉変調器表示デバイスのための部分湿潤ブラックマスクを作成する方法の一実施形態を示す図である。
【図５３Ｄ】部分湿潤ブラックマスクを有する干渉変調器表示デバイスの別の実施形態を示す図である。
【図５４】成形前面基板を含む静的干渉ディスプレイの一実施形態の断面図である。
【図５５】成形背面板を含む静的干渉ディスプレイの一実施形態の断面図である。
【図５６】図５４の静的干渉ディスプレイの上面図である。
【図５７】成形前面基板を含む静的干渉ディスプレイの別の実施形態の断面図である。
【図５８】ピクセルごとに別個の支持体をもたない成形前面基板を含む静的干渉ディスプレイのまた別の実施形態の断面図である。
【図５９】図５８の静的干渉ディスプレイの上面図である。
【図６０】成形背面板を含む静的干渉ディスプレイの別の実施形態の断面図である。
【図６１】成形前面基板を含む静的干渉ディスプレイの別の実施形態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下の詳細な説明は、本発明のある特定の実施形態に関する。しかし、本発明は、多数の異なる方法で具現することができる。この説明では、図面が参照されるが、すべての図面にわたって、同様の部分は、同様の番号で指示される。以下の説明から明らかなように、実施形態は、動きがあるか（例えば動画）、それとも静止しているか（例えば静止画）に関わらず、またテキストであるか、それとも絵であるかに関わらず、画像を表示するように構成された任意のデバイスにおいて実施することができる。より詳細には、実施形態は、モバイル電話、ワイヤレスデバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ハンドヘルドもしくはポータブルコンピュータ、ＧＰＳ受信機／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、ビデオカメラ、ゲームコンソール、腕時計、時計、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、自動車ディスプレイ（例えば走行距離計ディスプレイなど）、コックピット操縦装置および／もしくはディスプレイ、カメラビューのディスプレイ（例えば自動車のリアビューカメラのディスプレイ）、電子写真、電子掲示版もしくは看板、プロジェクタ、建築物、包装、ならびに美的構造（例えば宝石上への画像の表示）など、しかし、それらに限定されない、様々な電子デバイスにおいて実施でき、または様々な電子デバイスと関連させ得ることが企図されている。本明細書で説明されるＭＥＭＳデバイスと構造が類似したＭＥＭＳデバイスは、電子的スイッチングデバイスなどの非表示用途でも使用することができる。
【００４２】
微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは、２つの基板を結合することによって製作することができ、基板の各々は、その上に事前形成された構成要素を有する。一実施形態によるＭＥＭＳデバイスを作成する方法は、前面基板と、前面基板上に重ねて形成された静止電極とを提供するステップを含む。その後、保持体上に重ねて形成された可動電極を含む保持体が、前面基板に結合される。いくつかの実施形態の保持体は、可動電極を前面基板に移転させた後、除去することができ、他の実施形態では、保持体は、ＭＥＭＳ用の背面板として機能する。フィーチャは、付着およびパターン形成によって、型押しによって、またはパターン形成およびエッチングによって形成することができる。前記方法は、製造コストを低減するばかりでなく、より小さなばらつきも、したがって、より高い歩留まりも提供する。結果として得られるＭＥＭＳデバイスは、圧力変化および水漏れの影響をあまり受けない。また、可動電極から列ドライバへの、および静止電極から行ドライバへのルーティングの方法も開示される。光学ＭＥＭＳ（例えば干渉変調器）において望ましくない反射を防止するためのブラックマスクを形成するための技法も教示される。
【００４３】
干渉ＭＥＭＳデバイス表示要素を含む１つの干渉変調器ディスプレイの実施形態が、図１に示されている。これらのデバイスでは、ピクセルは、明るい状態または暗い状態のどちらかである。明るい（「オン」または「オープン」）状態では、表示要素は、入射可視光の大部分をユーザに向かって反射する。暗い（「オフ」または「クローズ」）状態にある場合、表示要素は、僅かな入射可視光しかユーザに向かって反射しない。実施形態に応じて、「オン」状態および「オフ」状態の光反射特性は、反対にすることができる。ＭＥＭＳピクセルは、選択された色で優勢に反射を起こすように構成することができ、白黒に加えて、カラー表示を可能にする。
【００４４】
図１は、視覚的ディスプレイのピクセル列内の２つの隣接ピクセルを示す等角図であり、各ピクセルは、ＭＥＭＳ干渉変調器を含む。いくつかの実施形態では、干渉変調器ディスプレイは、これらの干渉変調器からなる行／列アレイを含む。各干渉変調器は、少なくとも１つの可変寸法を有する共鳴光共振器（ｒｅｓｏｎａｎｔ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｃａｖｉｔｙ）を形成するために、互いから可変の制御可能な距離に配置された１対の反射層を含む。一実施形態では、反射層の一方は、２つの位置の間を移動することができる。本明細書において緩和位置（ｒｅｌａｘｅｄ  ｐｏｓｉｔｉｏｎ）と呼ばれる第１の位置では、可動反射層は、固定された部分反射層から相対的に大きな距離のところに配置される。本明細書において作動位置（ａｃｔｕａｔｅｄ  ｐｏｓｉｔｉｏｎ）と呼ばれる第２の位置では、可動反射層は、部分反射層により近く隣接して配置される。２つの層から反射される入射光は、可動反射層の位置に応じて増加的または減殺的に干渉し、各ピクセルについて全反射状態または非反射状態のどちらかを生み出す。
【００４５】
図１に示されるピクセルアレイの一部は、２つの隣接する干渉変調器１２ａ、１２ｂを含む。左側の干渉変調器１２ａでは、部分反射層を含む光学スタック１６ａから所定の距離の緩和位置にある、可動反射層１４ａが示されている。右側の干渉変調器１２ｂでは、光学スタック１６ｂに隣接する作動位置にある、可動反射層１４ｂが示されている。
【００４６】
本明細書で言及されるような光学スタック１６ａ、１６ｂ（一括して光学スタック１６と呼ばれる）は、一般にいくつかの融合層（ｆｕｓｅｄ  ｌａｙｅｒ）から成り、それらは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ：  ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）などの電極層と、クロムなどの部分反射層と、透明な誘電体とを含むことができる。したがって、光学スタック１６は、導電性であり、部分的に透明で、部分的に光を反射し、例えば、透明な基板２０上に上記の層の１つまたは複数を付着することによって製作することができる。いくつかの実施形態では、層は、以下でさらに説明されるように、平行なストリップにパターン形成され、表示デバイス内に行電極を形成することができる。可動反射層１４ａ、１４ｂは、支柱１８上に付着された（行電極１６ａ、１６ｂと直交する）１つまたは複数の付着金属層の一連の平行なストリップと、支柱１８の間に付着された介在犠牲材料（ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ  ｍａｔｅｒｉａｌ）として形成することができる。犠牲材料がエッチングされた場合、可動反射層１４ａ、１４ｂは、定められた間隙またはキャビティ１９によって光学スタック１６ａ、１６ｂから分離される。アルミニウムなどの導電性の高い反射材料が、反射層１４のために使用でき、これらのストリップは、表示デバイス内に列電極を形成することができる。
【００４７】
電圧が印加されていない場合、キャビティ１９が可動反射層１４ａと光学スタック１６ａの間に存続しており、図１のピクセル１２ａによって示されるように、可動反射層１４ａは、機械的に緩和状態にある。しかし、選択された行および列に電位差が印加された場合、対応するピクセルにおいて行電極と列電極の交差部に形成されるキャパシタが充電され、静電力が電極を互いに引き付ける。電圧が十分に高い場合、可動反射層１４は、変形され、光学スタック１６に押し付けられる。光学スタック１６内の誘電体層（この図には図示されず）は、短絡を防止することができ、図１の右側のピクセル１２ｂによって示されるように、層１４と層１６の間の分離距離を制御することができる。印加される電位差の極性に関わらず、挙動は同じである。このように、反射対非反射のピクセル状態を制御できる行／列作動は、多くの点で、従来のＬＣＤおよび他の表示技術で使用されるものと類似している。
【００４８】
図２から図５は、干渉変調器のアレイを表示用途で使用するための１つの例示的なプロセスおよびシステムを示している。
【００４９】
図２は、本発明の態様を含むことができる電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。例示的な実施形態では、電子デバイスは、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＶ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）  Ｐｒｏ、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ  ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）などの任意の汎用シングルチップもしくはマルチチップマイクロプロセッサ、またはデジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ、もしくはプログラマブルゲートアレイなどの任意の専用マイクロプロセッサとすることができる、プロセッサ２１を含む。当技術分野で従来そうであったように、プロセッサ２１は、１つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成することができる。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサは、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、または他の任意のソフトウェアアプリケーションを含む、１つまたは複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成することができる。
【００５０】
一実施形態では、プロセッサ２１は、アレイドライバ２２と通信するようにも構成される。一実施形態では、アレイドライバ２２は、パネルまたは表示アレイ（ディスプレイ）３０に信号を提供する、行ドライバ回路２４と、列ドライバ回路２６とを含む。図１に示されたアレイの断面は、図２のライン１−１によって示される部分に相当する。ＭＥＭＳ干渉変調器の場合、行／列作動プロトコルは、図３に示される、これらのデバイスのヒステリシス特性を利用することができる。例えば、可動層を緩和状態から作動状態に変形させるためには、１０ボルトの電位差を必要とし得る。しかし、その値から電圧が低下する場合、電圧が低下して再び１０ボルトより低くなったときも、可動層はその状態を維持する。図３の例示的な実施形態では、可動層は、電圧が２ボルトより下に低下するまで、完全には緩和しない。したがって、図３に示された例では、その内側ではデバイスが緩和状態または作動状態のどちらかで安定している印加電圧の窓が存在する、約３から７Ｖの電圧の範囲が存在する。これは、本明細書では、「ヒステリシスウィンドウ（ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ  ｗｉｎｄｏｗ）」または「安定性ウィンドウ（ｓｔａｂｉｌｉｔｙ  ｗｉｎｄｏｗ）」と呼ばれる。図３のヒステリシス特性を有する表示アレイの場合、行／列作動プロトコルは、行ストローブの間、作動されるストローブ行内のピクセルは約１０ボルトの電位差にさらされ、緩和されるピクセルはゼロボルトに近い電位差にさらされるように設計することができる。ストローブの後、ピクセルは、行ストローブがピクセルをどんな状態に置いたとしても、その状態に留まるように、約５ボルトの安定状態電位差にさらされる。書き込まれた後、各ピクセルは、この例では３から７ボルトの「安定性ウィンドウ」内の電位差を見る。この特徴は、図１に示されたピクセル設計を、同じ印加電圧状態の下で、既存の作動状態または緩和状態のどちらかで安定させる。作動状態にあるか、それとも緩和状態にあるかに関わらず、干渉変調器の各ピクセルは基本的に、固定反射層と移動反射層によって形成されたキャパシタであるので、この安定状態は、ヒステリシスウィンドウ内の電圧において、ほとんど電力損なしに、保つことかできる。基本的に、印加電位が固定される場合、ピクセルに電流は流れ込まない。
【００５１】
一般的な用途では、表示フレームは、第１の行内の所望の作動ピクセルの組に従って列電極の組をアサートすることによって、生成することができる。その後、行パルスが、行１の電極に印加され、アサートされた列ラインに対応するピクセルを作動させる。その後、アサートされた列電極の組は、第２の行内の所望の作動ピクセルの組に対応して変更される。その後、パルスが、行２の電極に印加され、アサートされた列電極に従って行２内の適切なピクセルを作動させる。行１のピクセルは、行２のパルスによって影響を受けず、行１のパルスの間に設定された状態に留まる。フレームを生成するために、一連の行すべてに対して、これを順番に繰り返すことができる。一般に、フレームは、毎秒ある所望のフレーム数で、このプロセスを継続的に繰り返すことによって、リフレッシュされ、および／または新しい表示データで更新される。表示フレームを生成するためにピクセルアレイの行電極および列電極を駆動するための多様なプロトコルもよく知られており、本発明と併せて使用できる。
【００５２】
図４および図５は、図２の３×３アレイ上に表示フレームを生成するための１つの可能な作動プロトコルを示している。図４は、図３のヒステリシス曲線を示すピクセルのために使用できる、列電圧レベルと行電圧レベルの可能な組を示している。図４の実施形態では、ピクセルの作動は、適切な列を−Ｖｂｉａｓに、適切な行を＋ΔＶに設定することを含み、それらは、それぞれ−５ボルトおよび＋５ボルトに対応し得る。ピクセルの緩和は、適切な列を＋Ｖｂｉａｓに、適切な行を同じ＋ΔＶに設定し、ピクセルの両端にゼロボルトの電位差を生成することによって、達成される。行電圧がゼロボルトに保たれる行では、列が＋Ｖｂｉａｓまたは−Ｖｂｉａｓのどちらであるかに関わらず、ピクセルは、元々の状態が何であれ、その状態で安定している。図４にも示されるように、上で説明されたのとは反対の極性の電圧が使用できること、例えば、ピクセルの作動は、適切な列を＋Ｖｂｉａｓに、適切な行を−ΔＶに設定することを含み得ることが理解されよう。この実施形態では、ピクセルの解放は、適切な列を−Ｖｂｉａｓに、適切な行を同じ−ΔＶに設定し、ピクセルの両端にゼロボルトの電位差を生成することによって、達成される。
【００５３】
図５Ｂは、作動ピクセルが非反射である、図５Ａに示された表示配列をもたらす、図２の３×３アレイに印加される一連の行信号および列信号を示す、タイミング図である。図５Ａに示されたフレームを書き込む前には、ピクセルは、任意の状態にあることができ、この例では、すべての行は０ボルトにあり、すべての列は＋５ボルトにある。これらの印加電圧の下で、すべてのピクセルは、既存の作動状態または緩和状態で安定している。
【００５４】
図５Ａのフレームでは、ピクセル（１，１）、（１，２）、（２，２）、（３，２）、（３，３）が作動している。これを達成するため、行１のための「ライン時間」の間、列１および列２は、−５ボルトに設定され、列３は、＋５ボルトに設定される。これはどのピクセルの状態も変化させないが、その理由は、すべてのピクセルが３ボルト−７ボルトの安定性ウィンドウ内に留まっているからである。その後、行１が、０ボルトから５ボルトに上昇してゼロに戻るパルスを用いて、ストローブされる。これは、（１，１）および（１，２）のピクセルを作動させ、（１，３）のピクセルを緩和させる。アレイ内の他のピクセルは影響を受けない。行２を望ましく設定するため、列２は、−５ボルトに設定され、列１および列３は、＋５ボルトに設定される。その後、行２に印加される同じストローブが、ピクセル（２，２）を作動させ、ピクセル（２，１）および（２，３）を緩和させる。やはり、アレイの他のピクセルは影響を受けない。行３も同様に、列２および列３を−５ボルトに設定し、列１を＋５ボルトに設定することによって設定される。行３のストローブは、図５Ａに示されたように、行３のピクセルを設定する。フレームを書き込んだ後、行電位はゼロであり、列電位は＋５ボルトまたは−５ボルトのどちらかに留まることができ、その場合、表示は、図５Ａの配列で安定している。数十または数百の行および列からなるアレイに対しても、同じ手順が利用できることが理解されよう。行および列の作動を実行するために使用されるタイミング、シーケンス、電圧レベルは、上で概説された一般原理内で幅広く変化に富むことができ、上記の例は、例示的なものに過ぎず、任意の作動電圧方法が、本明細書で説明されるシステムおよび方法と共に使用できることも理解されよう。
【００５５】
図６Ａおよび図６Ｂは、表示デバイス４０の一実施形態を示すシステムブロック図である。表示デバイス４０は、例えば、セルラ電話またはモバイル電話とすることができる。しかし、表示デバイス４０の同じ構成要素またはその僅かな変形は、テレビおよびポータブルメディアプレーヤなど、様々なタイプの表示デバイスに対する説明にも役立つ。
【００５６】
表示デバイス４０は、ハウジング４１と、ディスプレイ３０と、アンテナ４３と、スピーカ４５と、入力デバイス４８と、マイクロフォン４６とを含む。ハウジング４１は一般に、射出成形（ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｍｏｌｄｉｎｇ）および真空成形（ｖａｃｕｕｍ  ｆｏｒｍｉｎｇ）を含む、当業者によく知られた任意の様々な製造プロセスから形成される。加えて、ハウジング４１は、限定することなく、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、セラミック、またはそれらの組合せを含む、任意の様々な材料から作成することができる。一実施形態では、ハウジング４１は、着脱可能部分（図示されず）を含み、それは、色が異なる他の着脱可能部分、または異なるロゴ、絵、もしくはシンボルを含む他の着脱可能部分と取り替えることができる。
【００５７】
例示的な表示デバイス４０のディスプレイ３０は、本明細書で説明されるような、双安定ディスプレイ（ｂｉ−ｓｔａｂｌｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）を含む、任意の様々なディスプレイとすることができる。他の実施形態では、ディスプレイ３０は、上で説明されたような、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ  ＬＣＤ、もしくはＴＦＴ  ＬＣＤなどの、フラットパネルディスプレイ、または当業者によく知られた、ＣＲＴまたは他の管デバイスなどの、非フラットパネルディスプレイを含む。しかし、本実施形態を説明する目的では、ディスプレイ３０は、本明細書で説明されるような、干渉変調器ディスプレイを含む。
【００５８】
例示的な表示デバイス４０の一実施形態の構成要素が、図６Ｂに概略的に示されている。図示された例示的な表示デバイス４０は、ハウジング４１を含み、その内部に少なくとも部分的に収容される付加的な構成要素を含むことができる。例えば、一実施形態では、例示的な表示デバイス４０は、トランシーバ４７に結合されたアンテナ４３を含むネットワークインタフェース２７を含む。トランシーバ４７は、プロセッサ２１に接続され、プロセッサ２１は、調整ハードウェア（ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ  ｈａｒｄｗａｒｅ）５２に接続される。調整ハードウェア５２は、信号を調整する（例えば信号をフィルタリングする）ように構成することができる。調整ハードウェア５２は、スピーカ４５およびマイクロフォン４６に接続される。プロセッサ２１は、入力デバイス４８およびドライバコントローラ２９にも接続される。ドライバコントローラ２９は、フレームバッファ２８およびアレイドライバ２２に結合され、今度は、アレイドライバ２２が、表示アレイ３０に結合される。電源５０は、特定の例示的な表示デバイス４０の設計によって必要とされる、すべての構成要素に電力を提供する。
【００５９】
ネットワークインタフェース２７は、例示的な表示デバイス４０が１つまたは複数のデバイスとネットワークを介して通信できるように、アンテナ４３と、トランシーバ４７とを含む。一実施形態では、ネットワークインタフェース２７は、プロセッサ２１の要件を軽減するために、いくつかの処理機能も有することができる。アンテナ４３は、信号を送信および受信するための、当業者に知られた任意のアンテナである。一実施形態では、アンテナは、ＩＥＥＥ  ８０２．１１（ａ）、（ｂ）、または（ｇ）を含むＩＥＥＥ  ８０２．１１規格に従って、ＲＦ信号を送信および受信する。別の実施形態では、アンテナは、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ規格に従って、ＲＦ信号を送信および受信する。セルラ電話の場合、アンテナは、ワイヤレスセル電話ネットワーク内で通信するために使用される、ＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳ、または他の知られた信号を受信するように設計される。トランシーバ４７は、プロセッサ２１によって信号を受け取り、さらに操作できるように、アンテナ４３から受け取った信号を事前処理する。トランシーバ４７は、例示的な表示デバイス４０からアンテナ４３を介して信号を送信できるように、プロセッサ２１から受け取った信号も処理する。
【００６０】
一代替実施形態では、トランシーバ４７は、受信機によって置き換えることができる。また別の代替実施形態では、ネットワークインタフェース２７は、プロセッサ２１に送られる画像データを保存または生成できる、画像源によって置き換えることができる。例えば、画像源は、画像データを格納するデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）もしくはハードディスクドライブ、または画像データを生成するソフトウェアモジュールとすることができる。
【００６１】
プロセッサ２１は一般に、例示的な表示デバイス４０の動作全般を制御する。プロセッサ２１は、ネットワークインタフェース２７または画像源から圧縮画像データなどのデータを受け取り、そのデータを処理して、原画像データに、または原画像データを得るために容易に処理されるフォーマットにする。その後、プロセッサ２１は、処理済データをドライバコントローラ２９、または保存用のフレームバッファ２８に送る。原データとは一般に、画像内の各ロケーションにおける画像特性を識別する情報を指す。例えば、そのような画像特性は、色、彩度、およびグレイスケールレベルを含むことができる。
【００６２】
一実施形態では、プロセッサ２１は、例示的な表示デバイス４０の動作を制御するための、マイクロコントローラ、ＣＰＵ、または論理ユニットを含む。調整ハードウェア５２は一般に、信号をスピーカ４５に送るため、および信号をマイクロフォン４６から受け取るための、増幅器およびフィルタを含む。調整ハードウェア５２は、例示的な表示デバイス４０内の別個の構成要素とすることができ、またはプロセッサ２１もしくは他の構成要素内に組み込むことができる。
【００６３】
ドライバコントローラ２９は、プロセッサ２１によって生成された原画像データを、プロセッサ２１から直接またはフレームバッファ２８から受け取り、アレイドライバ２２への高速送信のために原画像データを適切に再フォーマットする。具体的には、ドライバコントローラ２９は、原画像データを再フォーマットして、データフローにし、データフローは、表示アレイ３０の全体にわたる走査に適した時間順を有するように、ラスタライク（ｒａｓｔｅｒ−ｌｉｋｅ）なフォーマットを有する。その後、ドライバコントローラ２９は、フォーマット済の情報をアレイドライバ２２に送る。ＬＣＤコントローラなどのドライバコントローラ２９は、しばしばスタンドアロン集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２１と関連付けられるが、そのようなコントローラは、多くの方法で実施することができる。それらは、ハードウェアとしてプロセッサ２１に埋め込むこと、ソフトウェアとしてプロセッサ２１に埋め込むこと、またはアレイドライバ２２と共にハードウェア内に完全に組み込むことができる。
【００６４】
一般に、アレイドライバ２２は、フォーマット済の情報をドライバコントローラ２９から受け取り、ビデオデータを再フォーマットして、ディスプレイのピクセルのｘ−ｙ行列から来ている数百、時には数千のリードに毎秒何回も印加される平行な波形の組にする。
【００６５】
一実施形態では、ドライバコントローラ２９、アレイドライバ２２、および表示アレイ３０は、本明細書で説明される任意のタイプのディスプレイに適している。例えば、一実施形態では、ドライバコントローラ２９は、従来のディスプレイコントローラまたは双安定ディスプレイコントローラ（例えば干渉変調器コントローラ）である。別の実施形態では、アレイドライバ２２は、従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバ（例えば干渉変調器ディスプレイ）である。一実施形態では、ドライバコントローラ２９は、アレイドライバ２２と統合される。そのような一実施形態は、セルラ電話、腕時計、および他の小面積ディスプレイなどの、高統合システムにおいて一般的である。また別の実施形態では、表示アレイ３０は、典型的な表示アレイまたは双安定表示アレイ（例えば干渉変調器のアレイを含むディスプレイ）である。
【００６６】
入力デバイス４８は、ユーザが例示的な表示デバイス４０の動作を制御することを可能にする。一実施形態では、入力デバイス４８は、ＱＷＥＲＴＹキーボードまたは電話キーパッドなどのキーパッド、ボタン、スイッチ、接触感知スクリーン、圧力または熱感知膜を含む。一実施形態では、マイクロフォン４６は、例示的な表示デバイス４０のための入力デバイスである。データをデバイスに入力するためにマイクロフォン４６が使用される場合、例示的な表示デバイス４０の動作を制御するための音声コマンドをユーザによって提供することができる。
【００６７】
電源５０は、当技術分野でよく知られた様々なエネルギー保存デバイスを含むことができる。例えば、一実施形態では、電源５０は、ニッケル−カドミウム電池またはリチウムイオン電池などの、再充電可能なバッテリである。別の実施形態では、電源５０は、再生可能なエネルギー源、キャパシタ、またはプラスチック太陽電池および太陽電池塗料を含む太陽電池である。別の実施形態では、電源５０は、壁付きコンセントから電力を受け取るように構成される。
【００６８】
いくつかの実施では、制御のプログラム可能性（ｃｏｎｔｒｏｌ  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｉｌｉｔｙ）は、上で説明されたように、電子表示システム内のいくつかの場所に所在し得るドライバコントローラに存している。いくつかのケースでは、制御のプログラム可能性は、アレイドライバ２２に存している。当業者であれば、上で説明された最適化が、任意の数のハードウェア構成要素および／またはソフトウェア構成要素で、また様々な構成で実施できることを理解されよう。
【００６９】
上で説明された原理に従って動作する干渉変調器の構造の詳細は、幅広く変化に富むことができる。例えば、図７Ａ−図７Ｅは、可動反射層１４およびその支持構造の５つの異なる実施形態を示している。図７Ａは、図１の実施形態の断面図であり、金属材料のストリップ１４が、直交して延びている支持体１８上にのせられる。図７Ｂでは、可動反射層１４は、隅においてのみテザー（ｔｅｔｈｅｒ）３２で支持体に結合される。図７Ｃでは、可動反射層１４は、可撓性金属を含み得る変形可能層３４から吊り下げられる。変形可能層３４は、様々な位置において、直接または間接に基板２０に接続する。接続は、本明細書では、支持構造または支柱１８と呼ばれる。図７Ｄに示される実施形態は、変形可能層３４がその上にのる支持支柱プラグ（ｓｕｐｐｏｒｔ  ｐｏｓｔ  ｐｌｕｇ）４２を含む支持構造１８を有する。可動反射層１４は、図７Ａ−図７Ｃにあるように、キャビティの上に吊り下げられたままであるが、変形可能層３４と光学スタック１６の間の隙間（ｈｏｌｅ）を満たすことによって、変形可能層３４は、支持支柱１８を形成しない。代わりに、支持支柱１８は、支持支柱プラグ４２を形成するために使用される平坦化材料（ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ  ｍａｔｅｒｉａｌ）から形成される。図７Ｅに示される実施形態は、図７Ｄに示された実施形態に基づいているが、図７Ａ−図７Ｃに示された実施形態のいずれかと共に、また図示されていないさらなる実施形態と共に働くように適合することもできる。図７Ｅに示される実施形態では、金属または他の導電性材料の追加層（ｅｘｔｒａ  ｌａｙｅｒ）が、バス構造４４を形成するために使用されている。これは、干渉変調器の背面に沿った信号ルーティングを可能にし、さもなければ基板２０上に形成しなければならなかった可能性のある多くの電極を排除する。
【００７０】
図７に示されるもののような実施形態では、干渉変調器は、画像が透明な基板２０の前方側から見られ、それに対向する側に可動電極が配列される、直視デバイス（ｄｉｒｅｃｔ−ｖｉｅｗ  ｄｅｖｉｃｅ）として機能する。これらの実施形態では、反射層１４は、変形可能層３４およびバス構造４４を含む、反射層の基板２０と対向する側の干渉変調器のいくつかの部分を光学的に遮蔽する。これは、画像品質に負の影響を与えることなく、遮蔽領域が構成され、作用を受けることを可能にする。この分離可能な変調器構成は、変調器の電気機械的な側面および光学的な側面のために使用される構造設計および材料が、互いに独立に選択され、機能することを可能にする。さらに、図７Ｃ−図７Ｅに示された実施形態は、反射層１４の光学的特性を、変形可能層３４によって実行される、その機械的特性から切り離すことから得られる、さらなる利点を有する。これは、反射層１４のために使用される構造設計および材料が、光学的特性に関して最適化され、変形可能層３４のために使用される構造設計および材料が、所望の機械的特性に関して最適化されることを可能にする。
【００７１】
目次
I. 基板の結合による干渉変調器の製造 ......................................... 30
II. 前面基板の形成........................................................... 32
1. 成形前面基板の形成....................................................... 33
2. パターン形成前面基板の形成............................................... 48
3. 支持体事前形成前面基板の形成............................................. 49
4. 他の列ルーティング構造 .................................................. 50
III. 背面保持体の形成 ....................................................... 51
1. 成形保持体 .............................................................. 52
a. 成形保持体背面板 ...................................................... 54
b. 成形除去可能保持体 .................................................... 64
2. パターン形成可動電極を有する保持体 ...................................... 66
a. パターン形成可動電極を有する保持体背面板 .............................. 66
b. パターン形成可動電極を有する除去可能保持体 ............................ 70
IV. 積層 .................................................................... 70
1. 成形保持体背面板および成形前面基板 ...................................... 71
A. 実施形態A .............................................................. 71
a. ルーティングオプション1 ............................................... 72
b. ルーティングオプション2 ............................................... 74
c. ルーティングオプション3 ............................................... 75
d. ルーティングオプション4 ............................................... 76
e. パッケージングおよび密封 .............................................. 76
B. 実施形態B .............................................................. 79
2. 成形保持体背面板およびパターン形成前面基板 .............................. 79
3. 成形保持体背面板および支持体事前形成前面基板 ............................ 80
4. 成形除去可能保持体および成形前面基板 .................................... 81
5. 成形除去可能保持体およびパターン形成前面基板 ............................ 82
6. 成形除去可能保持体および支持体事前形成前面基板 .......................... 82
7. パターン形成可動電極を有する保持体背面板および成形前面基板............... 83
8. パターン形成可動電極を有する保持体背面板およびパターン形成前面基板 ...... 83
9. パターン形成可動電極を有する保持体背面板および支持体事前形成前面基板 .... 84
10. パターン形成可動電極を有する除去可能保持体および成形前面基板 ........... 85
11. パターン形成可動電極を有する除去可能保持体およびパターン形成前面基板 ... 85
12. パターン形成可動電極を有する除去可能保持体および支持体事前形成前面基板.. 85
13. 成形前面基板および可動電極の従来の付着 ................................. 86
V. 前面基板と背面板の間にスペースを維持するためのスペーサ ................... 87
VI. ブラックマスク .......................................................... 91
1. パターン形成ブラックマスク .............................................. 91
2. 部分湿潤ブラックマスク .................................................. 92
VII. 静的干渉ディスプレイ ................................................... 94
1. 成形前面基板または支持体事前形成前面基板を有する静的干渉ディスプレイ .... 95
2. 成形背面板または事前形成背面板を有する静的干渉ディスプレイ .............. 98
3. キャビティフィラを有する静的干渉ディスプレイ ........................... 100
4. 連続深度キャビティを有する静的干渉ディスプレイ ......................... 102
【００７２】
Ｉ．  基板の結合による干渉変調器の製造
いくつかの実施形態では、ＭＥＭＳデバイスは、２つの基板を結合することによって作成することができ、その各々は、事前形成された構成要素を有する。加えて、２つの基板は、各基板を作成するのに適した設備装置を有する異なる製造業者によって別々に製造することができる。その後、基板は、第３の製造業者によって１つに組み立てることができる。組み立てプロセスは、可動層の許容差（ｌｅｅｗａｙ）を減らすのにも、したがって、アレイ全体におけるＭＥＭＳ構成要素間での、またはアレイ間での、キャビティサイズのばらつきを減らすのにも役立てることができる。製造におけるそのような柔軟性は、全体的コストを低減させるばかりでなく、より高い歩留まりも提供する。さらに、以下本明細書で説明される実施形態のいくつかは、マスキングなしのパターン形成すること（例えばフォトリソグラフィ）を容易にし、したがって、多数の薄層から微細構造を構築するための複雑な工程を回避することによって、製造コストを低減することができる。
【００７３】
本明細書で説明されるプロセスによって作成されるＭＥＭＳデバイスは、その２つの基板の間に相対的に小さなギャップ（例えば、約６，５００Åから約２０μｍの間、特に、約２μｍから約１５μｍの間、または約１０，５００Åから約５μｍの間）を有することができる。本開示で説明される実施形態では、２つの基板（すなわち前面基板および背面板）の間のギャップとは一般に、前面基板の最深トラフの底と、背面板が前面基板の上に重なったときに前面基板に面する背面板の面との間のギャップを指す。背面板の面は、前面基板から最も隔たった面である。「２つの基板の間のギャップ」は、成形保持体背面板および成形前面基板の積層に関する以下の説明からより良く理解されよう。加えて、ＭＥＭＳデバイスは、縁ばかりでなく、そのアレイ領域全体にわたって、支持体またはスペーサを有することができる。したがって、ＭＥＭＳデバイスは、圧力変化の影響をあまり受けない。加えて、相対的に小さなギャップは、２つの基板の間でより僅かな密封剤しか必要とせず、したがって、ＭＥＭＳデバイスは、ＭＥＭＳデバイス内部に乾燥剤がなくても、水漏れの影響をあまり受けない。さらに、ＭＥＭＳデバイスは、小さなギャップサイズのためにスリムなプロフィールを有することができる。
【００７４】
以下の実施形態では、ＭＥＭＳデバイスは、光学ＭＥＭＳデバイス、特に干渉変調器との関連で説明される。しかし、当業者であれば、本明細書で説明されるプロセスが、他のタイプの光学ＭＥＭＳまたはＭＥＭＳ電気機械容量性スイッチ（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  ｓｗｉｔｃｈ）など、他のＭＥＭＳデバイス向けの用途を有することを理解されよう。
【００７５】
図８は、一実施形態による、干渉変調器表示デバイス８００を示している。干渉変調器表示デバイス８００は、表示領域８０１と、周辺領域８０２とを含む。
【００７６】
表示領域８０１は、画像または画像の系列を表示するように一緒に構成される複数のピクセルを含む。表示領域８０１は、互いに実質的に平行に延びる行電極（図示されず）と、行電極と実質的に直交して、互いに実質的に平行に延びる列電極（図示されず）とを含む。行電極および列電極は、垂直方向に分離されており、それらの交差部にあるピクセルからなる行列を一緒に定める
【００７７】
周辺領域８０２は、表示領域８０１を囲む。表示領域８０１は、個別に作動される静電ＭＥＭＳユニットのアレイを含むので、本明細書では「アレイ領域」とも呼ばれる。周辺領域８０２は、ドライバチップ領域と、相互接続またはルーティング構造とを含むことができる。デバイス８００は、ドライバチップ領域に取り付けられた、行ドライバ８１１と、列ドライバ８１２とを有することができる。ドライバ８１１、８１２は、限定することなく、チップオングラス（ＣＯＧ：  ｃｈｉｐ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ）接合、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ：  ｔａｐｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｐａｃｋａｇｅ）結合、またはフィルムオングラス（ＦＯＧ：  ｆｉｌｍ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ）接合を含む、任意の適切な接合技法を使用して、ドライバチップ領域に取り付けることができる。ルーティング構造は、行電極および列電極をそれぞれ行ドライバ８１１および列ドライバ８１２に電気的に接続するように構成される。
【００７８】
図８の干渉変調器表示デバイス８００は、前面基板を背面板に結合することによって形成することができる。図９は、一実施形態による、干渉変調器表示デバイス９００を作成する方法を示している。最初に、表示またはアレイ領域９０１と、周辺領域９０２とを有する、前面基板９１０が提供される。前面基板９１０は、表示領域９０１にキャビティまたはトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）のアレイを含むことができる。キャビティまたはトレンチは各々、固定または静止電極を含む光学スタックを含むことができる。前面基板９１０は、図８に関して説明されたように、周辺領域９０２に、ルーティング構造と、ドライバチップ領域とを含むこともできる。
【００７９】
次に、干渉変調器表示デバイス９００のいくつかの機能構成要素を保持する保持体９５０が、前面基板９１０に結合され、表示領域９０１と、表示領域９０１を囲む周辺領域９０２の部分とを覆う。一実施形態では、可動電極は、保持体９５０を前面基板９１０に結合する前に、保持体９５０上に形成される。前面基板９１０と保持体９５０が互いに結合されたとき、可動電極は、それらの間に配置される。可動電極は、例えば、陽極接合、溶融接合、および類似の方法を使用して、前面基板９１０の支持構造に結合することができる。
【００８０】
いくつかの実施形態では、可動電極は、保持体上に形成され、保持体は、除去可能保持体とすることができる（例えば、図３５Ａ−図３５Ｄおよび付随する説明を参照）。他の実施形態では、保持体は、表示デバイス９００のための永続的な背面板として機能する（例えば、図２５−図３４Ｄおよび図３６Ａ−図３９Ｂ、ならびに付随する説明を参照）。別の実施形態では、可動電極は、永続的な背面板を前面基板に結合する前に、前面基板上に重ねて形成される。その後、背面板が、前面基板に結合される。
【００８１】
ＩＩ．  前面基板の形成
上で説明された干渉変調器表示デバイスを作成する際、デバイスの前面基板は、様々な方法で形成することができる。一実施形態では、前面基板は、キャビティまたはリセスを基板の面内に形成し、次にキャビティ内に光学スタックを形成することによって、準備することができる。キャビティは、例えば、型押し、フォトリソグラフィおよびエッチング、ならびにインスクライブなど、任意の適切なプロセスによって形成することができる。本文献との関連では、そのようなプロセスによって形成される前面基板は、「成形前面基板（ｓｈａｐｅｄ  ｆｒｏｎｔ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）」と呼ばれる。一般に、キャビティは、成形前面基板のための基板と一体形成される支持体（例えばレールまたは支柱）によって仕切られる。
【００８２】
別の実施形態では、前面基板は、基板上に光学スタックを形成し、次にキャビティを定めるために光学スタック上に支持体を形成することによって、準備することができる。本文献との関連では、このプロセスによって形成される前面基板は、「パターン形成前面基板（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  ｆｒｏｎｔ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）」と呼ばれる。一般に、支持体は、基板とは別個であり、基板上に重ねて形成され、パターン形成基板のための基板とは異なる材料から作成することができる（例えば、図２２Ａ−図２２Ｃおよび付随する説明を参照）。
【００８３】
また別の実施形態では、前面基板は、キャビティを定めるために基板上に支柱を形成し、次にキャビティ内に光学スタックを形成することによって、作成することができる。本文献との関連では、このプロセスによって形成される前面基板は、「支持体事前形成前面基板（ｐｒｅｆｏｒｍｅｄ  ｓｕｐｐｏｒｔ  ｆｒｏｎｔ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）」と呼ばれる。パターン形成前面基板と同様に、支持体事前形成前面基板は、基板とは別個の支柱を有し、基板とは異なる材料から作成することができるが、パターン形成前面基板とは異なり、（静止電極を含む）光学スタックは、支持体と基板の間に置かれない。
【００８４】
１．  成形前面基板の形成
図１０は、一実施形態による、成形前面基板１０００の概略部分斜視図である。前面基板１０００の図示された部分は、前面基板１０００の表示領域の部分である。したがって、図１０は、表示領域の部分的な図に過ぎず、したがって、図１０に示された構造は、実質的に表示領域全体にわたって繰り返されることに留意されたい。
【００８５】
前面基板１０００は、複数のレール１０１１ａ−１０１１ｄと、レール１０１１ａ−１０１１ｄの対の間に定められる複数のトラフ１０１２ａ−１０１２ｃとを有する、基板１０１０を含む。基板１０１０は、トラフ１０１２ａ−１０１２ｃ内に形成された複数の支柱１０１３ａ−１０１３ｃも含む。本文献との関連では、レール１０１１ａ−１０１１ｄおよび支柱１０１３ａ−１０１３ｃは、一括して「支持体」または「支持構造」と呼ばれることがある。前面基板１０００はまた、トラフ１０１２ａ−１０１２ｃの底上に（静止電極を含む）光学スタック１０１４を含み、支持体１０１１ａ−１０１１ｄおよび１０１３ａ−１０１３ｃの頂上に光学スタック１０１４の同じ層を含む。
【００８６】
基板１０１０は、実質的に透明な材料から形成することができる。透明な材料の例は、限定することなく、ガラスと、透明な高分子材料とを含む。非光学ＭＥＭＳデバイスのための他の実施形態では、基板は、高分子材料（例えばポリエチレン）と積層されたステンレス鋼平板を含むことができる。基板１０１０は、基板１０１０の部分の除去もしくは成形に適した、または基板１０１０の面内へのリセスの形成に適した、任意の方法によって成形することができる。成形方法の例は、限定することなく、型押し、フォトリソグラフィおよびエッチング、ならびにインスクライブを含む。上で説明された方法では、基板１０１０は、さらなる材料を基板１０１０に追加することなく成形されるので、レール１０１１ａ−１０１１ｄおよび支柱１０１３ａ−１０１３ｃの形を取る支持体は、基板１０１０の材料と同じ材料から、同じ材料を用いて一体形成することができる。
【００８７】
レール１０１１ａ−１０１１ｄは、図１０に示されるように、互いに平行に行方向（ｘ方向）に延びる。行／列またはＸＹＺ方向の呼称は、基本的に恣意的なものであるが、本明細書では一貫して参照されることが理解されよう。レール１０１１ａ−１０１１ｄは、実質的に同じレベルに、すなわち単一の平面内に、上面を有する。
【００８８】
トラフ１０１２ａ−１０１２ｃは、図１０に示されるように、レール１０１１ａ−１０１１ｄと交互に並び、互いに平行に行方向（ｘ方向）に延びる。トラフ１０１２ａ−１０１２ｃは、以下の説明からより良く理解されるように、可動電極（図示されず）が基板１０１０の方に陥没できるようにキャビティまたはスペースを提供する。
【００８９】
図示された干渉変調器の実施形態の場合、トラフ１０１２ａ−１０１２ｃは、約６００Åから約４，０００Åの間の深さを有することができる。トラフ１０１２ａ−１０１２ｃは、結果として得られる表示デバイスの動作中に、トラフ１０１２ａ−１０１２ｃが生じさせるように設計された色に応じて、様々な深さＤ１、Ｄ２、Ｄ３を有することができる。図示された実施形態では、前面基板１０００は、３つの異なる色のための３つの異なる深さＤ１、Ｄ２、Ｄ３の第１、第２、および第３のトラフを有する。第１のトラフ１０１２ａは、最小の深さを有し、青（Ｂ）色を発生させるように構成される。第１のトラフ１０１２ａは、約６００Åから約２，０００Åの間の第１の深さＤ１を有することができる。第２のトラフ１０１２ｂは、中間の深さを有し、緑（Ｇ）色を発生させるように構成される。第２のトラフ１０１２ｂは、約１，０００Åから約３，０００Åの間の第２の深さＤ２を有することができる。第３のトラフ１０１２ｃは、最大の深さを有し、赤（Ｒ）色を発生させるように構成される。第３のトラフ１０１２ｃは、約２，０００Åから約４，０００Åの間の第３の深さＤ３を有することができる。トラフ１０１２ａ−１０１２ｃは、約１０μｍから約２００μｍの間の幅Ｗを有することができる。当業者であれば、トラフ１０１２ａ−１０１２ｃの構成および深さは、ピクセルの色および設計に応じて様々になり得ることを理解されよう。
【００９０】
支柱１０１３ａ−１０１３ｃは、トラフ１０１２ａ−１０１２ｃの底上に形成され、上方に向かって延びる。支柱１０１３ａ−１０１３ｃは、レール１０１１ａ−１０１１ｄの頂部と実質的に同じレベル（実質的に同じ平面内）にある上面を有する。各支柱１０１３ａ−１０１３ｃは、支柱１０１３ａ−１０１３ｃが配置されたトラフ１０１２ａ−１０１２ｃの深さに対応する高さを有する。したがって、異なる深さのトラフ１０１２ａ−１０１２ｃ内の支柱１０１３ａ−１０１３ｃは、互いに異なる高さを有する。図示された実施形態では、第１のトラフ１０１２ａ内の支柱１０１３ａは、第１の深さＤ１に対応する第１の高さを有する。第２のトラフ１０１２ｂ内の支柱１０１３ｂは、第２の深さＤ２に対応する第２の高さを有する。第３のトラフ１０１２ｃ内の支柱１０１３ｃは、第３の深さＤ３に対応する第３の高さを有する。
【００９１】
支柱１０１３ａ−１０１３ｃは、所定のパターンで配列される。以下の説明からより良く理解されるように、前面基板１０００の表示領域の図示された部分は、表示領域全体にわたって行列の形で反復され得る、単一のピクセルＰを形成する。図示されたピクセルＰは、実質的に正方形の形を有する。ピクセルＰは、第１のサブピクセルＳＰ１と、第２のサブピクセルＳＰ２と、第３のサブピクセルＳＰ３とを含み、その各々は、長方形の形をしている。サブピクセルＳＰ１−ＳＰ３の各々は、サブサブピクセルＳＳＰ１１−ＳＳＰ１３、ＳＳＰ２１−ＳＳＰ２３、またはＳＳＰ３１−ＳＳＰ３３を含む。各サブサブピクセルＳＳＰ１１−ＳＳＰ１３、ＳＳＰ２１−ＳＳＰ２３、ＳＳＰ３１−ＳＳＰ３３は、可動電極（図示されず）のための支持体を提供するために、４つの支柱からなるグループを含む。支柱１０１３ａ−１０１３ｃは、その間で可動電極が下方に撓むことが可能なように、互いに離して配置される。図示された実施形態では、サブサブピクセルＳＳＰ１３、ＳＳＰ２１−ＳＳＰ２３、ＳＳＰ３１−ＳＳＰ３３の各々は、上から見たときにサブサブピクセルの自由端の近くに配置された４つの支柱を有する。
【００９２】
光学スタック１０１４は、いくつかの融合層を含むことができる。一実施形態では、光学スタック１０１４は、透明な導電層と、透明な導電層上にのった誘電体層とを含むことができる。透明な導電層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から形成することができる。誘電体層は、二酸化ケイ素から形成することができる。別の実施形態では、誘電体層は、上側副層および下側副層を含む２層構造を有することができる。任意の犠牲層除去工程のために誘電体層がフッ素エッチング剤にさらされるある実施形態では、上側副層は、酸化アルミニウムなどの保護材料から形成することができる。下側副層は、二酸化ケイ素から形成することができる。一実施形態では、透明な導電層は、約１０Åから約８００Åの間の厚さを有することができる。誘電体層は、約１００Åから約１，６００Åの間の厚さを有することができる。誘電体層が上側副層および下側副層を有する実施形態では、上側副層は、例えば約５０Åの厚さを有することができ、一方、下側副層は、例えば約４５０Åの厚さを有することができる。図示された実施形態では、光学スタック１０１４は、トラフ１０１２ａ−１０１２ｃの底と支持体１０１１ａ−１０１１ｄおよび１０１３ａ−１０１３ｃの頂部の間で途切れている。
【００９３】
トラフ１０１２ａ−１０１２ｃの底上の光学スタック１０１４の導電層は、レール１０１１ａ−１０１１ｄによって互いに電気的に絶縁される。電気的に絶縁された導電層は、結果として得られる干渉変調器表示デバイスの行電極を形成する。
【００９４】
ある実施形態では、光学スタック１０１４は、透明な導電層と誘電体層の間に、金属の吸収体層（または部分反射層）を含むこともできる。吸収体層は、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはＭｏ／Ｃｒなどの、半透明な厚さの金属から形成することができる。広帯域白色干渉変調器（ｂｒｏａｄ−ｂａｎｄ  ｗｈｉｔｅ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ  ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）のための別の実施形態では、吸収体層は、ゲルマニウム層などの半導体層で置き換えることができる。吸収体層または半導体層は、約１Åから約１００Åの間、特に約５０Åから約１００Åの間の厚さを有することができる。
【００９５】
図１１Ａは、図１０の（光学スタック１０１４なしの）前面基板１０００のライン１１Ａ−１１Ａに沿って切られた断面図である。深さの相違のため、トラフ１０１２ａ−１０１２ｃは、それぞれ異なるレベルＬ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃにある底面を有する。しかし、支持体１０１１ａ−１０１１ｄおよび１０１３ａ−１０１３ｃは、トラフ１０１２ａ−１０１２ｃの深さに応じて異なる高さを有するので、支持体１０１１ａ−１０１１ｄおよび１０１３ａ−１０１３ｃの上面は、実質的に同じレベルＬ２、すなわち実質的に同じ平面内にある。
【００９６】
支持体１０１１ａ−１０１１ｄ、１０１３ａ−１０１３ｃの頂上の光学スタックは、「ブラックマスク」として機能することができる。光学スタックは、干渉変調器が陥没状態にある場合と同じ光学的効果を常に提供する。光学スタックは、黒色を提供することができる。他の実施形態では、光学スタックは、干渉変調器の設計に応じて、白色を提供することができる。
【００９７】
図１１Ｂは、光学スタック１０１４の付着後の、図１１Ａの断面図である。光学スタック１０１４のため、前面基板１０００の最上点は、光学スタック１０１４の厚さだけレベルＬ２よりも高い、レベルＬ２’にある。
【００９８】
図１２Ａ−図１２Ｄは、一実施形態による、成形前面基板を形成する方法を示す断面図である。図示された方法は、前面基板を成形するために型押しを使用する。図１２Ａに示されるように、実質的に平坦な基板１２１０が、圧板（ｐｌａｔｅｎ）１２２０上に置かれる。基板１２１０は、好ましくは透明で、成形のために容易に可鍛性をもたせ得る、ガラスまたは他の材料から形成することができる。図示された圧板１２２０は、金属材料から形成することができる。基板１２１０は、基板１２１０が後続の型押し工程で型押しするのに十分な柔らかさをもつように、加熱することができる。基板１２１０は、基板１２１０用に使用される材料に応じて様々である温度まで加熱することができる。
【００９９】
その後、型押し板１２３０が、図１２Ｂに示されるように、軟化された基板１２１０の上に押し付けられる。型押し板１２３０は、基板１２１０上にレール、トラフ、および支柱を定めるように成形された、凹凸を有する。型押し板１２３０は、金属材料から形成することができる。ある実施形態では、圧板１２２０および型押し板１２３０の少なくとも一方は、回転シリンダの形を取ることができる。当業者であれば、他の様々な構成の型押し技法も前面基板１２１０を成形するために適合できることを理解されよう。
【０１００】
次に、型押し板１２３０が、前面基板１２１０から除去される。その後、型押しされた前面基板１２１０が、圧板１２２０から除去される。結果として得られた前面基板１２１０が、図１２Ｃに示されている。
【０１０１】
別の実施形態では、前面基板１２１０は、フォトリソグラフィおよびエッチング技法を使用して基板の部分を選択的に除去することによって、成形することができる。また別の実施形態では、前面基板１２１０は、最初に基板の所定の部分をインスクライブし、次にその部分を選択的にエッチングすることによって、成形することができる。「インスクライブ」という用語は、マーキング（ｍａｒｋｉｎｇ）またはスコーリング（ｓｃｏｒｉｎｇ）と交換可能に使用することができる。インスクライブは、例えば、マシニングまたはレーザインスクライブ（ｌａｓｅｒ−ｉｎｓｃｒｉｂｉｎｇ）など、様々な技法を使用して行うことができる。自動インスクライブ方法が、日本の東京に所在する日本板硝子株式会社（Ｎｉｐｐｏｎ  Ｓｈｅｅｔ  Ｇｌａｓｓ，  Ｃｏ．，  Ｌｔｄ）から入手可能である。図１２Ａ−図１２Ｄに示された型押し技法は、マスキングプロセスなしに行うことができる。加えて、パターン形成されたプレートは、多くの基板に対して繰り返し使用することができる。前面基板１２１０を成形するための他の様々な技法も使用できることが理解されよう。
【０１０２】
その後、光学スタック材料が、実質的に成形前面基板１２１０にわたって順次付着される。光学スタック材料は、光学スタック１２１４が支持体の頂上およびトラフの底上に付着されるが、連続して側面を覆うには十分に共形（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）でないように、例えばスパッタリングなど、任意の適切な技法を使用して付着することができる。この構成は、任意のＭＥＭＳデバイス（光学または非光学ＭＥＭＳデバイス）に適用することができる。支持体の頂上の光学スタックは、光学ＭＥＭＳデバイスの場合、「ブラックマスク」として機能することができる。光学スタック１２１４の構成は、図１０の光学スタック１０１４に関して上で説明されたようなものとすることができる。
【０１０３】
図１３は、可動電極１３６０がその上に配列された前面基板１３１０を含む、部分的に製作された干渉変調器表示デバイス１３００の一実施形態の部分斜視図である。前面基板１３１０の構成は、図１０の前面基板１０００に関して上で説明されたようなものとすることができる。可動電極１３６０は、図１３および図１４Ａに示されるように、互いに実質的に平行に、また前面基板１３１０のトラフ１３１２ａ−１３１２ｃと実質的に直交して走っている。図示された実施形態では、可動電極１３６０とトラフ１３１２ａ−１３１２ｃは、互いに交差し、図１０を参照して上で説明されたサブサブピクセルを定める。他の実施形態では、（図１３の３つの可動電極１３６０の代わりに）単一の可動電極が、前面基板１３１０の図示された部分全体を実質的に覆い、それによって、単一のピクセルを定めることができる。
【０１０４】
図１３および図１４Ａ−１４Ｃの実施形態では、可動電極１３６０は、図１３および図１４Ｂ  （図１３のデバイスのライン１４Ｂ−１４Ｂに沿って切られた断面図）に示されるように、前面基板１３１０のレール１３１１ａ−１３１１ｃ上および支柱１３１３ａ−１３１３ｃ上に光学スタック１３１４ａを介在させて支持される。図１４Ｃ  （図１３のデバイスのライン１４Ｃ−１４Ｃに沿って切られた別の断面図）も、可動電極１３６０が、前面基板１３１０の支柱１３１３ａ−１３１３ｃ上に光学スタック１３１４ａを介在させて支持されることを示している。ある実施形態では、可動電極１３６０をさらに支持するために、トラフ１３１２ａ−１３１２ｃの底上に、エッジスペーサ（ｅｄｇｅ  ｓｐａｃｅｒ）１３１５（図１４Ａ）を提供することができる。エッジスペーサ１３１５は、各ピクセルの縁に、支柱１３１３ａ−１３１３ｃから横方向に間隔をあけて配置することができる。
【０１０５】
図１４Ｄは、可動電極１３６０がその上に形成された図１４Ｂの前面基板１３１０の部分拡大断面図である。可動電極１３６０は、前面基板１３１０の支持構造（例えばレール１３１１ａ−１３１１ｃおよび支柱１３１３ａ−１３１３ｃ）上の光学スタック１３１４ａ上に支持される。図示された可動電極１３６０は、支持構造の上にのる第１の部分Ｍａと、第１の部分Ｍａの間の第２の部分Ｍｂとを有する。第２の部分Ｍｂは、支持構造の上にのらない。第１の部分は、第１の厚さＴ１を有し、一方、第２の部分は、第２の厚さＴ２を有する。
【０１０６】
図９を参照して上で説明されたように、可動電極１３６０は、前面基板１３１０に結合される前に、保持体上に形成される。可動電極１３６０を前面基板１３１０に結合するために、保持体は、可動電極１３６０を間に置いて、前面基板１３１０に押し付けられる。支持構造と接触する可動電極１３６０の部分（例えば上で説明された第１の部分Ｍａ）は、可動電極１３６０が変形可能または可鍛性を有する場合は特に、圧縮され得る。結果として、可動電極１３６０の第１の部分Ｍａの第１の厚さＴ１は、第２の部分Ｍｂの第２の厚さＴ２よりも薄くなり得る。一実施形態では、第１の厚さＴ１は、約２００Åから約２，０００Åとすることができる。第２の厚さＴ２は、約２００Åから約２，０００Åとすることができる。第１の厚さＴ１と第２の厚さＴ２の間の差は、約５Åから約１００Åとすることができる。第１の厚さＴ１と第２の厚さＴ２の間の差は、可動電極１３６０を前面基板１３１０に結合するときに加えられる圧力に応じて、様々とすることができる。
【０１０７】
図１３に戻ると、図示された可動電極１３６０は、細長く、またはストリップ形状をしており、各々は、列方向に多数のＭＥＭＳユニットまたはピクセルをまたいでいる。細長い可動電極１３６０は、長さおよび幅を有することができる。可動電極１３６０の長さ対幅の比はおおよそ、約ｘ：１と同じオーダにあり、ここで、ｘは、表示アレイの列方向のピクセルの数の３倍である。一実施形態では、可動電極１３６０の長さ対幅の比は、約１０：１から約１，０００，０００：１の間である。可動電極１３６０は、反射層（またはミラー）１３６０ａと、機械（または変形可能）層１３６０ｂとを含むことができる。反射層１３６０ａは、機械層１３６０ｂに結合または融合することができ、他の配置では、反射層は、機械層から吊り下げられることができる（例えば図７Ｃ−図７Ｅを参照）。反射層１３６０ａは、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはそれらの合金など、鏡のようなまたは反射をおこす金属から形成することができ、干渉効果のために前面基板１３１０に入射した可視光を実質的にすべて反射するのに十分な厚さを有する。機械層１３６０ｂは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、またはそれらの合金から形成することができる。機械層１３６０ｂは、機械的支持を提供するのに十分な厚さを有することができるが、一方で、可動電極１３６０がトラフ１３１２ａ−１３１２ｃの底上の光学スタック１３１４ｂの方に移動することを可能にするのに十分な薄さおよび可撓性を有する。機械層１３６０ｂは、数百オングストロームから数千オングストロームの間の厚さを有することができる。例示的な一実施形態では、反射層１３６０ａは、約３００Åの厚さを有し、機械層１３６０ｂは、約１０００Åの厚さを有する。層１３６０ａおよび１３６０ｂの厚さは、他の実施形態では異なることができる。ＭＥＭＳデバイスが電気機械容量性スイッチとして使用されるある実施形態では、可動電極は、実質的に導電性のある材料を含むことができる。
【０１０８】
図１５は、図１３の部分的に製作された干渉変調器表示デバイス１３００の概略上面図である。デバイス１３００は、前面基板１３１０と、その上に形成された複数の可動電極１３６０とを含む。
【０１０９】
前面基板１３１０は、表示領域１３０１と、周辺領域１３０２とを含む。前面基板１３１０は、表示領域１３０１内に、互いに平行に延びる複数のトラフ１３１２を含み、トラフは、その底に静止電極を含む。前面基板１３１０はまた、周辺領域１３０２内に、複数のルーティングトレンチ（ｒｏｕｔｉｎｇ  ｔｒｅｎｃｈ）  １３１６Ｒ、１３１６Ｃと、ドライバチップ領域１３０３ａ、１３０３ｂとを含む。ルーティングトレンチは、行ルーティングトレンチ１３１６Ｒと、列絶縁トレンチ１３１６Ｃとを含む。ドライバチップ領域は、行ドライバチップ領域１３０３ａと、列ドライバチップ領域１３０３ｂとを含む。可動電極１３６０は、互いに実質的に平行に、また前面基板１３１０のトラフ１３１２と実質的に直交して走っている。
【０１１０】
図１６Ａは、ただ１つの可動電極１３６０の位置が破線で示された、図１５の前面基板１３１０の上面図である。上で説明されたように、前面基板１３１０は、表示領域１３０１内にトラフ１３１２を含み、周辺領域１３０２内に行ルーティングトレンチ１３１６Ｒおよび列絶縁トレンチ１３１６Ｃを含む。行ルーティングトレンチ１３１６Ｒは、トラフ１３１２から行ドライバチップ領域１３０３ａに延びる。列絶縁トレンチ１３１６Ｃは、各トレンチの一方の端が対応する１つの可動電極１３６０に接近するように、表示領域１３０１付近から列ドライバチップ領域１３０３ｂに延びる。
【０１１１】
図１６Ｂは、１６Ｂによって示された、図１６Ａのトラフ１３１２の１つおよび対応する１つの行ルーティングトレンチ１３１６Ｒの拡大上面図である。トラフ１３１２は、幅Ｗ１を有する。行ルーティングトレンチ１３１６Ｒは、トラフ１３１２の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２を有する。前面基板１３１０は、行ルーティングトレンチ１３１６Ｒに接続された接触トレンチ（ｃｏｎｔａｃｔ  ｔｒｅｎｃｈ）１３１７も含む。接触トレンチ１３１７は、結果として得られる干渉変調器表示デバイスのピクセルに電気信号を提供する、行ドライバの接続バンプ（ｃｏｎｎｅｃｔｉｎｇ  ｂｕｍｐ）または異法性導電フィルム（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）（図示されず）に適合するように成形される。図１６Ｂでは正方形または長方形として示されているが、他の実施形態では、前面基板１３１０は、他の様々な形状および構成の接触トレンチを有することができる。トラフ１３１２、行ルーティングトレンチ１３１６Ｒ、および接触トレンチ１３１７は、図１６Ｃに示されるように、実質的に同じ深さＤを有する。他の実施形態では、トラフ１３１２、行ルーティングトレンチ１３１６Ｒ、および接触トレンチ１３１７の１つは、他と異なる深さを有することができる。図１６Ｄを参照すると、別の実施形態では、行ルーティングトレンチ１３１６Ｒは、トラフ１３１２から接触トレンチ１３１７に延びるにつれて、減少する深さＤ２または斜面になった底を有することができる。基板がインスクライブによって成形される一実施形態では、そのような深さ変化は、インスクライブ中の圧力を変化させることによって、作り出すことができる。トラフ１３１２、行ルーティングトレンチ１３１６Ｒ、および接触トレンチ１３１７の深さおよび幅は、前面基板１３１０およびそこに提供されるドライバチップの構造および寸法に応じて、幅広く変化に富み得ることが理解されよう。
【０１１２】
図１６Ｅは、行ドライバ８１１がその上に取り付けられた、光学スタック１３１４ａ、１３１４ｂを形成する処理の後の、図１６Ｃの裸前面基板１３１０の断面図である。行ドライバ８１１は、図１６Ｅに示されるように、下方向を向いた複数の電気リード８１１ａを含む。前面基板１３１０の図示された部分は、行ルーティングトレンチ１３１６Ｒと、接触トレンチ１３１７とを含む。前面基板１３１０は、周辺領域上および行ルーティングトレンチ１３１６Ｒの底上に、光学スタック１３１４ａ、１３１４ｂも含む。行ルーティングトレンチ１３１６Ｒの底上の光学スタック１３１４ｂは、誘電体層１３１４ｂ１と、その下にある導電層１３１４ｂ２とを含む。光学スタック１３１４ｂの構成は、図１０の光学スタック１０１４に関して上で説明されたようなものとすることができる。導電層１３１４ｂ２は、接触トレンチ１３１７内に延びているが、誘電体層１３１４ｂ１は、延びていない。この構成は、接触トレンチ１３１７において導電層１３１４ｂ２を露出させ、したがって、導電層１３１４ｂ２と行ドライバ８１１の対応する１つのリード８１１ａとの間の電気的接続を可能にする。図２０および図２１に関して以下で説明されるシャドウマスク（ｓｈａｄｏｗ  ｍａｓｋ）技法を含む様々な技法が、接触トレンチ１３１７において導電層１３１４ｂ２を露出させるために使用できる。
【０１１３】
図示された実施形態では、電気的接続は、異法性導電フィルム（ＡＣＦ）によって提供される。ＡＣＦは、高分子または有機フィルム（図示されず）内に拡散した導電粒子８１３を含む。電気的接続を確立する際、ＡＣＦは、接触トレンチ１３１７内の導電層１３１４ｂ２によって形成されたパッドとドライバ８１１のリード８１１ａとの間に置かれる。その後、ドライバ８１１は、前面基板１３１０に押し付けられ、任意選択的に、熱を用いて少なくとも部分的にフィルムを硬化させる。高分子フィルム内の導電粒子８１３の１つまたは複数は、導電層１３１４ｂ２およびドライバ８１１のリード８１１ａの両方に接触することによって、電気的接続を提供する。しかし、接触トレンチ１３１７の間では（図１６Ａの上面図を参照）、ＡＣＦ全体にわたる導電粒子は、高分子基材によって互いに絶縁され、領域１３１７内のドライバリード８１１ａまたは接触パッドが互いに短絡することを防止する。当業者であれば、様々なタイプのＡＣＦが電気的接続を提供するために適合され得ることを理解されよう。当業者であれば、他の様々な接合技法も電気的接続を提供するために使用できることも理解されよう。
【０１１４】
図１７Ａは、干渉変調器表示デバイス１７００の列ルーティング構造の一実施形態を示している。図示された表示デバイス１７００は、表示領域またはアレイ１７０１内にレール１７１１およびトラフ１７１２を有し、周辺領域１７０２内に列絶縁トレンチ１７１６Ｃを有する、前面基板１７１０を含む。前面基板１７１０の周辺領域１７０２の図示された部分は、トラフ１７１２の底よりも高いレベルにある上面を有する。周辺領域１７０２の上面は、レール１７１１の上面と同じレベルにあることができる。
【０１１５】
前面基板１７１０は、周辺領域１７０２の上面上と、列絶縁トレンチ１７１６Ｃおよびトラフ１７１２の底上とに同時に付着された、光学スタック１７１４ａ、１７１４ｂも含む。光学スタック１７１４ａ、１７１４ｂは、誘電体層１７１４ａ１、１７１４ｂ１と、誘電体層１７１４ａ１、１７１４ｂ１の下にある導電層１７１４ｂ１、１７１４ｂ２とを含む。光学スタック１７１４ａ、１７１４ｂの構成は、図１０の光学スタック１０１４に関して上で説明されたようなものとすることができる。トラフ１７１２内の光学スタック１７１４ｂは、ＭＥＭＳデバイスのための静止電極として機能することが理解されよう。
【０１１６】
デバイス１７００は、前面基板１７１０の上にのり、トラフ１７１２と実質的に直交して延びる、可動電極１７６０も含む。可動電極１７６０は、表示領域１７０１から周辺領域１７０２の隆起部分に延びる。
【０１１７】
列絶縁トレンチ１７１６Ｃは、トレンチ１７１６Ｃと交互に並ぶ複数のランドまたはメサ１７１６Ｍを定める。トレンチ１７１６Ｃは、表示領域１７０１付近から、表示領域１７０１から離れた列ドライバ（図示されず）用のドライバチップ領域（図示されず）に延びる。列絶縁トレンチ１７１６Ｃは、追加のパターン形成を行わずに、メサ１７１６Ｍ上の光学スタック１７１４ａの間に電気的絶縁を提供するように構成される。トレンチ１７１６Ｃの各々は、対応する１つのメサ１７１６Ｍを完全に囲む。列絶縁トレンチ１７１６Ｃも、図１２Ｄに関して上で説明されたように、光学スタック材料が成形前面基板１７１０の全体にわたって付着されたときに、光学スタック１７１４ａ、１７１４ｂがメサ１７１６Ｍと列絶縁トレンチ１７１６Ｃの間で途切れることを可能にするのに十分な深さを有する。メサ１７１６Ｍ上の光学スタック１７１４ａの各々の導電層１７１４ａ２は、可動電極１７６０の１つと列ドライバ（図示されず）の対応する１つのパッドとの間に電気的接続を提供する。メサ１７１６Ｍ上で互いに電気的に絶縁された導電層１７１４ａ２は、「ルーティングトレース」または「導電トレース」と呼ばれることがある。
【０１１８】
一実施形態では、列絶縁トレンチ１７１６Ｃは、トラフ１７１２の深さよりも大きい深さを有することができる。しかし、列絶縁トレンチ１７１６Ｃの深さは、前面基板１７１０の他の寸法、静止電極付着の共形性（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｉｔｙ）、および干渉変調器表示デバイス１７００の他の構成要素に応じて、幅広く変化に富み得ることが理解されよう。
【０１１９】
図１７Ｂは、デバイス１７００の図１７Ａのライン１７Ｂ−１７Ｂに沿って切られた断面図である。図示された実施形態では、導電トレース１７１４ａ２は、レベルＬ２ａにある前面基板１７１０の上面上に形成される。導電トレース１７１４ａ２の上面は、レベルＬ２ｂにある。誘電体層１７１４ａ１が、導電トレース１７１４ａ２上に形成されるが、導電トレース１７１４ａ２と周辺領域１７０２に延びる可動電極１７６０の端部との間で電気的接続を可能にするように、導電トレース１７１４ａ２の部分を露出させる。
【０１２０】
導電トレース１７１４ａ２の部分を露出させるために、上にのる誘電体層１７１４ａ１は、任意の適切なプロセスを使用してパターン形成することができる。一実施形態では、誘電体層１７１４ａ１は、フォトリソグラフィおよびエッチングを使用してパターン形成することができる。別の実施形態では、誘電体層１７１４ａ１を付着するときに、誘電体層が導電トレース１７１４ａ２の部分の上に形成されないよう、導電トレース１７１４ａ２の部分を覆うために、シャドウマスクが使用できる。シャドウマスクの使用法の詳細は、図２０、図２１、図４４Ａ−４４Ｅに関して以下でより詳細に説明される。可動電極１７６０は、レベルＬ２ｂよりも高いレベルＬ２ｃにある底面を有する。したがって、レベルＬ２ｃにある可動電極１７６０の底面とレベルＬ２ｂにある導電トレース１７１４ａ２の上面との間にギャップが存在する。ギャップは、可動電極が前面基板１７１０上に積層される場合は特に、導電トレース１７１４ａ２と可動電極１７６０の間の信頼性のある電気的接続を阻害し得る。
【０１２１】
図示された実施形態では、導電トレース１７１４ａ２と可動電極１７６０の間のギャップを満し、それらの間に電気的接続を確立するために、ギャップフィラ（ｇａｐ−ｆｉｌｌｅｒ）１７１７が提供される。ギャップフィラ１７１７は、導電性接着材料から形成することができる。したがって、ギャップフィラ１７１７は、可動電極１７６０を導電トレース１７１４ａ２に結合するためにも役立てることができる。接着材料は、相対的に低温で溶接可能とし得る冷間圧接材料（ｃｏｌｄ−ｗｅｌｄ  ｍａｔｅｒｉａｌ）とすることができる。材料の例は、限定することなく、アンチモン（Ｓｂ）、インジウム（Ｉｎ）、またはスズ（Ｓｎ）を含む。材料は、柔らかく変形可能とすることができる。当業者であれば、他の様々な材料（例えばＡＣＦ）もギャップフィラ１７１７用に使用できることを理解されよう。
【０１２２】
図１７Ｃは、デバイス１７００の図１７Ａのライン１７Ｃ−１７Ｃに沿って切られた断面図である。図１７Ｃは、デバイス１７００の周辺領域１７０２のルーティング領域１７０２Ａと、非ルーティング領域１７０２Ｂとを示している。図示された断面図は、具体的には、（１つだけ示された）可動電極１７６０が導電トレース１７１４ａ２に接続されるルーティング領域１７０２Ａの部分を示している。ルーティング領域１７０２Ａでは、列絶縁トレンチ１７１６Ｃが、メサ１７１６Ｍを定めるために形成される。メサ１７１６Ｍ上の導電層１７１４ａ２の上には、ギャップフィラ１７１７が存在する。他方、列絶縁トレンチをもたない非ルーティング領域１７０２Ｂでは、導電層１７１４ａ２および誘電体層１７１４ａ１は、前面基板１７１０上に積み上げられる。
【０１２３】
図１８Ａは、干渉変調器表示デバイス１８００の列ルーティング構造の別の実施形態を示している。表示デバイス１８００は、表示領域１８０１内にトラフ１８１２を有するが、周辺領域１８０２内に列絶縁トレンチを有さない、前面基板１８１０を含む。前面基板１８１０は、その上に形成された光学スタック１８１４ａ、１８１４ｂも含む。光学スタック１８１４ａ、１８１４ｂは、誘電体層１８１４ａ１、１８１４ｂ１と、誘電体層１８１４ａ１、１８１４ｂ１の下にある導電層１８１４ａ２、１８１４ｂ２とを含む。光学スタック１８１４ａ、１８１４ｂは、図１２Ｄに示されるように、前面基板１８１０にわたって全面付着（ｂｌａｎｋｅｔ  ｄｅｐｏｓｉｔ）することができる。
【０１２４】
前面基板１８１０は、周辺領域１８０２内の誘電体層１８１４ａ１上に列ルーティングトレース１８１７をさらに含む。ルーティングトレース１８１７は、可動電極１８６０を列ドライバ（図示されず）のパッドに電気的に接続するように構成される。ルーティングトレース１８１７の各々は、接触部１８１７ａと、ルーティング部１８１７ｂとを含む。図示された実施形態では、可動電極１８６０との電気的接触を容易にするために、接触部１８１７ａは、ルーティング部１８１７ｂよりも広い。図示されていないが、ルーティングトレース１８１７の遠位端は、接触部１８１７ａに類似して成形された接触パッド部を有することができる。図１７Ｂの導電トレース１７１４ａ２とは異なり、ルーティングトレース１８１７は、光学スタック１８１４ａ上に存在する。したがって、ルーティングトレース１８１７と可動電極１８６０の間の電気的接続のために、ギャップフィラは利用されない。図１８Ｃを参照すると、ルーティングトレース１８１７は、前面基板１８１０の周辺領域１８０２のルーティング領域１８０２Ａ内にのみ形成されるが、非ルーティング領域１８０２Ｂには形成されない。ルーティングトレース１８１７は、例えば、スクリーン印刷もしくはグラビア印刷、またはフォトリソグラフィおよびエッチングなど、任意の適切な方法によって形成することができる。列ルーティングは、より高いレベル（支持体の基板レベルおよび可動電極の基板レベル）に提供される。この構成は、前面基板を可動電極を保持する保持体と積層する場合は特に、可動電極がルーティングトレースと容易に接触することを可能にする。
【０１２５】
図１９は、干渉変調器表示デバイスのための列ルーティング構造のまた別の実施形態を示している。図示された実施形態では、その上にパターン形成された静止電極を有する前面基板に結合するように構成された保持体１９５０に、可動電極（またはストリップ）１９６０と、列ルーティングトレース１９１７とが提供される。列ルーティングトレース１９１７は、保持体１９５０上に可動電極１９６０と共に同時に形成することができる。その後、保持体１９５０は、可動電極１９６０および列ルーティングトレース１９１７が間に置かれるように、成形前面基板（図示されず）上に配置される。その後、保持体１９５０は、可動電極１９６０および列ルーティングトレース１９１７を前面基板上に残して除去される。その後、列ルーティングトレース１９１７は、可動電極１９６０を列ドライバ（図示されず）のリードまたは接触子に電気的に接続するために使用することができる。
【０１２６】
図２０は、光学スタックを成形前面基板２０１０上に付着するためにシャドウマスキングを利用する方法の一実施形態を示している。図１６Ｅに戻って参照すると、誘電体層１３１４ｂ１は、導電層１３１４ｂ２と行ドライバ８１１のリード８１１ａの間の電気的接続のため、下にある導電層１３１４ｂ２を露出させるために、パターン形成およびエッチングされ、またはシャドウマスクを用いて付着される。図１７Ｂに戻って参照すると、誘電体層１７１４ａ１は、導電トレース１７１４ａ２と対応する可動電極１７６０の間の電気的接続のため、下にある導電トレース１７１４ａ２を露出させるために、パターン形成およびエッチングされ、またはシャドウマスクを用いて付着される。図１７Ｂには示されていないが、誘電体層１７１４ａ１は、導電トレース１７１４ａ２と行ドライバ（図示されず）のリードまたは接触子の間の電気的接続のため、下にある導電トレース１７１４ａ２を露出させるためにも、パターン形成およびエッチングされ、またはシャドウマスクを用いて付着される。
【０１２７】
図２０を再び参照すると、上で説明された構造は、最初に導電層を成形前面基板２０１０にわたって全面付着させることによって、形成することができる。導電層は、貧弱な共形性によって異なる高さに付着される。したがって、導電層は、支持体およびメサの側壁にわたって途切れている。結果として、行電極は、トレンチ内にパターン形成され、一方、列ルーティングトレースは、メサ上にパターン形成される。次に、シャドウマスク２０２０ａ−２０２０ｃが、取り付けられる他の要素（例えば、行ドライバ／列ドライバ、積層可動電極）との接触を得るために導電層が露出される、成形前面基板２０１０の部分の上に配置される。次に、誘電体材料が、前面基板２０１０にわたって全面付着される。このシャドウマスキング方法は、導電層と行ドライバのパッドの間の接続のため、トラフ内の光学スタックの導電層を露出させるために、図１８Ａ−図１８Ｃに示された実施形態に対しても使用することができる。そのような一実施形態では、ルーティングトレース１８１７は誘電体層１８１４ａ上に形成され、したがって、可動電極１８６０および列ドライバのリードに対してすでに露出されているので、領域２０２０ａ（図２０）において、ただ１つのシャドウマスクが必要とされる。上で説明された構造を形成するために、他の様々なパターン形成技法も利用できることが理解されよう。
【０１２８】
図２１は、図１７Ｂのギャップフィラ１７１７を形成す方法の一実施形態を示している。図２０を参照して上で説明されたように、誘電体材料が前面基板２０１０上に付着された後、シャドウマスク２０２０ａ−２０２０ｃが除去される。次に、別のシャドウマスク２１２０が、図２１に示されるように、前面基板２１１０上に重ねて提供される。このシャドウマスク２１２０は、ギャップフィラが形成される領域を露出させるための複数の開口２１２１を含む。次に、導電接着材料が、開口２１２１を通して前面基板２１１０上に付着され、それによって、ギャップフィラを形成する。ギャップフィラを形成するために、他の様々な方法が使用できることが理解されよう。
【０１２９】
２．  パターン形成前面基板の形成
図２２Ａ−図２２Ｃは、一実施形態による、パターン形成前面基板を作成する方法を示す概略断面図である。図示された実施形態では、実質的に平坦な基板２２１０が提供される。その後、最初に、導電層２２１４ｂ２が、前面基板２２１０上に付着され、次に、図２２Ａに示されるように、前面基板２２１０の表示領域２２０１内に行電極を定めるために、パターン形成される。行電極はまた、前面基板の周辺領域２２０２の一部分上に取り付けられる行ドライバに連続的に延びるようにパターン形成される。加えて、周辺領域２２０２内の導電層２２１４ｂ２は、可動電極（図示されず）と列ドライバ（図示されず）のリードの間の電気的接続のための列ルーティングトレース２２２０を提供するために、パターン形成される。別の実施形態では、この工程は、図２０および図２１で示されたものに類似するシャドウマスクを使用して、実施することができる。
【０１３０】
次に、誘電体層２２１４ｂ１が、図２２Ｂに示されるように、前面基板の全体にわたって、導電層２２１４ｂ２上に重ねて形成される。導電層２２１４ｂ２と誘電体層２２１４ｂ１は一緒に、光学スタック２２１４を形成する。誘電体層２２１４ｂ１は、付着後、特に周辺列ルーティングトレース領域２２２０において、下にある導電層２２１４ｂ２を露出させるために、スルーホールまたはバイア２２１５を提供するように、パターン形成することができる。誘電体層２２１４ｂ１が導電層２２１４ｂ２上に付着される場合、この工程は代替的に、図２０および図２１で示されたものに類似するシャドウマスクを使用して、実施することができる。
【０１３１】
その後、絶縁支柱２２１３が、表示領域２２０１内の光学スタック２２１４上に形成される。表示領域内の絶縁支柱２２１３は、絶縁材料から形成され、可動電極を支持するのに役立つ。絶縁支柱２２１３を形成した後または形成する前に、導電支柱２２１６が、図２２Ｃに示されるように、周辺領域２２０２内のスルーホール２２１５を通して形成される。導電支柱２２１６は、異なるレベルにある可動電極（図示されず）と列ルーティングトレース２２２０の間の電気的接続を提供する。パターン形成前面基板２２００は、任意の適切な付着およびエッチング技法を使用して、準備できることが理解されよう。
【０１３２】
別の実施形態では、列ルーティングトレースを可動電極のレベルに持ち上げるために、前面基板２２１０の周辺領域２２０２内に隆起したランドを形成することができる。隆起したランドは、列ルーティングトレースを付着する前に、付着、フォトリソグラフィおよびエッチング、またはシャドウマスクを使用する付着などによって、パターン形成絶縁材料を形成することによって、形成することができる。そのような一実施形態では、導電支柱は必要とされない。当業者であれば、パターン形成前面基板のルーティングのために他の様々な技法が使用できることを理解されよう。
【０１３３】
３．  支持体事前形成前面基板の形成
図２３Ａ−図２３Ｃは、一実施形態による、支持体事前形成前面基板２３００を作成する方法を示す概略断面図である。一実施形態では、実質的に平坦な基板２３１０が提供される。次に、絶縁支持体２３１３が、アレイまたは表示領域２３０１内の基板２３１０上に直接形成される。絶縁支持体２３１３は、絶縁材料から形成され、支柱、レール、壁などの形状を取ることができる。絶縁支持体２３１３は、可動電極（図示されず）を支持するのに役立つ。一実施形態では、絶縁支持体２３１３は、スピンオングラス（ＳＯＧ：  ｓｐｉｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ）材料または酸化物を全面付着し、従来のフォトリソグラフィなどによってパターン形成およびエッチングすることによって、形成することができる。絶縁支持体２３１３を形成した後または形成する前に、導電支持体２３１６が、周辺領域２３０２内に形成される。支持体２３１３、２３１６を有する前面基板が、図２３Ａに示されている。絶縁支柱２３１３は、ガラス基板の材料に類似した酸化物材料から形成することができるが、支柱２３１３の材料は一般に、基板２３１０とは区別可能であり、識別可能な境界面２３２０が、絶縁支柱２３１３と基板２３１０の間に形成される。
【０１３４】
次に、光学スタック２３１４が、前面基板２３１０の全体にわたって形成される。光学スタック２３１４を形成する際、最初に、導電層２３１４ｂ２が、前面基板２３１０上に付着され、次に、図２３Ｂに示されるように、前面基板２３１０の表示領域２３０１内に行電極を定めるために、パターン形成される。行電極はまた、前面基板２３１０の周辺領域２３０２の一部分上に取り付けられる行ドライバに連続的に延びるようにパターン形成することができる。加えて、周辺領域２３０２内の導電層２３１４ｂ２は、可動電極（図示されず）と列ドライバ（図示されず）を取り付けるためのパッドの間の電気的接続のための列ルーティングトレースを提供するために、パターン形成される。加えて、導電層２３１４ａ２が、絶縁支持体２３１３および導電支持体２３１６上に形成される。
【０１３５】
次に、誘電体層２３１４ａ１、２３１４ｂ１が、図２３Ｃに示されるように、基板２３１０の全体にわたって、導電層２３１４ａ２、２３１４ｂ２上に重ねて形成される。導電支持体２３１６上での誘電体層の形成は、例えばシャドウマスキングなど、任意の適切な技法を使用することによって、回避することができる。この構成は、導電支持体２３１６上の導電層２３１４ａ２が、機械層（図示されず）と相互接続することを可能にする。当業者であれば、支持体事前形成前面基板２３００は、任意の適切な付着およびエッチング技法を使用して準備できることを理解されよう。
【０１３６】
図２３Ａ−図２３Ｃとの関連で説明された方法から得られる干渉変調器表示デバイス構造では、絶縁支持体は、介在光学スタック（導電体および／または誘電体）なしに前面基板上に存在する。絶縁支持体は、基板と一体ではなく、基板と同じ材料から形成されることもない。
【０１３７】
別の実施形態では、図１８Ａの成形基板に関して説明されたように、列ルーティングトレースを可動電極のレベルに持ち上げるために、前面基板２３１０の周辺領域２３０２内に隆起したランドを形成することができる。支持体事前形成前面基板の隆起したランドは、シャドウマスクを使用して絶縁材料を付着することによって、形成することができる。そのような一実施形態では、導電支柱は利用されない。当業者であれば、支持体事前形成前面基板のルーティングのために他の様々な技法が使用できることを理解されよう。
【０１３８】
４．  他の列ルーティング構造
図２４Ａおよび図２４Ｂは、パターン形成前面基板または支持体事前形成前面基板のどちらかのための列ルーティング構造の他の実施形態を示している。図示された実施形態では、前面基板は、導電支柱が前面基板の周辺領域内に形成されないことを除いて、図２２Ａ−図２２Ｃおよび図２３Ａ−図２３Ｃを参照して上で説明された方法と同様に形成することができる。
【０１３９】
図２４Ａを参照すると、静止電極を有する前面基板と結合するように構成される保持体２４５０ａに、可動電極２４６０ａが提供される。加えて、導電支柱２４１６ａが、可動電極２４６０ａ上に形成される。導電支柱２４１６ａは、限定することなく、フォトリソグラフィおよびエッチング、印刷、ならびにスパッタリグを含む、任意の適切な技法を使用して、形成することができる。保持体は、除去可能または犠牲可能であって、可動電極を前面基板に移転させために存在することができ、またはＭＥＭＳデバイスの永続的な背面板として機能することができる。保持体２４５０ａは、導電支柱２４１６が、保持体２４５０ａ上の可動電極２４６０ａと前面基板２４１０ａ上のルーティングトレース２４２０の間に置かれるように、前面基板２４１０ａ上に重ねて置かれる。前面基板２４１０ａは、表示領域２４０１Ａ内に絶縁支柱２４１３ａと、光学スタック２４１４の形で静止電極とを有する、パターン形成前面基板または支持体事前形成前面基板のどちらかとすることができる。
【０１４０】
図２４Ｂを参照すると、保持体２４５０ｂは、表示領域２４０１Ｂ内よりも周辺領域２４０２Ｂ内でより厚く成形され、前面基板２４１０ｂに向かって突出している。前面基板２４１０ｂは、表示領域２４０１Ｂ内に絶縁支柱２４１３ａを有する、パターン形成前面基板または支持体事前形成前面基板のどちらかとすることができる。可動電極２４６０ｂは、保持体２４５０ｂ上に形成される。次に、保持体２４５０ｂは、可動電極２４６０ｂが、前面基板２４１０ｂと保持体２４５０ｂの間に置かれるように、前面基板２４１０ｂ上に重ねて置かれる。保持体２４５０ｂの周辺領域２４０２Ｂ内のより厚い部分のため、可動電極２４６０ｂは、前面基板２４１０ｂの周辺領域２４０２Ｂにおいてルーティングトレース２４２０と接触する。当業者であれば、他の様々な構成の列ルーティング構造も可能であることを理解されよう。
【０１４１】
ＩＩＩ．  背面保持体の形成
上で説明された干渉変調器表示デバイスを作成する際、可動電極は、様々な方法で形成することができる。本明細書で説明される実施形態の多くでは、可動電極は、保持体背面板（ｃａｒｒｉｅｒ  ｂａｃｋｐｌａｔｅ）または除去可能保持体（ｒｅｍｏｖａｂｌｅ  ｃａｒｒｉｅｒ）上に形成され、その後、デバイスの前面基板に移転される。
【０１４２】
一実施形態では、可動電極は、保持体背面板上に形成され、その後、前面基板に移転される。「保持体背面板」という用語は、静電ＭＥＭＳのための可動電極層を静止電極を有する前面基板に移転させる保持体として機能するとともに、干渉変調器表示デバイスの背面板も形成する、プレートを指す。他の実施形態では、除去可能保持体が、可動電極を前面基板に提供するための保持体としてのみ使用できる。「除去可能保持体」という用語は、可動電極を前面基板上に移転させた後で除去される、一時的基板または犠牲基板を指す。除去可能な保持体が使用される場合、保持体の除去後、干渉変調器表示デバイスを密封するために、永続的な背面板がさらに提供される。上で説明された実施形態では、可動電極は、例えば、フォトリソグラフィおよびエッチング、またはスクリーン印刷など、任意の適切な技法を使用して、可動電極材料を保持体背面板または除去可能な保持体上にパターン形成することによって、
形成することができる。
【０１４３】
他の実施形態では、保持体は、可動電極材料を保持体上に付着する前に、可動電極のパターンに対応する事前形成パターンを有するように成形することができる。事前形成パターンは、可動電極層が事前形成パターン上に途切れて付着され得るように、例えば、レールおよび／または支柱を型押し、インスクライブ、または付着／エッチングすることによって、提供することができる。この技法は、付着後、可動電極材料を追加的にパターン形成およびエッチングすることのない、可動電極形成を可能にする。本文献との関連では、事前形成パターンを有する保持体背面板および除去可能保持体は、それぞれ「成形保持体背面板（ｓｈａｐｅｄ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｂａｃｋｐｌａｔｅ）」および「成形除去可能保持体（ｓｈａｐｅｄ  ｒｅｍｏｖａｂｌｅ  ｃａｒｒｉｅｒ）」と呼ばれる。成形保持体背面板および成形除去可能保持体は、一括して「成形保持体（ｓｈａｐｅｄ  ｃａｒｒｉｅｒ）」と呼ばれることがある。
【０１４４】
１．  成形保持体
図２５は、成形保持体２５００の概略斜視図である。成形保持体２５００は、永続的な保持体背面板または除去可能保持体のどちらかとすることができる。図２５に示されるように、成形保持体２５００は、互いに実質的に平行に延びる細長いリセス２５０１を有する。リセスの深さは、部分的には、付着される材料の厚さと、付着技法の共形性とに依存する。一実施形態では、リセスの深さは、付着される材料の厚さの少なくとも３倍である。望ましくは、付着される層（例えば可動電極層）は、リセスの深さのために途切れている。一実施形態では、細長いリセス２５０１は、約２，０００Åから約１２，０００Åの、特に約３，０００Åから約６，０００Åの深さを有することができる。リセス２５０１は、リセス２５０１と交互に並ぶ細長いメサ２５０２を定める。成形保持体２５００は、メサ２５０２上に形成された可動電極２５１０も含む。成形保持体２５００は、細長いリセス２５０１内に過剰可動電極材料２５２０をさらに含む。以下の説明からより良く理解されるように、成形保持体は、可動電極２５１０が前面基板に面するように、前面基板上に重ねて置かれる。
【０１４５】
図２６Ａ−図２６Ｄは、一実施形態による、成形保持体を作成する方法を示す断面図である。図示された方法は、保持体を成形するために型押しを使用する。図示された実施形態では、図２６Ａに示されるように、実質的に平坦な基板２６００が提供される。保持体が永続的な背面板である一実施形態では、基板２６００は、金属（例えばステンレス鋼）、ガラス、または高分子材料（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレン、ポリカーボネート、およびポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））から形成することができる。ある実施形態では、保持体背面板は、互いに積層される金属副層および高分子副層を含む、２つの副層を有することができる。保持体が除去可能保持体である他の実施形態では、基板２６００は、高分子材料から形成することができる。高分子材料の例は、以下で説明される。
【０１４６】
次に、図２６Ｂに示されるように、基板２６００は、圧板２６５０上に配置される。図示された圧板２６５０は、金属材料から形成することができる。基板２６００は、後続の型押し工程において型押しするのに十分な柔らかさを基板２６００がもつように、加熱することができる。基板２６００は、基板２６００のために使用される材料に応じて様々である温度まで加熱することができる。
【０１４７】
次に、型押し板２６５１が、図２６Ｃに示されるように、基板２６００に押し付けられる。型押し板２６５１は、基板２６００上に細長いリセス２６０１（図２６Ｄ）を生み出すために成形された凹凸を有する。型押し板２６５１は、金属材料から形成することができる。圧板２６５０および型押し板２６５１の少なくとも一方は、回転シリンダの形を取ることができる。当業者であれば、他の様々な構成の型押し技法も基板を型押しするために適合できることを理解されよう。
【０１４８】
次に、型押し板２６５１が、基板２６００から除去される。その後、基板２６００が、圧板２６５０から除去される。結果として得られる細長いリセス２６０１を有する保持体２６００が、図２６Ｄに示されている。別の実施形態では、基板は、フォトリソグラフィおよびエッチングを使用して、パターン形成することができる。また別の実施形態では、基板は、最初に所定の部分をインスクライブし、次にその部分を選択的にエッチングすることによって、パターン形成することができる。インスクライブは、例えば、マシニングまたはレーザインスクライブなど、様々な技法を使用して行うことができる。保持体を成形するために他の様々な技法も使用できることが理解されよう。
【０１４９】
その後、可動電極材料が、成形保持体２６００の上面上および細長いリセス２６０１内に付着される。付着された可動電極材料２６１０、２６２０は、リセス２６０１とリセス２６０１によって定められるメサ２６０２との間で途切れている。可動電極２６１０の構成は、図２５の可動電極に関して上で説明されたようなものとすることができる。
【０１５０】
ａ．  成形保持体背面板
図２７Ａは、一実施形態による、成形保持体背面板２７００の概略斜視図である。図示された成形保持体背面板２７００は、細長いリセス２７０１と、エッジレール２７０２と、レールトレンチ２７０３と、支柱２７０４とを含む。エッジレール２７０２は、レール内の間隙に相当する横方向のエッチホール（ｅｔｃｈ  ｈｏｌｅ）２７０５を含むことができる。エッチホール２７０５は、レールトレンチ２７０３と細長いリセス２７０１の間での液体の伝達を可能にするように構成される。成形保持体背面板２７００は、エッジレール２７０２および支柱２７０４上に支持される、可動電極２７１０も含む。ある実施形態では、支柱２７０４は、省くことができる。
【０１５１】
細長いリセス２７０１、エッジレール２７０２、レールトレンチ２７０３、支柱２７０４、およびエッチホール２７０５は、図２６Ａ−図２６Ｅを参照して上で説明されたように、保持体背面板２７００を型押しすることによって、形成することができる。背面板２７００は、型押しに適した任意の材料から形成することができる。そのような材料の例は、限定することなく、ガラスおよび金属（例えばステンレス）を含む。他の実施形態では、背面板２７００は、フォトリソグラフィおよびエッチング、またはインスクライブを使用して、成形または事前形成することができる。当業者であれば、背面板２７００を成形するために他の様々な方法が使用できることを理解されよう。
【０１５２】
図２７Ｂを参照すると、エッジレール２７０２の２つが、その間に対応する１つのレールトレンチ２７０３を定めると同時に、同じ可動電極２７１０を支持している。加えて、隣接する２つのエッジレール２７０２は、その間に対応する１つの細長いリセス２７０１を定めると同時に、各々は、２つの隣接する可動電極２７１０の一方を支持している。レールトレンチ２７０３は、以下の説明からより良く理解されるように、空である。成形保持体背面板２７００は、細長いリセス２７０１内に過剰可動電極材料２７２０を有することもできる。
【０１５３】
続けて図２７Ｂを参照すると、支柱２７０４は、レールトレンチ２７０３の底から上方に延びている。図２７Ｄも参照すると、支柱２７０４の２つの列は、細長いリセス２７０１に平行な方向に配列される。支柱の他の様々な配列も可能であることが理解されよう。支柱２７０４は、可動電極２７１０を一緒に支持できるように、エッジレール２７０２と実質的に同じ高さを有する。
【０１５４】
図２７Ｃは、図２７Ａの成形保持体背面板２７００のライン２７Ｃ−２７Ｃに沿って切られた断面図である。図示された成形保持体背面板２７００の断面図は、エッジレール２７０２内のエッチホール２７０５を示している。エッチホール２７０５は、レールトレンチ２７０３と細長いリセス２７０１の間での液体の伝達を可能にするように構成される。エッチホール２７０５は、以下の説明からより良く理解されるように、製造工程中に犠牲材料をレールトレンチ２７０３から除去できるように、エッチング剤がレールトレンチ２７０３内の犠牲材料に接触することを可能にする。エッチホール２７０５は、細長いリセス２７０１の底面よりも低い底面２７０６を有する。エッチホール２７０５のより低い底面２７０６は、過剰可動電極材料２７２０がエッチホール２７０５を塞ぐことを防止する。可動電極２７１０なしの成形保持体背面板２７００の上面図が、図２７Ｄに示されている。
【０１５５】
続けて図２７Ｃを参照すると、保持体背面板２７００は、３つの異なるレベルＢＬ１、ＢＬ２、ＢＬ３を有することができる。細長いリセス２７０１およびレールトレンチ２７０３の底は、第１のレベルＢＬ１にある。エッジレール２７０２および支柱２７０４の頂部は、第１のレベルＢＬ１よりも高い第２のレベルＢＬ２にある。エッチホール２７０５の底面２７０６は、第１のレベルＢＬ１よりも低い第３のレベルＢＬ３にある。第１のレベルＢＬ１と第２のレベルＢＬ２の間の高さの差は、可動電極材料が２つのエッジレール２７０２の間で途切れて、可動電極２７１０をストリップ状に定めることを可能にする。第１のレベルＢＬ１と第３のレベルＢＬ３の間の高さの差は、過剰可動電極材料２７２０がエッチホール２７０５を塞ぐことを防止する。
【０１５６】
図２８は、別の実施形態による、成形保持体背面板の概略斜視図である。図示された成形保持体背面板２８００は、細長いリセス２８０１と、エッジレール２８０２と、レールトレンチ２８０３と、支柱２８０４とを含む。図２７Ａの成形保持体背面板２７００とは異なり、エッジレール２８０２は、レールトレンチと細長いリセスの間での液体の伝達を可能にするように構成されたエッチホールを含まない。成形保持体背面板２８００はまた、エッジレール２８０２および支柱２８０４上に支持される可動電極２８１０と、細長いリセス２８０１内の過剰可動電極材料２８２０とを含む。可動電極２８１０は、可動電極２８１０の上下の領域の間での液体の伝達を可能にするように構成されたスルーホール２８１１を含む。スルーホール２８１１は、以下の説明からより良く理解されるように、製造工程中に犠牲材料をレールトレンチ２８０３から除去できるように、エッチング剤がレールトレンチ２８０３内の犠牲材料に接触することを可能にする。スルーホール２８１１は、例えば、フォトリソグラフィおよびエッチングなど、任意の適切な技法を使用して、形成することができる。
【０１５７】
図２９Ａ−図２９Ｄは、成形保持体背面板上に可動電極を形成する方法の一実施形態を示している。図２９Ａでは、成形保持体背面板２９００が提供される。図２７Ａおよび図２８の成形保持体背面板２７００、２８００と同様に、図示された成形保持体背面板２９００は、細長いリセス２９０１と、エッジレール２９０２と、レールトレンチ２９０３と、支柱２９０４とを含む。一実施形態では、図２７Ａの背面板２７００のエッチホール２７０５と同様に、成形保持体背面板２９００は、レール２９０２を通り抜ける横方向の気体伝達のためのエッチホール（図示されず）を有する。他の実施形態では、成形保持体背面板２９００は、図２８のスルーホール２８１１を有することができる。
【０１５８】
次に、犠牲材料２９０８が、図２９Ｂに示されるように、細長いリセス２９０１およびレールトレンチ２９０３をあふれるほど満たして、成形保持体背面板２９００上にわたって全面付着される。一実施形態では、犠牲材料２９０８は、フォトレジストまたはポリイミドなどの高分子材料とすることができる。別の実施形態では、犠牲材料２９０８は、フッ素ベースのエッチング剤、特にＸｅＦ２によって選択的にエッチング可能な、モリブデン、シリコン（非金属）、タングステン、またはチタンなどの金属材料とすることができる。この工程は、例えば、スピンコーティング（スピンオン）またはスパッタリングプロセスなど、任意の適切なプロセスを使用して、実施することができる。一実施形態では、金属犠牲材料は、背面板２９００上に共形に形成することができる。他の実施形態では、フォトレジストまたは高分子犠牲材料は、背面板２９００上に付着されるように平面的とすることができる。
【０１５９】
犠牲材料２９０８は、犠牲材料２９０８がエッジレール２９０２および支柱２９０４の頂点を超えて突出しないように除去される。この工程は、例えば化学的機械的研磨法（ＣＭＰ：  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）など、任意の適切なプロセスを使用して、実施することができる。この工程は、図２９Ｃに示されるように、実質的に平坦な上面を有し、細長いリセス２９０１と交互に並ぶ、メサ２９０９を提供する。その後、犠牲材料２９０８の部分が、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングなど、任意の適切なプロセスを使用して、細長いリセス２９０１から除去される。ある実施形態では、細長いリセス２９０１は、レールトレンチ２９０３よりも深くすることができる。そのような実施形態では、細長いリセス２９０１内の犠牲材料２９０８の部分は、除去されずにリセス内に残ることができ、したがって、マスク工程を回避する。
【０１６０】
次に、可動電極材料が、図２９Ｄに示されるように、成形保持体背面板２９００上に付着される。可動電極材料は、メサ２９０９上を互いに平行に延びるストリップ状の可動電極２９１０を形成する。加えて、過剰可動電極材料２９２０も、細長いリセス２９０１内に残っている。
【０１６１】
ある実施形態では、取り付けまたは積層プロセスにおいて他の要素との物理的および電気的接触が行われる、可動電極２９１０上の選択された位置に、接合剤が付着される。望ましい位置への選択的な適用は、付着、パターン形成、およびエッチングによって、またはシャドウマスクを用いるスパッタリングもしくはＰＶＤによって、達成することができる。特に、接合剤は、前面基板上に形成された列ルーティングトレースに接触する、可動電極２９１０の部分（例えば接触パッド）に適用することができる。別の例では、保持体背面板上に列ドライバを直接取り付けることができる。最終的なデバイス構造においては、可動電極２９１０の部分は、図２０および図２１に関して上で説明されたように、下にある導電層またはトレースを露出させるために、絶縁材料が除去またはシールドされる、前面基板の部分と対向することができる。
【０１６２】
接合剤は、可動電極とルーティングトレースの間の接着を容易にする。接合剤は、導電接着材料から形成することができる。接着材料は、相対的に低温で溶接可能とし得る冷間圧接材料とすることができる。材料の例は、限定することなく、アンチモン（Ｓｂ）、インジウム（Ｉｎ）、またはスズ（Ｓｎ）を含む。材料は、柔らかく変形可能とすることができる。いくつかの実施形態では、接合剤は、図１７Ａ−図１７Ｃに関して上で説明されたように、ギャップフィラ１７１７として機能することができる。本明細書で説明される接合剤は、保持体背面板または除去可能保持体に関して以下で説明される実施形態のいずれにも適用することができる。
【０１６３】
図示されてはいないが、次に、成形保持体背面板２９００は、可動電極２９１０が成形保持体背面板２９００と前面基板の間に置かれるように、前面基板に結合される。その後、犠牲材料２９０８が、レールトレンチ２９０３から除去される。ある実施形態では、犠牲材料２９０８は、保持体背面板２９００を前面基板に結合する前に、除去することができる。図２７Ａの実施形態に類似した背面板２９００がエッジレール２９０２内にエッチホールを含む一実施形態では、犠牲材料２９０８は、エッチホールを通して除去することができる。背面板がエッチホールをもたない別の実施形態では、可動電極は、図２８のスルーホール２８１１に類似したスルーホールを有するようにパターン形成することができる。その場合、犠牲材料２９０８は、スルーホールを通して除去することができる。
【０１６４】
図３０Ａ−図３０Ｄは、成形保持体背面板上に可動電極を形成する方法の別の実施形態を示している。図３０Ａでは、成形保持体背面板３０００が提供される。図２７Ａおよび図２８の成形保持体背面板２７００、２８００と同様に、図示された成形保持体背面板３０００は、細長いリセス３００１と、エッジレール３００２と、レールトレンチ３００３と、支柱３００４とを含む。一実施形態では、図２７Ａの背面板２７００のエッチホールと同様に、成形保持体背面板３０００は、レール３００２内にエッチホール（図示されず）を有する。他の実施形態では、成形保持体背面板３０００は、エッチホールをもたないこともある。
【０１６５】
次に、シード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）３００７が、犠牲材料が付着される背面板３０００の部分上に、選択的に付着される。そのような部分は、少なくともレールトレンチ３００３の底面を含むことができる。シード層３００７は、シャドウマスク（図示されず）を用いて選択的に付着することができる。次に、シード層３００７が、図３０Ｂに示されるように、電気めっきのために、電圧源に電気的に接続される。電気めっきのため、背面板３０００は、犠牲材料を含む溶液中に浸すことができる。犠牲材料は、フッ素ベースのエッチング剤、特にＸｅＦ２によってエッチング可能な、例えば、タングステン、モリブデン、またはチタンなどの電気めっきに適した金属材料とすることができる。次に、電位が、シード層とやはり溶液中に浸された電極との間に印加される。結果として得られる選択的にめっきされた犠牲材料３００８を有する背面板３０００が、図３０Ｃに示されている。ある実施形態では、多すぎるまたは過剰な犠牲材料は、例えば化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）など、任意の適切なプロセスを使用して、図３０Ｃの平坦化構造を残して、除去することができる。
【０１６６】
次に、可動電極材料が、成形保持体背面板３０００上に重ねて付着される。可動電極材料は、互いに平行に延びるストリップ状の可動電極３０１０を形成する。加えて、過剰可動電極材料３０２０も、細長いリセス３００１内に残っている。背面板３０００を前面基板と積層した後、犠牲材料３００８は、レールトレンチ３００３から除去される。ある実施形態では、犠牲材料３００８は、保持体背面板３０００を前面基板に結合する前に、除去することができる。この工程の詳細は、犠牲材料除去工程（図２９Ｄ）に関して上で説明されたようなものとすることができる。
【０１６７】
図３１Ａ−図３１Ｄは、成形保持体背面板上に可動電極を形成する方法のまた別の実施形態を示している。図３１Ａでは、成形保持体背面板３１００が提供される。図２７Ａおよび図２８の成形保持体背面板２７００、２８００と同様に、図示された成形保持体背面板３１００は、細長いリセス３１０１と、エッジレール３１０２と、レールトレンチ３１０３と、支柱３１０４とを含む。一実施形態では、図２７Ａの背面板２７００のエッチホールと同様に、成形保持体背面板３１００は、レール３１０２内にエッチホール（図示されず）を有する。他の実施形態では、成形保持体背面板３１００は、エッチホールを有さないこともある。成形保持体背面板３１００には、細長いリセス３１０１上に重ねてブロッキングマスク３１０７が提供される。一実施形態では、ブロッキングマスク３１０７は、スクリーン印刷またはシャドウマスキングによって形成することができる。
【０１６８】
次に、犠牲材料３１０８が、図３１Ｂに示されるように、レールトレンチ３１０３をあふれるほど満たして、成形保持体背面板３１００上にわたって全面付着される。ブロッキングマスク３１０７は、犠牲材料３１０８が細長いリセス３１０１内に付着されることを防止する。この工程の詳細は、図２９Ｂを参照して上で説明されたようなものとすることができる。
【０１６９】
その後、過剰なまたは多すぎる犠牲材料３１０８は、犠牲材料３１０８がエッジレール３１０２および支柱３１０４の頂点を超えて突出しないように除去される。この工程は、例えば化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）など、任意の適切な平坦化プロセスを使用して、実施することができる。次に、ブロッキングマスク３１０７が、図３１Ｃに示されるように、例えばアッシングプロセス（ａｓｈｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）によって、細長いリセス３１０１から除去される。他の実施形態では、ブロッキングマスク３１０７は、例えばマスキングおよびエッチングなど、任意の適切な技法を使用して、選択的に除去することができる。
【０１７０】
次に、可動電極材料が、成形保持体背面板３１００上に重ねて付着される。可動電極材料は、互いに平行に延びるストリップ形状の可動電極３１１０を形成する。加えて、過剰可動電極材料３１２０も、細長いリセス３１０１内に残っている。背面板３１００を前面基板と積層した後、犠牲材料３１０８は、レールトレンチ３１０３から除去される。この工程の詳細は、犠牲材料除去工程（図２９Ｄ）に関して上で説明されたようなものとすることができる。
【０１７１】
図３２Ａは、成形保持体背面板のまた別の実施形態を示している。図示された成形保持体背面板３２００は、互いに実質的に平行に延びる細長いリセス３２０１を有する。リセス３２０１は、リセス３２０１と交互に並ぶ細長いメサ３２０２を定める。
【０１７２】
図３２Ｂを参照すると、犠牲材料３２０７ｂは、細長いリセス３２０１とメサ３２０２の間で途切れるように、背面板３２００にわたって付着することができる。その後、可動電極材料が、背面板３２００にわたって付着され、図３２Ｂに示されるように、メサ３２０２上に可動電極３２１０を、細長いリセス３２０１内に過剰機械層３２２０を形成する。メサ３２０２上の可動電極３２１０とリセス３２０１内の過剰機械層３２２０は、互いに途切れている。一実施形態では、過剰機械層３２２０および犠牲材料３２０７ｂの全体的な厚さは、細長いリセス３２０１の深さの半分以下である。この構成は、可動電極３２１０の間に電気的絶縁を提供する。
【０１７３】
以下の説明からより良く理解されるように、メサ３２０２上の犠牲材料３２０７ａは、背面板３２００を前面基板（図示されず）に結合した後、除去される。この犠牲材料除去工程は、可動電極３２１０を背面板３２００から前面基板上に解放する。しかし、細長いリセス３２０１内の犠牲材料３２０７ｂは、除去エッチングから遮断されている場合は、犠牲材料除去工程後も依然として残っている。完成した干渉変調器表示デバイスでは、細長いリセス３２０１内の犠牲材料３２０７ｂは、過剰機械層３２２０を適所に保持する。
【０１７４】
図３２Ｃは、成形保持体背面板上に可動電極を形成する方法の別の実施形態の断面図である。図３２Ｃを参照すると、除去層３２０７は、細長いリセス３２０１とメサ３２０２の間で連続するように、背面板３２００にわたって共形に付着することができる。その後、可動電極材料が、背面板３２００にわたって付着され、メサ３２０２上に可動電極３２１０を、細長いリセス３２０１内に過剰機械層３２２０を形成する。メサ３２０２上の可動電極３２１０と過剰機械層３２２０は、互いに途切れている。この構成は、可動電極３２１０の間に電気的絶縁を提供する。
【０１７５】
以下の説明からより良く理解されるように、除去層３２０７は、背面板３２００を前面基板（図示されず）に結合した後、除去される。この除去工程は、可動電極３２１０を背面板３２００から前面基板上に解放する。図３４Ａ−図３４Ｄの以下の説明からより良く理解されるように、過剰機械層３２２０は、前面基板から延びる過剰機械層支持体によって支持される。
【０１７６】
図３２Ｄは、図３２Ｂの成形保持体背面板３２００の上面図である。図３２Ｅは、図３２Ｄの成形保持体背面板３２００の縁部３２５０の断面図である。縁部３２５０は、背面板３２００の縁に沿って延びる周囲リッジ（ｐｅｒｉｍｅｔｅｒ  ｒｉｄｇｅ）３２５１を含む。周囲リッジ３２５１は、その間にリセス３２５２を定める。当業者であれば、リセス３２５２の数は保持体背面板の設計に応じて様々であり得ることを理解されよう。
【０１７７】
一実施形態では、周囲リッジ３２５１は、メサ３２０２よりも高く、犠牲材料または機械層の付着中はシャドウマスクによって覆うことができる。したがって、縁部３２５０は、犠牲材料または過剰機械層のどちらも含むことができず、気密封止用のフリット（ｆｒｉｔ）または金属などの介在シール剤を用いて、前面基板に結合するように構成される。周囲リッジ３２５１は、基板レベルＬ２において一連のリングを作成するように、結果として得られる干渉変調器表示デバイスの表示領域を囲む。周囲リッジ３２５１は、レベルＬ１において過剰機械層を密封する。他の実施形態では、縁部３２５０は、部分的にシール剤として機能し得る機械層を含むことができる。周囲リッジ３２５１は、縁部３２５０に隣接する細長いリセス３２０１内の犠牲材料３２０７ｂが、犠牲材料除去工程中に除去されることを防止するように機能する。この構成は、完成した表示デバイスにおいて、細長いリセス３２０１内の犠牲材料３２０７ｂが、過剰機械層３２２０を適所に保持することを可能にする。
【０１７８】
ある実施形態では、保持体背面板３２００は、周囲リッジ３２５１の側壁を含むその面上に全面付着された犠牲材料を有することができる。そのような実施形態では、リセス３２５２は、犠牲層除去工程中に犠牲材料がエッチングされないように、シール剤で満たすことができる。
【０１７９】
図３３Ａ−図３３Ｄは、別の実施形態による、パターン形成可動電極を有する成形保持体背面板を作成する方法を示す断面図である。図示された実施形態では、保持体背面板３３００は、図３３Ａに示されるように、複数の支柱またはコネクタ３３５０を有するように成形される。支柱３３５０は、型押し、インスクライブ、またはフォトリソグラフィおよびエッチング（後者が事前形成支柱を提供）など、任意の適切なプロセスを使用して、成形することができる。型押しまたはインスクライブは、支柱３３５０を背面板３３００と同じ材料から、背面板３３００と一体形成する。
【０１８０】
その後、犠牲材料３３１０が、背面板３３００上に重ねて付着される。次に、犠牲材料３３１０は、図３３Ｂに示されるように、支柱３３５０を露出されるためにエッチングされる。犠牲材料３３１０は、限定することなく、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を含む、任意の適切な技法を使用して、平坦化することができる。
【０１８１】
次に、可動電極材料３３２０が、図３３Ｃに示されるように、背面板３３００にわたって付着される。次に、可動電極材料３３２０は、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングなど、任意の適切な技法を使用して、パターン形成される。結果として得られる可動電極３３２０が、図３３Ｄに示されている。可動電極３３２０は、支柱３３５０上に支持され、部分的に犠牲材料３３１０上にも支持される。一実施形態では、以下で説明される除去工程において下にある犠牲材料の除去を容易にするために、電極３３２０を分離し、図２８に関して上で説明されたようなリリースホール（ｒｅｌｅａｓｅ  ｈｏｌｅ）を提供するように、可動電極３３２０をパターン形成することができる。ある実施形態では、可動電極３３２０をパターン形成する前または後に、接合剤を可動電極３３２０上の選択された位置に付着することができる。接合剤の詳細は、図２９Ａ−図２９Ｄに関して上で説明されている。
【０１８２】
次に、保持体背面板３３００は、可動電極３３２０が間に置かれるように、前面基板（図示されず）に結合される。次に、犠牲材料３３１０が除去される。ある実施形態では、犠牲材料３３１０は、保持体背面板３３００を前面基板に結合する前に、除去することができる。可動電極３３２０は、前面基板のレールおよび支柱によって支持される。
【０１８３】
図３４Ａは、一実施形態による、部分的に製作された干渉変調器表示デバイス３４００の概略斜視図である。デバイスの図示された部分は、デバイス３４００の表示領域である。デバイス３４００は、互いに結合された成形前面基板３４１０および成形保持体背面板３４５０を含み、その間に可動電極３４６１ａが置かれている。
【０１８４】
成形前面基板３４１０は、互いに平行に延びるレール３４１１と、レール３４１１によって定められるトラフ３４１２と、トラフ３４１２の底上およびレール３４１１の頂上の光学スタック３４１４とを含む。成形前面基板３４１０は、レール３４１１上に形成された過剰機械層支持体３４２０をさらに含む。レール３４１１、トラフ３４１２、および光学スタック３４１４の構成は、図１０のものに関して上で説明されたようなものとすることができる。
【０１８５】
成形保持体背面板３４５０は、細長いリセス３４５１と、細長いリセス３４５１によって定められるメサ３４５２とを含む。成形保持体背面板３４５０はまた、細長いリセス３４５１内に、過剰機械層３４６１ｂと、犠牲層３４６２とを含む。犠牲層３４６２は、過剰機械層３４６１ｂ、細長いリセス３４５１、図３２Ｄおよび図３２Ｅに関して説明されたような周囲リッジ（図示されず）のリングによって囲まれる。細長いリセス３４５１、メサ３４５２、過剰機械層３４６１ｂ、および犠牲層３４６２の構成は、図３２Ｂのものに関して上で説明されたようなものとすることができる。
【０１８６】
可動電極３４６１ａは、背面板３４５０のメサ３４５２と前面基板３４１０のレール３４１１の頂上の光学スタック３４１４との間に置かれる。図３２Ｂを参照して上で説明されたように、可動電極３４６１ａとメサ３４５２の間に置かれた犠牲材料は、今では除去されており、可動電極３４６１ａを背面板３４５０から解放する。図３４Ｂを参照すると、可動電極３４６１ａは、今ではレール３４１１の頂上の光学スタック３４１４上に支持されており、除去された犠牲層のためにメサ３４５２から離れて配置される。
【０１８７】
図示された実施形態では、成形前面基板３４１０は、過剰機械層支持体３４２０をさらに含む。図３２Ｃおよび図３４Ｄを参照すると、過剰機械層支持体３４２０は、レール３４１１から上方に突出または延びている。加えて、光学スタック３４１４が、過剰機械層支持体３４２０の頂上に形成される。過剰機械層支持体３４２０は、背面板３４５０の細長いリセス３４５１内の過剰機械層３４６１ｂを支持するように構成される。過剰機械層支持体３４２０は、過剰機械層３４６１ｂを犠牲層３４６２と一緒に、背面板３４５０の方に持ち上げる。背面板３４５０が細長いリセス３４５１内に犠牲材料をもたないいくつかの実施形態（例えば図３２Ｃの背面板）では、過剰機械層支持体３４２０はもっぱら、過剰機械層３４６１ｂを背面板３４５０の方に持ち上げるように機能することができる。これは、犠牲層が（例えば周囲リッジのリングのない）保持体背面板のメサ上でと同時にリセス内で除去された場合に起こり得る。
【０１８８】
ｂ．  成形除去可能保持体
図３５Ａは、一実施形態による、成形除去可能保持体３５００の概略斜視図である。図示された成形除去可能保持体３５００は、互いに平行に走る細長いリセス３５０１と、リセス３５０１によって定められる細長いメサ３５０２とを含む。保持体３５００は、図３５Ｂに示されるように、メサ３５０２上に形成された可動電極３５１０を保持することができる。保持体３５００は、可動電極３５１０を前面基板に移転させた後で保持体３５００と一緒に除去される、リセス３５０１内の過剰機械層３５２０も保持することができる。リセス３５０１は、保持体３５００上に付着された所望の厚さの可動電極３５１０がメサ３５０２とリセス３５０１の間で途切れていることを保証するのに十分な深さを有する。
【０１８９】
一実施形態では、成形除去可能保持体３５００は、高分子材料から形成することができる。高分子材料は、可動電極を前面基板に移転させた後、溶解、灰化、または蒸発させることができる。他の実施形態では、除去可能保持体３５００は、可動電極を前面基板上に残したまま、前面基板から物理的に持ち上げるまたははがすことができる。そのような実施形態では、可動電極は、介在犠牲層なしに、除去可能保持体３５００上に直接形成することができる。
【０１９０】
別の実施形態では、成形除去可能保持体３５００は、再利用可能な保持体とすることができる。再利用可能な保持体は、ポリイミドフィルム（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｆｉｌｍ）などの高分子材料から形成することができる。例示的なポリイミドフィルムは、ポリ（４，４’−オキシジフェニレンピロメリットイミド）（ｐｏｌｙ（４，４’−ｏｘｙｄｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅｐｙｒｏｍｅｌｌｉｔｉｍｉｄｅ））（Ｅ．  Ｉ．  ｄｕ  Ｐｏｎｔ  ｄｅ  Ｎｅｍｏｕｒｓ  ａｎｄ  Ｃｏｍｐａｎｙから入手可能なＫＡＰＴＯＮ（登録商標））から形成される。
【０１９１】
また別の実施形態では、再利用可能な保持体は、多孔性の高分子材料から形成することができる。図３５Ｃを参照すると、そのような実施形態では、可動電極３５１０を保持体３５００上に形成する前に、除去層３５３０が保持体３５００上に形成される。次に、可動電極３５１０が除去層３５３０上に形成される。除去層３５３０は、保持体３５００と可動電極層３５１０、３５２０の間のあらゆる場所において介在する連続フィルムである限り、単一原子層と同じ薄さとすることができる。一実施形態では、除去層３５３０は、モリブデンから形成することができる。
【０１９２】
図３５Ｄを参照すると、可動電極３５１０を前面基板３５７０に移転させるために、除去エッチング剤が、多孔性の保持体３５００を通して提供される。除去エッチング剤は、多孔性の保持体３５００を通って除去層３５３０に達し、除去層３５３０を除去し、それによって、可動電極３５１０を再利用可能な保持体３５００から解放することができる。再利用可能な保持体３５００は、他の干渉変調器表示デバイスを製造するために再利用することができる。
【０１９３】
図１９に戻って参照すると、図２５−図３５Ｄに関して上で説明された実施形態の成形保持体は、可動電極１９６０に接続されるルーティングトレース１９１７を形成するために、付加構造を有することができる。当業者であれば、付加構造は、ルーティングトレースの構成に応じて、様々な構成のトレンチおよびメサを含むことができ、より高い高さのフィーチャは、基板に移転される機能導電層を受け取る位置を表し、より低い高さのフィーチャは、機能導電層間の絶縁を表すことを理解されよう。前面基板が図１７または図１８に示されたものと類似したルーティングトレースを提供する他の実施形態では、成形保持体は、ルーティングトレース用の付加構造をもたずに、可動電極用の構造のみを有することができる。
【０１９４】
２．  パターン形成可動電極を有する保持体
いくつかの実施形態では、上で説明された成形保持体上の可動電極とは異なり、可動電極は、保持体上にパターン形成することができる。そのような保持体は、永続的な保持体背面板または除去可能保持体のどちらとすることもできる。保持体は、実質的に平坦な面を有することができる。他の実施形態では、保持体は、可動電極を支持するためにコネクタまたは支柱を有することができる。
【０１９５】
ａ．  パターン形成可動電極を有する保持体背面板
図３６Ａ−図３６Ｅは、一実施形態による、可動電極を保持体背面板上にパターン形成する方法を示す断面図である。図示された実施形態では、図３６Ａに示されるように、実質的に平坦な保持体背面板３６００が提供される。次に、犠牲材料３６１０が、背面板３６００上に付着される。その後、可動電極材料３６２０が、犠牲材料３６１０上に付着される。
【０１９６】
図３６Ｂを参照すると、フォトレジスト層３６３０が、可動電極材料３６２０上に形成される。次に、図３６Ｃに示されるように、可動電極材料３６２０および犠牲材料３６１０をエッチングする際に使用されるマスクを提供するために、フォトレジスト層３６３０がパターン形成される。
【０１９７】
その後、図３６Ｄに示されるように、可動電極材料３６２０および犠牲材料３６１０が、任意の適切なエッチング剤を使用して、エッチングされる。可動電極材料３６２０は、ウェットまたはドライエッチングプロセスのどちらかによって、エッチングすることができる。犠牲材料３６１０がモリブデンである一実施形態では、犠牲材料３６１０は、リン酸／酢酸／硝酸（ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ／ａｃｅｔｉｃ／ｎｉｔｒｉｃ  ａｃｉｄ）または「ＰＡＮ」エッチング剤によって、エッチングすることができる。最後に、フォトレジスト層３６３０が、保持体背面板３６００から除去される。
【０１９８】
成形保持体背面板に関して上で説明されたように、その後、保持体背面板は、可動電極３６２０が間に置かれるように、静止電極を有する前面基板（図示されず）に結合される。次に、可動電極を背面板３６００から解放するために、犠牲材料３６１０が除去される。可動電極３６２０は、前面基板のレールおよび支柱によって支持され、前面基板の方向に動くことができる。保持体背面板３６００は、背面板として留まり、完成された干渉変調器表示デバイスの一部を形成する。背面板３６００を前面基板に結合する詳細は、図４３Ａ−図４３Ｃを参照して以下で説明される。
【０１９９】
図３７Ａ−図３７Ｅは、別の実施形態による、可動電極を保持体背面板上にパターン形成する方法を示す断面図である。図示された実施形態では、図３７Ａに示されるように、実質的に平坦な保持体背面板３７００が提供される。次に、犠牲材料３７１０が、背面板３７００上に付着される。その後、可動電極材料３７２０が、犠牲材料３７１０上に付着される。
【０２００】
図３７Ｂを参照すると、フォトレジスト層３７３０が、可動電極材料３７２０上に形成される。次に、図３７Ｃに示されるように、可動電極材料３７２０をエッチングする際に使用されるマスクを提供するために、フォトレジスト層３７３０がパターン形成される。その後、図３７Ｄに示されるように、可動電極材料３７２０が、任意の適切なエッチング剤を使用して、エッチングされる。可動電極材料３７２０は、ウェットまたはドライエッチングプロセスのどちらかによって、エッチングすることができる。次に、図３７Ｅに示されるように、フォトレジスト層３７３０が除去される。
【０２０１】
次に、保持体背面板３７００は、可動電極３７２０が間に置かれるように、静止電極を有する前面基板（図示されず）に結合される。次に、可動電極を背面板３７００から解放するために、犠牲材料３７１０が除去される。可動電極３７２０は、前面基板のレールおよび支柱によって支持される。したがって、この実施形態の犠牲または除去層３７１０は、パターン形成される必要がない。保持体背面板３７００は、最終製品の背面板として留まる。背面板３７００を前面基板に結合する詳細は、図４３Ａ−図４３Ｃを参照して以下で説明される。
【０２０２】
図３８Ａ−図３８Ｄは、また別の実施形態による、可動電極を保持体背面板上にパターン形成する方法を示す断面図である。図示された実施形態では、図３８Ａに示されるように、実質的に平坦な保持体背面板３８００が提供される。次に、コネクタ３８５０が、保持体背面板３８００上に形成される。コネクタ３８５０は、フォトリソグラフィおよびエッチングなど、任意の適切なプロセスを使用して、形成することができる。コネクタ３８５０は、ポリイミドもしくはフォトレジストなどの高分子材料、またはシリコン酸化物（ＳｉＯ２）などの無機材料から形成することができる。一実施形態では、コネクタ３８５０は、スピンオングラス技法を使用して、形成することができる。別の実施形態では、コネクタ３８５０は、背面板を型押しすることによって、形成することができる。そのような一実施形態では、コネクタ３８５０は、背面板３８００と同じ材料から、背面板３８００と一体形成される。
【０２０３】
その後、犠牲材料３８１０が、背面板３８００上に重ねて付着される。次に、犠牲材料３８１０が、図３８Ｂに示されるように、コネクタ３８５０の厚さと同じ厚さを有するようにエッチングされる。犠牲材料３８１０は、限定することなく、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を含む、任意の適切な技法を使用して、平坦化することができる。
【０２０４】
次に、可動電極材料３８２０が、図３８Ｃに示されるように、背面板３８００にわたって付着される。次に、可動電極材料３８２０は、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングなど、任意の適切な技法を使用して、パターン形成される。結果として得られる可動電極３８２０が、図３８Ｄに示されている。可動電極３８２０は、コネクタ３８５０上に支持され、部分的に犠牲材料３８１０にも支持される。
【０２０５】
次に、保持体背面板３８００は、可動電極３８２０が間に置かれるように、前面基板（図示されず）に結合される。次に、犠牲材料３８１０が除去される。可動電極３８２０は、前面基板のレールおよび支柱によって支持される。
【０２０６】
図１９および図３６−図３８を参照すると、可動電極材料は、可動電極１９６０に接続されるルーティングトレース１９１７を有するように、パターン形成することができる。当業者であれば、ルーティングトレース１９１７は、可動電極１９６０をパターン形成するのと同時に形成できること、または可動電極１９６０をパターン形成するのとは別個に形成できることを理解されよう。前面基板が図１７または図１８に示されたものと類似したルーティングトレースを提供する他の実施形態では、保持体背面板は、ルーティングトレースをもたずに、可動電極のみを保持することができる。
【０２０７】
図３９Ａは、パターン形成可動電極およびリベット（ｒｉｖｅｔ）を有する、保持体背面板の部分断面図を示している。「リベット」という用語は、結果として得られる干渉変調器表示デバイスの動作中に、電極の最上位置から下垂する可動電極を支持および補強（ｓｔｉｆｆｅｎ）するように構成された構造を指す。
【０２０８】
保持体背面板３９００の図示された部分は、犠牲層３９１０と、リベット支持構造３９２０と、可動電極３９３０と、リベット３９４０とを含む。犠牲層３９１０は、背面板３９００上に形成され、リベット支持構造３９２０、可動電極３９３０、およびリベット３９４０を部分的に収容するためのリセス３９１１を有する。リベット支持構造３９２０は、リセス３９１１の内部および周囲において共形に形成される。リベット支持構造３９２０は、シリコン酸化物などの無機材料から形成することができる。ある実施形態では、リベット支持構造３９２０は、省くことができる。可動電極３９３０は、リセス３９１１の内部において共形に形成され、図示された実施形態では、リベット支持構造３９２０上および犠牲層３９１０の露出部分上に形成される。次に、リベット３９４０が、リセス３９１１をあふれるほど満たして、可動電極３９３０上に形成される。リベット３９４０に使用するのに適した材料は、限定することなく、アルミニウム、ＡＩＯＸ、シリコン酸化物、ＳｉＮＸ、ニッケル、およびクロムを含む。リベット３９４０を形成するために使用できる代替材料は、他の金属、セラミック、および高分子化合物を含む。リベット３９４０の厚さは、使用される材料の機械的特性に従って様々である。
【０２０９】
図３９Ｂは、一実施形態による、保持体背面板上にリベットを有する干渉変調器表示デバイスの断面図である。デバイスの図示された部分は、前面基板３９５０と、保持体背面板３９００を含む。前面基板３９５０は、レール３９５１と、レール３９５１によって定められるトラフ３９５２と、トラフ３９５２の底上およびレール３９５１の頂上の光学スタック３９５３とを含む。背面板３９００の構成は、犠牲層３９１０が除去されていることを除いて、図３９Ａの背面板３９００の構成と同じである。背面板３９００は、前面基板３９５０と対向し、その間に、可動電極３９３０が置かれる。リベット３９４０は、可動電極３９３０とレール３９５１上の光学スタック３９５３との間に置かれる。リベット３９４０は、干渉変調器表示デバイスの動作中、可動電極３９３０を支持および補強するのに役立つ。別の実施形態では、前面基板３９５０は、トラフ３９５２内に支柱を有することができ、背面板３９００は、支柱と対向するリベットをさらに含むことができる。また別の実施形態では、干渉変調器表示デバイスは、前面基板３９５０上に支柱を有さずに可動電極を支持するために、上で説明されたレール／リベット構造を有することができる。当業者であれば、様々な構成のリベットを前面基板の支持体と組み合わせ得ることを理解されよう。
【０２１０】
ｂ．  パターン形成可動電極を有する除去可能保持体
いくつかの実施形態では、可動電極を前面基板に提供するために、永続的な保持体背面板の代わりに、パターン形成可動電極を有する除去可能保持体が使用できる。除去可能保持体は、高分子材料から形成することができる。高分子材料は、可動電極を前面基板に移転させた後、溶解可能または灰化可能とすることができる。他の実施形態では、除去可能保持体は、可動電極を前面基板上に残したまま、前面基板から物理的に持ち上げるまたははがすことができる。別の実施形態では、除去可能保持体は、再利用可能な保持体とすることができる。再利用可能な保持体は、多孔性の高分子材料から形成することができる。そのような実施形態では、図３５Ｃの除去層３５３０と同様に、除去層は、可動電極を保持体上に形成する前に、保持体上に形成することができる。次に、可動電極が除去層上に付着およびパターン形成される。除去層は、単一原子層とすることができる。一実施形態では、除去層は、モリブデンから形成することができる。可動電極をパターン形成する詳細は、図３６および図３７を参照して上で説明されたようなものとすることができる。当業者であれば、パターン形成電極を保持するために様々な構成の除去可能保持体が使用できることを理解されよう。
【０２１１】
次に、除去可能保持体は、パターン形成可動電極が間に置かれるように、前面基板上に配置される。その後、除去可能保持体は、例えば図３５Ｄを参照して上で説明されたように除去される。除去可能保持体が除去された後、干渉変調器表示デバイスを密封するために、例えばガラス板などの永続的な背面板がさらに提供される。いくつかの実施形態では、表示デバイスの湿気損傷を防ぐために、前面基板と永続的な背面板の間に乾燥剤が提供される。
【０２１２】
ＩＶ．  積層
上で説明された実施形態のいくつかは、静止電極を有する３つの異なるタイプの前面基板、すなわち、成形前面基板、（静止電極のパターン形成とは独立に形成される支持構造によって特徴付けられる）パターン形成前面基板、および支持体事前形成前面基板を提供する。加えて、上で説明された他の実施形態は、４つの異なるタイプの保持体、すなわち、成形保持体背面板、パターン形成可動電極を有する保持体背面板、成形除去可能保持体、およびパターン形成可動電極を有する除去可能保持体を提供する。１つのタイプの前面基板は、部分的に製作されたまたは完成した干渉変調器表示デバイスを形成するために、１つのタイプの保持体と組み合わせることができる。別の実施形態では、可動電極は、保持体から移転されることなく、成形前面基板上に直接形成することができる。前面基板および保持体の可能な組合せが、以下の表１に示されている。組合せに基づいた様々な実施形態も、以下で説明される。表１の各番号は、以下で説明される各実施形態の見出し番号を示す。
【０２１３】
【表１】
2010176141.tif 000003
【０２１４】
１．  成形保持体背面板および成形前面基板
Ａ．  実施形態Ａ
上掲の表１の組合せ１の一変形では、干渉変調器表示デバイスを形成するために、成形保持体背面板と成形前面基板とを互いに組み合わせることができる。成形前面基板の構成は、図１０、図１１Ａ−図１１Ｂ、図１６Ａ−図１８Ｃ、および図３４Ａ−図３４Ｄの１つまたは複数を参照して上で説明されたようなものとすることができる。成形保持体背面板の構成は、図２７Ａ−図２７Ｄ、図２８、および図３２Ａ−図３３Ｄの１つを参照して上で説明されたようなものとすることができる。前面基板と背面板の組合せ構造は、図８、図９、図１３−図１５、図１７Ａ−図１８Ｃ、図３４Ａ−図３４Ｄの１つまたは複数を参照して上で説明されたようなものとすることができる。本明細書で説明されるプロセスによって作成される干渉変調器表示デバイスは、前面基板と背面板の間に相対的に小さなギャップ（例えば、約６，５００Åから約２０μｍの間、特に約２μｍから約１５μｍの間または１０，０００Åから約５μｍの間）を有することができる。
【０２１５】
本開示で説明される実施形態では、前面基板と背面板の間のギャップとは一般に、前面基板の最深トラフの底（例えば図１１Ａの最深トラフ１０１２ｃの底Ｌ１ｃ）と、背面板が前面基板の上に重なったときに前面基板に面する背面板の面との間のギャップを指す。背面板の面は、前面基板から最も隔たった面である（例えば、図２６Ｄの前面基板に面する細長いリセスの底面Ｂ１、および図２７Ｃのエッチホール２７０５の底面Ｂ２）。したがって、例えば、図３４Ａおよび図３４Ｃでは、前面基板と背面板の間のギャップとは、背面板が前面基板の上に重なったときの、最深トラフの底と背面板３４５０の細長いリセス３４５１の天井面との間のギャップＧを指す。
【０２１６】
表示デバイスは、前面基板と背面板の間に可動電極を含む。可動電極は、図１３に示されるように、前面基板上のレールおよび支柱上に支持することができる。一実施形態では、可動電極は、図２７Ａ−図２７Ｄ、図２８、または図３３Ｄに示されるように、背面板から吊り下げることもできる。また別の実施形態では、保持体背面板上の過剰機械層は、図３４Ａ−図３４Ｄに示されるように、過剰機械層支持体によって支持することができる。
【０２１７】
以下で説明される実施形態のいずれでも、電極（列電極および行電極）とルーティング構造／トレースの間の電気的接続は、任意の適切な接合技法を使用して、確立することができる。そのような結合技法は、例えば、シャドウマスクおよび接合剤（図１７Ａ−図１７Ｃ、図２０、および図２１）、導電ビーズおよび絶縁シール、または異法性導電フィルム（ＡＣＦ）（図１６Ｅおよび図１６Ｆ）の使用を含むことができる。様々なルーティングおよびパッケージング構造および方法が以下で説明される。
【０２１８】
ａ．  ルーティングオプション１
一実施形態では、成形前面基板は、図１７Ａ−図１７Ｃを参照して上で説明されたように、可動（列）電極をルーティングするための列ルーティング構造を含むことができる。成形保持体背面板は、可動電極を保持することができるが、可動電極から延びるリードまたはルーティングトレースを保持することはできない。前面基板と背面板が互いに結合された場合、可動電極の端部は、前面基板上の導電ルーティングトレースと接触する。図１７Ａ−図１７Ｃに戻って参照すると、ギャップフィラ１７１７は、可動電極１７６０とルーティングトレース１７１４ａ２の間に置くことができる。列ルーティング構造は、列絶縁トレンチによって定められるメサ上にルーティングトレースを含むことができる。列ルーティング構造は、図１７Ａ−図１７Ｃに示されるように、トレンチ内に（ＩＴＯ層を含む）静止電極層を含むこともできる。列ルーティング構造の詳細は、図１７Ａ−図１７Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができる。成形前面基板は、図１６Ａ−図１６Ｅのものと類似する行ルーティング構造を含むこともできる。図４０−図４１Ｃに示され以下で説明される実施形態では、ルーティング構造はすべて、前面基板上に存在することができる。
【０２１９】
ここで図４０を参照すると、前面基板４０１０と背面板４０５０が互いに結合された後、ドライバ４０２０を前面基板４０１０上に取り付けることができる。ドライバは、可動（列）電極を駆動するための列ドライバ、固定（行）電極を駆動するための別個の行ドライバ、または２つの組合せとすることができる。
【０２２０】
図４１Ａ−図４１Ｃは、干渉変調器表示デバイスのための様々なドライバ配置を示している。図４１Ａを参照すると、干渉変調器表示デバイス４１００Ａは、成形前面基板４１１０ａと、その上に取り付けられた成形保持体背面板４１５０ａとを含む。デバイス４１００Ａはまた、デバイス４１００Ａの表示領域４１０１ａの同じサイドの前面基板４１１０ａ上に一緒に取り付けられた、列ドライバ４１３０ａと、行ドライバ４１４０ａとを含む。前面基板４１１０ａは、図４１Ａに示されるように、列ドライバ４１３０ａおよび行ドライバ４１４０ａにそれぞれ到る、列ルーティング構造４１３１ａおよび行ルーティング構造４１４１ａも含む。列ルーティング構造４１３１ａの構成は、図１７Ａ−図１７Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができる。行ルーティング構造４１４１ａの構成は、図１６Ａ−図１６Ｅを参照して上で説明されたようなものとすることができる。図示された実施形態では、ルーティング構造４１３１ａ、４１４１ａの露出部分は、キャッピング材料（ｃａｐｐｉｎｇ  ｍａｔｅｒｉａｌ）で覆うことができる。
【０２２１】
図４１Ｂを参照すると、干渉変調器表示デバイス４１００Ｂは、成形前面基板４１１０ｂと、成形保持体背面板４１５０ｂとを含む。デバイス４１００Ｂはまた、デバイス４１００Ｂの表示領域４１０１ｂの２つ異なるサイドの前面基板４１１０ｂ上に、列ドライバ４１３０ｂと、行ドライバ４１４０ｂとを含む。前面基板４１１０ｂは、図４１Ｂに示されるように、列ドライバ４１３０ｂおよび行ドライバ４１４０ｂにそれぞれ到る、列ルーティング構造４１３１ｂおよび行ルーティング構造４１４１ｂも含む。列ルーティング構造の構成は、図１７Ａ−図１７Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができる。行ルーティング構造の構成は、図１６を参照して上で説明されたようなものとすることができる。図示された実施形態では、ルーティング構造４１３１ｂ、４１４１ｂの露出部分は、キャッピング材料で覆うことができる。
【０２２２】
図４１Ｃを参照すると、干渉変調器表示デバイス４１００Ｃは、成形前面基板４１１０ｃと、成形保持体背面板４１５０ｃとを含む。デバイス４１００Ｃはまた、デバイス４１００Ｃの表示領域４１０１ｃの同じサイドの前面基板４１１０ｃ上に、列ドライバ４１３０ｃと、第１の行ドライバ４１４０ｃ１と、第２の行ドライバ４１４０ｃ２とを含む。前面基板４１１０ｃは、列ドライバ４１３０ｃ、第１の行ドライバ４１４０ｃ１、および第２の行ドライバ４１４０ｃ２にそれぞれ到る、列ルーティング構造４１３１ｃ、第１の行ルーティング構造４１４１ｃ１、および第２の行ルーティング構造４１４１ｃ２も含む。図示された実施形態では、交互する行は、各サイドから交互にルーティングすることができ、それが、ルーティングトレース用のより大きな空間を生み出す。列ルーティング構造４１３１ｃの構成は、図１７Ａ−図１７Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができる。行ルーティング構造４１４１ｃ１、４１４１ｃ２の構成は、図１６を参照して上で説明されたようなものとすることができる。図示された実施形態では、ルーティング構造４１３１ｃ、４１４１ｃ１、４１４１ｃ２の露出部分は、キャッピング材料で覆うことができる。
【０２２３】
他の実施形態では、列ドライバおよび行ドライバは、互いに組み合わせて、単一の統合列／行ドライバを形成することができる。そのような実施形態では、干渉表示デバイスは、図４１Ａおよび図４１Ｃに示されたものに類似するレイアウトを有することができる。他の様々なレイアウトも可能であることが理解されよう。
【０２２４】
ｂ．  ルーティングオプション２
別の実施形態では、成形前面基板は、図１８Ａ−図１８Ｃを参照して上で説明されたように、可動（列）電極をルーティングするための列ルーティング構造を含むことができる。成形保持体背面板は、可動電極を保持することができるが、可動電極から延びるリードまたはルーティングトレースを保持することはできない。加えて、ルーティングトレースとの電気的接触および接着を容易にするために、可動電極の端に接合剤を適用することができる。前面基板および成形保持体背面板が互いに結合された場合、可動電極の端部は、ルーティングトレースと接触する。列ルーティングトレースの詳細は、図１８Ａ−図１８Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができる。成形前面基板は、図１６Ａ−図１６Ｅのものと類似する行ルーティング構造を含むこともできる。加えて、干渉変調器表示デバイスは、図４１Ａ−図４１Ｃを参照して上で説明されたような、様々なドライバ配置を有することができる。
【０２２５】
ｃ．  ルーティングオプション３
また別の実施形態では、図４２Ａに示されるように、成形前面基板４２１０は、行ドライバ４２４０を含み、成形保持体背面板４２５０は、列ドライバ４２３０を含む。成形前面基板４２１０は、図１６Ａ−図１６Ｅを参照して上で説明されたような行ルーティング構造４２４１を有することができる。成形保持体背面板４２５０は、図１９のルーティングトレース１９１７に類似した、可動電極から延びる列ルーティングトレース４２３１を有することができる。列ルーティングトレース４２３１は、可動電極と列ドライバ４２３０の間に電気的接続を提供する。
【０２２６】
図４２Ａ−図４２Ｃを参照すると、前面基板４２１０と背面板４２５０は、表示領域４２０１および表示領域４２０１を囲む周辺領域４２０２の部分４２０２ａのみにおいて、互いに対向している。前面基板４２１０および背面板４２５０の各々は、列ドライバ４２３０または行ドライバ４２４０用のドライバチップ領域を有する。ドライバチップ領域は、ドライバ４２３０、４２４０がそこに結合することを可能にするために露出している。図示された実施形態では、接触および接合パッドは、互いに整列していないこともある。可動電極および列ルーティングトレースのすべては、背面板４２５０上に存在することができ、静止電極および行ルーティングトレースのすべては、前面基板４２１０上に存在することができる。これらのルーティング構造は、積層プロセスを簡略化するために、トレンチ（行）またはメサ（列）の延長によって、形成することができる。この構成は、接触／接合パッドの高さ一致問題を含まず、「パターンバイエレベーション（ｐａｔｔｅｒｎ  ｂｙ  ｅｌｅｖａｔｉｏｎ）」の十全な利点を可能にする。当業者であれば、前面基板および背面板の他の様々なルーティング配置も可能であることを理解されよう。
【０２２７】
ｄ．  ルーティングオプション４
また別の実施形態では、成形保持体背面板は、図１９に示されたものに類似した、可動電極およびルーティングトレースを保持することができる。ルーティングトレースは、可動電極からそれぞれの接触パッドに延びるように構成される。対応する成形前面基板は、接触パッド領域を含む。前面基板の接触パッド領域は、背面板の接触パッドと接触するように構成されたリードを含む。前面基板の接触パッド領域は、表示領域内の静止（行）電極に接続されるリードも含むことができる。前面基板および背面板の接触パッドは、前面基板と背面板が互いに結合された場合に整列する。前面基板および背面板の接触パッドは、異法性導電フィルム（ＡＣＦ）を介して接続することができる。
【０２２８】
ｅ．  パッケージングおよびシーリング
図４３Ａ−図４３Ｃは、一実施形態による、干渉変調器表示デバイスをパッケージングおよび密封する方法を示している。図４３Ａを参照すると、キャビティおよび静止電極（図示されず）を有する成形前面基板４３１０には、シール剤４３７０が提供される。成形前面基板４３１０の詳細は、図１０、図１１Ａ−図１１Ｂ、図１６Ａ−図１８Ｃ、および図３４Ａ−図３４Ｄの１つまたは複数を参照して上で説明されたようなものとすることができる。シール剤４３７０は、前面基板４３１０の表示領域４３０１の縁に沿って適用される。ある実施形態では、背面板の縁上にシーリングビーズを配置することができる。シール剤４３７０は、表示領域４３０１と前面基板４３１０の接触パッド（またはドライバチップ）領域４３２０の間に形成される。シール剤４３７０は、気密シール剤とすることができる。一実施形態では、シール剤は、鉛ベースの半田または非鉛ベースの半田など、導電材料とすることができる。そのような一実施形態では、導電シール剤と接触するルーティングリードまたはトレースは、絶縁する必要がある。別の実施形態では、シール剤は、ガラスフリットまたはエポキシポリマなど、絶縁材料とすることができる。
【０２２９】
次に、可動電極４３６０がその上に形成された成形保持体背面板４３５０が、図４３Ｂに示されるように、前面基板４３１０の表示領域４３０１を覆うために、前面基板４３１０上に置かれる。結果として得られる干渉変調器表示デバイスが、図４３Ｃに示されている。
【０２３０】
図１７Ａ−図１７Ｃおよび図２０に戻って参照すると、誘電体材料を成形前面基板上に付着するときに、シャドウマスクを使用することができる。シャドウマスクは、干渉変調器表示デバイスの様々な要素間で電気的接続を確立するために使用することができる。例えば、シャドウマスクは、ルーティングトレースと（背面板または除去可能保持体上の）可動（列）電極との間、およびルーティングトレースと列ドライバとの間の電気的接続のために、前面基板上の列ルーティングトレースの部分を露出させるために使用することができる（図１７Ａ−図１７Ｃおよび図２０を参照）。シャドウマスクは、背面板上の可動電極ルーティングトレース（図１９を参照）と前面基板上に取り付けられた列ドライバとの間の電気的接続のために、前面基板上の可動電極ランディングパッドの部分を露出させるために使用することもできる。シャドウマスクは、ルーティングトレースと前面基板上に取り付けられた行ドライバとの間の電気的接続のために、前面基板上の行ルーティングトレース／ランディングパッドの部分を露出させるために使用することができる。
【０２３１】
対象とするシャドウマスクブロッキング区画は、図４４Ａに示されるように、互いに接続される。シャドウマスク４４２０は、行ドライバチップ領域、列ルーティングトレースの部分、および列ドライバチップ領域をそれぞれ覆うために、第１、第２、および第３のブロッキング部分４４２０ａ、４４２０ｂ、４４２０ｃを含む。ルーティングトレースの部分をブロックするための第２のブロッキング部分４４２０ｂは、シャドウマスクコネクタ４４２１を介して、列ドライバチップ領域をブロックするための第３のブロッキング部分４４２０ｃに接続することができる。前面基板４４１０とスパッタリング対象との間のブロッキング部分４４２０ａ、４４２０ｂ、４４２０ｃと共に、誘電体材料が、前面基板４４１０にわたって付着される。他の実施形態では、前面基板４４１０上に誘電体材料を形成するために、ＣＶＤまたは蒸着法を使用することもできる。結果としてシャドウマスク４４２０によって覆われた部分は、実質的に誘電体材料から免れており、下にある導電層を露出させる。この構成は、例えば、可動電極と列ルーティングトレース（４４２０ｂ）の間、および列ドライバのためのランディングパッド（４４２０ｃ）と行ドライバ（４４２０ａ）の間の電気的接続のための接合領域を提供する。誘電体材料は、シャドウマスク４４２０によって覆われない他の部分上に付着され、光学スタックの部分を形成する。誘電体層は、ルーティング領域においてコネクタを通す（ｐａｓｓｉｆｙ）ように機能する。同様に、コネクタ４４２１は、誘電体材料付着中にコネクタ４４２１の下の導電層の部分をマスクするので、その部分も露出される。
【０２３２】
誘電体材料を付着した後、表示領域４４０１の縁にシール剤を適用することができる。図示された実施形態では、シール剤は、表示領域４４０１を囲むシーリング領域４４７０に沿って形成される。シーリング領域４４７０は、環状の形状を有し、アレイ領域４４０１に向かう方向に延びる第１の幅Ｗ１を有する。シール剤は、コネクタ４４２１のために誘電体層を介して望ましくないながら露出される導電層の部分に接触することができる。シール剤が導電性材料から形成される一実施形態では、導電層とシール剤の間に電気的接続が存在することができ、電流がシール剤を通って流れ、露出導体を短絡する原因となり得る。これは、干渉変調器表示デバイスの誤動作の原因となり得る。
【０２３３】
そのような電気的短絡を防止するため、成形前面基板４４１０には、シャドウマスクコネクタ４４２１とシーリング領域４４７０の交差部において、少なくとも１つの絶縁トレンチまたはリセス４４３０を提供することができる。トレンチ４４３０は、アレイ領域４４０１に向かう方向に延びる第２の幅Ｗ２を有する。トレンチ４４３０の第２の幅Ｗ２は、トレンチ４４３０がシーリング領域４４７０の部分を横断して延びるように、シーリング領域４４７０の第１の幅Ｗ１よりも大きくすることができる。トレンチ４４３０は、トレンチ４４３０の底と前面基板４４１０の面の間で導電層を途切れさせるのに十分な深さを有し、その位置および幅は、図４４Ｃに示されるように、オーバラップ領域において、コネクタ４４２１がトレンチ４４３０よりも狭いことを保証する。
【０２３４】
図４４Ｂ−図４４Ｅは、一実施形態による、絶縁トレンチ４４３０を有する前面基板４４１０上にシール剤を形成する方法を示している。最初に、図４４Ｃに示されるように、導電層４４０２ａ、４４０２ｂが、前面基板４４１０上および絶縁トレンチ４４３０の底上に形成される。次に、図４４Ｂおよび図４４Ｃに示されるように、コネクタ４４２１が絶縁トレンチ４４３０の部分を覆いながら、トレンチ４４３０の２つの側縁４４３０ａ、４４３０ｂを露出させるように、シャドウマスク４４２０が、前面基板４４１０上に重ねて置かれる。その後、図４４Ｄに示されるように、誘電体層４４０３が、前面基板４４１０上に付着され、トレンチ４４３０の側縁４４３０ａ、４４３０ｂを被覆する。その後、シャドウマスク４４２０が、前面基板４４１０から除去される。次に、図４４Ｅに示されるように、シール剤４４７１が、シーリング領域４４７０（図４４Ａ）上およびトレンチ４４３０内に形成される。シール剤４４７１は、トレンチ４４３０の底上で絶縁された導電性材料４４０２ａと接触する。しかし、トレンチ４４３０の側縁４４３０ａ、４４３０ｂの誘電体材料４４０３は、シール剤４４７１が、前面基板４４１０の上面上の導電層４４０２ｂに電気的に接続されることを防止する。したがって、この構成は、シール剤４４７１と導電層４４０２ｂの間の電気的短絡を防止する。
【０２３５】
絶縁シール剤が使用される別の実施形態では、前面基板は、絶縁トレンチを有さない。図４２Ａ−図４２Ｃに関して上で説明されたルーティングオプション３でのように、成形背面基板が外部に露出したルーティングトレースを有するある実施形態では、接触パッドだけがシール外部のドライバのために必要とされるので、ルーティングトレースと導電シール剤の間の電気的短絡を防止するために、絶縁材料をルーティングトレース上に付着し、パターン形成することができる。
【０２３６】
Ｂ．  実施形態Ｂ
上掲の表１の組合せ１の別の変形では、干渉変調器表示デバイスを形成するために、成形前面基板は、エッジレールおよび支柱をもたない成形保持体背面板と組み合わせることができる。成形前面基板の構成は、図１０、図１１Ａ−図１１Ｂ、図１６Ａ−図１８Ｃ、および図３４Ａ−図３４Ｄの１つまたは複数を参照して上で説明されたようなものとすることができる。成形保持体背面板の構成は、図３２Ｂまたは図３２Ｃの成形保持体に関して上で説明されたようなものとすることができる。前面基板と背面板の組合せ構造は、図８、図９、図１３−図１５、図１７Ａ−図１８Ｃ、図３４Ａ−図３４Ｄの１つまたは複数を参照して上で説明されたようなものとすることができる。上で説明されたルーティングおよびパッケージング構造は、この実施形態にも適用することができる。
【０２３７】
干渉変調器表示デバイスを形成するために成形前面基板および成形保持体背面板が使用される上で説明された実施形態では、図５３Ａ−図５３Ｄに関して以下で説明される部分湿潤ブラックマスク（ｐａｒｔｉａｌ  ｗｅｔｔｉｎｇ  ｂｌａｃｋ  ｍａｓｋ）が使用できる。いくつかの実施形態では、やはり以下で説明されるパターン形成ブラックマスクが使用できる。
【０２３８】
２．  成形保持体背面板およびパターン形成前面基板
別の実施形態、上掲の表１の組合せ２では、干渉変調器表示デバイスを形成するために、成形保持体背面板とパターン形成前面基板とを互いに組み合わせることができる。パターン形成前面基板の構成は、図２２Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができる。成形保持体背面板の構成は、図２７Ａ−図２７Ｄ、図２８、および図３２Ａ−図３３Ｄの１つを参照して上で説明されたようなものとすることができる。本明細書で説明されるプロセスによって作成される干渉変調器表示デバイスは、前面基板と背面板の間に相対的に小さなギャップ（例えば、約６，５００Åから約２０μｍの間、特に約２μｍから約１５μｍの間または１０，０００Åから約５μｍの間）を有することができる。
【０２３９】
一実施形態では、パターン形成前面基板は、図２２Ｃに示されるように、可動電極をルーティングするための導電支柱を有することができる。他の実施形態では、成形保持体背面板は、図２４Ａまたは図２４Ｂに示されるようなルーティング構造を有することができる。上で説明された実施形態では、支柱領域における望ましくない反射を回避するために、パターン形成ブラックマスクが使用できる。
【０２４０】
３．  成形保持体背面板および支持体事前形成前面基板
また別の実施形態、上掲の表１の組合せ３では、干渉変調器表示デバイスを形成するために、成形保持体背面板と支持体事前形成前面基板とを互いに組み合わせることができる。支持体事前形成前面基板の構成は、図２３Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができ、支持構造（例えば支柱およびレール）が基板と一体でなく、異なる機能に対して材料の別々の選択を可能にするために異なる材料から形成できることを除いて、成形前面基板と構造的に同様である。成形保持体背面板の構成は、図２７、図２８、および図３２の１つを参照して上で説明されたようなものとすることができる。本明細書で説明されるプロセスによって作成される干渉変調器表示デバイスは、前面基板と背面板の間に相対的に小さなギャップ（例えば、約６，５００Åから約２０μｍの間、特に約２μｍから約１５μｍの間または１０，０００Åから約５μｍの間）を有することができる。
【０２４１】
一実施形態では、支持体事前形成前面基板は、図２３Ｃに示されるように、可動電極をルーティングするための導電支柱を有することができる。他の実施形態では、成形保持体背面板は、図２４Ａまたは図２４Ｂに示されるようなルーティング構造を有することができる。上で説明された実施形態では、支柱領域における望ましくない反射を回避するために、パターン形成ブラックマスクまたは部分湿潤ブラックマスク（図５３Ａ−図５３Ｄおよび付随する説明を参照）が使用できる。
【０２４２】
４．  成形除去可能保持体および成形前面基板
また別の実施形態、上掲の表１の組合せ４では、干渉変調器表示デバイスを形成するために、成形除去可能保持体が、成形前面基板上に可動電極を提供するために使用される。成形前面基板の構成は、図１０、図１１Ａ−図１１Ｂ、図１６Ａ−図１８Ｃ、および図３４Ａ−図３４Ｄの１つまたは複数を参照して上で説明されたようなものとすることができる。成形除去可能保持体４５５０の構成は、図３５Ａ−図３５Ｄを参照して上で説明されたようなものとすることができる。
【０２４３】
図４５Ａを参照すると、成形除去可能保持体４５５０が、成形前面基板４５１０上に重ねて置かれる（簡略化のため詳細は省略されている）。可動電極４５６０が、図４５Ｂに示されるように、前面基板４５１０と保持体４５５０の間に置かれる。次に、図３５Ａ−図３５Ｄに関して上で説明されたように、保持体上の除去層（図示されず）をエッチングすることなどによって、可動電極４５６０が保持体４５５０から解放される。可動電極４５６０を解放するのと同時に、またはその後で、図４５Ｃに示されるように、保持体４５５０が、前面基板４５１０から除去される。保持体４５５０が除去されるとき、保持体４５５０の細長いリセス内の過剰機械層も、保持体４５５０と一緒に除去することができる。ある実施形態では、過剰機械層は、前面基板４５１０上に残すことができる。そのような実施形態では、前面基板４５１０は、過剰機械層を支持するために、図３４Ａ−図３４Ｄに関して説明されたような過剰機械層支持体を有することができる。次に、シール剤４５７０が、前面基板４５１０上に提供される。最後に、永続的な背面板４５８０が、可動電極４５６０を覆い、最終的デバイス内に留まるように、前面基板４５１０上に重ねて提供される。一実施形態では、背面板４５８０は、可動電極４５６０と、任意選択的に吸水剤または乾燥剤とを収容するために、リセスを有することができる。シール剤４５７０は、例えばエポキシポリマなどの、絶縁材料から形成することができる。別の実施形態では、シール剤４５７０は、導電性材料から形成することができる。シール剤４５７０は、干渉変調器表示デバイスに気密封止を提供するように構成することができる。
【０２４４】
いくつかの実施形態では、成形前面基板は、保持体が可動電極から延びるルーティングトレースを提供しないルーティングオプション１または２に関して上で説明されたようなルーティング構造を有する。他の実施形態では、保持体は、図１９に示されたものに類似する完全に定められた列ルーティングトレースを提供することができる。そのような実施形態では、前面基板は、ルーティング構造をもたず、ルーティング構造は、可動電極と共に同時に前面基板上に移転される。上で説明された実施形態では、部分湿潤ブラックマスクまたはパターン形成ブラックマスク（図５３Ａ−図５３Ｄ）が使用できる。
【０２４５】
５．  成形除去可能保持体およびパターン形成前面基板
また別の実施形態、上掲の表１の組合せ５では、干渉変調器表示デバイスを形成するために、成形除去可能保持体が、パターン形成前面基板上に可動電極を提供するために使用される。パターン形成前面基板の構成は、図２２Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができる。成形除去可能保持体の構成は、図３５Ａ−図３５Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができる。この実施形態の干渉変調器表示デバイスは、成形除去可能保持体および成形前面基板に関して上で説明された方法と類似したやり方で作成することができる。この実施形態では、支柱構造付近における望ましくない反射を回避するために、ブラックマスクが使用できる。
【０２４６】
６．  成形除去可能保持体および支持体事前形成前面基板
また別の実施形態、上掲の表１の組合せ６では、干渉変調器表示デバイスを形成するために、成形除去可能保持体が、支持体事前形成前面基板上に可動電極を提供するために使用される。支持体事前形成前面基板の構成は、図２３Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができ、支持構造（例えば支柱およびレール）が基板と一体でなく、異なる機能に対して材料の別々の選択を可能にするために異なる材料から形成できることを除いて、成形前面基板と構造的に同様である。成形除去可能保持体４５５０の構成は、図３５Ａ−図３５Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができる。この実施形態の干渉変調器表示デバイスは、成形除去可能保持体および成形前面基板に関して上で説明された方法と類似したやり方で作成することができる。この実施形態では、パターン形成ブラックマスクまたは部分湿潤ブラックマスク（図５３Ａ−図５３Ｄおよび付随する説明を参照）が使用できる。
【０２４７】
７．  パターン形成可動電極を有する保持体背面板および成形前面基板
別の実施形態、上掲の表１の組合せ７では、干渉変調器表示デバイスを形成するために、パターン形成可動電極を有する保持体背面板を成形前面基板と組み合わせることができる。成形前面基板の構成は、図１０、図１１Ａ−図１１Ｂ、および図１６Ａ−図１８Ｃの１つまたは複数を参照して上で説明されたようなものとすることができる。保持体背面板の構成は、図３６Ｅ、図３７Ｅ、図３８Ｄ、または図３９Ａ−図３９Ｂの１つを参照して上で説明されたようなものとすることができる。前面基板と背面板の組合せ構造は、図８、図９、図１３−図１５、図１７Ａ−図１８Ｃ、図３４Ａ−図３４Ｄの１つまたは複数を参照して上で説明されたようなものとすることができる。本明細書で説明されるプロセスによって作成される干渉変調器表示デバイスは、前面基板と背面板の間に相対的に小さなギャップ（例えば、約６，５００Åから約２０μｍの間、特に約２μｍから約１５μｍの間または１０，０００Åから約５μｍの間）を有することができる。
【０２４８】
可動電極は、図１３に示されるように、前面基板のレールおよび支柱上に支持することができる。別の実施形態では、可動電極は、図３８Ｄまたは図３９Ｂに示されるように、支柱またはリベットを使用して背面板から吊り下げることができる。可動電極は、前面基板および背面板の両方から支柱またはレールによって留めることができる。支柱またはレールによって留めるある例が、図４６Ａ−図４８を参照して以下で説明される。上で説明されたルーティングオプション１または２が、この実施形態に適用できる。加えて、上で説明されたパッケージングおよびシーリング構造が、この実施形態に適用できる。上で説明された実施形態では、部分湿潤ブラックマスク（図５３Ａ−図５３Ｄおよび付随する説明を参照）またはパターン形成ブラックマスクが使用できる。
【０２４９】
８．  パターン形成可動電極を有する保持体背面板およびパターン形成前面基板
別の実施形態、上掲の表１の組合せ８では、干渉変調器表示デバイスを形成するために、パターン形成可動電極を有する保持体背面板をパターン形成前面基板と組み合わせることができる。保持体背面板の構成は、図３６Ｅ、図３７Ｅ、図３８Ｄ、または図３９Ａ−図３９Ｂの１つを参照して上で説明されたようなものとすることができる。パターン形成前面基板の構成は、図２２Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができる。この実施形態の干渉変調器表示デバイスは、パターン形成可動電極を有する保持体背面板および成形前面基板に関して上で説明された方法と類似したやり方で作成することができる。本明細書で説明されるプロセスによって作成される干渉変調器表示デバイスは、前面基板と背面板の間に相対的に小さなギャップ（例えば、約６，５００Åから約２０μｍの間、特に約２μｍから約１５μｍの間または１０，０００Åから約５μｍの間）を有することができる。この実施形態では、前面基板の支柱構造付近における望ましくない反射を回避するために、パターン形成ブラックマスクが使用できる。
【０２５０】
９．  パターン形成可動電極を有する保持体背面板および支持体事前形成前面基板
別の実施形態、上掲の表１の組合せ９では、干渉変調器表示デバイスを形成するために、パターン形成可動電極を有する保持体背面板を支持体事前形成前面基板と組み合わせることができる。保持体背面板の構成は、図３６Ｅ、図３７Ｅ、図３８Ｄ、または図３９Ａ−図３９Ｂの１つを参照して上で説明されたようなものとすることができる。支持体事前形成前面基板の構成は、図２３Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができ、支持構造（例えば支柱およびレール）が基板と一体でなく、異なる機能に対して材料の別々の選択を可能にするために異なる材料から形成できることを除いて、成形前面基板と構造的に同様である。この実施形態の干渉変調器表示デバイスは、パターン形成可動電極を有する保持体背面板および成形前面基板に関して上で説明された方法と類似したやり方で作成することができる。本明細書で説明されるプロセスによって作成される干渉変調器表示デバイスは、前面基板と背面板の間に相対的に小さなギャップ（例えば、約６，５００Åから約２０μｍの間、特に約２μｍから約１５μｍの間または１０，０００Åから約５μｍの間）を有することができる。この実施形態では、パターン形成ブラックマスクまたは部分湿潤ブラックマスク（図５３Ａ−図５３Ｄおよび付随する説明を参照）が使用できる。
【０２５１】
１０．  パターン形成可動電極を有する除去可能保持体および成形前面基板
また別の実施形態、上掲の表１の組合せ１０では、干渉変調器表示デバイスを形成するために、パターン形成可動電極を有する除去可能保持体が、成形前面基板上に可動電極を提供するために使用される。除去可能保持体の構成は、積層の説明のすぐ上で説明されたようなものとすることができる。成形前面基板の構成は、図１０、図１１Ａ−図１１Ｂ、図１６Ａ−図１８Ｃ、および図３４Ａ−図３４Ｄの１つまたは複数を参照して上で説明されたようなものとすることができる。この実施形態の干渉変調器表示デバイスは、成形除去可能保持体および成形前面基板に関して上で説明された方法と類似したやり方で作成することができる。この実施形態では、部分湿潤ブラックマスク（図５３Ａ−図５３Ｄおよび付随する説明を参照）またはパターン形成ブラックマスクが使用できる。
【０２５２】
１１．  パターン形成可動電極を有する除去可能保持体およびパターン形成前面基板
別の実施形態、上掲の表１の組合せ１１では、干渉変調器表示デバイスを形成するために、パターン形成可動電極を有する除去可能保持体が、パターン形成前面基板上に可動電極を提供するために使用される。除去可能保持体の構成は、積層の説明のすぐ上で説明されたようなものとすることができる。パターン形成前面基板の構成は、図２２Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができる。この実施形態の干渉変調器表示デバイスは、成形除去可能保持体および成形前面基板に関して上で説明された方法と類似したやり方で作成することができる。この実施形態では、パターン形成ブラックマスクが使用できる。
【０２５３】
１２．  パターン形成可動電極を有する除去可能保持体および支持体事前形成前面基板
別の実施形態、上掲の表１の組合せ１２では、干渉変調器表示デバイスを形成するために、パターン形成可動電極を有する除去可能保持体が、支持体事前形成前面基板上に可動電極を提供するために使用される。除去可能保持体の構成は、積層の説明のすぐ上で説明されたようなものとすることができる。支持体事前形成前面基板の構成は、図２３Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができ、支持構造（例えば支柱およびレール）が基板と一体でなく、異なる機能に対して材料の別々の選択を可能にするために異なる材料から形成できることを除いて、成形前面基板と構造的に同様である。
【０２５４】
この実施形態の干渉変調器表示デバイスは、成形除去可能保持体および成形前面基板に関して上で説明された方法と類似したやり方で作成することができる。一実施形態では、除去可能保持体が、前面基板に結合される。次に、可動電極と保持体の間に置かれた除去層または犠牲層を除去することによって、パターン形成可動電極が除去可能保持体から解放される。その後、保持体は、可動電極を前面基板上に残したまま、例えば、持ち上げ、引きはがし、灰化など、任意の適切な方法を使用して除去される。次に、前面基板のアレイ領域を覆うために、永続的な背面板が提供される。可動電極は、前面基板および／または永続的な背面板上の様々な支持構造によって支持することができる（図４６Ａ−図５１を参照）。この実施形態では、パターン形成ブラックマスクまたは部分湿潤ブラックマスク（図５３Ａ−図５３Ｄおよび付随する説明を参照）が使用できる。
【０２５５】
１３．  成形前面基板および可動電極の従来の付着
また別の実施形態、上掲の表１の組合せ１３では、表示領域内にレールおよびトラフを有する成形前面基板が提供される。次に、犠牲材料が、前面基板のトラフをあふれるほど満たして提供される。次に、前面基板の露出レールと一緒に、実質的に平坦な面を提供するために、犠牲材料が平坦化される。その後、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングなど、任意の適切なプロセスを使用して、可動電極を定めるために、可動電極材料が前面基板上に付着され、パターン形成される。次に、成形除去可能保持体および成形前面基板に関して上で説明されたように、永続的な背面板が、前面基板上に重ねて置かれる。可動電極は、前面基板および／または永続的な背面板上の様々な支持構造によって支持することができる（図４６Ａ−図５１を参照）。この実施形態では、部分湿潤ブラックマスク（図５３Ａ−図５３Ｄおよび付随する説明を参照）またはパターン形成ブラックマスクが使用できる。
【０２５６】
Ｖ．  前面基板と背面板の間にスペースを維持するためのスペーサ
一実施形態では、干渉変調器表示デバイスには、前面基板と背面板の間にスペースを維持するためのスペーサが提供される。特に、スペーサは、表示領域内で実質的に均一なスペースを維持するために、干渉変調器表示デバイスの表示領域内に配置される。スペーサは、アレイ全体における可動電極の位置に異なる影響を強く与え得る、表示デバイスのアレイ全体における圧力関係のばらつきを減少させるのに役立つ。より大きな均一性は、歩留まりの損失なしに、より大きなディスプレイサイズを可能にする。以下で説明される実施形態では、前面基板は、成形前面基板、パターン形成前面基板、または支持体事前形成前面基板とすることができる。背面板は、成形保持体背面板、パターン形成可動電極を有する保持体背面板、または除去可能保持体を使用した後に提供される永続的な背面板とすることができる。さらに、本明細書で提供される技法および構造は、従来通りに組み立てられた前面基板および背面板よりも著しく小さなギャップを提供することが可能である。
【０２５７】
図４６Ａおよび図４６Ｂを参照すると、干渉変調器表示デバイス４６００は、前面基板４６１０と、背面板４６５０とを含む。前面基板４６１０は、トラフ４６１２を定めるレール（図示されず）を含む。前面基板４６１０は、トラフ４６１２内に支柱４６１３の形を取る支持構造も含む。デバイス４６００は、前面基板４６１０と背面板４６５０の間に可動電極４６６０も含む。
【０２５８】
干渉変調器表示デバイス４６００は、前面基板４６１０と背面板４６５０の間にスペース４６３５を維持するためのスペーサ４６３０をさらに含む。図示された実施形態では、スペーサ４６３０は、可動電極４６６０と背面板４６５０の間に置かれる。一実施形態では、スペーサ４６３０は、約０．１μｍから約２０μｍの高さを有することができる。
【０２５９】
図４６Ｂを参照すると、スペーサ４６３０の１つは、背面板４６５０から延び、対応する１つの支柱４６１３上に支持された可動電極４６６０を留める。スペーサ４６３０および支柱４６１３は一緒に、可動電極４６６０を固定する。デバイス４６００全体にわたるスペーサ４６３０は、前面基板４６１０と背面板４６５０の間に一定のスペース４６３５も維持する。一実施形態では、スペーサ４６３０は、背面板４６５０を前面基板４６１０に結合する前に、任意の適切な技法（例えばフォトリソグラフィおよびエッチング）を使用して、背面板４６５０上に形成することができる。スペーサは、背面板４６５０上に付着させ、パターン形成することができ、または成形保持体背面板と一体形成することができる。別の実施形態では、スペーサ４６３０は、任意の適切なプロセスを使用して、可動電極４６６０上にパターン形成することができる。当業者であれば、スペーサ４６３０を形成するために様々な技法が使用できることを理解されよう。加えて、スペーサ４６３０および支持構造４６１３は共に、孤立した柱として示されているが、支持構造の一方または両方は、レールまたは他の形状を取ることもできる。
【０２６０】
図４７を参照すると、干渉変調器表示デバイス４７００は、可動電極４７６０を貫通するスペーサ４７３１を含む。図示された実施形態では、可動電極４７６０は、支柱４７１３上の位置に開口またはスルーホール４７６１を含む。スペーサ４７３１は、開口４７６１を通って可動電極４７６０を貫通する。スペーサ４７３１は、干渉変調器表示デバイス４７００の前面基板（図示されず）と背面板（図示されず）の間にスペースを維持する。スペーサ４７３１は、作動のための縦方向の屈曲を過度に妨げることなく、可動電極４７６０の横方向の動きを防止または最小化することもできる。スペーサ４７３１は、前面基板または背面板（図示されず）の支持構造４７１３から延びることができる。一実施形態では、スペーサ４７３１は、背面板を前面基板に結合する前に、任意の適切なプロセスを使用して、前面基板上に形成することができる。例えば、成形前面基板が使用される一実施形態では、スペーサ４７３１は、型押し、フォトリソグラフィおよびエッチング、またはインスクライブによって形成することができる。別の実施形態では、スペーサ４７３１は、背面板を前面基板に結合する前に、任意の適切なプロセスを使用して、背面板上にパターン形成することができる。上記の変形では、スペーサ４７３１およびパターン形成可動電極４７６０は共に、前面基板上に取り付けられる保持体背面板上に提供される。当業者であれば、スペーサ４７３１を形成するために様々な技法が使用できることを理解されよう。
【０２６１】
図４８を参照すると、干渉変調器表示デバイス４８００は、前面基板４８１０と、背面板（図示されず）とを含む。前面基板４８１０は、間にトラフ４８１２を定めるレール４８１１を含む。前面基板４８１０は、トラフ４８１２内に支柱（図示されず）も含むことができる。デバイス４８００は、前面基板４８１０のレール４８１１上に少なくとも１つの開口またはスルーホール４８６１を有する可動電極４８６０も含む。
【０２６２】
干渉変調器表示デバイス４８００はまた、レール４８１１上に、第１のスペーサ４８３２と、第２のスペーサ４８３３とを含む。第１のスペーサ４８３２は、開口４８６１を通って可動電極４８６０を貫通する。第１のスペーサ４８３２の構成は、第１のスペーサ４８３２がレール４８１１上に配置されることを除いて、図４７のスペーサ４７３１の構成に類似している。第２のスペーサ４８３３は、可動電極４８６０から横方向に離されて、レール４８１１上に配置される。第２のスペーサ４８３３は、前面基板と背面板の間にスペースを維持するのにもっぱら役立ち、可動電極４８６０を留めるまたは固定することはない。第１のスペーサ４８３２および第２のスペーサ４８３３は、例えば上で説明された図４７のスペーサ４７３１を形成するための方法のいずれかなど、任意の適切な方法を使用して形成することができる。レール４８１１に加えて、前面基板４８１０は、可動電極４８６０を補強するために、トラフ内に支柱を含むことができる。
【０２６３】
図４９Ａを参照すると、干渉変調器表示デバイス４９００Ａは、前面基板４９１０と、背面板４９５０とを含む。前面基板４９１０は、光学キャビティまたはギャップを定める支持構造４９１３  （例えばレールまたは支柱）を含む。デバイス４９００Ａは、前面基板４９１０と背面板４９５０の間に可動電極４９６０も含む。
【０２６４】
干渉変調器表示デバイス４９００Ａは、スペーサ４９３０と、止め支柱（ｓｔｏｐ  ｐｏｓｔ）４９３４ａとをさらに含む。スペーサ４９３０は、前面基板４９１０と背面板４９５０の間に所望のスペース４９３５を維持するのに役立つ。加えて、スペーサ４９３０は、可動電極４９６０を留めることによって、それらに補強を加える。図示された実施形態では、スペーサ４９３０の構成は、図４６Ｂおよび図４７のスペーサ４６３０、４７３１の一方の構成と同様とすることができる。止め支柱４９３４ａは、背面板４９５０から延びながら、支持構造４９１３から横方向に離れて配置される。止め支柱４９３４ａは、図示された位置では可動電極４９６０と接触していない。デバイス４９００の動作中、可動電極４９６０が緩和されて、前面基板４９１０に近い作動位置から背面板４９５０の方に移動したときに、止め支柱４９３４ａは、可動電極４９６０を止めるように機能する。したがって、止め支柱４９３４ａは、可動電極４９６０の上方への行過ぎを防止する。そのような防止は、気密封止を容易にする、図示された実施形態の互いの間隔が近い基板４９１０、４９５０に特に適用可能である。基板４９１０、４９５０の間に捕らえられる容積を非常に小さくすることで、真空または気密封止パッケージ内への漏れの防止がはるかに容易になる。スペーサ４９３０および止め支柱４９３４ａは、任意の適切なプロセス（例えば、型押し、フォトリソグラフィおよびエッチング、またはインスクライブ）を使用して、背面板４９５０上に形成することができる。
【０２６５】
図４９Ｂを参照すると、干渉変調器表示デバイス４９００Ｂは、前面基板４９１０と、背面板４９５０とを含む。前面基板４９１０および背面板４９５０の構成は、図４９Ｂの止め支柱４９３４ｂが動作中で、図示された位置で可動電極４９６０と接触していることを除いて、図４９Ａを参照して上で説明されたようなものとすることができる。ある実施形態では、止め支柱４９３４ｂの一部または全部は、止め支柱４９３４ｂの間の可動電極４９６０の部分のみが作動中に陥没するように、可動電極４９６０に接着することができる。もちろん、図は実寸に比例しておらず、実際には、支柱は相対的により大きく離して配置される。いくつかの実施形態では、背面板４９５０は、可動電極４９６０に実質的に直交して延びるレール（図示されず）をさらに含むことができる。
【０２６６】
図４９Ｃを参照すると、干渉変調器表示デバイス４９００Ｃは、前面基板４９１０と、背面板４９５０とを含む。前面基板４９１０および背面板４９５０の構成は、図４９Ｃの背面板４９５０が前面基板４９１０の支持構造４９１３と特に位置合わせしたスペーサをもたないことを除いて、図４９Ｂを参照して上で説明されたようなものとすることができる。代わりに、背面板４９５０の止め支柱４９３４ｂが、前面基板４９１０の支持構造４９１３との位置合わせとは関係なく分散される。当業者であれば、他の様々な構成のスペーサおよび／または止め支柱も、干渉変調器表示デバイス４６００、４７００、４８００、４９００Ａ−４９００Ｃと共に使用されるように適合できることを理解されよう。
【０２６７】
図５０を参照すると、また別の実施形態では、干渉変調器表示デバイス５０００は、周辺領域５００２内にランド５０２０を有する前面基板５０１０を含む。ランド５０２０の構成は、図１７Ａ−図１７Ｃまたは図１８Ａ−図１８Ｃを参照して上で説明されたようなものとすることができる。
【０２６８】
図示された前面基板５０１０は、表示領域５００１内に、レール５０１３を含むが、支柱は含まない。したがって、レール５０１３およびランド５０２０は一緒に、デバイス５０００の可動電極５０６０を支持するように機能する。加えて、ランド５０２０は、デバイス５０００の前面基板と背面板の間のギャップの少なくとも部分を定めるように機能する。デバイス５０００は、可動電極５０６０が吊り下げられる支柱５０３０の形を取る支持構造を含むことができる背面板５０５０も含む。デバイス５０００は、表示領域５００１内および周辺領域５００２内の両方に光学スタック５０１４をさらに含む。デバイス５０００は、前面基板５０１０と背面板５０５０の間にビーズの形を取るシール剤５０７０も含む。
【０２６９】
図５１を参照すると、干渉変調器表示デバイス５１００は、支持体が形成されていない前面基板５１１０を含む。前面基板５１１０は、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングなど、パターン形成プロセスによって形成された静止電極５１１４を含む。代わりに、デバイス５１００は、支持体５１７１がそこから延びる背面板５１７０を有することができる。支持体５１７１は、前面基板５１１０の方へ下向きに延び、前面基板５１１０と背面板５１７０の間にギャップを維持する。デバイス５１００は、前面基板５１１０と背面板５１７０の間に置かれる可動電極５１６０を有することができる。可動電極５１６０は、背面板５１７０上に形成された支柱５１３０の形を取る支持構造から吊り下げることができる。図示されてはいないが、前面基板５１１０は、可動電極を支持するための、上で説明されたランドを有することができる。当業者であれば、支持体の他の様々な組合せも可能であることを理解されよう。
【０２７０】
ＶＩ．  ブラックマスク
１．  パターン形成ブラックマスク
図５２Ａおよび図５２Ｂを参照すると、干渉変調器表示デバイス５２００は、前面基板５２１０と、背面板（図示されず）とを含む。前面基板５２１０は、支柱５２１３の形を取る支持構造と、支柱５２１３によって定められるキャビティ５２１２とを含む。前面基板５２１０は、キャビティ５２１２の底上に光学スタック５２１４も含む。デバイス５２００は、支柱５２１３上に支持された可動電極５２６０も含む。図５２Ａでは、可動電極５２６０は、作動位置にある。作動位置では、可動電極５２６０は、電気的引力によって前面基板５２１０上の静止電極の方へ曲げられる。図示された実施形態では、キャビティ５２１２の１つは、単一のピクセルを形成するが、（いくつかの支柱を有することができる）キャビティの部分のみが示されている。
【０２７１】
図５２Ａに示されるように、可動電極５２６０の中央部分５２６１は、前面基板５２１０の光学スタック５２１４の形を取る静止電極に接触または接近し、支持構造に近い可動電極５２６０の部分５２６２は、光学スタック５２１４とギャップ５２１２ａを有する。ギャップ５２１２ａのため、支持構造５２１３から遠い非隣接領域Ａに入射する光の光学干渉は、支持構造５２１３に近い隣接領域Ｂに入射する光の光学干渉とは異なる。作動位置では、非隣接領域Ａは、光を吸収するが、隣接領域Ｂは、少なくとも部分的に光を反射する。光学干渉におけるそのような差が、非隣接領域Ａでは暗い領域を生み出し、隣接領域Ｂでは意図した暗色を弱める傾向にある明るい領域を生み出す。
【０２７２】
作動位置における明るい領域を防止または緩和するため、干渉変調器表示デバイスは、前面基板５２１０の隣接領域Ｂ内にブラックマスクを含むことができる。図示された実施形態では、前面基板５２１０は、支持構造に近い光学スタック５２１４の下にブラックマスク５２２０を含む。ブラックマスク５２２０は、フォトリソグラフィおよびエッチングを使用して、形成することができる。本文献との関連では、そのようにして形成されるブラックマスクは、「パターン形成」ブラックマスクと呼ばれる。図５２Ｂは、図５２Ａの矢印５２Ｂによって示されるように、前面基板５２１０の下から見たブラックマスク５２２０を示している。
【０２７３】
図示された実施形態では、光学スタック５２１４は、支持構造５２１３の頂上に形成される。上にある光学スタック５２１４および可動電極は、下にある作動中の可動電極および光学スタックと同様に作用し、したがって、ブラックマスクとして機能するので、この構成は、デバイス５２００が、支持構造５２１３の下にブラックマスクをもたないことを可能にする。パターン形成ブラックマスクは、上で説明された干渉変調器表示デバイスのいずれにも適用することができる。
【０２７４】
２．  部分湿潤ブラックマスク
図５３Ａ−図５  ３Ｃは、干渉変調器表示デバイス５３００においてブラックマスクを形成する方法の別の実施形態を示している。最初に、支持構造５３１３と、支持構造５３１３によって定められるキャビティ５３１２とを含む、前面基板５３１０が提供される。次に、キャビティ５３１２が、例えばスピンコーティングまたはスプレーコーティングなど、任意の適切なプロセスを使用して、ブラックマスク材料５３２０ａで実質的に満たされる。別の実施形態では、前面基板５３１０は、容器内のブラックマスク材料懸濁液または溶液に浸すことができる。ブラックマスク材料５３２０ａは、黒色顔料および有機溶剤を含むことができる。ブラックマスク材料５３２０ａは、以下で説明されるプロセスに適合する濃度および粘度を有することができる。一実施形態では、黒色顔料は、有機材料とすることができる。別の実施形態では、黒色顔料は、無機材料とすることができる。黒色顔料の例は、限定することなく、酸化銅、黒鉛、およびカーボンブラックを含む。溶剤の例は、限定することなく、アセトンおよびイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を含む。いくつかの実施形態では、ブラックマスク材料は、フォトレジストおよび／または高分子材料（例えば熱硬化性ポリマ（ｔｈｅｒｍｏｓｅｔｔｉｎｇ  ｐｏｌｙｍｅｒ））を含むこともできる。
【０２７５】
次に、キャビティ５３１２内に黒色顔料を残して、溶剤がキャビティ５３１２から除去される。一実施形態では、溶剤は、乾燥によって除去することができる。ある実施形態では、前面基板５３１０は、溶剤の乾燥を促進するために、加熱することができる。次に、溶剤が除去されているとき、ブラックマスク材料５３２０ａの表面張力が、材料５３２０ａのかなりの部分を支持構造５３１３に近い領域に追いやる。したがって、黒色顔料のかなりの部分が、支持構造５３１３の近く（例えば支柱５３１３から約１μｍから約１０μｍ以内）に残り、それによって、図５３Ｂに示されるように、ブラックマスク５３２０ｂを形成する。その後、図５３Ｃに示されるように、光学スタック５３１４が、前面基板５３１０上に重ねて形成される。別の実施形態では、ブラックマスク５３２０ｂは、図５３Ｄに示されるように、光学スタック５３１４が成形前面基板５３１０上に形成された後で、図５３Ａおよび図５３Ｂに示されたのと類似したやり方で形成することができる。図５３Ａ−図５３Ｄに示されるやり方で形成されたブラックマスクは、本文献との関連では、部分湿潤ブラックマスクと呼ばれることがある。部分湿潤ブラックマスクは、成形前面基板または支持体事前形成基板が使用される実施形態に適用することができる。当業者であれば、部分湿潤ブラックマスクは上で説明された様々な実施形態で使用されるように適合できることを理解されよう。図示された実施形態では、支持構造５３１３上の光学スタック５３１４および光学スタック５３１４上にのった可動電極（図示されず）は一緒に、図５２Ａに示されたものと類似したブラックマスクとして機能する。
【０２７６】
ＶＩＩ．  静的干渉ディスプレイ
上で説明された干渉変調器の実施形態は、可動電極を有する干渉変調器に関するが、他の実施形態が可能であることが理解されよう。特に、空気または光透過材料によって定められる干渉ギャップによって隔てられた、第１の部分反射層と、少なくとも部分的に光を反射する第２の層とを含む、静的干渉ディスプレイ（ｓｔａｔｉｃ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ  ｄｉｓｐｌａｙ）を提供することができる。「静的干渉ディスプレイ」という用語は、干渉効果を使用して静止画像を表示するように構成されたデバイスを指す。静止画像は、白黒画像および／またはカラー画像を含むことができ、単一の干渉ギャップ上にパターンを含むことができる。
【０２７７】
第２の反射層は、実施形態に応じて、部分的に光を反射することができ、または完全に光を反射することができることが理解されよう。便宜的に、部分的な透過が機能的に重要である第１の部分反射層は、本明細書では部分反射層と呼ばれることがあり、第２の反射層は、反射層と呼ばれることがあり、２つの層は、まとめて一括して反射層と呼ばれることがあるが、反射層という用語の使用は、部分反射層を除外することを意図していないことが理解されよう。同様に、部分反射層は、代替的に吸収体と呼ばれることもある。
【０２７８】
そのような静的干渉ディスプレイでは、静的干渉ディスプレイは静電的に作動可能であることを意図していないので、電極として使用される導電性材料を選択するまたは含む必要がない。同様に、（作動状態からの移動も緩和もないため）２つの層の間に電圧を印加する必要がないので、反射層は、互いに電気的に絶縁される必要がない。したがって、反射層を形成するために、非導電性材料を使用することができ、導電性材料は、干渉ギャップを定めるために使用することができる。静的干渉ディスプレイは、光透過層の代わりに、空隙を含むことができる。さらなる実施形態では、静的干渉ディスプレイは、作動可能な干渉変調器と同様であり、単に作動しないようにすることができる。空隙を定めるための固体材料の使用は付加的な安定性を提供することができるが、それに加えて、以下で説明されるさらなる可能な利点も存在することが理解されよう。
【０２７９】
いくつかの実施形態では、静的干渉ディスプレイは、２つの基板を結合することによって形成することができ、その各々は、図９を参照して上で説明されたＭＥＭＳデバイスと同様に、事前形成された構成要素を有する。そのような実施形態では、先に説明された実施形態の場合と同様に、基板上に構成要素（例えばキャビティ）を事前形成するための犠牲材料は必要とされない。２つの基板を結合する際、任意の適切な技法（例えば、積層、接合など）が使用できる。
【０２８０】
一実施形態では、静的干渉ディスプレイは、前面基板を背面板に結合することによって形成することができる。本明細書で使用される「前面基板」は一般に、透明であり、見る者に面している。前面基板および背面板の少なくとも一方は、干渉変調のための選択された深さのキャビティを形成するために成形することができる。キャビティは、例えば、型押し、フォトリソグラフィおよびエッチング、ならびにインスクライブなど、任意の適切なプロセスによって形成することができる。
【０２８１】
１．  成形前面基板または支持体事前形成前面基板を有する静的干渉ディスプレイ
図５４は、一実施形態による、静的干渉ディスプレイ５４００の事前積層状態を示している。静的干渉ディスプレイ５４００は、前面基板５４１０と、背面板５４２０とを含む。前面基板５４１０は、複数のレール５４１１と、レール５４１１によって定められた複数のキャビティまたはリセス５４３０とを含む。本文献との関連では、レール５４１１は、「支持体」または「指示構造」と呼ばれることもある。前面基板５４１０はまた、レール５４１１の頂上に光学層または光学スタック５４１４ａを、キャビティ５４３０の底上に同じ光学層またはスタック５４１４ｂを含む。図１１Ａを参照して上で説明されたように、レール５４１１の頂上の光学層またはスタック５４１４ａは、干渉ディスプレイの設計に応じて、光学層またはスタック５４１４ａの光学的厚さによって決定される黒色または白色を提供することができる。背面板５４２０は、前面基板５４１０に面する反射層（またはミラー）５４２１を含む。
【０２８２】
前面基板５４１０は、実質的に透明な材料から形成することができる。透明な材料の例は、限定することなく、ガラスおよび透明な高分子材料を含む。前面基板５４１０は、前面基板５４１０の部分を除去もしくは成形するのに、または基板５４１０の面内にリセスを形成するのに適した任意の方法によって成形することができる。成形方法の例は、限定することなく、型押し（例えば図１２Ａ−図１２Ｃを参照して説明された方法）、フォトリソグラフィ（またはスクリーン印刷）およびエッチング、ならびにインスクライブを含む。基板５４１０は、上で説明された方法の少なくともいくつかでは付加的な材料を基板５４１０に追加することなく、成形することができるので、レール５４１１の形を取る支持体は、前面基板５４１０の材料と同じ材料から、前面基板５４１０と一体形成することができる。他の実施形態では、支持構造は、支持体事前形成前面基板に関して上で説明されたように、付加的な材料の付着およびパターン形成によって、実質的に平坦な前面基板上に形成することができる。
【０２８３】
レール５４１１の各々は、図５６に示されるように、行方向または列方向のどちらかに互いに平行に延びる。図示されたレール５４１１は、格子または行列の形に配列された正方形のキャビティを定める。他の実施形態では、キャビティは、上から見たときに、例えば、長方形、三角形、円、楕円など、他の様々な形状を有することができ、格子は、直交する必要はない。実際のところ、ピクセルを電気的にアドレス指定することに関する問題はないので、画像は任意の所望のパターンを有することができる。レール５４１１は、実質的に同じレベル、すなわち単一の平面内にある上面を有する。
【０２８４】
キャビティ５４３０は、結果として得られるディスプレイにおいてキャビティ５４３０が生じさせるように設計された色に応じて、多数の深さ５４５０ａ−５４５０ｅを有するように定められる。色の最適な鮮明度（ｃｌａｒｉｔｙ）および鮮鋭度（ｓｈａｒｐｎｅｓｓ）のため、深さ５４５０ａ−５４５０ｅは、約５００Åから約５，０００Åの範囲内にある。干渉効果はより大きな光学的深さによっても得ることができるが、当業者であれば、光学的距離は様々な波長の倍数（ｍｕｌｔｉｐｌｅｓ  ｏｆ  ａ  ｖａｒｉｅｔｙ  ｏｆ  ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｓ）に対応するので、深さが大きくなるにつれて色が不鮮明になり始めることを理解されよう。フィラが使用される他の実施形態（例えば、図５７、図５８、図６０、および図６１）では、フィラは異なる光学濃度（屈折率）を有することができるので、空気に対して与えられたキャビティの深さは、そのようなフィラに対して調整することができる。静的干渉ディスプレイ５４００は静止画像を表示するだけなので、キャビティの深さは、所望の静止画像のパターンに従って選択される。当業者であれば、干渉効果を使用して所望の色およびパターンを生じさせるのに適した深さ５４５０ａ−５４５０ｅを理解されよう。
【０２８５】
光学スタック５４１４ａ、５４１４ｂは、単一の層とすることができ、またはいくつかの融合層を含むことができる。一実施形態では、光学スタック５４１４ａ、５４１４ｂは、干渉効果に適した吸収係数（ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）を有する誘電体材料から形成することができる。誘電体材料の例は、限定することなく、二酸化ケイ素および酸化アルミニウムを含む。別の実施形態では、光学スタック５４１４ａ、５４１４ｂは、上側副層および下側副層を含む、２層構造を有することができる。上側副層は、酸化アルミニウムから形成することができる。下側副層は、二酸化ケイ素から形成することができる。
【０２８６】
一実施形態では、光学スタック５４１４ａ、５４１４ｂは、約１００Åから約１，６００Åの間の厚さを有することができる。光学スタック５４１４ａ、５４１４ｂが上側副層および下側副層を有する実施形態では、上側副層は、例えば約５０Åの厚さを有することができ、下側副層は、例えば約４５０Åの厚さを有することができる。図示された実施形態では、光学スタック５４１４ａ、５４１４ｂは、スパッタリングなど方向性をもった付着のために、キャビティ５４３０の底とレール５４１１の頂上の間で途切れている。
【０２８７】
ある実施形態では、光学スタック５４１４ａ、５４１４ｂは、金属の吸収体層（または部分反射層）も含むことができる。吸収体層は、クロム（Ｃｒ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）など、半透明な厚さの金属から形成することができる。吸収体層は、約１Åから約１００Åの間、特に約５０Åから約１００Åの間の厚さを有することができる。
【０２８８】
ある実施形態では、前面基板５４１０自体が、干渉効果に適した光学分散（屈折率および吸収係数）を有する材料から形成できる。そのような実施形態では、前面基板５４１０は、光学スタックを含まないことがある。
【０２８９】
背面板５４２０は、任意の適切な材料（例えば、高分子化合物、金属、およびガラス）から形成することができる。背面板５４２０の反射層５４２１は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはそれらの合金など、鏡のようなまたは光を反射する金属から形成することができ、好ましくは、干渉効果のために前面基板５４１０に入射した可視光の実質的にすべてを反射するのに十分な厚さを有する。例示的な一実施形態では、反射層５４２１は、約３００Åの厚さを有する。反射層５４２１の厚さは、他の実施形態では、幅広く変化に富み得る。ある実施形態では、背面板５４２０自体が、アルミニウム箔などの反射材料から形成できる。そのような実施形態では、背面板５４２０は、別個の反射層を含まない。
【０２９０】
図示された実施形態では、背面板５４２０は、矢印によって示されるように、反射層５４２１がレール５４１１上の光学スタック５４１４ａの上面に接触するように、前面基板５４１０に取り付けられる。結果として得られる静的干渉ディスプレイ５４００は、反射層５４２１とレール５４１１上の光学スタック５４１４ａの上面との間に実質的にギャップを有することができない。
【０２９１】
２．  成形背面板または事前形成背面板を有する静的干渉ディスプレイ
図５５は、別の実施形態による、静的干渉ディスプレイ５５００の事前積層状態を示している。静的干渉ディスプレイ５５００は、前面基板５５１０と、背面板５５２０とを含む。前面基板５５１０は、実質的に平坦な面５５１１と、面５５１１上に形成された光学層またはスタック５５１４とを含む。背面板５５２０は、複数のレール５５２３と、レール５５２３によって定められた複数のキャビティまたはリセス５５３０とを含む。本文献との関連では、レール５５２３は、「支持体」または「指示構造」と呼ばれることもある。背面板５５２０は、前面基板５５１０に面する反射層（またはミラー）５５２１も含む。
【０２９２】
前面基板５５１０の構成は、図５５の前面基板５５１０が実質的に平坦であることを除いて、図５４の前面基板５４１０の構成に関して上で説明されたようなものとすることができる。光学層またはスタック５５１４の構成は、図５５の光学層またはスタック５５１４が前面基板５５１０の面上に実質的に連続して形成されることを除いて、図５４の光学層またはスタック５４１４ａ、５４１４ｂの構成に関して上で説明されたようなものとすることができる。ある実施形態では、前面基板５５１０自体が、干渉効果に適した吸収係数を有する材料から形成できる。そのような実施形態では、前面基板５５１０は、光学スタックを省くことができる。
【０２９３】
背面板５５２０は、成形に適した材料から形成することができる。材料の例は、限定することなく、ガラス、金属、および高分子化合物を含む。背面板５５２０は、背面板５５２０の部分を除去もしくは成形するのに、または背面板５５２０の面内にリセスを形成するのに適した任意の方法によって成形することができる。成形方法の例は、限定することなく、型押し（例えば図１２Ａ−図１２Ｃを参照して説明された方法）、フォトリソグラフィ（またはスクリーン印刷）およびエッチング、ならびにインスクライブを含む。背面板５５２０は、上で説明された方法では付加的な材料を背面板５５２０に追加することなく、成形されるので、レール５５２３の形を取る支持体は、背面板５５２０の材料と同じ材料から、背面板５５２０と一体形成することができる。他の実施形態では、支持構造は、支持体事前形成前面基板に関して上で説明されたように、付加的な材料の付着およびパターン形成によって、実質的に平坦な背面板上に形成することができる。
【０２９４】
レール５５２３は、図５６に示されるパターンと同様に、行方向または列方向のどちらかに互いに平行に延びる。レール５５２３は、実質的に同じレベル、すなわち単一の平面内にある（前面基板に面する）底面を有する。
【０２９５】
キャビティ５５３０は、結果として得られるディスプレイにおいてキャビティ５５３０が生じさせるように設計された色に応じて、多数の深さ５５５０ａ−５５５０ｅを有するように成形または事前形成される。静的干渉ディスプレイ５５００は静止画像を表示するだけなので、キャビティの深さは、所望の静止画像のパターンに従って選択される。当業者であれば、干渉効果を使用して所望の色およびパターンを生じさせるのに適した深さ５５５０ａ−５５５０ｅを理解されよう。
【０２９６】
背面板５５２０の反射層５５２１は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはそれらの合金など、鏡のようなまたは光を反射する金属から形成することができ、干渉効果のために前面基板５５１０に入射した可視光の実質的にすべてを反射するのに十分な厚さを有する。例示的な一実施形態では、反射層５５２１は、約３００Åの厚さを有する。反射層５５２１の厚さは、他の実施形態では、幅広く変化に富み得る。ある実施形態では、背面板が、アルミニウムなどの反射材料から形成できる。そのような背面板は、支持構造を形成するために、エッチングすることができる。そのような実施形態では、背面板は、別個の反射層を含まないことがある。図示された実施形態では、反射層５５２１は、背面板５５２０の面上に連続して形成される。他の実施形態では、反射層５５２１は、レール５５２３とキャビティ５５３０の間で途切れることができる。
【０２９７】
図示された実施形態では、背面板５５２０は、矢印によって示されるように、反射層５５２１の最下面（レール５５２３の下にあり、前面基板５５１０に面する、反射層５５２１の底面）が前面基板５５１０の光学スタック５５１４の上面に接触するように、前面基板５５１０に取り付けられる。結果として得られる静的干渉ディスプレイ５５００は、反射層５５２１の最下面と前面基板５５１０の光学スタック５５１４の上面との間に実質的にギャップを有することができない。
【０２９８】
３．  キャビティフィラを有する静的干渉ディスプレイ
図５７は、別の実施形態による、静的干渉ディスプレイ５７００の事前積層状態を示している。静的干渉ディスプレイ５７００は、前面基板５７１０と、背面板５７２０とを含む。前面基板５７１０の構成は、図５４の前面基板５４１０の構成に関して上で説明されたようなものとすることができる。背面板５７２０の構成は、図５４の背面板５４２０の構成に関して上で説明されたようなものとすることができる。静的干渉ディスプレイ５７００の上面図は、図５６を参照して上で説明されたようなものとすることができる。
【０２９９】
静的干渉ディスプレイ５７００は、前面基板５７１０のキャビティ内にフィラ５７６０をさらに含む。フィラ５７６０は、実質的に透明な材料から形成することができる。実質的に透明な材料は、干渉効果に適した屈折率を有することができる。実質的に透明な材料の例は、限定することなく、酸化物（例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２）、窒化物（例えば、ＳｉＮ３、ＳｉＮ４）、透明なフォトレジスト、および透明な高分子化合物を含む。フィラ５７６０は、光学スタック５７１４ａ、５７１４ｂが形成された前面基板５７１０上にフィラ材料を全面付着し、その後、フィラ材料の上面を平坦化することによって、形成することができる。ある実施形態では、フィラは、レール５７１１上の光学スタック５７１４ａの上面も覆うことができる。
【０３００】
図示された実施形態では、背面板５７２０は、矢印によって示されるように、反射層５７２１の最下面（前面基板に面する）が前面基板５７１０上に形成されたフィラ５７６０の上面に接触するように、前面基板５７１０に取り付けられる。結果として得られる静的干渉ディスプレイ５７００は、反射層５７２１の最下面とフィラ５７６０の上面との間に実質的にギャップを有することができない。ある実施形態では、反射層をフィラ５７６０上に直接被覆することができる。その場合、別個の背面板を積層する代わりに、反射層を保護するのに適した硬さを有する材料で、反射層の上面を被覆することができる。他の実施形態では、フィラ５７６０上に直接形成された反射層に背面板を結合することができる。
【０３０１】
図５８は、別の実施形態による、静的干渉ディスプレイ５８００を示している。静的干渉ディスプレイ５８００は、前面基板５８１０と、背面板５８２０とを含む。前面基板５８１０の構成は、図５８の前面基板５８１０がレールを含まないことを除いて、図５７の前面基板５７１０の構成に関して上で説明されたようなものとすることができる。前面基板５８１０は、段のついた面を形成する別個の深さを有するキャビティを含む。図示された前面基板５８１０は、図５７のフィラ５７６０に類似したフィラ５８６０を含む。フィラ５８６０は、光学スタック５８１４が形成された前面基板５８１０上にフィラ材料を全面付着し、その後、フィラ材料の上面を平坦化することによって、形成することができる。背面板５８２０の構成は、図５７の背面板５７２０の構成に関して上で説明されたようなものとすることができる。
【０３０２】
図５９は、図５８の静的干渉ディスプレイ５８００の部分の上面図を示している。静的干渉ディスプレイ５８００はレールを含まないので、図５９に示されるように、上から見たときに、仕切り壁を有さない。静的干渉ディスプレイ５８００は、正方形状のピクセルＰ１−Ｐ１５を含む。当業者であれば、静的干渉ディスプレイが他の様々な形状のピクセルを有することができ、格子は直交する必要がないことを理解されよう。実際のところ、ピクセルは電気的にアドレス指定される必要はないので、画像は任意の所望のパターンを有することができる。
【０３０３】
図６０は、別の実施形態による、静的干渉ディスプレイ６０００を示している。静的干渉ディスプレイ６０００は、前面基板６０１０と、背面板６０２０とを含む。前面基板６０１０の構成は、図５５の前面基板５５１０の構成に関して上で説明されたようなものとすることができる。背面板６０２０の構成は、図６０の背面板６０２０がレールを含まないことを除いて、図５５の背面板５５２０の構成に関して上で説明されたようなものとすることができる。
【０３０４】
図示された背面板６０２０は、図５８のフィラ５８６０に類似したフィラ６０６０を含む。フィラ６０６０は、反射層６０２１が形成された背面板６０２０上にフィラ材料を全面付着し、その後、フィラ材料の上面を平坦化することによって、形成することができる。次に、フィラ６０６０を有する背面板６０２０は、光学スタック６０１４を有する前面基板６０１０に結合することができ、それによって、静的干渉ディスプレイを形成する。静的干渉ディスプレイ６０００の上面図は、図５９を参照して上で説明されたようなものとすることができる。
【０３０５】
４．  連続深度キャビティを有する静的干渉ディスプレイ
図６１は、別の実施形態による、静的干渉ディスプレイ６１００を示している。静的干渉ディスプレイ６１００は、前面基板６１１０と、背面板６１２０とを含む。前面基板６１１０の構成は、図６１の前面基板６１１０が離散的ではなく連続的または滑らかに推移する深さを有するキャビティを含むことを除いて、図５８の前面基板５８１０の構成に関して上で説明されたようなものとすることができる。前面基板６０１０は、図５８のフィラ５８６０に類似したフィラ６１６０を含む。背面板６１２０の構成は、図５８の背面板５８２０の構成に関して上で説明されたようなものとすることができる。別の実施形態では、背面板が、連続的または平滑に推移する深さを有するキャビティを有することができ、前面基板は、実質的に平坦である。当業者であれば、前面基板と背面板の他の様々な組合せも可能であることを理解されよう。
【０３０６】
上で説明された実施形態のいくつかでは、前面基板および／または（永続的もしくは除去可能な）保持体が成形され、その上で不連続な付着が実行される。この方法は、高価なマスキング工程を回避し、したがって、製造コストを低減する。加えて、背面保持体上に形成されるスペーサ、支持体、止め支柱は各々、より良い均一性および信頼性をもたらし、ギャップがより小さくなるのに伴い、圧力変化および湿気の影響を受け難くなる。
【０３０７】
実施形態は、干渉変調器表示デバイスに関して説明されたが、より一般に他のＭＥＭＳデバイス、特に相対運動が可能な電極を有する静電ＭＥＭＳにも適用可能である。
【０３０８】
上記の詳細な説明は、様々な実施形態に適用される本発明の新規な特徴を示し、説明し、指摘しているが、説明されたデバイスまたはプロセスの形態および細部における様々な省略、置き換え、および変更が、本発明の主旨から逸脱することなく、当業者によって行われ得ることが理解されよう。理解されるように、いくつかの特徴は他の特徴とは別個に使用または実施できるので、本明細書で説明された特徴および利点の必ずしもすべてを提供するわけではない形態内で、本発明を具現することができる。
【符号の説明】
【０３０９】
１２  干渉変調器
１４  可動反射層
１６  光学スタック
１８  支柱
１９  キャビティ
２０  基板
２１  プロセッサ
２２  アレイドライバ
２４  行ドライバ回路
２６  列ドライバ回路
２７  ネットワークインタフェース
２８  フレームバッファ
２９  ドライバコントローラ
３０  表示アレイ（ディスプレイ）
３２  テザー
３４  変形可能層
４０  表示デバイス
４１  ハウジング
４２  支持支柱プラグ
４３  アンテナ
４４  バス構造
４５  スピーカ
４６  マイクロフォン
４７  トランシーバ
４８  入力デバイス
５０  電源
５２  調整ハードウェア
８００  干渉変調器表示デバイス
８０１  表示領域
８０２  周辺領域
８１１  行ドライバ
８１１ａ  電気リード
８１２  列ドライバ
８１３  導電粒子
９００  干渉変調器表示デバイス
９０１  表示領域
９０２  周辺領域
９１０  前面基板
９５０  保持体
１０００  前面基板
１０１０  基板
１０１１  レール
１０１２  トラフ
１０１３  支柱
１０１４  光学スタック
１２１０  基板
１２１４  光学スタック
１２２０  圧板
１２３０  型押し板
１３００  干渉変調器表示デバイス
１３０１  表示領域
１３０２  周辺領域
１３０３  ドライバチップ領域
１３１０  前面基板
１３１１  レール
１３１２  トラフ
１３１３  支柱
１３１４  光学スタック
１３１５  エッジスペーサ
１３１６  ルーティングトレンチ
１３１７  接触トレンチ
１３６０  可動電極
１３６０ａ  反射層
１３６０ｂ  機械層
１７００  干渉変調器表示デバイス
１７０１  表示領域
１７０２  周辺領域
１７１０  前面基板
１７１１  レール
１７１２  トラフ
１７１４  光学スタック
１７１６Ｃ  列絶縁トレンチ
１７１６Ｍ  メサ
１７１７  ギャップフィラ
１７６０  可動電極
１８００  干渉変調器表示デバイス
１８０１  表示領域
１８０２  周辺領域
１８１０  前面基板
１８１２  トラフ
１８１４  光学スタック
１８１７  ルーティングトレース
１８６０  可動電極
１９１７  ルーティングトレース
１９５０  保持体
１９６０  可動電極
２０１０  成形前面基板
２０２０  シャドウマスク
２１１０  前面基板
２１２０  シャドウマスク
２１２１  開口
２２００  パターン形成前面基板
２２０１  表示領域
２２０２  周辺領域
２２１０  前面基板
２２１３  絶縁支柱
２２１４  光学スタック
２２１５  スルーホール
２２１６  導電支柱
２２２０  ルーティングトレース
２３００  支持体事前形成前面基板
２３０１  表示領域
２３０２  周辺領域
２３１０  前面基板
２３１３  絶縁支持体
２３１４  光学スタック
２３１６  導電支持体
２３２０  境界面
２４０１  表示領域
２４０２  周辺領域
２４１０  前面基板
２４１３  絶縁支柱
２４１６  導電支柱
２４２０  ルーティングトレース
２４１４  光学スタック
２４５０  保持体
２４６０  可動電極
２５００  成形保持体
２５０１  リセス
２５０２  メサ
２５１０  可動電極
２５２０  過剰可動電極材料
２６００  基板
２６０１  リセス
２６０２  メサ
２６１０  可動電極材料
２６２０  可動電極材料
２６５０  圧板
２６５１  型押し板
２７００  成形保持体背面板
２７０１  リセス
２７０２  エッジレール
２７０３  レールトレンチ
２７０４  支柱
２７０５  エッチホール
２７０６  底面
２７１０  可動電極
２７２０  過剰可動電極材料
２８００  成形保持体背面板
２８０１  リセス
２８０２  エッジレール
２８０３  レールトレンチ
２８０４  支柱
２８１０  可動電極
２８１１  スルーホール
２８２０  過剰可動電極材料
２９００  成形保持体背面板
２９０１  リセス
２９０２  エッジレール
２９０３  レールトレンチ
２９０４  支柱
２９０８  犠牲材料
２９０９  メサ
２９１０  可動電極
２９２０  過剰可動電極材料
３０００  成形保持体背面板
３００１  リセス
３００２  エッジレール
３００３  レールトレンチ
３００４  支柱
３００７  シード層
３００８  犠牲材料
３０１０  可動電極
３０２０  過剰可動電極材料
３１００  成形保持体背面板
３１０１  リセス
３１０２  エッジレール
３１０３  レールトレンチ
３１０４  支柱
３１０７  ブロッキングマスク
３１０８  犠牲材料
３１１０  可動電極
３１２０  過剰可動電極材料
３２００  成形保持体背面板
３２０１  リセス
３２０２  メサ
３２０７ａ  犠牲材料
３２０７ｂ  犠牲材料
３２０７  除去層
３２１０  可動電極
３２２０  過剰機械層
３２５０  縁部
３２５１  周囲リッジ
３２５２  リセス
３３００  保持体背面板
３３１０  犠牲材料
３３２０  可動電極
３３５０  支柱
３４００  干渉変調器表示デバイス
３４１０  成形前面基板
３４１１  レール
３４１２  トラフ
３４１４  光学スタック
３４２０  過剰機械層支持体
３４５０  成形保持体背面板
３４５１  リセス
３４５２  メサ
３４６１ａ  可動電極
３４６１ｂ  過剰機械層
３４６２  犠牲層
３５００  成形除去可能保持体
３５０１  リセス
３５０２  メサ
３５１０  可動電極
３５２０  過剰機械層
３５３０  除去層
３５７０  前面基板
３６００  保持体背面板
３６１０  犠牲材料
３６２０  可動電極
３６３０  フォトレジスト層
３７００  保持体背面板
３７１０  犠牲材料
３７２０  可動電極
３７３０  フォトレジスト層
３８００  保持体背面板
３８１０  犠牲材料
３８２０  可動電極
３８５０  コネクタ
３９００  保持体背面板
３９１１  リセス
３９１０  犠牲層
３９２０  リベット支持構造
３９３０  可動電極
３９４０  リベット
３９５０  前面基板
３９５１  レール
３９５２  トラフ
３９５３  光学スタック
４０１０  前面基板
４０２０  ドライバ
４０５０  背面板
４１００  干渉変調器表示デバイス
４１０１  表示領域
４１１０  前面基板
４１３０  列ドライバ
４１３１  列ルーティング構造
４１４０  行ドライバ
４１４１  行ルーティング構造
４１５０  背面板
４２０１  表示領域
４２０２  周辺領域
４２１０  前面基板
４２３０  列ドライバ
４２３１  列ルーティングトレース
４２４０  行ドライバ
４２４１  行ルーティング構造
４２５０  保持体背面板
４３０１  表示領域
４３１０  前面基板
４３２０  接触パッド領域
４３５０  保持体背面板
４３６０  可動電極
４３７０  シール剤
４４０１  表示領域
４４０２  導電層
４４１０  前面基板
４４２０  シャドウマスク
４４２１  シャドウマスクコネクタ
４４３０  トレンチ
４４７０  シーリング領域
４４７１  シール剤
４５１０  前面基板
４５５０  保持体
４５６０  可動電極
４５７０  シール剤
４５８０  背面板
４６００  干渉変調器表示デバイス
４６１０  前面基板
４６１２  トラフ
４６１３  支柱
４６３０  スペーサ
４６３５  スペース
４６５０  背面板
４６６０  可動電極
４７００  干渉変調器表示デバイス
４７１３  支柱
４７３１  スペーサ
４７６０  可動電極
４７６１  開口
４８００  干渉変調器表示デバイス
４８１０  前面基板
４８１１  レール
４８１２  トラフ
４８３２  第１のスペーサ
４８３３  第２のスペーサ
４８６０  可動電極
４８６１  開口
４９００  干渉変調器表示デバイス
４９１０  前面基板
４９１３  支持構造
４９３０  スペーサ
４９３４  止め支柱
４９３５  スペース
４９５０  背面板
４９６０  可動電極
５０００  干渉変調器表示デバイス
５００１  表示領域
５００２  周辺領域
５０１０  前面基板
５０１３  レール
５０１４  光学スタック
５０２０  ランド
５０３０  支柱
５０５０  背面板
５０６０  可動電極
５０７０  シール剤
５１００  干渉変調器表示デバイス
５１１０  前面基板
５１１４  静止電極
５１３０  支柱
５１６０  可動電極
５１７０  背面板
５１７１  支持体
５２００  干渉変調器表示デバイス
５２１０  前面基板
５２１２  キャビティ
５２１２ａ  ギャップ
５２１３  支柱
５２１４  光学スタック
５２２０  ブラックマスク
５２６０  可動電極
５３００  干渉変調器表示デバイス
５３１０  前面基板
５３１２  キャビティ
５３１３  支持構造
５３１４  光学スタック
５３２０ａ  ブラックマスク材料
５３２０ｂ  ブラックマスク
５４００  静的干渉ディスプレイ
５４１０  前面基板
５４１１  レール
５４１４  光学スタック
５４２０  背面板
５４２１  反射層
５４３０  キャビティ
５５００  静的干渉ディスプレイ
５５１０  前面基板
５５２０  背面板
５５１１  面
５５１４  光学スタック
５５２１  反射層
５５２３  レール
５５３０  キャビティ
５７００  静的干渉ディスプレイ
５７１０  前面基板
５７１１  レール
５７１４  光学スタック
５７２０  背面板
５７２１  反射層
５７６０  フィラ
５８００  静的干渉ディスプレイ
５８１０  前面基板
５８１４  光学スタック
５８２０  背面板
５８６０  フィラ
６０００  静的干渉ディスプレイ
６０１０  前面基板
６０１４  光学スタック
６０２０  背面板
６０２１  反射層
６０６０  フィラ
６１００  静的干渉ディスプレイ
６１１０  前面基板
６１１４  光学スタック
６１２０  背面板
６１２１  反射層
６１６０  フィラ
【図１】
2010176141.tif 000004
【図２】
2010176141.tif 000005
【図３】
2010176141.tif 000006
【図４】
2010176141.tif 000007
【図５Ａ】
2010176141.tif 000008
【図５Ｂ】
2010176141.tif 000009
【図６Ａ】
2010176141.tif 000010
【図６Ｂ】
2010176141.tif 000011
【図７Ａ】
2010176141.tif 000012
【図７Ｂ】
2010176141.tif 000013
【図７Ｃ】
2010176141.tif 000014
【図７Ｄ】
2010176141.tif 000015
【図７Ｅ】
2010176141.tif 000016
【図８】
2010176141.tif 000017
【図９】
2010176141.tif 000018
【図１０】
2010176141.tif 000019
【図１１Ａ】
2010176141.tif 000020
【図１１Ｂ】
2010176141.tif 000021
【図１２Ａ】
2010176141.tif 000022
【図１２Ｂ】
2010176141.tif 000023
【図１２Ｃ】
2010176141.tif 000024
【図１２Ｄ】
2010176141.tif 000025
【図１３】
2010176141.tif 000026
【図１４Ａ】
2010176141.tif 000027
【図１４Ｂ】
2010176141.tif 000028
【図１４Ｃ】
2010176141.tif 000029
【図１４Ｄ】
2010176141.tif 000030
【図１５】
2010176141.tif 000031
【図１６Ａ】
2010176141.tif 000032
【図１６Ｂ】
2010176141.tif 000033
【図１６Ｃ】
2010176141.tif 000034
【図１６Ｄ】
2010176141.tif 000035
【図１６Ｅ】
2010176141.tif 000036
【図１６Ｆ】
2010176141.tif 000037
【図１７Ａ】
2010176141.tif 000038
【図１７Ｂ】
2010176141.tif 000039
【図１７Ｃ】
2010176141.tif 000040
【図１８Ａ】
2010176141.tif 000041
【図１８Ｂ】
2010176141.tif 000042
【図１８Ｃ】
2010176141.tif 000043
【図１９】
2010176141.tif 000044
【図２０】
2010176141.tif 000045
【図２１】
2010176141.tif 000046
【図２２Ａ】
2010176141.tif 000047
【図２２Ｂ】
2010176141.tif 000048
【図２２Ｃ】
2010176141.tif 000049
【図２３Ａ】
2010176141.tif 000050
【図２３Ｂ】
2010176141.tif 000051
【図２３Ｃ】
2010176141.tif 000052
【図２４Ａ】
2010176141.tif 000053
【図２４Ｂ】
2010176141.tif 000054
【図２５】
2010176141.tif 000055
【図２６Ａ】
2010176141.tif 000056
【図２６Ｂ】
2010176141.tif 000057
【図２６Ｃ】
2010176141.tif 000058
【図２６Ｄ】
2010176141.tif 000059
【図２６Ｅ】
2010176141.tif 000060
【図２７Ａ】
2010176141.tif 000061
【図２７Ｂ】
2010176141.tif 000062
【図２７Ｃ】
2010176141.tif 000063
【図２７Ｄ】
2010176141.tif 000064
【図２８】
2010176141.tif 000065
【図２９Ａ】
2010176141.tif 000066
【図２９Ｂ】
2010176141.tif 000067
【図２９Ｃ】
2010176141.tif 000068
【図２９Ｄ】
2010176141.tif 000069
【図３０Ａ】
2010176141.tif 000070
【図３０Ｂ】
2010176141.tif 000071
【図３０Ｃ】
2010176141.tif 000072
【図３０Ｄ】
2010176141.tif 000073
【図３１Ａ】
2010176141.tif 000074
【図３１Ｂ】
2010176141.tif 000075
【図３１Ｃ】
2010176141.tif 000076
【図３１Ｄ】
2010176141.tif 000077
【図３２Ａ】
2010176141.tif 000078
【図３２Ｂ】
2010176141.tif 000079
【図３２Ｃ】
2010176141.tif 000080
【図３２Ｄ】
2010176141.tif 000081
【図３２Ｅ】
2010176141.tif 000082
【図３３Ａ】
2010176141.tif 000083
【図３３Ｂ】
2010176141.tif 000084
【図３３Ｃ】
2010176141.tif 000085
【図３３Ｄ】
2010176141.tif 000086
【図３４Ａ】
2010176141.tif 000087
【図３４Ｂ】
2010176141.tif 000088
【図３４Ｃ】
2010176141.tif 000089
【図３４Ｄ】
2010176141.tif 000090
【図３５Ａ】
2010176141.tif 000091
【図３５Ｂ】
2010176141.tif 000092
【図３５Ｃ】
2010176141.tif 000093
【図３５Ｄ】
2010176141.tif 000094
【図３６Ａ】
2010176141.tif 000095
【図３６Ｂ】
2010176141.tif 000096
【図３６Ｃ】
2010176141.tif 000097
【図３６Ｄ】
2010176141.tif 000098
【図３６Ｅ】
2010176141.tif 000099
【図３７Ａ】
2010176141.tif 000100
【図３７Ｂ】
2010176141.tif 000101
【図３７Ｃ】
2010176141.tif 000102
【図３７Ｄ】
2010176141.tif 000103
【図３７Ｅ】
2010176141.tif 000104
【図３８Ａ】
2010176141.tif 000105
【図３８Ｂ】
2010176141.tif 000106
【図３８Ｃ】
2010176141.tif 000107
【図３８Ｄ】
2010176141.tif 000108
【図３９Ａ】
2010176141.tif 000109
【図３９Ｂ】
2010176141.tif 000110
【図４０】
2010176141.tif 000111
【図４１Ａ】
2010176141.tif 000112
【図４１Ｂ】
2010176141.tif 000113
【図４１Ｃ】
2010176141.tif 000114
【図４２Ａ】
2010176141.tif 000115
【図４２Ｂ】
2010176141.tif 000116
【図４２Ｃ】
2010176141.tif 000117
【図４３Ａ】
2010176141.tif 000118
【図４３Ｂ】
2010176141.tif 000119
【図４３Ｃ】
2010176141.tif 000120
【図４４Ａ】
2010176141.tif 000121
【図４４Ｂ】
2010176141.tif 000122
【図４４Ｃ】
2010176141.tif 000123
【図４４Ｄ】
2010176141.tif 000124
【図４４Ｅ】
2010176141.tif 000125
【図４５Ａ】
2010176141.tif 000126
【図４５Ｂ】
2010176141.tif 000127
【図４５Ｃ】
2010176141.tif 000128
【図４５Ｄ】
2010176141.tif 000129
【図４６Ａ】
2010176141.tif 000130
【図４６Ｂ】
2010176141.tif 000131
【図４７】
2010176141.tif 000132
【図４８】
2010176141.tif 000133
【図４９Ａ】
2010176141.tif 000134
【図４９Ｂ】
2010176141.tif 000135
【図４９Ｃ】
2010176141.tif 000136
【図５０】
2010176141.tif 000137
【図５１】
2010176141.tif 000138
【図５２Ａ】
2010176141.tif 000139
【図５２Ｂ】
2010176141.tif 000140
【図５３Ａ】
2010176141.tif 000141
【図５３Ｂ】
2010176141.tif 000142
【図５３Ｃ】
2010176141.tif 000143
【図５３Ｄ】
2010176141.tif 000144
【図５４】
2010176141.tif 000145
【図５５】
2010176141.tif 000146
【図５６】
2010176141.tif 000147
【図５７】
2010176141.tif 000148
【図５８】
2010176141.tif 000149
【図５９】
2010176141.tif 000150
【図６０】
2010176141.tif 000151
【図６１】
2010176141.tif 000152