(57)【要約】【課題】ベーマイト母粒子の表面に子粒子を吸着させた複合粒子、及び当該複合粒子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の複合粒子は、ベーマイト母粒子（高分子電解質で被覆されているものを除く）と、ベーマイト母粒子の表面に吸着された子粒子とを含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベーマイト母粒子（高分子電解質で被覆されているものを除く）と、
前記ベーマイト母粒子の表面に吸着された子粒子と、
を含む複合粒子。
【請求項２】
前記子粒子の表面は高分子電解質によって被覆されている、
請求項１に記載の複合粒子。
【請求項３】
前記高分子電解質は、ポリビニル硫酸ナトリウム（ＰＶＳ）、ポリ（４−スチレンスルホン酸）ナトリウム（ＰＳＳ）及びポリ（塩化ジアリルジメチルアンモニウム）（ＰＤＤＡ）から成る群から選択される少なくとも一種である、
請求項２に記載の複合粒子。
【請求項４】
前記子粒子は、シリカ及びジルコニアの少なくとも一方である、
請求項１から３のいずれか１項に記載の複合粒子。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の複合粒子の製造方法であって、
前記ベーマイト母粒子の表面電荷の符号と前記子粒子の表面電荷の符号とが反対になるｐＨの溶液中で、前記ベーマイト母粒子と前記子粒子とを混合する工程を含む、
製造方法。
【請求項６】
前記子粒子のゼータ電位はｐＨが２から１２の範囲において負である、又は、ｐＨが２から１２の範囲において正である、
請求項５に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベーマイト母粒子と、当該ベーマイト母粒子の表面に吸着された子粒子とを含む複合粒子、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ベーマイトは、ＡｌＯＯＨ又はＡｌ２Ｏ３・Ｈ２Ｏで表される組成式を有し、樹脂添加剤や研磨材など様々な用途に利用されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２１４３３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、使用用途に適した特性をベーマイト母粒子に付加しようとする場合、ベーマイト母粒子の表面にその特性に適した子粒子を吸着させることが考えられる。
【０００５】
本発明は、ベーマイト母粒子の表面に子粒子を吸着させた複合粒子、及び当該複合粒子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
発明者は、ベーマイトのゼータ電位を測定した結果、以下のことが分かった。図１は５μｍの鱗片状ベーマイト（河合石灰工業株式会社製ＢＭＦ−５２０）のゼータ電位のｐＨ依存性を示す図である。ゼータ電位の測定方法は後述する実施例に記載の方法と同じ方法により測定した。図１に示すように、ベーマイトの等電点は約ｐＨ９である。ｐＨが９未満の範囲ではベーマイトのゼータ電位は正であり、ｐＨが９より大きい範囲ではベーマイトのゼータ電位は負である。このように、ベーマイトの表面電荷（ゼータ電位）の符号は等電点を境界として反転する。
【０００７】
そして、発明者は、子粒子の表面電荷の符号が、ベーマイト母粒子の表面電荷の符号と反対であれば、静電相互作用を利用してベーマイト母粒子の表面に子粒子を吸着させることができることを見出し、本発明に至った。
【０００８】
本発明の複合粒子及びその製造方法の特徴は以下の通りである。
（項目１）
ベーマイト母粒子（高分子電解質で被覆されているものを除く）と、
前記ベーマイト母粒子の表面に吸着された子粒子と、
を含む複合粒子。
（項目２）
前記子粒子の表面は高分子電解質によって被覆されている、
項目１に記載の複合粒子。
（項目３）
前記高分子電解質は、ポリビニル硫酸ナトリウム（ＰＶＳ）、ポリ（４−スチレンスルホン酸）ナトリウム（ＰＳＳ）及びポリ（塩化ジアリルジメチルアンモニウム）（ＰＤＤＡ）から成る群から選択される少なくとも一種である、
項目２に記載の複合粒子。
（項目４）
前記子粒子は、シリカ及びジルコニアの少なくとも一方である、
項目１から３のいずれか１項に記載の複合粒子。
（項目５）
項目１から４のいずれか１項に記載の複合粒子の製造方法であって、
前記ベーマイト母粒子の表面電荷の符号と前記子粒子の表面電荷の符号とが反対になるｐＨの溶液中で、前記ベーマイト母粒子と前記子粒子とを混合する工程を含む、
製造方法。
（項目６）
前記子粒子のゼータ電位はｐＨが２から１２の範囲において負である、又は、ｐＨが２から１２の範囲において正である、
項目５に記載の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、使用目的に適した複合粒子及びその複合粒子の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ベーマイト母粒子のゼータ電位のｐＨ依存性を表す図である。
【図２】（ａ）は高分子電解質で被覆していないシリカ子粒子（Sigma-Aldrich Fine Chemicals製Ludox CL-X）のゼータ電位のｐＨ依存性を表す図であり、（ｂ）は高分子電解質で被覆していないシリカ子粒子（Geltech製Geltech0.5）のゼータ電位のｐＨ依存性を表す図である。
【図３】（ａ）は高分子電解質で被覆していないジルコニア子粒子のゼータ電位のｐＨ依存性を表す図であり、（ｂ）は高分子電解質（ＰＶＳ）で被覆したジルコニア子粒子のゼータ電位のｐＨ依存性を表す図である。
【図４】（ａ）から（ｃ）はそれぞれ実施例３、実施例８及び実施例１１の複合粒子の走査型電子顕微鏡画像である。
【図５】実施例１０の複合粒子を混合したフィルム、ベーマイト母粒子を混合したフィルム、及び原料ジルコニア子粒子を混合したフィルムの正透過率測定の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の複合粒子、及び複合粒子の製造方法について説明する。
【００１２】
＜１  複合粒子＞
本発明の複合粒子は、ベーマイト母粒子（以下、単に「母粒子」と表記する。）と、母粒子の表面に吸着された子粒子とを含む。母粒子の表面は、高分子電解質で被覆されていない。子粒子は、母粒子に主に静電相互作用により吸着している。子粒子の表面は高分子電解質により被覆されていることが好ましい。
【００１３】
＜１−１  母粒子＞
母粒子はベーマイトを主成分とする。母粒子は、好ましくは、ベーマイト及び不可避的不純物のみから成る。母粒子の形状は特に限定されず、鱗片状、板状、キューブ状又は針状のいずれであってもよい。母粒子の粒子径は特に限定されないが、例えば３μｍから５μｍである。
【００１４】
＜１−２  子粒子＞
子粒子は、例えば、シリカ及びジルコニアの少なくとも一方である。子粒子の粒子径は、母粒子の粒子径よりも小さければ特に限定されないが、例えば、２０ｎｍから５００ｎｍである。
【００１５】
子粒子の表面電荷の符号は、複合化処理（吸着処理）を行う溶液のｐＨにおいて、母粒子の表面電荷の符号と反対である。つまり、母粒子の表面電荷が正であれば子粒子の表面電荷は負である必要があり、母粒子の表面電荷が負であれば子粒子の表面電荷は正である必要がある。
【００１６】
子粒子の表面電荷の符号は、子粒子の表面に高分子電解質を被覆することで制御できる。高分子電解質は、子粒子の表面電荷の符号を正又は負に制御できれば特に限定されない。高分子電解質は、高分子電解質で被覆した後の子粒子の表面電荷の符号が、ｐＨが２から１２の範囲にわたって負となるか、又は、ｐＨが２から１２の範囲にわたって正となるよう選択されることが好ましい。また、子粒子のゼータ電位の絶対値が大きいほうが母粒子に対する吸着力が強くなると考えられるため、高分子電解質は子粒子のゼータ電位の絶対値を大きくできるほどより好ましい。
【００１７】
高分子電解質は、例えばポリビニル硫酸ナトリウム（ＰＶＳ）、ポリ（４−スチレンスルホン酸）ナトリウム（ＰＳＳ）及びポリ（塩化ジアリルジメチルアンモニウム）（ＰＤＤＡ）から成る群から選択される少なくとも一種である。ＰＶＳは子粒子の表面電荷を負に制御することができる。ＰＳＳは子粒子の表面電荷を負に制御することができる。ＰＤＤＡは子粒子の表面を正に制御することができる。
【００１８】
なお、子粒子は、母粒子との吸着に十分な大きさの表面電荷を有していれば、必ずしも高分子電解質で被覆される必要はない。一方、子粒子が母粒子との吸着に十分な大きさの表面電荷を有している場合であっても、母粒子との吸着力を一層高めるために、あるいは所望のｐＨ範囲にわたって子粒子の表面電荷の符号を正又は負に維持するために、子粒子を高分子電解質で被覆してもよい。
【００１９】
＜２  複合粒子の製造方法＞
本発明の複合粒子の製造方法は、母粒子の表面電荷の符号と子粒子の表面電荷の符号とが反対になるｐＨの溶液中で、母粒子と子粒子とを混合する工程を含む。この工程により、母粒子の表面に子粒子が静電相互作用により吸着する。
【００２０】
前記の通り、母粒子の等電点は約ｐＨ９である。また、母粒子のゼータ電位はｐＨ９未満の範囲では正であり、ｐＨ９より大きい範囲では負である。したがって、ｐＨ９未満の範囲で混合を行う場合には、子粒子の表面電荷は負である必要がある。一方、ｐＨ９より大きい範囲で混合を行う場合には、子粒子の表面電荷は正である必要がある。
【００２１】
＜３  実施例＞
以下では、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。以下の実施例及び比較例では、子粒子として、シリカ及びジルコニアを使用した。
【００２２】
＜３−１  高分子電解質によって表面被覆された子粒子の製造方法＞
まず、ジルコニア子粒子の表面を高分子電解質によって被覆する方法について説明する。なお、後述するが、複合粒子を作製するに当たり、シリカ子粒子はその表面を高分子電解質で被覆しなくても母粒子に吸着させることができたため、高分子電解質によるシリカ子粒子の被覆は行わなかった。
【００２３】
（１）ＰＶＳ濃度が０．５ｗｔ％のＰＶＳ水溶液を調製した。
（２）上記（１）で調製したＰＶＳ水溶液中に、固体濃度が１ｖｏｌ％となるようにジルコニア粉末（東ソー株式会社製ＴＺ−０、ＢＥＴ法による粒子径：７０ｎｍ、比重：５．７ｇ／ｃｍ３）を入れ、ホモジナイザーとスターラとを用いて分散させながら、３０分間撹拌した。水溶液のｐＨは４．５になるよう調整した。
（３）次に、（１）で調製した水溶液を１１５００ｒｐｍで１０分間遠心分離することで固液分離した。
（４）回収した固形物を静置して沈殿させた後、上澄み液を除去した。その後、固形物に（１）の水溶液と同量の純水を添加し、１１５００ｒｐｍで１０分間遠心分離を行い、余剰ＰＶＳを除去した。
（５）回収した固形物を１１０℃に設定した恒温器に入れ、２４時間乾燥させた。
（６）こうして、表面がＰＶＳで被覆されたジルコニア子粒子が得られた。
【００２４】
＜３−２  複合粒子の製造方法＞
母粒子の表面に子粒子を吸着させた複合粒子の製造方法について説明する。表１に製造条件を記載する。実施例８では、母粒子として５μｍのキューブ状ベーマイト（河合石灰工業株式会社製ＢＭＴ−５ＬＶ、ＢＥＴ法による比表面積：１．０ｍ２／ｇ）を使用し、それ以外の実施例及び比較例では５μｍの鱗片状ベーマイト（河合石灰工業株式会社製ＢＭＦ−５２０、ＢＥＴ法による比表面積：３．５ｍ２／ｇ、２００〜８００℃における重量減少率：１７．３％）を使用した。
【００２５】
＜３−２−１  母粒子とシリカ子粒子とを含む複合粒子の製造方法＞
（１）ｐＨを調整した水溶液に母粒子を分散させた懸濁液と、当該懸濁液と同じｐＨに調整した水溶液にシリカ粉末を分散させた懸濁液とを準備し、これらの懸濁液を混合した後、ホモジナイザーとスターラとを用いて３０分間撹拌した。ｐＨの調整には硝酸を用いた。実施例１〜６及び比較例１〜２では、Sigma-Aldrich Fine Chemicals製のシリカ粉末Ludox CL-X（ＢＥＴ法による粒子径：２０ｎｍ、比重：２．２ｇ／ｃｍ３を使用した。実施例７及び８並びに比較例３では、Geltech製のシリカ粉末Geltech0.5（ＢＥＴ法による粒子径：５００ｎｍ、比重２．２ｇ／ｃｍ３）を使用した。なお、前記の通り、シリカ粉末は、その表面を高分子電解質で被覆せずに使用した。
（２）次に、（１）で調製した水溶液を１０００ｒｐｍで５分間遠心分離することで固液分離した。
（３）回収した固形物を１１０℃で乾燥させることで複合粒子を得た。
【００２６】
＜３−２−２  母粒子とジルコニア子粒子とを含む複合粒子の製造方法＞
（１）ｐＨを調整した水溶液に母粒子を分散させた懸濁液と、当該懸濁液と同じｐＨに調整した水溶液に上記で調製したジルコニア粉末を分散させた懸濁液とを準備し、これらの懸濁液を混合した後、ホモジナイザーとスターラとを用いて３０分間撹拌した。ｐＨの調整には硝酸を用いた。
（２）次に、（１）で調製した水溶液を１０００ｒｐｍで５分間遠心分離することで固液分離した。
（３）回収した固形物を１１０℃で乾燥させることで複合粒子を得た。
【００２７】
＜３−３  分析＞
母粒子、並びに、上記で調製した、シリカ子粒子、ジルコニア子粒子及び複合粒子の種々の特性を分析した。表１及び図２から図５に結果を記載する。
【００２８】
＜３−３−１  ゼータ電位＞
母粒子、シリカ子粒子、ＰＶＳで被覆していないジルコニア子粒子（すなわち、原料のジルコニア子粒子）、及びＰＶＳで被覆したジルコニア子粒子のゼータ電位を測定した。固体濃度が０．２ｖｏｌ％となるよう、母粒子又は子粒子を純水に添加し、ｐＨ２から１２の範囲でｐＨを変化させた。このときのゼータ電位を、ゼータ電位測定装置（Malvern Panalytical製Zetasizer nano ZS）を使用して、液温２５℃で測定した。水溶液のｐＨを酸性に調整する際にはｐＨ調整剤として硝酸を使用し、塩基性に調整する際にはｐＨ調整剤として水酸化テトラメチルアンモニウムを使用した。なお、ｐＨ２未満及びｐＨ１２以上におけるゼータ電位の測定は技術的に非常に困難であり、測定をすることができない。
【００２９】
図２（ａ）はSigma-Aldrich Fine Chemicals製のシリカ粉末Ludox CL-Xのゼータ電位の測定結果であり、図２（ｂ）はGeltech製のシリカ粉末Geltech0.5のゼータ電位の測定結果である。図３（ａ）はＰＶＳで被覆していないジルコニア子粒子のゼータ電位の測定結果であり、図３（ｂ）はＰＶＳで被覆したジルコニア子粒子のゼータ電位の測定結果である。
【００３０】
＜３−３−２  粒子形態観察＞
走査型電子顕微鏡（株式会社日立ハイテクノロジー製Ｓ−４８００）及び走査型電子顕微鏡（株式会社日立ハイテクノロジー製Ｓ−４３００）を用いて、複合粒子の粒子表面を観察した。図４（ａ）に実施例３、図４（ｂ）に実施例８、図４（ｃ）に実施例１１の走査型電子顕微鏡画像を示す。
【００３１】
＜３−３−３  熱分析＞
熱分析装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製ＥＸＳＴＡＲ−６０００）を用いて、母粒子及び複合粒子の熱重量測定を行った。昇温速度は２０℃／ｍｉｎで、２００ｍＬ／ｍｉｎの空気を流しながら測定を行った。
【００３２】
＜３−３−４  比表面積測定＞
比表面積測定装置（Ｑｕａｎｔａｃｈｒｏｍｅ製ＮＯＶＡ−４２００）を使用して、母粒子、子粒子及び複合粒子の比表面積の測定を行った。まず、ガラス製セルのみを１４０℃で１時間以上加熱しながら真空引きを行った。続いて、セルに試料を入れ１４０℃で２時間以上加熱しながら真空引きして脱ガスを行った。脱ガス後、液体窒素温度下で、窒素ガス吸着測定を行った。この窒素ガスの吸着等温線から、ＢＥＴ法を用いて試料の比表面積を算出した。
【００３３】
＜３−３−５  複合粒子中のシリカ子粒子の吸着量の算出＞
母粒子の比表面積ＳＡ（ｍ２／ｇ）、シリカ子粒子の比表面積ＳＢ（ｍ２／ｇ）及び複合粒子の比表面積ＳＣ（ｍ２／ｇ）を測定し、複合粒子中に含まれるシリカ子粒子の吸着率ｘ（％）を以下の式（１）を用いて算出した。
ＳＣ＝（１−ｘ／１００）ＳＡ＋（ｘ／１００）ＳＢ          式（１）
【００３４】
式（１）から算出されたｘを用いて、母粒子１ｇに対するシリカ子粒子の吸着量Ｚｘ（ｇ）を以下の式（２）から求めた。
Ｚｘ＝ｘ／（１００−ｘ）          式（２）
【００３５】
＜３−３−６  複合粒子中のジルコニア子粒子の吸着量の算出＞
母粒子の２００℃〜８００℃における重量減少率をＷＡ、複合粒子の２００℃〜８００℃における重量減少率ＷＢとしたとき、複合粒子中に含まれるジルコニア子粒子の吸着率ｙ（％）を以下の式（３）を用いて算出した。
ＷＢ＝（１−ｙ／１００）×ＷＡ          式（３）
【００３６】
式（３）から算出されたｙを用いて、母粒子１ｇに対するジルコニア子粒子の吸着量Ｚｙ（ｇ）を以下の式（４）を用いて算出した。
Ｚｙ＝ｙ／（１００−ｙ）          式（４）
【００３７】
＜３−３−７  子粒子の被覆率の算出＞
子粒子の被覆率Ｐ（％）の算出方法について説明する。被覆率Ｐは以下の式（５）から算出できる。
Ｐ＝（Ｚ／Ｍ）×１００          式（５）
Ｚ：母粒子１ｇに対する子粒子の吸着量（ｇ）（Ｚには、上記で算出したＺｘ又はＺｙが代入される）
Ｍ：母粒子１ｇを単層被覆するために必要な子粒子の理論質量（ｇ）
【００３８】
以下では、理論質量Ｍの算出方法について説明する。母粒子の表面上に子粒子が単層で円充填しており、且つ、子粒子が真球状であると仮定すると、以下の式（６）が成立する。
ＳＡ＝π（（Ｄ／２）×１０−９）２×（√１２／π）×Ｘ          式（６）
ＳＡ：母粒子の比表面積（ｍ２／ｇ）
Ｄ  ：子粒子の粒子径（ｎｍ）
Ｘ  ：母粒子の表面を単層被覆するのに必要な子粒子の個数
【００３９】
また、以下の式（７）も成立する。
Ｙ＝ρ×（４π（（Ｄ／２）×１０−７）３／３）          式（７）
Ｙ：子粒子１個の質量（ｇ）
ρ：子粒子の密度（ｇ／ｃｍ３）
Ｄ：子粒子の粒子径（ｎｍ）
【００４０】
式（６）から子粒子の個数Ｘを算出することができる。また、式（７）から子粒子１個の質量Ｙを算出することができる。そして、子粒子の個数Ｘと子粒子１個の質量Ｙから、以下の式（８）を用いて、母粒子１ｇの単層被覆するために必要な子粒子の理論質量Ｍ（ｇ）を求めることができる。
Ｍ＝Ｙ×Ｘ          式（８）
【００４１】
上記式（８）から算出された理論質量Ｍ及び式（５）から被覆率Ｐを算出することができる。
【００４２】
＜３−３−８  タップ密度測定＞
実施例１及び実施例３で作製した複合粒子のタップ密度を測定した。比較例としてベーマイト（河合石灰工業株式会社製ＢＭＦ−５２０）のタップ密度も測定した。タップ密度は、２ｇの試料を容積１０ｍＬのメスシリンダ（ＩＷＡＫＩ製）に充填し、高さ１ｃｍの位置から自然落下させて４００回タップした後の充填高さ（試料の容積値）を読み取り、タップ密度を求めた。結果を表２に示す。
【００４３】
＜３−３−９  正透過率測定＞
実施例１０で調製した複合粒子を混合したフィルムを作製し、そのフィルムの正透過率を測定した。比較例として、ベーマイト（河合石灰工業株式会社製ＢＭＦ−５２０）を混合したフィルム、及び高分子電解質で被覆していないジルコニア子粒子（東ソー株式会社製ＴＺ−０）を混合したフィルムの正透過率も測定した。正透過率測定用のフィルムは以下のように作製した。シリコーン樹脂（ＫＥ１３００）１０ｇに硬化剤（ＣＡＴ１３００）１ｇを添加した後、真空脱泡した。得られた樹脂混合物に、試料０．５ｇを添加し、乳鉢で混合した後、真空脱泡した。その後、ベーカー式アプリケータを用いて、ガラス板上に設定値２５μｍでフィルムを成形した。フィルムを６０℃の恒温機で２時間静置することで硬化させ、粒子混合フィルムを得た。分光光度計（日本分光株式会社製Ｖ−６７０）を使用して測定波長１９０〜２６００ｎｍの範囲で測定を行い、紫外及び可視光の正透過率を評価した。測定結果を図５に示す。
【００４４】
【表１】
2020132502.tif 000003
【００４５】
【表２】
2020132502.tif 000004
【００４６】
＜４  結果＞
図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、シリカ子粒子の表面電荷の符号は、ｐＨが２よりも大きい範囲で負であった。そして、ｐＨが９未満の溶液中（すなわち、母粒子の表面電荷の符号が正となるｐＨの溶液中）で、シリカ子粒子を母粒子に吸着させることができた（図４（ａ）及び（ｂ）参照）。
【００４７】
図３（ａ）に示すように、ＰＶＳで被覆されていない原料ジルコニア子粒子は、等電点が約ｐＨ５であり、等電点を境界に表面電荷の符号が反転する。一方、図３（ｂ）に示すようにＰＶＳでジルコニア子粒子の表面を被覆することにより、ｐＨが２から１２にわたって表面電荷の符号を負にすることができた。そして、ｐＨが９未満の溶液中（すなわち、母粒子の表面電荷の符号が正となるｐＨの溶液中）で、ＰＶＳ被覆ジルコニア子粒子を使用して、ジルコニア子粒子を母粒子に吸着させることができた（図４（ｃ）参照）。
【００４８】
一方、比較例１〜３ではいずれも子粒子が母粒子の表面に吸着していなかった。比較例１では、溶液のｐＨが２であり、シリカ子粒子のゼータ電位が０であるため、シリカ子粒子が母粒子に吸着しなかったと考えられる。比較例２では、溶液のｐＨが１０であり、母粒子の表面電荷とシリカ子粒子の表面電荷がいずれも負であるため、シリカ子粒子が母粒子に吸着しなかったと考えられる。比較例３では、溶液のｐＨが１２であり、シリカ子粒子の溶解が見受けられた。これにより、シリカ子粒子が母粒子に吸着しなかったと考えられる。比較例４では、溶液のｐＨが４であり、母粒子の表面電荷とジルコニア子粒子の表面電荷がいずれも正であるため、ジルコニア子粒子が母粒子に吸着しなかったと考えられる。
【００４９】
シリカ子粒子を母粒子の表面に吸着させることで、充填性を向上させることができる。
【００５０】
実施例１０の複合粒子を使用したフィルムにおいて、複合粒子はフィルム中に分散していた。一方、ジルコニア子粒子を使用したフィルムにおいて、ジルコニア子粒子は分散せず、フィルム中に偏析していた。これは、ジルコニア子粒子の粒子径がナノサイズであるため、分散せずに凝集したためと考えられる。このように本発明の複合粒子を使用すれば、凝集の発生を抑制することができると共に、ジルコニア添加量が少量であっても、正透過率を低く（すなわち、光の散乱率・反射率を高く）することができる。
【図１】
2020132502.tif 000005
【図２】
2020132502.tif 000006
【図３】
2020132502.tif 000007
【図４】
2020132502.tif 000008
【図５】
2020132502.tif 000009