(57)【要約】【課題】絶縁層中の異物を容易に検査する。【解決手段】ポリエチレンを含むベース樹脂と、無機充填剤と、を有し、ベース樹脂および無機充填剤を有し０．５ｍｍの厚さを有する樹脂組成物のシートを作製したときに、９０℃の雰囲気において測定したシートの波長５００ｎｍの光透過率は、５５％以上である。【選択図】図１
2020132818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエチレンを含むベース樹脂と、
無機充填剤と、
を有し、
前記ベース樹脂および前記無機充填剤を有し０．５ｍｍの厚さを有する樹脂組成物のシートを作製したときに、９０℃の雰囲気において測定した前記シートの波長５００ｎｍの光透過率は、５５％以上である
樹脂組成物。
【請求項２】
直流電力ケーブルの絶縁層を構成する
請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
前記ベース樹脂は架橋されている
請求項１又は請求項２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
前記ベース樹脂の結晶化度は、４５％以下である
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
前記無機充填剤の表面の少なくとも一部は、アミノ基を含むアミノシリル基を有する
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
前記無機充填剤の表面は、
前記アミノシリル基と、
疎水基を含む疎水性シリル基と、
を有する
請求項５に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
前記無機充填剤の前記表面が有する全てのシリル基に対する、前記アミノシリル基のモル分率は、２％以上９０％以下である
請求項６に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
前記無機充填剤の含有量は、前記ベース樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上１０質量部以下である
請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項９】
前記無機充填剤の表面の少なくとも一部は、以下の式（１）で表される疎水性シリル基を有する
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【化１】
2020132818.tif 000012
ただし、Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、Ｒ３ｃは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数１〜３のアルキル基により置換されていてもよい炭素数６〜１２のアリール基のうちいずれかを表す。Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、Ｒ３ｃは同一であってもよいし、２つ以上が異なっていてもよい。
【請求項１０】
前記無機充填剤の含有量は、前記ベース樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上５質量部以下である
請求項９に記載の樹脂組成物。
【請求項１１】
前記無機充填剤の体積平均粒径は、８０ｎｍ以下である
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１２】
前記ベース樹脂および前記無機充填剤を有し０．２ｍｍの厚さを有する樹脂組成物のシートを形成した場合に、温度８０℃および直流電界５０ｋＶ／ｍｍの条件下において測定した前記樹脂組成物のシートの体積抵抗率は、８×１０１５Ω・ｃｍ以上である
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１３】
導体と、
前記導体の外周に設けられる絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、ポリエチレンを含むベース樹脂と、無機充填剤と、を有し、前記ベース樹脂が架橋されている樹脂組成物により構成され、
０．５ｍｍの厚さを有する前記絶縁層のシートを作製したときに、９０℃の雰囲気において測定した前記シートの波長５００ｎｍの光透過率は、５５％以上である
直流電力ケーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、樹脂組成物および直流電力ケーブルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、直流送電用途において、固体絶縁直流電力ケーブル（以下、「直流電力ケーブル」と略す）が開発されている。直流電力ケーブルを課電した際には、絶縁層内に空間電荷が生成され、漏れ電流が生じる可能性がある。そこで、課電中における漏れ電流を抑制するため、絶縁層を構成する樹脂組成物に無機充填剤が添加されることがある（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１６４２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の目的は、絶縁層中の異物を容易に検査することができる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様によれば、
ポリエチレンを含むベース樹脂と、
無機充填剤と、
を有し、
前記ベース樹脂および前記無機充填剤を有し０．５ｍｍの厚さを有する樹脂組成物のシートを作製したときに、９０℃の雰囲気において測定した前記シートの波長５００ｎｍの光透過率は、５５％以上である
樹脂組成物が提供される。
【０００６】
本開示の他の態様によれば、
導体と、
前記導体の外周に設けられる絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、ポリエチレンを含むベース樹脂と、無機充填剤と、を有し、前記ベース樹脂が架橋されている樹脂組成物により構成され、
０．５ｍｍの厚さを有する前記絶縁層のシートを作製したときに、９０℃の雰囲気において測定した前記シートの波長５００ｎｍの光透過率は、５５％以上である
直流電力ケーブルが提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、絶縁層中の異物を容易に検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本開示の一実施形態に係る直流電力ケーブルの軸方向に直交する模式的断面図である。
【図２】本開示の一実施形態に係る直流電力ケーブルの製造方法を示すフローチャートである。
【図３】本開示の一実施形態に係る直流電力ケーブルの製造装置を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本開示の実施形態の説明］
＜発明者等の得た知見＞
まず、発明者等の得た知見について概略を説明する。
【００１０】
電力ケーブルの製造工程では、樹脂組成物の造粒工程に用いるニーダ、および押出工程で用いる押出機などにおいて、金属製の摺動部から生じた金属片などの異物が絶縁層中に混入するおそれがある。
【００１１】
そこで、絶縁層の押出工程または架橋工程の後に、いわゆる抜き取り検査として、絶縁層中の異物を検査する検査工程を行うことがある。検査工程では、まず、電力ケーブルの軸方向の一部における絶縁層を所定の厚さで切り取り、検査用シートを作製する。検査用シートを作製したら、光学顕微鏡などを用いて検査用シートを観察することで、検査用シート中の異物を検査する。
【００１２】
このとき、検査用シート中では、ベース樹脂の少なくとも一部が結晶化している。ベース樹脂が結晶化していると、ベース樹脂の結晶によって光が散乱され、検査用シートの可視光透過率が低下する。このため、検査工程では、検査用シートを所定の温度に加熱し、ベース樹脂の結晶の少なくとも一部を溶解させる。これにより、検査用シートの可視光透過性を向上させることができ、検査用シート中の異物を検査することが可能となる。
【００１３】
ここで、発明者等は、絶縁層中に無機充填剤を含む直流電力ケーブルでは、上述のような検査方法によっても検査が困難となることを見出した。
【００１４】
直流電力ケーブルの絶縁層から切り取られた検査用シート中では、ベース樹脂の結晶によって光が散乱されるだけでなく、無機充填剤によっても光が散乱される。また、無機充填剤が核剤として働き、ベース樹脂の（球晶の）結晶核が増加しうる。この場合においても、増加したベース樹脂の結晶によって光が散乱される。これらのため、ベース樹脂の結晶と無機充填剤との相乗的な光散乱を起因として、検査用シートの可視光透過性が低下し易くなる。この場合、検査工程において、検査用シートを所定の温度に加熱したとしても、検査用シートの可視光透過性を充分に向上させることができない可能性がある。その結果、直流電力ケーブルの検査用シート中の異物を検査することが困難となる可能性がある。
【００１５】
本開示は、発明者等が見出した上述の知見に基づくものである。
【００１６】
＜本開示の実施態様＞
次に、本開示の実施態様を列記して説明する。
【００１７】
［１］本開示の一態様に係る樹脂組成物は、
ポリエチレンを含むベース樹脂と、
無機充填剤と、
を有し、
前記ベース樹脂および前記無機充填剤を有し０．５ｍｍの厚さを有する樹脂組成物のシートを作製したときに、９０℃の雰囲気において測定した前記シートの波長５００ｎｍの光透過率は、５５％以上である。
この構成によれば、絶縁層中の異物を容易に検査することができる。
【００１８】
［２］上記［１］に記載の樹脂組成物において、
直流電力ケーブルの絶縁層を構成する。
この構成によれば、直流電力ケーブルの絶縁層を上記樹脂組成物により構成した際に、絶縁層中の異物を容易に検査することができる。
【００１９】
［３］上記［１］又は［２］に記載の樹脂組成物において、
前記ベース樹脂は架橋されている。
この構成によれば、所定の機械特性、および高温における形状安定性を向上させることができる。
【００２０】
［４］上記［１］〜［３］のいずれか１つに記載の樹脂組成物において、
前記ベース樹脂の結晶化度は、４５％以下である。
この構成によれば、樹脂組成物の可視光透過性を向上させることができる。
【００２１】
［５］上記［１］〜［４］のいずれか１つに記載の樹脂組成物において、
前記無機充填剤の表面の少なくとも一部は、アミノ基を含むアミノシリル基を有する。
この構成によっても、樹脂組成物の可視光透過性を向上させつつ、絶縁層の絶縁性を安定的に向上させることが可能となる。
【００２２】
［６］上記［５］に記載の樹脂組成物において、
前記無機充填剤の表面は、
前記アミノシリル基と、
疎水基を含む疎水性シリル基と、
を有する。
この構成によれば、無機充填剤の表面にアミノシリル基だけが過剰に結合することを抑制することができる。その結果、樹脂組成物の可視光透過性を向上させつつ、絶縁層の絶縁性を顕著に向上させることができる。
【００２３】
［７］上記［６］に記載の樹脂組成物において、
前記無機充填剤の前記表面が有する全てのシリル基に対する、前記アミノシリル基のモル分率は、２％以上９０％以下である。
この構成によれば、無機充填剤に対してアミノシリル基を付与することによる、絶縁層の絶縁性向上の効果を安定的に得ることができる。
【００２４】
［８］上記［５］〜［７］のいずれか１つに記載の樹脂組成物において、
前記無機充填剤の含有量は、前記ベース樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上１０質量部以下である。
この構成によれば、無機充填剤の含有量を０．１質量部以上とすることで、無機充填剤に対して空間電荷を充分にトラップさせることができる。一方で、無機充填剤の含有量を１０質量部以下とすることで、樹脂組成物による成形性を向上させつつ、樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を向上させることができる。
【００２５】
［９］上記［１］〜［４］のいずれか１つに記載の樹脂組成物において、
前記無機充填剤の表面の少なくとも一部は、以下の式（１）で表される疎水性シリル基を有する。
【００２６】
【化１】
2020132818.tif 000003
ただし、Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、Ｒ３ｃは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数１〜３のアルキル基により置換されていてもよい炭素数６〜１２のアリール基のうちいずれかを表す。Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、Ｒ３ｃは同一であってもよいし、２つ以上が異なっていてもよい。
【００２７】
この構成によっても、樹脂組成物の可視光透過性を向上させつつ、絶縁層の絶縁性を安定的に向上させることが可能となる。
【００２８】
［１０］上記［９］に記載の樹脂組成物において、
前記無機充填剤の含有量は、前記ベース樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上５質量部以下である。
この構成によれば、無機充填剤の含有量を０．１質量部以上とすることで、無機充填剤に対して空間電荷を充分にトラップさせることができる。無機充填剤の含有量を５質量部以下とすることで、絶縁層の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００２９】
［１１］上記［１］〜［１０］のいずれか１つに記載の樹脂組成物において、
前記無機充填剤の体積平均粒径は、８０ｎｍ以下である。
この構成によれば、樹脂組成物の可視光透過性を安定的に向上させることができる。
【００３０】
［１２］上記［１］〜［１１］のいずれか１つに記載の樹脂組成物において、
前記ベース樹脂および前記無機充填剤を有し０．２ｍｍの厚さを有する樹脂組成物のシートを形成した場合に、温度８０℃および直流電界５０ｋＶ／ｍｍの条件下において測定した前記樹脂組成物のシートの体積抵抗率は、８×１０１５Ω・ｃｍ以上である。
この構成によれば、絶縁層の絶縁性が向上した直流電力ケーブルを得ることができる。
【００３１】
［１３］本開示の他の態様に係る直流電力ケーブルは、
導体と、
前記導体の外周に設けられる絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、ポリエチレンを含むベース樹脂と、無機充填剤と、を有し、前記ベース樹脂が架橋されている樹脂組成物により構成され、
０．５ｍｍの厚さを有する前記絶縁層のシートを作製したときに、９０℃の雰囲気において測定した前記シートの波長５００ｎｍの光透過率は、５５％以上である。
この構成によれば、絶縁層中の異物を容易に検査することができる。
【００３２】
［本開示の実施形態の詳細］
次に、本開示の一実施形態を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００３３】
＜本開示の一実施形態＞
（１）樹脂組成物
本実施形態の樹脂組成物は、後述する直流電力ケーブル１０の絶縁層１３０を構成する材料であり、例えば、ベース樹脂と、無機充填剤と、その他の添加剤と、を含んでいる。
【００３４】
なお、ここでいう「樹脂組成物」とは、押出工程前において各配合材料を混合（混練）した組成物、押出工程後（架橋工程前）において導体１１０の外周に被覆されベース樹脂が架橋していない組成物、および架橋工程後においてベース樹脂が架橋された組成物を含んでいる。
【００３５】
（ベース樹脂）
ベース樹脂（ベースポリマ）とは、樹脂組成物の主成分を構成する樹脂成分のことをいう。本実施形態のベース樹脂は、例えば、ポリエチレンを含んでいる。ベース樹脂を構成するポリエチレンとしては、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、中密度ポリエチレン（ＭＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）などが挙げられる。また、これらのポリエチレンは、例えば、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。
【００３６】
本実施形態では、架橋工程後に後述の方法により冷却することで、架橋された樹脂組成物において、ベース樹脂の結晶化が抑制され、ベース樹脂がアモルファス部分を多く含む状態で固化している。
【００３７】
具体的には、ベース樹脂の結晶化度は、例えば、４５％以下、好ましくは４０％以下である。なお、ここでいう「結晶化度」とは、結晶部分とアモルファス部分とを有するベース樹脂において、ベース樹脂の全体中で結晶部分が占める割合のことを意味する。
【００３８】
ここでいう「結晶化度」は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）の結果に基づいて求められる。具体的には、例えば、以下の方法が用いられる。
【００３９】
ＤＳＣ装置としては、例えば、熱流束型または入力補償型のいずれであってもよい。基準試料は例えばα−アルミナとする。まず、３０℃から１５０℃まで昇温速度１０℃／ｍｉｎで、基準試料と所定の樹脂組成物とを昇温し、温度に対する熱流をプロットすることで、ＤＳＣ曲線を得る。このとき、樹脂組成物中のベース樹脂の結晶が融解したときに、吸熱ピークが得られる。ＤＳＣ曲線が得られたら、上述の吸熱ピークとベースラインとで囲まれた領域の面積を求めることにより、ベース樹脂の融解熱量（単位Ｊ／ｇ）を求める。このようにして求められたベース樹脂の融解熱量と、完全結晶体の融解熱量と、に基づいて、以下の式（２）によりベース樹脂の結晶化度（単位％）が求められる。
【００４０】
（ベース樹脂の結晶化度）＝（実測されたベース樹脂の融解熱量）／（完全結晶体の融解熱量）×１００  ・・・（２）
（ただし、完全結晶体の融解熱量とは、結晶化度が１００％であるポリエチレンの結晶体における理論融解熱量であり、Ｖ．Ｂ．Ｆ．Ｍａｔｈｏｔ，Ｐｏｌｙｍｅｒ，２５，５７９−５９９（１９８４）によれば２９３Ｊ／ｇである。）
【００４１】
上述の方法により求められるベース樹脂の結晶化度が４５％超であると、ベース樹脂の結晶によって光が散乱される。このため、絶縁層１３０の可視光透過性が低下する。これに対し、ベース樹脂の結晶化度を４５％以下とすることで、ベース樹脂の結晶における光散乱を抑制することができる。これにより、絶縁層１３０の可視光透過性を向上させることができる。さらにベース樹脂の結晶化度を４０％以下とすることで、絶縁層１３０の可視光透過性を安定的に向上させることができる。
【００４２】
なお、ベース樹脂の結晶化度の下限値は、特に限定されるものではない。しかしながら、所定の機械特性を得る観点では、ベース樹脂の結晶化度は、例えば、１０％以上であることが好ましい。
【００４３】
（無機充填剤）
無機充填剤は、絶縁層１３０中に添加される無機粉末であり、絶縁層１３０中の空間電荷をトラップし、絶縁層１３０中の空間電荷の局所的な蓄積を抑制するよう作用する。これにより、絶縁層１３０の絶縁性を向上させることができる。
【００４４】
無機充填剤は、例えば、酸化マグネシウム、二酸化シリコン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、カーボンブラック、および、これらのうち２種以上を混合した混合物のうち少なくともいずれかを含んでいる。
【００４５】
無機充填剤としての酸化マグネシウムを形成する方法としては、例えば、Ｍｇ蒸気と酸素とを接触させる気相法、または海水原料から形成する海水法が挙げられる。本実施形態での無機充填剤を形成する方法は、気相法または海水法のいずれの方法であってもよい。
【００４６】
無機充填剤としての二酸化シリコンとしては、例えば、フュームドシリカ、コロイダルシリカ、沈降シリカ、爆燃法シリカのうち少なくともいずれかが挙げられる。これらのなかでも、二酸化シリコンとしてはフュームドシリカが好ましい。
【００４７】
本実施形態では、無機充填剤のうち少なくとも一部は、シランカップリング剤により表面処理されている。これにより、ベース樹脂に対する無機充填剤の相溶性を向上させることができ、無機充填剤とベース樹脂との間の界面の密着性を向上させることができる。
【００４８】
ここで、本実施形態では、無機充填剤のうち少なくとも一部は、アミノ基を含むアミノシランカップリング剤により表面処理されている。
【００４９】
アミノシランカップリング剤は、例えば、以下の式（３）により表される。
Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ  ・・・（３）
（Ｒ１は、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、アミノ基の酸中和基、４級アンモニウム塩基のうち少なくともいずれか１つを含む１価の炭化水素基を表し、Ｘは１価の加水分解性基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。なお、ｎが２以上の場合、複数のＲ１は、同一であっても異なっていてもよい。）
【００５０】
なお、Ｘとしての１価の加水分解性基としては、例えば、炭素数１〜３のアルコキシ基、ハロゲン基が挙げられる。
【００５１】
具体的には、アミノシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１、３−ジメチルブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ブチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ、Ｎ−ジメチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ、Ｎ−ジエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ、Ｎ−ジブチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、オクタデシルジメチル（３−トリメトキシシリルプロピル）アンモニウムクロライド、テトラデシルジメチル（３−トリメトキシシリルプロピル）アンモニウムクロライド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリ−ｎ−ブチルアンモニウムクロライド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライドなどのうち少なくともいずれかが挙げられる。
【００５２】
無機充填剤の表面処理工程では、シランカップリング剤の加水分解性基が加水分解し、シラノール基が生成される。シラノール基は、無機充填剤の表面にある水酸基と水素結合を形成し、さらに脱水縮合反応を生じさせる。その結果、無機充填剤の表面には、強固に共有結合した所定のシリル基が形成される。
【００５３】
本実施形態では、無機充填剤が上述のアミノシランカップリング剤により表面処理されることで、無機充填剤の表面の少なくとも一部は、例えば、アミノシランカップリング剤に由来する（アミノシランカップリング剤により誘導される）アミノ基を含むアミノシリル基を有している。言い換えれば、無機充填剤の表面の少なくとも一部に、アミノシリル基が結合している。これにより、絶縁層１３０の可視光透過性および絶縁性を安定的に向上させることができる。
【００５４】
無機充填剤の表面の少なくとも一部がアミノシリル基を有することで、絶縁層１３０の可視光透過性および絶縁性が向上するメカニズムは、詳細には明らかではないが、例えば、以下のメカニズムによるものと考えられる。無機充填剤の表面の少なくとも一部がアミノシリル基を有することで、無機充填剤同士が隣接した際には、無機充填剤の表面におけるアミノ基同士を静電反発させることができ、樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を向上させることができる。このようにアミノシランカップリング剤により無機充填剤を表面処理することで、樹脂組成物中での分散性を改善させることができ、その結果、絶縁層１３０の可視光透過性および絶縁性を安定的に向上させることができると考えられる。
【００５５】
アミノシランカップリング剤に由来するアミノ基を含むアミノシリル基は、例えば、以下の式（４）により表される。
【００５６】
【化２】
2020132818.tif 000004
（Ｒ１は、上述のように、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、アミノ基の酸中和基、４級アンモニウム塩基のうち少なくともいずれか１つを含む１価の炭化水素基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。なお、ｎが２以上の場合、複数のＲ１は、同一であっても異なっていてもよい。結合手のｓおよびｔは０又は１を表し、ｎ、ｓ及びｔの合計は３である。）
【００５７】
式（４）により表されるアミノシリル基において、Ｒ１を有する結合手以外の少なくとも１つの結合手は、酸素原子を介して無機充填剤と結合している。Ｒ１を有する結合手以外の全ての結合手が無機充填剤と結合していてもよいし、Ｒ１を有する結合手以外の少なくとも１つの結合手が無機充填剤と結合していなくてもよい。Ｒ１を有する結合手以外の少なくとも１つの結合手が無機充填剤と結合していない場合には、無機充填剤と結合していない結合手が、水酸基もしくは加水分解性基を有していてもよく、または、後述の疎水性シリル基などの他のシリル基と結合していてもよい。
【００５８】
本実施形態では、アミノ基を含む炭化水素基Ｒ１の炭素数は、例えば、３以上１２以下であることが好ましい。Ｒ１の炭素数を３以上とすることで、アミノシリル基を嵩高くすることができ、無機充填剤の表面に立体障害を生じさせることができる。これにより、アミノ基同士の静電反発の効果を効率よく生じさせることができる。一方で、Ｒ１の炭素数が１２超であると、アルキル鎖長が非常に長くなり、メチレン鎖の運動自由度が増加する。このため、立体障害の影響が過剰に生じてしまう可能性がある。その結果、アミノシランカップリング剤等による修飾量が低下する可能性がある。例えば、アミノシランカップリング剤と後述の疎水性シランカップリング剤との両方で無機充填剤の表面処理を行った場合に、所定量の疎水性シリル基が無機充填剤の表面に結合し難くなる可能性がある。これに対し、Ｒ１の炭素数を１２以下とすることで、アルキル鎖長が過剰に長くなることを抑制し、メチレン鎖の運動自由度の過剰な増加を抑制することができる。これにより、立体障害の過剰な影響を抑制することができる。その結果、アミノシランカップリング剤等による修飾量の低下を抑制することができる。例えば、アミノシランカップリング剤と後述の疎水性シランカップリング剤との両方で無機充填剤の表面処理を行った場合に、所定量の疎水性シリル基を無機充填剤の表面に結合させることができる。
【００５９】
さらに、本実施形態では、無機充填剤は、上述のアミノシランカップリング剤だけでなく、疎水基を有する疎水性シランカップリング剤によっても表面処理されていてもよい。
【００６０】
疎水性シランカップリング剤としては、例えば、疎水基を有する、シラザン、アルコキシシランまたはハロゲン化シランのうち少なくともいずれかが挙げられる。
【００６１】
疎水基を有するシラザン（ジシラザン）は、例えば、以下の式（５）により表される。
Ｒ２３Ｓｉ−ＮＨ−ＳｉＲ２３  ・・・（５）
（Ｒ２は、ハロゲンにより置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲンにより置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基、ハロゲンにより置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、又はハロゲンにより置換されていてもよい炭素数１〜３のアルキル基若しくはハロゲンにより置換されていてもよい炭素数６〜１２のアリール基のうち少なくともいずれかを表す。なお、「ハロゲンにより置換されていてもよい」とは、上記炭化水素基の水素原子の一部がハロゲンにより置換された置換基であってもよいことを意味する。また、式（３）では、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、またはフェニル基であることが好ましい。複数のＲ２は、同一であっても異なっていてもよい。）
【００６２】
具体的には、疎水基を有するシラザンとしては、例えば、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサエチルジシラザン、へキサプロピルジシラザン、ヘキサブチルジシラザン、ヘキサペンチルジシラザン、ヘキサヘキシルジシラザン、ヘキサシクロヘキシルジシラザン、ヘキサフェニルジシラザン、ジビニルテトラメチルジシラザン、ジメチルテトラビニルジシラザンなどのうち少なくともいずれかが挙げられる。
【００６３】
疎水基を有するアルコキシシランまたはハロゲン化シランは、例えば、以下の式（６）により表される。
【００６４】
Ｒ２ｍＳｉＹ４−ｍ  ・・・（６）
（Ｒ２は、ハロゲンにより置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲンにより置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基、ハロゲンにより置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、又はハロゲンにより置換されていてもよい炭素数１〜３のアルキル基若しくはハロゲンにより置換されていてもよい炭素数６〜１２のアリール基のうち少なくともいずれかを表す。Ｙは１価の加水分解性基を表し、ｍは１〜３の整数を表す。なお、ｍが２以上の場合、複数のＲ２は、同一であっても異なっていてもよい。）
【００６５】
なお、Ｙとしての１価の加水分解性基は、例えば、炭素数１〜３のアルコキシ基、またはハロゲン基である。
【００６６】
具体的には、疎水基を有するアルコキシシランとしては、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ｏ−メチルフェニルトリメトキシシラン、ｐ−メチルフェニルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｉｓｏ−ブチルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ｉｓｏ−ブチルトリエトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシランなどのうち少なくともいずれかが挙げられる。
【００６７】
また、疎水基を有するハロゲン化シランとしては、例えば、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルクロロシラン、ビニルトリクロロシランなどのうち少なくともいずれかが挙げられる。
【００６８】
なお、アミノシランカップリング剤とともに用いる疎水性シランカップリング剤は、疎水基を有していれば、上述したシランカップリング剤に限定されず、上述以外のシランカップリング剤であってもよい。
【００６９】
本実施形態では、無機充填剤が上述のアミノシランカップリング剤だけでなく疎水性シランカップリング剤によっても表面処理されることで、無機充填剤の表面は、例えば、アミノシリル基だけでなく、疎水性シランカップリング剤に由来する（疎水性シランカップリング剤で誘導される）疎水基を含む疎水性シリル基も有している。無機充填剤の表面にアミノシリル基だけでなく疎水性シリル基も付与することで、無機充填剤の表面にアミノシリル基だけが過剰に結合することを抑制することができる。これにより、絶縁層１３０の可視光透過性を向上しつつ、絶縁層１３０の絶縁性を顕著に向上させることができる。
【００７０】
疎水性シランカップリング剤に由来する疎水基を含む疎水性シリル基は、例えば、以下の式（７）により表される。
【００７１】
【化３】
2020132818.tif 000005
（Ｒ２は、ハロゲンにより置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲンにより置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基、ハロゲンにより置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、又はハロゲンにより置換されていてもよい炭素数１〜３のアルキル基若しくはハロゲンにより置換されていてもよい炭素数６〜１２のアリール基のうち少なくともいずれかを表す。ｍは１〜３の整数を表す。なお、ｍが２以上の場合、複数のＲ２は、同一であっても異なっていてもよい。結合手のｕおよびｖは０又は１を表し、ｍ、ｕ及びｖの合計は３である。）
【００７２】
式（７）により表される疎水性シリル基において、Ｒ２を有する結合手以外の少なくとも１つの結合手は、酸素原子を介して無機充填剤と結合している。Ｒ２を有する結合手以外の全ての結合手が無機充填剤と結合していてもよいし、Ｒ２を有する結合手以外の少なくとも１つの結合手が無機充填剤と結合していなくてもよい。Ｒ２を有する結合手以外の少なくとも１つの結合手が無機充填剤と結合していない場合には、無機充填剤と結合していない結合手が、水酸基もしくは加水分解性基を有していてもよく、または、上述のアミノシリル基などの他のシリル基と結合していてもよい。
【００７３】
本実施形態では、疎水基Ｒ２の炭素数は、例えば、上述したアミノシリル基におけるアミノ基を含む炭化水素基Ｒ１の炭素数よりも小さいことが好ましい。Ｒ２の炭素数をＲ１の炭素数よりも小さくすることで、アミノシリル基を疎水性シリル基よりも嵩高くすることができる。これにより、アミノ基同士の静電反発の効果を効率よく生じさせることができる。具体的には、疎水基Ｒ２は、例えば、メチル基またはエチル基であることが好ましい。
【００７４】
また、本実施形態では、無機充填剤の表面が有する全てのシリル基に対する、アミノシリル基のモル分率（以下、「アミノシリル基モル分率」ともいう）は、例えば、２％以上９０％以下、好ましくは５％以上８０％以下であることが好ましい。なお、ここでいう「アミノシリル基モル分率」は、無機充填剤の表面が有する全てのシリル基のモル数に対する、アミノシリル基のモル数の割合を％により表したものである。
【００７５】
アミノシリル基モル分率が２％未満であると、アミノシリル基モル分率に対する体積抵抗率の変化の割合が大きいため、製造上におけるアミノシリル基モル分率のばらつきに対して、絶縁層１３０の体積抵抗率がばらつき易くなる可能性がある。このため、無機充填剤に対してアミノシリル基を付与することによる、絶縁層１３０の絶縁性向上の効果が安定的に得られない可能性がある。これに対し、本実施形態では、アミノシリル基モル分率を２％以上とすることで、製造上におけるアミノシリル基モル分率に所定のばらつきが生じていたとしても、絶縁層１３０の絶縁性向上の効果を安定的に得ることができる。さらに、本実施形態では、アミノシリル基モル分率を５％以上とすることで、絶縁層１３０の絶縁性向上の効果を顕著に得ることができる。
【００７６】
一方で、アミノシリル基モル分率が９０％超であると、粒子間でアミノ基を介した水素結合が形成され、アミノ基同士の静電反発が生じ難くなる可能性がある。また、粒子間の水素結合に起因して、粒子界面を介した導電経路が形成され易くなる可能性がある。このため、無機充填剤に対してアミノシリル基を付与することによる、絶縁層１３０の絶縁性向上の効果が充分に得られない可能性がある。これに対し、本実施形態では、アミノシリル基モル分率を９０％以下とすることで、粒子間においてアミノ基を介した水素結合が形成されることを抑制し、アミノ基同士の静電反発を充分に生じさせることができる。また、水素結合に起因して粒子界面を介して導電経路が形成されることを安定的に抑制することができる。これにより、絶縁層１３０の絶縁性向上の効果を充分に得ることができる。さらに、本実施形態では、アミノシリル基モル分率を８０％以下とすることで、絶縁層１３０の絶縁性向上の効果を顕著に得ることができる。
【００７７】
上述のアミノシリル基モル分率については、例えば、以下の方法により求めることができる。
【００７８】
具体的には、まず、アミノシランカップリング剤と疎水性シランカップリング剤とを所定の配合比で用いて表面処理された無機充填剤を用意する。次に、反応温度８５０℃および還元温度６００℃の条件下において熱伝導度検出器（ＴＣＤ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）を用いたガスクロマトグラフィ法により無機充填剤の表面を元素分析する。これにより、実際に無機充填剤の表面に結合していたシリル基における、炭素に対する窒素の質量比（以下、Ｎ／Ｃ比）が求められる。
【００７９】
一方で、以下の手順により、アミノシリル基モル分率に対するＮ／Ｃ比の検量線を求める。表面処理に使用したアミノシランカップリング剤からアミノシリル基を特定し、アミノシリル基１つ当たりの、炭素の合計原子量Ｃ１と、窒素の合計原子量Ｎ１と、を求める。また、表面処理に使用した疎水性シランカップリング剤から疎水性シリル基を特定し、疎水性シリル基１つ当たりの、炭素の合計原子量Ｃ２を求める。ここで、アミノシリル基モル分率をｘ（単位％）とし、Ｎ／Ｃ比をｙ（単位％）としたとき、Ｎ／Ｃ比ｙは、検量線を構成するアミノシリル基モル分率ｘの関数として、以下の式（８）により表される。
【００８０】
ｙ＝Ｎ１ｘ／｛（Ｃ１−Ｃ２）ｘ＋１００Ｃ２｝  ・・・（８）
（ただし、０＜ｘ≦１００である。）
【００８１】
なお、式（８）において、アミノシリル基が有する炭素数と、疎水性シリル基が有する炭素数とが等しく、Ｃ１＝Ｃ２であるときには、Ｎ／Ｃ比ｙは、アミノシリル基モル分率ｘの一次関数となり、すなわち、検量線が直線となる。
【００８２】
例えば、アミノシリル基がアミノプロピルシリル基（Ｃ１＝３６．０３）であり、疎水性シリル基がトリメチルシリル基（Ｃ２＝３６．０３）である場合には、検量線が直線となり、アミノシリル基モル分率ｘ＝１００％のときの、Ｎ／Ｃ比ｙの理論値は、約３８．９％となる。
【００８３】
上述のように検量線を得たら、実測したＮ／Ｃ比ｙを検量線の式（８）に代入することで、実際に無機充填剤の表面に結合していたシリル基におけるアミノシリル基モル分率ｘが求められる。
【００８４】
本実施形態では、上述のガスクロマトグラフィ法により無機充填剤の表面を元素分析することで求められるＮ／Ｃ比は、例えば、（アミノシリル基がアミノプロピルシリル基である場合に）０．７％以上３５％以下、好ましくは１．９％以上３１％以下であることが好ましい。これにより、アミノシリル基モル分率を、２％以上９０％以下、好ましくは５％以上８０％以下とすることができる。
【００８５】
一方で、本実施形態では、無機充填剤は、疎水基を有する疎水性シランカップリング剤のみによって表面処理されていてもよい。
【００８６】
この場合における疎水性シランカップリング剤としては、例えば、疎水基を有する、シラザン、アルコキシシランまたはハロゲン化シランのうち少なくともいずれかが挙げられる。
【００８７】
疎水性シランカップリング剤のみによって無機充填剤を表面処理する場合の、疎水基を有するシラザン（ジシラザン）は、例えば、以下の式（９）により表される。
Ｒ３３Ｓｉ−ＮＨ−ＳｉＲ３３  ・・・（９）
（Ｒ３は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数１〜３のアルキル基により置換されていてもよい炭素数６〜１２のアリール基のうち少なくともいずれかを表す。なお、「アルキル基により置換されていてもよい」とは、上記アリール基の水素原子の一部がアルキル基により置換された置換基であってもよいことを意味する。複数のＲ３は同一であってもよいし、２つ以上が異なっていてもよい。）
【００８８】
具体的には、疎水基を有するシラザンとしては、例えば、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサエチルジシラザン、へキサプロピルジシラザン、ヘキサブチルジシラザン、ヘキサペンチルジシラザン、ヘキサヘキシルジシラザン、ヘキサシクロヘキシルジシラザン、ヘキサフェニルジシラザン、ジビニルテトラメチルジシラザン、ジメチルテトラビニルジシラザンなどのうち少なくともいずれかが挙げられる。
【００８９】
疎水性シランカップリング剤のみによって無機充填剤を表面処理する場合の、疎水基を有するアルコキシシランまたはハロゲン化シランは、例えば、以下の式（１０）により表される。
【００９０】
Ｒ３３ＳｉＹ  ・・・（１０）
（Ｒ３は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数１〜３のアルキル基により置換されていてもよい炭素数６〜１２のアリール基のうち少なくともいずれかを表す。Ｙは１価の加水分解性基を表す。なお、３つのＲ３は同一であってもよいし、２つ以上が異なっていてもよい。）
【００９１】
なお、Ｙとしての１価の加水分解性基は、例えば、炭素数１〜３のアルコキシ基、またはハロゲン基である。
【００９２】
具体的には、疎水基を有するアルコキシシランとしては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシランなどが挙げられる。
【００９３】
また、疎水基を有するハロゲン化シランとしては、例えば、トリメチルクロロシラン、トリエチルクロロシランなどが挙げられる。
【００９４】
本実施形態では、無機充填剤が上述の疎水性シランカップリング剤により表面処理されることで、無機充填剤の表面の少なくとも一部が有する疎水性シリル基では、シリコン原子に対して３つの疎水基が結合している。言い換えれば、疎水性シリル基のシリコン原子には、水酸基および加水分解基が結合していない。
【００９５】
具体的には、疎水性シリル基は、例えば、以下の式（１）により表される。
【００９６】
【化４】
2020132818.tif 000006
（ただし、Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、Ｒ３ｃは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数１〜３のアルキル基により置換されていてもよい炭素数６〜１２のアリール基のうちいずれかを表す。Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、Ｒ３ｃは同一であってもよいし、２つ以上が異なっていてもよい。）
【００９７】
式（１）により表される疎水性シリル基において、Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、またはＲ３ｃを有する結合手以外の１つの結合手は、酸素原子を介して無機充填剤と結合している。
【００９８】
無機充填剤の表面の少なくとも一部が式（１）により表される疎水性シリル基を有することで、無機充填剤の表面における疎水性を向上させることができる。無機充填剤の表面における疎水性を向上させることで、ベース樹脂に対する無機充填剤の相溶性を向上させることができる。これにより、樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を向上させることができる。その結果、絶縁層１３０の可視光透過性および絶縁性を安定的に向上させることができる。
【００９９】
本実施形態では、式（１）におけるＲ３ａ、Ｒ３ｂ、およびＲ３ｃのそれぞれは、例えば、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、またはフェニル基であることが好ましい。これにより、Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、およびＲ３ｃのそれぞれによる立体障害の過剰な影響を抑制することができる。その結果、疎水性シランカップリング剤等による修飾量の低下を抑制することができる。
【０１００】
本実施形態では、無機充填剤の体積平均粒径（ＭＶ：Ｍｅａｎ  Ｖｏｌｕｍｅ  Ｄｉａｍｅｔｅｒ）は、特に限定されるものではないが、例えば、８０ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以下である。
【０１０１】
なお、ここでいう「体積平均粒径（ＭＶ）」は、粒子の粒子径をｄｉ、粒子の体積Ｖｉとしたとき、以下の式により求められる。
ＭＶ＝Σ（Ｖｉｄｉ）／ΣＶｉ
なお、体積平均粒径の測定には、動的光散乱式粒子径・粒度分布測定装置が用いられる。
【０１０２】
無機充填剤の体積平均粒径を８０ｎｍ以下とすることで、絶縁層１３０の可視光透過性を安定的に向上させることができる。また、絶縁層１３０中の空間電荷の局所的な蓄積を抑制する効果を安定的に得ることができる。さらに、無機充填剤の体積平均粒径を５０ｎｍ以下、好ましくは３０ｎｍ以下とすることで、絶縁層１３０の可視光透過性をより安定的に向上させることができる。また、絶縁層１３０中の空間電荷の局所的な蓄積を抑制する効果をより安定的に得ることができる。
【０１０３】
なお、無機充填剤の体積平均粒径の下限値についても、特に限定されるものではない。ただし、無機充填剤を安定的に形成する観点では、無機充填剤の体積平均粒径は、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上である。
【０１０４】
また、本実施形態では、樹脂組成物中の無機充填剤の含有量は、特に限定されるものではない。しかしながら、無機充填剤の表面が式（１）で表される疎水性シリル基のみを有する場合には、樹脂組成物中の無機充填剤の含有量は、ベース樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上５質量部以下であることが好ましい。無機充填剤の含有量が０．１質量部未満であると、無機充填剤に対する空間電荷のトラップが不充分となる可能性がある。これに対し、無機充填剤の含有量を０．１質量部以上とすることで、無機充填剤に対して空間電荷を充分にトラップさせることができる。一方で、無機充填剤の表面が疎水性シリル基のみを有する場合に、無機充填剤の含有量が５質量部超となると、絶縁層１３０の絶縁性が徐々に低下する可能性がある。これに対し、無機充填剤の含有量を５質量部以下とすることで、絶縁層１３０の絶縁性の低下を抑制することができる。
【０１０５】
一方で、無機充填剤の表面が少なくともアミノシリル基を有する場合には、樹脂組成物中の無機充填剤の含有量を５質量部超としても、絶縁層１３０の絶縁性を高く維持することができる。これは、無機充填剤の含有量を増やしたとしても、アミノ基による粒子間の静電反発が大きく、樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を良好に維持することができるためと考えられる。
【０１０６】
したがって、無機充填剤の表面が少なくともアミノシリル基を有する場合には、樹脂組成物中の無機充填剤の含有量は、ベース樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上１０質量部以下とすることができる。無機充填剤の表面が少なくともアミノシリル基を有する場合に、無機充填剤の含有量を０．１質量部以上とする効果は、無機充填剤の表面が上述の疎水性シリル基のみを有する場合と同様である。一方で、無機充填剤の表面が少なくともアミノシリル基を有する場合に、無機充填剤の含有量を１０質量部以下とすることで、樹脂組成物による成形性を向上させつつ、絶縁層１３０中の無機充填剤の分散性を向上させることができる。
【０１０７】
（架橋剤）
本実施形態では、樹脂組成物を構成するベース樹脂は、絶縁層１３０を構成する際に架橋されていなくてもよく、架橋されていてもよい。どちらの場合であっても、後述の製造方法を適用すれば、絶縁層１３０の可視光透過性向上の効果を得ることができる。
【０１０８】
本実施形態では、ベース樹脂は、例えば、架橋されることが好ましい。これにより、所定の機械特性、および高温における形状安定性を向上させることができる。
【０１０９】
なお、樹脂組成物が架橋される場合には、樹脂組成物は、例えば、架橋剤として、有機過酸化物を含むことが好ましい。有機過酸化物としては、例えば、ジクミルパーオキサイド、ｔ−ブチルジクミルパーオキサイド、ジ（ｔ−ブチルパーオキサイド）、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、１，３−ビス（ｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、４，４−ビス［（ｔ−ブチル）ペルオキシ］ペンタン酸ブチル、１，１−ビス（１，１−ジメチルエチルペルオキシ）シクロヘキサン等が挙げられる。なお、これらのうち２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１０】
（その他の添加剤）
樹脂組成物は、例えば、酸化防止剤と、滑剤と、をさらに含んでいてもよい。
【０１１１】
酸化防止剤としては、例えば、２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ペンタエリスリチル−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，４−ビス−［（オクチルチオ）メチル］−ｏ−クレゾール、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン、ビス［２−メチル−４−｛３−ｎ−アルキル（Ｃ１２あるいはＣ１４）チオプロピオニルオキシ｝−５−ｔ−ブチルフェニル］スルフィド、および４，４′−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）等が挙げられる。なお、これらのうち２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１２】
滑剤は、無機充填剤の凝集を抑制するとともに、絶縁層１３０の押出成形時の樹脂組成物の流動性を向上させるよう作用する。本実施形態の滑剤は、公知の材料を用いることができる。
【０１１３】
なお、樹脂組成物は、例えば、着色剤をさらに含んでいてもよい。
【０１１４】
（２）直流電力ケーブル
次に、図１を用い、本実施形態の直流電力ケーブルについて説明する。図１は、本実施形態に係る直流電力ケーブルの軸方向に直交する断面図である。
【０１１５】
本実施形態の直流電力ケーブル１０は、いわゆる固体絶縁直流電力ケーブル（直流送電用ケーブル）として構成され、例えば、導体１１０と、内部半導電層１２０と、絶縁層１３０と、外部半導電層１４０と、遮蔽層１５０と、シース１６０と、を有している。
【０１１６】
（導体（導電部））
導体１１０は、例えば、純銅、銅合金、アルミニウム、またはアルミニウム合金等を含む複数の導体芯線（導電芯線）を撚り合わせることにより構成されている。
【０１１７】
（内部半導電層）
内部半導電層１２０は、導体１１０の外周を覆うように設けられている。また、内部半導電層１２０は、半導電性を有し、導体１１０の表面側における電界集中を抑制するよう構成されている。内部半導電層１２０は、例えば、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−メチルアクリレート共重合体、エチレン−ブチルアクリレート共重合体、およびエチレン−酢酸ビニル共重合体等のうち少なくともいずれかと、導電性のカーボンブラックと、を含んでいる。
【０１１８】
（絶縁層）
絶縁層１３０は、内部半導電層１２０の外周を覆うように設けられ、上述した樹脂組成物により構成されている。なお、絶縁層１３０は、上述のように、架橋されていなくてもよいし、樹脂組成物が押出成形された後に加熱されることにより架橋されていてもよい。本実施形態では、例えば、樹脂組成物は架橋されている。
【０１１９】
（外部半導電層）
外部半導電層１４０は、絶縁層１３０の外周を覆うように設けられている。また、外部半導電層１４０は、半導電性を有し、絶縁層１３０と遮蔽層１５０との間における電界集中を抑制するよう構成されている。外部半導電層１４０は、例えば、内部半導電層１２０と同様の材料により構成されている。
【０１２０】
（遮蔽層）
遮蔽層１５０は、外部半導電層１４０の外周を覆うように設けられている。遮蔽層１５０は、例えば、銅テープを巻回することにより構成されるか、或いは、複数の軟銅線等を巻回したワイヤシールドとして構成されている。なお、遮蔽層１５０の内側や外側に、ゴム引き布等を素材としたテープが巻回されていてもよい。
【０１２１】
（シース）
シース１６０は、遮蔽層１５０の外周を覆うように設けられている。シース１６０は、例えば、ポリ塩化ビニルまたはポリエチレンにより構成されている。
【０１２２】
（絶縁層の可視光透過性）
上述のように構成される直流電力ケーブル１０では、絶縁層１３０を構成する樹脂組成物において、上述のように、ベース樹脂の結晶化度が低く、かつ、無機充填剤の分散性が向上している。これにより、絶縁層１３０は、所定の条件下で、以下のような可視光透過性を有している。
【０１２３】
本実施形態では、（後述の冷却工程を行った後において）０．５ｍｍの厚さを有する絶縁層１３０のシートを作製したときに、９０℃の雰囲気において測定した、シートの波長５００ｎｍの光透過率（以下、「可視光透過率」と略すことがある）は、例えば、５５％以上、好ましくは７０％以上である。絶縁層１３０のシートの可視光透過率が５５％未満であると、シートが白濁した状態となり、絶縁層１３０中の異物を検査することが困難となる。これに対し、絶縁層１３０のシートの可視光透過率を５５％以上とすることで、絶縁層１３０中の異物を容易に検査することができる。さらに絶縁層１３０のシートの可視光透過率を７０％以上とすることで、絶縁層１３０中の異物を容易かつ確実に検査することができる。
【０１２４】
なお、絶縁層１３０のシートの可視光透過率の上限値は、高ければ高いほどよいため、特に限定されるものではない。しかしながら、本実施形態の絶縁層１３０のシートの可視光透過率は、無機充填剤を有しない場合の可視光透過率よりも低くなりにくい。このため、本実施形態の絶縁層１３０のシートの可視光透過率は、例えば、９５％以下となる。
【０１２５】
（絶縁層の絶縁性）
上述のように構成される直流電力ケーブル１０では、絶縁層１３０中に添加される無機充填剤の表面の少なくとも一部が所定のシリル基を有することで、例えば、以下のような絶縁性が得られる。
【０１２６】
本実施形態では、上述の樹脂組成物により絶縁層１３０を構成し、０．２ｍｍの厚さを有する絶縁層１３０のシートを形成した場合に、温度８０℃および直流電界５０ｋＶ／ｍｍの条件下において測定した絶縁層１３０のシートの体積抵抗率は、例えば、無機充填剤が表面処理されていない点を除いて同じ構成を有する樹脂組成物について同じ条件で測定した体積抵抗率よりも高い。
【０１２７】
また、本実施形態では、ベース樹脂がＬＤＰＥを含む上述の樹脂組成物により絶縁層１３０を構成し、０．２ｍｍの厚さを有する絶縁層１３０のシートを形成した場合に、温度８０℃および直流電界５０ｋＶ／ｍｍの条件下において測定した絶縁層１３０のシートの体積抵抗率は、例えば、８×１０１５Ω・ｃｍ以上、好ましくは５×１０１６Ω・ｃｍ以上、より好ましくは１×１０１７Ω・ｃｍ以上である。
【０１２８】
なお、絶縁層１３０の体積抵抗率の上限値は、高ければ高いほどよいため、特に限定されるものではないが、アミノシリル基モル分率等の各条件を最適化したことによる絶縁層１３０の体積抵抗率の上限値は、例えば、測定上限値であり、１×１０１９Ω・ｃｍ程度である。
【０１２９】
（具体的寸法等）
直流電力ケーブル１０における具体的な各寸法としては、特に限定されるものではないが、例えば、導体１１０の直径は５ｍｍ以上６０ｍｍ以下であり、内部半導電層１２０の厚さは１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、絶縁層１３０の厚さは１ｍｍ以上３５ｍｍ以下であり、外部半導電層１４０の厚さは１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、遮蔽層１５０の厚さは１ｍｍ以上５ｍｍ以下であり、シース１６０の厚さは１ｍｍ以上である。本実施形態の直流電力ケーブル１０に適用される直流電圧は、例えば２０ｋＶ以上である。
【０１３０】
（３）直流電力ケーブルの製造方法
次に、図２および図３を用い、本実施形態の直流電力ケーブルの製造方法について説明する。図２は、本実施形態に係る直流電力ケーブルの製造方法を示すフローチャートである。以下、ステップを「Ｓ」と略す。図３は、本実施形態に係る直流電力ケーブルの製造装置を示す概略平面図である。
【０１３１】
（Ｓ１００：準備工程）
まず、ポリエチレンを含むベース樹脂と無機充填剤とを有する樹脂組成物を準備するとともに、導体１１０を準備する。本実施形態の準備工程Ｓ１００は、例えば、配合剤準備工程Ｓ１２０と、表面処理工程Ｓ１４０と、混合工程Ｓ１６０と、導体準備工程Ｓ１８０と、を有している。
【０１３２】
（Ｓ１２０：配合剤準備工程）
樹脂組成物を構成する各種配合剤として、ポリエチレンを含むベース樹脂と、無機充填剤と、その他の添加剤（酸化防止剤、滑剤等）と、を準備する。
【０１３３】
（Ｓ１４０：表面処理工程）
所定の無機充填剤を準備したら、無機充填剤を所定のシランカップリング剤により表面処理する。
【０１３４】
なお、無機充填剤を所定のシランカップリング剤により表面処理する方法は、乾式法であっても、湿式法であってもよい。乾式法では、例えば、ヘンシェルミキサ等の攪拌装置内において無機充填剤を攪拌しながら、攪拌装置内にシランカップリング剤を含む溶液を滴下するか、或いは、スプレーにより噴霧する。湿式法では、例えば、所定の溶媒に無機充填剤を加えスラリーを形成し、スラリー内にシランカップリング剤を添加する。
【０１３５】
本実施形態では、例えば、無機充填剤をアミノシランカップリング剤により表面処理する。これにより、無機充填剤の表面の少なくとも一部に、アミノシランカップリング剤に由来するアミノ基を含むアミノシリル基を結合させることができる。
【０１３６】
本実施形態では、例えば、アミノシランカップリング剤だけでなく疎水性シランカップリング剤によっても無機充填剤を表面処理してもよい。これにより、無機充填剤の表面に、アミノシリル基だけでなく、疎水基を含む疎水性シリル基も結合させることができる。
【０１３７】
アミノシランカップリング剤だけでなく疎水性シランカップリング剤によっても無機充填剤を表面処理する方法としては、例えば、アミノシランカップリング剤と疎水性シランカップリング剤とを用いて同時に表面処理を行ってもよく、或いは、これらを別々に用いて異なるタイミングにおいて表面処理を行ってもよい。後者の場合、アミノシランカップリング剤の表面処理と疎水性シランカップリング剤の表面処理との順番は、どちらが先でも構わない。
【０１３８】
このとき、本実施形態では、上述のアミノシリル基モル分率が、例えば、２％以上９０％以下、好ましくは５％以上８０％以下となるように、アミノシランカップリング剤および疎水性シランカップリング剤により無機充填剤を表面処理する。具体的には、アミノシランカップリング剤が有するＲ１と、疎水性シランカップリング剤が有するＲ２と、に基づいて、アミノシリル基モル分率が上記範囲内となるように、アミノシランカップリング剤および疎水性シランカップリング剤のそれぞれの配合量を設定する。
【０１３９】
または、本実施形態では、例えば、無機充填剤を疎水性シランカップリング剤のみにより表面処理してもよい。これにより、無機充填剤の表面の少なくとも一部に、疎水性シランカップリング剤に由来し式（１）により表される疎水性シリル基を結合させることができる。
【０１４０】
所定のシランカップリング剤により表面処理を行ったら、処理後の無機充填剤を適宜乾燥させる。
【０１４１】
なお、表面処理工程Ｓ１４０が完了したら、所定の粉砕処理を行うことで、無機充填剤の体積平均粒径を調整してもよい。このとき、無機充填剤の体積平均粒径を、例えば、８０ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以下とする。
【０１４２】
（Ｓ１６０：混合工程）
表面処理工程Ｓ１４０が完了したら、ポリエチレンを含むベース樹脂と、無機充填剤と、その他の添加剤（酸化防止剤、滑剤等）と、をバンバリミキサやニーダなどの混合機により混合（混練）し、混合材を形成する。混合材を形成したら、当該混合材を押出機により造粒する。これにより、絶縁層１３０を構成することとなるペレット状の樹脂組成物が形成される。なお、混練作用の高い２軸型の押出機を用いて、混合から造粒までの工程を一括して行ってもよい。
【０１４３】
（Ｓ１８０：導体準備工程）
一方で、複数の導体芯線を撚り合わせることにより形成された導体１１０を準備する。
【０１４４】
（Ｓ２００：ケーブルコア作製工程（絶縁層形成工程））
準備工程Ｓ１００が完了したら、ケーブルコア作製工程（絶縁層形成工程）Ｓ２００を行う。ケーブルコア作製工程Ｓ２００は、例えば、押出工程Ｓ２２０と、架橋工程Ｓ２４０と、冷却工程Ｓ２６０と、を有している。
【０１４５】
本実施形態のケーブルコア作製工程Ｓ２００では、例えば、図３に示す製造装置２０を用いる。製造装置２０は、例えば、押出部２２０と、架橋部（架橋筒、架橋管）２４０と、冷却部２６０と、を有している。
【０１４６】
押出部２２０は、例えば、導体１１０の外周に樹脂組成物を押し出し、絶縁層１３０を形成するよう構成されている。本実施形態では、押出部２２０は、内部半導電層１２０、絶縁層１３０および外部半導電層１４０を同時に押し出すよう構成されている。押出部２２０は、内部半導電層１２０を押し出す押出部２２０ａと、絶縁層１３０を押し出す押出部２２０ｂと、外部半導電層１４０を押し出す押出部２２０ｃと、を有している。
【０１４７】
架橋部２４０は、例えば、押出部２２０の下流側に設けられ、押出部２２０を通過した押出材を加熱し、少なくとも絶縁層１３０を架橋させるよう構成されている。架橋部２４０は、例えば、窒素ガスなどにより加圧可能な加圧管（不図示）と、赤外線ヒータの輻射により加圧管内を加熱する加熱部（不図示）と、を有している。なお、架橋部２４０は、高温の窒素ガスまたはシリコーン油等の熱媒体を通じて熱伝達させるよう構成されていてもよい。
【０１４８】
冷却部２６０は、例えば、架橋部２４０の下流側に設けられ、架橋部２４０を通過した架橋材（架橋済み材）を冷却するよう構成されている。冷却部２６０の冷却媒体としては、例えば、水を用いる。
【０１４９】
本実施形態の冷却部２６０は、例えば、第１冷却部２６２と、第２冷却部２６４と、を有している。第１冷却部２６２および第２冷却部２６４は、架橋部２４０の下流側にこの順で配置されている。第２冷却部２６４は、例えば、チラー（不図示）を有している。第２冷却部２６４の冷却能力（冷却速度）は、第１冷却部２６２の冷却能力（冷却速度）よりも高い。
【０１５０】
（Ｓ２２０：押出工程）
例えば、押出部２２０を用い、導体１１０の外周に、内側から外側に向けて、内部半導電層１２０、絶縁層１３０および外部半導電層１４０を同時に押し出す。
【０１５１】
内部半導電層１２０を形成する押出部２２０ａに、例えば、エチレン−エチルアクリレート共重合体と、導電性のカーボンブラックとが予め混合された内部半導電層用樹脂組成物を投入する。
【０１５２】
絶縁層１３０を形成する押出部２２０ｂに、上述したペレット状の樹脂組成物を投入する。
【０１５３】
外部半導電層１４０を形成する押出部２２０ｃに、内部半導電層用樹脂組成物と同様の材料を含む外部半導電層用樹脂組成物を投入する。
【０１５４】
次に、押出部２２０ａ〜２２０ｃからの押出材をコモンヘッドに導き、導体１１０の外周に、内側から外側に向けて、内部半導電層１２０、絶縁層１３０および外部半導電層１４０を同時に押出す。
【０１５５】
（Ｓ２４０：架橋工程）
次に、例えば、架橋部２４０を用い、押出部２２０を通過した押出材を所定の架橋温度に加熱し、少なくとも絶縁層１３０を構成するベース樹脂を架橋させる。
【０１５６】
具体的には、架橋温度を、例えば、１５０℃以上３００℃以下とする。これにより、絶縁層１３０を構成するベース樹脂を架橋させることができる。
【０１５７】
なお、このとき、絶縁層１３０だけでなく、内部半導電層１２０および外部半導電層１４０の少なくともいずれかを架橋させてもよい。
【０１５８】
（Ｓ２６０：冷却工程）
次に、例えば、冷却部２６０を用い、架橋部２４０を通過した架橋材を冷却する。
【０１５９】
本実施形態では、例えば、絶縁層１３０を構成するベース樹脂の結晶化度が４５％以下となるように、絶縁層１３０の樹脂組成物を冷却する。また、例えば、０．５ｍｍの厚さを有する絶縁層１３０のシートを作製したときに、９０℃の雰囲気において測定した、シートの波長５００ｎｍの光透過率が５５％以上となるように、絶縁層１３０の樹脂組成物を冷却する。
【０１６０】
ここで、従来では、架橋後の絶縁層１３０の樹脂組成物を徐冷（ゆっくり冷却）していた。樹脂組成物を徐冷すると、ベース樹脂の結晶化が進み、ベース樹脂の結晶化度が高くなり易い。ベース樹脂の結晶化度が高くなると、上述のように、樹脂組成物の可視光透過性が低下する可能性がある。
【０１６１】
これに対し、本実施形態では、上述したベース樹脂の結晶化度および樹脂組成物の所望の可視光透過性が得られるよう、絶縁層１３０の樹脂組成物を急冷する。
【０１６２】
しかしながら、ベース樹脂の架橋温度から室温以下の温度まで、絶縁層１３０の樹脂組成物を一度に冷却したとしても、温度差が大きいため、冷却速度を速くすることが困難となる。具体的には、架橋材が投入された冷却媒体としての水の温度が上昇し、架橋材の温度を低くすることが困難となる。この場合は、樹脂組成物を徐冷した場合と同等となってしまう。
【０１６３】
そこで、本実施形態では、例えば、第１冷却部２６２と第２冷却部２６４とを用い、絶縁層１３０の樹脂組成物を２段階で冷却する。冷却工程Ｓ２６０は、例えば、第１冷却工程と、第２冷却工程と、を有している。
【０１６４】
第１冷却工程では、第１冷却部２６２を用い、ベース樹脂の架橋温度から所定の第１温度に、樹脂組成物を冷却する。このとき、第１温度を、例えば、ベース樹脂が結晶化しない状態（結晶が融解された状態）を維持することが可能な限りに低い温度とする。これにより、ベース樹脂の結晶化を抑制しつつ、第１温度と後述の第２温度との温度差を小さくすることができる。
【０１６５】
具体的には、第１温度を、例えば、ベース樹脂の結晶融解温度以上、結晶融解温度＋２０℃以下とする。第１温度をベース樹脂の結晶融解温度以上とすることで、ベース樹脂が結晶化しない状態を維持することができる。第１温度を結晶融解温度＋２０℃以下とすることで、第１温度と後述の第２温度との温度差を小さくすることができる。
【０１６６】
次に、第２冷却工程では、第２冷却部２６４を用い、第１温度から室温以下の第２温度まで、樹脂組成物を冷却する。このとき、第１温度が架橋温度よりも低くなっているので、樹脂組成物を急冷することができる。
【０１６７】
本実施形態では、例えば、第２冷却工程の冷却速度を、第１冷却工程の冷却速度よりも速くする。これにより、絶縁層１３０のベース樹脂の結晶化を抑制し、アモルファス部分を多く含む状態でベース樹脂を固化させることができる。つまり、ベース樹脂の結晶化度を低くすることができる。その結果、絶縁層１３０の可視光透過性を向上させることができる。
【０１６８】
具体的には、第２冷却工程の冷却速度を、例えば、５０℃／ｍｉｎ以上３００℃／ｍｉｎ以下とする。第２冷却工程の冷却速度を５０℃／ｍｉｎ以上とすることで、ベース樹脂の所定の結晶化度を得ることができる。一方で、第２冷却工程の冷却速度を３００℃／ｍｉｎ以下とすることで、第２冷却部２６４のチラーが過大となることを抑制することができる。
【０１６９】
なお、第２温度は、室温以下であれば限定されるものではないが、例えば、−５０℃以上２７℃以下とする。
【０１７０】
以上のケーブルコア作製工程Ｓ２００により、導体１１０、内部半導電層１２０、絶縁層１３０および外部半導電層１４０により構成されるケーブルコアが形成される。
【０１７１】
（Ｓ３００：遮蔽層およびシース形成工程）
ケーブルコアを形成したら、外部半導電層１４０の外側に、例えば銅テープを巻回することにより遮蔽層１５０を形成する。
【０１７２】
遮蔽層１５０を形成したら、押出機に塩化ビニルを投入して押出すことにより、遮蔽層１５０の外周に、シース１６０を形成する。
【０１７３】
以上により、固体絶縁直流電力ケーブルとしての直流電力ケーブル１０が製造される。
【０１７４】
（Ｓ４００：検査工程）
直流電力ケーブル１０が製造されたら、直流電力ケーブル１０の軸方向の一部（例えば末端の一部）を切断する。直流電力ケーブル１０の切断後、切断した直流電力ケーブル１０の軸方向の一部において、シース１６０および遮蔽層１５０を除去し、ケーブルコアを露出させる。
【０１７５】
ケーブルコアを露出させたら、ケーブルコアを所定の厚さで切り取る（桂剥きする）ことで、絶縁層１３０の検査用シートを作製する。
【０１７６】
絶縁層１３０の検査用シートを作製したら、検査用シートを９０℃以上結晶融解温度以下に加熱した状態で、検査用シート中の異物を検査する。このとき、検査用シートの加熱温度を９０℃以上とすることで、ベース樹脂の結晶の少なくとも一部を融解させ、可視光透過率を向上させることができる。一方で、検査用シートの加熱温度を結晶融解温度以下とすることで、検査用シート全体が融解することを抑制することができる。これにより、検査工程Ｓ４００における検査用シートの取り扱い性の低下を抑制することができる。
【０１７７】
なお、このとき、例えば、光学顕微鏡を用いて目視で検査を行ってもよいし、或いは、コンピュータの画像解析によって検査を行ってもよい。
【０１７８】
（Ｓ５００：判定工程）
検査工程Ｓ４００の結果、検査用シート中に異物が検出されなかった直流電力ケーブル１０を良品として判定し、出荷する。一方で、検査用シート中に異物が検出された直流電力ケーブル１０を不良品として判定し、出荷から除外する。
【０１７９】
以上により、直流電力ケーブル１０の製造工程を終了する。
【０１８０】
（４）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【０１８１】
（ａ）本実施形態の冷却工程Ｓ２６０において、絶縁層１３０の樹脂組成物を急冷することで、ベース樹脂の結晶化を抑制し、アモルファス部分を多く含む状態でベース樹脂を固化させることができる。また、無機充填剤が核剤として働くことを抑制し、ベース樹脂の結晶核の増加を抑制することができる。これにより、ベース樹脂の結晶化度を低くすることができる。ベース樹脂の結晶化度を低くすることで、ベース樹脂と無機充填剤との相乗的な光散乱を抑制することができる。その結果、絶縁層１３０の可視光透過性を向上させることができる。
【０１８２】
（ｂ）本実施形態では、ベース樹脂および無機充填剤を有し０．５ｍｍの厚さを有する樹脂組成物のシートを作製したときに、９０℃の雰囲気において測定した、シートの波長５００ｎｍの光透過率は、５５％以上である。これにより、絶縁層１３０中の異物を容易に検査することができる。
【０１８３】
（ｃ）本実施形態では、絶縁層１３０を構成するベース樹脂の結晶化度は、４５％以下である。これにより、ベース樹脂の結晶における光散乱を抑制することができる。その結果、絶縁層１３０の可視光透過性を向上させることができる。
【０１８４】
（ｄ）本実施形態では、無機充填剤が上述のアミノシランカップリング剤により表面処理されることで、無機充填剤の表面の少なくとも一部は、アミノシランカップリング剤に由来するアミノ基を含むアミノシリル基を有している。無機充填剤に結合したアミノ基が電子供与性を有していることで、無機充填剤の表面を正に帯電させることができる。これにより、無機充填剤同士が隣接した際に、無機充填剤の表面におけるアミノ基同士を静電反発させることができる。無機充填剤同士が静電反発することで、樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を向上させることができる。
【０１８５】
樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を向上させることで、すなわち、無機充填剤の凝集を抑制することで、無機充填剤における光散乱を抑制することができる。また、無機充填剤の凝集に起因した核剤としての働きを抑制することができ、ベース樹脂の結晶核の増加を抑制することができる。これにより、ベース樹脂の結晶における光散乱を抑制することができる。その結果、絶縁層１３０の可視光透過性を向上させることができる。
【０１８６】
また、樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を向上させることで、課電中において、絶縁層１３０中の空間電荷の局所的な蓄積を抑制し、漏れ電流の発生を抑制することができる。その結果、絶縁層１３０の絶縁性を安定的に向上させることが可能となる。
【０１８７】
なお、無機充填剤の表面の少なくとも一部がアミノシリル基を有することで、絶縁層１３０の絶縁性が向上するメカニズムは、上述した「アミノ基同士の静電反発」以外にも、例えば、以下の２つのメカニズムが考えられる。
【０１８８】
無機充填剤の表面の少なくとも一部がアミノシリル基を有することで、無機充填剤の粒子近傍において、ベース樹脂の結晶構造を変化させることができる。例えば、アミノシリル基を有する無機充填剤の粒子がベース樹脂相に入ることで、無機充填剤とベース樹脂との界面近傍において結晶化度を上昇させることができる。つまり、電気伝導に関与しうる自由体積空隙を減少させることができる。その結果、絶縁層１３０の絶縁性を安定的に向上させることができると考えられる。
【０１８９】
または、無機充填剤の表面の少なくとも一部がアミノシリル基を有することで、アミノ基により導電キャリア（空間電荷）を捕獲し易くさせることができる。これにより、課電中において、絶縁層１３０中の空間電荷の局所的な蓄積を抑制し、漏れ電流の発生を抑制することができる。その結果、絶縁層１３０の絶縁性を安定的に向上させることができると考えられる。
【０１９０】
（ｅ）無機充填剤が上述のアミノシランカップリング剤だけでなく疎水性シランカップリング剤によっても表面処理されることで、無機充填剤の表面は、アミノシリル基だけでなく、疎水性シランカップリング剤に由来する疎水基を含む疎水性シリル基も有している。無機充填剤の表面にアミノシリル基だけでなく疎水性シリル基も付与することで、無機充填剤の表面にアミノシリル基だけが過剰に結合することを抑制することができる。これにより、粒子間においてアミノ基を介した水素結合が形成されることを抑制し、アミノ基同士の静電反発を充分に生じさせることができる。また、水素結合に起因して粒子界面を介して導電経路が形成されることを抑制することができる。その結果、絶縁層１３０の可視光透過性を向上しつつ、絶縁層１３０の絶縁性を顕著に向上させることができる。
【０１９１】
（ｆ）無機充填剤の表面が有する全てのシリル基に対する、アミノシリル基の比率は、２％以上９０％以下である。アミノシリル基モル分率を２％以上とすることで、製造上でのアミノシリル基モル分率に所定のばらつきが生じていたとしても、無機充填剤に対してアミノシリル基を付与することによる、絶縁層１３０の絶縁性向上の効果を安定的に得ることができる。アミノシリル基モル分率を９０％以下とすることで、粒子間でアミノ基を介した水素結合が形成されることを抑制し、アミノ基同士の静電反発を充分に生じさせることができる。また、水素結合に起因して粒子界面を介して導電経路が形成されることを安定的に抑制することができる。これにより、絶縁層１３０の絶縁性向上の効果を充分に得ることができる。
【０１９２】
（ｇ）本実施形態では、無機充填剤が上述の疎水性シランカップリング剤のみにより表面処理されていてもよい。これにより、無機充填剤の表面の少なくとも一部は、疎水性シランカップリング剤に由来し式（１）により表される疎水性シリル基を有している。その結果、無機充填剤の表面における疎水性を向上させることができる。
【０１９３】
ここで、疎水性シランカップリング剤として、アルコキシシランまたはハロゲン化シランについて考える。無機充填剤がアルコキシシランまたはハロゲン化シランにより表面処理される場合には、シランカップリング剤において加水分解で生じた水酸基が、無機充填剤の表面における水酸基と脱水縮合せず、シリル基に残存することがある。または、アルコキシシランまたはハロゲン化シランのうちの一部の加水分解基（アルコキシ基またはハロゲン基）が加水分解せず、シリル基に残存することがある。このような場合には、無機充填剤の表面における疎水性が充分に得られない可能性がある。このため、ベース樹脂に対する無機充填剤の相溶性が低下する可能性がある。また、水酸基が残存する場合では、水素結合に起因した無機充填剤の凝集が生じる可能性もある。
【０１９４】
また、アルコキシシランまたはハロゲン化シランは、一分子当たりに多数の加水分解基を有していることがある。このような場合、１つのシリル基における複数の結合手が無機充填剤と結合しうる。このため、無機充填剤の表面に対して多くのシリル基を結合させることが困難となる。この理由からも、無機充填剤の表面における疎水性が充分に得られない可能性がある。
【０１９５】
これに対し、本実施形態では、無機充填剤の表面が式（１）により表される疎水性シリル基のみを有していてもよい。この場合、疎水性シリル基では、シリコン原子に対して３つの疎水基が結合している。言い換えれば、疎水性シリル基のシリコン原子には、水酸基および加水分解基が結合していない（残存していない）。これにより、無機充填剤の表面における疎水性を向上させることができる。無機充填剤の表面における疎水性を向上させることで、ベース樹脂に対する無機充填剤の相溶性を向上させることができる。また、無機充填剤の表面に結合する疎水性シリル基が水酸基を有していないことで、水素結合に起因した無機充填剤の凝集を抑制することができる。無機充填剤の相溶性の向上と、水素結合の抑制とにより、樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を向上させることができる。
【０１９６】
また、本実施形態では、式（１）により表される疎水性シリル基において、無機充填剤に結合する結合手が1つである。これにより、多くの疎水性シリル基を無機充填剤の表面に結合させることができる。つまり、無機充填剤の表面における疎水性を効率よく向上させることができる。この理由からも、樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を向上させることができる。
【０１９７】
以上のように、樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を向上させることで、絶縁層１３０の可視光透過性を向上させつつ、絶縁層１３０の絶縁性を安定的に向上させることが可能となる。
【０１９８】
＜本開示の他の実施形態＞
以上、本開示の実施形態について具体的に説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【０１９９】
上述の実施形態では、絶縁層１３０を構成するベース樹脂が架橋される場合について説明したが、ベース樹脂の結晶化度を低くすることができれば、ベース樹脂は、架橋されていなくてもよい。この場合、例えば、押出工程後の冷却工程において、上述のような２段階の冷却工程を行えばよい。
【実施例】
【０２００】
次に、本開示に係る実施例を説明する。これらの実施例は本開示の一例であって、本開示はこれらの実施例により限定されない。
【０２０１】
＜実験１＞
まず、無機充填剤が酸化マグネシウムである場合について、以下の実験１を行った。
【０２０２】
（１−１）樹脂組成物のシートサンプルの作製
試料Ａ１〜Ａ８のそれぞれの材料をロール混合し、樹脂組成物を形成した。次に、所定の架橋工程および冷却工程を行った。その結果、試料Ａ１〜Ａ８のそれぞれのシートサンプルを作製した。詳細条件は、以下のとおりである。
【０２０３】
［試料Ａ１］
（ベース樹脂）
低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）：住友化学製スミカセンＣ２１５
（密度ｄ＝９２０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ＝１．４ｇ／１０ｍｉｎ）  １００質量部
（無機充填剤）
酸化マグネシウム：気相法酸化マグネシウム（体積平均粒径１０ｎｍ）  １質量部
表面処理：乾式法
シランカップリング剤：ヘキサメチルジシラザンのみ
（添加剤）
架橋剤：ジクミルパーオキサイド  １．３質量部
酸化防止剤：４，４′−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（ＴＢＭＴＢＰ）  ０．２２質量部
（架橋工程）
樹脂組成物を形成した後、プレス成型により１８０℃において３０分、樹脂組成物をプレスすることで、０．５ｍｍおよび０．２ｍｍのそれぞれの厚さを有する樹脂組成物のシートを作製した。１８０℃において３０分加熱したことで、ベース樹脂を架橋させた。
（冷却工程）
樹脂組成物のシートを架橋させた後、以下の２段階冷却工程により、シートを急冷した。
第１冷却工程：水冷、第１温度：１２０℃、冷却速度：３０℃／ｍｉｎ
第２冷却工程：水冷、第２温度：０℃、冷却速度：１２０℃／ｍｉｎ
【０２０４】
以下の試料Ａ２〜Ａ４では、無機充填剤の表面処理において用いたシランカップリング剤以外の条件を試料Ａ１と同等とした。無機充填剤の表面処理において用いたシランカップリング剤は以下のとおりである。
【０２０５】
［試料Ａ２］
シランカップリング剤：
アミノシランカップリング剤として３−アミノプロピルトリメトキシシラン
疎水性シランカップリング剤としてヘキサメチルジシラザン
なお、アミノシリル基モル分率が１２％となるように、アミノシランカップリング剤および疎水性シランカップリング剤のそれぞれの配合量を設定した。
【０２０６】
［試料Ａ３］
シランカップリング剤：３−アミノプロピルトリメトキシシラン
［試料Ａ４］
シランカップリング剤：３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
【０２０７】
以下の試料Ａ５〜Ａ８では、冷却工程の条件以外の条件を、それぞれ、試料Ａ１〜Ａ４と同等とした。
【０２０８】
［試料Ａ５〜Ａ８］
（冷却工程）
樹脂組成物のシートを架橋させた後、以下の冷却条件により、シートを徐冷した。
水冷、冷却速度：５℃／ｍｉｎ
【０２０９】
（１−２）評価
（結晶化度）
ＤＳＣ装置としては、パーキンエルマー社製ＤＳＣ８５００（入力補償型）を用いた。基準試料は例えばα−アルミナとした。まず、３０℃から１５０℃まで昇温速度１０℃/ｍｉｎで、基準試料と各試料とを昇温した。ＤＳＣ曲線が得られたら、吸熱ピークとベースラインとで囲まれた領域の面積を求めることにより、ベース樹脂の融解熱量（単位Ｊ／ｇ）を求めた。このようにして求められたベース樹脂の融解熱量と、完全結晶体の融解熱量と、に基づいて、上述の式（２）によりベース樹脂の結晶化度（単位％）を求めた。
【０２１０】
（透過率）
日本分光社製分光光度計Ｖ−７５０を用い、９０℃の雰囲気において、上述の各試料のシート（０．５ｍｍ厚）の波長５００ｎｍの光透過率を測定した。
【０２１１】
（体積抵抗率）
上述の各試料のシート（０．２ｍｍ厚）を温度８０℃のシリコーンオイル中に浸漬させ、直径２５ｍｍの平板電極を用いて、５０ｋＶ／ｍｍの直流電界を絶縁層のシートに印加することで、体積抵抗率を測定した。なお、後述の実験２においても、実験１と同様の評価を行った。
【０２１２】
（アミノシリル基モル分率）
試料Ａ２およびＡ６についてＮ／Ｃ比を測定し、測定したＮ／Ｃ比に基づいてアミノシリル基モル分率を求めた。
【０２１３】
具体的には、反応温度８５０℃および還元温度６００℃の条件下においてＴＣＤを用いたガスクロマトグラフィ法により無機充填剤の表面を元素分析した。これにより、実際に無機充填剤の表面に結合していたシリル基における、Ｎ／Ｃ比を求めた。なお、装置等の詳細条件は以下の通りである。
【０２１４】
装置：酸素循環燃焼・ＴＣＤ検出方式  ＮＣＨ定量装置
スミグラフ  ＮＣＨ−２２Ｆ型（住化分析センタ−製）
測定条件：
・反応温度：８５０℃
・還元温度：６００℃
・分離／検出：ポ−ラスポリマ−ビ−ズ充填カラム／ＴＣＤ
・標準試料：元素定量標準試料アセトアニリド
【０２１５】
一方で、実験１において使用したアミノシランカップリング剤および疎水性シランカップリング剤に基づいて、Ｎ／Ｃ比ｙは、アミノシリル基モル分率ｘの関数として、以下の式（８）’により表される。
【０２１６】
ｙ＝０．００３９ｘ  ・・・（８）’
（ただし、０＜ｘ≦１００である。）
【０２１７】
実測したＮ／Ｃ比ｙを検量線の式（８）’に代入することで、実際に無機充填剤の表面に結合していたシリル基におけるアミノシリル基モル分率ｘを求めた。
【０２１８】
（１−３）結果
以下の表１および表２を用い、実験１の各試料の評価を行った結果を説明する。なお、以下の表（実験２も同様）において、配合剤の含有量の単位は、「質量部」である。また、「酸化マグネシウム」の後の括弧書きは、無機充填剤の表面処理に用いたシランカップリング剤を示している。
【０２１９】
【表１】
2020132818.tif 000007
【０２２０】
【表２】
2020132818.tif 000008
【０２２１】
なお、試料Ａ２およびＡ６で用いた無機充填剤においてＮ／Ｃ比を測定し、測定したＮ／Ｃ比を式（８）’に代入してアミノシリル基モル分率を求めた結果、表面処理時に想定したアミノシリル基モル分率が得られていることを確認した。
【０２２２】
（冷却条件依存性）
表２に示すように、徐冷を行った試料Ａ５〜Ａ８では、ベース樹脂の結晶化度が５０％超であり、波長５００ｎｍ透過率が５５％未満であった。
【０２２３】
これに対し、表１に示すように、急冷を行った試料Ａ１〜Ａ４におけるベース樹脂の結晶化度は、徐冷を行った試料Ａ５〜Ａ８のそれらよりも低く、４５％以下であった。これにより、試料Ａ１〜Ａ４における波長５００ｎｍ透過率は、試料Ａ５〜Ａ８のそれらよりも高く、５５％以上であった。
【０２２４】
これらの結果によれば、架橋工程後に急冷を行うことで、ベース樹脂の結晶化を抑制し、アモルファス部分を多く含む状態でベース樹脂を固化させることができた。また、無機充填剤が核剤として働くことを抑制し、ベース樹脂の結晶核の増加を抑制することができた。これにより、ベース樹脂の結晶化度を低くすることができた。その結果、シートの可視光透過性を向上させることができたことを確認した。
【０２２５】
なお、徐冷を行った試料Ａ５〜Ａ８のそれぞれの体積抵抗率と、急冷を行った試料Ａ１〜Ａ４のそれぞれの体積抵抗率とをそれぞれ比較すると、無機充填剤の表面処理条件が同一の試料では、体積抵抗率は、冷却条件によらず、互いに同等であった。この結果から、冷却条件は体積抵抗率に影響しないことを確認した。
【０２２６】
（表面処理依存性）
表１に示すように、ヘキサメチルジシラザンを用いた試料Ａ１と、３−アミノプロピルトリメトキシシランおよびヘキサメチルジシラザンを用いた試料Ａ２と、３−アミノプロピルトリメトキシシランを用いた試料Ａ３とにおける、ベース樹脂の結晶化度は、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを用いた試料Ａ４のそれよりも低かった。これにより、試料Ａ１〜Ａ３における波長５００ｎｍ透過率は、試料Ａ４のそれよりも低かった。
【０２２７】
また、試料Ａ１〜Ａ３における体積抵抗率は、試料Ａ４のそれよりも高かった。アミノシリル基モル分率に対して体積抵抗率が上に凸の傾向を示し、特にアミノシリル基モル分率が１２％である試料Ａ２における体積抵抗率が顕著に高くなっていた。
【０２２８】
これらの結果によれば、ヘキサメチルジシラザンおよび３−アミノプロピルトリメトキシシランのうち少なくともいずれかを用いて無機充填剤を表面処理することで、無機充填剤の表面に、トリメチルシリル基およびアミノプロピルシリル基のうち少なくともいずれかを付与することができた。無機充填剤の表面の少なくとも一部が、式（１）により表される疎水性シリル基およびアミノシリル基のうち少なくともいずれかを有することで、樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を向上させることができた。
【０２２９】
樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を向上させることで、無機充填剤における光散乱を抑制することができた。また、無機充填剤の凝集に起因した核剤としての働きを抑制することができ、ベース樹脂の結晶核の増加を抑制することができた。これにより、ベース樹脂の結晶における光散乱を抑制することができた。その結果、シートの可視光透過性を向上させることができたことを確認した。
【０２３０】
また、樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を向上させることで、課電中において、樹脂組成物中の空間電荷の局所的な蓄積を抑制し、漏れ電流の発生を抑制することができた。その結果、シートの絶縁性を安定的に向上させることができたことを確認した。
【０２３１】
また、アミノシリル基モル分率を２％以上９０％以下とすることで、体積抵抗率を顕著に向上させることができ、５×１０１６Ω・ｃｍ以上とすることができることを確認した。
【０２３２】
＜実験２＞
次に、無機充填剤の種類依存性を評価するため、以下の実験２を行った。
【０２３３】
（２−１）樹脂組成物のシートサンプルの作製
試料Ｂ１〜Ｂ８では、無機充填剤として以下の二酸化シリコンを用いた点を除いて、それぞれ試料Ａ１〜Ａ８と同等とした。
【０２３４】
［試料Ｂ１〜Ｂ８］
（無機充填剤）
二酸化シリコン：フュームドシリカ（体積平均粒径１２ｎｍ）  １質量部
【０２３５】
（２−２）評価
実験２においても、実験１と同様の評価を行った。
【０２３６】
（２−３）結果
以下の表３および表４を用い、実験２の各試料の評価を行った結果を説明する。なお、表３および表４において、無機充填剤の後の括弧書きは、無機充填剤の表面処理に用いたシランカップリング剤を示している。
【０２３７】
【表３】
2020132818.tif 000009
【０２３８】
【表４】
2020132818.tif 000010
【０２３９】
なお、試料Ｂ２およびＢ６で用いた無機充填剤においてＮ／Ｃ比を測定し、測定したＮ／Ｃ比を式（８）’に代入してアミノシリル基モル分率を求めた結果、表面処理時に想定したアミノシリル基モル分率が得られていることを確認した。
【０２４０】
（冷却条件依存性）
表３に示すように、無機充填剤が二酸化シリコンである場合においても、急冷を行った試料Ｂ１〜Ｂ４におけるベース樹脂の結晶化度は、徐冷を行った試料Ｂ５〜Ｂ８のそれらよりも低く、４５％以下であった。これにより、試料Ｂ１〜Ｂ４における波長５００ｎｍ透過率は、試料Ｂ５〜Ｂ８のそれらよりも高く、５５％以上であった。
【０２４１】
これらの結果によれば、無機充填剤が二酸化シリコンである場合においても、無機充填剤が酸化マグネシウムである場合と同様に、急冷によってベース樹脂の結晶化度を低下させる効果が得られた。その結果、無機充填剤の種類によらず、シートの可視光透過性を向上させることができたことを確認した。
【０２４２】
なお、無機充填剤が二酸化シリコンである場合においても、無機充填剤の表面処理条件が同一の試料では、体積抵抗率は、冷却条件によらず、互いに同等であった。この結果から、無機充填剤の種類によらず、冷却条件は体積抵抗率に影響しないことを確認した。
【０２４３】
（表面処理依存性）
表３に示すように、無機充填剤が二酸化シリコンである場合においても、試料Ｂ１〜Ｂ３におけるベース樹脂の結晶化度は、試料Ｂ４のそれよりも低かった。これにより、試料Ｂ１〜Ｂ３における波長５００ｎｍ透過率は、試料Ｂ４のそれよりも低かった。
【０２４４】
また、無機充填剤が二酸化シリコンである場合においても、試料Ｂ１〜Ｂ３における体積抵抗率は、試料Ｂ４のそれよりも高かった。無機充填剤が二酸化シリコンである場合においても、アミノシリル基モル分率に対して体積抵抗率が上に凸の傾向を示し、特にアミノシリル基モル分率が１２％である試料Ｂ２における体積抵抗率が顕著に高くなっていた。
【０２４５】
これらの結果によれば、無機充填剤が二酸化シリコンである場合においても、無機充填剤の表面の少なくとも一部が、式（１）により表される疎水性シリル基およびアミノシリル基のうち少なくともいずれかを有することで、樹脂組成物中の無機充填剤の分散性を向上させることができた。その結果、無機充填剤の種類によらず、シートの可視光透過性を向上させつつ、シートの絶縁性を安定的に向上させることができたことを確認した。
【０２４６】
また、アミノシリル基モル分率を２％以上９０％以下とすることで、無機充填剤の種類によらず、体積抵抗率を顕著に向上させることができ、５×１０１６Ω・ｃｍ以上とすることができることを確認した。
【０２４７】
＜本開示の好ましい態様＞
以下、本開示の好ましい態様を付記する。
【０２４８】
（付記１）
ポリエチレンを含むベース樹脂と、
無機充填剤と、
を有し、
前記ベース樹脂および前記無機充填剤を有し０．５ｍｍの厚さを有する樹脂組成物のシートを作製したときに、９０℃の雰囲気において測定した前記シートの波長５００ｎｍの光透過率は、５５％以上である
樹脂組成物。
【０２４９】
（付記２）
前記シートの波長５００ｎｍの光透過率は、７０％以上である
付記１に記載の樹脂組成物。
【０２５０】
（付記３）
直流電力ケーブルの絶縁層を構成する
付記１又は付記２に記載の樹脂組成物。
【０２５１】
（付記４）
前記ベース樹脂は架橋されている
付記１から付記３のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
【０２５２】
（付記５）
前記ベース樹脂の結晶化度は、４５％以下である
付記１から付記４のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
【０２５３】
（付記６）
前記ベース樹脂の前記結晶化度は、４０％以下である
付記５に記載の樹脂組成物。
【０２５４】
（付記７）
前記無機充填剤の表面の少なくとも一部は、アミノ基を含むアミノシリル基を有する
付記１から付記６のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
【０２５５】
（付記８）
前記無機充填剤の表面は、
前記アミノシリル基と、
疎水基を含む疎水性シリル基と、
を有する
付記７に記載の樹脂組成物。
【０２５６】
（付記９）
前記無機充填剤の前記表面が有する全てのシリル基に対する、前記アミノシリル基のモル分率は、２％以上９０％以下である
付記８に記載の樹脂組成物。
【０２５７】
（付記１０）
反応温度８５０℃および還元温度６００℃の条件下において熱伝導度検出器を用いたガスクロマトグラフィ法により前記無機充填剤の表面を元素分析することで求められる、炭素に対する窒素の質量比は、０．７％以上３５％以下である
付記８に記載の樹脂組成物。
【０２５８】
（付記１１）
前記無機充填剤の含有量は、前記ベース樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上１０質量部以下である
付記７から付記１０のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
【０２５９】
（付記１２）
前記無機充填剤の表面の少なくとも一部は、以下の式（１）で表される疎水性シリル基を有する
付記１から付記６のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
【化５】
2020132818.tif 000011
ただし、Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、Ｒ３ｃは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数１〜３のアルキル基により置換されていてもよい炭素数６〜１２のアリール基のうちいずれかを表す。Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、Ｒ３ｃは同一であってもよいし、２つ以上が異なっていてもよい。
【０２６０】
（付記１３）
前記無機充填剤の含有量は、前記ベース樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上５質量部以下である
付記１２に記載の樹脂組成物。
【０２６１】
（付記１４）
前記無機充填剤の体積平均粒径は、８０ｎｍ以下である
付記１から付記１３のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
【０２６２】
（付記１５）
前記ベース樹脂および前記無機充填剤を有し０．２ｍｍの厚さを有する樹脂組成物のシートを形成した場合に、温度８０℃および直流電界５０ｋＶ／ｍｍの条件下において測定した前記樹脂組成物のシートの体積抵抗率は、８×１０１５Ω・ｃｍ以上である
付記１から付記１４のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
【０２６３】
（付記１６）
導体と、
前記導体の外周に設けられる絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、ポリエチレンを含むベース樹脂と、無機充填剤と、を有し、前記ベース樹脂が架橋されている樹脂組成物により構成され、
０．５ｍｍの厚さを有する前記絶縁層のシートを作製したときに、９０℃の雰囲気において測定した前記シートの波長５００ｎｍの光透過率は、５５％以上である
直流電力ケーブル。
【０２６４】
（付記１７）
ポリエチレンを含むベース樹脂と、無機充填剤と、を有する樹脂組成物を準備する工程と、
前記樹脂組成物を用い、導体の外周に絶縁層を形成する工程と、
を備え、
前記絶縁層を形成する工程は、
前記導体の外周に前記樹脂組成物を押し出す工程と、
前記樹脂組成物を所定の架橋温度に加熱し、前記ベース樹脂を架橋させる工程と、
前記架橋温度から所定の温度まで前記樹脂組成物を冷却する工程と、
を有し、
前記樹脂組成物を冷却する工程では、
０．５ｍｍの厚さを有する前記絶縁層のシートを作製したときに、９０℃の雰囲気において測定した前記シートの波長５００ｎｍの光透過率が５５％以上となるように、前記樹脂組成物を冷却する
直流電力ケーブルの製造方法。
【０２６５】
（付記１８）
前記樹脂組成物を冷却する工程は、
前記架橋温度から、結晶融解温度以上前記結晶融解温度＋２０℃以下の第１温度まで、前記樹脂組成物を冷却する第１冷却工程と、
前記第１温度から室温以下の第２温度まで、前記樹脂組成物を冷却する第２冷却工程と、
を有し、
前記第２冷却工程の冷却速度を前記第１冷却工程の冷却速度よりも速くする
付記１７に記載の直流電力ケーブルの製造方法。
【０２６６】
（付記１９）
前記樹脂組成物を冷却する工程の後に、直流電力ケーブルの軸方向の一部における前記絶縁層を所定の厚さで切り取り検査用シートを作製し、前記検査用シートを９０℃以上結晶融解温度以下に加熱した状態で、前記検査用シート中の異物を検査する工程を有する
付記１７又は付記１８に記載の直流電力ケーブルの製造方法。
【符号の説明】
【０２６７】
１０  直流電力ケーブル
１１０  導体
１２０  内部半導電層
１３０  絶縁層
１４０  外部半導電層
１５０  遮蔽層
１６０  シース
【図１】
2020132818.tif 000013
【図２】
2020132818.tif 000014
【図３】
2020132818.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月6日(2019.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電力ケーブルの絶縁層を構成する樹脂組成物成形体であって、
ポリエチレンを含み、架橋されたベース樹脂と、
体積平均粒径が８０ｎｍ以下である無機充填剤と、
を有し、
前記無機充填剤の表面の少なくとも一部は、アミノ基を含むアミノシリル基を有し、
前記樹脂組成物成形体を０．５ｍｍの厚さに切り取ってシートとしたときに、９０℃の雰囲気において測定した前記シートの波長５００ｎｍの光透過率は、７０％以上である
樹脂組成物成形体。
【請求項２】
前記無機充填剤の表面は、
前記アミノシリル基と、
疎水基を含む疎水性シリル基と、
を有する
請求項１に記載の樹脂組成物成形体。
【請求項３】
前記無機充填剤の前記表面が有する全てのシリル基に対する、前記アミノシリル基のモル分率は、２％以上９０％以下である
請求項２に記載の樹脂組成物成形体。
【請求項４】
前記無機充填剤の含有量は、前記ベース樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上１０質量部以下である
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の樹脂組成物成形体。
【請求項５】
直流電力ケーブルの絶縁層を構成する樹脂組成物成形体であって、
ポリエチレンを含み、架橋されたベース樹脂と、
体積平均粒径が８０ｎｍ以下である無機充填剤と、
を有し、
前記無機充填剤の表面の少なくとも一部は、以下の式（１）で表される疎水性シリル基を有し、
前記樹脂組成物成形体を０．５ｍｍの厚さに切り取ってシートとしたときに、９０℃の雰囲気において測定した前記シートの波長５００ｎｍの光透過率は、７０％以上である
樹脂組成物成形体。
【化１】
2020132818.tif 000016
ただし、Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、Ｒ３ｃは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数１〜３のアルキル基により置換されていてもよい炭素数６〜１２のアリール基のうちいずれかを表す。Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、Ｒ３ｃは同一であってもよいし、２つ以上が異なっていてもよい。
【請求項６】
前記無機充填剤の含有量は、前記ベース樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上５質量部以下である
請求項５に記載の樹脂組成物成形体。
【請求項７】
前記ベース樹脂の結晶化度は、４０％以下である
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の樹脂組成物成形体。
【請求項８】
前記樹脂組成物成形体を０．２ｍｍの厚さに切り取ってシートとした場合に、温度８０℃および直流電界５０ｋＶ／ｍｍの条件下において測定した前記樹脂組成物のシートの体積抵抗率は、８×１０１５Ω・ｃｍ以上である
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の樹脂組成物成形体。
【請求項９】
導体と、
前記導体の外周に設けられる絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、ポリエチレンを含むベース樹脂と、体積平均粒径が８０ｎｍ以下である無機充填剤と、を有し、前記ベース樹脂が架橋されている樹脂組成物成形体により構成され、
前記無機充填剤の表面の少なくとも一部は、アミノ基を含むアミノシリル基を有し、
前記絶縁層を０．５ｍｍの厚さに切り取ってシートとしたときに、９０℃の雰囲気において測定した前記シートの波長５００ｎｍの光透過率は、７０％以上である
直流電力ケーブル。
【請求項１０】
導体と、
前記導体の外周に設けられる絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、ポリエチレンを含むベース樹脂と、体積平均粒径が８０ｎｍ以下である無機充填剤と、を有し、前記ベース樹脂が架橋されている樹脂組成物成形体により構成され、
前記無機充填剤の表面の少なくとも一部は、以下の式（１）で表される疎水性シリル基を有し、
前記絶縁層を０．５ｍｍの厚さに切り取ってシートとしたときに、９０℃の雰囲気において測定した前記シートの波長５００ｎｍの光透過率は、７０％以上である
直流電力ケーブル。
【化２】
2020132818.tif 000017
ただし、Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、Ｒ３ｃは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数１〜３のアルキル基により置換されていてもよい炭素数６〜１２のアリール基のうちいずれかを表す。Ｒ３ａ、Ｒ３ｂ、Ｒ３ｃは同一であってもよいし、２つ以上が異なっていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２６】
（表面処理依存性）
表１に示すように、ヘキサメチルジシラザンを用いた試料Ａ１と、３−アミノプロピルトリメトキシシランおよびヘキサメチルジシラザンを用いた試料Ａ２と、３−アミノプロピルトリメトキシシランを用いた試料Ａ３とにおける、ベース樹脂の結晶化度は、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを用いた試料Ａ４のそれよりも低かった。これにより、試料Ａ１〜Ａ３における波長５００ｎｍ透過率は、試料Ａ４のそれよりも高かった。