(57)【要約】      （修正有）【課題】用いられるキシレンループを運営するための投資コストおよび操作コストを抑える一方で同時に、得られる高純度のパラキシレンを増量させる方法の提供。【解決手段】ＳＭＢにおける吸着による分離の単一回の工程と、その後の、少なくとも２つのラフィネートを生じさせる第１の三分画蒸留塔における蒸留による分離の工程と、場合による、２回の異性化工程とを含み、芳香族化合物ループの全体的なパラキシレンの収率を改善し、かつ、経済的な影響力を最小限にすることを可能にする高純度のパラキシレンを製造する方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
キシレン類、エチルベンゼンおよびＣ９＋炭化水素を含有する供給原料からパラキシレンを生じさせる方法であって、
−  前記供給原料の疑似移動床における分離の単一回の工程Ａであって、吸着剤としてのゼオライトおよび脱着剤により行われ、その際の温度は、２０〜２５０℃であり、その際の圧力は、１．０〜２．２ＭＰａであり、疑似移動床分離ユニット中の脱着剤対供給原料の容積比は、０．４〜２．５である、工程Ａであって、前記工程Ａによって、
・  第１のフラクション（Ａ１）；これは、パラキシレンおよび脱着剤の混合物を含有する：および
・  少なくとも１種の第２のフラクション（（Ａ２）または（Ａ２１））；これは、エチルベンゼン（ＥＢ）、オルトキシレン（ＯＸ）およびメタキシレン（ＭＸ）および脱着剤を含有する；
を生じさせることが可能となる、工程Ａ
−  工程Ａに由来する前記第２のフラクションを、少なくとも１基の第１の蒸留塔（Ｂ＿Ｃ３）における、蒸留による分画化の工程Ｂであって、これにより、３種のフラクション：
・  第１のフラクション（Ｂ２）；ＥＢ、ＯＸおよびＭＸを含有する
・  第２のフラクション（Ｂ３）；ＯＸおよびＭＸを含有する、および
・  第３のフラクション（Ｂ４２）；脱着剤を含有する
を生じさせることが可能となる、工程
を含む、方法。
【請求項２】
工程Ｂに由来する第１のフラクション（Ｂ２）のＥＢの含有率は、工程Ｂにおいて用いられた第１の塔（Ｂ＿Ｃ３）に由来する第２のフラクション（Ｂ３）のＥＢの含有率より高い、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１のフラクションのＥＢの含有率は、第２のフラクションのＥＢの含有率より最低１．０％高い、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
工程Ｂにおいて用いられる蒸留塔は、３０〜８０段の理論板を含む、請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
分離工程Ａにより、第３のフラクション（Ａ２２）を生じさせることも可能となり、該第３のフラクション（Ａ２２）は、ＥＢが激減しており、かつ、ＭＸ、ＯＸおよび脱着剤の混合物を含有し、前記フラクション（Ａ２１）および（Ａ２２）は、前記分画化工程Ｂに送られる、請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
第２のフラクション（Ｂ３）は、第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）における分画化工程Ｂに引き入れられ、該分画化工程Ｂにより、フラクション（Ｂ３１）と、フラクション（Ｂ４３）とを生じさせることが可能となり、該フラクション（Ｂ３１）は、脱着剤を含んでおらず、かつ、ＭＸおよびＯＸを含有し、該フラクション（Ｂ４３）は、脱着剤からなる、請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
工程Ａに由来する第３のフラクション（Ａ２２）は、第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）に引き入れられ、該第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）により、フラクション（Ｂ３１）と、フラクション（Ｂ４３）とを生じさせることが可能となり、該フラクション（Ｂ３１）は、脱着剤を含んでおらず、かつ、ＭＸおよびＯＸを含有し、該フラクション（Ｂ４３）は、脱着剤からなる、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
工程Ａに由来する第３のフラクション（Ａ２２）は、第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）における、第１の蒸留塔（Ｂ−Ｃ３）に由来する第２のフラクション（Ｂ３）の注入の側部点の下方に導入される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
蒸留工程Ｂには、内壁を含む塔が用いられる、請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
工程Ｃを含み、該工程Ｃは、分画化工程に由来する、ＥＢ、ＯＸおよびＭＸを含有する第１のフラクション（Ｂ２）の蒸気相異性化の工程である、請求項１〜９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
工程Ｄを含み、該工程Ｄは、分画化工程Ｂにおいて用いられた第１の蒸留塔（Ｂ＿Ｃ３）に由来する、ＯＸおよびＭＸを含有する第２のフラクション（Ｂ３）の液相異性化の工程である、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
工程Ｄを含み、該工程Ｄは、分画化工程において用いられた第２の蒸留塔（Ｂ＿Ｃ４）に由来する、ＯＸおよびＭＸを含有するフラクション（Ｂ３１）の液相異性化の工程である、請求項６〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
蒸気相異性化工程Ｃは、触媒の存在下に行われ、その際の温度は、３００℃超であり、圧力は、４．０ＭＰａ未満であり、空間速度は、１０．０ｈ−１未満であり、水素対炭化水素のモル比は、１０．０未満であり、該触媒は、少なくとも１種のゼオライトと、０．１重量％〜０．３重量％の含有率の第ＶＩＩＩ族からの少なくとも１種の金属とを含み、該ゼオライトが有するチャネルの開口は、１０個または１２個の酸素原子の環（１０ＭＲまたは１２ＭＲ）によって規定されている、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
工程Ｃにおいて用いられる触媒は、１重量％〜７０重量％でＥＵＯ構造型のゼオライトを含み、前記ゼオライトは、ケイ素と、少なくとも１種の元素Ｔとを含み、該元素Ｔは、好ましくは、アルミニウムおよびホウ素から選ばれ、Ｓｉ／Ｔの比は、５〜１００である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
液相異性化工程Ｄは、触媒の存在下に行われ、その際の温度は、３００℃未満であり、圧力は、４．０ＭＰａ未満であり、空間速度は、５．０ｈ−１未満、好ましくは２．０〜４．０ｈ−１であり、該触媒は、少なくとも１種のゼオライトを含み、該ゼオライトが有するチャネルの開口は、１０個または１２個の酸素原子の環（１０ＭＲまたは１２ＭＲ）によって規定され、好ましくは、前記ゼオライトは、ＺＳＭ−５型のものである、請求項１１または１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
パラキシレンは、主として、テレフタル酸およびポリエチレンテレフタラート樹脂の製造、合成織物、ボトル、より一般的にはプラスチックの製造のために用いられる。
【０００２】
本発明は、パラキシレンの高い生産性を達成するための特定の工程配列を用いた高純度のパラキシレンの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
吸着による分離の工程を用いた高純度のパラキシレンの製造は、従来技術において周知である。工業的に、前記工程は、「Ｃ８−芳香族化合物ループ（C8-aromatic loop）」または「キシレンループ（xylene loop）」の方法の配列内で行われる。この「Ｃ８−芳香族化合物ループ」は、重質化合物（すなわち、９個超の炭素原子を含有する化合物（Ｃ９＋で表記する））を「キシレン類塔（xylenes column）」として知られている蒸留塔において除去する工程を含む。
【０００４】
この塔からの塔頂の流れは、Ｃ８−芳香族性異性体を含有し、これは、次いで、パラキシレン分離プロセスに送られ、このパラキシレン分離プロセスは、一般的には、疑似移動床における吸着による分離の工程である。
【０００５】
疑似移動床における吸着による分離の工程の終結の際に得られたエキストラクトは、パラキシレンを含有しており、このものは、次いで、抽出塔、次いで、トルエン塔を用いて蒸留されて、高純度のパラキシレンが得られる。
【０００６】
疑似移動床における吸着による分離の工程の終結の際に得られたラフィネートは、メタキシレン、オルトキシレンおよびエチルベンゼンを豊富に含んでおり、蒸留により脱着剤を除去する工程の後に、異性化工程において用いられ、これにより、キシレン類（すなわち、オルト、メタおよびパラのキシレン類）の割合が実質的に熱力学的平衡にあり、エチルベンゼンが激減している混合物を得ることが可能となる。この混合物は、再度、パラキシレンの製造のために「キシレン類塔」に新鮮な供給原料と共に送られる。
【０００７】
従来技術により、このスキームの数多くの変形例が提案されている。これらの変形例は、１回または複数回の（吸着、結晶化、蒸留または膜による）分離工程および／または１回または複数回の（キシレン類に異性化させることによってまたはベンゼンに脱アルキルさせることによってエチルベンゼンを転化させる）気相異性化工程、または複数回の（エチルベンゼンを転化させない）液相異性化工程を用いるものである。
【０００８】
従来技術において提案されたバリエーションの一つは、２回の分離工程において異性化を行うことからなる。第１の工程により、メタキシレン、オルトキシレンおよびエチルベンゼンを豊富に含むラフィネート中に含有されるエチルベンゼンを異性化させることが可能となる。この第１の異性化セクションからの流出物は、エチルベンゼンが激減しており、この流出物は、分画化の後に、第２のセクションに送られる。この第２のセクションは、吸着によるパラキシレンの分離と、その次の、キシレン類のパラキシレンへの異性化の第２の工程とを含む。
【０００９】
異性化触媒および操作条件の最適化により、望ましくない副反応を抑えることが可能となる。それ故に、エチルベンゼンのキシレン類への転化を促進するために、高温度において蒸気相中で異性化を行うことが好ましいことが確立されている。低温度における液相中の異性化により、スプリアスクラッキングトランスアルキル化（spurious cracking transalkylation）および不均化の反応が最小限となること、さらにはエチルベンゼンの転化が抑えられることも同様に知られている。
【００１０】
２回の異性化工程を用いて高純度のパラキシレンを製造する方法は、より複雑であり、パラキシレンの製造において制限された利得につながる。これについての理由は、十分に高いエチルベンゼンの転化度を達成するために、第１の気相異性化工程の操作条件が過酷であり、Ｃ８芳香族化合物の喪失につながる副反応を同時に伴い、このことは、パラキシレンの全体的な収率に相当な影響力を有することにある。
【００１１】
特許文献１には、炭化水素供給原料からパラキシレンを製造する方法であって、２回の疑似移動床分離工程と、２回の異性化工程とを用いる、方法が記載されている。この方法の欠点は、製造コストにおける大幅な増加を必然的に伴う２回の疑似移動床分離工程を必要とすることにある。
【００１２】
特許文献２および３には、２回の疑似移動床分離工程と、異性化ユニット工程であって、２回の異性化工程が第１の疑似移動床分離ユニットからのラフィネートの回路上で直列または並列で行われる、工程とを含む代替方法が記載されている。
【００１３】
特許文献４には、１回の疑似移動床吸着の工程と、一方では気相中および他方では液相中での異性化の２回の工程とを含む代替方法であって、２基の異性化ユニットは、吸着ユニットからの流出物の分画に由来する同一の供給原料を給送される、方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】仏国特許出願公開第２８６２６３８号明細書（特表２００７−５１２２９３号公報）
【特許文献２】仏国特許出願公開第３０２３８４０号明細書
【特許文献３】仏国特許出願公開第３０２３８４１号明細書
【特許文献４】仏国特許出願公開第３０２３８４２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の分野において、当業者は、用いられるキシレンループを運営するための投資コストおよび操作コストを抑える一方で同時に、得られる高純度のパラキシレンを増量させようと絶えず努めている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
驚くべきことに、本出願人は、高純度のパラキシレンを製造する方法において、ＳＭＢにおける吸着による分離の工程を、少なくとも２種のラフィネートを生じさせる第１の三分画蒸留塔における蒸留による分離のその後の工程および２回の異性化の工程と組み合わせることにより、芳香族化合物ループの全体的なパラキシレン収率を改善することおよび経済的な影響力を最小限にすることが可能となることを発見した。
【発明の効果】
【００１７】
本発明による方法の利点は、従来技術の方法とは対照的に、パラキシレンの高い生産性をそれが達成するが、容量増加に関するトレードオフが小さいことにある。
【００１８】
本発明の他の利点は、大きな柔軟性をそれが有し、この大きな柔軟性は、操作において利用され得るものであり、それ故に、実施される各異性化工程についての触媒性能における変化に適合させることを可能にすることにある。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（定義および略語）
本説明の全体を通じて、下記の用語または略語の意味は以下の通りである。
【００２０】
この説明の全体を通じて、表現「・・・と・・・との間」は、言及された両境界値を包含するものとして理解されるべきことが指摘される。
【００２１】
略語ＥＢは、エチルベンゼン（ethylbenzene）を示す。
【００２２】
略語ＰＸは、パラキシレン（para-xylene）を示す。
【００２３】
略語ＯＸは、オルトキシレン（ortho-xylene）を示す。
【００２４】
略語ＭＸは、メタキシレン（meta-xylene）を示す。
【００２５】
用語「キシレン類（xylenes）」（ＸＹＬとも示される）は、オルトキシレン、メタキシレンおよびパラキシレンから選ばれる少なくとも２種のキシレン異性体の混合物を指す。
【００２６】
略語ＳＭＢは、疑似移動床（simulated moving bed）を示す。
【００２７】
用語「Ｃ９＋炭化水素（C9+ hydrocarbons）」は、少なくとも９個の炭素原子を含有する炭化水素を指す。
【００２８】
用語「Ｃ８＋炭化水素（C8+ hydrocarbons）」は、少なくとも８個の炭素原子を含有する炭化水素を指す。
【００２９】
用語「Ｃ８芳香族化合物（C8 Aromatics）」は、Ｃ８Ａとも表示され、８個の炭素原子からなる芳香族炭化水素、すなわち、ＥＢ、ＰＸ、ＯＸ、ＭＸ、好ましくは、ＥＥＢ、ＯＸ、ＭＸを示す。
【００３０】
用語「ラフィネート（raffinate）」は、Ｃ８Ａ混合物であって、ＰＸが激減しており、かつ、脱着剤を含有してもよいものを指し、すなわち、それのＰＸの質量含有率は、２．０％未満、好ましくは１．５％未満、好ましくは１．０％未満である。
【００３１】
本発明の適用上、用語「含まない（free of）」は、考慮下のフラクション、例えばＥＢの全質量に対する所与の化合物の質量含有率が０．５重量％未満、好ましくは０．１重量％未満、好ましくは０．０１重量％未満であることを指す。
【００３２】
用語  所与の化合物の「残存量（residual amount）」は、考慮下のフラクションの全質量に対する質量含有率が５．０重量％未満、好ましくは５．０〜１．０重量％、好ましくは４．０〜１．０重量％、好ましくは３．０〜１．０重量％である量を指す。
【００３３】
本発明において、用語「流出物（effluents）」、「ラフィネート（raffinates）」、「流れ（streams）」および「フラクション（fractions）」は、同等に用いられている。
【００３４】
用語「二分画および三分画の蒸留塔（two-fraction and three-fraction distillation column）」は、それぞれ、２種および３種のフラクションを得るための蒸留塔を指す。
【００３５】
（発明の簡単な説明）
本発明は、それ故に、キシレン類、エチルベンゼンおよびＣ９＋炭化水素を含有する供給原料からパラキシレンを製造するための方法であって、
−  前記供給原料の疑似移動床における分離の単一回の工程Ａであって、吸着剤としてのゼオライトおよび脱着剤により行われ、その際の温度は、２０〜２５０℃であり、その際の圧力は、１．０〜２．２ＭＰａであり、疑似移動床分離ユニット中の脱着剤対供給原料の容積比は、０．４〜２．５であり；
前記工程Ａにより、
・  第１のフラクション（Ａ１）；パラキシレンと脱着剤の混合物を含有する、および
・  少なくとも１種の第２のフラクション（Ａ２）または（Ａ２１）；エチルベンゼン（ＥＢ）、オルトキシレン（ＯＸ）およびメタキシレン（ＭＸ）および脱着剤を含有する
を生じさせることが可能となる、工程Ａ、および
−  工程Ａに由来する前記第２のフラクションの、少なくとも１基の第１の蒸留塔（Ｂ＿Ｃ３）中の蒸留による分画化の工程Ｂであって、３種のフラクション：
・  第１のフラクション（Ｂ２）；ＥＢ、ＯＸおよびＭＸを含有する、
・  第２のフラクション（Ｂ３）；ＯＸおよびＭＸを含有する、および
・  第３のフラクション（Ｂ４２）；脱着剤を含有する
を生じさせることが可能となる、工程Ｂ
を含む、方法に関する。
【００３６】
好ましくは、工程Ｂに由来する第１のフラクション（Ｂ２）のＥＢの含有率は、工程Ｂにおいて用いられた第１の塔（Ｂ＿Ｃ３）に由来する第２のフラクション（Ｂ３）のＥＢの含有率よりも高い。
【００３７】
好ましくは、第１のフラクションのＥＢの含有率は、第２のフラクションのＥＢの含有率より最低１．０％高い。
【００３８】
好ましくは、工程Ｂにおいて用いられる蒸留塔は、３０〜８０段の理論板を含む。
【００３９】
別の特定の実施形態において、分離工程Ａにより、第３のフラクション（Ａ２２）を生じさせることも可能となる。この第３のフラクション（Ａ２２）は、ＥＢが激減しており、かつ、ＭＸ、ＯＸおよび脱着剤の混合物を含有している。前記フラクション（Ａ２１）および（Ａ２２）は、前記分画化工程Ｂに送られる。
【００４０】
有利には、この実施形態において、工程Ａに由来する第３のフラクション（Ａ２２）は、第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）に引き入れられる。この第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）により、フラクション（Ｂ３１）およびフラクション（Ｂ４３）を生じさせることが可能となる。フラクション（Ｂ３１）は、脱着剤を含んでおらず、かつ、ＭＸおよびＯＸを含有しており、フラクション（Ｂ４３）は、脱着剤からなっている。
【００４１】
別の特定の実施形態において、第２のフラクション（Ｂ３）は、第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）における分画化工程Ｂに引き入れられ、これにより、フラクション（Ｂ３１）およびフラクション（Ｂ４３）を生じさせることが可能となる。フラクション（Ｂ３１）は、脱着剤を含んでおらず、かつ、ＭＸおよびＯＸを含有しており、フラクション（Ｂ４３）は、脱着剤からなっている。
【００４２】
有利には、この実施形態において、工程Ａに由来する第３のフラクション（Ａ２２）は、第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）における、第１の蒸留塔（Ｂ−Ｃ３）に由来する第２のフラクション（Ｂ３）の注入の側方点の下に導入される。
【００４３】
有利には、蒸留工程Ｂには、内壁を含む塔が用いられる。
【００４４】
有利には、本方法は、工程Ｃも含む。この工程Ｃは、分画化工程に由来する、ＥＢ、ＯＸおよびＭＸを含有する第１のフラクション（Ｂ２）の蒸気相異性化の工程である。
【００４５】
有利には、本方法は、工程Ｄも含む。この工程Ｄは、分画化工程Ｂにおいて用いられた第１の蒸留塔（Ｂ＿Ｃ３）に由来する、ＯＸおよびＭＸを含有する第２のフラクション（Ｂ３）の液相異性化の工程である。
【００４６】
有利には、本方法は、工程Ｄも含む。この工程Ｄは、分画化工程において用いられた第２の蒸留塔（Ｂ＿Ｃ４）に由来する、ＯＸおよびＭＸを含有するフラクション（Ｂ３１）の液相異性化の工程である。
【００４７】
有利には、蒸気相異性化工程Ｃは、触媒の存在下に行われ、その際の温度は、３００℃超であり、圧力は、４．０ＭＰａ未満であり、空間速度は、１０．０ｈ−１未満であり、水素対炭化水素のモル比は、１０．０未満であり、この触媒は、少なくとも１種のゼオライトと、０．１重量％〜０．４重量％の含有率の第ＶＩＩＩ族からの少なくとも１種の金属とを含み、このゼオライトが有するチャネルの開口は、１０個または１２個の酸素原子の環（１０ＭＲまたは１２ＭＲ）によって規定されている。
【００４８】
有利には、工程Ｃにおいて用いられる触媒は、１重量％〜７０重量％のＥＵＯ構造型のゼオライトを含み、前記ゼオライトは、ケイ素と、少なくとも１種の元素Ｔとを含み、この元素Ｔは、好ましくは、アルミニウムおよびホウ素から選ばれ、そのＳｉ／Ｔ比は５〜１００である。
【００４９】
有利には、液相異性化工程Ｄは、触媒の存在下に行われ、その際の温度は、３００℃未満であり、圧力は、４．０ＭＰａ未満であり、空間速度は、５．０ｈ−１未満、好ましくは２．０〜４．０ｈ−１であり、この触媒は、少なくとも１種のゼオライトを含み、このゼオライトが有するチャネルの開口は、１０個または１２個の酸素原子の環（１０ＭＲまたは１２ＭＲ）によって規定されている；好ましくは、前記ゼオライトは、ＺＳＭ−５タイプのものである。
【００５０】
（図面の簡単な説明）
図１は、吸着による分離の工程、分画化工程、蒸気相異性化工程Ｃおよび液相異性化工程Ｄを包含するキシレンループの一般的なスキームである。
【００５１】
図２ａは、従来技術による、工程Ａから得られたラフィネートの蒸留工程Ｂを示す。
【００５２】
図２ｂは、本発明による、工程Ａから得られたラフィネートの蒸留の工程Ｂの第１の変形例である。
【００５３】
図２ｃは、本発明による、工程Ａから得られたラフィネートの蒸留の工程Ｂの第２の変形例である。
【００５４】
図３ａは、従来技術による、工程Ａから得られた２種のラフィネートの蒸留の工程Ｂを示す。
【００５５】
図３ｂは、本発明による、工程Ａから得られた２種のラフィネートの蒸留の工程Ｂの変形例である。
【００５６】
（発明の詳細な説明）
本発明による方法の特徴および利点は、本発明による図面において例証された実施形態のナンバリングを参照し、非限定的な実施例の以下の説明を読めば明らかになるだろう。
【００５７】
本発明の適用上、提示された種々の実施形態は、単独または互いの組み合わせで用いられてよく、組み合わせに対して何らの限定はない。
【００５８】
本発明は、それ故に、キシレン類、エチルベンゼンおよびＣ９＋炭化水素を含有する供給原料からパラキシレンを製造する方法であって、
−  前記供給原料の疑似移動床における分離の単一回の工程Ａであって、吸着剤としてのゼオライトと脱着剤とを用いて行われ、その際の温度は、２０〜２５０℃であり、その際の圧力は、１．０〜２．２ＭＰａであり、疑似移動床分離ユニット中の脱着剤対供給原料の体積比は、０．４〜２．５であり；
前記工程Ａにより、
・  第１のフラクション（Ａ１）；パラキシレンおよび脱着剤の混合物を含有する、および
・  少なくとも１種の第２のフラクション（Ａ２）または（Ａ２１）；エチルベンゼン（ＥＢ）、オルトキシレン（ＯＸ）およびメタキシレン（ＭＸ）および脱着剤を含有する
を生じさせることが可能となる、工程Ａ、
−  少なくとも１基の第１の蒸留塔（Ｂ＿Ｃ３）における、工程Ａに由来する前記第２のフラクションの蒸留による分画化の工程Ｂであって、３種のフラクション：
・  第１のフラクション（Ｂ２）；ＥＢ、ＯＸおよびＭＸを含有する、
・  第２のフラクション（Ｂ３）；ＯＸおよびＭＸを含有する、および
・  第３のフラクション（Ｂ４２）；脱着剤を含有する
を生じさせることが可能となる、工程Ｂ
を含む方法に関する。
【００５９】
本発明による方法により、それ故に、分画化工程の終結の際に、Ｃ８Ａの割合が異なっている２種のフラクションを得ることおよびそれ故に液相中の触媒操作により行われるキシレン異性化のＰＸの割合を増大させることが可能となり、かつ、Ｃ８Ａの喪失を制限することが可能となる。
【００６０】
（疑似移動床分離の工程Ａ）
本発明によると、本方法は、単一回の工程Ａを含む。この工程Ａは、キシレン類、エチルベンゼンおよびＣ９＋炭化水素を含有する供給原料の疑似移動床（simulated moving bed：ＳＭＢ）における分離の工程である。前記ＳＭＢ分離工程は、吸着剤としてのゼオライトおよび脱着剤を用いて行われ、少なくとも２種のフラクションを生じさせることを可能にする。この２種のフラクションは、「エキストラクト」としても知られているフラクション（Ａ１）と、「ラフィネート」としても知られているフラクション（Ａ２）とであり、フラクション（Ａ１）は、パラキシレン（ＰＸ）と脱着剤との混合物を含有し、フラクション（Ａ２）は、エチルベンゼン（ＥＢ）、オルトキシレン（ＯＸ）、メタキシレン（ＭＸ）および脱着剤を含有している。
【００６１】
分離工程は、少なくとも１基の分離塔内で疑似移動床として操作するユニットにおいて行われる。この分離塔は、複数の相互に連絡された床を含有し、かつ、閉鎖ループ中に脱着剤を流通させ、ここから、２種のフラクション：
・  第１のフラクション：これは、エキストラクト（Ａ１）であり、パラキシレンおよび脱着剤を含み、好ましくは、それらからなり、その結果、脱着剤を除去するための分画化の後に、ＰＸは、市販純度：最小限９９．０重量％、好適には９９．９重量％を達成する。有利には、エキストラクト（Ａ１）は、エキストラクトの全質量の最低３０重量％を示す。
【００６２】
・  第２のフラクション：これは、ラフィネート（Ａ２）であり、エチルベンゼン（ＥＢ）、メタキシレン、オルトキシレンおよび脱着剤を含有する。好ましくは、ラフィネートは、パラキシレンが激減している。すなわち、前記ラフィネート中のＰＸの質量含有率は、１．０％未満、好ましくは０．５％未満である
が生じさせられる。
【００６３】
他の実施形態において、少なくとも３種のフラクション：
・  第１のもの；これは、エキストラクト（Ａ１）であり、パラキシレンおよび脱着剤を含み、好ましくは、これらからなる；このラフィネートの分画化の後に、ＰＸは、市販の仕様で得られる。有利には、エキストラクト（Ａ１）は、エキストラクトの全質量の最低３０重量％を示す。
【００６４】
・  ２種のフラクション（Ａ２１）および（Ａ２２）；これらは、パラキシレンが激減しており、かつ、ＥＢ、ＭＸ、ＯＸおよび脱着剤の可変比率の混合物を含有している
が単一回のＳＭＢ分離工程において得られる。
【００６５】
この実施形態において、フラクション（Ａ２１）および（Ａ２２）は、ＥＢ、ＭＸおよびＯＸを異なる比率で有し、フラクション（Ａ２１）のＣＡ８フラクションのＥＢの含有率は、フラクション（Ａ２２）のＣＡ８フラクションのＥＢの含有率より高い。好ましくは、ＰＸが激減しているフラクション（Ａ２１）は、ＥＢ、ＭＸ、ＯＸおよび脱着剤の混合物を含有する；好ましくは、ＥＢは、残留量である。好ましくは、ＥＢおよびＰＸが激減しているフラクション（Ａ２２）は、ＭＸ、ＯＸおよび脱着剤の混合物を含有する。
【００６６】
好ましくは、疑似移動床分離ユニットにおいて用いられる吸着剤は、バリウム交換型ゼオライトＸまたはカリウム交換型ゼオライトＹまたはバリウム・カリウム交換型ゼオライトＹである。
【００６７】
一実施形態において、本発明による方法を介して処理される供給原料中に含有される脱着剤は、重質であると言われる。すなわち、それは、キシレン類の沸点より高い沸点を有する。
【００６８】
他の実施形態において、本発明による方法を介して処理される供給原料中に含有される脱着剤は、軽質であると言われる。すなわち、それは、キシレン類の沸点より低い沸点を有している。
【００６９】
好ましくは、疑似移動床分離ユニットにおいて用いられる脱着剤は、パラ−ジエチルベンゼン、トルエン、パラ−ジフルオロベンゼンまたはジエチルベンゼン類から単独または混合物として選ばれる。
【００７０】
好ましくは、疑似移動床分離ユニット中の脱着剤対供給原料の体積比は、０．４〜２．５、好ましくは０．５〜１．５である。
【００７１】
好ましくは、疑似移動床分離工程Ａが行われる際の温度は、２０℃〜２５０℃、好ましくは９０℃〜２１０℃、一層より好ましくは１６０℃〜２００℃であり、その際の圧力は、１．０〜２．２ＭＰａ、好ましくは１．２〜２．０ＭＰａである。
【００７２】
好ましくは、吸着剤は、複数の相互に連絡された床を含有し、この床は、供給原料および脱着剤の注入、さらにはエキストラクトおよびラフィネート（単数または複数）の抜き出しによって範囲を定められた複数の帯域にわたって広げられている。ラフィネートの数に応じて、吸着器は、優先的には１５〜１８床を含有することになる。
【００７３】
特定の実施形態によると、分離ユニット（ＳＭＢ）中の床の全数は、１０〜３０床、好ましくは１５〜１８床であり、これらは、１基または複数基の吸着器にわたって広げられ、床の数は、各床が０．７０ｍ〜１．４０ｍの高さを有するように調節されている。
【００７４】
特定の実施形態（ＡＬＴ  ０、ＡＬＴ  １）によると、分離ユニット（ＳＭＢ）の各帯域中の吸着剤固体の量の分配は、以下の通りである：
・  帯域（１）中の吸着剤固体の量は、１７％±５％である、
・  帯域（２）中の吸着剤固体の量は、４２％±５％である、
・  帯域（３）中の吸着剤固体の量は、２５％±５％である、
・  帯域（４）中の吸着剤固体の量は、１７％±５％である。
【００７５】
特定の実施形態（ＡＬＴ  ２）によると、分離ユニット（ＳＭＢ）の各帯域中の吸着剤固体の量の分配は、以下の通りである：
・  帯域（１）中の吸着剤固体の量は、１８％±８％である、
・  帯域（２）中の吸着剤固体の量は、４１％±８％である、
・  帯域（３Ａ）中の吸着剤固体の量は、１８％±８％である、
・  帯域（３Ｂ）中の吸着剤固体の量は、１４％±８％である、
・  帯域（４）中の吸着剤固体の量は、９％±８％である。
【００７６】
（分画化工程Ｂ）
本発明による方法は、分離工程Ａから得られたエチルベンゼン、オルトキシレン、メタキシレンおよび脱着剤を含有するフラクション（Ａ２）の少なくとも１基の第１の三分画塔における蒸留による分画化の工程Ｂを含む。前記工程Ｂにより、
・  第１のフラクション（Ｂ２）；ＥＢ、ＯＸおよびＭＸを含有し、好ましくはこれらからなる；および
・  第２のフラクション（Ｂ３）；ＯＸ、ＭＸおよびＥＢを含有し、好ましくは、ＯＸおよびＭＸおよび残留量のＥＢからなる、および
・  フラクション（Ｂ４２）；脱着剤を含有し、好ましくは、これからなる
を生じさせることが可能となる。
【００７７】
有利には、第１のフラクション（Ｂ２）および第２のフラクション（Ｂ３）は、ＥＢ、ＭＸおよびＯＸの混合物を可変比率で含有し、第１のフラクションのＣ８ＡにおけるＥＢの含有率は、第２のフラクションのＥＢの含有率より高くなっている。好ましくは、第１および第２のフラクションの間のＥＢの含有率における相違は、１．０％超、好ましくは２．０％超、好ましくは２．５％超、好ましくは３．０％超、好ましくは３．５％超である。
【００７８】
有利には、工程Ｂにおいて用いられる三分画塔は、３０〜８０段、好ましくは３５〜７５段、好ましくは４０〜８０段、非常に好ましくは４５〜６５段の多数の理論板を有している。
【００７９】
一実施形態において、第２のフラクション（Ｂ３）が脱着剤を含有する場合、前記フラクションは、第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）における分画化工程Ｂに引き入れられ、これにより、脱着剤を含まず、かつ、ＭＸおよびＯＸを含有するフラクション（Ｂ３１）、および脱着剤からなるフラクション（Ｂ４３）を生じさせることが可能となる。
【００８０】
有利には、ラフィネートの分画化が６０段の理論板を含有する単一の三分画塔において行われる場合（実施ＡＬＴ０）：
−  給送の位置は、凝縮器からナンバリングされる板３０〜４０上、優先的には、板３７上に配置される；
−  抜き出しの位置は、給送の上方の少なくとも１０〜２５段の板、好ましくは給送の上方の１８段の板に配置される。
【００８１】
有利には、ラフィネートの分画化が第１の三分画塔において行われ、その後に、第２の二分画塔において行われ、それぞれが、好ましくは、４７段の理論板を含有している場合（実施ＡＬＴ１、ＡＬＴ２）：
−  給送の位置は、凝縮器からナンバリングされる板１６〜２４段上、優先的には板１８〜２２の間に配置される、
−  三分画塔からの抜き出しの位置は、給送の位置より下の５〜１０段の板の間、好ましくは給送より下の７〜８段の板の間に配置される、
−  ラフィネート塔のための抜き出しおよび給送の位置は、ラフィネート塔のそれぞれに取り付けられた板の全数に応じて均質に調節されてよい。
【００８２】
好ましくは、工程Ａから得られたフラクション（Ａ１）は、ＰＸおよび脱着剤の混合物を含有しており、好ましくはこれからなり、フラクション（Ａ１）は、蒸留塔（Ｂ−Ｃ１）における蒸留による分画化の工程に引き入れられ、これにより、ＰＸからなるフラクション（Ｂ１）および脱着剤からなるフラクション（Ｂ４１）を生じさせることが可能となる。前記蒸留は、当業者の知識に従って行われる。
【００８３】
本発明の特定の実施形態において（図２ｂ、ＡＬＴ０）、工程Ａから得られたフラクション（Ａ２）は、第１の三分画蒸留塔（Ｂ−Ｃ３）における蒸留による分画化の工程に引き入れられ、これにより、頂部におけるフラクション（Ｂ２）、側部抜き出しとしてのフラクション（Ｂ３）、および底部におけるフラクション（Ｂ４２）を生じさせることが可能となる。このフラクション（Ｂ２）は、ＥＢ、ＭＸおよびＯＸを含有し、かつ、残留量のＥＢを含み、フラクション（Ｂ３）は、脱着剤を含んでおらず、かつ、ＯＸおよびＭＸを含有し、好ましくはＭＸおよびＯＸからなり、かつ、残留量のＥＢを含み、フラクション（Ｂ４２）は、脱着剤を含んでおり、好ましくは、これからなる。
【００８４】
好ましい実施形態（図２ｃ、ＡＬＴ１）において、前記三分画塔（Ｂ−Ｃ３）は、
−  頂部における、第１のフラクション（Ｂ２）；ＥＢ、ＯＸおよびＭＸを含有し、好ましくは、これらからなる、
−  側部抜き出しとしての、第２のフラクション（Ｂ３）；ＯＸ、ＭＸ、脱着剤および残留量のＥＢを含有し、好ましくは、ＯＸ、ＭＸおよび脱着剤からなる、および
−  底部における、フラクション（Ｂ４２）；脱着剤を含有し、好ましくはこれからなる
を得るために用いられる。
【００８５】
前記フラクション（Ｂ３）は、第２の二分画蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）に引き入れられ、これにより、フラクション（Ｂ３１）、およびフラクション（Ｂ４３）を生じさせることが可能となり、フラクション（Ｂ３１）は、脱着剤を含んでおらず、かつ、ＭＸおよびＯＸを含有し、フラクション（Ｂ４３）は、脱着剤からなるものである。
【００８６】
有利には、実施形態ＡＬＴ１（図２ｃ）により、ＥＢを豊富に含むフラクション（Ｂ２）中のキシレンの含有率を低減させることが可能となる。
【００８７】
他の好ましい実施形態ＡＬＴ２において、工程Ａにより、２種のフラクション（Ａ２１）および（Ａ２２）を生じさせることが可能となる（図３ｂ、ＡＬＴ２）。前記フラクション（Ａ２１）は、第１の三分画蒸留塔（Ｂ−Ｃ３）における蒸留による分画化工程Ｂに引き入れられ、これにより、
−  頂部における、第１のフラクション（Ｂ２）；ＥＢ、ＯＸおよびＭＸを含有し、好ましくは、これらからなる、
−  側部抜き出しとしての、第２のフラクション（Ｂ３）；ＯＸ、ＭＸ、脱着剤および場合による残留量のＥＢを含有し、好ましくは、ＯＸ、ＭＸおよび脱着剤からなる、および
−  底部における、第３のフラクション（Ｂ４２）；脱着剤を含有し、好ましくは、これからなる
を生じさせることが可能となる。
【００８８】
実施形態ＡＬＴ２において、工程Ｂにおいて用いられた第１の塔から得られた前記第２のフラクション（Ｂ３）および工程Ａから得られたフラクション（Ａ２２）は、第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）に引き入れられ、これにより、フラクション（Ｂ３１）およびフラクション（Ｂ４３）を生じさせることが可能となる。フラクション（Ｂ３１）は、ＭＸ、ＯＸ、および場合による残留量のＥＢを含有し、好ましくは、ＯＸおよびＭＸからなり、フラクション（Ｂ４３）は、脱着剤を含み、好ましくは、これからなる。
【００８９】
好ましくは、ラフィネートであるフラクション（Ａ２２）は、第２の塔、好ましくは二分画塔（Ｂ−Ｃ４）における、フラクション（Ｂ３）の注入点の下方に導入される。
【００９０】
有利には、前記実施形態ＡＬＴ２（図３ｂ）において、三分画塔（Ｂ−Ｃ３）は、ＳＭＢによる分離の工程Ａから得られたラフィネート（Ａ２）の中からＥＢを豊富に含むフラクション（Ａ２１）のみを受け取り、これにより、ＥＢを豊富に含むフラクション（Ｂ２）中のキシレン含有率を実施形態ＡＬＴ１に対してさらに低減させることが可能となる。
【００９１】
有利には、Ｃ８Ａ不含有の脱着剤のフラクション（Ｂ４１）、（Ｂ４２）および（Ｂ４３）は、各蒸留塔の底部において回収され、フラクション（Ｂ４）として組み合わされ、疑似移動床吸着工程Ａに送られる。
【００９２】
前記工程Ａの脱着剤がキシレン類より重質の化合物、すなわち、キシレン類の沸点より高い沸点を有する化合物である場合、ＥＢを豊富に含むラフィネートは、三分画塔の頂部において生じさせられ、キシレンを豊富に含むラフィネートは、側部抜き出しにおいて、あるいは、第２の蒸留塔の頂部において得られる。
【００９３】
前記分離工程の脱着剤がキシレン類より軽質の化合物、すなわち、キシレン類の沸点より低い沸点を有する化合物である場合、キシレンを豊富に含む流れは、三分画塔の底部において生じさせられ、ＥＢを豊富に含むラフィネートは、側部抜き出しにおいて、あるいは第２の蒸留塔の底部において得られ、Ｃ８Ａを含まない脱着剤は、２つの塔の頂部において抜き出され、吸着工程に再循環させられる。
【００９４】
有利には、分画化工程Ｂにおいて用いられる蒸留塔（Ｂ−Ｃ１）、（Ｂ−Ｃ３）および（Ｂ−Ｃ４）は、大気圧で操作され、リボイリングの温度は、２１０〜２５０℃、好ましくは２２０〜２４０℃であり、好ましくは２３０℃であり、還流比は、還流／供給原料の質量比として表されて、１．０〜３．０、優先的には１．４〜２．０である。
【００９５】
有利には、塔（Ｂ−Ｃ３）の頂部において回収されたラフィネート（Ｂ３）は、凝縮器下の４段の板において抜き出された液体蒸留物の形態で得られ、前記凝縮器は、全て還流しており、液状水を抜き出すためのデカンテーションサンプを含む。
【００９６】
より正確には、工程Ｂが蒸留塔（Ｂ−Ｃ３）を用いる場合、蒸留によって得られたラフィネートの分画化の工程（ＡＬＴ０およびＡＬＴ１）の性能は：
−  ＥＢを豊富に含むラフィネート（Ｂ２）中のＥＢの回収度（degree of recovery：ＤＲ）：ＤＲ（ＥＢ）＝ＥＢ（ラフィネート  Ｂ２）／（ＥＢ（ラフィネート  Ｂ２）＋ＥＢ（ラフィネート  Ｂ３））
−  ＥＢを豊富に含むラフィネート（Ｂ２）中のキシレン類の回収度（ＤＲ）：ＤＲ（ＸＹＬ）＝ＸＹＬ（ラフィネート  Ｂ２）／（ＸＹＬ（ラフィネート  Ｂ２）＋ＸＹＬ（ラフィネート  Ｂ３））
によって特徴付けられる。
【００９７】
工程Ｂが第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）を用いる場合、蒸留によって得られたラフィネートの分画化の工程（ＡＬＴ２）の性能は：
−  ＥＢを豊富に含むラフィネート（Ｂ２）中のＥＢの回収度（ＤＲ）：ＤＲ（ＥＢ）＝ＥＢ（ラフィネート  Ｂ２）／（ＥＢ（ラフィネート  Ｂ２）＋ＥＢ（ラフィネート  Ｂ３１））
−  ＥＢを豊富に含むラフィネート（Ｂ２）中のキシレン類の回収度（ＤＲ）：ＤＲ（ＸＹＬ）＝ＸＹＬ（ラフィネート  Ｂ２）／（ＸＹＬ（ラフィネート  Ｂ２）＋ＸＹＬ（ラフィネート  Ｂ３１））
によって特徴付けられる。
【００９８】
有利には、本発明による方法において、エチルベンゼンの回収度（ＤＲ（ＥＢ）で表記）は、５０％〜９０％、好ましくは８０％〜９０％である。
【００９９】
有利には、本発明による方法であるＡＬＴ  ０またはＡＬＴ  １において、フラクション（Ａ１）および（Ａ２）が分画化工程に引き入れられる場合、キシレン類の回収度ＤＲ（ＸＹＬ）は、エチルベンゼンの回収度（ＤＲ（ＥＢ））に対して最低２％、好ましくは最低５％、好ましくは最低５％、好ましくは最低１０％、好ましくは最低１５％の差を有する。
【０１００】
有利には、フラクション（Ａ１）、（Ａ２１）および（Ａ２２）が分画化工程に引き入れられる場合、キシレン類の回収度ＤＲ（ＸＹＬ）は、厳密に最低２０％、好ましくは最低２３％の差を示す。
【０１０１】
別の実施形態によると、蒸留工程は、第１の三分画蒸留塔（Ｂ−Ｃ３）を含む任意の他の蒸留配列により行われてよい。好ましくは、本発明による変形例ＡＬＴ０、ＡＬＴ１またはＡＬＴ２の前記三分画蒸留塔（Ｂ−Ｃ３）は、内壁を含み、これは、２つの脱着剤不含有ラフィネート（Ｂ２）、（Ｂ３）の分離に関する性能を改善するためのものである。
【０１０２】
（蒸気相異性化工程Ｃ）
有利には、本方法は、分画化工程Ｂから得られたエチルベンゼン、オルトキシレンおよびメタキシレンを含有するラフィネート（Ｂ２）の蒸気相異性化の工程Ｃを含む。
【０１０３】
有利には、蒸気相異性化工程により、ＯＸおよびＭＸの異性化、さらにはＥＢの異性化が、蒸気相中、高温で操作し、かつ、エチルベンゼンをキシレン類に転化させるユニットにおいて可能とされ、これにより、工程Ｂから得られたＥＢを豊富に含むラフィネート（Ｂ２）が処理される。
【０１０４】
好ましくは、異性化工程Ｃに引き入れられたラフィネート（Ｂ２）対工程Ｂの終結の際に得られた全ラフィネート（（Ｂ２）＋（Ｂ３）または（Ｂ２）＋（Ｂ３１））の質量比は、２０％〜９０％、優先的には２５％〜６０％、より優先的には３０％〜４５％である。前記比により、有利には、パラキシレンの製造を最大にすることが可能とされる。前記比が高い場合、キシレンループの容量に関してなんらのトレードオフもなくＰＸの製造を増大させることが可能である；前記比が中程度である場合、ＰＸの製造は、より大いに増大するが、キシレンループの容量におけるわずかな増大が伴う。
【０１０５】
本発明による方法の一つの利点は、キシレンループにおけるＥＢの安定した濃度における増大を必然的に伴うことにあり、このことにより、第１の蒸気相異性化ユニット中に通過させることによってＥＢの転化における増大が可能とされる。
【０１０６】
それ故に、ＳＭＢにおける吸着による分離の工程を、三分画塔における蒸留による分画化の工程Ｂおよび２回の異性化工程と組み合わせることにより、芳香族化合物ループの全体的なパラキシレン収率を改善しかつ経済的な影響力を最小にすることが可能となる。
【０１０７】
本発明によると、蒸気相異性化工程により、ＥＢをキシレン類に転化させることが可能となり、その際のエチルベンゼンの製造量量当たりの転化度は、一般的には１０％〜５０％、好ましくは２０％〜４０％であり、Ｃ８芳香族化合物（Ｃ８Ａ）の喪失は、５．０重量％未満、好ましくは３．０重量％未満、優先的には１．８重量％未満である。
【０１０８】
蒸気相異性化工程は、触媒の存在下に行われ、その際の温度は、３００℃超、好ましくは３５０℃〜４８０℃であり、圧力は、４．０ＭＰａ未満、好ましくは０．５〜２．０ＭＰａであり、空間速度は、１０．０ｈ−１未満、好ましくは０．５ｈ−１〜６．０ｈ−１であり、水素対炭化水素のモル比は、１０．０未満、好ましくは３．０〜６．０であり、触媒は、少なくとも１種のゼオライトと、０．１重量％〜０．３重量％の含有率の第ＶＩＩＩ族からの少なくとも１種の金属とを含み、このゼオライトが有するチャネルの開口は、１０個または１２個の酸素原子の環（１０ＭＲまたは１２ＭＲ）によって規定されている。
【０１０９】
８個の炭素原子を含有する炭化水素を異性化させることができる、ゼオライトベースであってもなくてもよいあらゆる触媒が、蒸気相異性化ユニットに適している。好ましくは、用いられる触媒は、酸性ゼオライト、例えば、ＭＦＩ、ＭＯＲ、ＭＡＺ、ＦＡＵおよび／またはＥＵＯ構造型のものを含む。一層より好ましくは、用いられる触媒は、ＥＵＯ構造型のゼオライトと、元素周期律表の第ＶＩＩＩ族からの少なくとも１種の金属とを含む。
【０１１０】
本方法の好ましい変形例によると、工程Ｃにおいて用いられる触媒が含むのは、１重量％〜７０重量％のＥＵＯ構造型、好ましくはＥＵ−１のゼオライトであり、このゼオライトは、ケイ素と、少なくとも１種の元素Ｔであって、好ましくは、アルミニウムおよびホウ素から選ばれものとを含み、そのＳｉ／Ｔの比は、５〜１００である。
【０１１１】
好ましくは、ゼオライトは、少なくとも一部において水素型にあり、ナトリウムの含有率は、Ｎａ／Ｔの原子比が０．１未満になるようにされている。
【０１１２】
好ましくは、触媒は、０．０１重量％〜２重量％のスズまたはインジウムと、硫黄とを含み、硫黄は、第ＶＩＩＩ族からの金属の原子当たり０．５〜２個の原子の割合である。
【０１１３】
工程Ｃにおいて得られた流出物（Ｃ１）のＰＸ、ＯＸおよびＭＸ異性体の濃度は、熱力学的平衡における濃度に近く、この流出物（Ｃ１）は、疑似移動床吸着工程Ａに再循環させられる。
【０１１４】
特定の実施形態において、望ましくない反応を介して形成された重質化合物および軽質化合物を流出物（Ｃ１）が含有する場合、前記流出物は、場合による分画化工程に引き入れられ、前記化合物が除去される。
【０１１５】
（液相異性化工程Ｄ）
有利には、本方法は、分画化工程Ｂから得られたオルトキシレンおよびメタキシレンを含有するフラクション（Ｂ３）またはフラクション（Ｂ３１）の液相異性化の工程Ｄを含む。
【０１１６】
本発明による方法により、それ故に、キシレン異性化の割合を増大させることが可能となる。この異性化は、液相で操作して触媒によって行われ、最も低いＣ８Ａの損失につながる。
【０１１７】
キシレン異性化工程Ｄは、液相中で行われ、製造量当たりのＥＢ転化度は、５．０％以下、好ましくは３．０％以下、好ましくは０．２％以下であり、ＰＸの熱力学的平衡解析が９０．０％以上、優先的には９４．０％以上になるようにキシレン混合物の異性化を可能にする。
【０１１８】
液相異性化工程Ｄは、触媒の存在下に行われ、その際の温度は、３００℃未満、好ましくは２００〜２６０℃であり、圧力は、４．０ＭＰａ未満、好ましくは１．０〜３．０ＭＰａであり、空間速度は、５．０ｈ−１未満、好ましくは２．０〜４．０ｈ−１であり、触媒は、少なくとも１種のゼオライトを含み、このゼオライトが有するチャネルの開口は、１０個または１２個の酸素原子の環（１０ＭＲまたは１２ＭＲ）によって規定され、好ましくは、触媒は、少なくとも１種のゼオライトを含み、このゼオライトが有するチャネルの開口は、１０個の酸素原子の環（１０ＭＲ）によって規定され、一層より好ましくは、触媒は、ＺＳＭ−５型のゼオライトを含む。
【０１１９】
特許US 8697929には、本発明による方法において用いられ得る操作条件および蒸気相および液相の異性化触媒がより詳細に記載されている。
【０１２０】
有利には、工程Ｄにおいて得られた流出物（Ｄ１）のＰＸ、ＯＸおよびＭＸの異性体の濃度は、熱力学的平衡時における濃度に近く、流出物（Ｄ１）は、疑似移動床吸着工程Ａに再循環させられる。
【０１２１】
特定の実施形態において、望みでない反応を介して形成された重質化合物および軽質化合物を流出物（Ｄ１）が含有する場合、前記流出物は、場合による分画化工程に引き入れられ、前記化合物が除去される。
【０１２２】
（実施例）
以下に続く実施例は、本発明を例証するが、本発明の範囲を制限するものではない。
【０１２３】
（実施例１）
この実施例は、従来技術の図２ａ）、ＡＬＴ０およびＡＬＴ１でそれぞれ表記される実施の形態における本発明による方法の図２ｂ）および２ｃ）に従って、蒸留工程Ｂの性能を比較することにより本発明の利点を示す。
【０１２４】
この実施例では、キシレン塔から得られ、かつ、リフォメート、トランスアルキル化ユニットおよび１基または複数基の異性化ユニットを起源とするＣ８芳香族化合物（Ｃ８Ａ）を含んでいるＣ８フラクション（２）５４５ｔ／ｈが考慮され、それの組成は、重量％で示されている。
【０１２５】
【表１】
2020023475.tif 000002
【０１２６】
Ｃ８−フラクションは、８個未満の炭素原子を含む化合物に相当する。
【０１２７】
（疑似移動床（ＳＭＢ）分離の工程Ａ）
Ｃ８Ａフラクションは、疑似移動床吸着ユニットＡに送られる。この疑似移動床吸着ユニットＡは、４つの帯域を含んでおり、これらの帯域は、供給原料の注入および脱着剤（Ｂ４）の注入およびラフィネート（Ａ２）の抜き出しおよびエキストラクト（Ａ１）の抜き出しによってその範囲が定められたものである。分離工程は、バリウム交換型ゼオライトＸを含有する１５床からなる疑似移動床吸着ユニットにおいて行われ、これらの床は、以下のように分配される：
・  帯域（１）における３床；帯域（１）は、脱着剤（Ｂ４）の注入とエキストラクト（Ａ１）の抜き出しとの間にある；
・  帯域（２）における６床；帯域（２）は、エキストラクト（Ａ１）の抜き出しと供給原料の注入との間にある；
・  帯域（３）における４床；帯域（３）は、供給原料の注入とラフィネート（Ａ２）の抜き出しとの間にある；
・  帯域（４）における２床；帯域（４）は、ラフィネート（Ａ２）の抜き出しと脱着剤（Ｂ４）の注入との間にある。
【０１２８】
温度は、１７５℃である。用いられた脱着剤はパラジエチルベンゼンであり、供給原料に対する脱着剤の含有率は、１．２（容積／容積）である。
【０１２９】
このように実施されて、吸着による分離の工程Ａにより、蒸留工程Ｂに給送する２つのフラクション（Ａ１）および（Ａ２）を生じさせることが可能となる：
−  フラクション（Ａ１）；供給原料のＰＸの最低９７．０％および脱着剤の一部を含有する；前記フラクションは、抽出塔（Ｂ−Ｃ１）における蒸留工程に送られ、頂部において高純度ＰＸ（流れ（Ｂ１））および底部において吸着剤（流れ（Ｂ４１））が回収される；
−  ラフィネート（Ａ２）８２９ｔ／ｈ：ＰＸが激減しており、４０７ｔ／ｈの脱着剤を含有している。
【０１３０】
（従来技術（図２ａ））に従う蒸留による分画化の工程Ｂの実施）
この実施形態において、ラフィネート（Ａ２）は、蒸留塔（Ｂ−Ｃ２）に理論板２４のところで給送される。蒸留塔（Ｂ−Ｃ２）は、４７段の理論板、凝縮器およびリボイラを含有しており、０．２ＭＰａで操作し、還流比は、１．３である。前記塔により、２つの流れ：
−  頭部のラフィネート（Ｂ６）４２２ｔ／ｈ；脱着剤を含まない、および
−  底部における脱着剤（Ｂ４２）４０７ｔ／ｈ；Ｃ８Ａを含まない；これは、吸着のために要求される温度での熱交換の工程の後に、工程Ａに送られる
を生じさせることが可能となる。
【０１３１】
ラフィネート（Ｂ６）は、２つの流れに分画化される。ラフィネート（Ｂ６）の９０．０％は、脱着剤を含んでおらず、（Ｂ２）で表記され、このものは、第１の異性化工程（Ｃ）に送られ、残りのラフィネート（Ｂ６）（１０．０％）は、（Ｂ３）で表記され、このものは、第２の異性化工程（Ｄ）に給送される。
【０１３２】
蒸留塔によるラフィネート（Ａ２）の前記分画化は、８６．６Ｇｃａｌ／ｈのリボイリングエネルギーを必要とする。
【０１３３】
（本発明に従う蒸留による分画化の工程Ｂの実施）
本発明による第１の実施形態（図２ｂ）、ＡＬＴ０）において、ラフィネート（Ａ２）は、分離工程Ｂを経る。前記ラフィネートは、三分画蒸留塔（Ｂ−Ｃ３）に理論板３７のところで給送される。この三分画蒸留塔（Ｂ−Ｃ３）は、６０段の理論板、凝縮器およびリボイラを含有し、０．２ＭＰａで操作し、還流比は、１．９である。前記塔により、３つの流れ：
−  頭部のラフィネート（Ｂ２）３６７ｔ／ｈ：これは、ラフィネート（Ａ２）中に含有されるエチルベンゼンの９０．０％およびＯＸおよびＭＸからなる混合物の８７．０％を含有する；
−  ラフィネート（Ｂ３）５４ｔ／ｈ；これは、理論板１９上の側部抜き出しとして得られ、脱着剤を含まない；および
−  底部における、脱着剤（Ｂ４２）４０７ｔ／ｈ；これは、Ｃ８Ａを含んでおらず、吸着のために要求される温度での熱交換の工程の後に、工程Ａに送られる
を生じさせることが可能となる。
【０１３４】
三分画蒸留塔によるラフィネート（Ａ２）の前記分画化には、８６Ｇｃａｌ／ｈのリボイリングエネルギーが必要とされる。
【０１３５】
本発明による第２の好ましい実施形態（図２ｃ）、ＡＬＴ１）において、ラフィネート（Ａ２）は、分離工程Ｂを経る。前記ラフィネートは、理論板２２のところで三分画蒸留塔（Ｂ−Ｃ３）に給送される。この三分画蒸留塔は、４７段の理論板、凝縮器およびリボイラを含み、０．２ＭＰａで操作し、還流比は、１．４７である。この塔により、３つの流れ：
−  頭部ラフィネート（Ｂ２）３４８ｔ／ｈ；これは、全ラフィネート（（Ｂ２）＋（Ｂ３１））中に含有されるエチルベンゼンの９０．０％および全ラフィネート（（Ｂ２）＋（Ｂ３１））中に含有されるキシレン類の８２．０％を含有する；
−  ラフィネート（Ｂ３）２０２ｔ／ｈ；これは、理論板３０上で側部抜き出しとして得られる；および
−  底部における、脱着剤（Ｂ４２）２７８ｔ／ｈ；これは、Ｃ８Ａを含んでおらず、吸着のために要求される温度での熱交換の工程の後に工程Ａに送られる
を生じさせることが可能となる。
【０１３６】
脱着剤を含有するラフィネート（Ｂ３）は、第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）の板２２に送られる。この第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）は、４７段の理論板、凝縮器およびリボイラを含み、０．２ＭＰａで操作し、還流比は、２．１％であり、これにより、頂部におけるラフィネート（Ｂ３１）７３ｔ／ｈと、最終的な、底部生成物（Ｂ４３）１２９ｔ／ｈとを回収することが可能となる。このラフィネート（Ｂ３１）は、ＭＸ、ＯＸからなり、かつ、ＰＸが激減しており、ＥＢの含有率は、３．０重量％であり、底部生成物（Ｂ４３）は、脱着剤を含有しているがＣ８Ａを含んでおらず、底部生成物（Ｂ４３）は、吸着のために必要とされる温度での熱交換の工程の後に、工程Ａに送られる。ラフィネート（Ｂ３１）は、液相中で操作する異性化工程Ｄに送られる。この実施ＡＬＴ１を介したラフィネートの分画化には、８６．１Ｇｃａｌ／ｈのリボイリングエネルギーが必要とされる。
【０１３７】
本発明によるこれらの種々の実施形態におけるラフィネート（Ａ２）の分画化の工程の終結の際に、ＥＢを豊富に含むラフィネート（Ｂ２）は、異性化工程Ｃに送られ、ラフィネート（Ｂ３１）は、異性化工程Ｄに送られる。
【０１３８】
従来技術の図２ａ）による、または、本発明の図２ｂ）および図２ｃ）によるラフィネート分離工程の性能は、下記に要約される。
【０１３９】
【表２】
2020023475.tif 000003
【０１４０】
この実施例は、吸着工程がラフィネートを生じさせる時の本発明の利点を例証する。それにより、ラフィネート（Ｂ２）における同一のＥＢ回収度：９０．０％に対して、本発明の実施による関連するキシレン回収度を３ポイントまたは８ポイント低減させることが可能となる。回収度が同一である従来技術に対して、この豊富化により、Ｃ８Ａの穏やかな喪失を有する液相異性化ユニットに給送するラフィネートの割合を増大させることおよびＣ８Ａのより高い喪失を有する気相異性化ユニットに給送する割合を低減させることが可能となる。その後は、アロマティックコンプレクスのＰＸ収率は、実施例３において例証されるように増大する。
【０１４１】
この豊富化には、少なくとも１基の第１の三分画蒸留塔を使用することが必要とされるが、分画化工程Ｂのリボイリングに要求されるエネルギー、または吸着工程Ａの配置または操作になんらの影響力も伴わない。
【０１４２】
従来技術に対して、実施例３において例証されるように、アロマティクコンプレクスのＰＸ収率を増大させることが可能である。
【０１４３】
（実施例２）
この実施例は、従来技術（図３ａ））による蒸留工程Ｂの性能を、本発明による方法（図３ｂ））と、ＡＬＴ２と称される実施例において比較することによって本発明の利点を示す。
【０１４４】
（疑似移動床（ＳＭＢ）分離の工程Ａ）
この実施例では、キシレン塔から得られ、かつ、リフォメート、トランスアルキル化ユニットおよび１基または複数基の異性化ユニットを起源とするＣ８芳香族化合物を含んでいるＣ８フラクション（２）５４５ｔ／ｈが考慮される。前記フラクションの組成は、重量百分率で与えられる。
【０１４５】
【表３】
2020023475.tif 000004
【０１４６】
Ｃ８−フラクションは、８個未満の炭素原子を含む化合物に相当する。
【０１４７】
このＣ８Ａフラクションは、疑似移動床吸着ユニットＡに送られる。疑似移動床吸着ユニットＡは、５帯域を含む。この５帯域は、供給原料の注入および脱着剤（Ｂ４）の注入およびラフィネート（Ａ２１、Ａ２２）の抜き出しおよびエキストラクト（Ａ１）の抜き出しによって範囲を定められている。前記疑似移動床吸着ユニットは、１８床からなり、これらは、バリウム交換型ゼオライトＸを含有しており、以下のように分配されている：
・  帯域（１）における３床；帯域（１）は、脱着剤（Ｂ４）の注入とエキストラクト（Ａ１）の抜き出しとの間にある；
・  帯域（２）における６床：帯域（２）は、エキストラクト（Ａ１）の抜き出しと供給原料の注入との間にある；
・  帯域（３Ａ）における４床；帯域（３Ａ）は、供給原料の注入とラフィネート（Ａ２１）の抜き出しとの間にある；
・  帯域（３Ｂ）における３床；帯域（３Ｂ）は、ラフィネート（Ａ２１）の抜き出しとラフィネート（Ａ２２）の抜き出しとの間にある；
・  帯域（４）における２床；帯域（４）は、ラフィネート（Ａ２２）の抜き出しと脱着剤（Ｂ４）の注入との間にある。
【０１４８】
温度は、１７５℃であり、用いられた脱着剤はパラジエチルベンゼンであり、供給原料に対する脱着剤の含有率は、１．２（容積／容積）である。
【０１４９】
それ故に、ＳＭＢ分離工程Ａの実施により、（Ａ１）、（Ａ２１）および（Ａ２２）と表記される３つの流れを得ることが可能となり、これらは、蒸留工程Ｂに給送する。３つの流れは、以下の特徴：
−  エキストラクト（Ａ１）；これは、供給原料のパラキシレンＰＸの最低９７．０％および脱着剤の一部を含有し、抽出塔に送られて、頂部における高純度のＰＸと、底部における脱着剤とが回収される；
−  第１のラフィネート（Ａ２１）５０８ｔ／ｈ；これは、ＰＸが激減しており、かつ、エチルベンゼンを豊富に含んでおり、全ラフィネート（（Ｂ２）＋（Ｂ３１））中に含有されるエチルベンゼンＥＢの９８．０％と、全ラフィネート（（Ｂ２）＋（Ｂ３１））に含有されるキシレン類の７８．０％とを含有する；
−  第２のラフィネート（Ａ２２）３２０ｔ／ｈ；これは、ＰＸが激減しており、かつ、ＭＸおよびＯＸの混合物、ＥＢ、および脱着剤の他の部分を本質的に含有し、フラクション（Ａ８）のＥＢの含有率は、０．５％である
を有している。
【０１５０】
（従来技術（図３ａ））に従う蒸留による分画化の工程Ｂの実施）
この実施形態において、脱着剤を含有する第１のラフィネート（Ａ２１）は、理論板２７のところで蒸留塔（Ｂ−Ｃ２）に給送される。この蒸留塔（Ｂ−Ｃ２）は、４７段の理論板、凝縮器およびリボイラを含有し、０．２ＭＰａで操作し、還流比は、１．１である。脱着剤を有しない第１のラフィネート（Ｂ２）は、頂部において回収され、蒸気相中で操作する第１の異性化工程に送られる。脱着剤を含有する第２のラフィネート（Ａ２２）は、分離工程Ｂに引き入れられる。前記ラフィネートは、理論板２１のところで塔（Ｂ−Ｃ４）に給送される。この塔（Ｂ−Ｃ４）は、４７段の理論板、凝縮器およびリボイラを含み、０．２ＭＰａで操作し、還流比は、２．７である。脱着剤を有しない第２のラフィネート（Ｂ３）は、蒸留物中に回収され、液相中で操作する異性化工程Ｄに送られる。脱着剤の２つの流れ（Ｂ４２）および（Ｂ４３）は、Ｃ８Ａを含んでおらず、２基のラフィネート塔（（Ｂ−Ｃ２）および（Ｂ−Ｃ４））の底部から得られ、これらは、混合され、吸着のために要求される温度での熱交換の工程の後に、疑似移動床分離工程に送られる。
【０１５１】
疑似移動床によって生じた２つのラフィネート（Ａ２１）および（Ａ２２）の分画化の工程Ｂには、８１．２Ｇｃａｌ／ｈのリボイリングエネルギーが必要とされる。
【０１５２】
（本発明による蒸留による分画化の工程Ｂの実施（図３ｂ）、ＡＬＴ２））
本発明による一実施形態（ＡＬＴ２）において、脱着剤を含有する第１のラフィネート（Ａ２１）は、理論板２０のところで三分画蒸留塔（Ｂ−Ｃ３）に給送される。この三分画蒸留塔（Ｂ−Ｃ３）は、４７段の理論板、凝縮器およびリボイラを含有し、０．２ＭＰａで操作し、還流比は、１．３８である。前記塔により、３つの流れ：
−  第１の頭部ラフィネート（Ｂ２）２８４ｔ／ｈ；これは、全ラフィネート（（Ｂ２）＋（Ｂ３１））のエチルベンゼン含有率の９０．１％を含有する、
−  理論板２７から液相で抜き出された第２のフラクション（Ｂ３）７３．６ｔ／ｈ；これは、残りのエチルベンゼンと、全ラフィネート（（Ｂ２）＋（Ｂ３１））のキシレン類の１２％とを脱着剤と共に含有する；
−  底部生成物（Ｂ４２）１５０．６ｔ／ｈ；これは、脱着剤を含有し、Ｃ８Ａ化合物を含まない
を生じさせることが可能となる。
【０１５３】
脱着剤を含有しているラフィネート（Ｂ３）は、板１８のところで第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）に導入される。この第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）は、４７段の理論板、凝縮器およびリボイラを含有し、０．２ＭＰａで操作し、還流比は、２．１である。
【０１５４】
疑似移動床分離工程Ａから得られた第２のラフィネート（Ａ２２）は、蒸留工程Ｂに引き入れられる。前記ラフィネート（Ａ２２）は、この蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）の板２４のところに導入される。ラフィネート（Ｂ３１）１３７ｔ／ｈは、頂部において回収される。前記ラフィネート（Ｂ３１）は、脱着剤を含んでおらず、かつ、ＭＸ、ＯＸからなり、ＰＸが激減しており、１．６重量％の含有率のＥＢを有する。ラフィネート（Ｂ３）は、液相中で操作する異性化工程Ｄに送られる。２基のラフィネート塔（（Ｂ−Ｃ３）および（Ｂ−Ｃ４））から得られた脱着剤の２つの流れ（（Ｂ４２）および（Ｂ４３））は、混合され、吸着のために要求される温度での熱交換の後に、疑似移動床に送られる。
【０１５５】
２つのラフィネート（Ａ２１）および（Ａ２２）の分画化には、８４．５Ｇｃａｌ／ｈのリボイリングエネルギーが必要とされる。
【０１５６】
従来技術によるラフィネート分離工程Ｂ（図３ａ））、または、本発明によるラフィネート分離工程Ｂ（図３ｂ））の性能は、下記に要約される。
【０１５７】
【表４】
2020023475.tif 000005
【０１５８】
この実施例は、吸着工程Ａが２つのラフィネートを生じさせる時の本発明の利点を例証する。これにより、蒸留工程と吸着工程とを連結することによって、従来技術において記載された分離より良好なＥＢ／ＸＹＬ分離を達成することが可能になるが、しかしながら、設備の量またはリボイリングに必要とされるエネルギーに影響力を有しない。
【０１５９】
本発明による分離工程Ｂには、第１の三分画蒸留塔を第２の蒸留塔に連結したものを使用することが必要とされる。
【０１６０】
従来技術に対して、実施例４において例証されるように、アロマティックコンプレクスのＰＸ収率を増大させることが可能である。
【０１６１】
（実施例３）
この実施例により、図１に示されるキシレンループの性能を詳しく述べることによって本発明の利点が示される。このキシレンループは、
−  ラフィネート（Ａ２）のみを生じさせる吸着工程Ａ、
−  当該ラフィネートの分画化の工程Ｂ、および
−  ２回の異性化工程ＣおよびＤ
を含む。
【０１６２】
本発明の利点を完全に理解するために、分離工程Ｂは、従来技術に従って行われるか、または、本発明に従って実施例１において記載されたバージョンＡＬＴ０およびＡＬＴ１において行われる。
【０１６３】
ＥＢの回収度は、ＤＲ（ＥＢ）で表示され、これは、９０．０％に設定され、キシレンの回収度は、ＤＲ（ＸＹＬ）で表示され、これは、９０．０％、８７．０％および８２．０％の範囲にわたる。
【０１６４】
前記キシレンループは、１００ｔ／ｈの流量のＣ８＋フラクション（流れ（１）、図１）を給送され、このＣ８＋フラクションは、６８ｔ／ｈのＣ８Ａフラクションを含有するリフォメートを起源とし、その質量組成は、下記に与えられる。
【０１６５】
【表５】
2020023475.tif 000006
【０１６６】
前記フラクションＣ８Ａ（流れ（１）、図１）は、２回の異性化工程ＣおよびＤからの流出物（（Ｃ１）、（Ｄ１））の再循環物と共に、理論板１５のところでキシレン塔に導入される。このキシレン塔は、７２段の板を含み、還流比１．８により操作され、これにより、頂部において蒸留物中のＣ８Ａの９９．８％を回収することおよび疑似移動床分離ユニットＰＸの供給原料からＣ９＋を除去することが可能となる（流れ（２）、図１）。
【０１６７】
前記フラクションＣ８Ａは、疑似移動床分離工程Ａに引き入れられ、エキストラクト（Ａ１）とラフィネート（Ａ２）とを生じさせる。エキストラクト（Ａ１）は、ＰＸおよび脱着剤を豊富に含み、ラフィネート（Ａ２）は、ＰＸが激減しておりかつ脱着剤を含有している。エキストラクト（Ａ１）およびラフィネート（Ａ２）は、実施例１に記載されたような分画化工程Ｂに送られる。この分画化工程Ｂは、複数の蒸留塔を含んでいる。分画化工程Ｂにより、脱着剤を吸着工程Ａに再循環させること、および９９．８％の純度を有するＰＸ、および２つのラフィネートを生じさせることが可能となる。この２つのラフィネートにおいて、一方（Ｂ２）は、ＥＢを豊富に含み、他方（（Ｂ３）または（Ｂ３１））は、ＥＢが激減している。このことは、実施例１において説明されており、かつ、図２ａ）、２ｂ）、２ｃ）において図示されている。
【０１６８】
ラフィネート（Ｂ２）は、水素の再循環物と混合されて、第１の異性化工程Ｃにおけるエチルベンゼン転化ユニットに給送され、以下の条件下に作動する：圧力：０．９ＭＰａ、温度：３７６℃、比Ｈ２／ＨＣ＝４．１；触媒：白金とＥＵ−１ゼオライトとを含有する；空間速度：５ｈ−１。
【０１６９】
これらの条件下に、ＥＢの転化率は、２８．９％（従来技術）；２９．３％（本発明に合致する、ＡＬＴ０バージョン）；２９．９％（本発明に合致する、ＡＬＴ１バージョン）であり、Ｃ８Ａ喪失率は、１．８重量％であり、ＰＸの平衡解析は、９２．０％であり、ＯＸの平衡解析は、８７．０％である。
【０１７０】
反応器の出口において、分離トレインにより、水素、トルエンおよびパラフィン性およびナフテン性のフラクションを主として含有するガス（Ｃ２）を生じさせることが可能となり、このガスは、反応器入口に送られる。流出物の最も重質の部分（Ｃ１）は、キシレン塔の入口に再循環させられる（図１）。
【０１７１】
ラフィネート（Ｂ３）は、第２の異性化工程Ｄにおけるキシレン異性化ユニットに給送され、これは、以下の条件下に作動する；温度：２４０℃、圧力：１．８ＭＰａ、空間速度：２．５ｈ−１；触媒は、ＺＳＭ−５型のゼオライトを含有する。
【０１７２】
これらの条件下に、ＥＢの転化率は、３．４％であり、ＰＸの平衡解析は、９４．５％である。
【０１７３】
反応セクションからの流出物（Ｄ１）は、キシレン塔に再循環させられる（図１）。
【０１７４】
このように説明されるキシレンループについての物質収支は、下記の表において要約される。
【０１７５】
【表６】
2020023475.tif 000007
【０１７６】
この実施例が例証するのは、２回の異性化を含んでいるキシレンループの生産性を増大させることを可能にし、これに伴って、疑似移動床は、分画化工程Ｂにおいて第１の三分画蒸留塔を用いて２つの流出物を生じさせる、という本発明の利点である。
【０１７７】
分画化工程Ｂのエネルギー消費は、影響されない。ＰＸ製造における利得は、平均ＰＸ価格１５００＄／ｔ（＄／トン）に基づいて推定されて、ＡＬＴ０バージョンについて１．３ＭＭ＄／ｙ（ミリオンドル／年）であり、バージョンＡＬＴ１について３．３ＭＭ＄／ｙであり、分画化工程Ｂの改変に関連する限界的投資を正当化する。
【０１７８】
（実施例４）
この実施例により、図１に示されるキシレンループの性能を詳しく述べることによって、本発明の利点が示される。このキシレンループは、２つのラフィネート（Ａ２１）および（Ａ２２）を生じさせる吸着工程Ａと、ラフィネート分画化工程Ｂと、２回の異性化工程ＣおよびＤとを含んでいる。本発明の利点を例証するために、分離工程Ｂは、従来技術に従って、または、実施例２において記載されたバージョンＡＬＴ２に従って行われる。それ故に、従来技術による方法を介して得られた、ＥＢの回収度ＤＲ（ＥＢ）、およびキシレン類の回収度ＤＲ（ＸＹＬ）は、それぞれ、９８．０％および７８．０％であるのに対して、本発明による方法のバージョンＡＬＴ２によって、回収度は、それぞれ、９０．０％および６６％である。
【０１７９】
キシレンループは、１００ｔ／ｈのＣ８＋フラクション（流れ１、図１）を給送される。このＣ８＋フラクションは、６８ｔ／ｈのＣ８Ａフラクションを含有するリフォメートを起源とするものであり、その質量組成は、下記に与えられる。
【０１８０】
【表７】
2020023475.tif 000008
【０１８１】
前記フラクションＣ８Ａ（流れ（１）、図１）は、２回の異性化工程からの流出物の再循環物と共に、理論板１５のところでキシレン塔に導入される。このキシレン塔は、７２段の板を含み、還流比１．８で操作され、これにより、頂部において、蒸留物中のＣ８芳香族化合物の９９．８％を回収することおよび疑似移動床分離ユニットＰＸの供給原料からＣ９＋を除去することが可能となる（流れ（２）、図１）。前記フラクションＣ８Ａは、疑似移動床に給送され、この疑似移動床は、エキストラクト（Ａ１）と、２つのラフィネート（Ａ２１）および（Ａ２２）とを生じさせる。エキストラクト（Ａ２１）は、ＰＸおよび脱着剤を豊富に含んでおり、２つのラフィネートは、ＰＸが激減しておりかつ脱着剤を含有している。
【０１８２】
エキストラクトおよびラフィネートは、実施例１において記載された分離工程Ｂに送られる。この分離工程Ｂは、複数の分画化塔を含んでいる。このようにして分離された脱着剤（Ｂ４）は、吸着工程Ａに再循環させられる。前記工程Ｂにより、実施例２において記載されかつ図３ａ）および３ｂ）において例証された、純度９９．８％を有するパラキシレンと、ＥＢを豊富に含むラフィネート（Ｂ２）または２種のＥＢが激減したラフィネート（（Ｂ３）または（Ｂ３１））とを生じさせることが可能となる。
【０１８３】
ラフィネート（Ｂ２）は、水素の再循環物と混合されて、第１の異性化工程Ｃにおけるエチルベンゼン転化ユニットに給送される。これは、以下の条件下に作動する：圧力：０．９ＭＰａ、温度：３７６℃、比Ｈ２／ＨＣ＝４：１、触媒：白金およびＥＵ−１ゼオライトを含有する；空間速度：５ｈ−１。
【０１８４】
これらの条件下に、ＥＢの転化率は、３０．６％（従来技術）；３２．１％（本発明、ＡＬＴ２バージョン）であり、Ｃ８Ａの喪失は、１．８重量％であり、ＰＸの平衡解析は、９２％であり、ＯＸの平衡解析は、８７％である。
【０１８５】
反応器の出口において、分離トレインは、水素、トルエンおよびパラフィン系およびナフテン系のフラクションを主として含有するガス（Ｃ２）を生じさせることを可能にする。このガスは、反応器の入口に送られる。イソメラートの最重質の部分（Ｃ１）は、キシレン塔の入口に再循環させられる。
【０１８６】
ラフィネート（Ｂ３）は、第２の異性化工程Ｄにおけるキシレン異性化ユニットに給送される。このユニットは、以下の条件下に作動する：温度：２４０℃、圧力：１．８ＭＰａ、空間速度：２．５ｈ−１、触媒：ＺＳＭ−５型のゼオライトを含有する。
【０１８７】
これらの条件下に、ＥＢの転化率は、３．４％であり、ＰＸの平衡解析は、９４．５％である。
【０１８８】
反応セクションからの流出物（Ｄ１）は、キシレン塔に再循環させられる。
【０１８９】
キシレンループについての物質収支は、下記の表において要約される。
【０１９０】
【表８】
2020023475.tif 000009
【０１９１】
これらの結果が明確に例証していることは、本発明による方法により、疑似移動床を実施し、実施例１において記載されたような分離工程Ｂにおいて第１の三分画蒸留塔を用いて３種の流出物を生じさせることによって、キシレンループのパラキシレンの収率を増大させることが可能となることである。有利には、本発明による方法のこの特定の実施は、設備の量またはエネルギー浪費に影響力を有しない。
【０１９２】
平均のＰＸコスト１５００＄／ｔをベースとする推定利得は、３．４ＭＭ＄／ｙである。
【０１９３】
（実施例５）
ＡＬＴ３と称される特定のバージョンにおいて、本方法は、実施例４のバージョンＡＬＴ２（図３ｂ）の場合と同一の設備により、同一のキシレンループの構成において行われる。この実施例により、非常に高い収率のＰＸを、同一の供給原料から得ることが望まれる場合に、異性化の触媒およびシーブにおいて最低限の増大があるという本発明の利点が例証される。
【０１９４】
吸着工程Ａの操作パラメータは、実施例４のものと同一であるが、ラフィネート分画化工程Ｂの操作パラメータは改変されており、その結果、第１の蒸留塔（Ｂ−Ｃ３）からのＥＢを豊富に含むラフィネート（Ｂ２）の流量が低減させられ、第２の蒸留塔（Ｂ−Ｃ４）に給送する側部抜き出し（Ｂ３）、さらには蒸留液（Ｂ３１）のそれにより生じた流量の利益になるようになっている。
【０１９５】
この実施形態において、分画化工程Ｂの新しい性能品質は、ＤＲ（ＥＢ）＝６０％およびＤＲ（ＸＹＬ）＝３８％になるようにされる。前記ラフィネート（Ｂ２）は、次いで、異性化工程Ｃに引き入れられる。この実施により、最小のＣ８Ａ喪失を有する触媒によってキシレン異性化の割合を増大させること、および最終的には、ＰＸの収率を増大させることが可能となる。
【０１９６】
異性化工程Ｄにおける製造量当たりのＥＢの転化率は低いので、ＥＢの再循環度は増大し、これは、それの静止した濃度を増大させるという効果を有する。その後は、第１の蒸気相異性化における製造量当たりのＥＢの転化率は、熱力学的平衡によって支配されるものであり、これも、増大させられ、３６．５％に達する。
【０１９７】
有利には、本発明による２回の異性化工程の組み合わせにより、高いＰＸ製造量を達成することが可能となり、容量における増大に関するトレードオフは低い。
【０１９８】
このように説明されたキシレンループについての物質収支は、下記の表において要約される。
【０１９９】
【表９】
2020023475.tif 000010
【図面の簡単な説明】
【０２００】
【図１】吸着による分離の工程、分画化工程、蒸気相異性化工程Ｃおよび液相異性化工程Ｄを包含するキシレンループの一般的なスキームである。
【図２ａ】従来技術による、工程Ａから得られたラフィネートの蒸留工程Ｂを示す。
【図２ｂ】本発明による、工程Ａから得られたラフィネートの蒸留の工程Ｂの第１の変形例である。
【図２ｃ】本発明による、工程Ａから得られたラフィネートの蒸留の工程Ｂの第２の変形例である。
【図３ａ】従来技術による、工程Ａから得られた２種のラフィネートの蒸留の工程Ｂを示す。
【図３ｂ】本発明による、工程Ａから得られた２種のラフィネートの蒸留の工程Ｂの変形例である。
【図１】
2020023475.tif 000011
【図２ａ】
2020023475.tif 000012
【図２ｂ】
2020023475.tif 000013
【図２ｃ】
2020023475.tif 000014
【図３ａ】
2020023475.tif 000015
【図３ｂ】
2020023475.tif 000016
【外国語明細書】
2020023475000001.pdf