(57)【要約】【課題】従来よりも極めて微細なパターンを高精度に形成することのできる、導電性パターンを有する基板の製造方法を提供する。【解決手段】導電性パターンを有する基板の製造方法は、パターン形成用基板を準備する工程（ａ）と、パターン形成用基板の面上に撥液層を形成する工程（ｂ）と、撥液層の、基板とは反対側の面上に、親液性の高い第一改質領域をパターン状に形成する工程（ｃ）と、第一改質領域に対して所定の官能基を修飾して、正又は負の第一状態に帯電可能な第二改質領域を形成する工程（ｄ）と、第二改質領域に対して、金属ナノ粒子を含み第一状態とは異なる第二状態に帯電した分散質と、分散質を分散させるための分散媒とを含む金属ナノインクを導入する工程（ｅ）と、金属ナノ粒子同士を結合させる工程（ｆ）とを含む。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性パターンを有する基板の製造方法であって、
パターン形成用基板を準備する工程（ａ）と、
前記パターン形成用基板の面上に撥液層を形成する工程（ｂ）と、
前記撥液層の、前記パターン形成用基板とは反対側の面上に、親液性の高い第一改質領域をパターン状に形成する工程（ｃ）と、
前記第一改質領域に対して選択的に所定の官能基を修飾して、正又は負の第一状態に帯電可能な第二改質領域を形成する工程（ｄ）と、
前記第二改質領域に対して、金属ナノ粒子を含み前記第一状態とは異なる第二状態に帯電した分散質と、前記分散質を分散させるための分散媒とを含む金属ナノインクを導入する工程（ｅ）と、
前記金属ナノ粒子同士を結合させる工程（ｆ）とを含むことを特徴とする、導電性パターンを有する基板の製造方法。
【請求項２】
前記第一状態は、正帯電状態であり、
前記分散媒の主成分は、プロトン性極性分散媒であり、
前記分散質は、負に帯電していることを特徴とする、請求項１に記載の導電性パターンを有する基板の製造方法。
【請求項３】
前記所定の官能基は、アミノ基、第二級アンモニウム基、第三級アンモニウム基、又は第四級アンモニウム基であることを特徴とする、請求項２に記載の導電性パターンを有する基板の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｄ）は、アミノシラン化合物、アミノホスホン酸誘導体、又はカチオン性ポリマーを前記第一改質領域に対して反応させる工程であることを特徴とする、請求項３に記載の導電性パターンを有する基板の製造方法。
【請求項５】
前記プロトン性極性分散媒は、表面張力が２５ｍＮ／ｍ以上を示す材料からなることを特徴とする、請求項２〜４のいずれか１項に記載の導電性パターンを有する基板の製造方法。
【請求項６】
前記撥液層は、前記工程（ｄ）の実行後において、前記第二改質領域以外の領域における前記分散媒の主成分に対する後退接触角が５０°以上を示す材料からなることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性パターンを有する基板の製造方法。
【請求項７】
前記撥液層は、パーフルオロ樹脂からなることを特徴とする、請求項６に記載の導電性パターンを有する基板の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｄ）の実行後において、前記第二改質領域における前記分散媒の主成分に対する後退接触角が１５°以下であることを特徴とする、請求項６又は７に記載の導電性パターンを有する基板の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ｃ）は、パターン状に形成されたマスクを介して前記パターン形成用基板の面上に紫外線を照射する工程、又は、パターン状に形成されたマスクを介して前記パターン形成用基板の面上に酸化性プラズマを接触させる工程であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性パターンを有する基板の製造方法。
【請求項１０】
前記紫外線は、波長が１６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲内の真空紫外線を含むことを特徴とする、請求項９に記載の導電性パターンを有する基板の製造方法。
【請求項１１】
パターン形成用基板と、
前記パターン形成用基板の上層に形成された撥液層と、
前記撥液層のうち、前記パターン形成用基板とは反対側に位置する外表面において、パターン状に形成されたアミノ基、第二級アンモニウム基、第三級アンモニウム基、又は第四アンモニウム基を含む第二改質領域と、
前記第二改質領域の上面に付着して形成された導電性材料層とを含むことを特徴とする、導電性パターンを有する基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性パターンを有する基板、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フォトリソグラフィ法に代わる新たな回路形成方法（パターニング方法）として、導電性材料を含む導電性ペースト又は導電性インクを、塗布法又は印刷法等によって基板（基材）上に直接パターン状に形成する、プリンテッドエレクトロニクス技術が注目されている。この技術によれば、従来の導電層の形成方法に比べて、製造コストの低廉化と、環境負担の低下が期待されている。
【０００３】
例えば本出願人は、疎水性の自己組織化単分子膜（Self-Assembled Monolayer：ＳＡＭ膜）が形成された基板に対して、マスクを介して真空紫外（Vacuum Ultra Violet：ＶＵＶ）光を照射することで親疎水性のパターンを形成し、その上に機能性インクを塗布することによって微細な機能性パターンを形成する技術を提案している（下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−７５８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年フレキシブルハイブリッドエレクトロニクス（Flexible Hybrid Electronics：ＦＨＥ）等の新規デバイス分野で、フレキシブル基板に微細な配線を形成する方法の研究開発が行われている。例えば、銀ナノインクなどの導電性材料を、撥液性材料面の一部に形成された親液化領域に導入することで、導電性パターンを形成することができる。
【０００６】
しかしながら、線幅が微細になると精緻な配線パターンを形成することが難しくなる。具体的には、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が３０μｍ／３０μｍ以下という微細な領域になってくると、現在知られている方法では精度良いパターニング形状を作成するのが困難となる。更に、本出願人は、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ／１０μｍ以下という極微細な導電性パターンを製造することを検討しており、上述した従来の方法では、このような極微細な導電性パターンを高精度に形成することは極めて困難であるといえる。
【０００７】
本発明は、上記の課題に鑑み、従来よりも極めて微細な導電性パターンを高精度に形成することのできる基板、及びこのような導電性パターンを有する基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、導電性パターンを有する基板の製造方法であって、
パターン形成用基板を準備する工程（ａ）と、
前記パターン形成用基板の面上に撥液層を形成する工程（ｂ）と、
前記撥液層の、前記パターン形成用基板とは反対側の面上に、親液性の高い第一改質領域をパターン状に形成する工程（ｃ）と、
前記第一改質領域に対して選択的に所定の官能基を修飾して、正又は負の第一状態に帯電可能な第二改質領域を形成する工程（ｄ）と、
前記第二改質領域に対して、金属ナノ粒子を含み前記第一状態とは異なる第二状態に帯電した分散質と、前記分散質を分散させるための分散媒とを含む金属ナノインクを導入する工程（ｅ）と、
前記金属ナノ粒子同士を結合させる工程（ｆ）とを含むことを特徴とする。
【０００９】
本明細書中において、「金属ナノインク」とは、必要に応じて表面が被覆材（「分散材」、「保護材」とも呼ばれることがある。）で被覆された金属ナノ粒子が、所定の分散媒中に分散されてなる形態を指す。また、「金属ナノ粒子」とは、平均粒子径が１ｎｍ以上、１０００ｎｍ未満を示す金属微粒子を指す。ここで、「平均粒子径」は、分散メジアン径をいう。分散メジアン径は、動的光散乱法にて、粒子径基準を体積基準として、分散粒径を得ることで算出される。
【００１０】
本明細書中において、分散媒の主成分とは、分散媒の組成物中で最も多く含まれている成分を意味し、好ましくは５０質量％以上含有している成分を指す。
【００１１】
上述したように、従来、パターン形成用基板上に、親疎液性（「親撥液性」とも称されることがある。）のパターン領域を形成しておき、親液性領域に対して金属ナノインクを導入することで導電性パターンを形成する技術が知られている。しかし、この方法の場合、Ｌ／Ｓを微細にすると、本発明者らの鋭意研究により、形成後の導電性パターンの輪郭が乱れたり、そもそもパターンが現れなくなったりすることが確認された。この理由は定かではないが、現時点で本発明者らは以下のように推察している。
【００１２】
親疎液性のパターン領域が形成されたパターン形成用基板に対して、導電性の金属ナノインクを導入すると、親液性領域と疎液性領域（撥液性領域）との間における界面エネルギーの相違により、金属ナノインクの濡れ広がり状態が制御される。この結果、金属ナノインクは、疎液性領域と比較して、親液性領域への付着力が強くなる。よって、その後に加熱・焼結処理を施すことで、親液性領域にのみ金属パターン（導電性パターン）が形成されることになる。
【００１３】
しかし、Ｌ／Ｓが微細化されると、親液性領域の幅が小さくなる結果、親液性領域に導入された金属ナノインクであっても、ライン幅が太い場合と比較すると、基板側との付着力が小さくなる。このため、疎液性領域に導入された金属ナノインクと同様に、一部が流されてしまう結果、導電性パターンの輪郭が明確に現れなかったり、そもそも導電性パターンの体をなしていないような状態になったものと考えられる。
【００１４】
これに対し、上記の方法によれば、親液性の高い第一改質領域に対して、工程（ｄ）によって選択的に所定の官能基が修飾されることで、工程（ｅ）において第一状態に帯電可能な、第二改質領域に改質される。そして、工程（ｅ）において、第一状態とは正負が反対である第二状態に帯電した分散質を含む、金属ナノインクが導入される。そのため、第二改質領域と金属ナノインクとの間に、界面エネルギーに起因した付着力が生じることに加えて、第二改質領域と分散質との間には、相互に引き合う方向のクーロン力に起因した結合力が生じる。
【００１５】
一方、工程（ｄ）では、第一改質領域が形成されていない領域には、前記所定の官能基が全く又はほとんど修飾されない。この結果、撥液層の面のうち、工程（ｃ）において第一改質領域が形成されなかった領域、すなわち依然として撥液性を示す領域は、工程（ｄ）及び（ｅ）を経ても、第一状態には全く又はほとんど帯電しない。この結果、当該領域は、金属ナノインクとの間において、界面エネルギーに起因した付着力が低く、前記クーロン力に起因した結合力も生じない。
【００１６】
以上により、仮にＬ／Ｓの幅が狭くなり、ライン予定領域（導電性パターンを形成する予定の領域）とスペース予定領域（導電性パターンを形成しない予定の領域）とで、金属ナノインクとの間での界面エネルギーに起因した付着力の差が小さくなったとしても、両者にはクーロン力に差が生じる。この結果、ライン予定領域に対して安定的に金属ナノインクが留められる一方、スペース予定領域からは金属ナノインクを排除でき、高精度に導電性パターンを形成できる。
【００１７】
前記第一状態は、正帯電状態であり、
前記分散媒の主成分は、プロトン性極性分散媒であり、
前記分散質は、負に帯電していても構わない。
【００１８】
例えば、前記工程（ｄ）において、第一改質領域に対して、所定の官能基としてのアミノ基（第一級アンモニウム基）、第二級アンモニウム基、第三級アンモニウム基、又は第四級アンモニウム基を修飾し、更に、その後の工程（ｅ）において導入される金属ナノインクに含まれる分散媒の主成分をプロトン性極性分散媒とすることにより、前記官能基を効果的に正に帯電させることができる。この場合、より具体的には、前記工程（ｄ）を、アミノシラン化合物、アミノホスホン酸誘導体、又はカチオン性ポリマーを前記第一改質領域に対して反応させる工程とすることができる。
【００１９】
また、前記プロトン性極性分散媒は、表面張力が２５ｍＮ／ｍ以上を示す材料からなるものとしても構わない。このようなプロトン性極性分散媒としては、水、フェノール、エチレングリコール、ブタノール、ヘキサノール、酢酸、及び酪酸からなる群に属する１種以上の材料が挙げられ、好ましくは表面張力が４５ｍＮ／ｍ以上の水又はエチレングリコールであり、特に好ましくは水である。かかる構成によれば、工程（ｅ）においても前記スペース予定領域に前記金属ナノインクが濡れにくくなるため、より高精度に導電性パターンを形成できる。
【００２０】
前記撥液層は、前記工程（ｄ）の実行後において、前記第二改質領域以外の領域における前記分散媒の主成分に対する後退接触角が５０°以上を示す材料からなるものとしても構わない。このような撥液層によれば、工程（ｄ）の実行後においても、第二改質領域以外の領域に高い液体除去性が示されるため、工程（ｅ）においてもこの領域に金属ナノインクが留まりにくくなる。
【００２１】
ここで、前記分散媒の主成分に対する後退接触角は、例えば、この主成分からなる媒質の液滴を撥液層の上面に形成し、この液滴を注射器等で吸い上げて、液滴の端が内側に移動し初めたときの、液滴が撥液層の面に接する角度を測定することで計測できる。このような後退接触角の測定方法は、「収縮法」として知られている方法である。ただし、後退接触角の計測に際しては、収縮法に限られず、垂直板法や滑落法といった他の方法を利用しても構わない。
【００２２】
前記撥液層は、工程（ｃ）によって、第一改質領域の表面にカルボキシ基又はヒドロキシ基が形成される材料からなるものが好ましく、パーフルオロ樹脂がより好ましい。かかる構成によれば、第一改質領域の非形成領域には、カルボキシ基又はヒドロキシ基が形成されていないため、工程（ｄ）によって、第一改質領域の非形成領域に対して、例えば、アミノ基、第二級アンモニウム基、第三級アンモニウム基、又は第四級アンモニウム基が修飾されにくくなる。この場合、スペース予定領域（導電性パターンを形成しない予定の領域）に対して、正に帯電する作用を生じにくくできる。
【００２３】
前記工程（ｄ）の実行後において、前記第二改質領域における前記分散媒の主成分に対する後退接触角が１５°以下であるものとしても構わない。これにより、工程（ｄ）の実行後においても、依然として、ライン予定領域（導電性パターンを形成する予定の領域）に親液性が確保され、金属ナノインクとの間に界面エネルギーに起因した高い付着力を付すことができる。
【００２４】
前記工程（ｃ）は、パターン状に形成されたマスクを介して前記パターン形成用基板の面上に紫外線を照射する工程、又は、パターン状に形成されたマスクを介して前記パターン形成用基板の面上に酸化性プラズマを接触させる工程とすることができる。前者の場合において、前記紫外線としては、好ましくは、波長が１６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲内の真空紫外線を含むことができる。この波長の真空紫外線によると、フォトンエネルギーが大きいために効果的に親液性の高い前記第一改質領域を形成できる。
【００２５】
また、本発明に係る導電性パターンを有する基板は、
パターン形成用基板と、
前記パターン形成用基板の上層に形成された撥液層と、
前記撥液層のうち、前記パターン形成用基板とは反対側に位置する外表面において、パターン状に形成されたアミノ基、第二級アンモニウム基、第三級アンモニウム基、又は第四アンモニウム基を含む第二改質領域と、
前記第二改質領域の上面に付着して形成された導電性材料層とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の方法によれば、従来よりも極めて微細なパターンを高精度に形成された導電性パターンを有する基板を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】導電性パターンを有する基板の一実施形態の構造を模式的に示す断面図である。
【図２Ａ】本発明の導電性パターンを有する基板の製造方法を説明するための、一工程における模式的な断面図である。
【図２Ｂ】本発明の導電性パターンを有する基板の製造方法を説明するための、一工程における断面図である。
【図２Ｃ】本発明の導電性パターンを有する基板の製造方法を説明するための、一工程における断面図である。
【図２Ｄ】本発明の導電性パターンを有する基板の製造方法を説明するための、一工程における断面図である。
【図２Ｅ】本発明の導電性パターンを有する基板の製造方法を説明するための、一工程における断面図である。
【図２Ｆ】本発明の導電性パターンを有する基板の製造方法を説明するための、一工程における断面図である。
【図３】ステップＳ３を実行する装置例としての光照射装置の構造を模式的に示す断面図である。
【図４Ａ】ショートアークフラッシュランプから放出される光のスペクトルの一例を示す図面である。
【図４Ｂ】エキシマランプから放出される光のスペクトルの一例を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明に係る導電性パターンを有する基板及びその製造方法の実施形態につき、適宜図面を参照して説明する。なお、以下の各図面は、いずれも模式的に図示されたものであり、図面上の寸法比と実際の寸法比は必ずしも一致していない。また、各図面間においても、寸法比は必ずしも一致していない。
【００２９】
［構造］
図１は、導電性パターンを有する基板の一実施形態の構造を模式的に示す断面図である。導電性パターンを有する基板１は、ライン領域Ａ１とスペース領域Ｂ１とを有する。ライン領域Ａ１は、導電性パターンを有する基板１の面上に導電性材料層２１ａが形成される領域に対応する。スペース領域Ｂ１は、導電性パターンを有する基板１の面上に導電性材料層２１ａが形成されない領域に対応する。なお、この導電性材料層２１ａは、図２Ｆを参照して後述されるように、金属ナノインク２０に含まれる金属ナノ粒子２１同士が結合されて形成されたものである。
【００３０】
ライン領域Ａ１の幅（ライン幅）、及び、スペース領域Ｂ１の幅（ライン間隔）は、いずれも任意であるが、後述するように、本発明に係る製造方法によれば、ライン領域Ａ１の幅及びスペース領域Ｂ１の幅をいずれも１０μｍ以下とすることが可能であり、５μｍ以下とすることも可能である。例えば、基板１においてライン領域Ａ１の幅及びスペース領域Ｂ１の幅は、１０μｍ以下とすることも可能であるし、１００μｍ以上にすることも可能である。
【００３１】
導電性パターンを有する基板１は、パターン形成用基板３と、パターン形成用基板３の上層に形成された撥液層５と、撥液層５内のうち、ライン領域Ａ１内に形成された第二改質領域１２と、第二改質領域１２の上層に形成された導電性材料層２１ａとを有する。なお、「第二改質領域１２」とは、後述する方法によって、撥液層５の一部が「第一改質領域１１」に改質された後（図２Ｄ参照）、更に、この第一改質領域１１が改質されることで得られる領域である。
【００３２】
［製造方法］
以下、導電性パターンを有する基板１の製造方法の一例につき、図２Ａ〜図２Ｆ、及び図３を参照して説明する。
【００３３】
（ステップＳ１）
図２Ａに示すように、パターン形成用基板３が準備される。パターン形成用基板３は、次のステップＳ２で形成される撥液層５を担持するための下地層を構成する。
【００３４】
パターン形成用基板３は、リジッドな基板としてはガラス基板又はプラスチック基板とすることができ、フレキシブルな基板としてはフィルムとすることができる。ガラス基板としては、例えば石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラスなどを用いることができる。プラスチック基板又はフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、アクリル樹脂などを用いることができる。
【００３５】
このステップＳ１が工程（ａ）に対応する。
【００３６】
（ステップＳ２）
図２Ｂに示すように、パターン形成用基板３の面上に撥液層５が形成される。
【００３７】
撥液層５は、撥液性を示す材料からなり、次のステップＳ３が実行されることで、親液性に改質可能な材料からなる。好ましくは、次のステップＳ３が実行されることで、表面にカルボキシ基又はヒドロキシ基が形成されるものが好ましい。
【００３８】
更に、撥液層５は、後述するステップＳ５において導入される金属ナノインク２０の分散媒２４（図２Ｆ参照）の主成分に対して、高い撥液性を示す材料からなる。撥液層５は、好ましくは、後述するステップＳ４の実行後において、後述する第二改質領域１２以外の領域における分散媒２４の主成分に対する後退接触角が５０°以上を示す材料からなり、より好ましくは前記後退接触角が７０°以上を示す材料からなる。
【００３９】
好ましくは、撥液層５は分子構造の主鎖に炭化水素結合のないパーフルオロ樹脂からなる。このようなパーフルオロ樹脂として、市場で入手できる材料としては、パーフルオロジオキソールの共重合体［デュポン社製：商品名テフロン（登録商標）ＡＦ］やパーフルオロブテニルビニルエーテルの環化重合体［ＡＧＣ株式会社製：商品名ＣＹＴＯＰ（サイトップ（登録商標））］を用いることができる。これらの撥液材料は、主鎖にヒドロキシ基を有していないために、後述するステップＳ４において、不所望な領域（スペース領域Ｂ１の予定領域）にアミノ基、第二級アンモニウム基、第三級アンモニウム基又は第四級アンモニウム基（以下、適宜「アミノ基又はアンモニウム基」と略記されることがある。）が導入されにくくなり、撥液層５の上面に対して、アミノ基又はアンモニウム基を選択的に導入することができる。
【００４０】
撥液層５をパターン形成用基板３の面上に形成する際の方法は、任意である。例えば、スピンコート法やディップコート法などの公知の方法により、撥液材料をパターン形成用基板３の面上に塗布した後、自然乾燥又は加熱処理を行うことで、撥液層５が形成される。スピンコート法やディップコート法などの方法によれば、撥液層５を例えば２０μｍ以下の厚みで形成できる。
【００４１】
このステップＳ２が工程（ｂ）に対応する。
【００４２】
（ステップＳ３）
図２Ｃに示すように、パターン形成用基板３の面上に撥液層５が形成されてなるワーク１０に対して、マスク７を介して紫外線Ｌ１が照射される。このマスク７は、ライン領域Ａ１の形成予定領域（以下、「ライン予定領域Ａ２」と呼ぶことがある。図２Ｄ参照）を透光領域とし、スペース領域Ｂ１の形成予定領域（以下、「スペース予定領域Ｂ２」と呼ぶことがある。図２Ｄ参照）を遮蔽領域とするような形状を呈する。すなわち、マスク７は、完成品となる導電性パターンを有する基板１が示すＬ／Ｓの値に応じた、細かいパターニング幅を有するものである。
【００４３】
図３は、本ステップＳ３を実行する際の装置の一例である光照射装置の構造を模式的に示す断面図である。図３に示す光照射装置３０は、光照射ユニット３０Ａと基材載置ユニット３０Ｂを備え、基材載置ユニット３０Ｂに載置されたワーク１０に対して、マスク７を介して紫外線Ｌ１を照射する装置である。このような光照射装置３０としては、例えば、ウシオ電機株式会社製ＶＵＶアライナーを利用することができる。
【００４４】
図３に示す例では、光照射ユニット３０Ａはランプ３１及び集光鏡３２を有しており、集光鏡３２によって反射された紫外線Ｌ１が平行光となり、窓部３３を介してマスク７に照射される。窓部３３は、紫外線Ｌ１に対して高い透過率を有する材料からなり、例えば、合成石英、サファイア、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム等で構成される。
【００４５】
マスク７は、上述したようにライン予定領域Ａ２が透光領域とされ、スペース予定領域Ｂ２が遮蔽領域となるような形状を呈しているため、この透光領域を介して紫外線Ｌ１がワーク１０の面上に照射される。マスク７は、例えば、窓部３３と同等に紫外線Ｌ１に対して高い透過率を有する材料からなる光透過性基板上に、クロム等の遮光材を蒸着・エッチングすることで、透光領域と遮蔽領域とを含むパターンが形成されたものである。マスク７としては、例えば、バイナリーマスク、位相シフトマスクなどのフォトマスクを使用することができる。また、マスク７として、金属等の遮光性基板に対して透光領域である開口部がパターン状に設けられたメタルマスクを使用することもできる。
【００４６】
ランプ３１は、撥液層５を構成する撥液材料に吸収が発生する、波長が１６０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下の範囲内の光を含む紫外線Ｌ１を発するのが好ましく、例えばショートアークフラッシュランプ、エキシマランプ、又は水銀ランプを用いることができる。ランプ３１がショートアークフラッシュランプである場合のスペクトルを図４Ａに、ランプ３１がキセノンエキシマランプである場合のスペクトルを図４Ｂにそれぞれ示す。また、光照射ユニット３０Ａが備える光源としては、ランプ３１に代えて、上記波長帯に発光を示す固体光源（半導体レーザ、発光ダイオード）を採用することもできる。
【００４７】
基材載置ユニット３０Ｂは、ワーク１０を真空チャック（不図示）などによって吸着しながら、ワークステージ３７によってワーク１０の位置を３軸方向に移動可能に構成されている。上述したように、光照射ユニット３０Ａから出射される紫外線Ｌ１が、１６０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下の範囲内に光出力を示す場合、このような波長範囲の光は酸素によって吸収される。このため、ランプ３１からマスク７までの光路中には窒素ガスなどの不活性ガスを封入しながら紫外線Ｌ１を照射するのが好ましい。また、マスクパターンに対する照射パターンの忠実性を高めるため、ワーク１０とマスク７とをできる限り近づけた状態で紫外線Ｌ１を照射するのが好ましい。例えば、ワーク１０とマスク７との離間距離は１００μｍ以下とするのが好ましく、両者は接触していても構わない。
【００４８】
本ステップＳ３が実行されることで、撥液層５のうちの、マスク７で紫外線Ｌ１が遮蔽されていない領域Ａ２（ライン予定領域Ａ２）が、第一改質領域１１に改質される（図２Ｄ参照）。例えば、撥液層５が上述したパーフルオロ樹脂からなる場合、紫外線Ｌ１が照射されたライン予定領域Ａ２には、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が形成された、第一改質領域１１が形成される。ここで効果的にヒドロキシ基またはカルボキシ基を形成するためには、マスク７とワーク１０の間は酸素を含む雰囲気であることが好ましく、例えば大気とすることができる。
【００４９】
撥液層５を形成する材料（撥液材料）は、一般的に短波長ほど高い吸収を示す。また、光は波長が短いほどフォトンエネルギーが大きい。このため、照射される紫外線Ｌ１の波長が短いほど、撥液材料を形成する分子結合が切断されやすい。更に、上述したように、波長が１６０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下の範囲内の紫外線Ｌ１は、マスク７とワーク１０との間に存在する酸素によって吸収され、反応性の高い活性酸素となる。この活性酸素が、切断された分子に結合することで撥液材料が酸化され、ヒドロキシ基やカルボキシ基が形成される。
【００５０】
特に、１６０ｎｍ以上、１８０ｎｍ以下の範囲内の紫外線Ｌ１は、酸素に吸収されて活性酸素を生成しやすいため、撥液材料を分解しやすい。すなわち、紫外線Ｌ１は、１６０ｎｍ以上、１８０ｎｍ以下の範囲内に光出力を示すのが好ましい。一方で、波長が１６０ｎｍを下回ると、石英ガラスを透過しないため、ランプ３１の発光管の材料として、例えば高価なフッ化カルシウムを用いる必要があるなど、光源側の設計が難しくなる。
【００５１】
このステップＳ３が工程（ｃ）に対応する。
【００５２】
（ステップＳ４）
ライン予定領域Ａ２内の撥液層５の上面に形成された第一改質領域１１に対して、選択的に所定の官能基が修飾される。具体的な一例としては、第一改質領域１１に形成されたヒドロキシ基又はカルボキシ基が、アミノ基に置換されることで、第二改質領域１２に改質される（図２Ｅ参照）。より具体的な一例としては、第一改質領域１１に形成されたカルボキシ基が、３−アミノプロピルトリエトキシシランの修飾により、第二改質領域１２へ改質される。
【００５３】
具体的な方法の一例としては、アミノシラン化合物、アミノホスホン酸誘導体、又はカチオン性ポリマーを、気相又は液相によって第一改質領域１１に対して反応させる処理が実行される。より具体的な一例としては、ステップＳ３までが実行されて得られたワーク１０を、３−アミノプロピルトリエトキシシランの１体積％水溶液などのアミノシラン化合物の溶液に例えば数分間浸漬することにより、処理が行われる。この後、純水洗浄による濯ぎ工程と、空気が吹き付けられることによる乾燥工程とが行われるものとしても構わない。
【００５４】
その他、本ステップＳ４で好適に用いることができる、アミノシラン化合物としては、上述の３−アミノプロピルトリエトキシシランの他、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノメチルトリメトキシシラン、アミノメチルトリエトキシシラン、３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）メチルトリメトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）メチルトリエトキシシラン、ビス（トリメトキシシリルプロピル）アミン、ビス（３−トリエトキシシリル）プロピルアミン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノ−プロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジ（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジ（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジ（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジ（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−Ｎ’−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−Ｎ’−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−Ｎ’−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−Ｎ’−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）アミン、ビス（トリメトキシシリルプロピル）アミン、Ｎ−（２−アミノブチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノブチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ｎ−ブチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ｎ−ブチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、及びトリメチル［３−（トリエトキシシリル）プロピル］アンモニウムクロリドからなる群から選択される１種、又は２種以上の混合物である。
【００５５】
また、本ステップＳ４で好適に用いることができる、カチオン性ポリマーとしては、ポリエチレンイミン、ポリリジン、アミノエチル化アクリルポリマーなどが挙げられる。アミノエチル化アクリルポリマーの具体例としては、アミノ・ポリエーテル変性シリコーンなどが挙げられる。
【００５６】
また、本ステップＳ４で好適に用いることができる、アミノホスホン酸誘導体としては、１１−アミノウンデシルホスホン酸などが挙げられる。
【００５７】
本ステップＳ４によって、ライン予定領域Ａ２に形成されていた第一改質領域１１が、アミノ基又はアンモニウム基を有する第二改質領域１２に改質され、正に帯電可能な状態となる。すなわち、本実施形態では正帯電状態が「第一状態」に対応する。
【００５８】
本ステップＳ４が、工程（ｄ）に対応する。
【００５９】
（ステップＳ５）
図２Ｆに示すように、ライン予定領域Ａ２内に第二改質領域１２が形成された状態のワーク１０の上面に対して、金属ナノインク２０が塗布される。塗布方法としては、後計量方式の一般的な塗布方法・手段を採用することができ、例えば、ブレードコータ、ロールコータ、バーコータ等、種々の手段を用いることができる。
【００６０】
金属ナノインク２０は、金属ナノ粒子２１と金属ナノ粒子２１の表面を被覆する被覆材２２とを含む分散質２３と、分散質２３が分散された分散媒２４とを含む。金属ナノインク２０は、具体的な例としては、バンドー化学株式会社製金属ナノインクＦｌｏｗＭｅｔａｌ（登録商標）ＳＷ１０００シリーズ（金属濃度：４０質量パーセント濃度（銀コロイド粒子）、分散媒２４の主成分：水）を用いることができる。
【００６１】
金属ナノ粒子２１は、例えば、金属元素の単体、金属元素を含む合金、金属元素の化合物、及びこれらの混合物からなる群より選択される１種以上によって構成される。ここで前記金属元素としては、金、銀、白金、銅、パラジウム、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、ニッケル、コバルト、鉄、スズ、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウムなどが挙げられ、好ましくは金、銀又は銅であり、特に好ましくは銀である。
【００６２】
被覆材２２は、分散媒２４中において、金属ナノ粒子２１が凝集するのを防止する目的で設けられており、この機能が実現できる限りにおいて任意の材料が適宜選択される。被覆材２２は、好ましくは、少なくとも１個以上の酸性官能基を有する分子量２００以上１０００００以下の化合物又はその塩である。ここでいう酸性官能基は、酸性すなわちプロトン供与性を有する官能基であって、例えばリン酸基、ホスホン酸基、スルホン酸基、硫酸基、カルボキシル基などである。
【００６３】
分散媒２４は、被覆材２２で覆われた金属ナノ粒子２１（すなわち分散質２３）に対する分散媒であり、好ましくはその主成分はプロトン性極性分散媒である。これにより、第二改質領域１２に形成された官能基であるアミノ基又はアンモニウム基が効果的に正に帯電する。更に好ましくは、プロトン性極性分散媒は、表面張力が２５ｍＮ／ｍ以上を示す材料からなる。具体的な一例として、分散媒２４の主成分を構成する材料としては、水、フェノール、エチレングリコール、ブタノール、ヘキサノール、酢酸、酪酸などが挙げられる。更に好ましくは、分散媒２４の主成分は、表面張力が４５ｍＮ／ｍ以上を示す材料からなり、例えば水である。
【００６４】
金属ナノ粒子２１は、分散媒２４中で共存する被覆材２２の作用、特に電気的反発力の作用によって、分散媒２４中に安定に分散されている。被覆材２２の種類や分散媒２４のｐＨによって、分散質２３、すなわち被覆材２２で覆われた金属ナノ粒子２１は正又は負のゼータ電位を示す。例えば、被覆材２２として上述したように酸性官能基を有する材料であるメルカプトプロパンスルホン酸とし、分散媒２４の主成分を水又はエチレングリコールとした場合、被覆材２２で覆われた金属ナノ粒子２１、すなわち分散質２３は負のゼータ電位を示す。本実施形態では、負帯電状態が「第二状態」に対応する。
【００６５】
ここで、上述したように、ステップＳ４で生成された第二改質領域１２は、アミノ基又はアンモニウム基を有する。よって、本ステップＳ５において、負帯電状態の分散質２３及びプロトン性極性分散媒を主成分とする分散媒２４を含む金属ナノインク２０が導入されることで、正に帯電した第二改質領域１２と、負に帯電した分散質２３との間に相互に引き合う方向にクーロン力が生じ、金属ナノインク２０は、撥液層５の上面のうち、ライン予定領域Ａ２内に設けられた第二改質領域１２に対して容易に付着する。一方、撥液層５の上面のうち、スペース予定領域Ｂ２内には、高い撥液性が確保されており、且つ、正に帯電可能な第二改質領域１２が形成されていない。この結果、金属ナノインク２０は、撥液層５の上面のうち、スペース予定領域Ｂ２に対しては極めて付着しにくい。
【００６６】
この結果、本ステップＳ５によって、金属ナノインク２０は、撥液層５の上面のうち、ライン予定領域Ａ２内に設けられた第二改質領域１２に対して選択的に付着する。
【００６７】
ところで、本ステップＳ５は、上述したように後計量方式の塗布方法が好適に採用される。すなわち、ワーク１０に対して金属ナノインク２０が一様に供給され、バーやブレード等の除去手段により不要な金属ナノインク２０が除去される。ここで、金属ナノインク２０は、前記除去手段の動きに応じて、ワーク１０に対して相対的に移動しようとする。このとき、金属ナノインク２０とワーク１０との境界部分は、上述した後退接触角を測定する状況に近似する。
【００６８】
上述したように、ステップＳ４の実行後において、第二改質領域１２に改質されていない撥液層５の、分散媒２４の主成分に対する後退接触角は５０°以上を示し、好ましくは７０°以上を示す。このため、バーやブレード等の除去手段がワーク１０の面上を移動すると、第二改質領域１２に改質されていない撥液層５上に付着した金属ナノインク２０は、前記除去手段の動きに追随し、やがてワーク１０から離脱される。一方で、第二改質領域１２においては、分散媒２４の主成分に対する後退接触角は撥液層５の箇所と比べて充分小さく、例えば１５°以下である。このため、除去手段がワーク１０の面上を移動しても、第二改質領域１２上に付着した金属ナノインク２０は、除去手段の動きに影響されずワーク１０の面上に留まることとなる。この結果、金属ナノインク２０は、ライン予定領域Ａ２内に設けられた第二改質領域１２に対して選択的に付着される。
【００６９】
本ステップＳ５が、工程（ｅ）に対応する。
【００７０】
（ステップＳ６）
金属ナノインク２０の導電性を高めるために、加熱処理が施される。より詳細には、金属ナノインク２０が焼成されることで、被覆材２２及び分散媒２４が蒸発又は分解され、金属ナノ粒子２１同士が互いに金属面を露出した状態で接触する。更に、金属はナノ粒子化されることで融点が低下するため、例えば１２０℃程度の温度で、接触した金属ナノ粒子２１同士が融着する。この結果、金属ナノ粒子２１が付着されたライン領域Ａ１には導電性が付与される一方（導電性材料層２１ａ）、金属ナノ粒子２１が付着されていないスペース領域Ｂ１には導電性が付与されない、基板１が作製される（図１参照）。なお、本ステップＳ６によって、金属ナノ粒子２１同士が結合することで、導電性が向上された導電性材料層２１ａが、パターン形成用基板３上に形成される。
【００７１】
本ステップＳ６で利用可能な加熱手段としては、一般的な加熱炉を用いることができる。また、パターン形成用基板３の耐熱性が低い場合は、表面のみを加熱することができるフラッシュランプアニールを用いることができる。
【００７２】
本ステップＳ６が、工程（ｆ）に対応する。
【００７３】
［実施例］
以下の実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明の権利範囲はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【００７４】
（実施例１）
上記ステップＳ１〜Ｓ６の各ステップを経て製造された基板を実施例１とした。利用した材料及び工程の詳細な条件は以下の通りである。
【００７５】
《ステップＳ１》
パターン形成用基板３としてガラス基板を用いた。
【００７６】
《ステップＳ２》
撥液層５の材料として、パーフルオロ樹脂に属する、パーフルオロブテニルビニルエーテルの環化重合体［ＡＧＣ株式会社製：商品名ＣＹＴＯＰ（サイトップ（登録商標））］を用いた。パターン形成用基板３上に前記材料を塗布した後、自然乾燥を経てワーク１０を作製した。
【００７７】
《ステップＳ３》
図３に模式的に示す光照射装置３０を用い、１６０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下の範囲に光出力を示す、図４Ａに例示されるようなスペクトルを有した紫外線Ｌ１を平行光化して、マスク７を介してワーク１０に１５秒間照射した。ランプ３１としては、キセノンを封入したショートアークフラッシュランプが利用された。光照射装置３０としては、このランプ３１を１本搭載した、ウシオ電機株式会社製 ＶＵＶアライナー ＳＵＳ７４０が用いられた。
【００７８】
ワーク１０とマスク７との離間距離（露光ギャップ）は１０μｍとされ、ワーク１０の雰囲気を大気とした状態で上述の平行光化された紫外線Ｌ１が１５秒間照射された。
【００７９】
《ステップＳ４》
ステップＳ３を経たワーク１０に対して、３−アミノプロピルトリエトキシシランの１体積％水溶液に数分間浸漬させた。浸漬後にワーク１０を引き上げて、純水洗浄処理及び乾燥処理を行った。
【００８０】
《ステップＳ５》
ステップＳ４を経たワーク１０の上面に対して、金属ナノインク２０をバーコータにより塗布した。金属ナノインク２０は、バンドー化学社製金属ナノインクＦｌｏｗＭｅｔａｌ（登録商標）ＳＷ１０００シリーズ（金属濃度：４０質量パーセント濃度（銀コロイド粒子）、分散媒の主成分：水）が利用された。この金属ナノインクの分散質は、ＪＩＳ Ｚ ８８３６に規定された方法によりゼータ電位が負であることが確認された。このことは、金属ナノインク２０の分散質２３が負に帯電していることを意味する。
【００８１】
《ステップＳ６》
ステップＳ５を経たワーク１０を、１２０℃で３０分加熱して、実施例１の基板１を得た。
【００８２】
なお、ステップＳ３の工程を行わずに、上記実施例１のステップＳ１、ステップＳ２、及びステップＳ４を順次行ったことで得られたワーク１０に対して、収縮法によって水に対する後退接触角の測定を行ったところ、後退接触角は約１００°であった。ステップＳ３が実行されていないため、撥液層５は第一改質領域１１に改質されておらず、この状態でステップＳ４が実行されても、アミノ基などの官能基は撥液層５内に全く又はほとんど導入されない。上記の結果は、実施例１で撥液層５の材料として利用されたＣＹＴＯＰの、金属ナノインク２０に含まれる分散媒２４の主成分である水に対する後退接触角が約１００°であることを意味する。
【００８３】
また、ステップＳ３において遮光部のないマスク７を用いてワーク１０の全面に対して紫外線Ｌ１を照射する点を除いては、上記実施例１と同様にステップＳ１〜Ｓ４まで実行したことで得られたワーク１０に対して、収縮法によって水に対する後退接触角の測定を行ったところ、接触角が１５°を下回っても固液接触端点の位置は変化しなかった。このことは、ＣＹＴＯＰからなる撥液層５が、ステップＳ３及びＳ４を経て改質された第二改質領域１２の、分散媒２４の主成分である水に対する後退接触角が１５°未満であることを意味する。
【００８４】
（比較例１）
ステップＳ４に対応する工程を行わない点、及び以下に示す条件を除いては、実施例１と共通の条件として、ステップＳ１〜Ｓ３、及びＳ５〜Ｓ６を順次実行し、比較例１の基板を得た。
【００８５】
《ステップＳ２》
撥液層５の材料として、フッ素含有樹脂を用いた。これは、パーフルオロ樹脂とは異なる、分子構造の主鎖に炭化水素結合（Ｃ−Ｈ結合）を有するフッ素含有樹脂である。
【００８６】
《ステップＳ３》
紫外線Ｌ１をワーク１０に対して５５０秒間照射した。
【００８７】
なお、比較例１においてステップＳ２までを経て得られたワーク１０について、収縮法にて水に対する後退接触角を測定したところ、約８５°であった。
【００８８】
（比較例２）
ステップＳ３に対応する工程を行わない点、及び以下に示す条件を除いては、実施例１と共通の条件として、ステップＳ１〜Ｓ２、及びＳ４〜Ｓ６を順次実行し、比較例２の基板を得た。
【００８９】
《ステップＳ２》
比較例１と同様に、撥液層５の材料としてフッ素含有樹脂を用いた。これは、パーフルオロ樹脂とは異なる、分子構造の主鎖に炭化水素結合（Ｃ−Ｈ結合）を有するフッ素含有樹脂である。
【００９０】
《ステップＳ４》
紫外線Ｌ１が未照射であるワーク１０に対して、３−アミノプロピルトリエトキシシランの１体積％水溶液に数分間浸漬させた。浸漬後にワーク１０を引き上げて、純水洗浄処理及び乾燥処理を行った。
【００９１】
なお、比較例２においてステップＳ４までを経て得られたワーク１０について、収縮法にて水に対する後退接触角を測定したところ、約２０°であった。
【００９２】
（比較例３）
ステップＳ４に対応する工程を行わない点を除いては、実施例１と共通の条件として、ステップＳ１〜Ｓ３、及びＳ５〜Ｓ６を順次実行し、比較例３の基板を得た。ただし、ステップＳ３に係る紫外線Ｌ１の照射工程の際、５００秒間にわたって紫外線Ｌ１をワーク１０に対して照射してもライン部が金属ナノインク２０をはじいてしまい、パターンが形成されなかったので、更に１００秒長い６００秒間にわたって紫外線Ｌ１を照射した。
【００９３】
（結果）
実施例１の基板１によれば、Ｌ／Ｓ＝５μｍ／５μｍの場合と、Ｌ／Ｓ＝２μｍ／２μｍの場合の双方において、ライン領域Ａ１とスペース領域Ｂ１との間で明瞭な識別が可能となり、高精度のパターニング形状が実現できた。
【００９４】
これに対し、比較例１の基板によれば、Ｌ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ以下では、明瞭なパターンが得られなかった。また、このとき、スペース予定領域も金属ナノインク２０によって濡れてしまう現象（ブリッジ現象）が部分的に生じたり、ライン予定領域の一部に金属ナノインク２０が載らないという現象が見受けられた。
【００９５】
比較例２の基板によれば、金属ナノインク２０で基板の全面が濡れてしまった。この結果は、ステップＳ３に対応する工程を実施したとしても、全面が濡れてしまい、パターンを形成することができないことを意味する。
【００９６】
比較例３の基板によれば、ライン予定領域にひび割れが生じ、目標とするパターニング形状が実現できなかった。
【００９７】
上記の検証結果からも、ステップＳ３の後にステップＳ４、及びステップＳ５が実行されることで、ライン予定領域Ａ２内が正に帯電され、ライン予定領域Ａ２と負に帯電した分散質２３を含む金属ナノインク２０との間に、親液性に起因した界面エネルギー由来の付着力に加えてクーロン力に起因した強固な結合力が生じ、これにより、金属ナノインク２０をライン予定領域Ａ２内に強固に付着できることが分かる。従って、ステップＳ１〜Ｓ６を経ることで、金属ナノ粒子２１由来の導電性材料層２１ａが、パターン形成用基板３の上面のうち微細なライン領域Ａ１のみに選択的に付着されてなる、導電性パターンを有する基板１が実現される。
【００９８】
［別実施形態］
以下、別実施形態について説明する。
【００９９】
〈１〉上記実施形態では、ステップＳ３において、紫外線Ｌ１をマスク７を介してワーク１０に対して照射するものとして説明した。しかし、ステップＳ３は、撥液層５の上面のうちライン予定領域Ａ２内に位置する箇所に対して、親水性を付与することのできる処理であれば、紫外線Ｌ１の照射処理には限定されない。例えば、ステップＳ３に係る処理として、酸化性のガスを用いたプラズマ（酸化性プラズマ）を、マスク７を介してライン予定領域Ａ２に対して照射させる処理としても構わない。ここで、酸化性のガスとしては、例えば酸素のガス種を利用することができる。
【０１００】
〈２〉上記実施形態では、負に帯電された分散質２３を含む金属ナノインク２０を塗布するステップＳ５の前段階で、ライン予定領域Ａ２内に位置する撥液層５を第二改質領域１２に変質させて正に帯電可能にしておくことで、最終的にクーロン力により金属ナノインク２０とライン予定領域Ａ２内の撥液層５との付着力を高めるものとした。しかし、この正負を反転させても構わない。すなわち、正に帯電された分散質２３を含む金属ナノインク２０を塗布するステップＳ５の前段階で、ライン予定領域Ａ２内に位置する撥液層５を第二改質領域１２に変質させて負に帯電可能にしておくものとしても構わない。
【０１０１】
例えば、ステップＳ４において、第一改質領域１１に対して選択的にスルホ基を修飾することで、負に帯電可能な第二改質領域１２に改質することができる。この具体的な方法としては、３−（トリヒドロキシシリル）―１−プロパンスルホン酸を気相又は液相によって第一改質領域１１に対して反応させることで実現できる。また、ステップＳ５において、ｐＨ調整等により分散質２３を正に帯電させた金属ナノインク２０を、負に帯電した第二改質領域１２に選択的に付着させることができる。
【符号の説明】
【０１０２】
１      ：    導電性パターンを有する基板
３      ：    パターン形成用基板
５      ：    撥液層
７      ：    マスク
１０      ：    ワーク
１１      ：    第一改質領域
１２      ：    第二改質領域
２０      ：    金属ナノインク
２１      ：    金属ナノ粒子
２１ａ    ：    導電性材料層
２２      ：    被覆材
２３      ：    分散質
２４      ：    分散媒
３０      ：    光照射装置
３０Ａ    ：    光照射ユニット
３０Ｂ    ：    基材載置ユニット
３１      ：    ランプ
３２      ：    集光鏡
３３      ：    窓部
３７      ：    ワークステージ
Ａ１      ：    ライン領域
Ａ２      ：    ライン予定領域
Ｂ１      ：    スペース領域
Ｂ２      ：    スペース預定領域
【図１】
2020191342.tif 000003
【図２Ａ】
2020191342.tif 000004
【図２Ｂ】
2020191342.tif 000005
【図２Ｃ】
2020191342.tif 000006
【図２Ｄ】
2020191342.tif 000007
【図２Ｅ】
2020191342.tif 000008
【図２Ｆ】
2020191342.tif 000009
【図３】
2020191342.tif 000010
【図４Ａ】
2020191342.tif 000011
【図４Ｂ】
2020191342.tif 000012