(57)【要約】【課題】生産性及び表示品質を向上させることのできる表示装置を提供すること。【解決手段】表示装置は、画素領域に液晶ドメインを形成するための陥没パターンを含むドメイン形成層及びドメイン形成層上に形成された画素電極を含む第１基板と、第１基板に対向する全面に形成された共通電極を含む第２基板と、第１基板と第２基板との間に介在し、陥没パターンを中心に液晶ドメインを形成する液晶分子を固定させる反応性メソゲンを有する液晶層と、を含む。よって、共通電極に別途のパターンが無くても液晶ドメインを形成することができ、開口率を向上させることができ、製造工程を単純化させることができるため、表示装置の生産性及び表示品質を向上させることができる。【選択図】図３
2010181874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域に液晶ドメインを形成するための陥没パターンを含むドメイン形成層及び画素電極を含む第１基板と、
前記第１基板と対向する全面に形成された共通電極を含む第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介在され、液晶ドメインを形成する液晶分子を固定させる反応性メソゲンを有する液晶層と、
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１基板は、
前記画素電極と電気的に接続されたコンタクト電極を含むスイッチング素子を含み、前記陥没パターンは、前記コンタクト電極を露出させることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１基板は、
前記コンタクト電極とオーバーラップされたストレージラインをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１基板は、
前記画素領域の前記ドメイン形成層の下部に形成され、前記ストレージラインと直接コンタクトするボトム電極をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ボトム電極は、透明電極層から形成されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記ドメイン形成層は、少なくとも１つのカラーフィルタを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記ドメイン形成層は、前記カラーフィルタ上に形成され、前記陥没パターンを含むパターン層を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１基板は、前記画素電極と電気的に接続されたコンタクト電極を含むスイッチング素子を含み、
前記ドメイン形成層は、前記コンタクト電極を露出させ、前記コンタクト電極を前記画素電極とコンタクトさせるコンタクトホールを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
画素領域に液晶ドメインを形成するための開口パターンを有する画素電極を含む第１基板と、
前記第１基板と対向し、共通電極を含む第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介在され、液晶ドメインを形成する液晶分子を固定させる反応性メソゲンを有する液晶層と、
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板は、
前記画素領域に形成されたボトム電極と、
前記ボトム電極の端部と直接コンタクトするストレージラインと、をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、より詳しくは、液晶を利用して画像を表示する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示パネルは、各画素領域を駆動するためのスイッチング素子が形成されたアレイ基板と、アレイ基板と対向する対向基板と、アレイ基板及び対向基板の間に介在されて形成された液晶層とを含む。液晶表示パネルは、液晶層に電圧を印加して光の透過率を制御する方式で画像を表示する。
【０００３】
一方、液晶表示装置の動作モードのうち、ＶＡモードの液晶表示装置の一種であるＰＶＡモード（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｍｏｄｅ）は、パターニングされた透明電極を利用して液晶分子を互いに異なる方向に配列させて液晶ドメインを形成することによって、液晶表示装置の視野角を向上させることができる。このとき、ＰＶＡモードの液晶表示装置を製造するためには、パターニングされた透明電極を形成する工程を伴わなければならない。また、ＰＶＡモードの別の形態で、対向基板に突起を形成し、突起が形成された基板上に共通電極層を形成することによって、液晶表示装置の視野角を向上させることができる。しかし、この場合もまた突起を形成するための別途の工程を伴わなければならない。
【０００４】
前述のように液晶表示装置の液晶ドメインを形成するためには、透明電極をパターニングする工程及び／または突起を形成する工程をさらに実行しなければならないため、液晶表示装置の製造工程数が増加する。また、表示基板及び対向基板のアセンブリ工程における表示基板と対向基板とのミスアラインは、表示基板の画素電極と対向基板の共通電極とのパターンのミスアラインにつながって、正常的な液晶ドメインを形成することができない。また、透明電極のパターニング及び突起の形成は、液晶表示装置の開口率を低下させる要因になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】日本特開２００６−２４３４９４号
【特許文献２】韓国特開２００２−００１０２１１号
【特許文献３】韓国特開２００３−００３０７４１号
【特許文献４】韓国特開２００８−００４９３８３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の技術的課題は、このような従来の問題点を解決するためのものであり、本発明の目的は、生産性及び表示品質を向上させることのできる表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の本発明の目的を実現するための一実施形態による表示装置は、第１基板、第２基板、及び液晶層を含む。第１基板は、画素領域に液晶ドメインを形成するための陥没パターンを含むドメイン形成層及び画素電極を含む。第２基板は、第１基板と対向する前面に形成された共通電極を含む。液晶層は、第１基板と第２基板との間に介在して形成され、陥没パターンを中心に液晶ドメインを形成する液晶分子を固定させる反応性メソゲン（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｍｅｓｏｇｅｎ：ＲＭ）を有する。
【０００８】
上述の本発明の目的を実現するための他の実施形態による表示装置は、第１基板、第２基板、及び液晶層を含む。第１基板は、画素領域に液晶ドメインを形成するための開口パターンを有する画素電極を含む。第２基板は、第１基板と対向し、共通電極を含む。液晶層は、第１基板と第２基板との間に介在され、液晶ドメインを形成する液晶分子を固定させる反応性メソゲン（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｍｅｓｏｇｅｎ）を含む。
【発明の効果】
【０００９】
このような表示装置によると、共通電極に別途のパターンが無くても、液晶ドメインを形成することができるため、開口率及び視野角を向上させることができる。また、共通電極に別途のパターンがないため、表示装置の上下板ミスアラインの原因を根本的に除去することによって、製造工程の信頼性を向上させることができる。さらに、共通電極にパターンを形成するための別途のパターニング工程を省略することによって製造工程を単純化させることができる。よって、表示装置の生産性及び表示品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態による表示装置の平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’ラインに沿って切断した断面図である。
【図３】図１のＩＩ−ＩＩ’ラインに沿って切断した断面図である。
【図４】図３に示す表示装置に電圧が印加された状態の断面図である。
【図５】図３に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】図３に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】図３に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図３に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】図３に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態による表示装置の断面図である。
【図１１】図１０に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】図１０に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】図１０に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の第３実施形態による表示装置の平面図である。
【図１５】図１４のＩＩＩ−ＩＩＩ’ラインに沿って切断した断面図である。
【図１６】図１５に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】本発明の第４実施形態による表示装置の断面図である。
【図１８】図１７に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の第５実施形態による表示装置の平面図である。
【図２０】図１９のＩＶ−ＩＶ’ラインに沿って切断した断面図である。
【図２１】図２０に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２２】図２０に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２３】図１９の構造を有する透過モードの表示装置の断面図である。
【図２４】本発明の第６実施形態による表示装置の平面図である。
【図２５】図２４のＶ−Ｖ’ラインに沿って切断した断面図である。
【図２６】図２５に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２７】図２５に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２８】図２５に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２９】本発明の第７実施形態による表示装置の平面図である。
【図３０】図２９のＶＩ−ＶＩ’ラインに沿って切断した断面図である。
【図３１】図２９のＶＩＩ−ＶＩＩ’ラインに沿って切断した断面図である。
【図３２】図３１に示す表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３３】本発明の第８実施形態による表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３４】本発明の第９実施形態による表示装置の断面図である。
【図３５】本発明の第１０実施形態による表示装置の断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるため、特定実施形態を図面に例示し、本明細書に詳しく説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に対して限定しするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、ないしは代替物を含むことと理解されるべきである。各図面を説明しながら類似する参照符号を、類似する構成要素に対して使用した。図面において、構造物のサイズは本発明を明確にするために実際より拡大して示した。第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するにあたって使用することができるが、各構成要素は使用される用語によって限定されるものではない。各用語は１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使用されるものであって、例えば、明細書中において、第１構成要素を第２構成要素に書き換えることも可能であり、同様に第２構成要素を第１構成要素とすることができる。単数表現は文脈上、明白に異なる意味を有しない限り、複数の表現を含む。
【００１２】
本明細書において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを意図するものであって、１つまたはそれ以上の別の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないことと理解されるべきである。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとする場合、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合のみでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。反対に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「下に」あるとする場合、これは他の部分の「すぐ下に」ある場合のみでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。
【００１３】
以下、図面を参照しつつ、本発明の表示装置の望ましい実施形態をより詳しく説明する。
【００１４】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による表示装置の平面図である。
【００１５】
図２は、図１のＩ−Ｉ’ラインに沿って切断した断面図であり、図３は、図１のＩＩ−ＩＩ’ラインに沿って切断した断面図である
【００１６】
図２及び図３においての液晶層は、画素電極と共通電極との間に電圧が印加されていない無電界状態での液晶分子及び反応性メソゲン（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｍｅｓｏｇｅｎ、ＲＭ）の状態を示す。
【００１７】
図１、図２、及び図３を参照すると、本実施形態による表示装置は、第１基板１００、第２基板２００、及び第１基板１００及び第２基板２００間に介在された液晶層３００を含む。
【００１８】
第１基板は、第１ベース基板１１０、第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２、ストレージラインＳＴＬ、ゲート絶縁層１２０、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、スイッチング素子である薄膜トランジスタＳＷ、パッシベーション層１４０、ドメイン形成層１５０、画素電極ＰＥ、及び第１配向膜ＡＬ１を含む。
【００１９】
第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２は、第１ベース基板１１０上で第１方向Ｄ１に沿って延伸される。第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２は、互いに第１方向Ｄ１と異なる第２方向Ｄ２に平行になるように配列されてもよい。第２方向Ｄ２は、例えば、第１方向Ｄ１と垂直方向であってもよい。ストレージラインＳＴＬは、第１ゲートラインＧＬ１と第２ゲードラインＧＬ２との間に配置され、第１方向Ｄ１に沿って延伸されてもよい。ゲート絶縁層１２０は、第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲードラインＧＬ２、並びにストレージラインＳＴＬを覆うように第１ベース基板１１０上に形成される。第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２は、ゲート絶縁層１２０上に第２方向Ｄ２に沿って延伸され、第１方向Ｄ１に互いに平行に配列される。第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２は、それぞれ第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲードラインＧＬ２、及びストレージノードラインＳＴＬと交差する。第１基板１００では、第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲードラインＧＬ２、並びに第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２によって画素領域Ｐが区画され、画素領域Ｐに画素電極ＰＥが形成される。
【００２０】
薄膜トランジスタＳＷは、第１ゲートラインＧＬ１と接続された第１ゲート電極ＧＥ１、第１ゲート電極ＧＥ１と対応するようにゲート絶縁層１２０上に形成されたアクティブパターンＡＰ、第１データラインＤＬ１と接続され、アクティブパターンＡＰとオーバーラップされたソース電極ＳＥ、ソース電極ＳＥ１と離隔され、アクティブパターンＡＰとオーバーラップされているドレイン電極ＤＥ、及びドレイン電極ＤＥから延伸されて画素領域Ｐに延伸されたコンタクト電極ＣＮＴを含んでもよい。アクティブパターンＡＰは、ゲート絶縁層１２０上に順次に形成された半導体層１３０ａ及びオーミックコンタクト層１３０ｂを含んでもよい。コンタクト電極ＣＮＴは、ドレイン電極ＤＥからストレージラインＳＴＬまで延伸されて、ストレージラインＳＴＬとオーバーラップされてもよい。
【００２１】
パッシベーション層１４０は、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、ソース電極ＳＥ、並びにドレイン電極ＤＥ及びコンタクト電極ＣＮＴを覆うようにゲート絶縁層１２０上に形成されてもよい。
【００２２】
ドメイン形成層１５０は、パッシベーション層１４０上に形成されてもよい。ドメイン形成層１５０は、第１基板１００を平坦化する。ドメイン形成層１５０は、ドメイン形成層１５０の表面から下部方向に陥没されて形成された陥没パターン１５２を含む。陥没パターン１５２は、画素領域Ｐに形成され、画素領域Ｐの液晶ドメインを形成することができる。陥没パターン１５２は、ドット型（ｄｏｔ  ｔｙｐｅ）でドメイン形成層１５０に形成されてもよい。陥没パターン１５２は、コンタクト電極ＣＮＴと対応するようにコンタクト電極ＣＮＴ上に形成されてもよい。陥没パターン１５２は、コンタクト電極ＣＮＴの一部を露出させるドット型のホール（ｈｏｌｅ）で形成されてもよい。陥没パターン１５２がホール形状に形成されても、陥没パターン１５２の下部に形成されたストレージラインＳＴＬ及びコンタクト電極ＣＮＴによって陥没パターン１５２が形成された領域の光漏れを防ぐことができる。ドメイン形成層１５０は、有機物質または無機物質で形成されてもよい。他の実施形態において、ドメイン形成層は、有機物質で形成された有機層及び無機物質で形成された無機層を含み、有機層または無機層に陥没パターン１５２が形成されてもよい。
【００２３】
画素電極ＰＥは、画素領域Ｐのドメイン形成層１５２上に形成される。画素電極ＰＥは透明で、導電性のある物質で形成されてもよい。画素電極ＰＥは、陥没パターン１５２を全体的に覆うように形成されてもよい。画素電極ＰＥは、陥没パターン１５２を介してコンタクト電極ＣＮＴと接触することによって、薄膜トランジスタＳＷと電気的に接続されてもよい。平面的に同一面積を有する領域において、陥没パターン１５２上の画素ＰＥの表面積は、ドメイン形成層１５０の平らな領域上に形成された画素電極ＰＥの表面積に比べて相対的に広い。よって、第１基板１００と第２基板２００との間に電界が形成される場合、陥没パターン１５２に隣接する領域の電界の強度は、陥没パターン１５２が形成されていない平らな領域の電界の強度に比べて相対的に大きい。
【００２４】
第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥを含む第１ベース基板１１０の全面に形成されてもよい。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥを含む第１ベース基板１１０の面の一部に形成されてもよい。
【００２５】
第２基板２００は、第１基板１００と対向する第２ベース基板２１０、ブラックマトリックスパターン２２０、第１カラーフィルタ２３２、第２カラーフィルタ２３４、第３カラーフィルタ２３６、オーバーコーティング層２４０、共通電極層２５０、及び第２配向膜ＡＬ２を含む。第２基板２００は、オーバーコーティング層２４０を含まなくてもよい。
【００２６】
ブラックマトリックスパターン２２０は、第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、並びに薄膜トランジスタＳＷが形成された領域と対応する第２ベース基板２１０上に形成される。第１カラーフィルタ２３２、第２カラーフィルタ２３４、及び第３カラーフィルタ２３６は、ブラックマトリックスパターン２２０によって区画される第２ベース基板２１０の領域に形成される。例えば、画素電極ＰＥが形成された画素領域Ｐと対応する領域の第２ベース基板２１０上に第１カラーフィルタ２３２が形成されてもよい。第１カラーフィルタ２３２の第１方向Ｄ１に第２カラーフィルタ２３４が形成されてもよく、第１カラーフィルタ２３２の第１方向Ｄ１の反対方向に第３カラーフィルタ２３６が形成されてもよい。オーバーコーティング層２４０は、ブラックマトリックスパターン２２０、第１カラーフィルタ２３２、第２カラーフィルタ２３４、及び第３カラーフィルタ２３６が形成された第２ベース基板２１０上に形成され、第２基板２００を平坦化する。
【００２７】
共通電極２５０は、オーバーコーティング層２４０上に形成される。共通電極２５０は、透明で導電性のある物質からなってもよい。共通電極２５０には、別途のパターンが無く、第２基板２００の全面に形成される。つまり、陥没パターン１５２によって電界の強度を変更することができる画素電極ＰＥとパターンが無い（ｐａｔｔｅｒｎｌｅｓｓ）共通電極２５０とによって、液晶層３００の液晶ドメインを形成してもよい。
【００２８】
第２配向膜ＡＬ２は、共通電極２５０が形成された第２ベース基板２１０上に形成され、第２基板２００の全面に形成されてもよい。
【００２９】
液晶層３００は、第１基板１００と第２基板２００との間に介在され、液晶分子３１０及び反応性メソゲン硬化物（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｍｅｓｏｇｅｎ  Ｃｕｒｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌ、以下、ＲＭ硬化物と称する）３２０を含む。電界は、画素電極ＰＥと共通電極２５０との間に形成される。
【００３０】
液晶分子３１０は、画素電極ＰＥと共通電極２５０との間に形成される電界によって配列が変更されることによって、光の透過率を調節することができる。液晶分子３１０は、例えば、負の誘電率異方性を有してもよい。
【００３１】
画素電極ＰＥと共通電極２５０との間に電圧が印加されていない状態で、第１基板１００及び／または第２基板２００に隣接する液晶分子３１０は、液晶分子３１０の長軸が第１ベース基板１１０及び／または第２ベース基板２１０の表面を基準に垂直な状態に配列されてもよい。陥没パターン１５２に隣接する液晶分子３１０の長軸は、陥没パターン１５２を形成するドメイン形成層１５０の側壁の表面を基準に側壁の表面に対して垂直方向に配列されてもよい。
【００３２】
ＲＭ硬化物３２０は、液晶分子３１０間に介在される。ＲＭ硬化物３２０は、画素電極ＰＥ及び／または共通電極２５０に隣接する液晶分子３１０との間に介在される。より具体的には、ＲＭ硬化物３２０は、第１配向膜ＡＬ１に隣接する液晶分子３１０との間に介在されてもよい。また、ＲＭ硬化物３２０は、第２配向膜ＡＬ２に隣接する液晶分子３１０との間に介在されてもよい。
【００３３】
ＲＭ３２０は、画素電極ＰＥと共通電極２５０との間に電界が印加されない場合でも、第１基板１００及び／または第２基板２００に隣接する液晶分子３１０を、第１ベース基板１１０及び／または第２ベース基板２１０の表面を基準にプレチルトされた状態に維持することができる。ＲＭ３２０は、表示装置を製造する工程のうち、外部光によってＲＭモノマー３３０（図９参照）が重合されて形成されてもよい。
【００３４】
図４は、図３に示す表示装置に電圧が印加された状態の断面図である。
【００３５】
図４を参照すると、画素電極ＰＥと共通電極２５０との間に電界が形成された場合、画素領域Ｐの内部においての電界の方向は、第１基板１００及び／または第２基板２００の表面に対して垂直な方向である。
【００３６】
画素電極ＰＥの端部と共通電極２５０との間では電界の方向が撓む。画素電極ＰＥに隣接する別の画素電極の端部と共通電極２５０との間においても電界の方向が撓む。よって、互いに隣接する画素電極ＰＥとの間では、液晶分子３１０が共通電極２５０の互いに異なる地点に向かって広がるように配列されることによって、互いに隣接する画素領域Ｐの間の液晶ドメインが分割される。
【００３７】
陥没パターン１５２に隣接する領域の電界は、陥没パターン１５２の側壁によるプレチルトによって共通電極２５０の一地点、例えば、陥没パターン１５２と対応する領域の共通電極２５０の一地点に向かって収斂する形状を有する。
【００３８】
図５〜図９は、図３に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００３９】
図５〜図９においては、表示装置の各製造工程における図１のＩＩ−ＩＩ’ラインに沿って切断した断面図を図示すが、図５〜図９を説明するとき、それぞれ図１、図３、及び図４を共に参照して説明する。
【００４０】
図５〜図７は、図３に示す第１基板を製造する方法を説明するための断面図である。
【００４１】
図５を参照すると、第１ベース基板１１０上にゲート金属層（図示せず）を形成し、ゲート金属層をフォトエッチング工程を通じてパターニングして第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２、ゲート電極ＧＥ、並びにストレージラインＳＴＬを含むゲートパターンを形成する。
【００４２】
ゲートパターンが形成された第１ベース基板１１０上にゲート絶縁層１２０を形成する。ゲート絶縁層１２０を形成する物質の例としては、酸化シリコン、窒化シリコンなどを挙げることができる。一般的に、ゲート絶縁層１２０を形成するために適合する物質であれば、どのような物質でもよい。
【００４３】
ゲート絶縁層１２０が形成された第１ベース基板１１０上にアクティブパターンＡＰを形成する。アクティブパターンＡＰは、ゲート絶縁層１２０上に半導体層１３０ａ及びオーミックコンタクト層１３０ｂを順次に積層して形成してもよい。半導体層１３０ａは、例えば、アモルファスシリコンを含み、オーミックコンタクト層１３０ｂは、ｎ型不純物が高濃度でドーピングされたアモルファスシリコンを含んでもよい。半導体層１３０ａ及び／またはオーミックコンタクト層１３０ｂを形成するために、単独または組み合わせで多様な物質が採用できることは自明である。
【００４４】
アクティブパターンＡＰが形成された第１ベース基板１１０上にデータ金属層（図示せず）を形成し、データ金属層をフォトエッチング工程を通じてパターニングして、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及びコンタクト電極ＣＮＴを含むソースパターンを形成する。
【００４５】
ソースパターンが形成された第１ベース基板１１０上に、パッシベーション１４０及びドメイン形成層１５０を順次に形成する。パッシベーション層１４０を形成する物質の例としては、酸化シリコン、窒化シリコンなどを挙げることができる。ドメイン形成層１５０を形成する物質の例としては、ポジティブ型フォトレジスト組成物またはネガティブ型フォトレジスト組成物などの有機物質或いは酸化シリコン、窒化シリコンなどの無機物質などを挙げることができる。パッシベーション層１４０及び／またはドメイン形成層１５０を形成するために、単独または組合せで多様な物質が採用できるということは自明である。
【００４６】
図６を参照すると、ドメイン形成層１５０をパターニングして、陥没パターン１５２を形成する。陥没パターン１５２は、コンタクト電極ＣＮＴ上に形成される。コンタクト電極ＣＮＴは、ストレージラインＳＴＬとオーバーラップされる。陥没パターン１５２は、コンタクト電極ＣＮＴ上のパッシベーション層１４０を露出させるホール（ｈｏｌｅ）形状に形成されてもよい。
【００４７】
続いて、陥没パターン１５２を介して露出されるパッシベーション層１４０を除去してパッシベーションホール１４２を形成する。パッシベーションホール１４２は、コンタクト電極ＣＮＴ上に形成される。パッシベーションホール１４２及び陥没パターン１５２を介してコンタクト電極ＣＮＴの一部が露出される。
【００４８】
図７を参照すると、陥没パターン１５２が形成されたドメイン形成層１５０を含む第１ベース基板１１０上に、透明電極層（図示せず）を形成し、透明電極層をパターニングして画素電極ＰＥを形成する。透明電極層を形成する物質の例としては、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ:ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎc  Ｏｘｉｄｅ:ＩＺＯ）などを挙げることができる。
【００４９】
画素電極ＰＥが形成された第１ベース基板１１０上に、第１配向膜ＡＬ１を形成する。第１配向膜ＡＬ１は、液晶分子３１０を垂直配向させる垂直配向物質を含んでもよい。
【００５０】
よって、ゲートパターン、ゲート絶縁層１２０、アクティブパターンＡＰ、ソースパターン、パッシベーション層１４０、陥没パターン１５２を含むドメイン形成層１５０、画素電極ＰＥ、及び第１配向膜ＡＬ１を含む本実施形態に係る第１基板１００を製造することができる。
【００５１】
図８は、図３に示す第２基板を製造する方法を説明するための断面図である。
【００５２】
図８を参照すると、第２ベース基板２１０上にブラックマトリックスパターン２２０を形成する。ブラックマトリックスパターン２２０は、有機インクを噴射して形成するかまたは金属層をフォトエッチング工程を通じてパターニングして形成することができる。
【００５３】
ブラックマトリックスパターン２２０が形成された第２ベース基板２１０上に、第１カラーフィルタ２３２、第２カラーフィルタ２３４、及び第３カラーフィルタ２３６を形成する。例えば、第１カラーフィルタ２３２を形成し、第２カラーフィルタ２３４を第１カラーフィルタ２３２を含む第２ベース基板２１０上に形成し、第３カラーフィルタ２３６を第１カラーフィルタ２３２及び第２カラーフィルタ２３４を含む第２ベース基板２１０上に形成してもよい。第１カラーフィルタ２３２〜第３カラーフィルタ２３６は、カラーフォトレジスト層をフォトエッチング工程を通じてパターニングして形成するかまたは、カラーインクを噴射して形成することができる。
【００５４】
ブラックマトリックスパターン２２０及び第１カラーフィルタ２３２〜第３カラーフィルタ２３６を含む第２ベース基板２１０上に、オーバーコーティング層２４０を形成する。オーバーコーティング層２４０を形成する物質の例としては、アクリル樹脂を挙げることができる。
【００５５】
オーバーコーティング層２４０が形成された第２ベース基板２１０上に、透明電極層（図示せず）を形成することによって、共通電極２５０を形成する。共通電極２５０は、透明電極層をパターニングすることなく第２ベース基板２１０の全面をカバーするように形成する。共通電極２５０を形成する物質の例として、ＩＴＯ、ＩＺＯなどを挙げることができる。
【００５６】
共通電極２５０が形成された第２ベース基板２１０上に、第２配向膜ＡＬ２を形成する。第２配向膜ＡＬ２は、共通電極２５０が形成された第２ベース基板２１０の全面をカバーしてもよい。
【００５７】
よって、上記のように、ブラックマトリックスパターン２２０、第１カラーフィルタ２３２〜第３カラーフィルタ２３６、オーバーコーティング層２４０、共通電極２５０、及び第２配向膜ＡＬ２を含む本実施形態による第２基板２００を製造することができる。
【００５８】
図９は、図３に示す液晶層を形成する段階を説明するための断面図である。
【００５９】
図９を参照すると、第１基板１００及び第２基板２００をアセンブリする。第１基板１００と第２基板２００との間には液晶分子３１０及びＲＭモノマー３３０を介在させる。液晶分子３１０及びＲＭモノマー３３０は、第１基板１００と第２基板２００との間でランダムに介在されてもよい。
【００６０】
続いて、共通電極２５０に第１電圧Ｖｃｏｍを印加し、画素電極ＰＥに第１電圧Ｖｃｏｍと異なる第２電圧Ｖｄａｔａを印加する。共通電極２５０に第１電圧Ｖｃｏｍが印加され、画素電極ＰＥに第２電圧Ｖｄａｔａが印加されると、画素電極ＰＥと共通電極２５０との間に電界が形成される。電界が形成されると、液晶分子３１０は、その長軸が電界の方向に対して垂直な方向に傾く。
【００６１】
第１電圧Ｖｃｏｍは、第２電圧Ｖｄａｔａより高いレベルを有してもよい。第１電圧Ｖｃｏｍは約０Ｖであってもよい。第２電圧Ｖｄａｔａは負の値を有してもよい。第２電圧Ｖｄａｔａは、例えば、約−５Ｖであってもよい。
【００６２】
第１基板１００及び第２基板２００との間に電界が形成されて液晶分子３１０がプレチルトされた状態で、第１基板１００及び第２基板２００に光を照射する。光は、例えば、紫外線（ｕｌｔｒａ  ｖｉｏｌｅｔ  ｒａｙ、ＵＶ）であってもよい。光によって、ＲＭモノマー３３０が光反応し、ＲＭモノマー３３０が重合されることによって液晶分子３１０間にＲＭ硬化物３２０が形成される。よって、第１基板１００と第２基板２００との間に介在された本実施形態による液晶層３００を形成することができる。
【００６３】
本実施形態によると、共通電極２５０に別途のパターンを形成せず、ドメイン形成層１５０の陥没パターン１５２によって液晶ドメインを形成することができる。よって、画素領域Ｐの開口率を向上させ、視野角を向上させることができる。また、共通電極２５０に別途のパターンが無いため、第１基板１００と第２基板２００のミスアラインの原因を根本的に除去することができる。また、共通電極２５０をパターニングするための別途のパターニング工程が省略されることによって、製造工程を単純化させることができる。よって、表示装置の生産性及び表示品質を向上させることができる。
【００６４】
（第２実施形態）
図１０は、本発明の第２実施形態による表示装置の断面図である。
【００６５】
図１０に示す本実施形態による表示装置の平面構造は、図１に示した第１実施形態による表示装置の平面構造と実質的に同一である。従って、本実施形態の平面図は、図１を参照して説明し、重複する具体的説明は省略する。
【００６６】
図１及び図１０を参照すると、本実施形態による表示装置は、第１基板１００、第２基板２００、及び液晶層３００を含む。
【００６７】
第１基板１００は、第１ベース基板１１０上に形成されたストレージラインＳＴＬ、ストレージラインＳＴＬを覆うように形成されたゲート絶縁層１２０、ゲート１２０上に形成された第１データラインＤＬ１、第２データラインＤＬ１、コンタクト電極ＣＮＴ、並びに第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２をカバーし、コンタクト電極ＣＮＴの一部を露出させるパッシベーション層１４０、パッシベーション層１４０上に形成され、パッシベーション層１４０と共にコンタクト電極ＣＮＴの一部を露出させる陥没パターン１５２を含むドメイン形成層１５０、ドメイン形成層１５０上に形成され、陥没パターン１５２を介してコンタクト電極ＣＮＴとコンタクトする画素電極ＰＥ、及び画素電極ＰＥが形成された第１ベース基板１１０をカバーする第１配向膜ＡＬ１を含む。
【００６８】
ドメイン形成層１５０は、パッシベーション層１４０が形成された第１ベース基板１１０上に形成され、第１基板１００を平坦化する。ドメイン形成層１５０は、カラーを示すカラーフィルタであってもよい。例えば、ドメイン形成層１５０は、ポジティブ型またはネガティブ型カラーフォトレジストで形成されてもよい。ドメイン形成層１５０は、第１ベース基板１１０の画素領域Ｐに形成されてもよい。ドメイン形成層１５０が形成された画素領域Ｐに隣接する画素領域には、それぞれドメイン形成層１５０と異なる物質で形成された第１カラー層ＣＦ１及び第２カラー層ＣＦ２が、それぞれ形成されてもよい。ドメイン形成層１５０、第１カラーを示してもよく、第１カラー層ＣＦ１は、第１カラーと異なる第２カラーを示してもよく、第２カラー層ＣＦ２は、第１カラー及び第２カラーと異なる第３カラーを示してもよい。
【００６９】
ドメイン形成層１５０は、ストレージラインＳＴＬとオーバーラップする領域に延長されたコンタクト電極ＣＮＴ上に形成された陥没パターン１５２を含む。陥没パターン１５２は、画素領域Ｐの液晶ドメインを形成する。第１カラー層ＣＦ１及び第２カラー層ＣＦ２のそれぞれも陥没パターン１５２を含んでもよい。陥没パターン１５２は、図２及び図３に図示された陥没パターンと実質的に同一である。従って、重複する詳細な説明は省略する。
【００７０】
図示はしていないが、ドメイン形成層１５０は、互いに異なるカラーを示すカラーフィルタを含むカラー層及びカラー層上に形成されたパターン層を含んでもよい。カラー層は、例えば、第１、第２、及び第３カラーフィルタを含んでもよい。パターン層は、画素領域Ｐの液晶ドメインを形成する陥没パターン１５２を含んでもよい。パターン層は、有機物質または無機物質で形成されてもよい。
【００７１】
第２基板２００は、第２ベース基板２１０の全面に形成された共通電極２５０及び共通電極２５０が形成された第２ベース基板２１０上に形成された第２配向膜ＡＬ２を含む。共通電極２５０及び第２配向膜ＡＬ２は、別途のパターン無しで、第２基板２００の全面に形成される。
【００７２】
図１１〜図１３は、図１０に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００７３】
図１１及び図１２は、図１０に示す第１基板を製造する段階を説明するための断面図である。図１１で、ストレージラインＳＴＬ、ゲート絶縁層１２０、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、並びにパッシベーション層１４０をそれぞれ形成する段階は、図５で説明した段階と実質的に同一である。従って、重複する具体的説明は省略する。
【００７４】
図１１を参照すると、パッシベーション層１４０が形成された第１ベース基板１１０上に、第１カラーを示す顔料を含む有機物質からなる第１カラーフォトレジスト層を形成する。第１カラーフォトレジスト層は、フォトエッチング工程を通じてパターニングして画素領域Ｐに形成されたドメイン形成層１５０を形成する。ドメイン形成層１５０は、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２のそれぞれの一部とオーバーラップする。
【００７５】
図１０及び図１２を参照すると、ドメイン形成層１５０が形成された第１ベース基板１１０上に第２カラーフォトレジスト層（図示せず）を形成し、第２カラーフォトレジスト層をフォトエッチング工程を通じてパターニングすることによって、第１カラー層ＣＦ１を形成する。第１カラー層ＣＦ１は、ドメイン形成層１５０の一側に形成されてもよい。つまり、第１カラー層ＣＦ１は、画素領域Ｐに隣接する領域に形成されてもよい。第１カラー層ＣＦ１は、実質的に画素領域Ｐに隣接する第１画素領域のドメイン形成層であり、第２カラー層ＣＦ２は、実質的に画素領域Ｐに隣接する第２画素領域のドメイン形成層であってもよい。
【００７６】
ドメイン形成層１５０及び第１カラー層ＣＦ１が形成された第１ベース基板１１０上に、第３カラーフォトレジスト層（図示せず）を形成し、第３カラーフォトレジスト層をフォトエッチング工程を通じてパターニングすることによって、第２カラー層ＣＦ２を形成する。
【００７７】
続いて、ドメイン形成層１５０に陥没パターン１５２を形成する。陥没パターン１５２は、コンタクト電極ＣＮＴ上に形成されてもよい。陥没パターン１５２は、コンタクト電極ＣＮＴ上のパッシベーション層１４０を露出させる。ドメイン形成層１５０に陥没パターン１５２を形成する工程で、第１カラー層ＣＦ１及び第２カラー層ＣＦ２のそれぞれにもドメイン形成層１５０の陥没パターン１５２と実質的に同一な陥没パターンが形成される。
【００７８】
陥没パターン１５２を介してパッシベーション層１４０を一部除去してコンタクト電極ＣＮＴを露出させるパッシベーションホール１４２を形成する。パッシベーションホール１４２が形成された第１ベース基板１１０上に透明電極層（図示せず）を形成し、透明電極層をフォトエッチング工程を通じてパターニングして画素電極ＰＥを形成する。陥没パターン１５２及びパッシベーションホール１４２を介して露出されたコンタクト電極ＣＮＴは、画素電極ＰＥとコンタクトできる。画素電極ＰＥは、画素領域Ｐの全面をカバーするように別途のパターン無しで、形成することができる。
【００７９】
画素電極ＰＥが形成された第１ベース基板１１０上に、第１配向膜ＡＬ１を形成する。よって、上記のように、本実施形態による第１基板１００を製造することができる。
【００８０】
図１３は、図１０に示す第２基板を製造する段階を説明するための断面図である。
【００８１】
図１３を参照すると、第２ベース基板２１０上に透明電極層（図示せず）を形成することによって、共通電極２５０を形成する。共通電極２５０は、透明電極層をパターニングする工程無しで、第２ベース基板２１０の全面をカバーするように形成される。
【００８２】
共通電極２５０が形成された第２ベース基板２１０上に、第２配向膜ＡＬ２を形成する。従って、上記のように、本実施形態による第２基板２００を製造することができる。
【００８３】
続いて、本実施形態に従って製造された第１基板１００及び第２基板２００をアセンブリし、第１基板１００と第２基板２００との間に液晶層３００を形成する。液晶層３００を形成する工程は、図９で説明した第１実施形態による液晶層を形成する工程と実質的に同一であるため、これについての説明は省略する。
【００８４】
これによって、本実施形態による表示装置を製造することができる。
【００８５】
本実施形態によると、共通電極２５０に別途のパターンを形成せずに、陥没パターン１５２を形成することによって、液晶ドメインを形成することができる。従って、画素領域Ｐの開口率を向上させ、視野角を向上させることができる。また、共通電極２５０に別途のパターンが無いため、第１基板１００と第２基板２００とのミスアラインの原因を根本的に除去することができる。また、共通電極２５０をパターニングするための別途のパターニング工程が省略されることによって、製造工程を単純化させることができる。さらに、ドメイン形成層１５０をカラーフォトレジスト層を利用して形成することによって、表示装置を製造する工程を単純化させることができる。
【００８６】
（第３実施形態）
図１４は、本発明の第３実施形態による表示装置の平面図である。
【００８７】
図１５は、図１４のＩＩＩ−ＩＩＩ’ラインに沿って切断した断面図である。
【００８８】
図１４及び図１５を参照すると、本実施形態による表示装置は、第１基板１００、第２基板２００、及び液晶層３００を含む。
【００８９】
第１基板１００は、第１ベース基板１１０、第１ゲートラインＧＬ１及び第２基板ＧＬ２、ストレージラインＳＴＬ、ゲート絶縁膜１２０、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、スイッチング素子である薄膜トランジスタＳＷ、パッシベーション層１４０、ドメイン形成層１５０、画素電極ＰＥ、並びに第１配向膜ＡＬ１を含む。薄膜トランジスタＳＷ及びドメイン形成層１５０を除いた他の構成要素は、図１、図２、及び図３に示した構成要素と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【００９０】
薄膜トランジスタＳＷは、第１ゲートラインＧＬ１と接続されたゲート電極ＧＥ、ゲート電極ＧＥ上に形成されたアクティブパターン（図示せず）、第１データラインＤＬ１と接続されたソース電極ＳＥ、ソース電極ＳＥと離隔されたドレイン電極ＤＥ、及びドレイン電極ＤＥと接続して画素電極ＰＥとコンタクトするコンタクト電極ＣＮＴを含む。コンタクト電極ＣＮＴは、ストレージラインＳＴＬに向かって延伸されるが、ストレージラインＳＴＬとオーバーラップしないように第１ベース基板１１０の画素領域Ｐに形成される。
【００９１】
ドメイン形成層１５０は、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、ソース電極ＳＥ、並びにドレイン電極ＤＥ上に形成される。ドメイン形成層１５０は、ストレージラインＳＴＬと対応する領域に形成された陥没パターン１５２、または、ストレージラインＳＴＬ以外の不透明メタルで形成されたパターンに対応して形成された陥没パターン１５２を含む。ストレージラインＳＴＬ以外の不透明メタルで形成されたパターンは、例えば、第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２などを挙げることができる。陥没パターン１５２は、ドメイン形成層１５０がその表面から所定の厚さを除去して形成されてもよい。このとき、陥没パターン１５２は、ストレージラインＳＴＬ上のパッシベーション層１４０をカバーする。陥没パターン１５２は、ホール（ｈｏｌｅ）形状で形成されて、パッシベーション層１４０を露出させる。陥没パターン１５２は、画素領域Ｐの液層ドメインを形成する。陥没パターン１５２の下部に形成されたストレージラインＳＴＬ、またはストレージラインＳＴＬ以外の不透明メタルで形成されたパターンは、陥没パターン１５２によって生じる光漏れを防ぐことができる。
【００９２】
図１４及び図１５においては、ドメイン形成層１５０が１つの陥没パターン１５２を含む場合を一例として説明したが、陥没パターン１５２は、画素領域Ｐに２つ以上の複数個が形成されてもよい。陥没パターン１５２の個数が液晶ドメインの数を決める。
【００９３】
ドメイン形成層１５０は、コンタクト電極ＣＮＴの一部を露出させるコンタクトホール１５４をさらに含む。コンタクトホール１５４を介して、画素電極ＰＥとコンタクト電極ＣＮＴとがコンタクトすることによって、画素電極ＰＥは、薄膜トランジスタＳＷと電気的に接続することができる。
【００９４】
本実施形態による第２基板２００及び液晶層３００は、図２及び図３で説明した第１実施形態による第２基板及び液晶層と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【００９５】
以下、図１５及び図１６を参照して本実施形態による表示装置の製造方法について説明する。
【００９６】
図１６は、図１５に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００９７】
図１６で、ストレージラインＳＴＬ、ゲート絶縁層１２０、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、並びにパッシベーション層１４０をそれぞれ形成する段階は、図５で説明した段階と実質的に同一である。従って、重複する具体的説明は省略する。
【００９８】
図１６を参照すると、パッシベーション層１４０が形成された第１ベース基板１１０上にドメイン形成層１５０を形成し、ドメイン形成層１５０を第１マスクＡを利用してパターニングして、陥没パターン１５２を形成する。
【００９９】
ドメイン形成層１５０は、例えば、ポジティブ型フォトレジスト組成物で形成されてもよい。第１マスクＡは、光を遮断する遮光部１及び光の一部を透過させる半透光部２を含む。第１マスクＡの上部で照射される光量を「１００」と定義し、遮光部１によって遮断されることによって、ドメイン形成層１５０に到達する光量を「０」と定義するとき、半透光部２を通過する光量は、「０以上１００未満」であってもよい。半透光部２を通過する光量は、例えば、約３０であってもよい。
【０１００】
第１マスクＡの上部で光を照射し、ドメイン形成層１５０を現像すると、遮光部１に対応する領域のドメイン形成層１５０は、パッシベーション層１４０上に残留し、半透光部２に対応する領域のドメイン形成層１５０は、一部が除去されて陥没パターン１５２が形成される。
【０１０１】
陥没パターン１５２を含むドメイン形成層１５０が形成された第１ベース基板１１０上に、画素電極ＰＥ及び第１配向膜ＡＬ１を順次に形成する。画素電極ＰＥ及び第１配向膜ＡＬ１は、画素領域Ｐの全面をカバーするように別途のパターン無しで形成される。従って、本実施形態による第１基板１００を製造することができる。
【０１０２】
図１５を参照すると、第２基板２００を製造し、第１基板１００及び第２基板２００をアセンブリした後、液晶層３００を製造することによって、本実施形態による表示装置を製造することができる。
【０１０３】
図１５で、第２基板２００を製造する工程及び液晶層３００を形成する工程は、それぞれ図８及び図９で説明した工程と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１０４】
本実施形態によると、共通電極２５０に別途のパターンを形成せずに、陥没パターン１５２を形成することができる。これによって、画素領域Ｐの開口率を向上させ、視野角を向上させることができる。また、共通電極２５０に別途のパターンが無いため、第１基板１００と第２基板２００とのミスアラインの原因を根本的に除去することができる。また、共通電極２５０をパターニングするための別途のパターニング工程を省略することによって製造工程を単純化させることができる。
【０１０５】
（第４実施形態）
図１７は、本発明の第４実施形態による表示装置の断面図である。
【０１０６】
図１７で、本実施形態による表示装置の平面構造は、図１に示した第１実施形態による表示装置の平面構造と実質的に同一である。従って、本実施形態による平面図は、図１を参照して説明し、重複する説明は省略する。また、メインスペーサ３４０及びサブスペーサ３５０を除いては図３で説明した表示装置と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１０７】
図１７を参照すると、本実施形態による表示装置は、第１基板１００、第２基板２００、及び液晶層３００を含む。
【０１０８】
第１基板１００は、ストレージラインＳＴＬ、ストレージラインＳＴＬ上に形成されたゲート絶縁層１２０、ゲート絶縁層１２０上に形成された第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、薄膜トランジスタＳＷのコンタクト電極ＣＮＴ、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２上に形成されたパッシベーション層１４０、画素領域Ｐの液晶ドメインを形成するための陥没パターン１５２を含むドメイン形成層１５０、画素電極ＰＥ、並びに第１配向膜ＡＬ１を含む。
【０１０９】
第２基板２００は、第２ベース基板２１０上に形成されたブラックマトリックスパターン２２０、第１カラーフィルタ２３２、第２カラーフィルタ２３４、第３カラーフィルタ２３６、オーバーコーティング層２４０、共通電極２５０、第２配向膜ＡＬ２、メインスペーサ３４０、及びサブスペーサ３５０を含む。
【０１１０】
メインスペーサ３４０は、第２基板２００に形成されて、第１基板１００と第２基板２００との間の間隔を一定に維持する。メインスペーサ３４０の高さは、液晶層３００のセルギャップと実質的に同一であるかまたは同一であってもよい。メインスペーサ３４０は、第１データラインＤＬ１、第２データラインＤＬ２、ストレージラインＳＴＬ、及び／または薄膜トランジスタＳＷ上に配置される。
【０１１１】
サブスペーサ３５０は、第２基板２００上に形成される。サブスペーサ３５０は、表示装置が外力によって加圧されるとき、第１基板１００と第２基板２００との間を緩衝させることによって、第１基板１００及び第２基板２００が接触して液晶層３００の液晶分子３１０が損傷されることを防ぐ。サブスペーサ３５０の高さは、メインスペーサ３４０の高さより低く形成される。
【０１１２】
メインスペーサ３４０またはサブスペーサ３５０は、陥没パターン１５２が形成された領域と対応する第２ベース基板２１０上に形成されてもよい。液晶分子３１０の長軸がメインスペーサ３４０またはサブスペーサ３５０の表面に対して垂直に配列されることによって、陥没パターン１５２が形成された領域の液晶分子３１０が安定的にプレチルトされる。つまり、液晶分子３１０は、陥没パターン１５２及びメインスペーサ３４０またはサブスペーサ３５０によって安定的にプレチルトされることができる。
【０１１３】
以下、図１７及び図１８を参照して本実施形態による表示装置の製造方法を説明する。
【０１１４】
先ず、図１７を参照すると、第１基板１００を製造する。第１基板１００は、図５〜図７で説明した工程と実質的に同一な工程を通じて製造することができる。
【０１１５】
続いて、第２基板２００を製造する。第２基板２００は、メインスペーサ３４０及びサブスペーサ３５０を形成する段階をさらに含むことを除いては、図８で説明した工程と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１１６】
図１８は、図１７に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【０１１７】
図１８を参照すると、第２配向膜ＡＬ２が形成された第２ベース基板２１０上にフォト層（図示せず）を形成し、フォト層の上部に配置された第２マスクＢを利用して露光現像することによって、メインスペーサ３４０及びサブスペーサ３５０を形成することができる。
【０１１８】
フォト層は、例えば、ポジティブ型フォトレジスト組成物で形成することができる。第２マスクＢは、遮光部１、半透光部２、及び透光部３を含む。透光部３は、第２マスクＢの上部で照射される光を大部分通過させる領域である。
【０１１９】
第２マスクＢの上部で光を照射した後、フォト層を現像すると、遮光部１に対応するフォト層は残留してメインスペーサ３４０を形成する。半透光部２に対応するフォト層は一部分除去され、残りは残留してサブスペーサ３５０を形成する。透光部３に対応する領域のフォト層は除去されて下部の第２配向膜ＡＬ２を露出させる。よって、上記のように、本実施形態による第２基板２００を製造することができる。
【０１２０】
第１基板１００と第２基板２００との間に液晶層３００を形成する。液晶層３００を形成する段階は、図９で説明した段階と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１２１】
以上のように、第１基板１００、第２基板２００、及び液晶層３００を含む本実施形態による表示装置を製造することができる。
【０１２２】
図１７及び図１８においては、陥没パターン１５２と対応してサブスペーサ３５０が形成されることを一例として図示したが、これとは異なって、メインスペーサ３４０が陥没パターン１５２と対応して形成されることによって液晶分子３１０を安定的にプレチルトさせてもよい。
【０１２３】
本実施形態によると、画素領域Ｐの開口率を向上させ、液晶表示装置の視野角を向上させることができる。また、液晶表示装置の製造工程の信頼性を向上させ、製造工程を単純化させることによって、生産性を向上させることができる。
【０１２４】
（第５実施形態）
図１９は、本発明の第５実施形態による表示装置の平面図である。
【０１２５】
図２０は、図１９のＩＶ−ＩＶ’ラインに沿って切断した断面図である。
【０１２６】
図１９及び図２０を参照すると、本実施形態による表示装置は、第１基板１００、第２基板２００、及び液晶層３００を含む。
【０１２７】
第１基板１００は、第１ベース基板１１０、第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２、ストレージラインＳＴＬ、ゲート絶縁層１２０、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、スイッチング素子である薄膜トランジスタＳＷ、パッシベーション層１４０、ドメイン形成層１５０、画素電極ＰＥ、反射電極ＲＦＥ、並びに第１配向膜ＡＬ１を含む。薄膜トランジスタＳＷ、ドメイン形成層１５０、及び反射電極ＲＦＥを除いた他の構成要素は、図１、図２、及び図３に示した構成要素と実質的に同一である。従って、重複する説明は、省略する。
【０１２８】
薄膜トランジスタＳＷは、第１ゲートラインＧＬ１と接続されたゲート電極ＧＥ、ゲート電極ＧＥ上に形成されたアクティブパターン（図示せず）、第１データラインＤＬ１と接続されたソース電極ＳＥ、ソース電極ＳＥと離隔されたドレイン電極ＤＥ、ドレイン電極ＤＥと接続されて画素電極ＰＥとコンタクトする第１コンタクトパターンＣＴ１、第１コンタクトパターンＣＴ１と接続されて画素領域Ｐに延長し、反射電極ＲＦＥとコンタクトする第２コンタクトパターンＣＴ２を含む。
【０１２９】
ドメイン形成層１５０は、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２をカバーするように形成される。ドメイン形成層１５０は、画素領域Ｐの液晶ドメインを形成する陥没パターン１５２を含む。陥没パターン１５２は、第１コンタクトパターンＣＴ１の一部を露出させる第１ホールパターンＨ１及び第２コンタクトパターンＣＴ２の一部を露出させる第２ホールパターンＨ２を含む。第１ホールパターンＨ１によって第１液晶ドメインが形成され、第２ホールパターンＨ２によって第２液晶ドメインが形成される。つまり、１つの画素領域Ｐが２つの液晶ドメインに分割される。
【０１３０】
画素電極ＰＥは、ドメイン形成層１５０上に形成され、画素領域Ｐの一領域に形成される。画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯなどで形成されることができる。反射電極ＲＦＥは、ドメイン形成層１５０上に形成され、画素領域Ｐの一領域を除いた他の領域に形成される。反射電極ＲＦＥは、例えば、アルミニウムで形成されることができる。画素電極ＰＥ及び反射電極ＲＦＥが形成された第１ベース基板１１０上に第１配向膜ＡＬ１が形成される。
【０１３１】
第２基板２００及び液晶層３００は、図１、図２、及び図３に示した第２基板及び液晶層と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１３２】
図１９及び図２０においては、ストレージラインＳＴＬが第１コンタクトパターンＣＴ１と第２コンタクトパターンＣＴ２との間に配置される場合を一例として示したが、ストレージラインＳＴＬは、第１コンタクトパターンＣＴ１または第２コンタクトパターンＣＴ２にオーバーラップして形成されてもよい。
【０１３３】
また、図１９及び図２０においては、２つのホールパターン（Ｈ１、Ｈ２）を含む場合を一例として説明したが、陥没パターン１５２は、複数個のホールパターンを含むことによって、複数個の液晶ドメインを形成してもよい。
【０１３４】
他の実施形態においては、第２ホールパターンＨ２は形成しない場合もある。
【０１３５】
また、他の実施形態においては、画素電極ＰＥと反射電極ＲＦＥはブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）によって互いに電気的に接続されてもよい。また、他の実施形態においては、側面視認性の改善のために画素電極ＰＥと接続されたトランジスタ及び反射電極ＲＦＥと接続されたトランジスタを利用して、画素電極ＰＥ及び反射電極ＲＦＥをそれぞれ独立的に駆動するか、またはコムスイング（Ｃｏｍｍｏｎ  Ｓｗｉｎｇ）を利用して駆動させることができる。
【０１３６】
図２１及び図２２は、図２０に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【０１３７】
図２０及び図２１を参照すると、第１ベース基板１１０上にストレージラインＳＴＬを形成し、ストレージラインＳＴＬが形成された第１ベース基板１１０上に、ゲート絶縁層１２０を形成する。ゲート絶縁層１２０が形成された第１ベース基板１１０上に、第１コンタクトパターンＣＴ１及び第２コンタクトパターンＣＴ２を形成する。第１コンタクトパターンＣＴ１及び第２コンタクト電極が形成された第１ベース基板１１０上に、パッシベーション層１４０及びドメイン形成層１５０を順次に形成し、ドメイン形成層１５０をパターニングして第１ホールパターンＨ１及び第２ホールパターンＨ２を含む陥没パターン１５２を形成する。
【０１３８】
続いて、陥没パターン１５２を通じて露出されたパッシベーション層１４０を除去して、第１コンタクトパターンＣＴ１及び第２コンタクトパターンＣＴ２をそれぞれ露出させ、透明電極層（図示せず）を形成する。透明電極層は、第１ホールパターンＨ１を介して第１コンタクトパターンＣＴ１とコンタクトし、第２ホールパターンＨ２を介して第２コンタクトパターンＣＴ２とコンタクトする。続いて、透明電極層をパターニングして第１コンタクトパターンＣＴ１とコンタクトする画素電極ＰＥを形成する。
【０１３９】
図２２を参照すると、画素電極ＰＥが形成された第１ベース基板１１０上に、不透明電極層（図示せず）を形成し、不透明電極層をパターニングして、第２コンタクトパターンＣＴ２とコンタクトする反射電極ＲＦＥを形成する。
【０１４０】
続いて、画素電極ＰＥ及び反射電極ＲＦＥが形成された第１ベース基板１１０上に第１配向膜ＡＬ１を形成する。画素電極ＰＥ及び第１配向膜ＡＬ１は、画素領域Ｐの全面をカバーするように別途のパターン無しで形成される。従って、上記のように、本実施形態による第１基板１００が製造されることができる。
【０１４１】
第１基板１００と対向する第２基板２００を製造し、第１基板１００と第２基板２００との間に液晶層３００を形成することによって、本実施形態による表示装置を製造することができる。第２基板２００を製造する段階及び液晶層３００を形成する段階は、それぞれ図８及び図９で説明した段階と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１４２】
図２３は、図１９の構造を有する透過モード表示装置の断面図である。
【０１４３】
図２３に示した透過モード表示装置の平面構造は、図１９の平面構造と実質的に同一である。また、図２３で、透過電極ＴＥを除いては図２０で説明した表示装置と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１４４】
図２３を参照すると、画素電極ＰＥ及び透過電極ＴＥはドメイン形成層１５０上に形成される。透過電極ＴＥは、第２コンタクトパターンＣＴ２と第２ホールパターンＨ２を介してコンタクトする。透過電極ＴＥは、画素電極ＰＥを形成する物質と同一物質、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯなどで形成されることができる。
【０１４５】
図２３においては、画素電極ＰＥ及び透過電極ＴＥが物理的に分離されることを一例として図示したが、透過電極ＴＥは、画素電極ＰＥと接続されてもよい。
【０１４６】
本実施形態によると、画素領域Ｐの開口率を向上させ、液晶表示装置の視野角を向上させることができる。特に、１つの画素領域Ｐに複数個の液晶ドメインを形成することによって視野角をさらに向上させることができる。また、液晶表示装置の製造工程の信頼性を向上させ、製造工程を単純化させることによって、生産性を向上させることができる。
【０１４７】
（第６実施形態）
図２４は、本発明の第６実施形態による表示装置の平面図である。
【０１４８】
図２５は、図２４のＶ−Ｖ’ラインに沿って切断した断面図である。
【０１４９】
図２４及び図２５を参照すると、本実施形態による表示装置は、第１基板１００、第２基板２００、及び液晶層３００を含む。
【０１５０】
第１基板１００は、第１ベース基板１１０、第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２、ストレージラインＳＴＬ、ボトム電極ＢＥ、ゲート絶縁層１２０、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、スイッチング素子の薄膜トランジスタＳＷ、パッシベーション層１４０、ドメイン形成層１５０、画素電極ＰＥ、並びに第１配向膜ＡＬ１を含む。ボトム電極ＢＥを除いた他の構成要素は、図１、図２、及び図３に示した構成要素と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１５１】
ボトム電極ＢＥは画素領域Ｐに形成し、画素電極ＰＥとオーバーラップしてもよい。ボトム電極ＢＥと画素電極ＰＥとの間にゲート絶縁層１２０及び薄膜トランジスタＳＷのコンタクト電極ＣＮＴが形成される。ボトム電極ＢＥは、ストレージラインＳＴＬ上に形成される。ボトム電極ＢＥは、ストレージラインＳＴＬと直接コンタクトしてストレージラインＳＴＬと電気的に接続される。
【０１５２】
ボトム電極ＢＥとコンタクト電極ＣＮＴとの間のゲート絶縁層１２０には電荷が充電される。特に、画素領域Ｐに形成されたボトム電極ＢＥと画素電極ＰＥとの間のゲート絶縁層１２０、パッシベーション層１４０、及びドメイン形成層１５０に電荷が充電される。つまり、画素領域Ｐの大部分の領域は、ストレージキャパシタＣＳＴとして利用できる。
【０１５３】
第２基板２００及び液晶層３００は、図１、図２、及び図３に示した第２基板及び液晶層と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１５４】
図２６〜図２８は、図２５に示す表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【０１５５】
図２５及び図２６を参照すると、第１ベース基板１１０上にゲート金属層（図示せず）を形成し、ゲート金属層をパターニングして第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２、ゲート電極ＧＥ、並びにストレージラインＳＴＬを含むゲートパターンを形成する。
【０１５６】
ゲートパターンを含む第１ベース基板１１０上に、透明電極層ＴＥＬを形成する。透明電極層ＴＥＬは、例えば、透明な導電性物質で形成される。透明電極層ＴＥＬは例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯなどで形成されることができる。
【０１５７】
図２７を参照すると、透明電極ＴＥＬをパターニングしてボトム電極ＢＥを形成する。ボトム電極ＢＥは、ストレージラインＳＴＬと直接コンタクトする。
【０１５８】
続いて、ボトム電極ＢＥが形成された第１ベース基板１１０上に、ゲート絶縁層１２０を形成する。
【０１５９】
図２８を参照すると、ゲート絶縁層１２０上に薄膜トランジスタＳＷのアクティブパターンＡＰを形成し、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、並びにコンタクト電極ＣＮＴを含むソースパターンを形成する。ソースパターンを含む第１ベース基板１１０上に、パッシベーション層１４０を形成し、パッシベーション層１４０上にドメイン形成層１５０を形成する。
【０１６０】
ドメイン形成層１５０にコンタクト電極ＣＮＴの一部を露出させる陥没パターン１５２を形成する。陥没パターン１５２が形成された第１ベース基板１１０上に、画素電極ＰＥ及び第１配向膜ＡＬ１を順次に形成する。画素電極ＰＥ及び第１配向膜ＡＬ１は、画素領域Ｐの全面をカバーするように別途のパターンなしで形成される。これによって、本実施形態による第１基板１００を製造することができる。
【０１６１】
続いて、第１基板１００と対向する第２基板２００を製造し、第１基板１００と第２基板２００との間に液晶層３００を形成することによって、本実施形態による表示装置を製造することができる。第２基板２００を製造する段階及び液晶層３００を形成する段階は、それぞれ図８及び図９で説明した段階と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１６２】
本実施形態によると、画素領域Ｐの開口率を向上させ、液晶表示装置の視野角を向上させることができる。また、液晶表示装置の製造工程の信頼性を向上させ、製造工程を単純化させることによって生産性を向上させることができる。
【０１６３】
（第７実施形態）
図２９は、本発明の第７実施形態による表示装置の平面図である。
【０１６４】
図３０は、図２９のＶＩ−ＶＩ’ラインに沿って切断した断面図であり、図３１は、図２９のＶＩＩ−ＶＩＩ’ラインに沿って切断した断面図である。
【０１６５】
図２９、図３０、及び図３１を参照すると、本実施形態による表示装置は第１基板１００、第２基板２００、及び第３基板３００を含む。
【０１６６】
第１基板１００は、第１ベース基板１１０、第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２、ストレージラインＳＴＬ、ボトム電極ＢＥ、ゲート絶縁層１２０、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、スイッチング素子である薄膜トランジスタＳＷ、パッシベーション層１４０、ドメイン形成層１５０、画素電極ＰＥ、並びに第１配向膜ＡＬ１を含む。
【０１６７】
第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２は、第１ベース基板１１０上に第１方向Ｄ１に従って延伸されてもよい。第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２は、互いに第１方向Ｄ１と異なる第２方向Ｄ２に平行に配列されてもよい。第２方向Ｄ２は、例えば、第１方向Ｄと垂直する方向であってもよい。
【０１６８】
ストレージラインＳＴＬは、第１ゲートラインＧＬ１と第２ゲートラインＧＬ２との間に配置され、第１方向Ｄ１に沿って延伸される。ボトム電極ＢＥは、ストレージラインＳＴＬの一端と直接コンタクトし、第１ベース基板１１０の画素領域Ｐに形成される。
【０１６９】
ゲート絶縁層１２０は、第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２、ストレージラインＳＴＬ、並びにボトム電極ＢＥを覆うように第１ベース基板１１０上に形成される。
【０１７０】
第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２は、ゲート絶縁層１２０上に第２方向に沿って延伸され、第１方向Ｄ１に互いに平行に配列される。第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２は、それぞれ第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２、並びにストレージラインＳＴＬと交差する。
【０１７１】
薄膜トランジスタＳＷは、第１ゲートラインＧＬ１と接続された第１ゲート電極ＧＥ１、第１ゲート電極ＧＥ１と対応するようにゲート絶縁層１２０上に形成されたアクティブパターンＡＰ、第１データラインＤＬ１と接続し、アクティブパターンＡＰとオーバーラップされたソース電極ＳＥ、ソース電極ＳＥ１と離隔しアクティブパターンＡＰとオーバーラップするドレイン電極ＤＥ、及びドレイン電極ＤＥから画素領域Ｐに延伸したコンタクト電極ＣＮＴを含む。コンタクト電極ＣＮＴは、ドレイン電極ＤＥから延伸して前記ストレージラインＳＴＬの一部とオーバーラップされてもよい。コンタクト電極ＣＮＴは、第１ゲートラインＧＬ１に隣接する領域に大面積で形成されることができる。
【０１７２】
ドメイン形成層１５０は、パッシベーション層１４０上に形成される。ドメイン形成層１５０は、第１基板１００を平坦化する。ドメイン形成層１５０は、コンタクト電極ＣＮＴを露出させるコンタクトホール１５４を含む。コンタクトホール１５４を介して、ドメイン形成層１５０上に形成された画素電極ＰＥは、コンタクト電極ＣＮＴとコンタクトして、画素電極ＰＥは薄膜トランジスタＳＷと電気的に接続することができる。
【０１７３】
画素電極ＰＥは、画素領域Ｐのドメイン形成層１５０上に形成される。画素電極ＰＥは、透明で導電性のある物質で形成される。画素電極ＰＥは、画素領域Ｐに形成されたドット型（ｄｏｔ  ｔｙｐｅ）の開口パターン１６２を含む。ドット型は、円形のみならず多角形及び線形を含んでもよい。開口パターン１６２が形成された領域に対応する第２基板２００の一地点に向かって、液晶層３００の液晶分子３１０が収斂して配列される。よって、開口パターン１６２は、画素領域Ｐの液晶ドメインを形成することができる。また、画素電極ＰＥに隣接する他の画素電極の端部と共通電極２５０との間でも電界の方向が撓む。よって、互いに隣接する画素電極ＰＥの間では液晶分子３１０が共通電極２５０の互いに異なる地点に向かって広がるように配列されることによって、互いに隣接する画素領域Ｐの間のドメインが分割されることができる。
【０１７４】
第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥを含む第１ベース基板１１０の全面に形成される。
【０１７５】
第２基板２００は、第２ベース基板２１０上に形成されたブラックマトリックスパターン２２０、第１カラーフィルタ２３２、第２カラーパターン２３４、第３カラーフィルタ２３６、オーバーコーティング層２４０、共通電極２５０、及び第２配向膜ＡＬ２を含む。液晶層３００は、液晶分子３１０及びＲＭ硬化物３２０を含む。第２基板２００及び液晶層３００は、図２及び図３で説明した第１実施形態による第２基板及び液晶層と実施的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１７６】
以下、図３０及び図３１を参照して本実施形態による第１基板１００及び第２基板２００の製造方法について説明する。
【０１７７】
図３０及び図３１を参照すると、第１ベース基板１１０上にゲート金属層（図示せず）を形成し、ゲート金属層をパターニングして第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２、ゲート電極ＧＥ、並びにストレージラインＳＴＬを含むゲートパターンを形成することができる。
【０１７８】
ゲートパターンを含む第１ベース基板１１０上に透明電極層（図示せず）を形成し、透明電極層をパターニングしてストレージラインＳＴＬの一端部に直接コンタクトするボトム電極ＢＥを形成する。画素領域Ｐにおいては、ボトム電極ＢＥが第１ベース基板１１０と直接接触してもよい。
【０１７９】
ボトム電極ＢＥが形成された第１ベース基板１１０上に、アクティブパターンＡＰを形成し、アクティブパターンＡＰを含む第１ベース基板１１０上に、ソース金属層（図示せず）を形成する。ソース金属層をパターニングして第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、並びにコンタクト電極ＣＮＴを含むソースパターンを形成する。
【０１８０】
ソースパターンが形成された第１ベース基板１１０上に、パッシベーション層１４０及びドメイン形成層１５０を順次に形成した後、ドメイン形成層１５０上に画素電極ＰＥ及び第１配向膜ＡＬ１を順次に形成する。よって、以上のように、本実施形態による第１基板１００を製造することができる。
【０１８１】
続いて、第１基板１００と対向する第２基板２００を製造し、第１基板１００と第２基板２００との間に液晶層３００を形成することによって、本実施形態による表示装置を製造することができる。第２基板２００を製造する段階は、図８で説明した段階と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。以下において、図３２を参照して本実施形態による液晶層３００を形成する段階を説明する。
【０１８２】
図３２は、図３１に示す表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【０１８３】
図３１及び図３２参照すると、第１基板１００と第２基板２００とをアセンブリし、第１基板１００と第２基板２００との間に液晶組成物を介在させる。液晶組成物は、複数の液晶分子３１０及びＲＭモノマー３３０（図９参照）を含んでもよい。
【０１８４】
液晶組成物が第１基板１００と第２基板２００との間に介在された状態で、共通電極２５０に第１電圧Ｖｃｏｍを印加し（ステップＳ１２）、ボトム電極ＢＥに第２電圧Ｖｂ１を印加する（ステップＳ１４）。
【０１８５】
第１電圧Ｖｃｏｍは、例えば、約０Ｖであってもよい。第２電圧Ｖｂ１は第１電圧Ｖｃｏｍより高い電圧である。第２電圧Ｖｂ１は、例えば、約７Ｖ〜役１６Ｖであってもよい。第２電圧Ｖｂ１は、ストレージラインＳＴＬを介してボトム電極ＢＥに印加されてもよい。第１電圧Ｖｃｏｍと第２電圧Ｖｂ１とによって、第１基板１００と第２基板２００との間に電界が形成される。第１電圧Ｖｃｏｍと第２電圧Ｖｂ１とによって形成された電界によって、液晶分子３１０の長軸が電界方向に対して垂直な方向に配列される。
【０１８６】
続いて、画素領域ＰＥに第３電圧Ｖｄａｔａを印加する（ステップＳ１６）。第３電圧Ｖｄａｔａは、第１電圧Ｖｃｏｍよりは高く、第２電圧Ｖｄ１よりは低い電圧であり、正極性または負極性電圧のどちらであってもよい。第３電圧Ｖｄａｔａは、例えば、約５Ｖであってもよい。
【０１８７】
続いて、液晶分子３１０を、第１電圧〜第３電圧（Ｖｃｏｍ、Ｖｂ１、Ｖｄａｔａ）を利用してプレチルトさせた状態で、第１基板１００及び第２基板２００に紫外線を照射する（ステップＳ５０）。紫外線によって、ＲＭモノマーが光反応して重合される。よって、重合されたＲＭ硬化物３２０（図３１参照）を形成し、ＲＭ硬化物３２０によって液晶分子３１０がプレチルトされた状態で画素電極ＰＥ及び／または共通電極２５０に隣接して固定されることができる。
【０１８８】
このように、画素電極ＰＥの下部に形成されたボトム電極ＢＥに、画素電極ＰＥに印加される第３電圧Ｖｄａｔａより高い第２電圧Ｖｂ１を提供することによって、開口パターン１６３に隣接する領域に配置された液晶分子３１０をより強い電界を利用して安定的に配列させることができる。従って、本実施形態による液晶層３００を形成することができる。
【０１８９】
本実施形態によると、画素領域Ｐの開口率を向上させ、液晶表示装置の視野角を向上させることができる。また、液晶表示装置の製造工程の信頼性を向上させ、製造工程を単純化させることによって生産性を向上させることができる。
【０１９０】
（第８実施形態）
本実施形態による表示装置は、図２９、図３０、及び図３１で説明した第７実施形態による表示装置と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１９１】
以下、図３０、図３１、及び図３３を参照して本実施形態による表示装置の製造方法を説明する。本実施形態による第１基板１００及び第２基板２００を製造する段階をそれぞれ第７実施形態による第１基板及び第２基板を製造する段階と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１９２】
図３０、図３１、及び図３３を参照すると、第１基板１００及び第２基板をそれぞれ製造し、第１基板１００と第２基板２００とをアセンブリする。第１基板１００と第２基板２００との間に液晶組成物を介在させる。液晶組成物は、複数の液晶分子３１０及びＲＭモノマー３３０（図９参照）を含んでもよい。
【０１９３】
図３３は、本実施形態による表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【０１９４】
図３３を参照すると、液晶組成物が第１基板１００と２基板２００との間に介在された状態で、共通電極２５０に第１電圧Ｖｃｏｍを印加し（ステップＳ２２）、ボトム電極ＢＥに第２電圧Ｖｂ１を印加する（ステップＳ２４）。第２電圧Ｖｂ１は、第１電圧Ｖｃｏｍより高い電圧である。第２電圧Ｖｂ１は、ストレージラインＳＴＬを介してボトム電極ＢＥに印加されてもよい。
【０１９５】
第１電圧Ｖｃｏｍと第２電圧Ｖｂ１とによって、第１基板１００と第２基板２００との間に電界が形成される。第１電圧Ｖｃｏｍと第２電圧Ｖｂ１とによって形成された電界によって、液晶分子３１０の長軸が電界方向に対して垂直な方向に配列される。
【０１９６】
続いて、画素電極ＰＥに第３電圧Ｖｄａｔａを印加する（ステップＳ２６）。第３電圧Ｖｄａｔａは、第１電圧Ｖｃｏｍよりは高く、第２電圧Ｖｂ１よりは低い電圧である。画素電極ＰＥに第３電圧Ｖｄａｔａが印加されるとしても、既に第１電圧Ｖｃｏｍと第２電圧Ｖｂ１とによって開口パターン１６３に隣接する領域に強い電界が形成されているため、開口パターン１６３に隣接する領域に配置された液晶分子３１０は、第２電圧Ｖｂ１を印加したときと配列状態がほぼ変化しない。第１、第２、及び第３電圧は、正極性及び負極性の電圧を全部適用することができ、ＤＣ電圧のみでなくＡＣ電圧も適用することができる。
【０１９７】
続いて、ボトム電極ＢＥに第４電圧Ｖｂ２を印加する（ステップＳ２８）。第４電圧Ｖｂ２は、第１〜第３電圧（Ｖｃｏｍ、Ｖｂ１、Ｖｄａｔａ）よりも大きい電圧である。第４電圧Ｖｂ２は、例えば、約２５Ｖであってもよい。これによって、共通電極２５０と第４電圧Ｖｂ２が印加されたボトム電極ＢＥとの間に最も強い電界が形成され、第１電圧Ｖｃｏｍと第４電圧Ｖｂ２との間に形成された電界によって、液晶分子３１０の長軸が電界方向に対して垂直に配列される。
【０１９８】
液晶分子３１０を第１〜第４電圧（Ｖｃｏｍ、Ｖｂ１、Ｖｄａｔａ、Ｖｂ２）を利用してプレチルトさせた状態で、第１基板１００及び第２基板２００に紫外線を照射する（ステップＳ５０）。紫外線によって、ＲＭモノマーが光反応して重合される。これによって、ＲＭ硬化物３２０（図３１参照）が形成され、このＲＭ硬化物によって液晶分子３１０がプレチルトされた状態で画素電極ＰＥ及び／または共通電極２５０に隣接するように固定されることができる。
【０１９９】
このように、画素電極ＰＥの下部に形成されたボトム電極ＢＥに、画素電極ＰＥに印加される第３電圧Ｖｄａｔａよりも高い第２Ｖｂ１及び第４電圧Ｖｂ２を提供することによって、開口パターン１６３に隣接する領域に配置された液晶分子３１０をより強い電界を利用して安定的に配列させることができる。特に、第１〜第４電圧（Ｖｃｏｍ、Ｖｂ１、Ｖｄａｔａ、Ｖｂ２）のうち、最も高いレベルである第４電圧Ｖｂ２をボトム電極ＢＥに提供する前に、第３電圧Ｖｄａｔａよりは高く、第４電圧Ｖｂ２よりは低い第２電圧Ｖ１を印加することによって、液晶分子３１０の挙動が急激に変化することを防ぐことができる。従って、開口パターン１６３に隣接する領域に配置された液晶分子３１０をより強い電界を利用して安定的に配列させることができる。よって、以上のように、本実施形態による液晶層３００を形成することができる。
【０２００】
図面には図示していないが、ボトム電極ＢＥに第４電圧Ｖｂ２を印加する前に、第１基板１００及び第２基板２００に紫外線を照射する段階をさらに含んでもよい。第４電圧Ｖｂ２を印加する前に紫外線を照射してＲＭモノマー３３０を部分的に反応して硬化させ、第４電圧Ｖｂ２を印加した後、再び紫外線を照射することによって、ＲＭモノマー３３０を完全に硬化させることができる。
【０２０１】
本実施形態によると、画素領域Ｐの開口率を向上させ、液晶表示装置の視野角を向上させることができる。特に、液晶層３００の液晶分子３１０を安定的にプレチルトさせることができる。従って、液晶表示装置の製造工程の信頼性を向上させ、製造工程を単純化させることによって生産性を向上させることができる。
（第９実施形態）
【０２０２】
図３４は、本発明の第９実施形態による表示装置の断面図である。
【０２０３】
図３４において、第１基板１００のドメイン形成層１５０の陥没パターン１５２を除いては、図２９、図３０、及び図３１で説明した第７実施形態の表示装置と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０２０４】
図３４を参照すると、本実施形態による表示装置は、第１基板１００、第２基板２００、及び液晶層３００を含む。
【０２０５】
第１基板１００は、ボトム電極ＢＥ、ゲート絶縁層１２０、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、パッシベーション層１４０、ドメイン形成層１５０、画素電極ＰＥ、並びに第１配向膜ＡＬ１を含む。
【０２０６】
ドメイン形成層１５０を画素領域Ｐに形成されたドット型（ｄｏｔ  ｔｙｐｅ）の陥没パターン１５２を含む。陥没パターン１５２は、ドメイン形成層１５０が所定の厚さが除去されて形成される。陥没パターン１５２は、画素領域Ｐに液晶ドメインを形成することができる。
【０２０７】
画素電極ＰＥは、ドット型（ｄｏｔ  ｔｙｐｅ）の開口パターン１６２を含む。開口パターン１６２は、陥没パターン１５２に対応する領域に形成される。画素電極ＰＥが形成された第１ベース基板１００上に形成された第１配向膜ＡＬ１は、開口パターン１６２によって陥没パターン１５２と接触してもよい。開口パターン１６２は、陥没パターン１５２と共に画素領域Ｐに液晶ドメインを形成することができる。
【０２０８】
第２基板２００及び液晶層３００は、図２９、図３０、及び図３１で説明した第２基板及び液晶層と実質的に同一であるため、重複する説明は省略する。
【０２０９】
本実施形態による表示装置は、ドメイン形成層１５０に陥没パターン１５２を形成することを除いては、第７実施形態による表示装置の製造方法と実質的に同一な方法で製造される。
【０２１０】
これとは異なって、本実施形態による表示装置は、ドメイン形成層１５０に陥没パターン１５２を形成することを除いては、本実施形態による表示装置の製造方法と実質的に同一な方法で製造されることができる。
【０２１１】
本実施形態によると、画素領域Ｐの開口率を向上させ、液晶表示装置の視野角を向上させることができる。また、液晶層３００の液晶分子３１０を安定的にプレチルトさせることができる。従って、液晶表示装置の製造工程の信頼性を向上させ、製造工程を単純化させることによって、生産性を向上させることができる。
【０２１２】
（第１０実施形態）
図３５は、本発明の第１０実施形態による表示装置の断面図である。
【０２１３】
図３５で、本実施形態による表示装置は、第１基板１００の遮光パターンＢＬを除いては、図３４で説明した第９実施形態の表示装置と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０２１４】
図３５を参照すると、本実施形態による表示装置は、第１基板１００、第２基板２００、及び液晶層３００を含む。
【０２１５】
第１基板１００は、遮光パターンＢＬ、ボトムパターンＢＥ、ゲート絶縁層１２０、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２、パッシベーション層１４０、ドメイン形成層１５０、画素電極ＰＥ、並びに第１配向膜ＡＬ１を含む。
【０２１６】
遮光パターンＢＬは、第１ゲートラインＧＬ１及び第２ゲートラインＧＬ２を形成する金属層と同一のゲート金属層をパターニングして形成することができる。遮光パターンＢＬは、ドメイン形成層１５０の陥没パターン１５２及び画素電極ＰＥの開口パターン１６２による光漏れを防ぐことができる。遮光パターンＢＬは、陥没パターン１５２及び開口パターン１６２に対応する領域に形成される。
【０２１７】
第２基板２００及び液晶層３００は、図２９、図３０、及び図３１で説明した第２基板及び液晶層と実質的に同一であるため、重複する説明は省略する。
【０２１８】
本実施形態による表示装置は、ドメイン形成層１５０に陥没パターン１５２を形成することを除いては、第７実施形態による表示装置の製造方法と実質的に同一な方法で製造することができる。
【０２１９】
これとは異なって、本実施形態による表示装置は、ドメイン形成層１５０に陥没パターン１５２を形成することを除いては、第８実施形態による表示装置の製造方法と実質的に同一な方法で製造することができる。
【０２２０】
図３５においては、遮光パターンＢＬは、ゲート金属層で形成されることを一例として説明したが、遮光パターンＢＬは、第１データラインＤＬ１及び第２データラインＤＬ２を形成するソース金属層をパターニングして、ゲート絶縁層１２０上に形成されてもよい。これとは異なって、遮光パターンＢＬは、第２基板２００にブラックマトリックスパターン２２０と同層で形成されてもよい。
【０２２１】
本実施形態によると、画素領域Ｐの開口率を向上させ、液晶表示装置の視野角を向上させることができる。また、液晶層３００の液晶分子３１０を安定的にプレチルトさせることができる。従って、液晶表示装置の製造工程の信頼性を向上させ、製造工程を単純化させることによって生産性を向上させることができる。
【０２２２】
以上、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特徴請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０２２３】
以上の詳しい説明によれば、共通電極に別途のパターン無しで液晶ドメインを形成することができるため、開口率及び視野角が向上された表示装置を提供することができる。また、共通電極に別途のパターンが無いため、表示装置の上下板ミスアラインの原因を根本的に除去することによって、製造工程の信頼性が向上された表示装置を製造することができる。さらに、共通電極にパターンを形成するための別途のパターニング工程を省略することによって、製造工程を単純化させることができる。従って、表示装置の生産性及び表示品質が向上された表示装置を製造することができる。
【符号の説明】
【０２２４】
１００    第１基板
２００    第２基板
３００    液晶層
１５０    ドメイン形成層
１５２    陥没パターン
１５４    コンタクトホール
３１０    液晶分子
３２０    反応性メソゲン硬化物（ＲＭ硬化物）
３３０    ＲＭモノマー
３４０    メインスペーサー
３５０    サブスペーサー
Ｈ１    第１ホールパターン
Ｈ２    第２ホールパターン
ＰＥ    画素電極
ＢＥ    ボトム電極
ＳＴＬ    ストレージライン
１６２    開口パターン
ＤＥ    ドレイン電極
ＣＮＴ    コンタクト電極
ＣＴ１    第１コンタクトパターン
ＣＴ２    第２コンタクトパターン
【図１】
2010181874.tif 000003
【図２】
2010181874.tif 000004
【図３】
2010181874.tif 000005
【図４】
2010181874.tif 000006
【図５】
2010181874.tif 000007
【図６】
2010181874.tif 000008
【図７】
2010181874.tif 000009
【図８】
2010181874.tif 000010
【図９】
2010181874.tif 000011
【図１０】
2010181874.tif 000012
【図１１】
2010181874.tif 000013
【図１２】
2010181874.tif 000014
【図１３】
2010181874.tif 000015
【図１４】
2010181874.tif 000016
【図１５】
2010181874.tif 000017
【図１６】
2010181874.tif 000018
【図１７】
2010181874.tif 000019
【図１８】
2010181874.tif 000020
【図１９】
2010181874.tif 000021
【図２０】
2010181874.tif 000022
【図２１】
2010181874.tif 000023
【図２２】
2010181874.tif 000024
【図２３】
2010181874.tif 000025
【図２４】
2010181874.tif 000026
【図２５】
2010181874.tif 000027
【図２６】
2010181874.tif 000028
【図２７】
2010181874.tif 000029
【図２８】
2010181874.tif 000030
【図２９】
2010181874.tif 000031
【図３０】
2010181874.tif 000032
【図３１】
2010181874.tif 000033
【図３２】
2010181874.tif 000034
【図３３】
2010181874.tif 000035
【図３４】
2010181874.tif 000036
【図３５】
2010181874.tif 000037