(57)【要約】【課題】小型化すること。【解決手段】圧電基板と支持基板とが直接または間接的に接合された第１基板の平面方向に延伸する切断領域の幅方向の中心線の両側において前記支持基板にレーザ光を照射することで、前記支持基板に溝および／または改質領域を形成する工程と、前記圧電基板の前記支持基板と反対の面の前記切断領域の間に複数の第２基板を、前記圧電基板と空隙を挟み対向するように搭載する工程と、前記複数の第２基板を囲み前記切断領域を含む領域に前記切断領域において前記第１基板と接合し、前記圧電基板および前記第２基板の少なくとも一方に設けられた弾性波素子を前記空隙に封止する封止部を形成する工程と、前記切断領域の幅方向の両辺を側面とする溝を形成することにより前記封止部を切断する工程と、前記溝および／または前記改質領域を形成する工程および前記封止部を切断する工程の後、前記切断領域の中心線の両側において前記第１基板を割断する工程と、を含む弾性波デバイスの製造方法。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と支持基板とが直接または間接的に接合された第１基板の平面方向に延伸する切断領域の幅方向の中心線の両側において前記支持基板にレーザ光を照射することで、前記支持基板に溝および／または改質領域を形成する工程と、
前記圧電基板の前記支持基板と反対の面の前記切断領域の間に複数の第２基板を、前記圧電基板と空隙を挟み対向するように搭載する工程と、
前記複数の第２基板を囲み前記切断領域を含む領域に前記切断領域において前記第１基板と接合し、前記圧電基板および前記第２基板の少なくとも一方に設けられた弾性波素子を前記空隙に封止する封止部を形成する工程と、
前記切断領域の幅方向の両辺を側面とする溝を形成することにより前記封止部を切断する工程と、
前記溝および／または前記改質領域を形成する工程および前記封止部を切断する工程の後、前記切断領域の中心線の両側において前記第１基板を割断する工程と、
を含む弾性波デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記溝および／または前記改質領域を形成する工程は、前記封止部を形成する工程の前に、前記第１基板の前記第２基板側の面にレーザ光を照射することで、前記溝または前記改質領域を形成する工程を含む請求項１に記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記溝および／または前記改質領域を形成する工程は、前記第１基板の前記第２基板と反対の面にレーザ光を照射することで、前記溝または前記改質領域を形成する工程を含む請求項１に記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記溝および／または前記改質領域を形成する工程は、
前記封止部を形成する工程の前に、前記第１基板の前記第２基板側の面にレーザ光を照射することにより、前記溝または前記改質領域を形成する工程と、
前記封止部を形成する工程の後に、前記第１基板の前記第２基板と反対の面にレーザ光を照射することで、前記溝または前記改質領域を形成する工程と、
を含む請求項１に記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記溝および／または前記改質領域を形成する工程は、前記支持基板に前記溝を形成する工程を含む請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記溝および／または前記改質領域を形成する工程は、前記支持基板に前記改質領域を形成する工程を含む請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記封止部を切断する工程は、ダイシングブレードを用い前記封止部を切断する工程を含む請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板または石英基板であり、前記封止部は半田または樹脂である請求項１から７のいずれか一項に記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項９】
側面における厚さ方向の端部の少なくとも一方にレーザ痕を有する支持基板と、前記支持基板上に直接または間接的に接合された圧電基板と、を備える第１基板と、
前記第１基板上に前記圧電基板と空隙を挟み対向するように搭載された第２基板と、
前記第２基板を囲むように設けられ、前記第１基板と接合し、側面が前記支持基板の側面と略一致し、前記圧電基板および前記第２基板の少なくとも一方の前記空隙に面した表面に設けられた弾性波素子を封止する封止部と、
を備える弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板または石英基板であり、前記封止部は半田または樹脂である請求項９に記載の弾性波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、例えば支持基板上に接合された圧電基板を有する弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上面に弾性波素子が設けられた圧電基板が支持基板に接合された第１基板上に第２基板を搭載し、第２基板を囲むように封止部を形成する弾性波デバイスの製造方法が知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１６９１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
封止部をダイシングブレードを用い切断し、第１基板をレーザ光を用い切断すると、弾性波デバイスが大型化する。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、小型化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、圧電基板と支持基板とが直接または間接的に接合された第１基板の平面方向に延伸する切断領域の幅方向の中心線の両側において前記支持基板にレーザ光を照射することで、前記支持基板に溝および／または改質領域を形成する工程と、前記圧電基板の前記支持基板と反対の面の前記切断領域の間に複数の第２基板を、前記圧電基板と空隙を挟み対向するように搭載する工程と、前記複数の第２基板を囲み前記切断領域を含む領域に前記切断領域において前記第１基板と接合し、前記圧電基板および前記第２基板の少なくとも一方に設けられた弾性波素子を前記空隙に封止する封止部を形成する工程と、前記切断領域の幅方向の両辺を側面とする溝を形成することにより前記封止部を切断する工程と、前記溝および／または前記改質領域を形成する工程および前記封止部を切断する工程の後、前記切断領域の中心線の両側において前記第１基板を割断する工程と、を含む弾性波デバイスの製造方法である。
【０００７】
上記構成において、前記溝および／または前記改質領域を形成する工程は、前記封止部を形成する工程の前に、前記第１基板の前記第２基板側の面にレーザ光を照射することで、前記溝または前記改質領域を形成する工程を含む構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記溝および／または前記改質領域を形成する工程は、前記第１基板の前記第２基板と反対の面にレーザ光を照射することで、前記溝または前記改質領域を形成する工程を含む構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記溝および／または前記改質領域を形成する工程は、前記封止部を形成する工程の前に、前記第１基板の前記第２基板側の面にレーザ光を照射することにより、前記溝または前記改質領域を形成する工程と、前記封止部を形成する工程の後に、前記第１基板の前記第２基板と反対の面にレーザ光を照射することで、前記溝または前記改質領域を形成する工程と、を含む構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記溝および／または前記改質領域を形成する工程は、前記支持基板に前記溝を形成する工程を含む構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記溝および／または前記改質領域を形成する工程は、前記支持基板に前記改質領域を形成する工程を含む構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記封止部を切断する工程は、ダイシングブレードを用い前記封止部を切断する工程を含む構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板または石英基板であり、前記封止部は半田または樹脂である構成とすることができる。
【００１４】
本発明は、側面における厚さ方向の端部の少なくとも一方にレーザ痕を有する支持基板と、前記支持基板上に直接または間接的に接合された圧電基板と、を備える第１基板と、前記第１基板上に前記圧電基板と空隙を挟み対向するように搭載された第２基板と、前記第２基板を囲むように設けられ、前記第１基板と接合し、側面が前記支持基板の側面と略一致し、前記圧電基板および前記第２基板の少なくとも一方の前記空隙に面した表面に設けられた弾性波素子を封止する封止部と、を備える弾性波デバイスである。
【００１５】
上記構成において、前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板または石英基板であり、前記封止部は半田または樹脂である構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図２】図２（ａ）は、実施例１における弾性波素子１２の平面図、図２（ｂ）は、弾性波素子２２の断面図である。
【図３】図３は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す平面図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの側面図である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｃ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図８】図８は、比較例１に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図９】図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１１】図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの側面図である。
【図１２】図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、実施例１の変形例３に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１３】図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、実施例１の変形例４に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１４】図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、実施例１の変形例４に係る弾性波デバイスの側面図である。
【図１５】図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、実施例１の変形例５に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１６】図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、実施例１の変形例６に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１７】図１７（ａ）および図１７（ｂ）は、実施例１の変形例６に係る弾性波デバイスの側面図である。
【図１８】図１８（ａ）および図１８（ｂ）は、実施例１の変形例７に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１９】図１９（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図、図１９（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。図１に示すように、基板１０は支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとを有する。支持基板１０ａは、例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、石英基板、水晶基板またはシリコン基板である。圧電基板１０ｂは、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１０ｂは支持基板１０ａの上面に接合されている。支持基板１０ａの線膨張係数は圧電基板１０ｂより小さい。圧電基板１０ｂと支持基板１０ａとの間に酸化シリコンまたは窒化アルミニウム等の絶縁体層を設けてもよい。このように、圧電基板１０ｂは支持基板１０ａに直接または間接的に接合されている。
【００２０】
基板１０の上面に弾性波素子１２、配線１４および環状金属層３２が設けられている。環状金属層３２は圧電基板１０ｂに埋め込まれ、平面視において弾性波素子１２および配線１４を囲むように設けられている。環状金属層３２上に環状金属層３４が設けられている。基板１０の下面に端子１８が設けられている。端子１８は、弾性波素子１２および２２を外部と接続するためのフットパッドである。基板１０を貫通するビア配線１６が設けられている。ビア配線１６は端子１８と配線１４とを電気的に接続する。配線１４、ビア配線１６、端子１８および環状金属層３２は、例えば銅層、アルミニウム層、白金層または金層等の金属層である。環状金属層３４は例えばニッケル層である。
【００２１】
基板１０上に基板２０が搭載されている。基板２０は、例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、石英基板、水晶基板またはシリコン基板である。基板２０の下面に弾性波素子２２および配線２４が設けられている。配線２４は例えば銅層、アルミニウム層、白金層または金層等の金属層である。基板２０はバンプ２８を介し基板１０にフリップチップ実装（フェースダウン実装）されている。バンプ２８は、例えば金バンプ、半田バンプまたは銅バンプである。バンプ２８は、配線１４および２４と接合する。
【００２２】
基板１０上に基板２０を囲むように封止部３０が設けられている。封止部３０は、例えば半田（錫銀、錫または錫銀銅）等の金属層または樹脂等の絶縁層である。封止部３０は、環状金属層３４に接合されている。基板２０の上面および封止部３０の上面に平板状のリッド３６が設けられている。リッド３６は例えばコバール板等の金属板または絶縁板である。リッド３６および封止部３０を覆うように保護膜３８が設けられている。保護膜３８はニッケル膜等の金属膜または絶縁膜である。
【００２３】
弾性波素子１２は空隙２６を介し基板２０に対向している。弾性波素子２２は空隙２６を介し圧電基板１０ｂに対向している。弾性波素子１２および２２は、封止部３０、基板１０、基板２０およびリッド３６により封止される。バンプ２８は空隙２６に囲まれている。端子１８はビア配線１６および配線１４を介し弾性波素子１２と電気的に接続され、さらに、バンプ２８および配線２４を介し弾性波素子２２に電気的に接続されている。
【００２４】
支持基板１０ａの厚さは例えば５０μｍから３００μｍである。圧電基板１０ｂの厚さは例えば０．５μｍから３０μｍであり、例えば弾性波の波長以下である。バンプ２８の厚さは例えば１０μｍから２０μｍである。基板２０の厚さは例えば５０μｍから２００μｍである。
【００２５】
図２（ａ）は、実施例１における弾性波素子１２の平面図、図２（ｂ）は弾性波素子２２の断面図である。図２（ａ）に示すように、弾性波素子１２は弾性表面波共振器である。基板１０の圧電基板１０ｂ上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４０と反射器４２が形成されている。ＩＤＴ４０は、互いに対向する１対の櫛型電極４０ａを有する。櫛型電極４０ａは、複数の電極指４０ｂと複数の電極指４０ｂを接続するバスバー４０ｃとを有する。反射器４２は、ＩＤＴ４０の両側に設けられている。ＩＤＴ４０が圧電基板１０ｂに弾性表面波を励振する。弾性波の波長は一対の櫛型電極４０ａの一方の櫛型電極４０ａの電極指４０ｂのピッチにほぼ等しい。すなわち、弾性波の波長は一対の櫛型電極４０ａの電極指４０ｂのピッチの２倍にほぼ等しい。ＩＤＴ４０および反射器４２は例えばアルミニウム膜または銅膜により形成される。圧電基板１０ｂ上にＩＤＴ４０および反射器４２を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。
【００２６】
図２（ｂ）に示すように、弾性波素子２２は圧電薄膜共振器である。基板２０上に圧電膜４６が設けられている。圧電膜４６を挟むように下部電極４４および上部電極４８が設けられている。下部電極４４と基板２０との間に空隙４５が形成されている。圧電膜４６の少なくとも一部を挟み下部電極４４と上部電極４８とが対向する領域が共振領域４７である。共振領域４７において、下部電極４４および上部電極４８は圧電膜４６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。基板２０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である。下部電極４４および上部電極４８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜である。空隙４５の代わりに弾性波を反射する音響反射膜が設けられていてもよい。
【００２７】
弾性波素子１２および２２は、弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波を制限しないように、弾性波素子１２および２２は空隙２６に覆われている。
【００２８】
［実施例１の製造方法］
図３は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す平面図である。図４（ａ）から図５（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図３に示すように、ウエハ６６に切断領域６８が格子状に設けられている。切断領域６８はウエハ６６が切断されるときに封止部３０が除去される領域である。切断領域６８の幅は例えば５０μｍから２００μｍである。
【００２９】
図４（ａ）に示すように、基板１０上に弾性波素子１２および配線１４が設けられている。基板１０を貫通するビア配線１６が設けられている。圧電基板１０ｂが除去された領域に環状金属層３２が設けられている。環状金属層３２上に環状金属層３４が設けられている。基板１０下に端子１８が設けられている。基板１０下に保護膜５５として例えばレジストが形成されている。保護膜５５は基板１０の下面を保護する。保護膜５５の下面に樹脂テープ等のテープ５６が貼り付けられている。テープ５６は基板１０を補強する。
【００３０】
基板１０に上方からレーザ光５４を照射することで、環状金属層３２、圧電基板１０ｂおよび支持基板１０ａの上部に溝６０を形成する。レーザアブレーションにより圧電基板１０ｂおよび支持基板１０ａの一部が昇華し溝６０が形成される。図３のように、溝６０は切断領域６８の両端に切断領域６８の延伸方向に延伸するように形成される。支持基板１０ａ内の溝６０の深さは例えば１０μｍから４０μｍである。レーザ光５４は例えばＮｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波であり、レーザ光５４の波長は例えば３５５ｎｍであり、例えば１００ｎｍから６００ｎｍである。レーザ光５４は可視光、紫外線または赤外線でもよい。
【００３１】
図４（ｂ）に示すように、基板１０上に基板２０をフリップチップ実装する。図３のように、基板２０は切断領域６８に囲まれるように実装する。基板２０を囲むように封止部３０を形成する。封止部３０は例えば半田であり、環状金属層３４の上面に接合する。基板２０および封止部３０の上面にリッド３６が設けられる。
【００３２】
図４（ｃ）に示すように、切断領域６８のリッド３６、封止部３０および圧電基板１０ｂをダイシングブレード５８を用い切断する。これにより、切断領域６８に溝６４が形成される。溝６４の側面は溝６０の位置とほぼ一致する。溝６４の底面には支持基板１０ａが露出する。
【００３３】
図５（ａ）に示すように、リッド３６の上面に樹脂テープ等のテープ５７を貼り付ける。テープ５７は基板１０を補強する。テープ５６を剥離した後、基板１０に下方からレーザ光５４を照射することで、支持基板１０ａの下部に溝６２を形成する。溝６２は切断領域６８の両端に形成される。支持基板１０ａの下部の溝６２の深さは例えば１０μｍから４０μｍである。
【００３４】
図５（ｂ）に示すように、保護膜５５の下面に樹脂テープ等のテープ５６を貼る。テープ５６下からブレイク刃５９を押し当てる。これにより、支持基板１０ａは溝６０および６２を起点に支持基板１０ａを貫通するクラック６５が形成される。これにより、支持基板１０ａが割断される。テープ５６および５７を拡張することで、基板１０が個片化される。その後、テープ５６および５７を剥がす。環状金属層３２、３４、封止部３０およびリッド３６の表面に保護膜３８を例えばめっき法を用い形成する。以上により実施例１の弾性波デバイスが製造される。
【００３５】
図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの側面図である。図６（ｂ）は、保護膜３８を透過した側面図である。図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、支持基板１０ａの側面にはレーザ痕６１および６３が設けられている。レーザ痕６１は支持基板１０ａの上部に設けられ、レーザ痕６３は支持基板１０ａの下部に設けられている。レーザ痕６１および６３の高さＨ１およびＨ２は、例えば１０μｍから４０μｍであり、平均値の一例として約１３μｍである。
【００３６】
図４（ａ）および図５（ａ）において、レーザ光５４をパルス光とし、図３のウエハ６６の切断領域６８の両端を一定の速度で走査した場合、支持基板１０ａの側面に形成されるレーザ痕６１および６３は三角波状となる。三角状波の周期Ｄ２は、パルス光のパルス周期とレーザ光５４の走査速度により定まり、例えば１μｍから５０μｍである。レーザ痕６１および６３は、支持基板１０ａの昇華により形成した溝６０および６２の側面であり、表面は多結晶またはアモルファスである。リッド３６および封止部３０の側面はブレードダイシング法により切断した側面７０である。支持基板１０ａのレーザ痕６１および６３以外の側面はブレイクされた側面７２である。
【００３７】
［比較例１］
図７（ａ）から図７（ｃ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図７（ａ）に示すように、実施例１の図４（ａ）において、レーザ光５４を照射する前に、基板１０上に基板２０を搭載し、封止部３０およびリッド３６を形成する。切断領域６８のリッド３６、封止部３０および圧電基板１０ｂをダイシングブレード５８を用い切断する。
【００３８】
図７（ｂ）に示すように、溝６４の底面にレーザ光５４を照射することで、支持基板１０ａの上部に溝６０を形成する。図７（ｃ）に示すように、図５（ｂ）と同様に、ブレイク刃５９を押し当てることで、支持基板１０ａを個片化する。以下、実施例１の図５（ｂ）以降の工程を行う。
【００３９】
図８は、比較例１に係る弾性波デバイスの断面図である。支持基板１０ａは圧電基板１０ｂを支持するため、圧電基板１０ｂおよび封止部３０より硬い。よって、支持基板１０ａを封止部３０と同時にブレードダイシングすると、支持基板１０ａにクラック等が発生する。また、封止部３０は金属または樹脂のように柔らかい。よって、封止部３０をブレイク刃５９を用い割断することは難しい。そこで、比較例１では、封止部３０をブレードダイシング法を用い切断した後、支持基板１０ａをレーザ光５４の照射およびブレイク刃５９を用い切断する。しかし、図７（ａ）のように、ダイシングブレード５８で形成される溝６４の幅はダイシングブレード５８の幅程度あり大きい。一方、レーザ光５４により形成される溝６０の幅は小さい。
【００４０】
このため、図８に示すように、支持基板１０ａの側面は封止部３０の側面より距離Ｄ１外側に位置する。距離Ｄ１は、図７（ａ）の溝６４の幅の約１／２であり、ダイシングブレード５８の幅の約１／２である。例えばＤ１は４０μｍである。比較例１では弾性波デバイスの幅が２×Ｄ１大きくなる。これにより、弾性波デバイスが大型化する。また、弾性波デバイスの大きさを同じとすると、圧電基板１０ｂ上の弾性波素子１２および配線２４を配置可能な面積が小さくなる。
【００４１】
実施例１によれば、図４（ａ）および図５（ａ）のように、基板１０（第１基板）の平面方向に延伸する切断領域６８の幅方向の中心線６７の両側において支持基板１０ａにレーザ光５４を照射することで、支持基板１０ａに溝６０および６２を形成する。図３および図４（ｂ）のように、圧電基板１０ｂの上面（支持基板１０ａと反対の面）の切断領域６８の間に複数の基板２０（第２基板）を、圧電基板１０ｂと空隙２６を挟み対向するように搭載する。複数の基板２０を囲み切断領域６８を含む領域に切断領域６８において基板１０と接合し、圧電基板１０ｂおよび基板２０に設けられた弾性波素子１２および２２を空隙２６に封止する封止部３０を形成する。図４（ｃ）のように、切断領域６８の幅方向の両辺を側面とする溝６４を形成することにより封止部３０を切断する。図５（ｂ）に示すように、溝６０および６２を形成し、封止部３０を切断した後、切断領域６８の中心線の両側において基板１０を割断する。
【００４２】
図４（ａ）および図５（ａ）において、レーザ光５４を照射する位置を切断領域６８の幅方向の中心線６７の両側とすることで、比較例１より弾性波デバイスを小型化できる。また、弾性波素子１２の配置面積を大きくできる。レーザ光５４を照射する位置を切断領域６８の幅方向の両辺またはその近傍とすることで、図１のように、支持基板１０ａの側面は封止部３０の側面と位置合わせ精度および製造誤差程度に略一致する。レーザ光５４を照射する位置と切断領域６８の幅方向の両辺との間隔は溝６４の１／５以下が好ましく、１／１０以下がより好ましい。
【００４３】
このように、製造した弾性波デバイスは、図６（ａ）および図６（ｂ）のように、支持基板１０ａは、側面における厚さ方向の端部に平面方向に配置されたレーザ痕６１および６３を有する。
【００４４】
図４（ｃ）のように、封止部３０の切断は、エッチング法またはサンドブラスト法を用いてもよいが、ダイシングブレード５８を用いることが好ましい。これにより、封止部３０を容易に切断できる。
【００４５】
支持基板１０ａは、サファイア基板、スピネル基板または石英基板であり、封止部３０は半田または樹脂である。サファイア基板は単結晶のＡｌ２Ｏ３を主成分とする基板である。スピネル基板は、単結晶または多結晶のＭｇＡｌ２Ｏ４を主成分とする基板である。石英基板は、アモルファスのＳｉＯ２を主成分とする基板である。この場合、支持基板１０ａが硬いため、支持基板１０ａを切断するためにレーザ光５４を照射しその後割断する。封止部３０は柔らかいため、割断することが難しい。そこで、封止部３０に溝６４を形成すると、比較例１のように弾性波デバイスが大型化する。よって、実施例１のようにレーザ光５４を切断領域６８の中心線の両側に照射することが好ましい。圧電基板１０ｂはタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。このとき、圧電基板１０ｂは支持基板１０ａほど固くないため、溝６４を圧電基板１０ｂを切断するように形成することができる。
【００４６】
［実施例１の変形例１］
図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図９（ａ）に示すように、実施例１の図４（ｂ）の後に、テープ５６を剥がす。リッド３６上にテープ５７を貼る。基板１０の下方からレーザ光５４を照射し、溝６２を形成する。図９（ｂ）に示すように、保護膜５５の下面にテープ５６を貼る。テープ５７を剥がす。リッド３６、封止部３０および圧電基板１０ｂをダイシングブレード５８を用い切断することで除去し溝６４を形成する。その後、実施例１の図５（ｂ）以降の工程を行う。その他の工程は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００４７】
［実施例１の変形例２］
図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図１０（ａ）に示すように、保護膜５５を設けず支持基板１０ａの下面にテープ５６を貼る。その後、実施例１の図４（ａ）と同様に溝６０を形成する。図４（ｂ）と同様に、基板１０上に基板２０を搭載し封止部３０およびリッド３６を形成する。図１０（ｂ）に示すように、実施例１の図４（ｃ）と同様にダイシングブレード５８を用い溝６４を形成する。
【００４８】
図１０（ｃ）に示すように、リッド３６上にテープ５７を貼る。テープ５６を剥がす。基板１０の下方からレーザ光５４を照射し、支持基板１０ａ内に改質領域６２ａを形成する。改質領域６２ａは支持基板１０ａの所望の位置にレーザ光５４の焦点を結ぶことにより形成する。支持基板１０ａ内に焦点を結ばせるため、保護膜５５を設けないことが好ましい。改質領域６２ａでは支持基板１０ａが溶融しその後固化しアモルファスまたは多結晶の領域となる。その後、図５（ｂ）以降の工程を行う。その他の工程は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００４９】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの側面図である。図１１（ｂ）は、保護膜３８を透過した側面図である。図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、支持基板１０ａの上部にレーザ痕６１が設けられ、支持基板１０ａの下部にレーザ痕６３ａが設けられている。レーザ痕６１は実施例１と同じである。
【００５０】
レーザ光５４をパルス光とし、図３のウエハ６６の切断領域６８の両端を一定の速度で走査した場合、支持基板１０ａの側面に形成されるレーザ痕６３ａは改質領域６２ａがほぼ同じ高さで平面方向に配列した痕となる。改質領域６２ａの幅は例えば１μｍから１０μｍである。改質領域６２ａの周期Ｄ３は、例えば２μｍから５０μｍである。改質領域６２ａは支持基板１０ａの厚さ方向に１または複数設けられている。改質領域６２ａの厚さ方向の間隔Ｄ４は例えば２μから２０μｍである。リッド３６および封止部３０の側面はブレードダイシング法により切断した側面７０である。支持基板１０ａのレーザ痕６１および６３ａ以外の側面はブレイクされた側面７２である。
【００５１】
［実施例１の変形例３］
図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、実施例１の変形例３に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図１２（ａ）に示すように、実施例１の変形例２の図１０（ａ）の後に、リッド３６上にテープ５７を貼る。基板１０の下面のテープ５６を剥がす。基板１０の下方からレーザ光５４を照射し、支持基板１０ａ内に改質領域６２ａを形成する。図１２（ｂ）に示すように、基板１０の下面に保護膜５５を形成する。保護膜５５の下面にテープ５６を貼る。テープ５７を剥がす。リッド３６、封止部３０および圧電基板１０ｂをダイシングブレード５８を用い切断し溝６４を形成する。その後、実施例１の図５（ｂ）以降の工程を行う。その他の工程は実施例１の変形例２と同じであり説明を省略する。
【００５２】
［実施例１の変形例４］
図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、実施例１の変形例４に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図１３（ａ）に示すように、支持基板１０ａの上面に溝６０を形成せずに、基板１０上に基板２０を搭載し封止部３０およびリッド３６を形成する。基板１０の下面にテープ５６を貼り、実施例１の図４（ｃ）と同様にダイシングブレード５８を用い溝６４を形成する。
【００５３】
図１３（ｂ）に示すように、リッド３６上にテープ５７を貼る。基板１０の下面のテープ５６を剥がす。基板１０の下方からレーザ光５４を照射し、支持基板１０ａの下面に溝６２を形成する。図１３（ｃ）に示すように、保護膜５５下にテープ５６を貼り付け、ブレイク刃５９を用いクラック６５を形成することで、基板１０を個片化する。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００５４】
図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、実施例１の変形例４に係る弾性波デバイスの側面図である。図１４（ｂ）は、保護膜３８を透過した側面図である。図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、支持基板１０ａの上部にレーザ痕は設けられておらず、支持基板１０ａの下部にレーザ痕６３が設けられている。レーザ痕６３は実施例１と同じである。リッド３６、封止部３０、環状金属層３２および３４の側面はブレードダイシング法により切断した側面７０である。支持基板１０ａのレーザ痕６３以外の側面はブレイクされた側面７２である。
【００５５】
［実施例１の変形例５］
図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、実施例１の変形例５に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図１５（ａ）に示すように、実施例１の変形例４の図１３（ａ）において基板１０の下面にテープ５６を貼る前に、リッド３６上にテープ５７を貼る。基板１０の下方からレーザ光５４を照射し、支持基板１０ａの下面に溝６２を形成する。図１５（ｂ）に示すように、保護膜５５の下面にテープ５６を貼り、テープ５７を剥がす。リッド３６、封止部３０および圧電基板１０ｂにダイシングブレード５８を用い溝６４を形成する。その後、実施例１の図５（ｂ）以降の工程を行う。その他の工程は実施例１の変形例４と同じであり説明を省略する。
【００５６】
［実施例１の変形例６］
図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、実施例１の変形例６に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図１６（ａ）に示すように、基板１０の下面に保護膜５５を設けずテープ５６を貼る。実施例１の変形例４の図１３（ａ）と同様にダイシングブレード５８を用い溝６４を形成する。図１６（ｂ）に示すように、実施例１の変形例２の図１０（ｃ）と同様に基板１０の下方からレーザ光５４を照射し、支持基板１０ａ内に改質領域６２ａを形成する。その後、実施例１の図５（ｂ）以降の工程を行う。その他の工程は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００５７】
図１７（ａ）および図１７（ｂ）は、実施例１の変形例６に係る弾性波デバイスの側面図である。図１７（ｂ）は、保護膜３８を透過した側面図である。図１７（ａ）および図１７（ｂ）に示すように、支持基板１０ａの上部にレーザ痕は設けられておらず、支持基板１０ａの下部にレーザ痕６３ａが設けられている。レーザ痕６３ａは実施例１の変形例２と同じである。リッド３６、封止部３０、環状金属層３２および３４の側面はブレードダイシング法により切断した側面７０である。支持基板１０ａのレーザ痕６３ａ以外の側面はブレイクされた側面７２である。
【００５８】
［実施例１の変形例７］
図１８（ａ）および図１８（ｂ）は、実施例１の変形例７に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図１８（ａ）に示すように、リッド３６上にテープ５７を貼る。基板１０の下方からレーザ光５４を照射し、支持基板１０ａ内に改質領域６２ａを形成する。図１８（ｂ）に示すように、基板１０の下面にテープ５６を貼りテープ５７を剥がす。リッド３６、封止部３０および圧電基板１０ｂにダイシングブレード５８を用い溝６４を形成する。その後、実施例１の図５（ｂ）以降の工程を行う。その他の工程は実施例１の変形例６と同じであり説明を省略する。
【００５９】
基板１０の上面には環状金属層３２および３４が形成されている。基板１０の上方からのレーザ光５４の照射により溝および／または改質領域を形成しにくい場合には、実施例１の変形例４から７のように、レーザ光５４を基板１０の上方から照射することによる溝および／または改質領域を形成する工程を行わず、溝および／または改質領域の形成はレーザ光５４を基板１０の下方から照射して行ってもよい。
【００６０】
実施例１の変形例２、３、６および７のように、溝６２の代わりに支持基板１０ａ内に改質領域６２ａを形成してもよい。溝６２の形成はレーザアブレーションを用いて行うため、基板１０の表面にレーザ光５４対し不透明な保護膜５５、環状金属層３２および３４が形成されていてもよい。改質領域６２ａの形成は、支持基板１０ａ内にレーザ光５４の焦点を結ばせる。このため、基板１０の表面にレーザ光５４対し不透明な膜を設けないことが好ましい。このように、切断領域６８の幅方向の中心線６７の両側において支持基板１０ａにレーザ光５４を照射することで、支持基板１０ａに溝および／または改質領域を形成すればよい。
【００６１】
実施例１およびその変形例１から３のように、封止部３０を形成する工程の前に、基板１０の上面にレーザ光５４を照射することで、溝６０または改質領域６２ａを形成する。これにより、支持基板１０ａの上部に溝または改質領域を形成することができる。
【００６２】
実施例１およびその変形例のように、基板１０の下面にレーザ光５４を照射することで、溝６２または改質領域６２ａを形成する。これにより、支持基板１０ａの下部に溝６２または改質領域６２ａを形成できる。溝６２または改質領域６２ａの形成は、実施例１およびその変形例２、４および６のように、封止部３０の切断後に行ってもよいし、実施例１の変形例１、３、５および７のように、封止部３０の切断前に行ってもよい。
【００６３】
実施例１およびその変形例１から３のように、封止部３０を形成する工程の前に、基板１０の上面にレーザ光５４を照射することにより、溝６０を形成し、封止部３０を形成する工程の後に、基板１０の下面にレーザ光５４を照射することで、溝６２または改質領域６２ａを形成する。これにより、支持基板１０ａの活割が容易となる。溝６０の代わりに改質領域６２ａを形成してもよい。
【００６４】
実施例１およびその変形例では、弾性波素子１２および２２が設けられているが、弾性波素子１２および２２の少なくとも一方が設けられていればよい。弾性波素子２２として圧電薄膜共振器の例を説明したが、弾性波素子２２は弾性表面波共振器でもよい。基板２０の下面に設けられる機能素子として弾性波素子２２の例を説明したが、機能素子は、インダクタまたはキャパシタ等の受動素子、トランジスタを含む能動素子、またはＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子でもよい。
【実施例２】
【００６５】
実施例２は、フィルタおよびデュプレクサの例である。図１９（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図である。図１９（ａ）に示すように、入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４が並列に接続されている。実施例２のフィルタを弾性波素子１２および／または２２で形成してもよい。直列共振器および並列共振器の個数等は適宜設定できる。フィルタとしてラダー型フィルタを例に説明したが、フィルタは多重モード型フィルタでもよい。
【００６６】
図１９（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。図１９（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ５０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ５２が接続されている。送信フィルタ５０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ５２は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ５０および受信フィルタ５２の少なくとも一方を実施例２のフィルタとすることができる。また、送信フィルタ５０を弾性波素子１２で形成し、受信フィルタ５２を弾性波素子２２で形成してもよい。
【００６７】
マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。
【００６８】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００６９】
１０ａ  支持基板
１０ｂ  圧電基板
１２、２２  弾性波素子
１４、２４  配線
１６  ビア配線
１８  端子
２０  基板
２６  空隙
２８  バンプ
３０  封止部
３２、３４  環状金属層
３６  リッド
５０  送信フィルタ
５２  受信フィルタ
５４  レーザ光
６０、６２、６４  溝
６１、６３、６３ａ  レーザ痕
６２ａ  改質領域
６７  中心線
６８  切断領域
【図１】
2020191597.tif 000003
【図２】
2020191597.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2020191597.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2020191597.tif 000018
【図１７】
2020191597.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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