(57)【要約】【課題】プリチャージを高速に実行する。【解決手段】電気光学装置は、第１方向に沿って延在する走査線と、第２方向に沿って延在する第１信号線および第２信号線と、走査線と第１信号線との交差に対応して設けられる第１画素と、走査線と第２信号線との交差に対応して設けられる第２画素と、第１画素と第２画素に画像信号を供給する信号線駆動回路と、第１方向に沿って延在し、第１プリチャージ制御信号を供給する第１プリチャージ制御信号線と、第１方向に沿って延在し、第２プリチャージ制御信号を供給する第２プリチャージ制御信号線と、第１プリチャージ制御信号線と第２プリチャージ制御信号線との間に配置され、プリチャージ信号を第１信号線および第２信号線に供給するプリチャージ回路とを備え、プリチャージ回路は、プリチャージ信号を第１信号線に供給する第１スイッチ部と、プリチャージ信号を第２信号線に供給する第２スイッチ部とを有する。【選択図】図２
2020086016.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に沿って延在する走査線と、
前記第１方向に交差する第２方向に沿って延在する第１信号線および第２信号線と、
前記走査線と前記第１信号線との交差に対応して設けられる第１画素と、
前記走査線と前記第２信号線との交差に対応して設けられる第２画素と、
前記第１画素と前記第２画素に画像信号を供給する信号線駆動回路と、
前記第１方向に沿って延在し、第１プリチャージ制御信号を供給する第１プリチャージ制御信号線と、
前記第１方向に沿って延在し、第２プリチャージ制御信号を供給する第２プリチャージ制御信号線と、
前記第１プリチャージ制御信号線と前記第２プリチャージ制御信号線との間に配置され、プリチャージ信号を前記第１信号線および前記第２信号線に供給するプリチャージ回路とを備え、
前記プリチャージ回路は、
前記第１プリチャージ制御信号に従って前記プリチャージ信号を前記第１信号線に供給する第１スイッチ部と、
前記第２プリチャージ制御信号に従って前記プリチャージ信号を前記第２信号線に供給する第２スイッチ部とを有する、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
画像の表示面に対して垂直な方向から見た平面視において、前記第１スイッチ部および前記第２スイッチ部の領域上の少なくとも一部を覆って前記第１方向に沿って延在し、前記プリチャージ信号を前記プリチャージ回路に供給するプリチャージ電源線を備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１スイッチ部は、並列に接続される２つの第１トランジスターを含み、
前記２つの第１トランジスターは、前記第１方向に沿って配置され、前記２つの第１トランジスターのゲート間に位置する半導体層の領域を、前記第１信号線に接続される共通のドレインとし、
前記第２スイッチ部は、並列に接続される２つの第２トランジスターを含み、
前記２つの第２トランジスターは、前記第１方向に沿って配置され、前記２つの第２トランジスターのゲート間に位置する半導体層の領域を、前記第２信号線に接続される共通のドレインとする、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１スイッチ部は、前記第１方向に沿って複数配置され、
前記第２スイッチ部は、前記第１スイッチ部と前記第２プリチャージ制御信号線との間に、前記第１方向に沿って複数配置され、
互いに隣接する前記第１スイッチ部の一方に含まれる第１トランジスターのソース、および他方に含まれる第１トランジスターのソースは、半導体層において互いに分離され、
互いに隣接する前記第２スイッチ部の一方に含まれる第２トランジスターのソース、および他方に含まれる第２トランジスターのソースは、半導体層において互いに分離されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２スイッチ部は、前記第１スイッチ部と前記第２プリチャージ制御信号線との間に配置され、
前記２つの第１トランジスターは、
前記第１信号線と同じ層の配線層でドレインの半導体層上に配置される第１ドレイン電極を含み、
前記２つの第２トランジスターは、
前記第２信号線と同じ層の配線層でドレインの半導体層上に配置される第２ドレイン電極を含み、
前記第１ドレイン電極は、前記第２ドレイン電極側の端部で前記第１信号線に接続され、
前記第２ドレイン電極は、前記第１ドレイン電極側の端部で前記第２信号線に接続される、
ことを特徴とする請求項３または４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１スイッチ部は、ゲートが前記第１プリチャージ制御信号線に接続され、ドレインが前記第１信号線に接続される第１トランジスターを含み、
前記第２スイッチ部は、ゲートが前記第２プリチャージ制御信号線に接続され、ドレインが前記第２信号線に接続される第２トランジスターを含み、
前記第１トランジスターおよび前記第２トランジスターは、互いのドレインが対向するように、前記第１方向に沿って配置され、
前記第１信号線は、画像の表示面に対して垂直な方向から見た平面視において、前記第１トランジスターのゲート上を前記第２方向に沿って延在し、
前記第２信号線は、画像の表示面に対して垂直な方向から見た平面視において、前記第２トランジスターのゲート上を前記第２方向に沿って延在する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１信号線、前記第２信号線、前記第１プリチャージ制御信号線、前記第２プリチャージ制御信号、前記第１スイッチ部および前記第２スイッチ部の各々を複数有し、
複数の前記第１プリチャージ制御信号線の各々は、
前記第１方向に沿って延在する第１主線と、
前記第１主線の前記第２方向に沿う幅の中心から第１オフセット方向にずれる位置で前記第１主線に接続され、前記第２方向に沿って延在し、前記第１主線と前記第１スイッチ部とを接続する第１支線とを含み、
複数の前記第２プリチャージ制御信号線の各々は、
前記第１方向に沿って延在する第２主線と、
前記第２主線の前記第２方向に沿う幅の中心から第２オフセット方向にずれる位置で前記第２主線に接続され、前記第２方向に沿って延在し、前記第２主線と前記第２スイッチ部とを接続する第２支線とを含み、
複数の前記第１プリチャージ制御信号線の前記第１主線は、前記第２方向に沿って配置され、
複数の前記第２プリチャージ制御信号線の前記第２主線は、前記第２方向に沿って配置され、
前記第１オフセット方向は、前記第２方向に沿って配置される前記第１主線が位置する範囲の前記第２方向に沿う幅の中心に向かう方向であり、
前記第２オフセット方向は、前記第２方向に沿って配置される前記第２主線が位置する範囲の前記第２方向に沿う幅の中心に向かう方向である、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１プリチャージ制御信号線側から見る場合の前記第１スイッチ部の形状と、前記第２プリチャージ制御信号線側から見る場合の前記第２スイッチ部の形状とは、互いに相似である、
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記プリチャージ回路は、前記複数の画素に対して、前記第２方向の側に配置される、
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記プリチャージ回路は、前記複数の画素に対して、前記第２方向の反対側に配置される、
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
第１方向に沿って延在する走査線と、
前記第１方向に交差する第２方向に沿って延在する信号線と、
前記走査線と前記信号線との交差に対応して設けられる画素と、
前記画素が配置される表示領域の外側に配置され、前記画素に画像信号を供給する信号線駆動回路と、
前記表示領域と前記信号線駆動回路との間に配置され、プリチャージ信号を前記信号線に供給するプリチャージ回路とを備えている、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶素子を用いて画像を表示する電気光学装置は、各画素の階調を指定する画像信号に基づくビデオ電圧を、信号線を介して各画素に供給することで、各画素が有する液晶の透過率をビデオ電圧に基づく透過率に制御する。この結果、各画素の階調は、画像信号で指定される階調に設定される。
【０００３】
各画素にビデオ電圧を供給する時間を十分に確保できない場合等、各画素へのビデオ電圧の書き込みが不十分な場合には、各画素が画像信号の指定する階調を正確に表示することができない場合がある。このため、従来の電気光学装置では、例えば、信号線を所定の電圧レベルに予め充電するプリチャージを実行することで、各画素に対するビデオ電圧の書き込み不足を対策している。例えば、特許文献１には、１水平走査期間に、複数の信号線のうちの一部の信号線に対するプリチャージと、ビデオ電圧の画素への書き込みとを同時に実行する電気光学装置が開示されている。
【０００４】
この種の電気光学装置では、信号線は、プリチャージ信号が供給されるプリチャージ電源線に、プリチャージ用のスイッチング素子を介して接続される。プリチャージ用のスイッチング素子は、プリチャージ制御信号線に接続される制御端子を有し、プリチャージ制御信号線を介して制御端子に供給されるプリチャージ制御信号のレベルに応じて、導通状態または非導通状態に設定される。プリチャージ用のスイッチング素子から信号線に流れる電流を大きくするほど、プリチャージを高速に実行することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１０６１０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、プリチャージ用のスイッチング素子から信号線に流れる電流を大きくするためにプリチャージ用のスイッチング素子の能力を高くすると、プリチャージ用のスイッチング素子を駆動する際の駆動負荷も大きくなる。このため、プリチャージ制御信号線の配線抵抗および駆動負荷等を考慮すると、従来の回路レイアウトでは、高速にプリチャージ可能なプリチャージ用のスイッチング素子を駆動できない場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明の電気光学装置の一態様は、第１方向に沿って延在する走査線と、前記第１方向に交差する第２方向に沿って延在する第１信号線および第２信号線と、前記走査線と前記第１信号線との交差に対応して設けられる第１画素と、前記走査線と前記第２信号線との交差に対応して設けられる第２画素と、前記第１画素と前記第２画素に画像信号を供給する信号線駆動回路と、前記第１方向に沿って延在し、第１プリチャージ制御信号を供給する第１プリチャージ制御信号線と、前記第１方向に沿って延在し、第２プリチャージ制御信号を供給する第２プリチャージ制御信号線と、前記第１プリチャージ制御信号線と前記第２プリチャージ制御信号線との間に配置され、プリチャージ信号を前記第１信号線および前記第２信号線に供給するプリチャージ回路とを備え、前記プリチャージ回路は、前記第１プリチャージ制御信号に従って前記プリチャージ信号を前記第１信号線に供給する第１スイッチ部と、前記第２プリチャージ制御信号に従って前記プリチャージ信号を前記第２信号線に供給する第２スイッチ部とを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の説明図である。
【図２】第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図３】画素の構成を示す回路図である。
【図４】電気光学パネルの素子基板側の縦構造の説明図である。
【図５】プリチャージ回路およびプリチャージ回路の周辺のレイアウトを示す平面図である。
【図６】電気光学装置の動作タイミングの一例を示す図である。
【図７】第２実施形態におけるプリチャージ回路およびプリチャージ回路の周辺のレイアウトを示す平面図である。
【図８】第３実施形態におけるプリチャージ回路およびプリチャージ回路の周辺のレイアウトを示す平面図である。
【図９】変形例１におけるプリチャージ回路およびプリチャージ回路の周辺のレイアウトを示す平面図である。
【図１０】変形例２におけるプリチャージ回路およびプリチャージ回路の周辺のレイアウトを示す平面図である。
【図１１】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
【図１２】電子機器の一例であるスマートフォンを示す正面図である。
【図１３】電子機器の一例である投射型表示装置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について図１から図６を参照しつつ説明する。図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１の説明図である。なお、図１は、電気光学装置１に対する信号伝送系の構成を示す。電気光学装置１は、電気光学パネル１００と、ドライバーＩＣ（Integrated Circuit）等の駆動用集積回路２００と、フレキシブル回路基板３００とを有する。電気光学パネル１００は、その第１辺１０１に配置された端子部１０２を介して、駆動用集積回路２００が搭載されるフレキシブル回路基板３００に接続される。また、電気光学パネル１００は、フレキシブル回路基板３００および駆動用集積回路２００を介して、図示しないホストＣＰＵ（Central Processing Unit）装置に接続される。駆動用集積回路２００は、画像信号および駆動制御のための各種の制御信号をホストＣＰＵ装置からフレキシブル回路基板３００を介して受信し、フレキシブル回路基板３００を介して電気光学パネル１００を駆動する装置である。
【００１０】
図２は、第１実施形態に係る電気光学装置１の構成を示すブロック図である。電気光学装置１の電気光学パネル１００は、第１方向Ｄ１に沿って延在するｍ本の走査線１１０、第２方向Ｄ２に沿って延在するｎ本の信号線１１１、表示領域１２０、走査線駆動回路１３０、ｋ個のデマルチプレクサー１４０［１］〜１４０［ｋ］、プリチャージ回路１５０および検査回路１６０を有する。なお、ｍ、ｎおよびｋは、自然数である。図２に示す例では、ｎ本の信号線１１１が８個の信号線１１１を含むｋ個の信号線群に分類されるため、ｋはｎを８で除算して得られる値である。また、電気光学パネル１００は、ｍ本の走査線１１０およびｎ本の信号線１１１の他に、ｋ本のデータ線１１２、第１方向Ｄ１に沿って延在するプリチャージ制御信号線１１３、書き込み選択信号線１１４、プリチャージ電源線１１５等を有する。
【００１１】
表示領域１２０は、画像を表示する領域である。例えば、表示領域１２０は、ｍ本の走査線１１０とｎ本の信号線１１１との各交差に対応して設けられる画素１２２を含む。画素１２２は、図３に示すように、印加電圧に応じて透過率が変化する液晶１２３ｃを有する。液晶１２３ｃに印加される電圧に応じて液晶１２３ｃの透過率が変化することにより、画素１２２の表示階調が変化する。図２では、図の一番上側に記載されている画素１２２の行を１行目とし、図の一番左側に記載されている画素１２２の列を１列目とする。また、図２では、第１方向Ｄ１に沿う方向は、画素１２２の行に沿う方向であり、第２方向Ｄ２に沿う方向は、画素１２２の列に沿う方向である。
【００１２】
走査線駆動回路１３０は、駆動用集積回路２００から受ける制御信号に基づいて走査信号Ｇ［１］〜Ｇ［ｍ］を生成し、走査信号Ｇ［１］〜Ｇ［ｍ］をｍ本の走査線１１０の各々に出力する。例えば、走査線駆動回路１３０は、垂直走査期間内に各走査線１１０に対する走査信号Ｇ［１］〜Ｇ［ｍ］を１水平走査期間毎に順次アクティブにする。なお、例えば、走査信号Ｇは、ハイレベル等の選択電圧に維持されている期間にアクティブとなり、ローレベル等の非選択電圧に維持されている期間に非アクティブとなる。
【００１３】
具体的には、第ｐ行に対応する走査信号Ｇ［ｐ］が選択電圧に維持されている期間では、第ｐ行に対応する走査線１１０が選択状態であり、第ｐ行のｎ個の画素１２２の各々が有する各液晶１２３ｃは、ｎ本の信号線１１１にそれぞれ電気的に接続される。なお、ｐは、１〜ｍの自然数である。また、走査信号Ｇ［ｐ］が非選択電圧に維持されている期間では、第ｐ行に対応する走査線１１０が非選択状態であり、第ｐ行のｎ個の画素１２２の各々が有する各液晶１２３ｃとｎ本の信号線１１１との間の電気的な接続状態は、非導通状態である。
【００１４】
ｋ個のデマルチプレクサー１４０［１］〜１４０［ｋ］は、ｋ個の信号線群にそれぞれ対応している。例えば、ｋ個のデマルチプレクサー１４０［１］〜１４０［ｋ］は、駆動用集積回路２００からｋ本のデータ線１１２［１］〜１１２［ｋ］にそれぞれ供給される画像信号Ｓをそれぞれ受ける。なお、本実施形態では、信号線１１１を８本単位で区分しているため、１本のデータ線１１２に８画素分の画像信号Ｓが駆動用集積回路２００から時分割で供給される。したがって、各デマルチプレクサー１４０は、対応する信号線群に含まれる８本の信号線１１１に画像信号Ｓを時分割で供給する。この結果、複数の画素１２２に画像信号Ｓが供給される。
【００１５】
各デマルチプレクサー１４０は、対応する信号線群に含まれる８本の信号線１１１にそれぞれ接続される８個の書き込み選択トランジスター１４２［１］〜１４２［８］を有する。すなわち、ｉを１〜ｋの自然数とすると、デマルチプレクサー１４０［ｉ］の８個の書き込み選択トランジスター１４２［１］〜１４２［８］の各々の一方の接点は、８×ｉ−７列目から８×ｉ列目までの８本の信号線１１１にそれぞれ接続される。そして、デマルチプレクサー１４０［ｉ］の８個の書き込み選択トランジスター１４２［１］〜１４２［８］の各々の他方の接点、すなわち、信号線１１１に接続されていない接点は、データ線１１２［ｉ］に共通に接続される。ｋ本のデータ線１１２［１］〜１１２［ｋ］は、フレキシブル回路基板３００を介して駆動用集積回路２００に接続される。
【００１６】
デマルチプレクサー１４０［ｉ］の書き込み選択トランジスター１４２［１］〜１４２［８］は、書き込み選択信号ＳＬ［１］〜ＳＬ［８］に応じて、信号線１１１とデータ線１１２［ｉ］との間の電気的な接続状態を導通状態と非導通状態との間で切り替える。例えば、書き込み選択トランジスター１４２［１］〜１４２［８］は、ＴＦＴ（thin film transistor）等で構成されるＮチャネル型のトランジスターであり、ゲート等の制御端子で受ける書き込み選択信号ＳＬ［１］〜ＳＬ［８］のレベルに応じて、導通状態と非導通状態とのいずれかに設定される。
【００１７】
なお、書き込み選択トランジスター１４２［１］〜１４２［８］は、ＴＦＴ以外のスイッチング素子でもよい。また、書き込み選択トランジスター１４２［１］〜１４２［８］は、Ｐチャネル型のトランジスターでもよい。以下では、書き込み選択信号ＳＬ［ｊ］で制御される書き込み選択トランジスター１４２［ｊ］は、第ｊ系列の書き込み選択トランジスター１４２とも称される。なお、ｊは、１以上８以下の自然数である。
【００１８】
また、第ｊ系列の書き込み選択トランジスター１４２［ｊ］に接続される信号線１１１は、第ｊ系列の信号線１１１とも称される。したがって、書き込み選択信号ＳＬの符号の角括弧内の数字等は、制御対象の信号線１１１の系列番号に対応する。同様に、後述するプリチャージ制御信号ＰＳＬの角括弧内の数字等も、制御対象の信号線１１１の系列番号に対応する。
【００１９】
各デマルチプレクサー１４０の８個の書き込み選択トランジスター１４２［１］〜１４２［８］は、書き込み選択信号ＳＬ［１］〜ＳＬ［８］を、駆動用集積回路２００から書き込み選択信号線１１４を介して受ける。書き込み選択信号線１１４は、フレキシブル回路基板３００を介して駆動用集積回路２００に接続される。書き込み選択信号ＳＬ［１］〜ＳＬ［８］は、信号線１１１に画像信号Ｓを出力する開始タイミングを指定する。
【００２０】
例えば、１個の書き込み選択信号ＳＬ［１］がハイレベル、他の７個の書き込み選択信号ＳＬ［２］〜ＳＬ［８］がローレベルである場合には、ｋ個のデマルチプレクサー１４０［１］〜１４０［ｋ］の各々に含まれるｋ個の書き込み選択トランジスター１４２［１］のみが導通状態となる。したがって、ｋ個のデマルチプレクサー１４０［１］〜１４０［ｋ］の各々は、ｋ本のデータ線１１２に供給される画像信号Ｓを各信号線群の第１系列の信号線１１１にそれぞれ出力する。以下、同様にして、ｋ個のデマルチプレクサー１４０［１］〜１４０［ｋ］の各々は、ｋ本のデータ線１１２に供給される画像信号Ｓを各信号線群の第２系列、第３系列、第４系列、第５系列、第６系列、第７系列および第８系列の信号線１１１にそれぞれ出力する。図２に示す電気光学パネル１００では、デマルチプレクサー１４０は、表示領域１２０に対して、第２方向Ｄ２の側であって、フレキシブル回路基板３００が接続される端子部１０２と表示領域１２０との間に配置される。
【００２１】
プリチャージ回路１５０は、プリチャージ制御信号ＰＳＬ［１］〜ＰＳＬ［８］に基づいて、ｎ本の信号線１１１にプリチャージ信号ＰＲＣを所定の順序で供給する。なお、プリチャージ信号ＰＲＣは、駆動用集積回路２００からプリチャージ電源線１１５を介してプリチャージ回路１５０に供給される。すなわち、プリチャージ電源線１１５は、プリチャージ信号ＰＲＣをプリチャージ回路１５０に供給する。また、プリチャージ制御信号ＰＳＬ［１］〜ＰＳＬ［８］は、駆動用集積回路２００からプリチャージ制御信号線１１３を介してプリチャージ回路１５０に供給される。すなわち、プリチャージ制御信号線１１３は、プリチャージ制御信号ＰＳＬをプリチャージ回路１５０に供給する。
【００２２】
なお、本実施形態では、信号線１１１を８個の系列に区分しているため、プリチャージ制御信号線１１３の数は、８本である。そして、８本のプリチャージ制御信号線１１３は、第１群ＧＲ１と第２群ＧＲ２との２つの群に分けられる。図２に示す例では、８本のプリチャージ制御信号線１１３のうち、第１系列、第３系列、第５系列および第７系列の４本のプリチャージ制御信号線１１３は、第１群ＧＲ１に属し、プリチャージ回路１５０に対して第２方向Ｄ２の反対側に配置される。また、第２系列、第４系列、第６系列および第８系列の４本のプリチャージ制御信号線１１３は、第２群ＧＲ２に属し、プリチャージ回路１５０に対して第２方向Ｄ２の側に配置される。すなわち、図２に示す例では、プリチャージ回路１５０は、第１群ＧＲ１に属するプリチャージ制御信号線１１３と、第２群ＧＲ２に属するプリチャージ制御信号線１１３との間に設けられる。
【００２３】
プリチャージ回路１５０は、ｋ個の信号線群にそれぞれ対応して設けられるｋ個のプリチャージ選択回路１５２［１］〜１５２［ｋ］を有する。そして、各プリチャージ選択回路１５２は、対応する信号線群に含まれる８本の信号線１１１にそれぞれ接続される８個のプリチャージ選択トランジスター１５４［１］〜１５４［８］を有する。すなわち、プリチャージ選択トランジスター１５４は、信号線１１１に対応して設けられる。例えば、プリチャージ選択回路１５２［ｉ］の８個のプリチャージ選択トランジスター１５４［１］〜１５４［８］の各々の一方の接点は、８×ｉ−７列目から８×ｉ列目までの８本の信号線１１１にそれぞれ接続される。そして、プリチャージ選択回路１５２［ｉ］の８個のプリチャージ選択トランジスター１５４［１］〜１５４［８］の各々の他方の接点、すなわち、信号線１１１に接続されていない接点は、プリチャージ電源線１１５に共通に接続される。プリチャージ電源線１１５は、フレキシブル回路基板３００を介して駆動用集積回路２００に接続される。
【００２４】
プリチャージ選択トランジスター１５４［１］〜１５４［８］は、プリチャージ制御信号ＰＳＬ［１］〜ＰＳＬ［８］に応じて、信号線１１１とプリチャージ電源線１１５との間の電気的な接続状態を導通状態と非導通状態との間で切り替える。例えば、プリチャージ選択トランジスター１５４［１］〜１５４［８］は、ＴＦＴ等で構成されるＮチャネル型のトランジスターであり、ゲート等の制御端子で受けるプリチャージ制御信号ＰＳＬのレベルに応じて、導通状態と非導通状態とのいずれかに設定される。なお、プリチャージ選択トランジスター１５４［１］〜１５４［８］は、ＴＦＴ以外のスイッチング素子でもよい。また、プリチャージ選択トランジスター１５４［１］〜１５４［８］は、Ｐチャネル型のトランジスターでもよい。
【００２５】
各プリチャージ選択回路１５２のプリチャージ選択トランジスター１５４［１］〜１５４［８］は、プリチャージ制御信号ＰＳＬ［１］〜ＰＳＬ［８］を、駆動用集積回路２００からプリチャージ制御信号線１１３を介して受ける。プリチャージ制御信号線１１３は、フレキシブル回路基板３００を介して駆動用集積回路２００に接続される。プリチャージ制御信号ＰＳＬ［１］〜ＰＳＬ［８］は、信号線１１１にプリチャージ信号ＰＲＣを出力する開始タイミングを指定する。
【００２６】
例えば、１個のプリチャージ制御信号ＰＳＬ［１］がハイレベル、他の７個のプリチャージ制御信号ＰＳＬ［２］〜ＰＳＬ［８］がローレベルである場合には、ｋ個のプリチャージ選択回路１５２［１］〜１５２［ｋ］の各々に含まれるｋ個のプリチャージ選択トランジスター１５４［１］のみが導通状態となる。したがって、ｋ個のプリチャージ選択回路１５２［１］〜１５２［ｋ］の各々は、プリチャージ電源線１１５に供給されるプリチャージ信号ＰＲＣを各信号線群の第１系列の信号線１１１にそれぞれ出力する。以下、同様にして、ｋ個のプリチャージ選択回路１５２［１］〜１５２［ｋ］の各々は、プリチャージ電源線１１５に供給されるプリチャージ信号ＰＲＣを各信号線群の第２系列、第３系列、第４系列、第５系列、第６系列、第７系列および第８系列の信号線１１１にそれぞれ出力する。すなわち、プリチャージ選択トランジスター１５４は、対応する信号線１１１に、プリチャージ制御信号ＰＳＬに従ってプリチャージ信号ＰＲＣを供給する。
【００２７】
図２に示す例では、第１系列、第３系列、第５系列および第７系列のプリチャージ選択トランジスター１５４は、第１群ＧＲ１に属するプリチャージ制御信号線１１３を基準として第２方向Ｄ２の側に設けられる。また、第２系列、第４系列、第６系列および第８系列のプリチャージ選択トランジスター１５４は、第２群ＧＲ２に属するプリチャージ制御信号線１１３を基準として第２方向Ｄ２の反対側に設けられる。
【００２８】
図２に示す電気光学パネル１００では、プリチャージ回路１５０は、表示領域１２０に対して、デマルチプレクサー１４０が配置される側と同じ側に配置される。この場合、デマルチプレクサー１４０とプリチャージ回路１５０との間に表示領域１２０が位置する場合に比べて、駆動用集積回路２００に接続されるプリチャージ電源線１１５の端子からのプリチャージ信号ＰＲＣの供給経路を短くすることができる。この結果、プリチャージ信号ＰＲＣの供給経路を低抵抗経路で実現することができるため、プリチャージを高速に実行することができる。同様に、駆動用集積回路２００に接続されるプリチャージ制御信号線１１３の端子からのプリチャージ制御信号ＰＳＬの供給経路を短くすることができる。この結果、プリチャージ制御信号ＰＳＬの供給経路を低抵抗経路で実現することができるため、プリチャージを高速に実行することができる。
更には、プリチャージ回路１５０は、表示領域１２０とデマルチプレクサー１４０との間に配置されている。このように配置することで、書き込み選択信号線１１４と信号線１１１との交差部が存在しないため、書き込み選択信号線１１４の寄生容量の増加を抑えることができる。従って、このように配置することで、書き込み選択信号線１１４の駆動負荷の増加を抑えることができ、書き込み選択信号ＳＬの高速駆動に適した配置とすることができる。なお、信号線１１１は、プリチャージ制御信号線１１３と交差するが、書き込み選択信号線１１４と信号線１１１とを交差させるよりも、プリチャージ制御信号線１１３と信号線１１１とを交差させる方が、画素１２２への高速書き込みへの影響を小さくすることができる。なぜならば、書き込み選択トランジスター１４２のトランジスターサイズは、プリチャージ選択トランジスター１５４よりも大きいため、書き込み選択信号線１１４の線幅もプリチャージ制御信号線１１３よりも幅広に設計されているからである。
また、書き込み選択信号線１１４と信号線１１１との交差部が無いため、画像信号Ｓの書き込み時に信号線１１１へ与えるノイズを小さくすることができる。画素１２２への画像信号Ｓの書き込み終了のタイミングは、書き込み選択信号ＳＬに基づいて制御されているため、プリチャージ終了のタイミングよりも書き込み終了のタイミングを遅くすることで、信号線１１１とプリチャージ制御信号線１１３との交差による影響を小さくすることができるからである。
【００２９】
検査回路１６０は、ｎ本の信号線１１１を検査する検査動作において、信号線１１１の断線および互いに隣接する信号線１１１の短絡等を検査する。検査動作では、検査回路１６０とｎ本の信号線１１１との間の電気的な接続状態が導通状態に設定される。また、画像信号Ｓに応じて画像を表示する通常動作では、検査回路１６０とｎ本の信号線１１１との間の電気的な接続状態が非導通状態に設定される。なお、図２では、図を見やすくするために、信号線１１１の検査に用いられる検査パッドの記載を省略している。図２に示す電気光学パネル１００では、検査回路１６０は、表示領域１２０に対して、第２方向Ｄ２の反対側に配置される。
【００３０】
駆動用集積回路２００は、走査線駆動回路１３０、デマルチプレクサー１４０およびプリチャージ回路１５０等を同期制御する。例えば、駆動用集積回路２００は、走査線駆動回路１３０の動作を制御する制御信号を走査線駆動回路１３０に出力し、書き込み選択信号ＳＬをデマルチプレクサー１４０に出力し、プリチャージ信号ＰＲＣおよびプリチャージ制御信号ＰＳＬをプリチャージ回路１５０に出力する。また、駆動用集積回路２００は、８画素分の画像信号Ｓを時系列的なシリアル信号として、各デマルチプレクサー１４０に出力する。例えば、駆動用集積回路２００は、画像信号Ｓ［１］〜Ｓ［８］をデマルチプレクサー１４０［１］に順番に出力するとともに、画像信号Ｓ［ｎ−７］〜Ｓ［ｎ］をデマルチプレクサー１４０［ｋ］に順番に出力する。同じ系列の信号線１１１に供給される画像信号Ｓは、駆動用集積回路２００から各デマルチプレクサー１４０に並列に出力される。すなわち、駆動用集積回路２００は、同じ系列の信号線１１１に供給するそれぞれの画像信号Ｓを、複数の信号線群の各々に並列に出力する。
【００３１】
図２に示す電気光学パネル１００では、第１系列、第３系列、第５系列および第７系列の信号線１１１は、第１信号線の一例であり、第２系列、第４系列、第６系列および第８系列の信号線１１１は、第２信号線の一例である。また、第１群ＧＲ１に属する第１系列、第３系列、第５系列および第７系列のプリチャージ制御信号線１１３は、第１プリチャージ制御信号線の一例であり、第２群ＧＲ２に属する第２系列、第４系列、第６系列および第８系列のプリチャージ制御信号線１１３は、第２プリチャージ制御信号線の一例である。したがって、第１群ＧＲ１に属するプリチャージ制御信号線１１３を介してプリチャージ回路１５０に供給されるプリチャージ制御信号ＰＳＬは、第１プリチャージ制御信号の一例であり、第２群ＧＲ２に属するプリチャージ制御信号線１１３を介してプリチャージ回路１５０に供給されるプリチャージ制御信号ＰＳＬは、第２プリチャージ制御信号の一例である。
【００３２】
また、第１系列、第３系列、第５系列および第７系列のプリチャージ選択トランジスター１５４は、第１スイッチ部の一例であり、第２系列、第４系列、第６系列および第８系列のプリチャージ選択トランジスター１５４は、第２スイッチ部の一例である。デマルチプレクサー１４０は、複数の画素１２２に画像信号Ｓを供給する信号線駆動回路の一例である。なお、電気光学装置１の構成は、図２に示す例に限定されない。
【００３３】
図３は、画素１２２の構成を示す回路図である。各画素１２２は、液晶素子１２３、保持容量１２４および画素トランジスター１２５を有する。液晶素子１２３は、互いに対向する画素電極１２３ａおよびコモン電極１２３ｂと、画素電極１２３ａおよびコモン電極１２３ｂ間に配置される液晶１２３ｃとを含む電気光学素子である。画素電極１２３ａとコモン電極１２３ｂとの間の印加電圧に応じて液晶１２３ｃの透過率が変化することにより、表示階調が変化する。なお、コモン電極１２３ｂには、図示しないコモン線を介して、一定の電圧であるコモン電圧Ｖｃｏｍが供給される。
【００３４】
保持容量１２４は、液晶素子１２３と並列に設けられている。保持容量１２４の一方の端子は、画素トランジスター１２５に接続され、他方の端子は、図示しない容量線を介してコモン電極１２３ｂに接続される。
【００３５】
画素トランジスター１２５は、例えば、ＴＦＴ等で構成されるＮチャネル型のトランジスターであり、液晶素子１２３と信号線１１１との間に設けられる。そして、画素トランジスター１２５は、ゲートに接続される走査線１１０に供給される走査信号Ｇのレベルに応じて、導通状態と非導通状態とのいずれかに設定される。すなわち、画素トランジスター１２５は、液晶素子１２３と信号線１１１との間の電気的な接続を制御する。例えば、走査信号Ｇ［ｐ］が選択電圧に設定されることで、第ｐ行目の各画素１２２における画素トランジスター１２５が同時またはほぼ同時に導通状態に遷移する。
【００３６】
画素トランジスター１２５が導通状態に制御されると、液晶素子１２３には、信号線１１１から供給される画像信号Ｓが印加される。液晶１２３ｃは、画像信号Ｓが印加されることにより、画像信号Ｓに基づく透過率に設定される。この結果、各画素１２２の階調は、画像信号Ｓで指定される階調に設定される。例えば、図示しない光源が点灯状態になると、光源から出射される光は、画素１２２が有する液晶素子１２３の液晶１２３ｃを透過して、電気光学装置１の外部に出力される。すなわち、液晶素子１２３に画像信号Ｓが印加され、かつ、光源が点灯状態となることで、画素１２２は、画像信号Ｓに基づく階調を表示する。
【００３７】
また、液晶素子１２３と並列に設けられる保持容量１２４は、液晶素子１２３に印加される電圧に充電される。すなわち、各画素１２２は、画像信号Ｓに対応する電位を保持容量１２４に保持する。
【００３８】
なお、電気光学装置１では、電気光学材料の電気的な劣化を防止するため、液晶素子１２３に印加する電圧の極性を一定周期毎に反転する極性反転駆動が採用される。例えば、電気光学装置１は、信号線１１１を介して画素１２２に供給する画像信号Ｓのレベルを、画像信号Ｓの中心電圧に対して１垂直走査期間毎に反転する。なお、極性を反転させる周期は任意に設定することができ、例えば、垂直走査期間の自然数倍であってもよい。本明細書においては、画像信号Ｓの電圧が中心電圧等の所定電圧に対して高電圧となる場合を正極性とし、画像信号Ｓの電圧が所定電圧に対して低電圧となる場合を負極性とする。
【００３９】
図４は、電気光学パネル１００の素子基板ＳＵＢ側の縦構造の説明図である。図４に図示していない液晶１２３ｃは、素子基板ＳＵＢに対して、ｚ方向の側に配置される。すなわち、ｚ方向は、画像の表示面に対して垂直な方向である。図４では、ｚ方向の側を上側とし、プリチャージ選択トランジスター１５４等のトランジスターがＴＦＴである場合を例にして、電気光学パネル１００の素子基板ＳＵＢ側の縦構造を説明する。また、以下では、ｚ方向からみることを「平面視」と称する。
【００４０】
素子基板ＳＵＢは、半導体層ＳＣＬ、ゲート絶縁膜ＩＬ０、ゲート電極配線層ＧＬ、第１層間絶縁膜ＩＬ１、第１コンタクトホールＣＴ１、第１配線層ＭＬ１、第２層間絶縁膜ＩＬ２、第２コンタクトホールＣＴ２および第２配線層ＭＬ２を有する。半導体層ＳＣＬは、半導体の層である。例えば、半導体層ＳＣＬは、ＴＦＴのソースおよびドレインの領域を含む。半導体層ＳＣＬ上には、絶縁体の層であるゲート絶縁膜ＩＬ０が配置される。ゲート絶縁膜ＩＬ０上には、ゲート電極配線層ＧＬが配置される。ゲート絶縁膜ＩＬ０を介して半導体層ＳＣＬ上に配置されるゲート電極配線層ＧＬは、ＴＦＴのゲートとして機能する。以下では、トランジスターのゲートは、ゲート電極とも称される。ゲート電極配線層ＧＬ上には、絶縁体の層である第１層間絶縁膜ＩＬ１が配置される。第１層間絶縁膜ＩＬ１上には、導電体の層である第１配線層ＭＬ１が配置される。第１配線層ＭＬ１上には、絶縁体の層である第２層間絶縁膜ＩＬ２が配置される。そして、第２層間絶縁膜ＩＬ２上に、第２配線層ＭＬ２が配置される。
【００４１】
第１コンタクトホールＣＴ１は、ゲート絶縁膜ＩＬ０および第１層間絶縁膜ＩＬ１の両方または第１層間絶縁膜ＩＬ１を貫通するコンタクトホールである。ＴＦＴのソースおよびドレインに対応する半導体層ＳＣＬの領域は、ゲート絶縁膜ＩＬ０および第１層間絶縁膜ＩＬ１を貫通する第１コンタクトホールＣＴ１により、第１配線層ＭＬ１に接続される。また、ゲート電極配線層ＧＬは、第１層間絶縁膜ＩＬ１を貫通する第１コンタクトホールＣＴ１により、第１配線層ＭＬ１に接続される。第２コンタクトホールＣＴ２は、第２層間絶縁膜ＩＬ２を貫通するコンタクトホールである。第１配線層ＭＬ１は、第２層間絶縁膜ＩＬ２を貫通する第２コンタクトホールＣＴ２により、第２配線層ＭＬ２に接続される。
【００４２】
図５は、プリチャージ回路１５０およびプリチャージ回路１５０の周辺のレイアウトを示す平面図である。図５では、プリチャージ選択トランジスター１５４の構成をみやすくするために、図の破線より右側のプリチャージ電源線１１５の記載を省略し、第１配線層ＭＬ１と重なる位置の半導体層ＳＣＬの境界を記載している。また、図５に示す信号線１１１およびプリチャージ制御信号線１１３の角括弧内の数字は、信号線１１１の系列番号に対応する。図５では、第１実施形態におけるプリチャージ制御信号線１１３およびプリチャージ選択トランジスター１５４のレイアウトの特徴を中心に説明する。
【００４３】
第１の特徴では、プリチャージ制御信号線１１３［ｊ］は、第１方向Ｄ１に沿って延在する主線１１３ａと、第２方向Ｄ２に沿って延在し、主線１１３ａとプリチャージ選択トランジスター１５４［ｊ］のゲートとを接続する支線１１３ｂとを含む。なお、ｊは、１以上８以下の自然数である。例えば、プリチャージ制御信号線１１３の主線１１３ａには、第２配線層ＭＬ２が用いられ、プリチャージ制御信号線１１３の支線１１３ｂには、第１配線層ＭＬ１が用いられる。また、プリチャージ制御信号線１１３およびプリチャージ回路１５０を通過する部分の信号線１１１には、第１配線層ＭＬ１が用いられる。このため、信号線１１１は、第２配線層ＭＬ２等への配線の乗り換えをすることなく、プリチャージ制御信号線１１３およびプリチャージ回路１５０を通過する。プリチャージ電源線１１５の詳細は後述するが、第２配線層ＭＬ２を用いているので、図示しないデマルチプレクサー１４０の書き込み選択トランジスター１４２の信号線１１１から表示領域１２０の信号線１１１までを第１配線層ＭＬ１を用いて連続して結線できるのでコンタクト不良等による欠陥を発生させにくい。
【００４４】
また、図２の説明と重複するが、プリチャージ制御信号線１１３［１］〜１１３［８］は、プリチャージ選択トランジスター１５４に対して第２方向Ｄ２の反対側に主線１１３ａが配置される第１群ＧＲ１と、プリチャージ選択トランジスター１５４に対して第２方向Ｄ２の側に主線１１３ａが配置される第２群ＧＲ２とに分けられる。プリチャージ制御信号線１１３［１］、１１３［３］、１１３［５］および１１３［７］が第１群ＧＲ１に属し、プリチャージ制御信号線１１３［２］、１１３［４］、１１３［６］および１１３［８］が第２群ＧＲ２に属する。そして、プリチャージ回路１５０は、第１群ＧＲ１のプリチャージ制御信号線１１３の主線１１３ａと第２群ＧＲ２のプリチャージ制御信号線１１３の主線１１３ａとの間に設けられる。
【００４５】
この結果、第１の特徴を有するレイアウトでは、プリチャージ回路１５０にプリチャージ制御信号ＰＳＬを１方向のみから入力するレイアウトに比べて、支線１１３ｂの長さを短くすることができる。例えば、ｑを１から４の自然数とすると、プリチャージ回路１５０にプリチャージ制御信号ＰＳＬを１方向のみから入力するレイアウトでは、プリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ］の主線１１３ａは、プリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ−１］の主線１１３ａとプリチャージ回路１５０との間に配置される。この場合、プリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ−１］の支線１１３ｂの長さは、プリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ］の主線１１３ａが位置する範囲の第２方向Ｄ２に沿う幅に相当する分だけ、図５の構成に比べて増加する。
【００４６】
第１の特徴により、電気光学装置１は、プリチャージ回路１５０にプリチャージ制御信号ＰＳＬを１方向のみから入力するレイアウトに比べて、プリチャージ制御信号線１１３の支線１１３ｂの長さを短くできるため、プリチャージ制御信号線１１３の駆動負荷となる寄生容量を低減でき、プリチャージ選択トランジスター１５４を高速に駆動できる。また、電気光学装置１では、プリチャージ回路１５０にプリチャージ制御信号ＰＳＬを１方向のみから入力するレイアウトに対して、プリチャージ制御信号線１１３［１］〜１１３［８］の支線１１３ｂの密度がほぼ半分になるため、プリチャージ選択トランジスター１５４等を狭ピッチで配置することができる。
【００４７】
第２の特徴では、プリチャージ電源線１１５は、画像の表示面に対して垂直な方向から見た平面視において、プリチャージ選択トランジスター１５４の領域上を第１方向Ｄ１に沿って延在する。例えば、プリチャージ電源線１１５には、第２配線層ＭＬ２が用いられる。第２の特徴により、電気光学装置１は、プリチャージ電源線１１５をプリチャージ選択トランジスター１５４の領域を避けて第１方向Ｄ１に沿って延在させるレイアウトに比べて、プリチャージ回路１５０およびプリチャージ回路１５０の周辺を含むレイアウトの面積を小さくできる。
【００４８】
第３の特徴では、プリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ−１］側から見る場合のプリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］の形状と、プリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ］側から見る場合のプリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］の形状とは、互いに相似である。このため、電気光学装置１は、プリチャージを実行する場合において、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］の特性とプリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］のプリチャージに関する特性とのずれが大きくなることを抑制でき、プリチャージ結果の信号線１１１間のばらつきを低減できる。この結果、表示ムラの発生を抑制することができる。
【００４９】
第４の特徴では、プリチャージ選択トランジスター１５４は、並列に接続される２つのトランジスター１５４ａおよび１５４ｂを含む。トランジスター１５４ａおよび１５４ｂは、第１方向Ｄ１に沿って配置される。すなわち、トランジスター１５４ａのゲートおよびトランジスター１５４ｂのゲートは、第１方向Ｄ１に沿って配置される。トランジスター１５４ａおよび１５４ｂは、トランジスター１５４ａおよび１５４ｂのゲート間に位置する半導体層ＳＣＬの領域を、信号線１１１に接続される共通のドレインとする。トランジスター１５４ａおよび１５４ｂのソースは、トランジスター１５４ａとトランジスター１５４ｂとで独立して、プリチャージ電源線１１５に接続される。
【００５０】
第４の特徴を有するレイアウトでは、例えば、プリチャージ選択トランジスター１５４に含まれるトランジスター１５４ａおよび１５４ｂが第２方向Ｄ２に沿って配置されるレイアウトに比べて、プリチャージ選択トランジスター１５４の第２方向Ｄ２に沿う長さを短くすることができる。このため、電気光学装置１は、プリチャージ選択トランジスター１５４に含まれるトランジスター１５４ａおよび１５４ｂが第２方向Ｄ２に沿って配置されるレイアウトに比べて、ゲート電極の抵抗と容量とによる時定数を小さくでき、プリチャージ選択トランジスター１５４を高速に駆動できる。
【００５１】
第５の特徴では、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］は、第１方向Ｄ１に沿って配置されるプリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］に対して第２方向Ｄ２の側の位置に、第１方向Ｄ１に沿って配置される。そして、第１方向Ｄ１に沿って互いに隣接するプリチャージ選択トランジスター１５４の一方に含まれるトランジスター１５４ａのソース、および他方に含まれるトランジスター１５４ｂのソースは、半導体層ＳＣＬにおいて互いに分離されている。互いに隣接するプリチャージ選択トランジスター１５４の半導体層ＳＣＬを分離するレイアウトでは、互いに隣接するプリチャージ選択トランジスター１５４の半導体層ＳＣＬを分離しないレイアウトに比べて、製造工程中の電荷の蓄積によるプリチャージ選択トランジスター１５４の破壊を抑制することができる。
【００５２】
第６の特徴では、プリチャージ制御信号線１１３［１］〜１１３［８］の各々は、第２方向Ｄ２に沿う幅の中心から所定のオフセット方向にずれる位置に、主線１１３ａと支線１１３ｂとを接続する第２コンタクトホールＣＴ２を有する。すなわち、プリチャージ制御信号線１１３［１］〜１１３［８］の各々において、支線１１３ｂは、主線１１３ａの第２方向Ｄ２に沿う幅の中心から所定のオフセット方向にずれる位置で主線１１３ａに接続される。第１群ＧＲ１に属するプリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ−１］の所定のオフセット方向は、第２方向Ｄ２に沿って配置される第１群ＧＲ１の主線１１３ａが位置する範囲の第２方向Ｄ２に沿う幅の中心ＣＥＮ１に向かう方向である。また、第２群ＧＲ２に属するプリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ］の所定のオフセット方向は、第２方向Ｄ２に沿って配置される第２群ＧＲ２の主線１１３ａが位置する範囲の第２方向Ｄ２に沿う幅の中心ＣＥＮ２に向かう方向である。なお、図５の一点鎖線は、プリチャージ制御信号線１１３の主線１１３ａの第２方向Ｄ２に沿う幅の中心を示し、図５の二点鎖線は、第２方向Ｄ２に沿って配置される主線１１３ａが位置する範囲の第２方向Ｄ２に沿う幅の中心ＣＥＮ１およびＣＥＮ２を示す。
【００５３】
第６の特徴により、電気光学装置１は、主線１１３ａと支線１１３ｂとを接続する第２コンタクトホールＣＴ２をプリチャージ制御信号線１１３の主線１１３ａの第２方向Ｄ２に沿う幅の中心に配置する構成に比べて、第２コンタクトホールＣＴ２からゲート電極までの支線１１３ｂの長さのプリチャージ制御信号線１１３間での差を小さくできる。この結果、第２コンタクトホールＣＴ２からゲート電極までの支線１１３ｂの配線抵抗のプリチャージ制御信号線１１３間での差を小さくすることができる。支線１１３ｂの配線抵抗のプリチャージ制御信号線１１３間での差を小さくする効果は、プリチャージ制御信号線１１３の主線１１３ａの第２方向Ｄ２に沿う幅が大きくなるほど、大きくなる。また、支線１１３ｂにゲート電極配線層ＧＬを用いる構成では、ゲート電極配線層ＧＬが第１配線層ＭＬ１より高抵抗であるため、支線１１３ｂの配線抵抗のプリチャージ制御信号線１１３間での差を小さくする効果は、さらに大きくなる。
【００５４】
なお、支線１１３ｂの配線抵抗のプリチャージ制御信号線１１３間での差を小さくするだけならば、支線１１３ｂの幅を変えることでも達成できる。しかし、支線１１３ｂの幅を変える構成では、支線１１３ｂの両脇に信号線１１１が配置されているため、信号線１１１と支線１１３ｂとの間の距離の相違による信号線１１１の寄生容量に信号線１１１間で差が発生し、表示上の不具合が発生する場合がある。これに対し、上述の第６の特徴を有する電気光学装置１は、支線１１３ｂの幅が他の支線１１３ｂの幅とほぼ同じであるため、複数の信号線１１１の寄生容量に差が発生することを抑制しつつ、支線１１３ｂの配線抵抗のプリチャージ制御信号線１１３間での差を小さくできる。
【００５５】
図５に示す例では、第１群ＧＲ１に属するプリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ−１］の主線１１３ａは、第１主線の一例であり、第１群ＧＲ１に属するプリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ−１］の支線１１３ｂは、第１支線の一例である。また、第２群ＧＲ２に属するプリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ］の主線１１３ａは、第２主線の一例であり、第２群ＧＲ２に属するプリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ］の支線１１３ｂは、第２支線の一例である。また、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］のトランジスター１５４ａおよび１５４ｂは、第１トランジスターの一例であり、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］のトランジスター１５４ａおよび１５４ｂは、第２トランジスターの一例である。また、第１群ＧＲ１に属するプリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ−１］の所定のオフセット方向は、第１オフセット方向の一例であり、第２群ＧＲ２に属するプリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ］の所定のオフセット方向は、第２オフセット方向の一例である。
【００５６】
なお、プリチャージ回路１５０およびプリチャージ回路１５０の周辺のレイアウトは、図５に示す例に限定されない。例えば、プリチャージ回路１５０およびプリチャージ制御信号線１１３等は、上述の第１の特徴から第６の特徴までのうちの任意の１つまたは複数の特徴を採用してレイアウトされてもよい。
【００５７】
図６は、電気光学装置１の動作タイミングの一例を示す図である。なお、図６は、正極性駆動における各水平走査期間Ｈの通常動作の動作タイミングを示す。正極性駆動では、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃｐがプリチャージ信号ＰＲＣとしてプリチャージ電源線１１５に供給される。
【００５８】
水平走査期間Ｈ［１］は、画像信号Ｓに基づくビデオ電圧を１行目の画素１２２に書き込むための水平走査期間Ｈである。水平走査期間Ｈ［１］では、１行目の走査線１１０に供給される走査信号Ｇ［１］がハイレベルに設定される。１行目以外の走査線１１０に供給される走査信号Ｇ［２］〜Ｇ［ｍ］は、ローレベルに維持される。書き込み選択信号ＳＬ［１］〜ＳＬ［８］の各々のハイレベル期間は、書き込み選択信号ＳＬ［１］、ＳＬ［３］、ＳＬ［５］、ＳＬ［７］、ＳＬ［２］、ＳＬ［４］、ＳＬ［６］およびＳＬ［８］の順に切り替わる。すなわち、第１系列の信号線１１１から第８系列の信号線１１１までの各系列の信号線１１１に対して、画像信号Ｓの書き込み期間が順番に割り当てられる。この結果、各系列の信号線１１１に画像信号Ｓが順番に供給される。
【００５９】
また、書き込み選択信号ＳＬ［１］、ＳＬ［３］、ＳＬ［５］、ＳＬ［７］、ＳＬ［２］、ＳＬ［４］およびＳＬ［６］の各々のハイレベル期間の切り替わりに合わせて、プリチャージ制御信号ＰＳＬ［３］、ＰＳＬ［５］、ＰＳＬ［７］、ＰＳＬ［２］、ＰＳＬ［４］、ＰＳＬ［６］およびＰＳＬ［８］の各々のハイレベル期間が切り替わる。すなわち、プリチャージ制御信号ＰＳＬ［２］〜ＰＳＬ［８］の各々のハイレベル期間は、プリチャージ制御信号ＰＳＬ［３］、ＰＳＬ［５］、ＰＳＬ［７］、ＰＳＬ［２］、ＰＳＬ［４］、ＰＳＬ［６］およびＰＳＬ［８］の順に切り替わる。
【００６０】
例えば、プリチャージ制御信号ＰＳＬ［３］は、書き込み選択信号ＳＬ［１］がハイレベルに遷移するタイミングに同期してハイレベルに遷移し、所定時間経過後にローレベルに遷移する。プリチャージ制御信号ＰＳＬ［３］がハイレベルに維持されている第３系列のプリチャージ期間に、第３系列の信号線１１１に対するプリチャージが実行される。すなわち、第３系列のプリチャージ期間に、第３系列の信号線１１１にプリチャージ信号ＰＲＣが供給される。このため、第３系列の信号線１１１は、プリチャージ信号ＰＲＣに基づく正極性のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃｐに充電される。なお、水平走査期間Ｈ［１］では、プリチャージ制御信号ＰＳＬ［１］は、ローレベルに維持される。
【００６１】
水平走査期間Ｈ［２］では、２行目の走査線１１０に供給される走査信号Ｇ［２］がハイレベルに設定され、２行目以外の走査線１１０に供給される走査信号Ｇは、ローレベルに維持される。水平走査期間Ｈ［２］では、第１系列から第８系列までの各系列の信号線１１１に画像信号Ｓを順番に供給する際の順番が水平走査期間Ｈ［１］と異なる。例えば、書き込み選択信号ＳＬ［１］〜ＳＬ［８］の各々のハイレベル期間は、書き込み選択信号ＳＬ［３］、ＳＬ［５］、ＳＬ［７］、ＳＬ［２］、ＳＬ［４］、ＳＬ［６］、ＳＬ［８］およびＳＬ［１］の順に切り替わる。また、書き込み選択信号ＳＬ［３］、ＳＬ［５］、ＳＬ［７］、ＳＬ［２］、ＳＬ［４］、ＳＬ［６］およびＳＬ［８］の各々のハイレベル期間の切り替わりに合わせて、プリチャージ制御信号ＰＳＬ［５］、ＰＳＬ［７］、ＰＳＬ［２］、ＰＳＬ［４］、ＰＳＬ［６］、ＰＳＬ［８］およびＰＳＬ［１］の各々のハイレベル期間が切り替わる。なお、水平走査期間Ｈ［２］では、プリチャージ制御信号ＰＳＬ［３］は、ローレベルに維持される。
【００６２】
水平走査期間Ｈ［ｍ］では、ｍ行目の走査線１１０に供給される走査信号Ｇ［ｍ］がハイレベルに設定され、ｍ行目以外の走査線１１０に供給される走査信号Ｇは、ローレベルに維持される。図６に示す例では、ｍは８の倍数である。水平走査期間Ｈ［ｍ］では、第１系列から第８系列までの各系列の信号線１１１に画像信号Ｓを順番に供給する際の順番が水平走査期間Ｈ［１］と異なる。例えば、書き込み選択信号ＳＬ［１］〜ＳＬ［８］の各々のハイレベル期間は、書き込み選択信号ＳＬ［８］、ＳＬ［１］、ＳＬ［３］、ＳＬ［５］、ＳＬ［７］、ＳＬ［２］、ＳＬ［４］およびＳＬ［６］の順に切り替わる。また、書き込み選択信号ＳＬ［８］、ＳＬ［１］、ＳＬ［３］、ＳＬ［５］、ＳＬ［７］、ＳＬ［２］およびＳＬ［４］の各々のハイレベル期間の切り替わりに合わせて、プリチャージ制御信号ＰＳＬ［１］、ＰＳＬ［３］、ＰＳＬ［５］、ＰＳＬ［７］、ＰＳＬ［２］、ＰＳＬ［４］およびＰＳＬ［６］の各々のハイレベル期間が切り替わる。なお、水平走査期間Ｈ［ｍ］では、プリチャージ制御信号ＰＳＬ［８］は、ローレベルに維持される。
【００６３】
図６に示す例では、プリチャージが実行されない信号線１１１の系列を、水平走査期間Ｈ毎に変更して８個の水平走査期間Ｈで一巡させる。電気光学装置１では、プリチャージが実行されない信号線１１１の系列をローテーションすることにより、各系列の信号線１１１に対するプリチャージの回数を均一化することができるため、画質の低下を抑制することができる。
【００６４】
なお、電気光学装置１の動作タイミングは、図６に示す例に限定されない。例えば、各系列の信号線１１１に画像信号Ｓを供給する順番は、図６に示す順番と異なる順番でもよい。
【００６５】
以上、第１実施形態では、プリチャージ回路１５０は、プリチャージ制御信号ＰＳＬに従ってプリチャージ信号ＰＲＣを信号線１１１に供給するプリチャージ選択トランジスター１５４を有する。プリチャージ選択トランジスター１５４［１］、１５４［３］、１５４［５］および１５４［７］は、プリチャージ制御信号線１１３［１］、１１３［３］、１１３［５］および１１３［７］を基準として第２方向Ｄ２の側に設けられる。また、プリチャージ選択トランジスター１５４［２］、１５４［４］、１５４［６］および１５４［８］は、プリチャージ制御信号線１１３［２］、１１３［４］、１１３［６］および１１３［８］を基準として第２方向Ｄ２の反対側に設けられる。
【００６６】
すなわち、プリチャージ回路１５０は、プリチャージ制御信号ＰＳＬが第２方向Ｄ２の反対側から入力されるプリチャージ選択トランジスター１５４と、プリチャージ制御信号ＰＳＬが第２方向Ｄ２の側から入力されるプリチャージ選択トランジスター１５４とを有する。このため、第１実施形態では、プリチャージ回路１５０にプリチャージ制御信号ＰＳＬを１方向のみから入力するレイアウトに比べて、プリチャージ制御信号線１１３の主線１１３ａとプリチャージ選択トランジスター１５４のゲートとを接続する支線１１３ｂの長さを短くすることができる。この結果、第１実施形態では、プリチャージ制御信号線１１３の駆動負荷となる寄生容量を低減することができ、プリチャージ選択トランジスター１５４を高速に駆動することができる。
【００６７】
また、プリチャージ電源線１１５は、画像の表示面に対して垂直な方向から見た平面視において、プリチャージ選択トランジスター１５４の領域上を第１方向Ｄ１に沿って延在する。この場合、プリチャージ電源線１１５をプリチャージ選択トランジスター１５４の領域を避けて第１方向Ｄ１に沿って延在させるレイアウトに比べて、プリチャージ回路１５０およびプリチャージ回路１５０の周辺を含むレイアウトの面積を小さくすることができる。
【００６８】
また、ｑを１から４の自然数とすると、プリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ−１］側から見る場合のプリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］の形状と、プリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ］側から見る場合のプリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］の形状とは、互いに相似である。この場合、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］の特性とプリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］の特性とのずれが大きくなることを抑制することができ、プリチャージ結果の信号線１１１間のばらつきを低減することができる。この結果、表示ムラの発生を抑制することができる。
【００６９】
また、プリチャージ選択トランジスター１５４［１］〜［８］の各々は、第１方向Ｄ１に沿って配置され、並列に接続される２つのトランジスター１５４ａおよび１５４ｂを有する。トランジスター１５４ａおよび１５４ｂは、トランジスター１５４ａおよび１５４ｂのゲート間に位置する半導体層ＳＣＬの領域を、信号線１１１に接続される共通のドレインとする。この場合、プリチャージ選択トランジスター１５４に含まれるトランジスター１５４ａおよび１５４ｂが第２方向Ｄ２に沿って配置されるレイアウトに比べて、プリチャージ選択トランジスター１５４の第２方向Ｄ２に沿う長さを短くすることができる。このため、プリチャージ選択トランジスター１５４に含まれるトランジスター１５４ａおよび１５４ｂが第２方向Ｄ２に沿って配置されるレイアウトに比べて、ゲート電極の抵抗と容量とによる時定数を小さくすることができ、プリチャージ選択トランジスター１５４を高速に駆動することができる。
【００７０】
また、第１方向Ｄ１に沿って互いに隣接するプリチャージ選択トランジスター１５４の一方に含まれるトランジスター１５４ａのソース、および他方に含まれるトランジスター１５４ｂのソースは、半導体層ＳＣＬにおいて互いに分離されている。この場合、互いに隣接するプリチャージ選択トランジスター１５４の半導体層ＳＣＬを分離しない構成に比べて、製造工程中の電荷の蓄積によるプリチャージ選択トランジスター１５４の破壊を抑制することができる。
【００７１】
また、プリチャージ制御信号線１１３［１］〜１１３［８］の各々は、主線１１３ａの第２方向Ｄ２に沿う幅の中心から所定のオフセット方向にずれる位置に、主線１１３ａと支線１１３ｂとを接続する第２コンタクトホールＣＴ２を有する。第１群ＧＲ１に属するプリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ−１］の所定のオフセット方向は、第２方向Ｄ２に沿って配置される第１群ＧＲ１の主線１１３ａが位置する範囲の第２方向Ｄ２に沿う幅の中心ＣＥＮ１に向かう方向である。また、第２群ＧＲ２に属するプリチャージ制御信号線１１３［２＊ｑ］の所定のオフセット方向は、第２方向Ｄ２に沿って配置される第２群ＧＲ２の主線１１３ａが位置する範囲の第２方向Ｄ２に沿う幅の中心ＣＥＮ２に向かう方向である。
【００７２】
主線１１３ａと支線１１３ｂとを接続する第２コンタクトホールＣＴ２をプリチャージ制御信号線１１３の主線１１３ａの中心から所定のオフセット方向にずれる位置に配置することにより、第２コンタクトホールＣＴ２からプリチャージ選択トランジスター１５４のゲート電極までの支線１１３ｂの長さのプリチャージ制御信号線１１３間での差を小さくすることができる。この結果、第２コンタクトホールＣＴ２からゲート電極までの支線１１３ｂの配線抵抗のプリチャージ制御信号線１１３間での差を小さくすることができる。
【００７３】
＜第２実施形態＞
第２実施形態と第１実施形態の主な相違点は、プリチャージ選択トランジスター１５４のドレインと信号線１１１とを接続する配線のレイアウトである。
【００７４】
図７は、第２実施形態におけるプリチャージ回路１５０およびプリチャージ回路１５０の周辺のレイアウトを示す平面図である。図１から図６で説明済みの要素と同一の要素については、同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。図７においても、図５と同様に、プリチャージ選択トランジスター１５４の構成をみやすくするために、図の破線より右側のプリチャージ電源線１１５の記載を省略し、第１配線層ＭＬ１と重なる位置の半導体層ＳＣＬの境界を記載している。
【００７５】
第２実施形態に係る電気光学装置１は、プリチャージ選択トランジスター１５４のドレインと信号線１１１とを接続する配線のレイアウトを除いて、図１の電気光学装置１と同一である。例えば、第２実施形態に係る電気光学装置１は、電気光学パネル１００、駆動用集積回路２００およびフレキシブル回路基板３００を有する。なお、第２実施形態に係る電気光学パネル１００は、プリチャージ選択トランジスター１５４のドレインと信号線１１１とを接続する配線のレイアウトを除いて、図２の電気光学パネル１００と同一である。図７では、第２実施形態と第１実施形態との相違点であるプリチャージ選択トランジスター１５４のドレインと信号線１１１とを接続する配線のレイアウトを中心に説明する。
【００７６】
プリチャージ選択トランジスター１５４［２］、１５４［４］、１５４［６］および１５４［８］は、プリチャージ選択トランジスター１５４［１］、１５４［３］、１５４［５］および１５４［７］に対して第２方向Ｄ２の側に配置される。また、各プリチャージ選択トランジスター１５４が有するトランジスター１５４ａおよび１５４ｂは、ドレインの半導体層ＳＣＬ上に配置されるドレイン電極ＤＥを有する。なお、ドレイン電極ＤＥには、信号線１１１と同じ配線層である第１配線層ＭＬ１が用いられる。
【００７７】
プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］が有するトランジスター１５４ａおよび１５４ｂのドレイン電極ＤＥは、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］が有するトランジスター１５４ａおよび１５４ｂのドレイン電極ＤＥ側の端部で信号線１１１に接続される。また、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］が有するトランジスター１５４ａおよび１５４ｂのドレイン電極ＤＥは、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］が有するトランジスター１５４ａおよび１５４ｂのドレイン電極ＤＥ側の端部で信号線１１１に接続される。
【００７８】
すなわち、第２方向Ｄ２に沿って互いに隣接する２つのプリチャージ選択トランジスター１５４のうちの一方のプリチャージ選択トランジスター１５４のドレイン電極ＤＥは、他方のプリチャージ選択トランジスター１５４のドレイン電極ＤＥ側の端部で信号線１１１に接続される。この場合、図５のレイアウトに比べて、ｎ本の信号線１１１間において、プリチャージ選択トランジスター１５４のドレイン電極ＤＥからｍ行目の画素１２２までの距離の差を小さくすることができる。すなわち、プリチャージ選択トランジスター１５４のドレイン電極ＤＥからｍ行目の画素１２２までの信号線１１１の配線抵抗のｎ本の信号線１１１間の差を小さくすることができる。この結果、プリチャージによる信号線１１１の電位変動のｎ本の信号線１１１間の差を小さくすることができ、表示ムラの発生を抑制することができる。
【００７９】
図７に示す例では、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］が有するトランジスター１５４ａおよび１５４ｂのドレイン電極ＤＥは、第１ドレイン電極の一例であり、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］が有するトランジスター１５４ａおよび１５４ｂのドレイン電極ＤＥは、第２ドレイン電極の一例である。
【００８０】
以上、第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第２実施形態では、第２方向Ｄ２に沿って互いに隣接する２つのプリチャージ選択トランジスター１５４のうちの一方のプリチャージ選択トランジスター１５４のドレイン電極ＤＥは、他方のプリチャージ選択トランジスター１５４のドレイン電極ＤＥ側の端部で信号線１１１に接続される。このため、プリチャージ選択トランジスター１５４のドレイン電極ＤＥからｍ行目の画素１２２までの信号線１１１の配線抵抗のｎ本の信号線１１１間の差を小さくすることができる。この結果、プリチャージによる信号線１１１の電位変動のｎ本の信号線１１１間の差を小さくすることができ、表示ムラの発生を抑制することができる。
【００８１】
＜第３実施形態＞
第３実施形態と第１実施形態の主な相違点は、２つのプリチャージ選択トランジスター１５４が、互いのドレインが対向するように、第１方向Ｄ１に沿って配置される点である。
【００８２】
図８は、第３実施形態におけるプリチャージ回路１５０およびプリチャージ回路１５０の周辺のレイアウトを示す平面図である。図１から図７で説明済みの要素と同一の要素については、同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。図８においても、プリチャージ選択トランジスター１５４の構成をみやすくするために、図の破線より右側のプリチャージ電源線１１５の記載を省略している。
【００８３】
第３実施形態に係る電気光学装置１は、プリチャージ選択トランジスター１５４のレイアウトを除いて、図１の電気光学装置１と同一である。例えば、第３実施形態に係る電気光学装置１は、電気光学パネル１００、駆動用集積回路２００およびフレキシブル回路基板３００を有する。なお、第３実施形態に係る電気光学パネル１００は、プリチャージ選択トランジスター１５４のレイアウトを除いて、図２の電気光学パネル１００と同一である。図８では、第３実施形態と第１実施形態との相違点であるプリチャージ選択トランジスター１５４のレイアウトを中心に説明する。
【００８４】
プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］およびプリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］は、互いのドレインが対向するように、第１方向Ｄ１に沿って配置される。そして、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］のドレインに接続される信号線１１１は、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］のドレインとの距離がプリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］のゲートとの距離より大きくなる位置に配置される。また、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］のドレインに接続される信号線１１１は、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］のドレインとの距離がプリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］のゲートとの距離より大きくなる位置に配置される。図８に示す例では、信号線１１１は、画像の表示面に対して垂直な方向から見た平面視において、プリチャージ選択トランジスター１５４のゲート上を第２方向Ｄ２に沿って延在する。
【００８５】
このため、図８に示す例では、プリチャージ選択トランジスター１５４のゲートから離れた位置で信号線１１１がドレイン上を延在するレイアウトに比べて、信号線１１１に用いられる第１配線層ＭＬ１の間隔を大きくすることができる。換言すると第１配線層ＭＬ１のデザインルールが緩和される。この結果、プリチャージ選択トランジスター１５４のゲートから離れた位置で信号線１１１がドレイン上を延在するレイアウトに比べて、プリチャージ選択トランジスター１５４等を狭ピッチで配置することができる。
【００８６】
なお、プリチャージ選択トランジスター１５４のゲート電極と信号線１１１とが重なるレイアウトでは、ゲート電極と信号線１１１との間の寄生容量は、ゲート電極と信号線１１１とが重ならないレイアウトに比べて大きくなる。このため、プリチャージ選択トランジスター１５４を導通状態と非導通状態との間で切り替えることによるフィードスルー電圧は、ゲート電極と信号線１１１とが重ならないレイアウトに比べて大きくなる。しかし、プリチャージ選択トランジスター１５４の状態の切り替えによるフィードスルー電圧の増加は、プリチャージに伴う事象であり、画像信号Ｓの書き込みに伴うフィードスルー電圧の増加ではない。
【００８７】
したがって、プリチャージ選択トランジスター１５４の状態の切り替えによるフィードスルー電圧の増加は、駆動用集積回路２００が出力する画像信号Ｓの電圧レンジ上昇等の弊害にはならない。すなわち、図８に示すレイアウトは、駆動用集積回路２００が出力する画像信号Ｓの電圧レンジ上昇等の弊害の発生を抑制しつつ、プリチャージ選択トランジスター１５４等を狭ピッチで配置することができる。
【００８８】
図８に示す例では、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］は、第１スイッチ部および第１トランジスターの一例であり、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］は、第２スイッチ部および第２トランジスターの一例である。
【００８９】
以上、第３実施形態においても、トランジスター１５４ａのゲートおよびトランジスター１５４ｂのゲートが第１方向Ｄ１に沿って配置されることにより得られる効果を除いて、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第３実施形態では、画像の表示面に対して垂直な方向から見た平面視において、信号線１１１は、プリチャージ選択トランジスター１５４のゲート上を第２方向Ｄ２に沿って延在する。このため、第３実施形態では、プリチャージ選択トランジスター１５４のゲートから離れた位置で信号線１１１がドレイン上を延在するレイアウトに比べて、信号線１１１に用いられる第１配線層ＭＬ１の間隔を大きくすることができる。この結果、プリチャージ選択トランジスター１５４等を狭ピッチで配置することができる。
【００９０】
＜変形例＞
第１実施形態から第３実施形態までの各形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択される２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。
【００９１】
＜変形例１＞
第１実施形態から第３実施形態までの各形態において、プリチャージ制御信号線１１３は、図９に示すように、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］とプリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］との間に配置されてもよい。
【００９２】
図９は、変形例１におけるプリチャージ回路１５０およびプリチャージ回路１５０の周辺のレイアウトを示す平面図である。図１から図８で説明済みの要素と同一の要素については、同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。図９においても、図５と同様に、プリチャージ選択トランジスター１５４の構成をみやすくするために、図の破線より右側のプリチャージ電源線１１５の記載を省略し、第１配線層ＭＬ１と重なる位置の半導体層ＳＣＬの境界を記載している。
【００９３】
変形例１における電気光学装置１は、プリチャージ選択トランジスター１５４およびプリチャージ制御信号線１１３のレイアウトを除いて、図１の電気光学装置１と同一である。図９では、変形例１と第１実施形態との相違点であるプリチャージ選択トランジスター１５４のレイアウトを中心に説明する。
【００９４】
プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］は、８本のプリチャージ制御信号ＰＳＬ［１］〜ＰＳＬ［８］に対して、第２方向Ｄ２の側に配置される。そして、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］は、８本のプリチャージ制御信号ＰＳＬ［１］〜ＰＳＬ［８］に対して、第２方向Ｄ２の反対側に配置される。すなわち、プリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ−１］とプリチャージ選択トランジスター１５４［２＊ｑ］とは、８本のプリチャージ制御信号ＰＳＬ［１］〜ＰＳＬ［８］を挟んで、第２方向Ｄ２の側および反対側に分かれて配置される。
【００９５】
変形例１においても、第１実施形態と同様に、プリチャージ回路１５０にプリチャージ制御信号ＰＳＬを１方向のみから入力するレイアウトに比べて、支線１１３ｂの長さを短くすることができる。したがって、変形例１においても、プリチャージ制御信号線１１３の駆動負荷となる寄生容量を低減することができ、プリチャージ選択トランジスター１５４を高速に駆動することができる。
【００９６】
＜変形例２＞
第３実施形態において、信号線１１１は、プリチャージ選択トランジスター１５４のドレイン上を延在してもよい。
【００９７】
図１０は、変形例２におけるプリチャージ回路１５０およびプリチャージ回路１５０の周辺のレイアウトを示す平面図である。図１から図９で説明済みの要素と同一の要素については、同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。図１０においても、図８と同様に、プリチャージ選択トランジスター１５４の構成をみやすくするために、図の破線より右側のプリチャージ電源線１１５の記載を省略している。
【００９８】
変形例２における電気光学装置１は、プリチャージ選択トランジスター１５４および信号線１１１のレイアウトを除いて、図１の電気光学装置１と同一である。図１０では、変形例２と第３実施形態との相違点であるプリチャージ選択トランジスター１５４および信号線１１１のレイアウトを中心に説明する。
【００９９】
信号線１１１は、プリチャージ選択トランジスター１５４が配置される領域において、プリチャージ選択トランジスター１５４のドレイン上を延在する。このため、第１方向Ｄ１に沿って互いに隣接するプリチャージ選択トランジスター１５４において、信号線１１１に用いられる第１配線層ＭＬ１の間隔は、図８の例に比べて、狭くなる。換言すれば、図８の例では、図１０に示すレイアウトに比べて、信号線１１１に用いられる第１配線層ＭＬ１の間隔を大きくすることができる。
【０１００】
なお、変形例２においても、トランジスター１５４ａのゲートおよびトランジスター１５４ｂのゲートが第１方向Ｄ１に沿って配置されることにより得られる効果を除いて、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０１】
＜変形例３＞
第１実施形態から第３実施形態までの各形態、変形例１および変形例２において、プリチャージ回路１５０は、表示領域１２０に対して、第２方向Ｄ２の反対側に配置されてもよい。
【０１０２】
＜変形例４＞
第１実施形態から第３実施形態までの各形態と、変形例１から変形例３までの各変形例とにおいて、ｎ本の信号線１１１は、ｋ個の信号線群に分類されなくてもよい。
【０１０３】
＜変形例５＞
第１実施形態から第３実施形態までの各形態と、変形例１から変形例４までの各変形例とにおいて、電気光学パネル１００は、反射型の電気光学装置でもよい。また、電気光学パネル１００は、反射型とする場合、信号線１１１等が形成される素子基板ＳＵＢに半導体基板を用いるＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）型としてもよい。
【０１０４】
＜応用例＞
電気光学装置１は、各種の電子機器に利用され得る。図１１から図１３は、この発明の適用対象となる電子機器の具体的な形態を例示するものである。
【０１０５】
図１１は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置される本体部２０１０とを有する。
【０１０６】
図１２は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す正面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１とを有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１に表示される画面内容が変更される。
【０１０７】
図１３は、電子機器の一例である投射型表示装置４０００を示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。図１３に示す電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１である。
【０１０８】
すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇおよび１ｂを有する。照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇおよび１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇおよび１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。
【０１０９】
前述のパーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００および投射型表示装置４０００の各々は、前述の電気光学装置１を有するため、表示画像の画質を向上できる。
【０１１０】
なお、電気光学装置１が適用される電子機器としては、図１１、図１２および図１３に例示される機器のほか、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、電気光学装置１が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤーまたはタッチパネルを備える機器等が挙げられる。
【０１１１】
以上、電気光学装置および電子機器は、前述の各実施形態に限定されない。また、電気光学装置および電子機器の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。
【符号の説明】
【０１１２】
１、１ｂ、１ｇ、１ｒ…電気光学装置、１００…電気光学パネル、１１０…走査線、１１１…信号線、１１２…データ線、１１３…プリチャージ制御信号線、１１３ａ…主線、１１３ｂ…支線、１１４…書き込み選択信号線、１１５…プリチャージ電源線、１２０…表示領域、１２２…画素、１２３…液晶素子、１２３ａ…画素電極、１２３ｂ…コモン電極、１２３ｃ…液晶、１２４…保持容量、１２５…画素トランジスター、１３０…走査線駆動回路、１４０…デマルチプレクサー、１４２…書き込み選択トランジスター、１５０…プリチャージ回路、１５２…プリチャージ選択回路、１５４…プリチャージ選択トランジスター、１５４ａ、１５４ｂ…トランジスター、１６０…検査回路、２００…駆動用集積回路、３００…フレキシブル回路基板、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２０１０…本体部、３０００…スマートフォン、３００１…操作ボタン、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…投射光学系、４００４…投射面、ＣＴ１…第１コンタクトホール、ＣＴ２…第２コンタクトホール、Ｄ１…第１方向、Ｄ２…第２方向、ＧＬ…ゲート電極配線層、ＧＲ１…第１群、ＧＲ２…第２群、ＩＬ１…第１層間絶縁膜、ＩＬ２…第２層間絶縁膜、ＭＬ１…第１配線層、ＭＬ２…第２配線層、ＳＣＬ…半導体層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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