【事件の表示】
　特許第６８１１３６１号発明「クロロシラン類の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６８１１３６１号の請求項１及び２に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第６８１１３６１号（以下、「本件特許」という。）の請求項１及び２に係る特許についての出願は、２０２０年（令和２年）２月２６日（優先権主張　平成３１年３月５日　（ＪＰ）日本国）を国際出願日として特許出願され、令和２年１２月１６日にその特許権の設定登録がされ、令和３年１月１３日に特許掲載公報が発行された。
　その後、請求項１及び２に係る特許に対して、令和３年５月１８日に特許異議申立人須田正義（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされた。
２　本件発明
　本件特許の請求項１及び２の特許に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」などといい、まとめて「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　流動床方式反応装置内で金属シリコンの塩素化反応によりクロロシラン類を製造するに際し、上記金属シリコンとして、ナトリウムの含量が元素換算で１ｐｐｍ以上９０ｐｐｍ以下、アルミニウムの含量が元素換算で１０００ｐｐｍ以上、４０００ｐｐｍ以下の金属シリコンを使用することを特徴とするクロロシラン類の製造方法。
【請求項２】
　前記金属シリコンの平均粒径が１５０〜４００μｍである請求項１に記載のクロロシラン類の製造方法。」
３　申立理由の概要
　申立人は、甲第１号証（特表２００７−５１３０４８号公報）を提出し、本件発明１及び２に係る特許は、以下の理由により、取り消すべきものである旨を主張する。
（１）申立理由１
　本件発明１及び２は、甲第１号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当するため取り消されるべきものである。
（２）申立理由２
　本件特許は、特許請求の範囲の記載が後記６（１）の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第１１３条第４号に該当するため取り消されるべきものである。
４　甲号証について
（１）甲第１号証の記載事項
　甲第１号証には、「太陽電池グレードのケイ素を生産するための、冶金グレードのケイ素から不純物を除去する方法」（発明の名称）に関して、次の事項が記載されている。なお、下線は、当審が付した。
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
太陽電池グレードのケイ素として適したケイ素を生産するために、冶金グレードのケイ素から金属不純物と非金属不純物を除去することによるケイ素の精製方法であって、（ｉ）金属不純物と非金属不純物とを含む冶金グレードのケイ素を、約５ミリメートル未満の平均径を有するケイ素の粒子からなるケイ素パウダーに粉砕する工程；（ｉｉ）前記粉砕したケイ素パウダーを固体状態に維持しながら、前記粉砕したケイ素パウダーをケイ素の融点未満の温度に減圧下で加熱する工程；及び（ｉｉｉ）少なくとも一つの金属または非金属不純物を除去可能な十分な期間で、前記加熱した粉砕ケイ素パウダーを前記温度で維持する工程、を含む方法。
【請求項２】
　
前記温度が約１０００℃から１４１０℃未満の温度の間
【請求項３】
　前記不純物がリンである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
　
前記ケイ素の粒子が約５ミリメートル未満の直径を有する
【請求項５】
　
前記処理雰囲気の圧力が約０．５Ｔｏｒｒ／６６．６６Ｐａ未満である
【請求項６】
　
前記粉砕したケイ素パウダーがトレーに配置され
　イ　「【０００１】
　
本発明は、太陽電池グレード（ＳＧ）のケイ素を生産するための、冶金グレード（ＭＧ）のケイ素から不純物、特にリンを除去する方法に関する。
　ウ　「【００２２】
実施例１
　この実施例によれば、ケイ素からのリンの除去に関するいくつかの稼動工程が、本発明に係る方法を使用して実施され、以下に要約されて表１に示される。このデータは、異なる処理雰囲気を使用して得られた結果を示す。
表１の第１欄は、第２−４欄に示された処理サンプルに対する開始材料として使用されたケイ素パウダーの分析を提供する。工程が約１３７０℃で３６時間維持された際に、
０．５Ｔｏｒｒ（６６．６６Ｐａ）の圧力で約７６％の除去効率（表１第３欄）で、リンがケイ素から除去できる。
アルミナ坩堝
【００２３】
【表１】
【００２４】
　リンの除去効率は、約０．２インチ／０．５ｃｍの深さを有するトレーの層において、
真空下で１３７０℃で処理されたパウダーサンプルについて約２３−７６％であったことが表１で観察できる。
　エ　「【００３４】
　冶金グレードのケイ素のアップグレードは、太陽電池の組み立てのために使用される太陽電池グレードのケイ素の低コストの供給を生み出す任意の手段を与える。
上述のように、実行可能な道を提供するために、当業者は、重量ミリオン当たり数千部（数千ｐｐｍｗ）から１ｐｐｍｗ未満
（２）甲第１号証に記載された発明（甲１発明）について
　前記（１）ア、ウ及びエの記載を、実施例１の表１第３欄に記載された「ケイ素の精製方法」に注目して整理すると、甲第１号証には、
「太陽電池グレードのケイ素として適したケイ素を生産するために、冶金グレードのケイ素から金属不純物と非金属不純物を除去することによるケイ素の精製方法であって、（ｉ）金属不純物と非金属不純物とを含む冶金グレードのケイ素を、９０〜３００μｍの平均径を有するケイ素の粒子からなるケイ素パウダーに粉砕する工程；（ｉｉ）前記粉砕したケイ素パウダーをアルミナ坩堝に配置し、固体状態に維持しながら、前記粉砕したケイ素パウダーを１３７０℃の温度に０．２〜０．５Ｔｏｒｒの減圧下で加熱する工程；及び（ｉｉｉ）前記加熱した粉砕ケイ素パウダーを前記温度で３６時間維持する工程を含み、前記粉砕したケイ素パウダーが、Ａｌを１６６３ｐｐｍｗ、Ｃａを４６５ｐｐｍｗ、Ｃｕを７３ｐｐｍｗ、Ｍｇを１１．３ｐｐｍｗ、Ｍｎを１５２ｐｐｍｗ、Ｎａを１２ｐｐｍｗ、Ｐを４７ｐｐｍｗ、Ｓｎを２．８ｐｐｍｗ、Ｚｎを１０ｐｐｍｗで含有しているケイ素パウダーである、方法。」
の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
５　申立理由１に対する判断
（１）本件発明１について
　ア　本件発明１と甲１発明との対比
　甲１発明の「冶金グレードのケイ素」を「粉砕したケイ素パウダー」は、本件発明１の「金属シリコン」に相当する。
　また、本件発明１の「ナトリウムの含量」及び「アルミニウムの含量」は、本件特許明細書の段落【００２７】の記載からして、質量基準の数値といえるから、甲１発明の「Ｎａを１２ｐｐｍｗ」、「Ａｌを１６６３ｐｐｍｗ」で含有していることは、本件発明１の「ナトリウムの含量が元素換算で１ｐｐｍ以上９０ｐｐｍ以下、アルミニウムの含量が元素換算で１０００ｐｐｍ以上、４０００ｐｐｍ以下」との特定事項を満足する。
　したがって、本件発明１と甲１発明との一致点及び相違点は、それぞれ、次のように認定することができる。
＜一致点＞
「ナトリウムの含量が元素換算で１ｐｐｍ以上９０ｐｐｍ以下、アルミニウムの含量が元素換算で１０００ｐｐｍ以上、４０００ｐｐｍ以下の金属シリコンを使用する、方法。」の点。
＜相違点＞
　本件発明では、流動床方式反応装置内で金属シリコンの塩素化反応によりクロロシラン類を製造しているのに対して、甲１発明では、ケイ素パウダーを加熱して、太陽電池グレードのケイ素として適したケイ素に精製している点。
　イ　相違点の検討
　甲第１号証には、上記４（１）イによれば、太陽電池グレードのケイ素を生産するための、冶金グレードのケイ素から不純物、特にリンを除去する精製方法に関する事項が記載されているといえるものの、当該冶金グレードのケイ素を原料にしてクロロシラン類を製造することは記載も示唆もされていないし、また、太陽電池グレードのケイ素を生産するためのケイ素原料を、クロロシラン類の製造のケイ素原料に使用できるとの技術常識を示す証拠もないから、甲第１号証において、甲１発明のケイ素パウダーを、クロロシラン類を製造する方法に使用する動機付けは存在しないというほかない。
　したがって、流動床方式反応装置内で金属シリコンの塩素化反応によりクロロシラン類を製造することが周知技術であるか否かに関わらず、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明（甲１発明）に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の特定事項の全てを含むものであるから、上記（１）に示した理由と同様の理由により、甲第１号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（３）小括
　以上で検討したとおりであるから、申立理由１に理由はない。
６　申立理由２に対する判断
（１）申立人の主張について
　申立人の主張する記載不備は、要するに、発明の詳細な説明の実施例に記載された、粗金属シリコンのナトリウム含量、アルミニウム含量、及び、平均粒子径の各数値範囲からは、本件発明１の「ナトリウムの含量が元素換算で１ｐｐｍ以上９０ｐｐｍ以下」、「アルミニウムの含量が元素換算で１０００ｐｐｍ以上、４０００ｐｐｍ以下」、及び、本件発明２の「金属シリコンの平均粒径が１５０〜４００μｍ」との数値範囲にまで拡張ないし一般化できないというものである（第８頁の「（４−４−１）」の項目）。
（２）申立人の主張の検討
　ア　発明の詳細な説明の段落【０００２】〜【００１４】の記載からみて、本件発明の課題は、金属シリコンと塩化水素との反応により、クロロシラン類を製造するに際し、一般に冶金級と呼ばれる低純度シリコンを原料とする際に、流動床方式反応装置内において金属シリコンの凝集や反応壁への付着を防止し、安定してクロロシラン類を製造し得る方法を提供することにあるといえるところ、同段落【００４５】〜【００４７】に記載された実施例１〜４には、流動床方式反応装置にて、ナトリウム含量が５〜７９ｐｐｍ、アルミニウム含量が１６００〜２１００ｐｐｍ、平均粒径が２００〜２８０μｍである粗金属シリコンと塩化水素とを反応させて、クロロシラン類を生成する製造方法が具体的に記載され、同段落【００４７】の【表１】によれば、当該実施例１〜４の製造方法は、ナトリウム含量が１１０ｐｐｍ、アルミニウム含量が１７００ｐｐｍ、平均粒径が１９０μｍである粗金属シリコンを使用した比較例１の製造方法に比べて、二量体生成量が小さく、シリコン塊の生成も少なくなっていることが分かるから、前記実施例１〜４の製造方法であれば、当業者において、本件発明の課題を解決できると認識できるということができる。
　イ　そして、発明の詳細な説明には、「原料である粗金属シリコン中には比較的多量のアルミニウム成分が含まれていることは知られていた。・・・しかし、アルミニウムが前記問題を引き起こすことは報告された例はない。ところが、上記粗金属シリコンの製造過程において、ナトリウムが多量に混入した場合に前記現象が起こることが本発明者らによって確認された。この現象を鋭意探索したところ、ナトリウムの混入による低融点の複塩の生成、およびこれによる金属シリコン粉末の融着により、シリコン塊の生成、反応装置内壁へのシリコンの付着が起こると推測した。」（段落【００１５】）こと、「上記粗金属シリコンに含まれるナトリウム成分が特定量を超えた場合に、元来粗金属シリコンに含まれるアルミニウム成分と流動床内で反応して低融点の複塩を形成し、前記粗金属シリコン粉の凝集や流動床方式反応装置内壁への金属シリコンの付着を引き起こすという知見を得た。上記知見に基づき、粗金属シリコンのナトリウムの含量を特定値以下となるように管理することにより、前記問題を全て解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。」（段落【００１７】）こと、及び、「原料として使用する粗金属シリコンのナトリウムの含量を、元素換算の質量で１ｐｐｍ以上９０ｐｐｍ以下・・・とする。粗金属シリコンにおけるアルミニウムの含量は、通常の２Ｎグレードの金属シリコンと同様であり、元素換算の質量で１０００ｐｐｍ以上、４０００ｐｐｍ以下・・・である。」（段落【００２７】）ことが記載されており、これらの記載を併せ考えると、当業者において、クロロシラン類の製造に使用する粗金属シリコンは、通常、アルミニウム含量が元素換算で１０００〜４０００ｐｐｍであって、このような粗金属シリコンにおいて、ナトリウム含量を特定値以下に管理することで、複塩の生成を抑制でき、金属シリコン粉の凝集や付着を抑制できることを認識することができる。
　加えて、上記実施例及び比較例によれば、ナトリウム含量が順に、１１０ｐｐｍ（比較例１）、７９ｐｐｍ（実施例４）、３０ｐｐｍ（実施例３）と小さくなるほど、二量体生成量が小さく、シリコン塊の生成も少なくなる傾向が見て取れるから、前記粗金属シリコンのナトリウム含量が、段落【００２７】に記載された「元素換算の質量で１ｐｐｍ以上９０ｐｐｍ以下」の範囲においても、上記実施例１〜４と同様に、本件発明の課題を解決できることを当業者であれば認識することができる。
　したがって、当業者であれば、発明の詳細な説明の実施例の粗金属シリコンのナトリウム含量及びアルミニウム含量の数値に基づいて、本件発明１の「ナトリウムの含量が元素換算で１ｐｐｍ以上９０ｐｐｍ以下」、「アルミニウムの含量が元素換算で１０００ｐｐｍ以上、４０００ｐｐｍ以下」との数値範囲にまで拡張ないし一般化できると認識できる。
　ウ　また、発明の詳細な説明には、「本発明において、前記金属シリコンは、流動床において流動化し得る大きさのものであればよく、平均粒径が１５０〜４００μｍ・・・のものが好適である。」（段落【００３７】）ことが記載されているから、金属シリコンの平均粒径は、本件発明の課題に直接影響するものでなく、単に流動床での金属シリコンの流動化のために好適化したものであると理解できるので、当業者において、発明の詳細な説明の実施例の記載を、本件発明２の「金属シリコンの平均粒径が１５０〜４００μｍ」との数値範囲にまで拡張ないし一般化できると認識できる。
（３）小括
　以上のとおり、申立人が主張する記載不備は存在しないから、申立理由２に理由はない。
７　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１及び２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年１０月１２日（２０２１．１０．１２）