(57)【要約】【課題】液体状のボンド材を無駄にすることなくボンド層を形成することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】本発明によれば、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画されたデバイス領域１６とデバイス領域１６を囲繞する外周余剰領域１８とが表面に形成されたウエーハ１０の裏面１０ｂにボンド層５２を配設するウエーハの加工方法であって、ウエーハ１０の表面１０ａに保護部材Ｔ１を配設する保護部材配設工程と、ウエーハ１０の保護部材Ｔ１が配設された側をチャックテーブル３１に保持し、デバイス領域１６に対応するウエーハ１０の裏面１０ｂを凹状に加工して外周余剰領域１８に対応したウエーハ１０の裏面１０ｂにリング状壁２０を形成するリング状壁形成工程と、液体状のボンド材５０をリング状壁１０の内側に敷設するボンド材敷設工程と、敷設されたボンド材５０を固化してボンド層５２を形成するボンド層形成工程と、を少なくとも含むウエーハの加工方法が提供される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハの裏面にボンド層を配設するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、
ウエーハの保護部材が配設された側をチャックテーブルに保持し、該デバイス領域に対応するウエーハの裏面を凹状に加工して該外周余剰領域に対応したウエーハの裏面にリング状壁を形成するリング状壁形成工程と、
液体状のボンド材を該リング状壁の内側に敷設するボンド材敷設工程と、
該敷設されたボンド材を固化してボンド層を形成するボンド層形成工程と、
を少なくとも含むウエーハの加工方法。
【請求項２】
該リング状壁形成工程の後、該リング状壁の内径と同じ内径で高さを補足するガードリングを該リング状壁の上部に配設するガードリング配設工程を実施する請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該ボンド層形成工程の後、該リング状壁と該ボンド層とを平坦化する平坦化工程を実施する請求項１、又は２に記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
該ボンド層形成工程の後、ウエーハを収容する開口を備えたフレームに該ウエーハを位置付けてボンド層が形成された側にダイシングテープを貼着すると共に該フレームにダイシングテープの外周を貼着して該ダイシングテープを介して該ウエーハを該フレームで支持するフレーム支持工程と、
該ウエーハの表面に形成された分割予定ラインと共に該ボンド層を切断して、ボンド層が裏面に配設されたデバイスチップを生成する分割工程と、
を含む請求項１乃至３のいずれかに記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハの裏面にボンド層を配設するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、裏面が研削されて所望の厚みに加工された後、ダイシング装置によって個々のデバイスチップに分割されて携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
また、デバイスチップはＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）と称されるボンド層によって配線フレームにボンディングされる。該ＤＡＦは、予めシート状に形成されたタイプと、液体状に敷設された後に固化されてＤＡＦとして機能するタイプの２種類が存在し、用途に応じて適宜選択される。
【０００４】
シート状に形成されたタイプのＤＡＦは、ウエーハの大きさに応じて複数種類用意する必要があるのに対し、液体状に敷設された後に固化されるタイプのＤＡＦは、ウエーハの大きさに柔軟に対応することが可能であるというメリットを有している（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０８−２３６５５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記した特許文献１に記載の技術では、ウエーハの裏面に液体状のボンド材を敷設した後、該ボンド材を固化する前に、ウエーハを保持するチャックテーブルを高速回転させて、遠心力を利用して均一に薄化する工程を実施する。その際、余分な液体状のボンド材は、ウエーハ外に排出されて廃棄されるため、無駄が多く不経済であるという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、液体状のボンド材を無駄にすることなくボンド層を形成することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハの裏面にボンド層を配設するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、ウエーハの保護部材が配設された側をチャックテーブルに保持し、該デバイス領域に対応するウエーハの裏面を凹状に加工して該外周余剰領域に対応したウエーハの裏面にリング状壁を形成するリング状壁形成工程と、液体状のボンド材を該リング状壁の内側に敷設するボンド材敷設工程と、該敷設されたボンド材を固化してボンド層を形成するボンド層形成工程と、を少なくとも含むウエーハの加工方法が提供される。
【０００９】
より好ましくは、該リング状壁形成工程の後、該リング状壁の内径と同じ内径で高さを補足するガードリングを該リング状壁の上部に配設するガードリング配設工程が実施される。さらに、該ボンド層形成工程の後、該リング状壁と該ボンド層とを平坦化する平坦化工程を実施するようにしてもよい。また、該ボンド層形成工程の後、ウエーハを収容する開口を備えたフレームに該ウエーハを位置付けてボンド層が形成された側にダイシングテープを貼着すると共に該フレームにダイシングテープの外周を貼着して該ダイシングテープを介して該ウエーハを該フレームで支持するフレーム支持工程と、該ウエーハの表面に形成された分割予定ラインと共に該ボンド層を切断して、ボンド層が裏面に配設されたデバイスチップを生成する分割工程と、を含むようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のウエーハの加工方法は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハの裏面にボンド層を配設するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、ウエーハの保護部材が配設された側をチャックテーブルに保持し、該デバイス領域に対応するウエーハの裏面を凹状に加工して該外周余剰領域に対応したウエーハの裏面にリング状壁を形成するリング状壁形成工程と、液体状のボンド材を該リング状壁の内側に敷設するボンド材敷設工程と、該敷設されたボンド材を固化してボンド層を形成するボンド層形成工程と、を少なくとも含むことにより、液体状のボンド材を無駄にすることなく、有効に使用して、ウエーハの裏面側に効率よくボンド層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】保護部材配設工程の実施態様を示す斜視図である。
【図２】（ａ）リング状壁形成工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）リング状壁が形成されたウエーハの断面図である。
【図３】（ａ）ボンド材敷設工程の第一の実施形態を示す斜視図、（ｂ）ボンド材敷設工程の第二の実施形態を示す斜視図、（ｃ）（ａ）、（ｂ）に示すボンド材敷設工程によってボンド材が敷設されたウエーハの断面図である。
【図４】ボンド層形成工程の実施態様を示す斜視図である。
【図５】（ａ）平坦化工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）平坦化工程が施されたウエーハの断面図である。
【図６】（ａ）フレーム支持工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）フレーム支持工程が施されたウエーハから保護テープを剥離する態様を示す斜視図である。
【図７】（ａ）分割工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）分割工程が施されるウエーハの一部拡大断面図である。
【図８】本実施形態によって生成されるデバイスチップの斜視図である。
【図９】ガードリング配設工程の実施態様を示す斜視図である。
【図１０】（ａ）ガードリング配設工程が施されたウエーハにボンド層形成工程を施す態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示すボンド層形成工程が施されたウエーハからガードリングを剥離する態様を示す斜視図、（ｃ）（ｂ）においてガードリングが剥離されたウエーハ１０の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に基づいて構成されるウエーハの加工方法に係る実施形態について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。
【００１３】
図１には、本実施形態に係るウエーハの加工方法により加工されるウエーハ１０が示されている。ウエーハ１０は、例えば、シリコン、サファイア等を基板とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ１０の表面１０ａには、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画され形成されている。ウエーハ１０は、図に示すように、表面１０ａに複数のデバイス１２が形成されたデバイス領域１６と、デバイス領域１６を囲繞する外周余剰領域１８とを備えている。加工前のウエーハ１０の外径は２００ｍｍであり、厚みは２１０μｍである。なお、図１では、説明の便宜上、デバイス領域１６と外周余剰領域１８との境界を示す一点鎖線を記載しているが、該一点鎖線は仮想線である。
【００１４】
上記したウエーハ１０を用意したならば、図１に示すように、ウエーハ１０の表面１０ａに、保護部材として機能する保護テープＴ１を貼着する保護部材配設工程を実施する。保護テープＴ１は、表面に粘着層が形成されたいわゆるＢＧテープであり、ＥＶＡ、ＰＥＴ等の樹脂製のフィルムからなる。ウエーハ１０に保護テープＴ１を貼着したならば、図１の下段に示すように、ウエーハ１０を反転し、保護テープＴ１側を下方に、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側を上方に向ける。なお、図に示すように、ウエーハ１０の表面１０ａのデバイス領域１６に対応する裏面１０ｂ側の領域をデバイス領域対応部１６’と称し、外周余剰領域１８に対応するウエーハ１０の裏面１０ｂ側の領域を外周余剰領域対応部１８’と称する。
【００１５】
上記したように、保護部材配設工程を実施したならば、ウエーハ１０を、図２（ａ）に示す研削装置３０(一部のみ示す）に搬送する。研削装置３０は、図に示すように、ウエーハ１０を保持するチャックテーブル３１と、チャックテーブル３１に保持されるウエーハ１０を研削する研削ユニット３２とを備えている。
【００１６】
チャックテーブル３１は、保持面を構成する部分が通気性を有するポーラスセラミックスから形成されており、図示しない吸引源と接続され、表面に載置されるウエーハ１０を吸引保持する。また、チャックテーブル３１は、回転駆動源（図示せず）により矢印Ｒ１で示す方向に所定の回転速度で回転可能に構成されている。
【００１７】
研削ユニット３２は、図示しない電動モータによって矢印Ｒ２で示す方向に回転されるスピンドル３４と、スピンドル３４の下端に装着された研削ホイール３６とで構成されている。研削ホイール３６の下面の外縁部には、円環状に並べられた複数の研削砥石３８が配設されており、複数の研削砥石３８の外縁で形成される円の直径は、ウエーハ１０のデバイス領域対応部１６’よりも小さく形成されている。
【００１８】
上記研削装置３０を用いて、ウエーハ１０の裏面１０ｂのデバイス領域対応部１６’を凹状に加工することにより、外周余剰領域対応部１８’を、リング状壁に形成するリング状壁形成工程を実施する。より具体的には、まず、ウエーハ１０の表面１０ａに貼着された保護テープＴ１側をチャックテーブル３１の上面に載置し、ウエーハ１０を、保護テープＴ１を介して吸引保持する。次いで、ウエーハ１０を保持したチャックテーブル３１を、矢印Ｒ１で示す方向に、例えば３００ｒｐｍで回転させるとともに、研削ユニット３２のスピンドル３４を矢印Ｒ２で示す方向に、例えば６０００ｒｐｍで回転させる。次いで、ウエーハ１０の外周余剰領域対応部１８’の内周縁に対応する位置に、研削ホイール３６に配設された研削砥石３８の外周縁を位置付けて、図示しない研削水供給手段から研削水をウエーハ１０に供給し、研削砥石３８をウエーハ１０の裏面１０ｂに所定の速度(例えば１μｍ／秒）で下降させながら押し当てる。このようにして、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側のデバイス領域対応部１６’を研削して凹状に加工する。この研削加工の結果、ウエーハ１０の裏面１０ｂにおけるデバイス領域対応部１６’に対応する位置に凹部２２が形成され、外周余剰領域対応部１８’に対応する位置にリング状壁２０に形成されて、リング状壁形成工程が完了する。なお、リング状壁形成工程により形成される凹部２２は、平面視で円形状に形成され、図２（ｂ）に示すウエーハ１０の断面図から理解されるように、直径が１９４ｍｍ、深さが６０μｍであり、凹部２２の底壁を構成するウエーハ１０の厚みは１５０μｍになるように設定される。これにより、リング状壁２０の内周側の高さは６０μｍ、内周径は１９４ｍｍ、外周径は２００ｍｍ、幅は３ｍｍで形成される。
【００１９】
上記したリング状壁形成工程を実施したならば、液体状のボンド材を上記したリング状壁２０の内側、すなわち凹部２２内に敷設するボンド材敷設工程を実施する。本実施形態においてウエーハ１０の凹部２２に敷設される液体状のボンド材は、定常では液状状態を維持し、外的刺激を与えることにより固化し、ボンド層として機能する樹脂であり、例えば、所定の熱を付加（加熱）することにより固化する樹脂、又は紫外線を照射することにより固化する紫外線硬化型樹脂等が使用可能である。なお、本実施形態では、加熱することにより固化する樹脂(例えばエポキシ樹脂）をボンド材として採用することとし、図３を参照しながらより具体的に説明する。
【００２０】
図３（ａ）に、ボンド材敷設工程に係る第一の実施形態を示す。リング状壁形成工程が施されてウエーハ１０を保持したチャックテーブル３１を、図に示すように、ボンド材滴下ノズル４０の直下に位置付ける。ボンド材滴下ノズル４０は、液体状のボンド材５０を圧送する圧送手段を備えたボンド材貯留タンク（図示は省略する）に接続されており、計量された所定量の液体状のボンド材５０を滴下可能に構成されている。ウエーハ１０をボンド材滴下ノズル４０の直下に位置付けたならば、チャックテーブル３１を、矢印Ｒ３で示す方向に、例えば３００ｒｐｍで回転させながら、凹部２２に向けて液体状のボンド材５０を滴下する。凹部２２に滴下されたボンド材５０は、粘性を有しており、チャックテーブル３１の回転によって生じる遠心力によって徐々に外方向に広がる。ボンド材滴下ノズル４０から滴下されるボンド材５０の供給量、及びチャックテーブル３１の回転速度を適切に調整することにより、ボンド材５０は、図３（ｃ）に示すように、凹部２２を満たし、且つ表面張力によってリング状壁２０の上面よりも高い７０〜８０μｍの高さになるように敷設されて、ボンド材敷設工程が完了する。
【００２１】
図３（ｂ）に、上記した第一の実施形態と異なる形態で実施されるボンド材敷設工程の第二の実施形態を示す。リング状壁形成工程が施されたウエーハ１０を保持したチャックテーブル３１を、ボンド材噴射ノズル４２の直下に位置付ける。ボンド材噴射ノズル４２には、図示しないボンド材貯留タンクが接続され、ボンド材噴射ノズル４２の先端部には、ボンド材滴下ノズル４０よりも小さい図示しない噴口が形成されている。該ボンド材貯留タンクには、高圧ポンプが備えられており、液体状のボンド材５０を高圧でボンド材噴射ノズル４２に供給する。ウエーハ１０をボンド材噴射ノズル４２の直下に位置付けたならば、チャックテーブル３１を、矢印Ｒ４で示す方向に、上記した第一の実施形態よりも遅い回転速度、例えば１００ｒｐｍで回転させ、ボンド材噴射ノズル４２から、凹部２２に対して広がるように液体状のボンド材５０を噴霧状態で供給する。ボンド材噴射ノズル４２から噴射されるボンド材５０の噴射圧力、噴射量、及びチャックテーブル３１の回転速度を適切に調整することにより、この第二の実施形態によっても、図３（ｃ）に示すように、凹部２２を満たし、且つ表面張力によってリング状壁２０の上面よりも高い７０〜８０μｍの高さになるように敷設される。
【００２２】
上記したボンド材敷設工程が完了したならば、該敷設されたボンド材５０を固化してボンド層を形成するボンド層形成工程を実施する。図４を参照しながら、より具体的に説明する。
【００２３】
ボンド層形成工程を実施するに際し、まず、図４の上段に示すように、ボンド材敷設工程が施されたウエーハ１０の一端側を、加熱手段６０の直下に位置付ける。加熱手段６０は、加熱手段６０の下面側において、長手方向全域に渡る図示しない電気ヒータを備えており、矢印Ｘ１で示す方向に任意の速度で移動できるように構成されている。この加熱手段６０の直下にウエーハ１０の一端側を位置付けたならば、加熱手段６０を作動し、ウエーハ１０の該一方端から矢印Ｘ１で示す方向に移動させ、ウエーハ１０の他端側まで移動させる。これにより、ウエーハ１０のボンド材５０が敷設された上面全域を、順次、例えば１００℃以上に加熱（キュア）して、液体状のボンド材５０を固化してボンド層５２を形成する（図中下段を参照）。なお、ウエーハ１０の上面全域を加熱手段６０によって加熱する場合、加熱手段６０を移動させず、チャックテーブル３１を移動させてもよい。
【００２４】
上記したボンド層形成工程が完了したならば、ボンド層形成工程の後に、必要に応じて、リング状壁２０とボンド層５２とを平坦化する平坦化工程を実施してもよい。該平坦化工程について、図５を参照しながら、以下により具体的に説明する。
【００２５】
平坦化工程を実施するに際し、ボンド層形成工程が施されたウエーハ１０を、図５（ａ）に示す研削装置７０（一部のみ示す）に搬送する。研削装置７０は、ウエーハ１０を吸引保持し、回転可能に構成されたチャックテーブル７１と、被加工物の表面を研削する研削ユニット７２とを備えている。研削ユニット７２は、図示しない電動モータにより回転駆動されるスピンドル７３と、スピンドル７３の下端に構成されるホイールマウント７４と、ホイールマウント７４の下面に配設される研削ホイール７５と備え、研削ホイール７５の下面の外周縁には、複数の研削砥石７６が環状に配設されている。
【００２６】
研削装置７０に搬送されたウエーハ１０は、ボンド層５２側を上方に向け、保護テープＴ１側をチャックテーブル７１上に載置して吸引保持される。次いで、ウエーハ１０を保持したチャックテーブル７１を、矢印Ｒ５で示す方向に、例えば３００ｒｐｍで回転させると共に、スピンドル７３を、矢印Ｒ６で示す方向に、例えば６０００ｒｐｍで回転させる。次いで、ウエーハ１０の中心位置に、研削ホイール７５に環状に配設された研削砥石７６の外周縁を位置付けて、図示しない研削水供給手段から研削水をウエーハ１０に供給しながら、研削砥石７６を、ウエーハ１０の裏面１０ｂに対して１μｍ／秒の下降速度で押し当てる。このようにして、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側に形成されたリング状壁２０とボンド層５２とを同時に研削し、図５（ｂ）に示すように、ボンド層５２の厚み（＝リング状壁２０の高さ）が３０μｍ程度になるようにして、ウエーハ１０のリング状壁２０とボンド層５２とを平坦化して、平坦化工程が完了する。
【００２７】
上記した平坦化工程の後、さらに、必要に応じて、ウエーハ１０を収容する開口を備えたフレームにウエーハ１０を位置付けてボンド層５２が形成された側にダイシングテープを貼着すると共にフレームにダイシングテープの外周を貼着してダイシングテープを介してウエーハ１０をフレームで支持するフレーム支持工程と、ウエーハ１０の表面１０ａに形成された分割予定ライン１４と共にボンド層５２を切断することにより、ボンド層５２が裏面に配設されたデバイスチップを生成する分割工程と、を実施してもよい。
【００２８】
本実施形態のフレーム支持工程、及び分割工程について、図６〜図８を参照しながら、以下に説明する。
【００２９】
フレーム支持工程を実施するに際し、ウエーハ１０を収容可能な大きさの開口Ｆａを備えた環状のフレームＦと、フレームＦの開口Ｆａよりも大きく、フレームＦの外径よりも小さいダイシングテープＴ２を用意する。図６（ａ）に示すように、平坦化工程が施されたウエーハ１０を、保護テープＴ１が貼着された側を上方に、ウエーハ１０側を下方に向けて、適宜の図示しないテープ貼り台に搬送し、ウエーハ１０の結晶方位とフレームＦとの方向を合わせながら、フレームＦの開口Ｆａの中央領域に位置付けて載置する。この際、ダイシングテープＴ２の外周をフレームＦの裏面に貼着しておき、フレームＦの開口Ｆａの中央位置で、ウエーハ１０をダイシングテープＴ２に貼着する。この結果、ダイシングテープＴ２を介してウエーハ１０がフレームＦによって支持される。
【００３０】
上記したように、フレーム支持工程を実施したならば、これに続き実施される分割工程に備え、図６（ｂ）に示すように、保護テープＴ１を、ウエーハ１０の表面１０ａから剥離する。
【００３１】
上記したフレーム支持工程を実施した後、ウエーハ１０から保護テープＴ１を剥離したならば、フレームＦに支持されたウエーハ１０を、図７に示す切削装置８０（一部のみ示す）に搬送する。切削装置８０は、図示しないチャックテーブルと、切削ユニット８２とを備える。切削ユニット８２は、図示しない電動モータにより任意の回転速度で回転されるスピンドル８４と、スピンドル８４の先端部にスピンドル８４と共に矢印Ｒ７で示す方向に任意の回転速度で回転する切削ブレード８６とを備える。該チャックテーブルは図示しない移動手段により、矢印Ｘで示すＸ軸方向に移動させることが可能に構成され、切削ユニット８２は、図示しない移動手段により、Ｘ軸方向と直交する矢印Ｙで示すＹ軸方向、並びに、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と直交する矢印Ｚで示すＺ軸方向（上下方向）に移動可能に構成されている。
【００３２】
切削装置８０に搬送されたウエーハ１０を、該チャックテーブルに載置して保持し、図示しないアライメント手段により、切削ブレード８６の先端部とウエーハ１０の分割予定ライン１４との位置合わせ（アライメント）を行う。該アライメントを実施することにより得た位置情報に基づき、切削ブレード８６の先端部を、分割予定ライン１４上であって、ウエーハ１０及びウエーハ１０の裏面側に形成されたボンド層５２を切断する深さに位置付ける。切削ブレード８６を前記位置に位置付けたならば、ウエーハ１０を保持する該チャックテーブルをＸ軸方向に移動して、分割予定ライン１４及びボンド層５２を切断し、分割溝１００を形成する（断面図については、図７（ｂ）を参照）。切削ユニット８２をＹ軸方向に適宜割り出し送りしながら、所定の方向に平行な全ての分割予定ライン１４に沿って該分割溝１００を形成する。そして、該所定の方向に沿った全ての分割予定ライン１４に対して分割溝１００を形成したならば、該チャックテーブルを９０度回転して、該所定の方向に直交する方向に形成された全ての分割予定ライン１４に沿って、ウエーハ１０とボンド層５２とを切断して分割溝１００を形成する。以上により、分割工程が完了し、ウエーハ１０に形成されていた複数のデバイス１２がウエーハ１０から個々に分割されて、図８に示すように、ボンド層５２が裏面に形成されたデバイスチップ１２Ａが生成される。
【００３３】
本発明は、上記した実施形態に限定されず、本発明によって種々の変形例が提供される。例えば、上記した実施形態では、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側に形成されたリング状壁２０により囲繞された凹部２２に対して、そのまま液体状のボンド材５０を敷設して固化することにより、ウエーハ１０の裏面１０ｂにボンド層５２を形成したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図９に示すように、リング状壁２０の内径と同じ内径で高さを所定量（例えば１ｍｍ程度）補足するガードリング２４を用意し、リング状壁形成工程を実施した後、ボンド材敷設工程を実施する前に、リング状壁２０の上部にガードリング２４を配設するガードリング配設工程を実施することもできる。なお、リング状壁２０の上部にガードリング２４を配設する際には、接着剤等を用いて固定することが好ましい。
【００３４】
上記したように、ガードリング配設工程を実施したならば、図３に基づき説明した手順に基づくボンド材敷設工程を実施して、液体状のボンド材５０をリング状壁２０の内側に敷設する。ガードリング敷設工程を実施した後に実施するボンド材敷設工程は、図３に基づいて説明したボンド材敷設工程に対し、リング状壁２０の上部にガードリング２４が配設されている以外は、同様の手順によって実施されるため、詳細についての説明は省略する。
【００３５】
図９に基づいて説明したガードリング配設工程を実施し、ガードリング２４を配設したウエーハ１０に対して図３に基づき説明したボンド材敷設工程を実施したならば、図１０（ａ）に示すように、図４に基づいて説明したのと同様に、リング状壁２０の内側に敷設したボンド材５０を、加熱手段６０により１００℃以上に加熱（キュア）して固化して、ボンド層５２を形成する。ウエーハ１０のリング状壁２０の内側にボンド層５２を形成したならば、次いで、図１０（ｂ）に示すように、ガードリング２４をリング状壁２０の上部から剥離して、図１０（ｃ）に示すように、リング状壁２０の内側にボンド層５２が形成された状態とする。なお、ガードリング２４をリング状壁２０の上部に配設するガードリング配設工程を実施することにより得られる効果は以下の如くである。
【００３６】
図３に基づいて説明したボンド材敷設工程を実施する際には、上述したように、表面張力を利用して、リング状壁２０の上面高さよりもボンド材５０の上面高さが若干高くなるように液体状のボンド材５０を供給する。この場合、表面張力によってリング状壁２０の内部（凹部２２）に保持できるボンド材５０の量には限界があり、この限界量を超えると、ボンド材５０が外部に流出してしまい無駄になってしまう。また、リング状壁２０の内側の容積に対して、表面張力によって付加的に保持可能なボンド材５０は少量であるため、ボンド材５０を加熱する等して固化してボンド層５０を形成すると、ボンド材５０に対してボンド層５２の容積が小さくなり、ボンド層５２の表面の高さが低下して、リング状壁２０の上部よりも低くなる場合がある。これに対し、上記したガードリング配設工程を実施して、リング状壁２０の高さを補足するガードリング２４を配設した場合は、ガードリング２４によってリング状壁２０が所定量（例えば１ｍｍ）補足されていることにより、ガードリング２４及びリング状壁２０によって囲まれる領域に供給されるボンド材５０の供給量に余裕ができ、ボンド材５０を固化して容積が減少しても、リング状壁２０の上部の高さよりも低くならないように、液体状のボンド材５０を供給して敷設することができる。さらには、ボンド材５０を敷設する量を精密に計量しなくても、リング状壁２０の外部に液体状のボンド材５０を流出させて無駄にすることが防止される。
【００３７】
さらに、上記した実施形態では、ボンド材５０として、加熱することにより固化する樹脂を採用した例を示したが、本発明はこれに限定されず、紫外線を照射することにより固化する液体状のボンド材であってもよい。その場合は、上述したボンド層形成工程において使用した加熱手段６０に替えて、紫外線照射手段を備え、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側全体に紫外線を照射してボンド材を固化し、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側にボンド層を形成することができる。
【００３８】
また、上記した実施形態では、平坦化工程を実施した後に、フレーム支持工程、及び分割工程を実施したが、本発明はこれに限定されず、平坦化工程を実施しない場合であっても、ボンド層形成工程を実施した後のいずれかのタイミングで、上記フレーム支持工程、及び分割工程を実施することも可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１０：ウエーハ
１０ａ：表面
１０ｂ：裏面
１２：デバイス
１２Ａ：デバイスチップ
１４：分割予定ライン
１６：デバイス領域
１６’：デバイス領域対応部
１８：外周余剰領域
１８’：外周余剰領域対応部
２０：リング状壁
２２：凹部
２４：ガードリング
３０：研削装置
３１：チャックテーブル
３２：研削ユニット
３４：スピンドル
３６：研削ホイール
３８：研削砥石
４０：ボンド材滴下ノズル
４２：ボンド材噴射ノズル
５０：ボンド材
５２：ボンド層
６０：加熱手段
７０：研削装置
７１：チャックテーブル
７２：研削ユニット
７５：研削ホイール
７６：研削砥石
８０：切削装置
８６：切削ブレード
１００：分割溝
Ｔ１：保護テープ（保護部材）
Ｔ２：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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