(57)【要約】【課題】入力端子とショートリングとを分断する際、金属の腐食を防止することができるアクティブマトリクス基板を提供する。【解決手段】本発明に係るアクティブマトリクス基板は、入力端子と、上記入力端子に接続されたショートリングと、上記入力端子と上記ショートリングとを分断するための分断部１２とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記入力端子は、第１の金属層２を備えており、上記ショートリングは、上記第１の金属層２と上記分断部１２において隔てられて形成された第２の金属層３を備えており、上記入力端子と上記ショートリングとは、上記分断部１２と上記第１の金属層２とを覆っている導電性の膜１０により接続されているので、入力端子とショートリングとを分断する際、金属の腐食を防止することができる。【選択図】図１
2010210713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と、
上記入力端子に接続されたショートリングと、
上記入力端子と上記ショートリングとを分断するための分断部とを備えるアクティブマトリクス基板であって、
上記入力端子は、第１の金属層を備えており、
上記ショートリングは、上記第１の金属層と上記分断部において隔てられて形成された第２の金属層を備えており、
上記入力端子と上記ショートリングとは、上記分断部と上記第１の金属層とを覆っている導電性の膜により接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
上記第１の金属層及び上記第２の金属層のうちの少なくとも１つが、銅又は銅合金を含んでいることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
上記入力端子は、
上記第１の金属層の下に上記第１の金属層の幅より広く形成された第３の金属層と、
上記第１の金属層の上に上記第１の金属層を完全に覆い、かつ上記第３の金属層の幅より狭く積層された第１の保護層とをさらに備えており、
上記導電性の膜は、上記第３の金属層に接触していることを特徴とする請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
上記第３の金属層が、チタン、チタン合金及びモリブデン合金からなる群より選択される少なくとも１つを含んでいることを特徴とする請求項３に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
上記ショートリングは、
上記第２の金属層の下に上記第２の金属層の幅より広く形成された第４の金属層と、
上記第２の金属層の上に上記第２の金属層を完全に覆い、かつ上記第４の金属層の幅より狭く積層された第２の保護層とをさらに備えており、
上記導電性の膜は、上記第４の金属層に接触していることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
上記第４の金属層が、チタン、チタン合金及びモリブデン合金からなる群より選択される少なくとも１つを含んでいることを特徴とする請求項５に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項７】
入力端子と、
上記入力端子に接続されたショートリングと、
上記入力端子と上記ショートリングとを分断するための分断部とを備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
上記入力端子が備える第１の金属層、及び、上記ショートリングが備える、上記第１の金属層と上記分断部において隔てられた第２の金属層を形成する金属層形成工程と、
上記分断部と上記第１の金属層とを覆っており、かつ上記入力端子と上記ショートリングとを接続する導電性の膜を形成する接続工程と、を有していることを特徴とする製造方法。
【請求項８】
上記接続工程において接続された上記入力端子と上記ショートリングとを、上記分断部で分断する分断工程をさらに有していることを特徴とする請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の製造方法により製造されることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項１０】
請求項９に記載のアクティブマトリクス基板を備えていることを特徴とする表示パネル。
【請求項１１】
請求項１０に記載の表示パネルを備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス基板を備える液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置は、ＣＲＴ（Cathode-Ray-Tube）に比べて消費電力が少なく、小型化がしやすいため、急速に普及しつつある。これらの液晶表示装置の中でも、応答速度が速く、多階調表示が容易なアクティブマトリクス型の液晶表示装置が広く使用されている。
【０００３】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、多数の画素がマトリクス状に配列されたアクティブマトリクス基板と、これに対向するように配置された対向基板とを備えており、さらにこれら２つの基板の間に表示媒体である液晶層が挟持された構造を有している。アクティブマトリクス基板には、複数の走査配線と複数の信号配線とが交差するように配置されており、その交差部近傍にＴＦＴを有する画素部が形成されている。
【０００４】
ところで、このようなアクティブマトリクス型液晶表示装置では、例えば液晶の配向方向を制御する配向膜のラビング工程等の製造工程で発生する静電気によって、画素駆動素子が破壊され、特性不良等が発生し易い。そこで、従来、走査配線や信号配線が形成されるアクティブマトリクス基板には、静電気による液晶表示装置の損傷を防止することを目的とした静電気対策として、走査配線及び信号配線における全ての入力端子を短絡接続するショートリングと称される金属パターンが形成されている。ショートリングは、一般的には、走査配線及び信号配線の端部同士を接続するように、基板の端部側に配設される。
【０００５】
ここで、従来における、ショートリングが形成されたアクティブマトリクス基板について、図１５を参照して説明する。図１５は、従来における、ショートリングが形成されたアクティブマトリクス基板を示す平面図である。
【０００６】
液晶表示装置の製造工程においては、図１５に示すように、アクティブマトリクス基板における表示領域３００の端部には、各入力端子部３０２が形成され、入力端子部３０２上には、導電膜である保護膜３１０が形成されている。各入力端子部３０２の外側には、ショートリング３０３が形成されている。各入力端子部３０２とショートリング３０３とは接続されており、これによりショートリング３０３は、各入力端子部３０２を短絡接続することによって、製造工程において発生する静電気による損傷を防止している。
【０００７】
このようなショートリング３０３は、液晶表示装置として製品化する際には、各走査配線及び各信号配線を個別に動作させるために、基板における入力端子部３０２から分断される。このような分断は、例えばアクティブマトリクス基板と対向基板とが貼り合わされて液晶表示装置が形成された後などに、ショートリング３０３と入力端子部３０２との間において基板を分断する分断工程により行われる。このとき、分断箇所において、ショートリング３０３と入力端子部３０２とを接続する接続配線等も同時に切断される。
【０００８】
ところで、特許文献１には、ショートリングと端子部（入力端子部）とを接続する接続配線に、ショートリングに用いる金属と同じものを用いることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平８−６０６９号公報（１９９６年１月１２日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記特許文献１の構成では、基板を分断する際に接続配線が切断されると、ショートリングに用いた金属と同じ金属が分断面で露出するので、例えばショートリングに腐食し易い金属を用いた場合には、この分断面を起点として金属が腐食して断線するなどの問題が生じる。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、入力端子とショートリングとを分断する際、金属の腐食を防止することができるアクティブマトリクス基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明に係るアクティブマトリクス基板は、入力端子と、上記入力端子に接続されたショートリングと、上記入力端子と上記ショートリングとを分断するための分断部とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記入力端子は、第１の金属層を備えており、上記ショートリングは、上記第１の金属層と上記分断部において隔てられて形成された第２の金属層を備えており、上記入力端子と上記ショートリングとは、上記分断部と上記第１の金属層とを覆っている導電性の膜により接続されていることを特徴としている。
【００１３】
上記の構成であれば、入力端子における第１の金属層と、ショートリングにおける第２の金属層とは、分断部において隔てられており、また分断部と第１の金属層とは、導電性の膜により覆われているため、分断部で分断した際に、第１の金属層が露出しないので、第１の金属層の腐食を防止することができる。したがって、第１の金属層には、例えば銅などの腐食し易い金属を用いることがあるが、このような場合でも、入力端子とショートリングとを分断した際に、金属の腐食を防止することができる。
【００１４】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記第１の金属層及び上記第２の金属層のうちの少なくとも１つが、銅又は銅合金を含んでいることが好ましい。
【００１５】
上記の構成であれば、入力端子及びショートリングのうちの少なくとも１つが、低抵抗である銅又は銅合金を含んだ金属層を備えているので、これらの抵抗を小さくすることができる。
【００１６】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記入力端子は、上記第１の金属層の下に上記第１の金属層の幅より広く形成された第３の金属層と、上記第１の金属層の上に上記第１の金属層を完全に覆い、かつ上記第３の金属層の幅より狭く積層された第１の保護層とを備えており、上記導電性の膜は、上記第３の金属層に接触するように形成されていることが好ましい。
【００１７】
上記の構成であれば、第１の金属層が第１の保護層により完全に覆われており、第１の金属層と導電性の膜とが隔てられて接触しないので、例えば導電性の膜に欠陥が生じた場合にも、第１の金属層が露出することはない。したがって、第１の金属層には、例えば銅などの腐食し易い金属を用いることがあるが、このような場合でも、導電性の膜の欠陥などによって第１の金属層に含まれる金属が腐食することがない。
【００１８】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記第３の金属層が、チタン、チタン合金及びモリブデン合金からなる群より選択される少なくとも１つを含んでいることが好ましい。
【００１９】
上記の構成であれば、第３の金属層に含まれる上記の金属又は合金は腐食しにくいため、第３の金属層と接触する導電性の膜に欠陥が生じても、第３の金属層が腐食する心配がなく、したがって腐食耐性を高くすることができる。
【００２０】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記ショートリングは、上記第２の金属層の下に上記第２の金属層の幅より広く形成された第４の金属層と、上記第２の金属層の上に上記第２の金属層を完全に覆い、かつ上記第４の金属層の幅より狭く積層された第２の保護層とを備えており、上記導電性の膜は、上記第４の金属層に接触するように形成されていることが好ましい。
【００２１】
上記の構成であれば、第２の金属層が第２の保護層により完全に覆われており、第２の金属層と導電性の膜とが隔てられて接触しないので、例えば導電性の膜に欠陥が生じた場合にも、第２の金属層が露出することはない。したがって、第２の金属層には、例えば銅などの腐食し易い金属を用いることがあるが、このような場合でも、導電性の膜の欠陥などによって第２の金属層に含まれる金属が腐食することがない。
【００２２】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板では、上記第４の金属層が、チタン、チタン合金及びモリブデン合金からなる群より選択される少なくとも１つを含んでいることが好ましい。
【００２３】
上記の構成であれば、第３の金属層に含まれる上記の金属又は合金は腐食しにくいため、第３の金属層と接触する導電性の膜に欠陥が生じても、第３の金属層が腐食する心配がなく、したがって腐食耐性を高くすることができる。
【００２４】
本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、入力端子と、上記入力端子に接続されたショートリングと、上記入力端子と上記ショートリングとを分断するための分断部とを備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、上記入力端子が備える第１の金属層、及び、上記ショートリングが備える、上記第１の金属層と上記分断部において隔てられた第２の金属層を形成する金属層形成工程と、上記分断部と上記第１の金属層とを覆っており、かつ上記入力端子と上記ショートリングとを接続する導電性の膜を形成する接続工程と、を有していることを特徴としている。
【００２５】
上記の構成であれば、入力端子における第１の金属層と、ショートリングにおける第２の金属層とは、分断部において隔てられており、また分断部と第１の金属層とは、導電性の膜により覆われているアクティブマトリクス基板を製造できる。したがって、本発明に係る製造方法を用いて製造したアクティブマトリクス基板では、分断部で分断した際に、第１の金属層が導電性の膜に覆われており露出しないので、第１の金属層の腐食を防止することができる。したがって、第１の金属層には、例えば銅などの腐食し易い金属を用いることがあるが、このような場合でも、入力端子とショートリングとを分断した際に、金属の腐食を防止することができる。
【００２６】
また、本発明に係る製造方法は、上記接続工程において接続された上記入力端子と上記ショートリングとを、上記分断部で分断する分断工程をさらに有していることが好ましい。
【００２７】
上記の構成であれば、入力端子とショートリングとを分断した際に生じる分断面において、入力端子における第１の金属層が導電性の膜に覆われており露出していないアクティブマトリクス基板を製造することができる。したがって、第１の金属層には、例えば銅などの腐食し易い金属を用いることがあるが、このような場合でも、金属の腐食を防止する
ことができる。
【００２８】
本発明に係るアクティブマトリクス基板は、上述した製造方法により製造されることを特徴としている。
【００２９】
上記の構成であれば、入力端子とショートリングとを分断した際に生じる分断面において、入力端子における第１の金属層が導電性の膜に覆われており露出していないので、金属の腐食を防止することができる。したがって、第１の金属層には、例えば銅などの腐食し易い金属を用いることがあるが、このような場合でも、金属の腐食を防止することができる。
【００３０】
本発明に係る表示パネルは、上記のアクティブマトリクス基板を備えていることを特徴としている。したがって、入力端子とショートリングとを分断した際に生じる分断面において、入力端子における第１の金属層が導電性の膜に覆われており露出していないので、金属の腐食を防止することができる高品質の表示パネルを実現することができる。
【００３１】
本発明に係る液晶表示装置は、上記の表示パネルを備えていることを特徴としている。したがって、入力端子とショートリングとを分断した際に生じる分断面において、入力端子における第１の金属層が導電性の膜に覆われており露出していないので、金属の腐食を防止することができる、高品質の液晶表示装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明は、入力端子とショートリングとを分断する際、金属の腐食を防止することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１の実施形態における接続端子部４を簡略化して示す断面図である。
【図２】図１における分断部１２で分断した後の入力端子部側を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態における接続端子部４を示す平面図である。
【図４】第１の実施形態におけるアクティブマトリクス基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】第１の実施形態における接続端子部４を示す断面図である。
【図６】第２の実施形態における接続端子部４を示す断面図である。
【図７】第３の実施形態における接続端子部４を示す断面図である。
【図８】第４の実施形態における接続端子部４を示す断面図である。
【図９】第５の実施形態における接続端子部４を示す断面図である。
【図１０】第５の実施形態における、ショートリングが形成されたアクティブマトリクス基板を示す平面図である。
【図１１】本実施形態における対向基板の製造工程を示す断面図である。
【図１２】従来のアクティブマトリクス基板における接続端子部３０４を示す平面図である。
【図１３】図１２のＣ−Ｃ’の範囲を横から見た断面図である。
【図１４】図１３における分断部３１２で分断された後の入力端子部３０２側を示す断面図である。
【図１５】従来における、ショートリングが形成されたアクティブマトリクス基板を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
〔第１の実施形態〕
本発明に係る液晶表示装置の第１の実施形態について、以下に説明する。
【００３５】
本実施形態では、アクティブマトリクス型の液晶表示装置について説明する。
【００３６】
本実施形態に係る液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と、対向基板とが、液晶層を挟んで貼り合わせられて形成された表示パネルを備えている。
【００３７】
アクティブマトリクス基板には、画素電極がマトリクス状に配置されており、また、複数の走査配線と複数の信号配線とが交差するように配置されている。アクティブマトリクス基板の周囲には、走査配線が外部の信号を受けるための走査配線端子部、信号配線が外部の信号を受けるための信号配線端子部などの入力端子部（入力端子）が形成されている。
【００３８】
液晶表示装置の製造工程においては、アクティブマトリクス基板の各入力端子部の外側にショートリングが形成されている。各入力端子部は、このショートリングに、接続端子部において接続されており、これによりショートリングは、各入力端子部を短絡接続することによって、製造工程において発生する静電気による損傷を防止している。その後、液晶表示装置を製造する過程で、ショートリングは、各入力端子部から分断される。
【００３９】
まず、本実施形態における接続端子部４の構造の概念について、図１〜図３を参照して以下に説明する。図１は、第１の実施形態における接続端子部４を簡略化して示す断面図であり、図２は、図１における分断部１２で分断した後の入力端子部側を示す断面図である。また、図３は、第１の実施形態における接続端子部４を示す平面図である。なお、図１及び図２は、図３におけるＡ−Ａ’の範囲を横から見た断面図を示す。
【００４０】
（接続端子部４の構造）
図１に示すように、本実施形態における接続端子部４では、基板１上に、入力端子部として第１の金属層２、およびショートリングとして第２の金属層３が形成されており、また、第１の金属層２と第２の金属層３との間には、分断部１２が設けられている。さらに、第１の金属層と第２の金属層３とは、導電性の膜１０により覆われることによって接続されている。
【００４１】
基板１には、例えばガラスなどを用いることができる。
【００４２】
第１の金属層２及び第２の金属層３には、それぞれ独立して、例えば一般に配線等に用いられる金属等を用いることができる。例えば、抵抗を小さくするためには、銅（Ｃｕ）、Ｃｕ合金などを用いることが好ましい。また、第１の金属層２と第２の金属層３とは、同じ金属を用いてもよいが、異なる金属であってもよい。さらに、入力端子部及びショートリングは、複数の金属層からなる多層構造であってもよい。例えば、第１の金属層２及び第２の金属層３の下に、チタン（Ｔｉ）、チタン合金、モリブデン（Ｍｏ）合金等を含む層を設けた２層構造等であってもよい。
【００４３】
導電性の膜１０は、入力端子部とショートリングとを電気的に接続するように形成されていればよい。また、導電性の膜１０は、分断部１２と第１の金属層２とを覆っていればよい。これにより、分断部１２において分断した際にも、第１の金属層２が導電性の膜１０に覆われており露出しないので、金属の腐食を防止することができる。
【００４４】
導電性の膜１０の形成方法としては、例えば、インクジェット等により膜を形成する方法を用いてもよいし、層をパターニングする方法を用いてもよい。導電性の膜１０に用いる材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）等を挙げることができる。
【００４５】
分断部１２は、後述する分断工程において、入力端子部とショートリングとが分断される部分であり、第１の金属層２と第２の金属層３との間に設けられている。すなわち、換言すれば、第１の金属層２と第２の金属層３とは、分断部１２を挟むように隔てられて形成されている。そのため、分断部１２において分断した際に生じる分断面には、第１の金属層２が接しない構成となっている。したがって、分断部１２において分断した際に、その分断面において第１の金属層２が露出しないため、第１の金属層２に、例えば銅等の腐食し易い金属を用いた場合にも、金属の腐食を防止することができる。
【００４６】
ここで、比較のために、従来のアクティブマトリクス基板における接続端子部３０４について、図１２〜図１４を参照して以下に説明する。図１２は、従来のアクティブマトリクス基板における接続端子部３０４を示す平面図である。また、図１３は、図１２のＣ−Ｃ’の範囲を横から見た断面図である。さらに、図１４は、図１３における分断部３１２で分断された後の入力端子部３０２側を示す断面図である。
【００４７】
図１２及び図１３に示すように、従来の接続端子部３０４においては、基板３０１上に入力端子部３０２及びショートリング３０３が同じ金属にて形成され、入力端子部３０２上に、保護膜３１０が形成されている。また、入力端子部３０２とショートリング３０３との間には、分断部３１２が設けられている。
【００４８】
したがって、従来の接続端子部３０４においては、分断部３１２において入力端子部３０２とショートリング３０３とが分断された際には、図１４に示すように、分断面において入力端子部３０２が露出するため、入力端子部３０２に腐食し易い金属を用いた場合には、この露出部分３１３に腐食が発生し、進行するおそれがある。しかし、本実施形態においては、入力端子部に腐食し易い金属を用いた場合にも、このような腐食が発生するおそれがない。
【００４９】
次に、上述したような接続端子部４を備えるアクティブマトリクス基板の製造方法において以下に説明する。
【００５０】
本実施形態における接続端子部４は、アクティブマトリクス基板を製造する工程を流用して作られる。そこでまず、以下に本実施形態におけるアクティブマトリクス基板の製造工程について説明する。
【００５１】
（アクティブマトリクス基板の製造工程）
アクティブマトリクス基板は、５回のフォトリソグラフィ工程によって製造される。
【００５２】
ここで、図４（ａ）〜図４（ｅ）を参照しながら、本実施形態のアクティブマトリクス基板の製造工程を工程順に（１）〜（５）に説明する。図４（ａ）〜図４（ｅ）は、第１の実施形態におけるアクティブマトリクス基板の製造工程を示す断面図であり、各工程が終了した時点での断面構造を示す。また、図４（ａ）〜図４（ｅ）は、アクティブマトリクス基板のＴＦＴ付近の一部分のみを示している。従って、ここでは、ＴＦＴ付近の製造工程について説明する。
【００５３】
なお、本実施形態においては、各配線を、上層に銅（Ｃｕ）及び下層にチタン（Ｔｉ）を用いる２層構造とした場合について説明する。
【００５４】
（１）第１工程（金属層形成工程）
第１工程では、図４（ａ）に示すように、下層走査配線１０２ｂと上層走査配線１０２ａとを備える走査配線を形成する。まず、ガラス１０１上にスパッタ法により下層走査配
線１０２ｂとしてＴｉ、及び上層走査配線１０２ａとしてＣｕを連続して成膜した後に、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する。その後、ウェットエッチングを行い、下層走査配線１０２ｂ及び上層走査配線１０２ａのパターンを形成した後、レジストを剥離洗浄する。
【００５５】
本工程では、特に限定されないが、Ｔｉを３０〜１５０ｎｍ、Ｃｕを２００〜５００ｎｍ成膜することが好ましい。
【００５６】
また、上述したウェットエッチングを、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）とフッ素化合物とを含むエッチャントを用いて行い、Ｔｉ及びＣｕを同時にエッチングしてもよい。例えば、Ｈ２Ｏ２濃度が５％以上２０％未満、かつフッ素化合物濃度が０．５％以上３％未満であるエッチャントを用いることが好ましい。これにより、Ｔｉよりも早くＣｕをエッチングさせることができるため、Ｃｕのシフト量（エッチングレート）がＴｉのシフト量よりも大きくなるので、配線の上層となるＣｕの幅を、下層となるＴｉの幅よりも狭く形成させることができる。
【００５７】
なお、エッチャントに含まれるＨ２Ｏ２の濃度によってＣｕのシフト量を調節することができ、一方フッ素化合物の濃度によってＴｉのシフト量を調節することができる。従って、エッチャントに含まれるＨ２Ｏ２及びフッ素化合物の濃度を、Ｃｕ及びＴｉの望ましいシフト量に基づいて、適宜調整することが好ましい。
【００５８】
（２）第２工程
第２工程では、図４（ｂ）に示すように、絶縁層１０３、チャネル層１０４及び電極コンタクト層１０５を形成する。まず、ＣＶＤ法により、絶縁層１０３として窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、チャネル層１０４としてアモルファスシリコン、及び、ｎ型不純物が高濃度にドープされた電極コンタクト層１０５としてｎ＋アモルファスシリコンを連続して成膜した後、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する。その後、ドライエッチングを行い、チャネル層１０４及び電極コンタクト層１０５のパターンを形成した後、レジストを剥離洗浄する。
【００５９】
本工程では、特に限定されないが、絶縁層１０３としての窒化シリコンを２００〜５００ｎｍ、チャネル層１０４としてのアモルファスシリコンを３０〜３００ｎｍ、電極コンタクト層１０５としてのｎ＋アモルファスシリコンを５０〜１５０ｎｍ成膜することが好ましい。
【００６０】
（３）第３工程
第３工程では、図４（ｃ）に示すように、下層信号配線１０６ｂと上層信号配線１０６ａとを備える信号配線、及び下層ドレイン電極１０７ｂと上層ドレイン電極１０７ａとを備えるドレイン電極、を形成する。信号配線とドレイン電極とは、同一の層に同時に成膜された後、パターニングによってそれぞれが形成される。
【００６１】
まず、スパッタ法により下層信号配線１０６ｂ及び下層ドレイン電極１０７ｂとしてＴｉ、上層信号配線１０６ａ及び上層ドレイン電極１０７ａとしてＣｕを連続して成膜した後に、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する。その後、ウェットエッチングを行い、下層信号配線１０６ｂ、上層信号配線１０６ａ、下層ドレイン電極１０７ｂ、及び上層ドレイン電極１０７ａそれぞれのパターンを形成する。さらに、ドライエッチングにより、チャネル部における電極コンタクト層１０５の一部を除去する。その後、レジストを剥離洗浄する。
【００６２】
本工程では、特に限定されないが、Ｔｉを３０〜１５０ｎｍ、Ｃｕを１００〜４００ｎ
ｍ成膜することが好ましい。また、ウェットエッチングの方法としては、第１工程において説明した方法を好適に用いることができる。
【００６３】
（４）第４工程
第４工程では、図４（ｄ）に示すように、絶縁層１０８及び層間絶縁膜１０９を形成する。まず、ＣＶＤ法により、絶縁層１０８として窒化シリコンを成膜する。次いで、層間絶縁膜１０９として感光性層間絶縁膜材料を成膜した後に、フォトリソグラフィによりパターン形成する。その後、ドライエッチングを行い、絶縁層１０８及び層間絶縁膜１０９のパターンを形成する。
【００６４】
本工程では、特に限定されないが、絶縁層１０８としての窒化シリコンを１００〜７００ｎｍ成膜することが好ましい。
【００６５】
（５）第５工程（接続工程）
第５工程では、図４（ｅ）に示すように、画素電極等となるＩＴＯ膜１１０を形成する。まず、スパッタ法により酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を成膜した後に、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する。その後、ウェットエッチングにより、ＩＴＯ膜１１０のパターンを形成した後、レジストを剥離洗浄する。なお、ＩＴＯ膜１１０としては、上述したＩＴＯに限定されず、例えば酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）などの透明導電材料を用いてもよい。
【００６６】
本工程では、特に限定されないが、ＩＴＯ膜１１０として、ＩＴＯを５０〜２００ｎｍ成膜することが好ましい。
【００６７】
以上の工程によって、アクティブマトリクス基板が製造される。ただし、本発明では、上述したような材料や、各層の厚さに必ずしも限定されることはなく、アクティブマトリクス基板の材料として従来から一般的に使用されているものを使用することができる。
【００６８】
上述した製造工程を用いることにより、接続端子部４を形成することができる。ここで、本実施形態における接続端子部４の形成工程について説明するとともに、その構造について図５を参照して以下に説明する。図５は、第１の実施形態における接続端子部４を示す断面図である。なお、接続端子部４は、上述したアクティブマトリクス基板の製造工程に基づいて、各工程において形成するパターンを変えることによって形成される。
【００６９】
（接続端子部４の形成工程）
接続端子部４においては、図５に示すように、まず、上述した第１工程において、ガラス１０１上に、入力端子部としてＴｉ層（第３の金属層）１１２ｂ及びＣｕ層（第１の金属層）１１２ａ、ならびにショートリングとしてＴｉ層（第４の金属層）１１３ｂ及びＣｕ層（第２の金属層）１１３ａを形成する。
【００７０】
なお、ここでは、Ｃｕ層１１２ａ及び１１３ａは、それぞれＴｉ層１１２ｂ及び１１３ｂの幅よりも狭く形成されている。このように形成するためには、例えば上述したようなウェットエッチングの方法を好適に用いることができる。
【００７１】
次に、上述した第２工程及び第４工程において、Ｃｕ層１１２ａ及び１１３ａの上に、それぞれ絶縁層（第１の保護層）１０３及び１０８、ならびに層間絶縁膜１０９を形成する。なお、絶縁層１０３及び１０８ならびに層間絶縁膜１０９は、図５に示すように、それぞれ、Ｃｕ層１１２ａ及び１１３ａを完全に覆っており、かつＴｉ層１１２ｂ及び１１３ｂの幅より狭く形成することが好ましい。
【００７２】
次に、上述した第５工程において、層間絶縁膜１０９の上に、導電性の膜であるＩＴＯ膜１１０を形成する。本実施形態においては、ＩＴＯ膜１１０は、Ｔｉ層１１２ｂ及び１１３ｂに接触することにより、これらを電気的に接続している。
【００７３】
また、図５に示すように、接続端子部４には、分断部１２が設けられている。分断部１２は、本実施形態における液晶表示装置を製造する過程で、上述した工程により製造されたアクティブマトリクス基板において、後述する分断工程により、入力端子部とショートリングとを分断する箇所を示す。
【００７４】
本実施形態においては、分断部１２は、Ｃｕ層１１２ａとＣｕ層１１３ａとの間に設けられている。すなわち、換言すれば、Ｃｕ層１１２ａとＣｕ層１１３ａとは、分断部１２を挟むように隔てられて形成されている。そのため、分断部１２において分断した際に生じる分断面には、Ｃｕ層１１２ａとＣｕ層１１３ａとが接しない構成となっている。したがって、分断部１２において分断した際にＣｕ層１１２ａ及び１１３ａが露出しないので、Ｃｕが腐食するおそれがない。
【００７５】
なお、本発明における接続端子部４においては、Ｃｕ層１１２ａ及び１１３ａに、Ｃｕの代わりにＣｕ合金等を用いてもよい。また、Ｔｉ層１１２ｂ及び１１３ｂに、Ｔｉの代わりにＭｏ、Ｔｉ−Ｍｏ合金等を用いてもよい。
【００７６】
以上の工程により接続端子部４が形成され、その結果、ショートリングを備えたアクティブマトリクス基板が製造される。
【００７７】
また、本実施形態においては、上述した製造工程により製造されたアクティブマトリクス基板において、入力端子部とショートリングとを分断する分断工程をさらに有している。そこで、本実施形態における分断工程について以下に説明する。
【００７８】
（分断工程）
分断工程は、接続端子部４における分断部１２において、入力端子部とショートリングとを分断する工程である。
【００７９】
分断工程は、例えば、アクティブマトリクス基板と後述する対向基板とを貼り合わせる前に行ってもよいが、貼り合わせたあとに行ってもよい。例えば、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、まず液晶パネルの外形を切り出した後、表示検査等を行い、その後、入力端子部へのテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）、チップ等の装着（実装）を行う直前に、分断工程を行うことが好ましい。これにより、静電気によるＴＦＴの破壊等を防止することができる。
【００８０】
分断する方法としては、例えば、レーザーにより切断する方法、ダイシングにより切断する方法などを挙げることができる。
【００８１】
本実施形態における分断工程により得られるアクティブマトリクス基板は、入力端子部とショートリングとを分断した際に生じる分断面において、入力端子部におけるＣｕ層１０２ａがＩＴＯ膜１１０に覆われており露出していないので、Ｃｕの腐食を防止することができる。
【００８２】
次に、本実施形態における対向基板の製造工程について以下に説明する。
【００８３】
（対向基板の製造工程）
本実施形態における対向基板は、３回のフォトリソグラフィ工程によって製造される。
【００８４】
以下に、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）を参照しながら、本実施形態における対向基板の製造工程を工程順に以下に説明する。図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、本実施形態における対向基板の製造工程を示す断面図であり、各工程が終了した時点での断面構造を示す。
【００８５】
（１）ブラックマトリクス２０２及びカラーフィルター層２０３の形成
まず、図１１（ａ）に示すように、ガラス２０１上に、感光性材料を用い、フォトリソグラフィによりブラックマトリクス２０２、ならびに、赤、緑及び青のカラーフィルター層２０３を形成する。
【００８６】
（２）対向電極の形成
次に、図１１（ｂ）に示すように、スパッタ法によりＩＴＯ膜２０４を５０〜２００ｎｍ堆積した後、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングによりパターンを形成することで、対向電極を形成する。
【００８７】
（３）フォトスペーサ２０５の形成
次に、図１１（ｃ）に示すように、感光性材料を用い、フォトリソグラフィにより、フォトスペーサ２０５を形成する。
【００８８】
さらに、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、液晶層を形成する工程について以下に説明する。
【００８９】
（液晶層の形成工程）
（１）配向膜の形成
まず、アクティブマトリクス基板及び対向基板に、配向膜としてポリイミドを印刷法により形成する。
【００９０】
（２）液晶滴下・貼り合わせ
次に、アクティブマトリクス基板及び対向基板を、シール剤を印刷し、液晶を滴下した後に貼り合わせる。
【００９１】
（３）基板の分断
貼り合わせた上記の基板を、ダイシングにより分断する。
【００９２】
以上の工程により、アクティブマトリクス基板と対向基板とを重ねて配置し、その間に液晶層が形成された液晶パネルが製造され、さらに、この液晶パネルを用いて、本実施形態の液晶表示装置が製造される。
【００９３】
なお、本発明に係るアクティブマトリクス基板は、上述した液晶表示装置に限定されず、例えば有機ＥＬ、無機ＥＬ、電気泳動等における表示装置にも適用することができる。
【００９４】
〔第２の実施形態〕
次に、本発明に係る液晶表示装置の第２の実施形態について説明する。
【００９５】
本実施形態では、絶縁層１０８及び層間絶縁膜１０９がない点のみが第１の実施形態と異なっており、他は第１の実施形態と同様に構成されている。よって、ここでは、上記の点のみについて説明し、第１の実施形態と同様に構成された部材には同じ部材番号を付してその説明は省略する。
【００９６】
本実施形態における接続端子部４の構造を、図６に示す。図６は、第２の実施形態にお
ける接続端子部４を示す断面図である。
【００９７】
本実施形態における接続端子部４は、図６に示すように、絶縁層１０３の上にＩＴＯ膜１１０が形成された構成となっている。
【００９８】
本実施形態におけるアクティブマトリクス基板は、第１の実施形態に記載したアクティブマトリクス基板の製造工程において、第４工程を行わないことにより製造することができる。
【００９９】
〔第３の実施形態〕
次に、本発明に係る液晶表示装置の第３の実施形態について説明する。
【０１００】
本実施形態では、分断部１２上に導電膜１１１が形成されている点のみが第２の実施形態と異なっており、他は第２の実施形態と同様に構成されている。よって、ここでは、上記の点のみについて説明し、第２の実施形態と同様に構成された部材には同じ部材番号を付してその説明は省略する。
【０１０１】
本実施形態における接続端子部４の構造を図７に示す。図７は、第３の実施形態における接続端子部４を示す断面図である。
【０１０２】
本実施形態における接続端子部４は、図７に示すように、分断部１２上において、Ｔｉ層１１２ｂとＴｉ層１１３ｂとが、導電膜１１１及びＩＴＯ膜１１０により接続された構成となっている。
【０１０３】
導電膜１１１としては、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ等を用いることができる。
【０１０４】
また、導電膜１１１は、例えばインクジェット等を用いて塗布する方法等により形成することができる。
【０１０５】
本実施形態におけるアクティブマトリクス基板は、第１の実施形態に記載したアクティブマトリクス基板の製造工程の第５工程において、ＩＴＯ膜１１０を形成する前に、接続端子部４における分断部１２上に、Ｔｉ層１１２ｂの端部とＴｉ層１１３ｂの端部とにそれぞれ接触するように導電膜１１１を形成する方法等により製造することができる。
【０１０６】
〔第４の実施形態〕
次に、本発明に係る液晶表示装置の第４の実施形態について説明する。
【０１０７】
本実施形態では、分断部１２上に導電膜１１１が形成され、導電膜１１１上にＴｉ層１１２ｂ及び１１３ｂが形成されている点のみが第２の実施形態と異なっており、他は第２の実施形態と同様に構成されている。よって、ここでは、上記の点のみについて説明し、第２の実施形態と同様に構成された部材には同じ部材番号を付してその説明は省略する。
【０１０８】
本実施形態における接続端子部４の構造を図８に示す。図８は、第４の実施形態における接続端子部４を示す断面図である。
【０１０９】
本実施形態における接続端子部４は、図８に示すように、分断部１２上に導電膜１１１が形成され、その上にＴｉ層１１２ｂ及び１１３ｂが形成されている。
【０１１０】
導電膜１１１及びその形成方法としては、第３の実施形態に記載したものと同様のものを用いることができる。
【０１１１】
本実施形態におけるアクティブマトリクス基板は、第１の実施形態に記載したアクティブマトリクス基板の製造工程の第１工程において、まず分断部１２上に導電膜１１１を形成し、その後Ｔｉ層１１２ｂ及び１１３ｂを形成する方法等により製造することができる。
【０１１２】
〔第５の実施形態〕
次に、本発明に係る液晶表示装置の第５の実施形態について説明する。
【０１１３】
本実施形態では、分断部１２上にＴｉ層が形成されている点のみが第２の実施形態と異なっており、他は第２の実施形態と同様に構成されている。よって、ここでは、上記の点のみについて説明し、第２の実施形態と同様に構成された部材には同じ部材番号を付してその説明は省略する。
【０１１４】
本実施形態における接続端子部４の構造を図９に示す。図９は、第５の実施形態における接続端子部４を示す断面図である。また、本実施形態における、ショートリングが形成されたアクティブマトリクス基板を上から見た平面図を図１０に示す。図１０は、第５の実施形態における、ショートリングが形成されたアクティブマトリクス基板を示す平面図である。なお、図９は、図１０におけるＢ−Ｂ’の範囲を横から見た断面図であり、第１〜第４実施形態における接続端子部４を示す図５〜図８と同じ範囲を示している。
【０１１５】
本実施形態における接続端子部４は、図９に示すように、分断部１２上において、Ｔｉ層１１２ｂ及び１１３ｂが除去されずにつながって形成されている。
【０１１６】
本実施形態におけるアクティブマトリクス基板は、第１の実施形態に記載したアクティブマトリクス基板の製造工程の第１工程において、Ｔｉ及びＣｕのパターンを形成する際に、分断部１２上においてはＣｕのみをレーザー等により除去する方法等により製造することができる。これにより、分断部１２において分断した際に、Ｃｕ層１１２ａ及び１１３ａが露出しないので、Ｃｕの腐食を防止することができる。
【０１１７】
また、このショートリングが形成されたアクティブマトリクス基板は、図１０に示すように、表示領域１００の端部に、Ｔｉ層１１２ｂ、Ｃｕ層１１２ａ及びＩＴＯ膜１１０が積層された各入力端子部が形成され、各入力端子部の外側にショートリングとして第２の金属層３（Ｃｕ層１１３ａ）が形成されている。また、絶縁層１０３が入力端子部の端面を覆うように形成されている。
【０１１８】
なお、絶縁層１０３は、接続端子部４におけるＴｉ層１１２ｂ及び１１３ｂの上にも形成されていてもよい。
【０１１９】
本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的内容を適宜組み合わせて得られる実施形態についても、本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
本発明は、入力端子とショートリングとを分断する際、金属の腐食を防止することができるので、高品質な表示装置を製造する場合に好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０１２１】
２    第１の金属層
３    第２の金属層
４    接続端子部
１０  導電性の膜
１２  分断部
１１２ａ  Ｃｕ層（第１の金属層）
１１２ｂ  Ｔｉ層（第３の金属層）
１１３ａ  Ｃｕ層（第２の金属層）
１１３ｂ  Ｔｉ層（第４の金属層）
１０３    絶縁層（第１の保護層）
１１０    ＩＴＯ膜（導電性の膜）
【図１】
2010210713.tif 000003
【図２】
2010210713.tif 000004
【図３】
2010210713.tif 000005
【図４】
2010210713.tif 000006
【図５】
2010210713.tif 000007
【図６】
2010210713.tif 000008
【図７】
2010210713.tif 000009
【図８】
2010210713.tif 000010
【図９】
2010210713.tif 000011
【図１０】
2010210713.tif 000012
【図１１】
2010210713.tif 000013
【図１２】
2010210713.tif 000014
【図１３】
2010210713.tif 000015
【図１４】
2010210713.tif 000016
【図１５】
2010210713.tif 000017