【事件の表示】
　特許第６８１０４０６号発明「窒化物半導体テンプレートの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６８１０４０６号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６８１０４０６号（以下「本件特許」という。）の請求項１〜６に係る特許についての出願は，平成２８年１２月６日の出願であって，令和２年１２月１５日にその特許権の設定登録がされ，令和３年１月６日に特許掲載公報が発行された。
　これに対し，令和３年７月６日に，特許異議申立人安藤宏により本件特許の請求項１〜６に係る特許に対する特許異議の申立てがされた。
第２　本件発明
　本件特許の請求項１〜６に係る発明（以下，それぞれ「本件発明１」〜「本件発明６」という。）は，その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された以下の事項により特定されるとおりのものである。
「　【請求項１】
　基板上に窒化物半導体層が形成されてなる窒化物半導体テンプレートの製造方法であって，
　前記基板上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層をエピタキシャル成長させて形成する第一層形成工程と，
　前記第一層に対して不活性ガス雰囲気でアニール処理を行うアニール工程と，
　前記アニール工程後の前記第一層上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第二層を気相成長によりエピタキシャル成長させて形成し，前記第一層と前記第二層とで前記窒化物半導体層を構成する第二層形成工程と，
　を備え，
　前記アニール工程後の前記第一層の表面の表面粗さＲＭＳを，前記第一層形成工程後で前記アニール工程前における前記第一層の表面の表面粗さＲＭＳよりも大きくする
　窒化物半導体テンプレートの製造方法。
　　【請求項２】
　基板上に窒化物半導体層が形成されてなる窒化物半導体テンプレートの製造方法であって，
　前記基板上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層をエピタキシャル成長させて形成する第一層形成工程と，
　前記第一層に対して不活性ガス雰囲気でアニール処理を行うアニール工程と，
　前記アニール工程後の前記第一層上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第二層を気相成長によりエピタキシャル成長させて形成し，前記第一層と前記第二層とで前記窒化物半導体層を構成する第二層形成工程と，
　を備え，
　前記第一層形成工程，前記アニール工程および前記第二層形成工程を，同一の成長装置を用いて連続的に行う
　窒化物半導体テンプレートの製造方法。
　　【請求項３】
　前記第一層形成工程では，前記第一層が連続膜となる厚さで，かつ，前記第一層にクラックが発生しない厚さとなるように，前記第一層の形成を行う
　請求項１または２に記載の窒化物半導体テンプレートの製造方法。
　　【請求項４】
　前記アニール工程では，前記アニール工程後の前記第一層の表面における平均転位密度が１×１０９個／ｃｍ２以下となる条件で，前記アニール処理を行う
　請求項１から３のいずれか１項に記載の窒化物半導体テンプレートの製造方法。
　　【請求項５】
　前記第二層形成工程では，前記第二層の表面粗さＲＭＳが１０ｎｍ以下となる条件で，前記第二層の形成を行う
　請求項１から４のいずれか１項に記載の窒化物半導体テンプレートの製造方法。
　　【請求項６】
　前記第一層および前記第二層が，Ｉｎ１−ｘ−ｙＡｌｘＧａｙＮ（０≦ｘ＋ｙ≦１，０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）で表わされる窒化アルミニウム，窒化インジウムアルミニウム，窒化アルミニウムガリウム，または，窒化アルミニウムガリウムインジウムからなる
　請求項１から５のいずれか１項に記載の窒化物半導体テンプレートの製造方法。」
第３　特許異議申立て理由の概要
１．申立理由
　令和３年７月６日付け特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由の概要は，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，下記の申立理由１〜５のとおり，特許法１１３条２号又は４号に該当する，というものである。
・申立理由１（新規性）
　本件特許の請求項１，３，５，６に係る発明は，甲１号証に記載された発明であり，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１，３，５，６に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由２（進歩性）
　本件特許の請求項１〜６に係る発明は，甲１号証に記載された発明及び甲１〜４号証に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由３（新規性）
　本件特許の請求項４に係る発明は，甲４号証に記載された発明であり，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項４に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由４（実施可能要件）
　本件発明１，３〜６ についての本件特許明細書の記載は，特許法３６条４項１号の規定に適合するものではないから，本件特許の請求項１，３〜６に係る特許は，同法１１３条４号に該当する。
・申立理由５（サポート要件）
　本件特許の請求項１，３〜６に係る発明は，特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項１号の規定に適合するものではないから，本件特許の請求項１，３〜６に係る特許は，同法１１３条４号に該当する。
２．証拠方法
　上記特許異議申立書とともに提出された証拠方法は，以下のとおりである。
　甲１号証：特開２００６−３１９１０７号公報
　甲２号証：特開２０１６−６４９２８号公報
　甲３号証：国際公開第２００８／０１０５４１号
　甲４号証：特開２００８−６０５１９号
第４　甲号証の記載事項
１．甲１号証の記載
　甲１号証（特開２００６−３１９１０７号公報 ）には，次の記載がある。（下線は当審により付加。以下同じ。）
「【請求項１】
　エピタキシャル基板であって，
　主面に所定のオフ角が与えられてなる基材と，
　前記主面上にエピタキシャル形成された第１のIII族窒化物結晶からなる上部層と，
　を備え，
　前記上部層の形成温度よりも高い加熱温度で加熱処理されてなる，
ことを特徴とするエピタキシャル基板。
【請求項２】
　請求項１に記載のエピタキシャル基板であって，
　前記第１のIII族窒化物結晶の主面の結晶方位が実質的に（０００１）面である，
　ことを特徴とするエピタキシャル基板。
【請求項３】
　請求項１または請求項２に記載のエピタキシャル基板であって，
　前記第１のIII族窒化物結晶において全III族元素におけるＡｌの割合が８０モル％以上である，
ことを特徴とするエピタキシャル基板。
【請求項４】
　請求項３に記載のエピタキシャル基板であって，
　前記第１のIII族窒化物結晶がＡｌＮである，
ことを特徴とするエピタキシャル基板。
【請求項５】
　請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のエピタキシャル基板であって，
　前記加熱温度が１５００℃以上である，
ことを特徴とするエピタキシャル基板。
【請求項６】
　半導体素子であって，
　請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のエピタキシャル基板の上に第２のIII族窒化物からなる機能層がエピタキシャル形成されてなる，
ことを特徴とする半導体素子。
【請求項７】
　
エピタキシャル基板の製造方法であって，
主面に所定のオフ角が与えられてなる基材の該主面上に，所定の形成温度で第１のIII族窒化物結晶からなる上部層をエピタキシャル形成する形成工程と，
　
前記形成温度よりも高い加熱温度で加熱する加熱工程と，
を備えることを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法
【請求項８】
　請求項７に記載の製造方法であって，
　前記加熱温度が１５００℃以上である，
ことを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項９】
　III族窒化物結晶において転位を偏在化させる方法であって，
　主面に所定のオフ角が与えられてなる基材の該主面上に，第１のIII族窒化物結晶からなる上部層を所定の形成温度でエピタキシャル形成してなるエピタキシャル基板を，前記形成温度よりも高い加熱温度で加熱したうえで，前記エピタキシャル基板の上に第２のIII族窒化物によって前記III族窒化物結晶をエピタキシャル形成させる，
　ことを特徴とするIII族窒化物結晶における転位偏在化方法。」
「【０００８】
　機能デバイスとして作用させるべくIII族窒化物結晶を基材上に形成する際，該機能デバイスの性能を向上させるためには，結晶品質をできるだけ改善する必要がある。例えば，転位密度をできるだけ小さくすることが必要である。転位密度を小さくすることにより，例えば，発光デバイスであれば発光効率の向上が，受光デバイスであれば暗電流の低減が，さらには，電子デバイスであれば移動度の向上を見込むことができる。」
「【００１１】
　
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり，結晶品質の良好なIII族窒化物結晶の生成に好適なエピタキシャル基板を提供することを目的とする
【課題を解決するための手段】
【００１２】
　上記課題を解決するため，請求項１の発明は，エピタキシャル基板であって，主面に所定のオフ角が与えられてなる基材と，前記主面上にエピタキシャル形成された第１のIII族窒化物結晶からなる上部層と，を備え，前記上部層の形成温度よりも高い加熱温度で加熱処理されてなる，ことを特徴とする。」
「【００２１】
　請求項１ないし請求項５，請求項７，および請求項８の発明によれば，加熱処理を行うことにより，上部層の結晶品質が向上されてなるとともに，該上部層の表面に数原子層高さ以上の大きな繰り返し段差を有するエピタキシャル基板が得られる。
該エピタキシャル基板を，III族窒化物結晶層の成長用下地基板として用いると
「【００２５】
　図１は，本発明の実施の形態に係るエピタキシャル基板１０の断面模式図である。また，図２は，図１において点線にて囲んだ部分Ｐに係るエピタキシャル基板１０の拡大模式図である。なお，図示の都合上，図１および図２における各層の厚みの比率および縦横の比率は，実際の比率を反映したものではない。
エピタキシャル基板１０は，主として基材１と上部層２とから構成される。エピタキシャル基板１０は，主として，III族窒化物半導体による種々の電子デバイス作製の際の下地基板として用いられるものである
【００２６】
　基材１は，その上に形成する上部層２の組成や構造，あるいはさらにその上に形成される層を含む各層の形成手法に応じて適宜に選択される。例えば，ＳｉＣ（炭化ケイ素）やサファイアなどの基板を用いる。あるいは，ＺｎＯ，ＬｉＡｌＯ２，ＬｉＧａＯ２，ＭｇＡｌ２Ｏ４，（ＬａＳｒ）（ＡｌＴａ）Ｏ３，ＮｄＧａＯ３，ＭｇＯといった各種酸化物材料，Ｓｉ，Ｇｅといった各種ＩＶ族単結晶，ＳｉＧｅといった各種IV−IV族化合物，ＧａＡｓ，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＡｌＧａＮといった各種III−Ｖ族化合物およびＺｒＢ２といった各種ホウ化物の単結晶から適宜選択して用いてもよい。このうち，（０００１）面を主面とするIII族窒化物結晶を上部層２として得る場合には，例えば（０００１）面ＳｉＣあるいは（１１−２０）面及び（０００１）面サファイアを基材１として用いることができる。また，（１１−２０）面を主面とするIII族窒化物結晶を上部層２として得る場合には，例えば（１１−２０）面ＳｉＣあるいは（１０−１２）面サファイアを基材１として用いることができる。基材１の厚みには特段の材質上の制限はないが，取り扱いの便宜上，数百μｍ〜数ｍｍの厚みのものが好適である。
【００２７】
　
上部層２は，該III族窒化物結晶とは異なる組成の単結晶材料からなる基材１の上に形成されてなる。上部層２は，例えばＭＯＣＶＤ法，ＭＢＥ法，ＨＶＰＥ法（ハイドライドを用いた気相エピタキシャル成長法），スパッタ法などの公知の成膜手法によって形成された，III族窒化物結晶からなるエピタキシャル膜である
「【００３０】
　また，上部層２に対して，III族窒化物結晶を成長させる際，上部層に対して，III族窒化物結晶の主面内の格子定数が大きい場合，III族窒化物結晶を成長させる際のクラックの発生を抑制できるという利点がある。特に，上部層２をＡｌＮにて構成すると，エピタキシャル基板１０上に全組成のIII族窒化物結晶を成長させる際のクラックの発生を抑制することができる。また，発光デバイスを形成する場合に短波長領域までの透明性を確保することができる。上部層２を構成するIII族窒化物結晶の全III族元素のうち８０モル％以上がＡｌである場合にも，同様の効果を実効的に得ることができる。」
「【００３４】
　また，（０００１）面を主面とするＡｌＮエピタキシャル膜を上部層２として用いる場合，熱処理前の上部層２内の刃状転位密度は，ＡｌＮエピタキシャル膜としては低い数値である，５×１０１０／ｃｍ２以下であることが望ましい。なお，本実施の形態において，転位密度は，平面ＴＥＭを用いて評価している。基材１の表面に窒化層を形成しておくことで，熱処理前のＡｌＮの転位密度を上記のように低く抑えることができる。熱処理前の転位密度を低減しておくことにより，熱処理による結晶品質の改善をより短時間でかつより効果的に実現することができるからである。なお，条件設定によっては，熱処理前の上部層２の転位密度を１×１０９／ｃｍ２の程度にまで低減しておくことが可能である。」
「【００３７】
　また，本実施の形態においては，このようにエピタキシャル基板１０を構成するにあたり，図２に示すように主面１Ｓにいわゆるオフ角θを与えた状態の基材１を用いる。例えば，主面１Ｓにおいて基材１の（０００１）面がオフ角θだけ傾斜した状態がこれにあたる。より詳細にいえば，係る状態の基材１は，主面１Ｓに平均間隔が約０．１μｍ，高さがおおよそ２〜１０Å程度（図２においては２〜５Å程度の場合を例示）の，理想的には概ね３原子層高さ程度までの微小な段差ＢＰ１が繰り返し形成されてなるものである。このオフ角により，上部層２の主面２Ｓにおいても，図２に示すように基材１の主面１Ｓにおける段差ＢＰ１とほぼ同程度の微小な段差ＢＰ２が略周期的に繰り返し形成されてなる。ただし，オフ角θが小さい場合は，オフ角θがない場合に主面を構成する結晶面を，実質的には上部層２の主面２Ｓであるとみなすことができる。例えば，基材１の主面１Ｓが，（０００１）面がオフ角θだけ傾斜した状態であれば，上部層２の主面２Ｓも実質的には（０００１）面であるということができる。」
「【００３９】
　さらに，
本実施の形態においては，該エピタキシャル基板１０をそのままIII族窒化物結晶による種々のデバイス層の形成に供するのではなく，これに先だって，該エピタキシャル基板１０に対していったん所定の熱処理を行う。具体的には，所定の熱処理装置によって，少なくとも１５００℃以上に，好ましくは１６００℃以上で加熱する
【００４０】
　図３は，
このような加熱処理を施した後のエピタキシャル基板１０を下地基板として用いて
【００４１】
　まず，図３（ａ）は，結晶成長前の状態，つまりは，加熱処理を施した後のエピタキシャル基板１０を示す図である。
加熱処理を行うことで，上部層２の主面２Ｓにおいては，図３（ａ）に示すように，平均間隔が約５μｍ，高さが３原子層高さ以上の，好ましくは２０Å以上（図３においては約５０Åの場合を例示）の，処理前に比して著しく大きな段差ＢＰ３が形成される
「【００４５】
　すなわち，
本実施の形態においては，このように加熱処理によって結晶品質を改善されつつも上部層２の表面に著しく大きな段差を有するエピタキシャル基板１０を，III族窒化物結晶層３の成長用下地基板として用いることになる
「【００５１】
　また，III族窒化物結晶層３を少なくとも３μｍ以上の厚みに成長させた場合，その主面３Ｓは連続膜となる。また，III族窒化物結晶層３がＡｌを含む場合であっても，主面３Ｓにおいてピットが発生することもなく，ＡＦＭで測定される５μｍ□のｒａ値が，５Å以下になる程度な平坦性が実現される。これにより，該III族窒化物結晶層３を機能層とする各種半導体デバイスのデバイス特性が向上することになる。」
「【００５４】
（実施例１）
　本実施例においては，
（０００１）面に対し０．１°のオフ角θを与えたサファイアを基材１とし，ＭＯＣＶＤ法によって，減圧雰囲気下１２００℃で，上部層２としてＡｌＮ層を膜厚１μｍで形成することにより，エピタキシャル基板１０を得た
【００５５】
　次に，
エピタキシャル基板１０を熱処理炉の反応室内の所定位置に配置して，１気圧に保持しつつ窒素ガスを供給し，加熱処理を行った。加熱処理は，基材１の温度を１６５０℃として２０時間行った
【００５６】
　
上記の熱処理の後，ＡｌＮ層の結晶品質を評価したところ
ＡＦＭ像においては，平均高さ４０Åで平均周期が５μｍの段差が明瞭に観察された
【００５７】
　さらに，このように得られたエピタキシャル基板１０に対して，ＭＯＣＶＤ法によって，大気圧雰囲気下１０５０℃で，ＧａＮ層を膜厚５μｍで形成した。係るＧａＮ層については，転位の偏在領域と低転位領域が確認された。後者における転位密度は，１×１０７／ｃｍ２であった。また，ＡＦＭ像においては，ＧａＮ層の表面には段差は観察されなかった。
【００５８】
（実施例２）
　実施例１と同様に得られたエピタキシャル基板１０に対して，ＭＯＣＶＤ法によって，大気圧雰囲気下１１００℃で，Ａｌ０.２Ｇａ０.８Ｎ層を膜厚５μｍで形成した。係るＡｌ０.２Ｇａ０.８Ｎ層については，転位の偏在領域と低転位領域が確認された。後者における転位密度は，２×１０８／ｃｍ２であった。また，ＡＦＭ像においては，ＧａＮ層の表面には段差は観察されなかった。」
２．甲２号証 の記載
　甲２号証（特開２０１６−６４９２８号公報 ）には，次の記載がある。
「【０００１】
　本発明は，ＡｌＮテンプレート基板およびその製造方法に関し，特に，従来よりも高い結晶性および表面平坦性を兼ね備えるＡｌＮテンプレート基板およびその製造方法に関するものである。」
「【００２９】
　すなわち，後述の実施例に示されるように，第１工程後のＡｌＮ層２０の（０００２）面のＸ線ロッキングカーブの半値幅は，１００秒〜１４０秒程度であり，かつ，（１０−１２）面のＸ線ロッキングカーブの半値幅が１１００秒〜１５００秒程度であり，従来技術により得られるＡｌＮ層の結晶性に比べて，第１工程後のＡｌＮ層２０の結晶性が従来例に比べて顕著に優れるということはない。ところが，
かかるＡｌＮ層２０に対して，第２工程による熱処理を施すことにより，従来技術では実現することのできなかった，ＡｌＮ層２０の（０００２）面のＸ線ロッキングカーブの半値幅が７０秒以下であり，かつ，（１０−１２）面のＸ線ロッキングカーブの半値幅が２５０秒以下のＡｌＮテンプレート基板１を実現することができたのである
「【００３８】
（ＡｌＮテンプレート基板）
　次に，本発明により得られるＡｌＮテンプレート基板について説明する。図１（Ｃ）に示すように，
本発明に従うＡｌＮテンプレート基板１は，サファイア基板１０と，該サファイア基板１０の主面上に形成されたＡｌＮ層２０とを有し
３．甲３号証の記載
　甲３号証（国際公開第２００８／０１０５４１号）には，次の記載がある。
「[０００１] 本発明は，III族窒化物結晶の転位を低減する技術，特に，III族窒化物結晶成長用の基板の表面層を構成する，III族窒化物結晶の転位を低減する技術に関する。」
「[００５３] (実施例）
　本実施例においては，
（０００１)面サファイアを基材１とし，ＭＯＣＶＤ法によって，１２００℃で，上部層２として（０００１)面ＡｌＮ層を膜厚１μｍで形成することにより，２つのエピタキシャル基板１０を得た
・・・
[００５４] 次に，
エピタキシャル基板１０を熱処理炉の反応室内の所定位置に配置して， １気圧に保持しつつ窒素ガスを供給し，熱処理を行った
[００５５] 熱処理後のそれぞれのエピタキシャル基板 １０に対し ΤΕΜによる断面観察を行ったところ，いずれのエピタキシャル基板 １０においても，ＡｌＮ層と基材 １との界面にのみγ−ＡＬＯＮ層が形成されていることが確認された。また，それぞれのエピタキシャ ル基板 １０のＡｌＮ層について熱処理後の結晶品質を評価したところ，いずれも，Ｘ線ロッキングカーブの（０００２)面の半値幅が ７０秒，（１０−１２)面の半値幅が ３５０秒以下であった。転位密度は，いずれも１×１０９/cm２以下であった。」
４．甲４号証の記載
　甲４号証（特開２００８−６０５１９号公報）には，次の記載がある。
「【０００１】
　本発明は，III族窒化物結晶の結晶品質を改善する技術，特に，転位を低減させる技術に関する。」
「【００１１】
　本発明は係る知見に基づくものであり，
基材上にエピタキシャル形成されたＡｌＮ系III族窒化物結晶の転位の低減を容易に実現する方法を提供することを目的とする。なお，係る方法を提供することは，その上に，より転位の少ないIII族窒化物結晶を結晶成長させることが出来るエピタキシャル基板を提供することでもある
「【００３１】
　図１は，
本発明の実施の形態に係る転位低減方法の適用対象であるIII族窒化物結晶を上部層２として含む，エピタキシャル基板１０
【００３２】
　
上部層２は，所定の酸化物単結晶材料からなる基材１の上に形成されてなる。上部層２は，例えばＭＯＣＶＤ法，ＭＢＥ法，ＨＶＰＥ法（ハイドライドを用いた気相エピタキシャル成長法），スパッタ法などの公知の成膜手法によって形成された，III族窒化物結晶からなるエピタキシャル膜である
「【００４１】
　
本実施の形態においては，このような処理前基板に対して，転位の低減を目的として加熱処理を施す
窒素ガスを供給しつつ炉体１０１の内部を加熱することで，エピタキシャル基板１０が加熱処理されることになる
【００４２】
　一方，図４は，処理前基板と同じ条件で作製したエピタキシャル基板１０に対し，１６５０℃で２時間の加熱処理を施した後の断面ＴＥＭ像（明視野像）を例示する図である。以降，係るエピタキシャル基板を特に，処理後基板と称することがある。
【００４３】
　図４においては，上部層２であるＡｌＮ中に，曲線状の転位が存在する様子が観察される。処理前基板と比べると，全体的にその分布は疎であり，界面近傍に偏在しているわけでもない。ゆえに，上部層２のどの部分においても，処理後基板の方が処理前基板よりも転位が少ないといえる。なお，平面ＴＥＭにおいて評価した，こ
の処理後基板の上部層２の表面における転位密度は，９×１０８／ｃｍ２である
第５　当審の判断
１．申立理由１（新規性）について
（１）本件発明１について
（１．１）引用発明１
　上記第４の１．の摘記によれば，甲１号証には次の事項が記載されていると理解できる。
ア　エピタキシャル基板の製造方法であって，主面に所定のオフ角が与えられてなる基材の該主面上に，所定の形成温度で第１のIII族窒化物結晶からなる上部層をエピタキシャル形成する形成工程と，前記形成温度よりも高い加熱温度で加熱する加熱工程と，を備えることを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。（請求項７）
イ　結晶品質の良好なIII族窒化物結晶の生成に好適なエピタキシャル基板を提供することを目的とする発明であること。（段落００１１）
ウ　エピタキシャル基板１０は，主として基材１と上部層２とから構成され，III族窒化物結晶層の成長用下地基板として用いられること。（段落００２１，００２５）
エ　上部層２は，基材１の上に形成されてなる，III族窒化物結晶からなるエピタキシャル膜であること。（段落００２７）
オ　エピタキシャル基板１０を下地基板としてIII族窒化物結晶による種々のデバイス層の形成に供するのに先だって，該エピタキシャル基板１０に対して所定の加熱処理を行うこと。（段落００３９）
カ　加熱処理を行うことで，上部層２の主面２Ｓにおいては，図３（ａ）に示すように，平均間隔が約５μｍ，高さが３原子層高さ以上の，好ましくは２０Å以上（図３においては約５０Åの場合を例示）の，処理前に比して著しく大きな段差ＢＰ３が形成されること。（段落００４１）
キ　加熱処理によって結晶品質を改善されつつも上部層２の表面に著しく大きな段差を有するエピタキシャル基板１０を，III族窒化物結晶層３の成長用下地基板として用いること。（段落００４５）
ク　（０００１）面に対し０．１°のオフ角θを与えたサファイアを基材１とし，ＭＯＣＶＤ法によって，減圧雰囲気下１２００℃で，上部層２としてＡｌＮ層を膜厚１μｍで形成することにより，エピタキシャル基板１０を得た後，当該エピタキシャル基板１０を熱処理炉の反応室内の所定位置に配置して，１気圧に保持しつつ窒素ガスを供給し，基材１の温度を１６５０℃として２０時間の加熱処理を行ったこと。（段落００５４，００５５）
ケ　上記クの加熱処理の後，ＡｌＮ層の結晶品質を評価したところ，ＡＦＭ像においては，平均高さ４０Åで平均周期が５μｍの段差が明瞭に観察されたこと。（段落００５６）
　上記ア〜ケによれば，甲１号証には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「基材１の主面上にIII族窒化物結晶からなるエピタキシャル膜である上部層２が形成された，成長用下地基板として用いられるエピタキシャル基板１０の製造方法であって，
　基材１の主面上に，第１のIII族窒化物結晶からなる上部層２をエピタキシャル形成する形成工程と，
　前記基材１及び前記上部層２に対し窒素ガスを供給しつつ加熱処理を行う，加熱工程と，
を備え，
　前記上部層２がＡｌＮ層であり，
　前記加熱処理によって，上部層２の表面に平均間隔が約５μｍ，高さが好ましくは２０Å以上の，加熱処理前に比して大きな段差が形成される，
　エピタキシャル基板１０の製造方法。」
（１．２）対比 
　本件発明１と引用発明１を対比する。
ア　本件特許明細書の段落００１０には「紫外波長帯で発光するＬＥＤ（以下，単に「紫外ＬＥＤ」という。）は，その下地基板として，単結晶ＡｌＮ基板や，アルミニウム（Ａｌ）を含む窒化物半導体膜を有した窒化物半導体テンプレート等が用いられる。」との記載，同段落には「窒化物半導体テンプレートは，サファイア基板やＳｉＣ基板等の異種基板上に，例えばＡｌＮ膜のようなＡｌを含む窒化物半導体膜が数１００ｎｍ〜数１０μｍ厚で形成されてなるものであり」との記載があり，段落００１７には「本実施形態で例に挙げる窒化物半導体テンプレート１０は，ＬＥＤ等の半導体装置（半導体デバイス）を製造する際に下地基板として用いられるもので，基板状の構造体として構成されているものである。具体的には，窒化物半導体テンプレート１０は，基板１１と，窒化物半導体層１２と，を備えて構成されている。」との記載がある。これらの記載によれば，本件発明１の「窒化物半導体テンプレート」とは，「基板」上に「窒化物半導体膜」が形成されたものであって，半導体装置を製造する際に下地基板として用いられるものであると理解できる。
　一方，引用発明１の「エピタキシャル基板１０」は，「基材１の主面上にIII族窒化物結晶からなるエピタキシャル膜である上部層２が形成された，成長用下地基板として用いられる」ものである。
　そうすると，引用発明１の「基材１」及び「エピタキシャル基板１０」は，それぞれ本件発明１の「基板」及び「窒化物半導体テンプレート」に相当し，引用発明１における「基材１の主面上にIII族窒化物結晶からなるエピタキシャル膜である上部層２が形成された，成長用下地基板として用いられるエピタキシャル基板１０の製造方法」は，本件発明１における「基板上に窒化物半導体層が形成されてなる窒化物半導体テンプレートの製造方法」に相当する。
イ　引用発明１における「III族窒化物結晶からなる上部層２」は「ＡｌＮ層」であるから，本件発明１における「アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層」に相当する。よって，引用発明１における「基材１の主面上に，第１のIII族窒化物結晶からなる上部層２をエピタキシャル形成する形成工程」は，本件発明１における「前記基板上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層をエピタキシャル成長させて形成する第一層形成工程」に相当する。
ウ　引用発明１における「前記基材１及び前記上部層２に対し窒素ガスを供給しつつ加熱処理を行う，加熱工程」は，本件発明１における「前記第一層に対して不活性ガス雰囲気でアニール処理を行うアニール工程」に相当する。
エ　引用発明１では，「加熱処理によって，上部層２の表面に平均間隔が約５μｍ，高さが好ましくは２０Å以上の，加熱処理前に比して大きな段差が形成される」から，本件発明１と引用発明１は，ともに「前記アニール工程後の前記第一層の表面の表面粗さＲＭＳを，前記第一層形成工程後で前記アニール工程前における前記第一層の表面の表面粗さＲＭＳよりも大きくする」ものであるといえる。
　上記ア〜エによれば，本件発明１と引用発明１の一致点及び相違点は以下のとおりである。
＜一致点＞
「基板上に窒化物半導体層が形成されてなる窒化物半導体テンプレートの製造方法であって，
　前記基板上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層をエピタキシャル成長させて形成する第一層形成工程と，
　前記第一層に対して不活性ガス雰囲気でアニール処理を行うアニール工程と，
　を備え，
　前記アニール工程後の前記第一層の表面の表面粗さＲＭＳを，前記第一層形成工程後で前記アニール工程前における前記第一層の表面の表面粗さＲＭＳよりも大きくする
　窒化物半導体テンプレートの製造方法。」
＜相違点１＞
　本件発明１は，「前記アニール工程後の前記第一層上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第二層を気相成長によりエピタキシャル成長させて形成し，前記第一層と前記第二層とで前記窒化物半導体層を構成する第二層形成工程」を備えるのに対して，引用発明１は当該工程を備えることが特定されていない点。
（１．３）小括
　以上のとおり，本件発明１と引用発明１は上記相違点１について相違するから，本件発明１は引用発明１と同一ではない。
　したがって，本件発明１は甲１号証に記載された発明ではない。
（２）本件発明３，５，６について
　本件発明３，５，６は，いずれも本件発明１の全ての構成を有する発明であるから，本件発明１と同様に，甲１号証に記載された発明ではない。
（３）申立理由１についてのまとめ
　上記（１）（２）のとおり，本件発明１，３，５，６は甲１号証に記載された発明ではないから，特許法２９条１項３号に該当する発明ではない。
２．申立理由２（進歩性）について
（１）本件発明１について
（１．１）対比
　本件発明１と引用発明１の一致点及び相違点は，上記１．（１）（１．２）に一致点及び相違点１として記載したとおりである。
（１．２）相違点についての判断
　甲１号証の段落００５７，００５８には，加熱処理を行った後，ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ層又はＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層を膜厚５μｍ形成することが記載されている。
　しかしながら，これらはいずれも基材１及びＡｌＮ層からなる「エピタキシャル基板１０」に対して形成されたIII族窒化物結晶であって，上記ＧａＮ層又はＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層は，「成長用下地基板として用いられるエピタキシャル基板１０」を構成するものではない。すなわち，上記ＧａＮ層又はＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層は，上記ＡｌＮ層とで「エピタキシャル基板１０」の上部層２を構成するものではなく，本件発明１における「第二層」に相当するものとはいえないから，甲１号証には，上記相違点１の「第二層形成工程」は記載も示唆もされていない。
　また，甲２号証には，サファイア基板１０と，該サファイア基板１０の主面上に形成されたＡｌＮ層２０とを有するＡｌＮテンプレート基板が記載され，当該ＡｌＮ層２０に対して熱処理を行うことが記載されている。甲３号証には，（０００１)面サファイアを基材１に上部層２として（０００１)面ＡｌＮ層を膜厚１μｍで形成したエピタキシャル基板１０を熱処理炉の反応室内の所定位置に配置して，１気圧に保持しつつ窒素ガスを供給し，熱処理を行うことが記載されている。甲４号証には，III族窒化物結晶を上部層２として含むエピタキシャル基板１０に対して，転移の低減を目的として，窒素ガスを供給しつつ加熱処理を施すことが記載されている。
　しかしながら，甲２〜４号証のいずれにも，加熱処理後のエピタキシャル基板のＡｌＮ層上に「第二層」をエピタキシャル成長させて，ＡｌＮ層と「第二層」とでエピタキシャル基板の上部層を構成する工程は，記載も示唆もされていない。
　そうすると，引用発明１に基づいて上記相違点１に係る本件発明１を想到することは，甲１号証ないし甲４号証に記載された技術的事項から当業者が容易になし得たことではない。
（２）本件発明２について
（２．１）対比
　本件発明２と引用発明１を対比すると，本件発明２と引用発明１の一致点及び相違点は，以下のとおりとなる。
＜一致点＞
「基板上に窒化物半導体層が形成されてなる窒化物半導体テンプレートの製造方法であって，
　前記基板上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層をエピタキシャル成長させて形成する第一層形成工程と，
　前記第一層に対して不活性ガス雰囲気でアニール処理を行うアニール工程と，
　を備えた，
　窒化物半導体テンプレートの製造方法。」
＜相違点１ａ＞
　本件発明２は「前記アニール工程後の前記第一層上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第二層を気相成長によりエピタキシャル成長させて形成し，前記第一層と前記第二層とで前記窒化物半導体層を構成する第二層形成工程」を備えるのに対し，引用発明１は当該工程を備えることが特定されていない点。
＜相違点２＞
　本件発明２は「前記第一層形成工程，前記アニール工程および前記第二層形成工程を，同一の成長装置を用いて連続的に行う」のに対し，引用発明１は当該事項が特定されていない点。
（２．２）相違点についての判断
　上記相違点１ａは，上記１．（１）の（１．２）で認定した相違点１と同一であるから，上記２．（１）の（１．２）で示した理由と同様に，甲１号証ないし甲４号証に記載された技術的事項から当業者が容易に想到し得たものではない。
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明２は，引用発明１及び甲１号証ないし甲４号証に記載された技術的事項から当業者が容易に想到し得たものではない。
（３）本件発明３〜６について
　本件発明３〜６は，いずれも本件発明１又は本件発明２の全ての構成を有する発明であるから，本件発明１又は本件発明２について示した理由と同様に，引用発明１及び甲１号証ないし甲４号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものではない。
（４）申立理由２についてのまとめ
　以上のとおり，本件発明１〜６は，引用発明１及び甲１号証ないし甲４号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものではない。
３．申立理由３（新規性）について
　申立理由３の要旨は，本件発明４は甲４号証に記載された発明と同一であるというものであるから，この点について以下検討する。
（１）引用発明４
　上記第４の４．の摘記によれば，甲４号証には次の事項が記載されていると理解できる。
ア　基材上にエピタキシャル形成されたＡｌＮ系III族窒化物結晶の転位の低減を容易に実現する方法を提供することで，その上に，より転位の少ないIII族窒化物結晶を結晶成長させることが出来るエピタキシャル基板を提供すること。（段落００１１）
イ　III族窒化物結晶を上部層２として含む，エピタキシャル基板１０であること。（段落００３１）
ウ　基材１の上にIII族窒化物結晶からなるエピタキシャル膜である上部層２を形成すること。（段落００３２）
エ　処理前のエピタキシャル基板１０に対して，転移の低減を目的として，窒素ガスを供給しつつ加熱処理を施すこと。（段落００４１）
オ　加熱処理後のエピタキシャル基板１０の上部層２の表面における転位密度は，９×１０８／ｃｍ２であること。（段落００４３）
　上記ア〜オによれば，甲４号証には次の発明（以下「引用発明４」という。）が記載されているものと認められる。
「より転移の少ないIII族窒化物結晶を結晶成長させることが出来る，III族窒化物結晶を上部層２として含む，エピタキシャル基板１０を提供する方法であって，
　基材１の上にIII族窒化物結晶からなるエピタキシャル膜である上部層２を形成して処理前のエピタキシャル基板１０を得ることと，
　処理前のエピタキシャル基板１０に対して，転移の低減を目的として，窒素ガスを供給しつつ加熱処理を施すことを含み，
　加熱処理後のエピタキシャル基板の上部層２の表面における転位密度は，９×１０８／ｃｍ２である，
エピタキシャル基板１０を提供する方法。」
（２）対比
　本件発明４は，少なくとも本件発明１又は本件発明２のいずれかの構成を全て含む発明である。そこで，はじめに本件発明１と引用発明４を対比すると，以下のようになる。
ア　引用発明４における「基材１」及び「上部層２」が，本件発明１における「基板」及び「第一層」に相当する。
イ　引用発明４における「より転移の少ないIII族窒化物結晶を結晶成長させることが出来る，III族窒化物結晶を上部層２として含む，エピタキシャル基板１０」は，本件発明１における「基板上に窒化物半導体層が形成されてなる窒化物半導体テンプレート」に相当する。
ウ　上記イから，引用発明４における「より転移の少ないIII族窒化物結晶を結晶成長させることが出来る，III族窒化物結晶を上部層２として含む，エピタキシャル基板１０を提供する方法」は，本件発明１における「基板上に窒化物半導体層が形成されてなる窒化物半導体テンプレートの製造方法」に相当する。
エ　引用発明４における「基材１の上にIII族窒化物結晶からなるエピタキシャル膜である上部層２を形成して処理前のエピタキシャル基板１０を得ること」は，本件発明１における「前記基板上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層をエピタキシャル成長させて形成する第一層形成工程」に相当する。
オ　引用発明４における「処理前のエピタキシャル基板１０に対して，転移の低減を目的として，窒素ガスを供給しつつ加熱処理を施すこと」は，本件発明４における「前記第一層に対して不活性ガス雰囲気でアニール処理を行うアニール工程」に相当する。
　以上によれば，本件発明１と引用発明４の一致点及び相違点は以下のとおりとなる。
＜一致点＞
　「基板上に窒化物半導体層が形成されてなる窒化物半導体テンプレートの製造方法であって，
　前記基板上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層をエピタキシャル成長させて形成する第一層形成工程と，
　前記第一層に対して不活性ガス雰囲気でアニール処理を行うアニール工程と，
　を備えた，
窒化物半導体テンプレートの製造方法。」
＜相違点４ａ＞
　本件発明１では，「前記アニール工程後の前記第一層上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第二層を気相成長によりエピタキシャル成長させて形成し，前記第一層と前記第二層とで前記窒化物半導体層を構成する第二層形成工程」を備えるのに対し，引用発明４では，当該工程を備えることが特定されていない点。
＜相違点４ｂ＞
　本件発明１では「前記アニール工程後の前記第一層の表面の表面粗さＲＭＳを，前記第一層形成工程後で前記アニール工程前における前記第一層の表面の表面粗さＲＭＳよりも大きくする」のに対し，引用発明４では，加熱処理前と加熱処理後の表面粗さＲＭＳについて特定されていない点。
　次に，上記ア〜オをふまえ，本件発明２と引用発明４を対比すると，両者の一致点及び相違点は以下のとおりとなる。
＜一致点＞
　「基板上に窒化物半導体層が形成されてなる窒化物半導体テンプレートの製造方法であって，
　前記基板上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層をエピタキシャル成長させて形成する第一層形成工程と，
　前記第一層に対して不活性ガス雰囲気でアニール処理を行うアニール工程と，
　を備えた，
窒化物半導体テンプレートの製造方法。」
＜相違点４ａ’＞
　本件発明２では，「前記アニール工程後の前記第一層上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第二層を気相成長によりエピタキシャル成長させて形成し，前記第一層と前記第二層とで前記窒化物半導体層を構成する第二層形成工程」を備えるのに対し，引用発明４では，当該工程を備えることが特定されていない点。
＜相違点４ｃ＞
　本件発明２では，「前記第一層形成工程，前記アニール工程および前記第二層形成工程を，同一の成長装置を用いて連続的に行う」のに対し，引用発明４では，各工程を「同一の成長装置を用いて連続的に行う」ことが特定されていない点。
　上記相違点のうち，相違点４ａ及び４ａ’は，上記１．（１）の（１．２）で指摘した相違点１と同一である。そして，上記２．（２）の（１．２）で検討したとおり，相違点１に係る事項は，甲４号証には記載も示唆もされていない事項である。
　そうすると，本件発明１又は本件発明２のうちいずれかの構成を全て含む発明である本件発明４と引用発明４とは，相違点４ａ又は４ａ’について相違するから，本件発明４は引用発明４と同一ではない。
（３）申立理由３についてのまとめ
　以上のとおり，本件発明４は甲４号証に記載された発明ではないから，特許法２９条１項３号に該当する発明ではない。
４．申立理由４（実施可能要件）について
（１）本件発明１について
　本件特許明細書の発明の詳細な説明（以下「本件明細書」という。）には，本件発明１に特定される各工程に対応する記載として，以下のような記載が見られる。
ア　「前記基板上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層をエピタキシャル成長させて形成する第一層形成工程」については，本件明細書の段落００４６〜００５２に，ＨＶＰＥ装置を用いて成膜を行うことが記載され，導入するガスの種類や流量，成長温度や成膜する厚さについて説明されている。
イ　「前記第一層に対して不活性ガス雰囲気でアニール処理を行うアニール工程」については，本件明細書の段落００５４にＮ２ガス雰囲気でアニールを行うことが記載されており，段落００５６〜００５８及び図４には，「第一層１３の厚さが１００ｎｍ，２００ｎｍ，３２０ｎｍ，４６０ｎｍ，５７０ｎｍ，８００ｎｍ，８４０ｎｍ，１０２０ｎｍのいずれかであり，アニール無しの場合またはアニール温度が１５００〜１８５０℃であり，アニール処理の時間が１時間」の場合のＸＲＣ測定の（１０−１２）半値幅の測定結果等から，「第一層１３の厚さが１００〜８００ｎｍの範囲で，アニール処理を１６００〜１８００℃の温度範囲で，かつ，３０〜１８０分の時間で行う。」（段落００５８）との具体的条件が導出されることが記載されている。
ウ　「前記アニール工程後の前記第一層上に，アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第二層を気相成長によりエピタキシャル成長させて形成し，前記第一層と前記第二層とで前記窒化物半導体層を構成する第二層形成工程」については，本件明細書の段落００６３〜００６８に，ＨＶＰＥ装置を用いた具体的な成膜条件が記載されている。
エ　「前記アニール工程後の前記第一層の表面の表面粗さＲＭＳを，前記第一層形成工程後で前記アニール工程前における前記第一層の表面の表面粗さＲＭＳよりも大きくする」ことについて，本件明細書の段落００６０には「具体的には，第一層形成工程（Ｓ２）後でアニール工程（Ｓ３）前の第一層１３の表面の表面粗さＲＭＳが０．３〜１０ｎｍであるのに対して，アニール工程（Ｓ３）後の第一層１３の表面の表面粗さＲＭＳが１〜５０ｎｍであるといったように，それぞれの表面粗さＲＭＳに変化が生じる。」との記載がある。
　また，本件明細書の段落００６１には「すなわち，表面が荒れている場合には，転位が存在していなくても，表面での原子位置あるいは格子面の向きに付加的な自由度が生じるため，（０００２）回折あるいは（０００４）回折の半値幅が大きく観測される場合がある。このことから考えて，少なくともアニール温度が１８００℃以下の範囲では，
図４でみられる（０００２）回折の半値幅の増大は，第一層１３の転位密度の増大を反映したものではなく，表面荒れによるものと考えられる
　そして，同じ段落００６１には，第一層の厚さとアニール温度の関係についての段落００５６〜００５８に記載された実験について，「例えば，第一層１３の表面に対するＸＲＣ測定の（０００２）回折あるいは（０００４）回折の半値幅については，アニール工程（Ｓ３）後の値が，第一層形成工程（Ｓ２）後でアニール工程（Ｓ３）前における値よりも大きくなる。具体的には，
図４に示したように，第一層形成工程（Ｓ２）後でアニール工程（Ｓ３）前の第一層１３の表面に対するＸＲＣ測定の（０００２）回折あるいは（０００４）回折の半値幅は，第一層１３の厚さが少なくとも８００ｎｍ以下の場合には，５０〜２００秒である。これに対して，アニール工程（Ｓ３）後の第一層１３の表面に対するＸＲＣ測定の（０００２）回折あるいは（０００４）回折の半値幅は，１６００〜１８００℃のアニール処理に対して，１００〜６００秒である
　上記ア〜エのとおり，本件明細書は，本件発明１に係る各工程について具体的な記載がされているから，当業者が本件発明１を実施できる程度に明確かつ十分に説明されたものといえる。
（２）本件発明３〜６について
　本件発明３に係る事項については，本件明細書の段落００５０に具体的な厚さが例示されている。
　本件発明４に係る事項については，本件明細書の段落００５５に，「平均転位密度が１×１０９個／ｃｍ２以下となる場合には，ＸＲＣ測定の（１０−１２）回折の半値幅が概ね４００秒以下となることに対応している。」と記載され，段落００５７には，ＸＲＣ測定の（１０−１２）回折の半値幅が４００秒以下となるアニール温度が，第一層の厚さが３２０ｎｍ以下の場合には１６００〜１８００℃，第一層の厚さが４６０ｎｍの場合には１７２０〜１８００℃の範囲であり，この条件において，転位密度に換算して１×１０９個／ｃｍ２以下となっていることが記載されている。
　本件発明５に係る事項については，本件明細書の段落００６３〜００６７において，具体的な成膜条件が記載されている。
　本件発明６に係る事項については，本件明細書の段落００２２に記載されている。
　したがって，本件明細書には，本件発明３〜６に係る事項について具体的な記載がされているから，当業者が本件発明３〜６を実施可能な程度に明確かつ十分に説明されたものといえる。
（３）申立理由４についてのまとめ
　以上のとおり，本件特許明細書の発明の詳細な説明は，本件発明１，３〜６を当業者が実施可能な程度に明確かつ十分に記載されたものである。
５．申立理由５（サポート要件）について
　上記４．で示したとおり，本件発明１，３〜６に特定される事項は，いずれも本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された事項である。
　したがって，本件発明１，３〜６は，本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であり，サポート要件を満たすものである。
第６　結言
　したがって，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，特許異議申立書に記載した特許異議申立ての理由によっては，取り消すことはできない。また，他に本件特許の請求項１〜６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年１０月１３日（２０２１．１０．１３）