(57)【要約】【課題】TiN電極又はTa電極を含む多層膜の成膜時においてTiN又はTaの酸化による影響を低減するための技術を提供する。【解決手段】例示的実施形態に係る基板製造方法は第１成膜装置に支持基体を準備する工程と第１成膜装置を用いて支持基体を有する第１基板生産物を形成する工程とを備える。第１成膜装置はプラズマを用いた成膜が真空一貫の状態で行えるように構成される。第１基板生産物を形成する工程は第１基板生産物を真空一貫の状態で形成する。第１基板生産物は支持基体と第１積層領域と金属領域とを有する。第１積層領域は支持基体上に設けられる。金属領域は第１積層領域上に設けられ第１金属層と第２金属層とを有する。第１金属層は第１積層領域上に設けられ、第２金属層は第１金属層上に設けられる。第１金属層の材料はTiN又はTaを有し、第２金属層の材料はTaN又はRuを有する。【選択図】図１
2020191320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを用いた基板製造方法であって、
当該基板製造方法は、
第１成膜装置に支持基体を準備する工程と、
前記第１成膜装置を用いて前記支持基体を有する第１基板生産物を形成する工程と、
を備え、
前記第１成膜装置は、プラズマを用いた成膜が大気に晒されることなく真空一貫の状態で行えるように構成され、
前記第１基板生産物を形成する前記工程は、前記第１基板生産物を真空一貫の状態で形成し、
前記第１基板生産物は、前記支持基体と第１積層領域と金属領域とを有し、
前記第１積層領域は、前記支持基体上に設けられ、
前記金属領域は、前記第１積層領域上に設けられ、第１金属層と第２金属層とを有し、
前記第１金属層は、前記第１積層領域上に設けられ、
前記第２金属層は、前記第１金属層上に設けられ、
前記第１金属層の材料は、TiN又はTaを有し、
前記第２金属層の材料は、TaN又はRuを有する、
基板製造方法。
【請求項２】
第２成膜装置に前記第１基板生産物を準備する工程と、
前記第２成膜装置を用いて前記第１基板生産物を有する第２基板生産物を形成する工程と、
を更に備え、
前記第２成膜装置は、プラズマを用いた成膜が行えるように構成され、
前記第２基板生産物は、前記第１基板生産物と第２積層領域とを有し、
前記第２積層領域は、前記第１基板生産物の前記第２金属層上に設けられ、窒化シリコン層を有し、
前記窒化シリコン層は、前記第２金属層上に設けられる、
請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項３】
エッチング装置に、前記第２基板生産物を準備する工程と、
前記エッチング装置を用いて、前記第２積層領域と前記第２金属層とを連続的にエッチングする工程と、
を更に備え、
前記エッチング装置は、プラズマを用いたエッチングが行えるように構成される、
請求項２に記載の基板製造方法。
【請求項４】
前記第１積層領域は、磁気トンネル接合領域を有する、
請求項１〜３の何れか一項に記載の基板製造方法。
【請求項５】
プラズマを用いて基板生産物を処理する処理システムであって、
当該処理システムは、
成膜装置と、
前記成膜装置の動作を制御するように構成された制御装置と、
を備え、
前記成膜装置は、プラズマを用いた成膜が大気に晒されることなく真空一貫の状態で行えるように構成され、
前記制御装置は、
前記成膜装置に支持基体が準備された後に、真空一貫の状態で、前記支持基体上に第１積層領域を形成し前記第１積層領域上にTiN又はTaの第１金属層を形成し前記第１金属層上にTaN又はRuの第２金属層を形成するように、前記成膜装置を制御する、
処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の例示的実施形態は、基板製造方法、及び、処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気トンネル接合（MTJ：Magnetoresistive  Tunnel  Junction）を有する半導体装置を形成する方法が種々開発されている。特許文献１には、導電性層を有する磁気トンネル接合構造体を基板上に形成する方法が開示される。この方法は、パターニング膜層を堆積する前に導電性層上に犠牲層を堆積する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１１−５０４３０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
磁気トンネル接合を有する半導体装置にTiN電極又はTa電極が設けられる場合があり得る。本開示は、TiN電極又はTa電極を含む多層膜の成膜時においてTiN又はTaの酸化による影響を低減するための技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一つの例示的実施形態において、基板製造方法が提供される。基板製造方法は、第１成膜装置に支持基体を準備する工程と、第１成膜装置を用いて支持基体を有する第１基板生産物を形成する工程と、を備える。第１成膜装置は、プラズマを用いた成膜が大気に晒されることなく真空一貫の状態で行えるように構成される。第１基板生産物を形成する工程は、第１基板生産物を真空一貫の状態で形成する。第１基板生産物は、支持基体と第１積層領域と金属領域とを有する。第１積層領域は、支持基体上に設けられる。金属領域は、第１積層領域上に設けられ、第１金属層と第２金属層とを有する。第１金属層は、第１積層領域上に設けられる。第２金属層は、第１金属層上に設けられる。第１金属層の材料は、TiN又はTaを有する。第２金属層の材料は、TaN又はRuを有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、TiN電極又はTa電極を含む多層膜の成膜時においてTiN又はTaの酸化による影響を低減するための技術を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、一つの例示的実施形態に係る基板製造方法の構成の一例を示す図である。
【図２】図２は、図１に示す基板製造方法を実行し得る処理システムの一例を示す図である。
【図３】図３は、図１に示す基板製造方法の実行に伴う基板生産物の変化の様子の一例を示す図である。
【図４】図４は、図３に示す基板生産物の積層構造の一例を示す図である。
【図５】図５は、図１に示す基板製造方法によって製造される基板生産物の効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、種々の例示的実施形態について説明する。一つの例示的実施形態において、基板製造方法が提供される。基板製造方法は、第１成膜装置に支持基体を準備する工程と、第１成膜装置を用いて支持基体を有する第１基板生産物を形成する工程と、を備える。第１成膜装置は、プラズマを用いた成膜が大気に晒されることなく真空一貫の状態で行えるように構成される。第１基板生産物を形成する工程は、第１基板生産物を真空一貫の状態で形成する。第１基板生産物は、支持基体と第１積層領域と金属領域とを有する。第１積層領域は、支持基体上に設けられる。金属領域は、第１積層領域上に設けられ、第１金属層と第２金属層とを有する。第１金属層は、第１積層領域上に設けられる。第２金属層は、第１金属層上に設けられる。第１金属層の材料は、TiN又はTaを有する。第２金属層の材料は、TaN又はRuを有する。
【０００９】
第１積層領域及び金属領域の形成後に、基板生産物が第１成膜装置から取り出され、基板生産物が大気（特に酸素）に暴露される場合があり得る。しかしながら、一つの例示的実施形態に係る基板製造方法によれば、第１成膜装置において真空一貫の環境の下で第１積層領域及び金属領域の形成が可能である。更に、金属領域に含まれるTiN又はTaの第１金属層は、金属領域に含まれるTaN又はRuの第２金属層によって覆われる。従って、TiN又はTaの第１金属層に対する酸素の影響が低減され、第１金属層において酸化物の形成を抑制させ得る。
【００１０】
一つの例示的実施形態に係る基板製造方法は、第２成膜装置に第１基板生産物を準備する工程と、第２成膜装置を用いて第１基板生産物を有する第２基板生産物を形成する工程と、を更に備える。第２成膜装置は、プラズマを用いた成膜が行えるように構成される。第２基板生産物は、第１基板生産物と第２積層領域とを有する。第２積層領域は、第１基板生産物の第２金属層上に設けられ、窒化シリコン層を有する。窒化シリコン層は、第２金属層上に設けられる。TiN又はTaの第１金属層とTaN又はRuの第２金属層とを形成した後であれば、第２金属層上に更に成膜を行っても、TiN又はTaの第１金属層に対する酸素の影響はTaN又はRuの第２金属層によって回避され得る。
【００１１】
一つの例示的実施形態に係る基板製造方法は、エッチング装置に、第２基板生産物を準備する工程と、エッチング装置を用いて、第２積層領域と第２金属層とを連続的にエッチングする工程と、を更に備える。エッチング装置は、プラズマを用いたエッチングが行えるように構成される。このように、第２積層領域と第２金属層とが連続的にエッチングされ得るので、エッチング処理が比較的に容易となり得る。
【００１２】
一つの例示的実施形態に係る基板製造方法において、第１積層領域は、磁気トンネル接合領域を有し得る。
【００１３】
一つの例示的実施形態において、処理システムが提供される。処理システムは、成膜装置と、成膜装置の動作を制御するように構成された制御装置と、を備える。成膜装置は、プラズマを用いた成膜が大気に晒されることなく真空一貫の状態で行えるように構成される。制御装置は、成膜装置に支持基体が準備された後に、真空一貫の状態で、支持基体上に第１積層領域を形成し第１積層領域上にTiN又はTaの第１金属層を形成し第１金属層上にTaN又はRuの第２金属層を形成するように、成膜装置を制御する。
【００１４】
第１積層領域及び金属領域の形成後に、基板生産物が第１成膜装置から取り出され、基板生産物が大気（特に酸素）に暴露される場合があり得る。しかしながら、一つの例示的実施形態に係る処理システムによれば、第１成膜装置において真空一貫の環境の下で第１積層領域及び金属領域の形成が可能である。更に、金属領域に含まれるTiN又はTaの第１金属層は、金属領域に含まれるTaN又はRuの第２金属層によって覆われる。従って、TiN又はTaの第１金属層に対する酸素の影響が低減され、第１金属層において酸化物の形成を抑制させ得る。
【００１５】
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。図１に示す方法ＭＴは、プラズマを用いた基板製造方法の一つの例示的実施形態である。方法ＭＴは、図２に示す処理システム１によって実行され得る。
【００１６】
処理システム１は、図１に示す方法ＭＴの実行に用いられ得る。処理システム１は、プラズマを用いて基板生産物を処理する処理システムの一つの例示的実施形態である。処理システム１は、成膜システム１１とエッチング装置１２と制御装置Ｃｎｔとを備える。
【００１７】
成膜システム１１は、第１成膜装置１１ａ、第２成膜装置１１ｂを備える。第１成膜装置１１ａ、第２成膜装置１１ｂは、何れも、プラズマを用いて成膜を行うための構成を有する。
【００１８】
処理システム１は、成膜システム１１とエッチング装置１２との間において、基板生産物の移動が可能となるように構成される。成膜システム１１は、第１成膜装置１１ａと第２成膜装置１１ｂとの間において、基板生産物の移動が可能となるように構成される。
【００１９】
第１成膜装置１１ａは、プラズマを用いた成膜が大気（酸素）に晒させることなく真空一貫の状態で行えるように構成される。より具体的に、第１成膜装置１１ａは、複数の処理モジュール及びロードロックモジュール等を備え、材料が異なる複数の層（例えば、図４に示す第１積層領域ＲＡ及び金属領域ＲＢ）の形成が行えるように構成される。
【００２０】
第２成膜装置１１ｂは、プラズマを用いた成膜が行えるように構成される。より具体的に、第２成膜装置１１ｂは、複数の処理モジュール及びロードロックモジュール等を備え、材料が異なる複数の層（例えば、図４に示す第２積層領域ＲＣ）の形成が行えるように構成される。
【００２１】
エッチング装置１２は、プラズマを用いたエッチングが行えるように構成される。
【００２２】
制御装置Ｃｎｔは、処理システム１を統括的に制御するように構成される。制御装置Ｃｎｔは、より具体的に、第１成膜装置１１ａ、第２成膜装置１１ｂ、エッチング装置１２の動作を制御するように構成される。制御装置Ｃｎｔは、CPU、ROM、RAM等を備え、ROM等のメモリに格納されたコンピュータプログラムをCPUに実行させることによって、処理システム１を制御する。
【００２３】
制御装置Ｃｎｔは、例えば、処理システム１を制御することによって図１のフローチャートに示されている方法ＭＴを実行し得る。方法ＭＴは、図１に示すように、工程ＳＴ１〜工程ＳＴ６を有する。
【００２４】
制御装置Ｃｎｔは、まず、第１成膜装置１１ａに支持基体ＳＷを準備する（工程ＳＴ１）。第１成膜装置１１ａに支持基体ＳＷが準備された後（工程ＳＴ１の後）に、制御装置Ｃｎｔは、第１成膜装置１１ａを制御することによって工程ＳＴ２を実行する。工程ＳＴ２は、支持基体ＳＷを有する基板生産物Ｗ１を、第１成膜装置１１ａを用いて大気（酸素）に暴露することなく真空一貫の状態で形成する工程である。
【００２５】
基板生産物Ｗ１は、図３に示すように、支持基体ＳＷ、第１積層領域ＲＡ、金属領域ＲＢを有する。第１積層領域ＲＡは、支持基体ＳＷ上に設けられる。第１積層領域ＲＡは、支持基体ＳＷに接する。
【００２６】
金属領域ＲＢは、第１積層領域ＲＡ上に設けられ、第１金属層ＳＢ１と第２金属層ＳＢ２とを有する。第１金属層ＳＢ１は、第１積層領域ＲＡ上に設けられる。第１金属層ＳＢ１は、第１積層領域ＲＡに接する。第２金属層ＳＢ２は、第１金属層ＳＢ１上に設けられる。第２金属層ＳＢ２は、第１金属層ＳＢ１に接する。金属領域ＲＢは、電極として用いられ得る。
【００２７】
第１金属層ＳＢ１の材料は、TiN又はTaを有し得る。第２金属層ＳＢ２の材料は、TaN又はRuを有し得る。
【００２８】
工程ＳＴ２において、第１積層領域ＲＡおよび金属領域ＲＢは、マグネトロンスパッタリング法により形成され得る。
【００２９】
このように工程ＳＴ２において、制御装置Ｃｎｔは、支持基体ＳＷ上に第１積層領域ＲＡを形成し、第１積層領域ＲＡ上に第１金属層ＳＢ１を形成し、第１金属層ＳＢ１上に第２金属層ＳＢ２を形成するように、第１成膜装置１１ａを制御する。
【００３０】
第１積層領域ＲＡ及び金属領域ＲＢの形成後に、基板生産物Ｗ１が第１成膜装置１１ａから取り出され、基板生産物Ｗ１が大気（特に酸素）に暴露される場合がある。TiN又はTaの第１金属層ＳＢ１が酸素に晒される場合には酸素が第１金属層ＳＢ１の内部に入り込み第１金属層ＳＢ１の一部が酸化され第１金属層ＳＢ１の内部に酸化物が生じ得る。第１金属層ＳＢ１の内部に生じた酸化物によって、第１金属層ＳＢ１の経時変化が比較的に大きくなり得る。更に、第１金属層ＳＢ１のエッチング（例えば後述する工程ＳＴ６）では、第１金属層ＳＢ１に生じた酸化物による残渣が第１積層領域ＲＡ上に生じ得る。
【００３１】
これに対し、方法ＭＴの工程ＳＴ２によれば、第１成膜装置１１ａにおいて大気（酸素）に晒すことなく真空一貫の環境の下で第１積層領域ＲＡ及び金属領域ＲＢの形成が可能である。更に、方法ＭＴの工程ＳＴ２によれば、金属領域ＲＢに含まれるTiN又はTaの第１金属層ＳＢ１は、金属領域ＲＢに含まれるTaN又はRuの第２金属層ＳＢ２によって覆われる。従って、TiN又はTaの第１金属層ＳＢ１上にTaN又はRuの第２金属層ＳＢ２が設けられることによって、TiN又はTaの第１金属層ＳＢ１に対する酸素の影響が低減され、第１金属層ＳＢ１において酸化物の形成が抑制され得る。例えば、第１金属層ＳＢ１の経時変化が低減され、第１金属層ＳＢ１のエッチング（例えば後述する工程ＳＴ６）ではエッチング後に第１積層領域ＲＡ上に生じ得る残渣が低減され得る。
【００３２】
TiNの第１金属層ＳＢ１内の酸素の原子比率をRutherford  Backscattering  Spectrometry（RBS）分析によって測定した。この測定によれば、金属領域ＲＢにTaN又はRuの第２金属層ＳＢ２が設けられていない場合には、3.5［Atomic％］であった。これに対し、図３及び図４に示すように金属領域ＲＢにTaNの第２金属層ＳＢ２がTiNの第１金属層ＳＢ１上に設けられている場合、及び、金属領域ＲＢにRuの第２金属層ＳＢ２が設けられている場合の何れの場合があり得る。このような二つの場合の何れにおいても、0.0［Atomic％］であった。
【００３３】
更に、図５には、酸素の原子比率をRBS分析によって測定した結果がグラフＧＦ１及びグラフＧＦ２に示されている。グラフＧＦ１には、金属領域ＲＢにTaN又はRuの第２金属層ＳＢ２がTiNの第１金属層ＳＢ１上に設けられていない場合における第１積層領域ＲＡ内及び金属領域ＲＢ内の酸素の原子比率の測定結果が示されている。グラフＧＦ２には、金属領域ＲＢにTaN又はRuの第２金属層ＳＢ２がTiNの第１金属層ＳＢ１上に設けられている場合（図３及び図４に示す場合）における第１積層領域ＲＡ内及び金属領域ＲＢ内の酸素の原子比率の測定結果が示されている。
【００３４】
図５に示す横軸は、グラフＧＦ１及びグラフＧＦ２の何れにおいても、TiNの第１金属層ＳＢ１の表面からの深さ［Depth／1015atoms・cm-2］を表している。図５に示す縦軸は、グラフＧＦ１及びグラフＧＦ２の何れにおいても、原子比率［Atomic  ratio］（上記［Atomic  ％］の1/100倍）を表している。
【００３５】
図５において、TiNの第１金属層ＳＢ１内の酸素の原子比率は、グラフＧＦ１には領域Ｒ１として示され、グラフＧＦ２には領域Ｒ２として、示されている。領域Ｒ１及び領域Ｒ２のそれぞれに示されている酸素の原子比率を比較すれば、グラフＧＦ２の方が、グラフＧＦ１よりも、TiNの第１金属層ＳＢ１内の酸素の原子比率は低い。図３及び図４に示されているように金属領域ＲＢにTaN又はRuの第２金属層ＳＢ２が設けられている場合の方が、金属領域ＲＢにTaN又はRuの第２金属層ＳＢ２が設けられていない場合よりも、TiNの第１金属層ＳＢ１内の酸素の原子比率は低い。
【００３６】
図１に戻って方法ＭＴの説明を続ける。工程ＳＴ２に引き続く工程ＳＴ３において、制御装置Ｃｎｔは、基板生産物Ｗ１を第１成膜装置１１ａから取り出し、基板生産物Ｗ１を第２成膜装置１１ｂに移動する。制御装置Ｃｎｔは、工程ＳＴ３において、基板生産物Ｗ１を第２成膜装置１１ｂに準備する。工程ＳＴ３は、第２成膜装置１１ｂに基板生産物Ｗ１を準備する工程である。
【００３７】
工程ＳＴ３に引き続き、制御装置Ｃｎｔは、第２成膜装置１１ｂを制御することによって工程ＳＴ４を実行する。工程ＳＴ４は、第２成膜装置１１ｂを用いて基板生産物Ｗ１を有する基板生産物Ｗ２を形成する工程である。基板生産物Ｗ２は、図３に示すように、基板生産物Ｗ１と第２積層領域ＲＣとを有する。第２積層領域ＲＣは、基板生産物Ｗ１の第２金属層ＳＢ２上に設けられる。第２積層領域ＲＣは、窒化シリコン層ＳＣ１を有する。窒化シリコン層ＳＣ１は、第２金属層ＳＢ２上に設けられる。窒化シリコン層ＳＣ１は、第２金属層ＳＢ２に接する。
【００３８】
工程ＳＴ４では、第２積層領域ＲＣ上に、エッチングパターンを画定するフォトレジストＰＲが形成される。フォトレジストＰＲは、工程ＳＴ６において実行されるエッチングに用いられる。
【００３９】
第１成膜装置１１ａを用いてTiN又はTaの第１金属層ＳＢ１とTaN又はRuの第２金属層ＳＢ２とを形成し得る。この場合、この形成の後であれば、第２金属層ＳＢ２上に更に成膜を行っても、TiN又はTaの第１金属層ＳＢ１に対する酸素の影響は第２金属層ＳＢ２によって回避され得る。
【００４０】
工程ＳＴ４に引き続く工程ＳＴ５において、制御装置Ｃｎｔは、基板生産物Ｗ２を第２成膜装置１１ｂから取り出し、基板生産物Ｗ２をエッチング装置１２に移動する。制御装置Ｃｎｔは、工程ＳＴ５において、基板生産物Ｗ２をエッチング装置１２に準備する。工程ＳＴ５は、エッチング装置１２に基板生産物Ｗ２を準備する工程である。
【００４１】
工程ＳＴ５に引き続き、制御装置Ｃｎｔは、エッチング装置１２を制御することによって工程ＳＴ６を実行する。工程ＳＴ６は、エッチング装置１２を用いて、第２積層領域ＲＣと第２金属層ＳＢ２とを連続的にエッチングする工程である。
【００４２】
工程ＳＴ６において第２積層領域ＲＣと第２金属層ＳＢ２とを連続的にエッチングするプロセス条件は、例えば次のような条件であり得る。すなわち、当該プロセス条件は、10〜50［mT］の圧力の下で、200〜1000［W］の電離用の電力及び30〜300［W］のバイアス用の電力を印加することによって、第１エッチングガスからプラズマを生成する条件であり得る。第１エッチングガスは、例えば、CF4ガス（50〜150［sccm］）、CHF3ガス（50〜150［sccm］）、及びO2ガス（5〜30［sccm］）を含有する混合ガスであり得る。
【００４３】
工程ＳＴ６は、第２積層領域ＲＣと第２金属層ＳＢ２のエッチングに引き続き、TiN又はTaの第１金属層ＳＢ１をエッチングする。工程ＳＴ６においてTiN又はTaの第１金属層ＳＢ１をエッチングするプロセス条件は、例えば次のような条件であり得る。すなわち、当該プロセス条件は、10〜50［mT］の圧力の下で、200〜1000［W］の電離用の電力及び30〜300［W］のバイアス用の電力を印加することによって、第２エッチングガスからプラズマを生成する条件であり得る。第２エッチングガスは、例えば、BCl3ガス（30〜150［sccm］）、Cl2ガス（30〜150［sccm］）、C4F8ガス（3〜20［sccm］）、及びArガス（50〜300［sccm］）を含有する混合ガスであり得る。
【００４４】
このように、工程ＳＴ６において第２積層領域ＲＣと第２金属層ＳＢ２とが連続的にエッチングされ得る。従って、第２積層領域ＲＣ及び第２金属層ＳＢ２のエッチング処理が比較的に容易となり得る。
【００４５】
一つの例示的実施形態では、図３に示す基板生産物Ｗ１〜Ｗ３の構成は、一例として、MRAM（Magnetoresistive  Random  Access  Memory）の製造に用いられ得る。第１積層領域ＲＡは、一例として、磁気トンネル接合（MTJ：Magnetoresistive  Tunnel  Junction）領域を有する。この場合、制御装置Ｃｎｔは、MTJ領域を有する第１積層領域ＲＡを支持基体ＳＷ上に形成するように、第１成膜装置１１ａを制御する。金属領域ＲＢは、MRAMの電極として用いられ得る。
【００４６】
図４に、第１積層領域ＲＡがMTJ領域を有する場合の基板生産物Ｗ２の構成を例示する。第１積層領域ＲＡは、層ＬＹ１〜層ＬＹ１５を有する。金属領域ＲＢは、層ＬＹ１６、層ＬＹ１７を有する。第２積層領域ＲＣは、層ＬＹ１８〜層ＬＹ２１を有する。
【００４７】
第１積層領域ＲＡにおいて、層ＬＹ１〜層ＬＹ１５は、支持基体ＳＷ上に順に積層される。金属領域ＲＢにおいて、層ＬＹ１６、層ＬＹ１７は、第１積層領域ＲＡ上に（層ＬＹ１５上に）順に積層される。第２積層領域ＲＣにおいて、層ＬＹ１８〜ＬＹ２１は、金属領域ＲＢ上に（層ＬＹ１７上に）順に積層される。
【００４８】
層ＬＹ１〜層ＬＹ１５は、MTJ領域に対応する。層ＬＹ１６は、図３に示す第１金属層ＳＢ１の一例である。層ＬＹ１７は、図３に示す第２金属層ＳＢ２の一例である。層ＬＹ１８は、図３に示す窒化シリコン層ＳＣ１の一例である。
【００４９】
支持基体ＳＷは、表面にSiO2（二酸化ケイ素）層を有するSi（シリコン）基板であり得る。層ＬＹ１は、Ta（タンタル）を有する。層ＬＹ２は、Ru（ルテニウム）を有する。層ＬＹ３は、Taを有する。層ＬＹ４は、Pt（白金）を有する下地層である。層ＬＹ５は、Pt/Co（Co：コバルト）を有する磁性層である。層ＬＹ６は、Coを有する。層ＬＹ７は、Ruを有する。層ＬＹ８は、Pt/Coを有する磁性層である。層ＬＹ９は、Coを有する。層ＬＹ１０は、Taを有する。層ＬＹ１１は、CoFeB（Fe：鉄、B：ホウ素）を有する。層ＬＹ１２は、MgO（酸化マグネシウム）を有する。層ＬＹ１３は、CoFeBを有する。層ＬＹ１４は、Taを有する。層ＬＹ１５は、Ruを有する。
【００５０】
層ＬＹ１６（第１金属層ＳＢ１）は、TiN（窒化チタン）を有する。層ＬＹ１７（第２金属層ＳＢ２）は、TaN（窒化タンタル）を有する。
【００５１】
層ＬＹ１８（窒化シリコン層ＳＣ１）は、SiN（窒化シリコン）を有する。層ＬＹ１９は、SiO2を有する。層ＬＹ２０は、SiC（炭化ケイ素）を有する。層ＬＹ２１は、SOG（Spin  On  Glass）層である。
【００５２】
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる例示的実施形態における要素を組み合わせて他の例示的実施形態を形成することが可能である。
【００５３】
以上の説明から、本開示の種々の例示的実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の例示的実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
【符号の説明】
【００５４】
１…処理システム、１１…成膜システム、１１ａ…第１成膜装置、１１ｂ…第２成膜装置、１２…エッチング装置、Ｃｎｔ…制御装置、ＧＦ１…グラフ、ＧＦ２…グラフ、ＬＹ１〜ＬＹ２１…層、ＭＴ…方法、ＰＲ…フォトレジスト、Ｒ１…領域、Ｒ２…領域、ＲＡ…第１積層領域、ＲＢ…金属領域、ＲＣ…第２積層領域、ＳＢ１…第１金属層、ＳＢ２…第２金属層、ＳＣ１…窒化シリコン層、ＳＷ…支持基体、Ｗ１…基板生産物、Ｗ２…基板生産物、Ｗ３…基板生産物。
【図１】
2020191320.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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