(57)【要約】【課題】走査線から半導体層への電気的な影響を抑制することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００の第１基板１９において、トランジスター３０のゲート電極３３ａと走査線３ａとの層間には、定電位が印加された第１容量電極４ａおよび画素電極９ａと電気的に接続された第２容量電極５ａを備えた蓄積容量素子５５が設けられ、蓄積容量素子５５は、トランジスター３０の半導体層３１ａと重なっている。このため、画素電極９ａの側から入射した光やその回折光が半導体層３１ａに入射することを防止できるとともに、走査線３ａの電位の半導体層３１ａへの影響を抑制することができる。半導体層３１ａの第１領域３１ｄのチャネ幅方向の両側には、コンタクトホール内の第１容量電極４ａによって遮光壁が設けられている。【選択図】図９
2020086343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を有するトランジスターと、
前記ゲート電極と電気的に接続された走査線と、
前記ゲート電極と前記走査線との層間に定電位が印加された第１容量電極を有する蓄積容量素子と、
を備え、
前記蓄積容量素子は、前記トランジスターの半導体層と重なっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重なるチャネル領域と、画素電極と電気的に接続された高濃度不純物領域と、前記チャネル領域と前記高濃度不純物領域との間に設けられ、前記高濃度不純物領域より不純物濃度が低い低濃度不純物領域と、を含み、
前記蓄積容量素子は、少なくとも前記低濃度不純物領域と重なっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置において、
第１基板と前記半導体層との間で前記低濃度不純物領域と重なる第１遮光層と、
前記第１容量電極と対向する第２容量電極と、
前記第１容量電極および前記第２容量電極のうちの一方の電極と前記第１遮光層とを電気的に接続する第１コンタクトホールを有する層間絶縁層と、
を備え、
前記第１コンタクトホールは、前記低濃度不純物領域を幅方向の両側で挟む２つの領域で前記低濃度不純物領域に沿って延在していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置において、
前記第１コンタクトホールは、前記低濃度不純物領域に沿うと共に、前記高濃度不純物領域に沿って延在していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の電気光学装置において、
前記蓄積容量素子と前記第１遮光層との間に設けられた前記層間絶縁層には、前記半導体層と重ならない領域で前記第１基板側に向けて凹んだ凹部が設けられており、
前記蓄積容量素子は、前記半導体層と重なる位置から前記凹部の底部まで延在していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置において、
前記蓄積容量素子は、前記一方の電極が前記第１容量電極および前記第２容量電極のうちの他方の電極より前記第１基板側に設けられており、
前記第１遮光層は、前記凹部の底部まで延在して前記一方の電極と接していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項３から６までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記一方の電極は前記第１容量電極であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項３から６までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記一方の電極は前記第２容量電極であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項３から８までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１基板と前記半導体層との間で前記チャネル領域と重なる第２遮光層と、
前記ゲート電極および前記走査線のうちの少なくとも一方と前記第２遮光層とを電気的に接続する第２コンタクトホールと、
を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１から９までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
第１基板に対向する第２基板と、
前記第２基板の前記第１基板側の面に形成された共通電極と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、
を有し、
前記定電位は、前記共通電極に印加される共通電位であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスターおよび蓄積容量素子が基板に設けられた電気光学装置、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置において、画素の開口率の向上等を目的に、画素スイッチング用のトランジスターのゲート電極にコンタクトホールを介して走査線が上層側から接続し、ゲート電極と同一層の導電膜によって、蓄積容量素子を構成した態様が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−７８０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の態様では、トランジスターの半導体層のうち、画素電極が接続されるドレイン領域の全体に走査線が薄い絶縁膜を介して重なる。このため、走査線に供給される走査信号の電位の影響がチャネル領域とドレイン領域との間に及びやすいという課題がある。より具体的には、走査線からゲート電位に負のオフ電位が供給された場合でも、かかる電位がチャネル領域とドレイン領域との間に影響を及ぼすと、トランジスターのリーク電流が大きく跳ね上がってしまう。かかる問題は、ドレイン領域のうち、ゲートの端部と重なる領域に低濃度不純物領域を設けた場合でも、十分に抑制することができない。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の一態様は、ゲート電極を有するトランジスターと、前記ゲート電極と電気的に接続された走査線と、前記ゲート電極と前記走査線との層間に定電位が印加された第１容量電極を有する蓄積容量素子と、を備え、前記蓄積容量素子は、前記トランジスターの半導体層と重なっていることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る電気光学装置は、各種電子機器に用いられる。本発明では、電子機器のうち、投射型表示装置に電気光学装置を用いる場合、投射型表示装置には、電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態１に係る電気光学装置の一態様を示す平面図。
【図２】図１に示す電気光学装置の断面図。
【図３】図１に示す電気光学装置の電気的構成を示すブロック図。
【図４】図１に示す電気光学装置において隣り合う複数の画素の平面図。
【図５】図４に示すトランジスター周辺を拡大して示す平面図。
【図６】図５に示すトランジスターのＡ−Ａ′断面図。
【図７】図５に示すトランジスターのＢ−Ｂ′断面図。
【図８】図５に示すトランジスターのＣ−Ｃ′断面図。
【図９】図５に示す第１遮光層、第２遮光層、半導体層、およびゲート電極等の平面図。
【図１０】図５に示す第１容量電極、および第２容量電極等の平面図。
【図１１】図５に示す走査線等の平面図。
【図１２】図５に示すデータ線等の平面図。
【図１３】図５に示す容量線等の平面図。
【図１４】本発明の実施形態２に係る電気光学装置の説明図。
【図１５】図１４に示すトランジスターのＤ−Ｄ′断面図。
【図１６】図１５に示す第１容量電極および第２容量電極等の平面図。
【図１７】本発明の実施形態３に係る電気光学装置の説明図。
【図１８】図１７に示すトランジスターのＥ−Ｅ′断面図。
【図１９】図１７に示すトランジスターのＦ−Ｆ′断面図。
【図２０】図１７に示すトランジスターのＧ−Ｇ′断面図。
【図２１】図１７に示す第１容量電極および第２容量電極等の平面図。
【図２２】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第１基板１９の面内方向で、互いに交差する２方向をＸ軸方向およびＹ軸方向として説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは基板が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは基板が位置する側を意味する。
【０００９】
［実施形態１］
（電気光学装置の構成）
図１は、本発明の実施形態１に係る電気光学装置１００の一態様を示す平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００の断面図である。図１および図２に示すように、電気光学装置１００では、第１基板１９と第２基板２９とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、第１基板１９と第２基板２９とが対向している。シール材１０７は第２基板２９の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１９と第２基板２９との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層８０が配置されている。従って、電気光学装置１００は液晶装置として構成されている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。第１基板１９および第２基板２９はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１０ａの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。
【００１０】
第１基板１９は、素子基板１０の基板本体であり、石英基板やガラス基板等の透光性基板からなる。第１基板１９の第２基板２９側の一方面１９ｓ側において、表示領域１０ａの外側には、第１基板１９の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成され、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１９には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００１１】
第１基板１９の一方面１９ｓにおいて、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜等からなる透光性の複数の画素電極９ａ、および複数の画素電極９ａの各々に電気的に接続するトランジスター（図１および図２には図示せず）がマトリクス状に形成されている。画素電極９ａに対して第２基板２９側には第１配向膜１８が形成されており、画素電極９ａは、第１配向膜１８によって覆われている。
【００１２】
第２基板２９は、対向基板２０の基板本体であり、石英基板やガラス基板等の透光性基板からなる。第２基板２９において第１基板１９と対向する一方面２９ｓ側には、ＩＴＯ膜等からなる透光性の共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して第１基板１９側には第２配向膜２８が形成されている。共通電極２１は、第２基板２９の略全面に形成されており、第２配向膜２８によって覆われている。第２基板２９の一方面２９ｓ側には、共通電極２１に対して第１基板１９とは反対側に、樹脂、金属または金属化合物からなる遮光性の遮光層２７が形成され、遮光層２７と共通電極２１との間に透光性の保護層２６が形成されている。遮光層２７は、例えば、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り２７ａとして形成されている。遮光層２７は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域に遮光層２７ｂ（ブラックマトリクス）として形成される場合もある。第１基板１９の周辺領域１０ｂのうち、見切り２７ａと平面視で重なるダミー画素領域１０ｃには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｄが形成されている。
【００１３】
第１配向膜１８および第２配向膜２８は、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、電気光学層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第１基板１９および第２基板２９に対して所定の角度を成している。このようにして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置として構成されている。
【００１４】
第１基板１９には、シール材１０７より外側において第２基板２９の角部分と重なる領域に、第１基板１９と第２基板２９との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２９の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１９側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１９の側から共通電位が印加されている。
【００１５】
本形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ膜により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置１００では、第１基板１９および第２基板２９のうち、一方の基板から電気光学層８０に入射した光が他方の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本形態では、矢印Ｌで示すように、第２基板２９から入射した光が第１基板１９を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調され、画像を表示する。
【００１６】
（電気光学装置１００の電気的構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００の電気的構成を示すブロック図である。図３において、電気光学装置１００は、ＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された表示領域１０ａを備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、図１および図２等を参照して説明した第１基板１９では、表示領域１０ａの内側に、Ｘ軸方向に延在する複数の走査線３ａと、Ｙ軸方向に延在する複数のデータ線６ａとが形成されており、複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａとの各交差に対応して複数の画素１００ａが構成されている。複数の走査線３ａは、走査線駆動回路１０４に電気的に接続され、複数のデータ線６ａは、データ線駆動回路１０１に接続されている。また、複数のデータ線６ａには、Ｙ軸方向においてデータ線駆動回路１０１とは反対側で検査回路１０５が電気的に接続している。
【００１７】
複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター等からなる画素スイッチング用のトランジスター３０、およびトランジスター３０に電気的に接続された画素電極９ａが形成されている。トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。データ線６ａには画像信号が供給され、走査線３ａには走査信号が供給される。本形態では、走査線駆動回路１０４は、表示領域１０ａに対してＸ軸方向の一方側Ｘ１および他方側Ｘ２に走査線駆動回路１０４ｓ、１０４ｔとして構成されており、Ｘ軸方向の一方側Ｘ１の走査線駆動回路１０４ｓは、奇数番目の走査線３ａを駆動し、Ｘ軸方向の他方側Ｘ２の走査線駆動回路１０４ｔは、偶数番目の走査線３ａを駆動する。
【００１８】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１および図２を参照して説明した第２基板２９の共通電極２１と電気光学層８０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本実施形態では、保持容量５５を構成するために、第１基板１９には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線７ａが形成されており、容量線７ａには共通電位が供給されている。図３では、１本の容量線７ａがＸ軸方向に延在するように示されているが、容量線７ａは、Ｙ軸方向に延在する構成が採用される他、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の双方に延在する構成が採用される場合もある。
【００１９】
（画素１００ａの概略構成）
図４は、図１に示す電気光学装置１００において隣り合う複数の画素１００ａの平面図である。図５は、図４に示すトランジスター３０周辺を拡大して示す平面図である。図６は、図５に示すトランジスター３０のＡ−Ａ′断面図であり、半導体層３１ａに沿って切断したときの様子を模式的に示す断面図である。図７は、図５に示すトランジスター３０のＢ−Ｂ′断面図であり、第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂを通る位置で切断した様子を模式的に示す断面図である。図８は、図５に示すトランジスター３０のＣ−Ｃ′断面図であり、走査線３ａに沿って切断した様子を模式的に示す断面図である。なお、図４、図５、および後述する等では、各層を認識しやすいように、配線等の幅や厚さの縮尺を異ならしめてある。また、図４および図５および後述する図９〜図１３では、各層を以下の線で表してある。また、図４、図５および後述する図９〜図１３では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
第１遮光層２ａおよび第２遮光層２ｂ＝細くて長い破線
半導体層３１ａ＝細くて短い破線
ゲート電極３３ａ＝細い二点鎖線
第１容量電極４ａ＝細い一点鎖線
第２容量電極５ａ＝細い実線
走査線３ａ＝太い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ、６ｃ＝太くて長い破線
容量線７ａおよび中継電極７ｂ、７ｃ＝太い二点鎖線
画素電極９ａ＝極太の実線
【００２０】
図４および図５に示すように、第１基板１９において第２基板２９と対向する面には、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿って走査線３ａ、データ線６ａ、および容量線７ａが延在している。より具体的には、走査線３ａは、Ｘ軸方向に延在する第１画素間領域９ｂと重なってＸ軸方向に延在し、データ線６ａおよび容量線７ａは、Ｙ軸方向に延在する第２画素間領域９ｃと重なってＹ軸方向に延在している。データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応してトランジスター３０が形成されている。走査線３ａ、データ線６ａ、および容量線７ａは遮光性を有している。従って、走査線３ａ、データ線６ａ、容量線７ａ、およびこれらの配線と同層の導電膜が形成された領域は、光が通過しない遮光領域であり、遮光領域で囲まれた領域は、光が透過する開口領域である。
【００２１】
図６および図７に示すように、第１基板１９において、第１基板１９の一方面１９ｓ側には、層間絶縁層４１〜４６が順に形成されており、層間絶縁層４１、４３〜４６表面は、化学的機械研磨（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）等によって平面になっている。第１基板１９と層間絶縁層４１との間には第１遮光層２ａ、および第２遮光層２ｂが形成され、層間絶縁層４１と層間絶縁層４２との層間には半導体層３１ａおよびゲート電極３３ａが形成されている。層間絶縁層４２と層間絶縁層４３との層間には、第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａを備えた蓄積容量素子５５が形成され、層間絶縁層４３と層間絶縁層４４との層間には走査線３ａが形成されている。層間絶縁層４４と層間絶縁層４５との層間にはデータ線６ａが形成され、層間絶縁層４５と層間絶縁層４６との層間には容量線７ａが形成されている。層間絶縁層４６の第１基板１９とは反対側の面に画素電極９ａおよび第１配向膜１８が順に形成されている。
【００２２】
従って、電気光学装置１００は、第１基板１９の画素電極９ａが設けられた一方面１９ｓ側に、トランジスター３０と、トランジスター３０のゲート電極３３ａに対して第１基板１９とは反対側に設けられた走査線３ａと、ゲート電極３３ａと走査線３ａとの間に第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａを備えた蓄積容量素子５５とを備えている。また、電気光学装置１００は、第１基板１９とトランジスター３０の半導体層３１ａとの間に第１遮光層２ａおよび第２遮光層２ｂを備えている。
【００２３】
（各層の詳細説明）
図５、図６、図７および図８を参照するとともに、以下の図９〜図１３を適宜、参照して、第１基板１９の詳細構成を説明する。図９は、図５に示す第１遮光層２ａ、第２遮光層２ｂ、半導体層３１ａ、およびゲート電極３３ａ等の平面図である。図１０は、図５に示す第１容量電極４ａ、および第２容量電極５ａ等の平面図である。図１１は、図５に示す走査線３ａ等の平面図である。図１２は、図５に示すデータ線６ａ等の平面図である。図１３は、図５に示す容量線７ａ等の平面図である。なお、図９〜図１３には、それらの図に示す電極等の電気的な接続に関連するコンタクトホールを示すとともに、基準となる位置を示すために半導体層３１ａ、および画素電極９ａを示してある。
【００２４】
まず、図９に示すように、第１基板１９において、第１基板１９と半導体層３１ａとの間のうち、第１基板１９と層間絶縁層４１との間には、第２画素間領域９ｃと重なる第１遮光層２ａと、第１遮光層２ａからＹ軸方向の他方側Ｙ２に離間する第２遮光層２ｂとが同一の導電膜によって形成されている。第２遮光層２ｂは、四角形状の本体部分２ｂ１と、第１画素間領域９ｂと重なる位置で本体部分２ｂ１からＸ軸方向の一方側Ｘ１に突出した凸部２ｂ２とを有している。第１遮光層２ａおよび第２遮光層２ｂは、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。本形態において、第１遮光層２ａおよび第２遮光層２ｂは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、タングステン、窒化チタン等の遮光層からなる。
【００２５】
層間絶縁層４２と層間絶縁層４３との間には、画素スイッチング用のトランジスター３０が構成されている。トランジスター３０は、層間絶縁層４２の第１基板１９とは反対側の面に形成された半導体層３１ａと、半導体層３１ａの第１基板１９とは反対側に積層されたゲート絶縁層３２と、ゲート絶縁層３２の第１基板１９とは反対側で半導体層３１ａに平面視で重なるゲート電極３３ａとを備えている。ゲート電極３３ａは、半導体層３１ａと重なる本体部分３３ａ１と、第１画素間領域９ｂと重なる位置で本体部分３３ａ１からＸ軸方向の一方側Ｘ１に突出した凸部３３ａ２とを有しており、凸部３３ａ２は、第２遮光層２ｂの凸部２ｂ２と平面視で重なっている。
【００２６】
半導体層３１ａは、第２画素間領域９ｃと重なるようにＹ軸方向に延在しており、ゲート電極３３ａと平面視で重なるチャネル領域３１ｇと、チャネル領域３１ｇに対してＹ軸方向の一方側Ｙ１で隣接する第１領域３１ｄと、チャネル領域３１ｇに対してＹ軸方向の他方側Ｙ２で隣接する第２領域３１ｓとを備えている。本形態において、トランジスター３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ−Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有している。従って、第１領域３１ｄは、チャネル領域３１ｇから離間する位置に高濃度の不純物が導入された高濃度不純物領域３１ｄ１と、チャネル領域３１ｇと高濃度不純物領域３１ｄ１との間で高濃度不純物領域３１ｄ１より不純物濃度が低い低濃度不純物領域３１ｄ２とを含んでいる。また、第２領域３１ｓは、チャネル領域３１ｇから離間する位置に高濃度の不純物が導入された高濃度不純物領域３１ｓ１と、チャネル領域３１ｇと高濃度不純物領域３１ｓ１との間で高濃度不純物領域３１ｓ１より不純物濃度が低い低濃度不純物領域３１ｓ２とを含んでいる。
【００２７】
第１遮光層２ａは、半導体層３１ａと平面視で重なっている。より具体的には、第１遮光層２ａは、半導体層３１ａの少なくとも低濃度不純物領域３１ｄ２と平面視で重なっている。本形態において、第１遮光層２ａは、半導体層３１ａの低濃度不純物領域３１ｄ２および高濃度不純物領域３１ｄ１の双方に重なっている。第２遮光層２ｂは、半導体層３１ａの少なくともチャネル領域３１ｇと平面視で重なっている。本形態において、第２遮光層２ｂは、半導体層３１ａのチャネル領域３１ｇおよび第２領域３１ｓに平面視で重なっている。
【００２８】
半導体層３１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されており、ゲート絶縁層３２は、半導体層３１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層と、減圧ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層との２層構造からなる。ゲート電極３３ａは、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。
【００２９】
図１０に示すように、第１基板１９において、層間絶縁層４２と層間絶縁層４３との間において、半導体層３１ａおよびゲート電極３３ａと平面視で重なる領域には、蓄積容量素子５５を構成する第１容量電極４ａ、および第２容量電極５ａが形成されており、第１容量電極４ａと第２容量電極５ａとの間には、誘電体層５５０が形成されている。第１容量電極４ａ、および第２容量電極５ａは、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。
【００３０】
本形態において、第１容量電極４ａは、第２容量電極５ａに対して下層側（第１基板１９の側）が形成されていることから、第１容量電極４ａは、本発明の「一方の容量電極」に相当し、第２容量電極５ａは、本発明の「他方の容量電極」に相当する。
【００３１】
第１容量電極４ａは、半導体層３１ａの第１領域３１ｄと平面視で重なる第１部分４ａ１と、第１部分４ａ１からＹ軸方向の他方側Ｙ２に延在して半導体層３１ａのチャネル領域３１ｇおよび第２領域３１ｓを平面視で重なる第２部分４ａ２とを有しており、第１部分４ａ１は、第１領域３１ｄからＸ軸方向の両側に大きく張り出している。第１容量電極４ａは、半導体層３１ａのＹ軸方向の一方側Ｙ１の端部、および半導体層３１ａのＹ軸方向の他方側Ｙ２の端部とは平面視で重なっていない。
【００３２】
第１部分４ａ１のうち、第１領域３１ｄからＸ軸方向の両側に大きく張り出した部分と平面視で重なる位置には、低濃度不純物領域３１ｄ２を幅方向（チャネル幅方向）の両側で挟む２つの領域に、層間絶縁層４１、４２を貫通する第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂが形成されており、第１容量電極４ａは、第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂを介して第１遮光層２ａと電気的に接続されている。本形態において、第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂは、第１領域３１ｄの両側で高濃度不純物領域３１ｄ１および低濃度不純物領域３１ｄ２に沿ってチャネル長方向に延在しており、低濃度不純物領域３１ｄ２の両側には、第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂの内部に位置する導電材料（第１容量電極４ａ）によって遮光壁１１、１２が設けられている。
【００３３】
第２容量電極５ａは、第１容量電極４ａの第１部分４ａ１と平面視で重なる第１部分５ａ１と、第１容量電極４ａの第２部分４ａ２と平面視で重なる第２部分５ａ２とを有しており、第１部分５ａ１は、第１部分４ａ１と同様、第１領域３１ｄからＸ軸方向の両側に大きく張り出している。第２容量電極５ａは、半導体層３１ａのＹ軸方向の一方側Ｙ１の端部に重なっているが、半導体層３１ａのＹ軸方向の他方側Ｙ２の端部とは平面視で重なっていない。本形態では、第２容量電極５ａの第１部分５ａ１の端部に切り欠き５ａ５が形成されており、切り欠き５ａ５では、第１容量電極４ａの第１部分４ａ１と第２容量電極５ａの第１部分５ａ１とが重なっていない。
【００３４】
半導体層３１ａのＹ軸方向の一方側Ｙ１の端部と平面視で重なる位置には、層間絶縁層４２を貫通するコンタクトホール４２ｃが形成されており、第２容量電極５ａは、コンタクトホール４２ｃを介して、第１領域３１ｄの高濃度不純物領域３１ｄ１と電気的に接続している。
【００３５】
図１１に示すように、第１基板１９において、層間絶縁層４３と層間絶縁層４４との間には、第１画素間領域９ｂに沿ってＸ軸方向に延在する走査線３ａが形成されている。走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。
【００３６】
走査線３ａは、第２遮光層２ｂの凸部２ｂ２、およびゲート電極３３ａと平面視で重なっている。本形態において、走査線３ａは、層間絶縁層４２、４３を貫通する第２コンタクトホール４３ａを介してゲート電極３３ａおよび第２遮光層２ｂと電気的に接続されている。より具体的には、第２コンタクトホール４３ａは、第２遮光層２ｂの凸部２ｂ２まで到達しているとともに、第２コンタクトホール４３ａの途中では、ゲート電極３３ａの凸部３３ａ２が段部状に張り出している。従って、走査線３ａは、第２コンタクトホール４３ａを介してゲート電極３３ａの凸部３３ａ２、および第２遮光層２ｂの凸部２ｂ２と電気的に接続されている。
【００３７】
図１２に示すように、第１基板１９において、層間絶縁層４４と層間絶縁層４５との間には、第２画素間領域９ｃに沿ってＹ軸方向に延在するデータ線６ａと、データ線６ａからＸ軸方向で離間する中継電極６ｂ、６ｃとが同一の導電膜によって形成されている。
【００３８】
データ線６ａは、層間絶縁層４２、４３、４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して、半導体層３１ａの高濃度不純物領域３１ｓ１に電気的に接続されている。中継電極６ｂは、図１０に示す第２容量電極５ａの切り欠き５ａ５と重なる位置に形成されており、層間絶縁層４３、４４を貫通するコンタクトホール４４ｂを介して第１容量電極４ａに電気的に接続されている。中継電極６ｃは、層間絶縁層４３、４４を貫通するコンタクトホール４４ｃを介して第２容量電極５ａに電気的に接続されている。データ線６ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。
【００３９】
図１３に示すように、第１基板１９において、層間絶縁層４５と層間絶縁層４６との間には、第２画素間領域９ｃに沿ってＹ軸方向に延在する容量線７ａと、容量線７ａから離間する中継電極７ｂ、７ｃとが同一の導電膜によって形成されている。容量線７ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。
【００４０】
容量線７ａは、第２画素間領域９ｃに沿ってＹ軸方向に延在する本体部分７ａ１と、本体部分７ａからＸ軸方向の一方側Ｘ１に突出して、図１２に示す中継電極６ｂと平面視で重なる凸部７ａ２とを有している。容量線７ａは、層間絶縁層４５を貫通するコンタクトホール４５ｂを介して中継電極６ｂに電気的に接続されている。
【００４１】
従って、容量線７ａは、中継電極６ｂを介して第１容量電極４ａに電気的に接続されており、定電位を第１容量電極４ａに印加する。また、第１容量電極４ａは、第１遮光層２ａに電気的に接続されていることから、容量線７ａは、第１容量電極４ａを介して第１遮光層２ａに定電位を印加する。本形態において、例えば、容量線７ａは、定電位として、図２に示す共通電極２１に印加される共通電位を印加する。中継電極７ｃは、図１２に示す中継電極６ｃと平面視で重なっている。従って、中継電極７ｃは、層間絶縁層４５を貫通するコンタクトホール４５ｃを介して中継電極６ｃに電気的に接続されている。
【００４２】
層間絶縁層４６の表面には画素電極９ａおよび第１配向膜１８が順に積層されている。画素電極９ａは、図１３に示す中継電極７ｃと平面視で重なっている。画素電極９ａは、層間絶縁層４６を貫通するコンタクトホール４６ｃを介して中継電極７ｃに電気的に接続されている。従って、画素電極９ａは、中継電極６ｃ、７ｃ、および第２容量電極５ａを介して半導体層３１ａの第２領域３１ｓの高濃度不純物領域３１ｓ１に電気的に接続されている。従って、トランジスター３０がオン状態になったとき、画素電極９ａには、データ線６ａから画像信号が供給される。
【００４３】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、第１基板１９の画素電極９ａが設けられた一方面１９ｓ側に、トランジスター３０と、トランジスター３０のゲート電極３３ａに対して第１基板１９とは反対側に設けられた走査線３ａと、ゲート電極３３ａと走査線３ａとの層間に設けられた蓄積容量素子５５とを備えており、走査線３ａは、ゲート電極３３ａと電気的に接続されている。ここで、蓄積容量素子５５はトランジスター３０の半導体層３１ａと重なっている。また、蓄積容量素子５５は、定電位が印加された第１容量電極４ａと、画素電極９ａと電気的に接続された第２容量電極５ａとを備えている。このため、画素電極９ａの側から入射した光やその回折光が半導体層３１ａに向けて進行しようとしたときでも、かかる光は、蓄積容量素子５５によって遮られるため、トランジスター３０では、光電流に起因する誤動作等が発生しにくい。また、半導体層３１ａと走査線３ａとの層間には、層間絶縁層４２、蓄積容量素子５５、および層間絶縁層４３が介在する。従って、走査線３ａの電位が半導体層３１ａに影響を及ぼしにくい。
【００４４】
特に本形態において、蓄積容量素子５５は、半導体層３１ａのうち、画素電極９ａが電気的に接続された高濃度不純物領域３１ｄ１とチャネル領域３１ｇとの間に設けられた低濃度不純物領域３１ｄ２と重なっている。このため、画素電極９ａの側から入射した光やその回折光が低濃度不純物領域３１ｄ２に向けて進行しようとしたときでも、かかる光は、蓄積容量素子５５によって遮られるため、トランジスター３０では、光電流に起因する誤動作等が発生しにくい。また、走査線３ａの電位が低濃度不純物領域３１ｄ２に影響を及ぼしにくいので、トランジスター３０をオフ状態にしたときのリーク電流の跳ね上がりを抑制することができる。
【００４５】
また、蓄積容量素子５５において半導体層３１ａの側に位置するのは、定電位が印加された第１容量電極４ａであり、第１容量電極４ａはシールド電極として機能する。このため、走査線３ａの電位がトランジスター３０の特性に影響を及ぼしにくい。
【００４６】
また、第１基板１９と半導体層３１ａとの間には、低濃度不純物領域３１ｄ２と平面視で重なる第１遮光層２ａと、チャネル領域３１ｇと平面視で重なる第２遮光層２ｂとが設けられている。このため、第２基板２９の側から電気光学装置１００に入射した光が、第１基板１９から出射された後、第１基板１９に戻り光として入射した場合でも、戻り光が第１遮光層２ａおよび第２遮光層２ｂに遮られる。それ故、戻り光が半導体層３１ａに入射しにくいので、トランジスター３０では、光電流に起因する誤動作等が発生しにくい。
【００４７】
また、低濃度不純物領域３１ｄ２と平面視で重なる第１遮光層２ａには定電位が印加されるため、トランジスター３０に電気的な影響を及ぼしにくい。また、チャネル領域３１ｇと平面視で重なる第２遮光層２ｂにはゲート電極３３ａと同一の電位が印加されるため、トランジスター３０に電気的な影響を及ぼしにくい。また、第２遮光層２ｂはバックゲート電極として機能する。
【００４８】
また、半導体層３１ａの第１領域３１ｄの両側には第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂが設けられているため、第１領域３１ｄの両側には、第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂの内側の遮光性の導電膜によって遮光壁１１、１２が設けられている。このため、戻り光が斜め方向から第１領域３１ｄの低濃度不純物領域３１ｄ２に入射しにくい。従って、トランジスター３０では、光電流に起因する誤動作等が発生しにくい。しかも、遮光壁１１、１２を構成する遮光性の導電膜は、定電位が印加されているため、低濃度不純物領域３１ｄ２の近傍に遮光壁１１、１２を設けて戻り光の入射を効率よく遮る構造であっても、トランジスター３０は、遮光壁１１、１２から電位的な影響を受けにくい。
【００４９】
［実施形態２］
図１４は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００の説明図であり、トランジスター３０周辺を拡大して示してある。図１５は、図１４に示すトランジスター３０のＤ−Ｄ′断面図であり、走査線３ａに沿って切断したときの様子を模式的に示す断面図である。図１６は、図１５に示す第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａ等の平面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、共通する部分に同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５０】
図１４、図１５、および図１６に示すように、本形態では、蓄積容量素子５５と第１遮光層２ａとの間に設けられた層間絶縁層４１、４２には、半導体層３１ａと平面視で重ならない領域で第１基板１９側に向けて凹んだ凹部４０が設けられており、蓄積容量素子５５は、半導体層３１ａと平面視で重なる位置から凹部４０の側面４０ａを経て底部４０ｂまで延在し、さらに側面４０ａと対向する側面４０ｃまで延在している。
【００５１】
凹部４０は、走査線３ａと第１基板１９との間で走査線３ａと平面視で重なる領域に設けられている。従って、第１容量電極４ａは、半導体層３１ａの第１領域３１ｄと平面視で重なる第１部分４ａ１から走査線３ａと平面視で重なる領域まで延在した第３部分４ａ３を有していている。また、第２容量電極５ａは、第１容量電極４ａの第１部分４ａ１と平面視で重なる第１部分５ａ１から第１容量電極４ａの第３部分４ａ３に誘電体層５５０を介して平面視で重なる第３部分５ａ３を有している。第１遮光層２ａは、凹部４０の底部４０ｂまで延在した延在部分２ａ３を有しており、第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａのうち、第１基板１９側に位置する一方の電極（第１容量電極４ａ）と電気的に接続されている。
【００５２】
その他の構成は、実施形態１と同様である。従って、画素電極９ａの側から入射した光やその回折光が半導体層３１ａに向けて進行しようとしたときでも、かかる光は、蓄積容量素子５５によって遮られるため、トランジスター３０では、光電流に起因する誤動作等が発生しにくい。また、半導体層３１ａと走査線３ａとの層間には、層間絶縁層４２、蓄積容量素子５５、および層間絶縁層４３が介在する。従って、走査線３ａの電位が半導体層３１ａに影響を及ぼしにくい等、実施形態１と同様な効果を奏する。
【００５３】
さらに本形態では、蓄積容量素子５５が凹部４０の底部４０ｂまで延在しているため、蓄積容量素子５５の形成面積が実施形態１より広い。従って、蓄積容量素子５５の静電容量が高い。また、第１遮光層２ａは、凹部４０の底部４０ｂで第１容量電極４ａと電気的に接続されている。従って、半導体層３１ａの近傍には、第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂの内部に設けられた導電材料によって遮光壁１１、１２が構成されているとともに、凹部４０の内部に設けられた導電材料によって遮光壁１３が構成されている。従って、半導体層３１ａへの光の入射を抑制することができるので、トランジスター３０では、光電流に起因する誤動作等が発生しにくい。
【００５４】
［実施形態３］
図１７は、本発明の実施形態３に係る電気光学装置１００の説明図であり、トランジスター３０周辺を拡大して示してある。図１８は、図１７に示すトランジスター３０のＥ−Ｅ′断面図であり、半導体層３１ａに沿って切断したときの様子を模式的に示す断面図である。図１９は、図１７に示すトランジスター３０のＦ−Ｆ′断面図であり、第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂを通る位置で切断した様子を模式的に示す断面図である。図２０は、図１７に示すトランジスター３０のＧ−Ｇ′断面図であり、走査線３ａに沿って切断したときの様子を模式的に示す断面図である。図２１は、図１７に示す第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａ等の平面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、共通する部分に同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５５】
本形態では、図１７、図１８、図１９、図２０、および図２１に示すように、第１基板１９において、層間絶縁層４２と層間絶縁層４３との間において、半導体層３１ａおよびゲート電極３３ａと平面視で重なる領域には、蓄積容量素子５５を構成する第１容量電極４ａ、および第２容量電極５ａが形成されている。
【００５６】
本形態においては、実施形態１と逆に、第２容量電極５ａが第１容量電極４ａに対して下層側（第１基板１９の側）が形成されていることから、第２容量電極５ａは、本発明の「一方の容量電極」に相当し、第１容量電極４ａは、本発明の「他方の容量電極」に相当する。
【００５７】
従って、第２容量電極５ａには、図１０に示す切り欠き５ａ５が形成されておらず、図２１に示すように、第１容量電極４ａに、下層側の第２容量電極５ａを上側（第１基板１９と反対側）に露出させる切り欠き４ａ５が形成されている。従って、コンタクトホール４４ｃを介して、第２容量電極５ａと中継電極６ｃとの電気的な接続が可能である。
【００５８】
図１９および図２１に示すように、本形態でも、実施形態１と同様、低濃度不純物領域３１ｄ２を幅方向（チャネル幅方向）の両側で挟む２つの領域に、層間絶縁層４１、４２を貫通する第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂが形成されている。本形態では、第２容量電極５ａが第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂを介して第１遮光層２ａと電気的に接続されており、第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂの内部に位置する導電材料（第２容量電極５ａ）によって遮光壁１１、１２が設けられている。ここで、第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂは、低濃度不純物領域３１ｄ２に沿うとともに、高濃度不純物領域３１ｄ１にも沿って延在している。また、第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂは、高濃度不純物領域３１ｄ１に対してＹ軸方向の一方側Ｙ１で繋がっており、第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂ、およびコンタクトホール４２ｃは一体のコンタクトホール４２ｃを構成している。
【００５９】
図１８に示すように、コンタクトホール４２ｃは、第１遮光層２ａまで到達しているとともに、コンタクトホール４２ｃの途中では、半導体層３１ａの第１領域の高濃度不純物領域３１ｄ１が段部状に張り出している。従って、第２容量電極５ａは、コンタクトホール４２ｃを介して高濃度不純物領域３１ｄ１および第１遮光層２ａと電気的に接続されている。
【００６０】
本形態でも、実施形態２と同様、蓄積容量素子５５と第１遮光層２ａとの間に設けられた層間絶縁層４１、４２には、半導体層３１ａと平面視で重ならない領域で第１基板１９側に向けて凹んだ凹部４０が設けられており、蓄積容量素子５５は、半導体層３１ａと平面視で重なる位置から凹部４０の側面４０ａを経て底部４０ｂまで延在し、さらに側面４０ａと対向する側面４０ｃまで延在している。
【００６１】
本形態において、凹部４０は、走査線３ａと第１基板１９との間で走査線３ａと平面視で重なる領域に設けられている。従って、第１容量電極４ａは、半導体層３１ａの第１領域３１ｄと平面視で重なる第１部分４ａ１から走査線３ａと平面視で重なる領域まで延在した第３部分４ａ３を有していている。また、第２容量電極５ａは、第１容量電極４ａの第１部分４ａ１と平面視で重なる第１部分５ａ１から第１容量電極４ａの第３部分４ａ３に誘電体層５５０を介して平面視で重なる第３部分５ａ３を有している。第１遮光層２ａは、凹部４０の底部４０ｂまで延在した延在部分２ａ３を有しており、第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａのうち、第１基板１９側に位置する一方の電極（第２容量電極５ａ）と電気的に接続されている。
【００６２】
その他の構成は、実施形態１、２と同様である。従って、画素電極９ａの側から入射した光やその回折光が半導体層３１ａに向けて進行しようとしたときでも、かかる光は、蓄積容量素子５５によって遮られるため、トランジスター３０では、光電流に起因する誤動作等が発生しにくい。また、半導体層３１ａと走査線３ａとの層間には、層間絶縁層４２、蓄積容量素子５５、および層間絶縁層４３が介在する。従って、走査線３ａの電位が半導体層３１ａに影響を及ぼしにくい等、実施形態１と同様な効果を奏する。
【００６３】
さらに本形態では、蓄積容量素子５５が凹部４０の底部４０ｂまで延在しているため、蓄積容量素子５５の形成面積が実施形態１より広い。従って、蓄積容量素子５５の静電容量が高い。また、第１遮光層２ａは、凹部４０の底部４０ｂで第１容量電極４ａと電気的に接続されている。従って、半導体層３１ａの近傍には、第１コンタクトホール４２ａ、４２ｂの内部に設けられた導電材料によって遮光壁１１、１２が構成されているとともに、凹部４０の内部に設けられた導電材料によって遮光壁１３が構成されている。従って、半導体層３１ａへの光の入射を抑制することができるので、トランジスター３０では、光電流に起因する誤動作等が発生しにくい等、実施形態２と同様な効果を奏する。
【００６４】
（他の実施形態）
上記実施形態において、コンタクトホールでの電気的な接続部分では、上層側の導電膜がコンタクトホールの内部で下層側の導電膜と接している構造であったが、コンタクトホールの内部にプラグを設け、上層側の導電膜がプラグを介して下層側の導電膜に電気的に接続されている構造を採用してもよい。
【００６５】
上記実施形態において、蓄積容量素子５５では、第１容量電極４ａ／誘電体層５５０／第２容量電極５ａの積層構造になっていたが、例えば、第１容量電極４ａ／誘電体層５５０／第２容量電極５ａ／誘電体層５５０／第１容量電極４ａからなる積層構造、または第２容量電極２ａ／誘電体層５５０／第１容量電極４ａ／誘電体層５５０／第２容量電極５ａからなる積層構造であってもよい。かかる積層構造によれば、走査線３ａに対する蓄積容量素子５５のシールド効果を高めることができる。
【００６６】
上記実施形態では、トランジスター３０がＬＤＤ構造を有している場合を説明したが、高濃度不純物領域３１ｄ１、３１ｓ１がゲート電極３３ａの端部から離間したオフセットゲート構造の場合に本発明を適用してもよい。この場合、高濃度不純物領域３１ｄ１、３１ｓ１とゲート電極３３ａの端部との間で不純物が導入されていない領域が低濃度不純物領域３１ｄ２、３１ｓ２となる。
【００６７】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図２２は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図２２には、偏光板等の光学素子の図示を省略してある。図２２に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１００を用いた電子機器の一例である。
【００６８】
図２２に示す投射型表示装置２１００において、電気光学装置１００がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。図２２に示されるように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００６９】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。
【００７０】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００７１】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。
【符号の説明】
【００７２】
２ａ…第１遮光層、２ｂ…第２遮光層、３ａ…走査線、４ａ…第１容量電極、５ａ…第２容量電極、６ａ…データ線、７ａ…容量線、９ａ…画素電極、１０…素子基板、１０ａ…表示領域、１１、１２、１３…遮光壁、１９…第１基板、１９ｓ…一方面、２０…対向基板、２１…共通電極、２９…第２基板、３０…トランジスター、３１ａ…半導体層、３１ｄ…第１領域、３１ｄ１、３１ｓ１…高濃度不純物領域、３１ｄ２、３１ｓ２…低濃度不純物領域、３１ｇ…チャネル領域、３１ｓ…第２領域、３３ａ…ゲート電極、４０…凹部、４０ｂ…底部、４１、４２、４３、４４、４５、４６…層間絶縁層、４２ａ、４２ｂ…第１コンタクトホール、４３ａ…第２コンタクトホール、５５…蓄積容量素子、８０…電気光学層、１００…電気光学装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）。
【図１】
2020086343.tif 000003
【図２】
2020086343.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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