【事件の表示】
　特許第６４９９５４５号発明「金属セラミック接合基板及び、その製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４９９５４５号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１４〕、１６について訂正することを認める。
　特許第６４９９５４５号の請求項１〜１６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１．手続の経緯
　特許第６４９９５４５号の請求項１〜１６に係る特許についての出願は、平成２７年８月７日に出願され、平成３１年３月２２日に特許権の設定登録（特許掲載公報発行日：同年４月１０日）がされたものであって、本件特許異議の申立てに係る主な手続の経緯は以下のとおりである。 
　
令和元年１０月４日
　　特許異議申立人　廣瀬妙子（以下「申立人」という。）による
　　請求項１〜１６に係る特許に対する特許異議の申立て
令和２年１月２３日付け
　　取消理由通知
同年３月２７日
　　特許権者による意見書の提出及び訂正請求
　　（当該訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）
同年５月１１日
　　申立人による意見書の提出
同年７月７日付け
　　取消理由通知（決定の予告）
同年９月７日
　　特許権者による意見書の提出
第２．本件訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　本件訂正の内容は以下のとおりである。
　なお、訂正箇所に下線を付し、また削除された文字の前後１文字に下線を付した。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１１に、
「前記接合層中の酸素濃度が３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上」
とあるのを、
「前記接合層中の酸素濃度が３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上
１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２〜１４も同様に訂正する。）。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１に、
「である金属セラミック接合基板。」
とあるのを、
「であ
り、前記導体層を構成する銅又は銅合金の導電率がＩＡＣＳ８０％以上であ
に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２〜１４も同様に訂正する。）。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項７に、
「前記導体層を構成する銅又は銅合金の導電率がＩＡＣＳ８０％以上であり、該導体層の厚みが１０μｍ以上かつ２００μｍ以下である」
とあるのを、
「前
記導
に訂正する（請求項７の記載を直接的又は間接的に引用する請求項８〜１４も同様に訂正する。）。
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１６に、
「１００ｗｔｐｐｍ以上である」
とあるのを、
「１００ｗｔｐｐｍ以上
２０００ｗｔｐｐｍ以下
に訂正する。
２．一群の請求項
　本件訂正は、訂正前の請求項１と、請求項１を直接または間接に引用する請求項２〜１４について訂正することを求めるものであるから、訂正後の請求項〔１〜１４〕は、特許法第１２０条の５第４項に規定された一群の請求項である。
３．本件訂正の目的の適否、新規事項追加の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、訂正前の請求項１において「接合層中の酸素濃度」の上限が規定されていなかったところ、その上限を「
１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
　そして、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件特許明細書等」という。）の段落【００３３】には、
「接合層４中の酸素濃度が低いと上記のピール強度が低下することがあるので、この酸素濃度は、３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上とすることが好ましい。一方、酸素の上限は１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とすることが好適である。」
と記載されているから、新規事項を追加するものではなく、また、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、訂正前の請求項１においては、「銅又は銅合金からなる導体層」に関する導電率について規定されていなかったところ、「
前記導体層を構成する銅又は銅合金の導電率がＩＡＣＳ８０％以上であ
　そして、訂正前の請求項７には、
「前記導体層を構成する銅又は銅合金の導電率がＩＡＣＳ８０％以上であり、」
と記載され、また本件特許明細書等の段落【００３８】には、
「なお、導体層３を構成する銅または銅合金の導電率は、ＩＡＣＳ８０％以上であれば導体層として有効に機能することができる。」
と記載されているから、新規事項を追加するものではなく、また、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　よって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（３）訂正事項３について
　訂正事項３は、訂正前の請求項７に「前記導体層を構成する銅又は銅合金の導電率がＩＡＣＳ８０％以上であり」と記載されていたところ、訂正事項２により、訂正後の請求項１において「
前記導体層を構成する銅又は銅合金の導電率がＩＡＣＳ８０％以上であ
　そして、新規事項を追加するものではなく、また、特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかであるから、特許法第１２０条の５第９項において準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（４）訂正事項４について
　訂正事項４は、訂正前の請求項１６において「前記スパッタリング法又は蒸着法による成膜の際に用いられるチタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム原料中の酸素濃度」の上限が規定されていなかったところ、その上限を「
２０００ｗｔｐｐｍ以下
　そして、本件特許明細書等の段落【００４２】には、
「ここで、上記のスパッタリング法又は蒸着法では、窒化珪素基板の表面への成膜に用いるチタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム原料中の酸素濃度を、１００ｗｔｐｐｍ以上とすることが、ピール強度の向上の観点から好ましい。・・・一方、酸素が多すぎると窒素と酸素の反応によりＮＯｘが生成し境界部にガス溜りができ、剥離が生じる可能性がある。そのため、チタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム原料中の酸素濃度は、２０００ｗｔｐｐｍ以下とすることが好ましい。」
と記載されているから、新規事項を追加するものではなく、また、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　よって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
４．小括
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、並びに同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、特許請求の範囲を、本件訂正特許請求の範囲のとおり、本件訂正後の請求項〔１〜１４〕、１６について訂正することを認める。
第３．訂正後の本件発明
　上記第２．のとおり、本件訂正が認められるから、本件特許の請求項１〜１６は、それぞれ、本件訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載された、次のとおりのものである。
　なお、訂正特許請求の範囲の請求項１〜１６に係る発明を、以下「本件発明１」等という。
「【請求項１】
　窒化珪素基板の少なくとも一方の表面側に、銅又は銅合金からなる導体層を積層してなる金属セラミック接合基板であって、
　前記窒化珪素基板と導体層との間に、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化バナジウム、及び、窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含み且つ銀を含まない接合層が介在し、該接合層の介在下で、前記窒化珪素基板と導体層とが接合されてなり、
　前記接合層中の酸素濃度が３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、前記導体層を構成する銅又は銅合金の導電率がＩＡＣＳ８０％以上である金属セラミック接合基板。
【請求項２】
　前記接合層の厚みが、５００ｎｍ以上かつ５０００ｎｍ以下である請求項１に記載の金属セラミック接合基板。
【請求項３】
　前記接合層の厚みが、２０００ｎｍ以上かつ４０００ｎｍ以下である請求項２に記載の金属セラミック接合基板。
【請求項４】
　前記導体層から接合層への銅の拡散距離が、該導体層と接合層との界面から厚み方向に沿って測って５００ｎｍ以上である請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
【請求項５】
　前記窒化珪素基板と導体層とのピール強度が、０．４ｋＮ／ｍ以上である請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
【請求項６】
　前記窒化珪素基板を、曲げ強度が４００ＭＰａ以上であり、表面粗さＲａが０．１μｍ以上かつ１．０μｍ以下であるものとしてなる請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
【請求項７】
　前記該導体層の厚みが１０μｍ以上かつ２００μｍ以下である請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
【請求項８】
　厚み方向で、窒化珪素基板と接合層との界面から導体層側に向かって、５００ｎｍ離れた位置における窒素の濃度が、５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
【請求項９】
　前記接合層中のチタン、ジルコニウム、バナジウム、及び／又は、アルミニウムの含有量が、該接合層の厚み方向の中間領域にピークを有するとともに、該中間領域から、厚み方向で導体層側及び窒化珪素基板側のそれぞれに向かうに従い減少してなる請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
【請求項１０】
　車載用又は民生機器搭載用のパワー半導体素子が搭載されるパワーモジュール用基板としてなる請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
【請求項１１】
　前記導体層に回路パターンが形成された金属回路基板としてなる請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
【請求項１２】
　ＬＥＤ用基板としてなる請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
【請求項１３】
　ＭＥＭＳ用基板としてなる請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
【請求項１４】
　マルチコアＭＣＵに用いられる請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
【請求項１５】
　窒化珪素基板の少なくとも一方の表面側に、銅又は銅合金からなる導体層を積層してなる金属セラミック接合基板を製造する方法であって、
　窒化珪素基板又は導体層の、少なくとも一方の表面上に、チタン、ジルコニウム、バナジウム、及びアルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種を、スパッタリング法又は蒸着法により、膜厚が３００ｎｍ以上になるまで成膜し、その後、成膜した薄膜層上に、導体層又は窒化珪素基板を、真空又は不活性ガス雰囲気の下、所定の温度条件で、５ＭＰａ以上かつ１５０ＭＰａ以下の加圧力の作用により圧着させて、前記窒化珪素基板と導体層とを接合し、
　前記スパッタリング法又は蒸着法により成膜される材料が、チタン、ジルコニウム、及び、バナジウムからなる群から選択される少なくとも一種である場合、前記窒化珪素基板と導体層とを接合する際の温度を、７５０℃以上かつ９５０℃以下とし、または、前記スパッタリング法又は蒸着法により成膜される材料が、アルミニウムである場合、前記窒化珪素基板と導体層とを接合する際の温度を、４００℃以上かつ６００℃以下とする金属セラミック接合基板の製造方法。
【請求項１６】
　前記スパッタリング法又は蒸着法による成膜の際に用いられるチタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム原料中の酸素濃度が、１００ｗｔｐｐｍ以上２０００ｗｔｐｐｍ以下である請求項１５に記載の金属セラミック接合基板の製造方法。」
第４．取消理由の概要
　本件特許の請求項１〜１６に係る特許に対して、当審が特許権者に通知した令和２年７月７日付けの取消理由（決定の予告）の要旨は、次のとおりである。
４）本件特許の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
５）本件特許の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
理由４（特許法第２９条第１項第３号）について
　本件発明１〜６、８〜１１は、引用文献１に記載された発明である。
理由５（特許法第２９条第２項）について
　本件発明１〜１４は、引用文献１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１：特開平９−１５３５６７号公報（当審が新たに引用する文献）
引用文献２：「活性金属法による窒化物セラミックスと金属の接合機構」、中橋昌子　他２名、日本金属学会誌、公益社団法人日本金属学会、第５３巻、第１１号（１９８９）１１５３−１１６０（甲第５号証）
引用文献３：特開２００２−２０１０７６号公報（当審が新たに引用する文献）
引用文献４：特開平２−１７７４６３号公報（甲第４号証）
第５．当審の判断
１．理由４（特許法第２９条第１項第３号）について
（１）引用文献に記載された事項
　以下、引用文献１に記載された発明を「引用発明Ａ」、引用文献２等に記載された事項を「引用文献２記載事項」などという。
ア．引用文献１には、次の記載がある。
（ア）「【請求項１】　２５℃下における熱伝導率が６０W/m・K 以上である窒化珪素セラミック板に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択される少なくとも一種の元素と酸素とを含む中間層を介して、金属回路板が接合されていることを特徴とする高熱伝導性窒化珪素回路基板。
・・・
【請求項５】　金属回路板が、銅、アルミニウムまたはニッケルから構成される、請求項１記載の高熱伝導性窒化珪素回路基板。」
（イ）「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされたもので、焼結した窒化珪素セラミック回路板が本来備える高強度特性を利用し、さらに熱伝導率が高く放熱性に優れるとともに耐熱サイクル特性を大幅に改善した高熱伝導性窒化珪素回路基板を提供するとともにこの窒化珪素基板を利用することで熱サイクルに対する信頼性を向上させた半導体装置を提供することを目的とする。」
（ウ）「【００２１】チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブおよびアルミニウムからなる群より選択される少なくとも一種の元素と酸素とを含む中間層としては、例えば上記元素の酸化物、アルミネイト、シリケイト等の化合物、例えば、アルミニウムを含有する中間相としては、Ａｌ2Ｏ3、ムライト（Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2)、希土類アルミネイト、サイアロン（ＳＩＡＬＯＮ）等の化合物を挙げることができる。またこれら金属元素を含むガラスなどのアモルファス相でも好適である。これらの中間層に含まれる元素と酸素が金属回路板の共晶液相の濡れ性を改善すると同時に、これら中間層に含まれる金属元素と金属回路板構成元素−酸素からなる化合物が生成して金属回路板と中間層を強固に接合し、さらに中間層と窒化珪素セラミック板をも強固に接合することが可能となる。特に、金属回路板がアルミニウムを主成分とし、中間層にアルミニウムを含有する場合には、金属回路板のアルミニウムと中間層に含まれるアルミニウムが相互に拡散して、強固に接合することも判明した。」
（エ）「【００２３】上記中間層は、焼結後の窒化珪素セラミック板表面に種々の方法により形成される。ゾルゲル法、ディップ法などによって前駆体となる均質な膜を形成し、これを熱処理することによって目的の化合物の中間層を作製する方法、あるいはＣＶＤ法、ＰＶＤ法などによって直接中間層となる化合物を形成する方法等が挙げられる。・・・次にこの窒化珪素セラミック表面を酸素を含む雰囲気中で熱処理することによって、所望の中間層を形成して金属回路板を接合する方法である。」
（オ）「【００２６】金属回路板の接合は、例えば金属回路板が銅の場合には以下のような方法で行われる。すなわち、所望の厚さをもつチタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブおよびアルミニウムから選択される少なくとも一種の元素と酸素とを含有する中間層を形成した高熱伝導性窒化珪素セラミック板の表面の所定の位置に、酸素を含有する銅回路板を接触配置させ、必要ならば荷重をかけた状態で銅と酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）の共晶温度（１，０６５℃）以上に加熱して一定時間保持することで共晶液相を生成させ、この液相を接合剤として銅回路板が高熱伝導性窒化珪素セラミック板表面に接合される。他の種類の金属回路板も使用可能であるが、その場合はこの共晶液相が生じる温度を鑑みて熱処理する温度を設定する必要がある。」
（カ）「【００５２】次にこの窒化珪素セラミック板表面に金属回路板を接合するための中間層を以下の方法で作製した。窒化珪素セラミック板をスパッタ装置内にチタンターゲットに対向する形で設置し、Ａｒの分圧０．１Pa、Ｏ2の分圧を０．２Paとしてチタンをスパッタした。このスパッタを窒化珪素セラミック板の両面に対して行った。この結果、窒化珪素セラミック板表面には厚さ１．５μm の結晶性は悪いがＴｉＯ2薄膜が得られた。表面にＴｉＯ2薄膜をもつ窒化珪素セラミック板の両面に厚さ０．３mmのタフピッチ銅からなる銅回路板を接触配置し、これをベルト式加熱炉に挿入して窒素雰囲気中で最高温度１，０７５℃で１分間加熱処理することにより銅回路板を窒化珪素セラミック板に接合した。」
（キ）「【図２】
」
　上記（ア）〜（キ）から、引用文献１には、以下の引用発明Ａが記載されている。
「窒化珪素セラミック板に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択される少なくとも一種の元素と酸素とを含む中間層を介して、金属回路板が接合されており、
　金属回路板が、タフピッチ銅から構成される
高熱伝導性窒化珪素回路基板。」
イ．引用文献２には、次の記載がある。
（ア）「セラミックスと金属の界面に結合を生成する方法として，両者を高温高圧で加熱接合する固相接合（１）（２）や，非金属元素との親和力が大きく活性なTiやZrを利用した活性金属法（３）（４）などが知られている．・・・
　活性金属法においては，セラミックスが窒化物の場合，界面に活性金属の窒化物（６）が，・・・生成するという報告（７）であり，いずれも反応層の生成を伴っている．」
（１１５３ページ左欄１４行〜右欄６行）
（イ）「２．接合におけるＴｉの挙動
　接合機構について検討するために・・・これらの接合材は，１００μｍのＣｕとセラミックスの間に３μｍのＴｉ箔を挿入し，１２９３Ｋ，３６０ｓ加熱してＴｉとＣｕの一部をＴｉ−Ｃｕろう材合金として作製したものである．・・・Ｆｉｇ．３のＳＥＭ像から，いずれのセラミックス表面にも，約２μｍのＴｉ凝集層が存在し，さらにＴｉ−Ｃｕの共晶組織を経て金属Ｃｕ層へ続いていることがわかる．・・・」
（１１５４ページ右欄下から１５〜３行）
（ウ）「
」
（１１５５ページ）
（エ）上記（イ）及び（ウ）の記載、特に（ウ）の右側に示されたＳＥＭ像によれば、Ｓｉ３Ｎ４セラミックスとＴｉ箔と金属Ｃｕを加熱して積層した場合、中間のＴｉ箔は、Ｔｉ凝集層とＴｉ−Ｃｕ共晶組織となること、Ｔｉ凝集層は約２μｍでありＴｉ−Ｃｕ共晶組織はＴｉ凝集層とほぼ同じ厚さであること、が看て取れる。
（２）本件発明１について
ア．対比
　本件発明１と引用発明Ａを対比すると、引用発明Ａの「窒化珪素セラミック板」は本件発明１の「窒化珪素基板」に相当し、以下同様に「中間層」は「接合層」に、「金属回路板」は「導体層」に、「高熱伝導性窒化珪素回路基板」は「金属セラミック接合基板」にそれぞれ相当する。
　引用発明Ａの「窒化珪素セラミック板に」「中間層を介して」「金属回路板が接合されて」いる「高熱伝導性窒化珪素回路基板」は、本件発明１の「窒化珪素基板の少なくとも一方の表面側に」「導体層を積層してなる金属セラミック接合基板」であること、及び「前記窒化珪素基板と導体層との間に」「接合層が介在し、該接合層の介在下で、前記窒化珪素基板と導体層とが接合されて」いることと一致する。
　引用発明Ａの「金属回路板が、タフピッチ銅から構成される」点は、本件発明１の「銅又は銅合金からなる導体層」と一致する。
　よって、本件発明１と引用発明Ａは、以下の点で一致する。
＜一致点１＞
「窒化珪素基板の少なくとも一方の表面側に、銅又は銅合金からなる導体層を積層してなる金属セラミック接合基板であって、
前記窒化珪素基板と導体層との間に、接合層が介在し、該接合層の介在下で、前記窒化珪素基板と導体層とが接合されてなる
金属セラミック接合基板」
　そして、本件発明１と引用発明Ａは、以下の点で相違する。
＜相違点１＞
　本件発明１は、「窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化バナジウム、及び、窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含み且つ銀を含まない接合層」であるのに対して、引用発明Ａは、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択される少なくとも一種の元素と酸素とを含む中間層である点。
＜相違点２＞
　本件発明１は、「前記接合層中の酸素濃度が３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下」なのに対して、引用発明Ａは、中間層が酸素を含むものの酸素濃度が明記されていない点。
＜相違点３＞
　本件発明１は、「前記導体層を構成する銅又は銅合金の導電率がＩＡＣＳ８０％以上」なのに対して、引用発明Ａは、導電率が明記されていない点。
イ．相違点についての検討
　＜相違点１＞について検討する。
　引用発明Ａは、引用文献１の「これら中間層に含まれる金属元素と金属回路板構成元素−酸素からなる化合物が生成して金属回路板と中間層を強固に接合し、さらに中間層と窒化珪素セラミック板をも強固に接合することが可能となる。」（段落【００２１】）なる記載から、中間層に酸化物が生成されることは明示されているものの、窒化物が生成されることについては記載も示唆もない。
　また、窒化珪素セラミック板にチタン等を含む中間層を積層して接合させた場合に、窒素が拡散して中間層のチタン等が窒化物となり得ることが技術常識（引用文献２（上記（１）イ．）を参照）であるとしても、引用発明Ａは、中間層を生成するにあたって、窒化珪素セラミック板の表面に含ませたチタン等の金属を事前に酸化物の表面層（段落【００２３】〜【００２４】）としている。
　ここで、Ｔｉ０２からＴｉＮを生成することについては、例えば、特公平４−２４３０８号公報（乙第１号証）の特に２ページの表１及び同ページ３欄２６〜３５行にあるように、窒化の前に炭素等によりＴｉ０２を還元処理する必要があることが技術常識であるところ、引用発明Ａは、チタン等の金属を積極的に酸化物の表面層とするものであって、還元処理を行うものではない。
　そうすると、引用発明Ａは、中間層に含まれているチタン等のごく一部が窒化物となっている可能性があるという程度のものである。
　一方、本件発明１は、「前記窒化珪素基板と導体層との間に、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化バナジウム、及び、窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含み且つ銀を含まない接合層が介在し、該接合層の介在下で、前記窒化珪素基板と導体層とが接合されてなり」（【請求項１】）という構成により、「窒化珪素基板と導体層とを、チタン、ジルコニウム、バナジウム及び／又はアルミニウムの薄膜層の介在下でホットプレスやＨＩＰ（熱間等方圧加圧）等することで、製造された金属セラミック接合基板では、窒化珪素基板に含まれる窒素及び、導体層に含まれる銅のそれぞれが、上記の薄膜層側に拡散するとともに化合物となって接合層を形成することにより、比較的薄い接合層で、窒化珪素基板と導体層とが強固に接合される」（段落【００１１】）ものであるから、窒化チタン等の窒化物が接合層として機能するものである。
　そうすると、中間層に含まれているチタン等のごく一部が窒化物となっている可能性があるという程度の引用発明Ａは、そのようなごくわずかな窒化物が接合層としての機能を有しているとまではいえない。
　よって、＜相違点１＞は、実質的な相違点であるか。ら、＜相違点２＞及び＜相違点３＞について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明Ａではない。
ウ．上記のとおり、＜相違点１＞は実質的な相違点であるから、＜相違点２＞及び＜相違点３＞について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明Ａではない。
（３）本件発明２〜６、８〜１１について
　本件発明２〜６、８〜１１は、本件発明１の発明特定事項を全て含み、更に限定するものであるから、本件発明２〜６、８〜１１についても同様に、引用発明Ａではない。
（４）小括
　以上のとおり、本件発明１〜６、８〜１１は、引用発明Ａではなく、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない発明とはいえないから、その特許は、特許法１１３条２号に該当せず、取り消すことはできない。
２．理由５（特許法第２９条第２項）について
（１）引用文献の記載
　引用文献１、２に記載された事項、及び引用発明Ａについては、上記１．（１）で述べたとおりである。
（２）本件発明１について
　上記１．（２）のとおり、本件発明１と引用発明Ａは、＜一致点１＞で一致し、＜相違点１＞〜＜相違点３＞で相違するものである。
　そして、＜相違点１＞は、実質的な相違点であるから、＜相違点１＞の容易想到性についてまず検討する。
　引用発明Ａは、中間層を生成するにあたって、窒化珪素セラミック板の表面に含ませたチタン等の金属を事前に酸化物の表面層（段落【００２３】〜【００２４】）としている。
　そして、Ｔｉ０２をＴｉＮとするには、酸化物が安定的であるため、窒化物とするには還元処理が必要であることが技術常識であるところ、引用発明Ａは、チタン等の金属を積極的に酸化物の表面層とするものであるから、還元処理を行うことに阻害事由がある。
　さらに、引用発明Ａは、「これら中間層に含まれる金属元素と金属回路板構成元素−酸素からなる化合物が生成して金属回路板と中間層を強固に接合し、さらに中間層と窒化珪素セラミック板をも強固に接合することが可能となる。」（段落【００２１】）ものであるから、酸化物の生成に着目しているものであって、窒化物をより多く生成する動機付けがない。
　そうすると、引用発明Ａの中間層に含まれているチタン等のごく一部が窒化物となっている可能性があるとはいえるものの、そのようなごくわずかな窒化物が接合層としての機能を有するとまではいえず、窒化物を積極的に増やす動機付けもなく、また、窒化物を増やすための還元処理に阻害事由があるから、引用発明Ａにおいて、＜相違点１＞に係る本件発明１の構成とすることが容易になし得るものであるとはいえない。
　よって、＜相違点２＞及び＜相違点３＞について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明Ａに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。
（３）本件発明２〜１４について
　本件発明２〜１４は、本件発明１の発明特定事項を全て含み、更に限定するものであるから、本件発明２〜１４についても同様に、引用発明Ａに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。
（４）小括
　以上のとおり、本件発明１〜１４は、引用発明Ａに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができず、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明とはいえないから、その特許は、特許法第１１３条第２号に該当せず、取り消すことはできない。
第６．取消理由（予告）としなかった令和２年１月２３日付けの取消理由について
１．取消理由（予告）としなかった令和２年１月２３日付けの取消理由の要旨は、次のとおりである。
１）本件特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
２）本件特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
３）本件特許は、明細書の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
５）本件特許の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
理由１（特許法第３６条第６項第１号）について
（１）接合層中の酸素濃度について発明の詳細な説明には、３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とすることによって、強固に接合するという課題を解決できることは記載されているけれども、上限について、無制限に大きい値であっても課題を解決できる旨の記載はない。
　本件発明１〜１４は、課題を解決できる３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲を超えた酸素濃度を含むものであるから、本件発明１〜１４は、課題を解決できないものを含むものである。
（２）原材料中の酸素濃度について発明の詳細な説明には、１００ｗｔｐｐｍ〜２０００ｗｔｐｐｍとすることによって、強固に接合するという課題を解決できることが記載されているけれども、上限について、無制限に大きい値であっても課題を解決できる旨の記載はない。
　本件発明１６は、課題を解決できる１００ｗｔｐｐｍ〜２０００ｗｔｐｐｍの範囲を超えた酸素濃度を含むものであるから、本件発明１６は、課題を解決できないものを含むものである。
理由２（特許法第３６条第６項第２号）について
（１）請求項１の「前記接合層中の酸素濃度が３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である」、及び請求項１６の「チタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム原料中の酸素濃度が、１００ｗｔｐｐｍ以上である」は、不明確である。
（２）請求項８の「厚み方向で、窒化珪素基板と接合層との界面から導体層側に向かって、５００ｎｍ離れた位置における窒素の濃度が、５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である」は、不明確である。
理由３（特許法第３６条第４項第１号）について
（１）本件発明１の「前記接合層中の酸素濃度が３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である」、及び本件発明１６の「チタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム原料中の酸素濃度が、１００ｗｔｐｐｍ以上である」ことにつき、どのようにすればその実施が可能であるのか、本件特許明細書等には記載されていない。
（２）本件発明８の「厚み方向で、窒化珪素基板と接合層との界面から導体層側に向かって、５００ｎｍ離れた位置における窒素の濃度が、５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である」ことにつき、どのようにすればその実施が可能であるのか、本件特許明細書等には記載されていない。
理由５（特許法第２９条第２項）について
　本件発明１５及び１６は、引用文献１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
２．理由１（特許法第３６条第６項第１号）について
（１）本件発明が解決すべき課題
　本件発明は、
「窒化珪素基板と導体層との間に、銀を含むろう材を介在させることにより、それらをろう付け法で接合させて、金属セラミック接合基板を製造した場合は、窒化珪素基板と導体層とを強固に接合させるために、ろう材の厚みを比較的厚くせざるを得ないが、銀ろう材の厚みが厚くなると、たとえばピッチ１００μｍ以下の微細な回路パターンの形成が困難になるという問題があった。
　また、このようにろう材の厚みを厚くすると、使用に際し、厚みのあるろう材が、半導体素子で生じる熱の放散を阻害し、金属セラミック接合基板による所要の放熱性能を確保できないことがあった。」（段落【０００８】）
ことを背景として
「窒化珪素基板と導体層とを、比較的薄い厚みの接合層によって有効に接合させることにより、微細な回路パターンを形成可能とし、また所要の放熱性能を発揮することのできる金属セラミック接合基板及び、その製造方法を提供すること」（段落【０００９】）
を解決すべき課題としており、本件発明の構成によって
「この発明の金属セラミック接合基板によれば、窒化珪素基板と導体層との間に、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化バナジウム及び／又は窒化アルミニウムを含む接合層が介在することより、従来技術の銀ろう材に比して薄い厚みの接合層で構成でき、該接合層により、半導体素子から発生する熱を、有効に放散することができ、その結果として、放熱性能を大きく高めることができる。さらに、窒化珪素基板と導体層とを強固に接合することができるので、微細な回路のパターニングが可能になる。」（段落【００２０】）
という効果を得ることができ、上記課題を解決しているとするものである。
（２）本件特許明細書等の記載（特に酸素濃度について）
ア．接合層中の酸素濃度について
　段落【００３３】には、
「接合層４中の酸素濃度が低いと上記のピール強度が低下することがあるので、この酸素濃度は、３×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上とすることが好ましい。一方、酸素の上限は１×１０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とすることが好適である。」
と記載されるとともに、実施例の【表１】には、上記酸素濃度の数値範囲内の数値とすることが記載されているから、接合層中の酸素濃度を３×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3〜１×１０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とすることによって、強固に接合するという課題を解決できることが記載されている。
イ．原材料中の酸素濃度について
　段落【００４２】には、
「ここで、・・・原料中の酸素濃度を、１００ｗｔｐｐｍ以上とすることが、ピール強度の向上の観点から好ましい。これはすなわち、酸素が存在すると窒化珪素基板中の窒素との置換反応が促進されて、Ｓｉ3Ｎ4がＳｉＯ3となり、吐き出された窒素がＴｉＮを形成する。従って、ここでの酸素が少ないと、製造された金属セラミック接合基板で窒素の接合層への拡散が不十分となり十分なピール強度が得られないことが懸念される。一方、酸素が多すぎると窒素と酸素の反応によりＮＯｘが生成し境界部にガス溜りができ、剥離が生じる可能性がある。そのため、チタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム原料中の酸素濃度は、２０００ｗｔｐｐｍ以下とすることが好ましい。」
と記載されているから、原材料中の酸素濃度を１００ｗｔｐｐｍ〜２０００ｗｔｐｐｍとすることによって、強固に接合するという課題を解決できることが記載されている。
（３）本件発明１〜１４、及び１６について
ア．本件発明１
　本件訂正事項１により、請求項１は、上記第３．に示したとおりのものとなった。
　これにより、「前記接合層中の酸素濃度が３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下」で、上限下限の両方が規定されたから、本件発明１は、課題を解決できないものを含まないものとなった。
イ．本件発明２〜１４
　本件発明２〜１４は、本件発明１を直接又は間接に引用するものであり、本件発明１と同様に課題を解決できるものである。
ウ．本件発明１６
　本件訂正事項４により、請求項１６は、上記第３．に示したとおりのものとなった。
　これにより、「前記スパッタリング法又は蒸着法による成膜の際に用いられるチタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム原料中の酸素濃度が、１００ｗｔｐｐｍ以上２０００ｗｔｐｐｍ以下」で、上限下限の両方が規定されたから、本件発明１６は、課題を解決できないものを含まないものとなった。
（４）小括
　以上のとおり、本件発明１〜１４、及び１６は、本件発明の課題を解決できるものであって発明の詳細な説明に記載した発明であり、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしているから、その特許は特許法第１１３条第４号に該当するものとはいえない。
３．理由２（特許法第３６条第６項第２号）について
（１）請求項１の「前記接合層中の酸素濃度が３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である」、及び請求項１６の「チタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム原料中の酸素濃度が、１００ｗｔｐｐｍ以上２０００ｗｔｐｐｍ以下である」という記載について、接合層中に酸素がどのように含まれているのか、また原材料に酸素がどのように含まれているのか、本件特許明細書等には、具体的な記載はない。
　しかしながら、チタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム等の原材料に金属の酸化物やＮＯｘ等として酸素がある程度含まれていることは技術常識であり、「１００ｗｔｐｐｍ以上２０００ｗｔｐｐｍ以下」の酸素濃度を有する原材料は特別なものではなく、普通に調整、あるいは調達することが可能であることは、当業者にとって明らかであるから、請求項１６の記載は明確である。
　そして、請求項１において、「接合層」がどのような方法で形成されるか特定されておらず、また、「金属セラミック接合基板」がどのような製造方法で製造されるものであるのかも特定されていないけれども、原材料に含まれる酸素が「１００ｗｔｐｐｍ以上２０００ｗｔｐｐｍ以下」である請求項１６に記載された原材料を用いて接合層を形成し、導体層、接合層、窒化珪素基板の間で銅や窒素と等の拡散が起きるように加熱して接合することで「金属セラミック接合基板」を製造さえすれば、接合層中の酸素濃度が３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるように含まれることは、当業者には明らかであるから、請求項１の記載は明確である。
　なお、接合層の酸素濃度は「ａｔｏｍｓ／ｃｍ3」、原材料の酸素濃度は「ｗｔｐｐｍ」のように単位が異なることは、酸素の異なる含まれ方を意味しているものではなく、測定方法の違い等によるものにすぎない。
（２）請求項８の「厚み方向で、窒化珪素基板と接合層との界面から導体層側に向かって、５００ｎｍ離れた位置における窒素の濃度が、５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である」という記載について、請求項１では、接合層が「窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化バナジウム、及び、窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含」むことが記載されていることから、請求項１を引用する請求項８においては、接合層中に窒素が少なくとも窒化物の形態で含まれていることは明らかである。
　そして、（１）で述べたとおり、原材料に含まれる酸素が「１００ｗｔｐｐｍ以上２０００ｗｔｐｐｍ以下」である請求項１６に記載された原材料を用いて接合層を形成し、導体層、接合層、窒化珪素基板の間で銅や窒素と等の拡散が起きるように加熱して接合することで「金属セラミック接合基板」を製造さえすれば、厚み方向で、窒化珪素基板と接合層との界面から導体層側に向かって、５００ｎｍ離れた位置における窒素の濃度が、５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上となるように含まれることは、当業者には明らかであるから、請求項８記載は明確である。
（３）小括
　以上のとおり、請求項１、８、１６の記載は明確であり、特許法第３６条第６項第２号の規定を満たしているから、本件特許は特許法第１１３条第４号に該当するものとはいえない。
４．理由３（特許法第３６条第４項第１号）について
（１）本件発明１の「前記接合層中の酸素濃度が３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である」、及び本件発明１６の「チタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム原料中の酸素濃度が、１００ｗｔｐｐｍ以上２０００ｗｔｐｐｍ以下である」ことにつき、どのようにして接合層中の酸素濃度や原材料中の酸素濃度を特定の値に調整するのか、本件特許明細書等には具体的な記載はない。
　しかしながら、上記２．で述べたとおり、チタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム等の原材料に金属の酸化物やＮＯｘ等として酸素がある程度含まれていることは技術常識であり、「１００ｗｔｐｐｍ以上２０００ｗｔｐｐｍ以下」の酸素濃度を有する原材料は特別なものではなく、普通に調整、あるいは調達することが可能であることは、当業者にとって明らかである。
　そしてまた、上記２．で述べたとおり、請求項１において、「接合層」がどのような方法で形成されるか特定されておらず、また、「金属セラミック接合基板」がどのような製造方法で製造されるものであるのかも特定されていないけれども、原材料に含まれる酸素が「１００ｗｔｐｐｍ以上２０００ｗｔｐｐｍ以下」である請求項１６に記載された原材料を用いて接合層を形成し、導体層、接合層、窒化珪素基板の間で銅や窒素と等の拡散が起きるように加熱して接合することで「金属セラミック接合基板」を製造さえすれば、接合層中の酸素濃度が３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるように含まれることは、当業者には明らかである。
　よって、当業者であれば、発明の詳細な説明の記載と技術常識を勘案すれば、本件発明１、１６を実施可能であるといえる。
（２）本件発明８の「厚み方向で、窒化珪素基板と接合層との界面から導体層側に向かって、５００ｎｍ離れた位置における窒素の濃度が、５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である」ことにつき、どのようにして接合層中の窒素濃度を特定の値に調整するのか、本件特許明細書等には具体的な記載はない。
　しかしながら、上記２．で述べたとおり、原材料に含まれる酸素が「１００ｗｔｐｐｍ以上２０００ｗｔｐｐｍ以下」である請求項１６に記載された原材料を用いて接合層を形成し、導体層、接合層、窒化珪素基板の間で銅や窒素と等の拡散が起きるように加熱して接合することで「金属セラミック接合基板」を製造さえすれば、厚み方向で、窒化珪素基板と接合層との界面から導体層側に向かって、５００ｎｍ離れた位置における窒素の濃度が、５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上となるように含まれることは、当業者には明らかである。
　よって、当業者であれば、発明の詳細な説明の記載と技術常識を勘案すれば、本件発明８を実施可能であるといえる。
（３）小括
　以上のとおり、本件発明１、８、１６が実施可能であることは、本件特許明細書等の記載、及び技術常識から明らかであり、特許法第３６条第４項第１号の規定を満たしているから、本件特許は特許法第１１３条第４号に該当するものとはいえない。
５．理由５（特許法第２９条第２項）について
（１）引用文献の記載
　引用文献１及び２に記載された事項については、上記第５．１．（１）で述べたとおりであるところ、引用文献１には、その記載（上記第５．１．（１）ア．）からみて、以下の発明（以下「引用発明Ｂ」という。）が記載されている。
「窒化珪素セラミック板に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択される少なくとも一種の元素と酸素とを含む中間層を介して、金属回路板を接合してなる高熱伝導性窒化珪素回路基板の製造方法において、
　金属回路板が、銅から構成され、
　中間層がＣＶＤ法、ＰＶＤ法などによって形成され、その厚さは１０．５〜１０μｍの範囲であり、
　中間層を形成した窒化珪素セラミック板に金属回路板を接触配置させ、荷重をかけた状態で、銅と酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）の共晶温度（１，０６５℃）以上に加熱して窒化珪素セラミック板と金属回路板を接合する、
高熱伝導性窒化珪素回路基板の製造方法。」
（２）本件発明１５について
ア．対比
　本件発明１５と引用発明Ｂを対比すると、引用発明Ｂの「窒化珪素セラミック板」は本件発明１５の「窒化珪素基板」に相当し、以下同様に、「銅から構成され」る「金属回路板」は「銅又は銅合金からなる導体層」に、「高熱伝導性窒化珪素回路基板の製造方法」は「金属セラミック接合基板を製造する方法」に、「ＣＶＤ法、ＰＶＤ法」は「スパッタリング法又は蒸着法」に、「中間層」の「厚さは１０．５〜１０μｍの範囲」は「膜厚が３００ｎｍ以上になるまで成膜」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明Ｂの「チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選択される少なくとも一種の元素と酸素とを含む中間層」は、本件発明１５の「チタン、ジルコニウム、バナジウム、及びアルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種」の「薄膜層」に相当する。
　引用文献１には、実施例としていずれも、窒化珪素セラミック板と金属回路板の接合を窒素雰囲気、すなわち不活性ガス雰囲気の下で行うことが記載されているから、引用発明Ｂの「中間層を形成した窒化珪素セラミック板に金属回路板を接触配置させ、荷重をかけた状態で加熱して窒化珪素セラミック板と金属回路板を接合する」ことは、「成膜した薄膜層上に、導体層又は窒化珪素基板を、真空又は不活性ガス雰囲気の下、所定の温度条件で、加圧力の作用により圧着させて、前記窒化珪素基板と導体層とを接合」する限りにおいて、本件発明１５の「成膜した薄膜層上に、導体層又は窒化珪素基板を、真空又は不活性ガス雰囲気の下、所定の温度条件で、５ＭＰａ以上かつ１５０ＭＰａ以下の加圧力の作用により圧着させて、前記窒化珪素基板と導体層とを接合」することと一致する。
　よって、本件発明１５と引用発明Ｂは、以下の点で一致する。
＜一致点＞
「窒化珪素基板の少なくとも一方の表面側に、銅又は銅合金からなる導体層を積層してなる金属セラミック接合基板を製造する方法であって、
　窒化珪素基板又は導体層の、少なくとも一方の表面上に、チタン、ジルコニウム、バナジウム、及びアルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種を、スパッタリング法又は蒸着法により、膜厚が３００ｎｍ以上になるまで成膜し、その後、成膜した薄膜層上に、導体層又は窒化珪素基板を、真空又は不活性ガス雰囲気の下、所定の温度条件で、加圧力の作用により圧着させて、前記窒化珪素基板と導体層とを接合する、
金属セラミック接合基板の製造方法。」
　そして、本件発明１５と引用発明Ｂは、以下の点で相違する。
＜相違点４＞
　加熱・加圧条件について、本件発明１５は、加圧力が「５ＭＰａ以上かつ１５０ＭＰａ以下」、所定の温度条件が「前記スパッタリング法又は蒸着法により成膜される材料が、チタン、ジルコニウム、及び、バナジウムからなる群から選択される少なくとも一種である場合、前記窒化珪素基板と導体層とを接合する際の温度を、７５０℃以上かつ９５０℃以下とし、または、前記スパッタリング法又は蒸着法により成膜される材料が、アルミニウムである場合、前記窒化珪素基板と導体層とを接合する際の温度を、４００℃以上かつ６００℃以下とする」ものであるのに対して、引用発明Ｂは、加熱温度が銅と酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）の共晶温度（１，０６５℃）以上であり、荷重がどの程度であるのかが明記されていない点。
イ．相違点についての検討
　＜相違点４＞について検討する。
　引用文献１には、
「【００２６】金属回路板の接合は、例えば金属回路板が銅の場合には以下のような方法で行われる。すなわち、所望の厚さをもつチタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブおよびアルミニウムから選択される少なくとも一種の元素と酸素とを含有する中間層を形成した高熱伝導性窒化珪素セラミック板の表面の所定の位置に、酸素を含有する銅回路板を接触配置させ、必要ならば荷重をかけた状態で銅と酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）の共晶温度（１，０６５℃）以上に加熱して一定時間保持することで共晶液相を生成させ、この液相を接合剤として銅回路板が高熱伝導性窒化珪素セラミック板表面に接合される。他の種類の金属回路板も使用可能であるが、その場合はこの共晶液相が生じる温度を鑑みて熱処理する温度を設定する必要がある。」
と記載されているから、引用発明Ｂにおける加熱温度は、「加熱して一定時間保持することで共晶液相を生成させこの液相を接合剤として銅回路板が高熱伝導性窒化珪素セラミック板表面に接合」するために、「銅と酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）の共晶温度（１，０６５℃）以上」とすることが必須の要件である。
　そうすると、引用発明Ｂにおいて、加熱温度を＜相違点４＞に係る構成である「７５０℃以上かつ９５０℃以下」や「４００℃以上かつ６００℃以下」まで下げることには、阻害事由がある。
　よって、加熱温度としてより低い温度条件が知られているとしても、引用発明Ｂにおいて、加熱温度を＜相違点４＞に係る本件発明１５の構成とすることは、当業者が適宜なし得るものであるとはいえない。
　また、本件発明１５は、＜相違点４＞に係る構成により、
「【００４４】
・・・成膜された材料が、チタン、ジルコニウム及びバナジウムからなる群から選択される少なくとも一種である場合は、前記窒化珪素基板と導体層とを接合する際の温度を、７５０℃〜９５０℃とする。これは、接合層材料が十分にセラミック基板側へ熱拡散するためである。言い換えれば、この接合時の温度が７５０℃未満とすると、接合層材料の熱拡散が不十分となり、密着性が十分に得られないという不都合があり、この一方で、９５０℃より高くすると、銅体層材料である銅もしくは銅合金の融点に近づき、リメルトの危険性があり、接合層材料金属が導体層中に溶解して合金化して電気抵抗が高くなる可能性がある。・・・
　あるいは、成膜された材料がアルミニウムである場合は、前記窒化珪素基板と導体層とを接合する際の温度を、４００℃以上かつ６００℃以下とする。これは、接合層材料が十分にセラミック基板側へ熱拡散するためからである。言い換えれば、この接合時の温度が４００℃未満とすると、接合層材料の熱拡散が不十分となり、密着性が十分に得られないという不都合があり、この一方で、６００℃より高くすると、アルミニウムの融点に近い温度となり、リメルトして積層体構造を壊す可能性がある。」
ことから、
「【００４５】
　これにより、図２、３に例示する金属セラミック接合基板のように、導体層に含まれる銅が、チタン、ジルコニウム、バナジウム及び／又はアルミニウムの薄膜層側に拡散するとともに、窒化珪素基板に含まれる窒素が、当該薄膜層側に拡散し、さらに、薄膜層のチタン、ジルコニウム、バナジウム及び／又はアルミニウムが窒化珪素基板側及び導体層側のそれぞれに拡散することになる。
・・・
【００４６】
　その結果として、それぞれの界面での拡散作用に起因する化合物の形成により、接合層の厚みがそれほど厚くなくとも、導体層と窒化珪素基板とが強固に接合された金属セラミック接合基板を製造することができ、微細な回路パターンの形成が可能になる。・・・」
という格別の作用効果を発揮するものである。
ウ．よって、本件発明１５は、引用発明Ｂに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。
（３）本件発明１６について
　本件発明１６は、本件発明１５の発明特定事項を全て含み、更に限定するものであるから、本件発明１６についても同様に、当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。
（４）小括
　以上のとおり、本件発明１５及び１６は、引用発明Ｂに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができず、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明とはいえないから、その特許は、特許法第１１３条第２号に該当せず、取り消すことはできない。
６．申立人の主張について
（１）申立人は、令和２年５月１１日付けの意見書（以下「申立人意見書」という。）において、以下のように主張している。
ア．「・・・しかしながら、本件特許明細書の［表１］の実施例には、接合層中の酸素濃度が「３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上８０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である」例しか記載されておりません。本件特許発明における・・・という効果は、接合層中の酸素濃度によって大きく異なります。
　上記酸素濃度範囲において、３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３と１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３では酸素濃度が約１０００倍異なります。酸素濃度が１０００倍異なれば特性が大きく異なると思料します。・・・
　したがって、訂正後の請求項１に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえません。したがって、訂正後の請求項１、及び請求項１を引用する請求項２〜１４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではなく、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないため、同法第１１３条第１項第４号の規定により取り消されるべきものであると確信いたします。」
（申立人意見書２ページ１８行〜３ページ１１行）
イ．「・・・しかしながら、「導体層として有効に機能することができる。」との効果は、「従来技術の銀ろう材に比して薄い厚みの接合層で構成でき、該接合層により、半導体素子から発生する熱を、有効に拡散することができ、その結果として、放熱性能を大きく高めることができる」という効果を概念的に下位にしたものではありません。
　従って、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものではなく、全ての訂正要件に適合しておりません。」
（申立人意見書４ページ１０行〜４ページ１７行）
ウ．「・・・しかしながら、本件特許明細書の［表１］の実施例には、上記原料中の酸素濃度について記載されておりません。本件特許発明における上記効果は、上記原料中の酸素濃度によって大きく異なります。・・・
　したがって、訂正後の請求項１６に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえません。したがって、訂正後の請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではなく、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないため、同法第１１３条第１項第４号の規定により取り消されるべきものであると確信いたします。」
（申立人意見書７ページ１９行〜８ページ５行）
（２）そこで検討する。
ア．上記主張ア．について
　上記２．で述べたとおり、本件発明１〜１４は、本件発明の課題を解決できるものであって発明の詳細な説明に記載した発明であり、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしているから、その特許は特許法第１１３条第４号に該当するものとはいえない。
　請求項１に記載された「３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下」のうち、実施例として３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上８０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の例しか記載されていないとしても、本件発明１は、普通に調整、あるいは調達することが可能な原材料等を用いて、通常の成膜、積層方法等によって製造された金属セラミック複合基板を含むものであって、そのような原材料等を用いた通常の成膜、積層方法によって得られる酸素濃度のため「３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下」という広い範囲であるのだから、実施例としてさらなる記載を要しないものであることは、当業者であれば理解できる。
　そして、本件発明１については、通常と異なる酸素濃度を有する特別な原材料等を用いるものではなく、特殊な成膜、積層方法によって、接合層に酸素を通常と異なるように含ませる操作を行うものでもないから、本件発明１の「３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下」が特別な範囲であるとする根拠はなく、そのため、実施例として上記範囲内の数値をことさら多く例示せずとも、当業者であれば発明の詳細な説明に開示されたものと理解可能である。
　よって、申立人の上記主張ア．は、採用できない。
イ．上記主張イ．について
　上記第２．で述べたとおり、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　ここで、本件発明１の「前記導体層を構成する銅又は銅合金の導電率」は、導体層を構成することになる原材料としての銅又は銅合金の導電率を意味することは、その文言上明らかである。
　さらに検討すると、接合後の導体層は、【図２】、【図３】に示されているように、銅又は銅合金以外に少なくともＯ、Ｃを含むものであるところ、接合後の導体層の状態で、Ｏ、Ｃや酸化銅といった銅又は銅合金以外の成分を除いた「銅又は銅合金の導電率」を測定することが技術的に不可能であることが技術常識である。
　そうすると、本件特許明細書等の記載を総合し、さらに技術常識を勘案すれば、「前記導体層を構成する銅又は銅合金の導電率」は、導体層を構成することになる原材料としての銅又は銅合金の導電率を意味するものであることが理解できる。一方、接合後の導体層の状態で、Ｏ、Ｃや酸化銅といった銅又は銅合金以外の成分を除いた「銅又は銅合金の導電率」を意味するものであると理解する根拠はない。
　してみると、特許権者が意見書で主張している「導体層として有効に機能することができる。」との効果については、接合後の導体層を構成する銅又は銅合金の導電率がＩＡＣＳ８０％以上であることによるものではなく、接合前の銅又は銅合金の導電率がＩＡＣＳ８０％以上であることによるものである。
　よって、申立人の上記主張イ．は、採用できない。
ウ．上記主張ウ．について
　上記２．で述べたとおり、本件発明１６は、本件発明の課題を解決できるものであって発明の詳細な説明に記載した発明であり、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしているから、その特許は特許法第１１３条第４号に該当するものとはいえない。
　請求項１６に記載された「１００ｗｔｐｐｍ以上２０００ｗｔｐｐｍ以下」について、実施例として具体的な数値が記載されていないとしても、チタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム等の原材料に金属の酸化物やＮＯｘ等として酸素がある程度含まれていることは技術常識であり、「１００ｗｔｐｐｍ以上２０００ｗｔｐｐｍ以下」の酸素濃度を有する原材料は特別なものではなく、普通に調整、あるいは調達することが可能であることは、当業者にとって明らかである。
　すなわち、当業者であれば、スパッタリング法に用いられるスパッタリングターゲット等の原材料中の酸素濃度を適宜調整することが可能であり、また、そのような酸素濃度を有する原材料を適宜調達することが可能であることは明らかであって、そのような調整、調達できる範囲の通常の値の範囲が「１００ｗｔｐｐｍ以上２０００ｗｔｐｐｍ以下」であるのだから、実施例として記載を要しないものであることは、当業者であれば理解できる。
　よって、申立人の上記主張ウ．は、採用できない。
エ．以上のとおり、申立人の上記主張ア．〜ウ．は、いずれも採用できない。
第７．取消理由としなかった申立理由について
１．申立人が申立てた理由のうち、取消理由又は取消理由（予告）としなかった理由の要旨は、次のとおりである。
（１）本件発明１〜１４は、甲第１号証に記載された発明、及び甲第２号証〜甲第５号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
（以下「申立理由１」という。）
（２）本件発明１５及び１６は、甲第４号証に記載された発明、甲第６号証及び甲第７号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
（以下「申立理由２」という。）
甲第１号証：特開２００３−２８５１９５号公報
甲第２号証：特開２００１−１２１２８７号公報
甲第３号証：特開２００１１６８４８２−号公報
甲第４号証：特開平２−１７７４６３号公報（引用文献４）
甲第５号証：「活性金属法による窒化物セラミックスと金属の接合機構」、中橋昌子　他２名、日本金属学会誌、公益社団法人日本金属学会、第５３巻、第１１号（１９８９）１１５３−１１６０（引用文献２）
甲第６号証：「SPUTTERING MATERIALS FOR VLSI AND THIN FILMS DEVICES」、Jaydeep Sarkar、William Andrew、２０１４年、２９５ページ
甲第７号証：東邦チタニウム株式会社チタン営業部、”製品・サービス情報　金属チタン　高純度チタン”、［ｏｎｌｉｎｅ］、［２０１９年１０月１日印刷］、インターネット
＜URL:https://www.toho-titanium.co.jp/products/htpi.html＞
２．申立理由１について
（１）甲第１号証の記載事項
　以下、甲第１〜７号証を「甲１」等という。
　甲１の【請求項１】、段落【０００７】、【０００８】、【００１５】、【００１９】〜【００２１】の記載、特に【表１】に記載された実施例４に着目すると、甲１には、以下の甲１発明が記載されている。
「セラミック基板上にＣｕを主成分とした金属回路層（Ｃｕ９０質量％以上（１００質量％を含む。））及び放熱層（Ｃｕ９０質量％以上（１００質量％を含む。））のうちの少なくとも金属回路層が活性金属を含んだろう材を用いた活性ろう付けによって接合されているセラミック回路基板において、
　セラミック基板は、窒化珪素であり、
　金属回路層及び放熱層はＣｕ板であり、
　ろう材は、該ろう材の全質量を１００質量％とする場合、Ａｇ０．０質量％、Ａｌ２．７質量％、Ｓｉ４．０質量％、Ｓｎ３．０質量％、Ｔｉ６．０質量％、残部Ｃｕとからなり、
　接合したときのろう材及びセラミック基板の基材との反応により、ろう材層の下層に厚さ数μｍのＴｉＮ反応層等が生成されている、セラミック回路基板。」
（２）本件発明１について
ア．対比
　本件発明１と甲１発明を対比する。
　甲１発明の「窒化珪素」である「セラミック基板」は、本件発明１の「窒化珪素基板」に相当する。
　甲１発明の「Ｃｕ板」である「Ｃｕを主成分とした金属回路層（Ｃｕ９０質量％以上（１００質量％を含む。））及び放熱層（Ｃｕ９０質量％以上（１００質量％を含む。））」は、本件発明１の「銅又は銅合金からなる導体層」に相当する。
　甲１発明の「ろう材の全質量を１００質量％とする場合、Ａｇ０．０質量％、Ａｌ２．７質量％、Ｓｉ４．０質量％、Ｓｎ３．０質量％、Ｔｉ６．０質量％、残部Ｃｕ」からなる「ろう材」は、「接合したときのろう材及びセラミック基板の基材との反応により、ろう材層の下層に厚さ数μｍのＴｉＮ反応層等が生成されている」ものであるから、本件発明１の「窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化バナジウム、及び、窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含み且つ銀を含まない接合層」に相当する。
　よって、本件発明１と甲１発明は、少なくとも以下の点で相違している。
＜相違点Ａ＞
　本件発明１は、「前記接合層中の酸素濃度が３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であ」るのに対して、甲１発明は、そのように特定されていない点。
イ．相違点についての検討
　＜相違点Ａ＞について検討する。
　甲２には、窒化珪素セラミックス基板とＡｌを主成分とする金属板とを接合するろう材について、酸素量が０．５質量％以下であることが記載（特に【請求項１】、【請求項４】を参照）されている。
　この「酸素量が０．５質量％以下」とする点につき、甲２には、以下のように記載されている（以下「甲２記載事項」という。）。
「【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を達成するために、Ａｌ系ろう材について詳細に検討した結果、セラミックス基板と
Ａｌを主成分とする回路用金属板
Ａｌ系ろう材
Ａｌ系ろう材中の酸素量が特定量以下
Ａｌ系の接合用ろう材
Ａｌ系ろう材中の酸素量が多いと、セラミックス基板とろう材、並びに金属回路板とろう材の接触が不充分
　上記記載によれば、甲２記載事項は、セラミックス基板とＡｌを主成分とする金属板を、Ａｌ系ろう材により接合する場合に特有の課題を解決するために、「酸素量が０．５質量％以下」とするものであることが理解できる。
　一方、甲１発明は、セラミック基板とＣｕ板を、Ｃｕが主成分のろう材により接合するものであり、甲２記載事項とは金属板もろう材も異なるものであるから、甲１発明に甲２記載事項を適用する動機付けがない。
　また、その他の甲号証をみても、甲１発明に甲２記載事項を適用する動機付けとなる記載乃至示唆がない。
　よって、甲１発明に甲２記載事項を適用することは、当業者が容易になし得るものであるということができない。
ウ．よって、本件発明１は、甲１発明、及び甲２記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。
（３）本件発明２〜１４について
　本件発明２〜１４は、本件発明１の発明特定事項を全て含み、更に限定するものであるから、本件発明２〜１４についても同様に、甲１発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。
（４）小括
　以上のとおり、本件発明１〜１４は、甲１発明、及び甲２記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができず、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明とはいえないから、その特許は、特許法第１１３条第２号に該当せず、取り消すことはできない。
３．申立理由２について
（１）甲４の記載事項
　甲４には、以下の事項が記載されている。
　なお、下線部は、当審が付した。
ア．「２．特許請求の範囲
　セラミック板の両面に厚み０．１μｍ〜３μｍの活性金属からなる薄膜層を介して第一および第二の銅部材を密接させると共に前記両銅部材のうち一方の銅部材の未対接面に熱緩衝用金属板を介して半導体素子接合用銅部材を密接させてなる基板部材を、
前記第一および第二の銅部材と活性金属とによって形成される合金の融点
（１ページ左欄４〜１５行）
イ．「この際、薄膜層２１がセラミック基材１に対接されるように銅部材２ａ，２ｂをセラミック基材１の両側に装着させる。そして、この治具ごと各部材を接合装置としての真空ホットプレス装置に装着させる。接合装置としては、雰囲気形成，加圧，加熱が可能な装置であれば、前記ホットプレス装置以外の装置でもよい。接合装置内に装着された後、接合装置内にアルゴンガスや窒素ガスあるいは１０−４Ｔｏｒｒ程度の真空等活性金属と反応されにくい雰囲気を形成し、次いで、第１図（ｂ）に示すように、加圧，加熱を行なう。」
（４ページ左上欄１７行〜右上欄８行）
ウ．「第３図は第２図と同様に横軸に温度、縦軸にピール強度をとり、銅とアルミナの関係を示した特性図で、活性金属としてはチタンを例にとっている。・・・
銅とチタンの共晶温度は約８８０℃
ろう材が融点以上の温度に加熱されると急激に溶融
反応して初めて溶融層が形成
（４ページ右下欄３行〜５ページ左上欄１行）
エ．「以上のことから銅部材２ａ，２ｂとセラミック基材１との接合は、薄膜層２１の厚みを０．１μｍ〜３μｍとし、接合加圧力を１〜２０ＭＰａ、
接合温度を薄膜２１と銅部材２ａ，２ｂとによって形成される合金の融点以上
　なお、前記実施例ではプリコートする薄膜層２１をチタンによって形成した例を示したが、・・・但し、銅部材２ａ，２ｃと拘束部材３との接合強度は９００℃程度以上の温度で安定した値が得られるため、
銅部材２ａ，２ｂと薄膜層２１によって形成される合金の融点は排出現象等を抑制するために９００℃に近いことが望ましい
（５ページ右上欄４行〜２０行）
オ．上記ウ．及びエ．の実施例では、薄膜２１としてチタンが用いられているから、「薄膜２１と銅部材２ａ，２ｂとによって形成される合金」は、「銅−チタン合金」が例示されていることが理解できる。
カ．上記ア．によれば、加熱温度は「前記第一および第二の銅部材と活性金属とによって形成される
合金の融点
合金の融点以上
キ．ここで、合金は、一点の温度を意味する「融点」で融解するのではなく、状態図において固相線と液相線で囲まれた「温度領域」で融解することが技術常識であるから、「合金の融点」は、技術的に理解できない。
　また、加熱時における薄膜２１と銅部材２ａ，２ｂは、それぞれ別部材であって合金ではないから、「薄膜２１と銅部材２ａ，２ｂとによって形成される合金」がどのようなものであるのか、把握できない。
ク．一方、上記ウ．には、「銅とチタンの共晶温度は約８８０℃であり、銅およびチタンの融点より低く、共晶組成はこれ以上の温度となると溶融を開始する」とあるが、加熱時におけるチタンの薄膜２１と銅部材２ａ，２ｂは、それぞれ別部材であって共晶組成となっていないものであるから、「約８８０℃」に加熱しても、チタンの薄膜２１と銅部材２ａ，２ｂが溶融を開始しないことは自明である。
　また、上記ウ．には、「本発明においては活性金属からなる薄膜層２１と同部材２ａ、２ｂとが反応して初めて溶融層が形成される」とあるが、共晶反応とは、ただ一つの液相が冷却中に分離して異なる二つの固相になる反応を意味するものであるから、加熱時に溶融層を形成するための「反応」は、共晶反応を意味するものでないことが明らかである。
　そうすると、先に記載された「銅とチタンの共晶温度」である「約８８０℃」という温度と、その後に記載された「活性金属からなる薄膜層２１と同部材２ａ、２ｂとが反応して初めて溶融層が形成される」温度との関係は、理解することができない。
　よって、上記ウ．の記載によっても、「薄膜２１と銅部材２ａ，２ｂとによって形成される合金の融点」は、理解することができない。
ケ．そして、甲４のその他の記載及び技術常識を勘案しても、「薄膜２１と銅部材２ａ，２ｂとによって形成される合金の融点」がどのようなものであるのか理解することができない。
コ．そうすると、甲４の記載からは、「薄膜２１と銅部材２ａ，２ｂとによって形成される合金の融点」が理解できないから、甲４に記載された発明を認定することができない。
サ．よって、本件発明１５及び１６は、甲４に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができず、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明とはいえないから、その特許は、特許法第１１３条第２号に該当せず、取り消すことはできない。
（２）予備的検討
　上記（１）で述べたとおり、甲４に記載された発明を認定することができないが、上記（１）ア．及びエ．の「薄膜２１と銅部材２ａ，２ｂとによって形成される
合金の融点
こととなる合金が融解する温度領域
ア．甲４の記載（上記（１）ア．〜エ．）によれば、甲４には、以下の甲４発明が記載されている。
「セラミック板の両面に厚み０．１μｍ〜３μｍの活性金属からなる薄膜層を介して第一および第二の銅部材を密接させると共に両銅部材のうち一方の銅部材の未対接面に熱緩衝用金属板を介して半導体素子接合用銅部材を密接させてなる基板部材を、第一および第二の銅部材と活性金属とによって形成されることとなる合金が融解する温度領域から第一および第二の銅部材の融点未満の温度に活性金属と反応されにくい雰囲気中で加熱させ、かつ厚み方向に加圧する、セラミック−金属複合基板の製造方法であって、
　セラミック板は、アルミナ部材であり、
　薄膜層は、Ｔｉを第一および第二の銅部材のそれぞれの一面に一連に真空蒸着させることによって形成され、
　厚み方向の加圧は、１〜２０ＭＰａである、セラミック−金属複合基板の製造方法。」
イ．本件発明１５について
（ア）対比
　本件発明１５と甲４発明を対比する。
　甲４発明の「第一および第二の銅部材」は、本件発明１５の「銅又は銅合金からなる導体層」に相当する。
　甲４発明の「活性金属からなる薄膜層」が「Ｔｉ」であることは、本件発明１５の「薄膜層」が「チタン、ジルコニウム、バナジウム、及びアルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種」であることに相当する。
　甲４発明の「活性金属からなる薄膜層」が「Ｔｉを第一および第二の銅部材のそれぞれの一面に一連に真空蒸着させることによって形成され」ることは、本件発明１５の「薄膜層」が「導体層の、少なくとも一方の表面上に、チタン、ジルコニウム、バナジウム、及びアルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種を、スパッタリング法又は蒸着法により」「成膜」することに相当する。
　甲４発明の「活性金属からなる薄膜層」が「厚み０．１μｍ〜３μｍ」であることは、本件発明１５の「薄膜層」の「膜厚が３００ｎｍ以上」であることと一部重複する。
　甲４発明の「前記活性金属と反応されにくい雰囲気中で加熱」することは、本件発明１５の「真空又は不活性ガス雰囲気の下、所定の温度条件」に相当する。
　甲４発明の「厚み方向の加圧は、１〜２０ＭＰａである」ことは、本件発明１５の「５ＭＰａ以上かつ１５０ＭＰａ以下の加圧力の作用により圧着させ」ることと一部重複する。
　甲４発明の「セラミック−金属複合基板の製造方法」は、本件発明１５の「金属セラミック接合基板を製造する方法」に相当する。
　よって、本件発明１５と甲４発明は、少なくとも以下の点で相違している。
＜相違点Ｂ＞
　基板について、本件発明１５は、「窒化珪素基板」であるのに対して、甲４発明は、アルミナ部材である点。
＜相違点Ｃ＞
　加熱温度について、本件発明１５は、「前記スパッタリング法又は蒸着法により成膜される材料が、チタン、ジルコニウム、及び、バナジウムからなる群から選択される少なくとも一種である場合、前記窒化珪素基板と導体層とを接合する際の温度を、７５０℃以上かつ９５０℃以下」としているのに対して、甲４発明は、第一および第二の銅部材とＴｉからなる活性金属とによって形成されることとなる合金が融解する温度領域から第一および第二の銅部材の融点未満の温度である点。
＜相違点Ｄ＞
　薄膜層の膜厚について、本件発明１５は、「３００ｎｍ以上」であるのに対して、甲４発明は、０．１μｍ〜３μｍである点。
＜相違点Ｅ＞
　加圧力について、本件発明１５は、「５ＭＰａ以上かつ１５０ＭＰａ以下」であるのに対して、甲４発明は、１〜２０ＭＰａである点。
（イ）相違点についての検討
　事案に鑑み、まず＜相違点Ｃ＞について検討する。
　合金が融解する「温度領域」の上下限温度は、状態図において固相線と液相線で囲まれた領域であり、合金の組成（銅−チタン合金の場合、銅とチタンの組成）によって数百度も異なることが技術常識であるところ、甲４の「第一および第二の銅部材と活性金属とによって形成されることとなる合金」（甲４に例示されていると理解できる「銅−チタン合金」）は、その組成が不明であるから、甲４の温度領域が具体的に何℃であるのか、把握することができない。
　また、甲４に記載されている「約８８０℃」という温度と甲４発明の「温度領域」については、上記（１）ク．で述べたとおり、その関係が理解できず、「９００℃に近いことが望ましい」（上記（１）エ．）という温度の記載は、甲４発明の「第一および第二の銅部材と活性金属とによって形成されることとなる合金が融解する温度領域から第一および第二の銅部材の融点未満の温度」という温度範囲内において、９００℃に近いことが望ましいことを意味するものであって、当該温度範囲を超えて９００℃に近い温度にすることを意味するものではない。
　そして、甲４のその他の記載及び技術常識を勘案しても、甲４発明の「第一および第二の銅部材と活性金属とによって形成されることとなる合金が融解する温度領域」が具体的に何℃であるのか特定することができず、また、その他の甲号証をみても、甲４発明の「温度領域」を「７５０℃以上かつ９５０℃以下」を含むような範囲とすることにつき記載も示唆もない。
　よって、甲４発明において、＜相違点Ｃ＞に係る本件発明１５の構成とすることは、当業者が容易になし得るものであるということができない。
（ウ）したがって、＜相違点Ｂ＞、＜相違点Ｄ＞及び＜相違点Ｅ＞について検討するまでもなく、本件発明１５は、甲４発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。
ウ．本件発明１６について
　本件発明１６は、本件発明１５の発明特定事項を全て含み、更に限定するものであるから、本件発明１６についても同様に、甲４発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。
エ．小括
　以上のとおり、本件発明１５及び１６は、甲４１発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができず、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明とはいえないから、その特許は、特許法第１１３条第２号に該当せず、取り消すことはできない。
第８．むすび
　以上のとおり、本件発明１〜１６に係る特許は、申立人の主張する申立理由、取消理由通知及び取消理由通知（予告）の取消理由によって取り消すことができない。
　また、他に本件発明１〜１６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年１１月１０日（２０２０．１１．１０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　窒化珪素基板の少なくとも一方の表面側に、銅又は銅合金からなる導体層を積層してなる金属セラミック接合基板であって、
　前記窒化珪素基板と導体層との間に、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化バナジウム、及び、窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含み且つ銀を含まない接合層が介在し、該接合層の介在下で、前記窒化珪素基板と導体層とが接合されてなり、
　前記接合層中の酸素濃度が３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上
１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
り、前記導体層を構成する銅又は銅合金の導電率がＩＡＣＳ８０％以上である
　【請求項２】
　前記接合層の厚みが、５００ｎｍ以上かつ５０００ｎｍ以下である請求項１に記載の金属セラミック接合基板。
　【請求項３】
　前記接合層の厚みが、２０００ｎｍ以上かつ４０００ｎｍ以下である請求項２に記載の金属セラミック接合基板。
　【請求項４】
　前記導体層から接合層への銅の拡散距離が、該導体層と接合層との界面から厚み方向に沿って測って５００ｎｍ以上である請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
　【請求項５】
　前記窒化珪素基板と導体層とのピール強度が、０．４ｋＮ／ｍ以上である請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
　【請求項６】
　前記窒化珪素基板を、曲げ強度が４００ＭＰａ以上であり、表面粗さＲａが０．１μｍ以上かつ１．０μｍ以下であるものとしてなる請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
　【請求項７】
　
前記
　【請求項８】
　厚み方向で、窒化珪素基板と接合層との界面から導体層側に向かって、５００ｎｍ離れた位置における窒素の濃度が、５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
　【請求項９】
　前記接合層中のチタン、ジルコニウム、バナジウム、及び／又は、アルミニウムの含有量が、該接合層の厚み方向の中間領域にピークを有するとともに、該中間領域から、厚み方向で導体層側及び窒化珪素基板側のそれぞれに向かうに従い減少してなる請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
　【請求項１０】
　車載用又は民生機器搭載用のパワー半導体素子が搭載されるパワーモジュール用基板としてなる請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
　【請求項１１】
　前記導体層に回路パターンが形成された金属回路基板としてなる請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
　【請求項１２】
　ＬＥＤ用基板としてなる請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
　【請求項１３】
　ＭＥＭＳ用基板としてなる請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
　【請求項１４】
　マルチコアＭＣＵに用いられる請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属セラミック接合基板。
　【請求項１５】
　窒化珪素基板の少なくとも一方の表面側に、銅又は銅合金からなる導体層を積層してなる金属セラミック接合基板を製造する方法であって、
　窒化珪素基板又は導体層の、少なくとも一方の表面上に、チタン、ジルコニウム、バナジウム、及びアルミニウムからなる群から選択される少なくとも一種を、スパッタリング法又は蒸着法により、膜厚が３００ｎｍ以上になるまで成膜し、その後、成膜した薄膜層上に、導体層又は窒化珪素基板を、真空又は不活性ガス雰囲気の下、所定の温度条件で、５ＭＰａ以上かつ１５０ＭＰａ以下の加圧力の作用により圧着させて、前記窒化珪素基板と導体層とを接合し、
　前記スパッタリング法又は蒸着法により成膜される材料が、チタン、ジルコニウム、及び、バナジウムからなる群から選択される少なくとも一種である場合、前記窒化珪素基板と導体層とを接合する際の温度を、７５０℃以上かつ９５０℃以下とし、または、前記スパッタリング法又は蒸着法により成膜される材料が、アルミニウムである場合、前記窒化珪素基板と導体層とを接合する際の温度を、４００℃以上かつ６００℃以下とする金属セラミック接合基板の製造方法。
　【請求項１６】
　前記スパッタリング法又は蒸着法による成膜の際に用いられるチタン、ジルコニウム、バナジウムおよびアルミニウム原料中の酸素濃度が、１００ｗｔｐｐｍ以上
２０００ｗｔｐｐｍ以下