(57)【要約】      （修正有）【課題】従来材料以上に高い効率と耐久性を有するカルバゾール誘導体の提供、および該誘導体を用いた正孔輸送材料の提供。【解決手段】一般式（１）で表されるアミン誘導体。2010070495.tif 000013（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、各々独立して水素原子、炭素数１〜１８の直鎖，分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖，分岐若しくは環状のアルコキシ基、又は置換若しくは無置換のフェニル基を表し、Ａｒ１とＡｒ２は、各々独立して炭素数６〜４０の置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数５〜４０の置換若しくは無置換のヘテロアリール基を表す。尚、Ｒ１とＲ２は互いに結合して環を形成してもよい。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表されるアミン誘導体。
【化１】
2010070495.tif 000012
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、各々独立して水素原子、炭素数１〜１８の直鎖，分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖，分岐若しくは環状のアルコキシ基、又は置換若しくは無置換のフェニル基を表し、Ａｒ１とＡｒ２は、各々独立して炭素数６〜４０の置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数５〜４０の置換若しくは無置換のヘテロアリール基を表す。尚、Ｒ１とＲ２は互いに結合して環を形成してもよい。）
【請求項２】
請求項１に記載のアミン誘導体を発光層、正孔輸送層又は正孔注入層のいずれかに用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カルバゾール基が置換した新規なアミン誘導体及びその用途、特に有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略す）に関するものである。新規アミン誘導体は、感光材料、有機光導電材料として使用でき、更に具体的には、平面光源や表示に使用される有機ＥＬ素子若しくは電子写真感光体等の正孔輸送材料、正孔注入材料及び発光材料として利用できる。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ素子用正孔輸送材料として、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（１，１’−ビフェニル−４−イル）ベンジジン（ＴＢＤＢ）等のジアミン構造を有するトリアリールアミン誘導体が報告され、特に、ＴＢＰＢは、α−ＮＰＤと比較して、ガラス転移温度及び正孔移動度が高いことから有機ＥＬ素子の低駆動電圧と素子寿命の向上に寄与してきた。しかし、近年では、更に有機ＥＬ素子の高効率化と長寿命化が必要となってきた。
【０００３】
高効率化と高耐久性を達成する目的で、正孔輸送材料として、カルバゾール基のモノ置換体（例えば、特許文献１〜４参照）、カルバゾール基のジ置換体（例えば、特許文献５〜６参照）が報告されている。また、フルオレニル基が置換したカルバゾール基のモノ置換体も報告されている（例えば、特許文献７参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１４８６６０公報
【特許文献２】特開２００８−１２０７６９公報
【特許文献３】特開２００７−１２６４３９公報
【特許文献４】国際公開２００８／０６２６３６号パンフレット
【特許文献５】特開平０８−００３５４７号公報
【特許文献６】特開２００４−２１７５５７公報
【特許文献７】特開２００７−３１８１０１公報  一般に、カルバゾール類はガラス転移温度が比較的高く、耐熱性を有しているものの、高い平面構造を有するため、真空蒸着法等やスピンコーティング法等で薄膜を形成した際に、膜の安定性が低く、容易に結晶化してしまい、素子の寿命が極端に短いという問題点を有しており、特にカルバゾール基のジ置換体は、素子寿命が短いという欠点を有していた。一方、モノ置換体については、特許文献４等に記載されているように発光効率の向上が見られるものの、未だ耐久性を含めた有機ＥＬ素子としての性能は十分満足できるものではない。
【０００５】
特許文献７には、以下に示す化合物６０のような化合物が例示されているが、正孔輸送材料としての具体的な例示はなく、また、明細書中には、本発明のベンゾフルオレニル基を有するカルバゾール化合物を示す記載はない。
【０００６】
【化１】
2010070495.tif 000002
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、従来材料以上に高い効率と耐久性を有するカルバゾール系正孔輸送材料を提供することにある。更に詳しくは、有機ＥＬ素子等の正孔注入材料、正孔輸送材料及び発光材料に適したカルバゾール基が置換した新規アミン誘導体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは鋭意検討した結果、一般式（１）で表される特定のアミン誘導体が、効率及び耐久性の面で従来報告されているカルバゾール誘導体より非常に優れていることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、一般式（１）で表されるカルバゾール基が置換したアミン誘導体及びその用途に関するものである。
【０００９】
【化２】
2010070495.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、各々独立して水素原子、炭素数１〜１８の直鎖，分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖，分岐若しくは環状のアルコキシ基、又は置換若しくは無置換のフェニル基を表し、Ａｒ１とＡｒ２は、各々独立して炭素数６〜４０の置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数５〜４０の置換若しくは無置換のヘテロアリール基を表す。尚、Ｒ１とＲ２は互いに結合して環を形成してもよい。）
以下、本発明に関し詳細に説明する。
【００１１】
上記一般式（１）で表されるアミン誘導体中のＡｒ１，Ａｒ２は、各々独立して炭素数６〜４０の置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数５〜４０の置換若しくは無置換のヘテロアリール基を表す。
【００１２】
炭素数６〜４０の置換若しくは無置換のアリール基としては、具体的には、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−アントリル基、９−アントリル基、２−フルオレニル基、ベンゾ［ａ］フルオレニル基、ベンゾ［ｃ］フルオレニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、２−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、２−ネオペンチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−（２’−エチルブチル）フェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−（２’−エチルヘキシル）フェニル基、４−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−テトラデシルフェニル基、４−シクロペンチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−（４’−メチルシクロヘキシル）フェニル基、４−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル）フェニル基、３−シクロヘキシルフェニル基、２−シクロヘキシルフェニル基、４−エチル−１−ナフチル基、６−ｎ−ブチル−２−ナフチル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４−ジエチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２，５−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジイソブチルフェニル基、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルフェニル基、５−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル基、９−メチル−２−フルオレニル基、９−エチル−２−フルオレニル基、９−ｎ−ヘキシル−２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、９，９−ジエチル−２−フルオレニル基、９，９−ジ−ｎ−プロピル−２−フルオレニル基、１１，１１−ジメチル−９−ベンゾ［ａ］フルオレニル基、１１，１１−ジフェニル−９−ベンゾ［ａ］フルオレニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、２−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、３−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、２−イソプロポキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−イソブトキシフェニル基、２−ｓｅｃ−ブトキシフェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−イソペンチルオキシフェニル基、２−イソペンチルオキシフェニル基、４−ネオペンチルオキシフェニル基、２−ネオペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、２−（２’−エチルブチル）オキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−メトキシ−１−ナフチル基、４−メトキシ−１−ナフチル基、４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチル基、５−エトキシ−１−ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、６−エトキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ブトキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ヘキシルオキシ−２−ナフチル基、７−メトキシ−２−ナフチル基、７−ｎ−ブトキシ−２−ナフチル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、２−メチル−５−メトキシフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル基、３−エチル−５−メトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、３−メトキシ−４−メチルフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、３，５−ジ−ｎ−ブトキシフェニル基、２−メトキシ−４−エトキシフェニル基、２−メトキシ−６−エトキシフェニル基、３，４，５−トリメトキシフェニル基、４−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、２−フェニルフェニル基、４−（４’−メチルフェニル）フェニル基、４−（３’−メチルフェニル）フェニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４’−ｎ−ブトキシフェニル）フェニル基、２−（２’−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４’−クロロフェニル）フェニル基、３−メチル−４−フェニルフェニル基、３−メトキシ−４−フェニルフェニル基、９−フェニル−２−フルオレニル基、４−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、２−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−クロロ−１−ナフチル基、４−クロロ−２−ナフチル基、６−ブロモ−２−ナフチル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、３，４−ジフルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、２，３−ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、２，５−ジクロロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、２，５−ジブロモフェニル基、２，４，６−トリクロロフェニル基、２，４−ジクロロ−１−ナフチル基、１，６−ジクロロ−２−ナフチル基、２−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−フルオロ−５−メチルフェニル基、３−フルオロ−２−メチルフェニル基、３−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−メチル−４−フルオロフェニル基、２−メチル−５−フルオロフェニル基、３−メチル−４−フルオロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−５−メチルフェニル基、２−クロロ−６−メチルフェニル基、２−メチル−３−クロロフェニル基、２−メチル−４−クロロフェニル基、３−クロロ−４−メチルフェニル基、３−メチル−４−クロロフェニル基、２−クロロ−４，６−ジメチルフェニル基、２−メトキシ−４−フルオロフェニル基、２−フルオロ−４−メトキシフェニル基、２−フルオロ−４−エトキシフェニル基、２−フルオロ−６−メトキシフェニル基、３−フルオロ−４−エトキシフェニル基、３−クロロ−４−メトキシフェニル基、２−メトキシ−５−クロロフェニル基、３−メトキシ−６−クロロフェニル基、５−クロロ−２，４−ジメトキシフェニル基などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００１３】
また、炭素数５〜４０の置換若しくは無置換のヘテロアリール基としては、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも一つのヘテロ原子を含有する芳香環基であり、例えば、４−キノリル基、４−ピリジル基、３−ピリジル基、２−ピリジル基、３−フリル基、２−フリル基、３−チエニル基、２−チエニル基、２−オキサゾリル基、２−チアゾリル基、２−ベンゾオキサゾリル基、２−ベンゾチアゾリル基、２−ベンゾイミダゾリル基などの複素環基を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００１４】
上記一般式（１）で表されるアミン誘導体中のＲ１〜Ｒ５は、各々独立して水素原子、炭素数１〜１８の直鎖，分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖，分岐若しくは環状のアルコキシ基、又は置換若しくは無置換のフェニル基を表す。尚、Ｒ１とＲ２は互いに結合して環を形成してもよい。
【００１５】
炭素数１〜１８の直鎖，分岐若しくは環状のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、１，３−シクロヘキサジエニル基、２−シクロペンテン−１−イル基等を挙げることができる。
【００１６】
炭素数１〜１８の直鎖，分岐若しくは環状のアルコキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等を例示することができる。
【００１７】
また、置換若しくは無置換のフェニル基としては、フェニル基又は上記したアルキル基又はアルコキシ基が置換したフェニル基を表す。
【００１８】
以下に好ましい化合物を例示するが、これらの化合物に限定されるものではない。
【００１９】
【化３】
2010070495.tif 000004
【００２０】
【化４】
2010070495.tif 000005
【００２１】
上記一般式（１）で表されるアミン誘導体は、例えば、以下に示すような公知の方法により合成することができる（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，３９，２３６７（１９９８）に記載のアミノ化，Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｒｅｖｉｅｗ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９５，９５，ｐ２４５７−２４８３に記載の鈴木−宮浦カップリング参照）。より詳細には、例えば、３−ブロモカルバゾール誘導体と対応するボロン酸誘導体から、鈴木−宮浦カップリング反応により３−（クロロフェニル）カルバゾール誘導体を合成した後、ベンゾフルオレニル基が置換した二級アミンと反応させることにより、本発明の上記一般式（１）で表されるアミン誘導体を合成することができる（下式参照）。或いは、別法として、３−ブロモカルバゾール誘導体のグリニヤール試薬とブロモヨードベンゼンから合成した３−（ブロモフェニル）カルバゾール誘導体を原料に、前述の方法と同じ操作を行うことにより、本発明の上記一般式（１）で表されるアミン誘導体を合成することもできる。合成したアミン誘導体は、クロマトグラフィー、再結晶及び昇華精製等の精製操作を行うことにより、純度９９．９％以上で得ることができる。
【００２２】
【化５】
2010070495.tif 000006
【００２３】
（式中、Ｒ１〜Ｒ５及びＡｒ１とＡｒ２は、前記と同一の置換基を表す。）
本発明のアミン誘導体は、有機ＥＬ素子の正孔注入材料、正孔輸送材料又は発光層のホスト材料としても利用可能であるが、特に正孔輸送材料として使用した際に、従来の材料以上に駆動電圧の改善と高い電力効率が期待できる。また、本発明のアミン誘導体は、カルバゾール基を部分構造に持ちながらもベンゾフルオレニル基の１１位に結合した置換基により、材料自身の結晶化が抑制されることから、有機ＥＬ素子の耐久性向上も期待できる。
【００２４】
従って、有機ＥＬ素子若しくは電子写真感光体等の正孔注入材料、正孔輸送材料又は発光材料としてのみでなく、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の有機光導電材料の分野にも応用できる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明による上記一般式（１）で表されるアミン誘導体は、従来の材料以上に低電圧駆動と高い電力効率を示し、更に高いガラス転移温度を有するため、有機ＥＬ素子の耐久性向上、寿命の改善が期待できる。そのため、有機ＥＬ素子若しくは電子写真感光体等の正孔輸送材料又は発光材料等として利用できる。
【実施例】
【００２６】
以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に解説するが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、実施例で得られた化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定及びＦＤＭＳ測定により行った。１Ｈ−ＮＭＲ測定及び１３Ｃ−ＮＭＲ測定は、バリアン社製  Ｇｅｍｉｎｉ２００、ＦＤＭＳ測定は、日立製作所製  Ｍ−８０Ｂを使用して実施した。
【００２７】
また、ＨＰＬＣ純度は、以下の条件下で測定した。
・機器  ：東ソー製  マルチステーションＬＣ−８０２０
・カラム：Ｉｎｅｒｔｓｉｌ  ＯＤＳ−３Ｖ（４．６ｍｍφ×２５０ｍｍ）
・検出器：ＵＶ検出器（波長＝２５４ｎｍ）
・溶離液：メタノール／テトラハイドロフラン＝９／１（ｖ／ｖ比）
有機ＥＬ素子の駆動電圧及び発光輝度測定は、ＴＯＰＣＯＮ社製  輝度計ＬＵＭＩＮＡＮＣＥ  ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）を用いて行った。
【００２８】
【化６】
2010070495.tif 000007
【００２９】
合成例１（中間体１の合成）
２０ｍＬのシュレンク管に攪拌子を入れ、窒素置換した後、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）  １．１０ｇ（１．２０ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン  １．４６ｇ（７．２２ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  １０ｍＬを加え、この溶液を窒素下にて２０分間６０℃で攪拌し、これを触媒溶液とした。窒素置換した１Ｌの３つ口フラスコに、カルバゾール４０．１ｇ（０．２４０ｍｏｌ）、４−ブロモビフェニル  ２８．０ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、炭酸カリウム３３．２ｇ（０．２４０ｍｏｌ）、１８−クラウン−６  ９５０ｍｇ（３．６０ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ７００ｍＬを加えた。室温で、この溶液に先の触媒溶液をシリンジで加え、反応溶液を１２０℃に加熱した。１６時間後、加熱を終了し、室温まで放冷した。エバポレーターでｏ−キシレンを除去した後、濃縮残渣をクロロホルム７００ｍＬで抽出し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。有機層濃縮残渣にイソプロパノール１５０ｍＬを添加し、８０℃で３０分間過熱した後、その温度のまま熱時ろ過を行い、肌色粉末を２０．３ｇ得た（収率５３％，ＨＰＬＣ純度＝９７％）。１Ｈ−ＮＭＲ測定及びＦＤＭＳ測定により、目的の中間体１であることを確認した。
【００３０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）＝７．２６〜７．５５（ｍ  ９Ｈ）、７．６２〜７．７１（ｍ  ４Ｈ）、７．８０〜７．８４（ｄ  ２Ｈ）、８．１４〜８．１８（ｄ  ２Ｈ）
ＦＤＭＳ：３１９（Ｍ＋）
合成例２（中間体２の合成）
２Ｌの３つ口フラスコに、中間体１  １５．０ｇ（４７．０ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン８４５ｍＬを添加し、室温で５分間攪拌した。この溶液に、Ｎ−ブロモコハク酸イミド  ７．９４ｇ（０．９５ｅｑ．）をジクロロメタン４２３ｍＬに溶解させた溶液を３時間かけて滴下した。滴下終了後、更に室温で２時間攪拌した。反応液を純水５００ｍＬで３回洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層濃縮残渣をイソプロパノール４００ｍＬで洗浄した後、トルエンにて２回再結晶を行い、白色粉末を９．７ｇ得た（収率５２％）。ＦＤＭＳ測定により、目的の中間体２であることを確認した。
【００３１】
ＦＤＭＳ：３９７（Ｍ＋）
合成例３（中間体３の合成）
窒素置換した５００ｍＬの３つ口フラスコに、中間体２  １２．３ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、４−クロロフェニルボロン酸  ６．６４ｇ（４０．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム３５７ｍｇ（０．３０９ｍｍｏｌ）、２０重量％の炭酸ナトリウム水溶液６７ｇ、テトラヒドロフラン２４５ｍＬを加え、６５℃で２０時間加熱した。反応後、室温まで放冷し、水層を抜いた。有機層を純水（５０ｍＬ）、飽和ＮａＣｌ溶液（１００ｍＬ）で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層濃縮残渣をトルエンにて２回再結晶を行い、白色粉末６．５ｇを得た（収率５８％，ＨＰＬＣ純度＝９９％）。１Ｈ−ＮＭＲ測定及びＦＤＭＳ測定により、目的の中間体３であることを確認した。
【００３２】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）＝７．２４〜７．５５（ｍ  ９Ｈ）、７．５９〜７．７２（ｍ  ７Ｈ）、７．８１〜７．８５（ｄ  ２Ｈ）、８．１７〜８．２１（ｄ  １Ｈ）、８．３１〜８．３２（１Ｈ）
ＦＤＭＳ：４２９（Ｍ＋）
合成例４（Ｎ−フェニル−９−アミノ−１１，１１−ジメチル−１１Ｈ−ベンゾ［ａ］フルオレン）
窒素置換した１Ｌの３つ口フラスコに、９−クロロ−１１，１１−ジメチル−１１Ｈ−ベンゾ［ａ］フルオレン（ＷＯ２００７／１１９８００の方法に従って合成）５１．０ｇ（０．１８３ｍｏｌ）、アニリン５１．１ｇ（０．５４９ｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．４１１ｇ（１．８３ｍｍｏｌ）、ナトリウムターシャリーブトキシド  ２１．１ｇ（０．２２０ｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ５８０ｍＬを加えた。最後にトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン  １．４８ｇ（７．３２ｍｍｏｌ）を加え、１３０℃に加熱した。２０時間後、加熱を終了し、室温まで放冷した。この反応液を純水（５００ｍＬ）、飽和ＮａＣｌ溶液（２００ｍＬ）で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し（展開溶媒トルエン）、更にｏ−キシレンで再結晶を行うことにより、白色粉末３２．９ｇを得た（収率６５％，ＨＰＬＣ純度＝９９．４％）。ＦＤＭＳ測定により、目的のＮ−フェニル−９−アミノ−１１，１１−ジメチル−１１Ｈ−ベンゾ［ａ］フルオレンであることを確認した。
【００３３】
ＦＤＭＳ：３３５（Ｍ＋）
実施例１（化合物Ａ２の合成）
窒素置換した２００ｍＬの３つ口フラスコに、中間体３  ３．０ｇ（７．０ｍｍｏｌ）、合成例４で合成したＮ−フェニル−９−アミノ−１１，１１−ジメチル−１１Ｈ−ベンゾ［ａ］フルオレン  ２．８１ｇ（８．４ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１６ｍｇ（０．０７１ｍｍｏｌ）、ナトリウムターシャリーブトキシド  ０．８１ｇ（８．４ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ６０ｍＬを加えた。最後にトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン  ６８ｍｇ（０．３４ｍｍｏｌ）を加え、１３０℃に加熱した。１４時間後、加熱を終了し、室温まで放冷した。この反応液を純水（６０ｍＬ×２）、飽和ＮａＣｌ溶液（３０ｍＬ）で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し（展開溶媒トルエン／ヘキサン）、更にトルエンで２回再結晶することにより、白色粉末３．３０ｇを得た（収率５４％，ＨＰＬＣ純度＝９９．５％）。
【００３４】
実施例２（素子作製）
厚さ１３０ｎｍのＩＴＯ透明電極を有するガラス基板をアセトン、イソプロピルアルコールで順次超音波洗浄し、次いで、イソプロピルアルコールで煮沸洗浄した後、乾燥した。更に、ＵＶ／オゾン処理したものを透明導電性支持基板として使用した。ＩＴＯ透明電極上に、銅フタロシアニンを真空蒸着法により２５ｎｍの膜厚で成膜した。次に、化合物Ａ２を真空蒸着法により４５ｎｍの膜厚で成膜し、正孔輸送層を形成した。次に、アルミニウムトリスキノリノール錯体を真空蒸着法により６０ｎｍの膜厚で成膜し、発光層及び電子輸送層を形成した。尚、上記有機化合物の蒸着条件は、真空度１．０×１０−４Ｐａ、成膜速度０．３ｎｍ／秒の同一条件で成膜した。次に、陰極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、Ａｌを１００ｎｍ蒸着し、金属電極を形成した。更に、窒素雰囲気下、保護用ガラス基板を重ね、ＵＶ硬化樹脂で封止した。このようにして得られた素子に、ＩＴＯ電極を正極、ＬｉＦ−Ａｌ電極を負極にして、２０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度条件下で駆動させた際の輝度、駆動電圧、電流効率、電力効率及び寿命に関する評価結果を表１に示す。
【００３５】
比較例１〜２
化合物Ａ２の代わりに、以下に示した比較化合物１，２（夫々、特許文献５記載の化合物（７）、特許文献１記載の化合物（Ａ６））を用い、実施例２に準じて素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度条件下で駆動させた際の輝度、駆動電圧、電流効率、電力効率及び寿命に関する評価結果を表１に示す。
【００３６】
【化７】
2010070495.tif 000008
【００３７】
比較例３
実施例１に準じて、中間体３とＮ，Ｎ−ビス（４−ビフェニリル）アミンから、比較化合物３（特許文献４記載の化合物（Ｈ５３））を収率＝４４％で合成した。ガラス転移温度は１３０℃であった。
【００３８】
化合物Ａ２の代わりに、比較化合物３を用い、実施例２に準じて有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度条件下で駆動させた際の輝度、駆動電圧、電流効率、電力効率及び寿命に関する評価結果を表１に示す。
【００３９】
【化８】
2010070495.tif 000009
【００４０】
比較例４
化合物Ａ２の代わりに、比較化合物４を用い、実施例２に準じて有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度条件下で駆動させた際の輝度、駆動電圧、電流効率、電力効率及び寿命に関する評価結果を表１に示す。
【００４１】
【化９】
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【００４２】
【表１】
2010070495.tif 000011