(57)【要約】【課題】成膜後の表面処理や蒸着時の基板回転を伴わず、従来の配向膜厚よりも薄い膜厚で、液晶の高いプレチルト角を得ることができる無機配向膜の製造方法を提供する。【解決手段】酸化物を基板に対して斜めに真空蒸着させることにより、前記基板上に複数の酸化物柱状構造体より形成される斜方蒸着膜を形成する工程を含む無機配向膜の製造方法において、前記斜方蒸着膜の形成は、第一の蒸着速度で蒸着した後、第二の蒸着速度で蒸着して行なわれ、前記第二の蒸着速度が第一の蒸着速度よりも大きい無機配向膜の製造方法。【選択図】図３
2010181752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物を基板に対して斜めに真空蒸着させることにより、前記基板上に複数の酸化物柱状構造体より形成される斜方蒸着膜を形成する工程を含む無機配向膜の製造方法において、前記斜方蒸着膜の形成は、第一の蒸着速度で蒸着した後、第二の蒸着速度で蒸着して行なわれ、前記第二の蒸着速度が第一の蒸着速度よりも大きいことを特徴とする無機配向膜の製造方法。
【請求項２】
前記第一の蒸着速度および第二の蒸着速度で行なわれる蒸着の蒸着角度は同じである請求項１記載の無機配向膜の製造方法。
【請求項３】
前記酸化物がＳｉＯ２である請求項１または２記載の無機配向膜の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかの製造方法で形成した無機配向膜を用いたことを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
正の誘電異方性を有するネマティック液晶からなる液晶層と、該液晶層を挟持して対向する、第一および第二の基板とを含み構成される液晶装置であり、前記第一の基板上には複数の画素電極が配置された表示領域部と、該表示領域部以外の非表示領域部が配置され、前記第二の基板上には透明電極から成る対向電極が配置され、前記第一および第二の基板の液晶層側には無機配向膜が設置されており、前記第一および第二の基板の少なくとも一方の基板上に設置された非表示領域部の少なくとも一部の無機配向膜が、請求項１乃至３のいずれかに記載の製造方法で形成された無機配向膜からなることを特徴とする請求項４記載の液晶装置。
【請求項６】
前記非表示領域部が表示領域部をとり囲む領域からなり、前記非表示領域部の少なくとも一部に請求項１乃至３のいずれかに記載の製造方法で形成された無機配向膜を有することを特徴とする請求項５記載の液晶装置。
【請求項７】
前記液晶層の非表示動作時の配向状態がベンド配向であることを特徴とする請求項４乃至６のいずれかの項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記非表示領域部の少なくとも一部の液晶層において、電圧無印加時の前記液晶層の配向状態がベンド配向であることを特徴とする請求項４乃至７のいずれかの項に記載の液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無機配向膜の製造方法および液晶装置に関し、特に高速応答の可能なＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モードを用いた液晶装置およびそれに用いる無機配向膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶素子には用途に応じて様々な液晶配向モードが用いられる。例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モード等が良く知られている。これらの液晶配向モードは液晶組成物の物性と、配向膜の特性によって決定することができる。
【０００３】
近年、優れた動画表示を行うための高速応答性を有する液晶装置の開発が活発になっており、上記液晶配向モードの中でＯＣＢモードは比較的高速応答性を有していることから、注目を集めている。
【０００４】
ＯＣＢモードは、表示動作の際に図２（ａ）に示すベンド配向と呼ばれる液晶配向状態を使用するが、ベンド配向形成のためには図２（ｂ）に示すような初期配向状態のスプレイ配向からの配向転移が必要となる。一般にこのスプレイ−ベンド配向転移のために液晶セルに対してある電圧以上の転移電圧を印加する必要がある。しかしながら、転移電圧が高くなると液晶素子の駆動電圧が高くなるため、転移電圧はできるだけ低くすることが好ましい。
【０００５】
転移電圧の低減には液晶配向膜とその直上の液晶分子の傾き角であるプレチルト角を高く設定することや、液晶組成物の弾性定数（Ｋ３３／Ｋ１１）の低減等が有効であることが知られている。特にプレチルト角を４０°以上に設定することにより転移電圧が不要となり、スプレイ配向状態を経ずにベンド配向を形成することが可能である。
【０００６】
しかし、プレチルト角を高く設定するとベンド転移が発生しやすくなる反面、液晶層のリタデーションが低下し、その結果光利用効率が低下するという課題がある。
この課題の解決のため、低プレチルト角でもベンド配向転移を容易にするための報告がある。
【０００７】
例えば特許文献１は、基板面内に複数の異なるプレチルト角を発現する領域を形成し、具体的には低プレチルト角領域を高プレチルト角領域で囲い込むことで、スプレイ−ベンド転移の発生を容易にする技術を開示している。特許文献１における低プレチルト角領域の形成方法としては以下の方法が挙げられている。まず高プレチルト角領域を、蒸着角度８０°の斜方蒸着法により基板上に形成する。その後マスクを用いて蒸着領域を画素領域のみに制限し、基板を９０°回転させることにより蒸着方向を９０°回転させて、蒸着角度６０°で斜方蒸着膜を作製する。このような作製方法により、画素領域は６０°蒸着により低プレチルト角となり、画素間領域は８０°蒸着により高プレチルト角となる。一方蒸着角度６０°と蒸着角度８０°の場合には、方位角方向、即ち基板面内方向の液晶配向が９０°回転することが知られている。そのため特許文献１においては蒸着角度６０°と蒸着角度８０°の蒸着方向を９０°回転させて方位角方向の液晶配向方向を一致させている。
【０００８】
また、特許文献２においては、紫外線照射によりプレチルト角が変化するようなポリイミド配向膜を用い、画素領域部にのみ紫外線を照射することで、画素領域部のプレチルト角を画素間領域のプレチルト角よりも低く設定している。
【０００９】
また、非特許文献１では配向膜の膜厚を変える事でプレチルト角を制御しており、高いプレチルト角を得るには厚い膜厚を必要としている。
【特許文献１】特開２００７−０１７５０２号公報
【特許文献２】特開２０００−３３０１４１号公報
【非特許文献１】Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、Ｖｏｌ．２９、Ｎｏ．１１、１９７６、ｐ．６９１から６９２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、特許文献１の方法においては、プレチルト角が０°から１０°の範囲におけるプレチルト角を制御することは可能であるが、中角度から高角度の範囲のプレチルト角領域、例えば４０°以上８０°以下の範囲においてプレチルト角を制御することは困難であった。
【００１１】
また、特許文献２の方法においては、有機配向膜を用いるため、高強度光を使用する環境下では液晶素子が劣化する場合があった。
また、非特許文献１の膜厚を変化させる手法では、高いプレチルト角を得るには厚い配向膜が必要となるが、液晶の配向や駆動電圧への影響を考えると、配向膜厚は薄い方が好ましい。
【００１２】
本発明は、この様な背景技術に鑑みてなされたものであり、成膜後の表面処理や蒸着時の基板回転を伴わず、従来の配向膜厚よりも薄い膜厚で、液晶の高いプレチルト角を得ることができる無機配向膜の製造方法を提供するものである。
【００１３】
また、本発明は、上記の無機配向膜の製造方法を用いることで、斜方蒸着法により形成した無機配向膜の一部の領域に、部分的に液晶の高いプレチルト角を得ることができる無機配向膜を形成した液晶装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題を解決する無機配向膜の製造方法は、酸化物を基板に対して斜めに真空蒸着させることにより、前記基板上に複数の酸化物柱状構造体より形成される斜方蒸着膜を形成する工程を含む無機配向膜の製造方法において、前記斜方蒸着膜の形成は、第一の蒸着速度で蒸着した後、第二の蒸着速度で蒸着して行なわれ、前記第二の蒸着速度が第一の蒸着速度よりも大きいことを特徴とする。
【００１５】
上記の課題を解決する液晶装置は、上記の製造方法で形成した無機配向膜を用いたことを特徴とする。
具体的には、正の誘電異方性を有するネマティック液晶からなる液晶層と、該液晶層を挟持して対向する、第一および第二の基板とを含み構成される液晶装置であり、前記第一の基板上には複数の画素電極が配置された表示領域部と、該表示領域部以外の非表示領域部が配置され、前記第二の基板上には透明電極から成る対向電極が配置され、前記第一および第二の基板の液晶層側には無機配向膜が設置されており、前記第一および第二の基板の少なくとも一方の基板上に設置された非表示領域部の少なくとも一部の無機配向膜が、上記の製造方法で形成された無機配向膜からなることを特徴とする液晶装置である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、成膜後の表面処理や蒸着時の基板回転を伴わず、従来の配向膜厚よりも薄い膜厚で、液晶の高いプレチルト角を得ることができる無機配向膜の製造方法を提供することができる。
【００１７】
また、本発明は、上記の無機配向膜の製造方法を用いることで、斜方蒸着法により形成した無機配向膜の一部の領域に、部分的に液晶の高いプレチルト角を得ることができる無機配向膜を形成した液晶装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に係る無機配向膜の製造方法は、酸化物を基板に対して斜めに真空蒸着させることにより、前記基板上に複数の酸化物柱状構造体より形成される斜方蒸着膜を形成する工程を含む無機配向膜の製造方法において、前記斜方蒸着膜の形成は、第一の蒸着速度で蒸着した後、第二の蒸着速度で蒸着して行なわれ、前記第二の蒸着速度が第一の蒸着速度よりも大きいことを特徴とする。
なお、ここでいう蒸着速度とは、各蒸着条件において、蒸着角度＝０としたときの膜厚の成長速度で定義される。
【００１９】
次に、本発明の無機配向膜の製造方法について説明する。
本発明の無機配向膜の製造方法は、基板上に複数の酸化物柱状構造体より形成される斜方蒸着膜を形成する工程において、下記の（１）および（２）工程を含むことを特徴とする。
（１）工程：第一の蒸着速度で蒸着して、第一の斜方蒸着膜を形成する工程。
（２）工程：（１）工程で形成された第一の斜方蒸着膜上に、第二の蒸着速度で蒸着して第二の斜方蒸着膜を形成する工程。
【００２０】
以下、図３を用いて各工程について説明する。図３は、本発明の無機配向膜の製造方法の一実施態様を示す模式図である。
（１）工程：（図３（１））
図３（１）は、酸化物を基板に対して斜めに真空蒸着させる斜方蒸着法により、基板上に無機酸化物を第一の蒸着速度で蒸着して、略同一方向に傾斜した複数の酸化物柱状構造体からなる第一の斜方蒸着膜を作製する斜方蒸着膜形成工程を示す。
【００２１】
この（１）工程で、複数の酸化物柱状構造体を有する斜方蒸着膜を基板上に形成できる。ここで、前記のように第一の蒸着速度で蒸着した斜方蒸着膜は、図３（１）に示すような断面構造を有する。但し、図３（１）中の２０１は基板、２０２は酸化物柱状構造体、２０４は膜厚、１０７は蒸着方向、１０４は基板法線を表す。また、蒸着方向としては図５に示す蒸着方向８０７と図３に示す蒸着方向１０７が対応している。この工程において、斜方蒸着膜形成時は蒸着角度１０５を一定に保つようにする。
【００２２】
（２）工程：（図３（２））
上記（１）工程で得られた第一の斜方蒸着膜に対して、（１）工程と同様の蒸着方法で、第一の斜方蒸着膜上に、第二の蒸着速度で蒸着して第二の斜方蒸着膜を形成する。但し、第二の蒸着速度２は、第一の蒸着速度１よりも大きい蒸着速度で斜方蒸着を行う。
【００２３】
これにより、図３（２）に示すように、工程（１）で得られた図３（１）の第一の斜方蒸着膜１００１（第一の蒸着速度１で成膜）上に、（２）工程による第二の斜方蒸着膜１００２（第二の蒸着速度２で成膜）が形成される。このときカラムの表面構造は、第二の蒸着速度２で形成されたものとなる。第一の蒸着速度および第二の蒸着速度で行なわれる蒸着の蒸着角度は同じであり、本（２）工程においても、蒸着角度は（１）工程と同じ角度を保つ。
【００２４】
これにより、成膜後の表面処理や蒸着時の基板回転を伴わず、第一の蒸着速度１で斜方蒸着膜全体を形成した場合の斜方蒸着膜厚よりも薄い膜厚で、液晶の高いプレチルト角を得ることができる。
【００２５】
第一の蒸着速度１は、０．１ｎｍ／ｓｅｃ以上１ｎｍ／ｓｅｃ以下が好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ／ｓｅｃ以上１ｎｍ／ｓｅｃ以下が望ましい。
第二の蒸着速度２は、１ｎｍ／ｓｅｃ以上が好ましく、、より好ましくは１ｎｍ／ｓｅｃ以上２ｎｍ／ｓｅｃ以下が望ましい。
【００２６】
図３において、（１）工程で形成された蒸着膜厚２０４は２０ｎｍ以上、（２）工程で形成された蒸着膜厚２０５は５ｎｍ以上が好ましい。
本発明に係る液晶装置は、上記の製造方法で形成した無機配向膜を用いたことを特徴とする。具体的には、正の誘電異方性を有するネマティック液晶からなる液晶層と、該液晶層を挟持して対向する、第一および第二の基板とを含み構成される液晶装置であり、前記第一の基板上には複数の画素電極が配置された表示領域部と、該表示領域部以外の非表示領域部が配置され、前記第二の基板上には透明電極から成る対向電極が配置され、前記第一および第二の基板の液晶層側には無機配向膜が設置されており、前記第一および第二の基板の少なくとも一方の基板上に設置された非表示領域部の少なくとも一部の無機配向膜が、上記の製造方法で形成された無機配向膜からなることを特徴とする。
【００２７】
本発明に係る液晶装置は、上記工程を経て得た斜方蒸着膜を用いる液晶セルとして、図１に示すように、第一領域、第二領域を有し、表示領域が第二領域に含まれるような液晶セルの構成からなるのが好ましい。非表示領域部が表示領域部をとり囲む領域からなり、前記非表示領域部の少なくとも一部に上記の製造方法で形成された無機配向膜を有するのが好ましい。例えば、本発明の液晶装置は、図１に示す第二領域１０２に図３（１）の構成を有する無機配向膜を形成し、第一領域１０１に図３（２）の構成を有する無機配向膜を形成した液晶セルを有する構成からなるのが好ましい。
【００２８】
また、液晶層の非表示動作時の配向状態がベンド配向であることが好ましい。前記非表示領域部の少なくとも一部の液晶層において、電圧無印加時の前記液晶層の配向状態がベンド配向であることが好ましい。
【００２９】
特に図３（２）の該無機配向膜を、電圧無印加状態でベンド配向となるプレチルト角に設定して第一領域に形成することで、表示領域部のスプレイ配向部のベンド配向への転移を容易にすることができる。加えてベンド配向領域に囲まれたスプレイ配向領域の液晶をスプレイ−ベンド転移させることで、その後のベンド配向領域に囲まれた領域の逆転移発生を抑制することができ、転移後のベンド配向の安定性向上を図ることが可能な無機配向膜を提供できる。
【００３０】
また、本発明の無機配向膜は、少なくとも二種類以上の蒸着速度により形成されていれば良く、前記第一の斜方蒸着膜と第二の斜方蒸着膜の間に、別の蒸着速度３で形成した層を含んでいても構わない。
【００３１】
さらに、第一の斜方蒸着膜から第二の斜方蒸着膜への変化が滑らかで，蒸着速度１から蒸着速度２への変化が連続的に行われても構わない。
【実施例】
【００３２】
以下、実施例を用いてさらに詳しく本実施の形態を説明するが、本発明は実施例に記述されたものに限定されるわけではない。
【００３３】
実施例１
以下、下記（０）工程から（１）工程に沿って説明する。
（０）工程：基板準備工程
ＩＴＯ膜電極が形成されたガラス基板を２枚準備する。
【００３４】
（１）工程：第一の蒸着速度で斜方蒸着膜を形成する工程
本工程では、前記基板のＩＴＯ上に、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）から成る斜方蒸着膜を形成する。斜方蒸着膜は蒸着角度８７．５°、膜厚２００ｎｍに設定し、蒸着速度０．５ｎｍ／ｓｅｃで４００秒間蒸着を行う。
【００３５】
このとき、図５に示す構成を有する装置を用いる。ここで本実施例の斜方蒸着について図５を用いて説明する。８０１は蒸着源、８０２は基板、８０３は基板ホルダ、８０４は基板法線、８０５は蒸着角度、８０６は蒸着距離、８０７は蒸着方向である。蒸着源８０１は、斜方蒸着膜を構成する材質の材料を蒸着原料として導入し、抵抗加熱法や電子ビーム蒸着法等の方法により蒸着原料を加熱し、蒸着を行う。図５に示す構成の装置が、真空装置内に設置される。
蒸着源８０１は、斜方蒸着膜を構成する材質の材料を蒸着原料として用いて、抵抗加熱法や電子ビーム蒸着法等の方法により蒸着原料を加熱し、蒸着を行う。
【００３６】
蒸着原料は、形成する無機配向膜が液晶を一定の方位角方向に配列させるものであればどのような材料を用いても良く、例えば酸化物、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、一酸化珪素（ＳｉＯ）等の酸化ケイ素（ＳｉＯｘ：ｘ＝１から２程度）、が用いられる。
【００３７】
本発明では、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、一酸化珪素（ＳｉＯ）等の酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を用いることが好ましい。これらの材料はその形成条件により液晶配向状態を制御できる。
【００３８】
また蒸着原料の形態は、粉末状、顆粒状、ペレット状等の形状が好適に用いられるが、上記の液晶配向を制御できるものであれば、特に形状、サイズ等の制限はない。
基板８０２には、斜方蒸着膜を形成する、画素電極や対向電極が形成された基板を用いる。斜方蒸着膜は、図３（１）に示す断面構造を有しており、図５に示す蒸着方向８０７と図３に示す蒸着方向１０７が対応している。
【００３９】
基板ホルダ８０３は、基板８０２の保持に用いる。基板ホルダ８０３を稼動することで、蒸着角度８０５を規定する。
蒸着角度８０５は、本発明においては、基板法線８０４と、蒸着源８０１と基板８０２の中心を結ぶ線分がなす角である。蒸着角度８０５は装置の構成によるが、通常０°から９０°の間で設定可能である。液晶素子に用いる配向膜として使用する斜方蒸着膜を作製する場合には、通常５０°から９０°の範囲に設定される。このような範囲で蒸着角度８０５を設定することで、斜方蒸着膜に蒸着方向８０７に起因した異方性が付与され、液晶分子を一定方向に配列させることが可能となる。
【００４０】
（２）工程：第二の蒸着速度で斜方蒸着膜を形成する工程
蒸着速度を変えて第二の蒸着速度で、（１）工程で作製した膜上に斜方蒸着を行う。本工程では、（１）工程の成膜実施後、更に膜厚４０ｎｍに設定し、蒸着速度２ｎｍ／ｓｅｃで２０秒間成膜を続ける。ここで、蒸着角度は８７．５°で動かさない。
【００４１】
上記（０）から（２）工程で得られた斜方蒸着膜形成基板を用いて、図４に示すプレチルト角測定用セルを作製し、プレチルト角の測定を行った。液晶は正の誘電異方性を有する液晶組成物（メルク社製：ＭＬＣ−２０５０）を用いた。このときのプレチルト角は５０．１°であった。
【００４２】
ここでここでプレチルト角について図４を用いて説明する。図４はプレチルト角を測定する際に使用する液晶セルの断面模式図であり、４０１はプレチルト角θｐ、４０２は液晶分子、４０３は配向膜、４０４はガラス基板、４０５は配向処理方向である。配向膜４０３のプレチルト角４０１はクリスタルローテーション法や磁場スレッショルド法等の方法により測定される。その際配向膜４０３は、上下基板共に同じ配向膜を用い、配向処理方向４０５が反平行（アンチパラレル）方向となる様に向かい合わせ液晶セルを作製する。このような液晶セルを作製することにより、液晶分子４０２が図４に示すような方向へと配列し、配向膜４０３のプレチルト角４０１が測定可能となる。本発明におけるプレチルト角は、図４に示す液晶セルを用いて測定する。
【００４３】
実施例２
以下、実施例１と同様に、下記（０）から（２）工程に沿って説明する。
（０）工程：基板準備工程
ＩＴＯ膜電極が形成されたガラス基板を２枚準備する。
【００４４】
（１）工程：第一の蒸着速度で斜方蒸着膜を形成する工程
本工程では、前記基板ＩＴＯ上に、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）から成る斜方蒸着膜を形成する。斜方蒸着膜は蒸着角度８７．５°、膜厚１６０ｎｍに設定し、蒸着速度０．５ｎｍ／ｓｅｃで３２０秒間蒸着を行う。このとき、図５に示す構成を有する装置を用いる。
【００４５】
（２）工程：第二の蒸着速度で斜方蒸着膜を形成する工程
蒸着速度を変えて第二の蒸着速度で、（１）工程で作製した膜上に斜方蒸着を行う。
本工程では、（１）工程の成膜実施後、更に膜厚４０ｎｍに設定し、蒸着速度２ｎｍ／ｓｅｃで２０秒間成膜を続ける。ここで、蒸着角度は８７．５°で動かさない。
【００４６】
上記（０）から（２）工程で得られた斜方蒸着膜形成基板で図５に示すプレチルト角測定用セルを作製し、プレチルト角の測定を行った。液晶は正の誘電異方性を有する液晶組成物（メルク社製：ＭＬＣ−２０５０）を用いた。２サンプルの測定を行い、このときのプレチルト角は５１．０°と５１．４°であった。
【００４７】
本実施例２の成膜条件で形成したＳｉＯｘ斜方蒸着膜のＳＥＭ写真を図６に示す。ここで、図６（ａ）が上面図、図６（ｂ）が断面図（傾斜）である。
【００４８】
比較例１
本比較例は、実施例１および２における（１）工程の条件（蒸着速度０．５ｎｍ／ｓｅｃ）で４８０秒間（膜厚２４０ｎｍ）蒸着した例を示す。これにより、実施例１の（０）から（２）工程後に得られる斜方蒸着膜の膜厚とほぼ等しくなる。この場合も図４に示すプレチルト角測定用セルを作製し、プレチルト角の測定を行った。液晶は正の誘電異方性を有する液晶組成物（メルク社製：ＭＬＣ−２０５０）を用いた。このときのプレチルト角は４８．１°であった。
【００４９】
比較例２
本比較例は、実施例１および２における（１）工程の条件（蒸着速度０．５ｎｍ／ｓｅｃ）で４００秒間（膜厚２００ｎｍ）蒸着した例を示す。これにより、実施例２の（０）から（２）工程後に得られる斜方蒸着膜の膜厚とほぼ等しくなるこの場合も図４に示すプレチルト角測定用セルを作製し、プレチルト角の測定を行った。液晶は正の誘電異方性を有する液晶組成物（メルク社製：ＭＬＣ−２０５０）を用いた。このときのプレチルト角は４３．３°であった。
【００５０】
比較例２のＳｉＯｘ斜方蒸着膜のＳＥＭ写真を図７に示す。図７（ａ）が上面図、図７（ｂ）が断面図（傾斜）である。被覆率および表面の構造が実施例２（図６）と異なっていることが分かる。
【００５１】
比較例３
本比較例は、実施例１および２における（１）工程の条件（蒸着速度０．５ｎｍ／ｓｅｃ）で、膜厚を変えて斜方蒸着膜を作成したものである。図４に示すプレチルト角測定用セルを作製し、プレチルト角の測定を行った。液晶は正の誘電異方性を有する液晶組成物（メルク社製：ＭＬＣ−２０５０）を用いた。
【００５２】
それぞれの膜厚と得られたプレチルト角の関係を実施例１、２および比較例１から３の結果とともに表１に示す。
【００５３】
【表１】
2010181752.tif 000003
【００５４】
表１より、本発明の蒸着速度を変えて斜方蒸着膜を形成したものでは、全体の膜厚によらず表面形状の効果により高いプレチルト角が得られていることがわかる。
【００５５】
実施例３
本実施例では、図１に示す第二領域１０２に図３（１）の構成を有する無機配向膜を形成し、第一領域１０１に図３（２）の構成を有する無機配向膜を形成する。ここで特に、電圧無印加状態でベンド配向となるプレチルト角が得られる無機配向膜を領域一に形成する。ここでは実施例１および実施例２に示した膜を、前記第一領域１０１に形成したセルを作製する。これにより、表示領域部のスプレイ配向部のベンド配向への転移を容易にする効果が得られる。
【００５６】
加えてベンド配向領域に囲まれたスプレイ配向領域の液晶をスプレイ−ベンド転移させることで、その後のベンド配向領域に囲まれた領域の逆転移発生を抑制することができ、転移後のベンド配向の安定性向上を図ることが可能な無機配向膜、液晶装置およびその製造方法を提供できる。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、斜方蒸着法等の成膜法により形成される無機配向膜を用いた液晶表示素子に利用可能であり、また該液晶表示素子を用いた表示装置、例えばプロジェクター等の投射型表示装置、液晶モニタ、液晶テレビ等に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の液晶装置の一実施態様を示す概念図である。
【図２（ａ）】本発明の液晶装置におけるベンド配向の状態を示す概念図である。
【図２（ｂ）】本発明の液晶装置におけるスプレイ配向の状態を示す概念図である。
【図３】本発明の無機配向膜の製造方法の一実施態様を示す模式図である。
【図４】本発明の液晶装置におけるプレチルト角を示す概念図である。
【図５】本発明の無機配向膜の製造方法における、斜方蒸着法の装置構成を示す構成図である。
【図６】本発明の実施例２で作製した無機配向膜のＳＥＭ写真である。
【図７】本発明の比較例２で作製した無機配向膜のＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
【００５９】
１０１  第一領域
１０２  第二領域
１０４、８０４  基板法線
１０５、８０５  蒸着角度
１０７、８０７  蒸着方向
１０３、２０１  基板
２０２  酸化物柱状構造体
２０４  蒸着膜厚
２０５  蒸着膜厚
４０１  プレチルト角
４０２  液晶分子
４０３、６０３、７０３  配向膜
４０４  ガラス基板
６０１、７０１  上部基板
６０２、７０２  対向電極
６０４、７０４  液晶層
６０５、７０５  下部電極
８０１  蒸着源
８０２  基板
８０３  基板フォルダ
８０６  蒸着距離
１００１  第一の斜方蒸着膜
１００２  第二の斜方蒸着膜
【図１】
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【図２（ａ）】
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【図２（ｂ）】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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