(57)【要約】【課題】  複数種類の各発光表示部に対して一括してエージング処理を行うことが可能なマザーパネル及び有機ＥＬパネルの製造方法を提供する。【解決手段】  陽極及び陰極にて少なくとも有機発光層を含む機能層を挟持してなる複数の発光画素を有する発光表示部２ａ，２ｂをベース基板１上に列状に複数形成してなるマザーパネルである。第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂの前記陽極と電源とを電気的に接続するための陽極導通ライン３と、第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂの前記陰極と前記電源とを電気的に接続するための陰極導通ライン４と、をベース基板１上に形成する。陰極導通ライン４は第二の発光表示部２ｂの前記陰極を複数互いに接続し、前記電源によって第一の発光画素を修復可能な電圧値でエージング処理をする際に第二の発光画素を修復可能な修復エネルギーを得る。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極及び陰極にて少なくとも有機発光層を含む機能層を挟持してなる複数の発光画素を有する発光表示部をベース基板上に列状に複数形成してなるマザーパネルであって、
前記発光表示部として、前記発光画素として第一の発光画素を有する第一の発光表示部と、前記発光画素として前記第一の発光画素よりも面積の小さい第二の発光画素を有する第二の発光表示部と、を前記ベース基板上に形成し、
前記第一，第二の発光表示部の前記陽極と電源とを電気的に接続するための陽極導通ラインと、前記第一，第二の発光表示部の前記陰極と前記電源とを電気的に接続するための陰極導通ラインと、を前記ベース基板上に形成し、
前記陰極導通ラインは前記第二の発光表示部の前記陰極を複数互いに接続し、前記電源によって前記第一の発光画素を修復可能な電圧値でエージング処理をする際に前記第二の発光画素を修復可能な修復エネルギーを得ることを特徴とするマザーパネル。
【請求項２】
前記陰極導通ラインは、前記第二の発光部の前記陰極を複数互いに接続する接続部と、この接続部と前記電源との間に形成される抵抗部と、を備えてなることを特徴とする請求項１に記載のマザーパネル。
【請求項３】
前記陰極導通ラインは、同一の前記第二の発光表示部の前記陰極を複数互いに接続してなることを特徴とする請求項１に記載のマザーパネル。
【請求項４】
前記陰極導通ラインは、前記第二の発光表示部の前記陰極の両端と接続されてなることを特徴とする請求項３に記載のマザーパネル。
【請求項５】
前記陰極導通ラインは、異なる前記第二の発光表示部の前記陰極を複数互いに接続してなることを特徴とする請求項１に記載のマザーパネル。
【請求項６】
前記第一，第二の発光表示部の前記陽極及び前記陰極は、互いに交差するようにライン状に複数形成されてなることを特徴とする請求項１に記載のマザーパネル。
【請求項７】
陽極及び陰極にて少なくとも有機発光層を含む機能層を挟持してなる複数の発光画素を有する発光表示部をベース基板上に列状に複数形成してなるマザーパネルを個々の前記発光表示部に応じて切断して個々の有機ＥＬパネルを得る有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記発光表示部として、前記発光画素として第一の発光画素を有する第一の発光表示部と、前記発光画素として前記第一の発光画素よりも面積の小さい第二の発光画素を有する第二の発光表示部と、を前記ベース基板上に形成し、
前記第一，第二の発光表示部の前記陽極と電源とを電気的に接続するための陽極導通ラインと、前記第一，第二の発光表示部の前記陰極と前記電源とを電気的に接続するための陰極導通ラインと、を前記ベース基板上に形成し、
前記電源によって前記第一の発光画素を修復可能な電圧値でエージング処理をする工程を含み、
前記陰極導通ラインが前記第二の発光表示部の前記陰極を複数互いに接続するように形成されることで前記エージング処理の際に前記第二の発光画素を修復可能な修復エネルギーを得ることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項８】
前記陰極導通ラインは、前記第二の発光部の前記陰極を複数互いに接続する接続部と、この接続部と前記電源との間に形成される抵抗部と、を備えてなることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項９】
前記陰極導通ラインは、同一の前記第二の発光表示部の前記陰極を複数互いに接続してなることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記陰極導通ラインは、前記第二の発光表示部の前記陰極の両端と接続されてなることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記陰極導通ラインは、異なる前記第二の発光表示部の前記陰極を複数互いに接続してなることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記第一，第二の発光表示部の前記陽極及び前記陰極は、互いに交差するようにライン状に複数形成されてなることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記エージング処理において、前記電源から逆バイアス電圧を印加することを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陽極及び陰極にて少なくとも有機発光層を含む機能層を挟持してなる複数の発光画素を有する発光表示部をベース基板上に列状に複数形成してなるマザーパネル及びこのマザーパネルを用いた有機ＥＬパネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬパネルとしては、例えば、少なくとも有機発光層を有する機能層をＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等からなる陽極と、アルミニウム（Ａｌ）等からなる陰極とで狭持してなる有機ＥＬ素子を発光画素として透光性の支持基板上に複数形成してドットマトリクス型の発光表示部を構成するものが知られている（例えば特許文献１参照）。かかる有機ＥＬ素子は、前記陽極から正孔を注入し、また、前記陰極から電子を注入して正孔及び電子が前記発光層にて再結合することによって光を発するものである。また、前記有機ＥＬ素子は、前記陰極側から前記陽極側へは電流が流れにくい、いわゆるダイオード特性を有するものである。
【０００３】
また、有機ＥＬパネルの製造方法として、ベース基板上に前記発光表示部を複数列状に形成してマザーパネルを作製し、その後個々の前記発光表示部に応じて前記マザーパネルを切断して個々の有機ＥＬパネルを得る、いわゆる多面取りによる製造方法が知られている（例えば特許文献２参照）。
【０００４】
また、有機ＥＬパネルは、製造工程上の欠陥部位や高リーク部位である不良部位が前記有機ＥＬ素子に形成されると、前記有機ＥＬパネルを駆動させた際に電極間に短絡が起こり、前記有機ＥＬ素子の輝度ムラ等が発生して表示品質が低下するという問題点があった。前述の問題点を解決する方法としては、特許文献３に開示されるように、有機ＥＬパネルの製造工程において、前記有機ＥＬ素子形成後に前記陽極と前記陰極との間に前記有機ＥＬ素子の発光に寄与する電圧とは逆方向の電圧（以下、逆バイアス電圧と言う）を印加して前記不良部位を未然に破壊、除去して前記有機ＥＬ素子を修復するエージング処理を行う方法が知られている。
【０００５】
また、本願出願人は、印加する電圧の電圧値のほかに前記有機ＥＬ素子に蓄積される静電容量が前記エージング処理の適否に関わることを見出し、特許文献４にて開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−３１５９８１号公報
【特許文献２】特開２００４−６３４０７号公報
【特許文献３】特開平４−１４７９４号公報
【特許文献４】特開２００７−１４１５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
多面取りによる有機ＥＬパネルの製造方法においては、特許文献２に開示されるように全ての前記発光表示部における各陽極と前記エージング処理のための電源とを接続する陽極導通ラインと、全ての前記発光表示部における各陰極と前記電源とを接続する陰極導通ラインと、を前記マザーパネルに形成し、全ての前記発光表示部の前記有機ＥＬ素子を一括して前記エージング処理を行うことが作業効率の面で好適である。
【０００８】
しかしながら、多品種少量生産が要求されるなか生産性の向上や製造コストの低減を図るべく、前記マザーパネルに前記有機ＥＬ素子（発光画素）の面積が異なる複数種類の前記発光表示部を設ける場合、前記エージング処理に際して次のような問題点が生じる。すなわち、前記エージング処理において前記不良部位に働くエネルギー（以下、修復エネルギーＰという）は、
Ｐ＝ａ・Ｃ・Ｖ２
となる（ここで、ａはドット数及び配線抵抗などによって決定されるパネル定数であり、Ｃは前記有機ＥＬ素子の面積によって定まる静電容量であり、Ｖは逆バイアス電圧である。）。したがって、前記有機ＥＬ素子の面積が異なる複数種類の前記発光表示部のそれぞれに同一の修復エネルギーＰを得ようとすれば印加する電圧値を前記有機ＥＬ素子の面積に応じて前記発光表示部の種類毎に異ならせる必要があり、１枚の前記マザーパネルに形成した複数種類の前記発光表示部に対して一括して前記エージング処理をすることができないという問題点があった。
【０００９】
本発明は、前述の問題点に鑑みなされたものであり、有機ＥＬパネルの製造工程において、有機ＥＬ素子の面積が異なる複数種類の発光表示部を１枚のマザーパネルに形成する場合であっても、前記各発光表示部に対して一括してエージング処理を行うことが可能なマザーパネル及び有機ＥＬパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前記課題を解決するために、陽極及び陰極にて少なくとも有機発光層を含む機能層を挟持してなる複数の発光画素を有する発光表示部をベース基板上に列状に複数形成してなるマザーパネルであって、前記発光表示部として、前記発光画素として第一の発光画素を有する第一の発光表示部と、前記発光画素として前記第一の発光画素よりも面積の小さい第二の発光画素を有する第二の発光表示部と、を前記ベース基板上に形成し、前記第一，第二の発光表示部の前記陽極と電源とを電気的に接続するための陽極導通ラインと、前記第一，第二の発光表示部の前記陰極と前記電源とを電気的に接続するための陰極導通ラインと、を前記ベース基板上に形成し、前記陰極導通ラインは前記第二の発光表示部の前記陰極を複数互いに接続し、前記電源によって前記第一の発光画素を修復可能な電圧値でエージング処理をする際に前記第二の発光画素を修復可能な修復エネルギーを得ることを特徴とする。
【００１１】
また、前記陰極導通ラインは、前記第二の発光部の前記陰極を複数互いに接続する接続部と、この接続部と前記電源との間に形成される抵抗部と、を備えてなることを特徴とする。
【００１２】
また、前記陰極導通ラインは、同一の前記第二の発光表示部の前記陰極を複数互いに接続してなることを特徴とする。
【００１３】
また、前記陰極導通ラインは、前記第二の発光表示部の前記陰極の両端と接続されてなることを特徴とする。
【００１４】
また、前記陰極導通ラインは、異なる前記第二の発光表示部の前記陰極を複数互いに接続してなることを特徴とする。
【００１５】
また、前記第一，第二の発光表示部の前記陽極及び前記陰極は、互いに交差するようにライン状に複数形成されてなることを特徴とする。
【００１６】
本発明は、前記課題を解決するために、陽極及び陰極にて少なくとも有機発光層を含む機能層を挟持してなる複数の発光画素を有する発光表示部をベース基板上に列状に複数形成してなるマザーパネルを個々の前記発光表示部に応じて切断して個々の有機ＥＬパネルを得る有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記発光表示部として、前記発光画素として第一の発光画素を有する第一の発光表示部と、前記発光画素として前記第一の発光画素よりも面積の小さい第二の発光画素を有する第二の発光表示部と、を前記ベース基板上に形成し、前記第一，第二の発光表示部の前記陽極と電源とを電気的に接続するための陽極導通ラインと、前記第一，第二の発光表示部の前記陰極と前記電源とを電気的に接続するための陰極導通ラインと、を前記ベース基板上に形成し、前記電源によって前記第一の発光画素を修復可能な電圧値でエージング処理をする工程を含み、前記陰極導通ラインが前記第二の発光表示部の前記陰極を複数互いに接続するように形成されることで前記エージング処理の際に前記第二の発光画素を修復可能な修復エネルギーを得ることを特徴とする。
【００１７】
また、前記陰極導通ラインは、前記第二の発光部の前記陰極を複数互いに接続する接続部と、この接続部と前記電源との間に形成される抵抗部と、を備えてなることを特徴とする。
【００１８】
また、前記陰極導通ラインは、同一の前記第二の発光表示部の前記陰極を複数互いに接続してなることを特徴とする。
【００１９】
また、前記陰極導通ラインは、前記第二の発光表示部の前記陰極の両端と接続されてなることを特徴とする。
【００２０】
また、前記陰極導通ラインは、異なる前記第二の発光表示部の前記陰極を複数互いに接続してなることを特徴とする。
【００２１】
また、前記第一，第二の発光表示部の前記陽極及び前記陰極は、互いに交差するようにライン状に複数形成されてなることを特徴とする。
【００２２】
また、前記エージング処理において、前記電源から逆バイアス電圧を印加することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は、有機ＥＬパネルの製造工程において、有機ＥＬ素子の面積が異なる複数種類の発光表示部を１枚のマザーパネルに形成する場合であっても、前記各発光表示部に対して一括してエージング処理を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第一の実施形態におけるマザーパネルを示す図。
【図２】同上第一の実施形態における第一の発光表示部を示す要部拡大図。
【図３】同上第一の実施形態における第二の発光表示部を示す要部拡大図。
【図４】同上第一の実施形態における第二の発光表示部を示す模式断面図。
【図５】同上第一の実施形態における有機ＥＬパネルの製造方法を示す図。
【図６】本発明の第二の実施形態におけるマザーパネルを示す図。
【図７】同上第二の実施形態における第二の発光表示部を示す要部拡大図。
【図８】本発明の実施例と従来例とを比較した実験結果を示す図。
【図９】本発明の実施例と従来例とにおけるエージング処理の電圧値と修復エネルギーとの関係を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の第一の実施形態を添付図面に基づき説明する。図１は、ベース基板１上に第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂがそれぞれ列状に複数形成された多面取り用のマザーパネルを示す図である。図２は、ベース基板１上に配置される第一の発光表示部２ａを示す要部拡大図である。図３は、マザーパネルに配置される第二の発光表示部２ｂを示す要部拡大図である。図４は、第二の発光表示部２ｂの積層構造を示す要部断面図である。なお、断面図で図示しないが第一の発光表示部２ａも第二の発光表示部２ｂと同様の積層構造を有する。
【００２６】
ベース基板１は、長方形形状の透明ガラス材からなる電気絶縁性の基板である。ベース基板１上には、複数の第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂと、第一の導通ライン（陽極導通ライン）３と、第二の導通ライン（陰極導通ライン）４とが形成されている。また、ベース基板１上には第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂを各々気密的に覆う封止基板が配設されるが、図１及び図２においては封止基板を省略している。
【００２７】
第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂは、図２〜図４に示すように、ライン状に複数形成される陽極５と、絶縁層６と、隔壁７と、機能層８と、ライン状に複数形成される陰極９と、から主に構成され、各陽極５と各陰極９とが交差するとともに機能層８を陽極５と陰極９とで挟持する個所からなる複数の第一，第二の発光画素（有機ＥＬ素子）を備えるいわゆるパッシブマトリクス型の発光表示部である。また、各陰極９は、陰極配線部１０と接続される。また、第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂは、図４に示すように、封止基板１１によって気密的に覆われている。第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂは互いにサイズの異なる発光表示部であり、第二の発光表示部２ｂに備えられる前記第二の発光画素は、その面積が第一の発光表示部２ａに備えられる前記第一の発光画素よりも小さいものとする。
【００２８】
第一の導通ライン３は、例えばＩＴＯ，クロム（Ｃｒ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなり、有機ＥＬパネルの製造工程におけるエージング処理用の外部電源（図示しない）と第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂの各陽極５とを電気的に一括接続するための部材であって、前記外部電源から供給される電圧を各陽極５に印加するものである。また、第一の導通ライン３は、前記外部電源と各陽極５との間に形成される第一の制限抵抗部３ａを備える。第一の制限抵抗部３ａは、例えばラダー抵抗となり第一の導通ライン３から各陽極５に印加される電圧を調整して各発光画素の破壊を防止するためのものである。第一の制限抵抗部３ａは、後述する有機ＥＬパネルの製造工程においてマザーパネルを個々の有機ＥＬパネルに切断する際に各陽極５から分離されるものであり、抵抗値や接続の形態をそれぞれ個々に異なるものであってもよい。また、第一の導通ライン３の末端には、前記外部電源と電気的に接続するための第一の電源接続端子３ｂが設けられている。
【００２９】
また、第一の導通ライン３は、図３に示すように、第二の発光表示部２ｂにおいて各陽極５と第一の制限抵抗部３ａとの間に形成され、陽極５を複数互いに接続する第一の接続部３ｃを有する。本実施形態においては、第一の接続部３ｃは、第二の発光表示部２ｂの各陽極５の２本を１つに束ねて１つの第一の制限抵抗部３ａに接続するものである。
【００３０】
第二の導通ライン４は、例えばＩＴＯ，クロム（Ｃｒ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなり、前記外部電源と第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂの各陰極９とを陰極配線部１０を介して電気的に一括接続するための部材であって、第一の導通ライン３とは電気的に分断されるように形成され、前記外部電源から供給される電圧を各陰極９に印加するものである。また、第二の導通ライン４は、前記外部電源と各陰極９との間に形成される第二の制限抵抗部４ａを有する。第二の制限抵抗部４ａは、例えばラダー抵抗となり第二の導通ライン４から各陰極９に印加される電圧を調整し、各発光画素の破壊を防止するためのものである。第二の制限抵抗部４ａは、後述する有機ＥＬパネルの製造工程においてマザーパネルを個々の有機ＥＬパネルに切断する際に各陰極９から分離されるものであり、抵抗値や接続の形態をそれぞれ個々に異なるものであってもよい。また、第二の導通ライン４の端部には、前記外部電源と電気的に接続するための第二の電源接続端子４ｂが設けられている。
【００３１】
また、第二の導通ライン４は、図３に示すように、第二の発光表示部２ｂにおいて各陰極９と第二の制限抵抗部４ａとの間に形成され、陰極９を複数互いに接続する第二の接続部（接続部）４ｃを有する。本実施形態においては、第二の接続部４ｃは、第二の発光表示部２ｂの各陰極９の４本を１つに束ねて１つの第二の制限抵抗部４ａに接続させるものである。
【００３２】
陽極５は、ＩＴＯ等の透光性の導電材料からなり、蒸着法やスパッタリング法等の手段によってベース基板１上に前記導電材料を層状に形成した後、フォトリソエッチング法等によって互いに略平行となるようにライン状に複数形成されてなる。各陽極５は、端部の一方側（図１における下方側）で第一の導通ライン３と接続される。
【００３３】
絶縁層６は、例えばポリイミド系の電気絶縁性材料から構成され、陽極５と陰極９との間に位置するように陽極５上に形成され、両電極５，９の短絡を防止するものである。絶縁層６には、各発光画素を画定するとともに輪郭を明確にする開口部６ａが形成されている。また、絶縁層６は、陰極配線部１０と陰極９との間にも延設されており、陰極配線部１０と陰極９とを接続させるコンタクトホール６ｂを有する。
【００３４】
隔壁７は、例えばフェノール系の電気絶縁性材料からなり、絶縁層６上に形成される。隔壁７は、その断面が絶縁層６に対して逆テーパー形状となるようにフォトリソエッチング法等の手段によって形成されるものである。また、隔壁７は、陽極５と直交する方向に等間隔にて複数形成される。隔壁７は、その上方から蒸着法やスパッタリング法等によって機能層８及び陰極９となる金属膜を形成する場合に機能層８及び前記金属膜がライン状に切断される構造を得るものである。
【００３５】
機能層８は、陽極５上に形成されるものであり、少なくとも有機発光層を有するものである。なお、本実施形態においては、機能層８は正孔注入層，正孔輸送層，有機発光層及び電子輸送層を蒸着法やスパッタリング法等の手段によって順次積層形成してなるものである。
【００３６】
陰極９は、アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム銀（Ｍｇ：Ａｇ）等の陽極５よりも導電率が高い金属性導電材料をスパッタリング法や蒸着法等の手段により陽極５と交差するようにライン状に複数形成してなるものである。陰極９は、前記導電材料にて形成される金属膜が隔壁７によって切断され、機能層８上に積層されるものと隔壁７上に積層されるものとに区分けされて形成される。また、陰極９は、絶縁層６に設けられるコンタクトホール６ｂを介して陰極配線部１０と接続され、この陰極配線部１０を介して第二の導電ライン４と接続されている。
【００３７】
陰極配線部１０は、例えば陽極５と同材料であるＩＴＯ、クロム（Ｃｒ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなるものである。陰極配線部１０は、コンタクトホール６ｂを介して陰極９と接続可能とするべく少なくとも陰極９との接続個所となる端部が絶縁層６を介して陰極９の下方に位置するように形成されている。なお、図３に示すように、第二の発光表示部２ｂについてはコンタクトホール６ｂと陰極配線部１０とが陰極９の両端側に形成されており、第二の発光表示部２ｂの各陰極９はその両端が第二の導通ライン４と接続されている。
【００３８】
封止基板１１は、例えばガラス材料からなり、第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂの各々を収納する複数の凹部１１ａと、この凹部１１ａの全周を取り巻くように形成される接合部１１ｂとを備えており、接着剤１１ｃを介してベース基板１上に配設される。封止基板１１は、後にマザーパネルと共に切断して個々の封止部材を形成するための多面取り用の封止基板である。
【００３９】
以上の各部によって複数の有機ＥＬパネルを製造するためのマザーパネルが構成されている。
【００４０】
次に、図５を用いてマザーパネルを用いた有機ＥＬパネルの製造方法を説明する。
【００４１】
まず、発光表示部形成工程Ｓ１にて、蒸着法やスパッタリング法等の手段によってベース基板１上に透光性の導電材料を層状に形成した後、フォトリソエッチング法等によって陽極５を形成する。また、同時にあるいは後に同様の方法で第一，第二の導通ライン３，４をベース基板１上に形成する。そして、陽極５に対応するように絶縁層６，隔壁部７及び機能層８を積層形成し、さらに、機能層８上に陰極９を積層形成して、前記第一，第二の発光画素を有する各第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂを形成する。
【００４２】
次に、封止工程Ｓ２にて、第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂを個々に収納するように紫外線硬化性の接着剤１１ｃを介してベース基板１上に封止基板１１を配設固定する。これにより有機ＥＬパネルを複数製造することが可能なマザーパネルが得られる。
【００４３】
次に、エージング処理工程Ｓ３にて、第一，第二の導通ライン３，４と前記外部電源とを接続して第一，第二の導通ライン３，４間に電圧を所定時間印加し、不良部位を破壊、除去して第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂの前記第一，第二の発光画素を修復するとともに発光輝度の経時変化を抑制して素子特性を安定させるエージング処理を行う。前記エージング処理においては、逆バイアス電圧を印加すると発光によって前記第一，第二の発光画素を構成する有機材料を劣化させることがなく好適である。
【００４４】
前記エージング処理は、第一の発光表示部２ａの前記第一の発光画素を修復可能な電圧値で行われる。ここで、パッシブマトリクス型の発光表示部においては、修復エネルギーＰは主に不良部位と対向する陰極に接続される発光画素の合成容量に起因して定まる。従来は、前記第一の発光画素を修復可能な電圧値を前記エージング処理の基準とすると前記第一の発光画素よりも面積の小さい前記第二の発光画素を有する第二の発光表示部においては修復エネルギーＰが不足して修復が十分に行われない。これに対し、本願発明者は、第二の発光表示部２ｂにおいては１つの第二の制限抵抗部４ａに接続される陰極９の数を第一の発光表示部２ａよりも増加させることで合成容量を増加させ、前記エージング処理において前記第一の発光画素を修復可能な電圧値の範囲内で前記第二の発光画素を修復可能な修復エネルギーＰを得ることができることを見出した。なお、陽極５は陰極９よりも抵抗値が高いため不良部位と対向する陽極５に接続される発光画素の合成容量による修復エネルギーＰへの寄与は低いものの、本実施形態のように第二の発光表示部２ｂにおいて１つの第一の制限抵抗部３ａに接続される陽極５の数を第一の発光表示部２ａよりも増加させることにより修復エネルギーＰの更なる増加が期待できる。
【００４５】
また、修復エネルギーＰは、陰極９の電圧印加側、すなわち、第二の導通ライン４との接続側で大きく、接続側から離れるに従って小さくなる傾向にある。したがって、本実施形態のように第二の発光表示部２ｂにおいて各陰極９がその両端で第二の導通ライン４と接続されるようにすることで、修復エネルギーＰの最小値を増加させ、修復エネルギーＰのバラツキを抑制してより低い電圧値で前記エージング処理をすることができる。
【００４６】
次に、検査工程Ｓ４にて、順方向の所定電圧を印加して、第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂを全点灯させ、各第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂの良否を判別する。なお、検査工程Ｓ４はエージング処理工程Ｓ５と同時に行ってもよい。
【００４７】
そして、切断工程Ｓ５にて、ベース基板１と封止基板１１とを第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂに応じてスクライブ法等の手段によって切断する。このとき、第一，第二の導通ライン３，４はそれぞれ各陽極５及び各陰極９から分離される。なお、封止基板１１は、個々の有機ＥＬパネルが得られた状態で異方性導電膜等の接続部材を介してフレキシブルプリント配線（図示しない）と電気的に接続可能にするため各陽極５及び各陰極配線部１０の端部に応じた第二の凹部（図示しない）が形成されており、切断工程Ｓ５において前記第二の凹部を切断して各陽極５及び各陰極配線部１０の端部を露出させる。
【００４８】
以上の工程によって、第一の発光表示部２ａを有する第一の有機ＥＬパネルと第二の発光表示部２ｂを有する第二の有機ＥＬパネルとがそれぞれ得られる。
【００４９】
かかるマザーパネル及びマザーパネルを用いた有機ＥＬパネルの製造方法は、第二の導通ライン４が第二の発光表示部２ｂの陰極９を複数互いに接続するように配線されることで、前記第一の発光画素を修復可能な電圧値で前記エージング処理を行う際に前記第二の発光画素を修復可能な修復エネルギーＰを得るものである。これにより、発光画素の面積が異なる複数種類の発光表示部２ａ，２ｂを１枚のマザーパネルに形成する場合であっても、各発光表示部２ａ，２ｂに対して一括して前記エージング処理を行うことが可能となり有機ＥＬパネルの生産性を向上させることができるものである。
【００５０】
次に、本発明の第二の実施形態について説明する。なお、前述の第一の実施形態と同一あるいは相当個所には同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００５１】
第二の実施形態が前述の第一の実施形態と異なる点は、図６及び図７に示すように、第二の発光表示部２ｂにおいて各陰極９は個々に第二の制限抵抗部４ａ及び第二の導通ライン４と接続され、また、図中の縦方向に隣接する２つの第二の発光表示部２ｂの陰極９を互いに接続するように接続配線部４ｄが形成されている点である。
【００５２】
接続配線部４ｄは、第二の導通ライン４の一部として形成されるものであり、コンタクトホール６ｂを介して一端が一方の第二の発光表示部２ｂの陰極９と接続され、他端が他方の第二の発光表示部２ｂの陰極９と接続されるものである。
【００５３】
かかる構成によっても、前述の第一の実施形態と同様に、前記エージング処理において不良部位と対向する陰極９に接続される前記第二の発光画素の合成容量を増加させ、前記エージング処理において前記第一の発光画素を修復可能な範囲で電圧が印加される場合であっても、前記第二の発光画素を修復可能な修復エネルギーＰを得ることができる。
【実施例】
【００５４】
以下、さらに本発明の実施例について説明する。まず、評価方法として、前記エージング処理による有機ＥＬ素子の修復がなされているか（不良部位が破壊、除去されているか）は、前記エージング処理により形成される破壊跡（以下、修復痕という）が形成されているか否かで判断可能である。この修復痕形成時に陽極と陰極とが接触しなければ修復は成功し、短絡などに起因する表示不良を生じさせることはない。また、修復痕は、非発光部位となるいわゆるピンホールとなるため、前記ピンホールが肉眼で認識できない程度の大きさとなることを要する。前記ピンホールの大きさが２０μｍ以下であれば有機ＥＬパネルの表示品質を低下させるものではないものと言える。評価基準として、パネルサイズ２．１インチの有機ＥＬパネルを得るためのパッシブマトリクス型の発光表示部を複数配置したマザーパネルＡを作製した。前記発光表示部は、ドットサイズ０．４×０．４ｍｍ、発光画素数３２×１２８個、走査線（陰極）３２ライン、信号線（陽極）１２８ライン、機能層厚２００ｎｍ、陰極厚１００ｎｍで構成され、抵抗値１０ｋΩの第一，第二の制限抵抗部で一括して前記エージング処理するための第一，第二の導通ラインと各陽極，各陰極とが接続される。なお、１つの第一，第二の制限抵抗部に対して１つの陽極，陰極が接続される。かかるマザーパネルＡに対し、約１００℃の高温で逆バイアス電圧３０Ｖを印加する前記エージング処理を行った。このとき、各発光表示部は、図８に示すように、自己修復による修復痕が同発光表示部内に適度に分布を持ち生成され、修復痕発生率が約０．０３個／ｍｍ２程度であり、短絡を一切発症しなかった。これは修復が十分行われた事によるものである。また、修復痕サイズは１０μｍ程度であり、表示品質への影響は生じなかった。以下、従来例及び実施例の評価方法として、評価基準との修復痕発生率の比較、短絡が発症するか否か及び修復痕サイズが表示品質に影響を与えない大きさか否かによって修復の適否を判断した。
【００５５】
従来例として、サイズの異なる第一，第二の発光表示部がそれぞれ複数配置されたマザーパネルＢを作製した。前記第一の発光表示部は、パネルサイズ２．０インチの第一の有機ＥＬパネルを得るためのものであり、ドットサイズ０．３５×０．３５ｍｍ、ドットピッチ０．３９×０．３９ｍｍ、発光画素（第一の発光画素）数６４×１２８個、走査線（陰極）６４ライン、信号線（陽極）１２８ライン、機能層厚１００ｎｍ、陰極厚１００ｎｍ、１つの発光画素の静電容量０．０２３ｎＦ／ｄｏｔで構成され、抵抗値５ｋΩの第一，第二の制限抵抗部で一括して前記エージング処理するための第一，第二の導通ラインと前記各陽極，陰極とが接続される。なお、１つの前記第一，第二の制限抵抗部に対して１つの前記陽極，陰極が接続される。前記第二の発光表示部は、パネルサイズ１．５インチの第二の有機ＥＬパネルを得るためのものであり、ドットサイズ０．２５×０．２５ｍｍ、ドットピッチ０．２７×０．２７ｍｍ、発光画素（第二の発光画素）数６４×１２８個、走査線（陰極）６４ライン、信号線（陽極）１２８ライン、機能層厚１００ｎｍ、陰極厚１００ｎｍ、１つの発光画素の静電容量０．０１５ｎＦ／ｄｏｔで構成され、抵抗値５ｋΩの第一，第二の制限抵抗部で前記第一，第二の導通ラインと前記各陽極，各陰極とが接続される。なお、１つの前記第一，第二の制限抵抗部に対して１つの前記陽極，陰極が接続される。かかるマザーパネルＢに対し、約１００℃の高温で逆バイアス電圧２５Ｖを印加するエージング処理を行った。前述の評価方法で試験を行った結果、マザーパネルＢにおいては、図８に示すように前記第一の発光表示部は修復痕発生率が０．０３個／ｍｍ２であり、短絡が発症せず、修復痕サイズは約１０μｍ程度であり、十分に修復され表示品質への影響も生じなかったが、前記第二の発光表示部は修復痕発生率が０．０１個／ｍｍ２以下となるとともに短絡が発症し、修復痕サイズは１〜３μｍ程度であり、表示品質への影響はないものの十分に修復がなされなかった。
【００５６】
また、修復に好適な修復エネルギーＰの範囲には上限値及び下限値があり、修復エネルギーＰが下限値以下となる場合は修復が不十分となり短絡が生じ、上限値以上となる場合は修復痕サイズが２０μｍを超えて表示品質に影響を与える。この上限値及び下限値は、主に機能層厚及び陰極厚によって定まる。本願発明者らの実験からは、例えばマザーパネルＡの前記発光画素のように機能層厚２００ｎｍ及び陰極厚１００ｎｍである有機ＥＬ素子については好適な修復エネルギーＰの上限値は９×１０−７Ｊであり、下限値は５×１０−７Ｊであることがわかっている。また、同様に、マザーパネルＢの前記第一，第二の発光画素のように機能層厚１００ｎｍ及び陰極厚１００ｎｍである有機ＥＬ素子については好適な修復エネルギーＰの上限値は２．５×１０−７Ｊであり、下限値は１．８×１０−７Ｊであることがわかっている。マザーパネルＢについて好適な修復エネルギーＰを得るための電圧値を試算した結果を図９に示す。試算の結果、前記第一の発光表示部については２２〜２６Ｖであり、前記第二の発光表示部については２７〜３１Ｖであった。従って、試算上においても従来例においては同一の電圧値で前記第一，第二の発光表示部を一括して前記エージング処理することはできないという結果が得られた。
【００５７】
第一の実施例として、前述の第一の実施形態に従い、サイズの異なる第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂがそれぞれ複数配置されたマザーパネルＣを作製した。第一の発光表示部２ａは、第一の接続部３ｃにて各陽極５の２本を１つに束ねて１つの第一の制限抵抗部３ａに接続させたほかは、従来例の前記第一の発光表示部と同様に形成した。第二の発光表示部２ｂは、第二の接続部４ｃにて各陰極９の４本を１つに束ねて１つの第二の制限抵抗部４ａに接続させたほかは、従来例の前記第二の発光表示部と同様に形成した。マザーパネルＣに対し、約１００℃の高温で逆バイアス電圧２５Ｖを印加するエージング処理を行った。前述の評価方法で試験を行った結果、マザーパネルＣにおいては、図８に示すように第一の発光表示部２ａは修復痕発生率が０．０３個／ｍｍ２であり、短絡が一切発症せず、修復痕サイズは約１０μｍ程度であり、十分に修復がなされ表示品質への影響も生じなかった。第二の発光表示部２ｂについても同様に、修復痕発生率が０．０３個／ｍｍ２であり、短絡が一切発症せず、修復痕サイズは５〜８μｍ程度であり、十分に修復がなされ表示品質への影響も生じなかった。
【００５８】
また、マザーパネルＣについて好適な修復エネルギーＰを得るための電圧値を試算した結果を図９に示す。試算の結果、第一の発光表示部２ａについては２２〜２６Ｖであり、第二の発光表示部２ｂについては２５〜２９Ｖであった。従って、試算上においても同一の電圧値（２５〜２６Ｖ）で第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂを一括して前記エージング処理することができるという結果が得られた。
【００５９】
第二の実施例として、前述の第二の実施形態に従い、サイズの異なる第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂがそれぞれ複数配置されたマザーパネルＤを作製した。第一の発光表示部２ａは、第一の接続部３ｃにて各陽極５の２本を１つに束ねて１つの第一の制限抵抗部３ａに接続させたほかは、従来例の前記第一の発光表示部と同様に形成した。第二の発光表示部２ｂは、接続配線部４ｄにて縦方向に隣接する２つの第二の発光表示部２ｂの陰極９を互いに接続させたほかは、従来例の前記第二の発光表示部と同様に形成した。マザーパネルＤに対し、約１００℃の高温で逆バイアス電圧２５Ｖを印加するエージング処理を行った。前述の評価方法で試験を行った結果、マザーパネルＤにおいては、図８に示すように第一の発光表示部２ａは修復痕発生率が０．０３個／ｍｍ２であり、短絡が一切発症せず、修復痕サイズは約１０μｍ程度であり、十分に修復がなされ表示品質への影響も生じなかった。第二の発光表示部２ｂについても同様に、修復痕発生率が０．０３〜０．０４個／ｍｍ２程度であり、短絡が一切発症せず、修復痕サイズは約６〜１０μｍ程度であり、十分に修復がなされ表示品質への影響も生じなかった。
【００６０】
また、マザーパネルＤについて好適な修復エネルギーＰを得るための電圧値を試算した結果を図９に示す。試算の結果、第一の発光表示部２ａについては２２〜２６Ｖであり、第二の発光表示部２ｂについては２３．５〜２７Ｖであった。従って、試算上においても同一の電圧値（２３．５〜２６Ｖ）で第一，第二の発光表示部２ａ，２ｂを一括して前記エージング処理することができるという結果が得られた。
【００６１】
かかる実験結果によっても、本発明を適用することで、サイズの異なる複数種類の発光表示部に対して一括してエージング処理を行うことが可能であり、有機ＥＬパネルの生産性を向上させることができることは明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、マザーパネル及び有機ＥＬパネルの製造方法に好適である。
【符号の説明】
【００６３】
１    ベース基板
２ａ  第一の発光表示部
２ｂ  第二の発光表示部
３    第一の導通ライン
３ａ  第一の制限抵抗部
３ｂ  第一の電源接続端子
３ｃ  第一の接続部
４    第二の導通ライン
４ａ  第二の制限抵抗部
４ｂ  第二の電源接続部
４ｃ  第二の接続部
４ｄ  接続配線部
５    陽極
６    絶縁層
７    隔壁
８    機能層
９    陰極
１０  陰極配線部
１１    封止基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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