【事件の表示】
　特許第６６８８８１１号発明「感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物，感活性光線性又は感放射線性膜の生産方法，パターン形成方法，及び，電子デバイスの製造方法」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６６８８８１１号の請求項１ないし３，５ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　事案の概要
　１　手続等の経緯
　特許第６６８８８１１号の請求項１〜請求項１０に係る特許（以下「本件特許」という。）についての特許出願は，２０１６年（平成２８年）１１月２２日（先の出願に基づく優先権主張　平成２７年１２月２５日及び平成２８年９月１４日）を国際出願日とする出願であって，令和２年４月８日に特許権の設定の登録がされたものである。
　本件特許について，令和２年４月２８日に特許掲載公報が発行されたところ，発行の日から６月以内である令和２年１０月２７日に特許異議申立人　中川賢治（以下「特許異議申立人」という。）から，請求項１〜請求項３及び請求項５〜請求項１０に係る特許に対して特許異議の申立てがされた。
　２　本件特許発明
　本件特許の請求項１〜請求項１０に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１〜請求項１０に記載された事項によって特定されるとおりの，以下のものである。
「【請求項１】
　ガラス転移温度が１５５℃以上の樹脂（Ａ），
　ガラス転移温度が１５０℃以下の化合物（Ｂ），
　活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物，及び
　溶剤（Ｃ）を含有する，
　感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって，
　前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の固形分含有量が２０質量％以上であり，
　前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物がポジ型組成物であり，
　前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって形成されるレジストパターンの軟化点が１３０℃以上１７０℃以下であり，
　前記樹脂（Ａ）が，酸の作用によって分解し，現像液に対する溶解性が変化する樹脂であり，
　前記化合物（Ｂ）が樹脂であり，
　前記化合物（Ｂ）の重量平均分子量が１０００以上である，感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（但し，酸によってアルカリ溶解性が増大する樹脂を含む樹脂成分と，ｉ線に対して１０００以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤と，ベンゾイル基，チオフェン基，または多環式の芳香族基を有する光増感剤と，を含有することを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物，及び（Ａ）有機溶剤，（Ｂ）ベース樹脂，（Ｃ）酸発生剤を含む化学増幅ポジ型レジスト材料であって，前記（Ｂ）成分のベース樹脂が，下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量１，０００〜５００，０００である高分子材料と，下記一般式（２）で示されるポリアクリル酸エステルもしくはポリメタクリル酸エステル重合体の繰り返し単位を有する重量平均分子量１，０００〜５００，０００である高分子材料とを含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料を除く。）。
　　【化１】
                                                
（式中，Ｒ１は水素原子，ヒドロキシ基，直鎖状アルキル基，分岐状アルキル基，ハロゲン原子，又はトリフルオロメチル基を表し，Ｒ２は水素原子，ヒドロキシ基，ハロゲン原子，又はトリフルオロメチル基を表し，Ｒ３は炭素数４〜１２の三級アルキル基を表し，Ｒ４は水素原子，置換可アルキル基，置換可アルコキシ基，−Ｃ（ＣＦ３）２−ＯＨ基，各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシロキシ基，炭素数４〜２０のオキソアルコキシ基，テトラヒドロピラニルオキシ基，テトラヒドロフラニルオキシ基，又はトリアルキルシロキシ基を表し，Ｒ５は水素原子又はメチル基を表し，Ｒ６は水素原子，メチル基，アルコキシカルボニル基，シアノ基，ハロゲン原子，又はトリフルオロメチル基を表し，Ｒ７は炭素数４〜３０のアルキル基を表す。また，ｎは０又は１〜４の正の整数であり，ｍは０又は１〜５の正の整数である。また，ｐ，ｒ，ｓは０又は正数であり，ｑは正数である。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１である。）
　　【化２】
   
（式中，Ｒ８は水素原子又はメチル基を表し，Ｒ９は炭素数１〜２４の直鎖状，分岐状もしくは脂環式のアルキル基，又は酸素原子，硫黄原子，窒素原子のいずれかを含む炭素数１〜２４の１価の有機基を示す。）
【請求項２】
　前記化合物（Ｂ）としての樹脂の重量平均分子量が１０００〜１８０００である，請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
　前記樹脂（Ｂ）がヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を有する，請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
　ガラス転移温度が１５５℃以上の樹脂（Ａ），
　ガラス転移温度が１５０℃以下の化合物（Ｂ），
　活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物，及び
　溶剤（Ｃ）を含有する，
　感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって，
　前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の固形分含有量が２０質量％以上であり，
　前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物がポジ型組成物であり，
　前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって形成されるレジストパターンの軟化点が１３０℃以上１７０℃以下であり，
　前記樹脂（Ａ）が，酸の作用によって分解し，現像液に対する溶解性が変化する樹脂であり，
　前記化合物（Ｂ）がポリエーテル系化合物であり，
　前記ポリエーテル系化合物の分子量が５０００以下であり，
　化合物（Ｂ）は，下記一般式（１−１）または下記一般式（１−２）で表される化合物である，感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　　【化３】
   
　上記一般式（１−１）中，
Ｒ１１は，置換基を有してもよいアルキレン基を表す。
　Ｒ１２およびＲ１３は，それぞれ独立に，アルキル基を表す。
　ｍ１は，４〜６の整数である。
　　【化４】
   
　上記一般式（１−２）中，
　Ｒ１１は，置換基を有してもよいアルキレン基を表す。
　ｍ２は，２以上の整数である。
【請求項５】
　前記樹脂（Ａ）のガラス転移温度が１７０℃以上である，請求項１〜４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項６】
　前記樹脂（Ａ）の重量平均分子量が１８０００以上である，請求項１〜５のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項７】
　前記樹脂（Ａ）がヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を有する，請求項１〜６のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項８】
　感活性光線性又は感放射線性膜の生産方法であって，
前記感活性光線性又は感放射線性膜が，請求項１〜７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物より生産された感活性光線性又は感放射線性膜の生産方法。
【請求項９】
　（ｉ）請求項１〜７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって基板上に膜厚が１μｍ以上の感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程，
　（ｉｉ）前記感活性光線性又は感放射線性膜に活性光線又は放射線を照射する工程，及び，
　（ｉｉｉ）前記活性光線又は放射線が照射された感活性光線性又は感放射線性膜を，現像液を用いて現像する工程，を有するパターン形成方法。
【請求項１０】
　請求項９に記載のパターン形成方法を含む，電子デバイスの製造方法。」
　３　特許異議申立ての概要
　特許異議申立人は，証拠として甲１及び甲２を提出するとともに，本件特許１〜本件特許３及び本件特許５〜本件特許１０は，特許法２９条２項の規定に違反してされたものであるから，取り消されるべきものである，と主張する。
　ここで，甲１及び甲２は，以下のものである。なお，主引用例は甲１であり，甲２は，周知技術を示す文献である。
甲１：特開２００９−２６５６０９号公報
甲２：特開２００４−７８０３４号公報
第２　当合議体の判断
　１　甲１の記載及び甲１発明
　(1) 甲１の記載
　先の出願（最先のもの）前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である甲１には，以下の記載がある。なお，下線は当合議体が付したものであり，引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられる感活性光線または感放射線性樹脂組成物に関する。
…省略…
【背景技術】
【０００３】
　従来，ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては，フォトレジスト組成物を用いたリソグラフィによる微細加工が行われている。
…省略…
【０００９】
　しかし，これらのいかなる組合せにおいても，リソ性能の両立は難しく，特に，広い露光ラチチュード，ＬＷＲの低減，良好なパターン形状やドライエッチング耐性，現像後の欠陥が少ないことを同時に満足できていないのが現状である。
…省略…
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　本発明の目的は，活性光線又は放射線，特に，ＫｒＦエキシマレーザー光，電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり，広い露光ラチチュード，ＬＷＲの低減，良好なパターン形状，優れたドライエッチング耐性を満足し，更に現像後の欠陥が少ないパターンを得ることが出来る感活性光線または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
…省略…
【発明の効果】
【００２７】
　本発明のポジ型レジスト組成物により，広い露光ラチチュード，ラインエッジラフネスの低減，良好なパターン形状，及び優れたドライエッチング耐性を満足し，更に現像後の欠陥が少ないパターンを得ることが可能となった。」
　イ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
…省略…
【００２９】
　［１］樹脂（Ａ）
　本発明の感活性光線または感放射線性樹脂組成物は，式（Ｉ），(II)及び(III)により表される繰り返し単位を含有する，酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂（以下，「樹脂（Ａ）」ともいう）を含有する。
【化６】
…省略…
【００４４】
　樹脂（Ａ）の質量平均分子量（Ｍｗ）は，１５，０００〜２５，０００であることが好ましい。分子量を高くすることで，レジスト膜の運動性が低下すると考えられる。そのため，分子量（Ｍｗ）を１５，０００以上とすることで発生酸の拡散を抑制することができ，露光ラチチュード，定在波等の諸性能が向上する。
　また樹脂自体のアルカリに対する溶解速度，感度，欠陥発生の点から質量平均分子量（Ｍｗ）は２５，０００以下が好ましい。
【００４５】
　分散度（Ｍｗ/Ｍｎ）は，１．０〜３．０であることが好ましく，より好ましくは１．０〜２．５，特に好ましくは，１．０〜２．０である。
　ここで，質量平均分子量は，ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される。
　樹脂（Ａ）はラジカル重合開始剤を用いてラジカル重合を行うことで分散度１．５〜２．０の樹脂（Ａ）を合成することができる。さらに好ましい分散度１．０〜１．５の樹脂（Ａ）はリビングラジカル重合によって合成可能である。
　以下に，樹脂（Ａ）の具体例を示すが，これらに限定するものではない。
【化１１】
【００４６】
【化１２】
…省略…
【００５０】
　［２］酸発生剤（Ｂ）
　
本発明の感活性光線または感放射線性樹脂組成物は，（Ｂ）活性光線または放射線の照射によりフッ素を含有する酸を発生する化合物（以下，「酸発生剤（Ｂ）」ともいう）を含有する。
…省略…
【００７１】
…省略…
　
フッ素を含有する酸を発生する酸発生剤（Ｂ）の具体例を以下に示すが，これらに限定するものではない。
…省略…
【００７２】
【化２０】
…省略…
【００８８】
　［３］有機塩基性化合物（Ｃ）
　本発明の組成物は有機塩基性化合物を含有することが好ましい。
…省略…
【００９８】
　［４］界面活性剤（Ｄ）
　本発明においては，界面活性剤類を用いることができ，製膜性，パターンの密着性，現像欠陥低減等の観点から好ましい。
…省略…
【０１０６】
　［５］溶剤
　本発明の組成物は，上記各成分を溶解する溶剤に溶かして支持体上に塗布する。全組成物中の固形分濃度として，通常２〜３０質量％とすることが好ましく，３〜２５質量％がより好ましい。
…省略…
【０１０９】
　［６］その他添加剤
　本発明の組成物には必要に応じて，さらに，光塩基発生剤などを含有させることができる。
…省略…
【０１２４】
　［７］製膜
　本発明の組成物は基板上に塗布され，薄膜を形成する。この塗布膜の膜厚は，０.０５〜４.０μｍが好ましい。
…省略…
【０１２８】
　精密集積回路素子の製造などにおいてレジスト膜上へのパターン形成工程は，基板（例：シリコン/二酸化シリコン被覆基板，ガラス基板，ＩＴＯ基板，石英/酸化クロム被覆基板等）上に，本発明のポジ型レジスト組成物を塗布し，レジスト膜を形成し，次にＫｒＦエキシマレーザー光，電子線，ＥＵＶ光などの活性光線又は放射線を照射し，加熱，現像，リンス，乾燥することにより良好なレジストパターンを形成することができる。」
　ウ　「【実施例】
【０１３１】
　以下，本発明を実施例によりさらに詳しく説明するが，本発明の内容がこれにより限定されるものではない。
　（合成例１）ポリマー((Ａ−１)−１)の合成
　２Ｌフラスコにエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート６００ｇをいれ，１００ｍＬ／ｍｉｎの流量で一時間窒素置換した。また，４−アセトキシスチレン１０５．４ｇ（０．６５ｍｏｌ），ｔ−ブチルメタクリレート３５．６ｇ（０．２５ｍｏｌ），ベンジルメタクリレート１７．６ｇ（０．１０ｍｏｌ），重合開始剤剤Ｖ−６０１（和光純薬工業（株）製）２．３０ｇ（０．０1ｍｏｌ）をエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート２００ｇに溶解し，得られた溶液を上記と同様に窒素置換した。
【０１３２】
　エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートの入った２Ｌフラスコを，内温が８０℃になるまで昇温した後，さらに重合開始剤剤Ｖ−６０１　２．３０ｇ（０．０1ｍｏｌ）を添加し，５分間攪拌した。その後，上記モノマー混合溶液を攪拌しながら６時間かけて滴下した。滴下後，２時間さらに加熱攪拌した後，反応溶液を室温まで冷却し，ヘキサン３Ｌ中に滴下しポリマーを沈殿させた。ろ過した固体をアセトン５００ｍｌに溶解し，再度ヘキサン３Ｌ中に滴下，ろ過した固体を減圧乾燥して，４−アセトキシスチレン／ｔ−ブチルメタクリレート／ベンジルメタクリレート共重合体１５１ｇを得た。
【０１３３】
　上記で得られた重合体４０．００ｇをテトラヒドロフラン２００ｍｌに溶解させた後，２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液５ｍｌを加え１時間室温下で攪拌した後，蒸留水を添加しポリマーを沈殿させた。沈殿物を蒸留水で洗浄したのち，減圧下乾燥させた。ポリマーを酢酸エチル１００ｍｌに溶解させた後，ヘキサンを加え沈殿したポリマーを減圧乾燥にて粉体として，ポリマー（（Ａ−１）−１）３５．５ｇを得た。ＧＰＣによる質量平均分子量は１４０００，分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．５０であった。
【０１３４】
　用いるモノマーを変更する以外は，上記合成例１と同様の方法で表１に示す，先に構造を例示した樹脂を合成した。樹脂の組成比，質量平均分子量（Ｍｗ），分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を表１に示す。
【表１】
【０１３５】
【化３３】
【０１３６】
　〔レジスト組成物の調製〕
　
樹脂，酸発生剤，有機塩基性化合物及び界面活性剤をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
プロピレングリコールモノメチルエーテル
の混合溶剤
に溶解させ，固形分濃度１０．０質量％の
レジスト溶液
得た
【０１３７】
　評価に使用したレジスト溶液を表２に示す。ここで，溶剤以外の各成分の添加量（質量％）は
溶剤を除いた固形分に対する質量％
混合比
質量％
【表２】
【０１３８】
　（有機塩基性化合物）
　Ｃ−１：　
ジシクロヘキシルメチルアミン
　Ｃ−２：　２，４，６−トリフェニルイミダゾール
　Ｃ−３：　テトラ−（ｎ−ブチル）アンモニウムヒドロキシド
　Ｃ−４：
【化３４】
【０１３９】
　（界面活性剤）
　Ｄ−１：
フッ素系界面活性剤，メガファックF-176（大日本インキ化学工業（株）製）
　Ｄ−２：フッ素／シリコン系界面活性剤，メガファックR08（大日本インキ化学工業（株）製）
　〔パターン作製および評価１（ＫｒＦ）〕
　上記のように調製したポジ型レジスト液を東京エレクトロン製スピンコーターＭａｒｋ８を利用して，６０ｎｍの反射防止膜（ブリューワーサイセンス製DUV４２）を塗布した基板上に均一に塗布し，１３０℃６０秒間加熱乾燥を行い，平均膜厚０．４μｍのポジ型レジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し，ＫｒＦエキシマレーザースキャナー（ASML製，PAS5500/850C波長２４８ｎｍ）を用いて，NA=0.68，σ=0.60の露光条件でパターン露光した。照射後に１３０℃，６０秒ベークし，２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて６０秒間浸漬した後，３０秒間，水でリンスして乾燥した。得られたパターンを下記の方法で評価した。
【０１４０】
　（Line Width Roughness（ＬＷＲ））
　得られたレジストパターンについて，走査型電子顕微鏡（日立社製Ｓ−８８４０）により線幅を観察し，マスクサイズ１５０ｎｍ，ピッチ３００ｎｍのマスクパターンで１５０ｎｍのレジストパターンが得られる露光量で，線幅の変動（ＬＷＲ）を観察した。
…省略…
【０１４５】
　〔パターン作製および評価２（ＥＢ）〕
　固形分濃度を８質量％に変えた以外はパターン作製および評価１（ＫｒＦ）で用いたものと同じレジスト溶液を，ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコンウエハー上に東京エレクトロン製スピンコーターＭａｒｋ８を用いて塗布し，１２０℃，６０秒ベークして平均膜厚０．３μｍの膜を得た。
…省略…
【０１５０】
　〔パターン作製および評価３（ＥＵＶ）〕
　固形分濃度を６質量％に変えた以外はパターン作製および評価（ＫｒＦ１）で用いたものと同じレジスト溶液をヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコンウエハー上に東京エレクトロン製スピンコーターＭａｒｋ８を用いて塗布し，１２０℃，６０秒ベークして平均膜厚０．１５μｍの膜を得た。
…省略…
【０１５６】
　〔パターン作製および評価４（厚膜ＫｒＦ）〕
　〔レジスト組成物の調製〕
　樹脂，酸発生剤，有機塩基性化合物及び界面活性剤をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下，ＰＧＭＥＡと略す），プロピレングリコールモノメチルエーテル（以下，ＰＧＭＥと略す），乳酸エチル（以下，ＥＬと略す），乳酸メチル（以下，ＭＬｃと略す），乳酸ブチル（以下，ＢＬｃと略す），３−メトキシプロピオン酸メチル（以下，ＭＭＰと略す），メチルアミルケトン（以下，ＭＡＫと略す），シクロヘキサノン（以下，ＣＨＡと略す），３−エトキシプロピオン酸エチル（以下，ＥＥＰと略す），ピルビン酸エチル（以下，ＥＰと略す），エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下，ＭＣＡと略す），エチレングリコールモノエチルエーテル（以下，エチセロと略す），の混合溶剤または単独溶剤に溶解させ，固形分濃度２２．０質量％の溶液を調製した後，得られた溶液を０．１ｕｍ口径のメンブレンフィルターで精密ろ過して，レジスト溶液を得た。
【０１５７】
　以下，評価に使用したレジスト溶液を表６に示す。ここで，溶剤以外の各成分の添加量（質量％）は溶剤を除いた固形分に対する質量％を意味する。溶剤については混合比（質量％）を示す。
【表６】
【０１５８】
　上記のように調製したポジ型レジスト溶液を，６０ｎｍの反射防止膜（ブリューワーサイエンス製　ＤＵＶ４２）を塗布したシリコンウエハー上に東京エレクトロン製スピンコーターＭａｒｋ８を用いて塗布し，１２０℃，６０秒ベークして平均膜厚２．０μｍの膜を得た。
　(2) 甲１発明
　甲１の【０１３６】及び【０１３７】【表２】には，実施例９として，「溶剤を除いた固形分に対する質量％で，樹脂（（Ａ−１）−２）が８７質量％，樹脂（Ａ−５）が１０質量％，酸発生剤（Ｂ３５）が２．５質量％，有機塩基性化合物（Ｃ−１）が０．４質量％及び界面活性剤（Ｄ−１）０．１質量％を溶剤に溶解させて得た，固形分濃度１０．０質量％のレジスト溶液」が記載されている。
　ここで，上記「樹脂（（Ａ−１）−２）」及び「樹脂（Ａ−５）」については，【００４５】【化１１】及び【０１３１】〜【０１３４】に詳細な記載がある。また，「樹脂（（Ａ−１）−２）」について，【０１３１】において作製されるのは，「４−アセトキシスチレン，ｔ−ブチルメタクリレート及びベンジルメタクリレートの共重合体」であるが，【０１３２】において脱保護が行われていること，すなわち，最終的には「４−ヒドロキシスチレン，ｔ−ブチルメタクリレート及びベンジルメタクリレートの共重合体」が作製されていることを考慮した。「樹脂（Ａ−５）」も同様である。加えて，「酸発生剤（Ｂ３５）」，「有機塩基性化合物（Ｃ−１）」及び「界面活性剤（Ｄ−１）」については，それぞれ【００７２】【化２】，【０１３８】及び【０１３９】に記載がある。
　そうしてみると，甲１には，次の「レジスト溶液」の発明が記載されている（以下「甲１発明」という。）。なお，用語や符号を整理して記載した。
「　溶剤を除いた固形分に対する質量％で，樹脂（（Ａ−１）−２）が８７質量％，樹脂（Ａ−５）が１０質量％，酸発生剤（Ｂ３５）が２．５質量％，有機塩基性化合物（Ｃ−１）が０．４質量％及び界面活性剤（Ｄ−１）０．１質量％を溶剤に溶解させて得た，固形分濃度１０．０質量％のレジスト溶液であって，
　樹脂（（Ａ−１）−２）は，４−ヒドロキシスチレン（０．６５ｍｏｌ），ｔ−ブチルメタクリレート（０．２５ｍｏｌ）及びベンジルメタクリレート（０．１０ｍｏｌ）の共重合体であって，質量平均分子量（Ｍｗ）が２００００，分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５５であり，
　樹脂（Ａ−５）は，３−ヒドロキシスチレン（０．６５ｍｏｌ），ｔ−ブチルメタクリレート（０．２５ｍｏｌ）及びベンジルメタクリレート（０．１０ｍｏｌ）の共重合体であって，質量平均分子量（Ｍｗ）が１４０００，分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５８であり，
　酸発生剤（Ｂ３５）は，次の化合物であり，
　有機塩基性化合物（Ｃ−１）は，ジシクロヘキシルメチルアミンであり，
　界面活性剤（Ｄ−１）は，フッ素系界面活性剤，メガファックＦ−１７６（大日本インキ化学工業（株）製）であり，
　溶剤は，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが８０質量％とプロピレングリコールモノメチルエーテルが２０質量％の混合溶剤である，
　レジスト溶液。」
　２　請求項１についての当合議体の判断
　(1) 対比
　本件特許の請求項１に係る発明（以下「本件特許発明１」という。）と甲１発明を対比すると，以下のとおりとなる。
　ア　感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
　甲１発明の「レジスト溶液」は，前記１(2)で述べたとおりの組成のものである。
　ここで，技術常識を勘案すると，甲１発明の「レジスト溶液」により形成されたレジスト膜は，活性光線の照射を受けた「樹脂（（Ａ−１）−２）」及び「樹脂（Ａ−５）」がアルカリ現像液に可溶となる，ポジ型のものである（当合議体注：甲１の【０００２】，【０１３９】及び【０１４０】の記載からも確認できる事項である。）。また，甲１発明の「レジスト溶液」が，本件特許の請求項１に記載の「（但し，…を除く。）」という要件（以下「除く要件」という。）を満たすことは明らかである。
　そうしてみると，甲１発明の「レジスト溶液」は，本件特許発明１の「感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物」に相当する。また，甲１発明の「レジスト溶液」は，本件特許発明１の「感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物」における，「除く要件」及び「前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物がポジ型組成物であり」という要件を満たす。
　イ　樹脂（Ａ）及び化合物（Ｂ）
　甲１発明の「レジスト溶液」は，前記１(2)で述べたとおりの組成のものである。
　ここで，甲１発明の「樹脂（（Ａ−１）−２）」及び「樹脂（Ａ−５）」は，技術的にみて，活性光線の照射を受けた「酸発生剤（Ｂ３５）」が発生する酸の作用によって，酸不安定基であるｔ−ブチル基の部位で分解（脱保護）し，アルカリ現像液に対して可溶性となる樹脂である。また，甲１発明の「樹脂（（Ａ−１）−２）」及び「樹脂（Ａ−５）」は，その文言が意味するとおり，樹脂であり，その質量平均分子量（重量平均分子量）は，いずれも１０００以上（「２００００」及び「１４０００」）である。
　そうしてみると，甲１発明の「樹脂（（Ａ−１）−２）」及び「樹脂（Ａ−５）」と本件特許発明１の「樹脂（Ａ）」は，「酸の作用によって分解し，現像液に対する溶解性が変化する樹脂」である点で共通する。同様に，甲１発明の「樹脂（（Ａ−１）−２）」及び「樹脂（Ａ−５）」と本件特許発明１の「化合物（Ｂ）」は，いずれも「樹脂であり」及び「重量平均分子量が１０００以上である」という要件を満たす「化合物」である点でも共通する。
　ウ　活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
　甲１発明の「レジスト溶液」は，前記１(2)で述べたとおりの組成のものである。
　ここで，甲１発明の「酸発生剤（Ｂ３５）」は，その名称及び構造からみて，活性光線の照射により酸を発生する化合物である（当合議体注：【００５０】，【００７１】及び【００７２】の記載からも確認できる事項である。）。
　そうしてみると，甲１発明の「酸発生剤（Ｂ３５）」は，本件特許発明１の「活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物」に相当する。
　エ　溶剤（Ｃ）
　甲１発明の「レジスト溶液」は，前記１(2)で述べたとおりの組成のものである。
　ここで，甲１発明の「溶剤」は，その文言が意味するとおりのものである。
　そうしてみると，甲１発明の「溶剤」は，本件特許発明１の「溶剤（Ｃ）」に相当する。
　オ　全体の構成
　本件特許発明１と甲１発明は，以上ア〜エのとおり，対比される。また，前記イの対比結果からみて，甲１発明の「樹脂（（Ａ−１）−２）」及び「樹脂（Ａ−５）」は，その一方を本件特許発明１の「樹脂」に，他方を「化合物」に対応づけることができる。
　そうしてみると，甲１発明の「レジスト溶液」は，本件特許発明１の「感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物」における，「樹脂」，「化合物」，「活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物，及び」「溶剤（Ｃ）を含有する」という要件を満たす。
　(2) 一致点及び相違点
　ア　一致点
　本件特許発明１と甲１発明は，次の構成で一致する。
「　樹脂，
　化合物，
　活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物，及び
　溶剤（Ｃ）を含有する，
　感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって，
　前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物がポジ型組成物であり，
　前記樹脂が，酸の作用によって分解し，現像液に対する溶解性が変化する樹脂であり，
　前記化合物が樹脂であり，
　前記化合物の重量平均分子量が１０００以上である，感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物」
　イ　相違点
　本件特許発明１と甲１発明は，以下の点で相違する。
（相違点１）
　「樹脂」，「化合物」及び「感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物」に関して，本件特許発明１は，「ガラス転移温度が１５５℃以上の樹脂（Ａ）」，「ガラス転移温度が１５０℃以下の化合物（Ｂ）」及び「前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって形成されるレジストパターンの軟化点が１３０℃以上１７０℃以下であり」という要件を満たすのに対して，甲１発明は，これが不明である点。
（相違点２）
　「前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物」が，本件特許発明１は，「固形分含有量が２０質量％以上であり」という要件を満たすのに対して，甲１発明は，「固形分濃度１０．０質量％」である点。
　(3) 判断
　ア　相違点１について
　甲１には，「樹脂（（Ａ−１）−２）」及び「樹脂（Ａ−５）」のガラス転移温度や，「レジスト溶液」によって形成されるレジストパターンの軟化点に関する記載は，一切存在しない。また，甲１には，樹脂の共重合比，質量平均分子量及び分子量分散度並びにレジスト溶液の組成等に関する記載があるが，これら記載を考慮しても，［Ａ］甲１発明の「樹脂（（Ａ−１）−２）」及び「樹脂（Ａ−５）」が，「ガラス転移温度が１５５℃以上」及び「ガラス転移温度が１５０℃以下」という，ガラス転移温度に関する要件の組み合わせを満たすものであり，かつ，［Ｂ］これら「樹脂（（Ａ−１）−２）」及び「樹脂（Ａ−５）」の組み合わせを含む，甲１発明の「レジスト溶液」が，「形成されるレジストパターンの軟化点が１３０℃以上１７０℃以下であり」という，軟化点に関する要件を満たすものであるとまではいえない。
　そして，甲１には，樹脂のガラス転移温度や，レジストパターンの軟化点に関する記載は一切存在しないのであるから，当業者が，甲１発明の「樹脂（（Ａ−１）−２）」のガラス転移温度，「樹脂（Ａ−５）」のガラス転移温度及び「レジスト溶液」によって形成されるレジストパターンの軟化点に着目するとはいえない。まして，当業者が，甲１発明の「樹脂（（Ａ−１）−２）」及び「樹脂（Ａ−５）」のガラス転移温度の組み合わせに着目し，かつ，「レジスト溶液」によって形成されるレジストパターンの軟化点にも着目するともいえない。
　そうしてみると，甲１発明の「樹脂（（Ａ−１）−２）」及び「樹脂（Ａ−５）」並びに「レジスト溶液」を，相違点１に係る本件特許発明１の３つの要件の組み合わせを満たすものとすることに，動機付けがあるとはいえない。
　また，他の甲号証の記載を見ても，甲１発明において，相違点１に係る本願特許発明１の３つの要件を満たすものとすることが容易であるとはいえない。
　したがって，たとえ当業者といえども，相違点１に係る本願特許発明１の構成に想到することが容易であるとはいえない。
　イ　相違点２について
　甲１の【０１３９】では，甲１発明の「レジスト溶液」を用いて，「平均膜厚０．４μｍのポジ型レジスト膜」が形成されている。同様に，【０１４５】では，「固形分濃度を８質量％に変えた」上で，「平均膜厚０．３μｍの膜」が得られている。加えて，【０１５０】では，「固形分濃度を６質量％に変えた」上で，「平均膜厚０．１５μｍの膜」が得られている。他方，甲１の【０１５６】〜【０１５８】には，「固形分濃度２２．０質量％」で，「平均膜厚２．０μｍの膜を得た」実施例（実施例１５〜実施例４６）が記載されているが，これらレジスト溶液は，甲１発明の「レジスト溶液」とは異なる組成のものである。
　以上勘案すると，甲１発明の「レジスト溶液」は，６〜１０％という程度の固形分濃度で用いることを念頭にしたものと理解されるから，甲１発明の「レジスト溶液」の固形分濃度を，相違点２に係る本件特許発明１の，「２０質量％以上」にまで高めることに，動機付けがあるとはいえない。
　また，実施例１〜実施例１４のレジスト溶液（【０１３７】【表２】）と実施例１５〜実施例４６のレジスト溶液（【０１５７】【表６】）を比べてみると，樹脂，酸発生剤及び溶剤の種類が変更されていることが判る。さらに，【０１５７】【表６】には，甲１発明のように，２種類の樹脂を併用した例は記載されていない。
　このように，２０質量％以上という，比較的高い固形分濃度のレジスト溶液を調製しようとする当業者ならば，樹脂の種類も含めて，レジスト溶液の組成を見直すと考えられる。してみると，仮に，当業者が甲１発明の「レジスト溶液」の固形分濃度を「２０質量％以上」にまで高めることがあり得るとしても，組成を見直した結果，前記(2)アにおいて一致点とした事項がそのまま一致点となるとは限らない。
　さらに進んで検討すると，「固形分濃度２２．０質量％」のレジスト溶液に係る実施例１５〜実施例４６において用いられている樹脂（Ａ）は，「（Ａ−１）−３」，「（Ａ−１）−７」，「（Ａ−１）−８」，「（Ａ−１）−９」及び「（Ａ−１）−１０」であり，これら樹脂の質量平均分子量は，それぞれ２００００，３００００，２５０００，２００００及び２５０００と，比較的大きいものである（厚膜を形成するには，大きい分子量の樹脂を用いて，粘度を高める方が有利である。）。
　これに対して，甲１発明の「レジスト溶液」は，【０１３４】【表１】に記載された樹脂の中で，質量平均分子量が最も小さい（１４０００である）「樹脂（Ａ−５）」を含むものである。そうしてみると，２０質量％以上という，比較的高い固形分濃度のレジスト溶液を調製しようとする当業者が，甲１に列挙された４６種類のレジスト溶液のうち，甲１発明の「レジスト溶液」に着目するとはいいがたく，この点において，当業者が仮に相違点２に係る本件特許発明１の構成を採用しようとする場合、そもそも甲１発明を出発点とした上で変更を試みるとは，いいがたい。
　(4) 特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は，相違点１を，（ア）「樹脂」のガラス転移温度に関する相違点，（イ）「化合物」のガラス転移温度に関する相違点，及び（ウ）「感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物」によって形成されるレジストパターンの軟化点に関する相違点の３つに分けた上で，（ア）及び（イ）については，共重合体の繰り返し単位及び分量が，本件特許の明細書に記載された実施例のものと類似している，（ウ）については，周知技術であると主張している。
　しかしながら，本件特許発明１は，「ガラス転移温度が１５５℃以上の樹脂（Ａ）」と「ガラス転移温度が１５０℃以下の化合物（Ｂ）」の組み合わせの発明と理解することができ，また，「前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって形成されるレジストパターンの軟化点」が「樹脂（Ａ）」及び「化合物（Ｂ）」の組み合わせに左右されることを考慮すると，相違点を（ア）〜（ウ）の３つに分けて認定することは適切ではない。
　また，特許異議申立人は，周知技術の根拠として，甲２（特開２００４−７８０３４号公報）の【００５５】の記載を指摘するところ，そこには，「現在のホトリソグラフィー技術において用いられる種々のホトレジスト組成物の軟化点を考慮すると，好ましい加熱処理は通常，８０〜１６０℃程度の温度範囲で，ただしホトレジストが熱流動を起さない温度で，３０〜９０秒間程度行われる。」と記載されているにとどまる。このような記載から，「レジストパターンの軟化点が１３０℃以上１７０℃以下」であることが周知であると，導き出すことはできない。
　(5) 小括
　以上のとおりであるから，本件特許発明１は，甲１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　３　他の請求項についての当合議体の判断
　(1) 請求項１を引用する請求項に係る発明について
　請求項２及び請求項３に係る発明並びに請求項１を直接又は間接的に引用する請求項５〜請求項７に係る発明は，いずれも，請求項１に係る発明に対して，さらに他の構成を付加してなる「感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物」の発明である。
　また，請求項８に係る発明は，上記「感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物」による，「感活性光線性又は感放射線性膜の生産方法」の発明である。さらに，請求項９及び請求項１０も，同様に，上記「感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物」による，「パターン形成方法」及び「電子デバイスの製造方法」の発明である。
　そうしてみると，これら発明は，本件特許発明１と同じ理由により，甲１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
　(2) 請求項４を引用する請求項に係る発明について
　請求項４については，特許異議の申立てがされていないため，請求項４に係る発明については，審理することができない。
　したがって，請求項４を直接又は間接的に引用する請求項５〜請求項１０に係る発明についても，審理することができない。
　(3) 小括
　以上のとおりであるから，本件特許の請求項２及び請求項３に係る発明及び請求項５〜請求項１０に係る発明（請求項１を直接又は間接的に引用して記載されたもの）は，いずれも，甲１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
第３　むすび
　以上述べたとおりであるから，特許異議の申立ての理由及び証拠によっては，請求項１〜請求項３及び請求項５〜請求項１０に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他にこれら特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年２月９日（２０２１．２．９）