(57)【要約】【課題】  電子写真感光体の微小な欠陥を精度よく検出して、高品質で低コストな電子写真感光体を提供する。【解決手段】  量産された感光体に誘導電流による欠陥検出での検査を行う際に、まず無作為に選ばれた少なくとも１本について、欠陥部の信号強度（Ｓ）／ノイズレベル（Ｎ）の比を高くするための帯電条件を導出する工程を行う。そして、量産された感光体について、導出された帯電条件Ａにより感光体に帯電させる工程を行い、その後に欠陥を検出する工程を行う。【選択図】  図１
2020086384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
量産された複数の円筒状の電子写真感光体の欠陥検出方法であって、
以下の（Ｉ）〜（ＶＩＩ）の工程より、帯電条件Ａを導出する工程と、
前記量産された複数の円筒状の電子写真感光体の一部又は全部の表面を、前記帯電条件Ａにより帯電させる工程と、
前記電子写真感光体の表面に少なくとも１つの前記電子写真感光体の表面の電位変化を検知する検知電極を対向させ、前記検知電極を前記電子写真感光体の周方向に相対的に移動させながら、前記電子写真感光体の表面の前記検知電極の位置の違いによる前記電子写真感光体の表面の電位の変化を前記検知電極に発生する誘導電流として検出して欠陥検出をする工程と、
を有する前記量産された複数の円筒状の電子写真感光体の欠陥検出方法。
（Ｉ）前記量産された複数の円筒状の電子写真感光体から無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体において、前記無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体の表面を帯電条件Ｂにより帯電させる工程、
（ＩＩ）帯電された前記無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体の周方向一周分の誘導電流を測定する工程
（ＩＩＩ）前記周方向一周分の誘導電流の絶対値の平均値が、
欠陥と判定する第一の所定値を超える場合は、前記帯電条件Ｂを変更して（Ｉ）の工程からやり直し、
欠陥と判定する第一の所定値以下の場合は、帯電条件Ａの下限条件を決め、工程（ＩＶ）に移行する、ことを判断する工程
（ＩＶ）前記無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体において、前記無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体の表面を帯電条件Ｂにより帯電させる工程、
（Ｖ）前記（ＩＶ）の工程で帯電された電子写真感光体に第二の所定値に等しい誘導電流が生じる画像パターンに基づく像露光光を照射して静電潜像を形成する工程
（ＶＩ）前記静電潜像に対して誘導電流を測定する工程
（ＶＩＩ）前記静電潜像に対する誘導電流の絶対値の平均値が、
欠陥と判定する第二の所定値未満の場合は、帯電条件Ａの上限条件を決め
欠陥と判定する第二の所定値以上の場合は、前記帯電条件Ｂを変更して（ＩＶ）の工程からやり直す、ことを判断する工程
【請求項２】
前記工程（ＩＩＩ）において、前記欠陥と判定する前記第一の所定値が、閾値の３％以上５０％以下であり、前記工程（ＶＩＩ）において、前記欠陥と判定する第二の所定値が、前記閾値の９０％以上１１０％以下である請求項１に記載の量産された複数の電子写真感光体の欠陥検出方法。
【請求項３】
前記工程（ＩＩＩ）において、前記欠陥と判定する前記第一の所定値が、前記閾値の３％以上３０％以下である請求項２に記載の量産された複数の電子写真感光体の欠陥検出方法。
【請求項４】
前記工程（ＩＩＩ）において、前記欠陥と判定する前記第一の所定値が、前記閾値の３％以上２０％以下である請求項２に記載の量産された複数の電子写真感光体の欠陥検出方法。
【請求項５】
前記帯電条件Ａにおける、帯電時間は、１０分以上８０分以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の量産された複数の電子写真感光体の欠陥検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体の表面の欠陥部を検出する欠陥検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
感光体の欠陥部のうち、視覚的に検出できるものは検査をする上であまり問題はないが、大面積の感光体の表面から、視覚的に検出困難な欠陥部を検出することは容易ではない。特に、アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」ともいう）感光体においては、その製法上の問題として、しばしば堆積膜の表面に球状突起が発生することが知られている。この球状突起の発生を抑制する方法は多数提案されているものの、感光体の製造工程において、たまたま堆積膜の表面に付着した微細な異物に由来している球状突起の発生を皆無にすることは、技術的にもまたコスト的にも非常に困難になっている。したがって、ある程度の確率で発生するこのような視覚的に検出困難な欠陥部を精度よく検出する方法が必要になる。
【０００３】
従来、欠陥部の検出法としては、感光体を既存の複写機やプリンターの如き電子写真装置に装着して数枚の画像を出力し、その画像上に現れた黒点や白点などを評価する画像評価法があり、欠陥部の有無や大きさなどの計測が行われてきた。
【０００４】
また、特許文献１には、帯電させた感光体の表面で、検知電極を移動させて誘導電流を計測することで、欠陥部を電気的に検出する方法が提案されている。その結果、欠陥部の大きさや場所、個数などを精度よく検出する事が可能となった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−０７７１２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、電子写真方式は、オフセット印刷における製版、刷版の必要が無いという特性を生かし、必要な時に必要な数量だけ印刷できるような軽印刷市場への参入も期待されている。このため、１２００ｄｐｉ（ｄｏｔ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）や２４００ｄｐｉといった高解像度な印刷画質を実現できる電子写真感光体が望まれている。それに伴い、印刷画質を実現できる感光体に対して、適切に検査する方法が望まれている。すなわち、その方法は、欠陥部の検出に関して、従来よりも微小な欠陥まで精度よく検出できるものであるが望まれている。
【０００７】
しかしながら、上述の誘導電流を用いる方法で微小な欠陥を検出しようすると、欠陥部の信号強度（Ｓ）が小さいため、測定で生じるノイズと判断される信号強度（Ｎ）との判別が困難となる。従って、欠陥部の誤検知や見逃しの可能性が高くなる。欠陥検出の精度や信頼性が低下すると、再検査や別検査などが必要になって、感光体の検査工程の直行率が低下し、感光体の製造コスト上昇につながってしまう。また、欠陥の見逃しは感光体の品質悪化に直結する。
【０００８】
本発明は上記に鑑みて提案されたものであり、電写真感光体の微小な欠陥を精度よく検出できる検出方法を提供し、高品質でコストの低い電子写真感光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した目的を達成するため、本発明に係る電子写真感光体の欠陥検出方法は、
量産された複数の円筒状の電子写真感光体の欠陥検出方法であって、
以下の（Ｉ）〜（ＶＩＩ）の工程より、帯電条件Ａを導出する工程と、
前記量産された複数の円筒状の電子写真感光体の一部又は全部の表面を、前記帯電条件Ａにより帯電させる工程と、
前記電子写真感光体の表面に少なくとも１つの前記電子写真感光体の表面の電位変化を検知する検知電極を対向させ、前記検知電極を前記電子写真感光体の周方向に相対的に移動させながら、前記電子写真感光体の表面の前記検知電極の位置の違いによる前記電子写真感光体の表面の電位の変化を前記検知電極に発生する誘導電流として検出して欠陥検出をする工程と、
を有する前記量産された複数の円筒状の電子写真感光体の欠陥検出方法。
【００１０】
（Ｉ）前記量産された複数の円筒状の電子写真感光体から無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体において、前記無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体の表面を帯電条件Ｂにより帯電させる工程、
（ＩＩ）帯電された前記無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体の周方向一周分の誘導電流を測定する工程
（ＩＩＩ）前記周方向一周分の誘導電流の絶対値の平均値が、
欠陥と判定する第一の所定値を超える場合は、前記帯電条件Ｂを変更して（Ｉ）の工程からやり直し、
欠陥と判定する第一の所定値以下の場合は、帯電条件Ａの下限条件を決め、工程（ＩＶ）に移行する、ことを判断する工程
（ＩＶ）前記無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体において、前記無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体の表面を帯電条件Ｂにより帯電させる工程、
（Ｖ）前記（ＩＶ）の工程で帯電された電子写真感光体に第二の所定値に等しい誘導電流が生じる画像パターンに基づく像露光光を照射して静電潜像を形成する工程
（ＶＩ）前記静電潜像に対して誘導電流を測定する工程
（ＶＩＩ）前記静電潜像に対する誘導電流の絶対値の平均値が、
欠陥と判定する第二の所定値未満の場合は、帯電条件Ａの上限条件を決め
欠陥と判定する第二の所定値以上の場合は、前記帯電条件Ｂを変更して（ＩＶ）の工程からやり直す、ことを判断する工程
に関する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、電子写真感光体の微小な欠陥を精度よく検出できるようになり、高品質で製造コストの低い電子写真感光体を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の欠陥検出方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】本発明の欠陥検出方法において、（ａ）は帯電時間とＳ／Ｎ比の関係、（ｂ）は帯電時間と突起検出個数の関係を模式的に示す図である。
【図３】本発明の欠陥検出方法に使用可能な誘導電流検出式欠陥検出装置の一例を示す模式図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図である。
【図４】誘導電流検出式の欠陥検出において、（ａ）は欠陥部周辺の電位をモデル化したもの、（ｂ）は欠陥部周辺の検出波形の一例を示す図、（ｃ）は欠陥部を含む感光体一周分の検出波形の一例を示す図である。
【図５】欠陥部を含む感光体一周分の検出波形を示す図であり、（ａ）は帯電開始直後（初期）、（ｂ）は帯電開始から３分後、（ｃ）は帯電開始から１０分後、（ｄ）は帯電から３０分後を示す。
【図６】欠陥部を含む感光体一周分の検出波形を示す図であり、（ａ）は帯電開始から１時間後、（ｂ）は帯電開始から２時間後、（ｃ）は帯電開始から３時間後を示す。
【図７】帯電時間と信号の大きさの関係を示したもので、図７（ａ）は感光体一周分の絶対値の平均値を、図７（ｂ）は欠陥部５０２の誘導電流値を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明を実施するための形態を、図面を用いて説明する。図１は、本発明の誘導電流を用いた欠陥検出方法の流れの一例を示すフローチャートである。まず、量産された複数の円筒状感光体の中から無作為に少なくとも１本の感光体を選び、フローチャート左列の「帯電条件Ａを導出工程」を実施する。帯電条件Ａが決定したら、量産された複数の円筒状の電子写真感光体の一部又は全部について、フローチャート右列の「量産品の検査」を行う。量産品の検査では、導出された帯電条件で検査対象の感光体を帯電させる工程を行った後、欠陥検出をする工程を実施する。つまり、導出された帯電条件Ａで感光体を帯電させる工程は、欠陥検出工程の前処理であり、これを行うことで、欠陥検出工程で微小な欠陥の誤検知や見逃しを抑え、欠陥検出を精度よく実施することができる。
【００１４】
図２は欠陥検出をする前の感光体の帯電が、微小な欠陥の検出にどう影響するかを検討した結果を模式的に示した。図２（ａ）は、帯電時間と欠陥部の信号強度（Ｓ）とノイズによる信号強度（Ｎ）との関係であるＳ／Ｎ比の関係を、図２（ｂ）は帯電時間と検出される欠陥個数の関係を示す。帯電時間が短いと、検出波形におけるノイズの影響が大きく、ノイズを欠陥として検出してしまう誤検知が多い。逆に帯電時間が長いと欠陥部の信号強度が小さくなって微小な欠陥を見逃す場合が出てくる。つまり、適度な帯電条件にすることで、Ｓ／Ｎ比が高い状態で、信頼性が高い欠陥検出を行うことができる。適度な帯電条件は、誘導電流の検出波形としては以下の状態である。
【００１５】
帯電条件Ａの下限条件とは誤検知を起こさない程度までノイズの強度強度（Ｎ）が下がり、欠陥部の信号強度が明確に測定できる条件である。
【００１６】
帯電条件Ａの上限条件とは欠陥部の信号強度（Ｓ）が下がり始めるが、欠陥部の強度が確保できている条件である。
【００１７】
帯電条件Ａを導出する工程を以下に説明する。
【００１８】
工程（Ｉ）は、量産された複数の円筒状の電子写真感光体から無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体において、無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体の表面を帯電条件Ｂにより帯電させる工程である。
【００１９】
ここで、帯電条件Ｂとは、帯電条件Ａの下限条件及び上限条件を導出するための条件出しで行う帯電条件である。
【００２０】
工程（ＩＩ）は、帯電された無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体の周方向一周分の誘導電流を測定する工程である。
【００２１】
工程（ＩＩＩ）は、周方向一周分の誘導電流の絶対値の平均値を算出し、第一の所定値と比較して以下のいずれの工程に進むか判断する工程である。その平均値が、欠陥と判定する第一の所定値を超える場合は、工程（Ｉ）で行った帯電条件Ｂを変更して（Ｉ）の工程をやり直す。その平均値が欠陥と判定する所定値以下の場合は、帯電条件Ａの下限条件を決め、工程（ＩＶ）に移行する。
【００２２】
ここで、誘導電流の平均値は、条件出しに選択された電子写真感光体が複数本の場合は、個々の誘導電流の平均値を積算し、その本数で除した値となる。
【００２３】
工程（ＩＶ）は、無作為に選ばれた少なくとも１本の電子写真感光体の表面を条件出しの帯電条件により帯電させる工程である。
【００２４】
工程（Ｖ）は、（ＩＶ）の工程で帯電された電子写真感光体に第二の所定値に等しい前記誘導電流が生じる画像パターンに基づく像露光光を照射して静電潜像を形成する工程である。
【００２５】
工程（ＶＩ）は、静電潜像に対して誘導電流を測定する工程である。
【００２６】
工程（ＶＩＩ）は、静電潜像に対する誘導電流の絶対値を算出し、第二の所定値と比較し、以下のいずれの工程に進むか判断する工程である。その絶対値が、欠陥と判定する所定値未満の場合は、帯電条件Ａの上限条件を決め、欠陥と判定する第二の所定値以上の場合は、帯電条件Ｂを変更して工程（ＩＶ）に移行する。
【００２７】
以下、帯電条件Ａの下限条件及び上限条件の具体的態様に関して説明する。
【００２８】
下限条件については、感光体一周の誘導電流の平均値を知りたいが、誘導電流がゼロを中心に正負の値をとり、それを平均するとゼロになるため、絶対値を積算した値の平均値を求めるようにした。上限条件については、本来は実際の欠陥部の誘導電流で確認するとよいが、欠陥部が見つからない感光体もあるので、感光体の正常部に所定の画像パターンを書き込んで電位の落ち込みを作り、その変化を確認することとした。
【００２９】
帯電条件の導出は、量産された複数の円筒状感光体の中から、無作為に少なくとも１本を選び実施する。更に本数を増やして実施してもよいし、全数で実施してもよい。但し、感光体の製造工程や製造条件が同一で、欠陥検出装置の状態や雰囲気の温湿度などの検査条件が一定であれば、導出される帯電条件は、感光体の帯電特性や感光特性の微妙なバラツキ、帯電後の感光体の状態などに影響をうけるものではない。すなわち、本件で導出された帯電条件は、量産された感光体の個々により変化するものではないため、量産された中で少なくとも１本の感光体で確認をすれば、他の感光体にも適用することができる。また、帯電条件導出工程で確認する感光体の本数を減らすことで、その工程にかかるコストを抑えることができる。
【００３０】
このようなフローチャートを実施する欠陥検出方法について、使用する欠陥検出装置の図面を用いて詳しく説明する。
【００３１】
図３は、電子写真感光体の表面の欠陥部を電気的に検出するための誘導電流検出式欠陥検出装置３００を示し、図３（ａ）は正面図、図３（ｂ）は図３（ａ）を左または右から見た側面図である。また、図４は、誘導電流検出式の欠陥検出において、図４（ａ）は欠陥部周辺の電位をモデル化したもの、図４（ｂ）は欠陥部周辺の検出波形、図４（ｃ）は図４（ｂ）に示す欠陥部を含む感光体一周分をくまなく測定した検出波形を示す。
【００３２】
誘導電流検出式欠陥検出装置３００は、円筒状の感光体３０１、前露光手段３０３、帯電手段３０４、像露光手段３０５、欠陥検出手段３０６、移動ユニット３０８、移動手段３０９、回転手段３１０で構成されている。
【００３３】
欠陥検出手段３０６は、感光体３０１の表面３０２に対向する部分に検知電極３０７を有している。検知電極３０７は導電性の細線からなり、感光体３０１の母線方向に、表面３０２の接面に平行に配備されている。本形態では、感光体３０１にａ−Ｓｉ感光体を用いている。検知電極３０７は、不図示の誘電体フィルムを介して表面３０２と接触している。これにより、表面３０２と検知電極３０７の間隔は、誘電体フィルムの厚さの距離で常に保たれている。更に、欠陥検出手段３０６は、移動ユニット３０８に取り付けられ、移動ユニット３０８はネジ軸によって移動手段３０９に接続されている。また、感光体３０１は回転手段３１０によって回転可能な構成となっている。これらにより、欠陥検出手段３０６は感光体３０１の周方向に相対的に移動しながら、感光体３０１の母線方向に移動可能な構成となっている。なお、欠陥検出手段３０６は、感光体３０１の母線方向に複数配備すると、母線方向の複数個所を同時に測定できるので、検査時間の短縮が可能になる。
【００３４】
以上の構成の装置を用いて、欠陥検出を実施する。まず、感光体３０１を誘導電流検出式欠陥検出装置３００に設置し、所定の回転数で回転させながら、前露光手段３０３による除電を行う。その後に、帯電手段３０４により、感光体３０１の一周分の平均電位が所定の値になるように感光体３０１の表面３０２を帯電させる。但し、欠陥部では帯電電荷が保持できないため、平均電位に対し電位が落ち込んでしまう。この欠陥部周辺の電位をモデル化したものを図４（ａ）に示す。平均電位４０１に対し、欠陥部は電位落ち込み４０２が発生する。
【００３５】
この電位落ち込み４０２の上を検知電極３０７が通過し、その際に発生する誘導電流を検出した波形を図４（ｂ）および図４（ｃ）に示す。図４（ｂ）は欠陥部周辺の誘導電流を検出した波形の一例を、図４（ｃ）は欠陥部を含む感光体一周分の誘導電流を検出した波形の一例を示す。
【００３６】
検知電極３０７は、感光体３０１の表面３０２と一定の距離を保ちながら、表面３０２の上を３０７ａ→３０７ｂへ移動する。検知電極３０７に発生する誘導電流は、表面３０２の電位変化によって発生するため、検知電極３０７が、電位が平坦な場所３０７ａおよび３０７ｂの上のような平均電位部４０１を通過するときには誘導電流がほぼ流れない。検知電極３０７が電位落ち込み部４０２の上を通過すると、電位変化が最大のところで誘導電流は最大または最小になり、電位が最も落ち込んでいるところでは電位変化がないため、誘導電流はほぼ流れない。つまり、検知電極３０７に流れる誘導電流は、図４（ｂ）のような波形となって検出される。なお、誘導電流の正負は、検知電極３０７に流れる誘導電流の方向が異なることを示す。
【００３７】
検知電極３０７に流れる誘導電流は、感光体３０１の表面３０２の欠陥部での電位変化をｄＶ、表面３０２と検知電極３０７との相対移動速度をｄｘ／ｄｔとすると、
ｄＶ／ｄｔ＝（ｄＶ／ｄｘ）・（ｄｘ／ｄｔ）
の関係がある。この誘導電流には、電位の傾きに関する情報が含まれているので、これを解析することで、欠陥部の大きさや場所、個数などを知ることができる。
【００３８】
また、誘導電流は、前述の関係から表面３０２の平均電位、検知電極３０７と感光体３０１の表面３０２との距離、表面３０２と検知電極３０７との相対移動速度などの諸条件により、誘導電流値は影響を受ける。そのため、誘導電流が高感度で再現性良く測定可能な測定条件（帯電条件）を確立することが、欠陥検出を行うためには不可欠である。
【００３９】
次いで、感光体の欠陥検出を行うための、誘導電流の大きさと画像評価での画像欠陥のレベルとの対応取りを行う。通常、画像欠陥の大きさが大きくなると、誘導電流の大きさは大きくなる。予め大きさが異なる複数の欠陥部が存在する感光体を用い、複写機などの電子写真装置に組み込んで画像評価を行う。その感光体について、測定条件が確立した欠陥検出装置を用いて欠陥部の誘導電流を測定する。前述のように、誘導電流の波形は正負の値を有するが、これらの絶対値の平均値によって検査の判定を行う。画像欠陥と誘導電流の絶対値の平均値を比較し、対応取りを行うことで、欠陥部の大きさを検出することが可能になる。更に、画像欠陥（以下単に「欠陥」とも呼ぶ）と判定する大きさを有する欠陥部の誘導電流の大きさを決めて、誘導電流の絶対値の平均値を求める。そして、画像欠陥と判定する欠陥部の誘導電流値の０．９倍を閾値とする。０．９倍にするのは、欠陥の見逃しを避けるために、１０％の安全率をもたせるためである。その閾値に対して、量産した感光体の誘導電流を検査することで欠陥の有無および合否判定をすることができる。例えば、図３（ｂ）で閾値を４０３とすると、誘導電流が閾値４０３を超えたところの欠陥部は不合格と判定する。なお、閾値は欠陥の判定基準によって変わる。
【００４０】
所定値に関して以下に説明する。
【００４１】
図４（ｃ）は、図４（ｂ）の欠陥を含む感光体一周分をくまなく測定した検出波形で、図４（ｂ）を横軸方向に縮小したものである。この波形では、不合格と判定される電位落ち込み部４０２以外の通常部４０４および４０５では、閾値４０３を超えるような波形は検出されず、欠陥と判定されない通常部となるので、感光体一周では不合格となる欠陥は１か所となる。なお、通常部４０４および４０５では、縦軸方向に小さな凹凸が繰り返されるが、感光体３０１の表面３０２の微小な電位変化による誘導電流の発生によるものと、測定系のノイズによるものが混在していると考えられる。
【００４２】
ところで、感光体の表面は、画像形成時に、潜像を形成している電荷の横流れを抑制して画像解像力を向上させるために、表面抵抗がある程度高くなるように設計されている。
【００４３】
しかし、電子写真方式では、感光体の表面を帯電手段で帯電させる際に、周囲の酸素がイオン化されてオゾンが生成され、そのオゾンが空気中の窒素と化合して放電生成物ができることが知られている。その放電生成物が感光体の表面に付着すると、雰囲気の水分が吸着して感光体の表面抵抗を低下させてしまう。その程度によっては、電荷が横流れして潜像がぼやけ、電子写真装置で出力される画像がにじんだり欠落部が発生したりして画像解像力が低下する「画像流れ」と呼ばれる現象が起きることがある。
【００４４】
このような感光体３０１の表面３０２の抵抗の変化は、感光体３０１の表面を帯電手段３０４で帯電させる誘導電流検出式欠陥検出装置３００でも同様に発生する。特に従来よりも微小な欠陥を検出しようすると、この影響が大きくなる。
【００４５】
図５および図６は、誘導電流検出式欠陥検出装置３００で、ある感光体の母線方向の同じ場所における一周分の誘導電流の検出波形を示したもので、図５（ａ）は感光体に帯電処理履歴がない初期状態の感光体を測定したものである。縦軸方向に誘導電流の凹凸が繰り返され、例えば欠陥と判定される閾値５０１を１ｎＡとすると、閾値５０１を超えるものが多数検出される。図５（ｂ）はその感光体に、ある帯電条件で１０分間帯電させた後に測定したものである。この帯電処理は、誘導電流の測定時と同様に、感光体３０１を所定の回転数で回転手段３１０によって回転させながら、前露光手段３０３による除電の後、帯電手段３０４により帯電させ、それを繰り返しているものである。図５（ｂ）は、図５（ａ）に比べると、誘導電流の凹凸が小さくなり、やや大きめの凹凸は残っているものの、閾値５０１を超えるものは５０２部のみになっている。図５（ｃ）は、更に帯電を２０分行い、合計３０分帯電させた後に測定したもので、図５（ｂ）に比べると、更に誘導電流の凹凸が小さくなっている。
【００４６】
図５では、５０２部の誘導電流は変化していないが、帯電時間が長くなるにつれて、５０２部以外の誘導電流の凹凸が小さくなっている。測定系は共通なので、測定系からのノイズに変化がないとすると、５０２部以外の誘導電流の凹凸の変化は、感光体の表面３０２の微小な電位変化に起因するものであり、上述の「画像流れ」のような現象が起きているものと考えられる。図５（ａ）の初期では、感光体３０１の表面３０２の抵抗が高いため、微小な電位変化があって凹凸も大きいが、図５（ｃ）に向かって、表面３０２の抵抗が下がり、電荷がある程度横流れして均され、凹凸が小さくなっていると推測できる。
【００４７】
図５では、図５（ａ）→図５（ｂ）→図５（ｃ）と帯電時間が増えても、閾値５０１を超えて欠陥と判定する５０２部の誘導電流値に変化はなく、欠陥部の信号強度（Ｓ）は維持されている。帯電時間が増えると、５０２部以外は誘導電流が小さくなっており、これをノイズ（Ｎ）とすると、ノイズレベルが徐々に低下している。つまり、帯電時間の増加によってＳ／Ｎ比が高い状態で欠陥の判定ができるようになり、微小な欠陥の誤検知の可能性が低下して、精度よく欠陥検出ができるようになる。
【００４８】
図６は、図５よりも更に帯電を続けた時の、誘導電流の検出波形を示した図で、図６（ａ）は帯電時間が１時間後、図６（ｂ）は２時間後、図６（ｃ）は３時間後の検出波形を示す。図６（ａ）〜（ｃ）では、５０２部の以外の誘導電流の凹凸はほぼ変わらなくなった。しかし、図６（ｂ）の波形では、５０２部の誘導電流値が若干小さくなり、図６（ｃ）の波形では、更に小さくなっている。つまり、５０２部以外のノイズレベルは小さい値を維持しているが、欠陥部の信号強度（Ｓ）が小さくなってしまう。逆に言うと、帯電時間が長すぎなければ、Ｓ／Ｎ比が高い状態で欠陥の判定ができ、微小な欠陥の見逃しの可能性が低い状態で、精度よく欠陥検出ができる。
【００４９】
図５および図６の結果をグラフ化すると、図７となる。図７は帯電時間と信号の大きさの関係を示したもので、図７（ａ）は感光体一周分の誘導電流の絶対値の平均値を、図７（ｂ）は欠陥部５０２の誘導電流値を示す。図５〜図７の結果から、欠陥と判定する閾値５０１を１ｎＡとすると、帯電時間が３分行うことで、信号の絶対値の平均値が閾値の３０％になり、若干の誤検出は残るものの、初期から大きく改善される。更に帯電を続けると、帯電時間１０分で誤検出がなくなる波形となるが、その時の信号の絶対値の平均値が閾値の約２０％であった。また、例えば、更に厳しく閾値５０１を０．５ｎＡとする場合でも、信号の絶対値の平均値が閾値の約２０％となると、誤検出がなくなる波形になる。更に、帯電時間を８０分までのばしても０．０３ｎＡ程度で、変化しなくなる。つまり、閾値の５０％で改善傾向がみられ、閾値の３０％で大きく改善し、２０％で誤検知がなくなる。すなわち、本発明の実施態様において、第一の所定値は、閾値の３％以上５０％以下の場合である。好ましくは、第一の所定値は、閾値の３％以上３０％以下の場合である。より好ましくは、第一の所定値は、閾値の３％以上２０％以下の場合である。第一の所定値が、閾値３％以上５０％以下の範囲の値を有する場合、帯電条件Ａの上限条件が決まる。帯電条件Ａにおける好ましい帯電時間は、１０分以上の場合である。
【００５０】
欠陥部５０２の誘導電流値は、帯電時間が１時間程度までは全く変化がなく、２時間で１時間までの測定値の９０％程度に、３時間で７０％程度に低下した。閾値が欠陥の見逃しを避けるための１０％の安全率を考慮しているので、９０％を切ると誘導電流が低下して欠陥を見逃す可能性がある。すなわち、本発明の実施態様において、第二の所定値は、閾値の９０％以上１１０％以下の場合である。第二の所定値が、閾値の９０％以上１１０％以下の範囲の値を有する場合、帯電条件Ａの上限値が決まる。好ましい帯電時間は８０分以下の場合である。従って、帯電条件Ａの下限条件及び上限条件を考慮すると、好ましい帯電時間は１０分以上８０分以下となる。なお、感光体３０１の、正常部に所定の画像パターン（例えば２４００ｄｐｉの８×８ｄｏｔ）に基づく像露光光を照射して静電潜像を形成して電位の落ち込みを作った場合も、欠陥部と同様の割合で変化する結果であった。
【００５１】
なお、図４〜図６に示す検出波形は、前述のように測定条件によってその大きさが大きく変わる。但し、波形全体の大きさが変化するものの、信号とノイズの大きさの比率（Ｓ／Ｎ比）は変わらないため、影響はない。
【００５２】
前述した図２は図７を模式的に示した図である。つまり、第一条件と第二条件の間の帯電時間内に欠陥検出を行うことが良いことを示している。但し、欠陥検出工程で感光体の母線方向にある幅をもって欠陥検出をする場合には、欠陥検出工程にある程度の時間がかかる。その間も感光体の帯電は行われるので、感光体を帯電させる工程は、測定箇所の最後が、測定が終わるまでにかかる時間を考慮して実施する必要がある。
【００５３】
なお、帯電が長すぎて、第二件を満たさなくなった場合は、酸化セリウムの如き研磨剤で感光体の表面の研磨をし、感光体表面の付着物を取り去ると、全く帯電していない初期状態と同等になるので、再測定が可能になる。
【実施例】
【００５４】
以下実施例により、本発明の効果を具体的に説明するが、本発明は、これにより何ら限定されるものではない。
【００５５】
また、以下の実施例および比較例では、前述の誘導電流検出式欠陥検出装置３００を用いた。欠陥検出手段３０６の検知電極３０７にはφ３０μｍの金メッキタングステンワイヤーを用い、感光体３０１の母線方向に対する長さは０．５ｍｍとした。誘電体フィルムには、膜厚３０μｍのマイラー（Ｍｙｌａｒ：登録商標）フィルムを用いた。
【００５６】
以上の構成において、感光体３０１の回転速度を６０ｍｍ／ｓｅｃ、帯電を行う際の帯電手段３０４の一次電流値は２８０μＡで一定とした。
【００５７】
そして、量産された感光体から無作為に１本の感光体を選び、帯電条件導出工程を行った。まず、感光体の母線方向の中央位置で、前述の帯電条件で感光体を帯電させ、誘導電流の測定を行うと、周方向一周分の誘導電流の検出波形は図５および図６となり、誘導電流の絶対値の平均値は図７（ａ）に示すようになった。後述の画像欠陥と判定する最小の欠陥の大きさを０．０５ｍｍとし、閾値５０１を０．５ｎＡとした。周方向一周分の誘導電流の絶対値の平均値は、３分後に閾値の３０％に、１０分後に閾値の２０％になった。
【００５８】
また、同時に正常部に誘導電流が閾値５０１の０．５ｎＡになる画像パターン（２４００ｄｐｉの２×２ｄｏｔ）に基づく像露光光を照射して静電潜像を形成して電位の落ち込みを作り、誘導電流の測定を行った。その結果、電位落ち込み部の誘導電流値は、図７（ｂ）と縦軸の値は異なるが、欠陥部と同様に帯電時間が１時間程度までは全く変化がなく、２時間で１時間までの測定値の９０％程度に、３時間で７０％程度に低下した。これらの結果から、前述の帯電条件で
第一条件：帯電時間３分以上
第二条件：帯電時間２時間以内
とした。
【００５９】
これらの帯電条件で、以下の実施例および比較例に示す量産品の検査（欠陥検出）を、誘導電流検出式欠陥検出装置３００を用いて行った。欠陥検出時には、欠陥検出手段３０６で感光体３０１の測定開始点において１周測定（１周測定時間２０秒）を行い、測定後に移動ユニット３０８を感光体の母線方向に０．５ｍｍ移動させ、２か所目の１周測定を行う。これを繰り返し、母線方向に６０ｍｍ幅（１２０か所）の欠陥検出測定を行った。なお、測定開始から６０ｍｍ幅の測定終了までは、約４０分を要した。
【００６０】
また、欠陥検出測定を行った後の感光体について、画像評価を行った。感光体を、キヤノン社製ｉＲＣ６８００をマイナス帯電方式に改造した改造機に設置し、画像部を露光するイメージ露光方式で、露光部を現像する反転現像によりコピー画像を形成し、画像欠陥の評価を行なった。具体的には、Ａ３サイズの白原稿を原稿台に置き、Ａ３用紙にマゼンタ、イエロー、シアンの３色で複写した。こうして得られた画像領域にある直径０．０５ｍｍ以上のシアン色の画像欠陥を確認した。
【００６１】
〔実施例１〕
量産された感光体１０本について、欠陥検出を行った。欠陥検出工程を実施する前に、感光体を３分間帯電させ、続いて欠陥検出工程を実施した。その後、酸化セリウムで感光体の表面の研磨をし、感光体表面の付着物を取り去ってから画像評価を実施した。
【００６２】
得られた誘導電流による欠陥検出の結果と画像評価による欠陥計測の結果を比較した。そして、画像評価で確認される０．０５〜０．１ｍｍの微小な欠陥について、画像評価を基準に誤検知として偽欠陥の検出率と欠陥の見逃し率を導出した。そして、誘導電流による欠陥検出を、以下の基準で評価した（表１の総合）。
◎：偽欠陥の検出がなく、欠陥の見逃しがない
（良好）
〇：偽欠陥の検出はあるが、後述の比較例１より改善した。欠陥の見逃しはない
（再検査は必要だが、再検査数が減る）
△：偽欠陥の検出はあるが、欠陥の見逃しはない
（不良品を流出させない点では良いが、再検査が必要）
×  欠陥の見逃しがある
（検査として不適）
結果を表１に示す。
【００６３】
〔実施例２〕
実施例１の感光体を帯電させる時間を１０分間とした。それ以外は実施例１と同じとした。結果を表１に示す。
【００６４】
〔実施例３〕
実施例１の感光体を帯電させる時間を３０分間とした。それ以外は実施例１と同じとした。結果を表１に示す。
【００６５】
〔実施例４〕
実施例１の感光体を帯電させる時間を１時間とした。それ以外は実施例１と同じとした。結果を表１に示す。
【００６６】
〔実施例５〕
実施例１の感光体を帯電させる時間を１時間２０分とした。測定開始から６０ｍｍ幅の測定終了までは約４０分を要するため、合わせて２時間の帯電になる。それ以外は実施例１と同じとした。結果を表１に示す。
【００６７】
〔比較例１〕
実施例１の感光体を帯電させる時間をゼロ（実施しない）とした。それ以外は実施例１と同じとした。結果を表１に示す。
【００６８】
〔比較例２〕
実施例１の感光体を帯電させる時間を２時間とした。それ以外は実施例１と同じとした。結果を表１に示す。
【００６９】
〔比較例３〕
実施例１の感光体を帯電させる時間を３時間とした。それ以外は実施例１と同じとした。結果を表１に示す。
【００７０】
【表１】
2020086384.tif 000003
【００７１】
表１の結果から、欠陥検出工程を実施する前の感光体を、適当な範囲の条件で帯電させることで、微小な欠陥を精度よく検出できた。
【符号の説明】
【００７２】
３００  誘導電流検出式欠陥検出装置
３０１  円筒状の電子写真感光体
３０２  円筒状の電子写真感光体の表面
３０３  前露光手段
３０４  帯電手段
３０５  像露光手段
３０６  欠陥検出手段
３０７  検知電極
３０８  移動ユニット
３０９  移動手段
３１０  回転手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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