(57)【要約】【課題】処理容器の内壁への膜の堆積を抑制できる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様によるスパッタ装置は、減圧可能な処理容器の天井部に配置されたターゲット材と、前記処理容器内にスパッタガスを導入するガス導入部と、前記ターゲット材の周囲に配置され、前記ターゲット材の周囲への膜の堆積を防止する第１のシールド部材と、前記処理容器内に前記天井部と間隔を空けて前記天井部の内壁を覆うように配置され、前記ターゲット材と対応する部分に開口を有する第２のシールド部材と、を有する。【選択図】図２
2020132890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な処理容器の天井部に配置されたターゲット材と、
前記処理容器内にスパッタガスを導入するガス導入部と、
前記ターゲット材の周囲に配置され、前記ターゲット材の周囲への膜の堆積を防止する第１のシールド部材と、
前記処理容器内に前記天井部と間隔を空けて前記天井部の内壁を覆うように配置され、前記ターゲット材と対応する部分に開口を有する第２のシールド部材と、
を有する、
スパッタ装置。
【請求項２】
前記ガス導入部は、前記ターゲット材から放出されるターゲット物質の死角となる位置に配置された吐出口を有する、
請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項３】
前記ガス導入部は、前記ターゲット材から見たときに前記第２のシールド部材に隠れる位置に配置された吐出口を有する、
請求項２に記載のスパッタ装置。
【請求項４】
前記ガス導入部は、鉛直方向に対して前記ターゲット材の方向に傾斜した方向にスパッタガスを導入する、
請求項２又は３に記載のスパッタ装置。
【請求項５】
前記ガス導入部は、前記第１のシールド部材の内部に形成されたガス流路を有し、
前記ガス流路は、前記吐出口を介して前記第１のシールド部材と前記第２のシールド部材とにより形成される空間と連通する、
請求項２乃至４のいずれか一項に記載のスパッタ装置。
【請求項６】
前記吐出口の開口径は、前記空間の高さよりも小さい、
請求項５に記載のスパッタ装置。
【請求項７】
前記ガス流路は、一又は複数の屈曲部を有し、前記屈曲部の少なくとも１つは鋭角に屈曲する、
請求項５又は６に記載のスパッタ装置。
【請求項８】
前記処理容器は、本体と、前記本体に着脱可能に取り付けられる蓋体と、を有し、
前記第１のシールド部材は、前記蓋体に設けられ、
前記第２のシールド部材は、前記本体に設けられる、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のスパッタ装置。
【請求項９】
前記ターゲット材は、前記処理容器内に収容される基板に対して傾斜して配置される、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載のスパッタ装置。
【請求項１０】
前記ターゲット材は、前記処理容器内に収容される基板に対して平行に配置される、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載のスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、スパッタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空中にスパッタガスを導入しながら基板とターゲット材との間に直流電圧を印加してスパッタガス原子をイオン化し、高速でターゲット材の表面にガスイオンを衝突させ、はじき飛ばされたターゲット物質を基板に堆積させるスパッタ装置が知られている。係るスパッタ装置において、ターゲット材付近へスパッタガスを導入する技術（例えば、特許文献１参照）や、カソードとアノードとの間にスパッタガスを導入する技術（例えば、特許文献２参照）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１１７９１６号
【特許文献２】特表２００６−５０５９０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、処理容器の内壁への膜の堆積を抑制できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様によるスパッタ装置は、減圧可能な処理容器の天井部に配置されたターゲット材と、前記処理容器内にスパッタガスを導入するガス導入部と、前記ターゲット材の周囲に配置され、前記ターゲット材の周囲への膜の堆積を防止する第１のシールド部材と、前記処理容器内に前記天井部と間隔を空けて前記天井部の内壁を覆うように配置され、前記ターゲット材と対応する部分に開口を有する第２のシールド部材と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、処理容器の内壁への膜の堆積を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態のスパッタ装置を示す概略断面図
【図２】図１のスパッタ装置のガス導入部を拡大して示す断面図
【図３】図１のスパッタ装置のガス導入部を拡大して示す斜視断面図
【図４】第２の実施形態のスパッタ装置を示す概略断面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
〔第１の実施形態〕
図１を参照し、第１の実施形態のスパッタ装置について説明する。図１は、第１の実施形態のスパッタ装置を示す概略断面図である。
【００１０】
図１に示されるように、スパッタ装置１００は、ターゲット材１２４が処理容器１１２内に収容される基板Ｗに対して傾斜して配置される装置である。スパッタ装置１００は、処理容器１１２、スリット板１１４、ホルダ１１６、ステージ１１８、移動機構１２０、基板リフトアップ機構１３０、シールド構造１４０、制御部１８０等を有する。
【００１１】
処理容器１１２は、本体１１２ａと、蓋体１１２ｂと、を有する。本体１１２ａは、例えば略円筒形状を有する。本体１１２ａの上端は開口されている。蓋体１１２ｂは、本体１１２ａの上端の上に着脱可能に設けられており、本体１１２ａの上端の開口を閉じる。
【００１２】
処理容器１１２の底部には、排気口１１２ｅが形成されている。排気口１１２ｅには、排気装置１２２が接続されている。排気装置１２２は、例えば圧力制御装置、真空ポンプを有する。真空ポンプは、例えばドライポンプ、ターボ分子ポンプであってよい。
【００１３】
処理容器１１２の側壁には、搬送口１１２ｐが形成されている。処理容器１１２内への基板Ｗの搬入及び処理容器１１２内からの基板Ｗの搬出は、搬送口１１２ｐを介して行われる。搬送口１１２ｐは、ゲートバルブ１１２ｇによって開閉される。
【００１４】
処理容器１１２には、処理容器１１２内にスパッタガスを導入するポート１１２ｉが設けられており、ガス供給源（図示せず）からのスパッタガスがポート１１２ｉを介して処理容器１１２内に導入される。スパッタガスは、プラズマ発生用のガスであり、例えばＡｒガス等の不活性ガスであってよい。
【００１５】
スリット板１１４は、処理容器１１２内に設けられている。スリット板１１４は、略板状の部材であり、例えばアルミニウム、ステンレス鋼等の金属材料により形成されている。スリット板１１４は、処理容器１１２の高さ方向の略中間位置において水平に延在する。スリット板１１４の縁部は、処理容器１１２に固定されている。スリット板１１４は、処理容器１１２内を第１空間Ｓ１０１と第２空間Ｓ１０２に区画する。第１空間Ｓ１０１は、スリット板１１４の上方に位置する空間である。第２空間Ｓ１０２は、スリット板１１４の下方に位置する空間である。スリット板１１４には、開口１１４ｓが形成されている。
【００１６】
開口１１４ｓは、スリット板１１４をその板厚方向（図中では、Ｚ方向）に貫通する。スリット板１１４は、一つの部品により形成されていてもよく、複数の部品により形成されていてもよい。スパッタ装置１００における成膜時には、基板Ｗは開口１１４ｓの下方を水平な一方向であるＸ方向に移動する。開口１１４ｓは、水平な別の一方向であるＹ方向に沿って長く延びており、平面視で略矩形状を有する。Ｙ方向は、開口１１４ｓの長手方向であり、Ｘ方向に直交する方向である。開口１１４ｓのＹ方向における中心は、成膜時における基板ＷのＹ方向における中心と略一致している。Ｙ方向における開口１１４ｓの幅は、成膜時における基板ＷのＹ方向の幅（最大幅）よりも長い。一方、Ｘ方向における開口１１４ｓの幅は、成膜時における基板ＷのＸ方向の幅（最大幅）よりも短く設定されるが、これに限らず、基板ＷのＸ方向の幅より長く設定されてもよい。
【００１７】
ホルダ１１６は、スリット板１１４の上方に設けられている。ホルダ１１６は、導電性材料により形成されている。ホルダ１１６は、絶縁部材１１７を介して蓋体１１２ｂに取り付けられている。ホルダ１１６は、第１空間Ｓ１０１内に配置されたターゲット材１２４を保持する。ホルダ１１６は、開口１１４ｓに対して斜め上方にターゲット材１２４が位置するようにターゲット材１２４を保持する。言い換えると、ターゲット材１２４は、処理容器１１２内においてスリット板１１４に対して傾斜して配置されている。ターゲット材１２４は、例えば平面視で略矩形状である。ターゲット材１２４をスリット板１１４に投影した投影像のＹ方向における幅は、成膜時における基板ＷのＹ方向の幅（最大幅）よりも大きい。
【００１８】
ホルダ１１６には、電源１２６が接続されている。電源１２６は、ターゲット材１２４が金属材料である場合、直流電源であってよい。電源１２６は、ターゲット材１２４が誘電体又は絶縁体である場合、高周波電源であってよく、整合器を介してホルダ１１６に電気的に接続される。
【００１９】
ステージ１１８は、処理容器１１２内において基板Ｗを支持する。ステージ１１８は、移動機構１２０に取り付けられており、移動可能に構成されている。ステージ１１８は、成膜時には、第２空間Ｓ１０２内において移動方向（図１のＸ方向）に沿って移動する。
【００２０】
移動機構１２０は、ステージ１１８を移動させる。移動機構１２０は、駆動装置１２０ａと、駆動軸１２０ｂと、多関節アーム１２０ｃと、を有する。
【００２１】
駆動装置１２０ａは、処理容器１１２の外側に設けられている。駆動装置１２０ａは、例えば処理容器１１２の底部に取り付けられている。駆動装置１２０ａには、駆動軸１２０ｂの下端が接続されている。駆動軸１２０ｂは、駆動装置１２０ａから本体１１２ａの底部を貫通し、処理容器１１２内の上方に延在する。駆動装置１２０ａは、駆動軸１２０ｂを上下動させ、且つ回転させるための駆動力を発生する。駆動装置１２０ａは、例えばモータであってよい。
【００２２】
駆動軸１２０ｂの上端には、多関節アーム１２０ｃの一端が軸支されている。多関節アーム１２０ｃの他端は、ステージ１１８に取り付けられている。駆動装置１２０ａによって駆動軸１２０ｂが回転されると、多関節アーム１２０ｃの他端はＸ方向に沿って直線的に移動する。これにより、第２空間Ｓ１０２でのステージ１１８の移動が実現される。また、駆動装置１２０ａによって駆動軸１２０ｂが上下動されると、多関節アーム１２０ｃ及びステージ１１８は上下動する。
【００２３】
第２空間Ｓ１０２の搬送口１１２ｐの近傍のエリアには、基板リフトアップ機構１３０が設けられている。基板リフトアップ機構１３０は、複数のリフトピン１３０ａと、支持部材１３０ｂと、駆動軸１３０ｃと、駆動装置１３０ｄと、を有する。複数のリフトピン１３０ａは、鉛直方向に延びる円柱形状を有する。複数のリフトピン１３０ａの各々の上端の鉛直方向における高さは、略同一である。複数のリフトピン１３０ａの個数は、例えば３本であってよい。複数のリフトピン１３０ａは、支持部材１３０ｂに支持されている。支持部材１３０ｂは、略馬蹄形状を有する。複数のリフトピン１３０ａは、支持部材１３０ｂの上方で延在している。支持部材１３０ｂは、駆動軸１３０ｃによって支持されている。駆動軸１３０ｃは、支持部材１３０ｂの下方に延びて、駆動装置１３０ｄに接続されている。駆動装置１３０ｄは、複数のリフトピン１３０ａを上下動させる駆動力を発生する。駆動装置１３０ｄは、例えばモータであってよい。
【００２４】
基板リフトアップ機構１３０は、処理容器１１２の外部から搬送装置（図示せず）によって処理容器１１２内に基板Ｗが搬送されて、ステージ１１８上に基板Ｗを搭載する前に、搬送装置から複数のリフトピン１３０ａそれぞれの上端の上に基板Ｗを受け取る。また、基板リフトアップ機構１３０は、処理容器１１２の外部へ基板Ｗを搬出する際、ステージ１１８から複数のリフトピン１３０ａそれぞれの上端の上に基板Ｗを受け取る。
【００２５】
シールド構造１４０は、処理容器１１２の蓋体１１２ｂへの膜の堆積を抑制する。図２は、図１のスパッタ装置１００のガス導入部を拡大して示す断面図である。図３は、図１のスパッタ装置１００のガス導入部を拡大して示す斜視断面図である。図１から図３に示されるように、シールド構造１４０は、第１のシールド部材１４１と、第２のシールド部材１４２と、を有する。
【００２６】
第１のシールド部材１４１は、ターゲット材１２４の周囲に配置され、ターゲット材１２４の周囲への膜の堆積を防止する防着板である。第１のシールド部材１４１は、例えば蓋体１１２ｂに取り付けられている。第１のシールド部材１４１は、内部にガス流路１４１ｆを有する。
【００２７】
ガス流路１４１ｆの一端は、蓋体１１２ｂに形成されたポート１１２ｉ内の流路１１２ｆと連通する。ガス流路１４１ｆの他端は、第１のシールド部材１４１と第２のシールド部材１４２との間の空間Ｓ１０３と連通し、空間Ｓ１０３に対してスパッタガスを吐出する吐出口１４１ｍとして機能する。これにより、ガス供給源からポート１１２ｉ内の流路１１２ｆに供給されるスパッタガスは、第１のシールド部材１４１の内部に形成されたガス流路１４１ｆを通って吐出口１４１ｍから空間Ｓ１０３に吐出される。なお、図２において、スパッタガスの流れを矢印で示している。
【００２８】
吐出口１４１ｍは、ターゲット材１２４から放出されるターゲット物質の死角となる位置に配置されている。図２に示す例では、吐出口１４１ｍは、ターゲット材１２４から見たときに第２のシールド部材１４２に隠れる位置に配置されている。これにより、ターゲット材１２４から放出されるターゲット物質がガス流路１４１ｆに堆積することを抑制できる。その結果、膜剥がれによるパーティクルの発生を抑制できる。これに対し、ガス流路１４１ｆにターゲット物質が堆積した場合、ガス流路１４１ｆを流れるスパッタガスによりガス流路１４１ｆに堆積した膜が剥がれ、パーティクルが発生し得る。
【００２９】
ガス流路１４１ｆは、例えば一又は複数の屈曲部Ａを有する。図２に示す例では、ガス流路１４１ｆは、２つの屈曲部Ａ１、Ａ２を有する。屈曲部Ａ１は鉛直方向から水平方向に垂直に屈曲する屈曲部であり、屈曲部Ａ２は水平方向からターゲット材１２４の側に向かって斜め下方向に鋭角に屈曲する屈曲部である。
【００３０】
ガス流路１４１ｆの吐出口１４１ｍが形成されている側は、鉛直方向に対してターゲット材１２４の方向に傾斜している。これにより、吐出口１４１ｍから吐出されるスパッタガスは、鉛直方向に対してターゲット材１２４の方向に吐出され、ターゲット材１２４に向かう流れを形成する。そのため、スパッタガスを効率よくターゲット材１２４の近傍に供給できる。
【００３１】
ガス流路１４１ｆの吐出口１４１ｍの開口径Ｄは、第１のシールド部材１４１と第２のシールド部材１４２との間の空間Ｓ１０３の高さＨよりも小さいことが好ましい。これにより、吐出口１４１ｍから吐出されるスパッタガスは、空間Ｓ１０３を通ることにより流速が小さくなるため、ターゲット材１２４の近傍においてスパッタガスの滞留が促進される。その結果、スパッタガスの消費量を低減できる。また、第１のシールド部材１４１や第２のシールド部材１４２に堆積した膜の剥がれを抑制できる。
【００３２】
第２のシールド部材１４２は、処理容器１１２内に蓋体１１２ｂと間隔を空けて蓋体１１２ｂの内壁を覆うように配置され、ターゲット材１２４と対応する部分に開口１４２ａを有する。
【００３３】
制御部１８０は、スパッタ装置１００の各部の動作を制御する。制御部１８０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）及びＲＡＭ（Random Access Memory）を有する。ＣＰＵは、ＲＡＭ等の記憶領域に格納されたレシピに従って、所望の処理を実行する。レシピには、プロセス条件に対する装置の制御情報が設定されている。制御情報は、例えばガスの流量、圧力、温度、プロセス時間であってよい。レシピ及び制御部１８０が使用するプログラムは、例えばハードディスク、半導体メモリに記憶されてもよい。レシピ等は、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で所定の位置にセットされ、読み出されるようにしてもよい。
【００３４】
以上に説明したように、第１の実施形態では、第１のシールド部材１４１と、第２のシールド部材１４２と、を有する。そして、第１のシールド部材１４１は、処理容器１１２の蓋体１１２ｂに配置されたターゲット材１２４の周囲に配置され、ターゲット材１２４の周囲への膜の堆積を防止する。また、第２のシールド部材１４２は、処理容器１１２内に蓋体１１２ｂと間隔を空けて蓋体１１２ｂを覆うように配置され、ターゲット材１２４と対応する部分に開口１４２ａを有する。これにより、処理容器１１２の内壁への膜の堆積を抑制できる。
【００３５】
〔第２の実施形態〕
図４を参照し、第２の実施形態のスパッタ装置について説明する。図４は、第２の実施形態のスパッタ装置を示す概略断面図である。
【００３６】
図４に示されるように、スパッタ装置２００は、ターゲット材２２４が処理容器２１２内に収容される基板Ｗに対して平行に配置される装置である。
【００３７】
スパッタ装置２００は、内部を減圧可能な処理容器２１２を有する。処理容器２１２は、例えば金属材料により形成されており、接地されている。処理容器２１２は、円筒部２１２ａと、突出部２１２ｂと、を有する。円筒部２１２ａの天井部には、共に円形かつ大きさも略同一であるターゲット電極２２３ａ、２２３ｂが、左右（Ｘ方向）に並んで水平に設けられている。ターゲット電極２２３ａ、２２３ｂは、リング状の保持体２２５ａ、２２５ｂを介してそれぞれリング状の絶縁体２１７ａ、２１７ｂに接合されている。絶縁体２１７ａ、２１７ｂは、処理容器２１２の天井部に接合している。従って、ターゲット電極２２３ａ、２２３ｂは、処理容器２１２とは電気的に絶縁された状態で、円筒部２１２ａの上面より低く落とし込まれた位置に配置されている。
【００３８】
ターゲット電極２２３ａ、２２３ｂの下面には、ターゲット材２２４ａ、２２４ｂがそれぞれ接合されている。ターゲット材２２４ａ、２２４ｂの形状は、例えば矩形であり、大きさも略同一である。
【００３９】
ターゲット電極２２３ａ、２２３ｂは、それぞれ電源２２６ａ、２２６ｂと接続されており、例えば負の直流電圧が印加されるようになっている。
【００４０】
処理容器２１２内には、ターゲット材２２４ａ、２２４ｂと対向するように、基板Ｗを水平に載置するステージ２１８が設けられている。ステージ２１８は、駆動軸２２０ｂを介して処理容器２１２の下方に配置された駆動装置２２０ａに接続されている。駆動装置２２０ａは、ステージ２１８を回転させる機能及び基板Ｗを外部の搬送機構（図示せず）との間で受け渡しを行う位置とスパッタ時における処理位置との間で昇降させる機能を有する。また、ステージ２１８内には加熱機構（図示せず）が設けられており、スパッタ時に基板Ｗを加熱できるように構成されている。
【００４１】
ターゲット電極２２３ａ、２２３ｂの上部には、それぞれターゲット電極２２３ａ、２２３ｂと近接するようにマグネット配列体２２８ａ、２２８ｂが設けられている。マグネット配列体２２８ａ、２２８ｂは、透磁性の高い素材、例えば鉄（Ｆｅ）のベース体にＮ極マグネット群及びＳ極マグネット群を、例えばＮ極とＳ極がマトリクス状となるように配列することで構成されている。
【００４２】
マグネット配列体２２８ａ、２２８ｂは、ターゲット材２２４ａ、２２４ｂのエロージョンの均一性を高めるために中心から偏芯した位置に配置されている。マグネット配列体２２８ａ、２２８ｂは、回転機構２２９ａ、２２９ｂによりターゲット材２２４ａ、２２４ｂの中心を回転中心として回転する。
【００４３】
また、処理容器２１２の内部には、ターゲット材２２４ａから放出されるターゲット物質が基板Ｗに付着するのを防止するために、スリット板２１４が設けられている。
【００４４】
スリット板２１４は、処理容器２１２内のターゲット材２２４ａ、２２４ｂの下方に設けられている。スリット板２１４は、略板状の部材であり、例えばアルミニウム、ステンレス鋼等の金属材料により形成されている。スリット板２１４は、処理容器２１２の高さ方向の略中間位置において水平に延在する。スリット板２１４の縁部は処理容器２１２に固定されている。スリット板２１４は、処理容器２１２内を第１空間Ｓ２０１と第２空間Ｓ２０２に区画する。第１空間Ｓ２０１は、スリット板２１４の上方に位置する空間である。第２空間Ｓ２０２は、スリット板２１４の下方に位置する空間である。スリット板２１４には、開口２１４ｓが形成されている。
【００４５】
開口２１４ｓは、スリット板２１４をその板厚方向（図中では、Ｚ方向）に貫通する。スリット板２１４は、一つの部品により形成されていてもよく、複数の部品により形成されていてもよい。スパッタ装置２００における成膜時には、基板Ｗは開口２１４ｓの下方を水平な一方向であるＸ方向に移動する。開口２１４ｓは、水平な別の一方向であるＹ方向に沿って長く延びており、平面視で略矩形状を有する。Ｙ方向は、開口２１４ｓの長手方向であり、Ｘ方向に直交する方向である。開口２１４ｓのＹ方向における中心は、成膜時における基板ＷのＹ方向における中心と略一致している。Ｙ方向における開口２１４ｓの幅は、成膜時における基板ＷのＹ方向の幅（最大幅）よりも長い。一方、Ｘ方向における開口２１４ｓの幅は、成膜時における基板ＷのＸ方向の幅（最大幅）よりも短く設定されるが、これに限らず、基板ＷのＸ方向の幅より長く設定されてもよい。
【００４６】
処理容器２１２の底部には、排気口２１２ｅが形成されている。排気口２１２ｅには、排気装置２２２が接続されている。排気装置２２２は、例えば圧力制御装置、真空ポンプを有する。真空ポンプは、例えばドライポンプ、ターボ分子ポンプであってよい。
【００４７】
処理容器２１２の側壁には、搬送口２１２ｐが形成されている。処理容器２１２内への基板Ｗの搬入及び処理容器２１２内からの基板Ｗの搬出は、搬送口２１２ｐを介して行われる。搬送口２１２ｐは、ゲートバルブ２１２ｇによって開閉される。
【００４８】
処理容器２１２の上部側壁には、処理容器２１２内にスパッタガスを導入するポート２１２ｉが設けられており、ガス供給源からのスパッタガスがポート２１２ｉを介して処理容器２１２内に導入される。スパッタガスは、プラズマ発生用のガスであり、例えばＡｒガス等の不活性ガスであってよい。
【００４９】
また、処理容器２１２の内部には、処理容器２１２の円筒部２１２ａへの膜の堆積を抑制するシールド構造２４０が設けられている。シールド構造２４０は、第１のシールド部材２４１と、第２のシールド部材２４２と、を有する。
【００５０】
第１のシールド部材２４１は、ターゲット材２２４の周囲に配置され、ターゲット材２２４の周囲への膜の堆積を防止する防着板である。第１のシールド部材２４１は、例えば保持体２２５ａ、２２５ｂに取り付けられている。
【００５１】
第２のシールド部材２４２は、処理容器２１２内に円筒部２１２ａと間隔を空けて円筒部２１２ａの内壁を覆うように配置され、ターゲット材２２４と対応する部分に開口２４２ａを有する。
【００５２】
スパッタ装置２００では、ポート２１２ｉの処理容器２１２側の吐出口２１２ｍは、ターゲット材２２４から放出されるターゲット物質の死角となる位置に配置されている。図４に示す例では、吐出口２１２ｍは、ターゲット材２２４から見たときに保持体２２５ａ、第１のシールド部材２４１等に隠れるように配置されている。これにより、ターゲット材２２４から放出されるターゲット物質がポート２１２ｉに堆積することを抑制できる。その結果、膜剥がれによるパーティクルの発生を抑制できる。これに対し、ポート２１２ｉにターゲット物質が堆積した場合、ポート２１２ｉを流れるスパッタガスによりポート２１２ｉに堆積した膜が剥がれ、パーティクルが発生し得る。
【００５３】
制御部２８０は、スパッタ装置２００の各部の動作を制御する。制御部２８０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）及びＲＡＭ（Random Access Memory）を有する。ＣＰＵは、ＲＡＭ等の記憶領域に格納されたレシピに従って、所望の処理を実行する。レシピには、プロセス条件に対する装置の制御情報が設定されている。制御情報は、例えばガスの流量、圧力、温度、プロセス時間であってよい。レシピ及び制御部２８０が使用するプログラムは、例えばハードディスク、半導体メモリに記憶されてもよい。レシピ等は、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で所定の位置にセットされ、読み出されるようにしてもよい。
【００５４】
以上に説明したように、第２の実施形態のスパッタ装置２００は、第１のシールド部材２４１と、第２のシールド部材２４２と、を有する。そして、第１のシールド部材２４１は、処理容器２１２の円筒部２１２ａに配置されたターゲット材２２４ａ、２２４ｂの周囲に配置され、ターゲット材２２４ａ、２２４ｂの周囲への膜の堆積を防止する。また、第２のシールド部材２４２は、処理容器２１２内に円筒部２１２ａと間隔を空けて円筒部２１２ａを覆うように配置され、ターゲット材２２４ａ、２２４ｂと対応する部分に開口２４２ａを有する。これにより、処理容器２１２の内壁への膜の堆積を抑制できる。
【００５５】
なお、上記の実施形態において、ポート１１２ｉ、２１２ｉ及びガス流路１４１ｆは、ガス導入部の一例である。また、蓋体１１２ｂ及び円筒部２１２ａは、天井部の一例である。
【００５６】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１００、２００      スパッタ装置
１１２、２１２      処理容器
１１２ｉ、２１２ｉ  ポート
１２４、２２４      ターゲット材
１４１、２４１      第１のシールド部材
１４２、２４２      第２のシールド部材
【図１】
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【図２】
2020132890.tif 000004
【図３】
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【図４】
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