(57)【要約】      （修正有）【課題】表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、第１基板と前記第２基板との間に位置し、ポリマーと、液晶分子とを含む液晶層ＬＣと、発光素子と、を備え、第１基板は、透明基板１０と、走査線と、走査線と交差する信号線と、走査線及び信号線と電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷと、スイッチング素子に重畳する有機絶縁膜ＯＸと、スイッチング素子と電気的に接続された画素電極ＰＥと、を備え、透明基板と画素電極との間における有機絶縁膜の膜厚は、スイッチング素子に重畳する有機絶縁膜ＯＸの膜厚より小さい、表示装置。【選択図】図４
2020086089.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、ポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第１基板は、透明基板と、走査線と、前記走査線と交差する信号線と、前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に重畳する有機絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備え、
前記透明基板と前記画素電極との間における前記有機絶縁膜の膜厚は、前記スイッチング素子に重畳する前記有機絶縁膜の膜厚より小さい、表示装置。
【請求項２】
前記第１基板は、前記透明基板と前記画素電極との間に位置する無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜と前記画素電極との間に位置する容量電極と、を備え、
前記有機絶縁膜は、前記無機絶縁膜と前記容量電極との間に位置し
前記容量電極は、前記有機絶縁膜に接している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１基板は、前記容量電極と電気的に接続された金属配線を備え、
前記有機絶縁膜は、前記走査線と前記金属配線との間、及び、前記信号線と前記金属配線との間の少なくとも一方に位置している、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、ポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第１基板は、透明基板と、走査線と、前記走査線と交差する信号線と、前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に重畳する有機絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備え、
前記有機絶縁膜は、前記透明基板と前記画素電極との間に設けられていない、表示装置。
【請求項５】
前記第１基板は、前記透明基板と前記画素電極との間に位置する無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜と前記画素電極との間に位置する容量電極と、を備え、
前記容量電極は、前記無機絶縁膜の上面に接している、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１基板は、前記容量電極と電気的に接続された金属配線を備え、
前記有機絶縁膜は、前記走査線と前記金属配線との間、及び、前記信号線と前記金属配線との間の少なくとも一方に位置している、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２基板は、前記スイッチング素子に重畳する遮光層を備え、
前記有機絶縁膜は、前記発光素子に近接した第１側面と、前記第１側面の反対側の第２側面と、を備え、
前記遮光層は、前記第２側面に重畳している、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２基板は、共通電極を備え、
前記遮光層は、前記共通電極より低抵抗な導電層であり、前記共通電極と電気的に接続されている、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記有機絶縁膜と前記遮光層との間に位置するスペーサを備えている、請求項７または８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記有機絶縁膜は、平面視で、前記走査線及び前記信号線の少なくとも一方に重畳している、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記有機絶縁膜は、前記走査線または前記信号線に重畳する第１重畳部及び第２重畳部を備え、
前記第１重畳部及び前記第２重畳部は、離間している、請求項１０に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、入射光を散乱する散乱状態と入射光を透過する透過状態とを切り替え可能な高分子分散液晶を用いた表示装置が提案されている。一例では、アルミニウムや銀などによって形成された反射層が画素スイッチング回路部を覆っている表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１６７２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、ポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第１基板は、透明基板と、走査線と、前記走査線と交差する信号線と、前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に重畳する有機絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備え、
前記透明基板と前記画素電極との間における前記有機絶縁膜の膜厚は、前記スイッチング素子に重畳する前記有機絶縁膜の膜厚より小さい、表示装置が提供される。  
本実施形態によれば、
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、ポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第１基板は、透明基板と、走査線と、前記走査線と交差する信号線と、前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に重畳する有機絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備え、
前記有機絶縁膜は、前記透明基板と前記画素電極との間に設けられていない、表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一例を示す平面図である。
【図２】図２は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第１構成例を示す平面図である。
【図３】図３は、図２に示したスイッチング素子ＳＷの一例を示す拡大平面図である。
【図４】図４は、図３に示したスイッチング素子ＳＷを含むＡ−Ｂ線に沿った表示パネルＰＮＬを示す断面図である。
【図５】図５は、図３に示した走査線Ｇ及び接続部ＤＥＡを含むＣ−Ｄ線に沿った表示パネルＰＮＬを示す断面図である。
【図６】図６は、図３に示した信号線Ｓを含むＥ−Ｆ線に沿った表示パネルＰＮＬを示す断面図である。
【図７】図７は、本実施形態の表示パネルＰＮＬを示す概略図である。
【図８】図８は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第２構成例を示す平面図である。
【図９】図９は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第３構成例を示す平面図である。
【図１０】図１０は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第４構成例を示す平面図である。
【図１１】図１１は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第５構成例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第６構成例を示す平面図である。
【図１３】図１３は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第７構成例を示す平面図である。
【図１４】図１４は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第８構成例を示す平面図である。
【図１５】図１５は、サンプルの吸収率を測定するための測定方法を説明するための図である。
【図１６】図１６は、表示パネルＰＮＬを形成する材料の吸収率の測定結果を示す図である。
【図１７】図１７は、発光素子ＬＤからの出射光が表示装置ＤＳＰを伝播する様子を説明するための図である。
【図１８】図１８は、本実施形態の表示装置ＤＳＰ及び比較例の表示装置における輝度の測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
[第１構成例]
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一例を示す平面図である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を「上側」（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を「下側」（あるいは、単に下）と称する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよいし、第１部材から離間していてもよい。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。
【０００９】
本実施形態においては、表示装置ＤＳＰの一例として、高分子分散型液晶を適用した液晶表示装置について説明する。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、配線基板１と、ＩＣチップ２と、発光素子ＬＤと、を備えている。
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、液晶層ＬＣと、シールＳＬと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、Ｘ−Ｙ平面と平行な平板状に形成されている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、平面視で、重畳している。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、シールＳＬによって接着されている。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持され、シールＳＬによって封止されている。図１において、液晶層ＬＣ及びシールＳＬは、異なる斜線で示している。
【００１０】
図１において拡大して模式的に示すように、液晶層ＬＣは、ポリマー３１と、液晶分子３２と、を含む高分子分散型液晶を備えている。一例では、ポリマー３１は、液晶性ポリマーである。ポリマー３１は、一方向に沿って延出した筋状に形成されている。例えば、ポリマー３１の延出方向Ｄ１は、第１方向Ｘに沿った方向である。液晶分子３２は、ポリマー３１の隙間に分散され、その長軸が第１方向Ｘに沿うように配向される。ポリマー３１及び液晶分子３２の各々は、光学異方性あるいは屈折率異方性を有している。ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。
【００１１】
一例では、ポリマー３１の配向方向は、電界の有無にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子３２の配向方向は、液晶層ＬＣにしきい値以上の高い電圧が印加された状態では、電界に応じて変化する。液晶層ＬＣに電圧が印加されていない状態では、ポリマー３１及び液晶分子３２のそれぞれの光軸は互いに平行であり、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣ内でほとんど散乱されることなく透過する（透明状態）。液晶層ＬＣに電圧が印加された状態では、ポリマー３１及び液晶分子３２のそれぞれの光軸は互いに交差し、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣ内で散乱される（散乱状態）。
【００１２】
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示部ＤＡと、表示部ＤＡを囲む額縁状の非表示部ＮＤＡと、を備えている。シールＳＬは、非表示部ＮＤＡに位置している。表示部ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された画素ＰＸを備えている。
【００１３】
図１において拡大して示すように、各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、第３方向Ｚにおいて共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣ（特に、液晶分子３２）を駆動している。容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。
【００１４】
配線基板１は、第１基板ＳＵＢ１の延出部Ｅｘに電気的に接続されている。配線基板１は、折り曲げ可能なフレキシブルプリント回路基板である。ＩＣチップ２は、配線基板１に電気的に接続されている。ＩＣチップ２は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバなどを内蔵している。なお、ＩＣチップ２は、延出部Ｅｘに電気的に接続されていてもよい。配線基板１及びＩＣチップ２は、表示パネルＰＮＬからの信号を読み出す場合もあるが、主として表示パネルＰＮＬに信号を供給する信号源として機能する。
【００１５】
発光素子ＬＤは、延出部Ｅｘに重畳している。複数の発光素子ＬＤは、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて並んでいる。これらの発光素子ＬＤは、第２基板ＳＵＢ２の端部Ｅ２１に沿って配置され、端部Ｅ２１に向けて光を出射する。
図２は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第１構成例を示す平面図である。第１基板ＳＵＢ１は、走査線Ｇと、信号線Ｓと、スイッチング素子ＳＷと、有機絶縁膜Ｏと、金属配線Ｍと、容量電極Ｃと、画素電極ＰＥと、を備えている。
【００１６】
２本の走査線Ｇは、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。２本の信号線Ｓは、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。画素ＰＸは、２本の信号線Ｓと、２本の走査線Ｇとで区画された領域に相当する。  
スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇと信号線Ｓとの交差部に配置されている。スイッチング素子ＳＷの具体的な構成については、後述するが、スイッチング素子ＳＷは、半導体層の下にゲート電極が位置するボトムゲート型であってもよいし、半導体層の上にゲート電極が位置するトップゲート型であってもよい。半導体層は、例えばアモルファスシリコンによって形成されるが、多結晶シリコンや酸化物半導体によって形成されてもよい。
【００１７】
有機絶縁膜Ｏは、パターン化されており、図２に示す第１構成例では、平面視で、格子状に形成されている。すなわち、有機絶縁膜Ｏは、走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、スイッチング素子ＳＷのそれぞれに重畳している。有機絶縁膜Ｏは、走査線Ｇに重畳する第１部ＯＸと、信号線Ｓに重畳する第２部ＯＹと、を備えている。第１部ＯＸは、発光素子ＬＤに近接した第１側面Ｅ１と、第１側面Ｅ１の反対側の第２側面Ｅ２と、を有している。第１側面Ｅ１及び第２側面Ｅ２は、ポリマー３１の延出方向Ｄ１に沿って延出している。第２部ＯＹは、第３側面Ｅ３と、第３側面Ｅ３の反対側の第４側面Ｅ４と、を有している。  
なお、本明細書において、有機絶縁膜Ｏが配置された領域を第１基板ＳＵＢ１の第１領域Ａ１と称し、有機絶縁膜Ｏが配置されていない領域を第１基板ＳＵＢ１の第２領域Ａ２と称する。第２領域Ａ２は、第１領域Ａ１によって囲まれた内側に位置している。
【００１８】
金属配線Ｍは、第１領域Ａ１に配置され、図２に示す第１構成例では、平面視で、格子状に形成されている。すなわち、金属配線Ｍは、走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、スイッチング素子ＳＷのそれぞれに重畳している。金属配線Ｍは、走査線Ｇ及び第１部ＯＸに重畳する第１配線部ＭＸと、信号線Ｓ及び第２部ＯＹに重畳する第２配線部ＭＹと、を備えている。
【００１９】
容量電極Ｃは、一点鎖線で示すように、複数の画素ＰＸに亘って配置され、さらには第１基板ＳＵＢ１のほぼ全域に亘って配置されている。つまり、容量電極Ｃは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２のそれぞれに配置されている。容量電極Ｃは、第１領域Ａ１において、スイッチング素子ＳＷ、走査線Ｇ、信号線Ｓ、有機絶縁膜Ｏのそれぞれに重畳している。
【００２０】
画素電極ＰＥは、第２領域Ａ２において、容量電極Ｃに重畳している。図２に示した例において、画素電極ＰＥは、有機絶縁膜Ｏが配置された領域の内側に設けられている。なお、画素電極ＰＥは、第１部ＯＸ及び第２部ＯＹのそれぞれに重畳するように設けられてもよい。
図２に示した例では、スペーサＳＰは、スイッチング素子ＳＷに重畳し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に所定のセルギャップを形成している。
【００２１】
図３は、図２に示したスイッチング素子ＳＷの一例を示す拡大平面図である。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣと、ゲート電極ＧＥと、ソース電極ＳＥと、ドレイン電極ＤＥと、を備えている。ゲート電極ＧＥは、走査線Ｇと一体的に形成されている。半導体層ＳＣは、ゲート電極ＧＥに重畳している。２つのソース電極ＳＥは、信号線Ｓと一体的に形成され、それぞれ半導体層ＳＣに接している。ドレイン電極ＤＥは、２つのソース電極ＳＥの間に位置し、半導体層ＳＣに接している。ドレイン電極ＤＥは、接続部ＤＥＡを有している。接続部ＤＥＡは、容量電極Ｃに形成された開口部ＣＡ、及び、コンタクトホールＣＨを介して画素電極ＰＥと電気的に接続されている。
【００２２】
図４は、図３に示したスイッチング素子ＳＷを含むＡ−Ｂ線に沿った表示パネルＰＮＬを示す断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、さらに、透明基板１０と、絶縁膜１１乃至１３と、配向膜ＡＬ１とを備えている。透明基板１０は、主面（下面）１０Ａと、主面１０Ａの反対側の主面（上面）１０Ｂと、を備えている。主面１０Ａ及び１０Ｂは、Ｘ−Ｙ平面と略平行な面である。走査線Ｇと一体のゲート電極ＧＥは、主面１０Ｂ側に配置されている。絶縁膜１１は、ゲート電極ＧＥ及び走査線Ｇを覆い、主面１０Ｂに接している。半導体層ＳＣは、ゲート電極ＧＥの直上において、絶縁膜１１の上に位置している。信号線Ｓと一体の２つのソース電極ＳＥは、それぞれ半導体層ＳＣに接し、それらの一部が絶縁膜１１の上に位置している。ドレイン電極ＤＥは、半導体層ＳＣに接している。絶縁膜１２は、スイッチング素子ＳＷを構成する半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及び、ドレイン電極ＤＥをそれぞれ覆うとともに、絶縁膜１１を覆っている。
【００２３】
有機絶縁膜Ｏの第１部ＯＸは、ゲート電極ＧＥ及び走査線Ｇの直上、あるいは、スイッチング素子ＳＷの直上において、絶縁膜１２の上面１２Ｂに接している。金属配線Ｍの第１配線部ＭＸは、ゲート電極ＧＥ及び走査線Ｇの直上、あるいは、スイッチング素子ＳＷの直上において、第１部ＯＸの上に位置している。
【００２４】
容量電極Ｃは、第１領域Ａ１において、第１配線部ＭＸ及び第１部ＯＸを覆っている。つまり、第１部ＯＸの第１側面Ｅ１及び第２側面Ｅ２は、容量電極Ｃによって覆われている。第１配線部ＭＸは、容量電極Ｃと接し互いに電気的に接続されている。また、容量電極Ｃは、第２領域Ａ２において、絶縁膜１２の上面１２Ｂに接している。
【００２５】
絶縁膜１３は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に配置され、容量電極Ｃを覆っている。各画素電極ＰＥは、第２領域Ａ２において、絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥ及び容量電極Ｃは、絶縁膜１３を介して対向し、画素ＰＸにおいて画像表示に必要な蓄積容量を形成する。スイッチング素子ＳＷは、第２方向Ｙに隣接する画素電極ＰＥの間に位置している。第１側面Ｅ１及び第２側面Ｅ２の各々は、第２方向Ｙに沿って、スイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥとの間に位置している。配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び絶縁膜１３を覆っている。
【００２６】
このような第１基板ＳＵＢ１において、透明基板１０と画素電極ＰＥとの間における有機絶縁膜Ｏの第３方向Ｚに沿った膜厚は、スイッチング素子ＳＷに重畳する有機絶縁膜Ｏの第３方向Ｚに沿った膜厚Ｔ０より小さい（薄い）。図４に示す第１構成例では、有機絶縁膜Ｏは、透明基板１０と画素電極ＰＥとの間には設けられていない。つまり、透明基板１０と画素電極ＰＥとの間における有機絶縁膜Ｏの膜厚はゼロである。  
また、透明基板１０と金属配線Ｍとの間の第３方向Ｚに沿った有機絶縁膜Ｏの膜厚Ｔ１１は、透明基板１０と画素電極ＰＥとの間の第３方向Ｚに沿った膜厚Ｔ１２より大きい。換言すると、画素電極ＰＥは、金属配線Ｍよりも第３方向Ｚに沿って下方に位置している。つまり、画素電極ＰＥは、金属配線Ｍよりも透明基板１０に近接している。
【００２７】
第２基板ＳＵＢ２は、透明基板２０と、遮光層ＢＭと、共通電極ＣＥと、スペーサＳＰと、配向膜ＡＬ２とを備えている。透明基板２０は、主面（下面）２０Ａと、主面２０Ａの反対側の主面（上面）２０Ｂと、を備えている。主面２０Ａ及び２０Ｂは、Ｘ−Ｙ平面とほぼ平行な面である。主面２０Ａは、主面１０Ｂと向かい合っている。遮光層ＢＭ及び共通電極ＣＥは、主面２０Ａに配置されている。遮光層ＢＭは、第１部ＯＸの第１側面Ｅ１及び第２側面Ｅ２の直上、スイッチング素子ＳＷの直上、及び、ゲート電極ＧＥの直上にそれぞれ位置している。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置され、遮光層ＢＭを覆っている。共通電極ＣＥは、容量電極Ｃと電気的に接続されており、容量電極Ｃとは同電位である。スペーサＳＰは、共通電極ＣＥの下に設けられ、配向膜ＡＬ１に接している。スペーサＳＰは、有機絶縁膜Ｏと遮光層ＢＭとの間に位置している。配向膜ＡＬ２は、共通電極ＣＥを覆っている。
【００２８】
液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置し、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２のそれぞれに接している。液晶層ＬＣは、セルギャップＣＧ１及びＣＧ２を有している。セルギャップＣＧ１は、第１領域Ａ１における配向膜ＡＬ１から配向膜ＡＬ２までの第３方向Ｚに沿った長さに相当する。セルギャップＣＧ２は、第２領域Ａ２における配向膜ＡＬ１から配向膜ＡＬ２までの第３方向Ｚに沿った長さに相当する。セルギャップＣＧ１は、セルギャップＣＧ２より小さい。セルギャップＣＧ１は、一例として、約１．５μｍである。セルギャップＣＧ２は、一例として、約３．０μｍである。
【００２９】
なお、スペーサＳＰの第３方向Ｚに沿った高さＨと、有機絶縁膜Ｏの膜厚Ｔ０とのバランスを調整することにより、セルギャップＣＧ２を維持しつつ、所望の効果を得ることができる。例えば、図４に示した例よりも有機絶縁膜Ｏの膜厚Ｔ０を薄くし、且つ、スペーサＳＰの高さＨを大きくすることで、セルギャップＣＧ１が拡大する。このため、液晶層ＬＣを製造する過程で、液晶材料が広がりやすくなる。また、図４に示した例よりもスペーサＳＰの高さを小さくし、且つ、有機絶縁膜Ｏの膜厚Ｔ０を厚くすることで、スイッチング素子ＳＷあるいは走査線Ｇと、金属配線Ｍとの第３方向Ｚに沿った間隔を拡張することができる。このため、スイッチング素子ＳＷあるいは走査線Ｇと、金属配線Ｍとの間の不所望な容量を低減することができる。
【００３０】
透明基板１０及び２０は、ガラス基板やプラスチック基板などの絶縁基板である。絶縁膜１１乃至１３は、例えばシリコン窒化物やシリコン酸化物などの透明な無機絶縁材料によって形成されている。有機絶縁膜Ｏは、例えばアクリル樹脂などの透明な有機絶縁材料によって形成されている。走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、金属配線Ｍは、例えば複数の導電層が積層された積層体であり、一例では、モリブデン（Ｍｏ）を含む導電層、アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層、及び、モリブデン（Ｍｏ）を含む導電層がこの順に積層された積層体であるが、これに限らず、チタン（Ｔｉ）を含む導電層、アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層、及び、チタン（Ｔｉ）を含む導電層がこの順に積層された積層体であってもよい。なお、走査線Ｇは、モリブデン（Ｍｏ）を含む導電層、及び、アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層の積層体であってもよく、アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層が主面１０Ｂに接しているのが好ましい。アルミニウム（Ａｌ）はモリブデン（Ｍｏ）より光の反射率が高いため、走査線Ｇのモリブデン（Ｍｏ）を含む導電層が主面１０Ｂに接している場合と比較して、透明基板１０を伝播してきた光が、走査線Ｇで吸収されることを抑制することができる。容量電極Ｃ、画素電極ＰＥ、及び、共通電極ＣＥは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成された透明電極である。遮光層ＢＭは、例えば、共通電極ＣＥよりも低抵抗な導電層である。一例では、遮光層ＢＭは、モリブデン、アルミニウム、タングステン、チタン、銀などの不透明な金属材料によって形成されている。共通電極ＣＥは、遮光層ＢＭに接しているため、遮光層ＢＭと電気的に接続される。これにより、共通電極ＣＥが低抵抗化される。配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、Ｘ−Ｙ平面に略平行な配向規制力を有する水平配向膜である。一例では、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、第１方向Ｘに沿って配向処理されている。なお、配向処理とは、ラビング処理であってもよいし、光配向処理であってもよい。
【００３１】
図５は、図３に示した走査線Ｇ及び接続部ＤＥＡを含むＣ−Ｄ線に沿った表示パネルＰＮＬを示す断面図である。  
第１基板ＳＵＢ１において、接続部ＤＥＡは、絶縁膜１１の上に位置し、絶縁膜１２によって覆われている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１２及び絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨ、及び、容量電極Ｃの開口部ＣＡを通じて、接続部ＤＥＡにコンタクトしている。金属配線Ｍの第１配線部ＭＸは、走査線Ｇの直上に位置している。有機絶縁膜Ｏの第１部ＯＸは、走査線Ｇと第１配線部ＭＸとの間に位置している。  
第２基板ＳＵＢ２において、遮光層ＢＭは、第１部ＯＸの第１側面Ｅ１の直上、走査線Ｇの直上、第１部ＯＸの第２側面Ｅ２（走査線Ｇと接続部ＤＥＡとの間）の直上、及び、接続部ＤＥＡの直上に位置している。
【００３２】
図６は、図３に示した信号線Ｓを含むＥ−Ｆ線に沿った表示パネルＰＮＬを示す断面図である。  
第１基板ＳＵＢ１において、信号線Ｓは、絶縁膜１１の上に位置し、絶縁膜１２によって覆われている。なお、絶縁膜１１と透明基板１０との間に、走査線Ｇと同一の材料で形成された他の導電層（遮光層または反射層）を設けてもよい。信号線Ｓは、第１方向Ｘに隣接する画素電極ＰＥの間に位置している。有機絶縁膜Ｏの第２部ＯＹは、信号線Ｓの直上に位置し、第１方向Ｘに隣接する画素電極ＰＥの間に位置している。第２部ＯＹの第３側面Ｅ３及び第４側面Ｅ４は、容量電極Ｃによって覆われている。第３側面Ｅ３及び第４側面Ｅ４の各々は、第１方向Ｘに沿って、信号線Ｓと画素電極ＰＥとの間に位置している。金属配線Ｍの第２配線部ＭＹは、信号線Ｓの直上に位置している。また、第２配線部ＭＹは、容量電極Ｃと接し互いに電気的に接続されている。第２部ＯＹは、信号線Ｓと第２配線部ＭＹとの間に位置している。  
第２基板ＳＵＢ２において、遮光層ＢＭは、第２部ＯＹの第３側面Ｅ３及び第４側面Ｅ４の直上、及び、信号線Ｓの直上に位置している。
【００３３】
図７は、本実施形態の表示パネルＰＮＬの概略図である。ここでは、スペーサＳＰと有機絶縁膜Ｏに着目する。有機絶縁膜Ｏは、上述した表示部ＤＡのみならず、非表示部ＮＤＡにも設けられている。有機絶縁膜Ｏは、非表示部ＮＤＡにおいて、表示部ＤＡと同等の膜厚Ｔ０を有している。なお、有機絶縁膜Ｏの体積を低減する観点で、有機絶縁膜Ｏは、非表示部ＮＤＡの全体に設けられるのではなく、非表示部ＮＤＡのスペーサＳＰと重畳するようにパターン化されることが望ましい。つまり、表示部ＤＡ及び非表示部ＮＤＡにおいて、スペーサＳＰは、有機絶縁膜Ｏに重畳している。有機絶縁膜Ｏが非表示部ＮＤＡの全体に亘って設けられなかった場合には、セルギャップを均一化する上で、非表示部ＮＤＡには、表示部ＤＡのスペーサＳＰより高い高さのスペーサを設ける必要がある。本実施形態では、表示部ＤＡ及び非表示部ＮＤＡにおいて有機絶縁膜Ｏが膜厚Ｔ０を有しているため、表示部ＤＡ及び非表示部ＮＤＡにおいてほぼ同等の高さＨを有するスペーサＳＰを設けることで、セルギャップを均一化することができる。つまり、表示部ＤＡ及び非表示部ＮＤＡにおいて高さの異なるスペーサＳＰを設ける必要はなく、製造プロセスを簡素化することができる。
【００３４】
本実施形態の表示装置ＤＳＰは、発光素子ＬＤからの出射光を第２基板ＳＵＢ２の端部Ｅ２１から入射させ、表示パネルＰＮＬを伝播させる方式であり、発光素子ＬＤから離れるほど輝度が低下する傾向にある。このような輝度低下の一因として、有機絶縁膜Ｏによる光吸収が挙げられる。すなわち、有機絶縁膜Ｏは、表示パネルＰＮＬを伝播する光の一部を吸収する。このため、表示パネルＰＮＬの内部で複数回（１００回以上）の全反射を繰り返して伝播する光は、有機絶縁膜Ｏを透過する都度、その一部が吸収されるため、発光素子ＬＤから離れるほど、その輝度が低下することになる。
【００３５】
本実施形態によれば、有機絶縁膜Ｏは、スイッチング素子ＳＷに重畳する一方で、透明基板１０と画素電極ＰＥとの間には設けられていない。あるいは、透明基板１０と画素電極ＰＥとの間に設けられる有機絶縁膜Ｏの膜厚は、極薄である。このため、有機絶縁膜Ｏが透明基板１０と画素電極ＰＥとの間（あるいは表示部ＤＡの全域）に亘って設けられている場合と比較して、有機絶縁膜Ｏの総体積が小さい。これにより、表示パネルＰＮＬを伝播する光が、有機絶縁膜Ｏに入射する確率が減少するため、有機絶縁膜Ｏによる光吸収を抑制することができる。したがって、表示品位の低下を抑制することができる。  
また、有機絶縁膜Ｏは、スイッチング素子ＳＷ、走査線Ｇ、及び、信号線Ｓに重畳している。有機絶縁膜Ｏは、スイッチング素子ＳＷと金属配線Ｍ（または容量電極Ｃ）との間、走査線Ｇと金属配線Ｍ（または容量電極Ｃ）との間、及び、信号線Ｓと金属配線Ｍ（または容量電極Ｃ）との間に位置している。このため、互いに重畳する配線間での不所望な容量を低減することができる。  
また、発光素子ＬＤからの光が有機絶縁膜Ｏに入射した場合に、たとえ有機絶縁膜Ｏの第２側面Ｅ２において不所望な散乱を生じたとしても、第２側面Ｅ２の直上に配置された遮光層ＢＭによって散乱光が遮光される。このため、表示品位の低下を抑制することができる。  
また、有機絶縁膜Ｏの第３側面Ｅ３及び第４側面Ｅ４は、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２の配向処理方向（第１方向Ｘ）と交差している。たとえ第３側面Ｅ３及び第４側面Ｅ４において液晶分子３２の配向不良が生じたとしても、第３側面Ｅ３及び第４側面Ｅ４の直上に配置された遮光層ＢＭによって不所望な光が遮光される。このため、表示品位の低下を抑制することができる。  
ただし、遮光層ＢＭが配置されていても配向不良は少ないことが好ましい。そのため、第３側面Ｅ３及び第４側面Ｅ４での配向不良を抑制するためには、往復ラビングを行う、ラビング強度を強くする、毛の長いラビング布を用いる等を行えばよい。
遮光層ＢＭは、有機絶縁膜Ｏの側面での反射光もしくは散乱光を遮光するように配置されていればよい。また、共通電極ＣＥの電位を変化させる駆動法においては、遮光層ＢＭは、導電性を有する材料で構成されることが好ましい。遮光層ＢＭの具体例として、モリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層体、モリブデン／アルミニウムの積層体、あるいは、銅化合物と他の金属との積層体などが適用可能である。遮光層ＢＭがモリブデン／アルミニウムの積層体である場合、液晶層ＬＣと向かい合う側にモリブデン層が配置され、透明基板２０と向かい合う側にアルミニウム層が配置される。これにより、透明基板２０を導光する光の吸収を抑制し、有機絶縁膜Ｏの側面の反射光もしくは散乱光を効率的に遮光することができる。一方、共通電極ＣＥの電位を一定電位に保持させるような駆動法においては、遮光層ＢＭは、導電性を有する材料で構成される必要はないが、導電性を有する材料で構成されてもよい。遮光層ＢＭが非導電性の材料で構成される場合、その膜厚は不要な散乱を防ぐ目的でできるだけ薄い方が好ましい。また、非導電性の材料で構成された遮光層ＢＭにおいては、透明基板２０と向かい合う側に反射率の高い材料が配置され、有機絶縁膜Ｏと向かい合う側に反射率の低い材料が配置されることが好ましい。
第１構成例において、透明基板１０は第１透明基板に相当し、透明基板２０は第２透明基板に相当し、絶縁膜１２は無機絶縁膜に相当する。
【００３６】
次に、図８乃至図１４を参照して、他の構成例について説明する。なお、図８乃至図１４において、容量電極Ｃ及び画素電極ＰＥの図示は省略する。
[第２構成例]  
図８は、表示パネルＰＮＬの第２構成例を示す断面図である。図８に示す第２構成例は、図４に示した第１構成例と比較して、有機絶縁膜Ｏが透明基板１０と画素電極ＰＥとの間に第３部ＯＩを有する点で相違している。すなわち、第３部ＯＩは、絶縁膜１２と容量電極Ｃとの間に位置し、第３方向Ｚに沿って膜厚Ｔ１を有する。容量電極Ｃは、有機絶縁膜Ｏに接している。膜厚Ｔ１は、膜厚Ｔ０より小さい（薄い）。上記の通り、本実施形態においては、有機絶縁膜Ｏによる光吸収を抑制する観点から、有機絶縁膜Ｏの体積は小さいことが望ましく、有機絶縁膜Ｏが透明基板１０と画素電極ＰＥとの間に介在する第２構成例においても、その膜厚Ｔ１は小さいことが望ましい。一例では、膜厚Ｔ１は、膜厚Ｔ０の１／２以下である。  
このような第２構成例においても、有機絶縁膜Ｏの総体積を低減できるため、第１構成例と同様の効果が得られる。
【００３７】
[第３構成例]  
図９は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第３構成例を示す平面図である。図９に示す第３構成例は、図２に示した第１構成例と比較して、有機絶縁膜Ｏ及び金属配線Ｍが第２方向Ｙに沿って帯状に形成された点で相違している。すなわち、有機絶縁膜Ｏは、スイッチング素子ＳＷに重畳するとともに、信号線Ｓに重畳する第２部ＯＹを有している。一方で、有機絶縁膜Ｏは、第１部ＯＸを有していない。また、金属配線Ｍは、有機絶縁膜Ｏを介してスイッチング素子ＳＷに重畳するとともに、信号線Ｓに重畳する第２配線部ＭＹを有している。一方で、金属配線Ｍは、第１配線部ＭＸを有していない。  
このような第３構成例においても、上記の第１構成例と同様の効果が得られる。加えて、第１部ＯＸが省略されたことにより、有機絶縁膜Ｏの総体積がさらに減少するため、有機絶縁膜Ｏによる光吸収がさらに抑制される。  
また、第１部ＯＸが省略されたことにより、発光素子ＬＤからの光が有機絶縁膜Ｏに入射した場合に、図２に示した第２側面Ｅ２での不所望な散乱が抑制される。また、走査線Ｇに重畳する遮光層ＢＭの第１方向Ｘに沿った幅を低減することができ、一画素あたりの開口面積を拡大することができる。
【００３８】
[第４構成例]  
図１０は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第４構成例を示す平面図である。図１０に示す第４構成例は、図２に示した第１構成例と比較して、有機絶縁膜Ｏ及び金属配線Ｍが第１方向Ｘに沿って帯状に形成された点で相違している。すなわち、有機絶縁膜Ｏは、スイッチング素子ＳＷに重畳するとともに、走査線Ｇに重畳する第１部ＯＸを有している。一方で、有機絶縁膜Ｏは、第２部ＯＹを有していない。また、金属配線Ｍは、有機絶縁膜Ｏを介してスイッチング素子ＳＷに重畳するとともに、走査線Ｇに重畳する第１配線部ＭＸを有している。一方で、金属配線Ｍは、第２配線部ＭＹを有していない。  
このような第４構成例においても、上記の第１構成例と同様の効果が得られる。加えて、第２部ＯＹが省略されたことにより、有機絶縁膜Ｏの総体積がさらに減少するため、有機絶縁膜Ｏによる光吸収がさらに抑制される。  
また、第２部ＯＹが省略されたことにより、図２に示した第３側面Ｅ３及び第４側面Ｅ４での液晶分子３２の配向不良が抑制される。また、信号線Ｓに重畳する遮光層ＢＭの第２方向Ｙに沿った幅を低減することができ、一画素あたりの開口面積を拡大することができる。
【００３９】
次に、図１１及び図１２を参照して、第５構成例及び第６構成例について説明する。なお、第５構成例及び第６構成例において、複数の発光素子ＬＤは第２方向Ｙに沿って間隔を置いて並び、ポリマー３１の延出方向Ｄ１は、第２方向Ｙに沿った方向である。
【００４０】
[第５構成例]  
図１１は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第５構成例を示す平面図である。図１１に示す第５構成例は、上記した発光素子ＬＤとポリマー３１の延出方向Ｄ１以外は図９に示した第３構成例と同様の構造を有している。  
このような第５構成例においても、上記の第１構成例と同様の効果が得られる。加えて、第１部ＯＸが省略されたことにより、有機絶縁膜Ｏの総体積がさらに減少するため、有機絶縁膜Ｏによる光吸収がさらに抑制される。  
また、第１部ＯＸが省略されたことにより、図２に示した第１側面Ｅ１及び第２側面Ｅ２での液晶分子３２の配向不良が抑制される。また、走査線Ｇに重畳する遮光層ＢＭの第１方向Ｘに沿った幅を低減することができ、一画素あたりの開口面積を拡大することができる。
【００４１】
[第６構成例]  
図１２は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第６構成例を示す平面図である。図１２に示す第６構成例は、上記した発光素子ＬＤとポリマー３１の延出方向Ｄ１以外は図１０に示した第４構成例と同様の構造を有している。  
このような第６構成例においても、上記の第１構成例と同様の効果が得られる。加えて、第２部ＯＹが省略されたことにより、有機絶縁膜Ｏの総体積がさらに減少するため、有機絶縁膜Ｏによる光吸収がさらに抑制される。  
また、第１部ＯＸが省略されたことにより、発光素子ＬＤからの光が有機絶縁膜Ｏに入射した場合に、図２に示した第４側面Ｅ４での不所望な散乱が抑制される。また、信号線Ｓに重畳する遮光層ＢＭの第２方向Ｙに沿った幅を低減することができ、一画素あたりの開口面積を拡大することができる。
【００４２】
[第７構成例]  
図１３は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第７構成例を示す平面図である。図１３に示す第７構成例は、図２に示した第１構成例と比較して、有機絶縁膜Ｏが重畳部ＯＸ１及びＯＸ２、及び、重畳部ＯＹ１及びＯＹ２を有している点で相違している。重畳部ＯＸ１及びＯＸ２は、走査線Ｇに重畳している。重畳部ＯＸ１と重畳部ＯＸ２とは離間している。つまり、重畳部ＯＸ１と重畳部ＯＸ２との間において、有機絶縁膜Ｏは走査線Ｇに重畳していない。重畳部ＯＹ１と重畳部ＯＹ２は、信号線Ｓに重畳している。重畳部ＯＹ１と重畳部ＯＹ２とは離間している。つまり、重畳部ＯＹ１と重畳部ＯＹ２との間において、有機絶縁膜Ｏは信号線Ｓに重畳していない。表示パネルＰＮＬは、重畳部ＯＸ１と重畳部ＯＸ２との間、及び、重畳部ＯＹ１と重畳部ＯＹ２との間において、図４に示したセルギャップＣＧ２を有している。このため、液晶層ＬＣを製造する過程で、液晶材料が広がりやすくなる。  
このような第７構成例においても、上記の第１構成例と同様の効果が得られる。  
第７構成例において、重畳部ＯＸ１及び重畳部ＯＹ１は第１重畳部に相当し、重畳部ＯＸ２及び重畳部ＯＹ２は第２重畳部に相当する。
【００４３】
[第８構成例]  
図１４は、第１基板ＳＵＢ１における画素ＰＸの第８構成例を示す平面図である。図１４に示す第８構成例は、図２に示した第１構成例と比較して、有機絶縁膜Ｏがスイッチング素子ＳＷのみに重畳している点で相違している。  
このような第８構成例においても、上記の第１構成例と同様の効果が得られる。加えて、第１部ＯＸ及び第２部ＯＹが省略されたことにより、有機絶縁膜Ｏの総体積がさらに減少するため、有機絶縁膜Ｏによる光吸収がさらに抑制される。
【００４４】
次に、図１５乃至１８を参照して実測に基づく、本実施形態の効果を説明する。  
図１５は、サンプルの吸収率を測定するための測定方法を説明するための図である。光源１０１は、サンプルＳＡに向けて参照光を照射する。検出器１０２は、サンプルＳＡを透過した光の透過率を測定する。検出器１０３は、サンプルＳＡで反射された光の反射率を測定する。ここでは、光源１０１、検出器１０２、及び、検出器１０３は、サンプルＳＡに対する参照光の入射角θｉ、サンプルＳＡを透過した光の出射角θｔ、及び、サンプルＳＡで反射された光の反射角θｒが所定の値となるように設置される。一例では、入射角θｉ、出射角θｔ、及び、反射角θｒは、いずれも等しく、例えば５°に設定される。サンプルＳＡの吸収率（％）、透過率（％）、及び、反射率（％）をそれぞれＡ、Ｔ、及び、Ｒとしたとき、吸収率Ａは、以下の通り定義することができる。  
Ａ＝１００−Ｔ−Ｒ  
但し、ここでは、サンプルＳＡのヘーズ、及び、サンプルＳＡでの散乱は無視できるものとし、サンプルＳＡの表面が平坦であるものと仮定している。
【００４５】
図１６は、有機絶縁膜Ｏを形成する材料の吸収率の測定結果を示す図である。図中の横軸は波長（ｎｍ）であり、縦軸は吸収率（％）である。本実施形態の有機絶縁膜Ｏを形成する材料（サンプルＡ）、及び、液晶表示装置の透明基板を形成する材料（サンプルＢ）の各々の吸収率について、図１５を参照して説明した測定方法により測定した。サンプルＡはアクリル樹脂であり、サンプルＢはガラスである。本実施形態の発光素子ＬＤの発光主波長は、４６６ｎｍ（青色波長）、５３１ｎｍ（緑色波長）、６２２ｎｍ（赤色波長）である。
【００４６】
サンプルＢについては、いずれの波長についてもほとんど吸収しない。一方、サンプルＡについては、短波長側の吸収率は長波長側の吸収率より大きい傾向がある。例えば、サンプルＡにおいて、緑色波長の吸収率は、赤色波長の吸収率より高く、青色波長の吸収率は、緑色波長の吸収率より高い。特に青色波長において吸収率が１％を超えることが確認された。つまり、発光素子ＬＤから出射された光のうち、赤色波長の光及び緑色波長の光と比較して、青色波長の光が有機絶縁膜Ｏにおいて吸収されやすい。本実施形態によれば、有機絶縁膜Ｏが表示部ＤＡの全域に亘って設けられている場合と比較して、有機絶縁膜Ｏの総体積が小さい。このため、特に青色波長の光の有機絶縁膜Ｏによる吸収を抑制することができ、光が表示装置ＤＳＰを伝播していくにつれ、有機絶縁膜Ｏの各色波長の吸収率の違いによって生じる不所望な色度ずれを抑制でき、表示品位の低下を抑制することができる。
【００４７】
図１７は、発光素子ＬＤからの出射光が表示装置ＤＳＰを伝播する様子を説明するための図である。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬの他に、透明基板３０を備えている。透明基板２０は、発光素子ＬＤに対向する側面２０Ｃを有している。側面２０Ｃは、図１に示した第２基板ＳＵＢ２の端部Ｅ２１に相当する。透明基板３０は、主面（下面）３０Ａと、主面３０Ａの反対側の主面（上面）３０Ｂと、側面３０Ｃと、を備えている。主面３０Ａ及び３０Ｂは、Ｘ−Ｙ平面と略平行な面である。主面３０Ａは、透明基板２０の主面２０Ｂと向かい合っている。主面３０Ｂは、例えば、空気層に接している。側面３０Ｃは、発光素子ＬＤに対向し、側面２０Ｃに重畳している。透明基板３０は、透明な接着層ＡＤによって透明基板２０に接着されている。接着層ＡＤは主面３０Ａ及び２０Ｂに接している。  
発光素子ＬＤからの出射光は、図中に矢印で示したように、入光部である側面２０Ｃ及び側面３０Ｃからの距離が遠いほど減衰する。透明基板１０、透明基板２０、及び、透明基板３０などを形成するガラスにおける光吸収率は、図１６に示したように、０．１％にも満たないため、出射光が減衰する主な原因は、透明基板１０と透明基板２０との間、及び、透明基板２０と透明基板３０と間それぞれの各種薄膜における光吸収によるものである。
【００４８】
図１８は、本実施形態の表示装置ＤＳＰ及び比較例の表示装置における輝度の測定結果を示す図である。比較例の表示装置（Ｃ）は、有機絶縁膜Ｏが第１基板ＳＵＢ１の略全域に亘って配置され、走査線Ｇがモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）の積層体で形成されている。比較例の表示装置（Ｂ）は、有機絶縁膜Ｏが第１基板ＳＵＢ１の略全域に亘って配置され、走査線Ｇがモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）の積層体で形成されている。本実施形態の表示装置ＤＳＰ（Ａ）は、上記の通り、有機絶縁膜Ｏの格子状に配置され、走査線Ｇがモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）の積層体で形成されている。入光部からの距離を変えて各表示装置の輝度を測定した。入光部は、図１７に示した側面２０Ｃ及び側面３０Ｃに相当する。図１８の横軸は入光部からの距離であり、縦軸は輝度の相対値である。図１８に示したように、本実施形態の表示装置ＤＳＰ（Ａ）は、比較例の表示装置（Ｂ）と比較して、有機絶縁膜Ｏの総容量が少ないことにより、入光部から遠く離れても輝度の低下が少なく、光の減少を約８％程度抑制できることが確認された。また、本実施形態の表示装置ＤＳＰ（Ａ）は、比較例の表示装置（Ｃ）と比較して、有機絶縁膜Ｏの総容量が少なく、走査線Ｇを形成する積層体の構造が異なるため、入光部から遠く離れても輝度の低下が少なく、光の減少を約１６％程度抑制できることが確認された。  
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。
【００４９】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００５０】
本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。  
（１）
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、ポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第１基板は、透明基板と、走査線と、前記走査線と交差する信号線と、前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に重畳する有機絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備え、
前記透明基板と前記画素電極との間における前記有機絶縁膜の膜厚は、前記スイッチング素子に重畳する前記有機絶縁膜の膜厚より小さい、表示装置。
（２）
前記第１基板は、前記透明基板と前記画素電極との間に位置する無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜と前記画素電極との間に位置する容量電極と、を備え、
前記有機絶縁膜は、前記無機絶縁膜と前記容量電極との間に位置し
前記容量電極は、前記有機絶縁膜に接している、（２）に記載の表示装置。
（３）
前記第１基板は、前記容量電極と電気的に接続された金属配線を備え、
前記有機絶縁膜は、前記走査線と前記金属配線との間、及び、前記信号線と前記金属配線との間の少なくとも一方に位置している、（２）に記載の表示装置。
（４）
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、ポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第１基板は、透明基板と、走査線と、前記走査線と交差する信号線と、前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に重畳する有機絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備え、
前記有機絶縁膜は、前記透明基板と前記画素電極との間に設けられていない、表示装置。
（５）
前記第１基板は、前記透明基板と前記画素電極との間に位置する無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜と前記画素電極との間に位置する容量電極と、を備え、
前記容量電極は、前記無機絶縁膜の上面に接している、（４）に記載の表示装置。
（６）
前記第１基板は、前記容量電極と電気的に接続された金属配線を備え、
前記有機絶縁膜は、前記走査線と前記金属配線との間、及び、前記信号線と前記金属配線との間の少なくとも一方に位置している、（５）に記載の表示装置。
（７）
前記第２基板は、前記スイッチング素子に重畳する遮光層を備え、
前記有機絶縁膜は、前記発光素子に近接した第１側面と、前記第１側面の反対側の第２側面と、を備え、
前記遮光層は、前記第２側面に重畳している、（１）乃至（６）のいずれか１項に記載の表示装置。
（８）
前記第２基板は、共通電極を備え、
前記遮光層は、前記共通電極より低抵抗な導電層であり、前記共通電極と電気的に接続されている、（７）に記載の表示装置。
（９）
前記有機絶縁膜と前記遮光層との間に位置するスペーサを備えている、（７）または（８）に記載の表示装置。
（１０）
前記有機絶縁膜は、平面視で、前記走査線及び前記信号線の少なくとも一方に重畳している、（１）乃至（９）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１１）
前記有機絶縁膜は、前記走査線または前記信号線に重畳する第１重畳部及び第２重畳部を備え、
前記第１重畳部及び前記第２重畳部は、離間している、（１０）に記載の表示装置。
【符号の説明】
【００５１】
ＤＳＰ…表示装置  ＰＮＬ…表示パネル  ＬＤ…発光素子  １０，２０，３０…透明基板  Ｓ…信号線  Ｇ…走査線  ＳＷ…スイッチング素子  Ｏ…有機絶縁膜  ＰＥ…画素電極  ＣＥ…共通電極  ＢＭ…遮光層  Ｍ…金属配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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