(57)【要約】【課題】磁気ヘッドの磁極パターンをエッチング法で形成するとき、ネガ型レジストパターンを用い、ハードマスク利用での磁性材料膜イオンミリングの工法で実施すると、磁極の微細パターン化や高アスペクト比パターン化が困難である。【解決手段】基板上の磁性材料膜上に、同一、または異なる磁性材料の厚いパターンを、ポジ型レジスト開口部への埋め込みめっき工法で形成し、レジストを剥離後、埋め込みパターンをマスクとして（あるいは更に積層されたハードマスクを援用して）、イオンミリングで、微細構造の、断面逆台形形状などの、二層の磁性材料パターンである磁極パターンを形成する。磁性材料で形成された埋め込みパターン部分におけるイオンミリングでの減少を考慮しても、厚い二層磁性材料構造が維持されて、高アスペクト比の二層構造の磁極パターン（先端面）を得ることができる。【選択図】図１
2010176745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の磁性材料による第１磁性膜を形成する工程と、
前記第１磁性膜上に第２の磁性材料による第２磁性膜を含むパターンを形成する工程と、
前記パターンをマスクとして前記第１磁性膜のパターニングをし、前記基板上に、前記第１磁性膜と前記第２磁性膜との二層磁性膜構造パターンを形成する工程と、
前記基板上に、前記二層磁性膜構造パターンを埋め込む絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を研磨して、前記二層磁性膜構造パターンの表面を表出させる工程とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記パターンは、さらに酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜を含むことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記二層磁性膜構造パターンが、前記磁気ヘッドの構成物であることを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１の磁性材料および前記第２の磁性材料は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくとも一つを有する磁性材料からなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録装置に用いられる磁気ヘッドの製造方法に関し、特に磁気ヘッドの磁極部のパターンを、微細かつ高アスペクト比に製造可能とする磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置の記憶密度が著しく増加している。これを達成するためには、磁気媒体には高い保持力が、磁気ヘッドの材料には高い飽和磁束密度（Ｂｓ）が要求されるなど構成する各部位に応じて様々な高度の磁気特性が求められている。一方、このような構成部位の材料特性のみならず、それとともに磁気ヘッドにおける形成パターンの微細化も必須要件となっている。
【０００３】
図７は、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドにおける、磁気ヘッド特性を決めるものの一つである主磁極部の製造形状を説明するための図である。図７（１）は、基板上に磁性材料の薄膜で生成された、主磁極を含むパターンの平面図（基板面に対し、膜生成方向から見た図）である。この表示する平面をＸ−Ｙ平面とする。この図の主磁極パターンはまだ磁気ヘッド用磁極パターンとしては完成しておらず、製造途中の基板上に形成した磁性薄膜パターンである。このパターンは、大別して、主磁極１００のパターン部と、製造工程において特に微細パターンとなる部分（後述のブリッジ部）を基板上にて支持・形成するために用いられる支持パターン２００からなる。主磁極１００は、磁界誘導部１０１、フレア部１０２、および先端部１０３からなり、フレア部１０２の先端と支持パターン２００の突出部とで形成される、先端部１０３を含む細いパターンの部分をブリッジ部１０４と称する。
【０００４】
磁気ヘッドとしては、図中のブリッジ部１０４を横切る形で示したＡ−Ａ’線の箇所において、例えば１〜２μｍ長のブリッジ部１０４を切断（実際には、例えば、研磨加工で行う）して、支持パターン２００を切り取った形状（つまり主磁極１００）で用いる。ブリッジ部１０４で、Ａ−Ａ’線で切り残される先端部１０３は、磁気ヘッドの磁極となる部分であり、この先端部１０３の断面（Ａ−Ａ’線断面）は、例えば、図７（２）に示した、先端面１０５のような形状をなし、この部分が磁気ディスク装置の磁気記録媒体の面と対向する浮上面となる。先端面１０５の平面は、図７（１）の図の平面との関係から見て、Ｘ−Ｚ平面をなすこととなる。
【０００５】
図７（１）の、主磁極１００において、上部幅広部分である磁界誘導部１０１で、図示されないコイルによって磁気記録するための磁界が誘導される。この磁界はテーパがついたフレア部１０２で絞られ、細い先端部１０３の断面、すなわち、主磁極１００の先端面１０５から磁界を磁気記録媒体に作用させて磁気記録を行う。
【０００６】
図７（２）に示したように、主磁極の先端面１０５は、通常、逆台形となるように形成されるが、これは、磁気記録媒体のトラックに対する磁気ヘッドのスキュー角の影響を無くすためである。この先端面１０５は、例えば、上辺百数十ｎｍ、下辺数十ｎｍ程度であり、先端部１０３の長さ（スローハイトと称する）は、例えば、百数十ｎｍ程度で形成される。
【０００７】
磁気ヘッドの製造においては、上記の主磁極１００の磁性薄膜パターンの形成、なかでも、最も微細となる先端部１０３の断面（先端面１０５）を含むパターン形成精度が重要である。以下、この先端面１０５部の形成形状に着目して、主磁極の形成方法について述べる。
【０００８】
図８、図９を用いて、従来から行われている、エッチングより主磁極を形成する方法について述べる。図８および図９は、その磁極を形成する工程を示す断面模式図（先端面の箇所を示す図）である。
【０００９】
図８（１）は、基板１０６上に磁性材料膜１０７を、例えば、スパッタリングで成膜する。この磁性材料膜１０７は、通常、ＦｅＣｏあるいはＦｅＮｉなどの高Ｂｓ材料が用いられる。
【００１０】
次に、図８（２）に示すように、磁性材料膜１０７上に、難エッチング性材料膜１０８を形成する。この膜は、磁性材料膜１０７をエッチングによってパターニングする際の、ハードマスクパターンを形成するための膜であり、磁性材料膜１０７よりエッチング耐性が高い材料、例えば、アルミナ（酸化アルミニウム、Ａｌ２Ｏ３）などの材料が用いられる。
【００１１】
次に、図８（３）に示すように、ネガ型レジストの塗布、フォトリソグラフィー法の適用により、ネガ型レジストパターン１０９を形成する。そして、図８（４）に示すように、このレジストパターンをマスクとして用い、反応性ガス１１０、例えば、ＢＣｌ３ガスを含むガスを用いたＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ  ―  反応性イオンエッチング）により、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）をエッチングしてパターン化し、難エッチング性材料膜パターン１１１を形成する。ネガ型レジストパターンをエッチングマスクへ適用することは、このようなエッチングにおいてエッチング耐性が高いことから、通常よく用いられている加工方法の一つである。
【００１２】
そして、図９（５）に示すように、難エッチング性材料膜パターン１１１をマスク（ハードマスク）として、例えば、Ａｒイオンなどのイオン粒子１１２によるイオンミリングによって、磁性材料膜１０７をエッチングして、磁性材料膜パターン１１３を得る。このとき、磁性材料膜パターン１１３の断面は、逆台形となるように、基板１０９の、イオン粒子１１２の入射方向に対する配置角度の調整などを行ってエッチングを行う。
【００１３】
次いで、図９（６）に示すように、基板１０６の表面に、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などの絶縁膜１１４を堆積し、そして図９（７）に示すように、表面を、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ −  化学機械研磨）処理によって、難エッチング性材料膜パターン１１１を含めて研磨し、磁性材料膜パターン１１３の表面が出るように平坦化することで、磁極パターン１１５が形成される。勿論、本図における、磁極パターン１１５の形状は、図７において説明したように、主磁極の先端面に相当する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００８−６５９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかし、エッチング法による磁極パターン形成において、上記のようなネガ型レジストパターンをマスクに用いるこの方法では、ポジ型レジストパターンを用いたパターン形成プロセスに比べ、微細化が困難であり、より微細な磁極パターンを得るためには適していなかった。また同時に、上記のような工程を適用するとき、イオンミリング法の限界から、微細な幅かつ十分な高さを有する、すなわち高アスペクト比の磁極（先端面パターン）を得ることが容易ではなかった。
【００１６】
そこで、本発明の課題は、ポジ型レジストによるパターニング法を適用して、微細かつ高アスペクト比のパターンを有する磁極パターンが形成可能な磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の磁気ヘッドの製造方法は、
基板上に第１の磁性材料による第１磁性膜を形成する工程と、
前記第１磁性膜上に第２の磁性材料による第２磁性膜を含むパターンを形成する工程と、
前記パターンをマスクとして前記第１磁性膜のパターニングをし、前記基板上に、前記第１磁性膜と前記第２磁性膜との二層磁性膜構造パターンを形成する工程と、
前記基板上に、前記二層磁性膜構造パターンを埋め込む絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を研磨して、前記二層磁性膜構造パターンの表面を表出させる工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
そして、前記パターンは、さらに難エッチング性材料膜を含むことを特徴とする。
【００１９】
そして、前記二層磁性膜構造パターンが、前記磁気ヘッドの構成物であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
このような磁気ヘッドの製造方法は、例えば、上辺２００ｎｍで高さ４００ｎｍ〜６００ｎｍといった、微細で高アスペクト比の磁極（先端面）を容易に形成可能といった、大きな効果を得ることができる。
【００２１】
この製造方法は、高アスペクト比磁極を得るのに不可欠な、厚い磁極用磁性材料膜を形成する手段として、通常の所定厚さの磁性材料膜上に、さらに厚い磁性材料パターンをめっきで堆積する方法をとる。そして、次に、この追加堆積パターンを言わばマスクとして、一括して二層磁性膜をイオンミリングして磁極パターン化する工程をとる。この方法は、微細化形成された二層磁性膜の磁極パターンはかなりの程度厚い状態で残り、かつ斜め入射などの従来のイオンミリング法を適用することで、断面が逆台形化した微細化加工が可能であって、また、こうしてできる高アスペクト比の二層磁性膜状態のパターンがそのまま磁極として適用できる、つまり磁気ヘッドの構成物になるといった、特徴ある製造方法ともなっている。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施例の工程を説明する図である。（その１）
【図２】本発明の第１の実施例の工程を説明する図である。（その２）
【図３】本発明の第２の実施例の工程を説明する図である。（その１）
【図４】本発明の第２の実施例の工程を説明する図である。（その２）
【図５】本発明の第３の実施例の工程を説明する図である。（その１）
【図６】本発明の第３の実施例の工程を説明する図である。（その２）
【図７】製造工程における磁気ヘッドの主磁極の構成形状を説明する図
【図８】従来の製造工程を説明する図（その１）
【図９】従来の製造工程を説明する図（その２）
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、本発明の実施の形態を、添付図を参照しつつ説明する。
【実施例】
【００２４】
（第１の実施例）
図１〜図２は、本発明の第１の実施例の係る製造方法による磁極パターンの形成工程を、主磁極の先端部の断面、すなわち主磁極の先端面における形成工程によって示したものである。
【００２５】
図１（１）に示すように、例えば、アルチック（ＡＬ２Ｏ３−ＴｉＣ）板上に成膜したアルミナ（酸化アツミニウム、Ａｌ２Ｏ３）膜を有する基板１上に、磁性膜である、ＦｅＣｏ膜２（重量％で７０対３０の組成比）を、２００ｎｍ厚で成膜する。成膜法は、スパッタリング法を用い、成膜条件はＡｒガスを、０．１Ｐａ、ＲＦパワー３００Ｗとした。
【００２６】
図１（２）に示すように、その上に、ポジ型レジスト３を塗布後、これに、フォトリソグラフィ法と現像処理により、幅（開口部下部）４００ｎｍの開口パターン４を形成する。図示されているように、このときの開口パターン４の断面形状は、逆台形であることが望ましい。
【００２７】
次に、図１（３）に示すように、ＦｅＣｏ膜２をシード層として、この開口パターン４内にＦｅＣｏ埋め込みパターン５（重量％で７０対３０の組成比）を電気めっき法により埋め込む。このとき、ＦｅＣｏ埋め込みパターン５の厚さは、８００ｎｍとした。電気めっきは、めっき液を、硫酸鉄七水和物（ＦｅＳＯ４＊７Ｈ２Ｏ）、硫酸コバルト七水和物（ＣｏＳＯ４＊７Ｈ２Ｏ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、サッカリンナトリウム（Ｃ７Ｈ５ＮＯ３Ｓ＊２Ｈ２Ｏ）、ほう酸（Ｈ３ＢＯ３）、ドデシル硫酸ナトリウム（ＣＨ３（ＣＨ２）１０ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ）からなるものを用いた。
【００２８】
そして、図１（４）に示すように、ポジ型レジスト３を剥離液で除去して、基板1上の２００ｎｍ厚のＦｅＣｏ膜２に、孤立形成された８００ｎｍ高のＦｅＣｏ埋め込みパターン５を得る。
【００２９】
次に、図２（５）に示すように、Ａｒイオン６によって、ＦｅＣｏ埋め込みパターン５をマスクとしてＦｅＣｏ膜２をエッチングし、基板１上に形成された、ＦｅＣｏ膜２とＦｅＣｏ埋め込みパターン５との、ＦｅＣｏ二層構造のエッチングパターン７を得る。ＦｅＣｏ膜２とＦｅＣｏ埋め込みパターン５におけるイオンミリングのエッチングレートは基本的に同一であり、従って、このイオンミリングによって、ＦｅＣｏ膜２のエッチングとともにＦｅＣｏ埋め込みパターン５の上面部は大幅にエッチングされ、また側面のエッチングが進む。
【００３０】
こうして得られるエッチングパターン７の形状が、所要のアスペクト比を有し、断面が逆台形で、磁極先端面として用いられる得るものとなるように、各膜厚の設定やイオンミリング条件の設定（例えば、イオンミリングにおける基板設置角度を水平面か３０〜８０度傾けるなどの調整）がされる。
【００３１】
次いで、図２（６）に示すように、この基板上全面に、エッチングパターン７が覆われるように、スパッタリング法によって、１．５μｍ厚のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜８を積層する。そして、図２（７）に示すように、ＣＭＰ処理により、エッチングパターン７の表面が出るように平坦化し、磁極パターン９が形成される。これにより、例えば、幅（開口部上部）２００ｎｍで、高さ４００ｎｍの、高アスペクト比の断面パターンを有する磁極（先端面）を形成できる。
【００３２】
以上の第１の実施例で示した方法は、同一の二層磁性材料（この場合は、ＦｅＣｏ）を用い、下層のＦｅＣｏ膜上に、ポジ型レジストを用いた埋め込みめっき法によって形成されたＦｅＣｏパターンのマスクを形成し、イオンミリングでパターニングする方法である。  
【００３３】
こうしてできた磁極はＦｅＣｏ二層構造で、上側のマスクとして用いられた材料は、ＦｅＣｏであることから、そのまま磁気ヘッドの磁極としてそのまま用いる製造方法となっている。ポジ型レジストの適用によって微細化が容易になり、かつイオンミリングの適用によって逆台形断面構造の高アスペクト比の磁極が形成し得て、加えてイオンミリング用磁性材料マスクとして作用する膜がそのまま装置構成要部材として利用できる。
（第２の実施例）
図３〜図４は、本発明の第２の実施例の係る製造方法による磁極パターンの形成工程を、主磁極の先端部の断面、すなわち主磁極の先端面における形成工程によって示したものである。
【００３４】
本実施例と、前記第１の実施例との違いは、基板上に形成する磁性膜と、マスクとする磁性材料からなる開口部埋め込みパターンとが異なる材料とする点である。すなわち、前者を、ＦｅＮｉ材料を用い、後者をＦｅＣｏ材料とする。これ以外の工程については、基本的に同一である。
【００３５】
以下に本実施例の工程を略述すると、先ず、図３（１）に示すように、例えば、アルチック（ＡＬ２Ｏ３−ＴｉＣ）板上に成膜したアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜を有する基板１上に、磁性膜である、ＦｅＮｉ膜１０（重量％で９０対１０の組成比）を、２００ｎｍ厚で成膜する。成膜法は、スパッタリング法を用い、成膜条件は第１の実施例と同様とした。
【００３６】
図３（２）に示すように、その上に、ポジ型レジスト３を塗布後、これに、フォトリソグラフィ法と現像処理により、幅（開口部下部）４００ｎｍの開口パターン４を形成する。図示されているように、このときの開口パターン４の断面形状は、逆台形であることが望ましい。
【００３７】
次に、図３（３）に示すように、ＦｅＮｉ膜１０をシード層として、この開口パターン４内にＦｅＣｏ埋め込みパターン５（重量％で７０対３０の組成比）を電気めっき法により埋め込む。このとき、ＦｅＣｏ埋め込みパターン５の厚さは、８００ｎｍとした。電気めっきは、めっき液を、第１の実施例と同様に、硫酸鉄七水和物（ＦｅＳＯ４＊７Ｈ２Ｏ）、硫酸コバルト七水和物（ＣｏＳＯ４＊７Ｈ２Ｏ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、サッカリンナトリウム（Ｃ７Ｈ５ＮＯ３Ｓ＊２Ｈ２Ｏ）、ほう酸（Ｈ３ＢＯ３）、ドデシル硫酸ナトリウム（ＣＨ３（ＣＨ２）１０ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ）からなるものを用いた。そして、図３（４）に示すように、ポジ型レジスト３を剥離液で除去して、基板1上の２００ｎｍ厚のＦｅＮｉ膜１０に、孤立形成された８００ｎｍ高のＦｅＣｏ埋め込みパターン５を得る。
【００３８】
そして、図４（５）に示すように、Ａｒイオン６によって、ＦｅＣｏ埋め込みパターン５をマスクとしてＦｅＮｉ膜１０をエッチングし、基板１上に形成された、ＦｅＮｉ膜１０とＦｅＣｏ埋め込みパターン５との二層構造の、ＦｅＮｉ／ＦｅＣｏのエッチングパターン１１を得る。ＦｅＮｉ膜１０とＦｅＣｏ埋め込みパターン５におけるイオンミリングのエッチングレートは基本的に同一であり、従って、このイオンミリングによって、ＦｅＮｉ膜１０のエッチングとともにＦｅＣｏ埋め込みパターン５の上面部は大幅にエッチングされ、また側面のエッチングが進む。
【００３９】
次いで、図４（６）に示すように、この基板上全面に、エッチングパターン１１が覆われるように、スパッタリング法によって、１．５μｍ厚のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜８を積層する。そして、図４（７）に示すように、ＣＭＰ処理により、エッチングパターン７の表面が出るように平坦化し、磁極パターン１２が形成される。これにより、例えば、幅（開口部上部）２００ｎｍで、高さ４００ｎｍの、高アスペクト比の断面パターンを有する磁極（先端面）を形成できる。
（第３の実施例）
図５〜図６は、本発明の第３の実施例の係る製造方法による磁極パターンの形成工程を、主磁極の先端部の断面、すなわち主磁極の先端面における形成工程によって示したものである。
【００４０】
本実施例と、前記第１、第２の実施例との違いは  ポジ型レジストの開口部に磁性膜のＦｅＣｏ埋め込みパターンを形成した後、更にそのパターン上面に、イオンミリングに対して磁性膜よりも難エッチング性を有する材料膜を成膜する点である。
【００４１】
以下に本実施例を工程に沿って述べる。図５（１）に示すように、例えば、アルチック（ＡＬ２Ｏ３−ＴｉＣ）板上に成膜したアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜を有する基板１上に、磁性膜である、ＦｅＣｏ膜２（重量％で７０対３０の組成比）を、２００ｎｍ厚で成膜する。成膜法は、スパッタリング法を用い、成膜条件は第１に実施例と同様とした。
【００４２】
図５（２）に示すように、その上に、ポジ型レジスト３を塗布後、これに、フォトリソグラフィ法と現像処理により、幅（開口部下部）４００ｎｍの開口パターン４を形成する。
【００４３】
次に、図５（３）に示すように、ＦｅＣｏ膜２をシード層として、この開口パターン４内にＦｅＣｏ埋め込みパターン５（重量％で７０対３０の組成比）を電気めっき法により埋め込む。このとき、ＦｅＣｏ埋め込みパターン５の厚さは、８００ｎｍとした。電気めっきは、めっき液を、第１の実施例と同様に、硫酸鉄七水和物（ＦｅＳＯ４＊７Ｈ２Ｏ）、硫酸コバルト七水和物（ＣｏＳＯ４＊７Ｈ２Ｏ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、サッカリンナトリウム（Ｃ７Ｈ５ＮＯ３Ｓ＊２Ｈ２Ｏ）、ほう酸（Ｈ３ＢＯ３）、ドデシル硫酸ナトリウム（ＣＨ３（ＣＨ２）１０ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ）からなるものを用いた。
次に、図５（４）に示すように、この基板上に、難エッチング性材料膜、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜１３をスパッタリング法により１００ｎｍ厚で積層する。こうして、ＦｅＣｏ埋め込みパターン５上に、このＦｅＣｏ膜のエッチングレートより大幅に遅い、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜１３をハードマスクとして積層することとなる。
【００４４】
そして、図６（５）に示すように、ポジ型レジスト３を剥離液で除去して、基板1上の２００ｎｍ厚のＦｅＣｏ膜２上に、上面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜１３が積層されている、孤立形成された、トータル９００ｎｍの高さのＦｅＣｏ埋め込みパターン５を得る。
【００４５】
そして、図６（６）に示すように、Ａｒイオン６によって、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜１３とＦｅＣｏ埋め込みパターン５をマスクとしてＦｅＣｏ膜２をエッチングし、基板１上に形成された、ＦｅＣｏ膜２とＦｅＣｏ埋め込みパターン５との、ＦｅＣｏ二層構造のエッチングパターン１４を得る。
【００４６】
本方法によるイオンミリングは、第１、第２の実施例に比べ、難エッチング性材料膜のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜１３が、磁性膜エッチングの際の強いハードマスクとなって、上層側のＦｅＣｏ埋め込みパターン５の膜減りの程度が減少する。従って、イオンミリング後に得られる、ＦｅＣｏ膜２とＦｅＣｏ埋め込みパターン５とのＦｅＣｏ二層構造のエッチングパターン１４の寸法制御がより容易になる。
【００４７】
こうして得られるエッチングパターン１４の形状が、所要のアスペクト比を有した逆台形となり、磁極先端面として用いられる得るものとなるように、上記と同様に、各膜厚の設定やイオンミリング条件の設定（例えば、イオンミリングにおける基板設置角度を水平面か３０〜８０度傾けるなどの調整）を行うことは言うまでも無い。
【００４８】
次いで、図６（７）に示すように、この基板上全面に、エッチングパターン１４が覆われるように、スパッタリング法によって、１．５μｍ厚のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜８を積層する。そして、図６（８）に示すように、ＣＭＰ処理により、エッチングパターン１４の表面が出るように平坦化し、磁極パターン１５が形成される。これにより、例えば、幅（開口部上部）２００ｎｍで、高さ６００ｎｍといった、更に高アスペクト比の断面パターンを有する磁極（先端面）を形成できる。
【００４９】
以上、３つの実施例について述べたが、更にこれら実施例の変形工程例を挙げることができる。例えば、第１の実施例において、基板１上に、ＦｅＣｏ膜２を、スパッタリング法で２００ｎｍ積層する例を示した。その代わり、例えば、このＦｅＣｏ膜２の形成を先ずスパッタリングで５０ｎｍ厚の膜を形成し、その後このスッパタリング形成膜をシード膜として、電気めっき法によりＦｅＣｏ膜を１５０ｎｍ厚で成膜し、全体で２００ｎｍ厚のＦｅＣｏ膜を形成してもよい。これにより長時間のスッパタリングによる成膜を回避できる。また、例えば、第３の実施例で示した工程において、基板１上の膜のＦｅＣｏ膜２は、前記した、スパッタリング膜＋めっき膜のＦｅＣｏ膜でもよいし、またＦｅＣｏ膜ではなく、その上に形成されるめっきによるＦｅＣｏ埋め込みパターン５とは異なる材料の磁性膜、例えば、ＦｅＮｉ膜を適用してもよい。
【００５０】
磁極を構成する磁性膜材料として、ＦｅＣｏ膜、ＦｅＮｉ膜を挙げたが、これに限らず、有効な高いＢｓ値を有する、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの少なくとも一つを有する磁性材料、例えば、ＦｅＣｏＮｉ，あるいはＦｅＣｏ，ＦｅＮｉに第３元素としてＰｄなどを添加した材料などが、利用可能である。
【００５１】
また、第３の実施例において、難エッチング性材料として、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜を挙げたが、それに限らない。例えば、Ｔｉ，ＳｉＣ，Ｔａなど、絶縁材料や金属材料の膜も適用できる。
【００５２】
以上述べたように、この方法は、幅が２００ｎｍ程度で高さ４００ｎｍ〜６００ｎｍといった、微細で高アスペクト比の磁極（先端面）を容易に形成可能である。
【００５３】
この製造方法は、高アスペクト比磁極を得るのに、厚い磁極用磁性材料膜を形成する手段として、所定厚さの（スパッタリングなどで形成された）磁性材料膜上に、さらに厚い磁性材料パターンを電気めっきで堆積する方法を用いる。そして、この追加堆積パターンを言わばマスクとして、（あるいは、さらに、難エッチング性材料膜も援用マスクとして）一括して二層磁性膜をイオンミリングし、磁極パターン化する工程をとる。従って、微細化形成された二層磁性膜の磁極パターンはかなりの程度厚い状態で残り、かつ斜め入射などの従来のイオンミリング法を適用することで、断面が逆台形化した微細化加工が可能である。また、こうしてできる高アスペクト比の二層磁性膜状態のパターンがそのまま磁極として適用できる、つまり磁気ヘッドの構成物になるといった、特徴ある製造方法ともなっている。
【符号の説明】
【００５４】
１，１０６  基板
２  ＦｅＣｏ膜
３  ポジ型レジスト
４  開口パターン
５  ＦｅＣｏ埋め込みパターン
６  Ａｒイオン
７，１１，１４  エッチングパターン
８，１３  アルミナ（酸化アルミニウム、Ａｌ２Ｏ３）膜
９，１２，１５  磁極パターン
１０  ＦｅＮｉ膜
１００  主磁極
１０１  磁界誘導部
１０２  フレア部
１０３  先端部
１０４  ブリッジ部
１０５  先端面
１０７  磁性材料膜
１０８  難エッチング性材料膜
１０９  ネガ型レジスト
１１０  反応性ガス
１１１  難エッチング性材料膜パターン
１１２  イオン粒子
１１３  磁性材料膜パターン
１１４  絶縁膜
１１５  主磁極パターン
２００  支持パターン
【図１】
2010176745.tif 000003
【図２】
2010176745.tif 000004
【図３】
2010176745.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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