【事件の表示】
　特許第６５８２１５９号発明「絶縁基板及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６５８２１５９号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付した訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜７〕について訂正することを認める。
　特許第６５８２１５９号の請求項１〜６に係る特許を維持する。
　特許第６５８２１５９号の請求項７に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件の特許第６５８２１５９号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜７に係る特許についての出願は、平成３１年　２月１８日（優先権主張　平成３０年　３月２９日）を国際出願日とする出願であって、令和　１年　９月　６日にその特許権の設定登録がされ、同年　９月２５日に特許掲載公報が発行され、その後、その請求項１〜７（全請求項）に係る特許について、令和　２年　３月２４日に特許異議申立人である中川賢治（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。
　特許異議申立て後の手続きの経緯は次のとおりである。
　令和　２年　６月２９日付け　　　　取消理由通知
　　　　同年　８月２７日　　　　　　意見書・訂正請求書（特許権者）
　　　　同年１２月　４日付け　　　　訂正拒絶理由通知
　令和　３年　１月　８日　　　　　　意見書（特許権者）
　　　　同年　３月３０日　　　　　　意見書（申立人）
第２　訂正の適否
１　本件訂正請求の趣旨、及び訂正の内容について
　令和　２年　８月２７日に特許権者が行った訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）に係る訂正（以下、「本件訂正」という。）は、本件特許の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付した訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１〜７について訂正を求めるものであり、その訂正の内容は、以下のとおりである。
　なお、訂正箇所には当審が下線を付した。
（１）訂正事項１
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項７を削除する。
（２）訂正事項２
　本件訂正前の明細書の【００１０】に記載された「［７］［１］乃至［６］のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法であって、前記第１の銅板材の材料である第１の被圧延材及び前記第２の銅板材の材料である第２の被圧延材に対し、昇温速度が１０℃／秒〜５０℃／秒、到達温度が２５０℃〜６００℃、保持時間が１０秒〜３６００秒、冷却速度が１０℃／秒〜５０℃／秒の条件で焼鈍処理を施す焼鈍工程と、前記焼鈍工程後に、前記第１の被圧延材と、前記第２の被圧延材との総加工率が１０〜６５％の冷間圧延を行う冷間圧延工程と、前記冷間圧延工程後に、前記セラミック基板の一方の面に前記第１の被圧延材を、前記セラミック基板の他方の面に前記第２の被圧延材を、ろう材を介してそれぞれ接合し、前記第１の銅板材と前記第２の銅板材とがそれぞれ接合された絶縁基板を形成する接合工程と、を含み、前記接合工程は、昇温速度が１０℃／秒〜１００℃／秒、到達温度が４００℃〜６００℃、保持時間が１０秒〜３００秒の条件で熱処理を施す第１加熱処理と、昇温速度が１０℃／秒〜１００℃／秒、到達温度が７５０℃〜８５０℃、保持時間が１００秒〜７２００秒の条件で熱処理を施す第２加熱処理と、で構成される、絶縁基板の製造方法。」を削除する。
（３）訂正事項３
　本件訂正前の明細書の【００３３】に記載された「接合工程［工程Ｃ］は、昇温速度が１０℃／秒〜１００℃／秒、到達温度が４００℃〜６００℃、保持時間が１０秒〜３００秒の条件で熱処理を施す第１加熱処理と、昇温速度が１０℃／秒〜１００℃／秒、到達温度が７５０℃〜８５０℃、保持時間が１００秒〜７２００秒の条件で熱処理を施す第２加熱処理と、で構成されている。」を、「接合工程［工程Ｃ］は、昇温速度が１０℃／
分
分
分
分
（４）訂正事項４
　本件訂正前の明細書の【００４７】に記載された「サンプルである各絶縁基板から剥離させた各銅板材の圧延集合組織の方位密度解析には、ＥＢＳＤ法を用いた。」を「サンプルである各絶縁基板か
ら各
（５）訂正事項５
　本件訂正前の明細書の【００４８】に記載された「サンプルである各絶縁基板から剥離させた各銅板材の平均結晶粒径は、圧延面におけるＥＢＳＤ測定にて、結晶粒を２００個以上含む測定試料面を測定した。」を「サンプルである各絶縁基板か
ら各
（６）訂正事項６
　本件訂正前の明細書の【００５５】の【表２】に「接合工程」の「第１加熱処理」及び「第２加熱処理」における各「昇温速度」の単位として記載された「℃／秒」を、「℃／
分
２　訂正の適否についての当審の判断
（１）訂正の目的、特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否、及び新規事項追加の有無
ア　訂正事項１について
（ア）訂正の目的について
　訂正事項１に係る訂正は、訂正前の請求項７を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。
（イ）特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否、新規事項追加の有無について
　訂正事項１に係る訂正は、訂正前の請求項７を削除するものであるから、本件特許についての願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。）に記載した事項の範囲内での訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものともいえない。
　したがって、訂正事項１に係る訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
イ　訂正事項２について
（ア）訂正の目的について
　訂正事項２に係る訂正は、上記訂正事項１に係る訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図るための訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
（イ）特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否、新規事項追加の有無について
　訂正事項２に係る訂正は、特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正にすぎないから、本件明細書等に記載した事項の範囲内での訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものともいえない。
　したがって、訂正事項２に係る訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
ウ　訂正事項３について
（ア）訂正の目的について
ａ　訂正事項３に係る訂正は、訂正前の【００３３】に記載された「接合工程［工程Ｃ］」における「昇温速度が１０℃／秒〜１００℃／秒」を「昇温速度が１０℃／分〜１００℃／分」に訂正するものであるところ、当審は、令和　２年１２月　４日付け訂正拒絶理由通知において、「訂正前の【００３３】に記載された「上記『昇温速度』としての『１０℃／秒〜１００℃／秒』が本件特許についての出願時の技術常識を大きく上回る昇温速度であるとはいえ、本件訂正後の『昇温速度が１０℃／分〜１００℃／分』が、本来その意であることが明細書、特許請求の範囲又は図面の記載などから明らかな内容の字句、語句であるとはいえず、また、訂正前の『昇温速度が１０℃／秒〜１００℃／秒』との記載が当然に訂正後の『昇温速度が１０℃／分〜１００℃／分』との記載と同一の意味を表示するものと客観的に認められるともいえないことから、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる『誤記又は誤訳の訂正』を目的とするものに該当するとはいえない。」と説示した。
ｂ　これに対して、特許権者は令和　３年　１月　８日提出の意見書第６〜８頁の「５．（３）指摘１について」において、以下の乙第５号証〜乙第９号証を提示し、「セラミック基板をろう付けする場合の昇温速度の単位が、『℃／秒』ではなく『℃／分』の明らかな誤記であったことは、本件特許についての出願時の技術常識であ」り、「セラミック基板をろう付けする場合の昇温速度『１０℃／秒〜１００℃／秒』が技術常識を外れた急速な加熱であったことについても、技術常識である」ことから、「『昇温温度』としての『１０℃／秒〜１００℃／秒』は『１０℃／分〜１００℃／分』の明らかな誤記であったことは本件特許についての出願時の技術常識から明白である。それ故、・・・（略）・・・本件特許についての出願時の技術常識を考慮すれば、訂正前の『昇速度（当審注：「昇温速度」を誤記したものと認められる。）が１０℃／秒〜１００℃／秒』の記載は、本来、訂正後の『昇速度（当審注：同上）が１０℃／分〜１００℃／分』を表示するものであったと客観的に認められるものであるといえる。したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる『誤記又は誤訳の訂正』を目的とするものに該当する。」と主張している。
（ａ）乙第５号証（特開２０１３−２３７１００号公報）（以下において、下線は、当審が付したものである。また、「・・・」は記載の省略を表す。）
「【請求項１】
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一面にろう材層を介し接合された銅を主体とした回路板と、前記回路板の表面に被着されたＮｉめっき層を有するセラミックス回路基板の製造方法であって、ろう材を介しセラミックス基板の一面に回路原板を配置する配置工程と、セラミックス基板の一面に回路原板を加熱し接合する接合工程と、接合工程で形成されてなる回路板を化学研磨する化学研磨工程と、化学研磨工程の後に回路板の表面にＮｉめっき層を被着するめっき工程と、を含み、前記回路原板は、調質記号１／２Ｈ〜Ｈ相当の銅または銅合金からなる銅板であり、前記接合工程は、その温度プロファイルにおいて、第１の温度域と、前記第１の温度域の後に配置された、ろう材が溶融する温度で加熱する第２の温度域とを有し、前記第１の温度域の温度が４００〜７５０℃であることを特徴するセラミックス回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１の温度域までの昇温速度が、２．０〜２０．０℃／分である
「【００１８】
上記第１の温度域までの昇温速度が、２．０〜２０．０℃／分であることが望ましい。
（ｂ）乙第６号証（特開２０１７−１３５３７４号公報）
「【請求項６】
　セラミックスからなるセラミックス部材とＣｕ又はＣｕ合金からなるＣｕ部材との接合体の製造方法であって、
　Ｃｕ−Ｐ系ろう材とＴｉ材とを介して前記セラミックス部材と前記Ｃｕ部材とを積層する積層工程と、前記Ｃｕ−Ｐ系ろう材の溶融開始温度以上の温度で加熱して液相を生じさせる加熱処理工程と、を備え、
　前記積層工程においては、前記セラミックス部材と前記Ｃｕ部材の間に介在されるＰとＴｉの原子比〔Ｔｉ／Ｐ〕が、０．１以上０．８以下の範囲内となるように、前記Ｃｕ−Ｐ系ろう材及び前記Ｔｉ材を配置し、
　
前記加熱処理工程においては、昇温速度を５℃／ｍｉｎ以上３０℃／ｍｉｎ以下の範囲内とすること
（ｃ）乙第７号証（特開平１０−１４５０３９号公報）
「【請求項３】  金属成分のうち、Ａｇ成分とＣｕ成分を主成分、活性金属成分を副成分としてそれぞれ含み、しかもＡｇ成分：Ｃｕ成分の重量比が８０〜９５：２０〜５である
ろう材を、銅板とセラミックス基板との間に介在させてから真空度１×１０-5〜１×１０-6Ｔｏｒｒの高真空中で加熱開始し、温度７００℃以上からの昇温速度を１０℃／分にして８００〜８４０℃まで高め、
「【００２５】銅板とセラミックス基板の接合温度は、温度が高すぎると、銅回路中へのＡｇの拡散が進み銅回路の残留応力として残りやすくなり、また温度が低すぎると、銅板とセラミックス基板が充分に接合しなくなるため、８００〜８４０℃とする。
更には、接合温度までの昇温速度を可能な限り速くすることが好ましく、特に７００℃からの昇温速度を１０℃／分以上とする。
（ｄ）乙第８号証（恩澤忠男、”特集　ろう付Ｑ＆Ａ”、溶接技術、産報出版株式会社、平成１７年６月１日、第５３巻、第６号、ｐ．１６−１７、ｐ．１００−１０３、ｐ．１１４−１１７、ｐ．１５４）
「　レーザブレイジングの一般的な特徴としては，
（１）溶融溶接とろう付の中間的な接合プロセス（ブレイズ溶接）
（２）母材に対するぬれ性やエロージョンを高度に制御可能
（３）局部加熱，急熱／急冷による母材の材質劣化や変形抑制可能
（４）インプロセスモニタリングやリアルタイム制御可能
（５）ろう付品質の安定化や高信頼化の達成
などが挙げられる。」（ｐ．１１５左欄第４〜１２行、なお、丸付き数字を括弧付き数字で表記した。）
（ｅ）乙第９号証（永塚公彬他３名、”Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ活性ろう材を用いたレーザブレージングによるサイアロンと超硬合金の異材接合性に及ぼすＴｉ添加量の影響”、溶接学会論文集、２０１３年、第３１巻、第１号、ｐ．１６−２２）
「一方で，レーザブレージングにおいては，部材の局所加熱を行うのみで，ろう付は加熱および冷却が数分程度の短時間で終了することから，こうした問題を低減できることが期待される．」（ｐ．１６右欄下から６〜３行）
「
」（ｐ．１８左欄）
ｃ　そこで、上記ｂの主張を踏まえて、改めて検討する。
（ａ）上記ｂ（ａ）〜（ｅ）に摘記した乙第５号証〜乙第９号証の記載内容を総合すると、セラミックス基板と銅板とをろう付けする際の昇温速度としては、数℃／分〜１００℃／分程度の範囲とすることが、本件特許についての優先権主張の日当時の技術常識であったと認められる。
（ｂ）そうすると、訂正前の【００３３】に記載された「接合工程［工程Ｃ］」における「昇温速度が１０℃／秒〜１００℃／秒」は、上記（ａ）の昇温速度の上限である「１００℃／分」からしても、６倍〜６０倍の速度であるから、上記昇温速度としては、上記技術常識を大きく上回るものであるところ、本件明細書等には、当該昇温速度を実現するための具体的な加熱機構等が一切記載されていないことも考慮すると、「昇温速度が１０℃／秒〜１００℃／秒」との記載には何らかの誤記があったと言わざるを得ない。
（ｃ）そこで、さらに、上記「昇温速度が１０℃／秒〜１００℃／秒」を本件訂正後の「昇温速度が１０℃／分〜１００℃／分」と訂正することについて検討するに、昇温速度の単位としては、「℃／秒」、「℃／分」、「℃／時」、更には「℃／１０分」のようなものも理論的には想定し得るものの、例えば、数十℃／時のような極めて緩やかな昇温速度に制御しつつ、ろう付けを行うことは現実には困難であり、また、格別な理由もなく「℃／１０分」のような通常使われない単位を使用することも考えにくいことから、上記（ａ）の技術常識も考慮すれば、本件訂正後の「昇温速度が１０℃／分〜１００℃／分」は、本来その意であることが明細書、特許請求の範囲又は図面の記載などから明らかな内容の字句、語句であるといえ、しかも、訂正前の「昇温速度が１０℃／秒〜１００℃／秒」との記載が当然に訂正後の「昇温速度が１０℃／分〜１００℃／分」との記載と同一の意味を表示するものと客観的に認められるともいえる。
（ｄ）したがって、訂正事項３に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる「誤記又は誤訳の訂正」を目的とするものに該当する。
（イ）特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否について
　訂正事項３に係る訂正は、上記（ア）ｃ（ｄ）のとおり、誤記の訂正を目的とするものであって、請求項に記載された事項の解釈に実質的な影響を与えるものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものとはいえない。
したがって、訂正事項３に係る訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
（ウ）新規事項追加の有無について
　上記（ア）ｃ（ｃ）で検討したとおり、本件訂正後の「昇温速度が１０℃／分〜１００℃／分」は、本来その意であることが明細書、特許請求の範囲又は図面の記載などから明らかな内容の字句、語句であるといえ、しかも、訂正前の「昇温速度が１０℃／秒〜１００℃／秒」との記載が当然に訂正後の「昇温速度が１０℃／分〜１００℃／分」との記載と同一の意味を表示するものと客観的に認められるともいえる。
　したがって、訂正事項３に係る訂正は、本件明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。
　よって、訂正事項３に係る訂正は、本件明細書等に記載した事項の範囲内での訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
　
エ　訂正事項４について
（ア）訂正の目的について
ａ　訂正事項４に係る訂正は、訂正前の明細書の【００４７】に記載された「サンプルである各絶縁基板から剥離させた各銅板材の圧延集合組織の方位密度解析には、ＥＢＳＤ法を用いた。」を「サンプルである各絶縁基板から各銅板材の圧延集合組織の方位密度解析には、ＥＢＳＤ法を用いた。」に訂正するものであるところ、当審は、令和　２年１２月　４日付け訂正拒絶理由通知において、「訂正前の請求項１の記載から『第１及び第２の銅板材』は、絶縁基板を構成するセラミック基板と接合された状態において、所定の方位密度の圧延集合組織を有するものと解することができたとしても、そのことから直ちに、訂正前の【００４７】に記載された上記『剥離させた』との記載が誤記であったとはいえない。したがって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる『誤記又は誤訳の訂正』を目的とするものに該当するとはいえない。」と説示した。
ｂ　これに対して、特許権者は令和　３年　１月　８日提出の意見書第９〜１１頁の「５．（４）指摘２、３について」において、以下の乙第１０号証〜乙第１６号証を提示し、「訂正前の【００４７】、【００４８】に記載された『サンプルである各絶縁基板から銅板材を剥離させ』たとの記載が明らかな誤記であったことは本件特許についての出願時の技術常識から明白である。したがって、訂正事項４及び訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる『誤記又は誤訳の訂正』を目的とするものに該当する。」と主張している。
（ａ）乙第１０号証（特開２０１５−２０３１４８号公報）
「【００５８】
＜試料の作製＞
　まず、実施例１〜２７及び比較例１〜７の各試料となる銅合金材を作製した。」
「【００６３】
　そして、ロウ材上に、作製した銅合金材を配置した後、真空雰囲気中（真空引きしたＮ２ガス雰囲気中）にて、銅合金材を配置したセラミック基板を５００℃の条件下で１時間以上加熱し、
銅合金材とセラミック基板とを貼り合わせてセラミック配線基板をそれぞれ作製した。これを実施例１の試料とした。
「【００６７】
（（１００）面の配向性の評価）
　
実施例１〜２７及び比較例１〜７の各試料が備える銅合金材について、銅合金材の表面（銅合金材のセラミック基板と対向する側とは反対側の面）の（１００）面の配向性について評価を行った。具体的には、ＳＥＭ／ＥＢＳＤ法により、銅合金材の表面に存在する各結晶面の結晶方位をそれぞれ測定し、結晶方位マップを作製した。
（ｂ）乙第１１号証（特開２０１７−７５３８２号公報）
「【００６３】
　＜試料の作製＞
　まず、各試料（試料１〜１３）となるセラミック基板と無酸素銅板とを有するセラミック配線基板（無酸素銅板付きセラミック配線基板）を作製した。」
「【００６９】
　そして、ロウ材上に、作製した無酸素銅板を配置した後、真空中にて、無酸素銅板を配置したセラミック基板（無酸素銅板とセラミック基板とロウ材との積層体）を８５０℃の条件下で５分加熱し、
ロウ材を介して無酸素銅板とセラミック基板とを貼り合わせて（接合して）セラミック配線基板を作製した。このセラミック配線基板を試料１とした。
「【００７３】
（（２１１）面の配向性の評価）
　
試料１〜１３の各試料が備える無酸素銅板について、無酸素銅板の表面（セラミック配線基板においてセラミック基板と対向する側とは反対側の無酸素銅板の面）の（２１１）面の配向性について評価を行った。具体的には、ＳＥＭ／ＥＢＳＤ法により、無酸素銅板の表面に存在する各結晶面の結晶方位をそれぞれ測定し、結晶方位マップを作製した。
（ｃ）乙第１２号証（鈴木清一、”ＥＢＳＰ法の基礎原理と活用法（ＩＩ）”、顕微鏡、２００４年、第３９巻、第３号、ｐ．１８０−１８４）
「３．　ＬＳＩにおけるＣｕ配線の解析例
・・・
ここでは，Ｃｕ配線の結晶粒に注目した解析例を紹介する．Ｃｕ配線はＳｉ基板上に形成した絶縁膜にトレンチを形成し，そこにＣｕメッキによりＣｕを充填し，余分な部分は研磨により削り落とすというダマシンプロセスにより作成される．
図８にはＣｕメッキを施した状態の表面を観察した方位マップと双晶境界を削除して作成した結晶粒マップを示す．
（ｄ）乙第１３号証（特開２０１６−１１５８２１号公報）
「【００７８】
　冷間加工後の板厚０．２ｍｍのそれぞれの銅板は、外形寸法が４０ｍｍ×１０ｍｍになるように切断した後、銅板Ａ〜銅板Ｅを大気中２００℃で１時間熱処理して表面を酸化させた後、
同じ種類の２枚の銅板でジルコニア入りアルミナセラミックス板を挟んで、接合熱処理を行った。
図６のような銅張セラミックス回路基板試料とした。
【００７９】
　このように銅板Ａ〜銅板Ｅまでの５種類の銅板を接合した銅張セラミックス回路基板は、それぞれ３０枚づつ作製し、それぞれのグループ毎に銅板組織、初期接合性、回路形成性、接合信頼性の評価を行った。
銅板の組織の評価は、作製した銅張セラミックス回路基板のそれぞれのグループの中から無作為に４枚づつ取り出して、ＥＢＳＤを使用して方位解析を行った。銅板板厚方向に板厚の約１／２である約０．１ｍｍまで粗研磨を施した後、コロイダルシリカを使用して鏡面研磨をおこなった。その後、ＦＥ−ＳＥＭを使用して８００μｍ×１６００μｍの領域をステップ幅４μｍの間隔で結晶方位測定をした。
（ｅ）乙第１４号証（国際公開第２０１５／０３３７２７号）
「［００６８］（実施例１）
　非磁性の金属板としてＳＵＳ３１６Ｌ（厚さ１００μｍ）を用い、高圧延金属層として、圧下率９６％〜９９％で圧延され、色差計（日本電色工業株式会社ＮＲ−３０００）で測定した圧延後の光沢度が４２．８である銅箔（厚さ１８μｍ）を用いた。
ＳＵＳ３１６Ｌと銅箔を表面活性化接合装置を用いて常温で表面活性化接合し、ＳＵＳ３１６Ｌと銅箔の積層材を形成させた。
・・・
［００７０］　積層材の銅箔側表面を研磨により表面粗度Ｒａを２０ｎｍ以下とした後、積層材に温度２５０℃にて５分均熱保持の後、８５０℃にて５分均熱保持の条件にて連続熱処理炉にて熱処理を施して銅箔を２軸結晶配向させた。
熱処理後の銅箔表面において後述するＥＢＳＤを用いて解析を行ったところ、結晶方位が（００１）[１００]から６°以上ずれている面積の割合は４．９％であった。
「［００７６］（１）
結晶方位が（００１）［１００］から６°以上ずれている面積の割合得られた基板をＥＢＳＤ（日本電子株式会社SEM-840及び株式会社TSLソリューションズ　DigiView）及び結晶方位解析ソフト（ＥＤＡＸ社OIM Data Collection及びOIM Analysis）を用いて解析し、１ｍｍ２あたりの結晶方位が（００１）［１００］から６°以上ずれている面積の割合を求めた。
（ｆ）乙第１５号証（国際公開第２０１６／０６８０４６号）
「［００７３］　以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
１．超電導線材用基板
（実施例１）
　非磁性の金属板としてＳＵＳ３１６Ｌ（厚さ１００μｍ）を用い、金属層として、圧下率９８．６％で圧延され、色差計（日本電色工業株式会社ＮＲ−３０００）で測定した圧延後の光沢度が４２．８である銅箔（厚さ１８μｍ）を用いた。
ＳＵＳ３１６Ｌと銅箔を表面活性化接合装置を用いて常温で表面活性化接合し、ＳＵＳ３１６Ｌと銅箔の積層体を形成させた。
・・・
［００７５］　
積層体の銅箔側表面をＳｉＣによるバフ研磨及びＡｌ２Ｏ３によるバフ研磨により表面粗度Ｒａを２５ｎｍ以下とした後、積層体を、表面粗度Ｒａ＜０．０１μｍの鏡面ロールを用いて、加圧力６００ＭＰａにて３回圧延して、積層体の銅箔側表面の表面粗度Ｒａを１５ｎｍ以下とした。その後、積層体に、温度３００℃にて５分均熱保持の後、８７５℃にて５分均熱保持の条件にて連続熱処理炉にて熱処理を施して銅箔を２軸結晶配向させた。熱処理後の銅箔表面において後述するＥＢＳＤを用いて解析を行ったところ、結晶方位が（００１）［１００］から６°以上ずれている面積の割合は５．２％であった。
「（１）結晶方位が（００１）［１００］から６°以上ずれている面積の割合
　
得られた基板をＥＢＳＤ（日本電子株式会社ＳＥＭ−８４０及び株式会社ＴＳＬソリューションズ　ＤｉｇｉＶｉｅｗ）及び結晶方位解析ソフト（ＥＤＡＸ社ＯＩＭ　Ｄａｔａ　Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ及びＯＩＭ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）を用いて解析し、１ｍｍ２あたりの結晶方位が（００１）［１００］から６°以上ずれている面積の割合を求めた。
（ｇ）乙第１６号証（特開２０１６−６４５４２号公報）
「【００１６】
　
本発明の金属積層フィルムは、プラスチックフィルムの少なくとも片側に銅層を形成してなる金属積層フィルム
「【００２７】
　(測定方法)
　（１）結晶粒径
　ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）法により測定した詳細を下記する。
（ｉ）使用装置：日本電子社製  熱電界放射型走査電子顕微鏡（ＴＦＥ-ＳＥＭ）ＪＳＭ−６５００Ｆ
ＴＳＬ社製ＯＩＭ方位解析装置
ＤｉｇｉＶｉｅｗＩＶスロースキャンＣＣＤカメラ
ＯＩＭ  Ｄａｔｅ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ  ｖｅｒ．５．３ｘ
ＯＩＭ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  ｖｅｒ．５．３ｘ
（ｉｉ）分析条件：加速電圧１５．０ｋＶ
照射電流１．０ｍＡ
照射傾斜７０ｄｅｇ
測定倍率・領域・間隔断面  ３００００×１×９μｍ・２５ｎｍ／ｓｔｅｐ
表面  １００００×８×２４μｍ・５０ｎｍ／ｓｔｅｐ
試料調整：試料を５ｍｍ×１０ｍｍ程度切り出し、試料台に固定して測定した。銅層表面の結晶粒径Ａの測定においては、銅層の表面を測定した。銅層断面の結晶粒径Ｂの測定においては、銅層を厚み方向に切断し、切断した断面を測定した。
結晶粒径分布チャート：結晶粒マップで識別された個々の結晶粒について、その円相当径（同一面積の円の直径）を算出した。結晶粒径の平均値は数式１に示すＮｕｍｂｅｒ法で算出した。」
ｃ　そこで、上記ｂの主張を踏まえて、改めて検討する。
（ａ）上記ｂ（ａ）〜（ｇ）に摘記した乙第１０号証〜乙第１６号証の記載内容を総合すると、セラミック基板上に接合された銅板材のように異種材料からなる板材同士が接合されたサンプルの結晶方位状態や結晶粒径をＥＢＳＤ法によって測定する際には、引張強度などの機械的特性の測定とは異なり、測定対象となる板材を他方の板材から剥離することなく、接合されたままの状態で測定することが、本件特許についての優先権主張の日当時の技術常識であったと認められる。
（ｂ）そうすると、訂正前の明細書の【００４７】に記載されたとおりに「サンプルである各絶縁基板から剥離させた各銅板材」について、「ＥＢＳＤ法を用い」て「圧延集合組織の方位密度解析」することは、上記（ａ）の技術常識に沿ったものではなく、絶縁基板から銅板材を剥離する操作によって、銅板材自体の結晶組織が影響を受けてしまう可能性があることも考慮すれば、圧延集合組織の方位密度を解析」するために通常採用される操作とはいえない。
（ｃ）むしろ、上記（ａ）の技術常識を考慮すれば、本件訂正後の「サンプルである各絶縁基板から各銅板材の圧延集合組織の方位密度解析には、ＥＢＳＤ法を用いた。」のように「各銅板材」が「各絶縁基板」から「剥離させた」ものであるとの特定を削除したからといって、本来その意であることが明細書、特許請求の範囲又は図面の記載などから明らかな内容の字句、語句であるといえ、訂正前後の記載が同一の意味を表示するものであることが客観的に認められるともいえる。
（ｄ）したがって、訂正事項４に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる「誤記又は誤訳の訂正」を目的とするものに該当する。
（イ）特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否について
　訂正事項４に係る訂正は、上記（ア）ｃ（ｄ）のとおり、誤記の訂正を目的とするものであって、請求項に記載された事項の解釈に実質的な影響を与えるものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものとはいえない。
　したがって、訂正事項４に係る訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
（ウ）新規事項追加の有無について
　上記（ア）ｃ（ｃ）で検討したとおり、本件訂正後の「サンプルである各絶縁基板から各銅板材の圧延集合組織の方位密度解析には、ＥＢＳＤ法を用いた。」は、本来その意であることが明細書、特許請求の範囲又は図面の記載などから明らかな内容の字句、語句であるといえ、訂正前後の記載が同一の意味を表示するものであることが客観的に認められるともいえる。
　したがって、訂正事項４に係る訂正は、本件明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。
　よって、訂正事項４に係る訂正は、本件明細書等に記載した事項の範囲内での訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
オ　訂正事項５について
（ア）訂正の目的について
ａ　訂正事項５に係る訂正は、訂正前の明細書の【００４８】に記載された「サンプルである各絶縁基板から剥離させた各銅板材の平均結晶粒径は、圧延面におけるＥＢＳＤ測定にて、結晶粒を２００個以上含む測定試料面を測定した。」を「サンプルである各絶縁基板から各銅板材の平均結晶粒径は、圧延面におけるＥＢＳＤ測定にて、結晶粒を２００個以上含む測定試料面を測定した。」に訂正するものであるが、上記エ（ア）ｃ（ａ）で検討したとおり、セラミック基板上に接合された銅板材のように異種材料からなる板材同士が接合されたサンプルの結晶方位状態や結晶粒径をＥＢＳＤ法によって測定する際には、引張強度などの機械的特性の測定とは異なり、測定対象となる板材を他方の板材から剥離することなく、接合されたままの状態で測定することが、本件特許についての優先権主張の日当時の技術常識であったと認められることから、本件訂正後の「サンプルである各絶縁基板から各銅板材の平均結晶粒径は、圧延面におけるＥＢＳＤ測定にて、結晶粒を２００個以上含む測定試料面を測定した。」のように「各銅板材」が「各絶縁基板」から「剥離させた」ものであるとの特定を削除したからといって、本来その意であることが明細書、特許請求の範囲又は図面の記載などから明らかな内容の字句、語句であるといえ、訂正前後の記載が同一の意味を表示するものであることが客観的に認められるともいえる。
ｂ　したがって、訂正事項５に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる「誤記又は誤訳の訂正」を目的とするものに該当する。
（イ）特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否について
　訂正事項５に係る訂正は、上記（ア）ｂのとおり、誤記の訂正を目的とするものであって、請求項に記載された事項の解釈に実質的に影響を与えるものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものとはいえない。
　したがって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
（ウ）新規事項追加の有無について
　上記（ア）ａで検討したとおり、本件訂正後の「サンプルである各絶縁基板から各銅板材の平均結晶粒径は、圧延面におけるＥＢＳＤ測定にて、結晶粒を２００個以上含む測定試料面を測定した。」は、本来その意であることが明細書、特許請求の範囲又は図面の記載などから明らかな内容の字句、語句であるといえ、訂正前後の記載が同一の意味を表示するものであることが客観的に認められるともいえる。
　したがって、訂正事項５に係る訂正は、本件明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。
　よって、訂正事項５に係る訂正は、本件明細書等に記載した事項の範囲内での訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
カ　訂正事項６について
（ア）訂正の目的について
ａ　訂正事項６に係る訂正は、訂正前の明細書の【００５５】の【表２】に「接合工程」の「第１加熱処理」及び「第２加熱処理」における各「昇温速度」の単位として記載された「℃／秒」を、「℃／分」に訂正するものであるが、上記ウ（ア）ｃ（ａ）で検討したとおり、セラミックス基板と銅板とをろう付けする際の昇温速度としては、数℃／分〜１００℃／分程度の範囲とすることが、本件特許についての優先権主張の日当時の技術常識であったと認められる。
ｂ　そうすると、上記ウ（ア）ｃ（ｂ）で検討したのと同様に、訂正前の【００５５】の【表２】に「接合工程」の「第１加熱処理」及び「第２加熱処理」における各「昇温速度」の単位として記載された「℃／秒」には、何らかの誤記があったと言わざるを得ない。
ｃ　そして、昇温速度の単位としては、「℃／秒」、「℃／分」、「℃／時」、更には「℃／１０分」のようなものも理論的には想定し得るものの、例えば、数十℃／時のような極めて緩やかな昇温速度に制御しつつ、ろう付けを行うことは現実には困難であり、また、格別な理由もなく「℃／１０分」のような通常使われない単位を使用することも考えにくいことから、上記ａの技術常識も考慮すれば、本件訂正後の「昇温速度」の単位としての「℃／分」は、本来その意であることが明細書、特許請求の範囲又は図面の記載などから明らかな内容の字句、語句であるといえ、訂正前後の記載が同一の意味を表示するものであることが客観的に認められるともいえる。
ｄ　したがって、訂正事項６に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に掲げる「誤記又は誤訳の訂正」を目的とするものに該当する。
（イ）特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否について
　訂正事項６に係る訂正は、上記（ア）ｄのとおり、誤記の訂正を目的とするものであって、請求項に記載された事項の解釈に影響を与えるものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものとはいえない。
　したがって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
（ウ）新規事項追加の有無について
　上記（ア）ｃで検討したとおり、本件訂正後の「昇温速度」の単位としての「℃／分」は、本来その意であることが明細書、特許請求の範囲又は図面の記載などから明らかな内容の字句、語句であるといえ、訂正前後の記載が同一の意味を表示するものであることが客観的に認められるともいえる。
　したがって、訂正事項６に係る訂正は、本件明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。
　よって、訂正事項６に係る訂正は、本件明細書等に記載した事項の範囲内での訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（２）一群の請求項及び明細書の訂正に関係する請求項について
ア　一群の請求項について
　本件訂正前の請求項１〜７について、訂正前の請求項２〜７はそれぞれ訂正前の請求項１を直接又は間接的に引用するものであって、請求項１の訂正に連動して訂正されるものであるので、本件訂正前の請求項１〜７は、一群の請求項である。
　そして、本件訂正請求は、上記一群の請求項ごとに訂正の請求をするものであるから、特許法第１２０条の５第４項の規定に適合するものである。
　また、本件訂正請求は、請求項間の引用関係の解消を目的とするものではなく、特定の請求項に係る訂正事項について別の訂正単位とする求めもないから、訂正後の請求項〔１〜７〕を訂正単位とする訂正を請求するものである。
イ　明細書の訂正と関係する請求項について
　訂正事項２〜６は、訂正前の請求項１、７に対応する明細書の記載を訂正するものであり、訂正前の請求項２〜６は、訂正前の請求項１を直接又は間接的に引用しているから、訂正事項２〜６と関係する請求項は、訂正前の請求項１〜７である。
　そうすると、本件訂正請求は、訂正事項２〜６と関係する請求項の全てを請求の対象としているものであるから、特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するものである。
（３）独立特許要件について
　本件は、訂正前の全請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項１〜６について、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
３　本件訂正請求についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第２号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項及び第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項の規定に適合するものである。
　したがって、本件特許の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付した訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜７〕について訂正することを認める。
第３　本件発明
　上記第２の３のとおり、本件訂正請求による訂正は認められるから、本件訂正請求によって訂正された請求項１〜７に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明７」といい、総称して「本件発明」ということがある。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　セラミック基板と、該セラミック基板の一方の面に形成された第１の銅板材と、該セラミック基板の他方の面に形成された第２の銅板材とが、接合された絶縁基板であって、
　前記第１及び第２の銅板材が、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍ、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有し、かつ、前記第１及び第２の銅板材の表面のＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満であり、φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満である圧延集合組織を有し、かつ、
　前記第１及び第２の銅板材の平均結晶粒径が５０μｍ以上４００μｍ以下であることを特徴とする絶縁基板。
【請求項２】
　前記第１及び第２の銅板材の平均結晶粒径が１００μｍより大きく４００μｍ以下である、請求項１に記載の絶縁基板。
【請求項３】
　前記セラミック基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナ、およびアルミナとジルコニアの化合物の少なくとも１種を主成分とするセラミック材料を用いて形成されている、請求項１または２に記載の絶縁基板。
【請求項４】
　前記第１及び第２の銅板材の引張強度が、２１０ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の絶縁基板。
【請求項５】
　前記第１及び第２の銅板材の伸びが、２５％以上５０％未満である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の絶縁基板。
【請求項６】
　前記第１及び第２の銅板材の導電率が９５％ＩＡＣＳ以上である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の絶縁基板。
【請求項７】
　（削除）」
第４　申立理由の概要
　申立人は、証拠方法として、後記する参考資料１〜３を提出し、以下の理由により、本件特許の請求項１〜７に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
１　申立理由１（実施可能要件）
　本件特許の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明の記載は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が本件特許の請求項１〜７に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえないから、同発明に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
２　申立理由２（明確性要件）
　本件特許の願書に添付した特許請求の範囲の記載は、特許を受けようとする発明が明確であるとはいえないから、本件特許の請求項１〜７に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
＜証拠方法＞
参考資料１：特許第６１２３４１０号公報
参考資料２：特開平６−４８８５２号公報
参考資料３：特開２００３−５５０５８号公報
第５　令和　２年　６月２９日付け取消理由通知において通知した取消理由の概要
　当審が、上記第４の各申立理由のうち、申立理由１の一部を採用し、また、職権により追加して、令和　２年　６月２９日付け取消理由通知において通知した取消理由は、以下のとおりである。
１　取消理由１（実施可能要件；申立理由１の一部を採用。職権により発見した理由を追加。）
（１）取消理由１−１
　本件明細書等の発明の詳細な説明の記載は、本件特許の請求項１〜７に係る発明の「第１及び第２の銅板材」の「方位密度」について明確に説明されたものとはいえず、当業者が本件特許の請求項１〜７に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえないから、同発明に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
（２）取消理由１−２
　本件明細書等の発明の詳細な説明の記載は、本件特許の請求項７に係る発明の「第１加熱処理」及び「第２加熱処理」の昇温速度について、当業者が本件発明の「絶縁基板」を生産できるように記載されたものとはいえず、同様に、本件特許の請求項１〜６に係る発明の「絶縁基板」について、当業者がその物を作れるように記載されたものともいえない。
　したがって、本件明細書等の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件特許の請求項１〜７に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえないから、同発明に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
第６　当審の判断
１　取消理由１について
（１）取消理由１−１について
ア　上記第３のとおり、本件特許の特許請求の範囲の請求項１には、絶縁基板を構成する第１及び第２の銅板材について、「表面のＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満であり、φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満である圧延集合組織を有」することが特定されている。
イ　そして、本件明細書等には、第１及び第２の銅板材の表面の圧延集合組織における方位密度の測定方法について、以下の記載がある。
（ア）「【００２０】
［圧延集合組織］
　本発明の絶縁基板に用いられる銅板材は、該銅板材の表面のＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数（ＯＤＦ:crystal orientation distribution function）をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満であり、かつ、φ１＝２０°〜 ４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１ ５．０未満である圧延集合組織を有する。オイラー角（φ１、Φ、φ２）は、圧延方向をＲＤ方向、ＲＤ方向に対して直交する方向（板幅方向）をＴＤ方向、圧延面（ＲＤ面）に対して垂直な方向をＮＤ方向としたとき、ＲＤ方向を軸とした方位回転がΦ、ＮＤ方向を軸とした方位回転がφ１、ＴＤ方向を軸とした方位回転がφ２として表される。
方位密度は、集合組織における結晶方位の存在比率及び分散状態を定量的に解析する際に用いられるパラメータであり、ＥＢＳＤ及びＸ線回折を行い、（１００）、（１１０）、（１１２）等の３種類以上の正極点図の測定データに基づいて、級数展開法による結晶方位分布解析法により算出される。ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られるφ２を所定の角度で固定した結晶方位分布図において、ＲＤ面内での方位密度の分布が示される。
【００２１】
　
ＥＢＳＤ法とは、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ＢａｃｋＳｃａｔｔｅｒ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎの略であり、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）内で試料に電子線を照射したときに生じる反射電子を利用した結晶方位解析技術である。ＥＢＳＤによる解析の際、測定面積およびスキャンステップは、試料の結晶粒の大きさに応じて決定すればよい。測定後の結晶粒の解析には、例えば、ＴＳＬ社製の解析ソフトＯＩＭ　Ａｎａｌｙｓｉｓ（商品名）を用いることができる。ＥＢＳＤによる結晶粒の解析において得られる情報は、電子線が試料に侵入する数１０ｎｍの深さまでの情報を含んでいる。厚さ方向の測定箇所は、試料表面から板厚の１／８倍〜１／２倍の位置付近とすることが好ましい。
【００２２】
　図１は、本発明の絶縁基板に用いられる銅板材の表面の圧延集合組織をＥＢＳＤにより測定し、ＯＤＦで解析した結果の一例を示す結晶方位分布図である。図１（Ａ）はφ２＝２０°の結晶方位分布図であり、図１（Ｂ）は、φ２＝３５°の結晶方位分布図である。結晶方位分布図では、結晶方位分布がランダムな状態を方位密度が１であるとし、それに対して何倍の集積となっているかが等高線で表されている。図１において、白い部分は方位密度が高く、黒い部分は方位密度が低いことを示し、それ以外の部分は白に近いほど方位密度が高いことを示す。本発明では、図１（Ａ）において、点線で囲われた領域（φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°）の方位密度の平均値が１５未満であり、図１（Ｂ）において、点線で囲われた領域（φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°）の方位密度の平均値が１５未満である圧延集合組織を有している。図１（Ａ）では、前者の方位密度の平均値が８であり、図１（Ｂ）では、後者の方位密度の平均値が４である結晶方位分布図を示している。
【００２３】
　
本発明では、絶縁基板に用いられる銅板材は、ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数において、φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満であり、かつ、φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５ ５°〜７５°、φ２＝２０°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満である圧延集合組織を有する。このように、方位密度を適切に制御することにより、上記銅板材は、高温（例えば、７００℃以上）での熱処理において結晶粒の成長が抑制され、耐熱特性に優れる効果を発揮する。
（イ）「【００３０】
［絶縁基板の製造方法］
　本発明の絶縁基板の製造方法では、焼鈍工程［工程Ａ］、冷間圧延工程［工程Ｂ］、接合工程［工程Ｃ］を含む。これらの工程における処理が、この順序にて行われることで、第１の銅板材とセラミック基板と第２の銅板材とが接合された本発明の絶縁基板を得ることができる。
【００３１】
　まず、焼鈍工程［工程Ａ］では、上記の成分組成を有する銅素材から製造した被圧延材、すなわち、第１の銅板材の材料である第１の被圧延材及び第２の銅板材の材料である第２の被圧延材に対し、昇温速度が１０℃／秒〜５０℃／秒、到達温度が２５０℃〜６００℃、保持時間が１０秒〜３６００秒、冷却速度が１０℃／秒〜５０℃／秒の条件で焼鈍処理を施す。
・・・
【００３２】
　冷間圧延工程［工程Ｂ］では、焼鈍工程（［工程Ａ］）後に、第１の銅板材の材料である第１の被圧延材と、第２の銅板材の材料である第２の被圧延材との総加工率が１０〜６５％の冷間圧延を行う。
・・・
【００３３】
　接合工程［工程Ｃ］では、冷間圧延工程（［工程Ｂ］）後に、セラミック基板の一方の面に第１ の銅板材の材料である第１の被圧延材を、セラミック基板の他方の面に第２の銅板材の材料である第２の被圧延材を、例えばＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系等のろう材を介してそれぞれ接合し、第１の銅板材と第２の銅板材とがそれぞれ接合された絶縁基板を形成する。
接合工程［工程Ｃ］は、昇温速度が１０℃／分〜１００℃／分、到達温度が４００℃〜６００℃、保持時間が１０秒〜３００秒の条件で熱処理を施す第１加熱処理と、昇温速度が１０℃／分〜１００℃／分、到達温度が７５０℃〜８５０℃、保持時間が１００秒〜７２００秒の条件で熱処理を施す第２加熱処理と、で構成されている。
（ウ）「【００４６】
＜測定方法及び評価方法＞
［銅板材の定量分析］
　作製した各銅板材の定量分析には、ＧＤＭＳ法を用いた。各実施例および各比較例ではＶ.Ｇ.Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製ＶＧ-９０００を用いて解析を行った。各銅板材に含まれるＡｌ、Ｂ ｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒの含有量（ｐｐｍ）並びにＣｕの含有量（ｍａｓｓ％）を表１に示す。なお、各銅板材には、不可避的不純物が含まれている場合がある。表１ における空欄部は、該当する金属成分が０ｐｐｍであったことを意味する。また、ＧＤＭＳ法による測定値が０．１ｐｐｍ未満であった場合、金属成分の含有量は０ｐｐｍとした。
【００４７】
＜銅板材の方位密度＞
　
サンプルである各絶縁基板から各銅板材の圧延集合組織の方位密度解析には、ＥＢ ＳＤ法を用いた。
（エ）「【表２】
」
（オ）「【表３】
」
ウ　上記イ（ア）のとおり、本件明細書等には、絶縁基板を構成する第１及び第２の銅板材の方位密度は、「集合組織における結晶方位の存在比率及び分散状態を定量的に解析する際に用いられるパラメータであり、ＥＢＳＤ及びＸ線回折を行い、（１００）、（１１０）、（１１２）等の３種類以上の正極点図の測定データに基づいて、級数展開法による結晶方位分布解析法により算出される」ものと記載されているところ、その具体的な測定対象については、上記イ（ウ）のとおり、段落【００４７】に「サンプルである各絶縁基板から各銅板材」に対して、ＥＢＳＤ法を用いて圧延集合組織の方位密度解析を実施することが記載されている。
エ　この点について、特許権者は、令和　２年　８月２７日提出の意見書の「５　意見の内容（４）指摘１について」において、「訂正後の明細書の段落【００４７】の記載からは、銅板材の方位密度は絶縁基板と銅板材とが接合されている状態でＥＢＳＤ法により測定したことが読み取れる。・・・訂正後の明細書の段落【００４７】に記載されている測定方法により得られた方位密度と、本件特許の請求項１に記載されている方位密度は、それぞれ絶縁基板を構成するセラミック基板と接合された状態における方位密度であるため、これらは同一視できるものであるといえる。・・・ＥＢＳＤ測定は試料表面の数１０ｎｍ程度の情報を解析するため、例えば、本件特許のようにセラミック基板の一方の面に第１の被圧延材、他方の面に第２の銅板材を接合した場合であっても、表面は被測定部（銅板材）が露出しているため、銅板材とセラミック基板とが接合された状態でＥＢＳＤ測定を行ったとしても、測定結果に影響を及ぼさない。」と主張しているところ、この主張は、上記ウのとおりの、本件明細書等の記載とも整合しており、首肯できるものである。
オ　そうすると、本件明細書等の発明の詳細な説明の記載は、本件発明１、及び請求項１を直接又は間接的に引用する本件発明２〜６の「第１及び第２の銅板材」の「方位密度」について明確に説明されたものといえる。
カ　したがって、本件明細書等の発明の詳細な説明の記載は、この点で、当業者が本件発明１〜６を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるといえるから、同発明に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものとはいえない。
（２）取消理由１−２について
ア　上記第３のとおり、本件訂正によって訂正前の請求項７は削除されたから、取消理由１−２のうち、本件訂正前の請求項７に係る部分は解消したといえる。
イ　次に、本件発明１〜６に関して、さらに検討する。
（ア）上記（１）イ（イ）のとおり、本件明細書等の段落【００３３】には、接合工程の「第１加熱処理」及び「第２加熱処理」の昇温速度として、それぞれ「１０℃／分〜１００℃／分」、「１０℃／分〜１００℃／分」とすることが記載されているとともに、上記（１）イ（エ）のとおり、【表２】には、実施例１〜１１の「第１加熱処理」の昇温速度が１５℃／分〜１００℃／分であること、同じく実施例１〜１１の「第２加熱処理」の昇温速度が１５℃／分〜５０℃／分であることが記載されている。
（イ）ここで、セラミック基板と銅板材とをろう材を用いて接合するときの昇温温度については、参考資料１〜３に以下の記載がある。
ａ　参考資料１（特許第６１２３４１０号公報）の記載
（ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　セラミックス基板の一面にろう材ペーストを塗布する塗布工程と、
　前記塗布工程で塗布されたろう材ペースト、当該ろう材ペーストに接触するように配置された金属基板およびセラミックス基板を加熱し、その後冷却し、形成されたろう材層を介してセラミックス基板に金属基板を接合する接合工程と、を有し、
　前記ろう材ペーストは、金属ろう材粉末、有機バインダーおよび有機溶剤を含み、前記有機バインダーは、大気中で加熱速度を１０℃／分とした熱重量分析を行った場合に、初期重量を１００％としたとき重量が１０％となる温度が前記金属ろう材粉末の融点に対し４００〜５００℃低く、９０％から１０％までの重量減少率が０．６〜４．５％／℃であるセラミックス回路基板の製造方法。
【請求項２ 】
・・・
【請求項３ 】
・・・
【請求項４ 】
　前記接合工程における温度プロファイルは、前記有機バインダーの熱分解温度で温度を一定期間保持する第１の温度保持域と、当該第１の温度保持域の後に前記金属ろう材粉末が溶融する温度で一定期間保持する第２の温度保持域を有し、
前記第１の温度保持域に至るまでの加熱速度が３０℃／分以下
（ｂ）「【００２９】
　本実施形態に係る回路基板の正断面図を図４（ｄ）に示す。回路基板１は、セラミックス基板１１と、セラミックス基板１１の上面（一面）に形成された二のろう材層１５・１５と、平面方向において二のろう材層１５・１５の間に介在するよう形成された間隙Ｄと、間隙Ｄを挟むようにセラミックス基板１１の一面側に二のろう材層１５・１５を介し各々接合された２枚の金属板１３・１３とを有している。
・・・」
（ｃ）「【００３２】
　また、上記回路基板１を構成する金属基板である回路板１３および放熱板１４についても、その材質は特に限定されず、金属ろう材粉末で接合でき且つ融点が金属ろう材粉末よりも高ければ特に制約はない。例えば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、ニッケル、ニッケル合金、ニッケルメッキを施したモリブデン、ニッケルメッキを施したタングステン、ニッケルメッキを施した鉄合金等を用いることが可能である。
この中でも銅または銅を含む合金を金属基板として用いることが、電気的抵抗及び延伸性、高熱伝導性（ 低熱抵抗性） 、マイグレーションが少ない等の点から最も好ましい。
厚みが０．５ｍｍである無酸素銅基板Ｃ１０２０Ｈ材（ＪＩＳ規格Ｈ３１００）を使用した。
（ｄ）「【００４４】
　ここで、
本実施形態の接合工程における温度プロファイルＰは、図１に示すように、上記第１ の温度保持域Ｐ１に至る昇温域Ｐ０が設けられており、その加熱速度は３０℃／分以下に設定されている。このように第１の温度保持域Ｐ１に至るまでの加熱速度を３０℃／分以下に設定することにより、ろう材ペースト、当該ろう材ペーストに接触するように配置された金属基板およびセラミックス基板からなる被接合体１ａ（図４（ｃ）参照）を充分に予熱し、第１の温度保持域Ｐ１に至る間に被接合体１ａの温度を均一化することができる。
予熱効果を得るためには加熱温度を１０℃／分以下と抑制することが好ましい。
（ｅ）「【表２】
」
ｂ　参考資料２（特開平６−４８８５２号公報）の記載
（ａ）「【００３８】次に、図１に示すように、窒化アルミニウム基板１と2枚の銅板２、３とを、それぞれの間に上記活性金属ろう材４を介在させて積層した。この後、上記積層物に対して、1×10-4Torr以下の真空中にて、600℃×30分＋850℃×10分（
昇温速度：10℃／分
ｃ　参考資料３（特開２００３−５５０５８号公報）の記載
（ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】　窒化アルミニウム又は窒化珪素を主体とするセラミック体と銅板とを、金属成分として、銀５０〜８９％、銅１〜３０％、ビスマス０．０５〜０．７％、チタン、ジルコニウム及びハフニウムから選ばれた少なくとも１種の活性金属１０〜３０％を含んでなるろう材を介して積層し、それを１．０ＭＰａ以上の圧力で加圧しながら、酸素濃度１００〜１０００ｐｐｍの窒素雰囲気下、
昇温速度及び降温速度を５．５℃／分以上にして接合する
（ｂ）「【表１】
」
（ウ）上記（イ）ａ〜ｃの各記載からすると、セラミック基板と銅板材とをろう材を用いて接合するときは、加熱処理の昇温速度を５〜３０℃／分程度に設定することが本件出願時の技術常識といえる。
（エ）そうすると、本件明細書等に記載された「第１加熱処理」、及び「第２加熱処理」の昇温速度である「１０℃／分〜１００℃／分」、「１５℃／分〜１００℃／分」、及び「１５℃／分〜５０℃／分」は、本件出願時の技術常識といえる昇温速度の範囲内のものである。
（オ）したがって、本件明細書等の発明の詳細な説明の記載は、この点で、本件発明１〜６の「絶縁基板」について、当業者がその物を作れるように記載されたものといえる。
（カ）よって、本件明細書等の発明の詳細な説明の記載は、この点で、当業者が本件発明１〜６を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるといえるから、同発明に係る特許が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものとはいえない。
２　取消理由としなかった異議申立理由について
（１）申立理由２（明確性要件）
ア　「剥離」について
（ア）申立人は、本件訂正前の明細書の段落【００４７】に「＜銅板材の方位密度＞　サンプルである各絶縁基板から剥離させた各銅板材の圧延集合組織の方位密度解析には、ＥＢＳＤ法を用いた。」と記載されているところ、銅の性状に影響を与えずセラミック基板から「剥離」させて上記方位密度を測定したのかが不明であるから、接合後の性状で限定された本件特許の請求項１に記載の銅板材の性状を正確に知ることができず、特許請求の範囲の記載が明確でない旨主張している（特許異議申立書第４頁下から６行〜第５頁下から７行）。
（イ）しかしながら、上記第３のとおり、本件発明１は、「セラミック基板と、該セラミック基板の一方の面に形成された第１の銅板材と、該セラミック基板の他方の面に形成された第２の銅板材とが、接合された絶縁基板」において、「前記第１及び第２の銅板材が、・・・前記第１及び第２の銅板材の表面のＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満であり、φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満である圧延集合組織を有」すると特定していることから、本件明細書等の段落【００４７】の記載を参照するまでもなく、銅板材が絶縁基板に接合された状態で所定の方位密度である圧延集合組織を有するものであることは、明らかである。
（ウ）したがって、本件発明１及び請求項１を直接又は間接的に引用する本件発明２〜６は、この点で明確である。
イ　接合工程（［工程Ｃ］）における加熱処理について
（ア）申立人は、本件訂正前の請求項７の記載では、接合工程中の第１加熱処理と第２加熱処理について前後関係が明示されておらず、接合工程（［工程Ｃ］）における加熱工程をどのように行うのか不明確であるから、訂正前の請求項７の記載は特許法第３６条第６項第２号の要件に適合しない旨主張している（特許異議申立書第５頁下から６行〜第６頁第８行）。
（イ）しかしながら、本件訂正によって訂正前の請求項７は削除されたから、上記（ア）の主張は既に採用し得ないものとなったし、そもそも、接合工程中の第１加熱処理と第２加熱処理について前後関係が明示されていなければ、順不同の処理であると解すればよいことは、明らかであるから、この点で、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号の要件に適合しないということはない。
ウ　比較例１１の昇温速度、及び実施例１の加熱処理の昇温速度について
（ア）申立人は、本件訂正前の明細書の【表２】における「比較例１１」の「第１加熱処理」の「昇温速度」である「２０００℃／秒」、同じく「比較例１１」の「第２加熱処理」の「昇温速度」である「２４００℃／秒」、「実施例１」の「第１加熱処理」の「昇温速度」である「５０℃／秒」、及び同じく「実施例１」の「第２加熱処理」の「昇温速度」である「５０℃／秒」が技術常識からかけ離れているものであるから、技術的に可能であるのかどうか不明であり、訂正前の請求項７の記載は特許法第３６条第６項第２号の要件に適合しない旨主張している（特許異議申立書第６頁第９行〜第７頁下から９行）。
（イ）しかしながら、本件訂正によって訂正前の請求項７は削除され、また、明細書の【表２】における「第１加熱処理」の「昇温速度」、及び「第２加熱処理」の「昇温速度」の単位は、「℃／分」となったし、そもそも、訂正前の請求項７に係る発明の「接合工程」における「第１加熱処理」及び「第２加熱処理」の「昇温速度」が「１０℃／秒〜１００℃／秒」と特定されていたからといって、発明を不明確とするものではないから、上記（ア）の主張は、いずれも採用し得ない。
（ウ）したがって、この点で、本件特許の特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号の要件に適合しないということはない。
エ　小括
　よって、本件発明１及び請求項１を直接又は間接的に引用する本件発明２〜６は、明確であるから、同発明に係る特許が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものとはいえない。
第７　むすび
　以上のとおりであるから、当審の取消理由及び異議申立理由によっては、本件請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　そして、本件訂正によって特許異議の申立てがされた請求項７は削除され、特許異議の申立ての対象となる請求項７は存在しないものとなったから、請求項７に係る特許異議の申立ては、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定によって却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年６月２３日（２０２１．６．２３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
絶縁基板及びその製造方法
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、絶縁基板、特にパワーデバイス用の絶縁基板及びその製造方法に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　一般に、パワーデバイスは高電圧・大電流を使用するため、半導体素子が発する熱による材料特性の劣化が課題となっている。そこで、近年、絶縁性及び放熱性に優れたセラミック基板を銅板に接合した絶縁基板を用いることによって、絶縁・放熱対策が行われてきている。
　【０００３】
　セラミック基板と銅板との接合には、主に、銀系ろう材等を介して接合する接合方法、ろう材を介さずに銅の共晶反応を利用して接合する接合方法等が用いられている。セラミック基板には窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素等が用いられているが、これらの熱膨張係数は銅板を構成する銅板材の熱膨張係数と異なる。そのため、半導体素子の発熱の際に、熱膨張係数の差によって絶縁基板全体に大きなひずみが生じる傾向がある。また、セラミック基板と銅板材とでは、銅板材の方が高い熱膨張係数を有するため、熱処理を行うと、セラミック基板には引張応力が加わり、銅板には圧縮応力が加わる。これにより、絶縁基板全体に高いひずみが加わり、絶縁基板が熱膨張により変形して寸法変化が生じるだけでなく、セラミック基板と銅板との剥離等が生じやすくなる。そのため、加熱してもできる限り変形しにくい絶縁基板が求められている。
　【０００４】
　また、銅板に用いられる高純度の銅は、接合時の７００℃以上の高温では結晶粒が著しく成長し、組織の均質化が困難になり、加えて、伸びや引張強度も低下する。そのため、ボンディング性が低下し、また、ひずみが生じた際に粒界破壊の起点になるといった問題がある。そこで、絶縁基板を構成する高純度の銅を用いた銅板の引張強度、伸びを向上させるとともに結晶粒を適切に微細化することで、熱膨張による変形に伴う負荷に対する抵抗力を増大し、粒界破壊の防止、さらにはボンディング性の向上が期待されている。
　【０００５】
　例えば、特許文献１には、放熱基板に用いられる純銅板として、純度９９．９０ｍａｓｓ％以上の純銅からなり、Ｘ線回析強度の比率を特定した純銅板が開示されている。純銅板を構成する無酸素銅において、１００μｍ以下の結晶粒径、Ｘ線回折強度の比率を規定することで、純銅板のエッチング性を向上させている。
　【０００６】
　また、特許文献２には、放熱用電子部品及び大電流用電子部品等に好適な銅合金板として、引張強さが３５０ＭＰａ以上であり、所定位置の結晶方位の集積度を制御した銅合金板が開示されている。所定位置の結晶方位の集積度を制御することで、銅合金板の繰返し曲げ加工性等を向上させている。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００７】
　【特許文献１】特開２０１４−１８９８１７号公報
　【特許文献２】特許第５４７５９１４号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００８】
　しかしながら、特許文献１に開示されている純銅板は、エッチングによって表面に凹凸が生じにくいため他の部材との密着性が優れているが、高温下での他の部材との接合に関しては全く検討されていない。また、特許文献２に開示されている銅合金板は、耐熱性に関して検討されているが、２００℃で３０分間の熱処理による耐熱性しか考慮されていない。さらに、特許文献２に開示されている銅合金板は、引張強さが３５０ＭＰａ以上であり、絶縁基板に用いる銅板材として適切な１５０〜３３０ＭＰａの範囲に対応していない。また、特許文献１、２のいずれにおいても、銅板を絶縁基板に接合した後の不具合については何ら言及されていない。それ故、半導体素子が発熱した際、銅板材とセラミック基板との熱膨張係数の差によって生じる、絶縁基板の変形、セラミック基板と銅板との剥離の問題、これらを７００℃以上の高温で接合する際に生じる、結晶粒の成長による組織の不均質化、ボンディング性の低下の問題に対しては、依然として解決されていない。
　【０００９】
　上記事情に鑑み、本発明の目的は、耐熱特性に優れ、さらには、結晶粒が良好に微細化された銅板材を備えた絶縁基板及びその製造方法を提供することである。
　【課題を解決するための手段】
　【００１０】
　［１］セラミック基板と、該セラミック基板の一方の面に形成された第１の銅板材と、該セラミック基板の他方の面に形成された第２の銅板材とが、接合された絶縁基板であって、
　前記第１及び第２の銅板材が、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍ、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有し、かつ、前記第１及び第２の銅板材の表面のＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満であり、φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°の範囲における方位密度の平均値が１．０以上１５．０未満である圧延集合組織を有し、かつ、
　前記第１及び第２の銅板材の平均結晶粒径が５０μｍ以上４００μｍ以下である、絶縁基板。
　［２］前記第１及び第２の銅板材の平均結晶粒径が１００μｍより大きく４００μｍ以下である、［１］に記載の絶縁基板。
　［３］前記セラミック基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナ、およびアルミナとジルコニアの化合物からなる群から選択される少なくとも１種を主成分とするセラミック材料を用いて形成されている、［１］または［２］に記載の絶縁基板。
　［４］前記第１及び第２の銅板材の引張強度が、２１０ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下である、［１］乃至［３］のいずれかに記載の絶縁基板。
　［５］前記第１及び第２の銅板材の伸びが２５％以上５０％未満である［１］乃至［４］のいずれかに記載の絶縁基板。
　［６］前記第１及び第２の銅板材の導電率が９５％ＩＡＣＳ以上である、［１］乃至［５］のいずれかに記載の絶縁基板
。
　【発明の効果】
　【００１１】
　本発明によれば、セラミック基板と、該セラミック基板の一方の面に形成された第１の銅板材と、該セラミック基板の他方の面に形成された第２の銅板材とが、接合された絶縁基板において、前記第１及び第２の銅板材が、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍ、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有し、かつ、前記第１及び第２の銅板材の表面のＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満であり、φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°の範囲における方位密度の平均値が１．０以上１５．０未満である圧延集合組織を有し、かつ、前記第１及び第２の銅板材の平均結晶粒径が５０μｍ以上４００μｍ以下であることにより、耐熱特性に優れた絶縁基板を得ることができる。
　【００１２】
　また、本発明によれば、第１及び第２の銅板材が優れた耐熱特性を示すため、絶縁基板全体の負荷応力が低減し、熱膨張による負荷に対する抵抗力が増大する。これにより、第１及び第２の銅板材とセラミック基板との熱膨張係数の差によって生じる、絶縁基板の変形、さらにはセラミック基板と第１及び第２の銅板材との剥離、すなわちボンディング性の低下を抑制することができる。
　【図面の簡単な説明】
　【００１３】
　【図１】本発明の絶縁基板に用いられる銅板材の表面の圧延集合組織をＥＢＳＤにより測定し、ＯＤＦで解析した結果の一例を示す結晶方位分布図である。図１（Ａ）はφ２＝２０°の結晶方位分布図であり、図１（Ｂ）は、φ２＝３５°の結晶方位分布図である。
　【発明を実施するための形態】
　【００１４】
　以下に、本発明の絶縁基板の詳細及び実施形態例について説明する。なお、以下において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　【００１５】
＜絶縁基板＞
　本発明の絶縁基板は、セラミック基板と、該セラミック基板の一方の面に形成された第１の銅板材と、該セラミック基板の他方の面に形成された第２の銅板材とが、接合されている。すなわち、絶縁基板は、第１の銅板材と第２の銅板材との間にセラミック基板が配置され、第１の銅板材と、セラミック基板と、第２の銅板材と、がこの順でそれぞれ圧延接合された積層構造を有している。第１の銅板材とセラミック基板、セラミック基板と第２の銅板材は、相互に接合された層構造であればよい。第１の銅板材とセラミック基板、セラミック基板と第２の銅板材は、例えば、ろう材、接着剤、はんだ等で接合されていてもよく、特にろう材を介して接合されていることが好ましい。また、絶縁基板の厚みは、使用状況に応じて適宜選択可能であり、例えば、０．３ｍｍ〜１０．０ｍｍであることが好ましく、０．８ｍｍ〜５．０ｍｍであることがより好ましい。なお、特に言及されない限り、便宜上、第１及の銅板材及び第２の銅板材を、以下において単に「銅板材」とも呼ぶことがある。
　【００１６】
［セラミック基板］
　本発明の絶縁基板に用いられるセラミック基板は、高い絶縁性を備えるセラミック材料から形成されていれば、特に限定されるものではない。このようなセラミック基板は、例えば、窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナおよびアルミナとジルコニアの化合物の少なくとも１種を主成分とするセラミック材料を用いて形成されていることが好ましい。セラミック基板の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、０．０５ｍｍ〜２．０ｍｍであることが好ましく、０．２ｍｍ〜１．０ｍｍであることがより好ましい。
　【００１７】
［銅板材］
　一般に、銅材料とは、（加工前であって所定の組成を有する）銅素材が所定の形状（例えば、板、条、箔、棒、線など）に加工された材料を意味する。その中で、「板材」とは、特定の厚みを有し、形状的に安定しており、かつ面方向に広がりを有する材料を指し、広義には条材を含む意味である。本発明における「銅板材」は、所定の組成を有する銅から形成された当該「板材」を意味する。
　【００１８】
［銅板材の成分組成］
　本発明の絶縁基板に用いられる銅板材は、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上であり、好ましくは９９．９９ｍａｓｓ％以上である。銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％未満であると、熱伝導率が低下し、所望する放熱性が得られない。また、上記銅板材は、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が０．１ｐｐｍ〜２．０ｐｐｍである。これらの金属成分の合計含有量の下限値は、特に限定されないが、不可避的不純物を考慮し、０．１ｐｐｍとしている。一方、これらの金属成分の合計含有量が２．０ｐｐｍを超えると、所望の方位密度が得られない。そのため、絶縁基板にかかる熱膨張による負荷に対する抵抗力の増大効果が得られず、絶縁基板の変形、セラミック基板と銅板材との剥離等が生じてしまう場合がある。また、上記銅板材には、銅、並びに、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分以外に、残部として不可避的不純物が含まれていてもよい。不可避的不純物は、製造工程上、不可避的に含まれうる含有レベルの不純物を意味する。第１の銅板材の成分組成と第２の銅板材の成分組成は、同じであってもよく、異なっていてもよいが、製造効率の観点から、これらは同じであることが好ましい。
　【００１９】
　銅板材の上記金属成分の定量分析には、ＧＤＭＳ法を用いることができる。ＧＤＭＳ法とは、Ｇｌｏｗ　Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙの略であり、固体試料を陰極としグロー放電を用いて試料表面をスパッタし、放出された中性粒子をプラズマ内のＡｒや電子と衝突させることによってイオン化させ、質量分析器でイオン数を計測することで、金属に含まれる極微量元素の割合を解析する技術である。
　【００２０】
［圧延集合組織］
　本発明の絶縁基板に用いられる銅板材は、該銅板材の表面のＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数（ＯＤＦ：ｃｒｙｓｔａｌ　ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　ｆｕｎｃｔｉｏｎ）をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満であり、かつ、φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満である圧延集合組織を有する。オイラー角（φ１、Φ、φ２）は、圧延方向をＲＤ方向、ＲＤ方向に対して直交する方向（板幅方向）をＴＤ方向、圧延面（ＲＤ面）に対して垂直な方向をＮＤ方向としたとき、ＲＤ方向を軸とした方位回転がΦ、ＮＤ方向を軸とした方位回転がφ１、ＴＤ方向を軸とした方位回転がφ２として表される。方位密度は、集合組織における結晶方位の存在比率及び分散状態を定量的に解析する際に用いられるパラメータであり、ＥＢＳＤ及びＸ線回折を行い、（１００）、（１１０）、（１１２）等の３種類以上の正極点図の測定データに基づいて、級数展開法による結晶方位分布解析法により算出される。ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られるφ２を所定の角度で固定した結晶方位分布図において、ＲＤ面内での方位密度の分布が示される。第１の銅板材が有する圧延集合組織と第２の銅板材が有する圧延集合組織は、同じであってもよく、異なっていてもよいが、製造効率の観点から、これらは同じであることが好ましい。
　【００２１】
　ＥＢＳＤ法とは、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ＢａｃｋＳｃａｔｔｅｒ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎの略であり、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）内で試料に電子線を照射したときに生じる反射電子を利用した結晶方位解析技術である。ＥＢＳＤによる解析の際、測定面積およびスキャンステップは、試料の結晶粒の大きさに応じて決定すればよい。測定後の結晶粒の解析には、例えば、ＴＳＬ社製の解析ソフトＯＩＭ　Ａｎａｌｙｓｉｓ（商品名）を用いることができる。ＥＢＳＤによる結晶粒の解析において得られる情報は、電子線が試料に侵入する数１０ｎｍの深さまでの情報を含んでいる。厚さ方向の測定箇所は、試料表面から板厚の１／８倍〜１／２倍の位置付近とすることが好ましい。
　【００２２】
　図１は、本発明の絶縁基板に用いられる銅板材の表面の圧延集合組織をＥＢＳＤにより測定し、ＯＤＦで解析した結果の一例を示す結晶方位分布図である。図１（Ａ）はφ２＝２０°の結晶方位分布図であり、図１（Ｂ）は、φ２＝３５°の結晶方位分布図である。結晶方位分布図では、結晶方位分布がランダムな状態を方位密度が１であるとし、それに対して何倍の集積となっているかが等高線で表されている。図１において、白い部分は方位密度が高く、黒い部分は方位密度が低いことを示し、それ以外の部分は白に近いほど方位密度が高いことを示す。本発明では、図１（Ａ）において、点線で囲われた領域（φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°）の方位密度の平均値が１５未満であり、図１（Ｂ）において、点線で囲われた領域（φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°）の方位密度の平均値が１５未満である圧延集合組織を有している。図１（Ａ）では、前者の方位密度の平均値が８であり、図１（Ｂ）では、後者の方位密度の平均値が４である結晶方位分布図を示している。
　【００２３】
　本発明では、絶縁基板に用いられる銅板材は、ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数において、φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満であり、かつ、φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満である圧延集合組織を有する。このように、方位密度を適切に制御することにより、上記銅板材は、高温（例えば、７００℃以上）での熱処理において結晶粒の成長が抑制され、耐熱特性に優れる効果を発揮する。φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°の範囲における方位密度の平均値が１５．０以上では、結晶方位制御が十分ではないため、高温（例えば、７００℃以上）での熱処理における結晶粒の成長が抑制できず、耐熱特性に劣ってしまう。そのため、絶縁基板にかかる熱膨張による負荷に対する抵抗力が増大し、絶縁基板の変形、セラミック基板と銅板材との剥離等が生じてしまう場合がある。また、φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°の範囲における方位密度の平均値が１５．０以上の場合も同様、結晶方位制御が十分ではないため、耐熱特性に劣ってしまう。そのため、絶縁基板にかかる熱膨張による負荷に対する抵抗力が増大し、絶縁基板の変形、セラミック基板と銅板材との剥離等が生じてしまう場合がある。尚、φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°の範囲における方位密度の平均値、φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°の範囲における方位密度の平均値のそれぞれの下限値である０．１は、ＥＢＳＤによる集合組織解析において解析できる方位密度の最小値として規定している。
　【００２４】
［平均結晶粒径］
　本発明の絶縁基板に用いられる銅板材の平均結晶粒径は５０μｍ以上４００μｍ以下であり、１００μｍより大きく４００μｍ以下であることが好ましい。平均結晶粒径が５０μｍ未満であると、十分な結晶方位制御ができず、耐熱特性に劣ってしまう。一方、平均結晶粒径が４００μｍを超えると、十分な引張強度と伸びが得られず、絶縁基板にかかる熱膨張による負荷に対する抵抗力が増大し、絶縁基板の変形、セラミック基板と銅板材との剥離等が生じてしまう場合がある。また、銅板材とセラミック基板との界面において、銅板材の結晶粒界が界面と接する箇所には欠陥（ボイド）が生じやすい。平均結晶粒径が１００μｍ以下である場合、セラミック基板と接触する銅板材の結晶粒界が著しく増加し、接合強度が低下するおそれがある。そのため、平均結晶粒径は１００ｎｍより大きいことが好ましい。なお、平均結晶粒径は、銅板材のＲＤ面におけるＥＢＳＤ解析により測定することができ、例えば、測定範囲における全結晶粒の粒径の平均を平均結晶粒径として定義することができる。また、第１の銅板材が有する平均結晶粒径と第２の銅板材が有する平均結晶粒径は、同じであってもよく、異なっていてもよいが、製造効率の観点から、これらは同じであることが好ましい。
　【００２５】
［板厚］
　第１の銅板材と第２の銅板材の厚さ（板厚）は、特に限定されるものでないが、０．０５ｍｍ〜７．０ｍｍであることが好ましく、０．１ｍｍ〜４．０ｍｍであることがより好ましい。第１の銅板材の厚さと第２の銅板材の厚さは、同じであってもよく、異なっていてもよいが、接合熱処理、ヒートサイクル試験において、それぞれの銅板材の体積が大きく異なると、熱膨張量の違いによる板反りが起きることがある。そのため、絶縁基板の回路設計に応じて、板厚はそれぞれ適切に組み合わせることが望ましい。
　【００２６】
［特性］
（引張強度）
　銅板材の引張強度は、２１０ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下であることが好ましい。引張強度が２１０ＭＰａ未満であると、近年要求される強度としては十分ではない。一方、引張強度が２５０ＭＰａを超えると、伸び、加工性が低下する傾向にある。
　【００２７】
（伸び）
　銅板材の伸びは、２５％以上５０％未満であることが好ましい。伸びが２５％未満であると、絶縁基板にかかる熱膨張による負荷応力に対して、絶縁基板の変形、セラミック基板と銅板材との剥離等が生じてしまうおそれがある。一方、伸びが５０％を超えると、強度が不十分となる傾向にある。
　【００２８】
　銅板材の導電率は、９５％ＩＡＣＳ以上であることが好ましい。導電率が９５％未満であると、熱伝導率が低下し、その結果、優れた放熱特性が得られない傾向にある。
　【００２９】
　次に、本発明の絶縁基板の製造方法の一例を説明する。
　【００３０】
［絶縁基板の製造方法］
　本発明の絶縁基板の製造方法では、焼鈍工程［工程Ａ］、冷間圧延工程［工程Ｂ］、接合工程［工程Ｃ］を含む。これらの工程における処理が、この順序にて行われることで、第１の銅板材とセラミック基板と第２の銅板材とが接合された本発明の絶縁基板を得ることができる。
　【００３１】
　まず、焼鈍工程［工程Ａ］では、上記の成分組成を有する銅素材から製造した被圧延材、すなわち、第１の銅板材の材料である第１の被圧延材及び第２の銅板材の材料である第２の被圧延材に対し、昇温速度が１０℃／秒〜５０℃／秒、到達温度が２５０℃〜６００℃、保持時間が１０秒〜３６００秒、冷却速度が１０℃／秒〜５０℃／秒の条件で焼鈍処理を施す。焼鈍工程［工程Ａ］において、焼鈍条件が上記規定の範囲外では、得られる銅板材の平均結晶粒径の粗大化、結晶方位の不十分な制御を招き、その結果、絶縁基板の耐熱特性が劣る傾向にある。例えば、到達温度が高すぎる、または昇温速度が遅すぎる場合、結晶方位を十分に制御できず、φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°の範囲における方位密度の平均値が著しく高くなる傾向にある。また、到達温度が低すぎる場合、焼鈍工程において歪みが緩和されないため、その後の冷間圧延と合わせて接合熱処理前の歪みも大きくなる。そのため、圧延集合組織は規定の範囲内であっても再結晶が促され、結晶粒が粗大化するおそれがある。
　【００３２】
　冷間圧延工程［工程Ｂ］では、焼鈍工程（［工程Ａ］）後に、第１の銅板材の材料である第１の被圧延材と、第２の銅板材の材料である第２の被圧延材との総加工率が１０〜６５％の冷間圧延を行う。冷間圧延工程［工程Ｂ］において、冷間圧延条件が上記規定の範囲外では、得られる銅板材の平均結晶粒径の粗大化、結晶方位の不十分な制御を招き、絶縁基板の耐熱特性が劣る傾向にある。例えば、総加工率が著しく高い場合、結晶方位を十分に制御できず、φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°の範囲における方位密度の平均値が著しく高くなる傾向にある。一方、総加工率が低すぎる場合、結晶粒成長を抑制しきれず結晶粒が粗大化するおそれがある。
　【００３３】
　接合工程［工程Ｃ］では、冷間圧延工程（［工程Ｂ］）後に、セラミック基板の一方の面に第１の銅板材の材料である第１の被圧延材を、セラミック基板の他方の面に第２の銅板材の材料である第２の被圧延材を、例えばＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系等のろう材を介してそれぞれ接合し、第１の銅板材と第２の銅板材とがそれぞれ接合された絶縁基板を形成する。接合工程［工程Ｃ］は、昇温速度が１０℃／
分
分
分
分
　【００３４】
［被圧延材の製造方法］
　本発明の絶縁基板の製造方法において、焼鈍工程［工程Ａ］で使用する第１の被圧延材及び第２の被圧延材は、上記の成分組成を有する銅素材から製造した被圧延材であれば、特に限定されるものではない。このような被圧延材は、例えば、以下の工程を経て製造することができる。以下に、本発明の絶縁基板の焼鈍工程［工程Ａ］で使用できる被圧延材の製造方法の一例を説明する。
　【００３５】
　本発明の絶縁基板を構成するセラミック基板に接合される前の銅板材、すなわち、第１の銅板材となる第１の被圧延材及び第２の銅板材となる第２の被圧延材（以下、第１の被圧延材と第２の被圧延材を、単に「被圧延材」とも呼ぶ。）の製造方法としては、例えば、溶解・鋳造工程［工程１］、均質化熱処理工程［工程２］、熱間圧延工程［工程３］、冷却工程［工程４］、面削工程［工程５］、第１冷間圧延工程［工程６］、第１焼鈍工程［工程７］、第２冷間圧延工程［工程８］、第２焼鈍工程［工程９］、仕上げ圧延工程［工程１０］、最終焼鈍工程［工程１１］、表面酸化膜除去工程［工程１２］から構成される処理が順次行われる。
　【００３６】
　まず、溶解・鋳造工程［工程１］では、銅素材を溶解し、鋳造することによって鋳塊を得る。銅素材は、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍ、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有する。均質化熱処理工程［工程２］では、得られた鋳塊に対して、保持温度７００〜１０００℃、保持時間１０分〜２０時間の均質化熱処理を行う。熱間圧延工程［工程３］では、総加工率が１０〜９０％となるように熱間圧延を行う。冷却工程［工程４］では、１０℃／秒以上の冷却速度で急冷を行う。面削工程［工程５］では、冷却された材料の両面をそれぞれ約１．０ｍｍずつ面削する。これにより、得られた板材表面の酸化膜が除去される。
　【００３７】
　第１冷間圧延工程［工程６］では、総加工率が７５％以上となるよう冷間圧延を複数回行う。
　【００３８】
　第１焼鈍工程［工程７］では、昇温速度が１〜１００℃／秒、到達温度が１００〜５００℃、保持時間が１〜９００秒、かつ、冷却速度が１〜５０℃／秒である条件で熱処理を施す。
　【００３９】
　第２冷間圧延工程［工程８］では、総加工率が６０〜９５％となるように冷間圧延を行う。
　【００４０】
　第２焼鈍工程［工程９］では、昇温速度が１０〜１００℃／秒、到達温度が２００〜５５０℃、保持時間が１０〜３６００秒、かつ、冷却速度が１０〜１００℃／秒である条件で熱処理を施す。
　【００４１】
　仕上げ圧延工程［工程１０］では、総加工率が１０〜６０％となるように冷間圧延を行う。最終焼鈍工程［工程１１］では、到達温度が１２５〜４００℃である条件で熱処理を施す。表面酸化膜除去工程［工程１２］では、得られた板材表面の酸化膜除去と表面洗浄を目的として、酸洗及び研磨を行う。なお、上記圧延工程における加工率Ｒ（％）は下記式で定義される。こうして、銅板材の原料となる被圧延材を製造することができる。
　【００４２】
　Ｒ＝（ｔ０−ｔ）／ｔ０×１００
　式中、ｔ０は圧延前の板厚であり、ｔは圧延後の板厚である。
　【実施例】
　【００４３】
　以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　【００４４】
（実施例１〜１１及び比較例１〜１７）
　先ず、表１に示されるような所定の成分組成を有する、厚さ１．０ｍｍの被圧延材（供試材）を２つ作製し、それぞれを第１の被圧延材及び第２の被圧延材とした。また、セラミック材料として窒化珪素を用いて形成された厚さ０．５ｍｍのセラミック基板を使用した。
　【００４５】
　次いで、銅板材となる上記で作製した各被圧延材に対し、表２に示す条件で焼鈍処理を施した［工程Ａ］。焼鈍処理後、得られた各被圧延材に対し、表２に示す総加工率（すなわち、第１の被圧延材及び第２の被圧延材全体としての加工率）にて冷間圧延を行った［工程Ｂ］。冷間圧延後、得られた各被圧延材について、セラミック基板の一方の面に第１の銅板材に相当する第１の被圧延材を、セラミック基板の他方の面に第２の銅板材に相当する第２の被圧延材を、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系のろう材を介してそれぞれ接合し、第１の銅板材と第２の銅板材とがそれぞれ接合された絶縁基板を作製した［工程Ｃ］。［工程Ｃ］では、表２に示す第１加熱処理及び第２の加熱処理の条件で加熱処理を施した。以上の工程を経て、サンプルとなる絶縁基板を作製した。
　【００４６】
＜測定方法及び評価方法＞
［銅板材の定量分析］
　作製した各銅板材の定量分析には、ＧＤＭＳ法を用いた。各実施例および各比較例ではＶ．Ｇ．Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製　ＶＧ−９０００を用いて解析を行った。各銅板材に含まれるＡｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒの含有量（ｐｐｍ）並びにＣｕの含有量（ｍａｓｓ％）を表１に示す。なお、各銅板材には、不可避的不純物が含まれている場合がある。表１における空欄部は、該当する金属成分が０ｐｐｍであったことを意味する。また、ＧＤＭＳ法による測定値が０．１ｐｐｍ未満であった場合、金属成分の含有量は０ｐｐｍとした。
　【００４７】
＜銅板材の方位密度＞
　サンプルである各絶縁基板か
ら各
　【００４８】
［銅板材の平均結晶粒径］
　サンプルである各絶縁基板か
ら各
　【００４９】
［銅板材の導電率（ＥＣ）］
　サンプルである各絶縁基板から剥離させた各銅板材の導電率は、シグマテスタ（渦電流を利用したＩＡＣＳ％測定）を用いて測定した。各銅板板材の導電率が９５％ＩＡＣＳ以上である場合を「良好」、９５％ＩＡＣＳ未満の場合を「不良」と評価した。
　【００５０】
［銅板材の引張強度］
　サンプルである各絶縁基板から銅板材を剥離させ、切り出した試験片をＪＩＳ　Ｚ２２４１に準じて測定し、その平均値を示した。銅板材の引張強度が２１０ＭＰａ以上である場合を「良好」、２１０ＭＰａ未満の場合を「不良」と評価した。
　【００５１】
［銅板材の伸び］
　引張強度を測定する際にＪＩＳ　Ｚ２２４１に準じて測定し、その平均値を示した。銅板材の伸びが２５％以上である場合を「良好」、２５％未満の場合を「不良」と評価した。
　【００５２】
［絶縁基板の耐熱特性］
　各絶縁基板のサンプルを、−４０℃〜２５０℃（１サイクル　−４０℃：３０分保持／２５０℃：３０分保持）の条件で１２００サイクル処理するヒートサイクル試験を実施した。ヒートサイクル試験後、セラミック基板にクラックが発生したか否かを目視で観察した。クラックが発生していない場合を「○」、クラックが発生している場合を「×」と評価した。
　【００５３】
　表３に、銅板材の方位密度、平均結晶粒径、導電率、引張強度、伸び及び絶縁基板の耐熱特性の結果を示す。
　【００５４】
　【表１】
　【００５５】
　【表２】
　【００５６】
　【表３】
　【００５７】
　表１〜表３に示すように、実施例１〜１１では、絶縁基板の製造条件、絶縁基板を構成する銅板材の成分組成、方位密度および平均結晶粒径が、いずれも適正範囲内であるため、耐熱特性に優れた絶縁基板が得られた。特に、実施例１〜５、７〜１１では、絶縁基板が備える銅板材の導電率、引張強度及び伸びが、いずれも良好であった。尚、表２中には示していないが、実施例５では、平均結晶粒径が１００μｍよりも小さいため、他の実施例よりも接合強度が低下する傾向が観察された。
　【００５８】
　一方で、比較例１〜１７では、絶縁基板の製造条件、絶縁基板を構成する銅板材の成分組成の一方または両方が適正範囲外であるため、方位密度、平均結晶粒径の両方または一方が適正範囲外となり、さらには、絶縁基板のヒートサイクル試験で、いずれもクラックの発生が観察された。
　【００５９】
　このように、成分組成、方位密度および平均結晶粒径が厳密に制御された銅板材を用いて形成された本発明の絶縁基板は、優れた耐熱特性を示すため、絶縁基板全体の負荷応力が低減し、熱膨張による負荷に対する抵抗力が増大する。これにより、銅板材とセラミック基板との熱膨張係数の差によって生じる絶縁基板の変形が抑制され、さらにはセラミック基板と銅板材との剥離、すなわちボンディング性の低下を抑制することができる。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　セラミック基板と、該セラミック基板の一方の面に形成された第１の銅板材と、該セラミック基板の他方の面に形成された第２の銅板材とが、接合された絶縁基板であって、
　前記第１及び第２の銅板材が、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒから選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍ、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有し、かつ、前記第１及び第２の銅板材の表面のＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ１＝７５°〜９０°、Φ＝２０°〜４０°、φ２＝３５°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満であり、φ１＝２０°〜４０°、Φ＝５５°〜７５°、φ２＝２０°の範囲における方位密度の平均値が０．１以上１５．０未満である圧延集合組織を有し、かつ、
　前記第１及び第２の銅板材の平均結晶粒径が５０μｍ以上４００μｍ以下であることを特徴とする絶縁基板。
　【請求項２】
　前記第１及び第２の銅板材の平均結晶粒径が１００μｍより大きく４００μｍ以下である、請求項１に記載の絶縁基板。
　【請求項３】
　前記セラミック基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナ、およびアルミナとジルコニアの化合物の少なくとも１種を主成分とするセラミック材料を用いて形成されている、請求項１または２に記載の絶縁基板。
　【請求項４】
　前記第１及び第２の銅板材の引張強度が、２１０ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の絶縁基板。
　【請求項５】
　前記第１及び第２の銅板材の伸びが、２５％以上５０％未満である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の絶縁基板。
　【請求項６】
　前記第１及び第２の銅板材の導電率が９５％ＩＡＣＳ以上である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の絶縁基板。
　【請求項７】
　（削除）