(57)【要約】      （修正有）【課題】起動時の発熱による初期周波数ドリフトを低減させる温度補償型圧電発振器を提供する。【解決手段】温度補償型圧電発振器は、圧電振動素子搭載部を有した凹部、及び外部に形成された表面実装用電極を備えたパッケージ（容器）と、パッケージを閉止するリッド（蓋部材）と、発振回路及び温度補償回路を集積化したＩＣチップ１と、を備えた圧電発振器であって、ＩＣチップ１は、シリコン基板（チップ本体）３と、シリコン基板３の一面に形成されたＩＣ電極２と、この一面の反対面に形成された放熱板（放熱用導体膜）５と、を備え、シリコン基板３のグランド電位部と放熱板５とが少なくとも１つ以上のＶＩＡホール４を介して接続されている。【選択図】図２
2010252210.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動素子搭載部を有した凹部、及び外部に形成された表面実装用電極を備えた容器
と、該容器を閉止する蓋部材と、発振回路及び温度補償回路を集積化したＩＣチップと、
を備えた温度補償型圧電発振器であって、
前記ＩＣチップは、チップ本体と、該チップ本体の一面に形成されたＩＣ電極と、該一
面の反対面に形成された放熱用導体膜と、を備え、
前記チップ本体のグランド電位部と前記放熱用導体膜とが少なくとも１つ以上のＶＩＡ
ホールを介して接続されていることを特徴とする温度補償型圧電発振器。
【請求項２】
前記容器の凹部は、内壁に前記圧電振動素子搭載部を有すると共に内底部にＩＣチップ
搭載部を有し、該ＩＣチップ搭載部に前記ＩＣチップの放熱用導体膜を接触させて搭載し
たことを特徴とする請求項１に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項３】
前記容器は、前記凹部と、該凹部の底板によって隔てられて配置されたＩＣチップ収容
空所と、を備え、該ＩＣチップ収容空所の内底面又は天井面に前記ＩＣチップの放熱用導
体膜を接触させて搭載したことを特徴とする請求項１に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項４】
前記容器、前記圧電振動素子搭載部に搭載した圧電振動素子、及び前記凹部を閉止する
前記蓋部材を備えた圧電振動子と、前記ＩＣチップと、該圧電振動子及び該ＩＣチップを
近接配置した状態で前記表面実装用電極及び前記ＩＣ電極を配線パターンに接続したプリ
ント配線基板と、を備え、
前記圧電振動子と前記ＩＣチップをモールド樹脂により被覆一体化したことを特徴とす
る請求項１に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項５】
前記ＩＣチップを前記プリント配線基板にフリップチップ実装し、前記ＩＣチップの放
熱用導体膜に接触するように該ＩＣチップを覆う金属ケースを備えたことを特徴とする請
求項４に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項６】
前記放熱用導体膜は、導電性接着剤又は金属ペーストにより前記ＩＣチップ収容空所の
内底面又は天井面又は前記金属性のケースと接着されることを特徴とする請求項１乃至５
の何れか一項に記載の温度補償型圧電発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度補償型圧電発振器（ＴＣＸＯ）に関し、さらに詳しくは、表面実装用の
温度補償型圧電発振器において、起動時の発熱による初期周波数ドリフトを低減させる温
度補償型圧電発振器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
表面実装用の温度補償型圧電発振器は、小型、軽量であって温度変化に対する周波数安
定度が高いことから、特に温度環境が厳しい携帯電話等の周波数源として内蔵されている
。この温度補償型圧電発振器の一つとして、図６に示すように、温度補償回路５１及び発
振回路５４をＩＣチップ５０内に収容して圧電振動素子５３とともに密封した温度補償型
圧電発振器が知られている。
しかしながら昨今、電源印加から周波数が安定するまでの、時間に対する周波数変化(
周波数ドリフト)の規格が厳しくなる中、仕様を満足することが難しくなっている。これ
は、温度補償型圧電発振器の起動時すなわち電源印加直後には、ＩＣチップ５０内に生ず
る回路電流に起因した発熱、特に発振用増幅器や緩衝増幅器等の能動素子に流れる電流に
よって、ＩＣチップ５０自体の温度が変動する。この熱は圧電振動素子５３にも配線やパ
ッケージを伝って、遅れて伝達されることになる。本来、温度補償型圧電発振器はＩＣチ
ップ５０の温度と圧電振動子５３の温度が平衡状態であるときが定常状態である。
温度補償型圧電発振器は、圧電振動子が持つ温度特性を、補償電圧発生回路が打ち消す
ような電圧を生成し、それを可変容量素子に印加することで、発振器の出力（Ｖｏｕｔ）
周波数を温度に対して変化の小さな安定した値にすることができる。
ＩＣチップ５０に集積化された補償電圧発生回路５１内の温度センサーは、ＩＣの温度
に応じた補償電圧Ｖｃを可変容量素子５２に印加する。ここで電源印加直後の動きとして
例えば、周囲温度が２５℃であれば、圧電振動素子５３は２５℃であるのに対し、温度セ
ンサーはＩＣ自身の発熱によりこれより高い例えば２６℃を検出する。そして、補償電圧
発生回路５１は検出温度２６℃に基づく補償電圧Ｖｃを可変容量素子５２に印加する。発
振回路は補償電圧に追随して周波数が変化する構成になっていることから、その間、補償
電圧の変動により、発振周波数が変動することになる。また圧電振動子にはＩＣの熱が時
間差をもって伝達され振動子の温度が遅れて上昇する。これによっても圧電振動子の温度
特性により、発振回路の周波数が変化することになる。やがて熱的平衡状態が保たれると
周波数は安定する。このように電源印加直後は、ＩＣ自身の発熱による補償電圧変化と、
それが圧電素子に伝達されることによる圧電素子の周波数変化の、双方により発振周波数
ｆが時間に対して変化をすることになる。
周波数ドリフトを抑えるためには、ＩＣと圧電素子の温度差を完全になくすか、ＩＣの
発熱を抑える方法がある。前者での対応はＩＣに直接圧電素子を実装するなど考えられる
が、実用化するには課題が多い。後者についてはいくつか既に検討されている。
【０００３】
従来技術として特許文献１には、ＩＣチップの発熱源が発振回路とバッファ回路である
という前提のもと、温度センサーと発振回路、バッファ回路の距離を離してレイアウトし
て発熱の影響を抑えた温度補償型水晶発振器について開示されている。また、特許文献２
には、ＩＣチップの発熱を抑えて放熱性を高めるために、ＩＣチップの側面に熱伝導の良
い接着剤を塗布した構造を有する表面実装用の温度補償水晶発振器について開示されてい
る。また、特許文献３には、ＩＣチップの発熱を抑えるためにＩＣチップの裏面に放熱板
を接着した構造を有する表面実装用の温度補償水晶発振器について開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−６７９６７公報
【特許文献２】特開２００７−２９５１５９公報
【特許文献３】特開２００７−３２４８５１公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示されている従来技術は、ＩＣチップが小型になると温
度センサーと発振回路、バッファ回路を離す距離にも限度があり、それほど発熱の影響を
軽減する効果が得られないといった問題がある。また、特許文献２及び３に開示されてい
る従来技術は、構造的に複雑となるため、それに伴って製造工程が複雑となり、小型化す
ると更に製造が困難になるといった問題がある。
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、ＩＣチップの回路面と反対側の面
に放熱板を設け、回路内のグランド電位部と放熱板とをＶＩＡホールを介して接続し、電
源印加時に発生するＩＣチップ内の発熱を放熱板で放熱することにより、起動時の発熱に
よる初期周波数ドリフトを低減させる温度補償型圧電発振器を提供することを目的とする
。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］圧電振動素子搭載部を有した凹部、及び外部に形成された表面実装用電極
を備えた容器と、該容器を閉止する蓋部材と、発振回路及び温度補償回路を集積化したＩ
Ｃチップと、を備えた温度補償型圧電発振器であって、前記ＩＣチップは、チップ本体と
、該チップ本体の一面に形成されたＩＣ電極と、該一面の反対面に形成された放熱用導体
膜と、を備え、前記チップ本体のグランド電位部と前記放熱用導体膜とが少なくとも１つ
以上のＶＩＡホールを介して接続されていることを特徴とする。
【０００８】
温度補償型圧電発振器の起動時には、ＩＣチップ内に生ずる回路電流に起因した発熱、
特に発振用増幅器や緩衝増幅器等の能動素子による発熱によって、ＩＣチップ自体の温度
が周囲温度よりも高くなる。その結果、起動時に周波数ドリフトという現象が発生する。
この原因は、ＩＣチップと圧電振動素子の温度の立ち上がりが異なるために発生する現象
である。即ち、ＩＣチップの方が温度の立ち上がりが早いため、ＩＣチップ内の温度セン
サーが周囲温度より高い温度データに基づいて発振周波数を補正しようとするためである
。言い換えると、起動時にＩＣチップと圧電振動素子の温度差を可能な限り少なくするか
、またはＩＣの発熱量を抑えることによって、周波数ドリフトを低減することができる。
そこで本発明では、ＩＣチップの発熱量を抑えて、圧電振動素子との温度差を小さくする
ことで周波数ドリフトを低減するものであり、ＩＣに放熱用導体膜を備えてＩＣチップ内
で発生した熱を放熱するものである。これにより、起動時の発熱による初期周波数ドリフ
トを低減させることができる。
【０００９】
［適用例２］前記容器の凹部は、内壁に前記圧電振動素子搭載部を有すると共に内底部
にＩＣチップ搭載部を有し、該ＩＣチップ搭載部に前記ＩＣチップの放熱用導体膜を接触
させて搭載したことを特徴とする。
【００１０】
ＩＣチップがワイヤーボンディング型の場合、ＩＣ電極を備えた一面が上向きとなる。
その結果、放熱用導体膜を備えた面は下向きとなるので、必然的に放熱用導体膜は、ＩＣ
チップ搭載部の内底部と接触させて搭載される。そしてＩＣ電極にバンプを形成してボン
ディングワイヤーによりＩＣチップ搭載部の配線パターンと接続する。これにより、放熱
用導体膜から発生した熱がＩＣチップ搭載部の内底部から放熱され、放熱効果を高めるこ
とができる。
【００１１】
［適用例３］前記容器は、前記凹部と、該凹部の底板によって隔てられて配置されたＩ
Ｃチップ収容空所と、を備え、該ＩＣチップ収容空所の内底面又は天井面に前記ＩＣチッ
プの放熱用導体膜を接触させて搭載したことを特徴とする。
【００１２】
圧電振動素子がＩＣチップから発生する熱の影響を低減するために、本発明では、圧電
振動素子を搭載した容器とＩＣチップ収容空所とを別体として２段構造とし、ＩＣチップ
収容空所の内底面又は天井面にＩＣチップの放熱用導体膜を接触させて搭載する。これに
より、ＩＣチップから発生する熱が直接圧電振動素子に伝達するのを防止することができ
る。
【００１３】
［適用例４］前記容器、前記圧電振動素子搭載部に搭載した圧電振動素子、及び前記凹
部を閉止する前記蓋部材を備えた圧電振動子と、前記ＩＣチップと、該圧電振動子及び該
ＩＣチップを近接配置した状態で前記表面実装用電極及び前記ＩＣ電極を配線パターンと
接続したプリント配線基板と、を備え、  前記圧電振動子と前記ＩＣチップをモールド樹
脂により被覆一体化したことを特徴とする。
【００１４】
圧電振動素子搭載部とＩＣチップ収容空所を縦方向に構成すると、圧電発振器全体の高
さが高くなってしまう。そこで本発明では、プリント配線基板上に圧電振動子とＩＣチッ
プを並行に実装し、圧電振動子とＩＣチップをモールド樹脂により被覆一体化する。これ
により、圧電発振器の高さ方向を低く構成することができ、且つ圧電振動子とＩＣチップ
を外部環境から保護することができる。
【００１５】
［適用例５］前記ＩＣチップを前記プリント配線基板にフリップチップ実装した場合、
前記ＩＣチップの放熱用導体膜に接触するように該ＩＣチップを覆う金属ケースを備えた
ことを特徴とする。
【００１６】
ＩＣチップをプリント配線基板にフリップチップ実装した場合、ＩＣ電極を備えた一面
が下向きとなる。その結果、放熱用導体膜を備えた面は上向きとなるので、必然的に放熱
用導体膜は、何処とも接触しない状態で、放熱用導体膜から発生した熱は空気を介して放
熱される。しかし、これだけでは放熱の効率が良くないので、本発明ではＩＣチップを覆
う金属性のケースを設け、この金属ケースに放熱用導体膜を密着させる。これにより、放
熱用導体膜から発生した熱が金属ケースを介して放熱され、放熱効率を高めることができ
る。
【００１７】
［適用例６］前記放熱用導体膜は、導電性接着剤又は金属ペーストにより前記ＩＣチッ
プ収容空所の内底面又は天井面又は前記金属性のケースと接着されることを特徴とする。
【００１８】
放熱用導体膜は、アルミ又は銅等の熱伝導率が比較的高い金属により構成される。しか
し、放熱用導体膜から発生した熱をＩＣチップ収容空所の内底面や天井面又は金属ケース
に密着させても、平面性が悪いと接触面での熱の伝達効率が悪くなる。そこで本発明では
、接触面に導電性接着剤又は金属ペーストを塗布する。これにより、接触性を高めて更に
放熱効果を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る温度補償型圧電発振器の構造を示す断面図、（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る温度補償型圧電発振器の構造を示す断面図、（ｃ）、（ｄ）は本発明の第３の実施形態に係る温度補償型圧電発振器の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るＩＣチップの構成を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は裏面から見た平面図、（ｃ）は裏面から見た他の平面図である。
【図３】図２（ａ）のＡ部を拡大した図である。
【図４】ＩＣチップをパッケージに実装した状態を示す図であり、（ａ）はＩＣチップをボンディングワイヤーによりパッケージに実装した場合、（ｂ）はＩＣチップをパッケージにフリップチップ実装した場合を示す図である。
【図５】起動時の圧電発振器のＩＣチップと圧電素子の温度の立ち上がりを示す図である。
【図６】一般的な温度補償型圧電発振器の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記
載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限
り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
【００２１】
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る温度補償型圧電発振器の構造を示す断面図
である。この温度補償型圧電発振器（以下、単に圧電発振器と呼ぶ）４０は、圧電振動素
子搭載部を有した凹部２７、及び外部に形成された表面実装用電極２３を備えたパッケー
ジ（容器）１２と、パッケージ１２を閉止するリッド（蓋部材）２０と、発振回路５４及
び温度補償回路５１を集積化したＩＣチップ１と、を備えた圧電発振器４０であって、Ｉ
Ｃチップ１は、シリコン基板（チップ本体）３と、シリコン基板３の一面に形成されたＩ
Ｃ電極２と、この一面の反対面に形成された放熱板（放熱用導体膜）５と、を備え、シリ
コン基板３のグランド電位部と放熱板５とが少なくとも１つ以上のＶＩＡホール４を介し
て接続されている（詳細は後述する）。尚、圧電振動素子２１とＩＣチップ１を接続する
ためにパッケージ１２には配線パターンが形成されている。また、ＩＣチップ１と表面実
装用電極２３もパッケージ１２に形成された配線パターンにより接続されている。
即ち、圧電発振器の起動時（図５の電源ＯＮ時）には、ＩＣチップ１内に生ずる回路電
流に起因した発熱、特に発振用増幅器や緩衝増幅器等の能動素子による発熱によって、Ｉ
Ｃチップ１自体の温度が周囲温度よりも高くなる。その結果、起動時に周波数ドリフトと
いう現象が発生する。この原因は、ＩＣチップ１と圧電振動素子２１の温度の立ち上がり
が異なるために発生する現象である（図５の時間ｔだけＸｔａｌの発熱が遅れる）。即ち
、ＩＣチップ１の方が温度の立ち上がりが早いため、ＩＣチップ１内の温度センサーが周
囲温度より高い温度データに基づいて発振周波数を補正しようとするためである。言い換
えると、起動時にＩＣチップ１と圧電振動素子２１の温度差を可能な限り少なくするか、
またはＩＣの発熱量を抑えることによって、周波数ドリフトを低減することができる。そ
こで本実施形態では、ＩＣチップ１の発熱量を抑えて、圧電振動素子２１との温度差を小
さくすることで周波数ドリフトを低減するものであり、ＩＣに放熱板５を備えてＩＣチッ
プ１内で発生した熱を放熱するものである。これにより、起動時の発熱による初期周波数
ドリフトを低減させることができる。
【００２２】
また、パッケージ１２の凹部２７は、内壁に圧電振動素子搭載部を有すると共に内底部
１２ａにＩＣチップ搭載部を有し、このＩＣチップ搭載部にＩＣチップ１の放熱板５を接
触させて搭載した。即ち、ＩＣチップ１がワイヤーボンディング型の場合、ＩＣ電極２を
備えた一面が上向きとなる。その結果、放熱板５を備えた面は下向きとなるので、必然的
に放熱板５は、ＩＣチップ搭載部の内底部１２ａと接触させて搭載される。そしてＩＣ電
極２にバンプを形成してボンディングワイヤー１０によりＩＣチップ搭載部の配線パター
ンと接続する。これにより、放熱板５から発生した熱がＩＣチップ搭載部の内底部１２ａ
から放熱され、放熱効果を高めることができる。
【００２３】
図１（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る圧電発振器の構造を示す断面図である。同
じ構成要素には図１（ａ）と同じ参照番号を付して説明する。この圧電発振器４１は、圧
電振動素子搭載部２５と、凹部２７と、凹部２７の底板を介して下方に配置されたＩＣチ
ップ収容空所２４と、を備え、ＩＣチップ収容空所２４の内底面又は天井面にＩＣチップ
１の放熱板５を接触させて搭載した。即ち、圧電振動素子２１がＩＣチップ１から発生す
る熱の影響を低減するために、本実施形態では、圧電振動素子２１を搭載したパッケージ
２５とＩＣチップ収容空所２４とを別体として２段構造とし、ＩＣチップ収容空所２４の
内底面にＩＣチップ１の放熱板５を接触させて搭載する。これにより、ＩＣチップ１から
発生する熱が直接圧電振動素子２１に伝達するのを防止することができる。
図１（ｃ）、（ｄ）は本発明の第３の実施形態に係る圧電発振器の構造を示す断面図で
ある。同じ構成要素には図１（ａ）と同じ参照番号を付して説明する。この圧電発振器４
２／４３は、パッケージ２５、圧電振動素子搭載部に搭載した圧電振動素子２１、及び凹
部２７を閉止するリッド２０を備えた圧電振動子３１と、ＩＣチップ１と、圧電振動子３
１及びＩＣチップ１を近接配置した状態で表面実装用電極３０及びＩＣ電極２を配線パタ
ーン１０と接続したプリント配線基板２８と、を備え、圧電振動子３１とＩＣチップ１を
モールド樹脂２６により被覆一体化した。即ち、圧電振動素子搭載部とＩＣチップ収容空
所２４を縦方向に構成すると、圧電発振器全体の高さが高くなってしまう。そこで本実施
形態では、プリント配線基板２８上に圧電振動子３１とＩＣチップ１を並行に実装し、圧
電振動子３１とＩＣチップ１をモールド樹脂２６により被覆一体化する。これにより、圧
電発振器の高さ方向を小さくでき、且つ圧電振動子３１とＩＣチップ１を外部環境から保
護することができる。
【００２４】
また、図１（ｄ）のように、ＩＣチップ１をプリント配線基板２８にフリップチップ実
装した場合、ＩＣチップ１の放熱用導体膜５に接触するようにＩＣチップ１を覆う金属ケ
ース２９を備えた。即ち、ＩＣチップ１をプリント配線基板２８にフリップチップ実装し
た場合、バンプ９を備えた一面が下向きとなる。その結果、放熱板５を備えた面は上向き
となるので、必然的に放熱板５は、何処とも接触しない状態で、放熱板５から発生した熱
は空気を介して放熱される。しかし、これだけでは放熱の効率が良くないので、本実施形
態ではＩＣチップ１を覆う金属性のケース２９を設け、この金属ケース２９に放熱板５を
密着させる。これにより、放熱板５から発生した熱が金属ケース２９を介して放熱され、
放熱効率を高めることができる。
【００２５】
図２は本発明の実施形態に係るＩＣチップの構成を示す図である。図２（ａ）は断面図
、（ｂ）は裏面から見た平面図、（ｃ）は裏面から見た他の平面図である。図２（ａ）よ
り、ＩＣチップ１は、シリコン基板（チップ本体）３と、シリコン基板３の一面（半導体
素子面）に形成されたＩＣ電極２と、この一面の反対面に形成された放熱板（放熱用導体
膜）５と、を備え、シリコン基板３の半導体素子面のグランド電位部と放熱板５とが少な
くとも１つ以上のＶＩＡホール４を介して接続されている。
図２（ｂ）では、ＶＩＡホール４は放熱板５の略中央に１つ形成されている。ＩＣチッ
プ１から発生した熱は、ＶＩＡホール４を介して放熱板５により放熱されるが、それと共
に、シリコン基板３から伝達される熱も放熱板５から放熱される。しかし、ＶＩＡホール
４の熱伝導率の方がシリコン基板３の熱伝導率より大きいので、可能な限りＶＩＡホール
４の数を増やした方が有利である。図２（ｃ）はＶＩＡホール４の数を増加した場合の放
熱板を示す図であり、この例では、ＶＩＡホールが４の他に４ａ、４ｂ、４ｃと複数形成
され、更に放熱効果を高めるような構成となっている。
図３は図２（ａ）のＡ部を拡大した図である。同じ構成要素には図２（ａ）と同じ参照
番号を付して説明する。放熱板５は熱伝導率の高いアルミ又は銅等で構成されてグランド
に接続される。そのため、ＶＩＡホール４及び放熱板５は、シリコン基板内の回路とのシ
ョートを防止するために、絶縁膜８により境界面が絶縁されている。
【００２６】
図４はＩＣチップをパッケージに実装した状態を示す図であり、図４（ａ）はＩＣチッ
プ１をボンディングワイヤー１０によりパッケージ１２に実装した場合、図４（ｂ）はＩ
Ｃチップ１をパッケージ１２にフリップチップ実装した場合を示す。ＩＣチップ１をボン
ディングワイヤー１０によりパッケージ１２に実装した場合、放熱板５は、パッケージ１
２の内底面１２ａと接触して搭載される。即ち、ＩＣチップ１をボンディングワイヤー１
０によりパッケージ１２に実装した場合、電極２を備えた面が上向きとなる。その結果、
放熱板５を備えた面は下向きとなるので、必然的に放熱板５は、パッケージ１２の内底面
１２ａと接触して搭載される。そして電極パッド２にバンプ９を形成してボンディングワ
イヤー１０によりパッケージ１２の回路と接続される。これにより、放熱板５から発生し
た熱がパッケージ１２の内底面１２ａから放熱され、放熱効果を高めることができる。尚
、パッケージ１２の内底面１２ａにランド１１を形成することにより、更に放熱効果を高
めることができる。
【００２７】
また、ＩＣチップ１をパッケージ１２にフリップチップ実装した場合（図４（ｂ））、
放熱板５は、ＩＣチップ１を覆う金属性のケース１３と接触して搭載される。即ち、ＩＣ
チップ１をパッケージ１２にフリップチップ実装した場合、電極２を備えた面が下向きと
なる。その結果、放熱板５を備えた面は上向きとなるので、必然的に放熱板５は、何処と
も接触しない状態で、放熱板５から発生した熱は空気を介して放熱される。しかし、これ
だけでは放熱の効率が良くないので、本実施形態ではＩＣチップ１を覆う金属性のケース
１３を設け、この金属ケース１３に放熱板５を密着させる。これにより、放熱板５から発
生した熱が金属ケース１３を介して放熱され、放熱効果を高めることができる。
尚、図示は省略するが、放熱板５は、導電性接着剤又は金属ペーストによりパッケージ
１２又は金属ケース１３と接着される。即ち、放熱板５は、アルミ又は銅等の熱伝導率が
比較的高い金属により構成される。しかし、放熱板５から発生した熱をパッケージ１２の
内底面１２ａや金属ケース１３に密着させても、平面性が悪いと接触面での熱の伝達効率
が悪くなる。そこで本実施形態では、接触面に導電性接着剤又は金属ペーストを塗布する
。これにより、接触性を高めて更に放熱効果を高めることができる。
【符号の説明】
【００２８】
１  ＩＣチップ、２  電極パッド、３  シリコン基板、４  ＶＩＡホール、５  放熱板
、６  回路面、７  反対側の面、８  絶縁膜、９  バンプ、１０  ボンディングワイヤー
、１１  ランド、１２  パッケージ、１３  金属ケース、３１  圧電振動子、４０、４１
、４２、４３  圧電発振器、５０  ＩＣチップ、５１  温度補償回路、５２  可変容量素
子、５３  圧電振動素子、５４  発振回路
【図１】
2010252210.tif 000003
【図２】
2010252210.tif 000004
【図３】
2010252210.tif 000005
【図４】
2010252210.tif 000006
【図５】
2010252210.tif 000007
【図６】
2010252210.tif 000008