【事件の表示】
　特許第６６７８７５７号発明「銅板付き絶縁基板用銅板材及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６６７８７５７号の請求項１〜５に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６６７８７５７号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜６に係る特許についての出願（以下、「本願」という。）は、２０１８年（平成３０年）３月２８日（優先権主張　平成２９年（２０１７年）３月３１日）を国際出願日として出願され、令和２年３月１９日に特許権の設定登録がされ、同年４月８日に特許掲載公報が発行され、その後、同年１０月７日付けで、請求項１〜５に係る特許に対し、特許異議申立人である中川賢治（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。
第２　本件発明
　本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜５に係る発明（以下、順に「本件発明１」〜「本件発明５」という。）は、それぞれ、願書に添付された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒからなる群から選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍ、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有し、かつ、ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である圧延集合組織を有することを特徴とする銅板付き絶縁基板用銅板材。
【請求項２】
　前記銅の含有量が９９．９９ｍａｓｓ％以上であり、かつ、縦弾性係数の平均値が１１５ＧＰａ以下であり、前記縦弾性係数は圧延方向、板幅方向、及びこれらの間の方向で測定される、請求項１に記載の銅板付き絶縁基板用銅板材。
【請求項３】
　平均結晶粒径が３μｍ〜１００μｍである、請求項１又は２に記載の銅板付き絶縁基板用銅板材。
【請求項４】
　７００〜８００℃で１０分〜５時間の熱履歴を受けた状態で、平均結晶粒径が５０μｍ〜２００μｍである、請求項１から３までのいずれか１項に記載の銅板付き絶縁基板用銅板材。
【請求項５】
　引張強度が１５０〜３３０ＭＰａであり、かつ、導電率が９５％ＩＡＣＳ以上である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の銅板付き絶縁基板用銅板材。」
第３　特許異議申立の理由の概要
　申立人は、証拠方法として、後記する甲第１〜７号証（以下、単に「甲１」〜「甲７」という。）及び参考資料１を提出し、以下の理由により、請求項１〜５に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
理由１−１　本件発明１〜５は、甲１に記載された発明及び甲３〜７の記載事項に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、それらの発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。
　　　　
理由１−２　本件発明１〜５は、甲２に記載された発明及び甲３〜７の記載事項に基いて、その優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、それらの発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。
甲１：特開２０１３−２３７１００号公報
甲２：特開２０１４−６０２１６号公報
甲３：三宅保彦　「工業材料としての高純度銅の製造と応用」、日本金属学会会報、社団法人日本金属学会、１９９２年４月２０日、第３１巻第４号、第２６７〜２７６頁
甲４：Ａｋｉｈｉｔｏ　Ｋｕｒｏｓａｋａ　ｅｔ　ａｌ．　“Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｃｏｐｐｅｒ”、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　＆　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ａ、１９９２年８月、Ｖｏｌ．１０、Ｎｏ．６、ｐｐ．３４６５〜３４７１頁、及び抄訳文
甲５：Ｐｈ．Ｇｅｒｂｅｒ　ｅｔ　ａｌ．　“Ａ　ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｅｘｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｓｔｏｒｅｄ　ｅｎｅｒｇｙ　ｄｕｒｉｎｇ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ　ｏｆ　ｃｏｌｄ　ｒｏｌｌｅｄ　ｃｏｐｐｅｒ”、Ａｃｔａ　Ｍａｔｅｒｉａｌｉａ、２００３、Ｖｏｌ．５１、ｐｐ．６３５９〜６３７１、及び抄訳文
甲６：Ｋ．Ｐｉｅｋｏｓ　ｅｔ　ａｌ.　“Ｇｅｎｅｒａｌｉｚｅｄ　ｖｅｒｔｅｘ　ｍｏｄｅｌ　ｏｆ　ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ−Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｔｏ　ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｃｏｐｐｅｒ”、Ｃｏｍｐｕｔａｔｉｏｎａｌ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ、２００８年６月、Ｖｏｌ．４２、ｐｐ．５８４−５９４、及び抄訳文
甲７：日本伸銅協会伸銅品データブック編集委員会編　「伸銅品データブック」、第１版、日本伸銅協会、１９９７年８月１日、第４２、５０頁
参考資料１：「甲第５号証のＦｉｇ．４及び甲第６号証のＦｉｇ．１における方位密度の平均値を読み取った結果」、２０２０年
第４　当審の判断
　１　本件明細書の記載事項
　本願の願書に添付された明細書（以下、「本件明細書」という。）には以下の記載がある。
「【０００１】
　本発明は、銅板付き絶縁基板用銅板材、特にパワーデバイスの銅板付き絶縁基板に好適な銅板材及びその製造方法に関する。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　しかしながら、特許文献１に開示されている純銅板は、エッチングによって表面に凹凸が生じにくいため他の部材との密着性が優れているとされているが、高温下での他の部材との接合に関しては全く検討されていない。また、特許文献２に開示されている銅合金板は、耐熱性に関して検討されているが、２００℃で３０分間の熱処理による耐熱性しか考慮されていない。さらに、特許文献２に開示されている銅合金板は、引張強さが３５０ＭＰａ以上であり、銅板付き絶縁基板に用いる銅板材として適切な１５０〜３３０ＭＰａの範囲に対応していない。
【０００７】
　そこで、本発明の目的は、圧延方向から板幅方向にかけて連続的に縦弾性係数が低く、さらに引張強度及び導電率に優れ、高温で熱処理（例えば、７００℃以上８００℃以下で１０分以上５時間以下の熱処理）を行った際に結晶粒の成長が抑制される銅板付き絶縁基板用銅板材、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　本発明者らは、銅板材の縦弾性係数を制御し、かつ７００℃以上の高温における結晶粒の成長を抑制することによって、銅板材とセラミック基板との接合において、銅板材とセラミック基板との熱膨張係数の差によって生じる基板全体の負荷応力を低減し、また結晶粒の成長による組織の不均質化とボンディング性の低下を抑制できることを見出した。」
「【実施例】
【００３４】
　以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３５】
（実施例１〜１３及び比較例１〜１７）
　まず、表１に示す成分組成を有する銅素材を溶解し、鋳造して鋳塊を得た［工程１］。得られた鋳塊に対して、保持温度７００〜１０００℃、保持時間１０分〜２０時間の均質化熱処理を行った［工程２］。そして、総加工率が１０〜９０％となるように熱間圧延を行った［工程３］後、１０℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で急冷を行った［工程４］。冷却された材料の両面をそれぞれ約１．０ｍｍずつ面削した［工程５］。次に、表２に示す総加工率で第１冷間処理を行った［工程６］後、表２に示す昇温速度、到達温度、保持時間及び冷却速度で第１焼鈍を行った［工程７］。次に、表２に示す総加工率で第２冷間圧延を行った［工程８］表２に示す昇温速度、到達温度、保持時間及び冷却速度で第２焼鈍を行った［工程９］後、表２に示す総加工率で仕上げ圧延を行った［工程１０］。到達温度が１２５〜４００℃である条件で最終焼鈍を行った［工程１１］後、酸洗及び研磨を行い［工程１２］、銅板材（供試材）を作製した。
【００３６】
（測定方法及び評価方法）
＜金属成分の定量分析＞
　作製した各供試材について、ＶＧ　９０００（ＶＧ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて解析を行った。各供試材に含まれるＡｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒの含有量（ｐｐｍ）、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒ（表１では単に「金属成分」と記す）の合計含有量（ｐｐｍ）、並びにＣｕの含有量（ｍａｓｓ％）を表１に示す。なお、各供試材には、不可避的不純物が含まれている場合がある。また、表１における「−」は、該当する金属成分が検出されなかったことを意味する。
【００３７】
＜方位密度＞
　方位密度は、ＯＩＭ５．０ＨＩＫＡＲＩ（ＴＳＬ社製）を用い、ＥＢＳＤ法により測定した。測定面積は、結晶粒を２００個以上含む、８００μｍ×１６００μｍの範囲とし、スキャンステップを０．１μｍとした。測定後の結晶粒の解析には、ＴＳＬ社製の解析ソフトＯＩＭ　Ａｎａｌｙｓｉｓ（商品名）を用いた。解析により得られた結晶方位分布関数はオイラー角で表示された。φ２＝０°の断面図より、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲（表３では「範囲Ａ」と記す）における方位密度の平均値を算出した。また、オイラー角で表示されたφ２＝３５°の断面図において、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲（表３では「範囲Ｂ」と記す）における方位密度の最大値を読み出した。各供試材について、範囲Ａにおける方位密度の平均値及び範囲Ｂにおける方位密度の最大値を表３に示す。
【００３８】
＜平均結晶粒径＞
　平均結晶粒径は、方位密度と同様の方法で測定した。測定範囲に含まれる全ての結晶粒より、平均結晶粒径を算出した。各供試材の平均結晶粒径を表３に示す。
【００３９】
＜縦弾性係数＞
　各供試材から、ＲＤ方向と、ＴＤ方向と、ＲＤ方向からＴＤ方向にかけて１０°おきに回転させた方向において、それぞれ幅２０ｍｍ、長さ２００ｍｍの短冊状試験片を採取した。まず、試験片の長さ方向に引張試験機により応力を付与した。そして、降伏するときの歪量の８０％の歪量を最大変位量とし、その最大変位量までを１０分割した変位を与えた。その１０点で歪と応力の比例定数を算出し、各比例定数の平均値を縦弾性係数の平均値とした。縦弾性係数の平均値が１１５ＧＰａ以下である場合を「良好」、１１５ＧＰａを超える場合を「不良」と評価した。各供試材について、縦弾性係数の平均値を表３に示す。
【００４０】
＜導電率＞
　導電率は、２０℃（±０．５℃）に保たれた恒温槽中で四端子法により計測した比抵抗の数値から算出した。なお、端子間距離は１００ｍｍとした。導電率が９５％ＩＡＣＳ以上である場合を「良好」、９５％ＩＡＣＳ未満である場合を「不良」と評価した。各供試材の導電率を表３に示す。
【００４１】
＜引張強度＞
　各供試材のＲＤ方向から、ＪＩＳ　Ｚ２２０１−１３Ｂ号の試験片を３本切り出した。ＪＩＳ　Ｚ２２４１に準じて、各試験片の引張強度を測定し、その平均値を算出した。引張強度が１５０ＭＰａ以上３３０ＭＰａ以下である場合を「良好」、１５０ＭＰａ未満である場合又は３３０ＭＰａを超える場合を「不良」と評価した。各供試材の引張強度を表３に示す。
【００４２】
＜耐熱性＞
　各供試材に対して、アルゴン雰囲気又は窒素雰囲気下の管状炉で８００℃で５時間の熱処理を施した後、上記平均結晶粒径の測定方法と同様の方法で、平均結晶粒径を測定した。熱処理後の平均結晶粒径が２００μｍ以下である場合を耐熱性が「良好」、２００μｍを超える場合を耐熱性が「不良」と評価した。各供試材について、熱処理後の平均結晶粒径を表３に示す。一般的に、結晶粒径は、熱処理を高温で長時間行うほど成長する。すなわち、８００℃で５時間の熱処理を行った後に平均結晶粒径が２００μｍ以下である供試材については、７００〜８００℃で１０分以上５時間以内の熱処理を行った場合に、平均結晶粒径が２００μｍ以下であることは自明である。
【００４３】
【表１】
【００４４】
【表２】
【００４５】
【表３】
【００４６】
　表１及び表３に示すように、実施例１〜１３では、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒからなる群から選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍ、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有していた。また、実施例１〜１３では、ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である圧延集合組織を有していた。そのため、ＲＤ方向からＴＤ方向における縦弾性係数の平均値が１１５ＧＰａ以下と低く、引張強度が１５０〜３３０ＭＰａであり、さらに導電率が９５％ＩＡＣＳ以上と高かった。また、８００℃で５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が２００μｍ以下であったため、結晶粒の成長が抑制されることが分かった。
【００４７】
　これに対して、比較例１、２、４、６、８では、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒからなる群から選択される金属成分の合計含有量が２．０ｐｐｍを超えており、かつ、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０未満であった。そのため、ＲＤ方向からＴＤ方向における縦弾性係数の平均値が、それぞれ１１５ＧＰａを超えていた。また、８００℃で５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が、それぞれ２００μｍを超えていたため、結晶粒の成長がそれぞれ確認された。
【００４８】
　比較例３、７では、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒからなる群から選択される金属成分の合計含有量がそれぞれ１５０．０ｐｐｍ、１３０．０ｐｐｍと多く、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値がそれぞれ２．３、０．１と低く、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値がそれぞれ３１．０、３７．０と高かった。そのため、ＲＤ方向からＴＤ方向における縦弾性係数の平均値が、それぞれ１３５ＧＰａ、１５０ＧＰａと高かった。また、８００℃で５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が、それぞれ３６８μｍ、３９９μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。
【００４９】
　比較例５では、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒからなる群から選択される金属成分の合計含有量が２５０．０ｐｐｍと多く、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が０．８と低く、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が３５．０と高かった。そのため、８００℃で５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が４５６μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。
【００５０】
　比較例９では、銅の含有量が９９．００ｍａｓｓ％であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が３１．０と高かった。そのため、導電率が９３．４％ＩＡＣＳと低かった。また、８００℃で５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が４００μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。
【００５１】
　比較例１０、１２、１４、１７では、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値がそれぞれ１．９、２．５、２．９、２．９と低かった。そのため、ＲＤ方向からＴＤ方向における縦弾性係数の平均値が、それぞれ１２９ＧＰａ、１４３ＧＰａ、１５３ＧＰａ、１２８ＧＰａと高かった。また、８００℃で５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が、それぞれ４０２μｍ、４２０μｍ、４００μｍ、３９９μｍと大きく、結晶粒の成長がそれぞれ確認された。
【００５２】
　比較例１１では、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が４２．５と高かった。そのため、引張強度が１４５ＭＰａと低かった。また、８００℃で５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が２７５μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。
【００５３】
　比較例１３では、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が３９．０と高かった。そのため、ＲＤ方向からＴＤ方向における縦弾性係数の平均値が１６５ＧＰａと高く、引張強度も３８５ＭＰａと高かった。また、８００℃で５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が４３５μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。
【００５４】
　比較例１５では、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が３１．０と高かった。そのため、ＲＤ方向からＴＤ方向における縦弾性係数の平均値が１２９ＧＰａと高かった。また、８００℃で５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が３８０μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。
【００５５】
　比較例１６では、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が２．７と低く、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が３２．０と高かった。そのため、ＲＤ方向からＴＤ方向における縦弾性係数の平均値が１３０ＧＰａと高かった。また、８００℃で５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が４３２μｍと大きく、結晶粒の成長が確認された。」
　２　各甲号証の記載事項及び各甲号証に記載にされた発明
　各甲号証には以下の記載がある。
　（１）甲１の記載事項及び甲１に記載された発明
　　ア　本件優先日（平成２９年３月３１日）前に頒布された刊行物である甲１には、以下の記載がある（なお、下線は当審が付与した。以下同様。）。
「【請求項１】
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一面にろう材層を介し接合された銅を主体とした回路板と、前記回路板の表面に被着されたＮｉめっき層を有するセラミックス回路基板の製造方法であって、ろう材を介しセラミックス基板の一面に回路原板を配置する配置工程と、セラミックス基板の一面に回路原板を加熱し接合する接合工程と、接合工程で形成されてなる回路板を化学研磨する化学研磨工程と、化学研磨工程の後に回路板の表面にＮｉめっき層を被着するめっき工程と、を含み、前記回路原板は、調質記号１／２Ｈ〜Ｈ相当の銅または銅合金からなる銅板であり、前記接合工程は、その温度プロファイルにおいて、第１の温度域と、前記第１の温度域の後に配置された、ろう材が溶融する温度で加熱する第２の温度域とを有し、前記第１の温度域の温度が４００〜７５０℃であることを特徴するセラミックス回路基板の製造方法。」
「【請求項４】
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一面にろう材層を介し接合された銅または銅合金からなる回路板と、前記回路板の表面に被着されたＮｉめっき層を有するセラミックス回路基板であって、前記回路板は下記で定義される第１再結晶相および第２再結晶相を含み、前記Ｎｉめっき層は、前記第１再結晶相の表面上に形成された粒状相および前記第２再結晶相の表面上に形成された平滑相を含み、前記粒状相と平滑相との境界部における酸素濃度が２５．０原子％以下であるセラミックス回路基板。
第１再結晶相：成長方位が回路板の表面の垂直方向に対して±３０°以内である結晶子からなり、当該結晶子の長軸長の平均値が１００〜４００μｍである相
第２再結晶相：成長方位が回路板の表面の平行方向に対して±３０°以内である結晶子からなり、当該結晶子の長軸長の平均値が１００〜４００μｍである相」
「【０００１】
本発明は、セラミックス基板の一面に銅を主体とした回路板がろう材を介して接合されたセラミックス回路基板の製造方法およびセラミックス回路基板に係る発明である。
「【０００９】
そして、化学研磨工程後のＮｉめっき工程において、図５（ｃ）に示すように、回路板９ａの表面にＮｉめっき層９ｉが被着される。上記のような表面状態の回路板９ａの表面に形成されたＮｉめっき層９ｉには、上記第１再結晶相Ｎ１の表面状態が転写された表面が粗い粒状相Ｍ１と、上記第２再結晶相Ｎ２の表面状態が転写された表面が平滑な平滑相Ｍ２および上記第３再結晶相Ｎ３の表面状態が転写された相Ｍ３が形成されるとともに、上記第１再結晶相Ｎ１と第２再結晶相Ｎ２の境界部Ｋに生じた段差Ｄ１や凹部Ｏ１も粒状相Ｍ１と平滑相Ｍ２の境界に転写される。すると、Ｎｉめっき工程後の例えば洗浄工程において、上記粒状相Ｍ１と平滑相Ｍ２の境界に存在する凹部Ｏ２や段差Ｄ２に水分が残留し、または雰囲気の酸素により選択的に酸化され、溶融半田との濡れ性の悪い酸化層が当該境界部Ｋに形成されるため溶融半田の濡れ広がりの障壁となり、Ｎｉめっき層９ｉの表面における溶融半田の濡れ広がりを阻害する。
【００１０】
本発明は、上記従来技術に鑑みなされたものであり、溶融半田の濡れ性が改善されたＮｉめっき層を有する回路板を形成可能なセラミックス回路基板の製造方法および溶融半田の濡れ広がり性が改善されたＮｉめっき層を有する回路板が形成されたセラミックス回路基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため本発明者らは鋭意検討し、上記したとおり、表面の粗さが異なる二の相、すなわち平滑相と粒状相とがＮｉめっき層に形成されており、その二の相の境界が障害となり溶融半田の濡れ広がり性を阻害していること、およびその二の相の境界の状態を制御することにより溶融半田の濡れ広がり性を改善できることを知見し、本発明を完成させたものである。」
「【００２２】
かかる回路基板によれば、図４（ｂ）に示すように、銅または銅合金からなる回路板１ａは、成長方位が回路板１ａの表面の垂直方向に対して±３０°以内である結晶子Ｓ１からなり当該結晶子Ｓ１の長軸長Ｌ１の平均値が１００〜４００μｍである第１再結晶相Ｑ１と、成長方位が回路板１ａの表面の平行方向に対して±３０°以内である結晶子Ｓ２からなり当該結晶子Ｓ２の長軸長の平均値Ｌ２が１００〜４００μｍである第２再結晶相Ｑ２とを有している。なお、回路板１ａは、図示するように、成長方位が回路板１ａの表面に対して傾斜した結晶子Ｓ３からなる第３再結晶相Ｑ３も含み、当該結晶子Ｓ３の長軸長の平均値も１００〜４００μｍ程度となっている。
【００２３】
ここで、第１再結晶相Ｑ１および第２結晶Ｑ２相を構成する結晶子Ｓ１・Ｓ２の長軸長は、いずれも１００〜４００μｍの範囲に制御されて結晶子が微細化されている。かかる微細な結晶子Ｓ１・Ｓ２で構成された第１再結晶相Ｑ１および第２再結晶相Ｑ２からなる回路板１ａは、化学研磨工程においての当該第１再結晶相Ｑ１と第２再結晶相Ｑ２との境界部Ｋに過大な段差Ｔ１や凹部Ｕ１が発生することが抑制される。そして、図４（ｃ）および図４（ｄ）に示すように、回路板１ａの表面に被着されたＮｉめっき層１ｉは、第１再結晶相Ｑ１の表面上に形成された粒状相Ｒ１、第２再結晶相Ｑ２の表面上に形成された平滑相Ｒ２を含んでいる。上記のように微細化された結晶子Ｓ１・Ｓ２からなる回路板１ａの第１再結晶相Ｑ１および第２再結晶相Ｑ２の境界部Ｋには、化学研磨による過大な段差や凹部が形成されておらず、その結果、回路板１ａの表面、すなわち第１再結晶相Ｑ１および第２再結晶相Ｑ２の表面に被着されたＮｉめっき層１ｉの粒状部Ｒ１および平滑部Ｒ２の境界部にも過大な段差や凹部が形成されていない。したがって、上記回路基板１は、そのＮｉめっき層１ｉの粒状相Ｒ１と平滑相Ｒ２との境界部に、溶融半田の濡れ広がりを阻害する酸素濃度の高い酸化層が形成され難く、当該境界部の酸素濃度が２５％以下となり、所望の溶融半田の濡れ広がり性を確保することができる。」
「【００３２】
　回路板１ａの表面に形成されたＮｉめっき層の構成をその要旨とする本発明で使用されるセラミックス基板１ｅの材質は特に限定されず、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体等、基本的に電気絶縁材料からなる焼結体で構成すればよい。
「【００３４】
　以下、上記窒化珪素基板を使用した回路基板の製造方法について説明する。
【００３５】
［配置工程］
まず、配置工程を行う。図２（ａ）に示すように、上記セラミックス基板１ｅの一面にろう材２ｄを塗布しておく。次いで、ろう材２ｄを介しセラミックス基板１ｅの一面に回路原板２ａを配置し、被接合体２を形成する。この回路原板２ａは、配置工程後に引き続き行われる、回路原板２ａとセラミックス基板１ｅとの接合工程において回路原板２ａに付加される熱によりその組織が変化し、回路基板１を構成する回路板１ａ（図１参照）となる回路板１ａの出発材料であり、上記したように調質記号１／２Ｈ〜Ｈ相当の銅または銅合金からなる銅板を使用する。以下の実施例では、回路原板２ａとして２種、厚みが０．５ｍｍの無酸素銅基板Ｃ１０２０Ｈ材（ＪＩＳ規格　Ｈ３１００）で調質記号１／２Ｈ相当の回路原板２ａおよび同材質で調質記号Ｈ相当の回路原板２ａを使用した。
「【図１（ａ）】
」
「【図１（ｂ）】
」
「【図２（ａ）】
」
「【図４（ｂ）】
」
「【図４（ｃ）】
」
「【図４（ｄ）】
」
「【図５（ｃ）】
」
　　イ　以上から、特に【０００１】、【００３２】、【００３５】、図２（ａ）に着目すると、甲１には、以下の発明が記載されている。
「電気絶縁材料からなる焼結体で構成されるセラミックス基板の一面に塗布されたろう材を介して銅を主体とした回路板が接合されたセラミックス回路基板において、回路基板を構成する回路板の出発原料となる回路原板として使用される、厚みが０．５ｍｍで調質記号１／２Ｈ相当の無酸素銅基板Ｃ１０２０Ｈ材。」（以下、「甲１発明」という。）
　（２）甲２の記載事項及び甲２に記載された発明
　　ア　本件優先日前に頒布された刊行物である甲２には、以下の記載がある。
「【請求項１】
　絶縁層と、この絶縁層の一方の面に形成された回路層と、前記絶縁層の他方の面に形成された金属層と、前記絶縁層の他方の面側に配設されたヒートシンクと、前記金属層と前記ヒートシンクとの間に配設された接合材と、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、
　前記金属層及び前記ヒートシンクは、Ｃｕ又はＣｕ合金で構成され、
　前記金属層及び前記ヒートシンクが、Ａｌ又はＡｌ合金で構成された前記接合材と固相拡散接合されていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。」
「【請求項３】
　前記金属層の平均結晶粒径が５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内とされ、前記第一拡散層と前記第二拡散層の間に形成されたＡｌ又はＡｌ合金からなるアルミニウム層の平均結晶粒径が５００μｍ以上とされていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のヒートシンク付パワーモジュール用基板。」
「【０００１】
　
この発明は、絶縁層の一方の面に回路層が配設されるとともに前記絶縁層の他方の面に金属層が配設されたパワーモジュール用基板と、パワーモジュール用基板の他方の面側にヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を備えたヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法に関するものである。
「【０００８】
　特に、最近では、パワーモジュールの小型化・薄肉化が進められるとともに、その使用環境も厳しくなってきており、半導体素子からの発熱量が大きくなっている。そのため、パワーモジュール用基板とヒートシンクとの接合部における熱抵抗が低く放熱性が良好で、ヒートサイクル負荷時においても接合の信頼性が高いヒートシンク付パワーモジュール用基板が求められている。
【０００９】
　
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、初期の熱抵抗が低く、かつヒートサイクル負荷において絶縁層に割れが発生することを抑制するとともに熱抵抗の上昇を抑制可能なヒートシンク付パワーモジュール用基板、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を備えたヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
　前述の課題を解決するために、本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板は、絶縁層と、この絶縁層の一方の面に形成された回路層と、前記絶縁層の他方の面に形成された金属層と、前記絶縁層の他方の面側に配設されたヒートシンクと、前記金属層と前記ヒートシンクとの間に配設された接合材と、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、前記金属層及び前記ヒートシンクは、Ｃｕ又はＣｕ合金で構成され、前記金属層及び前記ヒートシンクが、Ａｌ又はＡｌ合金からなる前記接合材と固相拡散接合されていることを特徴としている。
【００１１】
　本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板によれば、Ｃｕ又はＣｕ合金で構成された金属層とヒートシンクとが、Ａｌ又はＡｌ合金で構成された接合材と固相拡散接合されているので、金属層とヒートシンクとがこの接合材によって強固に接合されている。したがって、ヒートサイクルが負荷された場合に、金属層と接合材との接合界面、及びヒートシンクと接合材との接合界面に剥離が生じることを抑制して熱抵抗の上昇を抑制できる。また、接合材は、強度が低いＡｌ又はＡｌ合金で構成されているので、ヒートサイクル負荷時においてパワーモジュール用基板とヒートシンクとの間に生じる熱応力を接合材で吸収することができ、絶縁層（セラミックス基板）に生じる割れの発生を抑制可能となる。
　さらには、金属層とヒートシンクの間に、はんだと比べて熱伝導の良好なＡｌ又はＡｌ合金で構成された接合材が存在しているので、初期の熱抵抗を低減することが可能となる。」
「【００２２】
　以下に、本発明の実施形態について、添付した図面を参照して説明する。
　図１に、本発明の実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール１、ヒートシンク付パワーモジュール用基板３０、パワーモジュール用基板１０を示す。
　このヒートシンク付パワーモジュール１は、ヒートシンク付パワーモジュール用基板３０と、このヒートシンク付パワーモジュール用基板３０の一方側（図１において上側）にはんだ層２を介して接合された半導体素子３と、を備えている。」
「【００２６】
　
パワーモジュール用基板１０は、図１に示すように、セラミックス基板１１（絶縁層）と、このセラミックス基板１１の一方の面（図１において上面）に形成された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面（図１において下面）に形成された金属層１３と、を備えている。
【００２７】
　セラミックス基板１１は、回路層１２と金属層１３との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いＡｌＮ（窒化アルミ）で構成されている。また、セラミックス基板１１の厚さは、０．２〜１．５ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６３５ｍｍに設定されている。
【００２８】
　
回路層１２は、セラミックス基板１１の一方の面（図１において上面）に、金属板が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、回路層１２は、無酸素銅（純Ｃｕ）の圧延板からなる銅板２２がセラミックス基板１１に接合されることで形成されている。
【００２９】
　金属層１３は、セラミックス基板１１の他方の面（図１において下面）に、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板が接合されることにより形成されている。
本実施形態においては、金属層１３は、無酸素銅（純Ｃｕ）の圧延板からなる銅板２３がセラミックス基板１１に接合されることで形成されている。
「【図１】
」
　　イ　以上から、特に【００２６】〜【００２９】、図１に着目すると、甲２には、以下の発明が記載されている。
「セラミックス基板の一方の面に形成された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された金属層とを備えたパワーモジュール用基板において、セラミックス基板に接合されることで金属層を形成する無酸素銅（純Ｃｕ）の圧延板からなる銅板。」（以下、「甲２発明」という。）
　（３）甲３の記載事項
　本件優先日前に頒布された刊行物である甲３には、以下の記載がある。
「
」
「
」
　（４）甲４の記載事項
　本件優先日前に頒布された刊行物である甲４には、以下の記載がある。
「
」
　（５）甲５の記載事項
　本件優先日前に頒布された刊行物である甲５には、以下の記載がある。
「
」
　（６）甲６の記載事項
　本件優先日前に頒布された刊行物である甲６には、以下の記載がある。
「
」
　（７）甲７の記載事項
　本件優先日前に頒布された刊行物である甲７には、以下の記載がある。
「
」
「
」
　３　申立理由１−１（甲１を主たる引用例とする進歩性）について
　（１）本件発明１について
　　ア　本件発明１と甲１発明とを対比する。
　　（ア）甲１発明の「銅を主体とした回路板」は、本件発明１の「銅板付き絶縁基板」における「銅板」に相当し、この「銅を主体とした回路板」は「セラミックス回路基板」の「セラミックス基板」に塗布されたろう材を介して接合されるもので、「セラミックス回路基板」の「セラミックス基板」に「付」いているものであり、甲１発明の「セラミックス回路基板」の「電気絶縁材料からなる焼結体で構成されるセラミックス基板」は本件発明1の「絶縁基板」に相当するから、甲１発明の「電気絶縁材料からなる焼結体で構成されるセラミックス基板の一面に塗布されたろう材を介して銅を主体とした回路板が接合されたセラミックス回路基板」は、本件発明1の「銅板付き絶縁基板」に相当する。
　そして、甲１発明の「厚みが０．５ｍｍで調質記号１／２Ｈ相当の無酸素銅基板Ｃ１０２０Ｈ材」は、本件発明１の「銅板材」に相当する。
　してみると、甲１発明の「電気絶縁材料からなる焼結体で構成されるセラミックス基板の一面に塗布されたろう材を介して銅を主体とした回路板が接合されたセラミックス回路基板において、回路基板を構成する回路板の出発原料となる回路原板として使用される、厚みが０．５ｍｍで調質記号１／２Ｈ相当の無酸素銅基板Ｃ１０２０Ｈ材」は、本件発明１の「銅板付き絶縁基板用銅板材」に相当する。
　　イ　以上によれば、本件発明１と甲１発明との「一致点」並びに「相違点１」及び「相違点２」は以下のとおりである。
（一致点）
　「銅板付き絶縁基板用銅板材。」
（相違点１）
　銅板材の組成について、本件発明１では、「Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒからなる群から選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍ、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有し」と規定されているのに対して、甲１発明では、含有される各金属成分の含有量が不明である点。
（相違点２）
　本件発明１では、「ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である圧延集合組織を有する」のに対して、甲１発明では、このような「圧延集合組織」を有しているのか不明である点。
　　ウ　相違点２に係る容易想到性の判断
　　（ア）事案に鑑み、相違点２から検討する。本件明細書の【００１７】〜【００２０】、並びに、図１（Ａ）及び（Ｂ）によれば、「φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である」ことにより、７００℃以上の高温でも結晶粒の成長が抑制されるとしている。そして、本件明細書の【００３７】、【００４５】〜【００５５】には、実施例１〜１３は、「φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である圧延集合組織」を有しており、８００℃で５時間の熱処理を行った後の平均結晶粒径が２００μｍ以下であり、結晶粒の成長が抑制された旨が記載されている。
　したがって、本件発明１は、「φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である」とすることにより、高温で熱処理を行った際に結晶粒の成長が抑制される銅板付き絶縁基板用銅板材が得られるものと認められる。
　　（イ）他方、甲１の【００１０】によれば、甲１発明は、溶融半田の濡れ性が改善されたＮｉめっき層を有する回路板を形成可能なセラミックス回路基板の製造方法および溶融半田の濡れ広がり性が改善されたＮｉめっき層を有する回路板が形成されたセラミックス回路基板を提供することを目的とするものであって、甲１には、「φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である」ことについて記載も示唆もされておらず、また、甲１には、厚みが０．５ｍｍで調質記号１／２Ｈ相当の無酸素銅基板Ｃ１０２０Ｈ材を高温で熱処理を行った際に結晶粒の成長を抑制することについても記載も示唆もされていない。
　さらに、甲５、６及び参考資料１を参照すると、甲５のＦｉｇ．４には、７０％の加工率で冷間圧延を施した無酸素銅における「ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である圧延集合組織」が図示され、甲６のＦｉｇ．１には、銅の再結晶材における「ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である圧延集合組織」が図示されているものの、甲５、甲６では、銅板を高温で熱処理を行った際に結晶粒の成長を抑制することや、そもそも「銅板付き絶縁基板用銅板材」を得ることについて予定しているものではなく、甲５、６には、甲１発明に、甲５、６の技術事項を適用する必要性（動機付け）について記載も示唆もない。
　また、甲３、４は、無酸素銅の成分組成についての記載があり、甲７には、純銅の物理的性質や銅及び銅合金の板及び条についての記載があるものの、これら甲３、４、７には、「ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である圧延集合組織」について記載も示唆もされておらず、銅板を高温で熱処理を行った際に結晶粒の成長を抑制することについても記載も示唆もされていないのみならず、甲１発明に、甲５、６の技術事項を適用する必要性（動機付け）について記載も示唆もない。
　そして、「ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である圧延集合組織」とすることで、銅板を高温で熱処理を行った際に結晶粒の成長を抑制することは技術常識であるとも認められない。
　そうすると、甲１発明において、相違点２に係る特定事項を備えようとする動機付けがない。
　　（ウ）さらに、本件発明１の高温で熱処理を行った際に結晶粒の成長が抑制される銅板付き絶縁基板用銅板材を提供するとの効果は、甲１及び甲３〜７に記載された事項から予測可能なものとはいえず、顕著な効果であるといえる。
　　（エ）したがって、甲１発明において、相違点２に係る特定事項を備えることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。そうすると、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１に記載された発明及び甲３〜７に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　（２）本件発明２〜５について
　本件発明１を引用することによって本件発明１の特定事項の全てを備える本件発明２〜５も、本件発明１と同様の理由で、甲１に記載された発明及び甲３〜７に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　（３）以上のとおりであるから、甲１を主たる引用例とする申立理由１−１（進歩性）によっては、本件特許の請求項１〜５に係る特許を取り消すことはできない。
　４　申立理由１−２（甲２を主たる引用例とする進歩性）について
　（１）本件発明１について
　　ア　本件発明１と甲２発明とを対比する。
　　（ア）甲２発明の「金属層」は、「無酸素銅（純Ｃｕ）の圧延板からなる銅板」によって形成されるものであり、本件発明１の「銅板付き絶縁基板」における「銅板」に相当し、この「金属層」は、「パワーモジュール用基板」の「前記セラミックス基板の他方の面」に配設されるものであることから、「パワーモジュール用基板」に「付」いているものであり、甲２発明の「パワーモジュール用基板」の「セラミックス基板」は本件発明１の「絶縁基板」に相当することから、甲２発明の「セラミックス基板の一方の面に形成された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された金属層とを備えたパワーモジュール用基板」は、本件発明１の「銅板付き絶縁基板」に相当する。
　さらに、甲２発明の「セラミックス基板に接合されることで金属層を形成する無酸素銅（純Ｃｕ）の圧延板からなる銅板」は、本件発明１の「銅板材」に相当する。
　してみると、甲２発明の「セラミックス基板の一方の面に形成された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された金属層とを備えたパワーモジュール用基板において、セラミックス基板に接合されることで金属層を形成する無酸素銅（純Ｃｕ）の圧延板からなる銅板」は、本件発明１の「銅板付き絶縁基板用銅板材」に相当する。
　　イ　以上によれば、本件発明１と甲２発明との「一致点」並びに「相違点３」及び「相違点４」は以下のとおりである。
（一致点）
　「銅板付き絶縁基板用銅板材。」
（相違点３）
　銅板材の組成について、本件発明１では、「Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒからなる群から選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍ、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有し」と規定されているのに対して、甲２発明では、含有される各金属成分の含有量が不明である点。
（相違点４）
　本件発明１では、「ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である圧延集合組織を有する」のに対して、甲２発明では、このような「圧延集合組織」を有しているのか不明である点。
　　ウ　相違点４に係る容易想到性の判断
　　（ア）事案に鑑み、相違点４から検討する。上記３（１）ウ（ア）で検討したとおり、本件発明１は、「φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である」とすることにより、高温で熱処理を行った際に結晶粒の成長が抑制される銅板付き絶縁基板用銅板材が得られるものと認められる。
　　（イ）他方、甲２の【０００９】によれば、甲２発明は、初期の熱抵抗が低く、かつヒートサイクル負荷において絶縁層に割れが発生することを抑制するとともに熱抵抗の上昇を抑制可能なヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供することを目的とするものであり、甲２には、「φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である」ことについて記載も示唆もされておらず、また、甲２には、銅板を高温で熱処理を行った際に結晶粒の成長を抑制することについても記載も示唆もされていない。
　さらに、上記３（１）ウ（イ）で検討したとおり、甲５、甲６では、銅板を高温で熱処理を行った際に結晶粒の成長を抑制することや、そもそも「銅板付き絶縁基板用銅板材」を得ることについて予定しているものではなく、甲５、６には、甲２発明に、甲５、６の技術事項を適用する必要性（動機付け）について記載も示唆もない。
　また、上記３（１）ウ（イ）で検討したとおり、甲３、４、７には、「ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である圧延集合組織」について記載も示唆もされておらず、銅板を高温で熱処理を行った際に結晶粒の成長を抑制することについても記載も示唆もされていないのみならず、甲２発明に、甲５、６の技術事項を適用する必要性（動機付け）について記載も示唆もない。
　そして、「ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である圧延集合組織」とすることで、銅板を高温で熱処理を行った際に結晶粒の成長を抑制することは技術常識であるとも認められない。
　そうすると、甲２発明において、相違点４に係る特定事項を備えようとする動機付けがない。
　　（ウ）さらに、本件発明１の高温で熱処理を行った際に結晶粒の成長が抑制される銅板付き絶縁基板用銅板材を提供するとの効果は、甲２〜７に記載された事項から予測可能なものとはいえず、顕著な効果であるといえる。
　　（エ）したがって、甲２発明において、相違点４に係る特定事項を備えることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。そうすると、相違点３を検討するまでもなく、甲２に記載された発明及び甲３〜７に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　（２）本件発明２〜５について
　本件発明１を引用することによって本件発明１の特定事項の全てを備える本件発明２〜５も、本件発明１と同様の理由で、甲２に記載された発明及び甲３〜７に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　（３）以上のとおりであるから、甲２を主たる引用例とする申立理由１−２（進歩性）によっては、本件特許の請求項１〜５に係る特許を取り消すことはできない。
　５　申立人の主張について
　（１）ア　申立人は、特許異議申立書３（４）ウ（ア）において、まず、「［相違点１（当審注：上記相違点１、３に相当。）について］
　甲第３号証には、無酸素銅の不純物分析結果が記載されており、このことから、Ａｌ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒの合計含有量は１．５３ｐｐｍ未満とされている。なお、甲第３号証の表９には、Ｂｅの含有量については明記されていないが、甲第４号証に記載されているように、表に記載されていないその他の元素は、当業者であれば検出限界値（０．０１ｐｐｍ）以下の不純物と解釈するものであり、通常の無酸素銅においてＢｅは含有されておらず、検出限界以下であることは技術常識である。
　したがって、甲第１号証及び甲第２号証に記載された無酸素銅からなる回路板及び金属層は、構成要件Ａ（当審注：本件発明１に係る「Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒからなる群から選択される金属成分の合計含有量が０．１〜２．０ｐｐｍ、銅の含有量が９９．９６ｍａｓｓ％以上である組成を有し」）を満足する。」と主張する。
　　イ　申立人が主張するように、たしかに、甲３の表９に記載の無酸素銅のＡｌ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒの合計含有量は１．５３ｐｐｍ未満ではあるが、この甲３の表９に記載の無酸素銅の不純物の含有量と、同甲３の表６に記載の無酸素銅の不純物の含有量や甲４のＴａｂｌｅ　ＩのＯＦＣの不純物とは異なっていることから、無酸素銅の不純物の含有量（成分組成）は一義的に決定されるものとは認められない。そうすると、たとえ、甲第３号証の表９では、無酸素銅のＡｌ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｎ及びＣｒの合計含有量は１．５３ｐｐｍ未満とされており、通常の無酸素銅においてＢｅは含有されておらず、検出限界以下であることは技術常識であったとしても、甲１及び甲２に記載された無酸素銅からなる回路板及び金属層における成分組成は一義的には決定されるとは認められない。
　よって、甲１及び甲２に記載された無酸素銅からなる回路板及び金属層は、構成要件Ａを満足するとの申立人の主張を採用することはできず、上記相違点１、３は実質的な相違点というほかない。
　（２）ア　次に申立人は、「［相違点２（当審注：上記相違点２、４に相当。）について］
　甲第５号証には、圧延率７０％の冷間圧延を実施した無酸素銅の圧延板のＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶包囲分布（ＯＤＦ）図（Ｆｉｇ．４）が開示されており、甲第６号証には、圧延率７０％の冷間圧延を実施した純銅の圧延板のＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶包囲分布（ＯＤＦ）図（Ｆｉｇ.１）が開示されている。
　ここで、参考資料に、甲第５号証のＦｉｇ．４及び甲第６号証のＦｉｇ．１におけるφ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値を読み取った結果を示す。
　参考資料のＰ．１に示すように、本件特許発明１の構成要件Ｂで規定された結晶包囲分布は、３次元（Φ，φ１,φ２）で圧延集合組織を表現したものであり、通常、φ２断面で５°刻み（計１９断面）とし、３次元を２次元に変換し、等高線図で方位密度の分布を表現したものである。
　甲第５号証のＦｉｇ．４（左下）には、７０％の加工率で冷間圧延を施した無酸素銅のＯＤＦが開示されている。そして、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲は１９分割されたマップの最も左上のマップの左辺上となり、方位密度の平均値が３．００〜４．４０の値をとることがわかる。また、φ２＝３５°は、１９分割されたマップの、上から２段目の右端であり、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の平均値の最大値は８．００以上の値となる（参考資料のＰ．２〜４）。
　また、甲第６号証のＦｉｇ．１（左）には、銅の再結晶材のＯＤＦが開示されている。そして、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値は３．１１〜４．６６の値をとることがわかる。また、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の平均値の最大値は７．７６以上の値となる（参考資料のＰ．５〜７）。
　よって、本件特許発明１の構成要件Ｂ（当審注：本件発明１に係る「ＥＢＳＤによる集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角（φ１、Φ、φ２）で表したとき、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以上３５．０未満であり、かつ、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が１．０以上３０．０未満である圧延集合組織を有する」）については、甲第５号証及び甲第６号証に開示されている。これら甲第５号証及び甲第６号証は無酸素銅の圧延板に関するものであるから、甲第１号証及び甲第２号証に記載された無酸素銅からなる回路板及び金属層は、当然に、構成要件Ｂを満足する。」と主張する。
　　イ　上記（１）イで検討したとおり、無酸素銅の不純物の含有量（成分組成）は一義的に決定されるものとは認められず、そして、本件出願の明細書に記載の実施例から銅板の成分組成や製造方法によって、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値や、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値が異なる銅板が製造されうることから、銅板の成分組成や製造方法が明らかではない甲１及び甲２に記載された無酸素銅は、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０°〜９０°の範囲における方位密度の平均値や、φ２＝３５°、φ１＝４５°〜５５°、Φ＝６５°〜８０°の範囲における方位密度の最大値も明らかではない。
　よって、たとえ甲５や甲６に構成要件Ｂに関する記載があったとしても、甲１及び甲２に記載された無酸素銅からなる回路板及び金属層は、当然に構成要件Ｂを満足するとの申立人の主張を採用することはできず、上記相違点２、４は実質的な相違点というほかない。
　（３）以上により、申立人の特許異議申立書３（４）ウ（ア）における相違点に関する主張を採用することはできない。
　６　まとめ
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては、請求項１〜５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１〜５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年３月１日（２０２１．３．１）