(57)【要約】【課題】支持体を分離した後の基板から分離層の残渣を除去する。【解決手段】支持体と、分離層と、接着層と、基板とがこの順に積層された積層体における分離層を変質させ、支持体から分離した基板を洗浄する基板洗浄方法であって、接着層を溶解可能な第１溶剤に所定の樹脂を溶解させた第１洗浄液により基板を洗浄する第１洗浄工程と、第１洗浄工程の後、接着層を溶解可能な第２溶剤を有する第２洗浄液により基板を洗浄する第２洗浄工程と、を含む。【選択図】図１
2020191429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、分離層と、接着層と、基板とがこの順に積層された積層体における前記分離層を変質させ、前記支持体から分離した前記基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
前記接着層を溶解可能な第１溶剤に所定の樹脂を溶解させた第１洗浄液により前記基板を洗浄する第１洗浄工程と、
前記第１洗浄工程の後、前記接着層を溶解可能な第２溶剤を有する第２洗浄液により前記基板を洗浄する第２洗浄工程と、を含む、基板洗浄方法。
【請求項２】
前記基板は、電子部品を含む、請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項３】
前記分離層は、光の照射により変質し、
前記積層体に対して前記光を照射することで前記分離層を変質させ、前記支持体から分離した前記基板に対して前記第１洗浄工程を行う、請求項１又は請求項２に記載の基板洗浄方法。
【請求項４】
前記積層体における前記接着層は、接着剤を溶解した溶液を塗布、乾燥することで形成されるものであり、
前記第１溶剤及び前記第２溶剤の一方又は双方は、前記接着層の形成に使用された前記溶液の溶剤と極性が一致する又は極性が近い、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
【請求項５】
前記第１溶剤及び前記第２溶剤の一方又は双方は、前記溶液の溶剤と同一である、請求項４に記載の基板洗浄方法。
【請求項６】
前記第１洗浄液及び前記第２洗浄液の一方又は双方は、炭化水素系溶剤を含む、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
【請求項７】
前記第１洗浄液及び前記第２洗浄液の一方又は双方は、前記炭化水素系溶剤に加え、さらにエステル系溶剤を含む、請求項６に記載の基板洗浄方法。
【請求項８】
前記所定の樹脂は、前記接着層の形成に使用された接着剤に含まれる樹脂である、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
【請求項９】
前記所定の樹脂は、スチレン系熱可塑性エラストマー又は環状オレフィンコポリマーである、請求項１から請求項８のいずれかに記載の基板洗浄方法。
【請求項１０】
前記所定の樹脂は、前記第１洗浄液において３〜５重量％含まれる、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
【請求項１１】
支持体と、分離層と、接着層と、基板とがこの順に積層された積層体における前記分離層を変質させ、前記支持体から分離した前記基板を洗浄する基板洗浄装置であって、
前記接着層を溶解可能な第１溶剤に所定の樹脂を溶解させた第１洗浄液により前記基板を洗浄する第１洗浄部と、
前記第１洗浄工程の後、前記接着層を溶解可能な第２溶剤を有する第２洗浄液により前記基板を洗浄する第２洗浄部と、を備える、基板洗浄装置。
【請求項１２】
支持体と、分離層と、接着層と、基板とがこの順に積層された積層体における前記分離層を変質させ、前記支持体から分離した前記基板を洗浄するための基板洗浄用キットであって、
前記接着層を溶解可能な第１溶剤に所定の樹脂を溶解させ、前記基板を洗浄するための第１洗浄液と、
前記第１洗浄液による洗浄後に用いられ、前記接着層を溶解可能な第２溶剤を有し、前記基板を洗浄するための第２洗浄液と、を含む、基板洗浄用キット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用キットに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスを製造する方法の一例として、いわゆるファンアウト型ＰＬＰ（Fan-out Panel Level Package）技術と呼ばれる手法が知られている。ファンアウト型ＰＬＰ技術では、例えば、ガラス板等の支持体に、光の吸収又は加熱により変質する分離層、及び接着層を介して電子部品を有する基板を積層して積層体を形成する。積層体に対する処理を行った後、分離層に光又は熱を加えて変質させ、支持体から基板を分離して基板に付着している接合層を除去することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。  
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−０６４０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、支持体を分離した後の基板に残っている接着層を洗浄液により除去している。この洗浄液により接着層を溶解させて除去したとしても、分離層の残渣が基板から洗い流されずに残ってしまう場合がある。分離層の残渣が付着した基板のままでは、最終的に得られる電子デバイスの品質を低下させるおそれがある。
【０００５】
本発明は、支持体を分離した後の基板から分離層の残渣を除去することが可能な基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用キットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１態様では、支持体と、分離層と、接着層と、基板とがこの順に積層された積層体における分離層を変質させ、支持体から分離した基板を洗浄する基板洗浄方法であって、接着層を溶解可能な第１溶剤に所定の樹脂を溶解させた第１洗浄液により基板を洗浄する第１洗浄工程と、第１洗浄工程の後、接着層を溶解可能な第２溶剤を有する第２洗浄液により基板を洗浄する第２洗浄工程と、を含む、基板洗浄方法が提供される。
【０００７】
本発明の第２態様では、支持体と、分離層と、接着層と、基板とがこの順に積層された積層体における分離層を変質させ、支持体から分離した基板を洗浄する基板洗浄装置であって、接着層を溶解可能な第１溶剤に所定の樹脂を溶解させた第１洗浄液により基板を洗浄する第１洗浄部と、第１洗浄工程の後、接着層を溶解可能な第２溶剤を有する第２洗浄液により基板を洗浄する第２洗浄部と、を備える、基板洗浄装置が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様では、支持体と、分離層と、接着層と、基板とがこの順に積層された積層体における分離層を変質させ、支持体から分離した基板を洗浄するための基板洗浄用キットであって、接着層を溶解可能な第１溶剤に所定の樹脂を溶解させ、基板を洗浄するための第１洗浄液と、第１洗浄液による洗浄後に用いられ、接着層を溶解可能な第２溶剤を有し、基板を洗浄するための第２洗浄液と、を含む、基板洗浄用キットが提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の態様によれば、支持体を分離した後の基板から分離層の残渣を除去することができる。その結果、電子デバイスの品質低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る基板洗浄方法の一例を含むフローチャートである。
【図２】電子デバイスの製造方法の一工程を示す図である。
【図３】図２に続いて、電子デバイスの製造方法の一工程を示す図である。
【図４】図３に続いて、電子デバイスの製造方法の一工程を示す図である。
【図５】図４に続いて、電子デバイスの製造方法の一工程を示す図である。
【図６】図５に続いて、電子デバイスの製造方法の一工程を示す図である。
【図７】図６に続いて、電子デバイスの製造方法の一工程を示す図である。
【図８】図７に続いて、電子デバイスの製造方法の一工程を示す図である。
【図９】第１洗浄工程を示す図である。
【図１０】第１洗浄工程後における基板の状態を示す図である。
【図１１】第２洗浄工程を示す図である。
【図１２】第２洗浄工程後における基板の状態を示す図である。
【図１３】実施形態に係る基板洗浄装置の一例を示す図である。
【図１４】実施形態に係る基板洗浄装置の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明はこの実施形態に限定されない。また、図面においては実施形態の各構成をわかりやすくするために、一部を大きく又は強調して、あるいは一部を簡略化して表しており、実際の構造又は形状、縮尺等が異なっている場合がある。
【００１２】
＜基板洗浄方法＞
図１は、実施形態に係る基板洗浄方法の一例を含むフローチャートである。図１のフローチャートでは、実施形態に係る基板洗浄方法の一例を含む電子デバイスを製造方法の一例を示している。本実施形態では、いわゆるファンアウト型ＰＬＰ技術により電子デバイスを製造する方法を例に挙げて説明する。図１に示すように、電子デバイスの製造方法は、分離層形成工程（ステップＳ０１）と、接着層形成工程（ステップＳ０２）と、基板形成工程（ステップＳ０３）と、モールド研磨工程（ステップＳ０４）と、分離層変質工程（ステップＳ０５）と、支持体剥離工程（ステップＳ０６）と、第１洗浄工程（ステップＳ０７）と、第２洗浄工程（ステップＳ０８）と、を含む。
【００１３】
図１における第１洗浄工程（ステップＳ０７）及び第２洗浄工程（ステップＳ０８）は、実施形態に係る基板洗浄方法の一例を示している。また、分離層形成工程（ステップＳ０１）、接着層形成工程（ステップＳ０２）、基板形成工程（ステップＳ０３）、及びモールド研磨工程（ステップＳ０４）は、積層体１００を形成するための構成である。積層体１００は、支持体１と、分離層２と、接着層３と、基板４とがこの順に積層された構造体である（図６参照）。以下、図１に示すフローチャートに沿って、電子デバイスの製造方法における各工程を説明する。
【００１４】
[分離層形成工程（ステップＳ０１）]
先ず、ステップＳ０１において、支持体に分離層が形成される。図２は、電子デバイスの製造方法の一工程である分離層形成工程を示す図である。図２に示すように、分離層２は、支持体１の一方の面上に形成される。
【００１５】
（支持体）
支持体１は、分離層２及び接着層３を介して基板４（４Ａ）に貼り合わされており（図５、図６参照）、基板４を支持する。支持体１は、基板４の破損、変形を防ぐために必要な強度を有していることが好ましい。また、支持体１は、所定波長の光（後述する分離層２を変質させることができる波長の光）を透過する材質で形成されることが好ましい。支持体１の材料は、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂等が用いられる。支持体１の形状は、例えば、平面視で矩形状、又は円形状等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００１６】
支持体１は、前述した材料からなる基体上にコーティング層等を有してもよい。コーティング層は、単層であってもよく、複数層であってもよい。コーティング層としては、例えば、硬化樹脂を含む層（硬化膜）が挙げられる。硬化樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、炭化水素系モノマー及びアクリルモノマーの共重合体等が挙げられるが、これらに限定されない。コーティング層は、例えば、支持体１と分離層２との間に配置されてもよい。支持体１は、例えば、厚さが５００〜１５００μｍ程度であるが、この厚さに限定されない。
【００１７】
（分離層）
分離層２は、接着層３（図３参照）に接触して配置される。分離層２は、光の照射、加熱、溶剤への浸漬などによって変質する。分離層２が「変質する」とは、分離層２が僅かな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層２と接する層との間の接着力を低下した状態にさせる現象を意味する。分離層２の形成方法については特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布、化学気相成長（ＣＶＤ）などの方法が用いられる。
【００１８】
分離層２の厚さは、例えば、０．０５〜５０μｍであることがより好ましく、０．３〜１μｍであることがさらに好ましい。分離層２の厚さが０．０５〜５０μｍの範囲内に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射、あるいは短時間の加熱、溶剤への短時間の浸漬などによって、分離層２に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層２の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲内に収まっていることが特に好ましい。
【００１９】
ここで、分離層２を形成する材料である分離層形成用組成物としては、前述したように、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射、あるいは短時間の加熱、溶剤への短時間の浸漬などによって、形成した分離層２が変質する物質であればよい。分離層形成用組成物としては、例えば、フェノール骨格を有する樹脂成分、光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体、フルオロカーボン、無機物、赤外線吸収性の構造を有する化合物、赤外線吸収物質、反応性ポリシルセスキオキサン、又はこれらを含有するものが用いられる。また、分離層形成用組成物は、任意成分としてフィラー、可塑剤、熱酸発生剤成分、光酸発生剤成分、有機溶剤成分、界面活性剤、増感剤、又は支持基体の分離性を向上し得る成分等を含有してもよい。
【００２０】
＜＜フェノール骨格を有する樹脂成分＞＞
分離層２は、フェノール骨格を有することで、加熱等により容易に変質（酸化等）して光反応性が高まる。ここでいう「フェノール骨格を有する」とは、ヒドロキシベンゼン構造を含んでいることを意味する。フェノール骨格を有する樹脂成分は、膜形成能を有し、好ましくは分子量が１０００以上である。樹脂成分の分子量が１０００以上であることにより、膜形成能が向上する。樹脂成分の分子量は、１０００〜３００００がより好ましく、１５００〜２００００がさらに好ましく、２０００〜１５０００が特に好ましい。樹脂成分の分子量が、好ましい範囲の上限値以下であることにより、分離層形成用組成物の溶剤に対する溶解性が高められる。なお、樹脂成分の分子量としては、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）を用いるものとする。
【００２１】
フェノール骨格を有する樹脂成分としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ヒドロキシフェニルシルセスキオキサン樹脂、ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン樹脂、フェノール骨格含有アクリル樹脂、下記一般式（Ｐ２）で表される繰り返し単位を有する樹脂（以下、「樹脂（Ｐ２）」という）等が挙げられる。これらの中でも、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、樹脂（Ｐ２）等がより好ましい。
【００２２】
【化１】
2020191429.tif 000003
［前記式中、Ｌｐ１は、２価の連結基である。ＲＰは、（ｎＰ０＋１）価の芳香族炭化水素基である。ｎＰ０は、１〜３の整数である。］
【００２３】
前記式（Ｐ２）中、Ｌｐ１は、２価の連結基であり、ヘテロ原子を含む２価の連結基が好ましい。Ｌｐ１としては、所望の特性を付与するため、種々の骨格を導入した連結基が挙げられる。
前記式（Ｐ２）中、ＲＰは、（ｎＰ０＋１）価の芳香族炭化水素基である。
ＲＰにおける芳香族炭化水素基としては、芳香環から（ｎＰ０＋１）個の水素原子を除いた基が挙げられる。ここでの芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５〜３０であることが好ましく、炭素数５〜２０がより好ましく、炭素数６〜１５がさらに好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい。芳香環としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環、この芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
また、ＲＰにおける芳香族炭化水素基としては、２以上の芳香環を含む芳香族化合物（例えばビフェニル、フルオレン等）から（ｎＰ０＋１）個の水素原子を除いた基も挙げられる。
前記式（Ｐ２）中、ｎＰ０は、１〜３の整数であり、１又は２が好ましく、１が特に好ましい。
【００２４】
上記樹脂（Ｐ２）としては、アミノフェノール類、アミノナフトール類又はアニリン類と、１分子中にエポキシ基を２つ有する化合物と、を反応させて生成する樹脂を用いることもできる。
アミノフェノール類としては、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、４−アミノ−３−メチルフェノール、２−アミノ−４−メチルフェノール、３−アミノ−２−メチルフェノール、５−アミノ−２−メチルフェノール等が挙げられる。アミノナフトール類としては、１−アミノ−２−ナフトール、３−アミノ−２−ナフトール、５−アミノ−１−ナフトール等が挙げられる。
【００２５】
１分子中にエポキシ基を２つ有する化合物としては、例えば商品名がＥＰＩＣＬＯＮ８５０、ＥＰＩＣＬＯＮ８３０（ＤＩＣ株式会社製）、ｊＥＲＹＸ−４０００（三菱化学株式会社製）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−２１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−２１２、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−８１０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−８３０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−９１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−９２０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−９３０（ナガセケムテックス株式会社製）などのジオール型エポキシ樹脂；ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−７１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−７２１（ナガセケムテックス株式会社製）、ｊＥＲ１９１Ｐ（三菱化学株式会社製）などのジカルボン酸エステル型エポキシ樹脂； Ｘ−２２−１６３、ＫＦ−１０５（信越化学工業株式会社製）などのシリコーン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
かかる反応の際の加熱処理温度は、６０℃以上２５０℃以下とすることが好ましく、８０℃以上１８０℃以下とすることがより好ましい。
【００２６】
＜＜光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体＞＞
分離層２は、光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体を含有していてもよい。この重合体は、光の照射を受けて変質する。光吸収性を有している構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含む原子団が挙げられる。光吸収性を有している構造は、より具体的には、カルド構造、又は該重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造が挙げられる。
【００２７】
上記の光吸収性を有している構造は、その種類に応じて、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記の光吸収性を有している構造が吸収可能な光の波長は、１００〜２０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１００〜５００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００２８】
上記の光吸収性を有している構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長３６５ｎｍ）等である。
【００２９】
＜＜フルオロカーボン＞＞
分離層２は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層２は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加えることによって（例えば、支持体１を持ち上げる等）、分離層２が破壊されて、支持体１と基板４とを分離し易くすることができる。分離層２を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。
【００３０】
フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層２に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層２における光の吸収率は８０％以上であることが好ましい。
【００３１】
分離層２に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、６００ｎｍ以下の範囲のものを用いることができる。
【００３２】
＜＜無機物＞＞
分離層２は、無機物からなるものであってもよい。この無機物は、光を吸収することによって変質するものであればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される１種類以上が好適に挙げられる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物であり、例えば金属酸化物、金属窒化物が挙げられる。このような無機物としては、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮ、及びカーボンからなる群より選ばれる１種類以上が挙げられる。なお、カーボンとは、炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えばダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等を包含する。上記の無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。
【００３３】
無機物からなる分離層２に照射する光としては、上記の無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は非レーザ光を適宜用いればよい。無機物からなる分離層２は、例えば、スパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、支持体１上に形成され得る。
【００３４】
＜＜赤外線吸収性の構造を有する化合物＞＞
分離層２は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有していてもよい。この、赤外線吸収性の構造を有する化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。赤外線吸収性を有している構造、又はこの構造を有する化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコールもしくはフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３−ジケトンのエノール、ｏ−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β−、γ−、δ−）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタンもしくはチオフェノールもしくはチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Ｓｉ−Ａ１結合（Ａ１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ−Ａ２結合（Ａ２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）又はＴｉ−Ｏ結合が挙げられる。
【００３５】
上記の炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば−ＣＨ２Ｃｌ、−ＣＨ２Ｂｒ、−ＣＨ２Ｉ、−ＣＦ２−、−ＣＦ３、−ＣＨ＝ＣＦ２、−ＣＦ＝ＣＦ２、フッ化アリール又は塩化アリール等が挙げられる。
【００３６】
上記のＳｉ−Ａ１結合を含む構造としては、例えば、ＳｉＨ、ＳｉＨ２、ＳｉＨ３、Ｓｉ−ＣＨ３、Ｓｉ−ＣＨ２−、Ｓｉ−Ｃ６Ｈ５、ＳｉＯ−脂肪族、Ｓｉ−ＯＣＨ３、Ｓｉ−ＯＣＨ２ＣＨ３、Ｓｉ−ＯＣ６Ｈ５、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ２又はＳｉＦ３等が挙げられる。Ｓｉ−Ａ１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格又はシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。
【００３７】
上記のＰ−Ａ２結合を含む構造としては、例えば、ＰＨ、ＰＨ２、Ｐ−ＣＨ３、Ｐ−ＣＨ２−、Ｐ−Ｃ６Ｈ５、Ａ３３−Ｐ−Ｏ（Ａ３は脂肪族基又は芳香族基）、（Ａ４Ｏ）３−Ｐ−Ｏ（Ａ４はアルキル基）、Ｐ−ＯＣＨ３、Ｐ−ＯＣＨ２ＣＨ３、Ｐ−ＯＣ６Ｈ５、Ｐ−Ｏ−Ｐ、Ｐ−ＯＨ又はＯ＝Ｐ−ＯＨ等が挙げられる。
【００３８】
上記のＴｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン又はチタニウム−ｉ−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン又はプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ−Ｃ３Ｈ７Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ３Ｈ７）２−Ｏ−］ｎ−ｉ−Ｃ３Ｈ７又はｎ−Ｃ４Ｈ９Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９）２−Ｏ−］ｎ−ｎ−Ｃ４Ｈ９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−ｉ−プロポキシチタンジイソステアレート又は（２−ｎ−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。これらの中でも、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）２［ＯＣ２Ｈ４Ｎ（Ｃ２Ｈ４ＯＨ）２］２）が好ましい。
【００３９】
上記の赤外線吸収性の構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記の赤外線吸収性の構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１〜２０μｍの範囲内であり、２〜１５μｍの範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｃ結合又はＴｉ−Ｏ結合である場合には、９〜１１μｍの範囲内が好ましい。
【００４０】
なお、上記の各構造が吸収できる赤外線の波長は、当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）−ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用−」（１９９２年発行）第１４６頁から第１５１頁の記載を参照することができる。
【００４１】
分離層２の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、前述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶剤に溶解することができ、固化して固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層２における化合物を効果的に変質させ、支持基体と基板との分離を容易にするには、分離層２における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層２に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層２における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。
【００４２】
＜＜赤外線吸収物質＞＞
分離層２は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。この赤外線吸収物質は、光を吸収することによって変質するものであればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層２に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層２に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。
【００４３】
＜＜反応性ポリシルセスキオキサン＞＞
分離層２は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができる。これにより形成される分離層は、高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。
【００４４】
「反応性ポリシルセスキオキサン」とは、ポリシルセスキオキサン骨格の末端にシラノール基、又は、加水分解することによってシラノール基を形成することができる官能基を有するポリシルセスキオキサンをいう。当該シラノール基、又はシラノール基を形成することができる官能基を縮合することによって、互いに重合することができる。また、反応性ポリシルセスキオキサンは、シラノール基、又は、シラノール基を形成することができる官能基を有していれば、ランダム構造、籠型構造、ラダー構造等のシルセスキオキサン骨格を備えている反応性ポリシルセスキオキサンを採用することができる。
【００４５】
反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量は、７０〜９９モル％であることが好ましく、８０〜９９モル％であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量が、前記の好ましい範囲内であれば、赤外線（好ましくは遠赤外線、より好ましくは波長９〜１１μｍの光）を照射することによって好適に変質させることができる分離層を形成することができる。反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５００〜５００００であることが好ましく、１０００〜１００００であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）が、前記の好ましい範囲内であれば、溶剤に好適に溶解させることができ、サポートプレート上に好適に塗布することができる。反応性ポリシルセスキオキサンとして用いることができる市販品としては、例えば、小西化学工業株式会社製のＳＲ−１３、ＳＲ−２１、ＳＲ−２３又はＳＲ−３３（商品名）等を挙げられる。
【００４６】
[接着層形成工程（ステップＳ０２）]
次に、ステップＳ０２において、支持体に接着層が形成される。図３は、電子デバイスの製造方法の一工程である接着層形成工程を示す図である。図３に示すように、接着層３は、分離層２の支持体１が存在しない側の面上に形成される。接着層３の形成方法については、接着層３を形成するため接着剤（接着層形成物質で構成されている）を溶剤に溶解させた溶液を塗布してもよいし、接着剤が両面に塗布された接着テープを分離層２に貼り付けてもよい。接着剤の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズル法による塗布法等が挙げられる。また、接着剤を分離層２上に塗布した後、加熱等により乾燥させてもよい。
【００４７】
接着層３の厚さは、例えば、１〜２００μｍの範囲内であることが好ましく、５〜１５０μｍの範囲内であることがより好ましい。また、接着層３の厚さは、分離層２より厚い方が好ましい。なお、接着剤を構成する接着剤組成物については、後述する第１洗浄工程及び第２洗浄工程の説明の際に併せて説明する。
【００４８】
[基板形成工程（ステップＳ０３）]
次に、ステップＳ０３において、支持体に基板が形成される。図４は、電子デバイスの製造方法の一工程である基板形成工程を示す図である。図５は、図４に続いて、電子デバイスの製造方法の一工程である基板形成工程を示す図である。まず、図４に示すように、複数の電子部品４１は、接着層３の分離層２が存在しない側の面である表面３ａ上に配置される。電子部品４１の配置は、図示しない搬送装置（ダイボンダー、マウンター）等により行われる。なお、電子部品４１は、接着層３により接着されて配置位置が保持されてもよい。また、複数の電子部品４１が配置された後、真空下で加熱（例えば１００℃程度）しつつ、搬送装置等によって電子部品４１を接着層３に圧着させてもよい。
【００４９】
複数の電子部品４１が配置された後、図５に示すように、電子部品４１を含む接着層表面３ａの全面を覆うようにモールド４２が形成される。電子部品４１は、モールド４２に埋まった状態となって基板４Ａが形成される。また、ステップＳ０３の基板形成工程により、支持体１と、分離層２と、接着層３と、基板４Ａとがこの順に積層された積層体１００Ａが形成される。
【００５０】
なお、モールド４２は、電子部品４１の一部（例えば上面）を露出させるように形成されてもよい。また、モールド４２は、例えば、分離層２を変質させるための光を透過可能な材料を用いて形成されてもよい。このような材料としては、例えば、ガラス、シリコン、アクリル樹脂等が挙げられる。
【００５１】
[モールド研磨工程（ステップＳ０４）]
次に、ステップＳ０４において、モールドが研磨される。図６は、電子デバイスの製造方法の一工程であるモールド研磨工程を示す図である。図６に示すように、不図示の研磨装置により、モールド４２の支持体１が存在しない側、つまりモールド４２の上面４２ａが研磨される。ステップＳ０４のモールド研磨工程により、電子部品４１がモールド４２から露出される。モールド４２の研磨により、電子部品４１の上面４１ａと研磨後のモールド４２の新たな上面４２ｂとは、ほぼ同一面となる。
【００５２】
モールド４２を研磨する手法は、公知の手法が適用可能である。なお、上記したステップＳ０３の基板形成工程において、モールド４２が電子部品４１の一部を露出させて形成されている場合には、このモールド研磨工程を省略することができる。また、ステップＳ０４のモールド研磨工程により、支持体１と、分離層２と、接着層３と、基板４とがこの順に積層された積層体１００が形成される。
【００５３】
なお、モールド研磨工程の後、電子部品４１及びモールド４２の上面４２ｂに導電性を有する材料により配線が形成されてもよい。また、この配線と電気的に接続するように電子部品４１が配置され、この電子部品４１を覆うように、モールド４２が新たに形成されてもよい。なお、配線と電子部品４１との接続はバンプ、はんだ等が用いられる。このように、電子部品４１を配置した層が複数積層された基板４が形成されてもよい。
【００５４】
[分離層変質工程（ステップＳ０５）]
次に、ステップＳ０５において、分離層が変質させられる。図７は、電子デバイスの製造方法の一工程である分離層変質工程を示す図である。図７に示すように、積層体１００において、支持体１の分離層２が存在しない側から分離層２に対して、照射装置ＩＲから光Ｌを照射し、分離層２を変質させる。光Ｌは、支持体１を透過して分離層２に照射される。照射装置ＩＲから照射される光Ｌは、分離層２を変質させることが可能な波長の光が用いられる。分離層２の変質は、吸収した光Ｌのエネルギーによる（発熱性又は非発熱性の）分解、架橋、立体配置の変化又は官能基の解離（そして、これらに伴う分離層２の硬化、脱ガス、収縮又は膨張）等によって起こり得る。
【００５５】
分離層２が変質することで、この分離層２が僅かな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層２と接する層（支持体１及び接着層３）との間の接着力が低下した状態となる。すなわち、基板４から支持体１を分離させることが可能な状態となる。なお、図７では、積層体１００を図６に示す状態から上下を逆にして、つまり支持体１の上側として（基板４を下側として）、上方の照射装置ＩＲから下方に向けて光Ｌを照射しているが、この形態に限定されない。例えば、基板４を上側として支持体１の下方から照射装置ＩＲにより光Ｌを照射してもよい。
【００５６】
[支持体剥離工程（ステップＳ０６）]
次に、ステップＳ０６において、支持体が剥離される。図８は、電子デバイスの製造方法の一工程である支持体剥離工程を示す図である。図８に示すように、基板４を下側とした状態で、基板４を保持しつつ支持体１を持ち上げることにより、分離層２が破壊されて基板４から支持体１が剥離される。すなわち、基板４と支持体１が引き離される。支持体１を持ち上げる作業は、例えば、支持体１を吸着して持ち上げる装置が用いられてもよい。なお、基板４は、ステージ等に吸着されており、支持体１が持ち上げられることにより、支持体１から引き離される。
【００５７】
支持体１が剥離された基板４には、図８に示すように、接着層３が残っている。この接着層３の表面３ａには、変質した分離層２の残渣２ａが完全に除去されず残存している。また、変質した分離層２の残渣２ａは、接着層３内に入り込んでいる場合がある。この状態で、接着層３を溶解可能な溶剤単体を用いて、接着層３の表面３ａに流しながら接着層３を溶解除去すると、接着層３は溶解されつつも分離層２の残渣２ａの全部又は一部は接着層３にとどまり、接着層３が除去された後でも基板４の表面に残渣２ａが残存する場合がある。本実施形態では、後述する第１洗浄工程及び第２洗浄工程により、基板４の表面に残渣２ａが残存しないようにしている。
【００５８】
[第１洗浄工程（ステップＳ０７）]
ステップＳ０７において、接着層３が残っている基板４を第１洗浄液により洗浄する。図９は、電子デバイスの製造方法の一工程である第１洗浄工程を示す図である。図９に示すように、接着層３を上側に向けた状態でノズル６１２から第１洗浄液Ｒ１を基板４（接着層３）に供給する。第１洗浄液Ｒ１は、基板４のほぼ中央の上方から供給され、接着層３の上面を流れて基板４の縁部から流れ落ちる。なお、第１洗浄液Ｒ１の供給時に、基板４を鉛直軸まわりに回転させてもよい。第１洗浄液Ｒ１としては、接着層３を溶解可能な第１溶剤に所定の樹脂を溶解させた液体が用いられる。第１溶剤は、前述した接着層形成工程（ステップＳ０２）において、接着層３を形成する際に使用する接着剤に含まれる接着剤組成物を溶解可能な溶剤である。先ず、接着剤組成物について説明する。
【００５９】
（接着剤組成物）
接着剤組成物としては、例えば、アクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー、ポリサルホン系等の当該分野において公知の種々の接着剤組成物が挙げられる。また、接着剤組成物としては、例えば、熱可塑性樹脂、希釈溶剤、及び、添加剤等のその他成分を含有しているものが挙げられる。熱可塑性樹脂においては、接着力を発現するものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂、ポリサルホン系樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等を好ましく用いることができる。なお、接着剤組成物は、希釈溶剤を含む。
【００６０】
＜＜炭化水素樹脂＞＞
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィンポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」という。）、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」という。）等が挙げられるが、これに限定されない。
【００６１】
樹脂（Ａ）としては、例えば、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分の開環重合体、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分を付加重合させた付加重合体が好適に挙げられる。シクロオレフィンポリマーは、シクロオレフィンモノマーと共重合可能なモノマーを単量体単位として有していてもよい。
【００６２】
また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性（低い熱分解、熱重量減少性）の観点から好ましい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性及び溶液での経時安定性の観点からは８０モル％以下であることが好ましく、７０モル％以下であることがより好ましい。
【００６３】
また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性及び柔軟性の観点からは１０〜９０モル％であることが好ましく、２０〜８５モル％であることがより好ましく、３０〜８０モル％であることがさらに好ましい。なお、樹脂（Ａ）は、例えば、シクロオレフィンモノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従って適宜設定すればよい。
【００６４】
樹脂（Ａ）として用い得るシクロオレフィンポリマーの市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ（商品名）」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ（商品名）」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ（商品名）」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＥＸ（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ（商品名）」等が挙げられる。樹脂（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、６０℃以上であることが好ましく、７０℃以上であることが特に好ましい。樹脂（Ａ）のガラス転移温度が６０℃以上であると、高温環境に曝されたときに接着層の軟化を抑制することができる。
【００６５】
樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。
【００６６】
樹脂（Ｂ）の軟化点は特に限定されないが、８０〜１６０℃であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の軟化点が８０〜１６０℃であると、高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は特に限定されないが、３００〜３，０００であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３００以上であると、耐熱性が十分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３，０００以下であると、炭化水素系溶剤への接着層の溶解速度が良好なものとなる。このため、支持体を分離した後のデバイス層上の接着層の残渣を迅速に溶解し、除去することができる。なお、本実施形態における樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。
【００６７】
炭化水素樹脂としては、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性が良好なものとなる。例えば、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との混合割合としては、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）であることが、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。
【００６８】
＜＜アクリル−スチレン系樹脂＞＞
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
【００６９】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数１５〜２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐鎖状であってもよい。
【００７０】
炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。
【００７１】
脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。
【００７２】
芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。
【００７３】
＜＜マレイミド系樹脂＞＞
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ｎ−へプチルマレイミド、Ｎ−ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、Ｎ−シクロプロピルマレイミド、Ｎ−シクロブチルマレイミド、Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド、Ｎ−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
【００７４】
＜＜エラストマー樹脂＞＞
エラストマー樹脂（以下、「エラストマー」という場合がある。）は、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であることが好ましい。
【００７５】
スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易かつ迅速に接着層を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、レジストリソグラフィーに用いられるレジスト溶剤（例えばＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ等）、酸（フッ化水素酸等）、アルカリ（ＴＭＡＨ等）に対して優れた耐性を発揮する。
【００７６】
なお、エラストマーには、前述した（メタ）アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。スチレン単位の含有量は、より好ましくは１７重量％以上であり、また、より好ましくは４０重量％以下である。重量平均分子量のより好ましい範囲は２０，０００以上であり、また、より好ましい範囲は１５０，０００以下である。
【００７７】
エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、及び、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製）、ＳｅｐｔｏｎＶ９４７５（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製））、ポリスチレン−ポリ（エチレン−エチレン／プロピレン）ブロック−ポリスチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ−ＯＨ：末端水酸基変性）等が挙げられ、エラストマーのスチレン単位の含有量及び重量平均分子量が前述の範囲内であるものを用いることができる。
【００７８】
また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
【００７９】
接着剤組成物に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。
【００８０】
接着剤組成物に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を１００重量部として、５０重量部以上、９９重量部以下の範囲内が好ましく、６０重量部以上、９９重量部以下の範囲内がより好ましく、７０重量部以上、９５重量部以下の範囲内が最も好ましい。これらの範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、基板を支持体に好適に固定することができる。
【００８１】
また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。すなわち、接着剤組成物は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。そして、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着剤組成物において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が３０重量％である株式会社クラレ製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ４０３３と、スチレン単位の含有量が１３重量％であるセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２０６３とを重量比１対１で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は２１〜２２重量％となり、従って１４重量％以上となる。また、例えば、スチレン単位が１０重量％のものと６０重量％のものとを重量比１対１で混合すると３５重量％となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着剤組成物に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、かつ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。
【００８２】
＜＜ポリサルホン系樹脂＞＞
接着剤組成物は、ポリサルホン系樹脂を含んでいてもよい。接着層３をポリサルホン系樹脂によって形成することにより、基板形成工程においてモールド４２を形成する場合に高温の処理を行っても、その後の工程において接着層３を溶解し、支持体１から基板４を剥離することができる。接着層３がポリサルホン樹脂を含んでいれば、基板形成工程において、例えば、３００℃以上という高温で処理する高温プロセスを用いることができる。ポリサルホン系樹脂は、下記一般式（ａｄ１）で表される構成単位、及び、下記一般式（ａｄ２）で表される構成単位のうちの少なくとも１種の構成単位からなる構造を有している。
【００８３】
【化２】
2020191429.tif 000004
［式中、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５は、それぞれ独立して、フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基からなる群より選択される基であり、Ｘ’は、炭素数１〜３のアルキレン基である。］
【００８４】
ポリサルホン系樹脂は、上記の式（ａｄ１）で表されるポリサルホン構成単位及び上記の式（ａｄ２）で表されるポリエーテルサルホン構成単位のうちの少なくとも１つを備えていることによって、支持体上に接着層を形成した後、高い温度条件の処理を行っても、分解及び重合等により接着層が不溶化することを防止することができる。また、ポリサルホン系樹脂は、上記の式（ａｄ１）で表されるポリサルホン構成単位からなるポリサルホン樹脂であれば、より高い温度に加熱しても安定である。
【００８５】
ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、３０，０００以上、７０，０００以下の範囲内であることが好ましく、３０，０００以上、５０，０００以下の範囲内であることがより好ましい。ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）が、３０，０００以上の範囲内であれば、例えば、３００℃以上の高い温度において用いることができる接着剤組成物を得ることができる。また、ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）が、７０，０００以下の範囲内であれば、溶剤によって好適に溶解することができる。つまり、溶剤によって好適に除去することができる接着剤組成物を得ることができる。
【００８６】
＜＜希釈溶剤＞＞
希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、イソノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐鎖状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。また、これらを複数混合して使用することも可能である。
【００８７】
接着剤組成物は、添加剤を含有してもよい。また、接着剤組成物は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質が添加されていてもよい。このような添加剤としては、例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、硬化性モノマー、重合禁止剤、重合開始剤、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
【００８８】
（所定の樹脂）
第１洗浄液Ｒ１に溶解している所定の樹脂について説明する。所定の樹脂は、例えば、上記した接着剤組成物に含まれる樹脂が挙げられる。また、所定の樹脂としては、後述する第１溶剤に溶解可能な樹脂が選択される。所定の樹脂は、接着層３の形成に使用された接着剤に含まれる樹脂と同一の樹脂であってもよいし、異なる樹脂であってもよい。また、所定の樹脂は、単一種類の樹脂が用いられてもよいし、複数種類の樹脂が混合されて用いられてもよい。
【００８９】
第１洗浄液Ｒ１における所定の樹脂の含有量（重量％）は、接着層３の形成に使用された際の接着剤における樹脂の含有量（重量％）より小さい方が好ましい。これは、第１洗浄液Ｒ１において所定の樹脂の含有量が、接着層３の形成に使用された際の接着剤に含まれる樹脂の含有量（重量％）より大きいと、第１洗浄液Ｒ１により接着層３を溶解して除去する一方で、第１洗浄液Ｒ１に含まれる所定の樹脂が多く基板４に残存するからである。また、所定の樹脂は、第１洗浄液Ｒ１において３〜５重量％含まれることが好ましい。所定の樹脂が３重量％より少ないと、基板４ａ上分離層２の残渣２ａが残存する可能性が高くなる。
【００９０】
（第１溶剤）
第１溶剤は、接着層３を溶解可能な溶剤、すなわち、接着層３を形成する接着剤組成物を溶解する溶剤である。第１溶剤は、接着層３を溶解可能であれば特に限定されず、接着層３（接着剤組成物）に応じて適宜選択することができる。第１溶剤は、例えば、接着層３を形成する際の接着剤に用いられた希釈溶媒と極性が一致、又は極性が近いものが用いられる。なお、接着層３を形成する際の接着剤に用いられた希釈溶媒と同一であってもよい。接着層３を溶解可能な溶剤である第１溶剤としては、例えば、炭化水素系溶剤、エステル系溶剤が挙げられる。なお、第１溶剤には、適宜、添加剤等の任意成分が添加されていてもよい。任意成分は、特に限定されないが、例えば、界面活性剤が挙げられる。また、炭化水素系溶剤とエステル系溶剤とが混合されて用いられてもよい。また、第１溶剤は、単一種類の溶剤が用いられてもよいし、複数種類の溶剤が混合されて用いられてもよい。
【００９１】
＜＜炭化水素系溶剤＞＞
炭化水素系溶剤は、脂肪族炭化水素系溶剤であってもよく、芳香族炭化水素系溶剤であってもよい。ここで、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味する。脂肪族炭化水素系溶剤としては、アルカン系の炭化水素溶剤が挙げられる。アルカン系の炭化水素系溶剤は、直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。直鎖状又は分岐鎖状アルカンの炭化水素系溶剤としては、例えば、炭素数４〜２０の直鎖状若しくは分岐鎖状アルカンが挙げられ、例えば、ブタン、ペンタン、２−メチルブタン、３−メチルペンタン、ヘキサン、２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、ヘプタン、オクタン、２，２，４−トリメチルペンタン、２，２，３−トリメチルヘキサン、ノナン、イソノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、２，２，４，６，６−ペンタメチルヘプタン、トリデカン、ペンタデカン、テトラデカン、ヘキサデカン等が挙げられる。環状アルカンの炭化水素系溶剤としては、例えば、炭素数４〜２０の環状アルカンが挙げられ、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタンなどのモノシクロアルカン、デカリンなどのビシクロアルカン等が挙げられる。これらの中でも、アルカン系の炭化水素系溶剤としては、エチルシクロヘキサン及びデカリンが好ましい。また、脂肪族炭化水素系溶剤としては、テルペン系の炭化水素溶剤も挙げられる。テルペン系の炭化水素溶剤としては、例えば、Ｄ−リモネン、Ｐ−メンタン等が挙げられる。
【００９２】
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン等が挙げられる。また、炭化水素系溶剤は、例えば、蒸留等によって炭化水素系溶剤の沸点よりもさらに沸点の高い不純物を除去することが好ましい。これにより、接着剤を洗浄により除去したときに、炭化水素系溶剤が含んでいる高沸点の不純物が基板４に残渣として残ることを防止することができる。
【００９３】
＜＜エステル系溶剤＞＞
エステル系溶剤は、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等が挙げられる。
【００９４】
この第１洗浄工程において、第１洗浄液Ｒ１により接着層３が溶解除去されるとともに、第１洗浄液Ｒ１に溶解している所定の樹脂が付与されていく。接着層３の表面３ａ又は接着層３内に残存している分離層２の残渣２ａは、第１洗浄液Ｒ１の流れによって接着層３（基板４）から流され、第１洗浄液Ｒ１の所定の樹脂により基板４に付着することが抑制される。その結果、接着層３がなくなった基板４の表面に残渣２ａが残存するのを防止できる。第１洗浄工程の後、基板４の表面には、第１洗浄液Ｒ１の所定の樹脂が残っており、この樹脂による層（膜）が形成される。
【００９５】
図１０は、第１洗浄工程後における基板４の状態を示す図である。図１０で示すように、基板４の表面４ａには、第１洗浄液Ｒ１の所定の樹脂による樹脂層５が形成される。つまり、基板４の表面４ａから接着層３が溶解除去され、さらに分離層２の残渣２ａも除去されるが、第１洗浄液Ｒ１により樹脂層５が形成される。
【００９６】
[第２洗浄工程（ステップＳ０８）]
次に、ステップＳ０８において、樹脂層５が形成された基板４を第２洗浄液により洗浄する。図１１は、電子デバイスの製造方法の一工程である第２洗浄工程を示す図である。図１１に示すように、樹脂層５を上側に向けた状態でノズル６２２から第２洗浄液Ｒ２を基板４（樹脂層５）に供給する。第２洗浄液Ｒ２は、基板４のほぼ中央の上方から供給され、樹脂層５の上面を流れて基板４の縁部から流れ落ちる。なお、第２洗浄液Ｒ２の供給時に、基板４を鉛直軸まわりに回転させてもよい。第２洗浄液Ｒ２としては、樹脂層５を溶解可能な第２溶剤が用いられる。
【００９７】
（第２溶剤）
第２溶剤は、樹脂層５を溶解可能な溶剤が用いられる。第２溶剤は、樹脂層５を溶解可能であれば特に限定されず、樹脂層５の組成に応じて適宜選択することができる。第２溶剤は、第１溶剤と極性が一致、又は極性が近いものが用いられる。すなわち、第２溶剤は、接着層３を溶解可能である。第２溶剤は、上記した第１溶剤と同一であってもよいし、異なってもよい。また、第２溶剤は、第１溶剤と極性が一致、又は極性が近いので、接着層３を形成する際に使用する接着剤の希釈溶剤と同一であってもよい。また、第２溶剤は、単一種類の溶剤が用いられてもよいし、複数種類の溶剤が混合されて用いられてもよい。
【００９８】
この第２洗浄工程において、第２洗浄液Ｒ２により樹脂層５が溶解除去される。なお、第２洗浄液Ｒ２としては、樹脂等が溶解していない、または樹脂等の濃度が低い洗浄液が好ましく、このようにすることで、樹脂層５が除去された後に基板４上に新たな層（膜）は形成されにくくなる。すなわち、このような洗浄液の固形分濃度は０．５重量％以下に設定されていることが好ましく、０．３重量％以下に設定されていることがより好ましく、０．１重量％以下に設定されていることがさらに好ましい。
図１２は、第２洗浄工程後における基板４の状態を示す図である。図１２で示すように、基板４の表面４ａには、第１洗浄液Ｒ１の所定の樹脂による樹脂層５が形成される。つまり、基板４の表面４ａから樹脂層５が溶解除去されており、新たな層は形成されない。なお、第１洗浄工程後において、分離層２の残渣２ａが基板４にわずかに残っていたとしても、この第２洗浄工程により基板４から除去される場合がある。
【００９９】
第２洗浄工程後は、例えば、予め設定されたラインに沿って基板４がダイシングされることにより、個別の電子デバイスが得られる。なお、ダイシング装置は、任意の装置が使用可能である。
【０１００】
＜基板洗浄装置＞
図１３は、実施形態に係る基板洗浄装置の一例を示す図である。図１３に示す基板洗浄装置６は、上記した第１洗浄工程と第２洗浄工程とを行うことができる。図１３に示すように、基板洗浄装置６は、第１洗浄部６１と、第２洗浄部６２と、ステージ６３とを有する。なお、ステージ６３は、第１洗浄部６１と第２洗浄部６２とで共用される。また、ステージ６３は、載置した基板４を保持するための吸着機構を備えていてもよい。また、ステージ６３は、電動モータ等の駆動源により、鉛直軸まわりに回転する構成であってもよい。
【０１０１】
第１洗浄部６１は、上記した第１洗浄工程を実行するために設けられている。第１洗浄部６１は、第１洗浄液供装置６１１とノズル６１２とを備える。第１洗浄液供装置６１１は、第１洗浄液Ｒ１（図９参照）をノズル６１２に供給する。第１洗浄液供装置６１１は、例えば、ポンプ等の送液機構を含んで形成され、この送液機構を駆動することにより、第１洗浄液Ｒ１を貯留したタンクから配管を介してノズル６１２に第１洗浄液Ｒ１を供給する。ノズル６１２は、ステージ６３の上方に配置され、第１洗浄液供装置６１１から送られる第１洗浄液Ｒ１を下方に吐出する。なお、ノズル６１２は、水平方向に移動可能であってもよい。
【０１０２】
この第１洗浄部６１では、ステージ６３上に基板４を載置した状態で、ノズル６１２から第１洗浄液Ｒ１を吐出させることで、基板４に第１洗浄液Ｒ１を供給することができ、上記した第１洗浄工程を実行することができる。なお、ステージ６３に対する基板４の搬入、搬出は、不図示の搬送装置によって行う。
【０１０３】
第２洗浄部６１は、上記した第２洗浄工程を実行するために設けられている。第２洗浄部６２は、第２洗浄液供装置６２１とノズル６２２とを備える。第２洗浄液供装置６２１は、第２洗浄液Ｒ２（図１１参照）をノズル６２２に供給する。第２洗浄液供装置６２１は、例えば、ポンプ等の送液機構を含んで形成され、この送液機構を駆動することにより、第２洗浄液Ｒ２を貯留したタンクから配管を介してノズル６２２に第２洗浄液Ｒ２を供給する。ノズル６２２は、ステージ６３の上方に配置され、第２洗浄液供装置６２１から送られる第２洗浄液Ｒ２を下方に吐出する。なお、ノズル６２２は、水平方向に移動可能であってもよい。
【０１０４】
この第２洗浄部６２では、ステージ６３上に基板４を載置した状態で、ノズル６２２から第２洗浄液Ｒ２を吐出させることで、基板４に第２洗浄液Ｒ２を供給することができ、上記した第２洗浄工程を実行することができる。なお、基板洗浄装置６は、第１洗浄液Ｒ１と第２洗浄液Ｒ２とで専用のノズル６１１、６２１が用いられる。従って、第１洗浄工程を実行する場合は、ノズル６１１を基板４の中央上方に配置させ、また、第２洗浄工程を実行する場合は、ノズル６１１を退避させた後、ノズル６２１を基板４の中央上方に配置させるように、不図示の制御装置により制御されてもよい。
【０１０５】
図１４は、実施形態に係る基板洗浄装置の他の例を示す図である。図１４に示す基板洗浄装置６Ａは、上記した第１洗浄工程と第２洗浄工程とを行うことができる。なお、上記した基板洗浄装置６と同一の構成については、同一の符号を付してその説明を省略又は簡略化する。図１４に示すように、基板洗浄装置６Ａは、第１洗浄部６１と、第２洗浄部６２と、ステージ６３と、切り換え部６４とを有する。
【０１０６】
第１洗浄部６１及び第２洗浄部６２は、共用のノズル６４１を備える。ノズル６４１は、ステージ６３に載置された基板４の中央上方に配置されている。なお、ノズル６４１は、水平方向に移動可能であってもよい。切り換え部６４は、第１洗浄部６１の第１洗浄液供装置６１１からノズル６４１に第１洗浄液Ｒ１を供給する流路と、第２洗浄部６２の第２洗浄液供装置６２１からノズル６４１に第２洗浄液Ｒ２を供給する流路とに切り換える。従って、第１洗浄工程を実行する場合は、切り換え部６４によりノズル６４１から第１洗浄液Ｒ１を吐出させ、第２洗浄工程を実行する場合は、切り換え部６４により流路を切り換えてノズル６４１から第２洗浄液Ｒ２を吐出させる。切り換え部６４による流路の切り替えは、不図示の制御装置により制御されてもよい。
【０１０７】
なお、上記した基板洗浄装置６、６Ａでは、第１洗浄部６１と第２洗浄部６２とで共用のステージ６３が用いられるが、この構成に限定されない。例えば、２つのステージ６３が配置され、一方が第１洗浄部６１専用のステージ６３であり、他方が第２洗浄部６２であるような構成であってもよい。また、上記した第１洗浄工程と第２洗浄工程とを、それぞれ独立した基板洗浄装置により行ってもよい。
【０１０８】
＜基板洗浄用キット＞
本実施形態に係るキットは、支持体１と、分離層２と、接着層３と、基板４とがこの順に積層された積層体１００における分離層２を変質させ、支持体１から分離した基板４を洗浄するために用いられる。基板洗浄用キットは、接着層３を溶解可能な第１溶剤に所定の樹脂を溶解させ、基板４を洗浄するための第１洗浄液Ｒ１と、第１洗浄液Ｒ１による洗浄後に用いられ、接着層３を溶解可能な第２溶剤を有し、基板４を洗浄するための第２洗浄液Ｒ２と、を含む。この基板洗浄用キットは、上記した基板洗浄方法に用いることができる。
【０１０９】
このように、本実施形態によれば、基板４から支持体２を剥離した後に第１洗浄工程及び第２洗浄工程を行うことにより、接着層３の表面３ａ及び接着層３内に残存している残渣２ａの大部分を基板４から除去することができる。その結果、基板４に不要な残渣２ａ等が極めて少ないので、その後の工程を精度よく行うことが可能となり、電子デバイスの品質低下を防止できる。
【実施例】
【０１１０】
続いて、実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
・積層体の形成
先ず、支持基体上に分離層形成用組成物をスピン塗布し、温度９０℃で３００秒間の条件で加熱して、膜を形成した。次いで、この形成された膜を、大気環境下、３００℃で１０分間の条件で焼成して、支持体上に厚さ０．３μｍの分離層を形成した。
次に、この分離層上に、接着剤組成物をスピン塗布し、９０℃で４分間、１６０℃で４分間、２２０℃で４分間加熱することにより、分離層上に厚さ５０μｍの接着層を形成した。
次に、ダイボンダーを用いて、接着層上にシリコン製の基板を圧着して積層体を得た。
【０１１１】
分離層形成用組成物には、以下のものを用いた。
ＴＺＮＲ（登録商標）−ＣＴＲＬ９（東京応化工業株式会社製）：アミノフェノール骨格を有する樹脂（ＧＳＰ−０１、ＧＳＰ―０２（群栄化学工業株式会社製））
接着剤組成物には、以下のものを用いた。
ＴＺＮＲ（登録商標）−Ａ４０１７（東京応化工業株式会社製）：Ｈ１０５１（旭化成株式会社製）及びＳｅｐｔｏｎ２００２（株式会社クラレ製）を含むエラストマー接着剤。
【０１１２】
・支持体の剥離
上記した積層体の支持体側から、分離層に対して、走査速度６４００ｍｍ／秒、周波数４０ｋＨｚ、出力（電流値）２２Ａ、照射ピッチ１８０μｍの条件にて、波長５３２ｎｍのレーザ光を照射した。その後、この積層体の基板から支持体を剥離した。
【０１１３】
・第１洗浄工程
第１洗浄液の第１溶剤として、「デカリンと酢酸ブチルとの混合液」、「酢酸ブチルとｐ-メンタンとの混合液」、「ｐ−メンタン」の３種類を使用した。
所定の樹脂として、接着剤組成物であるスチレン系熱可塑性エラストマーの「Ｓｅｐｔｏｎ２００２（株式会社クラレ製）」を、３種類の第１溶剤に、それぞれ第１洗浄液に対して３重量％、３．５重量％、５重量％となるように溶解させた。
【０１１４】
以上ように作成したそれぞれの第１洗浄液を、支持体を剥離した後の基板に対して、流量９０ｇ／ｍｉｎでパドル洗浄１分間、スピン洗浄１分間行った。その後、１分間の乾燥を行った。
【０１１５】
・第２洗浄工程
第１洗浄工程を行った各基板を、第２溶剤を有する第２洗浄液で洗浄した。なお、第２洗浄液の第２溶剤は、第１溶剤と同一のものを使用した。すなわち、第１洗浄液の第１溶剤が「デカリンと酢酸ブチルとの混合液」である場合には、第２洗浄液の第２溶剤として「デカリンと酢酸ブチルとの混合液」を用いた。また、第１洗浄液の第１溶剤が「酢酸ブチルとｐ-メンタンとの混合液」である場合には、第２洗浄液の第２溶剤として「酢酸ブチルとｐ-メンタンとの混合液」を用いた。また、第１洗浄液の第１溶剤が「ｐ−メンタン」である場合には、第２洗浄液の第２溶剤として「ｐ−メンタン」を用いた。
【０１１６】
第２洗浄液による洗浄は、流量９０ｇ／ｍｉｎでパドル洗浄１分間、スピン洗浄１分間行った。その後、１分間の乾燥を行った。第２洗浄工程後に、基板の表面に残っている残渣（直径が１０μｍ以上）をパーティクルカウンターにより測定して評価を行った。評価結果を表１に示す。表１において、○印は残渣が３０個以下、×印は３１個以上であることを示している。また、表１において、−は未計測を示している。
【０１１７】
【表１】
2020191429.tif 000005
【０１１８】
（比較例）
支持体を剥離した後の基板に対して、「デカリンと酢酸ブチルとの混合液」、「酢酸ブチルとｐ-メンタンとの混合液」、「ｐ−メンタン」の３種を洗浄液として用いた。この洗浄液による洗浄は、流量９０ｇ／ｍｉｎでパドル洗浄１分間、スピン洗浄１分間行った。その後、１分間の乾燥を行った。洗浄後に、基板の表面に残っている残渣（直径が１０μｍ以上）をパーティクルカウンターにより測定して評価を行った。評価結果を表２に示す。表２において、○印は残渣が３０個以下、×印は３１個以上であることを示している。なお、比較例の洗浄液では、樹脂を溶解させていないので、濃度０％と表記している。
【０１１９】
【表２】
2020191429.tif 000006
【０１２０】
表２で示すように、「デカリンと酢酸ブチルとの混合液」、「酢酸ブチルとｐ-メンタンとの混合液」、「ｐ−メンタン」を単体で用いた場合には、基板の表面に残っている直径１０μｍ以上の残渣が３１個以上となることが確認された。一方、表１で示すように、３種の第１溶剤にそれぞれＳｅｐｔｏｎ２００２を濃度が３〜５重量％で溶解した第１洗浄液を用いて第１洗浄工程を行い、続いて、第１溶剤と同一の第２溶剤を有する第２洗浄液により第１洗浄工程を行えば、基板の表面に残っている直径１０μｍ以上の残渣が３０個以下になる場合があることが確認された。
【０１２１】
以上、実施形態及び実施例について説明したが、本発明は、上述した説明に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。例えば、上記した実施形態において、積層体１００（１００Ａ）を形成する手法は一例であり、他の手法により積層体１００（１００Ａ）が形成されてもよい。
【符号の説明】
【０１２２】
１・・・支持体、２・・・分離層、２ａ・・・残渣、３・・・接着層、３ａ・・・表面、４、４Ａ・・・基板、４１・・・電子部品、４１ａ・・・上面、４２・・・モールド、４２ａ、４２ｂ・・・上面、５・・・樹脂層、６、６Ａ・・・基板洗浄装置、６１・・・第１洗浄部、６１１・・・第１洗浄液供給装置、６１２・・・ノズル、６２・・・第２洗浄部、６２１・・・第２洗浄液供給装置、６２２・・・ノズル、６４・・・切り換え部、６４１・・・ノズル
【図１】
2020191429.tif 000007
【図２】
2020191429.tif 000008
【図３】
2020191429.tif 000009
【図４】
2020191429.tif 000010
【図５】
2020191429.tif 000011
【図６】
2020191429.tif 000012
【図７】
2020191429.tif 000013
【図８】
2020191429.tif 000014
【図９】
2020191429.tif 000015
【図１０】
2020191429.tif 000016
【図１１】
2020191429.tif 000017
【図１２】
2020191429.tif 000018
【図１３】
2020191429.tif 000019
【図１４】
2020191429.tif 000020