(57)【要約】【課題】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、コンタクト性が良好で耐久性も向上することのできる半導体装置の検査用プローブおよびその製造方法、検査装置を提供することを目的としている。【解決手段】複数の端子を有する半導体装置の検査用プローブ１であって、基板２と、基板２に設けられ半導体装置の複数の端子のそれぞれの配列に応じて設けられた接続部１１，２１を備え、接続部１１，２１が、貫通孔７内に配置された下地樹脂９と、基板２の表面２Ａから突出した下地樹脂９の表面に形成された導電膜１５からなる複数のコンタクト端子１３，２３を有し、貫通孔７は、内壁面の少なくとも一部が基板２の第２面２Ｂ側に向かって貫通孔７の内径を狭めるテーパー形状となっている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の端子を有する半導体装置の検査用プローブであって、
貫通孔を有する基板と、
前記基板に設けられ前記半導体装置の前記複数の端子のそれぞれの配列に応じて設けられた接続部と、を備え、
前記接続部が、前記貫通孔内に配置された下地樹脂と、前記基板の第１面から突出した前記下地樹脂の表面に形成された導電膜と、からなる複数のコンタクト端子を有し、
前記貫通孔は、内壁面の少なくとも一部が前記基板の第２面側に向かって当該貫通孔の内径を狭めるテーパー形状となっていることを特徴とする半導体装置の検査用プローブ。
【請求項２】
複数の端子を有する半導体装置の検査用プローブであって、
貫通孔を有する基板と、
前記基板に設けられ前記半導体装置の前記複数の端子のそれぞれの配列に応じて設けられた接続部と、を備え、
前記接続部が、前記貫通孔内に配置された下地樹脂と、前記基板の第１面から突出した前記下地樹脂の表面に形成された導電膜と、からなる複数のコンタクト端子を有し、
前記貫通孔の内壁の少なくとも一部に凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置の検査用プローブ。
【請求項３】
前記コンタクト端子の先端が、外方に向かって凸になる曲面状になっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の検査用プローブ。
【請求項４】
前記コンタクト端子の先端が、凹凸状になっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の検査用プローブ。
【請求項５】
前記複数の導電膜間で前記下地樹脂の一部が露出していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の半導体装置の検査用プローブ。
【請求項６】
前記複数の導電膜間において露出している前記下地樹脂の表面が、前記複数の導電膜の表面よりも低くなるように形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の半導体装置の検査用プローブ。
【請求項７】
前記導電膜が、展延性を有する単体または複数の金属膜により形成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の半導体装置の検査用プローブ。
【請求項８】
前記貫通孔内に設けられるとともに前記基板の前記第１面から突出する下地層によって、前記コンタクト端子の基部側の側面が覆われていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の半導体装置の検査用プローブ。
【請求項９】
前記導電膜が、前記貫通孔を経由して前記基板の前記第２面上に引き廻されていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項に記載の半導体装置の検査用プローブ。
【請求項１０】
前記半導体装置との接続時における応力を緩和する応力緩和部を有し、
前記応力緩和部が、前記基板の前記第１面上に配置された樹脂突起を有してなることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の半導体装置の検査用プローブ。
【請求項１１】
前記樹脂突起は、前記基板に形成された応力緩和部用貫通孔内に配置され、
前記応力緩和部用貫通孔は、内壁面の少なくとも一部に前記テーパー形状或いは前記凹部を有していることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の検査用プローブ。
【請求項１２】
前記半導体装置の端子に対応して設けられた第２接続部を有し、
前記第２接続部が、前記基板の前記第１面上に配置された樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電膜と、を有してなることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の半導体装置の検査用プローブ。
【請求項１３】
前記樹脂突起は、前記基板に形成された第２接続部用貫通孔内に配置され、
前記第２接続部用貫通孔は、内壁面の少なくとも一部に前記テーパー形状或いは前記凹部を有していることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の検査用プローブ。
【請求項１４】
入力端子および出力端子を有する半導体装置の検査用プローブの製造方法であって、
基板に前記入力端子および出力端子のそれぞれの配列に応じて形成された複数の接続部を形成する工程を備え、
前記複数の接続部を形成する工程が、
基板の第２面側からビアを形成する工程と、
前記ビアの内面に下地層を形成する工程と、
前記下地層上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を複数の領域にパターニングする工程と、
前記ビア内に樹脂を充填する工程と、
前記基板を薄くして前記ビアを貫通させる工程と、
前記基板の第１面から突出した前記下地層を除去して導電膜を露出させる工程と、
を有し、
前記ビアを形成する工程においては、前記ビアの内壁面の少なくとも一部が前記基板の前記第２面側に向かって当該ビアの内径を狭めるテーパー状に形成されることを特徴とする半導体装置の検査用プローブの製造方法。
【請求項１５】
入力端子および出力端子を有する半導体装置の検査用プローブの製造方法であって、
基板に前記入力端子および出力端子のそれぞれの配列に応じて形成された複数の接続部を形成する工程を備え、
前記複数の接続部を形成する工程が、
基板の第２面側からビアを形成する工程と、
前記ビアの内面に下地層を形成する工程と、
前記下地層上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を複数の領域にパターニングする工程と、
前記ビア内に樹脂を充填する工程と、
前記基板を薄くして前記ビアを貫通させる工程と、
前記基板の第１面から突出した前記下地層を除去して導電膜を露出させる工程と、
を有し、
前記ビアを形成する工程においては、前記ビアの内壁面の少なくとも一部に凹部を形成することを特徴とする半導体装置の検査用プローブの製造方法。
【請求項１６】
前記ビアの底面を曲面状に形成することを特徴とする請求項１４又は１５記載の半導体装置の検査用プローブの製造方法。
【請求項１７】
パターニングされた複数の前記導電膜間で露出する前記下地樹脂の表面が、前記複数の前記導電膜の表面よりも低くなるように形成されていることを特徴とする請求項１４ないし１６のいずれか一項に記載の半導体装置の検査用プローブの製造方法。
【請求項１８】
前記下地層を除去する工程において、前記コンタクト端子の基部側に前記下地層が部分的に残るようにすることを特徴とする請求項１４ないし１７のいずれか一項に記載の半導体装置の検査用プローブの製造方法。
【請求項１９】
半導体装置の検査用プローブを同一の基板に複数同時に形成した後、前記基板を前記検査用プローブ毎に切断することを特徴とする請求項１４ないし１８のいずれか一項に記載の半導体装置の検査用プローブの製造方法。
【請求項２０】
請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の半導体装置の検査用プローブを備えたことを特徴とする検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の検査用プローブおよびその製造方法、検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の検査方法として、電子部品の電極にプローブと呼ばれる検査端子（コンタクト端子）を接触させて電気的に接続し、電子部品に検査用の信号を供給するプローブ検査が知られている。
【０００３】
近年、液晶表示装置を中心とした半導体装置の高精細化が求められる中、駆動信号を供給する半導体装置における電極の狭ピッチ化が要求されている。そこで、このような電極の狭ピッチ化に対応した検査用プローブが必要となる。
【０００４】
従来の検査用プローブの構成は、特許文献１〜３に示すようなカレンチレバー型の検査プローブが一般的であった。この場合、半導体装置の電極の狭ピッチ化には対応困難であり、製造コストの上昇が予測される。そこで、半導体基板上に設けられた樹脂突起をコアとしてその表面を覆う複数の導電膜を電極とした樹脂コアバンプ構造の検査用プローブが提案されている（特許文献４，５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２６２２７３号公報
【特許文献２】特開２００１−２８９８７４号公報
【特許文献３】特開２００４−２９４０６３号公報
【特許文献４】特開２００６−３２２８７６号公報
【特許文献５】特開２００８−１５９９９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献４，５では、シリコン基板を用いているため狭ピッチ配線化が可能であり、樹脂突起によるコンタクト性も良好となった。しかしながら、シリコン基板の表面上からのみの樹脂突起の変形だけでは、条件によってはコンタクト性が十分ではなく、また耐久性が低いという問題もある。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、コンタクト性が良好で耐久性も向上することのできる半導体装置の検査用プローブおよびその製造方法、検査装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の検査用プローブは、複数の端子を有する半導体装置の検査用プローブであって、貫通孔を有する基板と、前記基板に設けられ前記半導体装置の前記複数の端子のそれぞれの配列に応じて設けられた接続部と、を備え、前記接続部が、前記貫通孔内に配置された下地樹脂と、前記基板の第１面から突出した前記下地樹脂の表面に形成された導電膜と、からなる複数のコンタクト端子を有し、前記貫通孔は、内壁面の少なくとも一部が前記基板の第２面側に向かって当該貫通孔の内径を狭めるテーパー形状となっていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の半導体装置の検査用プローブによれば、複数のコンタクト端子を有した接続部が基板の第１面から突出した構造となっている。このため、検査用プローブを半導体装置に接続する場合には、コンタクト端子を構成している導電膜の内側にある下地樹脂の樹脂変形を利用した接続となり、後に接続される半導体装置側の端子に対するコンタクト端子の接触面積が広がって接続信頼性が良好となる。さらに、本発明の下地樹脂は貫通孔内に配置されたものであり、従来、基板上に設けられた樹脂突起を有してなる端子構造よりも半導体装置側の端子との接続部分におけるコンタクト性が良好で耐久性も向上させることができる。さらに、貫通孔の内壁面のテーパー形状により下地樹脂が保持されるため、検査時にコンタクト端子が第２面側に抜けてしまう（突出してしまう）といった不具合の発生が防止され、信頼性の高い検査を行うことができる。
【００１０】
本発明の半導体装置の検査用プローブは、複数の端子を有する半導体装置の検査用プローブであって、貫通孔を有する基板と、前記基板に設けられ前記半導体装置の前記複数の端子のそれぞれの配列に応じて設けられた接続部と、を備え、前記接続部が、前記貫通孔内に配置された下地樹脂と、前記基板の第１面から突出した前記下地樹脂の表面に形成された導電膜と、からなる複数のコンタクト端子を有し、前記貫通孔の内壁の少なくとも一部に凹部が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の半導体装置の検査用プローブによれば、複数のコンタクト端子を有した接続部が基板の第１面から突出した構造となっている。このため、検査用プローブを半導体装置に接続する場合には、コンタクト端子を構成している導電膜の内側にある下地樹脂の樹脂変形を利用した接続となり、後に接続される半導体装置側の端子に対するコンタクト端子の接触面積が広がって接続信頼性が良好となる。さらに、本発明の下地樹脂は貫通孔内に配置されたものであり、従来、基板上に設けられた樹脂突起を有してなる端子構造よりも半導体装置側の端子との接続部分におけるコンタクト性が良好で耐久性も向上させることができる。さらに、貫通孔の内壁面の凹部により下地樹脂が保持されるため、検査時にコンタクト端子が第２面側に抜けてしまう（突出してしまう）といった不具合の発生が防止され、信頼性の高い検査を行うことができる。
【００１２】
また、上記半導体装置の検査用プローブにおいては、前記コンタクト端子の先端が、外方に向かって凸になる曲面状になっているのが好ましい。
この構成によれば、半導体装置側の端子との接続時におけるコンタクト端子の変形が容易になる。
【００１３】
また、上記半導体装置の検査用プローブにおいては、前記コンタクト端子の先端が、凹凸状になっているのが好ましい。
この構成によれば、半導体装置側の端子に酸化膜が形成されている場合でも、先端の凹凸形状が酸化膜を破壊することでコンタクト端子と端子との間で良好な接合を得ることができる。
【００１４】
また、上記半導体装置の検査用プローブにおいては、前記複数の導電膜間で前記下地樹脂の一部が露出しているのが好ましい。
この構成によれば、端子間のショートを回避することができる。
【００１５】
また、上記半導体装置の検査用プローブにおいては、前記複数の導電膜間において露出している前記下地樹脂の表面が、前記複数の導電膜の表面よりも低くなるように形成されているのが好ましい。
この構成によれば、接続部における各コンタクト端子が、半導体装置側の各端子と確実且つ良好に接続されるようになる。
【００１６】
また、上記半導体装置の検査用プローブにおいては、前記導電膜が、展延性を有する単体または複数の金属膜により形成されているのが好ましい。
この構成によれば、延展性を有する単体または複数の金属膜により形成された導電膜であれば、下地樹脂とともに変形しやすい。
【００１７】
また、上記半導体装置の検査用プローブにおいては、前記貫通孔内に設けられるとともに前記基板の前記第１面から突出する下地層によって、前記コンタクト端子の基部側の側面が覆われているのが好ましい。
この構成によれば、変形したコンタクト端子と基板との間のショートを回避することができる。
【００１８】
また、上記半導体装置の検査用プローブにおいては、前記導電膜が、前記貫通孔を経由して前記基板の前記第２面上に引き廻されているのが好ましい。
この構成によれば、半導体装置側の端子と接続する複数のコンタクト端子を介して半導体装置に駆動信号を供給することができるので、半導体装置の電気特性検査を良好に行える。
【００１９】
また、上記半導体装置の検査用プローブにおいては、前記半導体装置との接続時における応力を緩和する応力緩和部を有し、前記応力緩和部が、前記基板の前記第１面上に配置された樹脂突起を有してなるのが好ましい。
この構成によれば、応力緩和部によって、半導体装置側の端子との接続時にコンタクト端子にかかる応力を緩和することで、良好な接続状態を得ることができる。
さらに、前記樹脂突起は、前記基板に形成された応力緩和部用貫通孔内に配置され、前記応力緩和部用貫通孔は、内壁面の少なくとも一部に前記テーパー形状或いは前記凹部を有しているのがより好ましい。
このようにすれば、応力緩和用貫通孔の内壁面のテーパー形状或いは凹部により樹脂突起が保持されるため、検査時に応力緩和部が第２面側に抜けてしまう（突出してしまう）といった不具合の発生が防止され、信頼性の高い検査を行うことができる。
【００２０】
また、上記半導体装置の検査用プローブにおいては、前記半導体装置の端子に対応して設けられた第２接続部を有し、前記第２接続部が、前記基板の前記第１面上に配置された樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電膜と、を有してなるのが好ましい。
この構成によれば、半導体装置に設けられる複数の端子のうち、例えばＧＮＤ用の端子などに接続されることで例えば検査中にノイズや静電気の除去などを行うことができ、より信頼性の高いプローブ検査を行うことが可能である。
さらに、前記樹脂突起は、前記基板に形成された第２接続部用貫通孔内に配置され、
前記第２接続部用貫通孔は、内壁面の少なくとも一部に前記テーパー形状或いは前記凹部を有しているのがより好ましい。
このようにすれば、第２接続部用貫通孔の内壁面のテーパー形状或いは凹部により樹脂突起が保持されるため、検査時に第２接続部が第２面側に抜けてしまう（突出してしまう）といった不具合の発生が防止され、信頼性の高い検査を行うことができる。
【００２１】
本発明の半導体装置の検査用プローブの製造方法は、入力端子および出力端子を有する半導体装置の検査用プローブの製造方法であって、基板に前記入力端子および出力端子のそれぞれの配列に応じて形成された複数の接続部を形成する工程を備え、前記複数の接続部を形成する工程が、基板の第２面側からビアを形成する工程と、前記ビアの内面に下地層を形成する工程と、前記下地層上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜を複数の領域にパターニングする工程と、前記ビア内に樹脂を充填する工程と、前記基板を薄くして前記ビアを貫通させる工程と、前記基板の第１面から突出した前記下地層を除去して導電膜を露出させる工程と、を有し、前記ビアを形成する工程においては、前記ビアの内壁面の少なくとも一部が前記基板の前記第２面側に向かって当該ビアの内径を狭めるテーパー状に形成されることを特徴とする。
【００２２】
本発明の半導体装置の検査用プローブの製造方法によれば、基板の第１面から突出する樹脂コアバンプ構造の検査用プローブを得ることができる。本発明では、貫通孔内に配置した樹脂とその表面を覆う導電膜とによってコンタクト端子が構成されている。半導体装置に接続する際は、接続部におけるコンタクト端子が半導体装置の端子と接触して変形することによって接続される。本発明のコンタクト端子は導電膜とともに貫通孔内に配置された樹脂が変形することから、基板上に設けられた樹脂突起とその表面を覆う導電膜とからなる従来のコンタクト端子の変形よりも、十分なコンタクト性を得ることができる。これにより、半導体装置に対して信頼性の高いプローブ検査が可能な検査用プローブを提供することができる。さらに、貫通孔の内壁面のテーパー形状により樹脂が保持されるため、検査時にコンタクト端子が第２面側に抜けてしまう（突出してしまう）といった不具合の発生が防止され、信頼性の高い検査を行うことができる。
【００２３】
本発明の半導体装置の検査用プローブの製造方法は、入力端子および出力端子を有する半導体装置の検査用プローブの製造方法であって、基板に前記入力端子および出力端子のそれぞれの配列に応じて形成された複数の接続部を形成する工程を備え、前記複数の接続部を形成する工程が、基板の第２面側からビアを形成する工程と、前記ビアの内面に下地層を形成する工程と、前記下地層上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜を複数の領域にパターニングする工程と、前記ビア内に樹脂を充填する工程と、前記基板を薄くして前記ビアを貫通させる工程と、前記基板の第１面から突出した前記下地層を除去して導電膜を露出させる工程と、を有し、前記ビアを形成する工程においては、前記ビアの内壁面の少なくとも一部に凹部を形成することを特徴とする。
【００２４】
本発明の半導体装置の検査用プローブの製造方法によれば、基板の第１面から突出する樹脂コアバンプ構造の検査用プローブを得ることができる。本発明では、貫通孔内に配置した樹脂とその表面を覆う導電膜とによってコンタクト端子が構成されている。半導体装置に接続する際は、接続部におけるコンタクト端子が半導体装置の端子と接触して変形することによって接続される。本発明のコンタクト端子は導電膜とともに貫通孔内に配置された樹脂が変形することから、基板上に設けられた樹脂突起とその表面を覆う導電膜とからなる従来のコンタクト端子の変形よりも、十分なコンタクト性を得ることができる。これにより、半導体装置に対して信頼性の高いプローブ検査が可能な検査用プローブを提供することができる。さらに、貫通孔の内壁面の凹部により下地樹脂が保持されるため、検査時にコンタクト端子が第２面側に抜けてしまう（突出してしまう）といった不具合の発生が防止され、高信頼性の検査を行うことができる。
【００２５】
また、上記半導体装置の検査用プローブの製造方法においては、前記ビアの底面を曲面状に形成するのが好ましい。
この構成によれば、コンタクト端子の先端を曲面状に形成することができるので、接続時に変形し且つ接続強度も確実に得られるようになる。
【００２６】
また、上記半導体装置の検査用プローブの製造方法においては、パターニングされた複数の前記導電膜間で露出する前記下地樹脂の表面が、前記複数の前記導電膜の表面よりも低くなるように形成されているのが好ましい。
この構成によれば、半導体装置側の端子に対する各コンタクト端子の接続が良好に行える。
【００２７】
また、上記半導体装置の検査用プローブの製造方法においては、前記下地層を除去する工程において、前記コンタクト端子の基部側に前記下地層が部分的に残るようにするのが好ましい。
この構成によれば、コンタクト端子の基部側が下地層によって覆われた状態となるので、半導体装置側との接続時に変形したコンタクト端子が基板とショートしてしまうのを回避することができる。
【００２８】
また、上記半導体装置の検査用プローブの製造方法においては、半導体装置の検査用プローブを同一の基板に複数同時に形成した後、前記基板を前記検査用プローブ毎に切断するのが好ましい。
この構成によれば、半導体装置の検査用プローブを効率よく製造することが可能となる。
【００２９】
本発明の検査装置は、上記の半導体装置の検査用プローブを備えたことを特徴とする。
【００３０】
本発明の検査装置によれば、上記した検査用プローブにより半導体装置との接続不具合が解消されるので、半導体装置のプローブ検査の検査精度を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】第１実施形態の検査用プローブと検査対象の半導体装置を示す斜視図。
【図２】第１実施形態の検査用プローブを示す斜視図。
【図３】第１実施形態の検査用プローブの概略構成を示す断面図。
【図４】検査用プローブを備えた検査装置の一例を示す概略図。
【図５】検査装置による半導体装置の検査状態を示す断面図。
【図６】検査用プローブの製造工程を示す断面図。
【図７】検査用プローブの製造工程を示す断面図。
【図８】検査用プローブの製造工程を示す断面図。
【図９】第４実施形態の検査用プローブの概略構成図。
【図１０】第５実施形態の検査用プローブの概略構成図。
【図１１】第１変形例の検査用プローブの概略構成図を示す図。
【図１２】第２変形例の検査用プローブの概略構成図を示す図。
【図１３】第３変形例の検査用プローブの概略構成図を示す図。
【図１４】第４変形例の検査用プローブの概略構成図を示す図。
【図１５】貫通孔の長辺方向の内壁面に凹部を形成した構成を示す図。
【図１６】コンタクト端子の先端に凹凸部を形成した構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００３３】
（第１実施形態）
本発明に係る半導体装置の検査用プローブの第１の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、検査対象である半導体装置１００として一例を示すとともに、半導体装置１００が複数形成されたシリコンウェハＷを検査用プローブ１により検査している状態を示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る半導体装置１００の検査用プローブ１を示す図であって、（ａ）は表面側から見た斜視図、（ｂ）は裏面側から見た斜視図である。また、図３は、検査用プローブの概略構成を示す断面図である。
【００３４】
検査用プローブ１は、入力端子１０１および出力端子１０２を有する半導体装置１００を検査するもので、入力端子１０１から検査信号などを入力し、出力端子１０２から検査信号などを取り出して、半導体装置１００の短絡や断線、特性などの検査が可能である。
ここで、半導体装置１００の入力端子１０１は、図１に示すように端面１００ａに沿って複数設けられ、出力端子１０２は、端面１００ａに対向する隣り合う半導体装置１００の端面１００ｂに沿って複数設けられている。
【００３５】
検査用プローブ１は、図２（ａ），（ｂ）に示すように、シリコン基板からなる平面視矩形状の検査用プローブ基板２と、検査用プローブ基板２の表面（第１面）２Ａから突出する入力側接続部１１および出力側接続部２１と、検査用プローブ基板２の裏面（第２面）２Ｂ側に設けられた入力側配線部１２および出力側配線部２２と、を備えている。入力側接続部１１および出力側接続部２１は、半導体装置１００側の入力端子１０１および出力端子１０２のそれぞれの配列に応じて設けられている。また、入力側配線部１２および出力側配線部２２は、表面２Ａ側の入力側接続部１１および出力側接続部２１のそれぞれと電気的に接続されている。
【００３６】
検査用プローブ基板２としては、上述したシリコン基板の他にも、例えばセラミックス基板や樹脂基板などを用いることができる。検査用プローブ基板２には、表面２Ａおよび裏面２Ｂを貫通する平面視矩形状の貫通孔７，７が互いの長手方向を平行にして形成されている。これら貫通孔７、７は、図３に示すように、内壁面７ａの少なくとも一部が裏面２Ｂ側に向かって、該貫通孔７の内径を狭めるテーパー形状を有している。具体的に本実施形態では、貫通孔７は、長辺方向に直交する短辺方向における断面が、検査用プローブ基板２の表面２Ａ側から基板の中央部に向かって内径が曲面状に拡がるテーパー形状と、基板中央部から裏面２Ｂ側に向かって内径を曲面状に狭めるテーパー形状とを連続させた略太鼓状となっている。
【００３７】
図２（ａ）に示すように、入力側接続部１１は、半導体装置１００の入力端子１０１と接触する入力側コンタクト端子１３を複数有し、出力側接続部２１は、半導体装置１００の出力端子１０２と接触する出力側コンタクト端子２３を複数有している。これら入力側コンタクト端子１３および出力側コンタクト端子２３は、検査用プローブ基板２の貫通孔７，７内に配置された下地樹脂９，９と、検査用プローブ基板２の表面２Ａから突出した下地樹脂９，９の表面を部分的に被覆している複数の帯状の導電膜１５と、から構成されるもので、導電膜１５とその内側の下地樹脂９をコアとする、所謂樹脂コアバンプ電極である。実質的には、突出（露出）している各導電膜１５の一部が電極として機能する。
【００３８】
入力側接続部１１および出力側接続部２１の間の距離（ピッチ）は、半導体装置１００の複数の入力端子１０１の配列位置と複数の出力端子１０２の配列位置との間の距離に対応している。また、入力側コンタクト端子１３および出力側コンタクト端子２３は、半導体装置１００の入力端子１０１および出力端子１０２の配列方向に複数並んで設けられており、それぞれの配置ピッチが対応する入力端子１０１および出力端子１０２の配置ピッチに対応している。
【００３９】
また、入力側コンタクト端子１３および出力側コンタクト端子２３同士の間、すなわち導電膜１５同士の間からは下地樹脂９が部分的に露出している。これら導電膜１５間において露出している下地樹脂９の表面２Ａからの突出高さは、同じく表面２Ａから突出している各導電膜１５の突出高さよりも低くなっている。これにより、検査用プローブ基板２のコンタクト端子１３，２３と半導体装置１００の端子１０１，１０２との接続を確実且つ良好に行える。これら入力側コンタクト端子１３および出力側コンタクト端子２３における各導電膜１５は、図３に示すように、貫通孔７，７を経由して検査用プローブ基板２の裏面２Ｂ上にそれぞれ引き廻されており、これによって検査用プローブ基板２の表裏導通が得られた構成となっている。
【００４０】
検査用プローブ基板２の裏面２Ｂ上には、図２（ｂ）に示すように、半導体装置１００を検査する際の検査信号などを入力する入力側裏面端子５５および検査信号などを取り出す出力側裏面端子５６がそれぞれ複数配置されている。さらに裏面２Ｂ上には、これら入力側裏面端子５５および出力側裏面端子５６と貫通孔７，７との間の領域に入力側配線部１２および出力側配線部２２が形成されている。
【００４１】
入力側配線部１２および出力側配線部２２は、入力側配線１２ａおよび出力側配線２２ａをそれぞれ複数本ずつ有しており、これら配線１２ａ，２２ａの一端側が入力側裏面端子５５および出力側裏面端子５６のそれぞれに接続され、各配線１２ａ，２２ａの他端側が貫通孔７，７内の導電膜１５のそれぞれに接続されている（図３）。
【００４２】
すなわち、入力側裏面端子５５および出力側裏面端子５６と、入力側コンタクト端子１３および出力側コンタクト端子２３とが各配線１２ａ，２２ａを介して電気的に接続された状態とされており、これによって、入力側コンタクト端子１３および出力側コンタクト端子２３のそれぞれが独立して樹脂コアバンプ電極として機能するようになっている。
【００４３】
なお、検査用プローブ基板２の裏面２ＢにはＳｉＯ２（酸化シリコン）からなる下地層１０が設けられており、この下地層１０によって、検査用プローブ基板２と、入力側裏面端子５５、出力側裏面端子５６、入力側配線部１２および出力側配線部２２との絶縁性が確保されている。
【００４４】
また、図３に示すように、貫通孔７内に配置された各導電膜１５においても、内面７ａを覆う下地層１０によって検査用プローブ基板２との絶縁性が確保されている。貫通孔７の内面を覆う下地層１０の端部１０ｂは、検査用プローブ基板２の表面２Ａから所定の突出量で突出してコンタクト端子１３，２３の突出長さの途中まで延出している。この下地層１０の端部１０ｂによって、各コンタクト端子１３，２３の裏面２Ｂ側の基部の側面が覆われた状態となっている。これにより、例えば接続時に変形したコンタクト端子１３，２３と検査用プローブ基板２との間のショートが回避される。
【００４５】
下地層１０として、本実施形態ではＳｉＯ２（酸化シリコン）を採用しているが、これに限らず、窒化膜、エポキシなどの樹脂系材料からからなるものでもよい。下地層１０は、導電膜１５、入力側配線部１２、出力側配線部２２、入力側裏面端子５５および出力側裏面端子５６などと検査用プローブ基板２との電流リークの発生、および酸素や水分などによる検査用プローブ基板２の浸食などを防止するために設けられるものであることから、これらを実現できる材料であればよい。
【００４６】
下地層１０と、これら導電膜１５、入力側配線部１２、出力側配線部２２、入力側裏面端子５５および出力側裏面端子５６との間には、各部材と同時にパターン形成された金属層１４が介在している。
【００４７】
金属層は、チタンタングステンなどの金属材料からなり、下地層１０と、導電膜１５、入力側配線部１２、出力側配線部２２、入力側裏面端子５５および出力側裏面端子５６との密着性を確保してそれぞれを良好に接着させるように機能するものである。このような金属層１４は、各導電膜１５、入力側配線部１２、出力側配線部２２、入力側裏面端子５５および出力側裏面端子５６と同時にパターン形成されるものであって、少なくとも下地層１０と、導電膜１５、入力側配線部１２、出力側配線部２２、入力側裏面端子５５および出力側裏面端子５６のそれぞれとが平面視で重なる領域を含むように設けられている。
【００４８】
導電膜１５、入力側配線部１２、出力側配線部２２、入力側裏面端子５５および出力側裏面端子５６は、例えば、例えばＡｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、Ａｌ、Ｐｄ、鉛フリーハンダなどの展延性を有する金属膜の単層あるいは複数種を積層したものからなる。ここで、導電膜１５は、半導体装置１００側の端子１０１，１０２に接合することで下地樹脂９とともに弾性変形することから、特に展延性に優れたＡｕを用いるのが好ましい。
【００４９】
下地樹脂９は、貫通孔７，７内を埋め込むようにしてその中心に配置され、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂などからなる。下地樹脂９の材質（硬度）や形状については、コンタクト端子１３，２３の形状などによって適宜選択、設計される。
【００５０】
本実施形態におけるコンタクト端子１３，２３は、図３に示すように貫通孔７，７の直上、すなわち各貫通孔７，７の延長上に形成されている。コンタクト端子１３，２３の先端は半球状とされており、半導体装置１００に接続する際に、入力側接続部１１および出力側接続部２１におけるコンタクト端子１３，２３が半導体装置１００側の端子１０１，１０２と接触して変形することで双方が電気的且つ良好に接続される。また、本実施形態の検査用プローブ基板２の裏面２Ｂ側には補強部材１６が設けられている。
【００５１】
補強部材１６は、貫通孔７，７の開口７Ｂ，７Ｂおよび入力側配線部１２および出力側配線部２２を被覆するようにして設けられる。この補強部材１６は、裏面２Ｂ上の入力側裏面端子５５および出力側裏面端子５６を露出させることが可能な大きさで形成された板状部材からなり、接着材１８などを介して裏面２Ｂ上に貼り付けておく。このような補強部材１６によって検査用プローブ１の機械的強度が高められる。
【００５２】
＜検査装置＞
図４は上述した検査用プローブ１を備えた検査装置７０の一例を示す概略図である。
図４において、検査装置７０は、検査対象機器である半導体装置１００（シリコンウェハＷ）を載置する載置台７１と、検査用プローブ１を保持するキャリッジ７２と、キャリッジ７２の位置および姿勢を調整可能な調整機構７３とを備えている。キャリッジ７２は、検査用プローブ１の入力側接続部１１および出力側接続部２１を半導体装置１００側に向けた状態で検査用プローブ基板２の裏面２Ｂ側を保持している。
そして、検査用プローブ１の入力側裏面端子５５及び出力側裏面端子５６（図２（ｂ））と検査装置７０側の配線とを接続する。
【００５３】
検査装置７０においては、半導体装置１００の各端子１０１，１０２と検査用プローブ１の入力側接続部１１および出力側接続部２１における入力側コンタクト端子１３および出力側コンタクト端子２３とが位置合わせされた状態で、キャリッジ７２が下降することによって、半導体装置１００に対して検査用プローブ１が押圧される。これにより、コンタクト端子１３，２３と端子１０１，１０２とが密着され、電気的な接続が得られる。
【００５４】
そして、検査用プローブ１のコンタクト端子１３，２３には、検査装置７０側から入力側裏面端子５５を介して駆動信号が供給される。検査用プローブ１は、コンタクト端子１３，２３から各端子１０１，１０２へ所定の電圧を印加することにより各半導体装置１００の導通試験などの電気的検査を行うことが可能である。
【００５５】
次に、以上の構成からなる本実施形態の検査用プローブ１を備えた検査装置７０を用いて、半導体装置１００の検査を行う方法について説明する。図５（ａ），（ｂ）は、本実施形態の検査用プローブ１を備えた検査装置７０による半導体装置１００の検査状態を示す断面図である。
【００５６】
まず、半導体装置１００の入力端子１０１及び出力端子１０２に対して、検査用プローブ１の入力側コンタクト端子１３及び出力側コンタクト端子２３の位置合わせを行う。この状態で、図５（ａ）に示すように、半導体装置１００の入力端子１０１及び出力端子１０２に対して、検査用プローブ１の入力側コンタクト端子１３および出力側コンタクト端子２３を同時に接触させる。
【００５７】
そして、半導体装置１００に対して検査用プローブ１の検査用プローブ基板２を押圧する。すると、図５（ｂ）に示すように、コンタクト端子１３，２３が半導体装置１００側の基板２に圧迫されて圧縮変形する。ここで、コンタクト端子１３，２３は、その先端が曲面状とされていることから容易に変形する。また、変形したコンタクト端子１３，２３は、端子１０１，１０２に対する接触面積が広がった状態となるので、双方の電気的な接続が確保されて良好な接続が行える。また、下地樹脂９の弾性復元力（反発力）によって、その表面の導電膜１５が端子１０１，１０２に対して高い強度で接続されることになる。これにより、入力端子１０１および出力端子１０２と、入力側コンタクト端子１３および出力側コンタクト端子２３とが密着されて良好な接続状態となる。
【００５８】
ここで、下地樹脂９の変形応力は、検査用プローブ基板２の厚さ方向中央部から裏面２Ｂ側に向かって内径が狭まるテーパー形状を呈する貫通孔７の内壁面７ａによって受け止められるようになる。よって、貫通孔７の内部に埋め込まれている下地樹脂９が裏面２Ｂ側から抜けてしまう（突出してしまう）といった不具合の発生を防止することができる。この状態で半導体装置１００のプローブ検査を行う。
【００５９】
本実施形態に係る半導体装置１００の検査用プローブ１は、検査用プローブ基板２の表裏に貫通孔７を介して導通が得られたコンタクト端子１３，２３を有した構造体となっている。これらコンタクト端子１３，２３（入力側接続部１１および出力側接続部２１）は検査用プローブ基板２の表面２Ａから突出しており、コンタクト端子１３，２３が変形することによって半導体装置側の端子１０１，１０２と接続する。すなわち、導電膜１５の内側にある下地樹脂９の樹脂変形を利用した接続であるため、後に接続される半導体装置１００側の端子１０１，１０２に対するコンタクト端子１３，２３の接触面積が広がって接続信頼性が良好となる。
【００６０】
本実施形態では、コンタクト端子１３，２３を構成している下地樹脂９が貫通孔７内に配置されている。このため、従来、基板上に設けられた樹脂突起を有してなる端子の変形よりも、接続部分におけるコンタクト性も良好となり、接続部分における耐久性を向上させることが可能である。したがって、接続信頼性に優れた半導体装置の検査用プローブとなる。
【００６１】
さらに、貫通孔７の内壁面７ａのテーパー形状により下地樹脂９の変形応力を受け止めることができるので、検査時におけるコンタクト端子１３，２３を構成する下地樹脂９が裏面２Ｂに突出してしまうといったことが防止され、検査時の入力側接続部１１および出力側接続部２１と入力端子１０１及び出力端子１０２との接触信頼性を向上できる。
【００６２】
（検査用プローブの製造方法）
次に、検査用プローブ１の製造方法について図６〜図８を用いて説明する。図６は、検査用プローブ１の製造方法のフローチャート図、図７および図８は、検査用プローブ１の製造方法の工程図である。ここで、本実施形態においては、検査用プローブ１は一つのシリコンウェハ上に複数同時に一括して形成されるものとする。なお、検査用プローブ１を製造する途中工程を示す図７および図８においては、図を簡略化し、シリコンウェハＷ上に形成した１つの検査用プローブ１を示している。なお、以下の製造工程の説明に用いるシリコンウェハＷと検査用プローブ基板２とは同じものとする。
【００６３】
まず、図７（ａ）に示すように、検査用プローブ基板２の裏面２Ｂ側からビア７ｂ，７ｂを形成する（Ｓ１）。本実施形態では、板厚が６２５μｍのシリコン基材の所定の位置に、直径５０μｍ、深さ１００μｍのビア７ｂ，７ｂをドライエッチングにより形成した。この際、ボッシュプロセス法を用い、ビア中央部が７０μｍの太鼓状となるように調整した。さらに、ビア７ｂ，７ｂの底面が曲面となるように調整した。ボッシュプロセス法は、ＳＦ６のようなフッ化硫黄系のガスによるドライエッチングプロセスと、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ８のようなフッ化炭素系ガスによる側壁保護膜の形成（パッシベーション）工程とを繰り返す方法であり、異方性の高いエッチングができるという特徴を有する。また、エッチングには、フォトレジストマスクや、ハードマスクとしてＳｉＯ２膜を用いても良く、フォトレジストマスク及びハードマスクを併用しても良い。また、エッチング方法としてはドライエッチングに限らず、ウェットエッチング、レーザ加工、あるいはこれらを併用しても良い。
【００６４】
次に、検査用プローブ基板２の裏面２Ｂおよびビア７ｂ，７ｂの内面を覆う下地層１０を形成する（Ｓ２）。ここでは、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ２膜を３０００Å以上の膜厚となるように成膜する。なお、本実施形態ではＳｉＯ２を用いたが、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）を用いて形成した正珪酸四エチル（Tetra Ethyl Ortho Silicate：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４：以下、ＴＥＯＳという）、すなわちＰＥ−ＴＥＯＳ、及びオゾンＣＶＤを用いて形成したＴＥＯＳ（Ｏ３−ＴＥＯＳ）を用いることもできる。
【００６５】
次に、下地層１０上にＴｉＷ膜１４Ａを形成する（Ｓ３）。ここでは、検査用プローブ基板２の裏面２Ｂおよびビア７ｂ，７ｂ内に、スパッタ法を用いてＴｉＷ膜１４Ａを１０００Åの膜厚で成膜する。
続けて、図７（ｂ）に示すように、金属層１４上にＡｕ膜１５Ａを形成する（Ｓ４）。
ここでは、検査用プローブ基板２の裏面２Ｂおよびビア７ｂ，７ｂ内に、スパッタ法を用いてＡｕ膜１５Ａを５０００Åの膜厚で成膜する。
【００６６】
その後、図７（ｃ）に示すように、周知のフォトリソグラフィおよびエッチング法によりＡｕ膜１５ＡとＴｉＷ膜１４Ａとを同時にパターニングする（Ｓ５）。これにより、ビア７ｂ，７ｂの内側に導電膜１５が形成され、裏面２Ｂ側に入力側裏面端子５５、出力側裏面端子５６、入力側配線部１２および出力側配線部２２がパターン形成される。また、これら導電膜１５、入力側配線部１２、出力側配線部２２、入力側裏面端子５５、出力側裏面端子５６のそれぞれの下層には、これらと同じ形状の金属層１４が同時にパターン形成される。
【００６７】
ここで、ＴｉＷのスパッタ膜上にＡｕのスパッタ膜が密着して形成されることから、金属層１４によって、下地層１０と、導電膜１５、入力側配線部１２、出力側配線部２２、入力側裏面端子５５、および出力側裏面端子５６との密着性が確保されたものとなる。なお、必要であれば、Ａｕめっきなどで抵抗値を下げる手立てをしても良い。また、後の工程においてビア７ｂ，７ｂ内に充填される樹脂材料との密着性を確保するためにさらに別の金属層を形成してもよい。
【００６８】
次に、図７（ｄ）に示すように、ビア７ｂ，７ｂの内部に樹脂材料を充填し、下地樹脂９を形成する（Ｓ６）。ここでは、ポリイミドを用いた。本実施形態では、ビア７ｂ，７ｂの底面が曲面状になっているので気泡などを樹脂内に混入させることなく充填できる。
【００６９】
次に、図７（ｅ）に示すように、基板２の表面２Ａ側を、接着材１２１を介して設けたガラス基板などからなる支持部材１２０によって支持する。そして、支持部材１２０に基板２を貼り付けた状態で、基板２の表面２Ａ側から例えばＣＭＰ（化学的機械的研磨）を行うことにより、図８（ｆ）に示すように、基板２を所定の厚さになるまで研磨して基板２の厚みを薄くする（Ｓ７）。具体的には、下地層１０が露出する直前まで加工する。支持部材１２０によって補強しておくことにより、基板２の反りを矯正し、且つ加工またはハンドリング時に発生するクラックを防止することができる。
【００７０】
次に、図８（ｇ）に示すように、ドライエッチングあるいはウェットエッチングなどにより（Ｓ８）、基板２を選択的に薄くすることで貫通孔７を形成し、表面２Ａ側から下地層１０を所定の突出量で突出させる。エッチングには、シリコンに対する下地層１０のエッチング速度が十分遅いものを使用することが望ましい。ドライエッチングの場合には誘導結合プラズマエッチング（ＩＣＰ）などが利用でき、ウェットエッチングの場合には、エッチャントとしてＨＦ、ＨＮＯ３やそれらの混合液およびＫＯＨなどを使用することによって下地層１０の突出が可能となる。下地層１０の突出量Ｌ１としては、ポスト長さＬの２％〜２０％程度とした。なお、この工程により、基板２の厚さ方向を貫通する貫通孔７が形成される。
【００７１】
次に、図８（ｈ）に示すように、下地層１０の露出部分を除去して下層の金属層１４を露出させる（Ｓ９）。下地層１０の除去には、ドライエッチングあるいはウェットエッチングなどを用いて行う。ドライエッチングの場合には、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）が利用でき、その場合のガスとしてはＣＦ４、Ｏ２などを使用する。ウェットエッチングの場合、ＴｉＷ層を侵さずに下地層１０を除去できるエッチャントを選定する必要がある。下地層１０がＳｉＯ２の場合には、希フッ酸を使用する。
【００７２】
また、前工程において下地層１０をシリコン基材から突出させる際、ウェットエッチングによって金属層１４が露出するまで下地層１０を除去してもよい。この場合、一つの工程で、下地層１０の除去および金属層１４の露出を行うことが可能である。
【００７３】
次に、図８（ｉ）に示すように、再度シリコンエッチングを行って（Ｓ１０）、基板２を選択的に薄くすることにより下地層１０の端部１０ｂを所定量突出させる。ドライエッチングの場合には、ＩＣＰ、ＲＩＥを用いて行う。この際、下地層１０の突出量Ｌ２としては、ポスト長さＬの２％〜２０％程度とした。
【００７４】
次に、図８（ｊ）に示すように、金属層１４の露出部分を除去して下層の導電膜１５を露出させる（Ｓ１１）。金属層１４がＴｉＷからなることからウェットエッチングを用いて除去する。Ａｕは酸化膜が形成されないため、使用時（半導体装置に接続する）まで露出させた状態であっても、半導体装置１００側の端子１０１，１０２との接続信頼性を確保できる。これにより、基板２の表面２Ａに突出するコンタクト端子１３，２３が形成され、ひいては図２（ａ）に示したような入力側接続部１１および出力側接続部２１が構成される。
【００７５】
次に、基板２を支持している支持部材１２０を剥離した後、基板２の裏面２Ｂ上に接着材１８により補強部材１６を貼着させる（Ｓ１２）。
【００７６】
次に、その後、ダイシングラインＤに沿ってシリコンウェハＷを切断することで、複数の検査用プローブ１に個片化する。
このようにして、本実施形態の検査用プローブ１が得られる。
【００７７】
本実施形態に係る半導体装置１００の検査用プローブ１によると、各貫通孔７，７の直上、延長上にコンタクト端子１３，２３を形成することから、これによって基板２の表裏導通が得られる。このように、樹脂コアバンプであるコンタクト端子１３，２３を形成する工程と、基板２の表裏導通を得る工程とが同時に行なえるので、製造コストを低減することができる。さらに貫通孔７の内壁面７ａのテーパー形状により下地樹脂９が保持されるため、検査時にコンタクト端子１３，２３を構成する下地樹脂９が裏面２Ｂ側に抜けることが防止された高い接続信頼性を備えた検査用プローブ１を提供できる。
【００７８】
（第２実施形態）
次に、本発明の検査用プローブの第４実施形態について図９を用いて説明する。図９（ａ）は第２実施形態の検査用プローブの表面側から見た模式図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。なお、図９（ａ）においては、検査用プローブ９０の構成を模式化して示している。
【００７９】
本実施形態の検査用プローブ９０は、入力側接続部１１および出力側接続部２１の他に、ＧＮＤ側接続部９１（第２接続部）、電源側接続部９２（第２接続部）を有している。これらＧＮＤ側接続部９１および電源側接続部９２は、入力側接続部１１および出力側接続部２１と略共通した構造となっていて、半導体装置１００側のＧＮＤ端子および電源端子（いずれも不図示）のそれぞれに接続する接触端子９３，９４を有している。
【００８０】
接触端子９３，９４は、第１実施形態における入力側接続部１１および出力側接続部２１と同様、断面が略太鼓形状の貫通孔１０７（第２接続部用貫通孔）内に配置される下地樹脂９と表面２Ａから突出する下地樹脂９の表面を覆う導電膜１５とから構成され、貫通孔１０７を経由して裏面２Ｂ上に設けられた入力側端子９８および出力側端子９９と電気的に接続されている。これら入力側端子９８および出力側端子９９には上記検査装置７０の配線が接続される。
【００８１】
本実施形態の検査用プローブ９０によれば、貫通孔１０７内に配置された下地樹脂９とその表面を覆う導電膜１５とからなる樹脂コアバンプ構造の接触端子９３，９４によって、半導体装置１００のＧＮＤ端子および電源端子に対するコンタクト性がより向上するため、ノイズなどの影響を受けることなく精度の良いプローブ検査を行うことができる。
さらに、貫通孔１０７の内壁面１０７ａのテーパー形状により下地樹脂９の変形応力が受け止められるので、検査時におけるＧＮＤ側接続部９１及び電源側接続部９２の第２面２Ｂ側への抜けが防止されるので、信頼性の高いプローブ検査を行うことができる。
【００８２】
（第３実施形態）
次に、本発明の検査用プローブの第３実施形態について図１０を用いて説明する。図１０（ａ）は第３実施形態の検査用プローブの表面側から見た模式図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。なお、図１０（ａ）においては、検査用プローブ１１０の構成を模式化して示している。
【００８３】
本実施形態の検査用プローブ１１０は、入力側接続部１１および出力側接続部２１の他に、一対の応力緩和部１１１，１１２を有している。これら応力緩和部１１１，１１２は、入第２実施形態の入力側接続部１１および出力側接続部１２と略共通した構成となっているが電極としての機能は有しておらず、半導体装置１００との接続時にコンタクト端子１３，２３にかかる応力を緩和するよう機能するものである。
【００８４】
応力緩和部１１１，１１２は、第２実施形態同様、断面が略太鼓形状の貫通孔１１７（応力緩和部用貫通孔）内に配置される下地樹脂９と表面２Ａから突出する下地樹脂９の表面を覆う導電膜１５とから構成されている。
【００８５】
本実施形態の検査用プローブ１１０によれば、入力側接続部１１および出力側接続部１２と同時に応力緩和部１１１，１１２を形成することができるので製造効率がよい。また、応力緩和部１１１，１１２は、検査用プローブ１１０を半導体装置１００に接続させる際に、各々の先端が半導体装置１００の入力端子１０１および出力端子１０２が形成されていない領域に当接することで、接続時にコンタクト端子１３，２３にかかる応力を緩和するよう機能する。さらに、貫通孔１１７の内壁面１１７ａのテーパー形状により下地樹脂９の変形応力が受け止められるので、応力緩和部１１１，１１２の第２面２Ｂ側への抜けが防止されて信頼性の高いプローブ検査が可能となる。
【００８６】
（変形例）
次に、本発明の変形例について説明する。以下に述べる変形例は、コンタクト端子の形状が上述の実施形態と異なっており、それ以外の構成は共通となっている。よって、以下の説明では、コンタクト端子の形状について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図３と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。
【００８７】
図１１は第１変形例の検査用プローブを示すものである。本変形例の貫通孔７は、内側面７ａの少なくとも一部が裏面２Ｂ側に向かって、該貫通孔７の内径を狭めるテーパー形状を有している。具体的に貫通孔７は、図１１に示すように、検査用プローブ基板２の表面２Ａ側から基板の中央部に向かって内径が直線状に拡がるテーパー形状と、基板中央部から裏面２Ｂ側に向かって内径を直線状に狭めるテーパー形状とを連続させた略菱形形状から構成されている。
【００８８】
第１変形例によれば、基板中央部から裏面２Ｂ側に向かって内径を直線状に狭めるテーパー形状を呈する貫通孔７の内壁面７ａにより下地樹脂９の変形応力が受け止められるようになる。よって、入力側接続部２１１および出力側接続部２２１が裏面２Ｂ側に抜けてしまうといった不具合を防止するとともに、上記実施形態と同様、信頼性の高い検査を行うことができる。
【００８９】
図１２は第２変形例の検査用プローブを示すものである。本変形例の貫通孔７は、内側面７ａの少なくとも一部が裏面２Ｂ側に向かって、該貫通孔７の内径を狭めるテーパー形状を有している。具体的に貫通孔７は、図１２に示すように、検査用プローブ基板２の基板中央部から表面２Ａ側に向かって内径が直線状に拡がるテーパー形状と、基板中央部から裏面２Ｂ側に向かって内径が直線状に拡がるテーパー形状とを連続させた略逆菱形形状から構成されている。
【００９０】
第２変形例によれば、表面２Ａ側から基板中央部側に向かって内径を直線状に狭めるテーパー形状を呈する貫通孔７の内壁面７ａにより下地樹脂９の変形応力が受け止められるようになる。よって、入力側接続部３１１および出力側接続部３２１が裏面２Ｂ側に抜けてしまうといった不具合を防止するとともに、上記実施形態と同様、信頼性の高いプローブ検査を行うことができる。
【００９１】
図１３は第３変形例の検査用プローブを示すものである。本変形例の貫通孔７は、図１３に示すように、表面２Ａから基板厚さ方向に垂直に延びる垂直穴形状と、基板２の基板中央部付近から裏面２Ｂ側に向かって内径が直線状に狭まるテーパー形状と、を連続させた形状から構成されている。
【００９２】
第３変形例によれば、基板中央部付近から裏面２Ｂ側に向かって内径が直線状に狭まるテーパー形状を呈する貫通孔７の内壁面７ａにより下地樹脂９の変形応力が受け止められるようになる。よって、入力側接続部４１１および出力側接続部４２１が裏面２Ｂ側に抜けてしまうといった不具合を防止するとともに、上記実施形態と同様、信頼性の高いプローブ検査を行うことができる。
【００９３】
図１４は第４変形例の検査用プローブを示すものである。本変形例の貫通孔７は、図１４に示すように、貫通孔７の内壁面７ａの少なくとも一部に凹部５００が形成されている。そして、貫通孔７には、内壁面７ａ側から順に下地層１０、金属層１４、導電膜１５が配置されているとともに、内部に下地樹脂９が埋め込まれている。すなわち、下地層１０、金属層１４、及び導電膜１５は、凹部５００の形状に沿って形成されたものとなっている。したがって、貫通孔７の内部に埋め込まれた下地樹脂９は、凹部２００に嵌り込んだ状態に形成されている。このような凹部２００は、上述の実施形態と同様、ボッシュプロセス法を用いることで形成することができる。
【００９４】
第４変形例によれば、下地樹脂９が凹部５００に嵌り込んだ状態で保持されるため、下地樹脂９の変形応力を受け止めることができる。よって、入力側接続部５１１および出力側接続部５２１が裏面２Ｂ側に抜けてしまうといった不具合を防止するとともに、上記実施形態と同様、信頼性の高いプローブ検査を行うことができる。
なお、下地樹脂９の位置に応じて硬度が異なる複数種類の材料を用いて下地樹脂９を形成するようにしてもよい。具体的には、表面２Ａから突出する部分は弾性変形し易い硬度の低い材料を用い、最も大きな変形応力が生じる凹部２００近傍には硬度の高い材料を用いる。このようにすれば、コンタクト端子１３，２３を良好に変形させることができ、且つコンタクト端子１３，２３全体としての機械的強度を向上させることができ、上述のような入力側接続部５１１および出力側接続部５２１の裏面２Ｂ側への抜けをより確実に防止できる。
【００９５】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもなく、上記各実施形態を組み合わせても良い。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００９６】
例えば、上記実施形態では、貫通孔７の短辺方向における断面の内壁面７ａの少なくとも一部が裏面２Ｂ側に向かって、該貫通孔７の内径を狭めるテーパー形状を有している場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、貫通孔７の長辺方向における断面形状において、内壁面の少なくとも一部が裏面２Ｂ側に向かって該貫通孔の内径を狭めるテーパー形状を有していてもよい。また、図１５に示すように貫通孔７の長辺方向における内壁面に凹部２０１を形成するようにしてもよい。
【００９７】
また、図１６に示すように入力側接続部５１１および出力側接続部５２１におけるコンタクト端子１３，２３の先端に凹凸部５０１を形成するようにしてもよい。このようにすれば、プローブ検査を行う半導体装置１００の入力端子１０１および出力端子１０２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、先端の凹凸部５０１によって酸化膜を壊すことでコンタクト端子１３，２３と入力端子１０１および出力端子１０２との間で良好な接合を得ることができ、信頼性の高いプローブ検査を行うことができる。なお、本説明では、図１４に示した構成に係る変形例を例に説明したが、その他の実施形態及び変形例に係る構成においてコンタクト端子１３，２３の先端に凹凸部を形成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９８】
１，９０，１１０…検査用プローブ、２…基板、２Ａ…表面（第１面）、２Ｂ…裏面（第２面）、７…貫通孔、７ａ…内壁面、７ｂ…ビア、９…下地樹脂、１０…下地層、１１…入力側接続部（接続部）、２１…出力側接続部（接続部）、１４…金属層、１５…導電膜、１３，２３…コンタクト端子、９１…ＧＮＤ側接続部（第２接続部）、９２…電源側接続部（第２接続部）、１００…半導体装置、１０１…入力端子，１０２…出力端子、１０７…貫通孔（第２接続部用貫通孔）、１０７ａ…内壁面、１１１，１１２…応力緩和部、１１７…貫通孔（第２接続部用貫通孔）、１１７ａ…内壁面、２００…凹部、２０１…凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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