【事件の表示】
　特許第６４６００７９号発明「ＭＩ磁気センサ」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４６００７９号の明細書及び特許請求の範囲を、令和３年５月１５日に提出された訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１−４］について訂正することを認める。
　特許第６４６００７９号の請求項１、３及び４に係る特許を取り消す。
　特許第６４６００７９号の請求項２に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６４６００７９号（以下「本件特許」という。）の出願（特願２０１６−２１６７７０）は、特願２０１５−４５２２４号（出願日：平成２７年３月６日）の分割出願として、平成２８年１１月４日に出願され、平成３１年１月１１日にその特許権の設定登録がされ、平成３１年１月３０日に特許掲載公報が発行された。
　本件特許についての本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
　令和元年　７月２３日　　：特許異議申立人による特許異議の申立て
　　　　　　　　　　　　　（全請求項の請求項１〜４に対する申立て）
　令和元年１２月２０日付け：取消理由通知書
　令和２年　３月　６日　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
　令和２年　７月３０日　　：特許異議申立人による意見書の提出
　令和２年　９月　３日付け：取消理由通知書（決定の予告）
　令和２年１１月１３日　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
　令和２年１２月２５日　　：特許異議申立人による意見書の提出
　令和３年　３月１０日付け：取消理由通知書（決定の予告）
　令和３年　５月１５日　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
　なお、令和３年５月１５日に訂正請求書の提出がされたので、令和２年１１月１３日に提出された訂正請求書による先の訂正の請求及び同年３月６日に提出された訂正請求書による先の訂正の請求は、いずれも、特許法１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなされる。
第２　訂正の適否
　１　訂正の内容
　（１）　本件訂正の内容の概要
　令和３年５月１５日にされた訂正の請求による訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は、一群の請求項である請求項１〜４についての特許請求の範囲の訂正と明細書の訂正に係るものである。
　そのうち、特許請求の範囲の訂正は、以下の本件訂正前の特許請求の範囲を以下の本件訂正後の特許請求の範囲のとおり訂正するものである。なお、下線は訂正箇所を示す。
＜本件訂正前の特許請求の範囲＞
【請求項１】
　　パルス電流あるいは高周波電流を通電するパルス電流源あるいは高周波電流源と、
前記パルス電流源あるいは高周波電流源からパルス電流あるいは高周波電流が通電されると、周辺の外部磁界に対応する電圧を出力することにより、被検査体中に混入している微小異物を検出するアモルファスワイヤ（捻りを与えている場合を除く）と、
前記パルス電流源あるいは高周波電流源に対して並列に接続され、前記アモルファスワイヤに直流電流を通電する直流電流源とから成るＭＩ（マグネトインピーダンス）磁気センサにおいて、
　前記直流電流源から前記アモルファスワイヤにｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能にする直流電流を通電して、前記アモルファスワイヤに通電される前記パルス電流あるいは高周波電流に対してバイアス電流を重畳させることにより、前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を強制するものは無いフリー状態を避ける
ことを特徴とするＭＩ磁気センサ。
【請求項２】
　前記請求項１において、
前記アモルファスワイヤの一方の電極に対して、直流電流源から正または負の直流電流を通電することを特徴とするＭＩ磁気センサ。
【請求項３】
　前記請求項１または前記請求項２において、
前記アモルファスワイヤの２つの電極の間に生じる交流電圧に基づいて前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出し電圧として出力することを特徴とするＭＩ磁気センサ。
【請求項４】
　前記請求項１または前記請求項２において、
前記アモルファスワイヤの周囲に巻回した検知コイルの２つの電極の間に生じる交流電圧に基づいて、前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出して電圧として出力することを特徴とするＭＩ磁気センサ。」
＜本件訂正後の特許請求の範囲＞
「【請求項１】
　
正または負の
流を
源と
　前記パルス電流
源か
記正または負の
流が
ＭＩ効果によって
減衰振動
検出電圧として
　前記パルス電流
源に
前記パルス電流と同極性の正または負の
、微小異物の検出電圧を信号処理する信号処理手段と
　前記直流電流源から前記アモルファスワイヤ
に対して、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十
前記正または負の
正または負の
流に
前記正または負の
偏らせることにより、磁化
ことを特徴とするＭＩ磁気センサ。
【請求項２】
　（削除）
【請求項３】
　前記請求項
１に
前記アモルファスワイヤの２つの電極の間に生じる交流電圧に基づいて前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出し電圧として出力することを特徴とするＭＩ磁気センサ。
【請求項４】
　前記請求項
１に
前記アモルファスワイヤの周囲に巻回した検知コイルの２つの電極の間に生じる交流電圧に基づいて、前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出して電圧として出力することを特徴とするＭＩ磁気センサ。」
　（２）　本件訂正の内容の分析
　本件訂正が特許法の定める要件を充足するか否か検討するために本件訂正の内容を分析すると、本件訂正は、次のとおり、特許請求の範囲の訂正に係る訂正事項１から４と明細書の訂正に係る訂正事項５から６に整理することができる。
　ア　訂正事項１
　訂正事項１は、以下の訂正事項１−１〜訂正事項１−１０からなり、訂正事項１−１〜１−１０については、請求項１の記載を引用する請求項３及び４も同様に訂正するものである。
　（ア）　訂正事項１−１
　特許請求の範囲の請求項１における
「パルス電流あるいは高周波電流を通電するパルス電流源あるいは高周波電流源と、」
との記載を、
「
正または負の
流を
源と
と訂正する。
　（イ）　訂正事項１−２
　特許請求の範囲の請求項１における
「前記パルス電流源あるいは高周波電流源からパルス電流あるいは高周波電流が通電されると、」
との記載を、
「前記パルス電流
源か
前記正または負の
流が
と訂正する。
　（ウ）　訂正事項１−３
　特許請求の範囲の請求項１における
「周辺の外部磁界に対応する電圧を出力することにより、」
との記載を、
「
ＭＩ効果によって
減衰振動
と訂正する。
　（エ）　訂正事項１−４
　特許請求の範囲の請求項１における
「被検査体中に混入している微小異物を検出するアモルファスワイヤ（捻りを与えている場合を除く）」
との記載を、
「被検査体中に混入している微小異物を
検出電圧として
と訂正する。
　（オ）　訂正事項１−５
　特許請求の範囲の請求項１における
「前記パルス電流源あるいは高周波電流源に対して並列に接続され、」
との記載を、
「前記パルス電流
源に
と訂正する。
　（カ）　訂正事項１−６
　特許請求の範囲の請求項１における
「前記アモルファスワイヤに直流電流を通電する直流電流源」
との記載を、
「前記アモルファスワイヤに
前記パルス電流と同極性の正または負の
と訂正する。
　（キ）　訂正事項１−７
　特許請求の範囲の請求項１における
「直流電流源とから成るＭＩ（マグネトインピーダンス）磁気センサにおいて、」
との記載を、
「直流電流源と
、微小異物の検出電圧を信号処理する信号処理手段と
と訂正する。
　（ク）　訂正事項１−８
　特許請求の範囲の請求項１における
「前記直流電流源から前記アモルファスワイヤにｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能にする」
との記載を、
「前記直流電流源から前記アモルファスワイヤ
に対して、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十
と訂正する。
　（ケ）　訂正事項１−９
　特許請求の範囲の請求項１における
「直流電流を通電して、前記アモルファスワイヤに通電される前記パルス電流あるいは高周波電流に対してバイアス電流を重畳させることにより、」
との記載を、
「
前記正または負の
正または負の
流に
前記正または負の
と訂正する。
　（コ）　訂正事項１−１０
　特許請求の範囲の請求項１における
「前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を強制するものは無いフリー状態を避ける」
との記載を、
「前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を
偏らせることにより、磁化
と訂正する。
　イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２を削除する。
　ウ　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項３における
「前記請求項１または前記請求項２において、」
との記載を、
「前記請求項
１に
と訂正する。
　エ　訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項４における
「前記請求項１または前記請求項２において、」
との記載を、
「前記請求項
１に
と訂正する。
　オ　訂正事項５
　訂正事項５は、以下の訂正事項５−１〜訂正事項５−１０からなる。
　（ア）　訂正事項５−１
　明細書の段落【０００９】における
「パルス電流あるいは高周波電流を通電するパルス電流源あるいは高周波電流源と、」
との記載を、
「
正または負の
流を
源と
と訂正する。
　（イ）　訂正事項５−２
　明細書の段落【０００９】における
「前記パルス電流源あるいは高周波電流源からパルス電流あるいは高周波電流が通電されると、」
との記載を、
「前記パルス電流
源か
前記正または負の
流が
と訂正する。
　（ウ）　訂正事項５−３
　明細書の段落【０００９】における
「周辺の外部磁界に対応する電圧を出力することにより、」
との記載を、
「
ＭＩ効果によって
減衰振動
と訂正する。
　（エ）　訂正事項５−４
　明細書の段落【０００９】における
「被検査体中に混入している微小異物を検出するアモルファスワイヤ（捻りを与えている場合を除く）」
との記載を、
「被検査体中に混入している微小異物を
検出電圧として
と訂正する。
　（オ）　訂正事項５−５
　明細書の段落【０００９】における
「前記パルス電流源あるいは高周波電流源に対して並列に接続され、」
との記載を、
「前記パルス電流
源に
と訂正する。
　（カ）　訂正事項５−６
　明細書の段落【０００９】における
「前記アモルファスワイヤに直流電流を通電する直流電流源」
との記載を、
「前記アモルファスワイヤに
前記パルス電流と同極性の正または負の
と訂正する。
　（キ）　訂正事項５−７
　明細書の段落【０００９】における
「直流電流源とから成るＭＩ（マグネトインピーダンス）磁気センサにおいて、」
との記載を、
「直流電流源と
、微小異物の検出電圧を信号処理する信号処理手段と
と訂正する。
　（ク）　訂正事項５−８
　明細書の段落【０００９】における
「前記直流電流源から前記アモルファスワイヤにｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能にする」
との記載を、
「前記直流電流源から前記アモルファスワイヤ
に対して、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十
と訂正する。
　（ケ）　訂正事項５−９
　明細書の段落【０００９】における
「直流電流を通電して、前記アモルファスワイヤに通電される前記パルス電流あるいは高周波電流に対してバイアス電流を重畳させることにより、」
との記載を、
「
前記正または負の
正または負の
流に
前記正または負の
と訂正する。
　（コ）　訂正事項５−１０
　明細書の段落【０００９】における
「前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を強制するものは無いフリー状態を避ける」
との記載を、
「前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を
偏らせることにより、磁化
と訂正する。
　カ　訂正事項６
　訂正事項６は、以下の訂正事項６−１〜訂正事項６−１０からなる。
　（ア）　訂正事項６−１
　明細書の段落【００１３】における
「パルス電流あるいは高周波電流を通電するパルス電流源あるいは高周波電流源と、」
との記載を、
「
正または負の
流を
源と
と訂正する。
　（イ）　訂正事項６−２
　明細書の段落【００１３】における
「前記パルス電流源あるいは高周波電流源からパルス電流あるいは高周波電流が通電されると、」
との記載を、
「前記パルス電流
源か
前記正または負の
流が
と訂正する。
　（ウ）　訂正事項６−３
　明細書の段落【００１３】における
「周辺の外部磁界に対応する電圧を出力することにより、」
との記載を、
「
ＭＩ効果によって
減衰振動
と訂正する。
　（エ）　訂正事項６−４
　明細書の段落【００１３】における
「被検査体中に混入している微小異物を検出するアモルファスワイヤ（捻りを与えている場合を除く）」
との記載を、
「被検査体中に混入している微小異物を
検出電圧として
と訂正する。
　（オ）　訂正事項６−５
　明細書の段落【００１３】における
「前記パルス電流源あるいは高周波電流源に対して並列に接続され、」
との記載を、
「前記パルス電流
源に
と訂正する。
　（カ）　訂正事項６−６
　明細書の段落【００１３】における
「前記アモルファスワイヤに直流電流を通電する直流電流源」
との記載を、
「前記アモルファスワイヤに
前記パルス電流と同極性の正または負の
と訂正する。
　（キ）　訂正事項６−７
　明細書の段落【００１３】における
「直流電流源とから成るＭＩ（マグネトインピーダンス）磁気センサにおいて、」
との記載を、
「直流電流源と
、微小異物の検出電圧を信号処理する信号処理手段と
と訂正する。
　（ク）　訂正事項６−８
　明細書の段落【００１３】における
「前記直流電流源から前記アモルファスワイヤにｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能にする」
との記載を、
「前記直流電流源から前記アモルファスワイヤ
に対して、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十
と訂正する。
　（ケ）　訂正事項６−９
　明細書の段落【００１３】における
「直流電流を通電して、前記アモルファスワイヤに通電される前記パルス電流あるいは高周波電流に対してバイアス電流を重畳させることにより、」
との記載を、
「
前記正または負の
正または負の
流に
前記正または負の
と訂正する。
　（コ）　訂正事項６−１０
　明細書の段落【００１３】における
「前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を強制するものは無いフリー状態を避ける」
との記載を、
「前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を
偏らせることにより、磁化
と訂正する。
　２　訂正の適法性の判断
　（１）　訂正事項１−１、５−１、６−１について
　訂正事項１−１は、訂正前の請求項１において、「パルス電流あるいは高周波電流を通電するパルス電流源あるいは高周波電流源と、」と、択一的に記載されていた記載から「高周波電流源」の選択肢を削除して減縮するとともに、「パルス電流」について、「正または負のパルス電流、」と訂正することにより「双極性のパルス電流」を排除して「単極性のパルス電流」に減縮するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に該当する。
　そして、当該訂正は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかであるから、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　訂正事項５−１及び訂正事項６−１は、訂正事項１−１により特許請求の範囲を訂正することに伴い、特許請求の範囲の記載に明細書が整合するように明細書を訂正するものであるから、これらの訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当し、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　（２）　訂正事項１−２、５−２、６−２について
　訂正事項１−２は、訂正事項１−１の訂正に伴って、当該訂正と整合するように特許請求の範囲を訂正するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に該当する。
　そして、当該訂正は、訂正事項１−１と同様に、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　訂正事項５−２及び訂正事項６−２は、訂正事項１−２により特許請求の範囲を訂正することに伴い、特許請求の範囲の記載に明細書が整合するように明細書を訂正するものであるから、これらの訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当し、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　（３）　訂正事項１−３、５−３、６−３について
　訂正事項１−３は、訂正前の請求項１における「周辺の外部磁界に対応する電圧を出力する」との記載を「ＭＩ効果によって周辺の外部磁界に対応する減衰振動電圧を出力する」と訂正することにより、出力電圧の種類、属性又は形態を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に該当する。
　そして、当該訂正は、明細書の段落【００１５】の「前記アモルファスワイヤの２つの電極の間に生じる交流減衰振動電圧に基づいて前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出し電圧として出力する」との記載及び同段落【００１９】の「本実施形態のＭＩ磁気センサは、図１（ａ）ないし（ｃ）に示されるようにアモルファスワイヤ１にパルス電流あるいは高周波電流を通電することにより、アモルファスワイヤ１にＭＩ効果を発現させ、これにより生じる外部磁場すなわちアモルファスワイヤが置かれている周囲の磁場に対応して出力される交流電圧信号を信号処理して、磁気あるいは磁場信号電圧として検出するものである。」との記載に基づくものであって、当該訂正が、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかであるから、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　訂正事項５−３及び訂正事項６−３は、訂正事項１−３により特許請求の範囲を訂正することに伴い、特許請求の範囲の記載に明細書が整合するように明細書を訂正するものであるから、これらの訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当し、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　（４）　訂正事項１−４、５−４、６−４について
　訂正事項１−４は、「被検査体中に混入している微小異物を検出するアモルファスワイヤ（捻りを与えている場合を除く）」との記載を「被検査体中に混入している微小異物を検出電圧として検出するアモルファスワイヤ（捻りを与えている場合を除く）」と訂正することにより、被検査体中に混入している微小異物の検出の態様を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に該当する。
　そして、当該訂正は、明細書の段落【００１５】の「前記アモルファスワイヤの２つの電極の間に生じる交流減衰振動電圧に基づいて前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出し電圧として出力する」との記載及び同段落【００１９】の「本実施形態のＭＩ磁気センサは、図１（ａ）ないし（ｃ）に示されるようにアモルファスワイヤ１にパルス電流あるいは高周波電流を通電することにより、アモルファスワイヤ１にＭＩ効果を発現させ、これにより生じる外部磁場すなわちアモルファスワイヤが置かれている周囲の磁場に対応して出力される交流電圧信号を信号処理して、磁気あるいは磁場信号電圧として検出するものである。」との記載に基づくものであって、当該訂正が、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかであるから、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　訂正事項５−４及び訂正事項６−４は、訂正事項１−４により特許請求の範囲を訂正することに伴い、特許請求の範囲の記載に明細書が整合するように明細書を訂正するものであるから、これらの訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当し、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　（５）　訂正事項１−５、５−５、６−５について
　訂正事項１−５は、訂正事項１−１の訂正に伴って、当該訂正と整合するように特許請求の範囲を訂正するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に該当する。
　そして、当該訂正は、訂正事項１−１と同様に、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかであるから、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　訂正事項５−５及び訂正事項６−５は、訂正事項１−５により特許請求の範囲を訂正することに伴い、特許請求の範囲の記載に明細書が整合するように明細書を訂正するものであるから、これらの訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当し、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　（６）　訂正事項１−６、５−６、６−６について
　訂正事項１−６は、訂正前の請求項１における、「前記アモルファスワイヤに直流電流を通電する直流電流源」との記載を「前記アモルファスワイヤに前記パルス電流と同極性の正または負の直流電流を通電する直流電流源」と訂正することにより、「直流電流」が「パルス電流」と「同極性の正または負の直流電流」であることの限定をするものであるから、特許請求の範囲を減縮することを目的とするものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に該当する。
　そして、当該訂正事項は、明細書の段落【００１０】の「本発明（請求項２に記載の第２発明）のＭＩ磁気センサは、前記第１発明において、前記アモルファスワイヤの一方の電極に対して、直流電流源から正または負の直流電流を通電するものである。」との記載、段落【００２５】の「第１実施形態のＭＩ磁気センサは、図２（ａ）、（ｂ）に示される様にアモルファスワイヤ１の２つの電極１１および１２に前記パルスあるいは高周波電流を出力する発振器手段２を接続するとともに、図３に示す直流電流源手段３に対応する正（図２（ａ）図示）又は負（図２（ｂ）図示）の直流電流を流す電流源３３又は３４を接続することにより、前記アモルファスワイヤ１に直流電流を流し、これにより右ねじの法則によるアモルファスワイヤ１内部の周回方向に磁化の偏りｕ（図２（ａ）図示）又は偏りｖ（図２（ｂ）図示）を生じさせるものであり、そして、いずれの場合もパルスノイズの発生を抑制するという作用効果を奏するものである。」との記載及び段落【００４３】の「前記直流電流電源手段３は、図６（Ａ）に示されるようにマイナス極が接地された正の電源３４と、一端が前記アモルファスワイヤ１の他端１１に接続され、他端が前記正の電源３４のプラス極に接続され、正の電流を流す抵抗器ｒ３４とから成り、所定レベルの正の直流電流が前記アモルファスワイヤ１に対して通電印加されるように構成されている。」との記載等から自明の事項である。したがって、訂正事項１−６は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかであるから、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　訂正事項５−６及び訂正事項６−６は、訂正事項１−６により特許請求の範囲を訂正することに伴い、特許請求の範囲の記載に明細書が整合するように明細書を訂正するものであるから、これらの訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当し、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　（７）　訂正事項１−７、５−７、６−７について
　訂正事項１−７は、「ＭＩ（マグネトインピーダンス）磁気センサ」が「微小異物の検出電圧を信号処理する信号処理手段」を備えることの限定をするものであるから、特許請求の範囲を減縮することを目的とするものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に該当する。
　そして、当該訂正事項は、段落【００３７】の「信号処理手段４は、前記アモルファスワイヤ１の電極１２に接続されたダイオードＤとコンデンサＣおよび抵抗器Ｒによって構成された検波回路４３によって、前記アモルファスワイヤ１の前記電極１１と１２の間に図５（Ｂ）に示されるように前記外部磁場に対応する交流電圧信号Ｖａｃが生ずるので、当該交流電圧信号Ｖａｃの振幅に相当する磁気信号電圧Ｖｄｃに変換され、変換された電圧Ｖｄｃは、前記増幅器４１により所定の倍率に増幅され、外部磁場に対応する電圧Ｖｏとして出力される。」との記載及び段落【００４０】の「前記検知コイル１３の両端の電極１３１よび１３２の間にＭＩ効果により出力された交流電圧信号を信号処理する信号処理手段４とから成るものである。」との記載に基づくものであり、訂正事項１−７が、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかであるから、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　訂正事項５−７及び訂正事項６−７は、訂正事項１−７により特許請求の範囲を訂正することに伴い、特許請求の範囲の記載に明細書が整合するように明細書を訂正するものであるから、これらの訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当し、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　（８）　訂正事項１−８、５−８、６−８について
　訂正事項１−８は、「前記直流電流源から前記アモルファスワイヤにｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能にする」との記載を「前記直流電流源から前記アモルファスワイヤに対して、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十ｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能にする」と訂正することにより、発生を抑制する「パルスノイズ」について、その強さのレベルの範囲、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ていること及び発生の形態を特定することにより、特許請求の範囲を減縮することを目的とするものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に該当する。
　願書に添付した明細書の段落【０００３】〜【０００７】には、次のように記載されている。下線は当審による。
「【０００３】
前記ＭＩ磁気センサは、地磁気のように５万ｎＴレベルの磁場測定に多くが利用されているが、非常に小型高感度の検出が可能であるため、特に高感度仕様としたＭＩ磁気センサは、たとえば特許文献１に示すように、食品中の鉄系異物検出などにも利用されている。近年、より微小な異物検出の期待が高まり、検出するべき磁場の強さが数ｎＴ（Ｔ：テスラの１０の９乗分の１）あるいはそれ以下のレベルの検出について、より精度良く測定可能とすることに対する要望が高まっている。
【０００４】
一方、前記ＭＩ磁気センサの中でも特に高感度仕様としたＭＩ磁気センサは、ノイズは数十〜数百ｐＴ（Ｔ：テスラの１０の１２乗分の１）の低いレベルのランダムノイズであるため、上記の要望を満たすことが十分可能であるが、
使用するアモルファスワイヤの個々の特性によっては、これよりも大きい数ｎＴ〜数十ｎＴに相当するレベルのパルスノイズを断続的に生じることがあった。
【０００５】
このノイズは、上述した５万ｎＴレベルの地磁気測定であれば全く問題とはならないが、例えば
ベルトコンベアで被検査体を移動させながら異物検査をするラインにおいて、食品中に微小異物が混入しているときの磁気信号と比較すると、強度レベルが似ているため、誤った判定をするおそれがあった
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１３４２３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そのため微小磁気検出における信頼性を高め、より小さな異物の検査を誤検出なく可能にするという技術的課題を解決するため、
本発明者らは、このｎＴレベルのパルスノイズを生じないようにするか、あるいは問題の無いレベルまで抑制することが必要であるという技術的知見に到達した。
　明細書の上記の記載を参酌すると、パルスノイズが「使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十ｎＴレベルのパルスノイズ」であることは、願書に添付した明細書に記載されているということができる。
　したがって、「前記直流電流源から前記アモルファスワイヤに対して、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十ｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能にする」ことは、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内のものである。そして、当該訂正事項は、特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。よって、訂正事項１−８は、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　訂正事項５−８及び訂正事項６−８は、訂正事項１−８により特許請求の範囲を訂正することに伴い、特許請求の範囲の記載に明細書が整合するように明細書を訂正するものであるから、これらの訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当し、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　（９）　訂正事項１−９、５−９、６−９について
　訂正事項１−９は、訂正事項１−１及び訂正事項１−６の訂正に伴って当該訂正と整合するように特許請求の範囲を訂正するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に該当する。
　そして、当該訂正は、訂正事項１−１及び訂正事項１−６と同様に、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかであるから、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　訂正事項５−９及び訂正事項６−９は、訂正事項１−９により特許請求の範囲を訂正することに伴い、特許請求の範囲の記載に明細書が整合するように明細書を訂正するものであるから、これらの訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当し、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　（１０）　訂正事項１−１０、５−１０、６−１０について
　訂正事項１−１０は、「前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を強制するものは無いフリー状態を避ける」との記載を「前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を偏らせることにより、磁化を強制するものは無いフリー状態を避ける」と訂正することにより、「前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を強制するものは無いフリー状態を避ける」ための手段を特定して、特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に該当する。
　そして、当該訂正事項は、段落【０００８】の「重畳させたバイアス電流を通電することにより、アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を偏らせることにより、不安定な後述する周回磁化フリー状態（以下、フリー状態と記す。）を回避する」との記載に基づくものであり、訂正事項１−１０が、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかであるから、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　訂正事項５−１０及び訂正事項６−１０は、訂正事項１−１０により特許請求の範囲を訂正することに伴い、特許請求の範囲の記載に明細書が整合するように明細書を訂正するものであるから、これらの訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当し、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　（１１）　訂正事項２について
　訂正事項２は、特許請求の範囲の請求項２を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に該当する。
　そして、当該訂正は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかであるから、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　（１２）　訂正事項３について
　訂正事項３は、特許請求の範囲の請求項３が請求項２を引用していたところ、当該引用を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に該当する。
　そして、当該訂正は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかであるから、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　（１３）　訂正事項４について
　訂正事項４は、特許請求の範囲の請求項４が請求項２を引用していたところ、当該引用を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に該当する。
　そして、当該訂正は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかであるから、特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項及び６項に適合する。
　３　訂正の適否についてのまとめ
　以上検討のとおり、訂正事項１−１から訂正事項６−１０は、いずれも特許法１２０条の５第２項ただし書１号又は３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、訂正事項１−１から訂正事項６−１０は、いずれも特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。そして、特許異議の申立ては、本件訂正前の請求項１から４に対してされているから、訂正を認める要件として、特許法１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法１２６条７項に規定する独立特許要件は課されない。
　したがって、本件訂正は適法なものであり、結論のとおり、本件特許の特許請求の範囲及び明細書を令和３年５月１５日に提出された訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲及び訂正明細書のとおり、訂正後の請求項［１〜４］について訂正することを認める。
第３　本件特許発明
　上記第２のとおり、本件訂正は認められるものであるから、本件特許の請求項１、３及び４に係る発明（以下、請求項の番号に従って「本件特許発明１」などという。）は、それぞれ、令和３年５月１５日に提出された訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１、３及び４に記載された事項により特定されるとおりのものである（前記第２の１（１）の「＜本件訂正後の特許請求の範囲＞」を参照）。
第４　取消理由の概要
　訂正前の請求項１、３及び４に係る特許に対して、当審が令和３年３月１０日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
　なお、この取消理由は、令和２年１１月１３日に提出された訂正請求書により訂正された特許請求の範囲及び明細書について通知したものである。
＜取消理由＞
　請求項１、３及び４に係る発明は、特許法４４条２項の規定により本件特許の出願日とみなされる平成２７年３月６日より前に頒布された下記の引用文献に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該請求項に係る特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。
　１．引用文献２：特許３６４５１１６号公報
（特許異議申立人より令和２年１２月２５日に提出された意見書に添付された参考資料９）
　２．甲３号証：特開２００８−１３４２３６号公報
　３．引用文献３：L. G. C. Meloほか, Optimization of the magnetic noise and sensitivity of giant magnetoimpedance sensors, Journal of Applied Physics, 2008, Vol. 103, 033903
（特許異議申立人より令和２年１２月２５日に提出された意見書に添付された参考資料１０）
　４．引用文献４：Lehui Dingほか,“Equivalent Magnetic Noise Limit of Low-Cost GMI Magnetometer”IEEE Sensors Journal, 2009, Vol. 9, No. 2, p.159-168
（特許異議申立人より令和２年１２月２５日に提出された意見書に添付された参考資料６）
　５．引用文献５：T. Uchiyama et al., Noise Characterization of coil Detection type Magnetic Field Sensor Utilizing Pulse Excitation Amorphous Wire Magneto-Impedance Element, Journal of the Magnetics Society of Japan, 2010, Vol. 34, No. 4, p.533-536
（特許異議申立人より令和２年７月３０日に提出された意見書に添付された参考資料３）
　６．引用文献１：特開２０００−３０９２１号公報
（令和元年１２月２０日付け取消理由通知書及び令和２年９月３日付け取消理由通知書（決定の予告）において引用した引用文献１）
第５　引用文献等に記載された技術事項
　１　引用文献２について
　（１）　引用文献２に記載された技術事項
　引用文献２には、次の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は、微小磁界を温度安定性が高く、かつ、高感度・高速応答で検出する
磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ
【０００２】
【従来の技術】
　従来の高感度磁気センサとしては、フラックスゲートセンサ及び既に本願発明者によって提案されている磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ（ＭＩセンサ）がある（例えば、特開平９−１３３７４２号公報、特開平９−３２９６５５号公報参照）。
【０００３】
　フラックスゲートセンサは、アポロ計画で月磁気検出に用いられたことで有名な高感度磁界センサであるが、ヘッドの長さ方向に交流磁界で励振することによるヘッド端部の反磁界の影響を避けるため、ヘッドの長さを、２０〜３０ｍｍに設定して、ヘッドの中央部の磁束変化の外部磁界に対する敏感性を利用して、マイクロガウスの高分解能を実現している。
【０００４】
　この原理的欠点のため、フラックスゲートセンサでは、ヘッドのマイクロ寸法化は不可能であり、ヘッド端部の磁界検出感度が低いため磁気記録のヘッドや、高密度着磁体の表面局所磁界を検出するロータリーエンコーダ用ヘッドなどには適用できない。専ら、一様磁界に対してのみ高感度である。応答速度は、コイルによる大振幅励磁のため数ｋＨｚが一般的であり、数十ｋＨｚ以上の磁界を検出することは困難である。さらに、この大振幅励磁のため、消費電力は１０ＶＡ以上であり、携帯性には難がある。
【０００５】
　一方、ＭＩセンサは、ヘッドの磁性体に高周波電流またはパルス電流を通電して表皮効果を発生させることにより、そのインピーダンスが外部磁界で敏感に変化することを原理としており、反磁界を生じないため、ヘッドを１ｍｍ以下のマイクロ寸法に短く設定してもマイクロガウスの磁界検出分解能を発揮し、ＭＨｚの高速応答も容易であり、さらに、パルス電流励磁・パルス磁界バイアス方式ＭＩセンサの消費電力は１０ｍＷ程度であるので、携帯性に富んでいる。
【０００６】
　表１に、フラックスゲートセンサとＭＩセンサの基本性能の比較を示す。
【０００７】
【表１】
このように、ＭＩセンサはマイクロ寸法ヘッド、高感度、高速応答、低消費電力の４つの長所をすべて兼備する超高性能マイクロ磁気センサであるため、電磁波センサ、電磁波信号解析器、地磁気方位センサ、ハンディ地磁気センサ、車速センサ、加速度センサなどへの実用化が急速に拡大している。」
「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、従来のＭＩセンサは、検波用にショットキーバリアダイオードなどの高周波用ダイオードを使用しているため、例えば、自動車分野などへの応用に際して、センサの環境温度が大幅に変動する環境下では直流出力電圧が変動するという、温度特性の不安定性が解決すべき課題であることが判明した。
【０００９】
　また、これまでのＭＩセンサでは、ヘッドにバイアス磁界を印加してリニア磁界センサを構成するため、消費電力が比較的大きくなる場合が多かった。
【００１０】
　本発明は、上記問題点を除去し、温度特性の安定化を図るとともに、消費電力を減少させることができる磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
　本発明は、上記目的を達成するために、
　〔１〕磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサにおいて、パルス通電電流で周回方向に励磁される高透磁率磁性体ヘッドと、この高透磁率磁性体ヘッドの周回方向に巻回されたコイルと、このコイルの誘起電圧の第１パルスを検出する電子スイッチとを具備するようにしたものである。
【００１２】
　〔２〕上記〔１〕記載の磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサにおいて、前記高透磁率磁性体ヘッドはアモルファス磁性体を用いた磁性体ヘッドであることを特徴とする。
【００１３】
　〔３〕上記〔２〕記載の磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサにおいて、前記アモルファス磁性体ヘッドはアモルファスワイヤであることを特徴とする。
【００１４】
　〔４〕上記〔１〕、〔２〕又は〔３〕記載の磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサにおいて、前記高透磁率磁性体ヘッドは、周回方向に磁気異方性を持つヘッドであることを特徴とする。
【００１５】
　〔５〕上記〔１〕記載の磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサにおいて、前記パルス通電電流は、前記高透磁率磁性体ヘッドに表皮効果を生じさせ、磁気インピーダンス効果を発生させるようにしたものである。
【００１６】
　〔６〕上記〔１〕記載の磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサにおいて、前記電子スイッチに接続されるアンプからのセンサ出力電圧に比例した電流を印加させ、外部磁界Ｈexを相殺する負帰還磁界を発生する帰還コイルとを具備するようにしたものである。」
「【００１７】
【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１８】
　まず、本発明の第１実施例について説明する。
【００１９】
　
図１は本発明の第１実施例を示す磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ（ＭＩ）センサ回路の構成図である。
【００２０】
　この図において、
１は０磁歪アモルファスワイヤ、２はＭＩ素子、３はＱ1，Ｑ2，Ｑ3，Ｑ4，Ｑ5，Ｑ6（例えば、７４ＡＣ０４）のＣ−ＭＯＳインバータとＣＲ微分回路からなる電源回路、４はアナログスイッチ（例えば、７４ＨＣ４０６６）、５は０磁歪アモルファスワイヤ１の周回方向に巻回されたコイル、６はアンプ（例えば、ＡＤ５２４）、７は帰還コイル、Ｒ1は５１０ｋΩ、Ｒ2は３ｋΩ、Ｒ3は２００ｋΩ、Ｒ4は１Ω、Ｒ5は５．１ｋΩ、Ｒ6は２ｋΩ、Ｒ7は２ｋΩ、Ｒ8は３ｋΩ、Ｃ1，Ｃ2，Ｃ3，Ｃ4は１００ｐＦである。
【００２１】
　この図に示すように、この実施例の磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ（ＭＩセンサ）回路は、２ｍｍ長、３０μｍ径の０磁歪アモルファスワイヤ１の両端に半田付けで電極を形成したＭＩ素子２をヘッドとし、
ＣＭＯＳマルチバイブレータとＣＲ微分回路からなる電源回路３で発生させた立ち上がり時間約５ｎｓのパルス電流をＭＩ素子２に印加し、このＭＩ素子２の周回方向に巻回された４０ターンのコイル５の誘起電圧を検出するように構成している。
【００２２】
　
上記０磁歪アモルファスワイヤ１は、厳密にはわずかに負の磁歪（−１０-7）を持ち、張力アニールによって円周方向に異方性が誘導されているワイヤである。したがって、ワイヤ長さ方向の外部磁界Ｈexが０の場合は、ワイヤ１の通電パルス電流による磁束の変化は円周方向のみであって、ワイヤ１の周回方向に巻回されたコイル５との鎖交磁束が０であり、このコイル５の誘起電圧は０である。
【００２３】
　
外部磁界Ｈexが印加されると、ワイヤ１の磁化ベクトルがワイヤ軸方向に傾斜し、通電パルス電流による円周方向の磁界によって磁化ベクトルが円周方向に回転する。この時の磁束変化のワイヤ軸方向成分がコイル５と鎖交し、コイル５に誘起電圧が発生する。
ワイヤ１は表皮効果のため磁壁の移動が抑制され、磁化ベクトルの回転のみが生じる。この磁化動作のため、この回路構成におけるコイル５の誘起電圧は、従来のようにバイアス磁界を印加することなく、外部磁界Ｈexに比例した電圧となり、リニア磁界センサの特性を表す。
【００２４】
　しかし、
急峻なパルス電流による鎖交磁束の急激な変化のため、誘起電圧波形は純粋なパルス電圧波形でなく、コイル５の浮遊容量によるＬＣ振動波形となる。この振動波形の第１パルス波形のみが外部磁界Ｈexに比例して高感度に変化するため、高感度磁界センサを構成するためには、第１のパルス波形のみを抽出する必要がある。ここでは、アナログスイッチ４によって、第１のパルス波形のみを抽出する。
【００２５】
　図２は、縦軸をコイル誘起電圧の第１のパルスの高さをピークホールドした値Ｅout、横軸を印加磁界Ｈexとした実験結果を示す。｜Ｈex｜を０から約１．２Ｏｅまで増加させると、ＥoutはＨexに比例して増加し、｜Ｈex｜＞１．２ＯｅまではＥoutが減少している。
【００２６】
　このアナログスイッチ４のトリガパルスは、ワイヤ通電パルスより進み位相にする必要があり、ワイヤ通電パルスは２個のインバータ（Ｑ3，Ｑ4）を通して約１０ｎｓ遅らせるようにしている。
【００２７】
　
このコイル５の誘起パルス電圧の第１パルスの高さはピークホールド回路（Ｒ5，Ｃ4）で直流電圧に変換され、アンプ６でセンサ出力電圧となる。
【００２８】
　この負帰還効果によって、図３に示すように、直線性の良いヒステリシスのない磁界センサ特性が得られる。
【００２９】
　図４は本発明の第１実施例の磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサの出力電圧の温度特性を示す図であり、縦軸にセンサ出力電圧のドリフト率（％）、横軸に温度（℃）を示している。
【００３０】
　この図において、ａは従来のショットキーバリアダイオードを用いた単ヘッドのＭＩセンサの特性を、ｂは本発明の第１実施例の磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサによるコイル電圧検出形単ヘッドＭＩセンサの温度特性の測定結果を示している。
【００３１】
　センサ全体を電気炉に設置し、温度を室温から８０℃まで上昇させた場合の、０電圧の変化であり、本発明のＭＩセンサでは、フルスケール電圧に対する０電圧の発生率が従来のＭＩセンサの約１／５に減少していることが分かる。」
「【図１】
」
　（２）　引用文献２に記載された発明の認定
　上記事項から、引用文献２には、次の発明（以下「文献２発明」という。）が記載されていると認められる。
＜文献２発明＞
　磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサであって（【０００１】）、
　下記図１の構成図に示される、磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ（ＭＩ）センサ回路を有し（【００１９】）、
　図１において、１は０磁歪アモルファスワイヤ、２はＭＩ素子、３はＱ1，Ｑ2，Ｑ3，Ｑ4，Ｑ5，Ｑ6のＣ−ＭＯＳインバータとＣＲ微分回路からなる電源回路、４はアナログスイッチ、５は０磁歪アモルファスワイヤ１の周回方向に巻回されたコイル、６はアンプ、７は帰還コイル、Ｒ1は５１０ｋΩ、Ｒ2は３ｋΩ、Ｒ3は２００ｋΩ、Ｒ4は１Ω、Ｒ5は５．１ｋΩ、Ｒ6は２ｋΩ、Ｒ7は２ｋΩ、Ｒ8は３ｋΩ、Ｃ1，Ｃ2，Ｃ3，Ｃ4は１００ｐＦであり（【００２０】）、
　ＣＭＯＳマルチバイブレータとＣＲ微分回路からなる電源回路３で発生させた立ち上がり時間約５ｎｓのパルス電流をＭＩ素子２に印加し、このＭＩ素子２の周回方向に巻回された４０ターンのコイル５の誘起電圧を検出するように構成しており（【００２１】）、
　上記０磁歪アモルファスワイヤ１は、厳密にはわずかに負の磁歪（−１０-7）を持ち、張力アニールによって円周方向に異方性が誘導されているワイヤであって、ワイヤ長さ方向の外部磁界Ｈexが０の場合は、ワイヤ１の通電パルス電流による磁束の変化は円周方向のみであって、ワイヤ１の周回方向に巻回されたコイル５との鎖交磁束が０であり、このコイル５の誘起電圧は０であり（【００２２】）、
　外部磁界Ｈexが印加されると、ワイヤ１の磁化ベクトルがワイヤ軸方向に傾斜し、通電パルス電流による円周方向の磁界によって磁化ベクトルが円周方向に回転し、この時の磁束変化のワイヤ軸方向成分がコイル５と鎖交し、コイル５に誘起電圧が発生し、ワイヤ１は表皮効果のため磁壁の移動が抑制され、磁化ベクトルの回転のみが生じ、この磁化動作のため、この回路構成におけるコイル５の誘起電圧は、バイアス磁界を印加することなく、外部磁界Ｈexに比例した電圧となり（【００２３】）、
　急峻なパルス電流による鎖交磁束の急激な変化のため、誘起電圧波形は純粋なパルス電圧波形でなく、コイル５の浮遊容量によるＬＣ振動波形となり、この振動波形の第１パルス波形のみが外部磁界Ｈexに比例して高感度に変化するから、高感度磁界センサを構成するため、アナログスイッチ４によって、第１のパルス波形のみを抽出するものであり（【００２４】）、
　このコイル５の誘起パルス電圧の第１パルスの高さはピークホールド回路（Ｒ5，Ｃ4）で直流電圧に変換され、アンプ６でセンサ出力電圧となる（【００２７】）、
　磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ（【０００１】）。
　図１
　２　甲３号証について
　（１）　甲３号証に記載された事項
　甲３号証には、次の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は磁気検出器の高感度化および微小鉄片などの異物検出技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
　食品工場あるいは衣料品工場などの製品検査工程において、製品の中に混入する微小な鉄製の異物を検査する必要がある。この
異物検査の手段として、製品中の微小な異物が有するわずかな磁気がコンベアで搬送されるとき、その周辺に微弱な磁場変動が生じるのを磁気センサを利用した磁気検出装置で検出することが一般的に知られている。
【０００３】
　しかし、上記鉄片のような微小物体が発する磁場は地磁気と異なって、局部的であるため、フラックスゲート磁気センサのような体積の大きなセンサでは空間分解能が低いので検出が困難である。一方、
磁気インピーダンスセンサ素子（以下、ＭＩ素子という。）からなるＭＩ磁気センサは
微小物体の検出に適している。
　ここで、
ＭＩ素子は、感磁体であるアモルファスワイヤにパルス電流または高周波電流を印加したときに上記アモルファスワイヤの周囲に巻回した検出コイルに周辺の磁場に対応する電圧を出力するものである。
【０００４】
　一方、例えば、
０．２ｍｍ前後の大きさの異物を見つけるためには、所定の距離離れたところから磁気検出装置は地磁気の影響を排除しつつ、さらに地磁気の数千分の一程度に相当する１００μＧ（マイクロガウス）あるいはそれ以下の磁気変動を検出する必要がある。
　（２）　技術常識アの認定
　上記（１）に摘記した技術事項も踏まえると、次の事項は、技術常識であると認められる（以下「技術常識ア」という。）。
「磁気検出装置による異物検査において、０．２ｍｍ前後の大きさの異物を見つけるためには、地磁気の数千分の一程度に相当する１００μＧ（マイクロガウス）（＝１０ｎＴ（ナノテスラ））あるいはそれ以下の磁気変動を検出する必要があること。」
　３　引用文献３に記載された技術事項
　引用文献３には、次の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。日本語訳は当審で作成した。）
（４頁右欄下から１７行目−下から５行目）
「　　Let us compare the predictions of sensitivity and noise with experimental results for a GMI magnetometer. 
The samples studied were as-cast, melt-extracted, 1.9 cm long magnetic amorphous wires with diameter of 〜36 μm and composition Co80.89Fe4.38Si8.69B1.52Nb4.52 (wt. %).
The magnetometer employed a pulse current of 〜10 mA (rms) and frequency of 14 MHz.
（感度及びノイズの予測をＧＭＩ磁力計の実験結果と比較する。
研究されたサンプルは、約３６μｍの径及び組成Ｃｏ８０．８９Ｆｅ４．３８Ｓｉ８．６９Ｂ１．５２Ｎｂ４．５２（ｗｔ．　％）を有する、鋳造されたままの、溶融抽出された、長さ１．９ｃｍの磁性アモルファスワイヤであった。
磁力計は、約１０ｍＡ（ｒｍｓ）のパルス電流及び１４ＭＨｚの周波数を使用した。
（４頁右欄下から５行目−５頁左欄７行目）
「　　Figure 4(a) shows the maximum normalize sensitivity modulus, |Λ|max, at 14 MHz, as a function of dc bias current flowing through the wire calculated for easy axis angles of θk=75°, 80°, 85°. Figure 4(b) presents the experimental result on the maximum sensitivity, Smax. The theoretical predictions scale relatively well with the experimental curve and the effect of the dc bias current on the sensitivity is satisfactory explained by the model. With the parameters used in the calculation, the low bias current plateau (idc  1 mA), for θk=80°, correspond to a theoretical maximum sensitivity of Smax=15 kV/T.」
（図4(a)は、θk=75°、80°、85°の容易軸角度について計算された、14MHzでの最大正規化感度係数Λmaxを、ワイヤを通って流れるdcバイアス電流の関数として示す。図4(b)は、最大感度Smaxに関する実験結果を示す。理論的予測は、実験曲線と比較的よく一致し、感度に対するdcバイアス電流の効果は、モデルによって十分に説明される。計算に用いたパラメータでは、θk=80°の場合の低バイアス電流プラトー(idc1mA)は、Smax=15kV/Tの理論的最大感度に対応する。）
（図４）
「
」
（５頁右欄９−３４行）
「　　Although we have treated the problem as the fluctuations of the rigid magnetization of a single domain, it is expected that the fluctuations of domain walls, when a domain structure is present, will contribute significantly to the magnetic noise. This would be particularly critical in regions of high sensitivity, where the effective internal field is low. It is therefore possible that our neglect of domain wall dynamics led to an underestimation of the magnetic noise in such situations. 
It is also expected that a dc bias current, as included in the present model, could lead to a decrease of the magnetic noise if it is sufficiently high to set the magnetic structure into a single domain state.
　（数式１）＝
（　我々は、問題を単一ドメインの堅牢な磁化の揺らぎとして扱ってきたが、
磁区構造が存在する場合、複数の磁壁の揺らぎが磁気ノイズに大きく寄与することが予想される。これは、有効内部磁場が低い、高感度の領域において特に重要である。したがって、我々は、磁壁ダイナミクスを無視したため、このような状況での磁気ノイズを過小評価した可能性がある。また、本モデルに含まれるような直流バイアス電流は、磁気構造を単一領域の状態にするのに十分に高い場合、磁気ノイズの減少をもたらし得ることが予想される。
　４　引用文献４に記載された技術事項
（１６２頁右欄下から１０行目−１６３頁左欄２行）
「　　III. OSCILLATOR NOISE MODEL BEFORE DETECTION
　Fig. 3 shows the details of the widely used GMI magnetometer design [5] presented in Fig. 1. 
The sensor is driven by a high-frequency current source. Capacitances (C3, C4) are used in order to filter the low-frequency current noise sources and allows for the control of the DC current bias through the R4 resistor. This dc current is used to reduce the intrinsic GMI noise [7].
（III.検出前の発振器ノイズモデル
　図３は、図１で示された、広く用いられるＧＭＩ磁力計の設計の詳細を示す［５］。
センサは、高周波電流源によって駆動される。キャパシタンス（Ｃ３，　Ｃ４）は、低周波電流ノイズ源をフィルタリングするために使用され、Ｒ４抵抗を通る直流電流バイアスの制御を可能にする。この直流電流は、内部ＧＭＩノイズを低減するために使用される［７］。
（図３）
「Fig. 3
」
　５　引用文献５に記載された技術事項
　引用文献５には、次の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
（５３３頁右欄下から３行目−５３４頁左欄８行）
「　本実験で使用した，パルス励磁ＭＩ素子を用いたコイル検出型磁界センサの基本回路をFig.1に示す．方形波発振回路により得られる電圧波形を狭いパルス幅の正パルス電圧に変換するために微分回路をR1とC1により構成している．微分回路により整形されたパルス電圧はC-MOSインバーターを介すことにより電流に変換され，パルス幅τおよびパルス間隔Tのパルス列電流としてアモルファスワイヤヘ通電される．通電電流の立ち上がりが早いパルス励磁によりアモルファスワイヤには強い表皮効果が生ずる．コイルに誘導されるパルス電圧Vpはアナログスイッチによる同期整流回路により，直流的な出力電圧Edcに変換される．」
（Fig. 1）
「
」
（５３５頁右欄１行−５３６頁左欄１５行）
「3.2　ノイズ特性
　アモファスワイヤヘの通電電流の繰り返し周波数f(=l/T)およびパルス幅τを変化させ，出力電圧ノイズとの関係を調べた.Fig.6はパルス幅τ=10 nsを一定として，繰り返し周波数のみを変化させたときの出力電圧ノイズの時系列波形であり，Tが1.5 μsより小さいときに出カノイズの振幅が明らかに減少していることが分かる．
　これまで報告されている数 mm程度の長さのＭＩ素子の磁界検出分解能とＭＩ素子を用いたコイル検出型磁界センサの磁界検出分解能を比較するため，2 mm長で80ターンの検出素子に対してパルス通電波形のデューティ比を最適化した場合のノイズスペクトル密度の測定結果をFig.7に示す．この図より40 Hzから500 Hzにおけるrmsノイズのスペクトル値はほぼ一定で10 pT/Hzl/2と評価される．周波数に対して一定なホワイトノイズのスペクトル値Bn*が磁界センサの本質的な磁界検出分解能を決める．
　ＭＩ素子の磁気ノイズについて検討するため素子の直流動作点とセンサ出カノイズの関係を調べた.Fig.8は２ mm長素子のホワイトノイズの値Bn*のデューティ比(=τ/T)に対する依存性を測定した結果である．デューティ比が0.001以下の非常に小さい場合のBn*の値は以前に報告されている数 mm長アモルファスワイヤを用いた磁気インピーダンスセンサの磁界検出分解能1OO pTに対応する6)．一方デューティ比を最適化したときの値はデューティ比が非常に小さい場合の値の十分の一程度となる．パルス幅τ,および繰り返し周波数f =l/Tとしたときパルス列電流のフーリエ級数は次の式で与えられる．
ここでIpは正パルス電流のピーク値である．この実験での値Ip= 150 mAを用いてパルス列通電によって生ずる実効的な直流電流の値I =Ip(τ/T)を求めると1.5 mAとなる．このIにより円固方向の直流磁界Hφ =I/2πrが生ずると考えるとrをワイヤ半径としてその値は16 A/m(約0.2 Oe)と算出される．この磁界の値は零磁歪のCoFeSiBの張カアニールワイヤ(3 kg/mm2張力下520℃アニールワイヤ）の異方性磁界Hkの大きさにほぼ一致する7)．
通電時の磁壁移動による磁気的なノイズは，ワイヤ円周方向の磁区（バンブー磁区）構造が円周方向の直流バイアス磁界により消滅すると仮定すれば生じない．この実験で得られたデューティ比制御による磁気ノイズ低減のメカニズムは，直流電流バイアスにより円周方向の静的な磁化特性が飽和に近い状態に保たれた結果として説明できる可能性がある．
（Fig. 6, Fig. 7, Fig. 8）
「
」
　６　引用文献６について
　Cai, Chang Meiほか, Improved pulse carrier MI effect by flash anneal of amorphous wires and FM wireless CMOS IC torque sensor, IEEE transactions on magnetics, 2001, Vol. 37, No. 4, p. 2038-2041.（特許異議申立人より令和２年１２月２５日に提出された意見書に添付された参考資料８。以下「引用文献６」という。）には、次の事項が記載されている。（日本語訳は当審で作成した。）
Fig.1
「
　Fig. 1 MI effect of a 30 μm diameter FeCoSiB amorphous wire in (a) and pulse magnetization circuit using CMOS inverter IC in (b).」
（図１　図１（ａ）は直径３０μｍのＦｅＣｏＳｉＢアモルファスワイヤのＭＩ効果、（ｂ）はＣＭＯＳインバータＩＣを用いたパルス磁化回路。）
２０３８頁左欄下から２行目から２０３９頁左上欄５行
「　Fig. l(a) illustrates measured results of the MI effect in an almost zero-magnetostrictive amorphous wire (FeCoSiB, λ= −10-7, annealed at 475°, 15 s under a tension of 4 kg /mm2) of 30 μm diameter and 6 mm length magnetized with a pulse current generated from a CMOS inverter multivibrator (Q1, Q2), a differentiating circuit of Rd and Cd and a pulse reforming CMOS inverter Q3 as illustrated in Fig. 1(b).」
（図１（ａ）は、ＣＭＯＳインバータマルチバイブレータ（Ｑ１、　Ｑ２）と、ＲｄとＣｄの微分回路と、図１（ｂ）に示されたパルス整形ＣＭＯＳインバータＱ１とから生成されたパルス電流で磁化された３０μｍ径、６ｍｍ長の略０磁歪アモルファスワイヤ（ＦｅＣｏＳｉＢ、λ＝−１０−７、４７５℃、１５秒、４ｋｇ／ｍｍ２の張力下でアニール）におけるＭＩ効果の測定結果を示す。）
　７　引用文献１について
　（１）　引用文献１に記載された技術事項
　引用文献１には、次の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
「なお、
ＭＩ効果の評価は図４に示す回路を用いて行った。図４の回路は、
非晶質細線（４）に交流電流Ｉａｃ及び直流電流Ｉｄｃを重畳させた電流を通電した際に、非晶質細線（４）の両端に発生する電圧（振幅）Ｅｗが外部磁界Ｈｅｘに対し検出できるようになっている。
　引用文献１には、次の図４が示されている。
【図４】
　（２）　技術常識イの認定
　上記（１）の摘記事項も踏まえると、次の事項は技術常識であると認められる（以下「技術常識イ」という。）。
「アモルファスワイヤを用いたＭＩ効果による外部磁場の検出は、アモルファスワイヤの両端に発生する電圧の計測によって検出できること。」
　８　乙２号証について
　毛利佳年雄監修「新しい磁気センサとその応用」（トリケップス2013）（以下「乙２号証」という。）には、次の事項が記載されている。
２５頁２４行−３７行
「
」
３２頁−３４頁
「
」
第６　当審の判断
　１　本件特許発明１について
　（１）　対比
　ア　本件特許発明１と文献２発明の対比分析
　本件特許発明１と文献２発明を対比する。
　（ア）　文献２発明における「磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ」は、本件特許発明１における「ＭＩ磁気センサ」に相当する。したがって、本件特許発明１と文献２発明は、「ＭＩ磁気センサ」の点で共通する。
　（イ）　技術常識でもある、引用文献６の摘記箇所（前記第５の６参照）及び乙２号証の摘記箇所（前記第５の８参照）の記載も参酌すると、文献２発明において、「図１の構成図に示される、磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ（ＭＩ）センサ回路」における０磁歪アモルファスワイヤ１に通電する回路が、「双極性のパルス電流源」ではなく「正のパルス電流源」であり、「ＣＭＯＳマルチバイブレータとＣＲ微分回路からなる電源回路３で発生させた立ち上がり時間約５ｎｓのパルス電流」が「正のパルス電流」であることは、当業者には明らかである。
　したがって、本件特許発明１と文献２発明は、「正または負のパルス電流を通電するパルス電流源」を備える点で共通する。
　（ウ）　文献２発明における「厳密にはわずかに負の磁歪（−１０-7）を持ち、張力アニールによって円周方向に異方性が誘導されている」「０磁歪アモルファスワイヤ１」は、本件特許発明１における「アモルファスワイヤ（捻りを与えている場合を除く）」に相当する。
　文献２発明においては、「外部磁界Ｈexが印加されると、ワイヤ１の磁化ベクトルがワイヤ軸方向に傾斜し、通電パルス電流による円周方向の磁界によって磁化ベクトルが円周方向に回転し、この時の磁束変化のワイヤ軸方向成分がコイル５と鎖交し、コイル５に誘起電圧が発生し、ワイヤ１は表皮効果のため磁壁の移動が抑制され、磁化ベクトルの回転のみが生じ、この磁化動作のため、この回路構成におけるコイル５の誘起電圧は、バイアス磁界を印加することなく、外部磁界Ｈexに比例した電圧とな」るものであるから、「パルス電流源からパルス電流が通電されると、周辺の外部磁界に対応する電圧を出力することにより、外部磁場を検出する」ものであるということができる。そして、この出力される電圧は、「急峻なパルス電流による鎖交磁束の急激な変化のため、誘起電圧波形は純粋なパルス電圧波形でなく、コイル５の浮遊容量によるＬＣ振動波形とな」るものであるところ、当該電圧を出力する回路中に抵抗もあることは技術常識であり、さらに、「この振動波形の第１パルス波形のみが外部磁界Ｈexに比例して高感度に変化する」ものであるから、出力される「検出電圧」が「減衰振動電圧」であることは自明である。また、引用発明は、「磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ」であるから、出力が「ＭＩ効果による」ものであることは明らかである
　以上を踏まえると、本件特許発明１と文献２発明は、「前記パルス電流源から前記正または負のパルス電流が通電されると、ＭＩ効果によって周辺の外部磁界に対応する減衰振動電圧を出力することにより、外部磁場を検出電圧として検出するアモルファスワイヤ（捻りを与えている場合を除く）」を備える点で共通する。
　（エ）　文献２発明は、「振動波形の第１パルス波形のみが外部磁界Ｈexに比例して高感度に変化するから、高感度磁界センサを構成するため、アナログスイッチ４によって、第１のパルス波形のみを抽出するものであり」、「このコイル５の誘起パルス電圧の第１パルスの高さはピークホールド回路（Ｒ5，Ｃ4）で直流電圧に変換され、アンプ６でセンサ出力電圧となる」から、文献２発明と本件特許発明１は、「検出電圧を信号処理する信号処理手段」を備えている点で共通する。
　イ　本件特許発明１と文献２発明の一致点及び相違点
　上記アの検討を総合すると、本件特許発明１と文献２発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。
〔一致点〕
「　正または負のパルス電流源と、
　前記パルス電流源から前記正または負のパルス電流が通電されると、ＭＩ効果によって周辺の外部磁界に対応する減衰振動電圧を出力することにより、外部磁場を検出電圧として検出するアモルファスワイヤ（捻りを与えている場合を除く）と、
　検出電圧を信号処理する信号処理手段とから成る、
　ＭＩ（マグネトインピーダンス）磁気センサ。」
［相違点］
＜相違点１＞
　検出電圧により、本件特許発明１のアモルファスワイヤは、「被検査体中に混入している微小異物を検出する」のに対して、文献２発明は、単に外部磁場を検出するものである点。
＜相違点２＞
　本件特許発明１は、
「前記パルス電流源に対して並列に接続され、前記アモルファスワイヤに前記パルス電流と同極性の正または負の直流電流を通電する直流電流源」を備え、
　「前記直流電流源から前記アモルファスワイヤに対して、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十ｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能にする前記正または負の直流電流を通電して、前記アモルファスワイヤに通電される前記正または負のパルス電流に対して前記正または負のバイアス電流を重畳させることにより、前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を偏らせることにより、磁化を強制するものは無いフリー状態を避ける」
のに対して、
　文献２発明は、このような構成を備えていない点。
　（２）　判断
　ア　相違点１について
　甲３号証には、段落【０００１】に「本発明は磁気検出器の高感度化および微小鉄片などの異物検出技術に関する。」と記載され、段落【０００２】に「食品工場あるいは衣料品工場などの製品検査工程において、製品の中に混入する微小な鉄製の異物を検査する必要がある。この異物検査の手段として、製品中の微小な異物が有するわずかな磁気がコンベアで搬送されるとき、その周辺に微弱な磁場変動が生じるのを磁気センサを利用した磁気検出装置で検出することが一般的に知られている。」と記載され、段落【０００３】に「磁気インピーダンスセンサ素子（以下、ＭＩ素子という。）からなるＭＩ磁気センサは非常に小型であるため空間分解能が高く、微小物体の検出に適している。」と記載されているように、ＭＩ磁気センサの検出電圧を利用して磁気検出装置による微小異物検査を行うことは、当業者にとっては自明のアイデアにすぎない。
　したがって、文献２発明において、アモルファスワイヤの周辺の外部磁界に対応する検出電圧を、被検査体中に混入している微小異物の検出に用いることは、発想の飛躍を認めることはできない。
　イ　相違点２について
　（ア）　パルス電流と同極性の直流電流を通電する直流電流源を備える点
　ａ　前記第５の２（２）の「技術常識アの認定」において認定したように、「磁気検出装置による異物検査において、０．２ｍｍ前後の大きさの異物を見つけるためには、地磁気の数千分の一程度に相当する１００μＧ（マイクロガウス）あるいはそれ以下の磁気変動を検出する必要があること。」は、技術常識である。したがって、文献２発明を被検査体中に混入している微小異物の検出に用いる際に、１００μＧ（＝１０ｎT）以下の磁気変動を検出できるようにして、例えば、被検査体中に混入している微小の異物検出できるようにすることは、当業者にとっては自明の課題である。
　ｂ　前記第５の３において示したように、引用文献３においては、パルス励磁アモルファスワイヤ磁気インピーダンス素子における理論予測と実験結果の比較に対する考察として、磁区構造が存在する場合、複数の磁壁の揺らぎが磁気ノイズに大きく寄与することが予想されるとし、高感度の領域において特に重要であるとしている。そして、直流バイアス電流は、磁気構造を単一領域の状態にするのに十分に高い場合、磁気ノイズの減少をもたらし得ることが予想されるとしており、パルス励磁アモルファスワイヤ磁気インピーダンス素子において、ノイズ低減のために、直流バイアス電流を備えようにすることが示唆されている。
　そして、前記第５の４に示したように、引用文献４には、内部ＧＭＩノイズの低減のために、パルス励磁アモルファスワイヤ磁気インピーダンス素子において、直流バイアス電流を重畳したものが記載されている（引用文献４に記載されたものがパルス励磁である点については、後記エ（オ）「特許権者の主張５」を参照）。
　ｃ　してみれば、ノイズを低減して、１００μＧ（＝１０ｎＴ）以下の磁気変動を検出できるようにして、被検査体中に混入している微小の異物検出できるようにするために、パルス電流源に対して並列に接続され、アモルファスワイヤにパルス電流と同極性の正の直流電流を通電する直流電流源を備えるようにすることは、当業者が当然に想到し得たものと認められる。
　（イ）　数ｎＴ〜数十ｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能にする点
　ａ　上記（ア）ｃの、直流バイアス電流を採用する際、実験的に、ノイズの測定をしつつ、バイアス電流の値を最適化することは、当業者にとっては、通常の創作能力の発揮にすぎない。
　ｂ　本件特許発明１は、「使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十ｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能」にしているところ、それを可能にする手段は、「パルス電流源に対して並列に接続され」た「直流電流源」から「アモルファスワイヤに直流電流を通電」して「前記正または負のパルス電流に対して、これと同極性の正または負のバイアス電流を重畳」することである。
　ｃ　してみれば、想定されるノイズが「使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じる数ｎＴ〜数十ｎＴレベルのパルスノイズ」であるか否かに関わらず、「微小異物の検出電圧と強度レベル」と比べて大きさがほぼ同程度のノイズを低減することにより１０ｎＴ以下の磁気変動を検出できるようにして微小の異物検出に供するようにするために、実験的に直流バイアス電流を最適化することは、前記自明の課題を達成するための直流バイアス電流の最適化の結果の自然な流れであるから、「前記直流電流源から前記アモルファスワイヤに対して、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十ｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能にする正の直流電流を通電」することは、当業者が通常の創作活動の一環として、自然な流れとして到達し得たものであると認められる。
　ｄ　また、本件特許の図面の図７及び図８には、時間スケールの記載がないため、「使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じる数ｎＴ〜数十ｎＴレベルのパルスノイズ」が、どの程度の時間間隔で生じるものであるかは把握することができない。
　ｅ　以上を考慮するに、「使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十ｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能にする」点は、格別なものであるとは認められない。
　（ウ）　前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を偏らせることにより、磁化を強制するものは無いフリー状態を避ける点
　ａ　本件特許発明１の構成のうち、「前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を偏らせることにより、磁化を強制するものは無いフリー状態を避ける」ことは、「前記パルス電流源に対して並列に接続され、前記アモルファスワイヤに前記パルス電流と同極性の正または負の直流電流を通電する直流電流源」を備え、「前記直流電流源から前記アモルファスワイヤに対して、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十ｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能にする前記正または負の直流電流を通電した」ことの作用を記載しているにすぎない。
　ｂ　してみれば、文献２発明をベースとして、これに直流バイアスを重畳するという手段を適用して最適化した場合にも、当然に、「アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を強制するものは無いフリー状態を避ける」ということになったと認められる。
　ｃ　また、引用文献３の「我々は、問題を単一ドメインの堅牢な磁化の揺らぎとして扱ってきたが、磁区構造が存在する場合、複数の磁壁の揺らぎが磁気ノイズに大きく寄与することが予想される。これは、有効内部磁場が低い、高感度の領域において特に重要である。したがって、我々は、磁壁ダイナミクスを無視したため、このような状況での磁気ノイズを過小評価した可能性がある。また、本モデルに含まれるような直流バイアス電流は、磁気構造を単一領域の状態にするのに十分に高い場合、磁気ノイズの減少をもたらし得ることが予想される。」との記載（前記第５の３参照）及び引用文献５の「通電時の磁壁移動による磁気的なノイズは，ワイヤ円周方向の磁区（バンブー磁区）構造が円周方向の直流バイアス磁界により消滅すると仮定すれば生じない．この実験で得られたデューティ比制御による磁気ノイズ低減のメカニズムは，直流電流バイアスにより円周方向の静的な磁化特性が飽和に近い状態に保たれた結果として説明できる可能性がある」との記載（前記第５の５参照）から、十分大きな直流バイアス電流を重畳した状態において、「前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を偏らせることにより、磁化を強制するものは無いフリー状態を避ける」ようになったことは、当業者が推測できることでもある。
　ｄ　したがって、「前記アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を偏らせることにより、磁化を強制するものは無いフリー状態を避ける」点は、格別なものであるとは認められない。
　（エ）　相違点２についての小括
　上記（ア）〜（ウ）に検討のとおり、相違点２は、文献２発明を基礎として、「ノイズを低減して、１００μＧ（＝１０ｎT）以下の磁気変動を検出できるようにして、被検査体中に混入している微小の異物検出できるようにする」という当業者に自明な課題解決のために、当業者にとって自明な、「パルス電流源に対して並列に接続され、アモルファスワイヤにパルス電流と同極性の正の直流電流を通電する直流電流源を備えるようにすること」を適用して、実験的に、ノイズの測定をしつつ、バイアス電流の値を最適化することにより、当業者が、発想の飛躍を要することなく自然な流れとして到達し得たものと認められるから、格別なものとは認められない。
　ウ　本件発明１の作用効果について
　「パルスノイズ」という概念により、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって生じるノイズを認識すること自体は、当業者にとって認識が困難であり、学問として意義のあることであったとしても、本件特許発明１の構成とパルスノイズが低減された状態は、当業者が、文献２発明、引用文献３〜５に記載した事項、技術常識アに基づき、実験的に好適化する結果として、自然な流れとして到達できたものであると認められる。
　したがって、本件特許発明１の効果について、本件特許発明１の想到容易性の評価を覆すほどの、格別顕著性を認めることはできない。
　エ　特許権者の主張について
　特許権者の、令和３年５月１５日提出の意見書における主張について以下検討する。
　（ア）　特許権者の主張１について
　ａ　特許権者の主張１の内容
　特許権者は、次の主張をしている。
　本件特許発明１は、パルス電流源から正または負のパルス電流を通電するものであるが、文献２発明は、急峻なパルス電流の文言はあるが極性についての明言はないので、正または負のパルス電流が通電されると断定することはできないのであるから、「パルス電流源から前記正または負のパルス電流が通電されると、周辺の外部磁界に対応する減衰振動電圧を出力することにより、外部磁場を検出するアモルファスワイヤ（捻りを与えている場合を除く）」を備える点で共通するものであるとはいえない。
　ｂ　主張１についての検討
　前記（１）ア（イ）で説示したとおり、引用文献６の摘記箇所（前記第５の６参照）及び乙２号証の摘記箇所（前記第５の８参照）の記載も参酌すると、文献２発明において、「図１の構成図に示される、磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ（ＭＩ）センサ回路」における０磁歪アモルファスワイヤ１に通電する回路が、「双極性のパルス電流源」ではなく「正のパルス電流源」であり、「ＣＭＯＳマルチバイブレータとＣＲ微分回路からなる電源回路３で発生させた立ち上がり時間約５ｎｓのパルス電流」が正のパルス電流であることは、当業者には明らかである。したがって、特許権者の主張１は、採用することができない。
　（イ）　特許権者の主張２
　ａ　特許権者の主張２の内容
　特許権者は、次の主張をしている。
　引用文献３における磁気構造を単一領域の状態にするための直流電流源からの直流バイアス電流は十分高いものであるのに対し、本件特許発明１における直流電流源からの直流バイアス電流は、磁化フリー状態を回避するためのものであるため、微弱な電流で十分であり、両者は電流値の大小において全く異なるものである。
　ｂ　主張１についての検討
　本件特許明細書の段落【００５４】〜【００５６】及び【図９】を参酌すると、第２実施例において使用したアモルファスワイヤの直径は１０μｍであり、アモルファスワイヤに６ｍＡ以上の直流電流を通電すると、パルスノイズの大きさはほぼゼロになることが記載されている。
　他方、引用文献３においては、（４頁右欄下から１７行目−下から５行目参照）アモルファスワイヤは、直径３６μｍであることが記載されている。そして、FIG. ４（ｂ）を参照すると、実験による直流バイアス電流としては、数ｍＡのものが記載されており、プロットされた点のうち、一番大きい値の方から読み取ると、５０ｍＡ、２５ｍＡ、２０ｍＡ、１０ｍＡ程度のものが記載されている。
　ここで、引用文献３のものは、直径が３６μｍであり、本件特許の第２実施例の直径１０μｍに比較して、３．６倍もあるところ、直線電流が作る磁場の大きさは電流の大きさに比例し中心からの距離に反比例することも考慮すると、前記一番大きい値の方から４つの値は、直径が１０μｍのものに換算すれば、５０／３．６＝１３．９ｍＡ、２５／３．６＝６．９ｍＡ、２０／３．６＝５．６ｍＡ、１０／３．６＝２．８ｍＡの値におおむね相当するから、これらは、６ｍＡと大差ない値である。したがって、本件特許発明と引用文献３に記載のものにおける直流バイアス電流は電流値の大小において全く異なるものであるとの、特許権者の主張は採用することができない。
　（ウ）　特許権者の主張３
　ａ　特許権者の主張３の内容
　特許権者は、次の主張をしている。
　引用文献３におけるこの考察は、磁壁ダイナミックスを無視して解析を進めた研究者が、実験事実の一端も示さずに予測を述べたにすぎないものであり、いかなるレベルの磁気ノイズを対象にしてどの程度の減少をもたらし得るのかも特定しておらず、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十ｎＴレベルの断涜的なパルスノイズの発生を抑制する本件特許発明１に対して信頼度の高い示唆および動機を与えるものとは到底いうことができない。
　ｂ　主張３についての検討
　引用文献３における考察は、実験結果に基づいたものであるから、「実験事実の一端も示さずに予測を述べたにすぎないものであり」との特許権者の主張は採用することができない。また、実験的に試してみようとするのに十分な示唆であるから、「信頼度の高い示唆および動機を与えるものとは到底いうことができない」との特許権者の主張も採用することができない。
　（エ）　特許権者の主張４
　ａ　特許権者の主張４の内容
　特許権者は、次の主張をしている。
　新たに乙１号証として追加した文献「新しい磁気センサとその応用」の２５ページの見出し(２)ピコテスラ分解能の超高感度マイクロ磁気センサの記述において、パルス駆動のＭＩセンサについて「ＭＩセンサは表皮効果によってアモルファスワイヤの内心部の磁化変化を使用しないため、内部磁気雑音の発生が極めて小さい。また、パルス磁気インピーダンス効果は、一方向パルス列通電で動作するため、パルス列の平均磁界（直流バイアス磁界）によりワイヤ円周方向が単磁区状態になり、磁壁が存在せずバルクハウゼン雑音が発生しない。」と記述している。
　引用文献３において取り上げている磁気ノイズは、複数の磁壁の揺らぎに由来するノイズとしているが、本件特許発明１のＭＩ磁気センサは、正または負のパルス電流をアモルファスワイヤに印加するものであるから、アモルフアスワイヤの円周方向が単磁区状態（単一領域の状態）になり磁壁が存在せず、上述した乙第１号証に記載のとおり磁壁に由来するノイズはそもそも発生しないのであり、かかる磁壁由来のノイズを抑制できている状況であっても、なおその発生を抑制することができないノイズであって、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十ｎＴレベルの断続的なパルスノイズの発生を抑制する発明であるから、注目するノイズの種類が全く異なるため、技術的に参考になるものではない。
　そもそも前記乙第１号証の引用箇所における記載のとおり、一方向パルス列通電により印加するＭＩ磁気センサにおいては、引用文献３に示されている直流バイアス電流をさらに印加するまでもなく、磁壁由来の磁気ノイズの発生は抑制されているものであるから、本件発明者等が問題になると認識したような新規な断続的に発生するパルスノイズを抑制するという技術的課題を認識していない当業者は、あえて回路を複雑にして、引用文献３に示されている直流バイアス手段を付加する必要性を感じ無いのであるから、直流バイアス手段を付する動機がないのである。
　ｂ　主張４についての検討
　乙１号証は、「パルス磁気インピーダンス効果は、一方向パルス列通電で動作するため、パルス列の平均磁界（直流バイアス磁界）によりワイヤ円周方向が単磁区状態になり、磁壁が存在せずバルクハウゼン雑音が発生しない。」と記述しているが、これは、「単磁区状態」になると磁壁移動に由来するバルクハウゼン雑音が発生しないような理想状態が実現できることを述べているのにとどまり、「正または負のパルス電流が通電される」「ＭＩ磁気センサ」であるとしても、上述のような理想状態が実現されていることを保証するものではない。
　他方、引用文献３は、「直流バイアス電流」が「磁気構造を単一領域の状態にするのに十分に高い場合」には、「磁気ノイズの減少」が期待できる旨予想しているから、実際には、「単磁区状態」のような理想状態にはないことを裏付けており、その方がむしろ当業者の常識的な理解であるというべきである。
　すなわち、乙第１号証の上記記載を根拠とした特許権者の主張（本件特許発明１のＭＩ磁気センサでは、磁壁に由来するノイズはそもそも発生しないという主張）は、引用文献３に示された当業者にとっての常識的な理解に反するものであって、このような主張は採用することができない。
　（オ）　特許権者の主張５
　ａ　特許権者の主張５の内容
　特許権者は、次の主張をしている。
　審判官は、「引用文献４には、内部ＧＭＩノイズの低減のために、パルス励磁アモルファスワイヤ磁気インピーダンス素子において、直流バイアス電流を重畳したものが記載されている。」と認定している。審判官は、「パルス励磁」という文言を使っているが、引用文献４においては高周波電流(driven by a highfrequency current source, driven by an alternating current) と記述しており、パルスという文字は見つけることができない。
　ｂ　主張５についての検討
　前記第５の６の引用文献６の摘記箇所及び前記第５の８の乙２号証の摘記箇所の記載も参酌すると、引用文献４におけるアモルファスワイヤに通電する回路が、「双極性のパルス電流源」ではなく「正のパルス電流源」であることは、当業者には明らかである。したがって、特許権者の主張５は、採用することができない。
　（カ）　特許権者の主張６
　審判官は、本件特許の図面の図７及び図８には、時間スケールの記載がないので、本件特許発明１が対象とする断続的なパルスノイズの時間間隔がどの程度のものであるのか把握することができないと認定しているが、食品のような被検査体中に混入している微小異物によっては、一日中検出しても異物が検出されないこともある。このような異物検査において、その間に直流バイアス電流が重畳されていない場合には、パルスノイズが出現する時刻が定まらないので、たまたまアモルファスワイヤが磁化フリー状態になった時に断続的なパルスノイズが発生すると異物として誤検知されることになる。時間間隔で表したり、把握することは不可能であるため、誤検知を回避するために断続的なパルスノイズの発生を抑制する必要があるのであり、時間間隔を問題にすること自体、引用文献のアモルファスワイヤの磁壁由来の磁気ノイズを前提にした認定であると言わざるを得ないものである。
　ｂ　主張６についての検討
　特許権者は、意見書において、「本件特許発明は、被検査体に混入している微小異物を検出するもので、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって、数ｎＴ〜数＋ｎＴに相当するレベルのパルスノイズを断続的に生じるため、被査体中に混入している微小異物の磁気信号と、強度レベルが似ているためパルスノイズを微小異物として誤検知するおそれがあるため、ｎＴレベルのパルスノイズを生じないようにするか、あるいは問題のないレベルまで抑制する必要があるという本件発明者の技術的知見に基づくものである。」と主張しているように、本件特許発明１は、断続的に生じるパルスノイズを認識し、それを抑制することに技術的な意義があることを主張するものであるところ、技術の公開の代償として特許権を付与するという特許制度の趣旨に鑑みれば、当該パルスノイズに関する情報は、極めて重要な情報であるのであるから、従来機構が知られているノイズとの違いを認識するための情報を開示することが重要であり、図７及び図８には、当然に時間スケールを記載すべきものであるというべきである。したがって、当該情報が不要であることを前提とする特許権者の主張は、到底採用できるものではない。
　オ　本件特許発明１の進歩性のまとめ
　以上検討のとおりであるから、本件特許発明１は文献２発明、引用文献３〜６に記載された事項及び技術常識アに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明１に係る特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。
　２　本件特許発明３について
　前記第５の７（２）の「技術常識イの認定」で説示したように、「アモルファスワイヤを用いたＭＩ効果による外部磁場の検出は、アモルファスワイヤの両端に発生する電圧の計測によって検出できること」は技術常識である。
　してみると、文献２発明において、「コイル５の誘起電圧を検出する」構成と「前記アモルファスワイヤの２つの電極の間に生じる交流電圧に基づいて、前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出して電圧として出力する」構成が置換可能であることは、当業者にとっては自明であると認められる。
　したがって、本件特許発明３は、文献２発明、引用文献３〜６に記載された事項、技術常識ア及び技術常識イに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明３に係る特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。
　３　本件特許発明４について
　文献２発明の「磁歪アモルファスワイヤ１の周回方向に巻回されたコイル５」は、本件特許発明４の「前記アモルファスワイヤの周囲に巻回した検知コイル」に相当する。
　「ＬＣ振動波形」となる、出力される電圧は、「交流電圧」である。
　文献２発明においては、「外部磁界Ｈexが印加されると、ワイヤ１の磁化ベクトルがワイヤ軸方向に傾斜し、通電パルス電流による円周方向の磁界によって磁化ベクトルが円周方向に回転し、この時の磁束変化のワイヤ軸方向成分がコイル５と鎖交し、コイル５に誘起電圧が発生し、ワイヤ１は表皮効果のため磁壁の移動が抑制され、磁化ベクトルの回転のみが生じ、この磁化動作のため、この回路構成におけるコイル５の誘起電圧は、バイアス磁界を印加することなく、外部磁界Ｈexに比例した電圧とな」るのであるから、文献２発明は、アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出して電圧として出力するものであるということができる。
　以上の点を踏まえると、文献２発明と本件特許発明４は、「前記アモルファスワイヤの周囲に巻回した検知コイルの２つの電極の間に生じる交流電圧に基づいて、前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出して電圧として出力する」点で共通しているということができ、請求項４において特定した事項は、文献２発明も備えている。
　そうすると、本件特許発明４と文献２発明の相違点は、本件特許発明１と文献２発明の相違点（前記１（１）イ参照）と同じである。
　してみれば、本件特許発明１と同様に、本件特許発明４も、文献２発明、引用文献３〜６に記載された技術事項及び技術常識アに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明４に係る特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。
第７　むすび
　以上のとおり、本件特許発明１、３及び４に係る特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものであるから、同法１１３条２号に該当し、取り消されるべきものである。
　請求項２は訂正により削除されたことにより、請求項２に係る申立ては、申立ての対象が存在しないものを対象とすることになったので、特許法１２０条の８第１項で準用する同法１３５条の規定により却下する。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年７月１９日（２０２１．７．１９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ＭＩ磁気センサ
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、アモルファスワイヤにパルス電流あるいは高周波電流を通電し、前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する電圧を出力するＭＩ（マグネトインピーダンス）磁気センサに関するものである。
　【背景技術】
　【０００２】
　高感度の磁気センサとして、アモルファスワイヤを感磁体とするＭＩ磁気センサ（マグネトインピーダンス磁気センサ）がある。
　【０００３】
　前記ＭＩ磁気センサは、地磁気のように５万ｎＴレベルの磁場測定に多くが利用されているが、非常に小型高感度の検出が可能であるため、特に高感度仕様としたＭＩ磁気センサは、たとえば特許文献１に示すように、食品中の鉄系異物検出などにも利用されている。
　近年、より微小な異物検出の期待が高まり、検出するべき磁場の強さが数ｎＴ（Ｔ：テスラの１０の９乗分の１）あるいはそれ以下のレベルの検出について、より精度良く測定可能とすることに対する要望が高まっている。
　【０００４】
　一方、前記ＭＩ磁気センサの中でも特に高感度仕様としたＭＩ磁気センサは、ノイズは数十〜数百ｐＴ（Ｔ：テスラの１０の１２乗分の１）の低いレベルのランダムノイズであるため、上記の要望を満たすことが十分可能であるが、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によっては、これよりも大きい数ｎＴ〜数十ｎＴに相当するレベルのパルスノイズを断続的に生じることがあった。
　【０００５】
　このノイズは、上述した５万ｎＴレベルの地磁気測定であれば全く問題とはならないが、例えばベルトコンベアで被検査体を移動させながら異物検査をするラインにおいて、食品中に微小異物が混入しているときの磁気信号と比較すると、強度レベルが似ているため、誤った判定をするおそれがあった。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００６】
　【特許文献１】特開２００８−１３４２３６号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００７】
　そのため微小磁気検出における信頼性を高め、より小さな異物の検査を誤検出なく可能にするという技術的課題を解決するため、本発明者らは、このｎＴレベルのパルスノイズを生じないようにするか、あるいは問題の無いレベルまで抑制することが必要であるという技術的知見に到達した。
　【課題を解決するための手段】
　【０００８】
　本発明者らは、前記技術的課題を解決するために、アモルファスワイヤにパルス電流あるいは高周波電流を通電し、前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する電圧を出力するＭＩ磁気センサにおいて、前記アモルファスワイヤにｎＴレベルのパルスノイズの発生の抑制を可能にする直流電流を通電して、前記アモルファスワイヤに通電される前記パルス電流あるいは高周波電流に対してバイアス電流を重畳させるという本発明の第１の技術的思想に着眼するとともに、上記重畳させたバイアス電流を通電することにより、アモルファスワイヤの内部の周回方向における磁化を偏らせることにより、不安定な後述する周回磁化フリー状態（以下、フリー状態と記す。）を回避するという本発明の第２の技術的思想に着眼した。
　【０００９】
　以上の結果得られた本発明（請求項１に記載の第１発明）のＭＩ磁気センサは、
正または負の
流を
源と
　前記パルス電流
源か
前記正または負の
流が
ＭＩ効果によって
減衰振動
検出電圧として
　前記パルス電流
源に
前記パルス電流と同極性の正または負の
、微小異物の検出電圧を信号処理する信号処理手段と
　前記直流電流源から前記アモルファスワイヤに
対して、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十
前記正または負の
正または負の
流に
前記正または負の
偏らせることにより、磁化を
ことを特徴とするものである。
　【００１０】
　本発明（請求項２に記載の第２発明）のＭＩ磁気センサは、
　前記第１発明において、
　前記アモルファスワイヤの一方の電極に対して、直流電流源から正または負の直流電流を通電するものである。
　【００１１】
　本発明（請求項３に記載の第３発明）のＭＩ磁気センサは、
　前記第１発明または前記第２発明において、
　前記アモルファスワイヤの２つの電極の間に生じる交流電圧に基づいて前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出し電圧として出力するものである。
　【００１２】
　本発明（請求項４に記載の第４発明）のＭＩ磁気センサは、
　前記第１発明または前記第２発明において、
　前記アモルファスワイヤの周囲に巻回した検知コイルの２つの電極の間に生じる交流電圧に基づいて、前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出して電圧として出力するものである。
　【発明の効果】
　【００１３】
上記構成より成る第１発明のＭＩ磁気センサは、
正または負の
流を
源と
　前記パルス電流
源か
前記正または負の
流が
ＭＩ効果によって
減衰振動
検出電圧として
　前記パルス電流
源に
前記パルス電流と同極性の正または負の
、微小異物の検出電圧を信号処理する信号処理手段と
　前記直流電流源から前記アモルファスワイヤに
対して、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十
前記正または負の
正または負の
流に
前記正または負の
偏らせることにより、磁化を
　【００１４】
　上記構成より成る第２発明のＭＩ磁気センサは、前記第１発明において、前記アモルファスワイヤの一方の電極に対して、直流電流源から正または負の直流電流を通電することにより、一方を電極を介して前記アモルファスワイヤに対して正または負の直流電流が、前記アモルファスワイヤに通電される前記パルス電流あるいは高周波電流に対して重畳されることから、前記アモルファスワイヤに対して通電がゼロになるフリー状態を避けることによって、前記ｎＴレベルのパルスノイズの発生を抑制し、実用的にはパルスノイズの影響を実質的にゼロと等価にすることにより、高感度な磁気検出を可能にするという効果を奏する。
　【００１５】
　上記構成より成る第３発明のＭＩ磁気センサは、前記第１発明または前記第２発明において、前記アモルファスワイヤの２つの電極の間に生じる交流減衰振動電圧に基づいて前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出し電圧として出力するので、出力された電圧の振幅に相当する磁気信号電圧に変換されるため、高感度な磁気検出を可能にするとともに、前記ｎＴレベルのパルスノイズの発生を抑制し、実用的にはパルスノイズの影響を実質的にゼロと等価にするという効果を奏する。
　【００１６】
　上記構成より成る第４発明のＭＩ磁気センサは、前記第１発明または前記第２発明において、前記アモルファスワイヤの周囲に巻回した検知コイルの２つの電極の間に生じる交流電圧に基づいて、前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出して電圧として出力するので、出力された電圧の振幅に相当する磁気信号電圧に変換されるので、前記第３発明に比べて、より高感度な磁気検出を可能にするとともに、前記ｎＴレベルのパルスノイズの発生を抑制し、実用的にはパルスノイズの影響を実質的にゼロと等価にするという効果を奏する。
　【図面の簡単な説明】
　【００１７】
　【図１】
　本発明の実施形態のＭＩ磁気センサにおけるアモルファスワイヤに正または負のパルス電流が通電された時または電流が通電されていない時におけるアモルファスワイヤ内部の周方向における磁化の状態を説明するための説明図である。
　【図２】
　本発明の第１実施形態のＭＩ磁気センサにおいて、正または負の直流電流をアモルファスワイヤの一方の電極に通電する例の要部を示す要部ブロック回路図である。
　【図３】
　本発明の第２実施形態のＭＩ磁気センサにおいて、外部磁界に対応する交流電圧に基づいて信号処理する要部を示す要部ブロック図である。
　【図４】
　本発明の第３実施形態のＭＩ磁気センサにおいて、アモルファスワイヤの周囲に巻回した検出コイルから出力される交流電圧に基づいて信号処理する要部を示す要部ブロック図である。
　【図５】
　本発明の第１実施例のＭＩ磁気センサの詳細を示す詳細回路図およびアモルファスワイヤの２つの電極の間に生ずる交流電圧の振幅が外部磁場に対応することを示す線図である。
　【図６】
　本発明の第２実施例のＭＩ磁気センサの詳細を示す詳細回路図およびアモルファスワイヤに通電するパルス電流、検知コイルによって検出された交流電圧およびサンプルホールド回路のスイッチをオンにするパルスをそれぞれ示す線図である。
　【図７】
　比較例におけるアモルファスワイヤのフリー状態に基因するパルスノイズを示す線図である。
　【図８】
　本第２実施例における直流電流を重畳させることによるパルスノイズ抑制効果を確認した結果を示す線図である。
　【図９】
　本第２実施例における直流電流とパルスノイズの大きさの関係を示す線図である。
　【発明を実施するための形態】
　【００１８】
　以下、本発明の最良の実施の形態について、実施形態および実施例に基づき、図面を用いて説明する。
　【実施形態】
　【００１９】
　本実施形態のＭＩ磁気センサは、図１（ａ）ないし（ｃ）に示されるようにアモルファスワイヤ１にパルス電流あるいは高周波電流を通電することにより、アモルファスワイヤ１にＭＩ効果を発現させ、これにより生じる外部磁場すなわちアモルファスワイヤが置かれている周囲の磁場に対応して出力される交流電圧信号を信号処理して、磁気あるいは磁場信号電圧として検出するものである。
　【００２０】
　すなわちＭＩ磁気センサは、たとえば図１（ａ）に示されるように電流源２によりアモルファスワイヤ１に正のパルス電流あるいは高周波電流ｉを流すと、アンペアの右ねじの法則によって前記アモルファスワイヤ１の内部の周回方向に磁化ｕが生じ、これにともなうＭＩ効果によって前記外部磁場Ｈｅに付勢されたアモルファスワイヤ１の内部の磁化ｗの大きさに対応する交流電圧信号が生ずるものである。この交流電圧信号は、前記外部磁場Ｈｅの磁気情報を含んでいるので、磁気検出が出来るのである。
　【００２１】
　一方図１（ｂ）に示されるようにアモルファスワイヤ１に負のパルス電流あるいは高周波電流−ｉを流すと、アンペアの右ねじの法則によって、アモルファスワイヤ１の内部の周回方向に磁化ｖが生じるが、前記周回方向の磁化ｕと方向が逆になるだけで、これにともなうＭＩ効果による磁気検出の過程は上述の図１（ａ）に示したものと同じである。
　【００２２】
　さらに図１（ｃ）に示されるように電流源２からのパルス電流または高周波電流が通電されなくてゼロのときには、周回方向に磁化を強制するものは無いので、前記磁化ｕ、ｖは同量と考えられ、原則的にはいずれかの方向に偏ることは無く、フリーの状態である。
　【００２３】
　本実施形態は前記アモルファスワイヤ１に通電（駆動）するパルス電流あるいは高周波電流に重畳させて直流バイアス電流を流し、アモルファスワイヤ１の内部の周回方向における磁化を偏らせて、上述したフリーの状態を避け、パルスノイズの発生を抑制し、実用的には実質的にゼロと等価に出来ることを実験的に確認したものである。
　【００２４】
　本実施形態における実験的な確認において、前記アモルファスワイヤへの通電が解除され、通電電流がゼロである場合は前記アモルファスワイヤの周方向の磁化ｕ、ｖは同量であり、いずれかの方向に偏ることは無い不安定なフリーの状態と考えられるが、温度および応力の変化等により前記アモルファスワイヤの一部において部分的に前記磁化ｕ、ｖが同量で無い部分が瞬間的に生ずることが考えられ、そのためパルスノズルが発生するのではないかと考えることも可能である。すなわち前記アモルファスワイヤに対して通電される電流の向きに応じて、原則的には周方向の磁化ｕ、ｖの向きが変化するのであるが、時には一部において、磁化の向きが部分的に変化しないまたは戻らない状態がランダムに発生することに起因するのではないかと考えることもできる。
　【実施形態１】
　【００２５】
　第１実施形態のＭＩ磁気センサは、図２（ａ）、（ｂ）に示される様にアモルファスワイヤ１の２つの電極１１および１２に前記パルスあるいは高周波電流を出力する発振器手段２を接続するとともに、図３に示す直流電流源手段３に対応する正（図２（ａ）図示）又は負（図２（ｂ）図示）の直流電流を流す電流源３３又は３４を接続することにより、前記アモルファスワイヤ１に直流電流を流し、これにより右ねじの法則によるアモルファスワイヤ１内部の周回方向に磁化の偏りｕ（図２（ａ）図示）又は偏りｖ（図２（ｂ）図示）を生じさせるものであり、そして、いずれの場合もパルスノイズの発生を抑制するという作用効果を奏するものである。
　【実施形態２】
　【００２６】
　第２実施形態のＭＩ磁気センサは、前記第１実施形態において、図３に示されるように前記ＭＩ効果により交流電圧信号が生じるアモルファスワイヤ１の両端すなわち一方の電極１１ともう一方の電極１２と信号処理手段４の２つの入力端を接続するものである。
　【００２７】
　第２実施形態のＭＩ磁気センサは、前記発振器手段２から通電されるパルスあるいは高周波電流により、前記アモルファスワイヤにＭＩ効果を発現させるとともに、前記アモルファスワイヤ１に直流電流を流すことにより、右ねじの法則によるアモルファスワイヤ１の内部の周方向の磁化に偏りを生じさせることにより、前記アモルファスワイヤの両端の電極との間に生じる前記外部磁場に対応する交流電圧信号中に、パルスノイズが発生することを抑制した結果、例えば微小異物検出のような数ｎＴレベルの磁気変動を正確に測定可能にするという作用効果を奏するものである。
　【実施形態３】
　【００２８】
　第３実施形態のＭＩ磁気センサは、前記第１実施形態において、図４に示されるようにアモルファスワイヤ１の周囲に検知コイル１３を巻回し、検知コイル１３の両端すなわち一方の電極１３１ともう一方の電極１３２と信号処理手段４の２つの入力端をそれぞれ接続するものである。
　【００２９】
　第３実施形態のＭＩ磁気センサは、上記構成により、前記発振器手段２から通電されるパルスあるいは高周波電流により、前記アモルファスワイヤにＭＩ効果を発現させるとともに、前記アモルファスワイヤ１に直流電流を流すことにより、右ねじの法則によるアモルファスワイヤ１の内部の周方向の磁化に偏りを生じさせることにより、前記検知コイルの２つの電極の間に前記ＭＩ効果により生じる交流電圧信号中に、パルスノイズが発生することを抑制した結果、例えば微小異物検出のような数ｎＴレベルの磁気変動を正確に測定可能にするという作用効果を奏するものである。
　【実施例１】
　【００３０】
　第１実施例のＭＩ磁気センサは、前記第１および第２実施形態に基づくもので、図５（Ａ）に示されるようにアモルファスワイヤ１に正弦波を印加する正弦波発振器２１と、アモルファスワイヤ１に重畳電流として直流電流を印加する直流電流電源手段３と、前記正弦波発振器２１からの正弦波が印加され、ＭＩ効果を発現するアモルファスワイヤ１と、該アモルファスワイヤ１の２つの電極間にＭＩ効果により出力された交流電圧信号を信号処理する信号処理手段４とからなるものである。
　【００３１】
　前記アモルファスワイヤ１は、ＦｅＣｏＳｉＢ系合金より成り、前記正弦波発振器２１による正弦波の印加に基づき、図５（Ｂ）に示されるようにＭＩ（マグネトインピーダンス）効果によりアモルファスワイヤの周囲の外部磁場に対応する振幅を有する交流電圧信号Ｖａｃを両端の電極１１および１２より出力するように構成されている。
　【００３２】
　前記アモルファスワイヤに前記ＭＩ効果を発現させるためのパルス電流または高周波電流を通電印加する発振器手段２は、正弦波電流を出力する正弦波発振器２１によって構成され、図５（Ａ）に示されるように前記アモルファスワイヤ１の一端の電極１１に接続され前記アモルファスワイヤ１に通電する電流を調整するための電流調整用の抵抗器ｒ２１を介して、前記アモルファスワイヤ１に正弦波を通電するように構成されている。
　【００３３】
　前記直流電流電源手段３は、図５（Ａ）に示されるようにプラス極が接地された負の電源３３と、一端が前記アモルファスワイヤ１の一端の電極１１に接続され、他端が前記負の電源３３のマイナス極に接続され、負の電流を前記アモルファスワイヤ１に流す際の電流調整用の抵抗器ｒ３３とから成り、所定レベルの負の直流電流が前記アモルファスワイヤ１の前記一端の電極１１に対して通電印加されるように構成されている。
　【００３４】
　前記信号処理手段４は、図５（Ａ）に示されるようにカソードが前記アモルファスワイヤ１の一端の電極１１に接続されたダイオードＤと、該ダイオードＤのアノードに一端が接続されるとともに他端が接地されたコンデンサＣと、前記ダイオードＤのアノードに一端が接続されるとともに他端が接地された抵抗Ｒとによって形成される検波回路４３によって構成され、前記アモルファスワイヤ１によって出力された正弦波の交流電圧信号をその振幅に対応する電圧に変換する回路である。
　前記アモルファスワイヤ１の両端の電極１１と１２の間には、図５（Ｂ）に示されるように振幅が前記アモルファスワイヤ１が置かれた外部磁場に対応する正弦波の交流電圧信号Ｖａｃが出力され、該交流電圧信号Ｖａｃの振幅に相当する磁気信号電圧Ｖｄｃに変換される。
　そして、該検波回路４３によって変換された抵抗Ｒの両端の直流電圧を所定の倍率で増幅し、外部磁場に相当する電圧Ｖｏとして出力する増幅器４１を備えている。
　【００３５】
　上記構成より成る第１実施例のＭＩ磁気センサは、前記発振器手段２を構成する前記正弦波発振器２１によって、前記抵抗器ｒ２１を介して、前記アモルファスワイヤ１に対して正弦波が通電印加されるとともに、前記直流電流電源手段３を構成する前記負の電源３３によって、前記抵抗器ｒ３３を介して前記アモルファスワイヤ１の前記電極１１、１２に対して通電印加される。
　【００３６】
　前記アモルファスワイヤ１は、前記正弦波発振器２１によって正弦波が印加されるので前記ＭＩ効果が発現され、両極１１、１２の間には、図５（Ｂ）に示されるような振幅がアモルファスワイヤ１が置かれた周囲の外部磁場に対応する正弦波の交流電圧信号Ｖａｃが生ずる。
　【００３７】
　信号処理手段４は、前記アモルファスワイヤ１の電極１２に接続されたダイオードＤとコンデンサＣおよび抵抗器Ｒによって構成された検波回路４３によって、前記アモルファスワイヤ１の前記電極１１と１２の間に図５（Ｂ）に示されるように前記外部磁場に対応する交流電圧信号Ｖａｃが生ずるので、当該交流電圧信号Ｖａｃの振幅に相当する磁気信号電圧Ｖｄｃに変換され、変換された電圧Ｖｄｃは、前記増幅器４１により所定の倍率に増幅され、外部磁場に対応する電圧Ｖｏとして出力される。
　【００３８】
　本第１実施例のＭＩ磁気センサは、上述したようにアモルファスワイヤ１に対して前記負の電源３３から負の直流電流を通電して、アモルファスワイヤの内部に磁化を偏らせることにより、高感度の磁気検出を困難にするパルスノイズの発生を抑制し実質上パルスノイズの無い高感度な磁気検出が可能になるという効果を奏する。
　【００３９】
　また本第１実施例のＭＩ磁気センサは、パルスノイズの発生の抑制により、ランダムノイズ以上であって、かつ前記パルスノイズ以下のレベルの微小磁気検出が可能であるという作用効果を奏する。
　【実施例２】
　【００４０】
　本第２実施例のＭＩ磁気センサは、前記第１および第３実施形態に基づくもので、前記アモルファスワイヤのＭＩ効果により生じる交流電圧を該アモルファスワイヤの周囲に巻回した検知コイル１３によって検出する点が、前記第１実施例との相異点であり、図６（Ａ）に示されるように両端の電極１１および１２の間にＭＩ（マグネトインピーダンス）効果を発現するとともに、検知コイル１３を備えたアモルファスワイヤ１と、該アモルファスワイヤ１にパルス電流を通電印加するパルス発振器２２と、前記アモルファスワイヤ１に対して重畳電流として正の直流電流を印加する直流電流電源手段３と、前記検知コイル１３の両端の電極１３１よび１３２の間にＭＩ効果により出力された交流電圧信号を信号処理する信号処理手段４とから成るものである。
　【００４１】
　前記アモルファスワイヤ１は、ＦｅＣｏＳｉＢ系合金より成り、図６（Ｂ）に示されるようにＭＩ効果によりアモルファスワイヤの周囲の外部磁場に対応する振幅を有する交流電圧信号Ｖａｃを前記アモルファスワイヤ１の周囲に巻回された検知コイル１３の両端の電極１３１，１３２より出力するように構成されている。
　【００４２】
　前記アモルファスワイヤに前記ＭＩ効果を発現させるためのパルス電流を通電印加する発振器手段２は、パルス電流Ｐ１およびＰ２を出力するパルス発生器２２によって構成され、図６（Ａ）に示されるように前記アモルファスワイヤ１の他端１１に接続され前記アモルファスワイヤ１に通電する電流を調整するための電流調整用の抵抗器ｒ２２を介して、前記アモルファスワイヤ１にパルス電流を通電するように構成されている。前記パルス電流Ｐ１およびＰ２は、図６（Ｂ）の（ａ）および（ｂ）に示されるように所定の電圧で所定時間オン状態になり、立ち上がり時間に一定の差があるとともに所定の繰り返し時間Ｔに設定されている。
　【００４３】
　前記直流電流電源手段３は、図６（Ａ）に示されるようにマイナス極が接地された正の電源３４と、一端が前記アモルファスワイヤ１の他端１１に接続され、他端が前記正の電源３４のプラス極に接続され、正の電流を流す抵抗器ｒ３４とから成り、所定レベルの正の直流電流が前記アモルファスワイヤ１に対して通電印加されるように構成されている。
　【００４４】
　前記信号処理手段４は、図６（Ａ）に示されるように一端が前記アモルファスワイヤ１の周囲に巻回された検知コイルの一端１３２に接続されたアナログスイッチＳＷと、該アナログスイッチＳＷの他端に一端が接続されるとともに他端が接地されたホールドコンデンサＣｈとによって形成されるサンプルホールド回路４４によって構成され、前記検知コイル１３によって出力された前記所定の時間Ｔで繰り返す交流電圧信号Ｖｍをその振幅に対応する電圧に変換する回路である。前記検知コイル１３の両端の両電極１３１と１３２の間には、図６（Ｂ）の（ｂ）に示されるように振幅が前記アモルファスワイヤ１が置かれた外部磁場に対応する正弦波の交流電圧信号Ｖｍが出力されており、サンプルホールドされた該交流電圧信号Ｖｍの振幅に相当する磁気信号電圧Ｖｈに変換される。該サンプルホールド回路４４によって変換された直流電圧が所定の倍率で増幅され、外部磁場に相当する電圧Ｖｏとして出力する高入力インピーダンスの増幅器４２を備えている。
　【００４５】
　上記構成より成る第２実施例のＭＩ磁気センサは、前記発振器手段２を構成する前記パルス発振器２２によって、前記抵抗器ｒ２２を介して、前記アモルファスワイヤ１に対して図６（Ｂ）の（ａ）に示されるパルス電流Ｐ１が通電印加されるとともに、前記直流電流電源手段３を構成する前記正の電源３４によって、前記抵抗器ｒ３４を介して前記アモルファスワイヤ１の前記電極１１に対して通電印加される。
　【００４６】
　前記アモルファスワイヤ１は、前記電極１１を介して前記パルス発振器２２によってパルス電流が印加されるので、前記ＭＩ効果が発現され、前記検知コイル１３の両極１３１、１３２の間には、図６（Ｂ）に示されるような振幅がアモルファスワイヤ１が置かれた周囲の外部磁場に対応する前記所定の時間Ｔで繰り返す交流電圧信号Ｖｍとして生ずる。
　【００４７】
　前記アモルファスワイヤ１の電極１１および１２には直流電流源手段３として抵抗器ｒ３４と正の電源３４からなる正の電流源回路が接続されており、これにより前記アモルファスワイヤ１に正の直流電流ｉが流れるので、アモルファスワイヤ１の内部の周回方向に磁化の偏りｕを生じ、その結果微小磁場の検出を困難にするパルスノイズの発生が抑制され、高精度の磁気検出が可能になる。
　【００４８】
　さらに前記アモルファスワイヤ１は、一方の電極１１を介して前記発振器手段２として２つの出力端子を備えるパルス発生器２２の一方の出力端子に接続され、所定の電圧および所定のオン（ＯＮ）時間、所定の繰り返し時間ＴのパルスＰ１が抵抗器ｒ２２を介して印加されることにより、繰り返し時間Ｔの周期でＭＩ効果が繰り返されることになる。
　【００４９】
　すなわち、前記アモルファスワイヤ１の周囲に巻回された前記検知コイル１３の２つの電極１３１，１３２間には、前記所定の時間Ｔで繰り返すＭＩ効果による交流電圧Ｖｍが誘起される。この交流電圧Ｖｍは、減衰振動であり、その大きさは前記アモルファスワイヤ１が置かれた外部磁場に対応する。
　このＭＩ効果による減衰振動は、図６（Ｂ）の（ｂ）に示されるように上記パルスＰ１の立ち上がり時と立ち下がり時に生じるが、本第２実施例においては、一例として立ち上がり時の減衰振動にもとづいて信号処理する例を示す。
　【００５０】
　前記信号処理手段４において、前記アナログスイッチＳＷの制御端子には前記パルス発生器２２のもう一方の出力端子が接続されており、図６（Ｂ）に示されるようにパルスＰ２がオン期間のみ前記アナログスイッチＳＷが「閉」すなわち導通状態になるので、前記検知コイル１３の両方の電極１３１および１３２間に現れる減衰振動である交流電圧Ｖｍが、前記アナログスイッチＳＷにおける「閉」の期間のみ前記ホールドコンデンサＣｈに伝えられる。
　【００５１】
　そして、前記パルスＰ２がパルス幅に対応してオンの状態を保つ時間は、前記交流電圧Ｖｍの周期（周波数の逆数）に比べてきわめて短いので、前記交流電圧Ｖｍの瞬時値、たとえばピーク電圧をサンプルホールドコンデンサＣｈに電圧としてサンプルホールドする。また前記パルスＰ１とＰ２は、一定の位相差で同期しているので、所定の時間Ｔで繰り返される交流電圧は、毎回所定のタイミングでサンプルホールドされることになる。
　【００５２】
　前記交流電圧Ｖｍの大きさは、前記のごとく前記アモルファスワイヤ１が置かれた外部磁場の強さに対応しているので、ここで前記交流電圧Ｖｍのサンプルホールドした瞬時値Ｖｈも外部磁場の強さに対応している。
　そして、前記増幅器４２は、前記サンプルホールドされた電圧Ｖｈを所定の倍率で増幅し、磁気信号電圧Ｖｏとして出力するものである。
　【００５３】
　本第２実施例のＭＩ磁気センサは、前記したごとく前記アモルファスワイヤ１に対して直流電流を通電印加しているので、アモルファスワイヤ１の内部に磁化の偏りを生じさせることにより、微小磁場変動の正確な測定を困難にするパルスノイズの発生を抑制して、実質上パルスノイズの無い磁気の検出が実現可能になるという作用効果を奏する。
　【００５４】
　更に、本第２実施例のＭＩ磁気センサにおいて磁化の偏りによりノイズの発生が抑制された効果を確認するために実験を行った結果について以下に示す。
　本実験では、外部から侵入する地磁気成分や地磁気以外の磁場成分の影響によって実験結果に影響が出ないようにするために、パーマロイ製の３重シールドボックス内にＭＩ磁気センサを設置して、実験を行った。これにより、外部磁場を原因とする磁気センサの出力をほぼ完全に０とすることができる。なお、使用したＭＩ磁気センサのアモルファスワイヤの直径は１０μｍ、長さは１ｍｍである。以下に、その結果を説明する。
　【００５５】
　直流電流がゼロで、通電されていない比較例の場合には、縦軸にパルスノイズの振幅（ｎＴ）をとり横軸に時間（ｔ）をとった図７に示されるように複数回のパルスノイズの発生がみられ、最大で３ｎＴ相当の出力に相当するパルスノイズの発生が見られた。上述した通り、本実験は、外部磁場の影響を完全に排除する条件で実験していることから、このパルスノイズは、実際に３ｎＴの磁場が生じていないにもかかわらず出力されたもので、このような出力の存在は、精度低下の大きな原因となる。しかし、前記アモルファスワイヤ１１に６ｍＡの直流電流を通電すると、図７と同一スケールで縦軸にパルスノイズの振幅（ｎＴ）をとり横軸に時間（ｔ）をとった図８に示したように上記比較例におけるパルスノイズが、無くなり、実質的には数百ｐＴすなわち±０．５ｎＴ相当のランダムノイズのみになることが確認できた。なお、図７と図８の縦軸は同じスケールで記載したものである。また図７および図８には、直流電流の値の推移もあわせて記載した。
　【００５６】
　図９は、前記アモルファスワイヤ１に対して、通電印加されるパルス電流の重畳電流として通電する直流電流を変化させて制御されたパルスノイズの最大の大きさとの関係について、縦軸にパルスノイズの大きさをとり、横軸に直流電流をとった線図である。図９から明らかなように、本第２実施例の条件では直流電流５ｍＡまではパルスノイズの振幅が略放物線に沿って低下し、直流電流６ｍＡ以上ではパルスノイズの大きさは、ほぼゼロに収束することが確認できた。但し、パルスノイズを抑制可能な直流電流の絶対値は、アモルファスワイヤ１および検出コイル１３の仕様等で変化すると考えられるため、上記の仕様に応じて、適切な大きさの直流電流が重畳されるように設定すればよいと考えられる。
　以上の結果より、本第２実施例のＭＩ磁気センサは、数ｎＴ相当のパルスノイズの発生を抑制することができ、数ｎＴあるいはそれ以下のレベルの磁気検出を行う際の測定精度を大きく向上させるという作用効果を奏する。
　【００５７】
　以上説明した通り、本第２実施例のＭＩ磁気センサでは、前記パルス発生器２２によって前記アモルファスワイヤ１に対してパルス電流を印加する際に適切な大きさの直流電流を重畳させることにより、パルスノイズを抑制することができるため、ランダムノイズ以上であって、抑制前のパルスノイズ以下の出力を誤検出なく検出可能にするという効果を奏する。
　【００５８】
　上述の実施例は、説明のために例示したもので、本発明としてはそれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲、発明の詳細な説明および図面の記載から当業者が認識することができる本発明の技術的思想に反しない限り、変更および付加が可能である。
　【産業上の利用可能性】
　【００５９】
　本発明は、地磁気のような比較的大きな磁気測定にも勿論利用が可能であるが、マグマ活動、地震予知、太陽放射などの研究装置の磁気検出、理化学研究における高精度磁気測定装置、磁気障害計測装置などの高精度磁気検出、食品内異物検出、セキュリティーゲートならびに磁気カードなどの磁気パターンの読み取り、紙幣の磁気パターンの検査等のうち特にｎＴレベルの微小磁場の変化を見落とすことなく検出しなければならない用途に適用する場合に、効果的に利用できる。
　【符号の説明】
　【００６０】
　１　アモルファスワイヤ
　２　発振器手段
　４　信号処理手段
　１３　検知コイル
　２２　パルス発生器
　３４　正の電源
　４２　増幅器
　４４　サンプルホールド回路
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
正または負の
流を
源と
　前記パルス電流
源か
前記正または負の
流が
ＭＩ効果によって
減衰振動
検出電圧として
　前記パルス電流
源に
前記パルス電流と同極性の正または負の
、微小異物の検出電圧を信号処理する信号処理手段と
　前記直流電流源から前記アモルファスワイヤに
対して、使用するアモルファスワイヤの個々の特性によって断続的に生じるものであって、微小異物の検出電圧と強度レベルが似ている数ｎＴ〜数十
前記正または負の
正または負の
流に
前記正または負の
偏らせることにより、磁化を
ことを特徴とするＭＩ磁気センサ。
　【請求項２】　
（削除）
　【請求項３】
　前記請求項
１に
　前記アモルファスワイヤの２つの電極の間に生じる交流電圧に基づいて前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出し電圧として出力することを特徴とするＭＩ磁気センサ。
　【請求項４】
　前記請求項
１に
　前記アモルファスワイヤの周囲に巻回した検知コイルの２つの電極の間に生じる交流電圧に基づいて、前記アモルファスワイヤ周辺の外部磁界に対応する磁気信号を検出して電圧として出力することを特徴とするＭＩ磁気センサ。