(57)【要約】【課題】小型であり、かつ、信頼性及び歩留りの高いＩＣタグ及びＩＣタグの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明によるＩＣタグ１０は、外部機器と非接触で通信可能であり、複数枚の絶縁基板を用いた多層基板型のインレット１００と、インレット１００をその底面１１１ａに配置する凹部１１１と、一次成形用金型１１０，１２０のゲート１２１に対応するゲート部１１３とを備える一次成形品１１と、インレット１００が配置された凹部１１１を充填し、インレット１００を封止する二次成形品１２とを備え、ゲート部１１３が、底面１１１ａのインレット１００と接する領域以外の位置に設けられ、底面１１１ａは、平面であるものとした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１枚の絶縁基板と、外部機器と非接触で通信可能であって前記絶縁基板に設けられたアンテナ部と、前記アンテナ部に接続され、前記アンテナ部を介して通信する情報を管理するＩＣチップとを有し、略平板状であるインレットと、
前記インレットを底面に配置する凹部を備える一次成形品と、
少なくとも前記凹部に充填され、前記インレットを封止する二次成形品と、
を備え、外部機器と非接触で通信可能なＩＣタグであって、
前記底面は、前記絶縁基板の前記アンテナ部が形成された面に平行な前記インレットの外面と接し、
前記底面の少なくとも前記外面と接する領域は、平面であること、
を特徴とするＩＣタグ。
【請求項２】
請求項１に記載のＩＣタグにおいて、
前記一次成形品は、射出成形によって形成され、樹脂を注入する一次成形用の金型のゲートに対応するゲート部が、前記底面の少なくとも前記外面と接する領域以外の部分に形成されること、
を特徴とするＩＣタグ。
【請求項３】
請求項２に記載のＩＣタグにおいて、
前記ゲート部は、前記底面に平行であって、前記底面よりも前記二次成形品側となる面に設けられること、
を特徴とするＩＣタグ。
【請求項４】
請求項２に記載のＩＣタグにおいて、
前記ゲート部は、前記凹部を形成する面であって前記底面と直交する面に設けられること、
を特徴とするＩＣタグ。
【請求項５】
請求項２に記載のＩＣタグにおいて、
前記ゲート部は、前記底面の方向と直交する面であって該ＩＣタグの外周面となる面に設けられること、
を特徴とするＩＣタグ。
【請求項６】
少なくとも１枚の絶縁基板と、外部機器と非接触で通信可能であって前記絶縁基板に設けられたアンテナ部と、前記アンテナ部に接続され、前記アンテナ部を介して通信する情報を管理するＩＣチップとを有し、略平板状であるインレットと、
前記インレットを底面に配置する凹部を備える一次成形品と、
少なくとも前記凹部に充填され、前記インレットを封止する二次成形品と、
を備えるＩＣタグの製造方法であって、
一次成形用金型に一次成形用樹脂を充填し、前記一次成形品を成形する一次成形工程と、
前記一次成形品に前記インレットを配置する配置工程と、
前記インレットを配置した前記一次成形品を二次成形用金型内に配置し、二次成形用樹脂を前記二次成形用金型内に充填して前記二次成形品を成形する二次成形工程と、
を備え、
前記一次成形工程では、前記一次成形用金型の、前記底面の前記インレットが配置される領域以外の領域に対応する位置に設けられたゲートから樹脂が注入されること、
を特徴とするＩＣタグの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のＩＣタグの製造方法において、
前記一次成形工程では、前記一次成形用金型の、前記一次成形品の前記底面に平行であって前記底面より二次成形品側となる面に対応する位置に設けられた前記ゲートから樹脂が注入されること、
を特徴とするＩＣタグの製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載のＩＣタグの製造方法において、
前記ゲートの中心線は、前記底面に平行であること、
を特徴とするＩＣタグの製造方法。
【請求項９】
請求項６又は請求項８に記載のＩＣタグの製造方法において、
前記一次成形工程では、前記一次成形用金型の、前記凹部の内側であって前記底面と直交する面に対応する位置に設けられた前記ゲートから樹脂が注入されること、
を特徴とするＩＣタグの製造方法。
【請求項１０】
請求項６又は請求項８に記載のＩＣタグの製造方法において、
前記一次成形工程では、前記一次成形用金型の、前記ＩＣタグの外側であって前記底面と直交する面に対応する位置に設けられた前記ゲートから樹脂が注入されること、
を特徴とするＩＣタグの製造方法。
【請求項１１】
請求項６から請求項１０までのいずれか１項に記載のＩＣタグの製造方法であって、
前記一次成形工程及び前記二次成形工程では、射出成形が行われること、
を特徴とするＩＣタグの製造方法。
【請求項１２】
請求項６から請求項１１までのいずれか１項に記載のＩＣタグの製造方法によって製造されたＩＣタグ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触で外部機器と通信可能なＩＣタグ及びＩＣタグの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣタグやＩＣカードは、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）とも称され、個体の識別が可能な情報を保持するＩＣチップを備え、専用の読み取り機を用いて、無線通信により非接触での情報の読み取りが可能となっている。例えば、ＩＣタグは、小型であり、単体毎の認識が可能であることから、近年では、製品等の工場での工程管理や、流通情報の管理等、多岐にわたる分野において利用されている。そのため、ＩＣタグ及びＩＣタグに使用されるインレット等は、その用途に応じて、さらなる小型化が図られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、ＩＣタグは、使用される用途よっては高温や低温、高湿等の厳しい環境に置かれたり、外部から衝撃等を受けたりする場合がある。そのため、ＩＣタグには、インサート成形等によりアンテナやＩＣチップ等を樹脂によって外装し、これらを保護する形態となっているものがある。
従来、このようにＩＣタグをインサート成形等により成形する場合、ＩＣチップ及びＩＣチップに接続されたアンテナ等、又は、これらを備えるインレットを配置する凹部（ポケット）を設けた一次成形品を作成し、凹部にインレット等を配置又は固定し、二次成形を行い封止するという方法が用いられている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１０２３４８号公報
【特許文献２】特開２００５−３３２１１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のように、一次成形品を作成してインレット等を配置する場合、一次成形品を射出成形等によって成形すると、一次成形用の金型のゲートに対応する部分には、バリ等による凹凸が発生する。この凹凸が、一次成形品のインレットを配置する面上に存在していると、二次成形時に付与される圧力等によってインレットが破損して歩留りが低下したり、ＩＣタグとしての信頼性が低下したりする場合がある。
特に、特許文献１に示すような、アンテナ部を形成した絶縁基板を積層した多層基板タイプのインレットを用いてＩＣタグの小型化を図る場合には、ＩＣタグに対するインレットの面積が比較的大きく、また、ＩＣタグ、インレットともに小型であるため、ゲートに起因した凹凸が、ＩＣタグの信頼性等に与える影響は大きい。
【０００６】
本発明の課題は、小型であり、かつ、信頼性及び歩留りの高いＩＣタグ及びＩＣタグの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。
請求項１の発明は、少なくとも１枚の絶縁基板と、外部機器と非接触で通信可能であって前記絶縁基板に設けられたアンテナ部と、前記アンテナ部に接続され、前記アンテナ部を介して通信する情報を管理するＩＣチップとを有し、略平板状であるインレット（１００）と、前記インレットを底面（１１１ａ）に配置する凹部（１１１）を備える一次成形品（１１）と、少なくとも前記凹部に充填され、前記インレットを封止する二次成形品（１２）と、を備え、外部機器と非接触で通信可能なＩＣタグ（１０）であって、前記底面は、前記絶縁基板の前記アンテナ部が形成された面に平行な前記インレットの外面（１００ａ）と接し、前記底面の少なくとも前記外面と接する領域は、平面であること、を特徴とするＩＣタグ（１０）である。
請求項２の発明は、請求項１に記載のＩＣタグにおいて、前記一次成形品（１１）は、射出成形によって形成され、樹脂を注入する一次成形用金型（１２０）のゲート（１２１）に対応するゲート部（１１３）が、前記底面（１１１ａ）の少なくとも前記外面（１００ａ）と接する領域以外の部分に形成されること、を特徴とするＩＣタグ（１０）である。
請求項３の発明は、請求項２に記載のＩＣタグにおいて、前記ゲート部（１１３）は、前記底面（１１１ａ）に平行であって、前記底面よりも前記二次形成品（１２）側となる面に設けられること、を特徴とするＩＣタグ（１０）である。
請求項４の発明は、請求項２に記載のＩＣタグにおいて、前記ゲート部は、前記凹部を形成する面であって前記底面と直交する面に設けられること、を特徴とするＩＣタグである。
請求項５の発明は、請求項２に記載のＩＣタグにおいて、前記ゲート部は、前記底面の方向と直交する面であって該ＩＣタグの外周面となる面に設けられること、を特徴とするＩＣタグである。
【０００８】
請求項６の発明は、少なくとも１枚の絶縁基板と、外部機器と非接触で通信可能であって前記絶縁基板に設けられたアンテナ部と、前記アンテナ部に接続され、前記アンテナ部を介して通信する情報を管理するＩＣチップとを有し、略平板状であるインレット（１００）と、前記インレットを底面（１１１ａ）に配置する凹部（１１１）を備える一次成形品（１１）と、少なくとも前記凹部に充填され、前記インレットを封止する二次成形品（１２）と、を備えるＩＣタグ（１０）の製造方法であって、一次成形用金型（１１０，１２０）に一次成形用樹脂を充填し、前記一次成形品を成形する一次成形工程と、前記一次成形品に前記インレットを配置する配置工程と、前記インレットを配置した前記一次成形品を二次成形用金型（２１０，２２０）内に配置し、二次成形用樹脂を前記二次成形用金型内に充填して前記二次成形品を成形する二次成形工程と、を備え、前記一次成形工程では、前記一次成形用金型の、前記底面の前記インレットが配置される領域以外の領域に対応する位置に設けられたゲート（１２１）から樹脂が注入されること、を特徴とするＩＣタグの製造方法である。
請求項７の発明は、請求項６に記載のＩＣタグの製造方法において、前記一次成形工程では、前記一次成形用金型（１１０，１２０）の、前記一次成形品（１１）の前記底面（１１１ａ）に平行であって前記底面より前記二次成形品（１２）側となる面に対応する位置に設けられた前記ゲート（１２１）から樹脂が注入されること、を特徴とするＩＣタグの製造方法である。
請求項８の発明は、請求項６に記載のＩＣタグの製造方法において、前記ゲートの中心線は、前記底面に平行であること、を特徴とするＩＣタグの製造方法である。
請求項９の発明は、請求項６又は請求項８に記載のＩＣタグの製造方法において、前記一次成形工程では、前記一次成形用金型の、前記凹部の内側であって前記底面と直交する面に対応する位置に設けられた前記ゲートから樹脂が注入されること、を特徴とするＩＣタグの製造方法である。
請求項１０の発明は、請求項６又は請求項８に記載のＩＣタグの製造方法において、前記一次成形工程では、前記一次成形用金型の、前記ＩＣタグの外側であって前記底面と直交する面に対応する位置に設けられた前記ゲートから樹脂が注入されること、を特徴とするＩＣタグの製造方法である。
【０００９】
請求項１１の発明は、請求項６から請求項１０までのいずれか１項に記載のＩＣタグの製造方法であって、前記一次成形工程及び前記二次成形工程では、射出成形が行われること、を特徴とするＩＣタグの製造方法である。
請求項１２の発明は、請求項６から請求項１１までのいずれか１項に記載のＩＣタグの製造方法によって製造されたＩＣタグ（１０）である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）本発明によるＩＣタグは、一次成形品の凹部の底面が、絶縁基板のアンテナ部が形成された面に平行なインレットの外面と接し、底面の少なくともその外面と接する領域は、平面である。従って、二次成形時に、二次成形用樹脂を射出する際に樹脂に付与される圧力や、硬化の際に二次成形用金型に付与される底面の垂直方向の圧力に起因するＩＣタグの破損や信頼性の低下等を防止でき、信頼性が高く歩留りのよいＩＣタグとすることができる。
また、少なくとも１枚の絶縁基板のアンテナ部を形成したインレットを用いているので、従来のフィルム基材を用いたインレットに比べてＩＣタグを小型化することができる。
（２）一次成形品は、射出成形によって形成され、樹脂を注入する一次成形用金型のゲートに対応するゲート部が、底面の少なくともインレットの外面と接する領域以外の部分に形成されるので、底面のインレットとの接触面にゲート部が存在しない。従って、ゲートに起因したバリや凹み等によって、二次成形時に、二次成形用樹脂を射出する際に樹脂に付与される圧力や、硬化の際に二次成形用金型に付与される底面の垂直方向の圧力に起因するＩＣタグの破損や信頼性の低下等を防止でき、信頼性が高く歩留りのよいＩＣタグとすることができる。
（３）ゲート部は、底面に平行であって、底面よりも二次形成品側となる面に設けられるので、底面とインレットとの間にバリや凹み等の不要な凹凸の発生を防止できる。
（４）ゲート部は、凹部を形成する面であって底面と直交する面に設けられるので、底面とインレットとの間にバリや凹み等の不要な凹凸の発生を防止できる。
（５）ゲート部は、底面の方向と直交する面であってＩＣタグの外周面となる面に設けられるので、底面とインレットとの間にバリや凹み等の不要な凹凸の発生を防止できる。
【００１１】
（６）本発明によるＩＣタグの製造方法は、一次成形品を成形する一次成形工程と、一次成形品にインレットを配置する配置工程と、インレットを配置した一次成形品を二次成形用金型内に配置し、二次成形品を成形する二次成形工程とを備え、一次成形工程では、一次成形用金型において、インレットを配置する凹部の底面とインレットとが接する予定の領域以外の領域に対応する位置に設けられたゲートから樹脂が注入されるので、底面の少なくとも外面と接する領域は、平面となる。従って、二次成形時に、二次成形用樹脂を射出する際に樹脂に付与される圧力や、硬化の際に二次成形用金型に付与される底面の垂直方向の圧力に起因するＩＣタグの破損や信頼性の低下等を防止でき、信頼性が高く歩留りのよいＩＣタグを製造できる。
（７）一次成形工程では、一次成形用金型の、一次成形品の底面に平行であって底面より二次成形品側となる面に対応する位置に設けられたゲートから樹脂が注入されるので、底面を平面とすることができる。
（８）ゲートの中心線は、底面に平行であるので、ゲート部が一次成形品の底面に形成されることがない。従って、インレットを配置する一次成形品の底面を平面とすることができる。
【００１２】
（９）一次成形工程では、一次成形用金型の、凹部の内側であって底面と直交する面に対応する位置に設けられたゲートから樹脂が注入されるので、ゲート部が一次成形品の底面に形成されることがない。従って、インレットを配置する一次成形品の底面を平面とすることができる。
（１０）一次成形工程では、一次成形用金型の、ＩＣタグの外側であって底面と直交する面に対応する位置に設けられたゲートから樹脂が注入されるので、ゲート部が一次成形品の底面に形成されることがない。従って、インレットを配置する一次成形品の底面を平面とすることができる。
【００１３】
（１１）一次成形工程及び二次成形工程では、射出成形が行われているので、大量生産に適し、生産コストを抑えることができる。
（１２）本発明によるＩＣタグの製造方法により製造されたＩＣタグであるので、小型化でき、歩留りが高く信頼性が高く、生産コストの低減を図ることができるＩＣタグとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態のＩＣタグを説明する図である。
【図２】実施形態のＩＣタグの製造方法を説明する図である。
【図３】実施形態のＩＣタグの製造方法を説明する図である。
【図４】一次成形用金型において一次成形品の底面に対応する位置に、ゲートが設けられる場合を示す図である。
【図５】変形形態の一次成形品及びインレットを示す図である。
【図６】ゲート部の位置の変形形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
なお、図１を含め、以下に示す各図は、模式的に示した図であり、各部の大きさ、形状は、理解を容易にするために、適宜誇張している。
【００１６】
（実施形態）
図１は、実施形態のＩＣタグを説明する図である。
本実施形態のＩＣタグ１０は、内部にＩＣチップとアンテナ部とを備え、外部機器（例えば、リーダライタ）と、非接触で通信可能なＲＦＩＤである。本実施形態のＩＣタグ１０は、直方体形状であり（図１（ａ）参照）、その厚み方向から見た平面形状は略正方形状である（図１（ｂ）参照）。
このＩＣタグ１０は、その平面形状が略矩形であって、その寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍ〜２０ｍｍ×２０ｍｍ程度であり、ＩＣタグとして、従来のカード型等のものに比べて非常に小型である。本実施形態のＩＣタグ１０は、その平面形状が約１０ｍｍ×１０ｍｍ、全体の厚みが約３．８ｍｍとなっている。
【００１７】
図１（ｃ）は、図１（ｂ）に示す矢印Ｓ１−Ｓ１で切断したＩＣタグ１０の断面を示している。
図１（ｃ）に示すように、ＩＣタグ１０は、一次成形品１１と、二次成形品１２とを備え、一次成形品１１と二次成形品１２との間にインレット１００を内包し、一体に成形された形態となっている。
インレット１００は、略矩形の平板状であり、不図示のＩＣチップと、不図示のアンテナ部が表面に形成された不図示の絶縁基板を複数積層した多層基板と、アンテナ部に接続されたＩＣチップ等とを備える、例えば、特開２００７−２１３５１４号公報に開示されるような多層基板型のインレットであり、その表面は耐熱性を有するエポキシ樹脂やシリコーン等の半導体用封止材によって封止され、アンテナ部及びＩＣチップが被覆されている。
アンテナ部は、外部機器と非接触で通信可能であり、絶縁基板の表面に形成されている。また、ＩＣチップは、このアンテナ部に接続され、アンテナ部を介して外部機器と通信する情報を管理する機能を有する。
【００１８】
インレット１００は、その平面形状が略矩形であって、その寸法が５ｍｍ×５ｍｍ〜１５ｍｍ×１５ｍｍ程度であり、従来のカードタイプやスティックタイプのインレット等に比べて非常に小型である。本実施形態のインレット１００は、その平面形状が約５．５ｍｍ×５．５ｍｍの略矩形であり、厚さが０．８ｍｍの略平板状ものを用いている。
また、本実施形態では、インレット１００に用いられる絶縁基板は、その平面形状が約５．５ｍｍ×５．５ｍｍの略矩形状であり、多層基板の表面に配置されたＩＣチップは、平面形状が約２．０ｍｍ×２．０ｍｍであり、絶縁基板（すなわち、インレット）の平面形状の面積に比して大きい面積を占めている。ＩＣチップとしては、平面形状が約０．４ｍｍ×０．４ｍｍ〜約２．０ｍｍ×２．０ｍｍ程度の範囲内で、その特性等に応じて、適宜選択して使用できる。
なお、本実施形態のインレット１００は、平面形状が略矩形のものを用いたが、これに限らず、例えば略円形等の形状のもの等を適宜選択して使用してよい。また、本実施形態では、アンテナ部が形成された絶縁基板が複数積層された多層基板型のインレットである例を示したが、所望する周波数に応じて、絶縁基板は１枚でもよい。さらに、インレット１００は、ＩＣチップが、積層された絶縁基板間に配置されたものを用いてもよい。
【００１９】
一次成形品１１は、凹部１１１と、凹部１１１を囲む縁部１１２（１１２ａ，１１２ｂ）と、一次成形品１１を成形する一次成形用金型に設けられた樹脂が注入されるゲートに対応するゲート部１１３とを備えた樹脂成形品である。本実施形態の一次成形品１１は、平面形状が略矩形状の略直方体形状であり、二次成形品１２側の面の中央部に、インレット１００を配置する略矩形の溝である凹部１１１が形成されている。
凹部１１１は、インレット１００を配置する底面１１１ａを有している。また、底面１１１ａは、平面状であり、底面１１１ａには、ゲート部１１３は存在していない。
この底面１１１ａには、インレット１００の絶縁基板上のアンテナが形成されている面に平行なインレット１００の外面（外側の表面）である面１００ａが接する形で、インレット１００が配置される。底面１１１ａは、この面１００ａに比べ、その平面形状の面積が若干大きく、インレット１００を容易に凹部１１１に配置することができる。なお、底面１１１ａの平面形状は、インレット１００の面１００ａの形状に合わせた形状としてもよく、インレット１００の面１００ａが円形であれば、底面１１１ａも円形とする等してもよい。
【００２０】
縁部１１２は、凹部１１１の周囲を囲む部分である。本実施形態では、縁部１１２（１１２ａ，１１２ｂ）は、凹部１１１を囲む４辺に形成されており、そのうちの１辺を形成する縁部１１２ａは、他の縁部１１２ｂよりも厚み（図１（ｃ）の断面での底面１１１ａに平行な方向における寸法）が厚く形成されているが、同じ厚みとしてもよい。
なお、本実施形態では、凹部１１１を囲む４辺に縁部１１２が形成される例を示したが、これに限らず、例えば、縁部１１２は、３辺のみ、又は、２辺のみに形成される形態とし、インレット１００の角部と縁部１１２が形成する角部分とを合せる等により、インレット１００の位置決めを可能とし、凹部１１１の底面１１１ａに配置する形態としてもよい。
ゲート部１１３は、縁部１１２ａの二次成形品１２側となる端面の一部に設けられている。ゲート部１１３は、一次成形品を射出成形によって成形する際に用いる一次成形用金型に設けられたゲート（樹脂の注入口）に対応する部分である（図２参照）。
本実施形態では、後述の図２に示すように、一次成形用金型１２０には、ゲート１２１による突起（バリ）の発生及びバリによる影響を防ぐ目的で、ゲート１２１の射出口の周囲にゲート逃げ部１２１ａという凸形状が形成されているため、ゲート部１１３は、後述の図２（ｄ）に示すように、ゲート逃げ部１２１ａの形状に応じて凹み１１３ａを有し、凹み１１３ａの中央には、ゲート１２１の射出口に対応した位置にバリ１１３ｂを有している。
【００２１】
一次成形品１１は、ポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ）を用いて射出成形することにより形成されている。なお、本実施形態では、一次成形品１１に用いる樹脂として、ＰＰＳを例示したが、これに限らず、例えば、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂（ＡＢＳ）や、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、ＰＥＥＫ樹脂（ポリエーテルエーテルケトン樹脂）、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）等、使用する環境や望まれる特性等に応じて、適宜熱可塑性樹脂を選択して使用できる。また、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等、射出成形可能な熱硬化性樹脂を用いてもよい。一次成形品１１の製造方法に関する詳細は、後述する。
【００２２】
二次成形品１２は、インレット１００が配置された凹部１１１を充填してインレット１００を封止するように成形された樹脂成形品である。二次成形品１２は、一次成形品１１と同様の樹脂（本実施形態では、ＰＰＳ）を用いて射出成形により形成されている。本実施形態のＩＣタグ１０は、インレット１００が配置された一次成形品１１を二次成形品によりインサート成形することにより、形成されている。
なお、本実施形態では、一次成形品１１と二次成形品１２とは、同様の樹脂によって形成される例を示したが、一次成形品１１と二次成形品１２とが異なる樹脂によって形成されるものとしてもよい。
【００２３】
図２，３は、ＩＣタグ１０の製造方法を説明する図である。図２は、一次成形品が完成するまで（一次成形工程）を示し、図３は、二次成形を行い、ＩＣタグとして完成するまで（配置工程、二次成形工程）を示す。なお、図３において、理解を容易にするために、二次成形用金型のゲートは図示していない。
まず、一次成形品１１の製造方法（一次成形工程）について説明する。
一次成形品１１を成形するための一次成形用金型１１０，１２０を用意する。一次成形用金型１２０には、一次成形品１１の縁部１１２ａの二次成形品１２側となる端面に対応する位置に、樹脂Ｒ１を注入するためのゲート１２１が形成されている（図２（ａ）参照）。
一次成形用金型１１０，１２０を組み合わせ、一次成形品１１を形成する樹脂Ｒ１（本実施形態ではＰＰＳ）を、所定の温度まで加熱し、所定の圧力をかけて、所定の速度でゲート１２１から一次成形用金型１１０，１２０内へ射出し、一次成形用金型１１０，１２０内に充填する（図２（ｂ）参照）。
【００２４】
樹脂Ｒ１を一次成形用金型１１０，１２０内に充填した後、ゲート１２１を塞ぎ、一次成形用金型１１０，１２０に、図２（ｃ）中に示すように、底面１１１ａに垂直な方向（図２（ｃ）に示す矢印方向）に圧力をかけながら冷却する。これは、溶融状態の樹脂が冷却によって体積が若干収縮するため、収縮による変形を防ぐためである。
冷却した後、一次成形用金型１１０，１２０から離型して一次成形品１１が完成する（図２（ｄ）参照）。このとき、一次成形品１１のゲート１２１に対応する部分には、ゲート逃げ部１２１ａに対応する凹み１１３ａや凹み１１３ａの中央部に位置するバリ１１３ｂを有するゲート部１１３が形成されている。このバリ１１３ｂは、その高さが、凹み１１３ａの深さに比べて低く、凹み１１３ａからバリ１１３ｂは突出しない。また、底面１１１ａは、平面状であり、凹みやバリは生じていない。
【００２５】
上述のように製造された一次成形品１１の凹部１１１に、インレット１００を配置する（配置工程）。図３（ａ）に示すように、インレット１００は、絶縁基板のアンテナが形成されている面に平行な面１００ａが底面１１１ａとその全面で接するように配置される。
次に、インレット１００を配置した一次成形品１１を、二次成形用金型２１０，２２０内に配置する（図３（ｂ）参照）。そして、二次成形用金型２２０に設けられた不図示のゲートから、二次成形品１２を形成する樹脂Ｒ２（本実施形態では、ＰＰＳ）を射出する（図３（ｃ）参照）。このとき樹脂Ｒ２は、所定の温度まで加熱され、所定の速度で圧入可能なように所定の圧力がかけられている。
二次成形用金型２１０，２２０内に樹脂を圧入して充填した後、一次成形時と同様に、ゲートを閉じて二次成形用金型２１０，２２０に圧力をかけながら冷却する。このとき、図３（ｄ）に示すように、圧力をかける方向は、底面１１１ａに直交する方向である。以上が、二次成形工程である。
冷却後、二次成形用金型２１０，２２０から離型し、表面処理等の後処理工程を経たのち、ＩＣタグ１０の完成品となる（図３（ｅ）参照）。
【００２６】
ＩＣタグ１０は、上述のように、一次成形工程、配置工程、二次成形工程を経て製造される。
ここで、一次成形品１１の製造過程において、ゲート部が底面に設けられる場合、すなわち、一次成形用金型のゲートが、凹部の底面に対応する位置に設けられている場合の問題点を説明する。
図４は、一次成形用金型７２０，８２０において、一次成形品の底面７１１ａ，８１１ａに対応する位置に、ゲート７２１，８２１が設けられた場合を示す図である。なお、理解を容易にするために、図４（ｅ），（ｆ）では、二次成形用金型に設けられたゲートは省略して示している。
本実施形態のようにＩＣタグを射出成形によって作製する場合、樹脂を均一に充填する目的から、一次成形品７１，８１の中央部に対応する位置に、ゲート７２１，８２１を設ける場合がある（図４（ａ），（ｂ）参照）。特に、ゲート逃げ部８２１ａを形成する場合には、ゲート逃げ部８２１ａを含むゲート部分の径が１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ程度必要になるため、より小型化を図ろうとすると、一次成形品において最も広い部分、すなわち、底面８１１ａに対応する位置にゲート８２１が対応するように配置する（図４（ｂ）参照）。
【００２７】
しかし、例えば、ゲート逃げ部を有しない通常のゲート７２１を設けた場合には、底面７１１ａのゲートに対応するゲート部７１３には、ゲート７２１の射出口に起因したバリｂ（突起）が生じてしまう（図４（ｃ）参照）。そのため、バリｂを残したまま、一次成形品７１とインレット１００とを二次成形用金型９１０，９２０内に配置して二次成形を行うと、二次成形用樹脂Ｒ２を射出する際に二次成形用樹脂Ｒ２に付与されたゲート７２１の中心線に略平行な方向の圧力や、二次成形用樹脂Ｒ２の射出後の冷却時等に付与される底面７１１ａに垂直な方向（図４（ｅ）に示す矢印方向）の圧力によって、インレット１００とバリｂとの接点に大きな力がかかり、インレット１００の絶縁基板やアンテナ部が破損したり、インレット１００に不要な圧力がかかった状態で完成品となる場合がある（図４（ｅ）参照）。また、インレット１００の平面形状が約５．５ｍｍ四方であるのに対し、ＩＣチップの平面形状が約２ｍｍ四方と比較的大きいため、バリｂの当たる位置によっては、ＩＣチップが破損する場合がある。
【００２８】
一方、バリｂによる影響を防ぐために、一次成形用金型８２０にゲート逃げ部８２１ａを形成する場合では、ゲート逃げ部８２１ａの形状に応じた凹みｈがゲート部８１３に形成される。この凹みｈの径は、ゲート逃げ部８１２ａの径に対応しており、１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ程度となり、５ｍｍ角四方のインレット１００に対して比較的大きいものとなる。
この凹みｈを有するゲート部８１３上にインレット１００を配置すると、凹みｈと底面８１１ａとからなる角部分とインレット１００との接点に、二次成形用樹脂Ｒ２を射出する際に二次成形用樹脂Ｒ２に付与されたゲート８２１の中心線に略平行な方向の圧力や、二次成形用樹脂Ｒ２の射出後の冷却時等に付与される底面８１１ａに垂直な方向（図４（ｆ）に示す矢印方向）の圧力によって、大きな力がかかってインレット１００のアンテナ部や絶縁基板が破損したり、インレット１００に圧力がかかった状態で完成品となる場合がある（図４（ｆ）参照）。また、上述のように、インレット１００の平面形状に対して、ＩＣチップの平面形状が比較的大きいため、凹みｈによる角部分が当たる位置によっては、ＩＣチップが破損する場合がある。
【００２９】
インレット１００が破損した場合には、歩留りの低下や、生産コストの増大等を招き、インレット１００に不要な圧力がかかった状態のまま製品となると、インレット１００の寿命が縮まりＩＣタグとしての信頼性が低下する。そのため、凹部７１１，８１１の底面７１１ａ，８１１ａにゲート部７１３，８１３を設けること（すなわち、一次成形用金型７２０，８２０のゲート７２１，８２１を底面７１１ａ，８１１ａに対応する位置に設けること）には、歩留まりや信頼性の観点から好ましくない。
また、生じたバリｂを研磨等によって除去したり、凹みｈを樹脂等で埋めたりする場合には、そのための製造工程が増えるという問題や、ゲート径や一次成形品自体の小ささから作業が困難であり作業時間や生産コストが増加する等の問題が発生する。
【００３０】
さらに、例えば、凹みｈやバリｂにより、一次成形品７１，８１とインレット１００との間に空間が生じたまま、二次成形を行ってＩＣタグを成形した場合には、ＩＣタグが高温や低温等の環境の変化にさらされると、凹みｈ等により内部に残留した空気が膨張や収縮を繰り返す。
そのため、一次成形品７１，８１やインレット１００に空気の体積変化による圧力が加わり、インレット１００の破損により信頼性が低下したり、一次成形品７１，８１自体が破損したりする。
【００３１】
これに対して、本実施形態の一次成形品１１は、図１〜図３に示すように、ゲート部１１３を縁部１２ａの二次成形品１２側の端部に設けているので、底面１１１ａを平面とすることができる。従って、上述のような、バリｂや凹みｈに起因した、二次成形用樹脂を射出する際に樹脂に付与される圧力や、二次成形時の底面１１１ａに垂直方向に付与される圧力によるインレット１００（絶縁基板、アンテナ部、ＩＣタグ）の破損や、不要な圧力がかかった状態で製品化されることによる信頼性の低下や、内部に残留した空気の体積変化による一次成形品及びインレットの信頼性の低下を防止できる。
従って、本実施形態によれば、小型であり、歩留りや信頼性の向上等を図ることができ、生産コストの低減や、機能の向上を図ることができる。
また、本実施形態では、絶縁基板を用いた多層基板型のインレット１００を用いているので、従来のフィルム状の基材にアンテナ部を形成したインレットに比べて、さらなるＩＣタグの小型化を図ることができる。また、インレット１００は、基材として絶縁基板を用いているので、基材にフィルムを用いた場合に生じる二次成形時の樹脂の射出圧力や高温によるフィルムのしわや変形、アンテナ部やＩＣチップの破損を防止できる。
【００３２】
（変形形態）
以上説明した実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の範囲内である。
（１）実施形態において、一次成形品１１は、インレット１００の面１００ａと接する底面１１１ａには、ゲート部が設けられない例を示したが、これに限らず、インレットがゲート径に対して十分大きい場合等、ゲート部をアンテナやＩＣタグに影響を与えない位置で形成可能であれば、底面に形成してもよい。
図５は、変形形態の一次成形品及びインレットを示す図である。図５（ａ）は、一次成形品を底面の法線方向から見た図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す矢印Ｓ２−Ｓ２で切断した断面図を示している。
【００３３】
変形形態ＩＣタグは、インレット２００の形状及び大きさ、一次成形品２１のゲート部２１３の位置が異なる以外は、実施形態に示したＩＣタグ１０と略同様の形態である。従って、実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
変形形態の一次成形品２１は、凹部２１１と、縁部２１２と、ゲート部２１３とを備えた樹脂成形品であり、凹部２１１にインレット２００を配置可能である。
インレット２００は、略平板状の絶縁基板である基材２０１に、外部機器と非接触で通信可能なアンテナ部２０２と、アンテナ部２０２に接続され、情報を管理するＩＣチップ２０３とを備え、少なくともアンテナ部２０２及びＩＣチップ２０３は、耐熱性を有する樹脂層２０４により封止されている。
【００３４】
インレット２００は、その平面形状が実施形態に示したインレット１００に比べて大きく、例えば、カード状のＩＣタグ等に利用されるインレットである。また、このインレットは、ゲート部２１３の径に比して十分大きく、その平面形状が２０ｍｍ×１０ｍｍから１００ｍｍ×１００ｍｍ程度のものを適宜使用可能である。
このインレット２００は、図５（ａ）に示すように、インレットの基材２０１の法線方向から見たとき、アンテナ部２０２やＩＣチップ２０３等が設けられていない領域を有しており、一次成形品２１の底面２１１ａであって、インレット２００のアンテナ部２０２やＩＣチップ２０３とは重ならない領域に、ゲート部２１３が形成されている。すなわち、一次成形用のゲートは、一次成形用金型の、一次成形品２１の底面２１１ａであってインレット２００のアンテナ部２０２やＩＣチップ２０３が設けられていない領域に対応する位置に形成されている。
【００３５】
このような形態とすれば、二次成形時に、インレット２００の基材及び一次成形品２１の底面２１１ａの法線方向にかかったとしても、インレット２００のゲート部１２３に対応する領域にはアンテナ部２０２やＩＣチップ２０３が存在していない。従って、二次成形時の底面２１１ａに垂直な方向にかかる圧力によって、アンテナ部２０２やＩＣチップ２０３を破損することがない。
また、このような形態とすれば、アンテナ部２０２の配置によっては、底面２１１ａの略中央に対応する位置に、一次成形金型のゲートを設けることができるので、一次成形用の樹脂を均一に金型内に充填することが容易となる。
なお、インレット２００は、基材２０１に絶縁基板を用いたものを示したが、これに限らず、例えば、樹脂製のフィルム状の基材を用い、耐熱性を有する樹脂製の保護層等によって両面を被覆したインレット等を用いてもよい。
【００３６】
（２）実施形態において、ゲート部１１３は、縁部１１２ａの二次成形品１２側の端面に形成される例を示したが、これに限らず、インレット１００に影響を与えない位置であるならば、適宜選択してゲート部を設けてもよい。
図６は、ゲート部の位置の変形形態を示す図である。図６では、図１（ｃ）に示す断面と同様の断面での一次成形品及びインレットを示している。なお、実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
図６（ａ）は、ゲート部３１３を縁部３１２の外側の面、すなわち、一次成形品３１の外周面に設けた例を示している。このとき、一次成形用金型のゲートの中心線は、底面３１１ａに平行な方向である。
ＩＣタグの外観に、ゲート部が存在しても機能上や意匠上問題がない場合は、このように、一次成形品３１の外側表面となる位置に設けてもよい。このような位置に形成すれば、後述の図６（ｂ）に示すゲート部の位置に比べて、金型の製造等が容易に行える。
【００３７】
図６（ｂ）は、ゲート部４１３を、縁部４１２の凹部４１１側の側面に形成する例を示している。このとき、一次成形用金型のゲートの中心線は、底面４１１ａに平行な方向である。このような位置にゲート部４１３を設けた場合には、ＩＣタグの外観上にゲート部４１３が表出しないので、ＩＣタグのデザイン性の向上を図ることができる。
図６（ｃ）は、凹部５１１の底面５１１ａであってインレット１００と接しない領域にゲート部５１３を設ける例を示している。この形態とする場合、実施形態ほどの小型化は望めないが、底面５１１ａにゲート部５１３を配置できるので、一次成形用金型の製造が容易になり、また、一次成形品５１の成形も容易に行える。
【００３８】
図６（ｄ）は、一次成形品６１の外側表面であって底面６１１ａに対応しない領域にゲート部６１３を設けた例を示している。このような位置であれば、二次成形時に底面６１１ａには圧力等の影響を与えることなく、ＩＣタグを小型化することができる。
なお、例えば、図６（ｄ）に示す一次成形品６１の底面６１１ａに対向する外側底面６１Ａにゲート部を設けると、その部分の厚みが薄くなるため、二次成形時の底面６１１ａの垂直方向に付与される圧力等によって、一次成形品６１が破損する可能性があり、好ましくない。
【００３９】
（３）実施形態において、一次成形品１１及び二次成形品１２は、ともに射出成形によって成形される例を示したが、これに限らず、熱や圧力を用いる成形であるならば、本実施形態を適用することが可能である。例えば、圧縮成形や、コンパウンド成形、トランスファー成形等により、成形する場合にも本願は適用できる。
【００４０】
（４）実施形態において、一次成形用樹脂Ｒ１を射出するゲートは１点であり、これに対応する一次成形品１１のゲート部１１３が１箇所形成される例を示したが、これに限らず、例えば、２点以上のゲートから一次成形用樹脂Ｒ１を圧入してもよく、これに伴い、一次成形品にゲート部が２箇所以上形成されてもよい。
このように複数のゲートから一次成形用樹脂Ｒ１を射出することにより、ショートモールド等の成形不良や、成形時のゲートからの距離に起因した一次成形品の強度の差等を防止できる。
【００４１】
なお、本実施形態及び変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。また、本発明は以上説明した実施形態によって限定されることはない。
【符号の説明】
【００４２】
１０    ＩＣタグ
１１    一次成形品
１１１    凹部
１１１ａ    底面
１１２    縁部
１１３    ゲート部
１２    二次成形品
１００    インレット
１１０，１２０    一次成形用金型
１２１    ゲート
２１０，２２０    二次成形用金型
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2010176593.tif 000007
【図６】
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