【事件の表示】
　特許第６５１５８４２号発明「半導体装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６５１５８４２号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−９〕について訂正することを認める。
　特許第６５１５８４２号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
理由
第１　手続の経緯
　特許第６５１５８４２号の請求項１ないし９に係る特許についての出願は、平成２８年３月１０日に出願され、平成３１年４月２６日にその特許権の設定登録がされ、令和１年５月２２日に特許掲載公報が発行された。その特許についての本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
　令和１年１１月２０日　　：　請求項１に係る特許について、特許異議申立人伊藤泰和による特許異議の申立て
　令和２年　２月１８日付け：　取消理由通知書
　令和２年　４月１７日　　：　特許権者による意見書及び訂正請求書の提出（これに対する特許異議申立人伊藤泰和による意見書の提出はされなかった。）
　令和２年　８月　５日付け：　訂正拒絶理由通知書
　令和２年１１月３０日付け：　取消理由通知書（決定の予告）
　令和３年　１月１３日　  ：　特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
  令和３年　３月１６日　　：　特許異議申立人伊藤泰和による意見書の提出
第２　訂正の適否について 
１　訂正の趣旨及び訂正の内容
　令和３年１月１３日付けの訂正請求書による訂正は、「特許第６５１５８４２号の明細書、特許請求の範囲を、本訂正請求書に添付した訂正明細書、特許請求の範囲とおり、訂正後の請求項１〜９について訂正することを求める。」というものであり、その訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は以下のとおりである（下線部は訂正箇所を示す。）。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１において、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上である」と記載されているのを、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上
４．０×１０２０ｃｍ−３以下
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項３を削除する。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項４に「請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」と記載されているのを、「
請求項１または請求項２に記載の半導体装置であって、
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項５に「請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」と記載されているのを、「請求項１
、請求項２、請求項４
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項６に「請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」と記載されているのを、「請求項１
、請求項２、請求項４、
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項７に「請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」と記載されているのを、「請求項１
、請求項２、請求項４
（７）訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項８に「請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」と記載されているのを、「請求項１
、請求項２、請求項４
（８）訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項９に「請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」と記載されているのを、「請求項１
、請求項２、請求項４
（９）訂正事項９
　明細書の段落【０００６】において、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上である」と記載されているのを、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上
４．０×１０２０ｃｍ−３以下
２　一群の請求項について
　訂正前の請求項１〜９について、請求項２〜９はそれぞれ請求項１を直接的又は間接的に引用しているものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１〜９に対応する訂正後の請求項〔１〜９〕は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
３　各訂正事項についての訂正要件の適合性の判断
（１）訂正事項１について
ア　訂正の目的について
　訂正前の請求項１に係る発明では、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上である」として、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差において、下限値のみを特定し、上限値については何ら特定されていない。これに対して、訂正後の請求項１は、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上
４．０×１０２０ｃｍ−３以下
　したがって、訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項１は、本件特許の願書に添付した本件特許の願書に添付した明細書（以下、本件特許の願書に添付した明細書を「本件特許明細書」という。また、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「本件特許明細書等」という。）の段落【００７０】に基づいて導き出される構成である。
　また、訂正事項１は、本件特許明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものでない。
　したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
エ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること
　本件においては、訂正前の請求項１について特許異議の申立てがされているので、訂正事項１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する独立特許要件は課されない。
（２）訂正事項２について
ア　訂正の目的について
　訂正事項２は、訂正前の請求項３を削除する訂正であり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること 
　訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項３に係る訂正事項２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する独立特許要件は課されることになる。よって、以下５で詳述する。
（３）訂正事項３について
ア　訂正の目的について
　訂正事項３は、訂正前の請求項４が「請求項１から請求項３のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２により請求項３を削除したことに伴って、訂正後の請求項４において、請求項３を引用しないものとし、新たな請求項１または請求項２を引用するものとする訂正である。
　したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、ないし、同法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明に該当する。
イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること
　訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項４に係る訂正事項３に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する独立特許要件は課されることになる。よって、以下５で詳述する。
（４）訂正事項４について
ア　訂正の目的について
　訂正事項４は、訂正前の請求項５が「請求項１から請求項４のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２により請求項３を削除したことに伴って、訂正後の請求項５において、請求項３を引用しないものとし、新たな請求項１、請求項２、請求項４のいずれか１項を引用するものとすることを目的とするための訂正である。
　したがって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、ないし、同法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明に該当する。
イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 
　訂正事項４は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること
　訂正事項４は、第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項５に係る訂正事項４に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件が課されることになる。よって、以下５で詳述する。
（５）訂正事項５について
ア　訂正の目的について
　訂正事項５は、訂正前の請求項６が「請求項１から請求項５のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２により請求項３を削除したことに伴って、訂正後の請求項６において、請求項３を引用しないものとし、新たな請求項１、請求項２、請求項４、請求項５のいずれか１項を引用するものとするための訂正である。
　したがって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、ないし、同法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明に該当する。
イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項５は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること
　訂正事項５は第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項６に係る訂正事項５に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件が課されることになる。よって、以下５で詳述する。
（６）訂正事項６について
ア　訂正の目的について
　訂正事項６は、訂正前の請求項７が「請求項１から請求項６のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２により請求項３を削除したことに伴って、訂正後の請求項７において、請求項３を引用しないものとし、新たな請求項１、請求項２、請求項４から請求項６のいずれか１項を引用するものとするための訂正である。
　したがって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、ないし、同法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明に該当する。
イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項６は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること
　訂正事項６は、第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項７に係る訂正事項６に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件が課されることになる。よって、以下５で詳述する。
（７）訂正事項７について
ア　訂正の目的について
　訂正事項７は、訂正前の請求項８が「請求項１から請求項７のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２により請求項３を削除したことに伴って、訂正後の請求項８において、請求項３を引用しないものとし、新たな請求項１、請求項２、請求項４から請求項７のいずれか１項を引用するものとするための訂正である。
　したがって、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、ないし、同法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明に該当する。
イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項７は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること
　訂正事項７は、第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項８に係る訂正事項７に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件が課されることになる。よって、以下５で詳述する。
（８）訂正事項８について
ア　訂正の目的について
　訂正事項８は、訂正前の請求項９が「請求項１から請求項８のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２により請求項３を削除したことに伴って、訂正後の請求項９において、請求項３を引用しないものとし、新たな請求項１、請求項２、請求項４から請求項８のいずれか１項を引用するものとするための訂正である。
　したがって、訂正事項８は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、ないし、同法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明に該当する。
イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項８は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること
　訂正事項８は、第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項９に係る訂正事項８に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件が課されることになる。よって、以下５で詳述する。
（９）訂正事項９について
ア　訂正の目的について
　訂正事項９は、訂正事項１により訂正前の請求項１を訂正後に新たな請求項１とする訂正に伴い、特許請求の範囲と明細書の記載との整合を図るための訂正である。よって、訂正事項９は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であることから、訂正事項９についても、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。したがって、訂正事項９は、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合するものである。
ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと
　訂正事項９は、訂正事項１に伴って、特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図るために、願書に添付した明細書の段落【０００６】の記載を、訂正後の請求項１に対応させるための訂正であり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合するものである。
エ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること
　訂正事項９は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であって、同第１号又は第２号に掲げる事項を目的とする訂正ではないから、訂正事項９に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
４　明細書の訂正と関係する請求項について
　願書に添付した明細書の段落【０００６】は、訂正事項９によって訂正された。段落【０００６】には、請求項１に対応する形態が記載されている。ここで、請求項１〜９は一群の請求項である。したがって、訂正事項９は、明細書の訂正に係る請求項を含む一群の請求項全てについて行うものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するものである。
５　独立特許要件について
　訂正事項２ないし８は、いずれも第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、特許異議の申立てがされていない請求項３ないし９に係る訂正事項２ないし８に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件が課されることになる。 
（１）本件訂正発明
　本件訂正後の請求項３ないし９に係る発明（以下、それぞれ順に、「本件訂正発明３」ないし「本件訂正発明９」という。また、本件訂正後の請求項１、請求項２に係る発明をそれぞれ「本件訂正発明１」、「本件訂正発明２」という。）は、本件訂正後の請求項３ないし９に記載された、次のとおりのものである。
ア　本件訂正発明３
（削除）
イ　本件訂正発明４
「請求項１または請求項２に記載の半導体装置であって、
　前記窒化物半導体は、アルミニウムとインジウムとの少なくとも一方を含む、半導体装置。」
ウ　本件訂正発明５
「請求項１、請求項２、請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
　前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、１．０×１０１８ｃｍ−３以上である、半導体装置。」
エ　本件訂正発明６
「請求項１、請求項２、請求項４、請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
　前記ｐ型半導体領域に含まれるｐ型不純物は、マグネシウムと亜鉛との少なくとも一方を含む、半導体装置。」
オ　本件訂正発明７ 
「請求項１、請求項２、請求項４から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
　前記ｎ型半導体領域に含まれるｎ型不純物は、ケイ素とゲルマニウムとの少なくとも一方を含む、半導体装置。」
カ　本件訂正発明８
「請求項１、請求項２、請求項４から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
　前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、前記第２電極と接触する面から離れるほど低くなる、半導体装置。」
キ　本件訂正発明９
「請求項１、請求項２、請求項４から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
　前記ｎ型半導体領域と前記第１電極とが接触する面と、前記ｐ型半導体領域と前記第２電極とが接する面とは、異なる平面上にある、半導体装置。」
ク　なお、本件訂正発明１及び本件訂正発明２は、以下のとおりものである。
（ア）本件訂正発明１
「半導体装置であって、
　ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたｎ型半導体領域と、
　前記ｎ型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域と、
　前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する第１電極と、
　前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する第２電極と、を備え、
　前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、
　前記同じ金属は、パラジウム、ニッケル、白金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属であり、
　前記ｎ型半導体領域のｐ型不純物濃度と、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、実質的に同じであり、
　前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上４．０×１０２０ｃｍ−３以下である、半導体装置。」
（イ）本件訂正発明２
「請求項１に記載の半導体装置であって、
　前記第１電極と前記第２電極とは同一の電極である、半導体装置。」
（２）特許異議申立人が異議申立書に添付した証拠は、以下のとおりである。
　甲第１号証：特開２００９−２８３６９２号公報
　甲第２号証：特開２００９−１７７１１０号公報
　甲第３号証：特開平９−２３２６３２号公報
　甲第４号証：国際公開第２０１１／１０８６１５号
　特許異議申立人は、本件特許の請求項１に係る発明について、甲第１号証を主引例とする進歩性の取消理由を主張している。
 
　また、本件特許の請求項１に係る発明について、以下の引用文献１に記載された発明及び以下の引用文献２〜４に記載された周知技術に基づく、進歩性についての取消理由（決定の予告）が通知されている。
　引用文献１：特開２００９−２８３６９２号公報（甲第１号証）
　引用文献２：特開２０１５−５６４８６号公報（周知例として引用）
　引用文献３：特開２０１４−１３８８６号公報（周知例として引用）
　引用文献４：国際公開第２０１１／１０８６１５号（甲第４号証。周知例として引用。）
　周知例１　：特開２００９−１７７１１０号公報（甲第２号証）
　また、本件特許の請求項４〜９に係る発明については、取消理由（決定の予告）で、以下の引用文献５、６も引用されている。
　引用文献５：特開平６−２７５８６８号公報
　引用文献６：特開２０１４−１１６４８３号公報
　次に、特許異議申立てがされていない請求項３ないし９に係る訂正事項２ないし８に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件について検討する。
　本件訂正発明３は、訂正前の請求項３を削除するものであり、独立特許要件を満たし、本件訂正発明４ないし９は、訂正前の請求項１に記載された構成を全て含み、さらに限定した発明であることから、以下、本件訂正発明４ないし９について、進歩性に係る独立特許要件について検討する。
（３）引用文献等の記載事項及び引用発明
ア　引用文献１（特開２００９−２８３６９２号公報）の記載及び引用文献１に記載された発明
（ア）取消理由通知（決定の予告）で引用された引用文献１（特開２００９−２８３６９２号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。以下同じ。）。
「【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
（第１実施形態）
　図１に、
半導体装置１００
ドレイン層２０の表面に、窒化ガリウムを材料とするｎ型半導体層２２が設けられている
ｎ型半導体層２２には、溝１７が分散して形成されている
ｎ型半導体層２２のエッチングされなかった範囲を、突部１２と称することがある。突部１２上の一部に、窒化ガリウムを材料とするｎ＋型のｎ型領域１０が設けられている
【００２８】
　
窒化ガリウムを材料とするボディ領域（ｐ型窒化物半導体層）１６が、溝１７内に設けられている
【００２９】
　
ボディ領域１６の表面に、窒化ガリウムを材料とするｎ
型のソース領域（第三のｎ型領域）４が設けられている
ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられている。ソース電極２は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続している
【００３０】
　ここで、ｎ＋型ドレイン層２０の不純物濃度はおよそ１×１０１８ｃｍ−３であり、ｎ型半導体層２２の不純物濃度はおよそ１×１０１６ｃｍ−３であり、ｎ型領域１０の不純物濃度はおよそ１×１０２０ｃｍ−３であり、
ｐ型ボディ領域１６の不純物濃度はおよそ１×１０１９ｃｍ−３であり、ｎ＋型ソース領域４の不純物濃度はおよそ１×１０２０ｃｍ−３である
「【００３３】
　
半導体装置１００の製造方法を説明する。 まず、図２に示すように、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法を利用して、ｎ＋型半導体層（ドレイン層）２０の表面に、ｎ型半導体層２２を結晶成長させる。次に、図３に示すように、ｎ型半導体層２２の表面に、開孔２４ａを有するマスク層（ＳｉＯ２膜）２４を形成し、ｎ型半導体層２２の表面からドライエッチングする（溝形成工程）。図２の矢印で示された範囲のｎ型半導体層２２がエッチングされる。マスク層２４に覆われているｎ型半導体層２２はエッチングされない。溝形成工程は、ｎ型半導体層２２の一部に、突部１２を形成する工程ということもできる。
【００３４】
 　次に、図４に示すように、ＭＯＣＶＤ法を利用して、
ｎ型半導体層２２の表面上に、ｐ型窒化物半導層２６を結晶成長させる（ｐ型窒化物半導体層形成工程）
次に、
ｎ型不純物をイオン注入する（ｎ型領域形成工程）。具体的には、シリコンを
注入する
ｐ型窒化物半導体層２６の一部が、ｎ型領域１０に変質する
イオン注入されなかった範囲に符号１６を付している。符号１６は、
ボディ領域１６に対応している。
【００３５】
　ｎ型領域形成工程では、ｎ型領域１０がｐ型窒化物半導体層２６の表面からｎ型半導体層２２の突部１２に達するように、ｎ型不純物をイオン注入する。換言すると、ｎ型の半導体領域（ｎ型領域１０とｎ型の突部１２）がｐ型窒化物半導体層２６を分断するように、ｎ型不純物をｐ型窒化物半導体層２６に向けてイオン注入する。図中の矢印は、ｎ型不純物がイオン注入される範囲を示している。なお、図５では、ｎ型不純物が、突部１２の上部に位置するｐ型窒化物半導体層２６にだけイオン注入されており、溝１７内のｐ型窒化物半導体層２６にはイオン注入されていない。ｎ型不純物をｐ型窒化物半導体層２６の深部までイオン注入することなく、ｐ型窒化物半導体層２６をｎ型領域１０によって分断することができる。なお、ｎ型不純物は、主にｐ型窒化物半導体層２６にイオン注入されており、突部１２内にほとんどイオン注入されない。そのため、図１に示すように、半導体基板１の表面ではアパーチャ領域１４の不純物濃度が濃く（ｎ型領域１０）、半導体基板１の深部ではアパーチャ領域１４の不純物濃度が薄い（突部１２）関係が得られる。
【００３６】
　次に、マスク層２８を除去し、
ボディ領域１６の表面に開孔を有するマスク層
を形成し、ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入し、ソース領域（第三のｎ型領域）４
を形成する
その後、ゲート絶縁膜８、ゲート電極６、ソース電極２及びドレイン電極１８を形成する
（イ）上記記載から、引用文献１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体装置であって、
　ドレイン層２０の表面に、窒化ガリウムを材料とするｎ型半導体層２２が設けられており、
　ｎ型半導体層２２には、溝１７が分散して形成されており、
　溝が形成されなかった突部１２上の一部に、窒化ガリウムを材料とするｎ＋型のｎ型領域１０が設けられており、
　窒化ガリウムを材料とするボディ領域（ｐ型窒化物半導体層）１６が、溝１７内に設けられており、
　ボディ領域１６の表面に、窒化ガリウムを材料とするｎ＋型のソース領域（第三のｎ型領域）４が設けられており、
　ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられ、ソース電極２は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続しており、
　ｐ型ボディ領域１６の不純物濃度はおよそ１×１０１９ｃｍ−３であり、ｎ＋型ソース領域４の不純物濃度はおよそ１×１０２０ｃｍ−３であり、
　前記半導体装置の製造方法は、
　ｎ型半導体層２２の表面上に、ｐ型窒化物半導層２６を結晶成長させる工程であって、ｐ型窒化物半導体層２６には、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）が含まれている工程（ｐ型窒化物半導体層形成工程）と、
　次に、ｎ型不純物をイオン注入して、ｐ型窒化物半導体層２６の一部を、ｎ型領域１０に変質させ、イオン注入させなかった範囲をボディ領域１６とする工程（ｎ型領域形成工程）と、
　ボディ領域１６の表面に開孔を有するマスク層を形成し、ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入し、ソース領域（第三のｎ型領域）４を形成する工程と、
　その後、ゲート絶縁膜８、ゲート電極６、ソース電極２及びドレイン電極１８を形成する工程とを備える方法である、半導体装置。」
イ　引用文献２（特開２０１５−５６４８６号公報）の記載
「【００１８】
　ｎ型のＧａＮ層１４の上に、ｐ型のＧａＮ層（第２のＧａＮ系半導体層）１６を備えている。ｐ型のＧａＮ層１６は、例えば、Ｍｇ（マグネシウム）をｐ型不純物として含有する。ｐ型のＧａＮ層１６は、エピタキシャル成長層である。
【００１９】 
　ｐ型のＧａＮ層１６は、ｎ型のＧａＮ層１４側の低不純物濃度領域１６ａと、ｎ型のＧａＮ層１４と反対側の高不純物濃度領域１６ｂとを備える。低不純物濃度領域１６ａは、ＭＯＳＦＥＴ１００のチャネル領域として機能する。また、高不純物濃度領域１６ｂは、チャネル領域に接続される電極を形成するための、チャネルコンタクト領域として機能する。
【００２０】
　低不純物濃度領域１６ａのｐ型不純物濃度は、例えば、５×１０１５以上５×１０１６ｃｍ−３以下である。また、
高不純物濃度領域１６ｂのｐ型不純物濃度は、例えば、１×１０１８以上１×１０２２ｃｍ−３以下である
・・・
【００２３】
　ｎ型のＧａＮ層１８は、例えば、Ｓｉ（シリコン）をｎ型不純物として含有する。ｎ型のＧａＮ層（第３のＧａＮ系半導体層）１８は、ｎ型のＧａＮ層１４よりもｎ型不純物濃度が高い。
ｎ型のＧａＮ層１８のｎ型不純物濃度は、例えば、１×１０１８以上１×１０２２ｃｍ−３以下である
「【００４５】
　
結果的に、ｎ型のＧａＮ層（第３のＧａＮ系半導体層）１８には、ｐ型のＧａＮ層（第２のＧａＮ系半導体層）１６、特に、高不純物濃度領域１６ｂと略同一濃度のｐ型不純物が含有されることになる。
「【００６３】
（第２の実施形態）
　本実施形態の半導体装置および半導体装置の製造方法は、第１の電極と第２の電極とが同一材料であること以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００６４】
　図７は、本実施形態の半導体装置であるＭＯＳＦＥＴの構成を示す模式断面図である。
【００６５】
　
ＭＯＳＦＥＴ２００は、ｎ型のＧａＮ層（第３のＧａＮ系半導体層）１８上の第１の電極（第１のソース電極）２２と、ｐ型のＧａＮ層（第２のＧａＮ系半導体層）１６の高不純物濃度領域１６ｂ上の第２の電極（第２のソース電極）２４が、同一材料である
第１の電極２２、および、第２の電極２４は、例えば、Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）／Ｔｉ（チタン）の積層構造を備える
【００６６】
　本実施形態によれば、第１の電極２２と第２の電極２４とが同一材料であることで、ＭＯＳＦＥＴ２００の製造工程が簡略化できる。したがって、生産性に優れ、低コストのＭＯＳＦＥＴ２００が実現できる。」
ウ　引用文献３（特開２０１４−１３８８６号公報）の記載
「【実施例１】
【００３２】
　図１は、実施例１の縦型ダイオードの構成を示した図である。実施例１の縦型ダイオードは、図１に示すように、基板１０と、基板１０上に位置するｎ層１１と、ｎ層１１上に位置するｐ層１２と、を有している。また、基板１０のｎ層１１形成側とは反対側の面には、ｎ電極１３が基板１０に接して位置し、ｐ層１２上の一部領域にはｐ電極１４が位置している。また、実施例１の縦型ダイオードは、保護膜１６、フィールドプレート電極１７によるフィールドプレート構造を有している。また、実施例１の縦型ダイオードは平面視において円形であり、その直径は２００μｍである。なお、平面視における形状は円形以外でもよく、矩形などであってもよい。矩形とする場合には、その角を丸めることが望ましい。耐圧性能を向上させることができる。・・・（略）・・・
【００３６】
　ｎ電極１３はＴｉ／Ａｌからなり、ｐ電極１４はＮｉ／Ａｕからなる。ここで「／」は積層であることを意味し、Ａ／ＢはＡ層を成膜した後Ｂ層を成膜することを意味する。以下、材料の説明において同様である。
ｎ電極１３としては、ｎ型のIII 族窒化物半導体に対してオーミックコンタクトをとれる材料が好ましい。たとえば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ、ＴｉＮ／Ａｌ、Ｐｄ／Ｔｉ／Ａｌなども用いることができる。また、ｐ電極１４も同様に、ｐ型のIII 族窒化物半導体に対してオーミックコンタクトをとれる材料が好ましく、たとえば、Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｏ／Ａｕなども用いることができる。
「【実施例２】
【００５７】
　
図７は、実施例２の縦型トレンチゲートＭＯＳＦＥＴの構成を示した図である。実施例２の縦型トレンチゲートＭＯＳＦＥＴは、基板２０と、基板２０上に位置するｎ−ＧａＮからなるｎ層２１と、ｎ層２１上に位置するｐ−ＧａＮからなるｐ層２２と、ｐ層２２上に位置するｎ−ＧａＮからなる高濃度ｎ層２３と、を有している。
【００５８】
　また、高濃度ｎ層２３の表面には、ｐ層２２に達する溝２７が形成され、高濃度ｎ層２３、ｐ層２２の双方に接触するソース電極２８が設けられている。これにより、ソース電極としての機能を有するとともにｐ層２２のホールを適宜排出することができ、耐圧性能を安定させることができる。また、基板２０の裏面（ｎ層２１が形成されている側とは反対側の面）には、ドレイン電極２９が設けられている。・・・（略）・・・
【００６１】
　実施例２の縦型トレンチゲートＭＯＳＦＥＴの各構成について、以下より詳しく説明する。
【００６２】
　
高濃度ｎ層２３は、ソース電極２８と良好なオーミック接触が得られるよう高いｎ型不純物濃度を有している。たとえば、１．０×１０18／ｃｍ3 〜１．０×１０20／ｃｍ3 である。ｐ層２２のｐ型不純物濃度は、高濃度ｎ層２３よりも低いか同等であり、たとえば１．０×１０17／ｃｍ3 〜１．０×１０20／ｃｍ3 である。
【００６３】
　基板３０、ソース電極２８、ドレイン電極２９については、実施例１の基板１０、ｎ電極１３と同様の構成、およびその変形を採用することができる。なお、実施例２では溝２７を設けてソース電極２８が高濃度ｎ層２３とｐ層２２の双方に接触する構成としているが、高濃度ｎ層２３のみに接触するようにしてもよいし、ｐ層２２に接触するホール排出用の電極を、ソース電極２８とは別に設けてもよい。」
エ　引用文献４（国際公開第２０１１／１０８６１５号）の記載
「技術分野
[0001]　本発明は、半導体トランジスタに関し、更に詳しくは、ＧａＮ系半導体から成る活性層を有する半導体トランジスタに関する。 
背景技術
[0002]　窒化ガリウム系半導体トランジスタ（以下、ＧａＮ系半導体トランジスタ）は、例えば、ＧａＮ系半導体から成る活性層と、活性層上に形成されたゲート絶縁膜とを有する。このゲート絶縁膜としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮｘ、ＧａＯｘ、ＨｆＯ２等が用いられている。」
「[0016]　以下、図面を参照し、本発明の例示的な実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半導体トランジスタの構成を示す断面図である。半導体トランジスタ１１は、ＧａＮ系半導体からなる活性層を有するＧａＮ系半導体トランジスタである。半導体トランジスタ１１は、基板１上に形成されたバッファ層２と、バッファ層２上にIII族窒化物半導体を用いて形成された
ｐ型の活性層（ｐ−ＧａＮ）３
[0017]　さらに、半導体トランジスタ１１は、活性層３上に上記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極８ｇと、ゲート電極８ｇに対応して形成され、
ソース電極１０ｓ及びドレイン電極１０ｄにそれぞれオーミック接触するｎ＋型ソース領域５ｓ及びｎ＋型ドレイン領域５ｄとを有する。
「[0024]　以下、半導体トランジスタ１１の製造方法について説明する。まず、図４Ａに示すように、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりサファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＮ等の基板１上に、ＡｌＮ又はＧａＮよりなる厚さ２０ｎｍ程度のバッファ層２と、厚さ１μｍ程度の
ｐ−ＧａＮ層３を順に成長する。ｐ型ドーパントとしては、例えばＭｇが用いられ、そのドーパント濃度は、例えば１×１０１６〜１×１０１７／ｃｍ３とする。
[0025]　次に、図４Ｂに示すように、
ｐ−ＧａＮ層３上にフォトレジスト４を塗布し、これを露光、現像してソース領域とドレイン領域に開口を形成した後に、その開口を通してｎ型ドーパント、例えばシリコンを注入してｎ＋型ソース領域５ｓ、ｎ＋型ドレイン領域５ｄを形成する。この場合、ｎ型ドーパント濃度を、例えば１×１０１８〜２×１０２０／ｃｍ３とする。
「[0033]　続いて、図６Ｃに示すように、フォトレジスト９を除去した後に、別のフォトレジスト（不図示）を用いたリフトオフ法により、図１に示すように、ソース領域５ｓ上にソース電極１０ｓを形成すると同時に、ドレイン領域５ｄ上にドレイン電極１０ｄを形成する。
ソース電極１０ｓ、ドレイン電極１０ｄは、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／ＡｌＳｉ、Ｍｏ等の膜からなり
オ　引用文献５、６
（ア）引用文献５（特開平６−２７５８６８号公報）の記載
「【００１３】
【実施例】［実施例１］ＭＯＣＶＤ法を用い、サファイア基板の上にＧａＮよりなるバッファ層を約２００オングストロームと、その上にノンドープのＧａＮ層を２μｍの膜厚で成長させ、そのＧａＮ層の上にＭｇをドープしたＧａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層を０．２μｍ成長させる。ＭｇドープＧａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層成長後、基板をアニーリング装置に入れ、窒素雰囲気中７００℃で１０分間アニーリングし、ＭｇドープＧａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層をさらに低抵抗化してｐ型とする。ホール測定の結果、このＭｇドープｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層の正孔キャリア濃度は１×１０17／cm3であった。」
「【００１６】
［実施例３］実施例１のノンドープＧａＮ層の上に、Ｓｉをドープしたｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層を０．２μｍ成長させた後、その上にＮｉの合金を蒸着して電極を付着する。なおこのＳｉドープＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層の電子キャリア濃度は２×１０19／cm3であった。後は実施例１と同様にアニーリングした後、電極間の電流電圧特性を測定して、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層と電極とのオーミック接触を調べたところ、図１、Ａと同一の直線が得られ、オーミック接触が確認された。」
（イ）引用文献６（特開２０１４−１１６４８３号公報）の記載
「【００１５】
Ａ．実施形態：
Ａ１．半導体素子の構成：
　図１は、半導体素子１０の構成を、模式的に示す断面図である。半導体素子１０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いて形成されたＧａＮ系の半導体素子である。本実施形態では、半導体素子１０は、電力制御に用いられ、パワーデバイスとも呼ばれる。図１には、説明を容易にするために、相互に直交するＸＹＺ軸が図示されている。以降の図３〜６についても同様である。
【００１６】
　半導体素子１０は、基板１１０と、第１のＮ型半導体層１２０と、Ｐ型半導体層１３０と、第２のＮ型半導体層１４０と、リセス２２０と、ゲート電極用トレンチ２５０と、絶縁膜２５５と、アイソレーション用トレンチ１７０と、ドレイン電極２１０と、Ｐボディ電極２３０と、ソース電極２４０と、ゲート電極２６０と、を備える。半導体素子１０は、ＮＰＮ型の半導体素子であり、第１のＮ型半導体層１２０と、Ｐ型半導体層１３０と、第２のＮ型半導体層１４０とが順に積層した構造を有する。半導体素子１０は、リセス２２０を中心としたＸＺ平面に対して対称な構造を有しているが、図１には、半導体素子１０の一部を簡略化して示している。
・・・（略）・・・
【００２１】
　リセス２２０は、Ｐボディ電極２３０を形成するための、第２のＮ型半導体層１４０の表面からＰ型半導体層１３０に到達する凹部である。アイソレーション用トレンチ１７０は、半導体素子１０を他の半導体素子が形成された領域から分離するための、第２のＮ型半導体層１４０の表面から第１のＮ型半導体層１２０に到達する凹部である。ゲート電極用トレンチ２５０は、ゲート電極２６０を形成するための、第２のＮ型半導体層１４０の表面から第１のＮ型半導体層１２０に到達する凹部である。
【００２２】
　なお、リセス２２０の形状は、Ｐ型半導体層１３０が第２のＮ型半導体層１４０側に露出していれば、例えば段差状の形状やＶ字型の形状等の他の形状であってもよい。また、ゲート電極用トレンチ２５０の形状は、第２のＮ型半導体層１４０の表面から第１のＮ型半導体層１２０に到達していれば、例えばＶ字型の形状等他の形状であってもよい。同様にアイソレーション用トレンチ１７０の形状は、第１のＮ型半導体層１２０が第２のＮ型半導体層１４０側に露出していれば、例えば段差状の形状やＶ字型の形状等の他の形状であってもよい。また、アイソレーション用トレンチ１７０は、例えば、半導体素子１０があらかじめ他の半導体素子と分離されていたり、イオン注入等の他の方法によって半導体素子１０が他の半導体素子から分離されるのであれば、必ずしも半導体素子１０に形成されていなくともよい。」
（４）本件訂正発明４について
ア　対比
　本件訂正発明１を引用する本件訂正発明４と引用発明とを対比する。
（ア）本件訂正発明４は、本件訂正発明１を引用する発明であるところ、引用発明の「窒化ガリウムを材料とするｎ＋型のソース領域（第三のｎ型領域）４」は、本件訂正発明４の「ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたｎ型半導体領域」に相当する。
（イ）引用発明の「窒化ガリウムを材料とするボディ領域（ｐ型窒化物半導体層）１６」は、本件訂正発明４の「前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域」に相当し、引用発明において、ソース領域４は、「ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入し、ソース領域（第三のｎ型領域）４を形成する工程」によって形成されるから、当該「ボディ領域１６」は、ソース領域４に接する領域であるといえる。
　したがって、本件訂正発明４と引用発明とは、「前記ｎ型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域」を備える点で一致する。
（ウ）本件訂正発明４の「前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する第１電極と、前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する第２電極と、を備え、前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、前記同じ金属は、パラジウム、ニッケル、白金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属であり」と、引用発明の「ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられ、ソース電極２は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続しており」とを対比する。
　引用発明において、ソース電極２は、「チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続して」いるから、ソース領域４とオーミック接触する電極であるとともに、ボディ領域１６とオーミック接触する電極であり、また、当該電極は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とする、金属から主に形成されているといえる。
　したがって、本件訂正発明４と引用発明とは、「前記ｎ型半導体領域とオーミック接触し、前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する電極と、を備え、前記電極は、金属から主に形成されており、前記金属は、ニッケル」である点で一致する。
（エ）引用発明の「半導体装置」は、「前記半導体装置の製造方法」が、「ｐ型窒化物半導層２６を結晶成長させる工程であって、ｐ型窒化物半導体層２６には、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）が含まれている工程（ｐ型窒化物半導体層形成工程）と、次に、ｎ型不純物をイオン注入して、ｐ型窒化物半導体層２６の一部を、ｎ型領域１０に変質させ、イオン注入させなかった範囲をボディ領域１６とする工程（ｎ型領域形成工程）と、ボディ領域１６の表面に開孔を有するマスク層を形成し、ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入し、ソース領域（第三のｎ型領域）４を形成する工程」とを備える方法であるところ、ｐ型窒化物半導体層２６に含まれているマグネシウムの濃度がボディ領域１６のマグネシウム濃度となり、また、ソース領域４は、「ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入」して形成するから、ソース領域４のマグネシウム濃度もｐ型窒化物半導体層２６の上記マグネシウム濃度と実質的に同じであることは明らかである。
　したがって、本件訂正発明４と引用発明とは、「前記ｎ型半導体領域のｐ型不純物濃度と、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、実質的に同じ」である点で一致する。
（オ）引用発明は、「ｎ＋型ソース領域４の不純物濃度はおよそ１×１０２０ｃｍ−３」であるところ、ｎ型半導体領域の「不純物濃度」は、通常は「ｎ型不純物濃度」を意味することが当該技術分野における技術常識である（例えば、上記（２）に記載の周知例１（特開２００９−１７７１１０号公報、後記の甲第２号証）の段落【００３５】等を参照。）から、当該「不純物濃度」はｎ型不純物濃度を意味すると解される。
　したがって、引用発明は、ソース領域４において、ｎ型不純物濃度は、「およそ１×１０２０ｃｍ−３」であり、また、上記エから、ｐ型不純物濃度は、ｐ型窒化物半導体層２６のマグネシウム濃度、すなわち、ｐ型ボディ領域１７の不純物濃度の「およそ１×１０１９ｃｍ−３」である。
　したがって、引用発明は、ソース領域４において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差が、およそ０．９×１０２０ｃｍ−３であると解される。
（カ）以上から、本件訂正発明４と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「半導体装置であって、
　ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたｎ型半導体領域と、
　前記ｎ型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域と、
　前記ｎ型半導体領域とオーミック接触し、
　前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する電極を備え、
　前記電極は、金属から主に形成されており、
　前記金属は、ニッケルであり、
　前記ｎ型半導体領域のｐ型不純物濃度と、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、実質的に同じである、半導体装置。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　本件訂正発明４は、「前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する第１電極と、前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する第２電極と、を備え、前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、前記同じ金属は、ニッケルであ」るのに対し、引用発明では、「ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられ」、「ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続しており」、本件訂正発明４のように、「第１電極」と「第２電極」とを備える上記のようなものではない点。
＜相違点２＞
　本件訂正発明４は、「前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上４．０×１０２０ｃｍ−３以下である」のに対し、引用発明は、およそ０．９×１０２０ｃｍ−３であると解される点。
＜相違点３＞
　本件訂正発明４は、「前記窒化物半導体は、、アルミニウムとインジウムとの少なくとも一方を含む」ものであるのに対し、引用発明の「ｎ型半導体層２２」は、そのようなものではない点。
イ　判断
（ア）相違点２について
　事案に鑑み、まず相違点２について検討する。
ａ　引用発明において、「ｐ型ボディ領域１６の不純物濃度はおよそ１×１０１９ｃｍ−３であり、ｎ＋型ソース領域４の不純物濃度はおよそ１×１０２０ｃｍ−３であり」、上記ア（オ）で検討したとおり、ソース領域４において、ｎ型不純物濃度は、「およそ１×１０２０ｃｍ−３」であり、また、上記エから、ｐ型不純物濃度は、「およそ１×１０１９ｃｍ−３」である。
　したがって、引用発明は、ソース領域４において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差が、およそ０．９×１０２０ｃｍ−３であると解されるものの、引用文献１には、ソース領域４（ｎ型半導体領域）における、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差」に着目したとする記載も示唆もない。
ｂ　一方、ｎ型半導体領域とｐ型半導体領域と前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する電極と前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する電極とを備えるＧａＮ系半導体装置において、前記ｎ型半導体領域のｎ型不純物濃度の数値範囲として、１×１０２０ｃｍ−３程度あるいはそれ以上の数値範囲とすること、更には、１×１０２０ｃｍ−３程度あるいはそれ以上であって、４．０×１０２０ｃｍ−３以下の数値範囲とすることは周知技術であり、例えば、上記の引用文献２〜４には、下記のように記載されている。
ｃ　引用文献２には、「高不純物濃度領域１６ｂのｐ型不純物濃度は、例えば、１×１０１８以上１×１０２２ｃｍ−３以下である」（段落【００２０】）、「ｎ型のＧａＮ層１８のｎ型不純物濃度は、例えば、１×１０１８以上１×１０２２ｃｍ−３以下である。」（【００２３】）と記載されている。
　また、引用文献２には、「結果的に、ｎ型のＧａＮ層（第３のＧａＮ系半導体層）１８には、ｐ型のＧａＮ層（第２のＧａＮ系半導体層）１６、特に、高不純物濃度領域１６ｂと略同一濃度のｐ型不純物が含有されることになる。」（【００４５】）と記載されている。
　更に、引用文献２には、「第１の電極２２、および、第２の電極２４は、例えば、Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）／Ｔｉ（チタン）の積層構造を備える。」（段落【００６５】）と記載されている。）
ｄ　引用文献３には、「図７は、実施例２の縦型トレンチゲートＭＯＳＦＥＴの構成を示した図である。実施例２の縦型トレンチゲートＭＯＳＦＥＴは、基板２０と、基板２０上に位置するｎ−ＧａＮからなるｎ層２１と、ｎ層２１上に位置するｐ−ＧａＮからなるｐ層２２と、ｐ層２２上に位置する
ｎ−ＧａＮからなる高濃度ｎ層２３
高濃度ｎ層２３は
１．０×１０18／ｃｍ3 〜１．０×１０20／ｃｍ3 である
ｐ層２２のｐ型不純物濃度は、高濃度ｎ層２３よりも低い
　更に、引用文献３には、「
ｎ電極１３としては
Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ、ＴｉＮ／Ａｌ、Ｐｄ／Ｔｉ／Ａｌなども用いることができる
ｐ電極１４も同様に
Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｏ／Ａｕなども用いることができる
ｅ　引用文献４には、ＧａＮ系半導体トランジスタに関し、「ｐ型の活性層（ｐ−ＧａＮ）３」（段落[0016]）、「ソース電極１０ｓ及びドレイン電極１０ｄにそれぞれオーミック接触するｎ＋型ソース領域５ｓ及びｎ＋型ドレイン領域５ｄとを有する。」(段落[0017])、「ｐ−ＧａＮ層３を順に成長する。ｐ型ドーパントとしては、例えばＭｇが用いられ、そのドーパント濃度は、例えば１×１０１６〜１×１０１７／ｃｍ３とする。」（段落[0024]）、「ｐ−ＧａＮ層３上にフォトレジスト４を塗布し、これを露光、現像してソース領域とドレイン領域に開口を形成した後に、その開口を通してｎ型ドーパント、例えばシリコンを注入して
ｎ＋型ソース領域５ｓ
ｎ型ドーパント濃度を、例えば１×１０１８ 〜２×１０ ２０／ｃｍ３ とする
　更に、引用文献４には、「ソース電極１０ｓ、ドレイン電極１０ｄは、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／ＡｌＳｉ、Ｍｏ等の膜からなり」と記載されている。
ｆ　また、上記ｃから、引用文献２に記載の技術は、ｎ型のＧａＮ層１８において、ｎ型不純物濃度の数値範囲が１×１０１８以上１×１０２２ｃｍ−３以下であるので、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差が、１×１０１８〜１×１０２２ｃｍ−３程度のものも含むと解される。
　上記ｄから、引用文献３に記載の技術は、ｎ−ＧａＮからなる高濃度ｎ層２３において、高濃度ｎ層２３の不純物濃度の上限値が１．０×１０２０／ｃｍ３であるので、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差が、１×１０２０／ｃｍ３程度のものも含むと解される。
　上記ｅから、引用文献４には、ＧａＮ系半導体トランジスタに関し、ｎ＋型ソース領域５ｓ及びｎ＋型ドレイン領域５ｄにおいて、ｎ＋型ソース領域５ｓの不純物濃度の上限値が２×１０２０／ｃｍ３であるので、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差が、およそ２×１０２０ｃｍ−３程度のものも含むと解される。
　しかしながら、引用文献２〜４には、ｐ型半導体領域におけるｐ型不純物濃度の数値範囲と、当該ｐ型半導体領域にｎ型不純物を注入して形成したｎ型半導体領域（引用文献２、４を参照。）におけるｎ型不純物濃度の数値範囲が開示されているに過ぎず、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差に着目したとする記載も示唆もない。
　また、上記（３）オ（ア）、（イ）に摘記の引用文献５、６にも、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差に着目したとする記載や示唆はない。
　
ｇ　一方、本件訂正発明４は、「前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上４．０×１０２０ｃｍ−３以下である」というものであり、「『ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差』の上限値を『１．０×１０２１ｃｍ−３以下』とすることにより、ｎ型半導体領域の表面の荒れを抑制できる。」（本件特許明細書の段落【０００９】）というものであり、また、「より低い接触抵抗を得る観点から、『ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差』は、『１．０×１０２０ｃｍ−３以上』であることがいっそう好ましく、イオン注入による半導体の表面の荒れを抑制する観点から、『ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差』は、『４．０×１０２０ｃｍ−３以下』であることがより好ましい。」（本件特許明細書の段落【００７０】）というものである。
　しかも、本件訂正発明４は、「半導体装置であって」、「前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、前記同じ金属は、パラジウム、ニッケル、白金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属であ」るものであるが、上記ｃ〜ｅのとおり、引用文献２〜４に記載された半導体装置は、そのようなものではない。
　そうすると、「ボディ領域１６の表面に、窒化ガリウムを材料とするｎ＋型のソース領域（第三のｎ型領域）４が設けられており、ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられ、ソース電極２は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続して」いる引用発明において、引用文献２〜６に記載された技術的事項を参酌しても、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差」に着目して、その数値範囲を、「１．０×１０２０ｃｍ−３以上４．０×１０２０ｃｍ−３以下である」と限定することは、当業者といえども容易に想到し得たことではない。そして、仮に、引用発明において、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上４．０×１０２０ｃｍ−３以下である」と限定することに想到し得たとしても、その結果として、より低い接触抵抗を得ることと、イオン注入による半導体の表面の荒れを抑制することという格別顕著な効果を得られることを、当業者が予測し得たとは認められない。
ｈ　したがって、引用発明において、引用文献２〜６に記載された技術的事項に基づいて、相違点２に係る本件訂正発明４の構成とすることは、当業者であっても容易になし得たことではない。
（イ）よって、上記相違点１、３について判断するまでもなく、本件訂正発明４は、当業者であっても、引用発明及び引用文献２〜６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
（ウ）特許異議申立人伊藤泰和は、令和３年３月１６日に提出した意見書において、「ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差を「１．０×１０２０ｃｍ−３以上４．０×１０２０ｃｍ−３以下」にすることは、ｎ型半導体領域に電極をオーミック接触させる場合の「普通の濃度範囲」です。」と主張する。
　しかしながら、上記ａ〜ｆで検討したとおり、引用文献２〜６には、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差に着目したとする記載や示唆はないから、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差を所定の数値範囲とすることが、ｎ型半導体領域に電極をオーミック接触させる場合の「普通の濃度範囲」であるというかかる主張には理由がない。
（５）本件訂正発明５ないし９について
　本件訂正発明５ないし９は、本件訂正発明４の「前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上４．０×１０２０ｃｍ−３以下である」と同一の構成を備えるものであるから、上記（４）に示した理由と同様の理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献２〜６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
（６）独立特許要件についてのまとめ
　上記（１）アのとおり、本件訂正発明３は、訂正前の請求項３を削除するものであるから、独立特許要件を満たし、上記（４）、（５）のとおり、本件訂正発明４ないし９は、当業者であっても、引用発明及び引用文献２〜６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではなく、特許法第２９条第２項の規定に違反せず、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるから、本件訂正後の請求項３ないし９に係る係る訂正事項２ないし８による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合する。
６　訂正の適否についてのまとめ
　以上のとおりであり、本件訂正請求のうち、特許異議の申立てがされていない請求項３ないし９に係る訂正事項２ないし８による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合するから、明細書、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−９〕について訂正することを認める。
第３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１に係る発明（上記「本件訂正発明１」）は、上記「第２」「５（１）ク（ア）」に記載のとおりのものである。
第４　取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について
１　取消理由の概要
　訂正前の請求項１に係る特許（以下「本件発明１」という。）に対して、当審が令和２年１１月３０日に特許権者に通知した取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由の要旨は、次のとおりである。
　本件発明１は、上記引用文献１に記載の発明及び上記引用文献２〜４に記載された周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。
２　引用文献、甲号証の記載
（１）引用文献１の記載と引用発明
ア　取消理由通知（決定の予告）において引用した引用文献１（特開２００９−２８３６９２号公報。甲第１号証）には、上記「第２」「５（３）ア（ア）」に示す事項が記載されている。
イ　したがって、引用文献１には、上記「第２」「５（３）ア（イ）」に記載の引用発明が記載されていると認められる。
（２）引用文献２の記載
　取消理由通知（決定の予告）において周知例として提示した引用文献２（特開２０１５−５６４８６号公報）には、上記「第２」「５（３）イ」に示す事項が記載されている。
（３）引用文献３の記載
　取消理由通知（決定の予告）において周知例として提示した引用文献３（特開２０１４−１３８８６号公報）には、上記「第２」「５（３）ウ」に示す事項が記載されている。
（４）引用文献４の記載
　取消理由通知（決定の予告）において周知例として提示した引用文献４（国際公開２０１１／１０８６１５号。甲第４号証）には、上記「第２」「５（３）エ」に示す事項が記載されている。
（５）甲第２号証の記載
　甲第２号証（特開２００９−１７７１１０号公報）には、以下の事項が記載されている。
「【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
　以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。 図１は、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体素子の構造を説明するための模式的な断面図である。 この窒化物半導体素子は、基板１と、基板１の一方面に形成された窒化物半導体積層構造部２とを備えている。
【００３２】
　基板１としては、たとえば、サファイア基板などの絶縁性基板や、ＧａＮ基板、ＺｎＯ基板、Ｓｉ基板およびＳｉＣ基板などの導電性基板を適用することができる。この実施形態では、導電性基板が適用される。 窒化物半導体積層構造部２は、基板１に積層されたｎ-型のＧａＮ（窒化ガリウム）からなるｎ-型層３（第１層）と、ｎ-型層３に積層されたｐ型不純物を含むＧａＮからなるｐ型層４（第２層）とを備えている。
・・・（略）・・・
【００３４】
　トレンチ５は、断面略Ｖ字形に形成されており、積層方向に直交する方向に延びるストライプ状に形成されている。また、トレンチ５は、図１では図示されていないが、そのストライプ方向と直交する幅方向（以下、この方向を単に「幅方向」ということがある。）に一定の間隔を空けて複数形成されている。 ｐ型層４において、トレンチ５の傾斜した側面（後述する壁面８）の上部から、幅方向に広がるトレンチ５の周辺領域は、ｐ型不純物よりもｎ型不純物が高濃度に含有されるｎ+型領域６（ｎ型領域）である。一方、ｐ型層４において、ｎ+型領域６以外の領域は、ｎ型不純物よりもｐ型不純物が高濃度に含有されるボディ領域７である。
【００３５】
　ｎ+型領域６は、ｎ-型層３よりも高い不純物濃度で
ｎ型不純物がイオン注入
その濃度
ｎ-型層３のｎ型不純物濃度
・・・（略）・・・
【００４０】
　ゲート絶縁膜９には、ｐ型層４の最表面２１を露出させる開口１２および開口１３が形成されている。具体的には、開口１２は、ｎ+型領域６の、積層界面に平行な最表面２２を露出させる開口である。一方、開口１３は、ボディ領域７の、積層界面に平行な最表面２３を露出させる開口である。 そして、開口１２から露出するｎ+型領域６には、開口１２を介して、ソース電極１４が形成されている。ソース電極１４は、たとえば、Ｔｉと、このＴｉに積層されたＡｌからなるＴｉ／Ａｌ合金などの金属を用いて形成することができ、ｎ+型領域６に電気的に接続されている。ソース電極１４を、Ａｌを含む金属で形成しておくことにより、ソース電極１４とｎ+型領域６との間の接合部で良好なオーミック特性を得ることができる。ソース電極１４は、その他、ＭｏもしくはＭｏ化合物（たとえば、モリブデンシリサイド）、ＴｉもしくはＴｉ化合物（たとえば、チタンシリサイド）、またはＷもしくはＷ化合物（たとえば、タングステンシリサイド）を用いて形成してもよい。
【００４１】
　一方、開口１３から露出するボディ領域７には、開口１３を介して、ボディ用電極１５が形成されている。ボディ用電極１５は、たとえば、Ｎｉと、このＮｉに積層されたＡｕとからなるＮｉ／Ａｕ合金、Ｐｄ／Ａｕ合金、Ｐｄ／Ｔｉ／Ａｕ合金、Ｐｄ／Ｐｔ／Ａｕ合金およびＰｔなどの金属を用いて形成することができ、ボディ領域７に電気的に接続されている。上記した金属は、主としてｐ型不純物を含むIII族窒化物半導体に対するコンタクト抵抗が低い。そのため、ボディ用電極１５を、上記した金属で形成しておくことにより、ボディ用電極１５とボディ領域７との間で良好なオーミック特性を得ることができる。また、ボディ用電極１５は、配線（図示せず）を介してソース電極１４と電気的に接続されている。」
　
（６）甲第３号証の記載
　甲第３号証（特開平９−２３２６３２号公報）には、以下の事項が記載されている。
「【００２７】この半導体発光素子は、絶縁性のサファイア基板１１上に窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ型層１２とｐ型層１３とを積層したｐ−ｎ接合ウエハにおいて、前記ｐ型層１３及びｎ型層１２の表面上には、同一の金属からなるｐ側電極１４及びｎ側電極１５がそれぞれ形成されている。
・・・（略）・・・
【００２９】前記ｐ側電極１４及びｎ側電極１５の電極材料としては、ｐ側及びｎ側共に、より良好なオーミック特性を得るために、本実施形態では、Ｎｉ（ニッケル）とＴｉ（チタン）とＡｕ（金）を積層した合金を用いている。但し、この電極材料としては、Ａｕ、Ｐｄ（パラジュウム）、Ｔｉ、Ｐｔ（白金）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ａｌ（アルミニューム）、Ｃｏ（コバルト）、Ｒｈ（ロジューム）、Ｉｒ（イリジューム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｖ（バナジューム）、Ｓｃ（スカンジューム）、Ｍｇ（マグネシューム）、Ｚｒ（ジルコニューム）などの金属単体やこれらの金属より構成される合金、さらにはこれらの金属や合金からなる層構造としてもよい。例えば、ＮｉとＡｕを積層した合金、またはＴｉとＡｕを鏡層した合金であっても、良好なオーミック特性を得ることができる。」
３　当審の判断
（１）対比 
　本件訂正発明１と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「窒化ガリウムを材料とするｎ＋型のソース領域（第三のｎ型領域）４」は、本件訂正発明１の「ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたｎ型半導体領域」に相当する。
イ　引用発明の「窒化ガリウムを材料とするボディ領域（ｐ型窒化物半導体層）１６」は、本件訂正発明１の「前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域」に相当し、引用発明において、ソース領域４は、「ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入し、ソース領域（第三のｎ型領域）４を形成する工程」によって形成されるから、当該「ボディ領域１６」は、ソース領域４に接する領域であるといえる。
　したがって、本件訂正発明１と引用発明とは、「前記ｎ型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域」を備える点で一致する。
ウ　本件訂正発明１の「前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する第１電極と、前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する第２電極と、を備え、前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、前記同じ金属は、パラジウム、ニッケル、白金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属であり」と、引用発明の「ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられ、ソース電極２は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続しており」とを対比する。
　引用発明において、ソース電極２は、「チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続して」いるから、ソース領域４とオーミック接触する電極であるとともに、ボディ領域１６とオーミック接触する電極であり、また、当該電極は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とする、金属から主に形成されているといえる。
　したがって、本件訂正発明１と引用発明とは、「前記ｎ型半導体領域とオーミック接触し、前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する電極を備え、前記電極は、金属から主に形成されており、前記金属は、ニッケル」である点で一致する。
エ　引用発明の「半導体装置」は、「前記半導体装置の製造方法」が、「ｐ型窒化物半導層２６を結晶成長させる工程であって、ｐ型窒化物半導体層２６には、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）が含まれている工程（ｐ型窒化物半導体層形成工程）と、次に、ｎ型不純物をイオン注入して、ｐ型窒化物半導体層２６の一部を、ｎ型領域１０に変質させ、イオン注入させなかった範囲をボディ領域１６とする工程（ｎ型領域形成工程）と、ボディ領域１６の表面に開孔を有するマスク層を形成し、ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入し、ソース領域（第三のｎ型領域）４を形成する工程」とを備える方法であるところ、ｐ型窒化物半導体層２６に含まれているマグネシウムの濃度がボディ領域１６のマグネシウム濃度となり、また、ソース領域４は、「ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入」して形成するから、ソース領域４のマグネシウム濃度もｐ型窒化物半導体層２６の上記マグネシウム濃度と実質的に同じであることは明らかである。
　したがって、本件訂正発明１と引用発明とは、「前記ｎ型半導体領域のｐ型不純物濃度と、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、実質的に同じ」である点で一致する。
オ　引用発明は、「ｎ＋型ソース領域４の不純物濃度はおよそ１×１０２０ｃｍ−３」であるところ、ｎ型半導体領域の「不純物濃度」は、通常は「ｎ型不純物濃度」を意味することが当該技術分野における技術常識である（例えば、上記「第２」「５（２）」に記載の周知例１（特開２００９−１７７７１０号公報、上記「２（５）」に摘記の甲第２号証）の段落【００３５】等を参照。）から、当該「不純物濃度」はｎ型不純物濃度を意味すると解される。
　したがって、引用発明は、ソース領域４において、ｎ型不純物濃度は、「およそ１×１０２０ｃｍ−３」であり、また、上記エから、ｐ型不純物濃度は、ｐ型窒化物半導体層２６のマグネシウム濃度、すなわち、ｐ型ボディ領域１７の不純物濃度の「およそ１×１０１９ｃｍ−３」である。
　したがって、引用発明は、ソース領域４において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差が、およそ０．９×１０２０ｃｍ−３であると解される。
カ　以上から、本件訂正発明１と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「半導体装置であって、
　ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたｎ型半導体領域と、
　前記ｎ型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域と、
　前記ｎ型半導体領域とオーミック接触し、
　前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する電極を備え、
　前記電極は、金属から主に形成されており、
　前記金属は、ニッケルであり、
　前記ｎ型半導体領域のｐ型不純物濃度と、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、実質的に同じである、半導体装置。」
＜相違点＞
＜相違点Ａ＞
　本件訂正発明１は、「前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する第１電極と、前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する第２電極と、を備え、前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、前記同じ金属は、ニッケルであ」るのに対し、引用発明では、「ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられ」、「ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続しており」、本件訂正発明１のように、「第１電極」と「第２電極」とを備える上記のようなものではない点。
＜相違点Ｂ＞
　本件訂正発明１は、「前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上４．０×１０２０ｃｍ−３以下である」のに対し、引用発明は、およそ０．９×１０２０ｃｍ−３であると解される点。
（２）判断
ア　相違点Ｂについて
　事案に鑑み、まず相違点Ｂについて検討する。
　甲第２号証、甲第３号証の記載事項は、上記「２（５）、（６）」に記載したとおりであり、甲第２号証、甲第３号証には、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差に着目したとする記載や示唆はない。
　したがって、上記相違点Ｂは、上記「第２」「５（４）ア（カ）」に記載した「相違点２」と同じであるから、上記「第２」「５（４）イ（ア）」で相違点２について判断したのと同様の理由で、引用発明において、引用文献２〜６、甲第２号証、甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて、相違点Ｂに係る本件訂正発明１の構成とすることは、当業者であっても容易になし得たことではない。
イ　よって、上記相違点Ａについて検討するまでもなく、本件訂正発明１は、当業者であっても、引用発明並びに引用文献２〜６、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
（３）特許異議申立人の意見について
　特許異議申立人伊藤泰和は、令和３年３月１６日に提出した意見書において、「ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差を「１．０×１０２０ｃｍ−３以上４．０×１０２０ｃｍ−３以下」にすることは、ｎ型半導体領域に電極をオーミック接触させる場合の「普通の濃度範囲」です。」と主張する。
　しかしながら、上記「第２」「５（４）イ（ウ）」に記載したとおり、引用文献２〜６には、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差に着目したとする記載や示唆はないから、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差を所定の数値範囲とすることが、ｎ型半導体領域に電極をオーミック接触させる場合の「普通の濃度範囲」であるというかかる主張には理由がない。
　よって、本件訂正発明１は、引用文献１ないし引用文献４並びに甲第２号証及び甲第３号証（すなわち、甲第１号証ないし甲第４号証及び引用文献２、引用文献３）が開示する発明から、当業者が容易に想到し得るものとはいえない。
第５　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年４月２８日（２０２１．４．２８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、半導体装置に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　従来から、半導体材料として窒化ガリウム（ＧａＮ）を用い、ｐ型不純物を含むｐ型半導体領域とｎ型不純物を含むｎ型半導体領域とを備える半導体装置が知られている（例えば、特許文献１など）。
　【０００３】
　特許文献１において、ｎ型半導体領域と接するソース電極は、ｎ型半導体領域とオーミック特性を得るために、チタン（Ｔｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）により形成されており、ｐ型半導体領域と接するボディ電極は、ｐ型半導体領域とオーミック特性を得るために、ニッケル（Ｎｉ）により形成されている。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００４】
　【特許文献１】特開２００９−１７７１１０号公報
　【特許文献２】特開平７−０４５８６７号公報
　【特許文献３】特開平９−０６４３３７号公報
　【特許文献４】特開２００６−３１３７７３号公報
　【特許文献５】特許第４１７５１５７号
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００５】
　特許文献１において、ｎ型半導体領域と接する電極と、ｐ型半導体領域と接する電極とは、異なる材料により形成されている。しかし、ｎ型半導体領域と接する電極と、ｐ型半導体領域と接する電極とを異なる材料により形成する場合、それぞれの電極を異なる工程において形成する必要があり、製造工程が煩雑になる。このため、ｎ型半導体領域と接する電極と、ｐ型半導体領域と接する電極とを同じ材料により形成する技術が望まれていた。
　【課題を解決するための手段】
　【０００６】
　本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
　本発明の第１の形態は、半導体装置であって、
　ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたｎ型半導体領域と、
　前記ｎ型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域と、
　前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する第１電極と、
　前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する第２電極と、を備え、
　前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、
　前記同じ金属は、パラジウム、ニッケル、白金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属であり、
　前記ｎ型半導体領域のｐ型不純物濃度と、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、実質的に同じであり、
　前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上
４．０×１０２０ｃｍ−３以下
　また、本発明は以下の形態として実現することも可能である。
　【０００７】
　（１）本発明の一形態によれば、半導体装置が提供される。この半導体装置は、ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたｎ型半導体領域と、前記ｎ型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域と、前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する第１電極と、前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する第２電極と、を備え、前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、前記同じ金属は、パラジウム、ニッケル、白金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属であり、前記ｎ型半導体領域のｐ型不純物濃度と、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、実質的に同じであり、前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０１９ｃｍ−３以上である。この形態の半導体装置によれば、第１の電極と第２の電極とが同じ金属から主に形成されているため、製造時の煩雑さを軽減できる。
　【０００８】
　（２）上述の半導体装置において、前記第１電極と前記第２電極とは同一の電極であってもよい。この形態の半導体装置によれば、半導体装置の微細化が可能となる。
　【０００９】
　（３）上述の半導体装置において、前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２１ｃｍ−３以下であってもよい。この形態の半導体装置によれば、ｎ型半導体領域の表面の荒れを抑制できる。
　【００１０】
　（４）上述の半導体装置において、前記窒化物半導体は、アルミニウムとインジウムとの少なくとも一方を含んでもよい。この形態の半導体装置においても、第１の電極と第２の電極とを同じ金属から形成させることの妨げにならない。
　【００１１】
　（５）上述の半導体装置において、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、１．０×１０１８ｃｍ−３以上であってもよい。この形態の半導体装置によれば、良好なオーミック接触を得ることができる。
　【００１２】
　（６）上述の半導体装置において、前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、５．０×１０１９ｃｍ−３以上であってもよい。この形態の半導体装置によれば、より良好なオーミック接触を得ることができる。
　【００１３】
　（７）上述の半導体装置において、前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上であってもよい。この形態の半導体装置によれば、さらに良好なオーミック接触を得ることができる。
　【００１４】
　（８）上述の半導体装置において、前記ｐ型半導体領域に含まれるｐ型不純物は、マグネシウムと亜鉛との少なくとも一方を含んでもよい。この形態の半導体装置においても、第１の電極と第２の電極とを同じ金属から形成させることの妨げにならない。
　【００１５】
　（９）上述の半導体装置において、前記ｎ型半導体領域に含まれるｎ型不純物は、ケイ素とゲルマニウムとの少なくとも一方を含んでもよい。この形態の半導体装置においても、第１の電極と第２の電極とを同じ金属から形成させることの妨げにならない。
　【００１６】
　（１０）上述の半導体装置において、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、前記第２電極と接触する面から離れるほど低くなってもよい。この形態の半導体装置によれば、ｐ型半導体領域と第２電極との接触抵抗を軽減できる。
　【００１７】
　（１１）上述の半導体装置において、前記ｎ型半導体領域と前記第１電極とが接触する面と、前記ｐ型半導体領域と前記第２電極とが接する面とは、異なる平面上にあってもよい。この形態の半導体装置によれば、第１の電極と第２の電極とが同じ金属から主に形成されているため、製造時の煩雑さを軽減できる。
　【００１８】
　本発明は、半導体装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、半導体装置の製造方法や、上述の製造方法を用いて半導体装置を製造する装置などの形態で実現することができる。
　【発明の効果】
　【００１９】
　本願発明の半導体装置によれば、第１の電極と第２の電極とが同じ金属から主に形成されているため、製造時の煩雑さを軽減できる。
　【図面の簡単な説明】
　【００２０】
　【図１】第１実施形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図。
　【図２】第１実施形態における半導体装置の製造方法を示す工程図。
　【図３】結晶成長後の基板の状態を模式的に示す断面図。
　【図４】膜が形成された状態を模式的に示す断面図。
　【図５】マスクが形成された状態を模式的に示す断面図。
　【図６】イオン注入がｐ型半導体領域に行われた状態を模式的に示す断面図。
　【図７】キャップ膜が形成された状態を模式的に示す断面図。
　【図８】第１評価試験に用いた半導体素子の構成を模式的に示す断面図。
　【図９】上方（＋Ｚ軸方向側）から半導体素子の構成を模式的に示す図。
　【図１０】第１評価試験の結果を示す図。
　【図１１】第２評価試験の結果を示す図。
　【図１２】第３評価試験の結果を示す図。
　【図１３】第２実施形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図。
　【図１４】第３実施形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図。
　【図１５】変形例を示す模式図。
　【図１６】変形例を示す模式図。
　【発明を実施するための形態】
　【００２１】
　Ａ．第１実施形態
　Ａ−１．半導体装置の構成
　図１は、第１実施形態における半導体装置１００の構成を模式的に示す断面図である。半導体装置１００は、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いて形成されたＧａＮ系の半導体装置である。本実施形態では、半導体装置１００は、縦型トレンチＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。本実施形態では、半導体装置１００は、電力制御に用いられ、パワーデバイスとも呼ばれる。
　【００２２】
　図１には、相互に直交するＸＹＺ軸が図示されている。図１のＸＹＺ軸のうち、Ｘ軸は、図１の紙面左から紙面右に向かう軸である。＋Ｘ軸方向は、紙面右に向かう方向であり、−Ｘ軸方向は、紙面左に向かう方向である。図１のＸＹＺ軸のうち、Ｙ軸は、図１の紙面手前から紙面奥に向かう軸である。＋Ｙ軸方向は、紙面奥に向かう方向であり、−Ｙ軸方向は、紙面手前に向かう方向である。図１のＸＹＺ軸のうち、Ｚ軸は、図１の紙面下から紙面上に向かう軸である。＋Ｚ軸方向は、紙面上に向かう方向であり、−Ｚ軸方向は、紙面下に向かう方向である。
　【００２３】
　半導体装置１００は、基板１１０と、半導体層１１２と、ｐ型半導体領域１１４と、ｎ型半導体領域１１６と、を備える。ｐ型半導体領域１１４は、半導体層１１４とも呼び、ｎ型半導体領域１１６は、半導体層１１６とも呼ぶ。半導体装置１００は、さらに、絶縁膜１３０と、第１電極１４１と、第２電極１４４と、ゲート電極１４２と、ドレイン電極１４３とを備え、また、トレンチ１２２，１２８を有する。
　【００２４】
　半導体装置１００の基板１１０は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる板状を成す半導体である。本実施形態では、基板１１０は、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物半導体から主に形成されている。本実施形態では、基板１１０は、主に、窒化ガリウム（ＧａＮ）から形成されている。本明細書の説明において、「Ｘから主に形成されている」とは、モル分率においてＸを９０％以上含有することを意味する。本実施形態では、基板１１０は、ケイ素（Ｓｉ）をドナー元素として含有するｎ型半導体である。
　【００２５】
　半導体装置１００の半導体層１１２は、基板１１０の＋Ｚ軸方向側に位置し、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる第１の半導体層である。本実施形態では、半導体層１１２は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に形成されている。本実施形態では、半導体層１１２は、ケイ素（Ｓｉ）をドナー元素として含有するｎ型半導体である。本実施形態では、半導体層１１２に含まれるケイ素（Ｓｉ）濃度の平均値は、約１×１０１６ｃｍ−３である。本実施形態では、半導体層１１２は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって基板１１０の上に形成された層である。本実施形態では、半導体層１１２の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、約１０μｍ（マイクロメートル）である。
　【００２６】
　半導体装置１００のｐ型半導体領域１１４は、半導体層１１２の＋Ｚ軸方向側に位置し、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる第２の半導体層である。ｐ型半導体領域１１４は、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物半導体により形成されている。本実施形態において、ｐ型半導体領域１１４は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に形成されている。
　【００２７】
　本実施形態では、ｐ型半導体領域１１４は、マグネシウム（Ｍｇ）をアクセプタ元素として含有するｐ型半導体の領域である。本実施形態では、ｐ型半導体領域１１４に含まれるマグネシウム（Ｍｇ）濃度の平均値は、１．０×１０１８ｃｍ−３である。本実施形態では、ｐ型半導体領域１１４は、ＭＯＣＶＤによって半導体層１１２の上に形成された層である。本実施形態では、ｐ型半導体領域１１４の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、約１．２μｍである。
　【００２８】
　半導体装置１００のｎ型半導体領域１１６は、ｐ型半導体領域１１４の＋Ｚ軸方向側の一部に位置し、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる第３の半導体層である。ｎ型半導体領域１１６は、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物半導体により形成されている。本実施形態において、ｐ型半導体領域１１４は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に形成されている。本実施形態では、ｎ型半導体領域１１６は、ケイ素（Ｓｉ）をドナー元素として含有するｎ型半導体である。
　【００２９】
　本実施形態では、ｎ型半導体領域１１６は、ｐ型半導体領域１１４の＋Ｚ軸方向側の一部に対してケイ素（Ｓｉ）のイオン注入が行われたことにより形成された領域である。このため、ｐ型半導体領域１１４のｐ型不純物濃度と、ｎ型半導体領域１１６のｐ型不純物濃度は、実質的に同じである。また、ｐ型半導体領域１１４とｎ型半導体領域１１６とは接している。なお、「実質的に同じ濃度」とは、濃度の差が±１０倍以内であることを示す。本実施形態では、ｎ型半導体領域１１６に含まれるケイ素（Ｓｉ）濃度の平均値は、２．１×１０２０ｃｍ−３である。このため、本実施形態において、ｎ型半導体領域１１６のｐ型不純物濃度と実質的に同じ濃度とは、２．１×１０１９ｃｍ−３以上２．１×１０２１ｃｍ−３以下の濃度を指す。
　【００３０】
　ｎ型半導体領域１１６において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度との差は、１．０×１０１９ｃｍ−３以上である。本実施形態では、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度との差は、２．１×１０２０ｃｍ−３である。
　【００３１】
　半導体装置１００のトレンチ１２２は、半導体層１１２，１１４，１１６に形成され、半導体層１１２，１１４，１１６の厚さ方向（−Ｚ軸方向）に落ち込んだ溝部である。トレンチ１２２は、ｎ型半導体領域１１６の＋Ｚ軸方向側からｐ型半導体領域１１４及びｎ型半導体領域１１６を貫通し、半導体層１１２に至る。本実施形態では、トレンチ１２２は、半導体層１１２，１１４，１１６に対するドライエッチングによって形成される。
　【００３２】
　半導体装置１００のトレンチ１２８は、ｐ型半導体領域１１２，１１４に形成され、半導体層１１２，１１４の厚さ方向（−Ｚ軸方向）に落ち込んだ溝部である。トレンチ１２８は、ｐ型半導体領域１１４の＋Ｚ軸方向側からｐ型半導体領域１１４を貫通し、半導体層１１２に至る。トレンチ１２８は、基板１１０上に形成された他の素子から半導体装置１００を分離するために用いる。本実施形態では、トレンチ１２８は、ｎ型半導体領域１１６より−Ｘ軸方向側に位置する。本実施形態では、トレンチ１２８は、ｐ型半導体領域１１２，１１４に対するドライエッチングによって形成される。
　【００３３】
　半導体装置１００の絶縁膜１３０は、電気絶縁性を有する膜である。絶縁膜１３０は、トレンチ１２２の内側から外側にわたって形成されている。本実施形態では、絶縁膜１３０は、トレンチ１２２の内側に加え、ｐ型半導体領域１１４およびｎ型半導体領域１１６における＋Ｚ軸方向側の面、並びに、トレンチ１２８の内側にわたって形成されている。本実施形態では、絶縁膜１３０は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から主に形成されている。本実施形態では、絶縁膜１３０は、原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成された膜である。
　【００３４】
　絶縁膜１３０は、コンタクトホール１２１と、コンタクトホール１２４とを有する。コンタクトホール１２１は、絶縁膜１３０を貫通してｎ型半導体領域１１６に至る貫通孔である。コンタクトホール１２４は、絶縁膜１３０を貫通してｐ型半導体領域１１４に至る貫通孔である。本実施形態では、コンタクトホール１２１，１２４は、絶縁膜１３０に対するウェットエッチングによって形成される。
　【００３５】
　半導体装置１００の第１電極１４１は、コンタクトホール１２１に形成された電極である。第１電極１４１は、ｎ型半導体領域１１６とオーミック接触する。ここで、オーミック接触とは、ショットキー接触ではなく、コンタクト抵抗が比較的低い接触を意味する。本実施形態では、第１電極１４１は、パラジウム（Ｐｄ）から主に形成されている。
　【００３６】
　半導体装置１００の第２電極１４４は、コンタクトホール１２４に形成された電極である。第２電極１４４は、ｐ型半導体領域１１４とオーミック接触する。本実施形態では、第２電極１４４は、第１電極１４１の材料と同じ金属であるパラジウム（Ｐｄ）から主に形成されている。
　【００３７】
　半導体装置１００のゲート電極１４２は、絶縁膜１３０を介してトレンチ１２２に形成された電極である。本実施形態では、ゲート電極１４２は、アルミニウム（Ａｌ）から主に形成されている。ゲート電極１４２に電圧が印加された場合、ｐ型半導体領域１１４に反転層が形成され、この反転層がチャネルとして機能することによって、第１電極１４１とドレイン電極１４３との間に導通経路が形成される。
　【００３８】
　半導体装置１００のドレイン電極１４３は、基板１１０の−Ｚ軸方向側の面に形成された電極である。ドレイン電極１４３は、基板１１０とオーミック接触する。本実施形態では、ドレイン電極１４３は、チタン（Ｔｉ）から形成されている層にアルミニウム（Ａｌ）から形成されている層を積層した後にアニール処理（熱処理）した電極である。
　【００３９】
　Ａ−２．半導体装置の製造方法
　図２は、第１実施形態における半導体装置１００の製造方法を示す工程図である。まず、製造者は、基板１１０を用意する。本実施形態では、基板１１０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に形成されており、ケイ素（Ｓｉ）をドナー元素として含有するｎ型半導体である。
　【００４０】
　製造者は、基板１１０の上に半導体層１１２，１１４をこの順に、結晶成長によって形成する（工程Ｐ１１０）。本実施形態では、製造者は、ＭＯＣＶＤを用いて半導体層１１２，１１４を形成する。
　【００４１】
　図３は、結晶成長後の基板１１０の状態を模式的に示す断面図である。本実施形態では、半導体層１１２は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に形成され、ケイ素（Ｓｉ）を第１のドナー元素として含有するｎ型半導体である。また、本実施形態では、ｐ型半導体領域１１４は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に形成され、マグネシウム（Ｍｇ）をアクセプタ元素として含有するｐ型半導体である。図３に示すとおり、基板１１０の上に半導体層１１２が形成され、半導体層１１２の上にｐ型半導体領域１１４が形成されている。なお、ｐ型半導体領域１１４におけるｐ型不純物濃度は、結晶成長の条件を調整することにより、所望の濃度に調整することができる。
　【００４２】
　結晶成長（工程Ｐ１１０（図２参照））の後、製造者は、ｐ型半導体領域１１４中のマグネシウム（Ｍｇ）を活性化させるための熱処理を行う（工程Ｐ１１５）。
　【００４３】
　熱処理（工程Ｐ１１５）の後、製造者は、ｐ型半導体領域１１４の上からドナー元素をイオン注入する（工程Ｐ１２０）。本実施形態では、製造者は、第２のドナー元素としてケイ素（Ｓｉ）をｐ型半導体領域１１４の中にイオン注入する。具体的には、まず、製造者は、ｐ型半導体領域１１４の上に膜を形成する。
　【００４４】
　図４は、膜２１０が形成された状態を模式的に示す断面図である。膜２１０は、イオン注入にて注入される不純物のｐ型半導体領域１１４における分布を調整するために用いる。つまり、膜２１０は、ｐ型半導体領域１１４に注入されるドナー元素をｐ型半導体領域１１４の表面近傍に集めるために用いる。また、膜２１０は、イオン注入に伴うｐ型半導体領域１１４における表面の損傷を防止する機能も有する。本実施形態において、膜２１０として、膜厚が３０ｎｍである二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の膜を用いる。本実施形態では、製造者は、プラズマＣＶＤ（化学気相成長：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって膜２１０を形成する。次に、製造者は、膜２１０上の一部にマスク２２０を形成する。
　【００４５】
　図５は、マスク２２０が形成された状態を模式的に示す断面図である。マスク２２０は、ｐ型半導体領域１１４のドナー元素を注入しない領域の上に形成される。本実施形態では、製造者は、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）によってマスク２２０を形成する。本実施形態では、マスク２２０の膜厚は、約２μｍである。
　【００４６】
　次に、製造者は、ｐ型半導体領域１１４の上からドナー元素をイオン注入する（工程Ｐ１２０）。本実施形態では、製造者は、ｐ型半導体領域１１４に対してドナー元素であるケイ素（Ｓｉ）をイオン注入する。本実施形態において、イオン注入の回数は、２回であり、イオン注入の態様を以下に示す。
＜イオン注入の態様＞
・１回目
　加速電圧：５０ｋｅＶ
　ドーズ量：１×１０１５ｃｍ−２
・２回目
　加速電圧：１００ｋｅＶ
　ドーズ量：１×１０１５ｃｍ−２
　【００４７】
　図６は、イオン注入がｐ型半導体領域１１４に行われた状態を模式的に示す断面図である。イオン注入により、膜２１０のうちマスク２２０に覆われていない部分の下において、ｐ型半導体領域１１４にドナー元素が注入された領域としてイオン注入領域１１６Ａが形成される。
　【００４８】
　イオン注入領域１１６Ａにおけるｎ型不純物濃度は、膜２１０の材質や膜厚、イオン注入の加速電圧やドーズ量を調整することにより所望の濃度に調整することができる。なお、イオン注入領域１１６Ａは、注入されたｎ型不純物がドナー元素として機能するように活性化されていないため、ｎ型の導電性を有していない。このため、イオン注入領域１１６Ａは、抵抗が高い領域である。
　【００４９】
　次に、製造者は、ｐ型半導体領域１１４にドナー元素を注入した後、ｐ型半導体領域１１４の表面から膜２１０及びマスク２２０を除去する。本実施形態では、製造者は、ウェットエッチングによってマスク２２０及び膜２１０を除去する。以上により、イオン注入（工程Ｐ１２０（図２参照））が完了する。
　【００５０】
　イオン注入（工程Ｐ１２０）を行った後、製造者は、ｎ型半導体領域１１６におけるドナー元素を活性化させるために活性化アニール（工程Ｐ１３０）を行う。活性化アニールにおいて、製造者は、ｐ型半導体領域１１４を加熱することによって、ｎ型の導電性を有するｎ型半導体領域１１６をｐ型半導体領域１１４の上に形成する。まず、製造者は、ｐ型半導体領域１１４及びイオン注入領域１１６Ａの上にキャップ膜２４０を形成する。
　【００５１】
　図７は、キャップ膜２４０が形成された状態を模式的に示す断面図である。キャップ膜２４０は、加熱に伴うｐ型半導体領域１１４及びイオン注入領域１１６Ａにおける表面の損傷を防止する機能を有する。本実施形態では、製造者は、プラズマＣＶＤによってキャップ膜２４０を形成する。また、本実施形態では、キャップ膜２４０は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）から主に形成されており、膜厚は、約５０ｎｍである。
　【００５２】
　次に、製造者は、ｐ型半導体領域１１４及びイオン注入領域１１６Ａを加熱する。ｐ型半導体領域１１４及びイオン注入領域１１６Ａを加熱する温度は、８００℃以上１２５０℃以下であることが好ましい。本実施形態では、製造者は、次の条件で熱処理を行う。
＜熱処理の条件＞
　雰囲気ガス：窒素
　加熱温度：１１５０℃
　加熱時間：４分
　【００５３】
　熱処理により、イオン注入領域１１６Ａがｎ型半導体領域１１６となる。熱処理の後、製造者は、ｐ型半導体領域１１４及びイオン注入領域１１６Ａ（ｎ型半導体領域１１６）の上からキャップ膜２４０を除去する。本実施形態では、製造者は、ウェットエッチングによってキャップ膜２４０を除去する。以上により、活性化アニール（工程Ｐ１３０（図２参照））が完了する。
　【００５４】
　活性化アニール（工程Ｐ１３０）を行った後、製造者は、ドライエッチングによってトレンチ１２２，１２８を形成する（工程Ｐ１４０）。本実施形態では、製造者は、塩素系ガスを用いたドライエッチングによってトレンチ１２２，１２８を形成する。
　【００５５】
　トレンチ１２２，１２８を形成した後（工程Ｐ１４０）、製造者は、絶縁膜１３０を形成する（工程Ｐ１５０）。本実施形態では、製造者は、ｐ型半導体領域１１４及びｎ型半導体領域１１６の＋Ｚ軸方向側に露出した表面に対して、ＡＬＤによって絶縁膜１３０を成膜する。
　【００５６】
　その後、製造者は、第１電極１４１と、第２電極１４４と、ゲート電極１４２と、ドレイン電極１４３とを形成する（工程Ｐ１６０）。具体的には、製造者は、絶縁膜１３０にコンタクトホール１２１，１２４（図１参照）をウェットエッチングによって形成する。その後、製造者は、同一の工程において、コンタクトホール１２１に第１電極１４１を形成し、コンタクトホール１２４に第２電極１４４を形成する。第１電極１４１および第２電極１４４を形成した後、製造者は、トレンチ１２２の上に絶縁膜１３０を介してゲート電極１４２を形成する。ゲート電極１４２を形成した後、製造者は、基板１１０の上にドレイン電極１４３を形成する。これらの工程を経て、半導体装置１００が完成する。
　【００５７】
　Ａ−３．効果
　第１実施形態によれば、第１電極１４１と第２電極１４４とが同じ金属から主に形成されているため、第１電極１４１と第２電極１４４とを同じ工程により形成することができる。このため、製造時の煩雑さを軽減できる。
　【００５８】
　また、第１電極１４１と第２電極１４４とを異なる工程により形成する場合、フォトレジストによる複数回のマスク形成が必要となる。しかし、第１電極１４１と第２電極１４４とを同じ工程により形成することができるため、マスク形成を行う回数を軽減できる。この結果として、マスク形成の回数に起因する設計誤差についても少なくすることができ、半導体装置の微細化が可能となる。
　【００５９】
　なお、第１電極１４１と第２電極１４４とを同じ金属から主に形成させることを可能とするためには、ｎ型半導体領域１１６とオーミック接触が得られ、かつｐ型半導体領域１１４ともオーミック接触が得られる条件であることが必要となる。本実施形態の半導体装置１００がこの条件を満たすことを裏付ける評価試験を以下に示す。
　【００６０】
　Ａ−４．第１評価試験
　図８は、第１評価試験に用いた半導体素子３００の構成を模式的に示す断面図である。図８には、図１と同様に、ＸＹＺ軸が図示されている。半導体素子３００は、基板３１０と、バッファ層３１１と、半導体層３１２と、ｐ型半導体領域３２０と、ｎ型半導体領域３３０と、電極３４１，３４４とを備える。半導体素子３００は、伝送線路モデル（Ｔｒａｎｓｆｅｒ　Ｌｅｎｇｔｈ　Ｍｏｄｅｌ：ＴＬＭ）に基づく方法により接触抵抗を測定するために用いる素子である。
　【００６１】
　半導体素子３００の基板３１０は、サファイアから主に形成されている。半導体素子３００のバッファ層３１１は、基板３１０の上にＭＯＣＶＤによって形成された層である。
　【００６２】
　半導体素子３００の半導体層３１２は、バッファ層３１１の上にＭＯＣＶＤによって形成された層である。半導体層３１２は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に形成されている真性半導体（ｉ型半導体）である。
　【００６３】
　半導体素子３００のｐ型半導体領域３２０は、半導体層３１２の上にＭＯＣＶＤによって形成された領域である。ｐ型半導体領域３２０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に形成され、マグネシウム（Ｍｇ）をアクセプタ元素として含有するｐ型半導体である。半導体素子３００は、ｐ型半導体領域３２０中のマグネシウム（Ｍｇ）を活性化させるための熱処理が予め行われている。
　【００６４】
　半導体素子３００のｎ型半導体領域３３０は、ｐ型半導体領域３２０に対するイオン注入によって形成された領域である。このため、ｎ型半導体領域３３０におけるｐ型不純物濃度は、ｐ型半導体領域３２０におけるｐ型不純物濃度と同じである。ｎ型半導体領域３３０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に形成されている領域である。なお、ｐ型半導体領域３２０の構造は、半導体装置１００のｐ型半導体領域１１４と対応する、ｎ型半導体領域３３０の構造は、半導体装置１００のｎ型半導体領域１１６と対応する。
　【００６５】
　電極３４１は、ｎ型半導体領域３３０と接する電極であり、電極３４４は、ｐ型半導体領域３２０と接する電極である。なお、電極３４１は、半導体装置１００の第１電極１４１と対応する。電極３４４は、半導体装置１００の第２電極１４４と対応する。
　【００６６】
　図９は、上方（＋Ｚ軸方向側）から半導体素子３００の構成を模式的に示す図である。電極３４１のＸ軸方向の幅は、電極３４４のＸ軸方向の幅と同じであり、２００μｍである。また、電極３４１は、それぞれ４個ずつＹ軸方向に並んで配されており、Ｙ軸方向におけるそれぞれの電極３４４の間隔は、＋Ｙ軸方向側から順に、５μｍ、１０μｍ、１５μｍである。電極３４４の配置についても同様である。この評価試験では、互いに隣接する電極３４１同士に電流を流し、また、互いに隣接する電極３４４同士に電流を流すことにより、接触抵抗を測定する。
　【００６７】
　図１０は、第１評価試験の結果を示す図である。図１０において、各項目は以下の内容を意味する。「電極」の項目は、電極３４１および電極３４４の材料及び厚さを示す。「ｐ型不純物Ｍｇ濃度（Ｎａ）［ｃｍ−３］」は、ｎ型半導体領域３３０におけるｐ型不純物であるマグネシウム（Ｍｇ）の濃度［ｃｍ−３］を示す。「ｎ型不純物Ｓｉ濃度（Ｎｄ）［ｃｍ−３］」は、ｎ型半導体領域３３０におけるｎ型不純物であるケイ素（Ｓｉ）の濃度［ｃｍ−３］を示す。「Ｎｄ−Ｎａ［ｃｍ−３］」は、ｎ型不純物Ｓｉ濃度（Ｎｄ）［ｃｍ−３］からｐ型不純物Ｍｇ濃度（Ｎａ）［ｃｍ−３］を差し引いた濃度［ｃｍ−３］を示す。濃度は、いずれも二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により測定した値を示す。なお、各濃度は、電極と接する面における濃度を測定することが好ましいが、二次イオン質量分析法により分析する際、最表面では正確な分析が困難であるため、最表面から深さが２５ｎｍの地点における濃度を示す。
　【００６８】
　「接触抵抗［Ω・ｃｍ２］」は、伝送線路モデル（Ｔｒａｎｓｆｅｒ　Ｌｅｎｇｔｈ　Ｍｏｄｅｌ：ＴＬＭ）に基づく方法により接触抵抗を測定した値［Ω・ｃｍ２］を示す。この項目における「‐」とは、抵抗が高すぎるために接触抵抗が評価できなかったことを示す。また、「評価結果」は、接触抵抗を以下のように評価した結果である。
・Ａ：接触抵抗が、２．０×１０−４Ω・ｃｍ２以下の場合
・Ｂ：接触抵抗が、２．０×１０−４Ω・ｃｍ２より大きく、２．０×１０−３Ω・ｃｍ２以下の場合
・Ｃ：接触抵抗が、２．０×１０−３Ω・ｃｍ２より大きく接触抵抗が評価できなかった場合
　【００６９】
　一般に、ｎ型ＧａＮに対してパラジウム（Ｐｄ）やニッケル（Ｎｉ）を用いた電極を形成する場合、オーミック特性が得られないことが知られている（例えば、「Ａ．Ｃ．Ｓｃｈｍｉｔｓ，ｅｔ　ａｌ．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．４，ｐ．２５５−２６０（１９９８）」参照）。しかし、図１０に示す実施例１から７の結果から、「Ｎｄ−Ｎａ［ｃｍ−３］」が１．０×１０１９ｃｍ−３以上である場合、接触抵抗が低く、ｎ型半導体領域３３０に対してパラジウム（Ｐｄ）やニッケル（Ｎｉ）を用いた電極を形成した場合においても、オーミック特性が得られることが分かる。なお、「Ｎｄ−Ｎａ［ｃｍ−３］」がより小さい６．０×１０１８ｃｍ−３である場合、比較例１及び２に示すように、ｎ型半導体領域３３０に対してパラジウム（Ｐｄ）やニッケル（Ｎｉ）を用いた電極を形成した場合においても、オーミック特性が得られないことが分かる。
　【００７０】
　より低い接触抵抗を得る観点から、「Ｎｄ−Ｎａ［ｃｍ−３］」は、１．７×１０１９ｃｍ−３以上であることが好ましく、３．０×１０１９ｃｍ−３以上であることがより好ましく、５．０×１０１９ｃｍ−３以上であることがさらに好ましく、１．０×１０２０ｃｍ−３以上であることがよりいっそう好ましい。一方、イオン注入による半導体の表面の荒れを抑制する観点から、「Ｎｄ−Ｎａ［ｃｍ−３］」は、１．０×１０２１ｃｍ−３以下であることが好ましく、４．０×１０２０ｃｍ−３以下であることがより好ましい。また、「ｐ型不純物Ｍｇ濃度（Ｎａ）［ｃｍ−３］」は、１．０×１０１８ｃｍ−３以上であることが好ましい。
　【００７１】
　Ａ−５．第２評価試験
　試験者は、第１評価試験の実施例２と実施例７のサンプルを用いて、接触抵抗と熱処理の有無及び熱処理温度との関係を評価した。
　【００７２】
　図１１は、第２評価試験の結果を示す図である。図１１において、「熱処理温度［℃］」は、熱処理の温度を示し、他の項目は図１０と同じ内容を意味する。「熱処理温度［℃］」の項目において「なし」とは、熱処理を行っていないとこを示す。熱処理条件は、窒素雰囲気下にて５分とした。なお、図１０における実施例２と図１１における実施例８は同じ結果を示し、図１０における実施例７と図１１における実施例１３は同じ結果を示す。
　【００７３】
　図１１に示す結果から、熱処理の有無や熱処理温度の差により、接触抵抗は大きく変動しないことが分かる。つまり、「Ｎｄ−Ｎａ［ｃｍ−３］」が１．０×１０１９ｃｍ−３以上である場合、熱安定性の高い半導体装置が得られることが分かる。また、電極を形成後に、熱処理を行ってもよく、行わなくてもよいことが図１１に示す結果から分かる。
　【００７４】
　Ａ−６．第３評価試験
　試験者は、第１評価試験の電極として用いたパラジウム（Ｐｄ）やニッケル（Ｎｉ）の変わりに、電極としてその他の金属を用いた場合に、ｐ型半導体領域３２０に対するオーミック特性が得られるかどうかの評価を行った。
　【００７５】
　図１２は、第３評価試験の結果を示す図である。この試験では、試験者は、ＩＶ特性からオーミック特性が得られるかどうかを評価した。パラジウム（Ｐｄ）及びニッケル（Ｎｉ）の代わりの電極として、半導体と接触する側から順にチタン（Ｔｉ）層（厚み：３０ｎｍ）と、アルミニウム（Ａｌ）層（厚み：３００ｎｍ）とを積層した電極（「比較電極」とも呼ぶ）を用いた。
　【００７６】
　図１２において、紙面左側から順に、（ｉ）電極としてパラジウム（Ｐｄ）を用いた場合の結果と、（ｉｉ）電極としてニッケル（Ｎｉ）を用いた結果と、（ｉｉｉ）比較電極を用いた結果を示す。図１２において、縦軸は電流［ｍＡ］を示し、横軸は電圧［Ｖ］を示す。
　【００７７】
　図１２に示す結果から、電極としてパラジウム（Ｐｄ）やニッケル（Ｎｉ）を用いた場合において、電極と半導体との間にオーミック特性が得られることが分かった。一方、比較電極を用いた場合において、±５Ｖ以上の電圧を印加するまで電流が流れず、比較電極と半導体との間にオーミック特性が得られないことが分かった。換言すると、パラジウム（Ｐｄ）やニッケル（Ｎｉ）では、ｐ型ＧａＮに対してオーミック特性が得られたが、比較電極では、ｐ型ＧａＮに対してオーミック特性が得られないことが分かった。
　【００７８】
　Ｂ．第２実施形態
　図１３は、第２実施形態における半導体装置１００Ａの構成を模式的に示す断面図である。半導体装置１００Ａは、第１実施形態における半導体装置１００と比較して、第１電極１４１及び第２電極１４４が同一の電極１４１Ａで形成されている点が異なるが、それ以外は同じである。つまり、半導体装置１００Ａは、第１実施形態における第１電極１４１及び第２電極１４４の機能を有し、第１実施形態における第１電極１４１及び第２電極１４４が連続してつながっている電極１４１Ａを備える。このような形態とすることにより、半導体装置１００Ａの微細化が可能となる。第１実施形態では、第１電極１４１と第２電極１４４とを接触させないために、フォトレジストによるパターニングの限界寸法を考慮する必要があるが、第２実施形態では、第１実施形態に比べて、そのようなことを考慮しなくてよい。
　【００７９】
　Ｃ．第３実施形態
　図１４は、第３実施形態における半導体装置１００Ｂの構成を模式的に示す断面図である。半導体装置１００Ｂは、第１実施形態における半導体装置１００と比較して、ｐ型半導体領域１１４と第２電極１４４との間に、ｐ型半導体領域１１８を備える点が異なるが、それ以外は同じである。本実施形態において、ｐ型半導体領域１１８は、ｐ型不純物であるマグネシウム（Ｍｇ）濃度がｐ型半導体領域１１４よりも高い層である。本実施形態において、ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、第２電極１４４と接触する面から離れるほど低くなる。このような形態とすることにより、ｐ型半導体領域１１８と第２電極１４４との接触抵抗を低くすることができる。なお、第３実施形態の半導体装置１００Ｂにおいて、第１電極１４１と第２電極１４４とは異なる電極として形成されているが、第１電極１４１と第２電極１４４とは同一の電極により形成されていてもよい。
　【００８０】
　Ｄ．他の実施形態
　本発明は、上述の実施形態や実施例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
　【００８１】
　上述の実施形態において、第２電極１４４とｐ型半導体領域１１４とが接する面と、第１電極１４１とｎ型半導体領域１１６とが接する面とは同一平面上である。しかし、本発明はこれに限られない。第２電極１４４とｐ型半導体領域１１４とが接する面と、第１電極１４１とｎ型半導体領域１１６とが接する面とは同一平面上でなく、異なる平面上であってもよい。
　【００８２】
　図１５及び図１６は、変形例を示す模式図であり、第２電極１４４とｐ型半導体領域１１４とが接する面と、第１電極１４１とｎ型半導体領域１１６とが接する面とは同一平面上でない態様を示す模式図である。図１５において、第２電極１４４とｐ型半導体領域１１４Ｃとが接する面が、第１電極１４１とｎ型半導体領域１１６とが接する面よりも下方（−Ｚ軸方向側）に位置する。図１６において、第１電極１４１とｎ型半導体領域１１６とが接する面が、第２電極１４４とｐ型半導体領域１１４Ｄとが接する面よりも下方（−Ｚ軸方向側）に位置する。なお、図１６において、ｎ型半導体領域１１６の下方には、基板１１０が配されているが、Ｚ軸方向におけるｎ型半導体領域１１６と基板１１０との間に、ｐ型半導体領域１１４Ｄが配されていてもよい。
　【００８３】
　本発明が適用される半導体装置は、上述の実施形態で説明した縦型トレンチＭＯＳＦＥＴに限られず、例えば、ｐｎ接合ダイオードや、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などであってもよい。
　【００８４】
　上述の実施形態において、第１電極１４１と第２電極１４４とは、パラジウム（Ｐｄ）から主に形成されている。しかし、本発明はこれに限らない。パラジウム（Ｐｄ）の変わりに、ニッケル（Ｎｉ）や白金（Ｐｔ）を用いてもよい。これらの元素は、いずれも第１０族元素であり、物理化学的な特性が似ている。また、パラジウム（Ｐｄ）の仕事関数は５．１２ｅＶであり、ニッケル（Ｎｉ）の仕事関数は５．１５ｅＶであり、白金（Ｐｔ）の仕事関数は５．６５ｅＶである。つまり、これらの元素の仕事関数はいずれも５．１ｅＶ以上であり、この点においてもこれらの元素の特性が似ている。
　【００８５】
　上述の実施形態において、基板の材質は、窒化ガリウム（ＧａＮ）に限らず、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）でもよく、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）でもよく、窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）でもよい。また、アルミニウムやガリウムやインジウムの配合比は特に限定されない。
　【００８６】
　上述の実施形態において、ｐ型半導体領域１１４に含まれるアクセプタ元素は、マグネシウム（Ｍｇ）であるが、例えば、亜鉛（Ｚｎ）を用いてもよい。
　【００８７】
　上述の実施形態において、ｎ型半導体領域１１６に含まれるドナー元素は、ケイ素（Ｓｉ）であるが、例えば、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いてもよい。
　【００８８】
　上述の実施形態において、イオン注入の回数は、１回であってもよいし、２回であってもよいし、３回以上であってもよい。イオン注入の条件（例えば、加速電圧およびドーズ量など）は、適宜調整できる。膜２１０の膜厚は、イオン注入の条件に応じて、適宜変更してよい。また、膜２１０の材質は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）に限らず、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）であってもよい。
　【００８９】
　上述の実施形態において、絶縁膜の材質は、電気絶縁性を有する材質であればよく、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の他、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、酸窒化ジルコニウム（ＺｒＯＮ）、酸窒化ハフニウム（ＨｆＯＮ）などの少なくとも１つであってもよい。絶縁膜は、単層であってもよいし、２層以上であってもよい。絶縁膜を形成する手法は、ＡＬＤに限らず、ＥＣＲスパッタであってもよいし、ＥＣＲ−ＣＶＤであってもよい。
　【符号の説明】
　【００９０】
　１００…半導体装置
　１００Ａ…半導体装置
　１００Ｂ…半導体装置
　１１０…基板
　１１２…半導体層
　１１４…ｐ型半導体領域（半導体層）
　１１４Ｃ…ｐ型半導体領域
　１１４Ｄ…ｐ型半導体領域
　１１６…ｎ型半導体領域（半導体層）
　１１６Ａ…イオン注入領域
　１１８…ｐ型半導体領域
　１２１…コンタクトホール
　１２２…トレンチ
　１２４…コンタクトホール
　１２８…トレンチ
　１３０…絶縁膜
　１４１…第１電極
　１４１Ａ…電極
　１４２…ゲート電極
　１４３…ドレイン電極
　１４４…第２電極
　２１０…膜
　２２０…マスク
　２４０…キャップ膜
　３００…半導体素子
　３１０…基板
　３１１…バッファ層
　３１２…半導体層
　３２０…ｐ型半導体領域
　３３０…ｎ型半導体領域
　３４１…電極
　３４４…電極
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　半導体装置であって、
　ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたｎ型半導体領域と、
　前記ｎ型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域と、
　前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する第１電極と、
　前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する第２電極と、を備え、
　前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、
　前記同じ金属は、パラジウム、ニッケル、白金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属であり、
　前記ｎ型半導体領域のｐ型不純物濃度と、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、実質的に同じであり、
　前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ−３以上
４．０×１０２０ｃｍ−３以下
　【請求項２】
　請求項１に記載の半導体装置であって、
　前記第１電極と前記第２電極とは同一の電極である、半導体装置。
　【請求項３】
（削除）
　【請求項４】
　請求項１
または請求項２
　前記窒化物半導体は、アルミニウムとインジウムとの少なくとも一方を含む、半導体装置。
　【請求項５】
　請求項１
、請求書２、請求項４
　前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、１．０×１０１８ｃｍ−３以上である、半導体装置。
　【請求項６】
　請求項１
、請求書２、請求項４、
　前記ｐ型半導体領域に含まれるｐ型不純物は、マグネシウムと亜鉛との少なくとも一方を含む、半導体装置。
　【請求項７】
　請求項１
、請求書２、請求項４
　前記ｎ型半導体領域に含まれるｎ型不純物は、ケイ素とゲルマニウムとの少なくとも一方を含む、半導体装置。
　【請求項８】
　請求項１
、請求書２、請求項４
　前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、前記第２電極と接触する面から離れるほど低くなる、半導体装置。
　【請求項９】
　請求項１
、請求書２、請求項４
　前記ｎ型半導体領域と前記第１電極とが接触する面と、前記ｐ型半導体領域と前記第２電極とが接する面とは、異なる平面上にある、半導体装置。