【事件の表示】
　特許第６５１８７８８号発明「半導体デバイス用処理液の保管方法、処理液収容体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６５１８７８８号の特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項［１−１３］［１４−２１］について訂正することを認める。
　特許第６５１８７８８号の請求項１−１３，１５に係る特許を維持する。
　特許第６５１８７８８号の請求項１４，１８−２１に係る特許を取り消す。
　特許６５１８７８８号の請求項１６，１７に係る特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６５１８７８８号の請求項１〜２１に係る特許についての出願は，平成２８年１２月７日に出願され，平成３１年４月２６日にその特許権の設定登録がされ，令和元年５月２２日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は，以下のとおりである。
令和元年１１月２２日：特許異議申立人中村光代（以下「申立人」という。）による請求項１〜２１に係る特許に対する特許異議の申立て
令和２年３月９日付け：取消理由通知書
令和２年６月８日　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
令和２年７月２０日　：申立人による意見書の提出
令和２年９月１６日　：取消理由通知書（決定の予告）
令和２年１１月１９日：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
令和３年１月５日　　：申立人による意見書の提出
第２　訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
（１）訂正事項１
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１に係る
「ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって，
　前記処理液中，前記ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種の総含有量が，処理液全質量に対して４〜２５質量％であり，Ｆｅイオンの含有量が，１０質量ｐｐｔ〜１０質量ｐｐｍであり，
　前記保管容器内の空隙率を０．０１〜３０体積％とする，半導体デバイス用処理液の保管方法。
　なお，空隙率は，以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００」
を，訂正後の
「ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液であって，
　冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって，
　前記処理液中，前記ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種の総含有量が，処理液全質量に対して４〜２５質量％であり，Ｆｅイオンの含有量が，１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂであり，
　前記保管容器内の空隙率を０．０１〜３０体積％とし，
　前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，酸素を含む，半導体デバイス用処理液の保管方法。
　なお，空隙率は，以下の式（１）によって求められる。 
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００」
に訂正する。（請求項１を引用する請求項５〜１３についても同様に訂正する。）
（２）訂正事項２
　訂正前の特許請求の範囲の請求項２に係る
「ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって，
　前記保管容器内の空隙率が０．０１〜３０体積％となるように，前記処理液を前記保管容器内に封入して，前記処理液を前記保管容器内に保管し，
　前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，空気を含む，半導体デバイス用処理液の保管方法。
　なお，空隙率は，以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００」
を，訂正後の
「ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液であって，
　冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって，
　前記保管容器内の空隙率が０．０１〜３０体積％となるように，前記処理液を前記保管容器内に封入して，前記処理液を前記保管容器内に保管し，
　前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，空気を含む，半導体デバイス用処理液の保管方法。
　なお，空隙率は，以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００」
に訂正する。（請求項２を引用する請求項３〜１３についても同様に訂正する。）
（３）訂正事項３
　訂正前の特許請求の範囲の請求項４に係る
「前記処理液中，Ｆｅイオンの含有量が，１０質量ｐｐｔ〜１０質量ｐｐｍである，請求項２又は３に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。」
を，訂正後の
「前記処理液中，Ｆｅイオンの含有量が，１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂである，請求項２又は３に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。」
に訂正する。（請求項４を引用する請求項５〜１３についても同様に訂正する。）
（４）訂正事項４
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１４に係る
「保管容器と，前記保管容器内に収容された，ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液とを有する処理液収容体であって，
　前記処理液中，前記ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種の総含有量が，処理液全質量に対して４〜２５質量％であり，Ｆｅイオンの含有量が，１０質量ｐｐｔ〜１０質量ｐｐｍであり，
　前記保管容器内の空隙率が０．０１〜３０体積％である，処理液収容体。
　なお，空隙率は，以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００」
を，訂正後の
「保管容器と，前記保管容器内に収容された，ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，４級水酸化アンモニウム類と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液とを有する処理液収容体であって，
　前記処理液中，前記ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種の総含有量が，処理液全質量に対して４〜２５質量％であり，Ｆｅイオンの含有量が，１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂであり，
　前記処理液中，前記水の含有量は，処理液全質量に対して６０〜９８質量％であり，
　前記保管容器内の空隙率が１２〜２０体積％であり，
　前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，酸素を含む，処理液収容体。
　なお，空隙率は，以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００」
に訂正する。（請求項１４を引用する請求項１８〜２１も同様に訂正する。）
（５）訂正事項５
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１５に係る
「保管容器と，前記保管容器内に収容された，ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液とを有する処理液収容体であって，
　前記保管容器内の空隙率が０．０１〜３０体積％となるように，前記処理液が前記保管容器内に封入されて，前記処理液が前記保管容器内に保管されており，
　前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，空気を含む，処理液収容体。
　なお，空隙率は，以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００」
を，訂正後の
「保管容器と，前記保管容器内に収容された，ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，４級水酸化アンモニウム類と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液とを有する処理液収容体であって，
　前記処理液中，前記水の含有量は，処理液全質量に対して６０〜９８質量％であり，
　前記保管容器内の空隙率が１２〜２０体積％となるように，前記処理液が前記保管容器内に封入されて，前記処理液が前記保管容器内に保管されており，
　前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，空気を含む，処理液収容体。
　なお，空隙率は，以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００」
に訂正する。（請求項１５を引用する請求項１８〜２１も同様に訂正する。）
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項１６を削除する。
（７）訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項１７を削除する。
（８）訂正事項８
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１８に
「前記保管容器の内壁の材質が樹脂である，請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の処理液収容体。」
と記載されているのを，訂正後の
「前記保管容器の内壁の材質が樹脂である，請求項１４又は１５のいずれか１項に記載の処理液収容体。」
に訂正する。
（請求項１８を引用する請求項１９〜２１も同様に訂正する。）
（９）訂正事項９
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１９に
「前記保管容器の内壁の材質が，高密度ポリエチレン，高密度ポリプロピレン，６，６−ナイロン，テトラフルオロエチレン，テトラフルオロエチレンとパーフロロアルキルビニルエーテルの共重合体，ポリクロロトリフルオロエチレン，エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体，エチレン・四フッ化エチレン共重合体，及び，四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体から選ばれる１以上の樹脂である，請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の処理液収容体。」
と記載されているのを，訂正後の
「前記保管容器の内壁の材質が，高密度ポリエチレン，高密度ポリプロピレン，６，６−ナイロン，テトラフルオロエチレン，テトラフルオロエチレンとパーフロロアルキルビニルエーテルの共重合体，ポリクロロトリフルオロエチレン，エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体，エチレン・四フッ化エチレン共重合体，及び，四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体から選ばれる１以上の樹脂である，請求項１４，１５，及び，１８のいずれか１項に記載の処理液収容体。」
に訂正する。
（請求項１９を引用する請求項２０及び２１も同様に訂正する。）
（１０）訂正事項１０
　訂正前の特許請求の範囲の請求項２０に，
「前記保管容器の内壁の材質が，分子内にフッ素原子を含むフッ素系樹脂である，請求項１４〜１９のいずれか１項に記載の処理液収容体。」
と記載されているのを，訂正後の
「前記保管容器の内壁の材質が，分子内にフッ素原子を含むフッ素系樹脂である，請求項１４，１５，１８，及び，１９のいずれか１項に記載の処理液収容体。」
に訂正する。
（請求項２０を引用する請求項２１も同様に訂正する。）
（１１）訂正事項１１
　訂正前の特許請求の範囲の請求項２１に，
「前記保管容器が，開口部を複数有する，請求項１４〜２０のいずれか１項に記載の処理液収容体。」
と記載されているのを，訂正後の
「前記保管容器が，開口部を複数有する，請求項１４，１５，１８，１９，及び，２０のいずれか１項に記載の処理液収容体。」
に訂正する。
（１２）一群の請求項について
　訂正前の請求項１〜１３について，訂正事項１，２を含む請求項１，２の記載を，その他の請求項３〜１３がそれぞれ引用しているものであるから，請求項３〜１３は，訂正事項１，２によって記載が訂正される請求項１，２に連動して訂正されるものである。よって，訂正前の請求項１〜１３に対応する訂正後の請求項〔１〜１３〕は，特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
　また，訂正前の請求項１４〜２１について，訂正事項４，５を含む請求項１４，１５の記載を，その他の請求項１６〜２１がそれぞれ引用しているものであるから，請求項１６〜２１は，訂正事項４，５によって記載が訂正される請求項１４，１５に連動して訂正されるものである。よって，訂正前の請求項１４〜２１に対応する訂正後の請求項〔１４〜２１〕は，特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
２．訂正の目的の適否，新規事項の有無，及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
（１．１）訂正の目的の適否
　訂正事項１は，以下の限定を含むものである。
ア　請求項１の「半導体デバイス用処理液を保管容器内に保管する」を「半導体デバイス用処理液であって，冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液を保管容器内に保管する」と限定すること。
イ　請求項１の「Ｆｅイオンの含有量」を「１０質量ｐｐｔ〜１０質量ｐｐｍ」から「１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂ」と限定すること。
ウ　請求項１の「保管容器」について，「保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，酸素を含む」と限定すること。
　すなわち，訂正事項１は上記ア〜ウの限定により特許請求の範囲を減縮しようとするものであるから，特許法１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（１．２）新規事項の有無
　上記（１．１）アの事項は，本件特許の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落０００６の記載に基づくものである。
　上記（１．１）イの事項は，当初明細書等の段落００１９の記載に基づくものである。
　上記（１．１）ウの事項は当初明細書等の段落００７２の記載に基づくものである。
　以上によれば，訂正事項１は当初明細書等の上記の記載に基づくものであるといえる。よって，訂正事項１は当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり，新規事項を追加するものではない。
（１．３）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１は，本件訂正前の請求項１に係る発明及び請求項２〜１３に係る発明の技術的範囲を狭めるものであり，それらのカテゴリーや対象，目的を変更するものではないから，実質上特許請求の範囲を拡張し，または変更するものではない。
（２）訂正事項２について
（２．１）訂正の目的の適否
　訂正事項２は，上記（１．１）アに示した限定と同様の限定をするものであるから，特許法１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（２．２）新規事項の有無
　訂正事項２は，上記（１．１）アに示した限定と同様の限定をするものであるから，上記（１．２）に示したとおり，当初明細書等の段落０００６に記載された事項に基づくものであるといえる。よって，訂正事項２は当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり，新規事項を追加するものではない。
（２．３）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項２は，本件訂正前の請求項２に係る発明及び請求項２〜１３に係る発明の技術的範囲を狭めるものであり，それらのカテゴリーや対象，目的を変更するものではないから，実質上特許請求の範囲を拡張し，または変更するものではない。
（３）訂正事項３について
（３．１）訂正の目的の適否
　訂正事項３は，上記（１．１）イに示した限定と同様の限定をするものであるから，特許法１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（３．２）新規事項の有無
　訂正事項３は，上記（１．１）イに示した限定と同様の限定をするものであるから，上記（１．２）に示したとおり，当初明細書等の段落００１９に記載された事項に基づくものであるといえる。よって，訂正事項３は当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり，新規事項を追加するものではない。
（３．３）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項３は，本件訂正前の請求項４に係る発明及び請求項５〜１３に係る発明の技術的範囲を狭めるものであり，それらのカテゴリーや対象，目的を変更するものではないから，実質上特許請求の範囲を拡張し，または変更するものではない。
（４）訂正事項４について
（４．１）訂正の目的の適否
　訂正事項４は，以下の限定を含むものである。
ア　請求項１４の「ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液」が，さらに「４級水酸化アンモニウム類」を含有することを限定すること。
イ　請求項１４の「Ｆｅイオンの含有量」を「１０質量ｐｐｔ〜１０質量ｐｐｍ」から「１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂ」と限定すること。
ウ　請求項１４の「半導体デバイス用処理液」中の「水の含有量」を「処理液全質量に対して６０〜９８質量％」と限定すること。
エ　「保管容器中の空隙率」を「０．０１〜３０体積％」から「１２〜２０体積％」と限定すること。
オ　請求項１４の「保管容器」について，「保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，酸素を含む」と限定すること。
　すなわち，訂正事項１は上記ア〜オの限定により特許請求の範囲を減縮しようとするものであるから，特許法１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（４．２）新規事項の有無
　上記（４．１）アの事項は，当初明細書等の段落００５２の記載に基づくものである。
　上記（４．１）ウの事項は，当初明細書等の段落００１４の記載に基づくものである。
　上記（４．１）エ，オの事項は，当初明細書等の段落００７２に基づくものである。
　また，上記（４．１）イは上記（１．１）イと同様の限定であり，上記（１．２）で示したとおり，当初明細書等の段落００１９の記載に基づくものである。
　以上によれば，訂正事項４は当初明細書等の上記の記載に基づくものであるといえる。よって，訂正事項４は当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり，新規事項を追加するものではない。
（４．３）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項４は，本件訂正前の請求項１４に係る発明及び請求項１６〜２１に係る発明の技術的範囲を狭めるものであり，それらのカテゴリーや対象，目的を変更するものではないから，実質上特許請求の範囲を拡張し，または変更するものではない。
（５）訂正事項５について
（５．１）訂正の目的の適否
　訂正事項５は，上記（４．１）のア，ウ，エに示したのと同様の限定を含むものであるから，特許法１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（５．２）新規事項の有無
　上記（４．２）に示したとおり，上記（４．１）のア，ウ，エの限定は，当初明細書等の段落００５２，００１４，００７２の記載にそれぞれ基づくものであるといえる。よって，上記（４．１）のア，ウ，エに示したのと同様の限定を含む訂正事項５も，当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり，新規事項を追加するものではない。
（５．３）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項５は，本件訂正前の請求項１５に係る発明及び請求項１６〜２１に係る発明の技術的範囲を狭めるものであり，それらのカテゴリーや対象，目的を変更するものではないから，実質上特許請求の範囲を拡張し，または変更するものではない。
（６）訂正事項６〜７について
（６．１）訂正の目的の適否
　訂正事項６〜７は，いずれも請求項の削除を目的とするものであるから，特許法１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（６．２）新規事項の有無
　訂正事項６〜７は，いずれも請求項を削除するものであるから，当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。
（６．３）特許請求の範囲の拡張・変更の存否　
　訂正事項６〜７は，いずれも請求項を削除するものであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，または変更するものではない。
（７）訂正事項８〜１１について
（７．１）訂正の目的の適否
　訂正事項８〜１１は，いずれも引用請求項数を削減して特許請求の範囲を減縮するものであるから，特許法１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（７．２）新規事項の有無
　訂正事項８〜１１は，いずれも引用請求項数を削減して特許請求の範囲を減縮するものであるから，当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。
（７．３）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項８〜１１は，いずれも引用請求項数を削減して特許請求の範囲を減縮するものであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，または変更するものではない。
（８）小括
　以上のとおり，本件訂正請求による訂正は，特許法１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　したがって，特許請求の範囲を，訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−１３〕［１４−２１］について訂正することを認める。
第３　訂正後の本件発明　
　本件訂正請求により訂正された請求項１〜２１に係る発明（以下，それぞれ「本件発明１」〜「本件発明２１」という。）は，訂正特許請求の範囲の請求項１〜２１に記載された以下の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液であって， 
　冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって，
　前記処理液中，前記ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種の総含有量が，処理液全質量に対して４〜２５質量％であり，Ｆｅイオンの含有量が，１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂであり，
　前記保管容器内の空隙率を０．０１〜３０体積％とし，
　前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，酸素を含む，半導体デバイス用処理液の保管方法。
　なお，空隙率は，以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００
【請求項２】
　ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液であって，
　冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって，
　前記保管容器内の空隙率が０．０１〜３０体積％となるように，前記処理液を前記保管容器内に封入して，前記処理液を前記保管容器内に保管し，
　前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，空気を含む，半導体デバイス用処理液の保管方法。
　なお，空隙率は，以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００
【請求項３】
　前記処理液中，前記ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種の総含有量が，処理液全質量に対して１〜３０質量％である，請求項２に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
【請求項４】
　前記処理液中，Ｆｅイオンの含有量が，１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂである，請求項２又は３に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
【請求項５】
　前記保管容器内の空隙率が１〜２５体積％である，請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
【請求項６】
　前記保管容器内の空隙率が１２〜２０体積％である，請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
【請求項７】
　前記半導体デバイス用処理液が，さらに，腐食防止剤を含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。 
【請求項８】
　前記半導体デバイス用処理液が，さらに，水溶性有機溶剤及びアルカノールアミン類の少なくとも一方を含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体デバ
イス用処理液の保管方法。
【請求項９】
　前記半導体デバイス用処理液が，さらに，４級水酸化アンモニウム類を含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
【請求項１０】
　前記半導体デバイス用処理液が，さらに，フッ化物を含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
【請求項１１】
　前記半導体デバイス用処理液が，さらに，キレート剤を含む請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
【請求項１２】
　前記腐食防止剤が，下記式（Ａ）〜式（Ｃ）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項７〜１１のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
　　【化１】
　前記式（Ａ）において，Ｒ１Ａ〜Ｒ５Ａは，それぞれ独立に，水素原子，炭化水素基，水酸基，カルボキシ基，又は，アミノ基を表す。ただし，構造中に水酸基，カルボキシ基，及び，アミノ基から選ばれる基を少なくとも１つ含む。
　前記式（Ｂ）において，Ｒ１Ｂ〜Ｒ４Ｂは，それぞれ独立に，水素原子，又は，炭化水素基を表す。
　前記式（Ｃ）において，Ｒ１Ｃ，Ｒ２Ｃ及びＲＮは，それぞれ独立に，水素原子，又は，炭化水素基を表す。また，Ｒ１ＣとＲ２Ｃとが結合して環を形成してもよい。
【請求項１３】
　前記半導体デバイス用処理液のｐＨが６〜１１である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
【請求項１４】 
　保管容器と，前記保管容器内に収容された，ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，４級水酸化アンモニウム類と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液とを有する処理液収容体であって，
　前記処理液中，前記ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか種の総含有量が，処理液全質量に対して４〜２５質量％であり，Ｆｅイオンの含有量が，１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂであり，
　前記処理液中，前記水の含有量は，処理液全質量に対して６０〜９８質量％であり，
　前記保管容器内の空隙率が１２〜２０体積％であり，
　前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，酸素を含む，処理液収容体。
　なお，空隙率は，以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００
【請求項１５】
　保管容器と，前記保管容器内に収容された，ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，４級水酸化アンモニウム塩と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液とを有する処理液収容体であって，
　前記処理液中，前記水の含有量は，処理液全質量に対して６０〜９８質量％であり，
　前記保管容器内の空隙率が１２〜２０体積％となるように，前記処理液が前記保管容器内に封入されて，前記処理液が前記保管容器内に保管されており，
　前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，空気を含む，処理液収容体。
　なお，空隙率は，以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００
【請求項１６】
（削除）
【請求項１７】
（削除）
【請求項１８】
　前記保管容器の内壁の材質が樹脂である，請求項１４又は１５に記載の処理液収容体。 
【請求項１９】
　前記保管容器の内壁の材質が，高密度ポリエチレン，高密度ポリプロピレン，６，６−ナイロン，テトラフルオロエチレン，テトラフルオロエチレンとパーフロロアルキルビニルエーテルの共重合体，ポリクロロトリフルオロエチレン，エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体，エチレン・四フッ化エチレン共重合体，及び，四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体から選ばれる１以上の樹脂である，請求項１４，１５及び１８のいずれか１項に記載の処理液収容体。
【請求項２０】
　前記保管容器の内壁の材質が，分子内にフッ素原子を含むフッ素系樹脂である，請求項１４，１５，１８及び１９のいずれか１項に記載の処理液収容体。
【請求項２１】
　前記保管容器が，開口部を複数有する，請求項１４，１５，１８，１９及び２０のいずれか１項に記載の処理液収容体。」
　なお，以下においては，「空隙率」とは以下の式（１）によって求められるものを意味するものとして検討を行う。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００
第４　取消理由通知（決定の予告）における取消理由の概要
　訂正前の請求項１〜２１に係る特許に対して，当審が令和２年９月１６日付けの取消理由通知（決定の予告）により特許権者に通知した取消理由（以下，単に「取消理由」という。）の概要は，以下のとおりである。
１．（進歩性）請求項１４〜２１に係る発明は，その優先権主張の日前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用例に記載された発明に基いて，その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，請求項１４〜２１に係る特許は，特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。
引用例１．特開２０１２−１９５５９０号公報（甲１号証）
引用例２．国際公開第２００９／０７８１２３号
引用例３．特開平１０−２７２４９２号公報
引用例４．特開２００１−２６１３１２号公報（甲４号証）
引用例５．“ヒドロキシルアミンに係る爆発災害等の防止について，”［ｏｎｌｉｎｅ］，平成１３年６月１１日，厚生労働省労働基準局，インターネット，＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐｓ：／／ｗｗｗ．ｊａｉｓｈ．ｇｒ．ｊｐ／ａｎｚｅｎ／ｈｏｒ／ｈｏｍｂｕｎ／ｈｏｒ１−４２／ｈｏｒ１−４２−３７−１−０．ｈｔｍ＞（甲７号証）
引用例６．“ドラムカタログ”，［ｏｎｌｉｎｅ］，インターネット・アーカイブ　ウェイバック・マシン（Ｉｎｔｅｒｎｅｔ　Ａｒｃｈｉｖｅ　Ｗａｙｂａｃｋ　Ｍａｃｈｉｎｅ）の保存日：２０１５年１１月２３日，コダマ樹脂工業株式会社，インターネット，＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｄ−ｋｊｋ．ｃｏ．ｊｐ／ｃａｔａｌｏｇ／ｐｄｆ／ｄｒｕｍ．ｐｄｆ＞（甲８号証）
引用例７．”コダマの「タマカン」”，［ｏｎｌｉｎｅ］，２０１０年４月，コダマ樹脂工業株式会社，インターネット，＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｄ−ｋｊｋ．ｃｏ．ｊｐ／ｃａｔａｌｏｇ／ｐｄｆ／ｔａｍａｋａｎ．ｐｄｆ＞（甲１０号証）
第５　引用例の記載
１．引用例１の記載と引用発明１
（１）引用例１の記載
　取消理由において引用した引用例１（特開２０１２−１９５５９０号公報：甲１号証）には，次の記載がある。（下線は当審により付加。以下同じ。）
「【０００２】
　本発明は，例えば，
半導体基材上の，好ましからざるレジスト膜，エッチング後，およびアッシング後残留物を除去することを含む種々の用途のために使用できるクリーニング組成物を提供する
「【００３８】　
　本発明の別の態様では，
半導体から残留物を除去するのに有用な組成物は，約４〜約１０ｗｔ％のヒドロキシルアミン；約６０〜約８０ｗｔ％の水；約０．１〜約１．０ｗｔ％の腐食防止剤；約０〜約３０ｗｔ％の水混和性溶媒；および約１０〜約２５ｗｔ％のｐＫａ＜９．０を有するアルカノールアミンを含むか，これらから本質的に成るかおよび／またはこれらからなる
本発明のクリーニング組成物は，典型的には，すべての固体が水性系媒体中に溶解されるまで，容器室温で容器中において共に成分を混合することによって調製される
（２）引用発明１
　上記によれば，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「半導体から残留物を除去するのに有用なクリーニング組成物であって，
前記クリーニング組成物は，
約４〜約１０ｗｔ％のヒドロキシルアミン；
約６０〜約８０ｗｔ％の水；
約０．１〜約１．０ｗｔ％の腐食防止剤；
約０〜約３０ｗｔ％の水混和性溶媒；
および約１０〜約２５ｗｔ％のｐＫａ＜９．０を有するアルカノールアミンを含み，
すべての固体が水性系媒体中に溶解されるまで容器中において共に成分を混合することによって調製された，
クリーニング組成物。」
２．引用例２〜７の記載
（１）引用例２の記載
　取消理由で引用した引用例２（国際公開第２００９／０７８１２３号）には，次の記載がある。
「[0001]　本発明は電子材料用洗浄剤及び洗浄方法に関する。更に詳しくは
フラットパネルディスプレイ，フォトマスク，ハードディスク又は半導体の基板用として好適な洗浄剤及び洗浄方法
「[0111]　＜経時安定性＞ 
５０ｍｌのガラス容器に洗浄剤４５ｍｌを採り，５℃及び５０℃の条件下で６ヶ月静置保存し，下記の評価点に従い，経時安定性を評価した
　　◎：５℃，５０℃いずれも外観変化なし。
　　○：５℃又は５０℃のいずれかでわずかに分離するが，軽く振ると均一になる。　
　　△：５℃又は５０℃いずれかでかなり分離するが，軽く振ると均一になる。
　　×：５℃，５０℃いずれも分離し，軽く振っても均一にならない。」
　上記によれば，引用例２には，洗浄剤を空隙率１０体積％で保管容器に保管することが記載されているものといえる。
（２）引用例３の記載
　取消理由通知で引用した引用例３（特開平１０−２７２４９２号公報）には，次の記載がある。
「【００１６】なお，従来例２の高温超純水装置において，上記溶出防止処理を実施しない場合，得られた高温超純水には，Ｆｅ５０ｐｐｔ，Ｎｉ１０ｐｐｔ程度の金属イオンが含まれることが確認されている。半導体製造工程では，ウエハ表面に金属イオンが１×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以上あることは許容されないと考えられている。このような微量金属イオンの除去対策を講じない場合の純水中微量金属イオン濃度とウエハ表面汚染量の関係を調べた。その結果を表１に示す（測定方法は後述する）。
【００１７】
【表１】
　表１より，
微量金属イオン未除去の場合，純水中に４９〜６７ｐｐｔのＦｅイオンが含まれ，
（３）引用例４の記載
　取消理由で引用した引用例４（特開２００１−２６１３１２号公報：甲４号証）には，次の記載がある。
「【０００２】
【従来の技術】
ヒドロキシルアミン水溶液は，従来より電子部品の製造を行う際の処理剤，洗浄剤として有用とされている
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の各種の安定剤は，しかしながら，通常の使用法では，その効果が十分であるとは言い難い。
また，一般に得られたヒドロキシルアミン水溶液には，原料中に含まれていた，あるいは製造工程において混入した不純物，例えば鉄，アルミニウム，アルカリ金属（ナトリウム，カリウム等）などの金属分が含まれている
「【００１５】図１に示した蒸留装置により，本発明のヒドロキシルアミン水溶液を製造する方法について詳述する。まず，出発原料である粗製ヒドロキシルアミン水溶液を原料タンクＡに導入する。粗製ヒドロキシルアミン水溶液は，前述したような公知の製法により得ることができる。この
粗製ヒドロキシルアミン水溶液には通常，鉄，アルミニウム，ナトリウム，カリウム，カルシウム等の不揮発性の金属成分などからなる不純物が含まれている。
ヒドロキシルアミン含有量が４０〜６０重量％，鉄の含有量が１５〜２００ｐｐｂの範囲にある粗製ヒドロキシルアミン水溶液を用いる。
「【００２０】このようにして得られた本発明の高濃度・高純度フリーヒドロキシルアミン水溶液は，ヒドロキシルアミン含有量が３０重量％以上となる。
また，鉄の含有量は１０ｐｐｂ以下，好ましくは５ｐｐｂ以下，更に好ましくは３ｐｐｂ以下である
（４）引用例５の記載
　取消理由で引用した引用例５（“ヒドロキシルアミンに係る爆発災害等の防止について，”［ｏｎｌｉｎｅ］，平成１３年６月１１日，厚生労働省労働基準局，インターネット，＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐｓ：／／ｗｗｗ．ｊａｉｓｈ．ｇｒ．ｊｐ／ａｎｚｅｎ／ｈｏｒ／ｈｏｍｂｕｎ／ｈｏｒ１−４２／ｈｏｒ１−４２−３７−１−０．ｈｔｍ＞）（甲７号証）には，次の記載がある。
「ヒドロキシルアミン水溶液を取り扱う場合には，みだりに鉄等の金属と接触させ，又は金属イオンを混入させないこと。
なお，
容器
ヒドロキシルアミン水溶液と接触する部分は，ガラス，プラスチック等，ヒドロキシルアミンに対して不活性なものを使用することが望ましい
（５）引用例６の記載
　取消理由通知で引用した引用例６（“ドラムカタログ”，［ｏｎｌｉｎｅ］，インターネット・アーカイブ　ウェイバック・マシン（Ｉｎｔｅｒｎｅｔ　Ａｒｃｈｉｖｅ　Ｗａｙｂａｃｋ　Ｍａｃｈｉｎｅ）の保存日：２０１５年１１月２３日，コダマ樹脂工業株式会社，インターネット，＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｄ−ｋｊｋ．ｃｏ．ｊｐ／ｃａｔａｌｏｇ／ｐｄｆ／ｄｒｕｍ．ｐｄｆ＞）（甲８号証）には，次の記載がある。
　引用例６の第１頁には，「パワードラム」及び「ケミカルドラム」について，次の記載がある。
　上記によれば，「パワードラム」が，ブロー成形で形成され，原料にポリエチレンを使用した樹脂ドラムであり，「ハイレベルな気密性」と「優れた耐薬品性」を備えた保管容器であることが理解できる。
　また，引用例６の第１０頁には，上記「パワードラム」について以下の記載がある。
　上記の表には「パワードラム」の容量（３列目）と実容量（４列目）が記載されており，実容量／容量＝空隙率が示されていると理解できる。そうすると，引用例６には，空隙率０．８体積％（ＰＯＭ−１２０：容量１２０Ｌ，実容量１２１Ｌ）から空隙率９．１体積％（ＰＬ−１００−ＡＷ；容量１００Ｌ，実容量１１０Ｌ）（ＰＬ−２００−ＫＷ；容量２００Ｌ，実容量２２０Ｌ）の「パワードラム」が記載されているものといえる。
（６）引用例７の記載
　取消理由通知で引用した引用例７（”コダマの「タマカン」”，［ｏｎｌｉｎｅ］，２０１０年４月，コダマ樹脂工業株式会社，インターネット，＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｄ−ｋｊｋ．ｃｏ．ｊｐ／ｃａｔａｌｏｇ／ｐｄｆ／ｔａｍａｋａｎ．ｐｄｆ＞）（甲１０号証）には，次の記載がある。
「長年の経験から蓄積されたノウハウにより
生まれたコダマの「タマカン」。
高品質ポリ容器の逸品です。」（第１頁）
「高度な一体ブロー成形技術から生まれた「タマカン」。
工業用薬品はじめ，塗料，食品，医薬品，農薬などの分野で
幅広く内容液の保管，輸送にご利用頂いております。」（第１頁）
　また，引用例７の第９頁には，上記「タマカン」について次の記載がある。
　上記において，容器の外寸から計算した体積を実容量として空隙率を求めると，引用例７には，空隙率が約２０体積％（ＰＯ−３０；容量３０Ｌ，四体寸法φ３１２×Ｈ４９２［ｍｍ］）から約４４体積％（ＫＭ−３４６；容量１０Ｌ，本体寸法Ｗ２００×Ｌ２６３×Ｈ３３８［ｍｍ］）の「タマカン」が記載されているものといえる。
（７）引用例２〜７のまとめ
ア　上記引用例２には，空隙率１０％で洗浄剤を保管することが記載されている。上記引用例６には，空隙率が０．８〜９．１体積％の範囲にある「パワードラム」が記載され，上記引用例７には，空隙率が約２０〜約４４体積％の範囲にある「タマカン」が記載されている。ここで上記「パワードラム」及び「タマカン」が保管容器であることは自明である。
　そうすると，空隙率が０．８〜約４４体積％の範囲にある保管容器で洗浄剤を保管することは，当業者に周知であったと理解できる。
イ　上記引用例３，４の記載によれば，微量金属イオン未除去の純水には４９〜６７ｐｐｔのＦｅイオンが含まれること，粗製ヒドロキシルアミン水溶液には通常１５〜２００ｐｐｂの鉄が含まれており，それを３ｐｐｂ以下に調整できることが当業者に周知であったと理解できる。
ウ　上記引用例５の記載によれば，爆発災害等の防止のため，ヒドロキシルアミン水溶液を保管する容器としてヒドロキシルアミンに対して不活性であるプラスチック等を用いることが，当業者に周知であったと理解できる。
エ　上記引用例６，７の記載によれば，高密度ポリエチレン製の耐薬品性容器が周知であったと理解できる。
第６　当審の判断
１．取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について
（１）本件発明１４（２９条２項）について
（１．１）対比
　本件発明１４と引用発明１を比較する。
ア　引用発明１における「クリーニング組成物」は，「約４〜約１０ｗｔ％のヒドロキシルアミン」と「約６０〜約８０ｗｔ％の水」を含み，「半導体から残留物を除去するのに有用」な組成物であるから，本件発明１４における「半導体デバイス用処理液」に対応し，両者はともに，「ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と」「を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液」である点で一致する。
イ　引用発明１において「クリーニング組成物」が「約６０〜約８０ｗｔ％の水」を含む点は，本件発明１４において「前記処理液中，前記水の含有量は，処理液全質量に対して６０〜９８質量％」であることに相当する。
ウ　引用発明１において「クリーニング組成物」が「約４〜約１０ｗｔ％のヒドロキシルアミン」を含む点は，本件発明１４において「前記処理液中，前記ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか種の総含有量が，処理液全質量に対して４〜２５質量％」であることに相当する。
エ　以上のア〜ウによれば，本件発明１４と引用発明１の一致点及び相違点は，次のとおりである。
＜一致点＞
「ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液であって，
　前記処理液中，前記ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか種の総含有量が，処理液全質量に対して４〜２５質量％であり，
　前記処理液中，前記水の含有量は，処理液全質量に対して６０〜９８質量％である，
処理液。」である点。
＜相違点１＞
　本件発明１４が「保管容器と，前記保管容器内に収容された」「半導体デバイス用処理液とを有する処理液収容体」であるのに対し，引用発明１では，「クリーニング組成物」を収容する「保管容器」の記載がなく，また，「処理液収容体」であることが特定されていない点。
＜相違点２＞
　本件発明１４では，「前記保管容器内の空隙率が１２〜２０体積％であり」と特定されるのに対し，引用発明１では「保管容器内の空隙率」の数値範囲が具体的に特定されていない点。
＜相違点３＞
　本件発明１４では，「前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，酸素を含む」のに対し，引用発明１では「処理液で満たされていない空間」の雰囲気について特定されていない点。
＜相違点４＞
　本件発明１４では，「半導体デバイス用処理液」が「４級水酸化アンモニウム類」を含有するのに対し，引用発明１ではそのことが特定されていない点。
＜相違点５＞
　本件発明１４では，「半導体デバイス用処理液」の「Ｆｅイオンの含有量が，１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂ」であるのに対し，引用発明１ではそのことが特定されていない点。
（１．２）相違点に対する判断
（１．２．１）相違点１について
　引用発明１の「クリーニング組成物」は「すべての固体が水性系媒体中に溶解されるまで容器中において共に成分を混合することによって調製された」ものであるから，当然に液体であり，「半導体から残留物を除去」するのに使用する時以外は，何らかの「保管容器」に収容され，本件発明１４でいう「処理液収容体」を構成していることは明らかである。よって，相違点１は実質的な相違点ではない。
　仮にそうでないとしても，処理液を「保管容器内に収容」して「処理液収容体」を構成することは当業者が普通に行うことであり，引用発明１において相違点１に係る構成とすることも，容易になし得たことである。
（１．２．２）相違点２について
　空隙率は，液体を何らかの容器に収容し使用することに伴い，必然的に定められる数値であると理解できる。また，上記第５の２．（７）アに示したとおり，引用例２，６，７によれば，０．８〜約４４体積％の範囲内の空隙率で液体を容器に収容することは当業者に周知であったといえる。
　そうすると，封入直後から所定回の処理液使用後までのいずれかの時点において，処理液収容体の空隙率を「１２〜２０体積％」の範囲内の数値とすることは，処理液を製造又は使用する当業者にとって，格別の困難無くなし得たことである。
（１．２．３）相違点３について
　上記（１．２．１）で述べたとおり，引用発明１の「クリーニング組成物」を容器に収容することは当然に行うことであり，その際，「前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間」を「空気」すなわち「酸素を含む」気体で満たすことは，ごく普通に行うことである。よって，引用発明１において相違点３に係る構成とすることは，当業者が容易になし得たことである。
（１．２．４）相違点４について
ア　ヒドロキシルアミンを含む半導体デバイス処理液に４級水酸化アンモニウム類を添加することは，下記の周知例１（特開２００９−２１７２６７号公報：甲２号証）及び周知例２（特表２００３−５２６１１１号公報：甲１２号証）に記載されているとおり，当業者の周知技術であるから，引用発明１において４級水酸化アンモニウム類を添加することは，当業者が適宜なし得たことである。また，処理液に４級水酸化アンモニウム類を添加することによる格別の効果も認められない。
イ　周知例１（特開２００９−２１７２６７号公報：甲２号証）には，次の記載がある。
「【００１０】
本実施例では，以下の略語が使用される。
ＴＭＡＨ＝水酸化テトラメチルアンモニウム
ＤＭＳＯ＝ジメチルスルホキシド
ＨＡ＝ヒドロキシルアミン
ＮＭＰ＝Ｎ−メチルピロリジン
ＤＭＡＣ＝ジメチルアセトアミド
ＤＰＭ＝ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
ＭＥＡ＝モノエタノールアミン
ＡＥＥＡ＝アミノエチルエタノールアミン
ＤＩＷ＝脱イオン水
ＢＺＴ＝ベンゾトリアゾール」
【００１３】
　得られた本発明のフォトレジスト剥離剤配合物の実施形態は，表２に記載する組成の構成を有し，表２は，好ましい実施態様に関する組成含有物の好ましい範囲を示している。
【００１４】
【表２】
」
　以上によれば，周知例１には脱イオン水とヒドロキシルアミンを含む半導体処理液に水酸化テトラメチルアンモニウムを添加することが記載されているものと理解できる。
ウ　周知例２（特表２００３−５２６１１１号公報：甲１２号証）には，次の記載がある。
【０１０９】
実施例２１
水溶液「Ｍ２」は０．６７重量％水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）
１．０重量％ヒドロキシルアミン
この溶液の残部は水
水溶液「Ｍ３」は０．９４重量％水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）
５．１重量％ヒドロキシルアミン
この溶液の残部は水
水溶液「Ｍ４」は１．１重量％水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）
１０．０重量％ヒドロキシルアミン
この溶液の残部は水
水溶液「Ｍ５」は１．３重量％水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）
４７．３重量％ヒドロキシルアミン
この溶液の残部は水
【表２６】
【０１１０】
表２０によれば，データはヒドロキシルアミンの低温でのチタン含有残渣の除去を促進する能力を示している。」
　以上によれば，周知例２には，ヒドロキシルアミンを含む水溶液に水酸化テトラメチルアンモニウムを添加することが記載されているものと理解できる。
（１．２．５）相違点５について
　上記第５の２．（７）イに示したとおり，引用例３及び４から，微量金属イオン未除去の純水には４９〜６７ｐｐｔのＦｅイオンが含まれ，粗製ヒドロキシルアミン水溶液には通常１５〜２００ｐｐｂの鉄が含まれ，それを３ｐｐｂ以下に調整できることは，当業者に周知の事項である。
　そうすると，引用発明１においてＦｅイオンの含有量を１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂの範囲内に調整することは，必要に応じ適宜なし得たことであるといえる。
（１．２．６）特許権者の主張について
ア　上記（１．２．２）の相違点２について，特許権者は令和２年１１月１９日付け意見書（６頁１行〜５行）において次のように述べ，本件発明１４の進歩性を主張している。
「ここで，本明細書の表１〜表１３に示されるとおり，空隙率が１２〜２０％の範囲内になる場合，保管された処理液を用いて行われた試験の評価が特異的に良化することが示されている。
　すると，「空隙率が１２〜２０％」とする構成について，「格別の技術的意義」が存在するといえ，設計事項には当たらない。」
　しかしながら，「空隙率が１２〜２０体積％」とすることの効果は，「容器に封入された各処理液に対し，通常の冷蔵保管温度である５℃で８時間→室温である２５℃で４時間→通常の冷蔵保管温度である５℃で８時間→室温である２５℃で４時間を１サイクルとして１８０日間繰り返すサーモサイクル試験を実施した。」（本件特許公報段落００８５）際に現れた効果であり，サーモサイクルの間にあっても一定の空隙率を維持することによってはじめて発揮される効果であると理解できる。
　一方，本件発明１４は，処理液収容体の保管状態を何ら特定していない。すなわち，本件発明１４は，保管状態を問わない物の発明として，処理液収容体における公知の処理液の収容量を「空隙率」というパラメータで単に特定したに過ぎない発明である。そうすると，特定の「空隙率」を維持した保管状態を前提とした効果である「試験の評価が特異的に良化」したとの効果を，保管状態を問わない本件発明１４の奏する効果と認めることはできない。よって，上記特許権者の主張は採用できない。
イ　上記（１．２．４）の相違点４について，特許権者は令和２年１１月１９日付け意見書（７頁５行〜１５行）において次のように述べて，本件発明１４の進歩性を主張している。（なお，以下でいう「引用文献１」は上記「引用例１」に相当し，「引用文献５Ａ」は「周知例１（甲２号証）」に相当する。）
「ここで，引用文献１では，いずれの独立項でも水の含有量が５０ｗｔ％以上である溶液を使用すべきことを規定している。
　一方で，引用文献５Ａの請求項３や実施例の配合を参照すると，引用文献５Ａにおける溶液は，水の含有量を５０ｗｔ％未満として有機溶剤をリッチに配合するべき想定がされていることは明らかである。
・・・（中略）・・・
このような，引用文献１と引用文献５Ａとを組み合わせて進歩性を検討することは妥当であるとは言えない。」
　しかしながら，上記周知例２に記載されているように，水の含有量が５０ｗｔ％以上のヒドロキシルアミン水溶液に水酸化テトラメチルアンモニウム等の４級水酸化アンモニウム類を添加することは，当業者の周知技術であるから，引用発明１において相違点４に係る構成とすることは，当業者が適宜なし得たことである。よって，上記特許権者の主張は採用できない。
（１．３）小括
　上記（１．２）のとおり，本件発明１４は，引用例２〜４，６〜７及び周知例１〜２に示される周知技術に照らし，引用発明１から当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）本件発明１８〜２１（２９条２項）について
ア　上記第５の２．（７）ウに示したとおり，引用例５から，爆発災害等の防止のためヒドロキシルアミン水溶液をプラスチック製の容器に収容することは，当業者に周知の事項である。さらに，上記第５の２．（７）エに示したとおり，引用例６，７から，高密度ポリエチレン製の耐薬品容器は周知のプラスチック容器である。そうすると，ヒドロキシルアミン水溶液である引用発明１の「クリーニング組成物」を高密度ポリエチレン製の容器に収容することは，上記周知技術を知る当業者が普通に行うことであるといえる。
したがって，本件発明１８及び１９は，周知技術に照らし引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
イ　保管容器内壁の材質をフッ素系樹脂とすることは，下記周知例３（特開２００５−２３６０５０号公報：甲６号証）に記載のとおり，当業者の周知技術である。
　したがって，本件発明２０は，周知技術に照らし引用発明１に基づいて当業者が容易になし得たものである。
　周知例３（特開２００５−２３６０５０号公報：甲６号証）には，次の記載がある。
「【００１５】
さらに，本発明の電子デバイス製造用薬液の供給装置において，薬液が接触する部分，すなわち配管の内側および耐圧容器の内側は，
使用する薬液に対して耐性のある材料であることが好ましい。これは腐食などによる不純物の混入を防ぐためである
フッ素樹脂製であることが好ましい
【００１６】
また，
配管や耐圧容器をステンレススチールで形成させ，薬液が接触する表面がフッ素樹脂等の耐食性材料，より具体的にはテフロン（登録商標），で被覆されていることも好ましい
これらの配管および耐圧容器自体が
フッ素樹脂製であってもよい
ウ　また，保管容器の開口の数は当業者の設計事項であり，複数開口とすることも適宜なし得たことである。
　したがって，本件発明２１は，周知技術に照らし引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）本件発明１５（２９条２項）について
（３．１）対比
　本件発明１５と引用発明１を比較する。
ア　引用発明１における「クリーニング組成物」は，「約４〜約１０ｗｔ％のヒドロキシルアミン」と「約６０〜約８０ｗｔ％の水」を含み，「半導体から残留物を除去するのに有用」な組成物であるから，本件発明１５における「半導体デバイス用処理液」に対応し，両者はともに，「ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と」「を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液」である点で一致する。
イ　引用発明１において「クリーニング組成物」が「約６０〜約８０ｗｔ％の水」を含む点は，本件発明１５において「前記処理液中，前記水の含有量は，処理液全質量に対して６０〜９８質量％」であることに相当する。
　以上のア〜イによれば，本件発明１５と引用発明１の一致点及び相違点は以下のとおりとなる。
＜一致点＞
　「ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液であって，
　前記処理液中，前記水の含有量は，処理液全質量に対して６０〜９８質量％である
処理液。」
である点。
＜相違点１‘＞
　本件発明１５が「保管容器と，前記保管容器内に収容された」「半導体デバイス用処理液とを有する処理液収容体」であるのに対し，引用発明１では，「クリーニング組成物」を収容する「保管容器」の記載がなく，また，「処理液収容体」であることが特定されていない点。
＜相違点２‘＞
本件発明１５では，「前記保管容器内の空隙率が１２〜２０体積％となるように，前記処理液が前記保管容器内に封入されて，前記処理液が前記保管容器内に保管されており」と特定されるのに対し，引用発明１では処理液の保管状態について特定されていない点。
＜相違点３‘＞
　本件発明１５では，「前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，空気を含む」のに対し，引用発明１では「処理液で満たされていない空間」の雰囲気について特定されていない点。
＜相違点４‘＞
　本件発明１５では，「半導体デバイス用処理液」が「４級水酸化アンモニウム塩」を含有するのに対し，引用発明１ではそのことが特定されていない点。
（３．２）相違点に対する判断
　事案に鑑み，はじめに相違点２‘について検討する。
　上記第５の２．（７）アに示したとおり，空隙率が０．８〜４４体積％の範囲にある保管容器で洗浄剤を保管することは，引用例２，６，７に記載されているように，当業者の周知技術であるといえる。
　しかしながら，「前記保管容器内の空隙率が１２〜２０体積％となるように，前記処理液が前記保管容器内に封入されて，前記処理液が前記保管容器内に保管されており」との点は，引用例２，６，７には記載されていない。本件発明１５は，冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化が繰り返される中でも「前記保管容器内の
空隙率が１２〜２０体積％となるように
前記保管容器内に封入されて
前記保管容器内に保管されており
　したがって，引用例２，６，７に示された周知技術及び引用例３〜５に記載の技術的事項から，引用発明１において「前記保管容器内の空隙率が１２〜２０体積％となるように・・・保管されており」とすることが当業者にとって容易であったとはいえない。
　上記のとおり，引用発明１において相違点２‘に係る構成とすることは当業者にとって容易であったとはいえないから，他の相違点について検討するまでもなく，本件特許１５は引用発明１及び引用例２〜７から当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３．３）申立人の主張について
　令和３年１月５日付け意見書において申立人は，
（ａ）引用例６には空隙率が約０．８体積％のドラムと，空隙率が約９．１体積％のドラムが記載されていること，
（ｂ）引用例７には，外寸から計算した空隙率として，空隙率が３０，２３，２９，２０体積％であるドラムが記載されていること，
（ｃ）ＫＫ−１２８−１の実容量を測定したところ，２３．８〜２４Ｌであり，空隙率は１６．０〜１６．７体積％となったこと，
（ｄ）処理液が充填された処理液収容体において，少量の必要量だけ取り出して使用することは極めて一般的に行われていることであり，仮に充填時の空隙率が１２体積％未満となるように充填したとしても，使用時または一部使用時には必ず空隙率が１２〜２０体積％の値を経由すること，
を指摘し，本件発明１５は引用例１に引用例７を組み合わせて容易に想到できたものである旨主張している。
　上記主張について検討すると，保管容器の満杯状態における仕様上の空隙率で保管された処理液収容体は周知であるところ，上記（ａ）（ｂ）によれば，満杯状態における仕様上の空隙率が１２〜２０体積％の保管容器は引用例６，７には示されていない。引用例７のＰＯ−３０の外寸から算出した空隙率は２０体積％であるものの，現実の実容量が外寸から算出した容量とどれだけ異なるかは不明であるため，ＰＯ−３０の満杯状態での空隙率が１２〜２０体積％の範囲内となることが引用例７の記載上明らかとまではいえない。
　また，上記（ｃ）については，その事実を客観的に把握できる具体的な証拠が示されていないため，上記（ｃ）に示される事実の存否を確認することができない。
　さらに，上記（ｄ）について検討すると，本件発明１５は「前記保管容器内の
空隙率が１２〜２０体積％となるように
封入されて
保管されて
　したがって，上記申立人の主張は採用できない。
（４）小括
　上記（１）（２）のとおり，本件発明１４，１８〜２１は，周知技術に照らし引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，請求項１４，１８〜２１に係る特許は，いずれも，特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。したがって，本件請求項１４，１８〜２１に係る特許は，特許法１１３条２号に該当し，取り消されるべきものである。
　また，上記（３）のとおり，本件発明１５は引用例１に記載された発明及び引用例２〜７に記載された技術的事項から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２．取消理由通知（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由について
（１）特許異議申立理由の概要
　令和元年１１月２２日付け特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由の概要は，本件特許の請求項１〜２１に係る特許は，下記の申立理由のとおり，特許法１１３条２号及び４号に該当する，というものである。
・申立理由１−１Ａ（新規性）
　本件訂正前の請求項１〜８，１１〜１３に係る発明は，甲１号証に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜８，１１〜１３に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由１−１Ｂ（新規性）
　本件訂正前の請求項１４〜１７，２１に係る発明は，甲１号証に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１４〜１７，２１に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由１−２Ａ（新規性）
　本件訂正前の請求項１〜９，１２に係る発明は，甲２号証に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜９，１２に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由１−２Ｂ（新規性）
　本件訂正前の請求項１４〜１７，２１に係る発明は，甲１号証に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１４〜１７，２１に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由２−１Ａ（進歩性）
　本件訂正前の請求項１〜８，１０〜１３に係る発明は，甲１号証に記載された発明及び甲３，４，５号証に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由２−１Ｂ（進歩性）
　本件訂正前の請求項１４〜２１に係る発明は，甲１号証に記載された発明及び甲３，４，６号証に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由２−２Ａ（進歩性）
　本件訂正前の請求項１〜１０，１２に係る発明は，甲２号証に記載された発明及び甲３，４，５号証に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由２−２Ｂ（進歩性）
　本件訂正前の請求項１４〜２１に係る発明は，甲２号証に記載された発明及び甲３，４，６号証に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，同法１１３条２号に該当する。
・申立理由３（サポート要件）
　本件訂正前の請求項１〜２１に係る発明は，特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項１号の規定に適合するものではないから，本件特許の請求項１〜２１に係る特許は，同法１１３条４号に該当する。
・申立理由４（明確性）
　本件訂正前の請求項２〜１３，１５〜２１に係る発明は，特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項２号の規定に適合するものではないから，本件特許の請求項２〜１３，１５〜２１に係る特許は，同法１１３条４号に該当する。
（２）証拠方法
ア　上記特許異議申立書とともに提出された証拠方法は，以下のとおりである。
甲１号証：特開２０１２−１９５５９０号公報（上記引用例１）
甲２号証：特開２００９−２１７２６７号公報（上記周知例１）
甲３号証：国際公開第２０１２／０９０６６９号
甲４号証：特開２００１−２６１３１２号公報（上記引用例４）
甲５号証：特表２００６−５０１３２７号公報
甲６号証：特開２００５−２３６０５０号公報（上記周知例３）
イ　令和２年７月２０日付け意見書とともに提出された証拠方法は，以下のとおりである。
甲７号証：“ヒドロキシルアミンに係る爆発災害等の防止について，”［ｏｎｌｉｎｅ］，平成１３年６月１１日，厚生労働省労働基準局，インターネット，＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐｓ：／／ｗｗｗ．ｊａｉｓｈ．ｇｒ．ｊｐ／ａｎｚｅｎ／ｈｏｒ／ｈｏｍｂｕｎ／ｈｏｒ１−４２／ｈｏｒ１−４２−３７−１−０．ｈｔｍ＞（上記引用例５）
甲８号証：“ドラムカタログ”，［ｏｎｌｉｎｅ］，インターネット・アーカイブ　ウェイバック・マシン（Ｉｎｔｅｒｎｅｔ　Ａｒｃｈｉｖｅ　Ｗａｙｂａｃｋ　Ｍａｃｈｉｎｅ）の保存日：２０１５年１１月２３日，コダマ樹脂工業株式会社，インターネット，＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｄ−ｋｊｋ．ｃｏ．ｊｐ／ｃａｔａｌｏｇ／ｐｄｆ／ｄｒｕｍ．ｐｄｆ＞（上記引用例６）
甲９号証：インターネットサイトＷａｙｂａｃｋ　Ｍａｃｈｉｎｅで調査した甲８号証のウェブ掲載日に関する調査結果
甲１０号証：“コダマの「タマカン」”，［ｏｎｌｉｎｅ］，２０１０年４月，コダマ樹脂工業株式会社，インターネット，＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｄ−ｋｊｋ．ｃｏ．ｊｐ／ｃａｔａｌｏｇ／ｐｄｆ／ｔａｍａｋａｎ．ｐｄｆ＞（上記引用例７）
ウ　令和３年１月５日付け意見書とともに提出された証拠方法は，以下のとおりである。
甲１１号証：特開平９−２８３５０７号公報
甲１２号証：特表２００３−５２６１１１号公報（上記周知例２）
（３）甲号証の記載事項
　甲１号証の記載事項は，上記第５の１．（１）のとおりである。
　甲２号証の記載事項は，上記第６の１．（１．２．４）イのとおりである。
　甲４号証の記載事項は，上記第５の１．（３）のとおりである。
　甲６号証の記載事項は，上記第６．１．（２）イのとおりである。
　甲７号証の記載事項は，上記第５の１．（４）のとおりである。
　甲８号証の記載事項は，上記第５の１．（５）のとおりである。
　甲９号証は，甲８号証が２０１５年１１月２３日にアップロードされたことを示すものである。
　甲１０号証の記載事項は，上記第５の１．（６）のとおりである。
　甲１２号証の記載事項は，上記第６の１．（１．２．４）ウのとおりである。
　甲３号証の記載事項は以下のとおりである。
「[0096] 　本実施の形態に係る保管方法は，上記の
電
「[0099] 　なお，このような金属溶出の少ない容器は，ガラス製，樹脂製の材質により構成されているものが好ましい。たとえば，特開昭５９−０３５０４３号方法等により製造されたクリーンな容器を好ましく使用することができる。」
「[0173] 　表７において，「クリーンボトル」はアイセロ化学株式会社より市販されている２０リットルの角缶型のクリーンボトルを使用した。「洗浄ポリ容器」は，市販されている２０リットルの角缶型のポリプロピレン容器の内部をクリーンルーム中で洗浄したものを使用した。「金属缶」は，市販の金属製の一斗缶を使用した。また，異物発生有無は，目視にて凝集物のある場合を不良として×，凝集物のない場合を良好として○と示した。容器態様は，目視にて容器外観に変化ない場合を良好と判断して○，容器外観に変化があるものを×と示した。ハードショートの有無，良品率は前述の方法にて評価した。」
　甲５号証の記載事項は以下のとおりである。
「【００３５】
＜実施例Ａ１＞
実施例Ａ１の組成物は，プロピレングリコールメチルエーテル６３重量％，イオン交換水２２．６重量％，フッ化アンモニウム０．８重量％，プロピレングリコール１０重量％，ジエチルヒドロキシルアミン１．８重量％及び乳酸１．８重量％からなる。実施例Ｈは，低誘電率及び金属線及びビアからエッチング残渣及びフォトレジストを除去するための洗浄用及び剥離用組成物である。」
　甲１１号証の記載事項は以下のとおりである。
「【表１】
」
「【表２】
」
（４）申立理由についての判断
　上記申立理由のうち，申立理由２−１Ｂ（進歩性）は，取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由と同旨であるから，申立理由２−１Ｂ（進歩性）についての当審の判断は上記第６の１．に示したとおりである。
　そして，他の申立理由についての当審の判断は以下のとおりである。（なお，上記第６の１．に示すとおり，当審において本件請求項１４，１８〜２１に係る特許は取り消されるべきものと判断されているから，申立理由１−１Ｂ，１−２Ｂ，２−２Ｂについては，本件発明１５についての判断を示す。）
（４．１）申立理由１−１Ｂ（新規性）について
　上記第６の１．（３．１）で示したとおり，本件発明１５と引用発明１との間には，相違点１‘〜４’の相違点があるから，本件発明１５と引用発明１は同一ではない。
　したがって，申立理由１−１Ｂ（新規性）によっては，本件請求項１５に係る特許を取り消すことはできない。
（４．２）申立理由１−２Ｂ（新規性）について
　上記第６の１．（１．２．４）イに示した甲２号証の記載によれば，甲２号証には次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されているものと認められる。
「フォトレジスト剥離剤配合物であって，
８．２６ｗｔ％のヒドロキシルアミンと，
５．７２ｗｔ％の脱イオン水と，
２２．８７ｗｔ％の水酸化テトラメチルアンモニウムとを含む，
フォトレジスト剥離剤配合物。」
　本件発明１５と甲２発明を比較すると，一致点及び相違点は以下のとおりである。
＜一致点＞
　「ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と，水と，４級水酸化アンモニウム塩と，を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液。」である点。
＜相違点１‘’＞
　本件発明１５が「保管容器と，前記保管容器内に収容された」「半導体デバイス用処理液とを有する処理液収容体」であるのに対し，甲２発明では，「フォトレジスト剥離剤配合物」を収容する「保管容器」の記載がなく，また，「処理液収容体」であることが特定されていない点。
＜相違点２‘’＞
　本件発明１５では，「前記保管容器内の空隙率が１２〜２０体積％となるように，前記処理液が前記保管容器内に封入されて，前記処理液が前記保管容器内に保管されており」と特定されるのに対し，甲２発明では処理液の保管状態について特定されていない点。
＜相違点３‘’＞
　本件発明１５では，「前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が，空気を含む」のに対し，甲２発明では「処理液で満たされていない空間」の雰囲気について特定されていない点。
＜相違点４‘’＞
　本件発明１５では，「半導体デバイス用処理液中」の「前記水の含有量は，処理液全質量に対して６０〜９８質量％」であるのに対し，甲２発明では脱イオン水の含有量が「５．７２ｗｔ％」である点。
　したがって，本件発明１５と甲２発明は同一ではないから，申立理由１−２Ｂ（新規性）によっては，本件請求項１５に係る特許を取り消すことはできない。
（４．３）申立理由２−２Ｂ（進歩性）について
　上記（４．２）に示すとおり，本件発明１５と甲２発明との間には相違点１‘’〜４‘’が存在する。
　事案に鑑み，はじめに相違点２‘’について検討すると，当該相違点は甲３号証〜甲５号証には記載されていない。甲３号証は電極用バインダーの保管容器に関する技術を開示するものであり，甲２発明とは対象が異なり，適用することが容易とはいえない。そして，相違点２‘’の構成とすることによる効果も，甲２発明及び甲３号証〜甲５号証からは予測し得ないものである。
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明１５は甲２号証に記載された発明及び甲３号証〜甲５号証に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから，申立理由２−２Ｂ（進歩性）によっては，本件請求項１５に係る特許を取り消すことはできない。
（４．４）申立理由１−１Ａ（新規性）について
　甲１号証，すなわち引用例１には，「クリーニング組成物」の発明である引用発明１は記載されているものの，当該「クリーニング組成物」の保管方法については記載されていない。
　そこで，本件発明１と引用発明１を比較すると，引用発明１は「冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって」「前記保管容器内の空隙率を０．０１〜３０体積％と」することが特定されていない点で主に相違する。
　同様に，本件発明２と引用発明１を比較すると，引用発明１は「冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって」「前記保管容器内の空隙率が０．０１〜３０体積％となるように，前記処理液を前記保管容器内に封入して，前記処理液を前記保管容器内に保管」することが特定されていない点で主に相違する。
　したがって，本件発明１及び本件発明２は，引用発明１と同一ではない。また，本件発明３〜８，１１〜１３は，いずれも本件発明１又は２を減縮した発明であるから，同様にして，引用発明１と同一ではない。よって，申立理由１−１Ａ（新規性）によっては，本件請求項１〜８，１１〜１３に係る特許を取り消すことはできない。
（４．５）申立理由２−１Ａ（進歩性）について
　上記（４．４）に示すとおり，引用発明１は「冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって」「前記保管容器内の空隙率を０．０１〜３０体積％と」することが特定されていない点で本件発明１と主に相違する。そして，当該相違点に係る構成は，甲３号証〜甲５号証には記載されておらす，当該相違点に係る構成による効果も引用発明１及び甲３号証〜甲５号証の記載からは予測し得ないものである。
　また，引用発明１は「冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって」「前記保管容器内の空隙率が０．０１〜３０体積％となるように，前記処理液を前記保管容器内に封入して，前記処理液を前記保管容器内に保管」することが特定されていない点で，本件発明１と主に相違する。そして，当該相違点に係る構成は，甲３号証〜甲５号証には記載されておらす，当該相違点に係る構成による効果も引用発明１及び甲３号証〜甲５号証の記載からは予測し得ないものである。
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明１及び２は引用例１に記載された発明及び甲３号証〜甲５号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。さらに，本件発明３〜８，１０〜１３は，本件発明１又は２を減縮した発明であり，上記相違点に係る構成を含むものであるから，本件発明１及び２と同様に，引用例１に記載された発明及び甲３号証〜甲５号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。よって，申立理由２−１Ａ（進歩性）によっては，本件請求項１〜８，１０〜１３に係る特許を取り消すことはできない。
　令和２年７月２０日付け意見書において申立人は，本件発明１〜１３において「冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される」という要件は処理液を規定しており，保管時に冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返す工程を新たに規定するものではないので，当該規定は方法に関する本願発明に対して何の技術的意義も有しておらず，引用文献に記載されていなくても相違点とはならない旨，主張している。
　しかしながら，本件発明１は，「冷蔵
保管
繰り返される
保管方法
（４．６）申立理由１−２Ａ（新規性）について
　甲２号証には，「フォトレジスト剥離剤配合物」の発明である甲２発明は記載されているものの，当該「フォトレジスト剥離剤配合物」の保管方法については記載されていない。
そこで，本件発明１と甲２発明を比較すると，甲２発明は「冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって」「前記保管容器内の空隙率を０．０１〜３０体積％と」することが特定されていない点で主に相違する。
　同様に，本件発明２と甲２発明を比較すると，甲２発明は「冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって」「前記保管容器内の空隙率が０．０１〜３０体積％となるように，前記処理液を前記保管容器内に封入して，前記処理液を前記保管容器内に保管」することが特定されていない点で主に相違する。
　したがって，本件発明１及び本件発明２は，甲２発明と同一ではない。また，本件発明３〜９，１２は，いずれも本件発明１又は２を減縮した発明であるから，同様にして，甲２発明と同一ではない。よって，申立理由１−２Ａ（新規性）によっては，本件請求項１〜９，１２に係る特許を取り消すことはできない。
（４．７）申立理由２−２Ａ（進歩性）について
　上記（４．６）に示すとおり，甲２発明は「冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって」「前記保管容器内の空隙率を０．０１〜３０体積％と」することが特定されていない点で本件発明１と主に相違する。そして，当該相違点に係る構成は，甲３，４，６号証には記載されておらす，当該相違点に係る構成による効果も引用発明１及び甲３，４，６号証の記載からは予測し得ないものである。
　また，甲２発明は「冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液を保管容器内に保管する，半導体デバイス用処理液の保管方法であって」「前記保管容器内の空隙率が０．０１〜３０体積％となるように，前記処理液を前記保管容器内に封入して，前記処理液を前記保管容器内に保管」することが特定されていない点で，本件発明２と主に相違する。そして，当該相違点に係る構成は，甲３，４，６号証には記載されておらす，当該相違点に係る構成による効果も甲２発明及び甲３，４，６号証の記載からは予測し得ないものである。
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明１及び２は甲２号証に記載された発明及び甲３，４，６号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。さらに，本件発明３〜１０，１２は，本件発明１又は２を減縮した発明であり，上記相違点に係る構成を含むものであるから，本件発明１及び２と同様に，甲２号証に記載された発明及び甲３，４，６号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。よって，申立理由２−２Ａ（進歩性）によっては，本件請求項１〜１０，１２に係る特許を取り消すことはできない。
（４．８）申立理由３（サポート要件）について
ア　申立人は，本件訂正前の請求項１，１４では，空隙に存在する物質が規定されておらず，本件発明の効果を奏しない態様も包含されていると主張している。
　しかしながら，本件訂正後の請求項１，１４では，「前記処理液で満たされていない空間が，酸素を含む」と特定されている。よって，上記申立人の主張は採用できない。
イ　申立人は，本件訂正前の請求項１，１４は，１０ｐｐｔ〜１０ｐｐｍという極めて広い範囲のＦｅイオン濃度が規定されているにもかかわらず，実施例では，Ｆｅイオン濃度が５〜３０ｐｐｂという極めて限られた範囲の組成物しか実施されていない。当業者は，Ｆｅイオン濃度が１０ｐｐｔ〜１０ｐｐｍという広い範囲の全てにおいて，本件発明の効果を奏すると理解することはできないと主張している。
　しかしながら，本件訂正後の請求項１，１４では「Ｆｅイオンの含有量が１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂ」と特定されている。よって，上記申立人の主張は採用できない。
ウ　申立人は，「処理液Ａ〜Ｍはヒドロキシアミンの含有量や任意成分の配合が多様であり，これらに全く依存することなくエッチングレート維持率が同一となる可能性は極めて低い」から「本件明細書の核となる実施例に信憑性に疑義があるため，本件訂正前の請求項１，１４に記載された発明は明細書に開示された発明とはいえない。」と主張している。
　しかしながら，本件明細書において「評価」に対応するエッチングレート維持率には幅があり，「エッチングレート維持率が同一である」とまではいえない。また，本件訂正後の請求項１及び１４の記載は，実施例をはじめ，発明の詳細な説明との実質的な対応関係を有するものであるから，特許法３６条６項１号に適合するものであるといえる。よって，上記申立人の主張は採用できない。
エ　申立人は，本件訂正前の請求項２，１５には，空間が含む空気（または酸素）の含有量が規定されておらず，あらゆる空気（酸素）濃度の態様を包含する請求項２，１５の範囲までその効果を認めることはできない，と主張している。
　しかしながら，本件特許発明は特定の酸素濃度に限定することにより課題を解決するものではないから，本件訂正後の請求項２及び１５の記載は，課題解決手段を特定するために必要な事項が記載されたものであり，特許法３６条６項１号に適合するものであるといえる。よって，上記申立人の主張は採用できない。
オ　令和２年７月２０日付け意見書において申立人は，本件発明１〜１３には，「保管管理中は常に」という要件が規定されていないから，サポート要件を充足しない旨主張している。
　しかしながら，本件発明１は，「冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液」の「保管方法」として「前記保管容器内の空隙率を０．０１〜３０体積％」とすることを特定するものであるから，「前記処理液」の「温度環境変化」は，本件発明１に係る「保管方法」の前提であり，当該「温度環境変化」の間，「空隙率を０．０１〜３０体積％」にて保管することが特定されていると理解するのが自然である。すなわち，本件発明１には「保管管理中は常に」という要件と同等の事項が特定されているものと認められる。
　同様に，本件発明２は，「冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液」の「保管方法」として，「空隙率が０．０１〜３０体積％となるように，前記処理液を前記保管容器内に封入して，前記処理液を前記処理容器内に保管する」ものであるから，当該「温度環境変化」の間，「空隙率が０．０１〜３０体積％となるように」「前記処理液を保管容器内に保管する」ものであると理解するのが自然である。すなわち，本件発明２には「保管管理中は常に」という要件と同等の事項が特定されているものと認められる。
　したがって，本件発明１〜１３はサポート要件を充足するから，上記申立人の主張は採用できない。
（４．９）申立理由４（明確性）について
　申立人は，訂正前の請求項２，１５には，空間に含まれる空気の量が規定されていないので，発明の範囲が不明であると主張している。
　しかしながら，本件訂正後の請求項２，１５において，それぞれの発明特定事項及びそれらの関係は明確に特定されており，請求項２，１５に係る発明の範囲は明確である。よって，上記申立人の主張は採用できない。
第６　結言
　したがって，本件請求項１４，１８〜２１に係る特許は，いずれも，特許法２９条２項の規定に違反してされたものであるから，特許法１１３条２号に該当し，取り消されるべきものである。
　また，本件請求項１〜１３，１５に係る特許は，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，取り消すことはできない。さらに，他に本件請求項１〜１３，１５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　そして，本件請求項１６，１７は訂正により削除されたため，同請求項に係る特許に対する特許異議の申し立てについては，対象となる請求項が存在しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和３年３月２４日（２０２１．３．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と、水と、を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液
であって、
　
冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液
　前記処理液中、前記ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種の総含有量が、処理液全質量に対して４〜２５質量％であり、Ｆｅイオンの含有量が、
１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂ
　前記保管容器内の空隙率を０．０１〜３０体積％と
し、
　
前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が、酸素を含む、
　なお、空隙率は、以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００
　【請求項２】
　ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と、水と、を少なくとも含有する半導体デバイス用処理液
であって、
　
冷蔵保管及び室温静置という温度環境変化を繰り返される前記処理液
　前記保管容器内の空隙率が０．０１〜３０体積％となるように、前記処理液を前記保管容器内に封入して、前記処理液を前記保管容器内に保管し、
　前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が、空気を含む、半導体デバイス用処理液の保管方法。
　なお、空隙率は、以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００
　【請求項３】
　前記処理液中、前記ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種の総含有量が、処理液全質量に対して１〜３０質量％である、請求項２に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
　【請求項４】
　前記処理液中、Ｆｅイオンの含有量が、
１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂ
　【請求項５】
　前記保管容器内の空隙率が１〜２５体積％である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
　【請求項６】
　前記保管容器内の空隙率が１２〜２０体積％である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
　【請求項７】
　前記半導体デバイス用処理液が、さらに、腐食防止剤を含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
　【請求項８】
　前記半導体デバイス用処理液が、さらに、水溶性有機溶剤及びアルカノールアミン類の少なくとも一方を含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
　【請求項９】
　前記半導体デバイス用処理液が、さらに、４級水酸化アンモニウム類を含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
　【請求項１０】
　前記半導体デバイス用処理液が、さらに、フッ化物を含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
　【請求項１１】
　前記半導体デバイス用処理液が、さらに、キレート剤を含む請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
　【請求項１２】
　前記腐食防止剤が、下記式（Ａ）〜式（Ｃ）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項７〜１１のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
　【化１】
　前記式（Ａ）において、Ｒ１Ａ〜Ｒ５Ａは、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、水酸基、カルボキシ基、又は、アミノ基を表す。ただし、構造中に水酸基、カルボキシ基、及び、アミノ基から選ばれる基を少なくとも１つ含む。
　前記式（Ｂ）において、Ｒ１Ｂ〜Ｒ４Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、又は、炭化水素基を表す。
　前記式（Ｃ）において、Ｒ１Ｃ、Ｒ２Ｃ及びＲＮは、それぞれ独立に、水素原子、又は、炭化水素基を表す。また、Ｒ１ＣとＲ２Ｃとが結合して環を形成してもよい。
　【請求項１３】
　前記半導体デバイス用処理液のｐＨが６〜１１である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体デバイス用処理液の保管方法。
　【請求項１４】
　保管容器と、前記保管容器内に収容された、ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と、水と、
４級水酸化アンモニウム類と、
　前記処理液中、前記ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種の総含有量が、処理液全質量に対して４〜２５質量％であり、Ｆｅイオンの含有量が、
１質量ｐｐｂ〜５０質量ｐｐｂ
　前記処理液中、前記水の含有量は、処理液全質量に対して６０〜９８質量％であり、
　前記保管容器内の空隙率が
１２〜２０体積％
り、
　
前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が、酸素を含む、
　なお、空隙率は、以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００
　【請求項１５】
　保管容器と、前記保管容器内に収容された、ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩から選ばれる少なくともいずれか１種と、水と、
４級水酸化アンモニウム類と、
　前記処理液中、前記水の含有量は、処理液全質量に対して６０〜９８質量％であり、
　前記保管容器内の空隙率が
１２〜２０体積％
　前記保管容器中の前記処理液で満たされていない空間が、空気を含む、処理液収容体。
　なお、空隙率は、以下の式（１）によって求められる。
　式（１）：空隙率＝｛１−（前記保管容器内の前記半導体デバイス用処理液の体積／前記保管容器の容器体積）｝×１００
　【請求項１６】
（削除）
　【請求項１７】
（削除）
　【請求項１８】
　前記保管容器の内壁の材質が樹脂である、請求項
１４又は１５
　【請求項１９】
　前記保管容器の内壁の材質が、高密度ポリエチレン、高密度ポリプロピレン、６，６−ナイロン、テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレンとパーフロロアルキルビニルエーテルの共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体、エチレン・四フッ化エチレン共重合体、及び、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体から選ばれる１以上の樹脂である、請求項
１４、１５、及び、１８
　【請求項２０】
　前記保管容器の内壁の材質が、分子内にフッ素原子を含むフッ素系樹脂である、請求項
１４、１５、１８、及び、１９
　【請求項２１】
　前記保管容器が、開口部を複数有する、請求項
１４、１５、１８、１９、及び、２０