(57)【要約】【課題】高い信号精度を実現することができるチップバリスタおよび差動伝送用送受信装置を提供する。【解決手段】チップバリスタ１は、素体１０内に２つの機能層（すなわち、第一機能層４２および第二機能層４４）を含んでおり、２つの機能層４２、４４は実質的に同じ静電容量を有している。チップバリスタ１では、アルカリ金属含有部１２によって、素体１０が外表面１０ａ〜１０ｆから高抵抗化されているが、アルカリ金属含有部１２は第一機能層４２および第二機能層４４には達していない。そのため、アルカリ金属含有部１２は第一機能層４２および第二機能層４４の静電容量に影響することなく、チップバリスタ１の寄生容量を抑制している。したがって、チップバリスタ１は、容量バラツキが抑制された２つの機能層４２、４４を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第一面と第二面とを有し、積層構造を有する素体と、
前記素体の所定の層内おいて第一面と第二面との対向方向に沿って延在する第一導体と、
前記素体の前記第一導体とは異なる層内において第一面と第二面との対向方向に沿って延在し、前記第一導体と前記素体の積層方向において重なる重畳部を形成する第二導体と、
前記素体の前記第一導体と前記第二導体との中間に位置する層内において、前記第一導体および前記第二導体と交差する方向に沿って延在し、前記重畳部と前記素体の積層方向において重なる機能部を有し、前記機能部と前記第一導体との間に第一機能層を形成するとともに前記機能部と前記第二導体との間に第二機能層を形成する第三導体と、
前記素体の前記第一面側に設けられ、前記第一導体に接続された第一電極と、
前記素体の前記第二面側に設けられ、前記第二導体に接続された第二電極と、
前記素体の表面に設けられ、前記第三導体に接続された第三電極と、
アルカリ金属を含有させることにより電気抵抗が高められた前記素体の部分であって、前記素体の表面を構成するとともに、前記第一導体、前記第二導体および前記第三導体と前記素体との界面に沿って前記素体の表面から内部に延びるアルカリ金属含有部と
を備え、
前記アルカリ金属含有部が前記第一機能層および前記第二機能層に達していない、チップバリスタ。
【請求項２】
前記第一導体と前記素体との界面に沿って前記アルカリ金属含有部が達する位置から前記重畳部までの距離、および、前記第二導体と前記素体との界面に沿って前記アルカリ金属含有部が達する位置から前記重畳部までの距離が、前記第三導体と前記素体との界面に沿って前記アルカリ金属含有部が達する位置から前記重畳部までの距離より長い、請求項１に記載のチップバリスタ。
【請求項３】
前記積層方向および前記第一面と前記第二面との対向方向に直交する方向に関し、前記素体の長さに対する前記第一導体の長さおよび前記第二導体の長さの割合が０．１〜０．６の範囲である、請求項１または２に記載のチップバリスタ。
【請求項４】
前記第一面と前記第二面との対向方向に関し、前記第三電極の長さに対する前記第三導体の長さの割合が０．２〜０．６の範囲である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のチップバリスタ。
【請求項５】
前記第一面と前記第二面との対向方向に関し、前記第三導体の機能部の長さが前記重畳部の長さより短い、請求項１〜４のいずれか一項に記載のチップバリスタ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のチップバリスタを備え、
前記チップバリスタの前記第一電極が一方のチャネルに接続されるとともに前記第二電極が他方のチャネルに接続され、前記第三電極が接地されている、差動伝送用送受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップバリスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
チップバリスタとして、機能層（バリスタ層）と機能層を挟むように機能層に接して配置された内部電極とを有するバリスタ素体と、バリスタ素体の端部に対応する内部電極に接続されるように配置された端子電極とを備えた積層型チップバリスタが知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１８４６０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者らは、たとえば車載用の差動伝送用送受信装置をＥＳＤ（Electrostatic  Discharge：静電気放電）のようなサージ電圧から保護するために、差動伝送用送受信装置にチップバリスタを適用する技術について研究を重ね、その結果、２つのチャネルにそれぞれに取り付けられたチップバリスタ間の容量バラツキが通信エラーの原因となり得るとの知見を得た。
【０００５】
発明者らは、鋭意研究の末、上記容量バラツキを抑制することで、信号エラーを低減することができる技術を新たに見出した。
【０００６】
本発明は、高い信号精度を実現することができるチップバリスタおよび差動伝送用送受信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態に係るチップバリスタは、互いに対向する第一面と第二面とを有し、積層構造を有する素体と、素体の所定の層内おいて第一面と第二面との対向方向に沿って延在する第一導体と、素体の第一導体とは異なる層内において第一面と第二面との対向方向に沿って延在し、第一導体と素体の積層方向において重なる重畳部を形成する第二導体と、素体の第一導体と第二導体との中間に位置する層内において、第一導体および第二導体と交差する方向に沿って延在し、重畳部と素体の積層方向において重なる機能部を有し、機能部と第一導体との間に第一機能層を形成するとともに機能部と第二導体との間に第二機能層を形成する第三導体と、素体の第一面側に設けられ、第一導体に接続された第一電極と、素体の第二面側に設けられ、第二導体に接続された第二電極と、素体の表面に設けられ、第三導体に接続された第三電極と、アルカリ金属を含有させることにより電気抵抗が高められた素体の部分であって、素体の表面を構成するとともに、第一導体、第二導体および第三導体と素体との界面に沿って素体の表面から内部に延びるアルカリ金属含有部とを備え、アルカリ金属含有部が第一機能層および第二機能層に達していない。
【０００８】
上記チップバリスタは、素体内に２つの機能層（すなわち、第一機能層および第二機能層）を含む。第一機能層および第二機能層は、第一導体と第二導体とが重なる重畳部において、第三導体の機能部が第一導体および第二導体のそれぞれと重なることにより形成される。そのため、第三導体の機能部と第一導体との対向面積と、第三導体の機能部と第二導体との対向面積とは、同一化が図られている。さらに、上記チップバリスタでは、アルカリ金属含有部によって、第一機能層および第二機能層を除く素体の一部が高抵抗化されている。そのため、第一導体、第二導体、第三導体、第一電極、第二電極および第三電極のいずれか２つの間に生じる寄生容量が抑制されている。したがって、上記チップバリスタにおいては、容量バラツキが抑制された２つの機能層を含み、これらの機能層を差動伝送用送受信装置に適用することで、高い信号精度を実現することができる。
【０００９】
他の形態に係るチップバリスタは、第一導体と素体との界面に沿ってアルカリ金属含有部が達する位置から重畳部までの距離、および、第二導体と素体との界面に沿ってアルカリ金属含有部が達する位置から重畳部までの距離が、第三導体と素体との界面に沿ってアルカリ金属含有部が達する位置から重畳部までの距離より長い。
【００１０】
他の形態に係るチップバリスタは、積層方向および第一面と第二面との対向方向に直交する方向に関し、素体の長さに対する第一導体の長さおよび第二導体の長さの割合が０．１〜０．６の範囲である。この場合、チップバリスタは高いＥＳＤ耐性を備えつつ、高い信頼性を備える。
【００１１】
他の形態に係るチップバリスタは、第一面と第二面との対向方向に関し、第三電極の長さに対する第三導体の長さの割合が０．２〜０．６の範囲である。この場合、チップバリスタは高いＥＳＤ耐性を備えつつ、高い信頼性を備える。
【００１２】
他の形態に係るチップバリスタは、第一面と第二面との対向方向に関し、第三導体の機能部の長さが重畳部の長さより短い。
【００１３】
本発明の一形態に係る差動伝送用送受信装置は、上記チップバリスタを備え、チップバリスタの第一電極が一方のチャネルに接続されるとともに第二電極が他方のチャネルに接続され、第三電極が接地されている。上記差動伝送用送受信装置においては、容量バラツキが抑制された２つの機能層を含むチップバリスタが適用されることで、高い信号精度を実現することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、高い信号精度を実現することができるチップバリスタおよび差動伝送用送受信装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】一実施形態に係るチップバリスタを示す概略斜視図である。
【図２】図１に示したチップバリスタの各導体および各端子電極を示した図である。
【図３】図１に示したチップバリスタのＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】図１に示したチップバリスタのＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【図５】一実施形態に係る差動伝送用送受信装置を示した図である。
【図６】従来技術に係る差動伝送用送受信装置を示した図である。
【図７】第一導体および第二導体の幅が異なる複数の試料を用いた実験の測定結果および判定結果を示した表である。
【図８】第三導体の幅が異なる複数の試料を用いた実験の測定結果および判定結果を示した表である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１７】
まず、図１〜図４を参照して、実施形態に係るチップバリスタ１の構成について説明する。
【００１８】
チップバリスタ１は、三端子型の積層チップバリスタであり、素体１０と端子電極２０とを備えて構成されている。チップバリスタ１は、略直方体形状の外形を有し、いわゆる２０１２サイズ（長手方向長さが２．０ｍｍ、短手方向長さが１．２５ｍｍ、高さが０．５ｍｍ）である。
【００１９】
素体１０は、略直方体形状の外形を有する積層構造体である。素体１０は、長手方向において互いに対向する正方形状の端面１０ａ、１０ｂと、端面１０ａ、１０ｂに直交する長方形状の４つの側面１０ｃ〜１０ｆとを有する。４つの側面１０ｃ〜１０ｆは、端面１０ａ，１０ｂ間を連結するように延びている。
【００２０】
素体１０は、バリスタ特性を発現する焼結体（半導体セラミック）からなる。素体１０は、バリスタ特性を発現する焼結体からなる複数の層からなる積層構造体である。実際の素体１０では、構成する各層は、その間の境界が視認できない程度に一体化されている。素体１０は、ＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分として含むと共に、副成分としてＣｏ、希土類金属元素、ＩＩＩｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）などの金属単体やこれらの酸化物を含む。本実施形態において、素体１０は、副成分としてＣｏ、Ｐｒ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｋ、及びＡｌを含んでいる。素体１０におけるＺｎＯの含有量は、特に限定されないが、素体１０を構成する全体の材料を１００質量％とした場合に、通常、９９．８〜６９．０質量％である。希土類金属元素（たとえば、Ｐｒ）は、バリスタ特性を発現させる物質として作用する。素体１０における希土類金属元素の含有量は、たとえば０．０１〜１０原子％程度に設定される。
【００２１】
チップバリスタ１は、第一導体３２、第二導体３４および第三導体３６を素体１０内に備える。第一導体３２、第二導体３４および第三導体３６は、導電材を含んでいる。各導体３２、３４、３６に含まれる導電材としては、特に限定されないが、ＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金からなることが好ましい。各導体３２、３４、３６の厚み（積層方向長さ）は、たとえば０．１〜１０μｍ程度である。
【００２２】
第一導体３２は、均一幅を有する帯状の形状を有し、素体１０を構成する層内おいて、端面１０ａ、１０ｂの対向方向に沿って延在している。第一導体３２は、一方の端部３２ａが端面１０ａ（第一面）に露出するとともに他方の端部３２ｂが素体１０内に位置している。第一導体３２の幅は、たとえば０．４ｍｍである。
【００２３】
第二導体３４は、均一幅を有する帯状の形状を有し、第一導体３２が形成された層とは異なる層内おいて、端面１０ａ、１０ｂの対向方向に沿って延在している。第二導体３４は、一方の端部３４ａが端面１０ｂ（第二面）に露出するとともに他方の端部３４ｂが素体１０内に位置している。第二導体３４の幅は、第一導体３２の幅と同じになるように設計されており、たとえば０．４ｍｍである。
【００２４】
図２に示すように、第一導体３２と第二導体３４とは素体１０の積層方向（側面１０ｃと側面１０ｄとの対向方向）から見て互いに位置合わせされており、素体１０内に位置する端部３２ｂ、３４ｂ同士が積層方向において完全に重なっている。第一導体３２の端部３２ｂと第二導体３４の端部３４ｂとが重なって形成された重畳部４０は、積層方向から見て、長辺方向が端面１０ａ、１０ｂの対向方向に平行な長方形状を呈する。
【００２５】
第三導体３６は、均一幅を有する帯状の形状を有し、第一導体３２と第二導体３４との中間に位置する層内に延在している。そのため、素体１０の積層方向に関し、第三導体３６と第一導体３２との離間距離は、第三導体３６と第二導体３４との離間距離と実質的に同一である。また、第三導体３６は、側面１０ｅ、１０ｆの対向方向に沿って延在しており、素体１０の積層方向から見て、第一導体３２および第二導体３４と交差している（本実施形態においては直交している）。第三導体３６の一方の端部３６ａは側面１０ｅに露出しており、第三導体３６の他方の端部３６ｂは側面１０ｆに露出している。第三導体３６の幅は、重畳部４０の長辺長さより狭く、たとえば０．１２ｍｍである。
【００２６】
また、第三導体３６は、素体の積層方向において重畳部４０と重なる機能部３６ｃを有する。第三導体３６は、第一導体３２とは重畳部４０においてのみ重なり、第二導体３４とも重畳部４０においてのみ重なる。そのため、機能部３６ｃの面積は、第三導体３６と第一導体３２との重畳面積と一致し、かつ、第三導体３６と第二導体３４との重畳面積とも一致する。
【００２７】
機能部３６ｃは、第一導体３２の端部３２ｂとの間に第一機能層４２を形成する。第一機能層４２は、機能部３６ｃと第一導体３２の端部３２ｂとで挟まれた素体部分である。第一機能層４２は、たとえば２０〜５０ｐＦ程度の静電容量を有する。また、機能部３６ｃは、第二導体３４の端部３４ｂとの間に第二機能層４４を形成する。すなわち、第二機能層４４は、機能部３６ｃと第二導体３４の端部３４ｂとで挟まれた素体部分である。上述したとおり、第三導体３６は、第一導体３２および第二導体３４と実質的に同じ距離だけ離間しており、かつ、第一導体３２および第二導体３４と重畳面積が実質的に同じであるため、第二機能層４４は、第一機能層４２の静電容量と実質的に同じ静電容量を有する。
【００２８】
端子電極２０の第一電極２０Ａは、素体１０の端面１０ａ側に配置されている。第一電極２０Ａは、端面１０ａと、４つの側面１０ｃ〜１０ｆの端面１０ａ寄りの部分と、を覆うように形成されている。第一電極２０Ａは、素体１０の端面１０ａに露出した第一導体３２の一方の端部３２ａを覆うようにも形成されており、第一電極２０Ａは、第一導体３２と直接接続されている。
【００２９】
端子電極２０の第二電極２０Ｂは、素体１０の端面１０ｂ側に配置されている。第二電極２０Ｂは、端面１０ｂと、４つの側面１０ｃ〜１０ｆの端面１０ｂ寄りの部分と、を覆うように形成されている。第二電極２０Ｂは、素体１０の端面１０ｂに露出した第二導体３４の一方の端部３４ａを覆うようにも形成されており、第二電極２０Ｂは、第二導体３４と直接接続されている。
【００３０】
端子電極２０の第三電極２０Ｃ、２０Ｄは、対をなしており、素体１０の側面１０ｅ側および側面１０ｆ側にそれぞれ配置されている。具体的には、第三電極２０Ｃは、長方形状を有する側面１０ｅの長辺の中間位置において積層方向に延びて側面１０ｃと側面１０ｄに回り込んでおり、第三電極２０Ｄは、長方形状を有する側面１０ｆの長辺の中間位置において積層方向に延びて、側面１０ｃと側面１０ｄに回り込んでいる。第三電極２０Ｃ、２０Ｄは、素体１０の側面１０ｅ、１０ｆに露出した第三導体３６の両端部３６ａ、３６ｂをそれぞれ覆うようにも形成されており、第三電極２０Ｃ、２０Ｄは、第三導体３６と直接接続されている。
【００３１】
各電極２０Ａ〜２０Ｄは、単層構造であっても複数層構造であってもよい。各電極２０Ａ〜２０Ｄは、たとえば焼付電極であり、導電性ペーストを素体１０の表面に付与して焼き付けることにより形成される。導電性ペーストには、金属（たとえば、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｇ−Ｐｄ合金など）からなる粉末に、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したものが用いられている。このような焼付電極上に、めっき層を形成することもできる。めっき層は、Ｎｉめっき層と、当該Ｎｉめっき層上に形成されたＳｎめっき層とを含んでいてもよい。
【００３２】
素体１０は、図３および図４に示すように、アルカリ金属を含有させることにより電気抵抗が高められたアルカリ金属含有部１２を有する。アルカリ金属含有部１２は、外表面１０ａ〜１０ｆ全体に沿って設けられており、素体１０の外表面１０ａ〜１０ｆを構成している。また、アルカリ金属含有部１２は、素体１０の外表面１０ａ〜１０ｆから、第一導体３２、第二導体３４および第三導体３６と素体１０との界面に沿って、内部にも延びている。ただし、アルカリ金属含有部１２は、第一機能層４２および第二機能層４４に達しないように設計されている。
【００３３】
アルカリ金属含有部１２にはアルカリ金属が存在しており、アルカリ金属は、ＺｎＯの結晶粒内に固溶して存在している、または、ＺｎＯの結晶粒界に存在している。アルカリ金属がＺｎＯの結晶粒内に固溶していると、ｎ型半導体としての性質を示すＺｎＯはアルカリ金属によりドナーが減ぜられて、電気伝導率が低くなり、バリスタ特性が発現し難くなる。アルカリ金属がＺｎＯの結晶粒界に存在することによっても、電気伝導率が低くなると考えられる。したがって、アルカリ金属含有部１２は、素体１０におけるアルカリ金属含有部１２以外の部分に比して、電気伝導率が低く、静電容量も低い。
【００３４】
アルカリ金属含有部１２は、次のようにして、形成することができる。高抵抗化されたアルカリ金属含有部１２を形成する過程以外の、チップバリスタ１の製造方法については、積層チップバリスタの製造方法で用いられる既知の過程が利用できるため、ここでの詳細な説明は、省略する。
【００３５】
素体１０を得た後、素体１０の外表面（一対の端面１０ａ，１０ｂおよび４つの側面１０ｃ〜１０ｆ）からアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ等）を拡散させる。
【００３６】
まず、素体１０の外表面にアルカリ金属化合物を付着させる。アルカリ金属化合物の付着には、密閉回転ポットを用いることができる。アルカリ金属化合物としては、特に限定されないが、熱処理することにより、アルカリ金属が素体１０の表面から拡散できる化合物であり、アルカリ金属の酸化物、水酸化物、塩化物、硝酸塩、硼酸塩、炭酸塩及び蓚酸塩等が用いられる。
【００３７】
そして、このアルカリ金属化合物が付着している素体１０を電気炉で、所定の温度および時間で熱処理する。この結果、アルカリ金属化合物からアルカリ金属が素体１０の外表面から内部に拡散する。好ましい熱処理温度は、７００〜１０００℃であり、熱処理雰囲気は大気である。熱処理時間（保持時間）は、好ましくは１０分〜４時間である。
【００３８】
素体１０におけるアルカリ金属元素が拡散した部分、すなわちアルカリ金属含有部１２は、上述したように高抵抗化および低静電容量化が図られる。本実施形態では、アルカリ金属元素が端面１０ａ，１０ｂおよび側面１０ｅ、１０ｆから拡散するものの、各導体３２、３４、３６が対応する端面１０ａ，１０ｂおよび側面１０ｅ、１０ｆに露出していることから、各電極２０Ａ〜２０Ｄと各導体３２、３４、３６との電気的な接続に支障が生じることはない。
【００３９】
以上において説明したとおり、チップバリスタ１は、素体１０内に２つの機能層（すなわち、第一機能層４２および第二機能層４４）を含んでいる。そして、２つの機能層４２、４４は実質的に同じ静電容量を有している。さらに、チップバリスタ１では、アルカリ金属含有部１２によって、素体１０が外表面１０ａ〜１０ｆから高抵抗化されているが、アルカリ金属含有部１２は第一機能層４２および第二機能層４４には達していない。そのため、アルカリ金属含有部１２は第一機能層４２および第二機能層４４の静電容量に影響することなく、チップバリスタ１の寄生容量（すなわち、第一導体３２、第二導体３４、第三導体３６、第一電極２０Ａ、第二電極２０Ｂおよび第三電極２０Ｃ、２０Ｄのいずれか２つの間に生じる、第一機能層４２および第二機能層４４以外の容量）を抑制している。したがって、チップバリスタ１は、容量バラツキが抑制された２つの機能層４２、４４を含む。
【００４０】
チップバリスタ１は、図５に示す態様で、差動伝送用送受信装置５０に適用され得る。差動伝送用送受信装置５０は、送信側と受信側との間に２つのチャネルＣＨ１、ＣＨ２を備え、チップバリスタ１の第一電極２０Ａが一方のチャネルＣＨ１に接続されるとともに第二電極２０Ｂが他方のチャネルＣＨ２に接続され、第三電極２０Ｃ、２０Ｄがいずれも接地されている。差動伝送用送受信装置５０においては、チップバリスタ１の２つの機能層４２、４４の容量バラツキが抑制されていることで、容量バラツキに起因する通信エラーが低減され、それにより高い信号精度を実現することができる。
【００４１】
なお、図６に示すように、従来技術に係る差動伝送用送受信装置６０では、２つのチャネルＣＨ１、ＣＨ２それぞれに異なるバリスタ素子が適用されていた。そのため、２つのバリスタ素子間において容量バラツキが生じやすく、容量バラツキに起因する通信エラーを低減することが困難であった。
【００４２】
チップバリスタ１は、図３および図４に示すように、第一導体３２と素体１０との界面に沿ってアルカリ金属含有部１２が達する位置から重畳部４０までの距離Ａ、および、第二導体３４と素体１０との界面に沿ってアルカリ金属含有部１２が達する位置から重畳部４０までの距離Ａは、第三導体３６と素体１０との界面に沿ってアルカリ金属含有部１２が達する位置から重畳部４０までの距離Ｂより長くなっている。チップバリスタ１では、熱が比較的伝わりにくいアルカリ金属含有部１２が外表面１０ａ〜１０ｆ全体に沿って設けられている。上記距離Ｂを上記距離Ａより短く設計することで、素体１０内部の熱の第三導体３６を介した放熱が促進され、それによりチップバリスタ１の故障および劣化を抑制することができる。
【００４３】
また、チップバリスタ１は、側面１０ｅ、１０ｆの対向方向に関し、素体１０の長さＣ’に対する第一導体３２の長さおよび第二導体３４の割合（Ｃ／Ｃ’）が０．１〜０．６の範囲となっている。そのため、チップバリスタ１は、高いＥＳＤ耐性を備えつつ、高い信頼性を備える。
【００４４】
発明者らは、Ｃ／Ｃ’の割合の好適化のため、第一導体３２および第二導体３４の幅が異なる複数の試料を準備し、各試料についてバリスタ電圧ＶｌｍＡ［Ｖ］およびＥＳＤ耐量［ｋＶ］を測定する実験をおこなった。ＥＳＤ耐量は、ＩＥＣ（International  Electrotechnical  Commission）の規格ＩＥＣ６１０００−４−２に定められている静電気放電イミュニティ試験に基づいて、放電電圧（印加電圧）を変化させたときの、バリスタ電圧Ｖ１ｍＡの変化を測定した。その実験結果は、図７の表に示すとおりであった。
【００４５】
図７の表に示すように、実験では、８つの試料（すなわち、０．０６ｍｍ幅の試料１、０．１ｍｍ幅の試料２、０．２ｍｍ幅の試料３、０．４ｍｍ幅の試料４、０．６ｍｍ幅の試料５、０．７ｍｍ幅の試料６、０．８ｍｍ幅の試料７、０．９ｍｍ幅の試料８）を準備した。バリスタ電圧ＶｌｍＡに関しては、試料１〜６において十分に低い値が得られたが、試料７、８において高い値が得られた。ＥＳＤ耐量に関しては、試料２〜６において十分に高い値が得られたが、試料１、７、８において低い値が得られた。これらの結果から、Ｃ／Ｃ’の割合が０．１〜０．６の範囲である試料２〜６において、高いＥＳＤ耐性と高い信頼性が得られることがわかった。
【００４６】
チップバリスタ１は、端面１０ａ、１０ｂの対向方向に関し、第三電極２０Ｃ、２０Ｄの長さＤ’に対する第三導体３６の長さＤの割合（Ｄ／Ｄ’）が０．２〜０．６の範囲となっている。そのため、チップバリスタ１は、高いＥＳＤ耐性を備えつつ、高い信頼性を備える。
【００４７】
発明者らは、Ｄ／Ｄ’の割合の好適化のため、第三導体３６の幅が異なる複数の試料を準備し、各試料についてバリスタ電圧ＶｌｍＡ［Ｖ］およびＥＳＤ耐量［ｋＶ］を測定する実験をおこなった。その実験結果は、図８の表に示すとおりであった。
【００４８】
図８の表に示すように、実験では、９つの試料（すなわち、０．０３ｍｍ幅の試料１、０．０６ｍｍ幅の試料２、０．１ｍｍ幅の試料３、０．１２ｍｍ幅の試料４、０．１６ｍｍ幅の試料５、０．１８ｍｍ幅の試料６、０．２ｍｍ幅の試料７、０．２４ｍｍ幅の試料８、０．３ｍｍ幅の試料９）を準備した。バリスタ電圧ＶｌｍＡに関しては、試料１〜７において十分に低い値が得られたが、試料８、９において低い値が得られた。ＥＳＤ耐量に関しては、試料３〜９において十分に高い値が得られたが、試料１、２において低い値が得られた。これらの結果から、Ｄ／Ｄ’の割合が０．２〜０．６の範囲である試料３〜７において、高いＥＳＤ耐性と高い信頼性が得られることがわかった。
【００４９】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００５０】
たとえば、チップバリスタの外形寸法、素体の外形寸法等については適宜増減することができる。また、各導体および各端子電極の寸法についても、適宜増減することができる。さらに、素体、各導体および各端子電極を構成する材料は、チップバリスタに適用可能な公知の材料に、適宜変更することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１…チップバリスタ、１０…素体、１２…アルカリ金属含有部、２０Ａ…第一電極、２０Ｂ…第二電極、２０Ｃ、２０Ｄ…第三電極、３２…第一導体、３４…第二導体、３６…第三導体、３６ｃ…機能部、４０…重畳部、４２…第一機能層、４４…第二機能層、５０、６０…差動伝送用送受信装置、ＣＨ１、ＣＨ２…チャネル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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