(57)【要約】      （修正有）【課題】均一な処理が行えるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理容器１１内の上方に配置された上部電極５３と、上部電極の中心に給電するための給電棒６４と、複数の吐出孔５４ａを有し、上部電極の下方に配置されたガス拡散板５４と、処理容器内に処理ガスを導入するガス導入部材と、を有するプラズマ処理装置１において、ガス導入部材は、上部電極の上方に配置され、かつ、ガス流路が内部に形成された前記給電棒を囲む形状の円環部７２を有する。円環部の下側には、筒状の絶縁導入部材９３が設けられ、絶縁導入部材の内部には２以上のガス供給路７６、７７が形成され、上部電極と給電棒の接続部の直下には、ガス供給路９４、９５からの処理ガスを合流させる合流部５５が設けられる。該合流部で合流した後の処理ガスが、ガス拡散板の上側に形成されて吐出孔に連通する空間に流れるようにする。【選択図】図１
2020092177.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内の基板に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置であって、
前記処理容器内の上方に配置された上部電極と、
整合器を介してプラズマ源からの高周波電力を、前記上部電極の中心に供給するための給電棒と、
複数の吐出孔を有し、前記上部電極の下方に配置されたガス拡散板と、
前記処理容器内に処理ガスを導入するガス導入部材と、を有し、
前記ガス導入部材は、前記上部電極の上方に配置され、かつガス流路が内部に形成された前記給電棒を囲む形状の円環部を有し、
前記円環部の下側には、筒状の絶縁導入部材が設けられ、
前記絶縁導入部材の内部には、前記ガス流路と連通して上下方向に形成された２以上のガス供給路が形成され、
前記上部電極と給電棒の接続部の直下には、前記ガス供給路からの処理ガスを合流させる合流部が設けられ、
当該合流部で合流した後の処理ガスが、前記ガス拡散板の上側に形成されて前記吐出孔に連通する空間に流れるように構成された、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記ガス流路は、前記円環部に沿って円弧状に分岐して、前記絶縁導入部材の前記ガス供給路と各々接続されている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記ガス供給路の上下端部相互間は、直線状に見通せないように、前記ガス供給路が前記絶縁導入部材の内部に形成されている、請求項１または２のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記ガス供給路は、前記絶縁導入部材において、途中で外方に折曲する折曲部を有する、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記合流部と前記空間との間に、前記合流部からの処理ガスを分散させて前記空間に流す分散流路が設けられている、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置を用いて、前記処理容器内の基板に対してプラズマ処理を行なう、プラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、載置台を兼用する下部電極と、当該下部電極に対向した処理ガス供給用のガスシャワーヘッドを兼用する上部電極と、を備え、下部電極及び上部電極間に電圧を印加して処理ガスをプラズマ化し、当該プラズマによって載置台上の基板に対して処理を行うプラズマ処理装置が記載されている。特許文献１には、さらに前記上部電極の中心部分には、高周波電力を供給する電極棒が接続され、処理ガスの供給管は上部電極の偏心位置に接続されていることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２５７９３７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示にかかる技術は、上部電極の中心部分に高周波電力を供給する際、処理ガスの供給についても中央から均一に供給する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、処理容器内の基板に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置であって、前記処理容器内の上方に配置された上部電極と、整合器を介してプラズマ源からの高周波電力を、前記上部電極の中心に供給するための給電棒と、複数の吐出孔を有し、前記上部電極の下方に配置されたガス拡散板と、前記処理容器内に処理ガスを導入するガス導入部材と、を有し、
前記ガス導入部材は、前記上部電極の上方に配置され、かつガス流路が内部に形成された前記給電棒を囲む形状の円環部を有し、
前記円環部の下側には、筒状の絶縁導入部材が設けられ、前記絶縁導入部材の内部には、前記ガス流路と連通して上下方向に形成された２以上のガス供給路が形成され、前記上部電極と給電棒の接続部の直下には、前記ガス供給路からの処理ガスを合流させる合流部が設けられ、当該合流部で合流した後の処理ガスが、前記ガス拡散板の上側に形成されて前記吐出孔に連通する空間に流れるように構成されている。
【発明の効果】
【０００６】
本開示にかかる技術によれば、上部電極の中心部分に高周波電力を供給する際、処理ガスの供給についても中央から均一に供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成の模式的に示す側面断面の説明図である。
【図２】図１のプラズマ処理装置におけるガス導入部材の斜視図である。
【図３】図１のプラズマ処理装置におけるガス導入部材の平面の説明図である。
【図４】図１のプラズマ処理装置における絶縁導入部材の縦断面図である。
【図５】図１のプラズマ処理装置に使用可能な他の絶縁導入部材の縦断面図である。
【図６】他の実施の形態にかかるプラズマ処理装置における上部電極の側面断面の説明図である。
【図７】図１のプラズマ処理装置に使用可能な他のガス導入部材の平面の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という場合がある。）に対して、プラズマ処理装置を用いたエッチング処理や成膜処理をはじめとする各種のプラズマ処理が行われる。かかる場合、たとえば処理容器内の上部電極に対して、高周波電源からの高周波電力を、整合器を介して印加して、処理容器内にプラズマを発生させる。またプラズマ処理で使用される処理ガスについては、処理容器内における上部電極の下側に空間を介して配置されたシャワープレートと呼ばれるガス拡散板から、処理容器内に供給される。
【０００９】
このようなプラズマ処理を行うにあたり、高周波電源は周波数が６０．０ＭＨｚのものが用いられているが、プラズマ均一性およびプロセス性能向上、高周波電力の安定供給のため、特許文献１では、上部電極の中心軸上に給電棒を接続している。そのため処理ガスは、中心軸から偏心した位置にて、シャワープレートの上面側に供給している。
【００１０】
しかしながら、最近の微細な処理を考慮すれば、中心軸から偏心した位置からシャワープレートの上面側に処理ガスを供給する手法では、処理ガスを処理容器内に均一に供給するにも限りがあった。そこで、上部電極の中心部分に高周波電力を供給しつつ、さらに処理ガスについてもどのようにして中心部分から処理容器内に均一に供給するかが課題となる。
【００１１】
そこで、本開示にかかる技術は、プラズマ処理装置を用いてプラズマ処理を行うにあたり、上部電極の中心部分に高周波電力を供給しつつ、処理ガスの供給についても中央から処理容器内に均一に供給して、プラズマ処理のさらなる均一性を向上させる。
【００１２】
以下、本実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１３】
図１は、本実施形態にかかるプラズマ処理装置１の構成の概略を示している。このプラズマ処理装置１は、基板としてのウェハＷを収容して処理を行う真空容器である処理容器１１を有している。処理容器１１は、導電性の金属、例えばアルミ含有金属であるＡ５０５２からなっている。処理容器１１は接地されている。
【００１４】
このプラズマ処理装置１は、たとえば自然酸化膜や金属酸化膜をウェハＷ上から除去するようなエッチング装置として構成されている。すなわち、このプラズマ処理装置１によれば、たとえばハロゲン含有ガスなどの公知の処理ガスと不活性ガスなどからなるプラズマを用いて、ウェハＷに対してエッチング処理することができる。
【００１５】
処理容器１１は概ね扁平な円筒形に構成されており、処理容器１１における下方の側壁には、ウェハの搬入出口１２が形成されている。搬入出口１２には、搬入出口１２を開閉自在なゲートバルブ１３が設けられている。搬入出口１２よりも上側には、処理容器１１の側壁の一部をなす、縦断面の形状がチャネル溝形状を有するダクトを円環状に湾曲させて構成した排気ダクト１４が設けられている。排気ダクト１４の内周面には、周方向に沿って伸びるスリット状の排気口１５が形成されている。排気口１５には、排気管１６の一端部が接続されている。そして排気管１６の他端部は、例えば真空ポンプにより構成される排気装置１７に接続されている。
【００１６】
処理容器１１内にはウェハＷを水平に載置する平面視で円形の載置部２１が設けられている。この載置部２１は、下部電極を構成している。載置部２１の上面には静電チャック２２が設けられている。載置部２１の内部には、ウェハＷを加熱するためのヒータ（図示せず）が設けられている。
【００１７】
載置部２１に対しては、処理容器１１の外部に設けられている高周波電源２３から、整合器２４を介して、バイアス用の高周波電力、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。静電チャック２２に対しては、処理容器１１の外部に設けられている直流電源２５から、直流電圧が印加される。直流電圧のＯＮ−ＯＦＦは、スイッチ２６によってなされる。
【００１８】
載置部２１の下面側中央部には処理容器１１の底部を貫通し、上下方向に伸びる支持部材３１の上端部が接続されている。支持部材３１の下端部は昇降機構３２に接続されている。昇降機構３２の駆動によって、載置部２１は、図１の破線で示す下方側の位置と、図１に実線で示す上方側の位置との間を上下移動することができる。載置部２１の下方側の位置は、前記した搬入出口１２から処理容器１１内に進入するウェハＷの搬送機構（図示せず）との間で、ウェハＷの受け渡しを行うための受け渡し位置である。また上方側の位置は、ウェハＷに処理が行われる処理位置となる。
【００１９】
支持部材３１における処理容器１１の外側には、フランジ３３が設けられている。そしてこのフランジ３３と、処理容器１１の底部における支持部材３１の貫通部との間には、支持部材３１の外周を囲むように、ベローズ３４が設けられている。これによって処理容器１１内の気密が保たれる。
【００２０】
処理容器１１内の下方には、複数、例えば３本の支持ピン４１を有するウェハ昇降部材４２が配置されている。ウェハ昇降部材４２の下面側には支持柱４３が設けられており、支持柱４３は、処理容器１１の底部を貫通して、処理容器１１の外側に設けられた昇降機構４４に接続されている。したがって、ウェハ昇降部材４２は昇降機構４４の駆動によって上下動自在である。
【００２１】
載置部２１が受け渡し位置にあるときに、ウェハ昇降部材４２を上昇させることで、載置部２１、静電チャック２２に形成された貫通孔４５を介して、支持ピン４１を載置部２１及び静電チャック２２上から突出させることができる。これによって支持ピン４１上にウェハＷを載置することができ、その状態で搬送アームなどの搬送機構（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しを行なうことができる。
【００２２】
昇降機構４４と処理容器１１の底部における支持柱４３の貫通部との間には、支持柱４３の外周を囲むようにベローズ４６が設けられている。これによって処理容器１１内の気密が保たれる。
【００２３】
排気ダクト１４の上側には、円環状の絶縁支持部材５１が設けられている。絶縁支持部材５１の下面側には、石英からなる電極支持部材５２が設けられている。この電極支持部材５２には、円盤状の上部電極５３が設けられている。上部電極５３の下方には、シャワープレート５４が上部電極５３と平行に設けられている。上部電極５３とシャワープレート５４との間には、空間Ｓが形成されている。シャワープレート５４には複数の吐出孔５４ａが形成されており、空間Ｓと連通している。
【００２４】
上部電極５３には、その中心内部に合流部５５が設けられている。より詳述すると、上部電極５３の内部には、その一端部が上部電極５３の上面側に開口した２つの流路５６、５７が、中心部を挟んで対向するように形成され、この２つの流路５６、５７の他端部は、前記した合流部５５と連通している。そして合流部５５の下側には、前記した空間Ｓに通ずる流路５８が形成されている。
【００２５】
排気ダクト１４の上側には、円筒状のシールド部材６１が設けられている。シールド部材６１は、導電性の金属、例えばアルミ含有金属であるＡ５０５２からなっており、排気ダクト１４を介して処理容器１１と電気的に導通している。すなわちシールド部材６１は接地されている。シールド部材６１は、高周波の漏えいを防止するものである。シールド部材６１と排気ダクト１４の上側との接続にあたっては、スパイラルにて接続され、電気的導通が強化されている。
【００２６】
シールド部材６１の上には整合器６２が支持されている。そしてプラズマ生成用のプラズマ源となる高周波電源６３からの高周波電力は、整合器６２を介して整合器６２の下面側に配置された給電棒６４に供給される。給電棒６４は、上部電極５３の中心と接続されている。したがって、高周波電源６３からの高周波電力は、整合器６２を介して上部電極５３の中心部分に供給される。
【００２７】
シールド部材６１の内側にはガス導入部材としてのインレットブロック７１が設けられている。インレットブロック７１は、図２にも示したように、円環部７２と、円環部７２に一端部が接続された角筒状の導入部７３とを有している。インレットブロック７１は、導電性の金属、例えばアルミ含有金属であるＡ５０５２からなっている。
【００２８】
円環部７２は、図１、図３に示したように、その中心部に給電棒６４が位置するように配置され、かつ円環部７２の内周面と給電棒６４の外周面との間に所定の距離が生ずるような大きさを有している。
【００２９】
インレットブロック７１の導入部７３の他端部には、既述の処理ガスの供給源７４が接続されている。また導入部７３の内部には、図３にも示したように、ガス流路７５が形成されている。円環部７２の内部にはガス流路７５と連通し、２つに分岐したガス流路７６、７７が形成されている。円環部７２内のガス流路７６、７７は、円環部７２に沿って形成され、平面視で半円弧状に形成されている。
【００３０】
インレットブロック７１の導入部７３におけるシールド部材６１の外側には、加熱部８１が設けられ、この加熱部８１には、処理ガスを加熱するためのヒータ８２が設けられている。このヒータ８２によって、供給源７４からの処理ガスは、たとえば１００℃以上の所定の温度にまで加熱することが可能である。
【００３１】
図３に示したように、インレットブロック７１の導入部７３におけるシールド部材６１の外側であって、導入部７３とシールド部材６１との貫通部近傍には、フランジ部９１が設けられている。フランジ部９１の材質は、インレットブロック７１の導入部７３と同じアルミ含有金属のＡ５０５２である。そしてこのフランジ部９１とシールド部材６１における貫通部の壁面との間には、導入部７３の外形に適合した方形の枠形状の密閉部材９２が設けられている。すなわち、シールド部材６１の壁体とフランジ部９１との間で密閉部材９２は挟持され、貫通部を密閉している。
【００３２】
密閉部材９２の材質は、導電性があり、また導入部７３、フランジ部９１、シールド部材６１よりも熱伝導率の低い材質を用いている。本実施の形態では、ステンレス鋼のＳＵＳ３０４を用いている。
【００３３】
インレットブロック７１の円環部７２の下側には、図１、図２に示したように、上部電極５３との間に、円環部７２と同一の内外径を有する筒状の絶縁導入部材９３が配置されている。絶縁導入部材９３は絶縁性を有する材質によって構成されている。
【００３４】
絶縁導入部材９３の内部には、円環部７２のガス流路７６、７７と連通するガス供給路９４、９５が形成されている。より詳述すれば、図４に示したように、円環部７２のガス流路７６、７７の終端部には、下方に延びたガス流路７６ａ、７７ａが形成されており、このガス流路７６ａ、７７ａがガス供給路９４、９５の上端部と接続されている。
【００３５】
絶縁導入部材９３の内部に形成されたガス供給路９４、９５は、上下方向に絶縁導入部材９３を貫通しているが、途中で外側に折曲した折曲部９４ａ、９５ａを有している。折曲部９４ａ、９５ａは、ガス供給路９４、９５の長さの１／２程度の位置に形成されている。より詳述すれば、ガス供給路９４、９５は、下方に向かうにつれて外側に向かうように傾斜し、折曲部９４ａ、９５ａを境に、内側に向かうように傾斜して形成されている。
【００３６】
そしてガス供給路９４、９５は、折曲部９４ａ、９５ａの存在により、その上下端部相互間が、連通してはいるものの直線状には見通せないように形成されている。
【００３７】
ガス供給路９４、９５の各下端部は、前記した上部電極５３の流路５６、５７の一端部に接続されている。したがって供給源７４からの処理ガスは、導入部７３のガス流路７５、円環部７２のガス流路７６、７７、絶縁導入部材９３のガス供給路９４、９５、上部電極５３の流路５６、５７を経て、上部電極５３と給電棒６４との接続部の直下に位置している合流部５５で合流する。
【００３８】
そして合流部５５で合流した処理ガスは、流路５８を経て、上部電極５３とシャワープレート５４との間の空間Ｓに供給される。そして空間Ｓ内の処理ガスは、シャワープレート５４の吐出孔５４ａから、載置部２１上のウェハＷに均一に供給される。
【００３９】
以上の構成にかかるプラズマ処理装置１は、制御部１００によって各動作が制御される。すなわち、制御部１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、プラズマ処理装置１におけるウェハＷの処理、例えば処理ガスの供給、停止、加熱、載置部２１の昇降動作、静電チャック２２の動作、ウェハ昇降部材４２の昇降動作、高周波電源２３、６３の発停、出力制御などを行ない、プラズマ処理に必要なプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。
【００４０】
実施の形態にかかるプラズマ処理装置１は、以上の構成を有しており、次にその動作、並びに作用効果について説明する。
【００４１】
処理容器１１内を所定の真空雰囲気とした状態でゲートバルブ１３を開き、処理容器１１に隣接する真空雰囲気の搬送室（図示せず）から搬送機構（図示せず）によってウェハＷを受け渡し位置に位置する載置部２１上に搬送する。次いで上昇させた支持ピン４１の上にウェハＷを受け渡し、その後搬送機構は処理容器１１から退出し、ゲートバルブ１３が閉じられる。それと共に支持ピン４１が下降し、載置部２１上にウェハＷが載置される。そして載置部２１の静電チャック２２によってウェハＷを吸着し、載置部２１のヒータ（図示せず）によってウェハＷを所定の温度に加熱する。
【００４２】
その後高周波電源２３、６３を作動させ、加熱した処理ガスをインレットブロック７１から導入し、ウェハＷ上に供給することで、プラズマを利用した処理、例えばエッチング処理によって、ウェハＷの表面に形成されている自然酸化膜や金属酸化膜などが除去される。
【００４３】
このようなプラズマ処理において、実施の形態にかかるプラズマ処理装置１では、上部電極５３と給電棒６４の接続部の直下に、ガス供給路９４、９５からの処理ガスを合流させる合流部５５が設けられている。したがって上部電極５３の中心部分に高周波電力を供給しつ、処理ガスについても上部電極５３の中央から、空間Ｓ、シャワーヘッド５４を介してウェハＷ上に均一に供給することができる。したがって、上部電極５３の中心部分からの給電によるプラズマ均一性、プロセス性能向上、高周波電力の安定供給を確保しつつ、かつ上部電極５３の中央からの処理ガスの均一な供給を実現している。したがって、従来よりもプラズマ処理の均一性を向上させることが可能である。
【００４４】
また実施の形態にかかるプラズマ処理装置１では、絶縁導入部材９３の内部に形成されたガス供給路９４、９５は、折曲部９４ａ、９５ａの存在により、その上下端部相互間が直線状には見通せないように形成されている。したがって、たとえば上部電極５３と円環部７２との間の異常放電の発生を抑制することができ、異常放電に起因する成膜不良等を抑えることができる。
【００４５】
さらに折曲部９４ａ、９５ａは、外側に向けて折曲し、すなわち給電棒６４から離れる方向に折曲しているから、絶縁材によって構成された絶縁導入部材９３において、折曲部９４ａ、９５ａの位置で十分な絶縁性能を確保することができる。したがって、給電棒６４の外周と、絶縁導入部材９３の内周との間の距離と相俟って、給電棒６４から放出される高周波の影響を抑えることができる。
また絶縁導入部材９３の上下端面から斜め方向に穿孔することで、容易に折曲部９４ａ、９５ａを形成することができる。
【００４６】
なお前記実施の形態では、折曲部９４ａ、９５ａは、ガス供給路９４、９５の長さの１／２程度の位置に形成されていたが、もちろんこれに限らず、円環部７２に近い位置、あるいは、上部電極５３に近い位置に設定されていてもよい。また前記実施の形態では、折曲部９４ａ、９５ａによって、その上下端部相互間が直線状には見通せないように構成していたが、もちろんかかる例に限られるものではない。
【００４７】
またガス供給路９４、９５は、結果的に絶縁導入部材９３を上下方向に貫通していればよく、途中でスパイラル状の流路があっても構わない。ガス供給路９４、９５の上下端部相互間が直線状には見通せないような形状であればよい。
【００４８】
さらにまたプラズマ処理装置１の構成にもよるが、ガス供給路９４、９５の上下方向の長さが十分確保できるものであれば、図５に示したように、直線状のガス供給路９４、９５が絶縁導入部材９３に形成されていてもよい。上部電極５３と給電棒６４の接続部の直下に設けた合流部５５によって、中央からの処理ガスの均一な供給を実現するという観点からは、図４、図５のいずれの形状のガス供給路９４、９５も採用できる。
【００４９】
なお前記実施の形態では、導入部７３とシールド部材６１との貫通部の周縁部には、これらの部材よりも熱伝導率の低い密閉部材９２が設けられているので、整合器６２への熱の伝達は抑えられている。
【００５０】
前記実施の形態にかかるプラズマ処理装置１では、上部電極５３と給電棒６４の接続部の直下に設けた合流部５５から、流路５８を経て空間Ｓに処理ガスを流すようにしていたが、本開示にかかる技術は、これに限られるものではない。
【００５１】
たとえば、図６に示したように、流路５８の下側に、分散部１１０を設け、この分散部１１０と連通して、空間Ｓに開口した複数の分散流路１１１、１１２、１１３、１１４を設けてもよい。分散部１１０は１つの単一の空間であってもよく、また放射状に分散させる個別の流路であってもよい。さらに分散流路１１１、１１２、１１３、１１４についても、中心から放射状にかつ均等に分散して処理ガスを空間Ｓに流す構成であれば、分散流路の数は任意である。図６の例では、図示の都合上、４つの分散流路１１１、１１２、１１３、１１４を描図しているが、実際は、８つの流路を有している。
【００５２】
図６のように、上部電極５３内に、分散部１１０、分散流路１１１、１１２、１１３、１１４を形成する場合、もちろん単一の上部電極５３内にこれらを形成してもよいが、これら分散部１１０、分散流路１１１、１１２、１１３、１１４を形成する際の加工の容易さ等を考慮すれば、もちろん適宜の導電性のプレートを積層して、上部電極５３を構成してもよい。さらにまた分散部、分散流路の数は、これに限られるものではなく、またさらに下側に、他の分散部、分散流路を設けてもよい。
【００５３】
また前記した実施の形態にかかるプラズマ処理装置１では、円環部７２内に形成されたガス流路は、２つに分岐されたガス流路７６、７７であったが、これに限られるものではない。
【００５４】
たとえば図７に示したように、ガス流路７６、７７がさらに各々２つに分岐して、ガス流路７６ａ、７６ｂと、ガス流路７７ａ、７７ｂを円環部７２内に形成してもよい。そしてこれら４つのガス流路７６ａ、７６ｂ、７７ａ、７７ｂが、絶縁導入部材９３内において、等間隔で絶縁導入部材９３内を上下方向に貫通する独立した４本のガス供給路（図示せず）と接続した構成としてもよい。そのように絶縁導入部材９３内の１のガス供給路の断面積を変えることなく、ガス供給路の数を増加させることで、一度に大量のガスを均一に供給することができる。もちろんいずれのガス供給路においても前記した折曲部で構成される折曲部を設けてもよい。
【００５５】
かかる場合、これら４本のガス供給路と接続する上部電極５３の流路は４か所に形成される。その後この４つの流路からの処理ガスが合流部５５で合流することになる。
このように１のガス供給路の断面積を変えることなく絶縁導入部材９３内に形成されるガス供給路の数を、前記実施の形態よりも増加させることで、決まった流量を流す場合、１のガス供給路の流路内の圧力値を低くすることができる。そしてそのように流路内の圧力値を低くすれば、ガスの種類にもよるが、一般的にはある低圧領域までは、異常放電しづらくなるので（パッシェンの法則）、プラズマが安定する。その結果、面内均一性が向上する。
【００５６】
また前記した実施の形態は、エッチング処理を行うプラズマ処理装置として構成されていたが、他のプラズマ処理、たとえばプラズマ成膜装置としても、本開示にかかる技術は具体化できる。
【００５７】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００５８】
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）処理容器内の基板に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置であって、
前記処理容器内の上方に配置された上部電極と、
整合器を介してプラズマ源からの高周波電力を、前記上部電極の中心に供給するための給電棒と、
複数の吐出孔を有し、前記上部電極の下方に配置されたガス拡散板と、
前記処理容器内に処理ガスを導入するガス導入部材と、を有し、
前記ガス導入部材は、前記上部電極の上方に配置され、かつガス流路が内部に形成された前記給電棒を囲む形状の円環部を有し、
前記円環部の下側には、筒状の絶縁導入部材が設けられ、
前記絶縁導入部材の内部には、前記ガス流路と連通して上下方向に形成された２以上のガス供給路が形成され、
前記上部電極と給電棒の接続部の直下には、前記ガス供給路からの処理ガスを合流させる合流部が設けられ、
当該合流部で合流した後の処理ガスが、前記ガス拡散板の上側に形成されて前記吐出孔に連通する空間に流れるように構成された、プラズマ処理装置。
かかる構成のプラズマ処理装置によれば、プラズマ処理を行うにあたり、上部電極の中心部分に高周波電力を供給しつつ、処理ガスの供給についても中央から処理容器内に均一に供給することを実現することができ、従来よりも処理の均一性が向上する。
【００５９】
（２）前記ガス流路は、前記円環部に沿って円弧状に分岐して、前記絶縁導入部材の前記ガス供給路と各々接続されている、（１）に記載のプラズマ処理装置。
【００６０】
（３）前記ガス供給路の上下端部相互間は、直線状に見通せないように、前記ガス供給路が前記絶縁導入部材の内部に形成されている、（１）または（２）のいずれかのプラズマ処理装置。
かかる構成のプラズマ処理装置によれば、ガス供給路内での異常放電の発生を抑えることができる。
【００６１】
（４）前記ガス供給路は、前記絶縁導入部材において、途中で外方に折曲する折曲部を有する、（３）のプラズマ処理装置。
かかる構成のプラズマ処理装置によれば、たとえば絶縁導入部材の上下から斜め方向に穿孔することで、折曲部を有するガス供給路を容易に構成することができる。
【００６２】
（５）前記合流部と前記空間との間に、前記合流部からの処理ガスを分散させて前記空間に流す分散流路が設けられている、（１）〜（４）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
かかる構成のプラズマ処理装置によれば、さらに処理ガスを均一に基板に供給することができる。
【００６３】
（６）（１）〜（５）のいずれかに記載のプラズマ処理装置を用いて、前記処理容器内の基板に対してプラズマ処理を行なう、プラズマ処理方法。
【符号の説明】
【００６４】
１    プラズマ処理装置
１１    処理容器
２１    載置部
５３    上部電極
５４    シャワープレート
５４ａ  吐出孔
５５    合流部
６１    シールド部材
６２    整合器
６４    給電棒
７１    インレットブロック
７２    円環部
７３    導入部
７５、７６、７７    ガス流路
９３    絶縁導入部材
９４、９５    ガス供給路
９４ａ、９５ａ    折曲部
１００    制御部
Ｗ      ウェハ
【図１】
2020092177.tif 000003
【図２】
2020092177.tif 000004
【図３】
2020092177.tif 000005
【図４】
2020092177.tif 000006
【図５】
2020092177.tif 000007
【図６】
2020092177.tif 000008
【図７】
2020092177.tif 000009