(57)【要約】【課題】  重ね合せ精度を向上させることができるインプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  基板の上のインプリント材にモールドを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させるインプリント装置であって、前記基板を吸着する複数の吸着領域を有する基板保持部と、前記複数の吸着領域のそれぞれにおける圧力を独立に制御する制御部とを有し、前記制御部は、少なくとも前記インプリント材を硬化させるときに、前記基板の形状情報または歪情報の少なくとも一方に基づいて、前記圧力を制御することを特徴とするインプリント装置。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の硬化性組成物にモールドを接触させた状態で前記硬化性組成物を硬化させるインプリント装置であって、
前記基板を吸着する複数の吸着領域を有する基板保持部と、
前記複数の吸着領域の圧力を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、少なくとも前記硬化性組成物を硬化させるときに、前記基板の形状情報または歪情報の少なくとも一方に基づいて、前記圧力を制御する
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記複数の吸着領域は同心円状に区分されており、前記複数の吸着領域を仕切る複数の隔壁のうち最外周の隔壁の高さが他の隔壁よりも低いことを特徴とする請求項１記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記基板のショット領域が位置する基板上の形状情報または歪情報の少なくとも一方に基づいて、ショット領域ごとに前記圧力を決定することを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
基板上の硬化性組成物にモールドを接触させた状態で前記硬化性組成物を硬化させるインプリント装置であって、
前記基板と対向する面に、圧力を独立して印加可能に区分けされた複数の領域を有する基板保持部と、
前記複数の領域に正圧または負圧を印加するための圧力印加部と、
前記複数の領域は同心円状に区分されており、前記複数の領域を仕切る複数の隔壁のうち最外周の隔壁の高さが他の隔壁よりも低く、
前記最外周の領域に対して、前記最外周の領域よりも内側に配置された領域とは異なる圧力が印加されることを特徴とするインプリント装置。
【請求項５】
前記モールドが表面に凹凸のパターンが形成されたモールドであり、基板上に前記モールドに形成されたパターンを転写する請求項１から４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板を露光する工程と、
露光された基板を現像する工程と、
現像された基板から物品を製造する工程と、を有する、
ことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
モールドに形成されたパターンを基板に転写するインプリント技術は、半導体デバイスの製造に用いられるリソグラフィ技術の１つとして注目されている。インプリント技術を用いたインプリント装置では、基板上に配置された硬化性組成物であるインプリント材とモールドとを接触させ、その状態でインプリント材を硬化させる。そして、基板上の硬化したインプリント材からモールドを引き離すことで、モールドのパターンを基板に転写する。
【０００３】
インプリント装置では、モールドのパターンを高精度に基板に転写することが要求されている。モールドのパターン領域と基板上の転写領域の位置を精度良く重ね合わせるため、特許文献１には、モールドの側面から力を加えることでパターンの形状を補正する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５０４１４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体デバイスの高集積化に伴い、回路パターンの多層化が進んでいる。多層化された基板では、成膜時に発生した膜歪み等の蓄積により反りが生じうる。この反りは、基板上の転写領域の形状を歪ませ、転写精度、すなわち重ね合せ精度を悪化させる。
【０００６】
特許文献１に開示された技術は、モールドの側面に設置できるアクチュエータの数に制限があるため、倍率や菱形などの次数の低い単純な形状の補正には適しているが、基板の反りに起因した２次以上の歪みの補正には適していない。
【０００７】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、重ね合せ精度を向上させることができるインプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題に鑑み、本発明に係るインプリント装置は、
基板上の硬化性組成物にモールドを接触させた状態で前記硬化性組成物を硬化させるインプリント装置であって、
前記基板を吸着する複数の吸着領域を有する基板保持部と、
前記複数の吸着領域の圧力を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、少なくとも前記硬化性組成物を硬化させるときに、前記基板の形状情報または歪情報の少なくとも一方に基づいて、前記圧力を制御する
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、重ね合せ精度の点で有利なインプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】基板のショット領域を示した図である。
【図３】基板保持部を示した図である。
【図４】本発明のインプリント処理を説明するための図である。
【図５】基板の反り形状と歪の対応関係を示した図である。
【図６】形状差の補正を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
まず、第１の実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給された光硬化性組成物であるインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する成形装置である。
【００１３】
図１は、実施形態におけるインプリント装置１の構成を示す図である。インプリント装置１は、紫外線の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用するが、これに限定されるものではなく、例えば入熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法を採用することもできる。なお、以下の各図においては、モールド（型）に対する紫外線の照射軸と平行な方向にＸＹＺ座標系におけるＺ軸をとり、Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する方向にＸ軸およびＹ軸をとるものとする。
【００１４】
インプリント装置１は、照射部２と、モールド３を保持するモールドステージ４と、基板５を保持する基板ステージ６と、インプリント材を供給する塗布部８と、アライメント光学系１０と、制御部１４と、コンソール１５を備える。
【００１５】
照射部２は、基板上のインプリント材を硬化させる光を射出する光源部２１と、光源部２１から射出された光を基板上のインプリント材に導くための光学部材２２とを含み、モールド３を介して、基板上のインプリント材に光を照射する。
【００１６】
光学部材２２は、光源部２１から射出された光をインプリント処理に適切な光に調整するための光学素子を含む。
【００１７】
モールド３は、外周形状が矩形であり、基板５に対抗する面に３次元状に形成されたパターン部３ａを有す。モールド３の材質は、石英ガラス等の紫外線を透過させることが可能な材料である。さらに、モールド３は、モールド３ａの変形を容易とするためのキャビティ（凹部）３ｂを含み得る。このキャビティ３ｂは円形の平面形状を有し、厚みは、モールド３の形状や材質により適宜設定される。また、後述するモールドステージ４内の開光領域に、この開光領域の一部とキャビティ３ｂとで囲まれる空間１２を密閉空間とする光透過材１３を設置し、不図示の圧力調整装置により空間１２内の圧力を制御し得る。
【００１８】
モールドステージ４は、真空吸着力や静電力によってモールド３を保持するモールド保持部４１と、モールド保持部４１をＺ方向に移動させるモールド移動部４２とを含む。
【００１９】
モールド保持部４１及びモールド移動部４２は、照射部２からの光が基板上のインプリント材に照射されるように、中心部（内側）に開口を有する。
【００２０】
モールド移動部４２は、例えば、ボイスコイルモータやエアシリンダなどのアクチュエータを含む。
【００２１】
モールド移動部４２は、基板上のインプリント材にモールド３を接触させたり、基板上のインプリント材からモールド３を引き離したりするために、モールド保持部４１（モールド２）をＺ方向に移動させる。
【００２２】
モールド移動部４２は、Ｚ方向だけではなく、Ｘ方向やＹ方向にモールド保持部４１の位置を調整する機能を有するように構成されていてもよい。
【００２３】
更に、モールド移動部４２は、モールド保持部４１のθ（Ｚ軸周りの回転）方向の位置を調整する機能やモールド保持部４１の傾きを調整するためのチルト機能を有するように構成してもよい。
【００２４】
さらに、モールドステージ４は、モールド変形機構４３を有しうる。
【００２５】
モールド変形機構４３は、モールド３の側面に外力または変位を与えることによりモールド３（パターン部３ａ）の形状を補正する。
【００２６】
モールド変形機構４３は、例えば、複数のアクチュエータを含み、モールド３の各側面の複数箇所を加圧するように構成される。
【００２７】
基板５は、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板である。
【００２８】
図２は、基板５の上のショット領域のレイアウトを例示する図である。
【００２９】
本明細書において、ショット領域とは、１回のインプリント処理でパターンが形成される領域をいう。
【００３０】
また、対象ショット領域とは、これからインプリント処理を行う対象のショット領域をいう。
【００３１】
インプリント装置１では、対象ショット領域が変わるごとに、インプリント処理を行う。
【００３２】
インプリント処理は、少なくとも、対象ショット領域にインプリント材を塗布する工程、モールド３とインプリント材とを接触させる工程、パターン部３ａにインプリント材を充填させる工程、インプリント材を硬化させる工程、及び硬化したインプリント材とモールド３とを引き離す工程を含む。
【００３３】
基板５上には、複数のショット領域がマトリクス状に配列されている。
【００３４】
本実施形態では、基板５の有効面積（パターンが転写される領域の合計面積）を最大にするために、基板５の内側のショット領域５１だけでなく、基板５の外周を含む周辺ショット領域５２にもインプリント処理が行われる。
【００３５】
周辺ショット領域とは、一部が基板５の外周からはみ出しているショット領域であり、「欠けショット領域」とも呼ばれる。
【００３６】
基板ステージ６は、基板５を保持する基板保持部６１と、基板保持部６１（基板３）をＸ方向及びＹ方向に移動させる基板移動部６２とを含む。
【００３７】
図３（ａ）に、基板保持部６１をモールド３側から見た平面図を示す。
【００３８】
図３（ａ）に示されるように、基板保持部６１の上面（基板５と対向する面）には、複数の隔壁６３ａ、６３ｂ、６３ｃで仕切られた複数の領域（吸着領域）６４ａ、６４ｂ、６４ｃが形成されている。複数の吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃは正圧または負圧を独立して印加可能になっており、同心円状に区分されている。
【００３９】
図３（ａ）の例では、複数の吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃは、隔壁６３ａ、６３ｂ、６３ｃを基板保持部６１の上面に立設することで形成されているが、基板保持部６１の上面を掘り込んで形成された吸着溝であっても良い。
【００４０】
また、図３（ｂ）に基板５を保持した基板保持部６１のＸＺ断面を示す。複数の吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃのそれぞれは、基板５によって閉空間を形成する。
【００４１】
吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃは、配管６５ａ、６５ｂ、６５ｃを介して、不図示のポンプなどの圧力印加部を有する圧力調整部に連通し、閉空間の圧力をそれぞれ独立に調整可能である。この閉空間の圧力をそれぞれ制御することにより、基板５をＺ方向に湾曲に変形させることができる。
【００４２】
特に、最外周の隔壁６３ｃの高さを、その内側にある他の隔壁よりも低くすることで、基板５の領域６４ｃの部分が外周側に向けて下り勾配となるように変形し易くなっている。
【００４３】
また、基板保持部６１の吸着領域の数は３つであるが、この限りではなく複数であればよい。
【００４４】
基板移動部６２は、例えば、リニアモータを含み、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。
【００４５】
基板移動部６２は、Ｘ方向及びＹ方向だけではなく、Ｚ方向に基板保持部６１の位置を調整する機能を有するように構成されていてもよい。
【００４６】
更に、基板移動部６２は、基板保持部６１のθ（Ｚ軸周りの回転）方向の位置を調整する機能や基板保持部６１の傾きを調整するためのチルト機能を有するように構成されていてもよい。
【００４７】
基板ステージ５の位置の計測には、例えば、筐体１６に設けられたスケールと、基板移動部６２に設けられたヘッド（光学機器）とで構成されるエンコーダシステムが用いられる。但し、基板ステージ５の位置の計測は、エンコーダシステムに限定されるものではなく、筐体１６に設けられたレーザ干渉計と、基板移動部６２に設けられた反射鏡とで構成される干渉計システムを用いてもよい。
【００４８】
アライメント光学系１０は、基板５に形成されたアライメントマークとモールド３に形成されたアライメントマークとのＸ軸およびＹ軸の各方向への位置ずれを計測する。計測した位置ずれに基づき、基板ステージ６の位置を調整しうる。
【００４９】
また、インプリント装置１は、不図示の高さ計測装置１７によって、基板５の上面までの距離を計測し得る。
【００５０】
なお、高さ計測装置１７はインプリント装置１の外部装置であってもよい。その場合、外部装置としての高さ計測装置１５で計測されたデータがメモリに記憶されてインプリント装置１で利用されうる。
【００５１】
制御部１４は、例えばＣＰＵやメモリ等を含むコンピュータで構成され、メモリに格納されたプログラムに従ってインプリント装置１の各部を統括的に制御する。
【００５２】
制御部１４は、インプリント装置１の各部の動作及び調整などを制御することで、モールド３のパターン３ａを基板上のインプリント材に転写する。
【００５３】
コンソール部１５は、キーボードやマウスなどの入力装置及びディスプレイを備えるコンピュータを含み、インプリント装置１（制御部１４）とユーザとの間で情報を共有するためのインタフェースである。コンソール部１５は、ユーザによって入力されたインプリント処理に関する情報を、制御部１４に送信（出力）する。
【００５４】
コンソール部１５に入力されたインプリント処理に関する情報は、レシピパラメータやログとしてコンピュータに記録し、インプリント処理の前後で確認することができる。
【００５５】
本実施形態では、コンソール部１５は、複数の吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃの圧力を入力するためのユーザインタフェースとしても機能する。
【００５６】
また、本実施形態では、制御部１４は、コンソール部１５に入力された複数の吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃの圧力を取得する取得部として機能する。
【００５７】
なお、制御部１４は、インプリント装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成しても良いし、インプリント装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成しても良い。
【００５８】
図４を参照して、インプリント装置１におけるインプリント処理について説明する。
【００５９】
かかるインプリント処理は、上述したように、制御部１４がインプリント１の各部を統括的に制御することで行われる。図４（ａ）は、インプリント装置１におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。
【００６０】
図４（ｂ）は、図４（ａ）の各インプリント処理における、吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃの圧力値の一例を示す図である。
【００６１】
Ｓ１０１では、ユーザによってコンソール部１５に入力された、インプリント処理の条件を取得する。
【００６２】
ここで、インプリント処理の条件は、吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃの圧力の値を含む。
【００６３】
Ｓ１０２では、インプリント装置１にモールド３を搬入する。具体的には、モールド搬送機構（不図示）によってモールド３をインプリント装置１のモールド保持部４１の下に搬入（搬送）し、かかるモールド３をモールド保持部４１に保持させる。
【００６４】
Ｓ１０３では、インプリント装置１に基板３を搬入する。具体的には、基板搬送機構（不図示）によって基板３をインプリント装置１の基板保持部６１の上に搬入（搬送）し、かかる基板３を基板保持部６１に保持させる。
【００６５】
Ｓ１０４では塗布部８の下（インプリント材の供給位置）に基板３を位置決めする。具体的には、基板５の対象ショット領域が塗布部８の下に位置するように、基板移動部６２によって、基板５を保持した基板保持部６１を移動させる。
【００６６】
Ｓ１０５では、塗布部８によって、基板５の対象ショット領域にインプリント材を塗布する。
【００６７】
Ｓ１０６では、モールド３の下に基板５を位置決めする。具体的には、インプリント材が供給された基板５の対象ショット領域がモールド３のパターン３ａの下に位置するように、基板移動部６２によって、基板５を保持した基板保持部６１を移動させる。
【００６８】
Ｓ１０７では、モールド３と基板５上のインプリント材とを接触させる。具体的には、モールド３のパターン３ａと基板５の対象ショット領域上のインプリント材とが接触するように、即ち、モールド３と基板５との間の距離が短くなるように、モールド移動部４２によって、モールド３をＺ方向に移動させる（モールド３を下降させる）。
【００６９】
Ｓ１０８では、アライメント光学系１０が、基板５に形成されたアライメントマークとモールド３に形成されたアライメントマークとのＸ軸およびＹ軸方向への位置ずれを検出する。検出した位置ずれに基づいて、基板ステージ６を微小に駆動させて、モールド３と基板５を相対的に位置合わせする。
【００７０】
Ｓ１０９では、モールド３のパターン部３ａと基板５の対象ショット領域との形状差を補正する。具体的にはパターン部３ａの形状と対象ショット領域の形状とが一致するように、吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃの圧力を変更する。吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃの圧力の目標値は、Ｓ１０１で制御部１４が取得する。吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃの圧力による形状差の補正については、後で詳細に説明する。尚、Ｓ１０８とＳ１０９は、Ｓ１０９、Ｓ１０８の順に実施してもよいし、同時に実施してもよい。
【００７１】
Ｓ１１０では、モールド３と基板上のインプリント材とを接触させた状態で、かかるインプリント材を硬化させる。具体的には、照射部２によって、モールド３のパターン３ａを接触させたインプリント材に対して光を照射することで、インプリント材を硬化させる。
【００７２】
Ｓ１１１では、基板上の硬化したインプリント材からモールド３を引き離す。具体的には、モールド３が基板上のインプリント材から剥離するように、即ち、モールド３と基板５との間の距離が長くなるように、モールド移動部４２によって、モールド３をＺ方向に移動させる（モールド３を上昇させる）。
【００７３】
Ｓ１１２では、引き続きパターンを形成すべきショット領域の有無を判断する。対象ショット領域が無い（Ｓ１１２でＮＯ）と判断した場合は、Ｓ１１３で基板搬送機構（不図示）によって基板をインプリント装置１から搬出する。対象ショット領域がある（Ｓ１１２でＹＥＳ）と判断した場合は、Ｓ１０４〜Ｓ１１２までの工程を繰り返す。
【００７４】
図４（ｂ）を参照すると、各吸着領域の圧力はＳ１０８、Ｓ１０９、Ｓ１１０を除く区間では負圧となっている。これは、基板５が基板保持部６１から分離するのを抑制するためである。
【００７５】
一方で、Ｓ１０８、Ｓ１０９、Ｓ１１０の区間では、パターン部３ａと基板５の対象ショット領域との形状差を補正するため、吸着領域６４ａの圧力を変更している。具体的な圧力の決め方は後述する。
【００７６】
図４（ｂ）に示すとおり、少なくともＳ１１０（インプリント材の硬化）の開始前までに吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃの圧力を目標圧力に変更する必要がある。
【００７７】
Ｓ１０９における、モールド３のパターン部３ａと基板５の対象ショット領域との形状差の補正について具体的に説明する。まず、モールド３のパターン部３ａと基板５の対象ショット領域との形状差の原因となっている基板５の歪みについて説明する。
【００７８】
近年、半導体デバイスの高集積化に伴い、回路パターンの多層化が進んでいる。多層化された基板では、成膜時に発生した膜歪み等の蓄積により反りが生じる。
【００７９】
図５は、反り形状と歪の対応関係を示した図である。図５（ａ）、（ｂ）は上凸形状に反ったディスク（円盤）状の基板に対して斜め上から見た図と上から見た図である。同様に、図５（ｃ）、（ｄ）は下凸形状に反った基板に対して斜め上から見た図と上から見た図である。
【００８０】
図５において、内部の格子状の線はショット領域を示すためのグリッドである。
【００８１】
図５（ｂ）、（ｄ）の点線は歪のない状態のグリッドである。
【００８２】
図５（ｂ）に示すとおり、上凸形状に反った基板は基板の中心から半径方向に伸びる歪が発生し、通常、その歪は基板の外周に近づくほど大きい。
【００８３】
一方で、図５（ｄ）に示すとおり、（ｄ）は下凸形状に反った基板は基板の中心から半径方向に縮む歪が発生し、通常、その歪は基板の外周に近づくほど大きい。
【００８４】
添付の図５（ｅ）、（ｆ）に示すように、上凸の場合はインプリント処理面が伸びて、下凸の場合はインプリント処理面が縮むため、図５（ｂ）と（ｄ）で点線と実線の関係が逆転する。
【００８５】
図５では、反り形状の一例として単純な上凸形状と下凸形状を示した。
【００８６】
基板５の反りは、上凸形状、下凸形状のほかに、鞍型などより高次の湾曲形状も起こり得るが、一般的に円板が湾曲に変形した場合、いずれの場合も半径方向の歪の成分を持ち、外周に近いほど歪が大きい傾向である。
【００８７】
なお、図５は、反りの状態や歪がわかりやすくなるように誇張して描かれており、実際には、反り量は数μｍ〜数ｍｍ、歪は数ｎｍ〜数μｍ程度である場合が多い。
【００８８】
本実施形態では、制御部１４が吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃの圧力を制御し、基板５の半径方向の歪を補正する。ここでは、歪が大きく、補正の効果が高い欠けショットを例にして説明する。
【００８９】
図６（ａ）は、パターン部３ａとインプリント材が接触した状態で吸着領域６４ａの圧力を正圧にした場合の図であり、図６（ｂ）は、パターン部３ａとインプリント材が接触した状態で吸着領域６４ａの圧力を負圧にした場合の図である。
【００９０】
なお、図６の座標系は、Ｚ軸を紫外線の照射軸と平行な方向、Ｒ軸を基板５の半径方向とした円筒座標系である。また、インプリント材は極薄膜であるため、図６では図示していない。
【００９１】
図６（ａ）の吸着領域６４ａの圧力が正圧な場合、パターン部３ａと基板５は下凸に反る。この場合、板の曲げ理論により、パターン部３ａの基板５側の表面は半径方向に伸び、基板５のパターン部３ａ側の表面は半径方向に縮む。すなわち、基板５の対象ショット領域はパターン部３ａに対して、相対的に半径方向に縮む。
【００９２】
一方で、図６（ｂ）の吸着領域６４ａの圧力が負圧な場合、パターン部３ａと基板５は上凸に反る。この場合、板の曲げ理論により、パターン部３ａの基板５側の表面は半径方向に縮み、基板５のパターン部３ａ側の表面は半径方向に伸びる。すなわち、基板５の対象ショット領域はパターン部３ａに対して、相対的に半径方向に伸びる。
【００９３】
このように、吸着領域６４ａの圧力を正圧または負圧に制御することで、対象ショット領域の形状をパターン部３ａに対して相対的に伸縮させることができる。また、その伸縮量は圧力の大きさで制御することができる。
【００９４】
図５（ａ）（ｂ）のように基板５が上凸に反っている場合は、基板５が半径方向に伸びているため、Ｓ１０９で、吸着領域６４ａの圧力を正圧にすれば良い。
【００９５】
図５（ｃ）（ｄ）のように基板５が下凸に反っている場合は、基板５が半径方向に縮んでいるため、Ｓ１０９で、吸着領域６４ａの圧力を負圧にすれば良い。
【００９６】
吸着領域６４ａの圧力の最適値は、例えば、テストインプリントで取得することができる。吸着領域６４ａの圧力のみ変更して複数回インプリントし、オーバーレイの変化量から最小二乗法で算出すればよい。また、吸着領域６４ａの圧力の最適値は、高さ計測装置１７で計測した基板５の反り形状から、例えばシミュレーションで算出した基板５の歪情報または形状情報に基づいて決定してもよい。
【００９７】
なお、ここでは基板５の反り形状と上凸と下凸の単純形状であるために、吸着領域６４ａの圧力のみＳ１０９で変更したが、この限りではなく、基板５の反り形状によっては、吸着領域６４ｂ、６４ｃの圧力も変更しても良い。また、基板５のショット領域毎に反り形状が異なる場合は、ショット領域毎にＳ１０９における吸着領域６４ａ、６４ｂ、６４ｃの圧力は異なってもよい。
【００９８】
本実施形態では、基板５の半径方向の歪を補正するために、基板保持部６１の吸着領域を同心円状に分割したが、分割する形状はこの限りではない。例えば、基板５の周方向の歪が大きい場合は、基板保持部の隔壁を放射状に配置し、吸着領域を周方向に分割し得る。
【００９９】
また、放射状に配置した隔壁と同心円状に配置した隔壁を組み合わせて吸着領域を分割してもよい。基板５の反り以外の要因で発生したオーバーレイエラーも低減するために、基板保持部６１の吸着領域を細かく格子状に分割してもよい。
【０１００】
以上のように、モールド２と基板上のインプリント材とを接触させた状態で、基板保持部６１の吸着領域の圧力を制御することで、パターン部３ａと基板５のショット領域と形状差を補正できる。従って、本実施形態では、重ね合せ精度の点で有利である。
【０１０１】
＜第２実施形態＞
次に、前述のインプリント装置を利用した物品（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子、ＭＥＭＳ等）の製造方法を説明する。物品は、前述のインプリント装置を使用して、感光剤が塗布された基板（ウェハ、ガラス基板等）を露光する工程と、その基板（感光剤）を現像する工程と、現像された基板を他の周知の工程で処理することにより製造される。
【０１０２】
他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本物品製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。
【０１０３】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【０１０４】
１  インプリント装置
３  モールド
５  基板
１４  制御部
６１  基板保持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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