(57)【要約】【課題】パーティクルの発生を未然に防止するとともに、複数のウェハの膜厚分布を均一に形成可能な成膜用冶具を提供する。【解決手段】成膜用冶具２０は、搬送手段で搬送されて載置したウェハに反応ガスを吹き付けて成膜する。成膜用冶具２０は、上面から底面にかけて貫通する開口部２３が形成された基材２１と、この基材２１の開口部２３を閉止可能に設置するとともに、少なくとも受け渡し時に上面にウェハ２が載置され、搬送時に開口部２３を閉止する閉止部材２４と、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送手段で搬送されて載置したウェハに反応ガスを吹き付けて成膜する成膜用冶具であって、
上面から底面にかけて貫通する開口部が形成された基材と、
前記基材の開口部を閉止可能に設置するとともに、少なくとも受け渡し時に上面にウェハが載置され、搬送時に前記開口部を閉止する閉止部材と、
を備えることを特徴とする成膜用冶具。
【請求項２】
前記閉止部材は、上下動可能に構成され、上昇時に前記ウェハが上面に載置され、下降時に前記基材の開口部を閉止することを特徴とする請求項１に記載の成膜用冶具。
【請求項３】
前記基材の開口部の周囲上面側に前記ウェハを保持する保持用凹部が形成されていることを特徴する請求項１又は２に記載の成膜用冶具。
【請求項４】
前記基材の開口部は、前記保持用凹部に連続して前記上面に拡がるように傾斜する傾斜面が形成される一方、前記閉止部材の外周面にテーパが形成されていることを特徴とする請求項３に記載の成膜用冶具。
【請求項５】
前記基材の開口部は、前記保持用凹部に連続して段付部が形成される一方、前記閉止部材の外周面に前記段付部と同形状の段部が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の成膜用冶具。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の成膜用冶具が複数設置され、これらの成膜用冶具にそれぞれウェハを載置して水平方向に順次搬送する搬送装置と、
前記搬送装置によって順次搬送される前記ウェハに反応ガスを吹き付けて成膜するガスヘッドと、
を備えることを特徴とする常圧気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体基板等のウェハに膜を形成するための成膜用冶具及び常圧気相成長装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、常圧気相成長装置には、ウェハに連続的に成膜を行う装置がある。この装置は、搬送手段、加熱手段、及びガス供給手段を備えている。ウェハは、成膜用冶具としてのウェハトレーに搭載される。このウェハトレーは、上側面にウェハを保持する保持用凹部が形成されている。
【０００３】
ウェハを保持したウェハトレーは、上記搬送手段によって搬送され、上記加熱手段によって数百度に加熱される。そして、ウェハトレーが所望の温度になってからウェハが上記ガス供給手段から供給された反応ガスに晒され、ウェハ上面側に薄い膜が形成される。
【０００４】
ところで、従来のウェハトレーには、例えば特許文献１に記載されたものがある。図９及び図１０に示すように、このウェハトレー１は、上側面にウェハ２を保持する保持用凹部１ａが形成されている。この保持用凹部１ａの底面の中央部には、図９に示す３本のウェハリフトピン３を挿通させるためのリフトピン挿通孔１ｂが３つ貫通して形成されている。これらのリフトピン挿通孔１ｂは、保持用凹部１ａの底面とウェハトレー１の下側面とを連通させている。
【０００５】
図９に示す３本のウェハリフトピン３は、シリンダ４を駆動することで、シリンダロッド４ａ、ピン固定部５を介して上下方向に移動可能に構成されている。これら３本のウェハリフトピン３、シリンダ４、シリンダロッド４ａ、及びピン固定部５は、リフトアップ部６を構成している。
【０００６】
３本のウェハリフトピン３は、上昇時に成膜されたウェハ２を上昇させて図示しない移載ロボットによりウェハ２を回収する一方、成膜されていないウェハ２を載置する。したがって、３本のウェハリフトピン３は、ウェハ１の受け渡しのため用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−３１５７２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載されたウェハトレー１は、リフトピン挿通孔１ｂが３つ貫通して形成されているので、ウェハ２を保持していない場合、３つのリフトピン挿通孔１ｂを通して保持用凹部１ａの底面と下側面とが連通状態となる。
【０００９】
このように連通状態になったウェハトレー１が上記搬送手段によって上記ガス供給手段に搬送されると、そのガス供給手段から供給された反応ガスがリフトピン挿通孔１ｂを通して下側面に達し、その反応生成物が付着することになる。その結果、ウェハトレー１の下側面にウェハ２の汚染の原因となるパーティクルが発生するという不具合がある。
【００１０】
また、上記反応ガスがリフトピン挿通孔１ｂを通して搬送手段や加熱手段に入り込むと、全体の気流の乱れが発生し、図１１に示すようにウェハトレー１の搬送方向に対して先頭（最も上流側のウェハ番号１）及び最後（最も下流側のウェハ番号２５）のウェハ２の膜厚分布が中間のウェハ２に比べて不均一になるという問題がある。
【００１１】
さらに、上記反応ガスが加熱手段に入り込むと、加熱手段に反応生成物が付着し、さらには堆積することから、伝熱性能が著しく低下する。そして、上記加熱手段に部分的に反応生成物が堆積した場合には、加熱手段の温度分布が不均一になる。これにより、ウェハ２の膜厚分布が不均一になるという問題がある。
【００１２】
そこで、本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、パーティクルの発生を未然に防止するとともに、複数のウェハの膜厚分布を均一に形成可能な成膜用冶具及び常圧気相成長装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
かかる目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、搬送手段で搬送されて載置したウェハにガス供給部から反応ガスを吹き付けて成膜する成膜用冶具であって、上面から底面にかけて貫通する開口部が形成された基材と、前記基材の開口部を閉止可能に設置するとともに、少なくとも受け渡し時に上面にウェハが載置され、搬送時に前記開口部を閉止する閉止部材と、を備えることを特徴とする特徴とする。
【００１４】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の構成に加え、前記閉止部材は、上下動可能に構成され、上昇時に前記ウェハが上面に載置され、下降時に前記基材の開口部を閉止することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の構成に加え、前記基材の開口部の周囲上面側に前記ウェハを保持する保持用凹部が形成されていることを特徴する。
【００１６】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の構成に加え、前記基材の開口部は、前記保持用凹部に連続して前記上面側に拡がるように傾斜する傾斜面が形成される一方、前記閉止部材の外周面にテーパが形成されていることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項５に記載の発明は、請求項３に記載の構成に加え、前記基材の開口部は、前記保持用凹部に連続して段付部が形成される一方、前記閉止部材の外周面に前記段付部と同形状の段部が形成されていることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の成膜用冶具が複数設置され、これらの成膜用冶具にそれぞれウェハを載置して水平方向に順次搬送する搬送装置と、前記搬送装置によって搬送される前記ウェハに反応ガスを吹き付けて成膜するガス供給部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１に記載の発明によれば、基材の上面から底面にかけて貫通する開口部が形成され、この開口部に閉止可能に閉止部材が設置され、この閉止部材に少なくとも受け渡し時に上面にウェハが載置され、搬送時に開口部を閉止することにより、ウェハが載置されずに搬送手段によってガス供給部に搬送された場合でも、基材の開口部が閉止部材によって閉止されている。
【００２０】
そのため、ガス供給部から供給された反応ガスが下側面に達することがなくなるので、下側面にパーティクルが発生するのを未然に防止することができる。また、反応ガスが搬送手段等に入り込んで全体の気流が乱れるのを防止することができる。そのため、複数のウェハの膜厚分布を均一に形成することが可能になる。
【００２１】
また、請求項２に記載の発明によれば、閉止部材が上下動可能に構成され、下降時に基材の開口部を閉止することにより、閉止部材の構造を簡素化することができる。
【００２２】
また、請求項３に記載の発明によれば、基材の開口部の周囲上面側にウェハを保持する保持用凹部が形成されているので、ウェハを確実に保持することができる。
【００２３】
また、請求項４に記載の発明によれば、基材の開口部に上面側に拡がるように傾斜する傾斜面が形成される一方、閉止部材の外周面にテーパが形成されているので、基材の開口部に閉止部材が嵌り込み、開口部を確実に閉止することができる。
【００２４】
また、請求項５に記載の発明によれば、基材の開口部に段付部が形成される一方、閉止部材の外周面にその段付部と同形状の段部が形成されているので、基材の開口部に閉止部材が嵌り込み、開口部を確実に閉止することができる。
【００２５】
また、請求項６に記載の発明によれば、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の成膜用冶具が複数設置され、これらの成膜用冶具にそれぞれウェハを載置して搬送装置により水平方向に順次搬送し、これら搬送されるウェハにガス供給部から反応ガスを吹き付けて成膜することにより、パーティクルの発生を未然に防止するとともに、複数のウェハの膜厚分布を均一に形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態の成膜用冶具を適用した常圧気相成長装置を示すシステム構成図である。
【図２】図１のリフトアップ部の概略構成を示す部分断面構成図である。
【図３】図１のリフトアップ部へのウェハの受け渡しを示す概略説明図である。
【図４】図２の成膜用冶具の閉止部材が閉止した状態を示す概略断面図である。
【図５】第１実施形態の成膜用冶具の具体的な構成を示す平面図である。
【図６】図５の成膜用冶具の閉止部材でウェハをリフトアップした状態を示す部分断面構成図である。
【図７】本発明の第２実施形態の成膜用冶具を適用したリフトアップ部の概略構成を示す部分断面構成図である。
【図８】図７の成膜用冶具の閉止部材が閉止した状態を示す概略断面図である。
【図９】従来の成膜用冶具を適用したリフトアップ部の概略構成を示す部分断面構成図である。
【図１０】図９の成膜用冶具を示す概略断面図である。
【図１１】従来の成膜用冶具を用いて順次成膜したウェハ番号と、膜厚分布及び膜厚との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２８】
［第１実施形態］
図１〜図６には、本発明の第１実施形態を示す。図１は、本発明の第１実施形態の成膜用冶具を適用した常圧気相成長装置を示すシステム構成図である。図２は、図１のリフトアップ部の概略構成を示す部分断面構成図である。図３は、図１のリフトアップ部へのウェハの受け渡しを示す概略説明図である。図４は、図２の成膜用冶具の閉止部材が閉止した状態を示す概略断面図である。図５は、第１実施形態の成膜用冶具の具体的な構成を示す平面図である。図６は、図５の成膜用冶具の閉止部材でウェハをリフトアップした状態を示す部分断面構成図である。
【００２９】
なお、以下の実施形態では、従来の構成と同一の部分には、同一の符号を用いて説明する。
【００３０】
本実施形態の常圧気相成長装置１０は、図１に示すように搬送手段としての複数の搬送ローラ１１と、加熱手段としてのヒータ１２と、ガス供給部１３と、を備える。
【００３１】
複数の搬送ローラ１１には、例えばセラミックスローラが用いられる。これらの搬送ローラ１１上には、成膜用冶具としてのウェハトレー２０が載置されて順次搬送される。本実施形態では、搬送ローラ１１上に１２枚のウェハトレー２０が載置されて順次搬送される。
【００３２】
なお、本実施形態では、搬送手段としての複数の搬送ローラ１１を用いたが、これ以外に、例えば離間して配置された一対のプーリに無端状のコンベアを回転可能に巻き掛けて構成したものでもよい。
【００３３】
ヒータ１２は、複数の搬送ローラ１１の下方に配置されている。ヒータ１２の加熱温度は、例えばウェハトレー２０が４３０℃程度になるように５００〜６００℃程度に設定されている。したがって、ヒータ１２は、ウェハトレー２０上のウェハ２を均一に目的温度まで上昇させる。
【００３４】
ガス供給部１３は、複数の搬送ローラ１１により搬送され、ヒータ１２により加熱されたウェハ２に反応ガスを吹き付けて成膜する。具体的には、ガス供給部１３は、３つのディスパージョンヘッド１４と、これら３つのディスパージョンヘッド１４にそれぞれ連結された排出管１５と、これらの排出管１５が接続されたマニホールド１６と、このマニホールド１６から排出されるガスの圧力を自動的に調整する自動圧力調整装置１７と、を備える。
【００３５】
３つのディスパージョンヘッド１４は、複数の搬送ローラ１１により搬送され、ヒータ１２により加熱されたウェハトレー２０上に載置されたウェハ２に反応ガスを吹き付けて成膜するものである。具体的には、ディスパージョンヘッド１４は、例えばキャリアガス（Ｎ２）、原料ガス（反応ガス）であるＳｉＨ４、ドーピング用のガスであるＰＨ３、及びＢ２Ｈ６の混合ガスを供給する第１のガス供給パイプと、キャリアガスＮ２と、酸化ガスである酸素ガス（Ｏ２）と、オゾンガス（Ｏ３）との混合ガスを供給する第２のガス供給パイプと、キャリアガス（Ｎ２）のみを供給する第３のガス供給パイプと、使用済のガスを排出する排出口が両側に設けられ、さらに、Ｎ２ガスをウェハ２に吹き付けて遮断するガスセパレータ部が、同じく上記排出口の外側に配置されている。
【００３６】
ウェハトレー２０を構成する基材２１は、珪化物セラミックス又は炭化物セラミックスからなり、本実施形態では、このようなセラミックスとして、高密度、高熱伝導率の緻密質からなるＳｉＣを用いている。なお、このＳｉＣは、不純物濃度が低いものが望ましい。
【００３７】
ウェハトレー２０は、図２乃至図６に示すように矩形板状に形成され、角部が面取りされている。ウェハトレー２０の基材２１の上面中央には、ウェハ２を保持するための円形の保持用凹部２２が形成されている。この保持用凹部２２内には、基材２１の上面から底面にかけて貫通する円形の開口部２３が形成されている。この開口部２３は、保持用凹部２２に連続して基材２１の上面側に拡がるように傾斜する傾斜面２３ａが形成されている。この開口部２３には、閉止部材２４が閉止可能に設置される。
【００３８】
閉止部材２４は、外周面にテーパ部２４ａが形成されている。閉止部材２４が基材２１の開口部２３を閉止したときは、閉止部材２４のテーパ部２４ａが開口部２３の傾斜面２３ａに嵌り込み、開口部２３を閉止する。閉止部材２４は、底面に図２に示す３本のリフトピン３の上端がそれぞれ嵌り込む嵌合用凹部２４ｂが３つ形成されている。
【００３９】
閉止部材２４は、嵌合用凹部２４ｂにリフトピン３の上端が嵌り込んだ状態で、リフトピン３の上下動に伴って上下動可能に構成されている。閉止部材２４は、ウェハ２の受け渡し時に３本のリフトピン３が上昇して上面にウェハ２を載置する。閉止部材２４の上面にウェハ２を載置してリフトピン３が下降して閉止部材２４が開口部２３を閉止すると、ウェハトレー２０の保持用凹部２２でウェハ２を保持する。
【００４０】
３本のウェハリフトピン３は、シリンダ４を駆動することで、シリンダロッド４ａ、ピン固定部５を介して上下方向に移動可能に構成されている。これら３本のウェハリフトピン３、シリンダ４、シリンダロッド４ａ、及びピン固定部５は、リフトアップ部６を構成している。なお、ピン固定部５は、図５に示すように略三角形状に形成されている。また、各部材の形状及び大小関係は、概ね図５及び図６に示す通りである。
【００４１】
３本のウェハリフトピン３は、上昇時に成膜されたウェハ２を、閉止部材２４を介して上昇させて移載ロボット２６によりウェハ２を回収する一方、成膜されていないウェハ２をウェハカセット２７から取り出して載置する。
【００４２】
次に、本実施形態の作用を説明する。
【００４３】
本実施形態の常圧気相成長装置１０では、ウェハトレー２０は、閉止部材２４が開口部２３を閉止した状態で、図１に示すように複数の搬送ローラ１１上に順次移載される。これらの搬送ローラ１１上には、ウェハトレー２０が載置されて順次搬送される。ウェハトレー２０は、ヒータ１２上を搬送することで、ウェハ２が目的温度まで加熱された後、ガス供給部１３まで搬送される。このガス供給部１３に搬送されたウェハ２は、ガス供給部１３から反応ガスが吹き付けられて成膜する。
【００４４】
そして、排気されたガスは、排出管１６、マニホールド１６、及び自動圧力調整装置１７を経て排気されるとともに、ヒータ１２の周囲を経て排気される。
【００４５】
次に、ガス供給部１３によって成膜されたウェハ２を保持したウェハトレー２０は、図示しないダウンリフトによって垂直下方に移動された後、ウェハトレー２０がトレー返送部により図示しないアップリフトまで搬送される。このアップリフトで上方の定位置へと搬送される。
【００４６】
そして、上方の定位置では、シリンダ４が駆動することで、シリンダロッド４ａ、ピン固定部５を介して図１及び図２に示すリフトピン３が上昇する。すると、リフトピン３の上端が閉止部材２４の嵌合用凹部２４ｂに嵌り込む。この状態で、リフトピン３がさらに上昇すると、閉止部材２４が上昇してウェハ２がリフトアップされる。リフトアップされたウェハ２は、移載ロボット２６により回収され、加熱されたウェハ２が図示しない冷却部に移載されて冷却される。
【００４７】
その後、移載ロボット２６は、ウェハカセット２７から成膜されていないウェハ２を取り出してウェハトレー２０の閉止部材２４の上面に載置する。その後、リフトピン３が下降して閉止部材２４が開口部２３を閉止すると、ウェハトレー２０の保持用凹部２２でウェハ２を保持する。このウェハ２を載置したウェハトレー２０は、複数の搬送ローラ１１に順次移載される。
【００４８】
このように本実施形態によれば、基材２１の上面から底面にかけて貫通する開口部２３が形成され、この開口部２３に閉止可能に閉止部材２４が設置され、この閉止部材２４に少なくとも受け渡し時に上面にウェハ２が載置され、搬送時に開口部２３を閉止することにより、ウェハ２が載置されずに搬送ローラ１１によってガス供給部１３に搬送された場合でも、基材２１の開口部２３が閉止部材２４によって閉止されている。
【００４９】
そのため、ガス供給部１３から吹き付けられた反応ガスがウェハトレー２０の下側面に達することがなくなるので、その下側面にウェハ２の汚染の原因となるパーティクルが発生するのを未然に防止することができる。また、反応ガスが搬送ローラ１１等に入り込んで全体の気流が乱れるのを防止することができる。そのため、複数のウェハ２の膜厚分布を均一に形成することが可能になる。
【００５０】
さらに、本実施形態によれば、反応ガスがヒータ１２に入り込むことがなくなるので、ヒータ１２に反応生成物が付着し、さらには堆積することがなくなる。そのため、伝熱性能を低下させることなく、ヒータ１２の温度分布が不均一になるのを未然に防止することができる。
【００５１】
また、本実施形態によれば、閉止部材２４が上下動可能に構成され、下降時に基材２１の開口部２３を閉止することにより、閉止部材２４の構造を簡素化することができる。
【００５２】
さらに、本実施形態によれば、基材２１の開口部２３の周囲上面側にウェハ２を保持する保持用凹部２２が形成されているので、ウェハ２を確実に保持することができる。
【００５３】
そして、本実施形態によれば、基材２１の開口部２３に上面側に拡がるように傾斜する傾斜面２３ａが形成される一方、閉止部材２４の外周面にテーパ部２４ａが形成されているので、基材２１の開口部２３に閉止部材２４が嵌り込み、開口部２３を確実に閉止することができる。
【００５４】
本実施形態の常圧気相成長装置１０によれば、上記の構成のウェハトレー２０が複数設置され、これらのウェハトレー２０にそれぞれウェハ２を載置して搬送ローラ１１により水平方向に順次搬送し、これら搬送されるウェハ２にガス供給部１３から反応ガスを吹き付けて成膜することにより、パーティクルの発生を未然に防止するとともに、複数のウェハ２の膜厚分布を均一に形成することが可能になる。
【００５５】
［第２実施形態］
図７は、本発明の第２実施形態の成膜用冶具を適用したリフトアップ部の概略構成を示す部分断面構成図である。図８は、図７の成膜用冶具の閉止部材が閉止した状態を示す概略断面図である。
【００５６】
なお、前記第１実施形態と同一の部分には、同一の符号を付して重複する説明を省略し、異なる構成及び作用について説明する。
【００５７】
本実施形態では、主として基材２１の開口部２３の形状と、閉止部材２４の外周面の形状が前記第１実施形態と異なる。具体的には、本実施形態の基材２１の開口部２３は、図７及び図８に示すように保持用凹部２２に連続して段付部３０が形成されている。また、閉止部材２４の外周面には、段付部３０と同形状の段部３１が形成されている。
【００５８】
したがって、本実施形態では、基材２１の開口部２３に段付部３０が形成される一方、閉止部材２４の外周面にその段付部３０と同形状の段部３１が形成されているので、基材２１の開口部３０に閉止部材２４が嵌り込み、開口部２３を確実に閉止することができる。その他の構成及び作用は、前記第１実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００５９】
なお、本実施形態では、保持用凹部２２と段付部３０とで合わせて２段形成した例について説明したが、これに限らずより多く段数を形成してもよい。
【００６０】
[他の実施形態]
本発明の各実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、組み合わせを行うことができる。これらの実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【００６１】
例えば、上述した各実施形態では、図示しないが、基材２１の開口部２３と閉止部材２４との間に、Ｏリングやパッキン等の封止部材を設置することで、基材２１の開口部２３を密封することが可能になる。そのため、ウェハトレー２０の下側面に反応ガスが達することがなくなることから、パーティクルの発生と、全体の気流の乱れをさらに一段と未然に防止することができる。
【００６２】
また、上記各実施形態では、常圧気相成長装置１０用の成膜用冶具について説明したが、これに限らず、それ以外の半導体製造装置のための冶具、例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）装置用冶具、イオンプレーティング用冶具、エピタキシャル成長用冶具にも適用することができる。
【００６３】
さらに、上記各実施形態では、閉止部材２４をブロック状に形成した例について説明したが、これに限らず基材２１の開口部２３を閉止する閉止板に形成したものでもよい。このように閉止部材２４を板状に形成した場合には、閉止部材２４を極めて容易に製造することが可能になる。
【符号の説明】
【００６４】
１  ウェハトレー
１ａ  保持用凹部
１ｂ  リフトピン挿通孔
２  ウェハ
３  ウェハリフトピン
４  シリンダ
４ａ  シリンダロッド
５  ピン固定部
６  リフトアップ部
１０  常圧気相成長装置
１１  搬送ローラ（搬送手段）
１２  ヒータ（加熱手段）
１３  ガス供給部
１４  ディスパージョンヘッド
１５  排出管
１６  マニホールド
１７  自動圧力調整装置
２０  ウェハトレー（成膜用冶具）
２１  基材
２２  保持用凹部
２３  開口部
２３ａ  傾斜面
２４  閉止部材
２４ａ  テーパ部
２４ｂ  嵌合用凹部
２６  移載ロボット
２７  ウェハカセット
３０  段付部
３１  段部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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