(57)【要約】【課題】デバイスチップの抗折強度を向上させることができるデバイスチップの製造方法を提供すること。【解決手段】デバイスチップの製造方法は、配線と電極が形成された可撓性を有するフレキシブル基板に搭載するデバイスチップを製造する方法である。デバイスチップの製造方法は、交差する分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの表面に粘着テープを貼着する保護部材貼着ステップＳＴ１と、粘着テープが貼着されたウェーハを裏面側から研削し、仕上げ厚さまで薄化する研削ステップＳＴ２と、薄化されたウェーハの表面から、先端に向かって厚さが薄くなる切削ブレードを分割予定ラインに沿って切り込ませ、ウェーハを分割して側面に傾斜面を有するデバイスチップを形成する切断ステップＳＴ４と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線と電極が形成された可撓性を有するフレキシブル基板に搭載するデバイスチップの製造方法であって、
交差する分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
該保護部材が貼着された該ウェーハを裏面側から研削し、仕上げ厚さまで薄化する研削ステップと、
薄化されたウェーハの表面または裏面から、先端に向かって厚さが薄くなる切削ブレードを該分割予定ラインに沿って切り込ませ、該ウェーハを分割して側面に傾斜面を有するデバイスチップを形成する切断ステップと、
を備えるデバイスチップの製造方法。
【請求項２】
該切断ステップを実施後、該デバイスチップに分割され保護部材で保持されたウェーハをプラズマエッチングするプラズマエッチングステップを備える請求項１に記載のデバイスチップの製造方法。
【請求項３】
配線と電極が形成された可撓性を有するフレキシブル基板に搭載するデバイスチップの製造方法であって、
交差する分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの表面から、先端に向かって厚さが薄くなる切削ブレードを該分割予定ラインに沿って切り込ませ、仕上げ厚さを超える深さの断面がＶ形状の切削溝を形成する切削溝形成ステップと、
該切削溝が形成されたウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
該保護部材を介してチャックテーブルで保持したウェーハを裏面側から研削し、仕上げ厚さまで薄化しつつ該ウェーハを分割し、側面に傾斜面を有するデバイスチップに形成する研削ステップと、
を備えるデバイスチップの製造方法。
【請求項４】
該研削ステップを実施後、該デバイスチップに分割され保護部材で保持されたウェーハをプラズマエッチングするプラズマエッチングステップを備える請求項３に記載のデバイスチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスチップは、平坦なガラスエポキシにより構成される硬質な基板などの実装基板に搭載されるのが一般的である。しかしながら、近年、実装基板として柔軟で可撓性に富んだフレキシブル基板が登場してきた。フレキシブル基板は、曲面を有する有機ＥＬ（Electro  Luminescence）パネルや、人体の体に沿って設置するセンサなどに搭載される。一方、本発明の出願人は、半導体デバイスチップの抗折強度を向上させることができる製造方法を提案している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−０１６０２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述したフレキシブル基板に搭載されるデバイスチップは、必然的に折れ曲がる方向に力が加えられることから、より高い抗折強度が求められる。
【０００５】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、デバイスチップの抗折強度を向上させることができるデバイスチップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のデバイスチップの製造方法は、配線と電極が形成された可撓性を有するフレキシブル基板に搭載するデバイスチップの製造方法であって、交差する分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該保護部材が貼着された該ウェーハを裏面側から研削し、仕上げ厚さまで薄化する研削ステップと、薄化されたウェーハの表面または裏面から、先端に向かって厚さが薄くなる切削ブレードを該分割予定ラインに沿って切り込ませ、該ウェーハを分割して側面に傾斜面を有するデバイスチップを形成する切断ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００７】
前記デバイスチップの製造方法において、該切断ステップを実施後、該デバイスチップに分割され保護部材で保持されたウェーハをプラズマエッチングするプラズマエッチングステップを備えても良い。
【０００８】
本発明のデバイスチップの製造方法は、配線と電極が形成された可撓性を有するフレキシブル基板に搭載するデバイスチップの製造方法であって、交差する分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの表面から、先端に向かって厚さが薄くなる切削ブレードを該分割予定ラインに沿って切り込ませ、仕上げ厚さを超える深さの断面がＶ形状の切削溝を形成する切削溝形成ステップと、該切削溝が形成されたウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該保護部材を介してチャックテーブルで保持したウェーハを裏面側から研削し、仕上げ厚さまで薄化しつつ該ウェーハを分割し、側面に傾斜面を有するデバイスチップに形成する研削ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００９】
前記デバイスチップの製造方法において、該研削ステップを実施後、該デバイスチップに分割され保護部材で保持されたウェーハをプラズマエッチングするプラズマエッチングステップを備えても良い。
【発明の効果】
【００１０】
本願発明のデバイスチップの製造方法は、デバイスチップの抗折強度を向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。
【図３】図３は、図２に示されたデバイスチップの側面図である。
【図４】図４は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図５】図５は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープの粘着層を対向させた状態を示す斜視図である。
【図６】図６は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープを貼着した状態を示す斜視図である。
【図７】図７は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の研削ステップを示す側面図である。
【図８】図８は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の貼り替えステップを示す斜視図である。
【図９】図９は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の切断ステップを一部断面で示す側面図である。
【図１０】図１０は、図４に示されたデバイスチップの製造方法のプラズマエッチングステップを模式的に示すウェーハの要部の断面図である。
【図１１】図１１は、図４に示されたデバイスチップの製造方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図１２】図１２は、実施形態１の変形例１に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。
【図１３】図１３は、図１２に示されたデバイスチップの側面図である。
【図１４】図１４は、実施形態１の変形例２に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。
【図１５】図１５は、図１４に示されたデバイスチップの側面図である。
【図１６】図１６は、実施形態１の変形例３に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。
【図１７】図１７は、図１６に示されたデバイスチップの側面図である。
【図１８】図１８は、実施形態２に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図１９】図１９は、図１８に示されたデバイスチップの製造方法の切削溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。
【図２０】図２０は、図１８に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープの粘着層を対向させた状態を示す斜視図である。
【図２１】図２１は、図１８に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープを貼着した状態を示す斜視図である。
【図２２】図２２は、図１８に示されたデバイスチップの製造方法の研削ステップを示す側面図である。
【図２３】図２３は、図１８に示されたデバイスチップの製造方法のプラズマエッチングステップを模式的に示すウェーハの要部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るデバイスチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。図３は、図２に示されたデバイスチップの側面図である。図４は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【００１４】
実施形態１に係るデバイスチップの製造方法は、図１に示すウェーハ１を個々のデバイス５毎に分割して、図２及び図３に示すデバイスチップ１０を製造する方法である。実施形態１では、ウェーハ１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハ１は、図１に示すように、交差する複数の分割予定ライン３で区画された基板２の表面４の複数の領域それぞれにデバイス５が形成されている。
【００１５】
デバイス５は、例えば、ＩＣ（Integrated  Circuit）、又はＬＳＩ（Large  Scale  Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary  Metal  Oxide  Semiconductor）等のイメージセンサである。ウェーハ１から個々に分割されるデバイスチップ１０は、図２に示すように、基板２の一部分と、基板２の表面４に形成されたデバイス５とを含む。なお、本発明は、デバイスチップ１０の説明において、ウェーハ１と共通する部分に同一符号を付して説明する。
【００１６】
実施形態１では、デバイスチップ１０は、基板２の外側面１１が表面４から裏面６に向かうにしたがって基板２の平面形状を拡大させる方向に表面４及び裏面６に対して傾斜した傾斜面１２となっている。実施形態１では、傾斜面１２は、平坦に形成されている。また、実施形態１では、デバイスチップ１０は、図４に示された可撓性を有するフレキシブル基板に搭載されて、例えば、曲面を有する有機ＥＬ（Electro  Luminescence）パネルや、人体の体に沿って設置するセンサなどの可撓性を有する電子機器に用いられる。
【００１７】
フレキシブル基板は、可撓性を有する基板を備え、基板に配線と電極とが形成されている。基板は、可撓性を有する樹脂から構成されたシート又はフィルムであり、配線と接続するデバイスチップ１０が搭載される領域が設定されている。配線及び電極は、導電性を有する金属等により構成され、予め定められるパターンにしたがって基板に配置されている。また、配線及び電極は、一部分がデバイスチップ１０の図示しない電極と電気的に接続され、デバイスチップ１０の電極と接続される一部分以外が基板内に埋設されても良い。
【００１８】
実施形態１に係るデバイスチップの製造方法は、ウェーハ１を予め定められた所定の仕上げ厚さ１００（図１等に示す）まで薄化した後、ウェーハ１を分割予定ライン３に沿って個々のデバイスチップ１０に分割する方法である。デバイスチップの製造方法は、図４に示すように、保護部材貼着ステップＳＴ１と、研削ステップＳＴ２と、貼り替えステップＳＴ３と、切断ステップＳＴ４と、プラズマエッチングステップＳＴ５とを備える。
【００１９】
（保護部材貼着ステップ）
図５は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープの粘着層を対向させた状態を示す斜視図である。図６は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープを貼着した状態を示す斜視図である。
【００２０】
保護部材貼着ステップＳＴ１は、ウェーハ１の表面４に保護部材である粘着テープ２００を貼着するステップである。実施形態１において、保護部材貼着ステップＳＴ１は、図５に示すように、ウェーハ１と同径の粘着テープ２００の粘着層を、図６に示すように、ウェーハ１の表面４に貼着する。実施形態１では、保護部材として粘着テープ２００を用いるが、本発明では、保護部材は、粘着テープ２００に限定されない。デバイスチップの製造方法は、ウェーハ１の表面４に粘着テープ２００を貼着すると、研削ステップＳＴ２に進む。
【００２１】
（研削ステップ）
図７は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の研削ステップを示す側面図である。研削ステップＳＴ２は、粘着テープ２００が貼着されたウェーハ１を裏面６側から研削し、仕上げ厚さ１００まで薄化するステップである。
【００２２】
研削ステップＳＴ２では、研削装置３０が、チャックテーブル３１の保持面３２に粘着テープ２００を介してウェーハ１の表面４側を吸引保持する。研削ステップＳＴ２では、研削装置３０が、図７に示すように、スピンドル３３により研削ホイール３４を回転しかつチャックテーブル３１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、研削ホイール３４の研削用砥石３５をチャックテーブル３１に所定の送り速度で近づけることによって、研削用砥石３５でウェーハ１の裏面６側を研削する。研削ステップＳＴ２では、研削装置３０が、仕上げ厚さ１００になるまでウェーハ１を研削する。デバイスチップの製造方法は、仕上げ厚さ１００までウェーハ１を薄化すると貼り替えステップＳＴ３に進む。
【００２３】
（貼り替えステップ）
図８は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の貼り替えステップを示す斜視図である。貼り替えステップＳＴ３は、ウェーハ１の裏面６側に保護部材であるダイシングテープ２０１を貼着するとともに、ウェーハ１の表面４側から粘着テープ２００を剥がすステップである。
【００２４】
貼り替えステップＳＴ３では、研削ステップＳＴ２において研削されたウェーハ１の裏面６に、図８に示すように、外周縁に環状フレーム２０２が貼着されたダイシングテープ２０１を貼着し、表面４側から粘着テープ２００を剥がす。デバイスチップの製造方法は、粘着テープ２００を表面４側から剥がすと、切断ステップＳＴ４に進む。
【００２５】
（切断ステップ）
図９は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の切断ステップを一部断面で示す側面図である。切断ステップＳＴ４は、薄化されたウェーハ１の表面４から切削ブレード４５を分割予定ライン３に沿って切り込ませ、ウェーハ１を分割して外側面１１に傾斜面１２を有するデバイスチップ１０を形成するステップである。
【００２６】
切断ステップＳＴ４では、図９に示すように、切削装置４０のチャックテーブル４１の保持面４２にダイシングテープ２０１を介してウェーハ１の裏面６側を吸引保持する。なお、実施形態１では、切削装置４０の切削ユニット４３のスピンドル４４の先端に装着される切削ブレード４５は、先端４７に向かって厚さが徐々に薄くなるように、軸心を通る断面においてＶ形状に切り刃４６が形成されている。即ち、切削ブレード４５は、切削後に形成される切削溝の断面形状が略Ｖ形状のブレードである。なお、実施形態１では、切削ブレード４５は、ウェーハ１等を切削する前の新品の状態では、切り刃４６の先端４７に連なる傾斜面４８が軸心を通る断面において直線状に形成されている。
【００２７】
切断ステップＳＴ４では、保持面４２にダイシングテープ２０１を介して裏面６側を吸引保持した後、切削装置４０の図示しない撮像ユニットがウェーハ１の表面４を撮像して分割予定ライン３を検出し、ウェーハ１と切削ユニット４３の切削ブレード４５との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
【００２８】
切断ステップＳＴ４では、切削装置４０は、スピンドル４４により軸心回りに回転された切削ブレード４５の切り刃４６の先端４７の下端をダイシングテープ２０１まで切り込む高さに位置付けた後、ウェーハ１と切削ユニット４３の切削ブレード４５とを分割予定ライン３に沿って水平方向に沿って相対的に移動させる。切断ステップＳＴ４では、切削装置４０は、ウェーハ１と切削ユニット４３の切削ブレード４５とを分割予定ライン３に沿って水平方向に沿って相対的に移動させて、切削ブレード４５を表面４側から先端４７がダイシングテープ２０１に切り込むまでウェーハ１に切り込ませて、ウェーハ１を個々のデバイスチップ１０に分割する。
【００２９】
デバイスチップの製造方法は、ウェーハ１の全ての分割予定ライン３に切削ブレード４５を切り込ませると、プラズマエッチングステップＳＴ５に進む。なお、実施形態１において、切断ステップＳＴ４では、先端４７に向かって厚さが徐々に薄くなるように、軸心を通る断面においてＶ形状に切り刃４６が形成された切削ブレード４５を用いるので、デバイスチップ１０は、外側面１１に表面４から裏面６に向かうにしたがってデバイスチップ１０を徐々に大きくする傾斜面１２が形成される。
【００３０】
（プラズマエッチングステップ）
図１０は、図４に示されたデバイスチップの製造方法のプラズマエッチングステップを模式的に示すウェーハの要部の断面図である。図１１は、図４に示されたデバイスチップの製造方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【００３１】
プラズマエッチングステップＳＴ５は、切断ステップＳＴ４を実施後、デバイスチップ１０に分割されダイシングテープ２０１で保持されたウェーハ１をプラズマエッチングするステップである。プラズマエッチングステップＳＴ５では、デバイス５を被覆し、デバイスチップ１０の外側面１１等を露出するマスク２０３をウェーハ１の表面４側に形成する。実施形態１では、プラズマエッチングステップＳＴ５において、ポリビニルアルコール（polyvinyl  alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl  pyrrolidone：ＰＶＰ）等の水溶性樹脂をウェーハ１の表面４側に塗布してマスク２０３を形成するが、本発明では、マスク２０３を構成する材料は、前述した水溶性樹脂に限定されない。例えば、デバイス５を覆うパシベーション膜をマスク２０３としても良いし、レジストをマスク２０３として被覆しても良い。
【００３２】
プラズマエッチングステップＳＴ５では、図示しないプラズマ装置のエッチングチャンバー内にウェーハ１を収容し、静電チャックテーブル上にダイシングテープ２０１を介してウェーハ１の裏面６側を静電吸着する。プラズマエッチングステップＳＴ５では、プラズマ化したガスをエッチング装置のエッチングチャンバー内に供給することで、図１０に示すように、ウェーハ１の表面４側にプラズマ化したエッチングガス２１０が供給される。
【００３３】
なお、実施形態１では、プラズマエッチングステップＳＴ５において、エッチングチャンバー外においてプラズマ化されたエッチングガス２１０をエッチングチャンバー内に導入する所謂リモートプラズマ方式のエッチング装置を用いるが、本発明では、エッチングチャンバー内に上部電極からプラズマ前のエッチングガスを供給して、各電極に高周波電力を印加して、エッチングチャンバー内でエッチングガスをプラズマ化する所謂ダイレクトプラズマ方式のエッチング装置を用いても良い。また、実施形態１では、基板２がシリコンで構成される場合、エッチングガスとして、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８又はＣＦ４等を用いるが、エッチングガスは、これらに限定されない。
【００３４】
プラズマエッチングステップＳＴ５では、エッチング装置は、切断ステップＳＴ４においてウェーハ１即ちデバイスチップ１０に生じた歪層を除去する所定時間、ウェーハ１即ちデバイスチップ１０をプラズマエッチングする。プラズマエッチングステップＳＴ５において、所定時間、ウェーハ１即ちデバイスチップ１０をプラズマエッチングした後、図１１に示すように、マスク２０３を除去する。デバイスチップの製造方法は、ウェーハ１即ちデバイスチップ１０にプラズマエッチング等を行うと、終了する。なお、その後、デバイスチップ１０は、図示しないピックアップによりダイシングテープ２０１からピックアップされる。
【００３５】
実施形態１に係るデバイスチップの製造方法は、切断ステップＳＴ４において先端４７に向かって厚さが薄くなり且つ切削後に形成される切削溝の断面形状が略Ｖ形状の切削ブレード４５でウェーハ１をデバイスチップ１０に分割して、デバイスチップ１０の外側面１１に傾斜面１２を形成する。このために、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法は、切断ステップＳＴ４において、切削ブレード４５とウェーハ１とを水平方向に沿って相対的に移動させて切削ブレード４５をウェーハ１に切り込ませる際に、切削ブレード４５がウェーハ１から受ける抵抗を、切り刃の先端が軸心に沿って平坦な切削ブレードがウェーハ１から受ける抵抗よりも抑制することができる。その結果、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法は、欠け、所謂チッピングが小さくなり、デバイスチップ１０の抗折強度を向上させることができる。
【００３６】
また、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法は、切断ステップＳＴ４後に、ウェーハ１即ちデバイスチップ１０をプラズマエッチングするプラズマエッチングステップＳＴ５を備えるので、切断ステップＳＴ４において生じた歪層を除去することができ、デバイスチップ１０の抗折強度を向上させることができる。
【００３７】
また、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法は、プラズマエッチングステップＳＴ５において、リモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いるので、プラズマ化したエッチングガスに混入するイオンが供給管の内面に衝突してエッチングチャンバー内の密閉空間に到達することを抑制できて、ラジカルが高濃度なエッチングガスを供給できるので、切断ステップＳＴ４後のデバイスチップ１０間の間隔がより狭くても、ウェーハ１即ちデバイスチップ１０をプラズマエッチングすることができる。
【００３８】
〔変形例〕
本発明の実施形態１の変形例に係るデバイスチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図１２は、実施形態１の変形例１に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。図１３は、図１２に示されたデバイスチップの側面図である。図１４は、実施形態１の変形例２に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。図１５は、図１４に示されたデバイスチップの側面図である。図１６は、実施形態１の変形例３に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。図１７は、図１６に示されたデバイスチップの側面図である。なお、図１２から図１７において、実施形態１と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００３９】
実施形態１の変形例１に係るデバイスチップの製造方法は、図１２及び図１３に示すように、デバイスチップ１０の外側面１１に、外側に向かって凸に湾曲して表面４及び裏面６に対して傾斜した曲面状の傾斜面１２−１を形成する。要するに、本発明では、切断ステップＳＴ４において用いられる切削ブレード４５の切り刃４６は、先端４７に向かうにしたがって厚さが薄く形成されていれば、断面Ｖ形状に限らず、いからなる形状に形成されても良い。
【００４０】
また、実施形態１の変形例２及び変形例３に係るデバイスチップの製造方法は、切断ステップＳＴ４において、ウェーハ１の裏面６側から切削ブレード４５を切り込ませて、図１４、図１５、図１６及び図１７に示すように、外側面１１に表面４から裏面６に向かうにしたがって徐々にデバイス５を縮小させる傾斜面１２−２，１２−３を有するデバイスチップ１０を形成する。なお、図１４及び図１５に示された変形例２では、傾斜面１２−２が平坦に形成され、図１６及び図１７に示された変形例３では、傾斜面１２−３が外側に向かって凸に湾曲した曲面状に形成されている。
【００４１】
また、実施形態１の変形例２及び変形例３に係るデバイスチップの製造方法は、貼り替えステップＳＴ３を実施することなく、研削ステップＳＴ２後に切断ステップＳＴ４に進み、切断ステップＳＴ４では、切削装置４０が粘着テープ２００を介してチャックテーブル４１の保持面４２にウェーハ１の表面４側を保持して、切削ブレード４５を裏面６から切り込ませて、デバイスチップ１０に分割する。実施形態１の変形例２及び変形例３に係るデバイスチップの製造方法は、切断ステップＳＴ４後に、プラズマエッチングステップＳＴ５に進み、デバイスチップ１０を裏面６側からプラズマエッチングする。なお、裏面６側からプラズマエッチングする場合は、マスク２０３をしなくても良い。
【００４２】
変形例１、変形例２及び変形例３に係るデバイスチップの製造方法は、切断ステップＳＴ４において先端４７に向かって厚さが薄くなり且つ切削後に形成される切削溝の断面形状が略Ｖ字型になる切削ブレード４５でウェーハ１をデバイスチップ１０に分割するので、実施形態１と同様に、デバイスチップ１０の抗折強度を向上させることができる。
【００４３】
また、変形例２及び変形例３に係るデバイスチップの製造方法は、切断ステップＳＴ４において、ウェーハ１の裏面６側から切削ブレード４５を切り込ませるので、貼り替えステップＳＴ３を実施する必要がない。その結果、変形例２及び変形例３に係るデバイスチップの製造方法は、所要工数を抑制することができる。
【００４４】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るデバイスチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図１８は、実施形態２に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。本明細書は、実施形態２の説明において、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４５】
実施形態２に係るデバイスチップの製造方法は、ウェーハ１を分割予定ライン３に沿って仕上げ厚さ１００を超える深さの切削溝７を形成した後、ウェーハ１を予め定められた所定の仕上げ厚さ１００まで薄化することでデバイスチップ１０に分割する方法である。実施形態２に係るデバイスチップの製造方法は、図１８に示すように、切削溝形成ステップＳＴ１１と、保護部材貼着ステップＳＴ１２と、研削ステップＳＴ１３と、プラズマエッチングステップＳＴ１４とを備える。
【００４６】
（切削溝形成ステップ）
図１９は、図１８に示されたデバイスチップの製造方法の切削溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。切削溝形成ステップＳＴ１１は、ウェーハ１の表面４から切削ブレード４５を分割予定ライン３に沿って切り込ませ、仕上げ厚さ１００を超えかつ裏面６まで到達しない深さの断面がＶ形状の切削溝７を形成するステップである。
【００４７】
切削溝形成ステップＳＴ１１では、図１９に示すように、切削装置４０が、チャックテーブル４１の保持面４２にウェーハ１の裏面６側を吸引保持する。なお、実施形態２では、切削装置４０の切削ユニット４３のスピンドル４４の先端に装着される切削ブレード４５は、実施形態１と同様に、先端４７に向かって厚さが徐々に薄くなるように、軸心を通る断面においてＶ形状に切り刃４６が形成されている。なお、実施形態２では、切削ブレード４５は、ウェーハ１等を切削する前の新品の状態では、切り刃４６の先端４７に連なる傾斜面４８が軸心を通る断面において直線状に形成されている。
【００４８】
切削溝形成ステップＳＴ１１では、保持面４２に裏面６側を吸引保持した後、切削装置４０の図示しない撮像ユニットがウェーハ１の表面４を撮像して分割予定ライン３を検出し、ウェーハ１と切削ユニット４３の切削ブレード４５との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
【００４９】
切削溝形成ステップＳＴ１１では、切削装置４０は、スピンドル４４により軸心回りに回転された切削ブレード４５の切り刃４６の先端４７の下端を仕上げ厚さ１００を超えかつ裏面６まで到達しない高さに位置付けた後、ウェーハ１と切削ユニット４３の切削ブレード４５とを分割予定ライン３に沿って水平方向に沿って相対的に移動させる。切削溝形成ステップＳＴ１１では、切削装置４０は、ウェーハ１と切削ユニット４３の切削ブレード４５とを分割予定ライン３に沿って水平方向に沿って相対的に移動させて、切削ブレード４５をウェーハ１に切り込ませて、ウェーハ１の裏面６側に至らない深さでかつ断面Ｖ形状の切削溝７を形成する。
【００５０】
デバイスチップの製造方法は、ウェーハ１の全ての分割予定ライン３に切削ブレード４５を切り込ませて切削溝７を形成すると、保護部材貼着ステップＳＴ１２に進む。なお、実施形態２において、切削溝形成ステップＳＴ１１では、先端４７に向かって厚さが徐々に薄くなるように、軸心を通る断面においてＶ形状に切り刃４６が形成された切削ブレード４５を用いるので、切削溝７の断面が裏面６に向かうにしたがって徐々に幅が狭くなるＶ形状に形成される。なお、実施形態２では、切削溝７の内面が平坦に形成されているが、本発明では、切削溝７の内面が平坦でなくても良い。要するに、Ｖ形状とは、切削溝７の底に向かうにしたがって徐々に幅が狭くなることを示している。
【００５１】
（保護部材貼着ステップ）
図２０は、図１８に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープの粘着層を対向させた状態を示す斜視図である。図２１は、図１８に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープを貼着した状態を示す斜視図である。
【００５２】
保護部材貼着ステップＳＴ１２は、切削溝７が形成されたウェーハ１の表面４に保護部材である粘着テープ２００を貼着するステップである。実施形態２において、保護部材貼着ステップＳＴ１２は、図２０に示すように、ウェーハ１と同径の粘着テープ２００を、図２１に示すように、ウェーハ１の表面４に貼着する。実施形態２では、保護部材として粘着テープ２００を用いるが、本発明では、保護部材は、粘着テープ２００に限定されない。デバイスチップの製造方法は、ウェーハ１の表面４に粘着テープ２００を貼着すると、研削ステップＳＴ１３に進む。
【００５３】
（研削ステップ）
図２２は、図１８に示されたデバイスチップの製造方法の研削ステップを示す側面図である。研削ステップＳＴ１３は、粘着テープ２００を介して研削装置３０のチャックテーブル３１で保持したウェーハ１を裏面６側から研削し、仕上げ厚さ１００まで薄化しつつウェーハ１を分割し、外側面１１に傾斜面１２を有するデバイスチップ１０に形成するステップである。
【００５４】
研削ステップＳＴ１３では、研削装置３０が、チャックテーブル３１の保持面３２に粘着テープ２００を介してウェーハ１の表面４側を吸引保持する。研削ステップＳＴ１３では、図２２に示すように、研削装置３０が、スピンドル３３により研削ホイール３４を回転しかつチャックテーブル３１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、研削ホイール３４の研削用砥石３５をチャックテーブル３１に所定の送り速度で近づけることによって、研削用砥石３５でウェーハ１の裏面６側を研削する。研削ステップＳＴ１３では、研削装置３０が仕上げ厚さ１００になるまでウェーハ１を研削する。ウェーハ１は、研削ステップＳＴ１３において仕上げ厚さ１００になるまで研削されると、切削溝７が仕上げ厚さ１００を超える深さであるために、裏面６側に切削溝７が露出して、切削溝７により個々のデバイスチップ１０に分割される。
【００５５】
なお、実施形態２において、切削溝形成ステップＳＴ１１では、先端４７に向かって厚さが徐々に薄くなるように、軸心を通る断面においてＶ形状に切り刃４６が形成された切削ブレード４５を用いるので、デバイスチップ１０は、外側面１１に表面４から裏面６に向かうにしたがってデバイスチップ１０を徐々に大きくする傾斜面１２が形成される。デバイスチップの製造方法は、仕上げ厚さ１００までウェーハ１を薄化するとプラズマエッチングステップＳＴ１４に進む。
【００５６】
（プラズマエッチングステップ）
図２３は、図１８に示されたデバイスチップの製造方法のプラズマエッチングステップを模式的に示すウェーハの要部の断面図である。プラズマエッチングステップＳＴ１４は、研削ステップＳＴ１３を実施後、デバイスチップ１０に分割され粘着テープ２００で保持されたウェーハ１をプラズマエッチングするステップである。
【００５７】
プラズマエッチングステップＳＴ１４では、図示しないプラズマ装置のエッチングチャンバー内に粘着テープ２００で保持された複数のデバイスチップ１０を収容し、静電チャックテーブル上に粘着テープ２００を介してデバイスチップ１０の表面４側を静電吸着する。プラズマエッチングステップＳＴ１４では、プラズマ化したガスをエッチング装置のエッチングチャンバー内に供給することで、図２３に示すように、ウェーハ１の裏面６側にプラズマ化したエッチングガス２１０が供給される。
【００５８】
なお、実施形態２では、マスク２０３−２を実施形態１と同様に形成する。また、実施形態２では、プラズマエッチングステップＳＴ１４において、実施形態１と同様に、リモートプラズマ方式のエッチング装置を用いるが、本発明では、ダイレクトプラズマ方式のエッチング装置を用いても良い。また、実施形態１では、基板２がシリコンで構成される場合、エッチングガスとして、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８又はＣＦ４等を用いるが、エッチングガスは、これらに限定されない。
【００５９】
プラズマエッチングステップＳＴ１４では、エッチング装置は、研削ステップＳＴ１３と切削溝形成ステップＳＴ１１においてウェーハ１即ちデバイスチップ１０に生じた歪層を除去する所定時間、ウェーハ１即ちデバイスチップ１０をプラズマエッチングする。デバイスチップの製造方法は、プラズマエッチングステップＳＴ１４において、所定時間、ウェーハ１即ちデバイスチップ１０にプラズマエッチング等を行うと、終了する。なお、その後、デバイスチップ１０は、図示しないピックアップにより粘着テープ２００からピックアップされる。
【００６０】
実施形態２に係るデバイスチップの製造方法は、切削溝形成ステップＳＴ１１において先端４７に向かって厚さが薄くなり且つ切削後に形成される切削溝７の断面形状が略Ｖ形状の切削ブレード４５でウェーハ１に切削溝７を形成し、研削ステップＳＴ１３においてウェーハ１をデバイスチップ１０に分割して、デバイスチップ１０の外側面１１に傾斜面１２を形成する。このために、実施形態２に係るデバイスチップの製造方法は、実施形態１と同様に、切削溝形成ステップＳＴ１１後にウェーハ１即ちデバイスチップ１０に形成される歪層を、切り刃の先端が軸心に沿って平坦な切削ブレードを用いる場合よりも抑制でき、デバイスチップ１０の抗折強度を向上させることができる。
【００６１】
また、実施形態２に係るデバイスチップの製造方法は、研削ステップＳＴ１３の前に切削溝形成ステップＳＴ１１を実施する、所謂先ダイシングを実施するので、裏面６に発生するチッピングが抑制され、更にデバイスチップ１０の抗折強度を向上させることができる。なお、実施形態２に係るデバイスチップの製造方法は、実施形態１の変形例１と同様に、外側に向かって凸の曲面状の傾斜面１２−１を形成しても良い。
【００６２】
次に、本発明の発明者は、本願発明のデバイスチップの製造方法の効果を確認した。確認では、比較例、本発明品１及び本発明品２それぞれの抗折強度を測定した。結果を表１に示す。
【００６３】
【表１】
2020092235.tif 000003
【００６４】
なお、表１中の比較例は、切り刃の先端が軸心に沿って平坦な切削ブレードを用いて、ウェーハ１から分割されたデバイスチップである。本発明品１は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法により製造され、かつ傾斜面１２の表面４及び裏面６とのなす角度θ（図１１に示す）が４０度であるデバイスチップである。本発明品２は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法により製造され、かつ傾斜面１２の表面４及び裏面６とのなす角度θ（図１１に示す）が７０度であるデバイスチップである。
【００６５】
表１によれば、比較例の抗折強度よりも、本発明品１及び本発明品２の抗折強度が高かった。よって、表１によれば、デバイスチップ１０の外側面１１に傾斜面１２，１２−１，１２−２，１２−３を形成することにより、比較例よりもデバイスチップ１０の抗折強度を向上できることが明らかとなった。
【００６６】
また、表１によれば、角度θを４０度以上でかつ７０度とすることで、比較例よりもデバイスチップ１０の抗折強度を向上できることが明らかとなった。
【００６７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００６８】
１  ウェーハ
２  基板
３  分割予定ライン
４  表面
５  デバイス
６  裏面
７  切削溝
１０  デバイスチップ
１１  外側面（側面）
１２，１２−１，１２−２，１２−３  傾斜面
３１  チャックテーブル
４５  切削ブレード
４７  先端
１００  仕上げ厚さ
２００  粘着テープ（保護部材）
２０１  ダイシングテープ（保護部材）
ＳＴ１  保護部材貼着ステップ
ＳＴ２  研削ステップ
ＳＴ４  切断ステップ
ＳＴ５  プラズマエッチングステップ
ＳＴ１１  切削溝形成ステップ
ＳＴ１２  保護部材貼着ステップ
ＳＴ１３  研削ステップ
ＳＴ１４  プラズマエッチングステップ
【図１】
2020092235.tif 000004
【図２】
2020092235.tif 000005
【図３】
2020092235.tif 000006
【図４】
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【図５】
2020092235.tif 000008
【図６】
2020092235.tif 000009
【図７】
2020092235.tif 000010
【図８】
2020092235.tif 000011
【図９】
2020092235.tif 000012
【図１０】
2020092235.tif 000013
【図１１】
2020092235.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
2020092235.tif 000016
【図１４】
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【図１５】
2020092235.tif 000018
【図１６】
2020092235.tif 000019
【図１７】
2020092235.tif 000020
【図１８】
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【図１９】
2020092235.tif 000022
【図２０】
2020092235.tif 000023
【図２１】
2020092235.tif 000024
【図２２】
2020092235.tif 000025
【図２３】
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