(57)【要約】【課題】基板の貼り合わせの前処理を適切に行う。【解決手段】基板を処理する基板処理方法であって、前記基板には表面膜が形成され、前記表面膜の外周部に加工領域を形成することを含み、前記加工領域は、前記表面膜の表面が改質された改質表面と、前記表面膜の表面が改質されていない非改質表面と、を含む。または、基板を処理する基板処理システムであって、前記基板には表面膜が形成され、前記表面膜の外周部に加工領域を形成する表面膜加工装置、を含み、前記加工領域は、前記表面膜加工装置により前記表面膜の表面が改質された改質表面と、前記表面膜の表面が改質されていない非改質表面と、を含む。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板には表面膜が形成され、
前記表面膜の外周部に加工領域を形成することを含み、
前記加工領域は、
前記表面膜の表面が改質された改質表面と、
前記表面膜の表面が改質されていない非改質表面と、を含む、基板処理方法。
【請求項２】
前記加工領域においては、前記基板の周方向において、前記改質表面と前記非改質表面とが交互に形成される、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記加工領域においては、前記基板の径方向において、前記改質表面と前記非改質表面とが交互に形成される、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記加工領域においては、前記基板の周方向に沿って、前記改質表面が千鳥格子状に配置される、請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記加工領域は同心の複数の環状領域に分割され、
平面視における前記基板の最内周側に位置する前記環状領域は、前記改質表面のみによって形成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記改質表面は、前記表面膜の表面にレーザを照射することにより形成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記加工領域が形成された前記基板の表面膜と、他の基板に形成された他の表面膜とを接合することを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記加工領域が形成された前記基板の周縁部を除去することを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記周縁部は、
レーザ光の照射により前記基板の内部に改質層を形成し、
前記改質層を基点に剥離することで除去される、請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
基板を処理する基板処理システムであって、
前記基板には表面膜が形成され、
前記表面膜の外周部に加工領域を形成する表面膜加工装置と、
前記表面膜加工装置の動作を制御する制御装置と、を含み、
前記加工領域は、
前記表面膜加工装置により前記表面膜の表面が改質された改質表面と、
前記表面膜の表面が改質されていない非改質表面と、を含む、基板処理システム。
【請求項１１】
前記制御装置は、前記基板の周方向において、前記改質表面と前記非改質表面とを交互に形成して前記加工領域を形成するように前記表面膜加工装置を制御する、請求項１０に記載の基板処理システム。
【請求項１２】
前記制御装置は、前記基板の径方向において、前記改質表面と前記非改質表面とを交互に形成して前記加工領域を形成するように前記表面膜加工装置を制御する、請求項１０または１１に記載の基板処理システム。
【請求項１３】
前記制御装置は、前記基板の周方向に沿って、前記改質表面を千鳥格子状に配置するように前記表面膜加工装置を制御する、請求項１２に記載の基板処理システム。
【請求項１４】
前記加工領域は同心の複数の環状領域に分割され、
前記制御装置は、平面視における前記基板の最内周側に位置する前記環状領域を、前記改質表面のみによって形成するように前記表面膜加工装置を制御する、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項１５】
前記表面膜加工装置は、前記表面膜の表面にレーザを照射することにより前記改質表面を形成するレーザ照射部を備える、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項１６】
前記加工領域が形成された前記基板の表面膜と、他の基板に形成された他の表面膜とを接合する接合装置を備える、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理システム及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、外周部に砥粒が設けられた円板状の研削工具を回転し、研削工具の少なくとも外周面を半導体ウェハに線状に当接させて半導体ウェハの周端部を略Ｌ字状に研削することが開示されている。半導体ウェハは、二枚のシリコンウェハを貼り合わせて作製されたものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２１６１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示にかかる技術は、基板の貼り合わせの前処理を適切に行う。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、基板を処理する基板処理方法であって、前記基板には表面膜が形成され、前記表面膜の外周部に加工領域を形成することを含み、前記加工領域は、前記表面膜の表面が改質された改質表面と、前記表面膜の表面が改質されていない非改質表面と、を含む。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板の貼り合わせの前処理を適切に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】重合ウェハの構成例の概略を示す側面図である。
【図２】レーザトリミング加工を行う重合ウェハの一例を示す平面図である。
【図３】前処理におけるパーティクルの飛散を説明する説明図である。
【図４】本実施形態に係る処理システムの構成例の概略を示す平面図である。
【図５】前処理装置の構成例の概略を示す側面図である。
【図６】前処理の様子を模式的に示す説明図である。
【図７】エッジトリムの様子を模式的に示す説明図である。
【図８】加工領域の一例を示す平面図である。
【図９】改質パターンの一例を示す拡大図である。
【図１０】改質パターンの一例を示す拡大図である。
【図１１】改質パターンの一例を示す拡大図である。
【図１２】改質パターンの一例を示す拡大図である。
【図１３】前処理の一例を模式的に示す説明図である。
【図１４】第２の実施形態に係る処理システムの構成例の概略を示す平面図である。
【図１５】保護膜形成装置の構成例の概略を示す縦断面図である。
【図１６】保護膜形成装置の構成例の概略を示す横断面図である。
【図１７】保護膜形成の様子を模式的に示す説明図である。
【図１８】形成された保護膜の一例を示す説明図である。
【図１９】処理ウェハの洗浄の一例を模式的に示す説明図である。
【図２０】保護膜形成装置の他の構成例の概略を示す縦断面図である。
【図２１】保護膜形成装置における保護膜の除去の様子を示す説明図である。
【図２２】第２の実施形態に係る処理システムの構成例の概略を示す平面図である。
【図２３】液処理装置の構成例の概略を示す側面図である。
【図２４】液処理装置におけるウェットエッチングの様子を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成されたウェハの裏面を研削して、当該ウェハを薄化することが行われている。この薄化されたウェハに対して、そのまま搬送を行ったり、そのまま後続の処理を行ったりすると、反りや割れが生じるおそれがある。そこで、この反りや割れの発生を抑制するため、例えばウェハを支持ウェハに貼り付けることにより補強することが行われている。
【０００９】
図１は、基板としての処理ウェハＷと他の基板としての支持ウェハＳとを貼り合わせて形成された重合ウェハＴの構成の概略を示す側面図である。以下、処理ウェハＷにおいて、支持ウェハＳと接合される面を表面Ｗａといい、表面Ｗａとの反対側の面を裏面Ｗｂという。同様に、支持ウェハＳにおいて、処理ウェハＷと接合される面を表面Ｓａといい、表面Ｓａと反対側の面を裏面Ｓｂという。
【００１０】
処理ウェハＷは、例えばシリコンウェハなどの半導体ウェハであって、表面Ｗａに複数の電子回路等のデバイスを含むデバイス層（図示せず）が形成されている。また、デバイス層にはさらに酸化膜Ｆｗ、例えばＳｉＯ２膜（ＴＥＯＳ膜）が形成されている。
【００１１】
支持ウェハＳは、処理ウェハＷを支持するウェハである。支持ウェハＳの表面Ｓａには、酸化膜Ｆｓ、例えばＳｉＯ２膜（ＴＥＯＳ膜）が形成されている。また、支持ウェハＳは、処理ウェハＷの表面のデバイス層を保護する保護材として機能する。なお、支持ウェハＳの表面Ｓａに複数のデバイスが形成されている場合には、処理ウェハＷと同様に表面Ｓａにデバイス層（図示せず）が形成される。
【００１２】
通常、図１（ａ）に示すように処理ウェハＷの外端部は面取り加工がされているが、上述したように処理ウェハＷの裏面Ｗｂに研削処理を行うと、処理ウェハＷの外端部が鋭く尖った形状（いわゆるナイフエッジ形状）になる。そうすると、処理ウェハＷの外端部でチッピングが発生し、処理ウェハＷが損傷を被るおそれがある。そこで、図１（ｂ）に示すように研削処理前に予め処理ウェハＷの周縁部Ｗｅを除去する、いわゆるエッジトリムが行われている。なお、エッジトリムにより除去される周縁部Ｗｅは、例えば処理ウェハＷの外端部から径方向に１ｍｍ〜５ｍｍの範囲である。
【００１３】
上述した特許文献１に記載の端面研削装置は、このエッジトリムを行う装置である。しかしながら、この端面研削装置では、エッジトリムを研削により行うため、当該研削処理時に大量の粉塵（以下、「パーティクル」という。）が発生する。そして、かかるパーティクルが装置の内部において飛散した場合、ウェハを汚染するおそれがある。
【００１４】
そこで本発明者らは、図２に示すように、エッジトリムによる除去対象としての周縁部Ｗｅと中心部Ｗｃとの境界にレーザ光を集光することにより内部改質層Ｍを形成し、かかる内部改質層Ｍに沿って周縁部Ｗｅの剥離を行った（レーザトリミング加工）。
【００１５】
このような、レーザトリミング加工によれば、特許文献１のような研削を行うことなく周縁部Ｗｅの除去を行うことができるため、エッジトリムにおいて発生するパーティクル量を減少させることができる。
【００１６】
また、前記レーザトリミング加工により正常に処理ウェハＷの周縁部Ｗｅの除去を行うため、処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接合前に、周縁部Ｗｅにおける酸化膜Ｆｗと酸化膜Ｆｓとの接合強度を低下させるための前処理が行われている。当該前処理は、例えば処理ウェハＷの周縁部Ｗｅに形成された酸化膜Ｆｗの外周部にレーザ光を集光し、酸化膜Ｆｗの表面の粗面化や除去をすることにより行われる（以下の説明において、前処理が行われる酸化膜Ｆｗの外周部を、「加工領域Ｆｗｅ」という場合がある）。そして、かかる前処理により形成された加工領域Ｆｗｅにおいては、接合時に酸化膜Ｆｗと酸化膜Ｆｓとが接合されず、重合ウェハＴにおいては、接合領域と未接合領域が形成される。
【００１７】
ここで、上述のように前処理を酸化膜Ｆｗの外周部の表面にレーザ光を照射することにより行う場合、図３に示すように、レーザ光Ｌｒの照射により発生した微量のパーティクルＰが飛散する場合がある。そして、このように発生したパーティクルが酸化膜Ｆｗの表面に付着した場合、付着したパーティクルにより酸化膜Ｆｗと酸化膜Ｆｓとの接合界面にボイドが発生し、処理ウェハＷと支持ウェハＳの貼り合わせが正常に行われないおそれがあった。すなわち、ウェハの貼り合わせ前における前処理には改善の余地がある。
【００１８】
本開示にかかる技術は、基板の貼り合わせの前処理を適切に行う。以下、本実施形態にかかる処理システムを用いて行われる前処理の方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１９】
先ず、本実施形態にかかる処理システムの構成について説明する。図４は、処理システム１の構成の概略を示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００２０】
図４に示すように処理システム１は、例えば外部との間で複数の処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣｗ、Ｃｓ、Ｃｔが搬入出される搬入出ステーション２と、処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所望の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。
【００２１】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセット載置板１１がＹ軸方向に一列に並べて配置されている。これらカセット載置板１１には、処理システム１の外部に対してカセットＣｗ、Ｃｓ、Ｃｔを搬入出する際に、カセットＣｗ、Ｃｓ、Ｃｔを載置することができる。このように、搬入出ステーション２は、複数の処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に設定することができる。また、カセット載置板１１には、カセットＣｗ、Ｃｓ、Ｃｔ以外に、たとえば不具合が生じたウェハを回収するためのカセットが載置されてもよい。
【００２２】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０のＸ軸正方向側において、当該カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送装置２０が設けられている。ウェハ搬送装置２０は、Ｙ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在に構成されている。また、ウェハ搬送装置２０は、処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴを保持して搬送する、搬送アーム２２を有している。搬送アーム２２は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム２２の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送装置２０は、カセット載置台１０のカセットＣｗ、Ｃｓ、Ｃｔ、及び後述するトランジション装置５０に対して、処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。
【００２３】
処理ステーション３には、例えば３つの処理ブロックＧ１〜Ｇ３が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図４のＹ軸負方向側）には、第１の処理ブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図４のＹ軸正方向側）には、第２の処理ブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３の搬入出ステーション２側（図４のＸ軸負方向側）には、第３の処理ブロックＧ３が設けられている。
【００２４】
第１の処理ブロックＧ１には、表面膜加工装置としての前処理装置３０が配置されている。また第２の処理ブロックＧ２には、接合装置４０が配置されている。
【００２５】
なお、前処理装置３０及び接合装置４０の数や配置はこれに限定されない。例えば前処理装置３０と接合装置４０はそれぞれ同じ処理ブロックに配置されてもよい。また、積層して配置されていてもよい。
【００２６】
前処理装置３０は、酸化膜Ｆｗの外周部にレーザ光を照射し、酸化膜Ｆｗの表面に改質パターンを形成することで加工領域Ｆｗｅを形成する。前処理装置３０は、図５に示すように処理ウェハＷの表面Ｗａ（酸化膜Ｆｗの形成面）が上側であって裏面Ｗｂが下側に配置された状態で、処理ウェハＷを保持するチャック３１を有している。チャック３１は、移動機構３２によってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能に構成されている。移動機構３２は、一般的な精密ＸＹステージで構成されている。また、チャック３１は、回転機構３３よって鉛直軸回りに回転可能に構成されている。
【００２７】
チャック３１の上方には、加工領域Ｆｗｅにおける酸化膜Ｆｗの表面にレーザ光Ｌｒを照射するレーザ照射部３４が設けられている。レーザ照射部３４は、レーザ光発振器（図示せず）から発振された高周波のパルス状のレーザ光Ｌｒ、例えば赤外光を、加工領域Ｆｗｅの所望位置に集光する。レーザ照射部３４は、移動機構３５によってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能に構成されていてもよい。移動機構３５は、一般的な精密ＸＹステージで構成されている。またレーザ照射部３４は、昇降機構３６によってＺ軸方向に移動可能に構成されていてもよい。
【００２８】
なお、前記レーザ光ＬｒはＣＷレーザであってもよく、波長も任意に選択することができる。また、加工領域Ｆｗｅに対するレーザ光Ｌｒの集光位置は、上述の構成によればチャック３１の回転に加え、チャック３１およびレーザ照射部３４の水平移動により調整されるが、かかる水平移動に代え、ガルバノミラーを配置し、ミラー角度を変化させることにより調整を行ってもよい。
【００２９】
なお、かかる前処理においては、図３に示したようにレーザ光の集光によりパーティクルＰが発生し、当該発生したパーティクルＰは前処理装置３０の内部に飛散する。
【００３０】
接合装置４０は、処理ウェハＷの酸化膜Ｆｗと、支持ウェハＳの酸化膜Ｆｓとを接合する。接合装置４０においては、接合に先だって、酸化膜Ｆｗと酸化膜Ｆｓは、それぞれ活性化され親水化される。そして、親水化された酸化膜Ｆｗと酸化膜Ｆｓは、処理ウェハＷの中心部と支持ウェハＳの中心部が当接されることにより水素結合による接合が開始し、いわゆるボンディングウェーブが発生する。そして、ボンディングウェーブが酸化膜Ｆｗ、Ｆｓの中心部から拡散を開始し、周縁部まで到達すると、酸化膜Ｆｗ、Ｆｓの全面が水素結合によって接合される。またさらに、接合された重合ウェハＴにアニール処理を行い、酸化膜Ｆｗと酸化膜Ｆｓから水を除去して接合強度を確保する。なお、前処理装置３０において前処理が施された加工領域Ｆｗｅにおいては酸化膜Ｆｗと酸化膜Ｆｓが接合されず、未接合領域が形成される。
【００３１】
第３の処理ブロックＧ３には、処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを受け渡すためのトランジション装置５０が設けられている。なお、トランジション装置５０の数や配置はこれに限定されない。例えばトランジション装置５０は多段に積層して設けられてもよい。
【００３２】
図４に示すように第１の処理ブロックＧ１〜第３の処理ブロックＧ３に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域６０が形成されている。ウェハ搬送領域６０には、例えばウェハ搬送装置６１が配置されている。
【００３３】
ウェハ搬送装置６１は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アーム６２を有している。搬送アーム６２は、処理ウェハＷの裏面Ｗｂの端部近傍（周縁部Ｗｅの近傍）を下方から保持する。
【００３４】
ウェハ搬送装置６１は、ウェハ搬送領域６０内を移動し、任意の、周囲の第１の処理ブロックＧ１の装置、第２の処理ブロックＧ２の装置及び第３の処理ブロックＧ３の装置に処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。
【００３５】
以上の処理システム１には、制御装置７０が設けられている。制御装置７０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、処理システム１におけるウェハ処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置７０にインストールされたものであってもよい。
【００３６】
次に、以上のように構成された処理システム１を用いて行われる処理方法としてのウェハ処理について説明する。
【００３７】
先ず、複数の処理ウェハＷを収容したカセットＣｗ、複数の支持ウェハＳを収容したカセットＣｓ及び空のカセットＣｔが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。
【００３８】
次に、ウェハ搬送装置２０によりカセットＣｗ内の処理ウェハＷが取り出され、処理ステーション３のトランジション装置５０に搬送される。続けて、ウェハ搬送装置６１により、トランジション装置５０の処理ウェハＷが取り出され、第１の処理ブロックＧ１の前処理装置３０に搬送される。
【００３９】
前処理装置３０では、図６に示すように、酸化膜Ｆｗの加工領域Ｆｗｅにレーザ光を照射する。より具体的には、チャック３１（処理ウェハＷ）を回転させながら、加工領域Ｆｗｅ表面の任意の位置にレーザ光Ｌｒを照射する。これによって、酸化膜Ｆｗにおいてレーザ光が集光した部分を除去または粗面化（以下、かかるレーザ光による「除去」および「粗面化」を総称して「改質」という）し、任意の改質パターンを有する環状の改質表面Ｆｍが形成される。そして、これにより改質表面Ｆｍが形成された加工領域Ｆｗｅにおいては、後の接合装置４０において支持ウェハＳとの接合が行わず、重合ウェハＴに未接合領域が形成される。なお、かかる前処理においては、図３に示したようにパーティクルＰが発生する。
【００４０】
なお、加工領域Ｆｗｅに形成される改質表面Ｆｍの改質パターンの詳細については後述する。
【００４１】
改質表面Ｆｍが形成されると、処理ウェハＷは、ウェハ搬送装置６１によって接合装置４０に搬送される。また、支持ウェハＳがカセットＣｓから取り出され、トランジション装置５０を介して接合装置４０に搬送される。
【００４２】
なお、支持ウェハＳの表面Ｓａに複数のデバイスが形成されている場合には、処理ウェハＷと同様に、支持ウェハＳに対しても前処理が行われてもよい。
【００４３】
接合装置４０では、処理ウェハＷと支持ウェハＳはそれぞれ酸化膜Ｆｗ、Ｆｓが形成された表面Ｗａ、Ｓａが対向するように保持部に保持される。そして、かかる状態で酸化膜Ｆｗ、Ｆｓが中心部から当接され、徐々に外周部に向けて接合が行われることで、重合ウェハＴが形成される。
【００４４】
なお、接合に先だって酸化膜ＦｗおよびＦｓは、親水化、改質されていることが好ましい。かかる親水化、改質は任意の場所で行うことができ、処理システム１の外部で行われてもよいし、内部で行われてもよい。また、接合装置４０の外部で行われてもよいし、内部で行われてもよい。
【００４５】
ここで、加工領域Ｆｗｅには前述のように改質表面Ｆｍが形成されているため、酸化膜Ｆｗ、Ｆｓが接合されず、当該酸化膜Ｆｗ、Ｆｓの界面には接合領域と未接合領域が形成される。具体的には、改質表面Ｆｍの形成されていない酸化膜Ｆｗの中心部では接合領域が形成され、改質表面Ｆｍが形成された加工領域Ｆｗｅでは未接合領域が形成される。
【００４６】
次に、形成された重合ウェハＴはウェハ搬送装置６１によってトランジション装置５０に搬送される。そして、トランジション装置５０に搬送された重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置２０によりカセットＣｔへと搬送され、処理システム１における一連のウェハ処理は終了する。
【００４７】
なお、処理システム１から搬出された重合ウェハＴは、図示しないエッジトリムを行うための装置、例えば周縁除去装置へと搬送される。そして、図２に示したように接合領域と未接合領域との境界に沿って内部改質層Ｍが形成された後、当該内部改質層Ｍに沿って周縁部Ｗｅが除去される（エッジトリム）。かかるエッジトリムに際しては、前述のように未接合領域が酸化膜Ｆｗの外周部に形成されているため、適切に周縁部Ｗｅを除去することができる。
【００４８】
なお、かかるエッジトリムにあたっては除去対象としての周縁部Ｗｅを処理ウェハＷの薄化とともに行ってもよい。具体的には、周縁除去装置においては図７（ａ）に示すように内部改質層Ｍに加えて内部面改質層Ｍ１を形成する。そして、図７（ｂ）に示すように内部改質層Ｍと内部面改質層Ｍ１を基点に、処理ウェハＷが第１の分離ウェハＷ１と第２の分離ウェハＷ２に分離される。この際、周縁部Ｗｅは第２の分離ウェハＷ２に付いて一体となり、第１の分離ウェハＷ１から周縁部Ｗｅが除去される。
【００４９】
次に、上述の前処理装置３０において形成される改質表面Ｆｍの改質パターンの詳細について説明する。
【００５０】
上述したように、前処理装置３０では改質表面Ｆｍを形成することで加工領域Ｆｗｅを形成する。そして、かかる改質表面Ｆｍの形成にあたっては、酸化膜Ｆｗへレーザ光を照射することによりパーティクルＰが発生する。発生したパーティクルＰが酸化膜Ｆｗの表面に付着した場合、当該付着したパーティクルにより酸化膜Ｆｗと酸化膜Ｆｓとの接合が正常に行われず、接合界面にボイドが発生するおそれがある。
【００５１】
そこで本発明者らは、かかるパーティクルに起因する接合における不具合を抑制するため、加工領域Ｆｗｅにおける改質表面Ｆｍの面積比率を制御することにより、前処理において発生するパーティクルの量を軽減することを検討した。具体的には、加工領域Ｆｗｅにおいて形成する改質表面Ｆｍの面積を減少させることにより、発生するパーティクルの量を軽減した。
【００５２】
図８、図９は、本実施の形態に係る加工領域Ｆｗｅの形成方法の一例を模式的に示す平面図、及び図８の要部拡大図である。なお、以下の説明においては位置関係を明確にするために、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向を規定し、Ｘ軸方向を処理ウェハＷの径方向、Ｙ軸方向を処理ウェハＷの周方向とする。また、Ｘ軸正方向を加工領域Ｆｗｅの処理ウェハＷの外周側、Ｘ軸負方向を加工領域Ｆｗｅの処理ウェハＷの内周側とする。
【００５３】
本実施の形態に係る前処理においては、図８、図９に示すように、加工領域Ｆｗｅに複数、例えば図示の例によれば５つの環状領域Ｒ１〜Ｒ５を形成する。なお、環状領域Ｒ１〜Ｒ５の径方向の幅は任意に決定することができる。すなわち、環状領域Ｒ１〜Ｒ５の径方向の幅はそれぞれ同じでなくてもよい。
【００５４】
図９に示すように環状領域Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ改質表面Ｆｍと、レーザ光が照射されない非改質表面Ｆｍ１とを含んで形成されている。具体的には、それぞれの環状領域Ｒ１〜Ｒ５においては、改質表面Ｆｍと非改質表面Ｆｍ１とが周方向（Ｙ軸方向）に沿って交互に形成されている。
【００５５】
なお、かかる改質表面Ｆｍの周方向における形成間隔は、処理ウェハを保持するチャック３１の回転速度、及び、改質表面Ｆｍに照射するレーザ光の周波数を制御することにより、任意に決定することができる。
【００５６】
また更に、改質表面Ｆｍは処理ウェハＷの径方向（Ｘ軸方向）に沿って交互に形成されている。そして、本実施の形態に係る改質表面Ｆｍは、図９に示すように加工領域Ｆｗｅにおいて、周方向に沿って千鳥格子状配置となるように形成されている。
【００５７】
本実施形態に係る前処理装置３０により形成される加工領域Ｆｗｅは、改質表面Ｆｍと非改質表面Ｆｍ１のそれぞれを含むように形成されている。すなわち加工領域Ｆｗｅは、その全面にはレーザ光が照射されず、少なくとも一部には改質（粗面化）が行われていない非改質表面Ｆｍ１を有している。これにより、加工領域Ｆｗｅの全面に改質表面Ｆｍが形成される場合と比較して、前処理において発生するパーティクル量が減少し、これにより酸化膜Ｆｗにパーティクルが付着するのを抑制できる。
【００５８】
また以上のような改質表面Ｆｍの形成方法よれば、接合装置４０において形成される重合ウェハＴにエッジボイドが発生することを抑制できる。
【００５９】
具体的には、前述のように処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接合においては、ボンディングウェーブの拡散により接合が進行する。かかるボンディングウェーブの端部においては処理ウェハＷと支持ウェハＳの間の空気が圧縮されて高圧になる。また、改質表面Ｆｍが形成された加工領域Ｆｗｅでは、ボンディングウェーブの端部で圧縮されて高圧になった雰囲気が解放されることで急激に減圧され、ジュールトムソン効果が発生して温度が低下し、結露が発生する。そしてその後アニール処理を行うと、界面に存在する水が蒸発することで、重合ウェハＴの周縁部に環状のエッジボイドが発生する場合がある。
【００６０】
ここで、以上のような改質表面Ｆｍの形成方法よれば、加工領域Ｆｗｅに対する改質表面Ｆｍの形成面積の割合が減少することで、前記高圧になった雰囲気が解放される容積が減少し、これにより急激な圧力変化が発生するのを抑制できる。そして、このように急激な圧力変化の発生が抑制されることで結露の発生が抑制され、その結果、エッジボイドの発生を抑制することができる。
【００６１】
なお、以上の実施の形態によれば、改質表面Ｆｍは環状領域Ｒ１〜Ｒ５のそれぞれにおいて改質表面Ｆｍと非改質表面Ｆｍ１が交互に形成され、改質表面Ｆｍが千鳥格子配置となるように加工領域Ｆｗｅに改質パターンが形成されたが、形成される改質パターンはこれに限定されない。
【００６２】
例えば図１０に示すように、環状領域Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも１つは、改質表面Ｆｍのみによって形成されていてもよい。
【００６３】
係る場合であっても、加工領域Ｆｗｅの少なくとも一部に非改質表面Ｆｍが形成されていることにより、加工領域Ｆｗｅの全面が改質表面Ｆｍで形成される場合と比べてパーティクルの発生量を減少することができる。すなわち、酸化膜Ｆｗへパーティクルが付着することを適切に抑制できる。
【００６４】
また例えば、図１１に示すように環状領域Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも１つは、非改質表面Ｆｍ１のみによって形成されていてもよい。例えば図示の例のように、改質表面Ｆｍのみで形成される環状領域と、非改質表面Ｆｍ１のみで形成される環状領域が交互に配置されていてもよい。
【００６５】
また当然に、図８〜図１１に示す改質パターンをそれぞれ組み合わせて加工領域Ｆｗｅを形成してもよい。また更に、加工領域Ｆｗｅには上述のように環状領域が形成される必要はなく、任意の構成で改質表面Ｆｍ及び非改質表面Ｆｍ１を配置することができる。
【００６６】
なお、加工領域Ｆｗｅの最内周側に位置する環状領域（図示の例においては環状領域Ｒ１）は、図１２に示すように改質表面Ｆｍのみによって形成されることが好ましい。
【００６７】
重合ウェハＴの形成後に行われる前記エッジトリムにおいては、除去対象としての周縁部Ｗｅの内周、すなわち接合領域と未接合領域との境界に沿って、処理ウェハＷの内部にレーザ光を集光し、図２に示した内部改質層Ｍを形成する。かかる内部改質層Ｍの形成位置は、接合領域と未接合領域との境界、すなわち加工領域Ｆｗｅの最内周側に位置する環状領域Ｒ１の内周と一致することが好ましいが、当該境界よりも径方向内側に形成されてもよい。
【００６８】
内部改質層Ｍの形成にあたっては、図示しないアライメントカメラによって接合領域と未接合領域との境界を検出することによりレーザ光の照射位置を決定する。ここで、図８に示したように環状領域Ｒ１において改質表面Ｆｍと非改質表面Ｆｍ１とが交互に形成されている場合、アライメント位置としての境界が周方向において一様にならず、アライメントカメラによる境界の検出が適切に行われない場合がある。一方、図１２に示したように環状領域Ｒ１が改質表面Ｆｍのみによって環状領域Ｒ１が形成される場合、周方向において一様に境界を検出することができ、適切にレーザ光の照射位置を決定することができる。
【００６９】
係る観点から、加工領域Ｆｗｅの最内周側に位置する環状領域は、改質表面Ｆｍのみによって形成されることが好ましい。
【００７０】
なお、以上の改質パターンによれば、加工領域Ｆｗｅにおいて改質表面Ｆｍ及び非改質表面Ｆｍ１のそれぞれが形成されたが、例えば加工領域Ｆｗｅの径方向の幅が小さい場合には、非改質表面Ｆｍ１を含まず、改質表面Ｆｍのみで加工領域Ｆｗｅを形成してもよい。
【００７１】
なお前処理装置３０は、レーザ光の照射により発生したパーティクルが酸化膜Ｆｗに付着することを更に適切に抑制するため、当該パーティクルを処理ウェハＷの径方向外側に飛散させるための流体ノズルをさらに有していてもよい。
【００７２】
具体的には、前処理装置３０には、例えば図１３（ａ）に示すように、パーティクルＰを拡散させるための流体ノズル３７が設けられていてもよい。流体ノズル３７は、例えば処理ウェハＷの周縁部Ｗｅ上方に設けられている。また、流体ノズル３７からは例えば純水や気体等が供給され、発生したパーティクルＰを径方向外側へと拡散させることができる。これにより、発生したパーティクルＰが処理ウェハＷの径方向内側へと飛散し、酸化膜Ｆｗの表面に付着することを抑制することができる。なお、流体ノズル３７は、発生したパーティクルＰをより確実に径方向外側へと飛散させるため、例えば処理ウェハＷの中心部の上方や、処理ウェハＷの裏面Ｗｂ側に更に設けられていてもよい。
【００７３】
また、前処理装置３０の構成は発生したパーティクルＰを外周方向へ飛散させることができる構成であればよく、上述した構成には限定されない。例えば図１３（ｂ）に示すように、処理ウェハＷにおける径方向内側が陽圧（図１３（ｂ）における「＋」）、外側が負圧（図１３（ｂ）における「−」）となるように前処理装置３０内部の圧力を制御してもよい。これにより前処理装置３０においては処理ウェハＷの径方向内側から外側に向けての気流が形成され、発生したパーティクルＰの外周方向への飛散を適切に行うことができる。またかかる場合、処理ウェハＷの端部の径方向外側に、例えば真空ポンプなどに接続される吸引機構３８を設けることにより、更に適切に径方向内側から外側に向けての気流を形成することができる。
【００７４】
なお、以上の実施形態における前処理においては、前処理装置においては酸化膜Ｆｗの表面にレーザ光を照射することで改質表面Ｆｍを形成したが、加工領域Ｆｗｅの改質方法はこれに限られない。例えば、前処理装置においては酸化膜Ｆｗの外周部に対してエッチング溶液を塗布することによるウェットエッチングにより、改質表面Ｆｍを形成してもよい。かかる場合、改質表面Ｆｍの表面には改質パターンを形成するためのマスクが形成されることが好ましい。
【００７５】
なお、処理システムにおいては、レーザ光の照射により発生したパーティクルが酸化膜Ｆｗに付着することを防止するため、酸化膜Ｆｗの表面に保護膜を形成してもよい。
【００７６】
図１４は、第２の実施形態に係る処理システム１００の構成の概略を示す平面図である。なお、本実施形態において、第１の実施形態にかかる処理システム１と実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００７７】
図１４に示すように、本実施の形態に係る処理ステーション３の第１の処理ブロックＧ１には、保護膜形成装置１１０、前処理装置３０が配置されている。保護膜形成装置１１０と前処理装置３０は、Ｘ軸負方向側（搬入出ステーション２側）からこの順で並べて配置されている。
【００７８】
保護膜形成装置１１０は、前処理を行う前の処理ウェハＷに対して保護膜材を供給し、酸化膜Ｆｗの表面に保護膜Ｗｐを形成する。保護膜材としては、例えば水溶性材料が選択される。なお、保護膜形成装置１１０の詳細な構成については後述する。
【００７９】
図１４に示すように、本実施の形態に係る処理ステーション３の第２の処理ブロックＧ２には、洗浄装置１２０、接合装置４０が配置されている。洗浄装置１２０と接合装置４０は、Ｘ軸負方向側（搬入出ステーション２側）からこの順で並べて配置されている。
【００８０】
洗浄装置１２０は、前処理装置３０において前処理が行われた処理ウェハＷを洗浄する。具体的には、保護膜形成装置１１０において形成された保護膜Ｗｐを除去することにより、前処理装置３０において保護膜Ｗｐの表面に付着したパーティクルＰを、保護膜Ｗｐと共に洗い流す。ここで、洗浄装置１２０において処理ウェハＷに供給される洗浄液としては、保護膜Ｗｐを除去することができるもの、本実施形態によれば、例えば純水が選択される。
【００８１】
なお、前処理装置３０、接合装置４０、保護膜形成装置１１０及び洗浄装置１２０の数や配置はこれに限定されない。
【００８２】
次に、上述した保護膜形成装置１１０の構成について説明する。図１５、図１６はそれぞれ保護膜形成装置１１０の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
【００８３】
図１５に示すように保護膜形成装置１１０は、内部を閉鎖可能な処理容器１５０を有している。図１６に示すように処理容器１５０の側面には、処理ウェハＷの搬入出口１５１が形成され、搬入出口１５１には、開閉シャッタ１５２が設けられている。
【００８４】
図１５に示すように処理容器１５０内の中心部には、処理ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１６０が設けられている。スピンチャック１６０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば処理ウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、処理ウェハＷをスピンチャック１６０上に吸着保持できる。
【００８５】
スピンチャック１６０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１６１が設けられている。スピンチャック１６０は、チャック駆動部１６１により任意の速度に回転できる。また、チャック駆動部１６１には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１６０は昇降自在になっている。
【００８６】
スピンチャック１６０の周囲には、処理ウェハＷから飛散又は落下する保護液を受け止め、回収するカップ１６２が設けられている。カップ１６２の下面には、回収した液体を排出する排出管１６３と、カップ１６２内の雰囲気を排気する排気管１６４が接続されている。
【００８７】
図１６に示すようにカップ１６２のＸ方向負方向（図１６の下方向）側には、Ｙ方向（図１６の左右方向）に沿って延伸するレール１７０が形成されている。レール１７０は、例えばカップ１６２のＹ方向負方向（図１６の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図１６の右方向）側の外方まで形成されている。レール１７０には、例えば２本のアーム１７１、１７２が取り付けられている。
【００８８】
図１５及び図１６に示すように第１のアーム１７１には、処理ウェハＷに形成された酸化膜Ｆｗに保護膜材を供給する保護膜材ノズル１８０が支持されている。第１のアーム１７１は、図１６に示すノズル駆動部１８１により、レール１７０上を移動自在である。これにより、保護膜材ノズル１８０は、カップ１６２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１８２からカップ１６２内の処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該処理ウェハＷの表面上を処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、第１のアーム１７１は、ノズル駆動部１８１によって昇降自在であり、保護膜材ノズル１８０の高さを調整できる。
【００８９】
図１５に示すように保護膜材ノズル１８０には、当該保護膜材ノズル１８０に保護膜材を供給する供給管１８３が接続されている。供給管１８３は、内部に保護膜材を貯留する保護膜材供給源１８４に連通している。また、供給管１８３には、保護膜材の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１８５が設けられている。
【００９０】
図１５及び図１６に示すように第２のアーム１７２には、保護膜材を除去する溶剤、例えば純水を供給する外周除去部としての溶剤ノズル１９０が支持されている。第２のアーム１７２は、図１６に示すノズル駆動部１９１によってレール１７０上を移動自在であり、溶剤ノズル１９０を、カップ１６２のＹ方向負方向側の外方に設けられた待機部１９２からカップ１６２内の処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該処理ウェハＷの表面上を処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、ノズル駆動部１９１によって、第２のアーム１７２は昇降自在であり、溶剤ノズル１９０の高さを調節できる。
【００９１】
図１５に示すように溶剤ノズル１９０には、当該溶剤ノズル１９０に溶剤を供給する供給管１９３が接続されている。供給管１９３は、内部に溶剤を貯留する溶剤供給源１９４に連通している。また、供給管１９３には、溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１９５が設けられている。
【００９２】
なお、本実施形態では、保護膜材ノズル１８０を支持する第１のアーム１７１と溶剤ノズル１９０を支持する第２のアーム１７２はそれぞれ同じレール１７０に取り付けられていたが、別々のレールに取り付けられていてもよい。また、保護膜材ノズル１８０と溶剤ノズル１９０はそれぞれ別々のアーム１７１、１２２に支持されていたが、同じアームに支持されていてもよい。
【００９３】
次に、以上のように構成された処理システム１００を用いて行われる処理方法としてのウェハ処理について説明する。なお、本実施形態において第１の実施形態にかかる処理方法と実質的に同一の工程においては重複説明を省略する。
【００９４】
本実施の形態に係る処理システム１００においては、前処理装置３０における前処理に先だって、保護膜形成装置１１０において酸化膜Ｆｗの表面に保護膜Ｗｐを形成する。
【００９５】
保護膜形成装置１１０では、図１７（ａ）に示すようにスピンチャック１６０上に保持された処理ウェハＷに対して保護膜材ノズル１８０から保護膜材がスピン塗布され、酸化膜Ｆｗの表面に保護膜Ｗｐが形成される。なお、保護膜材としては例えば水溶性材料が選択される。
【００９６】
ここで、図１７（ａ）に示したように保護膜材をスピン塗布する場合、塗布された保護膜材が処理ウェハＷの端部を介して裏面Ｗｂに回り込む場合がある。このように保護膜材が処理ウェハＷの裏面に回り込んだ場合、前述のようにウェハ搬送装置６１の搬送アーム６２は処理ウェハＷの裏面Ｗｂの端部近傍を保持するため、かかる回り込んだ保護膜材により搬送アーム６２が汚染される恐れがある。
【００９７】
そこで保護膜形成装置１１０における保護膜材のスピン塗布にあたっては、スピン塗布により処理ウェハＷの端部を介して裏面Ｗｂ側に回り込んだ保護膜材を除去することが望ましい。具体的には、図１７（ｂ）に示すように保護膜材のスピン塗布を行っている際に酸化膜Ｆｗの外周部に対して溶剤ノズル１９０から溶剤、本実施形態においては例えば純水、を供給する。これにより、保護膜材が処理ウェハＷの裏面Ｗｂに回り込むことを抑制し、図１７（ｃ）に示すように適切に保護膜Ｗｐを形成することができる。
【００９８】
なお保護膜Ｗｐの形成範囲は、図１７（ｃ）に示したように平面視において酸化膜Ｆｗの形成範囲と一致していてもよいが、図１８に示すように酸化膜Ｆｗの形成範囲よりも小さくてもよい。換言すれば、溶剤ノズル１９０から塗布される溶剤により、図１８に示すように保護膜Ｗｐの外周部Ｗｐｅを除去してもよい。
【００９９】
保護膜Ｗｐが形成されると、処理ウェハＷは、ウェハ搬送装置６１によって前処理装置３０に搬送される。
【０１００】
前処理装置３０では、第１の実施形態に示したように、加工領域Ｆｗｅの表面にレーザ光を照射することにより改質表面Ｆｍを形成する。なお、かかる前処理においては、図３に示したようにパーティクルＰが発生するが、本実施形態にかかるウェハ処理においては、酸化膜Ｆｗの表面に保護膜Ｗｐを表面に形成しているため、酸化膜ＦｗにパーティクルＰが付着することを適切に抑制できる。
【０１０１】
改質表面Ｆｍが形成されると、処理ウェハＷは、ウェハ搬送装置６１によって洗浄装置１２０に搬送される。
【０１０２】
洗浄装置１２０では、保護膜形成装置１１０で形成された保護膜Ｗｐの除去を行う。保護膜Ｗｐの除去は、例えば保護膜Ｗｐに、当該保護膜Ｗｐを除去するための溶剤Ｇをスピン塗布することにより行われる。溶剤は、酸化膜Ｆｗに形成された保護膜Ｗｐの材質に応じて選択され、例えば本実施形態においては純水が選択される。
【０１０３】
そして、かかる保護膜Ｗｐの除去に際しては、図１９に示すように前述の前処理において保護膜Ｗｐに付着したパーティクルＰが保護膜Ｗｐと共に除去される。
【０１０４】
保護膜Ｗｐが除去されると、処理ウェハＷは、ウェハ搬送装置６１によって接合装置４０に搬送される。また、支持ウェハＳがカセットＣｓから取り出され、トランジション装置５０を介して接合装置４０に搬送され、当該接合装置４０において支持ウェハＳと接合されて重合ウェハＴが形成される。
【０１０５】
本実施形態によれば、酸化膜Ｆｗの表面に保護膜Ｗｐを形成することにより、前処理により発生するパーティクルが酸化膜Ｆｗに付着することを抑制でき、また、保護膜Ｗｐと共に付着したパーティクルを除去することができる。これにより、処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合時におけるボイドの発生を抑制し、適切に接合を行うことができる。
【０１０６】
また、保護膜形成装置１１０においては、溶剤ノズル１９０から塗布される溶剤により処理ウェハＷの端部から裏面Ｗｂに回り込む保護膜材を除去するため、当該処理ウェハＷを下方から保持するウェハ搬送装置６１へ保護膜材が付着するのを抑制できる。そして、このようにウェハ搬送装置６１に保護膜材が付着しないため、当該ウェハ搬送装置６１を介して他の被処理ウェハＷを汚染する、いわゆるクロスコンタミネーションの発生を抑制できる。
【０１０７】
なお、本実施形態によれば溶剤ノズル１９０はスピンチャック１６０の上方に配置され、上方から酸化膜Ｆｗの外周部に対して溶剤を供給したが、溶剤ノズル１９０の配置はこれに限定されない。例えば、保護膜形成装置１１０において溶剤を供給する溶剤ノズル１９０は、図２０に示すようにスピンチャック１６０の下方、すなわち、スピンチャック１６０に保持された処理ウェハＷの裏面Ｗｂ側に配置されていてもよい。
【０１０８】
また保護膜Ｗｐは、上述のように酸化膜Ｆｗに対してパーティクルが付着するのを抑制するために形成される。そこで、図１８に示したように保護膜Ｗｐの外周部Ｗｐｅを除去する場合、除去される外周部Ｗｐｅの径方向の幅は、図２１に示すように、前処理装置３０において形成される改質表面Ｆｍの径方向の幅よりも小さいことが望ましい。すなわち、外周部Ｗｐｅの除去により露出した酸化膜Ｆｗに対してパーティクルが付着するのを防止できるように、保護膜Ｗｐが除去される外周部Ｗｐｅの幅が決定されることが望ましい。
【０１０９】
なお、以上の実施形態によれば、保護膜材としては水溶性材料が選択されたが、前処理において発生したパーティクルが酸化膜Ｆｗに付着することを抑制し、また、酸化膜Ｆｗに影響を与えるものでなければ、任意の材料を使用することができる。
【０１１０】
また、溶剤ノズル１９０から供給される溶剤、または、洗浄装置１２０において供給される溶剤としては、保護膜Ｗｐを適切に除去することができるものであれば、保護膜Ｗｐの材料に応じて任意の溶剤、例えばＴＭＡＨやＤＨＦを選択できる。
【０１１１】
なお、以上の実施形態によれば、保護膜の形成、除去により前処理において発生するパーティクルの酸化膜Ｆｗへの付着を防止したが、酸化膜Ｆｗに付着したパーティクルをウェットエッチングにより除去するように、処理システムが構成されていてもよい。
【０１１２】
図２２は、第３の実施形態に係る処理システム２００の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、本実施形態において、第１の実施形態にかかる処理システム１と実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【０１１３】
本実施形態にかかる処理ステーション３の第１の処理ブロックＧ１には、液処理装置２１０が配置されている。また、第２の処理ブロックＧ２には、洗浄装置１２０、接合装置４０が配置されている。なお、液処理装置２１０、洗浄装置１２０及び接合装置４０の数や配置はこれに限定されない。
【０１１４】
液処理装置２１０は、図２３に示すように、酸化膜Ｆｗが上方を向いた状態で処理ウェハＷを保持するチャック２１１を有している。チャック２１１は、回転機構２１２によって鉛直軸回りに回転可能に構成されている。チャック２１１の上方には、酸化膜Ｆｗの外周部にエッチング液Ｅを塗布するノズル２２０が設けられている。ノズル２２０は、エッチング液Ｅを貯留して供給するエッチング液供給源（図示せず）に連通している。またノズル２２０は、移動機構（図示せず）によってＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動可能に構成されている。
【０１１５】
液処理装置２１０では、前処理が行われた後の処理ウェハＷの表面に対してノズル２２０からエッチング液Ｅを供給する。これにより図２４に示すように、前処理により発生し、酸化膜Ｆｗの表面に付着したパーティクルがエッチング液Ｅにより除去される。
【０１１６】
なお、ノズル２２０から供給されるエッチング液Ｅとしては、任意の材料を選択することができるが、パーティクルのみを除去し、酸化膜Ｆｗには影響を及ぼさない材料が選択されることが最も望ましい。
【０１１７】
また、例えばエッチング液がパーティクルのみならず、酸化膜Ｆｗを除去する恐れがある場合、当該エッチング液Ｅの供給量などの制御することにより、パーティクル及び酸化膜Ｆｗの除去を制御することが望ましい。
【０１１８】
なお、処理ウェハＷを処理する処理システムの構成は、以上の実施形態に示した構成例には限らず、任意の構成を取り得る。例えば、処理システムには、上述のようにエッジトリムを行うための周縁除去装置や加工装置が更に配置されていてもよい。
【０１１９】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【０１２０】
例えば、上記の実施の形態においては処理前後の処理ウェハＷの形状がそれぞれ円板形状である場合を例に説明を行ったが、処理ウェハＷの形状もこれに限られるものではない。例えば処理ウェハＷは、角型（四角形状）であってもよい。
【符号の説明】
【０１２１】
Ｆｍ    改質表面
Ｆｍ１  非改質表面
Ｆｗ    酸化膜
Ｆｗｅ  加工領域
Ｗ      処理ウェハ
【図１】
2020198367.tif 000003
【図２】
2020198367.tif 000004
【図３】
2020198367.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020198367.tif 000009
【図８】
2020198367.tif 000010
【図９】
2020198367.tif 000011
【図１０】
2020198367.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
2020198367.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
2020198367.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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