(57)【要約】【課題】  ＭｇＯトンネルバリア層の結晶の酸素欠陥を低減し、かつ、膜配向性を向上することができるスパッタリングターゲットを提供すること。【解決手段】  スパッタリングターゲットは、組成（単位：モル％）として、（１００−ｘ）ＭｇＯ−ｘＮｉＯ（０＜ｘ＜４０）を有する。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成（単位：モル％）として、（１００−ｘ）ＭｇＯ−ｘＮｉＯ（０＜ｘ＜４０）を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｘｅエキシマランプで励起したときのフォトルミネッセンススペクトルにおいて、
３８０〜４３０ｎｍに現れるピークの、９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークに対する強度比が０．２８未満であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
直線透過率が８５％未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記ｘの範囲が０．０１＜ｘ＜３．０であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットをスパッタして薄膜を製造する方法であって、
Ｘｅエキシマランプで励起したときのフォトルミネッセンススペクトルにおいて、
前記薄膜の、３８０〜４３０ｎｍに現れるピークの、９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークに対する強度比が、ＭｇＯ薄膜の、３８０〜４３０ｎｍに現れるピークの、９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークに対する強度比に対して５０％以下であり、
前記ＭｇＯ薄膜は、組成（単位：モル％）として、１００ＭｇＯを有するスパッタリングターゲットをスパッタして製造されたことを特徴とする薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングターゲット及びそれを用いた薄膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録装置の記録密度を向上させる素子として磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子が注目され、ハードディスクの磁気ヘッドやＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の高性能不揮発メモリへの応用が期待されている。ＭＴＪ素子は、２つの強磁性体層の間にトンネルバリア層と呼ばれる非常に薄い絶縁層を挟んだ構造を有する。
【０００３】
トンネルバリア層の材料として、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）が注目されている。ＭｇＯが優れた絶縁性、熱伝導率、耐熱性、化学的安定性及び耐酸化性を備えるからである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＷＯ２０１３／０６５５６４号
【特許文献２】特開２０１３−１０４０７９号公報
【特許文献３】特開２００９−１８４８９８号公報
【特許文献４】特開２００９−２５６１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＭｇＯからなるトンネルバリア層（ＭｇＯトンネルバリア層）は、例えば、ＭｇＯ焼結体をスパッタリングターゲットとして用いたスパッタリング法によって形成される。そこで、様々なスパッタリングターゲットが提案されている。例えば、特許文献１には、純度が９９．９９％以上であり、相対密度が９８％を超え、平均結晶粒径が８μｍ以下であり、Ｘ線回折パターンにおけるピーク強度比Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）が８％以上２５％未満であるＭｇＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットが記載されている。また、特許文献２には、組成（単位：モル％）が６０ＭｇＯ−４０ＮｉＯのターゲットが記載されている。
【０００６】
しかし、これらのスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法によって形成される薄膜は結晶の酸素欠陥が多いことや、膜の（１００）配向が得られにくいこと等の課題を有している。このため、本薄膜をトンネルバリア層に適用した場合、ＭＴＪ素子の性能にばらつき等の影響を及ぼしている。
【０００７】
本発明のいくつかの態様は上記実状を鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ＭｇＯトンネルバリア層の結晶の酸素欠陥を低減し、かつ、膜配向性を向上することができるスパッタリングターゲットを提供すること及びそれを用いた薄膜の製造方法を提供することである。
【０００８】
なお、特許文献３、４には透光性セラミックスが記載されている。この透光性セラミックスはカラー液晶プロジェクター用の光学素子であり、本発明のスパッタリングターゲットとは異なること、したがって、後述する本発明の効果を予期し得ないことを付言しておく。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明の一の態様は、組成（単位：モル％）として、（１００−ｘ）ＭｇＯ−ｘＮｉＯ（０＜ｘ＜４０）を有することを特徴とするスパッタリングターゲットに関する。
【００１０】
組成（単位：モル％）として、（１００−ｘ）ＭｇＯ−ｘＮｉＯ（０＜ｘ＜４０）を有するスパッタリングターゲットは、原料に（１００−ｘ）モル％のＭｇＯとｘモル％のＮｉＯ（０＜ｘ＜４０）を含めばよいから、製造が容易でありながら、結晶の酸素欠陥が少ない。
【００１１】
（２）本発明の一の態様では、Ｘｅエキシマランプで励起したときのフォトルミネッセンススペクトル（ＰＬスペクトル）において、３８０〜４３０ｎｍ（４００ｎｍ近傍）に現れるピークの、９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークに対する強度比が０．２８未満であることが好ましい。このようなスパッタリングターゲットは結晶の酸素欠陥がより少ない。
【００１２】
（３）本発明の一の態様では、直線透過率が８５％未満であることが好ましい。直線透過率が８５％未満でよいから、粒界での散乱や各種の欠陥構造による吸収を低減する必要がなく、スパッタリングターゲットの製造が容易である。
【００１３】
（４）本発明の一の態様では、ｘの範囲が０．０１＜ｘ＜３．０であることが好ましい。このようなスパッタリングターゲットは結晶の酸素欠陥が特に少ない。
【００１４】
（５）本発明の他の態様は、本発明の一の態様のスパッタリングターゲットをスパッタして薄膜を製造する方法であって、Ｘｅエキシマランプで励起したときのＰＬスペクトルにおいて、薄膜の、３８０〜４３０ｎｍに現れるピークの、９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークに対する強度比が、ＭｇＯ薄膜の、３８０〜４３０ｎｍに現れるピークの、９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークに対する強度比に対して５０％以下であり、ＭｇＯ薄膜は、組成（単位：モル％）として、１００ＭｇＯを有するスパッタリングターゲットをスパッタして製造されたことを特徴とする薄膜の製造方法に関する。
【００１５】
本発明の一の態様のスパッタリングターゲットをスパッタして製造された薄膜は、ＰＬスペクトルが上記の要件を満たし、結晶の酸素欠陥が少なく、かつ、膜配向性が高い。したがって、本発明の他の態様を用いて製造された薄膜は優れた絶縁性、熱伝導率、耐熱性、化学的安定性及び耐酸化性を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成のすべてが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００１７】
［スパッタリングターゲット］
本実施形態のスパッタリングターゲットは、組成（単位：モル％）として、（１００−ｘ）ＭｇＯ−ｘＮｉＯ（０＜ｘ＜４０）を有する。原料に（１００−ｘ）モル％のＭｇＯとｘモル％のＮｉＯ（０＜ｘ＜４０）を含めばよいから、製造が容易である。また、本実施形態のスパッタリングターゲットは、Ｘｅエキシマランプで励起したときのフォトルミネッセンススペクトル（ＰＬスペクトル）において、ｘが大きいほど、結晶の酸素欠陥に起因する、３８０〜４３０ｎｍ（４００ｎｍ近傍）に現れるピークが減少し、結晶の酸素欠陥が減少する。ｘ＞０．０１ではほとんど発光を示さず、酸素欠陥が非常に少ないと考えられる。さらに、本実施形態のスパッタリングターゲットをスパッタして製造される薄膜は、同様のＰＬスペクトルにおいて、ｘが大きいほど、３８０〜４３０ｎｍに現れるピークが減少し、スパッタリングターゲットと同様に結晶の酸素欠陥が減少する。また、ｘが大きいほど、薄膜の配向性は低下する。したがって、本実施形態のスパッタリングターゲットは、０．０１≦ｘ＜４０が好ましく、０．０１≦ｘ＜３０がより好ましく、０．０１＜ｘ＜３．０がさらに好ましい。
【００１８】
このスパッタリングターゲットは、Ｘｅエキシマランプで励起したときのＰＬスペクトルにおいて、結晶の酸素欠陥に起因する、３８０〜４３０ｎｍ（４００ｎｍ近傍）に現れるピークの、９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークに対する強度比（ＰＬ強度比）が０．２８未満であり、結晶の酸素欠陥が少ない。このスパッタリングターゲットをスパッタして形成された薄膜は結晶の酸素欠陥が少ない。３８０〜４３０ｎｍに現れるピークの、９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークに対する強度比（ＰＬ強度比）は０．１５以下が好ましく、０．０５以下がより好ましく、０．０２以下がさらに好ましく、０．０１以下が特に好ましく、０が下限値である。
【００１９】
本実施形態のスパッタリングターゲットは、後述するように、焼結によって製造されるため、焼結温度まで加熱されると、一部の陽イオンの価数が変化する可能性がある。しかし、この場合でも、陽イオンの比率は変化するものではなく、結果として本発明の効果を阻害するものではない。
【００２０】
本実施形態のスパッタリングターゲットは、厚さ１ｍｍの試料の全光透過率を分光光度計を用いて測定し、波長４００〜８００ｎｍにおける最大光透過率を直線透過率としたとき、直線透過率が８５％未満であることが好ましい。直線透過率が８５％未満でよいから、粒界での光散乱や結晶の酸素欠陥による光吸収を低減する必要がなく、スパッタリングターゲットの製造が容易である。直線透過率は８０％以下が好ましく、６０％以下がより好ましく、４０％以下がさらに好ましく、２５％以下が特に好まく、０％が下限値である。
【００２１】
［スパッタリングターゲットの製造方法］
本実施形態のスパッタリングターゲットの製造方法は、原料粉末を秤量、混合してスラリーを得る原料混合工程と、スラリーを乾燥、造粒して造粒粉を得る乾燥造粒工程と、造粒粉を成形して成形体を得る成形工程と、成形体を焼結して焼結体を得る焼結工程と、焼結体の外形を加工してスパッタリングターゲットを得る外形加工工程とを含む。以下、スパッタリングターゲットの製造方法をさらに詳しく説明する。
【００２２】
＜原料混合工程＞
原料粉末を秤量、混合してスラリーを得る。原料粉末は、ＭｇＯ、ＮｉＯの粉末を用いる。原料粉末の純度は高いほど好適であり、少なくとも９９．５質量％以上であり、好ましくは９９．９質量％以上であり、より好ましくは９９．９９質量％以上であり、さらに好ましくは９９．９９９質量％以上である。純度が高い原料粉末を用いることによって不可避不純物が少ないスパッタリングターゲットを得ることができる。このスパッタリングターゲットをスパッタすることによって、より不可避不純物や結晶の酸素欠陥が少なく、均一なスパッタ膜を形成することができるとともに、スパッタ環境の汚染を低減することができる。
【００２３】
原料粉末の平均粒径は、小さいほど焼結が促進されて均一かつ緻密なスパッタリングターゲットが得られるため、少なくとも１００μｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以下であり、より好ましくは１μｍ以下であり、さらに好ましくは０．５μｍ以下である。一方、原料粉末の平均粒径をあまり小さくすると造粒粉末を加圧成形する際に圧粉体密度があがりにくくなり、焼結後のターゲット内にマイクロポア等の内部欠陥が増えるため、５０ｎｍ以上が好ましい。
【００２４】
スパッタリングターゲットの原料は、ＭｇＯ、ＮｉＯといった酸化物に限定されず、炭酸塩、硝酸塩等、製造工程の中で酸化物になる化合物を用いることもできる。
【００２５】
ＭｇＯ、ＮｉＯの原料粉末が所定のモル比になるように秤量する。製造工程の中で酸化物になる化合物（例えば、炭酸塩）を原料に用いる場合、酸化物に換算して所定のモル比になるように秤量する。
【００２６】
原料粉末を混合してスラリーを得る。混合方法は、原料粉末を均一に混合することができれば特に制限はないが、例えば、湿式ボールミルが好適である。湿式ボールミルでは、原料粉末と、分散媒と、ボールとを容器に入れ、混合する（湿式混合）。分散媒は、水や、アルコール、メタノール等の有機溶媒を用いることができる。原料粉末と分散媒の質量割合は、原料粉末を均一に混合することができれば特に制限はないが、一般には１５：８５〜７５：２５が多い。ボールは、原料粉末を均一に混合、粉砕することができれば特に制限はないが、例えば、ナイロンボール、アルミナボール、ジルコニアボール等が好適である。原料粉末を均一に混合するため、分散剤をさらに添加してもよい。分散剤は、後述する脱脂や焼結工程で分解して残留しなければ特に制限はない。混合時間は、原料粉末を均一に混合することができれば特に制限はないが、１０時間以上が好ましい。原料粉末が均一に混合されると、スパッタリングターゲットの組成や密度のムラが低減され、強度が向上する。また、そのようなスパッタリングターゲットをスパッタすると、異常放電や結晶の酸素欠陥が低減された、均一なスパッタ膜を形成することができる。
【００２７】
原料混合工程は、得られたスラリーを乾燥して乾燥粉を得る乾燥工程と、乾燥粉を熱処理して、原料の一部又は全部が複合酸化物からなる熱処理粉を得る熱処理工程と、熱処理粉と、分散媒のメタノールと、アルミナボールとを容器に入れ、湿式粉砕してスラリーを得る粉砕工程とをさらに含んでもよい。熱処理工程によって原料粉末の反応が進むため、後の焼結工程で得られるスパッタリングターゲットが均一になりやすくなる。熱処理粉の粒径は、後の焼結工程の焼結を促進するため、小さい方が好ましい。このため、粉砕工程は、湿式粉砕の前に乾式粉砕をさらに組み合わせてもよい。
【００２８】
＜乾燥造粒工程＞
原料混合工程で得られたスラリーを乾燥、造粒して、成形に適する造粒粉を得る。スラリーには、乾燥前に必要に応じて成形助剤を添加してもよい。成形助剤は、特に制限はないが、一般にはポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、セロゾール、パラフィン等が用いられることが多い。乾燥方法は、特に制限はないが、例えば、ロータリーエバポレーター、スプレードライヤー等が好適である。造粒粉の純度は高いほど好適であり、脱脂や後述の焼結工程で分解される成分を除き、好ましくは９９．５質量％以上であり、より好ましくは９９．９質量％以上であり、さらに好ましくは９９．９９質量％以上である。
【００２９】
＜成形工程＞
造粒粉を成形して、所定の形状の成形体を得る。成形方法は、金型を用いた一軸加圧成形、ＣＩＰ（冷間等方加圧）成形等、公知の成形方法を単独又は組み合わせて行うことができる。成形圧力は、良好な成形体を得ることができれば特に制限はないが、一般に１００ＭＰａ以上が好ましい。
【００３０】
＜焼結工程＞
成形体を焼結して焼結体を得る。焼結によって、均一かつ緻密なスパッタリングターゲットを、他の固体の製造方法よりも簡便かつ安価に製造することができる。焼結方法は、常圧焼結等、公知の焼結方法を単独又は組み合わせて行うことができる。焼結温度は、焼結体を得ることができれば特に制限はないが、１８００℃以下であれば大気雰囲気で常圧焼結が行えるため好ましい。本実施形態のスパッタリングターゲットは直線透過率が８５％未満でよいため、焼結のためにＨＰ焼結、ＨＩＰ焼結等を用いなくてもよい。また、造粒粉に分散剤又は成形助剤が含まれる場合、これらを分解、除去するため、焼結前に脱脂を行うことが好ましい。脱脂温度は特に制限はないが、分散剤及び成形助剤が完全に分解、除去される温度と昇温速度が好ましい。
【００３１】
成形体の焼結は高温で行われるため、陽イオンの価数が変化し、焼結体に酸素欠陥が生じることも考えられる。そこで、焼結工程は、焼結体を酸素含有雰囲気で熱処理する酸化工程をさらに含んでもよい。焼結体の酸素欠陥が減少し、より均一なスパッタ膜の形成が期待される。
【００３２】
酸化工程の酸素含有雰囲気の酸素濃度は０．０５体積％以上であればよく、好ましくは０．１体積％以上である。酸素含有雰囲気は窒素やＡｒ等の還元ガスを含んでいてもよく、大気は好ましい酸素含有雰囲気の１つである。熱処理温度は焼結体の酸素欠陥を減少することができればよく、好ましくは１０００℃以上であり、より好ましくは１１５０℃以上である。熱処理の時間は少なくとも１分以上であり、好ましくは１時間以上である。
【００３３】
＜外形加工工程＞
焼結体を所望の形状に加工してスパッタリングターゲットを得る。外形加工の方法は、切断、研削、研磨等、公知の方法を用いることができる。スパッタリングターゲットはバッキングプレートにボンディングされ、スパッタに供される。
【００３４】
［薄膜］
本実施形態の薄膜は本実施形態のスパッタリングターゲットをスパッタして製造される。本実施形態の薄膜は優れた絶縁性、熱伝導率、耐熱性、化学的安定性及び耐酸化性を有する。本実施形態の薄膜の、３８０〜４３０ｎｍ（４００ｎｍ近傍）に現れるピークの、９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークに対する強度比の、基準のＮｉＯを含まないＭｇＯ薄膜の、３８０〜４３０ｎｍ（４００ｎｍ近傍）に現れるピークの、９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークに対する強度比に対する相対強度（相対ＰＬ強度）は５０％以下が好ましく、３０％以下がより好ましく、２０％以下がさらに好ましい。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
【００３６】
［試料及び薄膜の作製］
原料粉末として、平均粒径０．２μｍ、純度９９．９８質量％のＭｇＯ粉末と平均粒径０．１５μｍ、純度９９．９９質量％のＮｉＯ粉末を用いた。ＭｇＯとＮｉＯのモル比が実施例は９９．９９：０．０１〜７０：３０になるように秤量し、比較例は１００：０、６０：４０になるように秤量した。実施例１〜９、比較例１、２の組成（単位：モル％）を表１に示す。
【表１】
2020186438.tif 000002
【００３７】
秤量した原料粉末と、分散媒のメタノールと、ナイロンボールとを樹脂製ボールミル容器に入れ、１５時間混合（湿式混合）して原料粉末を微細化し、スラリーを得た。スラリーを、ロータリーエバポレーターを用いて乾燥（乾燥工程）し、得られた乾燥粉を解砕、造粒して造粒粉を得た（乾燥造粒工程）。
【００３８】
金型プレス装置を用いて成形圧力５０ＭＰａで造粒粉を成形して成形体を得た（成形工程）。成形体を大気雰囲気、１２００〜１７００℃で常圧焼結して焼結体を得た。焼結体のプレス面を＃２３０〜＃２０００番砥石を用いて研削し、所望の形状に加工して試料を得た（外形加工工程）。
【００３９】
得られた試料にバッキングプレートをボンディングしてスパッタリングターゲットとし、スパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製：ＣＳ−Ｌ）を用いてスパッタを行い、薄膜を得た。スパッタの条件は、チャンバーの到達真空度：１×１０−４Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．１４Ｐａ、投入電力：ＲＦ２００Ｗとした。基板は無アルカリガラスを用い、薄膜の膜厚は１００〜６００ｎｍとした。
【００４０】
［評価方法］
得られた試料（焼結体）と薄膜について、以下の項目の評価を行った。
【００４１】
＜相対密度＞
試料（焼結体）の密度はアルキメデス法で求めた。試料の組成における理論密度を、試料を構成する結晶相の理論密度と体積比率との積を積算して求め、これを１００％としたときの試料の実測密度の割合から相対密度を求めた。
【００４２】
＜直線透過率＞
厚さ１ｍｍの試料（焼結体）の全光透過率を、分光光度計（ＪＡＳＣＯ製：Ｖ−６７０）を用いて測定し、波長４００〜８００ｎｍにおける最大光透過率を直線透過率とした。
【００４３】
＜構成相＞
試料（焼結体）を構成する結晶相はＸ線回折法により同定した。
【００４４】
＜ＰＬ強度比、相対ＰＬ強度＞
試料（焼結体）及び薄膜について、Ｘｅエキシマランプ（１７２ｎｍ）で励起したときのＰＬスペクトルを、ＰＬ評価装置を用いて測定した。ＰＬペクトルは波長３８０〜４３０ｎｍの範囲（４００ｎｍ近傍）に、結晶の酸素欠陥に起因するピークが現れる。結晶の酸素欠陥に起因するピークの強度は、試料の向きや表面性状等、結晶の酸素欠陥以外の影響を受けるため、その絶対値で結晶の酸素欠陥を評価することは難しい。ここで、ＰＬスペクトルは、波長８００〜１０００ｎｍの範囲にＸｅエキシマランプの反射ピークが複数現れる。試料の向きや表面性状による影響は結晶の酸素欠陥に起因するピークとＸｅエキシマランプの反射ピークとで同程度と考えられる。したがって、試料の結晶の酸素欠陥は、３８０〜４３０ｎｍに現れるピークの、９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークに対する強度比（ＰＬ強度比）で評価した。ＰＬ強度比の算出式を式１に示す。
ＰＬ強度比＝試料（焼結体）の３８０〜４３０ｎｍに現れるピークの強度／
試料（焼結体）の９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークの強度    （式１）
【００４５】
試料をスパッタして製造された薄膜の結晶の酸素欠陥については、組成（単位：モル％）として、１００ＭｇＯを有するスパッタリングターゲット（比較例１）をスパッタして製造されたＭｇＯ薄膜を基準として評価した。即ち、薄膜の、３８０〜４３０ｎｍに現れるピークの、９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークに対する強度比の、基準のＭｇＯ薄膜の、３８０〜４３０ｎｍに現れるピークの、９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークに対する強度比に対する相対強度（相対ＰＬ強度）で評価した。相対ＰＬ強度の算出式を式２に示す。
相対ＰＬ強度＝（薄膜の３８０〜４３０ｎｍに現れるピークの強度／
薄膜の９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークの強度）／
（ＭｇＯ薄膜の３８０〜４３０ｎｍに現れるピークの強度／
ＭｇＯ薄膜の９１５ｎｍ近傍の励起光の反射ピークの強度）  （式２）
【００４６】
＜膜配向性＞
薄膜の配向性（膜配向性）は、薄膜のＸＲＤ  ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ測定を行い、組成（単位：モル％）として、１００ＭｇＯを有するスパッタリングターゲット（比較例１）をスパッタして製造されたＭｇＯ薄膜を基準として評価した。即ち、薄膜の（２００）ピークの、ＭｇＯ薄膜の（２００）ピークに対する強度比が、１００〜５０％の場合「優（○）」、５０〜１０％の場合「良（○△）」、１０〜１％の場合「可（△）」、１〜０％の場合「不可（×）」と評価した。
【００４７】
［評価結果］
評価結果を表２に示す。
【表２】
2020186438.tif 000003
【００４８】
（試料（焼結体）の評価）
実施例１〜９の試料（焼結体）の相対密度は９８．８〜９９．５％であり、十分緻密であった。実施例１〜９の試料（焼結体）の直線透過率は１〜６３％であり、粒界での散乱や結晶の酸素欠陥による吸収を低減する必要がなく、製造が容易であった。試料（焼結体）の構成相は、ＮｉＯを含まない試料（比較例１）がＭｇＯであるのに対し、ＮｉＯを含む試料（実施例１〜９、比較例２）はＭｇＯｓｓであった。試料（焼結体）のＰＬ強度比は比較例１＞実施例１＞実施例２＞実施例４〜９であり、ＮｉＯの含有量が多いほど３８０〜４３０ｎｍに現れるピークが小さく、結晶の酸素欠陥は減少した。
【００４９】
（薄膜の評価）
実施例１〜９の薄膜の相対ＰＬ強度は、比較例１に対して１２〜４３％であり、０．５モル％程度まではＮｉＯが多いほど減少し、薄膜の結晶の酸素欠陥が減少した。ＮｉＯ：０．５〜３０モル％の薄膜の相対ＰＬ強度は１２〜１９％とほぼ同等の値を示し、薄膜の結晶の酸素欠陥は同等であった。膜配向性は、ＮｉＯ：４０モル％の比較例２が不可（×）であるのに対し、ＮｉＯ：４０モル％未満の実施例１〜９及び比較例１は優（○）、良（○△）又は可（△）であり、ＮｉＯが多いほど低下した。
【００５０】
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。したがって、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれる。例えば、明細書において、少なくとも一度、より広義又は同義の異なる用語とともに記載された用語は、明細書のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また、スパッタリングターゲット及び磁気記録装置等の構成及び動作も本実施形態で説明したものに限定されず、例えばＭＲＡＭ等への適用や種々の変形が可能である。