(57)【要約】【課題】接合構造体を低背化する。【解決手段】接合構造体は、セラミックおよび樹脂のうちの一方からなる基体１と、基体１上に配置された電子部品２であって、その表面に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、および、Ｐｔを含む群から選ばれる少なくとも１つの金属を含む外部電極２１を有する電子部品２と、Ｃｕ−Ｍｎ合金またはＣｕ−Ｎｉ合金とＳｎとを含む接合金属３１と、熱硬化性樹脂３２とを含み、基体１と電子部品２の外部電極２１とを接合する接合部材３と、外部電極２１と接合金属３１との間の少なくとも一部に位置し、外部電極２１を構成する金属と接合金属３１を構成する金属とを含む合金層４とを備える。基体１は、熱硬化性樹脂３２によって接合部材３と直接接合されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックおよび樹脂のうちの一方からなる基体と、
前記基体上に配置された電子部品であって、その表面に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、および、Ｐｔを含む群から選ばれる少なくとも１つの金属を含む外部電極を有する電子部品と、
Ｃｕ−Ｍｎ合金またはＣｕ−Ｎｉ合金とＳｎとを含む接合金属と、熱硬化性樹脂とを含み、前記基体と前記電子部品の前記外部電極とを接合する接合部材と、
前記外部電極と前記接合金属との間の少なくとも一部に位置し、前記外部電極を構成する金属と前記接合金属を構成する金属とを含む合金層と、
を備え、
前記基体は、前記熱硬化性樹脂によって前記接合部材と直接接合されていることを特徴とする接合構造体。
【請求項２】
前記基体と前記接合部材との間において、前記基体と前記熱硬化性樹脂とが直接接触している面積は、前記基体と前記接合金属とが直接接触している面積よりも広いことを特徴とする請求項１に記載の接合構造体。
【請求項３】
前記接合金属内に前記熱硬化性樹脂が点在していることを特徴とする請求項１または２に記載の接合構造体。
【請求項４】
前記基体と直交する面で前記接合部材を切断した場合の断面において、前記接合金属の面積は、前記熱硬化性樹脂の面積よりも広いことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の接合構造体。
【請求項５】
前記電子部品の前記外部電極と前記接合部材の前記接合金属との間の少なくとも一部に、前記熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の接合構造体。
【請求項６】
前記電子部品の前記外部電極と前記合金層とが直接接触している面積は、前記外部電極と前記熱硬化性樹脂層とが直接接触している面積より広いことを特徴とする請求項５に記載の接合構造体。
【請求項７】
前記基体上には、前記接合部材からなる導電パターンが形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の接合構造体。
【請求項８】
前記電子部品を被覆する封止樹脂をさらに備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の接合構造体。
【請求項９】
前記封止樹脂と前記接合金属との間の一部には、前記熱硬化性樹脂が存在することを特徴とする請求項８に記載の接合構造体。
【請求項１０】
前記接合金属に含まれる前記Ｃｕ−Ｍｎ合金またはＣｕ−Ｎｉ合金の割合は、２重量％以上３０重量％以下であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の接合構造体。
【請求項１１】
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、および、フェノール樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の接合構造体。
【請求項１２】
前記接合部材は、前記熱硬化性樹脂を１０体積％以上５０体積％未満含んでいることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の接合構造体。
【請求項１３】
前記接合金属は、Ｓｎ単体、または、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｅ、Ｐからなる群より選ばれる少なくとも１種とＳｎとを含む合金と、Ｃｕ−Ｍｎ合金またはＣｕ−Ｎｉ合金との金属間化合物を含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の接合構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント回路基板などの基体に、はんだなどの接合部材を介して電子部品を接合した接合構造体が知られている。
【０００３】
特許文献１には、熱硬化性樹脂を硬化させる硬化薬剤の表面が被覆金属により被覆された硬化剤、および、そのような硬化剤と熱硬化性樹脂とを含有する熱硬化性樹脂組成物が記載されている。また、そのような熱硬化性樹脂組成物を用いて、プリント回路基板上の電極と、電子部品の外部電極とを接合する方法が記載されている。
【０００４】
すなわち、プリント回路基板の電極上に熱硬化性樹脂組成物を介して電子部品の外部電極を載置し、プリント回路基板をリフロー炉で加熱することによって熱硬化性樹脂を硬化させて、プリント回路基板上の電極と電子部品の外部電極とを接合する方法が特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第６３６１３７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の接合方法で形成された接合構造体は、基板と直交する高さ方向において、基板、電極、熱硬化性樹脂組成物、電子部品の順に積層された構造となるため、高背化するという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するものであり、低背化を可能とする接合構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の接合構造体は、
セラミックおよび樹脂のうちの一方からなる基体と、
前記基体上に配置された電子部品であって、その表面に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、および、Ｐｔを含む群から選ばれる少なくとも１つの金属を含む外部電極を有する電子部品と、
Ｃｕ−Ｍｎ合金またはＣｕ−Ｎｉ合金とＳｎとを含む接合金属と、熱硬化性樹脂とを含み、前記基体と前記電子部品の前記外部電極とを接合する接合部材と、
前記外部電極と前記接合金属との間の少なくとも一部に位置し、前記外部電極を構成する金属と前記接合金属を構成する金属とを含む合金層と、
を備え、
前記基体は、前記熱硬化性樹脂によって前記接合部材と直接接合されていることを特徴とする。
【０００９】
前記基体と前記接合部材との間において、前記基体と前記熱硬化性樹脂とが直接接触している面積は、前記基体と前記接合金属とが直接接触している面積よりも広くてもよい。
【００１０】
前記接合金属内に前記熱硬化性樹脂が点在していてもよい。
【００１１】
前記基体と直交する面で前記接合部材を切断した場合の断面において、前記接合金属の面積は、前記熱硬化性樹脂の面積よりも広くてもよい。
【００１２】
前記電子部品の前記外部電極と前記接合部材の前記接合金属との間の少なくとも一部に、前記熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂層が形成されていてもよい。
【００１３】
前記電子部品の前記外部電極と前記合金層とが直接接触している面積は、前記外部電極と前記熱硬化性樹脂層とが直接接触している面積より広くてもよい。
【００１４】
前記基体上には、前記接合部材からなる導電パターンが形成されていてもよい。
【００１５】
接合構造体は、前記電子部品を被覆する封止樹脂をさらに備えていてもよい。
【００１６】
前記封止樹脂と前記接合金属との間の一部には、前記熱硬化性樹脂が存在していてもよい。
【００１７】
前記接合金属に含まれる前記Ｃｕ−Ｍｎ合金またはＣｕ−Ｎｉ合金の割合は、２重量％以上３０重量％以下であってもよい。
【００１８】
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、および、フェノール樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種であってもよい。
【００１９】
前記接合部材は、前記熱硬化性樹脂を１０体積％以上５０体積％未満含んでいてもよい。
【００２０】
前記接合金属は、Ｓｎ単体、または、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｅ、Ｐからなる群より選ばれる少なくとも１種とＳｎとを含む合金と、Ｃｕ−Ｍｎ合金またはＣｕ−Ｎｉ合金との金属間化合物を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の接合構造体によれば、接合部材は、従来の接合構造体における基体上の電極を兼ねることができるので、従来の接合構造体と比べて低背化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施形態における接合構造体の構成を模式的に示す側面図である。
【図２】第１の実施形態における接合構造体の部分拡大断面図である。
【図３】第２の実施形態における接合構造体の基体に形成された導電パターンの一例を示す平面図である。
【図４】第２の実施形態における接合構造体の平面図である。
【図５】第３の実施形態における接合構造体の構成を模式的に示す断面図である。
【図６】第３の実施形態における接合構造体の部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴を具体的に説明する。
【００２４】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態における接合構造体１００の構成を模式的に示す側面図である。また、図２は、第１の実施形態における接合構造体１００の部分拡大断面図である。
【００２５】
第１の実施形態における接合構造体１００は、基体１と、電子部品２と、接合部材３と、合金層４とを備える。
【００２６】
基体１は、セラミックおよび樹脂のうちの一方からなる。本実施形態では、基体１は、平板状の形状を有する。
【００２７】
電子部品２は、その表面に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、および、Ｐｔを含む群から選ばれる少なくとも１つの金属を含む外部電極２１を有する。本実施形態では、電子部品２は、一対の外部電極２１を有する。
【００２８】
電子部品２は、例えばコンデンサ、コイル、トランジスタなどであり、その種類に特に制約はない。
【００２９】
接合部材３は、基体１と電子部品２の外部電極２１とを接合する部材であって、接合金属３１と熱硬化性樹脂３２とを含む。
【００３０】
接合部材３に含まれる接合金属３１は、Ｃｕ−Ｍｎ合金またはＣｕ−Ｎｉ合金と、Ｓｎとを含む。より詳しくは、接合金属３１は、Ｓｎ単体、または、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｅ、Ｐからなる群より選ばれる少なくとも１種とＳｎとを含む合金と、Ｃｕ−Ｍｎ合金またはＣｕ−Ｎｉ合金との金属間化合物を含む。
【００３１】
ここで、接合金属３１は、第１金属と、第１金属よりも融点の高い第２金属とからなる金属成分と、熱硬化性樹脂とを含む導電性材料を用いて、基体１と電子部品２の外部電極２１とを接合することによって形成される。
【００３２】
第１金属は、Ｓｎ、または、Ｓｎを７０重量％以上含む合金である。Ｓｎを７０重量％以上含む合金は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｅ、Ｐからなる群より選ばれる少なくとも１種とＳｎとを含む合金である。
【００３３】
第２金属は、第１金属と３１０℃以上の融点を示す金属間化合物を生成し、かつ、第２金属の周囲に最初に生成する金属間化合物の格子定数と第２金属成分の格子定数との差である格子定数差が５０％以上の金属または合金である。
【００３４】
ここで、上記格子定数差は、第２金属の周囲に最初に生成する金属間化合物の格子定数から第２金属成分の格子定数を差し引いた値を、第２金属成分の格子定数で除した数値の絶対値を１００倍した数値（％）とする。
【００３５】
第２金属は、Ｃｕ−Ｍｎ合金またはＣｕ−Ｎｉ合金である。接合金属３１に含まれるＣｕ−Ｍｎ合金またはＣｕ−Ｎｉ合金の割合は、２重量％以上３０重量％以下であることが好ましく、５重量％以上１５重量％以下であることがより好ましい。第２金属は、Ｍｎの割合が１０重量％以上１５重量％以下であるＣｕ−Ｍｎ合金、または、Ｎｉの割合が１０重量％以上１５重量％以下であるＣｕ−Ｎｉ合金であることが好ましい。また、第２金属は、金属成分中に占める割合が３０体積％以上であることが好ましく、比表面積が０．０５ｍ2・ｇ-1以上のものであることが好ましい。
【００３６】
導電性材料に、フラックスを含ませるようにしてもよい。フラックスは、接続対象物や金属の表面の酸化被膜を除去する機能を果たす。フラックスとして、例えば、ビヒクル、溶剤、チキソ剤、活性剤など、公知の種々のものを用いることができる。
【００３７】
ビヒクルの具体的な例として、ロジンおよびそれを変性した変性ロジンなどの誘導体からなるロジン系樹脂、合成樹脂、またはこれらの混合体などが挙げられる。
【００３８】
ロジンおよびそれを変性した変性ロジンなどの誘導体からなるロジン系樹脂の具体的な例として、ガムロジン、トールロジン、ウッドロジン、重合ロジン、水素添加ロジン、ホルミル化ロジン、ロジンエステル、ロジン変性マレイン酸樹脂、ロジン変性フェノール樹脂、ロジン変性アルキド樹脂、その他各種ロジン誘導体などが挙げられる。
【００３９】
また、ロジンおよびそれを変性した変性ロジンなどの誘導体からなる合成樹脂の具体的な例として、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂などが挙げられる。
【００４０】
溶剤としては、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、芳香族系、炭化水素類などが知られており、具体的な例として、ベンジルアルコール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ジエチレングリコール、エチレングリコール、グリセリン、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸ブチル、アジピン酸ジエチル、ドデカン、テトラデセン、α−ターピネオール、テルピネオール、２−メチル２，４−ペンタンジオール、２−エチルヘキサンジオール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジイソブチルアジペート、へキシレングリコール、シクロヘキサンジメタノール、２−ターピニルオキシエタノール、２−ジヒドロターピニルオキシエタノール、それらを混合したものなどが挙げられる。
【００４１】
チキソ剤の具体的な例として、硬化ヒマシ油、カルナバワックス、アミド類、ヒドロキシ脂肪酸類、ジベンジリデンソルビトール、ビス（ｐ−メチルベンジリデン）ソルビトール類、蜜蝋、ステアリン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸エチレンビスアミドなどが挙げられる。また、これらに必要に応じてカプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸のような脂肪酸、１，２−ヒドロキシステアリン酸のようなヒドロキシ脂肪酸、酸化防止剤、界面活性剤、アミン類などを添加したものもチキソ剤として用いることができる。
【００４２】
活性剤としては、アミンのハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物、有機酸、有機アミン、多価アルコールなどがあり、アミンのハロゲン化水素酸塩の具体的なものとして、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン塩酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、エチルアミン塩酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン塩酸塩、トリエタノールアミン臭化水素酸塩、モノエタノールアミン臭化水素酸塩などが例示される。
【００４３】
有機ハロゲン化合物の具体的な例として、塩化パラフィン、テトラブロモエタン、ジブロモプロパノール、２，３−ジブロモ−１，４−ブタンジオール、２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール、トリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレートなどが挙げられる。
【００４４】
また、有機酸の具体的な例として、マロン酸、フマル酸、グリコール酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、フェニルコハク酸、マレイン酸、サルチル酸、アントラニル酸、グルタル酸、スベリン酸、アジピン酸、セバシン酸、ステアリン酸、アビエチン酸、安息香酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、ドデカン酸などが挙げられる。
【００４５】
また、有機アミンの具体的な例として、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリブチルアミン、アニリン、ジエチルアニリンなどが挙げられる。
【００４６】
また、多価アルコールとして、エリスリトール、ピロガロール、リビトールなどが例示される。
【００４７】
フラックスとして、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂またはその変性樹脂、アクリル樹脂からなる熱硬化性樹脂群より選ばれる少なくとも１種、あるいは、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、セルロース系樹脂からなる熱可塑性樹脂群から選ばれる少なくとも１種を含むものを用いてもよい。
【００４８】
フラックスは、Ｓｎの融点以下の温度で溶けて活性力を発揮する。フラックスと樹脂は、互いに反応を阻害しない。
【００４９】
なお、フラックスは、接続対象物や金属の表面の酸化被膜を除去する機能を果たすことから、導電性材料はフラックスを含むことが好ましい。例えば、フラックスは、導電性材料全体に対して７重量％以上１５重量％以下の割合で含まれていることが好ましい。
【００５０】
また、導電性材料は、添加剤として、レベリング剤、消泡剤などを含んでいてもよい。
【００５１】
基体１と電子部品２の外部電極２１との接合時には、基体１と外部電極２１との間に、上述した導電性材料を配置し、導電性材料を加熱する。そして、導電性材料の温度が第１金属の融点以上に達すると、導電性材料中の第１金属が溶融し、第２金属との間で金属間化合物が形成される。接合金属３１には、この金属間化合物と、第２金属とが含まれる。
【００５２】
接合部材３は、熱硬化性樹脂３２を１０体積％以上５０体積％未満含んでいる。熱硬化性樹脂３２の含有量が１０体積％未満になると、基体１との密着性が低下する。熱硬化性樹脂３２の含有量が多くなると、接合部材３と基体１との界面に存在する熱硬化性樹脂３２の量が多くなり、基体１と接合部材３との接着力が向上する。ただし、熱硬化性樹脂３２の含有量が５０体積％以上になると、接合金属３１と外部電極２１との接合による合金層４の形成が阻害される。したがって、接合部材３は、熱硬化性樹脂３２を１０体積％以上５０体積％未満含むことが好ましい。
【００５３】
熱硬化性樹脂３２は、１５０℃の溶融粘度が１００ｄｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００５４】
上述した熱硬化性樹脂３２として、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、および、フェノール樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。
【００５５】
基体１は、熱硬化性樹脂３２によって接合部材３と直接接合されている。基体１と接合部材３との間において、基体１と接合部材３に含まれる熱硬化性樹脂３２とが直接接触している面積は、基体１と接合部材３に含まれる接合金属３１とが直接接触している面積よりも広い。
【００５６】
図２に示すように、接合部材３の接合金属３１内には、熱硬化性樹脂３２が点在している。接合金属３１内に点在している熱硬化性樹脂３２が接合金属３１の強度を補完している。
【００５７】
基体１と直交する面で接合部材３を切断した場合の断面において、接合金属３１の面積は、熱硬化性樹脂３２の面積よりも広い。
【００５８】
本実施形態における接合構造体１００では、接合金属３１は、基体１の内部に設けられたビアホール１１を介して、基体１の内部または基体１の表面に実装された他の電子部品と電気的に接続されている。
【００５９】
合金層４は、電子部品２の外部電極２１と、接合部材３の接合金属３１との間の少なくとも一部に位置し、外部電極２１を構成する金属と接合金属３１を構成する金属とを含む。すなわち、合金層４は、電子部品２の外部電極２１と接合部材３の接合金属３１との接合時に、外部電極２１を構成する金属と接合金属３１を構成する金属とによって形成される層である。
【００６０】
また、電子部品２の外部電極２１と接合部材３の接合金属３１との間の少なくとも一部には、熱硬化性樹脂３２を含む熱硬化性樹脂層３２Ｓが形成されている。外部電極２１と接合金属３１との間に熱硬化性樹脂層３２Ｓが形成されていることにより、外部電極２１と接合部材３との接着性がさらに向上する。
【００６１】
電子部品２の外部電極２１と合金層４とが直接接触している面積は、外部電極２１と熱硬化性樹脂層３２Ｓとが直接接触している面積より広い。そのような構成により、電子部品２の外部電極２１と、合金層４を介した接合部材３との間の導電性を確保することができる。
【００６２】
上述したように、第１の実施形態における接合構造体１００は、基体１と、電子部品２と、接合部材３と、合金層４とを備え、基体１は、熱硬化性樹脂３２によって接合部材３と直接接合されている。接合部材３は、従来の接合構造体における基体上の電極を兼ねているため、従来の接合構造体と比べて低背化することができる。すなわち、従来の接合構造体では、基体と直交する高さ方向において、基体、電極、熱硬化性樹脂組成物（はんだ）、電子部品の順に積層された構造となるが、本実施形態における接合構造体１００では、基体１、接合部材３および合金層４、電子部品２の順に積層された構造となり、高さを低くすることができる。
【００６３】
また、従来の接合構造体と比べて、部材間の界面が少なくなるため、部材間の剥がれなどの不具合の発生を低減することができる。
【００６４】
また、従来の接合構造体では、基体の上に電極を形成し、基体の電極と、電子部品の外部電極とを接合する必要がある。しかしながら、本実施形態における接合構造体１００を製造する際には、基体の上に電極を設ける必要がないので、製造工程を簡易化することができる。
【００６５】
また、はんだを用いた従来の接合構造体では、基体上の電極と、電子部品の外部電極との接合時に、はんだが基体上に広がるため、基体上での接合面積が大きくなる。しかしながら、本実施形態における接合構造体１００は、はんだを用いないため、はんだの塗れ広がりが生じることを防いで、基体上での接合面積を小さくすることができる。
【００６６】
はんだを用いた従来の接合構造体では、リフローなどで熱が加わると、はんだが溶融し、はんだスプラッシュが生じる可能性がある。しかしながら、本実施形態における接合構造体１００は、上述した導電性材料を用いて、基体１と電子部品２の外部電極２１とを接合した際に、急速拡散反応により接合部材３の形状が維持され、合金化後は熱が加わっても形状が変化しないため、スプラッシュ不良の発生を抑制することができる。
【００６７】
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態における接合構造体１００Ａでは、基体上に、接合部材からなる導電パターンが形成されている。
【００６８】
図３は、基体１に形成された導電パターン４０の一例を示す平面図である。また、図４は、第２の実施形態における接合構造体１００Ａの平面図である。図４に示すように、電子部品２は、外部電極２１が導電パターン４０の上に位置するように実装されている。
【００６９】
導電パターン４０は、基体１上の配線または電極として機能するものであり、接合部材からなる。すなわち、本実施形態における導電パターン４０は、第１の実施形態における接合構造体１００の接合部材３に対応するものである。したがって、導電パターン４０は、上述したように、基体１上の配線または電極として機能するとともに、基体１と電子部品２の外部電極２１とを接合する機能も有する。
【００７０】
第２の実施形態における接合構造体１００Ａによれば、基体上に導電パターンを形成するような構成においても、低背化を実現することができる。すなわち、基体１上の導電パターン４０が基体１と電子部品２の外部電極２１とを接合する構成であるため、従来の接合構造体で用いられているはんだを必要とせず、低背化することができる。
【００７１】
また、第１の実施形態における接合構造体１００と同様に、基体上での接合面積を小さくすることができ、また、製造工程を簡易化することができる。
【００７２】
＜第３の実施形態＞
図５は、第３の実施形態における接合構造体１００Ｂの構成を模式的に示す断面図である。また、図６は、第３の実施形態における接合構造体１００Ｂの部分拡大断面図である。
【００７３】
第３の実施形態における接合構造体１００Ｂは、第１の実施形態における接合構造体１００に対して、電子部品２を被覆する封止樹脂５０をさらに備えた構造を有する。電子部品２を封止樹脂５０によって封止することにより、耐湿性を向上させることができる。
【００７４】
封止樹脂５０として、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などを用いることができる。
【００７５】
図６に示すように、封止樹脂５０と、接合部材３の接合金属３１との間の一部には、熱硬化性樹脂３２が存在する。封止樹脂５０は、接合部材３に含まれている熱硬化性樹脂３２と密着しており、これにより、封止樹脂５０の剥がれを抑制することができる。また、封止樹脂５０と接合金属３１との間に空隙が生じることを抑制することができるので、低温使用時に、空隙中の空気内の水分が結露することに起因する電気的不具合の発生を抑制することができる。
【００７６】
はんだを用いて基板上の電極と電子部品の外部電極とを接合した従来の接合構造体では、封止樹脂を設ける際にはんだが溶融し、はんだスプラッシュが生じる可能性がある。
【００７７】
しかしながら、本実施形態における接合構造体１００Ｂでは、はんだを用いない上述した接合構造により、はんだスプラッシュの発生を防ぐことができる。
【００７８】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００７９】
１      基体
２      電子部品
３      接合部材
４      合金層
１１    ビアホール
２１    電子部品の外部電極
３１    接合金属
３２    熱硬化性樹脂
４０    導電パターン
５０    封止樹脂
１００、１００Ａ、１００Ｂ  接合構造体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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