(57)【要約】【課題】小型化された高周波モジュールを得ること。【解決手段】高周波モジュール１００Ｘが、高周波信号を生成して出力する高周波回路３、および高周波回路３から出力された高周波信号を送信するとともに送信した高周波信号の反射波を受信するアンテナ３０が配置された高周波回路基板２０と、アンテナ３０が受信した反射波に基づいてレーダ信号処理を行う制御回路４が配置された制御基板２１と、を備え、高周波回路基板２０と制御基板２１とが積層されている。【選択図】図２
2020125927.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号を生成して出力する高周波回路、および前記高周波信号を送信するとともに前記高周波信号の反射波を受信するアンテナが配置された高周波回路基板と、
前記反射波に基づいてレーダ信号処理を行う制御回路が配置された制御基板と、
を備え、
前記高周波回路基板と前記制御基板とが積層されている、
ことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記高周波回路基板の上面に前記アンテナが配置され、
前記高周波回路基板の下面に前記高周波回路が配置され、
前記制御基板の下面に前記制御回路が配置され、
前記高周波回路基板の下面と前記制御基板の上面とが対向するよう、前記高周波回路基板と前記制御基板とが積層されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記高周波回路基板の下面と前記制御基板の上面とは、電磁波を妨害することができる電磁波妨害部材を介して接合され、
前記高周波回路の周囲は、前記高周波回路基板の下面内で前記電磁波妨害部材によって囲まれている、
ことを特徴とする請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記電磁波妨害部材は、半田ボールまたは金バンプである、
ことを特徴とする請求項３に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記アンテナは、前記高周波回路基板の上面にパターン形成されたものである、
ことを特徴とする請求項１から４の何れか１つに記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記アンテナが形成されたアンテナ基板を有し、
前記アンテナ基板が前記高周波回路基板の上面に接合されている、
ことを特徴とする請求項１から４の何れか１つに記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波回路および制御回路を備えた高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
ミリ波帯といった高周波数帯の信号を用いたレーダ装置の１つに高周波モジュールがある。この高周波モジュールは、高周波信号であるＦＭ−ＣＷ（Frequency  Modulation−Continuous  Wave）信号を生成する高周波回路と、高周波モジュールの制御を行う制御回路と、ＦＭ−ＣＷ信号の送受信を行う送受信アンテナとを備えている。
【０００３】
特許文献１に記載のアンテナ装置では、高周波回路を備えたアンテナ装置と制御回路とが１つの基板上の同一面に実装されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１３６７５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１の技術では、高周波回路および制御回路が１つの基板の同一面に実装されているので、高周波モジュールの表面積が大きくなり高周波モジュールが大型化するという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、小型化された高周波モジュールを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、高周波信号を生成して出力する高周波回路、および高周波信号を送信するとともに高周波信号の反射波を受信するアンテナが配置された高周波回路基板と、反射波に基づいてレーダ信号処理を行う制御回路が配置された制御基板と、を備えている。本発明の高周波モジュールは、高周波回路基板と制御基板とが積層されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高周波モジュールを小型化することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態１にかかる高周波モジュールの構成を示すブロック図
【図２】実施の形態１にかかる高周波モジュールの構成を示す断面図
【図３】実施の形態１にかかる高周波モジュールの構成を示す上面図
【図４】実施の形態１にかかる高周波モジュールの構成を示す下面図
【図５】実施の形態１にかかる高周波回路デバイスの構成を示す下面図
【図６】比較例の高周波モジュールの構成を示す断面図
【図７】比較例の高周波モジュールの構成を示す上面図
【図８】比較例の高周波モジュールの構成を示す下面図
【図９】実施の形態２にかかる高周波モジュールの構成を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明にかかる高周波モジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１１】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１にかかる高周波モジュールの構成を示すブロック図である。高周波モジュール１００Ｘは、ミリ波信号またはマイクロ波信号といった高周波信号を送受信するモジュールである。高周波モジュール１００Ｘは、目標に対して高周波信号を送信し、目標からの反射波を受信するレーダ装置に適用される。すなわち、高周波モジュール１００Ｘは、ミリ波レーダまたはマイクロ波レーダとして用いられるレーダモジュールである。高周波モジュール１００Ｘの例は、ＦＭ−ＣＷ信号を送受信するＦＭ−ＣＷレーダである。高周波モジュール１００Ｘは、例えば、自動車といった車に搭載される車載ミリ波レーダに適用される。
【００１２】
高周波モジュール１００Ｘは、高周波回路３と、制御回路４と、送信アンテナ１と、受信アンテナ２とを備えている。高周波モジュール１００Ｘでは、高周波回路３が送信アンテナ１および受信アンテナ２に接続され、制御回路４が高周波回路３に接続されている。
【００１３】
高周波モジュール１００Ｘでは、高周波回路３と制御回路４とが別々の基板に配置されている。高周波回路３が配置された基板面の外周領域には、電磁波を妨害することができる部材（後述するＢＧＡ（ボール  グリッド  アレイ：Ball  Grid  Array）ボール２３Ａ）が配置されており、このＢＧＡボール２３Ａを介して、高周波回路３が配置された基板と、制御回路４が配置された基板とが、接合されている。
【００１４】
高周波回路３は、高周波信号であるＦＭ−ＣＷ信号を生成する回路である。高周波回路３は、高周波信号を発生させるＶＣＯ（電圧制御発振器：Voltage  Controlled  Oscillator）５と、高周波信号を分配する方向性結合器７と、送信信号を増幅するＰＡ（高出力増幅器：Power  Amplifier）８と、受信信号を周波数変換（ダウンコンバート）するミキサ（ＭＩＸ：Mixer）６とを備えている。なお、方向性結合器７は電力分配器であっても良い。
【００１５】
ＶＣＯ５は、制御回路４に接続されている。方向性結合器７は、ＶＣＯ５と、ＰＡ８と、ミキサ６とに接続されている。ＶＣＯ５は、制御回路４から送られてくる三角波の信号を受信し、高周波信号を発生させる。ＶＣＯ５は、高周波信号を方向性結合器７に送る。方向性結合器７は、ＶＣＯ５から送られてくる高周波信号の大部分をＰＡ８に送り、残りの一部をミキサ６にローカル信号として送る。
【００１６】
ＰＡ８は、方向性結合器７から送られてくる高周波信号を増幅し、送信信号として送信アンテナ１に送る。ミキサ６は、受信アンテナ２から送られてくる受信信号を、方向性結合器７から送られてくる高周波信号に混合することによって、周波数変換（ダウンコンバート）する。ミキサ６は、周波数変換した受信信号を制御回路４に送る。なお、高周波回路３の各構成要素は、それぞれＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回路：Monolithic  Microwave  Integrated  Circuit）で構成されている。
【００１７】
制御回路４は、ＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路：Application  Specific  Integrated  Circuit）９とＭＣＵ（Micro  Controller  Unit）１０とを備えている。ＡＳＩＣ９は、ＤＡＣ（デジタルアナログ変換器：Digital  to  Analog  Converter）１４と、電源１１と、ベースバンドアンプ１２と、ＡＤＣ（アナログデジタル変換器：Analog  to  Digital  Converter）１３とを備えている。
【００１８】
ＤＡＣ１４は、ＭＣＵ１０から送られてくる制御信号（デジタル信号）を三角波の信号（アナログ信号）に変換して高周波回路３のＶＣＯ５に送る。電源１１は、高周波回路３内のＭＭＩＣに種々の制御電圧（直流（ＤＣ）バイアス）を供給する。
【００１９】
ベースバンドアンプ１２は、ミキサ６から送られてくる周波数変換後の受信信号を増幅してＡＤＣ１３に送る。ＡＤＣ１３は、ベースバンドアンプ１２から送られてくる受信信号（アナログ信号）を、デジタル信号に変換してＭＣＵ１０に送る。なお、ＡＳＩＣ９は、出力される電圧または電流を一定に保つよう制御する回路（レギュレータ）を有していてもよい。
【００２０】
ＭＣＵ１０は、高周波回路３内のＭＭＩＣとの間およびＡＳＩＣ９との間で、ＳＰＩ（シリアル  ペリフェラル  インタフェース：Serial  Peripheral  Interface）通信を実行する。また、ＭＣＵ１０は、高周波モジュール１００Ｘ内の各構成要素（各ブロック）の制御と、ＡＳＩＣ９を経由して伝送されてきた受信信号のレーダ信号処理とを行う。ＭＣＵ１０は、高周波回路３に高周波回路３を制御するための制御信号を送る。また、ＭＣＵ１０は、ＡＳＩＣ９にＡＳＩＣ９を制御するための制御信号を送り、ＡＳＩＣ９からＭＣＵ１０を制御するための制御信号を受ける。また、ＭＣＵ１０は、ＡＤＣ１３から送られてくるデジタル信号（受信信号）を受ける。ＭＣＵ１０の例は、マイクロコンピュータである。
【００２１】
送信アンテナ１は、ＰＡ８から送られてくる送信信号を、測定対象物である目標に向かって送信する。受信アンテナ２は、測定対象物で反射された信号（反射波）を受信してミキサ６に送る。
【００２２】
図２は、実施の形態１にかかる高周波モジュールの構成を示す断面図である。図３は、実施の形態１にかかる高周波モジュールの構成を示す上面図である。図４は、実施の形態１にかかる高周波モジュールの構成を示す下面図である。図２の断面図は、図３に示す高周波モジュール１００ＸのＡ−Ａ断面図に対応している。
【００２３】
高周波モジュール１００Ｘは、平板状をなしており、上面（一方の主面）が送信アンテナ１および受信アンテナ２の配置されるアンテナ面である。なお、図２および図３では、送信アンテナ１および受信アンテナ２をまとめてアンテナ３０として図示している。
【００２４】
図２に示すように、高周波モジュール１００Ｘは、高周波回路デバイス４０と、制御回路デバイス５０と、複数のＢＧＡボール２３Ａと、複数のＢＧＡボール２３Ｂとを備えている。高周波回路デバイス４０は、高周波回路基板２０を有している。高周波回路基板２０の上面（一方の主面）には、アンテナ３０が配置され、下面（他方の主面）には、種々の部品が配置される。制御回路デバイス５０は、制御基板２１を有しており、制御基板２１の下面に種々の部品が配置される。
【００２５】
高周波回路基板２０は、低伝送損失で高周波信号の伝送を行うことができる樹脂性の基板である。制御基板２１は、一般的な伝送損失で信号の伝送を行うことができる樹脂性の基板である。制御基板２１の樹脂の材質は、例えばＦＲ−４（Flame  Retardant  Type  4）である。
【００２６】
図３に示すように、高周波回路デバイス４０（高周波回路基板２０）の上面には、複数のアンテナ３０からなるマイクロストリップアンテナ３１が配置されている。マイクロストリップアンテナ３１は、アンテナ３０とアンテナ配線３５とを有している。アンテナ配線３５は、アンテナ３０とスルーホール２６とを接続する配線である。マイクロストリップアンテナ３１は、アレーアンテナ方式で構成されている。図２では、アンテナ配線３５の図示を省略している。
【００２７】
マイクロストリップアンテナ３１は、高周波回路基板２０の上面にマイクロストリップアンテナ３１のパターンが形成されることによって高周波回路基板２０に実装されている。すなわち、高周波回路基板２０の上面には、高周波回路基板２０の基板パターンによってマイクロストリップアンテナ３１が形成されている。
【００２８】
高周波回路基板２０の下面は、部品の実装される部品実装面となっており、ＭＭＩＣ２４ａ１，２４ａ２，２４ｂ１，２４ｂ２と、チップ部品２５とが配置されている。なお、以下の説明では、ＭＭＩＣ２４ａ１，２４ａ２，２４ｂ１，２４ｂ２をまとめてＭＭＩＣ２４という場合がある。ＭＭＩＣ２４およびチップ部品２５は、高周波回路基板２０の下面にフリップチップ実装されている。図２では、高周波回路デバイス４０の断面方向から見た場合に、ＭＭＩＣ２４ａ１，２４ｂ１がスルーホール２６の奥側に配置されている場合を示している。
【００２９】
高周波回路３の構成要素であるＶＣＯ５、ミキサ６、方向性結合器７、およびＰＡ８は、それぞれＭＭＩＣで構成されている。なお、図２では、４種類のＭＭＩＣ２４を図示しているが、高周波回路３がＶＣＯ５、ミキサ６、方向性結合器７、およびＰＡ８以外の構成要素を備えている場合には、高周波回路基板２０の下面に５種類以上のＭＭＩＣが配置される。チップ部品２５の例は、抵抗、コンデンサである。
【００３０】
高周波回路基板２０の下面には、受信信号を増幅する低雑音増幅器（ＬＮＡ：Low  Noise  Amplifier）のＭＭＩＣが配置されてもよい。この場合、ＬＮＡのＭＭＩＣは、受信アンテナ２およびミキサ６に接続される。
【００３１】
このように、高周波回路デバイス４０は、高周波回路３とマイクロストリップアンテナ３１とが一体化されたデバイスとしてデバイスパッケージ化されている。
【００３２】
制御基板２１の下面には、ＡＳＩＣ９と、ＭＣＵ１０と、チップ部品２５とが配置されている。図４に示すように、制御回路デバイス５０（制御基板２１の下面）には、複数のチップ部品２５が配置されており、複数からなる１群のチップ部品２５で特定の機能を実現する。図４では、複数からなるチップ部品２５の組として、チップ部品群２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃを図示している。
【００３３】
高周波モジュール１００Ｘでは、高周波回路基板２０の下面と制御基板２１の上面とが対向するよう、高周波回路基板２０と制御基板２１とが複数のＢＧＡボール２３Ａ，２３Ｂによって接合されている。すなわち、高周波回路基板２０の下面と制御基板２１の上面との間には、複数のＢＧＡボール２３Ａ，２３Ｂが配置されており、各ＢＧＡボール２３Ａ，２３Ｂと高周波回路基板２０の下面とが接合され、各ＢＧＡボール２３Ａ，２３Ｂと制御基板２１の上面とが接合されている。これにより、高周波回路基板２０と制御基板２１とがＢＧＡボール２３Ａ，２３Ｂを介して接合されている。
【００３４】
高周波回路基板２０を下面からみた場合、下面の中央領域には、ＭＭＩＣ２４と、チップ部品２５とが配置されており、下面の外周領域には、ＢＧＡボール２３Ａが配置されている。高周波回路基板２０の下面では、ＭＭＩＣ２４およびチップ部品２５を囲うようＢＧＡボール２３Ａが２次元面内に配置されている。換言すると、高周波回路３がＢＧＡボール２３ＡによってＢＧＡパッケージ化されている。図３は、高周波回路基板２０の上面図であるが、図３では、高周波回路基板２０の下面に配置されるＢＧＡボール２３Ａを点線で図示している。ＢＧＡボール２３Ａは、電磁波を妨害することができる電磁波妨害部材で構成されている。ＢＧＡボール２３Ａの例は、半田ボールまたは金バンプである。
【００３５】
高周波回路基板２０の下面の中央領域には、ＢＧＡボール２３Ｂが配置されている。すなわち、高周波回路基板２０の下面の中央領域では、複数のＢＧＡボール２３Ｂの間隙にＭＭＩＣ２４、チップ部品２５等が配置されている。高周波回路基板２０の下面の中央領域に配置されているＢＧＡボール２３Ｂは、高周波回路基板２０と制御基板２１との間で信号伝送を行う。換言すると、高周波回路３と制御回路４とは、ＢＧＡボール２３Ｂによって電気的に接続されている。
【００３６】
このように高周波回路３は、高周波回路基板２０と制御基板２１との間に配置されるとともに、ＢＧＡボール２３Ａによって囲われている。これにより、高周波モジュール１００Ｘでは、高周波回路３から外部への不要な放射信号の漏洩を防ぐことができるとともに、外部から高周波回路３への外乱信号の侵入を防ぐことができる。したがって、高周波モジュール１００Ｘは、金属ケースによる封止なしで、高周波回路３のＥＭＣ（Electro  Magnetic  Compatibility）耐性を向上させることができる。
【００３７】
スルーホール２６は、アンテナ３０と、高周波回路３とを接続し、アンテナ３０と高周波回路３との間でミリ波信号といった高周波信号を伝送する。具体的には、スルーホール２６は、送信アンテナ１とＰＡ８とを接続し、ＰＡ８から送信アンテナ１への高周波信号を伝送する。また、スルーホール２６は、受信アンテナ２とミキサ６とを接続し、受信アンテナ２からミキサ６への高周波信号を伝送する。
【００３８】
スルーホール２６は、信号用スルーホールとその周囲を囲むように配置したグランド用スルーホールから構成され、グランド用スルーホールは信号用スルーホールを挟むように配置しても良い。また、スルーホール２６は、誘電体導波路の周囲を、グランドに接続された複数のスルーホールで取り囲んで形成される疑似導波管であっても良い。また、スルーホール２６の代わりに、中空の導波管と導波管に接続した導波管端子から構成しても良く、導波管端子はアンテナプローブや短絡導体パッドで構成されても良い。
【００３９】
なお、スルーホール２６は、高周波回路デバイス４０を上面から見た場合の何れの領域に配置されてもよい。スルーホール２６は、ＭＭＩＣ２４と各アンテナ３０との間の配線距離が特定距離よりも短くなる位置に形成されている。これにより、ＭＭＩＣ２４とアンテナ３０との間の配線長によって起こる電力の信号配線損失を減らすことができるので、レーダ性能の劣化を防止することができる。
【００４０】
このように、高周波モジュール１００Ｘは、上面にアンテナ３０が配置され、下面に制御回路４が配置され、上面と下面との間の面間領域（高周波回路基板２０の下面）に高周波回路３が配置されている。
【００４１】
図５は、実施の形態１にかかる高周波回路デバイスの構成を示す下面図である。なお、図５に示す高周波回路デバイス４０Ｘは模式図であり、高周波回路デバイス４０Ｘが備える構成要素の配置位置と、図２および図３で説明した高周波回路デバイス４０に配置されている構成要素の配置位置とは、対応していない。
【００４２】
図５に示すＭＭＩＣ２４Ａ〜２４Ｄは、ＭＭＩＣ２４と同様のＭＭＩＣである。例えば、ＭＭＩＣ２４ＡはＰＡ８であり、ＭＭＩＣ２４ＢはＶＣＯ５であり、ＭＭＩＣ２４Ｃは方向性結合器７であり、ＭＭＩＣ２４Ｄはミキサ６である。高周波回路デバイス４０Ｘの下面にＭＭＩＣ２４Ａ〜２４Ｄが配置される場合、図５に示すように、例えば、チャンネル数分のＭＭＩＣ２４Ｄをスルーホール２６の直近に配置することができるので、ＭＭＩＣ２４Ｄとスルーホール２６との配線長を短くすることができる。また、図５に示すように、高周波回路デバイス４０Ｘの下面には、グランド用または信号伝送用に複数のＢＧＡボール２３Ｂが配置されている。
【００４３】
ここで、比較例の高周波モジュールについて説明する。図６は、比較例の高周波モジュールの構成を示す断面図である。図７は、比較例の高周波モジュールの構成を示す上面図である。図８は、比較例の高周波モジュールの構成を示す下面図である。図６から図８の構成要素のうち、図２から図４の構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付しており、その説明を省略する。図６の断面図は、図７に示す高周波モジュール１０１のＢ−Ｂ断面図に対応している。なお、図６では、アンテナ配線３５の図示を省略している。
【００４４】
高周波モジュール１０１は、１枚の基板６１に高周波回路の一部の構成要素、アンテナ３０および制御回路が配置されている。すなわち、高周波モジュール１０１では、基板６１の上面（一方の主面）にアンテナ３０およびＭＭＩＣ２４ｃ，２４ｄ，２４ｅが配置されている。ＭＭＩＣ２４ｃ，２４ｄ，２４ｅは、基板６１の上面の中央領域に配置されている。ＭＭＩＣ２４ｃ，２４ｄ，２４ｅは、ＭＭＩＣ２４と同様の機能を有している。すなわち、高周波モジュール１０１が備える高周波回路の一部の構成要素が、ＭＭＩＣ２４ｃ，２４ｄ，２４ｅで構成されている。
【００４５】
また、高周波モジュール１０１では、基板６１の下面（他方の主面）に高周波モジュール１０１が備える高周波回路の残部と、制御回路とが配置されている。具体的には、基板６１の下面には、ＡＳＩＣ９ａ、ＭＣＵ１０ａ、チップ部品２５ａが配置されている。図７では、複数からなるチップ部品２５ａの組として、チップ部品群２５０ｄ，２５０ｅ，２５０ｆを図示している。高周波モジュール１０１の下面に配置されている構成要素と、高周波モジュール１０１の上面に配置されている構成要素とは、スルーホール２９を介して接続されている。
【００４６】
高周波モジュール１０１の高周波回路、制御回路等の主要部品は、独立したパッケージで構成されており、各パッケージの組み合わせで高周波モジュール１０１を実現している。高周波モジュール１０１では、ＭＭＩＣ２４ｃ〜２４ｅが、基板６１上でアンテナ３０の配置されている面と同じ面に配置されている。なお、ＭＭＩＣ２４ｃ〜２４ｅをアンテナ３０と同じ面に配置する場合、ＭＭＩＣ２４ｃ〜２４ｅを集積化する必要がある。このため、高周波モジュール１０１では、基板６１の上面の面積が大きくなるほど、ＭＭＩＣ２４ｃ〜２４ｅとアンテナ３０との間の信号配線が長くなり、信号配線に起因する電力の損失が大きくなる。この結果、高周波モジュール１０１では、レーダ性能が劣化する恐れがある。
【００４７】
一方、本実施の形態の高周波モジュール１００Ｘは、ＭＭＩＣ２４が、高周波回路基板２０上で、アンテナ３０の配置されている面と反対側の面に配置されている。すなわち、ＭＭＩＣ２４は、アンテナ３０の下側となる位置に配置されている。このため、高周波モジュール１００Ｘでは、高周波回路基板２０の厚さ分の影響は受けるが、高周波回路基板２０の面積の影響は受けにくい。したがって、高周波モジュール１００Ｘでは、ＭＭＩＣ２４とアンテナ３０との間の信号配線を短くすることができるので、信号配線に起因する電力の損失を低く抑えることができる。すなわち、送信電力の損失を低減することによって送信電力の高効率化を図ることができ、受信電力の損失を低減することによってＮＦ（ノイズ  フィギュア：Noise  Figure）の性能を向上することができる。この結果、高周波モジュール１００Ｘでは、レーダ性能の高性能化を図ることができる。ＮＦは、入力のＳＮ比（入力の信号とノイズの比率）と、出力のＳＮ比（出力の信号とノイズの比率）の比率である。
【００４８】
また、高周波モジュール１０１では、高周波回路、制御回路、アンテナ３０が１つの基板に実装されているので、高周波モジュール１０１の表面積が大きくなり小型化が困難である。
【００４９】
一方、本実施の形態の高周波モジュール１００Ｘは、高周波回路３と制御回路４とが別々の基板に配置されて、２つの基板が積層されているので、基板への実装スペースを有効利用することが可能となる。これにより、高周波モジュール１００Ｘの表面積を小さく抑えることができ、高周波モジュール１００Ｘを小型化することができる。また、基板への実装スペースを有効利用することができるので、高周波モジュール１００Ｘを低コスト化することができる。
【００５０】
また、高周波モジュール１０１では、ＭＭＩＣ２４ｃ〜２４ｅからの不要な放射信号の漏洩と、ＭＭＩＣ２４ｃ〜２４ｅへの外乱信号の侵入を防ぐために、ＭＭＩＣ２４ｃ〜２４ｅを金属ケース２７で覆う必要がある。このため、高周波モジュール１０１のサイズが大きくなる。
【００５１】
一方、本実施の形態の高周波モジュール１００Ｘでは、ＢＧＡボール２３Ａが、ＭＭＩＣ２４を囲っているので、ＭＭＩＣ２４からの不要な放射信号の漏洩と、ＭＭＩＣ２４への外乱信号の侵入を防ぐことができる。すなわち、ＢＧＡボール２３Ａによって、ＥＭＣ耐性を向上することができる。これにより、ＥＭＣ対策用の金属ケースが不要となるので、高周波モジュール１００Ｘのサイズが大きくなることを抑制できる。
【００５２】
このように、実施の形態１では、アンテナ３０および高周波回路３が配置されている高周波回路基板２０と、制御回路４が配置されている制御基板２１とが積層されているので、高周波モジュール１００Ｘの表面積を小さく抑えることができ、高周波モジュール１００Ｘを小型化することができる。
【００５３】
実施の形態２．
つぎに、図９を用いてこの発明の実施の形態２について説明する。実施の形態２では、アンテナの形成された基板を高周波回路基板２０上に接合することによって高周波モジュールを構成する。
【００５４】
図９は、実施の形態２にかかる高周波モジュールの構成を示す断面図である。図９の各構成要素のうち図２に示す実施の形態１の高周波モジュール１００Ｘと同一機能を達成する構成要素については同一符号を付しており、重複する説明は省略する。
【００５５】
実施の形態２の高周波モジュール１００Ｙと、実施の形態１の高周波モジュール１００Ｘとの差異は、アンテナである。高周波モジュール１００Ｘでは、マイクロストリップアンテナ３１が高周波回路基板２０上にパターン形成されていたのに対し、高周波モジュール１００Ｙでは、高周波回路基板２０上にアンテナ基板２８が配置されている。
【００５６】
アンテナ基板２８は、マイクロストリップアンテナ３１が形成された基板である。高周波モジュール１００Ｙでは、アンテナ基板２８が、熱硬化性エポキシ樹脂からなる接着剤、または両面テープによって、高周波回路基板２０の上面に接着されている。これにより、アンテナ基板２８と高周波回路基板２０とが一体化されて、高周波回路デバイス４０となっている。アンテナ基板２８と、高周波回路基板２０の下面に配置された構成要素との間は、複数のスルーホール２６によって高周波信号が伝送される。
【００５７】
実施の形態２では、アンテナ以外の構成が高周波モジュール１００Ｘと同じであるので、実施の形態１と同様の効果を有する。
【００５８】
以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
【符号の説明】
【００５９】
１  送信アンテナ、２  受信アンテナ、３  高周波回路、４  制御回路、５  ＶＣＯ、６  ミキサ、７  方向性結合器、８  ＰＡ、９，９ａ  ＡＳＩＣ、１０，１０ａ  ＭＣＵ、１１  電源、１２  ベースバンドアンプ、１３  ＡＤＣ、１４  ＤＡＣ、２０  高周波回路基板、２１  制御基板、２３Ａ，２３Ｂ  ＢＧＡボール、２４，２４Ａ〜２４Ｄ，２４ａ１，２４ａ２，２４ｂ１，２４ｂ２，２４ｃ〜２４ｅ  ＭＭＩＣ、２５，２５ａ  チップ部品、２６，２９  スルーホール、２７  金属ケース、２８  アンテナ基板、３０  アンテナ、３１  マイクロストリップアンテナ、３５  アンテナ配線、４０，４０Ｘ  高周波回路デバイス、５０  制御回路デバイス、６１  基板、１００Ｘ，１００Ｙ，１０１  高周波モジュール、２５０ａ〜２５０ｆ  チップ部品群。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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