(57)【要約】      （修正有）【課題】ポリマーの堆積を低減する基板支持アセンブリを提供する。【解決手段】基板支持アセンブリ１１１は、その上部に第１凹部を形成して有する静電チャック２２９を備える。プロセスキット２０３が静電チャック２２９を囲む。プロセスキット２０３は、内側リング２４２と、内側リング２４２の半径方向外側に配置された外側リング２４４とを備える。外側リング２４４は、外側リング２４４の上部に形成された第２凹部を備える。内側リング２４２は、第１凹部及び第２凹部の中に配置されて、それらによって支持される。内側リング２４２の上面と外側リング２４４の上面は同一平面上にある。【選択図】図２
2020092260.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その上部に第１凹部を形成して備える静電チャックと、
静電チャックを囲むプロセスキットであって、プロセスキットは、
内側リングと、
内側リングの半径方向外側に配置された外側リングとを備え、
外側リングは、外側リングの上部に形成された第２凹部を備え、
内側リングは、第１凹部及び第２凹部の中に配置されて、それらによって支持されることで、内側リングの上面と外側リングの上面は同一平面上にあるようになるプロセスキットとを備える基板支持アセンブリ。
【請求項２】
外側リングの上に配置された排出リングをさらに備える、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項３】
排出リングは、排出リングの底面に配置された複数の突起を有している、請求項２に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項４】
第１凹部の上面と第２凹部の上面とが同じ高さにある、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項５】
基板を処理するための基板支持アセンブリであって、
基板支持体と、
基板支持体上に配置された静電チャックであって、静電チャックの上部に形成された第１凹部を備える静電チャックと、
静電チャックを囲むプロセスキットであって、
内側リングと、
内側リングの半径方向外側に配置された外側リングであって、
外側リングは、外側リングの上部に形成された第２凹部を備え、
内側リングは、第１凹部及び第２凹部の中に配置されて、それらによって支持され      、
外側リングの上面は、内側リングの上面よりも高くなっている外側リングと、
外側リングを貫通して形成された複数の排出流路であって、内側リングから離れる方向に向かって下向きに角度が付いている排出流路とを備えるプロセスキットとを備える基板支持アセンブリ。
【請求項６】
排出流路の長手方向は、外側リングの外周面に沿って延びる方向に対して角度をなしている、請求項５に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項７】
前記角度が約３０度から約８８度の範囲内にある、請求項６に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項８】
外側リングの上に配置されたカバーリングをさらに備える、請求項５に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項９】
カバーリングは、石英又はシリコンから製造されている、請求項８に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１０】
その上部に第１凹部を形成して備える静電チャックと、
静電チャックを囲むプロセスキットであって、プロセスキットは、
上面を備える内側リングと、
内側リングの半径方向外側に配置された外側リングとを備え、
外側リングは第１上面と第２上面を備え、
第１上面は内側リングの上面と同一平面上にあり、
第２上面は、内側リングから離れる方向に角度を付けて傾斜しているプロセスキットとを備える基板支持アセンブリ。
【請求項１１】
内側リングはシリコンから製造されている、請求項１、５又は１０に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１２】
外側リングは石英から製造されている、請求項１、５、又は１０に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１３】
前記角度が約３５度から約８５度である、請求項１０に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１４】
内側リングの上面は、内側リングの周囲に対称的に配置された複数の突起を有している、請求項１、５又は１０に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１５】
基板支持体表面から粒子を除去する方法であって、
外側リングの上面を内側リングの上面と同一平面上に配置する工程であって、
外側リングは内側リングの半径方向外側に配置され、
外側リングは第１上面と第２上面を備え、
第１上面は、内側リングの上面と同一平面上にある工程と、
基板支持体表面に基板を位置決めするために、内側リングに複数の突起を対称的に配置する工程と、
外側リングに排出流路を設ける工程であって、排出流路は、望ましくない材料を基板支持体から排出するように構成されている工程とを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【分野】
【０００１】
本開示の実施例は、概して、半導体基板などの基板を処理するための装置に関する。より詳細には、静電チャック用のプロセスキットが開示される。
【背景】
【０００２】
半導体基板やディスプレイパネルなどの基板の処理では、基板は処理チャンバ内の基板支持体上に配置されて、それと共に、適切な処理条件が処理チャンバ内に維持され、基板の表面への堆積、エッチング、層の形成、又はその他の処理が行われる。エッチング処理の間、エッチング処理を駆動するプラズマが、基板表面全体に均一に分布しない場合がある。この不均一は、基板表面の縁部で特に顕著である。この不均一により、処理の結果は劣ることになる。こうして、一部の処理チャンバでは、プロセスキットリングとも呼ばれるエッジリングを使用している。その目的は、プラズマの均一性を高め、処理の歩留まりを向上させることである。
【０００３】
しかしながら、エッチング処理により、基板表面の縁部にポリマー材料が蓄積し得ることが観察されてきた。ポリマー材料が基板の縁部とプロセスキットリングの間の隙間に詰まって、基板支持体の静電チャック内に拡散することがある。基板を持ち上げる、及び／又はプラズマを停止させると、ポリマー材料が基板表面に戻って堆積し、それにより基板処理が悪影響を受ける場合がある。
【０００４】
したがって、上記の問題に対処できる装置が、当技術分野で必要とされている。
【概要】
【０００５】
一実施態様では、基板支持アセンブリが提供される。基板支持アセンブリは、その上部に第１凹部を形成して有する静電チャックを備える。プロセスキットが静電チャックを囲む。プロセスキットは、内側リングと、内側リングの半径方向外側に配置された外側リングとを備える。外側リングは、外側リングの上部に形成された第２凹部を備える。内側リングは、第１凹部及び第２凹部の中に配置されて、それらによって支持される。内側リングの上面と外側リングの上面は同一平面上にある。
【０００６】
別の一実施態様では、基板を処理するための基板支持アセンブリが提供される。基板支持アセンブリは、基板支持体と、基板支持体上に配置された静電チャックとを備える。静電チャックは、静電チャックの上部に形成された第１凹部を備える。プロセスキットが静電チャックを囲む。プロセスキットは、内側リングと、内側リングの半径方向外側に配置された外側リングとを備える。外側リングは、外側リングの上部に形成された第２凹部を備える。内側リングは、第１凹部及び第２凹部の中に配置されて、それらによって支持される。外側リングの上面は、内側リングの上面よりも高くなっている。複数の排出流路が外側リングを貫通して形成されている。排出流路には、内側リングから離れる方向に向かって下向きに角度が付いている。
【０００７】
別の一実施例では、基板支持アセンブリは、その上部に第１凹部を形成して備える静電チャックを備える。プロセスキットが静電チャックを囲む。プロセスキットは、上面を備える内側リングを備える。外側リングは内側リングの半径方向外側に配置されている。外側リングは第１上面と第２上面を備える。第１上面は、内側リングの上面と同一平面上にある。第２上面は、内側リングから離れる方向に角度を付けて傾斜している。
【０００８】
さらに別の一実施態様では、基板支持面から粒子を除去する方法は、外側リングの上面を内側リングの上面と同一平面上に配置する工程を含む。外側リングは内側リングの半径方向外側に配置される。外側リングは第１上面と第２上面を備える。第１上面は、内側リングの上面と同一平面上にある。複数の突起が内側リングに対称的に配置される。基板支持体表面に基板を位置決めするために、複数の突起を利用する。排出流路が外側リングに配置される。排出流路は、望ましくない材料を基板支持体から排出するように構成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本開示の上記の構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、その開示の態様を参照して行う。そして、この開示の態様のいくつかは添付の図面に示されている。しかしながら、本開示は他の同様に有効な態様を含み得るので、添付図面は本開示の典型的な態様を示しているに過ぎず、従ってこの範囲を制限していると解釈するべきではないことに留意すべきである。
【図１】本開示の一実施例による処理チャンバの概略断面図である。
【図２】本明細書に記載の一実施例による処理チャンバの基板支持アセンブリの拡大概略図である。
【図３】内側リングの簡略斜視図であり、突起が示されている。
【図４Ａ】一実施態様によるプロセスキットの断面図を示している。
【図４Ｂ】排出リングの斜視図であり、突起が示されている。
【図５】一実施態様によるプロセスキットの断面図を示している。
【図６Ａ】一実施態様によるプロセスキットの断面図を示している。
【図６Ｂ】プロセスキットの一部の斜視図であり、排出流路が示されている。
【図７】基板支持体の表面から汚染物質を除去する例示的な方法のフローチャートである。
【００１０】
理解を容易にするため、可能な限り、同一の符号を使用して、これらの図面に共通の同一の要素を示す。さらに、一実施例の要素を、本明細書に記載の他の諸実施例で利用するために、有益に適合させてもよい。
【詳細な説明】
【００１１】
本開示の諸実施態様は、静電チャックを基板支持体の上面に配置して備える基板支持アセンブリのためのプロセスキットを提供する。プロセスキットは静電チャックを囲み、基板支持体に対して同心円状に配置された内側リングと外側リングを備える。内側リングと外側リングの上面が、同一平面上に、又は異なる高さになるようにし得る。外側リングは、望ましくないポリマー材料をプロセスキットと静電チャックの縁部から排出することを支援する排出流路を備えてもよく、これにより、基板の品質と処理の歩留まりが向上する。
【００１２】
図１は、本開示の一実施例による処理チャンバ１００の概略断面図である。図示された処理チャンバ１００は、エッチング、化学気相堆積（ＣＶＤ）、又は他のプラズマベースの処理に適している。処理チャンバ１００は、チャンバ本体１０１と、その上に配置された蓋１０３とを備える。チャンバ本体１０１と蓋１０３は、共に内部容積を画定する。チャンバ本体１０１は、通常、電気的な接地１０７に接続されている。基板支持アセンブリ１１１は、内部容積内に配置されて、処理の間には、その上に基板１０９を支持する。処理チャンバ１００はまた、処理チャンバ１００内でプラズマを生成するための誘導結合プラズマ装置１０２と、処理チャンバ１００の動作を制御するように適合されたコントローラ１５５とを備える。
【００１３】
基板支持アセンブリ１１１は、整合ネットワーク１２０を通ってバイアス源１１９に接続された１つ以上の電極１５３を備えて、処理の間に基板１０９へのバイアスを容易にする。バイアス源１１９は、例えば、約１３．５６ＭＨｚの周波数で、最大約１０００Ｗ（ただし、約１０００Ｗに限定されない）の高周波エネルギー源であってもよい。ただし、特定の用途での要求に応じて他の周波数及び電力を供給してもよい。バイアス源１１９は、連続電力又はパルス電力の一方又は両方を生成し得る。いくつかの実施例では、バイアス源１１９は、ＤＣ源又はパルスＤＣ源であってもよい。いくつかの実施例では、バイアス源１１９は、複数の周波数を供給できてもよい。１つ以上の電極１５３を、チャック電源１６０に接続して、処理の間に基板１０９のチャックを容易にしてもよい。基板支持アセンブリ１１１は、基板１０９を囲むプロセスキット（図示せず）を備える。プロセスキットのさまざまな実施態様については、以下で詳しく説明する。
【００１４】
誘導結合プラズマ装置１０２は、蓋１０３の上に配置され、高周波電力を処理チャンバ１００内に誘導結合するように構成されて、処理チャンバ１００内にプラズマを生成させる。誘導結合プラズマ装置１０２は、蓋１０３の上に配置された第１及び第２のコイル１１０、１１２を備える。各コイル１１０、１１２の相対位置、直径の比、及び／又は各コイル１１０、１１２の巻き数を、それぞれ必要に応じて選択して、形成されるプラズマの分布又は密度を制御し得る。第１及び第２のコイル１１０、１１２のそれぞれは、高周波給電構造１０６を経て整合ネットワーク１１４を通って高周波電源１０８に接続される。高周波電源１０８は、５０ｋＨｚから１３．５６ＭＨｚの範囲内の調整可能な周波数で最大約４０００Ｗ（ただし、約４０００Ｗに限定されない）を生成し得るが、特定の用途での要求に応じて、他の周波数と電力を利用してもよい。
【００１５】
いくつかの実施例では、分割コンデンサなどの電力分配器１０５を、高周波給電構造１０６と高周波電源１０８との間に設けて、第１及び第２コイルにそれぞれ供給される高周波電力の相対量を制御してもよい。いくつかの実施例では、電力分配器１０５を、整合ネットワーク１１４に組み込んでもよい。
【００１６】
蓋１０３の上に加熱素子１１３を配置して、処理チャンバ１００の内部の加熱を容易にしてもよい。加熱素子１１３を、蓋１０３と第１及び第２のコイル１１０、１１２との間に配置してもよい。いくつかの実施例では、加熱素子１１３は、抵抗発熱体を備えてもよく、ＡＣ電源などの電源１１５に接続されて、十分なエネルギーを供給するように構成され、加熱素子１１３の温度を所望の範囲内に制御してもよい。
【００１７】
動作中は、半導体ウェハ又はプラズマ処理に適した他の基板などの基板１０９が基板支持アセンブリ１１１上に配置されて、処理ガスがガスパネル１１６から入口ポート１１７を通ってチャンバ本体１０１の内部容積内へ供給される。追加的に又は代替的に、処理ガスを、蓋１０３に配置された入口ポート（図示せず）を通してチャンバ本体１０１の内部容積内へ供給してもよい。どちらの場合にも、高周波電源１０８から第１及び第２のコイル１１０、１１２に電力を印加することにより、処理チャンバ１００内で処理ガスが点火されてプラズマ１１８になる。いくつかの実施例では、高周波源又はＤＣ源などのバイアス源１１９からの電力をさらに、整合ネットワーク１２０を通して基板支持アセンブリ１１１内の電極１５３に供給してもよい。処理チャンバ１００の内部の圧力を、バルブ１２１及び真空ポンプ１２２を使用して制御してもよい。チャンバ本体１０１の温度を、チャンバ本体１０１を通る液体含有導管（図示せず）を使用して制御してもよい。
【００１８】
コントローラ１５５を構成して、処理の間に処理チャンバ１００の動作を制御する。コントローラ１５５は、中央処理装置（ＣＰＵ）１２３、メモリ１２４、ＣＰＵ１２３用のサポート回路１２５を備えて、処理チャンバ１００の構成要素の制御を容易にする。コントローラ１５５は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するために産業環境で使用することができる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサのうちの１つであってもよい。メモリ１２４には、ソフトウェア（ソースコード又はオブジェクトコード）が格納されており、このソフトウェアを実行又は呼び出して、本明細書に記載された方法で処理チャンバ１００の動作を制御してもよい。
【００１９】
図２は、本明細書で説明する一実施例による処理チャンバ１００の基板支持アセンブリ１１１の拡大概略図である。基板支持アセンブリ１１１は、プロセスキット２０３、基板支持体２０５、及び静電チャック２２９を備える。静電チャック２２９は、基板支持体２０５の上面に配置され、プロセスキット２０３に囲まれている。基板支持体２０５は、絶縁プレート２２７を取り囲む接地プレート２２６と、垂直に積み重ねて組み立てられた設備プレート２２８とを備える。基板支持体２０５は、設備プレート２２８及び静電チャック２２９を取り囲むスリーブ２３０をさらに備えて、高周波高温になった静電チャック２２９を接地プレート２２６から絶縁する。スリーブ２３０を、石英から製造してもよい。
【００２０】
設備プレート２２８を、接地プレート２２６の下部の上方で、かつ、絶縁プレート２２７と静電チャック２２９との間に配置する。静電チャック２２９は、絶縁材料２３６に埋め込まれた複数の電極１５３（４つが示されている）を備えてもよい。電極１５３は、チャック電源１６０（図１に示す）に接続されて、静電チャック２２９の上面２３３への基板１０９のチャックを容易にする。１つ以上の加熱又は冷却流路を、絶縁材料２３６内に任意選択で形成して、処理の間の基板１０９の温度制御を容易にしてもよい。いくつかの態様では、電極１５３は、整合ネットワーク１２０を通ってバイアス源１１９（図１に示す）に接続されたカソードである。
【００２１】
プロセスキット２０３は、カバーリング２４６、内側リング２４２、及び外側リング２４４を備える。これらのリングは、基板支持アセンブリ１１１の中心を通る軸に対して同心円状に配置されている。いくつかの実施例では、カバーリング２４６は任意選択であり、必須でなくてもよい。カバーリング２４６を使用する場合、カバーリング２４６は、外側リング２４４の上面２４１に配置され得る。カバーリング２４６は、基板１０９の半径方向外側の縁部を取り囲む。いくつかの実施例では、カバーリング２４６は、基板１０９の縁部に当接する大きさである。カバーリング２４６は、処理の間に基板１０９の縁部の保護を容易にし、さらに、処理の間に基板１０９に横方向の支持を提供する。カバーリング２４６を、石英、シリコン、又は他の耐プラズマ性材料から製造してもよい。内側リング２４２を、シリコン又は他の耐プラズマ性材料から製造してもよい。特定の一実施例では、内側リング２４２は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）から製造されている。外側リング２４４を、石英、シリコン、又は他の耐プラズマ性材料から製造してもよい。一実施例では、内側リング２４２はシリコンから製造され、外側リング２４４は石英から製造される。
【００２２】
外側リング２４４は、内側リング２４２の半径方向外側に配置されている。外側リング２４４は、接地プレート２２６の垂直縁部の上面に配置されている。外側リング２４４は、スリーブ２３０と係合するために、外側リング２４４の底面に形成された底部凹部２３１を備える。外側リング２４４はまた、外側リング２４４の上面２４１に形成された上部凹部２４９を備えて、カバーリング２４６の位置決めを容易にしてもよい。基板１０９の半径方向外側の縁部は、内側リング２４２の上面２４５の上にまで延びているように示されているが、基板１０９の半径方向外側の縁部と上面２４５とが重ならないことも意図される。つまり、基板１０９の半径方向外側の縁部が、静電チャック２２９の上部の縁部までで終わっていてもよい。
【００２３】
内側リング２４２は、静電チャック２２９及び外側リング２４４によって共に支持されている。内側リング２４２は、内側リング２４２の上面２４５と外側リング２４４の上面２４１が同一平面上になるように配置される。例えば、内側リング２４２の一部は、静電チャック２２９の凹部２３５内に配置され、これにより支持される。凹部２３５を、静電チャック２２９の上部の外周に形成してもよい。内側リング２４２の残りの部分は、外側リング２４４の凹部２３７内に配置され、これにより支持される。凹部２３７を、外側リング２４４の上部の内周に形成してもよい。凹部２３５の上面と凹部２３７の上面は同じ高さにある。
【００２４】
内側リング２４２の上面２４５と外側リング２４４の上面２４１は同一平面上にあり、すなわち同じ高さであり、（プロセスキット２０３と静電チャック２２９の縁部の間に蓄積された）望ましくないポリマー材料の真空ポンプ１２２への排出（図１を参照）を容易にする。処理の間、内側リング２４２は基板１０９に対して静止していてもよい。
【００２５】
内側リング２４２の半径方向外側の縁部を、凹部２３７の垂直壁から隙間「Ｄ１」だけ引き離して、内側リング２４２及び／又は外側リング２４４の熱膨張を許容してもよい。隙間「Ｄ１」は、約０．００２インチから約０．０３０インチの範囲内、例えば約０．０１０インチから約０．０２０インチであってもよいが、内側及び外側リング２４２、２４４に使用される材料によって異なる。隙間「Ｄ１」のサイズを選択して、内側リング２４２の半径方向外側の縁部へのポリマー材料の堆積を防ぎ得る。いくつかの実施例では、内側リング２４２の半径方向外側の縁部は、凹部２３７の垂直壁と接触している。
【００２６】
外側リング２４４は、内側リング２４２及び基板１０９に対して同心円状に配置される。外側リング２４４は、内側リング２４２が基板１０９に横方向の支持を提供することと、望ましくない内側リング２４２のエッチングを低減することを促進する。いくつかの実施例では、内側リング２４２の上面２４５に、複数の突起２４３（１つのみが示されている）を設けて、処理の間に基板１０９が滑らないようにしてもよい。図３は、内側リング２４２及び外側リング２４４の簡略斜視図であり、３つの突起２４３が内側リング２４２の周囲に対称的に配置されて、基板１０９の動きを制限することを示している。任意の数の突起２４３を使用できると考えられる。突起２４３は、球形のキャップ、円柱、隆起した点であってもよく、又は他の適切な形状を有してもよい。突起２４３を、内側リング２４２と同じ又は異なる材料から製造してもよい。一実施例では、突起２４３は炭化ケイ素から製造される。
【００２７】
基板支持アセンブリ１１１は、任意選択として、特にステッピングモータ又はリニアアクチュエータなどの１つ以上のアクチュエータ２４７を備えてもよい。例えば、１つ以上のアクチュエータ２４７は、接地プレート２２６に配置されている。しかしながら、アクチュエータ２４７を、基板支持アセンブリ１１１の外部に配置してもよいと考えられる。各アクチュエータ２４７を適合させて、１つ以上のプッシュピン２４８と係合又は連結させる。１つ以上のプッシュピン２４８は、接地プレート２２６から絶縁プレート２２７及びスリーブ２３０を通って外側リング２４４と接触するように延びている。１つ以上のプッシュピン２４８を駆動させることで、外側リング２４４、内側リング２４２、及びカバーリング２４６（使用される場合）が基板１０９の上面に対して垂直に駆動又は移動することになる。外側リング２４４の位置を、外側リング２４４の浸食に適応する高さに調整してもよい。その目的は、処理の間に基板表面全体のプラズマ均一性を高めることである。
【００２８】
基板支持アセンブリ１１１はまた、静電チャック２２９の表面から基板１０９を持ち上げるための３つ以上のリフトピン２８８を備える。リフトピン２８８は、接地プレート２２６、絶縁プレート２２７、設備プレート２２８から、静電チャック２２９を貫通してそれぞれのリフトピン穴２８６まで延びている（図３）。リフトピン２８８は、アクチュエータ２８４によって制御される。各アクチュエータ２８４を適合させて、リフトピン２８８を係合又は連結させ、上及び／又は下に移動させる。
【００２９】
１つ以上のベローズを、１つ以上のプッシュピン２４８のそれぞれの周りに配置して、処理チャンバ１００（図１に示す）内の粒子汚染を低減してもよい。さらに、ガイドスリーブ又はベアリングなどの１つ以上のプッシュピンガイド２３９を、各プッシュピン２４８の周りに配置されたスリーブ２３０内に配置して、各プッシュピン２４８の駆動を容易にしてもよい。プッシュピンガイド２３９は、プッシュピン２４８に軸受面を提供する。プッシュピン２４８の駆動は、コントローラ１５５（図１に示す）によって動作可能に制御され得る。
【００３０】
一実施例では、１つ以上のアクチュエータ２４７は、マイクロステッピングモーターである。別の一実施例では、１つ以上のアクチュエータ２４７は、圧電モーターである。一実施例では、１つ以上のプッシュピン２４８は、石英又はサファイアから製造されている。
【００３１】
一実施例では、コントローラは、ソフトウェアを保存するためのメモリを備える汎用コンピュータであってもよい。ソフトウェアは、内側リング２４２及び外側リング２４４の浸食を検出し、次いで、１つ以上のアクチュエータ２４７に１つ以上のプッシュピン２４８を上昇させて、内側リング２４２及び外側リング２４４が所望の高さまで上昇するように指示するための命令を含んでもよい。
【００３２】
図４Ａは、一実施態様によるプロセスキット４００の断面図を示している。プロセスキット４００は、図２のプロセスキット２０３の代わりに使用することができる。プロセスキット４００は、内側リング４４２、外側リング４４４、及び排出リング４４６を備える。外側リング４４４は、内側リング４４２の半径方向外側に配置されている。内側リング４４２及び外側リング４４４は、内側リング２４２及び外側リング２４４と設計が類似している。ただし、外側リング４４４の上面４４１全体と内側リング４４２の上面４４５全体が同一平面上にある、すなわち同じ高さにある点が異なっている。
【００３３】
排出リング４４６は、外側リング４４４の上に配置される。排出リング４４６は、排出リング４４６の底面に配置された３つ以上の突起４４８を有してもよい。突起４４８は、外側リング４４４と排出リング４４６との間に隙間「Ｄ２」を生じさせて、（プロセスキット４００と静電チャック２２９の縁部の間に蓄積された）望ましくないポリマー材料が通過することを可能にする。このポリマー材料は、その後、真空ポンプ１２２（図１）を通って処理チャンバから排出される。突起４４８を、排出リング４４６の周囲に対称的に配置してもよい。図４Ｂは、排出リング４４６の斜視図であり、６つの突起４４８が、排出リング４４６の底面４５０に配置されていることを示している。任意の数の突起を使用して、所望の及び／又は最大の排出面積を達成してもよい。
【００３４】
隙間「Ｄ２」は、約０．００２インチから約０．１インチの範囲内、例えば約０．０１０インチから約０．０５０インチなどであってもよい。別の諸実施態様では、突起４４８を、外側リング４４４の上面４４１に設けて、同じ目的のために隙間「Ｄ２」を生じさせ得る。どちらの場合にも、隙間「Ｄ２」のサイズを選択して、排出効率を変更できる。排出リング４４６を、石英、シリコン、又は他の耐プラズマ性材料から製造してもよい。内側リング４４２及び外側リング４４４を、上述の内側リング２４２及び外側リング２４４と同じ材料から製造してもよい。
【００３５】
図５は、一実施態様によるプロセスキット５００の断面図を示している。プロセスキット５００は、内側リング５４２と、内側リング５４２の半径方向外側に配置された外側リング５４４とを備える。この実施態様では、内側リング５４２及び外側リング５４４は、内側リング２４２及び外側リング２４４と設計が類似している。ただし、外側リング５４４は、第１上面５４１及び第２上面５４３を有する点が異なっている。第１上面５４１は、内側リング５４２の上面５４５と同一平面上にある。第２上面５４３は、内側リング５４２から離れる方向に向かって傾斜している。いくつかの実施例では、外側リング５４４の上面全体が斜面であってもよい。第２上面５４３の長手方向軸は、外側リング５４４の外周面５４７に沿って延びる方向に対して角度「α」になり得る。一実施態様では、角度「α」は、約３５度から約８５度の範囲内、例えば約４５度から約７５度などであり、例えば約６０度である。上面全体が平面になっている外側リング（たとえば、プロセスキット４００）と比較して、第２上面５４３の傾斜により、（プロセスキット５００と静電チャック２２９の縁部との間に蓄積される）望ましくないポリマー材料をより効率的に真空ポンプ１２２へ排出し得る。
【００３６】
図６Ａは、一実施態様によるプロセスキット６００の断面図を示している。プロセスキット６００は、内側リング６４２と、内側リング６４２の半径方向外側に配置された外側リング６４４とを備える。複数の突起６４３が、内側リング６４２の上面６４５に配置されている。突起２４３と同様に、突起６４３は、処理の間に基板（図示せず）の位置決めを促進し得る。プロセスキット６００は、任意選択で、外側リング６４４の上面６４１に配置されたカバーリング６４６を備え得る。内側リング６４２、外側リング６４４、及びカバーリング６４６（使用される場合）は、内側リング２４２、外側リング２４４、及びカバーリング２４６と設計が類似している。ただし、外側リング６４４の上面６４１が、内側リング６４２の上面６４５よりも距離「Ｄ３」だけ高くなっている点が異なっている。一実施態様では、距離「Ｄ３」は、約０．０１インチから約５インチの範囲内、例えば約０．１インチから約２インチなど、例えば約１インチであってもよい。
【００３７】
本開示で説明した他の諸実施態様に含まれ得る又は組み合わされ得る一実施態様では、外側リング６４４は、外側リング６４４を貫通して形成された複数の排出流路６４７をさらに備える。排出流路６４７は、外側リング６４４の上部の内周に形成された凹部６３７の垂直壁６３９から、外側リング６４４の外周面６５３まで延び得る。排出流路６４７に、内側リング６４２から離れる方向に向かって下向きに角度を付けてもよい。例えば、排出流路６４７の長手方向は、外周面６５３に沿って延びる方向に対して角度「β」になり得る。一実施態様では、角度「β」は、約３０度から約８８度の範囲内、例えば約４０度から約６５度などであり、例えば約５０度である。プロセスキット６００と静電チャック２２９の縁部との間に蓄積された望ましくないポリマー材料又は粒子は、排出流路６４７を通って真空ポンプ１２２（図１）に排出され得る。
【００３８】
図６Ｂは、プロセスキット６００の一部の斜視図であり、排出流路６４７が、外側リング６４４の上部に位置する垂直壁６３９に形成されていることを示している。排出流路６４７を、外側リング６４４の周囲に対称的に配置してもよい。排出流路６４７は、円形、正方形、三角形などの任意の適切な形状を有してもよい。排出流路６４７の直径を、約０．１インチから約１インチの範囲内としてもよい。
【００３９】
本開示の諸実施態様により、処理チャンバで処理される基板の品質が改善される。それは、プロセスキットと静電チャックの縁部に蓄積する望ましくないポリマー材料を、プロセスキットの外側リングに形成された排出流路を通してより効率的に排出し得るからである。基板の品質が向上すると、処理の歩留まりも向上する。さらに、本開示を利用する処理チャンバでは、プロセスキットの耐用期間を延ばすことにより、予防保守のための休止時間が短くなる。
【００４０】
図７は、基板支持体（すなわち静電チャック２２９）の表面から汚染物質を除去する例示的な方法７００のフローチャートである。
【００４１】
ブロック７０４で、複数の突起２４３は、内側リング２４２の上面２４５に対称的に配置されている。図２及び３に示すように、突起２４３は、内側リング２４２の周囲に対称的に配置されて、基板１０９の動きを制限する。ブロック７０８で、外側リング２４４の上面２４１は、内側リング２４２の上面２４５と同一平面上に配置される。前述のように、内側リング２４２の上面２４５を外側リング２４４の上面２４１と同一平面上に配置することにより、望ましくないポリマー材料の排出を容易にする。経路７０１に沿って示されている１つの構成では、図４に示すように、隙間Ｄ２（つまり流路）を水平方向に向けて、望ましくない材料の排出を容易にし得る。ブロック７１２では、流路６４７は、外側リング６４４を貫通して設けられる。経路７０３に沿って示すように、流路６４７は、望ましくない材料を基板支持体（例えば、静電チャック２２９）から排出するように構成される。上述したように、流路６４７はさらに、望ましくない材料をプロセスキット２０３から排出するように構成される。図６Ａ〜６Ｂに示す実施例では、流路６４７は円形又は卵形の断面を有している。別の一実施例では、流路は正方形又は長方形の断面（図示せず）を有する。ブロック７１６で、流路６４７は、内側リング６４２から離れて、鋭角「β」で配置される。流路６４７の一部を、基板１０９の下方に配置してもよい。基板１０９は、静電チャック２２９の上面２３３上に配置される。上面２３３は、内側リング２４２の上面２４５と実質的に同一平面上にある。上記のように、角度「β」は、外周面６５３に沿って延びる方向に対する角度である。経路７０５は、ブロック７２０を含む別の一実施例を示している。ブロック７２０で、図５に示すように、傾斜面５４３は、外側リング５４４の第１上面５４１より下方に、鋭角「α」で外側リング２４４に設けられる。ブロック７２４で、カバーリング２４６は、外側リング２４４の上方に配置される。ブロック７２８で、隙間Ｄ２は、外側リング２４４の上面２４１と排出リング４４６の底面との間に形成される。上述したように、隙間Ｄ２（すなわち流路）によって、望ましくないポリマー材料が基板支持体及びプロセスキット４００から抜け出ていくことが可能になる。図４に示すように、少なくとも一実施例では、突起４４８は、排出リング４４６（例えば、外側リング２４４）の周囲に対称的に配置されて、隙間Ｄ２を生じさせ得る。
【００４２】
上記は本開示の諸実施態様を対象としているが、本開示の他のさらなる実施態様は、その基本的な範囲から逸脱することなく創出され得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【外国語明細書】
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