(57)【要約】【課題】異物の除去処理を効果的に行うために有利な技術を提供する。【解決手段】基板を処理する処理装置内の異物の除去処理に用いられるプレートを格納する容器は、格納された前記プレートを帯電させる帯電部を含み、前記帯電部は、前記プレートに接触する接触子を有し、前記接触子を介して前記プレートに電荷を供給した後に前記接触子を前記プレートから分離させることにより前記プレートを帯電させる。【選択図】図３
2020092123.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理装置内の異物の除去処理に用いられるプレートを格納する容器であって、
格納された前記プレートを帯電させる帯電部を含み、
前記帯電部は、前記プレートに接触する接触子を有し、前記接触子を介して前記プレートに電荷を供給した後に前記接触子を前記プレートから分離させることにより前記プレートを帯電させる、ことを特徴とする容器。
【請求項２】
前記帯電部は、前記プレートに接触させた前記接触子に電圧を印加し、前記接触子に電圧を印加している状態で前記接触子を前記プレートから分離させることにより前記プレートを帯電させる、ことを特徴とする請求項１に記載の容器。
【請求項３】
前記帯電部は、前記プレートを帯電させる極性を変更可能に構成されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の容器。
【請求項４】
前記帯電部は、前記接触子と前記プレートとの接触状態を検出する検出部を含む、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の容器。
【請求項５】
前記検出部は、前記プレートに接触する第２接触子を有し、前記プレートを介して前記接触子と前記第２接触子との間に流れる電流により前記接触状態を検出する、ことを特徴とする請求項４に記載の容器。
【請求項６】
前記プレートは、導電部材と、前記導電部材の一部が露出するように前記導電部材を覆う絶縁部材とを含み、
前記接触子は、前記プレートの前記導電部材の露出部分に接触するように構成されている、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の容器。
【請求項７】
基板を処理する処理装置であって、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の容器が設置される設置部と、
前記設置部に設置された前記容器内で帯電されたプレートを搬送する搬送部と、
を含むことを特徴とする処理装置。
【請求項８】
基板を処理する処理装置であって、
前記処理装置内の異物の除去処理に用いられるプレートを帯電させる帯電部と、
前記帯電部で帯電した前記プレートを前記処理装置内で搬送する搬送部と、
を含み、
前記帯電部は、前記プレートに接触する接触子を有し、前記接触子を介して前記プレートに電荷を与えた後に前記接触子を前記プレートから分離させることで前記プレートを帯電させる、ことを特徴とする処理装置。
【請求項９】
前記基板に前処理を行う前処理部を更に含み、
前記帯電部は、前記除去処理において、前記基板の代わりに前記前処理部に配置された前記プレートを帯電させる、ことを特徴とする請求項８に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記基板の処理に用いられる原版を保管する保管部を更に含み、
前記帯電部は、前記除去処理において、前記原版の代わりに前記保管部に配置された前記プレートを帯電させる、ことを特徴とする請求項８又は９に記載の処理装置。
【請求項１１】
前記搬送部は、前記基板を搬送する基板搬送部を含み、
前記基板搬送部は、前記除去処理において、帯電した前記プレートを前記基板の代わりに搬送する、ことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項１２】
前記基板搬送部で搬送中の前記基板の除電を行う基板除電部を更に含み、
前記基板搬送部による前記プレートの搬送中では前記基板除電部を停止させる、ことを特徴とする請求項１１に記載の処理装置。
【請求項１３】
前記搬送部は、前記基板の処理に用いられる原版を搬送する原版搬送部を含み、
前記原版搬送部は、前記処理装置内の異物の除去処理において、帯電した前記プレートを前記原版の代わりに搬送する、ことを特徴とする請求項７乃至１２のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項１４】
前記原版搬送部で搬送中の前記原版の除電を行う原版除電部を更に含み、
前記原版搬送部による前記プレートの搬送中では前記原版除電部を停止させる、ことを特徴とする請求項１３に記載の処理装置。
【請求項１５】
前記除去処理は、前記帯電部で前記プレートを第１極性に帯電させて前記搬送部に前記プレートを搬送させる第１処理と、前記帯電部で前記プレートを前記第１極性とは反対の第２極性に帯電させて前記搬送部に前記プレートを搬送させる第２処理とを含む、ことを特徴とする請求項７乃至１４のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項１６】
基板を処理する処理装置内の異物除去方法であって、
プレートに接触子を接触させ、前記接触子を介して前記プレートに電荷を与えた後、前記接触子を前記プレートから分離させることで前記プレートを帯電させる帯電工程と、
前記帯電工程で帯電した前記プレートを前記処理装置内で搬送する搬送工程と、
を含むことを特徴とする異物除去方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の異物除去方法により処理装置内の異物の除去処理を行う工程と、
前記除去処理が行われた前記処理装置を用いて基板を処理する工程と、を含み、
前記処理された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異物の除去処理に用いられるプレートを格納する容器、処理装置、異物除去方法、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどを製造するために基板を処理する基板処理装置では、装置内に存在するパーティクル（異物）が基板等に付着すると、基板の処理を正確に行うことが困難になりうる。例えば、基板処理装置としては、基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置が挙げられる。中でも、インプリント装置では、型と基板上のインプリント材とを直接接触させるため、型と基板との間にパーティクルが介在していると、基板上に形成されるパターンが不良になったり、型の寿命が短くなったりしうる。したがって、基板処理装置では、装置内の異物の除去処理が行われうる。
【０００３】
特許文献１には、絶縁膜に覆われたダスト吸着用ウェハをコロナ放電方式によって帯電させ、帯電した当該ウェハを装置内に搬送することにより、装置内に浮遊するダストを除去することが提案されている。また、特許文献２には、絶縁性材料で構成されたクリーニング用ウェハをコロナ放電方式によって帯電させ、帯電した当該ウェハを装置内に搬送することにより、装置内の異物を吸着して捕集することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２６０６７１号公報
【特許文献２】特開２０１５−１２６０９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１、２では、コロナ放電方式を用いてウェハを帯電させる方法が用いられている。この方法では、一般に、電極針に数ｋＶの高電圧を印加して電極針の周囲に電界を生じさせ、この電極針から持続的に起こるコロナ放電現象を利用することにより、対象物（ウェハ）に正あるいは負の電荷を与えることができる。しかしながら、コロナ放電方式ではオゾンが発生するため、オゾンの酸化力により、基板等を酸化させたり、装置内の部品を劣化させたりしうる。また、放電により電極針自身が酸化・劣化して発塵することもある。
【０００６】
そこで、本発明は、異物の除去処理を効果的に行うために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての容器は、基板を処理する処理装置内の異物の除去処理に用いられるプレートを格納する容器であって、格納された前記プレートを帯電させる帯電部を含み、前記帯電部は、前記プレートに接触する接触子を有し、前記接触子を介して前記プレートに電荷を供給した後に前記接触子を前記プレートから分離させることにより前記プレートを帯電させる、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、異物の除去処理を効果的に行うために有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態のインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】プレートＰの構成例を示す図である。
【図３】プレートＰを格納する格納容器の構成を示す図である。
【図４】接触子の構成例を示す図である。
【図５】接触子の構成例を示す図である。
【図６】帯電したプレートＰを示す図である。
【図７】クリーニング処理のフローチャートを示す図である。
【図８】検出部を含む帯電部の構成を示す図である。
【図９】プレートＰ’の構成例を示す図である。
【図１０】プレートＰ’を格納する格納容器の構成を示す図である。
【図１１】帯電したプレートＰ’を示す図である。
【図１２】第４実施形態のインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図１３】装置内でプレートを帯電させている様子を示す概略図である。
【図１４】物品の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。本発明は、基板を処理する基板処理装置に適用される。基板処理装置としては、例えば、感光媒体を基板上に塗布する塗布装置、潜像パターンが形成された基板を現像する現像装置などが挙げられる。その他にも、基板処理装置として、基板上に膜を形成する成膜装置、平面形状を有するモールドを用いて基板上の組成物を平坦化する平坦化装置、および、基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置が挙げられる。リソグラフィ装置としては、例えば、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置、基板を露光してマスクのパターンを基板に転写する露光装置、荷電粒子線を用いて基板上にパターンを形成する描画装置などが挙げられる。以下の実施形態では、基板処理装置として、インプリント装置を例示して説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態について説明する。一般に、インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。本実施形態のインプリント装置は、半導体デバイスなどの製造に使用され、凹凸パターンが形成されたモールド（原版、型）を用いて、基板のショット領域上に供給されたインプリント材に当該パターンを転写するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置は、パターンが形成されたモールドを基板上のインプリント材に接触させた状態で当該インプリント材を硬化する。そして、インプリント装置は、モールドと基板との間隔を広げ、硬化したインプリント材からモールドを剥離（離型）することによって、基板上にインプリント材のパターンを形成することができる。
【００１３】
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
【００１４】
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合成化合物と光重合開始材とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合成化合物または溶剤を含有してもよい。非重合成化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマ成分などの群から選択される少なくとも一種である。
【００１５】
インプリント材は、スピンコータやスリットコータにより基板上に膜状に付与される。あるいは、液体噴射ヘッドにより、液滴状、あるいは複数の液滴が繋がってできた島状または膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００１６】
基板としては、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、石英ガラスなどである。また、インプリント材の付与前に、必要に応じて、インプリント材と基板との密着性を向上させるための密着層を設けてもよい。
【００１７】
モールドは、例えば矩形の外周形状を有し、通常、石英など光（例えば紫外線）を透過することが可能な材料で作製される。モールドの基板側の面（パターン面）には、デバイスパターン（回路パターン）として基板上のインプリント材に転写されるべき３次元状の凹凸パターンが形成されている。
【００１８】
［インプリント装置の構成］
図１は、本実施形態のインプリント装置１００の構成を示す概略図である。本実施形態において、インプリント装置１００は、光（紫外線）の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用するが、これに限定されるものではなく、例えば熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法を採用することもできる。なお、以下の各図において、モールドＭに対する光（紫外線）の照射軸と平行な方向をＸＹＺ座標系におけるＺ軸方向とし、Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直行する２方向をＸ軸方向およびＹ軸方向とする。
【００１９】
インプリント装置１００は、例えば、インプリント処理を行う処理部１０と、基板Ｗの前処理を行う前処理部２０と、モールドＭ（原版）を一時的に保管する保管部３０と、制御部４０とを含む。制御部４０は、例えばＣＰＵやメモリを含むコンピュータによって構成され、インプリント装置１００の各部を統括的に制御する（インプリント処理を制御する）。また、本実施形態の場合、基板Ｗの前処理は、例えば基板Ｗを回転駆動しながら基板Ｗの外周およびノッチ（もしくはオリエンテーションフラット）を検知して、基板Ｗのラフな位置合わせを行うプリアライメント処理を含む。
【００２０】
まず、処理部１０の構成について説明する。処理部１０は、例えば、硬化部１１と、基板Ｗを保持して移動可能な基板ステージ１２と、モールドＭを保持するインプリントヘッド１３と、搬送部１４と、除電部１５とを含みうる。
【００２１】
硬化部１１は、モールドＭと基板上のインプリント材とが接触している状態で、モールドＭを介してインプリント材に光（紫外線）を照射することにより、当該インプリント材を硬化させる。硬化部１１は、例えば光源と光学系とを含み、光学系は、光源からの光をインプリント処理に適切な光の状態（強度分布、照明領域など）に調整するための複数の光学素子（レンズ、ミラー、遮光板など）から成る。本実施形態では光硬化法を採用しているため、硬化部１１に光源が設けられているが、熱硬化法を採用する場合には硬化部１１に熱源が設けられうる。
【００２２】
基板ステージ１２は、例えば基板チャック１２ａと基板駆動部１２ｂとを含み、基板Ｗを保持して移動可能に構成される。基板チャック１２ａは、例えば真空吸着力や静電吸着力などにより基板Ｗを引き付けて保持する。基板駆動部１２ｂは、リニアモータやエアシリンダ等のアクチュエータを有し、インプリント処理時に基板Ｗの位置を調整してモールドＭと基板Ｗとの相対位置を制御するため、基板ＷをＸ軸方向およびＹ軸方向に駆動する。基板駆動部１２ｂは、基板Ｗを高精度に位置決めするため、粗動駆動系や微動駆動系など複数の駆動系から構成されてもよい。また、基板駆動部１２ｂは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向だけでなく、Ｚ軸方向およびθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）に基板Ｗの位置を調整する機能、および基板Ｗの傾きを調整するチルト機能を有するように構成されてもよい。
【００２３】
インプリントヘッド１３（モールド保持部）は、例えば、モールドチャック１３ａと、モールド駆動部１３ｂとを含みうる。モールドチャック１３ａは、例えば真空吸着力や静電吸着力などによりモールドＭを引き付けて保持する。モールド駆動部１３ｂは、リニアモータやエアシリンダ等のアクチュエータを有し、基板上のインプリント材へのモールドＭの押印（押型）と、硬化したインプリント材からのモールドＭの剥離（離型）とを選択的に行うように、モールドＭをＺ軸方向に駆動する。モールド駆動部１３ｂは、モールドＭを高精度に位置決めするため、粗動駆動系や微動駆動系など複数の駆動系から構成されてもよい。また、モールド駆動部１３ｂは、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、θ方向にモールドＭの位置を調整する機能、およびモールドＭの傾きを調整するチルト機能を有するように構成されてもよい。
【００２４】
ここで、本実施形態では、基板上のインプリント材に対するモールドＭの押型および離型は、モールド駆動部１３ｂによりモールドＭをＺ軸方向に駆動することで行われるが、基板駆動部１２ｂにより基板ＷをＺ軸方向に駆動することで行われもよい。また、モールド駆動部１３ｂと基板駆動部１２ｂとで協働してモールドＭと基板ＷとをＺ軸方向に相対的に駆動することで行われてもよい。
【００２５】
搬送部１４は、基板Ｗを搬送する基板搬送部１４ａと、モールドＭを搬送するモールド搬送部１４ｂ（原版搬送部）とを含みうる。基板搬送部１４ａは、例えば基板Ｗを保持するハンドと該ハンドを駆動するアームとで構成された搬送ロボットを有し、前処理部２０でプリアライメント処理が行われた基板Ｗを基板ステージ１２に搬送する。基板搬送部１４ａによって基板ステージ１２に搬送された基板Ｗは、基板チャック１２ａによって保持される。また、モールド搬送部１４ｂは、例えばモールドＭを保持するハンドと該ハンドを駆動するアームとで構成された搬送ロボットを有し、保管部３０に一時的に保管されたモールドＭをインプリントヘッド１３に搬送する。モールド搬送部１４ｂによってインプリントヘッド１３に搬送されたモールドＭは、モールドチャック１３ａによって保持される。
【００２６】
除電部１５は、処理部１０内にイオンを放出するイオナイザを含み、モールドＭおよび基板Ｗの除電を行う。モールドＭおよび基板Ｗは、搬送中に各種部品に対して接触・分離が行われることで帯電したり、硬化した基板上のインプリント材からモールドＭを剥離することで帯電したりしうる。そのため、処理部１０に除電部１５を設け、処理部１０内にイオンを放出することにより、モールドＭおよび基板Ｗが必要以上に帯電することを防止している。
【００２７】
また、図４では不図示ではあるが、処理部１０には、アライメント計測部（アライメントスコープ）と、液体供給部と、気体供給部とが設けられてもよい。アライメント検出部は、モールドＭに設けられたアライメントマークと基板Ｗに設けられたマークとを検出し、Ｘ軸方向およびＹ軸方向におけるモールドＭと基板Ｗとの相対位置を計測する。液体供給部は、基板上に液状のインプリント材を供給する。液体供給部によるインプリント材の供給は、予め設定されている供給量情報に基づいて行われ、供給量情報は、例えば、基板上に形成すべきインプリント材のパターンの厚さ（残膜厚）および密度などに応じて設定されうる。また、気体供給部は、モールドＭおよび基板Ｗの周辺に侵入するパーティクル（異物）を低減するように気体を供給する機能を有する。
【００２８】
次に、前処理部２０の構成について説明する。前処理部２０は、プリアライメント部２１と、基板搬送部２２と、除電部２３とを含みうる。プリアライメント部２１は、例えば、基板Ｗを保持して回転駆動する保持部２１ａと、基板Ｗの外周およびノッチ（もしくはオリエンテーションフラット）を検知する検知部２１ｂとを含み、プリアライメント処理を行う。基板搬送部２２は、例えば基板Ｗを保持するハンドと該ハンドを駆動するアームとで構成された搬送ロボットを有し、基板格納容器５１に格納された基板Ｗをプリアライメント部２１（保持部２１ａ）に搬送する。基板格納容器５１は、例えば、基板Ｗをミニエンバイロメント方式で格納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）であり、前処理部２０に設けられた設置部２４に設置される。設置部２４は、例えばＥＦＥＭ（Equipment Front End module）のロードポートでありうる。本実施形態の設置部２４は、基板格納容器５１が配置される配置台として構成されているが、それに限られず、例えば、基板格納容器５１を取り付けることができる取付機構として構成されてもよい。また、除電部２３は、前処理部２０内にイオンを放出するイオナイザを含み、前処理部２０内で基板Ｗの除電を行う。例えば、除電部２３は、基板搬送部２２による搬送中の基板Ｗの除電を行うように配置されうる。
【００２９】
次に、保管部３０の構成について説明する。保管部３０は、ストッカ３１と、モールド搬送部３２（原版搬送部）と、除電部３３とを含みうる。ストッカ３１は、モールドＭが一時的に保管（配置、保持）される棚であり、本実施形態では、複数のモールドＭ（図４では３つのモールドＭ）を保管することができるように構成されている。モールド搬送部３２は、例えばモールドＭを保持するハンドと該ハンドを駆動するアームとで構成された搬送ロボットを有し、モールド格納容器５２に格納されたモールドＭをストッカ３１に搬送する。モールド格納容器５２は、例えば、モールドＭをミニエンバイロメント方式で格納するＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッドであり、保管部３０に設けられた設置部３４に設置される。設置部３４は、例えばＥＦＥＭ（Equipment Front End module）のロードポートでありうる。本実施形態の設置部３４は、モールド格納容器５２が載置される載置台として構成されているが、それに限られず、例えば、モールド格納容器５２を取り付けることができる取付機構として構成されてもよい。また、除電部３３は、保管部３０内にイオンを放出するイオナイザを含み、保管部３０内のモールドＭの除電を行う。例えば、除電部３３は、モールド搬送部３２による搬送中のモールドＭの除電を行うように配置されうる。
【００３０】
［クリーニング用プレートの帯電］
インプリント装置１００では、装置内に存在するパーティクル（異物）がモールドＭおよび基板Ｗなどに付着すると、インプリント処理を正確に行うことが困難になりうる。例えば、インプリント装置１００では、モールドＭと基板上のインプリント材とを直接接触させるため、モールドＭと基板Ｗとの間にパーティクルが介在していると、基板上に形成されるパターンが不良になったり、モールドＭの寿命が短くなったりしうる。そのため、インプリント装置１００では、装置内の異物の除去処理（即ち、クリーニング処理）が行われる。
【００３１】
クリーニング処理では、専用のプレートＰ（メンテナンスウェハ）を帯電させた状態で装置内に搬送することにより、静電力によって装置内のパーティクルをプレートＰに吸着させ、装置内のパーティクルを低減（除去）することができる。プレートＰは、インプリント処理が行われる基板Ｗと同じ外形を有していることが好ましく、後述する帯電部６２によって帯電される。プレートＰは、導電部材のみで構成されてもよいが、装置内（特に基板チャック上）のパーティクルを静電力により吸着した後、その状態を維持（保持）することができるように、導電部材の少なくとも一部が絶縁部材で覆われた構成であってもよい。本実施形態では、プレートＰは、図２に示すように、導電部材ＣＭと、導電部材ＣＭの一部が露出するように該導電部材ＣＭを覆う絶縁部材ＩＭとを含みうる。プレートＰの導電部材ＣＭとしては、例えば、シリコン基板（ベアシリコン）、金属板、あるいは、表面に導電膜が成膜されているガラス板および樹脂板などが適用されうる。金属板は、発塵が低減されるように表面研磨が施されていることが好ましい。また、プレートＰの絶縁部材ＩＭとしては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィレン系樹脂、ポリアミド樹脂などが適用されうる。
【００３２】
ここで、図２に示すプレートＰの構成例では、基板チャック１２ａによって保持される被保持面（下面）のみに絶縁部材ＩＭが設けられているが、それに限られるものではない。例えば、後述する帯電部６２の接触子６３が接触する部分において導電部材ＣＭが露出するように絶縁部材ＩＭが設けられた構成であってもよい。即ち、帯電部６２の接触子６３が接触する部分において導電部材ＣＭの露出部分が形成されていれば、プレートＰの上面にも絶縁部材ＩＭが設けられてもよい。
【００３３】
次に、クリーニング処理用のプレートＰを帯電させる方法について説明する。本実施形態では、帯電部６２は、プレートＰを格納する格納容器６０に設けられ、格納容器６０は、例えば基板格納容器５１と同様のＦＯＵＰで構成されうる。このようにプレートＰの格納容器６０をＦＯＵＰで構成すると、図１に示すように、基板格納容器５１の代わりに前処理部２０の設置部２４（ＥＦＥＭのロードポート）に格納容器６０を設置することができる。また、クリーニング処理を行った後のプレートＰを格納容器６０に格納した状態で、当該格納容器６０をインプリント装置１００から搬出して外部の異物検査装置に運び、プレートＰの表面に付着した異物の成分分析などの検査を行うことができる。
【００３４】
図３は、プレートＰを格納する格納容器６０の構成を示す図である。格納容器６０は、プレートＰを支持する支持部６１（スロット部）と、支持部６１により支持されたプレートＰを容器内で帯電させる帯電部６２とを含む。図３に示す例では、構成を分かり易くするため、帯電部６２が拡大されて図示されている。ここで、プレートＰの帯電を自動で行う場合には、帯電部６２を制御する制御部を格納容器６０に設けてもよい。また、格納容器６０が設置部２４に設置されたときにインプリント装置１００の制御部４０と帯電部６２とが通信可能に接続される構成とし、該制御部４０によって帯電部６２を制御してもよい。
【００３５】
支持部６１は、例えば、複数のプレートＰを格納することができるように棚状に構成され、プレートＰの周縁部に接触して当該プレートＰを支持するように構成されている。支持部６１は、帯電させたプレートＰから電荷が逃げないように、プレートＰの絶縁部材ＩＭに接触する構成であるとよく、更には絶縁材料で形成されるとよい。
【００３６】
帯電部６２は、プレートＰの導電部材ＣＭの露出部分に接触する接触子６３（接触式プローブ）と、接触子６３を介してプレートＰに電圧を印加する電源部６４と、プレートＰを帯電させる極性を切り替える切替部６５とを含みうる。接触子６３は、図４に示すように、プレートＰの導電部材ＣＭの露出部分に接触するプランジャ６３ａと、バネ等によりプランジャ６３ａを弾性支持するバレル６３ｂとを含みうる。この構成により、不図示の駆動機構により手動または自動でバレル６３ｂを上下駆動させると、所定の圧力で接触子６３（プランジャ６３ａ）をプレートＰに接触させることができる。プランジャ６３ａは、導電性を確保しつつ発塵を極力減らすため、例えば先端を球形状とし、摩耗が少なく酸化しにくい金属材料によって構成されるとよい。
【００３７】
ここで、接触子６３は、プランジャ６３ａとバレル６３ｂとを含む構成に限られず、他の構成としてもよい。図５は、接触子６３の変形例を示す図であり、接触子６３を上方から見た図を示している。図５に示す例では、プレートＰのエッジに接触する端子６３ｃと、プレートＰへの端子６３ｃの接触圧を制御するための板バネ６３ｄとにより回転方式の接触子６３を構成している。このようにプレートＰのエッジに接触するように接触子６３を構成することで、格納容器６０（例えば支持部６１）の設計自由度を向上させることができる。
【００３８】
電源部６４は、プレートＰを帯電させる極性を変更可能に構成され、例えば複数種類の電源を含みうる。具体的には、電源部６４は、負極が接地され、正極が切替部６５を介して接触子６３（プランジャ６３ａ）に接続されうる電源６４ａと、正極が接地され、負極が切替部６５を介して接触子６３（プランジャ６３ａ）に接続されうる電源６４ｂとを含みうる。また、切替部６５は、プレートＰを第１極性または第２極性に選択的に帯電させるため、接触子６３に電気的に接続させる電源を切り替えるスイッチとして構成されうる。第１極性および第２極性は互いに反対の極性を有し、一方が正極、他方が負極でありうる。例えば、切替部６５は、プレートＰを正極に帯電させる場合には電源６４ａを接触子６３に接続し、プレートＰを負極に帯電させる場合には電源６４ｂを接触子６３に接続する。なお、切替部６５は、接触子６３への電圧の印加のＯＮ／ＯＦＦを切り替えるスイッチとしての機能も有しうる。
【００３９】
このように構成された帯電部６２では、所定の圧力で接触子６３をプレートＰの導電部材ＣＭの露出部分に押し当て、その状態で電源部６４（６４ａまたは６４ｂ）により接触子６３を介してプレートＰに電圧を印加し、プレートＰに電荷を供給する。そして、所定時間が経過して所定量の電荷がプレートＰに蓄積されたら、接触子６３と電源部６４とを接続した状態で接触子６３をプレートＰから分離させる。これにより、図６に示すように、プレートＰを帯電させるとともに、プレートＰが帯電した状態を維持（保持）させることができる。本実施形態によると、プレートＰの導電部材ＣＭにより電荷分布を均一にすることができ、且つ、プレートＰの表面電位を制御しやすく、再現性も確保することができる。
【００４０】
また、本実施形態の帯電部６２は、プレートＰに接触子６３を接触させてプレートＰを帯電させるため、コロナ放電方式を用いてプレートを帯電させる場合の以下の問題が生じにくい。例えば、コロナ放電方式では、電極針に数ｋＶの高電圧を印加して電極針の周囲に電界を生じさせるものであるが、オゾンが発生するため、オゾンの酸化力により、プレート等を酸化させたり、装置内の部品を劣化させたりしうる。放電により電極針自身が酸化・劣化して発塵することもある。雰囲気中のガス成分が粒子化し、電極先端に蓄積された大きな粒子が飛散することもある。また、プレートの絶縁材料によっては、コロナ放電によって絶縁膜に穴が開いたり、プレートの絶縁膜における電荷分布が不均一になったりしうる。特に、電極先端付近にスタッチマークという放電痕が発生しやすく、表面電位を均一に制御することが困難になりうる。
【００４１】
［クリーニング処理］
次に、インプリント装置内のクリーニング処理（異物除去処理）について説明する。図７は、クリーニング処理のフローチャートを示す図である。図７に示すフローチャートの各工程では、第１極性に帯電させた第１プレートと、第２極性に帯電させた第２プレートとを用いてクリーニング処理を行う例を示している。第１極性および第２極性は、互いに対して反対の極性であり、一方が正極、他方が負極である。
【００４２】
Ｓ１１では、クリーニング用のプレートＰとしての第１プレートおよび第２プレートを格納した格納容器６０を前処理部２０の設置部２４に設置する。格納容器６０の設置は、インプリント装置１００の外部に設けられた搬送システムによって行われうる。また、このとき、制御部４０は、格納容器６０が設置部２４に設置されたか否か（即ち、クリーニング処理用のプレートＰ（第１プレート、第２プレート）の準備ができたか否か）を判定する。Ｓ１２では、除電部１５、２３（基板除電部）を停止する。このように除電部１５、２３を停止するのは、帯電したプレートＰをインプリント装置内に搬送した場合に除電部１５、２３からイオンが放出されていると、プレートＰの帯電量が低減するからである。
【００４３】
Ｓ１３では、格納容器６０の帯電部６２により第１プレートを第１極性に帯電させる。第１プレートの帯電は、手動で行われてもよいし、自動で行われてもよい。第１プレートの帯電を自動で行う場合、格納容器６０に設けられた制御部、もしくはインプリント装置１００の制御部４０によって帯電部６２が制御される。帯電部６２による第１プレートの帯電は、上述したように、接触子６３を第１プレートに接触させた状態で接触子６３に電圧を印加し、所定時間の経過後、接触子６３に電圧を印加している状態で接触子６３を第１プレートから分離させることで行われうる。
【００４４】
Ｓ１４では、格納容器６０に格納された第１プレートを搬送部で搬送する。第１プレートの搬送は、例えば、基板搬送部２２で格納容器６０からプリアライメント部２１に第１プレートを搬送した後、基板搬送部１４ａでプリアライメント部２１から基板ステージ１２に第１プレートを搬送することによって行われうる。Ｓ１５では、第１プレートを保持した基板ステージ１２を駆動する。ここでの基板ステージ１２の駆動は、例えば、インプリント処理時に実行されうる基板ステージ１２の駆動と同様に行われうる。即ち、液体供給部によるインプリント材の供給、モールドＭの押型・離型動作を伴わないダミーのインプリント処理が行われる。これにより、基板ステージ１２の周辺に浮遊するパーティクル、基板ステージ１２およびその周囲の部材に付着したパーティクルを第１プレートに吸着させることができる。また、Ｓ１６では、基板ステージ１２によって保持された第１プレートを基板搬送部１４ａ、２２で回収して格納容器６０に搬送する。
【００４５】
Ｓ１７では、格納容器６０の帯電部６２により第２プレートを第２極性に帯電させる。第２プレートの帯電は、第１プレートの帯電と同様に手動または自動によって行われうるが、電源部６４のうち使用する電源が切替部６５によって切り替えられる（変更される）。Ｓ１８では、格納容器６０に格納された第２プレートを基板搬送部１４ａ、２２で基板ステージ１２に搬送する。Ｓ１９では、第２プレートを保持した基板ステージ１２を駆動する。Ｓ１８およびＳ１９は、Ｓ１４およびＳ１５と同様に行われうる。Ｓ２０では、基板ステージ１２によって保持された第２プレートを基板搬送部１４ａ、２２で回収して格納容器６０に搬送する。Ｓ２１では、除電部１５、２３を作動させる。
【００４６】
このように、本実施形態では、互いに対して反対の極性に帯電させた第１プレートおよび第２プレートをインプリント装置内で搬送部に搬送させる。これにより、それぞれの極性に帯電したパーティクルを第１プレートおよび第２プレートに吸着させ、インプリント装置内のパーティクルの除去を効果的に行うことができる。
【００４７】
＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態について説明する。第１実施形態で説明したように、格納容器６０の帯電部６２は、接触子６３をプレートＰに接触させた状態で接触子６３に電圧を印加することによりプレートＰを帯電させる。このとき、接触子６３とプレートＰとの接触状態が良好でないと、接触部分が抵抗として作用し、プレートＰへの電荷の供給が阻害されうる。そこで、本実施形態の帯電部６２は、接触子６３とプレートＰとの接触状態（即ち、接触子６３とプレートＰとの導通状態）を検出する検出部６６を含む。
【００４８】
図８は、検出部６６を含む帯電部６２の構成を示す図である。検出部６６は、例えば、プレートＰの導電部材ＣＭの露出部分に接触する第２接触子６６ａと、プレートＰの導電部材ＣＭを介して接触子６３と第２接触子６６ａとの間に流れる電流を検知する電流計６６ｂとを含みうる。検出部６６により接触子６３とプレートＰとの接触状態を検出する場合、接触子６３と第２接触子６６ａとをプレートＰの導電部材ＣＭに接触させた状態で、接触子６３に電圧を印加する。このときの電圧は、プレートＰを帯電させるときの電圧より小さい値に設定されるとよい。接触子６３とプレートＰとの接触状態が良好である場合（即ち、導通が得られている場合）には、電流計６６ｂが反応し、所望の電流値が検知される。一方、接触子６３とプレートＰとの接触状態が不良である場合（即ち、導通が得られていない場合）には、電流計６６ｂで所望の電流値が検知されない、または電流計６６ｂが反応しない。このように電流計６６ｂで検知された電流値をモニタすることにより、接触子６３とプレートＰとの接触状態を検出（確認）することができる。
【００４９】
検出部６６での検出結果に基づいて、接触子６３とプレートＰとの接触状態が良好であると判断した場合には、第２接触子６６ａをプレートＰから分離させ、接触子６３のみをプレートＰに接触させた状態で接触子６３に電圧を印加し、プレートＰを帯電させる。一方、接触子６３とプレートＰとの接触状態が不良であると判断した場合には、接触子６３およびプレートＰをクリーニングしたり、接触子６３を接触させる位置を変更したりし、検出部６６による接触状態の検出を再び行う。このような検出部６６を設けることにより、接触子６３とプレートＰとの接触が不良である状態でプレートＰを帯電させることを回避し、プレートＰの帯電をより効率的に行うことができる。
【００５０】
＜第３実施形態＞
本発明に係る第３実施形態について説明する。上記実施形態では、クリーニング処理用のプレートＰを、基板Ｗを搬送する基板搬送部１４ａ、２２によって基板Ｗの代わりにインプリント装置内で搬送する例について説明した。本実施形態では、クリーニング処理用のプレートＰ’を、モールドＭ（原版）を搬送するモールド搬送部１４ｂ、３２によってモールドＭの代わりにインプリント装置内で搬送する例について説明する。
【００５１】
本実施形態のインプリント装置は、第１実施形態のインプリント装置１００と同様の構成であり、図１に示すように、クリーニング処理用のプレートＰ’を格納する格納容器７０が、モールド格納容器５２の代わりに保管部３０の設置部３４に設置される。保管部３０の設置部３４は、上述したようにＥＦＥＭのロードポートであり、モールド格納容器５２が配置される設置台、または、モールド格納容器を取り付けることができる取付機構として構成されうる。
【００５２】
格納容器７０に格納されるプレートＰ’は、インプリント処理で用いられるモールドＭと同じ外形を有していることが好ましく、後述するように格納容器７０に設けられた帯電部７２によって帯電される。プレートＰ’は、導電部材のみで構成されてもよいが、装置内（特にモールドチャック上）のパーティクルを静電力により吸着した後、その状態を維持（保持）することができるように、導電部材の少なくとも一部が絶縁部材で覆われた構成であってもよい。本実施形態では、プレートＰ’は、図９に示すように、導電部材ＣＭと、導電部材ＣＭの一部が露出するように該導電部材ＣＭを覆う絶縁部材ＩＭとを含みうる。図９に示すプレートＰ’の構成例では、モールドチャック１３ａによって保持される被保持面（上面）のみに絶縁部材ＩＭが設けられているが、それに限られるものではない。例えば、後述する帯電部７２の接触子７３が接触する部分において導電部材ＣＭが露出するように絶縁部材ＩＭが設けられた構成であってもよい。ここで、本実施形態で用いられるプレートＰ’は、第１実施形態で説明したプレートＰと同様に、導電部材として、例えばシリコン基板、金属板、ガラス基板、樹脂板などが適用されうる。また、絶縁部材として、アクリル系樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィレン系樹脂、ポリアミド樹脂などが適用されうる。
【００５３】
図１０は、プレートＰ’を格納する格納容器７０の構成を示す図である。格納容器７０は、例えばモールド格納容器５２と同様のＳＭＩＦで構成され、プレートＰ’を支持する支持部７１と、支持部７１により支持されたプレートＰ’を帯電させる帯電部７２とを含みうる。図１０に示す例では、構成を分かり易くするため、帯電部７２が拡大されて図示されている。また、本実施形態の格納容器７０には、第２実施形態で説明した検出部６６が設けられてもよい。ここで、プレートＰ’の帯電を自動で行う場合には、帯電部７２を制御する制御部を格納容器７０に設けてもよい。また、格納容器７０が設置部３４に設置されたときにインプリント装置１００の制御部４０と帯電部７２とが通信可能に接続される構成とし、該制御部４０によって帯電部７２を制御してもよい。
【００５４】
支持部７１は、例えば、プレートＰ’の下面（本実施形態では導電部材）に接触する複数の支持ピン７１ａを含みうる。複数の支持ピン７１ａは、帯電したプレートＰから電荷が逃げないように絶縁材料で形成されるとよい。また、帯電部７２は、第１実施形態で説明した帯電部６２と同様に構成されうる。具体的には、帯電部７２は、プレートＰ’の導電部材ＣＭの露出部に接触する接触子７３（接触式プローブ）と、接触子７３を介してプレートＰ’に電圧を印加する電源部７４と、プレートＰ’を帯電させる極性を切り替える切替部７５とを含みうる。接触子７３は、プランジャとバレルとを含む構成であってもよいし、端子と板バネとを含む回転方式の構成であってもよい。電源部７４は、プレートＰ’を帯電させる極性を変更することができるように複数種類の電源７４ａ、７４ｂを含みうる。切替部７５は、プレートＰ’を第１極性または第２極性に選択的に帯電させるため、接触子７３に電気的に接続させる電源を切り替えるスイッチとして構成されうる。
【００５５】
このように構成された帯電部７２では、所定の圧力で接触子７３をプレートＰの導電部材ＣＭの露出部分に押し当て、その状態で電源部７４により接触子６３を介してプレートＰ’に電圧を印加し、プレートＰ’に電荷を供給する。そして、所定時間が経過して所定量の電荷がプレートＰ’に蓄積されたら、接触子７３と電源部７４とを接続した状態で接触子７３をプレートＰ’から分離させる。これにより、図１１に示すように、プレートＰ’を帯電させるとともに、プレートＰ’が帯電した状態を維持（保持）させることができる。
【００５６】
本実施形態のクリーニング処理では、図７のフローチャートに示す基板搬送部１４ａ、２２によるプレートＰの搬送と同様に、格納容器７０内で帯電部７２により帯電されたプレートＰ’をモールド搬送部１４ｂ、３２によってインプリント装置内に搬送される。即ち、本実施形態のクリーニング処理では、図７に示すフローチャートの「基板搬送部１４ａ、２２による基板ステージ１２へのプレートＰの搬送」として、「モールド搬送部１４ｂ、３２によるインプリントヘッド１３へのプレートＰ’の搬送」が行われる。
【００５７】
具体的には、除電部１５、３３（原版除電部）を停止した状態で、帯電部７２で第１極性に帯電させたプレートＰ’をモールド搬送部１４ｂ、３２によりインプリントヘッド１３に搬送する。即ち、モールド搬送部３２により格納容器７０から保管部３０のストッカ３１に搬送し、モールド搬送部１４ｂによりストッカ３１からインプリントヘッド１３に搬送する。そして、液体供給部によるインプリント材の供給、モールドＭの押型・離型動作を伴わないダミーのインプリント処理を行った後、インプリントヘッド１３によって保持されたプレートＰ’をモールド搬送部１４ｂ、３２で回収して格納容器７０に搬送する。同様に、除電部１５、３３（原版除電部）を停止した状態で、帯電部７２で第２極性に帯電させたプレートＰ’をモールド搬送部１４ｂ、３２によりインプリントヘッド１３に搬送する。そして、ダミーのインプリント処理を行った後、インプリントヘッド１３によって保持されたプレートＰ’をモールド搬送部１４ｂ、３２で回収して格納容器７０に搬送する。
【００５８】
これにより、インプリントヘッド１３の周辺に浮遊するパーティクル、インプリントヘッド１３およびその周囲の部材に付着したパーティクルを低減することができる。ここで、モールド搬送部１４ｂ、３２で帯電プレートＰ’を搬送する本実施形態のクリーニング処理は、基板搬送部１４ａ、２２で帯電プレートＰを搬送する第１実施形態のクリーニング処理と並行して行われてもよい。
【００５９】
＜第４実施形態＞
本発明に係る第４実施形態について説明する。第１〜第３実施形態では、プレート（ＰまたはＰ’）を格納する格納容器（６０または７０）に帯電部（６２または７２）を設ける構成を説明したが、本実施形態では、インプリント装置１００自体に帯電部を設ける構成について説明する。
【００６０】
図１２は、本実施形態のインプリント装置２００の構成を示す概略図である。本実施形態のインプリント装置２００は、前処理部２０のプリアライメント部２１（保持部２１ａ）に配置されたプレートＰを帯電させる帯電部２５と、保管部３０のストッカ３１に配置されたプレートＰ’を帯電させる帯電部３５とを含みうる。それ以外のインプリント装置の構成は、上記の実施形態で説明した構成と同様であるため説明を省略する。
【００６１】
本実施形態のクリーニング処理では、除電部１５、２３（基板除電部）を停止した状態で、基板搬送部２２によりプレートＰを格納容器６０から前処理部２０のプリアライメント部２１（保持部２１ａ）に搬送する。そして、図１３（ａ）に示すように帯電部２５によりプレートＰを帯電させる。帯電部２５の構成は、第１実施形態で説明した格納容器６０の帯電部６２の構成と同様であり、第２実施形態で説明した検出部６６が設けられてもよい。そして、帯電したプレートＰを基板搬送部１４ａによりプリアライメント部２１から基板ステージ１２に搬送し、ダミーのインプリント処理を行った後、基板搬送部１４ａ、２２によりプレートＰを基板ステージ１２から格納容器６０に搬送する。このようなクリーニング処理は、第１極性および第２極性にそれぞれ帯電させたプレートＰを用いて行ってもよい。
【００６２】
同様に、除電部１５、３３（原版除電部）を停止した状態で、モールド搬送部３２によりプレートＰ’を格納容器７０から保管部３０のストッカ３１に搬送する。そして、図１３（ｂ）に示すように帯電部３５によりプレートＰ’を帯電させる。帯電部３５の構成は、第３実施形態で説明した格納容器７０の帯電部７２の構成と同様であり、第２実施形態で説明した検出部６６が設けられてもよい。そして、帯電したプレートＰ’をモールド搬送部１４ｂによりインプリントヘッド１３に搬送し、ダミーのインプリント処理を行った後、モールド搬送部１４ｂ、３２によりプレートＰ’をインプリントヘッド１３から格納容器７０に搬送する。このようなクリーニング処理は、第１極性および第２極性にそれぞれ帯電させたプレートＰ’を用いて行ってもよく、基板搬送部１４ａ、２２で帯電プレートＰを搬送するクリーニング処理と並行して行ってもよい。
【００６３】
このように、本実施形態では、プレートを帯電させる帯電部２５、３５がインプリント装置内に設けられる。これにより、プレートを格納する格納容器６０、７０に帯電部を設けなくても、プレートをインプリント装置内で帯電させることができる。そのため、クリーニング処理の自動化に有利であるとともに、インプリント装置内のパーティクルの除去を効果的に行うことができる。
【００６４】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記の実施形態で説明した方法を用いて基板処理装置内（インプリント装置内）の異物の除去処理を行う工程と、当該除去処理が行われた基板処理装置を用いて基板を処理する工程とを含む。基板を処理する工程は、基板処理装置としてインプリント装置が適用される場合、基板に供給（塗布）されたインプリント材に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００６５】
インプリント装置を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００６６】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００６７】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１４（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウェハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００６８】
図１４（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１４（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを通して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００６９】
図１４（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００７０】
図１４（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１４（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００７１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００７２】
１０：処理部、１１：硬化部、１２：基板ステージ、１３：インプリントヘッド、１４ａ：基板搬送部、１４ｂ：モールド搬送部、１５：除電部、２０：保管部、３０：前処理部、６０、７０：格納容器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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