(57)【要約】【課題】ＶＨＦ帯の高周波を用いるプラズマ処理装置であって、ステージの中央部と外周部との間の高周波電界を抑制することを可能とするプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、上部電極、及び導入部を備える。ステージは、処理容器内に設けられている。上部電極は、ステージの上方に処理容器内の空間を介して設けられている。導入部は、ＶＨＦ波である高周波の導入部であり、処理容器内の空間の横方向端部に設けられている。ステージは、本体及び導電層を含む。本体は、絶縁体から形成されている。導電層は、本体内に設けられている。導電層は、ステージ内に設けられた一つ以上の導電層のうちステージの上面から最短の距離を有する。導電層は、環状に形成されている。【選択図】図１
2020092195.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器と、
前記処理容器内に設けられたステージと、
前記ステージの上方に前記処理容器内の空間を介して設けられた上部電極と、
ＶＨＦ波である高周波の導入部であって、前記空間の横方向端部に設けられた、該導入部と、
を備え、
前記ステージは、
絶縁体から形成された本体と、
前記本体内に設けられた導電層と、
を含み、
前記導電層は、前記ステージ内に設けられた一つ以上の導電層のうち前記ステージの上面から最短の距離を有し、前記ステージ上に載置される基板と該ステージとの間で静電引力を発生させるための電極、高周波が供給される電極、及び接地される電極のうち何れかかであり、環状に形成されている、
プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記導電層は、前記ステージ上に載置される基板の直径よりも小さい外径を有する、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記導電層は、メッシュ状に形成されている、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
プラズマ処理装置を用いて基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理装置の処理容器内の空間にガスを供給する工程と、
前記処理容器内でステージ上に載置された基板に対してプラズマ処理を行うために、前記空間に高周波を導入する工程と、
を含み、
前記プラズマ処理装置は、
前記処理容器と、
前記処理容器内に設けられた前記ステージと、
前記ステージの上方に前記処理容器内の前記空間を介して設けられた上部電極と、
ＶＨＦ波である高周波の導入部であって、前記空間の横方向端部に設けられた、該導入部と、
を備え、
前記ステージは、
絶縁体から形成された本体と、
前記本体内に設けられた導電層と、
を含み、
前記導電層は、前記ステージ内に設けられた一つ以上の導電層のうち前記ステージの上面から最短の距離を有し、前記ステージ上に載置される基板と該ステージとの間で静電引力を発生させるための電極、高周波が供給される電極、及び接地される電極のうち何れかかであり、環状に形成されている、
プラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの製造においてはプラズマ処理装置が用いられている。一種のプラズマ処理装置は、特許文献１に記載されている。プラズマ処理装置としては、容量結合型のプラズマ処理装置が知られている。容量結合型のプラズマ処理装置として、超短波（ＶＨＦ）帯の周波数を有する高周波をプラズマの生成に用いるプラズマ処理装置が注目されている。なお、ＶＨＦ帯とは、３０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚ程度の範囲の周波数帯である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１９５１５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＶＨＦ帯の周波数を有する高周波をプラズマの生成に用いるプラズマ処理装置においては、ステージの中央部と外周部との間で高周波電界が発生することがある。このような高周波電界の発生を抑制することが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、上部電極、及び導入部を備える。ステージは、処理容器内に設けられている。上部電極は、ステージの上方に処理容器内の空間を介して設けられている。導入部は、ＶＨＦ波である高周波の導入部である。導入部は、処理容器内の空間の横方向端部に設けられている。ステージは、本体及び導電層を含む。本体は、絶縁体から形成されている。導電層は、本体内に設けられている。導電層は、ステージ内に設けられた一つ以上の導電層のうちステージの上面から最短の距離を有する。導電層は、ステージ上に載置される基板とステージとの間で静電引力を発生させるための電極、高周波が供給される電極、及び接地される電極のうち何れかである。導電層は、環状に形成されている。
【発明の効果】
【０００６】
一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置によれば、ステージの中央部と外周部との間の高周波電界を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
【図２】一つの例示的実施形態に係る上部電極を示す斜視図である。
【図３】一つの例示的実施形態に係るステージを示す破断斜視図である。
【図４】別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
【図５】更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
【図６】別の例示的実施形態に係るステージを示す破断斜視図である。
【図７】更に別の例示的実施形態に係るステージを示す破断斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
【０００９】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、上部電極、及び導入部を備える。ステージは、処理容器内に設けられている。上部電極は、ステージの上方に処理容器内の空間を介して設けられている。導入部は、ＶＨＦ波である高周波の導入部である。導入部は、処理容器内の空間の横方向端部に設けられている。ステージは、本体及び導電層を含む。本体は、絶縁体から形成されている。導電層は、本体内に設けられている。導電層は、ステージ内に設けられた一つ以上の導電層のうちステージの上面から最短の距離を有する。導電層は、ステージ上に載置される基板とステージとの間で静電引力を発生させるための電極、高周波が供給される電極、及び接地される電極のうち何れかである。導電層は、環状に形成されている。
【００１０】
上記例示的実施形態に係るプラズマ処理装置では、導電層が環状に形成されているので、導電層の径方向の幅が小さく、ステージの中央部と外周部との間に発生する電位差が抑制される。その結果、ステージの中央部と外周部との間で発生する高周波電界が抑制される。
【００１１】
一つの例示的実施形態において、導電層は、前記ステージ上に載置される基板の直径よりも小さい外径を有していてもよい。
【００１２】
一つの例示的実施形態において、導電層は、メッシュ状に形成されていてもよい。
【００１３】
一つの例示的実施形態において、ステージは、ステージ上に載置される基板とステージとの間で静電引力を発生させるための単一の電極として、前記導電層を有していてもよい。
【００１４】
別の一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、上部電極、及び導入部を備える。ステージは、処理容器内に設けられており、金属から形成されている。上部電極は、ステージの上方に処理容器内の空間を介して設けられている。導入部は、ＶＨＦ波である高周波の導入部である。導入部は、処理容器内の空間の横方向端部に設けられている。ステージの上面は、基板載置領域及びフォーカスリング搭載領域を有する。載置領域は、その上に載置される基板の直径よりも小さい直径を有する。フォーカスリング搭載領域は、基板載置領域よりも径方向外側で延在している。絶縁性を有するフォーカスリングが、その内縁の上面が基板載置領域上に搭載される基板のエッジの下面に対面するように、フォーカスリング搭載領域上に搭載される。この実施形態によれば、フォーカスリングによってステージの中央部と外周部との間で発生する高周波電界が抑制される。
【００１５】
別の例示的実施形態においては、プラズマ処理装置を用いて基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法が提供される。プラズマ処理方法は、プラズマ処理装置の処理容器内の空間にガスを供給する工程を含む。プラズマ処理方法は、処理容器内でステージ上に載置された基板に対してプラズマ処理を行うために、空間に高周波を導入する工程を更に含む。プラズマ処理装置は、上述した種々の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置のうち何れかである。
【００１６】
上記例示的実施形態に係るプラズマ処理方法では、基板に対するプラズマ処理時に、ステージの中央部と外周部との間で発生する高周波電界が抑制される。
【００１７】
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１８】
図１は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１に示すプラズマ処理装置１は、処理容器１０、ステージ１２、上部電極１４、及び導入部１６を備えている。
【００１９】
処理容器１０は、略円筒形状を有する。処理容器１０は、鉛直方向に沿って延在している。処理容器１０の中心軸線は、鉛直方向に延びる軸線ＡＸである。処理容器１０は、アルミニウム又はアルミニウム合金といった導体から形成されている。処理容器１０の表面上には、耐腐食性を有する膜が形成されている。耐腐食性を有する膜は、酸化イットリウム膜、酸化フッ化イットリウム膜、フッ化イットリウム膜、又は酸化イットリウム、フッ化イットリウム等を含むセラミック膜であり得る。処理容器１０は、接地されている。
【００２０】
ステージ１２は、処理容器１０内に設けられている。ステージ１２は、その上面の上に載置された基板Ｗを略水平に支持するように構成されている。ステージ１２は、略円盤形状を有している。ステージ１２の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致していてもよい。即ち、ステージ１２の中心は、軸線ＡＸ上に位置していてもよい。ステージ１２の詳細については後述する。
【００２１】
一実施形態において、プラズマ処理装置１は、バッフル部材１３を更に備えていてもよい。バッフル部材１３は、ステージ１２と処理容器１０の側壁との間で延在している。バッフル部材１３は、略環状の板材である。バッフル部材１３は、例えば、酸化アルミニウムといった絶縁体から形成されている。バッフル部材１３には、複数の貫通孔が形成されている。複数の貫通孔は、バッフル部材１３をその板厚方向に貫通している。ステージ１２の下方において処理容器１０には、排気口１０ｅが形成されている。排気口１０ｅには、排気装置が接続されている。排気装置は、圧力制御弁並びにターボ分子ポンプ及び／又はドライポンプといった真空ポンプを含んでいる。
【００２２】
上部電極１４は、処理容器１０内の空間ＳＰを介してステージ１２の上方に設けられている。上部電極１４は、アルミニウム又はアルミニウム合金といった導体から形成されている。一実施形態において、上部電極１４は、略円盤形状を有している。上部電極１４の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。プラズマ処理装置１は、ステージ１２と上部電極１４との間の空間ＳＰにおいてプラズマを生成するように構成されている。上部電極１４の詳細については後述する。
【００２３】
一実施形態において、プラズマ処理装置１は、誘電体板１８を更に備えていてもよい。誘電体板１８は、上部電極１４の直下に設けられている。誘電体板１８は、空間ＳＰを介してステージ１２の上面に対面している。空間ＳＰは、誘電体板１８とステージ１２との間の空間である。誘電体板１８は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、又は窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム等を含む誘電体から形成されている。誘電体板１８の表面のうち少なくとも下面には、耐腐食性を有する膜が形成されていてもよい。耐腐食性を有する膜は、酸化イットリウム膜、酸化フッ化イットリウム膜、フッ化イットリウム膜、又は酸化イットリウム、フッ化イットリウム等を含むセラミック膜であり得る。誘電体板１８は、略円盤形状を有している。誘電体板１８の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。一実施形態において、誘電体板１８には、ステージ１２上に載置された基板Ｗの全面に均等にガスを供給するために、複数のガス吐出孔１８ｈが形成されている。即ち、誘電体板１８は、ガスを吐出するように構成されたシャワープレートであってもよい。誘電体板１８の下面とステージ１２の上面との間の鉛直方向における距離は、例えば５ｃｍ以上、３０ｃｍ以下である。
【００２４】
プラズマ処理装置１では、バッフル部材１３の上側で延在する処理容器１０の内壁面の面積は、空間ＳＰ側の誘電体板１８の表面積に略等しい。即ち、空間ＳＰを画成する面のうちグランド電位に設定された面（グランド面）の面積は、空間ＳＰを画成する面のうち誘電体板１８によって提供される面の面積と略同一である。かかる構成により、プラズマが、誘電体板の直下の領域及びグランド面の周囲の領域で均一な密度で生成される。その結果、基板Ｗのプラズマ処理の面内均一性が向上される。
【００２５】
誘電体板１８の周縁部の厚みは、誘電体板１８の中央部分の厚みよりも大きい。誘電体板１８の中央部分は、誘電体板１８の周縁部に対して内側で延在する部分である。誘電体板１８の周縁部は、導入部１６を構成している。即ち、導入部１６は、環形状を有している。導入部１６は、高周波を空間ＳＰに導入する部分である。高周波は、ＶＨＦ波である。導入部１６は、空間ＳＰの横方向端部に設けられている。プラズマ処理装置１は、導入部１６に高周波を供給するために、導波部２０を更に備えている。
【００２６】
一実施形態において、導波部２０は、共振器２００を含んでいる。一実施形態において、共振器２００は、空洞共振器であり得る。共振器２００は、導波路２０１を提供している。導波路２０１は、軸線ＡＸが延在する方向に延び、軸線ＡＸの周りで周方向に延びている。導波路２０１は、導入部１６に接続されている。導波路２０１は、鉛直方向に沿って延びる筒形状を有している。導波路２０１の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。
【００２７】
導波路２０１は、一端２０２及び他端２０３を含んでいる。一端２０２と他端２０３との間の導波路２０１の幅は、共振器２００が共振状態となるように設定される。即ち、導波路２０１の当該幅は、導波路２０１に沿って周方向に伝搬する電磁波の波長が略無限大になるように設定される。本実施形態においては導波路２０１の内部が中空であるので、導波路２０１の幅は、使用される高周波の波長（自由空間波長）の約１／２である。導波路２０１の内部に誘電体が設けられている場合には、導波路２０１の幅は、自由空間波長の１／２を導波路２０１内の実効誘電率の平方根で割った値に設定され得る。
【００２８】
一実施形態において、導波路２０１は、内側導波路２０４及び外側導波路２０５を含んでいる。内側導波路２０４及び外側導波路２０５の各々は、鉛直方向に沿って延びる筒状の導波路である。内側導波路２０４は、外側導波路２０５に対して径方向内側で延在している。外側導波路２０５の下端は、導波路２０１の一端２０２を構成している。外側導波路２０５の上端及び内側導波路２０４の上端は互いに連続している。即ち、導波路２０１は、軸線ＡＸが延在する方向において折り返されている。なお、導波路２０１の上述の幅は、一端２０２と他端２０３との間の折り返された導波路２０１の幅である。内側導波路２０４の下端は、導波路２０１の他端２０３を構成している。導波路２０１の他端２０３は、導入部１６に接続されている。
【００２９】
一実施形態において、導波部２０は、第１の同軸導波管２１１及び複数の第２の同軸導波管２１２を更に含んでいる。第１の同軸導波管２１１は、その中心軸線が軸線ＡＸに略一致するように、鉛直方向に沿って延在している。即ち、第１の同軸導波管２１１は、軸線ＡＸ上で延在している。第１の同軸導波管２１１は、内側導体２１３を有する。内側導体２１３には、高周波電源３０が、整合器３２を介して電気的に接続されている。高周波電源３０は、上述した高周波を発生する電源である。整合器３２は、高周波電源３０の負荷のインピーダンスを高周波電源３０の出力インピーダンスに整合させるための整合回路を含んでいる。
【００３０】
複数の第２の同軸導波管２１２の各々の一端は、第１の同軸導波管２１１に接続されている。複数の第２の同軸導波管２１２の各々は、その一端から軸線ＡＸに対して径方向に沿って延在しており、共振器２００の導波路２０１に接続されている。即ち、複数の第２の同軸導波管２１２によって提供される複数の同軸線路が、共振器２００の導波路２０１に接続されている。複数の第２の同軸導波管２１２は、軸線ＡＸに対して周方向において、等間隔に、即ち約３６０°／Ｎの角度間隔で配列されている。なお、「Ｎ」は、第２の同軸導波管２１２の個数である。「Ｎ」は、限定されるものではないが、例えば３又は４である。
【００３１】
一実施形態において、共振器２００の導波路２０１は、主部２２及び円筒部材２４によって提供されている。主部２２は、アルミニウム又はアルミニウム合金といった導体から形成されている。主部２２は、上壁部２２１、中央部２２２、及び外側円筒部２２３を含んでいる。上壁部２２１は、略円形且つ薄板状をなしている。上壁部２２１は、略水平に延在している。中央部２２２は、略円柱形状を有している。中央部２２２は、上壁部２２１から下方に延びている。中央部２２２の下面は、中央部２２２の周縁部の内側に、空間２２５を画成している。
【００３２】
導入部１６、即ち誘電体板１８の周縁部は、中央部２２２の周縁部と処理容器１０の上端との間で弾性的に保持されている。具体的に、処理容器１０の上端と導入部１６の下面との間には、封止部材２５が介在している。中央部２２２の周縁部と導入部１６の上面との間には、封止部材２６が介在している。封止部材２５及び封止部材２６の各々は、弾性を有する。封止部材２５及び封止部材２６の各々は、軸線ＡＸの周りで周方向に延在している。封止部材２５及び封止部材２６の各々は、例えばＯリングである。
【００３３】
上部電極１４の周縁部は、封止部材２６に対して径方向内側において、中央部２２２の周縁部と導入部１６との間で挟持されている。上部電極１４の周縁部と中央部２２２の周縁部との間には、導電性弾性部材２７、例えばスパイラルリングが設けられている。導電性弾性部材２７の材料は、例えば、ステンレス鋼、インコネル、ニッケル、タングステン、タンタル、銅合金又はモリブデン等の金属である。導電性弾性部材２７は、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、又は金等の保護膜により被覆されていてもよい。導電性弾性部材２７は、上部電極１４と中央部２２２との間の電気的接続を安定的に維持する。
【００３４】
外側円筒部２２３は、略円筒形状を有している。外側円筒部２２３の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。外側円筒部２２３は、中央部２２２に対して径方向外側で、上壁部２２１から下方に延びている。外側円筒部２２３の下端は、処理容器１０の上端に接続している。したがって、主部２２は、接地されている。
【００３５】
円筒部材２４は、アルミニウム又はアルミニウム合金といった導体から形成されている。円筒部材２４は、略円筒形状を有している。円筒部材２４の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。円筒部材２４は、中央部２２２と外側円筒部２２３との間で、鉛直方向に延在している。円筒部材２４の下端は、処理容器１０の上端に接続している。したがって、円筒部材２４は、接地されている。円筒部材２４の上端は、上壁部２２１から離れている。
【００３６】
外側導波路２０５は、外側円筒部２２３と円筒部材２４との間で延在している。外側導波路２０５は、処理容器１０の上端で終端している。外側導波路２０５と内側導波路２０４は、円筒部材２４の上端と上壁部２２１との間で接続している。内側導波路２０４は、円筒部材２４と中央部２２２との間で延在している。
【００３７】
主部２２の中央部２２２は、第１の同軸導波管２１１の外側導体２１４及び複数の第２の同軸導波管２１２の外側導体２１６を提供している。具体的に、中央部２２２には、軸線ＡＸに沿って延在する孔２１７が形成されている。中央部２２２において孔２１７を画成する部分は、外側導体２１４である。第１の同軸導波管２１１の内側導体２１３は、孔２１７の中心線、即ち軸線ＡＸに沿って延在している。
【００３８】
中央部２２２には、軸線ＡＸに対して径方向に延びる複数の孔２１８が形成されている。複数の孔２１８は、軸線ＡＸに対して周方向において、約３６０°／Ｎの角度間隔で配列されている。上述したように、「Ｎ」は、第２の同軸導波管２１２の個数である。中央部２２２において複数の孔２１８を画成する部分は、外側導体２１６である。複数の孔２１８の中では、複数の内側導体２１５、即ち複数の第２の同軸導波管２１２の内側導体がそれぞれ延在している。複数の内側導体２１５は、内側導体２１３から分岐して、軸線ＡＸに対して径方向に延びている。複数の内側導体２１５の各々の端部は、円筒部材２４の上端に接続されている。したがって、内側導体２１３及び複数の内側導体２１５は接地されている。故に、導波部２０が提供する導波路は、接地された導体、即ち接地された導波部２０の金属壁によって構成されている。
【００３９】
複数の内側導体２１５の各々の端部は、ねじ２８によって円筒部材２４の上端に接続されている。ねじ２８は、外側円筒部２２３から複数の内側導体２１５のうち対応の内側導体２１５の端部まで延びて、この対応の内側導体２１５に螺合されている。ねじ２８の頭部は、外側円筒部２２３に当接している。ねじ２８は絶縁体から形成されている。ねじ２８は、例えばポリテトラフルオロエチレンから形成されている。円筒部材２４と外側円筒部２２３との間には、複数のスペーサ２９が設けられている。複数のスペーサ２９の各々は、円筒部材２４と外側円筒部２２３との間で対応のねじ２８を囲んでいる。複数のスペーサ２９の各々は、絶縁体から形成されている。複数のスペーサ２９の各々は、例えばポリテトラフルオロエチレンから形成されている。
【００４０】
以下、図１と共に図２を参照する。図２は、一つの例示的実施形態に係る上部電極を示す斜視図である。一実施形態において、上部電極１４は、第１部分１４１及び第２部分１４２を含んでいる。第１部分１４１は、上部電極１４の中央部分を構成している。第１部分１４１は、上壁１４３及び筒状壁１４４を含んでいる。上壁１４３は、略円盤形状を有している。上壁１４３は、略水平に延在している。筒状壁１４４は、略円筒形状を有している。筒状壁１４４は、上壁１４３の周縁部から下方に延在している。なお、筒状壁１４４の厚み（径方向における厚み）は、上壁１４３の厚み及び第２部分１４２の厚みよりも小さい。
【００４１】
第２部分１４２は、略環状且つ板状をなしている。第２部分１４２は、筒状壁１４４の下端から径方向に延在している。第２部分１４２の周縁部は、上部電極１４の周縁部である。上部電極１４の下面は、当該下面と誘電体板１８との間、且つ、上部電極１４の周縁部の内側に間隙１４５を画成している。
【００４２】
上部電極１４には、複数の第１のスリット１４７及び複数の第２のスリット１４８が形成されている。複数の第１のスリット１４７及び複数の第２のスリット１４８は、上部電極１４を貫通している。複数の第１のスリット１４７の各々は、筒状壁１４４から上部電極１４の周縁まで、径方向に沿って延びている。複数の第１のスリット１４７は、例えば、周方向において３６０°／Ｍの角度間隔で配列されている。なお、「Ｍ」は、複数の第１のスリット１４７の個数である。
【００４３】
複数の第２のスリット１４８の各々は、筒状壁１４４と上部電極１４の周縁との間の位置から上部電極１４の周縁まで、径方向に沿って延びている。複数の第２のスリット１４８は、周方向において、複数の第１のスリット１４７と交互に配列されている。
【００４４】
上述の空間２２５には、配管４０が接続されている。配管４０には、ガス供給部４２が接続されている。ガス供給部４２は、基板Ｗの処理のために用いられる一つ以上のガス源を含む。また、ガス供給部４２は、一つ以上のガス源からのガスの流量をそれぞれ制御するための一つ以上の流量制御器を含む。
【００４５】
配管４０は、導波部２０の導波路を通って空間２２５に延びている。上述したように導波部２０が提供する全ての導波路は、接地された導体によって構成されている。したがって、配管４０内でガスが励起されることが抑制される。
【００４６】
空間２２５は、上述の間隙１４５に、複数の第１のスリット１４７及び複数の第２のスリット１４８を介して接続されている。ガス供給部４２からのガスは、配管４０を介して空間２２５に供給される。空間２２５に供給されたガスは、複数の第１のスリット１４７及び複数の第２のスリット１４８を介して、間隙１４５に供給される。間隙１４５に供給されたガスは、誘電体板１８の複数のガス吐出孔１８ｈを介して、空間ＳＰに吐出される。
【００４７】
プラズマ処理装置１では、高周波電源３０から導波部２０の導波路を介して導入部１６に高周波が供給される。導波部２０の共振器２００は、軸線ＡＸが延在する方向に延び、且つ、軸線ＡＸの周りで周方向に延びる導波路２０１を提供している、この導波路２０１は、周方向に延在する導入部１６に接続されている。高周波は、この導入部１６から軸線ＡＸに向けて空間ＳＰ内に導入される。共振器２００は上述した幅の導波路２０１を提供しているので、導波路２０１の長手方向（軸線ＡＸの周方向）に沿った管内波長が無限大となる。その結果、導入部１６には周方向に均一な強度及び位相の電界が印加される。したがって、導入部１６からは、周方向において均一なパワーで高周波が空間ＳＰ内に導入される。高周波が空間ＳＰに導入されると、ガスが空間ＳＰ内で励起されて、当該ガスからプラズマが生成される。したがって、プラズマは、空間ＳＰ内で周方向において均一な密度分布で生成される。ステージ１２上の基板Ｗは、プラズマからの化学種によって処理される。
【００４８】
以下、プラズマ処理装置１を用いて基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法について説明する。プラズマ処理方法では、ステージ１２上に基板が載置される。次いで、プラズマ処理方法では、処理容器１０内の空間ＳＰにガスが供給される。ガスは、ガス供給部４２から空間ＳＰに供給される。次いで、プラズマ処理方法では、空間ＳＰに高周波が導入される。高周波は、導波部２０から導入部１６を介して空間ＳＰに導入される。空間ＳＰ内に導入された高周波は、空間ＳＰ内でガスを励起させて、当該ガスからプラズマを生成する。生成されたプラズマによって、基板が処理される。このプラズマ処理方法では、基板に対するプラズマ処理時に、ステージ１２の中央部と外周部との間で発生する高周波電界が抑制される。なお、このプラズマ処理方法は、後述する種々の実施形態のプラズマ処理装置を用いて同様に実行され得る。
【００４９】
上述した間隙１４５は、第１部分１４１によって画成されている部分空間と第２部分１４２によって画成されている部分空間を含む。第１部分１４１によって画成されている部分空間の鉛直方向における長さは、第２部分１４２によって画成されている部分空間の鉛直方向における長さよりも大きい。したがって、高周波によって形成される電界の強度の径方向における不均一性が低減される。
【００５０】
一実施形態において、空洞２２６が導波部２０の中央部２２２内に形成されている。空洞２２６の中には、アクチュエータ４６が収容されている。アクチュエータ４６からは、駆動軸４７が、中央部２２２を貫いて軸線ＡＸに沿って下方に延びている。駆動軸４７と中央部２２２との間には、Ｏリングといった封止部材４８が設けられている。駆動軸４７は、上部電極１４の第１部分１４１の上壁１４３に接続されている。アクチュエータ４６は、上壁１４３を上下に移動させる動力を発生する。アクチュエータ４６によって、上壁１４３が上方に移動されると、間隙１４５の鉛直方向における長さは、軸線ＡＸからの距離の長さに応じて増加する。即ち、アクチュエータ４６によって上壁１４３の鉛直方向における位置を調整することにより、間隙１４５の鉛直方向における長さを軸線ＡＸからの距離に応じて調整することができる。したがって、高周波によって形成される電界の強度の径方向における不均一性が解消され得る。
【００５１】
上述したように、上部電極１４の筒状壁１４４の厚みは、薄くなっている。したがって、上部電極１４は、撓み易くなっている。さらに、上部電極１４には、上述した複数の第１のスリット１４７及び複数の第２のスリット１４８が形成されている。したがって、上部電極１４は、更に撓み易くなっている。
【００５２】
以下、図１と共に図３を参照する。図３は、一つの例示的実施形態に係るステージを示す破断斜視図である。ステージ１２は、本体１２１及び導電層１２２を有している。本体１２１は、窒化アルミニウムといった絶縁体から形成されている。本体１２１は、略円盤形状を有している。本体１２１の中心軸線は、軸線ＡＸと略一致している。
【００５３】
導電層１２２は、導電性を有する材料、例えばタングステン、モリブデン等から形成されている。導電層１２２は、本体１２１内に設けられている。ステージ１２は、一つ以上の導電層を有していてもよい。この場合に、導電層１２２は、ステージ１２内に設けられた一つ以上の導電層のうちステージ１２の上面から最短の距離を有する。
【００５４】
導電層１２２は、軸線ＡＸの周りで環状に形成されている。導電層１２２の内径（直径）は、例えば基板Ｗの直径の１／６、即ち５０ｍｍ以上である。導電層１２２の外径は、基板Ｗの直径よりも小さい。一実施形態において、導電層１２２は、メッシュ状に形成されていてもよい。
【００５５】
一実施形態において、導電層１２２は、静電吸着用の電極である。この実施形態において、導電層１２２には、直流電源５０が電気的に接続される。直流電源５０からの直流電圧が導電層１２２に印加されると、ステージ１２と基板Ｗとの間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは、ステージ１２に引き付けられ、ステージ１２によって保持される。別の実施形態において、導電層１２２は、高周波電極であってもよい。この場合には、導電層１２２には、高周波電源が整合器を介して電気的に接続される。更に別の実施形態において、導電層１２２は、接地される電極であってもよい。
【００５６】
以上説明したプラズマ処理装置１では、導電層１２２が環状に形成されている。したがって、ステージ１２の中央部と外周部との間での高周波に起因する電位差の発生が抑制される。その結果、ステージ１２の中央部と外周部との間で発生する高周波電界が抑制される。
【００５７】
以下、図４を参照して、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置１Ｂについて説明する。図４は、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、プラズマ処理装置１の構成と異なるプラズマ処理装置１Ｂの構成について説明する。
【００５８】
プラズマ処理装置１Ｂは、誘電体板１８に代えて、誘電体板１８Ｂを備えている。誘電体板１８Ｂは、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、又は窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム等を含む誘電体から形成されている。誘電体板１８Ｂの表面のうち少なくとも下面には、耐腐食性を有する膜が形成されていてもよい。耐腐食性を有する膜は、酸化イットリウム膜、酸化フッ化イットリウム膜、フッ化イットリウム膜、又は酸化イットリウム、フッ化イットリウム等を含むセラミック膜であり得る。一実施形態において、誘電体板１８Ｂには、誘電体板１８と同様に、複数のガス吐出孔１８ｈが形成されている。即ち、誘電体板１８Ｂは、ガスを吐出するように構成されたシャワープレートであってもよい。誘電体板１８Ｂは、略円盤形状を有する。
【００５９】
プラズマ処理装置１Ｂにおいても、バッフル部材１３の上側で延在する処理容器１０の内壁面の面積は、空間ＳＰ側の誘電体板１８Ｂの表面積に略等しい。即ち、空間ＳＰを画成する面のうちグランド電位に設定された面（グランド面）の面積は、空間ＳＰを画成する面のうち誘電体板１８Ｂによって提供される面の面積と略同一である。
【００６０】
プラズマ処理装置１Ｂでは、導入部１６は、誘電体板１８Ｂとは別体である。プラズマ処理装置１Ｂにおいて、導入部１６は、リング状の部材である。導入部１６は、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムといった誘電体から形成されている。
【００６１】
プラズマ処理装置１Ｂは、導波部２０に代えて、導波部２０Ｂを備えている。導波部２０Ｂは、主部２２Ｂ及び円筒部材２４を有する。主部２２Ｂは、アルミニウム又はアルミニウム合金といった導体から形成されている。主部２２Ｂは、上壁部２２１Ｂ、中央部２２２Ｂ、外側円筒部２２３Ｂ、及び内側円筒部２２４Ｂを含んでいる。
【００６２】
上壁部２２１Ｂは、略環形状を有しており、板状をなしている。上壁部２２１Ｂの中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。外側円筒部２２３Ｂ及び内側円筒部２２４Ｂは、略円筒形状を有している。外側円筒部２２３Ｂ及び内側円筒部２２４Ｂの各々の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。内側円筒部２２４Ｂは、外側円筒部２２３Ｂに対して径方向内側に設けられている。内側円筒部２２４Ｂは、上壁部２２１Ｂの内縁から下方に延びている。外側円筒部２２３Ｂは、上壁部２２１Ｂの外縁から下方に延びている。円筒部材２４は、外側円筒部２２３Ｂと内側円筒部２２４Ｂとの間で延在している。円筒部材２４の上端は、上壁部２２１Ｂから離間している。
【００６３】
導波部２０Ｂは、共振器２００を構成している。共振器２００の内側導波路２０４は、内側円筒部２２４Ｂと円筒部材２４との間で延在している。共振器２００の外側導波路２０５は、外側円筒部２２３Ｂと円筒部材２４との間で延在している。外側導波路２０５と内側導波路２０４は、円筒部材２４の上端と上壁部２２１Ｂとの間の間隙を介して接続されている。内側導波路２０４は、導入部１６に接続されている。導入部１６は、中央部２２２Ｂの周縁部と処理容器１０の上端との間で、封止部材２５及び封止部材２６を介して挟持されている。中央部２２２Ｂは、略円盤形状を有している。中央部２２２Ｂは、内側円筒部２２４Ｂの下端から径方向内側に延在している。
【００６４】
プラズマ処理装置１Ｂでは、高周波電源３０は、円筒部材２４に電気的に接続されている。一実施形態では、高周波電源３０は、同軸ケーブル３１を介して円筒部材２４の上部に電気的に接続されている。円筒部材２４と主部２２Ｂとの間には、可変コンデンサ５６が接続されている。可変コンデンサ５６の静電容量は、共振器２００内で高周波の共振を生じさせるように、調整される。プラズマ処理装置１Ｂでは、かかる可変コンデンサ５６が用いられるので、高周波電源３０は、整合器を介することなく、円筒部材２４に電気的に接続されてもよい。
【００６５】
プラズマ処理装置１Ｂは、誘電体部材４９を更に備えていてもよい。誘電体部材４９は、上部電極１４の第１部分１４１の上壁１４３及び筒状壁１４４によって囲まれた空間を埋めるように当該空間内に設けられている。誘電体部材４９は、当該空間において放電が生じることを抑制する。
【００６６】
プラズマ処理装置１Ｂでは、駆動軸４７は、フランジ４７ｆを有している。フランジ４７ｆは、駆動軸４７の上端と下端との間に設けられている。フランジ４７ｆと中央部２２２Ｂとの間には、ベローズ４８１が設けられている。ベローズ４８１は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、又はステンレス鋼から形成され得る。ベローズ４８１と中央部２２２Ｂとの間には、Ｏリングといった封止部材４８２が設けられている。
【００６７】
プラズマ処理装置１Ｂでは、ステージ１２の導電層１２２は、高周波電極である。導電層１２２には、高周波電源５２が整合器５４を介して電気的に接続されている。整合器５４は、高周波電源５２の負荷のインピーダンスを高周波電源５２の出力インピーダンスに整合させるための整合回路を含んでいる。
【００６８】
以下、図５を参照して、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置１Ｃについて説明する。図５は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、プラズマ処理装置１の構成とは異なるプラズマ処理装置１Ｃの構成について、説明する。
【００６９】
プラズマ処理装置１Ｃは、上部電極１４に代えて、上部電極１４Ｃを備えている。上部電極１４Ｃは、略円盤形状を有している。上部電極１４Ｃの下面は、上部電極１４Ｃの周縁部の内側に、領域１４ｒを含んでいる。領域１４ｒの鉛直方向の位置は、軸線ＡＸからの距離の増加に応じて低くなっている。領域１４ｒは、例えば凹面であり曲面である。
【００７０】
上部電極１４Ｃは、突出部１４ｐを有する。突出部１４ｐは、例えば棒形状を有している。突出部１４ｐは、領域１４ｒの中心から軸線ＡＸに沿って下方に延びている。突出部１４ｐの上方、且つ、上部電極１４Ｃ内には、空洞１４ａが設けられている。したがって、領域１４ｒと空洞１４ａとの間の上部電極１４Ｃの部位は、薄くなっており、撓み易くなっている。上部電極１４Ｃには、孔１４ｂが形成されている。孔１４ｂは、空洞１４ａと後述する導波路２０６（即ち、大気圧空間）とを接続している。
【００７１】
プラズマ処理装置１Ｃは、誘電体板１８に代えて、誘電体板１８Ｃを備えている。誘電体板１８Ｃは、本体１８１と導電膜１８２を有している。本体１８１は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、又は窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム等を含む誘電体から形成されている。誘電体板１８Ｃの表面のうち少なくとも下面には、耐腐食性を有する膜が形成されていてもよい。耐腐食性を有する膜は、酸化イットリウム膜、酸化フッ化イットリウム膜、フッ化イットリウム膜、又は酸化イットリウム、フッ化イットリウム等を含むセラミック膜であり得る。本体１８１は、略円盤形状を有している。本体１８１の中心軸線は軸線ＡＸに略一致している。導電膜１８２は、本体１８１の上面の上に形成されている。導電膜１８２は、導電性を有する材料から形成されている。導電膜１８２は、例えば、アルミニウム、ニッケル、ステンレス鋼、タングステン、モリブデン、銅、又は金から形成されている。導電膜１８２は、例えば金属の溶射膜である。導電膜１８２には、上部電極１４Ｃの突出部１４ｐの下端が当接している。
【００７２】
誘電体板１８Ｃの周縁部は、上部電極１４Ｃの周縁部と処理容器１０の上端との間に設けられている。誘電体板１８Ｃの周縁部と上部電極１４Ｃの周縁部との間には、導電性弾性部材２７１が設けられている。導電性弾性部材２７１は、例えばスパイラルリングである。導電性弾性部材２７１の材料は、例えば、ステンレス鋼、インコネル、ニッケル、タングステン、タンタル、銅合金又はモリブデン等の金属である。導電性弾性部材２７１は、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、又は金等の保護膜により被覆されていてもよい。導電性弾性部材２７１は、上部電極１４Ｃと導電膜１８２との間の電気的接続を安定的に維持する。
【００７３】
プラズマ処理装置１Ｃにおいても、バッフル部材１３の上側で延在する処理容器１０の内壁面の面積は、空間ＳＰ側の誘電体板１８Ｃの表面積に略等しい。即ち、空間ＳＰを画成する面のうちグランド電位に設定された面（グランド面）の面積は、空間ＳＰを画成する面のうち誘電体板１８Ｃによって提供される面の面積と略同一である。
【００７４】
誘電体板１８Ｃの周縁部は、上部電極１４Ｃの周縁部と処理容器１０の上端との間で導電性弾性部材２７１及び弾性部材２７２を介して挟持されている。弾性部材２７２は、例えばＯリングである。誘電体板１８Ｃの周縁部と処理容器１０の上端との間には、サポートリング１７が設けられていてもよい。サポートリング１７は、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムといった誘電体から形成されている。弾性部材２７２は、サポートリング１７と処理容器１０の上端との間に介在していてもよい。
【００７５】
プラズマ処理装置１Ｃでは、導入部１６は、誘電体板１８Ｃとは別体である。プラズマ処理装置１Ｃにおいて、導入部１６は、リング状の部材である。導入部１６は、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムといった誘電体から形成されている。導入部１６は、誘電体板１８Ｃの周縁部及びサポートリング１７の外側で周方向に延在している。導入部１６は、上部電極１４Ｃの周縁部と処理容器１０の上端との間で、封止部材２５及び封止部材２６を介して挟持されている。
【００７６】
誘電体板１８Ｃは厚みの分布を有する。一実施形態において、誘電体板１８Ｃの厚みは、軸線ＡＸからの距離の増加に応じて薄くなっている。誘電体板１８Ｃの下面は、略平坦である。誘電体板１８Ｃの上面は、誘電体板１８Ｃの周縁部に対して内側で延在する領域１８ｒを含んでいる。領域１８ｒの鉛直方向の位置は、軸線ＡＸからの距離の増加に応じて、低くなっている。領域１８ｒは、例えば凸面であり曲面である。誘電体板１８Ｃがかかる厚みの分布を有するので、プラズマ処理装置１Ｃでは、高周波によって形成される電界の強度の径方向における不均一性が低減される。
【００７７】
一実施形態において、誘電体板１８Ｃには、誘電体板１８と同様に複数のガス吐出孔１８ｈが形成されている。即ち、誘電体板１８Ｃは、ガスを吐出するように構成されたシャワープレートであってもよい。複数のガス吐出孔１８ｈは、領域１８ｒから誘電体板１８Ｃの下面まで、誘電体板１８Ｃを貫通している。複数のガス吐出孔１８ｈの各々は、小径の部位と大径の部位を含んでいる。複数のガス吐出孔１８ｈの各々において、小径の部位は、大径の部位の下方で延在しており、大径の部位に連続している。複数のガス吐出孔１８ｈの小径の部位の長さは、互いに略同一である。複数のガス吐出孔１８ｈの大径の部位の長さは、複数のガス吐出孔１８ｈのコンダクタンス（ガスフローコンダクタンス）を互いに略等しくするように、調整されている。具体的には、複数のガス吐出孔１８ｈは、それらが形成されている箇所の誘電体板１８Ｃの厚みの大きさに応じて長さが大きくなるように調整された大径の部位を有する。
【００７８】
誘電体板１８Ｃの領域１８ｒは、上部電極１４Ｃの領域１４ｒに対面している。領域１８ｒと領域１４ｒは、互いに離間している。領域１８ｒと領域１４ｒとの間には、空間１４ｄが設けられている。空間１４ｄには、配管４０が接続されている。配管４０には、ガス供給部４２が接続されている。
【００７９】
ガス供給部４２からのガスは、配管４０を介して空間１４ｄに供給される。空間１４ｄに供給されたガスは、複数のガス吐出孔１８ｈを介して空間ＳＰに吐出される。空間１４ｄ内の圧力は、大気圧よりも低い。したがって、上部電極１４Ｃの突出部１４ｐは導電膜１８２に対して付勢されている。故に、誘電体板１８Ｃから上部電極１４Ｃへの放熱パスが安定的に確保される。
【００８０】
プラズマ処理装置１Ｃは、導波部２０に代えて、導波部２０Ｃを有している。導波部２０Ｃは、円筒部材２２Ｃ及び上部電極１４Ｃから構成されている。円筒部材２２Ｃは、上壁部２２１Ｃ及び円筒部２２３Ｃを含んでいる。上壁部２２１Ｃは、略円盤形状を有しており、上部電極１４Ｃの上方で水平に延在している。上壁部２２１Ｃは、上部電極１４Ｃの上面から離間している。円筒部２２３Ｃは、略円筒形状を有している。円筒部２２３Ｃの中心軸線は、軸線ＡＸと略一致している。円筒部２２３Ｃは、上壁部２２１Ｃの周縁部から下方に延在している。円筒部２２３Ｃの下端は、処理容器１０の上端に接続している。したがって、円筒部材２２Ｃは接地されている。円筒部２２３Ｃは、上部電極１４Ｃを囲むように、上部電極１４Ｃの径方向外側に設けられている。円筒部２２３Ｃは、上部電極１４Ｃから離間している。
【００８１】
導波部２０Ｃは、上壁部２２１Ｃと上部電極１４Ｃの上面との間に、導波路２０６を提供している。導波部２０Ｃは、円筒部２２３Ｃと上部電極１４Ｃの外周面との間に、筒状の導波路２０７を提供している。導波路２０６は導波路２０７の上端に接続している。導波路２０７の下端は、導入部１６に接続している。
【００８２】
プラズマ処理装置１Ｃでは、高周波電源３０は、整合器３２を介して上部電極１４Ｃに電気的に接続されている。高周波電源３０からの高周波は、導波路２０６及び導波路２０７を介して導入部１６に供給される。高周波は、導入部１６を介して空間ＳＰに供給される。高周波が空間ＳＰに供給されると、空間ＳＰ内のガスが励起されて、当該ガスからプラズマが形成される。基板Ｗは、プラズマからの化学種によって処理される。
【００８３】
プラズマ処理装置１Ｃでは、配管４０は導波路２０６を通って空間１４ｄまで延びている。導波路２０６を画成する上部電極１４Ｃは、接地されていない。配管４０の中でガスが励起されることを防止するために、配管４０は、導波路２０６の中では部材４０１によって囲まれている。部材４０１は、絶縁性を有する材料から形成されている。また、部材４０１の長さを長くするために、上壁部２２１Ｃは、部材４０１の周囲で上方へ突出するように形成されている。
【００８４】
プラズマ処理装置１Ｃは、ステージ１２に代えて、ステージ１２Ｃを備えている。以下、図５と共に図６を参照する。図６は、別の例示的実施形態に係るステージを示す破断斜視図である。ステージ１２Ｃは、ステージ１２と同様に本体１２１及び導電層１２２を有している。ステージ１２Ｃの導電層１２２は、静電吸着用の電極である。導電層１２２には、直流電源５０が電気的に接続されている。
【００８５】
ステージ１２Ｃは、導電層１２３を更に備えている。導電層１２３とステージ１２Ｃの上面との間の距離は、導電層１２２とステージ１２Ｃの上面との間の距離よりも大きい。即ち、導電層１２２は、ステージ１２Ｃの複数の導電層のうち、ステージ１２Ｃの上面から最短の距離を有する。
【００８６】
一実施形態において、導電層１２３は、ヒータ（抵抗加熱素子）である。この実施形態では、導電層１２３は、ヒータ電源５８にコモンモードフィルタ５９を介して電気的に接続されている。導電層１２３は、本体１２１内の環状の領域内に形成されている。この環状の領域の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致する。この環状の領域の内径は、例えば基板Ｗの直径の１／６、即ち５０ｍｍ以上である。この環状の領域の外径は、基板Ｗの直径よりも小さい。導電層１２３は、メッシュ状に形成されていてもよい。
【００８７】
以下、図７を参照して、更に別の例示的実施形態に係るステージ１２Ｄについて説明する。図７は、更に別の例示的実施形態に係るステージを示す破断斜視図である。図７に示すステージ１２Ｄは、プラズマ処理装置１、プラズマ処理装置１Ｂ、及びプラズマ処理装置１Ｃのステージとして利用され得る。
【００８８】
ステージ１２Ｄは、本体１２１Ｄを有する。本体１２１Ｄは、アルミニウム又はアルミニウム合金といった金属から形成されている。本体１２１Ｄは、略円盤形状を有する。本体１２１Ｄの中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。
【００８９】
本体１２１Ｄの上面１２ｔは、基板載置領域１２ｗ及びフォーカスリング搭載領域１２ｆを含んでいる。基板載置領域１２ｗは、略円形の領域である。基板Ｗは、基板載置領域１２ｗ上に載置される。基板載置領域１２ｗの直径は、基板Ｗの直径よりも小さい。フォーカスリング搭載領域１２ｆは、基板載置領域１２ｗの外側で径方向及び周方向に延在している。フォーカスリング搭載領域１２ｆの鉛直方向の位置は、基板載置領域１２ｗの鉛直方向の位置のよりも低い。
【００９０】
フォーカスリング搭載領域１２ｆ上には、フォーカスリングＦＲが搭載される。フォーカスリングＦＲは、略環形状を有しており、板状をなしている。フォーカスリングＦＲは、酸化アルミニウム又は石英から形成されている。フォーカスリングＦＲは、その内縁の上面が基板Ｗのエッジの下面に面するように、フォーカスリング搭載領域１２ｆ上に搭載される。
【００９１】
このステージ１２Ｄによれば、ステージ１２Ｄの中央部と外周部との間での高周波電界の発生がフォーカスリングＦＲによって抑制される。
【００９２】
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
【００９３】
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
【符号の説明】
【００９４】
１…プラズマ処理装置、１０…処理容器、１２…ステージ、１４…上部電極、１６…導入部、１２１…本体、１２２…導電層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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