(57)【要約】【課題】導電性ペーストを固化して形成する層間接続導体を備える構成において、層間接続導体の導体損失を抑制した樹脂基板を実現する。【解決手段】樹脂基板１０１は、樹脂基材１０と、前記樹脂基材１０に形成される導体パターン（信号導体３１、グランド導体４１，４２，４３、信号電極Ｐ２等）と、樹脂基材１０に形成される層間接続導体Ｖ２，ＶＧ１，ＶＧ２，ＶＧ３等とを備える。層間接続導体Ｖ２，ＶＧ１〜ＶＧ３は厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸し、金属体５０および高抵抗部材６１を有する。高抵抗部材６１は、金属体５０に接触し、金属体５０よりも抵抗率が高い。金属体５０の厚み方向における最大長さ（Ｌ１）は、層間接続導体の厚み方向における長さ（Ｌ２）の１／２よりも長い（Ｌ１＞Ｌ２／２）。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基材と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
前記樹脂基材に形成され、前記樹脂基材の厚み方向に延伸し、前記導体パターンに接続される層間接続導体と、
を備え、
前記層間接続導体は、金属体と、前記金属体に接触し、前記金属体よりも抵抗率の高い高抵抗部材と、を有し、
前記金属体の前記厚み方向における最大長さは、前記層間接続導体の前記厚み方向における長さの１／２よりも長い、樹脂基板。
【請求項２】
前記高抵抗部材は樹脂である、請求項１に記載の樹脂基板。
【請求項３】
前記高抵抗部材は、Ｓｎを含む金属間化合物を有する、請求項１に記載の樹脂基板。
【請求項４】
前記金属体はＣｕを主成分とし、
前記高抵抗部材は、Ｃｕ，Ｓｎを含む金属間化合物を有する、請求項３に記載の樹脂基板。
【請求項５】
前記金属間化合物は、前記金属体の周囲に形成される第１金属間化合物と、前記金属体に接触せず、前記第１金属間化合物よりも抵抗値が高い第２金属間化合物と、を有する、請求項４に記載の樹脂基板。
【請求項６】
前記層間接続導体は、前記厚み方向の一方側から他方側に向かって平断面積が小さくなる先細り形状である、請求項１から５のいずれかに記載の樹脂基板。
【請求項７】
前記導体パターンは信号導体を有し、
前記層間接続導体は、前記信号導体に電気的に接続される、請求項１から６のいずれかに記載の樹脂基板。
【請求項８】
樹脂層に導体パターンを形成する、パターン形成工程と、
前記樹脂層の前記導体パターンに重なる位置にビア用貫通孔を形成する、孔形成工程と、
前記孔形成工程の後に、前記樹脂層の厚み方向における長さが、前記ビア用貫通孔の前記厚み方向における長さの１／２よりも長い金属体と、金属粒子を含んだ導電性ペーストと、を前記ビア用貫通孔内に充填する、充填工程と、
前記充填工程の後、前記樹脂層を加熱して樹脂基材を形成するとともに、前記金属体と前記導電性ペーストとを反応させて、前記金属体の前記厚み方向における長さを、前記ビア用貫通孔の前記厚み方向における長さの１／２以上残存させながら、前記金属体よりも抵抗率の高い高抵抗部材を形成し、前記金属体と前記高抵抗部材とを有する層間接続導体を形成する、樹脂基材形成工程と、
を備える、樹脂基板の製造方法。
【請求項９】
前記充填工程は、前記導電性ペーストを前記ビア用貫通孔内に挿入して、前記金属体を前記ビア用貫通孔内に挿入した後、前記導電性ペーストを前記ビア用貫通孔内にさらに挿入する工程を含む、請求項８に記載の樹脂基板の製造方法。
【請求項１０】
樹脂層に導体パターンを形成する、パターン形成工程と、
前記樹脂層の前記導体パターンに重なる位置にビア用貫通孔を形成する、孔形成工程と、
前記孔形成工程の後に、前記樹脂層の厚み方向における長さが、前記ビア用貫通孔の前記厚み方向における長さの１／２よりも長い金属体と、前記金属体よりも抵抗率の高い樹脂を含んだ導電性ペーストと、を前記ビア用貫通孔内に充填する、充填工程と、
前記充填工程の後、前記樹脂層を加熱して樹脂基材を形成するとともに、前記樹脂が前記金属体よりも抵抗率の高い高抵抗部材となって、前記金属体と前記高抵抗部材とを有する層間接続導体を形成する、樹脂基材形成工程と、
を備える、樹脂基板の製造方法。
【請求項１１】
前記充填工程は、
前記樹脂層に重なり、前記ビア用貫通孔に対応する位置に貫通孔が設けられたマスク層を用意し、
前記マスク層のうち前記樹脂層の主面に対向する面とは反対側の面に前記金属体を載置した後、前記樹脂層および前記マスク層を振動させることにより、前記金属体を前記ビア用貫通孔に挿入する工程を含む、請求項８から１０のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
【請求項１２】
前記金属体は、真球度が０．６以上の球体状である、請求項８から１１のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂基材と、該樹脂基材に形成される複数の導体パターンと、該複数の導体パターン同士を接続するための層間接続導体と、を備える樹脂基板、およびその樹脂基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の樹脂層が積層されて形成される樹脂基材と、この樹脂基材に形成される層間接続導体と、を備える樹脂基板が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、金属粒子を含む導電性ペーストを加熱して固化させた層間接続導体を備える多層基板が開示されている。この構成によれば、上記層間接続導体を介して、導体パターンと他の導体とを接続できるため、複雑な回路を樹脂基板に形成することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１２６０２８号公報
【特許文献２】特開２００３−１１０２４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に示される層間接続導体は、バインダ等の樹脂を含んだ導電性ペーストを固化して形成するため、層間接続導体に樹脂が含まれており、層間接続導体の導電率は低い。また、特許文献２に示される層間接続導体は、複数種の金属（Ｃｕ，Ｍｎ等）粒子を含んだ導電性ペーストを加熱して固化させるため、加熱後に複数種の金属間化合物が形成される。そして、この金属間化合物の導体抵抗は、基の金属の導体抵抗よりも高くなる場合が多い。このように、金属粒子を含んだ導電性ペーストを固化して形成された層間接続導体の導電率は低く、これらの層間接続導体を用いて形成された回路の導体損失は高くなってしまう。
【０００６】
本発明の目的は、導電性ペーストを固化して形成される層間接続導体を備える構成において、層間接続導体の導体損失を抑制した樹脂基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の樹脂基板は、
樹脂基材と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
前記樹脂基材に形成され、前記樹脂基材の厚み方向に延伸し、前記導体パターンに接続される層間接続導体と、
を備え、
前記層間接続導体は、金属体と、前記金属体に接触し、前記金属体よりも抵抗率の高い高抵抗部材と、を有し、
前記金属体の前記厚み方向における最大長さは、前記層間接続導体の前記厚み方向における長さの１／２よりも長いことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、層間接続導体が金属体を有していない場合（または、層間接続導体が有する金属体の厚み方向における長さが短い場合）に比べて、層間接続導体の導通経路のうち高抵抗部材の割合を低くできる。すなわち、サイズの大きな（厚み方向に長い）金属体を用いることにより、層間接続導体の導体損失を低減できる。
【０００９】
本発明の樹脂基板の製造方法は、
樹脂層に導体パターンを形成する、パターン形成工程と、
前記樹脂層の前記導体パターンに重なる位置にビア用貫通孔を形成する、孔形成工程と、
前記孔形成工程の後に、前記樹脂層の厚み方向における長さが、前記ビア用貫通孔の前記厚み方向における長さの１／２よりも長い金属体と、金属粒子を含んだ導電性ペーストと、を前記ビア用貫通孔内に充填する、充填工程と、
前記充填工程の後、前記樹脂層を加熱して樹脂基材を形成するとともに、前記金属体と前記導電性ペーストとを反応させて、前記金属体の前記厚み方向における長さを、前記ビア用貫通孔の前記厚み方向における長さの１／２以上残存させながら、前記金属体よりも抵抗率の高い高抵抗部材を形成し、前記金属体と前記高抵抗部材とを有する層間接続導体を形成する、樹脂基材形成工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明の樹脂基板の製造方法は、
樹脂層に導体パターンを形成する、パターン形成工程と、
前記樹脂層の前記導体パターンに重なる位置にビア用貫通孔を形成する、孔形成工程と、
前記孔形成工程の後に、前記樹脂層の厚み方向における長さが、前記ビア用貫通孔の前記厚み方向における長さの１／２よりも長い金属体と、前記金属体よりも抵抗率の高い樹脂を含んだ導電性ペーストと、を前記ビア用貫通孔内に充填する、充填工程と、
前記充填工程の後、前記樹脂層を加熱して樹脂基材を形成するとともに、前記樹脂が前記金属体よりも抵抗率の高い高抵抗部材となって、前記金属体と前記高抵抗部材とを有する層間接続導体を形成する、樹脂基材形成工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１１】
この製造方法により、導電性ペーストからなる層間接続導体を備える構成において、層間接続導体の導体損失を抑制した樹脂基板を容易に製造できる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、導電性ペーストを固化して形成する層間接続導体を備える構成において、層間接続導体の導体損失を抑制した樹脂基板を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１の外観斜視図である。
【図２】図２は、樹脂基板１０１の分解斜視図である。
【図３】図３（Ａ）は図１におけるＡ−Ａ断面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）における拡大表示部ＺＰ１の拡大断面図である。
【図４】図４は、加熱プレス前の樹脂層１１に、グランド導体４１等を形成する工程を順に示した断面図である。
【図５】図５は、樹脂基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。
【図６】図６は、加熱プレス前の樹脂層１１に、グランド導体４１等を形成する工程を順に示した断面図である。
【図７】図７は、加熱プレス前の樹脂層１１に、グランド導体４１等を形成する工程を順に示した断面図である。
【図８】図８（Ａ）は第２の実施形態に係る樹脂基板１０２の断面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）における拡大表示部ＺＰ２の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点につてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００１５】
《第１の実施形態》
図１は、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１の外観斜視図である。図２は、樹脂基板１０１の分解斜視図である。図３（Ａ）は図１におけるＡ−Ａ断面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）における拡大表示部ＺＰ１の拡大断面図である。
【００１６】
樹脂基板１０１は、例えば、回路基板上に実装される表面実装部品、二つの回路基板同士を接続するケーブル、または回路基板と他の部品との間を接続するケーブル等である。樹脂基板１０１は、第１接続部ＣＮ１、第２接続部ＣＮ２および線路部ＳＬを有する。第１接続部ＣＮ１、線路部ＳＬおよび第２接続部ＣＮ２は、＋Ｘ方向にこの順に配置されている。
【００１７】
樹脂基板１０１は、樹脂基材１０、複数の導体パターン（信号導体３１、グランド導体４１，４２，４３、信号電極Ｐ１，Ｐ２およびグランド電極ＰＧ１，ＰＧ２）、複数の層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，ＶＧ１，ＶＧ２，ＶＧ３等を備える。
【００１８】
樹脂基材１０は、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２は、いずれも厚み方向（Ｚ軸方向）に直交する面である。第１接続部ＣＮ１の第１主面ＶＳ１には、信号電極Ｐ１および複数のグランド電極ＰＧ１が形成されている。第２接続部ＣＮ２の第１主面ＶＳ１には、信号電極Ｐ２および複数のグランド電極ＰＧ２が形成されている。樹脂基材１０の内部には、信号導体３１、グランド導体４１〜４３および複数の層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，ＶＧ１〜ＶＧ３が形成されている。
【００１９】
樹脂基材１０は、樹脂層１１，１２，１３および保護層１，２を有する。具体的に、樹脂基材１０は、保護層２、樹脂層１１，１２，１３および保護層１が、この順番に積層されて形成されている。樹脂層１１，１２，１３は、いずれも長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板であり、熱可塑性樹脂からなる。樹脂層１１〜１３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主成分とする樹脂シートである。
【００２０】
樹脂層１１の裏面には、グランド導体４１が形成されている。グランド導体４１は、樹脂層１１の略全面に形成される平面状の導体パターンである。グランド導体４１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。
【００２１】
また、樹脂層１１には、複数の層間接続導体ＶＧ１が形成されている。層間接続導体ＶＧ１は、厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸して、グランド導体４１に接続されている。
【００２２】
樹脂層１２の表面には、信号導体３１およびグランド導体４２が形成されている。信号導体３１は、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。グランド導体４２は、樹脂層１２の略全面に形成される平面状の導体パターンである。信号導体３１およびグランド導体４２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。
【００２３】
また、樹脂層１２には、複数の層間接続導体ＶＧ２が形成されている。層間接続導体ＶＧ２は、厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸して、グランド導体４２に接続されている。
【００２４】
樹脂層１３の表面には、信号電極Ｐ１，Ｐ２およびグランド導体４３が形成されている。信号電極Ｐ１は、樹脂層１３の第１端（図２おける樹脂層１３の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。信号電極Ｐ２は、樹脂層１３の第２端（図２における樹脂層１３の右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。グランド導体４３は、樹脂層１３の略全面に形成される平面状の導体パターンである。信号電極Ｐ１，Ｐ２およびグランド導体４３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。
【００２５】
また、樹脂層１３には、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２および複数の層間接続導体ＶＧ３が形成されている。層間接続導体Ｖ１，Ｖ２は、それぞれ厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸して、信号導体３１に接続されている。層間接続導体ＶＧ３は、厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸して、グランド導体４３に接続されている。
【００２６】
保護層１は、樹脂層１３の表面に積層される保護膜であり、平面形状が樹脂層１３と略同じである。保護層２は、樹脂層１１の裏面に積層される保護膜であり、平面形状が樹脂層１１と略同じである。保護層１，２は、例えばポリイミド（ＰＩ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂（ＥＰ）を主成分とするソルダーレジスト膜である。
【００２７】
図２に示すように、保護層１は、開口ＡＰ１，ＡＰ２および複数の開口ＡＧ１，ＡＧ２を有する。複数の開口ＡＧ１は、保護層１の第１端（図２おける保護層１の左端）付近に配置されており、複数の開口ＡＧ２は、保護層１の第２端（図２における保護層１の右端）付近に配置されている。開口ＡＰ１は信号電極Ｐ１の位置に応じた位置に形成されており、開口ＡＰ２は信号電極Ｐ２の位置に応じた位置に形成されている。そのため、樹脂層１３の表面に保護層１が形成された場合でも、信号電極Ｐ１，Ｐ２がそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２から外部に露出する。また、複数の開口ＡＧ１，ＡＧ２は、グランド導体４３の位置に応じた位置に形成されている。そのため、樹脂層１３の表面に保護層１が形成された場合でも、グランド導体４３の一部が開口ＡＧ１，ＡＧ２から外部に露出する。本実施形態では、複数の開口ＡＧ１から露出するグランド導体４３の一部がグランド電極ＰＧ１であり、複数の開口ＡＧ２から露出するグランド導体４３の一部がグランド電極ＰＧ２である。
【００２８】
図２等に示すように、信号電極Ｐ１，Ｐ２は、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２および信号導体３１を介して、電気的に接続されている。また、図３（Ａ）等に示すように、グランド導体４１，４２，４３は、層間接続導体ＶＧ１，ＶＧ２，ＶＧ３を介して、電気的に接続されている。
【００２９】
本実施形態の線路部ＳＬには、信号導体３１、グランド導体４１，４３、信号導体３１とグランド導体４１とで挟まれる樹脂層１１，１２、および信号導体３１とグランド導体４３とで挟まれる樹脂層１３を含んだストリップライン構造の伝送線路が構成されている。
【００３０】
層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，ＶＧ１〜ＶＧ３は、いずれも厚み方向（Ｚ軸方向）の一方側から他方側に向かって平断面積（ＸＹ平面の面積）が小さくなる先細り形状（テーパー形状）である。具体的には、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，ＶＧ１〜ＶＧ３は円錐台形をしている。
【００３１】
層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，ＶＧ１〜ＶＧ３は、図３（Ａ）等に示すように、それぞれ金属体５０および高抵抗部材６１を有する。金属体５０は、導電率の高い金属製の球体である。高抵抗部材６１は、金属体５０に接触する、金属体５０よりも抵抗率の高い物体である。図３（Ｂ）に示すように、金属体５０の厚み方向における最大長さ（Ｌ１）が、層間接続導体ＶＧ３自体の厚み方向における長さ（Ｌ２）の１／２よりも長い（Ｌ１＞｛Ｌ２／２｝）。また、厚み方向に平行な平面（例えば、ＹＺ平面やＸＺ平面）で切ったときの金属体５０の断面積（Ａ１）は、同一平面で切ったときの層間接続導体ＶＧ３の断面積（Ａ２）の１／４よりも大きい（Ａ１＞｛Ａ２／４｝）。さらに、金属体５０の体積（Ｖ１）は層間接続導体ＶＧ３の体積（Ｖ２）の１／８よりも大きい（Ｖ１＞｛Ｖ２／８｝）。
【００３２】
本実施形態の金属体５０は、Ｃｕを主成分とする球体である。また、本実施形態の高抵抗部材６１は、後に詳述するように、Ｃｕ，Ｓｎを含んだ低融点の導電性ペーストを固化して形成された導体であり、Ｃｕ，Ｓｎを含んだ金属間化合物と樹脂材料とを有する。なお、この金属間化合物には、図３（Ｂ）に示すように、第１金属間化合物ＭＣ１および第２金属間化合物ＭＣ２が含まれる。第１金属間化合物ＭＣ１は、金属体５０の周囲、および層間接続導体ＶＧ３とグランド導体４２，４３（導体パターン）との境界部分に形成される合金層である。第２金属間化合物ＭＣ２は、金属体５０には接触しておらず、第１金属間化合物ＭＣ１よりもさらに抵抗値の高い合金である。第１金属間化合物ＭＣ１は例えばＣｕ３Ｓｎであり、第２金属間化合物ＭＣ２は例えばＣｕ６Ｓｎ５である。
【００３３】
本実施形態に係る樹脂基板１０１によれば、次のような効果を奏する。
【００３４】
（ａ）本実施形態に係る樹脂基板１０１では、層間接続導体（Ｖ１，Ｖ２，ＶＧ１〜ＶＧ３）が、高抵抗部材６１と、高抵抗部材６１よりも抵抗率の低い金属体５０とを有する。そして、この金属体５０の厚み方向における最大長さ（Ｌ１）は、その層間接続導体の厚み方向における長さ（Ｌ２）の１／２よりも長い（Ｌ１＞Ｌ２／２）。この構成によれば、層間接続導体が金属体５０を有していない場合（または、層間接続導体が有する金属体５０の厚み方向における長さが短い場合）に比べて、層間接続導体の導通経路のうち高抵抗部材６１の割合を低くできる。すなわち、サイズの大きな（厚み方向に長い）金属体５０を用いることにより、層間接続導体の導体損失を低減できる。
【００３５】
（ｂ）本実施形態では、信号導体３１に接続される層間接続導体Ｖ１，Ｖ２が金属体５０を有する。この構成に依れば、信号導体に接続される層間接続導体が金属体を有していない場合と比較して、伝送経路の導体損失を低減できる。すなわち、この構成により、高周波特性に優れた樹脂基板を実現できる。
【００３６】
（ｃ）本実施形態では、樹脂基材１０の一部を構成する樹脂層１１，１２，１３が、いずれも熱可塑性樹脂からなる。この構成によれば、後に詳述するように、積層した樹脂層１１，１２，１３を加熱プレス（一括プレス）することにより、樹脂基材１０を容易に形成できる。そのため、樹脂基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、この構成により、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持（保持）できる樹脂基板を実現できる。
【００３７】
（ｄ）また、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，ＶＧ１〜ＶＧ３には樹脂材料が含まれているため、樹脂層１１，１２，１３と高い接合性が得られる。なお、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，ＶＧ１〜ＶＧ３に含まれる樹脂材料は、これらに接する樹脂層１１，１２，１３の樹脂材料と同種であることが好ましい。
【００３８】
本実施形態では、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，ＶＧ１〜ＶＧ３が、厚み方向の一方側から他方側に向かって平断面積が小さくなる先細り形状（円錐台）である。この構成によれば、後に詳述するように、層間接続導体が円柱形である場合と比較して、少ない量の導電性ペーストで層間接続導体を形成でき、低コスト化が図れる。
【００３９】
なお、本実施形態では、金属体５０の主材料がＣｕである例を示したが、これに限定されるものではない。金属体５０の主材料は、例えばＣｕ−Ｎｉ系合金でもよい。その場合には、金属体５０の周囲、および層間接続導体と導体パターンとの境界部分に、Ｃｕ３Ｓｎ等の合金層（第１金属間化合物）は形成されない。
【００４０】
本実施形態に係る樹脂基板１０１は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図４は、加熱プレス前の樹脂層１１に、グランド導体４１等を形成する工程を順に示した断面図である。図５は、樹脂基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。なお、図４および図５では、説明の都合上、ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の樹脂基板１０１の製造工程は集合基板状態で行われる。「集合基板」とは、複数の樹脂基板１０１が含まれる基板を言う。また、樹脂層１２，１３については、図４に示す樹脂層１１と同様の工程となるため、説明を省略している。このことは以降に示す製造方法における断面図でも同様である。
【００４１】
まず、図４中の（１）に示すように、熱可塑性樹脂からなる樹脂層１１を準備し、樹脂層１１の裏面にグランド導体４１を形成する。具体的には、樹脂層１１の裏面に金属箔（Ｃｕ箔）をラミネートし、ラミネートされた金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることで、樹脂層１１の裏面にグランド導体４１を形成する。なお、樹脂層１１の表面には、マスク層２１を貼付する。
【００４２】
樹脂層１１は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主成分とする樹脂シートである。マスク層２１は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルムである。
【００４３】
このように樹脂層１１に導体パターン（グランド導体４１）を形成するこの工程が、本発明の「パターン形成工程」の一例である。
【００４４】
次に、樹脂層１１を貫通するビア用貫通孔ＯＰを設ける。ビア用貫通孔ＯＰは、例えば、マスク層２１が貼付された樹脂層１１の表面側から、グランド導体４１に重なる位置に向けてレーザーを照射して形成される。このため、マスク層２１にも、ビア用貫通孔ＯＰに一致する位置（対応する位置）に貫通孔が設けられている。ビア用貫通孔ＯＰは、樹脂層１１の表面から裏面に向かって平断面積が小さくなる先細り形状（テーパー形状）となっている。なお、ビア用貫通孔ＯＰは、例えばドリル等で研削・研磨・エッチングすることにより設けてもよい。
【００４５】
このように、樹脂層１１の導体パターン（グランド導体４１）に重なる位置に、ビア用貫通孔ＯＰを形成するこの工程が、本発明の「孔形成工程」の一例である。
【００４６】
次に、図４中の（２）に示すように、ビア用貫通孔ＯＰに金属体５０Ｐを挿入する。具体的には、マスク層２１の表面に金属体５０Ｐおよび溶剤４を載せた後、マスク層２１の表面をスキージ３で掻き出すことによって、ビア用貫通孔ＯＰ内に金属体５０Ｐを溶剤４とともに挿入する。金属体５０Ｐは、樹脂層１１の厚み方向における最大長さが、ビア用貫通孔ＯＰの厚み方向における長さの１／２よりも長い。
【００４７】
金属体５０Ｐは、例えばＣｕを主成分とする球体である。金属体５０Ｐの真球度（ＳＰ）は０．６以上であることが好ましい（ＳＰ≧０．６）。ここで「真球度」とは、球体１個を真円度測定器で互いに９０度をなす２または３赤道表面の輪郭を測定したときに、それぞれの最小外接円から球体表面までの半径方向の距離の最大の値（ａ）を最小外接円の半径（Ｒ）で割ったものをいう（ａ／Ｒ）。このような真球度の金属体５０Ｐを用いることにより、ビア用貫通孔ＯＰに金属体５０Ｐを容易に充填することが可能となる。
【００４８】
溶剤４はスキージ３で掻き出す際の潤滑剤として機能するものであり、揮発性を有する。そのため、金属体５０Ｐをビア用貫通孔ＯＰに挿入した後、乾燥させることで揮発して無くなる。溶剤４は例えば揮発性のワニスである。
【００４９】
次に、図４中の（３）に示すように、金属体５０Ｐが挿入されたビア用貫通孔ＯＰ内に、導電性ペースト７１Ｐを充填した後に、マスク層２１を取り除いて図４中の（４）に示すような樹脂層１１を得る。導電性ペースト７１Ｐは、Ｃｕ，Ｓｎ等の金属粒子と、金属体５０Ｐよりも抵抗率の高い樹脂とを含んだ導電性ペーストである。
【００５０】
このように、孔形成工程の後に、金属体５０Ｐと導電性ペースト７１Ｐとをビア用貫通孔ＯＰに充填するこの工程が、本発明の「充填工程」の一例である。
【００５１】
次に、図５中の（１）に示すように、樹脂層１１，１２，１３を積層（載置）する。具体的には、樹脂層１１，１２，１３をこの順に積層する。その後、積層方向（Ｚ軸方向）に、積層した樹脂層１１，１２，１３を加熱プレス（一括プレス）することにより、図５中の（２）に示す樹脂基材１０Ｐを形成する。
【００５２】
なお、加熱プレス時に、金属体５０と金属体５０よりも抵抗率の高い高抵抗部材６１とを有した層間接続導体Ｖ２，ＶＧ１〜ＶＧ３等も形成される。具体的には、加熱プレス時の熱によって金属体５０Ｐと導電性ペースト７１Ｐとを反応させて、金属体５０Ｐの厚み方向における長さを、ビア用貫通孔ＯＰの厚み方向における長さの１／２以上残存させながら、金属体５０よりも抵抗率の高い高抵抗部材６１を形成する。
【００５３】
層間接続導体Ｖ２，ＶＧ１〜ＶＧ３の高抵抗部材６１は、Ｃｕ，Ｓｎを含んだ金属間化合物と樹脂材料とを有する。具体的には、この金属間化合物には、第１金属間化合物（図３（Ｂ）に示す第１金属間化合物ＭＣ１を参照）および第２金属間化合物（図３（Ｂ）に示す第２金属間化合物ＭＣ２を参照）が含まれる。第１金属間化合物は、金属体５０の周囲、および層間接続導体ＶＧ３とグランド導体４２，４３（導体パターン）との境界部分に形成される合金層である。第２金属間化合物は、金属体５０には接触しておらず、第１金属間化合物よりもさらに抵抗値の高い合金である。第１金属間化合物は例えばＣｕ３Ｓｎであり、第２金属間化合物は例えばＣｕ６Ｓｎ５である。
【００５４】
このように、充填工程の後、樹脂層１１，１２，１３を加熱プレスして樹脂基材１０Ｐを形成するとともに、金属体５０Ｐと導電性ペースト７１Ｐとを反応させて、金属体５０と高抵抗部材６１とを有する層間接続導体Ｖ２，ＶＧ１〜ＶＧ３等を形成するこの工程が、本発明の「樹脂基材形成工程」の一例である。
【００５５】
その後、樹脂基材１０Ｐの表面（上面）に保護層１を形成し、樹脂基材１０Ｐの裏面（下面）に保護層２を形成して、図５中の（３）に示す樹脂基材１０を形成する。保護層１，２は、例えばポリイミド（ＰＩ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂（ＥＰ）を主成分とするソルダーレジスト膜である。
【００５６】
最後に、集合基板から個々の個片に分離して樹脂基板１０１を得る。
【００５７】
この製造方法により、導電性ペーストからなる層間接続導体を備える構成において、層間接続導体の導体損失を抑制した樹脂基板を容易に製造できる。
【００５８】
また、この製造方法では、１つの大きなサイズの金属体５０Ｐ（厚み方向における最大長さが、ビア用貫通孔ＯＰの厚み方向における長さの１／２よりも長い金属体）を、ビア用貫通孔ＯＰに挿入する。これにより、層間接続導体の導体損失を低減させるために、１つのビア用貫通孔ＯＰ内に小さなサイズの金属体を複数挿入する必要はなくなり、製造が容易となる。
【００５９】
この製造方法によれば、樹脂層１１，１２，１３を一括プレスすることにより、樹脂基材１０Ｐを容易に形成できる。そのため、樹脂基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。
【００６０】
この製造方法では、Ｃｕ，Ｓｎ等の金属粒子を含んだ導電性ペースト７１Ｐを用いるため、Ｃｕである金属体５０Ｐと導電性ペースト７１Ｐとを、ＬＣＰである樹脂層１１，１２，１３の融点（約３００℃）以下の温度で反応させることができる。したがって、樹脂層１１〜１３の融点以下の温度で加熱プレスすることにより、樹脂層１１〜１３の流動を抑えつつ、Ｃｕ，Ｓｎを含んだ金属間化合物を形成できる。なお、上記金属間化合物（Ｃｕ３ＳｎやＣｕ６Ｓｎ５）の融点はＬＣＰの融点よりも高いため、層間接続導体の耐熱性が高まり、後の加熱工程（例えば、リフロープロセス、または加熱による曲げ加工等）での層間接続導体の変形が抑制される。なお、ＳｎとＣｕとの反応を促進させるため、金属体５０Ｐの表面にＡｇ等の金属をコーティングしてもよい。
【００６１】
この製造方法によれば、樹脂層１１の表面から裏面に向かって平断面積が小さくなる先細り形状のビア用貫通孔ＯＰの、表面側から導電性ペースト７１Ｐを充填して層間接続導体ＶＧ３を形成する。ビア用貫通孔ＯＰは先細りの円錐台であるため、ビア用貫通孔ＯＰ内に導電性ペースト７１Ｐを充填しやすい。また、ビア用貫通孔ＯＰが円錐台であるため、貫通孔が円柱形である場合と比較して、少ない量の導電性ペースト７１Ｐで層間接続導体ＶＧ３を形成でき、低コスト化が図れる。
【００６２】
なお、本実施形態の「充填工程」では、スキージで掻き出すことにより、ビア用貫通孔ＯＰ内に金属体５０Ｐを溶剤４とともに挿入する例を示したが、これに限定されるものではない。金属体５０Ｐは、例えばディスペンサーによって、ビア用貫通孔ＯＰ内に金属体５０Ｐと溶剤４とを直接挿入してもよい。また、金属体５０Ｐは、例えばマスク層２１の表面（樹脂層１１に対向する面とは反対側の面）に金属体５０Ｐを載置した後、樹脂層１１およびマスク層２１を振動させることによりビア用貫通孔ＯＰ内に挿入させてもよい。この場合、真球度の高い（例えば０．６以上）金属体５０Ｐを用いることにより、ビア用貫通孔に金属体５０Ｐを挿入しやすくなる。また、この方法によれば、溶剤４を用いることなくビア用貫通孔ＯＰに金属体５０Ｐを挿入できるため、製造工程を削減でき、低コスト化も図れる。
【００６３】
また、本実施形態に係る樹脂基板１０１は、次に示す製造方法で製造してもよい。図６は、加熱プレス前の樹脂層１１に、グランド導体４１等を形成する工程を順に示した断面図である。
【００６４】
まず、図６中の（１）に示すように、樹脂層１１を準備し、樹脂層１１の裏面にグランド導体４１を形成する（パターン形成工程）。その後、樹脂層１１を貫通するビア用貫通孔ＯＰを設ける（孔形成工程）。
【００６５】
次に、図６中の（２）に示すように、ビア用貫通孔ＯＰに金属体５０Ｐを挿入する。その後、図６中の（３）に示すように、スクリーンマスク８１をマスク層２１の表面に配置し、スクリーン印刷によって、金属体５０Ｐが挿入されたビア用貫通孔ＯＰ内に導電性ペースト７１Ｐを充填する（充填工程）。
【００６６】
次に、スクリーンマスク８１およびマスク層２１を取り除いて、図６中の（４）に示すような（グランド導体４１、金属体５０Ｐおよび導電性ペースト７１Ｐが形成された）樹脂層１１を得る。
【００６７】
次に、図５中の（５）に示すように、樹脂層１１，１２，１３を積層（載置）する。具体的には、樹脂層１１，１２，１３をこの順に積層する。その後、積層方向（Ｚ軸方向）に、積層した樹脂層１１，１２，１３を加熱プレス（一括プレス）することにより、図５中の（６）に示す樹脂基材１０Ｐを形成する。以降の「樹脂基材形成工程」は、図５で説明したものと同じである。
【００６８】
導電性ペースト７１Ｐの粘度が低い場合、マスク層２１の表面に導電性ペースト７１Ｐが濡れ拡がってしまい、意図しない箇所にまで導電性ペースト７１Ｐが付着してしまうことがある。一方、上記製造方法では、スクリーンマスク８１のメッシュ８２に導電性ペーストを納めて、ビア用貫通孔ＯＰ内に導電性ペーストを充填する。そのため、粘度の低い導電性ペーストでも、意図しない箇所に付着させることなく、ビア用貫通孔ＯＰ内に充填できる。
【００６９】
さらに、本実施形態に係る樹脂基板１０１は、次に示す製造方法で製造してもよい。図７は、加熱プレス前の樹脂層１１に、グランド導体４１等を形成する工程を順に示した断面図である。
【００７０】
まず、図７中の（１）に示すように、樹脂層１１を準備し、樹脂層１１の裏面にグランド導体４１を形成する（パターン形成工程）。その後、樹脂層１１を貫通するビア用貫通孔ＯＰを設ける（孔形成工程）。
【００７１】
次に、図７中の（２）に示すように、導電性ペースト７２Ｐをビア用貫通孔ＯＰ内に挿入する。導電性ペースト７２Ｐは、微量の金属粒子を含んだ揮発性の溶剤である。導電性ペースト７２Ｐは、例えばＳｎ等の金属粒子を含んだ導電性ペーストを揮発性のワニスで薄めたものである。
【００７２】
その後、導電性ペースト７２Ｐを乾燥させ、導電性ペースト７２Ｐに含まれる溶剤を揮発させる。これにより、図７中の（３）に示すように、導電性ペースト７２Ｐは体積が減って、金属粒子の比率が高い導電性ペースト７３Ｐとなり、ビア用貫通孔ＯＰの底面側（グランド導体の表面）に溜まる。
【００７３】
次に、図７中の（４）に示すように、ビア用貫通孔ＯＰに金属体５０Ｐを陥入した後、図７中の（５）に示すように、導電性ペースト７３Ｐをビア用貫通孔ＯＰにさらに挿入（充填）する（充填工程）。なお、導電性ペースト７３Ｐに含まれる金属粒子の比率は、導電性ペースト７２Ｐに含まれる金属粒子の比率よりも高い（導電性ペースト７３Ｐに含まれる揮発性溶剤の比率は、導電性ペースト７２Ｐに含まれる揮発性溶剤の比率よりも低い）。
【００７４】
このように、「充填工程」は、導電性ペースト７２Ｐをビア用貫通孔ＯＰに挿入して、金属体５０Ｐをビア用貫通孔ＯＰに挿入した後、導電性ペースト７３Ｐをさらに挿入する工程を含んでいてもよい。
【００７５】
その後、マスク層２１を取り除いて、図７中の（６）に示すような（グランド導体４１、金属体５０Ｐおよび導電性ペースト７３が形成された）樹脂層１１を得る。以降の「樹脂基材形成工程」は、図５で説明したものと同じである。
【００７６】
ビア用貫通孔ＯＰ内に金属体５０Ｐを挿入した後に、導電性ペーストを挿入する場合には、金属体５０Ｐによって導電性ペーストの充填が妨げられ、ビア用貫通孔ＯＰの底部（導体パターンに接する部分）まで導電性ペーストが充填され難くなり、導通不良が生じる虞がある。一方、この製造方法では、ビア用貫通孔ＯＰ内に金属体５０Ｐを挿入する前に、少量の導電性ペーストをビア用貫通孔ＯＰ内に挿入するため、ビア用貫通孔の底部まで導電性ペーストを充填しやすくなり、層間接続導体の導通不良を抑制できる。
【００７７】
なお、図７では、揮発性溶剤の比率が高い導電性ペースト７２Ｐをビア用貫通孔ＯＰに挿入して、乾燥させてから金属体５０Ｐを挿入した後、揮発性溶剤の比率の低い導電性ペースト７３Ｐをビア用貫通孔ＯＰに挿入する例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、揮発性溶剤の比率の低い導電性ペースト７３Ｐをビア用貫通孔ＯＰに少量挿入して、金属体５０Ｐを挿入した後、さらに導電性ペースト７３Ｐを挿入してもよい。
【００７８】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、層間接続導体の構成が、第１の実施形態とは異なる例を示す。
【００７９】
図８（Ａ）は第２の実施形態に係る樹脂基板１０２の断面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）における拡大表示部ＺＰ２の拡大断面図である。
【００８０】
樹脂基板１０２は、層間接続導体Ｖ２Ａ，ＶＧ１Ａ，ＶＧ２Ａ，ＶＧ３Ａ等を備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基板１０２の他の構成については、樹脂基板１０１と実質的に同じである。
【００８１】
以下、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる部分について説明する。
【００８２】
層間接続導体Ｖ２Ａ，ＶＧ１Ａ〜ＶＧ３Ａは、図８（Ｂ）に示すように、それぞれ金属体５０、複数の金属粒子５および高抵抗部材６２を有する。高抵抗部材６２は、金属体５０に接触する、金属体５０よりも抵抗率の高い物体である。本実施形態の高抵抗部材６２は、後に詳述するように、複数の金属粒子５と樹脂とを含む導電ペーストを固化して形成された、絶縁樹脂（エポキシ樹脂）である。金属粒子５は例えばＣｕの粒子である。
【００８３】
このような構成でも、樹脂基板１０２は、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と同様の作用・効果を奏する。
【００８４】
本実施形態に係る樹脂基板１０２は、例えば次に示す製造方法によって製造される。
【００８５】
まず、熱可塑性樹脂からなる樹脂層１１，１２，１３を準備し、樹脂層１１，１２，１３の一方面に導体パターン（信号導体３１、グランド導体４１，４２，４３、信号電極Ｐ２等）をそれぞれ形成する（パターン形成工程）。
【００８６】
次に、樹脂層１１〜１３にビア用貫通孔をそれぞれ設ける（孔形成工程）。その後、樹脂層１１〜１３のビア用貫通孔にそれぞれ金属体５０を挿入する。なお、金属体５０は、樹脂層の厚み方向における最大長さが、ビア用貫通孔の厚み方向における長さの１／２よりも長い。次に、金属体５０が挿入されたビア用貫通孔内に、金属粒子（Ｃｕ）と、金属体５０よりも抵抗率の高い樹脂（エポキシ樹脂）とを含む導電性ペーストを充填する（充填工程）。
【００８７】
次に、樹脂層１１，１２，１３をこの順に積層（載置）し、積層方向（Ｚ軸方向）に加熱プレス（一括プレス）することにより、樹脂基材を形成する。なお、加熱プレス時に層間接続導体Ｖ２Ａ，ＶＧ１Ａ〜ＶＧ３Ａ等が形成される。導電性ペーストに含まれる樹脂は、本発明の「高抵抗部材」となる。なお、加熱プレス後の金属体５０の厚み方向における長さは、ビア用貫通孔ＯＰの厚み方向における長さの１／２以上である。
【００８８】
《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、伝送方向（Ｘ軸方向）に第１接続部ＣＮ１、線路部ＳＬおよび第２接続部ＣＮ２の順に配置された樹脂基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基板が有する接続部の個数・配置、および線路部の個数・配置は適宜変更可能である。
【００８９】
以上に示した各実施形態では、樹脂基材が、Ｘ軸方向に長手方向を有する略矩形の平板である例を示したが、樹脂基材の形状はこれに限定されるものではない。樹脂基材の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂基材の平面形状は、例えば矩形、多角形、Ｌ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等でもよい。
【００９０】
また、以上に示した各実施形態では、３つの樹脂層および２つの保護層が積層されて形成される樹脂基材の例を示したが、本発明の樹脂基材はこれに限定されるものではない。樹脂基材を形成する樹脂層の層数、および保護層の層数は適宜変更可能である。また、本発明の樹脂基板において、第１主面ＶＳ１側および第２主面ＶＳ２側に形成される保護層１，２は必須ではない。また、樹脂基材は、樹脂層および保護層以外の層を含んでいてもよい。
【００９１】
以上に示した各実施形態では、樹脂基材が熱可塑性樹脂からなる例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材は熱硬化性樹脂からなるものでもよい。また、樹脂基材は、異なる樹脂材料の複合積層体であってもよく、例えばガラス・エポキシ基板等の熱硬化性樹脂シートと、熱可塑性樹脂シートとが積層されて形成される構成でもよい。また、樹脂基材は、積層した樹脂層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各樹脂層間に配置される接着層を塗布して形成された積層体でもよい。
【００９２】
また、樹脂基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂基板に形成される回路は、例えば導体パターンで形成されるコイルやインダクタ、導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、樹脂基板には、例えば他の各種伝送線路（マイクロストリップライン、コプレーナライン等）が形成されていてもよい。さらに樹脂基板にはチップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。
【００９３】
以上に示した各実施形態では、１つの伝送線路が構成された樹脂基板の例を示したが、この構成に限定されるものではなく、伝送線路の数は樹脂基板に形成される回路構成によって適宜変更可能である。また、複数の層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ２Ａ，ＶＧ１〜ＶＧ３，ＶＧ１Ａ〜ＶＧ３Ａの個数・配置等は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲で適宜変更可能である。
【００９４】
以上に示した各実施形態では、１つの層間接続導体が、Ｃｕの球体である１つの金属体５０，５０Ｐを有する例を示したが、この構成に限定されるものではない。金属体の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。すなわち、金属体の厚み方向における最大長さが、層間接続導体の厚み方向における長さの１／２よりも長いのであれば、金属体の形状は例えば、円柱形、角柱形、円錐形、角錐形、Ｌ字形、Ｔ字形等でもよい。また、層間接続導体が複数の金属体を有する場合には、複数の金属体が略同じ形状でもよく、それぞれ異なる形状でもよい。なお、１つの層間接続導体が複数の金属体を有する場合には、複数の金属体（層間接続導体中に配置された状態での複数の金属体）の厚み方向における最大長さが、層間接続導体の厚み方向における長さの１／２よりも長ければ、本発明の作用・効果を奏する。また、金属体の主成分もＣｕに限定されるものではなく、例えばＡｇ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｍｎ等でもよい。
【００９５】
以上に示した各実施形態では、矩形の信号電極Ｐ１，Ｐ２、および矩形のグランド電極ＰＧ１，ＰＧ２が、第１主面ＶＳ１のみに形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。信号電極およびグランド電極の形状・個数・配置等は適宜変更可能である。信号電極およびグランド電極の平面形状は、例えば、多角形、円形、楕円形、円弧形、リング形、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等でもよい。また、信号電極およびグランド電極が、第１主面ＶＳ１または第２主面ＶＳ２の両方にそれぞれ設けられていてもよい。さらに樹脂基板は、信号電極およびグランド電極以外に、信号導体やグランド導体に接続されていないダミー電極を備えていてもよい。
【００９６】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【符号の説明】
【００９７】
ＡＧ１，ＡＧ２，ＡＰ１，ＡＰ２…開口
ＣＮ１…第１接続部
ＣＮ２…第２接続部
ＳＬ…線路部
ＭＣ１…第１金属間化合物（高抵抗部材）
ＭＣ２…第２金属間化合物（高抵抗部材）
ＯＰ…ビア用貫通孔
Ｐ１，Ｐ２…信号電極
ＰＧ１，ＰＧ２…グランド電極
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ２Ａ，ＶＧ１，ＶＧ１Ａ，ＶＧ２，ＶＧ２Ａ，ＶＧ３，ＶＧ３Ａ…層間接続導体
ＶＳ１…樹脂基材の第１主面
ＶＳ２…樹脂基材の第２主面
ＺＰ１，ＺＰ２…拡大表示部
１，２…保護層
３…スキージ
４…溶剤
５…金属粒子
１０，１０Ｐ…樹脂基材
１１，１２，１３…樹脂層
２１…マスク層
３１…信号導体
４１，４２，４３…グランド導体
５０，５０Ｐ…金属体
６１，６２…高抵抗部材
７１Ｐ，７２Ｐ，７３Ｐ…導電性ペースト
８１…スクリーンマスク
８２…メッシュ
１０１，１０２…樹脂基板
【図１】
2020198364.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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