(57)【要約】【課題】導電層を形成する材料が異なる複数の導電層を有する配線基板において、導電層の腐食を抑制する技術を提供する。【解決手段】配線基板は、基材と、第１導電性材料から成る第１導電層であって、基材の上に積層される第１導電層と、第１導電性材料と異なる第２導電性材料から成る第２導電層であって、第１導電層の表面の少なくとも一部を覆う第１部分と、第１導電層の側面の少なくとも一部を覆う第２部分と、基材の表面の少なくとも一部を覆う第３部分と、を備え、第１部分と第３部分はそれぞれ第２部分と連接されている第２導電層と、を備え、第２導電層において、第３部分の厚みは、第１部分の厚みより厚い。【選択図】図１
2020198402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板であって、
基材と、
第１導電性材料から成る第１導電層であって、前記基材の上に積層される第１導電層と、
前記第１導電性材料と異なる第２導電性材料から成る第２導電層であって、前記第１導電層の表面の少なくとも一部を覆う第１部分と、前記第１導電層の側面の少なくとも一部を覆う第２部分と、前記基材の表面の少なくとも一部を覆う第３部分と、を備え、前記第１部分と前記第３部分はそれぞれ前記第２部分と連接されている第２導電層と、
を備え、
前記第２導電層において、前記第３部分の厚みは、前記第１部分の厚みより厚いことを特徴とする、
配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
さらに、
前記第１導電性材料および第２導電性材料と異なる第３導電性材料で形成される第３導電層であって、前記第２導電層の上に略均一な厚みで形成される第３導電層
を備えることを特徴とする、
配線基板。
【請求項３】
請求項１および請求項２のいずれか一方に記載の配線基板であって、
前記基材は、セラミックで形成されることを特徴とする、
配線基板。
【請求項４】
配線基板の製造方法であって、
基材を準備する準備工程と、
前記基材の上に、第１導電性材料から成る第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、
前記第１導電性材料と異なる第２導電性材料から成る第２導電層であって、前記第１導電層の表面の少なくとも一部を覆う第１部分と、前記第１導電層の側面の少なくとも一部を覆う第２部分と、前記基材の表面の少なくとも一部を覆う第３部分と、を備え、前記第１部分と前記第３部分がそれぞれ前記第２部分と連接されるとともに、前記第３部分の厚みが前記第１部分の厚みより厚い第２導電層を形成する第２導電層形成工程と、
を備えることを特徴とする、
配線基板の製造方法。
【請求項５】
配線基板の製造方法であって、
基材を準備する準備工程と、
前記基材の上に、第２導電性材料から成る略均一な厚さの第１薄膜を形成する第１薄膜形成工程と、
前記第１薄膜の上に、前記第１薄膜の一部が露出した状態で、前記第２導電性材料と異なる第１導電性材料から成る第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、
前記第１導電層の表面の少なくとも一部と、前記第１導電層の側面の少なくとも一部と、露出している前記第１薄膜の表面と、を連続して覆う、前記第２導電性材料から成る略均一な厚さの第２薄膜を形成する第２薄膜形成工程と、
を備えることを特徴とする、
配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基材の上に、導電層を形成する材料が異なる複数の導電層を有する配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平２００３−１２４５９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１において、第２のメタル層の表面の粗さと第１のメタル層の表面の粗さが異なる場合に、第１のメタル層の上に形成される第３のメタル層と、第２のメタル層の上に形成される第３のメタル層とで結晶品質に差が出る可能性がある。そのような配線基板が海水等の塩水雰囲気下に置かれた場合に、結晶品質が低い部分では、そこを起点に孔食(腐食)が発生する虞がある。
【０００５】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、導電層を形成する材料が異なる複数の導電層を有する配線基板において、導電層の腐食を抑制する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【０００７】
（１）本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、基材と、第１導電性材料から成る第１導電層であって、前記基材の上に積層される第１導電層と、前記第１導電性材料と異なる第２導電性材料から成る第２導電層であって、前記第１導電層の表面の少なくとも一部を覆う第１部分と、前記第１導電層の側面の少なくとも一部を覆う第２部分と、前記基材の表面の少なくとも一部を覆う第３部分と、を備え、前記第１部分と前記第３部分はそれぞれ前記第２部分と連接されている第２導電層と、を備え、前記第２導電層において、前記第３部分の厚みは、前記第１部分の厚みより厚い。
【０００８】
第１導電層が基材の表面に形成されると、基材の表面の粗さが均され、第１導電層の表面粗さは、基材の表面粗さより小さくなる。換言すると、第１導電層の表面は、基材の表面より滑らかである。この構成によれば、第２導電層において、表面粗さが大きい基材の表面の少なくとも一部を覆う第３部分の厚みを、第１導電層の少なくとも一部を覆う第１部分の厚みより厚くしている。層の厚みを大きくすると、下の層の表面粗さを均すことができるため、第２導電層の第３部分の表面粗さを小さくすることができる。その結果、第２導電層の上に導電層が形成される場合に、その導電層の膜質を向上させることができ、その結果、腐食を抑制することができる。また、第２導電層の第１部分の厚みを第３部分より小さくすることにより、ボンディング性の低下を抑制し、信頼性の低下を抑制することができる。
【０００９】
（２）上記形態の配線基板であって、さらに、前記第１導電性材料および第２導電性材料と異なる第３導電性材料で形成される第３導電層であって、前記第２導電層の上に略均一な厚みで形成される第３導電層を備えてもよい。このようにすると、第３導電層の腐食を抑制することができる。
【００１０】
（３）上記形態の配線基板であって、前記基材は、セラミックで形成されてもよい。このようにすると、低熱膨張特性と製造プロセス性（ビア形成、多層化プロセス）を向上させることができる。
【００１１】
（４）本発明の他の形態によれば、配線基板の製造方法が提供される。この配線基板の製造方法は、基材を準備する準備工程と、前記基材の上に、第１導電性材料から成る第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、前記第１導電性材料と異なる第２導電性材料から成る第２導電層であって、前記第１導電層の表面の少なくとも一部を覆う第１部分と、前記第１導電層の側面の少なくとも一部を覆う第２部分と、前記基材の表面の少なくとも一部を覆う第３部分と、を備え、前記第１部分と前記第３部分がそれぞれ前記第２部分と連接されるとともに、前記第３部分の厚みが前記第１部分の厚みより厚い第２導電層を形成する第２導電層形成工程と、を備える。この製造方法によれば、容易に、上記の配線基板を製造することができる。
【００１２】
（５）本発明の他の形態によれば、配線基板の製造方法が提供される。この配線基板の製造方法は、基材を準備する準備工程と、前記基材の上に、第２導電性材料から成る略均一な厚さの第１薄膜を形成する第１薄膜形成工程と、前記第１薄膜の上に、前記第１薄膜の一部が露出した状態で、前記第２導電性材料と異なる第１導電性材料から成る第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、前記第１導電層の表面の少なくとも一部と、前記第１導電層の側面の少なくとも一部と、露出している前記第１薄膜の表面と、を連続して覆う、前記第２導電性材料から成る略均一な厚さの第２薄膜を形成する第２薄膜形成工程と、を備える。この製造方法によっても、容易に、上記の配線基板を製造することができる。
【００１３】
なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、配線基板を含む製品、配線基板を含む製品の製造方法などの形態で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態の配線基板の構成を概略的示す説明図である。
【図２】配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図３】配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図４】比較例の配線基板の構成を概略的に示す説明図である。
【図５】比較例の配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図６】比較例の配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図７】第２実施形態の照明装置の構成を概略的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜第１実施形態＞
・配線基板１０の構成：
図１は、本発明の第１実施形態の配線基板１０の構成を概略的示す説明図である。配線基板１０は、基材２と、第１導電層４と、第２導電層６と、第３導電層８と、第４導電層７を備える。第２導電層６は、第１薄膜６Ａと第２薄膜６Ｂを含む。第１薄膜６Ａと第２薄膜６Ｂは、それぞれ、略均一な厚さに形成されている。
【００１６】
図示するように、第１導電層４は、基材２の上に、第１薄膜６Ａと第４導電層７を介して積層されている。第２導電層６は、第１導電層４の表面の少なくとも一部を覆う第１部分Ｐ１と、第１導電層４の側面の少なくとも一部を覆う第２部分Ｐ２と、基材２の表面の少なくとも一部を覆う第３部分Ｐ３を備える。図１において、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２、第３部分Ｐ３の境界を破線で図示している。第２導電層６において、第３部分Ｐ３では、第１薄膜６Ａと第２薄膜６Ｂが積層されており、第１部分Ｐ１では第２薄膜６Ｂのみであるため、第３部分Ｐ３の厚みＴ３は、第１部分Ｐ１の厚みＴ１より厚い。第３導電層８は、第２導電層６の上に略均一な厚みで形成される。すなわち、第３導電層８において、第２導電層６の第１部分Ｐ１上の厚みＴ４と、第２導電層６の第３部分Ｐ３上の厚みＴ５は、略同一である。
【００１７】
基材２は、絶縁性の平板である。本実施形態では、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックスにより形成されている。窒化アルミニウムは、高放熱性、高強度であるため、パワー半導体モジュール等発熱量が大きい部品に好適に用いることができる。基材２を形成する材料は、本実施形態に限定されず、例えば、アルミナ（Ａｌ2０3）、アルミナジルコニア（Ａｌ2０3／ＺｒＯ2）、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）、炭化珪素（ＳｉＣ）等のセラミックスを用いてもよいし、ガラス、ガラスエポキシ、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂などの樹脂、紙フェノール、紙エポキシ、ガラスコンポジット、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）、これらの絶縁部材を表面に形成した金属部材等によって形成してもよい。
【００１８】
本実施形態では、第１導電層４を形成する第１導電性材料は、主成分として金（Ａｕ）を含む。第１導電層性材料として、金（Ａｕ）、金合金を用いることができる。第１導電層４は、主成分が金であるため、やわらかく、表面は滑らかである。ここで、主成分とは、９９％以上含まれる成分である。
【００１９】
第２導電層６を形成する第２導電性材料は、主成分としてチタン（Ｔｉ）を含む。チタンは高融点であるため、第２導電層６は、いわゆる、バリアメタル層として機能する。また、チタン（Ｔｉ）は、強固な酸化膜を作りやすいため、腐食耐性を向上させることができる。第２導電性材料として、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、チタン合金（例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）等を含む）等を用いることができる。
【００２０】
第３導電層８を形成する第３導電性材料は、主成分としてアルミニウム（Ａｌ）を含む。第３導電性材料として、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等）を用いることができる。アルミニウムは、イオン化傾向が高く、腐食性が高い。
【００２１】
第４導電層７を形成する第４導電性材料は、主成分として、パラジウム（Ｐｄ）を含む。チタンは酸化しやすいため、製造工程において、第１薄膜６Ａ上にパラジウムを主成分とする第４導電層７を形成している。
【００２２】
・配線基板１０の製造方法：
図２、図３は、配線基板１０の製造方法を示す工程図である。図２、図３において、配線基板１０の端部近傍の一部の断面（図１に示す断面に相当する）を、概略的に図示している。
【００２３】
工程Ｐ１０２（図２）において、基材２が準備され、例えば、１０００℃以上で空焼きされる。工程Ｐ１０２を「準備工程」とも呼ぶ。
【００２４】
工程Ｐ１０４において、スパッタリング、蒸着等の公知の方法により、基材２上に第１薄膜６Ａが形成され、第１薄膜６Ａ上に第４導電層７が形成される。工程Ｐ１０４を「第１薄膜形成工程」とも呼ぶ。
【００２５】
工程Ｐ１０６において、めっき工法等の公知の方法により、第４導電層７上に第１導電層４が形成される。
【００２６】
工程Ｐ１０８において、第１導電層４上に、フォトリソグラフィ、印刷等の公知の方法により、レジスト１４が形成される。
【００２７】
工程Ｐ１１０において、第１導電層４と第４導電層７を選択的に除去する第１除去液を用いて、第１導電層４と第４導電層７の一部が除去される。これにより、第１薄膜６Ａの一部が露出した状態になる。本実施形態では、第１除去液として、ヨウ素（Ｉ）系の除去液（エッチング液)を用いている。工程Ｐ１０６、工程Ｐ１０８、工程Ｐ１１０をあわせて、「第１導電層形成工程」とも呼ぶ。
【００２８】
工程Ｐ１１２において、レジスト１４が剥離される。
【００２９】
工程Ｐ１１４（図３）において、スパッタリング、蒸着等の公知の方法により、第１導電層４の表面の少なくとも一部と、第１導電層４の側面の少なくとも一部と、露出している第１薄膜６Ａの表面と、を連続して覆うように、第２薄膜６Ｂが形成され、第２薄膜６Ｂ上に第３導電層８が形成される。ここで、第２薄膜６Ｂは、第１導電層４の表面の少なくとも一部を覆う部分と、第１導電層４の側面の少なくとも一部を覆う部分と、露出している第１薄膜６Ａの表面を覆う部分が繋がっていればよく、一部が切れていてもよい。工程Ｐ１１４を「第２薄膜形成工程」とも呼ぶ。また、工程Ｐ１０４と工程Ｐ１１４とをあわせて、「第２導電層形成工程」とも呼ぶ。
【００３０】
工程Ｐ１１６において、第３導電層８上に、フォトリソグラフィ、印刷等の公知の方法により、レジスト１６が形成される。
【００３１】
工程Ｐ１１８において、第３導電層８を選択的に除去する第２除去液を用いて、第３導電層８の一部が除去される。本実施形態では、第２除去液として、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）、硝酸（ＨＮＯ3）、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）から成るＰＡＮ系エッチング液を用いている。
【００３２】
工程Ｐ１２０において、第２導電層６を選択的に除去する第３除去液を用いて、第２導電層６の一部が除去される。第３除去液は、アルミニウム（Ａｌ）のエッチングレートが、チタン（Ｔｉ）のエッチングレートより低いため、第３導電層８もレジスト様の機能を果たし、この工程では、第３導電層８が第２導電層６の外周より突出した状態になる。本実施形態では、第３除去液として、フッ硝酸（フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3）の混合液)を用いている。
【００３３】
工程Ｐ１２２において、レジスト１６が剥離され、配線基板１０が完成される。この製造方法によれば、第２導電層６を、第１薄膜６Ａを形成する工程と第２薄膜６Ｂを形成する工程とに分けて形成することにより、容易に、第２導電層６の厚みが、第１導電層４上よりも基材２上の方が厚くなるように形成することができる。
【００３４】
・本実施形態の効果：
本実施形態の配線基板１０の効果を、比較例の配線基板１０Ｐと比較して説明する。図４は、比較例の配線基板１０Ｐの構成を概略的に示す説明図である。
【００３５】
比較例の配線基板１０Ｐは、本実施形態の配線基板１０と同様に、基材２と、第１導電層４と、第２導電層６と、第３導電層８と、第４導電層７を備える。第２導電層６は、第１薄膜６Ａと第２薄膜６Ｂを含む。第１導電層４、第２導電層６、第３導電層８、第４導電層７それぞれを形成する導電性材料の主成分は、第１実施形態の配線基板１０と同じである。
【００３６】
比較例の配線基板１０Ｐにおいて、第２導電層６は、第１実施形態の配線基板１０と同様に、第１導電層４の表面の少なくとも一部を覆う第１部分ＰＰ１と、第１導電層４の側面の少なくとも一部を覆う第２部分ＰＰ２と、基材２の表面の少なくとも一部を覆う第３部分ＰＰ３を備える。図４において、第１部分ＰＰ１、第２部分ＰＰ２、第３部分ＰＰ３の境界を破線で図示している。比較例の配線基板１０Ｐの第２導電層６において、第３部分ＰＰ３の厚みＴＰ３は、第１部分ＰＰ１の厚みＴＰ１と略同一である。
【００３７】
比較例の配線基板１０Ｐにおいて、第１導電層４は、主成分が金であるため、やわらかく、表面は滑らかである。これに対し、基材２の表面は粗い。比較例の配線基板１０Ｐは、第２導電層６において、第３部分ＰＰ３の厚みＴＰ３が、第１部分ＰＰ１の厚みＴＰ１と略同一であるため、第２導電層６の第３部分ＰＰ３（基材２上に接触して形成されている）の表面粗さが、第１部分ＰＰ１（第１導電層４上に形成されている）の表面粗さより大きい。換言すると、第２導電層６の第３部分ＰＰ３の表面は、第１部分ＰＰ１の表面より粗い。そのため、第２導電層６上に形成された第３導電層８において、第２導電層６の第３部分ＰＰ３上に形成された部分と、第２導電層６の第１部分ＰＰ１上に形成された部分とで、結晶品質に差が出る可能性がある。第３導電層８において、第２導電層６の第３部分ＰＰ３上に形成された部分は、結晶品質が低くなるため、塩水雰囲気下等に置かれると、そこを起点に孔食（腐食）が発生する虞がある。
【００３８】
これに対し、本実施形態の配線基板１０（図１）は、第２導電層６において、第３部分Ｐ３の厚みＴ３が、第１部分Ｐ１の厚みＴ１より厚い。層の厚みを大きくすると、下の層の表面粗さを均すことができるため、第２導電層６において、第３部分Ｐ３の厚みＴ３を厚くすることにより、第２導電層の第３部分Ｐ３の表面粗さを小さくすることができる。その結果、第３導電層８の結晶品質の低下が抑制され、第３導電層８の腐食を抑制することができる。
【００３９】
また、本実施形態の配線基板１０では、第２導電層６において、表面が滑らかな第１導電層４上に形成されている第１部分Ｐ１の厚みを第３部分Ｐ３より小さくすることにより、ボンディング性の低下を抑制し、信頼性の低下を抑制することができる。
【００４０】
また、比較例の配線基板１０Ｐ（図４）では、第２導電層６に含まれる第１薄膜６Ａと第２薄膜６Ｂとの間に隙間Ｓが形成されている。そのため、隙間Ｓを起点に第２薄膜６Ｂおよび第３導電層８に、クレバス状の亀裂が形成される虞がある。このような亀裂が形成されると、塩水雰囲気下等に置かれた場合に、第３導電層８が腐食される虞がある。これに対し、本実施形態の配線基板１０によれば、比較例のような隙間Ｓが形成されないため、第３導電層８の腐食を抑制することができる。
【００４１】
図５、図６は、比較例の配線基板１０Ｐの製造方法を示す工程図である。図５、図６において、図２、図３と同様に、配線基板１０Ｐの端部近傍の一部の断面（図４に示す断面に相当する）を、概略的に図示している。
【００４２】
工程Ｓ１０２〜工程Ｓ１１０（図５）までは、第１実施形態の配線基板１０の製造方法における工程Ｐ１０２〜工程Ｐ１１０（図２）と同様に、基材２が準備、空焼きされた後、基材２上に第１薄膜６Ａ、第４導電層７が形成され、その後、第４導電層７上に第１導電層４が形成される。そして、第１導電層４と第４導電層７の一部が除去される。
【００４３】
その後、比較例の配線基板１０Ｐの製造方法では、レジスト１４が剥離される前に、工程Ｓ１１１において、第２導電層６を選択的に除去する第３除去液を用いて、第２導電層６（第１薄膜６Ａ）の一部が除去される。第３除去液では、第４導電層７および第１導電層４が除去されず、これらの層もレジスト様の機能を果たすため、この工程では、第４導電層７および第１導電層４が第１薄膜６Ａの外周より突出した状態になる。比較例においても、第３除去液として、フッ硝酸（フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3）の混合液)を用いている。
【００４４】
工程Ｓ１１２において、レジスト１４が剥離される。
【００４５】
工程Ｓ１１４（図６）において、配線基板１０の製造方法の工程Ｐ１１４（図２）と同様に、第２薄膜６Ｂと第３導電層８が形成される。比較例の製造方法では、工程Ｓ１１１が行われるため、第１薄膜６Ａが露出している部分がなく、第２薄膜６Ｂは、第１導電層４の表面の少なくとも一部と、第１導電層４の側面の少なくとも一部と、基材２の表面の少なくとも一部と、を連続して覆うように、形成される。ここで、第２薄膜６Ｂは、第１導電層４の表面の少なくとも一部を覆う部分と、第１導電層４の側面の少なくとも一部を覆う部分と、基材２の表面の少なくとも一部とを覆う部分が繋がっていればよく、一部が切れていてもよい。第３導電層８は、第２薄膜６Ｂ上に、略均一な厚みで形成される。
【００４６】
工程Ｓ１１６、工程Ｓ１１８（図６）において、配線基板１０の製造方法の工程Ｐ１１６、Ｐ１１８（図２）と同様に、第３導電層８上に、レジスト１６が形成され、第３導電層８の一部が除去される。
【００４７】
工程Ｓ１２０（図６）において、配線基板１０の製造方法の工程Ｐ１２０（図２）と同様に、第２導電層６の一部が除去される。比較例の製造方法では、第２薄膜６Ｂの一部のみが除去される。
【００４８】
工程Ｓ１２２において、レジスト１６が剥離され、配線基板１０Ｐが完成される。比較例の製造方法で、基材２と、第１導電層４と、第２導電層６と、第３導電層８と、第４導電層７を備える配線基板１０Ｐを製造すると、上述の通り、基材２と導電層との間に隙間Ｓが形成される。また、第２導電層６の表面粗さに差異が生じ、第３導電層８の結晶品質が低下する虞がある。これに対し、本実施形態の配線基板１０の製造方法によって配線基板１０を製造すれば、基材２と導電層との間に隙間Ｓが形成されず、また、第３導電層８の結晶品質の低下を抑制することができる。また、製造工程数を比較例の製造方法より低減させることができるため、製造時間、製造コスト等を削減することができる。
【００４９】
＜第２実施形態＞
図７は、第２実施形態の照明装置１００の構成を概略的に示す説明図である。照明装置１００は、第１実施形態の配線基板１０と、ＬＥＤ照明部２０と、モールド樹脂２６と、配線回路３０と、配線４０と、ヒートシンク５０と、放熱樹脂６０と、を備える。ＬＥＤ照明部２０は、ＬＥＤ素子２２と蛍光体２４とを備える。図７では、図１における断面に相当する断面を示している。なお、図７に示す配線基板１０において、第４導電層７の図示を省略している。
【００５０】
配線基板１０は、熱伝導性フィラー(金属を含む)を含む放熱樹脂６０により、アルミニウム製のヒートシンク５０に接着されている。ＬＥＤ素子２２は、金のスタッドバンプにより配線基板１０に実装されている。配線基板１０の第３導電層８と配線回路３０は、配線４０により接続されている。配線４０は、アルミリボンであり、大電力に対応することができる。
【００５１】
本実施形態の照明装置１００によれば、配線基板１０を用いているため、第３導電層８の腐食が抑制される。また、第３導電層８を形成する第２金属の主成分が、配線４０の主成分と同一であるため、配線回路３０との接続不良を抑制することができる。
【００５２】
照明装置１００において、配線基板１０は、熱伝導率が高く絶縁性を有する窒化アルミニウムから成る基材２を用いるとともに、金属放熱板としてアルミニウム製のヒートシンク５０を用いているため、ＬＥＤ素子２２による発熱を効率的に放熱させることができる。
【００５３】
＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
【００５４】
・上記実施形態において、第３導電層を備えない構成にしてもよい。また、基材２と第２導電層６との間や、第１導電層４と第２導電層６との間に、異種材料による層が形成されてもよい。このようにしても、第２導電層６の表面粗さの増大を抑制することができる。
【００５５】
・第１導電層４、第２導電層６、第４導電層７、第３導電層８を形成する導電性材料は、上記実施形態に限定されず、種々の公知の導電性材料を用いることができる。
【００５６】
・上記実施形態において、第２導電層６が、第２導電性材料から成る第１薄膜６Ａと第２導電性材料から成る第２薄膜６Ｂを含む例を示したが、第２導電層６は、第２導電性材料から成る３以上の薄膜を含んでもよいし、１の膜で形成されてもよい。第２導電層６が第２導電性材料から成る複数の薄膜を含む場合に、例えば、薄膜の表面に酸化層（酸化皮膜）等が形成されていてもよい。
【００５７】
・配線基板１０の製造方法は、上記実施形態に限定されない。エッチング液も上記実施形態に限定されない。基材２を準備する準備工程と、基材２の上に、第１導電性材料から成る第１導電層４を形成する第１導電層形成工程と、第１導電性材料と異なる第２導電性材料から成る第２導電層６であって、第１導電層４の表面の少なくとも一部を覆う第１部分Ｐ１と、第１導電層４の側面の少なくとも一部を覆う第２部分Ｐ２と、基材２の表面の少なくとも一部を覆う第３部分Ｐ３と、を備え、第１部分Ｐ１と第３部分Ｐ３がそれぞれ第２部分Ｐ２と連接されるとともに、第３部分Ｐ３の厚みが第１部分Ｐ１の厚みより厚い第２導電層６を形成する第２導電層形成工程と、を備える種々の方法で、配線基板１０を製造することができる。
【００５８】
・配線基板１０を含む製品として、ＬＥＤ素子２２が実装された照明装置１００を例示したが、配線基板１０に実装される部品は上記実施形態に限定されない。例えば、電力の供給、制御を行うパワー半導体や、マイコン（ＣＰＵ：中央演算装置）やメモリなどのＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ−Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ：大規模集積回路)等が実装されてもよい。
【００５９】
・第２実施形態において、配線４０が第２金属と同一の金属から成る例を示したが、配線４０は、第２金属と異なる金属で形成されてもよい。
【００６０】
以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。
【符号の説明】
【００６１】
２…基材
４…第１導電層
６…第２導電層
６Ａ…第１薄膜
６Ｂ…第２薄膜
７…第４導電層
８…第３導電層
１０、１０Ｐ…配線基板
１４、１６…レジスト
２０…ＬＥＤ照明部
２２…ＬＥＤ素子
２４…蛍光体
２６…モールド樹脂
３０…配線回路
４０…配線
５０…ヒートシンク
６０…放熱樹脂
１００…照明装置
Ｐ１、ＰＰ１…第１部分
Ｐ２、ＰＰ２…第２部分
Ｐ３、ＰＰ３…第３部分
ＰＰ１…第１部分
ＰＰ２…第２部分
ＰＰ３…第３部分
Ｓ…隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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