(57)【要約】【課題】デバイスチップの抗折強度を向上させることができるデバイスチップの製造方法を提供すること。【解決手段】デバイスチップの製造方法は、交差する分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの表面から、ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、幅方向外側に向かって浅くなるＶ形状のレーザー加工溝を分割予定ラインに沿って形成するレーザー加工溝形成ステップＳＴ２と、レーザー加工溝が形成されたウェーハの表面に粘着テープを貼着する保護部材貼着ステップＳＴ４と、粘着テープを介してチャックテーブルで保持したウェーハを裏面から研削し、仕上げ厚さまで薄化しつつウェーハを分割し、外側面に傾斜面を有するデバイスチップを形成する研削ステップＳＴ５と、を備える。【選択図】図４
2020092236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの表面から、ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、幅方向外側に向かって浅くなるＶ形状のレーザー加工溝を該分割予定ラインに沿って形成するレーザー加工溝形成ステップと、
該レーザー加工溝が形成されたウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
該保護部材を介してチャックテーブルで保持したウェーハを裏面から研削し、仕上げ厚さまで薄化しつつ該ウェーハを分割し、側面に傾斜面を有するデバイスチップを形成する研削ステップと、を備えるデバイスチップの製造方法。
【請求項２】
該研削ステップを実施後、該保護部材で保持されたデバイスチップをプラズマエッチングするプラズマエッチングステップを備える請求項１に記載のデバイスチップの製造方法。
【請求項３】
該レーザー加工溝形成ステップを実施後、該保護部材貼着ステップを実施前に、該レーザー加工溝に沿って切削ブレードで該デバイスチップの厚さを超える深さの切削溝を形成する溝形成ステップを備え、該研削ステップでは、該切削溝が裏面に露出するまで研削する請求項１又は請求項２に記載のデバイスチップの製造方法。
【請求項４】
該デバイスチップは、配線と電極が形成された可撓性を有するフレキシブル基板に搭載するデバイスチップである請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載のデバイスチップの製造方法。
【請求項５】
交差する分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
該保護部材が貼着された該ウェーハを裏面側から研削し、仕上げ厚さまで薄化する研削ステップと、
研削ステップ実施後、ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を、ウェーハの表面又は裏面から該分割予定ラインに沿って照射し、幅方向外側に向かって浅くなるＶ形状のレーザー加工溝を該分割予定ラインに沿って形成し、側面に傾斜面を有するデバイスチップを形成するレーザー加工ステップと、を備えるデバイスチップの製造方法。
【請求項６】
該レーザー加工ステップを実施後、該保護部材で保持されたデバイスチップをプラズマエッチングするプラズマエッチングステップを備える請求項５に記載のデバイスチップの製造方法。
【請求項７】
該レーザー加工ステップを実施後、該レーザー加工溝に沿って切削ブレードで該ウェーハを分割する切削溝を形成する溝形成ステップを備える請求項５又は請求項６に記載のデバイスチップの製造方法。
【請求項８】
該デバイスチップは、配線と電極が形成された可撓性を有するフレキシブル基板に搭載するデバイスチップである請求項５乃至請求項７のうちいずれか一項に記載のデバイスチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスチップは、平坦なガラスエポキシにより構成される硬質な基板などの実装基板に搭載されるのが一般的である。しかしながら、近年、実装基板として柔軟で可撓性に富んだフレキシブル基板が登場してきた。フレキシブル基板は、曲面を有する有機ＥＬ（Electro  Luminescence）パネルや、人体の体に沿って設置するセンサなどに搭載される。一方、本発明の出願人は、ウェーハをデバイスチップに分割する際に、切り刃が厚い切削ブレードで切削溝を形成した後に、切削溝の底を切り刃が薄い切削ブレードで切削する所謂ステップカットを実施するダイシング技術を提案している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第２８９２４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述したフレキシブル基板に搭載されるデバイスチップは、必然的に折れ曲がる方向に力が加えられることから、より高い抗折強度が求められる。特許文献１等に示されたダイシング技術は、チッピングが発生してしまうために抗折強度を低下させる傾向であった。ダイシング技術は、特に裏面側のチッピングが大きく発生するため、特許文献１に示された技術は、ステップカットなどを実施するも、欠けを全く無くす事は難しく、課題が有る。
【０００５】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、デバイスチップの抗折強度を向上させることができるデバイスチップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のデバイスチップの製造方法は、交差する分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの表面から、ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、幅方向外側に向かって浅くなるＶ形状のレーザー加工溝を該分割予定ラインに沿って形成するレーザー加工溝形成ステップと、該レーザー加工溝が形成されたウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該保護部材を介してチャックテーブルで保持したウェーハを裏面から研削し、仕上げ厚さまで薄化しつつ該ウェーハを分割し、側面に傾斜面を有するデバイスチップを形成する研削ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００７】
前記デバイスチップの製造方法において、該研削ステップを実施後、該保護部材で保持されたデバイスチップをプラズマエッチングするプラズマエッチングステップを備えても良い。
【０００８】
前記デバイスチップの製造方法において、該レーザー加工溝形成ステップを実施後、該保護部材貼着ステップを実施前に、該レーザー加工溝に沿って切削ブレードで該デバイスチップの厚さを超える深さの切削溝を形成する溝形成ステップを備え、該研削ステップでは、該切削溝が裏面に露出するまで研削しても良い。
【０００９】
前記デバイスチップの製造方法において、該デバイスチップは、配線と電極が形成された可撓性を有するフレキシブル基板に搭載するデバイスチップであっても良い。
【００１０】
本発明のデバイスチップの製造方法は、交差する分割予定ラインで区画された表面の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該保護部材が貼着された該ウェーハを裏面側から研削し、仕上げ厚さまで薄化する研削ステップと、研削ステップ実施後、ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を、ウェーハの表面又は裏面から該分割予定ラインに沿って照射し、幅方向外側に向かって浅くなるＶ形状のレーザー加工溝を該分割予定ラインに沿って形成し、側面に傾斜面を有するデバイスチップを形成するレーザー加工ステップと、を備えることを特徴とする。
【００１１】
前記デバイスチップの製造方法において、該レーザー加工ステップを実施後、該保護部材で保持されたデバイスチップをプラズマエッチングするプラズマエッチングステップを備えても良い。
【００１２】
前記デバイスチップの製造方法において、該レーザー加工ステップを実施後、該レーザー加工溝に沿って切削ブレードで該ウェーハを分割する切削溝を形成する溝形成ステップを備えても良い。
【００１３】
前記デバイスチップの製造方法において、該デバイスチップは、配線と電極が形成された可撓性を有するフレキシブル基板に搭載するデバイスチップであっても良い。
【発明の効果】
【００１４】
本願発明のデバイスチップの製造方法は、デバイスチップの抗折強度を向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。
【図３】図３は、図２に示されたデバイスチップの側面図である。
【図４】図４は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図５】図５は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の保護膜被覆ステップを一部断面で示す側面図である。
【図６】図６は、図４に示されたデバイスチップの製造方法のレーザー加工溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。
【図７】図７は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の保護膜洗浄ステップを一部断面で示す側面図である。
【図８】図８は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープの粘着層を対向させた状態を示す斜視図である。
【図９】図９は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープを貼着した状態を示す斜視図である。
【図１０】図１０は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の研削ステップを示す側面図である。
【図１１】図１１は、図４に示されたデバイスチップの製造方法のプラズマエッチングステップを模式的に示すウェーハの要部の断面図である。
【図１２】図１２は、実施形態１及び実施形態２の変形例に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。
【図１３】図１３は、図１２に示されたデバイスチップの側面図である。
【図１４】図１４は、実施形態２に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図１５】図１５は、図１４に示されたデバイスチップの製造方法のレーザー加工溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。
【図１６】図１６は、図１４に示されたデバイスチップの製造方法の溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。
【図１７】図１７は、図１４に示されたデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。
【図１８】図１８は、図１７に示されたデバイスチップの側面図である。
【図１９】図１９は、実施形態３に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図２０】図２０は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープの粘着層を対向させた状態を示す斜視図である。
【図２１】図２１は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープを貼着した状態を示す斜視図である。
【図２２】図２２は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法の研削ステップを示す側面図である。
【図２３】図２３は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法の貼り替えステップを示す斜視図である。
【図２４】図２４は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法の保護膜被覆ステップを一部断面で示す側面図である。
【図２５】図２５は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法のレーザー加工ステップを一部断面で示す側面図である。
【図２６】図２６は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法の保護膜洗浄ステップを一部断面で示す側面図である。
【図２７】図２７は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法のプラズマエッチングステップを模式的に示すウェーハの要部の断面図である。
【図２８】図２８は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【図２９】図２９は、実施形態３の変形例１に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。
【図３０】図３０は、図２９に示されたデバイスチップの側面図である。
【図３１】図３１は、実施形態３の変形例２に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。
【図３２】図３２は、図３１に示されたデバイスチップの側面図である。
【図３３】図３３は、実施形態３の変形例３に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図３４】図３４は、図３３に示されたデバイスチップの製造方法の溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１７】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るデバイスチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。図３は、図２に示されたデバイスチップの側面図である。図４は、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【００１８】
実施形態１に係るデバイスチップの製造方法は、図１に示すウェーハ１を個々のデバイス５毎に分割して、図２及び図３に示すデバイスチップ１０を製造する方法である。実施形態１では、ウェーハ１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハ１は、図１に示すように、交差する複数の分割予定ライン３で区画された基板２の表面４の複数の領域それぞれにデバイス５が形成されている。
【００１９】
デバイス５は、例えば、ＩＣ（Integrated  Circuit）、又はＬＳＩ（Large  Scale  Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary  Metal  Oxide  Semiconductor）等のイメージセンサである。ウェーハ１から個々に分割されるデバイスチップ１０は、図２に示すように、基板２の一部分と、基板２の表面４に形成されたデバイス５とを含む。なお、本発明は、デバイスチップ１０の説明において、ウェーハ１と共通する部分に同一符号を付して説明する。
【００２０】
実施形態１では、デバイスチップ１０は、基板２の外側面１１が表面４から裏面６に向かうにしたがって基板２の平面形状を拡大させる方向に表面４及び裏面６に対して傾斜した傾斜面１２となっている。実施形態１では、傾斜面１２は、平坦に形成されている。また、実施形態１では、デバイスチップ１０は、図４に示された可撓性を有するフレキシブル基板に搭載されて、例えば、曲面を有する有機ＥＬ（Electro  Luminescence）パネルや、人体の体に沿って設置するセンサなどの可撓性を有する電子機器に用いられる。
【００２１】
フレキシブル基板は、可撓性を有する基板を備え、基板に配線と電極とが形成されている。基板は、可撓性を有する樹脂から構成されたシート又はフィルムであり、配線と接続するデバイスチップ１０が搭載される領域が設定されている。配線及び電極は、導電性を有する金属等により構成され、予め定められるパターンにしたがって基板に配置されている。また、配線及び電極は、一部分がデバイスチップ１０の図示しない電極と電気的に接続され、デバイスチップ１０の電極と接続される一部分以外が基板内に埋設されても良い。
【００２２】
実施形態１に係るデバイスチップの製造方法は、ウェーハ１を分割予定ライン３に沿って個々のデバイスチップ１０に分割するとともに、デバイスチップ１０を予め定められた所定の仕上げ厚さ１００（図１等に示す）まで薄化する方法である。デバイスチップの製造方法は、図４に示すように、保護膜被覆ステップＳＴ１と、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２と、保護膜洗浄ステップＳＴ３と、保護部材貼着ステップＳＴ４と、研削ステップＳＴ５と、プラズマエッチングステップＳＴ６とを備える。
【００２３】
（保護膜被覆ステップ）
図５は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の保護膜被覆ステップを一部断面で示す側面図である。保護膜被覆ステップＳＴ１は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２の前にウェーハ１の表面４に水溶性樹脂３１を供給して、硬化した水溶性樹脂３１により構成される水溶性保護膜３２（図６に示す）でウェーハ１の表面４を被覆するステップである。
【００２４】
保護膜被覆ステップＳＴ１では、保護膜被覆装置３０が、図５に示すように、ウェーハ１の裏面６側をスピンナテーブル３３の保持面４４に吸引保持し、スピンナテーブル３３を軸心回りに回転させながら、ウェーハ１の上方で表面４に沿って移動する塗布ノズル３５からウェーハ１の表面４側に液状の水溶性樹脂３１を塗布する。水溶性樹脂３１は、ポリビニルアルコール（polyvinyl  alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl  pyrrolidone：ＰＶＰ）等の水溶性の液状の樹脂等を含む。ウェーハ１の表面に塗布された水溶性樹脂３１は、スピンナテーブル３３の回転により生じる遠心力によりウェーハ１の外縁側に拡げられて、ウェーハ１の表面４全体を被覆する。
【００２５】
保護膜被覆ステップＳＴ１では、保護膜被覆装置３０が、ウェーハ１の表面４側に水溶性樹脂３１を塗布した後、水溶性樹脂３１を乾燥又は加熱して、硬化させて、ウェーハ１の表面４全体を水溶性保護膜３２で被覆する。デバイスチップの製造方法は、ウェーハ１の表面４全体を水溶性保護膜３２で被覆すると、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２に進む。
【００２６】
（レーザー加工溝形成ステップ）
図６は、図４に示されたデバイスチップの製造方法のレーザー加工溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。レーザー加工溝形成ステップＳＴ２は、ウェーハ１の表面４からウェーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザー光線４１を分割予定ライン３に沿って照射し、幅方向外側に向かって浅くなる断面がＶ形状のレーザー加工溝７を分割予定ライン３に沿って形成するステップである。
【００２７】
レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、図６に示すように、レーザー加工装置４０のチャックテーブル４３の保持面４４にウェーハ１の裏面６側を吸引保持する。レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置４０の図示しない撮像ユニットがウェーハ１の表面４を撮像して分割予定ライン３を検出し、ウェーハ１とレーザー光線照射ユニット４２との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
【００２８】
レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置４０は、チャックテーブル４３に対してレーザー光線照射ユニット４２を分割予定ライン３に沿って相対的に移動させながらウェーハ１に対して吸収性を有する波長のパルス状のレーザー光線４１を各分割予定ライン３に向かって照射する。また、実施形態１において、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置４０は、チャックテーブル４３に対してレーザー光線照射ユニット４２を分割予定ライン３に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット４２からレーザー光線４１を照射する際に、レーザー光線４１を各分割予定ライン３の幅方向４５にも走査する。なお、レーザー加工装置４０は、レーザー光線４１を各分割予定ライン３の幅方向４５に走査するために、ポリゴンミラーやガルバノスキャナ等を備えている。
【００２９】
レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置４０は、図６に示すように、ウェーハ１の表面４の分割予定ライン３にアブレーション加工を施して、分割予定ライン３に沿ってレーザー加工溝７を形成する。アブレーション加工の際に生じた図示しないデブリは、水溶性保護膜３２に付着する。なお、実施形態１において、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置４０は、表面４から底までの深さが仕上げ厚さ１００を超えたレーザー加工溝７を形成する。
【００３０】
また、実施形態１において、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置４０は、パルス状のレーザー光線４１を各分割予定ライン３の幅方向４５に走査させながら分割予定ライン３の長手方向に沿って照射し、分割予定ライン３に沿ったレーザー加工溝７を形成する。この際、各分割予定ライン３の幅方向の中央に最も多くのレーザー光線４１のパルスを照射し、各分割予定ライン３の幅方向の外側に向かうにしたがって照射するレーザー光線４１のパルスを減少させる。このために、実施形態１において、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、各分割予定ライン３の幅方向外側に向かって浅くなる断面がＶ形状のレーザー加工溝７を形成することとなる。
【００３１】
なお、実施形態１では、レーザー加工溝７の内面は、平坦に形成されているが、本発明では、平坦でなくても良い。即ち、本発明でいう、断面がＶ形状とは、レーザー加工溝７の底に向かうにしたがって徐々に幅が狭くなることを示している。デバイスチップの製造方法は、ウェーハ１の全ての分割予定ライン３にレーザー加工溝７を形成すると、保護膜洗浄ステップＳＴ３に進む。
【００３２】
（保護膜洗浄ステップ）
図７は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の保護膜洗浄ステップを一部断面で示す側面図である。保護膜洗浄ステップＳＴ３は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２を実施後、ウェーハ１の表面４に純水からなる洗浄水５１を供給して、水溶性保護膜３２をアブレーション加工で発生するデブリと共に除去するステップである。
【００３３】
保護膜洗浄ステップＳＴ３では、図７に示すように、洗浄装置５０がスピンナテーブル５３の保持面５４にウェーハ１の裏面６側を吸引保持し、スピンナテーブル５３を軸心回りに回転させるとともに、ウェーハ１の上方で表面４に沿って移動する洗浄水ノズル５５から洗浄水５１をウェーハ１の表面４に向けて噴射する。保護膜洗浄ステップＳＴ３では、洗浄水５１がスピンナテーブル５３の回転により生じる遠心力によりウェーハ１の表面４上をスムーズに流れて、水溶性保護膜３２とともに、水溶性保護膜３２に付着したデブリを洗い流して除去することとなる。保護膜洗浄ステップＳＴ３は、所定時間、洗浄装置５０がスピンナテーブル５３を回転させながらウェーハ１の表面４に洗浄水５１を供給すると、ウェーハ１の洗浄を終了し、ウェーハ１を乾燥させる。デバイスチップの製造方法は、ウェーハ１の表面４の乾燥を終了すると、保護部材貼着ステップＳＴ４に進む。
【００３４】
なお、実施形態１では、保護膜被覆ステップＳＴ１を保護膜被覆装置３０が行い、保護膜洗浄ステップＳＴ３を保護膜被覆装置３０とは別の洗浄装置５０が行っていたが、本発明は、保護膜被覆ステップＳＴ１及び保護膜洗浄ステップＳＴ３をノズル３５，５５を備える一つの装置で行っても良い。
【００３５】
（保護部材貼着ステップ）
図８は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープの粘着層を対向させた状態を示す斜視図である。図９は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープを貼着した状態を示す斜視図である。
【００３６】
保護部材貼着ステップＳＴ４は、レーザー加工溝７が形成されたウェーハ１の表面４に保護部材である粘着テープ２００を貼着するステップである。実施形態１において、保護部材貼着ステップＳＴ４は、図８に示すように、ウェーハ１と同径の粘着テープ２００の粘着層をウェーハ１の表面４に対向させた後、図９に示すように、ウェーハ１の表面４に粘着テープ２００を貼着する。実施形態１では、保護部材として粘着テープ２００を用いるが、本発明では、保護部材は、粘着テープ２００に限定されない。デバイスチップの製造方法は、ウェーハ１の表面４に粘着テープ２００を貼着すると、研削ステップＳＴ５に進む。
【００３７】
（研削ステップ）
図１０は、図４に示されたデバイスチップの製造方法の研削ステップを示す側面図である。研削ステップＳＴ５は、粘着テープ２００を介して研削装置６０のチャックテーブル６１で保持したウェーハ１を裏面６から研削し、仕上げ厚さ１００まで薄化しつつウェーハ１を分割し、外側面１１に傾斜面１２を有するデバイスチップ１０を形成するステップである。
【００３８】
研削ステップＳＴ５では、研削装置６０が、チャックテーブル６１の保持面６２に粘着テープ２００を介してウェーハ１の表面４側を吸引保持する。研削ステップＳＴ５では、研削装置６０が、図１０に示すように、スピンドル６３により研削ホイール６４を回転しかつチャックテーブル６１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、研削ホイール６４の研削用砥石６５をチャックテーブル６１に所定の送り速度で近づけることによって、研削用砥石６５でウェーハ１の裏面６側を研削する。研削ステップＳＴ５では、研削装置６０が、仕上げ厚さ１００になるまでウェーハ１を研削する。ウェーハ１は、研削ステップＳＴ５において仕上げ厚さ１００になるまで研削されると、レーザー加工溝７が仕上げ厚さ１００を超える深さであるために、裏面６側にレーザー加工溝７が露出して、レーザー加工溝７により個々のデバイスチップ１０に分割される。
【００３９】
デバイスチップの製造方法は、仕上げ厚さ１００までウェーハ１を薄化するとプラズマエッチングステップＳＴ６に進む。なお、実施形態１において、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、内面が平坦な断面Ｖ形状のレーザー加工溝７が形成されているので、デバイスチップ１０は、外側面１１に表面４から裏面６に向かうにしたがってデバイスチップ１０を徐々に大きくする平坦な傾斜面１２が形成される。
【００４０】
（プラズマエッチングステップ）
図１１は、図４に示されたデバイスチップの製造方法のプラズマエッチングステップを模式的に示すウェーハの要部の断面図である。プラズマエッチングステップＳＴ６は、研削ステップＳＴ５を実施後、粘着テープ２００で保持された複数のデバイスチップ１０をプラズマエッチングするステップである。
【００４１】
プラズマエッチングステップＳＴ６では、図示しないプラズマ装置のエッチングチャンバー内に粘着テープ２００で保持された複数のデバイスチップ１０を収容し、静電チャックテーブル上に粘着テープ２００を介してデバイスチップ１０の表面４側を静電吸着する。プラズマエッチングステップＳＴ６では、プラズマ化したガスをエッチング装置のエッチングチャンバー内に供給することで、図１１に示すように、ウェーハ１の裏面６側にプラズマ化したエッチングガス２１０が供給される。
【００４２】
なお、実施形態１では、プラズマエッチングステップＳＴ６において、エッチングチャンバー外においてプラズマ化されたエッチングガス２１０をエッチングチャンバー内に導入する所謂リモートプラズマ方式のエッチング装置を用いるが、本発明では、エッチングチャンバー内に上部電極からプラズマ前のエッチングガスを供給して、各電極に高周波電力を印加して、エッチングチャンバー内でエッチングガスをプラズマ化する所謂ダイレクトプラズマ方式のエッチング装置を用いても良い。また、実施形態１では、基板２がシリコンで構成される場合、エッチングガスとして、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８又はＣＦ４等を用いるが、エッチングガスは、これらに限定されない。
【００４３】
プラズマエッチングステップＳＴ６では、エッチング装置は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２においてウェーハ１即ちデバイスチップ１０に生じた熱影響を受けた層や研削ステップＳＴ５で形成された破砕層を除去する所定時間、デバイスチップ１０をプラズマエッチングする。デバイスチップの製造方法は、デバイスチップ１０にプラズマエッチング等を行うと、終了する。なお、その後、デバイスチップ１０は、図示しないピックアップにより粘着テープ２００からピックアップされる。
【００４４】
実施形態１に係るデバイスチップの製造方法は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２において、パルス状のレーザー光線４１を各分割予定ライン３の幅方向４５に走査させながら照射して、断面がＶ形状のレーザー加工溝７を形成し、デバイスチップ１０の外側面１１に傾斜面１２を形成する。このチップ形状によってデバイスチップ１０の抗折強度を高くすることが出来る。さらにレーザー加工ではチッピングが発生しないため、抗折強度を高くすることができる。
【００４５】
また、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法は、研削ステップＳＴ５後に、デバイスチップ１０をプラズマエッチングするプラズマエッチングステップＳＴ６を備えるので、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２において生じた熱影響を受けた層を除去することができ、デバイスチップ１０の抗折強度を向上させることができる。
【００４６】
また、実施形態１に係るデバイスチップの製造方法は、プラズマエッチングステップＳＴ６において、リモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いるので、プラズマ化したエッチングガスに混入するイオンが供給管の内面に衝突してエッチングチャンバー内の密閉空間に到達することを抑制できて、ラジカルが高濃度なエッチングガスを供給できるので、レーザー加工溝７の幅即ちデバイスチップ１０間の間隔がより狭くても、デバイスチップ１０をプラズマエッチングすることができる。
【００４７】
〔変形例〕
本発明の実施形態１の変形例に係るデバイスチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図１２は、実施形態１及び実施形態２の変形例に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。図１３は、図１２に示されたデバイスチップの側面図である。なお、図１２及び図１３において、実施形態１と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００４８】
実施形態１の変形例に係るデバイスチップの製造方法は、外側に向かって凸に湾曲して表面４及び裏面６に対して傾斜した曲面状の傾斜面１２−１が外側面１１に形成された図１２及び図１３に示すデバイスチップ１０´を製造する。要するに、本発明では、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２において形成されるレーザー加工溝７は、底に向かうにしたがって幅が狭く形成されていれば良い。
【００４９】
変形例に係るデバイスチップの製造方法は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２において、パルス状のレーザー光線４１を各分割予定ライン３の幅方向４５に走査しつつ分割予定ライン３の長手方向に沿ってレーザー光線４１を照射する。この際、幅方向４５での走査を調整することで、断面がデバイスチップ１０´の外側に向かって凸に湾曲したレーザー加工溝７を形成するので、実施形態１と同様に、デバイスチップ１０´の抗折強度を向上させることができる。
【００５０】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るデバイスチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図１４は、実施形態２に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。図１５は、図１４に示されたデバイスチップの製造方法のレーザー加工溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。図１６は、図１４に示されたデバイスチップの製造方法の溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。図１７は、図１４に示されたデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。図１８は、図１７に示されたデバイスチップの側面図である。なお、図１４から図１８において、実施形態１と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００５１】
実施形態２に係るデバイスチップの製造方法は、実施形態１と同様に、ウェーハ１を分割予定ライン３に沿って個々のデバイスチップ１０−２に分割するとともに、デバイスチップ１０−２を予め定められた所定の仕上げ厚さ１００まで薄化する方法である。実施形態２に係るデバイスチップの製造方法は、図１４に示すように、保護膜被覆ステップＳＴ１と、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２と、保護膜洗浄ステップＳＴ３と、保護部材貼着ステップＳＴ４と、研削ステップＳＴ５と、プラズマエッチングステップＳＴ６とに加え、溝形成ステップＳＴ１０を備える。
【００５２】
実施形態２に係るデバイスチップの製造方法のレーザー加工溝形成ステップＳＴ２は、レーザー加工装置４０が、図１５に示すように、表面４から底までの深さが仕上げ厚さ１００よりも浅いレーザー加工溝７−２を形成する。
【００５３】
実施形態２に係るデバイスチップの製造方法の溝形成ステップＳＴ１０は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２を実施後、保護部材貼着ステップＳＴ４を実施前に、レーザー加工溝７−２に沿って図１６に示す切削装置７０の切削ブレード７５でデバイスチップ１０の厚さである仕上げ厚さ１００を超える深さの切削溝８を形成するステップである。
【００５４】
溝形成ステップＳＴ１０では、保護膜洗浄ステップＳＴ３実施後、図１６に示すように、切削装置７０が、チャックテーブル７１の保持面７２にウェーハ１の裏面６側を吸引保持する。なお、実施形態２では、切削装置７０の切削ユニット７３のスピンドル７４の先端に装着される切削ブレード７５は、切り刃７６の先端がスピンドル７４の軸心に沿って平坦に形成されている。
【００５５】
溝形成ステップＳＴ１０では、保持面７２に裏面６側を吸引保持した後、切削装置７０の図示しない撮像ユニットがウェーハ１の表面４を撮像して分割予定ライン３を検出し、ウェーハ１と切削ユニット７３の切削ブレード７５との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
【００５６】
溝形成ステップＳＴ１０では、切削装置７０は、スピンドル７４により軸心回りに回転された切削ブレード７５の切り刃７６の下端を仕上げ厚さ１００を超えかつ裏面６まで到達しない高さに位置付けた後、ウェーハ１と切削ユニット７３の切削ブレード７５とを分割予定ライン３に沿って水平方向に沿って相対的に移動させる。溝形成ステップＳＴ１０では、切削装置７０は、ウェーハ１と切削ユニット７３の切削ブレード７５とを分割予定ライン３に沿って水平方向に沿って相対的に移動させて、切削ブレード７５をレーザー加工溝７−２の底に切り込ませて、ウェーハ１の裏面６側に至らない深さの切削溝８をレーザー加工溝７−２の底に形成する。
【００５７】
デバイスチップの製造方法は、ウェーハ１の全ての分割予定ライン３のレーザー加工溝７−２の底に切削ブレード７５を切り込ませて切削溝８を形成すると、保護部材貼着ステップＳＴ４に進む。
【００５８】
また、実施形態２に係るデバイスチップの製造方法の研削ステップＳＴ５では、研削装置６０が切削溝８が裏面６に露出するまでウェーハ１を研削して、図１７及び図１８に示すデバイスチップ１０−２に分割する。
【００５９】
なお、実施形態２に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップ１０−２は、図１７及び図１８に示すように、外側面１１に傾斜面１２に加え、傾斜面１２に連なった垂直面１３が形成される。垂直面１３は、傾斜面１２よりも裏面６側に位置し、溝形成ステップＳＴ１０において形成される切削溝８の内面である。
【００６０】
実施形態２に係るデバイスチップの製造方法は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２において、パルス状のレーザー光線４１を各分割予定ライン３の幅方向４５に走査させながら照射して、断面がＶ形状のレーザー加工溝７−２を形成するので、実施形態１と同様に、デバイスチップ１０の抗折強度を向上させることができる。
【００６１】
なお、実施形態２において、溝形成ステップＳＴ１０は、保護膜洗浄ステップＳＴ３後に実施されるが、本発明では、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２後であれば、保護膜洗浄ステップＳＴ３前に実施され、溝形成ステップＳＴ１０後に実施する切削屑洗浄ステップと一緒に保護膜洗浄を実施しても良い。また、実施形態２に係るデバイスチップの製造方法は、実施形態１の変形例と同様に、傾斜面１２を外側に向かって凸の曲面状の傾斜面１２−１にしても良い。
【００６２】
〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るデバイスチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図１９は、実施形態３に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。本明細書は、実施形態３の説明において、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００６３】
実施形態３に係るデバイスチップの製造方法は、ウェーハ１を所定の仕上げ厚さ１００まで薄化した後、分割予定ライン３に沿って個々のデバイスチップ１０−３に分割する方法である。実施形態３に係るデバイスチップの製造方法は、図１９に示すように、保護部材貼着ステップＳＴ１１と、研削ステップＳＴ１２と、貼り替えステップＳＴ１３と、保護膜被覆ステップＳＴ１４と、レーザー加工ステップＳＴ１５と、保護膜洗浄ステップＳＴ１６と、プラズマエッチングステップＳＴ１７とを備える。
【００６４】
（保護部材貼着ステップ）
図２０は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープの粘着層を対向させた状態を示す斜視図である。図２１は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法の保護部材貼着ステップにおいて、ウェーハの表面に粘着テープを貼着した状態を示す斜視図である。
【００６５】
保護部材貼着ステップＳＴ１１は、図２０に示すウェーハ１の表面４に保護部材である粘着テープ２００を貼着するステップである。実施形態１において、保護部材貼着ステップＳＴ１１は、図２１に示すように、ウェーハ１と同径の粘着テープ２００をウェーハ１の表面４に貼着する。実施形態１では、保護部材として粘着テープ２００を用いるが、本発明では、保護部材は、粘着テープ２００に限定されない。デバイスチップの製造方法は、ウェーハ１の表面４に粘着テープ２００を貼着すると、研削ステップＳＴ１２に進む。
【００６６】
（研削ステップ）
図２２は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法の研削ステップを示す側面図である。研削ステップＳＴ１２は、粘着テープ２００が貼着されたウェーハ１を裏面６側から研削し、仕上げ厚さ１００まで薄化するステップである。
【００６７】
研削ステップＳＴ１２では、研削装置６０が、チャックテーブル６１の保持面６２に粘着テープ２００を介してウェーハ１の表面４側を吸引保持する。研削ステップＳＴ１２では、研削装置６０が、図２２に示すように、スピンドル６３により研削ホイール６４を回転しかつチャックテーブル６１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、研削ホイール６４の研削用砥石６５をチャックテーブル６１に所定の送り速度で近づけることによって、研削用砥石６５でウェーハ１の裏面６側を研削する。研削ステップＳＴ１２では、研削装置６０が、仕上げ厚さ１００になるまでウェーハ１を研削する。デバイスチップの製造方法は、仕上げ厚さ１００までウェーハ１を薄化すると貼り替えステップＳＴ１３に進む。
【００６８】
（貼り替えステップ）
図２３は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法の貼り替えステップを示す斜視図である。貼り替えステップＳＴ１３は、ウェーハ１の裏面６側に保護部材であるダイシングテープ２０１を貼着するとともに、ウェーハ１の表面４側から粘着テープ２００を剥がすステップである。
【００６９】
貼り替えステップＳＴ１３では、研削ステップＳＴ１２において研削されたウェーハ１の裏面６に、図２３に示すように、外周縁に環状フレーム２０２が貼着されたダイシングテープ２０１を貼着し、表面４側から粘着テープ２００を剥がす。デバイスチップの製造方法は、粘着テープ２００を表面４側から剥がすと、保護膜被覆ステップＳＴ１４に進む。
【００７０】
（保護膜被覆ステップ）
図２４は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法の保護膜被覆ステップを一部断面で示す側面図である。保護膜被覆ステップＳＴ１４は、レーザー加工ステップＳＴ１５の前にウェーハ１の表面４に水溶性樹脂３１を供給して、硬化した水溶性樹脂３１により構成される水溶性保護膜３２（図２５に示す）でウェーハ１の表面４を被覆するステップである。
【００７１】
保護膜被覆ステップＳＴ１４では、保護膜被覆装置３０が、図２４に示すように、ウェーハ１の裏面６側をダイシングテープ２０１を介してスピンナテーブル３３の保持面３４に吸引保持し、スピンナテーブル３３を軸心回りに回転させながら、ウェーハ１の上方で表面４に沿って移動する塗布ノズル３５からウェーハ１の表面４側に液状の水溶性樹脂３１を塗布する。ウェーハ１の表面に塗布された水溶性樹脂３１は、スピンナテーブル９３の回転により生じる遠心力によりウェーハ１の外縁側に拡げられて、ウェーハ１の裏面６全体を被覆する。
【００７２】
保護膜被覆ステップＳＴ１４では、保護膜被覆装置３０が、ウェーハ１の表面４側に水溶性樹脂３１を塗布した後、水溶性樹脂３１を乾燥又は加熱して、硬化させて、ウェーハ１の表面４全体を水溶性保護膜３２で被覆する。デバイスチップの製造方法は、ウェーハ１の表面４全体を水溶性保護膜３２で被覆すると、レーザー加工ステップＳＴ１５に進む。
【００７３】
（レーザー加工ステップ）
図２５は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法のレーザー加工ステップを一部断面で示す側面図である。レーザー加工ステップＳＴ１５は、研削ステップＳＴ１２実施後、ウェーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザー光線４１を、ウェーハ１の表面４側から分割予定ライン３に沿って照射し、幅方向外側に向かって浅くなるＶ形状のレーザー加工溝７−３を分割予定ライン３に沿って形成するステップである。また、レーザー加工ステップＳＴ１５は、レーザー加工溝７−３で分割予定ライン３に沿ってウェーハ１を分割して、外側面１１に傾斜面１２を有するデバイスチップ１０−３を形成するステップである。
【００７４】
レーザー加工ステップＳＴ１５では、図２５に示すように、レーザー加工装置４０のチャックテーブル４３の保持面４４にダイシングテープ２０１を介してウェーハ１の裏面６側を吸引保持する。レーザー加工ステップＳＴ１５では、レーザー加工装置４０の図示しない撮像ユニットがウェーハ１の表面４を撮像して分割予定ライン３を検出し、ウェーハ１とレーザー光線照射ユニット４２との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
【００７５】
レーザー加工ステップＳＴ１５では、レーザー加工装置４０は、チャックテーブル４３に対してレーザー光線照射ユニット４２を分割予定ライン３に沿って相対的に移動させながらウェーハ１に対して吸収性を有する波長のパルス状のレーザー光線４１を各分割予定ライン３に向かって照射する。また、実施形態３において、レーザー加工ステップＳＴ１５では、レーザー加工装置４０は、チャックテーブル４３に対してレーザー光線照射ユニット４２を分割予定ライン３に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット４２からレーザー光線４１を照射する際に、レーザー光線４１を各分割予定ライン３の幅方向４５に走査する。
【００７６】
レーザー加工ステップＳＴ１５では、レーザー加工装置４０は、図４に示すように、ウェーハ１の表面４の分割予定ライン３にアブレーション加工を保施して、分割予定ライン３に沿ってレーザー加工溝７−３を形成する。アブレーション加工の際に生じた図示しないデブリは、水溶性保護膜３２に付着する。また、実施形態３において、レーザー加工ステップＳＴ１５では、レーザー加工装置４０は、ウェーハ１を貫通するレーザー加工溝７−３を形成して、レーザー加工溝７によりウェーハ１を個々のデバイスチップ１０−３に分割する。
【００７７】
また、実施形態３において、レーザー加工ステップＳＴ１５では、レーザー加工装置４０は、パルス状のレーザー光線４１を各分割予定ライン３の幅方向４５に走査させながら分割予定ライン３の長手方向に沿って照射し、分割予定ライン３に沿ったレーザー加工溝７−３を形成する。この際、各分割予定ライン３の幅方向の中央に最も多くのレーザー光線４１のパルスを照射し、各分割予定ライン３の幅方向の外側に向かうにしたがって照射するレーザー光線４１のパルスを減少させる。このために、実施形態１において、レーザー加工ステップＳＴ１５では、各分割予定ライン３の幅方向外側に向かって浅くなる断面がＶ形状のレーザー加工溝７−３を形成することとなる。
【００７８】
なお、実施形態３では、レーザー加工溝７の内面は、平坦に形成されているが、本発明では、平坦でなくても良い。デバイスチップの製造方法は、ウェーハ１の全ての分割予定ライン３にレーザー加工溝７−３を形成すると、保護膜洗浄ステップＳＴ３に進む。
【００７９】
また、実施形態３において、レーザー加工ステップＳＴ１５では、内面が平坦な断面Ｖ形状のレーザー加工溝７−３が形成されているので、デバイスチップ１０−３は、外側面１１に表面４から裏面６に向かうにしたがってデバイスチップ１０を徐々に大きくする平坦な傾斜面１２が形成される。
【００８０】
（保護膜洗浄ステップ）
図２６は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法の保護膜洗浄ステップを一部断面で示す側面図である。保護膜洗浄ステップＳＴ１６は、レーザー加工ステップＳＴ１５を実施後、ウェーハ１の表面４に純水からなる洗浄水５１を供給して、水溶性保護膜３２をアブレーション加工で発生するデブリと共に除去するステップである。
【００８１】
保護膜洗浄ステップＳＴ１６では、図２６に示すように、洗浄装置５０がスピンナテーブル５３の保持面５４にダイシングテープ２０１を介して複数のデバイスチップ１０−３の裏面６側を吸引保持し、スピンナテーブル５３を軸心回りに回転させるとともに、デバイスチップ１０−３の上方で表面４に沿って移動する洗浄水ノズル５５から洗浄水５１をデバイスチップ１０−３の表面４に向けて噴射する。保護膜洗浄ステップＳＴ１６では、洗浄水５１がスピンナテーブル５３の回転により生じる遠心力によりデバイスチップ１０−３の表面４上をスムーズに流れて、水溶性保護膜３２とともに、水溶性保護膜３２に付着したデブリを洗い流して除去することとなる。保護膜洗浄ステップＳＴ１６は、所定時間、洗浄装置５０がスピンナテーブル５３を回転させながらデバイスチップ１０−３の表面４に洗浄水５１を供給すると、デバイスチップ１０−３の洗浄を終了し、デバイスチップ１０−３を乾燥させる。デバイスチップの製造方法は、デバイスチップ１０−３の表面４の乾燥を終了すると、プラズマエッチングステップＳＴ１７に進む。
【００８２】
なお、実施形態３では、保護膜被覆ステップＳＴ１を保護膜被覆装置３０が行い、保護膜洗浄ステップＳＴ１６を保護膜被覆装置３０とは別の洗浄装置５０が行っていたが、本発明は、保護膜被覆ステップＳＴ１及び保護膜洗浄ステップＳＴ１６をノズル３５，５５を備える一つの装置で行っても良い。
【００８３】
（プラズマエッチングステップ）
図２７は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法のプラズマエッチングステップを模式的に示すウェーハの要部の断面図である。図２８は、図１９に示されたデバイスチップの製造方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。
【００８４】
プラズマエッチングステップＳＴ１７は、レーザー加工ステップＳＴ１５を実施後、ダイシングテープ２０１で保持された複数のデバイスチップ１０−３をプラズマエッチングするステップである。プラズマエッチングステップＳＴ１７では、デバイス５を被覆し、デバイスチップ１０−３の外側面１１等を露出するマスク２０３−３を表面４側に形成する。実施形態では、プラズマエッチングステップＳＴ１７において、水溶性保護膜３２と同様の水溶性樹脂３１によりマスク２０３−３を形成するが、本発明では、マスク２０３−３を構成する材料は、前述した水溶性樹脂３１に限定されない。たとえば、デバイス５を被覆するパッシベーション膜をマスク２０３−３として利用しても良い。
【００８５】
プラズマエッチングステップＳＴ１７では、図示しないプラズマ装置のエッチングチャンバー内にダイシングテープ２０１で保持された複数のデバイスチップ１０−３を収容し、静電チャックテーブル上にダイシングテープ２０１を介してデバイスチップ１０−３の裏面６側を静電吸着する。プラズマエッチンングステップＳＴ１７では、プラズマ化したガスをエッチング装置のエッチングチャンバー内に供給することで、図２７に示すように、デバイスチップ１０−３の表面４側にプラズマ化したエッチングガス２１０が供給される。
【００８６】
なお、実施形態３では、プラズマエッチングステップＳＴ１７において、実施形態１のプラズマエッチングステップＳＴ６と同様に、リモートプラズマ方式のエッチング装置を用いるが、本発明では、ダイレクトプラズマ方式のエッチング装置を用いても良い。また、実施形態３では、基板２がシリコンで構成される場合、実施形態１と同様に、エッチングガスとして、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８又はＣＦ４等を用いるが、エッチングガスは、これらに限定されない。
【００８７】
プラズマエッチングステップＳＴ１７では、エッチング装置は、レーザー加工ステップＳＴ１５においてウェーハ１即ちデバイスチップ１０−３に生じた熱影響を受けた層を除去する所定時間、デバイスチップ１０−３をプラズマエッチングする。プラズマエッチングステップＳＴ１７において、所定時間、デバイスチップ１０−３をプラズマエッチングした後、マスク２０３−３を除去する。デバイスチップの製造方法は、デバイスチップ１０−３にプラズマエッチング等を行うと、終了する。なお、その後、デバイスチップ１０−３は、図示しないピックアップによりダイシングテープ２０１からピックアップされる。
【００８８】
実施形態３に係るデバイスチップの製造方法は、レーザー加工ステップＳＴ１５において、パルス状のレーザー光線４１を各分割予定ライン３の幅方向４５に走査させながら照射して、断面がＶ形状のレーザー加工溝７−３を形成して、デバイスチップ１０−３の外側面１１に傾斜面１２を形成する。このチップ形状によってデバイスチップ１０−３の抗折強度を高くすることが出来る。さらにレーザー加工ではチッピングが発生しないため、抗折強度を高くすることができる。
【００８９】
なお、実施形態３に係るデバイスチップの製造方法は、実施形態１の変形例と同様に、外側に向かって凸の曲面状の傾斜面１２−１を形成しても良い。また、実施形態３に係るデバイスチップの製造方法は、レーザー加工ステップＳＴ１５後にプラズマエッチングステップＳＴ１７を実施して、保護膜洗浄ステップＳＴ１６をプラズマエッチングステップＳＴ１７後に実施しても良く、この場合、レーザー加工用の水溶性保護膜３２をプラズマエッチングのマスクに流用することができる。
【００９０】
〔変形例〕
本発明の実施形態３の変形例に係るデバイスチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図２９は、実施形態３の変形例１に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。図３０は、図２９に示されたデバイスチップの側面図である。図３１は、実施形態３の変形例２に係るデバイスチップの製造方法により製造されるデバイスチップの斜視図である。図３２は、図３１に示されたデバイスチップの側面図である。図３３は、実施形態３の変形例３に係るデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。図３４は、図３３に示されたデバイスチップの製造方法の溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。なお、図２９から図３４において、実施形態３等と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００９１】
実施形態３の変形例１及び変形例２に係るデバイスチップの製造方法は、レーザー加工ステップＳＴ１５において、ウェーハ１の裏面６側からレーザー光線４１を分割予定ライン３に沿って照射して、図２９、図３０、図３１及び図３２に示すように、デバイスチップ１０−３´，１０−３´´の外側面１１に表面４から裏面６に向かうにしたがって徐々にデバイス５を縮小させる傾斜面１２，１２−１を形成する。なお、図２９及び図３０に示された変形例１では、平坦な傾斜面１２が形成され、図３１及び図３２に示された変形例２では、外側に向かって凸に湾曲した曲面状の傾斜面１２−１が形成されている。
【００９２】
また、実施形態３の変形例１及び変形例２に係るデバイスチップの製造方法は、貼り替えステップＳＴ１３、保護膜被覆ステップＳＴ１４，保護膜洗浄ステップＳＴ１６を実施することなく、研削ステップＳＴ１２後にレーザー加工ステップＳＴ１５に進み、レーザー加工ステップＳＴ１５では、レーザー加工装置４０が粘着テープ２００を介してチャックテーブル４３の保持面４４に表面４側を保持して、レーザー光線４１を裏面６から照射し、レーザー加工溝７−３を形成して、デバイスチップ１０−３´，１０−３´´に分割する。実施形態３の変形例１及び変形例２に係るデバイスチップの製造方法は、レーザー加工ステップＳＴ１５後に、プラズマエッチングステップＳＴ１７に進み、デバイスチップ１０−３´，１０−３´´を裏面６側からプラズマエッチングする。また、実施形態３の変形例１及び変形例２に係るデバイスチップの製造方法は、レーザー加工ステップＳＴ１５の前に保護膜被覆ステップＳＴ１４を実施し、レーザー加工ステップＳＴ１５後又はプラズマエッチングステップＳＴ１７の後に水溶性保護膜３２を除去しても良い。
【００９３】
実施形態３の変形例３に係るデバイスチップの製造方法は、図３３に示すように、レーザー加工ステップＳＴ１５及び保護膜洗浄ステップＳＴ１６実施後、レーザー加工溝７−４に沿って図３４に示す切削ブレード７５でウェーハ１を分割する切削溝８−４を形成する溝形成ステップＳＴ２０を備えて、実施形態２に係るデバイスチップ１０−２を製造すること以外、実施形態３と同じである。
【００９４】
実施形態３の変形例３に係るデバイスチップの製造方法は、レーザー加工ステップＳＴ１５においてデバイスチップ１０−２の仕上げ厚さ１００を超える深さのレーザー加工溝７−４を形成せずに、溝形成ステップＳＴ２０においてレーザー加工溝７−４に更に切削ブレード７５で切削溝８−４を形成して、ウェーハ１をデバイスチップ１０−２に分割する。なお、実施形態３の変形例３に係るデバイスチップの製造方法は、実施形態１の変形例と同様に、傾斜面１２を外側に向かって凸の曲面状の傾斜面１２−１にしても良く、レーザー加工ステップＳＴ１５において、レーザー光線４１をウェーハ１の裏面６側から照射して、デバイスチップ１０−２の外側面１１に表面４から裏面６に向かうにしたがって徐々にデバイス５を縮小させる傾斜面１２，１２−１を形成しても良い。
【００９５】
変形例１、変形例２及び変形例３に係るデバイスチップの製造方法は、レーザー加工ステップＳＴ１５において断面がＶ形状のレーザー加工溝７−３，７−４を形成するので、実施形態３と同様に、デバイスチップ１０−２，１０−３´，１０−３´´の抗折強度を向上させることができる。
【００９６】
また、変形例１及び変形例２に係るデバイスチップの製造方法は、レーザー加工ステップＳＴ１５において、ウェーハ１の裏面６側からレーザー光線４１を照射するので、貼り替えステップＳＴ１３を実施する必要がない。その結果、変形例１及び変形例２に係るデバイスチップの製造方法は、所要工数を抑制することができる。
【００９７】
次に、本発明の発明者は、本願発明のデバイスチップの製造方法の効果を確認した。確認では、比較例、本発明品１及び本発明品２それぞれの抗折強度を測定した。結果を表１に示す。
【００９８】
【表１】
2020092236.tif 000003
【００９９】
なお、表１中の比較例は、切り刃の先端が軸心に沿って平坦な切削ブレードを用いて、ウェーハ１から分割されたデバイスチップである。本発明品１は、実施形態２に係るデバイスチップの製造方法により製造され、かつ傾斜面１２の表面４及び裏面６とのなす角度θ（図１８に示す）が４０度であるデバイスチップ１０−２である。本発明品２は、実施形態２に係るデバイスチップの製造方法により製造され、かつ傾斜面１２の表面４及び裏面６とのなす角度θ（図１８に示す）が７０度であるデバイスチップ１０−２である。
【０１００】
表１によれば、比較例の抗折強度が１０００ＭＰａであるのに対し、本発明品１及び本発明品２の抗折強度が１４００ＭＰａであった。よって、表１によれば、デバイスチップ１０の外側面１１に傾斜面１２，１２−１を形成することにより、比較例よりもデバイスチップ１０，１０´，１０−２，１０−３，１０−３´，１０−３´´の抗折強度を向上できることが明らかとなった。
【０１０１】
また、表１によれば、デバイスチップ１０の外側面１１に形成された傾斜面１２，１２−１，１２−２，１２−３の角度θを４０度以上でかつ７０度以下にすることにより、比較例よりもデバイスチップ１０，１０´，１０−２，１０−３，１０−３´，１０−３´´の抗折強度を向上できることが明らかとなった。
【０１０２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【０１０３】
１  ウェーハ
２  基板
３  分割予定ライン
４  表面
５  デバイス
６  裏面
７，７−２，７−３，７−４  レーザー加工溝
８，８−４  切削溝
１０，１０´，１０−２，１０−３，１０−３´，１０−３´´  デバイスチップ
１１  外側面（側面）
１２，１２−１  傾斜面
４１  レーザー光線
６１  チャックテーブル
７５  切削ブレード
１００  仕上げ厚さ（デバイスチップの厚さ）
２００  粘着テープ（保護部材）
２０１  ダイシングテープ（保護部材）
ＳＴ２  レーザー加工溝形成ステップ
ＳＴ４  保護部材貼着ステップ
ＳＴ５  研削ステップ
ＳＴ６  プラズマエッチングステップ
ＳＴ１０  溝形成ステップ
ＳＴ１１  保護部材貼着ステップ
ＳＴ１２  研削ステップ
ＳＴ１５  レーザー加工ステップ
ＳＴ１７  プラズマエッチングステップ
ＳＴ２０  溝形成ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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