(57)【要約】【課題】反りを有する被加工物を適切に保持することが可能な被加工物の研削方法を提供する。【解決手段】中央領域と、中央領域を囲繞する外周領域とを備え、表面側が凹状に湾曲するように反った板状の被加工物を研削して薄化する被加工物の研削方法であって、チャックテーブルの保持面と被加工物の裏面側とが対向するように被加工物をチャックテーブル上に載置し、被加工物の外周領域を押圧部材で保持面に向かって押圧し、反った被加工物の形状を矯正する矯正ステップと、被加工物を保持面に作用する負圧によって吸引保持する保持ステップと、被加工物の中央領域を、研削砥石を備える研削ホイールで研削することにより、中央領域を薄化して被加工物に作用する応力を低減する第１研削ステップと、押圧部材を被加工物の外周領域の外側に移動させる押圧部材移動ステップと、被加工物の外周領域を研削ホイールで研削する第２研削ステップと、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央領域と、該中央領域を囲繞する外周領域とを備え、表面側が凹状に湾曲するように反った板状の被加工物を研削して薄化する被加工物の研削方法であって、
チャックテーブルの保持面と該被加工物の裏面側とが対向するように該被加工物を該チャックテーブル上に載置し、該被加工物の該外周領域を押圧部材で該保持面に向かって押圧し、反った該被加工物の形状を矯正する矯正ステップと、
該矯正ステップによって形状が矯正された該被加工物を、該保持面に作用する負圧によって吸引保持する保持ステップと、
該保持ステップの実施後、該押圧部材によって押圧されていない該被加工物の該中央領域を、研削砥石を備える研削ホイールで研削することにより、該中央領域を薄化して該被加工物に作用する応力を低減する第１研削ステップと、
該第１研削ステップの実施後、該押圧部材を該被加工物の該外周領域の外側に移動させる押圧部材移動ステップと、
該押圧部材移動ステップの実施後、該第１研削ステップで研削されていない該被加工物の該外周領域を該研削ホイールで研削する第２研削ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の研削方法。
【請求項２】
該被加工物の該中央領域は、複数のデバイスを含むデバイス領域であり、
該被加工物の該外周領域は、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域であることを特徴とする請求項１記載の被加工物の研削方法。
【請求項３】
該被加工物は、矩形状のパッケージ基板であることを特徴とする請求項１又は２記載の被加工物の研削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状の被加工物を研削して薄化する際に用いられる被加工物の研削方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスが形成された半導体ウェーハを分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが製造される。また、基板上に実装された複数のデバイスチップを樹脂でなる封止材（モールド樹脂）で被覆して得たパッケージ基板を分割することにより、デバイスチップをそれぞれ備える複数のパッケージデバイスが製造される。このパッケージデバイスは、携帯電話やパーソナルコンピュータに代表される様々な電子機器に内蔵される。
【０００３】
近年、電子機器の小型化、薄型化に伴い、デバイスチップやパッケージデバイスにも薄型化が求められている。そこで、分割前の半導体ウェーハやパッケージ基板を研削して薄化する手法が用いられている。
【０００４】
半導体ウェーハやパッケージ基板等の被加工物を研削する際には、例えば、被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルによって保持された被加工物を研削する研削ユニットとを備える研削装置が用いられる。例えば特許文献１には、パッケージ基板を保持するチャックテーブルを備えた研削装置が開示されている。
【０００５】
研削ユニットは、回転軸となるスピンドルの先端部に固定されたマウントを備えており、マウントには被加工物を研削するための研削砥石を備えた研削ホイールが装着される。被加工物を研削する際は、まず、チャックテーブルの保持面上に被加工物を配置した状態で、保持面に吸引源の負圧を作用させることにより、被加工物をチャックテーブルによって吸引保持する。そして、チャックテーブルと研削ホイールとをそれぞれ回転させながら研削砥石を被加工物に接触させることにより、被加工物が研削され、薄化される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−２２３６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
被加工物には、その製造工程において反りが発生する場合がある。例えば、パッケージ基板を製造する際に樹脂層を硬化させるための加熱処理を行うと、樹脂層が収縮してパッケージ基板に反りが生じることがある。このように被加工物に反りが生じると、被加工物とチャックテーブルの保持面とが適切に接触せず、保持面に作用する負圧が被加工物と保持面との間の隙間からリークし、チャックテーブルによる被加工物の保持が不十分になることがある。
【０００８】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、反りを有する被加工物を適切に保持することが可能な被加工物の研削方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、中央領域と、該中央領域を囲繞する外周領域とを備え、表面側が凹状に湾曲するように反った板状の被加工物を研削して薄化する被加工物の研削方法であって、チャックテーブルの保持面と該被加工物の裏面側とが対向するように該被加工物を該チャックテーブル上に載置し、該被加工物の該外周領域を押圧部材で該保持面に向かって押圧し、反った該被加工物の形状を矯正する矯正ステップと、該矯正ステップによって形状が矯正された該被加工物を、該保持面に作用する負圧によって吸引保持する保持ステップと、該保持ステップの実施後、該押圧部材によって押圧されていない該被加工物の該中央領域を、研削砥石を備える研削ホイールで研削することにより、該中央領域を薄化して該被加工物に作用する応力を低減する第１研削ステップと、該第１研削ステップの実施後、該押圧部材を該被加工物の該外周領域の外側に移動させる押圧部材移動ステップと、該押圧部材移動ステップの実施後、該第１研削ステップで研削されていない該被加工物の該外周領域を該研削ホイールで研削する第２研削ステップと、を備える被加工物の研削方法が提供される。
【００１０】
なお、好ましくは、該被加工物の該中央領域は、複数のデバイスを含むデバイス領域であり、該被加工物の該外周領域は、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域である。また、好ましくは、該被加工物は、矩形状のパッケージ基板である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様に係る被加工物の研削方法では、まず、反った被加工物の外周領域を押圧部材でチャックテーブルの保持面に向かって押圧して被加工物の形状を矯正した状態で、被加工物をチャックテーブルで保持し、被加工物の中央領域を研削する。これにより、被加工物の中央領域を薄化して被加工物に作用する応力を低減する。その後、押圧部材を被加工物の外周領域の外側に移動させ、チャックテーブルによって吸引保持された被加工物の外周領域を研削する。
【００１２】
上記の被加工物の研削方法を用いると、反った被加工物の形状がチャックテーブルの保持面に沿って矯正された状態で、被加工物の中央領域と外周領域とが研削される。そのため、研削加工を実施する際、被加工物の裏面側とチャックテーブルの保持面との間の隙間から負圧がリークすることを防止し、被加工物をチャックテーブルの保持面で適切に保持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】研削装置を示す一部断面正面図である。
【図２】被加工物がチャックテーブルによって保持された状態を示す一部断面正面図である。
【図３】第１研削ステップの様子を示す一部断面正面図である。
【図４】押圧部材移動ステップの様子を示す一部断面正面図である。
【図５】第２研削ステップの様子を示す一部断面正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。まず、本実施形態に係る被加工物の研削方法に用いることが可能な研削装置の構成例について説明する。図１は、被加工物１１の研削が可能な研削装置２を示す一部断面正面図である。
【００１５】
被加工物１１は、表面１１ａ及び裏面１１ｂを備える板状に形成されている。被加工物１１は、シリコン等の材料でなる円盤状の半導体ウェーハ１３を備え、半導体ウェーハ１３の表面１３ａ側には、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等の複数のデバイス（不図示）が形成されている。また、半導体ウェーハ１３の表面１３ａ側には、複数のデバイスを覆って封止する樹脂層（モールド樹脂）１５が形成されている。
【００１６】
被加工物１１は、被加工物１１の中央部分を含む平面視で円形の中央領域１１ｃと、被加工物１１の外周縁を含み中央領域１１ｃを囲繞する環状の外周領域１１ｄとを含む。中央領域１１ｃは、例えば樹脂層１５によって被覆された複数のデバイスを含むデバイス領域に相当し、外周領域１１ｄは、例えばデバイス領域を囲繞し、デバイスを含まない外周余剰領域に相当する。ただし、中央領域１１ｃ及び外周領域１１ｄの設定方法に制限はない。
【００１７】
なお、図１では被加工物１１の一例として、半導体ウェーハ１３の表面１３ａ側に形成された複数のデバイスを樹脂層１５で覆って形成された円盤状のパッケージ基板（ＷＬ−ＣＳＰ：Wafer Level Chip Size Package）を示している。ただし、被加工物１１の種類、材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。
【００１８】
例えば被加工物１１は、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）等の平面視で矩形状のパッケージ基板であってもよい。また、被加工物１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなるウェーハを備えていてもよい。
【００１９】
被加工物１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）によって複数の領域に区画されており、該領域にそれぞれデバイスが配置されている。被加工物１１を分割予定ラインに沿って分割することにより、樹脂層１５によって封止されたデバイスをそれぞれ備える複数のパッケージデバイスが得られる。
【００２０】
被加工物１１の分割前には、パッケージデバイスの薄型化を目的として、被加工物１１に研削加工が施されることがある。被加工物１１を研削する際には、被加工物１１の研削される面（被研削面）とは反対側の面に、柔軟な樹脂等でなる円形の粘着テープ１７が貼付される。例えば、被加工物１１の樹脂層１５を研削する際には、被加工物１１の裏面１１ｂ側に被加工物１１と同等の径を有する粘着テープ１７が貼付される。
【００２１】
被加工物１１の研削加工は、例えば図１に示す研削装置２を用いて実施される。研削装置２は、被加工物１１を保持するチャックテーブル４を備える。チャックテーブル４はモータ等の回転駆動源（不図示）と接続されており、この回転駆動源はチャックテーブル４を鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転させる。また、チャックテーブル４の下方には移動機構（不図示）が設けられており、この移動機構はチャックテーブル４を水平方向に移動させる。
【００２２】
チャックテーブル４は、円盤状の被加工物１１の形状に対応して、平面視で円形に形成されている。そして、チャックテーブル４の上面は、被加工物１１を保持する円形の保持面４ａを構成する。ただし、チャックテーブル４の大きさや形状は、被加工物１１の形状に応じて適宜変更される。
【００２３】
保持面４ａは、チャックテーブル４の内部に形成された吸引路４ｂ及びバルブ６等を介して、エジェクタ等の吸引源８と接続されている。研削装置２を用いて被加工物１１を研削する際には、チャックテーブル４の保持面４ａ上に粘着テープ１７を介して被加工物１１を配置した状態で、バルブ６を開き、保持面４ａに吸引源８の負圧を作用させる。これにより、被加工物１１がチャックテーブル４によって吸引保持される。
【００２４】
チャックテーブル４の上方には、研削ユニット１０が配置されている。研削ユニット１０は、昇降機構（不図示）によって支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングにはスピンドル１２が収容されており、スピンドル１２の下端部には円盤状のマウント１４が固定されている。
【００２５】
マウント１４の下面側には、マウント１４と概ね同径の研削ホイール１６が装着される。研削ホイール１６は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成された円環状のホイール基台１８を備える。また、ホイール基台１８の下面側には、直方体状の複数の研削砥石２０がホイール基台１８の外周に沿って環状に配列されている。
【００２６】
スピンドル１２の上端側（基端側）はモータ等の回転駆動源（不図示）と接続されており、研削ホイール１６はこの回転駆動源から発生する力によって鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、研削ユニット１０の内部には、純水等の研削液を研削砥石２０に供給するためのノズル（不図示）が設けられている。被加工物１１に研削加工を施す際には、このノズルから研削砥石２０及び被加工物１１に向かって研削液が供給される。
【００２７】
チャックテーブル４によって被加工物１１を保持した状態で、チャックテーブル４と研削ホイール１６とをそれぞれ所定の回転数で回転させながらスピンドル１２を下降させると、研削砥石２０と被加工物１１の表面１１ａ側（樹脂層１５側）とが接触し、被加工物１１が研削される。なお、スピンドル１２の下降速度は、研削砥石２０の下面が適切な力で被加工物１１の表面１１ａ側に押し当てられるように調整される。
【００２８】
チャックテーブル４の周囲には、被加工物１１をチャックテーブル４の保持面４ａに向かって押圧する複数の押圧部２２が設けられている。例えば研削装置２は、チャックテーブル４の円周方向に沿って概ね等間隔に配置された４つの押圧部２２を備える。ただし、押圧部２２の個数は複数であれば制限はなく、２以上の任意の数に設定される。
【００２９】
押圧部２２はそれぞれ、長手方向がチャックテーブル４の半径方向と平行な方向に沿うように配置された棒状の支持部２４ａと、支持部２４ａの一端部（チャックテーブル４と反対側の端部）の上面と接続され鉛直方向に沿って配置された柱状の接続部２４ｂとによって構成される支持部材２４を備える。また、接続部２４ｂの上面には、直方体状の押圧部材２６が接続されている。
【００３０】
押圧部２６の下面２６ａは、例えば平坦な矩形状に形成されており、保持面４ａに対して概ね平行である。また、この下面２６ａの一端部（チャックテーブル４と反対側の端部）は接続部２４ｂに接続されている。すなわち、下面２６ａの一部は接続部２４ｂよりもチャックテーブル４側に配置されている。
【００３１】
ただし、押圧部２２の形状、構造等に制限はない。例えば、支持部２４ａ、接続部２４ｂ、及び押圧部２６は一体に構成されていてもよいし、別々に構成された後に互いに接続されてもよい。また、チャックテーブル４や被加工物１１の形状等に応じて押圧部２２の形状を適宜変更してもよい。
【００３２】
支持部２４ａの他端部（チャックテーブル４側の端部）には、押圧部２２を移動させる移動機構（不図示）が接続されている。押圧部２２は、この移動機構によってチャックテーブル４の半径方向（矢印Ａで示す方向）、及び鉛直方向（矢印Ｂで示す方向）に移動可能となっている。押圧部材２６と、チャックテーブル４上に配置された被加工物１１の外周領域１１ｄとが重畳するように押圧部２２を位置付けた状態で、押圧部２２を降下させると、押圧部材２６の下面２６ａが被加工物１１と接触し、被加工物１１がチャックテーブル４の保持面４ａに向かって押圧される。なお、押圧部２２の具体的な機能及び動作の詳細については後述する。
【００３３】
ここで、被加工物１１には、その製造工程において反りが発生する場合がある。例えば、樹脂層１５を硬化させるための加熱処理を行うと、樹脂層１５が収縮して、図１に示すように被加工物１１に反りが生じることがある。
【００３４】
被加工物１１に反りが生じると、被加工物１１の裏面１１ｂ側（粘着テープ１７側）とチャックテーブル４の保持面４ａとが適切に接触せず、保持面４ａに作用する負圧がリークし、チャックテーブル４による被加工物１１の保持が不十分になることがある。また、反った状態の被加工物１１を研削ユニット１０によって研削すると、被加工物１１の研削量にばらつきが生じ、被加工物１１を均一に研削することが困難になることがある。
【００３５】
本実施形態に係る被加工物１１の研削方法では、まず、反った被加工物１１の外周領域１１ｄを押圧部材２６でチャックテーブル４の保持面４ａに向かって押圧して被加工物１１の形状を矯正した状態で、被加工物１１をチャックテーブルで保持し、被加工物１１の中央領域１１ｃを研削する。これにより、被加工物１１の中央領域１１ｃを薄化して被加工物１１に作用する応力を低減する。その後、押圧部材２６を被加工物１１の外周領域１１ｄの外側に移動させ、チャックテーブル４によって吸引保持された被加工物１１の外周領域１１ｄを研削する。
【００３６】
上記の被加工物の研削方法を用いると、反った被加工物１１の形状がチャックテーブル４の保持面４ａに沿って矯正された状態で、中央領域１１ｃと外周領域１１ｄとが研削される。そのため、研削加工を実施する際、被加工物１１の裏面１１ｂ側（粘着テープ１７側）と保持面４ａとの間の隙間から負圧がリークすることを防止し、被加工物１１をチャックテーブル４の保持面４ａで適切に保持することが可能となる。
【００３７】
以下、研削装置２を用いた被加工物１１の研削方法の具体例について説明する。なお、以下では、図１に示すように表面１１ａ側が凹状に湾曲するように反った被加工物１１を研削する例について説明する。
【００３８】
まず、チャックテーブル４の保持面４ａと被加工物１１の裏面１１ｂ側とが対向するように、被加工物１１をチャックテーブル４上に載置する。なお、被加工物１１は、中央領域１１ｃが外周領域１１ｄよりも下方に位置付けられるように反っている。そのため被加工物１１は、中央領域１１ｃが保持面４ａによって支持され、外周領域１１ｄが保持面４ａによって支持されていない状態（保持面４ａから浮いた状態）で、保持面４ａ上に配置される。
【００３９】
次に、移動機構（不図示）によって押圧部２２をそれぞれチャックテーブル４の半径方向内側に向かって移動させ、押圧部材２６を被加工物１１の外周領域１１ｄと重畳させる。この状態で、押圧部２２を移動機構によって降下させると、押圧部材２６の下面２６ａが被加工物１１の外周領域１１ｄをチャックテーブル４の保持面４ａに向かって押圧し、被加工物１１が保持面４ａに押し付けられる（図２参照）。その結果、被加工物１１は保持面４ａに沿って変形し、被加工物１１の反りが解消される（矯正ステップ）。
【００４０】
そして、被加工物１１の形状が矯正された状態で、バルブ６を開き、チャックテーブル４の保持面４ａに吸引源８の負圧を作用させる。これにより、被加工物１１が粘着テープ１７を介してチャックテーブル４によって吸引保持される（保持ステップ）。
【００４１】
図２は、被加工物１１がチャックテーブル４によって保持された状態を示す一部断面正面図である。図２に示すように、押圧部材２６で被加工物１１の外周領域１１ｄを押圧するとともに保持面４ａに負圧を作用させると、被加工物１１は保持面４ａに沿って変形し、被加工物１１の裏面１１ｂに貼付された粘着テープ１７が保持面４ａに密着する。これにより、保持面４ａに作用する吸引源８の負圧のリークが防止され、被加工物１１がチャックテーブル４によって適切に保持される。
【００４２】
なお、被加工物１１の裏面１１ｂへの粘着テープ１７の貼付は省略することもできる。この場合、被加工物１１はその裏面１１ｂが保持面４ａと密着するようにチャックテーブル４によって吸引保持される。
【００４３】
次に、被加工物１１の中央領域１１ｃを研削ホイール１６で研削する（第１研削ステップ）。図３は、第１研削ステップの様子を示す一部断面正面図である。図３に示すように、被加工物１１の中央領域１１ｃは押圧部材２６によって押圧されておらず、その表面１１ａ側が上方に露出している。
【００４４】
第１研削ステップではまず、被加工物１１の中央領域１１ｃと研削ホイール１６とが重畳するように、チャックテーブル４の位置を調整する。なお、研削ホイール１６としては、その直径が中央領域１１ｃの直径以下であるものを用いる。また、チャックテーブル４は、研削ホイール１６が備える全ての研削砥石２０が中央領域１１ｃと重畳するように位置付けられる。
【００４５】
この状態で、チャックテーブル４と研削ホイール１６とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら、研削ホイール１６を所定の速度で下降させ、研削砥石２０を被加工物１１の中央領域１１ｃと接触させる。これにより、中央領域１１ｃの表面１１ａ側が研削砥石２０によって円形に研削される。そして、中央領域１１ｃが所望の厚さに薄化されるまで研削を継続すると、中央領域１１ｃの表面１１ａ側には凹部１１ｅが形成される。
【００４６】
なお、矯正ステップで被加工物１１の形状を矯正すると（図２参照）、被加工物１１には反りの大きさに対応する応力が作用する。ここで、中央領域１１ｃを研削すると、中央領域１１ｃが薄化されるとともに、収縮によって半導体ウェーハ１３に反りを生じさせている樹脂層１５の体積が減少し、被加工物１１に作用する応力が低減される。そのため、第１研削ステップを実施すると被加工物１１の反りが生じにくくなる。
【００４７】
次に、押圧部材２６を被加工物１１の外周領域１１ｄの外側に移動させる（押圧部材移動ステップ）。図４は、押圧部材移動ステップの様子を示す一部断面正面図である。
【００４８】
押圧部材移動ステップでは、移動機構（不図示）によって押圧部２２を上昇させ、押圧部材２６を被加工物１１から離隔させるとともに、押圧部２２をチャックテーブル４の半径方向外側に向かって移動させる。これにより、押圧部材２６が外周領域１１ｄの外側に移動し、押圧部材２６と外周領域１１ｄとが重畳しない状態となる。その結果、被加工物１１の表面１１ａ側の全体が上方に露出する。
【００４９】
なお、押圧部材２６を外周領域１１ｄの外側に移動させると、押圧部材２６による被加工物１１の押圧が解除される。しかしながら、被加工物１１の裏面１１ｂ側には吸引源８の負圧が作用している。また、第１研削ステップの実施によって被加工物１１に作用する応力が低減されており、被加工物１１は反りにくい状態となっている。そのため、押圧部材２６を被加工物１１から離隔させても、被加工物１１がチャックテーブル４の保持面４ａに沿って吸引保持された状態は維持される。
【００５０】
次に、被加工物１１の外周領域１１ｄを研削ホイール１６で研削する（第２研削ステップ）。図５は、第２研削ステップの様子を示す一部断面正面図である。被加工物１１の外周領域１１ｄは前述の第１研削ステップで研削されておらず、第２研削ステップではこの外周領域１１ｄを研削する。
【００５１】
第２研削ステップではまず、被加工物１１の外周領域１１ｄと研削ホイール１６とが重畳するように、チャックテーブル４の位置を調整する。具体的には、チャックテーブル４は、研削ホイール１６が備える研削砥石２０が外周領域１１ｄと重畳するように位置付けられる。
【００５２】
この状態で、チャックテーブル４と研削ホイール１６とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら、研削ホイール１６を所定の速度で下降させ、研削砥石２０を被加工物１１の外周領域１１ｄと接触させる。これにより、外周領域１１ｄの表面１１ａ側が研削砥石２０によって研削される。そして、外周領域１１ｄの厚さが中央領域１１ｃと同等の厚さとなるまで、研削を継続する。これにより、被加工物１１の全体の厚さが揃えられる。
【００５３】
なお、第２研削ステップでは、研削砥石２０を外周領域１１ｄだけでなく中央領域１１ｃにも接触させ、被加工物１１の全体を研削してもよい。これにより、中央領域１１ｃと外周領域１１ｄとで被加工物１１の厚さの差が生じることを防止できる。
【００５４】
第２研削ステップの実施時、押圧部材２６は外周領域１１ｄの外側に退避されている、そのため、押圧部材２６が外周領域１１ｄの研削の妨げになることはない。
【００５５】
以上の通り、本実施形態に係る被加工物の研削方法では、まず、反った被加工物１１の外周領域１１ｄを押圧部材２６でチャックテーブル４の保持面４ａに向かって押圧して被加工物１１の形状を矯正した状態で、被加工物１１をチャックテーブル４で保持し、被加工物１１の中央領域１１ｃを研削する。これにより、被加工物１１の中央領域１１ｃを薄化して被加工物１１に作用する応力を低減する。その後、押圧部材２６を被加工物１１の外周領域１１ｄの外側に移動させ、チャックテーブル４によって吸引保持された被加工物１１の外周領域１１ｄを研削する。
【００５６】
上記の被加工物の研削方法を用いると、反った被加工物１１の形状がチャックテーブル４の保持面４ａに沿って矯正された状態で、中央領域１１ｃと外周領域１１ｄとが研削される。そのため、研削加工を実施する際、被加工物１１の裏面１１ｂ側（粘着テープ１７側）と保持面４ａとの間の隙間から負圧がリークすることを防止し、被加工物１１をチャックテーブル４の保持面４ａで適切に保持することが可能となる。
【００５７】
なお、本実施形態では、被加工物１１が円盤状のパッケージ基板（ＷＬ−ＣＳＰ等）である場合について説明したが、研削装置２によって研削される被加工物１１の種類等に制限はない。例えば、被加工物１１として平面視で矩形状のパッケージ基板（ＱＦＮ等）を用いることもできる。
【００５８】
被加工物１１が矩形状のパッケージ基板である場合、第１切削ステップでは、チャックテーブル４を水平方向（図３の左右方向）に移動させながら研削ホイール１６で被加工物１１を研削してもよい。この場合、被加工物１１の表面１１ａ側には平面視で長円状の凹部１１ｅが形成される。
【００５９】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６０】
１１  被加工物
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１１ｃ  中央領域
１１ｄ  外周領域
１１ｅ  凹部
１３  半導体ウェーハ
１３ａ  表面
１５  樹脂層（モールド樹脂）
１７  粘着テープ
２  研削装置
４  チャックテーブル
４ａ  保持面
４ｂ  吸引路
６  バルブ
８  吸引源
１０  研削ユニット
１２  スピンドル
１４  マウント
１６  研削ホイール
１８  ホイール基台
２０  研削砥石
２２  押圧部
２４  支持部材
２４ａ  基底部
２４ｂ  接続部
２６  押圧部材
２６ａ  下面
【図１】
2020092162.tif 000003
【図２】
2020092162.tif 000004
【図３】
2020092162.tif 000005
【図４】
2020092162.tif 000006
【図５】
2020092162.tif 000007