(57)【要約】【課題】抵抗体を作る温度を低温化できるスパークプラグを提供すること。【解決手段】スパークプラグは、先端側から後端側へと軸線の方向に延びる軸孔を有する絶縁体と、軸孔の先端側に配置された中心電極と、軸孔の後端側に配置された端子金具と、軸孔の内部で端子金具と中心電極とを電気的に接続する抵抗体と、を備える。抵抗体はスパーク時に発生する電波ノイズを抑える。抵抗体はケイ酸ナトリウムを含有する。【選択図】図１
2020198202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
先端側から後端側へと軸線の方向に延びる軸孔を有する絶縁体と、
前記軸孔の先端側に配置された中心電極と、
前記軸孔の後端側に配置された端子金具と、
前記軸孔の内部で前記端子金具と前記中心電極とを電気的に接続する抵抗体と、を備えるスパークプラグであって、
前記抵抗体は、ケイ酸ナトリウムを含有するスパークプラグ。
【請求項２】
前記中心電極は、前記抵抗体と接触する接触部を備えている請求項１記載のスパークプラグ。
【請求項３】
前記絶縁体は、前記軸孔の内面に後端側を向く後端向き面が形成され、
前記中心電極は、前記軸線の方向に延びる軸部と、前記軸部の後端側に形成され、前記後端向き面に係止される係止部を有する鍔部と、を備え、
前記係止部よりも後端側における前記鍔部と前記絶縁体との間の少なくとも一部に、軸線方向に沿った間隙が形成される請求項２記載のスパークプラグ。
【請求項４】
前記絶縁体は、前記軸孔の内面に後端側を向く後端向き面が形成され、
前記中心電極は、前記軸線の方向に延びる軸部と、前記軸部の後端側に形成され前記後端向き面に係止される係止部を有する鍔部と、を備え、
前記接触部の少なくとも一部は、前記係止部を前記軸線に沿って前記軸線と平行に延ばした範囲内に位置する請求項２又は３に記載のスパークプラグ。
【請求項５】
前記中心電極は、自身の後端部が、前記抵抗体に埋設されている請求項２から４のいずれかに記載のスパークプラグ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はスパークプラグに関し、特に抵抗体が内蔵されたスパークプラグに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
スパーク時に発生する電波ノイズを抑えるため、抵抗体を内蔵したスパークプラグが知られている（例えば特許文献１）。特許文献１に開示されたスパークプラグは、軸孔が形成された絶縁体と、軸孔の先端側および後端側にそれぞれ配置された中心電極および端子金具と、中心電極と端子金具とを軸孔の内部で電気的に接続する抵抗体と、抵抗体と中心電極および抵抗体と端子金具とを接続するシール部と、を備えている。抵抗体およびシール部は、絶縁体の軸孔内に粉末状態で充填され、中心電極と端子金具との間で圧縮・加熱されて製造される。抵抗体やシール部はガラスを含んでおり、上記の製造過程において、粉末状態の抵抗体やシール部が、それらに含まれるガラスの軟化点以上に加熱されることで、絶縁体の軸孔内に固定されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−６４９８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、省エネルギー等の観点から、抵抗体を作るときの温度の低温化の要求がある。
【０００５】
本発明はこの要求に応えるためになされたものであり、抵抗体を作る温度を低温化できるスパークプラグを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的を達成するために本発明のスパークプラグは、先端側から後端側へと軸線の方向に延びる軸孔を有する絶縁体と、軸孔の先端側に配置された中心電極と、軸孔の後端側に配置された端子金具と、軸孔の内部で端子金具と中心電極とを電気的に接続する抵抗体と、を備え、抵抗体はケイ酸ナトリウムを含有する。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１記載のスパークプラグによれば、ケイ酸ナトリウムによって抵抗体が絶縁体の軸孔内に固定される。これにより抵抗体を作る温度を低温化できる。
【０００８】
請求項２記載のスパークプラグによれば、中心電極は接触部において抵抗体と接触するので、特許文献１のような抵抗体と中心電極とを接続するシール部を省略できる。よって、請求項１の効果に加え、シール部を構成する材料およびスパークプラグの製造工程のうちシール部を作る工程を削減できる。
【０００９】
請求項３記載のスパークプラグによれば、絶縁体は、軸孔の内面に後端側を向く後端向き面が形成され、中心電極は、軸線の方向に延びる軸部の後端側に鍔部が形成される。鍔部の係止部は後端向き面に係止され、係止部よりも後端側における鍔部と絶縁体との間の少なくとも一部に、軸線方向に沿った間隙が形成される。間隙があるので、中心電極が径方向に熱膨張したときに、絶縁体が、中心電極に抵抗体を介して径方向外側に押し広げられて破損するのを抑制できる。よって、請求項２の効果に加え、中心電極の径方向の熱膨張に起因する絶縁体の破損を抑制できる。
【００１０】
請求項４記載のスパークプラグによれば、絶縁体は、軸孔の内面に後端側を向く後端向き面が形成され、中心電極は、軸線の方向に延びる軸部の後端側に鍔部が形成される。鍔部の係止部は後端向き面に係止され、接触部の少なくとも一部は、係止部を軸線に沿って軸線と平行に延ばした範囲内に位置する。これにより後端向き面に鍔部の係止部を押し付ける軸線方向の力を確保できるので、請求項２又は３の効果に加え、中心電極を絶縁体にしっかり固定できる。
【００１１】
請求項５記載のスパークプラグによれば、中心電極の後端部は抵抗体に埋設されるので、請求項２から４のいずれかの効果に加え、中心電極を抵抗体にしっかり固定できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施の形態におけるスパークプラグの片側断面図である。
【図２】抵抗体の部分を拡大して示したスパークプラグの断面図である。
【図３】第２実施の形態におけるスパークプラグの断面図である。
【図４】第３実施の形態におけるスパークプラグの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の好ましい実施形態について添付図面を参照して説明する。図１は第１実施の形態におけるスパークプラグ１０の軸線Ｏを境にした片側断面図である。図２は抵抗体３０の部分を拡大して示したスパークプラグ１０の軸線Ｏを含む断面図である。図１では、紙面下側をスパークプラグ１０の先端側、紙面上側をスパークプラグ１０の後端側という（図２から図４においても同じ）。図１に示すようにスパークプラグ１０は、絶縁体１１、中心電極２０、抵抗体３０及び端子金具３１を備えている。
【００１４】
絶縁体１１は、機械的特性や高温下の絶縁性に優れるアルミナ等により形成されている。絶縁体１１は、軸線Ｏに沿って絶縁体１１を貫通する軸孔１２が形成された略円筒状をなす。絶縁体１１は、軸線Ｏに垂直な断面が円形の軸孔１２の内面１３に、後端側を向く後端向き面１４が形成されている。後端向き面１４は、後端側から先端側に向かうにつれて縮径している。
【００１５】
中心電極２０は、軸線Ｏに沿って延びる棒状の部材であり、銅または銅を主成分とする芯材がニッケル又はニッケル基合金で覆われている。芯材を省略することは可能である。中心電極２０は、絶縁体１１の後端向き面１４よりも先端側の軸孔１２に配置される略円柱状の軸部２１と、軸部２１の後端側に連なる略円柱状の鍔部２２（図２参照）と、を備えている。鍔部２２の直径は、軸部２１の直径より大きい。軸部２１の先端は軸孔１２から露出する。
【００１６】
抵抗体３０は、放電時に発生する電波ノイズを抑えるための部材であり、軸孔１２内の中心電極２０の後端側に配置されている。抵抗体３０は、中心電極２０と電気的に接続されている。抵抗体３０は、放電電流のうち電波ノイズの原因となる周波数帯の成分を吸収する。
【００１７】
抵抗体３０は導電性粉末、骨材およびケイ酸ナトリウム（ケイ酸のナトリウム塩）を含有する。抵抗体３０の導電性粉末は、例えば半導性酸化物、金属および非金属導電性材料等の粉末が挙げられる。半導性酸化物としては、例えばＳｎＯ２が挙げられる。金属としては、例えばＺｎ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ａｇ及びＮｉ等が挙げられる。非金属導電性材料としては、例えば無定形カーボン（カーボンブラック）、グラファイト、炭化ケイ素、炭化チタン、窒化チタン、炭化タングステン及び炭化ジルコニウム等が挙げられる。これらの導電性粉末は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００１８】
骨材は、抵抗体３０の比抵抗を調整するための部材である。骨材としては、例えばガラス粉末、無機化合物粉末が挙げられる。ガラス粉末としては、例えばＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２系、ＢａＯ−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＣａＯ−ＢａＯ系、ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ系およびＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−ＢａＯ系等の粉末が挙げられる。無機化合物粉末としては、例えばアルミナ、窒化ケイ素、ムライト及びステアタイト等の粉末が挙げられる。これらの骨材は１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。骨材は、ケイ酸ナトリウムの熱膨張と導電性粉末の熱膨張との差を緩和する機能も果たす。
【００１９】
抵抗体３０の導電性粉末および骨材は、ケイ酸ナトリウムによって固定されている。ケイ酸ナトリウムは、例えばメタケイ酸ナトリウムＮａ２ＳｉＯ３及びその種々の割合の水化物、オルトケイ酸ナトリウムＮａ４ＳｉＯ４、二ケイ酸ナトリウムＮａ２Ｓｉ２Ｏ５、四ケイ酸ナトリウムＮａ２Ｓｉ２Ｏ９が挙げられる。ケイ酸ナトリウムの濃い水溶液は粘性のある液体（水ガラス）であり、分子式Ｎａ２Ｏ・ｎＳｉＯ２（ｎは２．０〜４．０程度）で表される。ケイ酸ナトリウムの固形物は強い強度と接着力をもつ。ケイ酸ナトリウムの含有率は適宜設定されるが、例えば抵抗体３０の全体に対して０．０１から０．１ｗｔ％程度である。
【００２０】
端子金具３１は、高圧ケーブル（図示せず）が接続される棒状の部材であり、導電性を有する金属材料（例えば低炭素鋼等）によって形成されている。端子金具３１は、先端側が軸孔１２に挿入された状態で、絶縁体１１の後端に固定されている。端子金具３１は、少なくとも先端面が、軸孔１２内で抵抗体３０に接している。端子金具３１の先端面は円形である。端子金具３１は、抵抗体３０を介して、軸孔１２内で中心電極２０に電気的に接続されている。
【００２１】
主体金具３２は、導電性を有する金属材料（例えば低炭素鋼等）によって形成された略円筒状の部材である。主体金具３２は、絶縁体１１の先端側の部位を、絶縁体１１の外周側から保持する。中心電極２０の一部、抵抗体３０の全体、端子金具３１の一部は、絶縁体１１を介して、主体金具３２の内側に配置される。接地電極３３は、主体金具３２に接合される棒状の金属製（例えばニッケル基合金製）の部材である。接地電極３３は、先端部が、中心電極２０と火花ギャップを介して対向する。
【００２２】
図２に示すように、中心電極２０の軸部２１の後端側に連なる鍔部２２には、後端向き面１４に係止される係止部２３が形成されている。係止部２３は、鍔部２２の全周に亘って連続する円錐状の部位である。係止部２３の外縁の直径は、端子金具３１の先端面の直径よりも小さい。中心電極２０は、鍔部２２の後端側に、鍔部２２よりも細い略円柱状の後端部２４が連なる。
【００２３】
後端部２４の後端面は、周縁よりも中心が先端側に位置する円錐状の傾斜面である。後端部２４の後端面は、抵抗体３０に全面が接触している。後端部２４の後端面は、全体が、抵抗体３０と接触する接触部２５である。接触部２５の少なくとも一部（本実施形態では後端部２４の後端面の周縁の近傍）は、軸線Ｏに沿って軸線Ｏと平行に係止部２３を延ばした範囲２６内に位置する。
【００２４】
後端部２４は、後端部２４の後端面の近傍が、抵抗体３０に埋設されている。後端部２４の側面のうち先端側の部位と絶縁体１１の内面１３との間には抵抗体３０が存在しないので、係止部２３よりも後端側における鍔部２２と絶縁体１１（内面１３）との間の少なくとも一部に、軸線方向に沿った間隙２７が形成されている。
【００２５】
スパークプラグ１０は、例えば以下のような方法によって製造される。まず、絶縁体１１の軸孔１２に中心電極２０を挿入し、中心電極２０の鍔部２２を後端向き面１４に係止する。次いで、抵抗体３０の材料である導電性粉末と骨材との混合粉末にケイ酸ナトリウムの水溶液（水ガラス）を混合したものを軸孔１２に入れて、中心電極２０の後端側に充填する。
【００２６】
次いで、軸孔１２に挿入した端子金具３１によって、抵抗体３０の材料を軸線方向へ圧縮する。絶縁体１１を常温で放置、又は、絶縁体１１を２００℃以下程度の低温で加熱することによりケイ酸ナトリウムの水溶液を固化し、抵抗体３０を形成する。接地電極３３が予め接合された主体金具３２に絶縁体１１を挿入し、主体金具３２を絶縁体１１に組み付けた後、接地電極３３と中心電極２０との間に火花ギャップを形成して、スパークプラグ１０を得る。
【００２７】
なお、スパークプラグ１０に内蔵された抵抗体３０に含まれるケイ酸ナトリウムの分析は、例えばＪＩＳ  Ｋ１４０８−１９６６に準拠して、以下のような方法で行われる。まず、スパークプラグ１０を切断して抵抗体３０を取り出す。次に、抵抗体３０を熱水に入れ、抵抗体３０に含まれるケイ酸ナトリウムを熱水に溶かした後、ろ過して水不溶分を取り除き、ろ液を採取する。ろ液に対してケイ酸ナトリウムの公知の定性分析方法（例えば塩酸を加えて析出する二酸化ケイ素を確認する）によって、ケイ酸ナトリウムの有無を確認する。
【００２８】
スパークプラグ１０によれば、抵抗体３０に含まれるケイ酸ナトリウムによって、スパークプラグ１０の製造工程において抵抗体３０の混合粉末を軸孔１２に充填した後、ケイ酸ナトリウムの融点や軟化点以上に絶縁体１１を加熱しなくても、ケイ酸ナトリウムの分子間に結合を生じさせることができる。これによって抵抗体３０が作られるので、抵抗体３０を作る温度を低温化できる。
【００２９】
抵抗体３０に含まれるケイ酸ナトリウムが、絶縁体１１（内面１３）、中心電極２０及び端子金具３１を接着する力は強いので、抵抗体３０を介して中心電極２０及び端子金具３１を絶縁体１１に強く固定できる。
【００３０】
中心電極２０は接触部２５において抵抗体３０と接触するので、特許文献１に開示された抵抗体と中心電極とを接続するシール部を省略できる。よって、シール部を構成する材料およびスパークプラグの製造工程のうちシール部を作る工程を削減できる。また、シール部を省略することにより、中心電極２０や接地電極３３の消耗を抑制できる。
【００３１】
シール部の省略によって中心電極２０や接地電極３３の消耗を抑制できる理由は以下のとおりである。スパークプラグ１０は、中心電極２０、抵抗体３０及び端子金具３１と主体金具３２との間に絶縁体１１が介在するので、その間に寄生容量を生じる。端子金具３１と主体金具３２との間に高電圧が印加されると、寄生容量に電荷が蓄えられる。蓄えられた電荷が放電時に移動して、中心電極２０や接地電極３３の消耗（電極消耗）を助長する。
【００３２】
寄生容量に蓄えられた電荷のうち、抵抗体３０及び端子金具３１と主体金具３２との間に蓄えられた電荷は、放電時に、抵抗体３０から中心電極２０へ移動するので、抵抗体３０を通るときに電圧降下が生じる。電圧降下の分だけ電荷がもつエネルギーを小さくできるので、電極消耗を生じ難くできる。従って、寄生容量が原因となる電極消耗を抑制するには、抵抗体３０よりも先端側の部分と主体金具３２との間に生じる寄生容量を小さくすることが効果的である。
【００３３】
スパークプラグ１０は、中心電極２０の接触部２５が抵抗体３０と接触しているので、抵抗体と中心電極とをシール部が接続する場合に比べ、抵抗体３０よりも先端側のシール部と主体金具３２との間に生じる寄生容量を小さくできる。その結果、放電時に火花ギャップに流れ込む電荷を減らし、電極消耗を生じ難くできる。
【００３４】
中心電極２０の後端部２４は抵抗体３０に埋設されているので、中心電極２０を抵抗体３０にしっかり固定できる。これにより、衝撃や振動で抵抗体３０と中心電極２０との接触が不安定にならないようにできるので、スパークプラグ１０の耐衝撃性を確保できる。
【００３５】
中心電極２０の後端部２４の後端面は、周縁よりも中心が先端側に位置する円錐状の傾斜面であり、抵抗体３０の接触部２５は、後端部２４の後端面の全体に形成されているので、後端部２４の円錐状の傾斜面の内側に存在する抵抗体３０によって、さらに抵抗体３０を中心電極２０に強固に固定できる。
【００３６】
スパークプラグ１０の鍔部２２の係止部２３は後端向き面１４に係止され、係止部２３よりも後端側における鍔部２２と絶縁体１１（内面１３）との間の少なくとも一部に、軸線方向に沿った間隙２７が形成されている。間隙２７があるので、中心電極２０が径方向に熱膨張したときに、絶縁体１１が、中心電極２０に抵抗体３０を介して径方向外側に押し広げられて破損するのを抑制できる。よって、中心電極２０の径方向の熱膨張に起因する絶縁体１１の破損を抑制できる。
【００３７】
接触部２５の少なくとも一部（本実施形態では後端部２４の後端面の周縁近傍）は、係止部２３を軸線Ｏに沿って軸線Ｏと平行に延ばした範囲２６内に位置するので、端子金具３１が、抵抗体３０を介して後端向き面１４に鍔部２２の係止部２３を押し付ける軸線方向の力を確保できる。よって、中心電極２０を絶縁体１１にしっかり固定できる。
【００３８】
図３を参照して第２実施形態について説明する。第１実施形態では、中心電極２０に鍔部２２が形成される場合について説明した。これに対し第２実施形態では、鍔部が省略された中心電極４１を備えるスパークプラグ４０について説明する。なお、第１実施形態で説明した部分と同一の部分については、同一の符号を付して以下の説明を省略する。図３は第２実施の形態におけるスパークプラグ４０の抵抗体３０の部分を拡大して示した軸線Ｏを含む断面図である。中心電極４１は、第１実施形態におけるスパークプラグ１０の中心電極２０に代えて配置される。
【００３９】
中心電極４１は、軸部２１の後端側に連なる略円柱状の後端部４２を備えている。後端部４２の直径は、軸部２１の直径より大きい。後端部４２には、後端向き面１４に係止される係止部４３が形成されている。係止部４３は、後端部４２の全周に亘って連続する円錐状の部位である。係止部４３の外縁の直径は、端子金具３１（図１参照）の先端面の直径よりも小さい。
【００４０】
後端部４２の後端面は略円形の平面であり、抵抗体３０に全面が接触している。後端部４２の後端面は、全体が、抵抗体３０と接触する接触部４４である。接触部４４の少なくとも一部（本実施形態では後端部４２の後端面の周縁の近傍）は、軸線Ｏに沿って軸線Ｏと平行に係止部２３を延ばした範囲４５内に位置する。
【００４１】
後端部４２は、後端部４２の後端面の近傍が、抵抗体３０に埋設されている。後端部４２の側面のうち先端側の部位と絶縁体１１の内面１３との間には抵抗体３０が存在しないので、後端部４２と絶縁体１１（内面１３）との間の少なくとも一部に、軸線方向に沿った間隙４６が形成されている。
【００４２】
スパークプラグ４０によれば、中心電極４１の後端部４２は抵抗体３０に埋設されているので、中心電極４１を抵抗体３０にしっかり固定できる。また、間隙４７があるので、中心電極４１の径方向の熱膨張によって抵抗体３０を介して絶縁体１１の内面１３に加わる径方向外側の力を抑制できる。よって、中心電極４１の径方向の熱膨張に起因する絶縁体１１の破損を抑制できる。
【００４３】
接触部４４の少なくとも一部（本実施形態では後端部４２の後端面の周縁近傍）は、係止部４３を軸線Ｏに沿って軸線Ｏと平行に延ばした範囲４５内に位置するので、端子金具３１（図１参照）が、抵抗体３０を介して後端向き面１４に後端部４２の係止部４３を押し付ける軸線方向の力を確保できる。よって、中心電極４１を絶縁体１１にしっかり固定できる。
【００４４】
図４を参照して第３実施形態について説明する。第２実施形態では、中心電極４１の後端部４２の後端面が略平面の場合について説明した。これに対し第３実施形態では、後端部５２の後端面が略球冠の中心電極５１を備えるスパークプラグ５０について説明する。なお、第１実施形態で説明した部分と同一の部分については、同一の符号を付して以下の説明を省略する。図４は第３実施の形態におけるスパークプラグ５０の抵抗体３０の部分を拡大して示した軸線Ｏを含む断面図である。中心電極５１は、第１実施形態におけるスパークプラグ１０の中心電極２０に代えて配置される。
【００４５】
中心電極５１は、軸部２１の後端側に連なる略円柱状の後端部５２を備えている。後端部５２の直径は、軸部２１の直径より大きい。後端部５２には、後端向き面１４に係止される係止部５３が形成されている。係止部５３は、後端部５２の全周に亘って連続する円錐状の部位である。係止部５３の外縁の直径は、端子金具３１（図１参照）の先端面の直径よりも小さい。
【００４６】
後端部５２の後端面は略球冠状の曲面であり、抵抗体３０に全面が接触している。後端部５２の後端面は、全体が、抵抗体３０と接触する接触部５４である。接触部５４の少なくとも一部（本実施形態では後端部５２の後端面の周縁の近傍）は、軸線Ｏに沿って軸線Ｏと平行に係止部５３を延ばした範囲５５内に位置する。
【００４７】
後端部５２は、後端部５２の後端面の近傍が、抵抗体３０に埋設されている。後端部５２の側面のうち先端側の部位と絶縁体１１の内面１３との間には抵抗体３０が存在しないので、後端部５２と絶縁体１１（内面１３）との間の少なくとも一部に、軸線方向に沿った間隙５６が形成されている。
【００４８】
スパークプラグ５０によれば、中心電極５１の後端部５２は抵抗体３０に埋設されているので、中心電極５１を抵抗体３０にしっかり固定できる。また、間隙５６があるので、中心電極５１の径方向の熱膨張によって抵抗体３０を介して絶縁体１１の内面１３に加わる径方向外側の力を抑制できる。よって、中心電極５１の径方向の熱膨張に起因する絶縁体１１の破損を抑制できる。
【００４９】
接触部５４の少なくとも一部（本実施形態では後端部５２の後端面の周縁近傍）は、係止部５３を軸線Ｏに沿って軸線Ｏと平行に延ばした範囲５５内に位置するので、端子金具３１（図１参照）が、抵抗体３０を介して後端向き面１４に後端部５２の係止部５３を押し付ける軸線方向の力を確保できる。よって、中心電極５１を絶縁体１１にしっかり固定できる。
【００５０】
以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変形が可能であることは容易に推察できるものである。
【００５１】
実施形態では、端子金具３１が抵抗体３０に接する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではない。導電性を有するシール部を端子金具３１と抵抗体３０との間に介在させることは当然可能である。シール部によって、抵抗体３０が軸孔１２に配置された絶縁体１１の軸孔１２の気密性を向上できる。シール部は、例えばケイ酸ナトリウムの軟化点より軟化点または融点が低いガラス粉末と導電性粉末とを含む混合物が用いられる。この混合物を軸孔１２に充填した後、加熱することによりシール部が形成される。
【００５２】
シール部のガラス粉末としては、例えばＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２系、ＢａＯ−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＣａＯ−ＢａＯ系、ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ系およびＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−ＢａＯ系等の粉末が挙げられる。シール部の導電性粉末としては、例えば半導性酸化物、金属および非金属導電性材料等の粉末が挙げられる。半導性酸化物としては、例えばＳｎＯ２が挙げられる。金属としては、例えばＺｎ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ａｇ及びＮｉ等が挙げられる。非金属導電性材料としては、例えば無定形カーボン（カーボンブラック）、グラファイト、炭化ケイ素、炭化チタン、窒化チタン、炭化タングステン及び炭化ジルコニウム等が挙げられる。これらの導電性粉末は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００５３】
実施形態では、主体金具３２に接合された接地電極３３が屈曲して、中心電極２０の先端面との間に火花ギャップを形成する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではない。屈曲した接地電極３３を用いる代わりに、直線状の接地電極３３を用いることは当然可能である。また、中心電極２０の側面と接地電極３３との間に火花ギャップを形成することは当然可能である。
【００５４】
実施形態では、主体金具３２に接地電極３３が１本接合される場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、接地電極３３を複数本、主体金具３２に接合することは当然可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１０，４０，５０  スパークプラグ
１１              絶縁体
１２              軸孔
１３              内面
１４              後端向き面
２０，４１，５１  中心電極
２１              軸部
２２              鍔部
２３，４３，５３  係止部
２４，４２，５２  後端部
２５，４４，５４  接触部
２６              範囲
２７              間隙
３０              抵抗体
３１              端子金具
Ｏ                軸線
【図１】
2020198202.tif 000003
【図２】
2020198202.tif 000004
【図３】
2020198202.tif 000005
【図４】
2020198202.tif 000006