(57)【要約】【課題】ＩＤＴ電極が破損し難く、Ｑ値が高く、かつ周波数の変動を抑制することができる、弾性波装置を提供する。【解決手段】弾性波装置１は、高音速膜４（高音速材料層）と、高音速膜上４に直接的または間接的に設けられている圧電体層６と、圧電体層６上に設けられているＩＤＴ電極７と、圧電体層６上に、ＩＤＴ電極７を覆うように設けられている誘電体膜８とを備える。高音速膜４を伝搬するバルク波の音速が圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。誘電体膜８が水素原子を含む材料からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高音速材料層と、
前記高音速材料層上に直接的または間接的に設けられている圧電体層と、
前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、
前記圧電体層上に、前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている誘電体膜と、
を備え、
前記高音速材料層を伝搬するバルク波の音速が前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高く、
前記誘電体膜が水素原子を含む材料からなる、弾性波装置。
【請求項２】
前記誘電体膜の水素原子濃度が１．４９×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記高音速材料層と前記圧電体層との間に設けられている低音速膜をさらに備え、
前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記誘電体膜の水素原子濃度が前記低音速膜の水素原子濃度よりも高い、請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記低音速膜が酸化ケイ素を主成分とする材料からなる、請求項３または４に記載の弾性波装置。
【請求項６】
支持基板をさらに備え、
前記高音速材料層が、前記支持基板と前記低音速膜との間に設けられている高音速膜である、請求項３〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記高音速材料層が高音速支持基板である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記誘電体膜が酸化ケイ素を主成分とする材料からなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
パワーアンプと、
を備える、高周波フロントエンド回路。
【請求項１０】
請求項９に記載の高周波フロントエンド回路と、
ＲＦ信号処理回路と、
を備える、通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置は、高音速支持基板、低音速膜及び圧電膜がこの順序で積層された積層体と、圧電膜上に設けられたＩＤＴ電極とを有する。圧電膜上には、ＩＤＴ電極（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を覆うように誘電体膜が設けられている。誘電体膜はＩＤＴ電極を保護する保護膜としての機能を有する。上記のような積層体を有する弾性波装置においては、弾性波のエネルギーが圧電膜側に集中するため、Ｑ値が高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１７／０４３４２７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の弾性波装置のように、圧電膜上にＩＤＴ電極を覆う誘電体膜が設けられている場合には、誘電体膜が吸湿し、誘電体膜の重量が変動することがある。弾性波装置が上記のような高音速支持基板及び圧電膜を含む積層体を有し、弾性波のエネルギーが圧電体側に集中する場合には、誘電体膜の重量の変動による弾性波に対する影響が特に大きい。より具体的には、誘電体膜の重量の変動により、弾性波の音速が変動し、弾性波の周波数が変動することとなる。そのため、上記積層体を有する弾性波装置において所望のフィルタ特性などを安定して得ることができないおそれがあった。
【０００５】
本発明の目的は、ＩＤＴ電極が破損し難く、Ｑ値が高く、かつ周波数の変動を抑制することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る弾性波装置は、高音速材料層と、前記高音速材料層上に直接的または間接的に設けられている圧電体層と、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電体層上に、前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている誘電体膜とを備え、前記高音速材料層を伝搬するバルク波の音速が前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高く、前記誘電体膜が水素原子を含む材料からなる。
【０００７】
本発明の高周波フロントエンド回路は、本発明に従い構成された弾性波装置と、パワーアンプとを備える。
【０００８】
本発明の通信装置は、本発明に従い構成された高周波フロントエンド回路と、ＲＦ信号処理回路とを備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ＩＤＴ電極が破損し難く、Ｑ値が高く、かつ周波数の変動を抑制することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の電極指付近を示す拡大模式的正面断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【図６】高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１２】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００１３】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【００１４】
弾性波装置１は圧電性基板２を有する。圧電性基板２上には、ＩＤＴ電極７が設けられている。ＩＤＴ電極７に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。圧電性基板２上における、ＩＤＴ電極７の弾性波伝搬方向両側には、一対の反射器９Ａ及び反射器９Ｂが設けられている。このように、本実施形態の弾性波装置１は弾性波共振子である。もっとも、本発明に係る弾性波装置は、弾性波共振子を含むフィルタ装置であってもよい。
【００１５】
圧電性基板２上には、ＩＤＴ電極７を覆うように誘電体膜８が設けられている。誘電体膜８は、酸化ケイ素を主成分とし、かつ水素原子を含む材料からなる。酸化ケイ素はＳｉＯｘにより表され、ｘは任意の正数である。本実施形態においては、誘電体膜８はＳｉＯ２を主成分とする。誘電体膜８において水素原子は、例えば、シラノール基やヒドロキシル基などとして存在する。誘電体膜８の水素原子濃度は１．４９×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である。なお、誘電体膜８は酸化ケイ素以外の誘電体を主成分としていてもよい。本明細書において主成分とは、５０重量％以上含まれている成分をいう。
【００１６】
誘電体膜８は、誘電体に水（Ｈ２Ｏ）をドープすることにより形成されている。より具体的には、誘電体膜８は、例えば、スパッタリング法により成膜することができる。スパッタリング法による成膜中に、気化器にて水を気化させて、スパッタリングガスと混合することにより、誘電体にシラノール基などとして水素原子をドープすることができる。
【００１７】
誘電体に水をドープすることにより誘電体膜８を形成した場合には、誘電体膜８における水素原子濃度は、本実施形態のように１．４９×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上となる。
【００１８】
圧電性基板２は、支持基板３と、支持基板３上に設けられている高音速材料層としての高音速膜４と、高音速膜４上に設けられている低音速膜５と、低音速膜５上に設けられている圧電体層６とを有する。圧電体層６上にＩＤＴ電極７が設けられている。なお、圧電性基板２の構成は上記に限定されない。
【００１９】
圧電体層６の材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムなどの圧電単結晶や、酸化亜鉛、窒化アルミニウムなどの圧電セラミックを用いることができる。
【００２０】
低音速膜５は、相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜５を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低い。
【００２１】
低音速膜５は酸化ケイ素を主成分とする。より具体的には、低音速膜５はＳｉＯ２を主成分とする。本実施形態においては、低音速膜５には水素原子はほぼ含まれていない。そのため、誘電体膜８の水素原子濃度は低音速膜５の水素原子濃度より高い。
【００２２】
なお、低音速膜５の材料は上記に限定されず、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素を加えた化合物など、上記材料を主成分とした媒質を用いることもできる。
【００２３】
本実施形態において、高音速材料層は高音速膜４である。高音速材料層は相対的に高音速な層である。より具体的には、高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速膜４の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
【００２４】
支持基板３の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、サファイア、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウム等の半導体または樹脂などを用いることができる。
【００２５】
図２は、第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の電極指付近を示す拡大模式的正面断面図である。
【００２６】
ＩＤＴ電極７は、対向し合う第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７を有する。ＩＤＴ電極７は、第１のバスバー１６にそれぞれ一端が接続されている複数の第１の電極指１８を有する。さらに、ＩＤＴ電極７は、第２のバスバー１７にそれぞれ一端が接続されている複数の第２の電極指１９を有する。複数の第１の電極指１８と複数の第２の電極指１９とは互いに間挿し合っている。
【００２７】
ＩＤＴ電極７、反射器９Ａ及び反射器９Ｂは、複数の金属層が積層された積層金属層からなっていてもよく、単層の金属層からなっていてもよい。
【００２８】
図１に戻り、本実施形態の弾性波装置１は高音速材料層としての高音速膜４と、高音速膜４上に直接的または間接的に設けられている圧電体層６と、圧電体層６上に設けられているＩＤＴ電極７と、圧電体層６上に、ＩＤＴ電極７を覆うように設けられている誘電体膜８とを備え、高音速膜４を伝搬するバルク波の音速が圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高く、誘電体膜８が水素原子を含む材料からなるという構成を有する。それによって、ＩＤＴ電極７が破損し難く、Ｑ値が高く、かつ周波数の変動を抑制することができる。これを以下において説明する。
【００２９】
本実施形態においては、ＩＤＴ電極７が誘電体膜８により覆われ、保護されているため、ＩＤＴ電極７が破損し難い。さらに、弾性波装置１の圧電性基板２は、高音速膜４、低音速膜５及び圧電体層６がこの順序で積層された構成を有する。それによって、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができ、Ｑ値を効果的に高めることができる。
【００３０】
加えて、誘電体膜８が水素原子を含む材料からなることにより、誘電体膜８に水分が混入することを抑制することができ、誘電体膜８の重量の変動を抑制することができる。それによって、本実施形態のように、弾性波のエネルギーが圧電体層６側に集中する場合においても、弾性波の音速の変動を抑制することができる。ここで、弾性波の音速をＶ、周波数をｆ、波長をλとしたときに、ｆ＝Ｖ／λの関係が成立する。波長λはＩＤＴ電極７の電極指ピッチにより規定される。さらに、本実施形態においては、音速Ｖの変動を抑制することができるため、周波数ｆの変動を抑制することができる。このように、ＩＤＴ電極７が破損し難く、Ｑ値を高めることができるという効果を得つつ、周波数ｆの変動を抑制することができる。
【００３１】
周波数の変動を抑制することができる効果の詳細を、第１の実施形態と比較例とを比較することにより、以下において説明する。
【００３２】
第１の実施形態の構成を有する弾性波装置と、比較例の弾性波装置とを作製した。第１の実施形態においては、誘電体に水をドープすることにより誘電体膜を形成した。他方、比較例においては、誘電体に水をドープせずに誘電体膜を形成した。
【００３３】
次に、上記各弾性波装置の、高温多湿の環境下に置く前における周波数を測定した。次に、上記各弾性波装置を、高温多湿の環境としての１３０℃、８５％Ｒ．Ｈ．の環境下に９６時間置いた。しかる後、上記各弾性波装置の周波数を測定した。さらに、上記環境下に置く前後の周波数の差である周波数変動量を算出した。
【００３４】
比較例の周波数変動量は、−１．２ＭＨｚであった。これに対して、第１の実施形態の周波数変動量は−０．６ＭＨｚであった。このように、第１の実施形態においては、弾性波装置が高温多湿の環境下に置かれたとしても、周波数の変動をより確実に、かつ効果的に抑制できることがわかる。
【００３５】
比較例においては、誘電体膜に水分が混入することを防ぐことが困難であるため、誘電体膜の重量の変動を抑制することが困難である。そのため、弾性波の音速の変動及び周波数の変動を抑制することも困難となる。これに対して、図１に示す第１の実施形態においては、誘電体膜８が水素原子を含む材料からなり、水分の混入を抑制することができるため、誘電体膜８の重量が変動し難い。従って、弾性波の音速が変動し難く、周波数の変動を抑制することができる。
【００３６】
加えて、第１の実施形態においては、周波数の変動を抑制することができるため、設計の自由度を高めることができる。よって、弾性波装置１のフィルタ特性などをより確実に高めることができる。
【００３７】
本実施形態のように、誘電体膜８の水素原子濃度が１．４９×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることが好ましい。この場合には、誘電体膜８に水分が混入することをより一層抑制することができる。よって、誘電体膜８の重量がより一層変動し難い。従って、弾性波の音速がより一層変動し難く、周波数の変動をより一層抑制することができる。
【００３８】
誘電体膜８及び低音速膜５は酸化ケイ素を主成分とすることが好ましい。それによって、周波数温度特性（ＴＣＦ）の絶対値を小さくすることができる。よって、温度変化に対する周波数の変動も抑制することができる。
【００３９】
低音速膜５内には、例えば、酸化チタンなどを含む接合層が設けられていてもよい。接合層は、圧電性基板２の形成に際し設けられる。なお、接合層は設けられていなくともよい。
【００４０】
上述したように、圧電性基板２は、支持基板３、高音速膜４、低音速膜５及び圧電体層６の積層体である。圧電体層６は、高音速材料層としての高音速膜４上に、低音速膜５を介して間接的に設けられている。もっとも、圧電性基板２の構成は上記に限定されない。以下において、圧電性基板の構成のみが第１の実施形態と異なる、第１の実施形態の第１の変形例及び第２の変形例を示す。第１の変形例及び第２の変形例においても、第１の実施形態と同様に、ＩＤＴ電極が破損し難く、Ｑ値が高く、かつ周波数の変動を抑制することができる。
【００４１】
図３に示す第１の変形例においては、高音速材料層は高音速支持基板２４である。圧電性基板２２は、高音速支持基板２４と、高音速支持基板２４上に設けられている圧電体層６とを有する。このように、圧電体層６は、高音速材料層としての高音速支持基板２４上に直接的に設けられていてもよい。
【００４２】
高音速支持基板２４の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
【００４３】
図４に示す第２の変形例においては、圧電性基板２３は、高音速支持基板２４と、高音速支持基板２４上に設けられている低音速膜５と、低音速膜５上に設けられている圧電体層６とを有する。
【００４４】
図５は、第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【００４５】
本実施形態は、低音速膜３５が水素原子を含む材料からなる点において、第１の実施形態と異なる。低音速膜３５はＳｉＯ２を主成分とする。低音速膜３５において、水素原子は、例えば、シラノール基やヒドロキシル基などとして存在する。上記の点以外においては本実施形態の弾性波装置３１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。なお、本実施形態においても、誘電体膜８の水素原子濃度は低音速膜５の水素原子濃度より高い。
【００４６】
第１の実施形態と同様に、弾性波装置３１は、ＩＤＴ電極７を覆うように設けられた誘電体膜８を有する。弾性波装置３１の圧電性基板３２は、高音速膜４、低音速膜３５及び圧電体層６がこの順序で積層された構成を有する。よって、ＩＤＴ電極７が破損し難く、かつＱ値を高めることができる。
【００４７】
加えて、誘電体膜８の水素原子濃度が低音速膜３５の水素原子濃度より高いため、誘電体膜８の水素原子濃度が十分に高い。よって、誘電体膜８に水分が混入することを効果的に抑制することができるため、誘電体膜８の重量を効果的に変動し難くすることができる。従って、弾性波の音速を効果的に変動し難くすることができ、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
【００４８】
誘電体膜８の水素原子濃度は、１．４９×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることが好ましい。それによって、周波数の変動をより一層抑制することができる。
【００４９】
本実施形態においては、高音速材料層は高音速膜４である。もっとも、第１の実施形態の第２の変形例と同様に、高音速材料層は高音速支持基板２４であってもよい。
【００５０】
上記各実施形態の弾性波装置は、高周波フロントエンド回路のデュプレクサなどとして用いることができる。この例を下記において説明する。
【００５１】
図６は、通信装置及び高周波フロントエンド回路の構成図である。なお、同図には、高周波フロントエンド回路２３０と接続される各構成要素、例えば、アンテナ素子２０２やＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）２０３も併せて図示されている。高周波フロントエンド回路２３０及びＲＦ信号処理回路２０３は、通信装置２４０を構成している。なお、通信装置２４０は、電源、ＣＰＵやディスプレイを含んでいてもよい。
【００５２】
高周波フロントエンド回路２３０は、スイッチ２２５と、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと、フィルタ２３１，２３２と、ローノイズアンプ回路２１４，２２４と、パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂとを備える。なお、図６の高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０は、高周波フロントエンド回路及び通信装置の一例であって、この構成に限定されるものではない。
【００５３】
デュプレクサ２０１Ａは、フィルタ２１１，２１２を有する。デュプレクサ２０１Ｂは、フィルタ２２１，２２２を有する。デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂは、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。なお、上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂであってもよいし、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２であってもよい。
【００５４】
さらに、上記弾性波装置は、例えば、３つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたトリプレクサや、６つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたヘキサプレクサなど、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサについても適用することができる。
【００５５】
すなわち、上記弾性波装置は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサを含む。そして、該マルチプレクサは、送信フィルタ及び受信フィルタの双方を備える構成に限らず、送信フィルタのみ、または、受信フィルタのみを備える構成であってもかまわない。
【００５６】
スイッチ２２５は、制御部（図示せず）からの制御信号に従って、アンテナ素子２０２と所定のバンドに対応する信号経路とを接続し、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチによって構成される。なお、アンテナ素子２０２と接続される信号経路は１つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路２３０は、キャリアアグリゲーションに対応していてもよい。
【００５７】
ローノイズアンプ回路２１４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ａを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。ローノイズアンプ回路２２４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ｂを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。
【００５８】
パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ａ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。パワーアンプ回路２４４ａ，２４４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ｂ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。
【００５９】
ＲＦ信号処理回路２０３は、アンテナ素子２０２から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路２０３は、入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂへ出力する。ＲＦ信号処理回路２０３は、例えば、ＲＦＩＣである。なお、通信装置は、ＢＢ（ベースバンド）ＩＣを含んでいてもよい。この場合、ＢＢＩＣは、ＲＦＩＣで処理された受信信号を信号処理する。また、ＢＢＩＣは、送信信号を信号処理し、ＲＦＩＣに出力する。ＢＢＩＣで処理された受信信号や、ＢＢＩＣが信号処理する前の送信信号は、例えば、画像信号や音声信号等である。
【００６０】
なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上記デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂに代わり、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂの変形例に係るデュプレクサを備えていてもよい。
【００６１】
他方、通信装置２４０におけるフィルタ２３１，２３２は、ローノイズアンプ回路２１４，２２４及びパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂを介さず、ＲＦ信号処理回路２０３とスイッチ２２５との間に接続されている。フィルタ２３１，２３２も、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと同様に、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。
【００６２】
以上のように構成された高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０によれば、本発明の弾性波装置である、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサなどを備えることにより、ＩＤＴ電極が破損し難く、Ｑ値を高めることができ、かつ周波数の変動を抑制することができる。
【００６３】
以上、本発明の実施形態に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施形態及びその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【００６４】
本発明は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話機などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【００６５】
１…弾性波装置
２…圧電性基板
３…支持基板
４…高音速膜
５…低音速膜
６…圧電体層
７…ＩＤＴ電極
８…誘電体膜
９Ａ，９Ｂ…反射器
１６…第１のバスバー
１７…第２のバスバー
１８…第１の電極指
１９…第２の電極指
２２，２３…圧電性基板
２４…高音速支持基板
３１…弾性波装置
３２…圧電性基板
３５…低音速膜
２０１Ａ，２０１Ｂ…デュプレクサ
２０２…アンテナ素子
２０３…ＲＦ信号処理回路
２１１，２１２…フィルタ
２１４…ローノイズアンプ回路
２２１，２２２…フィルタ
２２４…ローノイズアンプ回路
２２５…スイッチ
２３０…高周波フロントエンド回路
２３１，２３２…フィルタ
２３４ａ，２３４ｂ…パワーアンプ回路
２４０…通信装置
２４４ａ，２４４ｂ…パワーアンプ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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