(57)【要約】【課題】パッケージを提供する。【解決手段】上面を有する基板と、基板の上面に配置され、基板の上面での垂直投影面積の合計が基板の上面の面積の５％よりも小さい複数の発光チップと、を備えるパッケージ。本発明の技術案によれば、ユーザー体験を最適化し、発光チップが気付かれる可能性を低下させることができ、また、電流密度を増加させ、更に発光チップの発光効率を向上させることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面を有する基板と、
前記基板の前記上面に配置され、前記上面での垂直投影面積の合計が前記上面の面積の５％よりも小さい複数の発光チップと、
を備えることを特徴とするパッケージ。
【請求項２】
各前記発光チップの発する光の波長は異なることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記複数の発光チップの少なくとも１つを単独して被覆する波長変換層を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記複数の発光チップに電気的に接続されるように前記基板に配置される駆動チップを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項５】
各前記発光チップは、一対の第１の電気接点を含み、前記基板は、前記基板の前記上面に配置される一対の第２の電気接点を含み、前記一対の第１の電気接点がそれぞれ前記一対の第２の電気接点に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項６】
各前記発光チップの前記一対の第１の電気接点がそれぞれ各前記発光チップの同じ側に位置することを特徴とする請求項５に記載のパッケージ。
【請求項７】
各前記発光チップの前記一対の第１の電気接点がそれぞれ各前記発光チップの異なる両側に位置することを特徴とする請求項５に記載のパッケージ。
【請求項８】
対向する上面及び下面を有する基板と、
前記基板の前記上面に配置され、頂上面を有する複数の発光チップと、
前記基板の前記上面及び各前記発光チップの前記頂上面を被覆し、上面を有するシール層と、を備え、
前記基板の前記上面から各前記発光チップの前記頂上面までの距離の前記基板の前記下面から前記シール層の前記上面までの距離に対する比が、０．１よりも小さいことを特徴とするパッケージ。
【請求項９】
各前記発光チップの前記頂上面から前記シール層の前記上面までの距離が、前記基板の前記上面から各前記発光チップの前記頂上面までの距離の５倍よりも大きいことを特徴とする請求項８に記載のパッケージ。
【請求項１０】
前記複数の発光チップに電気的に接続されるように前記基板に配置される駆動チップを更に備えることを特徴とする請求項８に記載のパッケージ。
【請求項１１】
前記基板の前記上面から各前記発光チップの前記頂上面までの距離が、１０μｍよりも小さいことを特徴とする請求項８に記載のパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードは、順方向電流が半導体のＰＮ接合を流れる場合に発光する素子であり、ＧａＡｓ、ＧａＮ等のＩＩＩ−Ｖ族半導体トランジスタによって製造されることができる。近年、半導体のエピタキシャル成長技術及び発光素子工程技術の進歩により、変換効率に優れた発光ダイオードが、開発されて、様々な分野に広く適用される。しかしながら、大きさの関係で、普通の発光ダイオードは、表示装置において、ユーザーに気付かれやすい。そのため、上記問題を解決するために、新規のパッケージが望まれている。
【発明の概要】
【０００３】
本開示の一態様によると、上面を有する基板と、基板の上面に配置され、その上面での垂直投影面積の合計が上面の面積の５％よりも小さい複数の発光チップと、を備えるパッケージを提供する。
【０００４】
本発明の一つ又は複数の実施形態によると、各発光チップの発する光の波長は異なる。
【０００５】
本発明の一つ又は複数の実施形態によると、パッケージは、複数の発光チップの少なくとも１つを単独して被覆する波長変換層を更に備える。
【０００６】
本発明の一つ又は複数の実施形態によると、パッケージは、発光チップに電気的に接続されるように基板に配置される駆動チップを更に備える。
【０００７】
本発明の一つ又は複数の実施形態によると、各発光チップは、一対の第１の電気接点を含み、基板は、基板の上面に配置される一対の第２の電気接点を含み、前記一対の第１の電気接点がそれぞれ前記一対の第２の電気接点に電気的に接続される。
【０００８】
本発明の一つ又は複数の実施形態によると、各発光チップの前記一対の第１の電気接点がそれぞれ各発光チップの同じ側に位置する。
【０００９】
本発明の一つ又は複数の実施形態によると、各発光チップの前記一対の第１の電気接点がそれぞれ各発光チップの異なる両側に位置する。
【００１０】
本開示の一態様によると、対向する上面及び下面を有する基板と、基板の上面に配置され、頂上面を有する複数の発光チップと、基板の上面及び各発光チップの頂上面を被覆し、上面を有するシール層と、を備え、基板の上面から各発光チップの頂上面までの距離の基板の下面からシール層の上面までの距離に対する比が、０．１よりも小さいパッケージを提供する。
【００１１】
本発明の一つ又は複数の実施形態によると、各発光チップの頂上面からシール層の上面までの距離は基板の上面から各発光チップの頂上面までの距離の５倍よりも大きい。
【００１２】
本発明の一つ又は複数の実施形態によると、パッケージは、前記複数の発光チップに電気的に接続されるように基板に配置される駆動チップを更に備える。
【００１３】
本発明の一つ又は複数の実施形態によると、基板の上面から各発光チップの頂上面までの距離は、１０μｍよりも小さい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の技術案によれば、ユーザー体験を最適化し、発光チップが気付かれる可能性を低下させることができ、また、電流密度を増加させ、更に発光チップの発光効率を向上させることができる。また、発光素子の基板での垂直投影面積が小さいので、コストを低下させることができ、また、全体の表示コントラストを改善し、黒占有率を増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
添付図面を合わせて読む場合、下記の詳しい記述から本開示をより良く理解することができる。注意すべきなのは、工業における基準実務によると、各特徴は、比例して描かれたものではなく且つ単に説明するためのものである。実際的に、目的を明確に説明するために、特徴の大きさを任意に増加又は減少させてもよい。
【００１６】
【図１】本発明の一実施例によるパッケージ１００を示す上面図である。
【図２】本発明の一実施例によるパッケージ１００を示す断面模式図である。
【図３】本発明の一実施例によるパッケージ１００ａを示す断面模式図である。
【図４】本発明の一実施例によるパッケージ２００を示す断面模式図である。
【図５】本発明の一実施例によるパッケージ３００を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
下記開示内容は、本発明の異なる特徴を実施するための、数多くの異なる実施例又は例示を提供する。下記で、本明細書の内容を簡単化するように、アセンブリ及び配列の特定な実例を記述する。勿論、これらの実例は、単に例示であり且つ制限しようとするものではない。例として、以下の記述において、第１の特徴が第２の特徴に形成され、又は、第１の特徴と第２の特徴とが直接接触する実施例を含んでもよいし、第１の特徴と第２の特徴とが直接接触していない実施例を含んでもよい。
【００１８】
また、本発明は、各実例において、素子番号及び／又はアルファベットを繰り返してもよい。この繰り返しは、簡単化するためのものであり、述べられた各実施例及び／又は配置の間の関係を指示するものではない。なお、本発明において、下記特徴が別の特徴に形成され、接続され及び／又は結合されるというのは、特徴が直接的な接触を形成する実施例を含んでもよいし、特徴が直接接触しないように、追加の特徴が形成した特徴に挿入された実施例を含んでよい。更に、説明の便宜上、本文は、空間的に相対的な用語（例えば、「の下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及び等）によって図面に示すような１つの素子又は特徴が別の素子（又は複数の素子）又は特徴（又は複数の特徴）との関係を記述してよい。空間的に相対的な用語は、素子の使用又は操作中の異なる配向を含むものとする。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態によるパッケージ１００を示す上面図である。図２は、図１のパッケージ１００を線分ＡＡ’に沿って示す断面模式図である。図１を参照すると、パッケージ１００は、基板１１０と、複数の発光チップ１２０と、を備える。ある実施例において、上面図によると、基板１１０は、例えば、長方形又は正方形のような矩形であってよい。いくつかの実施例において、基板１１０の辺長は、２５０μｍ〜１２００μｍであり、例えば２５０μｍ、５００μｍ、７５０μｍ、１０００μｍ又は１２００μｍであってよい。
【００２０】
発光チップ１２０が基板１１０の上面１１１に配置される。上面図によると、各発光チップ１２０の上面１１１での垂直投影面積の合計が上面１１１の面積の５％よりも小さい。更に説明すると、本発明は、発光チップ１２０の面積を小さくすることで、各発光チップ１２０の上面１１１での垂直投影面積の合計を上面１１１の面積の５％よりも小さくする。発光チップ１２０の上面１１１での垂直投影面積の合計が上面１１１の面積の５％よりも大きくなると、ユーザーが発光チップ１２０に気付きやすいので、ユーザー体験に影響を与える。つまり、本発明の技術案によれば、ユーザー体験を最適化し、発光チップ１２０の気付かれる可能性を低下させることができる。なお、例えば、発光ダイオードのような発光チップ１２０は、特定の電流密度範囲でしか最大の発光効率に達しない。しかし、普通の場合、電流密度が上記範囲よりも小さいため、最大発光効率に達していない。本発明は、小面積の発光チップ１２０を使用しても、電流密度を増加させて、電流密度の数値を上記の特定範囲にし、更に発光チップ１２０の発光効率を向上させることができる。
【００２１】
ある実施例において、パッケージ１００は、各発光チップ１２０に電気的に接続されるように基板１１０に配置される駆動チップ１４０を更に備える。駆動チップ１４０は、発光チップ１２０を制御するように配置されて、発光チップ１２０の輝度を調整可能にする。
【００２２】
ある実施例において、発光チップ１２０は、発光ダイオードであってよい。更なる実施例において、発光チップ１２０は、マイクロ発光ダイオード（ｍｉｃｒｏ  ＬＥＤ）であってよい。いくつかの実施例において、各発光チップ１２０の発する光の波長は異なる。例として、各発光チップ１２０は、赤、緑又は青の３原色光を発することができる。そのため、発光チップ１２０は、表示装置の素子として、所望の色を表示することができる。また、ある実施例において、複数の発光チップ１２０は、表示装置の画素セルを構成することができる。
【００２３】
図２を参照すると、各発光チップ１２０は、一対の第１の電気接点１２２、１２４を含み、基板１１０は、一対の第２の電気接点１１２、１１４を含む。第１の電気接点１２２、１２４の各々が第２の電気接点１１２、１１４に電気的に接続される。ある実施例において、第２の電気接点１１２、１１４は、基板１１０の上面１１１に位置するため、それぞれ第１の電気接点１２２、１２４に直接接触する。
【００２４】
別の実施形態において、パッケージ１００は、シール層１６０を更に備える。シール層１６０は、基板１１０の上面１１１及び各発光チップ１２０の頂上面１２１を被覆する。ある実施例において、基板１１０の上面１１１から各発光チップ１２０の頂上面１２１までの距離Ｘ１の基板１１０の下面１１３からシール層１６０の上面１６５までの距離Ｘ２に対する比は、０．１よりも小さい（Ｘ１／Ｘ２＜０．１）。
【００２５】
ある実施例において、シール層１６０は、第１の絶縁層１６１及び第２の絶縁層１６２を含む。第１の絶縁層１６１は、発光チップ１２０の第１の電気接点１２２を取り囲んで被覆するが、第２の絶縁層１６２は、発光チップ１２０を被覆するように、第１の絶縁層１６１に配置される。第１の絶縁層１６１は、各第１の電気接点１２２の間の絶縁スペーサとされてもよい。二層構造のシール層１６０は、発光チップ１２０と基板１１０との接着性をより良好にすることができる。詳しくは、第１の絶縁層１６１は、第１の電気接点１２２の間の隙間を完全に満たし、第２の絶縁層１６２は、第１の絶縁層１６１及び発光チップ１２０を完全に被覆することができる。
【００２６】
また、ある実施例において、各発光チップ１２０の頂上面１２１からシール層１６０の上面１６５までの距離Ｘ３は、基板１１０の上面１１１から各発光チップ１２０の頂上面１２１までの距離Ｘ１の５倍よりも大きい。いくつかの実施例において、基板１１０の上面１１１から各発光チップ１２０の頂上面１２１までの距離Ｘ１は、１０μｍよりも小さく、例えば８μｍ、７μｍ、６μｍ又は５μｍである。
【００２７】
本発明は、特定の厚さの発光チップ１２０を基板１１０に配置して、パッケージ全体の厚さ及び大きさを減らすことができるので、コストを低下させることができる。また、本発明は、小型化の表示装置に用いられてもよい。
【００２８】
前記のように、各発光チップ１２０は、異なる波長の光を発することができる。そのため、ある実施例において、各発光チップ１２０は、例えば、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード又は青色発光ダイオードのような、異なる発光ダイオードであってよい。
【００２９】
また、本発明の一実施例によるパッケージ１００ａを示す断面模式図である図３を参照されたい。パッケージ１００ａは、少なくとも１つの発光チップ１２０を被覆する波長変換層１３０を更に備える。各発光チップ１２０は、同じ発光ダイオードであるので、同じ波長の光を発するが、各発光チップ１２０の発する光が異なる波長変換層１３０を通過することで、波長変換層１３０を通過した光が異なる色（異なる波長）となる。ある実施例において、異なる波長変換層１３０は、それぞれ発光チップ１２０を被覆する。
【００３０】
本発明は、また、別のパッケージ２００を提供する。本発明の一実施例によるパッケージ２００を示す断面模式図である図４を参照されたい。パッケージ１００と異なり、パッケージ２００の発光チップ１２０は、第１の電気接点１２２、１２４が発光チップ１２０の頂上面１２１に位置する。ある実施例において、パッケージ２００は、第１の電気接点１２２、１２４から基板１１０の第２の電気接点１１２、１１４まで延伸する導電層１５０を備える。更に説明すると、導電層１５０が発光チップ１２０の側壁１２３に沿って延伸し、且つ発光チップ１２０が導電層１５０を介して基板１１０に電気的に接続される。
【００３１】
本発明の一実施例によるパッケージ３００を示す断面模式図である図５を参照されたい。パッケージ１００及びパッケージ２００と異なり、パッケージ３００は、その発光チップ３２０の第１の電気接点３２２、３２４が異なる両側に位置する。詳しくは、発光チップ３２０は、第１の電気接点３２２が発光チップ３２０の底面３２３に位置し、第１の電気接点３２４が発光チップ３２０の頂上面３２１に位置する。そのため、本実施例において、発光チップ３２０の第１の電気接点３２２が基板１１０の第２の電気接点１１２に直接接触するが、第１の電気接点３２４が導電層３５０を介して第２の電気接点１１４に電気的に接続される。
【００３２】
そのため、本発明のいくつかの実施例、例えば図２〜図４に示す実施例において、発光チップ１２０の第１の電気接点１２２、１２４の何れも同じ側に位置する。別の実施例、例えば図５に示す実施例において、発光チップ３２０の第１の電気接点３２２、３２４は、対向する両側に位置してもよい。以上は、ある実施例のみを例示的に示し、必要に応じて好適なパッケージング形態を選択してよいが、本発明はこれに限定されない。
【００３３】
本発明の技術案によれば、ユーザー体験を最適化し、発光チップが気付かれる可能性を低下させることができ、また、電流密度を増加させ、更に発光チップの発光効率を向上させることができる。また、発光素子の基板での垂直投影面積が小さいので、コストを低下させることができ、また、全体の表示コントラストを改善し、黒占有率を増加させることができる。
【００３４】
以上、当業者に本発明の態様をより良く理解させるように、若干の実施例又は例示的な特徴を説明した。当業者であれば、本文の説明した実施例の同じ目的を実施し及び／又は同じメリットを達成させるように、本発明に基づいて他の工程や構造を容易に設計又は修正することができることは理解すべきである。当業者は、このような同等な構造が本発明の精神や範囲から逸脱しなく、且つ本発明の精神や範囲から逸脱せずに本文に様々な変化、代替及び変更を加えてもよいことを理解するであろう。
【符号の説明】
【００３５】
１００、１００ａ、２００、３００  パッケージ
１１０  基板
１１１、１６５  上面
１１２、１１４  第２の電気接点
１１３  下面
１２０、３２０  発光チップ
１２１、３２１  頂上面
１２２、１２４、３２２、３２４  第１の電気接点
１２３  側壁
１３０  波長変換層
１４０  駆動チップ
１５０、３５０  導電層
１６０  シール層
１６１  第１の絶縁層
１６２  第２の絶縁層
３２３  底面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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