(57)【要約】      （修正有）【課題】薄膜材料の大量組み立てのための方法及びシステムを提供する。【解決手段】薄膜材料シート２０２〜２０５は、キャリアウエハ２００に取り付けられる。キャリアウエハ及び取り付けられた薄膜材料シート２０５は、分離されてチップレットキャリア２０５ａ〜２０５ｃを形成する。各チップレットキャリアは、キャリアウエハの一部に取り付けられた薄膜材料シートの一部を含む。チップレットキャリアは、ランダムパターンで組み立て表面上に配置される。チップレットキャリアは、ランダムパターンから所定のパターンに配置され、薄膜材料の一部は、チップレットキャリアからターゲット基材に並行移送される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
薄膜材料シートをキャリアウエハに取り付けることと、
前記キャリアウエハ及び前記取り付けられた薄膜材料シートを分離してチップレットキャリアを形成することであって、各チップレットキャリアは、前記キャリアウエハの一部に取り付けられた前記薄膜材料シートの一部を含む、ことと、
前記チップレットキャリアを、不規則なパターンで組み立て表面上に配置することと、
前記チップレットキャリアを前記不規則なパターンから所定のパターンに配置することと、
前記薄膜材料の前記一部を、前記チップレットキャリアからターゲット基材に並行移送することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記薄膜材料はファンデルワールス材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記薄膜材料の前記一部を、前記チップレットキャリアからターゲット基材に並行移送することは、
前記組み立て表面上の前記チップレットキャリアにスタンプを押圧することであって、前記スタンプは、前記突出部のそれぞれが前記薄膜材料の前記一部と接触するように、一連の弱粘着性突出部を前記所定のパターンで含む、ことと、
前記薄膜材料の前記一部が、前記突出部によって前記キャリアウエハの前記一部から除去されるように、前記チップレットキャリアから前記スタンプを分離することと、
前記薄膜材料が前記ターゲット基材上に堆積されるように、前記スタンプを前記ターゲット基材に押圧することと、含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記スタンプは、高温で前記チップレットキャリアに押圧され、前記スタンプ及び前記チップレットキャリアは、前記チップレットキャリアから前記スタンプを分離する前に急冷される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記チップレットキャリアに前記スタンプを押圧する前に、第２の薄膜材料の一部が前記突出部のそれぞれの上に存在し、前記チップレットキャリアに前記スタンプを押圧することにより、前記突出部に、前記第２の薄膜材料を介して前記薄膜材料の一部を接触させ、それによって、前記薄膜材料の前記一部及び前記第２の薄膜材料の前記部分に材料積層体を形成させる、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記スタンプをターゲット基材に押圧することにより、前記ターゲット基材上に前記材料積層体を堆積させる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記キャリアウエハを分離して前記チップレットキャリアを形成する前に、センサ及びプロセッサを用いて、前記キャリアウエハの前記一部に関して前記薄膜材料シートをマッピングすることを更に含み、前記マッピングは、前記所定のパターンで配置される前記チップレットキャリアを選択するために使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記マッピングは、前記所定のパターンの前記チップレットのそれぞれの向きを定義するために更に使用される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記チップレット特性のそれぞれに、前記マッピングから決定される特性に関連する一意の識別子を割り当てることを更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記一意の識別子及び前記マッピングは、前記チップレットキャリアを前記不規則なパターンから所定のパターンに配置するために使用される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記チップレットのそれぞれの上に一意の識別子をマーキングすることを更に含み、前記一意の識別子は、前記チップレットキャリアを前記不規則なパターンから所定のパターンに配置する際に使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記チップレットキャリアは、ミリメートル〜マイクロメートルのオーダーの縁部寸法を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記チップレットキャリアを前記ランダムパターンから所定のパターンに配置することは、静電作動を使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
システムであって、
キャリアウエハの一部に取り付けられた薄膜材料の一部をそれぞれ含む複数のチップレットキャリアであって、前記薄膜材料シートは、前記キャリアウエハ及び前記薄膜材料が前記チップレットに分離される前に、前記キャリアウエハに取り付けられる、複数のチップレットキャリアと、
組み立て表面上の前記チップレットキャリアを、不規則なパターンから所定のパターンに配置するマイクロアセンブラと、
前記薄膜材料の前記一部を前記チップレットキャリアからターゲット基材に並行移送するキャリアと、を含む、システム。
【請求項１５】
前記キャリアウエハ及び前記薄膜材料シートを、前記キャリアウエハへの取り付け後に分離する個片化ツールを更に含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記キャリアは、前記突出部のそれぞれが前記チップレットキャリアのうちの１つと揃うように、前記所定のパターンで一連の弱粘着性突出部を有するスタンプを含み、前記スタンプは、
前記組み立て表面上の前記チップレットキャリアを押圧し、
前記チップレットキャリアから遠ざかって、前記突出部によって前記キャリアウエハの前記一部から前記薄膜材料の前記一部を除去し、
前記薄膜材料の前記一部をターゲット基材に押圧するように構成されている、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
前記弱粘着性突出部は、ケイ素系有機ポリマー突出部を含む、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記スタンプは、第１の温度で前記チップレットキャリアに押圧され、前記スタンプ及び前記チップレットキャリアは、前記チップレットキャリアから前記スタンプを分離する前に第２の温度に急変させられる、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１９】
前記チップレットキャリアに前記スタンプを押圧する前に、第２の薄膜材料の一部が前記突出部のそれぞれの上に存在し、前記チップレットキャリアに前記スタンプを押圧することにより、前記突出部に、前記第２の薄膜材料を介して前記薄膜材料の前記一部と接触させ、それによって、前記薄膜材料の前記一部及び前記第２の薄膜材料に材料積層体を形成させ、前記スタンプをターゲット基材に押圧することにより、前記ターゲット基材上に前記材料積層体を堆積させる、請求項１６に記載のシステム。
【請求項２０】
プロセッサに連結されたセンサを更に含み、前記センサ及びプロセッサは、前記キャリアウエハを分離して前記チップレットキャリアを形成する前に、前記チップレットに関して前記薄膜材料シートをマッピングし、前記光学マッピングは、前記所定のパターンで配置される前記チップレットキャリアを選択するために使用される、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２１】
方法であって、
薄膜材料シートをキャリアウエハに取り付けることであって、前記キャリアウエハは、複数のチップレットを形成するために分離可能である、ことと、
センサ及びプロセッサによって、チップレットに関して前記薄膜材料シートをマッピングすることであって、前記マッピングは、前記チップレットに対する前記薄膜材料シートの前記一部の向きを決定する、ことと、
前記キャリアウエハ及び前記取り付けられた薄膜材料シートを分離して、前記それぞれのチップレットに取り付けられた前記薄膜材料シートの前記一部を含むチップレットキャリアを形成することと、
前記チップレットキャリアを、不規則なパターンで組み立て表面上に配置することと、
前記マッピングに基づいて、前記チップレットキャリアを、前記不規則なパターンから所定のパターンに配置することと、
前記薄膜材料の前記一部を前記チップレットキャリアからターゲット基材に並行移送することと、を含む、方法。
【請求項２２】
前記一意の識別子及びマッピングは、前記チップレットキャリアを前記不規則なパターンから所定のパターンに配置するために使用される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記薄膜材料はファンデルワールス材料を含む、請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、薄膜材料の大量組み立てのための方法及びシステムを対象とする。一実施形態では、薄膜材料シートが、キャリアウエハに取り付けられる。キャリアウエハ及び取り付けられた薄膜材料シートは、分離されてチップレットキャリアを形成する。各チップレットキャリアは、キャリアウエハの一部に取り付けられた薄膜材料シートの一部を含む。チップレットキャリアは、ランダムパターンで組み立て表面上に配置される。チップレットキャリアは、ランダムパターンから所定のパターンに配置され、薄膜材料の一部は、チップレットキャリアからターゲット基材に並行移送される。
【０００２】
別の実施形態では、複数のチップレットを形成するために分離可能であるキャリアウエハに薄膜材料シートを取り付けること。薄膜材料シートは、チップレットに関して光学的にマッピングされる。この光学マッピングは、チップレットに対する薄膜材料シートの一部の向きを決定する。キャリアウエハ及び取り付けられた薄膜材料シートは分離されて、それぞれのチップレットに取り付けられた薄膜材料シートの一部を有するチップレットキャリアを形成する。チップレットキャリアは、ランダムパターンで組み立て表面上に配置され、光学マッピングに基づいて所定のパターンに配置される。薄膜材料の一部は、チップレットキャリアからターゲット基材に並行移送される。様々な実施形態のこれら及び他の特徴及び態様は、以下の詳細な説明及び添付の図面を考慮して理解され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
【図１】例示的な実施形態による方法のフローチャートである。
【図２】例示的な実施形態による、特徴付けられ、分離される薄膜材料を示す等角図である。
【図３】例示的な実施形態による、チップレットキャリアが配置され、方向付けられる組み立て表面の等角図である。
【図４】例示的な実施形態による、ターゲットウエハ上に配置された薄膜材料の積層体の等角図である。
【図５】例示的な実施形態による薄膜材料の組み立て手順の図である。
【図６】例示的な実施形態による薄膜材料の組み立て手順の図である。
【図７】別の例示的な実施形態による方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００４】
本開示は、薄い材料の組み立てに関する。ファンデルワールス材料（２Ｄ材料とも称する）など特定クラスの材料は、厚さが１分子の薄さであり得る、シートとして形成されてよい。ファンデルワールス材料の１つの周知の例は、炭素原子の１分子格子であるグラフェンである。多くのファンデルワールス材料は、珍しい特性（例えば、機械的強度、低熱抵抗及び電気抵抗など）を有するため、ファンデルワールス材料を組み込むデバイスの開発に関心が集まっている。本開示の目的のために、本明細書では、「薄膜材料」という用語は、薄く、かつ繊細であり、したがって、従来の自動組み立てプロセスが使用されると壊れやすい、任意の材料（ファンデルワールス材料を含む）を説明するために使用する。かかる材料は、場合によっては、マイクロメートル及びサブマイクロメートルのオーダーの厚さを有し得る。
【０００５】
薄膜材料を使用してデバイスを大量生産するためには、特に（例えば、剥離又は化学層堆積によって）薄膜材料を製造し、薄膜材料を所望のサイズの個々のユニットに分割し、このユニットを所望の位置及び向きに移動させ、次いで、ユニットを操作して、形成及び組み立てを行う（例えば、薄膜材料を合わせて積層させ、及び／又は他の構成要素と組み立てる）自動システムが必要である。材料を個々のユニット（本明細書では、「チップレット」と称する）に分離し、所望の場所（例えば、更に処理するためにチップレットをピックアップできるグリッド）にチップレットを移動させる方法及び装置が考案されてきた。
【０００６】
本開示は、薄膜材料の大量並行組み立てを容易にするために使用される方法及び装置に関する。図１では、例示的な実施形態による、チップレット組み立てプロセスのフローチャートの概要を示す。例えば、機械的又は化学的剥離、化学的蒸着などによって、ファンデルワールス（２Ｄ）材料をシートにする（１００）。チップレットキャリアウエハの頂部にシートを取り付ける（１０１）。シートは、不規則なサイズ及び形状であってよく、したがって、これらを特徴付けて、ウエハから形成される各チップレットキャリアの一意のＩＤを記録する（１０２）。次いで、チップレットを個々のチップレットキャリアに個片化する（１０３、例えば、規則的形状に分割する）。
【０００７】
個片化（１０３）の後、薄膜材料に適合するプロセスを使用してチップレットキャリアを分散させ（１０４）、あるパターンで組み立て表面上に配置する。分散プロセスの例は、機械的超音波処理又は薄膜材料を損傷しない溶媒の使用であり、個片化プロセス１０３の一部であってよい。チップレットキャリアは、薄膜材料を所望のパターン及び向きに配置するための操作ハンドラとして使用される。次いで、スタンピングプロセスによって、例えば、チップレットキャリアから多数の薄膜材料部分を分離し、ピックアップする粘着性移送基材を使用する、スタンピングプロセスによって薄膜材料を最終基材に移送する（１０５）。
【０００８】
図２は、例示的な実施形態による、キャリアウエハ２００への薄膜材料シート２０２〜２０５の組み付け及び特徴付けを示す。シート２０２〜２０５は、例えば、シート２０２〜２０５間に最小限の重なりが存在する、又は重なりが全く存在しないように、キャリアウエハ２００の１つの表面上に配置される。シート２０２〜２０５は、流体層によってウエハ２００に浮上してよい。キャリアウエハ２００は、頂部にＳｉＯ２コーティングを有するＳｉで作製されてよい。
【０００９】
センサ２０６（例えば、可視光イメージャ、電子イメージャ、赤外線イメージャ、紫外線イメージャ、原子力イメージャ、光輝性イメージャなど）及びプロセッサ２０８は、ウエハ２００に対してシート２０２〜２０５の位置をマッピングする。キャリアウエハ２００は、その後、例えば、スクラバ／クリーバ、機械式鋸、レーザー鋸、エッチング装置／グラインダなどダイシング用工具を使用して、グリッド線２０２ａに沿って分離される。グリッド線２０２ａは、予めエッチングされている、若しくは別の方法でウエハ２０２上にマーキングされてよく、又は例えば、所定の個片化スキームに基づいてプロセッサ２０８によって計算されるなど仮想的であってよい。キャリアウエハ２００及びシート２０２〜２０５を分割するために、矩形グリッド以外の他の形状、例えば、六角形グリッド、ダイヤモンドグリッドなどが使用され得ることに留意されたい。更に、グリッドは均一である必要はなく、例えば、異なるサイズのグリッドを有する異なる領域を有してよい。
【００１０】
ウエハ２０２及びシート２０２〜２０５は、シート２０５上の破線によって示されるように、一緒に分離される。これにより、個々のチップレットキャリア２０５ａ〜２０５ｃが得られ、これらは、薄膜材料２０５ａｂ、２０５ｂｂ、及び２０５ｃｂで部分的に、又は完全に被覆されたチップレット２０５ａａ、２０５ｂａ、２０５ｃａ（キャリアウエハ２００の一部である）で形成された矩形基部をそれぞれ有する。個々のチップレットキャリア２０５ａ〜２０５ｃのサイズ（例えば、縁部寸法Ａ及びＢの平均）は、マイクロメートル〜ミリメートルのオーダーであってよいが、いくつかの実施形態では、より小さくても大きくてもよい。
【００１１】
カメラ２０６及びプロセッサ２０８によるシートの特徴付けにより、キャリアウエハ２００及びシート２０２〜２０５のこの部分及び他の部分から形成されるチップレットキャリア２０５ａ〜２０５ｃのそれぞれは、一意に識別され得る。プロセッサ２０８は、各チップレットキャリア２０５ａ〜２０５ｃに、以降の動作に使用され得る一意の識別子（ＩＤ）を与えてよい。この一意の識別子は、例えば、キャリアの頂部若しくは側部にバーコードをレーザー彫刻することによって、又は標準的なフォトリソグラフィ及びエッチングプロセスによって、チップレットキャリア２０５ａ〜２０５ｃ上にマーキングされ得る。
【００１２】
図３に見られるように、チップレットキャリア３００は、例えば、流体キャリア３０４を介して組み立て表面３０２に移送されてよい。チップレットキャリア３００は、組み立て表面３０２上で、選択され、仕分けられ、方向付けられ、配置される。チップレットキャリアは、最初に組み立て表面３０２に移動されるときは概ね不規則であり、例えば、ランダムに配置されている。組み立て表面３０２は、アクチュエータ３０３、例えば、電極、圧電アクチュエータ、磁石などを用いるマイクロアセンブラ３０１の一部であり、領域３０６における不規則な（例えば、ランダムな）位置及び向きから領域３０８における規則的位置及び向きへとチップレットキャリア３００を移動させる。
【００１３】
アクチュエータ３０３（組み立て表面３０２を除く場所に位置し得る）は、静電気力、磁力、音響波、物理的力、流体作動などの任意の組み合わせを使用して、チップレットキャリア３００を規則的な位置へと移動させ、そのように方向付けてよい。プロセッサ３１４及びセンサ３１６によって示すように、マイクロアセンブラ３０１は、チップレットキャリア３００の向きを自動的に検知し、アクチュエータに、例えば、図２においてプロセッサ２０８によって予め決定されたように、組み立て表面３０２の全域で所望の位置及び向きへとチップレットキャリア３００を徐々に移動させることができる。様々なマイクロアセンブラの実施形態の説明は、いずれも参照により本明細書に組み込まれる、米国特許出願公開第２００２／００３２ＵＳ０１号及び米国特許出願第１６／２２１，８０３，号（２０１８年１２月１７日出願）に見出すことができる。
【００１４】
この実施例の規則的な位置は、スタンピングヘッド３１０の弱粘着性突出部３１２のグリッドパターンに一致するグリッドパターンである。図４に見られるように、スタンピングヘッド３１０は、薄膜材料の１つ以上の積層体をピックアップする。これらは次いで、個々に、又はまとめて堆積されて、ターゲットデバイスウエハ４０４上に積層体４０２を形成する。積層体４０２のそれぞれは、積層体４０２ａ〜４０２ｃの拡大図によって見られるように、異なる向き及び／又は組成を有してよい。
【００１５】
図５では、図は、例示的な実施形態による、チップレットキャリアを使用してデバイスを形成するためのシーケンスを示す。複数のチップレットキャリア５００は、チップレット５０４上の薄膜材料５０２からそれぞれ形成されている。チップレットキャリア５００は、例えば図３に示すように、組み立て表面５０６上に予め配置された。この実施形態では、ブロック５１０に示すように、移送アーム５０８は、組み立て表面５０６からチップレットキャリア５００をピックアップする粘着面を有する。ブロック５１２に見られるように、チップレットキャリア５００は、半球状突出部５１６を含むスタンプヘッド５１４と接触している。薄膜材料５１８の以前に堆積した部分は、既に突出部５１８に組み付けられており、移送アーム５０８は、現在堆積している薄膜材料５０２を薄膜材料５１８の先に堆積した部分に押圧する。突出部５１６は、粘弾性のケイ素系有機ポリマー、例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）で作製されてよい。
【００１６】
概して、ブロック５１０及び５１２に示す工程は、多数の工程で繰り返され得る。ある構成では、新たに追加された材料５０２が突出部５１６上を移動するとき、周囲温度は、例えば、約４５℃に上昇してよい。材料５０２が突出部５１６（又は任意の介在材料５１８）に接触した後、温度は、例えば、約３９℃に急冷する。冷却後、スタンプヘッド５１４は、円滑な、素早い動きを使用して、移送アームから分離される。
【００１７】
ブロック５２０に見られるように、薄膜材料積層体５０２、５１８は、一連の突出部５１６上に構築される。この段階で、積層体５０２、５１８は、ターゲット基材５２２（例えば、中間基材又は最終基材）に押し付けられる準備が整っている。共に押圧される前には、積層体５０２、５１８及び基材５１４、５２２の温度は、ブロック５１２からの以前の温度、例えば、約３９℃である。ブロック５２４に見られるように、積層体５０２、５１８は、ターゲット基材５２２と共に押圧される。共に押圧された後の周囲温度は、例えば約１３５℃に上昇して、突出部５１６から積層体５０２、５１８を分離しやすくする。ブロック５２６に見られるように、スタンプヘッド５１４がゆっくり除去され、材料積層体５０２、５１８はターゲット基材５２２上に残される。次いで、ターゲット基材は、例えば、追加材料層の堆積、５０２、５１８積層体、及び追加材料のエッチングなど更に処理され得る。
【００１８】
図６では、図は、例示的な実施形態による、チップレットキャリアを使用してデバイスを形成するためのシーケンスを示す。複数のチップレットキャリア６００は、組み立て表面６０６上に形成される。各チップレットキャリア６００は、チップレット６０４上に薄膜材料６０２を含む。この実施形態では、半球状突出部６１６を含むスタンプヘッド６１４がチップレットキャリア６００と接触して、組み立て表面からチップレットキャリア６００を除去する。ブロック６１２に見られるように、チップレット６０４は、薄膜材料６０２からチップレット６０４を除去しやすくする粘着性除去基材６０８と接触し、薄膜材料６０２はスタンプヘッド６１４上に残る。ブロック６１２における動作は、例えば約３９℃など幾分低温で実施されて、薄膜材料部分６０２が突出部６１６から分離しにくくしてよい。
【００１９】
ブロック６１０及び６１２における動作は複数回繰り返すことができ、ブロック６２０に見られるように、スタンプヘッド６１４上に薄膜材料の積層体６０２、６１８をもたらす。ブロック６２０において、積層体６０２、６１８は、ターゲット基材６２２（例えば、中間基材又は最終基材）に押し付けられる準備が整っている。共に押圧される前には、積層体６０２、６１８及び基材６１４、６２２の温度は、ブロック６１２からの以前の温度、例えば３９℃であってよい。ブロック６２４に見られるように、積層体６０２、６１８は、ターゲット基材６２２と共に押圧される。共に押圧された後、周囲温度は、例えば１３６℃に上昇して、突出部６１６から積層体６０２、６１８を分離しやすくする。ブロック６２６に見られるように、スタンプヘッド６１４がゆっくり除去され、材料積層体６０２、６１８はターゲット基材６２２上に残される。次いで、ターゲット基材は、例えば、追加材料層の堆積、６０２、６１８積層体、及び追加材料のエッチングなど更に処理され得る。
【００２０】
上記のシステム及び方法は、薄膜材料を用いるデバイスの高生産性の組み立てを容易できる。多数（例えば、１０００のオーダー）の積層体／デバイスが一緒に組み立てられ得る。高生産性により、反復可能かつ一貫した製造が可能になる。本明細書に記載する方法及びシステムは、他の並行組み立て技術、例えば、ロボットピックアンドプレース、リソグラフィなどと併用され得る。一部のプロセスは、例えば、組み立ての一部の態様でロボットピックアンドプレースマシンを使用するように修正されてよい。チップレットを薄膜材料ハンドラとして用いることにより、特殊で繊細な２Ｄプロセスを他の従来のチップ組み立てプロセスから分離できる。本明細書に記載する２Ｄ組み立てプロセスは、薄膜材料の組み立てを越えて一般化できる。例えば、量子ドット、量子細線、ナノ結晶など小物体は犠牲チップレットと共に担持され、薄膜材料と同様の方法で並行に組み立てられ得る。
【００２１】
図７は、例示的な実施形態による方法のフローチャートである。この方法は、薄膜材料シートをキャリアウエハに取り付ける（７００）ことを含む。キャリアウエハ及び取り付けられた薄膜材料シートを分離して（７０１）、チップレットキャリアを形成する。各チップレットキャリアは、キャリアウエハの一部に取り付けられた薄膜材料シートの一部を含む。チップレットキャリアは、組み立て表面上で不規則なパターンから所定のパターンに配置する（７０２）。
【００２２】
動作７０３〜７０６は、薄膜材料の一部をチップレットキャリアからターゲット基材に並行移送する例である。組み立て表面上のチップレットキャリアにスタンプを押圧する（７０３）。スタンプは、突出部のそれぞれが薄膜材料の部分と接触するように、一連の弱粘着性突出部を所定のパターンで有する。このスタンプは、薄膜材料の部分が突出部によってチップレットから除去されるように、チップレットキャリアから分離する（７０４）。ブロック７０６によって示されるように、工程７０３〜７０４は、薄膜材料の複数の層に対して任意選択的に繰り返され得る。全ての層がスタンプ上に存在するようになった後に、薄膜材料がターゲット基材上に堆積されるように、ターゲット基材にこのスタンプを押圧する（７０５）。
【００２３】
別途記載のない限り、本明細書及び「特許請求の範囲」で使用する特徴のサイズ、量、及び物理的特性を表す全ての数は、いかなる場合においても、「約」という用語によって修飾されるものとして理解されるべきである。したがって、反対の記載がない限り、前述の明細書及び添付の「特許請求の範囲」に記載する数値パラメータは、本明細書に開示する教示を利用して当業者が得ようとする所望の特性に応じて変化し得る近似値である。端点による数値範囲の使用は、その範囲内の全ての数（例えば、１〜５は、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４、及び５を含む）、及びその範囲内の任意の範囲を含む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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