(57)【要約】【課題】発光効率に優れる表示パネルの提供。【解決手段】第１〜第３サブピクセルに区分される基板と、傾斜で連結された凸部と凹部とを含み、この傾斜が第１〜第３サブピクセルのうちの１種以上で凹部を囲む第１傾斜面を含むオーバーコート層と、オーバーコート層の表面に沿って、第１〜第３サブピクセルの各々に位置する第１〜第３アノード電極と、第１〜第３サブピクセルの各中心部のバンクオープン部を含み、オーバーコート層及び第１〜第３アノード電極上のバンク層と、バンクオープン部内の各アノード電極の一部上の第１〜第３有機発光層と、第１〜第３有機発光層及びバンク層上のカソード電極と、を含み、第１〜第３アノード電極のうちの１つ以上が、第１傾斜面に沿う第２傾斜面を含み、バンク層が、第２傾斜面に沿う第３傾斜面を含み、凹部の底面と第１傾斜面との角度を２７゜以上、第２傾斜面と第３傾斜面の距離を３．２μｍ以下とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１色相の可視光線を放出する第１サブピクセル、第２色相の可視光線を放出する第２サブピクセル、及び第３色相の可視光線を放出する第３サブピクセルに区分され、前記第１色相から前記第３色相が互いに相異する基板と、
前記基板上に位置し、傾斜で連結された凸部と凹部とを含み、前記傾斜が前記第１サブピクセルから前記第３サブピクセルのうちの１種以上のサブピクセルで前記凹部を囲む第１傾斜面を含むオーバーコート層と、
前記オーバーコート層上に位置し、前記オーバーコート層の表面に沿って形成され、前記第１サブピクセルに位置する第１アノード電極と、
前記オーバーコート層上に位置し、前記オーバーコート層の表面に沿って形成され、前記第２サブピクセルに位置する第２アノード電極と、
前記オーバーコート層上に位置し、前記オーバーコート層の表面に沿って形成され、前記第３サブピクセルに位置する第３アノード電極と、
前記第１サブピクセルから前記第３サブピクセルの各中心部に位置するバンクオープン部を含み、前記オーバーコート層及び前記第１アノード電極から前記第３アノード電極上に位置するバンク層と、
前記バンクオープン部内に位置する前記第１アノード電極の一部上に位置する第１有機発光層と、
前記バンクオープン部内に位置する前記第２アノード電極の一部上に位置する第２有機発光層と、
前記バンクオープン部内に位置する前記第３アノード電極の一部上に位置する第３有機発光層と、
前記第１有機発光層から前記第３有機発光層及び前記バンク層上に位置するカソード電極と、を含み、
前記第１アノード電極から前記第３アノード電極のうちの１つ以上が、前記第１傾斜面に沿って形成された第２傾斜面を含み、
前記バンク層が、前記第２傾斜面に沿って形成された第３傾斜面を含み、
前記凹部と前記第１傾斜面とのなす角度が２７゜以上であり、
前記第２傾斜面と前記第３傾斜面の距離が０μｍより大きく３．２μｍ以下である、表示パネル。
【請求項２】
前記第１傾斜面の高さが０．７μｍ以上である、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記表示パネルが、前記バンク層の前記バンクオープン部に対応する開口領域と前記バンクオープン部を除外した前記バンク層に対応する非開口領域とに区分され、
前記第１傾斜面を含むサブピクセル内の有機発光層が発光する時、
前記表示パネルは、
可視光線が放出され、前記開口領域の形状に対応する形状を有する第１発光領域と、
可視光線が放出され、前記第１発光領域と重畳することなく前記第１発光領域を囲んで位置し、前記第１発光領域の縁の形状に対応する形状を有する第２発光領域と、
少なくとも２つの前記第２発光領域の間に位置する第１非発光領域と、
前記第１発光領域と前記第２発光領域との間に位置する第２非発光領域と、を含む、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記第２発光領域が前記非開口領域に位置する、請求項３に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記第１発光領域から放出される可視光線の色座標と前記第１発光領域と隣接した前記第２発光領域から放出される可視光線の色座標とが相異する、請求項３に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記第１非発光領域は、前記非開口領域において前記第２発光領域が形成されない一部に対応する、請求項３に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記第１有機発光層から前記第３有機発光層のうちの少なくとも１つは、前記バンク層の一部上にまで延びて形成される、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記バンク層の一部上まで延びて形成された前記第１有機発光層から前記第３有機発光層のうちの少なくとも１つにおいては、前記アノード電極上に形成された部分が前記バンク層の前記第３傾斜面上に形成された部分よりも厚い、請求項７に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記傾斜は、前記第１サブピクセル及び前記第２サブピクセルのうちの１種以上において前記凹部を囲む第１傾斜面を含む、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記傾斜は、前記第３サブピクセルで前記凹部を囲む第１傾斜面を含まない、請求項９に記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記第１色相の可視光線は赤色の可視光線であり、
前記第２色相の可視光線は緑色の可視光線であり、
前記第３色相の可視光線は青色の可視光線である、請求項９に記載の表示パネル。
【請求項１２】
前記オーバーコート層は、前記第１サブピクセルから前記第３サブピクセルのうち、少なくとも２種以上で前記第１傾斜面を含み、
各種類のサブピクセルに含まれた前記第１傾斜面の角度は互いに相異し、
各種類のサブピクセルで前記第２傾斜面と前記第３傾斜面の距離は互いに相異する、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１３】
前記オーバーコート層は、前記第１サブピクセルから前記第３サブピクセルのうち、２種以上のサブピクセルで前記第１傾斜面を含み、
各種類のサブピクセルに含まれた前記第１傾斜面の高さは互いに相異する、請求項２に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会が発展するにつれて、表示装置または照明装置などで使用する多様な表示パネルに対する要求が高まっている。表示パネル分野では、別途の光源が必要でなく、軽量化及び薄型化に有利な有機発光表示パネルに対する需要が増加している。
【０００３】
しかしながら、有機発光表示パネルは光を放出する有機発光層を含んでいるが、有機発光層で発光した光のうち、有機発光表示パネルの外部に出ることなく有機発光表示装置の内部に閉じ込められる光が存在し、有機発光表示パネルの光抽出効率が低下して発光効率が低下する、という問題がある。
【０００４】
また、表示パネルを視る視野角によって画質に歪曲が起こる問題を解決するための研究も活発になされている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的の一つは、発光効率が優れた表示パネルを提供することである。
【０００６】
本発明の目的の一つは、視野角による色変移（color shift）の少ない表示パネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様において、表示パネルは、基板、オーバーコート層、第１アノード電極、第２アノード電極、第３アノード電極、バンク層、第１有機発光層、第２有機発光層、第３有機発光層、及びカソード電極を含む。
【０００８】
基板は、第１サブピクセル、第２サブピクセル、及び第３サブピクセルに区分可能である。
【０００９】
第１サブピクセルは第１色相の可視光線を放出し、第２サブピクセルは第２色相の可視光線を放出し、第３サブピクセルは第３色相の可視光線を放出し、前記第１色相から第３色相は、互いに相異することが可能である。
【００１０】
オーバーコート層は、基板上に位置し、傾斜で連結された凸部と凹部を含むことが可能である。
【００１１】
傾斜は、第１サブピクセルから第３サブピクセルのうちの１種以上のサブピクセルで前記凹部を囲む第１傾斜面を含むことが可能である。
【００１２】
第１アノード電極は、オーバーコート層上に位置し、オーバーコート層の表面に沿って形成され、第１サブピクセルに位置することが可能である。
【００１３】
第２アノード電極は、オーバーコート層上に位置し、オーバーコート層の表面に沿って形成され、第２サブピクセルに位置することが可能である。
【００１４】
第３アノード電極は、オーバーコート層上に位置し、オーバーコート層の表面に沿って形成され、第３サブピクセルに位置することが可能である。
【００１５】
バンク層は、第１サブピクセルから第３サブピクセルの中心部毎に位置するバンクオープン部を含み、オーバーコート層及び第１アノード電極から第３アノード電極上に位置することが可能である。
【００１６】
第１有機発光層は、バンクオープン部内に位置する第１アノード電極の一部上に位置することが可能である。
【００１７】
第２有機発光層は、バンクオープン部内に位置する第２アノード電極の一部上に位置することが可能である。
【００１８】
第３有機発光層は、バンクオープン部内に位置する第３アノード電極の一部上に位置することが可能である。
【００１９】
カソード電極は、第１有機発光層から第３有機発光層及びバンク層上に位置することが可能である。
【００２０】
第１アノード電極から第３アノード電極のうちの１つ以上は第１傾斜面に沿って形成された第２傾斜面を含むことが可能である。
【００２１】
バンク層は、第２傾斜面に沿って形成された第３傾斜面を含むことが可能である。
【００２２】
第１傾斜面の角度は２７゜以上とすることが可能である。
【００２３】
第２傾斜面と第３傾斜面との距離は３．２μｍ以下とすることが可能である。
【００２４】
第１傾斜面の高さは０．７μｍ以上とすることが可能である。
【００２５】
表示パネルは、バンク層のバンクオープン部に対応する開口領域及びバンクオープン部を除外した領域に対応する非開口領域に区分することが可能である。
【００２６】
表示パネルは、第１傾斜面を含むサブピクセル内の有機発光層が発光する時、第１発光領域及び第２発光領域を含むことが可能である。
【００２７】
第１発光領域は、可視光線が放出され、開口領域の形状に対応する形状を有することが可能である。
【００２８】
第２発光領域は、第１発光領域と重畳することなく第１発光領域の縁の形状に対応する形状を有することが可能である。
【００２９】
第２発光領域は、第１発光領域を囲んで位置することが可能である。
【００３０】
第２発光領域は、非開口領域に位置することが可能である。
【００３１】
第１発光領域から放出される可視光線の色座標と、前記第１発光領域と隣接した第２発光領域から放出される可視光線の色座標が相異することが可能である。
【００３２】
第１有機発光層から第３有機発光層のうちの１つ以上はバンク層上にまで延びて形成可能である。
【００３３】
バンク層上にまで延びて形成された有機発光層は、アノード電極上に形成された部分の厚さがバンク層の第３傾斜面上に形成された部分の厚さより厚いことがある。
【００３４】
傾斜は、第１サブピクセル及び第２サブピクセルのうちの１種以上のサブピクセルで凹部を囲む第１傾斜面を含むことが可能である。
【００３５】
第１色相の可視光線は、波長が５９５ｎｍから７４０ｎｍである赤色の可視光線とすることが可能である。
【００３６】
第２色相の可視光線は、波長が４９５ｎｍから５９５ｎｍである緑色の可視光線とすることが可能である。
【００３７】
第３色相の可視光線は、波長が４５０ｎｍから４９５ｎｍである青色の可視光線とすることが可能である。
【００３８】
オーバーコート層は、第１サブピクセルから第３サブピクセルのうち、２種以上のサブピクセルで第１傾斜面を含み、各種類のサブピクセルに含まれた前記第１傾斜面の角度は互いに相異し、各種類のサブピクセルで前記第２傾斜面と前記第３傾斜面の距離は互いに相異することが可能である。
【００３９】
オーバーコート層は、第１サブピクセルから第３サブピクセルのうち、２種以上のサブピクセルで第１傾斜面を含み、各種類のサブピクセルに含まれた前記第１傾斜面の高さは互いに相異することが可能である。
【発明の効果】
【００４０】
本発明の一によれば、発光効率に優れる表示パネルを提供することができる。また、本発明の一によれば、視野角による色変移（color shift）の少ない表示パネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施例における表示装置の概略的なシステム構成図である。
【図２】本発明の実施例における表示装置のシステムの例示図である。
【図３】本発明の実施例におけるパネルがＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）パネルである場合、サブピクセルの構造を示した図である。
【図４】本発明の実施例における表示パネルの断面図である。
【図５】本発明の実施例における表示パネルのあるサブピクセルから放出された光が第２傾斜面で反射されることを示す図である。
【図６】図５に図示したサブピクセルの一部分を拡大して示した図である。
【図７】本発明の実施例における表示パネルに含まれることが可能な開口領域、非開口領域、第１発光領域、及び第２発光領域を示す図である。
【図８】本発明の実施例における表示パネルのあるサブピクセルから放出された光の進行を示す図である。
【図９】本発明の実施例における表示パネルの断面図である。
【図１０】図９に図示した表示パネルの一部分を示した図である。
【図１１】本発明の実施例における表示パネルの視野角による画質劣化程度を示す第１の資料である。
【図１２】本発明の実施例における表示パネルの視野角による画質劣化程度を示す第２の資料である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、本発明の一部の実施例を例示的な図面を参照して詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付加するに当たって、同一の構成要素に対しては、たとえ他の図面上に表示されていても、できる限り同一な符号とする。また、本発明を説明するに当たって、関連した公知の構成または機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合には、その詳細な説明は省略することがある。
【００４３】
また、本発明の構成要素を説明するに当たって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を使用することがある。このような用語はその構成要素を他の構成要素と区別するためのものであり、その用語によって当該構成要素の本質、順番、順序、または個数などが限定されるものではない。ある構成要素が他の構成要素に“連結”、“結合”、または“接続”されると記載された場合、その構成要素はその他の構成要素に直接的に連結または接続できるが、各構成要素の間に更に他の構成要素が“介在”し、または各構成要素が他の構成要素を通じて“連結”、“結合”、または“接続”されることも可能であると解釈されるべきである。ある構成要素が他の構成要素“上に”位置するか、または形成されると記載された場合、その構成要素は当該他の構成要素の表面上に接触して位置することが可能であるが、各構成要素の間に他の構成要素が位置することも可能であると解釈されるべきである。
【００４４】
図１は、本発明の実施例における表示装置の概略的なシステム構成図である。
【００４５】
本発明の実施例における表示装置には、表示パネルを有する表示装置、照明装置、照明器具、照明システム、発光装置、発光器具、発光システムなどが含まれる。以下では、説明の便宜のために、表示装置を中心として説明する。しかしながら、以下の説明は、照明装置、発光装置などの他の多様な表示装置にも適用できる。
【００４６】
本発明の実施例における表示装置は、図１に示すように、映像を表示し、または光を出力するパネルＰＮＬと、このようなパネルＰＮＬを駆動するための駆動回路を含むことが可能である。
【００４７】
パネルＰＮＬには、多数のデータラインＤＬ及び多数のゲートラインＧＬが配置され、多数のデータラインＤＬ及び多数のゲートラインＧＬにより定義される多数のサブピクセルＳＰをマトリックス型に配列することが可能である。
【００４８】
パネルＰＮＬで、多数のデータラインＤＬ及び多数のゲートラインＧＬは、互いに交差して配置することが可能である。例えば、多数のゲートラインＧＬは行（Row）または列（Column）で配列することが可能であり、多数のデータラインＤＬは列（Column）または行（Row）で配列することが可能である。以下では、説明の便宜のために、多数のゲートラインＧＬが行（Row）で配置され、多数のデータラインＤＬが列（Column）で配置されるものとする。
【００４９】
パネルＰＮＬには、サブピクセル構造などによって、多数のデータラインＤＬ及び多数のゲートラインＧＬ以外にも、他の種類の信号配線を配置することが可能である。例えば、駆動電圧配線、基準電圧配線、または共通電圧配線などを配置することが可能である。
【００５０】
パネルＰＮＬはＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネル、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）パネルなどの多様な型のパネルとすることが可能である。
【００５１】
パネルＰＮＬに配置される信号配線の種類は、サブピクセル構造またはパネルの型（例：ＬＣＤパネル、ＯＬＥＤパネル）などによって変えることができる。そして、本明細書では、信号配線は、信号が印加される電極を含む概念とすることが可能である。
【００５２】
パネルＰＮＬは、画像（映像）が表示されるアクティブ領域（Ａ／Ａ）と、アクティブ領域（Ａ／Ａ）の外郭領域であり、画像が表示されないノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）を含むことが可能である。ここで、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）はベゼル領域とも呼ばれる。
【００５３】
アクティブ領域（Ａ／Ａ）には、画像表示のための多数のサブピクセルＳＰが配置される。
【００５４】
ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）には、データドライバＤＤＲが電気的に連結されるパッド部が配置され、このようなパッド部と多数のデータラインＤＬとの間の連結のための多数のデータリンクラインを配置することも可能である。ここで、多数のデータリンクラインは、多数のデータラインＤＬがノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に延長された部分であるか、または多数のデータラインＤＬと電気的に連結された別途のパターンとすることが可能である。
【００５５】
また、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）にはデータドライバＤＤＲが電気的に連結されるパッド部を通じてゲートドライバＧＤＲにゲート駆動に必要な電圧（信号）を伝達するためのゲート駆動に関連する配線を配置することが可能である。例えば、ゲート駆動に関連する配線は、クロック信号を伝達するためのクロック配線、ゲート電圧（ＶＧＨ，ＶＧＬ）を伝達するゲート電圧配線、スキャン信号生成に必要な各種の制御信号を伝達するゲート駆動制御信号配線などを含むことが可能である。このようなゲート駆動に関連する配線は、アクティブ領域（Ａ／Ａ）に配置されるゲートラインＧＬとは異なり、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に配置される。
【００５６】
駆動回路は、多数のデータラインＤＬを駆動するデータドライバＤＤＲと、多数のゲートラインＧＬを駆動するゲートドライバＧＤＲと、データドライバＤＤＲ及びゲートドライバＧＤＲを制御するコントローラＣＴＲなどを含むことが可能である。
【００５７】
データドライバＤＤＲは、多数のデータラインＤＬにデータ電圧を出力することによって多数のデータラインＤＬを駆動することが可能である。
【００５８】
ゲートドライバＧＤＲは、多数のゲートラインＧＬにスキャン信号を出力することによって多数のゲートラインＧＬを駆動することが可能である。
【００５９】
コントローラＣＴＲは、データドライバＤＤＲ及びゲートドライバＧＤＲの駆動動作に必要な各種の制御信号（ＤＣＳ（Data Control Signal）及びＧＣＳ（Gate Control Signal））を供給してデータドライバＤＤＲ及びゲートドライバＧＤＲの駆動動作を制御することが可能である。また、コントローラＣＴＲは、データドライバＤＤＲに映像データ（ＤＡＴＡ）を供給することが可能である。
【００６０】
コントローラＣＴＲは、各フレームで実現するタイミングに応じてスキャンを始めて、外部から入力される入力映像データをデータドライバＤＤＲで使用するデータ信号形式に合うように変換して、変換された映像データ（ＤＡＴＡ）を出力し、スキャンに合せてデータ駆動を制御する。
【００６１】
コントローラＣＴＲは、データドライバＤＤＲ及びゲートドライバＧＤＲを制御するために、外部、例えばホストシステムから入力を受けて各種の制御信号を生成して、垂直同期信号、水平同期信号、入力データイネーブル（ＤＥ：Data Enable）信号およびクロック信号（ＣＬＫ）などのタイミング信号をデータドライバＤＤＲ及びゲートドライバＧＤＲに出力する。
【００６２】
例えば、コントローラＣＴＲは、ゲートドライバＧＤＲを制御するために、ゲートスタートパルス（ＧＳＰ：Gate Start Pulse）、ゲートシフトクロック（ＧＳＣ：Gate Shift Clock）、ゲート出力イネーブル（ＧＯＥ：Gate Output Enable）信号などを含む各種のゲート制御信号（ＧＣＳ：Gate Control Signal）を出力する。
【００６３】
また、コントローラＣＴＲは、データドライバＤＤＲを制御するために、ソーススタートパルス（ＳＳＰ：Source Start Pulse）、ソースサンプリングクロック（ＳＳＣ：Source Sampling Clock）、ソース出力イネーブル（ＳＯＥ：Source Output Enable）信号などを含む各種のデータ制御信号（ＤＣＳ：Data Control Signal）を出力する。
【００６４】
コントローラＣＴＲは、通常のディスプレイ技術で用いられるタイミングコントローラ（Timing Controller）または他のタイミングコントローラ（Timing Controller）を含むことで、他の制御機能もさらに実現可能な制御装置とすることが可能である。
【００６５】
コントローラＣＴＲは、データドライバＤＤＲと別のユニットで実現されることも可能であり、データドライバＤＤＲと共に統合されて集積回路で実現することも可能である。
【００６６】
データドライバＤＤＲは、コントローラＣＴＲから映像データ（ＤＡＴＡ）の入力を受けて多数のデータラインＤＬにデータ電圧を供給することによって、多数のデータラインＤＬを駆動する。ここで、データドライバＤＤＲはソースドライバともいう。
【００６７】
データドライバＤＤＲは、多様なインターフェースを介してコントローラＣＴＲと各種の信号を送受信することが可能である。
【００６８】
ゲートドライバＧＤＲは、多数のゲートラインＧＬにスキャン信号を順次に供給することによって、多数のゲートラインＧＬを順次に駆動する。ここで、ゲートドライバＧＤＲはスキャンドライバともいう。
【００６９】
ゲートドライバＧＤＲは、コントローラＣＴＲの制御によって、オン（On）電圧またはオフ（Off）電圧といったスキャン信号を多数のゲートラインＧＬに順次に供給する。
【００７０】
データドライバＤＤＲは、ゲートドライバＧＤＲにより特定のゲートラインが開くと、コントローラＣＴＲから受信した映像データ（ＤＡＴＡ）をアナログのデータ電圧に変換して多数のデータラインＤＬに供給する。
【００７１】
データドライバＤＤＲは、パネルＰＮＬの片側（例：上側または下側）のみに位置することも可能であり、駆動方式またはパネル設計方式などによってはパネルＰＮＬの両側（例：上側及び下側）の全てに位置することも可能である。
【００７２】
ゲートドライバＧＤＲは、パネルＰＮＬの片側（例：左側または右側）のみに位置することも可能であり、駆動方式またはパネル設計方式などによってはパネルＰＮＬの両側（例：左側及び右側）の全てに位置することも可能である。
【００７３】
データドライバＤＤＲは、１つ以上のソースドライバ集積回路（ＳＤＩＣ：Source Driver Integrated Circuit）を含んで実現可能である。
【００７４】
各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、シフトレジスタ（Shift Register）、ラッチ回路（Latch Circuit）、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ：Digital to Analog Converter）、出力バッファ（Output Buffer）などを含むことが可能である。データドライバＤＤＲは、１つ以上のアナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ：Analog to Digital Converter）をさらに含むことが可能である。
【００７５】
各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）型またはＣＯＧ（Chip On Glass）型でパネルＰＮＬのボンディングパッド（Bonding Pad）に連結され、またはパネルＰＮＬ上に直接配置可能である。各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣはパネルＰＮＬに集積化されて配置されることも可能である。また、各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣはＣＯＦ（Chip On Film）型で実現可能である。この場合、各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、回路フィルム上に実装されて、この回路フィルムを通じてパネルＰＮＬにおけるデータラインＤＬなどと電気的に連結可能である。
【００７６】
ゲートドライバＧＤＲは、多数のゲート駆動回路ＧＤＣを含むことが可能である。ここで、多数のゲート駆動回路ＧＤＣの各々は、多数のゲートラインＧＬの各々と対応可能である。
【００７７】
各ゲート駆動回路ＧＤＣは、シフトレジスタ（Shift Register）またはレベルシフタ（Level Shifter）などを含むことが可能である。
【００７８】
各ゲート駆動回路ＧＤＣは、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）型またはＣＯＧ（Chip On Glass）型でパネルＰＮＬのボンディングパッド（Bonding Pad）に連結可能である。また、各ゲート駆動回路ＧＤＣは、ＣＯＦ（Chip On Film）型により実現可能である。この場合、各ゲート駆動回路ＧＤＣは回路フィルム上に実装されて、この回路フィルムを通じてパネルＰＮＬにおけるゲートラインＧＬと電気的に連結可能である。また、各ゲート駆動回路ＧＤＣはＧＩＰ（Gate In Panel）型で実現されてパネルＰＮＬに内蔵可能である。即ち、各ゲート駆動回路ＧＤＣは、パネルＰＮＬに直接に形成可能である。
【００７９】
図２は、本発明の実施例における表示装置のシステムの例示図である。
【００８０】
図２を参照すると、本発明の実施例における表示装置において、データドライバＤＤＲは多様な型（ＴＡＢ、ＣＯＧ、ＣＯＦなど）のうち、ＣＯＦ（Chip On Film）で実現可能であり、ゲートドライバＧＤＲは多様な型（ＴＡＢ、ＣＯＧ、ＣＯＦ、ＧＩＰなど）のうち、ＧＩＰ（Gate In Panel）で実現可能である。
【００８１】
データドライバＤＤＲは、１つ以上のソースドライバ集積回路ＳＤＩＣで実現可能である。図２では、データドライバＤＤＲが多数のソースドライバ集積回路ＳＤＩＣで実現されている。
【００８２】
データドライバＤＤＲがＣＯＦタイプ型で実現された場合、データドライバＤＤＲを実現した各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、ソース側回路フィルムＳＦ上に実装可能である。
【００８３】
ソース側回路フィルムＳＦの片側はパネルＰＮＬのノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に存在するパッド部（パッドの集合体）と電気的に連結可能である。
【００８４】
ソース側回路フィルムＳＦ上には、ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣとパネルＰＮＬを電気的に連結するための配線を配置可能である。
【００８５】
表示装置は、多数のソースドライバ集積回路ＳＤＩＣと他の装置との間の回路的な連結のために、１つ以上のソース印刷回路基板ＳＰＣＢと、制御部品と各種の電気装置を実装するためのコントロール印刷回路基板ＣＰＣＢを含むことが可能である。
【００８６】
１つ以上のソース印刷回路基板ＳＰＣＢには、ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣが実装されたソース側回路フィルムＳＦの他方側が連結可能である。
【００８７】
即ち、ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣが実装されたソース側回路フィルムＳＦは、片側がパネルＰＮＬのノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）と電気的に連結され、他方側がソース印刷回路基板ＳＰＣＢと電気的に連結可能である。
【００８８】
コントロール印刷回路基板ＣＰＣＢには、データドライバＤＤＲ及びゲートドライバＧＤＲなどの動作を制御するコントローラＣＴＲを配置可能である。
【００８９】
また、図示しないが、コントロール印刷回路基板ＣＰＣＢには、パネルＰＮＬ、データドライバＤＤＲ、及びゲートドライバＧＤＲなどに各種の電圧または電流を供給し、または供給する各種の電圧または電流を制御するパワー管理集積回路（ＰＭＩＣ：Power Management IC）などをさらに配置可能である。
【００９０】
ソース印刷回路基板ＳＰＣＢとコントロール印刷回路基板ＣＰＣＢは、少なくとも１つの連結部材ＣＢＬにより回路的に連結可能である。ここで、連結部材ＣＢＬは、一例として、可とう性印刷回路（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit）、可とう性フラットケーブル（ＦＦＣ：Flexible Flat Cable）などで実現可能である。
【００９１】
１つ以上のソース印刷回路基板ＳＰＣＢとコントロール印刷回路基板ＣＰＣＢは、１つの印刷回路基板に集積されて実現されることが可能である。
【００９２】
ゲートドライバＧＤＲがＧＩＰ（Gate In Panel）で実現された場合、ゲートドライバＧＤＲに含まれた多数のゲート駆動回路ＧＤＣは、パネルＰＮＬのノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）上に直接形成が可能である。
【００９３】
多数のゲート駆動回路ＧＤＣの各々は、パネルＰＮＬにおけるアクティブ領域（Ａ／Ａ）に配置された該当ゲートラインＧＬに該当スキャン信号（ＳＣＡＮ）を出力することが可能である。
【００９４】
パネルＰＮＬ上に配置された多数のゲート駆動回路ＧＤＣは、ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に配置されたゲート駆動に関連する配線により、スキャン信号生成に必要な各種の信号（クロック信号、ハイレベルゲート電圧（ＶＧＨ）、ローレベルゲート電圧（ＶＧＬ）、スタート信号（ＶＳＴ）、リセット信号（ＲＳＴ）など）の供給を受けることが可能である。
【００９５】
ノン−アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に配置されたゲート駆動に関連する配線は、多数のゲート駆動回路ＧＤＣに最も隣接するように配置されたソース側回路フィルムＳＦと電気的に連結可能である。
【００９６】
図３は、本発明の実施例におけるパネルＰＮＬがＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）パネルである場合における、サブピクセルＳＰの構造を示した図である。
【００９７】
図３を参照すると、ＯＬＥＤパネルであるパネルＰＮＬにおける各サブピクセルＳＰは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）と、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を駆動する駆動トランジスタＤＲＴと、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と該当データラインＤＬの間に電気的に連結されたスイッチングトランジスタＯ−ＳＷＴと、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の間に電気的に連結されたストレージキャパシタＣｓｔなどを含んで実現可能である。
【００９８】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、アノード電極、有機発光層、及びカソード電極などにより形成することが可能である。
【００９９】
図３に例示した回路によれば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のアノード電極（ピクセル電極ともいう）は、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と電気的に連結可能である。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のカソード電極（共通電極ともいう）には基底電圧（ＥＶＳＳ）を印加可能である。
【０１００】
ここで、基底電圧（ＥＶＳＳ）は、一例として、グラウンド電圧であるか、またはグラウンド電圧より高い電圧若しくは低い電圧とすることが可能である。また、基底電圧（ＥＶＳＳ）は、駆動状態によって可変にすることが可能である。例えば、映像駆動時及びセンシング駆動時には、基底電圧（ＥＶＳＳ）は互いに異なるように設定可能である。
【０１０１】
駆動トランジスタＤＲＴは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に駆動電流を供給することによって、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を駆動する。
【０１０２】
駆動トランジスタＤＲＴは、第１ノードＮ１、第２ノードＮ２、及び第３ノードＮ３などを含むことが可能である。
【０１０３】
駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１はゲートノードとすることが可能であり、スイッチングトランジスタＯ−ＳＷＴのソースノードまたはドレインノードと電気的に連結可能である。駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２はソースノードまたはドレインノードとすることが可能であり、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のアノード電極（または、カソード電極）と電気的に連結可能である。駆動トランジスタＤＲＴの第３ノードＮ３はドレインノードまたはソースノードとすることが可能であり、駆動電圧（ＥＶＤＤ）の印加が可能であり、駆動電圧（ＥＶＤＤ）を供給する駆動電圧ライン（ＤＶＬ：Driving Voltage Line）と電気的に連結可能である。
【０１０４】
ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の間に電気的に連結され、映像信号電圧に該当するデータ電圧（Ｖｄａｔａ）またはこれに対応する電圧を１フレーム時間（または、定まった時間）の間維持することが可能である。
【０１０５】
スイッチングトランジスタＯ−ＳＷＴのドレインノードまたはソースノードは該当データラインＤＬに電気的に連結され、スイッチングトランジスタＯ−ＳＷＴのソースノードまたはドレインノードは駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１に電気的に連結され、スイッチングトランジスタＯ−ＳＷＴのゲートノードは該当ゲートラインＧＬと電気的に連結されてスキャン信号（ＳＣＡＮ）を印加可能である。
【０１０６】
スイッチングトランジスタＯ−ＳＷＴのオン−オフ動作は、該当ゲートラインを通してゲートノードに入力されるスキャン信号（ＳＣＡＮ）によって制御可能である。
【０１０７】
このようなスイッチングトランジスタＯ−ＳＷＴは、スキャン信号（ＳＣＡＮ）によりターン−オンされて該当データラインＤＬから供給されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１に伝達可能である。
【０１０８】
一方、ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の間に存在する内部キャパシタ（Internal Capacitor）である寄生キャパシタ（例：Ｃｇｓ、Ｃｇｄ）でなく、駆動トランジスタＤＲＴの外部に意図的に設けた外部キャパシタ（External Capacitor）としてもよい。駆動トランジスタＤＲＴ及びスイッチングトランジスタＯ−ＳＷＴの各々はｎ型トランジスタまたはｐ型トランジスタとしてもよい。
【０１０９】
図３に例示された各サブピクセル構造は、２Ｔ（Transistor）１Ｃ（Capacitor）構造であって、これは説明のための例示であり、１つ以上のトランジスタをさらに含むか、１つ以上のキャパシタをさらに含むことも可能である。または、多数のサブピクセルの各々を同一構造とすることも可能であり、多数のサブピクセルのうちの一部は異なる構造とすることも可能である。
【０１１０】
図４は、本発明の実施例における表示パネルの断面図である。
【０１１１】
図４を参照すると、本発明の実施例における表示パネルは、基板ＳＵＢ、基板上に位置するオーバーコート層ＯＣ、オーバーコート層ＯＣ上に位置する第１アノード電極ＡＮＯ１、オーバーコート層ＯＣ上に位置する第２アノード電極ＡＮＯ２、オーバーコート層ＯＣ上に位置する第３アノード電極ＡＮＯ３、オーバーコート層ＯＣ及び第１から第３アノード電極ＡＮＯ１、ＲＥ２、ＲＥ３上に位置するバンク層ＢＮＫ、第１アノード電極の一部上に位置する第１有機発光層ＥＬ１、第２アノード電極の一部上に位置する第２有機発光層ＥＬ２、第３アノード電極の一部上に位置する第３有機発光層ＥＬ３、及び有機発光層とバンク層上に位置するカソード電極ＣＡＴを含むことが可能である。
【０１１２】
基板ＳＵＢは、第１サブピクセルＳＰ１、第２サブピクセルＳＰ２、及び第３サブピクセルＳＰ３に区分可能である。
【０１１３】
第１サブピクセルＳＰ１は第１色相の可視光線を放出し、第２サブピクセルＳＰ２は第２色相の可視光線を放出し、第３サブピクセルＳＰ３は第３色相の可視光線を放出することが可能である。
【０１１４】
オーバーコート層ＯＣは、ピクセルを形成可能に基板上に形成されたパターン層を平坦化する層をこのように称することが可能である。オーバーコート層ＯＣは、傾斜ＳＬＯで連結された凸部ＣＯＮＶと凹部ＣＯＮＣを含むことが可能である。
【０１１５】
凸部ＣＯＮＶは、凹部ＣＯＮＣより厚くすることが可能である。凹部ＣＯＮＣと凸部ＣＯＮＶを区分するに当たって、凹部ＣＯＮＣと凸部ＣＯＮＶの厚さはオーバーコート層ＯＣの厚さを意味し、凹部ＣＯＮＣと凸部ＣＯＮＶの厚さは、例えば、各領域においてオーバーコート層ＯＣの真下に形成された保護膜ＰＡＳと、オーバーコート層ＯＣの真上に形成された電極ＡＮＯの間で測定されたオーバーコート層ＯＣの厚さとすることが可能であり、特にコンタクトホールなどが導入された部分を除外して測定された最も厚い値とすることが可能である。
【０１１６】
図４に図示したように、凹部ＣＯＮＣの厚さ（Ｔ１）は凸部ＣＯＮＶの厚さ（Ｔ２）より薄いことがある。したがって、表示パネルの断面で凹部ＣＯＮＣはオーバーコート層ＯＣの平坦な領域のように認識され、凸部ＣＯＮＶは突出した領域のように認識可能である。
【０１１７】
上述の厚さの差により、凸部ＣＯＮＶと凹部ＣＯＮＣの間には傾斜ＳＬＯが形成され、凸部ＣＯＮＶと凹部ＣＯＮＣは傾斜ＳＬＯで連結可能である。傾斜ＳＬＯは、第１サブピクセルから第３サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のうち、一種以上のサブピクセルで凹部ＣＯＮＣを囲む第１傾斜面ＳＬＯ１を含むことが可能である。一種以上のサブピクセルとは、サブピクセルから放出される光の色相によってサブピクセルの種類を分類するとき、その種類が１つ以上のものを意味することが可能である。例えば、表示パネルに赤色サブピクセル、緑色サブピクセル、及び青色サブピクセルが含まれると、表示パネルは３種類のサブピクセルを含むものとして表現することが可能である。
【０１１８】
第１傾斜面ＳＬＯ１は、オーバーコート層ＯＣの凸部ＣＯＮＶと凹部ＣＯＮＣの間に形成される傾斜ＳＬＯのうち、凹部ＣＯＮＣを囲んでいる傾斜が有する傾斜面を意味することが可能である。したがって、図４に示した表示パネルにおいて、第１サブピクセルＳＰ１及び第２サブピクセルＳＰ２は凹部を囲む傾斜を含むので、第１傾斜面ＳＬＯ１を含む。一方、第３サブピクセルＳＰ３は凹部を囲む傾斜を含んでいないので、第１傾斜面ＳＬＯ１を含まない。
【０１１９】
凸部ＣＯＮＶが凹部ＣＯＮＣを囲むので、表示パネルの断面において凹部ＣＯＮＣは凸部ＣＯＮＶの間に位置することが可能である。
【０１２０】
凸部ＣＯＮＶ、凹部ＣＯＮＣ、及び傾斜ＳＬＯを含むオーバーコート層ＯＣは、例えば、ハーフトーンマスク（Half-tone mask）を用いたフォトリソグラフィ工程を通じて形成可能である。
【０１２１】
凹部ＣＯＮＣの形状は特に制限されるものではないが、例えば、円形または四角形、五角形、及び八角形などの多角形状とすることが可能である。凸部ＣＯＮＶは、前記凹部ＣＯＮＣを囲みながら、前記形状を有する凹部ＣＯＮＣの側面部を覆う側壁を形成することが可能である。
【０１２２】
オーバーコート層ＯＣ上には、オーバーコート層ＯＣの表面に沿って形成された第１アノード電極ＡＮＯ１、第２アノード電極ＡＮＯ２、及び第３アノード電極ＡＮＯ３が位置することが可能である。
【０１２３】
第１アノード電極ＡＮＯ１、第２アノード電極ＡＮＯ２、及び第３アノード電極ＡＮＯ３が、オーバーコート層ＯＣの表面に沿って形成されるということは、所定の工程の偏差による厚さ偏差を考慮すると、均一であると見られる厚さでオーバーコート層ＯＣ上に形成されることを意味する。
【０１２４】
第１アノード電極ＡＮＯ１、第２アノード電極ＡＮＯ２、及び第３アノード電極ＡＮＯ３は、互いに離れて位置して、各々のサブピクセルに独立に信号を伝達することが可能である。
【０１２５】
上述のように、オーバーコート層ＯＣは、第１サブピクセルＳＰ１から第３サブピクセルＳＰ３のうち、１種以上のサブピクセルで凹部ＣＯＮＣを囲む第１傾斜面ＳＬＯ１を含むことが可能である。したがって、オーバーコート層ＯＣの表面の一部である第１傾斜面ＳＬＯ１の表面に沿ってアノード電極が形成される場合、アノード電極も傾斜面を含むことが可能である。本出願では、このように形成されたアノード電極の傾斜面を第２傾斜面ＳＬＯ２と称することが可能である。
【０１２６】
また、第１アノード電極ＡＮＯ１、第２アノード電極ＡＮＯ２、及び第３アノード電極ＡＮＯ３がオーバーコート層ＯＣの表面に沿って形成されるので、第２傾斜面ＳＬＯ２はオーバーコート層ＯＣの凹部ＣＯＮＣ上に形成されたアノード電極を囲んだ形態とすることが可能である。
【０１２７】
第１アノード電極から第３アノード電極は、コンタクトホール（図示せず）によりトランジスタＴＲと電気的に連結可能である。
【０１２８】
アノード電極は、反射電極を含む電極とすることが可能である。アノード電極はインジウムスズ酸化物（Indium tin oxide、ＩＴＯ）を含む導電性金属酸化物層及び銀を含む反射金属層を含むことが可能である。例えば、アノード電極はオーバーコート層上に位置する第１のＩＴＯ層、前記第１のＩＴＯ層上に位置する銀を含む反射金属層、及び前記反射金属層上に位置する第２のＩＴＯ層を含むことが可能である。
【０１２９】
アノード電極は、表示パネルにおいて、アノード電極として機能することが可能である。
【０１３０】
バンク層ＢＮＫは、第１から第３サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の中心部毎に位置するバンクオープン部ＢＮＫＯを含むことが可能である。バンクオープン部は、バンク層の下部のアノード電極が露出する開口部を意味し、図４を参照する時、「ＯＰＮ」と表示された領域をバンクオープン部ＢＮＫＯと理解することが可能である。バンクオープン部ＢＮＫＯはバンク層に設けられた開口部を称し、バンクオープン部ＢＮＫＯによりアノード電極が露出し、露出したアノード電極上に順次に有機発光層及びカソード電極が積層可能である。したがって、バンクオープン部ＢＮＫＯは光が放出されるサブピクセルの中心部毎に設けられ、サブピクセルから光が放出されるようにすることが可能である。
【０１３１】
第１有機発光層ＥＬ１は、バンクオープン部ＢＮＫＯ内に位置する第１アノード電極ＡＮＯ１の一部の上に位置し、第２有機発光層ＥＬ２は、バンクオープン部ＢＮＫＯ内に位置する第２アノード電極ＡＮＯ１の一部の上に位置し、第３有機発光層ＥＬ３は、バンクオープン部ＢＮＫＯ内に位置する第３アノード電極ＡＮＯ３の一部の上に位置することが可能である。
【０１３２】
第１から第３有機発光層ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３は、正極と負極を通じて注入された正孔と電子が再結合してエキシトンを形成し、エキシトンが弛緩しながら光を放出する層であるので、バンクオープン部ＢＮＫＯに露出したアノード電極ＡＮＯ１、ＲＥ２、ＲＥ３上に位置することが可能である。アノード電極ＡＮＯ１、ＲＥ２、ＲＥ３は、正極（anode）になることが可能である。
【０１３３】
カソード電極ＣＡＴは、有機発光層ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３及びバンク層ＢＮＫ上に位置することが可能である。表示パネルは、有機発光層ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３から放出された光がカソード電極ＣＡＴを通じて放出されるトップエミッション（Top emission）方式とすることが可能である。したがって、カソード電極ＣＡＴは可視光線領域帯の光に対する透過率が優れる透明電極とすることが可能であり、バンク層ＢＮＫは表示パネルの開口領域ＯＰＮ及び非開口領域ＮＯＰを区分する層として機能することが可能である。
【０１３４】
本発明の表示パネルは、前述したように、バンク層ＢＮＫにより開口領域ＯＰＮと非開口領域ＮＯＰに区分可能である。開口領域ＯＰＮはバンクオープン部ＢＮＫＯに対応可能であり、非開口領域ＮＯＰはバンクオープン部を除外したバンク層ＢＮＫに対応可能である。開口領域ＯＰＮ及び非開口領域ＮＯＰは、表示パネルのアクティブ領域（Ａ／Ａ）に位置することが可能である。
【０１３５】
なお、ここで、ある領域が他の領域に対応するということは、製品の製造過程で発生しうる誤差を考慮するときに、ある領域と他の領域がサイズ、面積、及び形状などが同一であると見られる関係を意味する。
【０１３６】
オーバーコート層ＯＣ上にアノード電極ＡＮＯ１、ＲＥ２、ＲＥ３、バンク層ＢＮＫ、有機発光層ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３、及びカソード電極ＣＡＴが前述したように位置するので、バンクオープン部ＢＮＫＯ内でアノード電極ＡＮＯ１、ＲＥ２、ＲＥ３、有機発光層ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３、及びカソード電極ＣＡＴが順次に積層された開口領域ＯＰＮ内では発光可能である。
【０１３７】
本発明の実施例における表示パネルは、バッファ層ＢＵＦ、層間絶縁膜ＩＮＦ、保護層ＰＡＳ、トランジスタＴＲ、ストレージキャパシタＣ１、Ｃ２、補助電極ＡＥ（または、補助配線と称してもよい）、及びパッド領域を含むことが可能である。
【０１３８】
バッファ層ＢＵＦは基板ＳＵＢ上に配置可能であり、バッファ層ＢＵＦ上にはトランジスタＴＲ及びストレージキャパシタＣ１、Ｃ２などが形成可能である。
【０１３９】
層間絶縁膜ＩＮＦは、トランジスタＴＲのゲート電極ＧＡＴＥ、半導体層ＡＣＴ、ストレージキャパシタの第１ストレージキャパシタ電極Ｃ１、及びパッド領域の第１パッド電極Ｐ１の上に位置することが可能である。
【０１４０】
保護層ＰＡＳは、補助電極ＡＥ、ストレージキャパシタＣ１、Ｃ２、及びトランジスタＴＲなどの電気回路素子を保護するために形成されうるものである。
【０１４１】
トランジスタＴＲは、半導体層ＡＣＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲート電極ＧＡＴＥ、ソース電極Ｓ、及びドレイン電極Ｄを含むことが可能である。以下、本発明の具体的な例示としてのトランジスタについて説明するが、トランジスタの各構成要素の位置関係は本発明の分野で公知となった他のものであってもよい。
【０１４２】
半導体層ＡＣＴは、バッファ層ＢＵＦ上に形成可能である。
【０１４３】
ゲート絶縁膜ＧＩは半導体層ＡＣＴ上に形成され、ゲート絶縁膜ＧＩ上にはゲート電極ＧＡＴＥが形成されることによって、ゲート絶縁膜ＧＩが半導体層ＡＣＴとゲート電極ＧＡＴＥとの間に位置することが可能である。
【０１４４】
ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、各々半導体層ＡＣＴの一端に接触し、かつ互いに離れて配置可能である。ドレイン電極Ｄは、アノード電極ＡＮＯとコンタクトホールにより連結可能である。
【０１４５】
トランジスタＴＲは、パネルに含まれる駆動トランジスタＤＲＴとして機能し、パネルに含まれたＯＬＥＤを駆動することが可能である。
【０１４６】
図４に図示したように、アクティブ領域（Ａ／Ａ）にはストレージキャパシタＣ１、Ｃ２が配置可能である。ストレージキャパシタＣ１、Ｃ２はゲート電極ＧＡＴＥと同一層に配置された第１ストレージキャパシタ電極Ｃ１とソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと同一層に配置された第２ストレージキャパシタ電極Ｃ２を含むことが可能であるが、本発明のストレージキャパシタＣ１、Ｃ２の構造がこれに限定されるのではない。
【０１４７】
また、本発明の実施例における表示パネルはノン−アクティブ領域に配置されるパッド領域を含むことが可能である。パッド領域には多数のパッド電極Ｐ１、Ｐ２が配置可能である。
【０１４８】
例えば、パッド領域に配置された多数の絶縁膜（ＢＵＦ、ＧＩ）の上に第１パッド電極Ｐ１を配置可能である。第１パッド電極Ｐ１上には第１パッド電極Ｐ１の上面の一部を露出する層間絶縁膜ＩＮＦが配置可能である。そして、第１パッド電極Ｐ１と層間絶縁膜ＩＮＦの上には第１パッド電極Ｐ１とコンタクトする第２パッド電極Ｐ２が配置可能である。
【０１４９】
なお、図４には図示していないが、第２パッド電極Ｐ２は各種の回路フィルムなどと電気的に連結可能である。
【０１５０】
図５は、本発明の実施例における表示パネルのあるサブピクセルから放出された光の進行を示した図である。図５のサブピクセルは、第１傾斜面ＳＬＯ１、第２傾斜面ＳＬＯ２、及び第３傾斜面ＳＬＯ３を含むサブピクセルである。
【０１５１】
図５を参照すると、有機発光層ＥＬから放出された光Ｌは、指向性を有さず、多様な方向に放射される。有機発光層ＥＬは第１有機発光層ＥＬ１から第３有機発光層ＥＬ３のうちのいずれか１つとすることが可能であり、前述したように第１傾斜面ＳＬＯ１から第３傾斜面ＳＬＯ３を含むサブピクセル内に含まれた有機発光層である。有機発光層ＥＬから放出された光Ｌのうちの一部は、屈折率の高い層（図示せず）から屈折率の低い層（図示せず）に進行する過程で全反射されて、バンク層ＢＮＫの第３傾斜面Ｓ３に向けて進行可能である。
【０１５２】
バンク層ＢＮＫは、可視光線波長帯の光に対して所定の透過率を有する材質で形成可能である。したがって、バンク層ＢＮＫの第３傾斜面Ｓ３に向けて放出された光は、バンク層ＢＮＫの第３傾斜面Ｓ３を通過してアノード電極ＡＮＯの第２傾斜面Ｓ３に到達可能である。アノード電極ＡＮＯも第１アノード電極ＡＮＯ１から第３アノード電極ＡＮＯ３のうちの１つであり、第１から第３傾斜面を含むサブピクセルが含むアノード電極と解されるべきである。
【０１５３】
アノード電極ＡＮＯの第２傾斜面Ｓ２に到達した光は、第２傾斜面Ｓ２で反射されてバンク層の第３傾斜面Ｓ３に向けて進行して表示パネルの外部に抽出可能である。したがって、本発明の表示パネルは、前述したように第１傾斜面Ｓ１上に形成されたアノード電極の第２傾斜面Ｓ２により、有機発光層ＥＬから放出された光が表示パネルの上部に向けて進行するので、表示パネルの発光効率を向上可能である。
【０１５４】
図６は、図５に示したサブピクセルの一部分を拡大して示した図である。
【０１５５】
図６を参照すると、凹部ＣＯＮＣと第１傾斜面ＳＬＯ１がなす角度が角度θ、第２傾斜面ＳＬＯ２と第３傾斜面ＳＬＯ３の距離が距離ｄ、第１傾斜面ＳＬＯ１の高さが高さｈと表示されている。本発明の実施例における表示パネルは、角度θ、距離ｄ、及び高さｈのうち、２つ以上を調節して優れた発光効率を達成可能である。例えば、本発明の表示パネルは、特定の値の角度θ及び距離ｄを有することが可能であり、または特定の値の角度θ、距離ｄ、及び高さｈを有することが可能である。
【０１５６】
凹部ＣＯＮＣの底面と第１傾斜面ＳＬＯ１とがなす角度である角度θは、２７゜以上または４５゜以上とする。角度θが大きい値を有する場合、開口領域ＢＮＫＯに露出したアノード電極ＡＮＯ上に形成された有機発光層ＥＬから放出された光を第２反射面ＳＬＯ２が効果的に反射することが可能である。角度θの範囲の上限は、特に制限されるものではないが、角度θが大きい値を有する場合、オーバーコート層上に形成されるアノード電極ＡＮＯにクラック及び断線が発生するおそれがあるので、例えば、８０゜以下、７０゜以下、または６５゜以下とすることが可能である。
【０１５７】
第２傾斜面ＳＬＯ２と第３傾斜面ＳＬＯ３の距離である距離ｄは、第２傾斜面ＳＬＯ２からオーバーコート層の第１領域Ａ１と平行な方向に測定された第３傾斜面ＳＬＯ３までの距離と定義可能である。前記距離ｄは３．２μｍ以下、２．６μｍ以下、または２．０μｍ以下とすることが可能である。前記距離ｄが小さいほど、表示パネルの開口領域ＯＰＮが拡張可能であり、第２傾斜面Ｓ２で反射されて表示パネルの外部に抽出される光の光路を縮めて発光効率が向上可能であるので、距離ｄの下限は特に制限されるものではないが、例えば、距離ｄの下限は、０．１μｍ以上、０．３μｍ以上、または０．５μｍ以上とすることが可能である。
【０１５８】
距離ｄの範囲を上述のように調節することによって、開口領域が広いながらも発光効率に優れた表示パネルを提供することができる。
【０１５９】
第１傾斜面ＳＬＯ１の高さである高さｈは、第１傾斜面ＳＬＯ１が連結する凹部ＣＯＮＣの厚さ（Ｔ１’）と凸部の厚さ（Ｔ２’）の差を意味する。前記凹部ＣＯＮＣの厚さ（Ｔ１’）は第１傾斜面ＳＬＯ１が始まる部分で測定された凹部ＣＯＮＣの厚さとすることが可能であり、前記凸部の厚さ（Ｔ２’）は第１傾斜面ＳＬＯ２が終わる部分で測定された凸部の厚さとすることが可能である。
【０１６０】
前記高さｈは、０．７μｍ以上、１．２μｍ以上、１．４μｍ以上、または２μｍ以上とすることが可能である。前記高さｈが大きいほど第２傾斜面ＳＬＯ２が有機発光層ＥＬから放出された光を効果的に反射して発光効率を高めることが可能であるので、高さｈの上限は特に制限されるものではないが、例えば、１０μｍ以下または５μｍ以下とすることが可能である。
【０１６１】
前記のように、距離ｄ、角度θ、及び高さｈを調節することによって、本発明の表示パネルは、向上した発光効率を有するだけでなく、有機発光層が発光する時、第１発光領域と第２発光領域を含むことが可能である。
【０１６２】
図７は、本発明の実施例における表示パネルに含まれる開口領域、非開口領域、第１発光領域、及び第２発光領域を示す図である。
【０１６３】
図７（ａ）は特定の形状を有する開口領域ＯＰＮ及び非開口領域ＮＯＰを含む表示パネルの顕微鏡写真であり、図７（ｂ）は表示パネルの有機発光層ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３が光を放出する時に撮影した顕微鏡写真である。図７（ａ）に表示されたサブピクセルは全て第１傾斜面ＳＬＯ１から第３傾斜面ＳＬＯ３を含んでいる。
【０１６４】
図７を参照すると、本発明の実施例における表示パネルは、有機発光層が発光する時、可視光線が放出される第１発光領域ＬＥＡ１、及び第２発光領域ＬＥＡ２と、第１非発光領域ＮＥＡ１、及び第２非発光領域ＮＥＡ２と、を含むことが可能である。
【０１６５】
第２発光領域ＬＥＡ２は、第１傾斜面ＳＬＯ１から第３傾斜面ＳＬＯ３を含むサブピクセルに含まれて、第１傾斜面ＳＬＯ１から第３傾斜面ＳＬＯ３を含まないサブピクセルは、第１発光領域のみを含み、第２発光領域は含まない。したがって、図７の表示パネルに図示したサブピクセルは、全て第１から第３傾斜面ＳＬＯ３を含む。
【０１６６】
第１発光領域ＬＥＡ１は、開口領域ＯＰＮの形状に対応した形状を有することが可能である。ある構成要素の形状が他の構成要素の形状に対応するということは、ある構成要素の形状が他の構成要素と同一な形状を有するか、または同一形態であるがサイズは相異するか、または、ある構成要素の形状が他の構成要素の形状が転写されて形成されたことを意味する。したがって、第１発光領域ＬＥＡ１の形状は、実質的に開口領域ＯＰＮに位置する有機発光層ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３から放出された光により開口領域ＯＰＮの形状が転写されたことと解することが可能である。
【０１６７】
開口領域ＯＰＮの形状は、特に限定されるものではないが、例えば、円形または四角形、五角形、及び八角形などの多角形状とすることが可能である。図７（ａ）を参照すると、開口領域ＯＰＮが八角形に対応する形状を有する。
【０１６８】
第１発光領域ＬＥＡ１は、開口領域ＯＰＮに対応する形状を有することが可能である。図７（ｂ）を参照すると、第１発光領域ＬＥＡ１が図７（ａ）に示した開口領域ＯＰＮの形状と対応する形状を有することが分かる。
【０１６９】
第２発光領域ＬＥＡ２は第１発光領域ＬＥＡ１と重畳せず、第１発光領域ＬＥＡ１の縁の形状に対応する形状を有することが可能である。図７（ｂ）に図示したように、第２発光領域ＬＥＡ２は第１発光領域ＬＥＡ１の縁と形態が同一で、かつサイズは相異するので、第２発光領域ＬＥＡ２が第１発光領域ＬＥＡ１の縁の形状に対応する形状を有するということが可能である。
【０１７０】
第２発光領域ＬＥＡ２は、第１発光領域ＬＥＡ１の縁と同一な形態を有する閉曲線とすることが可能である。または、第２発光領域ＬＥＡ２は、前記閉曲線の一部分が断絶された形態を有することが可能である。第２発光領域ＬＥＡ２の断絶の有無は、サブピクセルが含む有機発光層が放出する可視光線の波長などにより決定することが可能である。
【０１７１】
第１非発光領域ＮＥＡ１により、少なくとも一つのサブピクセルが区別可能である。図７（ｂ）を参照すると、第１非発光領域ＮＥＡ１により第２発光領域ＬＥＡ２を互いに離れさせることが可能である。即ち、第１非発光領域ＮＥＡ１は、非開口領域ＮＯＰにおいて第２発光領域ＬＥＡ２の間の領域とすることが可能である。
【０１７２】
すなわち、第１非発光領域ＮＥＡ１は、実質的に発光が起こらない領域とすることが可能である。第１非発光領域ＮＥＡ１は、非開口領域ＮＯＰにおいて前記第２発光領域ＬＥＡ２が形成されない一部に対応可能である。
【０１７３】
第２非発光領域ＮＥＡ２は、１つのサブピクセルにより形成された第１発光領域ＬＥＡ１及び第２発光領域ＬＥＡ２を区分しながら、実質的に発光が起こらない領域とすることが可能である。
【０１７４】
第２非発光領域ＮＥＡ２の形状は、第１発光領域ＬＥＡ１及び第２発光領域ＬＥＡ２の形状により決定することが可能である。例えば、第１発光領域ＬＥＡ１が八角形であり、第２発光領域ＬＥＡ２も八角形の閉曲線である場合、第２非発光領域ＮＯＰ２は第１発光領域ＬＥＡ１と第２発光領域ＬＥＡ２により八角形を形成することが可能である。
【０１７５】
第２非発光領域ＮＥＡ２は、非発光という用語で表現したが、発光領域ＬＥＡ１、ＬＥＡ２の間に存在する特性上、写真上では若干の光が感知され、特に、サブピクセルから放出する可視光線の波長帯と類似の色相を有する光が感知されうる。したがって、第２非発光領域ＮＥＡ２は、発光が完全に起こらない領域であるか、または第１発光領域ＬＥＡ２と第２発光領域ＬＥＡ２を区分する領域であって、これら２つの発光領域より弱い光が観察される領域と解されるべきである。
【０１７６】
第２発光領域ＬＥＡ２は、前述したように、角度θ、距離ｄ、高さｈの範囲を調節して実現可能である。したがって、本発明の実施例における表示パネルは、角度θ、距離ｄ、高さｈの範囲を調節することによって、優れた発光効率を有し、第１発光領域ＬＥＡ１と第２発光領域ＬＥＡ２を含むことが可能である。
【０１７７】
第２発光領域ＬＥＡ２は、図５を通じて説明した経路に沿う光により形成されたものと推測される。図５に示されたサブピクセルは、第１発光領域ＬＥＡ１だけでなく、第２傾斜面Ｓ２により反射された光により形成された第２発光領域ＬＥＡ２を含むので、発光効率の向上が可能である。本発明の表示パネルは、オーバーコート層が上述のように凹部ＣＯＮＣを囲む第１傾斜面ＳＬＯ１を第１サブピクセルから第３サブピクセルのうちの１種以上のサブピクセルで含むことによって、優れた発光効率を有することが可能である。
【０１７８】
第２発光領域ＬＥＡ２は、第１発光領域ＬＥＡ１を囲んで位置することが可能である。これは、第２発光領域ＬＥＡ２が凹部ＣＯＮＣを囲んでいる第１傾斜面ＳＬＯ１上に形成されたアノード電極ＡＮＯの第２傾斜面ＳＬＯ２で反射された光により形成されたことが原因と推測される。
【０１７９】
また、第２発光領域ＬＥＡ２は非開口領域ＮＯＰに位置することが可能である。前述したように、第２発光領域ＬＥＡ２は非開口領域ＮＯＰに位置する第２傾斜面ＳＬＯ２で反射された光で構成されるので、第２発光領域ＬＥＡ２の全部または一部は非開口領域ＮＯＰに位置することが可能である。
【０１８０】
第１発光領域ＬＥＡ１と第２発光領域ＬＥＡ２を形成する光は、図５に示したように光路が相異し、通過する層が相異するので、色座標が実質的に相異することがある。即ち、第２発光領域ＬＥＡ２を形成する光は非開口領域ＮＯＰに形成されたバンク層ＢＮＫを通過する一方、第１発光領域ＬＥＡ１はバンク層を通過しない。バンク層ＢＮＫは第２発光領域ＬＥＡ２を形成する光の一部の波長帯の光を吸収することが可能であるので、第２発光領域ＬＥＡ２を形成する光は第１発光領域ＬＥＡ１を形成する光と相異する色座標を有することが可能である。ここで、色座標が相異するということは色座標測定における一般的な誤差を考慮する時、相異すると見られる程度の差があることを意味することが可能である。
【０１８１】
第２非発光領域ＮＥＡ２は、非発光という用語で表現したが、発光領域ＬＥＡ１、ＬＥＡ２の間に存在する特性上、写真上では若干の光が感知され、特に、サブピクセルから放出する可視光線の波長帯と類似の色相を有する光が感知されうる。したがって、第２非発光領域ＮＥＡ２は、発光が完全に起こらない領域であるか、または第１発光領域ＬＥＡ２と第２発光領域ＬＥＡ２を区分する領域であって、前記２発光領域より弱い光が観察される領域と理解されるべきである。
【０１８２】
図７（ｂ）から分かるように、第１発光領域と第２発光領域は表示パネルに含まれたサブピクセル領域の数によって各々複数で形成可能である。したがって、前記第１発光領域に隣接した前記第２発光領域は、同一なサブピクセル領域に含まれる発光領域と理解されなければならず、複数の第２発光領域のうち、前記第１発光領域に隣接した第２発光領域を称することと理解されなければならない。なぜならば、ある第１発光領域と隣接した第２発光領域が１つのサブピクセル領域に存在して、同一な有機発光層から放出された光から形成された発光領域であるためである。
【０１８３】
図８は、本発明の実施例における表示パネルのあるサブピクセルから放出された光の進行を示す図である。前記サブピクセルは、図５及び図６に示したサブピクセルとは異なり、第１傾斜面ＳＬＯ１から第３傾斜面ＳＬＯ３を含まない。したがって、図５及び図６に示したサブピクセルとは異なり、第２発光領域ＬＥＡ２が形成されず、第１発光領域ＬＥＡ１のみが形成される。
【０１８４】
前述したように、図５に示した構造を有するサブピクセルは、第１発光領域ＬＥＡ１及び第２発光領域ＬＥＡ２を含み、第２発光領域ＬＥＡ２から放出される光は第１発光領域ＬＥＡ１から放出される光と色座標が相異する。このような色座標の差は第１発光領域ＬＥＡ１を構成する光と第２発光領域ＬＥＡ２を構成する光の光路が相異することが原因である。即ち、第２発光領域ＬＥＡ２は光路が相異するので、色座標の変移が起こる。
【０１８５】
本願の発明者らは、前記色座標の変移が有機発光層から放出される光の波長帯に影響を受けることを発見した。したがって、色座標の変移による表示パネルの品質低下を予防するために、例えば、第１色相から第３色相のサブピクセルを含む表示パネルにおいて、１種以上のサブピクセルが第１傾斜面ＳＬＯ１を含むことも可能であり、第１サブピクセル及び第２サブピクセルのうちの１種以上のサブピクセルが第１傾斜面ＳＬＯ１を含むことも可能であり、第１サブピクセル及び第２サブピクセルのうちの１種以上は第１傾斜面ＳＬＯ１を含み、第３サブピクセルは第１傾斜面を含まないこともある。第１傾斜面ＳＬＯ１を含むサブピクセルは、例えば、図５に示したような構造を有することが可能であり、第１傾斜面ＳＬＯ１を含まないサブピクセルは、例えば、図８に図示したような構造を有することが可能である。
【０１８６】
図８のような構造を有するサブピクセルは、第２発光領域の形成による色変移程度の大きい波長帯の光を放出するサブピクセルとすることが可能である。
【０１８７】
例えば、第１サブピクセルから放出される第１色相の可視光線は赤色の可視光線であり、第２サブピクセルから放出される第２色相の可視光線は緑色の可視光線であり、第３サブピクセルから放出される第３色相の可視光線は青色の可視光線とすることが可能である。
【０１８８】
前記赤色の可視光線は、肉眼または撮影装置を通じて観察する時、一般的に赤色と認識される可視光線を意味するが、例えば、波長が５９５ｎｍから７４０ｎｍである可視光線とすることが可能である。前記緑色の可視光線は、肉眼または撮影装置を通じて観察する時、一般的に緑色と認識される可視光線を意味するが、例えば、波長が４９５ｎｍから５９５ｎｍである可視光線とすることが可能である。前記青色の可視光線は、肉眼または撮影装置を通じて観察する時、一般的に青色と認識される可視光線を意味するが、例えば、波長が４５０ｎｍから４９５ｎｍである可視光線とすることが可能である。
【０１８９】
前記のように、本発明における表示パネルは、第２発光領域の形成による色変移程度の大きい色相を放出するサブピクセルには第１傾斜面が含まれないようにし、色変移程度の小さい色相を放出するサブピクセルには第１傾斜面を含めることによって、発光効率が優れ、かつ視野角による品質の低下が少なく、色再現率が優れる。
【０１９０】
また、本発明における表示パネルは、前述した角度θ、距離ｄ、高さｈをサブピクセルが放出する光の色相によって相異するように調節することが可能である。
【０１９１】
本発明の実施例における表示パネルにおいて、オーバーコート層は第１サブピクセルから第３サブピクセルのうち、２種以上のサブピクセルで第１傾斜面を含み、各種類のサブピクセルに含まれた第１傾斜面の角度は互いに相異し、各種類のサブピクセルで第２傾斜面と第３傾斜面の距離は互いに相異することが可能である。
【０１９２】
また、表示パネルが第１サブピクセルから第３サブピクセルのうち、２種以上のサブピクセルで第１傾斜面を含む時、各種類のサブピクセルに含まれた第１傾斜面の高さは互いに相異することが可能である。各種類のサブピクセルとは、ある１つの色相の光を放出するサブピクセルを１種類のサブピクセルという時、各々異なる色相を放出するサブピクセル種類を称することができる。
【０１９３】
図４を参照すると、表示パネルは、第１サブピクセルＳＰ１及び第２サブピクセルＳＰ２が第１傾斜面ＳＬＯ１を含んでいるので、第１サブピクセルから第３サブピクセルのうち、２種以上のサブピクセルで第１傾斜面を含んでいる。また、第１サブピクセルＳＰ１と第２サブピクセルＳＰ２は、相異する色相の光を放出するので、相異する色相の光の特性を考慮して、第１サブピクセルＳＰ１に含まれた第１傾斜面の角度と第２サブピクセルＳＰ２に含まれた第１傾斜面の角度（θ）を相異するように調節することができる。また、第２傾斜面と第３傾斜面の距離（ｄ）も第１サブピクセルＳＰ１で測定された値と、第２サブピクセルＳＰ２で測定された値と、が相異するように調節することができる。第１傾斜面の高さ（ｈ）も第１サブピクセルＳＰ１に含まれたものと第２サブピクセルＳＰ２に含まれたものが相異するように調節することができる。前記のように、各サブピクセルから放出される光の性質によって角度θ、距離ｄ、及び高さｈを相異するように調節する場合、光抽出効率を極大化することが可能である。
【０１９４】
図９は、本発明の実施例における表示パネルの断面図である。
【０１９５】
図９を参照すると、有機発光層ＥＬは、バンクオープン部ＢＮＫＯに露出したアノード電極ＡＮＯ上から、バンク層ＢＮＫ上にまで延びて形成され、カソード電極ＣＡＴは有機発光層ＥＬ上に位置することが可能である。図９は、有機発光層ＥＬがバンク層ＢＮＫの全面を覆うように示したが、バンクオープン部（ＢＮＫＯ＝ＯＰＮ）からバンク層ＢＮＫの一部上のみにまで延びて形成されることも可能である。
【０１９６】
バンク層ＢＮＫが形成されない開口領域ＯＰＮだけでなく、バンク層ＢＮＫが形成された非開口領域ＮＯＰにも有機発光層ＥＬが形成される場合、発光が起こる有機発光層ＥＬの面積をより極大化することが可能である。有機発光層ＥＬを開口領域ＯＰＮのみに形成しようとする場合、工程上の限界によって開口領域ＯＰＮの周辺部で有機発光層ＥＬが形成されないか、または不完全に形成されうる。しかしながら、上述のように、有機発光層ＥＬがバンク層ＢＮＫ上にも形成される場合、前記工程上の限界による問題を解決することが可能である。
【０１９７】
図１０は、図９に図示した表示パネルの一部分を示した図である。
【０１９８】
図１０を参照すると、有機発光層ＥＬは、アノード電極ＡＮＯ上に形成された部分の厚さ（ｔ１）がバンク層ＢＮＫの第３傾斜面ＳＬＯ３上に形成された部分の厚さ（ｔ２）より厚いことがある。
【０１９９】
有機発光層の厚さの差は、バンク層ＢＮＫの第３傾斜面ＳＬＯ３に起因してもよい。有機発光層ＥＬは、例えば、物理気相蒸着（Physical Vapor Deposition）方式である熱蒸着（Thermal Evaporation）工程により形成可能であるが、第３傾斜面ＳＬＯ３のように傾斜面上では熱蒸着工程の特性上、蒸着した薄膜の厚さが薄くなることがある。
【０２００】
有機発光層の一部分の厚さが薄くなる場合、薄い厚さを有する有機発光層と隣接した電極にキャリアの密度が高まり、これは有機発光層の劣化を引き起こすことがある。しかしながら、本発明における表示パネルは、図１０に図示したように、有機発光層ＥＬが薄い厚さ（ｔ２）を有する部分ではアノード電極ＥＬと有機発光層ＥＬの間にバンク層ＢＮＫが存在するので、前述した問題を防止することができる。
【０２０１】
下記の表１は第１傾斜面を含むサブピクセルにおいて、角度θ、距離ｄ、及び高さｈの変化に伴う第２発光領域発現の有無を観察した結果を示す資料である。下記の表１において、第２発光領域の有無を観察したサブピクセルは、図９に示した構造を有する。
【０２０２】
【表１】
2020098777.tif 000003
【０２０３】
前記表１を参照すると、角度θが２７゜以上、または３５゜以上、または４５゜以上であり、高さｈが０．７μｍ以上、１．０μｍ以上、または１．４μｍ以上であり、距離ｄが３．２μｍ以下であるとき、第２発光領域が実現されることが分かる。したがって、第１傾斜面を含むサブピクセルは、第２発光領域が形成されるので、優れた発光効率を示す。
【０２０４】
下記の表２は、実施例と比較例の発光効率、視野角による画質劣化及び色再現率を記載したものである。
【０２０５】
【表２】
2020098777.tif 000004
【０２０６】
実施例４から６及び比較例４は、３種のサブピクセルを含む表示パネルであって、赤色サブピクセル、緑色サブピクセル、及び青色サブピクセルを含む表示パネルである。比較例４は、３種類のサブピクセル全て第１傾斜面を含まず、各サブピクセルは図８に図示したものと類似の構造を有する。実施例４は赤色サブピクセルのみ第１傾斜面を含み、実施例５は緑色サブピクセルのみ第１傾斜面を含み、実施例６は赤色及び緑色サブピクセルが第１傾斜面を含む。特に、実施例５は図４の構造を有し、実施例４及び５は実施例６とは１種類のサブピクセルのみ第１傾斜面を有するという点を除いて、同一である。
【０２０７】
表２に記載された視野角による画質劣化を図１１及び図１２に表示した。図１１（ａ）及び図１２（ａ）は比較例４の表示パネルに関するものであり、図１１（ｂ）及び図１２（ｂ）は実施例４に関するものであり、図１１（ｃ）及び図１２（ｃ）は実施例５に関するものであり、図１１（ｄ）及び図１２（ｄ）は実施例６に関するものである。
【０２０８】
表２、図１１、及び図１２を説明すると、赤色サブピクセル及び緑色サブピクセルのうちの１種以上のサブピクセルが第１傾斜面を含み、青色サブピクセルは第１傾斜面を含まず、実施例４から６の表示パネルは、全てのサブピクセルが第１傾斜面を含まない比較例４のサブピクセルより発光効率が優秀であり、視野角による画質劣化の程度が少ないということが分かる。
【０２０９】
以上の説明は、本発明の技術思想を例示的に説明したことに過ぎないものであって、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から外れない範囲で多様な修正及び変形が可能である。また、本発明に開示された実施例は本発明の技術思想を限定するものではなく、説明するためのものであるので、このような実施例により本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。本発明の保護範囲は請求範囲により解釈されなければならず、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものとして解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０２１０】
ＯＣ    オーバーコート層
ＡＮＯ１、ＡＮＯ２、ＡＮＯ３    アノード電極
ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３    有機発光層
ＢＮＫ    バンク層
ＣＡＴ    カソード電極
ＳＬＯ１    第１傾斜面
ＳＬＯ２    第２傾斜面
ＳＬＯ３    第３傾斜面
ＣＯＮＣ    凹部
ＣＯＮＶ    凸部
ＳＬＯ    傾斜領域
ＯＰＮ    開口領域
ＮＯＰ    非開口領域
ＳＰ１    第１サブピクセル
ＳＰ２    第２サブピクセル
ＳＰ３    第３サブピクセル
ＬＥＡ１    第１発光領域
ＬＥＡ２    第２発光領域
ＮＥＡ１    第１非発光領域
ＮＥＡ２    第２非発光領域
【図１】
2020098777.tif 000005
【図２】
2020098777.tif 000006
【図３】
2020098777.tif 000007
【図４】
2020098777.tif 000008
【図５】
2020098777.tif 000009
【図６】
2020098777.tif 000010
【図７】
2020098777.tif 000011
【図８】
2020098777.tif 000012
【図９】
2020098777.tif 000013
【図１０】
2020098777.tif 000014
【図１１】
2020098777.tif 000015
【図１２】
2020098777.tif 000016