(57)【要約】【課題】プラズマを用いたクリーニングとは異なる手法でステージの吸着面の表面状態を回復させることができる方法を提供する。【解決手段】  減圧可能な空間内でワークを処理するための処理装置において空間を画成する処理容器内に設けられ、ワークを吸着保持するステージの吸着面の表面状態を回復させる方法であって、方法は、粗面加工された裏面を有する治具の裏面とステージの吸着面と接触するように治具を吸着面に載置する工程と、ステージに治具を吸着させることによって治具の裏面をステージの吸着面に押し当てる工程と、治具をステージから取り外す工程と、を含む。【選択図】図１
2020188245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な空間内でワークを処理するための処理装置において前記空間を画成する処理容器内に設けられ、前記ワークを吸着保持するステージの吸着面の表面状態を回復させる方法であって、
粗面加工された裏面を有する治具の前記裏面と前記ステージの前記吸着面と接触するように前記治具を前記吸着面に載置する工程と、
前記ステージに前記治具を吸着させることによって前記治具の前記裏面を前記ステージの前記吸着面に押し当てる工程と、
前記治具を前記ステージから取り外す工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記ステージは、前記吸着面を有し、前記ワークを静電吸着する静電チャックを備え、
前記押し当てる工程では、前記静電チャックに前記治具を静電吸着させることによって前記治具の前記裏面を前記ステージの前記吸着面に押し当てる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ステージは、接触する前記ステージの前記吸着面と前記治具の前記裏面との間に伝熱ガスを供給するガスラインに接続された排気装置をさらに備え、
前記押し当てる工程では、前記排気装置による減圧により前記ステージに前記治具を吸着させることによって前記治具の前記裏面を前記ステージの前記吸着面に押し当てる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記載置する工程、前記押し当てる工程、及び前記取り外す工程において、前記処理容器内の前記空間を減圧する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記押し当てる工程の後、かつ、前記取り外す工程の前において、前記ステージを加熱又は冷却する工程をさらに含む、請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、ステージの吸着面の表面状態を回復させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、プラズマを用いたクリーニング方法が記載されている。この方法は、処理室内に堆積した堆積物をフッ素又は塩素を含むガスを用いたプラズマにより除去する第１工程と、第１工程後の処理室内を、希ガスのプラズマに曝す第２工程とを有する。第１工程では、処理室内を大気に暴露することなく、プラズマによる化学クリーニングを実施する。プラズマを用いた化学クリーニングにより処理室内の堆積物は除去されるものの、変質層が形成される。第２工程においてプラズマを用いたスパッタクリーニングを実施することによって、処理室内における変質層が除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１０９４７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、プラズマを用いたクリーニングとは異なる手法でステージの吸着面の表面状態を回復させることができる方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様においては、減圧可能な空間内でワークを処理するための処理装置において空間を画成する処理容器内に設けられ、ワークを吸着保持するステージの吸着面の表面状態を回復させる方法が提供される。この方法は、粗面加工された裏面を有する治具の裏面とステージの吸着面と接触するように治具を吸着面に載置する工程と、ステージに治具を吸着させることによって治具の裏面をステージの吸着面に押し当てる工程と、治具をステージから取り外す工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の一態様に係る方法によれば、プラズマを用いたクリーニングとは異なる手法でステージの吸着面の表面状態を回復させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】プラズマ処理装置の構成を示す概略断面図である。
【図３】図２のプラズマ処理装置におけるステージを示す概略断面図である。
【図４】静電チャックの吸着面の一部を示す拡大断面図である。
【図５】治具の構成を示す概略断面図である。
【図６】実施形態に係る方法を実施し、ステージの吸着面に凹凸を新たに形成する場合の一例を示す概念図である。
【図７】実施形態に係る方法を堆積物が堆積しているステージに対して実施した場合の一例を示す概念図である。
【図８】実施形態に係る方法の変形例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
【０００９】
特許文献１に記載の方法では、２段階のプラズマを用いたクリーニングを実施するため、処理が容易で、かつ、短時間で処理室内の堆積物を除去し、ステージの吸着面の表面状態を回復させることができない。また、堆積物は、プラズマを用いた化学クリーニングで除去し難い物質（例えば、金属を含有する物質）から形成されていることがある。このため、特許文献１に記載の方法では、堆積物を除去し難いおそれがある。また、ステージの吸着面が例えば凹凸を有する場合、処理装置においてワークを吸着面に載置することにより、ステージの吸着面の凸部が摩耗する場合がある。特許文献１に記載の方法は、摩耗したステージの吸着面の凸部を回復させることができない。したがって、プラズマを用いたクリーニングとは異なる処理装置のクリーニング方法が必要とされている。
【００１０】
本開示は、プラズマを用いたクリーニングとは異なる手法でステージの吸着面の表面状態を回復させることができる方法を提供する。
【００１１】
本開示の一態様においては、減圧可能な空間内でワークを処理するための処理装置において空間を画成する処理容器内に設けられ、ワークを吸着保持するステージの吸着面の表面状態を回復させる方法が提供される。この方法は、粗面加工された裏面を有する治具の裏面とステージの吸着面と接触するように治具を吸着面に載置する工程と、ステージに治具を吸着させることによって治具の裏面をステージの吸着面に押し当てる工程と、治具をステージから取り外す工程と、を含む。
【００１２】
この方法によれば、治具は、ステージの吸着面に載置される。粗面加工された治具の裏面は、ステージの吸着面に接触する。ステージが治具を吸着保持することにより、治具の裏面は、ステージの吸着面に押し当てられる。押し当てる工程の後、治具は、ステージから取り外される。治具の粗面加工された裏面がステージの吸着面に押し当てられることによって、ステージの吸着面上に堆積した堆積物が押し出され、除去される。また、例えば凹凸を有するステージの吸着面が摩耗して平坦となった場合であっても、治具の粗面加工された裏面がステージの吸着面に押し当てられることによって、裏面の表面形状がステージの吸着面に転写され、ステージの吸着面に凹凸が新たに形成される。よって、この方法は、ステージの吸着面の表面状態を回復させることができる。
【００１３】
一実施形態において、ステージは、吸着面を有し、ワークを静電吸着する静電チャックを備え、押し当てる工程では、静電チャックに治具を静電吸着させることによって治具の裏面をステージの吸着面に押し当ててもよい。この場合、この方法は、静電吸着を利用して治具の粗面加工された裏面をステージの吸着面に押し当てることができる。
【００１４】
一実施形態において、ステージは、接触するステージの吸着面と治具の裏面との間に伝熱ガスを供給するガスラインに接続された排気装置をさらに備えてもよい。押し当てる工程では、排気装置による減圧によりステージに治具を吸着させることによって治具の裏面をステージの吸着面に押し当ててもよい。この場合、この方法は、ステージの吸着面と治具の裏面との間の空間の圧力と処理容器の圧力との差を利用して、治具の粗面加工された裏面をステージの吸着面に押し当てることができる。
【００１５】
一実施形態において、載置する工程、押し当てる工程、及び取り外す工程において、処理容器内の空間を減圧してもよい。この場合、この方法は、載置する工程、押し当てる工程、及び取り外す工程において、処理容器内を大気に開放することなく、処理容器内の空間を減圧した状態で、ステージの吸着面の表面状態を回復させることができる。このため、この方法は、ステージの吸着面の表面状態を回復させた後に、容易にワークの処理に移行することができる。
【００１６】
一実施形態における方法は、押し当てる工程の後、かつ、取り外す工程の前において、ステージを加熱又は冷却する工程をさらに含んでもよい。治具とステージとの間で熱膨張係数に差がある場合、ステージの加熱又は冷却時において治具とステージとの間で伸縮量に差が生じる。これにより、治具とステージとの間に伸縮量の差に応じた摩擦を発生させることができる。よって、この方法は、摩擦を利用してステージの吸着面の表面状態を回復させることができる。なお、加熱又は冷却する工程においても、処理容器内の空間を減圧してもよい。
【００１７】
以下、図面を参照して、実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明及び各図面において、同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は繰り返さない。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。「上」「下」「左」「右」の語は、図示する状態に基づくものであり、便宜的なものである。
【００１８】
図１は、実施形態に係る方法の一例を示すフローチャートである。図１に示す方法ＭＴとは、治具によってプラズマ処理装置におけるステージの吸着面の表面状態を回復させる方法である。ステージの吸着面は、ワークを載置する面である。ワークは、プラズマ処理の対象となる加工物であり、例えばウェハである。図２は、プラズマ処理装置の構成を示す概略断面図である。図１に示す方法ＭＴは、例えば、図２に示すプラズマ処理装置１０（処理装置の一例）によって実施される。
【００１９】
図２に示すプラズマ処理装置１０は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置であり、略円筒状の処理容器１２を備えている。処理容器１２の内壁面は、陽極酸化処理されたアルミニウムから構成されている。この処理容器１２は保安接地されている。
【００２０】
処理容器１２の底部上には、絶縁材料から構成された略円筒上の支持部１４が配置されている。支持部１４は、処理容器１２内において、処理容器１２の底部から鉛直方向に延在している。支持部１４は、処理容器１２内に設けられたステージ１８を支持している。具体的には、図１に示すように、支持部１４は、当該支持部１４の内壁面においてステージ１８を支持し得る。
【００２１】
ステージ１８は、ベース部１８ａ及び静電チャック１８ｂを備えている。ベース部１８ａは、例えばアルミニウムといった金属から構成されており、略円盤形状をなしている。ベース部１８ａは、下部電極として構成されている。静電チャック１８ｂは、ベース部１８ａの上に設けられている。静電チャック１８ｂは、より詳細には後述するが、導電膜である電極を一対の絶縁層又は絶縁シート間に配置した構造を有している。静電チャック１８ｂの電極には、直流電源２２が電気的に接続されている。この静電チャック１８ｂは、直流電源２２からの直流電圧により生じた静電引力により治具又はワークＷを吸着保持することができる。静電吸着された状態では、治具又はワークＷの裏面は、静電チャック１８ｂの上面である吸着面１９と接触することになる。
【００２２】
ステージ１８のベース部１８ａの周縁部上には、治具又はワークＷの周縁及び静電チャック１８ｂを囲むように環状にフォーカスリングＦＲが配置されている。フォーカスリングＦＲは、エッチングの均一性を向上させるために設けられている。フォーカスリングＦＲは、エッチング対象の膜の材料によって適宜選択される材料から構成されており、例えば、石英から構成され得る。
【００２３】
ベース部１８ａの内部には、冷媒用の流路２４が設けられている。流路２４には、外部に設けられたチラーユニットから配管２６ａ，２６ｂを介して所定温度の冷媒が循環供給される。冷媒は、絶縁性の溶液であり、例えば、ガルデン（登録商標）溶液であり得る。このように循環される冷媒の温度を制御することにより、ステージ１８上に支持された治具又はワークＷの温度が制御される。
【００２４】
また、プラズマ処理装置１０には、ガス供給ライン２８が設けられている。ガス供給ライン２８は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、静電チャック１８ｂの上面と治具又はワークＷの裏面との間に供給する。
【００２５】
ガス供給ライン２８は、第１排気装置２９（排気装置の一例）に接続する。第１排気装置２９は、静電チャック１８ｂの上面と、治具又はワークＷの裏面との間のガスを排気する。第１排気装置２９は、排気により静電チャック１８ｂの上面と、ワークＷの裏面との間の空間を減圧する。第１排気装置２９は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、処理容器１２内を所望の真空度まで減圧することができる。
【００２６】
また、ステージ１８には、複数、例えば３つのリフターピン用孔２００が設けられており（図には１つのみ示す。）、これらのリフターピン用孔２００の内部には、夫々リフターピン６１が配設されている。リフターピン６１は、駆動機構６２に接続されており、駆動機構６２により上下動される。リフターピン６１は、駆動機構６２によってその上端がステージ１８の吸着面１９よりも上方に達した状態において、搬入出口１２ｇを介して処理容器１２内に進入した搬送ロボット（不図示）との間でワークＷの受け渡しを行う。
【００２７】
また、処理容器１２内には、上部電極３０が設けられている。この上部電極３０は、ステージ１８の上方において、当該ステージ１８と対向配置されている。上部電極３０とベース部１８ａとは、互いに略平行に設けられている。これら上部電極３０とベース部１８ａとの間には、治具又はワークＷにプラズマ処理を行うための処理空間Ｓが画成されている。
【００２８】
上部電極３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、処理容器１２の上部に支持されている。上部電極３０は、電極板３４及び電極支持体３６を含み得る。電極板３４は、処理空間Ｓに面しており、複数のガス吐出孔３４ａを画成している。この電極板３４は、ジュール熱の少ない低抵抗の導電体又は半導体から構成され得る。
【００２９】
電極支持体３６は、電極板３４を着脱自在に支持するものであり、例えばアルミニウムといった導電性材料から構成され得る。この電極支持体３６は、水冷構造を有し得る。電極支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。このガス拡散室３６ａからは、ガス吐出孔３４ａに連通する複数のガス通流孔３６ｂが下方に延びている。また、電極支持体３６には、ガス拡散室３６ａに処理ガスを導くガス導入口３６ｃが形成されており、このガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。ガス供給管３８には、バルブ群４２及び流量制御器群４４を介して、ガスソース群４０が接続されている。
【００３０】
プラズマ処理装置１０は、接地導体１２ａを更に備え得る。接地導体１２ａは、略円筒状をなしており、処理容器１２の側壁から上部電極３０の高さ位置よりも上方に延びるように設けられている。
【００３１】
また、プラズマ処理装置１０では、処理容器１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、処理容器１２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム在にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。
【００３２】
処理容器１２の底部側においては、支持部１４と処理容器１２の内壁との間に排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。この排気プレート４８の下方において処理容器１２には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して第２排気装置５０が接続されている。第２排気装置５０は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、処理容器１２内を所望の真空度まで減圧することができる。また、処理容器１２の側壁にはワークＷの搬入出口１２ｇが設けられており、この搬入出口１２ｇはゲートバルブ５４により開閉可能となっている。
【００３３】
処理容器１２の内壁には、導電性部材（ＧＮＤブロック）５６が設けられている。導電性部材５６は、高さ方向においてワークＷと略同じ高さに位置するように、処理容器１２の内壁に取り付けられている。この導電性部材５６は、グランドにＤＣ的に接続されており、異常放電防止効果を発揮する。なお、導電性部材５６はプラズマ生成領域に設けられていればよく、その設置位置は図２に示す位置に限られるものではない。
【００３４】
また、プラズマ処理装置１０は、ベース部１８ａに高周波電力を供給するための給電棒５８を更に備えている。給電棒５８は、同軸二重管構造を有しており、棒状導電部材５８ａ及び筒状導電部材５８ｂを含んでいる。棒状導電部材５８ａは、処理容器１２外から処理容器１２の底部を通って処理容器１２内まで略鉛直方向に延在しており、当該棒状導電部材５８ａの上端は、ベース部１８ａに接続されている。また、筒状導電部材５８ｂは、棒状導電部材５８ａの周囲を囲むように当該棒状導電部材５８ａと同軸に設けられており、処理容器１２の底部に支持されている。これら棒状導電部材５８ａ及び筒状導電部材５８ｂの間には、略環状の２枚の絶縁部材５８ｃが介在して、棒状導電部材５８ａと筒状導電部材５８ｂとを電気的に絶縁している。
【００３５】
また、プラズマ処理装置１０は、整合器ＭＵを更に備え得る。整合器ＭＵには、棒状導電部材５８ａ及び筒状導電部材５８ｂの下端が接続されている。この整合器ＭＵには、電源システムＰＳが接続されている。また、電源システムＰＳには、上部電極３０も接続されている。電源システムＰＳは、ベース部１８ａに二つの異なる高周波電力を供給し、上部電極３０に直流電圧を印加し得る。
【００３６】
また、プラズマ処理装置１０は、制御部Ｃｎｔを更に備え得る。この制御部Ｃｎｔは、プロセッサ、記憶部、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり、プラズマ処理装置１０の各部、例えば電源系やガス供給系、駆動系、及び電源システムＰＳ等を、制御する。この制御部Ｃｎｔでは、入力装置を用いて、オペレータがプラズマ処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができ、また、表示装置により、プラズマ処理装置１０の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、制御部Ｃｎｔの記憶部には、プラズマ処理装置１０で実行される各種処理をプロセッサにより制御するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマ処理装置１０の各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ち、処理レシピが格納される。
【００３７】
次に、プラズマ処理装置１０のステージ１８について、詳細に説明する。図３は図２のプラズマ処理装置におけるステージを示す概略断面図である。図３に示すように、ステージ１８のベース部１８ａは、下面１８ｄ及び上面１８ｕを有している。下面１８ｄ及び上面１８ｕは略平坦な面である。
【００３８】
ベース部１８ａの内部には、冷媒用の流路２４が形成されている。例えば、流路２４は、ベース部１８ａの周縁部から螺旋状に延在してベース部１８ａの中央部の中心付近に至り、更に、ベース部１８ａの中央部の中心付近から螺旋状に延在してベース部１８ａの周縁部に至るように形成されている。
【００３９】
ステージ１８の上面１８ｕ上には静電チャック１８ｂが設けられている。静電チャック１８ｂは、一対の絶縁膜２１ａ，２１ｂを有している。静電チャック１８ｂは、絶縁膜２１ａと絶縁膜２１ｂとの間に電極２０及び加熱装置２７を有している。
【００４０】
加熱装置２７は、例えばヒーターである。加熱装置２７には、直流電源２３が電気的に接続されている。加熱装置２７は、直流電源２３からの直流電圧を基に熱を発生させることができる。加熱装置２７の加熱により、静電チャック１８ｂの吸着面１９は加熱される。加熱装置２７は、例えば、中央加熱装置２７ｃ及び周縁加熱装置２７ｐを有する。周縁加熱装置２７ｐは中央加熱装置２７ｃを囲むように環状に配置されている。
【００４１】
静電チャック１８ｂは、ワークＷを載置する吸着面１９を有している。図４は、静電チャックの吸着面の一部を示す拡大断面図である。吸着面１９には、図４に示す複数の凸部１９ｄがドット状に設けられている。複数の凸部１９ｄは、例えば、それぞれ同一形状且つ同じ大きさを呈している。複数の凸部１９ｄの上面には、例えば、複数の微細凸部１９ｅがドット状に設けられてもよい。治具又はワークＷが吸着された状態では、複数の微細凸部１９ｅの上面が、それぞれ治具又はワークＷの裏面と接触することになる。
【００４２】
次に、治具について説明する。図５は、治具の構成を示す概略断面図である。図５に示す治具１００は、ステージ１８の吸着面１９上に載置される。治具１００及びステージ１８の吸着面１９は、例えば、それぞれ熱膨張係数の異なる材料により構成されている。治具１００は、略円盤形状をなしている。治具１００は、上面１００ａと裏面１００ｂを有する。上面１００ａは、例えば、ワークＷと同一の形状を有する。上面１００ａは、例えば、ワークＷと同一の材質で構成されている。
【００４３】
治具１００は、裏面１００ｂがステージ１８の吸着面１９に接触するように載置される。裏面１００ｂは、粗面加工されている。裏面１００ｂは、例えば、複数の微細凸部１９ｅ間の凹部の形状と同一の形状を有する凸部を有する。裏面１００ｂの凸部は、例えば、上面１００ａから裏面１００ｂの凸部の先端への方向において横断面が小さくなるような山なりの形状を有する。裏面１００ｂは、一例として、複数の凸部１９ｄ、複数の微細凸部１９ｅ及び堆積物と比較して硬度の高い材料から構成されている。裏面１００ｂは、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）から構成されている。堆積物は、例えば、プラズマを用いたクリーニングによって形成された変質層から処理容器１２内に放出された微粒子である。裏面１００ｂの面積は、例えば、少なくともワークＷの裏面の面積以上である。
【００４４】
以下、再び図１を参照し、ステージ１８の吸着面１９の表面状態を回復させる方法ＭＴについて説明する。図１に示す方法ＭＴは、例えば、ステージ１８の吸着面１９の表面状態が悪化した場合に実行される。表面状態が悪化した場合とは、例えば、ステージ１８の吸着面１９の複数の微細凸部１９ｅが摩耗し平坦になった場合、又は、複数の凸部１９ｄ上に堆積物が堆積した場合である。あるいは、図１に示す方法ＭＴは、ステージ１８の吸着面１９の表面状態が悪化したおそれがあるときに実行されてもよい。例えば、方法ＭＴは、所定の枚数以上のワークＷの処理を実施した場合、ワークＷの取り外しに所定の時間以上要する場合、ワークＷの加熱若しくは冷却に所定の時間以上要する場合、又は、ワークＷに堆積物の付着がある場合に実行されてもよい。この方法ＭＴは、例えば、制御部Ｃｎｔにより実施される。
【００４５】
減圧処理（Ｓ１０）では、制御部Ｃｎｔは、第２排気装置５０に処理容器１２の内部を減圧させる。第２排気装置５０は、処理容器１２内を、例えば、プラズマ処理装置１０におけるワークＷの処理時と同一の圧力まで減圧する。制御部Ｃｎｔは、処理容器１２内を所定の圧力まで減圧させた場合、処理容器１２内の圧力を維持させたまま、次の処理に移行する。
【００４６】
ステージクリーニング処理（Ｓ１２）では、制御部Ｃｎｔは、プラズマ処理装置１０の構成要素を動作させることで、ステージ１８の吸着面１９をクリーニングする。制御部Ｃｎｔは、例えば、所定流量のクリーニングガスが処理空間Ｓへと供給されるように、バルブ群４２及び流量制御器群４４を制御する。これにより、クリーニングガスがガス吐出孔３４ａを介して処理空間Ｓに導入される。次に、制御部Ｃｎｔは、所定電力が出力されるように電源システムＰＳを制御する。これにより、電力がベース部１８ａ及び上部電極３０へ供給され、クリーニングガスのプラズマが励起される。ステージ１８の吸着面１９は、クリーニングガスのプラズマによってドライクリーニングされる。制御部Ｃｎｔは、所定の時間、クリーニングガスの流量及び電源システムＰＳの出力電力をプラズマが励起される条件に維持する。これにより、所定の時間、ステージ１８の吸着面１９がドライクリーニングされる。制御部Ｃｎｔは、ステージクリーニング処理（Ｓ１２）の開始から所定の時間が経過した場合、ステージクリーニング処理（Ｓ１２）を終了し、次の処理に移行する。
【００４７】
搬入処理（Ｓ１４）では、制御部Ｃｎｔは、搬送ロボットに治具１００を搬入させる。搬送ロボットは、搬入出口１２ｇを介して処理容器１２内へ治具１００を搬入する。搬送ロボットは、作業員の操作に基づいて動作してもよい。さらに、制御部Ｃｎｔは、処理容器１２内に進入した搬送ロボットに、治具１００をリフターピン６１へ受け渡させる。これにより、治具１００は、リフターピン６１の上端に載置される。搬送ロボットが治具１００をリフターピン６１に受け渡した場合、制御部Ｃｎｔは、搬入処理（Ｓ１４）を終了し、次の処理に移行する。
【００４８】
載置処理（Ｓ１６）では、制御部Ｃｎｔは、駆動機構６２を動作させて、治具１００の裏面１００ｂとステージ１８の吸着面１９とが接触するように、治具１００をステージ１８の吸着面１９に載置させる。制御部Ｃｎｔは、駆動機構６２に、リフターピン６１の上端がステージ１８の吸着面１９よりも下方に位置するように、リフターピン６１を下方に移動させる。これにより、リフターピン６１の上端に載置された治具１００がステージ１８の吸着面１９に載置される。制御部Ｃｎｔは、治具１００をステージ１８の吸着面１９に載置させた場合、載置処理（Ｓ１６）を終了し、次の処理に移行する。
【００４９】
治具吸着処理（Ｓ１８）では、制御部Ｃｎｔは、プラズマ処理装置１０の構成要素を動作させることで、治具１００をステージ１８に吸着させる。制御部Ｃｎｔは、例えば、直流電源２２に静電チャック１８ｂへ直流電圧を供給させる。これにより、治具１００は、直流電圧により生じた静電引力によってステージ１８に吸着保持される。そして、治具１００の裏面１００ｂはステージ１８の吸着面１９に押し当てられる。治具１００をステージ１８に押し当てた場合、制御部Ｃｎｔは、次の処理に移行する。
【００５０】
温度調整処理（Ｓ２０）では、制御部Ｃｎｔは、ステージ１８を温度調整する。制御部Ｃｎｔは、加熱装置２７にステージ１８を加熱させる。制御部Ｃｎｔは、チラーユニットに温度調整された冷媒を流路２４へ供給させる。制御部Ｃｎｔは、加熱装置２７及びチラーユニットを単体又は組み合わせて動作させる。これにより、ステージ１８は加熱又は冷却される。ステージ１８の吸着面１９に吸着された治具１００も加熱又は冷却される。治具１００とステージ１８との間で熱膨張係数に差があるため、ステージ１８の加熱又は冷却時において治具１００とステージ１８との間で伸縮量に差が生じる。これにより、治具１００とステージ１８との間に伸縮量の差に応じた摩擦が生じる。摩擦により、ステージ１８の吸着面１９に堆積した堆積物が削り出され、除去される。温度調整処理（Ｓ２０）の開始から所定の時間が経過した場合、又は、加熱若しくは冷却の所定の操作が実施された場合、制御部Ｃｎｔは、温度調整処理（Ｓ２０）を終了し、次の処理に移行する。
【００５１】
測定処理（Ｓ２２）では、制御部Ｃｎｔは、ステージ１８の吸着面１９の表面状態が回復したか否かを検証するための測定を行う。表面状態の回復の検証は、初回導入時又はメンテナンス終了時において測定された事前測定データを基準とする。事前測定データの一例は、温度調整の応答性測定データや、成膜速度、エッチングレートなどのプロセス結果データを含む。例えば、制御部Ｃｎｔは、プラズマ処理装置１０にエッチング処理を実行させる。治具１００の上面１００ａは、ワークＷと同一の処理が可能な形状及び材質を有する。このため、制御部Ｃｎｔは、ワークＷを用いることなく、治具１００を用いてプラズマ処理装置１０にエッチング処理を実行させることができる。
【００５２】
制御部Ｃｎｔは、エッチング処理実施中の応答性測定データ、成膜速度、エッチングレートなどを、センサなどを用いて取得する。制御部Ｃｎｔは、測定したデータを、事前測定データと比較することにより、ステージ１８の吸着面１９の表面状態の回復状況を認識する。制御部Ｃｎｔは、ステージ１８の性能を示す諸元データと比較してステージ１８の吸着面１９の表面状態の回復状況を認識してもよい。制御部Ｃｎｔは、ステージ１８の吸着面１９の表面状態が回復していない場合には、治具吸着処理（Ｓ１８）や温度調整処理（Ｓ２０）を再実行させ、その後、測定処理（Ｓ２２）を再実行してもよい。あるいは、制御部Ｃｎｔは、図示しないディスプレイなどに警告を出力させ、以降の処理を実行しなくてもよい。制御部Ｃｎｔは、ステージ１８の吸着面１９の表面状態の回復状況を認識した場合、測定処理（Ｓ２２）を終了し、次の処理に移行する。
【００５３】
取り外し処理（Ｓ２４）では、制御部Ｃｎｔは、プラズマ処理装置１０の構成要素を動作させることで、治具１００の裏面１００ｂとステージ１８の吸着面１９とが離間するように治具１００をステージ１８の吸着面１９から取り外す。静電チャック１８ｂが治具１００をステージ１８に吸着させている場合、静電チャック１８ｂが静電引力の発生を終了することにより、治具１００は、ステージ１８の吸着面１９から離間可能な状態となる。
【００５４】
制御部Ｃｎｔは、治具１００が離間可能な状態となった場合に、駆動機構６２にリフターピン６１を上方へ移動させる。これにより、治具１００は、リフターピン６１の上端に載置され、ステージ１８の吸着面１９から取り外される。治具１００が取り外された場合、制御部Ｃｎｔは、取り外し処理（Ｓ２４）を終了し、次の処理に移行する。
【００５５】
搬出処理（Ｓ２６）では、制御部Ｃｎｔは、搬送ロボットに治具１００を搬出させる。搬送ロボットは、搬入出口１２ｇを介して治具１００を処理容器１２内から搬出する。搬送ロボットは、作業員の操作に基づいて動作してもよい。搬送ロボットは、リフターピン６１に支持された治具１００を受け取り、搬出する。治具１００が処理容器１２内から搬出された場合、制御部Ｃｎｔは、搬出処理（Ｓ２６）を終了し、次の処理に移行する。
【００５６】
堆積物吸着処理（Ｓ２８）では、制御部Ｃｎｔは、ウエハなどの物体をステージ１８の吸着面１９に載置させ、ステージ１８の吸着面１９に残存する堆積物を物体に吸着させてステージ１８の吸着面１９から堆積物を除去する。堆積物は、物体の電荷によって発生した静電力で物体に吸着され得る。物体は、静電力が増加するように予め帯電されていてもよい。物体の吸着面１９に接触する部分には、粘着性が付与されていてもよい。物体を処理容器１２内に搬入し、ステージ１８の吸着面１９に載置し、処理容器１２内から搬出する手法は、治具１００における搬入処理（Ｓ１４）、載置処理（Ｓ１６）、治具吸着処理（Ｓ１８）、取り外し処理（Ｓ２４）、及び搬出処理（Ｓ２６）と同一の手法を用いることができる。物体が処理容器１２内から搬出された場合、制御部Ｃｎｔは、堆積物吸着処理（Ｓ２８）を終了し、次の処理に移行する。
【００５７】
処理容器内クリーニング処理（Ｓ３０）では、制御部Ｃｎｔは、プラズマ処理装置１０の構成要素を動作させることで、クリーニングガスを用いて処理容器１２内をクリーニングする。この処理は、ステージクリーニング処理（Ｓ１２）と同様であり、所定の時間、処理容器１２内のドライクリーニングを実行する。制御部Ｃｎｔは、処理容器内クリーニング処理（Ｓ３０）が終了した場合、ステージ１８の吸着面１９の表面状態を回復させる方法ＭＴを終了する。
【００５８】
図６は、実施形態に係る方法を実施し、ステージの吸着面に凹凸を新たに形成する場合の一例を示す概念図である。図６の（ａ）は、ステージ１８の吸着面１９の複数の微細凸部１９ｅが摩耗し平坦になった状態を示す図である。
【００５９】
図６の（ｂ）は、載置処理（Ｓ１６）において、治具１００の裏面１００ｂとステージ１８の吸着面１９とが接触するように、治具１００がステージ１８の吸着面１９に載置されている状態を示す図である。
【００６０】
図６の（ｃ）は、治具吸着処理（Ｓ１８）において、治具１００が、ステージ１８に吸着されている状態を示す図である。治具１００の裏面１００ｂの硬度は、ステージ１８の吸着面１９の複数の凸部１９ｄと比較して硬度が高いため、治具１００がステージ１８の吸着面１９に押し当てられることによって、ステージ１８の吸着面１９が削られる。
【００６１】
図６の（ｄ）は、取り外し処理（Ｓ２４）後において、治具１００がステージ１８から取り外された状態を示す図である。治具吸着処理（Ｓ１８）により、ステージ１８の吸着面１９の少なくともワークＷの裏面が接触する領域において、複数の微細凸部１９ｅが形成される。
【００６２】
図７は、実施形態に係る方法を堆積物が堆積しているステージに対して実施した場合の一例を示す概念図である。図７の（ａ）は、複数の凸部１９ｄ上に堆積物１９ｆが堆積した状態を示す図である。複数の凸部１９ｄ上に堆積物１９ｆが堆積した状態とは、例えば、ステージクリーニング処理（Ｓ１２）によって所定の時間だけドライクリーニングを実施された後においても堆積物１９ｆが残留している状態である。
【００６３】
図７の（ｂ）は、載置処理（Ｓ１６）において、治具１００の裏面１００ｂとステージ１８の吸着面１９とが接触するように、治具１００がステージ１８の吸着面１９に載置されている状態を示す図である。
【００６４】
図７の（ｃ）は、治具吸着処理（Ｓ１８）において、治具１００がステージ１８に吸着されている状態を示す図である。治具１００の裏面１００ｂが複数の微細凸部１９ｅの間に入り込むことによって、堆積した堆積物１９ｆが押し出される。
【００６５】
図７の（ｄ）は、処理容器内クリーニング処理（Ｓ３０）後において、治具１００が、ステージ１８から取り外され、処理容器１２内がクリーニングされた状態を示す図である。治具吸着処理（Ｓ１８）において押し出された堆積物１９ｆは、温度調整処理（Ｓ２０）又は処理容器内クリーニング処理（Ｓ３０）により、削り出され、除去される。これらにより、複数の凸部１９ｄ上に堆積した堆積物１９ｆは削り出され、除去される。
【００６６】
以上、本実施形態の方法ＭＴによれば、プラズマを用いたクリーニングとは異なる手法でステージ１８の吸着面１９の表面状態を回復させることができる。
【００６７】
制御部Ｃｎｔは、治具吸着処理（Ｓ１８）において治具１００をステージ１８に吸着させることで、堆積物１９ｆを押し出し、除去する。制御部Ｃｎｔは、ステージ１８の吸着面１９の複数の凸部１９ｄに治具１００の粗面加工された裏面１００ｂを転写させることによって、ステージ１８の吸着面１９に複数の微細凸部１９ｅを新たに形成する。これらにより、堆積物１９ｆがワークＷに付着することが抑制され、ワークＷをステージ１８の吸着面１９から取り外し易くなり、ワークＷに対するステージ１８の加熱又は冷却の制御が容易となる。
【００６８】
制御部Ｃｎｔは、治具吸着処理（Ｓ１８）において、静電チャック１８ｂによってステージ１８の吸着面１９に治具１００を静電吸着させることにより、治具１００の粗面加工された裏面１００ｂをステージ１８の吸着面１９に押し当てることができる。
【００６９】
また、制御部Ｃｎｔは、減圧処理（Ｓ１）において、処理容器１２内を大気に開放することなく、処理容器１２内の空間を減圧させた状態で、ステージ１８の吸着面１９の表面状態を回復させる方法ＭＴを実施する。これにより、制御部Ｃｎｔは、ステージ１８の吸着面１９の表面状態を回復させた後に、容易にワークＷの処理に移行させることができる。
【００７０】
温度調整処理（Ｓ２０）において、治具１００とステージ１８との間で熱膨張係数に差がある場合、ステージ１８の加熱又は冷却時において治具１００とステージ１８との間で伸縮量に差が生じる。これにより、治具１００とステージ１８との間に伸縮量の差に応じた摩擦を発生させることができる。よって、この方法ＭＴは、摩擦を利用してステージ１８の吸着面１９の表面状態を回復させることができる。また、治具１００の裏面１００ｂの面積が少なくともワークＷの裏面の面積以上であるため、プラズマ処理装置１０におけるワークＷの処理に必要なステージ１８の吸着面１９の領域の表面状態を回復させることができる。
【００７１】
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。例えば、ステージ１８の吸着面１９は、複数の凸部１９ｄ又は複数の微細凸部１９ｅを有さなくてもよい。この場合においても、方法ＭＴは実施されてもよい。
【００７２】
方法ＭＴの治具吸着処理（Ｓ１８）において、代替的又は追加的に、制御部Ｃｎｔは、ステージ１８の吸着面１９と治具１００の裏面１００ｂとの間の空間と、処理空間Ｓとの間に圧力差を生じさせてもよい。制御部Ｃｎｔは、ステージ１８の吸着面１９と治具１００の裏面１００ｂとの間の空間の圧力と処理容器１２の圧力との差を利用して、治具１００の粗面加工された裏面１００ｂをステージ１８の吸着面１９に押し当てることができる。
【００７３】
例えば、制御部Ｃｎｔは、ステージ１８の吸着面１９と治具１００の裏面１００ｂとの間の空間を減圧する第１排気装置２９を動作させる。これにより、両空間に圧力差が生じ、治具１００の裏面１００ｂがステージ１８の吸着面１９に押し当てられる。治具１００をステージ１８に押し当てた場合、制御部Ｃｎｔは、次の処理に移行する。この場合、後の処理である取り外し処理（Ｓ２４）では、第１排気装置２９が減圧によって治具１００をステージ１８に吸着させていた場合、第１排気装置２９が減圧を停止することにより、治具１００は、ステージ１８の吸着面１９から離間可能な状態となる。堆積物吸着処理（Ｓ２８）においても、代替的又は追加的に、制御部Ｃｎｔは、ステージ１８の吸着面１９と物体の吸着面１９に接触する部分との間の空間と、処理空間Ｓとの間に圧力差を生じさせてもよい。この場合、第１排気装置２９が減圧を停止することにより、物体は、ステージ１８の吸着面１９から離間可能な状態となる。治具吸着処理（Ｓ１８）又は堆積物吸着処理（Ｓ２８）では、少なくとも静電チャック１８ｂにおける静電力の生成と、第１排気装置２９による減圧とのいずれかが実施されればよい。
【００７４】
方法ＭＴにおいて、減圧処理（Ｓ１０）、ステージクリーニング処理（Ｓ１２）、搬入処理（Ｓ１４）、温度調整処理（Ｓ２０）、測定処理（Ｓ２２）、搬出処理（Ｓ２６）、堆積物吸着処理（Ｓ２８）、又は処理容器内クリーニング処理（Ｓ３０）は実施されなくてもよい。つまり、方法ＭＴは、少なくとも載置処理（Ｓ１６）、治具吸着処理（Ｓ１８）及び取り外し処理（Ｓ２４）が実行されればよい。例えば、第１排気装置２９において治具１００又は物体に対して減圧による吸着を行う場合には、減圧処理（Ｓ１０）は実施されない方が、より強い吸着力を発生させることができる。温度調整処理（Ｓ２０）が実施されない例を図８に示す。図８は、実施形態に係る方法の変形例を示すフローチャートである。図８に示すように、温度調整処理（Ｓ２０）が実施されなくても治具吸着処理（Ｓ１８）が実施されることで、堆積物１９ｆを押し出し、除去することができる。
【００７５】
測定処理（Ｓ２２）では、治具１００を取り外し、搬出してもよい。この場合、ワークＷを処理容器１２内に搬入し、ステージ１８の吸着面１９に載置して測定処理（Ｓ２２）を実行すればよい。治具１００の上面１００ａは、ワークＷと同一の形状を有さなくてもよく、ワークＷと同一の材質で構成されていなくてもよい。
【００７６】
以上の説明から、本開示の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
【符号の説明】
【００７７】
１０…プラズマ処理装置、１２…処理容器、１２ａ…接地導体、１２ｅ…排気口、１２ｇ…搬入出口、１４…支持部、１８…ステージ、１８…ステージ、１８ａ…ベース部、１８ｂ…静電チャック、１８ｄ…下面、１８ｕ…上面、１９…吸着面、１９ｄ…凸部、１９ｅ…微細凸部、１９ｆ…堆積物、２０…電極、２１ａ，２１ｂ…絶縁膜、２２,２３…直流電源、２４…流路、２６ａ，２６ｂ…配管、２７…加熱装置、２７ｃ…中央加熱装置、２７ｐ…周縁加熱装置、２８…ガス供給ライン、２９…第１排気装置、３０…上部電極、３２…絶縁性遮蔽部材、３４…電極板、３４ａ…ガス吐出孔、３６…電極支持体、３６ａ…ガス拡散室、３６ｂ…ガス通流孔、３６ｃ…ガス導入口、３８…ガス供給管、４０…ガスソース群、４２…バルブ群、４４…流量制御器群、４６…デポシールド、４８…排気プレート、５０…第２排気装置、５２…排気管、５４…ゲートバルブ、５６…導電性部材、５８…給電棒、５８ａ…棒状導電部材、５８ｂ…筒状導電部材、５８ｃ…絶縁部材、６１…リフターピン、６２…駆動機構、１００…治具、１００ａ…上面、１００ｂ…裏面、２００…リフターピン用孔、Ｃｎｔ…制御部、ＦＲ…フォーカスリング、ＭＴ…方法、ＭＵ…整合器、ＰＳ…電源システム、Ｓ…処理空間、Ｗ…ワーク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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