(57)【要約】【課題】透過減衰量及び反射減衰量が共に高い電波吸収体及びその製造方法を提供する。【解決手段】磁性粉体とバインダーとを含む電波吸収層を有し、かつ、上記電波吸収層における上記磁性粉体の充填率が、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くなる電波吸収体及びその製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性粉体とバインダーとを含む電波吸収層を有し、かつ、前記電波吸収層における前記磁性粉体の充填率が、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くなる電波吸収体。
【請求項２】
前記磁性粉体として、マグネトプランバイト型六方晶フェライトの粉体を含む請求項１に記載の電波吸収体。
【請求項３】
前記マグネトプランバイト型六方晶フェライトの粉体が、下記の式（１）で表される化合物の粒子の集合体である請求項２に記載の電波吸収体。
【化１】
2020145340.tif 000006
式（１）中、Ａは、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、及びＰｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を表し、ｘは、１．５≦ｘ≦８．０を満たす。
【請求項４】
前記式（１）におけるＡが、Ｓｒである請求項３に記載の電波吸収体。
【請求項５】
前記電波吸収層の電波が入射する側とは反対側に、電波を反射する反射層を有しない請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項６】
平面形状を有する請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項７】
シート状である請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項８】
単層シート状である請求項７に記載の電波吸収体。
【請求項９】
立体形状を有する請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項１０】
前記電波吸収層の厚みを１００％とした場合に、電波が入射する前記電波吸収層の表面から前記電波吸収層の厚みの２０％の厚みまでの領域における前記磁性粉体の充填率に対する、前記電波吸収層の裏面から前記電波吸収層の厚みの２０％の厚みまでの領域における前記磁性粉体の充填率の割合が、体積基準で、１．５０以上である請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の電波吸収体の製造方法であり、
磁性粉体とバインダーとを含む電波吸収層形成用組成物を用いて、磁性粉体の充填率が、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くなる電波吸収層を形成する電波吸収体の製造方法。
【請求項１２】
更に溶剤を含む前記電波吸収層形成用組成物に対し、磁場を印加することで、前記電波吸収層における前記磁性粉体の充填率を、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くする請求項１１に記載の電波吸収体の製造方法。
【請求項１３】
前記溶剤を含む前記電波吸収層形成用組成物を、裏面側に磁石が配置された仮支持体の表面側に塗布し、前記電波吸収層形成用組成物の塗布膜を形成する工程Ｉと、
前記工程Ｉにて形成された前記電波吸収層形成用組成物の塗布膜を乾燥させる工程ＩＩと、
を含む請求項１２に記載の電波吸収体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電波吸収体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子料金収受システム（ＥＴＣ：Electronic Toll Collection System）、走行支援道路システム（ＡＨＳ：Advanced Cruise-Assist Highway Systems）、衛星放送等、高周波数帯域における電波の利用形態の多様化に伴い、電波干渉による電子機器の誤作動、故障等が問題となっている。このような電波干渉が電子機器へ与える影響を低減するため、電波吸収体に不要な電波を吸収させ、電波の反射を防止することが行われている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、樹脂と、固定炭素分が９０質量％以上の黒鉛粒子と、を含む電磁波遮蔽用組成物を成形したシールド材料が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−９３０７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電波吸収体には、反射減衰量及び透過減衰量が共に高いことが求められる。具体的には、電波吸収体の透過減衰量及び反射減衰量は、いずれも約１０ｄＢ以上（即ち、９．５ｄＢ以上）であることが望ましい。電波吸収体の透過減衰量及び反射減衰量がいずれも約１０ｄＢ以上であると、電波吸収体は、入射した電波のうちの少なくとも約９０％の電波を吸収し得る。
【０００６】
本発明の一実施形態が解決しようとする課題は、透過減衰量及び反射減衰量が共に高い電波吸収体を提供することである。
本発明の他の実施形態が解決しようとする課題は、透過減衰量及び反射減衰量が共に高い電波吸収体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための手段には、以下の態様が含まれる。
＜１＞  磁性粉体とバインダーとを含む電波吸収層を有し、かつ、上記電波吸収層における上記磁性粉体の充填率が、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くなる電波吸収体。
＜２＞  上記磁性粉体として、マグネトプランバイト型六方晶フェライトの粉体を含む＜１＞に記載の電波吸収体。
＜３＞  上記マグネトプランバイト型六方晶フェライトの粉体が、下記の式（１）で表される化合物の粒子の集合体である＜２＞に記載の電波吸収体。
【０００８】
【化１】
2020145340.tif 000002
【０００９】
式（１）中、Ａは、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、及びＰｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を表し、ｘは、１．５≦ｘ≦８．０を満たす。
【００１０】
＜４＞  上記式（１）におけるＡが、Ｓｒである＜３＞に記載の電波吸収体。
＜５＞  上記電波吸収層の電波が入射する側とは反対側に、電波を反射する反射層を有しない＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の電波吸収体。
＜６＞  平面形状を有する＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の電波吸収体。
＜７＞  シート状である＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の電波吸収体。
＜８＞  単層シート状である＜７＞に記載の電波吸収体。
＜９＞  立体形状を有する＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の電波吸収体。
＜１０＞  上記電波吸収層の厚みを１００％とした場合に、電波が入射する上記電波吸収層の表面から上記電波吸収層の厚みの２０％の厚みまでの領域における上記磁性粉体の充填率に対する、上記電波吸収層の裏面から上記電波吸収層の厚みの２０％の厚みまでの領域における上記磁性粉体の充填率の割合が、体積基準で、１．５０以上である＜１＞〜＜９＞のいずれか１つに記載の電波吸収体。
＜１１＞  ＜１＞〜＜１０＞のいずれか１つに記載の電波吸収体の製造方法であり、
磁性粉体とバインダーとを含む電波吸収層形成用組成物を用いて、磁性粉体の充填率が、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くなる電波吸収層を形成する電波吸収体の製造方法。
＜１２＞  更に溶剤を含む上記電波吸収層形成用組成物に対し、磁場を印加することで、上記電波吸収層における上記磁性粉体の充填率を、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くする＜１１＞に記載の電波吸収体の製造方法。
＜１３＞  上記溶剤を含む上記電波吸収層形成用組成物を、裏面側に磁石が配置された仮支持体の表面側に塗布し、上記電波吸収層形成用組成物の塗布膜を形成する工程Ｉと、
上記工程Ｉにて形成された上記電波吸収層形成用組成物の塗布膜を乾燥させる工程ＩＩと、
を含む＜１２＞に記載の電波吸収体の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一実施形態によれば、透過減衰量及び反射減衰量が共に高い電波吸収体が提供される。
本発明の他の実施形態によれば、透過減衰量及び反射減衰量が共に高い電波吸収体の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る電波吸収体を厚み方向に切断した切断面のＳＥＭ画像を模式的に表した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を適用した電波吸収体の実施形態の一例について説明する。但し、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内において、適宜、変更を加えて実施できる。
【００１４】
本開示において「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を意味する。
本開示に段階的に記載されている数値範囲において、ある数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示に記載されている数値範囲において、ある数値範囲で記載された上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において、２以上の好ましい態様の組み合わせは、より好ましい態様である。
本開示において、各成分の量は、各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、複数種の物質の合計量を意味する。
【００１５】
本開示において、「工程」の用語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であっても、その工程の所期の目的が達成されれば本用語に含まれる。
【００１６】
本開示において、電波吸収層の「表面」とは、電波が入射する面を意味する。
本開示において、電波吸収層の「裏面」とは、電波が入射する面とは反対側の面を意味する。
【００１７】
本開示において、「透過減衰量及び反射減衰量が共に高い」とは、電波の入射角度０°である場合に、透過減衰量及び反射減衰量がいずれも約１０ｄＢ以上（即ち、９．５ｄＢ以上）であることを意味する。電波吸収体の透過減衰量及び反射減衰量がいずれも約１０ｄＢ以上であると、電波吸収体は、入射した電波のうちの少なくとも約９０％の電波を吸収し得る。
【００１８】
本開示において、非ＳＩ単位「Ｏｅ」からＳＩ単位「Ａ／ｍ」への変換係数は、「１０３／４π」とする。ここで、「π」は、３．１４１６とする。
【００１９】
［電波吸収体］
本開示の電波吸収体は、磁性粉体とバインダーとを含む電波吸収層を有し、かつ、上記電波吸収層における上記磁性粉体の充填率が、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くなる電波吸収体である。
本開示の電波吸収体は、透過減衰量及び反射減衰量が共に高い。
本開示の電波吸収体が、このような効果を奏し得る理由については明らかではないが、本発明者は以下のように推測している。
【００２０】
電波吸収体の透過減衰量を高める方法としては、例えば、電波吸収層における磁性粉体の充填率を高める方法が考えられる。しかし、高い透過減衰量を確保するために、電波吸収層における磁性粉体の充填率を高めると、電波吸収層の表面での電波の反射が大きくなり、反射減衰量が低下する。
【００２１】
これに対し、本開示の電波吸収体では、電波吸収層における磁性粉体の充填率が、電波が入射する表面側から電波の進行方向に向かって高くなっているため、電波吸収層における磁性粉体の充填率に傾斜がない場合と比較して、電波吸収層の表面での電波の反射が小さくなる。そのため、本開示の電波吸収体は、透過減衰量及び反射減衰量を高いレベルで両立できると推測される。
【００２２】
本開示の電波吸収体に対し、特許文献１（特開２０１８−９３０７８号公報）に記載のシールド材料は、磁性粉体の充填率に傾斜がないため、電波吸収層の表面での電波の反射を抑制できない。そのため、透過減衰量及び反射減衰量を高いレベルで両立することは困難である推測される。
【００２３】
また、本開示の電波吸収体は、透過減衰量及び反射減衰量を高いレベルで両立できることに加えて、電波の入射角度依存性が低いという利点を有する。
【００２４】
なお、上記の推測は、本開示の電波吸収体を限定的に解釈するものではなく、一例として説明するものである。
【００２５】
〔電波吸収体の構成〕
本開示の電波吸収体は、電波吸収層を有する。
本開示の電波吸収体は、本開示の電波吸収体の効果を損なわない範囲において、必要に応じて、電波吸収層以外の層（所謂、他の層）を有していてもよい。
他の層としては、保護層、粘着剤層、剥離層等が挙げられる。
【００２６】
一般に、電波吸収体では、反射減衰量を高めるため、電波吸収層の裏面側に電波を反射する反射層を設けることが行われる。しかし、反射層を有する電波吸収体では、電波吸収層と反射層とが剥離しやすい、反射層自体が劣化しやすい等の問題が生じやすい。また、反射層を有する電波吸収体は、コスト高となりやすい。
このような観点から、本開示の電波吸収体は、電波吸収層の電波が入射する側とは反対側に、電波を反射する反射層を有しないことが好ましい。
【００２７】
本開示の電波吸収体は、磁性粉体とバインダーとを含む電波吸収層を有し、かつ、電波吸収層における磁性粉体の充填率が、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くなる電波吸収体であるため、電波吸収層の電波が入射する側とは反対側に、電波を反射する反射層を有しない場合であっても、反射減衰量が高く、透過減衰量及び反射減衰量を高いレベルで両立できる。
【００２８】
また、一般に、反射層を有する電波吸収体は、電波の入射角度依存性が高い。そのため、反射層を有する電波吸収体では、電波の入射角度が大きくなると十分な反射減衰量が得られ難い。
このような観点からも、本開示の電波吸収体は、電波吸収層の電波が入射する側とは反対側に、電波を反射する反射層を有しないことが好ましい。
【００２９】
反射層は、電波を反射する層であれば、特に限定されない。
ここで、「電波を反射する」とは、電波を実質的に反射することを意味する。
また、「電波を実質的に反射する」とは、入射した電波の９０％以上を反射することを意味する。
反射層は、一般的には、金属を含む層である。
【００３０】
〜電波吸収体の形状〜
本開示の電波吸収体は、平面形状を有していてもよく、立体形状を有していてもよく、線形状を有していてもよい。
平面形状としては、特に制限はなく、シート状、フィルム状等の形状が挙げられる。
立体形状としては、特に制限はなく、三角形以上の多角形の柱形状、円柱形状、角錐形状、円錐形状、円筒状、角筒状、ホーン状、箱状（但し、面の１つが開放されている）等の形状が挙げられる。また、立体形状としては、上記平面形状と上記立体形状とを組み合わせた形状も挙げられる。
【００３１】
本開示の電波吸収体が平面形状を有する場合、本開示の電波吸収体は、シート状であることが好ましい。
本開示の電波吸収体が立体形状を有する場合、本開示の電波吸収体は、ホーン状又は箱状であることが好ましい。
【００３２】
一般に、電波吸収体が多層であると、各層の材料定数及び厚みのバラツキが電波吸収体の電波吸収特性に大きな影響を与えるため、所望の周波数減衰特性が得られ難い。
このような観点から、本開示の電波吸収体は、単層であることが好ましく、単層シート状であることがより好ましい。
本開示の電波吸収体が単層であるとは、本開示の電波吸収体が単層の電波吸収層からなることを意味する。
【００３３】
本開示の電波吸収体の厚みは、特に限定されないが、例えば、設置スペース及び耐久性の観点から、０．５ｍｍ〜１０ｍｍであることが好ましく、１ｍｍ〜５ｍｍであることがより好ましく、１ｍｍ〜３ｍｍであることが更に好ましい。
【００３４】
〔電波吸収層〕
電波吸収層は、磁性粉体とバインダーとを含む。また、電波吸収層における磁性粉体の充填率は、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くなる。
電波吸収層に含まれる成分の詳細は、後述する。
【００３５】
〜磁性粉体の充填率〜
電波吸収層における磁性粉体の平均充填率は、特に限定されないが、例えば、電波吸収体の電波吸収性能及び電波吸収層の強度の観点から、電波吸収層の全体積に対して、１０体積％〜７０体積％であることが好ましく、１５体積％〜６０体積％であることがより好ましく、２０体積％〜５０体積％であることが更に好ましい。
【００３６】
電波吸収層における磁性粉体の充填率の傾斜は、特に限定されない。
本開示の電波吸収体は、例えば、透過減衰量及び反射減衰量をより高いレベルで両立する観点から、電波吸収層の厚みを１００％とした場合に、電波が入射する電波吸収層の表面から電波吸収層の厚みの２０％の厚みまでの領域における磁性粉体の充填率（以下、「上部充填率」ともいう。）が５体積％〜４０体積％であり、かつ、電波吸収層の裏面から電波吸収層の厚みの２０％の厚みまでの領域における磁性粉体の充填率（以下、「下部充填率」ともいう。）が４０体積％〜８０体積％であることが好ましく、上部充填率が１０体積％〜３５体積％であり、かつ、下部充填率が４５体積％〜７０体積％であることがより好ましく、上部充填率が１０体積％〜３０体積％であり、かつ、下部充填率が体積５０％〜７０体積％であることが更に好ましい。
【００３７】
上部充填率に対する下部充填率の割合（下部充填率／上部充填率；以下、「充填率（下部／上部）」ともいう。）は、体積基準で、１．５０以上であることが好ましく、２．００以上であることがより好ましく、３．００以上であることが更に好ましい。
充填率（下部／上部）が、体積基準で、１．５０以上であると、反射減衰量がより向上し得る。また、充填率（下部／上部）が、体積基準で、２．００以上であると、電波の入射依存性がより向上し得る。
充填率（下部／上部）の上限は、特に限定されないが、例えば、生産性の観点から、体積基準で、８．００以下であることが好ましい。
【００３８】
電波吸収層における磁性粉体の上部充填率及び下部充填率は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、以下の方法により測定し、算出した値である。
電波吸収層を５ｍｍ×５ｍｍの大きさに切断する。切断した電波吸収層をステージに貼り付けた後、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて、厚み方向に断面を加工する。加工した電波吸収層の断面が上部になるようにステージにセットした後、電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、加圧電圧１５ｋＶ、及び、観察倍率３，０００倍の条件にて、視野が３０μｍ×４０μｍの断面ＳＥＭ像を得る。得られた断面ＳＥＭ像を２値化処理し、磁性粉体の割合を求め、磁性粉体の上部充填率及び下部充填率を算出する。
以上の操作を、電波吸収層の切断箇所を変えて５回行う。５回の操作により得られた値は、算術平均した後、小数点以下１桁目を四捨五入する。
【００３９】
集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置としては、例えば、（株）日立製作所の高性能集束イオンビーム装置（製品名：ＭＩ４０５０）を好適に用いることができる。但し、集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置は、これに限定されない。
電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）としては、例えば、（株）日立製作所の電界放出形走査電子顕微鏡（製品名：ＳＵ−８２２０）を好適に用いることができる。但し、電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）は、これに限定されない。
【００４０】
図１は、本発明の一実施形態に係る電波吸収体を厚み方向に切断した断面のＳＥＭ画像（所謂、断面ＳＥＭ像）を模式的に表した図である。本発明の一実施形態に係る電波吸収体１０は、電波吸収層からなる単層の電波吸収体である。図１に示すように、本発明の一実施形態に係る電波吸収体１０は、磁性粉体２０及びバインダー３０を含み、磁性粉体２０の充填率が、電波が入射する側（図面の上方側）から電波の進行方向（図面の下方）に向かって高くなっている。
【００４１】
＜磁性粉体＞
電波吸収層は、磁性粉体を含む。
磁性粉体としては、特に限定されず、例えば、フェライト、酸化鉄、コバルト、酸化クロム等の粉体が挙げられる。
電波吸収層は、例えば、電波吸収性能の観点から、磁性粉体として、マグネトプランバイト型六方晶フェライトの粉体（以下、「マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体」ともいう。）を含むことが好ましい。
マグネトプランバイト型六方晶フェライトは、一般的には、組成式Ａ１Ｆｅ１２Ｏ１９（式中、Ａ１は、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｐｂ等の金属元素を表す。）で表される化合物である。
但し、本開示における「マグネトプランバイト型六方晶フェライト」の概念には、組成式Ａ１Ｆｅ１２Ｏ１９で表されるマグネトプランバイト型六方晶フェライト以外に、後述の式（１）で表される化合物（即ち、特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト）も包含される。
Ａ１は、例えば、操作性及び取り扱い性の観点から、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、及びＰｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素であることが好ましい。
【００４２】
マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体は、例えば、磁気特性に優れ、かつ、高周波数帯域でも優れた電波吸収性能を示し得る点で、下記の式（１）で表される化合物の粒子の集合体であることが好ましい。
なお、本開示では、式（１）で表される化合物を「特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト」ともいう。また、式（１）で表される化合物の粒子の集合体であるマグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体を「特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体」ともいう。
【００４３】
【化２】
2020145340.tif 000003
【００４４】
式（１）中、Ａは、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、及びＰｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を表し、ｘは、１．５≦ｘ≦８．０を満たす。
【００４５】
式（１）におけるＡは、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、及びＰｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素であれば、金属元素の種類及び数は、特に限定されない。
式（１）におけるＡは、例えば、操作性及び取り扱い性の観点から、Ｓｒ、Ｂａ、及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素であることが好ましい。
また、式（１）におけるＡは、例えば、７９ＧＨｚ付近で優れた電波吸収性能を示し得る点で、Ｓｒを含むことが好ましく、Ｓｒであることがより好ましい。
【００４６】
式（１）におけるｘは、１．５≦ｘ≦８．０を満たし、１．５≦ｘ≦６．０を満たすことが好ましく、１．５≦ｘ≦４．０を満たすことがより好ましく、１．５≦ｘ≦３．０を満たすことが更に好ましい。
式（１）におけるｘが１．５以上であると、６０ＧＨｚよりも高い周波数帯域の電波を吸収できる。
式（１）におけるｘが８．０以下であると、マグネトプランバイト型六方晶フェライトが磁性を有する。
【００４７】
特定マグネトプランバイト型六方晶フェライトとしては、ＳｒＦｅ（１０．４４）Ａｌ（１．５６）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（１０．００）Ａｌ（２．００）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（９．９５）Ａｌ（２．０５）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（９．８５）Ａｌ（２．１５）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（９．７９）Ａｌ（２．２１）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（９．７４）Ａｌ（２．２６）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（９．５８）Ａｌ（２．４２）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（９．３７）Ａｌ（２．６３）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（９．３３）Ａｌ（２．６７）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（９．２７）Ａｌ（２．７３）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（７．８８）Ａｌ（４．１２）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（７．７１）Ａｌ（４．２９）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（７．３７）Ａｌ（４．６３）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（７．０４）Ａｌ（４．９６）Ｏ１９、ＳｒＦｅ（６．２５）Ａｌ（５．７５）Ｏ１９、ＢａＦｅ（９．５０）Ａｌ（２．５０）Ｏ１９、ＢａＦｅ（１０．０５）Ａｌ（１．９５）Ｏ１９、ＣａＦｅ（１０．００）Ａｌ（２．００）Ｏ１９、ＰｂＦｅ（９．００）Ａｌ（３．００）Ｏ１９、Ｓｒ（０．８０）Ｂａ（０．１０）Ｃａ（０．１０）Ｆｅ（９．８３）Ａｌ（２．１７）Ｏ１９、Ｓｒ（０．８０）Ｂａ（０．１０）Ｃａ（０．１０）Ｆｅ（８．８５）Ａｌ（３．１５）Ｏ１９等が挙げられる。
例えば、ＳｒＦｅ（１０．００）Ａｌ（２．００）Ｏ１９は、７６．５ＧＨｚ付近に共鳴周波数を有する特定マグネトプランバイト型六方晶フェライトである。
【００４８】
特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体の製造方法については、後述する。
【００４９】
マグネトプランバイト型六方晶フェライトの組成は、高周波誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）発光分光分析法により確認する。
具体的には、試料粉体１２ｍｇ及び４ｍｏｌ／Ｌ（リットル；以下、同じ。）の塩酸水溶液１０ｍＬを入れた耐圧容器を、設定温度１２０℃のオーブンで１２時間保持し、溶解液を得る。次いで、得られた溶解液に純水３０ｍＬを加えた後、０．１μｍのメンブレンフィルタを用いてろ過する。このようにして得られたろ液の元素分析を、高周波誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析装置を用いて行う。得られた元素分析の結果に基づき、鉄原子１００原子％に対する各金属原子の含有率を求める。求めた含有率に基づき、組成を確認する。
ＩＣＰ発光分光分析装置としては、例えば、（株）島津製作所のＩＣＰＳ−８１００（型番）を好適に用いることができる。但し、ＩＣＰ発光分光分析装置は、これに限定されない。
【００５０】
マグネトプランバイト型六方晶フェライトの結晶相は、単相でもよいし、単相でなくてもよいが、マグネトプランバイト型六方晶フェライトが特定マグネトプランバイト型六方晶フェライトである場合には、結晶相は、単相であることが好ましい。
結晶相が単相である特定マグネトプランバイト型六方晶フェライトの粉体は、アルミニウムの含有割合が同じである場合、結晶相が単相ではない（例えば、結晶相が二相である）特定マグネトプランバイト型六方晶フェライトの粉体と比較して、保磁力が高く、磁気特性により優れる傾向がある。
【００５１】
本開示において、「結晶相が単相である」場合とは、粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ：X-Ray-Diffraction）測定において、任意の組成のマグネトプランバイト型六方晶フェライトの結晶構造を示す回折パターンが１種類のみ観察される場合をいう。
一方、本開示において、「結晶相が単相ではない」場合とは、任意の組成のマグネトプランバイト型六方晶フェライトが複数混在し、回折パターンが２種類以上観察されたり、マグネトプランバイト型六方晶フェライト以外の結晶の回折パターンが観察されたりする場合をいう。
【００５２】
結晶相が単相ではない場合、主たるピークとそれ以外のピークとが存在する回折パターンが得られる。ここで、「主たるピーク」とは、観察される回折パターンにおいて、回折強度の値が最も高いピークを指す。
電波吸収層が、磁性粉体として、マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体を含む場合、マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体の粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定により得られる、主たるピークの回折強度の値（以下、「Ｉｍ」と称する。）に対する、それ以外のピークの回折強度の値（以下、「Ｉｓ」と称する。）の比（Ｉｓ／Ｉｍ）は、例えば、電波吸収性能により優れる電波吸収体を製造できるという観点から、１／２以下であることが好ましく、１／５以下であることがより好ましい。
なお、２種以上の回折パターンが重なり、それぞれの回折パターンのピークが極大値を有している場合には、それぞれの極大値をＩｍ及びＩｓと定義し、比を求める。また、２種以上の回折パターンが重なり、主たるピークの肩部として、それ以外のピークが観察される場合には、肩部の最大強度値をＩｓと定義し、比を求める。
また、それ以外のピークが２つ以上存在する場合には、それぞれの回折強度の合計値をＩｓと定義し、比を求める。
【００５３】
回折パターンの帰属には、例えば、国際回折データセンター（ＩＣＤＤ：International Centre for Diffraction Data、登録商標）のデータベースを参照できる。
例えば、Ｓｒを含むマグネトプランバイト型六方晶フェライトの回折パターンは、国際回折データセンター（ＩＣＤＤ）の「００−０３３−１３４０」を参照できる。但し、特定マグネトプランバイト型六方晶フェライトのように、鉄の一部がアルミニウムに置換されると、ピーク位置はシフトする。
【００５４】
マグネトプランバイト型六方晶フェライトの結晶相が単相であることは、既述のとおり、粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定により確認する。
具体的には、粉末Ｘ線回折装置を用い、以下の条件にて測定する。
粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）装置としては、例えば、ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ社のＸ’Ｐｅｒｔ  Ｐｒｏ（製品名）を好適に用いることができる。但し、粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）装置は、これに限定されない。
【００５５】
−条件−
Ｘ線源：ＣｕＫα線
〔波長：１．５４Å（０．１５４ｎｍ）、出力：４０ｍＡ，４５ｋＶ〕
スキャン範囲：２０°＜２θ＜７０°
スキャン間隔：０．０５°
スキャンスピード：０．７５°／ｍｉｎ
【００５６】
電波吸収層が、マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体を含んでいることは、例えば、以下の方法により確認できる。
電波吸収層を細かく切り刻んだ後、溶剤（例えば、アセトン）中に１日間〜２日間浸漬した後、乾燥させる。乾燥後の電波吸収層を更に細かく磨り潰し、粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行うことにより、構造を確認できる。
また、電波吸収層の断面を切り出した後、例えば、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いることで、組成を確認できる。
【００５７】
磁性粉体を構成する粒子の形状としては、特に限定されず、例えば、球状、ロッド状、針状、平板状、不定形状等の形状が挙げられる。
マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体を構成する粒子の形状としては、例えば、平板状、不定形状等の形状である。
【００５８】
磁性粉体を構成する粒子の大きさは、特に限定されない。
磁性粉体（好ましくはマグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体、より好ましくは特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体；以下、同じ。）は、レーザ回折散乱法により測定した個数基準の粒度分布において、最頻値をモード径、累積１０％径をＤ１０、及び累積９０％径をＤ９０としたときに、モード径が５μｍ以上１０μｍ未満であり、かつ、（Ｄ９０−Ｄ１０）／モード径  ≦  ３．０であることが好ましく、モード径が５μｍ以上１０μｍ未満であり、かつ、（Ｄ９０−Ｄ１０）／モード径  ≦  ２．５であることがより好ましく、モード径が５μｍ以上１０μｍ未満であり、かつ、（Ｄ９０−Ｄ１０）／モード径  ≦  ２．０であることが更に好ましく、モード径が５μｍ以上１０μｍ未満であり、かつ、（Ｄ９０−Ｄ１０）／モード径  ≦  １．５であることが特に好ましく、モード径が５μｍ以上１０μｍ未満であり、かつ、（Ｄ９０−Ｄ１０）／モード径  ≦  １．０であることが最も好ましい。
【００５９】
モード径が５μｍ以上であり、（Ｄ９０−Ｄ１０）／モード径  ≦  ３．０である磁性粉体によれば、磁気特性が劣る微細な粒子が比較的少ないため、電波吸収性能により優れる電波吸収体を製造できる傾向がある。
モード径が１０μｍ未満であり、（Ｄ９０−Ｄ１０）／モード径  ≦  ３．０である磁性粉体によれば、粗大な粒子が比較的少ないため、強度により優れる電波吸収層を形成できる傾向がある。
【００６０】
磁性粉体の粒径（即ち、モード径、Ｄ１０、及びＤ９０）は、篩、遠心分離機等による分級、乳鉢及び乳棒、超音波分散機等による粉砕などにより、制御できる。例えば、磁性粉体の粒径を粉砕により制御する場合には、粉砕手段、粉砕時間、メディアの材質、メディア径等の選択により、目的の値に調整可能である。
例えば、メディアを用いる粉砕によれば、磁性粉体の粒径は、小さくなる傾向を示す。また、例えば、粉砕時間が長いほど、磁性粉体の粒径は、小さくなる傾向を示す。また、例えば、メディア径が小さいほど、磁性粉体の粒径は、小さくなる傾向を示す。
「（Ｄ９０−Ｄ１０）／モード径」の値は、粉砕後に、例えば、篩、遠心分離機等による分級により粒子を選別することで、目的の値に調整が可能である。
【００６１】
磁性粉体の最頻値、累積１０％径、及び累積９０％径は、レーザ回折散乱法により測定した個数基準の粒度分布に基づいて求められる値である。具体的には、以下の方法により測定される値である。
磁性粉体１０ｍｇにシクロヘキサノン５００ｍＬを加えて希釈した後、振とう機を用いて３０秒間撹拌し、得られた液を粒度分布測定用サンプルとする。次いで、粒度分布測定用サンプルを用いて、レーザ回折散乱法により粒度分布を測定する。測定装置には、レーザ回折／散乱式粒子径分布測定装置を用いる。
【００６２】
レーザ回折／散乱式粒子径分布測定装置としては、例えば、（株）堀場製作所のＰａｒｔｉｃａ  ＬＡ−９６０（製品名）を好適に用いることができる。但し、レーザ回折／散乱式粒子径分布測定装置は、これに限定されない。
【００６３】
電波吸収層に含まれる磁性粉体の粒径は、例えば、以下の方法により確認できる。
電波吸収層を細かく切り刻んだ後、溶剤（例えば、アセトン）中に超音波分散させる。得られた分散液を試料とし、レーザ回折散乱法による測定を行うことにより、磁性粉体の粒径を確認できる。
【００６４】
磁性粉体の保磁力（Ｈｃ）は、特に限定されないが、例えば、２．５ｋＯｅ以上であることが好ましく、４．０ｋＯｅ以上であることがより好ましく、５．０ｋＯｅ以上であることが更に好ましい。
磁性粉体の保磁力（Ｈｃ）が２．５ｋＯｅ以上であると、電波吸収性能により優れる電波吸収体を製造できる。
磁性粉体の保磁力（Ｈｃ）の上限は、特に限定されないが、例えば、１８ｋＯｅ以下であることが好ましい。
【００６５】
磁性粉体の単位質量あたりの飽和磁化（δｓ）は、特に限定されないが、例えば、１０ｅｍｕ／ｇ以上であることが好ましく、２０ｅｍｕ／ｇ以上であることがより好ましく、３０ｅｍｕ／ｇ以上であることが更に好ましい。
磁性粉体の単位質量あたりの飽和磁化（δｓ）が１０ｅｍｕ／ｇ以上であると、電波吸収性能により優れる電波吸収体を製造できる。
磁性粉体の単位質量あたりの飽和磁化（δｓ）の上限は、特に限定されないが、例えば、６０ｅｍｕ／ｇ以下であることが好ましい。
【００６６】
磁性粉体の保磁力（Ｈｃ）及び単位質量あたりの飽和磁化（δｓ）は、振動試料型磁力計を用いて、雰囲気温度２３℃の環境下、最大印加磁界５０ｋＯｅ、及び磁界掃引速度２５Ｏｅ／ｓ（秒）の条件にて測定した値である。
振動試料型磁力計としては、例えば、（株）玉川製作所のＴＭ−ＴＲＶＳＭ５０５０−ＳＭＳＬ型（型番）を好適に用いることができる。但し、振動試料型磁力計は、これに限定されない。
【００６７】
電波吸収層は、磁性粉体を１種のみ含んでいてもよく、２種以上含んでいてもよい。
【００６８】
電波吸収層における磁性粉体の含有率は、特に限定されない。
電波吸収層における磁性粉体の含有率は、例えば、電波吸収体の電波吸収性能の観点から、電波吸収層の全質量に対して、５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることが更に好ましい。
また、電波吸収層における磁性粉体の含有率は、例えば、電波吸収層の強度の観点から、電波吸収層の全質量に対して、９０質量％以下であることが好ましく、８５質量％以下であることがより好ましく、８０質量％以下であることが更に好ましい。
【００６９】
〜特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体の製造方法〜
特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体の製造方法は、特に限定されない。
特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体は、固相法及び液相法のいずれの方法でも製造できる。
特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体を固相法により製造する方法としては、例えば、ＳｒＣＯ３、Ａｌ２Ｏ３、α−Ｆｅ２Ｏ３等を原料として用いる方法が挙げられる。特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体の固相法による一般的な製造方法については、特許第４６７４３８０号公報の段落［００２３］〜［００２５］を適宜参照できる。
特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体を製造する方法としては、磁気特性により優れる特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体を得やすいという観点から、以下で説明する方法（以下、「製造方法Ａ」という。）が好ましい。
【００７０】
製造方法Ａは、液相法により、Ｆｅと、Ａｌと、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、及びＰｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素（以下、「特定金属元素」ともいう。）と、を含む反応生成物を得る工程Ａと、工程Ａにて得られた反応生成物を乾燥して乾燥物を得る工程Ｂと、工程Ｂにて得られた乾燥物を焼成して焼成物を得た後、得られた焼成物を粉砕する工程（以下、「ｃ１工程」ともいう。）、又は、工程Ｂにて得られた乾燥物を粉砕して粉砕物を得た後、得られた粉砕物を焼成する工程（以下、「ｃ２工程」ともいう。）のいずれか一方の工程Ｃと、を含む。
工程Ａ、工程Ｂ、及び工程Ｃは、それぞれ２段階以上に分かれていてもよい。
また、製造方法Ａは、必要に応じて、工程Ａ、工程Ｂ、及び工程Ｃ以外の工程を含んでいてもよい。
以下、各工程について詳細に説明する。
【００７１】
（工程Ａ）
工程Ａは、液相法により、Ｆｅと、Ａｌと、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、及びＰｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素（即ち、特定金属元素）と、を含む反応生成物を得る工程である。
工程Ａでは、特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体の前駆体となる反応生成物を得ることができる。工程Ａにて得られる反応生成物は、水酸化鉄、水酸化アルミニウム、鉄とアルミニウムと特定金属元素との複合水酸化物等であると推測される。
【００７２】
工程Ａは、Ｆｅ塩、Ａｌ塩、及び特定金属元素の塩を含む水溶液（以下、「原料水溶液」ともいう。）と、アルカリ水溶液と、を混合して反応生成物を得る工程（以下、「工程Ａ１」ともいう。）を含むことが好ましい。
工程Ａ１では、原料水溶液とアルカリ水溶液とを混合することにより、反応生成物の沈殿物が生じる。工程Ａ１では、特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体の前駆体となる反応生成物を含む液（所謂、前駆体含有液）を得ることができる。
また、工程Ａは、工程Ａ１にて得られた反応生成物を固液分離する工程（以下、「工程Ａ２」ともいう。）を含むことが好ましい。
工程Ａ２では、特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体の前駆体となる反応生成物（即ち、工程Ａにおける反応生成物）を得ることができる。
【００７３】
−工程Ａ１−
工程Ａ１は、Ｆｅ塩、Ａｌ塩、及び特定金属元素の塩を含む水溶液（即ち、原料水溶液）と、アルカリ水溶液と、を混合して反応生成物を得る工程である。
Ｆｅ塩、Ａｌ塩、及び特定金属元素の塩における塩としては、特に限定されず、例えば、入手容易性及びコストの観点から、硝酸塩、硫酸塩、塩化物等の水溶性の無機酸塩が好ましい。
Ｆｅ塩の具体例としては、塩化鉄（ＩＩＩ）六水和物〔ＦｅＣｌ３・６Ｈ２Ｏ〕、硝酸鉄（ＩＩＩ）九水和物〔Ｆｅ（ＮＯ３）３・９Ｈ２Ｏ〕等が挙げられる。
Ａｌ塩の具体例としては、塩化アルミニウム六水和物〔ＡｌＣｌ３・６Ｈ２Ｏ〕、硝酸アルミニウム九水和物〔Ａｌ（ＮＯ３）３・９Ｈ２Ｏ〕等が挙げられる。
Ｓｒ塩の具体例としては、塩化ストロンチウム六水和物〔ＳｒＣｌ２・６Ｈ２Ｏ〕、硝酸ストロンチウム〔Ｓｒ（ＮＯ３）２〕、酢酸ストロンチウム０．５水和物〔Ｓｒ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・０．５Ｈ２Ｏ〕等が挙げられる。
Ｂａ塩の具体例としては、塩化バリウム二水和物〔ＢａＣｌ２・２Ｈ２Ｏ〕、硝酸バリウム〔Ｂａ（ＮＯ３）２〕、酢酸バリウム〔（ＣＨ３ＣＯＯ）２Ｂａ〕等が挙げられる。
Ｃａ塩の具体例としては、塩化カルシウム二水和物〔ＣａＣｌ２・２Ｈ２Ｏ〕、硝酸カルシウム四水和物〔Ｃａ（ＮＯ３）２・４Ｈ２Ｏ〕、酢酸カルシウム一水和物〔（ＣＨ３ＣＯＯ）２Ｃａ・Ｈ２Ｏ〕等が挙げられる。
Ｐｂ塩の具体例としては、塩化鉛（ＩＩ）〔ＰｂＣｌ２〕、硝酸鉛（ＩＩ）〔Ｐｂ（ＮＯ３）２〕等が挙げられる。
【００７４】
アルカリ水溶液としては、特に限定されず、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等が挙げられる。
アルカリ水溶液の濃度は、特に限定されず、例えば、０．１ｍｏｌ／Ｌ〜１０ｍｏｌ／Ｌとすることができる。
【００７５】
原料水溶液とアルカリ水溶液とは、単に混合すればよい。
原料水溶液とアルカリ水溶液とは、全量を一度に混合してもよく、原料水溶液とアルカリ水溶液とを少しずつ徐々に混合してもよい。また、原料水溶液及びアルカリ水溶液のいずれか一方に、他方を少しずつ添加しながら混合してもよい。
例えば、電波吸収性能の再現性の観点からは、原料水溶液とアルカリ水溶液とを少しずつ徐々に混合することが好ましい。
原料水溶液とアルカリ水溶液とを混合する方法は、特に限定されず、例えば、撹拌により混合する方法が挙げられる。
撹拌手段としては、特に限定されず、一般的な撹拌器具又は撹拌装置を用いることができる。
【００７６】
撹拌時間は、混合する成分の反応が終了すれば、特に限定されず、原料水溶液の組成、撹拌器具又は撹拌装置の種類等に応じて、適宜設定できる。
原料水溶液とアルカリ水溶液とを混合する際の温度は、例えば、突沸を防ぐ観点から、１００℃以下が好ましく、反応生成物が良好に得られるという観点から、９５℃以下がより好ましく、１５℃以上９２℃以下が更に好ましい。
温度を調整する手段としては、特に限定されず、一般的な加熱装置、冷却装置等を用いることができる。
【００７７】
原料水溶液とアルカリ水溶液との混合により得られる水溶液の２５℃におけるｐＨは、例えば、反応生成物をより得やすいという観点から、５〜１３が好ましく、６〜１２がより好ましい。
【００７８】
原料水溶液とアルカリ水溶液との混合比率は、特に限定されず、例えば、原料水溶液１質量部に対して、アルカリ水溶液を０．１質量部〜１０．０質量部に設定できる。
【００７９】
−工程Ａ２−
工程Ａ２は、工程Ａ１にて得られた反応生成物を固液分離する工程である。
固液分離の方法は、特に限定されず、デカンテーション、遠心分離、濾過（吸引濾過、加圧濾過等）などの方法が挙げられる。
固液分離の方法が遠心分離である場合、遠心分離の条件は、特に限定されない。例えば、回転数２０００ｒｐｍ（revolutions per minute；以下、同じ）以上で、３分間〜３０分間遠心分離することが好ましい。また、遠心分離は、複数回行ってもよい。
【００８０】
（工程Ｂ）
工程Ｂは、工程Ａにて得られた反応生成物を乾燥して乾燥物（所謂、前駆体の粉体）を得る工程である。
工程Ａにて得られた反応生成物を焼成前に乾燥させることにより、製造される電波吸収体の電波吸収性能の再現性が良好となる。また、工程Ａにて得られた反応生成物を粉砕前に乾燥させることにより、特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体の粒度分布を粉砕により制御しやすくなる。
【００８１】
乾燥手段は、特に限定されず、例えば、オーブン等の乾燥機が挙げられる。
乾燥温度としては、特に限定されないが、例えば、５０℃〜２００℃が好ましく、７０℃〜１５０℃がより好ましい。
乾燥時間としては、特に限定されないが、例えば、２時間〜５０時間が好ましく、５時間〜３０時間がより好ましい。
【００８２】
（工程Ｃ）
工程Ｃは、工程Ｂにて得られた乾燥物を焼成して焼成物を得た後、得られた焼成物を粉砕する工程（即ち、ｃ１工程）、又は、工程Ｂにて得られた乾燥物を粉砕して粉砕物を得た後、得られた粉砕物を焼成する工程（即ち、ｃ２工程）のいずれか一方の工程である。
工程Ｂにて得られた乾燥物を焼成して焼成物を得た後、得られた焼成物を粉砕するか、或いは、工程Ｂにて得られた乾燥物を粉砕して粉砕物を得た後、得られた粉砕物を焼成することにより、目的とする粒径の特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体を得ることができる。
【００８３】
工程Ｃは、ｃ１工程であってもよく、ｃ２工程であってもよい。
例えば、焼成後の磁気特性をより均一にするという観点からは、工程Ｃは、ｃ２工程であることが好ましい。
なお、工程Ｃがｃ２工程である場合、焼成した粉砕物を更に粉砕してもよい。
【００８４】
焼成は、加熱装置を用いて行うことができる。
加熱装置は、目的の温度に加熱することができれば、特に限定されず、公知の加熱装置をいずれも用いることができる。加熱装置としては、例えば、電気炉の他、製造ラインに合わせて独自に作製した焼成装置を用いることができる。
焼成は、大気雰囲気下で行うことが好ましい。
焼成温度としては、特に限定されないが、例えば、９００℃以上が好ましく、９００℃〜１４００℃がより好ましく、１０００℃〜１２００℃が更に好ましい。
焼成時間としては、特に限定されないが、例えば、１時間〜１０時間が好ましく、２時間〜６時間がより好ましい。
【００８５】
粉砕手段は、目的とする粒径の特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体を得ることができれば、特に限定されない。
粉砕手段としては、乳鉢及び乳棒、粉砕機（カッターミル、ボールミル、ビーズミル、ローラーミル、ジェットミル、ハンマーミル、アトライター等）などが挙げられる。
【００８６】
メディアを用いる粉砕の場合、メディアの粒径（所謂、メディア径）は、特に限定されず、例えば、０．１ｍｍ〜５．０ｍｍが好ましく、０．５ｍｍ〜３．０ｍｍがより好ましい。
本開示において、「メディア径」とは、球状メディア（例えば、球状ビーズ）の場合は、メディア（例えば、ビーズ）の直径を意味し、非球状メディア（例えば、非球状ビーズ）の場合は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）又は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の観察像から複数個のメディア（例えば、ビーズ）の円相当径を測定し、測定値を算術平均して求められる直径を意味する。
【００８７】
メディアの材質は、特に限定されず、例えば、ガラス製、アルミナ製、スチール製、ジルコニア製、セラミック製等のメディアを好適に用いることができる。
【００８８】
＜バインダー＞
電波吸収層は、バインダーを含む。
バインダーとしては、例えば、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、アクリル樹脂；ポリアセタール；ポリアミド；ポリエチレン；ポリプロピレン；ポリエチレンテレフタレート；ポリブチレンテレフタレート；ポリカーボネート；ポリスチレン；ポリフェニレンサルファイド；ポリ塩化ビニル；アクリロニトリルとブタジエンとスチレンとの共重合により得られるＡＢＳ（acrylonitrile butadiene styrene）樹脂；アクリロニトリルとスチレンとの共重合により得られるＡＳ（acrylonitrile styrene）樹脂等が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル、ジアリルフタレート樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
【００８９】
バインダーとしては、例えば、ゴムが挙げられる。
ゴムとしては、例えば、磁性粉体との混合性が良好であり、かつ、耐久性、耐候性、及び耐衝撃性により優れる電波吸収層を形成できるという観点から、ブタジエンゴム；イソプレンゴム；クロロプレンゴム；ハロゲン化ブチルゴム；フッ素ゴム；ウレタンゴム；アクリル酸エステル（例えば、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、及びアクリル酸２−エチルヘキシル）と他の単量体との共重合により得られるアクリルゴム（ＡＣＭ）；チーグラー触媒を用いたエチレンとプロピレンとの配位重合により得られるエチレン−プロピレンゴム；イソブチレンとイソプレンとの共重合により得られるブチルゴム（ＩＩＲ）；ブタジエンとスチレンとの共重合により得られるスチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）；アクリロニトリルとブタジエンとの共重合により得られるアクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）；シリコーンゴム等が好ましい。
【００９０】
バインダーとしては、例えば、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）も挙げられる。
熱可塑性エラストマーとしては、オレフィン系熱可塑性エラストマー（ＴＰＯ）、スチレン系熱可塑性エラストマー（ＴＰＳ）、アミド系熱可塑性エラストマー（ＴＰＡ）、ポリエステル系熱可塑性エラストマー（ＴＰＣ）等が挙げられる。
【００９１】
電波吸収層は、バインダーとしてゴムを含む場合、ゴムに加えて、加硫剤、加硫助剤、軟化剤、可塑剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
加硫剤としては、硫黄、有機硫黄化合物、金属酸化物等が挙げられる。
【００９２】
電波吸収層は、バインダーを１種のみ含んでいてもよく、２種以上含んでいてもよい。
【００９３】
電波吸収層におけるバインダーの含有率は、特に限定されず、例えば、電波吸収層の強度の観点から、電波吸収層の全質量に対して、１０質量％以上であることが好ましく、１５質量％以上であることがより好ましく、２０質量％以上であることが更に好ましい。
また、電波吸収層におけるバインダーの含有率は、例えば、電波吸収体の電波吸収性能の観点から、電波吸収層の全質量に対して、５０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、３０質量％以下が更に好ましい。
【００９４】
＜他の添加剤＞
電波吸収層は、磁性粉体及びバインダー以外に、本開示の電波吸収体の効果を損なわない範囲において、必要に応じて、種々の添加剤（所謂、他の添加剤）を含んでいてもよい。
他の添加剤としては、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等が挙げられる。他の添加剤は、１つの成分が２つ以上の機能を担うものであってもよい。
【００９５】
［電波吸収体の製造方法］
本開示の電波吸収体の製造方法は、既述の本開示の電波吸収体を製造できればよく、特に限定されない。
本開示の電波吸収体の製造方法としては、例えば、本開示の電波吸収体を製造しやすいという観点から、以下で説明する、本実施形態の電波吸収体の製造方法が好ましい。
【００９６】
本実施形態の電波吸収体の製造方法（以下、単に「本実施形態の製造方法」ともいう。）は、磁性粉体とバインダーとを含む電波吸収層形成用組成物を用いて、磁性粉体の充填率が、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くなる電波吸収層を形成する製造方法である。
【００９７】
電波吸収層形成用組成物は、磁性粉体とバインダーとを含む。
電波吸収層形成用組成物は、磁性粉体及びバインダー以外に、必要に応じて、「電波吸収体」に項において説明した他の添加剤を含んでいてもよい。
また、電波吸収層形成用組成物は、例えば、磁性粉体の充填率の傾斜をつけやすいという観点から、溶剤を含むことが好ましい。
【００９８】
本実施形態の製造方法における磁性粉体は、「電波吸収体」の項において説明した磁性粉体と同義であり、好ましい態様も同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００９９】
電波吸収層形成用組成物における磁性粉体の含有率は、特に限定されず、最終的に得られる電波吸収層における磁性粉体の含有率が、既述の電波吸収層における磁性粉体の含有率になるように調整すればよい。
【０１００】
本実施形態の製造方法におけるバインダーは、「電波吸収体」の項において説明したバインダーと同義であり、好ましい態様も同様であるため、ここでは説明を省略する。
【０１０１】
電波吸収層形成用組成物におけるバインダーの含有率は、特に限定されず、最終的に得られる電波吸収層におけるバインダーの含有率が、既述の電波吸収層におけるバインダーの含有率になるように調整すればよい。
【０１０２】
電波吸収層形成用組成物が溶剤を含む場合、溶剤は、特に限定されず、例えば、水、有機溶媒、又は、水と有機溶媒との混合溶媒が挙げられる。
有機溶媒としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、メトキシプロパノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン等のケトン類、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、酢酸エチル、トルエンなどが挙げられる。
これらの中でも、溶剤としては、例えば、シクロヘキサノンが好ましい。
シクロヘキサノンは、揮発する速度が比較的遅く、磁性粉体の充填率の傾斜をよりつけやすいという点で好ましい。
【０１０３】
電波吸収層形成用組成物が溶剤を含む場合、電波吸収層形成用組成物における溶剤の含有率は、特に限定されず、例えば、電波吸収層形成用組成物に配合される成分の種類、量等により、適宜設定できる。
電波吸収層形成用組成物における溶剤の含有率は、例えば、作業性の観点から、電波吸収層形成用組成物の全質量に対して、７０質量％〜９５質量％であることが好ましく、８０質量％〜９０質量％であることがより好ましい。
【０１０４】
電波吸収層形成用組成物が溶剤を含む場合、電波吸収層形成用組成物中において、磁性粉体とバインダーと溶剤とは、単に混合されていればよい。
磁性粉体とバインダーと溶剤とを混合する方法は、特に限定されず、例えば、撹拌により混合する方法が挙げられる。
撹拌手段としては、特に限定されず、一般的な撹拌装置を用いることができる。
撹拌装置としては、パドルミキサー、インペラーミキサー等のミキサーが挙げられる。
撹拌時間は、特に限定されず、例えば、撹拌装置の種類、電波吸収層形成用組成物の組成等に応じて、適宜設定できる。
【０１０５】
電波吸収層を形成する方法は、特に限定されない。
例えば、電波吸収層形成用組成物を、プレス成形、押し出し成形、射出成形、インモールド成形、３次元造形機を用いる成形等の方法により成形加工することで、線形状、平面形状、又は立体形状の電波吸収層を形成することができる。
また、例えば、溶剤を含む電波吸収層形成用組成物を塗工することで、平面形状の電波吸収層を形成することができる。
電波吸収層形成用組成物の形態は、特に限定されず、電波吸収層の形成方法に適した形態を採用することができる。
電波吸収層形成用組成物は、例えば、ペレット状、フィラメント状、ストランド状、液体組成物状等の形態とすることができる。
【０１０６】
電波吸収層形成用組成物を用いて、磁性粉体の充填率が、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くなる電波吸収層を形成する方法としては、例えば、以下の（１）〜（３）の各方法が挙げられる。なお、以下の（１）〜（３）の各方法では、溶剤を含む電波吸収層形成用組成物を用いる。
（１）電波吸収層形成用組成物中の磁性粉体の粒径を調整することで、電波吸収層形成用組成物の塗布膜中の磁性粉体の移動速度を制御し、電波吸収層における磁性粉体の充填率を、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くする方法。
（２）電波吸収層形成用組成物の粘度を調整することで、電波吸収層形成用組成物の塗布膜中の磁性粉体の移動速度を制御し、最終的に得られる電波吸収層における磁性粉体の充填率を、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くする方法。
（３）電波吸収層形成用組成物に対し、磁場を印加することで、電波吸収層形成用組成物の塗布膜中の磁性粉体を移動させ、最終的に得られる電波吸収層における磁性粉体の充填率を、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くする方法。
【０１０７】
磁性粉体の粒径を調整する方法は、「電波吸収体」の項において説明したとおりであるため、ここでは説明を省略する。
電波吸収層形成用組成物の粘度を調整する方法としては、例えば、電波吸収層形成用組成物中の溶剤の含有率を調整する方法が挙げられる。
【０１０８】
電波吸収層形成用組成物を用いて、磁性粉体の充填率が、電波が入射する側から電波の進行方向に向かって高くなる電波吸収層を形成する方法としては、例えば、磁性粉体の充填率の傾斜を調整しやすいという観点から、上記（３）の方法が好ましい。
上記（３）の方法としては、例えば、以下に示す方法Ｘが好ましい。
【０１０９】
方法Ｘは、電波吸収層形成用組成物を、裏面側に磁石が配置された仮支持体の表面側に塗布し、電波吸収層形成用組成物の塗布膜を形成する工程Ｉと、工程Ｉにて形成された電波吸収層形成用組成物の塗布膜を乾燥させる工程ＩＩと、を含む方法である。
以下、各工程について詳細に説明する。
【０１１０】
＜工程Ｉ＞
工程Ｉは、磁性粉体とバインダーと溶剤とを含む電波吸収層形成用組成物を、裏面側に磁石が配置された仮支持体の表面側に塗布し、電波吸収層形成用組成物の塗布膜を形成する工程である。
工程Ｉでは、磁性粉体とバインダーと溶剤とを含む電波吸収層形成用組成物を、裏面側に磁石が配置された仮支持体の表面側に塗布することにより、電波吸収層形成用組成物中の磁性粉体が磁石に引き寄せられ、厚み方向に磁性粉体の充填率の勾配が形成された電波吸収層形成用組成物の塗布膜を得ることができる。
磁性粉体の充填率の傾斜は、電波吸収層形成用組成物に含まれる溶剤の量、磁石の表面磁束密度等により調整できる。
【０１１１】
仮支持体は、例えば、磁石の磁力を遮断しなければ、特に限定されない。
仮支持体としては、ガラス板、プラスチックシート〔ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、及びポリブチレンテレフタレート）、ポリエチレン（例えば、直鎖状低密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、及び高密度ポリエチレン）、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリビニルアセタール、アクリル樹脂等のシート〕などが挙げられる。
プラスチックシートは、表面に離型処理が施されていることが好ましい。
【０１１２】
仮支持体の大きさは、例えば、電波吸収層の大きさに応じて、適宜選択できる。
【０１１３】
仮支持体の厚みは、特に限定されず、通常は、０．０１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であり、例えば、作業性の観点から、０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍであることが好ましい。
【０１１４】
磁石は、特に限定されず、例えば、ネオジム磁石、コバルト磁石、アルニコ磁石等の磁石が挙げられる。
これらの中でも、磁石としては、例えば、表面磁束密度の観点から、ネオジム磁石が好ましい。
【０１１５】
磁石の表面磁束密度は、特に限定されないが、例えば、作業性の観点から、１００ｍＴ〜１０００ｍＴであることが好ましく、２００ｍＴ〜８００ｍＴであることがより好ましく、３００ｍＴ〜６００ｍＴであることが更に好ましい。
【０１１６】
磁石は、仮支持体の裏面側の一部に配置されていてもよく、仮支持体の裏面側の全部に配置されていてもよいが、形成される電波吸収層形成用組成物の塗布膜の全体に、磁力がバランス良く行き渡るように配置されていることが好ましい。
【０１１７】
仮支持体の表面側に、電波吸収層形成用組成物を塗布する方法は、特に限定されず、例えば、ダイコーター、ナイフコーター、アプリケーター等を用いる方法が挙げられる。
【０１１８】
＜工程ＩＩ＞
工程ＩＩは、工程Ｉにて形成された電波吸収層形成用組成物の塗布膜を乾燥させる工程である。
工程ＩＩによれば、仮支持体上に電波吸収層が形成される。
【０１１９】
電波吸収層形成用組成物の塗布膜を乾燥する方法としては、特に限定されず、例えば、オーブン等の加熱装置を用いる方法が挙げられる。
乾燥温度及び乾燥時間は、特に限定されず、電波吸収層形成用組成物の塗布膜に含まれる溶剤を揮発させることができればよい。
一例を挙げれば、７０℃〜９０℃にて、１時間〜３時間加熱する。
【０１２０】
＜その他の工程＞
方法Ｘは、必要に応じて、工程Ｉ及び工程ＩＩ以外の工程（所謂、その他の工程）を含んでいてもよい。
例えば、工程Ｉと工程ＩＩとの間に、仮支持体の裏面側に配置された磁石を取り除く工程を含んでいてもよい。
また、例えば、工程ＩＩの後に、仮支持体から電波吸収層を剥離する工程を含んでいてもよい。
【実施例】
【０１２１】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその主旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【０１２２】
［磁性粉体の作製］
磁性粉体として、式（１）で表される化合物の粒子の集合体であるマグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体を、以下の方法により作製した。
３５℃に保温した水４００．０ｇを撹拌し、撹拌中の水に、塩化鉄（ＩＩＩ）六水和物〔ＦｅＣｌ３・６Ｈ２Ｏ〕５７．０ｇ、塩化ストロンチウム六水和物〔ＳｒＣｌ２・６Ｈ２Ｏ〕２７．８ｇ、及び塩化アルミニウム六水和物〔ＡｌＣｌ３・６Ｈ２Ｏ〕１０．７ｇを水２１６．０ｇに溶解して調製した原料水溶液と、５ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液１８１．３ｇに水１１３．０ｇを加えて調製した溶液と、をそれぞれ１０ｍＬ／ｍｉｎの流速にて、添加のタイミングを同じくして、全量添加し、第１の液を得た。
次いで、第１の液の温度を２５℃に変更した後、温度を保持した状態で、１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液４５．３ｇを添加し、第２の液を得た。得られた第２の液のｐＨは、１１．０であった。なお、第２の液のｐＨは、（株）堀場製作所の卓上型ｐＨメータ  Ｆ−７１（製品名）を用いて測定した。
次いで、第２の液を１５分間撹拌し、反応を終了させて、マグネトプランバイト型六方晶フェライト粉体の前駆体となる反応生成物を含む液（即ち、前駆体含有液）を得た。
次いで、前駆体含有液に対し、遠心分離処理（回転数：３０００ｒｐｍ、回転時間：１０分間）を３回行い、得られた沈殿物を回収した。
次いで、回収した沈殿物を内部雰囲気温度９５℃のオーブン内で１２時間乾燥させて、前駆体からなる粒子の集合体（即ち、前駆体の粉体）を得た。
次いで、前駆体の粉体をマッフル炉の中に入れ、大気雰囲気下において、炉内の温度を１１００℃の温度条件に設定し、４時間焼成することにより、焼成体を得た。
次いで、得られた焼成体を、大阪ケミカル（株）のワンダークラッシャー  ＷＣ−３（製品名）を用い、可変速度ダイアルを「５」に設定して９０秒間粉砕することで、磁性粉体を得た。
【０１２３】
＜結晶構造の確認＞
磁性粉体を形成する磁性体の結晶構造を、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法により確認した。
具体的には、マグネトプランバイト型の結晶構造を有しているか、及び、単相であるか、又は、二相以上の異なる結晶相を有しているかについて確認した。
測定装置には、粉末Ｘ線回折装置であるＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ社のＸ’Ｐｅｒｔ  Ｐｒｏ（製品名）を使用した。測定条件を以下に示す。
【０１２４】
−測定条件−
Ｘ線源：ＣｕＫα線
〔波長：１．５４Å（０．１５４ｎｍ）、出力：４０ｍＡ、４５ｋＶ〕
スキャン範囲：２０°＜２θ＜７０°
スキャン間隔：０．０５°
スキャンスピード：０．７５°／ｍｉｎ
【０１２５】
その結果、上記にて得られた磁性体は、マグネトプランバイト型の結晶構造を有しており、マグネトプランバイト型以外の結晶構造を含まない単相のマグネトプランバイト型六方晶フェライトであることが確認された。
【０１２６】
＜組成の確認＞
磁性体の組成を、高周波誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析法により確認した。
具体的には、以下のような方法により確認した。
磁性粉体１２ｍｇ及び４ｍｏｌ／Ｌの塩酸水溶液１０ｍＬを入れたビーカー（耐圧容器）を、設定温度１２０℃のオーブンで１２時間保持し、溶解液を得た。得られた溶解液に純水３０ｍＬを加えた後、０．１μｍのメンブレンフィルタを用いて濾過した。このようにして得られた濾液の元素分析を、高周波誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析装置〔型番：ＩＣＰＳ−８１００、（株）島津製作所〕を用いて行った。
得られた元素分析の結果に基づき、鉄原子１００原子％に対する各金属原子の含有率を求めた。そして、得られた含有率に基づき、磁性体の組成を確認した。
【０１２７】
その結果、上記にて得られた磁性体は、ＳｒＦｅ（１０．００）Ａｌ（２．００）Ｏ１９であり、式（１）で表される化合物（即ち、特定マグネトプランバイト型六方晶フェライト）であることが確認された。
【０１２８】
＜粒度分布の測定＞
磁性粉体の個数基準の粒度分布をレーザ回折散乱法により測定し、最頻値（所謂、モード径）、累積１０％径、及び累積９０％径を求めた。
具体的には、磁性粉体１０ｍｇにシクロヘキサノン５００ｍＬを加えて希釈した後、振とう機を用いて３０秒間撹拌し、得られた液を粒度分布測定用サンプルとした。
次いで、粒度分布測定用サンプルの粒度分布を、レーザ回折／散乱式粒子径分布測定装置〔製品名：Ｐａｒｔｉｃａ  ＬＡ−９６０、（株）堀場製作所〕を用いて測定した。
そして、得られた個数基準の粒度分布に基づき、最頻値であるモード径（単位：μｍ）、累積１０％径であるＤ１０（単位：μｍ）、及び累積９０％径であるＤ９０（単位：μｍ）を求めた。また、「（Ｄ９０−Ｄ１０）／モード径」の値を算出した。
【０１２９】
その結果、上記にて得られた磁性粉体は、モード径が６．７μｍであり、Ｄ１０が４．１μｍであり、Ｄ９０が９．５μｍであり、「（Ｄ９０−Ｄ１０）／モード径」の値が０．８１であった。
【０１３０】
＜磁気特性の測定＞
磁性粉体の磁気特性として、保磁力（Ｈｃ）及び飽和磁化（δｓ）を測定した。
具体的には、以下のような方法により測定した。
測定装置として、振動試料型磁力計〔型番：ＴＭ−ＴＲＶＳＭ５０５０−ＳＭＳＬ型、（株）玉川製作所〕を用い、雰囲気温度２３℃の環境下、最大印加磁界５０ｋＯｅ、及び磁界掃引速度２５Ｏｅ／ｓ（秒）の条件にて、印加した磁界に対する磁性粉体の磁化の強度を測定した。測定結果より、磁性粉体の磁界（Ｈ）−磁化（Ｍ）曲線を得た。得られた磁界（Ｈ）−磁化（Ｍ）曲線に基づき、磁性粉体の保磁力（Ｈｃ）（単位：ｋＯｅ）及び飽和磁化（δｓ）（単位：ｅｍｕ／ｇ）を求めた。
【０１３１】
その結果、上記にて得られた磁性粉体は、保磁力（Ｈｃ）が１０．５ｋＯｅであり、飽和磁化（δｓ）が４３．５ｅｍｕ／ｇであった。
【０１３２】
＜ピーク周波数の測定＞
磁性粉体のピーク周波数を測定した。
具体的には、以下のような方法により測定した。
磁性粉体３５ｇと、オレフィン系熱可塑性エラストマー（ＴＰＯ）〔商品名：ミラストマー（登録商標）７０３０ＮＳ、三井化学（株）、バインダー〕７５ｇと、をラボプラストミル〔製品名、（株）東洋精機製作所〕を用いて、設定温度２００℃及び回転数３０ｒｐｍで、１０分間混練し、磁性粉体とＴＰＯとの混練物を得た。
次いで、得られた混練物４０ｇを、加熱プレス装置を用い、成形圧力：２０ＭＰａ、プレス温度：２００℃、及びプレス時間：１０分間の条件で成形することにより、ピーク周波数測定用電波吸収体（形状：シート状、厚み：１．５ｍｍ）を作製した。
次いで、作製したピーク周波数測定用電波吸収体について、透過減衰量のピーク周波数を求めた。
具体的には、測定装置として、アンリツ(株)のベクトルネットワークアナライザ（製品名：ＭＳ４６４７Ｂ）及びキーコム（株）のホーンアンテナ（製品名：ＲＨ１９Ｒ）を用い、自由空間法により、入射角度０°及び６５ＧＨｚ〜９０ＧＨｚの範囲で、透過減衰量を測定し、ピーク周波数を求めた。
【０１３３】
その結果、上記にて得られた磁性粉体のピーク周波数は、７６．５ＧＨｚであった。
【０１３４】
［電波吸収体の作製］
〔電波吸収体１〕
磁性粉体１００ｇと、オレフィン系熱可塑性エラストマー（ＴＰＯ）〔商品名：ミラストマー（登録商標）７０３０ＮＳ、三井化学（株）、バインダー〕３０ｇと、をラボプラストミル〔製品名、（株）東洋精機製作所〕を用いて、設定温度２００℃及び回転数３０ｒｐｍで、１０分間混練し、磁性粉体とＴＰＯとの混練物を得た。
次いで、得られた混練物７０ｇを、加熱プレス装置を用いて、成形圧力：２０ＭＰａ、プレス温度：２００℃、及びプレス時間：１０分間の条件で成形することにより、電波吸収層（厚み：２ｍｍ）を作製し、作製した電波吸収層を電波吸収体１とした。
【０１３５】
〔電波吸収体２〕
磁性粉体２０．３ｇと、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）〔グレード：ＪＳＲ  Ｎ２１５ＳＬ、ＪＳＲ（株）、バインダー〕６．７５ｇと、シクロヘキサノン４２．６ｇと、を撹拌装置〔製品名：あわとり練太郎  ＡＲＥ−３１０、シンキー（株）〕を用い、回転数２０００ｒｐｍにて５分間撹拌し、混合することにより、電波吸収層形成用組成物を調製した。
次いで、裏面側にネオジム磁石（表面磁束密度：４００ｍＴ）を配置したガラス板（仮支持体）の表面側に、調製した電波吸収層形成用組成物を、アプリケーターを用いて塗布し、電波吸収層形成用組成物の塗布膜を形成した。
次いで、形成した電波吸収層形成用組成物の塗布膜を、内部雰囲気温度８０℃のオーブン内で２時間乾燥させることにより、ガラス板上に電波吸収層を形成した。
次いで、ガラス板から電波吸収層を剥離し、剥離した電波吸収層を電波吸収体２（厚み：２ｍｍ）とした。
【０１３６】
〔電波吸収体３〕
磁性粉体２０．３ｇと、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）〔グレード：ＪＳＲ  Ｎ２１５ＳＬ、ＪＳＲ（株）、バインダー〕６．７５ｇと、シクロヘキサノン６０．３ｇと、を撹拌装置〔製品名：あわとり練太郎  ＡＲＥ−３１０、シンキー（株）〕を用い、回転数２０００ｒｐｍにて５分間撹拌し、混合することにより、電波吸収層形成用組成物を調製した。
次いで、裏面側にネオジム磁石（表面磁束密度：４００ｍＴ）を配置したガラス板（仮支持体）の表面側に、調製した電波吸収層形成用組成物を、アプリケーターを用いて塗布し、電波吸収層形成用組成物の塗布膜を形成した。
次いで、形成した電波吸収層形成用組成物の塗布膜を、内部雰囲気温度８０℃のオーブン内で２時間乾燥させることにより、ガラス板上に電波吸収層を形成した。
次いで、ガラス板から電波吸収層を剥離し、剥離した電波吸収層を電波吸収体３（厚み：２ｍｍ）とした。
【０１３７】
〔電波吸収体４〕
磁性粉体２０．３ｇと、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）〔グレード：ＪＳＲ  Ｎ２１５ＳＬ、ＪＳＲ（株）、バインダー〕６．７５ｇと、シクロヘキサノン９６．３ｇと、を撹拌装置〔製品名：あわとり練太郎  ＡＲＥ−３１０、シンキー（株）〕を用い、回転数２０００ｒｐｍにて５分間撹拌し、混合することにより、電波吸収層形成用組成物を調製した。
次いで、裏面側にネオジム磁石（表面磁束密度：４００ｍＴ）を配置したガラス板（仮支持体）の表面側に、調製した電波吸収層形成用組成物を、アプリケーターを用いて塗布し、電波吸収層形成用組成物の塗布膜を形成した。
次いで、形成した電波吸収層形成用組成物の塗布膜を、内部雰囲気温度８０℃のオーブン内で２時間乾燥させることにより、ガラス板上に電波吸収層を形成した。
次いで、ガラス板から電波吸収層を剥離し、剥離した電波吸収層を電波吸収体４とした。
【０１３８】
上記にて作製した電波吸収体１〜４は、いずれも電波吸収層からなる単層シート状の電波吸収体である。
【０１３９】
［測定及び評価］
１．充填率の測定
（１）平均充填率
電波吸収体１〜４の各電波吸収体について、電波吸収層における磁性粉体の平均充填率（単位：体積％）を求めた。
具体的には、以下のようにして求めた。
電波吸収層の成形密度（単位：ｇ／ｃｍ３）を電波吸収層の体積（単位：ｃｍ３）と重量（単位：ｇ）とから求めた後、磁性粉体の密度とバインダーの密度とから磁性粉体の充填率を算出し、得られた値を平均充填率とした。
結果を表１に示す。
【０１４０】
（２）上部充填率、中央部充填率、下部充填率、及び充填率（下部／上部）
電波吸収体１〜４の各電波吸収体について、電波吸収層における磁性粉体の上部充填率、中央部充填率、下部充填率、及び充填率（下部／上部）を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、以下の方法により測定し、算出した。
なお、電波吸収体１については、プレスの際に下面となった側の面を下部とし、プレスの際に上面となった側の面を上部とした。電波吸収体２〜４については、電波吸収層のガラス板に接していた面を下部とし、電波吸収層のガラス板に接していた面とは反対側の面を上部とした。
また、電波吸収層の厚みを１００％とした場合に、電波吸収層の上部から下部に向かって電波吸収層の厚みの２０％の厚みまでの領域における磁性粉体の充填率を「上部充填率」とし、電波吸収層の上部から下部に向かって電波吸収層の厚みの４０％〜６０％の厚みまでの領域における磁性粉体の充填率を「中央部充填率」とし、電波吸収層の下部から上部に向かって電波吸収層の厚みの２０％の厚みまでの領域における磁性粉体の充填率を「下部充填率」とした。
【０１４１】
電波吸収層を５ｍｍ×５ｍｍの大きさに切断した。切断した電波吸収層をステージに貼り付けた後、（株）日立製作所の高性能集束イオンビーム装置（製品名：ＭＩ４０５０）を用いて、厚み方向に断面を加工した。加工した電波吸収シートの断面が上部になるようにステージにセットした後、（株）日立製作所の電界放出形走査電子顕微鏡（製品名：ＳＵ−８２２０）を用いて、加圧電圧１５ｋＶ、及び、観察倍率３，０００倍の条件にて、視野が３０μｍ×４０μｍの断面ＳＥＭ像を得た。
【０１４２】
得られた断面ＳＥＭ像を観察したところ、電波吸収体２〜４については、電波吸収層の上部から下部に向かって、磁性粉体の占める割合が高くなっていることが確認された。
【０１４３】
次いで、得られた断面ＳＥＭ像を２値化処理し、磁性粉体の割合を求め、磁性粉体の上部充填率、中央部充填率、及び下部充填率を算出した。
以上の操作を、電波吸収層の切断箇所を変えて５回行った。
５回の操作により得られた値は、算術平均した後、小数点以下１桁目を四捨五入した。次いで、上部充填率及び下部充填率の値から、充填率（下部／上部）を算出し、小数点以下３桁目を四捨五入した。結果を表１に示す。
【０１４４】
２．透過減衰量及び反射減衰量の測定
電波吸収体１〜４の各電波吸収体について、透過減衰量（単位：ｄＢ）及び反射減衰量（単位：ｄＢ）を測定した。
具体的には、以下のようにして測定した。
測定装置として、ｋｅｙｓｉｇｈｔ社のベクトルネットワークアナライザ（製品名：Ｎ５２２５Ｂ）及びキーコム（株）のホーンアンテナ（製品名：ＲＨ１２Ｓ２３）を用い、自由空間法により、入射角度を０°とし、掃引周波数を６０ＧＨｚ〜９０ＧＨｚとして、電波吸収層の上部を入射側（即ち、Ｐｏｒｔ１）に向けて、Ｓパラメータの測定を行い、Ｓ２１を透過減衰量とし、Ｓ１１を反射減衰量とした。
そして、７６．５ＧＨｚにおける透過減衰量及び反射減衰量の値がいずれも約１０ｄＢ以上であれば、透過減衰量及び反射減衰量が共に高い電波吸収体であると判断した。結果を表１に示す。
【０１４５】
（２）入射角度依存性
電波吸収体１〜４の各電波吸収体について、入射角度依存性を評価した。
具体的には、測定装置として、ｋｅｙｓｉｇｈｔ社のベクトルネットワークアナライザ（製品名：Ｎ５２２５Ｂ）及びキーコム（株）のホーンアンテナ（製品名：ＲＨ１２Ｓ２３）を用い、自由空間法により、入射角度を０°、３０°、４５°及び６０°とし、掃引周波数を６０ＧＨｚ〜９０ＧＨｚとして、電波吸収層の上部を入射側（即ち、Ｐｏｒｔ１）に向けて、反射減衰量（即ち、Ｓ１１）を測定した。
そして、７６．５ＧＨｚにおける、入射角度を０°、３０°、４５°及び６０°とした場合の反射減衰量の値に基づき、入射角度依存性を評価した。結果を表２に示す。
【０１４６】
【表１】
2020145340.tif 000004
【０１４７】
【表２】
2020145340.tif 000005
【０１４８】
表１に示すように、実施例１〜３の電波吸収体（即ち、電波吸収体２〜４）は、透過減衰量及び反射減衰量が共に高いことが確認された。
一方、比較例１の電波吸収体（即ち、電波吸収体１）は、実施例の電波吸収体と比較して、反射減衰量が低く、透過減衰量及び反射減衰量を高いレベルで両立できないことが確認された。
【０１４９】
表２に示すように、実施例１〜３の電波吸収体（即ち、電波吸収体２〜４）は、入射角度を０°〜６０°まで変化させても反射減衰量の変化が小さく、比較例１の電波吸収体（即ち、電波吸収体１）と比較して、反射減衰量の入射角度依存性が低いことが確認された。
【符号の説明】
【０１５０】
１０：電波吸収体
２０：磁性粉体
３０：バインダー
【図１】
2020145340.tif 000007