(57)【要約】【課題】基板の面内に均一性高いガス処理を行うこと。【解決手段】真空容器内の基板の載置部に対向してシャワー状に処理ガスを吐出するために複数の第１のガス吐出口を備えた対向部と、対向部の上方に各第１のガス吐出口に連通して設けられた処理ガスの第１の拡散空間と、第１の拡散空間の中心部にシャワー状に処理ガスを供給するために、第１の拡散空間に上方から臨む天井部に上下方向に開口した複数の第２のガス吐出口と、天井部の上方に、各第２のガス吐出口に連通するように設けられた処理ガスの第２の拡散空間と、前記天井部において前記各第２のガス吐出口が開口する領域の外側に第２のガス吐出口よりも垂直軸に対する傾きが大きい斜め方向に開口すると共に第１の拡散空間の周に沿って列をなし、当該第２の拡散空間に各々連通する複数の第３のガス吐出口と、を備える装置を構成する。【選択図】図１
2020026550.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に真空雰囲気を形成する真空容器と、
基板を載置するために前記真空容器内に設けられた載置部と、
前記載置部に対向すると共に、前記基板にシャワー状に処理ガスを吐出してガス処理を行うために複数の第１のガス吐出口を備えた対向部と、
前記対向部の上方に前記各第１のガス吐出口に連通して設けられた前記処理ガスの第１の拡散空間と、
前記第１の拡散空間の中心部にシャワー状に前記処理ガスを供給するために、当該第１の拡散空間に上方から臨む天井部に上下方向に開口した複数の第２のガス吐出口と、
前記天井部の上方に、前記各第２のガス吐出口に連通するように設けられた前記処理ガスの第２の拡散空間と、
前記第２の拡散空間の上流側に設けられた、当該第２の拡散空間に前記処理ガスを供給するガス供給路と、
前記第１の拡散空間の中心部側から周縁部側へ放射状に前記処理ガスを吐出するために、前記天井部において前記各第２のガス吐出口が開口する領域の外側に前記第２のガス吐出口よりも垂直軸に対する傾きが大きい斜め方向に開口すると共に当該第１の拡散空間の周に沿って列をなし、当該第２の拡散空間に各々連通する複数の第３のガス吐出口と、
を備えるガス処理装置。
【請求項２】
前記天井部には凹部が形成され、
当該凹部について、前記第１の拡散空間の中心部寄りの側面に前記第３のガス吐出口が開口し、
当該凹部について、前記第１の拡散空間の周縁部寄りの側面は、当該第１の拡散空間の中心部側から周縁部側に向かって下るように傾斜する傾斜面をなす請求項１記載のガス処理装置
【請求項３】
前記凹部は、前記第２のガス吐出口が開口する領域を囲む環状溝であり、
前記第３のガス吐出口は、前記環状溝の内側の側面に開口し、
前記傾斜面は、前記環状溝の外側の側面である請求項２記載のガス処理装置
【請求項４】
前記対向部において第１のガス吐出口が分布する領域は、前記第２のガス吐出口及び第３のガス吐出口が分布する領域よりも大きい請求項１ないし３のいずれか一つに記載のガス処理装置。
【請求項５】
前記ガス供給路は、
当該第２の拡散空間に対して斜め方向から接続される複数の傾斜流路を備える請求項１ないし４のいずれか一つに記載のガス処理装置。
【請求項６】
前記傾斜流路は、
平面視前記第２の拡散空間の中心部側から周縁部側に向かって形成されて当該第２の拡散空間に接続される第１の接続流路と、
前記第１の接続流路から分岐して、第２の拡散空間において前記第１の流路が接続される位置よりも中心部寄りの位置に接続されるように平面視前記第２の拡散空間の周縁部側から中心部側に向かって形成される第２の接続流路と、
を備える請求項５記載のガス処理装置。
【請求項７】
前記処理ガスは、第１の処理ガス及び第２の処理ガスを含み、
前記ガス供給路は、前記第１の処理ガス及び第２の処理ガスのうち第１の処理ガスのみが供給される第１の専用流路と、
前記第１の処理ガス及び第２の処理ガスのうち第２の処理ガスのみが供給される第２の専用流路と、
前記第１の専用流路の下流側と前記第２の専用流路の下流側とが合流して形成される合流路と、
前記合流路の下流側が複数に分岐して形成され、前記第２のガス拡散空間に前記処理ガスを各々導入するための分岐路と、
を備える請求項１ないし６のいずれか一つに記載のガス処理装置。
【請求項８】
真空容器内に真空雰囲気を形成する工程と、
前記真空容器内に設けられた載置部に基板を載置する工程と、
前記載置部に対向する対向部に設けられる複数の第１のガス吐出口から前記基板にシャワー状に処理ガスを吐出してガス処理を行う工程と、
前記対向部の上方に前記各第１のガス吐出口に連通して設けられた前記処理ガスの第１の拡散空間に前記処理ガスを供給する工程と、
当該第１の拡散空間に上方から臨む天井部に上下方向に開口した複数の第２のガス吐出口から前記第１の拡散空間の中心部にシャワー状に前記処理ガスを供給する工程と、
前記天井部の上方に、前記各第２のガス吐出口に連通するように設けられた前記処理ガスの第２の拡散空間の上流側に設けられたガス供給路から当該第２の拡散空間に前記処理ガスを供給する工程と、
前記天井部において前記各第２のガス吐出口が開口する領域の外側に前記第２のガス吐出口よりも垂直軸に対する傾きが大きい斜め方向に開口すると共に当該第１の拡散空間の周に沿って列をなし、当該第２の拡散空間に各々連通する複数の第３のガス吐出口から前記処理ガスを、当該第１の拡散空間の中心部側から周縁部側へ放射状に吐出する工程と、
を備えるガス処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ガス処理装置及びガス処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にガス処理として、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）による成膜が行われる場合が有る。このようなガス処理においては、例えばシャワー状にウエハにガスが供給される。特許文献１には、ウエハを載置する載置台にガスを供給してＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）を行う成膜装置が示されている。当該成膜装置は、ウエハを支持するサセプタと、サセプタの上方に設けられるシャワーヘッドと、が設けられている。このシャワーヘッドは、ウエハに対向すると共に多数の孔が形成された第１の多孔板（フェイスプレート）と、シャワーヘッドを構成するガスの拡散空間を上下に区画するように第１の多孔板の上方に設けられた第２の多孔板（ブロッカープレート）と、を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−６９６５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板の面内に均一性高いガス処理を行うことができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示のガス処理装置は、内部に真空雰囲気を形成する真空容器と、
基板を載置するために前記真空容器内に設けられた載置部と、
前記載置部に対向すると共に、前記基板にシャワー状に処理ガスを吐出してガス処理を行うために複数の第１のガス吐出口を備えた対向部と、
前記対向部の上方に前記各第１のガス吐出口に連通して設けられた前記処理ガスの第１の拡散空間と、
前記第１の拡散空間の中心部にシャワー状に前記処理ガスを供給するために、当該第１の拡散空間に上方から臨む天井部に上下方向に開口した複数の第２のガス吐出口と、
前記天井部の上方に、前記各第２のガス吐出口に連通するように設けられた前記処理ガスの第２の拡散空間と、
前記第２の拡散空間の上流側に設けられた、当該第２の拡散空間に前記処理ガスを供給するガス供給路と、
前記第１の拡散空間の中心部側から周縁部側へ放射状に前記処理ガスを吐出するために、前記天井部において前記各第２のガス吐出口が開口する領域の外側に前記第２のガス吐出口よりも垂直軸に対する傾きが大きい斜め方向に開口すると共に当該第１の拡散空間の周に沿って列をなし、当該第２の拡散空間に各々連通する複数の第３のガス吐出口と、
を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板の面内に均一性高いガス処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本開示の一実施形態である成膜装置の縦断側面図である。
【図２】前記成膜装置を構成するシャワープレート及び上部シャワーヘッドの縦断側面図である。
【図３】前記上部シャワーヘッドの下面側斜視図である。
【図４】前記上部シャワーヘッドの上面側斜視図である。
【図５】前記上部シャワーヘッドの横断平面図である。
【図６】前記成膜装置に設けられる流路の斜視図である。
【図７】前記流路の平面図である。
【図８】前記成膜装置によって行われる処理を説明するための模式図である。
【図９】前記成膜装置によって行われる処理を説明するための模式図である。
【図１０】前記成膜装置によって行われる処理を説明するための模式図である。
【図１１】前記成膜装置によって行われる処理のタイミングチャートである。
【図１２】評価試験の結果を示すウエハの平面図である。
【図１３】評価試験の結果を示すウエハの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本開示のガス処理装置の一実施形態である成膜装置１について、図１の縦断側面図を参照しながら説明する。この成膜装置１は、扁平な円形の処理容器１１を備えている。当該処理容器１１内には真空雰囲気が形成されると共に、例えば直径が３００ｍｍの円形の基板であるウエハＷが格納される。成膜装置１は、このウエハＷに対して、原料ガスであるＴｉＣｌ４（四塩化チタン）ガスと反応ガスであるＮＨ３（アンモニア）ガスとを交互に繰り返し供給してＡＬＤを行い、ＴｉＮ（窒化チタン）膜を成膜する。第１の処理ガスであるＴｉＣｌ４ガスの供給を行う時間帯と第２の処理ガスであるＮＨ３ガスの供給を行う時間帯との間には不活性ガスであるＮ２（窒素）ガスがパージガスとして供給される。パージガスの供給により、処理容器１１内の雰囲気がＴｉＣｌ４ガス雰囲気またはＮＨ３ガス雰囲気からＮ２ガス雰囲気に置換される。また、ＡＬＤによる成膜処理中はＴｉＣｌ４ガス及びＮＨ３ガスを処理容器１１内に導入するためのキャリアガスとして、Ｎ２ガスが連続して処理容器１１内に供給される。
【０００９】
上記の処理容器１１の側壁には、ウエハの搬入出口１２と、この搬入出口１２を開閉するゲートバルブ１３とが設けられている。搬入出口１２よりも上部側には、処理容器１１の側壁の一部をなす、縦断面の形状が角型のダクトを円環状に湾曲させて構成した排気ダクト１４が設けられている。排気ダクト１４の内周面には、周方向に沿って伸びるスリット状の開口部１５が形成されており、処理容器１１の排気口をなす。
【００１０】
また、上記の排気ダクト１４には、排気管１６の一端が接続されている。排気管１６の他端は、真空ポンプにより構成される排気機構１７に接続されている。排気管１６には、例えば圧力調整用のバルブにより構成される圧力調整機構１８が介設されている。後述の制御部１０から出力される制御信号に基づき、当該圧力調整用のバルブの開度が調整され、処理容器１１内の圧力が所望の真空圧力となるように調整される。
【００１１】
図中２１は、ウエハＷを載置するために処理容器１１内に設けられた円形で水平な載置台であり、ウエハＷはその中心が当該載置台の中心に揃うように載置される。載置部をなす当該載置台２１には、ヒーター２２が埋設されている。このヒーター２２は、例えば４００℃〜７００℃にウエハＷを加熱する。載置台２１の下面側中央部には処理容器１１の底部を貫通し、上下方向に伸びる支持部材２３の上端が接続されており、この支持部材２３の下端は昇降機構２４に接続されている。昇降機構２４によって載置台２１は、図１にて鎖線で示す下方位置と、図１に実線で示す上方位置との間を昇降する。下方位置は、上記の搬入出口１２から処理容器１１内に進入するウエハＷの搬送機構との間で、当該ウエハＷの受け渡しを行うための位置である。上方位置は、ウエハＷに処理を行うための位置である。
【００１２】
図中２５は、支持部材２３において処理容器１１の底部の下方に設けられるフランジである。図中２６は伸縮自在なベローズであり、上端が処理容器１１の底部に、下端がフランジ２５に夫々接続され、処理容器１１内の気密性を担保する。図中２７は３本（図では２本のみ表示している）の支持ピンであり、図中２８は支持ピン２７を昇降させる昇降機構である。載置台２１が受け渡し位置に位置したときに、載置台２１に設けられる貫通孔２９を介して支持ピン２７が昇降して、載置台２１の上面において突没し、載置台２１と上記の搬送機構との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
【００１３】
上記の排気ダクト１４の上側には、処理容器１１内を上側から塞ぐようにガス供給路形成部３が設けられている。ガス供給路形成部３は、本体部３１とガス導入部３２とを備えている。本体部３１は扁平な円形のブロックとして構成されており、当該本体部３１の周縁部は排気ダクト１４に沿って設けられ、当該排気ダクト１４上に支持されている。本体部３１の上部側にはガス供給路形成部３の温度を調整するための冷却機構が設けられるが、図示は省略している。ガス導入部３２は、本体部３１の上面の径方向に沿った部位が、上方へ盛り上がって形成されている。
【００１４】
本体部３１についてさらに詳しく説明する。本体部３１における中央下部は、処理容器１１内を載置台２１に向かうように突出して処理容器１１の天井を構成する円形の天井形成部３３をなす。この天井形成部３３の周縁部は下方にさらに延伸されて、円環状の支持用突起３４を形成し、この支持用突起３４の下端に円板形状のシャワープレート３５が水平に支持されている。支持用突起３４とシャワープレート３５の上面とに囲まれる区画された空間は、後述の上部シャワーヘッド４２から供給される各ガスを横方向に拡散させるための第１の拡散空間３９であり、扁平な円形に構成される。
【００１５】
シャワープレート３５について説明すると、このシャワープレート３５は載置台２１の表面に対向して設けられる対向部をなす。そして、第１の拡散空間３９を画成するシャワープレート３５の上面は、水平且つ平坦に形成されている。また、シャワープレート３５の周縁部は、上記の支持用突起３４に沿って設けられている。シャワープレート３５の周縁下部は下方へ向けて突出し、円環状の処理空間形成用突起３６を形成しており、既述した上方位置における載置台２１の周縁部に近接する。シャワープレート３５と上方位置における載置台２１とに挟まれ、且つ処理空間形成用突起３６に囲まれる空間は、ウエハＷに処理を行う処理空間３７として構成される。シャワープレート３５において処理空間形成用突起３６に囲まれる領域には、多数の第１のガス吐出口３８が当該領域内に分散して、各々プレートの厚さ方向、即ち垂直方向に穿孔されている。従って、第１のガス吐出口３８は処理空間３７、第１の拡散空間３９に各々連通する。
【００１６】
第１の拡散空間３９を形成する天井形成部３３の下面において、支持用突起３４に囲まれる領域の中央部には凹部が形成されており、この凹部の外側はシャワープレート３５に対向する水平且つ平坦な対向面４１をなす。この凹部は円形で下方に向けて拡径されており、この凹部の底面から下方に突出するように円形の上部シャワーヘッド４２が設けられている。従って、上部シャワーヘッド４２を囲むように第１の拡散空間３９の周に沿った円環状の溝が形成されており、当該溝を円環溝４３とする。この円環溝４３は、上方に向かうにつれて尖頭している。なお、対向面４１を形成する天井形成部３３の下部、円環溝４３及び上部シャワーヘッド４２は、第１の拡散空間３９に上方から臨み、当該第１の拡散空間３９の上部側を形成する天井部４９をなす。
【００１７】
以下、この上部シャワーヘッド４２の縦断側面図である図２、下面側斜視図である図３、上面側斜視図である図４、横断平面図である図５も参照しながら説明する。環状溝である円環溝４３の外側の側周面は、第１の拡散空間３９の中心部側から周縁部側へ向かうにつれて下る傾斜面４４として形成されている。この傾斜面４４と水平面とのなす角θ１（図２参照）は、例えば２０°〜５０°であり、より具体的には例えば３０°である。この傾斜面４４は、後述する上部シャワーヘッド４２の第３のガス吐出口５３から円環溝４３内に吐出されるガスを第１の拡散空間３９の周縁部へガイドして、当該ガスが第１の拡散空間３９で滞留することを防ぐ役割を果たす。
【００１８】
上部シャワーヘッド４２の下部は、当該上部シャワーヘッド４２の下端に向かうにつれて縮径されることで、当該上部シャワーヘッド４２の下部の側面は、上記の円環溝４３の内側の側周面をなす傾斜面４６として形成されている。そして上部シャワーヘッド４２の下面は傾斜面４６に連続すると共に、シャワープレート３５の上面に対向する水平な対向面４７として形成される。この対向面４７には、多数の第２のガス吐出口５１が面内に分散して、各々垂直方向に穿孔されている。なお、ウエハＷに局所的に多くのガスが供給されることを防ぐために、第２のガス吐出口５１は既述のシャワープレート３５の第１のガス吐出口３８に重ならないように形成されている。また、第１のガス吐出口３８及び第２のガス吐出口５１について垂直に形成されるとは、設計上垂直に形成される意味であり、例えば装置の製造誤差や組み立て誤差により垂直軸に対して例えば数度傾いていても垂直に形成されていることに含まれる。
【００１９】
上部シャワーヘッド４２の中央上部には円形で浅い凹部が形成されており、この凹部は上側から上記の天井形成部３３に塞がれる。それにより当該凹部内は、周囲から区画された円形で扁平な第２の拡散空間５２として構成される。なお、ウエハＷに均一にガスを供給できるように、平面で見て、上部シャワーヘッド４２及び第２の拡散空間５２の各中心は、既述の第１の拡散空間３９、及び載置台２１の各中心に揃っている。上部シャワーヘッド４２に供給された各ガスは、この第２の拡散空間５２にて横方向に拡散される。上記の各第２のガス吐出口５１は、この第２の拡散空間５２の底部に接続されている。
【００２０】
また、上部シャワーヘッド４２の傾斜面４６には、多数の第３のガス吐出口５３が第１の拡散空間３９の周に沿って列をなして設けられている。各第３のガス吐出口５３は同じ高さに開口し、隣接する第３のガス吐出口５３の間隔は互いに等しい。そして、各第３のガス吐出口５３は上方に向かうにつれて上部シャワーヘッド４２の中心部に向かうように、垂直方向に対して斜めに形成されており、第２の拡散空間５２の側方に接続されている。例えば水平面に対する第３のガス吐出口５３の開口方向のなす角θ２は３０°〜９０°であり（図２参照）、より具体的には例えば４５°である。第３のガス吐出口５３は、図５に示すように平面で見て上部シャワーヘッド４２に放射状に穿孔されており、第１の拡散空間３９の中心部側から周縁部側へ向けて放射状にガスを吐出する。
【００２１】
ところで図２において、シャワープレート３５の上面と上部シャワーヘッド４２の対向面４７との間の高さをＨ１として示している。また、シャワープレート３５の上面と円環溝４３の外側の対向面４１との間の高さをＨ２として示している。第１の拡散空間３９におけるガスの滞留を防ぐために、これらの高さＨ１、Ｈ２は例えば同じである。そして第１の拡散空間３９の容積が小さいと、当該第１の拡散空間３９におけるＴｉＣｌ４ガス及びＮＨ３ガスのパージに要する時間を抑え、後述のＡＬＤの１サイクルの長さを短くすることができる。そこで、高さＨ１、Ｈ２については例えば８ｍｍ以下、円環溝４３の深さＨ３については例えば１２ｍｍ以下とすることが好ましい。
【００２２】
また、図５に示すＲ１はシャワープレート３５の最も周縁寄りに位置する各第１のガス吐出口３８の中心を結ぶ仮想の円である。Ｒ２は上部シャワーヘッド４２の対向面４７において最も周縁寄りに位置する第２のガス吐出口５１の中心を結ぶ仮想の円である。Ｒ３は第３のガス吐出口５３の中心を結ぶ円を示すが、図中上部シャワーヘッド４２の外縁と重なるように示している。つまり、円Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、夫々第１のガス吐出口３８、第２のガス吐出口５１、第３のガス吐出口５３の形成領域を示している。円Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は中心が揃い、径の大きさについては円Ｒ１＞円Ｒ３＞円Ｒ２である。従って、第１のガス吐出口３８が分布する領域よりも、第２のガス吐出口５１及び第３のガス吐出口５３が分布する領域の方が小さい。円Ｒ１、円Ｒ２、円Ｒ３の直径を直径Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３として夫々示している。Ｌ１は概ねウエハＷの直径と同じであり、例えば３００ｍｍである。Ｌ２／Ｌ１は例えば０．３〜０．４であり、Ｌ３／Ｌ１は例えば０．３５〜０．４５である。
【００２３】
図１に戻ってガス供給路形成部３に設けられた、各ガスを既述の上部シャワーヘッド４２の第２の拡散空間５２に供給するガス供給路６について図６及び図７を参照しながら説明する。当該ガス供給路６は、第１の専用流路６１と、第２の専用流路６２と、合流路６３と、２つの分岐路６４と、第３の拡散空間６５と、８つの第１の接続流路７１と、８つの第２の接続流路７２と、により構成されている。第１の専用流路６１、第２の専用流路６２、合流路６３及び分岐路６４の上部側は、例えば上記のガス導入部３２に設けられ、分岐路６４の下部側、第３の拡散空間６５及び第１の接続流路７１、第２の接続流路７２は、例えば上記の本体部３１に設けられている。
【００２４】
第１の専用流路６１、第２の専用流路６２は、各々水平方向に伸びるように設けられており、これらの第１の専用流路６１、第２の専用流路６２は互いに区画されている。
第１の専用流路６１の上流側には、原料ガスと、原料ガスのキャリアガスと、パージガスとが供給され、第２の専用流路６２の上流側には、反応ガスと、反応ガスのキャリアガスと、パージガスとが供給される。従って、第１の専用流路６１は原料ガス及び反応ガスのうち原料ガス専用の流路であり、第２の専用流路６２は原料ガス及び反応ガスのうち反応ガス専用の流路である。第１の専用流路６１は第２の専用流路６２の上方に位置しており、当該第１の専用流路６１の下流側は下方へと屈曲し、第２の専用流路６２に接続される。それにより、これら第１の専用流路６１、第２の専用流路６２の下流側は互いに合流し、上記の合流路６３として形成されている。
【００２５】
合流路６３の下流側は第２の専用流路６２の延長方向に沿って水平に伸びた後、当該延長方向に向かって見て左右に分岐することで、上記の２つの分岐路６４を形成する。各分岐路６４の下流側は水平方向に伸びた後、垂直下方へ向かうように屈曲され、扁平な第３の拡散空間６５における互いに異なる位置に接続されている。このように合流路６３の下流側を分岐させて第３の拡散空間６５に接続することで、第３の拡散空間６５に均一性高くガスを分布させ、ひいては上記の第２の拡散空間５２における各ガスの濃度の均一性が高くなるようにしている。なお、各分岐路６４の長さは互いに等しい。
【００２６】
上記の第３の拡散空間６５は、平面で見て一の直線導入路と他の直線導入路とが交差してなる十字流路６６と、４つの分岐路６７と、８つの分岐端６８とにより構成される。十字流路６６を構成する一の直線状の流路における一端部上及び他端部上に、上記の分岐路６４の下流端が各々接続されている。十字流路６６の中心部から各分岐路６４の下流端までの長さは各々等しい。この十字流路６６の中心部は、第２の拡散空間５２の中心部上に位置している。十字流路６６を構成する他の直線状の流路における各端部は、当該他の直線状の流路の伸長方向に見て左右に分岐し、上記の分岐路６７を形成する。
【００２７】
分岐路６７の上流側は上記の十字流路６６をなす一の直線導入路に沿って伸びている。そして分岐路６７の下流側は、上流側に対して屈曲されており、十字流路６６の中心部から遠ざかるように伸びている。この分岐路６７の下流端は、当該分岐路６７の下流側における流路の伸長方向に見て左右に分岐し、上記の分岐端６８として構成されている。これらの各分岐端６８は、十字流路６６の中心部の外側へ向かって引き延ばされたように、平面で見て幅広に形成されている。そして、これら８つの分岐端６８の下部には、直線状の流路である８つの第１の接続流路７１の上流端が各々接続されている。十字流路６６の中心部から各第１の接続流路７１までの長さは各々等しい。
【００２８】
８つの第１の接続流路７１の下流側は斜め下方に向かうと共に平面視放射状に伸びるように形成されており、当該第１の接続流路７１の下流端は、上記の第２の拡散空間５２の周縁部に上方から接続されている。各第１の接続流路７１は、互いに同じ長さを有する。そして、各第１の接続流路７１の長さ方向の中央部から、直線状の流路である第２の接続流路７２が斜め下方に延出されると共に、平面で見て第２の拡散空間５２の中心部側に向かうように形成されている。各第２の接続流路７２も互いに同じ長さを有する。そして各第２の接続流路７２の下流端は、第２の拡散空間５２において第１の接続流路７１が接続される位置よりも中心部寄りの位置に、互いに周方向に等間隔を空けて接続されている。また、水平に形成される第２の拡散空間５２に対して、第１の接続流路７１及び第２の接続流路７２は斜め方向から接続されており、これらの第１の接続流路７１及び第２の接続流路は傾斜流路として構成される。
【００２９】
合流路６３の上流端、即ち第１の専用流路６１、第２の専用流路６２が互いに合流するこれら第１の専用流路６１、第２の専用流路６２の下流端を、図５に点Ｐ１として示している。また、図２において第１の接続流路７１の下流端を点Ｐ２、第２の接続流路７２の下流端を点Ｐ３として示している。点Ｐ２、Ｐ３は、第２の拡散空間５２の上端でもある。点Ｐ１から各点Ｐ２に至るまでの各流路の長さは等しく、点Ｐ１から各点Ｐ３に至るまでの各流路の長さは等しい。また、点Ｐ１から点Ｐ２に至るまでの各流路の長さと、点Ｐ１から点Ｐ３に至るまでの流路の長さとは各々等しい。
【００３０】
ところで流路の長さが互いに等しいとは装置の設計上、流路が等しいことが含まれる。つまり、装置を構成する部材の組み立て誤差や部材の加工精度の結果、流路の長さが異なっていても流路の長さが等しくなるように設計されていれば、流路の長さが等しいことに含まれる。なお、この点Ｐ１から各点Ｐ２、Ｐ３に至るまでの各流路に関して、点Ｐ１からの距離が互いに同じ位置における流路幅については、互いに同じ幅となるようにしてもよいし、若干異なる幅とすることで第２の拡散空間５２におけるガスの濃度分布を調整してもよい。
【００３１】
図１に戻って説明を続ける。上記のガス供給路形成部３に形成された第１の専用流路６１、第２の専用流路６２の上流端には、配管８１、９１の下流端が夫々接続されている。配管８１の上流端は、バルブＶ１、ガス貯留タンク８２Ａ、流量調整部８３Ａをこの順に介して、処理ガスであるＴｉＣｌ４ガスの供給源８４Ａに接続されている。流量調整部８３Ａはマスフローコントローラにより構成されており、ガス供給源８４Ａから供給されるＴｉＣｌ４ガスについて下流側へ供給される流量を調整する。なお、後述する他の各流量調整部８３Ｂ〜８３Ｆについても、この流量調整部８３Ａと同様に構成されており、配管の下流側へ供給されるガスの流量を調整する。
【００３２】
ガス貯留部をなすガス貯留タンク８２Ａは、ガス供給源８４Ａから供給されたＴｉＣｌ４ガスを処理容器１１内に供給する前に一旦貯留する。そのようにＴｉＣｌ４ガスを貯留させ、ガス貯留タンク８２Ａ内が所定の圧力に昇圧した後で、ガス貯留タンク８２Ａからガス供給路形成部３へＴｉＣｌ４ガスを供給する。このガス貯留タンク８２Ａからガス供給路形成部３へのＴｉＣｌ４ガスの給断が、上記のバルブＶ１の開閉により行われる。このようにガス貯留タンク８２ＡへＴｉＣｌ４ガスを一旦貯留することで、比較的高い流量で当該ＴｉＣｌ４ガスを処理容器１１に供給することができる。なお、後述するガス貯留部をなす各ガス貯留タンク８２Ｂ、８２Ｄ、８２Ｅについても、ガス貯留タンク８２Ａと同様に、配管の上流側のガス供給源から供給される各ガスを一旦貯留する。そして、各ガス貯留タンク８２Ｂ、８２Ｄ、８２Ｅの下流側に設けられるバルブＶ２、Ｖ４、Ｖ５の開閉によって、各ガス貯留タンク８２Ｂ、８２Ｄ、８２Ｅからガス供給路形成部３へのガスの給断が夫々行われる。
【００３３】
上記の配管８１においてバルブＶ１の下流側には、配管８５の下流端が接続されている。配管８５の上流端はバルブＶ２、ガス貯留タンク８２Ｂ、流量調整部８３Ｂをこの順に介してＮ２ガスの供給源８４Ｂに接続されている。さらに、配管８５においてバルブＶ２の下流側には、配管８６の下流端が接続されている。配管８６の上流端は、バルブＶ３、流量調整部８３Ｃをこの順に介して、Ｎ２ガスの供給源８４Ｃに接続されている。
【００３４】
続いて、配管９１について説明する。配管９１の上流端は、バルブＶ４、ガス貯留タンク８２Ｄ、流量調整部８３Ｄをこの順に介して、ＮＨ３ガスの供給源８４Ｄに接続されている。配管９１におけるバルブＶ４の下流側には配管９２の下流端が接続されている。配管９２の上流端はバルブＶ５、ガス貯留タンク８２Ｅ、流量調整部８３Ｅをこの順に介して、Ｎ２ガスの供給源８４Ｅに接続されている。さらに、配管９２においてバルブＶ５の下流側には、配管９３の下流端が接続されている。配管９３の上流端は、バルブＶ６、流量調整部８３Ｆをこの順に介して、Ｎ２ガスの供給源８４Ｆに接続されている。
【００３５】
上記の配管８６におけるバルブＶ３の下流側にはオリフィス８７が、配管８３におけるバルブＶ６の下流側にはオリフィス８８が夫々形成されている。これらオリフィス８７、８８は、各配管８６、９３において狭窄された流路を形成し、各ガス貯留タンクによって比較的大きな流量で供給される各ガスが、バルブＶ３、Ｖ６へ向けて流れ込むことを防ぐために設けられている。
【００３６】
ところで上記のＮ２ガス供給源８４Ｂ、８４Ｅから供給されるＮ２ガスは、既述のパージを行うために処理容器１１内に供給される。Ｎ２ガス供給源８４Ｃ、８４Ｆから各々供給されるＮ２ガスは、ＴｉＣｌ４ガス、ＮＨ３ガスに対するキャリアガスであり、このキャリアガスは、上記のようにウエハＷの処理中は連続して処理容器１１内に供給されるので、パージを行う際にも処理容器１１内に供給される。従って、当該キャリアガスが処理容器１１内に供給される時間帯は、パージを行うためにガス供給源８４Ｂ、８４ＥからのＮ２ガスが処理容器１１内に供給される時間帯に重なり、キャリアガスはパージにも用いられることになるが、説明の便宜上、Ｎ２ガス供給源８４Ｂ、８４Ｅから供給されるガスをパージガスとして記載し、Ｎ２ガス供給源８４Ｃ、８４Ｆから供給されるガスはキャリアガスとして記載する。
【００３７】
また、成膜装置１は制御部１０を備えている。この制御部１０はコンピュータにより構成されており、プログラム、メモリ、ＣＰＵを備えている。プログラムには、成膜装置１における後述の一連の動作を実施することができるようにステップ群が組み込まれており、当該プログラムによって制御部１０は成膜装置１の各部に制御信号を出力し、当該各部の動作が制御される。具体的には、各バルブＶ１〜Ｖ６の開閉、流量調整部８３Ａ〜８３Ｆによるガスの流量の調整、圧力調整機構１８による処理容器１１内の圧力の調整、ヒーター２２によるウエハＷの温度の調整などの各動作が、制御信号によって制御される。上記のプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、ＤＶＤなどの記憶媒体に格納されて、制御部１０にインストールされる。
【００３８】
続いて成膜装置１によって行われる成膜処理について、各バルブの開閉状態及び各配管におけるガスの流通状態について示す図８〜図１０を参照しながら説明する。図８〜図１０では、閉じているバルブＶにはハッチングを付すことで、開いているバルブＶと区別して示している。また、配管８１、８５、８６、９１〜９３について、ガスが下流側へ流通している部位は、流通していない部位に比べて太く示している。また、各ガスを供給する時間帯について示すタイミングチャートである図１１も適宜参照する。このタイミングチャートでは、キャリアガスの供給期間にハッチング、パージガスの供給期間にドットを夫々付して示している。また、ＴｉＣｌ４ガスの供給期間、ＮＨ３ガスの供給期間には夫々網目模様を付して示しており、ＴｉＣｌ４ガスの供給期間を示す網目は、ＮＨ３ガスの供給期間を示す網目よりも荒い。
【００３９】
先ず、バルブＶ１〜Ｖ６が閉じられた状態で、搬送機構によりウエハＷが処理容器１１内に搬送されて、受け渡し位置における載置台２１に載置される。搬送機構が処理容器１１内から退避した後、ゲートバルブ１３が閉じられる。載置台２１のヒーター２２によりウエハＷが既述の温度に加熱されると共に載置台２１が処理位置へ上昇し、処理空間３７が形成される。その一方で排気ダクト１４からの排気により、処理容器１１内が所定の真空圧力とされる。
【００４０】
そしてバルブＶ３、Ｖ６が開かれ、Ｎ２ガス供給源８４Ｃ、８４Ｆから夫々ガス供給路６にキャリアガス（Ｎ２ガス）が供給される。その一方で、ガス供給源８４Ａ、ガス供給源８４ＤからＴｉＣｌ４ガス、ＮＨ３ガスが配管８１、９１に供給される。バルブＶ１、Ｖ４が閉じられていることで、これらのＴｉＣｌ４ガス、ＮＨ３ガスは、ガス貯留タンク８２Ａ、８２Ｄに夫々貯留され、当該ガス貯留タンク８２Ａ、８２Ｄ内が昇圧する。然る後、バルブＶ１が開かれ（チャート中、時刻ｔ１）、ガス貯留タンク８２Ａに貯留されたＴｉＣｌ４ガスが、ガス供給路６を介して上部シャワーヘッド４２に供給される。そして、当該ＴｉＣｌ４ガスは、上部シャワーヘッド４２の第２のガス吐出口５１から垂直下方へ吐出されて拡散空間３９の中心部に供給されると共に、第３のガス吐出口５３から斜め下方へ向けて円環溝４３内に吐出される。この円環溝４３内に吐出されたＴｉＣｌ４ガスについては、既述したように円環溝４３の傾斜面４４に沿って流れることで、当該円環溝４３内にて滞留することなく、円環溝４３の外へと供給される。そして、第１の拡散空間３９の上部及び下部を形成しているシャワープレート３５の上面及びガス供給路形成部３の対向面４１は平坦であるため、円環溝４３の外へと流れたＴｉＣｌ４ガスは、その流れが妨げられること無く、速やかに第１の拡散空間３９の周縁部へ向かう。
【００４１】
上記のように第１の拡散空間３９の各部にＴｉＣｌ４ガスが供給されることで、このＴｉＣｌ４ガスの供給開始から僅かな時間で、第１の拡散空間３９の各部に均一性高い濃度でＴｉＣｌ４ガスが分布する。そして、ＴｉＣｌ４ガスはシャワープレート３５の第１のガス吐出口３８からウエハＷに供給され、ウエハＷの面内には均一性高くＴｉＣｌ４ガスが吸着する。このウエハＷへのＴｉＣｌ４ガスの供給に並行して、ガス供給源８４Ｂ、８４Ｅから配管８５、９２に夫々パージガス（Ｎ２ガス）が供給される。バルブＶ２、Ｖ５が閉じられていることで、パージガスはガス貯留タンク８２Ｂ、８２Ｅに貯留され、当該ガス貯留タンク８２Ｂ、８２Ｅ内が昇圧する（図８、ステップＳ１）。
【００４２】
その後、バルブＶ１が閉じられると共にバルブＶ２、Ｖ５が開かれる（時刻ｔ２）。それにより、処理容器１１内へのＴｉＣｌ４ガスの供給が停止すると共に、ガス貯留タンク８２Ｂ、８２Ｅに各々貯留されたパージガスがガス供給路６に供給される。このパージガスは、ＴｉＣｌ４ガスと同様に、上部シャワーヘッド４２のガス吐出口５１及び第３のガス吐出口５３から第１の拡散空間３９に吐出される。従って、当該パージガスは、ＴｉＣｌ４ガスと同様に第１の拡散空間３９を速やかに拡散すると共に、第１の拡散空間３９にて均一性高い濃度で分布し、シャワープレート３５から吐出される。
【００４３】
その結果、ウエハＷに吸着されずに処理空間３７に残留したＴｉＣｌ４ガスが、ウエハＷの面内の各部の上方から同時ないしは略同時に除去され、当該ＴｉＣｌ４ガスのウエハＷへの吸着が停止する。このＴｉＣｌ４ガスは排気ダクト１４へとパージされて、処理容器１１内から除去される。このようにパージが行われる一方で、バルブＶ１が閉じられたことにより、ガス供給源８４Ａから配管８１に供給されたＴｉＣｌ４ガスが、ガス貯留タンク８２Ａに貯留され、当該ガス貯留タンク８２Ａ内が昇圧する（図９、ステップＳ２）。
【００４４】
続いて、バルブＶ２、Ｖ５が閉じられると共にバルブＶ４が開かれる（時刻ｔ３）。それにより、ガス供給路６へのパージガスの供給が停止すると共に、ガス貯留タンク８２Ｄに貯留されたＮＨ３ガスが当該ガス供給路６へ供給され、上部シャワーヘッド４２の第２のガス吐出口５１、第３のガス吐出口５３から第１の拡散空間３９に吐出される。このＮＨ３ガスについてもＴｉＣｌ４ガス、パージガスと同様に第１の拡散空間３９の各部において濃度の均一性が高くなるように分布し、シャワープレート３５から処理空間３７に供給される。それによって、ウエハＷの面内の各部には均一性高くＮＨ３ガスが供給される。その結果、ウエハＷの面内において均一性高く吸着されたＴｉＣｌ４ガスの窒化反応が進行し、反応生成物としてＴｉＮの薄層が形成される。その一方で、バルブＶ２、Ｖ５が閉じられたことにより、ガス供給源８４Ｂ、８４Ｅから配管８５、９２に夫々供給されたパージガスがガス貯留タンク８２Ｂ、８２Ｅに貯留され、当該ガス貯留タンク８２Ｂ、８２Ｅ内が昇圧する（図１０、ステップＳ３）。
【００４５】
然る後、バルブＶ４が閉じられると共にバルブＶ２、Ｖ５が開かれ、各バルブは図９で説明したステップＳ２と同様の開閉状態となる（時刻ｔ４）。そのような開閉状態となることで、処理容器１１内へのＮＨ３ガスの供給が停止すると共に、ガス貯留タンク８２Ｂ、８２Ｅに各々貯留されたパージガスが、ステップＳ２と同様にガス供給路６に供給される。そして、当該パージガスは上部シャワーヘッド４２から第１の拡散空間３９に吐出され、さらにシャワープレート３５から吐出される。このパージガスの供給により、処理空間３７に残留した未反応のＮＨ３ガスが、ウエハＷの面内各部の上方から同時ないしは略同時に除去されて窒化反応が停止することで、ウエハＷの面内各部におけるＴｉＮの薄層の厚さは揃えられる。ウエハＷの上方から除去されたＮＨ３ガスは、排気ダクト１４へとパージされて、処理容器１１内から除去される。このようにパージが行われる一方で、バルブＶ４が閉じられたことにより、ガス供給源８４Ｄから配管９１に供給されたＮＨ３ガスが、ガス貯留タンク８２Ｄに貯留され、当該ガス貯留タンク８２Ｄ内が昇圧する（ステップＳ４）。
【００４６】
時刻ｔ４から所定の時間経過後、バルブＶ２、Ｖ５が閉じられると共にバルブＶ１が開かれ（時刻ｔ５）、処理容器１１内へのパージガスの供給が停止すると共に、ガス貯留タンク８２Ａに貯留されたＴｉＣｌ４ガスが、ガス供給路６に供給される。つまり上記のステップＳ１が再度行われる。従って、上記のパージが終了する時刻ｔ５は、上記のＴｉＣｌ４ガスの供給が開始される時刻ｔ１でもある。このステップＳ１が行われた後は上記のステップＳ２〜Ｓ４が行われ、その後は、さらにステップＳ１〜Ｓ４が行われる。つまり上記のステップＳ１〜Ｓ４を一つのサイクルとすると、このサイクルが繰り返し行われ、ＴｉＮの薄層がウエハＷの表面に堆積し、ＴｉＮ膜が成膜される。そして、所定の回数のサイクルが実行されると、処理容器１１内への搬入時とは逆の手順でウエハＷが処理容器１１から搬出される。
【００４７】
この成膜装置１によれば、シャワープレート３５の上方に形成される第１の拡散空間３９の中心部の上方からガスを供給する上部シャワーヘッド４２が設けられている。この上部シャワーヘッド４２は、垂直に開口する第２のガス吐出口５１と、第１の拡散空間３９の周に沿って列をなすように、第２のガス吐出口５１が形成される対向面４７の外側に斜めに開口する第３のガス吐出口５３と、を備える。第２のガス吐出口５１により第１の拡散空間３９の中心部にガスが供給される。その一方で、第３のガス吐出口５３により、第１の拡散空間３９の周縁部についても速やかに十分な量のガスが供給される。従って、第１の拡散空間３９に均一性高く各ガスを分布させることができる。その結果として、シャワープレート３５から、ウエハＷの面内各部に均一性高い濃度でガスを供給することができるため、ウエハＷの面内において均一性高い膜厚を有するようにＴｉＮ膜を形成することができる。また、第３のガス吐出口５３は凹部である円環溝４３における第１の拡散空間３９の中心部寄りの側面に開口するが、この円環溝４３における第１の拡散空間３９の周縁部寄りの側面は当該周縁部に向かって下る傾斜面４４をなす。従って、第３のガス吐出口５３から吐出されるガスについては円環溝４３内における滞留が抑制され、ウエハＷの面内において、より確実に均一性高い膜厚を有するようにＴｉＮ膜を形成することができる。
【００４８】
ところで、４００℃〜７００℃のうちの比較的高い温度にウエハＷを加熱して処理するにあたり、ウエハＷの膜厚の面内均一性を高く、且つウエハＷの面内各部おけるＴｉＮ膜の被覆性を高くするためには、原料ガスの供給流量を比較的大きくすることが好ましい。そのように比較的大きい流量で原料ガスを供給しても、比較的大きな流量のパージガスをガス供給路形成部３に供給することで短い時間内に当該原料ガスのパージが行えるように、既述のガス貯留タンク８２Ｂ、８２Ｅが設けられている。このように比較的大きな流量で各ガスを第１の拡散空間３９に供給する場合、当該第１の拡散空間３９におけるガスの流動が妨げられると、ウエハの面内各部におけるガスの濃度分布に差が形成されやすくなることが考えられる。しかし、後述の評価試験でも示すように上記の成膜装置１の構成によれば、第１の拡散空間３９におけるガスの滞留を防ぎ、ウエハＷの面内に均一性高い処理を行うことができる。ただし、各ガス貯留タンクを介さずにガスを供給する場合でも、既述のように上部シャワーヘッド４２を用いてガスを供給することで、第１の拡散空間３９におけるガスの滞留を防ぎ、ウエハＷの面内に均一性を高い処理を行うことができる。つまり、成膜装置１について、各ガス貯留タンクが設けられない構成としてもよい。
【００４９】
また、第３の拡散空間６５から伸びる第１の接続流路７１が斜め方向から第２の拡散空間５２の周縁部に接続されることにより、上記の第１の専用流路６１と第２の専用流路６２とが合流する点Ｐ１から第２の拡散空間５２に至るまでのガス流路の長さが互いに揃えられている。そのような構成により、第２の拡散空間５２の周方向の各部に均一性高い濃度で各ガスを供給し、ウエハＷの周縁の各部に、より確実に均一性高い処理を行うことができる。また、第１の接続流路７１から分岐して斜め方向に伸びる第２の接続流路７２を形成することで、上記の点Ｐ１から第２の拡散空間５２の周縁部の点Ｐ２までの流路の長さと、点Ｐ１から第２の拡散空間５２の中心部寄りの点Ｐ３までの流路の長さとが揃えられている。そのような構成によって、第２の拡散空間５２の中心部と周縁部とに均一性高くガスが供給され、ウエハＷの中心部と周縁部との間で、より確実に均一性高い処理を行うことができる。
【００５０】
ところで上記の実施形態において天井部４９の下面に円環溝４３が設けられない構成としてもよく、当該下面を平坦面とし、その平坦な天井面に第２のガス吐出口５及び第３のガス吐出口５３が開口される構成としてもよい。ただし、上記のように円環溝４３を設けて第３のガス吐出口５３からのガスの流れをガイドすることで、より確実に第１の拡散空間３９の各部におけるガス濃度を揃えることができるので好ましい。
【００５１】
円環溝４３の傾斜面４４としては、縦断面で見た形状が直線であることに限られず、曲線であってもよい。また、円環溝４３についてはこのように第３のガス吐出口５３から吐出されたガスをガイドできればよく、従って周方向に分割されていてもよい。つまり、周方向に間隔を空けて凹部を形成する。そして各凹部について、第１の拡散空間３９の中心部側の側面に第３のガス吐出口５３が開口し、第１の拡散空間３９の周縁部側の側面が傾斜面をなすように構成されてもよい。ただし第３のガス吐出口５３が開口する凹部については、上記のように円環溝４３として形成することで、吐出されたガスが円環溝４３内を径方向に流れる。それによって、第１の拡散空間３９における径方向のガスの均一性をより高くすることができるため好ましい。また、上記の例では第３のガス吐出口５３の上流側は第２の拡散空間５２の側方に接続されているが、第２の拡散空間５２の下方に接続されていてもよい。
【００５２】
ＡＬＤを行う成膜装置を実施形態として示したが、ＣＶＤを行う成膜装置についても適用することができ、その場合もウエハＷの面内の各部に均一性高く処理ガスを供給して成膜処理を行うことができる。また、使用するガス種についても上記した例には限られない。さらに、本開示の装置は成膜装置に適用されることには限られず、ウエハＷに処理ガスを供給してエッチングを行うエッチング装置にも適用することができる。なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００５３】
・評価試験
以下、成膜装置１に関連して行われた評価試験について説明する。評価試験１として成膜装置１を用いてウエハＷに成膜処理を行い、ウエハＷの面内各部における膜厚の分布を調べた。そして、形成された膜厚の平均値と、膜厚のレンジ（膜厚の最大値−膜厚の最小値）と、を算出した。比較試験１として、試験用の成膜装置を用いて成膜装置１と同様の試験を行った。この試験用の成膜装置と成膜装置１との差異点を述べると、試験用の成膜装置１においては、第１の拡散空間３９を画成する天井面に円環溝４３が設けられておらず、この天井面から下方に突出するように円形のガス吐出部が設けられている。このガス吐出部は、第１の拡散空間３９の周方向に沿って間隔を空けて複数設けられている。そして、当該ガス吐出部の側面には、ガス吐出部の周方向に沿って複数のガス吐出口が間隔を空けて開口している。このガス吐出部のガス吐出口は水平に開口しており、当該ガス吐出部は平面視放射状にガスを吐出する。
【００５４】
図１２は評価試験１の結果を示すウエハＷの平面図であり、図１３は比較試験１の結果を示すウエハＷの平面図である。図１２、図１３では、ウエハＷの面内における膜厚分布を、等高線によって表示している。図１３においては、所定の膜厚となった点を実線、点線、鎖線で夫々結んで示しており、これらの各線上の膜厚は互いに異なる。この比較試験１では点線で囲まれる領域が、ガス吐出部の位置に対応するように現れていた。これは、第１の拡散空間３９においてガス吐出部の下方領域が、他の領域に比べてガスが流れ難いことによるものと考えられる。評価試験１においては、点線、鎖線で示される膜厚となる領域が現れなかったため、実線の等高線のみを示している。これは第１の拡散空間３９でガスの滞留することが抑制され、スムーズに流れたことによるものと考えられる。評価試験１では膜厚の平均値が９５．１Å、膜厚のレンジが１．４Åであり、比較試験１では膜厚の平均値が９９．７Å、膜厚のレンジが６．３Åであった。このように膜厚の平均値について大きな差は無いが、膜厚のレンジについては評価試験１の方が比較試験１よりも小さい。従ってこの評価試験１の結果から、成膜装置１により処理を行うことで、ウエハＷにおける膜厚分布の均一性を高くすることができることが確認された。
【符号の説明】
【００５５】
Ｗ              ウエハ
１１            真空容器
２１            載置部
３５            シャワープレート
３８            第１のガス吐出口
３９            第１の拡散空間
４９            天井部
５１            第２のガス吐出口
５２            第２の拡散空間
５３            第３のガス吐出口
６              ガス供給路
【図１】
2020026550.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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