(57)【要約】【課題】開口率及び透過率を向上させ、製造コストを低減できる表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板上に位置し、互いに離隔した少なくとも１つの薄膜トランジスタ及び補助電極と、少なくとも１つの薄膜トランジスタ及び補助電極上に位置するパッシベーション膜と、パッシベーション膜上に位置し、互いに離隔した第１隔壁及び第２隔壁と、第１隔壁上に位置し、少なくとも１つの薄膜トランジスタと接続された第１電極と、第２隔壁上に位置し、補助電極と接続された接続電極と、前記パッシベーシ膜上に位置し、第１電極の一部を露出させる第１開口部及び前記接続電極の一部を露出させる第２開口部を含むバンク層と、第１電極上に位置し、第２隔壁により短絡される有機発光層と、有機膜発光上に位置し、第２隔壁に隣接した前記接続電極とコンタクトする第２電極と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置し、互いに離隔した少なくとも１つの薄膜トランジスタ及び補助電極と、
前記少なくとも１つの薄膜トランジスタ及び前記補助電極上に位置するパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に位置し、互いに離隔した第１隔壁及び第２隔壁と、
前記第１隔壁上に位置し、前記少なくとも１つの薄膜トランジスタと接続された第１電極と、
前記第２隔壁上に位置し、前記補助電極と接続された接続電極と、
前記パッシベーシ膜上に位置し、前記第１電極の一部を露出させる第１開口部及び前記接続電極の一部を露出させる第２開口部を含むバンク層と、
前記第１電極上に位置し、前記第２隔壁により短絡される有機発光層と、
前記有機膜発光上に位置し、前記第２隔壁に隣接した前記接続電極とコンタクトする第２電極と、を含む表示装置。
【請求項２】
前記第１隔壁は、前記少なくとも１つの薄膜トランジスタと重畳する請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記有機発光層は、発光層及び有機共通層を含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１隔壁と前記第２隔壁のうち少なくとも１つは逆テーパ形状に形成される請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１電極は、前記第１隔壁の側部及び上部を覆い、前記パッシベーション膜に備えられた第１ビアホールを介して前記少なくとも１つの薄膜トランジスタと接続される請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１電極、前記有機発光層、及び前記第２電極が重畳する発光部を含み、
前記発光部は、第１隔壁と重畳する請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記接続電極は、前記第２隔壁の側部及び上部を覆い、前記パッシベーション膜に備えられた第２ビアホールを介して前記補助電極と接続される請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２隔壁の側面は前記有機発光層が分離されて前記接続電極を露出させ、
前記第２電極は前記第２隔壁の側部から露出された前記接続電極にコンタクトする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２隔壁と重畳される前記パッシベーション膜の表面は前記有機発光層が分離されて前記接続電極を露出させ、
前記第２電極は、前記パッシベーション膜の表面上に露出された前記接続電極にコンタクトする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記基板は、発光部を含むサブピクセル及び前記サブピクセルに隣接した透過部で区画され、
前記少なくとも１つの薄膜トランジスタ、前記補助電極、前記第１隔壁、前記第２隔壁、前記第１電極、及び前記接続電極は、前記サブピクセルに配置される請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記バンク層の前記第１開口部及び前記第２開口部は前記サブピクセル内に位置し、前記バンク層は前記透過部に位置する請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記バンク層は、前記透過部に前記バンク層がないように前記透過部を露出させる第３開口部を含む請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記透過部において前記有機発光層は前記パッシベーション膜上に直接位置する請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記発光部は、前記第１隔壁と重畳する請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１５】
キャパシタをさらに含み、前記第１隔壁は、前記キャパシタと重畳される請求項１に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１開口部は、前記第１隔壁の上部に位置した前記第１電極の一部を露出する請求項１に記載の表示装置。
【請求項１７】
基板上に位置する複数のサブピクセルと少なくとも１つの透過部を含み、
前記サブピクセルのうち１つは、薄膜トランジスタ及び前記薄膜トランジスタに電気的に接続された有機発光ダイオードと、
前記薄膜トランジスタ上に位置するパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に位置し、前記薄膜トランジスタの一部と重畳する第１隔壁とを含み、
前記有機発光ダイオードの第１電極は、前記第１隔壁の側部及び上部に位置し、前記有機発光ダイオードの有機発光層は、第１電極上に位置し、前記有機発光ダイオードの第２電極は、前記有機発光層上に位置し、
前記バンク層は、前記第１電極及び前記パッシベーション膜上に位置し、前記第１電極及び前記第１隔壁が位置した第１開口部を含む表示装置。
【請求項１８】
前記第１隔壁と離隔し、前記パッシベーション膜上に位置する第２隔壁と、
前記第２隔壁の側部及び上部に位置し、補助電極に接続された接続電極とをさらに含む請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１隔壁及び第２隔壁の少なくとも１つは逆テーパ形状を有する請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記バンク層は、前記透過部に前記バンク層がないように前記透過部を露出する第２開口部を含む請求項１７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、より詳しくは、開口率及び透過率を向上させ、製造コストを低減できる表示装置に関する。
【０００２】
本出願は、２０１８年１２月１７日に出願された大韓民国特許出願番号第１０−２０１８−０１６３４４５号の優先権の利益を主張し、その開示全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００３】
情報化社会の発展につれて、画像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形態に増加している。表示装置の分野は、大きな体積の陰極線管（Cathode Ray Tube：ＣＲＴ）を代替して、薄くて軽く大面積が可能な平板表示装置（Flat Panel Display Device：ＦＰＤ）に急速に変化してきた。平板表示装置には、液晶表示装置（Liquid Crystal Display Device：ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、有機発光表示装置（Organic Light Emitting Display Device：ＯＬＥＤ）、及び電気泳動表示装置（Electrophoretic Display Device：ＥＤ）などがある。
【０００４】
そのうち、有機発光表示装置は、自ら発光する自発光素子であって、応答速度が速く、発光効率、輝度、及び視野角が大きいという長所がある。特に、有機発光表示装置は、柔軟な（flexible）のフレキシブル基板上にも形成できるだけでなく、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel）や無機電界発光（ＥＬ）ディスプレイに比べて低い電圧で駆動可能であり、消費電力が比較的に少なく、色感が優れているという長所がある。
【０００５】
最近は、表示装置の前面から表示装置の背面を透過して見られる透明表示装置が開発されている。例えば、透明有機発光表示装置は、光を発光するサブピクセル及び外光が透過する透過部からなって透明表示装置を実現する。サブピクセルが大きくなると、透過部が小さくなり、透過部が大きくなると、サブピクセルが小さくなるトレードオフ（trade-off）の関係を有する。従って、サブピクセル及び透過部の開口率を増加させることが難しいという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１８−１０６７０６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、第２電極と補助電極のコンタクト面積を増加させて開口率及び透過率を向上させ、製造コストを低減できる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態による表示装置は、基板と、前記基板上に位置し、互いに離隔した少なくとも１つの薄膜トランジスタ及び補助電極と、前記少なくとも１つの薄膜トランジスタ及び前記補助電極上に位置するパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に位置し、互いに離隔した第１隔壁及び第２隔壁と、前記第１隔壁上に位置し、前記少なくとも１つの薄膜トランジスタと接続された第１電極と、前記第２隔壁上に位置し、前記補助電極と接続された接続電極と、前記パッシベーシ膜上に位置し、前記第１電極の一部を露出させる第１開口部及び前記接続電極の一部を露出させる第２開口部を含むバンク層と、前記第１電極上に位置し、前記第２隔壁により短絡される有機発光層と、前記有機膜発光上に位置し、前記第２隔壁に隣接した前記接続電極とコンタクトする第２電極と、を含んでもよい。
【０００９】
前記第１隔壁は、前記少なくとも１つの薄膜トランジスタと重畳してもよい。
【００１０】
前記有機発光層は、発光層及び有機共通層を含んでもよい。
【００１１】
前記第１隔壁と前記第２隔壁のうち少なくとも１つは逆テーパ形状に形成され得る。
【００１２】
前記第１電極は、前記第１隔壁の側部及び上部を覆い、前記パッシベーション膜に形成された第１ビアホールを介して前記少なくとも１つの薄膜トランジスタと接続され得る。
【００１３】
前記第１電極、前記有機発光層、及び前記第２電極が重畳する発光部を含み、前記発光部は、第１隔壁と重畳できる。
【００１４】
前記接続電極は、前記第２隔壁の側部及び上部を覆い、前記パッシベーション膜に形成された第２ビアホールを介して前記補助電極と接続され得る。
【００１５】
前記第２隔壁の側面は前記有機発光層が分離されて前記接続電極を露出させ、前記第２電極は前記第２隔壁の側部から露出された前記接続電極にコンタクトしてもよい。
【００１６】
前記第２隔壁と重畳される前記パッシベーション膜の表面は前記有機発光層が分離されて前記接続電極を露出させ、前記第２電極は、前記パッシベーション膜の表面上に露出された前記接続電極にコンタクトできる。
【００１７】
前記基板は、発光部を含むサブピクセル及び前記サブピクセルに隣接した透過部で区画され、前記少なくとも１つの薄膜トランジスタ、前記補助電極、前記第１隔壁、前記第２隔壁、前記第１電極、及び前記接続電極は、前記サブピクセルに配置され得る。
【００１８】
前記バンク層の前記第１開口部及び前記第２開口部は前記サブピクセル内に位置し、前記バンク層は前記透過部に位置してもよい。
【００１９】
前記バンク層は、前記透過部に前記バンク層がないように前記透過部を露出させる第３開口部を含んでもよい。
【００２０】
前記透過部において前記有機発光層は前記パッシベーション膜上に直接位置してもよい。
【００２１】
前記発光部は、前記第１隔壁と重畳してもよい。
【００２２】
キャパシタをさらに含み、前記第１隔壁は、前記キャパシタと重畳されてもよい。
【００２３】
前記第１開口部は、前記第１隔壁の上部に位置した前記第１電極の一部を露出してもよい。
【００２４】
基板上に位置する複数のサブピクセルと少なくとも１つの透過部を含み、前記サブピクセルのうち１つは、薄膜トランジスタ及び前記薄膜トランジスタに電気的に接続された有機発光ダイオードと、前記薄膜トランジスタ上に位置するパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に位置し、前記薄膜トランジスタの一部と重畳する第１隔壁とを含み、前記有機発光ダイオードの第１電極は、前記第１隔壁の側部及び上部に位置し、前記有機発光ダイオードの有機発光層は、第１電極上に位置し、前記有機発光ダイオードの第２電極は、前記有機発光層上に位置し、前記バンク層は、前記第１電極及び前記パッシベーション膜上に位置し、前記第１電極及び前記第１隔壁が位置した第１開口部を含んでもよい。
【００２５】
前記第１隔壁と離隔し、前記パッシベーション膜上に位置する第２隔壁と、前記第２隔壁の側部及び上部に位置し、補助電極に接続された接続電極とをさらに含んでもよい。
【００２６】
前記第１隔壁及び第２隔壁の少なくとも１つは逆テーパ形状を有してもよい。
【００２７】
前記バンク層は、前記透過部に前記バンク層がないように前記透過部を露出する第２開口部を含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
本発明に関する理解を助けるために詳細な説明の一部として含まれる添付図面は、本発明に対する実施形態を提供し、詳細な説明と共に本発明の技術的特徴を説明する。
【００２９】
【図１】有機発光表示装置の概略的なブロック図である。
【図２】図１の有機発光表示装置のサブピクセルの概略的な回路構成図である。
【図３】図２のサブピクセルの詳細回路構成例示図である。
【図４】本発明の有機発光表示装置のサブピクセルのレイアウトを簡略に示す平面図である。
【図５】本発明の比較例によるサブピクセルを示す断面図である。
【図６】本発明の比較例による隔壁領域を拡大した断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置を示す断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による隔壁領域を拡大した断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態によるサブピクセルと第１隔壁の配置関係を示す平面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態による有機発光表示装置を示す断面図である。
【図１１】本発明の比較例及び第１実施形態による隔壁のサイズによるコンタクト領域の面積を示すグラフである。
【図１２】本発明の比較例によって製造された有機発光表示装置のイメージである。
【図１３】本発明の第２実施形態によって製造された有機発光表示装置のイメージである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、添付の図面を参照して、本発明の好適な実施形態を説明する。明細書全体にわたって同一の参照番号は実質的に同一の構成要素を意味する。以下の説明において、本発明に関連した公知技術或いは構成に関する具体的な説明が本発明の要旨を余計に曖昧にし得ると判断される場合、その詳細な説明を省略する。また、以下の説明で使われる構成要素名は、明細書作成の容易さを考慮して選択されたものであり、実製品の部品名と異なることもある。
【００３１】
本発明による表示装置は、ガラス基板又はフレキシブル基板上に表示素子が形成された表示装置である。表示装置の例として、有機発光表示装置、液晶表示装置、電気泳動表示装置などが使用できるが、本発明においては有機発光表示装置を例にして説明する。有機発光表示装置は、アノードである第１電極とカソードである第２電極の間に有機物からなる有機発光層を含む。従って、第１電極から供給される正孔と第２電極から供給される電子が有機発光層内で結合して正孔−電子対である励起子（exciton）を形成し、励起子が基底状態に戻ってくるとともに発生するエネルギーにより発光する自発光表示装置である。
【００３２】
本発明による表示装置は、トップエミッション（top emission）構造の有機発光表示装置である。トップエミッション構造の有機発光表示装置は、有光層で発光された光が上部に位置する透明な第２電極を透過して放出される構造である。
【００３３】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
図１は、本発明の実施形態による有機発光表示装置の概略的なブロック図であり、図２は、図１の有機発光表示装置のサブピクセルの概略的な回路構成図であり、図３は、図２のサブピクセルの詳細回路構成例示図である。
【００３４】
図１に示すように、有機発光表示装置には、映像処理部１１０、タイミング制御部１２０、データ駆動部１３０、スキャン駆動部１４０、及び表示パネル１５０が含まれる。
【００３５】
映像処理部１１０は、外部から供給されたデータ信号ＤＡＴＡとともにデータイネーブル信号ＤＥなどを出力する。映像処理部１１０は、データイネーブル信号ＤＥ以外にも垂直同期信号、水平同期信号、及びクロック信号のうち１つまたは複数を出力することができるが、これらの信号は説明の便宜のために省略して図示する。
【００３６】
タイミング制御部１２０は、映像処理部１１０からデータイネーブル信号ＤＥ又は垂直同期信号、水平同期信号及びクロック信号などを含む駆動信号とともにデータ信号ＤＡＴＡの供給を受ける。タイミング制御部１２０は、駆動信号に基づいてスキャン駆動部１４０の動作タイミングを制御するためのゲートタイミング制御信号ＧＤＣとデータ駆動部１３０の動作タイミングを制御するためのデータタイミング制御信号ＤＤＣを出力する。
【００３７】
データ駆動部１３０は、タイミング制御部１２０から供給されたデータタイミング制御信号ＤＤＣに応答してタイミング制御部１２０から供給されるデータ信号ＤＡＴＡをサンプリング及びラッチして、ガンマ基準電圧に変換して出力する。データ駆動部１３０は、データラインＤＬ１〜ＤＬｎ（ここで、ｎは数字であり、正の整数である。）を介してデータ信号ＤＡＴＡを出力する。データ駆動部１３０は、ＩＣ（Integrated Circuit）の形態で形成されることができる。
【００３８】
スキャン駆動部１４０は、タイミング制御部１２０から供給されたゲートタイミング制御信号ＧＤＣに回答してスキャン信号を出力する。スキャン駆動部１４０は、ゲートラインＧＬ１〜ＧＬｍ（ここで、ｍは数字であり、正の整数である。）を介してスキャン信号を出力する。スキャン駆動部１４０は、ＩＣ（Integrated Circuit）の形態で形成されるか、表示パネル１５０にゲートインパネル（Gate In Panel）方式で形成される。
【００３９】
表示パネル１５０は、データ駆動部１３０及びスキャン駆動部１４０から供給されたデータ信号ＤＡＴＡ及びスキャン信号に対応して映像を表示する。表示パネル１５０は、映像を表示できるように動作するサブピクセルＳＰを含む。
【００４０】
サブピクセルＳＰは、赤色サブピクセル、緑色サブピクセル、青色サブピクセルを含むか、白色サブピクセル、赤色サブピクセル、緑色サブピクセル、及び青色サブピクセルを含む。サブピクセルＳＰは、発光特性に応じて１つまたは複数の異なる発光面積を有することができる。
【００４１】
図２に示すように、１つのサブピクセルＳＰにはスイッチングトランジスタＳＷ、駆動トランジスタＤＲ、キャパシタＣｓｔ、補償回路ＣＣ、及び有機発光ダイオードＯＬＥＤが含まれる。
【００４２】
スイッチングトランジスタＳＷは、第１ゲートラインＧＬ１を介して供給されたスキャン信号に応答して、データラインＤＬを介して供給されるデータ信号がキャパシタＣｓｔにデータ電圧として保存されるようにスイッチング動作する。駆動トランジスタＤＲは、キャパシタＣｓｔに保存されたデータ電圧によって電源ラインＥＶＤＤ（例えば、高電位電圧）とカソード電源ラインＥＶＳＳ（例えば、低電位電圧）の間に駆動電流が流れるように動作する。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動トランジスタＤＲにより形成された駆動電流によって光を発光するように動作する。
【００４３】
補償回路ＣＣは、駆動トランジスタＤＲの閾値電圧などを補償するためにサブピクセルＳＰ内に追加された回路である。補償回路ＣＣは、１つまたは複数のトランジスタで構成される。補償回路ＣＣの構成は、外部補償方法によって非常に多様であり、以下、これに関する例示を図３を参照して説明する。
【００４４】
図３に示すように、補償回路ＣＣには、センシングトランジスタＳＴと、センシングラインＶＲＥＦ（又は、リファレンスライン）が含まれる。センシングトランジスタＳＴのソース電極又はドレイン電極は、駆動トランジスタＤＲのソース電極と有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極との間（以下、センシングノード）に接続される。センシングトランジスタＳＴは、センシングラインＶＲＥＦを介して伝達される初期化電圧（又は、センシング電圧）を駆動トランジスタＤＲのセンシングノードに供給するか、駆動トランジスタＤＲのセンシングノード又はセンシングラインＶＲＥＦの電圧又は電流をセンシングできるように動作する。
【００４５】
スイッチングトランジスタＳＷは、データラインＤＬにソース電極又はドレイン電極が接続され、駆動トランジスタＤＲのゲート電極にソース電極又はドレイン電極のうち残りの１つが接続される。駆動トランジスタＤＲは、電源ラインＥＶＤＤにソース電極又はドレイン電極が接続され、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードである第１電極にソース電極又はドレイン電極のうち残りの１つが接続される。キャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＤＲのゲート電極にいずれか１つの電極が接続され、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に他の１つの電極が接続される。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動トランジスタＤＲのソース又はドレイン電極のうち残りの１つに第１電極（例えば、アノード電極に）が接続され、第２電源ラインＥＶＳＳに第２電極（例えば、カソード電極）が接続される。センシングトランジスタＳＴは、センシングラインＶＲＥＦにソース電極又はドレイン電極が接続され、センシングノードである有機発光ダイオードＯＬＥＤの第１電極及び駆動トランジスタＤＲのソース又はドレイン電極のうち残りの１つにソース電極又はドレイン電極のうち残りの１つが接続される。
【００４６】
センシングトランジスタＳＴの動作時間は、外部補償アルゴリズム（又は、補償回路の構成）によってスイッチングトランジスタＳＷと類似／同一であるか異なる可能性がある。一例として、スイッチングトランジスタＳＷは第１ゲートラインＧＬ１にゲート電極が接続され、センシングトランジスタＳＴは第２ゲートラインＧＬ２にゲート電極が接続されることができる。この場合、第１ゲートラインＧＬ１にはスキャン信号（Ｓｃａｎ）が伝達され、第２ゲートラインＧＬ２にはセンシング信号（Ｓｅｎｓｅ）が伝達される。他の例として、スイッチングトランジスタＳＷのゲート電極に接続された第１ゲートラインＧＬ１とセンシングトランジスタＳＴのゲート電極に接続された第２ゲートラインＧＬ２は共通で共有できるように接続されることができる。
【００４７】
センシングラインＶＲＥＦはデータ駆動部に接続されることができる。この場合、データ駆動部は、リアルタイム、映像の非表示期間又はＮフレーム（Ｎは、１以上の整数）期間の間、サブピクセルのセンシングノードをセンシングしてセンシング結果を生成できるようになる。一方、スイッチングトランジスタＳＷとセンシングトランジスタＳＴは、同一の時間にターンオンされることができる。この場合、データ駆動部の時分割方式によりセンシングラインＶＲＥＦを介したセンシングの動作とデータ信号を出力するデータ出力動作は互いに分離（区分）される。
【００４８】
その他に、センシング結果に従う補償対象は、デジタル形態のデータ信号、アナログ形態のデータ信号、又はガンマなどであり得る。そして、センシング結果に基づいて補償信号（又は、補償電圧）などを生成する補償回路は、データ駆動部の内部、タイミング制御部の内部、又は別途の回路で実現されることができる。
【００４９】
その他、図３においては、スイッチングトランジスタＳＷ、駆動トランジスタＤＲ、キャパシタＣｓｔ、有機発光ダイオードＯＬＥＤ、センシングトランジスタＳＴを含む３Ｔ（Transistor）１Ｃ（Capacitor）構造のサブピクセルを一例として説明したが、補償回路ＣＣが追加された場合、３Ｔ２Ｃ、４Ｔ２Ｃ、５Ｔ１Ｃ、６Ｔ２Ｃなどで構成されることもできる。
【００５０】
図４は、本発明の実施形態による有機発光表示装置のサブピクセルのレイアウトを簡略に示す平面図であり、図５は、本発明の比較例によるサブピクセルを示す断面図であり、図６は、本発明の比較例による隔壁領域を拡大した断面図である。
【００５１】
図４に示すように、本発明の有機発光表示装置は、表示装置の前面から表示装置の背面を透過して見られる透明表示装置である。透明有機発光表示装置は、光を発光する複数のサブピクセル、例えば、第１ないし第４サブピクセルＳＰｎ１〜ＳＰｎ４及び外光が透過する透過部ＴＡを含む。
【００５２】
一例として、第１ないし第４サブピクセルＳＰｎ１〜ＳＰｎ４は、１つの行に２つのサブピクセルが配置されて２つの列で構成され、計４つのサブピクセルが１つのピクセルを構成する。第１ないし第４サブピクセルＳＰｎ１〜ＳＰｎ４は、赤色（Ｒ）、白色（Ｗ）、青色（Ｂ）、及び緑色（Ｇ）をそれぞれ放出して、１つのピクセル（Ｐ）になる。しかしながら、サブピクセルの配置順は、発光材料、発光面積、補償回路の構成（又は、構造）などによって多様に変更できる。また、サブピクセルは、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）、及び緑色（Ｇ）が１つのピクセル（Ｐ）になることもできる。
【００５３】
透過部ＴＡは、第１ないし第４サブピクセルＳＰｎ１〜ＳＰｎ４のそれぞれの一側に配置される。例えば、第１サブピクセルＳＰｎ１と第３サブピクセルＳＰｎ３の左側にいずれか１つの透過部ＴＡが配置され、第２サブピクセルＳＰｎ２と第４サブピクセルＳＰｎ４の右側に他の透過部ＴＡが配置される。
【００５４】
図５を参照して、サブピクセルＳＰｎ１と前記サブピクセルＳＰｎ１に隣接した透過部の断面構造について説明する。
図５に示すように、本発明の比較例による有機発光表示装置は、基板２００上にバッファ層２０５が位置する。基板２００は、ガラス、プラスチック、又は金属で形成されることができる。基板２００は、第１サブピクセルＳＰｎ１と透過部ＴＡが定義される。バッファ層２０５は、基板２００から流出されるアルカリイオンなどの不純物から後工程で形成される薄膜トランジスタＴＦＴを保護する役割を果たす。バッファ層２０５は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重層であり得る。
【００５５】
バッファ層２０５上に半導体層２１０が位置する。半導体層２１０は、シリコン半導体や酸化物半導体からなり得る。シリコン半導体は、非晶質シリコン又は結晶化された多結晶シリコンを含むことができる。ここで、多結晶シリコンは、移動度が高くて（１００ｃｍ２／Ｖｓ以上）、エネルギー消費電力が低く、信頼性が優れているため、駆動素子用ゲートドライバ及び／又はマルチプレクサ（ＭＵＸ）に適用するか、画素内駆動ＴＦＴに適用できる。一方、酸化物半導体は、オフ−電流が低いので、オン（Ｏｎ）時間が短く、オフ（Ｏｆｆ）時間を長く維持するスイッチングＴＦＴに適合である。また、オフ電流が小さいので、画素の電圧維持期間が長くなって低速駆動及び／又は低消費電力を要求する表示装置に適合である。また、半導体層２１０は、ｐ型又はｎ型の不純物を含むドレイン領域及びソース領域を含み、これらの間にチャンネルを含む。
【００５６】
半導体層２１０上にゲート絶縁膜２１５が位置する。ゲート絶縁膜２１５は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重層であり得る。ゲート絶縁膜２１５上に半導体層２１０の一定領域、すなわち、不純物がされていないチャンネルと対応される位置にゲート電極２２０が位置し、一定間隔離隔した領域にキャパシタ下部電極２２５が位置する。ゲート電極２２０とキャパシタ下部電極２２５は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つ又はこれらの合金で形成される。また、ゲート電極２２０とキャパシタ下部電極２２５は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つ又はこれらの合金で形成された多重層であり得る。例えば、ゲート電極２２０とキャパシタ下部電極２２５は、モリブデン／アルミ−ネオジム又はモリブデン／アルミの２重層であり得る。
【００５７】
ゲート電極２２０とキャパシタ下部電極２２５上にゲート電極２２０とキャパシタ下部電極２２５を絶縁させる第１層間絶縁膜２３０が位置する。第１層間絶縁膜２３０は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重層であり得る。第１層間絶縁膜２３０上にキャパシタ下部電極２２５と対応されるキャパシタ上部電極２３５が位置する。キャパシタ上部電極２３５は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つ又はこれらの合金で形成される。従って、キャパシタ下部電極２２５とキャパシタ上部電極２３５は、キャパシタＣｓｔを構成する。
【００５８】
第１層間絶縁膜２３０上に第２層間絶縁膜２４０が位置してキャパシタ上部電極２３５を絶縁させる。第２層間絶縁膜２４０は、第１層間絶縁膜２３０と同一の物質で形成されることができる。ゲート絶縁膜２１５、第１層間絶縁膜２３０、及び第２層間絶縁膜２４０には、半導体層２１０を露出するコンタクトホール２３７が形成される。
【００５９】
第２層間絶縁膜２４０上にドレイン電極２５０とソース電極２５５が位置する。ドレイン電極２５０とソース電極２５５は、コンタクトホール２３７を介してそれぞれ半導体層２１０に接続される。ドレイン電極２５０とソース電極２５５は、単一層又は多重層で形成されることができ、ドレイン電極２５０とソース電極２５５が単一層である場合は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つ又はこれらの合金で形成されることができる。また、ドレイン電極２５０とソース電極２５５が多重層である場合は、モリブデン／アルミニウム−ネオジムの２重層、チタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデン、又はモリブデン／アルミニウム−ネオジム／モリブデンの３重層で形成されることができる。従って、半導体層２１０、ゲート電極２２０、ドレイン電極２５０、及びソース電極２５５を含む駆動トランジスタＤＲが構成される。
【００６０】
第２層間絶縁膜２４０上において駆動トランジスタＤＲと離隔された領域にデータライン２５７と補助電極２５９がそれぞれ位置する。データライン２５７と補助電極２５９は、前述したソース電極２５５と同一の物質で形成される。補助電極２５９は、後述する第２電極の抵抗を低下させ、低電位電圧を供給する役割を果たす。
【００６１】
駆動トランジスタＤＲ、データライン２５７、及び補助電極２５９を含む基板２００上にパッシベーション膜２６０が位置する。パッシベーション膜２６０は、下部の素子を保護する絶縁膜であり、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重層であり得る。パッシベーション膜２６０上にオーバーコート層２７０が位置する。オーバーコート層２７０は、下部構造の段差を緩和させるための平坦化膜であり得、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン系樹脂（benzocyclobutene series resin）、ポリアクリルレート（polyacrylate）などの有機物からなる。オーバーコート層２７０とパッシベーション膜２６０には駆動トランジスタＤＲのソース電極２５５を露出させる第１ビアホール２７４が位置し、補助電極２５９を露出させる第２ビアホール２７６が位置する。
【００６２】
オーバーコート層２７０上に有機発光ダイオードＯＬＥＤが位置する。より詳しくは、第１ビアホール２７４が形成されたオーバーコート層２７０上に有機発光ダイオードＯＬＥＤの第１電極２８０が位置する。第１電極２８０は、画素電極として作用し、第１ビアホール２７４を介して駆動トランジスタＤＲのソース電極２５５に接続される。第１電極２８０は、アノードでＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、又はＺｎＯ（Zinc Oxide）などの透明導電物質からなり得る。本発明は、トップエミッション構造の有機発光表示装置に関するので、第１電極２８０は反射電極である。従って、第１電極２８０は、反射層をさらに含むことができる。反射層は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はこれらの合金からなり得、好ましくは、ＡＰＣ（銀／パラジウム／銅合金）からなり得る。
【００６３】
第１電極２８０と離隔した領域、例えば、第２ビアホール２７６が形成されたオーバーコート層２７０上に接続電極２８５が位置する。接続電極２８５は、第２ビアホール２７６を介して補助電極２５９に接続される。接続電極２８５は、第１電極２８０と同一の物質で形成される。
【００６４】
第１電極２８０が形成されたオーバーコート層２７０上に画素を区画するバンク層２９０が位置する。バンク層２９０は、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン系樹脂（benzocyclobutene series resin）、ポリアクリルレート（polyacrylate）などの有機物で形成される。バンク層２９０は、第１電極２８０を露出させる第１開口部２９５が位置し、接続電極２８５を露出させる第２開口部２９７が位置する。
【００６５】
バンク層２９０の第２開口部２９７内で接続電極２８５上に隔壁３００が位置する。隔壁３００は、後述する有機発光層をパターニングし、第２電極と接続電極２８５を接続する役割をする。隔壁３００は、有機膜層をパターニングするために、逆テーパ（reverse taper）形状に形成される。隔壁３００は、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン系樹脂（benzocyclobutene series resin）、ポリアクリルレート（polyacrylate）などの有機物からなり、前述したバンク層２９０と同一の物質からなることもできる。
【００６６】
隔壁３００とバンク層２９０が形成された基板２００上に有機発光ダイオードＯＬＥＤの有機発光層３１０が位置する。有機発光層３１０は、基板２００に形成されてバンク層２９０の第１開口部２９５を介して第１電極２８０にコンタクトされる。また、有機発光層３１０は、隔壁３００の上部に蒸着されるが、逆テーパ形状の隔壁３００によりその接続が切れてパターニングされる。有機発光層３１０は、少なくとも電子と正孔が結合して発光する発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層のうち選択された有機共通層のうちいずれか１つまたは複数を含むことができる。
【００６７】
有機膜層３１０上に有機発光ダイオードＯＬＥＤの第２電極３２０が位置する。第２電極３２０は、基板２００に位置し、カソード電極であり得る。第２電極３２０は、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、又はこれらの合金からなり得る。第２電極３２０は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）で形成できるが、これに限定されるものではなく、隔壁３００によりパターニングされずに隔壁３００に沿って連続的に形成される。第２電極３２０が隔壁３００の下部に露出された接続電極２８５にコンタクトすることにより、第２電極３２０と補助電極２５９は電気的に接続される。従って、第２電極３２０は、補助電極２５９を介して抵抗が減少し、低電位電圧の供給を受けることになる。
【００６８】
一方、図６に示すように、隔壁３００の周辺において接続電極２８５と第２電極３２０がコンタクトするコンタクト領域ＣＴＰは、隔壁３００の周辺の接続電極２８５の表面と定義される。接続電極２８５と第２電極３２０のコンタクト領域ＣＴＰは接続電極２８５の一部表面に過ぎないので、接続電極２８５と第２電極３２０のコンタクト抵抗が増加する可能性がある。従って、隔壁３００のサイズを大きく形成してコンタクト領域ＣＴＰの面積を増加させることができる。しかしながら、隔壁３００のサイズが大きくなるほどサブピクセルＳＰｎ１のサイズが大きくなり、相対的に透過部ＴＡのサイズが小さくなって透過部ＴＡの開口率が低下することになる。
【００６９】
また、図５に示すように、透過部ＴＡにはオーバーコート層２７０とバンク層２９０が存在する。オーバーコート層２７０とバンク層２９０は有機物からなり、これらの特性上、透過率が８８％以下として小さくて透過率が低下し、光が黄みがかった（yellowish）光になって色感が低下する。
【００７０】
従って、透過部の開口率と透過率を向上させ、色感を向上させる表示装置を図７ないし図１０を参照して開示する。
【００７１】
＜第１実施形態＞
図７は、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置を示す断面図であり、図８は、本発明の第１実施形態による隔壁領域を拡大した断面図であり、図９は、本発明の第１実施形態によるサブピクセルと第１隔壁の配置関係を示す平面図である。下記では、前述した表示装置と同一の構成に対しては同一の図面符号をつけてその説明を簡略にする。図７ないし図１０のいずれか１つ以上の構成は、以下で説明されるか、任意の他の構成又は構造において使用されることができる。また、本発明の全ての実施形態による有機発光表示装置又は任意の他の表示装置の全ての構成要素は、動作可能に結合されて構成される。
【００７２】
図７を参照すると、本発明の第１実施形態による表示装置は、図４に示すように複数のサブピクセルと１つ以上の透過部ＴＡが提供される。図７を参照すると、基板２００に第１サブピクセルＳＰｎ１と透過部ＴＡが定義される。基板２００上にバッファ層２０５が位置し、バッファ層２０５上に半導体層２１０が位置する。半導体層２１０上にゲート絶縁膜２１５が位置する。ゲート絶縁膜２１５上に半導体層２１０の一定領域、すなわち、不純物が注入されていないチャンネルと対応される位置にゲート電極２２０が位置し、一定間隔離隔した領域にキャパシタ下部電極２２５が位置する。
【００７３】
ゲート電極２２０とキャパシタ下部電極２２５上にゲート電極２２０とキャパシタ下部電極２２５を絶縁させる第１層間絶縁膜２３０が位置する。第１層間絶縁膜２３０上にキャパシタ下部電極２２５と対応されるキャパシタ上部電極２３５が位置する。従って、キャパシタ下部電極２２５とキャパシタ上部電極２３５はキャパシタＣｓｔを構成する。第１層間絶縁膜２３０上に第２層間絶縁膜２４０が位置してキャパシタ上部電極２３５を絶縁させる。ゲート絶縁膜２１５、第１層間絶縁膜２３０、及び第２層間絶縁膜２４０には、半導体層２１０を露出するコンタクトホール２３７が形成される。
【００７４】
第２層間絶縁膜２４０上にドレイン電極２５０とソース電極２５５が位置する。ドレイン電極２５０とソース電極２５５は、コンタクトホール２３７を介してそれぞれ半導体層２１０に接続される。従って、半導体層２１０、ゲート電極２２０、ドレイン電極２５０、及びソース電極２５５を含む駆動トランジスタＤＲが構成される。
【００７５】
第２層間絶縁膜２４０上において駆動トランジスタＤＲと離隔した領域にデータライン２５７と補助電極２５９がそれぞれ位置する。データライン２５７と補助電極２５９は、前述したソース電極２５５と同一の物質で形成される。補助電極２５９は、後述する第２電極の抵抗を低下させ、低電位電圧を供給する役割を果たす。駆動トランジスタＤＲ、データライン２５７、及び補助電極２５９を含む基板２００上にパッシベーション膜２６０が位置する。
【００７６】
一方、パッシベーション膜２６０上に第１隔壁３３０と第２隔壁３４０が位置する。第１隔壁３３０は、駆動トランジスタＤＲとキャパシタＣｓｔに重畳して配置され、第２隔壁３４０は、補助電極２５９と隣接して配置される。第１隔壁３３０は、後述する有機発光ダイオードＯＬＥＤの第１電極２８０が形成される領域を定義し、第２隔壁３４０は、後述する有機発光層をパターニングし、第２電極と接続電極２８５を接続する役割をする。第１隔壁３３０と第２隔壁３４０のうち少なくとも１つは逆テーパ（reverse taper）形状に形成される。第１隔壁３３０と第２隔壁３４０は、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン系樹脂（benzocyclobutene series resin）、ポリアクリルレート（polyacrylate）などの有機物からなり得る。
【００７７】
第１隔壁３３０上に第１電極２８０が位置し、第２隔壁３４０上に接続電極２８５が位置する。具体的に、第１電極２８０は、第１隔壁３３０を包む構造で形成され、隣接したパッシベーション膜２６０の第１ビアホール２７４を介して駆動トランジスタＤＲのソース電極２５５に接続される。第１電極２８０は、第１隔壁３３０の側面と上面を全部覆う構造となっている。接続電極２８５は、第２隔壁３４０を包む構造で形成され、隣接したパッシベーション膜２６０の第２ビアホール２７６を介して補助電極２５９に接続される。接続電極２８５は、第２隔壁３４０の側面と上面を全部覆う構造となっている。
【００７８】
第１電極２８０が形成されたパッシベーション膜２６０上に画素を区画するバンク層２９０が位置する。バンク層２９０には、第１電極２８０を覆うとともに第１電極２８０を露出させる第１開口部２９５が位置し、接続電極２８５を露出させる第２開口部２９７が位置する。バンク層２９０が形成された基板２００上に有機発光ダイオードＯＬＥＤの有機発光層３１０が位置する。有機発光層３１０は、基板２００の前面に形成されてバンク層２９０の第１開口部２９５を介して第１電極２８０にコンタクトされる。また、有機発光層３１０は、第２隔壁３４０の上部に蒸着されるが、逆テーパ形状の第２隔壁３４０によりその接続が切れてパターニングされる。
【００７９】
有機発光層３１０上に有機発光ダイオードＯＬＥＤの第２電極３２０が位置する。第２電極３２０は、基板２００の前面に位置し、カソード電極であり得る。第２電極３２０を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）で形成できるが、これに限定されるものではなく、第２隔壁３４０によりパターニングされずに第２隔壁３４０に沿って連続的に形成される。第２電極３２０は、第２隔壁３４０の下部に露出された接続電極２８５にコンタクトすることにより、第２電極３２０と補助電極２５９が電気的に接続される。従って、第２電極３２０は、補助電極２５９を介して抵抗が減少し、低電位電圧の供給を受けることになる。
【００８０】
そして、第１電極２８０、有機発光層３１０、及び第２電極３２０が重畳される領域は、発光部ＥＡと定義される。第１隔壁３３０は、第１電極２８０が形成される領域を定義するので、第１隔壁３３０は、発光部ＥＡと重畳される。
【００８１】
図７の第２隔壁を拡大して示す図８を参照すると、第２隔壁３４０の周辺で接続電極２８５と第２電極３２０がコンタクトするコンタクト領域ＣＴＰは、第２隔壁３４０の側面に形成された接続電極２８５の表面とパッシベーション膜２６０上に形成された接続電極２８５の表面と定義される。言い換えると、図８の点線の円で表示された第２隔壁３４０の側面と第２隔壁３４０の周辺を、接続電極２８５と第２電極３２０がコンタクトするコンタクト領域ＣＴＰとできる。
【００８２】
前述した図６の比較例のコンタクト領域と図８の実施形態のコンタクト領域を比較すると、同一のサイズの隔壁を形成したとき、実施形態第２隔壁３４０の側面までもコンタクト領域ＣＴＰとして作用することができる。このコンタクト領域ＣＴＰは、図６と比較して相当増加した。従って、接続電極２８５と第２電極３２０のコンタクト領域ＣＴＰの面積を増加させてコンタクト抵抗を減少できるという利点がある。
【００８３】
また、図７に示すように、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置は、比較例に備えられたオーバーコート層を省略し、第１隔壁３３０を介して第１電極２８０が形成される領域を定義できる。従って、製造コストを低減でき、透過部ＴＡにオーバーコート層が省略されて透過率を向上させ、黄みがかった（yellowish）光が出ることを減らして色感を向上させる利点がある。
【００８４】
第１隔壁、サブピクセル及び透過部間の位置関係を示す図９を参照すると、本発明の第１隔壁３３０は、それぞれ又は少なくとも１つのサブピクセルＳＰｎ１〜ＳＰｎ４内に配置され、第２隔壁３４０は、サブピクセルＳＰｎ１〜ＳＰｎ４のうちの少なくとも１つに配置され得る。図９の例では、第２隔壁３４０が第２サブピクセルＳＰｎ２に位置する。第２隔壁３４０の数は多様に調節することができ、特に限定されない。
【００８５】
＜第２実施形態＞
図１０は、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置を示す断面図である。下記では、前述した有機発光表示装置と同一の構成に対しては同一の図面符号をつけてその説明を簡略にする。図１０は、図７の透過部ＴＡとその境界領域の構成を除いては、基本的に図７の表示装置と同一である。以下でより詳細に議論される。
【００８６】
図１０に示すように、本発明の第２実施形態による表示装置は、基板２００に第１サブピクセルＳＰｎ１と透過部ＴＡが定義される。基板２００上にバッファ層２０５が位置し、バッファ層２０５上に半導体層２１０が位置する。半導体層２１０上にゲート絶縁膜２１５が位置する。ゲート絶縁膜２１５上に半導体層２１０の一定領域、すなわち、不純物が注入されていないチャンネルと対応される位置にゲート電極２２０が位置し、一定間隔離隔した領域にキャパシタ下部電極２２５が位置する。
【００８７】
ゲート電極２２０とキャパシタ下部電極２２５上にゲート電極２２０とキャパシタ下部電極２２５を絶縁させる第１層間絶縁膜２３０が位置する。第１層間絶縁膜２３０上にキャパシタ下部電極２２５と対応されるキャパシタ上部電極２３５が位置する。従って、キャパシタ下部電極２２５とキャパシタ上部電極２３５はキャパシタＣｓｔを構成する。第１層間絶縁膜２３０上に第２層間絶縁膜２４０が位置してキャパシタ上部電極２３５を絶縁させる。ゲート絶縁膜２１５、第１層間絶縁膜２３０、及び第２層間絶縁膜２４０には、半導体層２１０を露出するコンタクトホール２３７が形成される。
【００８８】
第２層間絶縁膜２４０上にドレイン電極２５０とソース電極２５５が位置する。ドレイン電極２５０とソース電極２５５は、コンタクトホール２３７を介してそれぞれ半導体層２１０に接続される。従って、半導体層２１０、ゲート電極２２０、ドレイン電極２５０、及びソース電極２５５を含む駆動トランジスタＤＲが構成される。
【００８９】
第２層間絶縁膜２４０上において駆動トランジスタＤＲと離隔した領域にデータライン２５７と補助電極２５９がそれぞれ位置する。データライン２５７と補助電極２５９は、前述したソース電極２５５と同一の物質で形成される。補助電極２５９は、後述する第２電極の抵抗を低下させ、低電位電圧を供給する役割を果たす。駆動トランジスタＤＲ、データライン２５７、及び補助電極２５９を含む基板２００上にパッシベーション膜２６０が位置する。
【００９０】
一方、パッシベーション膜２６０上に第１隔壁３３０と第２隔壁３４０が位置する。第１隔壁３３０は、駆動トランジスタＤＲとキャパシタＣｓｔに重畳して配置され、第２隔壁３４０は、補助電極２５９と隣接して配置される。第１隔壁３３０は、後述する有機発光ダイオードＯＬＥＤの第１電極２８０が形成される領域を定義し、第２隔壁３４０は、後述する有機発光層をパターニングし、第２電極と接続電極２８５を接続する役割をする。第１隔壁３３０と第２隔壁３４０は、逆テーパ（reverse taper）形状に形成される。第１隔壁３３０と第２隔壁３４０は、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン系樹脂（benzocyclobutene series resin）、ポリアクリルレート（polyacrylate）などの有機物で形成される。
【００９１】
第１隔壁３３０上に第１電極２８０が位置し、第２隔壁３４０上に接続電極２８５が位置する。具体的に、第１電極２８０は、第１隔壁３３０を包む構造で形成されて隣接したパッシベーション膜２６０の第１ビアホール２７４を介して駆動トランジスタＤＲのソース電極２５５に接続される。第１電極２８０は、第１隔壁３３０の側面と上面を全部覆う構造となっている。接続電極２８５は、第２隔壁３４０を包む構造で形成されて隣接したパッシベーション膜２６０の第２ビアホール２７６を介して補助電極２５９に接続される。接続電極２８５は、第２隔壁３４０の側面と上面を全部覆う構造となっている。
【００９２】
第１電極２８０が形成されたパッシベーション膜２６０上に画素を区画するバンク層２９０が位置する。バンク層２９０は、第１電極２８０を覆うと共に、第１電極２８０を露出させる第１開口部２９５が位置し、接続電極２８５を露出させる第２開口部２９７が位置する。バンク層２９０が形成された基板２００上に有機発光層３１０が位置する。有機発光層３１０は、基板２００に形成されてバンク層２９０の第１開口部２９５を介して第１電極２８０にコンタクトされる。また、有機発光層３１０は、第２隔壁３４０上部に蒸着されるが、逆テーパ形状の第２隔壁３４０によりその接続が切れてパターニングされる。
【００９３】
有機膜層３１０上に有機発光ダイオードＯＬＥＤの第２電極３２０が位置する。第２電極３２０は、基板２００に位置し、カソード電極であり得る。第２電極３２０は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）で形成されることができるが、これに限定されるものではなく、第２隔壁３４０によりパターニングされずに第２隔壁３４０に沿って連続的に形成される。第２電極３２０は、第２隔壁３４０の下部に露出された接続電極２８５にコンタクトすることにより、第２電極３２０と補助電極２５９が電気的に接続される。従って、第２電極３２０は、補助電極２５９を介して抵抗が減少し、低電位電圧の供給を受けることになる。
【００９４】
一方、本発明の第２実施形態によるバンク層２９０は、透過部ＴＡを露出させる第３開口部２９９を備える。例えば、バンク層２９０は、透過部ＴＡに形成されない。バンク層２９０は、有機物の特性上、透過率を低下させ、光が黄みがかった光になって色感を低下させる。従って、本発明の第２実施形態では、透過部ＴＡにバンク層２９０が形成されないように、透過部ＴＡを露出させるバンク層２９０の第３開口部２９９を形成する。従って、透過部ＴＡでの光透過率を向上させ、色感が低下することを防止できる利点がある。
【００９５】
図１１は、本発明の比較例及び第１実施形態による隔壁の長さによるコンタクト領域の面積を示すグラフであり、図１２は、本発明の比較例によって製造された有機発光表示装置のイメージであり、図１３は、本発明の第２実施形態によって製造された有機発光表示装置のイメージである。
【００９６】
図１１に示すように、比較例による有機発光表示装置は、隔壁の幅を１０μｍにして形成され、第１実施形態による有機発光表示装置は、隔壁の幅を６μｍにして形成された。ここで、隔壁の長さによる第２電極と接続電極のコンタクト領域の面積を観察した。本発明の第１実施形態による有機発光表示装置（図７の構造）は、比較例による有機発光表示装置（図５の構造）に比べて隔壁の幅が４μｍ減少したが、各隔壁の長さ別に同等レベルのコンタクト領域の面積を示している。
【００９７】
これにより、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置は、隔壁の幅をさらに減少させることができ、これは隔壁のサイズを減少させることができることを意味する。従って、本発明は、隔壁のサイズを減少させて透過部の開口率をさらに向上させることができる。
【００９８】
また、図１２に示すように、本発明の比較例による有機発光表示装置は、透過部にバンク層が存在して黄みがかった（yellowish）色感を示している。それに対して、図１３に示すように、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置は、透過部にバンク層が存在しないため、黄みがかった（yellowish）色感が消えたことを確認することができる。
【００９９】
前述したように、本発明の実施形態による有機発光表示装置は、オーバーコート層を省略して第１隔壁を介して第１電極が形成される領域を定義することができる。従って、製造コストを低減することができ、透過部にオーバーコート層が省略されて透過率を向上させ、黄色がかった（yellowish）光が出ることを減らして色感を向上させることができる利点がある。
【０１００】
また、本発明の実施形態による有機発光表示装置は、第２隔壁の側面においても接続電極と第２電極をコンタクトさせることにより、接続電極と第２電極のコンタクト領域の面積を増加させてコンタクト抵抗を減少させることができる利点がある。
【０１０１】
以上では、実施形態を中心として説明したが、これは例示的なものに過ぎず、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術思想と範疇を逸脱しない範囲で様々な変形と修正が可能であるということが理解できる。より具体的には、本詳細な説明、図面及び請求範囲内で構成要素及び／又は組合体の構成物を変形し修正することができる。本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、構成要素及び／又は構成物の変形及び修正だけでなく、その置換の形態もよく分かるだろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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