(57)【要約】【課題】有機ＥＬパネルにおいて発光素子への給電経路の低抵抗化を図り、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを改善する。【解決手段】基板１００ｘの上面に配された樹脂材料を含む平坦化層１１８と、平坦化層１１８上に行列状に配された複数の画素電極１１９と、画素電極上に配された有機発光材料を含む発光層１２３と、少なくとも発光層１２３の上方を覆い平面方向に連続して配された共通電極１２５と、を備え、平坦化層１１８上の行方向に隣り合う画素電極１１９の間隙のうちの少なくとも１つの間隙に列方向に延伸して長尺状の凹部１１８ａが開設されており、共通電極１２５は平坦化層１１８の凹部１１８ａ内において連続して配されており、平坦化層１１８の凹部１１８ａ内に位置する共通電極１２５の上面には列方向に延伸した塗布膜からなる給電補助配線１２８Ｙが配されている。【選択図】図３
2020145177.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上面に配された樹脂材料を含む平坦化層と、
前記平坦化層上に行列状に配された複数の画素電極と、
前記画素電極上に配された有機発光材料を含む発光層と、
少なくとも前記発光層の上方を覆い平面方向に連続して配された共通電極と、を備え、
前記平坦化層上の行方向に隣り合う前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１つの間隙に列方向に延伸して凹部が開設されており、
前記共通電極は前記平坦化層の前記凹部内において連続して配されており、
前記平坦化層の前記凹部内に位置する前記共通電極の上面には列方向に延伸した塗布膜からなる給電補助配線が配されている
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
さらに、前記平坦化層上における前記凹部と行方向の両側にそれぞれ隣り合う前記画素電極との間には列方向に延伸して２本の列バンクが形成されており、
前記平坦化層の前記凹部の深さは前記列バンクの高さよりも大きい、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
さらに、前記平坦化層の前記凹部内であって、前記共通電極の下方には列方向に延伸した蒸着膜からなる下層給電補助配線が配されている
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
さらに、前記平坦化層上には、平面視において前記画素電極が存在する領域の外方において、前記基板の周縁に沿って延在する電極板を備え、
前記平坦化層の前記凹部は、平面視において前記基板の周縁付近まで開設されており、
前記電極板は、前記平坦化層の前記凹部内において連続して配されており、
前記給電補助配線は、平面視において前記電極板の上面まで延在している
請求項１から３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記共通電極は、平面視において前記電極板の上面まで延在している
請求項１から３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
前記平坦化層の前記凹部は、平面視において前記画素電極が存在する領域の外方であって前記電極板より内方に位置する終点まで開設されており、
前記給電補助配線は、平面視において前記終点まで延在し、
前記共通電極は、平面視において前記電極板の上面まで延在している
請求項１から３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
前記平坦化層の前記凹部の深さは２μｍ以上５μｍ以下であり、
前記給電補助配線は銀を含み、厚さは０．５μｍ以上２μｍ以下である
請求項１から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項８】
前記凹部を第１の凹部、前記給電補助配線を第１の給電補助配線とするとき、
さらに、前記平坦化層上の列方向に隣り合う前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１つの間隙に行方向に延伸して第２の凹部が開設されており、
前記共通電極は前記平坦化層の前記第２の凹部内において連続して配されており、
前記平坦化層の前記第２の凹部内に位置する前記共通電極の上面には行方向に延伸した塗布膜からなる第２の給電補助配線が配されている
請求項１から７の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項９】
前記第２の凹部及び前記第２の給電補助配線の列方向位置は、前記第２の凹部が開設された間隙を列方向に挟む前記画素電極の行方向の位置によって異なる
請求項８に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記第２の凹部及び前記第２の給電補助配線は、列方向において複数の画素電極ごとに配されている
請求項８又は９に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
前記平坦化層上における前記第２の凹部と列方向の両側においてそれぞれ隣り合う前記画素電極との間には行方向に延伸して２本の行バンクが形成されており、
前記行バンクの高さは、前記第２の凹部の深さはよりも小さい
請求項８から１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１２】
前記画素電極及び前記下層給電補助配線は蒸着膜からなり、
前記画素電極と前記下層給電補助配線とは同一の材料からなる
請求項１から１１の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１３】
前記共通電極は蒸着膜からなり、前記列バンクの上方において連続して形成されている
請求項１から１２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１４】
前記列バンクを第１の列バンクとするとき、
さらに、前記平坦化層上における行方向に隣り合う前記画素電極と前記画素電極との間には列方向に延伸して第２の列バンクが形成されており、
前記有機発光層は塗布膜からなり、前記第１の列バンクと第２の列バンクとの間隙内及び行方向に隣り合う前記第２の列バンク間の間隙内に列方向に連続して配されている
請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１５】
基板を準備する工程と、
前記基板の上面に配された樹脂材料を含む平坦化層を形成する工程と、
前記平坦化層上に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、
前記画素電極上に配された有機発光材料を含む発光層を形成する工程と、
少なくとも前記発光層の上方を覆うように平面方向に連続して共通電極を配する工程とを有し、
前記平坦化層を形成する工程では、前記平坦化層上の行方向に隣り合う前記画素電極の形成されるべき領域の間隙のうちの少なくとも１つの間隙に列方向に延伸して凹部を開設し、
前記共通電極を形成する工程では、前記平坦化層の前記凹部内において連続して前記共通電極を形成し、
さらに、前記共通電極を配する工程の後に、前記平坦化層の前記凹部内に位置する前記共通電極の上面に列方向に延伸した塗布膜からなる給電補助配線を形成する工程を有する
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１６】
前記画素電極を形成する工程の後であって、前記発光層を形成する工程の前に、
さらに、前記平坦化層上における前記凹部と行方向の両側にそれぞれ隣り合う前記画素電極との間に列方向に延伸して２本の列バンクを形成する工程を有し、
前記給電補助配線を形成する工程では、前記列バンクの間の間隙に金属材料を含むインクを塗布して乾燥することにより前記給電補助配線を形成する
請求項１５に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１７】
前記画素電極を形成する工程では、さらに、前記平坦化層の前記凹部内であって、前記共通電極の下方には列方向に延伸した蒸着膜からなる下層給電補助配線を形成する
請求項１５又は１６に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ表示パネルが知られている。有機ＥＬ素子は、各種材料の薄膜を積層した多層構造を有し、平坦化絶縁層に覆われたＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Thin Film Transistor）基板上に、少なくとも、画素電極と、共通電極と、これらに挟まれた有機発光層とを備える。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、発光層からの光は、光反射性材料からなる画素電極にて反射されるとともに、光透光性材料からなる共通電極から上方に出射される。共通電極は、基板全面にわたって成膜することが多く、画像表示領域以外の周辺領域に設けられた電極板を介して有機ＥＬ素子に電流を供給するための給電部と電気的に接続されている。
【０００４】
このとき、共通電極の電気抵抗が大きい場合に、表示パネルの中央部分での電圧降下に伴う輝度低下に対し、例えば、画素電極と同一階層に表示パネル内を横断する給電補助配線を設けて共通電極の低抵抗化を図る手法が提案されている（例えば、特許文献１〜２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２７８２１２号公報
【特許文献２】特開２００７−２２７１２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、特許文献１又は２に記載された従来の表示パネルでは、表示パネルの大型化に伴い、中央部分での電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきが発生することがあり、発光素子への給電経路のさらなる低抵抗化が必要であった。
【０００７】
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬパネルにおいて発光素子への給電経路の低抵抗化を図り、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを改善する有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の上面に配された樹脂材料を含む平坦化層と、前記平坦化層上に行列状に配された複数の画素電極と、前記画素電極上に配された有機発光材料を含む発光層と、少なくとも前記発光層の上方を覆い平面方向に連続して配された共通電極と、を備え、前記平坦化層上の行方向に隣り合う前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１つの間隙に列方向に延伸して長尺状の凹部が開設されており、前記共通電極は前記平坦化層の前記凹部内において連続して配されており、前記平坦化層の前記凹部内に位置する前記共通電極の上面には列方向に延伸した塗布膜からなる給電補助配線が配されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の一態様に係る表示パネル及び表示パネルの製造方法によると、有機ＥＬパネルにおいて発光素子への給電経路の低抵抗化を図り、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の平面図である。
【図２】図１におけるＡ部の模式平面図である。
【図３】図２におけるＸ１−Ｘ１で切断した模式断面図である。
【図４】（ａ）は、図１におけるＢ部の模式平面図、（ｂ）は、図１におけるＢ部の別の態様の模式平面図である。
【図５】（ａ）は、図４（ａ）におけるＸ２−Ｘ２で切断した模式断面図である。（ｂ）は、図４（ａ）におけるＸ３−Ｘ３で切断した模式断面図である。
【図６】有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１１】変形例１に係る表示パネル１０Ａを、図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１２】（ａ）は、変形例２に係る表示パネル１０Ｂにおける図１のＢ部と同じ範囲の模式平面図、（ｂ）は、変形例３に係る表示パネル１０Ｃにおける図１のＢ部と同じ範囲の模式平面図である。
【図１３】表示パネル１０Ｂの画素領域１０ａの一部の模式平面図である。
【図１４】表示パネル１０Ｃの画素領域１０ａの一部の模式平面図である。
【図１５】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路構成を示す模式ブロック図である。
【図１６】有機ＥＬ表示装置に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の実施の形態に係る表示パネルは、基板と、前記基板の上面に配された樹脂材料を含む平坦化層と、前記平坦化層上に行列状に配された複数の画素電極と、前記画素電極上に配された有機発光材料を含む発光層と、少なくとも前記発光層の上方を覆い平面方向に連続して配された共通電極と、を備え、前記平坦化層上の行方向に隣り合う前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１つの間隙に列方向に延伸して長尺状の凹部が開設されており、前記共通電極は前記平坦化層の前記凹部内において連続して配されており、前記平坦化層の前記凹部内に位置する前記共通電極の上面には列方向に延伸した塗布膜からなる給電補助配線が配されていることを特徴とする。
【００１２】
係る構成により、凹部に形成された補助配線は、凹部の行方向に切った断面形状と等価な断面積を確保することができ、有機ＥＬパネルにおいて発光素子への給電経路の低抵抗化を図り、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを改善することができる。また、表示パネルの中央部分での応答性の低下に起因するクロストークを改善して、表示品質を向上することができる。
【００１３】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、さらに、前記平坦化層上における
前記凹部と行方向の両側にそれぞれ隣り合う前記画素電極との間には列方向に延伸して２本の長尺状の列バンクが形成されており、前記平坦化層の前記凹部の深さは前記列バンクの高さよりも大きい構成としてもよい。
【００１４】
係る構成により、補助配線は、所定の厚みを備えることにより、補助配線の電気抵抗を低下させることができる。
【００１５】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、さらに、前記平坦化層の前記凹部内であって、前記共通電極の下方には列方向に延伸した蒸着膜からなる下層給電補助配線が配されている構成としてもよい。
【００１６】
係る構成により、凹部と行方向に隣り合った列バンクの断面が行方向において等価な形状とすることができる。
【００１７】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、さらに、前記平坦化層上には、平面視において前記画素電極が存在する領域の外方において、前記基板の周縁に沿って延在する電極板を備え、前記平坦化層の前記凹部は、平面視において前記基板の周縁付近まで開設されており、前記電極板は、前記平坦化層の前記凹部内において連続して配されており、前記給電補助配線は、平面視において前記電極板の上面まで延在している構成としてもよい。
【００１８】
係る構成により、凹部に形成された給電補助配線は、所定の厚みを備えることにより凹部の断面積に相当する断面積を確保した状態で、基板の周縁まで延伸される。
【００１９】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記共通電極は、平面視において前記電極板の上面まで延在している構成としてもよい。
【００２０】
係る構成により、凹部に形成された給電補助配線は、所定の厚みを備えることにより凹部の断面積に相当する断面積を確保した状態で、基板の周縁に存在する電極板に接続されて外部接続端子に接続される。そのため、電極板から有機ＥＬ素子アレイまでの給電経路の低抵抗化を図ることができる。
【００２１】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記平坦化層の前記凹部は、平面視において前記画素電極が存在する領域の外方であって前記電極板基板より内方に位置する終点まで開設されており、前記給電補助配線は、平面視において前記終点まで延在し、前記共通電極は、平面視において前記電極板の上面まで延在している構成としてもよい。
【００２２】
係る構成により、周辺領域において給電補助配線は共通電極を介して電極板と電気的に接続され、電極板から有機ＥＬ素子アレイまでの給電経路の低抵抗化を図ることができる。
【００２３】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記平坦化層の前記凹部の深さは２μｍ以上５μｍ以下であり、前記給電補助配線は銀を含み、厚さは０．５μｍ以上２μｍ以下である構成としてもよい。
【００２４】
係る構成により、補助配線は、上記の厚みとすることにより、補助配線の電気抵抗を低下させることができる。
【００２５】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記凹部を第１の凹部、前記給電補助配線を第１の給電補助配線とするとき、さらに、前記平坦化層上の列方向に隣り合う前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１つの間隙に行方向に延伸して長尺状の第２の凹部が開設されており、前記共通電極は前記平坦化層の前記第２の凹部内において連続して配されており、前記平坦化層の前記第２の凹部内に位置する前記共通電極の上面には行方向に延伸した塗布膜からなる第２の給電補助配線が配されている構成としてもよい。
【００２６】
係る構成により、列方向に加え行方向においても補助配線の電気抵抗を低減して、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを低減することができる。
【００２７】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記第２の凹部及び前記第２の給電補助配線の列方向位置は、前記第２の凹部が開設された間隙を列方向に挟む前記画素電極の行方向の位置によって異なる構成としてもよい。
【００２８】
係る構成により、いわゆる千鳥格子状を成しているので、給電補助配線が存在することによる列方向における輝度ばらつき（横すじ）を目立たなくすることができる。
【００２９】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記第２の凹部及び前記第２の給電補助配線は、列方向において複数の画素電極ごとに配されている構成としてもよい。
【００３０】
係る構成により、列方向における副画素毎のインクの塗布バラツキに起因する輝度ばらつきの発生を抑止することができる。
【００３１】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記平坦化層上における前記第２の凹部と列方向の両側においてそれぞれ隣り合う前記画素電極との間には行方向に延伸して２本の長尺状の行バンクが形成されており、前記行バンクの高さは、前記第２の凹部の深さよりも小さい構成としてもよい。
【００３２】
係る構成により、発光層の形成工程において、有機発光材料を含むインクを列バンク間の間隙内に塗布した際に、塗布されたインクを行バンクによって堰き止めることができる。そのため、インクが間隙内から補助配線が敷設される凹部内に流れ込むことを防止することができる。
【００３３】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記画素電極及び前記下層給電補助配線は蒸着膜からなり、前記画素電極と前記下層給電補助配線とは同一の材料からなる構成としてもよい。
【００３４】
係る構成により、製造時に前記画素電極と前記下層給電補助配線とを同時に製膜及びパターニングすることができる。
【００３５】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記共通電極は蒸着膜からなり、前記列バンクの上方において連続して形成されている構成としてもよい。
【００３６】
係る構成により、共通電極が前記平坦化層の前記凹部内において連続して配された構造を実現することができる。
【００３７】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記列バンクを第１の列バンクとするとき、さらに、前記平坦化層上における行方向に隣り合う前記画素電極と前記画素電極との間には列方向に延伸して長尺状の第２の列バンクが形成されており、前記有機発光層は塗布膜からなり、前記第１の列バンクと第２の列バンクとの間隙内及び行方向に隣り合う前記第２の列バンク間の間隙内に列方向に連続して配されている構成としてもよい。
【００３８】
係る構成により、列方向に基板内を延伸する給電補助電極を設けた場合でも、列方向における副画素毎のインクの塗布バラツキに起因する輝度ばらつきの発生を抑止することができる。
【００３９】
本開示の実施の形態に係る表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の上面に配された樹脂材料を含む平坦化層を形成する工程と、前記平坦化層上に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記画素電極上に配された有機発光材料を含む発光層を形成する工程と、少なくとも前記発光層の上方を覆うように平面方向に連続して共通電極を配する工程とを有し、前記平坦化層を形成する工程では、前記平坦化層上の行方向に隣り合う前記画素電極の形成されるべき領域の間隙のうちの少なくとも１つの間隙に列方向に延伸して長尺状の凹部を開設し、前記共通電極を形成する工程では、前記平坦化層の前記凹部内において連続して前記共通電極を形成し、さらに、前記共通電極を配する工程の後に、前記平坦化層の前記凹部内に位置する前記共通電極の上面に列方向に延伸した塗布膜からなる給電補助配線を形成する工程を有する構成としてもよい。
【００４０】
係る構成により、発光素子への給電経路の低抵抗化を図り、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを改善する有機ＥＬパネルを製造することができる。
【００４１】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記画素電極を形成する工程の後であって、前記発光層を形成する工程の前に、さらに、前記平坦化層上における前記凹部と行方向の両側にそれぞれ隣り合う前記画素電極との間に列方向に延伸して２本の長尺状の列バンクを形成する工程を有し、前記給電補助配線を形成する工程では、前記列バンクの間の間隙に金属材料を含むインクを塗布して乾燥することにより前記給電補助配線を形成する構成としてもよい。
【００４２】
係る構成により、間隙内に凹部が存在することにより、間隙内に多くのインクを塗布しても、インクが隣り合う間隙にあふれ出て隣り合った間隙内の発光層１２３を塞ぐことを防止できる。これより、副画素へのインクの漏れを防ぎつつ、補助配線の厚みを増加することができる。
【００４３】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記画素電極を形成する工程では、さらに、前記平坦化層の前記凹部内であって、前記共通電極の下方には列方向に延伸した蒸着膜からなる下層給電補助配線を形成する構成としてもよい。
【００４４】
係る構成により、凹部と行方向に隣接する間隙へのインクあふれに伴う発光層の塞ぎを抑止することができる。
【００４５】
≪実施の形態≫
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
【００４６】
＜表示パネル１０の全体構成＞
図１は、実施の形態１に係る表示パネル１０の平面図である。図２は、図１におけるＡ部の拡大図である。表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。同図に示すように表示パネル１０は、平面視したとき、画像表示領域１０ａと、画像表示領域１０ａの基板外方に位置する周辺領域１０ｂとを有する。
【００４７】
＜表示パネル１０の画像表示領域１０ａの構成＞
画像表示領域１０ａには、複数の単位画素１００ｅがマトリクス状に配列されている。それぞれの単位画素１００ｅは発光色の異なる複数の副画素１００ｓｅを含み、１つの副画素１００ｓｅが１つの有機ＥＬ素子１００から構成されている。これらの複数の有機ＥＬ素子１００が表示パネル１０の画像表示領域１０ａにマトリクス状に配列され有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを構成している。図２に示すように、表示パネル１０の画像表示領域１０ａには、それぞれが画素電極１１９を有し、Ｒ、Ｇ、Ｂの副画素１００ｓｅを備えた単位画素１００ｅが行列状に配され有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを構成している。
【００４８】
図２は、表示パネル１０の画像表示領域１０ａ内の一部を示す模式平面図であって、後述する発光層１２３、電子輸送層１２４、共通電極１２５、封止層１２６、前面板１３１を取り除いた状態を示した図である。ここで、本明細書では、図２におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。
【００４９】
表示パネル１０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。
【００５０】
表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリクス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘ（総称して「バンク１２２」とする）とが配された画像表示領域１０ａから構成されている。表示パネル１０の画像表示領域１０ａには、有機ＥＬ素子１００に対応する副画素１００ｓｅが行列状に配され、各副画素１００ｓｅは、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（区別しない場合は「１００ａ」とする）の３種類の自己発光領域１００ａの何れかが形成され、行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する３つの副画素１００ｓｅから単位画素１００ｅが構成される。
【００５１】
また、表示パネル１０には、複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態でマトリクス状に配されている。画素電極１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなり、自己発光領域１００ａに対応する。
【００５２】
表示パネル１０では、バンク１２２の形状は、いわゆるライン状のバンク形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が列方向（図２のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数行方向に並設されている。
【００５３】
一方、列方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が行方向（図２のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設されており、行バンク１２２Ｘが形成される領域は、発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ1とを接続する接続凹部（コンタクトホール、不図示）が設けられている。
【００５４】
隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義し、自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する間隙を間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢとし、間隙５２２ｚＢと間隙５２２ｚＲとに挟まれ下層給電補助配線１２９Ｙ及び給電補助配線１２８Ｙ（以後、「下層補助配線１２９Ｙ」、「補助配線１２８Ｙ」とする）が敷設された間隙を補助間隙５２２ｚＡ（区別しない場合は「間隙５２２ｚ」）とする。
【００５５】
＜画像表示領域１０ａにおける各部の構成＞
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成について、図３を用いて説明する。図３は、図２におけるＸ１−Ｘ１で切断した模式断面図である。
【００５６】
図３に示すように、表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に、平坦化層１１８、有機ＥＬ素子部、前面板１３１が積層されている。有機ＥＬ素子部は、その主な構成として、平坦化層１１８、画素電極１１９、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、有機発光層１２３、電子輸送層１２４、共通電極１２５、封止層１２６の各層から構成される。さらに、平坦化層１１８の上に有機ＥＬ素子部を区画するバンク１２２が形成されている。
【００５７】
（基  板）
［基板１００ｘ］
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成されたＴＦＴ層（不図示）とを有する。
【００５８】
基材は、表示パネル１０の支持部材であり平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド材料、アルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。
【００５９】
ＴＦＴ層は、基材の表面に副画素毎に設けられており、各々には薄膜トランジスタ素子を含む副画素回路が形成されている。ＴＦＴ層は、基材上面に形成された電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。
【００６０】
［平坦化層１１８］
基材上及びＴＦＴ層の上面には平坦化層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８は、ＴＦＴ層と画素電極１１９との間の電気的絶縁性を確保すると共に、ＴＦＴ層の上面に段差が存在してもそれを平坦化して、画素電極１１９を形成する下地面への影響を抑える機能を持つ。平坦化層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂等の有機絶縁材料、ＳｉＯ（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料を用いることができる。平坦化層１１８には、画素電極１１９と対応するＴＦＴの副画素回路のソースＳ1とを接続するためにのコンタクトホール（不図示）が開設されている。
【００６１】
（有機ＥＬ素子１００）
［画素電極１１９］
基板１００ｘにおける画像表示領域１０ａの上面に位置する平坦化層１１８上には、副画素１００ｓｅに対応して画素電極１１９が設けられている。
【００６２】
画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）等からなる。画素電極１１９の厚みは、例えば、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下としてもよい。
【００６３】
画素電極１１９の形状は、例えば、概矩形形状をした平板状である。平坦化層１１８のコンタクトホール上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続電極（不図示）が形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ1 に接続される配線とが接続される。
【００６４】
なお、画素電極１１９の表面にさらに公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。
【００６５】
［ホール注入層１２０］
画素電極１１９上には、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
【００６６】
ホール注入層１２０は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。ホール注入層１２０の厚みは、例えば、数ｎｍ〜数十ｎｍとしてもよい。
【００６７】
［バンク１２２］
画素電極１１９、ホール注入層１２０の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが格子状に形成されている。列バンク５２２Ｙ同士の間には、列バンク５２２Ｙによって区画された間隙５２２ｚが形成され、各間隙５２２ｚの底部には、複数の画素電極１１９がＹ方向に列設され、その上に機能層としてのホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、有機発光層１２３、電子輸送層１２４が形成されている。列バンク５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは、発光層１２３をウェット法で形成するときに、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて塗布されたインクがあふれ出ないようにする構造物としても機能する。また、列バンク５２２Ｙは、行方向の基部により行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
【００６８】
行バンク１２２Ｘは、各間隙５２２ｚにおいてＹ方向に隣接する画素電極１１９と画素電極１１９との間に形成され、Ｙ方向に隣接する副画素１００ｓｅどうしを区画している。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上面を有する。
【００６９】
バンク１２２は、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）、あるいは、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料からなる。
【００７０】
［ホール輸送層１２１］
間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ(poly(9、9-di-n-octylfluorene-alt-(1、4-phenylene-((4-sec-butylphenyl)imino)-1、4-phenylene))などを用いることができる。
【００７１】
［発光層１２３］
ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。
【００７２】
表示パネル１０では、発光層１２３の材料には、湿式印刷法を用い成膜できる発光性の有機材料を用いる。具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００７３】
［電子輸送層１２４］
列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚ内の発光層１２３上を被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４は、共通電極１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。表示パネル１０では、少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。
【００７４】
電子輸送層１２４に用いる電子輸送性が高い有機材料として、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。また、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。
【００７５】
［共通電極１２５］
電子輸送層１２４上に、共通電極１２５が形成されている。共通電極１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作る。共通電極１２５は、発光層１２３へキャリアを供給し、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。表示パネル１０では、共通電極１２５は各発光層１２３に共通の電極となっている。共通電極１２５は、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用い形成される。また、金属層に加え、あるいは単独で酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）など光透過性を有する導電材料が用いてもよい。
【００７６】
（封止層１２６）
共通電極１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、画素電極１１９、下層補助配線１２９Ｙ、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３、電子輸送層１２４、共通電極１２５、補助配線１２８Ｙ、金属酸化物層１２０１が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、共通電極１２５の上面を覆うように設けられている。また、トップエミッション型の場合においては、ディスプレイとして良好な光取り出し性を確保するために高い透光性を有する、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性無機材料を用い形成される。また、透光性無機材料の層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００７７】
（補助配線１２８Ｙの形成部分）
以下、図３のＣ部に示す補助配線１２８Ｙの形成部分について説明する。
【００７８】
[平坦化層１１８の凹部１１８ａ]
平坦化層１１８上の行方向に隣り合う画素電極の間隙のうちの少なくとも１つの間隙に列方向に延伸して長尺状の凹部１１８ａが開設されている。本例では、行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する３つの副画素１００ｓｅから構成される単位画素１００ｅに対し、行方向における単位画素１００ｅと単位画素１００ｅとの間の間隙内に凹部１１８ａが開設されている。平坦化層の厚みは、本例では、例えば、約４μｍであり、凹部１１８ａの幅は、例えば約１５μｍ、深さは、例えば約３μｍ、底部に約１μｍの残存部分を有する。しかし、凹部１１８ａの深さ、幅は、上記に限られず、内部に形成する補助配線１２８Ｙに必要な膜厚に合わせて適宜、調整して形成してもよい。例えば、凹部１１８ａの深さは２μｍ以上５μｍ以下としてもよい。
【００７９】
また、平坦化層１１８の凹部１１８ａと行方向の両側にそれぞれ隣り合う画素電極１１９との間には列方向に延伸して２本の長尺状の列バンク５２２Ｙが形成されており、凹部１１８ａの深さは列バンク５２２の高さはよりも大きい構成を採る。ここで、平坦化層１１８の凹部１１８ａを挟む２本の長尺状の列バンク５２２Ｙの間を補助間隙５２２ｚＡとする。
【００８０】
平坦化層１１８の凹部１１８ａ内に位置する平坦化層１１８上には列方向に延伸した蒸着膜からなる下層補助配線１２９Ｙが配されている。さらに、下層補助配線１２９Ｙに同一の形状にパターニングされた金属酸化物層１２０１が積層された構成としてもよい。ここで、下層補助配線１２９Ｙが、蒸着膜からなるとは、下層補助配線１２９Ｙが、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いるて製膜されていることを意味する。
【００８１】
下層補助配線１２９Ｙは、列バンク５２２Ｙの補助間隙５２２ｚＡ内の平坦化層１１８上には列方向に延伸し配されている。下層補助配線１２９Ｙは、上面に積層された金属酸化物層１２０１の上面に積層された共通電極１２５との電気的な接続を図ることにより、共通電極１２５の電気抵抗を低減するための補助的な配線層である。下層補助配線１２９Ｙはシート抵抗が小さい材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を主成分として含む金属層、合金層から構成することが好適である。厚みは、例えば、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下としてもよい。下層補助配線１２９Ｙは画素電極１１９と同一材料により同層に形成してもよい。また、金属酸化物層１２０１はホール注入層１２０と同一材料により同層に形成してもよい。
【００８２】
このように、凹部１１８ａ内に下層補助配線１２９Ｙ及び金属酸化物層１２０１（以後、「下層補助配線１２９Ｙ等」とする）を設けることにより、凹部１１８ａと行方向に隣り合った列バンク５２２Ｙの断面が行方向において等価な形状となる。仮に、下層補助配線１２９Ｙ等を設けない場合には、凹部１１８ａと行方向に隣り合った列バンク５２２Ｙの断面形状は、凹部１１８ａに近い側の高さが、下層補助配線１２９Ｙ等の厚みの分だけ小さいものとなる。その場合、後述する補助配線１２８Ｙの形成工程において、間隙５２２ｚＡ内に多くの配線材料を含むインクを塗布する際に、インクが隣り合う間隙５２２ｚにあふれ出て間隙５２２ｚ内の発光層１２３を塞ぐ可能性が増加する。
【００８３】
したがって、凹部１１８ａ内に下層補助配線１２９Ｙ等を設けることにより、隣接する間隙５２２ｚへのインクあふれに伴う発光層１２３の塞ぎを抑止できる。
【００８４】
共通電極１２５は蒸着膜からなり、平坦化層１１８の凹部１１８ａ内において、下層補助配線１２９Ｙの上方に連続して配されている。そして、共通電極１２５は金属酸化物層１２０１を介して下層補助配線１２９Ｙと電気的に接続されている。ここで、共通電極１２５が、蒸着膜からなるとは、共通電極１２５が、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いて製膜されていることを意味する。
【００８５】
なお、電子輸送層１２４は、平坦化層１１８の凹部１１８ａ内において、下層補助配線１２９Ｙと共通電極１２５との間に連続して配されていてもよい。この場合、共通電極１２５は金属酸化物層１２０１及び電子輸送層１２４を介して下層補助配線１２９Ｙと電気的に接続されている。
【００８６】
［補助配線１２８Ｙ］
平坦化層１１８の凹部１１８ａ内に位置する共通電極１２５の上面には列方向に延伸した塗布膜からなる補助配線１２８Ｙが配されている。補助配線１２８Ｙは、下地となる共通電極１２５との電気的な接続を図ることにより、共通電極１２５の電気抵抗を低減するための補助的な配線層である、いわゆるバスバーである。補助配線１２８Ｙはシート抵抗が小さい材料として、例えば、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を主成分として含む金属層、合金層から構成することが好適である。ここで、補助配線１２８Ｙが、塗布膜からなるとは、補助配線１２８Ｙが、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いて、溶質を含むインクを塗布することにより形成されているとを意味する。
【００８７】
係る態様では、凹部１１８ａに形成された補助配線１２８Ｙは、所定の厚みを備えることにより凹部１１８ａの断面積に相当する断面積を確保した状態で、基板１００ｘの周縁まで延伸されて外部接続端子に接続される。例えば、補助配線１２８Ｙの厚さは０．５μｍ以上２μｍ以下としてもよい。そのため、外部接続端子から有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒまでの給電経路の低抵抗化を図ることができる。
【００８８】
（接合層１２７）
封止層１２６の上方には、上部基板１３０の下側の主面にカラーフィルタ層１３２が形成された前面板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘと前面板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなり、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
【００８９】
（前面板１３１の各部構成）
［上部基板１３０］
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１３２が形成された前面板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、トップエミッション型では、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０の剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
【００９０】
［カラーフィルタ層１３２］
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１３２が形成されている。カラーフィルタ層１３２は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１３２としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
【００９１】
［遮光層１３３］
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１３３が形成されている。遮光層１３３は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。例えば、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料の黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。
【００９２】
＜表示パネル１０の周辺領域１０ｂの構成＞
図４（ａ）は、実施の形態の一つの態様における、図１におけるＢ部の模式平面図である。同図は、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂ内の一部を示す模式平面図であって、バンク１２２、発光層１２３、電子輸送層１２４、共通電極１２５、封止層１２６、前面板１３１を取り除いた状態を示した図である。図５（ａ）は、図４（ａ）におけるＸ２−Ｘ２で切断した模式断面図である。（ｂ）は、図４（ａ）におけるＸ３−Ｘ３で切断した模式断面図である。
【００９３】
図４（ａ）に示すように、単位画素１００ｅに行方向に隣接して下層補助配線１２９Ｙ及び補助配線１２８Ｙが列方向に延伸している。
【００９４】
表示パネル１０の周辺領域１０ｂには、平坦化層１１８上において、平面視において有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒが存在する画像表示領域１０ａの外方に延在する電極板１２９ＰＬが配されている。さらに、電極板１２９ＰＬに同一の形状にパターニングされた金属酸化物層１２０１が積層された構成としてもよい。電極板１２９ＰＬは、基板１００ｘの周辺領域１０ｂの外縁付近まで連続して配され外部接続端子に接続されている。電極板１２９ＰＬが基板１００ｘの周縁に沿って所定の幅で帯状に配されることにより共通電極１２５の表示パネル１０内の電気抵抗を低減することができる。
【００９５】
電極板１２９ＰＬはシート抵抗が小さい材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を主成分として含む金属層、合金層から構成することが好適である。また、電極板１２９ＰＬは、下層補助配線１２９Ｙ及び画素電極１１９と同一材料により同層に形成してもよい。また、金属酸化物層１２０１はホール注入層１２０と同一材料により同層に形成してもよい。
【００９６】
共通電極１２５は、平面視において基板１００ｘの周縁付近まで連続して延在する。
【００９７】
電子輸送層１２４は、平面視において有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒが存在する画像表示領域１０ａの外方まで延在する構成としてもよい。
【００９８】
図４（ａ）に示すように、実施の形態の１つの態様では、平坦化層１１８の凹部１１８ａは、平面視において基板１００ｘの周縁付近まで開設されている。
【００９９】
そして、図５（ａ）に示すように、電極板１２９ＰＬは、基板１００ｘの周縁における平坦化層１１８の凹部１１８ａ内において連続して配されている。
【０１００】
補助配線１２８Ｙは、平坦化層１１８の凹部１１８ａ内において、平面視において基板１００ｘの周縁付近まで延伸されている。そして、補助配線１２８Ｙは、平面視において電極板１２９ＰＬの上面まで延在しており、補助配線１２８Ｙは電極板１２９ＰＬと電気的に接続されている。
【０１０１】
さらに、図５（ｂ）に示すように、平坦化層１１８の凹部１１８ａ内において、下層補助配線１２９Ｙも、平面視において基板１００ｘの周縁付近まで延伸して形成され電極板１２９ＰＬに接続される構成としてもよい。
【０１０２】
係る態様では、凹部１１８ａに形成された補助配線１２８Ｙは、所定の厚みを備えることにより凹部１１８ａの断面積に相当する断面積を確保した状態で、基板１００ｘの周縁に存在する電極板１２９ＰＬに接続されて外部接続端子に接続される。そのため、電極板１２９ＰＬから有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒまでの給電経路の低抵抗化を図ることができる。
【０１０３】
図４（ｂ）は、実施の形態の別の態様における、図１におけるＢ部の別の態様の模式平面図である。図４（ｂ）に示す態様では、平坦化層１１８の凹部１１８ａは、平面視において基板１００ｘの周辺領域１０ｂの内縁から外方に向けて所定距離１０ｂ´の位置まで開設されている。また、補助配線１２８Ｙ及び下層補助配線１２９Ｙも、平坦化層１１８の凹部１１８ａ内において凹部１１８ａと同じ位置まで延在し、基板１００ｘの周辺領域１０ｂでは共通電極１２５のみが基板１００ｘの周縁付近まで連続して延在する。
【０１０４】
係る態様では、周辺領域１０ｂにおいて補助配線１２８Ｙは共通電極１２５を介して電極板１２９ＰＬと電気的に接続され、電極板１２９ＰＬから有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒまでの給電経路の低抵抗化を図ることができる。
【０１０５】
＜表示パネル１０の製造方法＞
表示パネル１０の製造方法について、図６〜１０を用いて説明する。図６は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。図７−１０における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２（画像表示領域１０ａ）におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【０１０６】
［基板１００ｘの作成］
複数のＴＦＴや配線（ＴＦＴ層）を基板１００ｘに形成する（図６におけるステップＳ１、図７（ａ））。
【０１０７】
［平坦化層１１８の形成］
基板１００ｘを被覆するように、平坦化層１１８を形成する。
【０１０８】
そのとき、平坦化層１１８に列方向に延伸して長尺状の凹部１１８ａをフォトリソグラフィ法により形成する。行方向においては、本例では、凹部１１８ａは行方向に隣り合った単位画素１００ｅ形成領域の間に形成する。ここで、上述のとおり、平坦化層１１８の凹部１１８ａの深さは２μｍ以上５μｍ以下としてもよい。本例では、平坦化層の厚みは例えば約４μｍであり、凹部１１８ａの幅は例えば約１５μｍ、深さは、例えば約３μｍ、底部に約１μｍの残存部分を有する。
【０１０９】
また、平坦化層１１８における、ＴＦＴ素子の例えばソース電極上の個所に、コンタクトホール（不図示）を凹部１１８ａと同時に形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するようにパターニングなどを用いて形成される。
【０１１０】
平坦化層１１８の形成では、先ず、平坦化層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１１８を形成する（図６：ステップＳ２、図７（ｂ））。具体的には、一定の流動性を有する樹脂材料を、例えば、ダイコート法により、基板１００ｘの上面に沿って、ＴＦＴ層による基板１００ｘ１上の凹凸を埋めるように塗布して焼成して樹脂膜を形成する。樹脂材料には、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を、スピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
【０１１１】
次に、樹脂膜をパターニングして凹部１１８ａとコンタクトホールを有する平坦化層１１８をハーフトーン部分を含むフォトマスクを用いたフォトリソグラフィにより同時に形成する（図６：ステップＳ３、図７（ｃ））。使用するフォトマスクは、コンタクトホールに相当する部分は透光部分であり、凹部１１８ａに相当する部分がハーフトーン部分であり、それ以外の領域が遮光部としてもよい。凹部１１８ａは、マスクのハーフトーンマスク部を用いて露出した後、現像によって露光部分を取り除き焼成することにより底面部分を残してパターニングして形成される。また、コンタクトホールはマスクの透光部分を用いて露出した後、現像によって露光部分を取り除き焼成することにより、底部にソース電極の表面が露出するようにパターニングして形成される。形成される凹部１１８ａの断面は、図７（ｃ）に示すように、行方向に平行に切った断面は下方を先細りとする逆テーパー台形状である。
【０１１２】
その後、コンタクトホール内に接続電極（不図示）を形成する。
【０１１３】
［画素電極１１９、下層補助配線１２９Ｙ、電極板１２９ＰＬ、ホール注入層１２０、金属酸化物層１２０１の形成］
次に、画素電極１１９、ホール注入層１２０の形成を行う。
【０１１４】
先ず、平坦化層１１８を形成した後、平坦化層１１８の表面にドライエッチング処理を行い成膜前洗浄を行う。
【０１１５】
次に、平坦化層１１８の表面に成膜前洗浄を行った後、画像表示領域１０ａでは画素電極１１９、下層補助配線１２９Ｙを形成するための画素電極用の金属膜１１９ｘ、周辺領域１０ｂでは電極板１２９ＰＬを形成するための金属膜をスパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法により平坦化層１１８の表面に成膜する（図６：ステップＳ４、図７（ｄ））。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により成膜する。成膜した後に焼成を行ってもよい。
【０１１６】
さらに、金属膜１１９ｘの表面に成膜前洗浄を行った後、引き続き真空雰囲気下で、画像表示領域１０ａではホール注入層１２０、金属酸化物層１２０１を形成するためのホール注入層１２０用の金属膜１２０’を、周辺領域１０ｂでは金属酸化物層１２０１を形成するための金属膜を気相成長法により金属膜１１９ｘの表面に成膜する（図６：ステップＳ５、図７（ｄ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により成膜する。成膜した後に焼成を行ってもよい。
【０１１７】
その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する（図８（ａ））。次に、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。
【０１１８】
その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、画像表示領域１０ａでは、金属膜１２０’にドライエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０、金属酸化物層１２０１を形成する。また、周辺領域１０ｂでは、金属膜にドライエッチング処理を施してパターニングを行い、金属酸化物層１２０１を形成する。
【０１１９】
続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ及びホール注入層１２０を介して、画像表示領域１０aでは、金属膜１１９ｘにウエットエッチング処理を施してパターニン
グを行い、画素電極１１９、下層補助配線１２９Ｙを形成する。また、周辺領域１０ｂでは、金属膜にウエットエッチング処理を施してパターニングを行い、電極板１２９ＰＬを形成する。
【０１２０】
最後に、フォトレジスト層ＦＲを剥離して、画像表示領域１０aでは、同一形状にパタ
ーニングされた画素電極１１９及びホール注入層１２０の積層体と、下層補助配線１２９Ｙと金属酸化物層１２０１の積層体を形成する。また、周辺領域１０ｂでは、同一形状にパターニングされた電極板１２９ＰＬ及び金属酸化物層１２０１の積層体を形成する（図６：ステップＳ６、図８（ｂ））。
【０１２１】
［バンク１２２の形成］
画像表示領域１０ａでは、ホール注入層１２０を形成した後、ホール注入層１２０を覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず、ホール注入層１２０上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２Ｘの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘを形成する（図６：ステップＳ７、図８（ｃ））。
【０１２２】
次に、列バンク５２２Ｙの形成工程では、ホール注入層１２０上及び行バンク１２２Ｘ上に、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することにより、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する（図６：ステップＳ８、図８（ｃ））。このとき、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層１２０として完成する。
【０１２３】
［有機機能層の形成］
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０上に対して、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する。
【０１２４】
ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる、あるいは、焼成することによりなされる（図６：ステップＳ９、図８（ｄ））。ＲＧＢの各副画素に形成されるホール輸送層１２１は、ＲＧＢの各副画素によって膜厚が異なって形成されてもよい。
【０１２５】
発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる（図６：ステップＳ１０、図９（ａ））。
【０１２６】
具体的には、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の動作テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数のノズル孔がライン状に配置されたインクジェットヘッド３０１をＸ方向に基板１００ｘに対し相対的に移動しながら、各ノズル孔から列バンク５２２Ｙ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインク１８の液滴を着弾させることによって行う。この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１８をそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。
【０１２７】
基板１００ｘに対して赤色、緑色、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。
【０１２８】
なお、ホール注入層１２０のホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は上記の方法には限定されず、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布してもよい。
【０１２９】
なお、ホール輸送層１２１を形成する前に、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去、あるいは焼成してもよい。
【０１３０】
[電子輸送層成膜前の焼成]
真空環境下にて電子輸送層成膜前のベークを行う（図６：ステップＳ１１）。これより、平坦化層内の残留水分を除去した後に、平坦化層が再度水分を吸収することを抑止できる。
【０１３１】
［電子輸送層１２４の形成］
発光層１２３を形成した後、表示パネル１０の発光エリア全面（画像表示領域１０ａ及び周辺領域１０ｂの一部）にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図６：ステップＳ１２、図９（ｂ））。
【０１３２】
真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層１２３に損傷を与えないためである。電子輸送層１２４は、発光層１２３の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより成膜する。あるいは、有機材料と金属材料との共蒸着法により成膜する。なお、電子輸送層１２４の膜厚は、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。
【０１３３】
［共通電極１２５の形成］
電子輸送層１２４を形成した後、画像表示領域１０ａでは電子輸送層１２４を被覆するように、周辺領域１０ｂでは、同時に、電極板１２９ＰＬを被覆するように共通電極１２５を形成する（図６：ステップＳ１３、図９（ｃ））。共通電極１２５は、金属、金属酸化物を主成分とする膜を、下地層を被覆するように、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する。
【０１３４】
このとき、平坦化層１１８の凹部１１８ａ内において、下層補助配線１２９Ｙの上面を上方に向けた順テーパ形状としたことにより、共通電極１２５は、平坦化層１１８の凹部１１８ａ内の内部では下層補助配線１２９Ｙ又は金属酸化物層１２０１の上面に連続して配される。
【０１３５】
［補助配線１２８Ｙの形成］
平坦化層１１８の凹部１１８ａ内に位置する共通電極１２５の上面に列方向に延伸させて塗布膜からなる補助配線１２８Ｙを形成する。補助配線１２８Ｙは、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を主成分とした構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚＡ内にインクが満たされるように塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することにより、インクの表面を降下させて所定の厚みの配線層として形成される（図６：ステップＳ１４、図９（ｄ））。
【０１３６】
このとき、間隙５２２ｚＡ内には間隙５２２ｚＡ内に凹部１１８ａが存在することにより、間隙５２２ｚＡ内に多くのインクを塗布しても、インクが隣り合う間隙５２２ｚにあふれ出て間隙５２２ｚ内の発光層１２３を塞ぐことを防止できる。これより、間隙５２２ｚＡ内に凹部１１８ａを設けることにより、副画素１００ｓｅへのインクの漏れを防ぎつつ、補助配線１２８Ｙの厚みを増加することができる。
【０１３７】
形成された補助配線１２８Ｙは、列バンク５２２Ｙ及び平坦化層１１８の凹部１１８ａ内に敷設された共通電極１２５の上面に接触した状態となる。
【０１３８】
また、補助配線１２８Ｙは、凹部１１８ａの深さと共通電極１２５の撥液性とインクの表面張力によって決定されるピニング位置より下方の凹部１１８ａの容積と、インク滴下量や溶媒の種類などを適切に調整することにより、望ましい断面形状とすることができ、補助配線１２８Ｙの膜厚を所望の値に調整できる。例えば、補助配線１２８Ｙの行方向に平行に切った断面形状において、ピニング位置を凹部１１８ａの上縁の高さ以上とし、上側の平坦部の占める割合が所定値以上とする下方を先細りとする逆テーパー台形状としてもよい。これより、補助配線１２８Ｙは、所定の厚みを備えることにより平坦化層１１８の凹部１１８ａの行方向に切った断面形状と等価な断面積を確保することができ、補助配線１２８Ｙの電気抵抗を低下させることができる。
【０１３９】
［封止層１２６の形成］
共通電極１２５から基板１００ｘの平坦化層１１８の基板１００の周縁までを被覆するように封止層１２６を形成する（図６：ステップＳ１５、図１０（ａ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
【０１４０】
［前面板１３１と背面パネルとの貼り合わせ］
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１０（ｂ））。
【０１４１】
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルと前面板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図６：ステップＳ１６、図１０（ｃ））。
【０１４２】
＜効  果＞
以下、表示パネル１０の効果について説明する。
【０１４３】
以上のとおり、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板１００ｘと、基板１００ｘの上面に配された樹脂材料を含む平坦化層１１８と、平坦化層１１８上に行列状に配された複数の画素電極１１９と、画素電極上に配された有機発光材料を含む発光層１２３と、少なくとも発光層１２３の上方を覆い平面方向に連続して配された共通電極１２５と、を備え、平坦化層１１８上の行方向に隣り合う画素電極１１９の間隙のうちの少なくとも１つの間隙に列方向に延伸して長尺状の凹部１１８ａが開設されており、共通電極１２５は平坦化層１１８の凹部１１８ａ内において連続して配されており、平坦化層１１８の凹部１１８ａ内に位置する共通電極１２５の上面には列方向に延伸した塗布膜からなる給電補助配線１２８Ｙが配されている備えた構成を採る。
【０１４４】
係る構成により、凹部１１８ａに形成された補助配線１２８Ｙは、平坦化層１１８の凹部１１８ａの行方向に切った断面形状と等価な断面積を確保することができ、その断面積を確保した状態で基板１００ｘの周縁まで延伸されて外部接続端子に接続される。
【０１４５】
その結果、有機ＥＬパネルにおいて発光素子への給電経路の低抵抗化を図り、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを改善することができる。
【０１４６】
また、表示パネルの中央部分での応答性の低下に起因するクロストークを改善して、表示品質を向上することができる。
【０１４７】
また、別の態様では、さらに、平坦化層１１８上における凹部１１８ａと行方向の両側にそれぞれ隣り合う画素電極１１９との間には列方向に延伸して２本の長尺状の列バンク５２２Ｙが形成されており、平坦化層１１８の凹部１１８ａの深さは列バンク５２２Ｙの高さはよりも大きい構成としてもよい。
【０１４８】
係る構成により、補助配線１２８Ｙは、所定の厚みを備えることにより、補助配線１２８Ｙの電気抵抗を低下させることができる。
【０１４９】
また、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板１００ｘを準備する工程と、基板１００ｘの上面に配された樹脂材料を含む平坦化層１１８を形成する工程と、平坦化層１１８上に行列状に複数の画素電極１１９を形成する工程と、画素電極１１９上に配された有機発光材料を含む発光層１２３を形成する工程と、少なくとも発光層１２３の上方に平面方向に連続して共通電極１２５を配する工程とを有し、平坦化層１１８を形成する工程では、平坦化層１１８上の行方向に隣り合う画素電極１１９の形成されるべき領域の間隙のうちの少なくとも１つの間隙に列方向に延伸して長尺状の凹部１１８ａを開設し、共通電極１２５を形成する工程では、平坦化層１１８の凹部１１８ａ内において連続して共通電極１２５を形成し、さらに、共通電極１２５を配する工程の後に、平坦化層１１８の凹部１１８ａ内に位置する共通電極１２５の上面に列方向に延伸した塗布膜からなる給電補助配線１２８Ｙを形成する工程を有することを特徴とする。
【０１５０】
係る構成により、発光素子への給電経路の低抵抗化を図り、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを改善する有機ＥＬパネルを製造することができる。
【０１５１】
また、別の態様では、画素電極１１９を形成する工程の後であって、発光層１２３を形成する工程の前に、さらに、平坦化層１１８上における凹部１１８ａと行方向の両側にそれぞれ隣り合う画素電極１１９との間に列方向に延伸して２本の長尺状の列バンク５２２Ｙを形成する工程を有し、給電補助配線１２８Ｙを形成する工程では、列バンク５２２Ｙの間の間隙に金属材料を含むインクを塗布して乾燥することにより給電補助配線１２８Ｙを形成する構成としてもよい。
【０１５２】
係る構成により、間隙５２２ｚＡ内に凹部１１８ａが存在することにより、間隙５２２ｚＡ内に多くのインクを塗布しても、インクが隣り合う間隙５２２ｚにあふれ出て間隙５２２ｚ内の発光層１２３を塞ぐことを防止できる。これより、副画素１００ｓｅへのインクの漏れを防ぎつつ、補助配線１２８Ｙの厚みを増加することができる。
【０１５３】
また、別の態様では、画素電極１１９を形成する工程では、さらに、平坦化層１１８の凹部１１８ａ内であって、共通電極１２５の下方には列方向に延伸した蒸着膜からなる下層補助配線１２９Ｙを形成する構成としてもよい。
【０１５４】
係る構成により、凹部１１８ａと行方向に隣り合った列バンク５２２Ｙの断面が行方向において等価な形状とすることができ、凹部１１８ａと行方向に隣接する間隙５２２ｚへのインクあふれに伴う発光層１２３の塞ぎを抑止することができる。
【０１５５】
＜変形例＞
実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。
【０１５６】
以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。
【０１５７】
（変形例１）
図１１は、変形例１に係る表示パネル１０Ａを、図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【０１５８】
実施の形態に係る表示パネル１０では、図３にＣ部示すように、補助配線１２８Ｙの形成部分において、補助配線１２８Ｙは、凹部１１８ａ内において下層補助配線１２９Ｙ、及び金属酸化物層１２０１及び電子輸送層１２４からなる積層体の上方に列方向に延伸して配される構成としている。
【０１５９】
これに対し、変形例１に係る表示パネル１０Ａでは、図１１のＤ部に示すように、給電補助配線１２８ＹＡ（以後、「補助配線１２８ＹＡ」とする）の形成部分において、凹部１１８ａ内に下層補助配線１２９Ｙ及び金属酸化物層１２０１はなく、補助配線１２８ＹＡは凹部１１８ａ内に敷設される共通電極１２５の上方に配される点で表示パネル１０と相違する。
【０１６０】
実施の形態に係る表示パネル１０において、共通電極１２５と下層補助配線１２９Ｙとの電気的な接続は、導電経路に電子輸送層１２４が介在することにより一定の電気抵抗を伴ったものとなる。
【０１６１】
一方、表示パネル１０Ａでは、表示パネル１０において凹部１１８ａ内の下層補助配線１２９Ｙ及び金属酸化物層１２０１の断面積に相当する分だけ補助配線１２８ＹＡの断面積を増加することができる。補助配線１２８ＹＡは共通電極１２５と直接接触しているために、補助配線１２８ＹＡの断面積の増加は補助配線１２８ＹＡの電気抵抗の低減に直接寄与する。そのため、表示パネル１０Ａでは、凹部１１８ａに敷設された下層補助配線１２及び金属酸化物層１２０１に替えて補助配線１２８ＹＡの断面積を増加したことにより表示パネル１０に比べて電気抵抗を低減することができる。
【０１６２】
すなわち、表示パネル１０Ａでは、平坦化層１１８の凹部１１８ａを設けることにより確保した給電のための空間を、表示パネル１０に比べて電気抵抗の低減に効率的に活用できる。
【０１６３】
（変形例２、３）
図１２（ａ）は、変形例２に係る表示パネル１０Ｂにおける図１のＢ部と同じ範囲の模式平面図である。
【０１６４】
実施の形態に係る表示パネル１０では、図１に示すように、補助間隙５２２ｚＡに、複数の下層補助配線１２９Ｙが基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている構成とした。
【０１６５】
変形例２に係る表示パネル１０Ｂでは、図１２（ａ）に示すように、列方向における隣り合った単位画素１００ｅと単位画素１００ｅとの間に、例えば、数十から数百画素の複数画素ごとに、平坦化層１１８の上面に行方向に延在する凹部１１８ａＢが開設されており、凹部１１８ａＢ内に下層給電補助配線１２９ＸＢ及び給電補助配線１２８ＸＢ（以後、「下層補助配線１２９ＸＢ」、「補助配線１２８ＸＢ」とする）が延伸して形成されており、列方向に延伸する下層補助配線１２９Ｙと補助配線１２８Ｙとは格子状を成している点で実施の形態に係る表示パネル１０と相違する。以後、補助配線１２８ＸＢ及び補助配線１２８Ｙを行列方向を区別しない場合には「補助配線１２８」とする。
【０１６６】
図１２（ｂ）は、変形例３に係る表示パネル１０Ｃにおける図１のＢ部と同じ範囲の模式平面図である。
【０１６７】
変形例３に係る表示パネル１０Ｃでは、図１２（ｂ）に示すように、列方向における隣り合った単位画素１００ｅと単位画素１００ｅとの間に、複数画素ごとに平坦化層１１８の上面に行方向に延在する凹部１１８ａＢが開設されており、凹部１１８ａＢ内に下層補助配線１２９ＸＢ及び給電補助配線１２８ＸＢが延伸して形成されている点は表示パネル１０Ｂと同じである。
【０１６８】
そして、表示パネル１０Ｃでは、凹部１１８ａＢ、下層補助配線１２９ＸＢ及び補助配線１２８ＸＢが形成される列方向の位置が、行方向において単位画素１００ｅ毎に異なる点で表示パネル１０Ｂと相違する。そのため、表示パネル１０Ｃでは、下層補助配線１２９ＸＢ及び補助配線１２８ＸＢと、列方向に延伸する下層補助配線１２９Ｙと補助配線１２８Ｙとは、いわゆる千鳥格子状を成している。
【０１６９】
係る構成により、表示パネル１０Ｂ及び１０Ｃでは列方向に加え行方向においても補助配線１２８の電気抵抗を低減して、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを低減できる。
【０１７０】
図１３は、変形例２に係る表示パネル１０Ｂの画素領域１０ａの一部の模式平面図である。また、図１４は、変形例３に係る表示パネル１０Ｃの画素領域１０ａの一部の模式平面図である。
【０１７１】
表示パネル１０Ｂ、１０Ｃでは、それぞれ、図１３、１４に示すように、下層補助配線１２９ＸＢ及び補助配線１２８ＸＢが延在する行バンク１２２Ｘ上では、両配線が敷設される凹部１１８ａＢに相当する部分の行バンク１２２Ｘが存在しない。また、補助配線１２８ＸＢが延在する行バンク１２２Ｘ上では、凹部１１８ａＢを列方向から挟むように１対の行バンク５２２ＸＢが形成されている。行バンク５２２ＸＢは行バンク１２２Ｘよりも高さが高く、列バンク５２２Ｙと同じ高さである。
【０１７２】
係る構成により、表示パネル１０Ｂ、１０Ｃの製造工程の発光層１２３の形成工程において、有機発光材料を含むインクを列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚ内に塗布した際に、塗布されたインクを行バンク５２２ＸＢによって堰き止めることができる。そのため、インクが間隙５２２ｚ内から補助配線１２８ＸＢが敷設される凹部１１８ａＢ内に流れ込むことを防止できる。
【０１７３】
また、上述のとおり、表示パネル１０Ｂ、１０Ｃでは、行バンク５２２ＸＢは、例えば、数十から数百画素の複数画素ごとに設けられているので、列方向における副画素毎のインクの塗布バラツキに起因する輝度ばらつきの発生を抑止できる。
【０１７４】
また、表示パネル１０Ｃでは、下層補助配線１２９ＸＢ及び補助配線１２８ＸＢと、列方向に延伸する下層補助配線１２９Ｙと補助配線１２８Ｙとは、いわゆる千鳥格子状を成しているので、下層補助配線１２９ＸＢと補助配線１２８ＸＢが存在することによる列方向における輝度ばらつき（横すじ）を目立たなくできる。
【０１７５】
（その他の変形例）
実施の形態１に係る表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
【０１７６】
表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。
【０１７７】
実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
【０１７８】
また、上記実施の形態では、画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記直線状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
【０１７９】
また、上記実施の形態では、画素電極１１９と共通電極１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と共通電極１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【０１８０】
また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
【０１８１】
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。また、コロイド状量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）を用いた量子ドットディスプレイ装置などに適用することもできる。
【０１８２】
＜回路構成＞
以下では、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成について説明する。図１５に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
【０１８３】
表示パネル１０においては、複数の画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各画素１００ｅは、３個の各色有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｇ、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について説明する。図１６は、表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する各色有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｇにおける回路構成を示す回路図である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
【０１８４】
スイッチングトランジスタＴｒ2のゲートＧ2は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ２のドレインＤ２は、駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1に接続されている。
【０１８５】
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部Ｅ
Ｌにおける共通電極（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
【０１８６】
なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2及び駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
【０１８７】
表示パネル１０においては、各副画素１００ｓｅのゲートＧ2からゲートラインが各々
引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ2からソースラインが各々引き出され表示パネ
ル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
【０１８８】
また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、有機ＥＬ表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
【０１８９】
なお、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線に画素電極１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に共通電極、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
【０１９０】
また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
【０１９１】
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【０１９２】
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
【０１９３】
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【０１９４】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
【０１９５】
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１９６】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１９７】
１  有機ＥＬ表示装置
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ  有機ＥＬ表示パネル
１０ａ  画像表示領域
１０ｂ  周辺領域
１００  有機ＥＬ素子
１００ａｒ  有機ＥＬ素子アレイ
１００ｅ  単位画素
１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｇ  各色有機ＥＬ素子
１００ｓｅ  副画素
１００ａ  自己発光領域
１００ｂ  非自己発光領域
１００ｘ  基板（ＴＦＴ基板）
１００ｐ  基材
１１８  平坦化層
１１８ａ、１１８ａＢ  凹部
１１９  画素電極（反射電極）
１２０  ホール注入層
１２１  ホール輸送層
１２２  バンク
１２２Ｘ、５２２ＸＢ  行バンク
５２２Ｙ  列バンク
５２２ｚ（５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ、５２２ｚＡ）  間隙
１２３（１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ）  発光層
１２４  電子輸送層
１２５  共通電極
１２６  封止層
１２７  接合層
１２８Ｙ、１２８ＸＢ  給電補助配線
１２９Ｙ、１２９ＸＢ  下層給電補助配線
１３０  上部基板
１３１  前面板
１３２  カラーフィルタ層
１３３  遮光層
１２０１  金属酸化物層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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