(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の発光素子を有し、高い動作安定性及び光取り出し効率を有する発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１０は、発光素子２０と、発光素子上に配され、発光素子の上面と対向する底面３０ａを有し上方に向かって窄んでおり、側面が底面に対して第１の角度をなす第１の部分及び第１の部分の上方に形成されかつ側面が底面に対して第１の角度より大きい第２の角度をなす第２の部分を有し、発光素子から出射される光の波長を変換する波長変換部３０と、波長変換部の側面を覆う反射部４０と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子上に配され、前記発光素子の上面と対向する底面を有し上方に向かって窄んでおり、側面が前記底面に対して第１の角度をなす第１の部分及び前記第１の部分の上方に形成されかつ側面が前記底面に対して前記第１の角度より大きい第２の角度をなす第２の部分を有し、前記発光素子から出射される光の波長を変換する波長変換部と、
前記波長変換部の前記側面を覆う反射部と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記波長変換部の前記第２の部分の底面は、前記発光素子の上面よりも面積が小さいことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記波長変換部の前記第２の部分は、錐台状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記反射部は、白色の樹脂素材であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記波長変換部は、前記底面を有する柱状の第３の部分を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子は、
支持基板と、
前記支持基板上に配された半導体積層体と、を含み、
前記波長変換部の前記底面は、前記半導体積層体の上面に接着されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
前記波長変換部の前記底面は、前記半導体積層体の上面に透明接着材を介して接着され、
前記透明接着材は、前記半導体積層体の側面及び上面を覆い、かつ前記波長変換部の底面を覆うことを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば発光ダイオードなどの発光素子を含む発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置は、例えば、端子や配線などが設けられた基板と、当該基板上に実装された少なくとも１つの発光素子とを含む。また、例えば、照明用途に用いる場合、当該発光装置は、発光素子上に配された蛍光体層などの波長変換体を有する。
【０００３】
このような発光装置としては、上面を光取り出し面とする発光素子と、発光素子上に設けられ、かつ上面と下面を有し、前記発光素子から出射される光を下面から入射して、上面を介して外部に放出する透光性部材と、前記透光性部材の少なくとも一部を被覆する光反射性樹脂と、を備える発光装置が特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２７２８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の発光装置は、透光性部材内の側端部の領域に光が閉じ込められ、発光装置の光取出し効率が下がる場合があることが課題の一例として挙げられる。
【０００６】
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、高い光取出し効率を有する発光装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による発光装置は、発光素子と、前記発光素子上に配され、前記発光素子の上面と対向する底面を有し上方に向かって窄んでおり、側面が前記底面に対して第１の角度をなす第１の部分及び前記第１の部分の上方に形成されかつ側面が前記底面に対して前記第１の角度より大きい第２の角度をなす第２の部分を有し、前記発光素子から出射される光の波長を変換する波長変換部と、前記波長変換部の前記側面を覆う反射部と、を有することを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施例１に係る発光装置の斜視図である。
【図２】実施例１に係る発光装置の上面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿った発光装置の断面図である。
【図４】図１の波長変換部の製造工程を説明する説明図である。
【図５】図１の波長変換部の製造工程を説明する説明図である。
【図６】実施例２に係る発光装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１は、本発明の実施例１に係る発光装置１０の構成を示す斜視図である。図１に示すように、実装基板１１は、実装面１１ａを有する矩形板状の基板である。実装基板１１には、例えば、ＡｌＮ、アルミナ等の基板が用いられる。
【００１１】
２つのｎ側給電パッド１２は、実装面１１ａ上に設けられた金属の配線電極パターンである。ｎ側給電パッド１２の各々は、矩形板状に形成されている。ｎ側給電パッド１２は、外部の電源に接続されている。ｎ側給電パッド１２の各々は、実装基板１１の短手方向の一端に配されている。ｎ側給電パッド１２の各々は、実装基板１１の長手方向に沿って配列されている。
【００１２】
ｐ側給電パッド１３は、実装面１１ａ上に設けられた金属の配線電極である。ｐ側給電パッド１３は、ｎ側給電パッド１２から電気的に離間して配されている。ｐ側給電パッド１３の各々は、矩形板状に形成されている。ｐ側給電パッド１３の各々は、その長手方向が、実装基板１１の短手方向と平行に設けられている。ｐ側給電パッド１３の各々は、実装基板１１の長手方向に沿って配列されている。
【００１３】
２つの発光素子２０は、実装基板１１の実装面１１ａ上に設けられている。より具体的には、発光素子２０の各々は、ｐ側給電パッド１３の各々の上に配されている。発光素子２０の各々は、例えば、発光ダイオードなどの半導体発光素子である。発光素子２０の各々は、例えば、青色の光を出射することが可能である。
【００１４】
各々の発光素子２０の支持基板２１は、Ｓｉ基板等の導電性を有する矩形板状の基板である。各々の発光素子２０の半導体積層体２２は、支持基板２１の主面に設けられている。半導体積層体２２は、金属の接合層（図示せず）を介して支持基板２１に貼り合わせられている。半導体積層体２２は、活性層を含む複数の半導体層からなる。
【００１５】
半導体積層体２２の各々は、支持基板２１側から、ｐ型半導体層、活性層及びｎ型半導体層がこの順に積層されて構成されている。ｐ型半導体層は、例えば、ＭｇをドープしたＧａＮ層である。活性層（発光層）は、例えば、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層からなる多重量子井戸構造を有する半導体層である。ｎ型半導体層は、例えばＳｉをドープしたＧａＮ層である。活性層から出射される出射光の波長は、半導体積層体２２の材料及び組成に応じた波長となる。半導体積層体２２の上面が光出射面となる。
【００１６】
裏面電極２３の各々は、矩形板状に形成されている。裏面電極２３の各々は、支持基板２１の主面の反対側の面に形成された金属の電極である。裏面電極２３の各々は、導電性の接合材（図示せず）を介してｎ側給電パッド１２に接合されている。
【００１７】
各々の半導体積層体２２のｐ型半導体層は、支持基板２１の主面上に設けられた絶縁層（図示せず）によって、支持基板２１及び裏面電極２３から電気的に分離されている。
【００１８】
各々の半導体積層体２２のｎ型半導体層は、例えば支持基板２１の主面上の絶縁層を貫通して設けられたコンタクトホール（図示せず）を介して、支持基板２１及び裏面電極２３と電気的に接続されている。
【００１９】
支持基板２１の各々の絶縁層上には、金属層（反射金属、図示せず）が設けられている。この金属層は、ｐ型半導体層と電気的に接続されている。
【００２０】
２つの給電部２４は、金属層上に設けられた金属の電極である。給電部２４の各々は、支持基板２１の金属層と電気的に接続されている。給電部２４の各々は、矩形板状に形成されている。給電部２４の各々は、支持基板２１の長手方向に亘って設けられている。給電部２４の各々は、支持基板２１の短手方向の一端に設けられている。
【００２１】
従って、給電部２４の各々は、当該金属層を介して、半導体積層体２２のｐ型半導体層に電気的に接続されている。また、当該ｐ型半導体層と給電部２４との間の電流の経路は、当該絶縁層によって支持基板２１から電気的に分離されている。
【００２２】
給電部２４の各々は、ボンディングワイヤ１９を介して実装基板１１の実装面１１ａ上に設けられたｐ側給電パッド１３に電気的に接続されている。
【００２３】
このように、発光素子２０は、支持基板２１、半導体積層体２２、裏面電極２３、及び給電部２４を含んで構成されている。発光素子２０は、シンフィルム（Thin-film）型の貼り合わせ構造を有する上面発光タイプの素子である。半導体積層体２２発光部（図示せず）の上面は、発光素子２０の光出射面となる。
【００２４】
尚、シンフィルム型の貼り合わせ構造は、成長基板（図示せず）上において半導体積層体２２を成長させる工程、支持基板２１に半導体積層体２２を貼り合わせる工程、成長基板を、例えばレーザーを照射することにより取り除く、いわゆるレーザーリフトオフ工程、を経て形成される。
【００２５】
波長変換部３０は、２つの発光素子２０の光出射面上に設けられている。波長変換部３０は、発光素子２０から出射される光に対して透過性を有する透光性の部材である。波長変換部３０は、発光素子２０の配列方向に亘って延在している。
【００２６】
波長変換部３０は、例えば、蛍光材料を焼結したセラミックプレートである。セラミックプレートは、例えば、アルミナと蛍光体を高温焼成して作製される。蛍光体としては、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet：Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）が挙げられる。
【００２７】
尚、波長変換部３０は蛍光体の粒子を含有する樹脂層であってもよい。この場合、当該樹脂層は、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂原料に蛍光体を混合した後に、当該樹脂原料を硬化することによって形成される。
【００２８】
波長変換部３０は、発光素子２０の半導体積層体２２からみて近位側に形成されている底面３０ａ、発光素子２０の半導体積層体２２からみて遠位側に形成されている上面３０ｂ、及び底面３０ａから上面３０ｂに亘って形成されている側面３０ｃを有する。
【００２９】
波長変換部３０の底面３０ａ及び上面３０ｂは、実装基板１１の実装面１１ａと平行に形成されている。また、波長変換部３０の底面３０ａ及び上面３０ｂは、支持基板２１の主面と平行に形成されている。
【００３０】
波長変換部３０は、柱状に形成された角柱部（第３の部分）３１、角柱部３１の上方において、角柱部３１に続いて錐台状に形成された第１の錐台部（第１の部分）３２、及び第１の錐台部３２の上方において、第１の錐台部３２に続いて錐台状に形成された第２の錐台部（第２の部分）３３を有する。角柱部３１、第１の錐台部３２及び第２の錐台部３３は、一体に形成されている。
【００３１】
角柱部３１は、直方体状に形成されている。尚、角柱部３１は、直方体状に限られず、例えば、多角柱状に形成されていてもよい。角柱部３１は、底面３０ａに対して垂直に伸びて形成されている側面３１ａを有する。角柱部３１の側面３１ａは、波長変換部３０の底面３０ａ側に形成されている。
【００３２】
第１の錐台部３２は、上方に向かって窄んでおり、その側面３２ａが底面３０ａに対して傾斜している。第１の錐台部３２の側面３２ａは、角柱部３１の側面３１ａに続いて形成されている。
【００３３】
第１の錐台部３２から第２の錐台部３３に移行する部位は屈曲して形成されている。言い換えれば、第２の錐台部３３は、その側面３３ａが底面３０ａに対して第１の錐台部３２の側面３２ａよりも大きい角度で傾斜している。従って、第２の錐台部３３の側面３３ａは、第１の錐台部３２の側面３２ａに続いて形成され、かつ波長変換部３０の上面３０ｂ側に形成されている。
【００３４】
発光装置１０は、発光素子２０の各々の半導体積層体２２の側面及び波長変換部３０の側面を取り囲むように被覆する反射部としての反射樹脂４０を有する。反射樹脂４０は、本図においては説明のため破線で示されている。
【００３５】
反射樹脂４０は、例えば、発光素子２０の各々からの放出光、波長変換部３０からの出力光の各々に対して反射性を有する白色の樹脂素材からなる。樹脂素材は、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂内に光散乱材（白色顔料）を分散させた、いわゆる白色樹脂と称される材料からなるものである。光散乱材としては、酸化チタン、酸化亜鉛等を使用することができる。
【００３６】
反射樹脂４０は、発光素子２０の半導体積層体２２の側面及びｐ側給電パッド１３及びボンディングワイヤ１９を埋設している。反射樹脂４０は、発光装置１０の封止材として機能する。
【００３７】
図２は、実施例１に係る発光装置１０の上面図である。図２に示すように、実装基板１１は、上面視、すなわち、実装基板１１の実装面１１ａに垂直な方向から見て矩形状に形成されている。
【００３８】
各々の発光素子２０の支持基板２１は、上面視において矩形状に形成されている。各々の支持基板２１は、その短手方向が実装基板１１の長手方向に沿って配列されている。尚、半導体積層体２２は、図中においては一点鎖線で示されている。半導体積層体２２の上面２２ａは、矩形状に形成されている。
【００３９】
波長変換部３０の角柱部３１は、半導体積層体２２の上面２２ａを覆う形状を有する底面、すなわち波長変換部３０の底面３０ａを有する。波長変換部３０の底面３０ａは、半導体積層体２２の上面２２ａと対向して配されている。波長変換部３０の底面３０ａは、矩形状に形成されている。また、底面３０ａは、半導体積層体２２の上面２２ａに沿って形成されている。
【００４０】
波長変換部３０の第１の錐台部３２は、上面視において半導体積層体２２の上面２２ａを覆う形状を有する底面を有する。第１の錐台部３２は、上方に向かって発光素子２０の光出射面に平行な方向における幅が狭まる形状を有する。第１の錐台部３２は、その上面と底面が矩形状に形成されている。尚、第１の錐台部３２の底面は、角柱部３１の上面と大きさ及び形状が一致している。
【００４１】
波長変換部３０の第２の錐台部３３は、上方に向かって発光素子２０の光出射面に平行な方向における幅が狭まる形状を有する。第２の錐台部３３は、その上面と底面が矩形状に形成されている。
【００４２】
第２の錐台部３３の底面は、半導体積層体２２の上面２２ａよりも面積が小さい。言い換えれば、波長変換部３０の第２の錐台部３３の底面の輪郭のサイズは、半導体積層体２２の上面２２ａの輪郭のサイズよりも小さい。
【００４３】
第２の錐台部３３の上面、すなわち波長変換部３０の上面３０ｂは、波長変換部３０の底面３０ａの面積よりも小さく形成されている。言い換えれば、波長変換部３０の上面３０ｂの輪郭のサイズは、当該波長変換部３０の底面３０ａの輪郭のサイズよりも小さい。尚、第２の錐台部３３の底面は、第１の錐台部３２の上面と大きさ及び形状が一致している。また、波長変換部３０の上面３０ｂによって、発光装置１０の光取出し面が画定されている。
【００４４】
図３は、図２のＡ−Ａ線に沿った発光装置１０の断面を示している。図３に示すように、ｎ側給電パッド１２は、実装基板１１の実装面１１ａ及び実装面１１ａの反対側の面１１ｂに設けられた金属の配線電極パターンである。ｎ側給電パッド１２は、外部の電源に接続されている。
【００４５】
実装基板１１の実装面１１ａに設けられたｎ側給電パッド１２及び実装面１１ａの反対側の面１１ｂに設けられたｎ側給電パッド１２は、実装基板１１を貫通して形成されたスルーホール（図示せず）を介して、互いに電気的に接続されている。
【００４６】
ｐ側給電パッド１３は、実装基板１１の実装面１１ａ及び実装面１１ａの反対側の面１１ｂに設けられた金属の配線電極パターンである。ｐ側給電パッド１３は、ｎ側給電パッド１２から電気的に離間して設けられている。
【００４７】
実装基板１１の実装面１１ａに設けられたｐ側給電パッド１３及び実装面１１ａの反対側の面１１ｂに設けられたｐ側給電パッド１３は、実装基板１１を貫通して形成されたスルーホール（図示せず）を介して、互いに電気的に接続されている。
【００４８】
波長変換部３０は、透明接着材５０を介して、発光素子２０の半導体積層体２２の各々の上面上に接着されている。図中においては、透明接着材５０と接している波長変換部３０の底面３０ａは、半導体積層体２２の上面２２ａに接着されている。言い換えれば、波長変換部３０の底面３０ａは、半導体積層体２２の上面２２ａに透明接着材５０を介して接着されている。
【００４９】
透明接着材５０は、半導体積層体２２の側面及び上面を覆い、かつ波長変換部３０の底面３０ａを覆っている。
【００５０】
透明接着材５０は、半導体積層体２２から出射される光に対して透過性を有する。透明接着材５０は、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂を含有する接着剤を硬化することによって形成される。従って、半導体積層体２２から出射された光は、透明接着材５０を介して、波長変換部３０に入射することが可能である。
【００５１】
第１の錐台部３２は、上方に向かって窄んでおり、その側面３２ａが底面３０ａに対して第１の角度θ１に傾斜している。言い換えれば、第１の錐台部３２の側面３２ａは、底面３０ａに対して鋭角な第１の角度θ１に傾斜している。第１の角度θ１は、第１の錐台部３２の内方からその側面３２ａに臨む角度である。
【００５２】
第２の錐台部３３は、上方に向かって窄んでおり、その側面３３ａが底面３０ａに対して第２の角度θ２に傾斜している。言い換えれば、第２の錐台部３３の側面３３ａは、底面３０ａに対して鋭角な第２の角度θ２に傾斜している。第２の角度θ２は、第２の錐台部３３の内方からその側面３３ａに臨む角度である。尚、第２の角度θ２は、波長変換部３０の底面３０ａに対して９０度未満の角度にするとよい。
【００５３】
発光素子２０の各々から出射された光は、波長変換部３０に入射し、その少なくとも一部の光の波長が変換された後、外部に取り出される。発光素子２０の各々及び波長変換部３０から、そのそれぞれの側面に向かって進んだ光は、反射樹脂４０によって反射される。従って、ほとんどの波長変換部３０の上面３０ｂから外部に取り出される。その結果、発光装置１０からは、例えば、白色の光が出射される。
【００５４】
以上のように、波長変換部３０の第１の錐台部３２が上方に向かって窄んで形成されている。発光素子２０から出射された光は、第１の錐台部の側面３２ａにおいて波長変換部３０の上面３０ｂ、すなわち光取出し面に向かって反射される。その結果、発光素子２０から出射された光が光取出し面に向かって絞られる。同様に、波長変換部３０の第２の錐台部３３が上方に向かって窄んで形成されている。発光素子２０から出射された光は、第２の錐台部３３の側面３３ａにおいて光取出し面に向かって反射される。その結果、発光素子２０から出射された光が光取出し面に向かって絞られる。このように、本発明の発光装置１０は、発光素子２０から出射された光を波長変換部３０の上面３０ｂ側に進行させることができるため、高い光取出し効率を有する。ここで、光取り出し効率は、半導体積層体２２から発生した光が発光装置１０の外部に出てくる効率である。
【００５５】
ここで、第２の錐台部３３の側面３３ａが波長変換部３０の底面３０ａに成す第２の角度θ２は、第１の錐台部３２の側面３２ａが底面３０ａに成す第１の角度θ１よりも大きい。したがって、反射樹脂４０が樹脂素材である場合に、波長変換部３０の上面３０ｂに樹脂が這い上がることを防止することができる。
【００５６】
ここで、半導体積層体２２の側面から出射された光は、透明接着材５０を伝搬して波長変換部３０に入射する。ここで、半導体積層体２２から出射された光が波長変換部３０によって反射されて半導体積層体２２に向かうと、光取出し効率は減少する。透明接着材５０が半導体積層体２２の側面を覆うことにより波長変換部３０に向けて半導体積層体２２から出射された光を反射させることができる。また、波長変換部３０の底面３０ａは、半導体積層体２２の上面２２ａよりも面積が大きいことによって、半導体積層体２２から出射された光を効率よく波長変換層３０に入射させることができる。
【００５７】
反射樹脂４０が白色の樹脂素材であることにより、発光素子２０から出射された光を反射させることができると共に、発光素子２０を封止することができる。
【００５８】
波長変換部３０が、発光素子２０の半導体積層体２２の上面２２ａを覆う形状を有する底面を有する柱状の角柱部３１を有することにより、発光素子２０から角柱部３１の側面３１ａに進行した光は、反射樹脂４０によって反射される。その結果、当該光は、第１の錐台部３２の側面３２ａに向かって進行した後、波長変換部３０の上面３０ｂに向かって進行する。従って、発光装置１０の光取出し効率を高めることができる。
【００５９】
以上で説明した発光装置１０の波長変換部３０は、例えば、図４及び５に示すセラミックプレート３０Ｐを切削加工することによって製造されることができる。図４は、セラミックプレート３０Ｐを加工する第１の加工工程を示している。より具体的には、図４は、ダイシングシート６０、ダイシングシート６０上に配置されたセラミックプレート３０Ｐ、及びセラミックプレート３０Ｐを加工する際に用いられる第１のブレードＢ１の断面を模式的に示している。
【００６０】
第１のブレードＢ１は、断面形状が等脚台形の第１のテーパ部ｂ１、第１のテーパ部に続いて形成され、かつ第１のテーパ部ｂ１よりもテーパの傾きが低い断面形状が等脚台形の第２のテーパ部ｂ２及び第２のテーパ部ｂ２の等脚台形の下底側の部分から、当該等脚台形の上底に垂直な方向に延びる基部ｂ３を有する。
【００６１】
第１の加工工程においては、ダイシングシート６０上にセラミックプレート３０Ｐを配置する。次いで、第１のブレードＢ１をセラミックプレート３０Ｐの上面に垂直な方向に挿入して溝を形成する。具体的には、第１のブレードＢ１の第２テーパ部がセラミックプレート３０Ｐの内部に至るまで、第１のブレードＢ１をセラミックプレート３０Ｐに挿入する。
【００６２】
これにより、第１のブレードＢ１の第１のテーパ部にｂ１よって、セラミックプレート３０Ｐには、第１の錐台部３２となる部分が形成される。また、第１のブレードＢ１の第２のテーパ部ｂ２によって、セラミックプレート３０Ｐには、第２の錐台部３３となる部分が形成される。
【００６３】
図５は、セラミックプレート３０Ｐを加工する第２の加工工程を示している。第２の加工工程においては、図４に示した第１の加工工程がなされたセラミックプレート３０Ｐに対して、第２のブレードＢ２を用いて切断加工する。図５に示すように、第２のブレードＢ２は、互いに平行な一対の側面ｂ４を有する。
【００６４】
第２の加工工程においては、セラミックプレート３０Ｐの第１の加工工程で形成された溝に第２のブレードＢ２をセラミックプレート３０Ｐに垂直な方向に挿入する。これによって、個片化されたセラミックプレート３０Ｐのプレート片は波長変換部３０となる。従って、第２のブレードＢ２によって、セラミックプレート３０Ｐには、角柱部３１となる部分が形成される。
【００６５】
このように、波長変換部３０は、第１のブレードＢ１及び第２のブレードＢ２を用いてセラミックプレート３０Ｐを加工することによって形成することができる。言い換えれば、上記の第１の加工工程及び第２の加工工程を経ることにより、波長変換部３０には、第１の錐台部３２、第２の錐台部３３及び角柱部３１が形成される。
【実施例２】
【００６６】
実施例２に係る発光装置１０について説明する。実施例２に係る発光装置１０Ａは、波長変換部３０の形態が実施例１に係る発光装置１０とは異なる。その余の点は、実施例１に係る発光装置１０と構成が同一であるので説明を省略する。
【００６７】
図６は、実施例２に係る発光装置１０Ａの断面を示している。図６に示すように、波長変換部３０は、第１の錐台部３２及び第２の錐台部３３を有する。すなわち、本実施例の発光装置１０Ａは、波長変換部３０が角柱部３１を有しない点で実施例１の発光装置１０とは異なる。従って、第１の錐台部３２は、半導体積層体２２の上面２２ａを覆う形状を有する底面、すなわち波長変換部３０の底面３０ａを有する。底面３０ａは、発光素子２０の半導体積層体２２の上面２２ａを覆う形状を有する。
【００６８】
波長変換部３０の底面３０ａは、半導体積層体２２の上面２２ａと対向して配されている。波長変換部３０の底面３０ａは、矩形状に形成されている。また、底面３０ａは、半導体積層体２２の上面２２ａに沿って形成されている。
【００６９】
このように、発光装置１０Ａを構成しても、波長変換部３０の第１の錐台部３２が上方に向かって窄んで形成されている。発光素子２０から出射された光は、第１の錐台部の側面３２ａにおいて波長変換部３０の上面３０ｂ、すなわち光取出し面に向かって反射される。その結果、発光素子２０から出射された光が光取出し面に向かって絞られる。同様に、波長変換部３０の第２の錐台部３３が上方に向かって窄んで形成されている。発光素子２０から出射された光は、第２の錐台部３３の側面３３ａにおいて光取出し面に向かって反射される。その結果、発光素子２０から出射された光が光取出し面に向かって絞られる。このように、本発明の発光装置１０は、発光素子２０から出射された光を波長変換部３０の上面３０ｂ側に進行させることができるため、高い光取出し効率を有する。
【００７０】
尚、以上の実施例においては、２つの発光素子２０が実装基板１１に搭載されている例を説明した。しかし、実装基板１１に搭載されている発光素子２０の数は、１又は２以上であってもよい。
【符号の説明】
【００７１】
１０  発光装置
１１  実装基板
２０  発光素子
２１  支持基板
２２  半導体積層体
２２ａ  上面
３０  波長変換部
３０ａ  底面
３０ｂ  上面
３１  第１の錐台部（第１の部分）
３２  第２の錐台部（第２の部分）
３３  角柱部（第３の部分）
４０  反射樹脂（反射部）
５０  透明接着剤
θ１  第１の角度
θ２  第２の角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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