(57)【要約】【課題】加熱された基板を筐体内において冷却または加熱するとともに、スループットを高めることができる基板収納装置を提供する。【解決手段】  基板収容装置１０は、内部が真空にされた状態で複数の基板Ｓを収容する筐体１１と、筐体１１内に収容された基板Ｓの温度を変化させる温度変化手段４０と、筐体１１内に収容された複数の基板Ｓを所定間隔離間した状態で保持するとともに、筐体１１内において、基板Ｓを筐体１１の外部から搬入される搬入位置Ｆから筐体１１の外部に搬出するための搬出位置Ｅまで移送する移送機構２０とを備え、移送機構２０は、新たに基板Ｓが筐体１１内に収容されるに伴って、筐体１１に先に収容された基板Ｓから順に搬出位置Ｅに移送するよう構成されている。【選択図】図１
2020145329.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部が真空にされた状態で複数の基板を収容する筐体と、
前記筐体内に収容された前記基板の温度を変化させる温度変化手段と、
前記筐体内に収容された複数の前記基板を所定間隔離間した状態で保持するとともに、前記筐体内において、前記基板を前記筐体の外部から搬入される搬入位置から前記筐体の外部に搬出するための搬出位置まで移送する移送機構とを備え、
前記移送機構は、新たに前記基板が前記筐体内に収容されるに伴って、前記筐体に先に収容された前記基板から順に前記搬出位置に移送するよう構成されていることを特徴とする基板収容装置。
【請求項２】
前記筐体内を真空状態にする排気手段と、
前記筐体内に気体を導入するガス供給手段とを備え、
前記ガス供給手段が前記温度変化手段として機能することを特徴とする請求項１に記載の基板収容装置。
【請求項３】
前記移送機構は、複数の前記基板をそれぞれ保持する複数の保持部を有する保持体を駆動させることにより、前記筐体内において複数の前記基板を同時に移送することを特徴とする請求項１または２に記載の基板収容装置。
【請求項４】
前記保持体は、それぞれ独立して駆動される第一保持体と第二保持体とから構成され、前記第一保持体と前記第二保持体をそれぞれ駆動させることにより、第一保持体の前記保持部である第一保持部と、第二保持体の前記保持部である第二保持部との間で複数の各前記基板の受け渡し動作を同時に繰り返しながら、前記筐体内において前記基板を前記搬入位置から前記搬出位置まで移送することを特徴とする請求項３に記載の基板収容装置。
【請求項５】
前記第一保持体および前記第二保持体をそれぞれ複数有し、複数の前記第一保持体および複数の前記第二保持体はそれぞれ連動した同一の動作を行うよう駆動されることを特徴とする請求項４に記載の基板収容装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理室との間で基板を受け渡しするために使用される基板収容装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程やフラットパネルディスプレイ製造工程では、半導体ウエハやガラス基板等の各種基板は真空処理室においてイオン注入などの各種処理を施される。この過程においては、真空処理室の真空状態を破ることなく真空処理室との間で基板の受け渡しを行うとともに複数の基板を収容し得る基板収容装置が使用される場合がある。
【０００３】
このような複数の基板を収容可能な基板収容装置として、例えば、特許文献１に開示されたロードロック装置が知られている。
【０００４】
特許文献１に開示されたロードロック装置は、高温のウエハを冷却する場合に使用されるものであり、４枚の半導体ウエハを多段に載置して収容できる容器を備え、容器内を真空下から大気圧下に復帰させるための窒素ガス等を冷却ガスとして利用することにより、収容された半導体ウエハを冷却する構成を備えている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示されたロードロック装置は、４枚の半導体ウエハを容器内に収容し、４枚の基板を一括して冷却した後に外部へ搬出し、再び次の４枚の半導体ウエハを容器に収容することを繰り返す構成である。
【０００６】
したがって、４枚の基板を容器内に収容する度に４枚の基板を一括して冷却するための待機時間が発生することから、スループットが低下するという課題があった。また、複数の基板を加熱する場合においても、従来は複数の基板を一括して加熱していたことから、同様の待機時間が発生し、スループットが低下するという課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−４９５０７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、基板を筐体内において冷却または加熱できるとともに、スループットを高めることができる基板収容装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１に係る基板収容装置は、内部が真空にされた状態で複数の基板を収容する筐体と、前記筐体内に収容された前記基板の温度を変化させる温度変化手段と、前記筐体内に収容された複数の前記基板を所定間隔離間した状態で保持するとともに、前記筐体内において、前記基板を前記筐体の外部から搬入される搬入位置から前記筐体の外部に搬出するための搬出位置まで移送する移送機構とを備え、前記移送機構は、新たに前記基板が前記筐体内に収容されるに伴って、前記筐体に先に収容された前記基板から順に前記搬出位置に到達するよう構成されていることを特徴としている。
【００１０】
上記構成においては、筐体内に収容された基板の温度を変化させる温度変化手段を備えることから、筐体内に収容された基板を冷却または加熱することができる。
また、移送機構は、新たに基板が筐体内に収容されるに伴って、先に筐体に収容された基板から順に搬出位置に到着するように基板を移送することから、新たに基板を筐体に収容するのに伴い、先に筐体に収容された基板から順に筐体の外に搬出することができる。
したがって、基板が筐体内に収容されてから搬出位置に到達して筐体外に搬出されるまでの間に冷却時間または加熱時間を確保することができるとともに、筐体内に新たに基板を搬入する度に筐体から基板を順次搬出することができる。
すなわち、従来のような複数の基板を一括して冷却または加熱するための待機時間が必要なく、筐体内に新たに高温の基板が収容されるに伴って、冷却または加熱された基板を外部に搬出することができる。
【００１１】
また、前記筐体内を真空状態にする排気手段と、前記筐体内に気体を導入するガス供給手段とを備え、前記ガス供給手段が前記温度変化手段として機能する構成としてもよい。
【００１２】
上記構成においては、筐体内を真空状態にする排気手段と、筐体内に気体を導入するガス供給手段とを備えることから、本発明にかかる基板収容装置を、真空処理室の真空状態を破ることなく基板を大気圧下に復帰し得るロードロック装置として使用することができる。
さらに、ガス供給手段が温度変化手段として機能する。すなわち、ガス供給手段によって、筐体内に収容された基板よりも低温または高温の気体を導入することにより、基板を冷却または加熱することができる。
したがって、ガス供給手段を使用して筐体内に窒素ガス等の不活性ガス等の気体を導入して大気圧復帰させる場合に、導入される気体を筐体内に収容された基板よりも低温または高温とすることにより、基板を冷却または加熱することができる。
【００１３】
また、前記移送機構は、複数の前記基板をそれぞれ保持する複数の保持部を有する保持体を駆動させることにより、前記筐体内において複数の前記基板を同時に移送する構成とされていてもよい。
【００１４】
上記構成では、保持体を駆動することにより、筐体内において、収容された複数の基板を同時に移送することができる。
【００１５】
また、前記保持体は、それぞれ独立して駆動される第一保持体と第二保持体とから構成され、前記第一保持体と前記第二保持体をそれぞれ駆動させることにより、第一保持体の前記保持部である第一保持部と、第二保持体の前記保持部である第二保持部との間で複数の各前記基板の受け渡し動作を同時に繰り返しながら、前記筐体内において前記基板を移送する構成とされてもよい。
【００１６】
上記構成により、複数の基板の受け渡し動作を同時に繰り返しながら筐体内で基板を移送できるため、筐体内において複数の基板をひとつずつ移送する場合に比べて移送にかかる時間を短縮できる。
【００１７】
また、ロードロック装置は、前記第一保持体および前記第二保持体とをそれぞれ複数有し、複数の前記第一保持体および複数の前記第二保持体はそれぞれ連動した同一の動作を行うよう駆動される構成とされてもよい。
【００１８】
上記構成により、第一保持体と第二保持体を複数使用して保持体を構成する場合であっても、複数の第一保持体および複数の第二保持体がそれぞれ連動して同一の動作を行うことにより、第一保持体と第二保持体との間における複数の基板の受け渡しを同時に行うことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の基板収容装置によれば、基板を筐体内において冷却または加熱できるとともに、スループットを高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る基板収容装置の構成を示す模式図。
【図２】同形態に係る移送機構を示す斜視図。
【図３】同形態に係る移送機構の回動動作を示す模式図。
【図４（ａ）】同形態に係る基板収容装置の第一受け渡し動作を示す模式図。
【図４（ｂ）】同形態に係る基板収容装置の第一受け渡し動作を示す模式図。
【図４（ｃ）】同形態に係る基板収容装置の第一受け渡し動作を示す模式図。
【図４（ｄ）】同形態に係る基板収容装置の第一受け渡し動作を示す模式図。
【図５（ａ）】同形態に係る基板収容装置の第二受け渡し動作を示す模式図。
【図５（ｂ）】同形態に係る基板収容装置の第二受け渡し動作を示す模式図。
【図５（ｃ）】同形態に係る基板収容装置の第二受け渡し動作を示す模式図。
【図５（ｄ）】同形態に係る基板収容装置の第二受け渡し動作を示す模式図。
【図５（ｅ）】同形態に係る基板収容装置の第二受け渡し動作を示す模式図。
【図５（ｆ）】同形態に係る基板収容装置の第二受け渡し動作を示す模式図。
【図５（ｇ）】同形態に係る基板収容装置の第二受け渡し動作を示す模式図。
【図５（ｈ）】同形態に係る基板収容装置の第二受け渡し動作を示す模式図。
【図５（ｉ）】同形態に係る基板収容装置の第二受け渡し動作を示す模式図。
【図６（ａ）】同形態に係る基板収容装置の搬出位置に基板が到達した状態を示す模式図
【図６（ｂ）】同形態に係る基板収容装置の搬出位置に基板が到達した状態を示す模式図
【図７】本実施の形態に係る基板収容装置の支持部の変形例を示す模式図。
【図８】本実施の形態に係る基板収容装置の支持部の別の変形例を示す模式図。
【図９】第二の実施の形態に係る基板収容装置の構成を示す模式図。
【図１０】本発明の第一および第二の実施形態に係る基板収容装置の配置例を示す模式図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明における第一の実施形態に係る基板収容装置１０は、図１に示すように、内部が真空にされた状態で半導体ウエハやガラス基板等である複数の基板Ｓを収容する筐体１１と、筐体１１内に収容された基板Ｓの温度を変化させる温度変化手段４０とを備える。
また、基板収容装置１０は、筐体１１内に収容された複数の基板Ｓを筐体１１の高さ方向に所定間隔離間した状態で水平に保持するとともに、筐体１１内において、基板Ｓを筐体１１の外部から搬入される搬入位置Ｆから筐体１１の外部に搬出するための搬出位置Ｅまで移送する移送機構２０を備えている。
【００２２】
また、図１に示すように、基板収容装置１０は、筐体１１内を真空引きして真空状態にする排気手段１２と、筐体１１内に窒素ガス等の不活性ガス等の気体を導入するガス供給手段１３とを備えており、本実施形態においては、真空下において基板Ｓに対してイオン注入等の処理を施す真空処理室１００と隣接するように配置されている。
すなわち、本第一実施形態に係る基板収容装置１０は、真空処理室１００の真空状態を破ることなく複数の基板Ｓを収容し、基板Ｓを大気圧下に復帰させることのできるロードロック装置としての機能を有している。
【００２３】
また、後述するように、本第一の実施形態に係る基板収容装置１０においては、ガス供給手段１３が温度変化手段４０として機能するように構成されており、具体的には、ガス供給手段１３は、筐体１１内に収容された基板Ｓよりも低温または高温の気体を導入して基板Ｓを冷却または加熱することにより、温度変化手段４０として機能するものである。
尚、このとき導入された気体は、基板収容装置１０をロードロック装置として捉えた場合には、筐体１１の内圧を高め、筐体１１に収容された基板Ｓを大気圧下に復帰させるための大気圧復帰用ガスとしての役割も担うものである。
【００２４】
また、図１に示すように、ガス供給手段１３は、導入される気体を筐体１１内に拡散させるための拡散フィルタ１４を筐体１１内部に備えており、導入された気体を筐体１１内に収容された複数の基板Ｓ間に均一に流動させる構成とされている。
【００２５】
筐体１１の対向するふたつの側面部１１ａには、真空処理室１００から基板Ｓを搬入するための開口である搬入部１５、および、基板Ｓを外部に搬出するための開口である搬出部１６がそれぞれ形成されている。
搬入部１５および搬出部１６は、基板Ｓの搬入および搬出を容易にするため、上述した搬入位置Ｆおよび搬出位置Ｅと高さ方向でほぼ同位置に形成されていればよい。本第一の実施形態においては、基板Ｓが筐体１１内において下方側から上方側に搬送されるのに合わせ、搬入部１５および搬出部１６は側面部１１ａの下部および上部にそれぞれ形成されている。
また。搬入部１５および搬出部１６にはそれぞれの開口を開閉する搬入ゲート１７および搬出ゲート１８が設けられており、搬入ゲート１７および搬出ゲート１８が閉じた状態では、筐体１１は内部が気密に閉塞される。
【００２６】
さらに、筐体１１内部の底面には、筐体１１内に搬入された基板Ｓが初めに載置される台１９が配置されている。
【００２７】
基板Ｓは、真空処理室１００においてイオン注入などの処理を施された後、ロボットハンド（不図示）等を使用して搬入ゲート１７が開いた状態の搬入部１５を通り、内部を真空状態にされた筐体１１内に搬入され、台１９上に載置される。そして、搬入ゲート１７を閉じた後、ガス供給手段１３により窒素ガス等の不活性ガス等を筐体１１内に導入し、筐体１１内部の気圧を高めることにより基板Ｓは大気圧下に復帰させられる。
【００２８】
基板収容装置１０は、ガス供給手段１３により筐体１１内に導入される気体の種類や温度を変化させることにより、基板Ｓの冷却および加熱のいずれにも使用できるものであるが、以下では、高温に加熱された基板Ｓを冷却する場合を想定して説明する。
【００２９】
図１に示すように、筐体１１の側面部１１ａ内部、上面部１１ｂ内部、および、台１９の内部には、冷却水等の冷媒を通すための流路Ｃが設けられている。
【００３０】
図１に示すように、基板収容装置１０は、筐体１１内に収容された複数（本実施の形態においては４枚）の基板Ｓを高さ方向に所定間隔離間した状態で水平に保持するとともに、筐体１１内において基板Ｓを筐体１１の外部である真空処理室１００から搬入される搬入位置Ｆから筐体１１の外部に搬出するための搬出位置Ｅまで移送する移送機構２０を備えている。
ここで、搬入位置Ｆとは、台１９に載置された状態の基板Ｓの位置を指す。また、搬出位置Ｅとは、搬出ゲート１８から搬出される直前に基板Ｓが保持される位置を指し、より具体的には、基板Ｓが後述する第二保持体２２Ｂの３つの第二保持片２４Ｂ４、２４Ｂ４、２４Ｂ４によって支持される位置を指す。
【００３１】
本実施の形態に係る基板収容装置１０における移送機構２０は、図１に示すように、基板Ｓが筐体１１に収容されるに伴って、筐体１１に収容された基板Ｓを段階的に上方に移動させ、筐体１１に先に収容された基板Ｓから順に搬出位置Ｅに到達するよう移送する機構である。
【００３２】
図１に示すように、移送機構２０は、基板Ｓを保持する複数の保持部２１を有する保持体２２、および、筐体１１の外部に配置された複数の駆動源３０、３１、３２を備える。
【００３３】
また、各保持体２２と複数の駆動源３０、３１、３２との間には、駆動力伝達機構３３が介在し、駆動源３０、３１、３２から発生させられた駆動力が駆動力伝達機構３３を介して直接または間接的に各保持体２２に伝達されることにより各保持体２２は駆動される。
【００３４】
尚、駆動源３０、３１、３２はいずれも一般に広く知られたアクチュエータである。
【００３５】
すなわち、移送機構２０は、駆動源３０、３１、３２を外部からの制御により駆動させることで各保持体２２を動作させ、筐体１１内部において基板Ｓを搬入位置Ｆから搬出位置Ｅまで移送させるものであり、搬出位置Ｅまで到達した基板Ｓは、その後、ロボットハンド（不図示）等により、搬出部１６から筐体１１の外部に搬出される。
【００３６】
尚、理解を容易にするため、図１および図４〜図６においては、二つの保持体２２（２Ａ）、２２（２２Ｂ）のみ開示しているが、実際には、図２に示すように、筐体１１内には六つの保持体２２（２２Ａ）、２２（２２Ａ）、２２（２２Ａ）、２２（２２Ｂ）、２２（２２Ｂ）、２２（２２Ｂ）が配置されている。
【００３７】
まず、移送機構２０の構成について説明する。
【００３８】
図２に示すように、移送機構２０は、六つの保持体２２を備える。六つの保持体２２は、３つの第一保持体２２Ａ、２２Ａ、２２Ａと、３つの第二保持体２２Ｂ、２２Ｂ、２２Ｂから成る。
【００３９】
図２および図３に示すように、３つの第一保持体２２Ａ、２２Ａ、２２Ａと３つの第二保持体２２Ｂ、２２Ｂ、２２Ｂとは、筐体１１に収容される基板Ｓ外周を取り囲むよう交互に配置されている。
【００４０】
また、図２に示すように、第一保持体２２Ａは、駆動力伝達機構３３を介して駆動源３０および駆動源３１に直接または間接的に接続される軸部２３Ａを有する。また、第二保持体２２Ｂは、駆動力伝達機構３３を介して駆動源３２に直接または間接的に接続される軸部２３Ｂを有する。
【００４１】
ここで、３つの第一保持体２２Ａ、２２Ａ、２２Ａはいずれも駆動力伝達機構３３内に構成された一般に知られたリンク機構（不図示）やタイミングベルト機構（不図示）により連動した同一の動作を行う構成とされている。
【００４２】
具体的には、３つの第一保持体２２Ａ、２２Ａ、２２Ａは、いずれも駆動力伝達機構３３を介して駆動源３０の駆動力を受けることで筐体１１内において同一の上下運動を行う。
【００４３】
この３つの第一保持体２２Ａ、２２Ａ、２２Ａの上下運動とは、後述する図４（ａ）に示す第一保持体２２Ａの初期位置        Ｐ１、中間位置Ｐ２、最高位置Ｐ３との間での上昇および下降を行うものである。
【００４４】
また、図３に示すように、３つの第一保持体２２Ａ、２２Ａ、２２Ａは、いずれも駆動力伝達機構３３を介して駆動源３１の駆動力を受けることで軸部２３Ａを回転軸とする同一の回転運動も行う。
【００４５】
この３つの第一保持体２２Ａ、２２Ａ、２２Ａの回転運動とは、図３に示すように、後述する第一保持体２２Ａの第一支持片２４Ａ１〜２４Ａ４が支持位置Ｑ１と退避位置Ｑ２との間を往復するように回動するものである。
【００４６】
また、第二保持体２２Ｂについても同様であり、３つの第二保持体２２Ｂ、２２Ｂ、２２Ｂは、いずれも駆動力伝達機構３３内に構成された一般に知られたリンク機構（不図示）やタイミング機構（不図示）により連動した同一の動作を行う構成とされている。
【００４７】
具体的には、第二保持体２２Ｂ、２２Ｂ、２２Ｂは、いずれも駆動力伝達機構３３を介して駆動源３２の駆動力を受けることで軸部２３Ｂを回転軸とする同一の回転運動を行う。
【００４８】
この３つの第一保持体２２Ｂ、２２Ｂ、２２Ｂの回転運動とは、図３に示すように、後述する第二保持体２２Ｂの第二支持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４が支持位置Ｒ１と退避位置Ｒ２との間を往復するように回動するものである。
【００４９】
図２に示すように、第一保持体２２Ａの軸部２３Ａには、軸方向に所定間隔Ｌだけ均等に離間するよう下方から順に配置され、それぞれ基板Ｓ裏面の外縁部を支持し得る平板状の４つの第一支持片２４Ａ１〜２４Ａ４を備える。この第一支持片２４Ａ１〜２４Ａ４が第一保持体２２Ａにおける保持部２１である。
【００５０】
一方、第二保持体２２Ｂの軸部２３Ｂについても同様であり、軸方向に所定間隔Ｌだけ均等に離間するよう下方から順に配置され、それぞれ基板Ｓ裏面の外縁部を支持し得る平板状の４つの第二支持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４を備える。この第二支持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４が、第二保持体２２Ｂにおける保持部２１である。
【００５１】
図２に示すように、３つの第一支持片２４Ａ１、２４Ａ１、２４Ａ１は、筐体１１内において、高さ方向について同位置に配置されている。
【００５２】
また、第一支持片２４Ａ１〜２４Ａ４はいずれも所定間隔Ｌだけ離間して配置されていることから、他の３つの支持片２４Ａ２、２４Ａ２、２４Ａ２と、３つの支持片２４Ａ３、２４Ａ３、２４Ａ３と、３つの支持片２４Ａ３、２４Ａ３、２４Ａ３についても同様に、筐体１１内において高さ方向についてそれぞれ同位置に配置される。
【００５３】
したがって、第一支持片２４Ａ１〜２４Ａ４は、いずれの位置においても基板Ｓを水平に支持することができる。つまり、３つの第一支持片２４Ａ１、２４Ａ１、２４Ａ１と、３つの第一支持片２４Ａ２、２４Ａ２、２４Ａ２と、３つの第一支持片２４Ａ３、２４Ａ３、２４Ａ３と、３つの第一支持片２４Ａ４、２４Ａ４、２４Ａ４によって、それぞれの位置で基板Ｓは水平に支持される。
【００５４】
また、第二支持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４についても同様であり、図２に示すように、３つの支持片２４Ｂ１、２４Ｂ１、２４Ｂ１は、筐体１１内において、高さ方向について同位置に配置されている。
【００５５】
また、第一支持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４はいずれも所定間隔Ｌだけ離間して配置されていることから、他の３つの支持片２４Ｂ２、２４Ｂ２、２４Ｂ２と、３つの支持片２４Ｂ３、２４Ｂ３、２４Ｂ３と、３つの支持片２４Ｂ４、２４Ｂ４、２４Ｂ４についても同様に、筐体１１内において、高さ方向についてそれぞれ同位置に配置される。
【００５６】
したがって、第二支持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４は、いずれの位置においても基板Ｓを水平に支持することができる。つまり、３つの第二支持片２４Ｂ１、２４Ｂ１、２４Ｂ１と、３つの第一支持片２４Ｂ２、２４Ｂ２、２４Ｂ２と、３つの第一支持片２４Ｂ３、２４Ｂ３、２４Ｂ３と、３つの第一支持片２４Ｂ４、２４Ｂ４、２４Ｂ４によって、それぞれの位置で基板Ｓは水平に支持される。
【００５７】
また、図３に示すように、３つの第一保持体２２Ａ、２２Ａ、２２Ａと３つの第二保持体２２Ｂ、２２Ｂ、２２Ｂは、各軸部２３Ａ、２３Ａ、２３Ａと軸部２３Ｂ、２３Ｂ、２３Ｂが筐体１１に収容される基板Ｓの外周を取り囲むよう交互に配置されており、図３の実線で示す第一支持片２４Ａ１〜２４Ａ４および第二支持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４の位置が、それぞれ第一保持体２２Ａの支持位置Ｑ１および第二保持体２２Ｂの支持位置Ｒ１である。
【００５８】
また、図３の破線で示す第一支持片２４Ａ１〜２４Ａ４および第二支持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４の位置が、それぞれ第一保持体２２Ａの退避位置Ｑ２および第二保持体２２Ｂの退避位置Ｒ２である。
【００５９】
すなわち、第一保持体２２Ａの支持位置Ｑ１とは、第一保持片２４Ａ１〜２４Ａ４が筐体１１に収容された基板Ｓ裏面の外縁部を支持できる位置であり、第一保持体２２Ａの退避位置Ｑ２とは、上面視において第一保持片２４Ａ１〜２４Ａ４が基板Ｓと重ならない位置である。
【００６０】
第一保持体２２Ａをこの退避位置Ｑ２にすることにより、後述する第一保持体２２Ａの下降動作時に、第二保持体２２Ｂに支持された基板Ｓに第一保持片２４Ａ１〜２４Ａ４が干渉することが防止される。
【００６１】
また、第二保持体２２Ｂの支持位置Ｒ１は、第二保持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４が筐体１１に収容された基板Ｓ裏面の外縁部を支持できる位置であり、第二保持体２２Ｂの退避位置Ｒ２とは、上面視において第二保持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４が基板Ｓと重ならない位置である。
【００６２】
第二保持体２２Ｂをこの退避位置Ｒ２にすることにより、後述する第一保持体２２Ａの上昇動作時に、第一保持体２２Ａに支持された基板Ｓに第二保持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４が干渉することが防止される。
【００６３】
次に、移送機構２０の動作、および、移送機構２０による基板Ｓの受け渡し動作について説明する。
【００６４】
はじめに、筐体１１内に最初に搬入される第一の基板Ｓ１が第一保持部２２Ａから第二保持部２２Ｂに受け渡されて支持されるまでの動作を説明する。
【００６５】
尚、理解を容易にするため、図４および図５においては、六つの保持体２２のうち、第一保持体２２Ａと第二保持体２２Ｂをひとつずつ開示しているが、実際には、図２に示す３つの第一保持体２２Ａ、２２Ａ、２２Ａと、３つの第二保持体２２Ｂ、２２Ｂ、２２Ｂとがそれぞれ同一の動作を行っている。
【００６６】
まず、図４（ａ）に示すように、真空処理室１００において処理を施された第一の基板Ｓ１が台１９に載置され、第一保持体２２Ａは支持位置Ｑ１、第二保持体２２Ｂは退避位置Ｒ２にあり、この状態を初期状態とする。
【００６７】
このとき、第一保持体２２Ａの第一支持片２４Ａ１〜２４Ａ４のうち、最も下方に配置された第一支持片２４Ａ１は、基板Ｓ１よりも高さ方向において下方に位置付けられている。以降、図４（ａ）に示した、この初期状態での高さ方向における第一保持体２２Ａの位置を、第一保持体２２Ａの初期位置Ｐ１と称する。
【００６８】
尚、図４および図５においては、第一保持体２２Ａの初期位置Ｐ１、後述する中間位置Ｐ２および最高位置Ｐ３を示すため、各位置における第一支持片２４Ａ１の高さ方向での位置に破線を入れている。
言い換えれば、図４および図５に示された破線はそれぞれ、第一保持体２２Ａが初期位置Ｐ１、中間位置Ｐ２、最高位置Ｐ３のときの、第一支持片２４Ａ１の高さ方向の位置である。
【００６９】
この第一保持体２２Ａの初期位置Ｐ１においては、図４（ａ）に示すように、第一保持体２２Ａの下方から二番目に配置された第一支持片２４Ａ２は、第二保持体２２Ｂの第二支持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４のうち、最も下方に配置された第二支持片２４Ｂ１よりも高さ方向において下方に位置づけられている。
【００７０】
尚、この基板Ｓ１が台１９に載置されている位置が基板Ｓ１における搬入位置Ｆである。
【００７１】
まず、図４（ａ）に示す前述の初期状態から、図４（ｂ）に示すように、駆動源３０を駆動して第一保持体２２Ａを上昇させ、基板Ｓ１裏面を第一保持片２４Ａ１がすくい上げるようにして基板Ｓ１を支持した後、そのまま基板Ｓ１裏面が第二保持片２４Ｂ１よりも僅かに高い位置に位置づけられるまで第一保持体２２Ａを上昇させる。
【００７２】
図４（ｂ）に示したこの第一保持体２２Ａの高さ方向における位置が、第一保持体２２Ａの最高位置Ｐ３である。
【００７３】
次に、図４（ｃ）に示すように、駆動源３２を駆動して第二保持体２２Ｂを支持位置Ｒ１にする。その後、図４（ｄ）に示すように、駆動源３０を駆動して第一保持体２２Ａを初期位置Ｐ１まで下降させる。
【００７４】
この過程において、第一保持体２２Ａの下降に伴い、基板Ｓ１も下降するが、第二保持体２２Ｂが支持位置Ｒ１にあるため、第一保持体２２Ａの下降途中で基板Ｓ１は、第二保持体２２Ｂの最下層の第二支持片２４Ｂ１に拾われる。したがって、基板Ｓ１は第一保持体２２Ａから第二保持体２２Ｂへ受け渡される。
【００７５】
このとき、図４（ｄ）に示すように、第一保持体２２Ａの第一保持片２４Ａ２は、基板Ｓ１の裏面よりも下方に位置付けられている。
【００７６】
このようにして、筐体１１内に最初に搬送される第一の基板Ｓ１は第一保持体２２Ａから第二保持体２２Ｂへ受け渡される。
【００７７】
この第一の基板Ｓ１が第二保持体２２Ｂの第二支持片２４Ｂ１に支持させるまでの、第一保持体２２Ａと第二保持体２２Ｂの一連の動作を第一受け渡し動作Ｗ１と称するものとする。
【００７８】
すなわち第一受け渡し動作Ｗ１とは、
第一の基板Ｓ１を筐体１１内に搬入して台１９に載置した後の、
（動作１−１）駆動源３０により第一保持体２２Ａを最高位置Ｐ３まで上昇させ、
（動作１−２）駆動源３２により第二保持体２２Ｂを支持位置Ｒ１まで回動させ、
（動作１−３）駆動源３０により第一保持体２２Ａを初期位置Ｐ１まで下降させる、
一連の動作を言う。
【００７９】
続いて、筐体１１内に二番目に搬入される第二の基板Ｓ２が第一保持部２２Ａから第二保持部２２Ｂに受け渡され支持させるまでの動作を説明する。
【００８０】
第一受け渡し動作Ｗ１を行った後、まず、図５（ａ）に示すように、第二の基板Ｓ２を台１９に載置する。その後、図５（ｂ）に示すように、駆動源３０を駆動して第一保持体２２Ａを上昇させながら、基板Ｓ２を第一保持片２４Ａ１がすくい上げるようにして基板Ｓ２を支持した後、そのまま基板Ｓ２表面が第二保持片２４Ｂ１よりも僅かに低い位置に位置付けられるまで第一保持体２２Ａを上昇させる。
【００８１】
図５（ｂ）に示す、この第一保持体２２Ａの高さ方向における位置が第一保持体２２Ａの中間位置Ｐ２である。
【００８２】
このとき、第一保持片２１Ａ１と第一保持片２１Ａ２の間隔、および第二保持片２１Ｂ１と第一保持片２１Ｂ２の間隔はともに間隔Ｌで同一であるため、基板Ｓ１の表面は第二保持片Ｂ２よりも僅かに低い位置に位置付けられることになる。
【００８３】
続いて、図５（ｃ）に示すように、駆動源３２により第二保持体２２Ｂを回転させて退避位置Ｒ２とし、その後、図５（ｄ）に示すように、駆動源３０により第一保持体２２Ａを最高位置Ｐ３まで、すなわち、基板Ｓ２裏面が第二保持片２４Ｂ１よりも僅かに高い位置に位置づけられるまで第一保持体２２Ａを上昇させる。
【００８４】
その後、図５（ｅ）に示すように、駆動源３２により第二保持体２２Ｂを支持位置Ｒ１まで回動させ、図５（ｆ）に示すように、駆動源３０により第一保持体２２Ａを中間位置Ｐ２まで下降させる。
【００８５】
この過程において、第一保持体２２Ａの下降に伴い、基板Ｓ２も下降するが、第二保持体２２Ｂが支持位置Ｒ１にあるため、第一保持体２２Ａの下降途中で基板Ｓ２は、第二保持体２２Ｂの最下層の第二支持片２４Ｂ１に拾われて支持される。したがって、基板Ｓ２は第一保持体２２Ａから第二保持体２２Ｂへ受け渡される。
【００８６】
このとき、第一の基板Ｓ１も第二支持片２４Ｂ２に拾われて支持され、第二の基板Ｓ２と同時に第一保持体２２Ａから第二保持体２２Ｂへ受け渡される。
【００８７】
その後、図５（ｇ）に示すように、駆動源３１により第一保持体２２Ａを退避位置Ｑ２に回動させ、図５（ｈ）に示すように、駆動源３０により第一保持体２２Ａを初期位置Ｐ１まで下降させ、図５（ｉ）に示すように、駆動源３１により第一保持体２２Ａを支持位置Ｑ１に回動させる。
【００８８】
このようにして、基板Ｓ２が第一保持体２２Ａから第二保持体２２Ｂへ受け渡されるのと同時に、基板Ｓ１も第一保持体２２Ａから第二保持体２２Ｂへ受け渡される。
【００８９】
この第二の基板Ｓ２を第一保持体２２Ａから第二保持体２２Ｂへ受け渡すまでの動作を第二受け渡し動作Ｗ２と称するものとする。
【００９０】
すなわち第二受け渡し動作Ｗ２とは、
第二の基板Ｓ２を筐体１１内に搬入して台１９に載置した後の、
（動作２−１）駆動源３０により第一保持体２２Ａを中間位置Ｐ２まで上昇させ、
（動作２−２）駆動源３２により第二保持体２２Ｂを退避位置Ｒ２まで回動させ、
（動作２−３）駆動源３０により第一保持体２２Ａを最高位置Ｐ３まで上昇させ、
（動作２−４）駆動源３２により第二保持体２２Ｂを支持位置Ｒ１まで回動させ、
（動作２−５）駆動源３０により第一保持体２２Ａを中間位置Ｐ２まで下降させ、
（動作２−６）駆動源３１により第二保持体２２Ａを退避位置Ｑ２まで回動させ、
（動作２−７）駆動源３０により第一保持体２２Ａを初期位置Ｐ１まで下降させ、
（動作２−８）駆動源３１により第二保持体２２Ａを支持位置Ｑ１まで回動させる、
一連の動作を言う。
【００９１】
続いて第三の基板Ｓ３を台１９に載置した後、第二受け渡し動作Ｗ２（動作２−１〜８）を行い、さらに第四の基板Ｓ４を台１９に載置した後、第二受け渡し動作Ｗ２（動作２−１〜８）を行うことにより、図６（ａ）に示すように、第一の基板Ｓ１を第二保持体２２Ｂの最も上方にある３つの第二支持片２４Ｂ４、２４Ｂ４、２４Ｂ４に支持させることができる．この３つの第二支持片２４Ｂ４、２４Ｂ４、２４Ｂ４に支持される基板Ｓの位置が搬出位置Ｅである。
【００９２】
この搬出位置Ｅまで到達した第一の基板Ｓ１はロボットハンド（不図示）等により筐体１１外に搬出される。
【００９３】
その後、第五の基板Ｓ５を台１９に載置した後、第二受け渡し動作Ｗ２を行うことにより、第二の基板Ｓ２は搬出位置Ｅに位置づけられ、筐体１１外に搬出される。
【００９４】
以降、次の基板Ｓを筐体１１内に搬入して台１９に載置し、第二受け渡し動作Ｗ２を行うことを繰り返すことにより、筐体１１内の第二保持体２２Ｂに基板Ｓを常に４枚保持した状態で、基板Ｓの搬入および搬出が繰り返される。
【００９５】
このとき、筐体１１内に収容された基板Ｓはいずれも筐体１１内を高さ方向に沿って上下動するのみであり、第一支持片２４Ａ１〜２４Ａ２、または、第二支持片２４Ｂ１〜２４Ｂ２に対して上方から載置されるようにして受け渡されていく。
【００９６】
したがって、第一保持体２２Ａと第二保持体２２Ｂ間での基板Ｓの受け渡し動作時には、基板Ｓが回転するなどして第一保持体２２Ａまたは第二保持体２２Ｂと基板Ｓの裏面との間で擦れが発生するようなことがなく、基板Ｓが傷つくことはない。
【００９７】
次に、本実施の形態に係る基板収容装置１０の使用方法について説明する。
【００９８】
本実施の形態に係る基板収容装置１０は、特に、高温の半導体ウエハやガラス基板である基板Ｓを収容する場合に使用されるものである。
【００９９】
図４（ａ）に示すように、高温に加熱された基板Ｓ１にイオン注入等の処理を施した後、内部を真空にされた筐体１１内に基板Ｓ１を搬入して台１９に載置し、その後、搬入ゲート１７を閉じ、ガス供給手段１３により窒素ガスを導入することで筐体１１内の気圧を高め、基板Ｓ１を大気圧下に復帰させる。
このとき、窒素ガスは、基板Ｓ１を冷却するため、前記処理直後の高温状態の基板Ｓ１よりも低い温度で筐体１１内に導入される。
【０１００】
その後、第一受け渡し動作Ｗ１を行い、図４（ｄ）に示すように基板Ｓ１を第二保持体２２Ｂに支持させた後、排気手段１２を使用して筐体１１を真空にする。
【０１０１】
続いて、図５（ａ）に示すように、イオン注入などの処理を施された高温の基板Ｓ２を筐体１１内に搬入して台１９に載置し、ガス供給手段１３により大気圧復帰させた後、第二受け渡し動作Ｗ２を行い、図５（ｉ）に示すように、基板Ｓ１と基板Ｓ２を共に第二保持体２２Ｂに支持させた後、排気手段１２により真空引きを行う。
【０１０２】
その後、は同様の処理を繰り返し、図６（ａ）に示すように、基板Ｓ１が搬出位置Ｅまで到達した後、基板Ｓ１は搬出部１６を通って筐体１１の外部へ搬出される。
【０１０３】
図６（ｂ）に示す、第一の基板Ｓ１が筐体１１外に搬出された以降は、
（処理１）新たに処理された高温の基板Ｓを筐体１１に搬入して台１９に載置し、
（処理２）ガス供給手段１３により基板Ｓを大気圧復帰させ、
（処理３）第二受け渡し動作Ｗ２を行い、
（処理４）搬出位置Ｅに到達した基板Ｓを筐体１１外部へ搬出し、
（処理５）排気手段１２を使用して筐体１１を真空にする、
という一連の作業を繰り返し、搬出位置Ｅに到達した基板Ｓを順次、筐体１１の外に搬出する。
【０１０４】
したがって、本発明の基板収容装置１０においては、筐体１１内に収容された基板Ｓは、処理１〜５が繰り返されることで、筐体１１内で段階的に上方に移動していき、搬入位置Ｆから搬出位置Ｅまで順次移送される。
【０１０５】
すなわち、基板Ｓは処理１〜４の処理を繰り返される過程において、冷却に必要な時間が確保され、所望の温度まで冷却される。
【０１０６】
特に、基板Ｓは、大気圧復帰させられる過程（処理２）において、ガス供給手段１３により供給された窒素ガスによって冷却されるが、基板Ｓは搬入位置Ｆから搬出位置Ｅまで移送される間に、この窒素ガスが導入される過程（処理２）を複数回含むため、より効果的に冷却される。
【０１０７】
本実施の形態に係る基板収容装置１０は、筐体１１内に高温の基板Ｓを所定枚数収容した後、即ち第二保持体２２Ｂに４枚の基板Ｓを保持させた後は、処理１〜５を行う度に、基板Ｓが冷却された状態で１枚ずつ筐体１１外に搬出される。
【０１０８】
したがって、基板収容装置１０は、処理１〜５を行った後、搬出位置Ｅに到達した基板Ｓを搬出するという操作を繰り返すことによって、真空処理室１００から高温の基板Ｓを一枚筐体１１内に新たに搬入する度に、冷却された基板Ｓを一枚ずつ筐体１１外部に搬出することができる。
すなわち、基板収容装置１０は、新たに高温の基板Ｓを一枚収容するのに伴い、冷却された基板Ｓが一枚搬出される構成であることから、冷却のための待機時間が実質的に不要となるため、高いスループットを確保することができる。
【０１０９】
さらに、本実施の形態に係る基板収容装置１０は拡散フィルタ１４を備えていることから、複数の基板Ｓ間に窒素ガスを行き渡すことができ、各基板Ｓを効果的かつ均一に冷却することができる。
【０１１０】
さらに、流路Ｃに冷却水等の冷媒を流すことで、基板Ｓから熱を奪うことによって温度が上昇した窒素ガスを冷却できることから、基板Ｓをさらに効果的に冷却することができる。
尚、ガス供給手段１３により導入される窒素ガス等の気体のみで所望の冷却時間で所望の温度にまで基板Ｓを冷却できるのであれば、流路Ｃに冷媒を流動させる必要はなく、また、流路Ｃを設けなくてもよい。
【０１１１】
また、基板収容装置１０内に収容できる枚数、基板Ｓの搬入位置Ｆから搬出位置Ｅまでの移送にかかる時間、ガス供給手段１３から筐体１１内に気体を導入している時間、または導入される気体自体の温度等、を適宜変更または調整することにより、一枚の基板Ｓが所望の温度まで冷却されるのに要する時間、すなわち、一枚の基板Ｓが筐体１１に搬入されてから搬出されるまでの所要時間を適宜変更することができる。
【０１１２】
尚、本実施の形態に係る基板収容装置１０は、筐体１１内に収容された基板Ｓを冷却するために、ガス供給手段１３により導入される気体を高温状態の基板Ｓよりも低温とされている。
また、ガス供給手段１３により筐体１１内に導入された後、基板Ｓから熱を奪うことで温度が上昇された気体を冷却し、筐体１１内の雰囲気温度を下げるために流路Ｃに冷媒を流動させている。
【０１１３】
これに対し、本実施の形態に係る基板収容装置１０を使用して、基板Ｓを加熱する場合には、流路Ｃに高温の熱交換媒体が流動するよう変更し、ガス供給手段１３により導入される気体が、筐体１１内に収容される前の低温状態の基板Ｓよりも高温になるようにすればよい。この場合においても、移送機構２０、および、移送機構２０による基板Ｓの搬入位置Ｆから搬出位置Ｅまでの移送方法を変更する必要はない。
【０１１４】
したがって、新たに高温の基板Ｓを一枚筐体１１に収容するのに伴い、加熱された基板Ｓが一枚搬出される構成となることから、基板を加熱するための待機時間が実質的に不要となるため、高いスループットを確保することができる。
尚、ガス供給手段１３により導入される高温の気体のみで、基板Ｓが所望の温度まで加熱されるのであれば、流路Ｃに高温の熱交換媒体を流動させる必要はなく、また、流路Ｃを設けなくてもよい。
【０１１５】
本第一の実施形態に係る基板収容装置１０は、複数の基板Ｓの冷却および加熱のいずれにも対応できる構成であるが、複数の基板Ｓの冷却または加熱のいずれか一方のみに適用されるものであってもよい。
【０１１６】
また、本第一の実施形態においては、基板収容装置１０は、筐体１１の搬入部１５を介して真空処理室１００に隣接する配置としているが、これはイオン注入等の処理後の基板Ｓを搬入する場合の使用例を示すためのものであって、基板収容装置１０の配置を限定するものではない。
例えば、基板収容装置１０を筐体１１の搬出部１６を介して真空処理室１００に隣接するように配置し、真空処理室１００に対して基板Ｓを搬出する構成とすることもできる。
【０１１７】
また、基板収容装置１０は真空処理室１００に隣接する配置にも限定されず、例えば、真空処理室１００と基板収容装置１０との間に搬送室を備える構成とし、搬送室を介して基板Ｓが基板収容装置１０内に搬入、または基板収容装置１０から搬出される配置としてもよい。
【０１１８】
また、本実施形態においては、移送機構２０は、複数の基板Ｓを上方に移送するよう動作させられているが、移送機構２０は、複数の基板Ｓを下方に移送するよう動作させることもできる。すなわち、筐体１１の搬出位置Ｅが搬入位置Ｆよりも下方に設けられている場合であっても、移送機構２０を使用して複数の基板Ｓを順次搬入位置Ｆから搬出位置Ｅへ下方に向かって移送することができる。
【０１１９】
次に、本発明における第二の実施の形態に係る基板収容装置５０について説明する。
【０１２０】
図９に示すように、第二の実施形態に係る基板収容装置５０は、第一の実施の形態に係る基板収容装置１０の構成に加えて、筐体１１の側面部１１ａに熱源５１を備えている。熱源５１として、例えば、加熱用ランプが使用される。
【０１２１】
本第二の実施形態における基板収容装置５０おいては、熱源５１が温度変化手段４０を構成する。また、ガス供給手段１３から、筐体１１に搬入された直後の基板Ｓよりも高温の窒素ガス等の気体が導入される場合には、熱源５１に加えて、ガス供給手段１３も温度変化手段を構成することになる。
尚、ガス供給手段１３から導入される気体は基板Ｓを加熱することが期待されるものに限らない。例えば、基板収容装置５０をロードロック装置として使用する場合の大気圧復帰用ガスとしてのみの機能を有するものであってもよい。
その他の構成および機能については、第一の実施の形態に係る基板収容装置１０と同一であるため説明を省略する。
【０１２２】
熱源５１には不図示の電源およびスイッチが接続されており、スイッチのオン・オフを外部から制御することにより、熱源５１への電力供給のオン・オフが制御される。
基板収容装置５０は、熱源５１を常時作動させる制御、または、基板Ｓの搬送に応じて所定時間の作動を繰り返す制御を行うことにより、筐体１１内に収容された基板Ｓを加熱することができる。
【０１２３】
本第二の実施形態における基板収容装置５０においても、新たに高温の基板Ｓを一枚筐体１１に収容するのに伴い、加熱された基板Ｓが一枚搬出される構成であることから、加熱のための待機時間が実質的に不要となるため、高いスループットを確保することができる。
【０１２４】
また、基板収容装置５０は真空処理室１００に隣接する配置としたが、これは基板収容装置１０の配置を限定するものではない。基板収容装置５０は、真空処理室１００から搬入された基板Ｓを加熱する構成であるが、基板収容装置５０により加熱された基板Ｓを真空処理室１００に搬出する構成とすることもできる。
また、基板収容装置５０は、ロードロック装置としての機能が不要であれば、排気手段１２、ガス供給手段１３および拡散フィルタ１４を除く構成としてもよく、流路Ｃを除く構成としてもよい。
【０１２５】
次に、第一の実施形態に係る基板収容装置１０、または、第二の実施の形態に係る基板収容装置５０の配置に係る具体例を説明する。
【０１２６】
図１０に示すように、本発明における第一の実施の形態に係る基板収容装置１０、または、第二の実施の形態に係る基板収容装置５０は、いずれも基板Ｓを一枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式の真空処理室２００および真空処理室３００との間に配置され、基板Ｓを受け渡しを行う構成とされている。
この場合において、基板収容装置１０（５０）は、真空処理室２００において一枚ずつ処理された基板Ｓを順次筐体１１に収容しつつ、筐体１１内に基板Ｓを所定枚数収容した状態を維持しながら、冷却または加熱された基板Ｓを一枚ずつ真空処理室３００に搬出することができる。
したがって、枚葉式の真空処理室２００、３００間に配置された場合には、真空処理室２００から基板Ｓが一枚搬入されるに伴い、所望の温度まで冷却または加熱した基板Ｓを一枚真空処理室３００へ順次搬送することができる。
すなわち、複数の基板Ｓを一括して冷却または加熱を行うための待機時間が実質的に不要となり、複数の基板Ｓを一括して急激に冷却または加熱することなく、高いスループットを確保することができる。
より詳細には、基板収容装置１０（５０）を、基板処理室２００の単位時間当たりの基板処理枚数と、基板収容装置１０（５０）の単位時間当たりの基板搬出枚数とが一致するように移送機構２０を構成または制御することにより、真空処理室２００から搬入された基板Ｓを冷却または加熱するための待機時間を見かけ上なくした状態で、基板Ｓを真空処理室３００に搬出することができ、高いスループットを確保することができる。
【０１２７】
以下、移送機構２０における保持部２１の変形例を示す。
【０１２８】
図７に示すように、第一保持体２２Ａの保持部２１である第一支持片２４Ａ１〜２４Ａ４、および、第二保持体２２Ｂの第二支持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４は、基板Ｓ裏面の外縁部を支持する平面状の支持部２５と、支持部に連設されて、基板Ｓを支持部２５に誘い込むためのテーパー状のガイド部２６とを備えるよう形成されてもよい。
【０１２９】
この場合、基板Ｓが台１９に載置されたとき、または、第一保持体２２Ａと第二保持体２２Ｂとの間で受け渡されるときに、所定位置からずれが発生した場合であっても、基板Ｓがガイド部２６によって支持部２５に誘い込まれ、位置ずれが補正される。
【０１３０】
また、図８に示すように、第一支持片２４Ａ１〜２４Ａ４および第二支持片２４Ｂ１〜２４Ｂ４は、基板Ｓ裏面の端縁部を支持するテーパー状のガイド支持部２７を備えるよう形成されてもよい。
この場合、基板Ｓが台１９に載置されたとき、または、第一保持体２２Ａと第二保持体２２Ｂとの間で受け渡されるときに、所定位置からずれが発生した場合であっても、基板Ｓがガイド支持部２７によって所定位置に誘い込まれて位置ずれが補正されて支持される。
【０１３１】
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１３２】
１０、５０  基板収容装置
１１  筐体
１２  排気手段
１３  ガス供給手段
１４  拡散フィルタ
１５  搬入部
１６  搬出部
１７  搬入ゲート
１８  搬出ゲート
１９  台
２０  移送機構
２１  保持部
２２  保持体
２２Ａ  第一保持体
２２Ｂ  第二保持体
２４Ａ１〜２４Ａ４  第一支持片
２４Ｂ１〜２４Ｂ４  第二支持片
３０、３１、３２  駆動源
３３  駆動力伝達機構
４０  温度変化手段
５１  熱源
１００、２００、３００  真空処理室
Ｆ  搬入位置
Ｅ  搬出位置
Ｐ１  初期位置
Ｐ２  中間位置
Ｐ３  最高位置
Ｑ１、Ｒ１  支持位置
Ｑ２、Ｒ２  退避位置
【図１】
2020145329.tif 000003
【図２】
2020145329.tif 000004
【図３】
2020145329.tif 000005
【図４（ａ）】
2020145329.tif 000006
【図４（ｂ）】
2020145329.tif 000007
【図４（ｃ）】
2020145329.tif 000008
【図４（ｄ）】
2020145329.tif 000009
【図５（ａ）】
2020145329.tif 000010
【図５（ｂ）】
2020145329.tif 000011
【図５（ｃ）】
2020145329.tif 000012
【図５（ｄ）】
2020145329.tif 000013
【図５（ｅ）】
2020145329.tif 000014
【図５（ｆ）】
2020145329.tif 000015
【図５（ｇ）】
2020145329.tif 000016
【図５（ｈ）】
2020145329.tif 000017
【図５（ｉ）】
2020145329.tif 000018
【図６（ａ）】
2020145329.tif 000019
【図６（ｂ）】
2020145329.tif 000020
【図７】
2020145329.tif 000021
【図８】
2020145329.tif 000022
【図９】
2020145329.tif 000023
【図１０】
2020145329.tif 000024