(57)【要約】【課題】電極に接合される外部部品と配線との間でのショートの発生を抑制する。【解決手段】配線基板は、絶縁性樹脂及び第１部品からなる樹脂層と、樹脂層内部に埋設され、露出面が樹脂層の一面側において露出する配線と、樹脂層内部に配線とともに埋設されて樹脂層内部の第１部品に接続する配線部と、配線の露出面よりも高い位置まで樹脂層の一面側から突出する、第２部品と接合可能な電極部とを有する第１電極と、を有する。【選択図】図１
2020188127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性樹脂及び第１部品からなる樹脂層と、
前記樹脂層内部に埋設され、露出面が前記樹脂層の一面側において露出する配線と、
前記樹脂層内部に前記配線とともに埋設されて前記樹脂層内部の前記第１部品に接続する配線部と、前記配線の露出面よりも高い位置まで前記樹脂層の一面側から突出する、第２部品と接合可能な電極部とを有する第１電極と、
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線の露出面は、前記樹脂層の一面と同一平面において露出し、
前記電極部は、前記配線部から前記樹脂層の一面よりも高い位置まで突出し、
前記電極部は、前記配線部へ近づくほど幅が広くなる形状を有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記配線の露出面は、前記樹脂層の一面よりも低い位置において露出し、
前記配線部は、前記樹脂層内部であって前記樹脂層の一面よりも低い位置に埋設され、
前記電極部は、前記配線部から前記樹脂層の一面よりも高い位置まで突出し、
前記電極部は、前記配線部へ近づくほど幅が広くなる形状を有し、
前記電極部の側面の一部と該側面の一部と対向する前記樹脂層とは、前記樹脂層の一面よりも低い位置まで窪む凹部を形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記樹脂層の他面に配置され、前記樹脂層内部の前記第１部品が搭載されるパッドをさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の配線基板。
【請求項５】
前記パッドは、
前記第１部品を搭載可能な領域が形成されたベース部と、
前記第１部品を搭載可能な領域を囲むように前記ベース部から立ち上がり、前記樹脂層内部に埋設されて前記配線に接続する外縁部と、
を有することを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記樹脂層内部に埋設されて前記配線に接続する他の配線をさらに有し、
前記他の配線と前記配線とは、半田により接続され、
前記他の配線の前記配線に接続される接続面は、前記配線の前記他の配線に接続される接続面よりもサイズが小さいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項７】
前記樹脂層内部に埋設されて前記配線に接続する他の配線をさらに有し、
前記他の配線と前記配線とは、半田により接続され、
前記第１部品と前記第１電極の配線部とは、半田により接続され、
前記配線と前記他の配線とを接続する半田の融点は、前記第１部品と前記第１電極の配線部とを接続する半田の融点よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項８】
絶縁性樹脂及び第１部品からなる樹脂層と、
前記樹脂層内部に埋設され、露出面が前記樹脂層の一面側において露出する配線と、
前記樹脂層内部に前記配線とともに埋設されて前記樹脂層内部の前記第１部品に接続する配線部と、前記配線の露出面よりも高い位置まで前記樹脂層の一面側から突出する、第２部品と接合可能な電極部とを有する第１電極と、
前記第１電極に接合される第２部品と、
前記第２部品を封止する封止樹脂と、
を有することを特徴とする電子装置。
【請求項９】
複数の第１突起及び複数の第２突起が形成された第１フレームを形成する工程と、
第１部品を搭載可能な搭載領域が形成された第２フレームを形成する工程と、
前記第１フレームの複数の第１突起のうちの一部の第１突起及び前記第１フレームの複数の第２突起のうちの一部の第２突起に前記第１部品を接合する工程と、
接合された前記第１部品を前記第２フレームの前記搭載領域に搭載するとともに、前記第１フレームと前記第２フレームとを接合する工程と、
前記第１フレームと前記第２フレームとの間の空隙に絶縁性樹脂を充填して、絶縁性樹脂及び前記第１部品からなる樹脂層を形成する工程と、
前記第１フレームのうち複数の第１突起と重ならない所定部分をエッチングして、前記複数の第２突起の位置に、露出面が前記樹脂層の一面側において露出する配線を形成するとともに、前記複数の第１突起のうち前記第１部品と接合された一部の第１突起の位置に、前記樹脂層内部の前記第１部品に接続する配線部と、前記配線の露出面よりも高い位置まで前記樹脂層の一面側から突出する、第２部品と接合可能な電極部とを有する第１電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
複数の第１突起及び複数の第２突起が形成された第１フレームを形成する工程と、
第１部品を搭載可能な搭載領域が形成された第２フレームを形成する工程と、
前記第１部品を前記第２フレームの前記搭載領域に搭載する工程と、
搭載された前記第１部品に前記第１フレームの複数の第１突起のうちの一部の第１突起及び前記第１フレームの複数の第２突起のうちの一部の第２突起を接合するとともに、前記第１フレームと前記第２フレームとを接合する工程と、
前記第１フレームと前記第２フレームとの間の空隙に絶縁性樹脂を充填して、絶縁性樹脂及び前記第１部品からなる樹脂層を形成する工程と、
前記第１フレームのうち複数の第１突起と重ならない所定部分をエッチングして、前記複数の第２突起の位置に、露出面が前記樹脂層の一面側において露出する配線を形成するとともに、前記複数の第１突起のうち前記第１部品と接合された一部の第１突起の位置に、前記樹脂層内部の前記第１部品に接続する配線部と、前記配線の露出面よりも高い位置まで前記樹脂層の一面側から突出する、第２部品と接合可能な電極部とを有する第１電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、絶縁性樹脂からなる樹脂層に埋設されて樹脂層の一面側から突出する電極と、樹脂層上に配置される配線とを備えた配線基板がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１３０４９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、配線基板では、高密度な部品実装を実現する観点から、例えば半導体チップなどの部品が樹脂層に内蔵されることがある。樹脂層に内蔵された部品には、樹脂層に埋設された電極の基端部が接続される。樹脂層に部品が内蔵された配線基板に例えばインダクタなどの外部部品が搭載されることで、電子装置が製造される。配線基板に外部部品が搭載される際には、外部部品が樹脂層の一面側から突出する電極と接合される。
【０００５】
このように外部部品が樹脂層の一面側から突出する電極と接合されると、外部部品と樹脂層上に配置された配線とが近接することになる。外部部品と樹脂層上に配置された配線とが近接すると、外部部品が樹脂層上の配線と接触する可能性が高くなる。結果として、外部部品と配線との間でショートが発生する虞があるという問題がある。外部部品と配線との間でのショートの発生は、配線基板における配線密度の向上を妨げる要因となり、好ましくない。
【０００６】
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、電極に接合される外部部品と配線との間でのショートの発生を抑制することができる配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願の開示する配線基板は、一つの態様において、絶縁性樹脂及び第１部品からなる樹脂層と、前記樹脂層内部に埋設され、露出面が前記樹脂層の一面側において露出する配線と、前記樹脂層内部に前記配線とともに埋設されて前記樹脂層内部の前記第１部品に接続する配線部と、前記配線の露出面よりも高い位置まで前記樹脂層の一面側から突出する、第２部品と接合可能な電極部とを有する第１電極と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本願の開示する配線基板の一つの態様によれば、電極に接合される外部部品と配線との間でのショートの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施例に係る配線基板の構成の一例を示す図である。
【図２】図２は、実施例に係る配線基板を用いて作製された電子装置２の構成の一例を示す図である。
【図３】図３は、実施例に係る配線基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図４】図４は、第１フレーム形成工程の具体例を示す図である。
【図５】図５は、第２フレーム形成工程の具体例を示す図である。
【図６】図６は、第１部品接合工程の具体例を示す図である。
【図７】図７は、フレーム接合工程の具体例を示す図である。
【図８】図８は、樹脂層形成工程の具体例を示す図である。
【図９】図９は、配線及び各電極形成工程の具体例を示す図である。
【図１０】図１０は、第１フレーム及び第２フレームのエッチングの実行後の樹脂層を上方から見た平面図である。
【図１１】図１１は、第１フレーム及び第２フレームのエッチングの実行後の樹脂層を下方から見た平面図である。
【図１２】図１２は、めっき処理工程の具体例を示す図である。
【図１３】図１３は、第１部品搭載工程の具体例を示す図である。
【図１４】図１４は、レーザ溶接方式の一例を示す図である。
【図１５】図１５は、リフロー接合方式の一例を示す図である。
【図１６】図１６は、実施例に係る電子装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図１７】図１７は、第２部品及び第３部品搭載工程の具体例を示す図である。
【図１８】図１８は、封止工程の具体例を示す図である。
【図１９】図１９は、分離工程の具体例を示す図である。
【図２０】図２０は、第２部品及び第３部品搭載工程の変形例を示す図である。
【図２１】図２１は、封止工程の変形例を示す図である。
【図２２】図２２は、めっき処理工程の変形例を示す図である。
【図２３】図２３は、分離工程の変形例を示す図である。
【図２４】図２４は、配線の上面の露出位置の一例を示す図である。
【図２５】図２５は、配線と他の配線との接続状態の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本願の開示する配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例により開示技術が限定されるものではない。
【００１１】
［実施例］
［配線基板の構成］
図１は、実施例に係る配線基板１の構成の一例を示す図である。図１においては、配線基板１の断面を模式的に示している。図１に示す配線基板１は、破線で囲まれた単位が図１の左右方向に繰り返し配列されて形成されている。破線で囲まれた単位は、配線基板１に例えばインダクタなどの外部部品が搭載された後に、個々の電子装置として分離される単位である。以下では、配線基板１の例として破線で囲まれた単位を用いて実施例の説明を行う。なお、破線で囲まれた単位の数は特に限定されない。
【００１２】
配線基板１は、樹脂層１０を有する。樹脂層１０には、第１部品２０が埋設されている。樹脂層１０には、さらに配線３１、第１電極４１、第２電極４２、第３電極４３、及び第４電極５２が埋設されている。また、樹脂層１０には、第１部品２０を搭載するためのパッド５１が設けられている。配線３１、第１電極４１、第２電極４２、第３電極４３、パッド５１及び第４電極５２の各々の表面のうち樹脂層１０から露出している領域には、めっきが形成されている。以下においては、説明の便宜上、図１の上側の面を上面と呼び、図１の下側の面を下面と呼ぶが、配線基板１は、例えば上下反転して用いられても良く、任意の姿勢で用いられて良い。
【００１３】
樹脂層１０は、絶縁性樹脂に第１部品２０が埋設されて形成されている。樹脂層１０を形成する絶縁性樹脂は、樹脂層１０内部の第１部品２０を被覆する。
【００１４】
第１部品２０は、例えば半導体チップなどの電子部品であり、樹脂層１０に埋設される。第１部品２０は、パッド５１に搭載される。すなわち、第１部品２０の下面は、接合材２１によってパッド５１に接合される。接合材２１としては、例えば半田、熱伝導ペースト、ＴＩＭ（Thermal  Interface  Material）などが用いられる。第１部品２０の上面には、配線３１及び第１電極４１が接続されている。
【００１５】
配線３１は、樹脂層１０に埋設される。配線３１は、樹脂層１０の内部において予め定められた複数の位置に対応してパターン状に形成される。パターン状に形成された複数の配線３１のうちの一部の配線３１は、予め定められた接合対象に接続される。例えば、樹脂層１０の内部において第１部品２０の上方に配線３１が配置され、第１部品２０の上方に配置された配線３１は、第１部品２０に接続される。配線３１と第１部品２０との接続は、例えば、半田を用いて行われる。また、例えば、樹脂層１０の内部において後述するパッド５１の外縁部５１ｂの上方に配線３１が配置され、パッド５１の外縁部５１ｂの上方に配置された配線３１は、パッド５１の外縁部５１ｂに接続される。配線３１とパッド５１の外縁部５１ｂとの接続は、例えば、半田を用いて行われる。配線３１の上面は、樹脂層１０の上面側において露出している。本実施例では、配線３１の上面は、樹脂層１０の上面と同一平面において露出している。
【００１６】
第１電極４１は、例えばインダクタなどの第２部品（外部部品）と接合可能な電極であり、樹脂層１０に配線３１とともに埋設されて樹脂層１０内部の第１部品２０に接続している。第１電極４１と第１部品２０とは、例えば半田によって接続される。第１電極４１は、配線３１の上面よりも高い位置まで樹脂層１０の上面側から突出している。
【００１７】
樹脂層１０に配線３１とともに埋設された第１電極４１が配線３１の上面よりも高い位置まで樹脂層１０の上面側から突出することにより、第１電極４１に第２部品が接合されても、第２部品と配線３１とが所定間隔だけ離間される。これにより、第１電極４１に接合される第２部品が配線３１と接触する可能性を低くすることができる。結果として、第１電極４１に接合される第２部品と配線３１との間でのショートを抑制することができる。
【００１８】
ここで、第１電極４１の詳細な構造について、説明する。第１電極４１は、配線部４１ａと、電極部４１ｂとを有する。配線部４１ａは、樹脂層１０に配線３１とともに埋設されて樹脂層１０内部の第１部品２０に接続する。配線部４１ａは、樹脂層１０内部に埋設され、且つその一面が樹脂層１０から露出するとともに、電極部４１ｂと接続する導電体を指す。これに対し、配線３１は、樹脂層１０内部に埋設され、且つその一面が樹脂層１０から露出するとともに、電極部４１ｂとは接続しない導電体を指す。電極部４１ｂは、配線部４１ａから樹脂層１０の上面よりも高い位置まで突出しており、第２部品と接合可能な部分である。電極部４１ｂは、配線部４１ａへ近づくほど幅が広くなる形状を有する。電極部４１ｂが配線部４１ａへ近づくほど幅が広くなる形状を有することにより、電極部４１ｂの側面が曲面となり、電極部４１ｂが第２部品と半田により接合される際に電極部４１ｂの側面によって半田が捕捉される。これにより、第１電極４１から第１電極４１と隣り合う配線３１への半田の流出が制限される。結果として、第１電極４１と配線３１との間でのショートを抑制することができる。
【００１９】
第２電極４２は、例えばキャパシタなどの第３部品（外部部品）と接合可能な電極であり、樹脂層１０に配線３１とともに埋設されて配線３１に接続している。すなわち、第２電極４２は、パッド５１の外縁部５１ｂの上方に配置された配線３１に、図１には図示されていない奥側の位置において接続している（図１０参照）。第２電極４２は、配線３１の上面よりも高い位置まで樹脂層１０の上面側から突出している。
【００２０】
樹脂層１０に配線３１とともに埋設された第２電極４２が配線３１の上面よりも高い位置まで樹脂層１０の上面側から突出することにより、第２電極４２に第３部品が接合されても、第３部品と配線３１とが所定間隔だけ離間される。これにより、第２電極４２に接合される第３部品が配線３１と接触する可能性を低くすることができる。結果として、第２電極４２に接合される第３部品と配線３１との間でのショートを抑制することができる。
【００２１】
第２電極４２は、第１電極４１と略同様の構造を有する。すなわち、第２電極４２は、樹脂層１０に配線３１とともに埋設される配線部４２ａと、配線部４２ａから樹脂層１０の上面よりも高い位置まで突出する、第３部品と接合可能な電極部４２ｂとを有する。電極部４２ｂは、配線部４２ａへ近づくほど幅が広くなる形状を有する。電極部４２ｂが配線部４２ａへ近づくほど幅が広くなる形状を有することにより、電極部４２ｂの側面が曲面となり、電極部４２ｂが第３部品と半田により接合される際に電極部４２ｂの側面によって半田が捕捉される。これにより、第２電極４２から第２電極４２と隣り合う配線３１への半田の流出が制限される。結果として、第２電極４２と配線３１との間でのショートを抑制することができる。
【００２２】
第３電極４３は、第３部品と接合可能な電極であり、樹脂層１０に配線３１とともに埋設される。第３電極４３は、配線３１の上面よりも高い位置まで樹脂層１０の上面側から突出している。
【００２３】
樹脂層１０に配線３１とともに埋設された第３電極４３が配線３１の上面よりも高い位置まで樹脂層１０の上面側から突出することにより、第３電極４３に第３部品が接合されても、第３部品と配線３１とが所定間隔だけ離間される。これにより、第３電極４３に接合された第３部品が配線３１と接触する可能性を低くすることができる。結果として、第３電極４３に接合された第３部品と配線３１との間でのショートを抑制することができる。
【００２４】
パッド５１は、樹脂層１０の下面に配置される。パッド５１には、樹脂層１０内部の第１部品２０が搭載される。パッド５１は、例えば銅などの金属から形成され、ベース部５１ａと、外縁部５１ｂとを有する。ベース部５１ａには、第１部品２０を搭載可能な領域が形成されている。外縁部５１ｂは、第１部品２０を搭載可能な領域を囲むようにベース部５１ａから立ち上がり、樹脂層１０内部に埋設されて配線３１に接続している。外縁部５１ｂは、例えば突起形状又は枠形状を有する。外縁部５１ｂと配線３１とは、例えば半田により接続される。なお、パッド５１は、少なくともベース部５１ａを有していればよく、外縁部５１ｂは、適宜省略されてもよい。
【００２５】
第４電極５２は、樹脂層１０に埋設されて第３電極４３に接続し、樹脂層１０の下面側から突出している。第４電極５２は、配線基板１が他の配線基板に接合される際の外部接続端子として用いられる。
【００２６】
［電子装置の構成］
図２は、実施例に係る配線基板１を用いて作製された電子装置２の構成の一例を示す図である。図２においては、電子装置２の断面を模式的に示している。図２に示すように、電子装置２は、樹脂層１０と、第２部品６０と、第３部品７０と、封止樹脂８０とを有する。樹脂層１０は、図１に示した樹脂層１０に相当する。樹脂層１０には、第１部品２０が埋設されている。樹脂層１０には、さらに配線３１、第１電極４１、第２電極４２、第３電極４３、及び第４電極５２が埋設されている。また、樹脂層１０には、第１部品２０を搭載するためのパッド５１が設けられている。
【００２７】
第２部品６０は、例えばインダクタなどの外部部品であり、第１電極４１に接合される。第３部品７０は、例えばキャパシタなどの外部部品であり、第２電極４２及び第３電極４３に接合される。封止樹脂８０は、第２部品６０及び第３部品７０を被覆するように樹脂層１０上に形成される。
【００２８】
［配線基板の製造方法］
次に、実施例に係る配線基板１の製造方法について、具体的に例を挙げながら、図３のフローチャートを参照して説明する。図３は、実施例に係る配線基板１の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【００２９】
まず、複数の第１突起及び複数の第２突起が形成された第１フレーム１００が形成される（ステップＳ１１）。具体的には、例えば図４に示すように、銅などの金属で形成された金属板が準備され、金属板のうち所定領域がエッチングされて、複数の第１突起１０１及び複数の第２突起１０２が形成された第１フレーム１００が形成される。図４は、第１フレーム形成工程の具体例を示す図である。複数の第１突起１０１は、金属板のうち第１電極４１及び第２電極４２が形成される予定の領域に形成され、複数の第２突起１０２は、金属板のうち配線３１が形成される予定の領域に形成される。
【００３０】
そして、第１部品２０を搭載可能な搭載領域、搭載領域を囲む枠及び第３突起が形成された第２フレーム２００が形成される（ステップＳ１２）。具体的には、例えば図５に示すように、銅などの金属で形成された金属板が準備され、金属板のうち所定領域がエッチングされて、第１部品２０を搭載可能な搭載領域Ｒ、搭載領域Ｒを囲む枠２０１及び第３突起２０２が形成された第２フレーム２００が形成される。図５は、第２フレーム形成工程の具体例を示す図である。枠２０１は、金属板のうちパッド５１の外縁部５１ｂが形成される予定の領域に形成される。なお、パッド５１の外縁部５１ｂが省略される場合、枠２０１は、形成されない。第３突起２０２は、金属板のうち第４電極５２が形成される予定の領域に形成される。
【００３１】
上記の第１フレーム形成工程（ステップＳ１１）と第２フレーム形成工程（ステップＳ１２）の順序は入れ替え可能である。すなわち、第２フレーム２００が形成された後に、第１フレーム１００が形成されても良い。
【００３２】
第１フレーム１００及び第２フレーム２００が形成されると、第１フレーム１００の複数の第１突起１０１のうちの一部の第１突起及び第１フレーム１００の複数の第２突起１０２のうちの一部の第２突起に第１部品２０が接合される（ステップＳ１３）。具体的には、例えば図６に示すように、第１電極４１が形成される予定の領域に位置する２つの第１突起１０１、及び第１部品２０の上方の配線３１が形成される予定の領域に位置する２つの第２突起１０２に第１部品２０が接合される。図６は、第１部品接合工程の具体例を示す図である。第１部品２０は、例えば半田により２つの第１突起１０１及び２つの第２突起１０２に接合される。
【００３３】
そして、接合された第１部品２０が第２フレーム２００の搭載領域Ｒに搭載されるとともに、第１フレーム１００と第２フレーム２００とが接合される（ステップＳ１４）。具体的には、例えば図７に示すように、第２フレーム２００の搭載領域Ｒ上に、接合材２１によって第１部品２０が接合されるとともに、第１部品２０と接合されていない２つの第２突起１０２が第２フレーム２００の枠２０１に接合される。さらに、第１フレーム１００のうち複数の第１突起１０１及び複数の第２突起１０２が形成されていない平坦部分と第２フレーム２００の第３突起２０２とが接合される。図７は、フレーム接合工程の具体例を示す図である。第１フレーム１００の２つの第２突起１０２と第２フレーム２００の枠２０１との接合は、例えば半田を用いて行われる。第１フレーム１００の平坦部分と第２フレーム２００の第３突起２０２との接合は、例えば半田を用いて行われる。第２突起１０２と枠２０１とを接合する半田の融点、並びに、第１フレーム１００の平坦部分と第３突起２０２とを接合する半田の融点は、第１部品２０と第１突起１０１及び第２突起１０２とを接合する半田の融点よりも低い。これにより、第１フレーム１００と第２フレーム２００とが接合される際に、第１部品２０と第１突起１０１及び第２突起１０２との間の半田が溶融する事態を回避することができ、結果として、半田による第１部品２０の接続信頼性を向上することができる。第１フレーム１００の２つの第２突起１０２と第２フレーム２００の枠２０１とが接合され、且つ第１フレーム１００の平坦部分と第２フレーム２００の第３突起２０２とが接合されると、第１フレーム１００と第２フレーム２００との間に空隙Ｃが形成される。
【００３４】
そして、第１フレーム１００と第２フレーム２００との間の空隙Ｃに絶縁性樹脂が充填され、絶縁性樹脂及び第１部品２０からなる樹脂層１０が形成される（ステップＳ１５）。具体的には、例えば図８に示すように、第１フレーム１００と第２フレーム２００との間の空隙Ｃに絶縁性樹脂が充填され、同時に第１部品２０の周囲に絶縁性樹脂が伸展する。これにより、絶縁性樹脂に第１部品２０が埋め込まれ、樹脂層１０が形成される。図８は、樹脂層形成工程の具体例を示す図である。
【００３５】
樹脂層１０が形成されると、第１フレーム１００のうち複数の第１突起１０１と重ならない所定部分がエッチングされ、配線３１、第１電極４１、第２電極４２及び第３電極４３が形成される（ステップＳ１６）。具体的には、例えば図９に示すように、複数の第２突起１０２の位置に配線３１が形成され、複数の第１突起１０１のうち第１部品２０と接合された第１突起１０１の位置に第１電極４１が形成される。図９は、配線及び各電極形成工程の具体例を示す図である。本実施例においては、第１電極４１の配線部４１ａが配線３１とともに樹脂層１０に埋設され、第１電極４１の電極部４１ｂが配線３１の上面よりも高い位置まで樹脂層１０の上面側から突出している。これにより、第２部品６０に対する接合面となる電極部４１ｂの端面と配線３１との間に一定の高さの差を確保することができる。その結果、第１電極４１に接合される第２部品６０と配線３１との接触可能性が低くなり、第２部品６０と配線３１との間でのショートを抑制することができる。さらに、例えば図９に示すように、複数の第１突起１０１のうち第１部品２０と接合されていない第１突起１０１の位置に第２電極４２が形成され、第１フレーム１００の平坦部分の位置に第３電極４３が形成される。本実施例においては、第２電極４２及び第３電極４３が配線３１とともに樹脂層１０に埋設され、配線３１の上面よりも高い位置まで樹脂層１０の上面側から突出している。これにより、第３部品７０に対する接合面となる第２電極４２及び第３電極４３と配線３１との間に一定の高さの差を確保することができる。その結果、第２電極４２及び第３電極４３に接合される第３部品７０と配線３１との接触可能性が低くなり、第３部品７０と配線３１との間でのショートを抑制することができる。
【００３６】
そして、第１フレーム１００のエッチングと並行して、第２フレーム２００のうち第１部品２０、枠２０１及び第３突起２０２と重ならない所定部分がエッチングされ、パッド５１及び第４電極５２が形成される。具体的には、例えば図９に示すように、第１部品２０及び枠２０１の位置にパッド５１が形成され、第３突起２０２の位置に第４電極５２が形成される。
【００３７】
ここで、第１フレーム１００及び第２フレーム２００のエッチングの実行後の樹脂層１０の上面及び下面の状態について、図１０及び図１１を参照して説明する。図１０は、第１フレーム１００及び第２フレーム２００のエッチングの実行後の樹脂層１０を上方から見た平面図であり、図１１は、第１フレーム１００及び第２フレーム２００のエッチングの実行後の樹脂層１０を下方から見た平面図である。図１０及び図１１におけるＩＸ−ＩＸ線における断面が図９で示される断面に相当する。図１０に示すように、樹脂層１０の上面側において配線３１の上面が露出しており、樹脂層１０の上面側から第１電極４１、第２電極４２及び第３電極４３が突出している。一方、図１１に示すように、樹脂層１０の下面にパッド５１が配置されており、樹脂層１０の下面側から第４電極５２が突出している。
【００３８】
そして、配線３１、第１電極４１、第２電極４２、第３電極４３、パッド５１及び第４電極５２の各々の表面のうち樹脂層１０から露出している領域にめっきが形成される（ステップＳ１７）。具体的には、例えば図１２に示すように、配線３１、第１電極４１、第２電極４２及び第３電極４３の各々の表面のうち樹脂層１０の上面側から露出している領域にめっき１１１が形成される。同時に、パッド５１及び第４電極５２の各々の表面のうち樹脂層１０の下面側から露出している領域にめっき１１２が形成される。図１２は、めっき処理工程の具体例を示す図である。めっき１１１、１１２の形成は、例えばＰＰＦ（Pre  Plated  leadFrame）法により行われる。めっき処理工程は、必要に応じて省略されても良い。
【００３９】
なお、図３の例においては、第１フレーム１００及び第２フレーム２００が形成された後に、第１フレーム１００の一部の第１突起及び一部の第２突起に第１部品２０が接合される場合を説明した（ステップＳ１３参照）。しかしながら、第１フレーム１００及び第２フレーム２００が形成された後に、第２フレーム２００に第１部品２０が搭載されても良い。すなわち、上記の第１フレーム形成工程（ステップＳ１１）と第２フレーム形成工程（ステップＳ１２）とが実行された後、例えば図１３に示すように、第２フレーム２００の枠２０１で囲まれた搭載領域Ｒ上に、接合材２１によって第１部品２０が接合されても良い。図１３は、第１部品搭載工程の具体例を示す図である。
【００４０】
第２フレーム２００に第１部品２０が搭載されると、フレーム接合工程が実行される。すなわち、第１部品２０に第１フレーム１００の複数の第１突起１０１のうちの一部の第１突起及び複数の第２突起１０２のうちの一部の第２突起が接合されるとともに、第１フレーム１００の他の一部の第２突起と第２フレーム２００の枠２０１とが接合される。これにより、第１フレーム１００と第２フレーム２００との間に空隙Ｃが形成される。そして、フレーム接合工程が実行された後に、上記の樹脂層形成工程（ステップＳ１５）、配線及び各電極形成工程（ステップＳ１６）、及びめっき処理工程（ステップＳ１７）が同様に実行される。
【００４１】
また、図３のフレーム接合工程（ステップＳ１４）においては、第１フレーム１００の第２突起１０２と第２フレーム２００の枠２０１とが半田を用いて接合されたが、第２突起１０２と枠２０１との接合するための方式はこれに限定されない。例えば、図１４に示すレーザ溶接方式が用いられても良い。図１４は、レーザ溶接方式の一例を示す図である。レーザ溶接方式では、まず、第２突起１０２に貫通孔１０２ａが形成され、第２突起１０２が枠２０１上に配置される（図１４の（ａ））。そして、貫通孔１０２ａから露出する枠２０１の上面に向けてレーザ光が照射される（図１４の（ｂ））。これにより、レーザ光の照射を受けた枠２０１が局所的に溶融されて第２突起１０２の貫通孔１０２ａの内壁に付着し、第２突起１０２と枠２０１とが接合される。
【００４２】
また、例えば、図１５に示すリフロー接合方式が用いられて良い。図１５は、リフロー接合方式の一例を示す図である。図１５は、リフロー接合方式の一例を示す図である。リフロー接合方式では、まず、第２突起１０２に貫通孔１０２ａが形成され、第２突起１０２が枠２０１上に配置される（図１５の（ａ））。そして、第２突起１０２の貫通孔１０２ａに半田ペーストＳが充填される（図１５の（ｂ））。そして、第２突起１０２付近が加熱され、半田ペーストＳが溶融される（図１５の（ｃ））。これにより、溶融された半田ペーストＳが第２突起１０２と枠２０１との隙間に付着し、第２突起１０２と枠２０１とが接合される。
【００４３】
また、図３のめっき処理工程（ステップＳ１７）において第１フレーム１００の第２突起１０２と第２フレーム２００の枠２０１とがめっきにより接合されても良い。すなわち、第２突起１０２に貫通孔１０２ａが形成され、第２突起１０２が枠２０１上に配置された後に（図１４の（ａ）及び図１５の（ａ）参照）、図３のめっき処理工程が実行されても良い。これにより、第２突起１０２の貫通孔１０２ａの内壁と貫通孔１０２ａから露出する枠２０１の上面とがめっきで被覆され、第２突起１０２と枠２０１とがめっきにより接合される。
【００４４】
また、図３の第１フレーム形成工程（ステップＳ１１）における第１フレーム１００のエッチング深さを、第２フレーム形成工程（ステップＳ１２）における第２フレーム２００のエッチング深さよりも浅くしてもよい。これにより、第１電極４１の配線部４１ａとなる第１突起１０１と、配線３１となる第２突起１０２との間のピッチを狭くすることが可能となり、結果として、隣接する配線間のピッチを狭くすることが可能となる。
【００４５】
また、図３の第１フレーム形成工程（ステップＳ１１）が実行された後に、第１フレーム１００の第２フレーム２００との接合面以外の部分を酸化膜により被覆してもよい。例えば、第１フレーム１００の、各第１突起１０１の端面及び各第２突起１０２の端面以外の部分を酸化膜により被覆してもよい。第１フレーム１００の第２フレーム２００との接合面以外の部分が酸化膜により被覆されることで、第１フレーム１００と第２フレーム２００との接合に用いられる半田の濡れ拡がりを抑制することが可能となる。結果として、半田の濡れ拡がりに起因した配線間のショートを抑制することが可能となる。
【００４６】
［電子装置の製造方法］
次に、実施例に係る電子装置２の製造方法について、具体的に例を挙げながら、図１６のフローチャートを参照して説明する。図１６は、実施例に係る電子装置２の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【００４７】
まず、配線基板１の電極に第２部品６０及び第３部品７０が搭載される（ステップＳ２１）。具体的には、例えば図１７に示すように、第１電極４１に第２部品６０が接合され、第２電極４２及び第３電極４３に第３部品７０が接合される。図１７は、第２部品及び第３部品搭載工程の具体例を示す図である。本実施例においては、第１電極４１が配線３１とともに樹脂層１０に埋設され、配線３１の上面よりも高い位置まで樹脂層１０の上面側から突出している。これにより、第１電極４１に第２部品６０が接合されても、第２部品６０と配線３１とが所定間隔だけ離間される。これにより、第１電極４１に接合される第２部品６０が配線３１と接触する可能性を低くすることができる。結果として、第１電極４１に接合される第２部品６０と配線３１との間でのショートを抑制することができる。また、本実施例においては、第２電極４２及び第３電極４３が配線３１とともに樹脂層１０に埋設され、配線３１の上面よりも高い位置まで樹脂層１０の上面側から突出している。これにより、第２電極４２及び第３電極４３に第３部品７０が接合されても、第３部品７０と配線３１とが所定間隔だけ離間される。これにより、第２電極４２及び第３電極４３に接合される第３部品７０が配線３１と接触する可能性を低くすることができる。結果として、第２電極４２及び第３電極４３に接合される第３部品７０と配線３１との間でのショートを抑制することができる。
【００４８】
配線基板１の電極に第２部品６０及び第３部品７０が搭載されると、封止樹脂８０により第２部品６０及び第３部品７０が封止される（ステップＳ２２）。具体的には、例えば図１８に示すように、第２部品６０及び第３部品７０を被覆するように封止樹脂８０が樹脂層１０上に形成される。図１８は、封止工程の具体例を示す図である。封止樹脂８０を形成する絶縁性樹脂は、樹脂層１０を形成する絶縁性樹脂と同様の樹脂であっても良い。
【００４９】
封止樹脂８０により第２部品６０及び第３部品７０が封止されると、配線基板１が個片に分離される（ステップＳ２３）。具体的には、例えば図１９に示すように、配線基板１及び封止樹脂８０がブレード３００により切断されることで、配線基板１が個片に分離される。図１９は、分離工程の具体例を示す図である。配線基板１が個片に分離されることで、図２に示された電子装置２が完成する。
【００５０】
なお、図１６の例においては、めっき処理済みの配線基板１を用いて電子装置２が製造される場合を示した。ただし、配線基板１が製造される際に、めっき処理工程（図３のステップＳ１７）が省略される場合がある。この場合、めっき処理が施されていない配線基板１を用いて電子装置２が製造されても良い。以下、電子装置２の製造方法の変形例を説明する。まず、配線基板１の電極に第２部品６０及び第３部品７０が搭載される。すなわち、例えば図２０に示すように、第１電極４１に第２部品６０が接合され、第２電極４２及び第３電極４３に第３部品７０が接合される。図２０は、第２部品及び第３部品搭載工程の変形例を示す図である。第１電極４１と第２部品６０との接合、並びに、第２電極４２及び第３電極４３と第３部品７０との接合は、例えば酸化膜除去剤を用いた半田付けにより行われる。
【００５１】
配線基板１の電極に第２部品６０及び第３部品７０が搭載されると、封止樹脂８０により第２部品６０及び第３部品７０が封止される。すなわち、例えば図２１に示すように、第２部品６０及び第３部品７０を被覆するように封止樹脂８０が樹脂層１０上に形成される。図２１は、封止工程の変形例を示す図である。封止樹脂８０が樹脂層１０上に形成された段階では、パッド５１及び第４電極５２の各々の表面の一部のみが樹脂層１０から露出している。
【００５２】
そして、パッド５１及び第４電極５２の各々の表面のうち樹脂層１０から露出している領域にめっきが形成される。すなわち、例えば図２２に示すように、パッド５１及び第４電極５２の各々の表面のうち樹脂層１０の下面側から露出している領域にめっき１１２が形成される。図２２は、めっき処理工程の変形例を示す図である。
【００５３】
めっき１１２が形成されると、配線基板１が個片に分離される。すなわち、例えば図２３に示すように、配線基板１及び封止樹脂８０がブレード３００により切断されることで、配線基板１が個片に分離される。図２３は、分離工程の変形例を示す図である。
【００５４】
以上のように、実施例に係る配線基板は、樹脂層と、配線と、第１電極と、を有する。樹脂層は、絶縁性樹脂及び第１部品からなる。配線は、樹脂層内部に埋設され、露出面が樹脂層の一面側において露出する。第１電極は、樹脂層内部に配線とともに埋設されて樹脂層内部の第１部品に接続する配線部と、配線の露出面よりも高い位置まで樹脂層の一面側から突出する、第２部品と接合可能な電極とを有する。これにより、第１電極に第２部品が接合されても、第２部品と配線とが所定間隔だけ離間される。このため、第１電極に接合される第２部品が配線と接触する可能性を低くすることができる。結果として、第１電極に接合される第２部品（外部部品）と配線との間でのショートを抑制することができる。
【００５５】
また、実施例に係る配線基板において、配線の露出面は、樹脂層の一面と同一平面において露出する。電極部は、配線部から樹脂層の一面よりも高い位置まで突出する。そして、電極部は、配線部へ近づくほど幅が広くなる形状を有する。これにより、第１電極から第１電極と隣り合う配線への半田の流出が制限される。結果として、第１電極と配線との間でのショートを抑制することができる。
【００５６】
また、実施例に係る配線基板は、樹脂層の他面に配置され、樹脂層内部の第１部品が搭載されるパッドをさらに有する。これにより、パッドを介して第１部品の熱が放出されるので、配線基板の放熱性を向上することができる。
【００５７】
今回開示された実施例は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施例は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されても良い。
【００５８】
上記実施例では、配線３１の上面が樹脂層１０の上面と同一平面において露出している例を示したが、開示の技術はこれに限られない。例えば、配線３１の上面が樹脂層１０の上面よりも低い位置において露出するように構成されても良い。図２４は、配線３１の上面の露出位置の一例を示す図である。図２４に示す配線３１の上面は、樹脂層１０の上面よりも低い位置において露出している。配線３１と第１電極４１は、第１フレーム１００の所定部分がエッチングされて、同時に形成される（図８及び図９参照）。配線３１の上面は、樹脂層１０の上面よりも低い位置まで第１フレーム１００の所定部分のオーバーエッチングが行われることにより、形成される。第１フレーム１００の所定部分のオーバーエッチングが行われると、第１電極４１の配線部４１ａは、図２４に示すように、樹脂層１０内部であって樹脂層１０の上面よりも低い位置に埋設される。そして、第１電極４１の電極部４１ｂは、配線部４１ａから樹脂層１０の上面よりも高い位置まで突出することとなる。電極部４１ｂは、配線部４１ａへ近づくほど幅が広くなる形状を有する。そして、電極部４１ｂの側面の一部と該側面の一部と対向する樹脂層１０とは、樹脂層１０の上面よりも低い位置まで窪む凹部４１ｃを形成する。電極部４１ｂの側面の一部と該側面の一部と対向する樹脂層１０とで凹部４１ｃが形成されることにより、電極部４１ｂが第２部品と半田により接合される際に電極部４１ｂの側面及び凹部４１ｃによって半田が捕捉される。これにより、第１電極４１から第１電極４１と隣り合う配線３１への半田の流出が制限される。結果として、第１電極４１と配線３１との間でのショートを抑制することができる。
【００５９】
上記実施例では、配線３１とパッド５１の外縁部５１ｂとが半田により接続される場合を例示したが、開示の技術はこれに限られない。例えば、外縁部５１ｂが省略される場合には、図２５に示すように、配線３１と樹脂層１０内部に埋設された他の配線５３とが、半田により接続されてもよい。図２５は、配線３１と他の配線５３との接続状態の一例を示す図である。他の配線５３は、樹脂層１０内部に埋設されて配線３１に接続し、露出面が樹脂層１０の下面側において露出している。他の配線５３と配線３１とは、図３のフレーム接合工程において、例えば半田により接続される。他の配線５３の配線３１に接続される接続面５３ａは、配線３１の他の配線５３に接続される接続面３１ａよりもサイズが小さい。これにより、図３のフレーム接合工程において他の配線５３と配線３１とが半田により接続される際に、他の配線５３の接続面５３ａの外方へ漏れ出す半田３１０を他の配線５３の側面に沿って配線３１から離れる方向に流すことができる。このため、配線３１の接続面３１ａの外方への半田３１０の漏れ出しを抑制することができ、結果として、隣接する配線間でのショートを抑制することができる。
【００６０】
また、他の配線５３と配線３１とを接続する半田の融点は、第１部品２０と第１電極４１の配線部４１ａとを接続する半田の融点よりも低いことが好ましい。これにより、図３のフレーム接合工程において他の配線５３と配線３１とが半田により接続される際に、第１部品２０と第１電極４１の配線部４１ａとの間の半田が溶融する事態を回避することができる。結果として、半田による第１部品２０の接続信頼性を向上することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１  配線基板
２  電子装置
１０  樹脂層
２０  第１部品
３１  配線
３１ａ  接続面
４１  第１電極
４１ａ  配線部
４１ｂ  電極部
４１ｃ  凹部
４２  第２電極
４２ａ  配線部
４２ｂ  電極部
４３  第３電極
５１  パッド
５１ａ  ベース部
５１ｂ  外縁部
５２  第４電極
５３  他の配線
５３ａ  接続面
６０  第２部品
７０  第３部品
８０  封止樹脂
１００  第１フレーム
１０１  第１突起
１０２  第２突起
１０２ａ  貫通孔
２００  第２フレーム
２０１  枠
２０２  第３突起
Ｃ  空隙
Ｒ  搭載領域
【図１】
2020188127.tif 000003
【図２】
2020188127.tif 000004
【図３】
2020188127.tif 000005
【図４】
2020188127.tif 000006
【図５】
2020188127.tif 000007
【図６】
2020188127.tif 000008
【図７】
2020188127.tif 000009
【図８】
2020188127.tif 000010
【図９】
2020188127.tif 000011
【図１０】
2020188127.tif 000012
【図１１】
2020188127.tif 000013
【図１２】
2020188127.tif 000014
【図１３】
2020188127.tif 000015
【図１４】
2020188127.tif 000016
【図１５】
2020188127.tif 000017
【図１６】
2020188127.tif 000018
【図１７】
2020188127.tif 000019
【図１８】
2020188127.tif 000020
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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