(57)【要約】【課題】インプリント工法を使用したビルドアップ工法によるライン／スペース＝５μｍ以下／５μｍ以下の配線と、高い層間接続信頼性と、を備えた多層配線基板を提供する。【解決手段】半導体を搭載する多層配線基板であって、多層配線基板を構成する各配線層は非感光性絶縁樹脂と層間接続用ビアと配線を有し、各層のビアの縦断面形状が、上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部からなり、各層の配線の縦断面形状が、上に辺とそれ以外は偏円もしくは楕円の周の一部からなることを特徴とする多層配線基板。【選択図】図１
2020145342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体を搭載する多層配線基板であって、多層配線基板を構成する各配線層は非感光性絶縁樹脂と層間接続用ビアと配線を有し、各層のビアの縦断面形状が、上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部からなり、各層の配線の縦断面形状が、上に辺とそれ以外は偏円もしくは楕円の周の一部からなることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記各層のビア及び前記各層の配線の導体表面の算術平均粗さＲａが、５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板
【請求項３】
ライン／スペースが５μｍ以下／５μｍ以下の前記配線を含む請求項１又は請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
半導体を搭載する多層配線基板の製造方法であって、
層間接続用ビア成型用樹脂型成形のための金型凹部Ａと、金型凹部Ａより凹部深さが小さくライン／スペースのピッチが１０μｍ以下となる部分を含む配線パターン成型用樹脂型成形のための金型の凹部Ｂからなる、縦断面形状が矩型の金属製凹型金型に、１２０℃以上で軟化するホットメルト樹脂を流しこむホットメルト樹脂型用樹脂注入工程と、
前記金型凹部Ａと前記金型凹Ｂに充填されたホットメルト樹脂と支持体フィルムと貼り合わせる支持体フィルム貼り合わせ工程と、
前記凹型金型から、前記金型凹部Ａと前記金型凹部Ｂに充填され硬化された前記ホットメルト樹脂が支持体フィルムに固着形成されたものを剥離する剥離工程と、
前記ホットメルト樹脂を軟化温度以上に加熱し、前記金型凹部Ａに充填された前記ホットメルト樹脂が縦断面形状が上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部に変形し、前記金型凹Ｂに充填された前記ホットメルト樹脂の縦断面形状が上に辺とそれ以外は偏円もしくは楕円の周の一部に変形する加熱工程と、
を有するオス型樹脂型形成工程と、
非感光性絶縁樹脂層形成工程と、
前記オス型樹脂型を前記非感光性絶縁樹脂層にインプリントするインプリント工程と、
前記支持体フィルムを剥離する支持体フィルム剥離工程と、
前記ホットメルト樹脂を、６０℃以上の熱水、又は熱アルカリ水溶液で溶解するホットメルト樹脂型樹脂溶解工程と、
金型凹部Ａに充填され縦断面形状が上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部に変形したホットメルト樹脂が溶解され、その溶解された部分の底部に残った前記非感光性絶縁樹脂の残渣を、レーザ加工により除去する残渣除去工程と、
上記生成物表面にシード層を形成するシード層形成工程と、
前記シード層の上に銅めっきし銅層形成する銅層形成工程と、
前記銅層表面を切削・研磨する切削・研磨工程と、
前記オス型樹脂型形成工程と、前記非感光性絶縁樹脂層形成工程と、前記インプリント工程と、前記支持体フィルム剥離工程と、前記ホットメルト樹脂溶解工程と、前記シード層形成工程と、前記銅層形成工程と、切削・研磨工程と、を繰り返し、ビアと配線層を積層する積層工程と、
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
半導体を搭載する多層配線基板の製造方法であって、
層間接続用ビア成型用樹脂型成形のための金型凹部Ａと、金型凹部Ａより凹部深さが小さくライン／スペースのピッチが１０μｍ以下となる部分を含む配線パターン成型用樹脂型成形のための金型の凹部Ｂからなる、縦断面形状が矩型の金属製凹型金型に、１２０℃以上で軟化するホットメルト樹脂を流しこむホットメルト樹脂型用樹脂注入工程と、
前記金型凹部Ａと前記金型凹Ｂに充填されたホットメルト樹脂と支持体フィルムと貼り
合わせる支持体フィルム貼り合わせ工程と、
前記凹型金型から、前記金型凹部Ａと前記金型凹部Ｂに充填され硬化された前記ホットメルト樹脂が支持体フィルムに固着形成されたものを剥離する剥離工程と、
前記ホットメルト樹脂を軟化温度以上に加熱し、前記金型凹部Ａに充填された前記ホットメルト樹脂が縦断面形状が上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部に変形し、前記金型凹Ｂに充填された前記ホットメルト樹脂の縦断面形状が上に辺とそれ以外は偏円もしくは楕円の周の一部に変形する加熱工程と、
上記生成物表面にシード層を形成するシード層形成工程と、
を有するオス型樹脂型形成工程と、
非感光性絶縁樹脂層形成工程と、
前記オス型樹脂型を前記非感光性絶縁樹脂層にインプリントするインプリント工程と、
前記支持体フィルムを剥離する支持体フィルム剥離工程と、
前記ホットメルト樹脂を、６０℃以上の熱水、又は熱アルカリ水溶液で溶解するホットメルト樹脂型樹脂溶解工程と、
前記シード層の上に銅めっきし銅層形成する銅層形成工程と、
前記銅層表面を切削・研磨する切削・研磨工程と、
前記オス型樹脂型形成工程と、前記非感光性絶縁樹脂層形成工程と、前記インプリント工程と、前記支持体フィルム剥離工程と、前記ホットメルト樹脂溶解工程と、前記銅層形成工程と、切削・研磨工程と、を繰り返し、ビアと配線層を積層する積層工程と、
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体を搭載する多層配線基板および多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体を搭載する多層配線基板の製造方法は、コアとなる絶縁性基材の両面に配線形成された導体配線と、絶縁性樹脂からなる絶縁層を交互に積み上げながら、所望する導体配線とその外層層の導体配線とをビアで接続していくビルドアップ工法を用いている。
【０００３】
ビルドアップ工法は、コアとなる絶縁性基材の上に形成された導体配線の上面に、非感光性絶縁樹脂を真空ラミネートした後、平坦化プレスして非感光性絶縁樹脂の表面を平坦化することにより、平坦な絶縁層を形成する。その後、レーザー加工により非感光性絶縁樹脂に下層の導体配線まで達する貫通孔を形成する。更に、貫通孔の底で露出している下地層の導体配線のランド電極を含めて、非感光性絶縁樹脂全面に１μｍ厚程度の無電解銅めっきを行うことによりシード層を形成する。次に、シード層の上に２５μｍ厚程度のフォトレジストをコートし、アライメント露光・現像により、所定の開口部を有するフォトレジストパターンを形成する。
【０００４】
次に、無電解銅めっきのシード層に給電し、フォトレジストパターンの開口部に１５μｍ厚程度の電解銅めっきを行い、導体配線形成と貫通孔の孔埋めを同時に行うことで、ビアを形成する。この後、フォトレジストパターンを剥離し、露出したシード層の無電解銅めっき部分をエッチングアウト（溶解除去）する。電解銅めっき部は一部がエッチングされるが、大部分は残留する。この様にして、平坦な絶縁層の上に凸状の導体配線１層分を形成する同時に、その導体配線とコアとなる基材上の下地導体配線とをビアを経由して接続（層間接続）することができる。
【０００５】
所望する階層分、セミアディティブ工法で非感光性絶縁樹脂と導体配線とを、交互に積み上げながら、層間接続する事により、ビルドアップ工法による多層配線基板を作製することができる。
【０００６】
近年、電子機器は、小型化・省電力化・高性能化の要求に伴い、電子機器に使用される半導体を搭載する多層配線基板には、導体配線幅を微細化した高密度配線が望まれている。しかし、上記のセミアディティブ工法を用いたビルドアップによる多層配線基板の製造においては、ライン／スペース＝５μｍ以下／５μｍ以下の微細配線を安定して製造できなかった。
【０００７】
例えば、セミアディティブ工法でライン／スペース＝５μｍ／５μｍの微細配線を形成するには、スペース部分の１μｍ厚のシード層をエッチングアウト（溶解除去）すると、同時にライン部分もエッチングが進行するため、ライン幅が都合２μｍ細ることになる。このため、シード層のエッチアウト（溶解除去）前のライン幅を７μｍに設定する必要がある。これに対応するには、フォトレジスト幅の設定を３μｍにしなければならない。このような極細のフォトレジスト幅では、シード層との密着性が悪く剥がれ易い問題や、高アスペクト比のフォトレジストでは倒れたりする問題、フォトレジストの凝集破壊で部分的な欠けが生じると隣り合う配線が電解銅めっきでショートする問題があった。
【０００８】
また、セミアディティブ工法でのフォトレジスト剥離工程からシード層のエッチング工程後のライン幅は、７μｍから５μｍへと細くなっており、シード層のエッチング液のス
プレーや、ワーク搬送用コロとの擦れなどにより、導体配線の倒れが多発するなどの問題もあった
上記の問題点を解決する先行技術として、例えば特許文献１には、支持基板にくさび状の樹脂を形成し、その表面にニッケルめっきを形成した後、導体配線が形成された基板と間隙を維持するように保持し、その間隙に非感光性絶縁樹脂を流し込み、配線と絶縁樹脂から構成させる一層を形成する技術が開示されている。その後、支持基板を分離、くさび状樹脂を除去し、支持基板と接触していた面に埋め込まれたくさび状ニッケルめっき部分を残すように、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｉ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）装置で表層側を平面研磨することにより、配線を独立させるダマシン工法で導体配線を形成する。
【０００９】
上記のように特許文献１では、インプリント工法を用いて説明しており、セミアディティブ工法で用いるフォトレジストが不要のため、微細化によるフォトレジストの強度低下が原因で倒れる問題や、密着強度低下による剥離問題を解決することができる。また、セミアディティブ工法で問題となる微細配線の倒れなどが発生するフォトレジスト剥離工程やシード層エッチング工程が不要になるなど、ダマシン工法は、微細配線形成する上で非常に優れた工法である。
【００１０】
しかしながら、多層形成するための層間ビア形成に関して記載がなく、単層のみの導体配線工法に関する特許文献である。もし仮に、この工法で導体配線層同士を接合し多層化するため、長いくさび状のビア部を形成したとしても、導体配線と触れる程度のビア接合では、強固な金属結合を示す金属めっき工法でのビア接続ほどの接続信頼性が保てないため、多層配線基板の製造工法に適用できないと考えられる。
【００１１】
また、特許文献２には、レーザー加工によって非感光性絶縁樹脂にビアを形成するなど導体配線との接続方法が開示されており、ビア部分と配線部分に金属を蒸着またはめっきして埋め込んだ後、金属の表層を機械研磨することで、配線を独立させる技術が開示されている。このようなダマシン工法によるビルドアップによって、多層配線基板を製造することが可能としている。
【００１２】
しかしながら、一組の導体配線と絶縁樹脂層に対し、フォトレジストを絶縁樹脂層の一部とする多層非感光性絶縁樹脂層を用いており、微細配線に関する導体配線幅の具体的な数値を記載していない。例えば、ライン／スペース＝５μｍ以下／５μｍ以下の微細配線形成で顕著な問題となる、フォトレジストパターンのアスペクト比が高い箇所において、フォトレジストパターンが倒れてしまう問題やフォトレジストの密着性が悪く剥がれてしまう問題の解決方法に全く触れていない。
【００１３】
また、低誘電率・膜厚制御安定性のため、配線パターンを形成するために永久フォトレジストを含んだ多層感光性絶縁樹脂層を形成すると記載している。しかしながら、一般的なフォトレジストはアルカリ性の水系現像液を用いるため親水性であり、高い吸湿性があるため、低誘電正接化が難しいことが知られており、高速伝送性が要求される半導体パッケージ基板には不適である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００８−９１６８５号公報
【特許文献２】特開２０００−３４０７０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
高速伝送性を実現するためには、低誘電正接である非感光性絶縁材料を用いることが必須であり、微細配線として導体配線幅５μｍ以下の配線形成するインプリント工法の検討を進めた結果、一般的なインプリント工法では、非感光性絶縁材料にインプリントした金型を剥離するとき、本工法での導体配線幅５μｍ微細配線は、非感光性絶縁材料との界面での離型性が悪く、一部の材料が金型に付着したままの凝集破壊を起こしてしまう問題があった。非感光性絶縁材料の凝集破壊が起き、少しでも金型に転写してしまうと、本来不要な部分に銅めっきされてしまい、配線間のショートを生じる場合があった。
【００１６】
そこで、本発明は上記課題に着目してなされたものであり、インプリント工法を使用したビルドアップ工法によるライン／スペース＝５μｍ以下／５μｍ以下の配線と、高い層間接続信頼性と、を備えた多層配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、上記の課題を解決するためのものであり、請求項１に係る発明は、半導体を搭載する多層配線基板であって、多層配線基板を構成する各配線層は非感光性絶縁樹脂と層間接続用ビアと配線を有し、各層のビアの縦断面形状が、上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部からなり、各層の配線の縦断面形状が、上に辺とそれ以外は偏円もしくは楕円の周の一部からなることを特徴とする多層配線基板である。
【００１８】
請求項２に係る発明は、前記各層のビア及び前記各層の配線の導体表面の算術平均粗さＲａが、５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板である。
【００１９】
請求項３に係る発明は、ライン／スペースが５μｍ以下／５μｍ以下の前記配線を含む請求項１又は請求項２に記載の多層配線基板である。
【００２０】
請求項４に係る発明は、半導体を搭載する多層配線基板の製造方法であって、層間接続用ビア成型用樹脂型成形のための金型凹部Ａと、金型凹部Ａより凹部深さが小さくライン／スペースのピッチが１０μｍ以下となる部分を含む配線パターン成型用樹脂型成形のための金型の凹部Ｂからなる、縦断面形状が矩型の金属製凹型金型に、１２０℃以上で軟化するホットメルト樹脂を流しこむホットメルト樹脂型用樹脂注入工程と、前記金型凹部Ａと前記金型凹Ｂに充填された前記ホットメルト樹脂と支持体フィルムと貼り合わせる支持体フィルム貼り合わせ工程と、前記凹型金型から、前記金型凹部Ａと前記金型凹部Ｂに充填され硬化された前記ホットメルト樹脂が支持体フィルムに固着形成されたものを剥離する剥離工程と、前記ホットメルト樹脂を軟化温度以上に加熱し、前記金型凹部Ａに充填された前記ホットメルト樹脂が縦断面形状が上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部に変形し、前記金型凹Ｂに充填された前記ホットメルト樹脂の縦断面形状が上に辺とそれ以外は偏円もしくは楕円の周の一部に変形する加熱工程と、を有するオス型樹脂型形成工程と、非感光性絶縁樹脂層形成工程と、前記オス型樹脂型を前記非感光性絶縁樹脂層にインプリントするインプリント工程と、前記支持体フィルムを剥離する支持体フィルム剥離工程と、前記ホットメルト樹脂を、６０℃以上の熱水、又は熱アルカリ水溶液で溶解するホットメルト樹脂型樹脂溶解工程と、金型凹部Ａに充填され縦断面形状が偏円もしくは楕円の周の一部に変形したホットメルト樹脂が溶解され、その溶解された部分の底部に残った前記非感光性絶縁樹脂の残渣を、レーザ加工により除去する残渣除去工程と、上記生成物表面にシード層を形成するシード層形成工程と、前記シード層の上に銅めっきし銅層形成する銅層形成工程と、前記銅層表面を切削・研磨する切削・研磨工程と、前記オス型樹脂型形成工程と、前記非感光性絶縁樹脂層形成工程と、前記インプリント工程と、前記支持体フィルム剥離工程と、前記ホットメルト樹脂溶解工程と、前記シード層形成工程と、前記銅層形成工程と、切削・研磨工程と、を繰り返し、ビアと配線層を積層する積層工程と、を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
【００２１】
請求項５に係る発明は、半導体を搭載する多層配線基板の製造方法であって、層間接続用ビア成型用樹脂型成形のための金型凹部Ａと、金型凹部Ａより凹部深さが小さくライン／スペースのピッチが１０μｍ以下となる部分を含む配線パターン成型用樹脂型成形のための金型の凹部Ｂからなる、縦断面形状が矩型の金属製凹型金型に、１２０℃以上で軟化するホットメルト樹脂を流しこむホットメルト樹脂型用樹脂注入工程と、前記金型凹部Ａと前記金型凹Ｂに充填されたホットメルト樹脂と支持体フィルムと貼り合わせる支持体フィルム貼り合わせ工程と、前記凹型金型から、前記金型凹部Ａと前記金型凹部Ｂに充填され硬化された前記ホットメルト樹脂が支持体フィルムに固着形成されたものを剥離する剥離工程と、前記ホットメルト樹脂を軟化温度以上に加熱し、前記金型凹部Ａに充填された前記ホットメルト樹脂が縦断面形状が上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部に変形し、前記金型凹Ｂに充填された前記ホットメルト樹脂の縦断面形状が上に辺とそれ以外は偏円もしくは楕円の周の一部に変形する加熱工程と、上記生成物表面にシード層を形成するシード層形成工程と、を有するオス型樹脂型形成工程と、非感光性絶縁樹脂層形成工程と、前記オス型樹脂型を前記非感光性絶縁樹脂層にインプリントするインプリント工程と、前記支持体フィルムを剥離する支持体フィルム剥離工程と、前記ホットメルト樹脂を、６０℃以上の熱水、又は熱アルカリ水溶液で溶解するホットメルト樹脂型樹脂溶解工程と、
前記シード層の上に銅めっきし銅層形成する銅層形成工程と、前記銅層表面を切削・研磨する切削・研磨工程と、前記オス型樹脂型形成工程と、前記非感光性絶縁樹脂層形成工程と、前記インプリント工程と、前記支持体フィルム剥離工程と、前記ホットメルト樹脂溶解工程と、前記銅層形成工程と、切削・研磨工程と、を繰り返し、ビアと配線層を積層する積層工程と、を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、各層を接続するビアの縦断面形状が、上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部からなり、各層の配線の縦断面形状が、上に辺とそれ以外は偏円もしくは楕円の周の一部からなりことにより、導体の表面の算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以下と低粗度に関わらず、樹脂と銅界面で剥離する問題が起き難く、また、導体表面の低粗度により、高周波信号での表皮効果による信号ロスや遅延問題のない多層配線基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態に係る多層配線基板の模式的断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法の模式的説明図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法の模式的説明図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法の模式的説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、本発明の一実施形態に係る多層配線基板について図面を参照して説明する。
【００２５】
さらに、本発明の一実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、各部の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、変更を加えることができる。
【００２６】
図１は、本発明の一実施形態に係る多層配線基板の模式的断面図である。
【００２７】
本発明の一実施形態に係る多層配線基板１００は、半導体を搭載する多層配線基板であって、多層配線基板を構成する各配線層は非感光性絶縁樹脂６１の中に他層のビアと接続するビア１０１と配線１０２を有し、各層のビア１０１の縦断面形状が、上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部からなり、各層の配線１０２の縦断面形状が、上に辺とそれ以外は偏円もしくは楕円の周の一部からなる。
【００２８】
多層配線基板１００は各層のビア１０１及び各層の配線１０２の導体表面の算術平均粗さＲａが、５０ｎｍ以下であってもよい。
【００２９】
また多層配線基板１００は各層のライン／スペースが５μｍ以下／５μｍ以下であってよい。
【００３０】
〔実施形態１〕
図２から図４は本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法の模式的説明図である。図２（ａ）から（ｄ）と、図３（ｅ）から（ｈ）と、図４（ｊ）から（ｍ）と順を追って、本発明の一実施形態に係る多層配線基板１００の製造工程の一例を説明する。
【００３１】
層間接続用ビア成型用樹脂型成形のための金型凹部Ａ１１と、金型凹部Ａ１１より凹部深さが小さくライン／スペースのピッチが１０μｍ以下となる部分を含む配線パターン成型用樹脂型成形のための金型の凹部Ｂ１２からなる、縦断面形状が矩型の金属製凹型金型１０を準備する（図２（ａ））。
【００３２】
凹型金型１０の凹部は５〜１５μｍの深さである。
【００３３】
凹型金型１０に１２０℃以上で軟化するホットメルト樹脂２０を流しこむホットメルト樹脂型用樹脂注入を行う。１７０℃程度まで加熱して軟化させたホットメルト樹脂２０を凹型金型１０上の凹部を埋めるようにコートする。
【００３４】
ここで用いるホットメルト樹脂２０は、アクリル酸エステル共重合体の他に、メタクリル酸エステル共重合体やアクリル酸、メタクリル酸、ポリビニルアルコール等を用いており、重量平均分子量５，０００〜５００，０００で、熱水及び熱アルカリ水溶液に可溶な樹脂であれば良い。ホットメルト樹脂２０は、１２０℃以上での軟化点を持つホットメルト性を有し、かつ６０℃以上の熱水、又は熱アルカリ溶液で容易に溶解する。
【００３５】
金型凹部Ａ１１と金型凹Ｂ１２に充填されたホットメルト樹脂２０と支持体フィルム３０と貼り合わせる支持体フィルム貼り合わせを行う（図２（ｂ））。ホットメルト樹脂２０が固化しない間に、支持体フィルム３０として２５μｍ厚のＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）製フィルムをラミネートする。
【００３６】
凹部充填したホットメルト樹脂２０と支持体フィルム３０と貼り合わせ部の冷却固着を行う。冷却は軟化点温度以下(８０℃以下)までにしておこなう。
【００３７】
凹型金型１０から、金型凹部Ａ１１と金型凹部Ｂ１２に充填され硬化されたホットメルト樹脂２０が支持体フィルム３０に固着形成されたものを剥離する剥離工程を行う（図２（ｃ））。
【００３８】
ホットメルト樹脂２０を軟化温度以上（１８０℃程度）に加熱し、金型凹部Ａ１１に充填されたホットメルト樹脂２０が縦断面形状が上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部に変形し、前記金型凹Ｂ１２に充填された前記ホットメルト樹脂の縦断面形状が上に辺とそれ以外は偏円もしくは楕円の周の一部に変形させる（図２（ｄ））。ホットメルト樹脂２０は、１８０℃程度に加熱軟化され、その表面張力により表面の算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以下となる。
【００３９】
上記の工程により、オス型樹脂型４０が形成される。
【００４０】
一層目製作時以外は、表面に配線５１を有する配線基板５０を準備する（図３（ｅ））。
【００４１】
非感光性絶縁樹脂６１からなる非感光性絶縁樹脂層６０の形成を行う（図３（ｆ））。一層目製作時以外は、表面に配線５１を有する配線基板５０上に非感光性絶縁樹脂６１を１２０℃に加熱し、真空ラミネートする。非感光性絶縁樹脂６１は高速伝送性を実現するため、誘電正接０．００３以下の非感光性絶縁材料を使用する。
【００４２】
オス型樹脂型４０を１００℃以上１２０℃未満に加熱軟化した非感光性絶縁樹脂層６０に真空下でインプリントする（図３（ｇ））。一層目製作時以外は、この際、下地になる表面に配線５１を有する配線基板５０とオス型樹脂型４０のアライメントを行ってからインプリントする。
【００４３】
表面の算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以下であったオス型樹脂型４０のホットメルト樹脂２０の表面が非感光性絶縁樹脂６１の表面に転写され、その表面の算術平均Ｒａも５０ｎｍ以下となる。
【００４４】
支持体フィルム３０を剥離する（図３（ｈ））。余熱が残った状態で、ホットメルト樹脂２０が、非感光性絶縁樹脂６１に埋め込まれて残るように支持体フィルム３０であるＰＥＮフィルムを引き剥がす。
【００４５】
ホットメルト樹脂２０を、６０℃以上の熱水、又は熱アルカリ水溶液で溶解する（図４（ｉ））。例えば８０℃に加熱した５％ＮａＯＨ水溶液をスプレーしてホットメルト樹脂２０を溶解させ、非感光性絶縁樹脂層６０に凹型の窪みを形成する。
【００４６】
金型凹部Ａ１１に充填され縦断面形状が上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部に変形したホットメルト樹脂２０が溶解され、その溶解された部分の底部に残った非感光性絶縁樹脂６１の残渣を、レーザー７０を照射するレーザ加工により除去する（図４（ｊ））。
【００４７】
非感光性絶縁樹脂層６０にオス型樹脂型４０をインプリントする上記の工程において、非感光性絶縁樹脂層６０のビア用凹部底部までオス型樹脂型４０のホットメルト樹脂２０を押し込むことが難しく、ビア用凹部底部に感光性絶縁樹脂の残渣を残すことが多い。そこでビア用凹部底部に残った非感光性絶縁樹脂６１へ、ビア用凹部の径より小さなビーム径のレーザーを照射し、非感光性絶縁樹脂６１の残渣を除去することによって、ビア用凹部底部の下地ランド電極を露出することができるため、層間接続信頼性を確保することができる。
【００４８】
上記生成物の非感光性絶縁樹脂６１の表面に無電解銅めっきにより１μｍ厚の無電解銅めっき層であるシード層を形成する。
【００４９】
前記シード層に給電し２０μｍ厚の電解銅めっきなどによって、非感光性絶縁樹脂６１の内壁にシード層があるビア用の凹部や配線用の凹部に銅で充填し、また表層を銅で形成し、銅層８０を形成する（図４（ｋ））。
【００５０】
非感光性絶縁樹脂６１の凹部に埋め込まれた銅を残すように、銅層８０表面の余分な銅導体を研磨するＣＭＰ（化学機械研磨）工程を行う（図４（ｌ））。
【００５１】
微細配線パターンが形成された多層配線基板１００が製作された（図４（ｍ））。
【００５２】
前記オス型樹脂型形成工程と、前記非感光性絶縁樹脂層形成工程と、前記インプリント工程と、前記支持体フィルム剥離工程と、前記ホットメルト樹脂溶解工程と、前記シード層形成工程と、前記銅層形成工程と、ＣＭＰ（化学機械研磨）工程と、を繰り返し、ビアと配線層を積層する積層工程とを行うことにより、さらなる多層の配線基板が製作される。
【００５３】
〔実施形態２〕
図２から図４は本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法の模式的説明図である。図２（ａ）から（ｄ）と、図３（ｅ）から（ｈ）と、図４（ｊ）から（ｍ）と順を追って、本発明の一実施形態に係る多層配線基板１００の製造工程の一例を説明する。
【００５４】
層間接続用ビア成型用樹脂型成形のための金型凹部Ａ１１と、金型凹部Ａ１１より凹部深さが小さくライン／スペースのピッチが１０μｍ以下となる部分を含む配線パターン成型用樹脂型成形のための金型の凹部B１２からなる、縦断面形状が矩型の金属製凹型金型１０を準備する（図２（ａ））。
【００５５】
凹型金型１０の凹部は５〜１５μｍの深さである。
【００５６】
凹型金型１０に１２０℃以上で軟化するホットメルト樹脂２０を流しこむホットメルト樹脂型用樹脂注入を行う。１７０℃程度まで加熱して軟化させたホットメルト樹脂２０を凹型金型１０上の凹部を埋めるようにコートする。
【００５７】
ここで用いるホットメルト樹脂２０は、アクリル酸エステル共重合体の他に、メタクリル酸エステル共重合体やアクリル酸、メタクリル酸、ポリビニルアルコール等を用いており、重量平均分子量５，０００〜５００，０００で、熱水及び熱アルカリ水溶液に可溶な樹脂であれば良い。ホットメルト樹脂２０は、１２０℃以上での軟化点を持つホットメルト性を有し、かつ６０℃以上の熱水、又は熱アルカリ溶液で容易に溶解する。
【００５８】
金型凹部Ａ１１と金型凹Ｂ１２に充填されたホットメルト樹脂２０と支持体フィルム３０と貼り合わせる支持体フィルム貼り合わせを行う（図２（ｂ））。ホットメルト樹脂２０が固化しない間に、支持体フィルム３０として２５μｍ厚のＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）製フィルムをラミネートする。
【００５９】
凹部充填したホットメルト樹脂２０と支持体フィルム３０と貼り合わせ部の冷却固着を行う。冷却は軟化点温度以下(８０℃以下)までにしておこなう。
【００６０】
凹型金型１０から、金型凹部Ａ１１と金型凹部Ｂ１２に充填され硬化されたホットメルト樹脂２０が支持体フィルム３０に固着形成されたものを剥離する剥離工程を行う（図２（ｃ））。
【００６１】
ホットメルト樹脂２０を軟化温度以上（１８０℃程度）に加熱し、金型凹部Ａ１１に充填されたホットメルト樹脂２０が縦断面形状が上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部に変形し、前記金型凹Ｂ１２に充填された前記ホットメルト樹脂の縦断面形状が上に辺とそれ以外は偏円もしくは楕円の周の一部に変形させる（図２（ｄ））。ホットメルト樹脂２０は、１８０℃程度に加熱軟化され、その表面張力により表面の算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以下となる。
【００６２】
上記生成物の表面に無電解銅めっきにより１μｍ厚の無電解銅めっき層であるシード層
を形成する。
【００６３】
上記の工程により、オス型樹脂型４０が形成される。
【００６４】
一層目製作時以外は、表面に配線５１を有する配線基板５０を準備する（図３（ｅ））。
【００６５】
非感光性絶縁樹脂６１からなる非感光性絶縁樹脂層６０の形成を行う（図３（ｆ））。一層目製作時以外は、表面に配線５１を有する配線基板５０上に非感光性絶縁樹脂６１を１２０℃に加熱し、真空ラミネートする。非感光性絶縁樹脂６１は高速伝送性を実現するため、誘電正接０．００３以下の非感光性絶縁材料を使用する。
【００６６】
オス型樹脂型４０を１００℃以上１２０℃未満に加熱軟化した非感光性絶縁樹脂層６０に真空下でインプリントする（図３（ｇ））。一層目製作時以外は、この際、下地になる表面に配線５１を有する配線基板５０とオス型樹脂型４０のアライメントを行ってからインプリントする。
【００６７】
表面の算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以下であったオス型樹脂型４０のホットメルト樹脂２０と前記シード層の表面が非感光性絶縁樹脂６１の表面に転写され、その表面の算術平均Ｒａも５０ｎｍ以下となる。
【００６８】
支持体フィルム３０を剥離する（図３（ｈ））。余熱が残った状態で、ホットメルト樹脂２０が、非感光性絶縁樹脂６１に埋め込まれて残るように支持体フィルム３０であるＰＥＮフィルムを引き剥がす。
【００６９】
ホットメルト樹脂２０を、６０℃以上の熱水、又は熱アルカリ水溶液で溶解する（図４（ｉ））。例えば８０℃に加熱した５％ＮａＯＨ水溶液をスプレーしてホットメルト樹脂２０を溶解させ、非感光性絶縁樹脂層６０に凹型の窪みを形成する。
【００７０】
樹脂型オス型４０の表面にあった前記シード層は、非感光性絶縁樹脂層６０の凹型の窪みの内壁や表面に残存しており、その前記シード層に給電し２０μｍ厚の電解銅めっきなどによって、非感光性絶縁樹脂６１の内壁にシード層があるビア用の凹部や配線用の凹部に銅で充填し、また表層を銅で形成し、銅層８０を形成する（図４（ｋ））。
【００７１】
非感光性絶縁樹脂６１の凹部に埋め込まれた銅を残すように、銅層８０表面の余分な銅導体を研磨するＣＭＰ（化学機械研磨）工程を行う（図４（ｌ））。
【００７２】
微細配線パターンが形成された多層配線基板１００が製作された（図４（ｍ））。
【００７３】
前記オス型樹脂型形成工程と、前記非感光性絶縁樹脂層形成工程と、前記インプリント工程と、前記支持体フィルム剥離工程と、前記ホットメルト樹脂溶解工程と、前記銅層形成工程と、ＣＭＰ（化学機械研磨）工程と、を繰り返し、ビアと配線層を積層する積層工程とを行うことにより、さらなる多層の配線基板が製作される。
【００７４】
各層を接続するビアの縦断面形状が、上下２辺と左右に偏円もしくは楕円の周の一部からなり、各層の配線の縦断面形状が、上に辺とそれ以外は偏円もしくは楕円の周の一部からなりことにより、導体の表面の算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以下と低粗度に関わらず、樹脂と銅界面で剥離する問題が起き難く、また、導体表面の低粗度により、高周波信号での表皮効果による信号ロスや遅延問題のない多層配線基板を提供できる。
【符号の説明】
【００７５】
１０・・・凹型金型
１１・・・金型凹部Ａ（層間接続用ビア成型用樹脂型成形のためのもの）
１２・・・金型凹部Ｂ（配線成型用樹脂型成形のためのもの）
２０・・・ホットメルト樹脂
３０・・・支持体フィルム
４０・・・オス型樹脂型
５０・・・配線基板
５１・・・配線
６０・・・非感光性絶縁樹脂層
６１・・・非感光性絶縁樹脂
７０・・・レーザー
８０・・・銅層
９０・・・研磨ヘッド
１００・・・多層配線基板
１０１・・・ビア（導体部）
１０２・・・配線（導体部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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