(57)【要約】      （修正有）【課題】基板を処理する流体の条件を選定又は決定する際に利用される基板の量を少なく抑え、使用される流体の量を少なくする流体評価用装置及び基板処理装置を提供する。【解決手段】流体評価用装置は、流体供給部１０と、流体供給部１０に連結され、流体供給部１０から供給された流体を基板Ｗの表面の一部に接触させるための接触空間を有する筐体５０と、筐体５０に連結され、接触空間を経た流体を筐体５０から排出するための流体排出管９０と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体供給部と、
基板の表面の一部に設けられ、前記流体供給部から供給された流体を前記基板の表面の一部に接触させるための接触空間を有する筐体と、
を備える流体評価用装置。
【請求項２】
前記筐体に連結され、前記接触空間を経た流体を前記筐体から排出するための流体排出管をさらに備える請求項１に記載の流体評価用装置。
【請求項３】
前記流体は液体であり、
前記流体排出管に設けられ、前記液体を貯留する貯留部をさらに備える請求項２に記載の流体評価用装置。
【請求項４】
前記貯留部は取り外し可能となる、請求項３に記載の流体評価用装置。
【請求項５】
前記基板は複数のパターンを有するパターンウェハであり、
前記接触空間内には１つのパターンだけが入る請求項１乃至４のいずれか１項に記載の流体評価用装置。
【請求項６】
前記接触空間内にあった流体の分析を行うための分析部をさらに備える、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の流体評価用装置。
【請求項７】
前記接触空間内にある前記基板の表面を観察するための観察部をさらに備える請求項１乃至６のいずれか１項に記載の流体評価用装置。
【請求項８】
前記筐体を前記基板の表面に押し付けるための押圧部、又は前記筐体内の気体を吸引することで前記筐体を前記基板の表面に密着させる吸引部をさらに備える請求項１乃至７のいずれか１項に記載の流体評価用装置。
【請求項９】
前記筐体に前記基板の表面に当接するシール部材が設けられる請求項１乃至８のいずれか１項に記載の流体評価用装置。
【請求項１０】
前記筐体を有する評価用ユニットが複数設けられ、
ある評価用ユニットに供給される流体と、別の評価用ユニットに供給される流体は異なる請求項１乃至９のいずれか１項に記載の流体評価用装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか1項に記載の前記流体評価用装置によって決定された洗浄液を供給可能とされた洗浄液供給ユニットと、
前記洗浄液供給ユニットに接続され、基板保持部に保持された基板を洗浄する洗浄液を供給するための洗浄ノズルを有する洗浄モジュールと、
を備えた、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面を経た流体を評価するために用いられる流体評価用装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ウェハ等の基板を洗浄する基板洗浄装置が知られている（特許文献１等参照）。基板の洗浄は、予め定められた洗浄液を用いて行われるが、量産前に、当該洗浄液の種類を含む洗浄条件を決定することが行われている。このように基板の洗浄条件を決定するには、基板に対して候補となっている洗浄条件を適用し、その結果、基板がどのような影響を受けたかを確認する作業が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−１８１９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述したとおり、従来では洗浄条件を導き出すために、１枚の基板を用いて一つの条件を試していることから、無駄になる基板の量が多く、また使用される洗浄液の量（その結果、排出される洗浄液）の量が多くなっている。
【０００５】
本発明は、基板を処理する流体の条件を選定又は決定する際に利用される基板の量を少なく抑え、また使用される流体の量を少なくできる流体評価用装置等を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の流体評価用装置は、
流体供給部と、
基板の表面の一部に設けられ、前記流体供給部から供給された流体を前記基板の表面の一部に接触させるための接触空間を有する筐体と、
を備えてもよい。
【０００７】
本発明の流体評価用装置は、
前記筐体に連結され、前記接触空間を経た流体を前記筐体から排出するための流体排出管をさらに備えてもよい。
【０００８】
本発明の流体評価用装置において、
前記流体は液体であり、
本発明の流体評価用装置は、前記流体排出管に設けられ、前記液体を貯留する貯留部をさらに備えてもよい。
【０００９】
本発明の流体評価用装置において、
前記貯留部は取り外し可能となってもよい。
【００１０】
本発明の流体評価用装置において、
前記基板は複数のパターンを有するパターンウェハであり、
前記接触空間内には１つのパターンだけが入ってもよい。
【００１１】
本発明の流体評価用装置は、
前記接触空間内にあった流体の分析を行うための分析部をさらに備えてもよい。
【００１２】
本発明の流体評価用装置は、
前記接触空間内にある前記基板の表面を観察するための観察部をさらに備えてもよい。
【００１３】
本発明の流体評価用装置は、
前記筐体を前記基板の表面に押し付けるための押圧部、又は前記筐体内の気体を吸引することで前記筐体を前記基板の表面に密着させる吸引部をさらに備えてもよい。
【００１４】
本発明の流体評価用装置において、
前記筐体に前記基板の表面に当接するシール部材が設けられてもよい。
【００１５】
本発明の流体評価用装置において、
前記筐体を有する評価用ユニットが複数設けられ、
ある評価用ユニットに供給される流体と、別の評価用ユニットに供給される流体は異なってもよい。
【００１６】
本発明の基板処理装置は、
前述したいずれかの流体評価用装置によって決定された洗浄液を供給可能とされた洗浄液供給ユニットと、
前記洗浄液供給ユニットに接続され、基板保持部に保持された基板を洗浄する洗浄液を供給するための洗浄ノズルを有する洗浄モジュールと、
を備えてもよい。
【本発明の効果】
【００１７】
本発明において、流体供給部から供給された洗浄液等の流体を基板の表面の一部に接触させる流体評価用装置を採用する場合には、基板の表面の一部を用いて、基板を流体で処理した場合の結果について評価できる。このため、評価に利用される基板の量を減らすことができ、また流体の使用量を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の実施の形態による流体評価用装置の構成を示した概略図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の実施の形態で用いられうる流体評価用装置の一例を示した平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の直線Ｂ−Ｂにおける側方断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態で用いられうる流体評価用装置の別の例を示した側方断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態で用いられうる流体評価用装置のさらに別の例を示した側方断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態で用いられうる基板保持部を示した側方断面図である。
【図６】図６は、本実施の形態で用いられうるマイクロ流路と基板に設けられた各パターンとの関係を説明するための平面図である。
【図７】図７は、本実施の形態において、複数の評価ユニットが設けられる態様を示した概略図である。
【図８】図８は、本実施の形態で用いられうる流体評価用装置を用いたフローの一例を示した図である。
【図９】図９は、本実施の形態で用いられうる基板処理装置の一例を示した概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
実施の形態
《構成》
図１に示すように、流体評価用装置は、流体供給部１０と、流体供給部１０に連結されるとともに基板Ｗの表面の一部に設けられ、流体供給部１０から供給された流体を基板Ｗの表面の一部に接触させるための接触空間を有する筐体５０と、筐体５０に連結され、接触空間を経た流体を筐体５０から排出するための流体排出管９０と、を有してもよい。流体には液体及び気体の両方が含まれる。本実施の形態では、基板Ｗを洗浄するための洗浄液を流体の一例として説明するが、これに限られることはない。流体供給部１０と筐体５０との間には、流体を筐体５０内まで導く流体供給管２０が設けられてもよい。なお、基板Ｗは対象物の一例であり、基板以外の対象物を利用することもできる。
【００２０】
本実施の形態の流体評価用装置は典型的には基板Ｗであるウェハの最適な洗浄条件を導き出すために用いられる。基板Ｗの評価としては、例えば基板Ｗが腐食するかどうかを評価する。
【００２１】
本実施の形態の洗浄液には、純水（ＤＩＷ）等のリンス液と、アンモニア過酸化水素（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素（ＳＣ２）、硫酸過酸化水素（ＳＰＭ）、硫酸加水、フッ酸等の薬液が含まれている。本実施の形態で特に断りのない限り、洗浄液は、リンス液、薬液、又は、リンス液及び薬液の両方を意味している。基板Ｗに用いられる洗浄液を選定する場面では、薬液の選定が特に問題となることから、洗浄液は典型的には薬液である。
【００２２】
流体評価用装置は、図２に示すように、筐体５０内にマイクロ流路５１等の流路を有する評価用ユニット１００を有してもよい。この場合には、流路が接触空間を形成することになる。以下では、評価用ユニット１００が流路としてマイクロ流路５１を有するものとして説明する。この場合、評価用ユニットは例えばマイクロ流路装置である。接触空間は流路である必要はなく、流体を貯留する貯留空間であってもよい。この場合には、流体排出管９０は設けられなくてもよい。
【００２３】
基板Ｗはパターンウェハであってもよいし、パターンを有さないベタ膜からなるものであってもよい。また、プリント基板やリードフレーム等からなる基板であってもよい。基板の形状は特に限定はされず、例えば円形状でもよく、角形状であってもよい。
【００２４】
基板Ｗが直径３００ｍｍのウェハからなる場合、本実施の形態の流体評価用装置を用いることで例えば１００箇所以上で局所的に基板Ｗに対する洗浄液の評価を行えることとなる。なお、直径３００ｍｍのパターンウェハでは１００個以上の２０ｍｍパターンＷｐ（辺が２０ｍｍからなる正方形のパターン）が形成されていることから、各パターンＷｐに流体評価用装置を適用して洗浄液による基板評価を行ってもよい。接触空間であるマイクロ流路５１内には１つのパターンＷｐだけが入るように設計されてもよい。つまり、マイクロ流路５１が各パターンＷｐの大きさに対応して形成されており、マイクロ流路５１内に１つのパターンＷｐが収まるが、隣接するパターンＷｐは当該マイクロ流路５１内には入らないような大きさとなってもよい（図６参照）。このような態様を採用した場合には、１つのパターンＷｐを用いて洗浄液の影響を確認でき、高い経済性を実現できる。
【００２５】
図２に示すように、流路部１００は、マイクロ流路５１へと洗浄液等の流体を導く導入管等の導入部５６と、マイクロ流路５１から洗浄液等の流体を排出する排出管等の排出部５７とが設けられてもよい。
【００２６】
基板Ｗを部分的に切断して、切断した基板片を用いて洗浄液による評価を行う態様を採用することも考えられる。しかしながら、基板Ｗを切断すること自体、手間がかかることから、基板Ｗを切断することなく、基板Ｗの表面に評価用ユニット１００を取り付けて、基板Ｗの一部に対する洗浄液の処理結果を確認できることは有益である。
【００２７】
図１に示すように、流体供給部１０は、気体を供給する気体供給部１５と、第一洗浄液を供給する第一洗浄液供給部１１と、第二洗浄液を供給する第二洗浄液供給部１２とを有してもよい。図１に示す態様は一例に過ぎず、洗浄液を供給する洗浄液供給部は３つ以上設けられてもよいし、１つだけであってもよく、また気体供給部１５は２つ以上設けられてもよい。気体供給部１５からの気体の単位時間当たりの供給量は気体供給部１５に設けられたバルブ１５ａによって調整されてもよい。第一洗浄液供給部１１からの第一洗浄液の単位時間当たりの供給量は第一調整部３１によって調整されてもよいし、第二洗浄液供給部１２からの第二洗浄液の単位時間当たりの供給量は第二調整部３２によって調整されてもよい。気体供給部１５を用いることで、洗浄液内に含まれる溶存ガスの影響も加味して基板Ｗの評価を行うことができる。
【００２８】
流体供給部１０は、基板Ｗを乾燥するためのＩＰＡや窒素ガス等が供給可能となってもよい。また、流体供給部１０は、リンス液を供給できるようにしてもよい。このようにリンス液、ＩＰＡや窒素ガス等の乾燥流体を供給できる場合には、基板Ｗを実際に処理するレシピにしたがって、薬液に加えて、リンス液や乾燥流体を供給するように制御部１５０が制御してもよい。
【００２９】
複数の流体供給部１０が設けられ、薬液の種類毎に異なる流体供給部１０が用いられてもよい。また、純水と薬液の混合比を制御部１５０で調整して、薬液の濃度毎に洗浄効果を分析部２００で判定できるようにしてもよい。また、純水と薬液とを混合する場合には、異なる種類の薬液の各々に対して純水の比率を制御部１５０で制御するようにしてもよい。また、異なる種類の薬液を混合するようにしてもよく、この場合には、薬液の混合比を制御部１５０で調整して、洗浄効果を分析部２００で判定できるようにしてもよい。
【００３０】
なお、流体供給部１０は設けられず、特開２０１７−２１６４８３号公報で開示されているようなインライン式を採用してもよい。
【００３１】
流体排出管９０には貯留部８０が設けられてもよい。貯留部８０は流体排出管９０から取り外し可能となってもよい。貯留部８０に貯留された洗浄液の分析を行うための分析部２００が設けられてもよい。分析部２００は、洗浄液内の金属濃度を計測するための金属濃度計を有してもよい。基板Ｗがウェハからなる場合には、配線にＣｕ等の金属が用いられていることから、金属濃度計によって、配線に用いられている金属の溶出量（腐食量）を検出できることになる。分析部２００と貯留部８０との間の流体排出管９０には第三調整部３９が設けられ、第三調整部３９で分析部２００へと流入される洗浄液の量を調整できるようにしてもよい。分析部２００は流体排出管９０に設けられる必要はなく、分析部２００は例えば貯留部８０に貯留された洗浄液を別の場所で分析するようにしてもよい。
【００３２】
金属イオン濃度の定量方法としては、オンライン分析としては、金属イオンを発色試薬で反応させる紫外可視吸光光度計や、電気化学測定を用いることができる。また、非オンライン分析としては、高感度であればpptまで定量可能であるICP-MS（誘導結合プラズマ質量分析計）や、原子吸光測定を用いることできる。ここでオンライン分析とは、流体評価用装置においてそのまま分析する態様であり、非オンライン分析とは貯留部８０等に貯留された流体を別の場所に搬送した後で分析する態様である。装置の大きさが小さいものは流体評価用装置本体に組み込むことができることから、オンライン分析が可能となり、装置の大きさが大きいものは流体評価用装置とは別の場所に設けられ、非オンライン分析となる。なお、本実施の形態では、別の場所に設けられた分析部も流体評価用装置の一部を構成することになる。
【００３３】
測定結果の一例を示すと、基板Ｗとしてパターンウェハを用い、超純水を通液時間３分、通液量２０ｍｌ、流量６．７５ｍｌ／分としてICP-MSで測定したところ、溶出濃度は１〜２ｐｐｂとなった。また、基板Ｗとしてベタ膜を用い、超純水を通液時間１０分、通液量６０ｍｌ、流量６．７５ｍｌ／分としてICP-MSで測定したところ、溶出濃度は１０〜３０ｐｐｂとなった。
【００３４】
洗浄液中の成分の定量方法としては、オンライン分析としては、例えばCu研磨時の錯化剤の減量測定するための紫外可視吸光光度計を用いることができ、非オンライン分析としては、LC-MS（液体クロマトグラフ質量分析計）を用いることできる。この態様を用いることで、研磨時に利用される錯体の溶出量を測定することができる。
【００３５】
分析部２００で分析をする前の前処理としては、例えば高選択性無機分離剤のMetaSEP-AnaLigといったカラムを用いて金属イオンを濃縮した後で、溶解した金属イオンを発色試薬と反応させるフローインジェクションを行ってもよい。金属イオンの濃縮は、例えば配線の太さが細くい場合や洗浄液との関係から配線が溶出し難い場合のように、金属の溶出量が少ない場合に行われてもよい。
【００３６】
分析部２００は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を有してもよい。この場合には、洗浄液によって基板Ｗの一部を局所的に処理した後で、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって基板Ｗの表面を分析することとなる。
【００３７】
図２乃至図４に示すように、評価用ユニット１００は、筐体５０の裏面（基板側の面）に設けられ、基板Ｗの表面と当接するシール部材６０を有してもよい。このシール部材６０は筐体５０の裏面全体にわたって設けられてもよいし、一部にだけ設けられてもよい。シール部材６０としては弾性部材やＯリング等を用いることができる。
【００３８】
接触空間であるマイクロ流路５１内にある基板Ｗの表面を視覚的に観察するための観察部２５０が設けられてもよい。観察部２５０は観察窓２５５を有してもよく（図２（ｂ）参照）、この観察窓２５５を介して、基板Ｗの表面を視覚的に観察できるようにしてもよい。また、図２に示すように、観察部２５０は撮像部２５１を有してもよく、この撮像部２５１での撮影を介して基板Ｗの表面を視覚的に観察できるようにしてもよい。観察部２５０によって、マイクロ流路５１の下方に存在する基板Ｗの全領域を観察できるようになってもよい。
【００３９】
観察部２５０は、形状・段差観察を行うための光学顕微鏡又はレーザ顕微鏡を有してもよい。また、反応生成物の定性を測定するための顕微ラマン分光器を有してもよい。基板Ｗの色調を評価するための色彩色度計を有してもよい。
【００４０】
図３に示すように、筐体５０を基板Ｗの表面に押し付けるための押圧部３１０が設けられてもよい。また、図４に示すように、例えば人為的に押圧された筐体５０内の気体を吸引することで筐体５０を基板Ｗの表面に密着させる吸引部３２０が設けられてもよい。吸引部３２０が設けられる態様では、吸引部３２０が筐体５０内の気体を吸引することで基板Ｗと筐体５０との密着性を高めるようにしてもよい。また、押圧部３１０及び吸引部３２０の両方が設けられてもよく、この場合には、押圧部３１０で基板Ｗに対して筐体５０を押圧した後で、吸引部３２０によって筐体５０内の気体を吸引することで、基板Ｗに筐体５０を密着させるようにしてもよい。
【００４１】
分析部２００及び／又は観察部２５０で得られた測定結果に基づいて制御部１５０の一部を構成するフィードバック制御部１５１によって、供給させる洗浄液の種類、送液量、送液時間等に関する自動制御が行われてもよい（図１参照）。なお、このような態様に限られることはなく、測定結果に基づいて操作者が洗浄液の条件を決定して、操作部１６０から入力するようにしてもよい。
【００４２】
送液量を小さくした場合（極端には０にした場合）には、洗浄液に基板Ｗを浸した条件によって、洗浄液による基板Ｗへの影響を評価できる。また逆に送液量を大きくする等、適宜、送液量を調整することで、基板Ｗを回転させた場合に近い条件で洗浄液による基板Ｗへの影響を評価できる。
【００４３】
評価用ユニット１００が基板Ｗの面内方向（ＸＹ方向）及び基板Ｗの法線方向（Ｚ方向）で移動可能となってもよいし、基板Ｗを保持した基板保持部４００が基板Ｗの面内方向（ＸＹ方向）及び基板Ｗの法線方向（Ｚ方向）で移動可能となってもよい（図５参照）。これらの組み合わせは自由であり、評価用ユニット１００及び基板保持部４００のいずれか一方が基板Ｗの面内方向（ＸＹ方向）で移動可能となり、他方が基板Ｗの法線方向（Ｚ方向）で移動可能となってもよい。また、評価用ユニット１００及び基板保持部４００の各々が基板Ｗの面内方向（ＸＹ方向）及び基板Ｗの法線方向（Ｚ方向）で移動可能となってもよい。基板保持部４００には基板Ｗを吸引するための吸引部４１０が設けられてもよい。なお、図５では左右方向がＸ方向となり、上下方向がＺ方向となり、紙面の法線方向がＹ方向となっている。
【００４４】
図７に示すように評価用ユニット１００は複数設けられてもよい。そして、ある評価用ユニット１００に供給される洗浄液と、別の評価用ユニット１００に供給される洗浄液とは異なるものであってもよい。評価用ユニット１００が複数設けられる場合には、流体評価用装置の各々に対する洗浄液等の流体が異なるようにしてもよい。流体評価用装置はパターンＷｐに対応する数だけ設けられてもよいし、多数（例えば１０個）のパターンＷｐに対応する流体評価用装置が設けられてもよい。例えば、評価用ユニット１００は、第１評価用ユニット、第２評価用ユニット、・・・、第ｎ評価用ユニット（「ｎ」は２以上の整数）を有し、第１評価用ユニット、第２評価用ユニット、・・・、第ｎ評価用ユニットに供給される流体は各々で異なるものとなってもよい。
【００４５】
このように複数の評価用ユニット１００が設けられる場合には、評価用ユニット１００の各々が、基板Ｗの面内方向（ＸＹ方向）及び／又は基板Ｗの法線方向（Ｚ方向）で移動可能となってもよい。
【００４６】
また、一実施態様における洗浄液の種類としては、純水、炭酸水、オゾン水、洗浄液の中に圧縮空気や窒素ガス等の気体が予め混合された洗浄水、洗浄液の中に超音波が印加された洗浄液、洗浄液の中にマイクロバブルが印加された洗浄液、薬液（ＤＨＦ（希フッ酸））や、ＡＰＭ（Ammonium hydrogen-Peroxide Mixture）洗浄のための洗浄液（アンモニア水と過酸化水素水の混合液）、あるいはＳＰＭ（Sulfuric-acid and hydrogen-Peroxide mixture）洗浄のための洗浄液（硫酸と過酸化水素水の混合液）から選択することができる。
【００４７】
また、一実施態様においては、マイクロバブル発生器（図示せず）を併設しておき、マイクロバブル洗浄液を洗浄液の１つとして選択するように構成することもできる。
【００４８】
制御部１５０は、流体供給部１０、調整部３１，３２，３９、貯留部８０、分析部２００、観察部２５０等の各部材と通信可能となり、これらを制御できるようになってもよい（図１参照）。制御部１５０は人工知能機能を有し、機械的学習を行ってもよい。制御部１５０は、供給される洗浄液の種類、送液量、送液時間等の洗浄液条件と、得られた基板Ｗの評価結果とを用いて機械的学習を行い、最適な洗浄液条件を算出して出力するようにしてもよい。
【００４９】
また、一実施態様においては、分析対象となる洗浄液の温度を測定する温度センサ１８を例えば流体供給部１０に設けておき（図１参照）、分析対象となる洗浄液の温度を予め調整したうえで、異なる温度における同一洗浄液の洗浄効果を分析するように構成することもできる。
【００５０】
また、別の一実施態様においては、ｐＨセンサ１９を例えば流体供給部１０に設けておき（図１参照）、分析対象となる洗浄液のｐＨ値を予め調整したうえで、異なるｐＨにおける同一洗浄液の洗浄効果を分析するように構成することもできる。
【００５１】
上述したような流体評価用装置によって決定された洗浄液を供給可能とされた洗浄液供給ユニット５００と、当該洗浄液供給ユニットに接続され、基板保持部５１０で保持された基板Ｗを洗浄する洗浄液を供給するための洗浄ノズル５５０を有する洗浄モジュールと、を有する基板処理装置が提供されてもよい（図９参照）。洗浄モジュールはロール洗浄部材やペンシル洗浄部材等からなる洗浄部材５２０（図９ではロール洗浄部材を図示している。）を有してもよい。基板処理装置としては、例えば、基板洗浄装置、ＣＭＰ装置、めっき装置、ベベル研磨装置、基板切断装置等を挙げることができる。なお、基板切断装置においては、基板を切断して生成される固片に対して洗浄処理が行われてもよい。
【００５２】
《方法》
本実施の形態の流体評価用装置を用いた流体評価方法の一例を、主に図８を用いて説明する。なお、上記と重複することになるので簡単に説明するに留めるが、上記「構成」で述べた全ての態様を「方法」において適用することができる。また、逆に、「方法」において述べた全ての態様を「構成」において適用することができる。また、本実施の形態の方法を実施させるためのプログラムは記録媒体に記録されてもよく、この記録媒体をコンピュータ（図示せず）で読み取ることで、本実施の形態の方法が流体評価用装置を含む基板処理装置で実施されてもよい。
【００５３】
まず、評価用ユニット１００が基板Ｗの表面に対して固定される（Ｓ１１）。この際、筐体５０が押圧されることで評価用ユニット１００の筐体５０が基板Ｗに対して固定されてもよいし、筐体５０の内部が吸引されることで評価用ユニット１００が基板Ｗに対して固定されてもよいし、これらの両方であってもよい。
【００５４】
次に、観察部２５０を介して基板Ｗの様子が操作者によって確認されてもよいし、撮像部２５１によって基板Ｗの様子が撮影されてもよい（Ｓ１２）。
【００５５】
次に、流体評価用装置に対する薬液等の洗浄液の供給が開始される（Ｓ２１）。一定時間、流体評価用装置に対して洗浄液が供給されると、薬液等の洗浄液の供給が停止される（Ｓ２２）。
【００５６】
次に、貯留部８０に対して前処理が行われてもよい（Ｓ３１）。配線等を構成する金属の溶出量が多い場合等であれば、特段の前処理を行わなくてもよい。
【００５７】
貯留部８０の前処理が行われると、貯留部８０内に貯留された洗浄液の分析が行われる（Ｓ３２）。この洗浄液の分析結果をフィードバックし、薬液等の洗浄液の条件を変更してもよい（Ｓ３３）。
【００５８】
また、前述したように、薬液等の洗浄液の供給が停止されると、マイクロ流路５１を含む筐体５０内が純水等のリンス液や場合によっては適切な洗浄液によって洗浄される（Ｓ４１）。
【００５９】
そして、マイクロ流路５１を含む筐体５０内の洗浄が終了すると、マイクロ流路５１を含む筐体５０内に気体を流して乾燥させてもよい（Ｓ４２）。
【００６０】
その後、観察部２５０を介して基板Ｗの様子が操作者によって確認されてもよいし、撮像部２５１によって基板Ｗの様子が撮影されてもよい（Ｓ４３）。
【００６１】
次に、流体評価用装置の基板Ｗに対する固定が解除される（Ｓ５１）。そして、基板Ｗに対する流体評価用装置の位置が移動されてもよい（Ｓ５２）。このような移動先で、流体評価用装置が基板Ｗに対して固定され、前述した工程が行われてもよい。
【００６２】
基板Ｗとしてパターンウェハを用いる場合には、移動先は処理していたパターンＷｐに隣接するパターンＷｐであってもよい、隣接しないパターンＷｐであってもよい。移動先が隣接するパターンＷｐである場合には移動時間を短くすることができる。
【００６３】
《効果》
次に、上述した構成からなる本実施の形態による効果であって、未だ説明していないものを中心に説明する。「構成」で記載されていない場合であっても、「効果」で説明するあらゆる構成を本件発明において採用することができる。
【００６４】
本実施の形態のような、流体供給部１０から供給された洗浄液等の流体を基板Ｗの表面の一部に接触させる流体評価用装置を採用する場合には、基板Ｗの表面の一部を用いて、基板Ｗを流体で処理した場合の結果について評価できる。従来であれば、一枚の基板全体を流体で処理することで、基板Ｗを流体で処理した結果を検証していたが、本態様によれば、基板Ｗの一部だけを利用することから、評価に利用される基板Ｗの量を減らすことができ、また流体の使用量を削減することができる。流体が洗浄液からなる場合には、洗浄液の使用量及び廃棄量を共に減らすことができる点で有益である。
【００６５】
また、基板Ｗの表面の一部に評価用ユニット１００を設置して、当該表面の一部に対する評価を行う態様によれば、基板Ｗを部分的に切断し、切断した基板片を用いて洗浄液による評価を行う態様と比較して、準備時間を短くすることでき、ひいては評価時間を短くすることができる。
【００６６】
基板Ｗがパターンウェハからなる場合には、パターンＷｐによって露出している金属膜や絶縁膜の面積が異なり、また金属膜の幅も異なることから、適切な洗浄液の条件を導き出すことは特に手間がかかる。この点、本実施の形態による流体評価用装置を採用することで、洗浄液の使用量及び廃棄量をより効果的に減らすことができる。評価対象となるパターンＷｐの各々は同じ形状となってもよい。このように同じ形状の配線のパターンを用いることで、同じ条件のパターンＷｐに対して、どのような洗浄液がよいか、どのような洗浄液供給条件がよいか等を比較検討できる。
【００６７】
基板Ｗが直径３００ｍｍのウェハからなる場合において、流体評価用装置が１００箇所以上で局所的に基板Ｗに対する洗浄液の評価を行う場合には、１枚の基板Ｗで１００種類以上の洗浄液の評価を行うことができることになる。
【００６８】
本実施の形態の流体評価用装置は無数に存在する洗浄液の条件から、優れた洗浄液の成分を含む洗浄液条件を選択（スクリーニング）するために用いられてもよい。この場合には、選択された複数の洗浄液条件を用いて、実機で実際に基板Ｗを洗浄して、最も優れた洗浄液条件を決定するようにしてもよい。このような利用方法であっても、無数に存在する洗浄液の条件からある程度の絞り込みを行うことができ、洗浄液条件の選択に関しては有益なものとなる。
【００６９】
なお、一般に、パターンウェハに関しては、配線のパターンが変わる度に洗浄液の条件が検討されることとなる。このため、配線のパターンが変わるたびに最適な洗浄液条件を決定することは非常に手間がかかっているが、本実施の形態によれば、低コストで洗浄液条件を決定又は絞り込むことができる点で有益である。また、複数同時に異なる洗浄液条件を用いる場合には（図７参照）、洗浄液条件を決定又は絞り込む時間を短くすることもできる。
【００７０】
流体が洗浄液等の液体からなり、貯留部８０に当該液体が貯留される態様を採用する場合には、貯留部８０に貯留された液体についての分析を行うことで、基板Ｗを洗浄液等の液体で処理した結果を評価できる。一例として金属濃度計によって洗浄液内の金属濃度を計測する場合には、どのような金属が液体に溶け出しているか等を分析し、その結果、基板Ｗを洗浄液等の液体で処理した結果を評価できる。貯留部８０が流体排出管９０から取り外し可能となっている場合には、貯留部８０を取り外して別に設置された分析部２００に取り付けることで、液体の検査を行うことができることとなる。
【００７１】
筐体５０に基板Ｗの表面に当接するシール部材６０が設けられている場合には、筐体５０内に供給された流体が筐体５０の外部に漏れ出すことをより確実に防ぐことができる。このように流体が筐体５０の外部に漏れ出すことを防ぐことで、対象となっている部分以外の箇所で基板Ｗが当該流体で処理されてしまうことを防止できる。このような漏れをより確実に防ぐ観点からは、シール部材６０は筐体５０の裏面全体にわたって設けられていることが有益である。
【００７２】
接触空間内にある基板Ｗの表面を視覚的に観察するための観察部２５０が設けられる態様を採用した場合には、視覚を通じて、基板Ｗの流体による処理結果を確認できる。観察部２５０が観察窓２５５を有する場合には、簡易及び安価な構成で視覚的な確認を実現できる。観察部２５０が撮像部２５１を有する場合には、拡大機能等を利用することで詳細な情報を取得できる。また、撮像部２５１で撮影された結果を記憶部１７０（図１参照）で記憶する場合には、視覚的な情報をデータとして管理することもできる。
【００７３】
図３に示すように筐体５０を基板Ｗの表面に押し付けるための押圧部３１０が設けられる態様を採用した場合には、自動で筐体５０を基板Ｗに押し付けることができる。図４に示すように筐体５０内の気体を吸引する吸引部３２０が設けられる態様を採用した場合には、筐体５０内を吸引することで、流体評価用装置を基板Ｗに密着させることができる。
【００７４】
評価用ユニット１００が複数設けられ、ある評価用ユニット１００で供給される流体と別の評価用ユニット１００で供給される流体とが異なる態様を採用した場合には（図７参照）、同じ時間帯に異なる流体を用いて基板Ｗの流体に対する処理結果を評価できる。つまり、同じ基板Ｗを用いつつも、同時並行で、基板Ｗの流体に対する処理結果を評価でき、短時間で多数の評価を行うことができる。
【００７５】
上述した実施の形態の記載及び図面の開示は、特許請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって特許請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。また、出願当初の請求項の記載はあくまでも一例であり、明細書、図面等の記載に基づき、請求項の記載を適宜変更することもできる。
【符号の説明】
【００７６】
１０・・・流体供給部、５０・・・筐体、６０・・・シール部材、８０・・・貯留部、９０・・・流体排出管、２００・・・分析部、２５０・・・観察部、３１０・・・押圧部、３２０・・・吸引部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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