(57)【要約】【課題】スループットを向上させることができる基板処理装置および基板搬送方法を提供する。【解決手段】第１のＩＤブロック２は、載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを６つの処理層３Ａ〜３Ｆのいずれかに送っている。また、第２のＩＤブロック４は、例えば処理層３Ａから送られた基板Ｗを載置台４７に載置されたキャリアＣに戻している。これにより、第１のＩＤブロック２は、上下方向に配置された６つの処理層３Ａ〜３Ｆに多くの基板Ｗをより速く搬送することができる。また、同時に、第２のＩＤブロック４は、上下方向に配置された６つの処理層３Ａ〜３Ｆから送られた多くの基板Ｗをより速くキャリアＣに搬送することができる。その結果、基板処理装置１のスループットを向上することができる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、
前記第１インデクサブロックに連結し、複数の処理層が上下方向に配置された単一の処理ブロックと、
前記単一の処理ブロックと連結し、前記キャリアを載置するための第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、を備え、
前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記複数の処理層のいずれかに搬送し、
前記複数の処理層は各々、搬送された基板に対して所定の処理を行い、その基板を第２インデクサブロックに搬送し、
前記第２インデクサブロックは、前記処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
（１）前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、その基板を前記複数の処理層のうちの第１処理層に搬送し、
（２）前記第１処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、
（３）前記第２インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に搬送し、
（４）前記第２処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、
（５）前記第１インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第３処理層に搬送し、
（６）前記第３処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、
（７）前記第２インデクサブロックは、前記第３処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置において、
（１）前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、その基板を前記複数の処理層のうちの第１処理層に搬送し、
（２）前記第１処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、
（３）前記第２インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に搬送し、
（４Ｂ）前記第２処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、
（７Ｂ）前記第２インデクサブロックは、前記第２処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置において、
（５Ｂ）前記第２インデクサブロックは、前記第２処理層で処理され、かつ搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第３処理層に搬送し、
（６Ｂ）前記第３処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、
（７）前記第２インデクサブロックは、前記第３処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記第２インデクサブロックは、更に、外部装置に対して基板の搬入および搬出を行うように構成されており、
前記第２インデクサブロックは、前記（２）の後に、前記第１処理層で処理された基板を前記外部装置に搬出し、
前記（３）に代えて、前記第２インデクサブロックは、前記外部装置により所定の処理が行われた基板を前記外部装置から搬入し、搬入した基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に送ることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載の基板処理装置において、
（１）前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、その基板を前記複数の処理層のうちの第１処理層に搬送し、
（２Ｂ）前記第１処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、
（３Ｂ）前記第１インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に搬送し、
（４Ｂ）前記第２処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、
（７Ｂ）前記第２インデクサブロックは、前記第２処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
（５Ｂ）前記第２インデクサブロックは、前記（４Ｂ）の後に、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第３処理層に搬送し、
（６Ｂ）前記第３処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、
前記（７Ｂ）に代えて、（７）前記第２インデクサブロックは、前記第３処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項４または７に記載の基板処理装置において、
前記第２インデクサブロックは、更に、外部装置に対して基板の搬入および搬出を行うように構成されており、
前記第２インデクサブロックは、前記（４Ｂ）の後に、前記第２処理層で処理された基板を前記外部装置に搬出し、
前記（５Ｂ）に代えて、前記第２インデクサブロックは、前記外部装置により所定の処理が行われた基板を前記外部装置から搬入し、搬入した基板を前記複数の処理層のうちの第３処理層に送ることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１に記載の基板処理装置において、
（１）前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、その基板を前記複数の処理層のうちの第１処理層に搬送し、
（２Ｂ）前記第１処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、
（３Ｂ）前記第１インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に搬送し、
（４）前記第２処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、
（５）前記第１インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第３処理層に搬送し、
（６）前記第３処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、
（７）前記第２インデクサブロックは、前記第３処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記第２インデクサブロックは、更に、外部装置に対して基板の搬入および搬出を行うように構成されており、
（１Ｂ）前記第２インデクサブロックは、前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、その基板を前記複数の処理層のうちの第１処理層に搬送し、
（２）前記第１処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、
前記第２インデクサブロックは、前記第１処理層で処理された基板を前記外部装置に搬出し、
前記第２インデクサブロックは、前記外部装置により所定の処理が行われた基板を前記外部装置から搬入し、搬入した基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に搬送し、
（４）前記第２処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、
（７Ｃ）前記第１インデクサブロックは、前記第２処理層で処理された基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記第２インデクサブロックは、更に、外部装置に対して基板の搬入および搬出を行うように構成されており、
（１Ｂ）前記第２インデクサブロックは、前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、その基板を前記複数の処理層のうちの第１処理層に搬送し、
（２Ｂ）前記第１処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、
（３Ｂ）前記第１インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に搬送し、
（４Ｂ）前記第２処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、
前記第２インデクサブロックは、前記第２処理層で処理された基板を前記外部装置に搬出し、
前記第２インデクサブロックは、前記外部装置により所定の処理が行われた基板を前記外部装置から搬入し、搬入した基板を前記複数の処理層のうちの第３処理層に搬送し、
（６Ｂ）前記第３処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、
（７Ｄ）前記第１インデクサブロックは、前記第３処理層で処理された基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第１キャリア載置台と前記第２キャリア載置台との間で前記キャリアを搬送するキャリア搬送機構を更に備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理装置において、
前記キャリア搬送機構は、前記単一の処理ブロックの上に搭載されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、
前記第１インデクサブロックに連結し、複数の処理層が上下方向に配置された単一の処理ブロックと、
前記単一の処理ブロックと連結し、前記キャリアを載置するための第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、
を備えた基板処理装置の基板搬送方法において、
前記第１インデクサブロックにより、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記複数の処理層のいずれかに搬送する工程と、
前記複数の処理層の各々により、送られた基板に対して所定の処理を行い、その基板を第２インデクサブロックに搬送する工程と、
前記第２インデクサブロックにより、前記処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻す工程と、
を備えていることを特徴とする基板搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置およびこの基板搬送方法に関する。基板は、例えば、半導体基板、液晶表示装置や有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等がある。
【背景技術】
【０００２】
従来の基板処理装置は、インデクサブロックと処理ブロックを備えている（例えば、特許文献１参照）。インデクサブロックは、複数の基板を収納可能なキャリアを載置するキャリア載置台と、キャリア載置台に載置されたキャリアと処理ブロックとの間で基板を搬送する基板搬送ロボットとを備えている。処理ブロックは、基板に対して例えばレジスト液を塗布する。
【０００３】
また、基板処理装置は、ストッカ装置（キャリアバッファ装置）を備えている（例えば、特許文献２参照）。ストッカ装置は、キャリア載置台側に水平方向に延長するように配置されている。ストッカ装置は、キャリアを保管するための保管棚と、キャリア搬送機構とを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−０２２５７０号公報
【特許文献２】特開２０１１−１８７７９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような構成を有する従来の基板処理装置の場合には、次のような問題がある。すなわち、基板処理装置のインデクサブロックによる基板搬送工程は、送り工程と戻し工程を備えている。送り工程は、キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出して、取り出した基板を処理ブロックに搬送する工程である。また、戻し工程は、処理ブロックで処理された基板を処理ブロックから受け取って、受け取った基板を上述のキャリア載置台に載置されたキャリアに戻す工程である。送り工程からすれば、戻し工程は、スループット低下の原因となり得るものである。また、戻し工程からすれば、送り工程は、スループット低下の原因となり得るものである。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、スループットを向上させることができる基板処理装置および基板搬送方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、前記第１インデクサブロックに連結し、複数の処理層が上下方向に配置された単一の処理ブロックと、前記単一の処理ブロックと連結し、前記キャリアを載置するための第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、を備え、前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記複数の処理層のいずれかに搬送し、前記複数の処理層は各々、搬送された基板に対して所定の処理を行い、その基板を第２インデクサブロックに搬送し、前記第２インデクサブロックは、前記処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことを特徴とするものである。
【０００８】
本発明に係る基板処理装置によれば、第１インデクサブロックは、第１キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出して、取り出した基板を複数の処理層のいずれかに送っている。また、第２インデクサブロックは、処理層から送られた基板を第２キャリア載置台に載置されたキャリアに戻している。これにより、第１インデクサブロックは、上下方向に配置された複数の処理層に多くの基板をより速く搬送することができる。また、同時に、第２インデクサブロックは、上下方向に配置された複数の処理層から送られた多くの基板をより速くキャリアに搬送することができる。その結果、基板処理装置のスループットを向上することができる。
【０００９】
また、上述の基板処理装置において、（１）前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、その基板を前記複数の処理層のうちの第１処理層に搬送し、（２）前記第１処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、（３）前記第２インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に搬送し、（４）前記第２処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、（５）前記第１インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第３処理層に搬送し、（６）前記第３処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、（７）前記第２インデクサブロックは、前記第３処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
【００１０】
各処理層は、基板の送り元であるインデクサブロックからその反対側のインデクサブロックに基板を送っている。基板搬送に用いられる基板載置部は、処理層とインデクサブロックとの間に設けられている。基板の送り元であるインデクサブロックに基板を戻す場合、送り用の基板載置部と、戻し用の基板載置部との２種類の基板載置部を一方のインデクサブロックの近くに設けなければいけない。これにより、送り用の基板載置部と戻し用の基板載置部の各々に載置できる基板Ｗの枚数も限られてくる。しかしながら、基板の送り元であるインデクサブロックからその反対側のインデクサブロックに基板を送ることで、基板載置部に載置できる基板の枚数を確保することができる。また、２つのインデクサブロックは交互に搬送するので２つのインデクサブロックは、キャリアに対する基板の出し入れのための基板搬送、および層間の基板搬送をほぼ均等に分担することができる。
【００１１】
また、上述の基板処理装置において、（１）前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、その基板を前記複数の処理層のうちの第１処理層に搬送し、（２）前記第１処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、（３）前記第２インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に搬送し、（４Ｂ）前記第２処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、（７Ｂ）前記第２インデクサブロックは、前記第２処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
【００１２】
第１処理層と第２処理層により所定の処理を順番に基板に行う構成において、２つのインデクサブロックは、キャリアに対する基板の出し入れのための基板搬送、および層間の基板搬送を分担することができる。
【００１３】
また、上述の基板処理装置において、（５Ｂ）前記第２インデクサブロックは、前記第２処理層で処理され、かつ搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第３処理層に搬送し、（６Ｂ）前記第３処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、（７）前記第２インデクサブロックは、前記第３処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
【００１４】
第１処理層と第２処理層と第３処理層により所定の処理を順番に基板に行う構成において、２つのインデクサブロックは、キャリアに対する基板の出し入れのための基板搬送、および層間の基板搬送を分担することができる。
【００１５】
また、上述の基板処理装置において、前記第２インデクサブロックは、更に、外部装置に対して基板の搬入および搬出を行うように構成されており、前記第２インデクサブロックは、前記（２）の後に、前記第１処理層で処理された基板を前記外部装置に搬出し、前記（３）に代えて、前記第２インデクサブロックは、前記外部装置により所定の処理が行われた基板を前記外部装置から搬入し、搬入した基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に送ることが好ましい。
【００１６】
第１処理層と第２処理層と外部装置により所定の処理を順番に基板に行う構成において、２つのインデクサブロックは、キャリアに対する基板の出し入れのための基板搬送、および層間の基板搬送を分担することができる。
【００１７】
また、上述の基板処理装置において、（１）前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、その基板を前記複数の処理層のうちの第１処理層に搬送し、（２Ｂ）前記第１処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、（３Ｂ）前記第１インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に搬送し、（４Ｂ）前記第２処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、（７Ｂ）前記第２インデクサブロックは、前記第２処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
【００１８】
第１処理層と第２処理層により所定の処理を順番に基板に行う構成において、２つのインデクサブロックは、キャリアに対する基板の出し入れのための基板搬送、および層間の基板搬送を分担することができる。
【００１９】
また、上述の基板処理装置において、（５Ｂ）前記第２インデクサブロックは、前記（４Ｂ）の後に、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第３処理層に搬送し、（６Ｂ）前記第３処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、前記（７Ｂ）に代えて、（７）前記第２インデクサブロックは、前記第３処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
【００２０】
第１処理層と第２処理層と第３処理層により所定の処理を順番に基板に行う構成において、２つのインデクサブロックは、キャリアに対する基板の出し入れのための基板搬送、および層間の基板搬送を均等に分担することができる。
【００２１】
また、上述の基板処理装置において、前記第２インデクサブロックは、更に、外部装置に対して基板の搬入および搬出を行うように構成されており、前記第２インデクサブロックは、前記（４Ｂ）の後に、前記第２処理層で処理された基板を前記外部装置に搬出し、前記（５Ｂ）に代えて、前記第２インデクサブロックは、前記外部装置により所定の処理が行われた基板を前記外部装置から搬入し、搬入した基板を前記複数の処理層のうちの第３処理層に送ることが好ましい。
【００２２】
第１処理層、第２処理層、第３処理層および外部装置により所定の処理を順番に基板に行う構成において、２つのインデクサブロックは、キャリアに対する基板の出し入れのための基板搬送、および層間の基板搬送を分担することができる。
【００２３】
また、上述の基板処理装置において、（１）前記第１インデクサブロックは、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、その基板を前記複数の処理層のうちの第１処理層に搬送し、（２Ｂ）前記第１処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、（３Ｂ）前記第１インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に搬送し、（４）前記第２処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、（５）前記第１インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第３処理層に搬送し、（６）前記第３処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、（７）前記第２インデクサブロックは、前記第３処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
【００２４】
第１処理層と第２処理層と第３処理層により所定の処理を順番に基板に行う構成において、２つのインデクサブロックは、キャリアに対する基板の出し入れのための基板搬送、および層間の基板搬送を分担することができる。
【００２５】
また、上述の基板処理装置において、前記第２インデクサブロックは、更に、外部装置に対して基板の搬入および搬出を行うように構成されており、（１Ｂ）前記第２インデクサブロックは、前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、その基板を前記複数の処理層のうちの第１処理層に搬送し、（２）前記第１処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、前記第２インデクサブロックは、前記第１処理層で処理された基板を前記外部装置に搬出し、前記第２インデクサブロックは、前記外部装置により所定の処理が行われた基板を前記外部装置から搬入し、搬入した基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に搬送し、（４）前記第２処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、（７Ｃ）前記第１インデクサブロックは、前記第２処理層で処理された基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
【００２６】
第１処理層と第２処理層と外部装置により所定の処理を順番に基板に行う構成において、２つのインデクサブロックは、キャリアに対する基板の出し入れのための基板搬送、および層間の基板搬送を分担することができる。
【００２７】
また、上述の基板処理装置において、前記第２インデクサブロックは、更に、外部装置に対して基板の搬入および搬出を行うように構成されており、（１Ｂ）前記第２インデクサブロックは、前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、その基板を前記複数の処理層のうちの第１処理層に搬送し、（２Ｂ）前記第１処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、（３Ｂ）前記第１インデクサブロックは、搬送された基板を前記複数の処理層のうちの第２処理層に搬送し、（４Ｂ）前記第２処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第２インデクサブロックに搬送し、前記第２インデクサブロックは、前記第２処理層で処理された基板を前記外部装置に搬出し、前記第２インデクサブロックは、前記外部装置により所定の処理が行われた基板を前記外部装置から搬入し、搬入した基板を前記複数の処理層のうちの第３処理層に搬送し、（６Ｂ）前記第３処理層は、搬送された基板に所定の処理を行って、その基板を前記第１インデクサブロックに搬送し、（７Ｄ）前記第１インデクサブロックは、前記第３処理層で処理された基板を前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻すことが好ましい。
【００２８】
第１処理層、第２処理層、第３処理層および外部装置により所定の処理を順番に基板に行う構成において、２つのインデクサブロックは交互に搬送するので、２つのインデクサブロックは、キャリアに対して基板の出し入れの基板搬送、および層間の基板搬送を分担することができる。また、基板の送り元であるインデクサブロックからその反対側のインデクサブロックに基板を送ることで、基板載置部に載置できる基板の枚数を確保することができる。
【００２９】
また、上述の基板処理装置は、前記第１キャリア載置台と前記第２キャリア載置台との間で前記キャリアを搬送するキャリア搬送機構を更に備えていることが好ましい。例えば、第１キャリア載置台に載置されたキャリアから全ての基板が取り出された場合、キャリア搬送機構は、そのキャリアに基板を戻すため、第１キャリア載置台に載置されたキャリアを第２キャリア載置台に搬送することができる。
【００３０】
また、上述の基板処理装置において、前記キャリア搬送機構は、前記単一の処理ブロックの上に搭載されていることが好ましい。従来、キャリア搬送機構は、インデクサブロックに対して水平方向に配置されていた。本発明によれば、キャリア搬送機構は、第１処理ブロックおよび第２処理ブロックの上に設けられている。そのため、インデクサブロックに対して水平方向に配置していた従来のキャリア搬送機構の設置面積を削減することができる。すなわち、基板処理装置のフットプリントを削減することができる。
【００３１】
また、本発明に係る基板搬送方法は、複数の基板を収納することが可能なキャリアを載置するための第１キャリア載置台が設けられた第１インデクサブロックと、前記第１インデクサブロックに連結し、複数の処理層が上下方向に配置された単一の処理ブロックと、前記単一の処理ブロックと連結し、前記キャリアを載置するための第２キャリア載置台が設けられた第２インデクサブロックと、を備えた基板処理装置の基板搬送方法において、前記第１インデクサブロックにより、前記第１キャリア載置台に載置された前記キャリアから基板を取り出して、取り出した基板を前記複数の処理層のいずれかに搬送する工程と、前記複数の処理層の各々により、送られた基板に対して所定の処理を行い、その基板を第２インデクサブロックに搬送する工程と、前記第２インデクサブロックにより、前記処理層で処理された基板を前記第２キャリア載置台に載置された前記キャリアに戻す工程と、を備えていることを特徴とするものである。
【００３２】
本発明に係る基板搬送方法によれば、第１インデクサブロックは、第１キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出して、取り出した基板を複数の処理層のいずれかに送っている。また、第２インデクサブロックは、処理層から送られた基板を第２キャリア載置台に載置されたキャリアに戻している。これにより、第１インデクサブロックは、上下方向に配置された複数の処理層に多くの基板をより速く搬送することができる。また、同時に、第２インデクサブロックは、上下方向に配置された複数の処理層から送られた多くの基板をより速くキャリアに搬送することができる。その結果、基板処理装置のスループットを向上することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明に係る基板処理装置および基板搬送方法によれば、スループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】実施例１に係る基板処理装置の縦断面図である。
【図２】実施例１に係る基板処理装置の横断面図である。
【図３】実施例１に係る基板処理装置の右側面図である。
【図４】実施例１に係る基板処理装置の左側面の一部を示す図である。
【図５】キャリア搬送機構を示す図である。
【図６】キャリアバッファ装置を示す平面図である。
【図７】従来の基板処理装置の動作を説明するための図である。
【図８】実施例１に係る基板処理装置の動作を説明するための図である。
【図９】実施例２に係る基板処理装置の右側面図であって、その動作を説明するための図である。
【図１０】実施例２の変形例に係る基板処理装置の動作を説明するための図である。
【図１１】実施例３に係る基板処理装置の右側面図であって、その動作を説明するための図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、実施例３の変形例に係る基板処理装置の動作を説明するための図である。
【図１３】実施例４に係る基板処理装置の縦断面図である。
【図１４】実施例４に係る基板処理装置の横断面図である。
【図１５】実施例４に係る基板処理装置の右側面図であって、その動作を説明するための図である。
【図１６】実施例４に係る基板処理装置の左側面の一部を示す図である。
【図１７】（ａ）、（ｂ）は、実施例４の変形例に係る基板処理装置の動作を説明するための図である。
【図１８】実施例５に係る基板処理装置の右側面図であって、その動作を説明するための図である。
【図１９】実施例５に係る基板処理装置の動作を説明するための図である。
【図２０】洗浄装置を示す図である。
【図２１】変形例に係る基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。
【図２２】（ａ）〜（ｃ）は、変形例に係る基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。
【図２３】（ａ）〜（ｃ）は、変形例に係る基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。
【図２４】（ａ）〜（ｃ）は、変形例に係る基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。
【図２５】（ａ）、（ｂ）は、変形例に係る基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。
【図２６】変形例に係る第1インデクサブロックを示す横断面図である。
【図２７】変形例に係る第2インデクサブロックを示す横断面図である。
【図２８】変形例に係る基板処理装置を示す横断面図である。
【実施例１】
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。以下の説明において、回路パターン等の各種パターンが形成される基板の面を表面と呼び、その反対側の面を裏面と呼ぶ。また、下方に向けられた基板の面を下面と呼び、上方に向けられた基板の面を上面と呼ぶ。
【００３６】
図１は、実施例１に係る基板処理装置１の縦断面図である。図２は基板処理装置１の横断面図である。図３は基板処理装置１の右側面図である。図４は、基板処理装置１の左側面の一部を示す図である。
【００３７】
図１、図２を参照する。基板処理装置１は、第１インデクサブロック（以下適宜、「第１のＩＤブロック」と呼ぶ）２、単一の処理ブロック３、および第２インデクサブロック（以下適宜、「第２のＩＤブロック」と呼ぶ）４、およびキャリアバッファ装置８を備えている。第１のＩＤブロック２、処理ブロック３および第２のＩＤブロック４は、直線状に一列で配置されている。
【００３８】
〔第１インデクサブロック２の構成〕
第１のＩＤブロック２は、２つのオープナ９，１０（図２、図６参照）と、２つの基板搬送機構（ロボット）ＴＭ１，ＴＭ２とを備えている。第１のＩＤブロック２に設けられた２つのオープナ（キャリア載置部）９，１０は各々、キャリアＣを載置する。
【００３９】
キャリアＣは、水平姿勢の複数（例えば２５枚）の基板Ｗを収納することが可能である。キャリアＣは、例えばフープ（ＦＯＵＰ：Front Open Unified Pod）が用いられるが、フープ以外の容器（例えばＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド）であってもよい。キャリアＣは、例えば、基板Ｗを出し入れするための開口部を有し、基板Ｗが収納されるキャリア本体と、キャリア本体の開口部を塞ぐための蓋部とを有する。
【００４０】
各オープナ９，１０は、キャリアＣが載置される載置台１３と、基板Ｗを通すための開口部１４と、開口部１４の開閉を行うと共にキャリア本体に対して蓋部の着脱を行うシャッタ部材（図示しない）と、シャッタ部材を駆動させるシャッタ部材駆動機構（図示しない）とを備えている。シャッタ部材駆動機構は、電動モータを備えている。なお、シャッタ部材は、キャリア本体から蓋部を外した後、例えば下方向あるいは、開口部１４に沿って水平方向（Ｙ方向）に移動される。
【００４１】
載置台１３は、処理ブロック３の屋上に設けられている。図１に示すように、載置台１３は、処理ブロック３よりも高い位置に、すなわち、処理ブロック３の上方に設けられている。載置台１３は、処理ブロック３上、すなわち、処理ブロック３の上面に接して設けられていてもよい。なお、載置台１３は、本発明の第１キャリア載置台に相当する。
【００４２】
２つの基板搬送機構ＴＭ１，ＴＭ２は各々、２つのハンド２１、進退駆動部２３および昇降回転駆動部２５を備えている。２つのハンド２１は各々、基板Ｗを保持する。また、２つのハンド２１は各々、進退駆動部２３に移動可能に取り付けられている。進退駆動部３３は、２つのハンド３１の両方を同時にキャリアＣ内に進入することができる。また、進退駆動部３３は、２つのハンド３１を個々に進退することができる。そのため、進退駆動部３３は、２つのハンド３１の一方をキャリアＣ内に進入することができる。
【００４３】
昇降回転駆動部２５は、進退駆動部２３を昇降および回転させることで、２つのハンド２１を昇降および回転させる。すなわち、昇降回転駆動部２５は、進退駆動部２３を上下方向（Ｚ方向）に移動することができると共に、進退駆動部２３を垂直軸ＡＸ１周りに回転させることができる。進退駆動部２３および昇降回転駆動部２５は各々、電動モータを備えている。なお、２つの基板搬送機構ＴＭ１，ＴＭ２は各々、水平方向（特にＹ方向）に移動できないように、第１のＩＤブロック２の床部に固定されている。
【００４４】
第１のＩＤブロック２と、後述する６つの処理層３Ａ〜３Ｆとの間には、６つの基板載置部ＰＳ１Ａ〜ＰＳ６Ａが設けられている。６つの基板載置部ＰＳ１Ａ〜ＰＳ６Ａおよび、後述する例えば６つの基板載置部ＰＳ１Ｂ〜ＰＳ６Ｂなどの基板載置部は、１枚または複数枚の基板Ｗを載置することができるように構成されている。第１基板搬送機構ＴＭ１は、オープナ９に載置されたキャリアＣ、および６つの基板載置部ＰＳ１Ａ〜ＰＳ６Ａの間で、基板Ｗを搬送できる。第２基板搬送機構ＴＭ２は、オープナ１０に載置されたキャリアＣ、および６つの基板載置部ＰＳ１Ａ〜ＰＳ６Ａの間で、基板Ｗを搬送できる。なお、第１基板搬送機構ＴＭ１は、オープナ１０に載置されたキャリアＣに対して基板Ｗの取り出しおよび収納を行うことができない。また、第２基板搬送機構ＴＭ２は、オープナ９に載置されたキャリアＣに対して基板Ｗの取り出しおよび収納を行うことができない。
【００４５】
〔処理ブロック３の構成〕
処理ブロック３は、第１のＩＤブロック２および第２のＩＤブロック４に連結する。すなわち、処理ブロック３は、２つのＩＤブロック２，４の間に配置されている。処理ブロック３は、基板Ｗに対して塗布処理を行う。
【００４６】
処理ブロック３は、６つの処理層３Ａ〜３Ｆを備えている。６つの処理層３Ａ〜３Ｆは、上下方向（Ｚ方向）に積層されて配置されている。６つの処理層３Ａ〜３Ｆは各々、単一の第３基板搬送機構ＴＭ３、搬送スペース２７、液処理部２８および熱処理部２９を備えている。６つの処理層３Ａ〜３Ｆは、同様に構成されている。
【００４７】
第３基板搬送機構ＴＭ３は、各処理層３Ａ〜３Ｆにおいて、基板Ｗを搬送するためのものである。第３基板搬送機構ＴＭ３は、２つのハンド３１、進退駆動部３２、回転駆動部３３、第１移動機構３４および第２移動機構３５を備えている。
【００４８】
２つのハンド３１は各々、基板Ｗを保持する。２つのハンド３１は各々、進退駆動部３２に移動可能に取り付けられている。進退駆動部３２は、２つのハンド３１を個々に進退させる。回転駆動部３３は、進退駆動部３２を垂直軸ＡＸ２周りに回転させる。これにより、２つのハンド３１の向きを変えることができる。第１移動機構３４は、回転駆動部３３を図１の前後方向（Ｘ方向）に移動させる。これにより、進退駆動部３２をＸ方向に移動させることができる。第２移動機構３５は、第１移動機構３４を上下方向（Ｚ方向）に移動させる。これにより、進退駆動部３２をＺ方向に移動させることができる。
【００４９】
なお、進退駆動部３２、回転駆動部３３、第１移動機構３４および第２移動機構３５は各々、電動モータを備えている。
【００５０】
第３基板搬送機構ＴＭ３は、図２に示すように、搬送スペース２７に設けられている。搬送スペース２７は、水平方向（Ｘ方向）に直線状に延びるように構成されている。液処理部２８と熱処理部２９は、搬送スペース２７を挟むように配置されている。
【００５１】
図３は、処理ブロック３の液処理部２８の配置を示す右側面図である。６つの塗布処理層３Ａ，３Ｂは各々、４つの液処理部２８を備えている。この４つの液処理部２８は、水平方向に４列かつ上下方向に１段の４列×１段で配置されている。４つの液処理部２８のうち、第１のＩＤブロック２側の２つの液処理部２８は、塗布ユニットＢＡＲＣである。また、第２のＩＤブロック４側の２つの液処理部２８は、塗布ユニットＲＥＳＩＳＴである。塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗに反射防止膜を形成するものである。塗布ユニットＲＥＳＩＳＴは、基板Ｗにフォトレジストなどのレジスト膜を形成するものである。
【００５２】
図２に示すように、液処理部２８は、保持回転部３７、ノズル３８およびノズル移動機構３９を備えている。保持回転部３７は、例えば真空吸着で基板Ｗの下面を保持して、保持した基板Ｗを垂直軸（Ｚ方向）周りに回転させるものである。回転は、例えば電動モータによって行われる。ノズル３８は、基板Ｗに塗布液（例えば反射防止膜形成用の液またはフォトレジスト液）を供給するものである。ノズル移動機構３９は、ノズル３８を任意の位置に移動させるものである。ノズル移動機構３９は、例えば電動モータを備えている。
【００５３】
図４は、処理ブロック３の熱処理部２９の配置を示す左側面の一部を示す図である。各処理層３Ａ〜３Ｆは、複数の熱処理部２９を備えている。熱処理部２９は、熱処理を行うものであり、基板Ｗが載置されるプレート４１（図２参照）を備えている。プレート４１の加熱は、例えばヒータにより行われ、プレート４１の冷却は、例えば水冷式の機構により行われる。
【００５４】
６つの処理層３Ａ〜３Ｆにおいて、熱処理部２９は、５列×３段で配置できるように構成されている。図４において、６つの処理層３Ａ〜３Ｆは各々、１４個の熱処理部２９を備えている。すなわち、６つの処理層３Ａ〜３Ｆは各々、３つの密着強化処理部ＰＡＨＰと、２つの冷却部ＣＰと、９つの加熱冷却部ＰＨＰとを備えている。なお、例えば処理ブロック３において、液処理部２８および熱処理部２９その他の処理ユニットの個数および種類は、適宜変更される。例えば、処理ユニットは、基板Ｗの周縁部の露光処理を行うエッジ露光部ＥＥＷを備えていてもよい。
【００５５】
密着強化処理部ＰＡＨＰは、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等の密着強化剤を基板Ｗに塗布して加熱することで、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるものである。密着強化処理部ＰＡＨＰは、加熱後に基板Ｗを冷却する機能も有している。冷却部ＣＰは、基板Ｗを冷却する。加熱冷却部ＰＨＰは、加熱処理と冷却処理をこの順番で続けて行う。
【００５６】
〔第２インデクサブロック４の構成〕
第２のＩＤブロック４は、処理ブロック３に連結する。第２のＩＤブロック４は、２つのオープナ４５，４６（図６参照）および２つの基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５を備えている。第２のＩＤブロック４に設けられた２つのオープナ４５，４６は各々、複数の基板Ｗを収納することが可能なキャリアＣが配置される。
【００５７】
各オープナ４５，４６は、オープナ９と同様に、キャリアＣが載置される載置台４７と、基板Ｗを通すための開口部４８と、開口部４８を開閉すると共にキャリア本体に対して蓋部の着脱を行うシャッタ部材（図示しない）と、シャッタ部材を駆動させるシャッタ部材駆動機構とを備えている。シャッタ部材駆動機構は電動モータを備えている。なお、シャッタ部材は、キャリア本体から蓋部を外した後、例えば下方向あるいは、開口部４８に沿って水平方向（Ｙ方向）に移動される。
【００５８】
載置台４７は、処理ブロック３の屋上に設けられている。図１において、載置台４７は、処理ブロック３よりも高い位置に、すなわち処理ブロック３の上方に設けられている。載置台４７は、塗布ブロック３上、すなわち、処理ブロック３に接して設けられていてもよい。なお、載置台４７は、本発明の第２キャリア載置台に相当する。
【００５９】
各基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５は、２つのハンド２１、進退駆動部２３および昇降回転駆動部２５を備えている。各基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５は、基板搬送機構ＴＭ１（ＴＭ２）と同様に構成されている。
【００６０】
６つの処理層３Ａ〜３Ｆと第２のＩＤブロック４との間には、６つの基板載置部ＰＳ１Ｂ〜ＰＳ６Ｂが設けられている。第４基板搬送機構ＴＭ４は、オープナ４５に載置されたキャリアＣ、および６つの基板載置部ＰＳ１Ｂ〜ＰＳ６Ｂの間で、基板Ｗを搬送できる。第５基板搬送機構ＴＭ５は、オープナ４６に載置されたキャリアＣ、および６つの基板載置部ＰＳ１Ｂ〜ＰＳ６Ｂの間で、基板Ｗを搬送できる。なお、第４基板搬送機構ＴＭ４は、オープナ４６に載置されたキャリアＣに対して基板Ｗの取り出しおよび収納を行うことができない。また、第５基板搬送機構ＴＭ５は、オープナ４５に載置されたキャリアＣに対して基板Ｗの取り出しおよび収納を行うことができない。
【００６１】
〔キャリアバッファ装置８〕
基板処理装置１は、例えば第１のＩＤブロック２、処理ブロック３および第２のＩＤブロック４上、またはそれらの上方にキャリアバッファ装置８を備えている。キャリアバッファ装置８は、キャリア搬送機構５１とキャリア保管棚５３（図６参照）とを備えている。
【００６２】
図５を参照する。図５は、キャリア搬送機構５１を示す図である。キャリア搬送機構５１は、２つの多関節アーム６１，６２を備えている。第１多関節アーム６１の一端には把持部６３が設けられ、第２多関節アーム６２の一端には把持部６４が設けられている。また、第１多関節アーム６１の他端は、支柱状の昇降駆動部６５に上下方向に移動可能に支持され、第２多関節アーム６２の他端は、昇降駆動部６５に上下方向に移動可能に支持されている。
【００６３】
２つの把持部６３，６４は各々、例えば、キャリアＣの上面に設けられた突起部を把持するように構成されている。２つの把持部６３，６４は各々、電動モータを備えている。
【００６４】
２つの多関節アーム６１，６２は各々、１つまたは２以上の電動モータを備えている。第１多関節アーム６１は、第１把持部６３を垂直軸ＡＸ３周りに３６０度回転駆動ができるように構成されている。第２多関節アーム６２は、第１多関節アーム６１と同様に構成されている。第１多関節アーム６１は、図６のオープナ１０，４６側のキャリアＣの搬送を担当し、第２多関節アーム６２は、図６のオープナ９，４５側のキャリアＣの搬送を担当する。
【００６５】
昇降駆動部６５は、２つの多関節アーム６１を個別に昇降できるように構成されている。昇降駆動部６５は、電動モータを備えている。昇降駆動部６５は、１つの多関節アームに対して、例えばベルトと複数のプーリを備えていてもよい。
【００６６】
前後駆動部６７は、昇降駆動部６５を支持する支持部６７Ａと、前後方向（Ｘ方向）に長手に延びる長手部６７Ｂと、電動モータ（図示しない）とを備えている。例えば、長手部６７Ｂがレール（ガイドレール）であり、支持部６７Ａが台車であってもよい。この場合、電動モータによって台車（支持部６７Ａ）がレール（長手部６７Ｂ）に沿って移動するように構成されていてもよい。
【００６７】
また、例えば電動モータと複数のプーリとベルトとガイドレールが長手部６７Ｂに内蔵され、支持部６７Ａがベルトに固定されていてもよい。この場合、電動モータによってプーリが回転し、複数のプーリに掛けられたベルトが移動することによって、ガイドレールに沿って支持部６７Ａを移動させるようにしてもよい。
【００６８】
図６を参照する。キャリア保管棚５３は、入力ポート７１、出力ポート７２、未処理基板キャリア棚７３、空キャリア棚７４および処理済基板キャリア棚７５を備えている。入力ポート７１は、未処理の基板Ｗが収納されたキャリアＣを外部搬送機構ＯＨＴ（Overhead Hoist Transport）から受け取るための棚である。外部搬送機構ＯＨＴは、工場内でキャリアＣを搬送するものである。未処理とは、処理ブロック３による処理が行われていないことを言う。入力ポート７１は、図１、図６に示すように、ＩＤブロック２上、すなわちＩＤブロック２の屋上に設けられている。ＩＤブロック２の上方には、外部搬送機構ＯＨＴのレール７７が設けられている。外部搬送機構ＯＨＴは、２つの入力ポート７１のいずれかにキャリアＣを搬送する。
【００６９】
また、図６において、未処理基板キャリア棚７３および処理済基板キャリア棚７５は、長手部６７Ｂに沿うように、基板処理装置１の長手方向に設けられている。未処理基板キャリア棚７３は、入力ポート７１に載置されたキャリアＣであって、２つの載置台１３にいずれにも搬送できなかった未処理の基板Ｗが収納されたキャリアＣを載置する。空キャリア棚７４は、載置台１３で基板Ｗが全て取り出されたキャリアＣであって、２つの載置台４７のいずれにも搬送できなかったキャリアＣを載置する。空キャリア棚７４は、第２のＩＤブロック４上、すなわち第２のＩＤブロック４の屋上に設けられている。処理済基板キャリア棚７５は、処理済の基板Ｗが収納されたキャリアＣであって、２つの出力ポート７２のいずれにも搬送できなかったキャリアＣを載置する。処理済とは、処理ブロック３による処理が行われていることを言う。
【００７０】
出力ポート７２は、処理済の基板Ｗが収納されたキャリアＣを外部搬送機構ＯＨＴに引き渡すための棚である。出力ポート７２は、図１、図６に示すように、ＩＤブロック２上、すなわちＩＤブロック２の屋上に設けられている。キャリア搬送機構５１は、各載置台１３，４７および各棚７１〜７５の間でキャリアＣを自在に移動することができる。
【００７１】
また、図１，図６に示すように、載置台１３および開口部１４（オープナ９，１０）は、処理ブロック３側に設けられ、載置台４７および開口部４８（オープナ４５，４６）は、処理ブロック３側に設けられている。すなわち、載置台１３および載置台４７が向かい合うように設けられている。これにより、載置台１３および載置台４７は、キャリア搬送機構５１に向いて設けられるので、キャリア搬送機構５１として搬送しやすくなる。また、例えば、従来のように、第１のＩＤブロック２を挟んで処理ブロック３の反対側（図６の矢印ＡＲ２参照）に載置台が設けられる場合は、載置台１３が突出する。しかし、載置台１３および載置台４７が向かい合うように設けられているので、載置台１３が突出することを抑えることができる。そのため、基板処理装置１のフットプリントを小さくすることができる。
【００７２】
なお、キャリア搬送機構５１は、２組の多関節アームおよび把持部を備えているが、１組または３組以上の多関節アームおよび把持部を備えていてもよい。また、昇降駆動部６５は、支持部６７Ａに対して垂直軸周りに回転駆動されるように構成されていてもよい。また、レール７７は、第１のＩＤブロック２の上方以外を通過してもよい。この場合、装置１の上方を通過する位置に入力ポート７１および出力ポート７２が設けられる。キャリア保管棚５３の個数および種類は適宜変更される。
【００７３】
また、基板処理装置１は、図２に示すように、１つまたは複数の制御部７９と、操作部８０とを備えている。制御部７９は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）を備えている。制御部７９は、基板処理装置１の各構成を制御する。操作部８０は、表示部（例えば液晶モニタ）、記憶部および入力部を備えている。記憶部は、例えば、ＲＯＭ（Read-Only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスクの少なくとも１つを備えている。入力部は、キーボード、マウス、タッチパネルおよび各種ボタンの少なくとも１つを備えている。記憶部には、基板処理の各種条件および基板処理装置１の制御に必要な動作プログラム等が記憶されている。
【００７４】
＜基板処理装置１の動作＞
次に、基板処理装置１の動作を説明する。なお、基板処理装置１において行われる複数の処理工程は一例であり、操作者によって必要な工程が選択される。図１を参照する。外部搬送機構ＯＨＴは、第１のＩＤブロック２上に設けられた入力ポート７１にキャリアＣを搬送する。キャリア搬送機構５１は、入力ポート７１から例えばオープナ９の載置台１３にキャリアＣを搬送する。オープナ９のシャッタ部は、キャリアＣの蓋部を外して蓋部を保持しつつ、開口部１４を開放する。
【００７５】
〔ステップＳ０１〕第１のＩＤブロック２
第１のＩＤブロック２は、２つのオープナ９，１０のいずれかの載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを６つの処理層３Ａ〜３Ｆのいずれかに送る。例えば、第１基板搬送機構ＴＭ１は、オープナ９の載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。第１基板搬送機構ＴＭ１は、取り出した基板Ｗを例えば基板載置部ＰＳ１Ａに搬送する。また、第１基板搬送機構ＴＭ１は、取り出した基板Ｗを、例えば処理層３Ａ〜３Ｆにほぼ均等に搬送する。なお、第２基板搬送機構ＴＭ２は、オープナ１０の載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。
【００７６】
なお、キャリアＣから全ての基板Ｗが取り出されたときは、オープナ９は、そのキャリアＣに蓋を取り付けつつ、シャッタ部で開口部１４を閉じる。その後、キャリア搬送機構５１は、基板Ｗが取り出されて空になったキャリアＣを、未処理の基板Ｗが収納された他のキャリアＣに置き換える。そして、空になったキャリアＣを例えばオープナ４５の載置台４７に搬送する。空になったキャリアＣをオープナ４５，４６のいずれにも搬送できないときは、キャリア搬送機構５１は、空になったキャリアＣを空キャリア棚７４に搬送する。
【００７７】
〔ステップＳ０２〕処理ブロック３
処理ブロック３の各処理層３Ａ〜３Ｆは、送られた基板Ｗに対して塗布処理を行い、塗布処理が行われた基板Ｗを第２のＩＤブロック４に送る。具体的に説明する。
【００７８】
例えば、処理ブロック３の処理層３Ａにおいて、第３基板搬送機構ＴＭ３は、基板載置部ＰＳ１Ａから基板Ｗを受け取る。第３基板搬送機構ＴＭ３は、受け取った基板Ｗを、図３または図４に示す密着強化処理部ＰＡＨＰ、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＢＡＲＣの順番に搬送する。その後、第３基板搬送機構ＴＭ３は、塗布ユニットＢＡＲＣで反射防止膜が形成された基板Ｗを、加熱冷却部ＰＨＰ、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＲＥＳＩＳＴ、加熱冷却部ＰＨＰの順に搬送する。第３基板搬送機構ＴＭ３は、塗布ユニットＲＥＳＩＳＴでレジスト膜が形成された基板Ｗを基板載置部ＰＳ１Ｂに搬送する。なお、処理層３Ｂ〜３Ｆは、処理層３Ａと同様に、送られた基板Ｗに対して塗布処理を行う。なお、密着強化処理部ＰＡＨＰによる工程は省略されてもよい。
【００７９】
〔ステップＳ０３〕第２のＩＤブロック４
第２のＩＤブロック４は、処理層３Ａ〜３Ｆのいずれかで処理された基板Ｗを、２つのオープナ４５，４６のいずれかの載置台４７に載置されたキャリアＣに戻す。具体的に説明する。載置台４７のキャリアＣは、オープナ４５によって、開口部４８が開放された状態となっている。第４基板搬送機構ＴＭ４は、基板載置部ＰＳ１Ｂから基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗをオープナ４５の載置台４７に載置されたキャリアＣに戻す。なお、基板Ｗは、塗布処理が行われる前に収納されていたキャリアＣに戻される。つまり、基板Ｗは元のキャリアＣに戻される。また、オープナ４６の載置台４７に載置されたキャリアＣに基板Ｗを戻す場合は、第５基板搬送機構ＴＭ５が用いられる。
【００８０】
キャリアＣに処理済の基板Ｗが全て収納された後、オープナ４５は、キャリアＣに蓋部を取り付けながら、開口部４８を閉じる。キャリア搬送機構５１は、処理済の基板Ｗが収納されたキャリアＣをオープナ４５の載置台４７から出力ポート７２に搬送する。その後、外部搬送機構ＯＨＴは、出力ポート７２から次の目的地にキャリアＣを搬送する。
【００８１】
本実施例の効果を説明する。図７は、従来の基板処理装置の動作を説明するための図である。図８は、処理ブロック３が単一の処理層を有する場合の動作を説明するための図である。図７において、従来の基板処理装置１０１のＩＤブロック１０２による基板搬送工程は、送り工程と戻し工程を備えている。送り工程は、キャリア載置台１１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを処理ブロック１０３に搬送する工程である。また、戻し工程は、処理ブロック１０３で処理された基板Ｗを処理ブロック１０３から受け取って、受け取った基板Ｗを上述のキャリア載置台１１３に載置されたキャリアＣに戻す工程である。
【００８２】
本実施例によれば、第１のＩＤブロック２は、載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを６つの処理層３Ａ〜３Ｆ（図１参照）のいずれかに送っている（送り工程）。また、第２のＩＤブロック４は、６つの処理層３Ａ〜３Ｆの各々から送られた基板Ｗを載置台４７に載置されたキャリアＣに戻している（戻し工程）。すなわち、２つのＩＤブロック２，４は、図８に示すように、キャリアＣに対する基板Ｗの出し入れのための基板搬送（送り工程と戻し工程）を分担している。これにより、第１のＩＤブロック２は、上下方向に配置された６つの処理層３Ａ〜３Ｆ（図１参照）に多くの基板Ｗをより速く搬送することができる。また、同時に、第２のＩＤブロック４は、上下方向に配置された６つの処理層３Ａ〜３Ｆから送られた多くの基板Ｗをより速くキャリアＣに搬送することができる。その結果、基板処理装置１のスループットを向上することができる。
【００８３】
また、基板処理装置１は、図１に示すように、載置台１３と載置台４７との間でキャリアＣを搬送するキャリア搬送機構５１を備えている。例えば、載置台１３に載置されたキャリアＣから全ての基板Ｗが取り出された場合、キャリア搬送機構５１は、そのキャリアＣに基板Ｗを戻すため、載置台１３に載置されたキャリアＣを載置台４７に搬送することができる。
【００８４】
また、キャリア搬送機構５１は、単一の処理ブロック３の上に搭載されている。従来、キャリア搬送機構は、第１のＩＤブロック２に対して水平方向に配置されていた。本発明によれば、キャリア搬送機構５１は、第１処理ブロック３の上に搭載されている。そのため、第１のＩＤブロック２に対して水平方向に配置していた従来のキャリア搬送機構の設置面積を削減することができる。すなわち、基板処理装置１のフットプリントを削減することができる。
【００８５】
また、基板処理装置１は、第１のＩＤブロック２、処理ブロック３および第２のＩＤブロック４の上に搭載されたキャリア保管棚５３を備えている。キャリア搬送機構５１は、載置台１３、載置台４７およびキャリア保管棚５３の間でキャリアＣを搬送する。従来、キャリア保管棚５３は、第１のＩＤブロック２に対して水平方向に設けられていた。本発明によれば、キャリア保管棚５３は、例えば、処理ブロック３の上に搭載されている。そのため、第１のＩＤブロック２に対して水平方向に設けられていた従来のキャリア保管棚の設置面積を削減することができる。すなわち、基板処理装置１のフットプリントを削減することができる。
【実施例２】
【００８６】
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。
【００８７】
実施例１では、６つの処理層３Ａ〜３Ｆは各々、基板Ｗに対して反射防止膜を形成した後に、レジスト膜を形成した。すなわち、６つの処理層３Ａ〜３Ｆは互いに同じ塗布処理を行っていた。これに対し、実施例２では、１つの処理層は、基板Ｗに対して第１塗布処理を行い、他の１つの処理層は、第１塗布処理が行われた基板Ｗに対して第２塗布処理を行ってもよい。
【００８８】
図９は、実施例２に係る処理ブロック３の液処理部２８の配置を示す右側面図である。処理ブロック３において、下側の３つの処理層３Ａ〜３Ｃは、反射防止膜を形成する第１塗布処理を行い、上側の３つの処理層３Ｄ〜３Ｆは、レジスト膜を形成する第２塗布処理を行う。
【００８９】
なお、図９において、第２のＩＤブロック４と３つの処理層３Ｄ〜３Ｆとの間には、送り用の基板載置部ＰＳ４Ｂ〜ＰＳ６Ｂおよび戻り用の基板載置部ＰＳ４Ｄ〜ＰＳ６Ｄが設けられている。
【００９０】
＜基板処理装置１の動作＞
次に、本実施例の基板処理装置１の動作を説明する。図９を参照する。
【００９１】
〔ステップＳ１１〕第１のＩＤブロック２
第１のＩＤブロック２は、２つのオープナ９，１０のいずれかの載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを３つの処理層３Ａ〜３Ｃのいずれかに送る。例えば、第１基板搬送機構ＴＭ１は、オープナ９の載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。第１基板搬送機構ＴＭ１は、取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＳ１Ａに搬送する。また、第１基板搬送機構ＴＭ１は、取り出した基板Ｗを、例えば処理層３Ａ〜３Ｃにほぼ均等に搬送する。
【００９２】
なお、第１基板搬送機構ＴＭ１によりオープナ９のキャリアＣから全ての基板Ｗが取り出されると、キャリア搬送機構５１は、空になったキャリアＣを例えばオープナ４５の載置台４７に搬送する（図９に示す載置台１３のキャリアＣと載置台４７のキャリアＣとの間の破線の矢印参照）。
【００９３】
〔ステップＳ１２〕処理ブロック３の処理層３Ａ〜３Ｃ（第１塗布処理）
処理ブロック３の各処理層３Ａ〜３Ｃは、送られた基板Ｗに対して第１塗布処理（例えば反射防止膜の形成）を行い、第１塗布処理が行われた基板Ｗを第２のＩＤブロック４に送る。具体的に説明する。
【００９４】
例えば、処理ブロック３の処理層３Ａにおいて、図１に示す第３基板搬送機構ＴＭ３は、基板載置部ＰＳ１Ａから基板Ｗを受け取る。第３基板搬送機構ＴＭ３は、受け取った基板Ｗを、密着強化処理部ＰＡＨＰ、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＢＡＲＣの順番に搬送する。塗布ユニットＢＡＲＣにおいて、基板Ｗには反射防止膜が形成される。第３基板搬送機構ＴＭ３は、塗布ユニットＢＡＲＣで反射防止膜が形成された基板Ｗを基板載置部ＰＳ１Ｂに搬送する。
【００９５】
〔ステップＳ１３〕第２のＩＤブロック４
第２のＩＤブロック４は、処理層３Ａで処理された基板Ｗを処理層３Ａから、第２塗布処理を行う処理層３Ｄに送る。すなわち、２つの基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５の一方は、図９に示す基板載置部ＰＳ１Ｂから基板載置部ＰＳ４Ｂに基板Ｗを搬送する。なお、処理層３Ｂで第１塗布処理された基板Ｗは、処理層３Ｅに送られる。処理層３Ｃで第１塗布処理された基板Ｗは、処理層３Ｆに送られる。
【００９６】
〔ステップＳ１４〕処理ブロック３の処理層３Ｄ〜３Ｆ（第２塗布処理）
処理ブロック３の各処理層３Ｄ〜３Ｆは、送られた基板Ｗに対して第２塗布処理（例えばレジスト膜の形成）を行い、第２塗布処理が行われた基板Ｗを第２のＩＤブロック４に戻す。具体的に説明する。
【００９７】
処理ブロック３の処理層３Ｄにおいて、図１に示す第３基板搬送機構ＴＭ３は、基板載置部ＰＳ４Ｂから基板Ｗを受け取る。第３基板搬送機構ＴＭ３は、図４、図９に示すように、受け取った基板Ｗを、加熱冷却部ＰＨＰ、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＲＥＳＩＳＴ、加熱冷却部ＰＨＰの順に搬送する。第３基板搬送機構ＴＭ３は、塗布ユニットＲＥＳＩＳＴでレジスト膜が形成された基板Ｗを基板載置部ＰＳ４Ｄに送る。なお、処理層３Ｅ，３Ｆは、処理層３Ｄと同様に、送られた基板Ｗに対して塗布処理を行う。
【００９８】
〔ステップＳ１５〕第２のＩＤブロック４
第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｄ〜３Ｆのいずれかで処理された基板Ｗを、２つのオープナ４５，４６のいずれかの載置台４７に載置されたキャリアＣに戻す。具体的に説明する。載置台４７のキャリアＣは、オープナ４５によって、開口部４８が開放された状態となっている。第４基板搬送機構ＴＭ４は、基板載置部ＰＳ１Ｂから基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗをオープナ４５の載置台４７に載置されたキャリアＣに戻す。なお、基板Ｗは、塗布処理が行われる前に収納されていたキャリアＣに戻される。また、オープナ４６の載置台４７に載置されたキャリアＣに基板Ｗを戻す場合は、第５基板搬送機構ＴＭ５が用いられる。
【００９９】
＜他の動作例＞
なお、図９に示す処理ブロック３は、図１０に示すように動作させることも可能である。図１０において、第１のＩＤブロック２と３つの処理層３Ａ〜３Ｃとの間には、送り用の基板載置部ＰＳ１Ａ〜ＰＳ３Ａ、および戻り用の基板載置部ＰＳ１Ｃ〜ＰＳ３Ｃが設けられている。
【０１００】
第１のＩＤブロック２は、２つのオープナ９，１０のいずれかの載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを３つの処理層３Ａ〜３Ｃのいずれかに送る。処理ブロック３の各処理層３Ａ〜３Ｃは、送られた基板Ｗに対して第１塗布処理（例えば反射防止膜の形成）を行い、第１塗布処理が行われた基板Ｗを第１のＩＤブロック２に戻す。例えば、処理層３Ａにおいて、第３基板搬送機構ＴＭ３は、基板載置部ＰＳ１Ａから基板Ｗを受け取り、第１塗布処理が行われた後、第１塗布処理が行われた基板Ｗを基板載置部ＰＳ１Ｃに送る。
【０１０１】
第１のＩＤブロック２は、処理層３Ａで処理された基板Ｗを処理層３Ａから、第２塗布処理を行う処理層３Ｄに送る。処理ブロック３の各処理層３Ｄ〜３Ｆは、送られた基板Ｗに対して第２塗布処理（例えばレジスト膜の形成）を行い、第２塗布処理が行われた基板Ｗを第２のＩＤブロック４に送る。第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｄ〜３Ｆのいずれかで処理された基板Ｗを、２つのオープナ４５，４６のいずれかの載置台４７に載置されたキャリアＣに戻す。
【０１０２】
本実施例によれば、例えば処理層３Ａと処理層３Ｄにより互いに異なる塗布処理を順番に基板Ｗに対して行う構成において、２つのＩＤブロック２，４は、キャリアＣに対する基板Ｗの出し入れの基板搬送、および層間の基板搬送を分担することができる。
【実施例３】
【０１０３】
次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１，２と重複する説明は省略する。
【０１０４】
実施例１では、６つの処理層３Ａ〜３Ｆは各々、基板Ｗに対して反射防止膜を形成した後に、レジスト膜を形成した。すなわち、６つの処理層３Ａ〜３Ｆは互いに同じ塗布処理を行っていた。これに対し、実施例２では、１つの処理層は、基板Ｗに対して第１塗布処理を行い、他の１つの処理層は、第１塗布処理が行われた基板Ｗに対して第２塗布処理を行ってもよい。また、他の１つの処理層は、第２塗布処理が行われた基板Ｗに対して第３塗布処理を行ってもよい。
【０１０５】
図１１は、実施例３に係る処理ブロック３の液処理部２８の配置を示す右側面図である。処理ブロック３において、下側の２つの処理層３Ａ，３Ｂは、反射防止膜を形成する第１塗布処理を行い、中間の２つの処理層３Ｃ，３Ｄは、レジスト膜を形成する第２塗布処理を行う。そして、上側の２つの処理層３Ｅ、３Ｆは、レジストカバー膜を形成する第３塗布処理を行う。レジストカバー膜を形成するための塗布ユニットは、例えば、保持回転部３７、ノズル３８およびノズル移動機構３９を備えている（図２参照）。レジストカバー膜は、例えば撥水性を有する膜である。なお、第１塗布処理、第２塗布処理および第３塗布処理は、次のような膜を形成するものであってもよい。すなわち、第１塗布処理は、下層膜（ＳＯＣ）を形成し、第２塗布処理は、中間膜（ＳＯＧ）を形成し、第３塗布は、レジスト膜を形成する。
【０１０６】
＜基板処理装置１の動作＞
次に、本実施例の基板処理装置１の動作を説明する。図１１を参照する。
【０１０７】
〔ステップＳ２１〕第１のＩＤブロック２
第１のＩＤブロック２は、２つのオープナ９，１０（図６参照）のいずれかの載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを２つの処理層３Ａ，３Ｂのいずれかに送る。例えば、第１基板搬送機構ＴＭ１は、オープナ９の載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出す。第１基板搬送機構ＴＭ１は、取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＳ１Ａに搬送する。
【０１０８】
〔ステップＳ２２〕処理ブロック３の処理層３Ａ，３Ｂ（第１塗布処理）
処理ブロック３の各処理層３Ａ，３Ｂは、送られた基板Ｗに対して第１塗布処理（例えば反射防止膜の形成）を行い、第１塗布処理が行われた基板Ｗを第２のＩＤブロック４に送る。例えば、処理ブロック３の処理層３Ａにおいて、図１に示す第３基板搬送機構ＴＭ３は、基板載置部ＰＳ１Ａから基板Ｗを受け取る。第３基板搬送機構ＴＭ３は、受け取った基板Ｗを、密着強化処理部ＰＡＨＰ、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＢＡＲＣの順番に搬送する。第３基板搬送機構ＴＭ３は、塗布ユニットＢＡＲＣで反射防止膜が形成された基板Ｗを基板載置部ＰＳ１Ｂに搬送する。
【０１０９】
〔ステップＳ２３〕第２のＩＤブロック４
第２のＩＤブロック４は、処理層３Ａで処理された基板Ｗを処理層３Ａから、第２塗布処理を行う処理層３Ｃに送る。すなわち、２つの基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５の一方は、図１１に示す基板載置部ＰＳ１Ｂから基板載置部ＰＳ３Ｂに基板Ｗを搬送する。なお、処理層３Ｂで第１塗布処理された基板Ｗは、処理層３Ｄに送られる。
【０１１０】
〔ステップＳ２４〕処理ブロック３の処理層３Ｃ，３Ｄ（第２塗布処理）
処理ブロック３の各処理層３Ｃ，３Ｄは、搬送された基板Ｗに対して第２塗布処理（例えばレジスト膜の形成）を行い、第２塗布処理が行われた基板Ｗを第１のＩＤブロック２に搬送する。例えば、処理ブロック３の処理層３Ｃにおいて、図１に示す第３基板搬送機構ＴＭ３は、基板載置部ＰＳ３Ｂから基板Ｗを受け取る。第３基板搬送機構ＴＭ３は、受け取った基板Ｗを、加熱冷却部ＰＨＰ、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＲＥＳＩＳＴ、加熱冷却部ＰＨＰの順に搬送する。第３基板搬送機構ＴＭ３は、塗布ユニットＲＥＳＩＳＴでレジスト膜が形成された基板Ｗを基板載置部ＰＳ３Ａに搬送する。
【０１１１】
〔ステップＳ２５〕第１のＩＤブロック２
第１のＩＤブロック２は、処理層３Ｃで処理された基板Ｗを処理層３Ｃから、第３塗布処理を行う処理層３Ｅに送る。すなわち、２つの基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５の一方は、図１１に示す基板載置部ＰＳ３Ａから基板載置部ＰＳ５Ａに基板Ｗを搬送する。なお、処理層３Ｄで第２塗布処理された基板Ｗは、処理層３Ｆに送られる。
【０１１２】
〔ステップＳ２６〕処理ブロック３の処理層３Ｅ，３Ｆ（第３塗布処理）
処理ブロック３の各処理層３Ｅ，３Ｆは、搬送された基板Ｗに対して第３塗布処理（例えばレジストカバー膜の形成）を行い、第３塗布処理が行われた基板Ｗを第２のＩＤブロック４に搬送する。例えば、処理ブロック３の処理層３Ｅにおいて、図１に示す第３基板搬送機構ＴＭ３は、基板載置部ＰＳ５Ａから基板Ｗを受け取る。第３基板搬送機構ＴＭ３は、受け取った基板Ｗを、レジストカバー膜が形成する塗布ユニット、加熱冷却部ＰＨＰの順に搬送する。第３基板搬送機構ＴＭ３は、レジストカバー膜が形成された基板Ｗを基板載置部ＰＳ５Ｂに搬送する。なお、加熱冷却部ＰＨＰで処理された基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬送し、エッジ露光部ＥＥＷで処理された基板Ｗを基板載置部ＰＳ５Ｂに搬送してもよい。
【０１１３】
〔ステップＳ２７〕第２のＩＤブロック４
第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｅ，３Ｆのいずれかで処理された基板Ｗを、２つのオープナ４５，４６（図６参照）のいずれかの載置台４７に載置されたキャリアＣに戻す。具体的に説明する。第４基板搬送機構ＴＭ４は、基板載置部ＰＳ５Ｂから基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗをオープナ４５の載置台４７に載置されたキャリアＣに戻す。
【０１１４】
本実施例によれば、各処理層３Ａ〜３Ｆは、基板Ｗの送り元であるＩＤブロックからその反対側のＩＤブロックに（例えば第１のＩＤブロック２から第２のＩＤブロック４に）基板Ｗを送っている。基板搬送に用いられる基板載置部ＰＳ１Ａ〜ＰＳ６Ａは、処理層３Ａ〜３Ｆと第１のＩＤブロック２との間に設けられている。また、基板載置部ＰＳ１Ｂ〜ＰＳ６Ｂは、処理層３Ａ〜３Ｆと第２のＩＤブロック４との間に設けられている。基板の送り元であるＩＤブロックに基板Ｗを戻す場合（例えば第１のＩＤブロック２から送られた基板Ｗを第１のＩＤブロック２に戻す場合）、送り用の基板載置部と戻し用の基板載置部の２種類の基板載置部を一方のＩＤブロックの近くに設けなければいけない（例えば図１０に示す基板載置部ＰＳ２Ａ，ＰＳ２Ｃ参照）。これにより、送り用の基板載置部と戻し用の基板載置部の各々に載置できる基板Ｗの枚数も限られてくる。しかしながら、基板Ｗの送り元であるＩＤブロックからその反対側のＩＤブロックに基板を送ることで、基板載置部に載置できる基板Ｗの枚数を確保することができる。また、２つのＩＤブロック２，４は交互に搬送するので２つのＩＤブロック２，４は、層間の基板搬送をほぼ均等に分担することができる。
【０１１５】
次に、図１２（ａ）〜図１２（ｃ）を参照して、他の動作例を説明する。なお、図１２（ａ）〜図１２（ｃ）において、処理ブロック３は、３つの処理層３Ａ，３Ｃ，３Ｅを備えているものとする。なお、上述のように、処理層３Ａは、例えば基板Ｗに対して反射防止膜を形成し、処理層３Ｃは、例えば基板Ｗに対してレジスト膜を形成する。また、処理層３Ｅは、例えば基板Ｗに対してレジストカバー膜を形成する。
【０１１６】
＜他の動作例１＞
図１２（ａ）を参照する。第１のＩＤブロック２は、載置台１３のキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを処理層３Ａに搬送する。処理層３Ａに搬送された基板Ｗは、順番に、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｃ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｅ、および第２のＩＤブロック４に搬送される。そして、第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｅで処理された基板Ｗを載置台４７のキャリアＣに収納する。なお、３つの処理層３Ａ，３Ｃ，３Ｅは各々、予め設定された塗布処理を行う。
【０１１７】
＜他の動作例２＞
図１２（ｂ）を参照する。第１のＩＤブロック２は、載置台１３のキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを処理層３Ａに搬送する。処理層３Ａに搬送された基板Ｗは、順番に、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｃ、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｅ、および第２のＩＤブロック４に搬送される。第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｅで処理された基板Ｗを載置台４７のキャリアＣに収納する。なお、３つの処理層３Ａ，３Ｃ，３Ｅは各々、予め設定された塗布処理を行う。
【０１１８】
他の動作例１，２によれば、例えば処理層３Ａ，３Ｃ，３Ｅにより互いに異なる塗布処理を順番に基板Ｗに行う構成において、２つのＩＤブロック２，４は、キャリアＣに対する基板Ｗの出し入れのための基板搬送、および層間の基板搬送を分担することができる。
【０１１９】
＜他の動作例３＞
図１２（ｃ）を参照する。第１のＩＤブロック２は、載置台１３のキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを処理層３Ａに搬送する。処理層３Ａに搬送された基板Ｗは、順番に、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｃ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｅ、および第２のＩＤブロック４に搬送される。第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｅで処理された基板Ｗを載置台４７のキャリアＣに収納する。なお、３つの処理層３Ａ，３Ｃ，３Ｅは各々、予め設定された塗布処理を行う。
【０１２０】
この動作例の場合、２つの処理層３Ａ，３Ｃ間で第１のＩＤブロック２が基板Ｗを搬送し、２つの処理層３Ｃ，３Ｄ間で第２のＩＤブロック４が基板Ｗを搬送する。本動作例によれば、例えば処理層３Ａ，３Ｃ，３Ｅにより互いに異なる塗布処理を順番に基板Ｗに行う構成において、２つのＩＤブロック２，４は、キャリアＣに対する基板Ｗの出し入れのための基板搬送、および層間の基板搬送を均等に分担することができる。特に、２つの処理層間の基板搬送を２つのＩＤブロック２，４で均等に分担することができる。そのため、より基板搬送をシンプルに行うことができる。
【実施例４】
【０１２１】
次に、図面を参照して本発明の実施例４を説明する。なお、実施例１〜３と重複する説明は省略する。
【０１２２】
実施例１では、第２のＩＤブロック４は、処理ブロック３に連結し、載置台４７（オープナ４５，４６）が設けられたものであった。この点、本実施例では、第２のＩＤブロック４は、更に、露光装置ＥＸＰに対して基板Ｗの搬入および搬出を行うように構成されている。
【０１２３】
図１３は、実施例４に係る基板処理装置１の縦断面図である。図１４は、基板処理装置１の横断面図である。図１５は、基板処理装置１の右側面図である。図１６は、基板処理装置１の左側面の一部を示す図である。
【０１２４】
図１３に示すように、第２のＩＤブロック４は、露光装置ＥＸＰに対して基板Ｗの搬入および搬出を行うように構成されている。第２のＩＤブロック４は、インターフェースブロックとしても機能する。第２のＩＤブロック４は、３つの基板搬送機構ＴＭ４〜ＴＭ６、複数の露光前洗浄ユニット１６１、複数の露光後洗浄ユニット１６２、加熱冷却部ＰＨＰ（ＰＥＢ）、３つの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、および載置部ＰＳ９を備えている。
【０１２５】
第４基板搬送機構ＴＭ４および第５基板搬送機構ＴＭ５は、前後方向（Ｘ方向）と直交するＹ方向に並んで配置されている。第６基板搬送機構ＴＭ６は、２つの基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５の後方（図１４の右側）に配置されている。露光前洗浄ユニット１６１と露光後洗浄ユニット１６２は、２つの基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５を挟んで対向するように設けられている。２つの洗浄ユニット１６１，１６２は各々、第４基板搬送機構ＴＭ４側および第５基板搬送機構ＴＭ５側の両側に設けられている。
【０１２６】
露光前洗浄ユニット１６１は、露光処理前の基板Ｗを洗浄し、乾燥させる。露光後洗浄ユニット１６２は、露光処理後の基板Ｗを洗浄し、乾燥させる。各洗浄ユニット１６１，１６２は、基板Ｗを保持する保持回転部と、例えば洗浄液およびリンス液を基板Ｗに吐出するノズルとを備えている。また、各洗浄ユニット１６１，１６２は、ブラシ等を用いて基板Ｗの裏面、および端部（ベベル部）のポリッシング処理を行ってもよい。なお、基板Ｗの裏面は、例えば回路パターンが形成された面の反対側の面を言う。
【０１２７】
ＩＦブロック６の加熱冷却部ＰＨＰは、図１４に示すように第６基板搬送機構ＴＭ６を挟んで対向するように設けられている。第４基板搬送機構ＴＭ４（図１５参照）側において、６つの加熱冷却部ＰＨＰは、上下方向に配置されている。また、第５基板搬送機構ＴＭ５（図１５参照）側においても、６つの加熱冷却部ＰＨＰが上下方向に配置されている。
【０１２８】
３つの基板搬送機構ＴＭ４〜ＴＭ６の間には、３つの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰおよび載置部ＰＳ９が設けられている。３つの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９は、上下方向に配置されている。
【０１２９】
第４基板搬送機構ＴＭ４は、８つの基板載置部ＰＳ１Ｂ〜ＰＳ７Ｂ，ＰＳ９、３つの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、２つの洗浄ユニット１６１，１６２、加熱冷却部ＰＨＰおよびオープナ４５に載置されたキャリアＣの間で、基板Ｗを搬送することができる。
【０１３０】
第５基板搬送機構ＴＭ５は、８つの基板載置部ＰＳ１Ｂ〜ＰＳ７Ｂ，ＰＳ９、３つの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、２つの洗浄ユニット１６１，１６２、加熱冷却部ＰＨＰおよびオープナ４６に載置されたキャリアＣの間で、基板Ｗを搬送することができる。
【０１３１】
第６基板搬送機構ＴＭ６は、基板載置部ＰＳ９、３つの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰおよび外部の露光装置ＥＸＰの間で基板Ｗを搬送することができる。３つの基板搬送機構ＴＭ４〜ＴＭ６は各々、例えば第１基板搬送機構ＴＭ１とほぼ同様に構成されているので、その説明を省略する。
【０１３２】
第１のＩＤブロック２と７つの処理層３Ａ〜３Ｇとの間には、７つの基板載置部ＰＳ１Ａ〜ＰＳ７Ａが配置されている。また、７つの処理層３Ａ〜３Ｇと第２のＩＤブロック４との間には、７つの基板載置部ＰＳ１Ｂ〜ＰＳ７Ｂが配置されている。
【０１３３】
〔処理ブロック３の構成〕
図１５を参照する。処理ブロック３は、７つの処理層３Ａ〜３Ｇを備えている。７つの処理層は、上下方向（Ｚ方向）に積層されて配置されている。下側の２つの処理層３Ａ，３Ｂは、基板Ｗに対して反射防止膜を形成するための塗布ユニットＢＡＲＣを備えている。中間の２つの処理層３Ｃ，３Ｄは、基板Ｗに対してレジスト膜を形成するための塗布ユニットＲＥＳＩＳＴを備えている。
【０１３４】
また、上側の３つの処理層３Ｅ〜３Ｇは、液処理部２８として４つの現像ユニットＤＥＶを備えている。現像ユニットＤＥＶは、露光された基板Ｗに対して現像処理するものである。４つの現像ユニットＤＥＶは、４列×１段で配置されている。図１４に示すノズル３８は、現像液を供給する。
【０１３５】
また、図１６の処理層３Ｇに示すように、３つの処理層３Ｅ〜３Ｇの熱処理部２３は、５列×３段で配置できるように構成されている。３つ処理層３Ｅ〜３Ｇは各々、１つの冷却部ＣＰと、１２個の加熱冷却部ＰＨＰとを備えている。なお、液処理部２８および熱処理部２３その他のユニットの個数および種類は、適宜変更される。また、図１６は、７つの処理層３Ａ〜３Ｇを代表して３つの処理層３Ａ，３Ｃ，３Ｇの熱処理部２９の配置を示している。処理層３Ｂ，３Ｄは、処理層３Ａ，３Ｃと同じように熱処理部２９が配置されている。また、処理層３Ｅ，３Ｆは、処理層３Ｇと同じように熱処理部２９が配置されている。
【０１３６】
＜基板処理装置１の動作＞
次に、本実施例の基板処理装置１の動作を説明する。図１５を参照する。
【０１３７】
〔ステップＳ３１〕第２のＩＤブロック４
第２のＩＤブロック４は、２つのオープナ４５，４６のいずれかの載置台４７に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを２つの処理層３Ａ，３Ｂのいずれかに搬送する。具体的に説明する。第２のＩＤブロック４において、例えば、第４基板搬送機構ＴＭ４は、オープナ４５の載置台４７に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＳ１Ｂに搬送する。
【０１３８】
〔ステップＳ３２〕処理ブロック３の処理層３Ａ，３Ｂ（第１塗布処理）
処理層３Ａ，３Ｂは各々、搬送された基板Ｗに対して第１塗布処理（例えば反射防止膜の形成）を行い、第１塗布処理が行われた基板Ｗを第１のＩＤブロック２に搬送する。例えば、処理ブロック３の処理層３Ａにおいて、図１３，図１４に示す第３基板搬送機構ＴＭ３は、基板載置部ＰＳ１Ｂから基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを少なくとも塗布ユニットＢＡＲＣに搬送する。その後、第３基板搬送機構ＴＭ３は、塗布ユニットＢＡＲＣで反射防止膜が形成された基板Ｗを基板載置部ＰＳ１Ａに搬送する。
【０１３９】
〔ステップＳ３３〕第１のＩＤブロック２
第１のＩＤブロック２は、第１塗布処理が行われ、かつ搬送された基板Ｗを処理層３Ｃに搬送する。すなわち、２つの基板搬送機構ＴＭ１，ＴＭ２の一方は、図１５に示す基板載置部ＰＳ１Ａから基板載置部ＰＳ３Ａに基板Ｗを搬送する。なお、処理層３Ｂで第１塗布処理された基板Ｗは、処理層３Ｄに送られる。
【０１４０】
〔ステップＳ３４〕処理ブロック３の処理層３Ｃ，３Ｄ（第２塗布処理）
各処理層３Ｃ，３Ｄは、搬送された基板Ｗに対して第２塗布処理（例えばレジスト膜の形成）を行い、第２塗布処理が行われた基板Ｗを第２のＩＤブロック４に搬送する。例えば、処理ブロック３の処理層３Ｃにおいて、図１３，図１４に示す第３基板搬送機構ＴＭ３は、基板載置部ＰＳ３Ａから基板Ｗを受け取る。第３基板搬送機構ＴＭ３は、受け取った基板Ｗを、少なくとも塗布ユニットＲＥＳＩＳＴに搬送する。第３基板搬送機構ＴＭ３は、塗布ユニットＲＥＳＩＳＴでレジスト膜が形成された基板Ｗを基板載置部ＰＳ３Ｂに搬送する。
【０１４１】
〔ステップＳ３５〕第２のＩＤブロック４（露光装置による露光処理）
第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｃで処理された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。また、第２のＩＤブロック４は、露光装置ＥＸＰにより露光処理が行われた基板Ｗを露光装置ＥＸＰから搬入する。第２のＩＤブロック４は、搬入した基板Ｗを３つの処理層３Ｅ〜３Ｇに搬送する。具体的に説明する。
【０１４２】
第２のＩＤブロック４において、２つの基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５の一方は、基板載置部ＰＳ３Ｂから基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを、露光前洗浄ユニット１６１、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの順番に搬送する。第６基板搬送機構ＴＭ６は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから露光装置ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。露光装置ＥＸＰは、搬送された基板Ｗを露光する。
【０１４３】
第６基板搬送機構ＴＭ６は、露光機ＥＸＰから基板載置部ＰＳ９に、露光装置ＥＸＰで露光された基板Ｗを搬送する。２つの基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５の一方は、基板載置部ＰＳ９から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを、露光後洗浄ユニット１６２、第２のＩＤブロック４の加熱冷却部ＰＨＰ、および基板載置部ＰＳ５Ｂの順番に搬送する。なお、加熱冷却部ＰＨＰでは、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【０１４４】
〔ステップＳ３６〕処理ブロック３の処理層３Ｅ〜３Ｇ（現像処理）
処理ブロック３の３つの処理層３Ｅ〜３Ｇのいずれかは、搬送された基板Ｗに対して現像処理を行い、現像処理が行われた基板Ｗを第１のＩＤブロック２に搬送する。例えば処理層３Ｅにおいて、第３基板搬送機構ＴＭ３は、基板載置部ＰＳ５Ｂから基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを、冷却部ＣＰ、現像ユニットＤＥＶ、加熱冷却部ＰＨＰ、基板載置部ＰＳ５Ａの順番に搬送する。なお、３つの処理層３Ｅ〜３Ｇにおいて、現像ユニットＤＥＶの後の加熱冷却部ＰＨＰによる処理は省略されてもよい。
【０１４５】
〔ステップＳ３７〕第１のＩＤブロック２
第１のＩＤブロック２は、処理層３Ｅ〜３Ｇのいずれかで現像処理された基板Ｗを、２つのオープナ９，１０のいずれかの載置台４７に載置されたキャリアＣに戻す。具体的に説明する。例えば、第１基板搬送機構ＴＭ１は、基板載置部ＰＳ５Ａから基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗをオープナ９の載置台１３に載置されたキャリアＣに戻す。
【０１４６】
本実施例によれば、各処理層３Ａ〜３Ｇは、基板Ｗの送り元であるＩＤブロックからその反対側のＩＤブロックに（例えば第１のＩＤブロック２から第２のＩＤブロック４に）基板Ｗを送っている。基板搬送に用いられる基板載置部ＰＳ１Ａ〜ＰＳ７Ａは、処理層３Ａ〜３Ｇと第１のＩＤブロック２との間に設けられている。また、基板載置部ＰＳ１Ｂ〜ＰＳ７Ｂは、処理層３Ａ〜３Ｇと第２のＩＤブロック４との間に設けられている。基板Ｗの送り元であるＩＤブロックに基板Ｗを戻す場合（例えば第１のＩＤブロック２から送られた基板Ｗを第１のＩＤブロック２に戻す場合）、送り用の基板載置部と戻し用の基板載置部の２種類の基板載置部を一方のＩＤブロックの近くに設けなければいけない。これにより、送り用の基板載置部と戻し用の基板載置部の各々に載置できる基板Ｗの枚数も限られてくる。しかしながら、基板Ｗの送り元であるＩＤブロックからその反対側のＩＤブロックに基板を送ることで、基板載置部に載置できる基板Ｗの枚数を確保することができる。また、２つのＩＤブロック２，４は交互に搬送するので２つのＩＤブロック２，４は、層間の基板搬送をほぼ均等に分担することができる。
【０１４７】
次に、図１７（ａ）、図１７（ｂ）を参照して、他の動作例を説明する。なお、図１７（ａ）、図１７（ｂ）において、処理ブロック３は、３つの処理層３Ａ，３Ｃ，３Ｅを備えているものとする。なお、上述のように、処理層３Ａは、例えば基板Ｗに対して反射防止膜を形成し、処理層３Ｃは、例えば基板Ｗに対してレジスト膜を形成する。また、処理層３Ｅは、例えば基板Ｗに対して現像処理を行う。
【０１４８】
＜他の動作例１＞
図１７（ａ）を参照する。第１のＩＤブロック２は、載置台１３のキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを処理層３Ａに搬送する。処理層３Ａに搬送され、処理層３Ａで処理された基板Ｗは、順番に、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｃ（第２塗布処理）、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｅ（現像処理）、および第２のＩＤブロック４に搬送される。そして、第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｅで処理された基板Ｗを載置台４７のキャリアＣに収納する。
【０１４９】
＜他の動作例２＞
図１７（ｂ）を参照する。第１のＩＤブロック２は、載置台１３のキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを処理層３Ａに搬送する。処理層３Ａに搬送され、処理層３Ａで処理された基板Ｗは、順番に、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｃ（第２塗布処理）、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｅ（現像処理）、および第２のＩＤブロック４に搬送される。そして、第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｅで処理された基板Ｗを載置台４７のキャリアＣに収納する。
【０１５０】
他の動作例１，２によれば、例えば処理層３Ａ、３Ｃ、３Ｅおよび露光装置ＥＸＰにより互いに異なる塗布処理を順番に基板Ｗに行う構成において、２つのＩＤブロック２，４は、キャリアＣに対する基板Ｗの出し入れのための基板搬送、および層間の基板搬送を分担することができる。
【実施例５】
【０１５１】
次に、図面を参照して本発明の実施例５を説明する。なお、実施例１〜４と重複する説明は省略する。
【０１５２】
実施例４では、処理ブロック３は、反射防止膜を形成する２つの処理層３Ａ，３Ｂと、レジスト膜を形成する２つの処理層３Ｃ，３Ｄと、現像処理を行う３つの処理層３Ｅ〜３Ｇとを備えていた。すなわち、実施例４の処理ブロック３は、３種類の処理層を備えていた。この点、本実施例では、２種類の処理層を備えていてもよい。
【０１５３】
図１８は、実施例５に係る処理ブロック３の液処理部２８の配置を示す右側面図である。処理ブロック３は、６つの処理層３Ａ〜３Ｆを備えている。下側の３つの処理層３Ａ〜３Ｃは、反射防止膜を形成した後、レジスト膜を形成するものである。また、上側の３つの処理層は、現像処理を行うものである。
【０１５４】
次に、本実施例の基板処理装置１の動作を説明する。図１８を参照する。第１のＩＤブロック２は、載置台１３のキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを処理層３Ａに搬送する。処理層３Ａに搬送され、処理層３Ａで処理された基板Ｗは、順番に、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｄ、第２のＩＤブロック４に搬送される。そして、第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｄで処理された基板Ｗを載置台４７のキャリアＣに収納する。
【０１５５】
＜他の動作例＞
図１９を参照する。第２のＩＤブロック４は、載置台４７のキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを処理層３Ａに搬送する。処理層３Ａに搬送され、処理層３Ａで処理された基板Ｗは、順番に、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｄ、第１のＩＤブロック２に搬送される。そして、第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｅで処理された基板Ｗを載置台４７のキャリアＣに収納する。
【０１５６】
本実施例によれば、例えば処理層３Ａ、３Ｄおよび露光装置ＥＸＰにより互いに異なる塗布処理を順番に基板Ｗに行う構成において、２つのＩＤブロック２，４は、キャリアＣに対する基板Ｗの出し入れのための基板搬送、および層間の基板搬送を分担することができる。
【０１５７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１５８】
（１）上述した実施例１では、図３に示すように、６つの処理層３Ａ〜３Ｆは各々、４つの液処理部２８を備え、４つの液処理部２８は、２つの塗布ユニットＢＡＲＣと、２つの塗布ユニットＲＥＳＩＳＴとで構成されていた。この点、例えば、４つの液処理部２８は全て、塗布ユニットＢＡＲＣで構成されていてもよい。また、４つの液処理部２８は全て、塗布ユニットＲＥＳＩＳＴで構成されていてもよい。４つの液処理部２８は全て、レジストカバー膜を形成する塗布ユニットで構成されていてもよい。
【０１５９】
（２）上述した実施例１では、図３に示すように、処理ブロック３の各処理層３Ａ〜３Ｆは、基板Ｗに対して塗布処理を行ったが、各処理層３Ａ〜３Ｆは基板Ｗに対して現像処理を行ってもよい。また、各処理層３Ａ〜３Ｆは基板Ｗに対して洗浄処理を行ってもよい。なお、基板Ｗの裏面の洗浄処理を行う場合は、図２の破線で示す２つのＩＤブロック２，４に設けられた反転ユニットＲ１〜Ｒ４にいずれかによって、基板Ｗは反転されるように構成されていてもよい。また、ＩＤブロック２と各処理層３Ａ〜３Ｆの間の基板載置部ＰＳ６Ａ〜ＰＳ６Ｆに反転ユニットＲ１〜Ｒ４を設けてもよい。
【０１６０】
洗浄するための処理液として、例えば、ＡＰＭ（アンモニア過酸化水素水混合溶液）、純水（ＤＩＷ）、炭酸水、水素水、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）、ＳＣ１、ＳＣ２、クエン酸水溶液、ＦＯＭ（フッ化水素酸／オゾンの混合薬液）、ＦＰＭ（フッ化水素酸／過酸化水素水／純水の混合薬液）、フッ化水素酸（ＨＦ）、ＨＣｌ、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（ＣＨＯＬＩＮＥ）が用いられてもよい。
【０１６１】
（３）上述した実施例２では、図９に示すように、処理ブロック３の下側の３つの処理層３Ａ〜３Ｃは、反射防止膜を形成する第１塗布処理を行い、上側の３つの処理層３Ｄ〜３Ｆは、レジスト膜を形成する第２塗布処理を行っていた。下側の３つの処理層３Ａ〜３Ｃは、裏面洗浄処理（第１洗浄処理）を行い、上側の３つの処理層３Ｄ〜３Ｆは、表面洗浄処理（第２洗浄処理）を行ってもよい。
【０１６２】
表面洗浄処理を行う洗浄ユニット８１は、例えば、図２０（ａ）に示すように、保持回転部８２と液供給部８３とスプレー洗浄機構１２０とを備えている。保持回転部８２は、基板Ｗの下面を例えば真空吸着して基板Ｗを保持するスピンチャック８６Ａと、スピンチャック８６Ａを垂直軸ＡＸ４周りに回転させる駆動部８８を備えている。液供給部８３は、処理液を吐出するノズル９０と、ノズル９０に連通接続する配管９２とを備えている。スプレー洗浄機構１２０は、スプレーノズル（二流体ノズル）１２１と、スプレーノズル１２１と連通接続する液供給管１２３とを備えている。
【０１６３】
スプレーノズル１２１には、液供給管１２３を通じて処理液が供給されると共に、窒素ガス（不活性ガス）が供給される。保持回転部８２は、保持した基板Ｗを回転させる。回転する基板Ｗの上面にノズル９０から処理液が吐出される。回転する基板Ｗの上面にスプレーノズル５８から霧状の処理液が噴射される。これらにより、基板Ｗの上面、すなわち基板Ｗの表面が洗浄される。図２０（ａ）に示す洗浄ユニット８１は、スピンチャック８６Ａに代えて、図２０（ｂ）に示すスピンチャック８６Ｂを備えていてもよい。
【０１６４】
また、裏面洗浄処理を行う洗浄ユニット８１は、例えば、図２０（ｂ）に示すように、保持回転部８２と液供給部８３とブラシ洗浄機構８４とを備えている。スピンチャック８６Ｂは、複数の保持ピン８５で基板Ｗの端部と接触して基板Ｗを保持する。ブラシ洗浄機構８４は、ブラシ洗浄具９４と、ブラシ洗浄具９４を一端で回転可能に支持するアーム９６と、アーム９６の他端を支持し、アーム９６を垂直軸ＡＸ５周りに回転させる駆動部９８とを備えている。また、この駆動部９８はアーム９６を昇降させることができる。２つの駆動部８８，９８は、電動モータを備えている。図２０（ｂ）に示す洗浄ユニット８１は、例えば、回転する基板Ｗの上面にノズル９０から処理液を吐出しながら、ブラシ洗浄具９４を基板Ｗの上面に接触させる。これにより、基板Ｗの上面、すなわち基板Ｗの裏面を洗浄する。
【０１６５】
また、図９において、下側の３つの処理層３Ａ〜３Ｃは、ベベル洗浄処理（第１洗浄処理）を行い、上側の３つの処理層３Ｄ〜３Ｆは、裏面洗浄処理（第２洗浄処理）を行ってもよい。なお、ベベル洗浄とは、外縁部洗浄ノズルで基板Ｗの上面の外縁部に処理液を供給して基板Ｗの外縁部を洗浄することをいう。
【０１６６】
（４）上述した実施例３では、図１１に示すように、処理ブロック３の下側の２つの処理層３Ａ，３Ｂは、反射防止膜を形成する第１塗布処理を行い、中間の２つの処理層３Ｃ，３Ｄは、レジスト膜を形成する第２塗布処理を行い、更に、上側の２つの処理層３Ｅ．３Ｆは、レジストカバー膜を形成する第３塗布処理を行っていた。これに対し、下側の処理層３Ａ，３Ｂは、第１洗浄処理を行い、中間の処理層３Ｃ，３Ｄは、第２洗浄処理を行い、上側の処理層３Ｅ，３Ｆは、第３洗浄処理を行ってもよい。
【０１６７】
（５）上述した実施例３では、図１１に示すように、第２のＩＤブロック４は、搬送された基板Ｗを例えば処理層３Ｃに搬送する（Ａ工程）。処理層３Ｃは、搬送された基板Ｗに所定の処理を行って、その基板を第１のＩＤブロック２に搬送する（Ｂ工程）。第１のＩＤブロック２は、搬送された基板Ｗを処理層３Ｅに搬送する（Ｃ工程）。処理層３Ｅは、搬送された基板Ｗに所定の処理を行って、その基板Ｗを第２のＩＤブロック４に搬送する（Ｄ工程）。そして、第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｅで処理された基板Ｗを載置台４７に載置されたキャリアＣに戻していた。
【０１６８】
第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｅで処理された基板ＷをキャリアＣに戻さず、図２１のように動作させてもよい。すなわち、基板処理装置１（またはその制御部７９）は、上述のＡ工程からＤ工程を別の処理層３Ｇ，３Ｈを使って繰り返して基板Ｗに異なる２種類の所定の処理を行った後に、最後の工程の処理層３Ｈで処理された基板Ｗを載置台４７に載置されたキャリアＣに戻すように動作させてもよい。
【０１６９】
図２１に示す基板処理装置１の動作を説明する。第１のＩＤブロック２は、載置台１３のキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを２つの処理層３Ａ，３Ｂのいずれか（例えば処理層３Ａ）に搬送する。処理層３Ａは、搬送された基板Ｗに第１処理を行い、その基板Ｗを第２のＩＤブロック４に搬送する。第２のＩＤブロック４は、搬送された基板Ｗを処理層３Ｃに搬送する。処理層３Ｃは、搬送された基板Ｗに第２処理を行い、その基板Ｗを第１のＩＤブロック２に搬送する。第１のＩＤブロック２は、搬送された基板Ｗを処理層３Ｅに搬送する。処理層３Ｅは、搬送された基板Ｗに第３処理を行い、その基板Ｗを第２のＩＤブロック４に搬送する。
【０１７０】
ここで、第２のＩＤブロック４は、載置台４７のキャリアＣに基板Ｗを戻さず、基板Ｗを処理層３Ｇに搬送する。処理層３Ｇは、搬送された基板Ｗに第４処理を行い、その基板Ｗを第１のＩＤブロック２に搬送する。第１のＩＤブロック２は、搬送された基板Ｗを処理層３Ｈに搬送する。処理層３Ｈは、搬送された基板Ｗに第５処理を行い、その基板Ｗを第２のＩＤブロック４に搬送する。第２のＩＤブロック４は、最後の工程の処理層３Ｈで処理された基板Ｗを載置台４７のキャリアＣに戻す。
【０１７１】
図２１に示す処理ブロック３は、５つの処理層３Ａ，３Ｃ，３Ｅ，３Ｆ，３Ｈで第１〜第５の５種類の処理を行っているが、７つの処理層で７種類の処理を行ってもよい。また、図２１において、処理層３Ｂに基板Ｗが搬送された場合、処理層３Ｂで第１処理が行われた基板Ｗは、第２のＩＤブロック４により処理層３Ｄに搬送される。その後、処理層３Ｄで第２処理が行われた基板Ｗは、第１のＩＤブロック２により処理層３Ｆに搬送される。その後、処理層３Ｆに第３処理が行われた基板Ｗは、上述のように、処理層３Ｇおよび処理層３Ｈの順番に搬送される。
【０１７２】
（６）上述した実施例１〜３では、第１のＩＤブロック２は、載置台１３に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、第２のＩＤブロック４は、載置台４７に載置されたキャリアＣに、処理ブロック３で処理された基板Ｗを戻していた。この点、基板Ｗは逆方向に向けて搬送されてもよい。すなわち、第２のＩＤブロック４は、載置台４７に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、第１のＩＤブロック２は、載置台１３に載置されたキャリアＣに、処理ブロック３で処理された基板Ｗを戻してもよい。
【０１７３】
（７）上述した実施例４では、例えば図１５に示すように、第１塗布処理は、２つの処理層３Ａ，３Ｂで行っていたが、第１塗布処理は、１つの処理層で行ってもよいし、３以上の処理層で行ってもよい。また、第２塗布処理は、２つの処理層３Ｃ，３Ｄで行っていたが、第２塗布処理は、１つの処理層で行ってもよいし、３以上の処理層で行ってもよい。また、現像処理は、３つの処理層３Ｅ〜３Ｇで行っていたが、１つまたは２つの処理層で行ってもよいし、４以上の処理層で行ってもよい。
【０１７４】
（８）上述した実施例４では、処理ブロック３は、例えば、互いに異なる３種類の処理を行う３つの処理層３Ａ，３Ｃ，３Ｅを備えていた。この点、処理ブロック３は、例えば、互いに異なる４種類の処理を行う４つの処理層を備えていてもよい。
【０１７５】
図２２（ａ）〜図２２（ｃ）、図２３（ａ）〜２３（ｃ）は、変形例に係る基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。なお、図２２（ａ）〜図２３（ｃ）および後述する図２４（ａ）〜図２５（ｂ）において、重複する説明は適宜省略する。図２２（ａ）〜図２３（ｃ）および後述する図２４（ａ）〜図２５（ｂ）において、処理ブロック３は、互いに異なる４種類の処理を行う４つの処理層３Ａ〜３Ｄを備えている。なお、例えば第１処理は、単一の処理層３Ａで行っているが、複数個の処理層で行ってもよい。
【０１７６】
図２２（ａ）に示す処理ブロック３において、処理層３Ａは、例えば第１塗布処理を行い、処理層３Ｂは、例えば第２塗布処理を行う。また、処理層３Ｃは例えば第３塗布処理を行い、処理層４Ｄは、例えば現像処理を行う。
【０１７７】
図２２（ａ）において、第１のＩＤブロック２は、載置台１３のキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを処理層３Ａに搬送する。処理層３Ａは、搬送された基板Ｗに第１塗布処理を行い、その基板Ｗを第２のＩＤブロック４に搬送する。第２のＩＤブロック４は、搬送された基板Ｗを処理層３Ｂに搬送する。処理層３Ｂは、搬送された基板Ｗに第２塗布処理を行い、その基板Ｗを第２のＩＤブロック４に搬送する（戻す）。第２のＩＤブロック４は、搬送された基板Ｗを処理層３Ｃに搬送する。処理層３Ｃは、搬送された基板Ｗに第３塗布処理を行い、その基板Ｗを第２のＩＤブロック４に搬送する（戻す）。
【０１７８】
その後、第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｃで処理された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。第２のＩＤブロック４は、露光装置ＥＸＰにより露光処理が行われた基板Ｗを露光装置ＥＸＰから搬入し、搬入した基板Ｗを処理層３Ｄに搬送する。処理層３Ｄは、搬送された基板Ｗに現像処理を行い、その基板Ｗを第２のＩＤブロック４に搬送する。第２のＩＤブロック４は、搬送された基板Ｗを載置台４７のキャリアＣに戻す。
【０１７９】
なお、図２２（ａ）の４つの処理層３Ａ〜３Ｄは、例えば、次のような処理を行ってもよい。処理層３Ａは、第１塗布処理を行い、処理層３Ｂは、第２塗布処理を行う。処理層３Ｃは、露光後洗浄および露光後ベークを行い、処理層３Ｄは、現像処理を行う。この場合、図２２（ａ）の破線で示す矢印ＡＲ１のように、処理層３Ｂと処理層３Ｃの間で、露光装置ＥＸＰによる露光処理を行ってもよい。
【０１８０】
図２２（ｂ）の基板処理装置１の動作を説明する。第１のＩＤブロック２は、載置台１３のキャリアＣから基板Ｗを取り出す。取り出された基板Ｗは、処理層３Ａ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｂ、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｃ、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｄ、および第２のＩＤブロック４の順番に搬送される。その後、第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｄで処理された基板Ｗを載置台４７のキャリアＣに収納する。なお、各処理層３Ａ〜３Ｄは、第１〜第４の所定の処理をそれぞれ行う。
【０１８１】
図２２（ｃ）の基板処理装置１の動作を説明する。第１のＩＤブロック２は、載置台１３のキャリアＣから基板Ｗを取り出す。取り出された基板Ｗは、処理層３Ａ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｂ、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｃ、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｄ、および第２のＩＤブロック４の順番に搬送される。その後、第２のＩＤブロック４は、処理層３Ｄで処理された基板Ｗを載置台４７のキャリアＣに収納する。なお、各処理層３Ａ〜３Ｄは、第１〜第４の所定の処理をそれぞれ行う。
【０１８２】
図２３（ａ）において、第１のＩＤブロック２の載置部１３のキャリアＣから取り出された基板Ｗは、処理層３Ａ、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｂ、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｃ、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｄ、および第２のＩＤブロック４の順番に搬送される。
【０１８３】
図２３（ｂ）において、第１のＩＤブロック２の載置部１３のキャリアＣから取り出された基板Ｗは、処理層３Ａ、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｂ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｃ、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｄ、および第２のＩＤブロック４の順番に搬送される。また、図２３（ｂ）示す矢印ＡＲ１のように、処理層３Ｂと処理層３Ｃの間で露光装置ＥＸＰによる露光処理を行ってもよい。
【０１８４】
図２３（ｃ）において、第１のＩＤブロック２の載置部１３のキャリアＣから取り出された基板Ｗは、処理層３Ａ、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｂ、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｃ、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｄ、および第２のＩＤブロック４の順番に搬送される。
【０１８５】
次に、図２４（ａ）〜図２５（ｂ）に示す基板処理装置１の動作を説明する。図２４（ａ）〜図２５（ｂ）に示す基板処理装置１において、第２のＩＤブロック４は、載置台４７のキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを処理層３Ａに送る。第１のＩＤブロック２は、処理層３Ｄで処理された基板Ｗを、載置台１３のキャリアＣに戻す（収納する）。各処理層３Ａ〜３Ｄは、第１〜第４の所定の処理をそれぞれ行う。
【０１８６】
図２４（ａ）において、第２のＩＤブロック４の載置部４７のキャリアＣから取り出された基板Ｗは、処理層３Ａ、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｂ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｃ、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｄ、および第１のＩＤブロック２の順番に搬送される。また、図２４（ａ）の破線で示す矢印ＡＲ１のように、処理層３Ｂと処理層３Ｃの間で露光装置ＥＸＰによる露光処理を行ってもよい。
【０１８７】
図２４（ｂ）において、第２のＩＤブロック４の載置部４７のキャリアＣから取り出された基板Ｗは、処理層３Ａ、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｂ、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｃ、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｄ、および第１のＩＤブロック２の順番に搬送される。
【０１８８】
図２４（ｃ）において、第２のＩＤブロック４の載置部４７のキャリアＣから取り出された基板Ｗは、処理層３Ａ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｂ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｃ、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｄ、および第１のＩＤブロック２の順番に搬送される。また、図２４（ｃ）の破線で示す矢印ＡＲ１のように、処理層３Ｂと処理層３Ｃの間で露光装置ＥＸＰによる露光処理を行ってもよい。
【０１８９】
図２５（ａ）において、第２のＩＤブロック４の載置部４７のキャリアＣから取り出された基板Ｗは、処理層３Ａ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｂ、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｃ、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｄ、および第１のＩＤブロック２の順番に搬送される。
【０１９０】
図２５（ｂ）において、第２のＩＤブロック４の載置部４７のキャリアＣから取り出された基板Ｗは、処理層３Ａ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｂ、第２のＩＤブロック４、露光装置ＥＸＰ、第２のＩＤブロック４、処理層３Ｃ、第１のＩＤブロック２、処理層３Ｄ、および第１のＩＤブロック２の順番に搬送される。
【０１９１】
（９）上述した実施例４，５では、図１３に示すように、第１のＩＤブロック２の第１基板搬送機構ＴＭ１は、７つの基板載置部ＰＳ１Ａ〜ＰＳ７Ａ、およびオープナ９のキャリアＣの間で基板Ｗを搬送していた。また、第２基板搬送機構ＴＭ２は、７つの基板載置部ＰＳ１Ａ〜ＰＳ７Ａ、およびオープナ１０のキャリアＣの間で基板Ｗを搬送していた。
【０１９２】
２つの基板搬送機構ＴＭ１，ＴＭ２の役割について、例えば、第２基板搬送機構ＴＭ２は、４つの基板載置部ＰＳ１Ａ〜ＰＳ４Ａの間で基板Ｗを搬送してもよい。この場合、第１基板搬送機構ＴＭ１は、３つの基板載置部ＰＳ５Ａ〜ＰＳ７Ａ、およびオープナ９のキャリアＣの間で基板を搬送してもよい。この役割は、第１基板搬送機構ＴＭ１と第２基板搬送機構ＴＭ２との間で逆にしてもよい。また、例えば、図２６に示すように、第１基板搬送機構ＴＭ１は、オープナ９，１０が並ぶＹ方向に移動可能に構成されており、第２基板搬送機構ＴＭ２は、第１基板搬送機構ＴＭ１と処理ブロック３との間に配置されていてもよい。
【０１９３】
（１０）上述した実施例４，５では、図１３に示すように、第２のＩＤブロック４の第４基板搬送機構ＴＭ４は、８つの基板載置部ＰＳ１Ａ〜ＰＳ７Ａ，ＰＳ９、露光前洗浄ユニット１６１、露光後洗浄ユニット１６２、加熱冷却部ＰＨＰ、３つの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、およびオープナ４５に載置されたキャリアＣの間で基板Ｗを搬送していた。また、第５基板搬送機構ＴＭ５は、８つの基板載置部ＰＳ１Ａ〜ＰＳ７Ａ，ＰＳ９、露光前洗浄ユニット１６１、露光後洗浄ユニット１６２、加熱冷却部ＰＨＰ、３つの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、およびオープナ４６に載置されたキャリアＣの間で基板Ｗを搬送していた。
【０１９４】
例えば、第５基板搬送機構ＴＭ５は、６つの基板載置部ＰＳ３Ｂ〜ＰＳ７Ｂ，ＰＳ９、光前洗浄ユニット１６１、露光後洗浄ユニット１６２、加熱冷却部ＰＨＰ、および３つの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの間で基板Ｗを搬送させてもよい。この場合、第４基板搬送機構ＴＭ４は、２つの基板載置部ＰＳ１Ｂ，ＰＳ２Ｂ、およびオープナ４５のキャリアＣの間で基板Ｗを搬送してもよい。この役割は、第４基板搬送機構ＴＭ４と第５基板搬送機構ＴＭ５との間で逆にしてもよい。
【０１９５】
（１１）上述した各実施例および各変形例において、例えば、図１５で示す処理ブロック３は、下側から順番に、第１塗布処理を行う２つの処理層３Ａ，３Ｂ、第２塗布処理を行う２つの処理層３Ｃ，３Ｄ、および現像処理を行う３つの処理層３Ｅ〜３Ｇが配置されていた。処理層の上下方向の配置は、これに限定されない。例えば現像処理を行う３つの処理層３Ｅ〜３Ｇが第１塗布処理を行う２つの処理層３Ａ，３Ｂよりも下側に設けられていてもよい。
【０１９６】
（１２）上述した各実施例および各変形例では、図１５に示す下側の２つの処理層３Ａ，３Ｂは各々、基板Ｗに対して反射防止膜の形成およびレジスト膜の形成を行ってもよい。また、中間の２つの処理層３Ｃ，３Ｄは各々、基板Ｗに対してレジストカバー膜の形成および裏面洗浄を行ってもよい。上側の３つの処理層３Ｅ〜３Ｇは、基板Ｗに対して現像処理を行ってもよい。
【０１９７】
（１３）上述した実施例４，５では、第２のＩＤブロック４は、インターフェースブロックとして機能した。図２７に示すように、第２のＩＤブロック４は、ＩＤブロック本体２００と、インターフェースブロック（以下適宜「ＩＦブロック」と呼ぶ）２０１とを備えていてもよい。この場合、ＩＤブロック本体２００は、２つのオープナ４５，４６と、２つの基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５とを備えている。ＩＦブロック２０１は、露光前洗浄ユニット１６１、露光後洗浄ユニット１６２、加熱冷却部ＰＨＰ、および第６基板搬送機構ＴＭ６に加えて、２つの基板搬送機構ＴＭ７，ＴＭ８を備えている。なお、ＩＤブロック本体２００とＩＦブロック２０１との間には、基板載置部ＰＳ８が設けられている。基板載置部ＰＳ８は、基板Ｗの送り用と戻し用とで区分けされている。
【０１９８】
（１４）上述した各実施例および各変形例では、第１のＩＤブロック２は、２つの基板搬送機構ＴＭ１，ＴＭ２を備えていた。図２８に示すように、第１のＩＤブロック２は、単一の基板搬送機構ＴＭ１を備えていてもよい。この場合、複数（例えば４つ）の載置台１３がＹ方向に並んで第１のＩＤブロック２の壁部２０６に設けられてもよい。これらの載置台１３に載置されたキャリアＣに対して基板Ｗの取り出しおよび収納を行うために、基板搬送機構ＴＭ１は、電動モータの駆動によりＹ方向に移動されるように構成されていてもよい。
【０１９９】
また、単一の基板搬送機構ＴＭ１は、実施例１のように、水平方向（特にＹ方向）に移動しないように第１のＩＤブロック２の床部に固定されていてもよい。また、第１のＩＤブロック２は、３つ以上の基板搬送機構を備えていてもよい。
【０２００】
（１５）上述した各実施例および各変形例では、第２のＩＤブロック４は、２つの基板搬送機構ＴＭ４，ＴＭ５を備えていた。図２８に示すように、第２のＩＤブロック４は、単一の基板搬送機構ＴＭ４を備えていてもよい。この場合も、複数（例えば４つ）の載置台７４がＹ方向に並んで第２のＩＤブロック４の壁部２０８に設けられてもよい。これらの載置台４７に載置されたキャリアＣに対して基板Ｗの取り出しおよび収納を行うために、基板搬送機構ＴＭ４は、電動モータの駆動によりＹ方向に移動されるように構成されていてもよい。
【０２０１】
また、単一の基板搬送機構ＴＭ４は、実施例１のように、水平方向（特にＹ方向）に移動しないように第２のＩＤブロック４の床部に固定されていてもよい。また、第２のＩＤブロック４は、３つ以上の基板搬送機構を備えていてもよい。
【０２０２】
（１６）上述した各実施例および各変形例において、処理ブロック３の処理層は、６〜７層であったが、複数の処理層であればよい。
【０２０３】
（１７）上述した各実施例および各変形例において、処理ブロック３は、上下方向に積層する複数の処理層（例えば６つの処理層３Ａ〜３Ｆ）を備えている。図１において、各処理層３Ａ〜３Ｆの第３基板搬送機構ＴＭ３は、それのみで、第１のＩＤブロック２と第２のＩＤブロック４との間で基板Ｗを搬送することができる。単一の処理ブロック３は、例えば、２つのＩＤブロック２，４間で基板Ｗを搬送できる、少なくとも１つの処理層を備えているものである。例えば、図１において、処理層３Ａの第３基板搬送機構ＴＭ３は、基板載置部ＰＳ１Ａから基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを液処理部２８および熱処理部２９（図２参照）に搬送した後、基板載置部ＰＳ１Ｂに基板Ｗを搬送している。
【符号の説明】
【０２０４】
１        …  基板処理装置
２        …  第１インデクサブロック（第１のＩＤブロック）
３        …  処理ブロック
３Ａ〜３Ｈ  …  処理層
４        …  第２インデクサブロック（第２のＩＤブロック）
８  …  キャリアバッファ装置
９，１０，４５，４６  …  オープナ
１３，４７  …  載置台
２８      …  液処理部
２９      …  熱処理部
ＢＡＲＣ  …  塗布ユニット
ＲＥＳＩＳＴ  …  塗布ユニット
ＤＥＶ    …  現像ユニット
５１      …  キャリア搬送機構
７９      …  制御部
８１      …  洗浄ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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