(57)【要約】【課題】可視光域の透過率に優れ、かつ、十分な導電性を有する積層透明導電膜を提供する。【解決手段】基材２０の表面に下地層として成膜された酸化亜鉛を含む酸化亜鉛膜１１と、この酸化亜鉛膜１１上に成膜されたＡｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ膜１２と、このＡｇ膜１２上に成膜されたＡｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３と、を備えたことを特徴とする。ここで、Ａｇ膜１２の厚さを１０ｎｍ以下とすることが好ましい。また、Ａｇ膜１２は、Ｃｕ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上を合計で０．１原子％以上１０．０原子％以下の範囲で含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金で構成されていてもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面に下地層として成膜された酸化亜鉛を含む酸化亜鉛膜と、この酸化亜鉛膜上に成膜されたＡｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ膜と、このＡｇ膜上に成膜されたＡｇとの濡れ性が良い酸化物膜と、を備えたことを特徴とする積層透明導電膜。
【請求項２】
前記Ａｇ膜の厚さが１０ｎｍ以下とされていることを特徴とする請求項１に記載の積層透明導電膜。
【請求項３】
前記Ａｇ膜は、Ｃｕ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上を合計で０．１原子％以上１０．０原子％以下の範囲で含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金で構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の積層透明導電膜。
【請求項４】
前記酸化亜鉛膜は、酸化亜鉛、酸化亜鉛にＡｌを添加したＡＺＯ、酸化亜鉛にＧａを添加したＧＺＯのいずれか一種又は二種以上で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の積層透明導電膜。
【請求項５】
前記Ａｇとの濡れ性が良い酸化物膜は、酸化ゲルマニウム膜であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の積層透明導電膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばディスプレイあるいはタッチパネル等の透明電極膜として使用可能な積層透明導電膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、及び、タッチパネル等においては、透明電極膜として、例えば特許文献１−４に示すような透明導電膜が提供されている。この透明導電膜には、可視光域の光の透過率が高く、かつ、電気抵抗の低いものが要求される。
【０００３】
ここで、特許文献１においては、透明導電膜として、透明導電酸化物の一種であるＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋Ｓｎ）からなるＩＴＯ膜が用いられているが、このＩＴＯ膜において電気抵抗を低くするためには、膜厚を厚く形成する必要があるため、可視光域の透過率が低下してしまう。
【０００４】
また、特許文献２においては、Ｃｕなどのメタルメッシュ材が用いられているが、このメタルメッシュ材において電気抵抗を低くするためには、メタル部分の幅を広くする必要があり、やはり透過率が低下してしまうといった問題があった。また、光の反射によってメタルメッシュ材が視認されるおそれがあることから、メタルメッシュ材の表面に黒色化膜等を形成する必要があった。
【０００５】
特許文献３，４には、Ａｇ膜と透明導電酸化物膜とを積層した積層透明導電膜が提案されている。この積層透明導電膜においては、Ａｇ膜によって導電性が確保されていることから、電気抵抗を低くするために透明導電酸化物膜を厚く形成する必要がなくなり、比較的高い透過率を得ることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−３１０５５０号公報
【特許文献２】特開２００６−３４４１６３号公報
【特許文献３】特開昭６３−１１０５０７号公報
【特許文献４】特開平０９−２３２２７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、最近では、ディスプレイあるいはタッチパネル等においては、画面の明度を確保するために、従来にも増して、可視光域の透過率に優れた透明導電膜が求められている。
ここで、特許文献３，４に記載された積層透明導電膜において、さらなる透過率の向上を図るためには、Ａｇ膜の膜厚を薄くする必要がある。しかしながら、単にＡｇ膜を薄くした場合には、Ａｇが凝集しやすくなり、このＡｇの凝集によって表面プラズモン吸収が発生し、透過率が大幅に低下してしまうといった問題があった。
このため、従来の積層透明導電膜においては、さらなる透過率の向上を図ることができなかった。
また、使用用途によっては、電気抵抗を十分に低下させるためにＡｇ膜を厚く形成することがあるが、この場合でも、可視光域の透過率を従来よりも向上させることが求められている。
【０００８】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、可視光域の透過率に優れ、かつ、十分な導電性を有する積層透明導電膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の積層透明導電膜は、基材の表面に下地層として成膜された酸化亜鉛を含む酸化亜鉛膜と、この酸化亜鉛膜上に成膜されたＡｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ膜と、このＡｇ膜上に成膜されたＡｇとの濡れ性が良い酸化物膜と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の積層透明導電膜によれば、下地層として酸化亜鉛を含む酸化亜鉛膜が形成され、この酸化亜鉛膜の上に、Ａｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ膜が成膜されているので、Ａｇ膜がエピタキシャル成長することになり、Ａｇ膜の凝集が抑制され、連続した膜を成膜することができ、Ａｇの凝集による表面プラズモン吸収の発生を抑制できる。
また、Ａｇ膜上に、Ａｇとの濡れ性が良い酸化物膜が成膜されているので、いずれの膜も連続性が向上し、不連続性に起因する吸収の増加を抑制することが可能となる。
よって、可視光域の透過率を十分に向上させることが可能となる。また、Ａｇ膜が連続膜となるため、電気抵抗も低くすることが可能となる。
【００１１】
ここで、本発明の積層透明導電膜においては、前記Ａｇ膜の厚さが１０ｎｍ以下とされていることが好ましい。
この場合、Ａｇ膜の厚さが１０ｎｍ以下とされているので、透過率をさらに向上させることができる。また、下地層として酸化亜鉛を含む酸化亜鉛膜が形成されているので、Ａｇ膜の厚さを１０ｎｍ以下としてもＡｇの凝集を十分に抑制でき、Ａｇの凝集による表面プラズモン吸収の発生をさらに抑制でき、可視光域の透過率を十分に向上させることが可能となる。また、連続膜となるため、電気抵抗も低く抑えることができる。
【００１２】
さらに、本発明の積層透明導電膜においては、前記Ａｇ膜は、Ｃｕ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上を合計で０．１原子％以上１０．０原子％以下の範囲で含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金で構成されていることが好ましい。
この場合、Ｃｕ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上を上述の範囲で含有しているので、Ａｇ膜の凝集がさらに抑制されることになり、Ａｇ膜をさらに薄く形成しても、連続膜とすることができる。
【００１３】
また、本発明の積層透明導電膜においては、前記酸化亜鉛膜は、酸化亜鉛、酸化亜鉛にＡｌを添加したＡＺＯ、酸化亜鉛にＧａを添加したＧＺＯのいずれか一種又は二種以上で構成されていることが好ましい。
この場合、前記酸化亜鉛膜が、酸化亜鉛、酸化亜鉛にＡｌを添加したＡＺＯ、酸化亜鉛にＧａを添加したＧＺＯのいずれか一種又は二種以上で構成されているので、Ａｇ膜を確実にエピタキシャル成長させることができ、Ａｇの凝集を十分に抑制することが可能となる。よって、Ａｇの凝集による表面プラズモン吸収の発生をさらに抑制でき、可視光域の透過率を十分に向上させることが可能となる。
【００１４】
さらに、本発明の積層透明導電膜においては、前記Ａｇとの濡れ性が良い酸化物膜は、酸化ゲルマニウム膜であることが好ましい。
この場合、界面エネルギーがより低下して、いずれの膜も連続性がより向上し、不連続性に起因する吸収の増加をより抑制することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の積層透明導電膜によれば、可視光域の透過率に優れ、かつ、十分な導電性を有する積層透明導電膜を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態の積層透明導電膜の一部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施形態である積層透明導電膜について、添付した図を参照して説明する。
本実施形態における積層透明導電膜１０は、各種ディスプレイ及びタッチパネルの透明電極膜として使用されるものであり、特に、タブレットサイズ以上の静電容量タイプのタッチパネルにおいて使用されるものとされている。
【００１８】
本実施形態である積層透明導電膜１０を図１に示す。この積層透明導電膜１０は、例えば基板２０の一面に下地層として成膜された酸化亜鉛を含む酸化亜鉛膜１１と、この酸化亜鉛膜１１上に成膜されたＡｇ膜１２と、このＡｇ膜１２上に成膜されたＡｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３と、を備えている。なお、基板２０としては、例えばガラス基板、樹脂フィルム等を用いることができる。
【００１９】
ここで、酸化亜鉛膜１１は、酸化亜鉛を主成分としており、具体的には、酸化亜鉛、酸化亜鉛にＡｌを添加したＡＺＯ、酸化亜鉛にＧａを添加したＧＺＯのいずれか一種又は二種以上で構成されていることが好ましい。さらに、酸化亜鉛膜１１に、Ａｌ、Ｇａ以外の元素、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｙなどが添加されていてもよい。
なお、ここでいう「主成分」は、５０質量％以上含有する成分であり、酸化亜鉛膜１１は、酸化亜鉛を５０質量％以上含有するものとされている。
【００２０】
Ａｇ膜１２は、Ａｇ又はＡｇ合金で構成されている。Ａｇ膜１２を構成するＡｇ又はＡｇ合金としては、純度が９９．９原子％以上の純Ａｇ、あるいは、Ｃｕ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｚｎ、Ｇｅ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂｉ等のＡｇに固溶する添加元素を含むＡｇ合金であってもよい。なお、添加元素の含有量は、Ａｇ膜１２の吸収率の増加（透過率の低下）及び電気抵抗の増加を抑制する観点から、１０．０原子％以下に制限することが望ましい。
なお、本実施形態では、Ｃｕ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上を合計で０．１原子％以上１０．０原子％以下の範囲で含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金で構成されたものとされている。
【００２１】
本実施形態において、Ａｇ膜１２を構成するＡｇ合金がＣｕ，Ｓｎ，Ｓｂを含有する場合には、Ａｇ膜１２を薄く形成した場合であってもＡｇの凝集を抑制することが可能となる。
ここで、Ｃｕ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上の合計含有量が０．１原子％未満の場合には、上述の作用効果を十分に奏功せしめることができないおそれがある。一方、Ｃｕ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上の合計含有量が１０．０原子％を超えるとＡｇ膜１２の透過率が低下し、かつ、抵抗値が上昇するおそれがある。
このような理由から、本実施形態では、Ａｇ膜１２を構成するＡｇ合金におけるＣｕ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上の合計含有量を０．１原子％以上１０．０原子％以下の範囲内に規定している。
【００２２】
なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ａｇ膜１２を構成するＡｇ合金におけるＣｕ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上の合計含有量の下限を０．１原子％以上とすることが好ましく、０．２原子％以上とすることがさらに好ましい。一方、透過率の低下や抵抗率の上昇をさらに抑制するためには、Ｃｕ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上の合計含有量の上限を１０．０原子％以下とすることが好ましく、５．０原子％以下とすることがさらに好ましい。
【００２３】
Ａｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３は、その膜にＡｇが溶融した液滴を垂らして測定した接触角が小さく、Ａｇが凝集せずに広がっていけるような膜である。具体的には、上述の接触角が１２０°以下の酸化物膜である。あるいは、その酸化物膜の上にスパッタリング法で１０ｎｍの膜厚を狙ってＡｇ膜を形成した場合、島状の不連続な膜にはならずに、隙間はあっても連続的に繋がったＡｇ膜となるような酸化物膜である。
Ａｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３は、Ｇｅ、Ｉｎ、ＳｎなどのＡｇに固溶する元素の酸化物膜である酸化ゲルマニウム膜、酸化インジウム膜、酸化錫膜、または、酸化物生成エネルギーが比較的小さい酸化物膜である酸化モリブデン膜、酸化タングステン膜などで構成されている。Ａｇに固溶する元素の酸化物膜は、Ａｇと接触すると、界面でその元素がＡｇに固溶して合金化し、界面エネルギーが低下して濡れ性が向上すると考えられる。また、酸化物生成エネルギーが比較的小さい酸化物膜は、Ａｇと接触すると、界面で酸素と酸素以外の元素に分離しＡｇと混合して界面エネルギーが低下するため、濡れ性が向上すると考えられる。
【００２４】
このようなＡｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３を用いることにより、Ａｇ膜１２もＡｇに固溶する元素の酸化物膜１３も界面付近や膜全体での連続性が向上し、不連続性に起因する吸収の増加を抑制することができる。
これらのＡｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３としては、酸化ゲルマニウム膜を用いることが好ましい。この酸化ゲルマニウム膜は、酸化ゲルマニウムを主成分としており、酸化ゲルマニウムの他に添加元素を含んでいてもよい。
なお、ここでいう「主成分」は、５０質量％以上含有する成分であり、酸化ゲルマニウム膜は、酸化ゲルマニウムを５０質量％以上含有するものとされている。他のＡｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３でも同様に、主成分の酸化物に添加元素を含んでもよい。
そして、本実施形態においては、Ａｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３として用いられる酸化ゲルマニウム膜は、非晶質のアモルファス構造とされている。
【００２５】
ここで、本実施形態では、透過率を向上させるために、Ａｇ膜１２の膜厚ｔ２を１０ｎｍ以下に設定している。なお、さらなる透過率の向上を図る場合には、Ａｇ膜１２の膜厚ｔ２を８ｎｍ以下とすることが好ましく、６ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。また、Ａｇ膜１２の膜厚ｔ２の下限は１ｎｍ以上とすることが好ましく、２ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。
【００２６】
そして、酸化亜鉛膜１１の膜厚ｔ１とＡｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３の膜厚ｔ３は、各単相膜での光学定数（屈折率及び消衰係数）を用いて、酸化亜鉛／Ａｇ（Ａｇ合金）／Ａｇとの濡れ性が良い酸化物膜の３層構造で光学シミュレーションを行い、可視光域の透過率が光学的干渉効果によって向上する膜厚としている。
本実施形態では、光学シミュレーションの結果、酸化亜鉛膜１１の膜厚ｔ１を４０ｎｍ、Ａｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３である酸化ゲルマニウム膜の膜厚ｔ３を６０ｎｍに設定している。
【００２７】
ここで、本実施形態である積層透明導電膜１０においては、使用用途に応じて、波長４００〜８００ｎｍの可視光域の平均透過率、及び、シート抵抗値が所定の範囲内となるように、酸化亜鉛膜１１の膜厚ｔ１、Ａｇ膜１２の膜厚ｔ２、Ａｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３の膜厚ｔ３を設定することが好ましい。
例えば、透過性が重視される用途では、積層透明導電膜１０は、波長４００〜８００ｎｍの可視光域の平均透過率が８０％以上であることが好ましく、８５％以上であることがさらに好ましく、８７％以上であることがより好ましい。
また、導電性が重視される用途では、積層透明導電膜１０は、シート抵抗値が２０Ω／□以下であることが好ましく、１５Ω／□以下であることがさらに好ましく、１０Ω／□以下であることがより好ましい。
【００２８】
次に、本実施形態である積層透明導電膜１０の製造方法について説明する。本実施形態では、基板２０の上に、酸化亜鉛膜１１、Ａｇ膜１２及びＡｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３である酸化ゲルマニウム膜を、それぞれスパッタリング法によって成膜している。
【００２９】
まず、基板２０の上に下地層として、酸化亜鉛ターゲットを用いてＤＣスパッタによって酸化亜鉛膜１１を成膜する。この酸化亜鉛ターゲットは、成膜される酸化亜鉛膜１１の組成に応じた組成とされている。なお、酸化亜鉛ターゲットは、膜組成が制御しやすい焼結ターゲットとすることが好ましい。
【００３０】
次に、成膜された酸化亜鉛膜１１の上に、Ａｇターゲットを用いてＤＣスパッタによってＡｇ膜１２を成膜する。このＡｇターゲットは、成膜されるＡｇ膜１２の組成に応じた組成とされている。
【００３１】
そして、成膜されたＡｇ膜１２の上に、酸化ゲルマニウムなどのＡｇとの濡れ性が良い酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法によってＡｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３を成膜する。なお、この酸化物ターゲットは、膜組成が制御しやすい焼結ターゲットとすることが好ましい。
【００３２】
上述のようにして、本実施形態である積層透明導電膜１０が製造されることになる。
【００３３】
以上のような構成とされた本実施形態である積層透明導電膜１０においては、基板２０の表面に下地層として酸化亜鉛膜１１が形成され、この酸化亜鉛膜１１の上にＡｇ膜１２が成膜されているので、Ａｇ膜１２がエピタキシャル成長することになり、Ａｇの凝集が抑制され、連続した膜を成膜することができ、Ａｇの凝集による表面プラズモン吸収の発生を抑制できる。
また、Ａｇ膜１２上に、酸化ゲルマニウム膜などのＡｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３が成膜されているので、いずれの膜も連続性が向上し、不連続性に起因する吸収の増加を抑制することが可能となる。
よって、可視光域の透過率を十分に向上させることが可能となる。また、Ａｇ膜１２が連続膜となるため、電気抵抗も低くすることが可能となる。
【００３４】
さらに、本実施形態では、Ａｇ膜１２の厚さｔ２を１０ｎｍ以下に設定しているので、透過率を向上させることができる。また、下地層として酸化亜鉛膜１１が形成されているので、Ａｇ膜１２の厚さが１０ｎｍ以下としてもＡｇの凝集がなく連続膜となり、可視光域の透過率を十分に向上させることができ、かつ、電気抵抗を低くすることができる。
【００３５】
また、本実施形態では、Ａｇ膜１２を、Ｃｕ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上を合計で０．１原子％以上１０．０原子％以下の範囲で含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金で構成したものとしているので、Ａｇ膜１２の凝集がさらに抑制されることになり、Ａｇ膜１２をさらに薄く形成しても連続膜となり、可視光域の透過率を十分に向上させることができ、かつ、電気抵抗を低くすることができる。
【００３６】
また、本実施形態では、酸化亜鉛膜１１が、酸化亜鉛、酸化亜鉛にＡｌを添加したＡＺＯ、酸化亜鉛にＧａを添加したＧＺＯのいずれか一種又は二種以上で構成されているので、Ａｇ膜１２を確実にエピタキシャル成長させることができ、Ａｇの凝集を十分に抑制できる。よって、Ａｇの凝集による表面プラズモン吸収の発生をさらに抑制でき、可視光域の透過率を十分に向上させることが可能となる。
【００３７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、Ａｇ膜１２をＣｕ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの１種又は２種以上を合計で０．１原子％以上１０．０原子％以下の範囲で含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金で構成したものとして説明したが、これに限定されることはなく、純Ａｇや、Ｚｎ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂｉ等を含有するＡｇ合金であってもよい。
【００３８】
また、本実施形態では、酸化亜鉛膜１１の膜厚を４０ｎｍ程度、Ａｇとの濡れ性が良い酸化物膜１３として好ましい酸化ゲルマニウム膜の膜厚を６０ｎｍ程度のものとして説明したが、これに限定されることはなく、他の膜厚としてもよい。ただし、本実施形態に記載したように、光学シミュレーションを行い、光干渉効果によって透過率が向上する膜厚を選択することが好ましい。
【００３９】
また、酸化亜鉛膜を、複数の組成の膜が積層された多層構造としてもよい。例えば、基材の表面にＡＺＯを成膜し、このＡＺＯの上に酸化亜鉛（ＺｎＯ）を成膜した構造としてもよい。
さらに、Ａｇ膜を、複数の組成の膜が積層された多層構造としてもよい。例えば、酸化亜鉛膜の上に純Ａｇを成膜し、このＡｇの上にＡｇ−Ｓｂ合金を成膜した構造としてもよい。
【実施例】
【００４０】
本発明に係る積層透明導電膜の作用効果について確認した確認実験の結果について説明する。
【００４１】
ガラス基板（無アルカリガラス：５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍｔ）の表面に、表１、２に示す構造の積層透明導電膜をスパッタリング法により成膜した。なお、比較例Ａ，Ｂでは、ＩＴＯ単層膜をスパッタリング法により成膜した。また、比較例Ｂのみ、ガラス基板を２００℃に加熱して成膜した。
【００４２】
酸化亜鉛膜を成膜するスパッタリングターゲットとして、純度が９９．９質量％以上のＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３を２．０質量％含有するＺｎＯからなるＡＺＯ、Ｇａ２Ｏ３を５．０質量％含有するＺｎＯからなるＧＺＯの３種類の焼結ターゲットを準備した。
Ａｇ膜を成膜するスパッタリングターゲットとして、純度９９．９原子％以上の純Ａｇ、１原子％のＳｂを含むＡｇ−Ｓｂ合金、１原子％のＣｕを含むＡｇ−Ｃｕ合金、１原子％のＳｎを含むＡｇ−Ｓｎ合金の３種類のターゲットを準備した。
Ａｇとの濡れ性が良い酸化物膜として好ましい酸化ゲルマニウム膜を成膜するスパッタリングターゲットとして、純度が９９．９質量％以上のＧｅＯ２からなる焼結ターゲットを準備した。
【００４３】
また、比較例において、ＩＴＯ膜を成膜するスパッタリングターゲットとして、ＳｎＯ２を１０．０質量％含有するＩｎ２Ｏ３からなる焼結ターゲットを準備し、酸化錫膜を成膜するスパッタリングターゲットして、純度が９９．９質量％以上のＳｎＯ２からなる焼結ターゲットを準備した。
【００４４】
そして、それぞれの膜を、以下に示す条件で成膜した。
【００４５】
＜酸化亜鉛膜、ＩＴＯ膜、酸化錫膜の成膜条件＞
スパッタリング装置：マグネトロンスパッタ装置（アルバック社製ＣＳ−２００）
磁界強度：１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、垂直成分）
到達真空度：２．０×１０−４Ｐａ以下
スパッタリングガス：Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（Ｏ２の混合比２％）
スパッタリングガス圧：０．４Ｐａ
スパッタリングパワー：ＤＣ１００Ｗ
【００４６】
＜Ａｇ膜の成膜条件＞
スパッタリング装置：マグネトロンスパッタ装置（アルバック社製ＣＳ−２００）
磁界強度：１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、垂直成分）
到達真空度：２．０×１０−４Ｐａ以下
スパッタリングガス：Ａｒ
スパッタリングガス圧：０．５Ｐａ
スパッタリングパワー：ＤＣ１００Ｗ
【００４７】
＜酸化ゲルマニウム膜の成膜条件＞
スパッタリング装置：マグネトロンスパッタ装置（アルバック社製ＣＳ−２００）
磁界強度：１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、垂直成分）
到達真空度：２．０×１０−４Ｐａ以下
スパッタリングガス：Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（Ｏ２の混合比１％）
スパッタリングガス圧：０．４Ｐａ
スパッタリングパワー：ＲＦ１００Ｗ
【００４８】
ここで、酸化亜鉛膜、酸化ゲルマニウム膜、ＩＴＯ膜、酸化錫膜の膜厚は、実施の形態で説明した光学シミュレーションを行い、光学的干渉効果によって可視光域の透過率が向上する膜厚を選択した。
なお、酸化亜鉛膜、酸化ゲルマニウム膜、ＩＴＯ膜、酸化錫膜、Ａｇ膜の膜厚は、膜厚計（アルバック社製  ＤＥＫＴＡＫ）を用いて測定した。
【００４９】
得られた積層透明導電膜及びＩＴＯ単層膜について、平均透過率及びシート抵抗を以下のようにして評価した。 
【００５０】
＜平均透過率＞
分光光度計（日立ハイテクノロジーズ社製  Ｕ４１００）を用いて、４００ｎｍから８００ｎｍの波長範囲における透過率スペクトルを測定し、平均透過率を求めた。評価結果を表１、２に示す。
【００５１】
＜シート抵抗＞
表面抵抗測定器（三菱油化社製  Ｌｏｒｅｓｔａ  ＡＰ  ＭＣＰ−Ｔ４００）を用いて、四探針法によって抵抗率を測定した。評価結果を表１、２に示す。
【００５２】
【表１】
2020145019.tif 000003
【００５３】
【表２】
2020145019.tif 000004
【００５４】
本発明例においてＡｇ膜の膜厚を６ｎｍとした場合には、平均透過率が８７．６％以上と非常に高くなっており、透過性に特に優れていることが確認される。また、シート抵抗値が９．８Ω／□以下であり、十分な導電性を有していることが確認される。
本発明例においてＡｇ膜の膜厚を１０ｎｍとした場合には、平均透過率が８６．２％以上、かつ、シート抵抗値が５．６Ω／□以下であり、十分な透過性及び導電性を両立していることが確認される。
本発明例においてＡｇ膜の膜厚を１５ｎｍとした場合には、シート抵抗値が３．３Ω／□以下であり、導電性に特に優れていることが確認される。また、平均透過率が７０．９％以上であり、十分な透過性を有していることが確認される。
【００５５】
一方、比較例においてＡｇ膜の膜厚を６ｎｍとした場合には、平均透過率が８４．４％以下、かつ、シート抵抗値が１０．０Ω／□以上であり、透過性及び導電性がともに本発明例においてＡｇ膜の膜厚を６ｎｍとしたものよりも劣っていた。
比較例においてＡｇ膜の膜厚を１０ｎｍとした場合には、平均透過率が８４．７％以下、かつ、シート抵抗値が６．０Ω／□以上であり、透過性及び導電性がともに本発明例においてＡｇ膜の膜厚を１０ｎｍとしたものよりも劣っていた。
比較例においてＡｇ膜の膜厚を１５ｎｍとした場合には、平均透過率が６８．７％以下、かつ、シート抵抗値が４．０Ω／□以上であり、透過性及び導電性がともに本発明例においてＡｇ膜の膜厚を１５ｎｍとしたものよりも劣っていた。
【００５６】
また、比較例Ａでは、ＩＴＯ単層膜を６００ｎｍと厚く形成することで、シート抵抗は１０Ω／□以下となったが、平均透過率が７６．４％と大きく劣化した。
さらに、比較例Ｂでは、ガラス基板を２００℃に加熱することで、膜厚が１８０ｎｍでシート抵抗が１０Ω／□以下となったが、平均透過率は８５％以下であった。
【００５７】
以上のことから、本発明例によれば、可視光域の透過率に優れた積層透明導電膜を提供可能であることが確認された。
【符号の説明】
【００５８】
１０  積層透明導電膜
１１  酸化亜鉛膜
１２  Ａｇ膜
１３  Ａｇとの濡れ性が良い酸化物膜
２０  基板（基材）
【図１】
2020145019.tif 000005