(57)【要約】【課題】接続される電磁弁の特性ばらつきがある場合でも、デッドタイムの設定を適切に行えるようにして、損失低減効果を最大化できるようにした電磁弁駆動装置を提供する。【解決手段】電磁弁駆動装置１において、電磁弁２は、制御回路３により、放電ＭＯＳ４から高電圧ＶＨで通電され、この後定電流ＭＯＳ８により低圧電源ＶＢから電流Ｉｉｎｊを保持するように通電される。放電ＭＯＳ４、定電流ＭＯＳ８のオフ後に、還流ＭＯＳ７をオン駆動して同期整流を行う。還流ＭＯＳ７のオフ後、還流ＭＯＳモニタ回路３ｃによりゲート電圧Ｖｇｓをモニタし、デッドタイム制御部３ｄによりゲート電圧Ｖｇｓがオフレベルまで低下するとデッドタイムの終期を判定する。電磁弁２などの構成素子のばらつきにかかわらず還流ＭＯＳ７のオフ後のデッドタイムを適正に設定できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源から電磁弁への通電経路に設けられた通電ＭＯＳトランジスタ（４、８）と、
前記電磁弁の断電後の還流電流を流すための還流ＭＯＳトランジスタ（７）と、
前記通電ＭＯＳトランジスタおよび前記還流ＭＯＳトランジスタを駆動制御する制御回路（３、３０）とを備え、
前記制御回路は、少なくとも前記還流ＭＯＳトランジスタについてオフ後にゲート・ソース間の電圧を検出し、検出された電圧に基づいてオフ状態を判定してデッドタイムを設定する電磁弁駆動装置。
【請求項２】
前記制御回路（３）は、前記還流ＭＯＳトランジスタのオフ時のゲート・ソース間電圧が所定レベル以下になる時点までを前記デッドタイムとして設定し、前記通電ＭＯＳトランジスタ（８）をオン駆動させる請求項１に記載の電磁弁駆動装置。
【請求項３】
前記制御回路（３０）は、前記通電ＭＯＳトランジスタのオフ時のゲート・ソース間電圧が所定レベル以下になる時点までを前記デッドタイムとして設定し、前記還流ＭＯＳトランジスタをオン駆動させる請求項１または２に記載の電磁弁駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁弁駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘導性負荷となる電磁弁を駆動する電磁弁駆動装置では、電磁弁に通電したときに還流電流を流す還流回路構成において損失低減を図るために、ＭＯＳトランジスタを用いた同期整流方式を採用するものがある。
【０００３】
この場合、電磁弁への通電を行うＭＯＳトランジスタと還流用のＭＯＳトランジスタとは同時にオン状態とならないようにするため両者がオフ状態となるデッドタイムを設ける必要がある。デッドタイムの設定では、構成部品の特性ばらつきを想定して安全な動作が確保できるように固定期間によりデッドタイムを設定している。
【０００４】
このため、デッドタイムの設定では構成部品の特性ばらつきの程度に依存することになる。このような同期整流方式の構成は電源回路系においても行われているが、電源回路系の回路では、回路の内部にコイルが配置されるので、予めコイルの特性ばらつきが想定可能であるため、デッドタイムはコイルの回路定数に対応して設定可能となる。
【０００５】
しかし、電磁弁制御装置においては、外部に接続される電磁弁の特性に依存するため、対応する電磁弁の特性ばらつきを考慮して長めのデッドタイムが設定されることとなり、このことは、同期整流方式の目的である損失低減効果が大きく得られないという事情がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−２０４４４２号公報
【特許文献２】特開２０１３−２５１９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的は、接続される電磁弁の特性ばらつきがある場合でも、デッドタイムの設定を適切に行えるようにして、損失低減効果を増大させることができるようにした電磁弁駆動装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の電磁弁駆動装置は、直流電源から電磁弁への通電経路に設けられた通電ＭＯＳトランジスタ（４、８）と、前記電磁弁の断電後の還流電流を流すための還流ＭＯＳトランジスタ（７）と、前記通電ＭＯＳトランジスタおよび前記還流ＭＯＳトランジスタを駆動制御する制御回路（３）とを備え、前記制御回路は、前記通電ＭＯＳトランジスタおよび前記還流ＭＯＳトランジスタの少なくとも一方についてオフ後にゲート・ソース間の電圧を検出し、検出された電圧に基づいてオフ状態を判定してデッドタイムの期間を設定する構成である。
【０００９】
上記構成において、還流ＭＯＳトランジスタのオフ後にゲート・ソース間の電圧を検出してデッドタイムを設定する場合には、制御回路は、通電ＭＯＳトランジスタをオン駆動して電磁弁に通電した後、オフ後に還流電流が流れるようになると、還流ＭＯＳトランジスタをオン駆動して還流電流を流す。制御回路は、還流電流が所定レベルまで低下すると還流ＭＯＳトランジスタをオフ駆動し、この後、デッドタイムになると、還流ＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間電圧がオフレベルまで低下したら、制御回路は、オフ状態を判定してこの時点までをデッドタイムの終了として判定する。制御回路は、通電ＭＯＳトランジスタへの通電を行う場合には、デッドタイムが終了した時点でオン駆動させるようになる。
【００１０】
このように、制御回路により、還流ＭＯＳトランジスタのオフ状態をゲート・ソース間電圧に基づいて判定してデッドタイムを設定するので、固定時間でデッドタイムを設定する場合に比べて、電磁弁を含む構成部品の特性ばらつきがある場合でも適切なデッドタイムを設定することができ、損失低減効果を損なうことなく電磁弁の駆動制御を行うことができる。
さらに、上記構成を採用することで、使用に伴い構成部品の特性変化が生じる場合でも、常に適切なデッドタイムを設定することができる。
【００１１】
なお、通電ＭＯＳトランジスタのオフ後にゲート・ソース間の電圧を検出してデッドタイムを設定する場合についても、還流ＭＯＳトランジスタと入れ替えた動作をすることで同様にデッドタイムを設定して上記の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態を示す電気的構成図
【図２】タイミングチャート
【図３】詳細なタイミングチャート
【図４】第２実施形態を示す電気的構成図
【図５】詳細なタイミングチャート
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態を、車両の内燃機関に燃料噴射を行う電磁弁を制御する電磁弁駆動装置に適用した場合について、図１〜図３を参照して説明する。
【００１４】
電気的構成を示す図１において、電磁弁駆動装置１は、出力端子Ａ、Ｂ間に接続される電磁弁２を駆動制御する。電磁弁駆動装置１は、制御回路３により電磁弁２への通電を行う駆動回路部を制御している。電磁弁駆動装置１は、通電動作では最初に電磁弁２に高圧電源ＶＨにより高電圧を印加して所定開度に駆動し、この後、制御回路３により車載バッテリの低圧電源ＶＢにより低電圧をオンオフ制御により印加して電磁弁２に定電流通電することによりオフ時まで所定開度を保持させる。
【００１５】
電磁弁駆動装置１において、電磁弁２の駆動回路は次のように構成される。放電ＭＯＳトランジスタ（以下、放電ＭＯＳと称する）４は、高圧電源ＶＨと出力端子Ａとの間に接続される。出力端子Ｂとグランドとの間には、気筒ＭＯＳトランジスタ（以下、気筒ＭＯＳと称する）５と電流検出抵抗６の直列回路が接続される。出力端子Ａとグランドとの間には、還流ＭＯＳトランジスタ（以下、還流ＭＯＳと称する）７が接続される。放電ＭＯＳ４、気筒ＭＯＳ５、還流ＭＯＳ７は、それぞれ寄生ダイオード４ａ、５ａ、７ａを有している。
【００１６】
通電ＭＯＳトランジスタとしての定電流ＭＯＳトランジスタ（以下、定電流ＭＯＳと称する）８は、逆流防止ＭＯＳトランジスタ（以下、逆流防止ＭＯＳと称する）９と直列にして低圧電源ＶＢと出力端子Ａとの間に接続される。定電流ＭＯＳ８および逆流防止ＭＯＳ９は、それぞれ寄生ダイオード８ａ、９ａを有している。なお、逆流防止ＭＯＳ９は、ソース、ドレインを逆方向に接続することで、寄生ダイオード９ａが高圧電源ＶＨからの逆流防止をするように配置されている。
【００１７】
上記駆動回路の構成においては、放電ＭＯＳ４、気筒ＭＯＳ５、還流ＭＯＳ７、定電流ＭＯＳ８および逆流防止ＭＯＳ９をＮチャンネル形のＭＯＳＦＥＴを用いているが、適宜Ｐチャンネル形のＭＯＳＦＥＴを用いて構成することもできる。
【００１８】
制御回路３は、ＭＯＳ駆動制御部３ａ、電流検出回路３ｂ、還流ＭＯＳモニタ回路３ｃおよびデッドタイム制御部３ｄを備えている。ＭＯＳ駆動制御部３ａは、駆動回路の放電ＭＯＳ４、気筒ＭＯＳ５、還流ＭＯＳ７、定電流ＭＯＳ８および逆流防止ＭＯＳ９に対して、それぞれ抵抗１０、１１、１２、１３、１４を介してゲート駆動信号を与えてオンオフの駆動をする。放電ＭＯＳ４および定電流ＭＯＳ８のソースは、それぞれコンデンサ１５、１６を介して制御回路３に接続されている。
【００１９】
電流検出回路３ｂは、電磁弁２に流れる電流を電流検出抵抗６に発生する電圧降下により検出してＭＯＳ駆動制御部３ａに出力する。還流ＭＯＳモニタ回路３ｃは、還流ＭＯＳ７のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓをモニタしており、デッドタイム制御部３ｄにモニタ結果を出力する。
【００２０】
デッドタイム制御部３ｄは、還流ＭＯＳ７のオフ後のデッドタイムを設定するもので、次に定電流ＭＯＳ８をオン駆動するまでのデッドタイムを、還流ＭＯＳモニタ回路３ｃから入力される還流ＭＯＳ７のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓレベルから、還流ＭＯＳ７のオフ状態を判定してデッドタイム終了の検出信号をＭＯＳ駆動制御部３ａに出力する。
【００２１】
次に、上記構成の作用について図２および図３も参照して説明する。
まず、制御回路３により駆動回路部を駆動して電磁弁２に通電を行う制御の概略について図２を参照して説明する。電磁弁駆動装置１は、電磁弁２の駆動指示の信号が与えられると、制御回路３のＭＯＳ駆動制御部３ａにより、時刻ｔ０で、気筒ＭＯＳ５をオン駆動させ、続いて放電ＭＯＳ４および定電流ＭＯＳ８のゲートに駆動電圧Ｖ１およびＶ２をそれぞれ出力する。
【００２２】
このとき、ＭＯＳ駆動制御部３ａは、定電流ＭＯＳ８に対しては時刻ｔ１までの短時間でオフさせ、放電ＭＯＳ４については、所定の弁開度に達するまで通電させた後、時刻ｔ２でオフ駆動する。これにより電磁弁２には、高圧電源ＶＨから電流Ｉｉｎｊが電流Ｉ１のレベルまで通電される。放電ＭＯＳ４による電磁弁２への通電が終了すると、電磁弁２の逆起電力により電流Ｉｉｎｊが還流電流となって継続的に流れる。このときの電磁弁２の電流Ｉｉｎｊは、還流ＭＯＳ７の寄生ダイオード７ａから電磁弁２、気筒ＭＯＳ５を通じてグランド側に流れる。
【００２３】
この後、放電ＭＯＳ４のオフ後、図２中では示していないが、所定のデッドタイムを存した後に、制御回路３のＭＯＳ駆動制御部３ａにより、還流ＭＯＳ７がオン駆動される。これにより、電磁弁２の電流Ｉｉｎｊは、電圧降下が小さい還流ＭＯＳ７を通じて流れるようになる。
【００２４】
そして、電磁弁２の電流Ｉｉｎｊレベルが電流Ｉ２のレベルまで低下した時刻ｔ３で、制御回路３のＭＯＳ駆動制御部３ａにより、ローレベルの駆動電圧Ｖ３が与えられて還流ＭＯＳ７がオフされる。還流ＭＯＳ７のオフ後に、後述するデッドタイムが制御回路３により設定制御され、この後、定電流ＭＯＳ８および逆流防止ＭＯＳ９がオン駆動される。定電流ＭＯＳ８のオン駆動は、電磁弁２ｂの電流Ｉｉｎｊのレベルが平均的に電流Ｉ２を保持するようにオンオフ駆動される。また、逆流防止ＭＯＳ９は継続的にオン状態に制御される。
【００２５】
このとき、定電流ＭＯＳ８と還流ＭＯＳ７とは、同時にオン状態とならないように、それぞれデッドタイムを存した後に交互にオンオフ駆動される。そして、この実施形態においては還流ＭＯＳ７のオフ後において、還流ＭＯＳモニタ回路３ｃおよびデッドタイム制御部３ｄによりデッドタイムが制御される。
【００２６】
この後、所定の通電期間が経過すると、制御回路３のＭＯＳ駆動制御部３ａにより、電磁弁２の電流Ｉｉｎｊをさらに低下させて電流Ｉ２のレベルになると、これを保持するように再び定電流ＭＯＳ８および還流ＭＯＳ７を、デッドタイムを存して交互にオンオフ駆動するようになる。このようにして、駆動指示による一定期間の通電が終了すると、制御回路３は、時刻ｔ４で定電流ＭＯＳ８をオフ駆動し、１回の電磁弁２の駆動動作を終了する。
【００２７】
次に、図３を参照して、上記した還流ＭＯＳ７のオフ後における制御回路３によるデッドタイムの設定処理について説明する。なお、図３に示す期間Ａは、図２中の定電流ＭＯＳ８により電磁弁２に電流Ｉ３のレベルで電磁弁電流Ｉｉｎｊを流している状態で、定電流ＭＯＳ８がオン状態からオフに移行し、再びオン状態に変化した時点までの期間として時刻ｔｘからｔｙの期間に対応している。
【００２８】
図３において、制御回路３は、時刻ｔｘの後、時刻ｔｘ１で電磁弁２の電流Ｉｉｎｊが所定レベルに達したことにより、定電流ＭＯＳ８への駆動電圧Ｖ２をローレベルにしてオフ動作させる。制御回路３は、この後、予め設定されているデッドタイムＴｄｔ０が経過した時刻ｔｘ２で還流ＭＯＳ７にハイレベルの駆動電圧Ｖ３を与えてオン駆動する。これにより、還流ＭＯＳ７のゲート電圧Ｖｇｓは図３に示しているように上昇してオン状態になり、電磁弁２の還流による電流Ｉｉｎｊが流れるようになる。
【００２９】
制御回路３は、この後、電磁弁２の電流Ｉｉｎｊが時刻ｔｘ３で閾値電流値Ｉｔｈまで低下すると、還流ＭＯＳ７への駆動電圧Ｖ３をローレベルにしてオフさせる。これにより、還流ＭＯＳ７のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓは徐々に低下していく。制御回路３においては、還流ＭＯＳモニタ回路３ｃにより、還流ＭＯＳ７のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓをモニタしており、時刻ｔｘ４で電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈ１になると、デッドタイム制御部３ｄにより、還流ＭＯＳ７のオフ状態を判定し、デッドタイムＴｄｔ１の終了時点とする。
【００３０】
制御回路３のＭＯＳ駆動制御部３ａは、デッドタイム制御部３ｄからのデッドタイムＴｄｔ１の終了時点の検出に応じて、定電流ＭＯＳ８への駆動電圧Ｖ２をハイレベルにしてオン駆動する。
【００３１】
以下、同様に、制御回路３は、定電流ＭＯＳ８のオフ時では所定のデッドタイムＴｄｔ０を存して還流ＭＯＳ７をオン駆動し、還流ＭＯＳ７のオフ時では還流ＭＯＳモニタ回路３ｃとデッドタイム制御部３ｄとにより還流ＭＯＳ７のオフをゲート電圧Ｖｇｓにより判定して定電流ＭＯＳ８をオン駆動することを繰り返し実施する。
【００３２】
このような本実施形態によれば、還流ＭＯＳ７のゲート電圧Ｖｇｓを還流ＭＯＳモニタ回路３ｃによりモニタし、デッドタイム制御部３ｄによりデッドタイムの終了時点を判定して定電流ＭＯＳ８を駆動することができ、常に最適で無駄な時間を省いた短いデッドタイムを設けて同期整流を実施することができる。
【００３３】
また、これにより、例えば電磁弁駆動装置１の内部温度の変化によって、構成部品の特性が変化したとしても、変化した構成部品の特性に応じた適切なデッドタイムを設定することができ、構成部品の部品ばらつきに対応した最悪値を予めデッドタイムとして設定する従来に比べて、デッドタイムを短縮することができ、同期整流を効果的に実施することで損失低減効果の向上を図ることができる。
【００３４】
また、このように損失低減を図ることにより、電磁弁駆動装置１の発熱を低減することができるので、電磁弁を用いた燃料噴射装置では、多段噴射や短インターバル噴射を実現でき、燃費やエミッションを低減できたり、駆動装置の小型化、熱対策の緩和も期待できるようになる。
【００３５】
（第２実施形態）
図４および図５は第２実施形態を示すもので、以下、第１実施形態と異なる部分について説明する。この実施形態では、還流ＭＯＳ７のデッドタイムに加えて、通電ＭＯＳトランジスタとしての放電ＭＯＳ４および定電流ＭＯＳ８のデッドタイムについてもゲート・ソース間電圧から判定する構成である。
【００３６】
図４において、電磁弁駆動装置２０は、制御回路３０の構成として、放電ＭＯＳモニタ回路３ｅおよび定電流ＭＯＳモニタ回路３ｆを更に備えている。放電ＭＯＳモニタ回路３ｅは、放電ＭＯＳ４のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓ１をモニタするように設けられ、モニタ結果をデッドタイム制御部３ｄに出力する。定電流ＭＯＳモニタ回路３ｆは、定電流ＭＯＳ８のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓ２をモニタするように設けられ、モニタ結果をデッドタイム制御部３ｄに出力する。
【００３７】
この実施形態におけるデッドタイム制御部３ｄは、還流ＭＯＳ７のオフ後、定電流ＭＯＳ８のオン駆動までのデッドタイム設定に加えて、放電ＭＯＳ４および定電流ＭＯＳ８のそれぞれのオフ後、還流ＭＯＳ７のオン駆動までのデッドタイムについても設定する。なお、還流ＭＯＳ７のオフ後のデッドタイム設定については第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００３８】
次に、上記構成の作用について説明する。
制御回路３０は、第１実施形態で図２に示したように、時刻ｔ２でＭＯＳ制御部３ａにより放電ＭＯＳ４に駆動電圧Ｖ１をローレベルにしてオフ駆動すると、放電ＭＯＳ４がオフ状態になるまでの間、電磁弁２に電流Ｉｉｎｊが流れ続け、放電ＭＯＳ４のオフ後には電磁弁２の還流電流が還流ＭＯＳ７の寄生ダイオード７ａを通じて流れ用とする状態となる。
【００３９】
放電ＭＯＳモニタ回路３ｅは、放電ＭＯＳ４のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ１をモニタしており、デッドタイム制御部３ｄは、時刻ｔ２以降において、放電ＭＯＳモニタ回路３ｅからの電圧Ｖｇｓ１のレベルが閾値電圧に達すると放電ＭＯＳ４のオフ状態を判断してデッドタイムの終期を判定する。ＭＯＳ制御部３ａは、デッドタイム制御部３ｄからのデッドタイムの終了判定に基づいて、還流ＭＯＳ７にハイレベルの駆動電圧Ｖ３を与えてオン駆動する。これにより、電磁弁２の電流Ｉｉｎｊは、この後、オン動作した抵抗の小さい還流ＭＯＳ７を還流電流として流れるようになる。
【００４０】
この後、電磁弁２の電流Ｉｉｎｊが電流Ｉ２のレベルまで低下する時刻ｔ３で、制御回路３０は、電流検出回路３ｂからの電流値の検出結果に基づいてＭＯＳ制御部３ａにより、還流ＭＯＳ７にローレベルの駆動電圧Ｖ３を与えてオフさせる。この後、定電流ＭＯＳ８をオン駆動するまでのデッドタイムＴｄｔ１は、第１実施形態と同様にして判定し、ＭＯＳ制御部３ａにより定電流ＭＯＳ８がハイレベルの駆動電圧Ｖ２によってオン駆動される。
【００４１】
以下、制御回路３０は、同様にして還流ＭＯＳ７と定電流ＭＯＳ８を交互にオンオフ駆動制御を実施するが、定電流ＭＯＳ８をオフ駆動した後のデッドタイムの設定について図５を参照して説明する。なお、図５に示す期間Ａは、図２中で示した定電流ＭＯＳ８がオン状態からオフに移行し、再びオン状態に変化した時点までの期間で、時刻ｔｘからｔｙの期間を想定している。
【００４２】
図５において、制御回路３０は、時刻ｔｘの後、時刻ｔｘ１で電流検出回路３ｃからの検出信号で電磁弁２の電流Ｉｉｎｊが所定の電流値Ｉｔｈ２に達したことにより、ＭＯＳ制御部３ａにより定電流ＭＯＳ８にローレベルの駆動電圧Ｖ２を与えてオフ駆動する。制御回路３０においては、定電流ＭＯＳモニタ回路３ｆにより定電流ＭＯＳ８のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ２をモニタしており、時刻ｔｘａで電圧Ｖｇｓ２が閾値電圧Ｖｔｈ２まで低下すると、デッドタイム制御部３ｄにより、定電流ＭＯＳ８のオフ状態を判定し、デッドタイムＴｄｔ２の終了時点とする。
【００４３】
制御回路３０のＭＯＳ駆動制御部３ａは、デッドタイム制御部３ｄからのデッドタイムＴｄｔ２の終了時点の検出に応じて、還流ＭＯＳ７への駆動電圧Ｖ３をハイレベルにしてオン駆動する。還流ＭＯＳ７のゲート電圧Ｖｇｓは図５に示しているように上昇してオン状態になり、電磁弁２の還流による電流Ｉｉｎｊが抵抗の小さい還流ＭＯＳ４に流れるようになる。
【００４４】
制御回路３０は、この後、電磁弁電流Ｉｉｎｊが時刻ｔｘ３で閾値電流値Ｉｔｈ１まで低下すると、還流ＭＯＳ７への駆動電圧Ｖ３をローレベルにしてオフさせる。これにより、還流ＭＯＳ７のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓは徐々に低下する。制御回路３０においては、還流ＭＯＳモニタ回路３ｃにより還流ＭＯＳ７のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが時刻ｔｘ４で閾値電圧Ｖｔｈ１になると、デッドタイム制御部３ｄにより、還流ＭＯＳ７のオフ状態を判定し、デッドタイムＴｄｔ１の終了時点とする。
【００４５】
制御回路３０のＭＯＳ駆動制御部３ａは、デッドタイム制御部３ｄからのデッドタイムＴｄｔ１の終了時点の検出に応じて、時刻ｔｘ４で、定電流ＭＯＳ８への駆動電圧Ｖ２をハイレベルにしてオン駆動する。
【００４６】
以下、同様に、制御回路３０は、定電流ＭＯＳ８のオフ時では、定電流ＭＯＳモニタ回路３ｆとデッドタイム制御部３ｄとにより定電流ＭＯＳ８のオフをゲート電圧Ｖｇｓ２により判定してデッドタイムＴｄｔ２の終期を検出し、還流ＭＯＳ７をオン駆動する。また、制御回路３０は、還流ＭＯＳ７のオフ時では還流ＭＯＳモニタ回路３ｃとデッドタイム制御部３ｄとにより還流ＭＯＳ７のオフをゲート電圧Ｖｇｓにより判定してデッドタイムＴｄｔ１の終期を検出し、定電流ＭＯＳ８をオン駆動することを繰り返し実施する。
【００４７】
このような第２実施形態では、放電ＭＯＳモニタ回路３ｅ、定電流ＭＯＳモニタ回路３ｆを新たに設け、放電ＭＯＳ４および定電流ＭＯＳ８のオフ時にもデッドタイムをそれぞれのゲート電圧Ｖｇｓ１、Ｖｇｓ２から判定する構成とした。これにより、第１実施形態の効果に加えて、さらにデッドタイムの設定を放電ＭＯＳ４および定電流ＭＯＳ８のオフ時にも拡張して適切なタイミングで還流ＭＯＳ７をオン駆動させることができ、さらに損失低減効果の向上を図ることができる。
【００４８】
（他の実施形態）
なお、本発明は、上述した実施形態のみに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能であり、例えば、以下のように変形または拡張することができる。
【００４９】
なお、第１実施形態では、還流ＭＯＳ７のオフ後のデッドタイムＴｄｔ１をゲート電圧Ｖｇｓにより設定するものとし、第２実施形態では、加えて放電ＭＯＳ４および定電流ＭＯＳ８のオフ後のデッドタイムもゲート電圧Ｖｇ１、Ｖｇ２により設定するものとしたが、これに限らず、次のように選択的に設けることもできる。
【００５０】
すなわち、第１実施形態の構成に加えて、定電流ＭＯＳ８のオフ後のデッドタイムをゲート電圧Ｖｇｓ２により設定するもの、あるいは、第１実施形態の構成に加えて、放電ＭＯＳ４のデッドタイムをゲート電圧Ｖｇｓ１により設定するものなどの構成を採用することもできる。
【００５１】
本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
【符号の説明】
【００５２】
図面中、１、２０は電磁弁駆動装置、２は電磁弁、３、３０は制御回路、３ａはＭＯＳ制御部、３ｂは電流検出回路、３ｃは還流ＭＯＳモニタ回路、３ｄはデッドタイム制御部、３ｅは放電ＭＯＳモニタ回路、３ｆは定電流ＭＯＳモニタ回路、４は放電ＭＯＳトランジスタ（通電ＭＯＳトランジスタ）、６は電流検出抵抗、７は還流ＭＯＳトランジスタ、８は定電流ＭＯＳトランジスタ（通電ＭＯＳトランジスタ）、９は逆流防止ＭＯＳトランジスタである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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