(57)【要約】【課題】導体層に均一な無電解めっき層を形成可能でありながら、端子部の接続信頼性の向上を図ることができる配線回路基板、および、製造効率のよい配線回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】配線回路基板１に、金属支持層２と、金属支持層２の厚み方向の一方側に配置されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の厚み方向の一方側に配置され、第１端子１５と、第１端子１５と電気的に接続されるグランドリード残余部分１８とを備える導体層４とを備える。そして、グランドリード残余部分１８の厚みを、第１端子１５の厚みよりも薄くする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持層と、
前記金属支持層の厚み方向の一方側に配置される絶縁層と、
前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置され、端子部と、前記端子部と電気的に接続されるグランドリード残余部分とを備える導体層と、を備え、
前記グランドリード残余部分の厚みは、前記端子部の厚みよりも薄いことを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記端子部は、前記厚み方向に積層される複数の端子形成層を備え、
前記グランドリード残余部分は、前記複数の端子形成層の少なくとも１つに連続するリード形成層を備えることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記グランドリード残余部分は、配線回路基板の端部に位置することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記絶縁層の一部は、前記グランドリード残余部分が延びる方向において、前記グランドリード残余部分および前記金属支持層に対して、前記端子部の反対側に突出することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記グランドリード残余部分は、前記絶縁層の前記厚み方向の一方面に配置されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項６】
金属支持層を準備する工程と、
前記金属支持層の厚み方向の一方側に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置される端子部と、前記端子部および前記金属支持層を電気的に接続するグランドリードとを備える導体層を形成する工程と、
前記導体層を無電解めっきする工程と、
前記端子部と前記金属支持層とが絶縁されるように、前記グランドリードの一部を除去して、グランドリード残余部分を形成する工程と、を含み、
前記グランドリード残余部分の厚みは、前記端子部の厚みよりも薄いことを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記導体層を形成する工程は、
前記グランドリードを構成するリード形成層と、前記端子部を構成し、前記リード形成層と連続する端子形成層とを同時に形成する工程と、
前記グランドリードを構成するリード形成層を形成せず、前記端子部を構成する端子形成層を形成する工程と、を含むことを特徴とする、請求項６に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記グランドリードの一部を除去する工程において、前記金属支持層の一部と前記グランドリードの一部とを同時にエッチングすることを特徴とする、請求項６または７に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層を形成する工程後、かつ、前記導体層を形成する工程前において、前記絶縁層の前記厚み方向の一方面、および、前記絶縁層から露出する金属支持層の前記厚み方向の一方面に、種膜を形成する工程と、
前記導体層を形成する工程後、かつ、前記無電解めっきする工程前において、前記導体層から露出する種膜を除去する工程と、
前記グランドリードの一部を除去する工程後、前記グランドリードの除去により露出した種膜を除去する工程と、をさらに含むことを特徴とする、請求項６〜８のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、金属支持基板と、金属支持基板上に配置されるベース絶縁層と、ベース絶縁層上に配置される導体パターンとを備え、導体パターンが、２つの端子を電気的に接続する配線パターンと、端子と金属支持基板とを電気的に接続するグランドパターンとを含む、配線回路基板が知られている。
【０００３】
このような配線回路基板において、導体パターンの表面に無電解めっき層を形成する場合がある。しかし、配線パターンにおける無電解めっきの析出速度と、グランドパターンにおける無電解めっきの析出速度とは、それらパターンと金属支持基板との電気的な接続の有無に起因して異なり、導体パターンにおいて均一な無電解めっき層を形成することが困難である。
【０００４】
そこで、配線パターンおよびグランドパターンとともに、配線パターンの端子と金属支持基板とを電気的に接続する延長パターンを形成し、配線パターンの表面およびグランドパターンの表面に無電解めっき層を設けた後、延長パターンを除去して、配線パターンと金属支持基板とを絶縁する、配線回路基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１７１０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載の配線回路基板の製造方法では、延長パターンが配線パターンの端子と同じ厚みを有するので、延長パターンの除去に時間がかかるという不具合がある。また、エッチングなどで延長パターンを除去する場合、過エッチングにより端子が浸食されて、端子の接続信頼性が低下する場合もある。
【０００７】
本発明は、導体層に均一な無電解めっき層を形成可能でありながら、端子部の接続信頼性の向上を図ることができる配線回路基板、および、製造効率のよい配線回路基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明［１］は、金属支持層と、前記金属支持層の厚み方向の一方側に配置される絶縁層と、前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置され、端子部と、前記端子部と電気的に接続されるグランドリード残余部分とを備える導体層と、を備え、前記グランドリード残余部分の厚みは、前記端子部の厚みよりも薄い、配線回路基板を含む。
【０００９】
しかるに、グランドリード残余部分は、配線回路基板の製造において、端子部と金属支持層とを電気的に接続するグランドリードの一部が除去されて形成される。そのため、グランドリードが除去される前において、端子部と金属支持層とが電気的に接続されているので、導体層に無電解めっき層を均一に形成可能である。
【００１０】
また、上記の構成によれば、グランドリード残余部分の厚みが端子部の厚みよりも薄い。そのため、グランドリード残余部分の厚みが端子部の厚みと同じである場合と比較して、グランドリードを円滑に除去することができる。また、エッチングなどでグランドリードを除去するときに、過エッチングにより端子部が浸食されることを抑制でき、端子部の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００１１】
本発明［２］は、前記端子部は、前記厚み方向に積層される複数の端子形成層を備え、前記グランドリード残余部分は、前記複数の端子形成層の少なくとも１つに連続するリード形成層を備える、上記［１］に記載の配線回路基板を含む。
【００１２】
このような構成によれば、端子部が複数の端子形成層を備え、グランドリード残余部分が、端子形成層に連続するリード形成層を備えるので、グランドリード残余部分の厚みを端子部の厚みよりも確実に薄くできる。
【００１３】
本発明［３］は、前記グランドリード残余部分は、配線回路基板の端部に位置する、上記［１］または［２］に記載の配線回路基板を含む。
【００１４】
このような構成によれば、グランドリード残余部分が配線回路基板の端部に位置するので、配線回路基板の製造において、グランドリードの一部をより円滑に除去でき、グランドリード残余部分を形成することができる。
【００１５】
本発明［４］は、前記絶縁層の一部は、前記グランドリード残余部分が延びる方向において、前記グランドリード残余部分および前記金属支持層に対して、前記端子部の反対側に突出する、上記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。
【００１６】
このような構成によれば、絶縁層の一部がグランドリード残余部分および金属支持層に対して端子部の反対側に突出するので、グランドリード残余部分と金属支持層とを確実に絶縁することができる。
【００１７】
本発明［５］は、前記グランドリード残余部分は、前記絶縁層の前記厚み方向の一方面に配置される、上記［１］〜［４］のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。
【００１８】
このような構成によれば、グランドリード残余部分が絶縁層上に配置されるので、グランドリード残余部分と金属支持層とをより確実に絶縁することができる。
【００１９】
本発明［６］は、金属支持層を準備する工程と、前記金属支持層の厚み方向の一方側に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置される端子部と、前記端子部および前記金属支持層を電気的に接続するグランドリードとを備える導体層を形成する工程と、前記導体層を無電解めっきする工程と、前記端子部と前記金属支持層とが絶縁されるように、前記グランドリードの一部を除去して、グランドリード残余部分を形成する工程と、を含み、前記グランドリード残余部分の厚みは、前記端子部の厚みよりも薄い、配線回路基板の製造方法を含む。
【００２０】
このような方法によれば、端子部と、端子部および金属支持層を電気的に接続するグランドリードとを備える導体層を形成した後、導体層を無電解めっきし、次いで、端子部と金属支持層とが絶縁されるように、グランドリードの一部を除去して、グランドリード残余部分を形成する。
【００２１】
つまり、導体層を無電解めっきするときに、グランドリードが端子部および金属支持層を電気的に接続しているので、導体層に均一な無電解めっき層を形成することができる。また、グランドリード残余部分の厚みが端子部の厚みよりも薄いので、グランドリードを円滑に除去することができるとともに、端子の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００２２】
本発明［７］は、前記導体層を形成する工程は、前記グランドリードを構成するリード形成層と、前記端子部を構成し、前記リード形成層と連続する端子形成層とを同時に形成する工程と、前記グランドリードを構成するリード形成層を形成せず、前記端子部を構成する端子形成層を形成する工程と、を含む、上記［６］に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００２３】
このような方法によれば、導体層を形成する工程が、リード形成層と端子形成層とを同時に形成する工程と、リード形成層を形成せず、端子形成層を形成する工程とを含むので、端子部は、複数の端子形成層から構成され、グランドリードは、複数の端子形成層よりも少ないリード形成層から構成される。そのため、グランドリードの厚みを端子部の厚みよりも確実に薄くでき、ひいては、グランドリード残余部分の厚みを端子部の厚みよりも確実に薄くできる。
【００２４】
本発明［８］は、前記グランドリードの一部を除去する工程において、前記金属支持層の一部と前記グランドリードの一部とを同時にエッチングする、上記［６］または［７］に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００２５】
このような方法によれば、金属支持層の一部とグランドリードの一部とを同時にエッチングするので、グランドリードの一部を円滑に除去でき、グランドリード残余部分を配線回路基板の端部に配置させることができる。また、金属支持層の一部とグランドリードの一部とを同時にエッチングするので、それらを別々にエッチングする場合と比較して、製造工程数の低減を図ることができる。
【００２６】
本発明［９］は、前記絶縁層を形成する工程後、かつ、前記導体層を形成する工程前において、前記絶縁層の前記厚み方向の一方面、および、前記絶縁層から露出する金属支持層の前記厚み方向の一方面に、種膜を形成する工程と、前記導体層を形成する工程後、かつ、前記無電解めっきする工程前において、前記導体層から露出する種膜を除去する工程と、前記グランドリードの一部を除去する工程後、前記グランドリードの除去により露出した種膜を除去する工程と、をさらに含む、上記［６］〜［８］のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００２７】
このような方法によれば、絶縁層上および絶縁層から露出する金属支持層上に種膜を形成した後、種膜上に導体層を形成し、続いて導体層を無電解めっきした後、グランドリードの一部を除去してグランドリード残余部分を形成し、その後、グランドリードの除去により露出した種膜を除去する。
【００２８】
しかるに、グランドリードの除去により露出した種膜が残存すると、グランドリード残余部分と金属支持層とが、種膜を介して電気的に接続されるおそれがある。一方、上記の方法によれば、グランドリードの除去により露出した種膜を除去するので、グランドリード残余部分と金属支持層とをより一層確実に絶縁することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の配線回路基板によれば、導体層に均一な無電解めっき層を形成可能でありながら、端子部の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００３０】
また、本発明の配線回路基板の製造方法によれば、上記した配線回路基板を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板の第１実施形態の平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す配線回路基板のＡ−Ａ断面図を示す。
【図３】図３Ａ〜図３Ｅは、図２に示す配線回路基板の製造工程図であり、図３Ａは、金属支持層を準備する工程を示す。図３Ｂは、ベース絶縁層を形成する工程を示す。図３Ｃは、種膜を形成する工程を示す。図３Ｄは、第１導体層を形成する工程を示す。図３Ｅは、第２導体層を形成する工程を示す。
【図４】図４Ｆ〜図４Ｇは、図３Ｅに続く配線回路基板の製造工程図であり、図４Ｆは、導体層から露出する種膜を除去する工程を示す。図４Ｇは、第１めっき層を形成する工程を示す。図４Ｈは、カバー絶縁層を形成する工程を示す。図４Ｉは、カバー絶縁層から露出する第１めっき層を除去する工程を示す。
【図５】図５Ｊ〜図５Ｌは、図４Ｉに続く配線回路基板の製造工程図であり、図５Ｊは、グランドリード残余部分を形成する工程を示す。図５Ｋは、グランドリード残余部分の形成により露出した種膜を除去する工程を示す。図５Ｌは、第２めっき層を形成する工程を示す。
【図６】図６は、図３Ｅに示すグランドリードを備える導体層の平面図である。
【図７】図７は、本発明の配線回路基板の第２実施形態の側断面図を示す。
【図８】図８は、本発明の配線回路基板の第３実施形態の平面図を示す。
【図９】図９は、図８に示す配線回路基板のＢ−Ｂ断面図を示す。
【図１０】図１０は、図８に示すグランドリード残余部分に対応するグランドリードを備える導体層の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
＜第１実施形態＞
１．配線回路基板
本発明の配線回路基板の第１実施形態としての配線回路基板１を、図１および図２を参照して説明する。
【００３３】
図１および図２に示すように、配線回路基板１は、厚みを有するシート形状を有する。配線回路基板１は、例えば、平面視矩形状を有する。配線回路基板１として、例えば、金属支持層２を補強層として備える補強層付フレキシブルプリント配線板、金属支持層２をサスペンション（バネ）層として備える回路付サスペンション基板などが挙げられる。
【００３４】
具体的には、図２に示すように、配線回路基板１は、金属支持層２と、絶縁層の一例としてのベース絶縁層３と、種膜６と、導体層４と、第１めっき層７と、カバー絶縁層５と、第２めっき層８とを備える。
【００３５】
金属支持層２は、平板形状を有する。金属支持層２の厚みは、特に制限されない。
【００３６】
金属支持層２の材料は、例えば、公知ないし慣用の金属系材料（具体的には、金属材料）から適宜選択して用いることができる。金属系材料として、具体的には、周期表で第１族〜第１６族に分類されている金属元素や、これらの金属元素を２種類以上含む合金などが挙げられる。なお、金属元素は、遷移金属、典型金属のいずれであってもよい。
【００３７】
金属元素として、より詳しくは、カルシウムなどの第２族金属元素、チタン、ジルコニウムなどの第４族金属元素、バナジウムなどの第５族金属元素、クロム、モリブデン、タングステンなどの第６族金属元素、マンガンなどの第７族金属元素、鉄などの第８族金属元素、コバルトなどの第９族金属元素、ニッケル、白金などの第１０族金属元素、銅、銀、金などの第１１族金属元素、亜鉛などの第１２族金属元素、アルミニウム、ガリウムなどの第１３族金属元素、ゲルマニウム、錫などの第１４族金属元素が挙げられる。
【００３８】
このような金属系材料は、単独使用または２種以上併用することができる。金属系材料のなかでは、好ましくは、２種以上の金属元素を含む合金が挙げられ、さらに好ましくは、導体層４と同時にエッチング可能な合金が挙げられ、とりわけ好ましくは、ステンレス、銅を含む合金が挙げられる。
【００３９】
ベース絶縁層３は、金属支持層２の厚み方向の一方側、具体的には、金属支持層２の厚み方向の一方面に配置される。ベース絶縁層３は、配線回路基板１と同一の外形形状を有する。ベース絶縁層３は、厚みを有しており、平坦な厚み方向一方面および他方面を有する。
【００４０】
図１に示すように、ベース絶縁層３は、第１端子配置部分３０と、第２端子配置部分３１と、配線配置部分３２とを備える。第１端子配置部分３０および第２端子配置部分３１は、配線配置部分３２を挟むように、互いに間隔を空けて位置する。第１端子配置部分３０は、配線配置部分３２と連続する。第１端子配置部分３０は、配線配置部分３２に対して反対側に位置する遊端部３０Ａを有する。遊端部３０Ａは、金属支持層２の端面２Ａに対して配線配置部分３２の反対側に突出している（図２参照）。
【００４１】
第２端子配置部分３１は、配線配置部分３２に対して第１端子配置部分３０の反対側に位置する。第２端子配置部分３１は、配線配置部分３２と連続する。第１端子配置部分３０および第２端子配置部分３１のそれぞれは、カバー絶縁層５に被覆されず、カバー絶縁層５から露出している。配線配置部分３２Ｃは、第１端子配置部分３０および第２端子配置部分３１の間に位置する。配線配置部分３２Ｃは、カバー絶縁層５に被覆されている。
【００４２】
ベース絶縁層３の材料として、例えば、ポリイミドなどの樹脂（絶縁性樹脂材料）などが挙げられる。ベース絶縁層３の厚みは、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００４３】
図２に示すように、種膜６は、ベース絶縁層３の厚み方向の一方面に配置される。種膜６は、導体層４に対応するパターンを有する。種膜６の材料として、例えば、銅、クロム、ニッケルなどの金属およびそれらの合金などが挙げられる。種膜６は、１層から形成されてもよく、２層以上から形成されてもよい。種膜６の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上、例えば、１μｍ以下、好ましくは、０．１μｍ以下である。
【００４４】
導体層４は、ベース絶縁層３の厚み方向の一方側、具体的には、種膜６の厚み方向の一方面に配置される。図１に示すように、導体層４は、グランドパターン１０と、複数の配線パターン１１とを含む。
【００４５】
グランドパターン１０は、グランド端子１２と、グランド配線１３とを備える。
【００４６】
グランド端子１２は、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方側に配置される。詳しくは、グランド端子１２は、種膜６を介して、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方面に配置される。グランド端子１２は、所定方向に延びる平面視矩形状（角ランド）を有する。
【００４７】
グランド配線１３は、グランド端子１２と金属支持層２とを電気的に接続する。グランド配線１３は、グランド端子１２から連続して、第１端子配置部分３０上から配線配置部分３２Ｃ上まで延びる。詳しくは、グランド配線１３は、種膜６を介して、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方面および配線配置部分３２の厚み方向の一方面にわたって配置される。グランド配線１３は、配線配置部分３２Ｃを厚み方向に貫通して金属支持層２に接地している。グランド配線１３の幅方向（長手方向と直交する方向）の寸法は、グランド端子１２の幅方向（長手方向と直交する方向）よりも小さい。
【００４８】
複数の配線パターン１１のそれぞれは、端子部の一例としての第１端子１５と、第２端子１６と、接続配線１７と、グランドリード残余部分１８とを備える。つまり、導体層４は、複数の第１端子１５と、複数のグランドリード残余部分１８とを備える。
【００４９】
第１端子１５は、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方側に配置される。詳しくは、第１端子１５は、種膜６を介して、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方面に配置される（図２参照）。第１端子１５は、所定方向に延びる平面視矩形状（角ランド）を有する。複数の第１端子１５とグランド端子１２とは、第１端子１５の幅方向（長手方向と直交する方向）に、互いに間隔を空けて配置されている。
【００５０】
第２端子１６は、第２端子配置部分３１の厚み方向の一方側に配置される。詳しくは、第２端子１６は、種膜６を介して、第２端子配置部分３１の厚み方向の一方面に配置される。第２端子１６は、所定方向に延びる平面視矩形状（角ランド）を有する。複数の第２端子１６は、第２端子１６の幅方向（長手方向と直交する方向）に、互いに間隔を空けて配置されている。
【００５１】
接続配線１７は、第１端子１５と第２端子１６とを電気的に接続する。接続配線１７は、第１端子１５から連続して第１端子配置部分３０上を延びた後、配線配置部分３２Ｃ上を通過して、第２端子配置部分３１上において第２端子１６に接続される。詳しくは、接続配線１７は、種膜６を介して、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方面、配線配置部分３２の厚み方向の一方面および第２端子配置部分３１の厚み方向の一方面にわたって配置される。接続配線１７の幅方向（長手方向と直交する方向）の寸法は、第１端子１５の幅方向（長手方向と直交する方向）よりも小さい。
【００５２】
グランドリード残余部分１８は、後述する配線回路基板１の製造方法において、グランドリード１９の一部が除去されたグランドリード１９の残部である（図５参照）。グランドリード残余部分１８は、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方側に配置される（図２参照）。詳しくは、グランドリード残余部分１８は、種膜６を介して、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方面に配置される。グランドリード残余部分１８は、第１端子１５と電気的に接続される。グランドリード残余部分１８は、第１端子１５から連続して接続配線１７の反対側に延びる。グランドリード残余部分１８は、配線回路基板１の端部に位置する。グランドリード残余部分１８は、第１端子配置部分３０の遊端部３０Ａの端面に対して、第１端子１５側に間隔を空けて位置する。つまり、第１端子配置部分３０の遊端部３０Ａは、グランドリード残余部分１８が延びる方向において、グランドリード残余部分１８および金属支持層２に対して、第１端子１５の反対側に突出している。
【００５３】
このようなグランドリード残余部分１８の厚みは、第１端子１５の厚みよりも薄い。グランドリード残余部分１８の厚みは、第１端子１５の厚みを１００としたときに、例えば、１以上、好ましくは、５以上、例えば、９０以下、好ましくは、８０以下である。
【００５４】
具体的には、グランドリード残余部分１８の厚みは、例えば、１μｍ以上、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下、さらに好ましくは、５０μｍ以下である。第１端子１５の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。
【００５５】
このような導体層４は、図２に示すように、複数の層から構成される。本実施形態では、導体層４は、第１導体層４０および第２導体層４１を備える。なお、導体層４を構成する層数は、特に制限されず、３以上であってもよい。
【００５６】
第１導体層４０は、種膜６の厚み方向の一方面に配置される。第１導体層４０は、端子形成層の一例としての複数の第１端子形成層４２と、複数のリード形成層４３と、複数の配線形成層４４とを備える。
【００５７】
第１端子形成層４２は、第１端子１５を構成する。リード形成層４３は、第１端子形成層４２と連続し、グランドリード残余部分１８を構成する。配線形成層４４は、第１端子形成層４２と連続し、接続配線１７を構成する。
【００５８】
第１導体層４０の厚みは、例えば、上記したグランドリード残余部分１８の厚みと同じである。
【００５９】
第２導体層４１は、第１導体層４０の厚み方向の一方面に配置される。第２導体層４１は、端子形成層の一例としての複数の第２端子形成層４５を備える。
【００６０】
第２端子形成層４５は、第１端子１５を構成する。第２端子形成層４５は、第１端子形成層４２の厚み方向の一方面に配置される。つまり、第１端子形成層４２および第２端子形成層４５は、厚み方向に積層されている。
【００６１】
第２導体層４１の厚みは、第１導体層４０の厚みを１００としたときに、例えば、１以上、好ましくは、５以上、例えば、１０００以下、好ましくは、５００以下である。具体的には、第２導体層４１の厚みは、例えば、１μｍ以上、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００６２】
なお、図示しないが、第１導体層４０は、グランド端子１２を構成するグランド端子形成層と、グランド配線１３を構成するグランド配線形成層と、複数の第２端子１６を構成する第３端子形成層と、をさらに備える。
【００６３】
本実施形態では、上記したように、第１端子１５は、厚み方向に積層される複数の第１端子形成層（第１端子形成層４２および第２端子形成層４５）を備え、好ましくは、第１端子形成層４２および第２端子形成層４５からなる。なお、第１端子１５が備える端子形成層の層数は、特に制限されず、３以上であってもよい。
【００６４】
また、グランドリード残余部分１８は、第１端子形成層４２に連続するリード形成層４３を備え、好ましくは、リード形成層４３からなる。なお、グランドリード残余部分１８が備えるリード形成層の層数は、第１端子１５が備える端子形成層の層数未満であれば特に制限されず、２以上であってもよい。
【００６５】
また、接続配線１７は、第１端子形成層４２に連続する配線形成層４４を備え、好ましくは、配線形成層４４からなる。なお、接続配線１７が備える配線形成層の層数は、特に制限されず、２以上であってもよい。
【００６６】
このような導体層４（第１導体層４０および第２導体層４１）の材料として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロムなどの金属元素、および、それら金属元素を２種以上含む合金などの金属が挙げられ、好ましくは、銅、銅合金などの銅を含む金属が挙げられる。
【００６７】
第１めっき層７は、導体層４とカバー絶縁層５との密着性を向上させる。第１めっき層７は、無電解めっき層であって、導体層４とカバー絶縁層５との間に位置する。具体的には、第１めっき層７は、配線配置部分３２上に位置するグランド配線１３および接続配線１７の表面を被覆するように設けられる。第１めっき層７の材料として、例えば、ニッケル、錫、銀、パラジウムなどの金属元素、および、それら金属元素を２種以上含む合金などの金属が挙げられ、好ましくは、ニッケルが挙げられる。第１めっき層７は、１層から形成されてもよく、２層以上から形成されてもよい。第１めっき層７の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上、好ましくは、０．０２μｍ以上、例えば、１μｍ以下、好ましくは、０．５μｍ以下である。
【００６８】
カバー絶縁層５は、グランド配線１３および接続配線１７を被覆するように、配線配置部分３２の厚み方向一方面に配置される。また、カバー絶縁層５は、グランド端子１２と、複数の第１端子１５と、複数のグランドリード残余部分１８と、複数の第２端子１６とを露出させている（図１参照）。カバー絶縁層５の材料として、例えば、ベース絶縁層３の材料と同様のものが挙げられる。カバー絶縁層５の厚みは、特に限定されず、例えば、１μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００６９】
第２めっき層８は、無電解めっき層であって、カバー絶縁層５から露出する導体層４（具体的には、グランド端子１２、複数の第１端子１５、複数のグランドリード残余部分１８および複数の第２端子１６）の表面と、金属支持層２の表面とを被覆するように設けられる。第２めっき層８の材料は、例えば、ニッケル、金などの金属元素、および、それら金属元素を含む合金などが挙げられる。第２めっき層８は、１層から形成されてもよく、２層以上から形成されてもよい。例えば、第２めっき層８は、ニッケルを含む第１層と、金を含む第２層とが積層されて形成されてもよい。第２めっき層８の厚みは、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２５μｍ以上、例えば、５μｍ以下、好ましくは、２．５μｍ以下である。
【００７０】
２．配線回路基板の製造方法
次に、配線回路基板１の製造方法について、図３Ａ〜図６を参照して説明する。
【００７１】
配線回路基板１の製造方法は、金属支持層２を準備する工程（図３Ａ参照）と、ベース絶縁層３を形成する工程（図３Ｂ参照）と、種膜６を形成する工程（図３Ｃ参照）と、導体層４Ａを形成する工程（図３Ｄおよび図３Ｅ参照）と、導体層４Ａから露出する種膜６を除去する工程（図４Ｆ参照）と、第１めっき層７を形成する工程（図４Ｇ参照）と、カバー絶縁層５を形成する工程（図４Ｈ参照）と、カバー絶縁層５から露出する第１めっき層７を除去する工程（図４Ｉ参照）と、グランドリード残余部分１８を形成する工程（図５Ｊ参照）と、グランドリード残余部分１８の形成により露出した種膜６を除去する工程（図５Ｋ参照）と、第２めっき層８を形成する工程（図５Ｌ参照）と、を含む。
【００７２】
図３Ａに示すように、まず、金属支持層２を準備する。
【００７３】
次いで、図３Ｂに示すように、金属支持層２の厚み方向の一方側に、ベース絶縁層３を形成する。具体的には、上記した樹脂を含むワニスを、金属支持層２の厚み方向の一方面に塗布して乾燥させて、ベース皮膜を形成する。その後、ベース皮膜を、図示しないフォトマスクを介して露光および現像し、必要により加熱硬化させて、ベース絶縁層３を上記したパターンに形成する。
【００７４】
このようなベース絶縁層３において、第１端子配置部分３０の遊端部３０Ａは、金属支持層２の周端面よりも配線回路基板１の内側に位置する。そのため、金属支持層２の厚み方向の一方面における一部が、ベース絶縁層３から露出している。なお、以下において、ベース絶縁層３から露出する金属支持層２の部分を、グランド部分２０とする。
【００７５】
次いで、図３Ｃに示すように、ベース絶縁層３の厚み方向の一方面、および、グランド部分２０（ベース絶縁層３から露出する金属支持層２）の厚み方向の一方面に種膜６を形成する。種膜６の形成方法として、例えば、スパッタリング、電解めっきまたは無電解めっきなどが挙げられ、好ましくは、スパッタリングが挙げられる。
【００７６】
次いで、図３Ｄおよび図３Ｅに示すように、種膜６の厚み方向の一方面に、導体層４Ａを形成する。図６に示すように、導体層４Ａは、複数のグランドリード残余部分１８に代えて複数のグランドリード１９を備えること以外は、導体層４と同様の構成を有する。なお、以下では、グランドリード１９を備える導体層４Ａを、プレ導体層４Ａとして、グランドリード残余部分１８を備える導体層４と区別する。
【００７７】
グランドリード１９は、第１端子１５およびグランド部分２０を電気的に接続する。グランドリード１９は、第１端子１５から連続して接続配線１７の反対側に向かって延び、第１端子配置部分３０の遊端部３０Ａを超えてグランド部分２０上に位置する。グランドリード１９は、プレ導体層４Ａの端部に位置する。グランドリード１９は、第１部分１９Ａと、第２部分１９Ｂとを備える。
【００７８】
第１部分１９Ａは、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方側に位置し、詳しくは、種膜６を介して第１端子配置部分３０の厚み方向の一方面に配置される（図３Ｅ参照）。第１部分１９Ａは、第１端子１５と連続する。第２部分１９Ｂは、第１部分１９Ａとグランド部分２０とを電気的に接続する。第２部分１９Ｂは、第１部分１９Ａと連続し、グランド部分２０の厚み方向の一方側に位置する。詳しくは、第２部分１９Ｂは、種膜６を介して、グランド部分２０の厚み方向の一方面と接触する（図３Ｅ参照）。
【００７９】
このようなプレ導体層４Ａを形成するには、図３Ｄおよび図３Ｅに示すように、種膜６の厚み方向の一方面に第１導体層４０Ａを形成した後、第１導体層４０Ａの厚み方向の一方面に第２導体層４１を形成する。
【００８０】
第１導体層４０Ａを形成するには、図示しないが、第１導体層４０Ａの逆パターンを有するレジストを種膜６上に配置して、例えば、電解めっき（好ましくは、電解銅めっき）する。その後、レジストを除去する。
【００８１】
第１導体層４０Ａは、複数のリード形成層４３に代えて、複数のリード形成層４６を備えること以外は、第１導体層４０と同様の構成を有する。リード形成層４６は、第１端子形成層４２と連続し、グランドリード１９を構成する。つまり、第１導体層４０Ａの形成において、グランドリード１９を構成するリード形成層４６と、第１端子１５を構成し、リード形成層４６と連続する第１端子形成層４２とを同時に形成する。
【００８２】
次いで、図３Ｅに示すように、第２導体層４１を形成する。第２導体層４１を形成するには、図示しないが、第２導体層４１の逆パターンを有するレジストを第１導体層４０Ａ上に配置して、例えば、電解めっき（好ましくは、電解銅めっき）する。その後、レジストを除去する。
【００８３】
これによって、グランドリード１９を構成するリード形成層を形成せずに、第１端子１５を構成する第２端子形成層４５を形成する。第２端子形成層４５は、第１端子形成層４２の厚み方向の一方面に形成され、第１端子１５が形成される。
【００８４】
以上によって、第１端子１５と、グランドリード１９とを備えるプレ導体層４Ａが形成される。
【００８５】
次いで、図４Ｆに示すように、プレ導体層４Ａから露出する種膜６を、公知のエッチング（例えば、ウェットエッチングなど）により除去する。種膜６のエッチング液として、例えば、苛性ソーダ水溶液、過マンガン酸カリウム溶液、メタケイ酸ナトリウム溶液などが挙げられる。
【００８６】
次いで、図４Ｇに示すように、上記した第１めっき層７の材料の金属イオン（例えば、ニッケルイオン）を含む第１無電解めっき液を用いて、プレ導体層４Ａを無電解めっきする。
【００８７】
これによって、露出するプレ導体層４Ａ（グランド端子１２、グランド配線１３、第１端子１５、第２端子１６、接続配線１７およびグランドリード１９）を被覆するように、第１めっき層７が形成される。
【００８８】
次いで、図４Ｈに示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の厚み方向の一方側、具体的には、配線配置部分３２の厚み方向の一方面に、グランド配線１３および接続配線１７を被覆するように形成する。なお、カバー絶縁層５は、上記したパターンに形成される。
【００８９】
具体的には、上記した樹脂を含むワニスを、ベース絶縁層３の厚み方向の一方面に塗布して乾燥させて、カバー皮膜を形成する。その後、カバー皮膜を、図示しないフォトマスクを介して露光および現像し、必要により加熱硬化させて、カバー絶縁層５を上記したパターンに形成する。
【００９０】
次いで、図４Ｉに示すように、カバー絶縁層５から露出する第１めっき層７を、公知のエッチング（例えば、ウェットエッチングなど）により除去する。第１めっき層７のエッチング液として、例えば、硫酸過水、硝酸過水などが挙げられる。
【００９１】
次いで、図５Ｊに示すように、第１端子１５と金属支持層２とが絶縁されるように、金属支持層２のグランド部分２０と、グランドリード１９の第２部分１９Ｂとを同時にエッチングして、グランドリード１９の一部を除去する。具体的には、グランド部分２０と第２部分１９Ｂとを同時にウェットエッチングにより除去する。そのようなエッチング液として、例えば、塩化第二鉄溶液などが挙げられる。
【００９２】
このとき、エッチング液は、グランド部分２０を除去した後、さらに、金属支持層２の端面２Ａが第１端子配置部分３０の遊端部３０Ａよりも第１端子１５側に位置するように、金属支持層２をエッチングする。また、エッチング液は、第２部分１９Ｂを除去した後、さらに、第１部分１９Ａの端面が遊端部３０Ａよりも第１端子１５側に位置するまで、グランドリード１９をエッチングする。
【００９３】
これによって、グランドリード残余部分１８が形成され、第１端子配置部分３０の遊端部３０Ａが、グランドリード残余部分１８および金属支持層２に対して、第１端子１５の反対側に突出する。
【００９４】
次いで、図５Ｋに示すように、グランドリード１９の除去により露出した種膜６を除去する。具体的には、遊端部３０Ａ上に位置する種膜６を、公知のエッチング（例えば、ウェットエッチングなど）により除去する。
【００９５】
次いで、図５Ｌに示すように、上記した第２めっき層８の材料の金属イオンを含む第２無電解めっき液を用いて、カバー絶縁層５から露出する導体層４（具体的には、グランド端子１２、第１端子１５、グランドリード残余部分１８および第２端子１６）と、金属支持層２とを無電解めっきする。なお、第２めっき層８が複数層から形成される場合、無電解めっきを繰り返す。例えば、第１の金属イオン（例えば、ニッケルイオン）含む第２無電解めっき液を用いて無電解めっきした後、第２の金属イオン（例えば、金イオン）含む第２無電解めっき液を用いて無電解めっきする。
【００９６】
これによって、露出する導体層４（具体的には、グランド端子１２、第１端子１５、グランドリード残余部分１８および第２端子１６）と、金属支持層２とを被覆するように、第２めっき層８が形成される。
【００９７】
以上によって、配線回路基板１が製造される。
【００９８】
このような配線回路基板１の用途は、特に限定されず、各種分野に用いられる。配線回路基板１は、例えば、電子機器用配線回路基板（電子部品用配線回路基板）、電気機器用配線回路基板（電気部品用配線回路基板）などの各種用途で用いられる。電子機器用配線回路基板および電気機器用配線回路基板として、例えば、位置情報センサー、障害物検知センサー、温度センサーなどのセンサーで用いられるセンサー用配線回路基板、例えば、自動車、電車、航空機、工作車両などの輸送車両で用いられる輸送車両用配線回路基板、例えば、フラットパネルディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、投影型映像機器などの映像機器で用いられる映像機器用配線回路基板、例えば、ネットワーク機器、大型通信機器などの通信中継機器で用いられる通信中継機器用配線回路基板、例えば、コンピュータ、タブレット、スマートフォン、家庭用ゲームなどの情報処理端末で用いられる情報処理端末用配線回路基板、例えば、ドローン、ロボットなどの可動型機器で用いられる可動型機器用配線回路基板、例えば、ウェアラブル型医療用装置、医療診断用装置などの医療機器で用いられる医療機器用配線回路基板、例えば、冷蔵庫、洗濯機、掃除機、空調機器などの電気機器で用いられる電気機器用配線回路基板、例えば、デジタルカメラ、ＤＶＤ録画装置などの録画電子機器で用いられる録画電子機器用配線回路基板などが挙げられる。
【００９９】
図１に示すように、グランドリード残余部分１８は、配線回路基板１の製造において、第１端子１５と金属支持層２とを電気的に接続するグランドリード１９の一部が除去されて形成される（図５Ｊ参照）。そのため、グランドリード１９が除去される前において、第１端子１５と金属支持層２とが電気的に接続されており、導体層４に第１めっき層７を均一に形成可能である。
【０１００】
また、図２に示すように、グランドリード残余部分１８の厚みは、第１端子１５の厚みよりも薄い。そのため、グランドリード１９を円滑に除去することができる。
【０１０１】
なお、グランドリード１９の一部をエッチングする方法は、特に制限されず、ウェットエッチングであってもよく、ドライエッチングであってもよい。しかし、グランドリード１９の一部をウェットエッチングにより除去する場合、グランドリード残余部分１８の厚みが第１端子１５の厚み以上であると、グランドリード１９の一部を十分に除去できない場合がある。
【０１０２】
この点、配線回路基板１では、グランドリード残余部分１８の厚みが第１端子１５の厚みよりも薄いので、ウェットエッチングによってもグランドリード１９の一部を確実に除去できるとともに、過エッチングにより第１端子１５が浸食されることを抑制でき、第１端子１５の接続信頼性の向上を図ることができる。
【０１０３】
図２に示すように、第１端子１５は、第１端子形成層４２および第２端子形成層４５を備え、グランドリード残余部分１８は、第１端子形成層４２に連続するリード形成層４３を備える。そのため、グランドリード残余部分１８の厚みを、第１端子１５の厚みよりも確実に薄くできる。また、第１端子形成層４２およびリード形成層４３が互いに連続するので、第１端子形成層４２およびリード形成層４３の導通の確実性の向上を図ることができる。
【０１０４】
図１に示すように、グランドリード残余部分１８は、配線回路基板１の端部に位置する。そのため、配線回路基板１の製造において、グランドリード１９の一部をより円滑に除去でき、グランドリード残余部分１８を形成することができる。
【０１０５】
図２に示すように、グランドリード残余部分１８は、第１端子配置部分３０上に配置され、第１端子配置部分３０の遊端部３０Ａは、グランドリード残余部分１８が延びる方向において、グランドリード残余部分１８および金属支持層２に対して第１端子１５の反対側に突出する。そのため、グランドリード残余部分１８と金属支持層２とを確実に絶縁することができる。
【０１０６】
また、図４Ｆ〜図５Ｊに示すように、配線回路基板１の製造方法では、第１端子１５とグランドリード１９とを備えるプレ導体層４Ａを形成した後（図４Ｆ参照）、プレ導体層４Ａを無電解めっきし（図４Ｇ参照）、その後、第１端子１５と金属支持層２とが絶縁されるように、グランドリード１９の第２部分１９Ｂを除去して、グランドリード残余部分１８を形成する（図５Ｊ参照）。
【０１０７】
つまり、プレ導体層４Ａを無電解めっきするときに、グランドリード１９が第１端子１５および金属支持層２を電気的に接続しているので、プレ導体層４Ａに均一な第１めっき層７を形成することができる。また、グランドリード残余部分１８の厚みが第１端子１５の厚みよりも薄いので、グランドリード１９を円滑に除去することができながら、第１端子１５の接続信頼性の向上を図ることができる。
【０１０８】
また、図３Ｄおよび図３Ｅに示すように、導体層４を形成する工程は、リード形成層４６および第１端子形成層４２を同時に形成する工程と、リード形成層を形成せず、第２端子形成層４５を形成する工程とを含む。そのため、第１端子１５は、複数の端子形成層から構成され、グランドリード１９は、複数の端子形成層よりも少ないリード形成層から構成される。そのため、グランドリード１９の厚みを第１端子１５の厚みよりも確実に薄くでき、ひいては、グランドリード残余部分１８の厚みを第１端子１５の厚みよりも確実に薄くできる。
【０１０９】
また、図５Ｊに示すように、金属支持層２のグランド部分２０とグランドリード１９の第２部分１９Ｂとを同時にエッチングする。そのため、グランドリード１９の第２部分１９Ｂを円滑に除去でき、グランドリード残余部分１８を配線回路基板１の端部に配置させることができるとともに、製造工程数の低減を図ることができる。なお、金属支持層２のエッチングと、グランドリード１９のエッチングとを別々に実施することもできる。
【０１１０】
また、図５Ｋに示すように、グランドリード１９の除去により露出した種膜６を除去する。そのため、グランドリード残余部分１８と金属支持層２とをより確実に絶縁することができる。
【０１１１】
＜第２実施形態＞
次に、図７を参照して、本発明の配線回路基板の第２実施形態について説明する。なお、第２実施形態では、上記した第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
【０１１２】
上記した第１実施形態では、図２に示すように、第１導体層４０が、第１端子形成層４２と、リード形成層４３と、配線形成層４４とを備え、第２導体層４１が、第２端子形成層４５を備えるが、導体層４の構成は、これに限定されない。
【０１１３】
第２実施形態では、図７に示すように、第１導体層４０は、第１端子形成層４２を備え、第２導体層４１は、第２端子形成層４５と、リード形成層４３と、配線形成層４４とを備える。この場合、リード形成層４３は、第１端子形成層４２と連続せずに、第２端子形成層４５と連続する。配線形成層４４は、第１端子形成層４２と連続せずに、第２端子形成層４５と連続する。
【０１１４】
このような第２実施形態によっても、上記した第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０１１５】
＜第３実施形態＞
次に、図８および図９を参照して、本発明の配線回路基板の第３実施形態について説明する。なお、第３実施形態では、上記した第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
【０１１６】
上記した第１実施形態では、図２に示すように、グランドリード残余部分１８が、第１端子１５と連続する部分のみからなるが、グランドリード残余部分の構成は、これに限定されない。
【０１１７】
第３実施形態では、図８に示すように、グランドリード残余部分２２は、第１残余部分２２Ａと、第２残余部分２２Ｂとを備える。
【０１１８】
図９に示すように、第１残余部分２２Ａは、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方側に配置される。詳しくは、第１残余部分２２Ａは、種膜６を介して、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方面に配置される。第１残余部分２２Ａは、第１端子１５と電気的に接続される。第１残余部分２２Ａは、第１端子１５から連続して接続配線１７の反対側に延びる。
【０１１９】
第２残余部分２２Ｂは、第１残余部分２２Ａに対して、第１端子１５の反対側に間隔を空けて位置する。第２残余部分２２Ｂは、第１端子配置部分３０が有する貫通穴３３を介して、金属支持層２と電気的に接続される。詳しくは、第２残余部分２２Ｂは、貫通穴３３に充填されて、種膜６を介して金属支持層２の厚み方向の一方面と接触する。
【０１２０】
第３実施形態の配線回路基板１を製造するには、第１実施形態と同様にして、第１端子１５とグランドリード２１とを備えるプレ導体層４Ｂを形成する。図１０に示すように、グランドリード２１は、第１残余部分２２Ａに対応する第１部分２１Ａと、第２残余部分２２Ｂに対応する第２部分２１Ｂとを有する。第１部分２１Ａは、第１端子１５と第２部分２１Ｂとを接続する。
【０１２１】
そして、第１実施形態と同様に、プレ導体層４Ｂを無電解めっきして第１めっき層７を形成した後（図４Ｇ参照）、カバー絶縁層５を形成し（図４Ｈ参照）、次いで、カバー絶縁層５から露出する第１めっき層７を除去し（図４Ｉ参照）、その後、図８に示すように、第１端子１５と金属支持層２とが絶縁されるように、グランドリード２１における第１部分２１Ａの連続部分と第２部分２１Ｂとの間の部分を除去して、グランドリード残余部分２２を形成する。そのため、第１端子１５と連続する第１残余部分２２Ａは、配線回路基板１の端部に位置しない。その後、図９に示すように、グランドリード２１の除去により露出した種膜６を除去し、次いで、露出する導体層４に第２めっき層８を形成する。
【０１２２】
以上によって、第３実施形態の配線回路基板１が製造される。
【０１２３】
このような第３実施形態によっても、上記した第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。一方、第３実施形態では、第１残余部分２２Ａと第２残余部分２２Ｂとの間において、種膜６の一部が残存するおそれがある。そのため、第１端子１５と金属支持層２との絶縁性確保の観点から、第３実施形態よりも第１実施形態および第２実施形態が好ましい。
【０１２４】
＜変形例＞
上記した第１実施形態〜第３実施形態では、図４Ｉおよび図５Ｊに示されるように、カバー絶縁層５から露出する第１めっき層７が除去された後に、グランドリード１９の一部が除去されるが、第１めっき層の除去と、グランドリードの除去の順序は、これに限定されない。グランドリードの一部を除去した後、カバー絶縁層から露出する第１めっき層を除去してもよい。
【０１２５】
また、上記した第１実施形態〜第３実施形態では、図５Ｌに示すように、第２めっき層８が、無電解めっきにより形成されるが、第２めっき層の形成方法は、これに限定されない。例えば、第１めっき層の除去後、グランドリードの一部を除去する前に、グランドリードをめっきリードとして利用して、第２めっき層を電解めっきにより形成することもできる（図４Ｉ参照）。
【０１２６】
また、上記した第１実施形態〜第３実施形態では、第１端子が複数の端子形成層から構成され、グランドリード残余部分が複数の端子形成層よりも少ないリード形成層から構成されるが、第１端子が、１つの端子形成層から構成され、グランドリード残余部分が、その端子形成層と連続する１つのリード形成層から構成されてもよい。この場合、グランドリード残余部分は、例えば、エッチングにより、第１端子よりも薄く形成される。
【０１２７】
また、上記した第１実施形態〜第３実施形態では、種膜を形成した後、種膜上に導体層を形成するアディティブ法によって、導体層を形成しているが、導体層の形成方法は、これに限定されない。導体層を、サブトラクティブ法により形成することもできる。
【０１２８】
このような変形例によっても、上記した第１実施形態と同様の作用効果を奏することができます。また、第１実施形態〜第３実施形態および変形例は、適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１２９】
１      配線回路基板
２      金属支持層
３      ベース絶縁層
４      導体層
４Ａ    プレ導体層
４Ｂ    プレ導体層
６      種膜
１５    第１端子
１８    グランドリード残余部分
１９    グランドリード
２１    グランドリード
２２    グランドリード残余部分
４０    第１導体層
４１    第２導体層
４２    第１端子形成層
４３    リード形成層
４５    第２端子形成層
４６    リード形成層
【図１】
2020188189.tif 000003
【図２】
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【図３】
2020188189.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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