(57)【要約】【課題】回路基板の検査を速やかに開始可能とする。【解決手段】回路基板検査装置１００は、検査用プローブ２１と、導体パターンＣＰの良否を判定する制御部１０と、を備える。制御部１０は、検査対象となる対象導体パターンＣＰの基準静電容量が記憶されていない場合に、容量検出手段により検出された対象導体パターンＣＰの静電容量と他の導体パターンＣＰの静電容量とに基づいて対象導体パターンＣＰの良否を判定する第１良否判定手段と、対象導体パターンＣＰの基準静電容量が記憶されている場合に、基準静電容量に基づいて対象導体パターンＣＰの良否を判定する第２良否判定手段と、第１良否判定手段により対象導体パターンＣＰに異常がないと判定された場合に、容量検出手段により検出された静電容量が対象導体パターンＣＰの基準静電容量として記憶されることを許可する記憶許可手段と、を有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板に設けられた複数の導体パターンの良否を検査する回路基板検査装置であって、
前記導体パターンに接触する複数の検査用プローブと、
前記導体パターン毎に基準静電容量を記憶し、前記検査用プローブにより検出された検出値に基づいて前記導体パターンの良否を判定する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記導体パターン毎に、当該導体パターンの静電容量を検出する容量検出手段と、
検査対象となる対象導体パターンの前記基準静電容量が記憶されていない場合に、前記容量検出手段により検出された前記対象導体パターンの静電容量と他の導体パターンの静電容量とに基づいて前記対象導体パターンの良否を判定する第１良否判定手段と、
前記対象導体パターンの前記基準静電容量が記憶されている場合に、前記容量検出手段により検出された前記静電容量と前記基準静電容量とに基づいて前記対象導体パターンの良否を判定する第２良否判定手段と、
前記第１良否判定手段により前記対象導体パターンに異常がないと判定された場合に、前記容量検出手段により検出された前記静電容量が前記対象導体パターンの前記基準静電容量として記憶されることを許可する記憶許可手段と、を有する、回路基板検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板検査装置であって、
前記制御部は、
前記第１良否判定手段及び前記第２良否判定手段の判定結果に基づいて前記回路基板の良否を判定する基板良否判定手段と、
前記基板良否判定手段による前記回路基板の良否判定結果に関わらず、前記第１良否判定手段及び前記第２良否判定手段によってすべての前記導体パターンの良否判定が終了すると、前記記憶許可手段により前記対象導体パターンの前記基準静電容量として記憶されることが許可された前記静電容量を前記第２良否判定手段において用いられる前記基準静電容量として確定させる基準確定手段と、をさらに有する、回路基板検査装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の回路基板検査装置であって、
前記第１良否判定手段は、
前記容量検出手段により検出された前記対象導体パターンの前記静電容量と互いに近似する静電容量を有する他の導体パターンがあるか否かを判定する第１近似判定手段と、
前記第１近似判定手段により前記他の導体パターンがあると判定された場合に、前記他の導体パターンと前記対象導体パターンとの絶縁を確認する第１絶縁確認手段と、を有し、
前記第１近似判定手段により前記他の導体パターンがないと判定された場合、及び、前記第１絶縁確認手段により絶縁状態にあることが確認された場合に、前記対象導体パターンに異常がないと判定する、回路基板検査装置。
【請求項４】
請求項１から３の何れか１つに記載の回路基板検査装置であって、
前記第２良否判定手段は、
前記容量検出手段により検出された前記対象導体パターンの前記静電容量が、記憶された前記基準静電容量の所定の範囲内にあるか否かを判定する異常判定手段を有し、
前記異常判定手段により前記静電容量が前記基準静電容量の所定の範囲内にないと判定された場合に、前記対象導体パターンに異常があると判定する、回路基板検査装置。
【請求項５】
請求項４に記載の回路基板検査装置であって、
前記第２良否判定手段は、
前記異常判定手段によって前記基準静電容量の所定の範囲内にあると判定された前記対象導体パターンの前記静電容量と互いに近似する静電容量を有する他の導体パターンがあるか否かを判定する第２近似判定手段と、
前記第２近似判定手段により前記他の導体パターンがあると判定された場合に、前記他の導体パターンと前記対象導体パターンとの絶縁を確認する第２絶縁確認手段と、をさらに有し、
前記第２近似判定手段により前記他の導体パターンがないと判定された場合、及び、前記第２絶縁確認手段により絶縁状態にあることが確認された場合に、前記対象導体パターンに異常がないと判定する、回路基板検査装置。
【請求項６】
請求項１から５の何れか１つに記載の回路基板検査装置であって、
前記制御部は、
前記容量検出手段により検出された前記対象導体パターンの前記静電容量が所定の下限以下であるか否かを判定する下限判定手段と、
前記下限判定手段により前記静電容量が所定の下限以下であると判定された場合に、前記回路基板において前記対象導体パターンから所定の範囲内に設けられる他の導体パターンと前記対象導体パターンとが絶縁状態にあるか否かを確認する第３絶縁確認手段と、をさらに有する、回路基板検査装置。
【請求項７】
請求項１から６の何れか１つに記載の回路基板検査装置であって、
前記制御部は、
前記容量検出手段により検出された前記対象導体パターンの前記静電容量が所定の上限以上であるか否かを判定する上限判定手段と、
前記上限判定手段により前記静電容量が所定の上限以上であると判定された場合に、前記容量検出手段により検出されたすべての前記導体パターンの前記静電容量が前記基準静電容量として記憶されることを禁止する第１記憶禁止手段と、をさらに有する、回路基板検査装置。
【請求項８】
請求項１から７の何れか１つに記載の回路基板検査装置であって、
前記制御部は、
前記検査用プローブにより検出された検出値に基づき前記対象導体パターンの断線の有無を判定する断線判定手段と、
前記断線判定手段により前記対象導体パターンが断線していると判定された場合に、前記容量検出手段により検出されたすべての前記導体パターンの前記静電容量のうち少なくとも前記回路基板において前記対象導体パターンから所定の範囲内に設けられる他の導体パターンの前記静電容量が前記基準静電容量として記憶されることを禁止する第２記憶禁止手段と、をさらに有する、回路基板検査装置。
【請求項９】
回路基板に設けられた複数の導体パターンに接触する複数の検査用プローブを備え、前記導体パターン毎に基準静電容量を記憶し、前記検査用プローブにより検出された検出値に基づいて前記導体パターンの良否を判定する回路基板検査装置の制御方法であって、
前記導体パターン毎に、当該導体パターンの静電容量を検出する容量検出ステップと、
検査対象となる対象導体パターンの前記基準静電容量が記憶されていない場合に、前記容量検出ステップにより検出された前記対象導体パターンの静電容量と他の導体パターンの静電容量とに基づいて前記対象導体パターンの良否を判定する第１良否判定ステップと、
前記対象導体パターンの前記基準静電容量が記憶されている場合に、前記容量検出ステップにより検出された前記静電容量と前記基準静電容量とに基づいて前記対象導体パターンの良否を判定する第２良否判定ステップと、
前記第１良否判定ステップにより前記対象導体パターンに異常がないと判定された場合に、前記容量検出ステップにより検出された前記静電容量が前記対象導体パターンの前記基準静電容量として記憶されることを許可する記憶許可ステップと、
を備える、回路基板検査装置の制御方法。
【請求項１０】
回路基板に設けられた複数の導体パターンの基準静電容量を記憶し、複数の検査用プローブにより検出された検出値に基づいて前記導体パターンの良否を判定するコンピュータに、
前記導体パターン毎に、当該導体パターンの静電容量を検出する容量検出ステップと、
検査対象となる対象導体パターンの前記基準静電容量が記憶されていない場合に、前記容量検出ステップにより検出された前記対象導体パターンの静電容量と他の導体パターンの静電容量とに基づいて前記対象導体パターンの良否を判定する第１良否判定ステップと、
前記対象導体パターンの前記基準静電容量が記憶されている場合に、前記容量検出ステップにより検出された前記静電容量と前記基準静電容量とに基づいて前記対象導体パターンの良否を判定する第２良否判定ステップと、
前記第１良否判定ステップにより前記対象導体パターンに異常がないと判定された場合に、前記容量検出ステップにより検出された前記静電容量が前記対象導体パターンの前記基準静電容量として記憶されることを許可する記憶許可ステップと、
を実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に設けられた複数の導体パターンの良否を検査する回路基板検査装置及びその制御方法並びにプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、接触型の検査用プローブと、検査用プローブにより検出された導体パターンの静電容量に基づいて導体パターンの良否を判定する制御部と、を備えた回路基板検査装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３５７３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の回路基板検査装置では、回路基板の検査を開始する前に、校正用の回路基板を用いて、予め基準となる静電容量を測定する必要がある。このため、基準となる静電容量の測定が完了するまでは回路基板の検査を開始することができず、特に回路基板に設けられる導体パターンが多くなるほど、検査が可能となるまでに時間がかかってしまうおそれがある。
【０００５】
本発明は、このような問題点に着目してなされたものであり、予め基準となる静電容量を測定しなくとも、回路基板の検査を速やかに開始可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のある態様によれば、回路基板に設けられた複数の導体パターンの良否を検査する回路基板検査装置は、前記導体パターンに接触する複数の検査用プローブと、前記導体パターン毎に基準静電容量を記憶し、前記検査用プローブにより検出された検出値に基づいて前記導体パターンの良否を判定する制御部と、を備える。前記制御部は、前記導体パターン毎に、当該導体パターンの静電容量を検出する容量検出手段と、検査対象となる対象導体パターンの前記基準静電容量が記憶されていない場合に、前記容量検出手段により検出された前記対象導体パターンの静電容量と他の導体パターンの静電容量とに基づいて前記対象導体パターンの良否を判定する第１良否判定手段と、前記対象導体パターンの前記基準静電容量が記憶されている場合に、前記容量検出手段により検出された前記静電容量と前記基準静電容量とに基づいて前記対象導体パターンの良否を判定する第２良否判定手段と、前記第１良否判定手段により前記対象導体パターンに異常がないと判定された場合に、前記容量検出手段により検出された前記静電容量が前記対象導体パターンの前記基準静電容量として記憶されることを許可する記憶許可手段と、を有する。
【発明の効果】
【０００７】
この態様によれば、検査対象となる対象導体パターンの良否を判定するために用いられる基準静電容量が記憶されていない場合、容量検出手段により検出された対象導体パターンの静電容量と他の導体パターンの静電容量とに基づいて対象導体パターンの良否が判定されるとともに、異常がないと判定された対象導体パターンの静電容量が基準静電容量として記憶される。このように異常がないと判定された対象導体パターンの静電容量が基準静電容量として順次記憶されていくため、予め基準静電容量を計測しておく必要がない。したがって、回路基板の検査を速やかに開始することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の実施形態における回路基板検査装置の構成を示す構成図である。
【図２】図２は、図１に示される回路基板の側面の一部を示した図である。
【図３】図３は、本実施形態における回路基板検査装置による基板検査処理を示すフローチャートである。
【図４】図４は、図３のフローチャートの続きの部分を示すフローチャートである。
【図５】図５は、図３に示すステップＳ１４のサブルーチンフローチャートである。
【図６】図６は、図３に示すステップＳ１６のサブルーチンフローチャートである。
【図７】図７は、図３に示すステップＳ１９のサブルーチンフローチャートである。
【図８】図８は、図７のサブルーチンフローチャートの続きの部分を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【００１０】
図１は、本発明の実施形態における回路基板検査装置１００の構成を示す図であり、図２は、検査対象となる回路基板Ｐにおいて導体パターンＣＰが設けられた面の一部を模式的に示した図である。
【００１１】
回路基板検査装置１００は、回路基板Ｐに設けられた複数の導体パターンＣＰの良否を検査する検査装置であって、導体パターンＣＰに接触する複数の検査用プローブ２１と、検査用プローブ２１により検出された検出値に基づいて各導体パターンＣＰの良否を判定する制御部１０と、を備える。以下では、検査対象となる回路基板Ｐが、両面に導体パターンＣＰが設けられ内部に内層グランドパターンＧＰが設けられる多層基板である場合について説明する。
【００１２】
検査用プローブ２１は、接触型プローブであって、垂直方向に沿って配置された回路基板Ｐの一方の面に対して一対設けられるとともに、他方の面に対しても一対設けられる。検査用プローブ２１はホルダ２２を介して移動機構２３に保持される。移動機構２３は、検査用プローブ２１を回路基板Ｐに対して三軸方向に移動させることが可能な機構であり、制御部１０からの指令に応じて検査用プローブ２１を測定ポイントＴＰへと移動させる。
【００１３】
制御部１０は、回路基板検査装置１００の動作を制御するコントローラであり、演算処理を行うＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）と、ＣＰＵにより実行される制御プログラム等を記憶するＲＯＭ１１（Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）と、ＣＰＵの演算結果等を記憶するＲＡＭ１２（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）と、を含むマイクロコンピュータで構成される。制御部１０は、単一のマイクロコンピュータで構成されていてもよいし、複数のマイクロコンピュータで構成されていてもよい。
【００１４】
制御部１０は、後述のフローチャートで説明される各処理を実行するために、検査信号の生成や、検査用プローブ２１を用いた電気抵抗値及び静電容量の測定、移動機構２３の駆動制御、導体パターンＣＰ毎の実質静電容量ＣＲのデータ生成処理、といった処理を行う。また、制御部１０は、静電容量測定を行う際に、一つの測定ポイントＴＰに対して複数の測定形態の中から一つの測定形態を適宜選択して設定する設定処理を実行する。
【００１５】
ＲＡＭ１２は、導体パターンＣＰ毎の測定ポイントＴＰについての位置データ、測定ポイントＴＰ毎に設定された測定形態情報、測定形態毎に測定された固有静電容量ＣＳ、および測定された実測静電容量ＣＴＰを一時的に記憶する。さらにＲＡＭ１２は、制御部１０で算出された実質静電容量ＣＲ、導体パターンＣＰ毎に確定された基準静電容量ＣＳＴ、検出された断線箇所や短絡箇所の情報、および制御部１０の演算結果なども一時的に記憶する。
【００１６】
ＲＯＭ１１は、後述のフローチャートで説明される各処理を実行するために必要となる制御部１０の動作プログラムを記憶する。すなわち、ＲＯＭ１１は、回路基板検査装置１００を制御するためのプログラムを記録した記憶媒体であり、コンピュータによる読み取りが可能なものである。
【００１７】
検査対象となる回路基板Ｐは、図１及び図２に示すように、ガラスエポキシ系基材の表面に複数の導体パターンＣＰ１，ＣＰ２，・・・（以下、特に区別しないときには「導体パターンＣＰ」ともいう）が形成されたものである。なお、図２に示される導体パターンＣＰは一例であり、回路基板Ｐの他方の面にも複数の導体パターンＣＰが設けられる。なお、回路基板Ｐの基材は、ガラスエポキシ系基材に限定されず、一般的な回路基板において用いられている基材であればどのような基材であってもよい。
【００１８】
各導体パターンＣＰにおける各端点には、図２に示すように、ランドが形成され、このランドは、測定ポイントＴＰ１，ＴＰ２，・・・（以下、特に区別しないときには「測定ポイントＴＰ」ともいう）として機能する。
【００１９】
また、導体パターンＣＰが設けられる面には、内層グランドパターンＧＰと導通するグランド導体パターンＧＰ１が設けられる。グランド導体パターンＧＰ１上の測定ポイントＴＰＧは、各導体パターンＣＰの静電容量を測定する際に、グランド電極として機能する。なお、内層グランドパターンＧＰと制御部１０とを常時接続するプローブを別途設けてもよい。
【００２０】
次に、回路基板検査装置１００による回路基板Ｐの検査処理について、図３〜図８のフローチャートを参照して説明する。
【００２１】
回路基板Ｐの検査処理は、回路基板検査装置１００内に回路基板Ｐが垂直方向に沿って固定された状態で開始される。
【００２２】
まず、ステップＳ１０において、制御部１０は、すべての導体パターンＣＰについて導通検査を行う。例えば、図２に示される導体パターンＣＰ１の導通を確認する場合には、移動機構２３を制御して、一対の検査用プローブ２１の一方を測定ポイントＴＰ１に接触させるとともに、他方を他の測定ポイントＴＰ２，ＴＰ３に順次接触させる。さらに制御部１０は、一方の検査用プローブ２１を測定ポイントＴＰ２に接触させるとともに、他方の検査用プローブ２１を測定ポイントＴＰ３に接触させ、導体パターンＣＰの測定ポイントＴＰのすべての組み合わせについて、両検査用プローブ２１間の抵抗値を測定する。
【００２３】
導体パターンＣＰ１のように、測定ポイントＴＰ１と測定ポイントＴＰ２との間、及び、測定ポイントＴＰ２と測定ポイントＴＰ３との間に断線箇所Ｂが存在する場合、測定ポイントＴＰ１と測定ポイントＴＰ２との間の抵抗値、および、測定ポイントＴＰ２と測定ポイントＴＰ３との間の抵抗値がともに無限大またはそれに近い値となり、断線の位置が特定される。断線の有無及び断線箇所については、断線情報として導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。ステップＳ１０において制御部１０により行われる導通検査は、断線判定手段に相当する。
【００２４】
ステップＳ１１において、回路基板Ｐの両面に設けられるすべての導体パターンＣＰについて導通検査が終了したと判定されると、ステップＳ１２に進み、静電容量検査が行われる。ステップＳ１２以降において制御部１０により行われる静電容量検査は、容量検出手段に相当する。
【００２５】
導通検査において断線していないと判断された導体パターンＣＰの静電容量を検査する場合はステップＳ１３に進み、導通検査において検査対象となる導体パターンＣＰが断線していると判断された場合はステップＳ２０に進む。
【００２６】
ステップＳ１３において、制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴがすでに確定されＲＡＭ１２に記憶されているか否かを判定する。基準静電容量ＣＳＴは、後述のように、異常が認められない導体パターンＣＰについて順次確定され、一つ目の回路基板Ｐを検査する際にはまだ確定されておらず、また、導体パターンＣＰに異常が認められた場合にも確定されない。このように、基準静電容量ＣＳＴが確定されていない場合は、導体パターンＣＰの良否検査を行いつつ、その基準静電容量ＣＳＴを確定するためにステップＳ１４以降に進む。
【００２７】
次に、図５を参照し、ステップＳ１４で行われる導体パターンＣＰの実質静電容量ＣＲの計測について説明する。
【００２８】
まず、ステップＳ４０において、制御部１０は、固有静電容量ＣＳの計測を行う。固有静電容量ＣＳとは、移動機構２３、検査信号の種類（例えば検査信号の周波数）等の測定系の構成要素によって決まる固有容量（浮遊容量ともいう）を意味する。
【００２９】
具体的には、制御部１０は、移動機構２５を制御して検査用プローブ２１が測定ポイントＴＰ及び測定ポイントＴＰＧから所定の距離だけ離れるように移動させ、この状態で検査信号として交流電圧を印加する。このとき測定された静電容量は、固有静電容量ＣＳとして、導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。
【００３０】
次に、ステップＳ４１において、制御部１０は、導体パターンＣＰの静電容量の本計測を行う。本計測で測定された静電容量は、実測静電容量ＣＴＰとして、導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。
【００３１】
続くステップＳ４２において、制御部１０は、記憶された実測静電容量ＣＴＰから固有静電容量ＣＳを差し引き、この差分を固有静電容量ＣＳの影響を排除した導体パターンＣＰの正規の静電容量である実質静電容量ＣＲとして算出する。算出された実質静電容量ＣＲは、導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶させる。
【００３２】
このように、ステップＳ１４における導体パターンＣＰの実質静電容量ＣＲの計測が完了すると、図３に示す処理手順に戻り、ステップＳ１５に進む。
【００３３】
ステップＳ１５において、制御部１０は、すべての導体パターンＣＰの静電容量の検査が終了したか否かを判定する。まだ、静電容量の検査が終了していない導体パターンＣＰがある場合には、ステップＳ１２に戻り、静電容量の検査を完了させる。なお、静電容量の検査は、導通検査において断線していると判断されたか否かに関わらず、すべての導体パターンＣＰについて行われる。
【００３４】
ステップＳ１５において、すべての導体パターンＣＰの静電容量の検査が終了したと判定されると、ステップＳ１６に進み、ステップＳ１４において算出された実質静電容量ＣＲに基づいて、検査対象となっている導体パターンＣＰの良否が判定される。
【００３５】
次に、図６を参照し、ステップＳ１６で行われる導体パターンＣＰの良否判定について説明する。
【００３６】
まず、ステップＳ５０において、制御部１０は、ステップＳ１４において算出された実質静電容量ＣＲと許容範囲との比較を行う。ここで、許容範囲とは、回路基板Ｐにおいて静電容量として通常測定される範囲の値であることを意味し、最大測定レンジの上限値を許容範囲の上限とし、最小測定レンジの下限値を許容範囲の下限とする。例えば、導体パターンＣＰが内層グランドパターンＧＰに短絡しており静電容量が無限大となるような場合や、測定ポイントＴＰへの検査用プローブ２１の接触が正常に行われず静電容量が非常に小さな値となるような場合でなければ、許容範囲内にあると判定される。
【００３７】
ステップＳ５０において、導体パターンＣＰの実質静電容量ＣＲが許容範囲内にあると判定されると、ステップＳ５１以降に進み、導体パターンＣＰの良否判定が行われる。
【００３８】
ステップＳ５１では、検査対象となる導体パターンＣＰの実質静電容量ＣＲと互いに近似する実質静電容量ＣＲを有する他の導体パターンＣＰがあるか否かの判定が行われる。実質静電容量ＣＲが互いに近似する場合は、図２に示す導体パターンＣＰ１と導体パターンＣＰ２のように、短絡箇所Ａにおいて導通して一つの導体パターンとなることで、実質静電容量ＣＲが同等となっているおそれがある。
【００３９】
つまり、ステップＳ５１では、検査対象となる導体パターンＣＰと短絡しているおそれがある他の導体パターンＣＰがあるか否かの判定が行われる。具体的には、検査対象となる導体パターンＣＰの実質静電容量ＣＲとの差が、例えば検査対象となる導体パターンＣＰの実質静電容量ＣＲの１０％以内にある実質静電容量ＣＲを有する他の導体パターンＣＰが、短絡しているおそれがある導体パターンＣＰとして抽出される。なお、どの程度の割合を近似とするかは任意に設定される。
【００４０】
ステップＳ５１において、検査対象となる導体パターンＣＰの実質静電容量ＣＲと互いに近似する実質静電容量ＣＲを有する他の導体パターンＣＰがあると判定されると、ステップＳ５２に進み、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとの絶縁検査が行われる。
【００４１】
ステップＳ５２において、制御部１０は、移動機構２３を制御して、一対の検査用プローブ２１の一方を検査対象となる導体パターンＣＰに接触させるとともに、他方を他の導体パターンＣＰに接触させ、両検査用プローブ２１間の抵抗値を測定する。短絡していなければ、測定された抵抗値は無限大またはそれに近い値となるが、例えば、図２に示す導体パターンＣＰ１と導体パターンＣＰ２のように、短絡箇所Ａが存在する場合、測定された抵抗値は所定の小さな値以下となる。
【００４２】
このような抵抗値の差異に基づいて制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとの絶縁状態を判定する。判定された結果は、短絡情報として導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。
【００４３】
ステップＳ５２において、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとが絶縁状態にあると判定されると、ステップＳ５３に進む。また、ステップＳ５１において、検査対象となる導体パターンＣＰの実質静電容量ＣＲと互いに近似する実質静電容量ＣＲを有する他の導体パターンＣＰがないと判定された場合もステップＳ５３に進む。
【００４４】
ステップＳ５３において、制御部１０は、ステップＳ５１及びステップＳ５２における判定結果に基づき、検査対象となる導体パターンＣＰには断線及び短絡といった異常がないと判定する。判定された結果は、導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。これらステップＳ５１及びステップＳ５２において制御部１０により行われる処理は、第１良否判定手段に相当し、ステップＳ５１において制御部１０により行われる処理は第１近似判定手段に、ステップＳ５２において制御部１０により行われる処理は第１絶縁確認手段にそれぞれ相当する。
【００４５】
続くステップＳ５４において、制御部１０は、異常がないと判定された検査対象となる導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰを、当該導体パターンＣＰの異常の有無を判定する一つの基準である基準静電容量ＣＳＴとして仮決定する。具体的には、導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰは基準静電容量ＣＳＴの仮値としてＲＡＭ１２への記憶が許可された状態となる。なお、後述のように、仮決定された基準静電容量ＣＳＴは、すべての導体パターンＣＰの判定が終了したときに確定される。ステップＳ５４において制御部１０により行われる処理は、記憶許可手段に相当する。
【００４６】
一方、ステップＳ５２において、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとが絶縁状態にないと判定されると、ステップＳ５５に進む。
【００４７】
ステップＳ５５において、制御部１０は、ステップＳ５２における判定結果に基づき、検査対象となる導体パターンＣＰ及び他の導体パターンＣＰには短絡異常があると判定する。判定された結果は、導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。
【００４８】
このように短絡異常があると判定された検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとの双方の実測静電容量ＣＴＰは、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとが短絡して一つの導体パターンとなった場合の静電容量に相当することから、各導体パターンＣＰの異常の有無を判定する基準静電容量ＣＳＴとしては不適格である。
【００４９】
このため、続くステップＳ５６において、制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴを未確定状態とするとともに、検査対象となる導体パターンＣＰと導通する他の導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴについても未確定状態とする。
【００５０】
次に、ステップＳ５０において、導体パターンＣＰの実質静電容量ＣＲが許容範囲の下限以下であると判定された場合について説明する。この場合、ステップＳ５０において制御部１０により行われる判定は、下限判定手段に相当する。
【００５１】
導体パターンＣＰの実質静電容量ＣＲが許容範囲の下限以下である場合、制御部１０は、ステップＳ５７において、何らかの原因により、実質静電容量ＣＲの計測が失敗したと判定する。例えば、検査用プローブ２１の一方が導体パターンＣＰに正しく接触しなかった場合に、計測が失敗したと判定される。
【００５２】
ここで、導体パターンＣＰの実際の実質静電容量ＣＲが不明であることから、導体パターンＣＰに異常があるおそれがあるとして導体パターンＣＰの異常と処理することも考えられる。しかし、計測に不良があっただけで、導体パターンＣＰには何ら異常がない場合も考えられる。
【００５３】
そこで、本実施形態では、実質静電容量ＣＲの計測が失敗した場合であっても導体パターンＣＰの異常と処理せず、検査対象となる導体パターンＣＰと短絡するおそれがある他の導体パターンＣＰと、検査対象となる導体パターンＣＰと、の絶縁試験を行うことによって、導体パターンＣＰの異常の有無を確認している。
【００５４】
具体的には、ステップＳ５７に続くステップＳ５８において、制御部１０は、回路基板Ｐにおいて検査対象となる導体パターンＣＰから所定の範囲、例えば１ｍｍ以内の範囲に設けられており、検査対象となる導体パターンＣＰと短絡するおそれがある他の導体パターンＣＰと、検査対象となる導体パターンＣＰと、の絶縁試験を行う。絶縁試験は、ステップＳ５２における絶縁試験と同様に、移動機構２３を制御して、一対の検査用プローブ２１の一方を検査対象となる導体パターンＣＰに接触させるとともに、他方を他の導体パターンＣＰに接触させ、両検査用プローブ２１間の抵抗値を測定することにより行われる。なお、所定の範囲は、任意の範囲であり、１ｍｍ未満の距離が設定されてもよいし、１ｍｍよりも大きい距離が設定されてもよい。
【００５５】
短絡していなければ、測定された抵抗値は無限大またはそれに近い値となるが、例えば、図２に示す導体パターンＣＰ１と導体パターンＣＰ２のように、短絡箇所Ａが存在する場合、測定された抵抗値は所定の小さな値以下となる。このような抵抗値の差異に基づいて制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとの絶縁状態を判定する。判定された結果は、短絡情報として導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。
【００５６】
ステップＳ５８において、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとが絶縁状態にあると判定されると、ステップＳ５９に進み、制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰには断線及び短絡といった異常がないと判定する。判定された結果は、導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。
【００５７】
このように実質静電容量ＣＲの計測が失敗した場合であっても導体パターンＣＰの短絡の有無を検査することによって、不用意に回路基板Ｐが不良と判定されることを回避することができる。ステップＳ５８において制御部１０により行われる処理は、第３絶縁確認手段に相当する。
【００５８】
なお、ステップＳ５９において、検査対象となる導体パターンＣＰに異常がないと判定された場合であっても、検査対象となる導体パターンＣＰの正確な実質静電容量ＣＲは測定されていない。
【００５９】
このため、続く、ステップＳ６０において、制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴを未確定状態とする。
【００６０】
また、検査対象となる導体パターンＣＰと絶縁状態にあることが確認された他の導体パターンＣＰについても短絡異常がないと考えられる。このことから、続く、ステップＳ６１において、制御部１０は、異常がないと判定された他の導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰを、当該導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴとして仮決定し、ＲＡＭ１２へ記憶する。
【００６１】
一方、ステップＳ５８において、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとが絶縁状態にないと判定されると、ステップＳ６２に進む。
【００６２】
ステップＳ６２において、制御部１０は、ステップＳ５８における判定結果に基づき、検査対象となる導体パターンＣＰ及び他の導体パターンＣＰには短絡異常があると判定する。判定された結果は、導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。
【００６３】
このように短絡異常があると判定された検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとの実測静電容量ＣＴＰは、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとが短絡して一つの導体パターンとなった場合の静電容量に相当することから、各導体パターンＣＰの異常の有無を判定する基準静電容量ＣＳＴとしては不適格である。このため、続くステップＳ６３において、制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴを未確定状態とするとともに、検査対象となる導体パターンＣＰと導通する他の導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴについても未確定状態とする。
【００６４】
次に、ステップＳ５０において、導体パターンＣＰの実質静電容量ＣＲが許容範囲の上限以上であると判定された場合について説明する。この場合、ステップＳ５０において制御部１０により行われる判定は、上限判定手段に相当する。
【００６５】
導体パターンＣＰの実質静電容量ＣＲが許容範囲の上限以上である場合、制御部１０は、ステップＳ６４において、検査対象となる導体パターンＣＰが内層グランドパターンＧＰと導通していると判定する。
【００６６】
このため、続くステップＳ６５において、制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰに短絡異常があると判定し、その結果をＲＡＭ１２に記憶させる。
【００６７】
また、当然ながら検査対象となる導体パターンＣＰの正確な実質静電容量ＣＲはまだ測定されていない。このため、続く、ステップＳ６６において、制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴを未確定状態とする。
【００６８】
ここで、検査対象となる導体パターンＣＰが内層グランドパターンＧＰと導通している場合に測定された他の導体パターンＣＰの静電容量は、内層グランドパターンＧＰだけではなく、内層グランドパターンＧＰと導通している導体パターンＣＰを含むパターンをグランドとして測定されることになる。つまり、他のすべての導体パターンＣＰの静電容量は、正常な回路基板Ｐに対してグランド側のパターンが異なる状態で測定された値であって、正確な値ではない。
【００６９】
このため、続く、ステップＳ６７において、制御部１０は、仮決定状態にある他の導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴをすべて未確定状態へと変更し、内層グランドパターンＧＰと何れかの導体パターンＣＰとが導通している状態において測定された実測静電容量ＣＴＰが基準静電容量ＣＳＴとしてＲＡＭ１２に記憶されることを禁止する。ステップＳ６７において制御部１０により行われる処理は、第１記憶禁止手段に相当する。
【００７０】
このように、ステップＳ１６における実質静電容量ＣＲに基づく導体パターンＣＰの良否判定が完了すると、図３に示す処理手順に戻り、図４に示すステップＳ２３に進む。
【００７１】
次に、図３に示すステップＳ１３において、基準静電容量ＣＳＴがすでに確定されＲＡＭ１２に記憶されていると判定された場合について説明する。
【００７２】
二つ目以降の回路基板Ｐを検査する際には、検査対象となる導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴがすでに確定されている場合がある。このような場合は、ＲＡＭ１２に記憶された基準静電容量ＣＳＴに基づいて導体パターンＣＰの良否を判定することによって、判定時間を短縮することが可能となる。
【００７３】
ステップＳ１３において基準静電容量ＣＳＴがすでに確定されていると判定された場合、ステップＳ１７に進み、検査対象となる導体パターンＣＰの静電容量の計測が行われる。測定された静電容量は実測静電容量ＣＴＰとして導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。
【００７４】
続くステップＳ１８では、すべての導体パターンＣＰの静電容量の検査が終了したか否かが判定される。まだ、静電容量の検査が終了していない導体パターンＣＰがある場合には、ステップＳ１２に戻り、静電容量の検査を完了させる。
【００７５】
ステップＳ１８において、すべての導体パターンＣＰの静電容量の検査が終了したと判定されると、ステップＳ１９に進み、ＲＡＭ１２に記憶された基準静電容量ＣＳＴとステップＳ１７において測定された実測静電容量ＣＴＰとに基づいて、検査対象となっている導体パターンＣＰの良否が判定される。
【００７６】
次に、図７及び図８を参照し、ステップＳ１９で行われる導体パターンＣＰの良否判定について説明する。
【００７７】
まず、ステップＳ７０において、制御部１０は、上述のステップＳ５０と同様に、ステップＳ１７において測定された実測静電容量ＣＴＰと許容範囲との比較を行う。
【００７８】
ステップＳ７０において、導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰが許容範囲内にあると判定されると、ステップＳ７１以降に進み、導体パターンＣＰの良否判定が行われる。
【００７９】
ステップＳ７１では、導体パターンＣＰの測定静電容量が基準静電容量ＣＳＴの所定範囲内にあるか否かが判定される。具体的には、検査対象となる導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰと基準静電容量ＣＳＴとの差が、例えば基準静電容量ＣＳＴの１０％以内である場合、検査対象となる導体パターンＣＰは、基準静電容量ＣＳＴが設定された際の導体パターンＣＰと同等の電気的特性を有し、異常がないものと判定される。
【００８０】
ステップＳ７１において、導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰが基準静電容量ＣＳＴの所定範囲内にあると判定されると、ステップＳ７２に進む。
【００８１】
ステップＳ７２では、図６に示すステップＳ５１と同様に、検査対象となる導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰと互いに近似する実測静電容量ＣＴＰを有する他の導体パターンＣＰがあるか否かの判定が行われる。実測静電容量ＣＴＰが互いに近似する場合は、図２に示す導体パターンＣＰ１と導体パターンＣＰ２のように、短絡箇所Ａにおいて導通して一つの導体パターンとなることで、実測静電容量ＣＴＰが同等となっているおそれがある。
【００８２】
つまり、ステップＳ７２では、検査対象となる導体パターンＣＰと短絡しているおそれがある他の導体パターンＣＰがあるか否かの判定が行われる。具体的には、検査対象となる導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰとの差が、例えば検査対象となる導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰの１０％以内にある実測静電容量ＣＴＰを有する他の導体パターンＣＰが、短絡しているおそれがある導体パターンＣＰとして抽出される。なお、どの程度の割合を近似とするかは任意に設定される。また、上記判定には、実測静電容量ＣＴＰに代えて、実質静電容量ＣＲが用いられてもよい。
【００８３】
ステップＳ７２において、検査対象となる導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰと互いに近似する実測静電容量ＣＴＰを有する他の導体パターンＣＰがあると判定されると、ステップＳ７３に進み、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとの絶縁検査が行われる。
【００８４】
ステップＳ７３において、制御部１０は、上述のステップＳ５２と同様に、移動機構２３を制御して、一対の検査用プローブ２１の一方を検査対象となる導体パターンＣＰに接触させるとともに、他方を他の導体パターンＣＰに接触させ、両検査用プローブ２１間の抵抗値を測定する。短絡していなければ、測定された抵抗値は無限大またはそれに近い値となるが、例えば、図２に示す導体パターンＣＰ１と導体パターンＣＰ２のように、短絡箇所Ａが存在する場合、測定された抵抗値は所定の小さな値以下となる。
【００８５】
このような抵抗値の差異に基づいて制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとの絶縁状態を判定する。判定された結果は、短絡情報として導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。
【００８６】
ステップＳ７３において、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとが絶縁状態にあると判定されると、ステップＳ７４に進む。また、ステップＳ７２において、検査対象となる導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰと互いに近似する実測静電容量ＣＴＰを有する他の導体パターンＣＰがないと判定された場合もステップＳ７４に進む。
【００８７】
ステップＳ７４において、制御部１０は、ステップＳ７１、ステップＳ７２及びステップＳ７３における判定結果に基づき、検査対象となる導体パターンＣＰには断線及び短絡といった異常がないと判定する。判定された結果は、導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。
【００８８】
これらステップＳ７１、ステップＳ７２及びステップＳ７３において制御部１０により行われる処理は、第２良否判定手段に相当し、ステップＳ７１において制御部１０により行われる処理は異常判定手段に、ステップＳ７２において制御部１０により行われる処理は第２近似判定手段に、ステップＳ７３において制御部１０により行われる処理は第２絶縁確認手段にそれぞれ相当する。
【００８９】
また、検査対象となる導体パターンＣＰと絶縁状態にあることが確認された他の導体パターンＣＰについても短絡異常がないと考えられる。このため、続く、ステップＳ７５において、制御部１０は、異常がないと判定された他の導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴが確定していない場合は、当該導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰを基準静電容量ＣＳＴとして仮決定し、ＲＡＭ１２へ記憶する。
【００９０】
一方、ステップＳ７３において、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとが絶縁状態にないと判定されると、ステップＳ７６に進む。
【００９１】
ステップＳ７６において、制御部１０は、ステップＳ７３における判定結果に基づき、検査対象となる導体パターンＣＰ及び他の導体パターンＣＰには短絡異常があると判定する。判定された結果は、導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。
【００９２】
このように短絡異常があると判定された他の導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰは、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとが短絡して一つの導体パターンとなった場合の静電容量に相当することから、各導体パターンＣＰの異常の有無を判定する基準静電容量ＣＳＴとしては不適格である。このため、続くステップＳ７７において、制御部１０は、他の導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴが仮決定状態にある場合には、未確定状態へと変更する。
【００９３】
また、上述のステップＳ７１において、導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰが基準静電容量ＣＳＴの所定範囲内にないと判定されると、ステップＳ７８に進み、導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰが基準静電容量ＣＳＴの所定範囲から小さい方に外れているのか、大きい方に外れているのかが判定される。
【００９４】
ここで、導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰが比較的小さな値となっており、基準静電容量ＣＳＴの所定範囲から小さい方に外れている場合は、導体パターンＣＰの面積が小さくなっている、すなわち、導体パターンＣＰの一部が断線していたり欠損が生じていたりするおそれがある。一方、導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰが比較的大きな値となっており、基準静電容量ＣＳＴの所定範囲から大きい方に外れている場合は、導体パターンＣＰの面積が大きくなっている、すなわち、他の導体パターンＣＰと導通しているおそれがある。
【００９５】
このため、ステップＳ７８において、導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰが基準静電容量ＣＳＴの所定範囲から小さい方に外れていると判定されると、ステップＳ７９に進み、制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰが断線等の異常を有しているおそれがあると判定し、判定結果をＲＡＭ１２に記憶させる。
【００９６】
また、ステップＳ７８において、導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰが基準静電容量ＣＳＴの所定範囲から大きい方に外れていると判定されると、ステップＳ８０に進み、制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰが短絡等の異常を有しているおそれがあると判定し、判定結果をＲＡＭ１２に記憶させる。
【００９７】
次に、ステップＳ７０において、導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰが許容範囲の下限以下であると判定された場合について説明する。この場合、ステップＳ７０において制御部１０により行われる判定は、下限判定手段に相当する。
【００９８】
導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰが許容範囲の下限以下である場合、制御部１０は、ステップＳ８１において、図６に示すステップＳ５７と同様に、何らかの原因により、実測静電容量ＣＴＰの計測が失敗したと判定する。
【００９９】
ここで、導体パターンＣＰの実際の実測静電容量ＣＴＰが不明であることから、導体パターンＣＰに異常があるおそれがあるとして導体パターンＣＰの異常と処理することも考えられる。しかし、計測に不良があっただけで、導体パターンＣＰには何ら異常がない場合も考えられる。
【０１００】
そこで、本実施形態では、実測静電容量ＣＴＰの計測が失敗した場合であっても導体パターンＣＰの異常と処理せず、検査対象となる導体パターンＣＰと短絡するおそれがある他の導体パターンＣＰと、検査対象となる導体パターンＣＰと、の絶縁試験を行うことによって、導体パターンＣＰの異常の有無を確認している。
【０１０１】
具体的には、ステップＳ８１に続くステップＳ８２において、制御部１０は、図６に示すステップＳ５８と同様に、回路基板Ｐにおいて検査対象となる導体パターンＣＰから所定の範囲、例えば１ｍｍ以内の範囲に設けられており、検査対象となる導体パターンＣＰと短絡するおそれがある他の導体パターンＣＰと、検査対象となる導体パターンＣＰと、の絶縁試験を行う。制御部１０は、両検査用プローブ２１間の抵抗値の大きさに基づいて検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとの絶縁状態を判定し、判定された結果を短絡情報として導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２へ記憶させる。
【０１０２】
ステップＳ８２において、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとが絶縁状態にあると判定されると、ステップＳ８３に進み、制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰには断線及び短絡といった異常がないと判定する。判定された結果は、導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。このように実測静電容量ＣＴＰの計測が失敗した場合であっても導体パターンＣＰの短絡の有無を検査することによって、不用意に回路基板Ｐが不良と判定されることを回避することができる。ステップＳ８２において制御部１０により行われる処理は、第３絶縁確認手段に相当する。
【０１０３】
また、検査対象となる導体パターンＣＰと絶縁状態にあることが確認された他の導体パターンＣＰについても短絡異常がないと考えられる。このため、続く、ステップＳ８４において、制御部１０は、異常がないと判定された他の導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴが確定していない場合は、当該導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰを基準静電容量ＣＳＴとして仮決定し、ＲＡＭ１２へ記憶する。
【０１０４】
一方、ステップＳ８２において、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとが絶縁状態にないと判定されると、ステップＳ８５に進む。
【０１０５】
ステップＳ８５において、制御部１０は、ステップＳ８２における判定結果に基づき、検査対象となる導体パターンＣＰ及び他の導体パターンＣＰには短絡異常があると判定する。判定された結果は、導体パターンＣＰ毎にＲＡＭ１２に記憶される。
【０１０６】
このように短絡異常があると判定された他の導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰは、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとが短絡して一つの導体パターンとなった場合の静電容量に相当することから、各導体パターンＣＰの異常の有無を判定する基準静電容量ＣＳＴとしては不適格である。このため、続くステップＳ８６において、制御部１０は、他の導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴが仮決定状態にある場合には、未確定状態へと変更する。
【０１０７】
次に、ステップＳ７０において、導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰが許容範囲の上限以上であると判定された場合について説明する。この場合、ステップＳ７０において制御部１０により行われる判定は、上限判定手段に相当する。
【０１０８】
導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰが許容範囲の上限以上である場合、ステップＳ８７において、制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰが内層グランドパターンＧＰと導通している判定する。
【０１０９】
このため、続くステップＳ８８において、制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰに短絡異常があると判定し、その結果をＲＡＭ１２に記憶させる。
【０１１０】
ここで、検査対象となる導体パターンＣＰが内層グランドパターンＧＰと導通している場合に測定された他の導体パターンＣＰの静電容量は、内層グランドパターンＧＰだけではなく、内層グランドパターンＧＰと導通している導体パターンＣＰを含むパターンをグランドとして測定されることになる。つまり、他のすべての導体パターンＣＰの静電容量は、正常な回路基板Ｐに対してグランド側のパターンが異なる状態で測定された値であって、正確な値ではない。
【０１１１】
このため、続くステップＳ８９において、制御部１０は、仮決定状態にある他の導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴをすべて未確定状態へと変更する。そして制御部１０は、内層グランドパターンＧＰと何れかの導体パターンＣＰとが導通している状態において測定された実測静電容量ＣＴＰが基準静電容量ＣＳＴとしてＲＡＭ１２に記憶されることを禁止する。ステップＳ８９において制御部１０により行われる処理は、第１記憶禁止手段に相当する。
【０１１２】
このように、ステップＳ１９における基準静電容量ＣＳＴに基づく導体パターンＣＰの良否判定が完了すると、図３に示す処理手順に戻り、図４に示すステップＳ２３に進む。
【０１１３】
続いて、ステップＳ１０の導通検査において、検査対象となる導体パターンＣＰが断線していると判断された場合について説明する。
【０１１４】
上述のように、検査対象となる導体パターンＣＰが内層グランドパターンＧＰと導通している場合に測定された他の導体パターンＣＰの静電容量は、内層グランドパターンＧＰだけではなく、内層グランドパターンＧＰと導通している導体パターンＣＰを含むパターンをグランドとして測定されることになる。これは、検査対象となる導体パターンＣＰが断線していると判定された場合についても同様である。
【０１１５】
このため、検査対象となる導体パターンＣＰが断線していると判断された場合、ステップＳ２０に進み、導体パターンＣＰが内層グランドパターンＧＰと導通しているか否かを確認するための検査が行われる。具体的には、検査対象となる導体パターンＣＰの静電容量を測定し、測定された静電容量が許容範囲の上限以上であれば、導体パターンＣＰが内層グランドパターンＧＰと導通していると判定される。なお、導体パターンＣＰの静電容量の測定に代えて、導体パターンＣＰと内層グランドパターンＧＰとの間の抵抗値に基づいて導体パターンＣＰが内層グランドパターンＧＰと導通しているか否かを判定してもよい。ステップＳ２０において制御部１０により行われる処理は、上限判定手段に相当する。
【０１１６】
ステップＳ２０において、検査対象となる導体パターンＣＰと内層グランドパターンＧＰとの導通が確認されると、ステップＳ２１に進む。
【０１１７】
ステップＳ２１において、制御部１０は、ステップＳ６７及びステップＳ８９と同様に、仮決定状態にある他の導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴをすべて未確定状態へと変更する。そして制御部１０は、内層グランドパターンＧＰと何れかの導体パターンＣＰとが導通している状態において測定された実測静電容量ＣＴＰが基準静電容量ＣＳＴとしてＲＡＭ１２に記憶されることを禁止する。ステップＳ２１において制御部１０により行われる処理は、第１記憶禁止手段に相当する。
【０１１８】
一方、ステップＳ２０において、検査対象となる導体パターンＣＰと内層グランドパターンＧＰとが導通していないことが確認されると、ステップＳ２２に進む。
【０１１９】
ここで、ステップＳ２０において、内層グランドパターンＧＰと導通していないと判定された導体パターンＣＰであっても、周辺の他の導体パターンＣＰと短絡している可能性がある。このような短絡異常があると導体パターンＣＰの面積が変わるため、その周囲に設けられた導体パターンＣＰの静電容量の計測に影響が及ぶおそれがある。
【０１２０】
このため、ステップＳ２２において、制御部１０は、回路基板Ｐにおいて断線異常と判定された導体パターンＣＰから所定の範囲、例えば１ｍｍ以内の範囲に設けられた他の導体パターンＣＰにおいて、基準静電容量ＣＳＴが仮決定の状態にある他の導体パターンＣＰについては、基準静電容量ＣＳＴが未確定の状態に変更し、実測静電容量ＣＴＰが基準静電容量ＣＳＴとしてＲＡＭ１２に記憶されることを禁止する。ステップＳ２２において制御部１０により行われる処理は、第２記憶禁止手段に相当する。
【０１２１】
ステップＳ２１及びステップＳ２２における処理が完了すると、図３に示す処理手順に戻り、図４に示すステップＳ２３に進む。
【０１２２】
上述の各ステップにおける処理がすべて完了すると、続くステップＳ２３において、制御部１０は、基準静電容量ＣＳＴが仮決定状態にある各導体パターンＣＰの実測静電容量ＣＴＰを基準静電容量ＣＳＴとしてＲＡＭ１２に記憶させ、これらの導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴを確定する。ステップＳ２３において制御部１０により行われる処理は、基準確定手段に相当する。
【０１２３】
このように基準静電容量ＣＳＴが確定した導体パターンＣＰについては、以降の回路基板Ｐの検査において、上述のステップＳ１４で行われる実質静電容量ＣＲの計測を省略することが可能となるため、回路基板Ｐの検査に要する時間を短縮することができる。また、上述のステップＳ７１で行われるように、基準静電容量ＣＳＴと実測静電容量ＣＴＰとを比較することで導体パターンＣＰの良否を容易に判定することが可能となる。
【０１２４】
続くステップＳ２４では、回路基板Ｐに設けられたすべての導体パターンＰＣがすべて異常なしであったか否かが判定される。ステップＳ２４において制御部１０により行われる処理は、基板良否判定手段に相当する。
【０１２５】
ステップＳ２４において、すべての導体パターンＰＣに異常がないと判定されると、ステップＳ２５に進み、制御部１０は、図示しないモニタに回路基板Ｐが良品であることと、各導体パターンＰＣの測定データ等を表示し、回路基板Ｐの検査処理を終了する。一方、ステップＳ２４において、何れかの導体パターンＰＣに異常があったと判定されると、ステップＳ２６に進み、制御部１０は、モニタに回路基板Ｐが不良品であることと、異常があった導体パターンＰＣの位置等を表示し、回路基板Ｐの検査処理を終了する。
【０１２６】
以上のように回路基板Ｐの検査処理は、導体パターンＰＣの異常を判定するとともに、正常な導体パターンＰＣの基準静電容量ＣＳＴを確定しつつ進められる。
【０１２７】
次に、本実施形態の作用効果について詳細に説明する。
【０１２８】
本実施形態によれば、回路基板検査装置１００は、回路基板Ｐに設けられた複数の導体パターンＣＰの良否を検査する。この回路基板検査装置１００は、導体パターンＣＰに接触する複数の検査用プローブ２１と、導体パターンＣＰ毎に基準静電容量ＣＳＴを記憶し、検査用プローブ２１により検出された検出値に基づいて導体パターンＣＰの良否を判定する制御部１０と、を備え、制御部１０は、導体パターンＣＰ毎に、当該導体パターンＣＰの静電容量を検出する容量検出手段（ステップＳ１２）と、検査対象となる対象導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴが記憶されていない場合に、容量検出手段により検出された対象導体パターンＣＰの静電容量と他の導体パターンＣＰの静電容量とに基づいて対象導体パターンＣＰの良否を判定する第１良否判定手段（ステップＳ５１、ステップＳ５２）と、対象導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴが記憶されている場合に、容量検出手段により検出された静電容量と基準静電容量ＣＳＴとに基づいて対象導体パターンＣＰの良否を判定する第２良否判定手段（ステップＳ７１，ステップＳ７２，ステップＳ７３）と、第１良否判定手段により対象導体パターンＣＰに異常がないと判定された場合に、容量検出手段により検出された静電容量が対象導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴとして記憶されることを許可する記憶許可手段（ステップＳ５４）と、を有する。
【０１２９】
この構成によれば、検査対象となる対象導体パターンＣＰの良否を判定するために用いられる基準静電容量ＣＳＴが記憶されていない場合、容量検出手段により検出された対象導体パターンＣＰの静電容量と他の導体パターンＣＰの静電容量とに基づいて対象導体パターンＣＰの良否が判定されるとともに、異常がないと判定された対象導体パターンＣＰの静電容量が基準静電容量ＣＳＴとして記憶される。このように異常がないと判定された対象導体パターンＣＰの静電容量が基準静電容量ＣＳＴとして順次記憶されていくため、予め導体パターンＣＰ毎に基準静電容量ＣＳＴを計測しておく必要がない。したがって、回路基板Ｐの検査を速やかに開始することができる。
【０１３０】
また、本実施形態によれば、制御部１０は、第１良否判定手段及び第２良否判定手段の判定結果に基づいて回路基板Ｐの良否を判定する基板良否判定手段（ステップＳ２４）と、基板良否判定手段による回路基板Ｐの良否判定結果に関わらず、第１良否判定手段及び第２良否判定手段によってすべての導体パターンＣＰの良否判定が終了すると、記憶許可手段により所定の導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴとして記憶されることが許可された静電容量を第２良否判定手段において用いられる基準静電容量ＣＳＴとして確定させる基準確定手段（ステップＳ２３）と、をさらに有する。
【０１３１】
この構成では、回路基板Ｐの良否に関わらず、記憶許可手段により所定の導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴとして記憶されることが許可された静電容量は、第２良否判定手段において用いられる基準静電容量ＣＳＴとして確定される。つまり、例えば、何れかの導体パターンＣＰに異常があり、回路基板Ｐとしては不良品であったとしても、正常と判断された導体パターンＣＰにおいて測定された静電容量は、以降の導体パターンＣＰの良否判定で用いられる基準静電容量ＣＳＴとして利用される。したがって、回路基板Ｐの良否に関わらず、回路基板Ｐの検査を進めるにつれて、各導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴが順次確定されていくため、回路基板Ｐの検査に要する時間を徐々に短縮していくことができる。
【０１３２】
また、本実施形態によれば、第１良否判定手段は、容量検出手段により検出された対象導体パターンＣＰの静電容量と互いに近似する静電容量を有する他の導体パターンＣＰがあるか否かを判定する第１近似判定手段（ステップＳ５１）と、第１近似判定手段により他の導体パターンＣＰがあると判定された場合に、他の導体パターンＣＰと対象導体パターンＣＰとの絶縁を確認する第１絶縁確認手段（ステップＳ５２）と、を有し、第１近似判定手段により他の導体パターンＣＰがないと判定された場合、及び、第１絶縁確認手段により絶縁状態にあることが確認された場合に、対象導体パターンＣＰに異常がないと判定する。
【０１３３】
この構成では、静電容量が互いに近似し短絡しているおそれがある他の導体パターンＣＰがないと判定された場合、及び、静電容量が互いに近似している対象導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとの絶縁が確認された場合に、対象導体パターンＣＰに異常がないと判定される。このように対象導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴが記憶されていない場合であっても、対象導体パターンＣＰに短絡異常がないことを確実に確認し、回路基板Ｐの検査を進めることができる。
【０１３４】
また、本実施形態によれば、第２良否判定手段は、容量検出手段により検出された対象導体パターンＣＰの静電容量が、記憶された基準静電容量ＣＳＴの所定の範囲内にあるか否かを判定する異常判定手段（ステップＳ７１）を有し、異常判定手段により静電容量が基準静電容量ＣＳＴの所定の範囲内にないと判定された場合に、対象導体パターンＣＰに異常があると判定する。
【０１３５】
この構成では、対象導体パターンＣＰの静電容量が基準静電容量ＣＳＴの所定の範囲内にないと判定された場合に、対象導体パターンＣＰに異常があると判定される。このように基準静電容量ＣＳＴが記憶されている対象導体パターンＣＰについては、対象導体パターンＣＰの異常を容易に判定することが可能となる。
【０１３６】
また、本実施形態によれば、第２良否判定手段は、異常判定手段によって基準静電容量ＣＳＴの所定の範囲内にあると判定された対象導体パターンＣＰの静電容量と互いに近似する静電容量を有する他の導体パターンＣＰがあるか否かを判定する第２近似判定手段（ステップＳ７２）と、第２近似判定手段により他の導体パターンＣＰがあると判定された場合に、他の導体パターンＣＰと対象導体パターンＣＰとの絶縁を確認する第２絶縁確認手段（ステップＳ７３）と、をさらに有し、第２近似判定手段により他の導体パターンＣＰがないと判定された場合、及び、第２絶縁確認手段により絶縁状態にあることが確認された場合に、対象導体パターンＣＰに異常がないと判定する。
【０１３７】
この構成では、対象導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴが記憶されている場合であっても、静電容量が互いに近似し短絡しているおそれがある他の導体パターンＣＰがないと判定された場合、及び、静電容量が互いに近似している対象導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとの絶縁が確認された場合に、対象導体パターンＣＰに異常がないと判定される。このように、基準静電容量ＣＳＴが記憶されている場合であっても、短絡しているおそれがある他の導体パターンＣＰの有無や短絡しているおそれがある他の導体パターンＣＰとの絶縁状態を確認することで、対象導体パターンＣＰの異常判定精度を向上させることができる。
【０１３８】
また、本実施形態によれば、制御部１０は、容量検出手段により検出された対象導体パターンＣＰの静電容量が所定の下限以下であるか否かを判定する下限判定手段（ステップＳ５０、ステップＳ７０）と、下限判定手段により静電容量が所定の下限以下であると判定された場合に、回路基板Ｐにおいて対象導体パターンＣＰから所定の範囲内に設けられる他の導体パターンＣＰと対象導体パターンＣＰとが絶縁状態にあるか否かを確認する第３絶縁確認手段（ステップＳ５８、ステップＳ８２）と、をさらに有する。
【０１３９】
この構成では、対象導体パターンＣＰの静電容量が所定の下限以下であると判定された場合に、回路基板Ｐにおいて対象導体パターンＣＰから所定の範囲内に設けられる他の導体パターンＣＰと対象導体パターンＣＰとの絶縁状態が確認される。このように、対象導体パターンＣＰの静電容量の測定が失敗した場合であっても周囲に設けられた他の導体パターンＣＰとの絶縁を確認し、対象導体パターンＣＰに異常がないことを確認することで、正常な対象導体パターンＣＰが誤って異常と判定されてしまうことを防止することができる。
【０１４０】
また、本実施形態によれば、制御部１０は、容量検出手段により検出された対象導体パターンＣＰの静電容量が所定の上限以上であるか否かを判定する上限判定手段（ステップＳ２０、ステップＳ５０、ステップＳ７０）と、上限判定手段により静電容量が所定の上限以上であると判定された場合に、容量検出手段により検出されたすべての導体パターンＣＰの静電容量が基準静電容量ＣＳＴとして記憶されることを禁止する第１記憶禁止手段（ステップＳ２１、ステップＳ６７、ステップＳ８９）と、をさらに有する。
【０１４１】
この構成では、対象導体パターンＣＰの静電容量が所定の上限以上であると判定された場合に、容量検出手段により検出されたすべての導体パターンＣＰの静電容量が基準静電容量ＣＳＴとして記憶されることが禁止される。このように、正常な回路基板Ｐに対してグランド側のパターンが異なる状態で測定された静電容量が基準静電容量ＣＳＴとして記憶されることを禁止することで基準静電容量ＣＳＴとして不正確な値が記憶されることを防止し、基準静電容量ＣＳＴに基づく導体パターンＣＰの良否判定の精度を向上させることができる。
【０１４２】
また、本実施形態によれば、制御部１０は、検査用プローブ２１により検出された検出値に基づき対象導体パターンＣＰの断線の有無を判定する断線判定手段（ステップＳ１０）と、断線判定手段により対象導体パターンＣＰが断線していると判定された場合に、容量検出手段により検出されたすべての導体パターンＣＰの静電容量のうち少なくとも回路基板Ｐにおいて対象導体パターンＣＰから所定の範囲内に設けられる他の導体パターンＣＰの静電容量が基準静電容量ＣＳＴとして記憶されることを禁止する第２記憶禁止手段（ステップＳ２２）と、をさらに有する。
【０１４３】
この構成では、断線異常があると判定された対象導体パターンＣＰの周囲に設けられる他の導体パターンＣＰについては、測定された静電容量が基準静電容量ＣＳＴとして記憶されることが禁止される。このように、対象導体パターンＣＰが短絡している可能性が排除できない場合に、周囲に設けられる他の導体パターンＣＰにおいて測定された静電容量が基準静電容量ＣＳＴとして記憶されることを禁止することで基準静電容量ＣＳＴとして不正確な値が記憶されることを防止し、基準静電容量ＣＳＴに基づく導体パターンＣＰの良否判定の精度を向上させることができる。
【０１４４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態は本発明の適用例の一部を示したに過ぎず、本発明の技術的範囲を上記実施形態の具体的構成に限定する趣旨ではない。
【０１４５】
例えば、上記実施形態において回路基板検査装置１００により検査される回路基板Ｐは両面基板である。回路基板Ｐはこれらに限定されず、一方の面のみに導体パターンが設けられる片面基板や両面に導体パターンが設けられる両面基板であってもよい。
【０１４６】
また、上記実施形態では、ステップＳ５６において、制御部１０は、検査対象となる導体パターンＣＰと、検査対象となる導体パターンＣＰと導通する他の導体パターンＣＰと、の２つの基準静電容量ＣＳＴのみを未確定状態としている。しかしながら、検査対象となる導体パターンＣＰと他の導体パターンＣＰとが導通すると導体パターンＣＰの面積が変わるため、その周囲に設けられた導体パターンＣＰの静電容量の計測に影響が及ぶ可能性がある。このため、ステップＳ５６では、導体パターンＣＰから所定の範囲、例えば１ｍｍ以内の範囲に設けられた他の導体パターンＣＰの基準静電容量ＣＳＴについても未確定状態としてもよい。
【符号の説明】
【０１４７】
１００  回路基板検査装置
１０  制御部
１１  ＲＯＭ
１２  ＲＡＭ
２１  検査用プローブ
２３  移動機構
Ｐ    回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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