(57)【要約】【課題】損失およびスプリアスを抑制すること。【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、Ｐ１の平均ピッチを有する複数の電極指を有する一対の櫛型電極と、前記複数の電極指の配列方向における前記一対の櫛型電極の両側に設けられ、Ｐ２の平均ピッチを有する複数の格子電極を有し、前記複数の電極指のうち最も前記複数の格子電極に近い電極指と前記複数の格子電極のうち最も前記複数の電極指に近い格子電極とのピッチをＰ３とし、前記最も前記複数の電極指に近い格子電極と次に前記複数の電極指に近い格子電極とのピッチをＰ４とすると、Ｐ３＜０．５（Ｐ１＋Ｐ２）であり、Ｐ２＞Ｐ１であり、かつＰ２＞Ｐ４である一対の反射器と、を備える弾性波共振器。【選択図】図２
2020096291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、Ｐ１の平均ピッチを有する複数の電極指を有する一対の櫛型電極と、
前記複数の電極指の配列方向における前記一対の櫛型電極の両側に設けられ、Ｐ２の平均ピッチを有する複数の格子電極を有し、前記複数の電極指のうち最も前記複数の格子電極に近い電極指と前記複数の格子電極のうち最も前記複数の電極指に近い格子電極とのピッチをＰ３とし、前記最も前記複数の電極指に近い格子電極と次に前記複数の電極指に近い格子電極とのピッチをＰ４とすると、Ｐ３＜０．５（Ｐ１＋Ｐ２）であり、Ｐ２＞Ｐ１であり、かつＰ２＞Ｐ４である一対の反射器と、
を備える弾性波共振器。
【請求項２】
Ｐ４≧Ｐ３である請求項１に記載の弾性波共振器。
【請求項３】
前記一対の反射器は、前記最も前記複数の電極指に近い格子電極を含み前記複数の電極指に向かうにしたがい格子電極のピッチが小さくなる第１領域を有する請求項１または２に記載の弾性波共振器。
【請求項４】
前記一対の反射器内の前記第１領域以外の第２領域における複数の格子電極のピッチは略一定である請求項３に記載の弾性波共振器。
【請求項５】
前記第１領域における格子電極の本数は１０本以下である請求項３または４に記載の弾性波共振器。
【請求項６】
（Ｐ２−Ｐ１）／Ｐ１＜０．０５である請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
【請求項７】
（Ｐ２−Ｐ４）／Ｐ１＜０．０５である請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波共振器を含むフィルタ。
【請求項９】
入力端子と出力端子との間に直列に接続された１または複数の直列共振器と、
前記入力端子と前記出力端子との間に並列に接続され、少なくとも１つの並列共振器が前記弾性波共振器である１または複数の並列共振器と、
を備える請求項８記載のフィルタ。
【請求項１０】
請求項８または９記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば櫛型電極を有する弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波共振器では、圧電基板上に一対の櫛型電極および一対の反射器が設けられている。櫛型電極は複数の電極指を有し、反射器は複数の格子電極を有する。反射器は一対の櫛型電極が励振する弾性波を反射し一対の櫛型電極内に閉じ込める。
【０００３】
弾性波共振器の損失を低減するため反射器における格子電極のピッチを一対の櫛型電極の電極指のピッチより大きくし、かつ最も反射器に近い電極指と最も櫛型電極に近い格子電極とのピッチを小さくすることが知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−３９１９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１によれば、格子電極のピッチを電極指のピッチより大きくすることで弾性波共振器の損失を抑制できる。最も反射器に近い電極指と最も櫛型電極に近い格子電極とのピッチを小さくすることで副共振に起因するスプリアスを抑制できる。しかしながら、副共振に起因するスプリアスを小さくしようとすると弾性波共振器の損失が大きくなる。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、損失およびスプリアスを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、Ｐ１の平均ピッチを有する複数の電極指を有する一対の櫛型電極と、前記複数の電極指の配列方向における前記一対の櫛型電極の両側に設けられ、Ｐ２の平均ピッチを有する複数の格子電極を有し、前記複数の電極指のうち最も前記複数の格子電極に近い電極指と前記複数の格子電極のうち最も前記複数の電極指に近い格子電極とのピッチをＰ３とし、前記最も前記複数の電極指に近い格子電極と次に前記複数の電極指に近い格子電極とのピッチをＰ４とすると、Ｐ３＜０．５（Ｐ１＋Ｐ２）であり、Ｐ２＞Ｐ１であり、かつＰ２＞Ｐ４である一対の反射器と、を備える弾性波共振器である。
【０００８】
上記構成において、Ｐ４≧Ｐ３である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記一対の反射器は、前記最も前記複数の電極指に近い格子電極を含み前記複数の電極指に向かうにしたがい格子電極のピッチが小さくなる第１領域を有する構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記一対の反射器内の前記第１領域以外の第２領域における複数の格子電極のピッチは略一定である構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１領域における格子電極の本数は１０本以下である構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、（Ｐ２−Ｐ１）／Ｐ１＜０．０５である構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、（Ｐ２−Ｐ４）／Ｐ１＜０．０５である構成とすることができる。
【００１４】
本発明は、上記弾性波共振器を含むフィルタである。
【００１５】
上記構成において、入力端子と出力端子との間に直列に接続された１または複数の直列共振器と、前記入力端子と前記出力端子との間に並列に接続され、少なくとも１つの並列共振器が前記弾性波共振器である１または複数の並列共振器と、を備える構成とすることができる。
【００１６】
本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、損失およびスプリアスを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（ａ）は、比較例および実施例における弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２は、実施例１に係る弾性波共振器のＸ方向に対するピッチを示す図である。
【図３】図３（ａ）は、比較例１および２における対に対する２×ピッチを示す図、図３（ｂ）は、比較例３における対に対する２×ピッチを示す図である。
【図４】図４は、実施例１における対に対する２×ピッチを示す図である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は、比較例１および２に係る弾性波共振器を並列共振器としたときの通過特性を示す図である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、比較例２および３に係る弾性波共振器を並列共振器としたときの通過特性を示す図である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は、実施例１および比較例３に係る弾性波共振器を並列共振器としたときの通過特性を示す図である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１および比較例１に係る弾性波共振器を並列共振器としたときの通過特性を示す図である。
【図９】図９（ａ）から図９（ｃ）は、実施例１の変形例１から３に係る弾性波共振器のＸ方向に対するピッチを示す図である。
【図１０】図１０（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図、図１０（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下図面を参照し実施例について説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１（ａ）は、比較例および実施例における弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。電極指の配列方向をＸ方向、電極指の延伸方向をＹ方向、圧電基板の法線方向をＺ方向とする。Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向は圧電基板の結晶方位とは限らないが、圧電基板が回転ＹカットＸ伝搬基板のときにはＸ方向が結晶方位のＸ軸方位となる。
【００２１】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、１ポート弾性波共振器２６では、圧電基板１０上にＩＤＴ２４および反射器２０が形成されている。ＩＤＴ２４および反射器２０は、圧電基板１０に形成された金属膜１２により形成される。反射器２０は、ＩＤＴ２４のＸ方向の両側に設けられている。
【００２２】
ＩＤＴ２４は、対向する一対の櫛型電極１８を備える。櫛型電極１８は、複数の電極指１４と、複数の電極指１４が接続されたバスバー１５と、を備える。一対の櫛型電極１８は、少なくとも一部において一方の櫛型電極１８の電極指１４と他方の櫛型電極１８の電極指１４とが互い違いとなるように、対向して設けられている。反射器２０は、複数の格子電極１６と、複数の格子電極１６が接続されたバスバー１７と、を備える。
【００２３】
一対の櫛型電極１８の電極指１４が励振する弾性波は、主にＸ方向に伝搬する。一対の櫛型電極１８のうち一方の櫛型電極１８の電極指１４のピッチがほぼ弾性波の波長λとなる。反射器２０は、弾性波を反射する。これにより弾性波のエネルギーがＩＤＴ２４内に閉じ込められる。
【００２４】
圧電基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または水晶基板であり、例えば回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１０は、例えば、単結晶サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、水晶基板またはシリコン基板等の支持基板上に接合されていてもよい。圧電基板１０と支持基板との間に酸化シリコン膜または窒化アルミニウム膜等の絶縁膜が設けられていてもよい。
【００２５】
金属膜１２は、例えばアルミニウム膜、銅膜またはモリブデン膜である。アルミニウム膜、銅膜またはモリブデン膜と圧電基板１０との間にチタン膜またはクロム膜等の金属膜が設けられていてもよい。波長λは例えば５００ｎｍから２５００ｎｍ、電極指１４および格子電極１６のＸ方向の幅は例えば２００ｎｍから１５００ｎｍ、金属膜１２の膜厚は例えば５０ｎｍから５００ｎｍ、弾性波共振器２６の静電容量は例えば０．１ｐＦから１０ｐＦである。圧電基板１０上に金属膜１２を覆うように保護膜または温度補償膜として機能する絶縁膜が設けられていてもよい。
【００２６】
図２は、実施例１に係る弾性波共振器のＸ方向に対するピッチを示す図である。図２内の上図は、弾性波共振器の平面図を示し、下図はＸ方向に対する電極指１４および格子電極１６のピッチを示す。図２に示すように、ピッチは隣接する電極指１４（または格子電極１６）のＸ方向の中心間の距離である。ＩＤＴ２４の電極指１４のピッチはほぼ一定である。ＩＤＴ２４における電極指１４の平均ピッチをＰ１とする。ＩＤＴ２４が励振する弾性波の波長λはほぼ２×Ｐ１となる。反射器２０は、ＩＤＴ２４側（すなわち内側）の領域２０ａと外側の領域２０ｂを有する。領域２０ｂの格子電極１６のピッチはほぼ一定である。領域２０ｂにおける格子電極１６の平均ピッチをＰ２とする。Ｐ２はＰ１より大きい。領域２０ａでは、ＩＤＴ２４に向かうにしたがい格子電極１６のピッチが小さくなる。
【００２７】
ＩＤＴ２４の電極指１４のうち最も反射器２０に近い電極指１４ａと反射器２０の格子電極１６のうち最もＩＤＴ２４に近い格子電極１６ａとのピッチをＰ３とする。ピッチＰ３はピッチＰ１より小さい。反射器２０の格子電極１６のうち最もＩＤＴ２４に近い格子電極１６ａと次にＩＤＴ２４に近い格子電極１６ｂとのピッチをＰ４とする。Ｐ４はＰ２より小さい。
【００２８】
［シミュレーション］
実施例１および比較例に係る弾性波共振器を並列共振器に用いたときの通過特性のシミュレーションを行った。シュミュレーション条件は以下である。
圧電基板１０：４２°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板
金属膜１２：圧電基板１０側から膜厚が５０ｎｍのチタン膜、膜厚が１８０ｎｍのアルミニウム膜
ＩＤＴ２４のピッチ  ２×Ｐ１：２．３μｍ
ＩＤＴ２４の対数：１００
ＩＤＴ２４のデュティ比：５０％
ＩＤＴ２４の開口長：３０μｍ
反射器２０の対数：１５対
ＩＤＴ２４の対数は、電極指１４が２本を１対としたときの対の数である。ＩＤＴ２４のデュティ比は、電極指１４の太さ／ピッチＰ１である。ＩＤＴ２４の開口長はＹ方向において電極指１４の重なる交差領域の長さである。反射器２０の対数は、格子電極１６が２本を１対としたときの対の数である。
【００２９】
表１は、比較例１から３および実施例１のピッチおよび対数を示す図である。ピッチＰ４を（Ｐ４−Ｐ２）／Ｐ２［％］で表し、ピッチＰ３をＰ３／（Ｐ１＋Ｐ２´）で表している。Ｐ２´は反射器２０の格子電極１６の平均ピッチである。
【表１】
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【００３０】
図３（ａ）は、比較例１および２における対に対する２×ピッチを示す図、図３（ｂ）は、比較例３における対に対する２×ピッチを示す図、図４は、実施例１における対に対する２×ピッチを示す図である。図３（ａ）、図３（ｂ）および図４の横軸は対を示す。ＩＤＴ２４ではＩＤＴ２４のＸ方向の中心を０とする。反射器２０では最もＩＤＴ２４に近い対を０とする。縦軸は２×ピッチ（すなわち１対あたりのピッチ）を示す。＋がピッチを表し＋を接続する直線は近似直線である。
【００３１】
図３（ａ）および表１のように、比較例１および２では、反射器２０に領域２０ａは設けられていない。ＩＤＴ２４のピッチ２×Ｐ１と反射器２０のピッチ２×Ｐ２は２．３μｍで同じである。比較例１では、Ｐ３／（Ｐ１＋Ｐ２´）は０．５である。これは、Ｐ３がＰ１およびＰ２と同じであることを示している。比較例２では、Ｐ３／（Ｐ１＋Ｐ２´）は０．４である。これは、Ｐ３がＰ１およびＰ２より小さいことを示している。このように、比較例２は比較例１に比べＰ３を小さくしている。
【００３２】
図３（ｂ）および表１のように、比較例３では、比較例１および２と同様に、反射器２０に領域２０ａは設けられていない。ＩＤＴ２４のピッチ２×Ｐ１は比較例１および２と同じである。反射器２０のピッチ２×Ｐ２は２．３９２μｍでありＩＤＴ２４のピッチ２×Ｐ１より大きい。Ｐ３／（Ｐ１＋Ｐ２´）は０．４である。このように、比較例３は、比較例２に比べピッチ２×Ｐ２を大きくしている。
【００３３】
図４のように、実施例１では、反射器２０に領域２０ａが設けられている。領域２０ａの対数は２対である。領域２０ａではＩＤＴ２４に向かうにしたがいピッチが直線的に小さくなる。最もＩＤＴ２４に近い格子電極１６ａと次にＩＤＴ２４に近い格子電極１６ｂとのピッチＰ４は、Ｐ２より３％小さい。Ｐ３／（Ｐ１＋Ｐ２´）は０．４である。このように、実施例１は、比較例３に比べ領域２０ａを設けている。
【００３４】
図５（ａ）および図５（ｂ）は、比較例１および２に係る弾性波共振器を並列共振器としたときの通過特性を示す図である。図５（ｂ）は図５（ａ）の拡大図である。図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、比較例１では、共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａとの間の領域５０にスプリアスは生成されない。反共振周波数ｆａより周波数の高い領域５２において損失が低下している。領域５２は、反射器２０のストップバンドの上限に位置している。
【００３５】
比較例２では、比較例１に比べ領域５２における損失を小さくできる。反共振周波数ｆａと領域５２との間の領域５４における損失を若干改善できる。しかし、領域５０に副共振に起因するスプリアスが生じる。比較例２のように、比較例１に比べＰ３を小さくすると、領域５２および５４における損失が低減できるものの、領域５０において副共振に起因するスプリアスが生成される。
【００３６】
図６（ａ）および図６（ｂ）は、比較例２および３に係る弾性波共振器を並列共振器としたときの通過特性を示す図である。図６（ｂ）は図６（ａ）の拡大図である。図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、比較例３では、比較例２に比べ領域５０におけるスプリアスが小さくなる。しかし、領域５４における損失が大きくなる。比較例３のように、比較例２に比べＰ２を大きくすると、領域５０におけるスプリアスを低減できる。しかし領域５４における損失が増大する。このように、比較例１から３では、領域５２および５４における損失の低減と領域５０におけるスプリアスの低減とがトレードオフとなる。
【００３７】
図７（ａ）および図７（ｂ）は、実施例１および比較例３に係る弾性波共振器を並列共振器としたときの通過特性を示す図である。図７（ｂ）は図７（ａ）の拡大図である。図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、実施例１では、比較例３に比べ領域５０におけるスプリアスは同程度であり小さい。領域５２および５４における損失は比較例３より小さい。
【００３８】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１および比較例１に係る弾性波共振器を並列共振器としたときの通過特性を示す図である。図８（ｂ）は図８（ａ）の拡大図である。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、実施例１では、比較例１に比べ領域５０におけるスプリアスは同程度であり小さい。領域５２における損失は比較例１より小さい。
【００３９】
このように、実施例１では、比較例１から３に比べ、損失を低減しかつスプリアスを低減できる。比較例２のように、比較例１に対しＰ３を小さくすると、領域５２および５４の損失を低減できる。しかし、領域５０に副共振に起因したスプリアスが生成される。比較例３のようにＰ２を大きくすると、スプリアスは抑制できるものの領域５４の損失が低下してしまう。実施例１のように、反射器２０のＩＤＴ２４に隣接する領域２０ａの格子電極１６のピッチを領域２０ｂより小さくすると、損失が低減しかつスプリアスが抑制される。
【００４０】
この理由は明確ではないが、比較例１と２の比較よりＰ３を小さくすると領域５４の損失が改善する。そこで、実施例１のように、Ｐ３に加えＰ４をＰ２より小さくすることで、領域５４の損失が改善するものと考えられる。
【００４１】
図９（ａ）から図９（ｃ）は、実施例１の変形例１から３に係る弾性波共振器のＸ方向に対するピッチを示す図である。図９（ａ）に示すように、実施例１の変形例１では、領域２０ａにおいてＩＤＴ２４に向かうにしたがいピッチの変化率が大きくなる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。図９（ｂ）に示すように、実施例１の変形例２では、領域２０ａにおいてＩＤＴ２４に向かうにしたがいピッチの変化率が小さくなる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００４２】
実施例１のように、領域２０ａにおけるピッチの変化率はＸに対し一定でもよい。実施例１の変形例１および２のように、領域２０ａにおけるピッチの変化率はＸに対し変化してもよい。実施例１のように、領域２０ａ内の格子電極１６のピッチを一定の傾きで変化させる場合、一対の格子電極１６の範囲内では格子電極１６の幅および格子電極１６間のギャップの幅を一定としてもよい。また、１対の格子電極１６の範囲内で格子電極１６の幅および格子電極１６間のギャップの幅を一定の傾きで変えてもよい。上記シミュレーションは後者である。
【００４３】
図９（ｃ）に示すように、実施例１の変形例３では、領域２０ａはピッチが一定な領域２０ｃおよび２０ｄに分かれている。領域２０ｄよりＩＤＴ２４に近い領域２０ｃのピッチは領域２０ｄのピッチより小さい。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例１の変形例３のように、領域２０ａはピッチが一定の１または複数の領域を有してもよい。
【００４４】
実施例１およびその変形例によれば、一対の櫛型電極１８は、Ｐ１の平均ピッチを有する複数の電極指１４を有する。一対の反射器２０は、ＩＤＴ２４のＸ方向の両側に設けられている。反射器２０はＰ２´の平均ピッチを有する複数の格子電極１６を有する。複数の電極指１４のうち最も複数の格子電極１６に近い電極指１４ａと複数の格子電極１６のうち最も複数の電極指１４に近い格子電極１６ａとのピッチをＰ３とし、格子電極１６ａと次に複数の電極指１４に近い格子電極１６ｂとのピッチをＰ４とすると、Ｐ３＜０．５（Ｐ１＋Ｐ２´）であり、Ｐ２´＞Ｐ１であり、かつＰ２´＞Ｐ４である。比較例１から３のように、Ｐ３＜０．５（Ｐ１＋Ｐ２´）かつＰ２´＞Ｐ１とするだけでは、損失とスプリアスとの両方を低減することが難しい。そこで、Ｐ２´＞Ｐ４とする。これにより、損失とスプリアスの両方を低減することができる。
【００４５】
一対の櫛型電極１８の電極指１４の平均ピッチＰ１は、ＩＤＴ２４のＸ方向の幅を電極数の本数で除することで算出できる。反射器２０の格子電極１６の平均ピッチＰ２´は、反射器２０のＸ方向の幅を格子電極１６の本数で除することで算出できる。
【００４６】
Ｐ４が小さすぎると副共振によるスプリアスが大きくなる。そこで、Ｐ４≧Ｐ３が好ましく、Ｐ４＞Ｐ３がより好ましく、Ｐ４＞Ｐ１がさらに好ましい。
【００４７】
領域２０ａの格子電極１６のピッチがＰ４で一定の場合、比較例２で副共振に起因するスプリアスが大きくなったことの類推から、副共振に起因するスプリアスが大きくなると考えられる。そこで、反射器２０は、格子電極１６ａを含み、複数の電極指１４に向かうにしたがい格子電極１６のピッチが小さくなる領域２０ａ（第１領域）を有する。これにより、副共振に起因するスプリアスを抑制できる。
【００４８】
反射器２０内の領域２０ａ以外の領域２０ｂ（第２領域）における格子電極１６のピッチは略一定である。これにより、損失を抑制できる。
【００４９】
Ｐ２´とＰ１との差が大きいと、領域５４の損失が大きくなる。よって、（Ｐ２´−Ｐ１）／Ｐ１≦０．０５が好ましく、（Ｐ２´−Ｐ１）／Ｐ１≦０．０３がより好ましく、（Ｐ２´−Ｐ１）／Ｐ１≦０．０２がさらに好ましい。スプリアス抑制のため、（Ｐ２´−Ｐ１）／Ｐ１≧０．００５が好ましく、（Ｐ２´−Ｐ１）／Ｐ１≧０．０１がより好ましい。
【００５０】
損失およびスプリアスを抑制するため、（Ｐ２´−Ｐ４）／Ｐ１≦０．０５が好ましく、（Ｐ２´−Ｐ４）／Ｐ１≦０．０３がより好ましく、（Ｐ２´−Ｐ４）／Ｐ１≦０．０２がさらに好ましい。スプリアス抑制のため、（Ｐ２´−Ｐ４）／Ｐ１≧０．００５が好ましく、（Ｐ２´−Ｐ４）／Ｐ１≧０．０１がより好ましい。
【００５１】
領域２０ａ内の格子電極１６の本数が大きいと、副共振に起因するスプリアスが生じ易くなる。よって、領域２０ａ内の格子電極１６の本数は１０本以下が好ましく、６本以下がより好ましく、４本以下がさらに好ましい。損失を抑制するため、領域２０ａ内の格子電極１６の本数は２本以上が好ましい。
【００５２】
ＩＤＴ２４内の電極指１４のピッチの最大値と最小値の差はＰ２´−Ｐ１以下であることが好ましく、（Ｐ２´−Ｐ１）／２以下がより好ましい。ＩＤＴ２４内の電極指１４のピッチは略一定であることが好ましい。反射器２０の領域２０ｂ内の格子電極１６のピッチの最大値と最小値の差は、Ｐ２´−Ｐ１以下であることが好ましく、（Ｐ２´−Ｐ１）／２以下がより好ましい。領域２０ｂ内の格子電極１６のピッチは略一定であることが好ましい。
【００５３】
圧電基板１０としては、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板を用いることができる。これらの基板は回転ＹカットＸ伝搬基板であることが好ましい。例えばタンタル酸リチウム基板の場合、３６°〜４８°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板であることが好ましい。
【００５４】
一対の反射器２０の格子電極１６のピッチをＩＤＴ２４を中心に対称とする例を説明したが、一対の反射器２０の格子電極１６のピッチはＩＤＴ２４を中心に非対称でもよい。
【実施例２】
【００５５】
実施例２は、実施例１およびその変形例の弾性波共振器を用いたフィルタおよびデュプレクサの例である。図１０（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図である。図１０（ａ）に示すように、入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４が並列に接続されている。１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４および１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４の少なくとも１つの共振器に実施例１およびその変形例の弾性波共振器を用いることができる。これにより、損失を抑制しかつスプリアスに起因したリップル等を抑制できる。
【００５６】
実施例２のようなラダー型フィルタでは、並列共振器Ｐ１からＰ４の共振周波数より高周波数側が通過帯域となる。よって、領域５０、５２および５４がラダー型フィルタの通過帯域となる。よって、並列共振器Ｐ１からＰ４の少なくとも１つの共振器を実施例１およびその変形例の弾性波共振器とすることが好ましい。これにより、通過帯域の損失を抑制しかつ通過帯域内のリップルを抑制できる。並列共振器Ｐ１からＰ３の全てを実施例１およびその変形例の弾性波共振器とすることが好ましい。
【００５７】
直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ４の少なくとも２つの共振器を実施例１およびその変形例の弾性波共振器とする場合、少なくとも２つの共振器の全ての反射器２０の領域２０ａにおける格子電極１６の本数およびピッチの変化率を同じとしてもよい。また、少なくとも２つの共振器ごとに、領域２０ａにおける格子電極１６の本数およびピッチの変化率を異ならせてもよい。
【００５８】
直列共振器および並列共振器の個数は任意に設定できる。ラダー型フィルタは１または複数の直列共振器および１または複数の並列共振器を有していればよい。
【００５９】
図１０（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。図１０（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ４０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ４２が接続されている。送信フィルタ４０は、送信端子Ｔｘから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ４２は、共通端子Ａｎｔから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ４０および受信フィルタ４２の少なくとも一方を実施例２のフィルタとすることができる。送信フィルタ４０には大電力の高周波信号が印加される。そこで、送信フィルタ４０に実施例２のフィルタを用いることが好ましい。
【００６０】
マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。
【００６１】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１０  圧電基板
１２  金属膜
１４、１４ａ  電極指
１６，１６ａ、１６ｂ  格子電極
１８  櫛型電極
２０  反射器
２４  ＩＤＴ
４０  送信フィルタ
４２  受信フィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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