(57)【要約】【課題】樹脂層でのクラックの発生を抑制できる電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一側面は、金属配線と、金属配線に隣接して設けられ、樹脂組成物からなる樹脂層とを備える電子部品の製造方法であって、電子部品において樹脂層にかかる応力Ｓ１に対する樹脂組成物の破断応力Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１に基づいて樹脂組成物を選定する工程と、選定された樹脂組成物を用いて、金属配線に隣接するように樹脂層を設ける工程と、を備える製造方法である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属配線と、前記金属配線に隣接して設けられ、樹脂組成物からなる樹脂層とを備える電子部品において、前記樹脂層でのクラックの発生率を予測する方法であって、
前記電子部品において前記樹脂層にかかる応力Ｓ１に対する前記樹脂組成物の破断応力Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１に基づいて前記クラックの発生率を予測する工程を備える、方法。
【請求項２】
金属配線と、前記金属配線に隣接して設けられ、樹脂組成物からなる樹脂層とを備える電子部品において、前記樹脂層でのクラックの発生を抑制できる前記樹脂組成物を選定する方法であって、
前記電子部品において前記樹脂層にかかる応力Ｓ１に対する前記樹脂組成物の破断応力Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１に基づいて前記樹脂組成物を選定する工程を備える、方法。
【請求項３】
金属配線と、前記金属配線に隣接して設けられ、樹脂組成物からなる樹脂層とを備える電子部品の製造方法であって、
前記電子部品において前記樹脂層にかかる応力Ｓ１に対する前記樹脂組成物の破断応力Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１に基づいて前記樹脂組成物を選定する工程と、
選定された前記樹脂組成物を用いて、前記金属配線に隣接するように前記樹脂層を設ける工程と、を備える製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クラックの発生率を予測する方法、クラックの発生を抑制できる樹脂組成物を選定する方法、及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を搭載した半導体パッケージ等の電子部品では、接着、仮固定、絶縁、封止等の種々の目的で樹脂組成物が用いられる。例えば、樹脂組成物は、半導体素子とリードフレーム（金属配線）とを接着する接着剤として用いられる（特許文献１）。また、近年では、ウエハレベルの再配線技術を用いたＦＯＷＬＰ（Fan-Out Wafer Level Package）と呼ばれる半導体パッケージの製造が盛んに検討されており、このＦＯＷＬＰでは、樹脂組成物からなる樹脂層内に金属配線が設けられることによって、再配線層（ＲＤＬ；Redistribution Layer）が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２４９８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したような電子部品に用いられる樹脂組成物には、特許文献１に記載されているように、耐クラック性を向上させるために低弾性率化が求められている。しかしながら、本発明者らの検討によれば、樹脂組成物の弾性率を低くするだけでは、電子部品において、当該樹脂組成物からなる樹脂層でのクラックの発生を必ずしも抑制できないことが判明した。
【０００５】
本発明は、一側面において、樹脂層でのクラックの発生を抑制できる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、他の一側面において、当該製造方法に好適なクラックの発生率を予測する方法及びクラックの発生を抑制できる樹脂組成物を選定する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面は、金属配線と、金属配線に隣接して設けられ、樹脂組成物からなる樹脂層とを備える電子部品において、樹脂層でのクラックの発生率を予測する方法であって、電子部品において樹脂層にかかる応力Ｓ１に対する樹脂組成物の破断応力Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１に基づいてクラックの発生率を予測する工程を備える、方法である。
【０００７】
本発明の他の一側面は、金属配線と、金属配線に隣接して設けられ、樹脂組成物からなる樹脂層とを備える電子部品において、樹脂層でのクラックの発生を抑制できる樹脂組成物を選定する方法であって、電子部品において樹脂層にかかる応力Ｓ１に対する樹脂組成物の破断応力Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１に基づいて樹脂組成物を選定する工程を備える、方法である。
【０００８】
本発明の他の一側面は、金属配線と、金属配線に隣接して設けられ、樹脂組成物からなる樹脂層とを備える電子部品の製造方法であって、電子部品において樹脂層にかかる応力Ｓ１に対する樹脂組成物の破断応力Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１に基づいて樹脂組成物を選定する工程と、選定された樹脂組成物を用いて、金属配線に隣接するように樹脂層を設ける工程と、を備える製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一側面によれば、樹脂層でのクラックの発生を抑制できる電子部品の製造方法を提供することが可能となる。本発明の他の一側面によれば、当該製造方法に好適なクラックの発生率を予測する方法及びクラックの発生を抑制できる樹脂組成物を選定する方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施形態に係る電子部品を示す模式断面図である。
【図２】安全率Ｒとクラック発生率Ｃとの関係を示すグラフであり、
【図３】（ａ）は樹脂組成物のヤング率とクラック発生率Ｃとの関係を示すグラフであり、（ｂ）は破断応力とクラック発生率Ｃとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１２】
図１は、一実施形態に係る電子部品を示す模式断面図である。図１に示すように、一実施形態に係る電子部品１は、例えば、プリント基板（ＰＣＢ；Print Circuit Board）２と、プリント基板２上に実装された半導体パッケージ３とを備えている。
【００１３】
プリント基板２は、公知のプリント基板であってよく、例えば、基板４と、基板４上に設けられた配線５とを備えている。
【００１４】
半導体パッケージ３は、例えばＦＯＷＬＰであってよい。具体的には、半導体パッケージ３は、例えば、再配線層６と、再配線層６上に設けられた半導体素子７と、再配線層６及び半導体素子７上に、半導体素子７を覆うように設けられた封止層８と、再配線層６の半導体素子７と反対側に設けられたはんだ９とを備えている。
【００１５】
再配線層６は、例えば、プリント基板２に近い側から、樹脂組成物からなる第１の樹脂層１０と、第１の金属配線１１と、樹脂組成物からなる第２の樹脂層１２とがこの順に積層されてなる。第１の樹脂層１０には、複数の貫通孔が設けられており、当該貫通孔内にも第１の金属配線１１が形成されていることによって、第１の金属配線１１とはんだ９とが互いに電気的に接続されている。第２の樹脂層１２にも、複数の貫通孔が設けられており、当該貫通孔内に第２の金属配線１３が形成されていることによって、第１の金属配線１１と半導体素子７とが、第２の金属配線１３を介して互いに電気的に接続されている。
【００１６】
半導体パッケージ３は、はんだ９のそれぞれがプリント基板２の配線５に接するように実装されている。プリント基板２と半導体パッケージ３との間には、例えば、アンダーフィル材が充填されることによって、アンダーフィル層１４が形成されている。
【００１７】
以下、上述した電子部品１の製造方法について説明する。一実施形態に係る電子部品１の製造方法では、まず、第１の樹脂層１０及び第２の樹脂層１２（以下、これらをまとめて「樹脂層１０，１２」ともいう）を構成する樹脂組成物をそれぞれ選定する（選定工程）。
【００１８】
選定工程は、樹脂組成物の物性を測定する工程（測定工程）と、電子部品１において樹脂層１０，１２にかかる応力Ｓ１を算出する工程（Ｓ１算出工程）と、樹脂組成物の破断応力Ｓ２を算出する工程（Ｓ２算出工程）と、応力Ｓ１及び破断応力Ｓ２から安全率Ｒを算出する工程（Ｒ算出工程）とを備える。そして、選定工程では、Ｒ算出工程で算出された安全率Ｒに基づいて、樹脂組成物を選定する。
【００１９】
測定工程では、候補となる樹脂組成物の伸び、ヤング率（引張弾性率）及び熱膨張率を測定する。候補となる樹脂組成物は、例えば、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）樹脂、フェノールノボラック樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等の樹脂と、光酸発生剤（「光カチオン重合開始剤」とも呼ばれる）とを含有する公知の感光性樹脂組成物の中から、半導体パッケージ３の要求特性等に応じて適宜選定される。樹脂組成物の伸び、ヤング率及び熱膨張率の具体的な測定方法は、以下のとおりである。
【００２０】
樹脂組成物の伸び（％）は、例えば（株）島津製作所製オートグラフＡＧＳ−５ｋＮＧを用いて、−６５℃で測定される。試験速度は５ｍｍ／分、つかみ間距離は２０ｍｍ、試験片サイズは幅１０ｍｍ×厚み約１０μｍの短冊形状とする。つかみ治具として、フラットつかみ歯（ＰＥＴ使用）を用いる。
【００２１】
樹脂組成物のヤング率（ＧＰａ）は、粘弾性測定装置（ＤＭＡ、例えば、ティー・エイ・インスツル株式会社製、型式：ＲＳＡ−Ｇ２）を用いて測定される。試験モードは引張り、測定温度は−６５℃から３００℃、昇温速度は５℃／分、つかみ間距離は１５ｍｍ、試験周波数は１Ｈｚ、試験片サイズは幅１０ｍｍ×厚み約１０μｍの短冊形状とする。
【００２２】
樹脂組成物の熱膨張率（ｐｐｍ／Ｋ）は、熱応力歪測定装置（ＴＭＡ、例えば、セイコーインスツル株式会社製、型式：ＴＭＡ／ＳＳ６１００型）を用いて測定される。荷重は１０ｇ、昇温速度は５℃／分で、−６５℃から３００℃まで加熱し、−６５℃から１５０℃の範囲での熱膨張度合いを熱膨張率とする。
【００２３】
Ｓ１算出工程では、測定工程で測定された樹脂組成物の熱膨張率を用いて、例えば、シミュレーションにより電子部品１において樹脂層１０，１２にかかる応力Ｓ１を算出する。シミュレーションによる算出方法の一実施形態は、以下のとおりである。
【００２４】
シミュレーションは、例えば非線形構造解析ソフトウエアＭＳＣ．Ｍａｒｃ２０１７を用いて３次元で行う。解析モデルは、実装基板に実装されたファンアウトパッケージを対象とする。ファンアウトパッケージのチップは例えば７．３ｍｍ×７．３ｍｍ×０．４ｍｍ、パッケージサイズは例えば９．６ｍｍ×９．６ｍｍ×０．５ｍｍとする。このうち、再配線層の金属配線を例えば５μｍ厚、樹脂層を例えば１０μｍ厚とし、２層積み上げた構造とする。実装基板は、例えば基板２０ｍｍ×２０ｍｍ×０．８ｍｍの両面にソルダーレジストを３０μｍ厚で積層した構造とする。ファンアウトパッケージと実装基板は、例えば、２５０μｍφのはんだボールを用いて０．４ｍｍピッチのエリアアレイで接続した構造に、アンダーフィルを導入した構造とする。また、上記構造全体の応力を取得するのに十分な細かさのメッシュで分割してシミュレーションすることは計算機の能力に対して過大すぎるため、構造の対称性を考慮して１／４モデルとする。モデル全体では、例えば、要素数は１０１４０８、節点数は１０６３８２とする。
樹脂組成物に関しては、粘弾性特性を適用するため、上述したヤング率の測定方法と同様に粘弾性測定装置を用いて、引っ張りモードで１、２、４、１０、２０Ｈｚの各周波数で測定した結果を合成して作成したマスターカーブを、時間温度換算則のＷ．Ｌ．Ｆ則を用いて近似したものを１０項のプローニ級数に変換してＭａｒｃに入力する。熱膨張率は、上述した熱膨張率の測定方法と同様に熱応力歪測定装置（ＴＭＡ、セイコーインスツル株式会社製、型式：ＴＭＡ／ＳＳ６１００型）を用いて、熱膨張率の温度依存性を取得してＭａｒｃに入力する。
シミュレーションのストレスフリー温度条件はアンダーフィルの硬化温度とし、境界条件は１／４モデルの対称条件とモデル全体をアンダーフィル硬化温度から−６５℃までの降温を設定する。
このような条件でシミュレーションを実施し、温度が−６５℃になったときの、再配線層中の金属配線に隣接した樹脂層の最大主応力の数値をＳ１とする。
【００２５】
Ｓ２算出工程では、測定工程で測定された樹脂組成物の伸び及びヤング率を用いて、下記式：
破断応力Ｓ２（ＧＰａ）＝伸び（％）×ヤング率（ＧＰａ）
により、破断応力Ｓ２を算出する。
なお、Ｓ１算出工程及びＳ２算出工程の順序は任意である（相互に入替可能である）。
【００２６】
Ｒ算出工程では、Ｓ１算出工程で算出された応力Ｓ１、及びＳ２算出工程で算出された破断応力Ｓ２から、下記式：
安全率Ｒ＝破断応力Ｓ２（ＧＰａ）／応力Ｓ１（ＧＰａ）
により、安全率Ｒを算出する。
【００２７】
本発明者らは、Ｒ算出工程で算出される安全率Ｒが、樹脂層１０，１２でのクラックの発生しやすさに関係していることを見出した。具体的には、安全率Ｒが大きいほど、樹脂層１０，１２でのクラックの発生を抑制できることが判明した。したがって、選定工程では、樹脂層１０，１２でのクラックの発生を抑制したい程度に応じて、安全率Ｒに基づき樹脂組成物を選定すればよい。例えば、樹脂層１０，１２でのクラックの発生を可能な限り抑制したい場合は、候補となる樹脂組成物のそれぞれについて安全率Ｒを算出し、それらの樹脂組成物の中で最も安全率Ｒが高い樹脂組成物を選定すればよい。
【００２８】
一方、従来は、特許文献１に記載されているように、金属配線に隣接して設けられる樹脂層に弾性率が低い樹脂組成物を用いることにより、クラックの発生を抑制できると考えられてきた。しかし、本発明者らの検討によれば、樹脂組成物の弾性率を低くするだけでは、電子部品において、当該樹脂組成物からなる樹脂層でのクラックの発生を必ずしも抑制できないという問題が生じることが判明した。このような問題は、特に電子部品１を上面から（半導体素子７から基板４へ向かう方向に）みたときに、半導体素子７と重ならない（封止層８のみと重なる）位置にある樹脂層（以下「封止層上の樹脂層」ともいう）１０，１２と比べて、半導体素子７と重なる位置にある樹脂層（以下「半導体素子上の樹脂層」ともいう）１０，１２において顕著に生じる。そして、本発明者らは、上述した応力Ｓ１を考慮した安全率Ｒという指標に基づけば、半導体素子７と重なる位置にある樹脂層１０，１２においてもクラックの発生を抑制できることを見出した。
【００２９】
選定工程において樹脂組成物を選定した後は、当該樹脂組成物を用い、公知の方法に従って電子部品１を製造すればよい。例えば、まず、第１の樹脂層１０を形成する（第１の樹脂層形成工程）。
【００３０】
具体的には、まず、シリコンウエハ、ガラス等の基材上に、選定された樹脂組成物からなる樹脂組成物層を形成する。当該樹脂組成物層は、樹脂組成物を基材上に直接塗工して形成してもよく、必要に応じて、メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン等の溶剤に溶解した溶液を塗工した後、溶剤を除去することにより形成してもよく、予め支持フィルム上に樹脂組成物層を形成した積層フィルム（エレメント）を用意し、積層フィルムから樹脂組成物層を基材上に転写することにより形成してもよい。基材上に形成された樹脂組成物層の厚みは、例えば、０．５μｍ以上であってよく、１０μｍ以下であってよい。
【００３１】
続いて、例えば、樹脂組成物層の基材とは反対側の面から樹脂組成物層の所定部分を露光した後、樹脂組成物層の未露光部を現像で除去することにより、貫通孔を有する第１の樹脂層１０を形成する。露光方法は、例えば、直接描画方式、投影露光方式又はコンタクト露光方式であってよい。露光の光源は、例えば、カーボンアーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等であってよい。露光量は、例えば、１００〜１０００Ｊ／ｍ２であってよい。現像方法は、例えば、ウエット現像であってよい。ウエット現像は、例えばアルカリ性水溶液等の現像液を用いて行われてよい。現像方法は、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式等であってよい。
【００３２】
第１の樹脂層形成工程に続いて、第１の樹脂層１０の貫通孔内を第１の金属配線１１で充填すると共に、第１の樹脂層１０の基材と反対側の主面上に所定のパターンで第１の金属配線１１を形成する（第１の金属配線形成工程）。第１の金属配線１１を形成する方法としては、例えば、第１の樹脂層１０上に所定のパターンでレジスト層を形成した後、第１の金属配線１１を形成する方法、第１の樹脂層１０上に金属層を形成し、その後、エッチング等によってパターニングする方法などが挙げられる。
【００３３】
第１の金属配線形成工程に続いて、第１の樹脂層形成工程と同様にして、選定工程で選定された樹脂組成物を用いて第２の樹脂層１２を形成し（第２の樹脂層形成工程）、その後、第１の金属配線形成工程と同様にして第２の金属配線１３を形成する（第２の金属配線形成工程）。これにより、再配線層６が得られる。
【００３４】
第２の金属配線形成工程に続いて、再配線層６上に半導体素子７を搭載する（搭載工程）。具体的には、例えば、再配線層６上に接着剤を介して、第２の金属配線１３と電気的に接続するように半導体素子７を搭載し、その後、樹脂等を含有する封止材を用いて半導体素子７を覆うように封止層８を形成し、半導体素子７を封止する。搭載工程では、半導体素子７を予め封止材で覆って封止層８を形成した後に、半導体素子７及び封止層８を再配線層６上に搭載してもよい。
【００３５】
搭載工程に続いて、第１の樹脂層１０側の基材を除去し、再配線層６にはんだ９を接続する（はんだ接続工程）。具体的には、基材を除去し、これにより露出した貫通孔内の第１の金属配線１１にはんだ９を接続する。はんだ接続工程においては、例えば、はんだペーストを用いて、ボール状のはんだ９を形成する。これにより、半導体パッケージ３が得られる。
【００３６】
はんだ接続工程に続いて、半導体パッケージ３のはんだ９がプリント基板２の配線５に電気的に接続するように、半導体パッケージ３をプリント基板２上に実装する（実装工程）。実装工程では、プリント基板２と半導体パッケージ３との間に、硬化性樹脂を含むアンダーフィル材を充填し、アンダーフィル層１４を形成する。
【００３７】
以上説明した方法により、電子部品１が得られる。この方法によれば、選定工程において、樹脂層１０，１２でのクラックが発生しづらい樹脂組成物を予め選定するため、電子部品１又は半導体パッケージ３全体を作製しなくとも、クラックの発生が抑制された電子部品１又は半導体パッケージ３の構成を予測した上で、電子部品１又は半導体パッケージ３を効率良く作製することができる。
【００３８】
本発明の他の一実施形態は、金属配線（例えば図１の第１の金属配線１１）と、金属配線に隣接して設けられ、樹脂組成物からなる樹脂層（例えば図１の第１の樹脂層１０又は第２の樹脂層１２）とを備える電子部品（例えば図１の電子部品１）において、樹脂層１０，１２でのクラックの発生を抑制できる樹脂組成物を選定する方法（樹脂組成物の選定方法）ということができる。この方法は、電子部品１において樹脂層１０，１２にかかる応力Ｓ１に対する樹脂組成物の破断応力Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１に基づいて樹脂組成物を選定する工程を備える。この工程の詳細は、上記の製造方法における選定工程で説明したとおりである。
【００３９】
あるいは、本発明の他の一実施形態は、金属配線（例えば図１の第１の金属配線１１）と、金属配線に隣接して設けられ、樹脂組成物からなる樹脂層（例えば図１の第１の樹脂層１０又は第２の樹脂層１２）とを備える電子部品（例えば図１の電子部品１）において、樹脂層１０，１２でのクラックの発生率を予測する方法（クラック発生率の予測方法）ということもできる。この方法は、電子部品１において樹脂層１０，１２にかかる応力Ｓ１に対する樹脂組成物の破断応力Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１に基づいてクラックの発生率を予測する工程を備えている。この工程では、上記の製造方法における選定工程と同様に、安全率Ｒ（＝破断応力Ｓ２／応力Ｓ１）が大きいほど、樹脂層１０，１２でのクラックの発生を抑制できることに基づいて、樹脂層１０，１２でのクラックの発生率を予測する。
【００４０】
より具体的には、例えば、同一の構成を備える電子部品１に対して、複数種（例えば５種以上）の樹脂組成物を用いたときの樹脂層１０，１２でのクラックの発生率Ｃと安全率Ｒとをそれぞれ求めることにより、クラックの発生率Ｃと安全率Ｒとの関係を求める。クラックの発生率Ｃと安全率Ｒとの関係は、例えば下記式：
Ｃ（％）＝α×Ｒ＋β
（式中、αは負の数を表し、βは１００以下の正の数を表す。）
で表され得る。このようなクラックの発生率Ｃと安全率Ｒとの関係式に基づいて、応力Ｓ１に対する破断応力Ｓ２の比Ｓ２／Ｓ１（すなわち安全率Ｒ）からクラックの発生率Ｃを予測する。
【００４１】
なお、クラックの発生率Ｃは、樹脂層の複数の箇所に占めるクラックが発生した箇所の割合として定義される。例えば、樹脂層中の１０箇所をみたときに、クラックが発生した箇所が１箇所である場合、クラックの発生率Ｃは１０％（＝１／１０×１００）となる。
【００４２】
以上説明した電子部品の製造方法、樹脂組成物の選定方法及びクラック発生率の予測方法は、電子部品１は図１に示す構成を備えているが、電子部品は、図１に示す構成以外の構成を備えていてもよく、好ましくは、金属配線と、金属配線に隣接して設けられ、樹脂組成物からなる樹脂層とを備える電子部品である。このような電子部品に対しても、上述した製造方法、選定方法及び予測方法が好適に適用される。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例に基づいて本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４４】
樹脂組成物１〜５を準備し、以下に示す方法で各樹脂組成物の伸び、ヤング率、及び熱膨張率を測定した。
【００４５】
樹脂組成物の−６５℃での伸び（％）及びヤング率（ＧＰａ）は、（株）島津製作所製オートグラフＡＧＳ−５ｋＮＧを用いて、−６５℃で測定した。試験速度は５ｍｍ／分、つかみ間距離は２０ｍｍ、試験片サイズは幅１０ｍｍ×厚み約１０μｍの短冊形状とした。つかみ治具として、フラットつかみ歯（ＰＥＴ使用）を用いた。
【００４６】
樹脂組成物の−６５℃での弾性率（ＧＰａ）は、粘弾性測定装置（ＤＭＡ、ティー・エイ・インスツル株式会社製、型式：ＲＳＡ−Ｇ２）を用いて測定した。試験モードは引張り、測定温度は−６５℃から３００℃まで、昇温速度は５℃／分、つかみ間距離は１５ｍｍ、試験周波数は１Ｈｚ、試験片サイズは幅１０ｍｍ×厚み約１０μｍの短冊形状とした。
【００４７】
樹脂組成物の熱膨張率（ｐｐｍ／Ｋ）は、熱応力歪測定装置（ＴＭＡ、セイコーインスツル株式会社製、型式：ＴＭＡ／ＳＳ６１００型）を用いて測定した。荷重は１０ｇ、昇温速度は５℃／分で、−６５℃から３００℃まで加熱し、−６５℃から１５０℃の範囲での熱膨張度合いを熱膨張率とした。
【００４８】
続いて、測定された樹脂組成物の熱膨張率を用いて、以下に示す方法でシミュレーションにより電子部品において樹脂層にかかる応力Ｓ１を算出した。
【００４９】
シミュレーションは、非線形構造解析ソフトウエアＭＳＣ．Ｍａｒｃ２０１７を用いて３次元で行った。解析モデルは、実装基板に実装されたファンアウトパッケージを対象とした。ファンアウトパッケージのチップは７．３ｍｍ×７．３ｍｍ×０．４ｍｍ、パッケージサイズは９．６ｍｍ×９．６ｍｍ×０．５ｍｍとした。このうち、再配線層の銅配線層を５μｍ厚、層間絶縁層を１０μｍ厚とし、２層積み上げた構造とした。実装基板は、基板層２０ｍｍ×２０ｍｍ×０．８ｍｍの両面にソルダーレジストを３０μｍ厚で積層した構造とした。ファンアウトパッケージと実装基板は、２５０μｍφのはんだボールを用いて０．４ｍｍピッチのエリアアレイで接続した構造に、アンダーフィルを導入した構造とした。また、上記構造全体の応力を取得するのに十分な細かさのメッシュで分割してシミュレーションすることは計算機の能力に対して過大すぎるため、構造の対称性を考慮して１／４モデルとした。モデル全体では、要素数は１０１４０８、節点数は１０６３８２であった。
【００５０】
樹脂組成物に関しては、粘弾性特性を適用するため、上述した弾性率の測定方法と同様に粘弾性測定装置を用いて、引っ張りモードで１、２、４、１０、２０Ｈｚの各周波数で測定した結果を合成して作成したマスターカーブを、時間温度換算則のＷ．Ｌ．Ｆ則を用いて近似したものを１０項のプローニ級数に変換してＭａｒｃに入力した。熱膨張率は、上述した熱膨張率の測定方法と同様に熱応力歪測定装置（ＴＭＡ、セイコーインスツル株式会社製、型式：ＴＭＡ／ＳＳ６１００型）を用いて、熱膨張率の温度依存性を取得してＭａｒｃに入力した。樹脂組成物のＴｇは、レオメトリック・サイエンティフィック・エフ・イー株式会社製粘弾性アナライザーＲＳＡ−２を用いて算出した。具体的には、３５ｍｍ×１０ｍｍ×１０μｍ厚のサンプルを用いて、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚ、測定温度−６５℃〜４００℃の条件で測定したときの主分散ピーク温度（ｔａｎδピークが最大となる温度）をＴｇとした。
【００５１】
シミュレーションのストレスフリー温度条件はアンダーフィルの硬化温度とし、境界条件は１／４モデルの対称条件とモデル全体をアンダーフィル硬化温度から−６５℃までの降温を設定した。
このような条件でシミュレーションを実施し、温度が−６５℃になったときの、再配線層中の金属配線に隣接した樹脂層の最大主応力の数値をＳ１とした。
【００５２】
一方、測定された樹脂組成物の伸び及びヤング率を用いて、下記式：
破断応力Ｓ２（ＧＰａ）＝伸び（％）×ヤング率（ＧＰａ）
により、破断応力Ｓ２を算出した。
続いて、算出された応力Ｓ１及び破断応力Ｓ２から、下記式：
安全率Ｒ＝破断応力Ｓ２／応力Ｓ１
により、安全率Ｒを算出した。
【００５３】
また、以下に示す方法により、図１に示すような電子部品を作製した。
各樹脂組成物を用いて、特開２０１４−５６９２４号公報に開示されているＦＯＷＬＰの作製方法にしたがって、ファンアウトパッケージを作製した。このパッケージをＭＣＬ−Ｅ６７９ＦＧＲ（板厚：０．８１ｍｍ，８プライ品）からなるＰＣＢボードに半田ボール（ＥＣＯ  ＳＯＬＤＥＲ  ＢＡＬＬ，Ｍ７０５  ２５０μｍφ、千住金属工業株式会社製）を介して接続した。
【００５４】
得られた各電子部品について、−６５℃の環境下に１５分間静置した後、１５０℃の環境下に１５分間静置する、というサイクルを２０００サイクル繰り返す信頼性試験を行った。信頼性試験後の電子部品について、金属顕微鏡（ＶＨＸ−５０００、株式会社キーエンス製）により断面を観察し、クラックの有無を確認した。その際、封止層上の樹脂層の４４箇所、半導体素子上の樹脂層の３２箇所についてそれぞれクラックの有無を確認し、クラックが観察された箇所の割合をクラックの発生率Ｃとして算出した。
【００５５】
各樹脂組成物の主な成分、伸び、ヤング率、熱膨張率、応力Ｓ１、破断応力Ｓ２、安全率Ｒ、及びクラックの発生率Ｃを表１に示す。
【表１】
2020188243.tif 000002
【００５６】
（実施例）
各樹脂組成物を用いた場合の封止層上及び半導体素子上のそれぞれにおける安全率Ｒとクラック発生率Ｃとの関係をプロットしたところ、図２に示すとおりとなった。これらのプロットを直線で近似したところ、封止層上ではＣ＝−０．４９×Ｒ＋９．７で表される直線となり、半導体素子上ではＣ＝−２．２６×Ｒ＋５０．３で表される直線となり、相関係数は表２に示すとおりとなった。
【００５７】
（参考例）
各樹脂組成物を用いた場合のヤング率と封止層上及び半導体素子上のそれぞれにおけるクラック発生率Ｃとの関係、並びに、破断応力Ｓ２と封止層上及び半導体素子上のそれぞれにおけるクラック発生率Ｃとの関係をそれぞれプロットしたところ、図３（ａ），（ｂ）に示すとおりとなった。これらのプロットを直線で近似したときの相関係数を表２に示す。
【００５８】
【表２】
2020188243.tif 000003
【００５９】
表２に示されるように、安全率Ｒは、ヤング率（引張弾性率）及び破断応力Ｓ２に比べて、クラック発生率Ｃとより相関している（相関係数が大きい）ことが分かり、また、半導体素子上において、安全率Ｒとクラック発生率Ｃとが特に相関しているが分かる。
【符号の説明】
【００６０】
１…電子部品、２…プリント基板、３…半導体パッケージ、４…基板、５…配線、６…再配線層、７…半導体素子、８…封止層、９…はんだ、１０…第１の樹脂層、１１…第１の金属配線、１２…第２の樹脂層、１３…第２の金属配線、１４…アンダーフィル層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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