(57)【要約】【課題】試料の原子の分布について再構成された画像について試料の局所倍率に伴って生じる歪みを補正することができるアトムプローブ検査装置、電界イオン顕微鏡および歪み補正方法を提供する。【解決手段】実施形態に係るアトムプローブ検査装置は、変動部と、検出部と、特定部と、作成部と、推定部と、再構成部と、を備える。変動部は、同一の位置から離脱したイオンの位置敏感型検出器での検出位置を変動させる。検出部は、位置情報および飛行時間を検出する。特定部は、元素を特定する。作成部は、第１条件で検出される二次元の位置、および第１条件とは異なる第２条件で検出される二次元の位置において、位置情報および飛行時間からそれぞれの再構成画像を作成する。推定部は、第１条件および第２条件それぞれの再構成画像の対応関係から、実際の位置に関する情報を推定する。再構成部は、推定情報に基づいて、実際の原子配置を反映した画像を再構成する。【選択図】図４
2020145157.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料表面の同一の位置から離脱したイオンの、位置敏感型検出器の検出面で検出される二次元の位置を変動させる変動部と、
前記検出面で検出されたイオンの二次元の位置情報、および該イオンの前記試料から該検出面へ到達するまでの飛行時間を検出する検出部と、
前記検出部により検出された前記飛行時間から、前記検出面で検出されたイオンの元素を特定する特定部と、
少なくとも、前記検出面で第１条件で検出されるイオンの二次元の位置、および前記第１条件で該検出面で検出される位置とは異なる位置で検出されるように前記変動部により変動された第２条件で検出されるイオンの二次元の位置において、該検出部により検出されたイオンの前記二次元の位置情報および該イオンの前記飛行時間からそれぞれの再構成画像を作成する作成部と、
前記第１条件および前記第２条件それぞれの前記再構成画像の対応関係に基づいて、離脱したイオンの前記試料表面の実際の位置に関する情報を推定する推定部と、
前記推定部により推定された情報に基づいて、前記試料表面の実際の原子配置を反映した画像を再構成する再構成部と、
を備えたアトムプローブ検査装置。
【請求項２】
前記作成部により作成された前記第１条件および前記第２条件のそれぞれに対応する前記再構成画像に対して、特徴量マッチングを行うマッチング部を、さらに備え、
前記推定部は、前記マッチング部により行われた前記特徴量マッチングの結果に基づいて、離脱したイオンの前記試料表面の実際の位置に関する情報を推定する請求項１に記載のアトムプローブ検査装置。
【請求項３】
前記試料に電圧を印加することにより、該試料と前記位置敏感型検出器との間に電界を形成させる電源と、
前記試料に対してレーザを照射することにより、該試料表面の原子を電界蒸発によりイオンとして離脱させるレーザ装置と、
をさらに備えた請求項１または２に記載のアトムプローブ検査装置。
【請求項４】
前記変動部は、前記試料と前記位置敏感型検出器との距離が変動するように該位置敏感型検出器の移動を制御する第１位置制御部であり、
前記作成部は、前記第１位置制御部が前記位置敏感型検出器を移動させた前記第１条件としての第１位置で前記再構成画像を作成し、該第１位置制御部が該位置敏感型検出器を前記第１位置とは異なる前記第２条件としての第２位置に移動させて前記第２位置での前記再構成画像を作成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のアトムプローブ検査装置。
【請求項５】
前記試料から離脱したイオンの軌道を、形成した電界により折り返して、該イオンを前記位置敏感型検出器へ向けて飛行させるリフレクションレンズを、さらに備え、
前記変動部は、前記リフレクションレンズの位置を制御する第２位置制御部であり、
前記作成部は、前記第２位置制御部が前記リフレクションレンズを移動させた前記第１条件としての第１位置で前記再構成画像を作成し、該第２位置制御部が該リフレクションレンズを前記第１位置とは異なる前記第２条件としての第２位置に移動させて前記第２位置での前記再構成画像を作成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のアトムプローブ検査装置。
【請求項６】
前記試料から離脱したイオンの軌道を、形成した磁界により軌道を変える電磁レンズを、さらに備え、
前記変動部は、前記電磁レンズの磁界の形成動作を制御するレンズ制御部であり、
前記作成部は、前記レンズ制御部が前記電磁レンズが形成する磁界について前記第１条件としての特定の磁界の状態とした場合に前記再構成画像を作成し、該レンズ制御部が該電磁レンズが形成する磁界の状態として前記第１条件とは異なる前記第２条件とした場合に前記再構成画像を作成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のアトムプローブ検査装置。
【請求項７】
前記変動部は、前記試料から離脱したイオンの軌道を電界により変動するように、該電界を形成する駆動回路による電界の形成動作を制御する電界制御部であり、
前記作成部は、前記電界制御部が前記駆動回路が形成する電界について前記第１条件としての特定の電界の状態とした場合に前記再構成画像を作成し、該電界制御部が該駆動回路が形成する電界の状態として前記第１条件とは異なる前記第２条件とした場合に前記再構成画像を作成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のアトムプローブ検査装置。
【請求項８】
前記試料から離脱したイオンの軌道を、形成した電界により折り返して、該イオンを前記位置敏感型検出器へ向けて飛行させるリフレクションレンズを、さらに備え、
前記変動部は、前記リフレクションレンズの電界の形成動作を制御するリフレクション制御部であり、
前記作成部は、前記リフレクション制御部が前記リフレクションレンズが形成する電界について前記第１条件としての特定の電界の状態とした場合に前記再構成画像を作成し、該リフレクション制御部が該リフレクションレンズが形成する電界の状態としてを前記第１条件とは異なる前記第２条件とした場合に前記再構成画像を作成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のアトムプローブ検査装置。
【請求項９】
試料表面の同一の位置から離脱したイオンの、位置敏感型検出器の検出面で検出される二次元の位置を変動させる変動部と、
前記検出面で検出されたイオンの二次元の位置情報を検出する検出部と、
少なくとも、前記検出面で第１条件で検出されるイオンの二次元の位置、および前記第１条件で該検出面で検出される位置とは異なる位置で検出されるように前記変動部により変動された第２条件で検出されるイオンの二次元の位置において、該検出部により検出されたイオンの前記二次元の位置情報からそれぞれの再構成画像を作成する作成部と、
前記第１条件および前記第２条件それぞれの前記再構成画像の対応関係に基づいて、離脱したイオンの前記試料表面の実際の位置に関する情報を推定する推定部と、
前記推定部により推定された情報に基づいて、前記試料表面の実際の原子配置を反映した画像を再構成する再構成部と、
を備えた電界イオン顕微鏡。
【請求項１０】
試料表面の同一の位置から離脱したイオンの、位置敏感型検出器の検出面で検出される二次元の位置を変動させる変動ステップと、
前記検出面で検出されたイオンの二次元の位置情報、および該イオンの前記試料から該検出面へ到達するまでの飛行時間を検出する検出ステップと、
検出した前記飛行時間から、前記検出面で検出されたイオンの元素を特定する特定ステップと、
少なくとも、前記検出面で第１条件で検出されるイオンの二次元の位置、および前記第１条件で該検出面で検出される位置とは異なる位置で検出されるように変動させた第２条件で検出されるイオンの二次元の位置において、検出したイオンの前記二次元の位置情報および該イオンの前記飛行時間からそれぞれの再構成画像を作成する作成ステップと、
前記第１条件および前記第２条件それぞれの前記再構成画像の対応関係に基づいて、離脱したイオンの前記試料表面の実際の位置に関する情報を推定する推定ステップと、
推定した情報に基づいて、前記試料表面の実際の原子配置を反映した画像を再構成する再構成ステップと、
を有する歪み補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、アトムプローブ検査装置、電界イオン顕微鏡および歪み補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界イオン顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ  Ｉｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＦＩＭ）、ならびに、その原理を用いて試料内の元素の特定および空間分布を分析するアトムプローブ電界イオン顕微鏡装置（Ａｔｏｍ  Ｐｒｏｂｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｉｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＰＦＩＭ）は、原子レベルの組成分析を行うことができる装置である。このＦＩＭおよびＡＰＦＩＭは、微細な構造を持つ半導体試料の解析等に広く用いられている。
【０００３】
ＦＩＭまたはＡＰＦＩＭにおいては、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ：集束イオンビーム）装置で針状に加工した試料を真空中において直接高電界をかける。すると、その電界の作用によって試料表面に存在する１つの原子、または複数個の原子団が真空中に放出されるし、その後、電界の影響を受けながら、試料の先端に対向するように置かれた位置敏感型検出器に到達する。ここで、電界によって原子がイオン化して試料表面から離脱する現象を、電界蒸発という。このように放出されたイオンが試料先端のどの方向から飛来したのかは原子の軌道を電界中の当該イオンの運動方程式を解くことで解析できる。これによって、検出されたイオンに対応する試料内の原子の分布を計算する再構成と称する処理を行うことができる。このようなＦＩＭまたはＡＰＦＩＭを用いた分析においては、局所倍率の変化により再構成された画像に歪みが生じるという問題がある。歪みが生じる理由としては、試料の加工時に先端が球冠形状にならなかったこと、および、複数の異なる材質から構成された試料が電界蒸発の過程で形状が変化し、試料表面の各位置での局所倍率に変化が起こること等が挙げられる。
【０００４】
このようなＡＰＦＩＭとして、放射状に電界蒸発するイオンの収率を向上させるために、位置敏感型検出器を移動させる手法が知られている。
【０００５】
しかしながら、位置敏感型検出器を移動させるのはイオンの収率を向上させることが目的であって、上述の再構成されが画像に歪みに対して補正することができない。
【０００６】
また、複数の装置（例えば、ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：透過電子顕微鏡）およびＡＰＦＩＭ）で得られた画像を組み合わせて画像の精度を向上させる手法が知られている。
【０００７】
しかしながら、このような手法では、電界蒸発の途中段階での両者の比較が困難であり、別の切り出し方をした試料同士の比較となるため、試料内部に微細なデバイス構造がある場合、試料ごとの加工位置の違いにより局所倍率に違いが生じる。また、この手法によって得られた局所倍率の誤差情報は、試料に使用される材料または構造が変わった場合に再利用できない場合も多い。さらに、異なる複数の装置を用いるので、装置についてのコストが高くなり、また、複数の装置間の位置合わせ等の作業も簡便ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許出願公開第７１５７７０２号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第８６７０６０８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
実施形態は、試料の原子の分布について再構成された画像について試料の局所倍率に伴って生じる歪みを補正することができるアトムプローブ検査装置、電界イオン顕微鏡および歪み補正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態に係るアトムプローブ検査装置は、変動部と、検出部と、特定部と、作成部と、推定部と、再構成部と、を備える。変動部は、試料表面の同一の位置から離脱したイオンの、位置敏感型検出器の検出面で検出される二次元の位置を変動させる。検出部は、検出面で検出されたイオンの二次元の位置情報、およびイオンの試料から検出面へ到達するまでの飛行時間を検出する。特定部は、検出部により検出された飛行時間から、検出面で検出されたイオンの元素を特定する。作成部は、少なくとも、検出面で第１条件で検出されるイオンの二次元の位置、および第１条件で検出面で検出される位置とは異なる位置で検出されるように変動部により変動された第２条件で検出されるイオンの二次元の位置において、検出部により検出されたイオンの二次元の位置情報およびイオンの飛行時間からそれぞれの再構成画像を作成する。推定部は、第１条件および第２条件それぞれの再構成画像の対応関係に基づいて、離脱したイオンの試料表面の実際の位置に関する情報を推定する。再構成部は、推定部により推定された情報に基づいて、試料表面の実際の原子配置を反映した画像を再構成する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るアトムプローブ検査装置の構成例を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るアトムプローブ検査装置の動作概要を説明する図である。
【図３】図３は、第１の実施形態におけるコントローラのハードウェアの構成例を示す図である。
【図４】図４は、第１の実施形態におけるコントローラの機能ブロックの構成例を示す図である。
【図５】図５は、試料の形状が球冠形状である場合の検出動作を説明する図である。
【図６】図６は、試料の形状が球冠形状でない場合を説明する図である。
【図７】図７は、試料の実際の形状と再構成した画像とを比較する図である。
【図８】図８は、局所倍率の変化の影響を説明する図である。
【図９】図９は、第１の実施形態での位置敏感型検出器を移動させる動作を説明する図である。
【図１０】図１０は、２つの位置で検出された画像を比較する図である。
【図１１】図１１は、第１の実施形態に係るアトムプローブ検査装置の動作のフローチャートである。
【図１２】図１２は、第１の実施形態の変形例１に係るアトムプローブ検査装置の構成例を示す図である。
【図１３】図１３は、第１の実施形態の変形例１におけるコントローラの機能ブロックの構成例を示す図である。
【図１４】図１４は、第１の実施形態の変形例１でのリフレクションレンズを移動させる動作を説明する図である。
【図１５】図１５は、ＦＩＭで得られた画像の一例を示す図である。
【図１６】図１６は、第２の実施形態に係るアトムプローブ検査装置の構成例を示す図である。
【図１７】図１７は、第２の実施形態におけるコントローラの機能ブロックの構成例を示す図である。
【図１８】図１８は、第２の実施形態での電磁レンズにより軌道が変化する動作を説明する図である。
【図１９】図１９は、第２の実施形態の変形例１に係るアトムプローブ検査装置の構成例を示す図である。
【図２０】図２０は、第２の実施形態の変形例２に係るアトムプローブ検査装置の構成例を示す図である。
【図２１】図２１は、第２の実施形態の変形例２におけるコントローラの機能ブロックの構成例を示す図である。
【図２２】図２２は、第２の実施形態の変形例２での電界により軌道が変化する動作を説明する図である。
【図２３】図２３は、第２の実施形態の変形例３に係るアトムプローブ検査装置の構成例を示す図である。
【図２４】図２４は、第２の実施形態の変形例３におけるコントローラの機能ブロックの構成例を示す図である。
【図２５】図２５は、第２の実施形態の変形例３でのリフレクションレンズにより軌道が変化する動作を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るアトムプローブ検査装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態は一例であり、本発明がこの実施形態に限定されるものではない。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るアトムプローブ検査装置の構成例を示す図である。図１を参照しながら、本実施形態に係るアトムプローブ検査装置１の全体構成について説明する。
【００１４】
図１に示すように、本実施形態に係るアトムプローブ検査装置１は、位置敏感型検出器１２と、コントローラ３１と、高電圧電源３２と、レーザ装置３３と、位置駆動回路３４と、検出装置３５と、記憶装置３６と、を有する。
【００１５】
位置敏感型検出器１２は、内部が真空である真空槽１０内で、電界蒸発により試料１１の先端から離脱したイオンを検出面１２ａで二次元で検出する検出器である。ここで、試料１１は、ある元素（例えば、ＳｉまたはＳｉＯ２等）で構成された材料を、上述のように、ＦＩＢ装置等で針状に加工したものである。なお、図１では説明の便宜上、試料１１の大きさ、位置敏感型検出器１２の大きさ、および、試料１１と位置敏感型検出器１２との距離について同等程度の大きさで示しているが、実際の装置においては、試料１１の長さは数［μｍ］であり、先端の球冠形状の径は数［ｎｍ］〜１０［ｎｍ］であり、試料１１と位置敏感型検出器１２との距離および位置敏感型検出器１２の検出面１２ａの半径は１０［ｃｍ］程度である。
【００１６】
コントローラ３１は、アトムプローブ検査装置１全体の制御を司るコントローラである。具体的には、コントローラ３１は、高電圧電源３２、レーザ装置３３および位置駆動回路３４の動作を制御すると共に、検出装置３５により得られた情報から試料１１表面の原子の分布（位置）を計算して画像にする再構成処理を行う。また、コントローラ３１は、試料１１表面の原子の分布の画像を時系列に並べることによって、試料１１の三次元の原子の分布を示す三次元マップを得ることができる。
【００１７】
高電圧電源３２は、真空槽１０内の試料１１に対して高電圧を印加して、試料１１と位置敏感型検出器１２との間で高電界をかける電源装置である。高電圧電源３２は、例えば、試料１１の蒸発電界より少し低い電界が生じるような電圧を定常的に印加する。そして、後述するように、レーザ装置３３によって試料１１の先端にレーザパルスが照射されるタイミングで、試料１１の原子が電界蒸発する。
【００１８】
なお、高電圧電源３２による電圧の印加動作は、上述に限定されるものではなく、例えば、少なくとも試料１１の蒸発電界以上の電界が生じるような電圧をパルス状に印加する動作としてもよい。この場合は、レーザ装置３３による試料１１へのレーザの照射は必要はなく、高電圧電源３２による電圧パルスが印加されるタイミングで、試料１１の原子が電界蒸発する。
【００１９】
レーザ装置３３は、真空槽１０内の試料１１の先端に対してレーザを照射するレーザ発光装置である。具体的には、レーザ装置３３は、図１に示すように、レーザをパルス状にしたパルス状レーザ３３ａを、試料１１の先端に照射する。試料１１表面の原子は、レーザ装置３３からパルス状レーザ３３ａの照射を受けることによって励起され電界蒸発によりイオン化して離脱する。
【００２０】
位置駆動回路３４は、コントローラ３１の制御に従って、位置敏感型検出器１２の位置を移動するための駆動回路である。具体的には、位置駆動回路３４は、試料１１の先端から位置敏感型検出器１２の検出面１２ａまでの距離が変動するように、当該先端と検出面１２ａの中心とを結ぶ直線方向に沿って位置敏感型検出器１２を移動させる。より具体的には、位置敏感型検出器１２は、その位置を実際に移動させるアクチュエータに固定されており、当該アクチュエータは、位置駆動回路３４からの駆動信号によって駆動することにより位置敏感型検出器１２が移動する。アクチュエータとしては、発塵のリスクを避けるために圧電素子、または、ゲルの体積膨張収縮を利用したもの等が望ましい。
【００２１】
検出装置３５は、位置敏感型検出器１２で検出されたイオンの二次元の位置情報、および、イオンが試料１１から離脱してから検出面１２ａに到達するまでの飛行時間（以下、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ  Ｏｆ  Ｆｌｉｇｈｔ）と称する場合がある）を求め、コントローラ３１へ出力する装置である。検出装置３５は、例えば、レーザ装置３３からパルス状レーザ３３ａの各パルスの出力ごとに当該パルスのタイミング情報を受信し、この受信した時刻と、イオンが検出された時刻とに基づいて、当該イオンのＴＯＦを算出することができる。
【００２２】
記憶装置３６は、各種データを記憶する装置である。記憶装置３６は、例えば、コントローラ３１により再構成された画像を蓄積する。記憶装置３６は、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）またはＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）等であり、図１ではコントローラ３１の外部に配置されているが、コントローラ３１内に含まれるものとしてもよい。
【００２３】
情報処理装置４１は、コントローラ３１によって再構成された画像、および三次元マップを受信し、これらを用いて各種解析等を行うための情報処理装置である。
【００２４】
なお、図１に示したアトムプローブ検査装置１の構成は一例を示すものであり、例えば、図１に示した構成要素以外の構成要素を含むものとしてもよい。
【００２５】
図２は、第１の実施形態に係るアトムプローブ検査装置の動作概要を説明する図である。図２を参照しながら、本実施形態に係るアトムプローブ検査装置１の動作概要について説明する。
【００２６】
試料１１は、図２に示すように、ＦＩＢ装置等で先端が針状となるように加工されている。この試料１１は、所定の１以上の元素で構成された材料により構成されており、図２に示す例では、特定の元素である原子５０２と、別の元素である原子５０３とで構成されている。そして、高電圧電源３２は、真空槽１０内の試料１１に高電圧を印加すると、試料１１と位置敏感型検出器１２との間で高電界が発生する。
【００２７】
この状態で、レーザ装置３３は、試料１１の先端に対してパルス状レーザ３３ａを照射すると、原子５０２、５０３が励起状態になり電界蒸発によりイオン化してイオン５０１として位置敏感型検出器１２へ向けて離脱する。また、図２に示すように、試料１１の先端から離脱するイオン５０１は、放射状に飛行するように示しているが、実際には、試料１１に印加された高電圧で形成された高電界によりローレンツ力を受けるので、直線的な飛行ではなくやや曲線を描いて飛行する。ただし、以下では説明の便宜上、電界蒸発により離脱したイオンは、直線状に飛行するものとして説明する。
【００２８】
試料１１から電界蒸発により飛行したイオン５０１は、位置敏感型検出器１２の検出面１２ａに到達し、検出面１２ａ上の二次元の位置情報が検出される。さらに、上述のように、検出装置３５は、例えば、レーザ装置３３からパルス状レーザ３３ａの各パルスの出力ごとに当該パルスのタイミング情報を受信し、この受信した時刻と、イオンが検出された時刻とに基づいて、当該イオンのＴＯＦを算出する。
【００２９】
次に、コントローラ３１は、検出装置３５により算出されたＴＯＦを用いて、電界中のイオンの運動方程式により試料１１から離脱した原子のイオンの質量数と電荷数との比であるｍ／ｚを算出し、このｍ／ｚから試料１１を構成する材料の元素を特定する質量分析を行う。なお、パルス状レーザ３３ａの照射により試料１１から離脱するイオンは、図２に示す世に単一のイオンではなく、複数個のイオンで構成された原子団として離脱することも想定される。この場合、コントローラ３１は、算出したｍ／ｚについてのスペクトルを解析することにより、原子団に含まれる元素を特定することが可能となる。
【００３０】
そして、コントローラ３１は、検出装置３５により検出された位置情報、および、質量分析の結果として特定された元素の種類によって、試料１１表面の原子の分布（位置）を示す画像を再構成する。さらに、コントローラ３１は、試料１１表面の原子分布について再構成した画像を時系列に並べることによって、試料１１の三次元の原子の分布を示す三次元マップを得ることができる。
【００３１】
図３は、第１の実施形態におけるコントローラのハードウェアの構成例を示す図である。図３を参照しながら、本実施形態におけるコントローラ３１のハードウェアの構成について説明する。
【００３２】
図３に示すように、コントローラ３１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１０１と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）１０２と、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１０３と、入出力Ｉ／Ｆ１０４と、制御回路Ｉ／Ｆ１０５と、通信Ｉ／Ｆ１０６と、を備え、各装置はバスによって互いに通信可能に接続されている。
【００３３】
ＣＰＵ１０１は、コントローラ３１全体、ひいてはアトムプローブ検査装置１全体の動作を制御する演算装置である。ＲＯＭ１０２は、ＣＰＵ１０１が各機能を制御するために実行するファームウェア等のプログラムを記憶する不揮発性記憶装置である。ＲＡＭ１０３は、ＣＰＵ１０１のワークエリアとして使用される揮発性記憶装置である。
【００３４】
入出力Ｉ／Ｆ１０４は、コントローラ３１外の記憶装置３６との間でデータの入出力を行うためのインターフェースである。
【００３５】
制御回路Ｉ／Ｆ１０５は、高電圧電源３２、レーザ装置３３、位置駆動回路３４および検出装置３５との間で、動作指令等を含む制御データおよび検出データ等のやり取りを行うためのインターフェースである。
【００３６】
通信Ｉ／Ｆ１０６は、外部機器（情報処理装置４１等）とネットワークを介してデータ通信を行うためのインターフェースである。通信Ｉ／Ｆ１０６は、例えば、イーサネット（登録商標）に対応し、ＴＣＰ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ）／ＩＰ（Ｉｎｔｅｒｎｅｔ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ）等に準拠した通信が可能なインターフェースである。
【００３７】
なお、図３に示したコントローラ３１のハードウェア構成は一例を示すものであり、図３に示した構成要素以外の構成要素を含むものとしてもよい。
【００３８】
図４は、第１の実施形態におけるコントローラの機能ブロックの構成例を示す図である。図４を参照しながら、本実施形態におけるコントローラ３１の機能ブロックの構成および動作について説明する。
【００３９】
図４に示すように、本実施形態に係るコントローラ３１は、検出部２０１と、質量分析部２０２（特定部）と、画像作成部２０３と、マッチング部２０４と、推定部２０５と、再構成部２０６と、電圧制御部２１１と、レーザ制御部２１２と、位置制御部２１３（変動部の一例、第１位置制御部）と、通信部２１４と、記憶制御部２１５と、を有する。これらの処理部は、集積回路、および／または、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体に記憶されたＣＰＵが実行可能な命令であって、以下に記載の処理を実行することが可能なものを含む。
【００４０】
検出部２０１は、位置敏感型検出器１２で検出されたイオンの二次元の位置情報、および、イオンが試料１１から離脱してから検出面１２ａに到達するまでのＴＯＦを、検出装置３５から検出情報として取得する機能部である。検出部２０１は、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行、および、入出力Ｉ／Ｆ１０４によって実現される。
【００４１】
質量分析部２０２は、検出部２０１により取得されたＴＯＦを用いて、電界中のイオンの運動方程式により試料１１から離脱した原子のイオンの質量数と電荷数との比であるｍ／ｚを算出し、このｍ／ｚから試料１１を構成する材料の元素を特定する質量分析を行う機能部である。質量分析部２０２は、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行によって実現される。
【００４２】
画像作成部２０３は、検出部２０１により取得されたイオンの二次元の位置情報、および、質量分析部２０２により特定された当該イオンの元素の情報を用いて、試料１１表面の原子の分布を示す画像を作成（再構成）する機能部である。具体的には、画像作成部２０３は、イオンの二次元の位置情報に基づいて再構成した画像において、各画素に対応するイオンの元素ごとにラベリングを行う。ラベリングの方法としては、各画素の画素値として、元素を一意に識別する番号を付与したり、あるいは、元素ごとに異なる色値を付与する等が挙げられる。画像作成部２０３は、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行によって実現される。
【００４３】
マッチング部２０４は、後述するように位置制御部２１３により位置が制御される位置敏感型検出器１２について、２つの位置でそれぞれ検出装置３５により得られた検出情報に基づいて画像作成部２０３により再構成された２つの画像に対して、特徴量マッチングを行う機能部である。ここで、特徴量マッチングとは、異なる画像間で、画像の各部位で抽出した特徴量をそれぞれ対応付ける処理である。特徴量マッチングで用いられる特徴量の抽出アルゴリズムとしては、例えば、ＨＯＧ（Ｈｉｓｔｏｇｒａｍｓ  ｏｆ  Ｏｒｉｅｎｔｅｄ  Ｇｒａｄｉｅｎｔｓ）、ＤｏＧ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｆ  Ｇａｕｓｓｉａｎ）、Ｈａｒｒｉｓコーナー検出法、ＳＩＦＴ（Ｓｃａｌｅ−Ｉｎｖａｒｉａｎｔ  Ｆｅａｔｕｒｅ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）、ＳＵＲＦ（Ｓｐｅｅｄｅｄ−Ｕｐ  Ｒｏｂｕｓｔ  Ｆｅａｔｕｒｅｓ）、およびＯＲＢ（Ｏｒｉｅｎｔｅｄ  ＦＡＳＴ  ａｎｄ  Ｒｏｔａｔｅｄ  ＢＲＩＥＦ）等がある。これらのアルゴリズムで抽出した特徴量を利用して、対応点をユークリッド距離等でマッチング推定を行う。マッチング部２０４は、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行によって実現される。
【００４４】
推定部２０５は、マッチング部２０４による２つの画像の特徴量マッチングの結果に基づいて、２つの画像で互いに対応する箇所の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を推定する機能部である。推定部２０５は、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行によって実現される。
【００４５】
再構成部２０６は、検出部２０１により取得されたイオンの二次元の位置情報、質量分析部２０２により特定された当該イオンの元素の情報、および、推定部２０５により推定された各イオンの曲率円の中心の情報を用いて、試料１１表面の原子の分布を示す画像を再構成する機能部である。すなわち、再構成部２０６により再構成された画像は、画像作成部２０３により作成された画像の歪みが補正された画像であると言うことができる。また、再構成部２０６は、試料１１表面の原子の分布について再構成した画像を時系列に並べることによって、試料１１の三次元の原子の分布を示す三次元マップを得る。再構成部２０６は、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行によって実現される。
【００４６】
電圧制御部２１１は、高電圧電源３２の動作制御を行うことにより、試料１１に対する高電圧の印加動作を制御する機能部である。電圧制御部２１１は、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行によって実現される。
【００４７】
レーザ制御部２１２は、レーザ装置３３の動作制御を行うことにより、試料１１の先端に対するレーザの照射動作を制御する機能部である。レーザ制御部２１２は、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行によって実現される。
【００４８】
位置制御部２１３は、位置駆動回路３４の動作制御を行うことにより、位置敏感型検出器１２の移動動作を制御する機能部である。位置制御部２１３は、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行によって実現される。
【００４９】
通信部２１４は、情報処理装置４１とネットワークを介してデータ通信を行う機能部である。通信部２１４は、図３に示す通信Ｉ／Ｆ１０６によって実現される。
【００５０】
記憶制御部２１５は、記憶装置３６との間でデータの入出力を制御する機能部である。記憶制御部２１５は、図３に示す入出力Ｉ／Ｆ１０４によって実現される。
【００５１】
なお、検出部２０１、質量分析部２０２、画像作成部２０３、マッチング部２０４、推定部２０５、再構成部２０６、電圧制御部２１１、レーザ制御部２１２、および位置制御部２１３の一部または全部は、ソフトウェアであるプログラムではなく、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ−Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）またはＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等のハードウェア回路によって実現されてもよい。
【００５２】
また、図４に示すコントローラ３１の各機能部は、機能を概念的に示したものであって、このような構成に限定されるものではない。例えば、図４に示すコントローラ３１で独立した機能部として図示した複数の機能部を、１つの機能部として構成してもよい。一方、図４に示すコントローラ３１で１つの機能部が有する機能を複数に分割し、複数の機能部として構成するものとしてもよい。
【００５３】
図５は、試料の形状が球冠形状である場合の検出動作を説明する図である。図５を参照しながら、試料１１の先端が理想的な球冠形状を呈しているものとした場合のイオンの挙動について説明する。
【００５４】
図５に示すように、試料１１の先端が理想的な球冠形状を呈しているものとした場合、試料１１表面上の点Ｑに位置する原子は、試料１１に印加される高電圧、および試料１１に照射されるレーザによる励起によってイオン化して試料１１から離脱する。試料１１から離脱したイオンは、軌道６０１に沿って飛行し、位置敏感型検出器１２の検出面１２ａ上の点Ｐに到達する。
【００５５】
このように、点Ｑからイオンが離脱する方向、すなわち軌道６０１の方向は、点Ｑの曲率円の中心Ｏと点Ｑとを結ぶ直線の方向、すなわち、曲率円の点Ｑでの法線ベクトルの方向と一致する。ここで、点Ｑの曲率円は、試料１１の先端が球冠形状を呈しているものとしているので、当該球冠形状の外形が形成する円７０１と一致する。
【００５６】
図６は、試料の形状が球冠形状でない場合を説明する図である。図７は、試料の実際の形状と再構成した画像とを比較する図である。次に、図６および図７を参照しながら、試料１１の先端が球冠形状が呈していない場合について説明する。
【００５７】
上述のように、ＡＰＦＩＭ等の分析で再構成した画像には歪みが生じる現象が発生し得る。この現象が発生する理由は、試料の先端の形状が理想的な球冠形状、すなわち真球を平面で切り取った形状ではなく、試料表面の各位置で曲率が異なる形状となり、曲率が大きい尖った位置由来の画像部分が、それ以外の位置由来の画像部分よりも大きく拡大されることによる。また、試料の先端が球冠形状とならない理由は大きく２つ存在する。１つ目の理由は、分析前に行う試料の加工結果によるもの場合である。２つ目の理由は、例えば、図６に示すように、試料１１が複数の蒸発電界の異なる材料（Ｓｉ、ＳｉＯ２）で構成されている場合であり、この場合、電界蒸発の過程で蒸発電界の低い材料（図６の例ではＳｉ）が先に電界蒸発し、蒸発電界の高い材料（図６の例ではＳｉＯ２）が遅れて電界蒸発する。この結果、図６に示すように、試料１１の先端は球冠形状から、表面の各位置で局所倍率が異なる形状に変化し、蒸発電界の高い材料が露出した表面は曲率が大きくなる。
【００５８】
また、図７に、上述のように試料の球冠形状から異なる形状に変化した場合に、その試料を再構成した画像（以下、単に「再構成画像」と称する場合がある）の例を示す。図７の上図は、第１材料５１１、第２材料５１２および第３材料５１３によって構成された試料の断面図を示す。そして、この試料の電界蒸発が進み、球冠形状から、蒸発電界の低い第１材料５１１が先に電界蒸発し、蒸発電界の高い第２材料５１２が遅れて電界蒸発することによって形状が変化したものとする。このような形状から電界蒸発したイオンを検出して、試料表面の原子の分布を示す画像を再構成したものが図７の下図に示す画像である。図７の下図に示す画像は、試料表面の原子分布について再構成した画像を時系列に並べて、試料の三次元の原子の分布を示す三次元マップとしたものを、当該時系列方向に平行な平面で切った場合の断面図を示す。図７に示す第１材料画像５１１ａは、第１材料５１１に対応し、第２材料画像５１２ａは、第２材料５１２に対応し、第３材料画像５１３ａは、第３材料５１３に対応する。試料の形状が球冠形状から変化していった結果、図７に示すように、局所倍率が小さい第１材料５１１は、第１材料画像５１１ａのように細く描画され、局所倍率が大きい第２材料５１２は、第２材料画像５１２ａのように大きく描画される結果となる。すなわち、図７に示す三次元マップを構成する再構成画像は、局所倍率の変化によって各材料の分布に歪みを含んだ画像となっている。
【００５９】
図８は、局所倍率の変化の影響を説明する図である。図８を参照しながら、上述の図６および図７で説明した再構成画像に歪みを含む原理について説明する。
【００６０】
図８に示す試料１１は、材料５２１、５２２で構成されたものであるとし、材料５２１の蒸発電界が材料５２２の蒸発電界よりも大きいものとする。この結果、試料１１の電界蒸発が進むと、材料５２１が材料５２２よりも早く電界蒸発が進むことにより、図８に示すように、真中の材料５２２が材料５２１よりも突出し、かつ、局所倍率が大きく（曲率が大きく）なるような形状となったものとする。
【００６１】
この場合、位置敏感型検出器１２の検出面１２ａ上の点Ｐで検出されたイオンの軌道は、実際は、当該イオンの元となる原子が位置していた点Ｑにおける曲率円である円７０２の中心である点Ｏ’を通る軌道６１１であるにもかかわらず、球冠形状に沿う円７０１の中心である点Ｏを通る軌道６１１ａであるように推定されてしまう。すると、当該イオンの元となる原子の試料１１上の位置は、本来点Ｑにあったにも関わらず、点Ｑ’にあるかのように誤った再構成がなされる。この結果、材料５２２が本来の大きさよりも大きく再構成された画像、すなわち、歪みを含む再構成画像が得られることとなる。
【００６２】
図９は、第１の実施形態での位置敏感型検出器を移動させる動作を説明する図である。図１０は、２つの位置で検出された画像を比較する図である。次に、図９および図１０を参照しながら、本実施形態に係るアトムプローブ検査装置１において歪みを補正した再構成画像を得るための動作について説明する。
【００６３】
上述のように、位置敏感型検出器１２は、位置駆動回路３４によって位置を移動することが可能となっている。まず、位置敏感型検出器１２の位置が、図９に示す位置ｐｏｓ１にある場合について説明する。なお、図９に示す試料１１の形状は、図８に示した試料１１の形状と同様であるものとする。この場合、位置敏感型検出器１２の検出面１２ａ上の点Ｐで検出されたイオンの軌道は、当該イオンの元となる原子が位置していた箇所における曲率円である円７０２の中心である点Ｏ’を通る軌道６２１であるにもかかわらず、球冠形状に沿う円７０１の中心である点Ｏを通る軌道６２１ａであるように推定されてしまう。すると、当該イオンの元となる原子の試料１１上の位置は、本来点Ｑにあったにも関わらず、点Ｑ’にあるかのように誤った再構成がなされる。この結果、材料５２２が本来の大きさよりも大きく再構成された画像、すなわち、歪みを含む再構成画像が、図１０（ｂ）に示す画像８０１として得られる。なお、図１０（ａ）に示す試料１１は、画像との比較のため図９に示す試料１１を平面内で９０°回転させて示している。
【００６４】
図１０（ｂ）に示す画像８０１において、画像部分５２１ａは、材料５２１に対応する画像部分であり、画像部分５２２ａは、材料５２２に対応する画像部分である。また、理想境界５２５ａは、試料１１が理想的な球冠形状を呈している場合に、位置敏感型検出器１２が位置ｐｏｓ１の位置で再構成された画像における材料５２１と材料５２２との境界を示す。当該画像８０１では、画像部分５２１ａと画像部分５２２ａとの境界が理想境界５２５ａから外側にずれ、材料５２２に対応する画像部分５２２ａが本来の大きさよりも大きく再構成されている。
【００６５】
次に、位置敏感型検出器１２が、位置駆動回路３４によって図９に示す位置ｐｏｓ２に移動した場合について説明する。この場合、軌道６２１に沿って飛行してきたイオンは、位置敏感型検出器１２の検出面１２ａ上の点Ｐ１に到達する。それに対し、軌道６２１ａに沿って飛行してきたと仮定した場合のイオンは、検出面１２ａ上の点Ｐ２に到達することになる。ここで、位置ｐｏｓ２にある位置敏感型検出器１２により検出されたイオンの二次元の位置情報に基づいて再構成された画像が、図１０（ｃ）に示す画像８０２である。
【００６６】
図１０（ｃ）に示す画像８０２において、画像部分５２１ｂは、材料５２１に対応する画像部分であり、画像部分５２２ｂは、材料５２２に対応する画像部分である。また、理想境界５２５ｂは、試料１１が理想的な球冠形状を呈している場合に、位置敏感型検出器１２が位置ｐｏｓ２の位置で再構成された画像における材料５２１と材料５２２との境界を示す。当該画像８０２では、材料５２１に対応する画像部分５２１ｂよりも材料５２２に対応する画像部分５２２ｂの大きさが、上述の画像８０１の場合と比べて、より拡大された結果となっている。
【００６７】
このような本来の原子の分布とは異なる歪みを含んだ再構成画像として得られた２つの画像８０１、８０２について、特徴量マッチングを行う。この特徴量マッチングを行うことによって、画像８０１、８０２双方の材料の境界の位置を対応させることができる。この特徴量マッチングを行うことによって、材料５２１に対応する画像部分と、材料５２２に対応する画像部分との境界の位置を対応させることができる。そして、特徴量マッチングの結果に基づいて、２つの再構成画像で互いに対応する箇所（例えば、材質の境界位置）の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心（図９の例では点Ｏ’）を推定することができる。最後に、このように推定された、イオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を用いて再構成を行うことによって、歪みが補正され局所倍率による誤差のない再構成画像を得ることができる。
【００６８】
図１１は、第１の実施形態に係るアトムプローブ検査装置の動作のフローチャートである。図１１を参照しながら、本実施形態に係るアトムプローブ検査装置１の動作の流れについて説明する。
【００６９】
＜ステップＳ１１＞
コントローラ３１の電圧制御部２１１は、高電圧電源３２に試料１１に対する高電圧の印加動作を開始させる。具体的には、高電圧電源３２は、電圧制御部２１１の制御に従って、試料１１の蒸発電界より少し低い電界が生じるような電圧の印加を開始する。また、コントローラ３１のレーザ制御部２１２は、レーザ装置３３に試料１１の先端にに対するレーザの照射を開始させる。具体的には、レーザ装置３３は、レーザ制御部２１２の制御に従って、試料１１の先端に対してパルス状のレーザの照射を開始する。そして、ステップＳ１２へ移行する。
【００７０】
＜ステップＳ１２＞
コントローラ３１の位置制御部２１３は、位置駆動回路３４に位置敏感型検出器１２を所定の第１位置（例えば、図９に示す位置ｐｏｓ１）（第１条件の一例）へ移動させる。そして、ステップＳ１３へ移行する。
【００７１】
＜ステップＳ１３＞
コントローラ３１の検出部２０１は、第１位置にある位置敏感型検出器１２で検出された試料１１から離脱したイオンの二次元の位置情報、および、当該イオンが試料１１から離脱してから位置敏感型検出器１２に到達するまでのＴＯＦを、検出装置３５から検出情報として取得する。そして、コントローラ３１の質量分析部２０２は、検出部２０１により取得されたＴＯＦを用いて、電界中のイオンの運動方程式により試料１１から離脱したイオンの質量数と電荷数との比であるｍ／ｚを算出し、このｍ／ｚから試料１１を構成する材料の元素を特定する質量分析を行う。この場合、検出部２０１により取得された検出情報、および、質量分析部２０２により特定されたイオンの元素の情報は、記憶制御部２１５により記憶装置３６に記憶させておくものとすればよい。これによって、後述するように、第２位置での情報の取得後の再構成処理時に、記憶装置３６に記憶された情報を読み出して利用することができる。そして、ステップＳ１４へ移行する。
【００７２】
＜ステップＳ１４＞
コントローラ３１の位置制御部２１３は、位置駆動回路３４に位置敏感型検出器１２を第１位置とは異なる第２位置（例えば、図９に示す位置ｐｏｓ２）（第２条件の一例）へ移動させる。そして、ステップＳ１５へ移行する。
【００７３】
＜ステップＳ１５＞
コントローラ３１の検出部２０１は、第２位置にある位置敏感型検出器１２で検出された試料１１から離脱したイオンの二次元の位置情報、および、当該イオンが試料１１から離脱してから位置敏感型検出器１２に到達するまでのＴＯＦを、検出装置３５から検出情報として取得する。そして、コントローラ３１の質量分析部２０２は、検出部２０１により取得されたＴＯＦを用いて、電界中のイオンの運動方程式により試料１１から離脱したイオンの質量数と電荷数との比であるｍ／ｚを算出し、このｍ／ｚから試料１１を構成する材料の元素を特定する質量分析を行う。そして、ステップＳ１６へ移行する。
【００７４】
＜ステップＳ１６＞
コントローラ３１の画像作成部２０３は、位置敏感型検出器１２が第１位置にある場合に、検出部２０１により取得されたイオンの二次元の位置情報、および、質量分析部２０２により特定された当該イオンの元素の情報を用いて、試料１１表面の原子の分布を示す画像を第１画像として作成（再構成）する。また、画像作成部２０３は、位置敏感型検出器１２が第２位置にある場合に、検出部２０１により取得されたイオンの二次元の位置情報、および、質量分析部２０２により特定された当該イオンの元素の情報を用いて、試料１１表面の原子の分布を示す画像を第２画像として作成（再構成）する。そして、ステップＳ１７へ移行する。
【００７５】
＜ステップＳ１７＞
コントローラ３１のマッチング部２０４は、画像作成部２０３により作成された２つの画像（第１画像、第２画像）について特徴量マッチングを行う。そして、ステップＳ１８へ移行する。
【００７６】
＜ステップＳ１８＞
コントローラ３１の推定部２０５は、マッチング部２０４による２つの画像（第１画像、第２画像）の特徴量マッチングの結果に基づいて、２つの画像で互いに対応する箇所の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を推定する。そして、ステップＳ１９へ移行する。
【００７７】
＜ステップＳ１９＞
コントローラ３１の再構成部２０６は、検出部２０１により取得されたイオンの二次元の位置情報、質量分析部２０２により特定された当該イオンの元素の情報、および、推定部２０５により推定された各イオンの曲率円の中心の情報を用いて、試料１１表面の原子の分布（原子配置）を示す画像を再構成する。再構成部２０６は、試料１１表面の原子の分布について再構成した再構成画像を時系列に並べることによって、試料１１の三次元の原子の分布を示す三次元マップを得る。そして、ステップＳ２０へ移行する。
【００７８】
＜ステップＳ２０＞
アトムプローブ検査装置１による検査（試料１１の原子分布の再構成動作）を終了する場合（ステップＳ２０：Ｙｅｓ）、アトムプローブ検査装置１の動作を終了し、検査を継続する場合（ステップＳ２０：Ｎｏ）、ステップＳ１２へ戻る。
【００７９】
以上のステップＳ１１〜Ｓ２０の流れによって、アトムプローブ検査装置１による検査動作が行われる。
【００８０】
以上のように、本実施形態に係るアトムプローブ検査装置１では、位置敏感型検出器１２を２箇所の位置に移動させ、それぞれの位置で、試料１１から離脱して飛行してきたイオンの二次元の位置情報およびＴＯＦを検出するものとしている。また、ＴＯＦからイオンの元素を特定し、当該２箇所の位置で検出された位置情報と、特定した元素の情報とから、それぞれの位置の再構成画像を作成する。また、これらの再構成画像について特徴量マッチングを行い、特徴量マッチングの結果に基づいて、２つの再構成画像で互いに対応する箇所の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を推定する。さらに、このように推定された、イオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を用いて再構成を行うことによって、歪みが補正され局所倍率による誤差のない再構成画像を得るものとしている。これによって、試料１１の原子の位置（分布）ついて再構成された画像について試料１１の局所倍率に伴って生じる歪みを補正することができる。
【００８１】
なお、本実施形態では、位置敏感型検出器１２について２箇所の位置で検出された検出情報を用いるものとしているが、これに限定されるものではなく、位置敏感型検出器１２について３箇所以上の位置で検出された検出情報を用いるものとしてもよい。
【００８２】
＜変形例１＞
第１の実施形態の変形例１に係るアトムプローブ検査装置について、第１の実施形態に係るアトムプローブ検査装置１と相違する点を中心に説明する。第１の実施形態では、位置敏感型検出器１２の位置を移動させる構成について説明した。本変形例では、試料１１から離脱したイオンを電界の作用によって折り返す（反射させる）リフレクションレンズの位置を移動させる構成について説明する。
【００８３】
図１２は、第１の実施形態の変形例１に係るアトムプローブ検索装置の構成例を示す図である。図１２を参照しながら、本変形例に係るアトムプローブ検査装置１ａの全体構成について説明する。
【００８４】
図１２に示すように、本変形例に係るアトムプローブ検査装置１ａは、位置敏感型検出器１２と、リフレクションレンズ１３と、コントローラ３１ａと、高電圧電源３２と、レーザ装置３３と、検出装置３５と、位置駆動回路３７と、リフレクション駆動回路３７ａと、記憶装置３６と、を有する。なお、位置敏感型検出器１２、高電圧電源３２、レーザ装置３３、検出装置３５および記憶装置３６の動作については、第１の実施形態と同様である。
【００８５】
リフレクションレンズ１３は、所定の電界を形成することによって、飛行してきたイオンの軌道を折り返して異なる方向に飛行させる電子光学装置である。具体的には、リフレクションレンズ１３は、飛行してきたイオンの軌道を折り返して、位置敏感型検出器１２に向かう方向に飛行させる。リフレクションレンズ１３は、例えば、光学系の反射ミラーに相当する装置である。
【００８６】
コントローラ３１ａは、アトムプローブ検査装置１ａ全体の制御を司るコントローラである。具体的には、コントローラ３１ａは、高電圧電源３２、レーザ装置３３、位置駆動回路３７およびリフレクション駆動回路３７ａの動作を制御すると共に、検出装置３５により得られた情報から試料１１表面の原子の分布（位置）を計算して画像にする再構成処理を行う。また、コントローラ３１ａは、試料１１表面の原子の分布の画像を時系列に並べることによって、試料１１の三次元の原子の分布を示す三次元マップを得ることができる。なお、コントローラ３１ａのハードウェア構成は、上述した図３に示すコントローラ３１のハードウェア構成と同様である。
【００８７】
位置駆動回路３７は、コントローラ３１ａの制御に従って、リフレクションレンズ１３の位置を移動するための駆動回路である。具体的には、リフレクションレンズ１３は、その位置を実際に移動させるアクチュエータに固定されており、当該アクチュエータは、位置駆動回路３７からの駆動信号によって駆動することによりリフレクションレンズ１３が移動する。
【００８８】
リフレクション駆動回路３７ａは、リフレクションレンズ１３で電界を形成するために電流または電圧を印加する駆動回路である。
【００８９】
図１３は、第１の実施形態の変形例１におけるコントローラの機能ブロックの構成例を示す図である。図１３を参照しながら、本変形例におけるコントローラ３１ａの機能ブロックの構成および動作について説明する。
【００９０】
図１３に示すように、本変形例に係るコントローラ３１ａは、検出部２０１と、質量分析部２０２（特定部）と、画像作成部２０３と、マッチング部２０４と、推定部２０５と、再構成部２０６と、電圧制御部２１１と、レーザ制御部２１２と、通信部２１４と、記憶制御部２１５と、位置制御部２１６（変動部の一例、第２位置制御部）と、リフレクション制御部２１６ａと、を有する。なお、検出部２０１、質量分析部２０２、画像作成部２０３、マッチング部２０４、推定部２０５、再構成部２０６、電圧制御部２１１、レーザ制御部２１２、通信部２１４および記憶制御部２１５の動作は、上述の図４で説明した動作と同様である。これらの処理部は、集積回路、および／または、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体に記憶されたＣＰＵが実行可能な命令であって、以下に記載の処理を実行することが可能なものを含む。
【００９１】
位置制御部２１６は、位置駆動回路３７の動作制御を行うことにより、リフレクションレンズ１３の移動動作を制御する機能部である。位置制御部２１６は、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行によって実現される。
【００９２】
リフレクション制御部２１６ａは、リフレクション駆動回路３７ａの動作制御を行うことにより、リフレクションレンズ１３による電界の形成動作を制御する機能部である。リフレクション制御部２１６ａは、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行によって実現される。
【００９３】
なお、検出部２０１、質量分析部２０２、画像作成部２０３、マッチング部２０４、推定部２０５、再構成部２０６、電圧制御部２１１、レーザ制御部２１２、位置制御部２１６およびリフレクション制御部２１６ａの一部または全部は、ソフトウェアであるプログラムではなく、ＦＰＧＡまたはＡＳＩＣ等のハードウェア回路によって実現されてもよい。
【００９４】
また、図１３に示すコントローラ３１ａの各機能部は、機能を概念的に示したものであって、このような構成に限定されるものではない。例えば、図１３に示すコントローラ３１ａで独立した機能部として図示した複数の機能部を、１つの機能部として構成してもよい。一方、図１３に示すコントローラ３１ａで１つの機能部が有する機能を複数に分割し、複数の機能部として構成するものとしてもよい。
【００９５】
図１４は、第１の実施形態の変形例１でのリフレクションレンズを移動させる動作を説明する図である。次に、図１４を参照しながら、本変形例に係るアトムプローブ検査装置１ａにおいてリフレクションレンズ１３を移動させる動作について説明する。
【００９６】
上述のように、リフレクションレンズ１３は、位置駆動回路３７によって位置を移動することが可能となっている。図１４に示すように、リフレクションレンズ１３が特定の位置（第１条件の一例、第１位置）にある場合、例えば、軌道６３１〜６３３に沿うように試料１１から電界蒸発により離脱したイオンは、リフレクションレンズ１３により形成された電界によって、軌道６３１〜６３３のように折り返されて、位置敏感型検出器１２へ向かい、検出面１２ａで検出される。この場合、図９等で示したように、試料１１が球冠形状から表面の各位置で局所倍率が異なる（曲率が異なる）ような形状であるものとすると、検出面１２ａの特定の位置で検出されたイオンは、球冠形状に沿う円の中心とは異なる中心を有する曲率円上の点から飛行したものであるにもかかわらず、当該球冠形状に沿う円の中心から飛行してきたものと推定されてしまう。すると、当該イオンの元となる原子の試料１１上の位置は、当該曲率円上の点にあったにも関わらず、画像作成部２０３により球冠形状に沿う円上にあるかのように誤った再構成がなされる。この結果、歪みを含む再構成画像が得られることになる。
【００９７】
次に、リフレクションレンズ１３が上述の特定の位置とは異なる位置（図１４の例では、当該特定の位置より試料１１から離れた位置）（第２条件の一例、第２位置）にある場合、軌道６３１ａ〜６３３ａに沿うように試料１１から電界蒸発により離脱したイオンは、リフレクションレンズ１３により形成された電界によって、軌道６３１ａ〜６３３ａのように折り返されて、位置敏感型検出器１２へ向かい、検出面１２ａで検出される。この場合も同様に、検出面１２ａの特定の位置で検出されたイオンは、球冠形状に沿う円の中心とは異なる中心を有する曲率円上の点から飛行したものであるにもかかわらず、当該球冠形状に沿う円の中心から飛行してきたものと推定されてしまう。すると、当該イオンの元となる原子の試料１１上の位置は、当該曲率円上の点にあったにも関わらず、画像作成部２０３により球冠形状に沿う円上にあるかのように誤った再構成がなされる。この結果、上述のリフレクションレンズ１３が特定の位置にあった場合とは異なる歪みを含む再構成画像が得られることになる。
【００９８】
そして、マッチング部２０４は、このような本来の原子の分布とは異なる歪みを含んだ再構成画像として得られた２つの画像について、特徴量マッチングを行う。この特徴量マッチングを行うことによって、２つの画像双方の材料の境界の位置を対応させることができる。この特徴量マッチングを行うことによって、複数の材料に対応する画像部分の境界の位置を対応させることができる。そして、推定部２０５は、特徴量マッチングの結果に基づいて、２つの再構成画像で互いに対応する箇所（例えば、材質の境界位置）の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を推定する。最後に、再構成部２０６は、推定部２０５により推定された、イオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を用いて再構成を行うことによって、歪みが補正され局所倍率による誤差のない再構成画像を得る。
【００９９】
以上のように、位置敏感型検出器１２の位置ではなく、リフレクションレンズ１３の位置を移動させてイオンの軌道を変化させることによって、試料１１上の同じ位置から離脱したイオンを、検出面１２ａの異なる位置で検出させることができる。これによって、歪みを伴う再構成画像を２つ得ることができ、特徴量マッチングにより、互いに対応する箇所を特定することができる。そして、互いに対応する箇所の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を推定する。さらに、このように推定された、イオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を用いて再構成を行うことによって、歪みが補正され局所倍率による誤差のない再構成画像を得るものとしている。これによって、試料１１の原子の位置（分布）ついて再構成された画像について試料１１の局所倍率に伴って生じる歪みを補正することができる。
【０１００】
なお、本変形例では、リフレクションレンズ１３が２箇所の位置で位置敏感型検出器１２によりそれぞれ検出された検出情報を用いるものとしているが、これに限定されるものではなく、リフレクションレンズ１３が３箇所以上の位置で位置敏感型検出器１２によりそれぞれ検出された検出情報を用いるものとしてもよい。
【０１０１】
また、リフレクションレンズ１３の位置を変えてイオンの軌道を変えると、イオンの軌道が位置敏感型検出器１２の検出面１２ａを外れて収率が下がる場合があるため、それを補正する手段を組み合わせ利用することが望ましい。具体的な手段としては、リフレクションレンズ１３の位置を移動させながらわずかにリフレクションレンズ１３の反射面を傾ける機構を設けること、リフレクションレンズ１３の移動に連動させて位置敏感型検出器１２の位置を移動させること、広い検出面１２ａを有する位置敏感型検出器１２を使用すること、または、検出面１２ａの手前にさらに軌道を曲げるための静電レンズまたは電磁レンズ等の光学素子を設けること等が挙げられる。
【０１０２】
＜変形例２＞
第１の実施形態の変形例２について、第１の実施形態と相違する点を中心に説明する。第１の実施形態に係るアトムプローブ検査装置１では、複数の材料で構成された試料１１から電界蒸発により離脱したイオンを検出することによってラベリングされた再構成画像を２つ得て、特徴量マッチングにより各部位を対応付け、歪み量を算出するものとした。すなわち、アトムプローブ検査装置１は、検出したＴＯＦを用いた質量分析により試料１１を構成する各材料の元素を特定する機能を有している。本変形例では、アトムプローブ検査装置１が有する当該ＴＯＦによる質量分析の機能を有さないＦＩＭ（電界イオン顕微鏡）を用いた場合において再構成画像を得る動作について説明する。
【０１０３】
図１５は、ＦＩＭで得られた画像の一例を示す図である。本変形例に係るＦＩＭは、質量分析による元素の特定機能を有さないため、例えば、単一の材料で構成された試料から電界蒸発により試料の先端から離脱したイオンを位置敏感型検出器１２により二次元位置を検出し、試料表面の原子分布について再構成を行う装置である。したがって、本変形例に係るＦＩＭのコントローラの機能ブロックの構成は、例えば、図４に示すアトムプローブ検査装置１のコントローラ３１の機能ブロックのうち、質量分析部２０２を除いた構成とすればよい。
【０１０４】
このようなＦＩＭで得られた単一の材料で構成された試料表面の再構成画像（ＦＩＭ画像）の一例を図１５に示す。図１５に示すＦＩＭ画像５３１のように、ＦＩＭにより得られる再構成画像は、試料を構成する原子の結晶構造等によって模様（パターン）を伴う画像として得られる。
【０１０５】
ただし、上述の実施形態で説明したように、試料の先端が各種要因に伴い、球冠形状ではなく表面の各位置で局所倍率が異なる形状である場合、再構成された画像は歪みを含み、本来の原子分布を反映した画像とはならない。この場合、上述の実施形態または変形例１と同様に、歪みを含む２つの再構成画像を得て、特徴量マッチングを行う。図１５に示すように、試料が単一の材料で構成されているとしても、ＦＩＭ画像に含まれるパターンに基づく特徴量マッチングにより、２つの画像の各部位を対応付けることが可能である。そして、推定部２０５は、特徴量マッチングの結果に基づいて、２つの再構成画像で互いに対応する箇所の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料上の点の曲率円の中心を推定する。最後に、再構成部２０６は、推定部２０５により推定された、イオンが離脱した試料上の点の曲率円の中心を用いて再構成を行うことによって、歪みが補正され局所倍率による誤差のない再構成画像を得ることができる。このように、単一の材料で構成された試料の原子の位置（分布）ついて再構成された画像についても、試料の局所倍率に伴って生じる歪みを補正することができる。
【０１０６】
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係るアトムプローブ検査装置について、第１の実施形態に係るアトムプローブ検査装置１と相違する点を中心に説明する。第１の実施形態では、位置駆動回路３４により位置敏感型検出器１２の位置を移動させることによって２つの再構成画像を得る構成について説明した。本実施形態では、位置敏感型検出器１２の位置は固定とし、電磁レンズの作用によりイオンの軌道を変えることによって、異なる２つの再構成画像を得る構成について説明する。
【０１０７】
図１６は、第２の実施形態に係るアトムプローブ検査装置の構成例を示す図である。図１６を参照しながら、本実施形態に係るアトムプローブ検査装置１ｂの全体構成について説明する。
【０１０８】
図１６に示すように、本実施形態に係るアトムプローブ検査装置１ｂは、位置敏感型検出器１２と、電磁レンズ１４と、コントローラ３１ｂと、高電圧電源３２と、レーザ装置３３と、検出装置３５と、レンズ駆動回路３８と、記憶装置３６と、を有する。なお、位置敏感型検出器１２、高電圧電源３２、レーザ装置３３、検出装置３５および記憶装置３６の動作については、第１の実施形態と同様である。
【０１０９】
電磁レンズ１４は、ドーナツ型のコイルに電流を流すことによって磁界を形成し、当該コイルを潜るイオンの軌道を変えて集束させる電子光学装置である。電磁レンズ１４は、例えば、光学系の凸レンズに相当する。
【０１１０】
コントローラ３１ｂは、アトムプローブ検査装置１ｂ全体の制御を司るコントローラである。具体的には、コントローラ３１ｂは、高電圧電源３２、レーザ装置３３、検出装置３５およびレンズ駆動回路３８の動作を制御すると共に、検出装置３５により得られた情報から試料１１表面の原子の分布（位置）を計算して画像にする再構成処理を行う。また、コントローラ３１ｂは、試料１１表面の原子の分布の画像を時系列に並べることによって、試料１１の三次元の原子の分布を示す三次元マップを得ることができる。なお、コントローラ３１ｂのハードウェア構成は、上述した図３に示すコントローラ３１のハードウェア構成と同様である。
【０１１１】
レンズ駆動回路３８は、電磁レンズ１４で磁界を形成するために電流または電圧を印加する駆動回路である。
【０１１２】
図１７は、第２の実施形態におけるコントローラの機能ブロックの構成例を示す図である。図１７を参照しながら、本実施形態に係るコントローラ３１ｂの機能ブロックの構成および動作について説明する。
【０１１３】
図１７に示すように、本実施形態に係るコントローラ３１ｂは、検出部２０１と、質量分析部２０２（特定部）と、画像作成部２０３と、マッチング部２０４と、推定部２０５と、再構成部２０６と、電圧制御部２１１と、レーザ制御部２１２と、通信部２１４、記憶制御部２１５と、レンズ制御部２１７（変動部の一例）と、を有する。なお、検出部２０１、質量分析部２０２、画像作成部２０３、マッチング部２０４、推定部２０５、再構成部２０６、電圧制御部２１１、レーザ制御部２１２、通信部２１４および記憶制御部２１５の動作は、上述の図４で説明した動作と同様である。これらの処理部は、集積回路、および／または、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体に記憶されたＣＰＵが実行可能な命令であって、以下に記載の処理を実行することが可能なものを含む。
【０１１４】
レンズ制御部２１７は、レンズ駆動回路３８の動作制御を行うことにより、電磁レンズ１４の磁界の形成動作を制御する機能部である。レンズ制御部２１７は、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行によって実現される。
【０１１５】
なお、検出部２０１、質量分析部２０２、画像作成部２０３、マッチング部２０４、推定部２０５、再構成部２０６、電圧制御部２１１、レーザ制御部２１２およびレンズ制御部２１７の一部または全部は、ソフトウェアであるプログラムではなく、ＦＰＧＡまたはＡＳＩＣ等のハードウェア回路によって実現されてもよい。
【０１１６】
また、図１７に示すコントローラ３１ｂの各機能部は、機能を概念的に示したものであって、このような構成に限定されるものではない。例えば、図１７に示すコントローラ３１ｂで独立した機能部として図示した複数の機能部を、１つの機能部として構成してもよい。一方、図１７に示すコントローラ３１ｂで１つの機能部が有する機能を複数に分割し、複数の機能部として構成するものとしてもよい。
【０１１７】
図１８は、第２の実施形態での電磁レンズにより軌道が変化する動作を説明する図である。次に、図１８を参照しながら、本実施形態に係るアトムプローブ検査装置１ｂにおいて電磁レンズ１４によりイオンの軌道を変化させる動作について説明する。なお、図１８に示す試料１１の形状は、上述の図８に示した試料１１の形状と同様であるものとする。
【０１１８】
まず、電磁レンズ１４のコイルを流れる電流がなく磁界が形成されていない場合（第１条件の一例）について説明する。この場合、位置敏感型検出器１２の検出面１２ａ上の点Ｐで検出されたイオンの軌道は、当該イオンの元となる原子が位置していた箇所における曲率円である円７０２の中心である点Ｏ’を通る軌道６１１であるにもかかわらず、球冠形状に沿う円７０１の中心である点Ｏを通る軌道６１１ａであるように推定されてしまう。すると、当該イオンの元となる原子の試料１１上の位置は、本来点Ｑにあったにも関わらず、点Ｑ’にあるかのように誤った再構成がなされる。この結果、材料５２２が本来の大きさよりも大きく再構成された画像、すなわち、歪みを含む再構成画像（例えば、上述の図１０（ｂ）に示す画像８０１）が得られる。
【０１１９】
次に、レンズ制御部２１７によるレンズ駆動回路３８の制御により、電磁レンズ１４のコイルに電流を流すことによって磁界が形成された場合（第２条件の一例）について説明する。この場合、電磁レンズ１４まで軌道６１１に沿って飛行してきたイオンは、電磁レンズ１４の磁界の影響を受ける位置まで到達すると、電磁レンズ１４による集束効果により軌道６４１に曲げられて検出面１２ａ上の点Ｐ１に到達する。それに対し、軌道６１１ａに沿って飛行してきたと仮定した場合のイオンは、電磁レンズ１４による集束効果により軌道６４１ａに曲げられて検出面１２ａ上の点Ｐ２に到達することになる。このように、電磁レンズ１４により磁界が形成された場合において、位置敏感型検出器１２により検出されたイオンの二次元の位置情報に基づいて再構成された画像は、試料１１が球冠形状であるものとした場合に再構成される画像と比較して歪みを含むことになる。
【０１２０】
そして、マッチング部２０４は、このような本来の原子の分布とは異なる歪みを含んだ再構成画像として得られた２つの画像について、特徴量マッチングを行う。この特徴量マッチングを行うことによって、２つの画像双方の材料の境界の位置を対応させることができる。この特徴量マッチングを行うことによって、複数の材料に対応する画像部分の境界の位置を対応させることができる。そして、推定部２０５は、特徴量マッチングの結果に基づいて、２つの再構成画像で互いに対応する箇所（例えば、材質の境界位置）の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を推定する。最後に、再構成部２０６は、推定部２０５により推定された、イオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を用いて再構成を行うことによって、歪みが補正され局所倍率による誤差のない再構成画像を得る。
【０１２１】
以上のように、位置敏感型検出器１２の位置ではなく、電磁レンズ１４により磁界を形成させることによって、試料１１上の同じ位置から離脱したイオンを、検出面１２ａの異なる位置で検出させることができる。これによって、歪みを伴う再構成画像を２つ得ることができ、特徴量マッチングにより、互いに対応する箇所を特定することができる。そして、互いに対応する箇所の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を推定する。さらに、このように推定された、イオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を用いて再構成を行うことによって、歪みが補正され局所倍率による誤差のない再構成画像を得るものとしている。これによって、試料１１の原子の位置（分布）ついて再構成された画像について試料１１の局所倍率に伴って生じる歪みを補正することができる。
【０１２２】
また、第１の実施形態のように真空槽１０内で位置敏感型検出器１２を移動させる必要がないので、第１の実施形態と比較して、発塵のリスクを低減することができ、さらに、位置敏感型検出器１２の可動域を設けるためのスペースを省くことができる。
【０１２３】
なお、電磁レンズ１４は、一般に、形成される磁界の大きさと磁束密度との関係にヒステリシスを有するため、電磁レンズ１４に印加する電圧または電流は、正弦波のような周期的な信号とすることが望ましい。
【０１２４】
また、本実施形態では、電磁レンズ１４により磁界が形成されていない場合と、磁界が形成されている場合とで得られた検出情報を用いるものとしているが、これに限定されるものではなく、形成する磁界の強さを２種類（第１条件および第２条件の一例）として、各磁界で得られた検出情報を用いるものとしてもよい。また、再構成に用いる検出情報として２種類に限られるものではなく、３種類以上の磁界の状態で得られた検出情報を用いるものとしてもよい。
【０１２５】
＜変形例１＞
第２の実施形態の変形例１に係るアトムプローブ検査装置について、第２の実施形態に係るアトムプローブ検査装置１ｂと相違する点を中心に説明する。第２の実施形態では、位置敏感型検出器１２寄りに設置された電磁レンズ１４によりイオンの軌道を変える構成について説明した。本変形例では、試料１１寄りに設置されたコンデンサレンズによりイオンの軌道を変える構成について説明する。
【０１２６】
図１９は、第２の実施形態の変形例１に係るアトムプローブ検査装置の構成例を示す図である。図１９を参照しながら、本変形例に係るアトムプローブ検査装置１ｃの全体構成について説明する。
【０１２７】
図１９に示すように、本変形例に係るアトムプローブ検査装置１ｃは、位置敏感型検出器１２と、コンデンサレンズ１５と、コントローラ３１ｃと、高電圧電源３２と、レーザ装置３３と、検出装置３５と、レンズ駆動回路３８ａと、記憶装置３６と、を有する。なお、位置敏感型検出器１２、高電圧電源３２、レーザ装置３３、検出装置３５および記憶装置３６の動作については、第２の実施形態と同様である。
【０１２８】
コンデンサレンズ１５は、試料１１から離脱するイオンの軌道を集束させる電子光学装置である。コンデンサレンズ１５は、例えば、ドーナツ型のコイルに電流を流すことによって磁界を形成する電磁レンズである。
【０１２９】
コントローラ３１ｃは、アトムプローブ検査装置１ｃ全体の制御を司るコントローラである。具体的には、コントローラ３１ｃは、高電圧電源３２、レーザ装置３３、検出装置３５およびレンズ駆動回路３８ａの動作を制御すると共に、検出装置３５により得られた情報から試料１１表面の原子の分布（位置）を計算して画像にする再構成処理を行う。また、コントローラ３１ｃは、試料１１表面の原子の分布の画像を時系列に並べることによって、試料１１の三次元の原子の分布を示す三次元マップを得ることができる。なお、コントローラ３１ｃのハードウェア構成は、上述した図３に示すコントローラ３１のハードウェア構成と同様である。
【０１３０】
また、コントローラ３１ｃの機能ブロックの構成は、図１７に示すコントローラ３１ｂと同様である。このうち、レンズ制御部２１７は、レンズ駆動回路３８の代わりに、本変形例ではレンズ駆動回路３８ａの動作制御を行い、コンデンサレンズ１５の磁界の形成動作を制御するものとすればよい。
【０１３１】
以上のようなアトムプローブ検査装置１ｃの構成では、アトムプローブ検査装置１ｂの電磁レンズ１４の代わりに、コンデンサレンズ１５を用いて、イオンの軌道を変えるものとしている。このように、コンデンサレンズ１５により磁界を形成させることによって、試料１１上の同じ位置から離脱したイオンを、検出面１２ａの異なる位置で検出させることができる。これによって、歪みを伴う再構成画像を２つ得ることができ、特徴量マッチングにより、互いに対応する箇所を特定することができる。そして、互いに対応する箇所の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を推定する。さらに、このように推定された、イオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を用いて再構成を行うことによって、歪みが補正され局所倍率による誤差のない再構成画像を得るものとしている。これによって、試料１１の原子の位置（分布）ついて再構成された画像について試料１１の局所倍率に伴って生じる歪みを補正することができる。
【０１３２】
＜変形例２＞
第２の実施形態の変形例２に係るアトムプローブ検査装置について、第２の実施形態に係るアトムプローブ検査装置１ｂと相違する点を中心に説明する。第２の実施形態では、電磁レンズ１４により磁界を形成することによってイオンの軌道を変化させる構成について説明した。本変形例では、イオンの軌道の途中に電界を形成することによってイオンの軌道を変化させる構成について説明する。
【０１３３】
図２０は、第２の実施形態の変形例２に係るアトムプローブ検査装置の構成例を示す図である。図２０を参照しながら、本変形例に係るアトムプローブ検査装置１ｄの全体構成について説明する。
【０１３４】
図２０に示すように、本変形例に係るアトムプローブ検査装置１ｄは、位置敏感型検出器１２と、アノード１６ａと、カソード１６ｂと、コントローラ３１ｄと、高電圧電源３２と、レーザ装置３３と、検出装置３５と、電界駆動回路３９と、記憶装置３６と、を有する。なお、位置敏感型検出器１２、高電圧電源３２、レーザ装置３３、検出装置３５および記憶装置３６の動作については、第２の実施形態と同様である。
【０１３５】
アノード１６ａおよびカソード１６ｂは、試料１１から位置敏感型検出器１２へ飛行するイオンの軌道を変えるための電界を形成するための電極である。アノード１６ａは、電界を形成するための正極であり、カソード１６ｂは、負極であり接地されている。アノード１６ａおよびカソード１６ｂにより形成される電界の作用は、例えば、光学系のプリズムに相当する。
【０１３６】
コントローラ３１ｄは、アトムプローブ検査装置１ｄ全体の制御を司るコントローラである。具体的には、コントローラ３１ｄは、高電圧電源３２、レーザ装置３３および電界駆動回路３９の動作を制御すると共に、検出装置３５により得られた情報から試料１１表面の原子の分布（位置）を計算して画像にする再構成処理を行う。また、コントローラ３１ｄは、試料１１表面の原子の分布の画像を時系列に並べることによって、試料１１の三次元の原子の分布を示す三次元マップを得ることができる。なお、コントローラ３１ｄのハードウェア構成は、上述した図３に示すコントローラ３１のハードウェア構成と同様である。
【０１３７】
電界駆動回路３９は、コントローラ３１ｄの制御に従って、アノード１６ａとカソード１６ｂとの間に電界を形成するために、アノード１６ａに電圧を印加する駆動回路である。
【０１３８】
図２１は、第２の実施形態の変形例２におけるコントローラの機能ブロックの構成例を示す図である。図２１を参照しながら、本変形例におけるコントローラ３１ｄの機能ブロックの構成および動作について説明する。
【０１３９】
図２１に示すように、本変形例に係るコントローラ３１ｄは、検出部２０１と、質量分析部２０２（特定部）と、画像作成部２０３と、マッチング部２０４と、推定部２０５と、再構成部２０６と、電圧制御部２１１と、レーザ制御部２１２と、通信部２１４と、記憶制御部２１５と、電界制御部２１８（変動部の一例）と、を有する。なお、検出部２０１、質量分析部２０２、画像作成部２０３、マッチング部２０４、推定部２０５、再構成部２０６、電圧制御部２１１、レーザ制御部２１２、通信部２１４および記憶制御部２１５の動作は、上述の図４で説明した動作と同様である。これらの処理部は、集積回路、および／または、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体に記憶されたＣＰＵが実行可能な命令であって、以下に記載の処理を実行することが可能なものを含む。
【０１４０】
電界制御部２１８は、電界駆動回路３９の動作制御を行うことにより、アノード１６ａおよびカソード１６ｂの電界の形成動作を制御する機能部である。電界制御部２１８は、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行によって実現される。
【０１４１】
なお、検出部２０１、質量分析部２０２、画像作成部２０３、マッチング部２０４、推定部２０５、再構成部２０６、電圧制御部２１１、レーザ制御部２１２および電界制御部２１８の一部または全部は、ソフトウェアであるプログラムではなく、ＦＰＧＡまたはＡＳＩＣ等のハードウェア回路によって実現されてもよい。
【０１４２】
また、図２１に示すコントローラ３１ｄの各機能部は、機能を概念的に示したものであって、このような構成に限定されるものではない。例えば、図２１に示すコントローラ３１ｄで独立した機能部として図示した複数の機能部を、１つの機能部として構成してもよい。一方、図２１に示すコントローラ３１ｄで１つの機能部が有する機能を複数に分割し、複数の機能部として構成するものとしてもよい。
【０１４３】
図２２は、第２の実施形態の変形例２での電界により軌道が変化する動作を説明する図である。図２２を参照しながら、本変形例に係るアトムプローブ検査装置１ｄにおいて電界により軌道が変化する動作について説明する。
【０１４４】
まず、アノード１６ａとカソード１６ｂとの間で電界が形成されていない場合（第１条件の一例）について説明する。この場合、図２２に示すように、試料１１から電界蒸発により離脱したイオンは、例えば、軌道６５１〜６５３に沿うように、すなわち、電界による影響がなく直線的に飛行して、位置敏感型検出器１２へ向かい、検出面１２ａで検出される。この場合、図９等で示したように、試料１１が球冠形状から表面の各位置で局所倍率が異なる（曲率が異なる）ような形状であるものとすると、検出面１２ａの特定の位置で検出されたイオンは、球冠形状に沿う円の中心とは異なる中心を有する曲率円上の点から飛行したものであるにもかかわらず、当該球冠形状に沿う円の中心から飛行してきたものと推定されてしまう。すると、当該イオンの元となる原子の試料１１上の位置は、当該曲率円上の点にあったにも関わらず、画像作成部２０３により球冠形状に沿う円上にあるかのように誤った再構成がなされる。この結果、歪みを含む再構成画像が得られることになる。
【０１４５】
次に、アノード１６ａとカソード１６ｂとの間で電界が形成されている場合（第２条件の一例）について説明する。この場合、図２２に示すように、試料１１から電界蒸発により離脱したイオンは、例えば、軌道６５１ａ〜６５３ａのように電界により曲げられた軌道に沿って、位置敏感型検出器１２へ向かい、検出面１２ａで検出される。この場合も同様に、検出面１２ａの特定の位置で検出されたイオンは、球冠形状に沿う円の中心とは異なる中心を有する曲率円上の点から飛行したものであるにもかかわらず、当該球冠形状に沿う円の中心から飛行してきたものと推定されてしまう。すると、当該イオンの元となる原子の試料１１上の位置は、当該曲率円上の点にあったにも関わらず、画像作成部２０３により球冠形状に沿う円上のにあるかのように誤った再構成がなされる。この結果、上述のアノード１６ａとカソード１６ｂとの間で電界が形成されていない場合とは異なる歪みを含む再構成画像が得られることになる。
【０１４６】
そして、マッチング部２０４は、このような本来の原子の分布とは異なる歪みを含んだ再構成画像として得られた２つの画像について、特徴量マッチングを行う。この特徴量マッチングを行うことによって、２つの画像双方の材料の境界の位置を対応させることができる。この特徴量マッチングを行うことによって、複数の材料に対応する画像部分の境界の位置を対応させることができる。そして、推定部２０５は、特徴量マッチングの結果に基づいて、２つの再構成画像で互いに対応する箇所（例えば、材質の境界位置）の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を推定する。最後に、再構成部２０６は、推定部２０５により推定された、イオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を用いて再構成を行うことによって、歪みが補正され局所倍率による誤差のない再構成画像を得る。
【０１４７】
以上のように、電磁レンズ１４による磁界ではなく、アノード１６ａおよびカソード１６ｂにより電界を形成させることによって、試料１１上の同じ位置から離脱したイオンを、検出面１２ａの異なる位置で検出させることができる。これによって、歪みを伴う再構成画像を２つ得ることができ、特徴量マッチングにより、互いに対応する箇所を特定することができる。そして、互いに対応する箇所の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を推定する。さらに、このように推定された、イオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を用いて再構成を行うことによって、歪みが補正され局所倍率による誤差のない再構成画像を得るものとしている。これによって、試料１１の原子の位置（分布）ついて再構成された画像について試料１１の局所倍率に伴って生じる歪みを補正することができる。
【０１４８】
また、第１の実施形態のように真空槽１０内で位置敏感型検出器１２を移動させる必要がないので、第１の実施形態と比較して、発塵のリスクを低減することができ、さらに、位置敏感型検出器１２の可動域を設けるためのスペースを省くことができる。
【０１４９】
なお、本変形例では、アノード１６ａおよびカソード１６ｂにより電界が形成されていない場合と、電界が形成されている場合とで得られた検出情報を用いるものとしているが、これに限定されるものではなく、形成する電界の強さを２種類（第１条件および第２条件の一例）として、各電界で得られた検出情報を用いるものとしてもよい。また、再構成に用いる検出情報として２種類に限られるものではなく、３種類以上の電界の状態で得られた検出情報を用いるものとしてもよい。
【０１５０】
＜変形例３＞
第２の実施形態の変形例３に係るアトムプローブ検査装置について、第２の実施形態に係るアトムプローブ検査装置１ｂと相違する点を中心に説明する。第２の実施形態では、電磁レンズ１４により磁界を形成することによってイオンの軌道を変化させる構成について説明した。本変形例では、試料１１から離脱したイオンをリフレクションレンズの電界の作用によって折り返す（反射させる）構成について説明する。
【０１５１】
図２３は、第２の実施形態の変形例３に係るアトムプローブ検査装置の構成例を示す図である。図２３を参照しながら、本変形例に係るアトムプローブ検査装置１ｅの全体構成について説明する。
【０１５２】
図２３に示すように、本変形例に係るアトムプローブ検査装置１ｅは、位置敏感型検出器１２と、リフレクションレンズ１３ａと、コントローラ３１ｅと、高電圧電源３２と、レーザ装置３３と、検出装置３５と、リフレクション駆動回路３７ｂと、記憶装置３６と、を有する。なお、位置敏感型検出器１２、高電圧電源３２、レーザ装置３３、検出装置３５および記憶装置３６の動作については、第２の実施形態と同様である。
【０１５３】
リフレクションレンズ１３ａは、所定の電界を形成することによって、飛行してきたイオンの軌道を折り返して異なる方向に飛行させる電子光学装置である。具体的には、リフレクションレンズ１３ａは、飛行してきたイオンの軌道を折り返して、位置敏感型検出器１２に向かう方向に飛行させる。リフレクションレンズ１３ａは、例えば、光学系の反射ミラーに相当する装置である。
【０１５４】
コントローラ３１ｅは、アトムプローブ検査装置１ｅ全体の制御を司るコントローラである。具体的には、コントローラ３１ｅは、高電圧電源３２、レーザ装置３３およびリフレクション駆動回路３７ｂの動作を制御すると共に、検出装置３５により得られた情報から試料１１表面の原子の分布（位置）を計算して画像にする再構成処理を行う。また、コントローラ３１ｅは、試料１１表面の原子の分布の画像を時系列に並べることによって、試料１１の三次元の原子の分布を示す三次元マップを得ることができる。なお、コントローラ３１ｅのハードウェア構成は、上述した図３に示すコントローラ３１のハードウェア構成と同様である。
【０１５５】
リフレクション駆動回路３７ｂは、リフレクションレンズ１３ａで電界を形成するために電流または電圧を印加する駆動回路である。
【０１５６】
図２４は、第２の実施形態の変形例３におけるコントローラの機能ブロックの構成例を示す図である。図２４を参照しながら、本変形例におけるコントローラ３１ｅの機能ブロックの構成および動作について説明する。
【０１５７】
図２４に示すように、本変形例に係るコントローラ３１ｅは、検出部２０１と、質量分析部２０２（特定部）と、画像作成部２０３と、マッチング部２０４と、推定部２０５と、再構成部２０６と、電圧制御部２１１と、レーザ制御部２１２と、通信部２１４と、記憶制御部２１５と、リフレクション制御部２１６ｂ（変動部の一例）と、を有する。なお、検出部２０１、質量分析部２０２、画像作成部２０３、マッチング部２０４、推定部２０５、再構成部２０６、電圧制御部２１１、レーザ制御部２１２、通信部２１４および記憶制御部２１５の動作は、上述の図４で説明した動作と同様である。これらの処理部は、集積回路、および／または、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体に記憶されたＣＰＵが実行可能な命令であって、以下に記載の処理を実行することが可能なものを含む。
【０１５８】
リフレクション制御部２１６ｂは、リフレクション駆動回路３７ｂの動作制御を行うことにより、リフレクションレンズ１３ａによる電界の形成動作を制御する機能部である。リフレクション制御部２１６ｂは、図３に示すＣＰＵ１０１によるプログラムの実行によって実現される。
【０１５９】
なお、検出部２０１、質量分析部２０２、画像作成部２０３、マッチング部２０４、推定部２０５、再構成部２０６、電圧制御部２１１、レーザ制御部２１２およびリフレクション制御部２１６ｂの一部または全部は、ソフトウェアであるプログラムではなく、ＦＰＧＡまたはＡＳＩＣ等のハードウェア回路によって実現されてもよい。
【０１６０】
また、図２４に示すコントローラ３１ｅの各機能部は、機能を概念的に示したものであって、このような構成に限定されるものではない。例えば、図２４に示すコントローラ３１ｅで独立した機能部として図示した複数の機能部を、１つの機能部として構成してもよい。一方、図２４に示すコントローラ３１ｅで１つの機能部が有する機能を複数に分割し、複数の機能部として構成するものとしてもよい。
【０１６１】
図２５は、第２の実施形態の変形例３でのリフレクションレンズにより軌道が変化する動作を説明する図である。図２５を参照しながら、本変形例に係るアトムプローブ検査装置１ｅにおいてリフレクションレンズ１３ａにより軌道が変化する動作について説明する。
【０１６２】
図２５に示すように、リフレクションレンズ１３ａにより特定の電界が形成されている場合（第１条件の一例）、軌道６３１〜６３３に沿うように試料１１から電界蒸発により離脱したイオンは、リフレクションレンズ１３ａにより形成された電界によって、軌道６３１〜６３３のように折り返されて、位置敏感型検出器１２へ向かい、検出面１２ａで検出される。この場合、図９等で示したように、試料１１が球冠形状から表面の各位置で局所倍率が異なる（曲率が異なる）ような形状であるものとすると、検出面１２ａの特定の位置で検出されたイオンは、球冠形状に沿う円の中心とは異なる中心を有する曲率円上の点から飛行したものであるにもかかわらず、当該球冠形状に沿う円の中心から飛行してきたものと推定されてしまう。すると、当該イオンの元となる原子の試料１１上の位置は、当該曲率円上の点にあったにも関わらず、画像作成部２０３により球冠形状に沿う円上のにあるかのように誤った再構成がなされる。この結果、歪みを含む再構成画像が得られることになる。
【０１６３】
次に、リフレクションレンズ１３ａにより上述の特定の電界とは異なる大きさの電界が形成された場合（第２条件の一例）、リフレクションレンズ１３ａまで軌道６３１〜６３３に沿うように試料１１から電界蒸発により離脱したイオンは、リフレクションレンズ１３ａにより形成された上述の特定の電界とは異なる大きさの電界によって、軌道６３１ｂ〜６３３ｂのように折り返されて、位置敏感型検出器１２へ向かい、検出面１２ａで検出される。この場合も同様に、検出面１２ａの特定の位置で検出されたイオンは、球冠形状に沿う円の中心とは異なる中心を有する曲率円上の点から飛行したものであるにもかかわらず、当該球冠形状に沿う円の中心から飛行してきたものと推定されてしまう。すると、当該イオンの元となる原子の試料１１上の位置は、当該曲率円上の点にあったにも関わらず、画像作成部２０３により球冠形状に沿う円上のにあるかのように誤った再構成がなされる。この結果、上述のリフレクションレンズ１３ａにより上述の特定の電界が形成された場合とは異なる歪みを含む再構成画像が得られることになる。
【０１６４】
そして、マッチング部２０４は、このような本来の原子の分布とは異なる歪みを含んだ再構成画像として得られた２つの画像について、特徴量マッチングを行う。この特徴量マッチングを行うことによって、２つの画像双方の材料の境界の位置を対応させることができる。この特徴量マッチングを行うことによって、複数の材料に対応する画像部分の境界の位置を対応させることができる。そして、推定部２０５は、特徴量マッチングの結果に基づいて、２つの再構成画像で互いに対応する箇所（例えば、材質の境界位置）の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を推定する。最後に、再構成部２０６は、推定部２０５により推定された、イオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を用いて再構成を行うことによって、歪みが補正され局所倍率による誤差のない再構成画像を得る。
【０１６５】
以上のように、電磁レンズ１４による磁界ではなく、リフレクションレンズ１３ａにより電界を形成させてイオンの軌道を変化（折り返し）させることによって、試料１１上の同じ位置から離脱したイオンを、検出面１２ａの異なる位置で検出させることができる。これによって、歪みを伴う再構成画像を２つ得ることができ、特徴量マッチングにより、互いに対応する箇所を特定することができる。そして、互いに対応する箇所の歪み量を算出し、当該歪み量を用いてイオンの軌道計算を行うことで、当該箇所に対応するイオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を推定する。さらに、このように推定された、イオンが離脱した試料１１上の点の曲率円の中心を用いて再構成を行うことによって、歪みが補正され局所倍率による誤差のない再構成画像を得るものとしている。これによって、試料１１の原子の位置（分布）ついて再構成された画像について試料１１の局所倍率に伴って生じる歪みを補正することができる。
【０１６６】
なお、本変形例では、リフレクションレンズ１３ａにより形成される電界の大きさを２種類として、各電界で検出された検出情報を用いるものとしているが、これに限定されるものではなく、リフレクションレンズ１３ａにより形成される電界の大きさを３種類以上として、各電界でそれぞれ検出された検出情報を用いるものとしてもよい。
【０１６７】
また、リフレクションレンズ１３ａの電界の大きさを変動させてイオンの軌道を変えると、イオンの軌道が位置敏感型検出器１２の検出面１２ａを外れて収率が下がる場合があるため、上述の第１の実施形態の変形例１と同様に、それを補正する手段を組み合わせ利用することが望ましい。
【０１６８】
なお、上述の各実施形態および各変形例のアトムプローブ検査装置またはＦＩＭ（電界イオン顕微鏡）で実行されるプログラムは、例えば、ＲＯＭ等に予め組み込まれて提供されるものとしてもよい。
【０１６９】
また、上述の各実施形態および各変形例のアトムプローブ検査装置またはＦＩＭ（電界イオン顕微鏡）で実行されるプログラムは、インストール可能な形式または実行可能な形式のファイルでＣＤ−ＲＯＭ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ−Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ−Ｒ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録してコンピュータプログラムプロダクトとして提供されるように構成してもよい。
【０１７０】
また、上述の各実施形態および各変形例のアトムプローブ検査装置またはＦＩＭ（電界イオン顕微鏡）で実行されるプログラムを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成してもよい。また、上述の各実施形態および各変形例のアトムプローブ検査装置またはＦＩＭ（電界イオン顕微鏡）で実行されるプログラムをインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成してもよい。
【０１７１】
また、上述の各実施形態および各変形例のアトムプローブ検査装置またはＦＩＭ（電界イオン顕微鏡）で実行されるプログラムは、コンピュータを上述した各機能部として機能させ得る。このコンピュータは、ＣＰＵがコンピュータ読取可能な記憶媒体からプログラムを主記憶装置上に読み出して実行することができる。
【０１７２】
本発明の実施形態および変形例を説明したが、これらの実施形態および変形例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態および変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、および変更を行うことができる。これらの実施形態および変形例は、発明の範囲および要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１７３】
１、１ａ〜１ｅ  アトムプローブ検査装置
１０  真空槽
１１  試料
１２  位置敏感型検出器
１２ａ  検出面
１３、１３ａ  リフレクションレンズ
１４  電磁レンズ
１５  コンデンサレンズ
１６ａ  アノード
１６ｂ  カソード
３１、３１ａ〜３１ｅ  コントローラ
３２  高電圧電源
３３  レーザ装置
３３ａ  パルス状レーザ
３４  位置駆動回路
３５  検出装置
３６  記憶装置
３７  位置駆動回路
３７ａ、３７ｂ  リフレクション駆動回路
３８、３８ａ  レンズ駆動回路
３９  電界駆動回路
４１  情報処理装置
１０１  ＣＰＵ
１０２  ＲＯＭ
１０３  ＲＡＭ
１０４  入出力Ｉ／Ｆ
１０５  制御回路Ｉ／Ｆ
１０６  通信Ｉ／Ｆ
２０１  検出部
２０２  質量分析部
２０３  画像作成部
２０４  マッチング部
２０５  推定部
２０６  再構成部
２１１  電圧制御部
２１２  レーザ制御部
２１３  位置制御部
２１４  通信部
２１５  記憶制御部
２１６  位置制御部
２１６ａ、２１６ｂ  リフレクション制御部
２１７  レンズ制御部
２１８  電界制御部
５０１  イオン
５０２、５０３  原子
５１１  第１材料
５１１ａ  第１材料画像
５１２  第２材料
５１２ａ  第２材料画像
５１３  第３材料
５１３ａ  第３材料画像
５２１、５２２  材料
５２１ａ、５２２ａ  画像部分
５２１ｂ、５２２ｂ  画像部分
５２５ａ、５２５ｂ  理想境界
５３１  ＦＩＭ画像
６０１  軌道
６１１、６１１ａ  軌道
６２１、６２１ａ  軌道
６３１〜６３３  軌道
６３１ａ〜６３３ａ  軌道
６３１ｂ〜６３３ｂ  軌道
６４１、６４１ａ  軌道
６５１〜６５３  軌道
６５１ａ〜６５３ａ  軌道
７０１、７０２  円
８０１、８０２  画像
【図１】
2020145157.tif 000003
【図２】
2020145157.tif 000004
【図３】
2020145157.tif 000005
【図４】
2020145157.tif 000006
【図５】
2020145157.tif 000007
【図６】
2020145157.tif 000008
【図７】
2020145157.tif 000009
【図８】
2020145157.tif 000010
【図９】
2020145157.tif 000011
【図１０】
2020145157.tif 000012
【図１１】
2020145157.tif 000013
【図１２】
2020145157.tif 000014
【図１３】
2020145157.tif 000015
【図１４】
2020145157.tif 000016
【図１５】
2020145157.tif 000017
【図１６】
2020145157.tif 000018
【図１７】
2020145157.tif 000019
【図１８】
2020145157.tif 000020
【図１９】
2020145157.tif 000021
【図２０】
2020145157.tif 000022
【図２１】
2020145157.tif 000023
【図２２】
2020145157.tif 000024
【図２３】
2020145157.tif 000025
【図２４】
2020145157.tif 000026
【図２５】
2020145157.tif 000027