(57)【要約】      （修正有）【課題】横モード抑制を有する弾性波デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】弾性表面波（ＳＡＷ）共振器１は、圧電層１０と、圧電層１０の上のＩＤＴ電極１２と、ＩＤＴ（インターディジタルトランスデューサ）電極１２の上の温度補償層１４と、温度補償層１４に埋め込まれた金属ストリップ１６とを含む。金属ストリップ１６は、高密度金属ストリップ層及び接着層を含む。金属ストリップ１６は、多層導電性ストリップで、質量負荷機能を果たす為、多層質量負荷ストリップと称する。多層質量負荷ストリップの密度は、温度補償層の密度よりも高い。多層質量負荷ストリップは、ＩＤＴ電極１２の指２２のエッジ部分に重なる。多層質量負荷ストリップは、接着性を目的とする第１層と、質量負荷を目的とする第２層とを含む。多層質量負荷ストリップは、横モードを抑制することができる。【選択図】図１Ａ−１Ｂ
2020109957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性波デバイスであって、
圧電層と、
前記圧電層の上のインターディジタルトランスデューサ電極であって、バスバーと、前記バスバーから延びてそれぞれがエッジ部分及び本体部分を含む複数の指とを含むインターディジタルトランスデューサ電極と、
前記インターディジタルトランスデューサ電極の上の温度補償層と、
前記指のエッジ部分に重なる質量負荷ストリップと
を含み、
前記質量負荷ストリップの密度は前記温度補償層の密度よりも高く、
前記質量負荷ストリップは、第１層及び第２層を含み、
前記温度補償層の一部分が、前記質量負荷ストリップと前記圧電層との間に配置され、
前記質量負荷ストリップは、横モードを抑制するべく配列される、弾性波デバイス。
【請求項２】
前記質量負荷ストリップの第１層は、前記質量負荷ストリップの第２層と前記インターディジタルトランスデューサ電極との間に配置され、
前記質量負荷ストリップの第１層は、前記質量負荷ストリップの第２層よりも、前記温度補償層への接着性が高い、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記質量負荷ストリップの第２層は、前記質量負荷ストリップの第１層よりも高質量である、請求項２の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記質量負荷ストリップの第２層は導電性ストリップである、請求項２の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記質量負荷ストリップの第１層は、前記質量負荷ストリップの第２層と前記インターディジタルトランスデューサ電極との間に配置され、
前記質量負荷ストリップの第１層はチタンを含む、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記質量負荷ストリップの第２層はモリブデンを含む、請求項５の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記質量負荷ストリップの第１層は、前記質量負荷ストリップの第２層と前記インターディジタルトランスデューサ電極との間に配置され、
前記質量負荷ストリップの第２層は、前記横モードを抑制するのに十分な質量を有する、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記質量負荷ストリップは、前記温度補償層に埋め込まれる、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記弾性波共振器は、弾性表面波を生成するべく構成される、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記温度補償層は二酸化ケイ素層である、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項１１】
前記温度補償層は、下面から前記下面に対向する上面までの厚さを有し、
前記質量負荷ストリップは、前記温度補償層の厚さの２０％〜８０％以内となる距離だけ前記下面から離間する、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項１２】
前記温度補償層は、下面から前記下面に対向する上面までの厚さを有し、
前記質量負荷ストリップは、前記温度補償層の厚さの４０％〜６０％以内となる距離だけ前記下面から離間する、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項１３】
前記第２層の密度は、インターディジタルトランスデューサ電極の密度よりも高い、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項１４】
前記質量負荷ストリップは第３層を含む、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項１５】
弾性波フィルタであって、
圧電層と、前記圧電層の上のインターディジタルトランスデューサ電極と、前記インターディジタルトランスデューサ電極の上の温度補償層と、前記インターディジタルトランスデューサ電極の指のエッジ部分と重なる多層質量負荷ストリップとを含む弾性波共振器と、
前記弾性波共振器に結合された複数の他の弾性波共振器と
を含み、
前記多層質量負荷ストリップは、前記温度補償層よりも高密度であり、
前記弾性波共振器及び前記他の弾性波共振器は、無線周波数信号をフィルタリングするべく一緒に配列される、弾性波フィルタ。
【請求項１６】
前記多層質量負荷ストリップは多層導電性ストリップである、請求項１５の弾性波フィルタ。
【請求項１７】
前記多層質量負荷ストリップは第１層及び第２層を含み、
前記第１層は、前記第２層よりも前記インターディジタルトランスデューサ電極の近くに配置され、
前記第１層は、前記第２層よりも前記温度補償層への接着性が高い、請求項１５の弾性波フィルタ。
【請求項１８】
無線周波数信号をフィルタリングする方法であって、
弾性波共振器を含む弾性波フィルタの入力ポートにおいて無線周波数信号を受信することと、
前記弾性波フィルタによって前記無線周波数信号をフィルタリングすることと
を含み、
前記弾性波共振器は、インターディジタルトランスデューサ電極の指のエッジ部分に重なる多層質量負荷ストリップを含み、
前記フィルタリングすることは、前記弾性波共振器の多層質量負荷ストリップを使用して横モードを抑制することを含む、方法。
【請求項１９】
前記多層質量負荷ストリップの第１層は、前記多層質量負荷ストリップの第２層よりも温度補償層への接着性が高く、
前記温度補償層の少なくとも一部分が、前記多層質量負荷ストリップと前記インターディジタルトランスデューサ電極との間に配置され、
前記多層質量負荷ストリップの第２層は、前記多層質量負荷ストリップの第１層よりも高質量である、請求項１８の方法。
【請求項２０】
前記多層質量負荷ストリップはチタン層を含む、請求項１８の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
優先権出願の相互参照
本願は、「横モード抑制を有する弾性波デバイス」との名称の２０１８年１２月２８日に出願された米国仮特許出願第６２／７８５，９１９号の優先権の利益を主張し、その開示は全体がここに参照により組み入れられる。
【０００２】
本開示の実施形態は、横モード抑制を有する弾性波フィルタに関する。
【背景技術】
【０００３】
無線周波数システムにおいて、圧電微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）共振器を使用することができる。圧電ＭＥＭＳ共振器は、機械的振動構造を使用して電気信号を処理する。例示の圧電ＭＥＭＳ共振器は、弾性表面波（ＳＡＷ）共振器及び温度補償弾性表面波（ＴＣ−ＳＡＷ）共振器を含む。
【０００４】
弾性波フィルタは、ＴＣ−ＳＡＷ共振器を含み得る。弾性波フィルタは、無線周波数電子システムにおいて無線周波数信号をフィルタリングすることができる。例えば、携帯電話機の無線周波数フロントエンドにおけるフィルタは、弾性波フィルタを含み得る。複数の弾性波フィルタを、デュプレクサのようなマルチプレクサとして配列することができる。
【発明の概要】
【０００５】
特許請求の範囲に記載のイノベーションはそれぞれが、いくつかの側面を有し、その単独の一つのみが、その所望の属性に対して関与するわけではない。ここで、特許請求の範囲を制限することなく、本開示のいくつかの卓越した特徴の概要が記載される。
【０００６】
一側面において、弾性波デバイスが開示される。弾性波デバイスは、圧電層と、当該圧電層の上に配置されたインターディジタルトランスデューサ電極と、当該インターディジタルトランスデューサ電極の上に配置された温度補償層とを含み得る。インターディジタルトランスデューサ電極は、バスバーと、当該バスバーから延びる複数の指とを含む。各指は、エッジ部分と本体部分とを含む。弾性波デバイスはまた、指のエッジ部分に重なる質量負荷ストリップも含み得る。質量負荷ストリップの密度は、温度補償層の密度よりも高い。質量負荷ストリップは第１層及び第２層を含む。温度補償層の一部分が、質量負荷ストリップと圧電層との間に配置される。質量負荷ストリップは、横モードを抑制するべく配列される。
【０００７】
一実施形態において、質量負荷ストリップの第１層が、質量負荷ストリップの第２層とインターディジタルトランスデューサ電極との間に配置される。質量負荷ストリップの第１層は、質量負荷ストリップの第２層よりも温度補償層との接着性が高くなり得る。質量負荷ストリップの第２層は、質量負荷ストリップの第１層よりも質量が高くなり得る。質量負荷ストリップの第２層は、導電性ストリップとなる。
【０００８】
一実施形態において、質量負荷ストリップは、質量負荷ストリップの第２層とインターディジタルトランスデューサ電極との間に配置される。質量負荷ストリップの第１層は、チタンを含み得る。質量負荷ストリップの第２層は、モリブデンを含み得る。インターディジタルトランスデューサ電極は、モリブデンを含み得る。質量負荷ストリップの第２層は、タングステン、金、銀、ルテニウム、銅、白金又はイリジウムの少なくとも一つを含み得る。
【０００９】
一実施形態において、質量負荷ストリップの第１層が、質量負荷ストリップの第２層とインターディジタルトランスデューサ電極との間に配置される。質量負荷ストリップの第２層は、横モードを抑制するのに十分な質量を有し得る。
【００１０】
一実施形態において、質量負荷ストリップは、温度補償層に埋め込められる。
【００１１】
一実施形態において、弾性波共振器は、弾性表面波を生成するべく構成される。
【００１２】
一実施形態において、温度補償層は二酸化ケイ素層である。
【００１３】
一実施形態において、温度補償層は、下面から当該下面に対向する上面までの高さを有する。質量負荷ストリップは、温度補償層の厚さの２０％〜８０％以内となる距離だけ下面から離間され得る。
【００１４】
一実施形態において、弾性波共振器はさらに、温度補償層の上に窒化ケイ素層を含む。
【００１５】
一実施形態において、温度補償層は、下面から当該下面に対向する上面までの高さを有する。質量負荷ストリップは、温度補償層の厚さの４０％〜６０％以内となる距離だけ下面から離間され得る。
【００１６】
一実施形態において、第２層の密度は、インターディジタルトランスデューサ電極の密度よりも高い。
【００１７】
一実施形態において、質量負荷ストリップは第３層を含む。質量負荷ストリップの第３層は、チタンを含み得る。
【００１８】
一つの側面において、弾性表面波共振器が開示される。弾性表面波共振器は、圧電層と、当該圧電層の上に配置されたインターディジタルトランスデューサ電極と、当該インターディジタルトランスデューサ電極の上に配置された温度補償層とを含み得る。インターディジタルトランスデューサ電極は、バスバーと、当該バスバーから延びる指とを含む。各指は、エッジ部分と本体部分とを含む。弾性表面波共振器はまた、指のエッジ部分に重なる質量負荷ストリップも含み得る。質量負荷ストリップは第１層及び第２層を含む。質量負荷ストリップの密度は、温度補償層の密度よりも高い。第１層は、第２層とインターディジタルトランスデューサ電極との間に配置される。第１層は、第２層よりも温度補償層との接着性が高い。第２層は、第１層よりも高質量である。温度補償層の一部分が、質量負荷ストリップと圧電層との間に配置される。弾性表面波共振器は、弾性表面波を生成するべく構成される。質量負荷ストリップは、横モードを抑制するべく配列される。
【００１９】
一実施形態において、質量負荷ストリップの第１層はチタンを含む。質量負荷ストリップの第２層は、モリブデンを含み得る。質量負荷ストリップの第２層は、タングステン、金、銀、ルテニウム、銅、白金又はイリジウムの少なくとも一つを含み得る。
【００２０】
一実施形態において、第２層の質量密度は、インターディジタルトランスデューサ電極の質量密度よりも大きい。
【００２１】
一実施形態において、質量負荷ストリップは、温度補償層に埋め込められる。
【００２２】
一実施形態において、温度補償層は二酸化ケイ素層である。弾性表面波共振器はさらに、温度補償層の上に配置された窒化ケイ素層を含み得る。
【００２３】
一側面において、弾性波フィルタが開示される。弾性波フィルタは、圧電層を含む弾性波共振器と、当該圧電層の上に配置されたインターディジタルトランスデューサ電極と、当該インターディジタルトランスデューサ電極の上に配置された温度補償層と、当該インターディジタルトランスデューサ電極の指のエッジ部分に重なる多層質量負荷ストリップとを含み得る。多層質量負荷ストリップは、温度補償層よりも高密度である。弾性波フィルタはまた、弾性波共振器に結合された複数の他の弾性波共振器を含み得る。弾性波共振器及び他の弾性波共振器は一緒になって、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列される。
【００２４】
一実施形態において、多層質量負荷ストリップは、一つの多層質量負荷ストリップとなる。
【００２５】
一実施形態において、フロントエンドモジュールは、弾性波フィルタと、付加回路と、当該弾性表面波フィルタ及び付加回路を封入するパッケージとを含み得る。
【００２６】
一実施形態において、一つの多層質量負荷ストリップは第１層及び第２層を含む。第１層は、第２層よりもインターディジタルトランスデューサ電極の近くに配置することができる。第１層は、第２層よりも温度補償層との接着性が高くなり得る。
【００２７】
一側面において、弾性波フィルタと、付加回路と、当該弾性表面波フィルタ及び付加回路を封入するパッケージとを含むフロントエンドモジュールが開示される。弾性波フィルタは、圧電層を含む弾性波共振器と、当該圧電層の上に配置されたインターディジタルトランスデューサ電極と、当該インターディジタルトランスデューサ電極の上に配置された温度補償層と、当該インターディジタルトランスデューサ電極の指のエッジ部分に重なる多層質量負荷ストリップとを含み得る。多層質量負荷ストリップは、温度補償層よりも高密度である。弾性波フィルタはまた、弾性波共振器に結合された複数の他の弾性波共振器を含み得る。弾性波共振器及び他の弾性波共振器は一緒になって、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列される。
【００２８】
一実施形態において、付加回路は、多投無線周波数スイッチを含む。
【００２９】
一実施形態において、付加回路は、電力増幅器を含む。
【００３０】
一実施形態において、無線通信デバイスが、アンテナ及び弾性波フィルタを含み得る。弾性波フィルタは、圧電層を含む弾性波共振器と、当該圧電層の上に配置されたインターディジタルトランスデューサ電極と、当該インターディジタルトランスデューサ電極の上に配置された温度補償層と、当該インターディジタルトランスデューサ電極の指のエッジ部分に重なる多層質量負荷ストリップとを含み得る。多層質量負荷ストリップは、温度補償層よりも高密度である。弾性波フィルタはまた、弾性波共振器に結合された複数の他の弾性波共振器を含み得る。弾性波共振器及び他の弾性波共振器は一緒になって、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列される。
【００３１】
一つの側面において、弾性波共振器を製造する方法が開示される。方法は、弾性波共振器に、インターディジタルトランスデューサ電極の上に配置された温度補償層を設けることを含み得る。インターディジタルトランスデューサ電極は、バスバーから延びる指を含む。各指は、エッジ部分と本体部分とを含む。方法はまた、インターディジタルトランスデューサ電極の指のエッジ部分と重なる質量負荷ストリップの第１層を形成することも含み得る。温度補償層の材料は、質量負荷ストリップの第１層とインターディジタルトランスデューサ電極との間に配置される。方法はさらに、質量負荷ストリップの第１層の上に配置された当該質量負荷ストリップの第２層を堆積することを含む。質量負荷ストリップの第１層は、当該質量負荷ストリップの第２層よりも接着性が高い。質量負荷ストリップの第２層は、当該質量負荷ストリップの第１層よりも高質量である。
【００３２】
一実施形態において、第１層はチタンを含む。第２層はモリブデンを含み得る。
【００３３】
一実施形態において、方法は、質量負荷ストリップの第２層の上に温度補償材料を形成することを含む。
【００３４】
一実施形態において、温度補償層は二酸化ケイ素層である。
【００３５】
一実施形態において、質量負荷ストリップの第１層は、弾性波共振器の圧電層から温度補償層の厚さの２０％〜８０％以内に形成される。
【００３６】
一実施形態において、方法はさらに、温度補償層の上に窒化ケイ素層を堆積することを含む。質量負荷ストリップの第１層は、弾性波共振器の圧電層から温度補償層の厚さの４０％〜６０％以内に配置され得る。
【００３７】
一つの側面において、無線周波数信号をフィルタリングする方法が開示される。方法は、弾性波共振器を含む弾性波フィルタの入力ポートにおいて、無線周波数信号を受信することを含み得る。弾性波共振器は、インターディジタルトランスデューサ電極の指のエッジ部分に重なる多層質量負荷ストリップを含む。方法はまた、弾性波フィルタによって無線周波数信号をフィルタリングすることも含む。フィルタリングすることは、弾性波共振器の多層質量負荷ストリップを使用して横モードを抑制することを含む。
【００３８】
一実施形態において、多層質量負荷ストリップの第１層は、当該多層質量負荷ストリップの第２層よりも、温度補償層との接着性が高い。温度補償層の少なくとも一部分を、多層質量負荷ストリップとインターディジタルトランスデューサ電極との間に配置することができる。多層質量負荷ストリップの第２層は、多層質量負荷ストリップの第１層よりも高質量となり得る。
【００３９】
一実施形態において、多層質量負荷ストリップはチタン層を含む。
【００４０】
本開示をまとめる目的で本イノベーションの所定の側面、利点及び新規な特徴が、ここに記載されてきた。理解されることだが、そのような利点の必ずしもすべてが、いずれかの特定の実施形態において達成されるというわけではない。よって、本イノベーションは、ここに教示される一つの利点又は一群の利点を、ここに教示又は示唆される他の利点を必ずしも達成することなく、達成又は最適化する態様で、具体化し又は実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
ここで、本開示の実施形態が、添付図面を参照する非限定的な例を介して記載される。
【００４２】
【図１Ａ−１Ｂ】図１Ａは、一実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）共振器の断面を示す。図１Ｂは、図１ＡのＳＡＷ共振器の平面図を示す。
【図１Ｃ】図１ＡのＳＡＷ共振器の金属ストリップの側面図を示す。
【図１Ｄ−１Ｅ】図１Ｄは、他実施形態に係るＳＡＷ共振器の断面を示す。図１Ｅは、図１ＥのＳＡＷ共振器の平面図を示す。
【図１Ｆ】図１ＤのＳＡＷ共振器の金属ストリップの側面図を示す。
【図１Ｇ】他実施形態に係るＳＡＷ共振器の断面を示す。
【図１Ｈ−１Ｉ】図１Ｈは、一実施形態に係るＳＡＷ共振器の断面を示す。図１Ｉは、図１ＨのＳＡＷ共振器の平面図を示す。
【図２】一実施形態に係る弾性表面波共振器の断面を示す。
【図３】剥離された金属ストリップを有する弾性表面波共振器の断面を示す。
【図４Ａ】図３の共振器のアドミタンスの測定値を示すグラフである。
【図４Ｂ】剥離された金属ストリップが存在しない図３の共振器のアドミタンスの測定値を示すグラフである。
【図４Ｃ】図１Ａの共振器のアドミタンスの測定値を示すグラフである。
【図５】一実施形態に係る弾性表面波共振器の一部分の断面を示す。
【図６】弾性表面波共振器における弾性表面波のシミュレーションされた速度を示すグラフである。
【図７Ａ−７Ｂ】図７Ａは、他実施形態に係るＳＡＷ共振器の断面を示す。図７Ｂは、図７ＡのＳＡＷ共振器の平面図を示す。
【図８Ａ−８Ｂ】図８Ａは、他実施形態に係るＳＡＷ共振器の断面を示す。図８Ｂは、図８ＡのＳＡＷ共振器の平面図を示す。
【図９Ａ−９Ｂ】図９Ａは、他実施形態に係るＳＡＷ共振器の断面を示す。図９Ｂは、図９ＡのＳＡＷ共振器の平面図を示す。
【図１０Ａ−１０Ｂ】図１０Ａは、他実施形態に係るＳＡＷ共振器の断面を示す。図１０Ｂは、図１０ＡのＳＡＷ共振器の平面図を示す。
【図１１Ａ−１１Ｂ】図１１Ａは、他実施形態に係るＳＡＷ共振器の断面を示す。図１１Ｂは、図１１ＡのＳＡＷ共振器の平面図を示す。
【図１２Ａ−１２Ｂ】図１２Ａは、他実施形態に係るＳＡＷ共振器の断面を示す。図１２Ｂは、図１２ＡのＳＡＷ共振器の平面図を示す。
【図１３Ａ】一実施形態に係るラム波デバイスの断面を示す。
【図１３Ｂ】他実施形態に係るラム波デバイスの断面を示す。
【図１４Ａ】一実施形態に係る弾性表面波共振器を含む送信フィルタの模式的な図である。
【図１４Ｂ】一実施形態に係る弾性表面波共振器を含む受信フィルタの模式的な図である。
【図１５】一実施形態に係る弾性表面波コンポーネントを含む無線周波数モジュールの模式的な図である。
【図１６】一実施形態に係る弾性表面波コンポーネントを含む無線周波数モジュールの模式的な図である。
【図１７Ａ】一つ以上の実施形態に係るフィルタを含む無線通信デバイスの模式的なブロック図である。
【図１７Ｂ】一つ以上の実施形態に係るフィルタを含む他の無線通信デバイスの模式的なブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
所定の実施形態の以下の詳細な説明は、特定の実施形態の様々な記載を表す。しかしながら、ここに記載のイノベーションは、例えば特許請求の範囲によって画定され及びカバーされる多数の異なる態様で具体化することができる。本記載において、同じ参照番号が同一の又は機能的に類似の要素を示し得る図面が参照される。理解されることだが、図面に示される要素は必ずしも縮尺どおりではない。さらに理解されることだが、所定の実施形態は、図面に示されるよりも多くの要素を含んでよく、及び／又は図面に示される要素の部分集合を含んでよい。さらに、いくつかの実施形態は、２つ以上の図面からの特徴のいずれかの適切な組み合わせを組み入れてよい。
【００４４】
弾性波フィルタは、携帯電話機のＲＦフロントエンドにおいてのような様々なアプリケーションにおいて、無線周波数（ＲＦ）信号をフィルタリングすることができる。弾性波フィルタには、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスが実装され得る。ＳＡＷデバイスは、ＳＡＷ共振器、ＳＡＷ遅延線、及びマルチモードＳＡＷ（ＭＭＳ）フィルタ（例えばダブルモードＳＡＷ（ＤＭＳ）フィルタ）を含む。
【００４５】
一般に、高い品質係数（Ｑ）、大きな実効電気機械結合係数（ｋ２ｅｆｆ）、高い周波数能力、及びスプリアス不存在は、低損失フィルタ、安定発振器、及び敏感なセンサを可能にするマイクロ共振器のための有意な側面である。ＳＡＷ共振器は、通過帯域に及び／又は通過帯域近くに相対的に強い横モードを有し得る。相対的に強い横モードの存在は、相対的に重度の通過帯域リップル及び場合によっては阻止性の制限をもたらすことにより、発振器及びセンサの正確性及び／又は安定性を妨害し得るとともに、弾性フィルタの性能も損ない得る。
【００４６】
したがって、横モード抑制方法が、ＳＡＷ共振器にとって重要となる。横モードを抑制するための技術的な解決策は、モード分散特性に応じてアクティブ領域の中央部分とは異なる速度を有する広い領域を作ることである。これは、「ピストンモード」と称することができる。ピストンモードは、横方向の横波ベクトルを、ｋ２又はＱを有意に劣化させることなく相殺することによって得ることができる。ＳＡＷ共振器の弾性アパチャのエッジ上に低速度の相対的に小さな境界領域を含めることにより、伝播モードは、アクティブなアパチャにおいて横波ベクトルがゼロ（又は近似的にゼロ）となり得る。これは、ＳＡＷ共振器のインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極アクティブ領域のエッジに多層導電性ストリップを設けることによって達成することができる。横波ベクトルは、境界領域で実数となり、ギャップ領域で虚数となり得る。ピストンモードＳＡＷ共振器は、電気ドメインに有意に結合するべきではないアクティブ領域に複数の全波長を有する奇数次モードを有し得る。
【００４７】
温度補償弾性表面波（ＴＣ−ＳＡＷ）共振器においてピストンモードを達成するべく相対的に高密度の金属ストリップが使用されるとき、その高密度の金属ストリップは、温度補償層に埋め込むことができる。高密度の金属ストリップは、温度補償層との接着性が相対的に弱くなり得る。高密度の金属ストリップと温度補償層との間の相対的に弱い接着性強度は、高密度の金属ストリップの温度補償層からの剥離をもたらし得る。剥離が生じると、横モードを十分に抑制することができない。
【００４８】
金属ストリップは、ピストンモード動作のための質量負荷を得るべくモリブデンを含んでよい。しかしながら、モリブデンは、特に接着性というわけではないので剥離を経験し得る。チタンは良好な接着性を有する。しかしながら、チタンは、ピストンモード動作にとって望ましい十分な質量負荷を有しない。積層されたモリブデン／チタンストリップが、弾性波共振器におけるピストンモード動作のための接着性及び質量負荷を得るべく設けられる。チタンは、チタンを覆うモリブデン層のような上部層に対して所望の結晶配向を与えることができる。
【００４９】
本開示の側面は、高密度金属層及び接着層を含む金属ストリップを含むＳＡＷ共振器（例えばＴＣ−ＳＡＷ共振器）に関する。金属ストリップは、二酸化ケイ素層のような温度補償層に埋め込まれる。接着層は、金属ストリップの温度補償層からの剥離を軽減及び／又は防止する接着性強度を与えることができる。高密度層は、ピストンモード動作のための質量負荷を与えることができる。したがって、多層質量負荷ストリップを有するＳＡＷデバイスが開示される。
【００５０】
多層金属ストリップ又は多層導電性ストリップを参照して実施形態が開示されるにもかかわらず、ここに開示される任意の適切な原理及び利点は、一以上の非導電層を含む多層質量負荷ストリップに適用することができる。さらに、ＳＡＷ共振器を参照して実施形態が説明されるにもかかわらず、ここに説明される原理及び利点は、任意の適切なＳＡＷデバイス及び／又は任意の他の適切な弾性波デバイスに適用することができる。ここで、図面を参照して実施形態が説明される。ここに開示される実施形態の特徴の任意の適切な組み合わせは、互いに一緒に実装することができる。
【００５１】
図１Ａは、一実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）共振器１の断面を示す。ＳＡＷ共振器１は、温度補償ＳＡＷ（ＴＣＳＡＷ）共振器と称してよい。ＳＡＷ共振器１は、圧電層１０と、圧電層１０の上のＩＤＴ電極１２と、ＩＤＴ電極１２の上の温度補償層１４と、温度補償層１４に埋め込まれた金属ストリップ１６とを含む。図示の金属ストリップ１６は、高密度金属ストリップ層１８及び接着層２０を含む。したがって、金属ストリップ１６は多層導電性ストリップである。多層金属ストリップは、いくつかの他の実施形態において３つ以上の層を含んでよい。多層金属ストリップ１６は、質量負荷機能を果たす。したがって、多層金属ストリップ１６は、多層質量負荷ストリップの一例である。ＩＤＴ電極１２は、指２２及びバスバー２４を含む。
【００５２】
圧電層１０は圧電基板としてよい。圧電層１０は、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）層又はタンタル酸リチウム（ＬＴ）層のような任意の適切な圧電層を含み得る。圧電層１０の厚さは、弾性表面波共振器１が生成する弾性表面波の波長λ又はＬに基づいて選択することができる。ＩＤＴ電極１２は、弾性表面波共振器１の波長λ又はＬを設定するピッチを有する。圧電層１０は、有意な周波数変動を回避するべく十分に厚くすることができる。所定のアプリケーションにおいて、圧電層１０は、約３０マイクロメートルから６００マイクロメートルの範囲にある厚さを有し得る。例えば、圧電層１０は、いくつかのアプリケーションにおいて、約１００マイクロメートルから２００マイクロメートルの範囲にある厚さを有し得る。
【００５３】
温度補償層１４は、任意の適切な材料を含み得る。例えば、温度補償層１４は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層としてよい。温度補償層は、正の周波数温度係数を有する任意の他の適切な材料の層としてよい。例えば、温度補償層１４は、所定のアプリケーションにおいて、二酸化テルル（ＴｅＯ２）層又はオキシフッ化ケイ素（ＳｉＯＦ）層としてよい。温度補償層は、ＳｉＯ２、ＴｅＯ２及び／又はＳｉＯＦの任意の適切な組み合わせを含んでよい。
【００５４】
温度補償層１４は、ＳＡＷ共振器１の周波数温度係数（ＴＣＦ）を、温度補償層１４が存在しない同様のＳＡＷ共振器と比べ、ゼロに近づけることができる。温度補償層１４は、ＳＡＷ共振器１の電気機械結合係数ｋ２を、温度補償層１４が存在しない同様のＳＡＷ共振器と比べ、改善することができる。温度補償層１４の利点は、ＳＡＷ共振器１がＬＮ層を圧電層１０として含むときにさらに顕著となり得る。温度補償層１４は、下面１４ａからその下面１６ａに対向する上面１４ｂまでで測定された厚さｔ１を有する。いくつかの実施形態において、温度補償層１４の厚さｔ１は、０．１Ｌ〜０．５Ｌの範囲となり得る。例えば、波長Ｌが４μｍのとき、温度補償層１４の厚さｔ１は１２００ｎｍとなり得る。
【００５５】
ＩＤＴ電極１２は、任意の適切な材料を含み得る。例えば、ＩＤＴ電極は、所定の実施形態においてモリブデン（Ｍｏ）を含み得る。ＩＤＴ電極１２は、例えば図２に示されるような複数の金属層を含み得る。ＩＤＴ電極１２は、銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）等のような一つ以上の他の金属を含み得る。ＩＤＴ電極１２は、ＡｌＭｇＣｕ、ＡｌＣｕ等のような合金を含んでよい。ＩＤＴ電極１２は厚さｔ２を有する。いくつかの実施形態において、ＩＤＴ電極１２の厚さｔ２は、約０．０５Ｌとなり得る。例えば、波長Ｌが４μｍのとき、Ｍｏ層１８の厚さｔ２は２００ｎｍとなり得る。
【００５６】
図１Ｂは、図１ＡのＳＡＷ共振器１の平面図を示す。温度補償層１４の図示は、ＩＤＴ電極１２及び金属ストリップ１６を示すようになっていない。図１Ａと図１Ｂとの間の破線は、図示のコンポーネントの相対位置を示す。図１Ａ及び図１Ｂに示されるＳＡＷ共振器１は、２つのバスバー２４と、各バスバー２４から延びる３つの指２２とを含む。各指２２は、バスバー２４に接触する近位端２２ａと、近位端２２ａに対向する遠位端２２ｂとを有する。指２２の本体部分２２ｃが、近位端２２ａと遠位端２２ｂとの間に延びる。遠位端２２ｂに近い一部分を、エッジ部分と称することができる。エッジ部分（遠位端２２ｂ）は、指２２のエッジに及び／又は当該エッジの近くに隣接し得る。いくつかの実施形態において、エッジ部分は、指２２のエッジを含んでよい。いくつかの他実施形態において、エッジ部分は、指２２のエッジから約０．１λ以下だけずれてもよい。エッジ部分が指２２のエッジから０．１λだけずれると、有意な性能劣化がなくなり得る。
【００５７】
図１Ｃは、図１Ａの金属ストリップ１６の側面図を示す。金属ストリップ１６は、高密度層１８及び接着層２０を含む。図示のように、高密度層１８は、接着層２０の上に配置される。
【００５８】
所定のアプリケーションにおいて、金属ストリップ１６の高密度金属ストリップ層１８は、適切な寸法を伴って十分な質量負荷を与えるＩＤＴ電極１２又は任意の適切な材料の質量密度以上の質量密度を有する任意の適切な金属を含み得る。例えば、高密度金属ストリップ層１８は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）等を含み得る。さらに、いくつかのアプリケーションにおいて、多層質量負荷ストリップは、高密度金属ストリップ層１８の代わりに高密度非導電層を含み得る。かかる高密度非導電層は、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、二酸化テルル（ＴｅＯ２）等の誘電材料のような重い誘電層としてよい。
【００５９】
金属ストリップ１６の接着層２０は、高密度金属ストリップ層１８と温度補償層１４との接着性よりも、温度補償層１４との良好な接着性を与えることができる。例えば、接着層２０は、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等を含み得る。接着層２０に対するＴｉのようないくつかの材料により、高密度金属ストリップ層１８の結晶配向を、接着層２０に対して異なる材料を有する又は接着層２０を有しない金属ストリップ１６よりも改善することができる。したがって、所定のアプリケーションにおいて、接着層２０は、所望の接着性及び所望の結晶配向を与えるチタン層とすることができる。金属ストリップ１６は、任意の適切な態様で形成することができる。例えば、接着層２０は、堆積によって温度補償層１４の上に設けることができる。例えば、高密度金属ストリップ１８は、堆積によって接着層２０の上に設けることができる。多層質量負荷ストリップにおける接着層は、所定のアプリケーションにおいて非導電性としてよい。
【００６０】
金属ストリップ１６は厚さｔ３を有する。金属ストリップ１６の厚さｔ３は、高密度金属ストリップ層１８の厚さｔ４と接着層２０の厚さｔ５との和としてよい。高密度金属ストリップ層１８の厚さｔ４は、弾性表面波共振器１により生成される弾性表面波の波長λ又はＬに基づいて選択することができる。例えば、高密度金属ストリップ層１８の厚さｔ４は、０．０１Ｌ〜０．０３Ｌの範囲にあってよい。接着層２０は、接着層２０が存在しない金属ストリップ１６と比べて改善された接着性を与え得る任意の適切な厚さｔ５を有し得る。例えば、厚さｔ５は、５０ｎｍ未満としてよい。好ましくは、改善された結晶配向を与えるべく、接着層２０の厚さｔ５は、１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲にあってよい。
【００６１】
金属ストリップ１６は、内側エッジ１６ａ及び外側エッジ１６ｂを有する。金属ストリップ１６の外側エッジ１６ｂは、指２２の遠位端２２ｂと整列するように示される。しかしながら、いくつかの実施形態において、外側エッジ１６ｂは、バスバー２４から延びる指２２の遠位端２２ｂとバスバー２４との間の任意の場所にあってよい。いくつかの他の実施形態において、外側エッジ１６ｂは、バスバー２４と重なってよく、又はＩＤＴ電極１２の外部に存在してよい。
【００６２】
図１Ｄは、一実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）共振器１’の断面を示す。ＳＡＷ共振器１’は、圧電層１０と、圧電層１０の上のＩＤＴ電極１２と、ＩＤＴ電極１２の上の温度補償層１４と、温度補償層１４に埋め込まれた金属ストリップ１６’とを含む。図１Ｅは、図１ＤのＳＡＷ共振器１’の平面図を示す。図１Ｆは、図１Ｄの金属ストリップ１６’の側面図を示す。ＳＡＷ共振器１’は一般に、図１Ａ〜１Ｃに示されるＳＡＷ共振器１と同様であるが、ＳＡＷ共振器１’の金属ストリップ１６’が３つの層を含む点が異なる。ここに開示される原理及び利点に係る多層金属ストリップは、いくつかの他の実施形態において、３つを超える層を含み得る。
【００６３】
図１Ｆに示されるように、金属ストリップ１６’は、第１層（例えば接着層２０）、第２層（例えば高密度金属ストリップ層１８）及び第３層１９を含む。第３層１９を第２接着層としてよい。これは、高密度金属ストリップ層１８と温度補償層１４との接着性よりも、温度補償層１４との良好な接着性を与えることができる。第２接着層はチタン層としてよい。所定例において、接着層２０及び第２接着層１９は同じ材料としてよい。例えば、金属ストリップ１６’は、チタン／高密度金属／チタンストリップとしてよい。第２接着層は、いくつかの他例において、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等を含み得る。
【００６４】
図１Ｇは、他実施形態に係るＳＡＷ共振器１’’の断面を示す。ＳＡＷ共振器１’’は、図１ＡのＳＡＷ共振器１と同様であるが、ＳＡＷ共振器１’’が付加的に支持基板２１を、ＩＤＴ電極構造１２に対向する圧電層１０の一側に含む点が異なる。図１Ｇは、金属ストリップ１６を、多層圧電基板を有するＳＡＷ共振器に実装できることを示す。所定のアプリケーションにおいて、圧電層２１は、ＳＡＷ共振器１’’におけるＩＤＴ電極１２のピッチλ未満の厚さを有し得る。かかる圧電層は、約０．１λ〜１λの範囲にある厚さを有し得る。例えば、圧電層２１は、約０．１λから０．４λの範囲にある厚さを有し得る。いくつかの他のアプリケーションにおいて、圧電層２１は、ＳＡＷ共振器１’’におけるＩＤＴ電極１２のピッチλの約１λ〜４０λの範囲にある厚さを有し得る。所定例において、圧電層２１の厚さは、０．１マイクロメートルから３０マイクロメートルの範囲となり得る。
【００６５】
支持基板２１は、シリコン層、水晶層、セラミック層、ガラス層、スピネル層、酸化マグネシウムスピネル層、サファイア層、ダイヤモンド層、炭化ケイ素層、窒化ケイ素層、窒化アルミニウム層等のような、任意の適切な基板層としてよい。一例として、ＳＡＷ共振器１’’は、所定のアプリケーションにおいてニオブ酸リチウム／シリコン圧電基板を含み得る。
【００６６】
支持基板２１は、相対的に高い音響インピーダンスを有し得る。支持基板２１の音響インピーダンスは、圧電層１０の音響インピーダンスよりも高くてよい。例えば、支持基板２１は、ニオブ酸リチウムの音響インピーダンスよりも高い音響インピーダンス、及びタンタル酸リチウムよりも高い音響インピーダンスを有してよい。支持基板２１の音響インピーダンスは、温度補償層２１の音響インピーダンスよりも高くてよい。シリコン基板のような相対的に高い熱伝導度の支持基板２１上に圧電層１０を含むＳＡＷ共振器１’’は、高インピーダンス支持基板２１が存在しない同様のＳＡＷ共振器と比べて良好な放熱性を達成することができる。
【００６７】
所定の実施形態において、ＳＡＷ共振器は、ＩＤＴ電極１２に対向する圧電層１０の側に２つ以上の層を含み得る。いくつかの実施形態において、圧電層１０と支持基板２１との間に付加層が存在してよい。付加層は、支持基板１２よりも低い音響インピーダンスを有する低インピーダンス層としてよい。いくつかの実施形態において、付加層は二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層としてよい。付加層は、多層圧電基板の層間接着性を高めることができる。かかるアプリケーションにおいて、付加層は、接着層と称してよい。代替的又は付加的に、付加層は、ＳＡＷ共振器１、１’’と比べてＳＡＷ共振器における熱放散生を高めることができる。かかるアプリケーションにおいて、付加層は、熱放散層と称してよい。付加層は、所定のアプリケーションにおいて、支持基板の後方反射を低減することができる。かかるアプリケーションにおいて、付加層は、ビーム散乱によって後方反射を散乱させることができる。いくつかの例において、付加層は多結晶スピネル層としてよく、支持基板１２はシリコン層としてよい。
【００６８】
いくつかの他実施形態において、多層質量負荷ストリップは、２つ以上の高密度金属層を含み得る。これらの高密度金属層は、異なる高密度材料としてよい。例えば、高密度金属は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）等を含む。
【００６９】
図１Ｈは、一実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）共振器１’’’の断面を示す。図１Ｉは、図１Ｉにおける１Ｈ−１Ｈ線に沿った図１ＨのＳＡＷ共振器１’’’の平面図を示す。図１Ｈ及び１ＩのＳＡＷ共振器１’’’は、図１Ａ及び１ＢのＳＡＷ共振器１と同様であるが、ＳＡＷ共振器１’’’の金属ストリップ１６が、変位距離ｄだけずれて又はシフトされている点が異なる。ＳＡＷ共振器１’’’において金属ストリップ１６がシフトされていても、金属ストリップ１６は、ＳＡＷ共振器１’’’における指２２のエッジ部分と重なる。図１Ｈ及び１Ｉは、指２２が相対的に小さな量だけ質量負荷ストリップを超えて延びる場合に、質量負荷ストリップがＩＤＴ電極の指のエッジ部分と重なり得ることを示す。
【００７０】
図示のように、金属ストリップ１６は、指２２の遠位部分２２ｂ近くにおいてエッジ部分の上に配置することができる。いくつかのアプリケーションにおいて、変位距離ｄは、０．１λまでとしてよい。例えば、変位ｄは、０．０１λから０．１λの範囲としてよい。いくつかのアプリケーションにおいて、変位ｄは４００ｎｍまでとしてよい。例えば、変位ｄは、１０ｎｍから４００ｎｍの範囲としてよい。かかる変位が存在すれば、ＳＡＷ共振器１’’’の性能は、ＳＡＷ共振器１と比べて有意に劣化しないはずである。
【００７１】
図２は、一実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）共振器２の断面を示す。図２に示される共振器２は一般に、図１Ａに示される共振器１と同様である。しかしながら、図１Ａに示される共振器１のＩＤＴ電極１２とは異なり、図２に示される共振器２のＩＤＴ電極１３は、複数の導電層を含む。図示のように、共振器２のＩＤＴ電極は、モリブデン（Ｍｏ）層２６及びアルミニウム（Ａｌ）層２８を含む。ＩＤＴ電極１３のＭｏ層２６は厚さｔ６を有する。いくつかの実施形態において、Ｍｏ層２６の厚さｔ６は、約０．０５Ｌとしてよい。例えば、波長Ｌが４μｍのとき、Ｍｏ層２６の厚さｔ６は２００ｎｍとなり得る。
【００７２】
図３は、一実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）共振器３の断面を示す。図３に示される共振器３は一般に、図１Ａに示される共振器１と同様である。しかしながら、高密度金属ストリップ層１８及び接着層２０を含む共振器１の金属ストリップ１６とは異なり、ＳＡＷ共振器３の金属ストリップは、高密度金属ストリップ層１８のみを含む。図３は、高密度金属ストリップ層１８の剥離を示す。これは、高密度金属ストリップ層１８と温度補償層１４との間の相対的に弱い接着性に起因する。高密度金属ストリップ層１８の剥離は、横モードを引き起こし得る。
【００７３】
図４Ａは、図３のＳＡＷ共振器３のアドミタンスの測定値を示すグラフである。図４Ｂは、図３に示されるＳＡＷ共振器３と同様であるが、剥離された金属ストリップ層１８が存在しない共振器のアドミタンスの測定値を示すグラフである。このグラフは、金属ストリップ層１８が、剥離されていないときは、横モードを抑制し得ることを示すといえる。他方、共振及び反共振の近く及びこれらの間の（例えば領域３０における）横モードが、図４Ａにおいて観測される。これは、図３に示される高密度金属ストリップ層１８の剥離に起因し得る。したがって、そのような剥離は、ＳＡＷ共振器３にとって望ましくない周波数応答を与え得る。
【００７４】
図４Ｃは、図１ＡのＳＡＷ共振器Ａのアドミタンスの測定値を示すグラフである。グラフは、金属ストリップ１６が、金属ストリップ層１８と同じ程度又はそれ以上に横モードを抑制し得ることを示すといえる。したがって、金属ストリップ１６は、温度補償層１４との相対的に強い接着性を有しながら、横モード抑制を与えることができる。
【００７５】
図５は、一実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）共振器４の一部分の断面を示す。図５に示される共振器４は一般に、図１Ａに示される共振器１と同様である。しかしながら、図１Ａに示される共振器１とは異なり、共振器４は、温度補償層１４の上に窒化ケイ素（ＳｉＮ）層３２を含む。ＳｉＮ層３２は、温度補償層１４の上面１４ｂを完全に又は部分的に覆うように配置することができる。いくつかの例において、ＩＤＴ電極は、アクティブ領域の中央部分の上にＳｉＮ層３２を有する指と、ＳｉＮが存在しない境界領域とを含み得る。ＳｉＮ層３２は、ＳＡＷ共振器４の下部領域において速度の振幅を増加させ得る。所定のアプリケーションにおいて、ＳＡＷ共振器４の下部領域の速度の振幅を増加させるべく、ＳｉＮ層３２の代わりに他の適切な材料を実装してよい。
【００７６】
図１Ａ及び２それぞれに示される共振器１及び２と同様に、金属ストリップ１６は、高密度金属ストリップ層及び接着層のような複数の層を含み得る。金属ストリップ１６は、圧電層１０から（又は温度補償層１４の下面１４ａから）距離ｒとなる任意の適切な位置に配置することができる。距離ｒは、温度補償層１４の厚さｔ１に対して選択され得る。例えば、距離ｒは、いくつかの実施形態において、０．２×ｔ１から０．８×ｔ１の範囲にあってよい。ここで、ｔ１は、温度補償層１４の厚さである。ＳｉＮ層３２が温度補償層１４の上に配置されるとき、距離ｒは、０．４×ｔ１から０．６×ｔ１の範囲にあるようにするのが好ましい。
【００７７】
図６は、弾性表面波（ＳＡＷ）共振器における弾性表面波のシミュレーションされた速度を示すグラフである。第１シミュレーション結果３４は、Ｔｉのみを含む金属ストリップ（Ｔｉ金属ストリップ）を含む共振器に対するものであり、第２シミュレーション結果３６は、Ｍｏのみを含む金属ストリップ（Ｍｏ金属ストリップ）を有する共振器に対するものである。図６に示されるように、Ｔｉは、同じ厚さのＭｏよりも与える質量負荷が小さい。例えば、ピストン動作のために特定される質量負荷ΔＶは、約１０５ｍ／ｓとなり得る。約０．０１５Ｌの厚さを有するＭｏ金属ストリップを備えた共振器が、１０５ｍ／ｓの質量負荷ΔＶを得ることができる。しかしながら、同じ厚さにおいて、Ｔｉ金属ストリップを備えた共振器が得るのは、約２５ｍ／ｓの質量負荷である。ピストンモード動作により効率的に横モードを抑制するには、特定される質量負荷ΔＶが、４０ｍ／ｓから１２０ｍ／ｓの範囲に設定されるのが好ましい。特定される質量負荷ΔＶを得るべく、Ｔｉ金属ストリップの厚さは、Ｍｏ金属ストリップよりも厚く（例えば約３．７倍厚く）する必要がある。相対的に厚いＴｉ金属ストリップを作製することは困難となり得る。したがって、質量負荷を目的として金属ストリップにＭｏを使用することが利益となり得る。
【００７８】
ここに開示される質量負荷ストリップは、ＩＤＴ電極のピストンモード構造と一緒に、及び／又は弾性波デバイスの下部領域における音速を調整するべく配列される上部層と一緒に、実装することができる。
【００７９】
図７Ａは、一実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）共振器５の断面を示す。ＳＡＷ共振器５は、圧電層１０と、圧電層１０の上のＩＤＴ電極１２’と、ＩＤＴ電極１２’の上の温度補償層１４と、温度補償層１４に埋め込まれた金属ストリップ１６とを含む。
【００８０】
図７Ｂは、図７ＡのＳＡＷ共振器５の平面図を示す。各指２２’は、バスバー２４に接触する近位端２２ａ’と、近位端２２ａ’に対向する遠位端２２ｂ’とを有する。指２２の本体部分２２ｃ’が、近位端２２ａ’と遠位端２２ｂ’との間に延びる。遠位端２２ｂ’に近い一部分を、エッジ部分と称することができる。ＳＡＷ共振器５は一般に、図１Ａ〜１Ｃに示されるＳＡＷ共振器１と同様であるが、ＳＡＷ共振器５のＩＤＴ電極１２’の指の遠位端２２ｂ’が、ハンマーヘッド形状を有する点が異なる。ハンマーヘッド遠位端２２ｂ’は、境界領域とアクティブ領域の中央部分との間に速度差を与えることができるので、ピストンモード動作が容易となる。
【００８１】
図８Ａは、一実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）共振器６の断面を示す。ＳＡＷ共振器６は、圧電層１０と、圧電層１０の上のＩＤＴ電極１２’’と、ＩＤＴ電極１２’’の上の温度補償層１４と、温度補償層１４に埋め込まれた金属ストリップ１６とを含む。
【００８２】
図８Ｂは、図８ＡのＳＡＷ共振器６の平面図を示す。各指２２’’は、バスバー２４に接触する近位端２２ａ’’と、近位端２２ａ’’に対向する遠位端２２ｂ’’とを有する。指２２’’の本体部分２２ｃ’’が、近位端２２ａ’’と遠位端２２ｂ’’との間に延びる。遠位端２２ｂ’’に近い一部分を、エッジ部分と称することができる。ＳＡＷ共振器６は一般に、図７Ａ及び７Ｂに示されるＳＡＷ共振器５同様であるが、ＳＡＷ共振器６のＩＤＴ電極１２’’の指の本体部分２２ｃ’’が拡幅部分４０を有する点が異なる。拡幅部分４０は、境界領域とアクティブ領域の中央部分との間に速度差を与えることができるので、ピストンモード動作が容易となる。
【００８３】
図９Ａは、一実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）共振器７の断面を示す。ＳＡＷ共振器７は、圧電層１０と、圧電層１０の上のＩＤＴ電極１２’’’と、ＩＤＴ電極１２’’’の上の温度補償層１４と、温度補償層１４に埋め込まれた金属ストリップ１６とを含む。
【００８４】
図９Ｂは、図９ＡのＳＡＷ共振器６の平面図を示す。ＳＡＷ共振器７は一般に、図７Ａ及び７Ｂに示されるＳＡＷ共振器５と同様であるが、ＳＡＷ共振器７のＩＤＴ電極１２’’’のバスバー２４’が、延長部分４２を含む点が異なる。延長部分４２は、境界領域とアクティブ領域の中央部分との間に速度差を与えることができるので、ピストンモード動作が容易となる。
【００８５】
図１０Ａは、一実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）共振器８の断面を示す。ＳＡＷ共振器８は、圧電層１０と、圧電層１０の上のＩＤＴ電極１２’’’’と、ＩＤＴ電極１２’’’’の上の温度補償層１４と、温度補償層１４に埋め込まれた金属ストリップ１６とを含む。
【００８６】
図１０Ｂは、図１０ＡのＳＡＷ共振器６の平面図を示す。ＳＡＷ共振器８は一般に、図９Ａ及び９Ｂに示されるＳＡＷ共振器７と同様であるが、ＳＡＷ共振器８のＩＤＴ電極１２’’’’が拡幅部分４４を含む点が異なる。拡幅部分４４は、境界領域とアクティブ領域の中央部分との間に速度差を与えることができるので、ピストンモード動作が容易となる。
【００８７】
図１１Ａは、一実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）共振器９の断面を示す。ＳＡＷ共振器９は、圧電層１０と、圧電層１０の上のＩＤＴ電極１２’と、ＩＤＴ電極１２’の上の温度補償層１４と、温度補償層１４に埋め込まれた金属ストリップ１６と、温度補償層１４の上のパッシベーション層４６とを含む。
【００８８】
図１１Ｂは、図１１ＡのＳＡＷ共振器９の平面図を示す。ＳＡＷ共振器９は一般に、図１Ａ〜１Ｃに示されるＳＡＷ共振器１と同様であるが、ＳＡＷ共振器９がパッシベーション層４６を含む点が異なる。
【００８９】
図示のパッシベーション層４６は、図示の断面において、温度補償層１４の上面を完全に覆うように配置される。しかしながら、パッシベーション層４６は、いくつかの他例において、一以上のトレンチを有する温度補償層１４の上面を部分的に覆うように配置することもできる。いくつかの実施形態において、パッシベーション層４６は、分散調整層としてよい。分散調整層は、ＳＡＷ共振器９の下部領域における速度の振幅を増加させることができる。所定のアプリケーションにおいて、パッシベーション層４６は、ＳＡＷ共振器９の下部領域の速度の振幅を増加させる任意の適切な材料を含み得る。いくつかのアプリケーションによれば、パッシベーション層４６は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）を含み得る。いくつかの実施形態において、パッシベーション層４６は、ＳＡＷ共振器９の所定の領域において音響伝播速度が調整されるようにパターニングされてよい。例えば、パッシベーション層４６は、トレンチを有してよい。トレンチは、所定の実施形態において、境界領域での音速を低減して横モード抑制を与えるように、導電性ストリップの上に配置することができる。
【００９０】
図１２Ａは、一実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）共振器１１の断面を示す。ＳＡＷ共振器１１は、圧電層１０と、圧電層１０の上のＩＤＴ電極１２と、ＩＤＴ電極１２の上の温度補償層１４と、温度補償層１４上に配置された金属ストリップ１６とを含む。
【００９１】
図１２Ｂは、図１２ＡのＳＡＷ共振器１１の平面図を示す。ＳＡＷ共振器１１は一般に、図１Ａ〜１Ｃに示されるＳＡＷ共振器１と同様であるが、ＳＡＷ共振器９の金属ストリップ１６が温度補償層１４上に配置されている点が異なる。いくつかの製造プロセスにおいて、温度補償層の頂部に金属ストリップ１６を有するＳＡＷ共振器を製造する方が、温度補償層に埋め込まれた金属ストリップを有するものを製造するよりも容易となる。
【００９２】
図１３Ａは、一実施形態に係るラム波デバイス１５の断面を示す。ラム波デバイス１５は、ラム波共振器としてよい。ラム波デバイス１５は、圧電層１０と、圧電層１０の上のＩＤＴ電極１２と、ＩＤＴ電極１２の上の温度補償層１４と、温度補償層１４に埋め込まれた金属ストリップ１６とを含む。図示の金属ストリップ１６は、高密度金属ストリップ層１８及び接着層２０を含む。したがって、金属ストリップ１６は多層導電性ストリップである。多層金属ストリップは、いくつかの他実施形態において３つ以上の層を含んでよい。多層金属ストリップ１６は、質量負荷機能を果たす。したがって、多層金属ストリップ１６は、多層質量負荷ストリップの一例である。ラム波デバイス１５はまた、基板２５と、圧電層１０と基板２５との間に形成されたエアキャビティ２７とを含む。基板２５は、任意の適切な材料を含み得る。基板２５は、シリコン基板のような半導体基板としてよい。
【００９３】
図１３Ｂは、他実施形態に係るラム波デバイス１７の断面を示す。ラム波デバイス１７は、ラム波共振器としてよい。ラム波デバイス１７は、図１３Ａのラム波デバイス１５と同様であるが、ラム波デバイス１７が、基板２５及びキャビティ２７の代わりにソリッド音響ミラー２９及び基板３１を含む点が異なる。ソリッド音響ミラー２９は、ブラッグ反射器を含んでよい。例えば、ソリッド音響ミラー２９は、低インピーダンス層２９と高インピーダンス層２９ｂとの交互層を含んでよい。一例として、低インピーダンス層を二酸化ケイ素層としてよく、高インピーダンス層をタングステン層としてよい。基板３１は、任意の適切な材料を含み得る。例えば、基板３１は、シリコン基板のような半導体基板としてよい。
【００９４】
ここで、一実施形態に係る弾性波共振器を製造する方法を説明する。方法は、インターディジタルトランスデューサ電極の上の温度補償層を、弾性波共振器に設けることを含み得る。インターディジタルトランスデューサ電極は、バスバーから延びる指を含む。各指は、エッジ部分と本体部分とを含む。方法はまた、インターディジタルトランスデューサ電極の指のエッジ部分と重なる質量負荷ストリップの第１層を形成することも含み得る。温度補償層の材料は、質量負荷ストリップの第１層とインターディジタルトランスデューサ電極との間に配置される。方法はまた、質量負荷ストリップの第１層の上に質量負荷ストリップの第２層を堆積することも含む。質量負荷ストリップの第１層は、当該質量負荷ストリップの第２層よりも接着性が高い。質量負荷ストリップの第２層は、当該質量負荷ストリップの第１層よりも高質量である。
【００９５】
ここで、一実施形態に係る無線周波数信号をフィルタリングする方法が記載される。方法は、弾性波共振器を含む弾性波フィルタの入力ポートにおいて、無線周波数信号を受信することを含み得る。弾性波共振器は、インターディジタルトランスデューサ電極の指のエッジ部分と重なる多層質量負荷ストリップを含む。方法はまた、弾性波フィルタによって無線周波数信号をフィルタリングすることも含む。フィルタリングすることは、弾性波共振器の多層質量負荷ストリップを使用して横モードを抑制することを含む。フィルタリングすることは、例えば、図１４Ａの送信フィルタ４５、又は図１４Ｂの受信フィルタ５０によって行われ得る。
【００９６】
ここに開示される特徴の任意の適切な組み合わせを含む弾性波共振器は、周波数レンジ１（ＦＲ１）内の第５世代（５Ｇ）ニューラジオ（ＮＲ）動作帯域にある無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタに含まれ得る。５Ｇ  ＮＲ動作帯域における無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタは、ここに開示される一つ以上のＳＡＷデバイスを含み得る。ＦＲ１は、現行の５Ｇ  ＮＲ仕様によれば、例えば４１０ＭＨｚから７．１２５ＧＨｚとすることができる。ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う一以上のＳＡＷ共振器は、４ＧＬＴＥ動作帯域の無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタに、並びに／又は４Ｇ  ＬＴＥ動作帯域及び５Ｇ  ＮＲ動作帯域を含む通過帯域を有するフィルタに含めることができる。
【００９７】
図１４Ａは、一実施形態に係る弾性表面波コンポーネントの弾性表面波共振器を含む例示の送信フィルタ４５の模式的な図である。送信フィルタ４５は帯域通過フィルタとしてよい。図示の送信フィルタ４５は、送信ポートＴＸにおいて受信した無線周波数信号をフィルタリングし、フィルタリングされた出力信号をアンテナポートＡＮＴに与えるべく配列される。送信フィルタ４５は、直列ＳＡＷ共振器ＴＳ１、ＴＳ２、ＴＳ３、ＴＳ４、ＴＳ５、ＴＳ６及びＴＳ７、シャントＳＡＷ共振器ＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ３、ＴＰ４及びＴＰ５、直列入力インダクタＬ１、並びにシャントインダクタＬ２を含む。ＳＡＷ共振器ＴＳ１〜ＴＳ７及び／又はＴＰ１〜ＴＰ５の一部又はすべてを、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係る横モード抑制のための多層質量負荷ストリップを有するＳＡＷ共振器とすることができる。例えば、送信フィルタ４５の複数のＳＡＷ共振器の一以上を、図１Ａ〜１Ｃの弾性表面波共振器１としてよい。代替的又は付加的に、送信フィルタ４５のＳＡＷ共振器の一以上を、図２の弾性表面波共振器２、及び／又は図５の弾性表面波共振器４としてよい。任意の適切な数の直列ＳＡＷ共振器及びシャントＳＡＷ共振器が、送信フィルタ４５に含まれてよい。
【００９８】
図１４Ｂは、一実施形態に係る弾性表面波コンポーネントの複数の弾性表面波共振器を含む受信フィルタ５０の模式的な図である。受信フィルタ５０は帯域通過フィルタとしてよい。図示の受信フィルタ５０は、アンテナポートＡＮＴにおいて受信した無線周波数信号をフィルタリングし、フィルタリングされた出力信号を受信ポートＲＸに与えるべく配列される。受信フィルタ５０は、直列ＳＡＷ共振器ＲＳ１、ＲＳ２、ＲＳ３、ＲＳ４、ＲＳ５、ＲＳ６、ＲＳ７及びＲＳ７、シャントＳＡＷ共振器ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４及びＲＰ５、及びＲＰ６、シャントインダクタＬ２、並びに直列出力インダクタＬ３を含む。ＳＡＷ共振器ＲＳ１〜ＲＳ８及び／又はＲＰ１〜ＲＰ６の一部又はすべてを、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係る横モード抑制のための多層質量負荷ストリップを有するＳＡＷ共振器とすることができる。例えば、受信フィルタ５０の複数のＳＡＷ共振器の一以上を、図１Ａ〜１Ｃの弾性表面波共振器１としてよい。代替的又は付加的に、受信フィルタ５０のＳＡＷ共振器の一以上を、図２の弾性表面波共振器２、及び／又は図５の弾性表面波共振器４としてよい。任意の適切な数の直列ＳＡＷ共振器及びシャントＳＡＷ共振器が、受信フィルタ５０に含まれてよい。
【００９９】
図１５は、一実施形態に係る弾性表面波コンポーネント７６を含む無線周波数モジュール７５の模式的な図である。図示の無線周波数モジュール７５は、ＳＡＷコンポーネント７６及び他の回路７７を含む。ＳＡＷコンポーネント７６は、ここに開示されるＳＡＷデバイスの特徴の任意の適切な組み合わせを有する一以上のＳＡＷデバイスを含み得る。かかるＳＡＷデバイスは、一以上のＳＡＷ共振器、一以上のＳＡＷ遅延線、一以上のマルチモードＳＡＷフィルタ、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。ＳＡＷコンポーネント７６は、複数のＳＡＷ共振器を含むＳＡＷダイを含み得る。
【０１００】
図１５に示されるＳＡＷコンポーネント７６は、フィルタ７８と、端子７９Ａ及び７９Ｂとを含む。フィルタ７８は、複数のＳＡＷ共振器を含む。ＳＡＷ共振器の一以上を、図１Ａ〜１Ｃの弾性表面波共振器、図２の弾性表面波共振器２、及び／又は図５の弾性表面波共振器４の任意の適切な原理及び利点に従って実装することができる。フィルタ７８は、所定のアプリケーションにおいて、約３．５ＧＨｚを下回る周波数を有する無線周波数信号をフィルタリングするべく帯域通過フィルタとして配列されるＴＣ−ＳＡＷフィルタとしてよい。端子７９Ａ及び７８Ｂは、例えば、入力接点及び出力接点として機能し得る。ＳＡＷコンポーネント７６及び他の回路７７は、図１５において共通パッケージ基板８０上に存在する。パッケージ基板８０は積層基板としてよい。端子７９Ａ及び７９Ｂは、電気コネクタ８２Ａ及び８２Ｂそれぞれを経由してパッケージ基板８０上の接点８１Ａ及び８１Ｂそれぞれに電気的に接続され得る。電気コネクタ８２Ａ及び８２Ｂは、例えばバンプ又はワイヤボンドとしてよい。他の回路７７は、任意の適切な付加回路を含み得る。例えば、他の回路は、一以上の電力増幅器、一以上の無線周波数スイッチ、一以上の付加フィルタ、一以上の低雑音増幅器等、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。無線周波数モジュール７５は、例えば、無線周波数モジュール７５を保護し及び／又はその容易な扱いを促すべく、一以上のパッケージ構造物を含み得る。かかるパッケージ構造物は、パッケージ基板７５を覆うように形成されたオーバーモールド構造物を含み得る。オーバーモールド構造物は、無線周波数モジュール７５のコンポーネントの一部又はすべてを封入することができる。
【０１０１】
図１６は、一実施形態に係る弾性表面波コンポーネントを含む無線周波数モジュール８４の模式的な図である。図示のように、無線周波数モジュール８４は、それぞれの送信フィルタ８６Ａ１〜８６Ｎ１とそれぞれの受信フィルタ８６Ａ２〜８６Ｎ２とを含むデュプレクサ８５Ａ〜８５Ｎ、電力増幅器８７、選択スイッチ８８、及びアンテナスイッチ８９を含む。無線周波数モジュール８４は、図示の素子を封入するパッケージを含み得る。図示の素子は、共通パッケージ基板８０上に配置することができる。パッケージ基板は、例えば、積層基板としてよい。
【０１０２】
デュプレクサ８５Ａ〜８５Ｎはそれぞれが、共通ノードに結合された２つの弾性波フィルタを含み得る。２つの弾性波フィルタは、送信フィルタ及び受信フィルタとしてよい。図示のように、送信フィルタ及び受信フィルタはそれぞれが、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタを含み得る。送信フィルタ８６Ａ１〜８６Ｎ１の一つ以上が、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う一つ以上のＳＡＷ共振器を含み得る。同様に、受信フィルタ８６Ａ２〜８６Ｎ２の一つ以上が、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う一つ以上のＳＡＷ共振器を含み得る。図１６がデュプレクサを例示するにもかかわらず、ここに開示の任意の適切な原理及び利点は、他のマルチプレクサ（例えばクアッドプレクサ、ヘキサプレクサ、オクタプレクサ等）に、及び／又はスイッチプレクサに実装することができる。
【０１０３】
電力増幅器８７は、無線周波数信号を増幅することができる。図示のスイッチ８８は多投無線周波数スイッチである。スイッチ８８は、電力増幅器８７の出力を、送信フィルタ８６Ａ１〜８６Ｎ１の選択された送信フィルタに電気的に結合することができる。いくつかの例において、スイッチ８８は、電力増幅器８７の出力を、送信フィルタ８６Ａ１〜８６Ｎ１の一を超えるものに電気的に接続することができる。アンテナスイッチ８９は、デュプレクサ８５Ａ〜８５Ｎの一つ以上からの信号をアンテナポートＡＮＴに選択的に結合することができる。デュプレクサ８５Ａ〜８５Ｎは、異なる周波数帯域及び／又は異なる動作モード（例えば異なる電力モード、異なる信号モード等）に関連付けることができる。
【０１０４】
図１７Ａは、一実施形態に係る無線周波数フロントエンド９２においてフィルタ９３を含む無線通信デバイス９０の模式的な図である。フィルタ９３は、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従う一つ以上のＳＡＷ共振器を含み得る。無線通信デバイス９０は、任意の適切な無線通信デバイスでよい。例えば、無線通信デバイス９０は、スマートフォンのような携帯電話機としてよい。例示のように、無線通信デバイス９０は、アンテナ９１、ＲＦフロントエンド９２、送受信器９４、プロセッサ９５、メモリ９７及びユーザインタフェイス９７を含む。アンテナ９１は、ＲＦフロントエンド９２により与えられたＲＦ信号を送信することができる。そのようなＲＦ信号は、キャリアアグリゲーション信号を含み得る。図示されないにもかかわらず、無線通信デバイス９０は、所定のアプリケーションにおいてマイクロホン及びスピーカを含み得る。
【０１０５】
ＲＦフロントエンド９２は、一つ以上の電力増幅器、一つ以上の低雑音増幅器、一つ以上のＲＦスイッチ、一つ以上の受信フィルタ、一つ以上の送信フィルタ、一つ以上のデュプレクスフィルタ、一つ以上のマルチプレクサ、一つ以上の周波数マルチプレクシング回路等、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。ＲＦフロントエンド９２は、任意の適切な通信規格に関連付けられたＲＦ信号を送信及び受信することができる。フィルタ９３は、上述した任意の実施形態を参照して説明された特徴の任意の適切な組み合わせを含むＳＡＷコンポーネントのＳＡＷ共振器を含み得る。
【０１０６】
ＲＦ送受信器９４は、増幅及び／又は他の処理を目的としてＲＦ信号をＲＦフロントエンド９２に与えることができる。送受信器９４はまた、ＲＦフロントエンド９２の低雑音増幅器が与えるＲＦ信号を処理することもできる。送受信器９４はプロセッサ９５と通信する。プロセッサ９５は、ベース帯域プロセッサとしてよい。プロセッサ９５は、無線通信デバイス９０のための、任意の適切なベース帯域処理機能を与えることができる。メモリ９６には、プロセッサ９５がアクセス可能である。メモリ９６は、無線通信デバイス９０のための任意の適切なデータを記憶することができる。ユーザインタフェイス９７は、タッチスクリーン能力を有するディスプレイのような、任意の適切なユーザインタフェイスとしてよい。
【０１０７】
図１７Ｂは、無線周波数フロントエンド９２に複数のフィルタ９３を含み、ダイバーシティ受信モジュール１０２に第２フィルタ１０３を含む無線通信デバイス１００の模式的な図である。無線通信デバイス１００は図１７Ａの無線通信デバイス９０と同様であるが、無線通信デバイス１００がさらにダイバーシティ受信機能を含む点が異なる。図１７Ｂに示されるように、無線通信デバイス１００は、ダイバーシティアンテナ１０１と、ダイバーシティアンテナ１０１が受信した信号を処理するべく構成されてフィルタ１０３を含むダイバーシティモジュール１０２と、無線周波数フロントエンド９２及びダイバーシティ受信モジュール１０２双方と通信する送受信器１０４とを含む。フィルタ１０３は、上述したいずれかの実施形態を参照して説明される特徴の任意の適切な組み合わせを含む一つ以上のＳＡＷ共振器を含み得る。
【０１０８】
ここに開示される実施形態が弾性表面波共振器に関するにもかかわらず、ここに開示される任意の適切な原理及び利点は、ラム波共振器及び／又は境界波共振器のような他のタイプの弾性波共振器に適用してよい。例えば、ここに開示される多層質量負荷ストリップの特徴の任意の適切な組み合わせを、ラム波共振器及び／又は境界波共振器に適用することができる。
【０１０９】
上述された実施形態のいずれもが、セルラーハンドセットのような携帯デバイスに関連して実装することができる。実施形態の原理及び利点は、ここに説明される実施形態のいずれかから有益となり得る任意のアップリンク無線通信デバイスのような、任意のシステム又は装置によって使用することができる。ここでの教示は、様々なシステムに適用可能である。本開示がいくつかの実施形態例を含むにもかかわらず、ここに説明される教示は、様々な構造に適用することができる。ここに説明される原理及び利点はいずれも、約３０ｋＨｚから３００ＧＨｚの周波数範囲、例えば約４５０ＭＨｚから８．５ＧＨｚの周波数範囲、にある信号を処理するべく構成されたＲＦ回路に関連して実装することができる。
【０１１０】
本開示の複数の側面は、様々な電子デバイスに実装することができる。電子デバイスの例は、消費者用電子製品、パッケージ状無線周波数モジュールのような消費者用電子製品の部品、アップリンク無線通信デバイス、無線通信インフラストラクチャ、電子試験機器等を含むがこれらに限られない。電子デバイスの例は、スマートフォンのような携帯電話機、スマートウォッチ又はイヤーピースのような装着可能コンピューティングデバイス、電話機、テレビ、コンピュータモニタ、コンピュータ、モデム、ハンドヘルドコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、電子レンジ、冷蔵庫、自動車用電子システムのような車載電子システム、ステレオシステム、デジタル音楽プレーヤー、ラジオ、デジタルカメラのようなカメラ、携帯メモリーチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯／乾燥機、コピー機、ファクシミリ機、スキャナ、多機能周辺デバイス、腕時計、置き時計等を含むがこれらに限られない。さらに、電子デバイスは未完成の製品も含んでよい。
【０１１１】
本明細書及び特許請求の範囲全体にわたり、文脈上そうでないことが明らかでない限り、「含む」、「備える」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包括的意味に、すなわち「〜を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。ここで一般に使用される単語「結合」は、直接接続されるか又は一つ以上の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る２つ以上の要素を言及する。同様に、ここで一般に使用される単語「接続」は、直接接続されるか又は一つ以上の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る２つ以上の要素を言及する。加えて、単語「ここ」、「上」、「下」及び同様の趣旨の単語は、本アプリケーションにおいて使用される場合、本アプリケーション全体を言及し、本アプリケーションの任意の固有部分を言及するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数を使用する上述の詳細な説明における用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。２つ以上の項目のリストを言及する単語「又は」及び「若しくは」は、当該単語の以下の解釈のすべてをカバーする。すなわち、当該リストの任意の項目、当該リストのすべての項目、及び当該リストの項目の任意の組み合わせである。
【０１１２】
さらに、とりわけ「できる」、「し得る」、「してよい」、「かもしれない」、「例えば」、「のような」等のようなここに記載の条件付き言語は一般に、特にそうでないことが述べられ、又は使用の文脈上そうでないことが理解される場合を除き、所定の実施形態が所定の特徴、要素及び／又は状態を含む一方で他の実施形態がこれらを含まないことを伝えるように意図される。すなわち、かかる条件的言語は、特徴、要素及び／若しくは状態が一以上の実施形態にとって必要な任意の態様にあること、又は一以上の実施形態が必ず、筆者のインプット若しくは促しありで若しくはなしで、これらの特徴、要素及び／若しくは状態が任意の固有実施形態に含まれ若しくは当該実施形態で行われるか否かを決定するロジックを含むこと、を示唆することを一般には意図しない。
【０１１３】
所定の実施形態が記載されてきたが、これらの実施形態は、例により提示されたにすぎないので、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際のところ、ここに記載される新規な方法、装置及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができる。さらに、ここに記載される方法及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更が、本開示の要旨から逸脱することなくなし得る。例えば、複数のブロックが所与の配列で提示されるが、代替実施形態は、異なる部品及び／又は回路トポロジで同様の機能を果たすことができ、いくつかのブロックは削除、移動、追加、細分化、結合、及び／又は修正することができる。これらのブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装することができる。上述した様々な実施形態の要素及び工程の任意の適切な組み合わせを、さらなる実施形態を与えるように組み合わせることができる。添付の特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び要旨に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。
【図１Ａ−１Ｂ】
2020109957.tif 000003
【図１Ｃ】
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【図１Ｄ−１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図１Ｈ−１Ｉ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ−７Ｂ】
2020109957.tif 000016
【図８Ａ−８Ｂ】
2020109957.tif 000017
【図９Ａ−９Ｂ】
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【図１０Ａ−１０Ｂ】
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【図１１Ａ−１１Ｂ】
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【図１２Ａ−１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【外国語明細書】
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