(57)【要約】【課題】プラズマ生成物を生成する領域の圧力と、処理物を処理する領域の圧力とを異なるものとすることができるプラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係るプラズマ処理装置は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、前記チャンバの内部を所定の圧力まで減圧可能な排気部と、前記チャンバの内部に設けられ、処理物を載置可能な載置部と、内部にプラズマ生成物を生成する領域を有し、前記チャンバから離隔された位置に設けられた放電管と、前記プラズマ生成物を生成する領域にプラズマを発生させることが可能なプラズマ発生部と、前記放電管と、前記チャンバと、を接続する輸送管と、前記輸送管に設けられ、コンダクタンスにより、前記放電管の内部の圧力が、前記チャンバの内部の圧力と異なるようにすることが可能な圧力制御部と、を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、
前記チャンバの内部を所定の圧力まで減圧可能な排気部と、
前記チャンバの内部に設けられ、処理物を載置可能な載置部と、
内部にプラズマ生成物を生成する領域を有し、前記チャンバから離隔された位置に設けられた放電管と、
前記プラズマ生成物を生成する領域にプラズマを発生させることが可能なプラズマ発生部と、
前記放電管と、前記チャンバと、を接続する輸送管と、
前記輸送管に設けられ、コンダクタンスにより、前記放電管の内部の圧力が、前記チャンバの内部の圧力と異なるようにすることが可能な圧力制御部と、
を備えたプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記圧力制御部は、前記放電管の内部の圧力が、前記チャンバの内部の圧力よりも高くする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記圧力制御部が有するコンダクタンスは、一定である請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記圧力制御部が有するコンダクタンスは、可変である請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記圧力制御部が有するコンダクタンスは、前記放電管の内部の圧力に応じて変更可能である請求項４記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記放電管の内部の圧力を測定する圧力測定部をさらに備え、
前記圧力制御部が有するコンダクタンスは、前記圧力測定部による測定値に基づいて変更可能である請求項４または５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
処理物を処理する領域の圧力、および、前記処理物を処理する領域に接続されたプラズマ生成物を生成する領域の圧力、を所定の圧力まで減圧する工程と、
前記処理物を処理する領域と、前記プラズマ生成物を生成する領域と、の接続部分に設けられたコンダクタンスにより、前記プラズマ生成物を生成する領域の圧力が、前記処理物を処理する領域の圧力と異なるようにする工程と、
生成された前記プラズマ生成物を、前記処理物を処理する領域と、前記プラズマ生成物を生成する領域との接続部分を介して、前記処理物を処理する領域に供給する工程と、
を備えたプラズマ処理方法。
【請求項８】
前記プラズマ生成物を生成する領域の圧力が、前記処理物を処理する領域の圧力と異なるようにする工程において、前記プラズマ生成物を生成する領域の圧力を、前記処理物を処理する領域の圧力よりも高くする請求項７記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマを利用したドライプロセスは、半導体装置の製造、金属部品の表面硬化、プラスチック部品の表面活性化、無薬剤殺菌など、幅広い技術分野において活用されている。例えば、半導体装置などの製造に際しては、エッチング処理などのプラズマ処理が行われている。プラズマを利用したドライプロセスは、低コストで処理時間が短い。また、薬剤を用いないために、環境汚染を低減できる点でも有利である。
【０００３】
このようなプラズマ処理においては、発生させたプラズマによりプロセスガスを励起、活性化させてラジカル、イオン、電子などのプラズマ生成物を生成する。そして、プラズマ生成物を処理物の表面に供給することでプラズマ処理（例えば、エッチング処理など）を行っている。
【０００４】
イオンや電子を処理物の表面に供給すれば、物理的な処理を行うことができる。ところが、イオンや電子を処理物の表面に供給すれば、処理物にダメージが発生するおそれがある。そのため、イオンや電子を減衰させ、主に、ラジカルを用いた化学的な処理を行うことができるプラズマ処理装置が実用化されている。  
例えば、プラズマによりプラズマ生成物を生成する領域と、プラズマ生成物を用いて処理物を処理する領域とを分離し、これらの領域を輸送管で連結したプラズマ処理装置が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。  
この様なプラズマ処理装置においては、イオンや電子は輸送管の内部で減衰するので、主に、ラジカルが処理物の表面に到達することになる。そのため、イオンや電子を用いた物理的な処理に比べてダメージの発生が少ない化学的な処理を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−４６３７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、プラズマ生成物を生成する領域の圧力と、処理物を処理する領域の圧力とを異なるものとすることができるプラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係るプラズマ処理装置は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、前記チャンバの内部を所定の圧力まで減圧可能な排気部と、前記チャンバの内部に設けられ、処理物を載置可能な載置部と、内部にプラズマ生成物を生成する領域を有し、前記チャンバから離隔された位置に設けられた放電管と、前記プラズマ生成物を生成する領域にプラズマを発生させることが可能なプラズマ発生部と、前記放電管と、前記チャンバと、を接続する輸送管と、前記輸送管に設けられ、コンダクタンスにより、前記放電管の内部の圧力が、前記チャンバの内部の圧力と異なるようにすることが可能な圧力制御部と、を備えている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、プラズマ生成物を生成する領域の圧力と、処理物を処理する領域の圧力とを異なるものとすることができるプラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式断面図である。
【図２】本実施の形態に係るプラズマ処理方法を例示するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。
【００１１】
（プラズマ処理装置）  
図１は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１を例示するための模式断面図である。  図１に例示をするプラズマ処理装置１は、一般に、「ＣＤＥ（Chemical Dry Etching；ケミカルドライエッチング）装置」と呼ばれるマイクロ波励起型のプラズマ処理装置である。すなわち、プラズマ処理装置１は、プラズマ生成物を生成する領域と、処理物を処理する領域とが離隔されたリモートプラズマ処理装置である。
【００１２】
図１に示すように、プラズマ処理装置１には、生成部１０、処理部２０、輸送管３０、排気部４０、圧力制御部５０、およびコントローラ６０を設けることができる。  
生成部１０は、プラズマを発生させ、発生させたプラズマによりプロセスガスＧを励起、活性化させてラジカル、イオン、電子などのプラズマ生成物を生成する。  
生成部１０には、マイクロ波発生部１１、放電管１２、導入導波管１３、およびガス供給部１４を設けることができる。
【００１３】
マイクロ波発生部１１は、導入導波管１３の、放電管１２側とは反対側の端部に設けることができる。マイクロ波発生部１１は、所定の周波数（例えば２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波Ｍを発生させ、導入導波管１３の内部に放射することができる。
【００１４】
放電管１２は、管状を呈し、内部にプラズマＰを発生させる領域（プラズマ生成物を生成する領域）を有することができる。放電管１２は、後述のチャンバ２１から離隔された位置に設けることができる。放電管１２は、マイクロ波Ｍに対する透過率が高く、プラズマ生成物によりエッチングされにくい材料から形成することができる。例えば、放電管１２は、酸化アルミニウムや石英などの誘電体から形成することができる。
【００１５】
導入導波管１３は、管状を呈し、マイクロ波発生部１１から放射されたマイクロ波Ｍを伝播させて、放電管１２の内部のプラズマＰを発生させる領域にマイクロ波Ｍを導入する。
導入導波管１３の、放電管１２との接続部分には、遮蔽部１３ａを設けることができる。遮蔽部１３ａは、管状を呈し、放電管１２の外周面を覆うように設けることができる。遮蔽部１３ａは、放電管１２が延びる方向とほぼ直交する方向に延びるものとすることができる。遮蔽部１３ａは、放電管１２とほぼ同軸となるように設けることができる。遮蔽部１３ａの内周面と放電管１２の外周面との間には所定の隙間を設けることができる。なお、この隙間は、マイクロ波Ｍが漏洩しない程度の寸法とされている。そのため、遮蔽部１３ａによりマイクロ波Ｍが漏洩することを抑制することができる。
【００１６】
導入導波管１３の、マイクロ波発生部１１側とは反対側の端部には、整合器１３ｂを設けることができる。導入導波管１３の、遮蔽部１３ａとマイクロ波発生部１１との間には、スタブチューナ１３ｃを設けることができる。
【００１７】
遮蔽部１３ａには、環状のスロット１３ａ１を設けることができる。導入導波管１３の内部を伝播したマイクロ波Ｍは、スロット１３ａ１を介して、放電管１２の内部に導入される。導入されたマイクロ波Ｍにより、放電管１２の内部にプラズマＰが発生する。この場合、放電管１２の内部の、スロット１３ａ１に対向する位置がプラズマＰを発生させる領域のほぼ中心となる。
本実施の形態に係るプラズマ処理装置１においては、マイクロ波発生部１１および導入導波管１３が、プラズマ生成物を生成する領域にプラズマＰを発生させることができるプラズマ発生部となる。
【００１８】
ガス供給部１４は、放電管１２の内部の、プラズマＰを発生させる領域にプロセスガスＧを供給することができる。  
ガス供給部１４には、収納部１４ａ、および流量制御部１４ｂを設けることができる。  収納部１４ａは、プロセスガスＧを収納することができる。また、収納部１４ａは、プロセスガスＧを放電管１２の内部に供給することができる。収納部１４ａは、例えば、プロセスガスＧを収納したボンベ、工場配管などとすることができる。なお、プロセスガスＧには特に限定がなく、処理の内容や、処理物Ｗの処理部分の材料などに応じて適宜選択することができる。
【００１９】
流量制御部１４ｂは、収納部１４ａと放電管１２との間に設けることができる。流量制御部１４ｂは、放電管１２の内部に供給するプロセスガスＧの流量（供給量）を制御することができる。流量制御部１４ｂは、例えば、ＭＦＣ（Mass Flow Controller）などとすることができる。
【００２０】
処理部２０には、チャンバ２１、載置部２２、および整流板２３を設けることができる。
チャンバ２１は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有することができる。チャンバ２１は、例えば、円筒状を呈するものとすることができる。チャンバ２１の上端部には、天板２１ａを一体に設けることができる。チャンバ２１の下端部には、底板２１ｂを一体に設ることができる。
【００２１】
チャンバ２１の側壁には、処理物Ｗを搬入搬出するための図示しない搬入搬出口を設けることができる。搬入搬出口は、例えば、図示しないゲートバルブにより開閉可能とすることができる。チャンバ２１は、例えば、アルミニウム合金などから形成することができる。
【００２２】
載置部２２は、チャンバ２１の内部であって、チャンバ２１の底板２１ｂの上に設けることができる。載置部２２は、整流板２３と底板２１ｂとの間に設けることができる。載置部２２の上面には、処理物Ｗを載置することができる。  
載置部２２には、図示しない静電チャックを設けることができる。静電チャックが設けられていれば、載置された処理物Ｗを保持することができる。処理物Ｗは、例えば、板状を呈するものとすることができる。処理物Ｗは、例えば、半導体ウェーハやガラス基板などとすることができる。ただし、処理物Ｗは、例示をしたものに限定されるわけではない。
【００２３】
また、載置部２２には、加熱部２２ａを設けることができる。加熱部２２ａは、載置部２２の上面に載置された処理物Ｗを加熱することができる。加熱部２２ａは、例えば、ジュール熱を用いるものとすることもできるし、加熱された熱媒体を循環させるものとすることもできる。
【００２４】
整流板２３は、チャンバ２１の内部であって、載置部２２の上方に設けることができる。整流板２３は、載置部２２の上面と対向させることができる。整流板２３は、輸送管３０とチャンバ２１の側壁との接続部分よりは下方に設けることができる。整流板２３は、輸送管３０から導入されたラジカルを含んだガスの流れを整流する。ラジカルを含んだガスの流れを整流すれば、処理物Ｗの表面におけるラジカルの量の分布を均一化することができる。
【００２５】
整流板２３は、板状を呈し、厚み方向を貫通する複数の孔２３ａを有することができる。整流板２３は、チャンバ２１の内壁に固定することができる。整流板２３と載置部２２の上面（載置面）との間の領域が、処理物Ｗに対する処理が行われる処理空間２４となる。整流板２３の表面は、ラジカルと反応しにくい材料（例えば、四弗化樹脂（ＰＴＦＥ）または酸化アルミニウムなどのセラミックスなど）で覆うことができる。
【００２６】
輸送管３０は、管状を呈したものとすることができる。輸送管３０の一方の端部は、放電管１２の、ガス供給部１４側とは反対側の端部に接続することができる。輸送管３０の他方の端部は、チャンバ２１の側壁に接続することができる。すなわち、輸送管３０は、放電管１２とチャンバ２１とを接続することができる。輸送管３０は、ラジカルと反応し難い材料、例えば、石英、ステンレス鋼、セラミックス、四弗化樹脂などから形成することができる。
【００２７】
排気部４０は、チャンバ２１の内部を所定の圧力まで減圧することができる。
排気部４０には、排気ポンプ４１、圧力制御部４２、および圧力測定部４３を設けることができる。  
排気ポンプ４１は、チャンバ２１の内部のガスを排気することができる。排気ポンプ４１は、例えば、ドライポンプなどとすることができる。また、より低い圧力において処理を行う場合には、排気ポンプ４１は、例えば、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ：turbomolecular pump）などとすることもできる。
【００２８】
圧力制御部４２は、チャンバ２１と排気ポンプ４１との間に設けることができる。圧力制御部４２は、チャンバ２１の底板２１ｂに接続することができる。圧力制御部４２は、チャンバ２１の内部の圧力が所定の圧力となるように制御することができる。圧力制御部４２は、例えば、自動圧力コントローラ（ＡＰＣ：Automatic Pressure Controller）などとすることができる。  
圧力測定部４３は、処理物Ｗを処理する領域の圧力（チャンバ２１の内部の圧力）を測定し、測定された圧力を電気信号に変換することができる。圧力測定部４３は、例えば、真空計などとすることができる。
【００２９】
圧力制御部５０は、輸送管３０に設けることができる。圧力制御部５０は、コンダクタンスにより、プラズマ生成物を生成する領域の圧力（放電管１２の内部の圧力）が、処理物Ｗを処理する領域の圧力（チャンバ２１の内部の圧力）と異なるようにすることができる。例えば、圧力制御部５０は、放電管１２の内部の圧力が、チャンバ２１の内部の圧力よりも高くなるようにすることができる。
【００３０】
放電管１２の内部で生成されたラジカルは残余のプロセスガスＧと共に、輸送管３０を介して、チャンバ２１の内部に供給される。圧力制御部５０は輸送管３０に設けられているため、ラジカルを含むガスが圧力制御部５０の内部を通過する。そのため、圧力制御部５０の内部のラジカルを含むガスと接触する部分は、ラジカルによる損傷が発生し難く、且つ、ラジカルが失活し難い材料から形成することができる。例えば、圧力制御部５０の内部のラジカルを含むガスと接触する部分は、四弗化樹脂やセラミックス（例えば、酸化アルミニウム）などから形成したり、これらの材料でコーティングしたりすることができる。
【００３１】
また、必要に応じて、圧力測定部５１を設けることができる。圧力測定部５１は、放電管１２と圧力制御部５０とを接続する輸送管３０に設けることができる。圧力測定部５１は、プラズマ生成物を生成する領域の圧力（放電管１２の内部の圧力）を測定し、測定された圧力を電気信号に変換することができる。圧力測定部５１は、例えば、真空計などとすることができる。
【００３２】
ここで、処理物Ｗを処理する領域の圧力が低くなれば、ラジカルと反応することで生成された揮発性の生成物を処理物Ｗの外部に放出しやすくなる。そのため、エッチングレートの向上、ひいては処理の迅速化を図ることができる。また、近年においては、トレンチや孔などのアスペクト比が高くなる傾向にある。例えば、イメージセンサなどの製造においては、トレンチや孔などのアスペクト比が５０以上となる場合がある。半導体メモリなどの製造においては、トレンチや孔などのアスペクト比が１００以上となる場合がある。アスペクト比が高くなると、トレンチや孔などの内部にある揮発性の生成物が外部に放出されにくくなる。この場合、処理物Ｗを処理する領域の圧力を従来よりも低くすれば、トレンチや孔などの内部にある揮発性の生成物が外部に放出されやすくなる。
【００３３】
処理物Ｗを処理する領域と、プラズマ生成物を生成する領域とは、輸送管３０を介して接続されているので、処理物Ｗを処理する領域の圧力を低くすると、プラズマ生成物を生成する領域の圧力も低くなる。ところが、プラズマ生成物を生成する領域の圧力が低くなるとプラズマＰが発生しにくくなったり、プラズマ密度が低くなったりして、プラズマ生成物の生成が阻害されるおそれがある。
【００３４】
そこで、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１には、圧力制御部５０が設けられている。  
圧力制御部５０は、例えば、圧力測定部５１からの出力に基づいて、コントローラ６０により、コンダクタンスが制御されるものとすることができる。  
また、圧力制御部５０は、例えば、予め定められたコンダクタンスを有するものとすることもできる。圧力制御部５０は、例えば、固定絞りなどとすることができる。この場合、コンダクタンスは、実験やシミュレーションを行うことで予め決定することができる。
また、圧力制御部５０は、例えば、手動によりコンダクタンスを変化させるものとすることができる。この場合、オペレータは、圧力測定部５１からの出力に基づいて、圧力制御部５０を操作することができる。圧力制御部５０は、例えば、可変絞り弁などとすることができる。
すなわち、圧力制御部５０が有するコンダクタンスは、一定とすることができる。
圧力制御部５０が有するコンダクタンスは、可変とすることもできる。この場合、圧力制御部５０が有するコンダクタンスは、放電管１２の内部の圧力に応じて変更することができる。また、圧力制御部５０が有するコンダクタンスは、圧力測定部５１による測定値に基づいて変更することもできる。
【００３５】
プラズマ生成物を生成する領域と、処理物Ｗを処理する領域との間にコンダクタンスを有する圧力制御部５０が設けられていれば、放電管１２の内部の圧力が、チャンバ２１の内部の圧力よりも高くなるようにすることができる。そのため、チャンバ２１の内部の圧力を、ラジカルにより生成された生成物の揮発に適した低い圧力としても、放電管１２の内部の圧力をプラズマＰの発生に適した高い圧力に維持することができる。
例えば、チャンバ２１の内部の圧力を３０Ｐａ以下、好ましくは２０Ｐａ以下としても、放電管１２の内部の圧力を３０Ｐａ以上に維持することができる。  
またさらに、プロセスガスＧの供給量を多くすることで、プラズマ生成物を生成する領域の圧力を高くするのを容易とすることもできる。
【００３６】
コントローラ６０には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などのプロセッサ、およびメモリなどの記憶部を設けることができる。  
プロセッサは、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、プラズマ処理装置１に設けられた各要素の動作を制御する。例えば、プロセッサは、各要素の動作を制御して、処理物Ｗにエッチング処理を施すことができる。  
この際、プロセッサは、圧力測定部４３からの出力に基づいて圧力制御部４２を制御して、チャンバ２１の内部の圧力が所定の圧力となるようすることができる。  
また、プロセッサは、圧力測定部５１からの出力に基づいて圧力制御部５０を制御して、放電管１２の内部の圧力が所定の圧力となるようすることができる。
【００３７】
（プラズマ処理方法）  
次に、本実施の形態に係るプラズマ処理方法について例示する。  
本実施の形態に係るプラズマ処理方法は、例えば、半導体装置などの微細加工品の製造に用いることができる。また、本実施の形態に係るプラズマ処理方法は、例えば、処理物Ｗの表面（例えば、半導体ウェーハの表面）に開口するトレンチや孔などの内壁面にあるダメージ層を除去する際に好適に用いることができる。
【００３８】
例えば、半導体装置を製造する際に、半導体ウェーハの表面に開口するトレンチや孔などが形成される場合がある。一般的に、トレンチや孔などは、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により形成される。ＲＩＥにより、イオンを半導体ウェーハに打ち込めば、アスペクト比の高いトレンチや孔などを形成することができる。ところが、トレンチや孔などを形成する際に、トレンチや孔などの内壁面にイオンが打ち込まれることで、内壁面に、表面荒れや結晶欠陥などを含んでいるダメージ層が発生する場合がある。ダメージ層は、半導体装置の電気特性を悪化させる要因となる。そのため、一般的には、ダメージの発生の少ないラジカルを用いた処理を施すことで、ダメージ層を除去するようにしている。
【００３９】
ダメージ層にラジカルが供給されると、ダメージ層とラジカルとが反応し、ダメージ層が揮発、除去される。前述したように、処理物Ｗを処理する領域の圧力が低くなれば、生成された揮発性の生成物がトレンチや孔などの外部に放出されやすくなる。ここで、近年においては、トレンチや孔などのアスペクト比が高くなる傾向にある。アスペクト比が高くなると、トレンチや孔などの内部にある揮発性の生成物が外部に放出されにくくなる。そのため、処理物Ｗを処理する領域の圧力をさらに低くすることが好ましい。
【００４０】
この場合、一般的には、処理物Ｗを処理する領域と、プラズマ生成物を生成する領域との圧力がほぼ同一とされる。そのため、処理物Ｗを処理する領域の圧力を低くすると、プラズマ生成物を生成する領域の圧力も低くなることになる。プラズマ生成物を生成する領域の圧力が低くなるとプラズマＰが発生しにくくなったり、プラズマ密度が低くなったりして、プラズマ生成物の生成が阻害されるおそれがある。
【００４１】
この場合、処理物Ｗを処理する領域に排気装置を設け、プラズマ生成物を生成する領域に別の排気装置を設け、それぞれの領域の圧力を個別に制御することができる。しかしながら、この様にすると、プラズマ生成物を生成する領域において生成されたラジカルの一部が排気装置により外部に放出され、処理物Ｗを処理する領域に供給されるラジカルの量がその分少なくなる。
そこで、本実施の形態に係るプラズマ処理方法においては、以下のようにしてプラズマ処理を行うようにしている。
【００４２】
図２は、本実施の形態に係るプラズマ処理方法を例示するためのフローチャートである。
まず、処理物Ｗを処理する領域の圧力、および、処理物Ｗを処理する領域に接続されたプラズマ生成物を生成する領域の圧力、を所定の圧力まで減圧する。（ステップＳ１）
次に、処理物Ｗを処理する領域と、プラズマ生成物を生成する領域と、の接続部分に設けられたコンダクタンスにより、プラズマ生成物を生成する領域の圧力が、処理物Ｗを処理する領域の圧力と異なるようにする。（ステップＳ２）
例えば、プラズマ生成物を生成する領域の圧力が、処理物Ｗを処理する領域の圧力よりも高くなるようにする。例えば、処理物Ｗを処理する領域の圧力を３０Ｐａ以下、好ましくは２０Ｐａ以下とすることができる。プラズマ生成物を生成する領域の圧力を３０Ｐａ以上にすることができる。  
この様にすれば、トレンチや孔などの内部にある揮発性の生成物を外部に放出させるのが容易となる。また、プラズマＰを安定的に発生させることができる。また、プラズマ密度が高くなるので、プラズマ生成物の生成効率を向上させることができる。
【００４３】
前述したように、コンダクタンスは一定としてもよいし、プラズマ生成物を生成する領域の圧力に基づいて変更してもよい。またさらに、プロセスガスＧの供給量を多くすることで、プラズマ生成物を生成する領域の圧力を高くするのを容易とすることもできる。
【００４４】
次に、プラズマ生成物を生成する領域にプラズマＰを発生させ、プロセスガスＧを励起、活性化させて、ラジカルを含むプラズマ生成物を生成する。（ステップＳ３）  
なお、プロセスガスＧには特に限定がなく、処理物Ｗの処理部分の材料などに応じて適宜選択することができる。
【００４５】
次に、プラズマ生成物を、前述した接続部分を介して処理物Ｗを処理する領域に供給する。（ステップＳ４）  
この際、プラズマ生成物に含まれているイオンや電子は、処理物Ｗを処理する領域に到達するまでの間に減衰するので、主に、ラジカルが処理物Ｗを処理する領域に供給される。
【００４６】
次に、ラジカルを処理物Ｗの表面に供給して、所望の処理を行う。（ステップＳ５）  
この際、処理物Ｗの温度を上昇させることもできる。処理物Ｗの温度が高ければ、トレンチや孔などの内部にある揮発性の生成物を外部に放出させるのがさらに容易となる。処理物Ｗの温度は、例えば、１００℃以上とすることが好ましい。  
以上の様にして、処理物Ｗに所望の処理を施すことができる。  
本実施の形態に係るプラズマ処理方法によれば、アスペクト比が高いトレンチや孔などに対しても適切な処理を施すことができる。また、プラズマＰの発生を安定させたり、プラズマ密度を高くすることでプラズマ生成物の生成効率を向上させたりすることができる。
【００４７】
以上、本実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。  
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。  
例えば、プラズマ処理装置１が備える各要素の形状、寸法、材料、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。  
【符号の説明】
【００４８】
１  プラズマ処理装置、１０  生成部、１１  マイクロ波発生部、１２  放電管、１３  導入導波管、１４  ガス供給部、２０  処理部、２１  チャンバ、２２  載置部、３０  輸送管、４０  排気部、４１  排気ポンプ、４２  圧力制御部、４３  圧力測定部、５０  圧力制御部、５１  圧力測定部、６０  コントローラ、Ｗ  処理物
【図１】
2020145257.tif 000003
【図２】
2020145257.tif 000004