(57)【要約】【課題】ソレノイドの逆起電流をソレノイドに還流させるソレノイド駆動装置において、逆起電流の損失を抑制する。【解決手段】バッテリ電圧を昇圧する昇圧回路１とソレノイドＬの一端との間に配置される第１半導体スイッチ２と、バッテリとソレノイドＬの一端との間に配置される第２半導体スイッチ３と、ソレノイドＬの他端とグランドＧとの間に配置される第３半導体スイッチ４と、ソレノイドＬの一端とグランドＧとの間に配置される第４半導体スイッチ５と、第１半導体スイッチ２、第２半導体スイッチ３、第３半導体スイッチ４及び第４半導体スイッチ５の開閉状態を制御し、還流素子を介してソレノイドＬの逆起電流をソレノイドＬに還流させる場合に第４半導体スイッチ５を開状態に制御する制御部８とを備える。【選択図】図１
2020096125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソレノイドを駆動するソレノイド駆動装置であって、
バッテリ電圧を昇圧する昇圧回路と前記ソレノイドの一端との間に配置される第１スイッチング素子と、
バッテリと前記ソレノイドの一端との間に配置される第２スイッチング素子と、
前記ソレノイドの他端とグランドとの間に配置される第３スイッチング素子と、
前記ソレノイドの一端とグランドとの間に配置される第４スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子、前記第３スイッチング素子及び前記第４スイッチング素子の開閉状態を制御し、還流素子を介して前記ソレノイドの逆起電流を前記ソレノイドに還流させる場合に前記第４スイッチング素子を開状態に制御する制御部と
を備えることを特徴とするソレノイド駆動装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第４スイッチング素子が開状態から閉状態となったことを検出した後に、前記第１スイッチング素子あるいは前記第２スイッチング素子を閉状態から開状態とすることを特徴とする請求項１記載のソレノイド駆動装置。
【請求項３】
前記制御部が、前記第４スイッチング素子を開状態から閉状態となったことを検出した後に、上記第１スイッチング素子または、上記第２スイッチング素子を閉状態から開状態とする
ことを特徴とする請求項１または２記載のソレノイド駆動装置。
【請求項４】
前記第４スイッチング素子が電界効果トランジスタであり、前記制御部が、前記第４スイッチング素子のゲート電圧に基づいて前記第４スイッチング素子が閉状態となったことを検出する
ことを特徴とする請求項１〜３いずれか一項に記載のソレノイド駆動装置。
【請求項５】
前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子と共通に接続されたソレノイド側の配線の電圧に基づいて上記第１スイッチング素子及び上記第２スイッチング素子が閉状態となったことを検出する
ことを特徴とする請求項１〜４いずれか一項に記載のソレノイド駆動装置。
【請求項６】
前記第１スイッチング素子及び上記第２スイッチング素子が電界効果トランジスタであり、前記制御部が、前記第１スイッチング素子のゲート端子と上記第２スイッチング素子のゲート端子とに接続された配線の電圧に基づいて前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子が閉状態となったことを検出する
ことを特徴とする請求項１〜４いずれか一項に記載のソレノイド駆動装置。
【請求項７】
前記第４スイッチング素子は、前記グランドと前記ソレノイドの一端との間に接続された寄生ダイオードを有することを特徴とする請求項１〜６いずれか一項に記載のソレノイド駆動装置。
【請求項８】
前記第１スイッチング素子のソース端子と前記第２スイッチング素子のソース端子との接続箇所と、前記ソレノイドの一端と前記第４スイッチング素子のドレイン端子との接続箇所との間に配置された過電流検知用抵抗器を備えることを特徴とする請求項１〜７いずれか一項に記載のソレノイド駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソレノイド駆動装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、ソレノイドを有する燃料噴射弁を備える内燃機関の制御装置が開示されている。このような特許文献１に開示された制御装置は、燃料噴射弁のソレノイドを駆動することにより内燃機関を制御するものであり、昇圧回路やバッテリからソレノイドへの電力供給状態を切り替えるための複数のスイッチング素子を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１０６２００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に開示された制御装置は、ソレノイドから出力される逆起電流を還流するための還流経路を有している。このような還流経路には、グランドとソレノイドとの間にダイオードが設置されている。このため、還流経路を介して、逆起電流をソレノイドに還流させる場合には、逆起電流がダイオードを流れることになり、ダイオードの順方向降下電圧（Ｖｆ）の影響により損失が大きくなる。
【０００５】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、ソレノイドの逆起電流をソレノイドに還流させるソレノイド駆動装置において、ダイオードの損失を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するための手段として、以下の構成を採用する。
【０００７】
第１の発明は、ソレノイドを駆動するソレノイド駆動装置であって、バッテリ電圧を昇圧する昇圧回路と上記ソレノイドの一端との間に配置される第１スイッチング素子と、バッテリと上記ソレノイドの一端との間に配置される第２スイッチング素子と、上記ソレノイドの他端とグランドとの間に配置される第３スイッチング素子と、上記ソレノイドの一端とグランドとの間に配置される第４スイッチング素子と、上記第１スイッチング素子、上記第２スイッチング素子、上記第３スイッチング素子及び上記第４スイッチング素子の開閉状態を制御し、還流素子を介して上記ソレノイドの逆起電流を上記ソレノイドに還流させる場合に上記第４スイッチング素子を開状態に制御する制御部とを備えるという構成を採用する。
【０００８】
第２の発明は、第１の発明において、上記制御部が、上記第４スイッチング素子が開状態から閉状態となったことを検出した後に、上記第１スイッチング素子あるいは上記第２スイッチング素子を閉状態から開状態とするという構成を採用する。
【０００９】
第３の発明は、上記第１または第２の発明において、上記制御部が、上記第４スイッチング素子を開状態から閉状態となったことを検出した後に、上記第１スイッチング素子または、上記第２スイッチング素子を閉状態から開状態とするという構成を採用する。
【００１０】
第４の発明は、上記第１〜第３いずれかの発明において、上記第４スイッチング素子が電界効果トランジスタであり、上記制御部が、上記第４スイッチング素子のゲート電圧に基づいて上記第４スイッチング素子が閉状態となったことを検出するという構成を採用する。
【００１１】
第５の発明は、上記第１〜第４いずれかの発明において、上記第１スイッチング素子と上記第２スイッチング素子と共通に接続されたソレノイド側の配線の電圧に基づいて上記第１スイッチング素子及び上記第２スイッチング素子が閉状態となったことを検出するという構成を採用する。
【００１２】
第６の発明は、上記第１〜第４のいずれかの発明において、上記第１スイッチング素子及び上記第２スイッチング素子が電界効果トランジスタであり、上記制御部が、上記第１スイッチング素子のゲート端子と上記第２スイッチング素子のゲート端子とに接続された配線の電圧に基づいて上記第１スイッチング素子及び上記第２スイッチング素子が閉状態となったことを検出するという構成を採用する。
【００１３】
第７の発明は、上記第１〜第６いずれかの発明において、上記第４スイッチング素子は、上記グランドと上記ソレノイドの一端との間に接続された寄生ダイオードを有するという構成を採用する。
【００１４】
第８の発明は、上記第１〜第７いずれかの発明において、上記第１スイッチング素子のソース端子と上記第２スイッチング素子のソース端子との接続箇所と、上記ソレノイドの一端と上記第４スイッチング素子のドレイン端子との接続箇所との間に配置された過電流検知用抵抗器を備えるという構成を採用する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ソレノイドの逆起電流が、制御部によって開閉状態を制御可能な第３スイッチング素子及び第４スイッチング素子を介してソレノイドに還流される。したがって、本発明によれば、ダイオードを介してソレノイドに逆起電流を還流する必要がなく、ダイオードを介してソレノイドに逆起電流を還流させる場合よりも、逆起電流の損失を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態における燃料噴射弁駆動装置の概略構成図である。
【図２】（ａ）が、第４半導体スイッチを開状態から閉状態に切り替えると共に第２半導体スイッチを閉状態から開状態とする場合における電圧変化を示すタイミングチャートであり、（ｂ）が、第２半導体スイッチを開状態から閉状態に切り替えると共に第４半導体スイッチを閉状態から開状態とする場合における電圧変化を示すタイミングチャートである。
【図３】本発明の一実施形態に係る燃料噴射弁駆動装置の動作を示すタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明に係るソレノイド駆動装置の一実施形態について説明する。なお、以下の説明では、ソレノイドを有する燃料噴射弁の駆動装置（燃料噴射弁駆動装置）に本発明を適用した例について説明する。
【００１８】
図１は、本実施形態の燃料噴射弁駆動装置Ｓ（ソレノイド駆動装置）の概略構成図である。この図に示すように、本実施形態の燃料噴射弁駆動装置Ｓは、燃料噴射弁のソレノイドＬを駆動する駆動装置であり、外部のバッテリから供給される電力を外部から入力される指令信号に基づいてソレノイドＬに供給することによって、燃料噴射弁を駆動する。
【００１９】
図１に示すように、燃料噴射弁駆動装置Ｓは、昇圧回路１と、第１半導体スイッチ２（第１スイッチング素子）と、第２半導体スイッチ３（第２スイッチング素子）と、第３半導体スイッチ４（第３スイッチング素子）と、第４半導体スイッチ５（第４スイッチング素子）と、電流検出用抵抗器６と、逆流防止ダイオード７と、制御部８と、昇圧回生ダイオード１０と、過電流検知用抵抗器１１とを備えている。
【００２０】
昇圧回路１は、車両に搭載されたバッテリから入力される電力を所定の目標電圧に昇圧するチョッパ回路である。この昇圧回路１は、昇圧比が例えば二〜十程度であり、制御部８内の昇圧制御部８ａによって制御される。
【００２１】
第１半導体スイッチ２、第２半導体スイッチ３、第３半導体スイッチ４及び第４半導体スイッチ５は、電界効果トランジスタであり、制御部８にゲート端子が接続され、制御部８によって開閉状態が制御可能とされている。本実施形態において第１半導体スイッチ２、第２半導体スイッチ３、第３半導体スイッチ４及び第４半導体スイッチ５は、ＭＯＳトランジスタを用いており、図１に示すように、各々が寄生ダイオードを有している。
【００２２】
第１半導体スイッチ２は、昇圧回路１の出力端とソレノイドＬの一端（より正確にはソレノイドコイルの一端）との間に配置されている。すなわち、この第１半導体スイッチ２において、ドレイン端子は昇圧回路１の出力端に接続され、ソース端子はソレノイドＬの一端に接続され、またゲート端子は制御部８のＩｐｅａｋ制御部８ｂに接続されている。このような第１半導体スイッチ２は、Ｉｐｅａｋ制御部８ｂによって開閉状態が制御される。
【００２３】
第２半導体スイッチ３は、バッテリとソレノイドＬの一端（ソレノイドコイルの一端）との間に配置されている。すなわち、この第２半導体スイッチ３において、ドレイン端子は逆流防止ダイオード７を介してバッテリに接続され、ソース端子はソレノイドＬの一端に接続され、またゲート端子は制御部８のＩｈｏｌｄ制御部８ｃに接続されている。このような第２半導体スイッチ３は、Ｉｈｏｌｄ制御部８ｃによって開閉状態が制御される。
【００２４】
第３半導体スイッチ４は、ソレノイドＬの他端（ソレノイドコイルの一端）とグランドＧとの間に配置されている。すなわち、この第３半導体スイッチ４において、ドレイン端子はソレノイドＬの他端に接続され、ソース端子は電流検出用抵抗器６を介してグランドＧに接続され、またゲート端子は制御部８のＩＮＪスイッチ制御部８ｄに接続されている。このような第３半導体スイッチ４は、ＩＮＪスイッチ制御部８ｄによって開閉状態が制御される。
【００２５】
第４半導体スイッチ５は、ソレノイドＬの一端（ソレノイドコイルの一端）とグランドＧとの間に配置されている。すなわち、この第４半導体スイッチ５において、ドレイン端子はソレノイドＬの一端に接続され、ソース端子はグランドＧに接続され、ゲート端子は制御部８の還流制御部８ｅに接続されている。このような第４半導体スイッチ５は、還流制御部８ｅによって開閉状態が制御される。
【００２６】
電流検出用抵抗器６は、一端が第３半導体スイッチ４のソース端子に接続され、他端がグランドＧに接続された電流検出用の抵抗器である。すなわち、電流検出用抵抗器６は、第３半導体スイッチ４を介してソレノイドＬ（ソレノイドコイル）に直列接続されており、ソレノイドＬに通電される駆動電流が流れる。このような電流検出用抵抗器６は、電流検出用抵抗器６の一端と他端との間に流れる駆動電流の大きさに応じた電圧（検出電圧）が発生する。
【００２７】
また、逆流防止ダイオード７は、カソード端子が第２半導体スイッチ３のドレイン端子に接続され、アノード端子がバッテリの出力端に接続されている。この逆流防止ダイオード７は、第１半導体スイッチ２及び第２半導体スイッチ３が何れも開状態になった場合に、第２半導体スイッチ３を介して、または、第２半導体スイッチ３のみＯＦＦ状態（閉状態）であっても第２半導体スイッチ３の寄生ダイオードを介して、昇圧回路１の出力電流がバッテリの出力端に流入することを防止するために設けられる補助部品である。
【００２８】
制御部８は、上位制御系から入力される指令信号に基づいて昇圧回路１、第１半導体スイッチ２、第２半導体スイッチ３、第３半導体スイッチ４及び第４半導体スイッチ５を制御する集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）である。この制御部８は、機能部として、昇圧制御部８ａと、Ｉｐｅａｋ制御部８ｂと、Ｉｈｏｌｄ制御部８ｃと、ＩＮＪスイッチ制御部８ｄと、還流制御部８ｅと、電流検出部８ｆと、電圧検出部８ｇとを有している。
【００２９】
昇圧制御部８ａは、昇圧回路１の動作を制御するための昇圧制御信号（ＰＷＭ信号）を生成して昇圧回路１に出力する。Ｉｐｅａｋ制御部８ｂは、第１半導体スイッチ２を制御するための第１ゲート信号を生成し、第１半導体スイッチ２のゲート端子に第１ゲート信号を出力する。Ｉｈｏｌｄ制御部８ｃは、第２半導体スイッチ３を制御するための第２ゲート信号を生成し、第２半導体スイッチ３のゲート端子に第２ゲート信号を出力する。ＩＮＪスイッチ制御部８ｄは、第３半導体スイッチ４を制御するための第３ゲート信号を生成し、第３半導体スイッチ４のゲート端子に第３ゲート信号を出力する。還流制御部８ｅは、第４半導体スイッチ５を制御するための第４ゲート信号を生成し、第４半導体スイッチ５のゲート端子に第４ゲート信号を出力する。
【００３０】
電流検出部８ｆは、一対の入力端を備え、一方の入力端が電流検出用抵抗器６の一端に接続され、他方の入力端が電流検出用抵抗器６の他端に接続されている。すなわち、この電流検出部８ｆには、電流検出用抵抗器６で発生した検出電圧が入力される。このような電流検出部８ｆは、検出電圧に基づいて駆動電流の大きさを検出する。
【００３１】
電圧検出部８ｇは、第４半導体スイッチ５のゲート端子と接続されており、第４半導体スイッチ５のゲート電圧を検出する。電圧検出部８ｇは、第４半導体スイッチ５のゲート電圧をＩｐｅａｋ制御部８ｂ及びＩｈｏｌｄ制御部８ｃに出力する。また、図１に示すように、第１半導体スイッチ２のソース端子と第２半導体スイッチ３のソース端子とが接続され、ソレノイドＬの一端に接続された共通配線部９が設けられている。電圧検出部８ｇは、共通配線部９と接続されており、共通配線部９の電圧を検出する。電圧検出部８ｇは、共通配線部９の電圧を還流制御部８ｅに入力する。
【００３２】
昇圧回生ダイオード１０は、カソードを昇圧回路１の出力端に接続され、アノードは第３半導体スイッチ４のドレイン端子及びソレノイドＬの他端に接続される。過電流検知用抵抗器１１は、共通配線部９の途中部位に配置されている。より詳細には、過電流検知用抵抗器１１は、共通配線部９上であって、第１半導体スイッチ２のソース端子と第２半導体スイッチ３のソース端子との接続箇所と、ソレノイドＬの一端と第４半導体スイッチ５のドレイン端子との接続箇所との間に配置されている。このような過電流検知用抵抗器１１を設置することで、過電流検知用抵抗器１の両端の電圧差に基づいて、第４半導体スイッチ５のショート故障検知、や、インジェクタ一端側（ソレノイドＬの一端側）の地絡検知が可能となる。
【００３３】
本実施形態の燃料噴射弁駆動装置Ｓでは、Ｉｐｅａｋ制御部８ｂ及びＩｈｏｌｄ制御部８ｃは、電圧検出部８ｇから入力される第４半導体スイッチ５のゲート電圧に基づいて、第４半導体スイッチ５が開状態から閉状態となったことを検出した後に、第１半導体スイッチ２あるいは第２半導体スイッチ３を閉状態から開状態とする。
【００３４】
図２（ａ）は、第４半導体スイッチ５を開状態から閉状態に切り替えると共に第２半導体スイッチ３を閉状態から開状態とする場合における、共通配線部９と、第４半導体スイッチ５のゲート電圧と、第２半導体スイッチ３のゲート電圧との時間変化を示したタイミングチャートである。なお、図２（ａ）の説明において、第１半導体スイッチ２は常時閉状態であるものとする。また、図２（ａ）は、半導体スイッチがオフし始めた状態と半導体スイッチがオフした状態の極めて短い時間を表した図である。Ｉｈｏｌｄ制御部８ｃは、電圧検出部８ｇから出力される第４半導体スイッチ５のゲート電圧が、第４半導体スイッチ５が閉状態となったことを示す第１基準電圧まで低下した場合には、予め定められた一定のデッドタイムが経過するのを待ってから第２半導体スイッチ３を開状態とする。なお、第１半導体スイッチ２を閉状態から開状態とする場合には、Ｉｐｅａｋ制御部８ｂは、ここで説明したＩｈｏｌｄ制御部８ｃと同様の動作をする。
【００３５】
図２（ｂ）は、第２半導体スイッチ３を開状態から閉状態に切り替えると共に第４半導体スイッチ５を閉状態から開状態とする場合における、共通配線部９と、第４半導体スイッチ５のゲート電圧と、第２半導体スイッチ３のゲート電圧との時間変化を示したタイミングチャートである。なお、図２（ｂ）の説明において、第１半導体スイッチ２は常時閉状態であるものとする。また、図２（ｂ）は、半導体スイッチがオフし始めた状態と半導体スイッチがオフした状態の極めて短い時間を表した図である。還流制御部８ｅは、電圧検出部８ｇから入力される共通配線部９の電圧（すなわち第２半導体スイッチ３のソース電圧）が第２基準電圧まで低下した場合には、予め定められた一定のデッドタイムが経過するのを待ってから第４半導体スイッチ５を開状態とする。なお、第１半導体スイッチ２を開状態から閉状態に切り替える場合には、Ｉｐｅａｋ制御部８ｂは、ここで説明したＩｈｏｌｄ制御部８ｃと同様の動作をする。
【００３６】
次に、このように構成された燃料噴射弁駆動装置Ｓの動作について、図３を参照して説明する。
【００３７】
本実施形態の燃料噴射弁駆動装置Ｓで燃料噴射弁を閉弁状態から開弁状態に駆動する場合、制御部８は、図３に示すように、駆動開始時の初期期間Ｔ１において昇圧回路１が生成する昇圧電圧をソレノイドＬに供給し、上記初期期間Ｔ１後の保持期間Ｔ２においてはバッテリ電圧をソレノイドＬに供給させる。
【００３８】
すなわち、初期期間Ｔ１では、Ｉｐｅａｋ制御部８ｂが第１ゲート信号を第１半導体スイッチ２に出力することによって昇圧回路１が生成する昇圧電圧をソレノイドＬの一端（ソレノイドコイルの一端）に供給すると共に、ＩＮＪスイッチ制御部８ｄが第３半導体スイッチ４に第３ゲート信号を出力することによって、電流検出用抵抗器６を介してソレノイドＬの他端（ソレノイドコイルの他端）からグランドＧに電流が流れる。
【００３９】
この結果、初期期間Ｔ１では、高い電圧の昇圧電力がソレノイドＬに供給され、よってピーク状の立ち上がり電流がソレノイドＬに流れる。このようなピーク状の立ち上がり電流は、燃料噴射弁の開弁動作を高速化するものである。
【００４０】
そして、保持期間Ｔ２では、Ｉｈｏｌｄ制御部８ｃが第２ゲート信号を第２半導体スイッチ３に出力することによってバッテリ電力をソレノイドＬの一端（ソレノイドコイルの一端）に供給すると共に、ＩＮＪスイッチ制御部８ｄが第３半導体スイッチ４に第３ゲート信号を出力することによって、電流検出用抵抗器６を介してソレノイドＬの他端（ソレノイドコイルの他端）からグランドＧに電流が流れる。
【００４１】
この結果、保持期間Ｔ２では、電圧のバッテリ電圧がソレノイドＬに供給される。ここで、Ｉｈｏｌｄ制御部８ｃは、所定のデューティ比のＰＷＭ信号を第２ゲート信号として第２半導体スイッチ３に供給するので、バッテリ電圧はソレノイドＬに対して断続的に供給される。また、上記デューティ比は電流検出部８ｆが検出した駆動電流の大きさに基づいて設定される。すなわち、Ｉｈｏｌｄ制御部８ｃは、電流検出部８ｆが検出した駆動電流の大きさに基づいてＰＷＭ信号のデューティ比を設定することにより駆動電流の大きさが所定の目標値を維持するように制御する。
【００４２】
この結果、所定の目標値を維持する保持電流がソレノイドＬに供給され、以て燃料噴射弁の開弁状態が保持される。また、保持期間Ｔ２において上記デューティ比を２段階に変更することによって、保持電流を段階的に変化させることが可能である。
【００４３】
また、初期期間Ｔ１及び保持期間Ｔ２において、第１半導体スイッチ２及び第２半導体スイッチ３がいずれも閉状態である期間（すなわち第１ゲート信号及び第２ゲート信号がいずれも半導体スイッチが閉となる電圧以下である期間）において、第４半導体スイッチ５が開状態とされる。なお、第３半導体スイッチ４は開状態が維持される。この結果、ソレノイドＬで発生する逆起電流が、グランドＧ、第４半導体スイッチ５と第４半導体スイッチ５の寄生ダイオード、ソレノイドＬ第３半導体スイッチ４、電流検出用抵抗器６を介してグランドＧに流れる。
【００４４】
以上のような本実施形態の燃料噴射弁駆動装置Ｓにおいては、制御部８は、第１半導体スイッチ２、第２半導体スイッチ３、第３半導体スイッチ４及び第４半導体スイッチ５の開閉状態を制御し、第３半導体スイッチ４（還流素子）及びグランドＧを介してソレノイドＬの逆起電流をソレノイドＬに還流させる場合、及び昇圧回生ダイオード１０（還流素子）及び昇圧回路１、バッテリ及びグランドＧを介してソレノイドＬに還流させる場合、第４半導体スイッチ５を開状態に制御している。つまり、本実施形態の燃料噴射弁駆動装置Ｓにおいては、ソレノイドＬの逆起電流が、制御部８によって開閉状態を制御可能な第４半導体スイッチ５を介してソレノイドＬに還流される。したがって、本実施形態の燃料噴射弁駆動装置Ｓによれば、本実施形態では寄生ダイオードを介してソレノイドＬに逆起電流を還流する時間を少なくすることができ、ダイオードのみでソレノイドＬに逆起電流を還流させる場合よりも、逆起電流によるダイオードの損失を抑制することができる。なお、本実施形態では寄生ダイオードを用いているが、第４半導体スイッチ５に並列に接続されるダイオードを使用した場合であっても同様である。
【００４５】
また、本実施形態の燃料噴射弁駆動装置Ｓにおいては、制御部８は、第４半導体スイッチ５が開状態から閉状態となったことを検出した後に、第１半導体スイッチ２あるいは第２半導体スイッチ３を閉状態から開状態としている。
【００４６】
また、本実施形態の燃料噴射弁駆動装置Ｓにおいては、第４半導体スイッチ５が電界効果トランジスタであり、制御部８が、第４半導体スイッチ５のゲート電圧に基づいて第４半導体スイッチ５が開状態から閉状態となったことを検出している。第４半導体スイッチ５のゲート電圧は、第４半導体スイッチ５の開閉状態を直接的に支配している。このため、本実施形態の燃料噴射弁駆動装置Ｓによれば、確実に第４半導体スイッチ５の開閉状態を検出することが可能となる。
【００４７】
また、本実施形態の燃料噴射弁駆動装置Ｓにおいては、制御部８は、第１半導体スイッチ２及び第２半導体スイッチ３が閉状態となったことを検出した後に、第４半導体スイッチ５を閉状態から開状態とする。このため、第１半導体スイッチ２あるいは第２半導体スイッチ３を開状態から閉状態に切り替えると共に第４半導体スイッチ５を閉状態から開状態とする場合に、昇圧回路１あるいはバッテリからグランドＧに貫通電流が流れることを防止することができる。
【００４８】
また、本実施形態の燃料噴射弁駆動装置Ｓにおいては、第１半導体スイッチ２及び第２半導体スイッチ３が電界効果トランジスタであり、制御部８が、第１半導体スイッチ２のソース端子と第２半導体スイッチ３のソース端子とに接続された共通配線部９の電圧に基づいて第１半導体スイッチ２及び第２半導体スイッチ３が閉状態となったことを検出する。共通配線部９の電圧は、第１半導体スイッチ２と第２半導体スイッチ３との両方が閉状態となった場合に低くなる。このため、このような共通配線部９の電圧に基づくことによって、第１半導体スイッチ２と第２半導体スイッチ３との両方が確実に閉状態であることを検出することができる。
【００４９】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部品の組み合わせ等は一例であって、本発明の趣旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００５０】
例えば、上記実施形態においては、本発明のソレノイド駆動装置を燃料噴射弁駆動装置Ｓに適用した例について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、ソレノイドを有する他の装置の駆動装置に適用することが可能である。
【００５１】
また、共通配線部９の電圧が低くなっている（第１半導体スイッチ２及び第２半導体スイッチ３が閉じている）ことを検出してから、第４半導体スイッチ５を開状態としているが、第１半導体スイッチ２のゲート電圧及び第２半導体スイッチのゲート電圧が半導体スイッチが閉となる電圧以下より低くなっている（第１半導体スイッチ２及び第２半導体スイッチ３が閉じている）ことを検出してから、第４半導体スイッチ５を開状態としてもよい。
【００５２】
例えば、上記実施形態の図４のＴ２期間において、ソレノイドに接続される弁の跳ね返りにより、弁が閉じることを防止する比較的大きい電流と弁が開状態を保持するための必要な比較的小さい電流を切り替えているが、ソレノイドに接続される弁の跳ね返りにより弁が閉じることを防止する比較的大きい電流の一種類の電流であってもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１……昇圧回路、２……第１半導体スイッチ（第１スイッチング素子）、３……第２半導体スイッチ（第２スイッチング素子）、４……第３半導体スイッチ（第３スイッチング素子）、５……第４半導体スイッチ（第４スイッチング素子）、６……電流検出用抵抗器、７……逆流防止ダイオード、８……制御部、Ｇ……グランド、Ｌ……ソレノイド、Ｓ……燃料噴射弁駆動装置（ソレノイド駆動装置）、１０……昇圧回生ダイオード、１１……過電流検知用抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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