(57)【要約】      （修正有）【課題】膜厚の均一性向上に有効な塗布処理方法を提供する。【解決手段】塗布処理方法は、基板Ｗの表面とノズル３１との間隔が所定の塗布用間隔に保たれた状態で、ノズル３１から基板Ｗの表面Ｗａの中心に成膜液を供給することと、ノズル３１から基板Ｗの表面Ｗｂに成膜液が供給される期間中に、成膜液が遠心力でノズル３１の外周から基板Ｗの周縁Ｗｃ側に広がるように、基板Ｗの表面Ｗａの中心を通る軸線まわりに第１回転速度で基板Ｗを回転させることと、ノズル３１から基板Ｗの表面Ｗａへの成膜液の供給が停止した後に、成膜液が遠心力で更に広がるように、軸線まわりに第２回転速度で基板Ｗを回転させることと、を含み、塗布用間隔は、ノズル３１からの成膜液の吐出を停止させればノズル３１と基板Ｗの表面との間に成膜液を保持し得るように設定されている。【選択図】図２
2020188032.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面とノズルとの間隔が所定の塗布用間隔に保たれた状態で、前記ノズルから前記基板の表面の中心に成膜液を供給することと、
前記ノズルから前記基板の表面に前記成膜液が供給される期間中に、前記成膜液が遠心力で前記ノズルの外周から前記基板の周縁側に広がるように、前記基板の表面の中心を通る軸線まわりに第１回転速度で前記基板を回転させることと、
前記ノズルから前記基板の表面への前記成膜液の供給が停止した後に、前記成膜液が遠心力で更に広がるように、前記軸線まわりに第２回転速度で前記基板を回転させることと、を含み、
前記塗布用間隔は、前記ノズルからの前記成膜液の吐出を停止させれば前記ノズルと前記基板の表面との間に前記成膜液を保持し得るように設定されている、塗布処理方法。
【請求項２】
前記ノズルから前記基板の表面に前記成膜液を供給する前に、前記基板の表面にプリウェット液を塗布することと、
前記プリウェット液の塗布後に、前記基板の表面と前記ノズルとの間隔が前記塗布用間隔となるまで前記ノズルを前記基板の表面に近付けることと、を更に含む、請求項１記載の塗布処理方法。
【請求項３】
前記成膜液が前記基板の周縁に到達する前に、前記ノズルからの前記成膜液の吐出を停止させる、請求項１又は２記載の塗布処理方法。
【請求項４】
前記ノズルから前記基板の表面の中心に前記成膜液を供給する際には、粘度が５ｃＰ以下である前記成膜液を毎秒０．２ｃｃ以下の流量で前記ノズルから吐出させる、請求項１〜３のいずれか一項記載の塗布処理方法。
【請求項５】
前記塗布用間隔は、前記ノズルの内径の３倍以下である、請求項１〜４のいずれか一項記載の塗布処理方法。
【請求項６】
前記ノズルから前記基板の表面への前記成膜液の供給が停止する前に、前記成膜液の溶剤揮発を抑制するための蓋部材を前記基板の表面に対向する位置に配置することと、
前記第２回転速度での前記基板の回転が完了する前に、前記基板の表面に対向する位置から前記蓋部材を除去することと、を更に含む請求項１〜５のいずれか一項記載の塗布処理方法。
【請求項７】
前記ノズルから前記基板の表面に前記成膜液が供給される期間中に、前記基板を冷却することと、
前記第２回転速度での前記基板の回転が完了する前に、前記基板の冷却を停止することと、を更に含む請求項１〜６のいずれか一項記載の塗布処理方法。
【請求項８】
前記ノズルから前記基板の表面への前記成膜液の供給が停止するタイミングとの間の期間が、前記第２回転速度での前記基板の回転が完了するタイミングとの間の期間よりも短くなるように設定されたタイミングで前記基板の冷却を停止させる、請求項７記載の塗布処理方法。
【請求項９】
前記基板を回転させる際には、回転保持部により前記基板を裏面側から保持して前記基板を回転させ、
前記基板を冷却する際には、前記回転保持部が前記基板を保持する領域よりも外側の環状領域を冷却する、請求項７又は８記載の塗布処理方法。
【請求項１０】
前記基板を冷却する際には、冷却液を前記基板の裏面に供給する、請求項７〜９のいずれか一項記載の塗布処理方法。
【請求項１１】
成膜液を吐出するノズルを有する液供給部と、
基板を保持して回転させる回転保持部と、を備え、
前記基板の表面と前記ノズルとの間隔が所定の塗布用間隔に保たれた状態で、前記ノズルから前記基板の表面の中心に成膜液を供給するように前記液供給部を制御する液供給制御部と、
前記ノズルから前記基板の表面に前記成膜液が供給される期間中に、前記成膜液が遠心力で前記ノズルの外周から前記基板の周縁側に広がるように、前記基板の表面の中心を通る軸線まわりに第１回転速度で前記基板を回転させ、前記ノズルから前記基板の表面への前記成膜液の供給が停止した後に、前記成膜液が遠心力で更に広がるように、前記軸線まわりに第２回転速度で前記基板を回転させる回転制御部と、を備え、
前記塗布用間隔は、前記ノズルからの前記成膜液の吐出を停止させれば前記ノズルと前記基板の表面との間に前記成膜液を保持し得るように設定されている、塗布処理装置。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか一項記載の塗布処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、塗布処理方法、塗布処理装置及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板を保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板を回転させる回転部と、基板保持部に保持された基板の表面に塗布液を供給する供給部と、基板保持部に保持された基板の上方の所定位置に設けられており、回転部により回転する基板の上方の気流を任意の位置で局所的に変化させる気流制御板と、を有する塗布処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２３８８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、膜厚の均一性向上に有効な塗布処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一側面に係る塗布処理方法は、基板の表面とノズルとの間隔が所定の塗布用間隔に保たれた状態で、ノズルから基板の表面の中心に成膜液を供給することと、ノズルから基板の表面に成膜液が供給される期間中に、成膜液が遠心力でノズルの外周から基板の周縁側に広がるように、基板の表面の中心を通る軸線まわりに第１回転速度で基板を回転させることと、ノズルから基板の表面への成膜液の供給が停止した後に、成膜液が遠心力で更に広がるように、軸線まわりに第２回転速度で基板を回転させることと、を含み、塗布用間隔は、ノズルからの成膜液の吐出を停止させればノズルと基板の表面との間に成膜液を保持し得るように設定されている。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、膜厚の均一性向上に有効な塗布処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】基板液処理システムの概略構成を例示する模式図である。
【図２】塗布ユニットの概略構成を例示する模式図である。
【図３】制御部の機能的な構成を例示するブロック図である。
【図４】制御部のハードウェア構成を例示するブロック図である。
【図５】塗布処理手順を例示するフローチャートである。
【図６】塗布処理手順を例示するフローチャートである。
【図７】塗布処理手順を例示するフローチャートである。
【図８】プリウェット液の塗布におけるウェハの状態を示す模式図である。
【図９】冷却が開始され、蓋が閉じられるときのウェハの状態を示す模式図である。
【図１０】レジスト液の供給中におけるウェハの状態を示す模式図である。
【図１１】レジスト液の供給停止及び塗り広げにおけるウェハの状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
【０００９】
〔塗布処理装置〕
以下、塗布処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御部１００とを備える。
【００１０】
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣからウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。
【００１１】
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。
【００１２】
処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の成膜液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００１３】
処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の成膜液（以下、「レジスト液」という。）を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００１４】
処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の成膜液をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００１５】
処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３と、熱処理ユニットＵ４と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。
【００１６】
処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。現像ユニットＵ３は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ４は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ  Ｂａｋｅ）等が挙げられる。
【００１７】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。
【００１８】
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００１９】
インタフェースブロック６は、露光装置（不図示）との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
【００２０】
制御部１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御部１００は、キャリアＣ内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００２１】
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００２２】
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００２３】
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。
【００２４】
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを露光装置に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御部１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように受け渡しアームＡ８を制御する。
【００２５】
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリアＣ内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
【００２６】
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、塗布ユニットＵ１と、これを制御可能な制御部１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
【００２７】
〔塗布ユニット〕
続いて、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１の構成を具体的に説明する。図２に示すように、塗布ユニットＵ１は、回転保持部２０と、液供給部３０，４０と、ノズル搬送部５０，６０と、カップ７０と、開閉部８０と、冷却部９０とを有する。
【００２８】
回転保持部２０は、ウェハＷを裏面Ｗｂ側から保持して回転させる。例えば回転保持部２０は、保持部２１と回転駆動部２２とを有する。保持部２１は、表面Ｗａを上にして水平に配置されたウェハＷの中心部（中心を含む部分）を裏面Ｗｂ側から支持し、当該ウェハＷを例えば真空吸着等により保持する。回転駆動部２２は、例えば電動モータ等を動力源として、ウェハＷの中心を通る鉛直な軸線Ａｘ１まわりに保持部２１を回転させる。これによりウェハＷも回転する。
【００２９】
液供給部３０は、保持部２１が保持するウェハＷの表面Ｗａにレジスト液を供給する。例えば液供給部３０は、粘度が５ｃＰ以下のレジスト液をウェハＷの表面Ｗａに供給する。例えば液供給部３０は、ノズル３１と、液源３２と、バルブ３３とを含む。ノズル３１は、下方にレジスト液を吐出する。液源３２は、ノズル３１にレジスト液を供給する。例えば液源３２は、レジスト液を貯留するタンク及びレジスト液を圧送するポンプ等を含む。バルブ３３は、液源３２からノズル３１へのレジスト液の流路を開閉する。バルブ３３は、レジスト液の流路の開度を調節できるように構成されていてもよい。これにより、ノズル３１からのレジスト液の吐出量を調節することが可能となる。
【００３０】
液供給部４０は、保持部２１が保持するウェハＷの表面Ｗａにプリウェット液を供給する。例えば液供給部４０は、シンナー等の有機溶剤をウェハＷの表面Ｗａに供給する。ノズル４１は、下方にプリウェット液を吐出する。液源４２は、ノズル４１にプリウェット液を供給する。例えば液源４２は、プリウェット液を貯留するタンク及びプリウェット液を圧送するポンプ等を含む。バルブ４３は、液源４２からノズル４１へのプリウェット液の流路を開閉する。バルブ４３は、プリウェット液の流路の開度を調節できるように構成されていてもよい。これにより、ノズル４１からのプリウェット液の吐出量を調節することが可能となる。
【００３１】
ノズル搬送部５０は、液供給部３０のノズル３１を搬送する。例えばノズル搬送部５０は、水平搬送部５１と、昇降部５２とを有する。水平搬送部５１は、例えば電動モータ等を動力源としてノズル３１を水平な搬送ラインに沿って搬送する。昇降部５２は、例えば電動モータ等を動力源としてノズル３１を昇降させる。
【００３２】
ノズル搬送部６０は、液供給部４０のノズル４１を搬送する。例えばノズル搬送部６０は、水平搬送部６１と、昇降部６２とを有する。水平搬送部６１は、例えば電動モータ等を動力源としてノズル４１を水平な搬送ラインに沿って搬送する。昇降部６２は、例えば電動モータ等を動力源としてノズル４１を昇降させる。
【００３３】
カップ７０は、ウェハＷを保持部２１と共に収容し、ウェハＷから振り切られた各種処理液（例えばレジスト液及びプリウェット液）を回収する。カップ７０は、ウェハＷの搬入・搬出用の開口７１を上部に有する。また、カップ７０は、傘部７２と、排液部７３と、排気部７４と、排気バルブ７５とを有する。傘部７２は、保持部２１の下に設けられており、ウェハＷから振り切られた各種処理液をカップ７０内の外周側の排液領域７０ａまで導く。排液部７３は、排液領域７０ａにおいて傘部７２よりも下方に設けられており、傘部７２により排液領域７０ａに導かれた処理液をカップ７０外に排出する。排気部７４は、排液領域７０ａよりも内側の排気領域７０ｂにおいて傘部７２よりも下方に設けられており、カップ７０内のガスをカップ７０外に排出する。排気バルブ７５は、排気部７４によるガスの排出流路を開閉する。
【００３４】
開閉部８０は、カップ７０の開口７１を開閉する。例えば開閉部８０は、蓋部材８１と開閉駆動部８２とを有する。蓋部材８１は開口７１を塞ぐ板状部材である。蓋部材８１は、開口７１を塞いだときにウェハＷ（保持部２１が保持するウェハＷ）の表面Ｗａの中心部（中心を含む部分）に対向する位置に、ノズル３１を挿入するためのノズル挿入口８３を有する。開閉駆動部８２は、例えば電動モータ等を動力源として、開口７１を塞ぐ閉位置と、開口７１を開放する開位置との間で蓋部材８１を移動させる。
【００３５】
冷却部９０は、保持部２１が保持するウェハＷの少なくとも一部を冷却する。例えば冷却部９０は、保持部２１がウェハＷを保持する領域よりも外側の環状領域を冷却する。例えば冷却部９０は、冷却液をウェハＷの裏面Ｗｂに供給する。一例として、冷却部９０は、ノズル９１と、液源９２と、バルブ９３とを有する。冷却液は、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、シンナー又はアセトン等の揮発性の溶剤である。
【００３６】
ノズル９１は、保持部２１の周囲に設けられており、保持部２１が保持するウェハＷの裏面Ｗｂに向かって冷却液を吐出する。回転保持部２０によるウェハＷの回転中に、保持部２１から裏面Ｗｂに冷却液が供給されると、上記環状領域が冷却される。ノズル９１による冷却液の吐出方向は、ウェハＷの周縁Ｗｃ側に傾いていてもよい。液源９２は、ノズル９１に冷却液を供給する。例えば液源９２は、冷却液を貯留するタンク及び冷却液を圧送するポンプ等を含む。バルブ９３は、液源９２からノズル９１への冷却液の流路を開閉する。バルブ９３は、冷却液の流路の開度を調節できるように構成されていてもよい。これにより、ノズル９１からの冷却液の吐出量を調節することが可能となる。
【００３７】
なお、ウェハＷを冷却する手法は、必ずしもウェハＷへの冷却液の供給に限られない。例えば冷却部９０は、ノズル９１からウェハＷの裏面Ｗｂに冷却用のガスを吐出するように構成されていてもよい。また、冷却部９０は、カップ７０内のガスを冷却することで間接的にウェハＷを冷却するように構成されていてもよい。
【００３８】
このように構成された塗布ユニットＵ１は、制御部１００により制御される。制御部１００は、ウェハＷの表面Ｗａとノズル３１との間隔が所定の塗布用間隔に保たれた状態で、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａの中心にレジスト液を供給するように液供給部３０及びノズル搬送部５０を制御することと、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａにレジスト液が供給される期間中に、レジスト液が遠心力でノズル３１の外周からウェハＷの周縁Ｗｃ側に広がるように、ウェハＷの表面Ｗａの中心を通る軸線Ａｘ１まわりに第１回転速度でウェハＷを回転させ、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止した後に、レジスト液が遠心力で更に広がるように、上記軸線Ａｘ１まわりに第２回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部２０を制御することと、を実行するように構成されていてもよい。
【００３９】
図３に示すように、例えば制御部１００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、液供給制御部１１１と、液供給制御部１１２と、ノズル搬送制御部１１３と、ノズル搬送制御部１１４と、回転制御部１１５と、開閉制御部１１６と、冷却制御部１１７とを有する。
【００４０】
液供給制御部１１１は、ウェハＷの表面Ｗａとノズル３１との間隔が上記塗布用間隔に保たれた状態で、液供給部３０により、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａの中心にレジスト液を供給させる。塗布用間隔は、ノズル３１からのレジスト液の吐出を停止させればノズル３１とウェハＷの表面Ｗａとの間にレジスト液を保持し得るように設定されている。ノズル３１とウェハＷの表面Ｗａとの間にレジスト液を保持するとは、ノズル３１の下端面３１ａとウェハＷの表面Ｗａとの両方がレジスト液に接した状態で、レジスト液を下端面３１ａと表面Ｗａとの間に留めることを意味する。塗布用間隔は、ノズル３１の内径ＩＤ１の３倍以下である。塗布用間隔は、ノズル３１の内径ＩＤ１の２倍以下であってもよい。
【００４１】
なお、塗布用間隔がレジスト液の液膜（レジスト液の供給により表面Ｗａ上に形成される液膜）の膜厚以下であれば、ノズル３１からのレジスト液の吐出を停止させてもノズル３１と表面Ｗａとの間にはレジスト液が保持される。塗布用間隔がレジスト液の液膜の膜厚より大きくても、下端面３１ａとレジスト液との間の密着力がレジスト液の重さ以上となるように塗布用間隔が設けられていることで、下端面３１ａと表面Ｗａとの間にレジスト液が保持される。塗布用間隔がレジスト液の液膜の膜厚より大きい、つまり下端面３１ａが液膜よりも上に位置すると、レジスト液とウェハＷの着液部からウェハＷの外周に向かってレジスト液がより均一に広がり易くなる。また、下端面３１ａへのレジスト液の付着領域が小さく抑えられるので、レジスト供給停止やその後のレジスト液のノズル３１内への引き込み（サックバック）の際にレジスト液が下端面３１ａに残留し難くなる。
【００４２】
塗布用間隔は、下端面３１ａと表面Ｗａとの間に形成されるレジスト液の液柱にくびれが生じるように設定されていてもよい。換言すると、塗布用間隔は、下端面３１ａと表面Ｗａとの間に留まるレジスト液が、下端面３１ａ側から表面Ｗａに向かって一旦くびれてから徐々に広がった柱状となるように設定されていてもよい。このため塗布用間隔が液膜の膜厚以下である場合に比較して、液膜に対するレジスト液の着液領域が小さくなる。この場合、液膜に対するレジスト液の着液領域が更に小さくなる。
【００４３】
ノズル３１の下端面３１ａにおいて、開口を囲む環状部分の幅は、開口の内径ＩＤ１未満であってもよい。下端面３１ａの大半が、表面Ｗａに対して非平行となっていてもよい。例えば下端面３１ａは、その外周側へ向かうにつれて表面Ｗａから離れるように傾斜していてもよい。また、下端面３１ａは、その内周側へ向かうにつれて表面Ｗａから離れるように傾斜していてもよい。また、下端面３１ａは、その外周側及び内周側へ向かうにつれて表面Ｗａから離れるように傾斜していていもよい。換言すると、下端面３１ａにおいて外周と内周の間の部分が表面Ｗａ側に突出していてもよい。更に、下端面３１ａにおいて外周と内周の間の部分が、表面Ｗａ側に凸の曲面となっていてもよい。いずれにおいても、下端面３１ａに付着したレジスト液が下端面３１ａから離れ易くなり、下端面３１ａへの液残りが生じ難くなることが期待される。
【００４４】
液供給制御部１１１は、レジスト液がウェハＷの周縁Ｗｃに到達する前に、液供給部３０によりノズル３１からのレジスト液の吐出を停止させてもよい。液供給制御部１１１がノズル３１からのレジスト液の吐出を停止させるタイミングは、当該タイミングにおいてレジスト液が到達する位置がウェハＷの中心からウェハＷの半径の０．３〜１．０倍（０．４〜０．８倍であってもよい。）の位置となるように設定されていてもよい。液供給制御部１１１がノズル３１からのレジスト液の吐出を停止させるタイミングは、当該タイミングにおいてレジスト液が上記環状領域（冷却対象の領域）に達するように設定されていてもよい。液供給制御部１１１は、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａにレジスト液を供給させる際に、粘度が５ｃＰ以下であるレジスト液を毎秒０．２ｃｃ以下の流量でノズル３１から吐出させるように液供給部３０を制御してもよい。
【００４５】
液供給制御部１１２は、液供給制御部１１１がノズル３１からウェハＷの表面Ｗａにレジスト液を供給させる前に、液供給部４０によりウェハＷの表面Ｗａにプリウェット液を供給させる。
【００４６】
ノズル搬送制御部１１３は、ノズル４１からウェハＷの表面Ｗａへのプリウェット液の供給前に、水平搬送部６１によりノズル４１をウェハＷの中心の上方に配置するようにノズル搬送部６０を制御する。その後ノズル搬送制御部１１３は、昇降部６２によりノズル４１を表面Ｗａに近付けるようにノズル搬送部６０を制御する。ノズル搬送制御部１１３は、ノズル４１からウェハＷの表面Ｗａへのプリウェット液の供給後に、昇降部６２によりノズル４１を表面Ｗａから遠ざけるようにノズル搬送部６０を制御する。その後ノズル搬送制御部１１３は、水平搬送部６１によりウェハＷの上方からノズル４１を退避させるようにノズル搬送部６０を制御する。
【００４７】
ノズル搬送制御部１１４は、ウェハＷの表面Ｗａへのプリウェット液の塗布後、表面Ｗａへのレジスト液の供給前に、水平搬送部５１によりノズル３１をウェハＷの中心の上方に配置するようにノズル搬送部５０を制御する。その後ノズル搬送制御部１１３は、表面Ｗａとノズル３１との間隔が上記塗布用間隔となるまで、昇降部５２によりノズル３１を表面Ｗａに近付けるようにノズル搬送部６０を制御する。ノズル搬送制御部１１４は、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給後に、昇降部５２によりノズル３１を表面Ｗａから遠ざけるようにノズル搬送部５０を制御する。その後ノズル搬送制御部１１４は、水平搬送部５１によりウェハＷの上方からノズル３１を退避させるようにノズル搬送部５０を制御する。
【００４８】
回転制御部１１５は、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａにレジスト液が供給される期間中に、レジスト液が遠心力でノズル３１の外周からウェハＷの周縁Ｗｃ側に広がるように、回転保持部２０により第１回転速度でウェハＷを回転させる。第１回転速度は、毎秒０．２ｃｃ以下でノズル３１から吐出されるレジスト液の表面Ｗａへの供給が途切れないように設定されている。例えば第１回転速度は、１０００〜２０００ｒｐｍであってもよく、１２００〜１８００ｒｐｍであってもよく、１４００〜１６００ｒｐｍであってもよい。回転制御部１１５は、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止した後に、レジスト液が遠心力で更に広がるように、回転保持部２０により第２回転速度でウェハＷを回転させる。第２回転速度は第１回転速度以上である。例えば第２回転速度は、１３００〜２３００ｒｐｍであってもよく、１５００〜２１００ｒｐｍであってもよく、１７００〜１９００ｒｐｍであってもよい。
【００４９】
回転制御部１１５は、ノズル３１からのレジスト液の吐出が停止した後、ノズル３１が表面Ｗａから遠ざかる前に、ウェハＷの回転速度を第１回転速度よりも低い第３回転速度まで低下させるように回転保持部２０を制御してもよい。この場合、回転制御部１１５は、ノズル３１が表面Ｗａから遠ざかった後に、ウェハＷの回転速度を第３回転速度から第２回転速度に上昇させるように回転保持部２０を制御する。例えば第３回転速度は、０〜２００ｒｐｍであってもよく、５０〜１５０ｒｐｍであってもよく、８０〜１２０ｒｐｍであってもよい。ノズル３１が表面Ｗａから遠ざかる際におけるウェハＷの回転速度を小さくする構成によれば、表面Ｗａの外周側へのレジスト液の流れ（広がり）を抑制した状態でノズル３１を上昇させることができる。これにより、液切りにおける不要な液の供給又は液だれ等の抑制が期待される。
【００５０】
回転制御部１１５は、回転保持部２０によるウェハＷの回転速度を第３回転速度まで低下させることを、ノズル３１からのレジスト液の吐出の停止前に行い、ノズル３１から表面Ｗａから遠ざかるまでウェハＷの回転速度を第３回転速度に維持してもよい。この場合、ウェハＷの回転速度、表面Ｗａの外周側へのレジスト液の流れ（広がり）を抑制した状態で、レジスト液の吐出の停止及びノズル３１の上昇を行うことができる。これにより、液切りにおける不要な液の供給又は液だれ等の更なる抑制が期待される。
【００５１】
なお、上述した塗布用間隔は、ノズル３１により形成し得るレジスト液の液滴よりも小さく設定される場合がある。この場合、ノズル３１が上昇する際には、表面Ｗａと下端面３１ａとの間隔が液滴より小さい状態から液滴より大きい状態に変化することとなる。換言すると、表面Ｗａと下端面３１ａとの間隔が、液滴の生じ得ない間隔から液滴の生じ得る間隔に変化することとなる。このような場合、液の供給又は液だれ等を抑制する効果がより有効となる。
【００５２】
回転制御部１１５は、ノズル４１からウェハＷの表面Ｗａにプリウェット液が供給される期間中に、プリウェット液が表面Ｗａ上に留まる程度の第４回転速度でウェハＷを回転させる。第４回転速度は、第３回転速度以下であってもよい。例えば第４回転速度は、０〜１００ｒｐｍであってもよく、１０〜７０ｒｐｍであってもよく、２０〜４０ｒｐｍであってもよい。
【００５３】
更に回転制御部１１５は、ノズル４１からウェハＷの表面Ｗａに供給されたプリウェット液が遠心力でウェハＷの周縁Ｗｃ側に広がり、余分なプリウェット液がウェハＷの周囲に振り切られるように、回転保持部２０により第５回転速度でウェハＷを回転させる。第５回転速度は、第２回転速度以上であってもよい。例えば第５回転速度は、１０００〜３０００ｒｐｍであってもよく、１５００〜２５００ｒｐｍであってもよく、１８００〜２２００ｒｐｍであってもよい。
【００５４】
開閉制御部１１６は、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止する前に、開閉部８０により、レジスト液の溶剤揮発を抑制するための蓋部材８１を表面Ｗａに対向する位置に配置させる。例えば開閉制御部１１６は、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止する前に、開閉駆動部８２により蓋部材８１を上記閉位置に移動させるように開閉部８０を制御する。また、開閉制御部１１６は、開閉部８０が蓋部材８１を閉位置に移動させるのに合わせて、排気バルブ７５を閉じる。
【００５５】
開閉制御部１１６は、第２回転速度でのウェハＷの回転が完了する前に、表面Ｗａに対向する位置から蓋部材８１を除去するように開閉部８０を制御する。例えば開閉制御部１１６は、第２回転速度でのウェハＷの回転が完了する前の所定タイミングで、開閉駆動部８２により蓋部材８１を上記閉位置から開位置に移動させるように開閉部８０を制御する。また、開閉制御部１１６は、開閉部８０が蓋を開位置に移動させるのに合わせて、排気バルブ７５を開く。上記所定タイミングは、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止するタイミングとの間の期間が、第２回転速度でのウェハＷの回転が完了するタイミングとの間の期間よりも短くなるように設定されていてもよい。上記所定タイミングは、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止した後であってもよい。
【００５６】
冷却制御部１１７は、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａにレジスト液が供給される期間中に、ウェハＷを冷却するように冷却部９０を制御する。例えば冷却制御部１１７は、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａにレジスト液が供給される期間中に、冷却部９０によりノズル９１からウェハＷの裏面Ｗｂに冷却液を供給させる。これにより、ウェハＷの上記環状領域が冷却される。冷却制御部１１７は、第２回転速度でのウェハＷの回転が完了する前に、冷却部９０によるウェハＷの冷却を停止させる。例えば冷却制御部１１７は、第２回転速度でのウェハＷの回転が完了する前の所定タイミングで、冷却部９０によりノズル９１からの冷却液の吐出を停止させる。上記所定タイミングは、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止するタイミングとの間の期間が、第２回転速度でのウェハＷの回転が完了するタイミングとの間の期間よりも短くなるように設定されていてもよい。上記所定タイミングは、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止した後であってもよい。ウェハＷの冷却効果は、冷却部９０によるウェハＷの冷却が停止した後もしばらく持続する。これを考慮し、上記所定タイミングは、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止する前であってもよい。
【００５７】
制御部１００は、例えば一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御部１００は、図４に示す回路１２０を備える。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマ１２５とを有する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。ストレージ１２３は、ウェハＷの表面Ｗａとノズル３１との間隔が所定の塗布用間隔に保たれた状態で、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａの中心にレジスト液を供給するように液供給部３０及びノズル搬送部５０を制御することと、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａにレジスト液が供給される期間中に、レジスト液が遠心力でノズル３１の外周からウェハＷの周縁Ｗｃ側に広がるように、ウェハＷの表面Ｗａの中心を通る軸線Ａｘ１まわりに第１回転速度でウェハＷを回転させ、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止した後に、レジスト液が遠心力で更に広がるように、上記軸線Ａｘ１まわりに第２回転速度でウェハＷを回転させるように回転保持部２０を制御することと、を制御部１００に実行させるためのプログラムを記憶している。例えばストレージ１２３は、上述した制御部１００の各機能モジュールを制御部１００により構成するためのプログラムを記憶していてもよい。
【００５８】
メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、回転保持部２０、液供給部３０、液供給部４０、ノズル搬送部５０、ノズル搬送部６０、排気バルブ７５、開閉部８０及び冷却部９０との間で電気信号の入出力を行う。タイマ１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。
【００５９】
なお、制御部１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御部１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
【００６０】
〔塗布処理手順〕
以下、塗布処理方法の一例として、塗布ユニットＵ１において実行される塗布処理手順を説明する。この塗布処理手順は、ウェハＷの表面Ｗａとノズル３１との間隔が上記塗布用間隔に保たれた状態で、ノズル３１から表面Ｗａの中心にレジスト液を供給することと、ノズル３１から表面Ｗａにレジスト液が供給される期間中に、レジスト液が遠心力でノズル３１の外周からウェハＷの周縁Ｗｃ側に広がるように、表面Ｗａの中心を通る軸線Ａｘ１まわりに第１回転速度でウェハＷを回転させることと、ノズル３１から表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止した後に、レジスト液が遠心力で更に広がるように、上記軸線Ａｘ１まわりに第２回転速度でウェハＷを回転させることと、を含む。
【００６１】
例えば制御部１００は、図５に示すように、まずステップＳ０１，Ｓ０２，Ｓ０３を実行する。ステップＳ０１では、ノズル搬送制御部１１３が、水平搬送部６１によりノズル４１をウェハＷの中心の上方に配置するようにノズル搬送部６０を制御する。その後ノズル搬送制御部１１３は、昇降部６２によりノズル４１を表面Ｗａに近付けるようにノズル搬送部６０を制御する（図８の（ａ）参照）。ステップＳ０２では、回転制御部１１５が、回転保持部２０により、上記第４回転速度でのウェハＷの回転を開始させる。ステップＳ０３では、液供給制御部１１２が、液供給部４０によりウェハＷの表面Ｗａに所定量のプリウェット液を供給させる（図８の（ｂ）参照）。
【００６２】
次に、制御部１００は、ステップＳ０４，Ｓ０５，Ｓ０６を実行する。ステップＳ０４では、回転制御部１１５が、回転保持部２０により、ウェハＷの回転速度を上記第４回転速度から第５回転速度に上昇させる。これにより、ノズル４１からウェハＷの表面Ｗａに供給されたプリウェット液が遠心力でウェハＷの周縁Ｗｃ側に広がり、余分なプリウェット液がウェハＷの周囲に振り切られる（図８の（ｃ）参照）。ステップＳ０５では、ノズル搬送制御部１１３が、昇降部６２によりノズル４１を表面Ｗａから遠ざけ、水平搬送部６１によりウェハＷの上方からノズル４１を退避させるようにノズル搬送部６０を制御する。ステップＳ０６では、回転制御部１１５が、ウェハＷが第５回転速度での回転を開始したタイミングを基準として所定時間が経過するのを待機する。所定時間は、余分なプリウェット液が十分に振り切られるように、事前の実機試験又はシミュレーション等により設定されている。
【００６３】
次に、制御部１００は、図６に示すようにステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３を実行する。ステップＳ１１では、回転制御部１１５が、回転保持部２０により、ウェハＷの回転速度を上記第５回転速度から第１回転速度に低下させる。ステップＳ１２では、冷却制御部１１７が、冷却部９０により、ノズル９１からウェハＷの裏面Ｗｂへの冷却液の供給を開始させる（図９の（ａ）参照）。ステップＳ１３では、開閉制御部１１６が、開閉駆動部８２により蓋部材８１を上記閉位置（表面Ｗａに対向する位置）に移動させるように開閉部８０を制御する（図９の（ｂ）参照）。また、ステップＳ１３では、開閉制御部１１６が排気バルブ７５を閉じる。
【００６４】
次に、制御部１００は、ステップＳ１４，Ｓ１５，Ｓ１６，Ｓ１７を実行する。ステップＳ１４では、ノズル搬送制御部１１４が、水平搬送部５１によりノズル３１をウェハＷの中心の上方に配置するようにノズル搬送部５０を制御する（図１０の（ａ）参照）。ステップＳ１５では、ノズル搬送制御部１１４が、表面Ｗａとノズル３１との間隔が上記塗布用間隔となるまで、昇降部５２によりノズル３１を表面Ｗａに近付けるようにノズル搬送部５０を制御する（図１０の（ｂ）参照）。ステップＳ１６では、液供給制御部１１１が、ウェハＷの表面Ｗａとノズル３１との間隔が上記塗布用間隔に保たれた状態で、液供給部３０により、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給を開始させる（図１０の（ｃ）参照）。ステップＳ１７では、液供給制御部１１１が、ノズル３１からのレジスト液の吐出が開始したタイミングを基準として所定時間が経過するのを待機する。所定時間は、レジスト膜の膜厚を目標膜厚とするのに十分な量のレジスト液を供給し得るように、事前の実機試験又はシミュレーション等により設定されている。
【００６５】
次に、制御部１００は、図７に示すようにステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３，Ｓ２４を実行する。ステップＳ２１では、回転制御部１１５が、回転保持部２０により、ウェハＷの回転速度を上記第１回転速度から第３回転速度に低下させる。ステップＳ２２では、液供給制御部１１１が、液供給部３０により、ノズル３１からのレジスト液の吐出を停止させる。ステップＳ２３では、ノズル搬送制御部１１４が、昇降部５２によりノズル３１を表面Ｗａから遠ざけるようにノズル搬送部５０を制御する（図１１の（ａ）参照）。ステップＳ２４では、ノズル搬送制御部１１４が、水平搬送部５１によりウェハＷの上方からノズル３１を退避させるようにノズル搬送部５０を制御する。
【００６６】
次に、制御部１００は、ステップＳ２５，Ｓ２６を実行する。ステップＳ２５では、回転制御部１１５が、回転保持部２０により、ウェハＷの回転速度を上記第３回転速度から第２回転速度に上昇させる。これにより、表面Ｗａ上のレジスト液が周縁Ｗｃ側に更に塗り広げられ、余分なレジスト液が表面Ｗａ上から振り切られる（図１１の（ｂ）参照）。ステップＳ２６では、回転制御部１１５が、ウェハＷが第２回転速度での回転を開始したタイミングを基準として所定時間が経過するのを待機する。所定時間は、レジスト膜の膜厚の均一性を向上させる観点で、事前の実機試験又はシミュレーション等により設定されている。
【００６７】
次に、制御部１００は、ステップＳ２７，Ｓ２８，Ｓ２９，Ｓ３１を実行する。ステップＳ２７では、冷却制御部１１７が、冷却部９０により、ノズル９１からウェハＷの裏面Ｗｂへの冷却液の供給を停止させる。ステップＳ２８では、開閉制御部１１６が、開閉駆動部８２により蓋部材８１を上記閉位置から開位置に移動させるように開閉部８０を制御する（図１１の（ｃ）参照）。また、ステップＳ２８では、開閉制御部１１６が排気バルブ７５を開く。ステップＳ２９では、回転制御部１１５が、ウェハＷが第２回転速度での回転を開始したタイミングを基準として所定時間が経過するのを待機する。この間も、周縁Ｗｃ側へのレジスト液の広がりが継続する。所定時間は、レジスト膜の膜厚の均一性を向上させる観点で、事前の実機試験又はシミュレーション等により設定されている。ステップＳ３１では、回転制御部１１５が、回転保持部２０によりウェハＷの回転を停止させる。以上で塗布処理手順が完了する。
【００６８】
〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、本実施形態に係る塗布処理方法は、ウェハＷの表面Ｗａとノズル３１との間隔が所定の塗布用間隔に保たれた状態で、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａの中心にレジスト液を供給することと、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａにレジスト液が供給される期間中に、レジスト液が遠心力でノズル３１の外周からウェハＷの周縁Ｗｃ側に広がるように、ウェハＷの表面Ｗａの中心を通る軸線Ａｘ１まわりに第１回転速度でウェハＷを回転させることと、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止した後に、レジスト液が遠心力で更に広がるように、軸線Ａｘ１まわりに第２回転速度でウェハＷを回転させることと、を含み、塗布用間隔は、ノズル３１からのレジスト液の吐出を停止させればノズル３１とウェハＷの表面Ｗａとの間にレジスト液を保持し得るように設定されている。
【００６９】
レジスト液の乾燥は、ノズル３１から吐出された後、ウェハＷの周縁Ｗｃに到達するまでの間においても進行する。ウェハＷの周縁Ｗｃに到達する前に流動性が実質的に低下するレベルまでレジスト液の乾燥が進行すると、レジスト液の塗布により形成される被膜の膜厚の均一性が低下する可能性がある。例えば、ウェハＷの周縁Ｗｃまで十分なレジスト液が行き渡らずに、ウェハＷの周縁部における膜厚が過小となる可能性がある。一方、ウェハＷの中心から周縁Ｗｃまでの間で、膜厚が過大となる可能性もある。これに対し、上記塗布用間隔までノズル３１をウェハＷに近接させた状態でレジスト液を供給すること（以下、「近接塗布」という。）により、少なくともノズル３１からウェハＷに到達するまでの間におけるレジスト液の乾燥が抑制される。このため、ウェハＷの周縁Ｗｃに到達するまでの間におけるレジスト液の流動性低下を抑制することができる。従って、膜厚の均一性向上に有効である。
【００７０】
塗布処理方法は、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａにレジスト液を供給する前に、ウェハＷの表面Ｗａにプリウェット液を塗布することと、プリウェット液の塗布後に、ウェハＷの表面Ｗａとノズル３１との間隔が塗布用間隔となるまでノズル３１をウェハＷの表面Ｗａに近付けることと、を更に含んでいてもよい。この場合、プリウェット液の塗布によるレジスト液の広がり促進と、近接塗布によるレジスト液の流動性低下の抑制との相乗効果により、ウェハＷの周縁Ｗｃに到達するまでの間におけるレジスト液の流動性低下を更に抑制することができる。従って、膜厚の均一性向上に更に有効である。
【００７１】
レジスト液がウェハＷの周縁Ｗｃに到達する前に、ノズル３１からのレジスト液の吐出を停止させてもよい。この場合、膜厚の均一性と、レジスト液の節約との両立を図ることができる。
【００７２】
ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａの中心にレジスト液を供給する際には、粘度が５ｃＰ以下であるレジスト液を毎秒０．２ｃｃ以下の流量でノズル３１から吐出させてもよい。この場合も、膜厚の均一性と、レジスト液の節約との両立を図ることができる。
【００７３】
塗布用間隔は、ノズル３１の内径ＩＤ１の３倍以下であってもよい。この場合、より確実に近接塗布を実行することができる。また、塗布用間隔は、液膜の膜厚より大きい値に設定されていてもよい。この場合、液膜に対するレジスト液の着液領域を小さくし、ノズル３１から液膜に対する物理的干渉を抑制することができる。更に液切り（ノズル３１の上昇）後におけるノズル３１への液残りも抑制することができる。これらは、膜厚の均一性の更なる向上に寄与し得る。
【００７４】
塗布処理方法は、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止する前に、レジスト液の溶剤揮発を抑制するための蓋部材８１をウェハＷの表面Ｗａに対向する位置に配置することと、第２回転速度でのウェハＷの回転が完了する前に、ウェハＷの表面Ｗａに対向する位置から蓋部材８１を除去することと、を更に含んでいてもよい。この場合、蓋部材８１による溶剤の揮発抑制と、近接塗布によるレジスト液の流動性低下の抑制との相乗効果により、ウェハＷの周縁Ｗｃに到達するまでの間におけるレジスト液の流動性低下を更に抑制することができる。
【００７５】
塗布処理方法は、ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａにレジスト液が供給される期間中に、ウェハＷを冷却することと、第２回転速度でのウェハＷの回転が完了する前に、ウェハＷの冷却を停止することと、を更に含んでいてもよい。この場合、ウェハＷの冷却による溶剤の揮発抑制と、近接塗布によるレジスト液の流動性低下の抑制との相乗効果により、ウェハＷの周縁Ｗｃに到達するまでの間におけるレジスト液の流動性低下を更に抑制することができる。
【００７６】
ノズル３１からウェハＷの表面Ｗａへのレジスト液の供給が停止するタイミングとの間の期間が、第２回転速度でのウェハＷの回転が完了するタイミングとの間の期間よりも短くなるように設定されたタイミングでウェハＷの冷却を停止させてもよい。第２回転速度でのウェハＷの回転においてもウェハＷの冷却を過剰に行うと、レジスト液の供給後においてウェハＷから振り切られるレジスト液の量が過剰となり、膜厚が過小となる可能性がある。これに対し、上述のタイミングでウェハＷの冷却を停止させることによって、膜厚の適正化を図ることができる。
【００７７】
ウェハＷを回転させる際には、回転保持部２０によりウェハＷを裏面Ｗｂ側から保持してウェハＷを回転させ、ウェハＷを冷却する際には、回転保持部２０がウェハＷを保持する領域よりも外側の環状領域を冷却してもよい。この場合、環状領域の内側が冷却されないので、近接塗布を行うことの効果がより顕著となる。
【００７８】
ウェハＷを冷却する際には、冷却液をウェハＷの裏面Ｗｂに供給してもよい。この場合、ウェハＷを冷却する構成を簡素化することができる。
【００７９】
以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。蓋部材８１は、ウェハＷの表面Ｗａに対向する範囲内に、ノズル挿入口８３とは別の開口を、ノズル挿入口８３の周囲に有してもよい。以下、この開口を「追加開口」という。表面Ｗａのうち追加開口の領域に対向する位置においては、溶剤の揮発が抑制されにくい。このため、追加開口の領域に対向する位置においては、レジスト膜の膜厚が厚くなる傾向がある。これを膜厚均一性向上に利用してもよい。例えば、膜厚が不足し易い部分に追加開口の領域を対向させ、当該部分における膜厚を増やしてもよい。また、レジスト液を塗り広げる期間中に、開閉駆動部８２により追加開口を移動させてもよい。
【００８０】
ノズル搬送部５０により、ノズル３１とともに蓋部材８１を移動させてもよい。この場合、開閉駆動部８２を省略可能である。上述した塗布処理方法は、レジスト膜以外（例えば上述した下層膜又は上層膜）の成膜にも適用可能である。処理対象の基板は、半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。
【符号の説明】
【００８１】
２…塗布・現像装置（塗布処理装置）、２０…回転保持部、３０…液供給部、３１…ノズル、８１…蓋部材、１１１…液供給制御部、１１５…回転制御部、Ａｘ１…軸線、ＩＤ１…内径、Ｗ…ウェハ（基板）、Ｗａ…表面、Ｗｂ…裏面、Ｗｃ…周縁。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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