(57)【要約】【課題】視野角による色度変移を目立たなくすることを目的とする。【解決手段】複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂは、発光色に応じた複数グループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂに分けられる。複数グループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂのそれぞれに複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの対応する一群が含まれる。複数のフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂの透過光色は、それぞれ、複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの発光色と同系色である。複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂのそれぞれは、複数の接触領域４４の対応する１つの範囲内に、発光特性が相互に異なる中央領域４６及び周縁領域４８を有する。複数のフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂのそれぞれは、中央にフィルタ開口６６を有し、周縁領域４８の少なくとも外方向斜め上方にある。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、
前記複数の画素電極にそれぞれ重なる複数の発光層を含み、前記複数の画素電極にそれぞれ接触する複数の接触領域を有するエレクトロルミネセンス層と、
前記エレクトロルミネセンス層の上にある共通電極と、
前記複数の発光層の対応する１つにそれぞれが重なる複数のフィルタ層を有して前記共通電極の上にあるカラーフィルタ層と、
を有し、
前記複数の発光層は、発光色に応じた複数グループに分けられ、前記複数グループのそれぞれに前記複数の発光層の対応する一群が含まれ、
前記複数のフィルタ層の透過光色は、それぞれ、前記複数の発光層の前記発光色と同系色であり、
前記複数の発光層のそれぞれは、前記複数の接触領域の対応する１つの範囲内に、発光特性が相互に異なる中央領域及び周縁領域を有し、
前記複数のフィルタ層のそれぞれは、中央にフィルタ開口を有し、前記周縁領域の少なくとも外方向斜め上方にあることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記複数のフィルタ層のそれぞれは、前記周縁領域に重なることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記複数のフィルタ層のそれぞれは、前記中央領域の端部に重なることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の接触領域にそれぞれ重なる複数の絶縁開口を有して前記複数の画素電極のそれぞれの周端部に載る絶縁層をさらに有し、
前記エレクトロルミネセンス層は、前記複数の絶縁開口の内側で前記複数の画素電極に接触し、前記絶縁層の上に載ることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数グループのそれぞれと他の少なくとも１つとでは、前記複数の発光層の対応する前記一群のそれぞれが前記周縁領域の外縁から内縁までの間に有する幅において異なることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載された表示装置において、
前記複数のフィルタ層のそれぞれは、前記周縁領域の前記幅の大きさに応じて、前記フィルタ開口の開口端から前記周縁領域の前記外縁の直上までの長さを有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記カラーフィルタ層は、前記複数グループの少なくとも１つに含まれる前記複数の発光層の対応する前記一群との重複を避けていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記エレクトロルミネセンス層を封止する封止層をさらに有し、
前記複数のフィルタ層は、前記封止層の上にあることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記エレクトロルミネセンス層を封止する封止層をさらに有し、
前記複数のフィルタ層は、前記封止層の内部にあることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数のフィルタ層を覆う保護層をさらに有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載された表示装置において、
タッチセンシングのために前記エレクトロルミネセンス層と前記カラーフィルタ層の間に介在するタッチセンシング層をさらに有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の発光層の、前記複数グループの異なる一対にそれぞれが含まれる隣り合う一対は、端部同士が重なっていることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数のフィルタ層の、前記透過光色において異なる隣り合う一対は、端部同士が重なっていることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の発光層の、前記複数グループの共通する１つにそれぞれが含まれる隣り合う一対は、連続していることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数のフィルタ層の、前記透過光色において共通する隣り合う一対は、連続していることを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記発光色は、赤、緑及び青を含み、
前記複数の発光層の、前記青に対応する前記一群のそれぞれは、発光ピーク波長範囲において４４０ｎｍ〜４８０ｎｍであり、
前記複数の発光層の、前記緑に対応する前記一群のそれぞれは、前記発光ピーク波長範囲において５１０ｎｍ〜５７０ｎｍであり、
前記複数の発光層の、前記赤に対応する前記一群のそれぞれは、前記発光ピーク波長範囲において６００ｎｍ〜６７０ｎｍであることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載された表示装置において、
前記発光色は、黄をさらに含み、
前記複数の発光層の、前記黄に対応する前記一群のそれぞれは、前記発光ピーク波長範囲において５１０ｎｍ〜６７０ｎｍであることを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項１６又は１７に記載された表示装置において、
前記発光色は、白をさらに含み、
前記複数の発光層の、前記白に対応する前記一群のそれぞれは、前記発光ピーク波長範囲において相互に異なる複数層を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
請求項１６から１８のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記透過光色は、赤、緑及び青を含み、
前記複数のフィルタ層の、前記青に対応する一群のそれぞれは、透過波長範囲において４２０ｎｍ〜５００ｎｍであり、
前記複数のフィルタ層の、前記緑に対応する一群のそれぞれは、前記透過波長範囲において５００ｎｍ〜６００ｎｍであり、
前記複数のフィルタ層の、前記赤に対応する一群のそれぞれは、前記透過波長範囲において５８０ｎｍ〜７００ｎｍであることを特徴とする表示装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載された表示装置において、
前記透過光色は、黄をさらに含み、
前記複数のフィルタ層の、前記黄に対応する一群のそれぞれは、前記透過波長範囲において５００ｎｍ〜７００ｎｍであることを特徴とする表示装置。
【請求項２１】
請求項１９又は２０に記載された表示装置において、
前記透過光色は、白をさらに含み、
前記複数のフィルタ層の、前記白に対応する一群のそれぞれは、前記透過波長範囲において、前記青、前記緑及び前記赤をそれぞれカバーする波長域を含み、
前記波長域のそれぞれと他の少なくとも１つとでは、透過率において異なることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
少なくとも赤、緑及び青（ＲＧＢ）の三色の副画素で画素が構成されるように、発光層が発光色ごとに分離された有機エレクトロルミネッセンス表示装置が知られている（特許文献１）。このような構造では、各副画素の周縁部と中央領域とで発光色がわずかに異なっている。また、出射角によって色度変化が異なる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−７７９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
出射角による色度変化の相違は、視野角による表示色の相違をもたらす。これに対して、各副画素の周縁部を覆うように遮光層を設けることで対策すると、利用できる光量が減るため、輝度が低下する。また、特許文献１のように、画素全体に副画素の発光色と同色のカラーフィルタを配置することで対策すると、カラーフィルタの分光透過率が１００％未満であるため、やはり輝度が低下する。
【０００５】
本発明は、視野角による色度変移を目立たなくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ重なる複数の発光層を含み、前記複数の画素電極にそれぞれ接触する複数の接触領域を有するエレクトロルミネセンス層と、前記エレクトロルミネセンス層の上にある共通電極と、前記複数の発光層の対応する１つにそれぞれが重なる複数のフィルタ層を有して前記共通電極の上にあるカラーフィルタ層と、を有し、前記複数の発光層は、発光色に応じた複数グループに分けられ、前記複数グループのそれぞれに前記複数の発光層の対応する一群が含まれ、前記複数のフィルタ層の透過光色は、それぞれ、前記複数の発光層の前記発光色と同系色であり、前記複数の発光層のそれぞれは、前記複数の接触領域の対応する１つの範囲内に、発光特性が相互に異なる中央領域及び周縁領域を有し、前記複数のフィルタ層のそれぞれは、中央にフィルタ開口を有し、前記周縁領域の少なくとも外方向斜め上方にあることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、カラーフィルタ層によって視野角による色度変移を目立たなくすることができる。また、複数のフィルタ層のそれぞれは、中央にフィルタ開口を有するので、光量の減少や輝度の低下が少ない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】表示装置の使用状態を示す概略図である。
【図３】図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。
【図４】表示装置の表示領域を一部拡大した図である。
【図５】表示領域内のエレクトロルミネセンス層よりも下の層から画素電極までの断面図である。
【図６】図４に示す表示装置のVI−VI線断面図である。
【図７】図１に示す表示装置の回路図である。
【図８】第２の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図９】第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１０】第４の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１１】第５の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１２】図１１に示す追加の発光層の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１０】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１１】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１２】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、実際には、折り曲げて使用するので、図１は、表示装置を折り曲げる前の展開図である。図２は、表示装置の使用状態を示す概略図である。図３は、図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。
【００１３】
表示装置は、ディスプレイＤＳＰを含む。屈曲の内側にはスペーサＳＰが配置されて、ディスプレイＤＳＰの曲がりすぎを防いでいる。ディスプレイＤＳＰは、可撓性を有し、表示領域ＤＡの外側で折り曲げられている。ディスプレイＤＳＰには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップＣＰが搭載されている。ディスプレイＤＳＰには、表示領域ＤＡの外側で、フレキシブルプリント基板ＦＰが接続されている。
【００１４】
表示装置は、例えば、有機エレクトロルミネセンス表示装置である。表示装置は、画像が表示される表示領域ＤＡを有する。表示領域ＤＡでは、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。
【００１５】
図４は、表示装置の表示領域を一部拡大した図である。図５は、表示領域DA内の後述するエレクトロルミネッセンス層等よりも下の層から画素電極までの断面図である。
【００１６】
基板１０は、ポリイミド等の樹脂材料からなる。十分な可撓性を有する基材であれば他の材料を用いてもよい。
【００１７】
基板１０上に、バリア無機膜１２（アンダーコート層）が積層されている。バリア無機膜１２は、シリコン酸化膜１２ａ、シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃの三層積層構造である。最下層のシリコン酸化膜１２ａは、基板１０との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜１２ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜１２ｃは、シリコン窒化膜１２ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１６側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造、目的に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。
【００１８】
薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて機能膜１４を形成してもよい。機能膜１４は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制することができる。また、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜１２ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて機能膜１４を島状に形成し、その後シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃを積層することで、バリア無機膜１２に機能膜１４を封入するように形成しているが、この限りではなく、基板１０上にまず機能膜１４を形成し、その後にバリア無機膜１２を形成してもよく、また、その逆の形成順でもよい。
【００１９】
バリア無機膜１２上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１６は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜１８としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２０は、ＭｏＷ等の導電性材料から形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２０に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１６（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜１８を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。
【００２０】
ゲート電極２０の上に、層間絶縁膜２２が積層されている。層間絶縁膜２２には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機絶縁膜が用いられる。層間絶縁膜２２の上に、ソース・ドレイン電極２４となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用するが、材料はこれに限られない。層間絶縁膜２２を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。
【００２１】
第２配線層Ｗ２（ソース・ドレイン電極２４）を覆って、層間絶縁膜２２の上にパッシベーション膜２６が形成されている。パッシベーション膜２６の上には平坦化膜２８が設けられている。平坦化膜２８は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の有機材料が用いられる。
【００２２】
平坦化膜２８及びパッシベーション膜２６上に導電膜３２が形成されている。導電膜３２は、例えば酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）が用いられる。平坦化膜２８及びパッシベーション膜２６は、画素コンタクト部３０では除去される。導電膜３２は、相互に分離された第１導電膜３２ａ及び第２導電膜３２ｂを含む。平坦化膜２８及びパッシベーション膜２６の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３２ａにて被覆される。第１導電膜３２ａを被覆するように、平坦化膜２８の上に無機絶縁膜３４が設けられている。無機絶縁膜３４は、例えばシリコン窒化膜が用いられる。無機絶縁膜３４は、画素コンタクト部３０に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極２４に導通するように画素電極３６が積層されている。画素電極３６は、一つのサブ画素に対応して設けられる。
【００２３】
画素電極３６は、反射電極として形成され、ここでは酸化インジウム亜鉛膜、Ａｇ膜、酸化インジウム亜鉛膜の三層積層構造になっている。ここで、酸化インジウム亜鉛膜に代わって酸化インジウムスズ膜等の導電膜を用いてもよい。画素電極３６は、画素コンタクト部３０から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。
【００２４】
第２導電膜３２ｂは、画素コンタクト部３０に隣接して、画素電極３６の下方（さらに無機絶縁膜３４の下方）に設けられている。第２導電膜３２ｂ、無機絶縁膜３４及び画素電極３６は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。
【００２５】
図６は、図４に示す表示装置のVI−VI線断面図である。平坦化膜２８の上には、バンク（リブ）と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁層３８が形成されている。絶縁層３８としては平坦化膜２８と同じく感光性アクリル等の有機材料が用いられるが、無機材料を用いてもよい。絶縁層３８は、複数の画素電極３６の表面を発光領域として露出するように、複数の絶縁開口４０を有する。絶縁層３８は、それぞれの画素電極３６の周端部を覆う。絶縁開口４０の開口端は順テーパー形状となるのが好ましい。
【００２６】
複数の画素電極３６の上に、有機材料からなるエレクトロルミネセンス層４２が積層されている。エレクトロルミネセンス層４２は、複数の画素電極３６にそれぞれ接触する複数の接触領域４４を有する。複数の接触領域４４は、絶縁層３８の複数の絶縁開口４０に重なる（又は一致する）。エレクトロルミネセンス層４２は、複数の絶縁開口４０の内側で複数の画素電極３６に接触する。エレクトロルミネセンス層４２は、絶縁層３８上にも形成される。
【００２７】
エレクトロルミネセンス層４２は、複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂを含む。複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂは、複数の画素電極３６にそれぞれ重なる。それぞれの発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂは、中央領域４６及び中央領域４６を囲む周縁領域４８を有する。中央領域４６及び周縁領域４８は、複数の接触領域４４の対応する１つの範囲内にある。
【００２８】
発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂは、マスクを使用した蒸着によってパターニング形成される。蒸着材料は、周縁領域４８付近では、付着しにくいために薄く成膜される。したがって、それぞれの発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂは、厚みが均一になっておらず、周縁領域４８は中央領域４６よりも薄い。
【００２９】
発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの厚みが異なると、輝度が変化する。光共振器を備える構造では、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの厚みの違いから共振器長が変化し、強め合う干渉が起きる波長が変化するので、光の色相が異なってくる。色の三属性である色相、明度及び彩度のうち、特に色相の変化は画質に大きな影響を与える。つまり、中央領域４６及び周縁領域４８は、発光特性が相互に異なることとなる。
【００３０】
複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂは、図４に示すように、発光色に応じた複数グループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂに分けられる。ここでは、発光色は、赤、緑及び青（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を含むが、その他の色を含んでもよく、２色以上の複数色から構成されていればよい。それぞれのグループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂに、複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの対応する一群が含まれる。青の発光層ＥＭｂは、発光ピーク波長範囲において４４０ｎｍ〜４８０ｎｍである。緑の発光層ＥＭｇは、発光ピーク波長範囲において５１０ｎｍ〜５７０ｎｍである。赤の発光層ＥＭｒは、発光ピーク波長範囲において６００ｎｍ〜６７０ｎｍである。本実施例では、共通するグループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂにおいて隣り合う一対の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂ（一対の青の発光層ＥＭｂ、一対の緑の発光層ＥＭｇ、一対の赤の発光層ＥＭｒ）は連続する（図４参照）。ただし、各発光層の配置はこれに限定されない。それぞれのグループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂと他の少なくとも１つのグループとでは、複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂは、図６に示すように、周縁領域４８の外縁から内縁までの間に有する幅Ｗｒ，Ｗｇ，Ｗｂにおいて異なる。
【００３１】
エレクトロルミネセンス層４２は、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの下及び上にそれぞれ、キャリアを効率良く注入輸送するための第１キャリア注入輸送層５０及び第２キャリア注入輸送層５２を含む。第１キャリア注入輸送層５０及び第２キャリア注入輸送層５２は、注入輸送するためのキャリアの正負が逆である。画素電極３６が陽極であれば、第１キャリア注入輸送層５０は正孔注入層及び正孔輸送層を含み、第２キャリア注入輸送層５２は電子注入層及び電子輸送層を含む。
【００３２】
第１キャリア注入輸送層５０は、マイクロキャビティ効果を得るために、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの発光色に応じた厚みを有してもよい。つまり、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂで発生した光を、画素電極３６の反射面で反射させて共振させるときに、光の波長に対応するように厚みが調整されている。本実施例において、第１キャリア注入輸送層５０は、キャリア注入層及びキャリア輸送層からなる第１共通層５４を有する。第１共通層５４（キャリア注入層）の下面に複数の接触領域４４がある。すなわち、第１共通層５４と画素電極３６が接触領域４４において接する。青の発光層ＥＭｂは第１共通層５４の上に接触して設けられている。一方、緑及び赤の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇと第１共通層５４の間には、それぞれ、キャリア輸送層からなる個別層ＩＤｇ，ＩＤｒが介在する。緑の個別層ＩＤｇと赤の個別層ＩＤｒは、厚みが異なっていてもよいし、同じ厚みであってもよい。
【００３３】
第２キャリア注入輸送層５２（キャリア注入層及びキャリア輸送層）は、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの発光色にかかわらず均一の厚みを有していてもよいし、発光色に応じて異なる厚みを有していてもよい。
【００３４】
エレクトロルミネセンス層４２を構成する各層は、蒸着によって形成してもよいし、溶媒分散の上での塗布によって形成してもよく、画素電極３６（各サブ画素）に対して選択的に形成してもよいし、表示領域ＤＡを覆う全面にベタ形成されてもよい。
【００３５】
エレクトロルミネセンス層４２の上に、共通電極５６が設けられている。ここでは、トップエミッション構造が採用されているため、共通電極５６は透明である。共通電極としては、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電膜が用いられる。そのほか、例えば、Ｍｇ層及びＡｇ層を、エレクトロルミネセンス層４２からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。画素電極３６が陽極であれば、共通電極５６は陰極である。複数の画素電極３６と、共通電極５６と、複数の画素電極３６のそれぞれの中央部と共通電極５６の間に介在するエレクトロルミネセンス層４２とで発光素子ＯＤ（図７参照）が構成される。
【００３６】
共通電極５６の上に、光取り出し効率を向上させるためのキャップ層５８が積層されていてもよい。共通電極５６またはキャップ層５８の上に封止層６０が形成されていてもよい。封止層６０は、先に形成したエレクトロルミネセンス層４２を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一つとしており、高いガスバリア性が要求される。本実施例では封止層６０は、有機膜６２及びこれを挟む一対の無機膜６３（例えばシリコン窒化膜）の積層構造になっている。封止層６０は、これに限られず、一層でもよいし、二層以上の積層構造でもよい。
【００３７】
表示装置は、カラーフィルタ層６４を有する。カラーフィルタ層６４は、複数のフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂを含む。カラーフィルタ層６４（フィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂ）は、共通電極５６の上方にある。カラーフィルタ層６４は、その下地に直接塗布して形成してもよい。あるいは、他の基板の上に形成したカラーフィルタ層６４をアライメントして転写する方法を適用してもよい。
【００３８】
それぞれのフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂは、複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの対応する１つに平面視で重なる。それぞれのフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂの透過光色は、対応する発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの発光色と同系色（例えば赤、緑又は青）である。同系色は、色相が同じで明度及び彩度などの要素を変化させた色同士の組み合わせ、色相が隣り合っているもの同志の組み合わせ、色相は違うが似ている色同志の組み合わせを含み、無彩色の同系色もあり得る。
【００３９】
青のフィルタ層ＣＦｂは、透過波長範囲において４２０ｎｍ〜５００ｎｍである。緑のフィルタ層ＣＦｇは、透過波長範囲において５００ｎｍ〜６００ｎｍである。赤のフィルタ層ＣＦｒは、透過波長範囲において５８０ｎｍ〜７００ｎｍである。
【００４０】
それぞれのフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂは、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの周縁領域４８に重なる。それぞれのフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂは、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの中央領域４６の端部に重なってもよい。複数のフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂの、透過光色において異なる隣り合う一対は、端部同士が重なっている（図６参照）。複数のフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂの、透過光色において共通する隣り合う一対がある場合は連続する（図４参照）。
【００４１】
それぞれのフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂは、中央にフィルタ開口６６を有する。それぞれのフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂは、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの周縁領域４８の幅Ｗｒ，Ｗｇ，Ｗｂの大きさに応じた長さＬｒ，Ｌｇ，Ｌｂ（フィルタ開口６６の開口端から周縁領域４８の外縁の直上までの長さ）を有する。フィルタ開口６６の開口端は平面視で中央領域４６内にある。すなわち、幅Ｗｒ，Ｗｇ，Ｗｂの中央領域４６側の端部は、それぞれ、平面視でフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂと重なる。それぞれのフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂは、周縁領域４８の少なくとも外方向斜め上方にある。
【００４２】
本実施形態によれば、カラーフィルタ層６４によって視野角による色度変移を目立たなくすることができる。すなわち、周縁領域４８からの発光と中央領域４６からの発光とは異なる色度となるが、カラーフィルタ層６４が周縁領域４８からの発光輝度及び色度を調整することで表示性能が向上する。例えば、カラーフィルタ層６４が無い場合に比べ、表示装置外に発せられる発光色度のばらつきを抑えることが出来る。また、液晶表示装置のように、画素の境界に遮光層（ブラックマトリクス層）を設ける場合に比べ、輝度の低下を抑制することが出来る。また、それぞれのフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂは、中央にフィルタ開口６６を有するので、光量の減少や輝度の低下が少ない。
【００４３】
カラーフィルタ層６４（フィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂ）は、保護層６８に覆われている。保護層６８は透明性を有する。保護層６８は偏光板（例えば円偏光板）を含んでもよい。なお、エレクトロルミネセンス層４２とカラーフィルタ層６４の間には、タッチセンシングのためのセンサ電極を備えたタッチセンシング層７０が介在してもよい。
【００４４】
図７は、図１に示す表示装置の回路図である。回路は、走査回路ＧＤに接続される複数の走査線ＧＬと、信号駆動回路ＳＤに接続される複数の信号線ＤＬを有する。図１に示す集積回路チップＣＰ内に信号駆動回路ＳＤが配置されている。回路のうち、隣接する２つの走査線ＧＬと隣接する２つの信号線ＤＬとで囲まれる領域が１つの画素ＰＸに含まれる。画素ＰＸは、駆動トランジスタとしての薄膜トランジスタＴＲ及びスイッチとしての薄膜トランジスタＴＲ２と保持容量Ｃｓを含む。走査線ＧＬにゲート電圧が印加されることにより、薄膜トランジスタＴＲ２がＯＮ状態となり、信号線ＤＬから映像信号が供給され、保持容量Ｃｓに電荷が蓄積される。保持容量Ｃｓに電荷が蓄積されることにより、薄膜トランジスタＴＲがＯＮ状態となり、電源線ＰＷＬから発光素子ＯＤに電流が流れる。この電流により発光素子ＯＤが発光する。
【００４５】
［第２の実施形態］
図８は、第２の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態では、カラーフィルタ層２６４は、複数グループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂ（図４参照）の少なくとも１つに含まれる複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの対応する一群との重複を避けている。例えば、赤及び青の発光層ＥＭｒ，ＥＭｂに対応するフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｂは設けられているが、緑の発光層ＥＭｇに対応するフィルタ層は設けられていない。緑の光は、色度変移を比較的感じにくいので、フィルタ層を無くして、光量や輝度の確保を優先している。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
【００４６】
［第３の実施形態］
図９は、第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態では、カラーフィルタ層３６４は、封止層３６０の内部にある。詳しくは、カラーフィルタ層３６４（フィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂ）は、有機膜３６２と有機膜３６５の間に挟まれ、その外側でさらに一対の無機膜３６３で挟まれている。有機膜３６２と有機膜３６５は、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
【００４７】
［第４の実施形態］
図１０は、第４の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態では、一対の発光層ＥＭｇ，ＥＭｂの端部同士が重なっている。端部同士が重なる一対の発光層ＥＭｇ，ＥＭｂは、複数グループＧｇ，Ｇｂ（図４参照）の異なる一対にそれぞれが含まれて相互に隣り合う。このような重なりは、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂを蒸着で形成するときの位置ずれによって生じる。発光層ＥＭｇが発光するときに、発光しないはずの発光層ＥＭｂの発光層ＥＭｇ側の端部が、電気的影響を受けて発光することがある（いわゆる、電気混色が発生する）。本実施形態によれば、フィルタ層ＣＦｇによってその想定外の発光が吸収されるので、混色による表示品位への影響を低減することができる。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
【００４８】
［第５の実施形態］
図１１は、第５の実施形態に係る表示装置の断面図である。表示装置は、光の三原色である赤、緑及び青（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂ及びフィルタ層ＣＦｒ，ＣＦｇ，ＣＦｂの他に、追加の発光層ＥＭｘ及び追加のフィルタ層ＣＦｘを有する。
【００４９】
追加の発光層ＥＭｘの発光色が黄であれば、発光ピーク波長範囲は５１０ｎｍ〜６７０ｎｍである。その場合、追加のフィルタ層ＣＦｘの透過光色も同系色（黄）であり、その透過波長範囲は５００ｎｍ〜７００ｎｍである。
【００５０】
図１２は、図１１に示す追加の発光層ＥＭｘの断面図である。この例では、追加の発光層ＥＭｘは、発光色が白であり、発光ピーク波長範囲（発光色）において相互に異なる複数層ＥＭ１，ＥＭ２，ＥＭ３を含む。白は、可視光線のすべての波長の光が均等に混ざった無彩色であるが、白の発光色は現実的にはわずかに彩度（赤、緑又は青）を有してもよい。
【００５１】
追加の発光層ＥＭｘの発光色が白であれば、図１１に示す追加のフィルタ層ＣＦｘの透過光色も同系色（白）である。追加のフィルタ層ＣＦｘは、透過波長範囲において、赤、緑及び青をそれぞれカバーする波長域を含む。波長域のそれぞれと他の少なくとも１つとでは、透過率において異なる。これにより、追加のフィルタ層ＣＦｘの透過光色を、追加の発光層ＥＭｘの発光色と同系色にすることができる。
【００５２】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００５３】
１０  基板、１２  バリア無機膜、１２ａ  シリコン酸化膜、１２ｂ  シリコン窒化膜、１２ｃ  シリコン酸化膜、１４  機能膜、１６  半導体層、１８  ゲート絶縁膜、２０  ゲート電極、２２  層間絶縁膜、２４  ソース・ドレイン電極、２６  パッシベーション膜、２８  平坦化膜、３０  画素コンタクト部、３２  酸化インジウムスズ膜、３２ａ  第１透明導電膜、３２ｂ  第２透明導電膜、３４  シリコン窒化膜、３６  画素電極、３８  絶縁層、４０  絶縁開口、４２  エレクトロルミネセンス層、４４  接触領域、４６  中央領域、４８  周縁領域、５０  第１キャリア注入輸送層、５２  第２キャリア注入輸送層、５４  第１共通層、５６  共通電極、５８  キャップ層、６０  封止層、６２  有機膜、６３  無機膜、６４  カラーフィルタ層、６６  フィルタ開口、６８  保護層、７０  タッチセンシング層、２６４  カラーフィルタ層、３６０  封止層、３６２  有機膜、３６３  無機膜、３６４  カラーフィルタ層、Ｃad  付加容量、ＣＦｂ  フィルタ層、ＣＦｇ  フィルタ層、ＣＦｒ  フィルタ層、ＣＦｘ  追加のフィルタ層、ＣＬ１  第１保持容量線、ＣＬ２  第２保持容量線、ＣＰ  集積回路チップ、Ｃｓ  保持容量、ＤＡ  表示領域、ＤＬ  信号線、ＤＳＰ  ディスプレイ、ＥＭ１  層、ＥＭ２  層、ＥＭ３  層、ＥＭｂ  発光層、ＥＭｇ  発光層、ＥＭｒ  発光層、ＥＭｘ  追加の発光層、ＦＰ  フレキシブルプリント基板、ＧＤ  走査回路、ＧＬ  走査線、Ｇｂ  グループ、Ｇｇ  グループ、Ｇｒ  グループ、ＩＤｇ  個別層、ＩＤｒ  個別層、Ｌｒ  長さ、Ｌｇ  長さ、Ｌｂ  長さ、ＯＤ  発光素子、ＰＷＬ  電源線、ＰＸ  画素、ＳＤ  信号駆動回路、ＳＰ  スペーサ、ＴＲ  薄膜トランジスタ、ＴＲ２  薄膜トランジスタ、Ｗ１  第１配線層、Ｗ２  第２配線層、Ｗｂ  幅、Ｗｇ  幅、Ｗｒ  幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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