(57)【要約】      （修正有）【課題】導体ウェハを静電保持するための保持装置に関し、損傷を受けにくく、交換修理頻度の少なく、且つ、製造容易な静電吸着装置を提供する。【解決手段】半導体ウェハを静電保持する保持装置１００であって、少なくとも１つの基体プレート１０Ａを有する基体１０と、複数の突出バール１１と、端面１２と、絶縁層２１と、誘電体層２３とを有する。電極層２２は、電極装置２０を含む。所定のギャップ間隔Ａは、バール支持面１４と誘電体層２３の上側との間に設定される。電極装置２０は、複数の開口部２４を有し、バール１１が開口部２４を通って突出するように、配置され、絶縁体層２１は無機誘電体を含み、接着剤１３によって、バール１１の間の基体１０の上側に接続され、電極装置２０は接着剤１３に埋め込まれ、開口部２４では、バール１１と電極装置２０との間の間隔が接着剤１３で満たされる。【選択図】図１
2020188253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品（１）、特に半導体ウェハを静電保持するように構成された保持装置（１００）であって、
・少なくとも１つの基体プレート（１０Ａ、１０Ｂ）を有する基体（１０）と、
・前記基体プレート（１０Ａ）の上側に配置された複数の突出するバール（１１）と、前記部品（１）を支持するバール支持面（１４）にまたがる端面（１２）と、および、
・前記バール（１１）の間の間隔で層状に配置され、前記基体プレート（１０Ａ）に接続された絶縁体層（２１）、電極層（２２）および無機誘電体から作製された誘電体層（２３）を有し、前記電極層（２２）は、前記絶縁体層（２１）と前記誘電体層（２３）との間に配置される、電極装置（２０）、
を含み、
・所定のギャップ間隔（Ａ）は、前記バール支持面（１４）と前記誘電体層（２３）の上側との間に設定され、および、
・前記電極装置（２０）は、複数の開口部（２４）を有し、前記バール（１１）が前記開口部（２４）を通って突出するように、前記バール（１１）の間の基体プレート（１０Ａ）の上側に配置され、
・前記絶縁体層（２１）は無機誘電体を含み、接着剤（１３）によって、前記バール（１１）の間の前記基体（１０）の上側に接続され、
・前記電極装置（２０）は前記接着剤（１３）に埋め込まれ、前記開口部（２４）では、前記バール（１１）と前記電極装置（２０）との間の間隔が前記接着剤（１３）で満たされる、
ことを特徴とする、保持装置（１００）。
【請求項２】
・前記接着剤（１３）の表面と前記誘電体層（２３）の表面は、前記バール（１１）の間で互いに整列して形成されているため、前記バール支持面（１４）と前記接着剤（１３）の表面および前記誘電体層（２３）との間に前記ギャップ間隔（Ａ）が形成される、
請求項１に記載の保持装置。
【請求項３】
・前記接着剤（１３）は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、予備重合されたＢＣＢ、パリレンプラスチック材料、ポリイミドプラスチック材料および／またはポリエチレンテレフタレートプラスチック材料を含む、
請求項１または２に記載の保持装置。
【請求項４】
・前記電極層（２３）は、絶縁セクション（２５）によって前記開口部（２４）から分離されている、
請求項１から３のいずれか一項に記載の保持装置。
【請求項５】
・前記基体プレート（１０Ａ）はＳｉＳｉＣまたはＳＳｉＣセラミック材料を含む、および／または、
・前記バール（１１）は、前記基体プレート（１０Ａ）に一体的に接続されている、
請求項１から４のいずれか一項に記載の保持装置。
【請求項６】
・前記電極層（２３）は、金属、金属合金、半導体材料または導電性セラミック材料、特にクロム、チタンおよび／またはアルミニウムを含む、
請求項１から５のいずれか一項に記載の保持装置。
【請求項７】
部品（１）、特に半導体ウェハを静電保持するように構成された保持装置（１００）を製造する方法であって、
・少なくとも１つの基体プレート（１０Ａ）と、前記少なくとも１つの基体プレート（１０Ａ）の上側に配置された複数の突出するバール（１１）と、部品（１）を支持するためのバール支持面（１４）を生成する端面（１２）、を有する基体（１０）と、を製造し、
・絶縁体層（２１）と誘電体層（２３）の間に配置された電極層（２２）を備えた前記絶縁体層（２１）と前記誘電体層（２３）の層状構造を含み、電極装置（２０）は前記バール（１１）を受け入れるための開口部（２４）を有する、電極装置（２０）を製造し、および、
・前記電極装置（２０）を前記基体（１０）に接続し、バール（１１）は前記電極装置（２０）の前記開口部（２４）を通って突出する、
ステップを含み、
・前記絶縁体層（２１）の形成のために提供される絶縁体ディスク（２１Ａ）と、前記誘電体層（２３）の形成のために提供される誘電体ディスク（２３Ａ）から複合体を製造し、前記絶縁体ディスク（２１Ａ）と前記誘電体ディスク（２３Ａ）との間に前記電極層（２２）が配置され、前記絶縁体ディスク（２１Ａ）を通して前記誘電体層（２３Ａ）まで窪み（２０Ｂ）を深くし、前記窪み（２０Ｂ）は前記開口部（２４）を形成するために設けられ、
・前記少なくとも１つの基体プレート（１０Ａ）および／または前記絶縁体ディスク（２１Ａ）の前記上側に接着剤を塗布し、
・前記バール（１１）が前記絶縁体ディスク（２１Ａ）を通して窪みに突き出るように前記誘電体ディスク（２３Ａ）と前記絶縁体ディスク（２１Ａ）との複合体を前記基体（１０）に配置し、前記誘電体ディスク（２３Ａ）は、前記バール（１１）の前記端面（１２）の窪みにあり、前記誘電体ディスク（２３Ａ）と前記絶縁体ディスク（２１Ａ）とが前記基体（１０）に接合しており、および、
・前記誘電体層（２３）を形成するために前記誘電体ディスク（２３Ａ）を薄化し、
・前記電極装置（２０）は前記接着剤（１３）に埋め込まれ、前記開口部（２４）では、前記バール（１１）と前記電極装置（２０）との間の間隔が前記接着剤（１３）で満たされる、
ステップを特徴とする、方法。
【請求項８】
前記絶縁体ディスク（２１Ａ）と前記誘電体ディスク（２３Ａ）との複合体の製造が、ステップ：
・前記絶縁体ディスク（２１Ａ）および前記誘電体ディスク（２３Ａ）を、それらの間に配置された前記電極層（２２）に接合し、および、
・前記絶縁体層（２１）を形成するために前記絶縁体ディスク（２１Ａ）を薄化する、
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
・前記開口部（２４）の周囲の前記電極層（２２）を絶縁セクション（２５）に変換し、前記電極層（２２）が前記絶縁セクション（２５）によって前記開口部（２４）から電気的に絶縁されるようにする、
ステップを含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記誘電体ディスク（２３Ａ）の薄化が：
・前記バール（１１）の前記端面（１２）が露出するまで、ラッピングと研磨により前記誘電体ディスク（２２Ａ）を薄化し、および、
・所定のギャップ間隔（Ａ）が前記バール支持面（１４）と前記誘電体層（２３）の表面との間に形成されるまでエッチングすることにより誘電体ディスク（２２Ａ）をさらに薄化する、
を含む、請求項７から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
・前記接着剤（１３）と前記誘電体層（２３）の表面が前記バール（１１）間で互いに整列して形成されるまで、前記バール（１１）と前記電極装置（２０）の間の間隔で前記接着剤（１３）から材料を取り除く、
ステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、部品、特に半導体ウェハを静電保持するための保持装置に関する。本発明はまた、保持装置を製造する方法に関する。本発明の用途は、静電気力で部品を保持するための、特に半導体ウェハ、例えばシリコンウェハを保持するための装置またはツールの提供にある。
【背景技術】
【０００２】
静電クランプ装置、静電クランプ（ＥＳＣ）または静電チャックとも呼ばれる静電保持装置は、一般に、部品を保持するための板状の基体と、静電保持力、または範囲に関して、静電クランプ圧力、を生成するための電極装置を備えている。基体は、一般的に、プレートから一体的に、または複数のプレートからなる複数の層で構築することができる。基体は、少なくとも１つの表面上に、突出バールを備え、その端面にバール支持面を生成する。バール支持面は、保持される部品の支持領域を定義する。
【０００３】
電極装置は、電圧の印加を通じて静電クランプ圧力が生成される１つ以上の電極を含む。静電クランプ圧力は、特に、電圧、バール支持面からの電極の距離、およびこの距離での材料組成の誘電特性に依存する。後者は、定義された層厚と比誘電率εｒ，ｄを持つ電極上の誘電体と、バールの支持面とバール間の保持装置の上面との間を誘電率εｒ，ｇのガスで満たされた自由ギャップ間隔で構成される。比εｒ，ｄ／εｒ，ｇは通常１よりも大幅に大きいため、静電クランプ圧力は通常、ギャップ間隔によって実質的に同時に決定される。したがって、高くかつ均一なクランプ圧力を達成するために、保持装置の領域にわたって出来るだけ小さくかつ可能な限り一定のギャップ間隔が特に重要である。
【０００４】
静電クランプの２つの変形を区別できる。第１の変形形態では、絶縁体、電極、および誘電体は、基体上の層として全領域にわたって互いに適用される。この変形での基体の材料は個々の層から突き出ていないため、クランプ表面のバールは、通常は感応ガラスである誘電体の材料から作成する必要がある。バールが、例えば、ガラスのような柔らかい誘電体材料からなる場合、それらは、例えば、セラミックバールよりも低い耐摩耗性を有する。この場合、追加の摩耗防止層が必要であり、これにより製造作業が増加し、定期的なサイクルでの更新が必要になる。
【０００５】
本発明に関連する第２の変形形態では、バールは、基体の一部として一体的に形成され、絶縁体層は、層状複合体として電極および誘電体と共にバールの間に配置される。ガラスよりもかなり硬い材料、例えばＳｉＳｉＣが基体に選択される場合、バールの支持領域における機械的強度は実質的に改善される。しかしながら、電極装置の複雑な多層構造は、以前では、高コスト、制限された歩留まり、生産における後処理のための高度な労力と高コスト、および長納期の、ほぼ完全に連続した長いプロセスチェーンに関連づけられていた。
【０００６】
ＵＳ２０１５／０３４８８１６Ａ１では、前述の静電クランプの第１の変形形態による装置が記載されている。ここで、電極で被覆された誘電体ディスクは、基体全体に接着剤で接着される。接着剤は、その接着特性とは別に、基体と電極との間の絶縁体としても機能するように選択される。バール支持面は、ＵＳ２０１５／０３４８８１６Ａ１に記載されている装置の誘電体に導入される。この装置では、誘電体ディスクの全面接着により、接着剤も個々のバールの下に配置されるため、不利な影響が生じる可能性がある。接着剤ポリマーの収縮または老化は、バールのｚ方向の位置変化をもたらす可能性があり、そのため、クランプ支持領域の均一性を不利に変化させる可能性がある。さらに、ＵＳ２０１５／０３４８８１６Ａ１では、接着剤が誘電体と基体との間の凹凸を平らにすることが記載されている。しかしながら、これは、個々のバールの下で、異なる接着剤層の厚さが生じ、そのため、個々のバールの圧縮性が変化するという結果をもたらす可能性があり、これは、その後の装置の操作中のおよびクランプ圧力作用の支持領域の均一性にも影響を及ぼし得る。
【０００７】
電極装置が基体に組み込まれていないが、バール（バールボトム）間のその表面に配置されている静電クランプの前述の第２の変形形態による保持装置は、例えば、ＵＳ２００９／００７９５２５Ａ１およびＵＳ２０１３／０３０８１１６Ａ１で説明されている。この場合、電極装置は、上部に電極が統合された下部プラスチック絶縁層と隣接するバール間の層状構造と、電極を備えた絶縁層の上に伸びるプラスチックまたはガラスで作られた誘電体層を含む。この構成は、バール間の電極の配置に対する提案を表すが、層状構造が、例えば数千のバールを有する実際の用途のための保持装置上でどのように製造されるかについての方法は開示されていない。特に、バール支持面からの電極の距離またはギャップ間隔の設定が提供されないため、静電クランプ圧力が保持装置の領域にわたって変化する可能性がある点において不利である。
【０００８】
ＵＳ９６７３０７９Ｂ１から、静電保持装置の製造のために、自立型シリコンプレート、シリコンプレート上の電極層および被覆ＳｉＮ誘電体層を有する別個の構成要素として電極装置を提供することが知られている。シリコンプレートには、基体のバールを受け入れるための穴が設けられている。電極装置を基体に接続するため、シリコンプレートは基体に接着結合され、バールは電極装置の穴を通って突出する。この方法では、電極装置の別個の製造と、基体へのその簡単な接続から特定の利点が生まれる。しかしながら、例えば、電極装置と基体との間の接着接続の厚さの変化により、ギャップ間隔の変化が電極装置の上方で生じる可能性がある点においては不利であり得る。さらに、シリコンプレートはできるだけ薄いか、バールの高さができるだけ高いことが要求され、これは複雑で時間のかかる処理につながる。
【０００９】
ＵＳ２０１２／０２７４９２０Ａ１によれば、バールの間の間隔に薄膜技術を備えた電極装置を製造することが提案されている。最初に、平坦化層がバール間の基体上に形成され、その上にポリマーまたはＳｉＯｘベースの絶縁体層、電極層およびポリマーまたはＳｉＯｘベースの誘電体層が蒸着される。この技術により、平坦化層は電極装置の平坦化を可能にする。しかしながら、この場合でも、不利な点として、薄膜蒸着の変形により、ギャップ間隔の変形し、これにより、静電クランプ圧力が生じる点がある。さらに、薄層は、保持装置の使用時に損傷を受けやすいという点もある。
【００１０】
ギャップ間隔の変形を防止するために、ポリマーベースの絶縁体層、絶縁体層上の電極層、および被覆ポリマーベースの誘電体層を使用して、バールの間の空間に電極装置を形成することがＵＳ２０１８／００４７６０５Ａ１で提案されている。ギャップ間隔の変形は、絶縁層と誘電体層の上面が、硬化する前にそれぞれの場合に基準具で調整されるため、除外する必要がある。この技術によれば、ギャップ間隔の変形による保持力の変形が防止される。しかしながら、保持装置の製造において実行されるべき多数の連続する作業から不利な点が生じる。絶縁体層および誘電体層の形成におけるポリマーの使用によって、さらに重要な不利な点が生じる。ポリマープラスチックは、静電保持装置の使用条件下、特に半導体ウェハの処理において、化学的および／または物理的耐性が制限されている。望ましくない物質が放出される可能性があり、および／またはポリマーの老化プロセスが保持装置の動作寿命を制限する可能性がある。
【００１１】
ドイツ特許出願ＤＥ１０２０１８１１６４６３．７（本明細書の優先日ではまだ公開されていない）では、上記の第２の変形形態による保持装置を製造するためのさらなる方法が説明されている。これによれば、電極層を有する誘電体ディスクが基体の上面に接着結合され、続いて、完成した誘電体層の厚さおよびバール支持面と誘電体層の上側との間のギャップ間隔を設定するために薄くされる、電極装置が製造される。この方法は、有利には、所望のギャップ間隔の設定を可能にする。しかしながら、接着剤は、電極層と基体との間に絶縁層を形成するため、電気絶縁の信頼性に関して不都合が生じる可能性がある。例えば、接着剤の不均一性、例えば、粒子は、絶縁体層の絶縁耐力を損なう可能性がある。
【００１２】
最後に、従来の保持装置の一般的な欠点は、電極装置に動作電圧が印加され、達成された保持力が測定されるという点において、保持装置の機能は従来、完成品に対してのみテストできることである。機能エラーまたは不十分な保持力の場合、通常、修正は不可能であるため、保持装置は不合格品として廃棄する必要がある。
【００１３】
上記の問題は、半導体ウェハを保持するための保持装置だけでなく、他の用途、例えばガラス板を保持するための保持装置でも発生する。
【００１４】
本発明の目的は、従来の技術の欠点が回避される、部品、特に半導体ウェハの静電保持のための改良された保持装置を提供することである。保持装置は、特に、バール支持面に沿ったギャップ間隔の変形を最小化または完全になくし、ポリマープラスチックの使用による欠点を最小化または完全になくし、保持装置が単純な方法で製造される、および／または保持装置が棄却率を低減して製造されることを可能にすることを意図されている。本発明のさらなる目的は、従来技術の欠点が克服された、静電保持装置を製造するための改善された方法を提供することである。この方法は、保持装置の単純化された製造、製造工程の並列化を単純化し、不合格割当を減らし、および／またはバール支持面に沿ったギャップ間隔の信頼できる設定を可能にすることによって区別されることが意図される。
【００１５】
これらの目的は、独立請求項の特徴を有する静電保持装置および静電保持装置を製造する方法によって達成される。本発明の有利な実施形態および使用は、従属請求項によって開示される。
【発明の概要】
【００１６】
本発明の第１の一般的な態様によれば、前述の目的は、部品、特に半導体ウェハ、例えばシリコンウェハの静電保持のための静電保持装置によって達成され、これは板状の平面の基体と電極装置とを含む。基体は、１つまたは複数の基体プレートから構成され、突出するバールを有する基体プレートの少なくとも１つの表面上に提供される。バールの平面端面は、共通のバール支持面に配置される。保持装置の動作中、保持される部品は、バールの端面にある。
【００１７】
電極装置は、バールの間の空間、すなわちバール底部に層状に配置される。この目的のために、電極装置は複数の開口部を有し、バールが開口部を通って突出するように、バール間の最上部基体プレートの上側横方向範囲に沿って配置される。電極装置は、基体プレートに接続された絶縁体層、電極層および無機誘電体から作られた誘電体層の層状配置を含む。
【００１８】
電極層は、均一な電極セクション、または対応して１つまたは複数の電極を形成する互いに分離された複数の電極セクションを含む。電極層は、絶縁体層と誘電体層との間に配置され、すなわち、絶縁体層と誘電体層は、電極層を両側にその範囲に対して垂直に取り囲む。
【００１９】
バール間の保持装置の上側、特に誘電体層の上側（すなわち、基体と反対の側に面する側）とバール支持面との間の垂直距離は、保持装置のギャップ間隔を構成する。ギャップ間隔は、特に、誘電体層（またはその上に提供される任意のさらなる層）の最上部の露出表面と、基体に面した保持部品の表面、つまりバールの端面の平面（またはその上に提供される任意のさらなる層）との間の垂直距離である。
【００２０】
本発明によれば、絶縁体層は無機誘電体を含む。絶縁体層は、電極装置の最下層を形成する、すなわち、基体に面する。絶縁体層に沿って、電極装置は、接着剤によって基体の上面に接続される。有利には、電極層は、無機誘電体によって両側が囲まれている。絶縁体層および誘電体層の材料は、同じまたは異なるように選択することができる。
【００２１】
無機誘電体の使用、特に、無機誘電体による絶縁体層の提供には、いくつかの利点がある。第一に、ガラスなどの無機誘電体の誘電特性はよく知られている。特に、アルカリイオンを含まない誘電体、例えばアルカリイオンを含まないガラスが利用可能である。アルカリイオンを含まないガラスは、有利には、電気的緩和効果を回避しながら、保持装置の迅速な切り替えおよび再充電を可能にする。さらに、電極装置の誘電体層は、絶縁体層と基体との間に形成される接着層の被覆を構成する。有利には、それにより、接着剤は、保持装置の動作中の化学的および／または物理的影響から保護される。たとえば、ＵＳ２０１８／００４７６０５Ａ１による、ポリマープラスチックの使用時に発生するような不利な点を防ぐことができる。
【００２２】
本発明のさらなる利点は、無機誘電体からの絶縁体層の提供により、ドイツ特許出願ＤＥ１０２０１８１１６４６３．７によるプラスチック絶縁体層と比較して、接着剤層の厚さを減らすことができ、保持装置の電気的特性および保持力に対する接着剤の考えられる影響が最小化または排除されることである。
【００２３】
最後に、本発明により提供される絶縁体層によって、従来の保持装置でプラスチック絶縁体層によって一緒に達成されたような、電気絶縁と基体への固定の機能が分離されることが特に有利である。絶縁層は電気絶縁用に最適化できるが、接着剤は最適な接着強度と耐久性に関して選択できる。同時に、本発明による方法に関連して以下にさらに詳細に説明するように、電極装置は、基体とは別個に製造およびテストすることができ、その結果、欠陥のある電極装置による拒絶割当を減らすことができる。
【００２４】
さらに、本発明によれば、電極装置は接着剤に埋め込まれ、それにより、接着剤は、横方向に、すなわち、基体の上面に平行な方向で、バールと電極装置との間に配置される。電極装置を埋め込むとは、基体と接続するための接着層に厚み方向に突出することを意味する。埋め込みにより、保持装置のギャップ間隔を、電極装置の厚さとは無関係に形成することができ、特に、正確に設定されたギャップ間隔を有する保持装置を製造することができる。
【００２５】
本発明による保持装置はまた、以下の利点をも有する。特に半導体部品の処理に必要なクランプ圧力の均一性は、従来の技術よりも向上している。たとえば、必要なワークピースの直径で達成可能な全体的および局所的な層の厚さの均一性、およびバール表面の平面に対する基体の既存の凹凸の均一化のための追加の必要性に関する、従来使用されている薄膜技術の固有の限界が克服される。さらに、プラスチックの化学的および物理的耐久性、たとえば洗浄媒体、空気湿度、ＥＵＶ放射、および局所的な機械的負荷に関する従来の保持装置の機能上の制限が克服され、誘電特性のより良い定義により、クランプ圧力ダイナミクスが実現される。
【００２６】
本発明による保持装置の基体は、好ましくは、バール底部がバールの間の間隔で平面に形成され、特にバール支持面に平行に延在するように構成され、その結果、基体への絶縁体層の接着接続により、望ましくない拡張された中空空間が防止される。特に好ましくは、バール底部は、基体と絶縁体層との間の接着を促進する構造を有する。この目的のために、基体は、バール底部の平均レベルを超える高さが接着剤層の厚さよりも著しく小さい凹凸を有する粗さをバールの間の間隔に有することができる。好ましくは、凹凸は、接着剤層の厚さの１０％未満である。あるいはまたはさらに、バール底部は、基体に接着促進窪み（例えば、孔またはギャップ）を有し得る。窪みは、接着剤層の厚さよりも本体の奥深くまで達する可能性がある。保持装置の製造中、接着剤は窪みに流れ込み、窪みを埋めることができるので、基体の真空安定性は窪みによって損なわれない。
【００２７】
本発明の好ましい実施形態によれば、バールと電極装置との間の間隔における接着剤の表面、およびバール間の誘電体層の表面は、互いに整列して形成される。したがって、有利には、バール支持面とバール間の表面との間のギャップ間隔を均一に形成することができる。バールの周囲の段差を防ぐことができるため、望ましくない粒子の収集も最小限に抑えることができる。
【００２８】
電極装置、特に絶縁体層が基体に接続される接着剤は、好ましくは、その状態が流動可能または硬化可能な状態として設定可能である硬化性プラスチックである。プラスチック材料は、特に、熱的および／または放射線誘発性および／または溶媒誘発性で硬化可能である。好ましい変形例によれば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、予備重合されたＢＣＢ、パリレンプラスチック材料、ポリイミドプラスチック材料および／またはポリエチレンテレフタレートプラスチック材料を接着剤として使用することができる。
【００２９】
本発明のさらに有利な実施形態によれば、電極層は、バールが突出する開口部に向かう電極層の側縁で絶縁体層と誘電体層との間の絶縁セクションによって電気的に絶縁される。絶縁セクションは、絶縁体層と誘電体層とが互いに直接隣接するか、または絶縁体層と誘電体層との間に電気絶縁材料の層が形成される電極装置の縁領域を含む。絶縁セクションは、例えば、電極層の材料の構造化（マスク）蒸着および／またはエッチング法によって形成することができるので、所望の縁領域は覆われないままである。しかしながら、好ましくは、電気絶縁材料の層は、以下でさらに詳細に説明するように、電極層の材料の局所的に区切られた変換によって形成される。有利には、絶縁セクションにより、互いにおよび周囲に対して、特にバールに対して、異なる電位を有する電極は、分離されるか、または電気的に絶縁されることができる。
【００３０】
電極層が複数の電気的に分離された電極セクションを含む場合、前述の絶縁セクションはまた、電極装置の縁部から分離して電極セクション間に形成することができる。
【００３１】
本発明のさらに好ましい実施形態によれば、基体、特に、バールが設けられたその最上部の基体プレートは、Ｓｉ浸透ＳｉＣ（ＳｉＳｉＣ）を含む。ＳｉＳｉＣはセラミックであり、その高い形状保持能力と温度安定性により、静電保持装置での使用に特に有利である。特に好ましくは、基体は、バール底部に炭素富化を有することができる。これにより、有利には、基体と接着剤との間の接着が改善される。ＳｉＣ富化は、例えば、レーザー照射によるＳｉ除去によって達成することができる。特に好ましくは、バールは、特に基体プレートと同じ材料から作られた、最上部の基体プレートに一体的に接続される。
【００３２】
有利には、電極層を形成するための異なる材料が利用可能である。これは、金属、金属合金、半導体材料または導電性セラミック材料を含む。電極層が、特に、クロム、チタン、および／またはアルミニウムを含む場合、絶縁セクションを形成するための、電極層の局所的に区切られた、放射線誘発変換の特定の利点が生じる。
【００３３】
本発明の別の有利な実施形態によれば、カバー層をバール上に設けることができ、バールの端面を覆い、任意的に誘電体層の接着剤または縁部分にさえ達することができる。カバー層は、好ましくは、ＤＬＣ（ダイヤモンド状炭素）および／または窒化物化合物から形成される。有利には、これは、保持装置の摩擦および摩耗特性の改善、部品配置の再現性、およびバールへの部品の配置安全性の改善、および／または、物理的および／または化学的環境の影響、例えば、保持装置の使用中のＥＵＶ放射、または洗浄剤、に対する絶縁体層のプラスチック材料の物理的保護を可能にする。
【００３４】
電極装置の耐久性および安定性は、絶縁体層が接着剤に隣接する接着促進表面を有する場合、本発明のさらなる有利な実施形態に従って改善され得る。接着促進表面は、好ましくは、例えば、Ｓｉ３Ｎ４またはＳｉＣからなる接着促進層、または使用されている接着剤に適した市販の接着促進剤（例えば、接着剤ＢＣＢには商品名ＡＰ３００の製品）を含む。代替的または追加的に、接着促進表面は、例えば、レーザー照射による所定の粗さの設定などの絶縁体層の前処理によって提供することができる。
【００３５】
本発明の第２の一般的な態様によれば、前述の目的は、複数の突出バールを有する板状の基体が提供され、その平面端面は、保持される部品、特に半導体ウェハのためのバール支持面を生成し、電極装置は、バール底部の絶縁体層、電極層および誘電体層を備えたバールの間の間隔で層状に製造される、静電保持装置を製造する方法によって達成される。電極層は、絶縁体層と誘電体層との間に配置される。電極装置は、バール支持面と誘電体層の上側との間に、所定のギャップ間隔が設定されるように製造される。電極装置は、バールが突出する複数の開口部を有する。好ましくは、本発明の第１の一般的態様による保持装置は、本発明による方法で製造される。
【００３６】
本発明によれば、電極装置の製造は以下のステップを含む。最初に、絶縁体ディスクと誘電体ディスクの複合体の製造は、電極層が絶縁体ディスクと誘電体ディスクとの間に配置された状態で行われる。絶縁体ディスクおよび誘電体ディスクは、好ましくは、それぞれ無機誘電体材料の形状保持プレートである。電極層は、例えば、真空蒸着によって、表面全体にわたって少なくとも１つのプレート上に蒸着されるか、マスキング法により構造化される。絶縁体ディスクと誘電体ディスクは、例えば陽極接合によって互いに接合されている。窪みは、絶縁体ディスクの側面から複合体に沈められ、前記窪みは、電極装置の開口部を形成し、そのサイズおよび位置は、バールを受け入れるように選択される。窪みは、誘電体ディスクにまで達する止まり穴である。窪みの底部は、平面であるか、または突起を備えることができる。
【００３７】
続いて、基体の少なくとも１つの基体プレートの上面および／または絶縁体ディスクの表面に接着剤が塗布され、基体の誘電体ディスクおよび絶縁体ディスクに複合体が配置され、そのため、バールが絶縁体ディスクを介して窪みの中に伸び、誘電体ディスクがバールの端面の窪みの底に位置する。これにより、電極装置は、誘電体ディスクの上面を除いて、接着剤に埋め込まれる。各開口部において、バールと電極装置の内縁との間の隙間は接着剤で満たされている。接着剤の硬化により、誘電体ディスクと絶縁体ディスクとの複合体が基体に接合される。絶縁体層を基体に接合するための接着剤の硬化は、例えば、熱処理および／または放射線処理を含む。その後、誘電体層の形成のために、所望のギャップ間隔が設定されるまで誘電体ディスクの薄化が行われる。
【００３８】
本発明による方法は、バール支持面に対する誘電体ディスクの位置合わせにより、ギャップ間隔の信頼できる設定が簡素化されるという利点を有する。誘電体ディスクの開口部の設計には、いくつかの利点がある。第１に、バールの配置と開口部の配置との間の製造関連の偏差は、十分に大きい開口部によって容易に許容され得る。第２に、開口部は、絶縁体層の形成における余分なプラスチック材料の収容を可能にする。
【００３９】
本発明による方法は、製造コストを大幅に削減し、納期を大幅に短縮する簡素化されたプロセスチェーンによって有利に区別される。有利には、例えば、耐摩耗性が高く、製造および改修の労力が少ないセラミック材料で作られたバールを備えた基体を使用することができる。起こり得る生産エラーによる再処理コストは大幅に削減される。さらに、無機絶縁体および誘電体層を使用することにより、無機誘電体、特にガラスの有利な特性を、例えば、保持力の迅速な切り替えのために利用することができる。
【００４０】
本発明による方法は、絶縁体ディスクと誘電体ディスクとの複合体が電極装置の予備生成物を表すという特定の利点をさらに有し、絶縁体ディスクは絶縁体層の形成のために提供され、誘電体ディスクは誘電体層の形成のために提供される。複合体は、基体とは別に製造することができるので、保持装置の製造を並列化することができる。さらに、絶縁体ディスクと誘電体ディスクとの複合体は形状を保持し、機械的に安定している。これは静電クランプの機能を持ち、電極層に電圧を印加することにより保持機能のテストを可能にする。誘電体ディスクは、完成した保持装置の誘電体層よりも依然として厚いため、保持装置の動作電圧と比較して、より高いテスト電圧でテストが行われる。
【００４１】
絶縁体ディスクの厚さは、絶縁体ディスクをさらに薄くすることなく絶縁体層として使用できるように選択することができる。しかしながら、実際には、本発明の好ましい実施形態によれば、絶縁体層の所望の厚さを設定するために、最初により大きな厚さの絶縁体ディスクを使用し、続いてそれを薄くすることが有利である。
【００４２】
本発明のさらに有利な実施形態によれば、開口部の周囲の電極装置に絶縁セクションが形成され、その結果、電極層は、絶縁セクションによって開口部から電気的に絶縁される。絶縁セクションの作成は、例えば、ＵＳ２０１２／０２３６４５８Ａ１に記載されている方法を用いて、電極層を電気絶縁材料に局所的に熱変換することによって行われることが好ましい。電極層の局所的な熱変換は、絶縁体ディスクと誘電体ディスクの複合体への窪みの深化の前または後に行うことができる。
【００４３】
好ましくは、誘電体ディスクの薄化は、二段階プロセスで行われ、第１段階では、例えば、研削および／または研磨方法によって、誘電体ディスクは、バールの端面が露出するまで浸食される。バールは、例えば、誘電体ディスクの誘電体よりも硬いＳｉＳｉＣなどの材料で形成されるため、バールは、第１の段階で誘電体ディスクを薄くするための基準として使用することができる。続いて、第２の段階において、ギャップ間隔を調整するためにエッチングプロセスの使用が行われる。本発明者らは、誘電体ディスクのその後の薄化が、基体の全領域にわたってギャップ間隔を一定に設定できるような均一性で有利であることを発見した。
【００４４】
最後に、本発明のさらなる変形によれば、接着剤の表面およびバール間の誘電体層が互いに整列して形成されるまで、バールと電極装置との間のギャップにおける接着剤残留物の除去が提供され得る。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
本発明のさらなる詳細および利点は、添付の図面を参照して以下に説明される。図面は次のとおり：
【図１】図１は、本発明による静電保持装置の実施形態の概略断面図；
【図２】図２は、バールの周囲における本発明による静電保持装置の一部のさらなる詳細の概略断面図；
【図３】図３は、本発明による方法による保持装置の製造におけるステップの第１のシーケンスの概略図；および、
【図４】図４は、本発明による方法による保持装置の製造におけるステップの第２のシーケンスの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
本発明の好ましい実施形態は、シリコンウェハ用の静電保持装置の特徴を例示的に参照して以下に説明され、静電保持装置は、縮尺通りではなく概略的に示されている。本発明の実施は、この使用に限定されない。保持装置の他の用途は、例えば、金属コーティングまたは露出マスクを備えたガラス板の保持のために可能であり、他の用途では、基体の形、特にバール、電極装置の材料および寸法は、特定の要件に適合されている。図示とは異なり、基体は単一のプレートを含むことができ、または複数のサブプレートから多層化することができる。さらに、半導体ウェハの取り扱いにおける保持装置の実用的な用途のために、基体には、両側にバールが設けられ、それぞれに電極装置が設けられる。保持装置の保持領域に沿った電極の特定の構成の詳細は、それらが従来の保持装置からそれ自体既知であり、保持装置の特定のタスクに応じて選択できるため、説明しない。最後に、図面は、保持装置の縮尺に合わせた図を提供するのではなく、特に、基体のバールの間の間隔における電極装置の提供を明確にする。
【００４７】
保持装置の基体の構造は、それ自体既知のように、従来の保持装置から選択することができる。保持装置は、例えば、単極（単一の電極セクションを有する）または双極保持装置（２つ以上の電極セクションを有する）として構成することができる。保持装置の焼き戻しの詳細および静電保持力を生成するための電圧の使用の詳細は、それら自体は従来の保持装置から知られているため、説明されていない。
【００４８】
図１は、半導体処理で使用するように構成された、本発明による静電保持装置１００の好ましい実施形態の概略断面図を示す。保持装置１００は、基体１０と電極装置２０とを備える。基体１０は、第１基体プレート１０Ａと第２基体プレート１０Ｂとから構成される。第１基体プレート１０Ａは、その上側に突出した上部バール１１を有し、その均一な端面１２は、シリコンウェハ１のバール支持面にまたがっている。第２基体プレート１０Ｂは、焼き戻し媒体ライン１６を含み、それは、例えば、ＵＳ９，６７３，０７９Ｂ１号に記載されているように構成される。ＵＳ９６７３０７９Ｂ１は、特に基体の構造および電圧源への保持装置の接続に関して、本明細書へ参照により導入される。図２は、保持装置１００の一部をさらに詳細に示し、特に、バール１１上に任意で設けられたカバー層１７を示す。
【００４９】
バール１１は、例えば、立方体、円柱、角錐、円錐、角錐台および／または円錐台の形態を有し、好ましくは１００μｍから３００μｍ、特に２００μｍから２５０μｍの範囲の高さ、５０μｍから数ｍｍの範囲直径、相互の間隔は１から数ｍｍを有する。実際の例では、４００００個のバール１１が第１基体プレート１０Ａに設けられている。バール１１の間のバール底部は粗くすることができる。
【００５０】
電極装置２０は、下部絶縁体層２１、中間電極層２２および上部誘電体層２３を有する層状構造を備える。下部絶縁体層２１は、例えばボロフロートガラスなどの無機誘電体から、例えば３０μｍから１００μｍの厚さで形成される。中間電極層２２は、導体路を介して電圧源（図示せず）に接続された少なくとも１つの電極を含む。中間電極層２２は、例えば、厚さが３００ｎｍの、例えば多結晶シリコン、金、クロムまたはアルミニウムから形成されている。側方絶縁セクション２５を有する少なくとも１つの電極の構成は、例えば、局所的に選択的な蒸着方法（特にマスクを利用する蒸着）および／または後続のエッチング方法および／または断熱材への熱変換を使用して行われる（図３Ｂ参照）。上部誘電体層２３は、５０μｍから２００μｍ、特に１１０μｍの範囲の厚さを有する、アルカリイオンフリーのガラス、例えばイーグルＸＧガラス（製品名）から形成される。
【００５１】
電極装置２０は開口部２４を有し、電極装置２０に沿った範囲は、バール１１の直径よりも大きく、そこを通ってバール１１が延びる。開口部２４における電極装置２０の内縁とバール１１との間に、間隔が形成される。この目的のために、開口部２４は、バール１１の直径よりも例えば３０μｍから１００μｍ大きい範囲を有する。開口部２４は、例えば、直径が６００μｍから８００μｍの円形である。
【００５２】
電極装置２０は、接着剤１３によって基体に接続されている。接着剤１３は、溶媒の提供によって、および／または温度設定によって、および／または例えばＩＲ照射などの照射、および／または温度誘導重合によって、液体または流動性またはペースト状であり得、そして溶媒除去および／または焼戻しおよび／または例えばＵＶ光での照射によって固体状態に変換され得る、プラスチック材料を含む。プラスチック材料は電気的に絶縁性であるため、電極装置２０から基体１０への漏電電流は発生しないか、無視できるほど小さいだけであることが好ましい。さらに、プラスチックは、好ましくは、適用のための硬化収縮がないか無視できるか、および／または水分吸収／放出がないか無視できる。下部絶縁体層２１用のプラスチックの好ましい例は、ＢＣＢまたは予備重合されたＢＣＢである。下部絶縁体層２１とバール底部との間のプラスチック層の厚さは、例えば、２０μｍから３０μｍである。
【００５３】
電極装置２０の全体の厚さは、上部誘電体層２３の上側とバール支持面１４との間に、例えば５μｍから２０μｍの範囲のギャップ間隔Ａが形成されるように選択される。ギャップ間隔Ａは、保持装置１００の全領域にわたって一定である。ギャップ間隔Ａの設定は、図３および図４に示される方法で電極装置２０を接着剤１３に埋め込むことによって行われる。
【００５４】
単一のバール１１の周囲にある保持装置１００のセクションは、図２に、カバー層１７および接着促進層２６を含む追加の任意選択で提供される層を示す。カバー層１７は、例えば、バール１１の端面１２およびその近傍から上部誘電体層２３までの厚さが例えば５００ｎｍのＤＬＣからなる。カバー層１７によって、有効ギャップ間隔Ａ*が形成され、これは、すべてのバール１１上へのカバー層１７の均一な蒸着により、保持装置１００の表面全体にわたって一定である。
【００５５】
図１または２による保持装置１００の製造は、単一のバール１１に基づいて図３および４に示されているが、実際には、すべてのバールに対して同時に行われる。保持装置の製造のために、最初に、図３Ａおよび３Ｂから３Ｅに示すように、基体１０および平面絶縁体ディスク２１Ａ、中間電極層２２および平面誘電体ディスク２３Ａの複合体２０Ａは、互いに別々に製造または提供される。基体１０（図３Ａ）の製造は、ＵＳ２０１６／０３５４８６４に従って、特に突出バール１１を備えたセラミックプレート１０Ａ（図１を参照）を備えることにより行われる。バール底部では、基体１０は、粗面化され、および／またはＳｉＣ富化が施され、それにより、有利には、絶縁体層２１（図３Ｆ）の接着が促進される。バール１１は、バール支持面１４にまたがる平坦な端面１２を有する。バール支持面１４は、バール１１の間のバール底部と平行に延在する。有利には、バール支持面１４とバール底部との間の垂直距離は、高レベルの精度（１〜２μｍより良い）で設定可能である。端面１２は、面粗度を有することができる。
【００５６】
図３Ｂによれば、ガラスシートから複合体２０Ａを製造するために、最初に、中間電極層２２がその間に配置された絶縁体ディスク２１Ａおよび誘電体ディスク２３Ａが陽極接合によって接合される。中間電極層２２は後に保持装置の電極を形成する。絶縁体ディスク２１Ａは、例えば１ｍｍの一定の厚さを有する、例えばボロフロートガラスなどの形状保持自立プレートのガラスである。誘電体ディスク２３Ａはまた、例えばイーグルＸＧタイプまたはＳｃｈｏｔｔ  ＡＦ  ３２（製品名）の、例えば１ｍｍの一定の厚さを有するガラスの形状保持自立プレートである。誘電体ディスク２３Ａは、一方の側に中間電極層２２を担持する。中間電極層２２は、例えば、特に１００ｎｍから５００ｎｍの範囲の厚さを有するＣｒまたはＡｌを含む。
【００５７】
図３Ｃによる次のステップでは、電極構造が中間電極層２２の平面に導入される。ＵＳ２０１２／０２３６４５８Ａ１に記載されている、好ましく使用される方法では、中間電極層２２は、レーザー放射によって意図された方法で変換され、その結果、絶縁セクション２５が形成される。中間電極層２２の変換は、中間電極層２２の内縁上の複合体２０Ａ（図３Ｅを参照）への窪みを後で深くした後、絶縁セクション２５がすべての側面上に形成されるように、局所的に区切られた方法で行われる。ＵＳ２０１２／０２３６４５８Ａ１は、誘電体の間に埋め込まれた金属層の電気絶縁部分への変換に関して、本明細書への参照により導入される。
【００５８】
続いて、絶縁体ディスク２１Ａは、例えば３０μｍから１００μｍの所望の厚さまで、中間電極層２２に平行にラッピングおよび研磨することにより、図３Ｄによる絶縁体層２１を形成するように薄くされる。好ましくは、絶縁体層２１の表面には、後の接合プロセス中に最適な接着を達成するために、接着促進層２６が設けられる。代替的または追加的に、表面の粗面化を提供することができる。接着促進層２６は、例えば、特に、厚さが１０ｎｍから１μｍの範囲のＳｉ３Ｎ４またはＳｉＣを含む。
【００５９】
複合体２０Ａの以下の構造化（図３Ｅ）および基体１０との結合（図３Ｆ）は、以下のステップを含む。
【００６０】
図３Ｅによれば、下部絶縁体層２１および中間電極層２２を通って誘電体ディスク２３Ａ内まで延びる窪み２０Ｂが、複合体２０Ａ内に沈められる。窪み２０Ｂの底面２３Ｂは、好ましくは、誘電体ディスク２３Ａの範囲に平行な平坦な端面（「カウンター・バール」）をそれぞれが有する突起２３Ｃを有する。カウンター・バールを設けると、プラスチック材料を収容するための追加の容量が作成されるという利点がある。カウンター・バールは、基体のバールよりも大きくすることも、同じサイズにすることも、小さくすることもできる。誘電体ディスク２３Ａがバール１１の端面１２の平面まで薄くされる前に、バール１１の位置で窪み２０Ｂが開かれるという点で、誘電体ディスク２３Ａの機械的薄化（図４Ｂ）において、カウンター・バールのさらなる実質的な利点が生じる。これにより、まだ実行する必要がある残りの処理中に、すなわちバール面に到達するまでに、窪み２０Ｂの開口中に材料の破片によって引き起こされる誘電体の表面の傷を取り除くことが可能である。
【００６１】
複合体１０Ａの窪み２０Ｂの配置は、基体１０のバール１１の配置と同じである。窪み２０Ｂの直径は、例えば、バール１１の最大直径よりも３０μｍから１００μｍ大きい。突起２３Ｃの端面のサイズは、バール１１の端面１２のサイズよりも小さくすることができる（図示）。有利なことに、この場合、バール１１と誘電体ディスク２３Ａとの間の接触領域は、最小化されている。代替的に、両方の端面は同じサイズを有することができ、または端面１２は突起２３Ｃの端面よりも小さくすることができる。窪み２０Ｂの底面２３Ｂおよび／または任意に設けられた突起２３Ｃの端面は、中間電極層２２に平行な平面にあり、後の接着中に、基体１０のバール支持面１４に平行に平面状の中間電極層２２を位置合わせするための基準平面として機能する。
【００６２】
深さ測定値Ｔ、すなわち複合体２０Ａの下面からの突起２３Ｃの端面の垂直距離は、バール１１の高さに応じて選択される。深さ測定値Ｔは、特に、突起２３Ｃがバール１１上にあり、複合体２０Ａとバール底部との間にある場合、接着剤１３の吸収のための距離は、下部絶縁体層２１（場合により接着促進層と共に）とバール底部との間に残る。構造化された複合体２０Ａの製造は、例えば、レーザーアブレーションによって行われ、深さ測定値Ｔは、１μｍよりも高い精度で有利に設定可能である。
【００６３】
図３Ｅに示される状態では、複合体２０Ａ自体は、実際の使用にはまだ完全ではないが、すでに静電クランプを形成しているため参照によりすでにテストすることができる。この目的のために、中間電極層２２は、穴を介して電圧源に接続され、その後の接合ステップの前に、その機能がテストされ得る。
【００６４】
続いて、図３Ｆによれば、複合体２０Ａの基体１０への接合が行われ、バール支持面１４に対する誘電体ディスク２３Ａの位置合わせは、ギャップ間隔Ａの設定を用いて、有利には、基準具なしで、提供される。以下に説明するように、構造化された誘電体ディスク２３Ａは基準を形成する。
【００６５】
準備ステップでは、液体接着剤１３の層が、バール１１を備えた基体の基体プレート１０Ａの表面に、および／または複合体２０Ａの構造化された下面に塗布される。接着剤は、例えば、液体状態のポリマーＢＣＢであり、例えば、溶媒で調整される。コーティング後、基体プレート１０Ａおよび／または複合体２０Ａを、残りのプラスチック層は固体であるが延性があるように、例えばオーブンで加熱することにより溶媒が除去される。この状態では、結合している両方のパートナーを相互に位置合わせし、互いの上に配置できる。
【００６６】
続いて、基体プレート１０Ａと複合体２０Ａとの複合体を、例えば真空オーブン内で負圧にかける。例えば、接着剤や残りの材料の、含有空気は、負圧の作用によって取り除かれる。
【００６７】
その後、負圧を維持しながら温度を上げて接着剤を液状にする。例えば、約１５０°Ｃの温度では、プラスチック材料ＢＣＢは同様に水のように液体である。プラスチック材料が溶融している場合、複合体２０Ａはバール１１に浮いたままになる。複合体２０Ａを横方向、つまりバールの支持面に平行に正しく配置するには、基体（図示せず）の端に横方向の機械的ストッパーを設けることができ、および／または調整装置が、例えば、光学測定装置を使用する制御ループを用いて、横方向に複合体２０Ａを位置決めするために設けられ得る。結合パートナーは、重りまたは並進機構（図３Ｆの矢印を参照）で一緒に押され、突起２３Ｃは、バール１１の端面１２上に直接位置し、その結果、中間電極層２２の平面は、端面１２によって生成される平面に正確に位置合わせされる。複合体２０Ａは接着剤層に押し込まれ、接着剤は横方向に押し込まれ、窪み２０Ｂに押し込まれる。結合パートナーを押した後、温度が上昇され、プラスチック材料が硬化し、複合体２０Ａが基体プレート１０Ａにしっかりと接続される。
【００６８】
続いて、ギャップ間隔Ａを設定するために、図４Ａから図４Ｅに概略的に示されるさらなる処理ステップが行われる。図４Ａは、接合後の図３Ｆによる基体１０および複合体２０Ａの状態を示す。第１に、図４Ｂによれば、バール１１の端面１２が露出するまで誘電体ディスク２３Ａの除去が行われる。この除去は、好ましくは、ラッピングおよび／または研磨などの研磨方法によって行われる。誘電体ディスク２３Ａの材料は、バール１１の材料よりも柔らかいので、バール１１は、誘電体ディスク２３Ａの除去中の基準として直接使用することができる。誘電体ディスク２３Ａは、バール１１の端面１２が露出するまで均一に薄くされる（図４Ｂ）。
【００６９】
その後、図４Ｃによれば、誘電体ディスクの材料の選択的エッチングが、ギャップ間隔Ａの調整を伴う上部誘電体層２３の生成のために行われる。エッチングは、ＨＦを用いた湿式化学エッチングまたはドライエッチングによって行われる。これにより、ギャップ間隔Ａは、有利には、２００ｎｍ未満の精度で調整可能である。エッチングは、突出した硬化した接着剤１３に作用しないので、バール１１は、プラスチック材料の横方向に埋め込まれたままである。
【００７０】
その後、図４Ｄによれば、任意で、残りのプラスチック材料の除去を、上部誘電体層２３の上側のレベルまで行うことができる。除去は、例えば、機械的に作用する方法、化学的プロセスまたはレーザーアブレーションによって行われる。
【００７１】
最後に、図２に示すように、ＤＬＣで作られた摩耗保護層としてカバー層１７を適用できる。
【００７２】
両側にバール１１を備え、それぞれに電極装置を備えた保持装置の製造は、最初に基体プレート（例えば１０Ａ；図１を参照）が電極装置２０を備え、その後、基体１０に接続されるように行うことができる。
【００７３】
代替的に、２つの基体プレートを互いに接合するために、両側をバール１１で構成し、その後、順次または同時に、図３Ｅの複合体２０Ａに従って複合体をそれぞれの側に接着し、図４に従って処理し、電極装置を形成することもできる。
【００７４】
上記の説明、図面、および特許請求の範囲に開示された本発明の特徴は、様々な実施形態で本発明を実現するために、個別にまたは組み合わせて、または部分的組み合わせで重要であり得る。
【図１】
2020188253.tif 000003
【図２】
2020188253.tif 000004
【図３】
2020188253.tif 000005
【図４】
2020188253.tif 000006
【外国語明細書】
2020188253000001.pdf