(57)【要約】【課題】有機膜に対するダメージを抑制しつつ、高い成膜レート及びカバレッジの改善を実現することができるイオンビームスパッタリング装置を提供する。【解決手段】イオンビームスパッタリング装置１は、開口部３１を有する遮蔽板３０と、遮蔽板３０に対して平行な方向において基板Ｓを開口部３１に対して相対的に移動可能な基板移動部４０と、ターゲット１２と裏面１１Ｌとを有するターゲットユニット１０と、ターゲット１２に向けてイオンビームを照射するイオンガン２０と、ターゲットユニット１０の位置を決定する位置調整部６０と、ターゲット１２の電位を決定する電位調整部５０と、裏面磁石８０Ａと裏面１１Ｌとの間の距離を調整する磁石駆動部８０Ｂとを備える磁石駆動ユニットと、を備える。【選択図】図１
2020026539.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に膜を形成するイオンビームスパッタリング装置であって、
開口部を有する遮蔽板と、
前記遮蔽板の上方に位置し、前記遮蔽板に対向するように前記基板を保持可能であり、前記遮蔽板に対して平行な方向において前記基板を前記開口部に対して相対的に移動可能な基板移動部と、
前記開口部に面しているターゲットが載置される載置面と、前記載置面とは反対側に位置する裏面とを有し、前記遮蔽板の下方に位置するターゲットユニットと、
前記遮蔽板の下方に位置し、前記ターゲットに向けてイオンビームを照射するイオンガンと、
前記ターゲットに対する前記イオンビームの衝突に伴って前記ターゲットから反跳するスパッタリングガスのイオンが前記基板に到達しないように、前記遮蔽板に対する前記ターゲットユニットの位置を決定する位置調整部と、
前記ターゲットの電位を決定する電位調整部と、
前記ターゲットユニットの前記裏面に対向する裏面磁石と、前記裏面磁石と前記ターゲットユニットの前記裏面との間の距離を調整する磁石駆動部とを備え、前記ターゲットユニットの前記裏面に対向するように配置された磁石駆動ユニットと、
を備えるイオンビームスパッタリング装置。
【請求項２】
前記磁石駆動部は、
前記裏面から離れた第１位置に前記裏面磁石を配置することが可能であり、
前記裏面に近い第２位置に前記裏面磁石を配置することが可能である、
請求項１に記載のイオンビームスパッタリング装置。
【請求項３】
前記第１位置に前記裏面磁石が配置された状態において、前記ターゲット上に発生する磁束強度は、０であり、
前記第２位置に前記裏面磁石が配置された状態において、前記ターゲット上に発生する磁束強度は、１５ｍＴ以上である、
請求項２に記載のイオンビームスパッタリング装置。
【請求項４】
前記電位調整部は、前記基板へ入射する粒子エネルギが３．５２ｅＶ未満となるように、前記ターゲットの電位を決定する、
請求項１に記載のイオンビームスパッタリング装置。
【請求項５】
基板上に膜を形成するイオンビームスパッタリング方法であって、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のイオンビームスパッタリング装置を用い、
前記ターゲットユニットの前記裏面から離れた第１位置に前記裏面磁石を配置した状態でスパッタリングを行うことによって、前記基板上に第１膜を形成し、
前記第１膜を形成した後、前記ターゲットユニットの前記裏面に近い第２位置に前記裏面磁石を配置した状態でスパッタリングを行うことによって、前記第１膜上に第２膜を形成する、
イオンビームスパッタリング方法。
【請求項６】
前記基板上には、有機膜が形成されており、
前記有機膜上に前記第１膜を形成し、
前記第１膜上に前記第２膜を形成する、
請求項５に記載のイオンビームスパッタリング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオンビームスパッタリング装置及びイオンビームスパッタリング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光、表示、撮像等の機能を有するデバイスとして、有機膜上にＴＣＯ膜（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜が形成された構造を有する有機デバイスが知られている。ＴＣＯ膜を有機膜上に形成する方法として、スパッタリング法を用いることが検討されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２１６９２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、スパッタリング法においては、ターゲットから放出された高いエネルギを有する原子、アルゴンガスから電離したアルゴンイオン（Ａｒ＋）或いは電子等の荷電粒子、酸素ラジカル、反跳アルゴン等が有機膜に衝突することで、有機膜にダメージを与えてしまうといった問題がある。
【０００５】
また、有機デバイスの量産性の観点から、高い成膜レートで透明導電膜を有機膜上に成膜することが好ましい。しかしながら、成膜レートを高めるには、高いエネルギによりスパッタリングを行う必要があり、上述のように有機膜に対するダメージの発生は避けられない。このため、高い成膜レートによるスパッタリングの実現と、有機膜に対するダメージの抑制とを、両立することが難しいといった問題がある。
【０００６】
さらに、有機デバイスにおいては、有機膜の表面が平坦面であるとは限らない。
例えば、有機エレクトロルミネッセンス装置等の有機デバイスは、ＲＧＢ（赤、緑、青）の発光層の表面に、注入層や輸送層（電子注入層、電子輸送層、ホール注入層、ホール輸送層）等の有機膜が形成された構造を有する。このような構造では、有機膜の表面に段差が生じてしまう場合がある。スパッタリング法を用いて、段差を有する有機膜上に透明導電膜を形成する場合、段差形状に応じて透明導電膜の厚さが部分的に大きくなったり、透明導電膜の膜厚が部分的に小さくなったりする。例えば、角部を有するように段差が有機膜に形成されている部分では、透明導電膜の膜厚が小さくなる（段差被覆性の低下、ステップカバレッジの低下）。このため、良好なカバレッジが得られないといった問題がある。
【０００７】
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、有機膜に対するダメージを抑制しつつ、高い成膜レート及びカバレッジの改善を実現することができるイオンビームスパッタリング装置及びイオンビームスパッタリング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１態様に係るイオンビームスパッタリング装置は、基板上に膜を形成するイオンビームスパッタリング装置であって、開口部を有する遮蔽板と、前記遮蔽板の上方に位置し、前記遮蔽板に対向するように前記基板を保持可能であり、前記遮蔽板に対して平行な方向において前記基板を前記開口部に対して相対的に移動可能な基板移動部と、前記開口部に面しているターゲットが載置される載置面と、前記載置面とは反対側に位置する裏面とを有し、前記遮蔽板の下方に位置するターゲットユニットと、前記遮蔽板の下方に位置し、前記ターゲットに向けてイオンビームを照射するイオンガンと、前記ターゲットに対する前記イオンビームの衝突に伴って前記ターゲットから反跳するスパッタリングガスのイオンが前記基板に到達しないように、前記遮蔽板に対する前記ターゲットユニットの位置を決定する位置調整部と、前記ターゲットの電位を決定する電位調整部と、前記ターゲットユニットの前記裏面に対向する裏面磁石と、前記裏面磁石と前記ターゲットユニットの前記裏面との間の距離を調整する磁石駆動部とを備え、前記ターゲットユニットの前記裏面に対向するように配置された磁石駆動ユニットと、を備える。
【０００９】
本発明の第１態様に係るイオンビームスパッタリング装置においては、前記磁石駆動部は、前記裏面から離れた第１位置に前記裏面磁石を配置することが可能であり、前記裏面に近い第２位置に前記裏面磁石を配置することが可能であってもよい。
【００１０】
本発明の第１態様に係るイオンビームスパッタリング装置においては、前記第１位置に前記裏面磁石が配置された状態において前記ターゲット上に発生する磁束強度は０であってもよく、前記第２位置に前記裏面磁石が配置された状態において前記ターゲット上に発生する磁束強度は１５ｍＴ以上であってもよい。
【００１１】
本発明の第１態様に係るイオンビームスパッタリング装置においては、前記電位調整部は、前記基板へ入射する粒子エネルギが３．５２ｅＶ未満となるように、前記ターゲットの電位を決定してもよい。
【００１２】
本発明の第２態様に係るイオンビームスパッタリング方法は、上述した第１態様に係るイオンビームスパッタリング装置を用い、前記ターゲットユニットの前記裏面から離れた第１位置に前記裏面磁石を配置した状態でスパッタリングを行うことによって、前記基板上に第１膜を形成し、前記第１膜を形成した後、前記ターゲットユニットの前記裏面に近い第２位置に前記裏面磁石を配置した状態でスパッタリングを行うことによって、前記第１膜上に第２膜を形成する。
【００１３】
本発明の第２態様に係るイオンビームスパッタリング方法においては、前記基板上には、有機膜が形成されており、前記有機膜上に前記第１膜を形成し、前記第１膜上に前記第２膜を形成してもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の上記態様によれば、有機膜に対するダメージを抑制しつつ、高い成膜レート及びカバレッジの改善を実現することができるイオンビームスパッタリング装置及びイオンビームスパッタリング方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係るイオンビームスパッタリング装置を示す図であって、図１（ａ）はイオンビームスパッタリング装置の概略構造を示す断面図で図であり、図１（ｂ）は裏面磁石の構造（磁気回路）を示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るイオンビームスパッタリング装置を用いたスパッタリング工程を説明する図であって、基板を部分的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施形態に係るイオンビームスパッタリング装置及びイオンビームスパッタリング方法について、図面を参照しながら説明する。本実施形態の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１７】
（スパッタリング装置）
本実施形態に係るスパッタリング装置（イオンビームスパッタリング装置）は、不図示のチャンバの内部において、基板上に膜を形成する装置である。特に、本実施形態に係るスパッタリング装置は、基板上に形成された有機膜に対してＴＣＯ膜等の透明導電膜を成膜する場合に有効に用いられる。このため、本実施形態に係るスパッタリング装置を、透明導電膜付き基板の製造装置と称することもできる。
【００１８】
図１を参照して、本発明の実施形態に係るスパッタリング装置１について説明する。
図１（ａ）に示すように、スパッタリング装置１は、ターゲットユニット１０と、イオンガン２０と、遮蔽板３０と、基板移動部４０と、ターゲットユニット１０の電位を決定する電位調整部５０と、ターゲットユニット１０の位置を決定する位置調整部６０と、遮蔽板磁石７０と、磁石駆動ユニット８０とを備える。
スパッタリング装置１には、アルゴン（Ａｒ）及び酸素（Ｏ２）をチャンバ内に供給する不図示のガス供給装置が接続されている。
また、スパッタリング装置１には、チャンバ内を所望の真空雰囲気に維持する排気装置（真空ポンプ等）が接続されている。
【００１９】
（ターゲットユニット）
ターゲットユニット１０は、バッキングプレート１１とターゲット１２とを備え、遮蔽板３０の下方に位置する。バッキングプレート１１は、ターゲット１２が載置されかつ固定される載置面１１Ｔと、載置面１１Ｔとは反対側に位置する裏面１１Ｌとを有する。ターゲット１２を構成する材料は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）である。ターゲット１２は、遮蔽板３０の開口部３１に面している。
【００２０】
（イオンガン）
イオンガン２０は、ターゲットユニット１０のターゲット１２に向けてイオンビームＢＭを照射する。イオンビームの照射によってターゲット１２がスパッタされ、ターゲット１２を構成する材料は、粒子となって遮蔽板３０の開口部３１を通過し、基板Ｓの表面に形成された有機膜上に膜として堆積する。イオンガン２０は、遮蔽板３０の下方に位置している。
【００２１】
（遮蔽板）
遮蔽板３０は、開口部３１を有する。遮蔽板３０は、ターゲットユニット１０と基板移動部４０との間に配置されている。遮蔽板３０は、配線を介して接地されており、遮蔽板３０の電位は０Ｖとなっている。遮蔽板３０は、ターゲットユニット１０よりもイオンガン２０に近い位置にある開口部３１の開口端３２（第１開口端）と、イオンガン２０よりもターゲットユニット１０に近い位置にある開口部３１の開口端３３（第２開口端）とを有する。開口部３１の両側（開口端３２、３３）においては、遮蔽板３０の上面に遮蔽板磁石７０が配置されている。平面視（遮蔽板３０を鉛直方向から見て）において、遮蔽板磁石７０は、開口部３１を囲むように設けられている。
【００２２】
このような構成を有する遮蔽板３０は、スパッタリングによってターゲット１２から発生したスパッタ粒子ＳＰを開口部３１に通過させる。また、スパッタリングが行われている場合、遮蔽板磁石７０の磁力によって、アルゴンガスから電離したアルゴンイオン（Ａｒ＋）或いはエレクトロン（電子）等の荷電粒子、酸素ラジカル、反跳アルゴンは遮蔽板３０に引き付けられ、電子及びプラス電荷は配線を介してグランド（接地）に流れる。また、反跳アルゴンが開口部３１を通じて基板Ｓに達することがない。
【００２３】
（基板移動部）
基板移動部４０は、遮蔽板３０の上方に位置し、遮蔽板３０に対向するように基板Ｓを保持可能である。基板移動部４０が基板Ｓを保持している場合、基板移動部４０は、遮蔽板３０に対して平行な搬送方向Ｄに沿って、基板Ｓを開口部３１に対して相対的に移動可能である。
基板移動部４０は、基板Ｓを保持する保持部４１と、開口部３１に対して保持部４１を相対的に移動させる駆動部４２とを備える。基板移動部４０は、保持部４１によって基板Ｓが保持された状態で、駆動部４２によって保持部４１を搬送方向Ｄに往復移動させる。これにより、基板移動部４０は、開口部３１の上方に位置する成膜空間４３に基板Ｓを曝す。即ち、基板移動部４０は、成膜空間４３における基板Ｓの位置を調整することができる。
【００２４】
（電位調整部）
電位調整部５０は、ターゲットユニット１０のターゲット１２の電位を自在に調整することが可能である。電位調整部５０は、プラス電位（プラスバイアス）、マイナス電位（マイナスバイアス）、フローティング、及び接地電位（ＧＮＤ）のいずれかに設定することができる。また、プラス電位及びマイナス電位における電位量も適宜調整することができる。特に、本実施形態においては、電位調整部５０は、ターゲット１２の電位を決定する。
【００２５】
（位置調整部）
位置調整部６０は、ターゲットユニット１０に対するイオンビームＢＭの衝突に伴ってターゲットユニット１０から反跳するスパッタリングガスのイオン等が基板Ｓに到達しないように、遮蔽板３０に対するターゲットユニット１０の位置を決定する。位置調整部６０によって、荷電粒子、酸素ラジカル、及び反跳アルゴンが基板Ｓに向かって飛翔することを抑制することができる。
位置調整部６０は、ターゲットユニット１０の位置を自動的に決定する駆動部を備えてもよい。また、スパッタリング装置１の使用者が位置調整部材を位置調整部６０に設置することで、ターゲットユニット１０の位置を手動で決定してもよい。
【００２６】
（磁石駆動ユニット）
磁石駆動ユニット８０は、バッキングプレート１１の裏面１１Ｌに対向する裏面磁石８０Ａと、裏面磁石８０Ａと裏面１１Ｌとの間の距離Ｌを調整する磁石駆動部８０Ｂとを備える。磁石駆動ユニット８０は、バッキングプレート１１の裏面１１Ｌに対向するように配置されている。磁石駆動部８０Ｂは、符号Ｍに示す方向に裏面磁石８０Ａを移動可能である。また、磁石駆動部８０Ｂは、裏面１１Ｌから離れた位置Ｐ１（第１位置）に裏面磁石８０Ａを配置したり、裏面１１Ｌに近い位置Ｐ２（第２位置）に裏面磁石８０Ａを配置したりすることが可能である。
【００２７】
（磁気回路）
図１（ｂ）に示すように、裏面磁石８０Ａは、Ｎ極の第１磁石８０Ｎと、Ｓ極の第２磁石８０Ｓとを備える。第１磁石８０Ｎは、隙間を介して、第２磁石８０Ｓの外側を覆うように配置されている。換言すると、裏面磁石８０Ａは、平面視において環状に形成された第１磁石８０Ｎの中央に第２磁石８０Ｓが配置されるように、構成されている。
なお、裏面磁石８０Ａの構成（磁気回路）は、図１（ｂ）に示す構造に限定されない。第１磁石８０Ｎの内側に配置される第２磁石８０Ｓの本数は２本以上であってもよい。バッキングプレート１１及びターゲット１２の形状に応じて、第１磁石８０Ｎ及び第２磁石８０Ｓの形状を決定してもよい。
【００２８】
（磁束強度の制御）
磁石駆動ユニット８０は、磁石駆動部８０Ｂが裏面磁石８０Ａの位置を変えることによって、ターゲット１２上に発生する磁束強度ＭＳを制御することができる。
第１位置Ｐ１に裏面磁石８０Ａが配置された状態において、ターゲット１２上に発生する磁束強度ＭＳは、約０であることが好ましい。
第２位置Ｐ２に裏面磁石８０Ａが配置された状態において、ターゲット１２上に発生する磁束強度ＭＳは、例えば、１５ｍＴ以上であることが好ましい。
発明者らは、第２位置Ｐ２に裏面磁石８０Ａが配置された状態において、ターゲット１２の表面上での磁場強度が１５ｍＴ以上であることを、実験により確認している。
また、第２位置Ｐ２に裏面磁石８０Ａが配置された状態において、ターゲット１２の表面上における磁場強度（漏洩磁束）の上限値としては、例えば、１００ｍＴ（１０００Ｇａｕｓｓ）が挙げられる。本実施形態は、漏洩磁束の上限値を限定しない。この上限値は、一例であり、磁場が高い状態においてスパッタリングにより第２透明導電膜Ｔ２を形成することが可能であれば、上記の上限値よりも高い磁場強度でスパッタリングを行ってもよい。
【００２９】
（基板）
基板Ｓは、樹脂材料や無機材料等、公知の材料によって構成されている。
なお、図１（ａ）は、端部を有する１枚の基板Ｓを示しているが、本発明は、図１（ａ）に示す基板Ｓを限定しない。例えば、フィルム基板であってもよい。
基板Ｓは、発光、表示、撮像等の機能を有する有機デバイスを構成する基板である。特に、本実施形態においては、基板Ｓは、有機デバイスの一例として知られる有機エレクトロルミネッセンス装置を構成する基板である。基板Ｓ上には、発光層ＥＬと、発光層ＥＬ上に形成された有機膜ＦＬとが設けられている。有機膜ＦＬ上には、スパッタリング装置１によって、後述する第１透明導電膜Ｔ１（第１膜）及び第２透明導電膜Ｔ２（第２膜）が順に成膜される。
【００３０】
有機膜ＦＬは、発光層ＥＬの発光機能を促進する機能層であり、電子注入層や電子輸送層である。また、有機エレクトロルミネッセンス装置の構造によっては、有機膜ＦＬは、ホール注入層やホール輸送層であってもよい。発光層ＥＬ及び有機膜ＦＬは、低分子材料や高分子材料等、公知の材料によって構成されている。
なお、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置を構成する有機膜に限定されず、他の有機デバイスの有機膜に適用されてもよい。
【００３１】
次に、本実施形態に係るイオンビームスパッタリング方法、即ち、スパッタリング装置１における作用について説明する。
まず、発光層ＥＬ及び有機膜ＦＬが積層された基板Ｓを準備する。発光層ＥＬは、赤色発光層ＥＬＲ、緑色発光層ＥＬＧ、及び青色発光層ＥＬＢを有する。赤色発光層ＥＬＲ、緑色発光層ＥＬＧ、及び青色発光層ＥＬＢの膜厚は、各々異なるため、赤色発光層ＥＬＲと緑色発光層ＥＬＧとの間、及び、緑色発光層ＥＬＧと青色発光層ＥＬＢとの間には、段差が形成されている。このような段差の発生に伴って、発光層ＥＬの表面に形成される有機膜ＦＬにおいても、同様に、段差ＳＴが形成されている（図２（ａ）参照）。
なお、後述する図２（ａ）及び図２（ｂ）においては、基板Ｓと発光層ＥＬとの間には、層が示されていないが、この部分には、ホール注入層、ホール輸送層、電極、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が形成されている。
【００３２】
（第１透明導電膜Ｔ１の形成）
次に、図１（ａ）に示すように、真空状態が維持されたチャンバ内において、基板移動部４０の保持部４１は、基板Ｓを保持する。磁石駆動部８０Ｂは、裏面１１Ｌから離れた位置Ｐ１に裏面磁石８０Ａを配置する。電位調整部５０は、ターゲット１２の電位を−２００Ｖ（マイナス電位）に設定する。基板移動部４０は、有機膜ＦＬが成膜された基板Ｓを保持しつつ、有機膜ＦＬを成膜空間４３に曝しながら、搬送方向Ｄに沿って基板Ｓを移動させ、基板Ｓの位置を調整する。
【００３３】
さらに、イオンガン２０はイオンビームＢＭをターゲット１２に照射し、スパッタリングが行われ、ターゲット１２から発生したスパッタ粒子ＳＰは、開口部３１を通過し、基板Ｓの有機膜ＦＬ上に堆積する。このとき、裏面１１Ｌから離れた位置Ｐ１に裏面磁石８０Ａが配置されているため、ターゲット１２の上方においては、磁場が低い状態でスパッタリングが行われる。このとき、ターゲット１２の上方における、漏洩磁束は、例えば、０である。なお、磁場が低い状態において、スパッタリングにより第１透明導電膜Ｔ１を形成することが可能であれば、漏洩磁束は０に限定されない。
【００３４】
このようなスパッタリングによって、図２（ａ）に示すように、有機膜ＦＬの表面には、第１透明導電膜Ｔ１（第１膜）が形成される。換言すると、第１透明導電膜Ｔ１は、透明導電膜の成膜工程において、有機膜ＦＬの表面に最初に成膜される初期層である。
第１透明導電膜Ｔ１は、後述する第２透明導電膜Ｔ２の成膜に起因する有機膜ＦＬに対するダメージを抑制する保護層として機能する。第１透明導電膜Ｔ１の膜厚としては、例えば、１００Åが挙げられる。
【００３５】
また、磁場が低い状態でスパッタリングが行われているため成膜レートが低いものの、有機膜ＦＬに対するダメージを抑制しつつ、第１透明導電膜Ｔ１を形成することができる。また、第１透明導電膜Ｔ１の形成においては、成膜レートが低いため、単位時間当たりの膜厚が小さい。このため、有機膜ＦＬに形成されている段差ＳＴが第１透明導電膜Ｔ１によって埋まることはなく、段差ＳＴの形状に応じて、第１透明導電膜Ｔ１の表面には凹凸形状が形成されている。
【００３６】
（第２透明導電膜Ｔ２の形成）
次に、第１透明導電膜Ｔ１を形成した後、連続的に、第２透明導電膜Ｔ２を形成する。具体的に、図１（ａ）に示すように、磁石駆動部８０Ｂは、裏面１１Ｌに近い位置Ｐ２に裏面磁石８０Ａを配置する。電位調整部５０は、ターゲット１２の電位を−２００Ｖ（マイナス電位）に設定する。基板移動部４０は、有機膜ＦＬが成膜された基板Ｓを保持しつつ、有機膜ＦＬを成膜空間４３に曝しながら、搬送方向Ｄに沿って基板Ｓを移動させ、基板Ｓの位置を調整する。
【００３７】
さらに、イオンガン２０はイオンビームＢＭをターゲット１２に照射し、スパッタリングが行われ、ターゲット１２から発生したスパッタ粒子ＳＰは、開口部３１を通過し、基板Ｓの有機膜ＦＬ上に堆積する。このとき、裏面１１Ｌに近い位置Ｐ２に裏面磁石８０Ａが配置されているため、ターゲット１２の上方においては、磁場が高い状態でスパッタリングが行われる。このとき、ターゲット１２の上方における、漏洩磁束は、例えば、１５ｍＴ以上である。なお、漏洩磁束（磁場強度）の上限としては、例えば、１００ｍＴ（１０００Ｇａｕｓｓ）が挙げられるが、本実施形態は、漏洩磁束の上限値を限定しない。この上限値は、一例であり、磁場が高い状態においてスパッタリングにより第２透明導電膜Ｔ２を形成することが可能であれば、上記の上限値よりも高い磁場強度でスパッタリングを行ってもよい。
図２（ｂ）においては、イオンビームスパッタリングが行われつつ、プラズマ密度が高いマグネトロンスパッタリングの作用が生じ、成膜が行われる。これにより、高い成膜レートにより、第２透明導電膜Ｔ２を形成することができる。
【００３８】
このようなスパッタリングによって、第１透明導電膜Ｔ１の表面には、第２透明導電膜Ｔ２（第２膜）が形成される。第２透明導電膜Ｔ２の形成においては、成膜レートが高いため、単位時間当たりの膜厚が大きい。このため、第１透明導電膜Ｔ１の表面に形成された凹凸形状を埋めるように、第２透明導電膜Ｔ２を形成することができる。即ち、第１透明導電膜Ｔ１に対する段差被覆性（カバレッジ）を改善することができる。
また、第２透明導電膜Ｔ２の形成の前に、保護層として機能する第１透明導電膜Ｔ１が有機膜ＦＬ上に形成されている。この第１透明導電膜Ｔ１は、プラズマ密度の高い成膜手法で発生する高エネルギ粒子の入射に対し、有機膜へのダメージを減衰させる保護膜の構成となるため、有機膜ＦＬに対するダメージの発生を抑制することができる。
【００３９】
上述した工程により、第１透明導電膜Ｔ１及び第２透明導電膜Ｔ２で構成される透明導電膜が形成される。
本実施形態によれば、有機膜ＦＬに対するダメージを抑制しつつ、高い成膜レート及びカバレッジの改善を実現することができる。
【００４０】
（実施形態の変形例） 
上述した実施形態では、電位調整部５０は、ターゲットユニット１０のターゲット１２の電位を調整することが可能であるが、電位調整部５０は、以下に述べる条件に基づいて、ターゲット１２の電位を調整してもよい。つまり、本変形例において、電位調整部５０は、基板Ｓへ入射する粒子エネルギが３．５２ｅＶ未満となるように、ターゲット１０の電位を決定してもよい。
【００４１】
一般的に、有機膜は、炭素と酸素との間の共有結合により、即ち、炭素−酸素結合（Ｃ−Ｏ結合）により構成されている。有機膜における結合解離エネルギは、例えば、３．５２ｅＶである。このため、有機膜の分解を抑制するには、スパッタリングに起因する基板Ｓへ入射する粒子エネルギを３．５２ｅＶ未満にする必要がある。有機膜の分解を確実に抑制するには、例えば、粒子エネルギを３．０ｅＶ以下にする必要がある。
【００４２】
上記のように電位調整部５０は、上述した粒子エネルギの値に基づき、ターゲット１０の電位を決定する。そして、スパッタリング装置１においては、上述したようにスパッタリングが行われ、基板Ｓの有機膜ＦＬ上に第１透明導電膜Ｔ１（第１膜）が成膜される。
【００４３】
この構成によれば、荷電粒子及び酸素ラジカルに起因するダメージを有機膜ＦＬに与えることを抑制することができるだけでなく、有機膜ＦＬの分解を抑制することができる。
なお、基板Ｓへ入射する粒子エネルギが３．５２ｅＶ未満となる条件で、透明導電膜を有機膜上に形成する工程は、第１透明導電膜Ｔ１（初期層）の形成工程にだけに適用すればよく、第２透明導電膜Ｔ２の形成工程に適用しなくてもよい。
【００４４】
その理由は、第１透明導電膜Ｔ１が有機膜ＦＬ上に形成されることにより、第１透明導電膜Ｔ１は、有機膜ＦＬに対するダメージを抑制する保護層として機能するからである。つまり、第２透明導電膜Ｔ２の形成工程において、３．５２ｅＶを超えるような高い粒子エネルギでスパッタリングを行ったとしても、有機膜ＦＬが第１透明導電膜Ｔ１によって保護されているため、有機膜ＦＬにダメージが及ぶことが抑制され、有機膜ＦＬの分解が抑制される。
【００４５】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明し、上記で説明してきたが、これらは本発明の例示的なものであり、限定するものとして考慮されるべきではないことを理解すべきである。追加、省略、置換、およびその他の変更は、本発明の範囲から逸脱することなく行うことができる。従って、本発明は、前述の説明によって限定されていると見なされるべきではなく、請求の範囲によって制限されている。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、有機膜に対するダメージを抑制しつつ、高い成膜レート及びカバレッジの改善を実現することができるイオンビームスパッタリング装置に適用可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１  スパッタリング装置（イオンビームスパッタリング装置）、１０  ターゲットユニット、１１  バッキングプレート、１１Ｌ  裏面、１１Ｔ  載置面、１２  ターゲット、２０  イオンガン、３０  遮蔽板、３１  開口部、３２  開口端、３３  開口端、４０  基板移動部、４１  保持部、４２  駆動部、４３  成膜空間、５０  電位調整部、６０  位置調整部、７０  遮蔽板磁石、８０  磁石駆動ユニット、８０Ａ  裏面磁石、８０Ｂ  磁石駆動部、８０Ｎ  第１磁石、８０Ｓ  第２磁石、ＢＭ  イオンビーム、ＥＬ  発光層、ＥＬＢ  青色発光層（発光層）、ＥＬＧ  緑色発光層（発光層）、ＥＬＲ  赤色発光層（発光層）、ＦＬ  有機膜、Ｓ  基板、ＳＰ  スパッタ粒子、ＳＴ  段差、Ｔ１  第１透明導電膜（第１膜）、Ｔ２  第２透明導電膜（第２膜）。
【図１】
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【図２】
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