(57)【要約】【課題】本明細書は、少ない部品でスイッチング損失を低減する電力変換器を提供する。【解決手段】本明細書が開示する電力変換器は、カソードが正極端に接続されている第１、第２ダイオードと、第１（第２）上ダイオードのアノードに接続されている第１（第２）下スイッチング素子と、第１コイルと、第２コイルと、第１、第２下スイッチング素子を交互にスイッチングするコントローラを備えている。第１コイルの一端は第１上ダイオードと第１下スイッチング素子の直列回路の中点に接続されている。第２コイルの一端は第２上ダイオードと第２下スイッチング素子の直列回路の中点に接続されており、他端は第１コイルの他端に接続されている。第１コイルと第２コイルは、一方から他方へ電流が流れたときにそれぞれが発生する磁界が互いに弱め合うように磁気的に結合している。【選択図】図１
2020103009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極端と負極端と、
カソードが前記正極端に接続されている第１上ダイオードと、
正電極が前記第１上ダイオードのアノードに接続されており、負電極が前記負極端に接続されている第１下スイッチング素子と、
カソードが前記正極端に接続されている第２上ダイオードと、
正電極が前記第２上ダイオードのアノードに接続されており、負電極が前記負極端に接続されている第２下スイッチング素子と、
一端が前記第１上ダイオードと前記第１下スイッチング素子の直列回路の中点に接続されている第１コイルと、
一端が前記第２上ダイオードと前記第２下スイッチング素子の直列回路の中点に接続されているととともに、他端が前記第１コイルの他端と接続されている第２コイルと、
前記第１下スイッチング素子をオンしてオフした後に前記第２下スイッチング素子をオンしてオフすることを繰り返すコントローラと、
を備えており、
前記第１コイルと前記第２コイルは、前記第１コイルと前記第２コイルの一方から他方へ電流が流れたときにそれぞれが発生する磁界が弱め合うように磁気的に結合している、電力変換器。
【請求項２】
前記第１上ダイオードに並列に接続されており、正電極が前記第１上ダイオードのカソードに接続されており、負電極が前記第１上ダイオードのアノードに接続されている第１上スイッチング素子と、
前記第２上ダイオードに並列に接続されており、正電極が前記第２上ダイオードのカソードに接続されており、負電極が前記第２上ダイオードのアノードに接続されている第２上スイッチング素子と、
カソードが前記第１下スイッチング素子の正電極に接続されており、アノードが前記第１下スイッチング素子の負電極に接続されている第１下ダイオードと、
カソードが前記第２下スイッチング素子の正電極に接続されており、アノードが前記第２下スイッチング素子の負電極に接続されている第２下ダイオードと、
を備えている、請求項１に記載の電力変換器。
【請求項３】
前記コントローラは、前記電力変換器の目標出力が所定の閾値を超えた場合、前記第１下スイッチング素子と前記第２下スイッチング素子を同じタイミングでスイッチングする制御に切り替える、請求項１又は２に記載の電力変換器。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の電力変換器を含んでいるモータシステムであって、
前記第１下スイッチング素子と前記第２下スイッチング素子は、インバータの１個の相の下アームスイッチング素子として組み込まれており、
前記第１上ダイオードと前記第２上ダイオードは前記インバータの前記相の上アームスイッチング素子の還流ダイオードとして組み込まれており、
前記第１コイルと前記第２コイルは、前記インバータの交流出力端に接続されている回転電機のステータコアまたはロータコアに巻回されている、モータシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、電力変換器と、その電力変換器を利用したモータシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、並列に接続されているスイッチング素子を有する電力変換器が開示されている。その電力変換器は、２個の上ダイオードと、２個の下スイッチング素子と、メインリアクトルと、２個のサブリアクトルを備えている。第１上ダイオードと第１下スイッチング素子は直列に接続されており、第２上ダイオードと第２下スイッチング素子も直列に接続されている。２組の直列回路は並列に接続されている。第１サブリアクトルは、第１上ダイオードと第１下スイッチング素子の直列回路の中点と、メインリアクトルの一端との間に接続されている。第２サブリアクトルは、第２上ダイオードと第２下スイッチング素子の直列回路の中点とメインリアクトルの一端の間に接続されている。電力変換器のコントローラは、２個のスイッチング素子を交互にスイッチングする。
【０００３】
メインリアクトルは、電気エネルギを蓄積／放出して電力変換に関与する。２個のサブリアクトルは、夫々のスイッチング素子がオフからオンに切り換わる際、一方のダイオードの逆回復電流が他方のダイオードあるいはスイッチング素子へ流れることを防止する。２個のサブリアクトルは、ダイオードの逆回復電流に起因する損失を低減する。サブリアクトルのリアクタンスは、メインリアクトルのリアクタンスよりも小さい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１８６７６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示されている電力変換器は、１個のメインリアクトルと２個のサブリアクトルを必要とする。独立した３個のリアクトルを備えると電力変換器の体格が大きくなる。本明細書は、２個のコイルで上記した１個のメインリアクトルと２個のサブリアクトルと等価な動作をする構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書が開示する電力変換器は、正極端、負極端、第１上ダイオード、第２上ダイオード、第１下スイッチング素子、第２下スイッチング素子、第１コイル、第２コイル、コントローラを備えている。第１上ダイオードと第２上ダイオードのカソードは正極端に接続されている第１下スイッチング素子の正電極は第１上ダイオードのアノードに接続されており、第２下スイッチング素子の正電極は第２上ダイオードのアノードに接続されている。第１、第２下スイッチング素子の負電極は負極端に接続されている。すなわち、ダイオードとスイッチング素子の直列回路の２組が並列に接続されている。スイッチング素子の正電極は、ｎ型トランジスタの場合、コレクタあるいはドレインに相当する。スイッチング素子の負電極は、ｎ型トランジスタの場合、エミッタあるいはソースに相当する。コントローラは、第１下スイッチング素子をオンしてオフした後に第２下スイッチング素子をオンしてオフすることを繰り返す。
【０００７】
第１コイルはその一端が第１上ダイオードと第１下スイッチング素子の直列回路の中点に接続されている。第２コイルはその一端が第２上ダイオードと第２下スイッチング素子の直列回路の中点に接続されているととともに、他端が第１コイルの他端と接続されている。第１コイルと第２コイルは、第１コイルと第２コイルの一方から他方へ電流が流れたときにそれぞれが発生する磁界が弱め合うように磁気的に結合している。
【０００８】
第１コイルと第２コイルは、第１コイルと第２コイルの一方だけに電流が流れる場合、第１コイル（または第２コイル）が上記したメインリアクトルの機能を果たす。先に述べたように、先行技術文献における２個のサブリアクトルは、一方のダイオードの逆回復電流が他方のダイオードあるいはスイッチング素子へ流れないようにする抵抗の役割を果たす。それゆえ、サブリアクトルは、メインリアクトルと比較して小さいインダクタンスを有していればよい。本明細書が開示する電力変換器では、上記した第１コイルと第２コイルは、互いの一端が相互に接続されており、一方のコイルから他方のコイルへ電流が流れたときにそれぞれが発生する磁界が弱め合うように磁気的に結合している。一方のコイルから他方のコイルに電流が流れたとき、理想的には磁界が相殺されるのでインピーダンスはゼロとなる。しかしながら、現実には、それぞれのコイルには漏れ磁束が一方のコイルから他方のコイルへ電流が流れたときに生じるため、２個のコイルの磁界が完全に相殺されず、漏れ磁束の分は残る。この漏れ磁束が小さいインピーダンスを生じる。この小さいインピーダンスによって、一方のコイルから他方のコイルへ逆回復電流が流れることが抑制される。すなわち、磁気的に結合した２個のコイルが、メインリアクトルと２個のサブリアクトルと同じ働きをする。本明細書が開示する電力変換器は、従来は３個必要であったリアクトルを２個のコイルで実現することができるので、小型化が可能である。
【０００９】
第１／第２上ダイオードと第１／第２下スイッチング素子の組み合わせは、昇圧コンバータを構成する。それぞれの上ダイオードにスイッチング素子を逆並列に接続し、それぞれの下スイッチング素子にダイオードを逆並列に接続すると、双方向電圧コンバータを構成することができる。
【００１０】
上記した電力変換器は、モータシステムに適用することも好適である。その場合、第１下スイッチング素子と第２下スイッチング素子は、インバータの下アームスイッチング素子として組み込まれており、第１上ダイオードと第２上ダイオードはインバータの上アームスイッチング素子の還流ダイオードとして組み込まれていればよい。また、第１コイルと第２コイルは、インバータの交流出力端に接続されている回転電機のステータコアまたはロータコアに巻回されているコイルであればよい。
【００１１】
本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施例の電力変換器の回路図である。
【図２】第１実施例の電力変換器で用いられるトランスの模式図である。図２（Ａ）は、２個のコイルに逆方向の電流が流れる場合。図２（Ｂ）は、２個のコイルに同じ方向の電流が流れる場合。
【図３】図１の回路の等価回路図である。
【図４】コイル（リアクトル）を流れる電流とスイッチング素子のゲート電圧のタイムチャートである。
【図５】図４のタイムチャートの各時刻における電流の流れを示す図である。
【図６】第２実施例の電力変換器の回路図である。
【図７】図６の回路の等価回路図である。
【図８】コイルを流れる電流とスイッチング素子のゲート電圧のタイムチャートである（第２実施例）。
【図９】第３実施例（モータシステム）のブロック図である。
【図１０】モータの模式図である。
【図１１】スイッチング回路のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（第１実施例）図面を参照して第１実施例の電力変換器を説明する。第１実施例の電力変換器は、昇圧コンバータ１０である。図１に、昇圧コンバータ１０の回路図を示す。昇圧コンバータ１０の低電圧端１２にバッテリ９０が接続されている。図示を省略しているが、高電圧端１３には、インバータなどの負荷が接続される。昇圧コンバータ１０は、低電圧端１２に印加された電圧を昇圧して高電圧端１３から出力することができるデバイスである。なお、低電圧端１２の正極と負極をそれぞれ低圧正極端１２ａと低圧負極端１２ｂと称し、高電圧端１３の正極と負極をそれぞれ高圧正極端１３ａと高圧負極端１３ｂと称する。低圧負極端１２ｂと高圧負極端１３ｂは、共通負極線１４で直接に接続されている。
【００１４】
昇圧コンバータ１０は、第１下スイッチング素子３１、第２下スイッチング素子３２、第１下ダイオード４１、第２下ダイオード４２、第１上ダイオード４３、第２上ダイオード４４、トランス２、フィルタコンデンサ２０、平滑コンデンサ５０を備えている。
【００１５】
第１下スイッチング素子３１の負電極は共通負極線１４（高圧負極端１３ｂ）に接続されている。第１下スイッチング素子３１の正電極は第１上ダイオード４３のアノードに接続されている。第１上ダイオード４３のカソードは高圧正極端１３ａに接続されている。第１下スイッチング素子３１と第１上ダイオード４３の直列回路の中点を第１中点２７と称する。第１下ダイオード４１は第１下スイッチング素子３１に逆並列に接続されている。すなわち、第１下ダイオード４１のアノードが第１下スイッチング素子３１の負電極に接続されており、第１下ダイオード４１のカソードは第１下スイッチング素子３１の正電極に接続されている。
【００１６】
第２下スイッチング素子３２の負電極は共通負極線１４（高圧負極端１３ｂ）に接続されている。第２下スイッチング素子３２の正極端は第２上ダイオード４４のアノードに接続されている。第２上ダイオード４４のカソードは高圧正極端１３ａに接続されている。第２下スイッチング素子３２と第２上ダイオード４４の直列回路の中点を第２中点２８と称する。第２下ダイオード４２が第２下スイッチング素子３２に逆並列に接続されている。すなわち、第２下ダイオード４２のアノードが第２下スイッチング素子３２の負極端に接続されており、第２下ダイオード４２のカソードは第２下スイッチング素子３２の正極端に接続されている。第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２は、高圧正極端１３ａと高圧負極端１３ｂの間で並列に接続されている。
【００１７】
第１、第２上ダイオード４１、４２、第１、第２下スイッチング素子３１、３２の接続関係を別言すると以下の通りである。第１上ダイオード４３と第２上ダイオード４４のカソードが高圧正極端１３ａに接続されている。第１上ダイオード４３のアノードが第１下スイッチング素子３１の正電極に接続されており、第２上ダイオード４４のアノードが第２下スイッチング素子３２の正電極に接続されている。第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２の負電極は高圧負極端１３ｂに接続されている。
【００１８】
第１、第２下スイッチング素子３１、３２は、ともに、ｎ型のＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。第１、第２下スイッチング素子３１、３２は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）など、別のタイプのスイッチング素子であってもよい。ｎ型ＭＯＳＦＥＴの場合、スイッチング素子の正電極はドレインと呼ばれ、負電極はソースと呼ばれる。ｎ型ＩＧＢＴの場合、スイッチング素子の正電極はコレクタと呼ばれ、負電極はエミッタと呼ばれる。ＭＯＳＦＥＴの場合は負極端から正極端に電流を流すこともできるが、本明細書では、便宜上、ｎ型スイッチング素子のコレクタあるはドレインを正電端と称する。
【００１９】
トランス２は、２個の（第１コイル４と第２コイル６）が磁気的に結合しているデバイスである。第１コイル４の一端４ａは、第１下スイッチング素子３１と第１上ダイオード４３の直列回路の中点（第１中点２７）に接続されている。第２コイル６の一端６ａは、第２下スイッチング素子３２と第２上ダイオード４４の直列回路の中点（第２中点２８）に接続されている。第２コイル６の他端６ｂは、第１コイル４の他端４ｂに接続されている。第２コイル６の他端６ｂと第１コイル４の他端４ｂは、低圧正極端１２ａに接続されている。
【００２０】
トランス２の第１コイル４と第２コイル６は、巻線の極性が同じである。すなわち、第１コイル４と第２コイル６の一方から他方へ電流が流れたときにはそれぞれが発する磁界が互いに打ち消し合うように磁気的に結合している。逆にいえば、第１コイル４と第２コイル６は、同じ方向（例えば一端４ａ、６ａから他端４ｂ、６ｂへ向かう方向）の電流が流れたときに第１コイル４が発生する磁界と第２コイル６が発生する磁界が強め合うように磁気的に結合している。
【００２１】
図２に、トランス２の模式図を示す。第１コイル４と第２コイルがリング状のコア５に巻回されている。第１コイル４の他端４ｂと第２コイル６の他端６ｂが接続されている。図２（Ａ）は、第１コイル４の一端４ａから第２コイル６の一端６ａへ向けて電流が流れる場合の磁界を示している。このとき、電流は第１コイル４から第２コイル６へと流れる。第１コイル４に流れる電流の向きと第２コイル６に流れる電流の向きは互いに逆方向になる。
【００２２】
第１コイル４の一端４ａから他端４ｂへ向けて電流が流れるとコア５に時計回りの磁界Ｂ１が発生する。第２コイル６の他端６ｂから一端６ａへ向けて電流が流れると、コア５に反時計回りの磁界Ｂ２が発生する。磁界Ｂ１と磁界Ｂ２は逆方向になり、互いに弱め合う。ただし、第１コイル４と第２コイル６のそれぞれに漏れ磁束ＢＬ１、ＢＬ２が存在する。第１コイル４と第２コイル６は同じ規格で作られているが、それの特性には個体差があるため、第１コイル４の漏れ磁束と第２コイル６の漏れ磁束は厳密に同じにならない。それゆえ、第１コイル４が発生する磁束Ｂ１と第２コイル６が発生する磁束Ｂ２は完全には相殺されず、漏れ磁束に対応する小さいインピーダンスが生じる。すなわち、第１コイル４から第２コイル６へ向けて電流が流れるとき、トランス２は、小さいインダクタンスを有するリアクトルとして働く。
【００２３】
図２（Ｂ）は、第１コイル４の一端４ａと第２コイル６の一端６ａから同じ向きに電流が流れる場合の磁界を示している。このとき、第１コイル４と第２コイル６で同じ向きに電流が流れる。第１コイル４が発生する磁界Ｂ１と第２コイル６が発生する磁界Ｂ２はともに反時計回りとなり、互いに弱め合う。第１コイル４と第２コイル６のそれぞれには漏れ磁束ＢＬ１、ＢＬ２が存在するが、磁界Ｂ１と磁界Ｂ２が互いに強め合うので、トランス２は大きな抵抗（インダクタンス）を生じる。すなわち、第１コイル４と第２コイル６に同じ向きに電流が流れる場合、トランス２は、大きいインダクタンスを有するリアクトルとして働く。トランス２のこの作用は、１個のメインリアクトルに２個のサブリアクトルが並列に接続されている回路と同じ働きをする。この点については後述する。
【００２４】
図１に戻って昇圧コンバータ１０の回路構成の説明を続ける。フィルタコンデンサ２０は低圧正極端１２ａと低圧負極端１２ｂの間に接続されており、平滑コンデンサ５０は高圧正極端１３ａと高圧負極端１３ｂの間に接続されている。
【００２５】
図１に示されているように、第１上トランジスタ４３と第１下スイッチング素子３１の直列回路と、第２上トランジスタ４４と第２下スイッチング素子３２の直列回路は並列に接続されている。図１に示す昇圧コンバータ１０は、並列に接続された２個のスイッチング素子３１、３２に電力が分散されるので、大きな電力を昇圧することができる。なお、図１に示す回路の昇圧動作については図５を参照しつつ後に説明する。
【００２６】
先に述べたように、磁気的に結合している第１コイル４と第２コイル６は、１個のメインリアクトル２２と２個のサブリアクトル（第１サブリアクトル２４と第２サブリアクトル２６）と同じ働きをする。図３に、図１の回路のトランス２をメインリアクトル２２とサブリアクトル２４、２６で表した等価回路図を示す。
【００２７】
メインリアクトル２２の一端２２ａは低圧正極端１２ａに接続されており、メインリアクトル２２の他端２２ｂは、第１サブリアクトル２４の他端２４ｂと第２サブリアクトル２６の他端２６ｂに接続されている。第１サブリアクトル２４の一端２４ａは、第１下スイッチング素子３１と第１上ダイオード４３の直列回路の中点（第１中点２７）に接続されている。第２サブリアクトル２６の一端２６ａは、第２下スイッチング素子３２と第２上ダイオード４４の直列回路の中点（第２中点２８）に接続されている。メインリアクトル２２の一端２２ａは、トランス２の第１コイル４の他端４ｂと第２コイル６の他端６ｂの接続点に対応する。第１サブリアクトル２４の一端２４ａは、第１コイル４の一端４ａに対応し、第２サブリアクトル２６の一端２６ａは、第２コイル６の一端６ａに対応する。なお、「スイッチング素子とダイオードの直列回路」は、「スイッチング素子とダイオードの直列接続」と換言してもよい。
【００２８】
コントローラ５４は、不図示の上位コントローラから昇圧コンバータ１０の目標出力を受信する。コントローラ５４は、昇圧コンバータ１０の出力が目標出力に追従するように、第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２を制御する。コントローラ５４は、第１下スイッチング素子３１をオンしてオフした後に第２下スイッチング素子３２をオンしてオフすることを繰り返す。別言すれば、コントローラ５４は、第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２を交互にオンオフすることを繰り返す。さらに別言すれば、コントローラ５４は、第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２を交互にスイッチングすることを繰り返す。コントローラ５４は、図示は省略しているが、中央演算装置（ＣＰＵ）と、メモリと、インタフェイスを供えたコンピュータである。
【００２９】
図３の回路（図１の等価回路）はスイッチング損失を低減することができる。図４と図５を参照しつつ、スイッチング損失が低減できるメカニズムを説明する。
【００３０】
図４と図５は、昇圧コンバータ１０の動作を説明する図である。図４はメインリアクトル２２を流れる電流と第１、第２下スイッチング素子３１、３２のゲート電圧のタイムチャートである。図５は、図４のタイムチャートの各時刻における電流の流れを示す図である。図４のグラフＧ１は、メインリアクトル２２を流れる電流ＩＬｍを示している。グラフＧ２は、第１サブリアクトル２４を流れる電流ＩＬ１と第２サブリアクトル２６を流れる電流ＩＬ２を示している。実線が第１サブリアクトル２４を流れる電流ＩＬ１を示しており、破線が第２サブリアクトル２６を流れる電流ＩＬ２を示している。
【００３１】
図１の回路図で説明すると、グラフＧ１は、トランス２と低圧正極端１２ａの間を流れる電流である。グラフＧ２の実線は第１コイル４を流れる電流を示しており、破線は第２コイル６を流れる電流を示している。
【００３２】
グラフＧ３は第１下スイッチング素子３１のゲート電圧Ｖｇ３１を示しており、グラフＧ４は第２下スイッチング素子３２のゲート電圧Ｖｇ３２を示している。ゲート電圧のＨＩＧＨレベルの期間がスイッチング素子のオン期間に相当し、ゲート電圧のＬＯＷレベルの期間がスイッチング素子のオフ期間に相当する。ゲート電圧Ｖｇ３１の立ち上がりが、第１下スイッチング素子３１がオフからオンに切り換わるタイミングに対応する。ゲート電圧Ｖｇ３１の立ち下りが、第１下スイッチング素子３１がオンからオフに切り換わるタイミングに対応する。ゲート電圧Ｖｇ３２と第２下スイッチング素子３２の間にも同様の関係がある。ゲート電圧Ｖｇ３１、Ｖｇ３２は、コントローラ５４によって制御される。
【００３３】
図４に示すように、時刻Ｔ１で第１下スイッチング素子３１がオフからオンに切り換わり、時刻Ｔ３で第１下スイッチング素子３１がオンからオフに切り換わる。時刻Ｔ１から時刻Ｔ４の間、第２下スイッチング素子３２はオフに保持される。第２下スイッチング素子３２は、時刻Ｔ４でオフからオンに切り換わり、時刻Ｔ６でオンからオフに切り換わる。第１下スイッチング素子３１は、時刻Ｔ３から時刻Ｔ６の間、オフに保持される。別言すれば、第１下スイッチング素子３１がオンしてオフしてから第２下スイッチング素子３２がオンしてオフする。コントローラ５４は、第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２を交互にオンオフする。別言すれば、コントローラ５４は、第１下スイッチング素子３１がオンの間、第２下スイッチング素子３２をオフに保持し、第２下スイッチング素子３２がオンの間、第１下スイッチング素子３１をオフに保持する。下スイッチング素子３１、３２は、時刻Ｔ１から時刻Ｔ６までの動作を繰り返す。
【００３４】
図５には、時刻Ｔ１−Ｔ６の各時刻における電流の流れを示してある。なお、図５では、昇圧コンバータ１０の回路構成を、図１よりも簡略化して示している。
【００３５】
各時刻における動作を説明する。時刻Ｔ１にて第１下スイッチング素子３１がオフからオンに切り換わる。第２下スイッチング素子３２はオフに保持されている。詳しくは後述するが、第１下スイッチング素子３１がオンに切り換わる直前において第１サブリアクトル２４には電流が流れていない。即ち、ゼロ電流スイッチング（ＺＣＳ：Zero Current Switching）が実現され、スイッチング損失が抑えられる。ゼロ電流スイッチングが実現されるメカニズムについては後述する。
【００３６】
第１下スイッチング素子３１がオンに切り換わると、低圧正極端１２ａからメインリアクトル２２、第１サブリアクトル２４、第１下スイッチング素子３１を通って共通負極線１４へ電流ＩＬ１が流れ始める。また、時刻Ｔ１の直前には、低圧正極端１２ａからメインリアクトル２２、第２サブリアクトル２６、第２上ダイオード４４を通じて高圧正極端１３ａへと電流ＩＬ２が流れている。時刻Ｔ１の直前の状態、即ち、時刻Ｔ６における状態については後述する。
【００３７】
時刻Ｔ１から時刻Ｔ２までの間は、第２サブリアクトル２６を流れていた電流が第１サブリアクトル２４の側へ移るので、電流ＩＬ２が急速に減少し、電流ＩＬ１が急速に増加する。この間、メインリアクトル２２を流れる電流ＩＬｍはほとんど変化しない。なお、電流ＩＬ１、ＩＬ２の変化率は、第１サブリアクトル２４と第２サブリアクトル２６のインダクタンスに依存する。第１サブリアクトル２４と第２サブリアクトル２６のインダクタンスとは、第１コイル４と第２コイル６の個体差に起因する磁束差によってもたらされる。
【００３８】
時刻Ｔ２で第２サブリアクトル２６を流れる電流ＩＬ２がゼロになる。即ち、時刻Ｔ２で第２上ダイオード４４を流れる電流がゼロになり、第２上ダイオード４４がオフに切り換わる。第２上ダイオード４４がオフに切り換わる際に逆回復電流がカソードからアノードへ流れる。この逆回復電流はスイッチング損失とノイズの一因となる。しかしながら、第１サブリアクトル２４と第２サブリアクトル２６のインダクタンスにより、第２上ダイオード４４の最大電流変化率が小さくなり、逆回復電流が抑えられる。即ち、磁気的に結合している第１コイル４と第２コイル６によって、第２上ダイオード４４がオフするときのスイッチング損失とノイズが抑えられる。
【００３９】
時刻Ｔ２以降は、メインリアクトル２２の誘導電圧と第１サブリアクトル２４の誘導電圧（電流ＩＬ１を阻止する方向に作用する誘導電圧）が弱まり、低圧正極端１２ａから流入する電流が増加する。その結果、メインリアクトル２２を流れる電流ＩＬｍと第１サブリアクトル２４を流れる電流ＩＬ１がともに増加する。メインリアクトル２２と第１サブリアクトル２４の誘導電圧は、第１コイル４の誘導電圧に対応する。
【００４０】
時刻Ｔ３に第１下スイッチング素子３１がオンからオフに切り換わる。第１下スイッチング素子３１がオフに切り換わると、メインリアクトル２２と第１サブリアクトル２４が電流ＩＬ１を流し続ける方向に誘導電圧を生じる。この誘導電圧によって、低圧正極端１２ａからメインリアクトル２２、第１サブリアクトル２４、第１上ダイオード４３を通じて電流ＩＬ１が流れる。第１上ダイオード４３を通じて流れる電流ＩＬ１によって平滑コンデンサ５０（図１参照）が充電され、高圧正極端１３ａの電圧が上昇する。即ち、低電圧端１２に印加された電圧が昇圧されて高電圧端１３から出力される。時刻Ｔ３以後、メインリアクトル２２及び第１サブリアクトル２４の誘導電圧（電流ＩＬ１を流す方向に作用する誘導電圧）が低下するので、電流ＩＬ１が徐々に減少する。このため、メインリアクトル２２を流れる電流ＩＬｍも徐々に減少する。
【００４１】
時刻Ｔ３以後、第１上ダイオード４３に電流が流れると、順電圧降下により第１上ダイオード４３のカソード電圧がアノード電圧よりも下がる。その結果、メインリアクトル２２から第２サブリアクトル２６と第２上ダイオード４４を通じて電流が流れようとする。しかし、第２サブリアクトル２６のインダクタンスにより、メインリアクトル２２から第２上ダイオード４４へ向かう電流が抑制される。第２サブリアクトル２６のインダクタンスの効果により、次の時刻Ｔ４の直前に第２サブリアクトル２６には電流が流れていない。第２サブリアクトル２６のインダクタンスは、第２コイル６のインダクタンスに対応する。
【００４２】
時刻Ｔ４にて第２下スイッチング素子３２がオフからオンに切り換わる。前述したように、時刻Ｔ４の直前にて第２サブリアクトル２６には電流が流れていない。従って第２下スイッチング素子３２がオンに切り換わる際、ゼロ電流スイッチングが実現される。第２下スイッチング素子３２がオンに切り換わるので、低圧正極端１２ａから、メインリアクトル２２、第２サブリアクトル２６、及び、第２下スイッチング素子３２を通じて共通負極線１４へ電流ＩＬ２が流れる。時刻Ｔ４の直前には第１サブリアクトル２４と第１上ダイオード４３を通じて電流ＩＬ１が流れている。第２下スイッチング素子３２がオンに切り換わることで、第１サブリアクトル２４を流れていた電流が第２サブリアクトル２６の側へと移る。その結果、電流ＩＬ１が急速に減少すると同時に電流ＩＬ２が急速に増加する。この間、メインリアクトル２２を流れる電流ＩＬｍほとんど変化しない。
【００４３】
時刻Ｔ５で第１サブリアクトル２４を流れる電流ＩＬ１がゼロになる。即ち、時刻Ｔ５で第１上ダイオード４３を流れる電流がゼロになり、第１上ダイオード４３がオフに切り換わる。このとき逆回復電流がカソードからアノードへ流れる。先に述べたように、逆回復電流はスイッチング損失とノイズの一因となる。しかしながら、第１サブリアクトル２４と第２サブリアクトル２６のインダクタンスにより、第１上ダイオード４３における最大電流変化率が抑制され、逆回復電流が抑制される。その結果、スイッチング損失とノイズが低減できる。先に述べたように、第１サブリアクトル２４と第２サブリアクトル２６のインダクタンスとは、第１コイル４と第２コイル６の個体差に起因する磁束差によってもたらされる。
【００４４】
時刻Ｔ５以降は、メインリアクトル２２の誘導電圧と第２サブリアクトル２６の誘導電圧（電流ＩＬ２を阻止する方向に作用する誘導電圧）が弱まり、低圧正極端１２ａから流入する電流が増加する。その結果、メインリアクトル２２を流れる電流ＩＬｍと第２サブリアクトル２６を流れる電流ＩＬ２がともに増加する。メインリアクトル２２と第２サブリアクトル２６の誘導電圧は、第２コイル６の誘導電圧に対応する。
【００４５】
時刻Ｔ６に第２下スイッチング素子３２がオンからオフに切り換わる。第２下スイッチング素子３２がオフに切り換わると、メインリアクトル２２と第２サブリアクトル２６が電流ＩＬ２を流し続ける方向に誘導電圧を生じるので、低圧正極端１２ａからメインリアクトル２２、第２サブリアクトル２６、第２上ダイオード４４を通じて電流ＩＬ２が流れる。第２上ダイオード４４を通じて流れる電流ＩＬ２によって平滑コンデンサ５０（図１参照）が充電され、高圧正極端１３ａの電圧が上昇する。即ち、低電圧端１２に印加された電圧が昇圧されて高電圧端１３から出力される。時刻Ｔ６以後、メインリアクトル２２及び第２サブリアクトル２６の誘導電圧（電流ＩＬ２を流す方向に作用する誘導電圧）が低下するので、電流ＩＬ２が徐々に減少する。このため、メインリアクトル２２を流れる電流ＩＬｍも徐々に減少する。
【００４６】
時刻Ｔ６以後、第２上ダイオード４４に電流が流れると、順電圧降下により第２上ダイオード４４のカソード電圧がアノード電圧よりも下がる。その結果、メインリアクトル２２から第１上ダイオード４３へ向けて電流が流れようとする。しかし、第１サブリアクトル２４のインダクタンスにより、メインリアクトル２２から第１上ダイオード４３へ向かう電流が抑制される。第１サブリアクトル２４のインダクタンスの効果により、次の時刻Ｔ１（２周期目の時刻Ｔ１）の直前に第１サブリアクトル２４には電流が流れていない。第１サブリアクトル２４のインダクタンスは、第１コイル４のインダクタンスに対応する。
【００４７】
以後、時刻Ｔ１からＴ６までの動作が繰り返される。このように、コントローラ５４は第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２を交互にオンオフする。そして、図１の回路を備える昇圧コンバータ１０は、磁気的に結合した第１コイル４と第２コイル６によって、スイッチング損失を低減することができる。従来であれば１個のメインリアクトルと２個のサブリアクトルを要したスイッチング損失低減効果を、第１実施例の昇圧コンバータ１０では磁気的に結合した２個のコイル（第１コイル４と第２コイル６）で実現している。第１実施例の昇圧コンバータ１０は、少ない部品でスイッチング損失を低減できる。
【００４８】
（第２実施例）次に、図６−図８を参照して第２実施例の電力変換器を説明する。第２実施例の電力変換器は、双方向ＤＣ−ＤＣコンバータ１０ａである。以下では、説明の便宜のため、双方向ＤＣ−ＤＣコンバータ１０ａを単純に双方向コンバータ１０ａと称する。
【００４９】
図６に、双方向コンバータ１０ａの回路図を示す。双方向コンバータ１０ａは、図１の回路に第１上スイッチング素子３３と第２上スイッチング素子３４を加えた構成を備えている。第１上スイッチング素子３３は、第１上ダイオード４３に対して逆並列に接続されている。第２上スイッチング素子３４は、第２上ダイオード４４に対して逆並列に接続されている。別言すると、第１上スイッチング素子３３は、正電極が第１上ダイオード４３のカソードに接続されており、負電極が第１上ダイオード４３のアノードに接続されている。第２上スイッチング素子３４は、正電極が第２上ダイオード４４のカソードに接続されており、負電極が第２上ダイオード４４のアノードに接続されている。
【００５０】
第１上スイッチング素子３３と第２上スイッチング素子３４はｎ型ＭＯＳＦＥＴであり、正電極（ドレイン）から負電極（ソース）へ電流を流すことが可能であるとともに、負電極（ソース）から正電極（ドレイン）へ電流を流すこともできる。
【００５１】
双方向コンバータ１０ａも、第１実施例の昇圧コンバータ１０と同様に、トランス２を備えている。トランス２は、巻線の極性が同じ第１コイル４と第２コイル６を備えている。第１コイル４の一端４ａは、第１下スイッチング素子３１と第１上ダイオード４３（第１上スイッチング素子３３）の直列回路の中点（第１中点２７）に接続されている。第２コイル６の一端６ａは、第２下スイッチング素子３２と第２上ダイオード４４（第２上スイッチング素子３４）の直列回路の中点（第２中点２８）に接続されている。第２コイル６の他端６ｂは、第１コイル４の他端４ｂに接続されている。すなわち、第１コイル４と第２コイル６は、同じ極性の端同士が接続されている。第２コイル６の他端６ｂと第１コイル４の他端４ｂは、低圧正極端１２ａに接続されている。第１コイル４と第２コイル６は、一方から他方へ電流が流れたときにそれぞれが発生する磁界が互いに弱め合うように磁気的に結合している。
【００５２】
図６の回路と等価回路の図を図７に示す。トランス２、すなわち、同じ極性で磁気的に結合している第１コイル４と第２コイル６は、図７に示したメインリアクトル２２と２個のサブリアクトル（第１サブリアクトル２４と第２サブリアクトル２６）と電気的に等価である。
【００５３】
メインリアクトル２２の一端２２ａは低圧正極端１２ａに接続されており、メインリアクトル２２の他端２２ｂは、第１サブリアクトル２４の他端２４ｂと第２サブリアクトル２６の他端２６ｂに接続されている。第１サブリアクトル２４の一端２４ａは、第１下スイッチング素子３１と第１上ダイオード４３（第１上スイッチング素子３３）の直列回路の中点（第１中点２７）に接続されている。第２サブリアクトル２６の一端２６ａは、第２下スイッチング素子３２と第２上ダイオード４４（第２上スイッチング素子３４）の直列回路の中点（第２中点２８）に接続されている。
【００５４】
昇圧動作に関しては、図１の昇圧コンバータ１０と同じである。一方、高電圧端１３に電圧が印加された場合、第１上スイッチング素子３３、第２上スイッチング素子３４がオンオフすることで、降圧動作が実現される。
【００５５】
図６（図７）の双方向コンバータ１０ａが昇圧動作を行うとき、第１実施例の昇圧コンバータ１０と同じ利点、即ち、スイッチング損失低減効果が得られる。
【００５６】
双方向コンバータ１０ａは、昇圧動作を行うときに第１上スイッチング素子３３と第２上スイッチング素子３４を活用することで、第１上ダイオード４３と第２上ダイオード４４の負荷を軽減することができる。第１上スイッチング素子３３と第２上スイッチング素子３４を活用した昇圧動作のタイミングチャートを図８に示す。グラフＧ１からＧ４は、図４のグラフと同じである。グラフＧ５は、第１上スイッチング素子３３のゲート電圧Ｖｇ３３を示しており、グラフＧ６は第２上スイッチング素子３４のゲート電圧Ｖｇ３４を示している。第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２と同様に、ゲート電圧のＨＩＧＨレベルの期間がスイッチング素子のオン期間に相当し、ゲート電圧のＬＯＷレベルの期間がスイッチング素子のオフ期間に相当する。ゲート電圧Ｖｇ３３、Ｖｇ３４もコントローラ５４によって制御される。
【００５７】
コントローラ５４は、時刻Ｔ３と時刻Ｔ４の間で第１上スイッチング素子３３をオンに保持する。図８において符号Ａが示す箇所がオンに保持される期間である。それ以外の期間は、第１上スイッチング素子３３はオフに保持される。第１実施例で説明したように、時刻Ｔ３から時刻Ｔ４の間、第１上ダイオード４３に電流ＩＬ１が流れている。この期間に第１上スイッチング素子３３をオンに保持することで、電流ＩＬ１は第１上ダイオード４３と第１上スイッチング素子３３に分散して流れる。その結果第１上ダイオード４３の負荷が軽減される。
【００５８】
コントローラ５４は、時刻Ｔ６と時刻Ｔ１の間で第２上スイッチング素子３４をオンに保持する。図８において符号Ｂが示す箇所がオンに保持される期間である。それ以外の期間は、第２上スイッチング素子３４はオフに保持される。第１実施例で説明したように、時刻Ｔ６から時刻Ｔ１の間、第２上ダイオード４４に電流ＩＬ２が流れている。この期間に第２上スイッチング素子３４をオンに保持することで、電流ＩＬ２は第２上ダイオード４４と第２上スイッチング素子３４に分散して流れる。その結果第２上ダイオード４４の負荷が軽減される。昇圧動作の間、第１上スイッチング素子３３と第２上スイッチング素子３４を常にオフに保持した場合、双方向コンバータ１０ａの動作は、図４、図５で説明した動作と同一となる。
【００５９】
（第３実施例）次に、図９−図１１を参照して第３実施例を説明する。第３実施例は、インバータ１１０と交流モータ１３０で構成されるモータシステム１００である。交流モータ１３０を以下ではモータ１３０と称する。インバータ１１０の入力端１１２の入力正極端１１２ａと入力負極端１１２ｂに直流電力が入力される。インバータ１１０は、入力された直流電力を三相交流に変換し、モータ１３０に供給する。
【００６０】
インバータ１１０は、３個のスイッチング回路１１０ａ−１１０ｃを備えている。スイッチング回路１１０ａ−１１０ｃは、入力正極端１１２ａと入力負極端１１２ｂの間で並列に接続されている。スイッチング回路１１０ａ−１１０ｃの夫々が直流を交流に変換する。
【００６１】
スイッチング回路１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃのそれぞれには、対応するモータ配線１２０ａ１、１２０ａ２、１２０ｂ１、１２０ｂ２、１２０ｃ１、１２０ｃ２が接続されている。モータ配線１２０ａ１、１２０ａ２、１２０ｂ１、１２０ｂ２、１２０ｃ１、１２０ｃ２の他端は、モータ１３０に接続されている。モータ１３０は、３つのコイルセット２ａ、２ｂ、２ｃを有している。それぞれのコイルセットは、磁気的に結合されている２個のコイル（第１コイル４と第２コイル６）で構成されている。それぞれのコイルセットの第１コイル４と第２コイル６が磁気的に結合しているので、図９では、コイルセット２ａをトランスの記号で表記している。
【００６２】
モータ１３０の模式図を図１０に示す。モータ１３０は、ステータ１３１とロータ１３５を備えている。ステータ１３１には、３セットのティース１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃを備えている。ティース１３２ａに第１コイルセット２ａの第１コイル４と第２コイル６が巻回されている。第１コイル４と第２コイル６は、同じ向きに電流が流れたときに互いに強め合う磁界を発生するように巻回されている。第１コイルセット２ａの第１コイル４の一端がモータ配線１２０ａ１に接続されており、第２コイル６の一端はモータ配線１２０ａ２に接続されている。第１コイルセット２ａの第１コイル４の他端は第２コイル６の他端に接続されている。別言すれば、第１コイル４と第２コイル６は、一方から他方に電流が流れたときにそれぞれが発する磁界が互いに打ち消し合うように巻回されている。
【００６３】
第２コイルセット２ｂも第１コイルセット２ａと同様である。ティース１３２ｂに第２コイルセット２ｂの第１コイル４と第２コイル６が巻回されている。第１コイル４と第２コイル６は、同じ向きに電流が流れたときに互いに強め合う磁界を発生するように巻回されている。第２コイルセット２ｂの第１コイル４の一端がモータ配線１２０ｂ１に接続されており、第２コイル６の一端はモータ配線１２０ｂ２に接続されている。第２コイルセット２ｂの第１コイル４の他端は第２コイル６の他端に接続されている。
【００６４】
第３コイルセット２ｃの接続関係も第１コイルセット２ａの接続関係と同じであるので説明は割愛する。第１−第３コイルセット２ａ−２ｃの第１コイル４と第２コイル６の他端は一点で接続されている。図９に示したように、３個のコイルセット２ａ−２ｃは、スター結線されている。
【００６５】
次に、スイッチング回路１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃについて説明する。なお、スイッチング回路１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの構成は同じであるので、以下では、スイッチング回路１１０ｃについて説明する。
【００６６】
図１１に、スイッチング回路１１０ｃの回路図を示す。第１コイルセット２ａは、第１実施例の昇圧コンバータ１０のトランス２と同様の構成であり、メインリアクトルと２個のサブリアクトルの等価回路で表すことができる。すなわち、コイルセット２ｃは、１個のメインリアクトル２２２と２個のサブリアクトル（第１サブリアクトル２４ｃと第２サブリアクトル２６ｃ）の等価回路で表すことができる。図１１は、コイルセット２ｃを等価回路で表している。なお、「コイル」と「リアクトル」は、実質的に同一の素子を意味する。
【００６７】
スイッチング回路１１０ｃの構成は、図７に示した第２実施例の双方向コンバータ１０ａの等価回路の構成と同じである。そこで以下では、スイッチング回路１１０ｃの構成要素のうち、第２実施例の双方向コンバータ１０ａの構成要素に対応する構成要素については、第２実施例と同じ参照番号を付して説明する。スイッチング回路１１０ｃは、スイッチング素子３１〜３４を有している。第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２は並列に接続されている。第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２の負電極はインバータ１１０の入力負極端１１２ｂに接続されている。第１下スイッチング素子３１に第１下ダイオード４１が逆並列に接続されており、第２下スイッチング素子３２に第２下ダイオード４２が逆並列に接続されている。
【００６８】
第１下スイッチング素子３１の正電極に第１上ダイオード４３のアノードが接続されており、第２下スイッチング素子３２の正電極に第２上ダイオード４４のアノードが接続されている。第１上ダイオード４３と第２上ダイオード４４のカソードはインバータ１１０の入力正極端１１２ａに接続されている。第１上ダイオード４３に第１上スイッチング素子３３が逆並列に接続されており、第２上ダイオード４４に第２上スイッチング素子３４が逆並列に接続されている。
【００６９】
第１下スイッチング素子３１と第１上ダイオード４３の直列回路の中点（第１中点２７）にモータ配線１２０ｃ１の一端が接続されており、モータ配線１２０ｃ１の他端に第１サブリアクトル２４ｃ（第１コイル４）の一端が接続されている。第２下スイッチング素子３２と第２上ダイオード４４の直列回路の中点（第２中点２８）にモータ配線１２０ｃ２の一端が接続されており、モータ配線１２０ｃ２の他端に第２サブリアクトル２６ｃ（第２コイル６）の一端が接続されている。第１サブリアクトル２４ｃの他端と第２サブリアクトル２６ｃの他端はメインコイル２２２ｃの一端に接続されている。
【００７０】
スイッチング回路１１０ａとコイルセット２ａの関係、及び、スイッチング回路１０ｂとコイルセット２ｂの関係も、スイッチング回路１１０ｃとコイルセット２ｃの関係と同じである。コイルセット２ｃの等価回路のメインコイル２２２ｃの他端は、コイルセット２ａの等価回路のメインコイル２２２ａの他端、及び、コイルセット２ｂの等価回路のメインコイル２２２ｂの他端とスター結線されている。
【００７１】
良く知られているように、インバータは、２個のスイッチング素子の直列回路の組を３組備えている。インバータの正極端側のスイッチング素子は上アームスイッチング素子と呼ばれており、インバータの負極端側のスイッチング素子は下アームスイッチング素子と呼ばれている。夫々のスイッチング素子にはダイオードが逆並列に接続されている。そのダイオードは還流ダイオードと呼ばれている。
【００７２】
図８−図１１から明らかな通り、第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２は下アームスイッチング素子に対応し、第１上スイッチング素子３３と第２上スイッチング素子３４は上アームスイッチング素子に対応する。第１、第２上ダイオード４３、４４は、上アームスイッチング素子に逆並列に接続される還流ダイオードに対応する。第１、第２下ダイオード４１、４２は、下アームスイッチング素子に逆並列に接続される還流ダイオードに対応する。
【００７３】
コントローラ５４は、第１下スイッチング素子３１をオンしてオフした後に第２下スイッチング素子３２をオンしてオフする。また、コントローラ５４は、第１下スイッチング素子３１の駆動信号の相補信号で第１上スイッチング素子３３をオンオフし、第２下スイッチング素子３２の駆動信号の相補信号で第２上スイッチング素子３４をオンオフする。「相補信号」とは、元の信号のＨＩＧＨレベルとＬＯＷレベルを逆転させた信号である。結局、コントローラ５４は、第２上スイッチング素子３４をオンしてオフした後に第１上スイッチング素子３３をオンしてオフする。別言すれば、コントローラ５４は、第１下スイッチング素子３１の駆動信号と逆位相で第１上スイッチング素子３３をオンオフし、第２下スイッチング素子３２の駆動信号と逆位相で第２上スイッチング素子３４とオンオフする。
【００７４】
スイッチング回路１１０ａ、１１０ｂのスイッチング素子についても同様である。コントローラ５４は、３個のスイッチング回路１１０ａ−１１０ｃを１２０度の位相差で駆動する。そうすると、３個のスイッチング回路１１０ａ−１１０ｃの夫々から、１２０度の位相差を有する交流（即ち三相交流）が出力される。
【００７５】
メインリアクトル２２２ａ−２２２ｃは第１実施例のメインリアクトル２２と同様に所定のインダクタンスを有している。そして、コントローラ５４は、並列に接続されている第１下スイッチング素子３１をオンしてオフした後に第２下スイッチング素子３２をオンしてオフする。それゆえ、モータ１３０とインバータ１１０を有しているモータシステム１００は、第２実施例の双方向コンバータ１０ａと同様に、３個のコイルセット２ａ−２ｃによってスイッチング損失を低減することができる。モータシステム１００は固有のサブリアクトルを備えることなく、スイッチング損失を抑えることができる。即ち、モータシステム１００は従来よりも少ない部品数でスイッチング損失を低減することができる。
【００７６】
（制御の変形例）第１実施例の昇圧コンバータ１０のコントローラ５４は、第１下スイッチング素子３１をオンしてオフした後に第２下スイッチング素子３２をオンしてオフすることを繰り返す。昇圧コンバータ１０の目標出力が所定の出力閾値よりも大きい場合は、第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２を同じタイミングでオンオフする制御に切り替えてもよい。第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２を同じタイミングでオンオフすると、第１コイル４と第２コイル６に同じ方向の電流が流れる。先に述べたように、第１コイル４と第２コイル６に同じ方向の電流が流れると、それぞれのコイルは互いに強め合う磁界を発生する。その結果、コイルの一端４ａ、６ａとコイルの他端４ｂ、６ｂの間のインダクタンスが大きくなる。従って、昇圧コンバータ１０は大きな電力を出力することができる。２個のスイッチング素子を同時にスイッチングするので、それぞれのスイッチング素子の負荷を抑えることができる。
【００７７】
磁気的に結合している第１コイル４と第２コイル６を備えた昇圧コンバータ１０は、制御を切り替えることで、次の利点を得られる。昇圧コンバータ１０は、目標出力が閾値よりも小さい場合は第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２を交互にスイッチングする。その結果、スイッチングに起因する損失と逆回復電流に起因する損失を抑えることができる。目標出力が閾値よりも大きい場合は、第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２を同じタイミングでスイッチングする。その結果、大出力が得られるとともに、スイッチング素子の負荷（定常損失）を抑えることができる。
【００７８】
第２実施例の双方向コンバータ１０ａと第３実施例のモータシステム１００についても同様である。すなわち、双方向コンバータ１０ａあるいはモータシステム１００の変形例は、目標出力が閾値よりも小さい間は、第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２を交互にスイッチングする。その結果、スイッチングに起因する損失と逆回復電流に起因する損失を抑えることができる。双方向コンバータ１０ａあるいはモータシステム１００の変形例は、目標出力が閾値よりも大きい間は、第１下スイッチング素子３１と第２下スイッチング素子３２を同時にスイッチングする。その結果、大出力が得られるとともに、スイッチング素子の負荷（定常損失）を抑えることができる。
【００７９】
実施例で説明した技術に関する留意点を述べる。実施例の高圧正極端１３ａ、入力正極端１１２ａが正極端の一例であり、高圧負極端１３ｂ、入力負極端１１２ｂが負極端の一例である。
【００８０】
トランス２と低圧正極端１２ａの間に別のリアクトルを接続してもよい。トランス２とモータ１３０のスター結線点の間に別のコイルを接続してもよい。
【００８１】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００８２】
２：トランス
２ａ−２ｃ：コイルセット
４：第１コイル
６：第２コイル
１０：昇圧コンバータ
１０ａ：双方向ＤＣ−ＤＣコンバータ
２０：フィルタコンデンサ
２２：メインリアクトル
２４：第１サブリアクトル
２６：第２サブリアクトル
２７：第１中点
２８：第２中点
３１−３４：スイッチング素子
４１−４４：ダイオード
５０：平滑コンデンサ
５４：コントローラ
９０：バッテリ
１００：モータシステム
１１０：インバータ
１１０ａ−１１０ｃ：スイッチング回路
１３０：交流モータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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