(57)【要約】      （修正有）【課題】素子積層体の側面における陽極と陰極との接触を防ぐことにより、ＬＣ不良及びショート不良を抑制することができる固体電解コンデンサを提供すること。【解決手段】本発明の固体電解コンデンサは、素子積層体１００と第１の外部電極と第２の外部電極とを備える。素子積層体は、厚さ方向に積層されたコンデンサ素子１１０及び陰極引き出し層１２０と、コンデンサ素子及び陰極引き出し層の周囲を封止する封止体１３０とを備える。第１の外部電極は、素子積層体の上記第１の端面から露出する陰極引き出し層の引出導体層２１と接続される。第２の外部電極は、素子積層体の第２の端面から露出するコンデンサ素子の弁作用金属基体１１と接続される。少なくとも１つの引出導体層は、絶縁基体上に設けられ、かつ、該引出導体層の幅方向の寸法が該絶縁基体の幅方向の寸法よりも小さい。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面を有する素子積層体と、
前記素子積層体の前記第１の端面に設けられた第１の外部電極と、
前記素子積層体の前記第２の端面に設けられた第２の外部電極と、を備える固体電解コンデンサであって、
前記素子積層体は、厚さ方向に積層されたコンデンサ素子及び陰極引き出し層と、前記コンデンサ素子及び前記陰極引き出し層の周囲を封止する封止体とを備え、
前記コンデンサ素子は、芯部の表面に多孔質部を有する弁作用金属基体と、前記多孔質部の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に設けられた固体電解質層を含む陰極層とを備え、
前記陰極引き出し層は、前記コンデンサ素子の前記陰極層と接続された引出導体層を備え、
前記第１の外部電極は、前記素子積層体の前記第１の端面から露出する前記引出導体層と接続され、
前記第２の外部電極は、前記素子積層体の前記第２の端面から露出する前記弁作用金属基体と接続され、
少なくとも１つの前記引出導体層は、絶縁基体上に設けられ、かつ、該引出導体層の幅方向の寸法が該絶縁基体の幅方向の寸法よりも小さい、固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記絶縁基体は、絶縁性樹脂からなる絶縁シートであり、
前記引出導体層は、前記絶縁シート上に印刷されている、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記絶縁シートの幅方向の寸法が前記弁作用金属基体の幅方向の寸法と同じである、請求項２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
前記絶縁シートの融点は３００℃以上である、請求項２又は３に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項５】
前記絶縁性樹脂は、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂及びポリアミド樹脂からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項２〜４のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項６】
前記封止体は、前記素子積層体の底面を構成する支持基板を備え、
前記絶縁基体は、前記支持基板であり、
前記支持基板上に設けられた前記引出導体層の幅方向の寸法のみが前記弁作用金属基体の幅方向の寸法よりも小さい、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項７】
前記支持基板は、ガラスエポキシ基板である、請求項６に記載の固体電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電解コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
固体電解コンデンサは、アルミニウム等の弁作用金属からなる基体の表面に多孔質部を有する弁作用金属基体と、該多孔質部の表面に形成された誘電体層と、該誘電体層上に設けられた固体電解質層を含む陰極層とを備えている。
【０００３】
例えば、特許文献１及び２には、陰極用集電体に金属箔が用いられた電解コンデンサが開示されている。特許文献３には、多孔質層を表面に有する弁作用金属基体と、上記多孔質層の表面に形成された誘電体層と、上記誘電体層上に設けられた固体電解質層とを有するコンデンサ素子が複数個積層された固体電解コンデンサであって、積層されたコンデンサ素子の間に導電体層が存在し、上記導電体層のうち少なくとも一つは金属箔を含み、上記コンデンサ素子及び上記導電体層は、外装樹脂により封止されており、上記弁作用金属基体の陽極部側端面は、固体電解コンデンサの一端面において外装樹脂の表面に形成された陽極外部電極と直接接続されており、上記金属箔は、固体電解コンデンサの他端面において外装樹脂の表面に形成された陰極外部電極と直接接続されていることを特徴とする固体電解コンデンサが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３２９６４２号公報
【特許文献２】特開２００４−２２１５３４号公報
【特許文献３】国際公開第２０１８／０７４４０８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
固体電解コンデンサを効率良く製造する方法として、大判の積層ブロック体を作製しておき、これを切断して素子積層体に個片化することにより、複数個の固体電解コンデンサを同時に作製する方法が考えられる。
【０００６】
しかしながら、特許文献１〜３に記載されているように陰極の集電体又は引き出し層として金属箔が用いられる場合には、素子積層体に個片化するための切断時の応力によって金属箔にバリが発生するため、素子積層体の側面において陽極の弁作用金属基体と陰極の金属箔とが接触してしまい、漏れ電流（ＬＣ）不良やショート不良を引き起こすおそれがあることが判明した。
【０００７】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、素子積層体の側面における陽極と陰極との接触を防ぐことにより、ＬＣ不良及びショート不良を抑制することができる固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の固体電解コンデンサは、長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面を有する素子積層体と、上記素子積層体の上記第１の端面に設けられた第１の外部電極と、上記素子積層体の上記第２の端面に設けられた第２の外部電極と、を備える。上記素子積層体は、厚さ方向に積層されたコンデンサ素子及び陰極引き出し層と、上記コンデンサ素子及び上記陰極引き出し層の周囲を封止する封止体とを備える。上記コンデンサ素子は、芯部の表面に多孔質部を有する弁作用金属基体と、上記多孔質部の表面に形成された誘電体層と、上記誘電体層上に設けられた固体電解質層を含む陰極層とを備える。上記陰極引き出し層は、上記コンデンサ素子の上記陰極層と接続された引出導体層を備える。上記第１の外部電極は、上記素子積層体の上記第１の端面から露出する上記引出導体層と接続される。上記第２の外部電極は、上記素子積層体の上記第２の端面から露出する上記弁作用金属基体と接続される。少なくとも１つの上記引出導体層は、絶縁基体上に設けられ、かつ、該引出導体層の幅方向の寸法が該絶縁基体の幅方向の寸法よりも小さい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の固体電解コンデンサによれば、素子積層体の側面における陽極と陰極との接触を防ぐことにより、ＬＣ不良及びショート不良を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る固体電解コンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す固体電解コンデンサのＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図３は、図２に示す固体電解コンデンサを構成する素子積層体のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図４（ａ）は、第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
【図５】図５（ａ）は、第２のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
【図６】図６（ａ）は、絶縁性接着層が設けられた第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
【図７】図７（ａ）は、絶縁性接着層及び導電体層が設けられた第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
【図８】図８（ａ）は、第１のシートと第２のシートとを積層する前の状態の一例を模式的に示す斜視図であり、図８（ｂ）は、積層シートの一例を模式的に示す斜視図である。
【図９】図９（ａ）は、積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
【図１０】図１０（ａ）は、切断する前の弁作用金属基体を模式的に示す平面図であり、図１０（ｂ）は、切断した後の弁作用金属基体を模式的に示す平面図である。
【図１１】図１１（ａ）は、切断する前の引出導体層及び絶縁シートを模式的に示す平面図であり、図１１（ｂ）は、切断した後の引出導体層及び絶縁シートを模式的に示す平面図である。
【図１２】図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、素子積層体の一例を模式的に示す斜視図である。
【図１３】図１３は、図１２（ａ）に示す素子積層体のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１４】図１４（ａ）は、切断された後の積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
【図１５】図１５（ａ）は、第４の樹脂モールド部が形成された積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
【図１６】図１６（ａ）は、個片化された素子積層体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
【図１７】図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る固体電解コンデンサの別の一例の特徴部分を模式的に示す斜視図である。
【図１８】図１８は、図１７（ａ）に示す素子積層体の第１の端面を拡大した平面図である。
【図１９】図１９は、図１７（ｂ）に示す素子積層体の第２の端面を拡大した平面図である。
【図２０】図２０は、本発明の第２実施形態に係る固体電解コンデンサの一例を模式的に示す断面図である。
【図２１】図２１は、図２０に示す固体電解コンデンサを構成する素子積層体のＤ−Ｄ線断面図である。
【図２２】図２２は、本発明の第２実施形態に係る固体電解コンデンサの別の一例を模式的に示す断面図である。
【図２３】図２３は、図２３に示す固体電解コンデンサを構成する素子積層体のＥ−Ｅ線断面図である。
【図２４】図２４（ａ）は、第２のシートの別の一例を模式的に示す斜視図であり、図２４（ｂ）は、図２４（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
【図２５】図２５（ａ）は、第１のシートと第２のシートとを積層する前の状態の一例を模式的に示す斜視図であり、図２５（ｂ）は、積層シートの一例を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の固体電解コンデンサについて説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００１２】
本発明の固体電解コンデンサでは、陰極引き出し層の引出導体層のうち、少なくとも１つの引出導体層を絶縁基体上に設け、かつ、該引出導体層の幅方向の寸法を該絶縁基体の幅方向の寸法よりも小さくしている。これにより、素子積層体の側面に引出導体層が露出しない構造となる。したがって、陰極引き出し層として金属箔が用いられ、素子積層体の側面に金属箔が露出する構造と異なり、素子積層体に個片化するために切断する際に金属箔のバリが発生するということがない。これにより、素子積層体の側面における陽極と陰極との接触を防ぐことができる。その結果、ＬＣ不良及びショート不良を抑制することができる。
【００１３】
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第２実施形態以降では、第１実施形態と共通の事項についての記述は省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎には逐次言及しない。
【００１４】
なお、以下の図面に示す各部分の厚さは、図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の厚さの関係を表してはいない。
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る固体電解コンデンサでは、絶縁基体は、絶縁性樹脂からなる絶縁シートである。引出導体層は、絶縁シート上に印刷されている。
【００１６】
［固体電解コンデンサ］
図１は、本発明の第１実施形態に係る固体電解コンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。
図１に示す固体電解コンデンサ１は、素子積層体１００と、第１の外部電極１４１と、第２の外部電極１４２とを備える。
【００１７】
図１においては、固体電解コンデンサ１又は素子積層体１００の長さ方向をＬ、幅方向をＷ、厚さ方向をＴで示している。ここで、長さ方向Ｌと幅方向Ｗと厚さ方向Ｔとは互いに直交している。
【００１８】
素子積層体１００は、略直方体状の外形を有している。素子積層体１００は、長さ方向Ｌにおいて相対する第１の端面Ｅ１０１及び第２の端面Ｅ１０２、幅方向Ｗにおいて相対する第１の側面Ｓ１０１及び第２の側面Ｓ１０２、並びに、厚さ方向Ｔにおいて相対する第１の主面Ｍ１０１及び第２の主面Ｍ１０２を有している。本実施形態では、第２の主面Ｍ１０２は、素子積層体１００の底面であり、固体電解コンデンサ１の実装面となる側の面である。
【００１９】
素子積層体１００は、角部及び稜線部に丸みが付けられていてもよい。角部は、素子積層体１００の３面が交わる部分であり、稜線部は、素子積層体１００の２面が交わる部分である。
【００２０】
第１の外部電極１４１は、素子積層体１００の第１の端面Ｅ１０１に設けられている。本実施形態では、第１の外部電極１４１は、素子積層体１００の第１の主面Ｍ１０１、第２の主面Ｍ１０２、第１の側面Ｓ１０１及び第２の側面Ｓ１０２の各一部にまで回り込んで設けられている。
【００２１】
第２の外部電極１４２は、素子積層体１００の第２の端面Ｅ１０２に設けられている。本実施形態では、第２の外部電極１４２は、素子積層体１００の第１の主面Ｍ１０１、第２の主面Ｍ１０２、第１の側面Ｓ１０１及び第２の側面Ｓ１０２の各一部にまで回り込んで設けられている。
【００２２】
図２は、図１に示す固体電解コンデンサのＡ−Ａ線断面図である。図３は、図２に示す固体電解コンデンサを構成する素子積層体のＢ−Ｂ線断面図である。図２は、固体電解コンデンサ１のＬＴ断面図であり、図３は、素子積層体１００のＷＴ断面図である。
【００２３】
図２及び図３に示すように、素子積層体１００は、コンデンサ素子１１０と、陰極引き出し層１２０と、封止体１３０とを備える。コンデンサ素子１１０及び陰極引き出し層１２０は、素子積層体１００の厚さ方向Ｔに積層されている。封止体１３０は、コンデンサ素子１１０及び陰極引き出し層１２０の周囲を封止している。
【００２４】
コンデンサ素子１１０は、弁作用金属基体１１と、誘電体層１２と、陰極層１３とを備える。
【００２５】
弁作用金属基体１１は、芯部１１ａの表面に多孔質部１１ｂを有している。弁作用金属基体１１は、多孔質部１１ｂを両面に有していることが好ましい。
【００２６】
弁作用金属基体１１は、いわゆる弁作用を示す弁作用金属からなる。弁作用金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム等の金属単体、又は、これらの金属を含む合金等が挙げられる。これらの中では、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。
【００２７】
弁作用金属基体１１の形状は、平板状であることが好ましく、箔状であることがより好ましい。多孔質部１１ｂは、弁作用金属基体１１の表面に形成されたエッチング層、弁作用金属基体１１の表面に印刷、焼結により形成された多孔質層が挙げられる。弁作用金属がアルミニウム又はアルミニウム合金の場合はエッチング層が好ましく、チタン又はチタン合金の場合は多孔質層であることが好ましい。
【００２８】
弁作用金属基体１１の厚みは特に限定されないが、多孔質部１１ｂを除く部分の厚みは、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。多孔質部１１ｂの厚み（片面の厚み）は、５μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい。
【００２９】
誘電体層１２は、多孔質部１１ｂの表面に形成されている。誘電体層１２は、多孔質部１１ｂの表面状態を反映して多孔質になっており、微細な凹凸状の表面形状を有している。
【００３０】
誘電体層１２は、上記弁作用金属の酸化皮膜からなることが好ましい。例えば、弁作用金属基体１１としてアルミニウム箔が用いられる場合、アジピン酸アンモニウム等を含む水溶液中でアルミニウム箔の表面に対して陽極酸化処理（化成処理ともいう）を行うことにより、酸化皮膜からなる誘電体層１２を形成することができる。
【００３１】
陰極層１３は、誘電体層１２上に設けられている。陰極層１３は、誘電体層１２上に設けられた固体電解質層１３ａ（図４（ｂ）等参照）を含む。陰極層１３は、さらに、固体電解質層１３ａ上に設けられた導電体層１３ｂ（図７（ｂ）等参照）を含んでもよい。
【００３２】
固体電解質層１３ａを構成する材料としては、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類等の導電性高分子等が挙げられる。これらの中では、ポリチオフェン類が好ましく、ＰＥＤＯＴと呼ばれるポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。また、上記導電性高分子は、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等のドーパントを含んでいてもよい。
【００３３】
固体電解質層１３ａは、例えば、３，４−エチレンジオキシチオフェン等のモノマーを含む処理液を用いて、誘電体層の表面にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）等の重合膜を形成する方法や、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）等のポリマーの分散液を誘電体層１２の表面に塗布して乾燥させる方法等によって形成される。なお、誘電体層１２の細孔（凹部）を充填する内層を形成した後、誘電体層１２を被覆する外層を形成することにより、固体電解質層１３ａを形成することが好ましい。
【００３４】
陰極引き出し層１２０は、引出導体層２１を備える。引出導体層２１は、コンデンサ素子１１０の陰極層１３と接続されている。陰極引き出し層１２０は、絶縁シート２２をさらに備え、引出導体層２１が絶縁シート２２上に印刷されている。本発明の第１実施形態では、絶縁シート２２が絶縁基体である。
【００３５】
図３に示すように、陰極引き出し層１２０においては、引出導体層２１の幅方向Ｗの寸法が絶縁シート２２の幅方向Ｗの寸法よりも小さくなっている。
【００３６】
本発明の第１実施形態においては、少なくとも１つの引出導体層２１が絶縁シート２２上に印刷され、かつ、引出導体層２１の幅方向Ｗの寸法が絶縁シート２２の幅方向Ｗの寸法よりも小さい限り、その他の構成は特に限定されない。例えば、引出導体層２１が絶縁シート２２上に印刷されていない陰極引き出し層（例えば、金属箔など）が含まれていてもよい。また、引出導体層２１が絶縁シート２２上に印刷されている場合であっても、引出導体層２１の幅方向Ｗの寸法が絶縁シート２２の幅方向Ｗの寸法よりも小さくない陰極引き出し層が含まれていてもよい。
【００３７】
図３に示すように、絶縁シート２２の幅方向Ｗの寸法が弁作用金属基体１１の幅方向Ｗの寸法と同じであることが好ましい。したがって、引出導体層２１の幅方向Ｗの寸法が弁作用金属基体１１の幅方向Ｗの寸法よりも小さいことが好ましい。
【００３８】
なお、「同じ寸法」とは、絶縁シート２２の幅方向Ｗの寸法が弁作用金属基体１１の幅方向Ｗの寸法と厳密に同じでなくてもよく、弁作用金属基体１１の幅方向Ｗの寸法の約２％以内に収まっていればよい。
【００３９】
引出導体層２１は、例えば、電極ペーストをスポンジ転写、スクリーン印刷、スプレー塗布、ディスペンサ、インクジェット印刷等によって絶縁シート２２上に印刷することにより形成することができる。電極ペーストとしては、銀、銅又はニッケルを主成分とする電極ペーストを用いることが好ましい。
【００４０】
絶縁シート２２は、絶縁性樹脂からなる。絶縁シート２２の融点は３００℃以上であることが好ましい。絶縁シート２２を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。これらの絶縁性樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。
【００４１】
絶縁シート２２の厚みは特に限定されないが、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。
【００４２】
封止体１３０には、コンデンサ素子１１０及び陰極引き出し層１２０が埋設されている。図２及び図３では、封止体１３０は、第１の樹脂モールド部１３１と、第２の樹脂モールド部１３２と、第３の樹脂モールド部１３３と、第４の樹脂モールド部１３４と、支持基板１３５とを備える。
【００４３】
第１の樹脂モールド部１３１は、素子積層体１００の第１の端面Ｅ１０１を構成している。図２に示すように、素子積層体１００の第１の端面Ｅ１０１には、陰極引き出し層１２０の引出導体層２１及び絶縁シート２２が露出している。
【００４４】
第２の樹脂モールド部１３２は、素子積層体１００の第２の端面Ｅ１０２を構成している。図２に示すように、素子積層体１００の第２の端面Ｅ１０２には、コンデンサ素子１１０の弁作用金属基体１１が露出している。
【００４５】
第３の樹脂モールド部１３３は、素子積層体１００の第１の主面Ｍ１０１を構成している。素子積層体１００の第１の主面Ｍ１０１には、コンデンサ素子１１０及び陰極引き出し層１２０は露出していない。
【００４６】
第４の樹脂モールド部１３４は、素子積層体１００の第１の側面Ｓ１０１及び第２の側面Ｓ１０２を構成している。素子積層体１００の第１の側面Ｓ１０１及び第２の側面Ｓ１０２には、コンデンサ素子１１０及び陰極引き出し層１２０は露出していない。
【００４７】
支持基板１３５は、素子積層体１００の第２の主面Ｍ１０２を構成している。本実施形態では、封止体１３０は、支持基板１３５を備えなくてもよい。その場合、第３の樹脂モールド部１３３が素子積層体１００の第１の主面Ｍ１０１及び第２の主面Ｍ１０２を構成すればよい。
【００４８】
第１の樹脂モールド部１３１、第２の樹脂モールド部１３２、第３の樹脂モールド部１３３及び第４の樹脂モールド部１３４は、少なくとも絶縁性樹脂を含み、好ましくは絶縁性樹脂及びフィラーを含む。
樹脂モールド部を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。フィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、金属粒子等が挙げられる。
【００４９】
第１の樹脂モールド部１３１、第２の樹脂モールド部１３２、第３の樹脂モールド部１３３及び第４の樹脂モールド部は、コンプレッションモールド、トランスファーモールド等のモールド樹脂成形法を用いて形成することが好ましく、コンプレッションモールドを用いて形成することがより好ましい。
【００５０】
支持基板１３５は、コンデンサ素子１１０及び陰極引き出し層１２０の積層体を一体化させるために設けられている。支持基板１３５は、ガラスエポキシ基板であることが好ましい。支持基板１３５の厚みは、例えば、１００μｍである。
【００５１】
第１の外部電極１４１は、素子積層体１００の第１の端面Ｅ１０１から露出する引出導体層２１と接続されている。
【００５２】
第２の外部電極１４２は、素子積層体１００の第２の端面Ｅ１０２から露出する弁作用金属基体１１と接続されている。
【００５３】
第１の外部電極１４１及び第２の外部電極１４２は、例えば、めっきやスパッタ、浸漬塗布、印刷等により形成することができる。めっきの場合は、めっき層としてはＺｎ・Ａｇ・Ｎｉ層、Ａｇ・Ｎｉ層、Ｎｉ層、Ｚｎ・Ｎｉ・Ａｕ層、Ｎｉ・Ａｕ層、Ｚｎ・Ｎｉ・Ｃｕ層、Ｎｉ・Ｃｕ層等を使用することができる。これらのめっき層の上に、例えば、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層の順に（あるいは一部を除いて）めっき層をさらに形成することが好ましい。
【００５４】
［固体電解コンデンサの製造方法］
以下、本発明の第１実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法の一例（第１の製造方法ともいう）について、工程ごとに説明する。
【００５５】
（Ａ）第１のシートを準備する工程
まず、第１のシートを準備する。第１のシートは、芯部の表面に多孔質部を有する弁作用金属基体と、上記多孔質部の表面に形成された誘電体層と、上記誘電体層上に設けられた固体電解質層とを備える。さらに、第１のシートは、複数個の素子領域を有する。第１のシートにおいて、各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端部及び第２の端部と、上記長さ方向と直交する幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画されている。さらに、第１のシートには、各素子領域の上記第１の端部を跨ぐように、該素子領域の幅以上の幅を有する第１の貫通穴が形成されているとともに、各素子領域の上記第２の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第２の貫通穴が形成されている。
【００５６】
図４（ａ）は、第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す第１のシート１０は、複数の素子領域Ｒ１１（以下、第１の素子領域という）と、複数の素子領域Ｒ１２（以下、第２の素子領域という）と、を有している。
【００５７】
図４（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ１１は、長さ方向Ｌにおいて相対する第１の端部Ｅ１１及び第２の端部Ｅ１２と、長さ方向Ｌと直交する幅方向Ｗにおいて相対する第１の側部Ｓ１１及び第２の側部Ｓ１２とによって区画されている。第１の素子領域Ｒ１１は、長さ方向Ｌの寸法が幅方向Ｗの寸法よりも大きい。そして、第１の素子領域Ｒ１１の第１の端部Ｅ１１を長さ方向Ｌに跨ぐように、第１の貫通穴Ｈ１が１個形成されているとともに、第１の素子領域Ｒ１１の第２の端部Ｅ１２を長さ方向Ｌに跨ぐように、第２の貫通穴Ｈ２が複数個（図４（ｂ）では３個）形成されている。第１の貫通穴Ｈ１は、第１の素子領域Ｒ１１の幅以上の幅を有する１個の長穴からなり、第２の貫通穴Ｈ２は、第１の素子領域Ｒ１１の幅よりも小さい幅を有する複数個の略丸穴からなる。
【００５８】
一方、第２の素子領域Ｒ１２は、第１の素子領域Ｒ１１と同じ形状を有しているが、第１の素子領域Ｒ１１とは第１の端部Ｅ１１及び第２の端部Ｅ１２の向きが反対である。
【００５９】
図４（ａ）に示すように、第１のシート１０においては、第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが長さ方向Ｌに交互に配置されている。図４（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ１１は、隣接する第２の素子領域Ｒ１２と第１の端部Ｅ１１及び第１の貫通穴Ｈ１を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ１２と第２の端部Ｅ１２及び第２の貫通穴Ｈ２を共有している。
【００６０】
さらに、図４（ａ）に示すように、第１のシート１０においては、第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが幅方向Ｗに交互に配置されている。図４（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ１１は、隣接する第２の素子領域Ｒ１２と第１の側部Ｓ１１を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ１２と第２の側部Ｓ１２を共有している。
【００６１】
図４（ｂ）に示すように、第１のシート１０は、芯部１１ａの表面に多孔質部１１ｂを有する弁作用金属基体１１と、多孔質部１１ｂの表面に形成された誘電体層１２と、誘電体層１２上の各素子領域の内部にそれぞれ設けられた固体電解質層１３ａとを備えている。第１のシート１０では、各素子領域の端部及び側部が、絶縁材料からなるマスク層１４によって被覆されており、マスク層１４によって囲まれた領域に固体電解質層１３ａが設けられている。
【００６２】
図４（ｂ）に示す第１のシート１０では、弁作用金属基体１１が多孔質部１１ｂを両面に有し、それぞれの多孔質部１１ｂの表面に誘電体層１２が形成されるとともに、誘電体層１２上に固体電解質層１３ａが設けられている。しかし、第１のシート１０の一方の面に第２のシート２０が積層されない場合、第２のシート２０が積層されない側の弁作用金属基体１１の表面には、固体電解質層１３ａが設けられる必要はない。この場合、第２のシート２０が積層されない側の弁作用金属基体１１の表面には、誘電体層１２が形成されなくてもよいし、多孔質部１１ｂが形成されなくてもよい。また、第１のシート１０は、弁作用金属基体１１が多孔質部１１ｂを片面のみに有し、多孔質部１１ｂの表面に誘電体層１２が形成されたものを用いてもよい。
【００６３】
第１のシート１０は、好ましくは、以下のように作製される。
まず、芯部１１ａの表面に多孔質部１１ｂを有する弁作用金属基体１１を準備し、多孔質部１１ｂの表面に誘電体層１２を形成する。
【００６４】
製造効率を高める観点から、誘電体層１２が表面に形成された弁作用金属基体１１として、予め化成処理が施された化成箔を用いてもよい。
【００６５】
次に、各素子領域の端部及び側部を被覆するマスク層１４を形成することが好ましい。
マスク層１４は、例えば、絶縁性樹脂等の絶縁材料からなるマスク材を弁作用金属基体１１の表面に塗布し、加熱等によって固化又は硬化させることによって形成される。マスク材の塗布は、スクリーン印刷、ディスペンサ、インクジェット印刷等により行うことが好ましい。
【００６６】
マスク材の絶縁材料としては、例えば、ポリフェニルスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等）、可溶性ポリイミドシロキサンとエポキシ樹脂からなる組成物、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、及び、それらの誘導体又は前駆体等の絶縁性樹脂が挙げられる。
【００６７】
続いて、各素子領域の第１の端部Ｅ１１を跨ぐように第１の貫通穴Ｈ１を形成するとともに、各素子領域の第２の端部Ｅ１２を跨ぐように第２の貫通穴Ｈ２を形成する。
第１の貫通穴Ｈ１及び第２の貫通穴Ｈ２は、例えば、レーザー加工、エッチング加工、パンチング加工等によって形成される。
【００６８】
その後、誘電体層１２上の各素子領域の内部にそれぞれ固体電解質層１３ａを形成する。この際、マスク層１４によって囲まれた領域に固体電解質層１３ａを形成することが好ましい。例えば、以下の処理液又は分散液をスポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ、インクジェット印刷等によって誘電体層１２上に塗布することにより、所定の領域に固体電解質層１３ａを形成することができる。
【００６９】
なお、第１の貫通穴Ｈ１及び第２の貫通穴Ｈ２は、マスク層１４を形成する前に形成してもよいし、固体電解質層１３ａを形成した後に形成してもよい。
【００７０】
第１のシート１０全体のサイズは、素子領域のサイズ、形状、数、配置、生産能力等によって決定されるものであり、特に限定されない。第１のシート１０の素子領域の形状は特に限定されないが、矩形であることが好ましい。この場合、第１の端部Ｅ１１及び第２の端部Ｅ１２は、第１の側部Ｓ１１及び第２の側部Ｓ１２より短くてもよいし、長くてもよい。
【００７１】
第１のシート１０は、製造効率の観点から、複数個の素子領域を有する。特に、第１のシート１０が第１の素子領域Ｒ１１及び第２の素子領域Ｒ１２を有し、第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが長さ方向Ｌに交互に配置されていることが好ましく、第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが幅方向Ｗにも交互に配置されていることがより好ましい。第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが交互に配置される場合、第１の貫通穴Ｈ１が第１のシート１０の幅方向Ｗに偏在しないため、シートの強度が低下しにくくなる。
【００７２】
第１のシート１０において、第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが長さ方向Ｌに交互に配置されている場合、第１の素子領域Ｒ１１は、隣接する第２の素子領域Ｒ１２と第１の端部Ｅ１１及び第１の貫通穴Ｈ１を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ１２と第２の端部Ｅ１２及び第２の貫通穴Ｈ２を共有することが好ましい。この場合、素子領域を分割するための切断回数、及び、廃棄すべき部分を減らすことができる。
【００７３】
しかし、第１のシート１０が第１の素子領域Ｒ１１及び第２の素子領域Ｒ１２を有する場合、第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが長さ方向Ｌに交互に配置されていなくてもよいし、幅方向Ｗに交互に配置されていなくてもよい。また、第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが長さ方向Ｌに交互に配置されている場合、第１の素子領域Ｒ１１は、隣接する第２の素子領域Ｒ１２と第１の端部Ｅ１１及び第１の貫通穴Ｈ１を共有しなくてもよいし、隣接する他の第２の素子領域Ｒ１２と第２の端部Ｅ１２及び第２の貫通穴Ｈ２を共有しなくてもよい。さらに、第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが幅方向Ｗに交互に配置されている場合、第１の素子領域Ｒ１１は、隣接する第２の素子領域Ｒ１２と第１の側部Ｓ１１を共有しなくてもよいし、隣接する他の第２の素子領域Ｒ１２と第２の側部Ｓ１２を共有しなくてもよい。
【００７４】
第１の貫通穴Ｈ１は、素子領域の幅以上の幅を有する限り、その形状は特に限定されない。
【００７５】
第２の貫通穴Ｈ２は、素子領域の幅よりも小さい幅を有する限り、その形状、個数及び配置等は特に限定されないが、それぞれの素子領域において、幅方向Ｗに２個以上形成されていることが好ましい。第２の貫通穴Ｈ２が２個以上形成されている場合、これらの貫通穴は等間隔に形成されていることが好ましい。
なお、第２の貫通穴Ｈ２の１個あたりの幅が小さすぎると、後述する工程において封止材を充填することが困難となり、一方、素子領域の幅に対する第２の貫通穴Ｈ２の幅の合計の割合が大きすぎると、固体電解コンデンサの端面に露出する弁作用金属基体１１の割合が小さくなるためＥＳＲが増大しやすくなる。
【００７６】
（Ｂ）第２のシートを準備する工程
別途、第２のシートを準備する。第２のシートは、引出導体層が絶縁シート上に印刷されたものである。さらに、第２のシートは、複数個の素子領域を有する。第２のシートにおいて、各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端部及び第２の端部と、上記長さ方向と直交する幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画されている。さらに、第２のシートには、各素子領域の上記第１の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第３の貫通穴が形成されているとともに、各素子領域の上記第２の端部を跨ぐように、該素子領域の幅以上の幅を有する第４の貫通穴が形成されている。
【００７７】
図５（ａ）は、第２のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す第２のシート２０は、複数の素子領域Ｒ２１（以下、第１の素子領域という）と、複数の素子領域Ｒ２２（以下、第２の素子領域という）と、を有している。
【００７８】
図５（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ２１は、長さ方向Ｌにおいて相対する第１の端部Ｅ２１及び第２の端部Ｅ２２と、長さ方向Ｌと直交する幅方向Ｗにおいて相対する第１の側部Ｓ２１及び第２の側部Ｓ２２とによって区画されている。そして、第１の素子領域Ｒ２１の第１の端部Ｅ２１を長さ方向Ｌに跨ぐように、第３の貫通穴Ｈ３が複数個（図５（ｂ）では３個）形成されているとともに、第１の素子領域Ｒ２１の第２の端部Ｅ２２を長さ方向Ｌに跨ぐように、第４の貫通穴Ｈ４が１個形成されている。第３の貫通穴Ｈ３は、第１の素子領域Ｒ２１の幅よりも小さい幅を有する複数個の略丸穴からなり、第４の貫通穴Ｈ４は、第１の素子領域Ｒ２１の幅以上の幅を有する１個の長穴からなる。
【００７９】
一方、第２の素子領域Ｒ２２は、第１の素子領域Ｒ２１と同じ形状を有しているが、第１の素子領域Ｒ２１とは第１の端部Ｅ２１及び第２の端部Ｅ２２の向きが反対である。
【００８０】
図５（ａ）に示すように、第２のシート２０においては、第１の素子領域Ｒ２１と第２の素子領域Ｒ２２とが長さ方向Ｌに交互に配置されている。図５（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ２１は、隣接する第２の素子領域Ｒ２２と第１の端部Ｅ２１及び第３の貫通穴Ｈ３を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ２２と第２の端部Ｅ２２及び第４の貫通穴Ｈ４を共有している。
【００８１】
さらに、図５（ａ）に示すように、第２のシート２０においては、第１の素子領域Ｒ２１と第２の素子領域Ｒ２２とが幅方向Ｗに交互に配置されている。図５（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ２１は、隣接する第２の素子領域Ｒ２２と第１の側部Ｓ２１を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ２２と第２の側部Ｓ２２を共有している。
【００８２】
図５（ｂ）に示すように、第２のシート２０は、引出導体層２１が絶縁シート２２上の各素子領域の内部にそれぞれ印刷されたものである。引出導体層２１は、各素子領域の側部を除いた領域に設けられている。
【００８３】
図５（ｂ）に示す第２のシート２０では、絶縁シート２２の両面に引出導体層２１が設けられている。しかし、絶縁シート２２の片面のみに引出導体層２１が設けられていてもよい。
【００８４】
第２のシート２０は、好ましくは、以下のように作製される。
まず、絶縁シート２２を準備し、絶縁シート２２上の各素子領域の内部にそれぞれ引出導体層２１を印刷する。この際、各素子領域の側部を除いた領域に引出導体層２１を形成する。
【００８５】
続いて、各素子領域の第１の端部Ｅ２１を跨ぐように第３の貫通穴Ｈ３を形成するとともに、各素子領域の第２の端部Ｅ２２を跨ぐように第４の貫通穴Ｈ４を形成する。
第３の貫通穴及び第４の貫通穴は、例えば、レーザー加工、エッチング加工、パンチング加工等によって形成される。
【００８６】
なお、第３の貫通穴Ｈ３及び第４の貫通穴Ｈ４は、引出導体層２１を形成する前に形成してもよい。
【００８７】
第２のシート２０全体のサイズは特に限定されないが、第１のシート１０全体のサイズと同じであることが好ましい。第２のシート２０の素子領域の形状、数及び配置は、対向する第１のシート１０の素子領域の形状、数及び配置と同じであることが好ましい。
【００８８】
第２のシート２０は、製造効率の観点から、複数個の素子領域を有する。特に、第２のシート２０が第１の素子領域Ｒ２１及び第２の素子領域Ｒ２２を有し、第１の素子領域Ｒ２１と第２の素子領域Ｒ２２とが長さ方向Ｌに交互に配置されていることが好ましく、第１の素子領域Ｒ２１と第２の素子領域Ｒ２２とが幅方向Ｗにも交互に配置されていることがより好ましい。第１の素子領域Ｒ２１と第２の素子領域Ｒ２２とが交互に配置される場合、第４の貫通穴Ｈ４が第２のシート２０の幅方向Ｗに偏在しないため、シートの強度が低下しにくくなる。
【００８９】
第２のシート２０において、第１の素子領域Ｒ２１と第２の素子領域Ｒ２２とが長さ方向Ｌに交互に配置されている場合、第１の素子領域Ｒ２１は、隣接する第２の素子領域Ｒ２２と第１の端部Ｅ２１及び第３の貫通穴Ｈ３を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ２２と第２の端部Ｅ２２及び第４の貫通穴Ｈ４を共有することが好ましい。この場合、素子領域を分割するための切断回数、及び、廃棄すべき部分を減らすことができる。
【００９０】
しかし、第２のシート２０が第１の素子領域Ｒ２１及び第２の素子領域Ｒ２２を有する場合、第１の素子領域Ｒ２１と第２の素子領域Ｒ２２とが長さ方向Ｌに交互に配置されていなくてもよいし、幅方向Ｗに交互に配置されていなくてもよい。また、第１の素子領域Ｒ２１と第２の素子領域Ｒ２２とが長さ方向Ｌに交互に配置されている場合、第１の素子領域Ｒ２１は、隣接する第２の素子領域Ｒ２２と第１の端部Ｅ２１及び第３の貫通穴Ｈ３を共有しなくてもよいし、隣接する他の第２の素子領域Ｒ２２と第２の端部Ｅ２２及び第４の貫通穴Ｈ４を共有しなくてもよい。さらに、第１の素子領域Ｒ２１と第２の素子領域Ｒ２２とが幅方向Ｗに交互に配置されている場合、第１の素子領域Ｒ２１は、隣接する第２の素子領域Ｒ２２と第１の側部Ｓ２１を共有しなくてもよいし、隣接する他の第２の素子領域Ｒ２２と第２の側部Ｓ２２を共有しなくてもよい。
【００９１】
第３の貫通穴Ｈ３は、素子領域の幅よりも小さい幅を有する限り、その形状、個数及び配置等は特に限定されないが、それぞれの素子領域において、幅方向Ｗに２個以上形成されていることが好ましい。第３の貫通穴Ｈ３が２個以上形成されている場合、これらの貫通穴は等間隔に形成されていることが好ましい。
なお、第３の貫通穴Ｈ３の１個あたりの幅が小さすぎると、後述する工程において封止材を充填することが困難となり、一方、素子領域の幅に対する第３の貫通穴Ｈ３の幅の合計の割合が大きすぎると、固体電解コンデンサの端面に露出する引出導体層２１の割合が小さくなるためＥＳＲが増大しやすくなる。
【００９２】
第４の貫通穴Ｈ４は、素子領域の幅以上の幅を有する限り、その形状は特に限定されない。
【００９３】
（Ｅ）積層シートを作製する工程
各素子領域の第１の端部同士及び第２の端部同士がそれぞれ対向するように、第１のシートと第２のシートとを積層することにより、積層シートを作製する。得られる積層シートにおいては、第１の貫通穴と第３の貫通穴、及び、第２の貫通穴と第４の貫通穴がそれぞれ積層方向に連通されている。
【００９４】
第２の貫通穴及び第３の貫通穴は、それぞれ、積層シートの第１の主面から第２の主面に向かって直線状に連通されていることが好ましい。
【００９５】
第１のシートと第２のシートとを積層する際には、第１のシートの陰極層と第２のシートの引出導体層とを接続する。この場合、第１のシートの固体電解質層と第２のシートの引出導体層とを接続してもよい。また、第１のシートの固体電解質層上に設けられた他の導電体層と第２のシートの引出導体層とを接続してもよい。
【００９６】
また、第１のシートの固体電解質層又は導電体層が設けられていない部分については、絶縁性接着層が設けられていることが好ましい。
【００９７】
図６（ａ）は、絶縁性接着層が設けられた第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図６（ａ）及び図６（ｂ）では、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す第１のシート１０のマスク層１４上に、絶縁性接着層１５が設けられている。
【００９８】
絶縁性接着層１５は、例えば、絶縁性樹脂等の絶縁材料をマスク層１４上に塗布し、加熱等によって固化又は硬化させることによって形成される。絶縁材料の塗布は、スクリーン印刷、ディスペンサ、インクジェット印刷等により行うことが好ましい。
【００９９】
絶縁性接着層１５は、マスク層１４と成分や粘度が同じでもよいが、マスク層１４と成分や粘度が異なることが好ましい。
【０１００】
マスク層１４と絶縁性接着層１５とを合わせた厚さは、固体電解質層１３ａの厚さと同じでもよいが、固体電解質層１３ａの厚さより大きいことが好ましい。
【０１０１】
このように、第１の製造方法は、（Ｃ）第１のシートを絶縁材料により被覆する工程を備えることが好ましい。（Ｃ）工程では、第１のシートの各素子領域の第１の端部及び第２の端部と、第１の側部及び第２の側部とが、絶縁材料により被覆される。
【０１０２】
（Ｃ）絶縁材料により被覆する工程は、マスク層を形成する工程と、上記マスク層上に絶縁性接着層を形成する工程とを備えることが好ましい。
【０１０３】
図７（ａ）は、絶縁性接着層及び導電体層が設けられた第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図７（ａ）及び図７（ｂ）では、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す第１のシート１０のマスク層１４上に、絶縁性接着層１５が設けられているとともに、固体電解質層１３ａ上に、導電体層１３ｂが設けられている。
【０１０４】
導電体層１３ｂは、導電性ペーストを塗布することにより形成される。導電体層１３ｂは、カーボン層のみから構成されることが好ましいが、銀層のみから構成されてもよいし、下地であるカーボン層と、その上の銀層の２層から構成されてもよい。
【０１０５】
このように、第１の製造方法は、（Ｄ）第１のシートに導電体層を形成する工程を備えることが好ましい。（Ｄ）工程では、第１のシートの固体電解質層上に導電体層が形成される。
【０１０６】
図８（ａ）は、第１のシートと第２のシートとを積層する前の状態の一例を模式的に示す斜視図であり、図８（ｂ）は、積層シートの一例を模式的に示す斜視図である。
図８（ａ）に示すように、第１のシート１０と第２のシート２０とを交互に積層することにより、図８（ｂ）に示す積層シート３０が得られる。積層シート３０は、厚さ方向Ｔにおいて相対する第１の主面Ｍ３１及び第２の主面Ｍ３２を有する。なお、図８（ｂ）では、絶縁性接着層１５等を省略している（以下も同様）。
【０１０７】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、支持基板１３５の上に第１のシート１０及び第２のシート２０を積層することが好ましい。図８（ａ）及び図８（ｂ）では、第１のシート１０及び第２のシート２０が５枚ずつ積層されている例を示したが、第１のシート１０及び第２のシート２０を積層する枚数は特に限定されない。また、第１のシート１０の枚数と第２のシートの２０枚数は同じであってもよいし、異なっていてもよい。積層シート３０の主面には、第１のシート１０及び第２のシート２０のどちらが配置されてもよいが、第２のシート２０が配置されることが好ましい。
【０１０８】
（Ｆ）積層ブロック体を作製する工程
得られた積層シートの少なくとも第１の主面側から、第１の貫通穴と第３の貫通穴、第２の貫通穴と第４の貫通穴にそれぞれ封止材を充填することにより、積層ブロック体を作製する。
【０１０９】
上述のとおり、積層シートにおいては、第１の貫通穴と第３の貫通穴、及び、第２の貫通穴と第４の貫通穴がそれぞれ積層方向に連通されているため、積層シートの第１の主面側から、それぞれの貫通穴に封止材を充填することができる。その結果、得られる積層ブロック体においては、第１の貫通穴及び第３の貫通穴を充填する第１の樹脂モールド部、及び、第２の貫通穴と第４の貫通穴を充填する第２の樹脂モールド部が形成される。
【０１１０】
封止材の充填は、例えば、上述したモールド樹脂成形法等の方法により行うことができる。この際、第１の樹脂モールド部及び第２の樹脂モールド部に加えて、積層シートの第１の主面を被覆する第３の樹脂モールド部を同時に形成することができる。このように、（Ｆ）積層ブロック体を作製する工程では、封止材を用いて、積層シートの少なくとも第１の主面を被覆する工程を同時に行うことが好ましい。
【０１１１】
図９（ａ）は、積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
図９（ａ）に示す積層ブロック体４０においては、第１の貫通穴Ｈ１と第３の貫通穴Ｈ３、第２の貫通穴Ｈ２と第４の貫通穴Ｈ４にそれぞれ封止材を充填することにより、図９（ｂ）に示すように、第１の貫通穴Ｈ１及び第３の貫通穴Ｈ３を充填する第１の樹脂モールド部１３１、及び、第２の貫通穴Ｈ２と第４の貫通穴Ｈ４を充填する第２の樹脂モールド部１３２が形成される。また、図９（ａ）に示すように、積層ブロック体４０は、第１の主面を被覆する第３の樹脂モールド部１３３をさらに備えている。
【０１１２】
封止材は、少なくとも絶縁性樹脂を含み、好ましくは絶縁性樹脂及びフィラーを含む。
封止材に含まれる絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。フィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、金属粒子等が挙げられる。
【０１１３】
封止材が絶縁性樹脂及びフィラーを含む場合、封止材の充填性を確保する観点から、フィラーの最大径は、第２の貫通穴及び第３の貫通穴の最小径よりも小さいことが好ましい。
なお、貫通穴の径とは、断面形状が円形の場合には直径、円形以外の場合には断面の中心を通る最大長さをいう。
【０１１４】
また、封止材が絶縁性樹脂及びフィラーを含む場合、封止材の充填性を確保する観点から、フィラーの最大径は、絶縁シートの最小厚みよりも小さいことが好ましい。封止材に含まれるフィラー径の最大径は、例えば、３０μｍ以上、４０μｍ以下の範囲にあることが好ましい。
【０１１５】
（Ｇ）積層ブロック体を切断することにより、複数個の素子積層体を作製する工程
積層ブロック体を、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断するとともに、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で切断することにより、複数個の素子積層体を作製する。
【０１１６】
図１０（ａ）は、切断する前の弁作用金属基体を模式的に示す平面図であり、図１０（ｂ）は、切断した後の弁作用金属基体を模式的に示す平面図である。
図１０（ａ）に示すように、積層ブロック体に含まれる第１のシートを構成する弁作用金属基体１１には、各素子領域の第１の端部Ｅ１１を跨ぐ第１の貫通穴Ｈ１を充填する第１の樹脂モールド部１３１、及び、各素子領域の第２の端部Ｅ１２を跨ぐ第２の貫通穴Ｈ２を充填する第２の樹脂モールド部１３２が形成されている。
【０１１７】
したがって、各素子領域の第１の端部Ｅ１１及び第２の端部Ｅ１２の位置で、第１の樹脂モールド部１３１及び第２の樹脂モールド部１３２を両側に分離するように弁作用金属基体１１をダイシング等で切断すると、図１０（ｂ）に示すように、第１の端部Ｅ１１側の切断面である第１の端面Ｅ１０１には、第１の樹脂モールド部１３１が露出し、弁作用金属基体１１が露出しない。一方、第２の端部Ｅ１２側の切断面である第２の端面Ｅ１０２には、弁作用金属基体１１及び第２の樹脂モールド部１３２が露出する。
【０１１８】
また、各素子領域の第１の側部Ｓ１１及び第２の側部Ｓ１２の位置で弁作用金属基体１１をダイシング等で切断すると、図１０（ｂ）に示すように、どちらの切断面にも弁作用金属基体１１が露出する。
【０１１９】
図１１（ａ）は、切断する前の引出導体層及び絶縁シートを模式的に示す平面図であり、図１１（ｂ）は、切断した後の引出導体層及び絶縁シートを模式的に示す平面図である。
図１１（ａ）に示すように、積層ブロック体に含まれる第２のシートを構成する引出導体層２１及び絶縁シート２２には、各素子領域の第１の端部Ｅ２１を跨ぐ第３の貫通穴Ｈ３を充填する第１の樹脂モールド部１３１、及び、各素子領域の第２の端部Ｅ２２を跨ぐ第４の貫通穴Ｈ４を充填する第２の樹脂モールド部１３２が形成されている。
【０１２０】
したがって、各素子領域の第１の端部Ｅ２１及び第２の端部Ｅ２２の位置で、第１の樹脂モールド部１３１及び第２の樹脂モールド部１３２を両側に分離するように引出導体層２１及び絶縁シート２２をダイシング等で切断すると、図１１（ｂ）に示すように、第１の端部Ｅ２１側の切断面である第１の端面Ｅ１０１には、引出導体層２１、絶縁シート２２及び第１の樹脂モールド部１３１が露出する。一方、第２の端部Ｅ２２側の切断面である第２の端面Ｅ１０２には、第２の樹脂モールド部１３２が露出し、引出導体層２１及び絶縁シート２２が露出しない。
【０１２１】
また、各素子領域の第１の側部Ｓ２１及び第２の側部Ｓ２２の位置で引出導体層２１及び絶縁シート２２を切断すると、図１１（ｂ）に示すように、どちらの切断面にも絶縁シート２２が露出する。一方、どちらの切断面にも引出導体層２１は露出しない。
【０１２２】
以上のように、積層ブロック体を、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断することにより、得られる素子積層体の第１の端面には引出導体層を露出させることができ、第２の端面には弁作用金属基体を露出させることができる。
【０１２３】
また、積層ブロック体を、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で切断することにより得られる切断面には、弁作用金属基体が露出するため、素子積層体のそれぞれの側面を被覆する第４の樹脂モールド部を形成することが好ましい。
【０１２４】
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、素子積層体の一例を模式的に示す斜視図である。図１３は、図１２（ａ）に示す素子積層体のＣ−Ｃ線断面図である。
図１２（ａ）及び図１３に示すように、素子積層体１００の第１の端面Ｅ１０１には、陰極引き出し層１２０の引出導体層２１及び絶縁シート２２が露出している。一方、図１２（ｂ）及び図１３に示すように、素子積層体１００の第２の端面Ｅ１０２には、コンデンサ素子１１０の弁作用金属基体１１が露出している。
【０１２５】
素子積層体は、好ましくは、以下のように作製される。
【０１２６】
まず、積層ブロック体を、各素子領域の第１の側部及び第２の側部に沿って切断する。積層ブロック体の切断には、例えば、ダイサーを用いたダイシング等の方法が適用される。
【０１２７】
図１４（ａ）は、切断された後の積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
例えば、図９（ａ）に示す積層ブロック体４０を、各素子領域の第１の側部及び第２の側部に沿って切断することによって、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、第１の側部及び第２の側部に沿った隙間Ｇが形成された積層ブロック体４０ａを作製する。積層ブロック体４０ａにおいては、図１４（ｂ）に示すように、切断によって現れた切断側面には、弁作用金属基体１１及び絶縁シート２２が露出する。なお、図示していないが、弁作用金属基体１１の露出部の厚み（Ｔ方向の厚み）は、露出していない内部の弁作用金属基体１１の厚みに比べて大きく、Ｔ方向の上下にテーパー状に拡がっている。
【０１２８】
次に、積層ブロック体に形成された隙間に封止材を充填する。これにより、上記隙間を充填する第４の樹脂モールド部が形成される。封止材としては、例えば、第１の樹脂モールド部、第２の樹脂モールド部及び第３の樹脂モールド部を形成するための封止材を用いることができる。
【０１２９】
図１５（ａ）は、第４の樹脂モールド部が形成された積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
図１４（ａ）に示す積層ブロック体４０ａの隙間Ｇに封止材を充填することにより、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、隙間Ｇを充填する第４の樹脂モールド部１３４が形成された積層ブロック体４０ｂを作製する。
【０１３０】
その後、積層ブロック体４０ｂを、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で、第１の樹脂モールド部１３１及び第２の樹脂モールド部１３２を両側に分離するように切断するとともに、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で、第４の樹脂モールド部１３４を両側に分離するように切断する。これにより、第１の側部及び第２の側部が樹脂モールド部により絶縁化された素子積層体に個片化することができる。積層ブロック体４０ｂの切断には、例えば、ダイサーを用いたダイシングやカット刃、レーザー加工、スクライブ等の方法が適用される。なお、支持基板１３５上に第１のシート１０及び第２のシート２０を積層する場合は、支持基板１３５をハーフカットする位置まで切断することが好ましい。なお、支持基板１３５をハーフカットすることによって、各素子領域の第１の側部及び第２の側部から支持基板１３５にかけて段差形状が生まれ、この段差形状が第４の樹脂モールド部１３４の一部で埋められた状態となる。
【０１３１】
図１６（ａ）は、個片化された素子積層体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
図１５（ａ）に示す積層ブロック体４０ｂを、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断するとともに、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で切断することにより、図１６（ａ）に示す素子積層体１００が得られる。この際、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、第１の側部及び第２の側部の位置で切断することによって現れた切断側面が第４の樹脂モールド部１３４で構成されるように、積層ブロック体４０ｂが切断される。
【０１３２】
（Ｈ）第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する工程
得られた素子積層体に対して、第１の端面に第１の外部電極を形成し、第２の端面に第２の外部電極を形成する。以上により、固体電解コンデンサが得られる。
【０１３３】
第１の製造方法においては、積層ブロック体を切断して素子積層体に個片化する際に、弁作用金属基体及び引出導体層を素子積層体のそれぞれの端面に露出させることができる。そのため、弁作用金属基体及び引出導体層を露出させるために端面を研磨する工程が不要となる。したがって、固体電解コンデンサを効率良く製造することができる。
【０１３４】
第１の製造方法により得られる固体電解コンデンサでは、幅方向において、引出導体層が第１の端面に露出する１層あたりの距離の和Ａ１は、引出導体層の最大幅Ｂ１よりも小さく、かつ、弁作用金属基体が第２の端面に露出する１層あたりの距離の和Ａ２は、弁作用金属基体の最大幅Ｂ２よりも小さくなる。
【０１３５】
図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る固体電解コンデンサの別の一例の特徴部分を模式的に示す斜視図である。
図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示す固体電解コンデンサ１Ａは、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示す素子積層体１００と、第１の外部電極１４１と、第２の外部電極１４２と、を備えている。なお、図１７（ａ）及び図１７（ｂ）では、素子積層体１００の一部、第１の外部電極１４１、及び、第２の外部電極１４２を破線で示している。
【０１３６】
図１７（ａ）に示すように、幅方向における、引出導体層２１が第１の端面Ｅ１０１に露出する１層あたりの距離Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３及びＡ１４の和Ａ１は、引出導体層２１の最大幅Ｂ１よりも小さい。
【０１３７】
図１７（ｂ）に示すように、幅方向における、弁作用金属基体１１が第２の端面Ｅ１０２に露出する１層あたりの距離Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３及びＡ２４の和Ａ２は、弁作用金属基体１１の最大幅Ｂ２よりも小さい。
【０１３８】
図１８は、図１７（ａ）に示す素子積層体の第１の端面を拡大した平面図である。
第１の端面Ｅ１０１において、第１の樹脂モールド部１３１は、陰極引き出し層１２０を厚さ方向に貫通する第１の柱状部１３１ａと、陰極引き出し層１２０間に設けられ、第１の柱状部１３１ａ間を接続する第１の帯状部１３１ｂと、を有する。
【０１３９】
図１９は、図１７（ｂ）に示す素子積層体の第２の端面を拡大した平面図である。
第２の端面Ｅ１０２において、第２の樹脂モールド部１３２は、弁作用金属基体１１を厚さ方向に貫通する第２の柱状部１３２ａと、弁作用金属基体１１間に設けられ、第２の柱状部１３２ａ間を接続する第２の帯状部１３２ｂと、を有する。
【０１４０】
第１の樹脂モールド部１３１のうち、第１の帯状部１３１ｂは第１の貫通穴Ｈ１を充填する封止材に由来し、第１の柱状部１３１ａは第３の貫通穴Ｈ３を充填する封止材に由来する。同様に、第２の樹脂モールド部１３２のうち、第２の柱状部１３２ａは第２の貫通穴Ｈ２を充填する封止材に由来し、第２の帯状部１３２ｂは第４の貫通穴Ｈ４を充填する封止材に由来する。封止材の充填性を考慮すると、第１の柱状部１３１ａ及び第２の柱状部１３２ａの幅は大きいほどよいが、その分、端面に露出する陰極引き出し層及び弁作用金属基体の割合が小さくなるためＥＳＲが増大してしまう。
【０１４１】
そのため、Ａ１／Ｂ１の値は、０．１以上、０．９以下であることが好ましく、０．５以上であることがより好ましい。また、Ａ２／Ｂ２の値は、０．１以上、０．９以下であることが好ましく、０．５以上であることがより好ましい。
【０１４２】
なお、Ａ１の値は、Ａ２の値と同じでもよいし、異なっていてもよい。同様に、Ｂ１の値は、Ｂ２の値と同じでもよいし、異なっていてもよい。したがって、Ａ１／Ｂ１の値は、Ａ２／Ｂ２の値と同じでもよいし、異なっていてもよい。
【０１４３】
第１の樹脂モールド部１３１及び第２の樹脂モールド部１３２は、貫通穴に封止材を充填することにより形成される。そのため、第１の柱状部１３１ａと第１の帯状部１３１ｂとは一体的に形成されていることが好ましく、第２の柱状部１３２ａと第２の帯状部１３２ｂとは一体的に形成されていることが好ましい。なお、「一体的に形成されている」とは、両者の境界に界面が存在しないことを意味する。
【０１４４】
第１の樹脂モールド部１３１及び第２の樹脂モールド部１３２を形成する際の封止材の充填性を考慮すると、第１の柱状部１３１ａ及び第２の柱状部１３２ａは、それぞれの端面において、幅方向に２個以上形成されていることが好ましい。この場合、第１の柱状部１３１ａ及び第２の柱状部１３２ａは、それぞれ、素子積層体１００の第１の主面Ｍ１０１から第２の主面Ｍ１０２に向かって直線状に設けられていることが好ましい。
【０１４５】
第１の柱状部１３１ａ及び第２の柱状部１３２ａの幅は特に限定されないが、陰極引き出し層１２０又は弁作用金属基体１１の最大幅に対して１０％以上、７０％以下であることが好ましい。例えば、陰極引き出し層１２０又は弁作用金属基体１１の最大幅が３ｍｍであるとき、幅０．５ｍｍの柱状部を３つ配置することが好ましい。この場合、柱状部間の距離は０．３５ｍｍであることが好ましい。
【０１４６】
第１の柱状部１３１ａ及び第２の柱状部１３２ａがそれぞれ２個以上形成されている場合、封止材の充填性を考慮すると、これらの柱状部は等間隔に形成されていることが好ましい。なお、「等間隔」とは、柱状部間に位置する帯状部の幅が厳密に等しい長さでなくてもよく、約３％以内の範囲内に収まっていればよい。
【０１４７】
柱状部間に位置する帯状部の幅は特に限定されないが、陰極引き出し層１２０又は弁作用金属基体１１の最大幅に対して１０％以上、７０％以下であることが好ましい。
【０１４８】
柱状部間に位置しない帯状部の幅は、柱状部間に位置する帯状部の幅と同程度であることが好ましい。
【０１４９】
また、第１の製造方法により固体電解コンデンサを製造する場合、第１の樹脂モールド部１３１及び第２の樹脂モールド部１３２に加えて、第３の樹脂モールド部１３３を同時に形成することができる。そのため、第３の樹脂モールド部１３３は、第１の樹脂モールド部１３１及び第２の樹脂モールド部１３２と一体的に形成されていることが好ましい。
【０１５０】
以下、本発明の第１実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法の別の一例（第２の製造方法ともいう）について、工程ごとに説明する。
【０１５１】
第２の製造方法では、（Ａ）工程、（Ｂ）工程、（Ｅ）工程及び（Ｆ）工程は第１の製造方法と共通するが、（Ｃ）工程及び（Ｄ）工程を行わない。ただし、第２の製造方法では、第１の製造方法で説明した（Ｆ）工程は任意である。さらに、第２の製造方法では、第１の製造方法で説明した（Ｇ）工程及び（Ｈ）工程に代えて、（Ｇ’）工程及び（Ｈ’）工程を行う。
【０１５２】
第２の製造方法では、（Ｃ）工程を行わないため、第１のシートの各素子領域の第１の端部及び第２の端部と、第１の側部及び第２の側部とを絶縁材料により被覆しない。すなわち、第１の製造方法で説明したマスク層及び絶縁性接着層を形成しない。
【０１５３】
さらに、（Ｄ）工程を行わないため、第１のシートの固体電解質層上に導電体層を形成しない。
【０１５４】
上記の点を除いて、（Ａ）工程、（Ｂ）工程及び（Ｅ）工程として、第１の製造方法と同様に第１のシート及び第２のシートを準備し、これらのシートを積層することにより積層シートを作製する。
【０１５５】
上述のとおり、第２の製造方法では、（Ｆ）工程は任意である。すなわち、第２の製造方法においては、必要に応じて積層ブロック体を作製する。
【０１５６】
（Ｇ’）工程では、積層ブロック体を作製しない場合には積層シートを切断することにより、一方、積層ブロック体を作製する場合には積層ブロック体を切断することにより、複数個の素子積層体を作製する。積層シートを切断する場合には、切断後、素子積層体の端面の必要な箇所に封止材を設ければよい。
【０１５７】
第１の製造方法では、各素子領域の第１の側部及び第２の側部に沿って積層ブロック体を２回切断することにより、第４の樹脂モールド部が形成された素子積層体を一括して作製している。これに対し、第２の製造方法では、各素子領域の第１の側部及び第２の側部に沿って積層シート又は積層ブロック体を２回切断することにより、第４の樹脂モールド部が形成された素子積層体を一括して作製してもよいし、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で積層シート又は積層ブロック体を切断した後、それぞれの切断側面に封止材を塗布することにより、第４の樹脂モールド部を形成してもよい。
【０１５８】
（Ｈ’）工程では、得られた素子積層体に対して、第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する。第２の製造方法において、素子積層体に第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する方法は、特に限定されない。例えば、第１の外部電極及び第２の外部電極として、ＡｇやＣｕを含有する樹脂電極等を用いてもよい。第１及び第２の外部電極にさらにリード端子を接続してもよい。
【０１５９】
以上により、固体電解コンデンサが得られる。
第２の製造方法においても、固体電解コンデンサを効率良く製造することができる。
【０１６０】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態に係る固体電解コンデンサでは、封止体は、素子積層体の底面を構成する支持基板を備える。絶縁基体は、支持基板である。支持基板上に設けられた引出導体層の幅方向の寸法のみが弁作用金属基体の幅方向の寸法よりも小さい。
【０１６１】
［固体電解コンデンサ］
図２０は、本発明の第２実施形態に係る固体電解コンデンサの一例を模式的に示す断面図である。
図２０に示す固体電解コンデンサ２は、素子積層体１００Ａと、第１の外部電極１４１と、第２の外部電極１４２とを備える。第１の外部電極１４１及び第２の外部電極１４２の構成は、第１実施形態と同様である。
【０１６２】
図２１は、図２０に示す固体電解コンデンサを構成する素子積層体のＤ−Ｄ線断面図である。
図２０及び図２１に示すように、素子積層体１００Ａは、コンデンサ素子１１０と、陰極引き出し層１２０と、陰極引き出し層１２０Ａと、封止体１３０とを備える。コンデンサ素子１１０、陰極引き出し層１２０及び陰極引き出し層１２０Ａは、素子積層体１００Ａの厚さ方向Ｔに積層されている。封止体１３０は、コンデンサ素子１１０、陰極引き出し層１２０及び陰極引き出し層１２０Ａの周囲を封止している。
【０１６３】
コンデンサ素子１１０及び封止体１３０の構成は、第１実施形態と同様である。図２０及び図２１では、封止体１３０は、第１の樹脂モールド部１３１と、第２の樹脂モールド部１３２と、第３の樹脂モールド部１３３と、第４の樹脂モールド部１３４と、支持基板１３５とを備える。本発明の第１実施形態と異なり、封止体１３０は、支持基板１３５を必ず備える。本発明の第２実施形態では、支持基板１３５が絶縁基体である。
【０１６４】
陰極引き出し層１２０は、引出導体層２１を備える。引出導体層２１は、コンデンサ素子１１０の陰極層１３と接続されている。また、引出導体層２１は、支持基板１３５上に設けられている。陰極引き出し層１２０は、絶縁シート２２をさらに備え、引出導体層２１が絶縁シート２２上に印刷されている。
【０１６５】
図２１に示すように、陰極引き出し層１２０においては、引出導体層２１の幅方向Ｗの寸法が絶縁シート２２の幅方向Ｗの寸法よりも小さくなっている。さらに、陰極引き出し層１２０においては、引出導体層２１の幅方向Ｗの寸法が弁作用金属基体１１の幅方向Ｗの寸法よりも小さくなっている。
【０１６６】
陰極引き出し層１２０Ａは、引出導体層２１Ａを備える。引出導体層２１Ａは、コンデンサ素子１１０の陰極層１３と接続されている。引出導体層２１Ａは、例えば、金属箔又は印刷電極層である。陰極引き出し層１２０Ａは、絶縁シート２２をさらに備えてもよい。
【０１６７】
引出導体層２１Ａが金属箔である場合、金属箔は、アルミニウム、銅、銀及びこれらの金属を主成分とする合金からなる群より選択される少なくとも一種の金属からなることが好ましい。また、金属箔として、表面にスパッタや蒸着等の成膜方法によりカーボンコートやチタンコートがされた金属箔を用いてもよい。中でも、カーボンコートされたアルミニウム箔を用いることがより好ましい。
【０１６８】
引出導体層２１Ａが印刷電極層である場合、印刷電極層は、電極ペーストをスポンジ転写、スクリーン印刷、スプレー塗布、ディスペンサ、インクジェット印刷等によって陰極層上に印刷することにより形成することができる。電極ペーストとしては、銀、銅又はニッケルを主成分とする電極ペーストを用いることが好ましい。
【０１６９】
図２１に示すように、陰極引き出し層１２０Ａにおいては、引出導体層２１Ａの幅方向Ｗの寸法は、弁作用金属基体１１の幅方向Ｗの寸法と同じである。そのため、支持基板１３５上に設けられた引出導体層２１の幅方向Ｗの寸法のみが弁作用金属基体１１の幅方向の寸法よりも小さくなっている。
【０１７０】
本発明の第２実施形態においては、支持基板１３５上に設けられた引出導体層２１の幅方向Ｗの寸法のみが弁作用金属基体１１の幅方向の寸法よりも小さい限り、その他の構成は特に限定されない。
【０１７１】
図２２は、本発明の第２実施形態に係る固体電解コンデンサの別の一例を模式的に示す断面図である。図２３は、図２２に示す固体電解コンデンサを構成する素子積層体のＥ−Ｅ線断面図である。
【０１７２】
図２２に示す固体電解コンデンサ２Ａは、素子積層体１００Ｂと、第１の外部電極１４１と、第２の外部電極１４２とを備える。図２２及び図２３に示すように、素子積層体１００Ｂは、陰極引き出し層１２０に代えて陰極引き出し層１２０Ｂを備える点が素子積層体１００Ａと異なる。
【０１７３】
陰極引き出し層１２０Ｂは、引出導体層２１Ｂを備える。引出導体層２１Ｂは、コンデンサ素子１１０の陰極層１３と接続されている。陰極引き出し層１２０Ｂは、絶縁シート２２を備えない点が陰極引き出し層１２０と異なる。引出導体層２１Ｂは、例えば、金属箔又は印刷電極層である。
【０１７４】
図２３に示すように、陰極引き出し層１２０Ｂにおいては、引出導体層２１Ｂの幅方向Ｗの寸法が弁作用金属基体１１の幅方向Ｗの寸法よりも小さくなっている。一方、陰極引き出し層１２０Ａにおいては、引出導体層２１Ａの幅方向Ｗの寸法は、弁作用金属基体１１の幅方向Ｗの寸法と同じである。そのため、支持基板１３５上に設けられた引出導体層２１Ｂの幅方向Ｗの寸法のみが弁作用金属基体１１の幅方向の寸法よりも小さくなっている。
【０１７５】
［固体電解コンデンサの製造方法］
以下、本発明の第２実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法の一例について説明する。
【０１７６】
例えば、図２０に示す固体電解コンデンサ２を製造する場合には、本発明の第１実施形態で説明した第１のシート１０及び第２のシート２０に加えて、金属箔２３からなる第２のシート２０Ａを準備し、これらのシートを積層すればよい。
【０１７７】
図２４（ａ）は、第２のシートの別の一例を模式的に示す斜視図であり、図２４（ｂ）は、図２４（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図２４（ａ）及び図２４（ｂ）に示す第２のシート２０Ａは、金属箔２３からなることを除いて、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す第２のシート２０と同様の構成を有している。
【０１７８】
図２５（ａ）は、第１のシートと第２のシートとを積層する前の状態の一例を模式的に示す斜視図であり、図２５（ｂ）は、積層シートの一例を模式的に示す斜視図である。
図２５（ａ）に示すように、第１のシート１０と第２のシート２０又は２０Ａとを交互に積層することにより、図２５（ｂ）に示す積層シート３０Ａが得られる。この際、図２５（ａ）及び図２５（ｂ）に示すように、支持基板１３５の上に第２のシート２０を配置した後、第１のシート１０及び第２のシート２０Ａを積層することが好ましい。
【０１７９】
その後は、第１実施形態で説明した第１の製造方法又は第２の製造方法と同様の工程を行うことにより、固体電解コンデンサが得られる。
【０１８０】
また、図２０に示す固体電解コンデンサ２Ａを製造する場合には、支持基板１３５上の所定の領域に金属箔を配置、又は、印刷電極層を形成した後、第１のシート１０及び第２のシート２０Ａを積層すればよい。
【０１８１】
（その他の実施形態）
本発明の固体電解コンデンサは、上記実施形態に限定されるものではなく、固体電解コンデンサの構成、製造条件等に関し、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【０１８２】
上述した実施形態では、第１の貫通穴及び第２の貫通穴が形成されている第１のシートと、第３の貫通穴及び第４の貫通穴が形成されている第２のシートとを積層することにより積層シートを作製している。しかし、積層シートを作製する方法は特に限定されない。例えば、第１の貫通穴が形成されている第１のシートと、第４の貫通穴が形成されている第２のシートとを積層することにより積層シートを作製してもよいし、第１の貫通穴及び第２の貫通穴が形成されている第１のシートを積層することにより積層シートを作製してもよい。
【０１８３】
貫通穴に封止材が充填された積層ブロック体は、必要に応じて作製される。積層ブロック体を作製しない場合には積層シートを切断することにより、一方、積層ブロック体を作製する場合には積層ブロック体を切断することにより、複数個の素子積層体を作製する。積層シートを切断する場合には、切断後、素子積層体の端面の必要な箇所に封止材を設ければよい。
【０１８４】
また、積層シート又は積層ブロック体を切断する方法、及び、素子積層体に第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する方法は、特に限定されるものではない。
【実施例】
【０１８５】
以下、本発明の固体電解コンデンサをより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【０１８６】
（実施例１）
まず、アルミニウム箔を弁作用金属基体１１として用いてコンデンサ素子１１０を作製した。別途、ポリイミド樹脂からなる絶縁シート２２上に、銀ペーストを印刷して引出導体層２１を形成することにより、陰極引き出し層１２０を作製した。なお、引出導体層２１の幅は、絶縁シート２２の幅よりも２００μｍ小さくした。また、絶縁シート２２の幅は、弁作用金属基体１１であるアルミニウム箔の幅と同じにした。得られたコンデンサ素子１１０及び陰極引き出し層１２０を用いて、図３に示す素子積層体１００を作製した後、図２に示す固体電解コンデンサ１を１００チップ作製した。支持基板１３５には、ガラスエポキシ基板を用いた。
【０１８７】
（比較例１）
引出導体層２１が絶縁シート２２上に印刷された陰極引き出し層１２０に代えて、アルミニウム箔を陰極引き出し層に用いたことを除いて、実施例１と同様に固体電解コンデンサを１００チップ作製した。なお、陰極引き出し層のアルミニウム箔の幅は、弁作用金属基体１１であるアルミニウム箔の幅と同じにした。
【０１８８】
実施例１及び比較例１の固体電解コンデンサに対し、ＬＣ不良率及びショート不良率を求めた。ＬＣ不良率は、漏れ電流が規格値以上になった不良の発生率である。ショート不良率は、リフロー実装時にコンデンサがショートモードでの故障を生じた不良の発生率である。実施例１及び比較例１の評価結果を表１に示す。
【０１８９】
【表１】
2020145276.tif 000003
【０１９０】
表１より、引出導体層の幅を絶縁シート及び弁作用金属基体の幅よりも小さくした陰極引き出し層を用いた実施例１では、弁作用金属基体と同じ幅を有するアルミニウム箔を陰極引き出し層として用いた比較例１に比べて、ＬＣ不良率が大幅に低い。実施例１では、素子積層体に個片化するために切断する際にアルミニウム箔のバリが発生するということがない。これにより、陽極と陰極との接触を防ぐことができるため、ＬＣ不良率が改善されたと考えられる。
【０１９１】
また、実施例１では、比較例１に比べて、ショート不良率も低い。ショート不良の原因の１つとして、リフロー実装時の熱による封止体の膨張により、初期状態では接触していなかった陽極と陰極とが接触することが挙げられる。上述のとおり、実施例１では、陽極と陰極との接触を防ぐことができるため、ショート不良率も改善されたと考えられる。
【０１９２】
（実施例２）
最下層の支持基板１３５上の弁作用金属基体１１側に、引出導体層２１Ｂとして銀ペーストを印刷することにより、陰極引き出し層１２０Ｂを形成した。支持基板１３５には、ガラスエポキシ基板を用いた。なお、引出導体層２１Ｂの幅は、弁作用金属基体１１の幅よりも２００μｍ小さくした。さらに、引出導体層２１Ａとしてアルミニウム箔を用いて、図２３に示す素子積層体１００Ｂを作製した後、図２２に示す固体電解コンデンサ２Ａを１００チップ作製した。
【０１９３】
実施例２の固体電解コンデンサに対し、ＬＣ不良率及びショート不良率を求めた。実施例２及び比較例１の評価結果を表２に示す。
【０１９４】
【表２】
2020145276.tif 000004
【０１９５】
表２より、最下層の陰極引き出し層をアルミニウム箔から本発明の陰極引き出し層に変更するだけでも、ＬＣ不良率及びショート不良率が低下している。素子積層体に個片化するために切断する際には、最下層の陰極引き出し層に負荷が最もかかるため、最下層の陰極引き出し層にアルミニウム箔を用いないことが有効であると考えられる。
【０１９６】
（実施例３）
最下層の支持基板１３５上の弁作用金属基体１１側に、引出導体層２１Ｂとして銅箔をパターン形成することにより、陰極引き出し層１２０Ｂを形成した。支持基板１３５には、ガラスエポキシ基板を用いた。なお、引出導体層２１Ｂの幅は、弁作用金属基体１１の幅よりも２００μｍ小さくした。さらに、引出導体層２１Ａとしてアルミニウム箔を用いて、図２３に示す素子積層体１００Ｂを作製した後、図２２に示す固体電解コンデンサ２Ａを１００チップ作製した。
【０１９７】
実施例３の固体電解コンデンサに対し、ＬＣ不良率及びショート不良率を求めた。実施例３及び比較例１の評価結果を表３に示す。
【０１９８】
【表３】
2020145276.tif 000005
【０１９９】
表３より、実施例３においても、実施例２と同様の効果が得られている。
【符号の説明】
【０２００】
１，１Ａ，２，２Ａ  固体電解コンデンサ
１０  第１のシート
１１  弁作用金属基体
１１ａ  芯部
１１ｂ  多孔質部
１２  誘電体層
１３  陰極層
１３ａ  固体電解質層
１３ｂ  導電体層
１４  マスク層
１５  絶縁性接着層
２０，２０Ａ  第２のシート
２１，２１Ａ，２１Ｂ  引出導体層
２２  絶縁シート
２３  金属箔
３０，３０Ａ  積層シート
４０，４０ａ，４０ｂ  積層ブロック体
１００，１００Ａ，１００Ｂ  素子積層体
１１０  コンデンサ素子
１２０，１２０Ａ，１２０Ｂ  陰極引き出し層
１３０  封止体
１３１  第１の樹脂モールド部
１３１ａ  第１の柱状部
１３１ｂ  第１の帯状部
１３２  第２の樹脂モールド部
１３２ａ  第２の柱状部
１３２ｂ  第２の帯状部
１３３  第３の樹脂モールド部
１３４  第４の樹脂モールド部
１３５  支持基板
１４１  第１の外部電極
１４２  第２の外部電極
Ａ１  引出導体層が第１の端面に露出する１層あたりの距離の和
Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ１４  引出導体層が第１の端面に露出する１層あたりの距離
Ａ２  弁作用金属基体が第２の端面に露出する１層あたりの距離の和
Ａ２１，Ａ２２，Ａ２３，Ａ２４  弁作用金属基体が第２の端面に露出する１層あたりの距離
Ｂ１  引出導体層の最大幅
Ｂ２  弁作用金属基体の最大幅
Ｅ１１  第１のシートの素子領域の第１の端部
Ｅ１２  第１のシートの素子領域の第２の端部
Ｅ２１  第２のシートの素子領域の第１の端部
Ｅ２２  第２のシートの素子領域の第２の端部
Ｅ１０１  素子積層体の第１の端面
Ｅ１０２  素子積層体の第２の端面
Ｇ  積層ブロック体の隙間
Ｈ１  第１の貫通穴
Ｈ２  第２の貫通穴
Ｈ３  第３の貫通穴
Ｈ４  第４の貫通穴
Ｍ３１  積層シートの第１の主面
Ｍ３２  積層シートの第２の主面
Ｍ１０１  素子積層体の第１の主面
Ｍ１０２  素子積層体の第２の主面
Ｒ１１  第１のシートの第１の素子領域
Ｒ１２  第１のシートの第２の素子領域
Ｒ２１  第２のシートの第１の素子領域
Ｒ２２  第２のシートの第２の素子領域
Ｓ１１  第１のシートの素子領域の第１の側部
Ｓ１２  第１のシートの素子領域の第２の側部
Ｓ２１  第２のシートの素子領域の第１の側部
Ｓ２２  第２のシートの素子領域の第２の側部
Ｓ１０１  素子積層体の第１の側面
Ｓ１０２  素子積層体の第２の側面
【図１】
2020145276.tif 000006
【図２】
2020145276.tif 000007
【図３】
2020145276.tif 000008
【図４】
2020145276.tif 000009
【図５】
2020145276.tif 000010
【図６】
2020145276.tif 000011
【図７】
2020145276.tif 000012
【図８】
2020145276.tif 000013
【図９】
2020145276.tif 000014
【図１０】
2020145276.tif 000015
【図１１】
2020145276.tif 000016
【図１２】
2020145276.tif 000017
【図１３】
2020145276.tif 000018
【図１４】
2020145276.tif 000019
【図１５】
2020145276.tif 000020
【図１６】
2020145276.tif 000021
【図１７】
2020145276.tif 000022
【図１８】
2020145276.tif 000023
【図１９】
2020145276.tif 000024
【図２０】
2020145276.tif 000025
【図２１】
2020145276.tif 000026
【図２２】
2020145276.tif 000027
【図２３】
2020145276.tif 000028
【図２４】
2020145276.tif 000029
【図２５】
2020145276.tif 000030