(57)【要約】【課題】  微細なパターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】  実施形態に係るパターン形成方法は、下部構造１０上に一対の側壁を有するベースパターン２２ｐを形成する工程と、ベースパターンの一対の側壁に沿った一対の第１の側壁パターン２３ｐ、及び一対の第１の側壁パターンの一対の側壁に沿った一対の第２の側壁パターン２４ｐを形成する工程と、一対の第１の側壁パターンを除去して、ベースパターン及び一対の第２の側壁パターンを残す工程と、を備える。【選択図】  図１Ｅ
2020145309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部構造上に一対の側壁を有するベースパターンを形成する工程と、
前記ベースパターンの一対の側壁に沿った一対の第１の側壁パターン、及び前記一対の第１の側壁パターンの一対の側壁に沿った一対の第２の側壁パターンを形成する工程と、
前記一対の第１の側壁パターンを除去して、前記ベースパターン及び前記一対の第２の側壁パターンを残す工程と、
を備えることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記一対の第１の側壁パターン及び前記一対の第２の側壁パターンを形成する工程は、
前記ベースパターンを覆う第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜を覆う第２の膜を形成する工程と、
前記第１の膜の一部及び前記第２の膜の一部をエッチングして、前記第１の膜の前記ベースパターンの一対の側壁に沿った部分を前記一対の第１の側壁パターンとして残し、前記第２の膜の前記一対の第１の側壁パターンの一対の側壁に沿った部分を前記一対の第２の側壁パターンとして残す工程と、
を含む
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記第１の膜の一部及び前記第２の膜の一部をエッチングする際に、前記一対の第２の側壁パターンと前記下部構造との間に前記第１の膜の一部分が残る
ことを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記残ったベースパターン及び前記残った一対の第２の側壁パターンをマスクとして用いて前記下部構造の一部をエッチングする工程をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
下部構造上に一対の側壁を有するベースパターンを形成する工程と、
前記ベースパターンの一対の側壁に沿った一対の第１の側壁パターン、前記一対の第１の側壁パターンの一対の側壁に沿った一対の第２の側壁パターン、及び前記一対の第２の側壁パターンの一対の側壁に沿った一対の第３の側壁パターンを形成する工程と、
前記ベースパターン及び前記一対の第２の側壁パターンを除去して、前記一対の第１の側壁パターン及び前記一対の第３の側壁パターンを残す工程と、
を備えることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
前記一対の第１の側壁パターン、前記一対の第２の側壁パターン及び前記一対の第３の側壁パターンを形成する工程は、
前記ベースパターンを覆う第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜を覆う第２の膜を形成する工程と、
前記第２の膜を覆う第３の膜を形成する工程と、
前記第１の膜の一部、前記第２の膜の一部及び前記第３の膜の一部をエッチングして、前記第１の膜の前記ベースパターンの一対の側壁に沿った部分を前記一対の第１の側壁パターンとして残し、前記第２の膜の前記一対の第１の側壁パターンの一対の側壁に沿った部分を前記一対の第２の側壁パターンとして残し、前記第３の膜の前記一対の第２の側壁パターンの一対の側壁に沿った部分を前記一対の第３の側壁パターンとして残す工程と、
を含む
ことを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記第１の膜の一部、前記第２の膜の一部及び前記第３の膜の一部をエッチングする際に、前記一対の第２の側壁パターンと前記下部構造との間に前記第１の膜の一部分が残り、前記一対の第３の側壁パターンと前記下部構造との間に前記第１の膜の一部分及び前記第２の膜の一部分が残る
ことを特徴とする請求項６に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記残った一対の第１の側壁パターン及び前記残った一対の第３の側壁パターンをマスクとして用いて前記下部構造の一部をエッチングする工程をさらに備える
ことを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記ベースパターンを形成する工程は、
前記下部構造上に一対の側壁を有する予備的パターンを形成する工程と、
前記予備的パターンを覆うベース材料膜を形成する工程と、
前記ベース材料膜の一部をエッチングして、前記ベース材料膜の前記予備的パターンの一対の側壁に沿った部分を残す工程と、
前記予備的パターンを除去する工程と、
を含む
ことを特徴とする請求項１又は５に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
下部構造と、
前記下部構造上に設けられた第１のパターン部分と、
前記下部構造上に設けられ、前記第１のパターン部分を挟む一対の第２のパターン部分と、
を備え、
前記第１のパターン部分は単一の材料で形成され、
前記一対の第２のパターン部分のそれぞれは、第１の材料で形成された第１の部分と、前記第１の部分上に設けられ且つ前記第１の材料とは異なる第２の材料で形成された第２の部分とを含む
ことを特徴とするパターン構造。
【請求項１１】
前記第１のパターン部分の材料と前記第２の材料とは同じである
ことを特徴とする請求項１０に記載のパターン構造。
【請求項１２】
下部構造と、
前記下部構造上に設けられた一対の第１のパターン部分と、
前記下部構造上に設けられ、前記一対の第１のパターン部分を挟む一対の第２のパターン部分と、
を備え、
前記一対の第１のパターン部分は単一の材料で形成され、
前記一対の第２のパターン部分のそれぞれは、第１の材料で形成された第１の部分と、前記第１の部分上に設けられ且つ前記第１の材料とは異なる第２の材料で形成された第２の部分と、前記第２の部分上に設けられ且つ前記第２の材料とは異なる第３の材料で形成された第３の部分とを含む
ことを特徴とするパターン構造。
【請求項１３】
前記一対の第１のパターン部分の材料と、前記第１の材料と、前記第３の材料とは同じである
ことを特徴とする請求項１２に記載のパターン構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法及びパターン構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高集積化に伴い、高精度の微細パターンを形成することが難しくなってきている。
微細パターンを形成する方法として、自己整合２重パターニング（ＳＡＤＰ：self-aligned dual patterning）や自己整合４重パターニング（ＳＡＱＰ：self-aligned quadruple patterning）等のマルチパターニング技術が提案されている。
【０００３】
しかしながら、マルチパターニング技術を用いても、必ずしも十分な微細パターンを形成可能とは言えず、より微細なパターンを形成することが可能なパターン形成方法が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−４５４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
微細なパターンを形成することが可能なパターン形成方法及びパターン構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係るパターン形成方法は、下部構造上に一対の側壁を有するベースパターンを形成する工程と、前記ベースパターンの一対の側壁に沿った一対の第１の側壁パターン、及び前記一対の第１の側壁パターンの一対の側壁に沿った一対の第２の側壁パターンを形成する工程と、前記一対の第１の側壁パターンを除去して、前記ベースパターン及び前記一対の第２の側壁パターンを残す工程と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】第１の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図１Ｂ】第１の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図１Ｃ】第１の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図１Ｄ】第１の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図１Ｅ】第１の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図１Ｆ】第１の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図１Ｇ】第１の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図２】第１の実施形態のパターン形成方法を記憶装置の配線の形成に適用した場合の構成を模式的に示した平面図である。
【図３】第１の実施形態のパターン形成方法をメモリホールの形成に適用した場合の第１の構成例を模式的に示した平面図である。
【図４】第１の実施形態のパターン形成方法をメモリホールの形成に適用した場合の第２の構成例を模式的に示した平面図である。
【図５】第１の実施形態のパターン形成方法をメモリホールの形成に適用した場合の第３の構成例を模式的に示した平面図である。
【図６Ａ】第２の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図６Ｂ】第２の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図６Ｃ】第２の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図６Ｄ】第２の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図６Ｅ】第２の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図６Ｆ】第２の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図６Ｇ】第２の実施形態に係るパターン形成方法の一部を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して実施形態を説明する。
（実施形態１）
図１Ａ〜図１Ｇは、第１の実施形態に係るパターン形成方法を模式的に示した断面図である。
まず、図１Ａに示すように、下部構造１０上にそれぞれが一対の側壁を有する複数の予備的パターン２１ｐを形成する。
【０００９】
下部構造１０には、半導体基板及びトランジスタ等を含む下地領域１１と、下地領域１１上に設けられたエッチング対象膜（エッチング対象領域）１２とが含まれる。
予備的パターン２１ｐの材料には、例えばシリコン酸化膜が用いられる。予備的パターン２１ｐは、通常のリソグラフィ及びエッチングによって形成される。予備的パターン２１ｐのそれぞれは第１の方向に延伸するライン状パターンであり、複数の予備的パターン２１ｐは第１の方向に直交する第２の方向に同一ピッチで配列されている。予備的パターン２１ｐのパターン幅は５Ｗであり、隣接する予備的パターン２１ｐ間のスペース幅は７Ｗである。
【００１０】
続いて、全面にベース材料膜２２を形成する。これにより、予備的パターン２１ｐはベース材料膜２２によって覆われる。ベース材料膜２２には、例えばシリコン窒化膜が用いられる。
次に、図１Ｂに示すように、ベース材料膜２２の一部をエッチングして、ベース材料膜２２の予備的パターン２１ｐの一対の側壁に沿った部分２２ｐを残す。具体的には、異方性エッチングを用いてエッチングを行う。
【００１１】
次に、図１Ｃに示すように、選択的エッチングにより、予備的パターン２１ｐを除去する。これにより、下部構造１０上に、それぞれが一対の側壁を有するベースパターン２２ｐが形成される。ベースパターン２２ｐの幅はＷである。したがって、隣接するベースパターン２２ｐ間のスペース幅はいずれも５Ｗとなる。
【００１２】
次に、図１Ｄに示すように、全面に第１の膜２３及び第２の膜２４を形成する。すなわち、ベースパターン２２ｐを覆う第１の膜２３を形成し、さらに第１の膜２３を覆う第２の膜２４を形成する。例えば、第１の膜２３にはシリコン酸化膜を用い、第２の膜２４にはシリコン窒化膜を用いる。
【００１３】
次に、図１Ｅに示すように、第１の膜２３の一部及び第２の膜２４の一部をエッチングして、第１の膜２３のベースパターン２２ｐの一対の側壁に沿った部分を一対の第１の側壁パターン２３ｐとして残し、第２の膜２４の一対の第１の側壁パターン２３ｐの一対の側壁に沿った部分を一対の第２の側壁パターン２４ｐとして残す。具体的には、異方性エッチングを用いてエッチングを行う。このエッチングの際に、一対の第２の側壁パターン２４ｐと下部構造１０との間に第１の膜２３の一部分２３ａが残る。第１の側壁パターン２３ｐの幅はＷであり、第２の側壁パターン２４ｐの幅もＷである。したがって、隣接する第２の側壁パターン２４ｐ間のスペース幅はＷとなる。
【００１４】
このようにして、ベースパターン２２ｐの一対の側壁に沿った一対の第１の側壁パターン２３ｐ、及び一対の第１の側壁パターン２３ｐの一対の側壁に沿った一対の第２の側壁パターン２４ｐが得られる。
次に、図１Ｆに示すように、選択的エッチングにより、第１の側壁パターン２３ｐを除去して、ベースパターン２２ｐ及び第２の側壁パターン２４ｐを残す。このとき、第２の側壁パターン２４ｐと下部構造１０との間には、第１の膜の一部分２３ａが残る。
【００１５】
このようにして、ベースパターン２２ｐ及び一対の第２の側壁パターン２４ｐを１単位とした繰り返しパターンが得られる。ベースパターン２２ｐのパターン幅及び第２の側壁パターン２４ｐのパターン幅はいずれもＷである。また、隣接するパターン間のスペース幅（隣接するベースパターン２２ｐ及び第２の側壁パターン２４ｐ間のスペース幅、隣接する第２の側壁パターン２４ｐ間のスペース幅）もＷである。
【００１６】
図１Ｆに示した構造は、下部構造１０と、下部構造１０上に設けられた第１のパターン部分（ベースパターン２２ｐ）と、下部構造１０上に設けられ、第１のパターン部分を挟む一対の第２のパターン部分とを含む。第１のパターン部分（ベースパターン２２ｐ）は単一の材料（本実施形態では、シリコン窒化物）で形成されている。第２のパターン部分は、第１の材料（本実施形態では、シリコン酸化物）で形成された第１の部分（第１の膜の一部分２３ａ）と、第１の部分２３ａ上に設けられ且つ第１の材料とは異なる第２の材料（本実施形態では、シリコン窒化物）で形成された第２の部分（第２の側壁パターン２４ｐ）とを含む。第１のパターン部分の材料と第２の材料とは同じ材料（本実施形態では、シリコン窒化物）である。
【００１７】
次に、図１Ｇに示すように、ベースパターン２２ｐ及び第２の側壁パターン２４ｐをマスクとして用いて下部構造１０の一部をエッチングする。具体的には、下部構造１０に含まれるエッチング対象膜１２をエッチングする。これにより、エッチング対象膜１２のラインパターン１２ｐが得られる。すなわち、ライン幅Ｗ及びスペース幅Ｗを有するラインアンドスペースパターンが得られる。
【００１８】
以上のように、本実施形態のパターン形成方法によれば、高精度の微細パターンを形成することができる。例えば、本実施形態のパターン形成方法を用いることで、従来の自己整合４重パターニング（ＳＡＱＰ）を用いた場合に比べて、１．５倍の高密度でラインアンドスペースパターンを形成することが可能である。
【００１９】
図２は、本実施形態のパターン形成方法を記憶装置（半導体集積回路装置）の配線（ワード線、ビット線）の形成に用いた場合の構成を模式的に示した平面図である。例えば、記憶装置には、クロスポイント型の不揮発性記憶装置が用いられる。この場合、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの間に接続された記憶素子には、例えば、ＰＣＭ（phase change memory）やｉＰＣＭ（interfacial phase change memory）等の抵抗変化型の不揮発性記憶素子を用いることができる。
【００２０】
図２に示すように、ワード線ＷＬ及びビット線ＢＬのいずれについても本実施形態のパターン形成方法を用いることにより、例えば、従来の自己整合４重パターニング（ＳＡＱＰ）を用いた場合に比べて、２．２５倍（１．５×１．５）の高密度で高集積化された記憶装置を得ることができる。
【００２１】
また、本実施形態のパターン形成方法は、記憶装置（半導体集積回路装置）のメモリホールの形成にも適用可能である。
図３は、本実施形態のパターン形成方法をメモリホールの形成に適用した場合の第１の構成例を模式的に示した平面図である。図３に示すように、第１のラインパターンＬ１及び第１のラインパターンＬ１に直交する第２のラインパターンＬ２いずれも、本実施形態のパターン形成方法を用いて形成する。これにより、第１のラインパターンＬ１及び第２のラインパターンＬ２に囲まれた部分に、メモリホールＭＨのホールパターンを形成することができる。
【００２２】
図４は、本実施形態のパターン形成方法をメモリホールの形成に適用した場合の第２の構成例を模式的に示した平面図である。本構成例では、第１のラインパターンＬ１に対して斜め方向に第２のラインパターンＬ２を形成している。これにより、六角形状に配置されたメモリホールＭＨのホールパターンを形成することができる。
【００２３】
図５は、本実施形態のパターン形成方法をメモリホールの形成に適用した場合の第３の構成例を模式的に示した平面図である。本構成例では、第２のラインパターンＬ２ａ、Ｌ２ｂ及びＬ２ｃを、交互に斜め方向に形成している。第２のラインパターンＬ２ａ、Ｌ２ｂ及びＬ２ｃそれぞれについて、本実施形態のパターン形成方法を適用している。このようにしても、六角形状に配置されたメモリホールＭＨのホールパターンを形成することができる。
【００２４】
以上のように、本実施形態のパターン形成方法を、配線パターンやホールパターン等の繰り返しパターンの形成に適用することで、微細な配線パターンや微細なホールパターン等を形成することが可能である。
なお、本実施形態のパターン形成方法は、上述した配線パターンやホールパターンの形成の他、ＦｉｎＦＥＴのパターンの形成等にも適用可能である。
【００２５】
（実施形態２）
次に、第２の実施形態について説明する。なお、基本的な事項は第１の実施形態と同様であるため、第１の実施形態で説明した事項の説明は省略する。
図６Ａ〜図６Ｇは、第２の実施形態に係るパターン形成方法を模式的に示した断面図である。
【００２６】
まず、図６Ａに示すように、第１の実施形態と同様に、通常のリソグラフィ及びエッチングによって、下部構造１０上にそれぞれが一対の側壁を有する複数の予備的パターン３１ｐを形成する。予備的パターン３１ｐの材料には、例えばシリコン酸化膜が用いられる。予備的パターン３１ｐのそれぞれは第１の方向に延伸するライン状パターンであり、複数の予備的パターン３１ｐは第１の方向に直交する第２の方向に同一ピッチで配列されている。予備的パターン３１ｐのパターン幅は７Ｗであり、隣接する予備的パターン３１ｐ間のスペース幅は９Ｗである。
【００２７】
続いて、第１の実施形態と同様にして、予備的パターン３１ｐを覆うベース材料膜３２を形成する。ベース材料膜３２には、例えばシリコン窒化膜が用いられる。
次に、図６Ｂに示すように、第１の実施形態と同様に、ベース材料膜３２の一部をエッチングして、ベース材料膜３２の予備的パターン３１ｐの一対の側壁に沿った部分３２ｐを残す。
【００２８】
次に、図６Ｃに示すように、第１の実施形態と同様にして、予備的パターン３１ｐを除去する。これにより、下部構造１０上にそれぞれが一対の側壁を有するベースパターン３２ｐが形成される。ベースパターン３２ｐの幅はＷである。したがって、隣接するベースパターン３２ｐ間のスペース幅はいずれも７Ｗとなる。
【００２９】
次に、図６Ｄに示すように、全面に第１の膜３３、第２の膜３４及び第３の膜３５を形成する。すなわち、ベースパターン３２ｐを覆う第１の膜３３を形成し、第１の膜３３を覆う第２の膜３４を形成し、第２の膜３４を覆う第３の膜３５を形成する。例えば、第１の膜３３にはシリコン酸化膜を用い、第２の膜３４にはシリコン窒化膜を用い、第３の膜３５にはシリコン酸化膜を用いる。
【００３０】
次に、図６Ｅに示すように、第１の膜３３の一部、第２の膜３４の一部及び第３の膜３５の一部をエッチングして、第１の膜３３のベースパターン３２ｐの一対の側壁に沿った部分を一対の第１の側壁パターン３３ｐとして残し、第２の膜３４の一対の第１の側壁パターン３３ｐの一対の側壁に沿った部分を一対の第２の側壁パターン３４ｐとして残し、第３の膜３５の一対の第２の側壁パターン３４ｐの一対の側壁に沿った部分を一対の第３の側壁パターン３５ｐとして残す。具体的には、異方性エッチングを用いてエッチングを行う。このエッチングの際に、第２の側壁パターン３４ｐと下部構造１０との間に第１の膜３３の一部分３３ａが残る。また、第３の側壁パターン３５ｐと下部構造１０との間に、第１の膜３３の一部分３３ｂ及び第２の膜３４の一部分３４ａが残る。第１の側壁パターン３３ｐの幅はＷであり、第２の側壁パターン３４ｐの幅もＷであり、第３の側壁パターン３５ｐの幅もＷである。したがって、隣接する第３の側壁パターン３５ｐ間のスペース幅はＷとなる。
【００３１】
このようにして、ベースパターン３２ｐの一対の側壁に沿った一対の第１の側壁パターン３３ｐ、一対の第１の側壁パターン３３ｐの一対の側壁に沿った一対の第２の側壁パターン３４ｐ、及び一対の第２の側壁パターン３４ｐの一対の側壁に沿った一対の第３の側壁パターン３５ｐが得られる。
【００３２】
次に、図６Ｆに示すように、選択的エッチングにより、ベースパターン３２ｐ及び第２の側壁パターン３４ｐを除去して、第１の側壁パターン３３ｐ及び第３の側壁パターン３５ｐを残す。このとき、第３の側壁パターン３５ｐと下部構造１０との間には、第１の膜の一部分３３ｂ及び第２の膜の一部分３４ａが残る。また、第２の側壁パターン３４ｐと下部構造１０との間に存在する第１の膜の一部分３３ａの厚さは薄いため、追加のエッチングによって第１の膜の一部分３３ａも除去される。
【００３３】
このようにして、一対の第１の側壁パターン３３ｐ及び一対の第３の側壁パターン３５ｐを１単位とした繰り返しパターンが得られる。第１の側壁パターン３３ｐ及び第３の側壁パターン３５ｐのパターン幅はいずれもＷである。また、隣接するパターン間のスペース幅（隣接する第１の側壁パターン３３ｐ及び第３の側壁パターン３５ｐ間のスペース幅、隣接する第１の側壁パターン３３ｐ間のスペース幅、隣接する第３の側壁パターン３５ｐ間のスペース幅）もＷである。
【００３４】
図６Ｆに示した構造は、下部構造１０と、下部構造１０上に設けられた一対の第１のパターン部分（一対の第１の側壁パターン３３ｐ）と、下部構造１０上に設けられ、一対の第１のパターン部分を挟む一対の第２のパターン部分とを含む。第１のパターン部分（第１の側壁パターン３３ｐ）は単一の材料（本実施形態では、シリコン酸化物）で形成されている。第２のパターン部分は、第１の材料（本実施形態では、シリコン酸化物）で形成された第１の部分（第１の膜の一部分３３ｂ）と、第１の部分上に設けられ且つ第１の材料とは異なる第２の材料（本実施形態では、シリコン窒化物）で形成された第２の部分（第２の膜の一部分３４ａ）と、第２の部分上に設けられ且つ第２の材料とは異なる第３の材料（本実施形態では、シリコン酸化物）で形成された第３の部分（第３の側壁パターン３５ｐ）とを含む。第１のパターン部分の材料と、第１の材料と、第３の材料とは同じ材料（本実施形態では、シリコン酸化物）である。
【００３５】
次に、図６Ｇに示すように、第１の側壁パターン３３ｐ及び第３の側壁パターン３５ｐをマスクとして用いて下部構造１０の一部をエッチングする。具体的には、下部構造１０に含まれるエッチング対象膜１２をエッチングする。これにより、エッチング対象膜１２のラインパターン１２ｐが得られる。すなわち、ライン幅Ｗ及びスペース幅Ｗを有するラインアンドスペースパターンが得られる。
【００３６】
以上のように、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、高精度の微細パターンを形成することが可能である。
したがって、本実施形態のパターン形成方法により、第１の実施形態と同様に、微細な配線パターン、微細なホールパターン及び微細なＦｉｎＦＥＴのパターンを形成することが可能である。
【００３７】
なお、上述した第１の実施形態では、ベースパターン２２ｐ、第１の側壁パターン２３ｐ及び第２の側壁パターン２４ｐの幅をいずれもＷとしているが、それぞれ独立に異なる幅を設定してもよい。第２の実施形態についても同様に、各パターンの幅をそれぞれ独立に異なる幅に設定してもよい。
【００３８】
また、上述した第１の実施形態では、ベースパターン２２ｐの側壁に沿って２層の側壁パターン（第１の側壁パターン２３ｐ及び第２の側壁パターン２４ｐ）を形成し、上述した第２の実施形態では、ベースパターン３２ｐの側壁に沿って３層の側壁パターン（第１の側壁パターン３３ｐ、第２の側壁パターン３４ｐ及び第３の側壁パターン３５ｐ）を形成したが、ベースパターンの側壁に沿って４層以上の側壁パターンを形成するようにしてもよい。
【００３９】
ベースパターンの側壁に沿って偶数層の側壁パターンを形成する場合には、ベースパターンの側壁に沿って偶数層の側壁パターンを形成した後、奇数層目の側壁パターンを除去して、ベースパターン及び偶数層目の側壁パターンを残すようにする。ベースパターンの側壁に沿って奇数層の側壁パターンを形成する場合には、ベースパターンの側壁に沿って奇数層の側壁パターンを形成した後、ベースパターン及び偶数層目の側壁パターンを除去して、奇数層目の側壁パターンを残すようにする。
【００４０】
また、上述した第１の実施形態では、図１Ｄの工程でベースパターン２２ｐを覆う第１の膜２３及び第２の膜２４を形成し、図１Ｅの工程で第１の側壁パターン２３ｐ及び第２の側壁パターン２４ｐを形成するようにしたが、第１の膜２３を形成した後に第１の膜２３の一部をエッチングして第１の側壁パターン２３ｐを形成し、その後にベースパターン２２ｐ及び第１の側壁パターン２３ｐを覆うように第２の膜２４を形成し、第２の膜２４の一部をエッチングして第２の側壁パターン２４ｐを形成するようにしてもよい。
【００４１】
同様に、上述した第２の実施形態では、図６Ｄの工程でベースパターン３２ｐを覆う第１の膜３３、第２の膜３４及び第３の膜３５を形成し、図６Ｅの工程で第１の側壁パターン３３ｐ、第２の側壁パターン３４ｐ及び第３の側壁パターン３５ｐを形成するようにしたが、第１の膜３３を形成した後に第１の膜３３の一部をエッチングして第１の側壁パターン３３ｐを形成し、その後にベースパターン３２ｐ及び第１の側壁パターン３３ｐを覆うように第２の膜３４を形成し、第２の膜３４の一部をエッチングして第２の側壁パターン３４ｐを形成し、その後にベースパターン３２ｐ、第１の側壁パターン３３ｐ及び第２の側壁パターン３４ｐを覆うように第３の膜３５を形成し、第３の膜３５の一部をエッチングして第３の側壁パターン３５ｐを形成するようにしてもよい。
【００４２】
ベースパターンの側壁に沿って４層以上の側壁パターンを形成する場合にも、同様に、内側の側壁パターンから順番に側壁パターンを形成するようにしてもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４３】
１０…下部構造    １１…下地領域    １２…エッチング対象膜
２１ｐ…予備的パターン
２２…ベース材料膜    ２２ｐ…ベースパターン
２３…第１の膜    ２３ａ…第１の膜の一部分    ２３ｐ…第１の側壁パターン
２４…第２の膜    ２４ｐ…第２の側壁パターン
３１ｐ…予備的パターン
３２…ベース材料膜    ３２ｐ…ベースパターン
３３…第１の膜    ３３ａ、３３ｂ…第１の膜の一部分
３３ｐ…第１の側壁パターン
３４…第２の膜    ３４ａ…第２の膜の一部分    ３４ｐ…第２の側壁パターン
３５…第３の膜    ３５ｐ…第３の側壁パターン
【図１Ａ】
2020145309.tif 000003
【図１Ｂ】
2020145309.tif 000004
【図１Ｃ】
2020145309.tif 000005
【図１Ｄ】
2020145309.tif 000006
【図１Ｅ】
2020145309.tif 000007
【図１Ｆ】
2020145309.tif 000008
【図１Ｇ】
2020145309.tif 000009
【図２】
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【図３】
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【図４】
2020145309.tif 000012
【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
2020145309.tif 000015
【図６Ｃ】
2020145309.tif 000016
【図６Ｄ】
2020145309.tif 000017
【図６Ｅ】
2020145309.tif 000018
【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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