(57)【要約】【課題】  本明細書は、ＩＧＢＴの短絡耐量を確保することができる技術を提供する。【解決手段】  絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、半導体基板と、エミッタ電極と、コレクタ電極と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を有している。半導体基板が、半導体基板の下面に露出しており、コレクタ電極に接しているｐ型のコレクタ領域と、コレクタ領域の上側に配置されているｎ型領域と、ｎ型領域によってコレクタ領域から分離されているｐ型のボディ領域と、半導体基板の上面に露出しており、ボディ領域によってｎ型領域から分離されており、エミッタ電極に接しているｎ型のエミッタ領域、を有している。ゲート電極が、エミッタ領域とｎ型領域を分離する範囲のボディ領域にゲート絶縁膜を介して対向している。ｎ型領域のコレクタ領域との界面におけるｎ型不純物濃度が、ｎ型領域のｎ型不純物濃度の最小値の１００倍以上である。【選択図】図２
2020188168.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであって、
半導体基板と、
前記半導体基板の上面に設けられているエミッタ電極と、
前記半導体基板の下面に設けられているコレクタ電極と、
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜、
を有しており、
前記半導体基板が、
前記半導体基板の前記下面に露出しており、前記コレクタ電極に接しているｐ型のコレクタ領域と、
前記コレクタ領域の上側に配置されているｎ型領域と、
前記ｎ型領域によって前記コレクタ領域から分離されているｐ型のボディ領域と、
前記半導体基板の前記上面に露出しており、前記ボディ領域によって前記ｎ型領域から分離されており、前記エミッタ電極に接しているｎ型のエミッタ領域、
を有しており、
前記ゲート電極が、前記エミッタ領域と前記ｎ型領域を分離する範囲の前記ボディ領域に前記ゲート絶縁膜を介して対向しており、
前記ｎ型領域の前記コレクタ領域との界面におけるｎ型不純物濃度が、前記ｎ型領域のｎ型不純物濃度の最小値の１００倍以上である、
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
【請求項２】
前記ｎ型領域が、
前記コレクタ領域の上側に配置されているバッファ領域と、
前記バッファ領域の上側に配置されており、前記バッファ領域よりも低い略一定のｎ型不純物濃度を有するドリフト領域、
を有し、
前記バッファ領域のｎ型不純物濃度が、前記バッファ領域と前記コレクタ領域の前記界面の位置よりも前記半導体基板の前記上面側に第１のピークを有するように分布している、請求項１に記載の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
【請求項３】
前記バッファ領域のｎ型不純物濃度が、前記第１のピークの位置よりも前記上面側に第２のピークを有するように分布しており、
前記第１のピークのｎ型不純物濃度が、前記第２のピークのｎ型不純物濃度よりも高い、請求項２に記載の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
【請求項４】
前記バッファ領域のｎ型不純物濃度が、前記第２のピークの位置よりも前記上面側に第３のピークを有するように分布しており、
前記第２のピークのｎ型不純物濃度が、前記第３のピークのｎ型不純物濃度よりも高く、
前記半導体基板の厚み方向における前記第１のピークの位置から前記第２のピークの位置までの距離が、前記厚み方向における前記第２のピークの位置から前記第３のピークの位置までの距離よりも長い、請求項３に記載の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
【請求項５】
前記第１のピークのｎ型不純物濃度と前記第２のピークのｎ型不純物濃度の差が、前記第２のピークのｎ型不純物濃度と前記第３のピークのｎ型不純物濃度の差よりも大きい、請求項４に記載の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示の技術は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、コレクタ領域と、ｎ型領域と、ボディ領域と、エミッタ領域を有する半導体基板を備える絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor））が開示されている。半導体基板の上面にはエミッタ電極が設けられており、半導体基板の下面にはコレクタ電極が設けられている。コレクタ領域は、ｐ型であり、半導体基板の下面に露出しており、コレクタ電極に接している。ｎ型領域は、コレクタ領域の上側に配置されている。このＩＧＢＴでは、コレクタ領域のｐ型不純物のピーク濃度が、ｎ型領域のｎ型不純物のピーク濃度の１０倍から１００倍とされている。
【０００３】
特許文献１のＩＧＢＴでは、ｎ型領域のｎ型不純物のピーク濃度に対するコレクタ領域のｐ型不純物のピーク濃度を上記の範囲に制御することにより、コレクタ領域からｎ型領域へのホールの流入を抑制する。これにより、コレクタ領域とｎ型領域の間のｐｎ接合部に加わる電界が低減され、ＩＧＢＴの短絡耐量が向上すると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２４３２１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らの研究の結果、特許文献１のＩＧＢＴのようにコレクタ領域のｐ型不純物のピーク濃度を制御したとしても、ＩＧＢＴの短絡耐量が低下する場合があることが判明した。本明細書は、ＩＧＢＴの短絡耐量を確保することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを開示する。前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、半導体基板と、前記半導体基板の上面に設けられているエミッタ電極と、前記半導体基板の下面に設けられているコレクタ電極と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を有している。前記半導体基板が、前記半導体基板の前記下面に露出しており、前記コレクタ電極に接しているｐ型のコレクタ領域と、前記コレクタ領域の上側に配置されているｎ型領域と、前記ｎ型領域によって前記コレクタ領域から分離されているｐ型のボディ領域と、前記半導体基板の前記上面に露出しており、前記ボディ領域によって前記ｎ型領域から分離されており、前記エミッタ電極に接しているｎ型のエミッタ領域を有している。前記ゲート電極が、前記エミッタ領域と前記ｎ型領域を分離する範囲の前記ボディ領域に前記ゲート絶縁膜を介して対向している。前記ｎ型領域の前記コレクタ領域との界面におけるｎ型不純物濃度が、前記ｎ型領域のｎ型不純物濃度の最小値の１００倍以上である。
【０００７】
図４は、コレクタ領域とｎ型領域の不純物濃度分布を示している。図４の参照符号２３４は、ｎ型不純物の濃度分布を示しており、参照符号２３８は、ｐ型不純物の濃度分布を示している。図４は、参照符号２３８ａ〜参照符号２３８ｃのように３つの異なるｐ型不純物濃度分布を示している。図４において、ｐ型不純物濃度がｎ型不純物濃度よりも高い領域がｐ型のコレクタ領域であり、ｎ型不純物濃度がｐ型不純物濃度よりも高い領域がｎ型領域である。また、グラフ２３４とグラフ２３８ａ〜２３８ｃとの交点Ｘ、Ｙ、Ｚの位置が、コレクタ領域とｎ型領域の間の界面（すなわち、ｐｎ接合部）である。グラフ２３８ａ〜２３８ｃのようにｐ型不純物濃度を変化させると、ｐｎ接合部における不純物濃度が変化する。また、図５は、図４のようにｐ型不純物濃度を変化させた各場合において、半導体基板に加わる電界の変化をシミュレーションした結果を示している。なお、図４、５は、説明のために例示されたものであり、本願明細書に開示の技術は図４、５の構成に限定されるものではない。図５の参照符号Ａが図４の参照符号２３８ａの不純物濃度分布に対応するグラフであり、図５の参照符号Ｂが図４の参照符号２３８ｂの不純物濃度分布に対応するグラフであり、図５の参照符号Ｃが図４の参照符号２３８ｃの不純物濃度分布に対応するグラフである。図４及び図５に例示されるように、参照符号２３８ａで示す分布では、ｎ型領域とコレクタ領域との界面におけるｎ型不純物濃度の値（点Ｘ）が、ｎ型領域のｎ型不純物濃度の最小値（点Ｍ）の１００倍未満である。このような構成では、図５の参照符号Ａに示すように、半導体基板に加わる電界が高くなることが判明した。一方、参照符号２３８ｂ、２３８ｃで示す分布では、ｎ型領域のコレクタ領域との界面におけるｎ型不純物濃度（点Ｙ及び点Ｚ）が、ｎ型領域のｎ型不純物濃度の最小値の１００倍以上である。このような構成では、図５の参照符号Ｂ、Ｃに示すように、半導体基板に加わる電界が顕著に低減する。
【０００８】
以上に説明したように、本明細書が開示する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタでは、ｎ型領域とコレクタ領域の界面のｎ型不純物濃度がｎ型領域のｎ型不純物濃度の最小値の１００倍以上であるので、半導体基板に加わる電界が顕著に低減する。したがって、この絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、高い短絡耐量を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１のＩＧＢＴ１０の断面図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線における不純物濃度分布を示すグラフ。
【図３】実施例２のＩＧＢＴの図２に対応する断面における不純物濃度分布を示すグラフ。
【図４】実施形態のＩＧＢＴと比較例のＩＧＢＴそれぞれの不純物濃度分布を示す図。
【図５】図４に示す各不純物濃度分布における半導体基板に加わる電界のシミュレーション結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（実施例１）
図１は、実施例１の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（以下、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）という。）１０を示している。ＩＧＢＴ１０は、半導体基板１２と、電極、絶縁層等を備えている。半導体基板１２は、例えば、Ｓｉ（シリコン）や、ＳｉＣ（炭化シリコン）といった半導体材料により構成されている。半導体基板１２の上面１２ａには、複数のトレンチ２２が設けられている。各トレンチ２２は、図１の紙面に対して垂直方向に沿って互いに平行に伸びている。
【００１１】
各トレンチ２２の内面は、ゲート絶縁膜２４に覆われている。各トレンチ２２の内部には、ゲート電極２６が配置されている。ゲート電極２６は、ゲート絶縁膜２４の表面を覆っている。ゲート電極２６は、ゲート絶縁膜２４によって半導体基板１２から絶縁されている。各ゲート電極２６の上面は、層間絶縁膜２８によって覆われている。
【００１２】
半導体基板１２の上面１２ａには、エミッタ電極７０が配置されている。エミッタ電極７０は、層間絶縁膜２８が設けられていない部分で半導体基板１２の上面１２ａに接している。エミッタ電極７０は、層間絶縁膜２８によってゲート電極２６から絶縁されている。半導体基板１２の下面１２ｂには、コレクタ電極７２が配置されている。コレクタ電極７２は、半導体基板１２の下面１２ｂに接している。
【００１３】
半導体基板１２の内部には、複数のエミッタ領域３０、ボディ領域３２、ドリフト領域３４、バッファ領域３６及びコレクタ領域３８が設けられている。
【００１４】
各エミッタ領域３０は、ｎ型領域である。各エミッタ領域３０は、半導体基板１２の上面１２ａに露出する位置に配置されている。各エミッタ領域３０は、エミッタ電極７０に接している。各エミッタ領域３０は、トレンチ２２の側面において、ゲート絶縁膜２４に接している。各エミッタ領域３０は、トレンチ２２の上端部においてゲート絶縁膜２４に接している。
【００１５】
ボディ領域３２は、ｐ型領域である。ボディ領域３２は、各エミッタ領域３０に接している。ボディ領域３２は、２つのエミッタ領域３０に挟まれた範囲から、各エミッタ領域３０の下側まで伸びている。ボディ領域３２は、コンタクト領域３２ａと、メインボディ領域３２ｂを有している。コンタクト領域３２ａは、メインボディ領域３２ｂよりも高いｐ型不純物濃度を有している。コンタクト領域３２ａは、２つのエミッタ領域３０に挟まれた範囲に配置されている。コンタクト領域３２ａは、エミッタ電極７０に接している。メインボディ領域３２ｂは、トレンチ２２の側面において、ゲート絶縁膜２４に接している。メインボディ領域３２ｂは、エミッタ領域３０の下側でゲート絶縁膜２４に接している。メインボディ領域３２ｂは、ゲート絶縁膜２４を介してゲート電極２６に対向している。
【００１６】
ドリフト領域３４は、ｎ型領域である。ドリフト領域３４は、ボディ領域３２の下側に配置されており、ボディ領域３２によって各エミッタ領域３０から分離されている。ドリフト領域３４は、ボディ領域３２の下側でトレンチ２２の下端部近傍のゲート絶縁膜２４に接している。ドリフト領域３４は、エミッタ領域３０及びバッファ領域３６よりも低いｎ型不純物濃度を有している。ドリフト領域３４は、略一定のｎ型不純物濃度を有している。具体的には、ドリフト領域３４は、そのｎ型不純物濃度の平均値に対して、例えば±１０％以内のｎ型不純物濃度を有する領域である。
【００１７】
バッファ領域３６は、ドリフト領域３４よりも高いｎ型不純物濃度を有するｎ型領域である。バッファ領域３６は、ドリフト領域３４の下側に設けられている。バッファ領域３６とドリフト領域３４は、連続するｎ型領域である。
【００１８】
コレクタ領域３８は、ｐ型領域である。コレクタ領域３８は、バッファ領域３６の下側に設けられている。コレクタ領域３８は、半導体基板１２の下面１２ｂに露出している。コレクタ領域３８は、コレクタ電極７２に接している。
【００１９】
図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線における不純物濃度分布を示すグラフである。すなわち、図２は、半導体基板１２の下面１２ｂ側の不純物濃度の分布を示している。図２に示すように、バッファ領域３６のコレクタ領域３８との界面３７（すなわち、ｐｎ接合部）におけるｎ型不純物濃度（約４．０×１０１６ｃｍ−３）は、ドリフト領域３４のｎ型不純物濃度の最小値（図２の参照符号ｍで示す位置におけるｎ型不純物濃度（約８．０×１０１３ｃｍ−３））の１００倍以上（約５００倍）である。また、バッファ領域３６のｎ型不純物濃度は、バッファ領域３６とコレクタ領域３８との界面３７よりも上面１２ａ側にピークＰ１を有するように分布している。
【００２０】
次に、ＩＧＢＴ１０の動作について説明する。ゲート電極２６にゲート閾値以上の電位（すなわち、ゲート−エミッタ間電圧）を印加すると、ゲート絶縁膜２４に隣接する範囲のメインボディ領域３２ｂにチャネルが形成される。コレクタ電極７２がエミッタ電極７０よりも高電位となる電位が印加されている状態では、チャネルが形成されると、電子が、エミッタ電極７０から、エミッタ領域３０、メインボディ領域３２ｂのチャネル、ドリフト領域３４、バッファ領域３６及びコレクタ領域３８を経由してコレクタ電極７２へ流れる。また、ホールが、コレクタ電極７２から、コレクタ領域３８、バッファ領域３６、ドリフト領域３４、メインボディ領域３２ｂ及びコンタクト領域３２ａを経由してエミッタ電極７０へ流れる。すなわち、ＩＧＢＴ１０がオンする。本実施例のＩＧＢＴ１０では、バッファ領域３６とコレクタ領域３８の界面３７のｎ型不純物濃度が比較的高い（ドリフト領域３４のｎ型不純物濃度の最小値の１００倍以上）ので、当該界面３７におけるｐｎ接合部の接合容量が比較的大きい。接合容量が大きいと、ｐｎ接合部を電流が流れ易くなるため、ＩＧＢＴ１０のオン状態において、エミッタ領域３０からバッファ領域３６に流入した電子がコレクタ電極７２へ排出され易い。このため、バッファ領域３６に電子が蓄積され難く、バッファ領域３６内で生じる電界が低減される。このため、ＩＧＢＴ１０は、高い短絡耐量を有する。
【００２１】
その後、ゲート電極２６の電位を低下させると、チャネルが消失し、ＩＧＢＴ１０がオフする。すると、ＩＧＢＴ１０がオンしているときにドリフト領域３４内に存在していたホールが、コンタクト領域３２ａを介してエミッタ電極７０へ排出される。このようなホールに起因する電流が流れることにより、ＩＧＢＴ１０がターンオフするときに損失が生じる。しかしながら、実施例１のＩＧＢＴ１０では、以下に説明するように、ターンオフするときに生じる損失が抑制される。上述したように、コレクタ領域３８とバッファ領域３６の界面３７におけるｎ型不純物濃度が高いので、ＩＧＢＴ１０は高い短絡耐量を有する。言い換えると、界面３７におけるｎ型不純物濃度が高ければ、コレクタ領域３８のｐ型不純物のピーク濃度が低くても、高い短絡耐量を確保することができる。このため、ＩＧＢＴ１０では、コレクタ領域３８のｐ型不純物のピーク濃度が比較的低い値に調整されている。コレクタ領域３８のｐ型不純物のピーク濃度が低いと、ＩＧＢＴ１０のオン状態において、コレクタ領域３８からドリフト領域３４へ流入するホールが抑制される。したがって、ＩＧＢＴ１０がオフしたときに排出されるホールに起因する電流（いわゆる、テール電流）が流れる時間が短い。このように、本実施例のＩＧＢＴ１０は、オフするときに生じる損失が小さい。
【００２２】
なお、上述した実施例１では、バッファ領域３６のｎ型不純物濃度が、バッファ領域３６とコレクタ領域３８との界面３７よりも上面１２ａ側にピークＰ１を有するように分布していた。しかしながら、ピークＰ１は、界面３７よりも下面１２ｂ側に位置してもよい。
【００２３】
（実施例２）
次に、実施例２のＩＧＢＴについて説明する。実施例２のＩＧＢＴでは、バッファ領域１３６のｎ型不純物濃度の分布が、実施例１のバッファ領域３６と異なる。図３は、図２と同じ断面における不純物濃度分布を示している。図３に示すように、実施例２のＩＧＢＴでは、バッファ領域１３６のｎ型不純物濃度が、実施例１で説明したピークＰ１に加えて、ピークＰ２及びピークＰ３をさらに有している。ピークＰ２は、ピークＰ１よりも半導体基板１２の上面１２ａ側に位置しており、ピークＰ３は、ピークＰ２よりも半導体基板１２の上面１２ａ側に位置している。ピークＰ２のｎ型不純物濃度は、ピークＰ１のｎ型不純物濃度よりも低く、ピークＰ３のｎ型不純物濃度は、ピークＰ２のｎ型不純物濃度よりも低い。
【００２４】
また、半導体基板１２の厚み方向において、ピークＰ１の位置からピークＰ２の位置までの距離Ｄ１が、ピークＰ２の位置からピークＰ３の位置までの距離Ｄ２よりも長い。また、ピークＰ１のｎ型不純物濃度とピークＰ２のｎ型不純物濃度の差Ｃ１が、ピークＰ２のｎ型不純物濃度とピークＰ３のｎ型不純物濃度の差Ｃ２よりも大きい。
【００２５】
実施例２のＩＧＢＴでは、実施例１と同様に、バッファ領域１３６とコレクタ領域３８の界面１３７のｎ型不純物濃度が、ドリフト領域１３４のｎ型不純物濃度の最小値の１００倍以上であるため、実施例１と同様の作用効果を奏することができる。
【００２６】
また、本実施例では、バッファ領域１３６のｎ型不純物濃度が、３つのピークＰ１、Ｐ２、Ｐ３を有する。ピークＰ１とピークＰ２の間の距離Ｄ１が比較的長いので、バッファ領域１３６の厚みを、実施例１のバッファ領域３６の厚みよりも大きく確保することができる。このように、本実施例のＩＧＢＴは、バッファ領域１３６の厚みが大きいので、例えば、半導体基板１２の下面１２ｂ側に破損が生じた場合であっても、当該破損の影響がドリフト領域３４に達することが抑制される。したがって、本実施例のＩＧＢＴは、その耐圧等の特性が変動することを抑制することができる。
【００２７】
また、本実施例では、ピークＰ１とピークＰ２のｎ型不純物濃度差Ｃ１が、ピークＰ２とピークＰ３のｎ型不純物濃度差Ｃ２よりも大きい。すなわち、ピークＰ２及びピークＰ３のｎ型不純物濃度は、比較的低い。このため、バッファ領域１３６の厚みを確保しつつ、バッファ領域１３６全体のドナーの量を比較的低くすることができる。このため、このＩＧＢＴでは、界面１３７におけるｐｎ接合部に加わる電界がそれほど高くならず、短絡耐量を確保することができる。
【００２８】
なお、実施例２では、バッファ領域１３６のｎ型不純物濃度が、ピークＰ１、Ｐ２、Ｐ３を有するように分布していたが、他の実施例ではピークＰ３は有していなくてもよい。
【００２９】
上述した実施例の構成要素と、請求項の構成要素との関係について説明する。実施例のドリフト領域３４及びバッファ領域３６が、請求項の「ｎ型領域」の一例である。実施例のピークＰ１、ピークＰ２及びピークＰ３が、それぞれ請求項の「第１のピーク」、「第２のピーク」及び「第３のピーク」の一例である。
【００３０】
本明細書が開示する技術要素について、以下に列記する。なお、以下の各技術要素は、それぞれ独立して有用なものである。
【００３１】
本明細書が開示する一例の半導体装置では、ｎ型領域が、コレクタ領域の上側に配置されているバッファ領域と、バッファ領域の上側に配置されており、バッファ領域よりも低い略一定のｎ型不純物濃度を有するドリフト領域を有してもよい。バッファ領域のｎ型不純物濃度が、バッファ領域とコレクタ領域の界面の位置よりも半導体基板の上面側に第１のピークを有するように分布してもよい。なお、略一定とは、平均値に対して±１０％以内の範囲でｎ型不純物濃度が分布していることを意味する。
【００３２】
本明細書が開示する一例の半導体装置では、バッファ領域のｎ型不純物濃度が、第１のピークの位置よりも上面側に第２のピークを有するように分布してもよい。第１のピークのｎ型不純物濃度が、第２のピークのｎ型不純物濃度よりも高くてもよい。
【００３３】
このような構成では、バッファ領域の厚みを確保することができ、例えば、半導体基板の下面に破損が生じた場合に、その影響がドリフト領域に達することを抑制することができる。
【００３４】
本明細書が開示する一例の半導体装置では、バッファ領域のｎ型不純物濃度が、第２のピークの位置よりも上面側に第３のピークを有するように分布してもよい。第２のピークのｎ型不純物濃度が、第３のピークのｎ型不純物濃度よりも高くてもよい。半導体基板の厚み方向における第１のピークの位置から第２のピークの位置までの距離が、前記厚み方向における第２のピークの位置から第３のピークの位置までの距離よりも長くてもよい。
【００３５】
このような構成では、バッファ領域の厚みをさらに確保することができ、例えば、半導体基板の下面に破損が生じた場合に、その影響がドリフト領域に達することを抑制することができる。
【００３６】
本明細書が開示する一例の半導体装置では、第１のピークのｎ型不純物濃度と第２のピークのｎ型不純物濃度の差が、第２のピークのｎ型不純物濃度と第３のピークのｎ型不純物濃度の差よりも大きくてもよい。
【００３７】
このような構成では、バッファ領域の厚みを確保しつつ、バッファ領域全体の電子量を比較的低くすることができる。このため、この構成によれば、コレクタ領域とバッファ領域の界面に加わる電界がそれほど高くならず、短絡耐量を確保することができる。
【００３８】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３９】
１０：ＩＧＢＴ、１２：半導体基板、１２ａ：上面、１２ｂ：下面、２２：トレンチ、２４：ゲート絶縁膜、２６：ゲート電極、２８：層間絶縁膜、３０：エミッタ領域、３２：ボディ領域、３２ａ：コンタクト領域、３２ｂ：メインボディ領域、３４：ドリフト領域、３６：バッファ領域、３７：界面、３８：コレクタ領域、７０：エミッタ電極、７２：コレクタ電極
【図１】
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【図２】
2020188168.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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