(57)【要約】【課題】内部電極層とセラミック層との界面でハガレなどが生ずることを抑制しつつ、ショート不良やマイグレーションなどが生ずることも抑制しうる積層セラミック電子部品を提供する。【解決手段】この発明にかかる積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状の積層体１２を含む。積層体の両端面には第１および第２の外部電極２４ａ、２４ｂを備える。積層体の第１の主面、第２の主面、第１の側面および第２の側面上には、積層体１２を周回するように金属層３０が配置される。さらに、第１の外部電極２４ａと第２の外部電極２４ｂとの間に位置する積層体１２の第１の主面上、第２の主面上、第１の側面上および第２の側面上に配置され、かつ、金属層３０を覆うように、保護層３２が配置される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層上に積層された複数の内部電極層とを含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
前記第１の端面上、ならびに前記第１の主面の一部、前記第２の主面の一部、前記第１の側面の一部、および前記第２の側面の一部に配置される第１の外部電極と、
前記第２の端面上、ならびに前記第１の主面の一部、前記第２の主面の一部、前記第１の側面の一部、および前記第２の側面の一部に配置される第２の外部電極と、
を備え、
前記積層体の前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の側面および前記第２の側面上には、前記積層体を周回するように配置される金属層を有し、
前記第１の外部電極と前記第２の外部電極との間に位置する前記積層体の前記第１の主面上、前記第２の主面上、前記第１の側面上および前記第２の側面上に配置され、かつ、前記金属層を覆うように配置された保護層を有する、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記保護層の一部は、前記第１の外部電極と前記積層体との間、および前記第２の外部電極と前記積層体のとの間に位置するように設けられている、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記金属層上には、めっき層が形成されていない、請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、積層セラミック電子部品は、内部電極層とセラミック層とが交互に積層された積層体と、積層体の外表面に設けられた外部電極とを備えており、たとえば、積層セラミックコンデンサの場合であれば、セラミック層がセラミック誘電体材料によって構成されている（たとえば、特許文献１を参照）。
【０００３】
ここで、セラミック誘電体材料と内部電極層の金属とは、内部電極層とセラミック誘電体材料との材質が全く異なるため接着し難いことや、内部電極層とセラミック層との熱膨張係数が大きく異なるため、温度変化において内部電極層とセラミック層との収縮量の差により歪みが大きくなる。そのため、内部電極層とセラミック層との界面でハガレなどの問題が生じることが一般的に知られている。
【０００４】
上記課題に対して、積層体の４つの側面を周回するように外部電極が形成される場合、外部電極ペーストが乾燥、焼付けされる際に熱収縮するため、積層体を締め付けることで、上記の課題を緩和する効果を発揮する。
したがって、上記効果をより大きくするために、例えば、積層体の４つの側面に形成される第１の外部電極と第２の外部電極との距離をできるだけ小さくして、外部電極を形成する面積を大きくすることが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−３０６５８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このように積層体の４つの側面に形成される第１の外部電極と第２の外部電極との間の距離をできるだけ小さくして、外部電極の形成する面積を大きくすることで、積層体の締め付け効果は増大するものの、第１の外部電極と第２の外部電極との距離が近くなることで、ショート不良やマイグレーションなどの課題が生じることが懸念される。
【０００７】
それゆえに、この発明の主たる目的は、内部電極層とセラミック層との界面でハガレなどが生ずることを抑制しつつ、ショート不良やマイグレーションなどが生ずることも抑制しうる積層セラミック電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明にかかる積層セラミック電子部品は、積層された複数のセラミック層と、セラミック層上に積層された複数の内部電極層とを含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、第１の端面上、ならびに第１の主面の一部、第２の主面の一部、第１の側面の一部、および第２の側面の一部に配置される第１の外部電極と、第２の端面上、ならびに第１の主面の一部、第２の主面の一部、第１の側面の一部、および第２の側面の一部に配置される第２の外部電極と、を備え、積層体の第１の主面、第２の主面、第１の側面および第２の側面上には、積層体を周回するように配置される金属層を有し、第１の外部電極と第２の外部電極との間に位置する積層体の第１の主面上、第２の主面上、第１の側面上および第２の側面上に配置され、かつ、金属層を覆うように配置された保護層を有する、積層セラミック電子部品である。
【０００９】
この発明にかかる積層セラミック電子部品では、積層体の第１の主面、第２の主面、第１の側面および第２の側面上には、積層体を周回するように配置される金属層を有するので、積層体の中央部において、金属層を形成する際の金属層ペーストの熱収縮によって積素体を締め付けることから、残留応力を低減させる効果を発揮し、層ハガレを抑制することができる。また、第１の外部電極と第２の外部電極との間に位置する積層体の第１の主面上、第２の主面上、第１の側面上および第２の側面上に配置され金属層を覆うように配置された保護層を有するので、積層体上に形成される外部電極と金属層を導電性のない保護層で覆うことができることから、外部電極間でのショート不良やマイグレーションなどが生ずることを防止することができる。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、内部電極層とセラミック層との界面でハガレなどが生ずることを抑制しつつ、ショート不良やマイグレーションなどが生ずることも抑制しうる積層セラミック電子部品が得られる。
【００１１】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。
【図２】この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１の側面図である。
【図３】この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。
【図４】この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図３の線ＩＶ−ＩＶにおける断面図である
【図５】この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図３の線Ｖ−Ｖにおける断面図である。
【図６】（ａ）この発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が２つに分割された構造を示す図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図であり、（ｂ）この発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が３つに分割された構造を示す図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図であり、（ｃ）この発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が４つに分割された構造を示す図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。
【図７】この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの変形例の一例を示す外観斜視図である。
【図８】この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサを示す図７の側面図である。
【図９】この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサを示す図７の線ＩＸ−ＩＸにおける断面図である。
【図１０】この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサを示す図９の線Ｘ−Ｘにおける断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサを示す図９の線ＸＩ−ＸＩにおける断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
１．積層セラミック電子部品
この発明の積層セラミック電子部品の例として、積層セラミックコンデンサについて説明する。図１は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図２は、この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１の側面図である。図３は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図であり、図４は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図３の線ＩＶ−ＩＶにおける断面図である。図５は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図３の線Ｖ−Ｖにおける断面図である。
【００１４】
図１ないし図５に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状の積層体１２を含む。
【００１５】
積層体１２は、積層された複数のセラミック層１４と複数の内部電極層１６とを有する。さらに、積層体１２は、高さ方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、高さ方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、高さ方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。この積層体１２には、角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ、ならびに第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆの一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。さらに、積層体１２の長さ方向ｚの寸法は、幅方向ｙの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。
【００１６】
セラミック層１４の枚数は、外層も含み、１０枚以上１０００枚以下であることが好ましい。
【００１７】
積層体１２は、複数枚のセラミック層１４から構成される外層部１５ａと単数もしくは複数枚のセラミック層１４とそれらの上に配置される複数枚の内部電極層１６から構成される内層部１５ｂとを含む。外層部１５ａは、積層体１２の第１の主面１２ａ側および第２の主面１２ｂ側に位置し、第１の主面１２ａと最も第１の主面１２ａに近い内部電極層１６との間に位置する複数枚のセラミック層１４、および第２の主面１２ｂと最も第２の主面１２ｂに近い内部電極層１６との間に位置する複数枚のセラミック層１４の集合体である。そして、両外層部１５ａに挟まれた領域が内層部１５ｂである。外層部１５ａの厚みは、１５μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
積層体１２の寸法は、特に限定されないが、長さ方向ｚの寸法は、１．０ｍｍ以上７．０ｍｍ以下、幅方向ｙの寸法は、０．５ｍｍ以上６．０ｍｍ以下、高さ方向ｘの寸法は、０．５ｍｍ以上６．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１９】
セラミック層１４は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。このような誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、またはＣａＺｒＯ3などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。
【００２０】
なお、積層体１２に、圧電体セラミックを用いた場合、積層セラミック電子部品は、セラミック圧電素子として機能する。圧電セラミック材料の具体例としては、たとえば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック材料などが挙げられる。
また、積層体１２に、半導体セラミックを用いた場合、積層セラミック電子部品は、サーミスタ素子として機能する。半導体セラミック材料の具体例としては、たとえば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。
また、積層体１２に、磁性体セラミックを用いた場合、積層セラミック電子部品は、インダクタ素子として機能する。また、インダクタ素子として機能する場合は、内部電極層１６は、コイル状の導体となる。磁性体セラミック材料の具体例としては、たとえば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。
【００２１】
焼成後のセラミック層１４の厚みは、０．６μｍ以上３０．０μｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
積層体１２は、複数の内部電極層１６として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂを有する。複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂは、積層体１２の高さ方向ｘに沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂは、実装面に対して平行になるように配置されていてもよく、垂直になるように配置されていてもよい。
【００２３】
第１の内部電極層１６ａは第２の内部電極層１６ｂと対向する第１の対向電極部１８ａと、第１の内部電極層１６ａの一端側に位置し一方の対向電極部１８ａから積層体１２の第１の端面１２ｅまでの第１の引出電極部２０ａを有する。第１の引出電極部２０ａは、その端部が第１の端面１２ｅに引き出され、露出している。
第２の内部電極層１６ｂは、第１の内部電極層１６ａと対向する第２の対向電極部１８ｂと、第２の内部電極層１６ｂの一端側に位置し、第２の対向電極部１８ｂから積層体１２の第２の端面１２ｆまでの第２の引出電極部２０ｂを有する。第２の引出電極部２０ｂは、その端部が第２の端面１２ｆに引き出され、露出している。
【００２４】
第１の内部電極層１６ａの一方の対向電極部１８ａと第１の内部電極層１６ｂの他方の対向電極部１８ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、コーナー部が丸められていたり、コーナー部が斜めに（テーパー状）形成されていたりしてもよい。
第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａと第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、コーナー部が丸められていたり、コーナー部が斜めに（テーパー状）形成されていたりしてもよい。
第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部１８ａの幅と第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａの幅とは、同じ幅に形成されていてもよく、どちらか一方が狭く形成されてもよい。同様に、第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部１８ｂの幅と第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂの幅とは、同じ幅に形成されていてもよく、どちらか一方が狭く形成されてもよい。
【００２５】
積層体１２は、第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂの幅方向ｙの一端と第１の側面１２ｃとの間および第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂの幅方向ｙの他端と第２の側面１２ｄとの間に形成される積層体１２の側部（Ｗギャップ）２２ａを含む。さらに、積層体１２は、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａとは反対側の端部と第２の端面１２ｆとの間および第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂとは反対側の端部と第１の端面１２ｅとの間に形成される積層体１２の端部（Ｌギャップ）２２ｂを含む。
【００２６】
内部電極層１６は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む、たとえば、Ａｇ−Ｐｄ合金などの、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料を含有している。内部電極層１６さらに、セラミック層１４に含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。
【００２７】
内部電極層１６の厚みは、０．１μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。また、内部電極層１６の枚数は、１０枚以上１０００枚以下であることが好ましい。
【００２８】
積層体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側には、外部電極２４が配置される。外部電極２４は、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを有する。
第１の外部電極２４ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第１の外部電極２４ａは、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部１８ａと電気的に接続される。ここで、第１の外部電極２４ａが、第１の端面１２ｅ上、ならびに、第１の主面１２ａの一部、第２の主面１２ｂの一部、第１の側面１２ｃの一部、および第２の側面１２ｄの一部に配置されており、積層体１２の周囲を覆っていることにより、外部電極焼成時の外部電極ペーストの熱収縮により、積層体１２を締め付けることで残留応力を低減させる効果を発揮する。なお、第１の外部電極２４ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅのみに形成されていてもよい。
【００２９】
第２の外部電極２４ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第２の外部電極２４ｂは、第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部１８ｂと電気的に接続される。ここで、第２の外部電極２４ｂが、第２の端面１２ｆ上、ならびに、第１の主面１２ａの一部、第２の主面１２ｂの一部、第１の側面１２ｃの一部、および第２の側面１２ｄの一部に配置されており、積層体１２の周囲を覆っていることにより、外部電極焼成時の外部電極ペーストの熱収縮により、積層体１２を締め付けることで残留応力を低減させる効果を発揮する。なお、第２の外部電極２４ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆのみに形成されていてもよい。
【００３０】
積層体１２内においては、第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部１８ａと第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部１８ｂとがセラミック層１４を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層１６ａが接続された第１の外部電極２４ａと第２の内部電極層１６ｂが接続された第２の外部電極２４ｂとの間に、静電容量を得ることができ、コンデンサの特性が発現する。
【００３１】
なお、図６に示すように、内部電極層１６として、第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂに加えて、第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆのどちらにも引き出されない浮き内部電極層１６ｃが設けられ、浮き内部電極層１６ｃによって、対向電極部１８ｃが複数に分割された構造としてもよい。たとえば、図６（ａ）に示すような２連、図６（ｂ）に示すような３連、図６（ｃ）に示すような４連構造であり、４連以上の構造でもよいことは言うまでもない。このように、対向電極部１８ｃを複数個に分割した構造とすることによって、対向する内部電極層１６ａ、１６ｂ、１６ｃ間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となる。そのため、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が低くなり、積層セラミックコンデンサの高耐圧化を図ることができる。
【００３２】
第１の外部電極２４ａは、図３に示すように、積層体１２側から順に、第１の下地電極層２６ａと第１の下地電極層２６ａの表面に配置された第１のめっき層２８ａとを有する。同様に、第２の外部電極２４ｂは、積層体１２側から順に、第２の下地電極層２６ｂと第２の下地電極層２６ｂの表面に配置された第２のめっき層２８ｂとを有する。
【００３３】
第１の下地電極層２６ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
第２の下地電極層２６ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
【００３４】
なお、第１の下地電極層２６ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面のみに配置されてもよいし、第２の下地電極層２６ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面にのみ配置されてもよい。
【００３５】
第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂ（以下、単に下地電極層ともいう）は、それぞれ、焼付け層、導電性樹脂層、薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含む。
【００３６】
まず、下地電極層が、焼付け層で形成された第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂについて説明する。
焼付け層は、ガラスと金属とを含む。焼付け層の金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、焼付け層のガラスとしては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼き付けたものであり、セラミック層１４および内部電極層１６と同時に焼成したものでもよく、セラミック層１４および内部電極層１６を焼成した後に焼き付けたものでもよい。
【００３７】
第１の端面１２ｅに位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の端面１２ｆに位置する第２の下地電極層２６ｂの高さ方向中央部におけるそれぞれの焼付け層の厚みは、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００３８】
次に、下地電極層が、導電性樹脂層で形成された第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂについて説明する。
導電性樹脂層は、焼付け層の表面に焼付け層を覆うように配置されるか、積層体１２の表面に直接配置されてもよい。
導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂および金属を含む。導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂を含むため、たとえば、めっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサに物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサへのクラックを防止することができる。
【００３９】
導電性樹脂層に含まれる金属としては、Ａｇ、Ｃｕ、またはそれらの合金を使用することができる。また、金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用することができる。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には金属粉としてＣｕやＮｉを用いることが好ましい。また、Ｃｕに酸化防止処理を施したものを使用することもできる。特に、導電性樹脂層に含まれる金属としてＡｇの導電性金属粉を用いることは、Ａｇは金属の中でもっとも比抵抗が低いため電極材料に適しており、Ａｇは貴金属であるため酸化せず耐候性が高いため、好ましい。なお、導電性樹脂層に含まれる金属としてＡｇコーティングされた金属を用いることは、上記のＡｇの特性を保ちつつ、母材の金属を安価なものにすることが可能になるため、好ましい。
導電性樹脂層に含まれる金属は、導電性樹脂全体の体積に対して、３５ｖｏｌ％以上７５ｖｏｌ％以下で含まれていることが好ましい。
導電性樹脂層に含まれる金属（導電性フィラー）の形状は、特に限定されない。導電性フィラーは、球形状、扁平状などのものを用いることができるが、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合して用いるのが好ましい。
導電性樹脂層に含まれる金属（導電性フィラー）の平均粒径は、特に限定されない。導電性フィラーの平均粒径は、たとえば、０．３μｍ以上１０μｍ以下程度であってもよい。
導電性樹脂層に含まれる金属（導電性フィラー）は、主に導電性樹脂層の通電性を担う。具体的には、導電性フィラーどうしが接触することにより、導電性樹脂層内部に通電経路が形成される。
【００４０】
導電性樹脂層の樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は、最も適切な樹脂の一つである。
導電性樹脂層に含まれる樹脂は、導電性樹脂全体の体積に対して、２５ｖｏｌ％以上６５ｖｏｌ％以下で含まれていることが好ましい。
また、導電性樹脂層には、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系など公知の種々の化合物を使用することができる。
【００４１】
第１の端面１２ｅに位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の端面１２ｆに位置する第２の下地電極層２６ｂの高さ方向中央部におけるそれぞれの導電性樹脂層の厚みは、たとえば、１０μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。
また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に下地電極層を設ける場合には、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂである長さ方向の中央部におけるそれぞれの導電性樹脂層の厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下程度であることが好ましい。
【００４２】
また、下地電極層が薄膜層の場合、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。
【００４３】
第１のめっき層２８ａは、第１の下地電極層２６ａを覆うように配置される。具体的には、第１のめっき層２８ａは、第１の下地電極層２６ａの表面の第１の端面１２ｅに配置され、第１の下地電極層２６ａの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第１のめっき層２８ａは、第１の端面１２ｅに配置される第１の下地電極層２６ａの表面のみに配置されてもよい。
【００４４】
第２のめっき層２８ｂは、第２の下地電極層２６ｂを覆うように配置される。具体的には、第２のめっき層２８ｂは、第２の下地電極層２６ｂの表面の第２の端面１２ｆに配置され、第２の下地電極層２４ｂの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第２のめっき層２８ｂは、第２の端面１２ｆに配置される第２の下地電極層２６ｂの表面のみに配置されてもよい。
【００４５】
また、第１のめっき層２８ａおよび第２のめっき層２８ｂ（以下、単にめっき層ともいう）としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。
めっき層は、複数層によって形成されてもよい。この場合、めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造であることが好ましい。Ｎｉめっき層が、下地電極層２４の表面を覆うように設けられることで、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田によって下地電極層が侵食されることを防止することができる。また、Ｎｉめっき層の表面に、Ｓｎめっき層を設けることにより、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田の濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。
【００４６】
めっき層一層あたりの厚みは、２μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【００４７】
なお、下地電極層を設けずに、めっき層だけで外部電極２４を形成してもよい。以下、下地電極層を設けずに、めっき層を設ける構造について説明する。
第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂのそれぞれは、下地電極層が設けられず、めっき層が積層体１２の表面に直接形成されていてもよい。すなわち、積層セラミックコンデンサ１０は、第１の内部電極層１６ａまたは第２の内部電極層１６ｂに電気的に接続されるめっき層を含む構造であってもよい。このような場合、前処理として積層体１２の表面に触媒を配設した後で、めっき層が形成されてもよい。
めっき層は、積層体１２の表面に形成される下層めっき電極と、下層めっき電極の表面に形成される上層めっき電極とを含むことが好ましい。
下層めっき電極および上層めっき電極はそれぞれ、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉまたはＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金を含むことが好ましい。
下層めっき電極は、はんだバリア性能を有するＮｉを用いて形成されることが好ましく、上層めっき電極は、はんだ濡れ性が良好なＳｎやＡｕを用いて形成されることが好ましい。また、たとえば、第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂがＮｉを用いて形成される場合、下層めっき電極は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。なお、上層めっき電極は、必要に応じて形成されればよく、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂはそれぞれ、下層めっき電極のみで構成されてもよい。
めっき層は、上層めっき電極を最外層としてもよいし、上層めっき電極の表面にさらに他のめっき電極を形成してもよい。
下地電極層を設けずに配置するめっき層の１層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は、９９ｖｏｌ％以上が好ましい。
【００４８】
さらに、積層体１２の第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ上に、積層体１２を周回するように金属層３０が配置されている。金属層３０の厚みは、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂの厚みよりも小さく形成されていることが好ましい。金属層３０は、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。金属層３０は、ガラスを含んでいてもよい。ガラスは、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、ＡｌおよびＬｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、ガラスの代わりに、セラミック層１４と同種のセラミック材料を用いてもよい。
金属層３０は、単層で形成されていてもよく、複数層で形成されていてもよい。
金属層３０の厚み（最も厚い部分）は、１０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。
なお、金属層３０の表面には、めっき層は形成されていない。
また、金属層３０の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの長さは、積層体１２の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの長さの１／２以下の長さであることが好ましい。
【００４９】
また、第１の外部電極２４ａと第２の外部電極２４ｂとの間に位置する積層体１２の第１の主面１２ａ上、第２の主面１２ｂ上、第１の側面１２ｃ上、および第２の側面１２ｄ上、かつ、金属層３０を覆うように配置された保護層３２を有する。保護層３２は、金属層３０を完全に覆い、第１の外部電極２４ａと第２の外部電極２４ｂとが対向する面となる積層体１２の第１の主面１２ａ上、第２の主面１２ｂ上、第１の側面１２ｃ上および第２の側面１２ｄ上に設けられている。
【００５０】
保護層３２の材料は、コンデンサの場合、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、またはＣａＺｒＯ3などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。
【００５１】
また、保護層３２の材料は、積層体１２に、圧電体セラミックを用いた場合、たとえば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック材料などが挙げられる。
また、保護層３２の材料は、半導体セラミックを用いた場合、たとえば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。
また、保護層３２の材料は、積層体１２に、磁性体セラミックを用いた場合、たとえば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。
【００５２】
なお、保護層３２に用いるセラミックの材料は、積層体１２に用いるセラミックの材料と異なる材料を用いてもよいが、同じ材料を用いることが好ましい。同じ材料を用いることで、保護層３２と積層体１２との密着性を向上させることができる。
【００５３】
保護層３２は、単層で形成されていてもよく、複数層で形成されてもよい。保護層３２の厚みは、金属層３０の厚みよりも大きく、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂの最も厚い部分の厚みと同等の厚みか、それよりも小さい厚みであることが好ましい。このとき、積層体１２の第１の主面１２ａ上、第２の主面１２ｂ上、第１の側面１２ｃ上および第２の側面１２ｄ上に設けられる第１の外部電極２４ａの面と積層体１２の第１の主面１２ａ上、第２の主面１２ｂ上、第１の側面１２ｃ上および第２の側面１２ｄ上に設けられる第２の外部電極２４ｂの面は、実装面とほぼ平行となるように設けられていることが好ましい。
【００５４】
積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向ｚの寸法をＬ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の高さ方向ｘの寸法をＴ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の幅方向ｙの寸法をＷ寸法とする。
積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、長さ方向ｚのＬ寸法が１．０ｍｍ以上７．０ｍｍ以下、幅方向ｙのＷ寸法が０．５ｍｍ以上６．０ｍｍ以下、高さ方向ｘのＴ寸法が０．５ｍｍ以上６．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００５５】
図１に示す積層セラミックコンデンサ１０によれば、金属層３０が、積層体１２の第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ上に、積層体１２を周回するように配置されることで、積層体１２の中央部において、積層体１２の周囲を覆うことが可能となる。これにより、従来の積層セラミックコンデンサでは締め付けが働かない積層体１２の中央部において、金属層３０を形成する際の金属層ペーストの熱収縮によって積層体１２を締め付けることが可能となる。その結果、残留応力を低減させる効果を発揮し、層ハガレを抑制することが可能となる。
【００５６】
また、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０によれば、第１の外部電極２４ａと第２の外部電極２４ｂとの間に位置する積層体１２の第１の主面１２ａ上、第２の主面１２ｂ上、第１の側面１２ｃ上、および第２の側面１２ｄ上、かつ、金属層３０を覆うように配置された保護層３２を有するので、積層体１２上に形成される外部電極２４と金属層３０とを導電性のない保護層３２で覆うことができる。そのため第１の外部電極２４ａと第２の外部電極２４ｂとの間でのショート不良やマイグレーションを防ぐことができる。
【００５７】
また、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０によれば、金属層３０の表面に、めっき層を形成しないことで、保護層３２と金属層３０とが直接接触することから、金属層３０上の微小な凹凸内に保護層３２が入り込み、アンカー効果によって、金属層３０と誘電体保護層３２との密着性が向上する。また、金属層３０の表面にめっき層を形成しないことで、めっき層の厚み分、金属層３０の厚みを増やすことができ、金属層３０による積層体１２への締め付けが大きくなり、層ハガレを抑制する効果が向上する。
【００５８】
次に、この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの変形例について説明する。図７は、この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの変形例の一例を示す外観斜視図である。図８は、この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサを示す図７の側面図である。図９は、この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサを示す図７の線ＩＸ−ＩＸにおける断面図である。図１０は、この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサを示す図９の線Ｘ−Ｘにおける断面図である。図１１は、この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサを示す図９の線ＸＩ−ＸＩにおける断面図である。
なお、図７ないし図１１に示す積層セラミックコンデンサ１１０において、図１ないし図５に示した積層セラミックコンデンサ１０と同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００５９】
図７ないし図１１に示す積層セラミックコンデンサ１１０の構成が図１ないし図３に示す積層セラミックコンデンサ１０の構成と異なる点は、保護層１３２が、第１の外部電極２４ａの先端および第２の外部電極２４ｂの先端の下部に入り込むように設けられる点である。
【００６０】
保護層１３２は、第１の外部電極２４ａと第２の外部電極２４ｂとの間に位置する積層体１２の第１の主面１２ａ上、第２の主面１２ｂ上、第１の側面１２ｃ上、および第２の側面１２ｄ上、かつ、金属層３０を覆うように配置されているが、さらに、第１の外部電極２４ａの先端および第２の外部電極２４ｂの先端の下部に入り込むように設けられる。換言すると、保護層１３２の一部は、第１の外部電極２４ａと積層体１２との間、および第２の外部電極２４ｂｄと積層体１２との間に位置するように設けられる。
【００６１】
なお、保護層１３２は、第１の外部電極２４ａの先端と保護層１３２との間、第２の外部電極２４ｂの先端と保護層１３２との間に隙間が空くように設けられてもよい。
【００６２】
保護層１３２の厚みは、金属層３０の厚みよりも大きく、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂの最も厚い部分の厚みと同等の厚みか、それよりも小さい厚みであることが好ましい。このとき、積層体１２の第１の主面１２ａ上、第２の主面１２ｂ上、第１の側面１２ｃ上および第２の側面１２ｄ上に設けられる第１の外部電極２４ａの面と積層体１２の第１の主面１２ａ上、第２の主面１２ｂ上、第１の側面１２ｃ上および第２の側面１２ｄ上に設けられる第２の外部電極２４ｂの面は、実装面とほぼ平行となるように設けられていることが好ましい。よって、第１の外部電極２４ａの先端および第２の外部電極２４ｂの先端の下部に入り込むように設けられる保護層１３２の厚みは、積層体１２の第１の主面１２ａ上、第２の主面１２ｂ上、第１の側面１２ｃ上および第２の側面１２ｄ上に設けられる第１の外部電極２４ａの面と積層体１２の第１の主面１２ａ上、第２の主面１２ｂ上、第１の側面１２ｃ上および第２の側面１２ｄ上に設けられる第２の外部電極２４ｂの面とは、実装面とほぼ平行となるように調整する。
【００６３】
図７に示す積層セラミックコンデンサ１１０は、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０と同様の効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、保護層１３２は、第１の外部電極２４ａと第２の外部電極２４ｂとの間に位置する積層体１２の第１の主面１２ａ上、第２の主面１２ｂ上、第１の側面１２ｃ上、および第２の側面１２ｄ上、かつ、金属層３０を覆うように配置されており、さらに、第１の外部電極２４ａの先端および第２の外部電極２４ｂの先端の下部に入り込むように設けられるので、保護層１３２と積層体１２の境界部を第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂが覆うことで、保護層１３２を積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂの３方向から固定することが可能となり、保護層１３２の機械強度を向上させることができる。さらに、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂの積層体１２の第１の主面１２ａ上、第２の主面１２ｂ上、第１の側面１２ｃ上および第２の側面１２ｄ上に設けられる第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚの長さを大きくすることができ、積層体１２への水分の侵入を低減することができる。その結果、積層セラミックコンデンサ１１０は、耐湿性を向上させることができ、水分の侵入による構造欠陥を抑制することができる。
【００６４】
２．積層セラミック電子部品の製造方法
次に、本発明にかかる積層セラミック電子部品の製造方法について説明する。なお、ここでは、積層セラミック電子部品として、上述した積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を説明する。
【００６５】
まず、誘電体シート、内部電極用の導電性ペーストを準備する。誘電体シートや内部電極用の導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
【００６６】
次に、誘電体シート上に、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで内部電極用の導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。
【００６７】
続いて、内部電極パターンが印刷されていない外層用の誘電体シートが所定枚数積層され、その上に、内部電極パターンが印刷された誘電体シートが順次積層され、さらに、内部電極パターンが印刷されていない外層用の誘電体シートが所定枚数積層され、積層シートが作製される。
【００６８】
そして、積層シートは、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着され、積層ブロックが作製される。
【００６９】
その後、積層ブロックは、所定の形状寸法に切断され、生の積層体チップが切り出される。このとき、生の積層体チップに対してバレル研磨などを施し、積層体の角部および稜線部に丸みをつけてもよい。
【００７０】
続いて、金属層３０および保護層３２を形成する。金属層３０および保護層３２の形成は、焼成後の積層体１２に対して形成する方法と、焼成前の生の積層体に対して形成する方法とがある。
【００７１】
まず、焼成後の積層体１２に対して金属層３０および保護層３２を形成する方法について説明する。
切り出された生の積層体チップが焼成され、第１の内部電極層が第１の端面に引き出され、第２の内部電極層が第２の端面に引き出された積層体１２が作製される。なお、生の積層体チップの焼成温度は、セラミックの材料や内部電極用の導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。また、このとき、積層体１２に対して、バレル研磨などのより積層体１２の角部および稜線部に丸みをつけてもよい。
【００７２】
そして、積層体１２の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ上に、積層体１２を周回するように金属層ペーストを塗布し、乾燥処理する。金属層ペーストの塗布方法は、金属層ペーストを、ローラーを用いて所定の場所に塗布するもしくはインクジェット法にて金属層ペーストの塗布を行う。
【００７３】
続いて、金属層ペーストを乾燥処理させた積層体１２に、積層体１２の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ上に、積層体１２を周回し、さらに金属層ペーストの乾燥部分を覆うように、保護層となるペースト（保護層ペースト）を塗布し乾燥処理する。保護層ペーストの塗布方法は、保護層ペーストを、ローラーを用いて所定の場所に塗布するもしくはインクジェット法にて保護層ペーストの塗布を行う。
【００７４】
その後、金属層ペースト、保護層ペーストを塗布し、乾燥した積層体１２を焼成し、乾燥した金属層ペーストおよび保護層ペーストを焼結させ、積層体１２に金属層３０および保護層３２を形成する。焼成温度は、保護層３２の材料や内部電極用の導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。
【００７５】
続いて、金属層３０および保護層３２を形成した積層体１２の両端面に外部電極２４を形成する。
【００７６】
外部電極２４の下地電極層が焼き付け層であるときの、下地電極層の形成方法を説明する。
外部電極２４の焼付け層を形成するために、たとえば、積層体１２の表面に第１の端面１２ｅから露出している第１の内部電極層１６ａの第１の引出部２０ａの露出部分にガラス成分と金属とを含む外部電極用の導電性ペーストがディッピングなどの方法により塗布されて焼き付けられ、第１の下地電極層が形成される。また、同様に、外部電極２４の焼付け層を形成するために、たとえば、積層体１２の第２の端面１２ｆから露出している第２の内部電極層１６ｂの第２の引出部２０ｂの露出部分にガラス成分と金属とを含む外部電極用導電性ペーストがディッピングなどの方法により外部電極用の導電性ペーストが塗布されて焼き付けられ、第２の下地電極層が形成される。このとき、焼き付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。
【００７７】
次に、下地電極層が導電性樹脂層で形成するときの、下地電極層の形成方法を説明する。
なお、導電性樹脂層は、焼付け層の表面に形成されてもよく、焼付け層を形成せずに、導電性樹脂層を単体で積層体１２の表面に直接形成してもよい。
導電性樹脂層の形成方法としては、熱硬化性樹脂および金属成分を含む導電性樹脂ペーストを焼付け層もしくは積層体１２の表面に塗布し、２５０℃以上５５０℃以下の温度で熱処理を行い、樹脂を熱硬化させ、導電性樹脂層が形成される。この時の熱処理時の雰囲気は、Ｎ2雰囲気であることが好ましい。また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は１００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。
【００７８】
また、下地電極層が薄膜層で形成するときの、下地電極層の形成方法を説明する。
下地電極層が薄膜層で形成する場合は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により下地電極層を形成することができる。薄膜層で形成された下地電極層は金属粒子が堆積された１μｍ以下の層とされる。
【００７９】
さらに、下地電極層を設けずに、積層体１２の内部電極層１６の露出部にめっき層を設けてもよい。
積層体１２の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆにめっき処理を施し、内部電極層１６の露出部上に下地めっき電極を形成する。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよいが、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。また、必要に応じて、下層めっき電極の表面に上層めっき電極を同様に形成してもよい。
【００８０】
その後、下地電極層の表面、導電性樹脂層の表面もしくは下地めっき層の表面、上層めっき層の表面に、めっき層が形成され、外部電極２４が形成される。
図１に示す積層セラミックコンデンサ１０は、焼付け層の表面にめっき層として、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層が形成される。Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層は、たとえばバレルめっき法により、順次形成される。
【００８１】
次に、焼成前の積層体１２に対して金属層３０および保護層３２を形成する方法について説明する。
積層体１２の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ上に、積層体１２を周回するように金属層ペーストを塗布し、乾燥処理する。金属層ペーストの塗布方法は、金属層ペーストを、ローラーを用いて所定の場所に塗布するもしくはインクジェット法にて金属層ペーストの塗布を行う。
【００８２】
続いて、金属層ペーストを乾燥処理させた積層体１２に、積層体１２の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ上に、積層体１２を周回し、さらに金属層ペーストの乾燥部分を覆うように、保護層となるペースト（保護層ペースト）を塗布し乾燥処理する。保護層ペーストの塗布方法は、保護層ペーストを、ローラーを用いて所定の場所に塗布するもしくはインクジェット法にて保護層ペーストの塗布を行う。
【００８３】
その後、金属層ペースト、保護層ペーストを塗布し、乾燥した積層体１２を焼成し、乾燥した金属層ペーストおよび保護層ペーストを焼結させ、積層体１２に金属層３０および保護層３２を形成する。焼成温度は、保護層３２の材料や内部電極用の導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。また、このとき、積層体１２に対して、バレル研磨などのより積層体１２の角部および稜線部に丸みをつけてもよい。
【００８４】
続いて、金属層３０および保護層３２を形成した積層体１２の両端面に外部電極２４を形成する。なお、外部電極２４の形成方法は、焼成後の積層体１２に対して金属層３０および保護層３２を形成する方法において、説明した外部電極２４の形成方法と同様であるので、その説明を省略する。
【００８５】
このようにして、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
【００８６】
なお、以上のように、本発明の実施の形態は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
【符号の説明】
【００８７】
１０、１１０  積層セラミックコンデンサ
１２  積層体
１２ａ  第１の主面
１２ｂ  第２の主面
１２ｃ  第１の側面
１２ｄ  第２の側面
１２ｅ  第１の端面
１２ｆ  第２の端面
１４  セラミック層
１５ａ  外層部
１５ｂ  内層部
１６  内部電極層
１６ａ  第１の内部電極層
１６ｂ  第２の内部電極層
１８ａ  第１の対向電極部
１８ｂ  第２の対向電極部
２０ａ  第１の引出電極部
２０ｂ  第２の引出電極部
２２ａ  側部（Ｗギャップ）
２２ｂ  側部（Ｌギャップ）
２４  外部電極
２４ａ  第１の外部電極
２４ｂ  第２の外部電極
２６  下地電極層
２６ａ  第１の下地電極層
２６ｂ  第２の下地電極層
２８  めっき層
２８ａ  第１のめっき層
２８ｂ  第２のめっき層
３０  金属層
３２、１３２  保護層
ｘ  高さ方向
ｙ  幅方向
ｚ  長さ方向
【図１】
2020188081.tif 000003
【図２】
2020188081.tif 000004
【図３】
2020188081.tif 000005
【図４】
2020188081.tif 000006
【図５】
2020188081.tif 000007
【図６】
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【図７】
2020188081.tif 000009
【図８】
2020188081.tif 000010
【図９】
2020188081.tif 000011
【図１０】
2020188081.tif 000012
【図１１】
2020188081.tif 000013