(57)【要約】【課題】導体層に均一な無電解めっき層を形成可能でありながら、強度の低下を抑制できる配線回路基板、および、製造効率のよい配線回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】配線回路基板１に、金属支持層２と、金属支持層２の厚み方向の一方側に配置されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の厚み方向の一方側に配置され、第１端子１５と、第１端子１５と電気的に接続されるグランドリード残余部分１８とを備える導体層４とを備える。ベース絶縁層３に、厚み方向に貫通する貫通穴３０Ａを備える。グランドリード残余部分１８に、貫通穴３０Ａを囲むように連続する開口１８Ｃを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持層と、
前記金属支持層の厚み方向の一方側に配置される絶縁層と、
前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置され、端子部と、前記端子部と電気的に接続されるグランドリード残余部分とを備える導体層と、を備え、
前記絶縁層は、前記厚み方向に貫通する貫通穴を有し、
前記グランドリード残余部分は、前記貫通穴を囲むように連続する開口を有することを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記開口は、前記貫通穴と連通することを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記グランドリード残余部分は、
前記開口内に配置され、前記貫通穴に充填されるビア部と、
前記開口を画定し、前記ビア部に対して間隔を空けて位置する周縁部と、を備えることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項４】
金属支持層を準備する工程と、
前記金属支持層の厚み方向の一方側に、前記厚み方向に貫通する貫通穴を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置される端子部と、前記端子部と前記金属支持層とを電気的に接続するグランドリードとを備える導体層を形成する工程と、
前記導体層を無電解めっきする工程と、
前記端子部と前記金属支持層とが絶縁されるように、前記グランドリードの一部を除去して、グランドリード残余部分を形成する工程と、を含み、
前記グランドリード残余部分は、前記貫通穴を囲むように連続する開口を有することを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記グランドリードの一部を除去する工程において、前記開口を前記貫通穴と連通させることを特徴とする、請求項４に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記グランドリードの一部を除去する工程において、前記開口内に配置され、前記貫通穴に充填されるビア部と、前記開口を画定し、前記ビア部に対して間隔を空けて位置する周縁部とを形成することを特徴とする、請求項４に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層を形成する工程後、かつ、前記導体層を形成する工程前において、前記絶縁層の前記厚み方向の一方面、および、前記絶縁層から露出する金属支持層の前記厚み方向の一方面に、種膜を形成する工程と、
前記導体層を形成する工程後、かつ、前記無電解めっきする工程前において、前記導体層から露出する種膜を除去する工程と、
前記グランドリードの一部を除去する工程後、前記グランドリードの除去により露出した種膜を除去する工程と、をさらに含むことを特徴とする、請求項４〜６のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、金属支持基板と、金属支持基板上に配置されるベース絶縁層と、ベース絶縁層上に配置される導体層とを備え、導体層が、２つの端子を電気的に接続する配線回路パターンと、端子と金属支持基板とを電気的に接続するグランドパターンとを含む、配線回路基板が知られている。
【０００３】
このような配線回路基板において、導体層の表面に無電解めっき層を形成する場合がある。しかし、配線回路パターンにおける無電解めっきの析出速度と、グランドパターンにおける無電解めっきの析出速度とは、それらパターンと金属支持基板との電気的な接続の有無に起因して異なり、導体層において均一な無電解めっき層を形成することが困難である。
【０００４】
そこで、配線回路基板の製造において、配線回路パターンを金属支持基板と電気的に接続した状態で、導体層を無電解めっきし、その後、配線回路パターンと金属支持基板との電気的な接続を切断することが検討される。
【０００５】
例えば、金属支持基板上に第２開口部を有するベース絶縁層を形成した後、ベース絶縁層および第２開口部において露出する金属支持基板上に金属薄膜を形成し、続いて、金属薄膜上に配線回路パターンを形成して、配線回路パターンを無電解めっきした後、金属支持基板に第２開口部を囲む第１開口部を形成して、配線回路パターンと金属支持基板との電気的な接続を切断する、回路付サスペンション基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１００４８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に記載の回路付サスペンション基板の製造方法では、金属支持基板に第１開口部を形成して、配線回路パターンと金属支持基板との電気的な接続を切断するので、回路付サスペンション基板の強度が低下するという不具合がある。
【０００８】
本発明は、導体層に均一な無電解めっき層を形成可能でありながら、強度の低下を抑制できる配線回路基板、および、製造効率のよい配線回路基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明［１］は、金属支持層と、前記金属支持層の厚み方向の一方側に配置される絶縁層と、前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置され、端子部と、前記端子部と電気的に接続されるグランドリード残余部分とを備える導体層と、を備え、前記絶縁層は、前記厚み方向に貫通する貫通穴を有し、前記グランドリード残余部分は、前記貫通穴を囲むように連続する開口を有する、配線回路基板を含む。
【００１０】
しかるに、グランドリード残余部分は、配線回路基板の製造において、端子部と金属支持層とを電気的に接続するグランドリードの一部が除去されて形成される。そのため、グランドリードが除去される前において、端子部と金属支持層とが電気的に接続されているので、導体層に無電解めっき層を均一に形成可能である。
【００１１】
また、上記の構成によれば、グランドリード残余部分は、絶縁層の貫通穴を囲むように連続する開口を有する。そのため、金属支持層に開口を形成することなく、グランドリード残余部分と金属支持層とを絶縁でき、配線回路基板の強度が低下することを抑制できる。
【００１２】
本発明［２］は、前記開口は、前記貫通穴と連通する、上記［１］に記載の配線回路基板を含む。
【００１３】
このような構成によれば、グランドリード残余部分の開口が、絶縁層の貫通穴と連通するので、グランドリード残余部分と金属支持層とを確実に絶縁できる。
【００１４】
本発明［３］は、前記グランドリード残余部分は、前記開口内に配置され、前記貫通穴に充填されるビア部と、前記開口を画定し、前記ビア部に対して間隔を空けて位置する周縁部と、を備える、上記［１］に記載の配線回路基板を含む。
【００１５】
このような構成によれば、グランドリード残余部分の周縁部が、貫通穴に充填されるビア部に対して、間隔を空けて位置するので、グランドリード残余部分と金属支持層とを確実に絶縁できる。
【００１６】
本発明［４］は、金属支持層を準備する工程と、前記金属支持層の厚み方向の一方側に、前記厚み方向に貫通する貫通穴を有する絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置される端子部と、前記端子部と前記金属支持層とを電気的に接続するグランドリードとを備える導体層を形成する工程と、前記導体層を無電解めっきする工程と、前記端子部と前記金属支持層とが絶縁されるように、前記グランドリードの一部を除去して、グランドリード残余部分を形成する工程と、を含み、前記グランドリード残余部分は、前記貫通穴を囲むように連続する開口を有する、配線回路基板の製造方法を含む。
【００１７】
このような方法によれば、貫通穴を有する絶縁層を形成した後、端子部と、端子部と金属支持層とを電気的に接続するグランドリードとを備える導体層を形成し、次いで、導体層を無電解めっきした後、端子部と金属支持層とが絶縁されるように、グランドリードの一部を除去して、グランドリード残余部分を形成する。
【００１８】
つまり、導体層を無電解めっきするときに、グランドリードが端子部および金属支持層を電気的に接続しているので、導体層に均一な無電解めっき層を形成することができる。
【００１９】
また、グランドリードの一部を除去して形成されるグランドリード残余部分が、貫通穴を囲むように連続する開口を有するので、金属支持層に開口を形成することなく、グランドリード残余部分と金属支持層とを絶縁できる。そのため、配線回路基板の強度が低下することを抑制できる。
【００２０】
本発明［５］は、前記グランドリードの一部を除去する工程において、前記開口を前記貫通穴と連通させる、上記［４］に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００２１】
このような方法によれば、グランドリード残余部分の開口を貫通穴と連通させるので、グランドリード残余部分と金属支持層とを確実に絶縁できる。
【００２２】
本発明［６］は、前記グランドリードの一部を除去する工程において、前記開口内に配置され、前記貫通穴に充填されるビア部と、前記開口を画定し、前記ビア部に対して間隔を空けて位置する周縁部とを形成する、上記［４］に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００２３】
このような方法によれば、グランドリード残余部分の周縁部を、貫通穴に充填されるビア部に対して間隔を空けて形成するので、グランドリード残余部分と金属支持層とを確実に絶縁できる。
【００２４】
本発明［７］は、前記絶縁層を形成する工程後、かつ、前記導体層を形成する工程前において、前記絶縁層の前記厚み方向の一方面、および、前記絶縁層から露出する金属支持層の前記厚み方向の一方面に、種膜を形成する工程と、前記導体層を形成する工程後、かつ、前記無電解めっきする工程前において、前記導体層から露出する種膜を除去する工程と、前記グランドリードの一部を除去する工程後、前記グランドリードの除去により露出した種膜を除去する工程と、をさらに含む、上記［４］〜［６］のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００２５】
このような方法によれば、絶縁層上および絶縁層から露出する金属支持層上に種膜を形成した後、種膜上に導体層を形成し、続いて導体層を無電解めっきした後、グランドリードの一部を除去してグランドリード残余部分を形成し、その後、グランドリードの除去により露出した種膜を除去する。
【００２６】
しかるに、グランドリードの除去により露出した種膜が残存すると、グランドリード残余部分と金属支持層とが、種膜を介して電気的に接続されるおそれがある。一方、上記の方法によれば、グランドリードの除去により露出した種膜を除去するので、グランドリード残余部分と金属支持層とをより一層確実に絶縁することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の配線回路基板によれば、導体層に均一な無電解めっき層を形成可能でありながら、強度の低下を抑制できる。
【００２８】
また、本発明の配線回路基板の製造方法によれば、上記した配線回路基板を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板の第１実施形態の平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す配線回路基板のＡ−Ａ断面図を示す。
【図３】図３Ａ〜図３Ｅは、図２に示す配線回路基板の製造工程図であり、図３Ａは、金属支持層を準備する工程を示す。図３Ｂは、ベース絶縁層を形成する工程を示す。図３Ｃは、種膜を形成する工程を示す。図３Ｄは、導体層を形成する工程を示す。図３Ｅは、第１めっき層を形成する工程を示す。
【図４】図４Ｆ〜図４Ｊは、図３Ｅに続く配線回路基板の製造工程図であり、図４Ｆは、カバー絶縁層を形成する工程を示す。図４Ｇは、カバー絶縁層から露出する第１めっき層を除去する工程を示す。図４Ｈは、グランドリード残余部分を形成する工程を示す。図４Ｉは、グランドリード残余部分の形成により露出した種膜を除去する工程を示す。図４Ｊは、第２めっき層を形成する工程を示す。
【図５】図５は、図３Ｄに示すグランドリードを備える導体層の平面図である。
【図６】図６は、本発明の配線回路基板の第２実施形態の側断面図を示す。
【図７】図７は、図６に示す配線回路基板のＢ−Ｂ断面図を示す。
【図８】図８は、本発明の配線回路基板の第３実施形態の平面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
＜第１実施形態＞
１．配線回路基板
本発明の配線回路基板の第１実施形態としての配線回路基板１を、図１および図２を参照して説明する。
【００３１】
図１および図２に示すように、配線回路基板１は、厚みを有するシート形状を有する。配線回路基板１は、例えば、平面視矩形状を有する。配線回路基板１として、例えば、金属支持層２を補強層として備える補強層付フレキシブルプリント配線板、金属支持層２をサスペンション（バネ）層として備える回路付サスペンション基板などが挙げられる。
【００３２】
具体的には、図２に示すように、配線回路基板１は、金属支持層２と、絶縁層の一例としてのベース絶縁層３と、種膜６と、導体層４と、第１めっき層７と、カバー絶縁層５と、第２めっき層８とを備える。
【００３３】
金属支持層２は、平板形状を有する。金属支持層２は、配線回路基板１と同一の外形形状を有する。金属支持層２の厚みは、特に制限されない。
【００３４】
金属支持層２の材料は、例えば、公知ないし慣用の金属系材料（具体的には、金属材料）から適宜選択して用いることができる。金属系材料として、具体的には、周期表で第１族〜第１６族に分類されている金属元素や、これらの金属元素を２種類以上含む合金などが挙げられる。なお、金属元素は、遷移金属、典型金属のいずれであってもよい。
【００３５】
金属元素として、より詳しくは、カルシウムなどの第２族金属元素、チタン、ジルコニウムなどの第４族金属元素、バナジウムなどの第５族金属元素、クロム、モリブデン、タングステンなどの第６族金属元素、マンガンなどの第７族金属元素、鉄などの第８族金属元素、コバルトなどの第９族金属元素、ニッケル、白金などの第１０族金属元素、銅、銀、金などの第１１族金属元素、亜鉛などの第１２族金属元素、アルミニウム、ガリウムなどの第１３族金属元素、ゲルマニウム、錫などの第１４族金属元素が挙げられる。
【００３６】
このような金属系材料は、単独使用または２種以上併用することができる。金属系材料のなかでは、好ましくは、２種以上の金属元素を含む合金が挙げられ、さらに好ましくは、導体層４と同時にエッチング可能な合金が挙げられ、とりわけ好ましくは、ステンレス、銅を含む合金が挙げられる。
【００３７】
ベース絶縁層３は、金属支持層２の厚み方向の一方側、具体的には、金属支持層２の厚み方向の一方面に配置される。ベース絶縁層３は、厚みを有しており、平坦な厚み方向一方面および他方面を有する。
【００３８】
図１に示すように、ベース絶縁層３は、第１端子配置部分３０と、第２端子配置部分３１と、配線配置部分３２とを備える。第１端子配置部分３０および第２端子配置部分３１は、配線配置部分３２を挟むように、互いに間隔を空けて位置する。第１端子配置部分３０は、配線配置部分３２と連続する。
【００３９】
第１端子配置部分３０は、複数の貫通穴３０Ａを有する。つまり、ベース絶縁層３は、複数の貫通穴３０Ａを有する。複数の貫通穴３０Ａは、第１端子配置部分３０の厚み方向と直交する方向において、互いに間隔を空けて位置する。より詳しくは、複数の貫通穴３０Ａは、後述する第１端子１５の幅方向において、互いに間隔を空けて位置する。貫通穴３０Ａは、第１端子配置部分３０を厚み方向に貫通する（図２参照）。貫通穴３０Ａは、平面視円形状を有する。
【００４０】
第２端子配置部分３１は、配線配置部分３２に対して第１端子配置部分３０の反対側に位置する。第２端子配置部分３１は、配線配置部分３２と連続する。第１端子配置部分３０および第２端子配置部分３１のそれぞれは、カバー絶縁層５に被覆されず、カバー絶縁層５から露出している。配線配置部分３２Ｃは、第１端子配置部分３０および第２端子配置部分３１の間に位置する。配線配置部分３２Ｃは、カバー絶縁層５に被覆されている。
【００４１】
ベース絶縁層３の材料として、例えば、ポリイミドなどの樹脂（絶縁性樹脂材料）などが挙げられる。ベース絶縁層３の厚みは、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００４２】
図２に示すように、種膜６は、ベース絶縁層３の厚み方向の一方面に配置される。種膜６は、導体層４に対応するパターンを有する。種膜６の材料として、例えば、銅、クロム、ニッケルなどの金属およびそれらの合金などが挙げられる。種膜６は、１層から形成されてもよく、２層以上から形成されてもよい。種膜６の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上、例えば、１μｍ以下、好ましくは、０．１μｍ以下である。
【００４３】
導体層４は、ベース絶縁層３の厚み方向の一方側、具体的には、種膜６の厚み方向の一方面に配置される。図１に示すように、導体層４は、グランドパターン１０と、複数の配線パターン１１とを含む。
【００４４】
グランドパターン１０は、グランド端子１２と、グランド配線１３とを備える。
【００４５】
グランド端子１２は、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方側に配置される。詳しくは、グランド端子１２は、種膜６を介して、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方面に配置される。グランド端子１２は、所定方向に延びる平面視矩形状（角ランド）を有する。
【００４６】
グランド配線１３は、グランド端子１２と金属支持層２とを電気的に接続する。グランド配線１３は、グランド端子１２から連続して、第１端子配置部分３０上から配線配置部分３２Ｃ上まで延びる。詳しくは、グランド配線１３は、種膜６を介して、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方面および配線配置部分３２の厚み方向の一方面にわたって配置される。グランド配線１３は、配線配置部分３２Ｃを厚み方向に貫通して金属支持層２に接地している。グランド配線１３の幅方向（長手方向と直交する方向）の寸法は、グランド端子１２の幅方向（長手方向と直交する方向）よりも小さい。
【００４７】
複数の配線パターン１１のそれぞれは、端子部の一例としての第１端子１５と、第２端子１６と、接続配線１７と、グランドリード残余部分１８とを備える。つまり、導体層４は、複数の第１端子１５と、複数のグランドリード残余部分１８とを備える。
【００４８】
第１端子１５は、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方側に配置される。詳しくは、第１端子１５は、種膜６を介して、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方面に配置される（図２参照）。第１端子１５は、所定方向に延びる平面視矩形状（角ランド）を有する。第１端子１５は、第１端子１５の長手方向において、貫通穴３０Ａとカバー絶縁層５との間に位置する。複数の第１端子１５とグランド端子１２とは、第１端子１５の幅方向（長手方向と直交する方向）に、互いに間隔を空けて配置される。
【００４９】
第２端子１６は、第２端子配置部分３１の厚み方向の一方側に配置される。詳しくは、第２端子１６は、種膜６を介して、第２端子配置部分３１の厚み方向の一方面に配置される。第２端子１６は、所定方向に延びる平面視矩形状（角ランド）を有する。複数の第２端子１６は、第２端子１６の幅方向（長手方向と直交する方向）に、互いに間隔を空けて配置されている。
【００５０】
接続配線１７は、第１端子１５と第２端子１６とを電気的に接続する。接続配線１７は、第１端子１５から連続して第１端子配置部分３０上を延びた後、配線配置部分３２Ｃ上を通過して、第２端子配置部分３１上において第２端子１６に接続される。詳しくは、接続配線１７は、種膜６を介して、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方面、配線配置部分３２の厚み方向の一方面および第２端子配置部分３１の厚み方向の一方面にわたって配置される。接続配線１７の幅方向（長手方向と直交する方向）の寸法は、第１端子１５の幅方向（長手方向と直交する方向）よりも小さい。
【００５１】
グランドリード残余部分１８は、後述する配線回路基板１の製造方法において、グランドリード１９の一部が除去されたグランドリード１９の残部である（図５参照）。グランドリード残余部分１８は、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方側に配置される（図２参照）。詳しくは、グランドリード残余部分１８は、種膜６を介して、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方面に配置される。グランドリード残余部分１８は、第１端子１５と電気的に接続される。
【００５２】
グランドリード残余部分１８は、第１残余部分１８Ａと、第２残余部分１８Ｂとを備える。第１残余部分１８Ａは、第１端子１５と第２残余部分１８Ｂとを接続する。第１残余部分１８Ａは、第１端子１５から連続して接続配線１７の反対側に延びる。第２残余部分１８Ｂは、第１残余部分１８Ａに対して、第１端子１５の反対側に位置する。第２残余部分１８Ｂは、開口１８Ｃを有し、平面視円環形状を有する。つまり、グランドリード残余部分１８は、開口１８Ｃを有する。
【００５３】
開口１８Ｃは、厚み方向から見て、貫通穴３０Ａを囲むように連続している。開口１８Ｃは、貫通穴３０Ａと厚み方向に連通する（図２参照）。開口１８Ｃは、平面視円形状を有する。開口１８Ｃの内径は、貫通穴３０Ａの内径よりも大きい。開口１８Ｃの中心と貫通穴３０Ａの中心とは、互いに一致する。つまり、開口１８Ｃと貫通穴３０Ａとは、厚み方向から見て同心円状を有する。
【００５４】
このような導体層４の厚みは、例えば、１μｍ以上、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００５５】
なお、本実施形態では、導体層４は、１層から構成されるが、導体層４を複数の層から構成することもできる。例えば、第１端子１５を複数層から構成し、グランドリード残余部分１８を１つの層から構成することもできる。
【００５６】
このような導体層４の材料として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロムなどの金属元素、および、それら金属元素を２種以上含む合金などの金属が挙げられ、好ましくは、銅、銅合金などの銅を含む金属が挙げられる。
【００５７】
図２に示すように、第１めっき層７は、導体層４とカバー絶縁層５との密着性を向上させる。第１めっき層７は、無電解めっき層であって、導体層４とカバー絶縁層５との間に位置する。具体的には、第１めっき層７は、配線配置部分３２上に位置するグランド配線１３および接続配線１７の表面を被覆するように設けられる。第１めっき層７の材料として、例えば、ニッケル、錫、銀、パラジウムなどの金属元素、および、それら金属元素を２種以上含む合金などの金属が挙げられ、好ましくは、ニッケルが挙げられる。第１めっき層７は、１層から形成されてもよく、２層以上から形成されてもよい。第１めっき層７の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上、好ましくは、０．０２μｍ以上、例えば、１μｍ以下、好ましくは、０．５μｍ以下である。
【００５８】
カバー絶縁層５は、グランド配線１３および接続配線１７を被覆するように、配線配置部分３２の厚み方向一方面に配置される。また、カバー絶縁層５は、グランド端子１２と、複数の第１端子１５と、複数のグランドリード残余部分１８と、複数の第２端子１６とを露出させている（図１参照）。カバー絶縁層５の材料として、例えば、ベース絶縁層３の材料と同様のものが挙げられる。カバー絶縁層５の厚みは、特に限定されず、例えば、１μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００５９】
第２めっき層８は、無電解めっき層であって、カバー絶縁層５から露出する導体層４（具体的には、グランド端子１２、複数の第１端子１５、複数のグランドリード残余部分１８および複数の第２端子１６）の表面と、金属支持層２の表面とを被覆するように設けられる。第２めっき層８の材料は、例えば、ニッケル、金などの金属元素、および、それら金属元素を含む合金などが挙げられる。第２めっき層８は、１層から形成されてもよく、２層以上から形成されてもよい。例えば、第２めっき層８は、ニッケルを含む第１層と、金を含む第２層とが積層されて形成されてもよい。第２めっき層８の厚みは、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２５μｍ以上、例えば、５μｍ以下、好ましくは、２．５μｍ以下である。
【００６０】
２．配線回路基板の製造方法
次に、配線回路基板１の製造方法について、図３Ａ〜図５を参照して説明する。
【００６１】
配線回路基板１の製造方法は、金属支持層２を準備する工程（図３Ａ参照）と、ベース絶縁層３を形成する工程（図３Ｂ参照）と、種膜６を形成する工程（図３Ｃ参照）と、導体層４Ａを形成する工程（図３Ｄ参照）と、導体層４Ａから露出する種膜６を除去する工程（図３Ｅ参照）と、第１めっき層７を形成する工程（図３Ｅ参照）と、カバー絶縁層５を形成する工程（図４Ｆ参照）と、カバー絶縁層５から露出する第１めっき層７を除去する工程（図４Ｇ参照）と、グランドリード残余部分１８を形成する工程（図４Ｈ参照）と、グランドリード残余部分１８の形成により露出した種膜６を除去する工程（図４Ｉ参照）と、第２めっき層８を形成する工程（図４Ｊ参照）と、を含む。
【００６２】
図３Ａに示すように、まず、金属支持層２を準備する。
【００６３】
次いで、図３Ｂに示すように、金属支持層２の厚み方向の一方側に、貫通穴３０Ａを有するベース絶縁層３を形成する。具体的には、上記した樹脂を含むワニスを、金属支持層２の厚み方向の一方面に塗布して乾燥させて、ベース皮膜を形成する。その後、ベース皮膜を、図示しないフォトマスクを介して露光および現像し、必要により加熱硬化させて、ベース絶縁層３を上記したパターンに形成する。
【００６４】
次いで、図３Ｃに示すように、ベース絶縁層３の厚み方向の一方面、および、ベース絶縁層３から露出する金属支持層２の厚み方向の一方面に、種膜６を形成する。種膜６の形成方法として、例えば、スパッタリング、電解めっきまたは無電解めっきなどが挙げられ、好ましくは、スパッタリングが挙げられる。
【００６５】
次いで、図３Ｄに示すように、種膜６の厚み方向の一方面に、導体層４Ａを形成する。図５に示すように、導体層４Ａは、複数のグランドリード残余部分１８に代えて複数のグランドリード１９を備えること以外は、導体層４と同様の構成を有する。なお、以下では、グランドリード１９を備える導体層４Ａを、プレ導体層４Ａとして、グランドリード残余部分１８を備える導体層４と区別する。
【００６６】
グランドリード１９は、第１端子１５と、貫通穴３０Ａから露出する金属支持層２の部分とを電気的に接続する。グランドリード１９は、第１部分１９Ａと、第２部分１９Ｂとを備える。
【００６７】
第１部分１９Ａは、第１端子配置部分３０の厚み方向の一方側に位置し、詳しくは、種膜６を介して第１端子配置部分３０の厚み方向の一方面に配置される（図３Ｄ参照）。第１部分１９Ａは、第１端子１５と連続する。第２部分１９Ｂは、第１部分１９Ａと金属支持層２とを、貫通穴３０Ａを介して電気的に接続する。第２部分１９Ｂは、第１部分１９Ａと連続し、貫通穴３０Ａ内において金属支持層２の厚み方向の一方側に位置する。詳しくは、第２部分１９Ｂは、貫通穴３０Ａに充填され、種膜６を介して、金属支持層２の厚み方向の一方面と接触する（図３Ｅ参照）。
【００６８】
このようなプレ導体層４Ａを形成するには、図示しないが、プレ導体層４Ａの逆パターンを有するレジストを種膜６上に配置して、例えば、電解めっき（好ましくは、電解銅めっき）する。その後、レジストを除去する。
【００６９】
以上によって、第１端子１５と、グランドリード１９とを備えるプレ導体層４Ａが形成される。
【００７０】
次いで、図３Ｅに示すように、プレ導体層４Ａから露出する種膜６を、公知のエッチング（例えば、ウェットエッチングなど）により除去する。種膜６のエッチング液として、例えば、苛性ソーダ水溶液、過マンガン酸カリウム溶液、メタケイ酸ナトリウム溶液などが挙げられる。
【００７１】
次いで、上記した第１めっき層７の材料の金属イオン（例えば、ニッケルイオン）を含む第１無電解めっき液を用いて、プレ導体層４Ａを無電解めっきする。
【００７２】
これによって、露出するプレ導体層４Ａ（グランド端子１２、グランド配線１３、第１端子１５、第２端子１６、接続配線１７およびグランドリード１９）を被覆するように、第１めっき層７が形成される。
【００７３】
次いで、図４Ｆに示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の厚み方向の一方側、具体的には、配線配置部分３２の厚み方向の一方面に、グランド配線１３および接続配線１７を被覆するように形成する。なお、カバー絶縁層５は、上記したパターンに形成される。
【００７４】
具体的には、上記した樹脂を含むワニスを、ベース絶縁層３の厚み方向の一方面に塗布して乾燥させて、カバー皮膜を形成する。その後、カバー皮膜を、図示しないフォトマスクを介して露光および現像し、必要により加熱硬化させて、カバー絶縁層５を上記したパターンに形成する。
【００７５】
次いで、図４Ｇに示すように、カバー絶縁層５から露出する第１めっき層７を、公知のエッチング（例えば、ウェットエッチングなど）により除去する。第１めっき層７のエッチング液として、例えば、硫酸過水、硝酸過水などが挙げられる。
【００７６】
次いで、図４Ｈに示すように、第１端子１５と金属支持層２とが絶縁されるように、第２部分１９Ｂの中央部分をエッチングにより除去する。具体的には、上記した開口１８Ｃが形成されるように、第２部分１９Ｂの中央部分をウェットエッチングにより除去する。そのようなエッチング液として、例えば、塩化第二鉄溶液などが挙げられる。
【００７７】
これによって、開口１８Ｃを有するグランドリード残余部分１８が形成される。開口１８Ｃは、貫通穴３０Ａを囲むように連続して形成され、貫通穴３０Ａと連通する。また、開口１８Ｃは、開口１８Ｃ内に位置する種膜６を露出させる。
【００７８】
また、このとき、グランドリード１９のエッチングと同時に、金属支持層２の一部をエッチングすることができる。なお、金属支持層２のエッチングは、グランドリード１９のエッチングと別に実施してもよい。
【００７９】
次いで、図４Ｉに示すように、グランドリード１９の除去により露出した種膜６を除去する。具体的には、開口１８Ｃ内に位置する種膜６を、公知のエッチング（例えば、ウェットエッチングなど）により除去する。これによって、開口１８Ｃは、貫通穴３０Ａを介して、金属支持層２の一部を露出させる。
【００８０】
次いで、図４Ｊに示すように、上記した第２めっき層８の材料の金属イオンを含む第２無電解めっき液を用いて、カバー絶縁層５から露出する導体層４（具体的には、グランド端子１２、第１端子１５、グランドリード残余部分１８および第２端子１６）と、金属支持層２とを無電解めっきする。なお、第２めっき層８が複数層から形成される場合、無電解めっきを繰り返す。例えば、第１の金属イオン（例えば、ニッケルイオン）含む第２無電解めっき液を用いて無電解めっきした後、第２の金属イオン（例えば、金イオン）含む第２無電解めっき液を用いて無電解めっきする。
【００８１】
これによって、露出する導体層４（具体的には、グランド端子１２、第１端子１５、グランドリード残余部分１８および第２端子１６）と、金属支持層２とを被覆するように、第２めっき層８が形成される。
【００８２】
以上によって、配線回路基板１が製造される。
【００８３】
このような配線回路基板１の用途は、特に限定されず、各種分野に用いられる。配線回路基板１は、例えば、電子機器用配線回路基板（電子部品用配線回路基板）、電気機器用配線回路基板（電気部品用配線回路基板）などの各種用途で用いられる。電子機器用配線回路基板および電気機器用配線回路基板として、例えば、位置情報センサー、障害物検知センサー、温度センサーなどのセンサーで用いられるセンサー用配線回路基板、例えば、自動車、電車、航空機、工作車両などの輸送車両で用いられる輸送車両用配線回路基板、例えば、フラットパネルディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、投影型映像機器などの映像機器で用いられる映像機器用配線回路基板、例えば、ネットワーク機器、大型通信機器などの通信中継機器で用いられる通信中継機器用配線回路基板、例えば、コンピュータ、タブレット、スマートフォン、家庭用ゲームなどの情報処理端末で用いられる情報処理端末用配線回路基板、例えば、ドローン、ロボットなどの可動型機器で用いられる可動型機器用配線回路基板、例えば、ウェアラブル型医療用装置、医療診断用装置などの医療機器で用いられる医療機器用配線回路基板、例えば、冷蔵庫、洗濯機、掃除機、空調機器などの電気機器で用いられる電気機器用配線回路基板、例えば、デジタルカメラ、ＤＶＤ録画装置などの録画電子機器で用いられる録画電子機器用配線回路基板などが挙げられる。
【００８４】
図１に示すように、グランドリード残余部分１８は、配線回路基板１の製造において、第１端子１５と金属支持層２とを電気的に接続するグランドリード１９の一部が除去されて形成される（図４Ｇ参照）。そのため、グランドリード１９が除去される前において、第１端子１５と金属支持層２とが電気的に接続されているので、導体層４に第１めっき層７を均一に形成可能である。
【００８５】
また、グランドリード残余部分１８は、ベース絶縁層３の貫通穴３０Ａを囲むように連続する開口１８Ｃを有する。そのため、金属支持層２に開口を形成することなく、グランドリード残余部分１８と金属支持層２とを絶縁でき、配線回路基板１の強度が低下することを抑制できる。
【００８６】
その結果、配線回路基板１の強度の低下を考慮せずに、グランドリード残余部分１８を配置できるので、グランドリード残余部分１８の配置の自由度の向上を図ることができる。
【００８７】
また、図２に示すように、グランドリード残余部分１８の開口１８Ｃは、ベース絶縁層３の貫通穴３０Ａと連通する。そのため、グランドリード残余部分１８と金属支持層２とを確実に絶縁できる。
【００８８】
また、図３Ｂ〜図４Ｈに示すように、貫通穴３０Ａを有するベース絶縁層３を形成した後（図３Ｂ参照）、第１端子１５と、第１端子１５と金属支持層２とを電気的に接続するグランドリード１９とを備えるプレ導体層４Ａを形成し（図３Ｄ参照）、次いで、プレ導体層４Ａを無電解めっきした後（図３Ｅ参照）、第１端子１５と金属支持層２とが絶縁されるように、第２部分１９Ｂの中央部分を除去して、グランドリード残余部分１８を形成する（図４Ｈ参照）。
【００８９】
つまり、導体層４を無電解めっきするときに、グランドリード１９が第１端子１５および金属支持層２を電気的に接続しているので、プレ導体層４Ａに均一な無電解めっき層を形成することができる。
【００９０】
また、第２部分１９Ｂの中央部分を除去して形成されるグランドリード残余部分１８が、貫通穴３０Ａを囲むように連続する開口１８Ｃを有するので、金属支持層２に開口を形成することなく、グランドリード残余部分１８と金属支持層２とを絶縁できる。そのため、配線回路基板１の強度が低下することを抑制できる。
【００９１】
また、図４Ｈに示すように、グランドリード１９の除去により露出した種膜６を除去する。そのため、グランドリード残余部分１８と金属支持層２とをより確実に絶縁することができる。
【００９２】
＜第２実施形態＞
次に、図６を参照して、本発明の配線回路基板の第２実施形態について説明する。なお、第２実施形態では、上記した第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
【００９３】
上記した第１実施形態では、図２に示すように、開口１８Ｃが、貫通穴３０Ａと連通するが、グランドリード残余部分の構成は、これに限定されない。
【００９４】
第２実施形態では、図６および図７に示すように、グランドリード残余部分１８は、第１残余部分１８Ａおよび第２残余部分１８Ｂに加えて、ビア部の一例としての第３残余部分１８Ｄを備える。
【００９５】
第３残余部分１８Ｄは、開口１８Ｃ内に配置され、貫通穴３０Ａに充填される。そして、第３残余部分１８Ｄは、種膜６を介して、金属支持層２の厚み方向の一方面と接触する。第３残余部分１８Ｄは、厚み方向から見て円形状を有する。
【００９６】
この場合、第２残余部分１８Ｂは、周縁部の一例である。第２残余部分１８Ｂは、開口１８Ｃを画定し、第３残余部分１８Ｄを囲むように、第３残余部分１８Ｄに対して間隔を空けて位置する。開口１８Ｃの中心と第３残余部分１８Ｄの中心とは、互いに一致する。つまり、開口１８Ｃと第３残余部分１８Ｄとは、厚み方向から見て同心円状を有する。
【００９７】
第２実施形態の配線回路基板１を製造するには、第１実施形態と同様にして、プレ導体層４Ａを形成し（図３Ｄ参照）、プレ導体層４Ａを無電解めっきして第１めっき層７を形成した後（図３Ｅ参照）、カバー絶縁層５を形成し（図４Ｆ参照）、次いで、カバー絶縁層５から露出する第１めっき層７を除去し（図４Ｇ参照）、その後、図６に示すように、グランドリード１９の第２部分１９Ｂにおける径方向途中部分を周方向の全体にわたって除去して、第２残余部分１８Ｂと第３残余部分１８Ｄとを形成する。これによって、グランドリード残余部分１８が形成され、その後、図７に示すように、グランドリード２１の除去により露出した種膜６を除去し、次いで、露出する導体層４に第２めっき層８を形成する。
【００９８】
以上によって、第２実施形態の配線回路基板１が製造される。
【００９９】
このような第２実施形態によっても、上記した第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。一方、第２実施形態では、第２残余部分１８Ｂと第３残余部分１８Ｄとの間において、種膜６の一部が残存するおそれがある。そのため、第１端子１５と金属支持層２との絶縁性確保の観点から、第２実施形態よりも第１実施形態が好ましい。
【０１００】
＜第３実施形態＞
次に、図８を参照して、本発明の配線回路基板の第３実施形態について説明する。なお、第３実施形態では、上記した第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
【０１０１】
上記した第１実施形態では、図１に示すように、グランドリード残余部分１８が、第１端子１５に対して接続配線１７の反対側に配置されるが、グランドリード残余部分の配置は、これに限定されない。とりわけ、グランドリード残余部分は、配線回路基板１の強度の低下を考慮せずに自由に配置できるので、配線回路基板１の内側部分に配置することもできる。
【０１０２】
第３実施形態では、図８に示すように、グランドリード残余部分１８は、接続配線１７と一体に形成されている。この場合、グランドリード残余部分１８は、第１端子１５と第２端子１６との間において、接続配線１７の途中に設けられる。
【０１０３】
このような第３実施形態によっても、上記した第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０１０４】
＜変形例＞
上記した第１実施形態〜第３実施形態では、図３Ｅに示されるように、プレ導体層４Ａから露出する種膜６を除去した後、図４Ｇに示すように、グランドリードの除去により露出した種膜６を除去するが、プレ導体層の形成後に種膜を除去せず、グランドリードの除去後に、導体層から露出する種膜を一括して除去してもよい。
【０１０５】
また、上記した第１実施形態〜第３実施形態では、図４Ｆおよび図４Ｇに示されるように、カバー絶縁層５から露出する第１めっき層７が除去された後に、グランドリード１９の一部が除去されるが、第１めっき層の除去と、グランドリードの除去の順序は、これに限定されない。グランドリードの一部を除去した後、カバー絶縁層から露出する第１めっき層を除去してもよい。
【０１０６】
また、上記した第１実施形態〜第３実施形態では、図４Ｊに示すように、第２めっき層８が、無電解めっきにより形成されるが、第２めっき層の形成方法は、これに限定されない。例えば、第１めっき層の除去後、グランドリードの一部を除去する前に、グランドリードをめっきリードとして利用して、第２めっき層を電解めっきにより形成することもできる（図４Ｇ参照）。
【０１０７】
また、上記した第１実施形態〜第３実施形態では、種膜を形成した後、種膜上に導体層を形成するアディティブ法によって、導体層を形成しているが、導体層の形成方法は、これに限定されない。導体層を、サブトラクティブ法により形成することもできる。
【０１０８】
このような変形例によっても、上記した第１実施形態と同様の作用効果を奏することができます。また、第１実施形態〜第３実施形態および変形例は、適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１０９】
１      配線回路基板
２      金属支持層
３      ベース絶縁層
４      導体層
４Ａ    プレ導体層
６      種膜
１５    第１端子
１８    グランドリード残余部分
１８Ａ  第１残余部分
１８Ｂ  第２残余部分
１８Ｃ  開口
１８Ｄ  第３残余部分
１９    グランドリード
３０Ａ  貫通穴
【図１】
2020188188.tif 000003
【図２】
2020188188.tif 000004
【図３】
2020188188.tif 000005
【図４】
2020188188.tif 000006
【図５】
2020188188.tif 000007
【図６】
2020188188.tif 000008
【図７】
2020188188.tif 000009
【図８】
2020188188.tif 000010