(57)【要約】【課題】発光ダイオードチップの位置精度を向上させる。【解決手段】発光基板１０は、回路基板１１と、回路基板１１上に位置する発光ダイオードチップ５０と、回路基板１１と発光ダイオードチップ５０との間に位置する第１接合部材６１と、回路基板１１と発光ダイオードチップ５０との間に位置する第２接合部材６２と、を備え、第２接合部材６２は、第１接合部材６１を溶融させない第１のエネルギが付与されることで硬化し、硬化した状態において第１接合部材６１を溶融させる第２のエネルギが付与されたときに硬化した状態を維持する特性を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
前記回路基板上に位置する発光ダイオードチップと、
前記回路基板と前記発光ダイオードチップとの間に位置する第１接合部材と、
前記回路基板と前記発光ダイオードチップとの間に位置する第２接合部材と、を備え、
前記第２接合部材は、前記第１接合部材を溶融させない第１のエネルギが付与されることで硬化し、硬化した状態において前記第１接合部材を溶融させる第２のエネルギが付与されたときに前記硬化した状態を維持する特性を有する、発光基板。
【請求項２】
前記第１接合部材は、導電性を有する、請求項１に記載の発光基板。
【請求項３】
前記第１接合部材は、はんだである、請求項２に記載の発光基板。
【請求項４】
前記第２接合部材は、絶縁性を有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光基板。
【請求項５】
前記第２のエネルギは、熱エネルギである、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光基板。
【請求項６】
前記第１のエネルギは、前記第１接合部材を溶融させる熱エネルギよりも低温の熱エネルギである、請求項５に記載の発光基板。
【請求項７】
前記第２接合部材は、熱硬化性樹脂である、請求項６に記載の発光基板。
【請求項８】
前記熱硬化性樹脂は、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂およびシリコーン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種類の樹脂である、請求項７に記載の発光基板。
【請求項９】
前記第１のエネルギは、紫外線の光エネルギである、請求項５に記載の発光基板。
【請求項１０】
前記第２接合部材は、紫外線硬化性樹脂である、請求項９に記載の発光基板。
【請求項１１】
前記紫外線硬化性樹脂は、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリエステル樹脂およびアルキド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種類の樹脂である、請求項１０に記載の発光基板。
【請求項１２】
前記第２接合部材は、前記第１接合部材から独立して存在している、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の発光基板。
【請求項１３】
前記第２接合部材は、前記第１接合部材と混合されている、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の発光基板。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光基板を備える、表示装置。
【請求項１５】
回路基板と発光ダイオードチップとの間に第１接合部材および第２接合部材を位置させる工程と、
第１のエネルギを付与することで、前記第１接合部材を溶融させずに前記第２接合部材を硬化させ、硬化された前記第２接合部材によって前記発光ダイオードチップを前記回路基板に接合する工程と、
前記第２接合部材を硬化させた後に第２のエネルギを付与することで、前記第２接合部材を硬化させたまま前記第１接合部材を溶融させる工程と、を備える、発光基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第１接合部材を溶融させた後に前記第１接合部材を冷却して硬化させ、硬化された前記第１接合部材によって前記発光ダイオードチップを前記回路基板に接合する工程を更に備える、請求項１５に記載の発光基板の製造方法。
【請求項１７】
前記回路基板と前記発光ダイオードチップとの間に前記第１接合部材および前記第２接合部材を位置させる工程は、
突出部を備えた保持部材の前記突出部上に、粘着層を介して前記発光ダイオードチップを保持する工程と、
前記回路基板上および前記保持部材に保持された前記発光ダイオードチップの少なくとも一方に、前記第１接合部材および前記第２接合部材を位置させる工程と、
前記第１接合部材および前記第２接合部材を介して前記保持部材を前記発光ダイオードチップとともに前記回路基板に押圧する工程と、
前記発光ダイオードチップを前記保持部材から前記回路基板に転写する工程と、を有する、請求項１５又は１６に記載の発光基板の製造方法。
【請求項１８】
前記発光ダイオードチップを前記保持部材から前記回路基板に転写する工程および前記第２接合部材を硬化させる工程は、少なくとも部分的に並行して行う、請求項１７に記載の発光基板の製造方法。
【請求項１９】
前記発光ダイオードチップを前記保持部材から前記回路基板に転写する工程は、
前記第１のエネルギを付与することで、前記第２接合部材を硬化させながら前記粘着層の粘着性を低下させることを含む、請求項１８に記載の発光基板の製造方法。
【請求項２０】
前記発光ダイオードチップを前記保持部材から前記回路基板に転写する工程において、前記粘着層の粘着性を低下させて前記発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させる、請求項１９に記載の発光基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光基板、表示装置及び発光基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路を有する回路基板に複数のマイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを配置した発光基板を用いた表示装置、いわゆるマイクロＬＥＤディスプレイが開発されている。マイクロＬＥＤディスプレイは、液晶ディスプレイ等に比べて、輝度、消費電力、応答速度、信頼性等の面で優れており、次世代の軽量且つ薄型のディスプレイとして注目されている。
【０００３】
従来、マイクロＬＥＤディスプレイに用いられる発光基板を製造する際に、ウエハをダイシングして形成された複数のマイクロ発光ダイオードチップを、ピックアンドプレイス工程により、１つずつ回路基板に配置していた。このような発光基板の製造方法では、ピックアンドプレイス工程を数百万回以上繰り返すことになるため、回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置する工程に時間がかかり、それに伴って製造コストが上昇してしまう。すなわち、低い生産性でしか発光基板を製造することができない。
【０００４】
そこで、特許文献１のように、粘着スタンプによって、ウエハから回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置することが考えられた。特許文献１の粘着スタンプは、複数のマイクロ発光ダイオードチップを保持することができるため、１回のピックアンドプレイス工程で複数のマイクロ発光ダイオードチップを回路基板に配置することができる。したがって、回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置する工程に要する時間を短縮し、製造コストを削減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２０１７−５３１９１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置する手法として、リフロー方式のはんだ付けが知られている。リフロー方式のはんだ付けにおいては、回路基板上に、クリームはんだを塗布したうえでマイクロ発光ダイオードチップを載置し、マイクロ発光ダイオードチップが載置された回路基板をリフロー炉内で加熱してはんだを溶融させる。そして、溶融後にはんだを冷却して硬化させることで、マイクロ発光ダイオードチップを回路基板に電気的および機械的に接続する。
【０００７】
しかしながら、従来のリフロー方式のはんだ付けの場合、はんだの溶融時にマイクロ発光ダイオードチップが動いてしまうことで、マイクロ発光ダイオードチップの位置ずれが生じてしまう。この結果、マイクロ発光ダイオードチップの位置精度を確保することが困難となってしまう。
【０００８】
本発明は、以上の点を考慮してなされたものであり、発光ダイオードチップの位置精度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の発光基板は、
回路基板と、
前記回路基板上に位置する発光ダイオードチップと、
前記回路基板と前記発光ダイオードチップとの間に位置する第１接合部材と、
前記回路基板と前記発光ダイオードチップとの間に位置する第２接合部材と、を備え、
前記第２接合部材は、前記第１接合部材を溶融させない第１のエネルギが付与されることで硬化し、硬化した状態において前記第１接合部材を溶融させる第２のエネルギが付与されたときに前記硬化した状態を維持する特性を有する。
【００１０】
本発明の発光基板において、
前記第１接合部材は、導電性を有していてもよい。
【００１１】
本発明の発光基板において、
前記第１接合部材は、はんだであってもよい。
【００１２】
本発明の発光基板において、
前記第２接合部材は、絶縁性を有していてもよい。
【００１３】
本発明の発光基板において、
前記第２のエネルギは、熱エネルギであってもよい。
【００１４】
本発明の発光基板において、
前記第１のエネルギは、前記第１接合部材を溶融させる熱エネルギよりも低温の熱エネルギであってもよい。
【００１５】
本発明の発光基板において、
前記第２接合部材は、熱硬化性樹脂であってもよい。
【００１６】
本発明の発光基板において、
前記熱硬化性樹脂は、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂およびシリコーン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種類の樹脂であってもよい。
【００１７】
本発明の発光基板において、
前記第１のエネルギは、紫外線の光エネルギであってもよい。
【００１８】
本発明の発光基板において、
前記第２接合部材は、紫外線硬化性樹脂であってもよい。
【００１９】
本発明の発光基板において、
前記紫外線硬化性樹脂は、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリエステル樹脂およびアルキド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種類の樹脂であってもよい。
【００２０】
本発明の発光基板において、
前記第２接合部材は、前記第１接合部材から独立して存在していてもよい。
【００２１】
本発明の発光基板において、
前記第２接合部材は、前記第１接合部材と混合されていてもよい。
【００２２】
本発明の表示装置は、
上述した発光基板を備える。
【００２３】
本発明の発光基板の製造方法は、
回路基板と発光ダイオードチップとの間に第１接合部材および第２接合部材を位置させる工程と、
第１のエネルギを付与することで、前記第１接合部材を溶融させずに前記第２接合部材を硬化させ、硬化された前記第２接合部材によって前記発光ダイオードチップを前記回路基板に接合する工程と、
前記第２接合部材を硬化させた後に第２のエネルギを付与することで、前記第２接合部材を硬化させたまま前記第１接合部材を溶融させる工程と、を備える。
【００２４】
本発明の発光基板の製造方法は、
前記第１接合部材を溶融させた後に前記第１接合部材を冷却して硬化させ、硬化された前記第１接合部材によって前記発光ダイオードチップを前記回路基板に接合する工程を更に備えてもよい。
【００２５】
本発明の発光基板の製造方法において、
前記回路基板と前記発光ダイオードチップとの間に前記第１接合部材および前記第２接合部材を位置させる工程は、
突出部を備えた保持部材の前記突出部上に、粘着層を介して前記発光ダイオードチップを保持する工程と、
前記回路基板上および前記保持部材に保持された前記発光ダイオードチップの少なくとも一方に、前記第１接合部材および前記第２接合部材を位置させる工程と、
前記第１接合部材および前記第２接合部材を介して前記保持部材を前記発光ダイオードチップとともに前記回路基板に押圧する工程と、
前記発光ダイオードチップを前記保持部材から前記回路基板に転写する工程と、を有していてもよい。
【００２６】
本発明の発光基板の製造方法において、
前記発光ダイオードチップを前記保持部材から前記回路基板に転写する工程および前記第２接合部材を硬化させる工程は、少なくとも部分的並行して行ってもよい。
【００２７】
本発明の発光基板の製造方法において、
前記発光ダイオードチップを前記保持部材から前記回路基板に転写する工程は、
前記第１のエネルギを付与することで、前記第２接合部材を硬化させながら前記粘着層の粘着性を低下させることを含んでいてもよい。
【００２８】
本発明の発光基板の製造方法において、
前記発光ダイオードチップを前記保持部材から前記回路基板に転写する工程において、前記粘着層の粘着性を低下させて前記発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させてもよい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、発光ダイオードチップの位置精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、マイクロ発光ダイオードチップを有する発光基板を用いた表示装置を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、マイクロ発光ダイオードチップを有する発光基板の平面図である。
【図３】図３は、図２の発光基板の一部を拡大して示す図である。
【図４】図４は、マイクロ発光ダイオードチップを有する発光基板の縦断面図である。
【図５】図５は、転写部材の縦断面図である。
【図６】図６は、保持部材の縦断面図である。
【図７】図７は、保持部材の平面図である。
【図８】図８は、ダイシングされたマイクロ発光ダイオードチップを有するチップ基板を示す平面図である。
【図９】図９は、保持部材にマイクロ発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための図である。
【図１０】図１０は、図９に続く、保持部材にマイクロ発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための図である。
【図１１】図１１は、図１０の工程の平面図である。
【図１２】図１２は、図１０に続く、保持部材にマイクロ発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための図である。
【図１３】図１３は、図１２に続く、保持部材にマイクロ発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための図である。
【図１４】図１４は、図１３の工程の平面図である。
【図１５】図１５は、図１３に続く、保持部材にマイクロ発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための図である。
【図１６】図１６は、転写部材から回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを転写する工程を説明するための図である。
【図１７】図１７は、図１６に続く、転写部材から回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを転写する工程を説明するための図である。
【図１８】図１８は、図１７に続く、転写部材から回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを転写する工程を説明するための図である。
【図１９】図１９は、図１８に続く、転写部材から回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを転写する工程を説明するための図である。
【図２０】図２０は、リフロー工程を説明するための図である。
【図２１】図２１は、発光基板の製造方法の一変形例を説明するための図である。
【図２２】図２２は、発光基板の一変形例を示す縦断面図である。
【図２３】図２３は、発光基板の製造方法の一変形例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
【００３２】
また、「シート面（板面、フィルム面）」とは、対象となるシート状（板状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となるシート状部材（板状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。
【００３３】
さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件ならびにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
【００３４】
図１は、表示装置１を概略的に示す分解斜視図である。表示装置１は、表示面５に画像等を表示する。図１に示された例において、表示装置１は、発光基板１０と、発光基板１０に対向して配置された拡散層７と、を有している。拡散層７の発光基板１０に対向する側とは逆側の面が、表示装置１の表示面５となっている。表示装置１は、１つ又は複数の発光ダイオードから発光した光を１つの画素として用いている、いわゆるマイクロＬＥＤディスプレイである。図示された例において、発光基板１０で発光した光を拡散層７で拡散している。ただし、拡散層７は省略することができる。
【００３５】
発光基板１０は、表示面５に表示する画像を形成する光を発光する。図２は、発光基板１０の一部を示す平面図であり、図３は、図２の発光基板１０の一部を拡大して示す平面図であり、図４は、発光基板１０の一部を示す縦断面図である。図２に示すように、発光基板１０は、回路基板１１と、回路基板１１上に規則的に二次元配列された複数のマイクロ発光ダイオードチップ（単に「発光ダイオードチップ」とも呼ぶ）５０と、を有している。回路基板１１は、後述する転写部材２０からマイクロ発光ダイオードチップ５０を転写される工程において、マイクロ発光ダイオードチップ５０を有する転写部材２０と位置決めするための位置決め手段を有している。図２に示す例では、位置決め手段は、十字型の複数の位置決めマークＭ１である。ただし、十字型の位置決めマークＭ１は例示に過ぎず、例えば四角形、三角形、丸等の種々の位置決めマークＭ１を用いることができる。また、図３に示すように、回路基板１１は、回路１３を有している。図４に示すように、各マイクロ発光ダイオードチップ５０は、２つの電極５１を有している。マイクロ発光ダイオードチップ５０は、電極５１を介して、回路１３に電気的に接続している。回路１３に流れる電流を制御して２つの電極５１の間に電圧を印加することで、任意のマイクロ発光ダイオードチップ５０を発光させることができる。マイクロ発光ダイオードチップ５０の発光の組み合わせにより、表示装置１が表示する画像を形成することができる。
【００３６】
マイクロ発光ダイオードチップ５０から発光する光の波長は、マイクロ発光ダイオードチップ５０を構成する半導体材料等によって決定される。マイクロ発光ダイオードチップ５０は、例えばＧａＡｓ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体、ＧａＮ系化合物半導体等を含んでいる。平面視におけるマイクロ発光ダイオードチップ５０の寸法は、例えば１辺が３μｍ以上１０００μｍ以下の矩形形状とすることができ、より好ましくは３μｍ以上５００μｍ以下とすることができ、マイクロ発光ダイオードチップ５０の厚さは、例えば１０μｍ以上５００μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。
【００３７】
図示された例では、マイクロ発光ダイオードチップ５０は、波長域６２０ｎｍ〜６８０ｎｍの赤色の光を発光する第１発光ダイオードチップ５０Ｒと、波長域５３０ｎｍ〜５７０ｎｍの緑色の光を発光する第２発光ダイオードチップ５０Ｇと、波長域４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの青色の光を発光する第３発光ダイオードチップ５０Ｂと、を含んでいる。互いの近傍に配置された第１発光ダイオードチップ５０Ｒ、第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂが、表示装置１の１つの画素を形成している。このため、発光基板１０は、フルカラーで表示する画像を形成する光を発光することができる。
【００３８】
上述したように、発光基板１０は、回路基板１１と、回路基板１１上に位置するマイクロ発光ダイオードチップ５０とを備える。さらに、図４に示すように、発光基板１０は、回路基板１１とマイクロ発光ダイオードチップ５０との間に位置する接合部材６を備える。接合部材６は、マイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接合する部材である。図４に示される例において、接合部材６は、回路基板１１の回路１３とマイクロ発光ダイオードチップ５０の電極５１との間に位置し、回路１３と電極５１とを電気的および機械的に接続している。
【００３９】
本実施の形態において、接合部材６は、第１接合部材および第２接合部材を含んでいる。第２接合部材は、第１接合部材を溶融させない第１のエネルギが付与されることで硬化し、硬化した状態において第１接合部材を溶融させる第２のエネルギが付与されたときに硬化した状態を維持する特性を有している。
【００４０】
以下に説明する一例において、接合部材６は、第１接合部材の一例であるはんだ６１と、第２接合部材の一例である熱硬化性樹脂６２とが混合されて構成されている。第１接合部材と第２接合部材とが混合されて接合部材６が構成されていることについては、例えば、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による観察やＸ線回折装置による構造解析などによって確認することができる。第１接合部材の一例であるはんだ６１は、例えば鉛とスズを主成分とした合金、スズ・銀・銅系、スズ・ビスマス系で構成されており、このはんだ６１の導電性によって、マイクロ発光ダイオードチップ５０が回路１３に導通される。
【００４１】
接合部材６の一部を構成する熱硬化性樹脂６２は、第１のエネルギの一例であるはんだ６１を溶融させない温度の第１の熱エネルギが付与されることで硬化する特性を有する。また、熱硬化性樹脂６２は、硬化した状態において、第２のエネルギの一例であるはんだ６１を溶融させる温度の第２の熱エネルギが付与されたときに、硬化した状態を維持する特性を有する。
【００４２】
このような特性を有することで、熱硬化性樹脂６２は、はんだ６１の溶融前および溶融中においてマイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接合すなわち接着することができる。また、はんだ６１が冷却によって硬化した後は、はんだ６１とともにマイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接合することができる。なお、熱硬化性樹脂６２は絶縁性を有するため、熱硬化性樹脂６２によるマイクロ発光ダイオードチップ５０と回路基板１１との接合は、電気的な接続ではなく機械的な接続である。
【００４３】
熱硬化性樹脂６２としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂およびシリコーン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種類の樹脂を好適に用いることができる。
【００４４】
次に、以上の構成を有する発光基板１０の製造方法について説明する。
【００４５】
発光基板１０は、回路基板１１の回路１３が形成された位置にマイクロ発光ダイオードチップ５０を配置することで製造される。複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置された発光基板１０を高い生産性で製造するために、図５に示すような保持部材３０、及び保持部材３０を有する転写部材２０が用いられる。
【００４６】
発光基板１０の製造方法を説明するにあたり、まず、保持部材３０及び保持部材３０を有する転写部材２０の一実施の形態について、図５乃至図７を参照しつつ説明する。
【００４７】
図５は、転写部材２０の一部を示す縦断面図である。転写部材２０は、複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を一括で回路基板１１に転写することを可能にする部材である。１回の転写のみで回路基板１１の全体にマイクロ発光ダイオードチップ５０を配置することができるよう、転写部材２０の平面視における寸法は、回路基板１１の平面視における寸法以上であることが好ましい。
【００４８】
転写部材２０は、保持部材３０と、保持部材３０に保持された複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０と、を有している。複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０は、転写部材２０において、当該マイクロ発光ダイオードチップ５０が転写される回路基板１１のマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置される位置に対応した位置に保持されるよう、配置されている。言い換えると、複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０の転写部材２０における配列間隔および配列パターンは、当該複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０が回路基板１１上で配列されるべき配列間隔および配列パターンと同一となっている。また、図示された例では、マイクロ発光ダイオードチップ５０として、第１発光ダイオードチップ５０Ｒが、保持部材３０に保持されている。
【００４９】
保持部材３０は、複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持することができる部材である。図６は、本発明の保持部材３０の一部を示す縦断面図であり、図７は、保持部材３０の一部を示す平面図である。図６及び図７に示すように、保持部材３０は、基材３１と、基材３１の一方の面上に設けられた突出部３３と、各突出部３３の先端に設けられた粘着層３５と、を有している。
【００５０】
基材３１は、複数の突出部３３を適切に支持する部材である。基材３１は、後述する保持部材３０にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させる工程において、マイクロ発光ダイオードチップ５０を有するチップ基板４０と保持部材３０との位置決めするための位置決め手段を有している。図２に示す例では、位置決め手段は、十字型の位置決めマークＭ２である。ただし、十字型の位置決めマークＭ２は例示に過ぎず、例えば四角形、三角形、丸等の種々の位置決めマークＭ２を用いることができる。位置決めマークＭ２は、保持部材３０を一定の間隔で区画する領域ごとに基材３１の一方の面上に複数設けられている。また、位置決めマークＭ２の観察を容易にするために、基材３１は、透明であることが好ましい。
【００５１】
なお、透明とは、当該基材を介して当該基材の一方の側から他方の側を透視し得る程度の透明性を有していることを意味しており、例えば、３０％以上、より好ましくは７０％以上の可視光透過率を有していることを意味する。可視光透過率は、分光光度計（（株）島津製作所製「ＵＶ−３１００ＰＣ」、ＪＩＳ  Ｋ  ０１１５準拠品）を用いて測定波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内で測定したときの、各波長における透過率の平均値として特定される。
【００５２】
基材３１の平面視における面積は、後述する複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を有するチップ基板４０より大きくなっている。具体的には、基材３１の平面視における面積は、７０ｃｍ２以上となっていることが好ましい。また、転写部材２０の平面視における寸法が回路基板１１の平面視における寸法以上となるよう、基材３１の平面視における寸法は、回路基板１１の平面視における寸法以上であることが好ましい。
【００５３】
基材３１の厚さは、透明性や、突出部３３の適切な支持性等を考慮すると、０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下の厚みを有していることが好ましい。また、後述する発光基板１０の製造工程において基材３１の変形を防止するために、基材３１の剛性が高いことが好ましい。
また、基材３１は、熱によって変形しにくいことが好ましい。具体的には、基材３１の線膨張係数が１０×１０−５／Ｋ以下であることが好ましく、５×１０−５／Ｋ以下であることがより好ましい。このような基材３１の材料としては、例えばアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂、ガラスを挙げることができる。
【００５４】
突出部３３は、後述する粘着層３５を介して、マイクロ発光ダイオードチップ５０を保持する部分である。突出部３３は、基材３１上において保持部材３０がマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持する位置に設けられている。すなわち、突出部３３は、回路基板１１のマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置される位置に対応した位置に設けられている。図示された例では、突出部３３の平面視における寸法は、マイクロ発光ダイオードチップ５０の寸法に等しくなっている。
【００５５】
突出部３３は、基材３１の一方の面上に、規則的に二次元配列されている。突出部３３の規則的な二次元配列は、回路基板１１上に規則的に二次元配列される複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０に対応している。言い換えると、突出部３３の配列間隔および配列パターンは、回路基板１１上で配列されるべき複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０の配列間隔および配列パターンと同一となっている。突出部３３は、第１方向ｄ１にピッチｐ１ｘで配列されており、第１方向ｄ１に非平行な第２方向ｄ２にピッチｐ１ｙで配列されている。なお、図示された例において、第１方向ｄ１と第２方向ｄ２は、互いに直交している。ピッチｐ１ｘ、ｐ１ｙは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００５６】
突出部３３は、基材３１の板面の法線方向に突出している。突出部３３が基材３１から突出している長さＬは、マイクロ発光ダイオードチップ５０の厚さより大きいことが好ましく、例えば０．１μｍ以上１００μｍ以下である。また、突出部３３は、柔軟性を有している。具体的には、突出部３３のヤング率は、１０ＧＰａ以下であることが好ましく、５ＧＰａ以下であることがより好ましい。このような突出部３３は、例えばアクリル樹脂からなり、フォトリソグラフィ技術やインプリント技術を利用して、形成することができる。
【００５７】
粘着層３５は、突出部３３にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができるよう、突出部３３の先端に設けられている。粘着層３５は、粘着性を有している。粘着層３５の粘着性は、例えば加熱、冷却又は紫外線照射によって、低下させることができる。なお、本明細書において、粘着性とは、粘り着く性質のことであり、接着性と区別しない。粘着層３５の材料としては、例えばアクリル系粘着剤が用いられる。粘着層３５の厚さは、例えば０．１μｍ以上１００μｍ以下である。
【００５８】
次に、以上の保持部材３０および転写部材２０を用いた発光基板１０の製造方法において、保持部材３０にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させる工程について、図８乃至図１５を参照しつつ説明する。以下の説明では、一例として、保持部材３０に第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させる工程について説明する。
【００５９】
まず、図８に示すように、一方の面上にダイシングされた複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０（第１発光ダイオードチップ５０Ｒ）を有するチップ基板４０を用意する。チップ基板４０は、ダイシングされたウエハ自体であってもよいし、ダイシングされたウエハからマイクロ発光ダイオードチップ５０を仮転写した基板であってもよい。チップ基板４０は、チップ基材４１と、チップ基材４１上に配置された複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０と、を有している。また、チップ基板４０は、保持部材３０との位置決めするための位置決め手段を有している。図８に示す例では、位置決め手段は、十字型の複数の位置決めマークＭ３である。ただし、十字型の位置決めマークＭ３は例示に過ぎず、例えば四角形、三角形、丸等の種々の位置決めマークＭ３を用いることができる。
【００６０】
各マイクロ発光ダイオードチップ５０は、チップ基材４１の側に設けられた２つの電極５１を有している。また、マイクロ発光ダイオードチップ５０は、チップ基材４１上において、第１方向ｄ１にピッチｐ２ｘで配列されており、第１方向ｄ１に非平行な第２方向ｄ２にピッチｐ２ｙで配列されている。すなわち、マイクロ発光ダイオードチップ５０は、ウエハを第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２にダイシングすることで形成されている。なお、図示された例において、第１方向ｄ１と第２方向ｄ２は、互いに直交している。ピッチｐ２ｘ、ｐ２ｙは、例えば５μｍ以上２００μｍ以下である。
【００６１】
ここで、チップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ２ｘの整数倍が、保持部材３０の複数の突出部３３の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ１ｘとなっている。同様に、チップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０の第２方向ｄ２における配列のピッチｐ２ｙの整数倍が、保持部材３０の複数の突出部３３の第２方向ｄ２における配列のピッチｐ１ｙとなっている。突出部３３の配列間隔および配列パターンが回路基板１１上で配列される複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０の配列間隔および配列パターンと同一となっているため、チップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ２ｘの整数倍が、回路基板１１のあるマイクロ発光ダイオードチップ５０（第１発光ダイオードチップ５０Ｒ）の第１方向ｄ１における配列のピッチの整数倍となっており、第２方向ｄ２における配列のピッチｐ２ｙの整数倍が、回路基板１１のあるマイクロ発光ダイオードチップ５０（第１発光ダイオードチップ５０Ｒ）の第２方向ｄ２における配列のピッチの整数倍となっている。
【００６２】
次に、図９に示すように、チップ基板４０のチップ基材４１のマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置された側の面と、保持部材３０の基材３１の突出部３３が配列された面と、を対面させる。その後、チップ基板４０と保持部材３０との位置決めを行う。位置決めは、保持部材３０の基材３１が有する位置決め手段と、チップ基板４０が有する位置決め手段と、に基づいて行われる。具体的な例として、保持部材３０の第１領域Ｒ１において基材３１が有する位置決めマークＭ２と、チップ基板４０が有する位置決めマークＭ３とを一致させることで、位置決めが行われる。位置決めマークＭ２とＭ３とが一致していることは、例えば、保持部材３０の突出部３３が配列された面とは逆側に配置されたカメラ８０によって、確認することができる。基材３１が透明であるため、保持部材３０の突出部３３が配列された面とは逆側から、基材３１を介して、位置決めマークＭ２及びＭ３を確認することが可能である。
【００６３】
なお、チップ基板４０と保持部材３０との位置決めは、保持部材３０の基材３１が有する位置決め手段及びチップ基板４０が有する位置決め手段のいずれか一方のみによって行われてもよい。
【００６４】
次に、図１０に示すように、チップ基板４０と保持部材３０とを接近させて、チップ基板４０を保持部材３０に接触させる。チップ基板４０が保持部材３０に接触すると、チップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が、保持部材３０の第１領域Ｒ１内の複数の突出部３３の先端に設けられた粘着層３５に接触する。マイクロ発光ダイオードチップ５０が粘着層３５に粘着されることで、複数の突出部３３が粘着層３５を介してマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持する。すなわち、マイクロ発光ダイオードチップ５０が、チップ基板４０から保持部材３０の第１領域Ｒ１内の複数の突出部３３上に保持される。
【００６５】
ここで、突出部３３が柔軟性を有しているため、具体的には突出部３３のヤング率が１０ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下であるため、チップ基板４０が保持部材３０に接触すると、保持部材３０の突出部３３がチップ基板４０と突出部３３との接触面に垂直な方向に変形し得る。このため、チップ基板４０を突出部３３に接触させる接触圧力は、チップ基板４０と接触している各突出部３３に均一にかかる。言い換えると、突出部３３の一部が高い接触圧力でチップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０と接触することを回避することができる。突出部３３の一部が高い接触圧力でマイクロ発光ダイオードチップ５０と接触すると、当該突出部３３とマイクロ発光ダイオードチップ５０との粘着力が、他の突出部３３と他のマイクロ発光ダイオードチップ５０との粘着力と異なるようになり、製造される転写部材２０の取り扱いに不具合が生じたり、高い接触圧力によってマイクロ発光ダイオードチップ５０が破壊されたりし得る。このため、突出部３３の一部が高い接触圧力でマイクロ発光ダイオードチップ５０と接触することは、回避されていることが好ましい。
【００６６】
図１１は、図１０に示すチップ基板４０を保持部材３０の第１領域Ｒ１内の複数の突出部３３に接触させている状態を示す平面図である。チップ基板４０と保持部材３０とが位置決めされていること、及び突出部３３の平面視における寸法がマイクロ発光ダイオードチップ５０の寸法に等しくなっていることで、第１領域Ｒ１内の１つの突出部３３に対して１つのマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。さらに、図１１に示すように、保持部材３０の複数の突出部３３の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ１ｘがチップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ２ｘの整数倍（図示された例では５倍）であることから、第１方向ｄ１において第１領域Ｒ１内の全ての突出部３３に対して１つのマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。同様に、保持部材３０の複数の突出部３３の第２方向ｄ２における配列のピッチｐ１ｙがチップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０の第２方向ｄ２における配列のピッチｐ２ｙの整数倍（図示された例では２倍）であることから、第２方向ｄ２において第１領域Ｒ１内の全ての突出部３３に対してそれぞれ１つのマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。
【００６７】
その後、図１２に示すように、チップ基板４０と保持部材３０とを離間させた後、チップ基板４０に対して保持部材３０を相対移動させる。チップ基板４０に対して保持部材３０を相対移動させた後の位置は、基材３１が有する位置決め手段及びチップ基板４０が有する位置決め手段によって決定される。例えば、保持部材の第２領域Ｒ２において基材３１が有する位置決めマークＭ２とチップ基板４０が有する位置決めマークＭ３とを一致させることで、位置決めが行われる。なお、保持部材３０の第２領域Ｒ２は、第１領域Ｒ１とは異なる領域であり、図示された例では、第１方向ｄ１において第１領域Ｒ１に隣り合う領域である。
【００６８】
次に、図１３に示すように、チップ基板４０と保持部材３０とを接近させて、チップ基板４０を保持部材３０に接触させる。チップ基板４０保持部材３０に接触すると、チップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が、保持部材３０の第２領域Ｒ２内の複数の突出部３３の先端に設けられた粘着層３５に接触する。第２領域Ｒ２内の粘着層３５に接触するマイクロ発光ダイオードチップ５０は、第１領域Ｒ１内の粘着層３５に接触したマイクロ発光ダイオードチップ５０とは異なる。複数の突出部３３が粘着層３５を介して複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持する。すなわち、マイクロ発光ダイオードチップ５０が、チップ基板４０から保持部材３０の第２領域Ｒ２内の複数の突出部３３上に保持される。
【００６９】
図１４は、図１３に示すチップ基板４０を保持部材３０の第２領域Ｒ２内の複数の突出部３３に接触させている状態を示す平面図である。チップ基板４０と保持部材３０とが位置決めされていること、突出部３３の平面視における寸法がマイクロ発光ダイオードチップ５０の寸法に等しくなっていること、及び保持部材３０の突出部３３の配列のピッチｐ１ｘ、ｐ１ｙがチップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０の配列のピッチｐ２ｘ、ｐ２ｙの整数倍であることから、第２領域Ｒ２内の全ての突出部３３に対してそれぞれ１つのマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。
【００７０】
以上のように、チップ基板４０に対して保持部材３０を相対移動させる工程と、ある領域の突出部３３にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させる工程と、を繰り返すことで、保持部材３０の複数の領域の各突出部３３に粘着層３５を介してマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。図１５に示すように、チップ基板４０に対して保持部材３０を、第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２に相対移動させることで、保持部材３０の全領域に亘って突出部３３にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。以上の工程により、図５に示すような、保持部材３０と複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０とを有する転写部材２０が製造される。
【００７１】
上述した例では、マイクロ発光ダイオードチップ５０として、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持部材３０に保持させる方法について説明したが、第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂも、同様の工程によってそれぞれ別の保持部材３０に保持させることができる。
【００７２】
次に、発光基板１０の製造方法において、転写部材２０を用いて回路基板１１にマイクロ発光ダイオードチップ５０を配置する工程について、図１６乃至図２０を参照しつつ説明する。以下の説明では、一例として、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを回路基板１１に配置する方法について説明する。
【００７３】
まず、図１６に示すように、回路基板１１の回路１３上に、接合部材６を配置する。このとき、接合部材６の一部を構成するはんだ６１は、粉末状態であり、粘性を有するようにフラックスが加えられている。すなわち、図１６の状態において、接合部材６の一部を構成するはんだ６１は、はんだペーストすなわちクリームはんだの状態である。また、図１６の状態において、はんだ６１とともに接合部材６を構成する熱硬化性樹脂６２は、未硬化の状態である。回路１３上に接合部材６を配置する具体的な手法は特に限定されない。例えば、接合部材６の配置は、ポッティングによって行ってもよく、または、スキージによる塗布によって行ってもよい。
【００７４】
回路１３上に接合部材６を配置した後、図１６に示すように、回路基板１１の回路１３が形成された側の面と、転写部材２０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が保持された側の面と、を対面させる。その後、回路基板１１と転写部材２０との位置決めを行う。位置決めは、例えば回路基板１１が有する位置決め手段と、転写部材２０が有する位置決め手段と、に基づいて行われる。具体的な一例として、位置決めは、回路基板１１が有する位置決めマークＭ１と、転写部材２０の基材３１が有する位置決めマークＭ２とを一致させることで、行われる。位置決めマークＭ１，Ｍ２が一致していることは、転写部材２０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が保持された面とは逆側に配置されたカメラ９０によって、確認することができる。基材３１が透明であるため、転写部材２０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が保持された面とは逆側から、基材３１を介して、位置決めマークＭ１，Ｍ２を確認することができる。
【００７５】
なお、回路基板１１と転写部材２０との位置決めに用いられる基材３１が有する位置決めマークＭ２は、チップ基板４０と保持部材３０との位置決めに用いられた位置決めマークと同一であってもよいし、チップ基板４０と保持部材３０との位置決めに用いられた位置決めマークとは異なる位置決めマークであってもよい。
【００７６】
次に、図１７に示すように、転写部材２０を回路基板１１に押圧する。すなわち、接合部材６を介して保持部材３０をマイクロ発光ダイオードチップ５０とともに回路基板１１に押圧する。回路基板１１と転写部材２０とが位置決めされているため、回路基板１１の回路１３が設けられた位置にマイクロ発光ダイオードチップ５０を押圧することができる。これにより、接合部材６を介して回路基板１１の回路１３にマイクロ発光ダイオードチップ５０を適切に接続することができる。
【００７７】
ここで、突出部３３が柔軟性を有しているため、具体的には突出部３３のヤング率が１０ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下であるため、転写部材２０を回路基板１１に押圧すると、保持部材３０の突出部３３が回路基板１１と突出部３３との押圧面に垂直な方向に変形し得る。このため、転写部材２０を回路基板１１に押圧する圧力は、回路基板１１に押圧されている各突出部３３に均一にかかる。言い換えると、突出部３３の一部に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ５０が高い圧力で回路基板１１に押圧されることを回避することができる。突出部３３の一部に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ５０が高い圧力で回路基板１１に押圧されると、高い圧力によってマイクロ発光ダイオードチップ５０が破壊されたりし得る。このため、突出部３３の一部に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ５０が高い圧力で回路基板１１に押圧されることは、回避されていることが好ましい。
【００７８】
転写部材２０を回路基板１１に押圧させた後、図１８に示すように、接合部材６を加熱して接合部材６にはんだ６１が溶融しない温度の第１の熱エネルギＨ１を付与する。接合部材６の加熱は、図示しないヒータで行ってもよい。第１の熱エネルギＨ１が付与されることで、接合部材６の一部を構成する熱硬化性樹脂６２は硬化し、接合部材６の他の一部を構成するはんだ６１は溶融しない。熱硬化性樹脂６２が硬化することで、硬化された熱硬化性樹脂６２によってマイクロ発光ダイオードチップ５０が回路基板１１に接着される。
【００７９】
熱硬化性樹脂６２によってマイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接着することで、マイクロ発光ダイオードチップ５０の位置精度を確保することができる。
【００８０】
また、転写部材２０の基材３１が熱によって変形しにくいため、具体的には基材３１の線膨張率が１０×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは５×１０−５／Ｋ以下であるため、接合部材６が加熱される際に転写部材２０が加熱されたとしても、回路基板１１と転写部材２０との位置決めがずれにくい。すなわち、マイクロ発光ダイオードチップ５０の位置精度を更に効果的に確保することができる。
【００８１】
また、接合部材６に第１の熱エネルギＨ１を付与するとき、第１の熱エネルギＨ１は、粘着層３５にも付与される。第１の熱エネルギＨ１が付与されることで、粘着層３５の粘着性は低下する。これにより、粘着層３５による突出部３３とマイクロ発光ダイオードチップ５０との間の粘着力は、熱硬化性樹脂６２による回路基板１１とマイクロ発光ダイオードチップ５０との間の接着力よりも弱くなる。すなわち、図１８に示される例によれば、熱硬化性樹脂６２によってマイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接着する工程と、粘着層３５の粘着性を低下させる工程とを同時に実施することができる。これにより、製造工数を抑制して発光基板１０の製造効率を向上させることができる。
【００８２】
熱硬化性樹脂６２によってマイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接着した後、図１９に示すように、保持部材３０を回路基板１１から離間させて、保持部材３０を除去する。このとき、突出部３３とマイクロ発光ダイオードチップ５０との間の粘着力が回路基板１１とマイクロ発光ダイオードチップ５０との間の接着力よりも弱められているため、マイクロ発光ダイオードチップ５０を粘着層３５から容易に剥離させることができる。
【００８３】
保持部材３０を除去した後、図２０に示すように、リフロー炉内で接合部材６を加熱して接合部材６にはんだ６１が溶融する温度の第２の熱エネルギＨ２を付与する。第２の熱エネルギＨ２が付与されることで、接合部材６の一部を構成する熱硬化性樹脂６２は硬化した状態を維持し、接合部材６の他の一部を構成するはんだ６１は溶融する。このとき、熱硬化性樹脂６２による接着力によってマイクロ発光ダイオードチップ５０の位置精度が確保されているため、はんだ６１の溶融にともなうマイクロ発光ダイオードチップ５０の位置ずれを抑制することができる。
【００８４】
はんだ６１を溶融させた後、はんだ６１を冷却して硬化させることで、硬化されたはんだ６１によってマイクロ発光ダイオードチップ５０が回路基板１１に接合される。これにより、マイクロ発光ダイオードチップ５０の各電極５１を、回路基板１１の回路１３に電気的および機械的に接続することができる。
【００８５】
以上の工程によって、転写部材２０の保持部材３０が保持する複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０が、回路基板１１の回路１３に電気的に接続するようにして、転写部材２０の保持部材３０から回路基板１１に一括で転写、すなわちまとめて転写される。
【００８６】
上述した例では、マイクロ発光ダイオードチップ５０として、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを回路基板１１に一括で転写する方法について説明した。この工程と同様の工程を、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持する別の保持部材３０及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂを保持するさらに別の保持部材３０についても行うことで、回路基板１１に３種のマイクロ発光ダイオードチップ５０を配置された発光基板１０が製造される。すなわち、フルカラーで発光することができる発光基板１０を得ることができる。
【００８７】
なお、保持部材３０の突出部３３の突出している長さＬがマイクロ発光ダイオードチップ５０の厚さより大きくなっている。このため、転写部材２０を用いて、例えば第１発光ダイオードチップ５０Ｒを回路基板１１に一括で転写した後に第２発光ダイオードチップ５０Ｇを回路基板１１に転写する場合でも、第２発光ダイオードチップ５０Ｇの転写は、回路基板１１に転写されている第１発光ダイオードチップ５０Ｒによって阻害されにくい。
【００８８】
ここで、仮に、接合部材がはんだ６１のみで構成されている場合、図１８において、マイクロ発光ダイオードチップ５０は接合部材上に載置されているだけの状態となる。この場合、加熱によって粘着層３５の粘着性を低下させたとしても、突出部３３とマイクロ発光ダイオードチップ５０との間の粘着力がマイクロ発光ダイオードチップ５０の自重に勝る場合がある。この場合には、図１９における保持部材３０の離間の際に、マイクロ発光ダイオードチップ５０が粘着層３５から剥離せず、保持部材３０とともに回路基板１１から離間してしまう。また、マイクロ発光ダイオードチップ５０が粘着層３５から剥離できたとしても、図２０においてはんだ６１を溶融させた際に、溶融によるはんだ６１の体積変化にともなってマイクロ発光ダイオードチップ５０の位置ずれが生じてしまう。
【００８９】
これに対して、本実施形態の一具体例における接合部材６は、上述したように、はんだ６１と熱硬化性樹脂６２とが混合されて構成されている。これにより、加熱によって粘着層３５の粘着性を低下させたときに、同時に熱硬化性樹脂６２を硬化させることで、熱硬化性樹脂６２の接着力によってマイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１上に接着することができる。このとき、はんだ６１は溶融しないため、マイクロ発光ダイオードチップ５０の位置精度を確保したままマイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１上に接着することができる。これにより、粘着層３５の粘着性を低下させた後に回路基板１１から保持部材３０を離間させる際に、位置精度を確保したままマイクロ発光ダイオードチップ５０を確実に粘着層３５から剥離させることができる。また、はんだ６１を加熱して溶融する際に、熱硬化性樹脂６２は硬化した状態を維持しているため、はんだ６１の溶融にともなうマイクロ発光ダイオードチップ５０の位置ずれを抑制することができる。これにより、マイクロ発光ダイオードチップ５０の位置精度を確保し続けることができる。このように、本実施形態によれば、はんだのみでマイクロ発光ダイオードチップ５０を接合する構成と比較して、マイクロ発光ダイオードチップ５０の位置精度を向上させることができる。
【００９０】
また、接合部材６がはんだ６１と熱硬化性樹脂６２とが混合されて構成されていることで、接合部材６の配置に要する工数を抑制して製造効率を向上させることができる。
【００９１】
以上に説明した一実施の形態において、発光基板１０は、回路基板１１と、回路基板１１上に位置する発光ダイオードチップ５０と、回路基板１１と発光ダイオードチップ５０との間に位置する第１接合部材と、回路基板１１と発光ダイオードチップ５０との間に位置する第２接合部材と、を有している。第２接合部材は、第１接合部材を溶融させない第１のエネルギが付与されることで硬化し、硬化した状態において第１接合部材を溶融させる第２のエネルギが付与されたときに硬化した状態を維持する特性を有している。第１接合部材としてはんだ６１が例示され、第２接合部材として熱硬化性樹脂６２が例示される。このような一実施の形態によれば、第１接合部材を溶融させない第１のエネルギ、例えば熱を付与することによって第２接合部材を硬化させ、第２接合部材の接着力によってマイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１上に接着することができる。これにより、例えば回路基板１１から保持部材３０を離間させる際等に、回路基板１１上の所望の位置にマイクロ発光ダイオードチップ５０を維持することができる。次に、接合部材に第２エネルギ、例えば第１エネルギよりも高温の熱を付与することで、接合部材の第１接合部材を溶融させることができる。このとき、第２接合部材は硬化した状態を維持しているので、マイクロ発光ダイオードチップ５０は回路基板１１上の所望の位置に維持される。その後に、第２接合部材が固化することでマイクロ発光ダイオードチップ５０の回路基板１１への実装が完了し、マイクロ発光ダイオードチップ５０の位置精度を確保し続けることができる。
【００９２】
以上において、具体例を参照しながら一実施の形態を説明してきたが、上述した具体例が一実施の形態を限定することを意図していない。上述した一実施の形態は、その他の様々な具体例で実施されることが可能であり、その要旨を逸脱しない範囲で、種々の構成の省略、置き換え、変更、或いは、更なる構成の追加を行うことができる。
【００９３】
以下、図面を参照しながら、他の具体例を説明していくことで上述した実施の形態を更に説明していく。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した具体例と同様に構成され得る部分について、上述の具体例における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いるとともに、重複する説明を省略する。
【００９４】
これまでは、はんだ６１に例示される第１接合部材と熱硬化性樹脂６２に例示される第２接合部材とが混合されて構成された接合部材６の例について説明したが、この例に限られない。例えば、接合部材６は、図２１に示すように、はんだ６１からなる第１接合部材と、紫外線硬化性樹脂６３からなる第２接合部材とが混合されて構成されていてもよい。第２接合部材をなす紫外線硬化性樹脂６３としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリエステル樹脂およびアルキド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種類の樹脂を好適に用いることができる。
【００９５】
このような接合部材６は、図２１に示すように、第１のエネルギの一例である紫外線の光エネルギＵＶが付与されることで紫外線硬化性樹脂６３が硬化し、硬化された紫外線硬化性樹脂６３によってマイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１上に接着させることができる。これにより、熱硬化性樹脂６２の場合と同様に、マイクロ発光ダイオードチップ５０の位置精度を向上させることができる。
【００９６】
また、図２２に示すように、第２接合部材の一例である熱硬化性樹脂６２は、第１接合部材の一例であるはんだ６１から独立して存在していてもよい。第２接合部材として熱硬化性樹脂６２のかわりに紫外線硬化性樹脂６３を用いる場合においても、図２２と同様に、紫外線硬化性樹脂６３は、はんだ６１から独立して存在していてもよい。第２接合部材が第１接合部材から独立して存在していることについては、例えば、走査電子顕微鏡やＸ線回折装置を用いて第１接合部材と第２接合部材との境界を観察することで確認することができる。
【００９７】
また、これまでは、回路基板１１とマイクロ発光ダイオードチップ５０との間に接合部材６を位置させるために、回路基板１１上に接合部材６を配置する例について説明した。これに対して、図２３に示すように、接合部材６は、保持部材３０に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ５０に配置してもよい。
【００９８】
なお、上述した発光基板１０は、表示装置１以外にも、例えば照明装置に用いられてもよい。
【符号の説明】
【００９９】
１  表示装置
６  接合部材
６１  はんだ
６２  熱硬化性樹脂
６３  紫外線硬化性樹脂
１０  発光基板
１１  回路基板
３０  保持部材
３３  突出部
３５  粘着層
５０  マイクロ発光ダイオードチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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