(57)【要約】【課題】解像度が高くかつ観測幅が広いイメージセンサを提供できるようにする。【解決手段】第１リニアイメージセンサ群１０１が、第１リニアイメージセンサ１１０と第２リニアイメージセンサ１２０とを含む。第２リニアイメージセンサ群１０２が、第３リニアイメージセンサ１３０と第４リニアイメージセンサ１４０とを含む。第１リニアイメージセンサ１１０と第３リニアイメージセンサ１３０とはスタガ状に配置される。第２リニアイメージセンサ１２０と第４リニアイメージセンサ１４０とはスタガ状に配置される。第１リニアイメージセンサ群１０１と第２リニアイメージセンサ群１０２との組は、水平方向に並べて配置される。【選択図】図１
2020145574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１画像と第２画像とを含む複数の画像を合成して得られる合成画像の左部分を得るための第１リニアイメージセンサ群と、
前記合成画像の右部分を得るための第２リニアイメージセンサ群とを備え、
前記第１リニアイメージセンサ群が、前記第１画像の左部分を得るための第１リニアイメージセンサと前記第２画像の左部分を得るための第２リニアイメージセンサとを含み、
前記第１リニアイメージセンサと前記第２リニアイメージセンサとが、前記合成画像の上下方向に対応する垂直方向に並べて配置され、
前記第２リニアイメージセンサ群が、前記第１画像の右部分を得るための第３リニアイメージセンサと前記第２画像の右部分を得るための第４リニアイメージセンサとを含み、
前記第３リニアイメージセンサと前記第４リニアイメージセンサとが、前記垂直方向に並べて配置され、
前記第２リニアイメージセンサ群が、前記垂直方向において前記第１リニアイメージセンサ群からずれて、且つ、前記合成画像の左右方向に対応する水平方向において前記第１リニアイメージセンサ群から右側にずれて配置された
イメージセンサ。
【請求項２】
前記第１リニアイメージセンサと前記第２リニアイメージセンサと前記第３リニアイメージセンサと前記第４リニアイメージセンサとのそれぞれが、複数の２次元画素領域を有し、
前記第１リニアイメージセンサと前記第２リニアイメージセンサと前記第３リニアイメージセンサと前記第４リニアイメージセンサとのそれぞれにおいて、複数の２次元画素領域が前記水平方向に一続きに並べて形成された
請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
前記水平方向において、前記第１リニアイメージセンサ群の右端と前記第２リニアイメージセンサ群の左端とがオーバーラップしている
請求項１または請求項２に記載のイメージセンサ。
【請求項４】
前記第１リニアイメージセンサ群が、前記第１リニアイメージセンサと前記第２リニアイメージセンサとを含むＮ本のリニアイメージセンサから成り、
前記第１リニアイメージセンサ群の前記Ｎ本のリニアイメージセンサが、前記垂直方向に並べて配置され、
前記第１リニアイメージセンサ群の隣り合う２本のリニアイメージセンサが、互いに前記水平方向において１／Ｎ画素ピッチだけずれて配置され、
前記第２リニアイメージセンサ群が、前記第３リニアイメージセンサと前記第４リニアイメージセンサとを含むＮ本のリニアイメージセンサから成り、
前記第２リニアイメージセンサ群の前記Ｎ本のリニアイメージセンサが、前記垂直方向に並べて配置され、
前記第２リニアイメージセンサ群の隣り合う２本のリニアイメージセンサが、互いに前記水平方向において１／Ｎ画素ピッチだけずれて配置された
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のイメージセンサ。
【請求項５】
前記第１リニアイメージセンサ群の隣り合う２本のリニアイメージセンサが、互いに前記垂直方向において、１画素ピッチの整数倍であるＭ画素ピッチに加えて１／Ｎ画素ピッチずれて配置され、
前記第２リニアイメージセンサ群の隣り合う２本のリニアイメージセンサが、互いに前記垂直方向において、前記Ｍ画素ピッチに加えて１／Ｎ画素ピッチずれて配置された
請求項４に記載のイメージセンサ。
【請求項６】
センサ群組が、前記第１リニアイメージセンサ群と前記第２リニアイメージセンサ群との組であり、
前記イメージセンサは、前記水平方向に並べられた複数のセンサ群組を備える
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のイメージセンサ。
【請求項７】
前記第１リニアイメージセンサの垂直画素数と前記第２リニアイメージセンサの垂直画素数とが互いに異なり、
前記第３リニアイメージセンサの垂直画素数と前記第４リニアイメージセンサの垂直画素数とが互いに異なる
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のイメージセンサ。
【請求項８】
第１レイアウトパターンを表す第１マスクを用いて前記第１レイアウトパターンをウェハに転写し、第２レイアウトパターンを表す第２マスクを用いて前記第２レイアウトパターンを前記ウェハに転写する写真製版工程を有するチップ製造方法であって、
前記第１レイアウトパターンが、第１画像と第２画像とを含む複数の画像を合成して得られる合成画像の左部分を得るための第１リニアイメージセンサ群が形成される第１センサ群部を有し、
前記第２レイアウトパターンが、前記合成画像の右部分を得るための第２リニアイメージセンサ群が形成される第２センサ群部を有し、
前記第１センサ群部が、前記第１画像の左部分を得るための第１リニアイメージセンサが形成される第１センサ部と、前記第２画像の左部分を得るための第２リニアイメージセンサが形成される第２センサ部とを有し、
前記第１センサ部と前記第２センサ部とが、前記合成画像の上下方向に対応する垂直方向に並べて配置され、
前記第２センサ群部が、前記第１画像の右部分を得るための第３リニアイメージセンサが形成される第３センサ部と、前記第２画像の右部分を得るための第４リニアイメージセンサが形成される第４センサ部とを有し、
前記第３センサ部と前記第４センサ部とが、前記垂直方向に並べて配置され、
前記第２センサ群部が、前記垂直方向において前記第１センサ群部からずれて、且つ、前記合成画像の左右方向に対応する水平方向において前記第１センサ群部から右側にずれて配置された
チップ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イメージセンサの製造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多数のイメージセンサが開発されている。イメージセンサの半導体基板には、多数の光検出器がアレイ状に配置される。また、半導体基板は、読出回路および出力アンプを備える。読出回路は信号電荷を読み出すための回路である。
イメージセンサは、例えば、リモートセンシングにおいて使用される。
【０００３】
リモートセンシングでは、リニアイメージセンサが用いられている。リニアイメージセンサは、人工衛星に搭載され、地表を撮影して地表の２次元画像を得るために用いられる。
リニアイメージセンサは、複数の光検出器が水平方向（ＣＴ方向）に１次元アレイ状に配置されたイメージセンサである。リモートセンシングにおいて、１次元アレイの垂直方向が人工衛星の進行方向（ＡＴ方向）と一致する。
画像解像度を向上させるには、画素ピッチをできるだけ小さくすることが望ましい。しかし、画像ピッチを小さくするために光検出器の面積が縮小されると、入射光量が減少し、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）が劣化してしまう。
【０００４】
Ｓ／Ｎ比を改善するための巧妙な手段として、ＴＤＩ方式のイメージセンサが開発されている。ＴＤＩ方式は、ＣＣＤイメージセンサの読み出し方式である。
ＴＤＩ方式では、２次元イメージセンサであるＦＦＴ型ＣＣＤが用いられ、電荷転送のタイミングが被写体の移動タイミングに同期される。これにより、Ｓ／Ｎ比が改善する。
リモートセンシングでは、垂直方向の電荷転送を人工衛星の移動速度に合わせることでＴＤＩ動作が実現される。垂直ＣＣＤによってＭ段のＴＤＩ動作が行われると、蓄積時間が実効的にＭ倍となる。そのため、感度がＭ倍向上し、Ｓ／Ｎ比がルートＭ倍に改善される。
ＴＤＩは、Ｔｉｍｅ  Ｄｅｌａｙ  ａｎｄ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎの略称である。
ＦＦＴは、Ｆｕｌｌ  Ｆｒａｍｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒの略称である。
ＣＣＤは、Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅｓの略称である。
【０００５】
画素ピッチを縮小せずに画像解像度を向上させる方法として、オーバーサンプリング検出器チップが開発されている。
オーバーサンプリング検出器チップには、画素ピッチが等しい２組のリニアイメージセンサが用いられる。２組のリニアイメージセンサは、互いに１／２画素ピッチだけずらして配置される。そして、２組のイメージセンサから得た出力信号を画像処理することによって、解像度が高い画像が得られる。オーバーサンプリング検出器チップには、光検出器の面積が維持されるため感度が低下しない、というメリットがある。
【０００６】
特許文献１には、画像読み取り装置が開示されている。この画像読み取り装置では、２組のリニアイメージセンサがオーバーサンプリング検出器チップを構成している。
この画像読み取り装置は、高解像度と低解像度との切り替えが可能である。また、一方のセンサを他方のセンサよりも短くすること、高解像度モードでの読み取り時間が短縮される。
オーバーサンプリングによる画像処理では、２組のイメージセンサの相対的な位置関係が重要である。しかし、別々のチップを並べる実装方法では位置精度が不足する。そのため、マスク上のレイアウトパターンを単一のチップ上に作り込む、という方法が取られる。
【０００７】
地表の観測幅を拡大させるには、１チップあたりの水平画素数を多くして検出器アレイの水平長を長くすることが望ましい。しかし、チップサイズの拡大には製造時の制約がある。
半導体素子用の製造プロセスにおいて、マスクパターンをウェハに転写するための写真製版工程が行われる。写真製版工程では、一般的に、微細パターンを形成するために縮小露光装置（ステッパ）が用いられる。しかし、ステッパを用いて１度に転写できるエリアは、２０ミリメートル角程度の範囲に限定される。そのため、ステッパを用いて長尺の検出器チップを製造する場合には、いわゆるステッチ露光が用いられる。
【０００８】
特許文献２には、ステッチ露光の一例が開示されている。
特許文献２では、イメージセンサにおいて画素領域および水平ＣＣＤが周期構造をなすことに着目している。そして、これらの領域が、ステッパによって複数回に分けて転写される。これにより、数十ミリメートル以上の検出器チップの製造が可能になっている。
【０００９】
特許文献３には、パターンレイアウトが示されている。このパターンレイアウトは、オーバーサンプリング検出器チップを構成するイメージセンサの例であり、ＴＤＩ方式においてステッチ露光による長尺化を図る。
このパターンレイアウトでは、２本のリニアセンサのそれぞれの画素領域が、多数のチャネルに分割されて、全体で３列に配置されている。そして、画素領域の間の空き領域に出力線などの配線がレイアウトされている。この配置により、１チップに多数のチャネルを並べることが可能になり、観測幅が広いオーバーサンプリング検出器チップを実現することが可能になる。画素領域を多数のチャネルに分割して画像領域を並列に読み出すことで、水平ＣＣＤの駆動周波数および信号の読み出し周波数が低減される。これにより、雑音および信号劣化が少ない読み出しが実現される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００６−９３８２０号公報
【特許文献２】特開平６−４５５８１号公報
【特許文献３】特開２０１６−８２２５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ＴＤＩ方式イメージセンサが用いられる従来のオーバーサンプリング検出器チップには、以下のような問題があった。
特許文献３に開示されたパターンレイアウトの例では、１枚のマスクにおいて２組のＣＣＤのそれぞれが８個のチャネルに分割される。そのため、画素領域が水平方向に一続きではなく分断されて配置される。画素領域が広範囲に分散していると、光学系の歪みの影響およびＴＤＩ撮像時の衛星擾乱（人工衛星の姿勢の乱れ）の影響を強く受けることになる。その結果、オーバーサンプリングの精度が低下し、各チャネルの画像情報を合成して得られる画像の品質が劣化してしまう。
したがって、各チャネルの画素領域が水平方向にできるだけ一続きに形成されることが望ましい。
【００１２】
本発明は、解像度が高くかつ観測幅が広いイメージセンサを提供できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のイメージセンサは、
第１画像と第２画像とを含む複数の画像を合成して得られる合成画像の左部分を得るための第１リニアイメージセンサ群と、
前記合成画像の右部分を得るための第２リニアイメージセンサ群とを備える。
前記第１リニアイメージセンサ群が、前記第１画像の左部分を得るための第１リニアイメージセンサと前記第２画像の左部分を得るための第２リニアイメージセンサとを含む。
前記第１リニアイメージセンサと前記第２リニアイメージセンサとが、前記合成画像の上下方向に対応する垂直方向に並べて配置される。
前記第２リニアイメージセンサ群が、前記第１画像の右部分を得るための第３リニアイメージセンサと前記第２画像の右部分を得るための第４リニアイメージセンサとを含み、
前記第３リニアイメージセンサと前記第４リニアイメージセンサとが、前記垂直方向に並べて配置される。
前記第２リニアイメージセンサ群が、前記垂直方向において前記第１リニアイメージセンサ群からずれて、且つ、前記合成画像の左右方向に対応する水平方向において前記第１リニアイメージセンサ群から右側にずれて配置される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、解像度が高くかつ観測幅が広いイメージセンサを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１におけるイメージセンサ１００の構成図。
【図２】実施の形態１における画素領域１１１と画素領域１２１との関係図。
【図３】実施の形態１における画素領域１１４と画素領域１３１との関係図。
【図４】実施の形態１におけるチャネル回路の構成図。
【図５】実施の形態１における第１マスク２０１の構成図。
【図６】実施の形態１における第２マスク２０２の構成図。
【図７】実施の形態１における第３マスク２０３の構成図。
【図８】実施の形態１における第１転写領域と第２転写領域との関係図。
【図９】実施の形態１におけるウェハ２４０の構成図。
【図１０】実施の形態１における撮像装置３００の構成図。
【図１１】実施の形態１における画像の構成図。
【図１２】実施の形態１におけるイメージセンサ１００の構成例を示す図。
【図１３】実施の形態１における画素領域の関係例を示す図。
【図１４】実施の形態１における画素領域の関係例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施の形態および図面において、同じ要素または対応する要素には同じ符号を付している。説明した要素と同じ符号が付された要素の説明は適宜に省略または簡略化する。
【００１７】
実施の形態１．
イメージセンサ１００について、図１から図１４に基づいて説明する。
【００１８】
＊＊＊構成の説明＊＊＊
図１に基づいて、イメージセンサ１００の構成を説明する。
イメージセンサ１００は、ＴＤＩ方式のリニアイメージセンサの一例である。
イメージセンサ１００によって、合成画像が得られる。
合成画像は、複数の画像を合成することによって得られる。
合成画像の左右方向に対応する方向を「水平方向」または「ＣＴ方向」と称する。
合成画像の上下方向に対応する方向を「垂直方向」または「ＡＴ方向」と称する。
【００１９】
イメージセンサ１００は、半導体基板１０９を備える。
半導体基板１０９は、ＴＤＩ方式のオーバーサンプリング検出器チップに相当する。
半導体基板１０９には、複数のセンサ群組が形成されている。具体的には、２つのセンサ群組が形成されている。
センサ群組は、複数のリニアイメージセンサ群の組である。具体的には、センサ群組は、第１リニアイメージセンサ群１０１と第２リニアイメージセンサ群１０２との組である。
半導体基板１０９において、複数のセンサ群組が水平方向に並べられている。具体的には、２つのセンサ群組が水平方向に並べられている。
【００２０】
リニアイメージセンサ群は、複数のリニアイメージセンサから成り、オーバーサンプリング検出器を構成する。
複数のリニアイメージセンサは、垂直方向に並べて配置される。
【００２１】
具体的には、第１リニアイメージセンサ群１０１は、第１リニアイメージセンサ１１０と第２リニアイメージセンサ１２０とから成り、オーバーサンプリング検出器を構成する。
第１リニアイメージセンサ１１０と第２リニアイメージセンサ１２０とは、垂直方向に並べて配置されている。
第１リニアイメージセンサ群１０１は、合成画像の左部分を得るためのリニアイメージセンサ群である。
第１リニアイメージセンサ１１０は、第１画像の左部分を得るためのリニアイメージセンサである。
第２リニアイメージセンサ１２０は、第２画像の左部分を得るためのリニアイメージセンサである。
第１画像と第２画像とが合成されることによって、合成画像が得られる。
【００２２】
具体的には、第２リニアイメージセンサ群１０２は、第３リニアイメージセンサ１３０と第４リニアイメージセンサ１４０とから成り、オーバーサンプリング検出器を構成する。
第３リニアイメージセンサ１３０と第４リニアイメージセンサ１４０とは、垂直方向に並べて配置されている。
第２リニアイメージセンサ群１０２は、合成画像の右部分を得るためのリニアイメージセンサ群である。
第３リニアイメージセンサ１３０は、第１画像の右部分を得るためのリニアイメージセンサである。
第４リニアイメージセンサ１４０は、第２画像の右部分を得るためのリニアイメージセンサである。
【００２３】
それぞれのセンサ群組において、第２リニアイメージセンサ群１０２は、第１リニアイメージセンサ群１０１に対して以下のように配置されている。
垂直方向において、第２リニアイメージセンサ群１０２は、第１リニアイメージセンサ群１０１からずれて配置されている。具体的には、第２リニアイメージセンサ群１０２は、第１リニアイメージセンサ群１０１から下側にずれて配置されている。
水平方向において、第２リニアイメージセンサ群１０２は、第１リニアイメージセンサ群１０１から右側にずれて配置されている。
【００２４】
複数の第１リニアイメージセンサ群１０１は、垂直方向において同じ座標に配置されている。つまり、複数の第１リニアイメージセンサ１１０は、垂直方向において同じ座標に配置されている。また、複数の第２リニアイメージセンサ１２０は、垂直方向において同じ座標に配置されている。
複数の第２リニアイメージセンサ群１０２は、垂直方向において同じ座標に配置されている。つまり、複数の第３リニアイメージセンサ１３０は、垂直方向において同じ座標に配置されている。また、複数の第４リニアイメージセンサ１４０は、垂直方向において同じ座標に配置されている。
【００２５】
それぞれのリニアイメージセンサ（１１０〜１４０）は、複数の読出しチャネルに分割され、複数の２次元画素領域を有している。
それぞれのリニアイメージセンサ（１１０〜１４０）において、複数の２次元画素領域が水平方向に一続きに並べて形成されている。
２次元画素領域は、２次元に配列される複数の画素に対応する領域であり、読出しチャネルに対応する。以降の説明において、「画素領域」は２次元画素領域を意味する。
【００２６】
具体的には、それぞれのリニアイメージセンサ（１１０〜１４０）は、４つの画素領域を有している。
第１リニアイメージセンサ１１０は、画素領域１１１と画素領域１１２と画素領域１１３と画素領域１１４とを有している。４つの画素領域（１１１〜１１４）は、水平方向に一続きに形成されている。つまり、４つの画素領域（１１１〜１１４）は、水平方向に隙間なくつながって配置される。
第２リニアイメージセンサ１２０は、画素領域１２１と画素領域１２２と画素領域１２３と画素領域１２４とを有している。４つの画素領域（１２１〜１２４）は、水平方向に一続きに形成されている。つまり、４つの画素領域（１２１〜１２４）は、水平方向に隙間なくつながって配置される。
第３リニアイメージセンサ１３０は、画素領域１３１と画素領域１３２と画素領域１３３と画素領域１３４とを有している。４つの画素領域（１３１〜１３４）は、水平方向に一続きに形成されている。つまり、４つの画素領域（１３１〜１３４）は、水平方向に隙間なくつながって配置される。
第４リニアイメージセンサ１４０は、画素領域１４１と画素領域１４２と画素領域１４３と画素領域１４４とを有している。４つの画素領域（１４１〜１４４）は、水平方向に一続きに形成されている。つまり、４つの画素領域（１４１〜１４４）は、水平方向に隙間なくつながって配置される。
【００２７】
半導体基板１０９において、上部と下部とのそれぞれに複数の入出力パッド列が形成されている。
入出力パッド列は、水平方向に並べられた複数の入出力パッドである。複数の入出力パッドは、チップの上辺と下辺とに沿って配置される。
【００２８】
入出力パッド列１５１は、第１リニアイメージセンサ１１０用の入出力パッド列である。入出力パッド列１５１と第１リニアイメージセンサ１１０とは、配線で接続されている。配線の図示は省略している。
入出力パッド列１５２は、第２リニアイメージセンサ１２０用の入出力パッド列である。入出力パッド列１５２と第２リニアイメージセンサ１２０とは、配線で接続されている。
入出力パッド列１５３は、第３リニアイメージセンサ１３０用の入出力パッド列である。入出力パッド列１５３と第３リニアイメージセンサ１３０とは、配線で接続されている。
入出力パッド列１５４は、第４リニアイメージセンサ１４０用の入出力パッド列である。入出力パッド列１５４と第４リニアイメージセンサ１４０とは、配線で接続されている。
【００２９】
図２に基づいて、リニアイメージセンサ群を構成する複数のリニアイメージセンサの配置を説明する。
図２は、第１リニアイメージセンサ１１０の画素領域１１１と第２リニアイメージセンサ１２０の画素領域１２１との配置を示している。
画素領域１１１と画素領域１２１とにおいて、１つのマスが１つの画素に対応する。
「Ｌ」は、画素ピッチを意味する。
「Ｎ」は、リニアイメージセンサ群を構成するリニアイメージセンサの数である。具体的には、第１リニアイメージセンサ群１０１は２つのリニアイメージセンサ（１１０、１２０）から成り、第２リニアイメージセンサ群１０２は２つのリニアイメージセンサ（１３０、１４０）から成る。したがって、「Ｎ」は「２」である。
「Ｍ」は、１つの整数である。
【００３０】
画素領域１１１と画素領域１２１とは、水平方向において１／２画素ピッチだけずれて配置されている。
つまり、第１リニアイメージセンサ１１０と第２リニアイメージセンサ１２０とは、水平方向において１／２画素ピッチだけずれて配置されている。
同様に、第３リニアイメージセンサ１３０と第４リニアイメージセンサ１４０とは、水平方向において１／２画素ピッチだけずれて配置されている。
【００３１】
画素領域１１１と画素領域１２１とは、垂直方向においてＭ画素ピッチと１／２画素ピッチとの和だけずれて配置されている。Ｍ画素ピッチは、１画素ピッチ（Ｌ）の整数倍である。
つまり、第１リニアイメージセンサ１１０と第２リニアイメージセンサ１２０とは、垂直方向においてＭ画素ピッチと１／２画素ピッチとの和だけずれて配置されている。
同様に、第３リニアイメージセンサ１３０と第４リニアイメージセンサ１４０とは、垂直方向においてＭ画素ピッチと１／２画素ピッチとの和だけずれて配置されている。
【００３２】
言い換えると、リニアイメージセンサ群を構成する複数のリニアイメージセンサは、以下のように配置されている。
リニアイメージセンサ群は、Ｎ本のリニアイメージセンサから成る。
Ｎ本のリニアイメージセンサは、記垂直方向に並べて配置されている。
隣り合う２本のリニアイメージセンサは、互いに水平方向において１／Ｎ画素ピッチだけずれて配置されている。
隣り合う２本のリニアイメージセンサは、互いに垂直方向において、Ｍ画素ピッチに加えて１／Ｎ画素ピッチずれて配置されている。
【００３３】
図３に基づいて、センサ群組を構成する複数のリニアイメージセンサ群の配置を説明する。
図３は、第１リニアイメージセンサ１１０の画素領域１１４と第２リニアイメージセンサ１２０の画素領域１３１との配置を示している。
画素領域１１４と画素領域１３１とにおいて、１つのマスが１つの画素に対応する。
「Ｋ」は、１つの整数である。
【００３４】
水平方向において、画素領域１１４の右端と画素領域１３１の左端とがオーバーラップしている。
図３では、画素領域１１４の右端の２画素と画素領域１３１の左端の２画素とが、水平方向において同じ座標に配置されている。オーバーラップさせる画素の数は任意である。画像処理を考慮すると、オーバーラップさせる画素の数は、数十画素程度が好ましい。
【００３５】
つまり、第１リニアイメージセンサ１１０の右端と第３リニアイメージセンサ１３０の左端とがオーバーラップしている。
同様に、第２リニアイメージセンサ１２０の右端と第４リニアイメージセンサ１４０の左端とがオーバーラップしている。
言い換えると、第１リニアイメージセンサ群１０１の右端と第２リニアイメージセンサ群１０２の左端とがオーバーラップしている。
【００３６】
垂直方向において、画素領域１１４と画素領域１３１とは互いにＫ画素ピッチだけずれて配置されている。
つまり、第１リニアイメージセンサ１１０と第３リニアイメージセンサ１３０とは、垂直方向においてＫ画素ピッチだけずれて配置されている。
同様に、第２リニアイメージセンサ１２０と第４リニアイメージセンサ１４０とは、垂直方向においてＫ画素ピッチだけずれて配置されている。
言い換えると、第１リニアイメージセンサ群１０１と第２リニアイメージセンサ群１０２とは、垂直方向においてＫ画素ピッチだけずれて配置されている。
【００３７】
上記のように、第１リニアイメージセンサ１１０と第３リニアイメージセンサ１３０とは、水平方向において一部がオーバーラップしていて、垂直方向においてずれている。つまり、第１リニアイメージセンサ１１０と第３リニアイメージセンサ１３０とは、スタガ状に配置されている。同様に、第２リニアイメージセンサ１２０と第４リニアイメージセンサ１４０とは、スタガ状に配置されている。
【００３８】
図４に基づいて、イメージセンサ１００のチャネル回路の構成を説明する。
チャネル回路は、１チャネルを構成する回路である。
【００３９】
図４は、画素領域１１１に対応するチャネル回路を示している。
チャネル回路は、複数の垂直ＣＣＤ１９１と電荷転送部１９２と水平ＣＣＤ１９３と出力回路１９４とを備える。
複数の垂直ＣＣＤ１９１は水平方向に配列されている。垂直ＣＣＤ１９１は、画素領域１１１の一列で構成されている。つまり、垂直ＣＣＤ１９１は、垂直方向に配列された複数の画素部分で構成されている。
垂直ＣＣＤ１９１の各画素部分に光が入射されると、各画素部分で信号電荷が発生する。各信号電荷は、垂直ＣＣＤ１９１において電荷転送部１９２の方へＴＤＩ転送され、電荷転送部１９２を経由して水平ＣＣＤ１９３へ送られる。そして、各信号電荷は、水平ＣＣＤ１９３の転送動作によって、水平ＣＣＤ１９３の端に設けられた出力回路１９４の方へ送られ、出力回路１９４から時系列に読み出される。この一連の読出し動作が周期的に繰り返されることによって、２次元画像の情報が得られる。
【００４０】
第１リニアイメージセンサ１１０において、他の画素領域（１１２〜１１４）に対応するチャネル回路の構成は、画素領域１１１に対応するチャネル回路の構成と同じである。
第１リニアイメージセンサ１１０が複数のチャネルに分割されて複数のチャネルで並列に読出し動作が行われることにより、信号電荷の読出し速度が向上する。
【００４１】
他のリニアイメージセンサ（１２０〜１４０）におけるチャネル回路の構成は、第１リニアイメージセンサ１１０におけるチャネル回路の構成と同じである。
【００４２】
＊＊＊製造方法の説明＊＊＊
イメージセンサ１００の半導体基板１０９は、以下に説明するチップ製造方法によって製造される。
チップ製造方法は写真製版工程を有する。
写真製版工程において、第１マスク２０１を用いて第１レイアウトパターンがウェハ２４０に転写され、第２マスク２０２を用いて第２レイアウトパターンがウェハ２４０に転写される。
【００４３】
図５に基づいて、第１マスク２０１を説明する。
第１マスク２０１は、第１レイアウトパターンを表すフォトマスクである。
第１レイアウトパターンは、第１センサ群部２１１を有する。
第１センサ群部２１１は、第１リニアイメージセンサ群１０１が形成される部分であり、第１センサ部２２１と第２センサ部２２２とを有する。
第１センサ部２２１は、第１リニアイメージセンサ１１０が形成される部分である。つまり、第１センサ部２２１には、画素領域（１１１〜１１４）が形成される。さらに、画素領域毎に水平ＣＣＤと出力回路とが形成される。水平ＣＣＤは、画素領域部分の下に記された長方形部分に形成される。出力回路は、水平ＣＣＤ部分の右下に記された三角形部分に形成される。
第２センサ部２２２は、第２リニアイメージセンサ１２０が形成される部分である。つまり、第２センサ部２２２には、画素領域（１２１〜１２４）が形成される。さらに、第１センサ部２２１と同様に、画素領域毎に水平ＣＣＤと出力回路とが形成される。
【００４４】
第１レイアウトパターンは、パッド部（２３１、２３２）と配線部とを有する。
パッド部２３１は、入出力パッド列１５１が形成される部分である。
パッド部２３２は、入出力パッド列１５２が形成される部分である。
配線部は、配線が形成される部分である。具体的には、入出力パッドと出力回路とを互いに接続する配線が形成される。
【００４５】
図５において、第１マスク２０１の転写領域２０８と第１マスク２０１のダイシングライン２０９とを記している。
転写領域２０８の水平方向の幅は、第１センサ部２２１および第２センサ部２２２よりも広く設定されている。そのため、画素領域（１１１〜１１４、１２１〜１２４）を迂回して配線を入出力パッドまで引き回すことができる。
【００４６】
図６に基づいて、第２マスク２０２を説明する。
第２マスク２０２は、第２レイアウトパターンを表すフォトマスクである。
第２レイアウトパターンは、第２マスク群部２１２を有する。
第２マスク群部２１２は、第２リニアイメージセンサ群１０２が形成される部分であり、第３センサ部２２３と第４センサ部２２４とを有する。
第３センサ部２２３は、第３リニアイメージセンサ１３０が形成される部分である。つまり、第３センサ部２２３には、画素領域（１３１〜１３４）が形成される。さらに、第１センサ部２２１（図５参照）と同様に、画素領域毎に水平ＣＣＤと出力回路とが形成される。
第４センサ部２２４は、第４リニアイメージセンサ１４０が形成される部分である。つまり、第４センサ部２２４には、画素領域（１４１〜１４４）が形成される。さらに、第１センサ部２２１（図５参照）と同様に、画素領域毎に水平ＣＣＤと出力回路とが形成される。
【００４７】
第２レイアウトパターンは、パッド部（２３３、２３４）と配線部とを有する。
パッド部２３３は、入出力パッド列１５３が形成される部分である。
パッド部２３４は、入出力パッド列１５４が形成される部分である。
【００４８】
図６において、第２マスク２０２の転写領域２０８と第２マスク２０２のダイシングライン２０９とを記している。
転写領域２０８の水平方向の幅は、第３センサ部２２３および第４センサ部２２４よりも広く設定されている。そのため、画素領域（１３１〜１３４、１４１〜１４４）を迂回して配線を入出力パッドまで引き回すことができる。
【００４９】
写真製版工程において、さらに、第３マスク２０３を用いてダイシングライン２０９がウェハ２４０に形成される。
図７に基づいて、第３マスク２０３を説明する。
第３マスク２０３は、ダイシングライン２０９のレイアウトパターンを表すフォトマスクである。
左側のダイシングライン２０９は、チップの右端のダイシングラインに相当する。
右側のダイシングライン２０９は、チップの左端のダイシングラインに相当する。
【００５０】
ＴＤＩ方式オーバーサンプリング検出器チップは、半導体素子製造プロセスの写真製版工程において第１マスク２０１と第２マスク２０２と第３マスク２０３とを組み合わせて使用することによって、製造される。
【００５１】
図８に基づいて、第１マスク２０１による転写領域（第１転写領域）と第２マスク２０２による転写領域（第２転写領域）との関係を説明する。
第１転写領域列２４１と第２転写領域列２４２とは、それぞれの左右両端がオーバーラップし、ウェハ２４０に転写される。すなわち、ステッパの水平転写ピッチに比べて、マスクの水平転写領域の方が長い。
これにより、第１リニアイメージセンサ１１０と第３リニアイメージセンサ１３０との組および第２リニアイメージセンサ１２０と第４リニアイメージセンサ１４０との組をスタガ状に配置する際に、各センサの両端を数画素ずつオーバーラップさせることができる。
【００５２】
図９に基づいて、ウェハ２４０を説明する。
ウェハ２４０は、半導体基板１０９用のチップの材料となるシリコンウェハである。
ウェハ２４０の横一列が、１チップ分の転写領域に相当する（破線枠を参照）。
ウェハ２４０には、第１転写領域列２４１と第２転写領域列２４２との組が１つ以上形成される。第１転写領域列２４１と第２転写領域列２４２との１つ以上の組の両側第３転写領域列２４３が形成される。
【００５３】
第１転写領域列２４１は、１列に並んだ複数の第１転写領域である。第１転写領域は、第１マスク２０１（図５参照）が表すレイアウトパターンが転写される領域である。
第２転写領域列２４２は、１列に並んだ複数の第２転写領域である。第２転写領域は、第２マスク２０２（図６参照）が表すレイアウトパターンが転写される領域である。
第３転写領域列２４３は、１列に並んだ複数の第３転写領域である。第３転写領域は、第３マスク２０３（図７参照）が表すレイアウトパターンが転写される領域である。
【００５４】
各マスクが表すレイアウトパターン（マスクパターン）は、ステッパを用いて転写される。
隣り合う第１転写領域と第２転写領域とは、左右の両端をオーバーラップさせて転写される。
【００５５】
ＴＤＩ方式オーバーサンプリング検出器チップは、以下のように形成される。
第１マスク２０１による転写領域と第２マスク２０２による転写領域とはが、水平方向に交互につなげてウェハ２４０に転写される。このとき、２つの転写領域が交互に繰り返し転写されることによって、水平方向に長い検出器チップが形成される。また最後に、その左右両方の端につなげて第３マスク２０３による転写領域が転写される。
このように、第１マスク２０１と第２マスク２０２と第３マスク２０３とを用いた６回の転写によって、長尺検出器チップが形成される（図９の破線枠を参照）。
さらに、第１マスク２０１と第２マスク２０２とを用いた転写の回数を増やすことによって、数十ミリメートル以上の長尺検出器チップを製造することが可能になる。
【００５６】
＊＊＊撮像動作の説明＊＊＊
撮像装置３００の動作を説明する。
撮像装置３００は、イメージセンサ１００を備える撮像装置である。
【００５７】
図１０に基づいて、撮像装置３００の構成を説明する。
撮像装置３００は、オーバーサンプリングによって高解像度の画像を得る撮像装置である。
撮像装置３００は、光学部３０１と焦点面構成部３０２と駆動部３０３と信号処理部３０４とを備える。
光学部３０１は、光学レンズあるいは反射鏡によって構成され、被写体から出た光を焦点面構成部３０２へと集光させる。
焦点面構成部３０２は、光学部３０１の焦点に位置する。焦点面構成部３０２には、１個または複数個のイメージセンサ１００が配置される。
駆動部３０３は、電気回路によって構成され、イメージセンサ１００を駆動するための電圧（バイアス電圧およびクロック電圧）を発生させる。
信号処理部３０４は、電気回路および演算回路によって構成され、イメージセンサ１００からの出力信号を変換して撮像画像を作成する。
【００５８】
図１１に基づいて、オーバーサンプリングによる高解像度化を図るためのデータ処理方法を説明する。
白丸は、第１リニアイメージセンサ１１０と第３リニアイメージセンサ１３０とによって得られる第１画像の画素を表している。
黒丸は、第２リニアイメージセンサ１２０と第４リニアイメージセンサ１４０とによって得られる第２画像の画素を表している。
黒三角は、第１画像の画素と第２画像の画素とに基づいて補間される画素を表している。
第１画像と第２画像とは、互いに１／２画素ピッチずれている。
第１画像と第２画像とを水平方向と垂直方向にずらして合成し、さらに、第１画像の画素と第２画像の画素との間に位置する格子点の画素を補間することにより、高解像度の画像（合成画像）が得られる。合成画像は、第１画像および第２画像に対して、垂直方向と水平方向とのそれぞれで２倍の解像度を有する。
【００５９】
撮像装置３００を用いたリモートセンシングによって画像を得る手順について説明する。
検出器チップの垂直方向が人工衛星の進行方向と一致するように、検出器チップが光学系の焦点面に設置される。人工衛星は撮像装置３００が搭載される移動体の一例である。
地表の光学像は、光学系を通してチップ表面に投影され、人工衛星の移動に伴って垂直方向に移動する。
人工衛星の進行方向に関して、任意の時点で第１リニアイメージセンサ１１０によって観測されたラインは、「Ｔ×Ｋ」に相当する時間が経過したときに第３リニアイメージセンサ１３０によって観測される。「Ｔ」は撮像周期である。「Ｋ」は１つの整数である（図３参照）。
したがって、第１リニアイメージセンサ１１０の画像情報と、（Ｔ×Ｋ）時間経過後のリ第３リニアイメージセンサ１３０の画像情報とをつなぎ合わせることによって、広範囲な１枚の画像が得られる。
【００６０】
第１リニアイメージセンサ１１０と第３リニアイメージセンサ１３０とにおいて互いにオーバーラップしている画素は、（Ｔ×Ｋ）時間経過後に、理想的には地表の同じ地点を示す。しかしながら、人工衛星の擾乱等があると、オーバーラップした画素同士にわずかなズレを生じてしまう。このとき、オーバーラップした各画素の情報を画像処理における補正データとして利用することが可能である。これによって、つなぎ目がスムーズな広範囲な第１画像を得ることができる。
【００６１】
同様に、第２リニアイメージセンサ１２０の画像情報と、（Ｔ×Ｋ）時間経過後の第４リニアイメージセンサ１４０の画像情報とをつなぎ合わせることによって、広範囲な第２画像が得られる。
【００６２】
第１画像が得られるときから（Ｔ×Ｍ）時間経過後に第２画像が得られる。「Ｍ」は１つの整数である（図２参照）。
第１画像と第２画像とは、垂直方向と水平方向とにおいて互いに１／２画素ピッチずれている。
第１画像と第２画像とを前述の方法（図１１参照）で合成することによって、広範囲でかつ高解像度な画像（合成画像）を得ることができる。
【００６３】
＊＊＊実施の形態１の効果＊＊＊
実施の形態１によって、ＴＤＩ方式オーバーサンプリング検出器チップを実現することができる。これにより、イメージセンサ１００において、各チャネルの画素領域を一続きに形成する範囲が従来に比べて広がる。そのため、つなぎ目が少ない広範囲な画像を得ることができる。また、マスクの転写領域間のつなぎ目において、隣り合う画素領域の端同士が数画素ずつがオーバーラップしている。そのため、オーバーラップした各画素の情報を用いて画像処理することによって、つなぎ目がスムーズな広範囲な画像を得ることができる。また、出力配線を入出力パッドまで引き回す際の配線長を短くできる。そのため、雑音および信号劣化が少ない信号読出しが可能となる。
【００６４】
実施の形態１において、第１リニアイメージセンサ１１０と第２リニアイメージセンサ１２０とが１つのオーバーサンプリング検出器を構成する。そして、第１リニアイメージセンサ１１０と第２リニアイメージセンサ１２０とは、第１マスク２０１を用いて形成される。そのため、製造工程におけるステッチ露光の際に、転写領域間でつなぎ合わせのずれが生じた場合でも、オーバーサンプリング検出器において、第１リニアイメージセンサ１１０と第２リニアイメージセンサ１２０との間の位置精度に影響が生じない。同様に、第３リニアイメージセンサ１３０と第４リニアイメージセンサ１４０とが１つのオーバーサンプリング検出器を構成する。そして、第３リニアイメージセンサ１３０と第４リニアイメージセンサ１４０とは、第２マスク２０２を用いて形成される。そのため、オーバーサンプリング検出器において、第３リニアイメージセンサ１３０と第４リニアイメージセンサ１４０との間の位置精度に影響が生じない。また、第１リニアイメージセンサ１１０と第２リニアイメージセンサ１２０とは、垂直方向において互いの画素領域の間隔が小さくなるように配置される。同様に、第３リニアイメージセンサ１３０と第４リニアイメージセンサ１４０とは、垂直方向において互いの画素領域の間隔が小さくなるように配置される。そのため、人工衛星の擾乱による影響を受けにくい。その結果、オーバーサンプリングによる高解像度化を図るための画像処理の精度が向上し、解像度が高くかつ観測幅が広いＴＤＩ方式オーバーサンプリング検出器チップが得られる。
【００６５】
＊＊＊実施例の説明＊＊＊
それぞれのリニアイメージセンサ群（１０１、１０２）は、３つ以上のリニアイメージセンサで構成されてもよい。
図１２に、それぞれのリニアイメージセンサ群が３つのリニアイメージセンサで構成される半導体基板１０９を示す。
第１リニアイメージセンサ群１０１と第２リニアイメージセンサ群１０２とのそれぞれは、３つのリニアイメージセンサで構成されている。
第１リニアイメージセンサ群１０１は、第１リニアイメージセンサ４１０と第２リニアイメージセンサ４２０と第３リニアイメージセンサ４３０とで構成されている。
第２リニアイメージセンサ群１０２は、第４リニアイメージセンサ４４０と第５リニアイメージセンサ４５０と第６リニアイメージセンサ４６０とで構成されている。
【００６６】
第１リニアイメージセンサ４１０は４つの画素領域（４１１〜４１４）を有し、４つの画素領域は水平方向に一続きに形成されている。
同様に、他のリニアイメージセンサは４つの画素領域を有し、４つの画素領域は水平方向に一続きに形成されている。
【００６７】
図１３に、第１リニアイメージセンサ４１０の画素領域４１１と第２リニアイメージセンサ４２０の画素領域４２１と第３リニアイメージセンサ４３０の画素領域４３１との配置を示す。
画素領域４１１と画素領域４２１とは、水平方向において互いに１／３画素ピッチずらして配置され、垂直方向においてＭ画素ピッチと１／３画素ピッチとの和だけずらして配置されている。画素領域４１２と画素領域４２２との組、画素領域４１３と画素領域４２３との組および画素領域４１４と画素領域４２４との組は、画素領域４１１と画素領域４２１との組と同様に配置されている。
画素領域４２１と画素領域４３１とは、水平方向において互いに１／３画素ピッチずらして配置され、垂直方向においてＭ画素ピッチと１／３画素ピッチとの和だけずらして配置されている。画素領域４２２と画素領域４３２との組、画素領域４２３と画素領域４３３との組および画素領域４２４と画素領域４３４との組は、画素領域４２１と画素領域４３１との組と同様に配置されている。
このような配置により、第１リニアイメージセンサ４１０と第２リニアイメージセンサ４２０と第３リニアイメージセンサ４３０とが、互いに距離Ｌ／３だけずれたオーバーサンプリング検出器を構成する。
【００６８】
第４リニアイメージセンサ４４０と第５リニアイメージセンサ４５０と第６リニアイメージセンサ４６０との配置は、第１リニアイメージセンサ４１０と第２リニアイメージセンサ４２０と第３リニアイメージセンサ４３０との配置と同様である。
第４リニアイメージセンサ４４０と第５リニアイメージセンサ４５０と第６リニアイメージセンサ４６０とは、互いに距離Ｌ／３だけずれたオーバーサンプリング検出器を構成する。
【００６９】
図１２および図１３に示すように配置されたＴＤＩ方式オーバーサンプリング検出器チップを用いることにより、３枚の画像が得られる。そして、オーバーサンプリングを伴う画像処理によって、３倍の解像度を有する高解像度画像を得ることができる。
ＴＤＩ方式オーバーサンプリング検出器チップの製造方法および駆動方法は、図５から図１１で説明した方法と同様である。
【００７０】
それぞれのリニアイメージセンサ群（１０１、１０２）が、４つ以上のリニアイメージセンサで構成されることにより、４倍以上の解像度を有する高解像度画像を得ることができる。
【００７１】
それぞれのリニアイメージセンサ群（１０１、１０２）を構成する複数のリニアイメージセンサにおいて、垂直方向の画素数が異なってもよい。
図１４に、第１リニアイメージセンサ１１０の画素領域１１１と第２リニアイメージセンサ１２０の画素領域１２１とを示す。
垂直方向において、画素領域１１１の画素数は、画素領域１２１の画素数よりも多い。
水平方向において、画素領域１１１の画素は、画素領域１２１の画素と同じ座標に配置される。
垂直方向において、画素領域１１１の画素は、画素領域１２１の画素からＭ画素ピッチと１／２画素ピッチとの和だけずれて配置される。
【００７２】
画素領域１１２と画素領域１２２との組、画素領域１１３と画素領域１２３との組および画素領域１１４と画素領域１２４との組の関係は、画素領域１１１と画素領域１２１との組の関係と同様である。
【００７３】
つまり、垂直方向において、第１リニアイメージセンサ１１０の画素数は、第２リニアイメージセンサ１２０の画素数よりも多い。水平方向において、第１リニアイメージセンサ１１０は、第２リニアイメージセンサ１２０と同じ座標に配置される。垂直方向において、第１リニアイメージセンサ１１０は、第２リニアイメージセンサ１２０からＭ画素ピッチと１／２画素ピッチとの和だけずれて配置される。
【００７４】
ＴＤＩ方式リニアイメージセンサにおいて、画素から読み出される信号電荷量はＴＤＩ段数に比例する。すなわち、画素感度はＴＤＩ段数に比例する。したがって、図１４の例では、第２リニアイメージセンサ１２０よりも第１リニアイメージセンサ１１０の方が、ＴＤＩ段数が多い分だけ感度が高い。
一方、画素によって蓄積および転送できる最大電荷量数（すなわち画素飽和電荷量）は、画素レイアウト等で決まる。第１リニアイメージセンサ１１０と第２リニアイメージセンサ１２０とは、画素飽和電荷量が同じである。
ダイナミックレンジは、画素飽和電荷量に比例し、画素感度に反比例する。そのため、図１４の例では、第１リニアイメージセンサ１１０よりも第２リニアイメージセンサ１２０の方が、ダイナミックレンジが広い。
【００７５】
図１４の例において、第１リニアイメージセンサ１１０と第３リニアイメージセンサ１３０とによって得られる第１画像と、（Ｔ×Ｍ）時間経過後に第２リニアイメージセンサ１２０と第４リニアイメージセンサ１４０とによって得られる第２画像とは、理想的には垂直方向と水平方向とにおいて同じ地点を示す。このとき、第１画像は感度が高いがダイナミックレンジが狭く、第２画像は感度は低いがダイナミックレンジが広い。
【００７６】
一般的に、感度を上げると明るい領域の画素は飽和していわゆる白とびとなる。また、感度を下げると暗い領域はコントラスト不足になりやすい。
図１４の例では、第１リニアイメージセンサ１１０および第３リニアイメージセンサ１３０のＴＤＩ段数が多く、第２リニアイメージセンサ１２０および第４リニアイメージセンサ１４０のＴＤＩ段数が少ない。そのため、暗い領域については第１リニアイメージセンサ１１０と第３リニアイメージセンサ１３０とによって得られる第１画像を用い、明るい領域については第２リニアイメージセンサ１２０と第４リニアイメージセンサ１４０とによって得られる第２画像を用いて、第１画像と第２画像とを合成する。これにより、全体として感度とダイナミックレンジとに優れた広範囲の画像（合成画像）が得られる。
【００７７】
それぞれのリニアイメージセンサ群（１０１、１０２）を構成する複数のリニアイメージセンサにおいて、垂直方向の画素数が同じであり、使用される画素数が異なってもよい。
つまり、画素アレイのうち一部の画素だけをＴＤＩ転送する手段を用いることによって、複数のリニアイメージセンサのＴＤＩ段数が異なるようにしてもよい。
【００７８】
＊＊＊実施の形態の補足＊＊＊
実施の形態は、好ましい形態の例示であり、本発明の技術的範囲を制限することを意図するものではない。実施の形態は、部分的に実施してもよいし、他の形態と組み合わせて実施してもよい。
【符号の説明】
【００７９】
１００  イメージセンサ、１０１  第１リニアイメージセンサ群、１０２  第２リニアイメージセンサ群、１０９  半導体基板、１１０  第１リニアイメージセンサ、１１１，１１２，１１３，１１４  画素領域、１２０  第２リニアイメージセンサ、１２１，１２２，１２３，１２４  画素領域、１３０  第３リニアイメージセンサ、１３１，１３２，１３３，１３４  画素領域、１４０  第４リニアイメージセンサ、１４１，１４２，１４３，１４４  画素領域、１５１，１５２，１５３，１５４  入出力パッド列、１９１  垂直ＣＣＤ、１９２  電荷転送部、１９３  水平ＣＣＤ、１９４  出力回路、２０１  第１マスク、２０２  第２マスク、２０３  第３マスク、２０８  転写領域、２０９  ダイシングライン、２１１  第１センサ群部、２１２  第２マスク群部、２２１  第１センサ部、２２２  第２センサ部、２２３  第３センサ部、２２４  第４センサ部、２３１  パッド部、２３２  パッド部、２３３  パッド部、２３４  パッド部、２４０  ウェハ、２４１  第１転写領域列、２４２  第２転写領域列、２４３  第３転写領域列、３００  撮像装置、３０１  光学部、３０２  焦点面構成部、３０３  駆動部、３０４  信号処理部、４１０  第１リニアイメージセンサ、４１１，４１２，４１３，４１４  画素領域、４２０  第２リニアイメージセンサ、４２１，４２２，４２３，４２４  画素領域、４３０  第３リニアイメージセンサ、４３１，４３２，４３３，４３４  画素領域、４４０  第４リニアイメージセンサ、４４１，４４２，４４３，４４４  画素領域、４５０  第５リニアイメージセンサ、４５１，４５２，４５３，４５４  画素領域、４６０  第６リニアイメージセンサ、４６１，４６２，４６３，４６４  画素領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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