(57)【要約】    【課題】  信頼性の高いプリント配線板の提供    【解決手段】  実施形態のプリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有する樹脂絶縁層５０Ａと、樹脂絶縁層５０Ａの第１面Ｆ上に形成されている第１導体層５８Ａと、樹脂絶縁層５０Ａの第１面Ｆと第１導体層５８Ａ上に形成されていて、第１導体層５８Ａに至る第１開口７０Ｏを有する最外の第１絶縁層７０Ａと、第１開口７０Ｏに形成されていて、最外の第１絶縁層７０Ａから突出する金属ポスト８６、とを有する【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている導体層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面と前記導体層上に形成されていて、前記導体層に至る第１開口を有する最外の絶縁層と、
前記第１開口に形成されていて、前記最外の絶縁層から突出する金属ポスト、とを有するプリント配線板。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記導体層と前記金属ポストは一体的に形成されていない。
【請求項３】
請求項２のプリント配線板であって、前記導体層と前記金属ポストとの間に界面が存在する。
【請求項４】
請求項２のプリント配線板であって、前記導体層は前記第１面上のシード層と前記シード層上の第１電解めっき膜で形成され、前記金属ポストは第２電解めっき膜で形成され、前記第２電解めっき膜は前記第１電解めっき膜の直上に形成されている。
【請求項５】
請求項４のプリント配線板であって、前記第２電解めっき膜と前記第１電解めっき膜は前記シード層を用いて形成されている。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板であって、前記第２電解めっき膜は前記第１電解めっき膜に直接繋がっている。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、前記金属ポストは前記導体層と対向する下面と前記下面と反対側の上面とを有し、前記金属ポストは前記上面から前記下面に向かって太くなっている。
【請求項８】
請求項１のプリント配線板であって、前記金属ポストは前記第１開口内に形成されている部分（第１開口内部分）と前記最外の絶縁層から突出する部分（突出部分）で形成されている。
【請求項９】
請求項８のプリント配線板であって、前記突出部分上に耐食層が形成されている。
【請求項１０】
請求項８のプリント配線板であって、前記第１開口内部分の側面と前記突出部分の側面は凹凸を有する。
【請求項１１】
請求項１０のプリント配線板であって、前記第１開口内部分の側面に形成されている前記凹凸は第１凹凸であり、前記突出部分の側面に形成されている前記凹凸は第２凹凸であり、前記第１凹凸の大きさは前記第２凹凸の大きさより大きい。
【請求項１２】
請求項９のプリント配線板であって、前記導体層はパッドと金属ポスト用導体回路を含み、前記金属ポストは前記金属ポスト用導体回路上に形成されていて、前記最外の絶縁層は前記パッドを露出する第２開口を有し、前記第２開口により露出される前記パッド上に前記耐食層が形成されている。
【請求項１３】
請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記樹脂絶縁層を貫通するビア導体を有し、前記導体層は金属ポスト用導体回路を含み、前記金属ポストは前記金属ポスト用導体回路上に形成されていて、前記金属ポスト用導体回路は前記ビア導体から延びていて、前記金属ポスト用導体回路と前記ビア導体は一体的に形成されていて、前記ビア導体は前記金属ポスト用導体回路に向かって太くなっている。
【請求項１４】
樹脂絶縁層を準備することと、
最外の絶縁層を準備することと、
前記樹脂絶縁層上にシード層を形成することと、
前記シード層上に第１めっきレジストを形成することと、
前記第１めっきレジストから露出する前記シード層上に第１電解めっき膜を形成することと、
前記第１めっきレジストを除去することと、
前記シード層と前記第１電解めっき膜上に第２めっきレジストを形成することと、
前記第２めっきレジストから露出する前記第１電解めっき膜上に第２電解めっき膜を形成することと、
前記第２めっきレジストを除去することと、
前記第１電解めっき膜から露出する前記シード層を除去することと、
前記最外の絶縁層内に前記第１電解めっき膜と前記第２電解めっき膜が埋まるように、前記シード層と前記第１電解めっき膜と前記第２電解めっき膜上に前記最外の絶縁層を形成することと、
前記第２電解めっき膜の一部が前記最外の絶縁層から突出するように、前記最外の絶縁層を薄くすること、とを有するプリント配線板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４のプリント配線板の製造方法であって、前記第２電解めっき膜は前記最外の絶縁層内に埋まっている部分（第２電解めっき膜の埋込部分）と前記最外の絶縁層から突出する部分（第２電解めっき膜の突出部分）で形成され、前記第２電解めっき膜の埋込部分の側面の凹凸は前記第２電解めっき膜の突出部分の側面の凹凸より大きい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属ポストを有するプリント配線板、及び、そのプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、導体ポスト３５を有するプリント配線板を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１９５３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
[特許文献１の課題]
特許文献１（文献１）の図６Ｇによれば、導体ポスト３５は樹脂絶縁層１１に埋まっている実装パターン２５上に形成されている。そして、文献１の導体ポスト３５は金属層３２と第１金属膜３３と第２金属膜３４で形成されている。このように、文献１の導体ポスト３５は複数の部材で形成されている。そのため、文献１のプリント配線板は、導体ポスト３５内に界面を有する。電子部品が導体ポスト３５を介して文献１のプリント配線板に実装されると、電子部品の熱膨張係数とプリント配線板の熱膨張係数は異なるので、導体ポスト３５は大きなストレスを受けると考えられる。そのストレスは導体ポスト３５内の界面に集中すると予想される。そのため、導体ポスト３５の抵抗が大きくなると予想される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線基板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている導体層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面と前記導体層上に形成されていて、前記導体層に至る第１開口を有する最外の絶縁層と、前記第１開口に形成されていて、前記最外の絶縁層から突出する金属ポスト、とを有する。
【０００６】
本発明に係るプリント配線基板の製造方法は、樹脂絶縁層を準備することと、最外の絶縁層を準備することと、前記樹脂絶縁層上にシード層を形成することと、前記シード層上に第１めっきレジストを形成することと、前記第１めっきレジストから露出する前記シード層上に第１電解めっき膜を形成することと、前記第１めっきレジストを除去することと、前記シード層と前記第１電解めっき膜上に第２めっきレジストを形成することと、前記第２めっきレジストから露出する前記第１電解めっき膜上に第２電解めっき膜を形成することと、前記第２めっきレジストを除去することと、前記第１電解めっき膜から露出する前記シード層を除去することと、前記最外の絶縁層内に前記第１電解めっき膜と前記第２電解めっき膜が埋まるように、前記シード層と前記第１電解めっき膜と前記第２電解めっき膜上に前記最外の絶縁層を形成することと、前記第２電解めっき膜の一部が前記最外の絶縁層から突出するように、前記最外の絶縁層を薄くすること、とを有する。
【０００７】
[実施形態の効果]
本発明の実施形態によれば、金属ポストは１つの部材で形成されている。金属ポスト内に界面が存在しない。そのため、金属ポストが大きなストレスを受けても、金属ポストの接続信頼性が低下しがたい。金属ポストの抵抗が変化し難い。金属ポスト用導体回路と金属ポストを電解めっき膜で形成することができる。その場合、金属ポスト用導体回路と金属ポスト間の接続信頼性を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（Ａ）は本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は実施形態の改変例のプリント配線板の断面図であり、図１（Ｃ）は実施形態のプリント配線板の応用例である。
【図２】実施形態のプリント配線板の製造工程図。
【図３】図３（Ａ）と図３（Ｂ）は金属ポストを示し、図３（Ｃ）は金属ポストの寸法を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[実施形態]
図１（Ａ）は実施形態のプリント配線板１０を示す。
プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有する樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）５０Ａと、第１樹脂絶縁層５０Ａの第１面Ｆ上に形成されている導体層（第１導体層）５８Ａと、第１樹脂絶縁層５０Ａと第１導体層５８Ａ上に形成されていて、第１導体層５８Ａに至る第１開口７０Ｏを有する最外の絶縁層（最外の第１絶縁層）７０Ａと、第１開口７０Ｏに形成されていて、最外の第１絶縁層７０Ａから突出する金属ポスト８６、とを有する。金属ポスト８６が最外の第１絶縁層７０Ａから突出するので、隣接する金属ポスト８６間の距離を小さくすることができる。隣接する金属ポスト８６間の距離が小さくても、隣接する金属ポスト８６間で短絡が生じ難い。
【００１０】
第１導体層５８Ａは第１樹脂絶縁層５０Ａの第１面Ｆ上に形成されているシード層５２とシード層５２上に形成されている電解めっき膜（第１電解めっき膜）５６で形成されている。シード層５２は第１面Ｆに接している。第１電解めっき膜５６はシード層５２に接している。第１電解めっき膜５６は電解銅めっき膜である。
【００１１】
金属ポスト８６は第１電解めっき膜５６上に直接形成されている。金属ポスト８６と第１電解めっき膜５６は異なるプロセスで形成される。そのため、金属ポスト８６は第１導体層５８Ａに接しているが、金属ポスト８６と第１導体層５８Ａは一体的に形成されていない。金属ポスト８６と第１導体層５８Ａとの間に界面が存在する。第１導体層５８Ａは金属ポスト用導体回路５８ＡＰを含む。金属ポスト用導体回路５８ＡＰに金属ポスト８６は直接接続している。金属ポスト用導体回路５８ＡＰ直上に金属ポスト８６は形成されている。
【００１２】
金属ポスト８６は電解めっき膜（第２電解めっき膜）８０で形成されている。金属ポスト８６が第２電解めっき膜８０のみで形成されると、金属ポスト８６内に界面が存在しない。そのため、金属ポスト８６を介する接続信頼性を高くすることができる。金属ポスト８６の抵抗値が変化し難い。
【００１３】
第１電解めっき膜５６と第２電解めっき膜８０は共通のシード層５２を用いて形成されている。第２電解めっき膜８０は第１電解めっき膜５６上に直接形成されている。そのため、第１電解めっき膜５６と第２電解めっき膜８０間の接着強度を高くすることができる。金属ポスト８６と第１導体層５８Ａとの間に界面が存在しても、金属ポスト８６と第１導体層５８Ａ間の接続信頼性を長期間維持することができる。第１電解めっき膜５６の厚みと第２電解めっき膜８０の厚みｈ１を容易に制御することができる。金属ポスト８６の高さＨ１のバラツキを小さくすることができる。
【００１４】
金属ポスト８６は、下面８６Ｌと下面８６Ｌと反対側の上面８６Ｔを有する。図３（Ａ）に示されるように、下面８６Ｌは第１電解めっき膜５６に接している。金属ポスト８６は上面８６Ｔから下面８６Ｌに向かって太くなっている。金属ポスト８６の側壁８６Ｓは下面８６Ｌから上面８６Ｔからに向かってテーパーしている。上面８６Ｔのサイズを小さくすることができる。そのため、隣接する金属ポスト間の距離を小さくすることができる。
【００１５】
図３（Ａ）と図３（Ｂ）は金属ポスト８６の拡大図である。図３（Ａ）と図３（Ｂ）は、上面８６Ｔに垂直な面で金属ポスト８６を切断することで得られる。
【００１６】
図３（Ａ）に示されるように、金属ポスト８６は第１開口７０Ｏ内に形成されている部分（第１開口内部分）８６Ｉと最外の第１絶縁層７０Ａから突出する部分（突出部分）８６Ｐに分けられる。第１開口内部分８６Ｉと突出部分８６Ｐは一体的に形成されている。第１開口内部分８６Ｉと突出部分８６Ｐは連続して形成されている。第１開口内部分８６Ｉと突出部分８６Ｐとの間に界面は存在しない。
【００１７】
図３（Ｂ）に示されるように、金属ポスト８６は、第１開口内部分８６Ｉと突出部分８６Ｐと第１開口内部分８６Ｉと突出部分８６Ｐとを繋ぐ中間部分８６Ｍで形成されてもよい。突出部分８６Ｐと中間部分８６Ｍは一体的に形成されている。第１開口内部分８６Ｉと中間部分８６Ｍは一体的に形成されている。第１開口内部分８６Ｉは側壁８６ＩＳを有する。中間部分８６Ｍは側壁８６ＭＳを有する。突出部分８６Ｐは側壁８６ＰＳを有する。側壁８６ＩＳの傾きの大きさと側壁８６ＭＳの傾きの大きさと側壁８６ＰＳの傾きの大きさの中で、側壁８６ＭＳの傾きの大きさが最も小さい。金属ポスト８６が、このような中間部分８６Ｍを有するので、上面８６Ｔのサイズを小さくすることができる。隣接する金属ポスト８６間の絶縁信頼性を高くすることができる。
【００１８】
図３（Ａ）と図３（Ｂ）に示されるように、金属ポスト８６の側壁８６Ｓは凹凸８６ＳＲを有する。金属ポスト８６の上面８６Ｔは凹凸８６ＳＴを有する。第１開口内部分８６Ｉの側壁８６ＩＳは凹凸８６ＳＲＩを有する。突出部分８６Ｐの側壁８６ＰＳは凹凸８６ＳＲＰを有する。凹凸８６ＳＲＩの大きさは凹凸８６ＳＲＰの大きさより大きい。金属ポスト８６と最外の第１絶縁層７０Ａ間の接着力を高くすることができる。突出部分８６Ｐの側壁８６ＰＳを起点とするマイグレーションを抑制することができる。
凹凸８６ＳＲＩの大きさは凹凸８６ＳＴの大きさより大きい。
【００１９】
プリント配線板１０は突出部分８６Ｐを覆う耐食層８４を有することができる。
【００２０】
図１（Ａ）に示されるように、最外の第１絶縁層７０Ａは第２開口７１Ｆを有することができる。第２開口７１Ｆは、第１導体層５８Ａに含まれるパッド５８ＡＰＤを露出する。パッド５８ＡＰＤ上に耐食層８４が形成されている。耐食層８４の例は、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕである。パッド上にＮｉ層が形成されている。Ｎｉ層上にＰｄ層が形成されている。Ｐｄ層上にＡｕ層が形成されている。パッド５８ＡＰＤ上の耐食層８４と突出部分８６Ｐを覆う耐食層８４は同じである。両者は同時に形成される。プリント配線板１０は、パッド５８ＡＰＤ上に金属ポスト８６を有していない。
【００２１】
[実施形態の改変例]
図１（Ｂ）に改変例のプリント配線板１００が示される。改変例のプリント配線板１００は、第３面Ｆ３と第３面Ｆ３と反対側の第４面Ｆ４とを有するコア基板３０と、コア基板３０の第３面Ｆ３上に形成されている第１ビルドアップ層Ｂｕ１と、コア基板３０の第４面Ｆ４上に形成されている第２ビルドアップ層Ｂｕ２と、第１ビルドアップ層Ｂｕ１上に形成されている最外の第１絶縁層７０Ａと、第２ビルドアップ層Ｂｕ２上に形成されている最外の第２絶縁層７０Ｂ、とを有する。
【００２２】
コア基板３０は、第３面Ｆ３と第３面Ｆ３と反対側の第４面Ｆ４とを有する樹脂基板２０と第３面Ｆ３上の第３導体層３４Ａと第４面Ｆ４上の第４導体層３４Ｂと樹脂基板２０を貫通し第３導体層３４Ａと第４導体層３４Ｂとを接続するスルーホール導体３６で形成されている。コア基板３０の第３面Ｆ３と樹脂基板２０の第３面Ｆ３は同じ面である。コア基板３０の第４面Ｆ４と樹脂基板２０の第４面Ｆ４は同じ面である。
【００２３】
第３面Ｆ３と第３導体層３４Ａ上に実施形態のプリント配線板（図１（Ａ）に示されているプリント配線板１０）が形成される。さらに、第１樹脂絶縁層５０Ａを貫通し第３導体層３４Ａと第１導体層５８Ａを接続する第１ビア導体６０Ａが形成される。これにより、コア基板３０の第３面上に第１ビルドアップ層Ｂｕ１と最外の第１絶縁層７０Ａが形成される。第１樹脂絶縁層５０Ａの第２面Ｓと樹脂基板２０の第３面Ｆ３が対向している。第１ビア導体６０Ａの直上に金属ポスト用導体回路５８ＡＰが形成されている。第１ビア導体６０Ａは金属ポスト用導体回路５８ＡＰに直接繋がっている。第１ビア導体６０Ａと金属ポスト用導体回路５８ＡＰは一体的に形成されている。そして、第１ビア導体６０Ａは金属ポスト用導体回路５８ＡＰに向かって太くなっている。そのため、金属ポスト８６上に電子部品が実装されても、第１ビア導体６０Ａを介する接続信頼性を長期間維持することができる。
【００２４】
第２ビルドアップ層Ｂｕ２は、第４面Ｆ４と第４導体層３４Ｂ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｂと第２樹脂絶縁層５０Ｂ上に形成されている第５導体層５８Ｂと第２樹脂絶縁層５０Ｂを貫通し第４導体層３４Ｂと第５導体層５８Ｂとを接続する第２ビア導体６０Ｂで形成されている。
最外の第２絶縁層７０Ｂは第２樹脂絶縁層５０Ｂと第５導体層５８Ｂ上に形成されている。最外の第２絶縁層７０Ｂは開口７１Ｓを有する。開口７１Ｓから露出する第５導体層５８Ｂが第２パッド７３Ｓを形成する。第２パッド７３Ｓ上に耐食層８４が形成されている。第２パッド７３Ｓ上の耐食層８４とパッド５８ＡＰＤ上の耐食層８４は同じである。
【００２５】
[応用例]
図１（Ｃ）は、実施形態のプリント配線板１００とプリント配線板１００に実装されている電子部品１１０で形成されている応用例を示す。電子部品１１０は金属ポスト８６を介してプリント配線板１００に接続される。金属ポスト８６と電子部品１１０は金属ポスト８６上の半田バンプ７６Ｆｉで接合される。プリント配線板１００が金属ポスト８６を有するので、半田バンプ７６Ｆｉの量を小さくすることができる。突出部分８６Ｐの側壁８６ＰＳ上に半田バンプ７６Ｆｉを形成することができる。側壁８６ＰＳ上に半田バンプ７６Ｆｉが形成されても、凹凸８６ＳＲＰの大きさが小さいので、側壁８６ＰＳを起点とするマイグレーションを抑制することができる。金属ポスト８６は上面８６Ｔから下面８６Ｌに向かって太くなっているので、半田バンプ７６Ｆｉに起因するショートを防止することができる。
【００２６】
[実施形態の製造方法]
実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図２に示される。
第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有する第１樹脂絶縁層５０Ａが準備される。最外の絶縁層（最外の第１絶縁層）７０Ａが準備される。第１樹脂絶縁層５０Ａの第１面Ｆ上にシード層５２が形成される。シード層５２の例は無電解銅めっき膜やスパッタで形成される銅膜である。シード層５２上に第１めっきレジストが形成される。第１めっきレジストから露出するシード層５２上に第１電解めっき膜５６が形成される。第１めっきレジストが除去される。シード層５２と第１電解めっき膜５６上に第２めっきレジスト８８が形成される。図２（Ａ）に示されるように、第２めっきレジスト８８は第１電解めっき膜５６を露出する開口８８Ａを有し、第１電解めっき膜５６の外周を被覆している。図２（Ｂ）に示されるように、第２めっきレジスト８８から露出する第１電解めっき膜５６上に第２電解めっき膜８０が形成される。開口８８Ａは金属ポスト用導体回路５８ＡＰを露出する。第１電解めっき膜５６と第１電解めっき膜５６上の第２電解めっき膜８０が共通のシード層５２を用いて形成される。そのため、第２電解めっき膜８０の厚みを容易に制御することができる。第２電解めっき膜８０が金属ポスト８６を形成するので、各金属ポスト８６の上面８６Ｔが同一平面上に位置しやすい。金属ポスト８６の高さＨ１のバラツキを小さくすることができる。第２めっきレジスト８８が除去される。図２（Ｃ）に示されるように、第１電解めっき膜５６と第２電解めっき膜８０から露出するシード層５２が除去される。シード層５２とシード層５２上の第１電解めっき膜５６で形成される第１導体層５８Ａが形成される。第１導体層５８Ａはパッド５８ＡＰＤと金属ポスト用導体回路５８ＡＰを含む。図２（Ｄ）に示されるように、第１樹脂絶縁層５０Ａの第１面Ｆと第１電解めっき膜５６と第２電解めっき膜８０上に最外の第１絶縁層７０Ａが形成される。この時、第１電解めっき膜５６と第２電解めっき膜８０は最外の第１絶縁層７０Ａ内に埋められる。最外の第１絶縁層７０Ａを薄くすることが行われる。最外の第１絶縁層７０Ａを薄くする方法の例はプラズマ処理やブラスト処理である。最外の第１絶縁層７０Ａを薄くすることで、最外の第１絶縁層７０Ａから第２電解めっき膜８０の一部が露出する。最外の第１絶縁層７０Ａにパッド５８ＡＰＤを露出する第２開口７１Ｆが形成される。第２開口７１Ｆを形成する方法の例はレーザである。あるいは、最外の第１絶縁層７０Ａを薄くする方法で第２開口７１Ｆを形成することができる。その場合、最外の第１絶縁層７０Ａを薄くすることと第２開口７１Ｆを形成することは同時に行われる。突出部分８６Ｐを覆う耐食層８４が形成される。パッド５８ＡＰＤ上に耐食層８４が形成される。突出部分８６Ｐ上の耐食層８４とパッド５８ＡＰＤ上の耐食層８４は同時に形成される。図１（Ａ）に示されるプリント配線板１０が形成される。
第２電解めっき膜８０の形成と第２めっきレジスト層８８の除去との間に第２電解めっき膜８０を研磨することができる。各第２電解めっき膜８０の高さのバラツキを小さくすることができる。
第１電解めっき膜５６上に第２電解めっき膜８０が形成されると、第１電解めっき膜５６の表面と第２電解めっき膜８０の表面に凹凸を形成することができる。表面は側面と上面を含む。第１電解めっき膜５６上に第２電解めっき膜８０が形成されていると、第２電解めっき膜８０から露出する第１電解めっき膜５６上に凹凸が形成される。凹凸が形成されてから、最外の第１絶縁層７０Ａが形成される。例えば、シード層５２はエッチング液で除去される。エッチング条件により、金属ポスト８６の形状を制御することができる。エッチング液の種類やエッチング液の濃度、エッチング液の温度、エッチング液の供給方法等がエッチング条件に含まれる。
【００２７】
[実施形態の改変例の製造方法]
公知の方法で第３面Ｆ３と第４面Ｆ４とを有するコア基板３０が形成される。コア基板３０は、第３面Ｆ３と第３面Ｆ３と反対側の第４面Ｆ４とを有する樹脂基板２０と第３面Ｆ３上の第３導体層３４Ａと第４面Ｆ４上の第４導体層３４Ｂと樹脂基板２０を貫通し第３導体層３４Ａと第４導体層３４Ｂとを接続するスルーホール導体３６で形成されている。コア基板３０の第３面Ｆ３上に第１樹脂絶縁層５０Ａが形成される。コア基板３０の第４面Ｆ４上に第２樹脂絶縁層５０Ｂが形成される。ＣＯ２ガスレーザにて、第３導体層３４Ａへ至る開口５１Ｆが第１樹脂絶縁層５０Ａに形成される。第４導体層３４Ｂに至る開口５１Ｓが第２樹脂絶縁層５０Ｂに形成される。第１樹脂絶縁層５０Ａと第２樹脂絶縁層５０Ｂ上にシード層として、無電解銅めっき膜５２が形成される。開口５１Ｆ、５１Ｓの内壁上にも無電解銅めっき膜５２が形成される。第１樹脂絶縁層５０Ａ上に形成されているシード層５２上に実施形態の製造方法と同様な処理が行われる。第２樹脂絶縁層５０Ｂ上に形成されているシード層５２上にセミアディティブ法で第５導体層５８Ｂが形成される。第２樹脂絶縁層５０Ｂと第５導体層５８Ｂ層上に最外の第２絶縁層７０Ｂが形成される。最外の第２絶縁層７０Ｂは第５導体層５８Ｂを露出する開口７１Ｓを有する。開口７１Ｓから露出する第５導体層５８Ｂは第２パッド７３Ｓを形成する。突出部分８６Ｐとパッド５８ＡＰＤと第２パッド７３Ｓ上に耐食層８４が同時に形成される。図１（Ｂ）に示される改変例のプリント配線板１０が形成される。
【００２８】
図３（Ｃ）は、金属ポスト８６の径φ１と隣接する金属ポスト８６間のピッチＰ１、隣接する金属ポスト８６間の距離（絶縁間隔）Ｄ１、金属ポスト８６の高さＨ１を示す。金属ポスト８６の直径φ１は２５μｍ以上、５０μｍ以下である。隣接する金属ポスト８６間のピッチＰ１は６０μｍ以上、９０μｍである。隣接する金属ポスト８６間の絶縁間隔Ｄ１は２５μｍ以上、４５μｍである。高さＨ１は、３μｍ以上である。高さＨ１は１０μｍ以下である。高さＨ１は７μｍ以下であることが好ましい。金属ポスト８６間の絶縁信頼性と金属ポスト８６を介する接続信頼性を高くすることがきる。金属ポスト８６は最外の第１絶縁層７０Ａの露出面７０ＡＥから突出している。例えば、径φ１と距離Ｄ１は露出面７０ＡＥの位置で測定される。高さＨ１は露出面７０ＡＥと上面８６Ｔとの間の距離である。
【符号の説明】
【００２９】
１０  プリント配線板
５０Ａ  第１樹脂絶縁層
５８Ａ  第１導体層
５２  シード層
５６  第１電解めっき膜
６０Ａ  第１ビア導体
７０Ｏ  第１開口
７１Ｆ  第２開口
８６  金属ポスト
８４  耐食層
７０Ａ  最外の第１絶縁層
７０Ｂ  最外の第２絶縁層
【図１】
2020188208.tif 000003
【図２】
2020188208.tif 000004
【図３】
2020188208.tif 000005