(57)【要約】【課題】基板処理を安定して継続する基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理方法は、基板処理におけるレシピ情報と、基板処理における制御対象の制御値情報とをレシピ情報毎に１つのレコードとして生成する生成工程と、レコードを記憶する記憶工程と、基板処理を行う際にレシピ情報を取得する取得工程と、取得されたレシピ情報と同じレシピ情報が記憶されたレコードを読み出す読み出し工程と、読み出されたレコードのレシピ情報における制御値情報に基づいて制御対象を制御する制御工程とを有する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理におけるレシピ情報と、前記基板処理における制御対象の制御値情報とを前記レシピ情報毎に１つのレコードとして生成する生成工程と、
前記レコードを記憶する記憶工程と、
基板処理を行う際にレシピ情報を取得する取得工程と、
取得された前記レシピ情報と同じレシピ情報が記憶された前記レコードを読み出す読み出し工程と、
読み出された前記レコードの前記レシピ情報における前記制御値情報に基づいて前記制御対象を制御する制御工程と
を有する基板処理方法。
【請求項２】
前記制御対象は、
基板処理状態を検出するセンサに異常が発生した場合に、前記制御値情報に基づいて制御される
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記センサによって検出された値、および取得された前記レシピ情報に基づいて前記制御対象をフィードバック制御するフィードバック制御工程
を有し、
前記制御対象は、
前記センサに異常が発生していない場合に、前記フィードバック制御によって制御され、前記センサに異常が発生した場合に、前記制御値情報に基づいて制御される
請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記レコードには、前記基板処理における環境情報が含まれ、
前記取得工程では、基板処理開始時の環境情報が取得され、
前記読み出し工程では、取得された前記レシピ情報と同じレシピ情報、および取得された前記環境情報と同じ環境情報が登録された前記レコードが、読み出される
請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記レコードは、前記基板処理が正常に終了した場合に生成され、記憶される
請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項６】
読み出された前記レコードは、新たに得られた制御値情報に基づいて更新される
請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項７】
基板処理におけるレシピ情報と、前記基板処理における制御対象の制御値情報とをレシピ情報毎に１つのレコードとして生成する生成部と、
生成された前記レコードを記憶する記憶部と、
基板処理を行う際にレシピ情報を取得する取得部と、
取得された前記レシピ情報と同じレシピ情報が登録された前記レコードの前記制御値情報に基づいて前記制御対象を制御する実行部と
を備える基板処理装置。
【請求項８】
前記実行部は、
基板処理状態を検出するセンサに異常が発生した場合に、前記制御値情報に基づいて前記制御対象を制御する
請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記生成部は、
新たに得られた制御値情報に基づいて前記レコードを更新する
請求項７または８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記生成部は、
前記基板処理における環境情報を含む前記レコードを生成し、
前記取得部は、
基板処理開始時の環境情報を取得し、
前記実行部は、
取得された前記レシピ情報と同じレシピ情報、および取得された前記環境情報と同じ環境情報が登録された前記レコードの前記制御値情報に基づいて前記制御対象を制御する
請求項７〜９のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板処理装置では、安定して基板処理を行い、生産性を高める試みが行われている。例えば、基板処理装置では、濃度センサによってシリコン濃度を計測し、シリコン濃度が所定濃度範囲となるように処理液を給排することが知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１４３６８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板処理を安定して継続することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の一態様に係る基板処理方法は、基板処理におけるレシピ情報と、基板処理における制御対象の制御値情報とをレシピ情報毎に１つのレコードとして生成する生成工程と、レコードを記憶する記憶工程と、基板処理を行う際にレシピ情報を取得する取得工程と、取得されたレシピ情報と同じレシピ情報が記憶されたレコードを読み出す読み出し工程と、読み出されたレコードのレシピ情報における制御値情報に基づいて制御対象を制御する制御工程とを有する。
【発明の効果】
【０００６】
実施形態の一態様によれば、基板処理を安定して継続することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。
【図２】図２は、実施形態に係るエッチング用の処理槽の構成を示す概略ブロック図である。
【図３】図３は、実施形態に係る制御装置の一部を説明するブロック図である。
【図４】図４は、実施形態に係るレコードの概念を示す模式図である。
【図５Ａ】図５Ａは、実施形態に係るエッチング処理において濃度センサに異常が発生していない場合のリン酸設定濃度、リン酸検出濃度、およびＤＩＷ供給量を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、実施形態に係るエッチング処理において濃度センサに異常が発生した場合のリン酸設定濃度、リン酸検出濃度、およびＤＩＷ供給量を示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、実施形態に係るエッチング処理において温度センサに異常が発生していない場合の槽内設定温度、槽内検出温度、およびヒーター出力を示す図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、実施形態に係るエッチング処理において温度センサに異常が発生した場合の槽内設定温度、槽内検出温度、およびヒーター出力を示す図である。
【図７】図７は、実施形態に係るエッチング処理を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理方法および基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理方法および基板処理装置が限定されるものではない。
【０００９】
図１に示すように、実施形態に係る基板処理装置１は、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６と、制御装置１００とを有する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の概略平面図である。ここでは、水平方向に直交する方向を上下方向として説明する。
【００１０】
キャリア搬入出部２は、複数枚（例えば、２５枚）の基板（シリコンウエハ）８を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入、および搬出を行う。
【００１１】
キャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ１０と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構１１と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック１２，１３と、キャリア９を載置するキャリア載置台１４とが設けられている。
【００１２】
キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ１０に搬入されたキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１２や、キャリア載置台１４に搬送する。すなわち、キャリア搬入出部２は、ロット処理部６で処理する前の複数枚の基板８を収容するキャリア９を、キャリアストック１２や、キャリア載置台１４に搬送する。
【００１３】
キャリアストック１２は、ロット処理部６で処理する前の複数枚の基板８を収容するキャリア９を、一時的に保管する。
【００１４】
キャリア載置台１４に搬送され、ロット処理部６で処理する前の複数枚の基板８を収容するキャリア９からは、後述する基板搬送機構１５によって複数枚の基板８が搬出される。
【００１５】
また、キャリア載置台１４に載置され、基板８を収容していないキャリア９には、基板搬送機構１５から、ロット処理部６で処理した後の複数枚の基板８が搬入される。
【００１６】
キャリア搬入出部２は、キャリア載置台１４に載置され、ロット処理部６で処理した後の複数枚の基板８を収容するキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１３や、キャリアステージ１０に搬送する。
【００１７】
キャリアステージ１０に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。
【００１８】
ロット形成部３には、複数枚（例えば、２５枚）の基板８を搬送する基板搬送機構１５が設けられている。ロット形成部３は、基板搬送機構１５による複数枚（例えば、２５枚）の基板８の搬送を２回行い、複数枚（例えば、５０枚）の基板８からなるロットを形成する。
【００１９】
ロット搬送部５は、ロット載置部４とロット処理部６との間や、ロット処理部６の内部間でロットの搬送を行う。
【００２０】
ロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構１９が設けられている。ロット搬送機構１９は、ロット載置部４とロット処理部６とに沿わせて配置したレール２０と、基板保持体２２によってロットを保持しながらレール２０に沿って移動する移動体２１とを有する。
【００２１】
ロット処理部６は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８で形成されたロットにエッチングや、洗浄や、乾燥などの処理を行う。
【００２２】
ロット処理部６には、２台のエッチング処理装置２３と、洗浄処理装置２４と、基板保持体洗浄処理装置２５と、乾燥処理装置２６とが並べて設けられている。エッチング処理装置２３は、ロットにエッチング処理を行う。洗浄処理装置２４は、ロットの洗浄処理を行う。基板保持体洗浄処理装置２５は、基板保持体２２の洗浄処理を行う。乾燥処理装置２６は、ロットの乾燥処理を行う。なお、エッチング処理装置２３の台数は、２台に限られることはなく、１台でもよく、３台以上であってもよい。
【００２３】
エッチング処理装置２３は、エッチング用の処理槽２７と、リンス用の処理槽２８と、基板昇降機構２９，３０とを有する。
【００２４】
エッチング用の処理槽２７には、エッチング用の処理液（以下、「エッチング液」という。）が貯留され、エッチング処理が行われる。リンス用の処理槽２８には、リンス用の処理液（純水等）が貯留され、リンス処理が行われる。なお、エッチング用の処理槽２７の詳細については後述する。
【００２５】
基板昇降機構２９,３０には、ロットを形成する複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。
【００２６】
洗浄処理装置２４は、洗浄用の処理槽３１と、リンス用の処理槽３２と、基板昇降機構３３,３４とを有する。
【００２７】
洗浄用の処理槽３１には、洗浄用の処理液（ＳＣ−１等）が貯留される。リンス用の処理槽３２には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。基板昇降機構３３,３４には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。
【００２８】
乾燥処理装置２６は、処理槽３５と、処理槽３５に対して昇降する基板昇降機構３６とを有する。
【００２９】
処理槽３５には、乾燥用の処理ガス（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）が供給される。基板昇降機構３６には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。
【００３０】
乾燥処理装置２６は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３６で受取り、受取ったロットを基板昇降機構３６で降下させて処理槽３５に搬入し、処理槽３５に供給した乾燥用の処理ガスでロットの乾燥処理を行う。そして、乾燥処理装置２６は、基板昇降機構３６でロットを上昇させ、基板昇降機構３６からロット搬送機構１９の基板保持体２２に、乾燥処理を行ったロットを受け渡す。
【００３１】
基板保持体洗浄処理装置２５は、処理槽３７を有し、処理槽３７に洗浄用の処理液、および乾燥ガスを供給する。基板保持体洗浄処理装置２５は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体２２の洗浄処理を行う。
【００３２】
次に、エッチング用の処理槽２７について、図２を参照し説明する。図２は、実施形態に係るエッチング用の処理槽２７の構成を示す概略ブロック図である。図２に示す処理槽２７では、エッチング処理で用いるエッチング液（処理液）として、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）水溶液が用いられる。なお、ここで示すエッチング処理は、一例であり、エッチング液がリン酸水溶液に限定されるものではない。
【００３３】
エッチング用の処理槽２７は、リン酸水溶液供給部４０と、リン酸水溶液排出部４１と、純水供給部４２と、内槽４３と、外槽４４とを有する。
【００３４】
リン酸水溶液供給部４０は、リン酸水溶液供給源４０Ａと、リン酸水溶液供給ライン４０Ｂと、第１流量調整器４０Ｃとを有する。
【００３５】
リン酸水溶液供給源４０Ａは、リン酸水溶液を貯留するタンクである。リン酸水溶液供給ライン４０Ｂは、リン酸水溶液供給源４０Ａと外槽４４とを接続し、リン酸水溶液供給源４０Ａから外槽４４にリン酸水溶液を供給する。
【００３６】
第１流量調整器４０Ｃは、外槽４４へ供給されるリン酸水溶液の流量を調整する。第１流量調整器４０Ｃは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。
【００３７】
純水供給部４２は、純水供給源４２Ａと、純水供給ライン４２Ｂと、第２流量調整器４２Ｃとを有する。純水供給部４２は、エッチング液を加熱することにより蒸発した水分を補給するために外槽４４に純水（ＤＩＷ）を供給する。純水供給部４２によってＤＩＷが供給されることで、エッチング液のリン酸濃度を調整することができる。
【００３８】
純水供給ライン４２Ｂは、純水供給源４２Ａと外槽４４とを接続し、純水供給源４２Ａから外槽４４に所定温度の純水を供給する。
【００３９】
第２流量調整器４２Ｃは、純水供給ライン４２Ｂに設けられ、外槽４４へ供給される純水の流量を調整する。第２流量調整器４２Ｃは、開閉弁、流量制御弁、流量計などから構成される。
【００４０】
内槽４３は、上部が開放され、エッチング液が上部付近まで供給される。内槽４３では、基板昇降機構２９によってロット（複数枚の基板８）がエッチング液に浸漬され、基板８にエッチング処理が行われる。なお、内槽４３には、内槽４３内のエッチング液の温度を検出する温度センサ８０が設けられる。
【００４１】
外槽４４は、内槽４３の上部周囲に設けられるとともに上部が開放される。外槽４４には、内槽４３からオーバーフローしたエッチング液が流入する。また、外槽４４には、純水供給部４２から純水が供給される。
【００４２】
外槽４４と内槽４３とは循環ライン５０によって接続される。循環ライン５０の一端は、外槽４４に接続され、循環ライン５０の他端は、内槽４３内に設置された処理液供給ノズル４６に接続される。
【００４３】
循環ライン５０には、外槽４４側から順に、ポンプ５１、ヒーター５２、フィルタ５３、および濃度センサ５４が設けられる。外槽４４内のエッチング液はヒーター５２によって加温されて処理液供給ノズル４６から内槽４３内に流入する。
【００４４】
ヒーター５２は、内槽４３に供給されるエッチング液を、エッチング処理に適した第１所定温度に加温する。ヒーター５２は、制御装置１００（図１参照）からの信号に基づいて出力、すなわちエッチング液の加熱量が制御される。濃度センサ５４は、エッチング液のリン酸濃度を検出する。
【００４５】
ポンプ５１を駆動させることにより、エッチング液は、外槽４４から循環ライン５０を経て内槽４３内に送られる。また、エッチング液は、内槽４３からオーバーフローすることで、再び外槽４４へと流出する。このようにして、エッチング液の循環路５５が形成される。すなわち、循環路５５は、外槽４４、循環ライン５０、内槽４３によって形成される。循環路５５では、内槽４３を基準として外槽４４がヒーター５２よりも上流側に設けられる。
【００４６】
リン酸水溶液排出部４１は、エッチング処理で使用されたエッチング液の全部、または一部を入れ替える際にエッチング液を排出する。リン酸水溶液排出部４１は、排出ライン４１Ａと、第３流量調整器４１Ｂと、冷却タンク４１Ｃとを有する。
【００４７】
排出ライン４１Ａは、循環ライン５０に接続される。第３流量調整器４１Ｂは、排出ライン４１Ａに設けられ、排出されるエッチング液の排出量を調整する。第３流量調整器４１Ｂは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。冷却タンク４１Ｃは、排出ライン４１Ａを流れてきたエッチング液を一時的に貯留するとともに冷却する。
【００４８】
なお、第１流量調整器４０Ｃ〜第３流量調整器４１Ｂを構成する開閉弁の開閉や、流量制御弁の開度は、制御装置１００からの信号に基づいてアクチュエータ（不図示）が動作することで、変更される。すなわち、第１流量調整器４０Ｃ〜第３流量調整器４１Ｂを構成する開閉弁や、流量制御弁は、制御装置１００によって制御される。
【００４９】
次に、実施形態に係る制御装置１００について説明する。制御装置１００は、基板処理装置１の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６）の動作を制御する。制御装置１００は、スイッチなどからの信号に基づいて、基板処理装置１の各部の動作を制御する。
【００５０】
ここで、実施形態の制御装置１００においてエッチング処理を実行する機能の一部について図３を参照し説明する。図３は、実施形態に係る制御装置１００の一部を説明するブロック図である。
【００５１】
制御装置１００は、制御部６０と、記憶部６１とを備える。制御部６０は、取得部７０と、判定部７１と、読み出し部７２と、生成部７３と、実行部７４とを備える。
【００５２】
制御部６０は、例えば、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、ＨＤＤ（Hard  Disk  Drive）、入出力ポートなどを有するコンピュータや各種の回路を含む。
【００５３】
コンピュータのＣＰＵは、例えば、ＲＯＭに記憶されたプログラムをＲＡＭに読み出して実行することによって、制御部６０の取得部７０と、判定部７１と、読み出し部７２と、生成部７３と、実行部７４として機能する。その際、ＲＡＭは、ＣＰＵのワークエリアとして用いられる。また、ＲＡＭは、エッチング処理によって得られたデータなどを一時的に記憶することができる。
【００５４】
また、制御部６０の少なくともいずれか一部または全部をＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）やＦＰＧＡ（Field  Programmable  Gate  Array）等のハードウェアで構成することもできる。
【００５５】
また、記憶部６１は、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体である。記憶部６１には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。
【００５６】
制御装置１００は、記憶部６１に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶部６１に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御装置１００の記憶部６１にインストールされたものであってもよい。
【００５７】
コンピュータによって読み取り可能な記憶部６１としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００５８】
取得部７０は、エッチング処理のレシピ情報を取得する。レシピ情報は、作業者によって直接入力されてもよく、また、端末装置などを介して入力されてもよい。
【００５９】
レシピ情報は、エッチング処理の条件となるパラメータであり、エッチング処理の経過時間に対して設定される設定値情報である。レシピ情報には、エッチング処理の経過時間に対するリン酸濃度の設定値情報（以下、「リン酸設定濃度」と称する。）、内槽４３内のエッチング液の設定値情報（以下、「槽内設定温度」と称する。）が含まれる。なお、レシピ情報には、エッチング液中のシリコン濃度や、内槽４３の液面の高さに関する情報などが含まれてもよい。
【００６０】
また、取得部７０は、エッチング処理においてフィードバック制御を行うための信号を取得する。取得部７０は、基板処理状態を検出するセンサ、具体的には、濃度センサ５４、および温度センサ８０から信号を取得する。
【００６１】
取得部７０は、濃度センサ５４によって検出されたエッチング液中のリン酸の濃度（以下、「リン酸検出濃度」と称する。）に関する信号を取得する。また、取得部７０は、温度センサ８０によって検出された内槽４３内のエッチング液の温度（以下、「槽内検出温度」と称する。）に関する信号を取得する。
【００６２】
なお、取得部７０は、エッチング液中のシリコン濃度を検出するシリコン濃度センサや、内槽４３の液面の高さを検出する液面センサなどから信号を取得してもよい。
【００６３】
また、取得部７０は、環境情報を取得する。環境情報は、エッチング処理を開始する際のエッチング処理装置２３付近の環境に関する情報である。例えば、環境情報は、エッチング液の沸騰状態に関係する情報である。
【００６４】
環境情報には、エッチング処理開始時の大気圧（以下、「開始時大気圧」と称する。）に関する情報が含まれる。開始時大気圧は、気圧センサ８１によって検出される。すなわち、取得部７０は、気圧センサ８１によって検出された開始時大気圧に関する信号を取得する。なお、環境情報には、エッチング処理装置２３付近の温度に関する情報や、エッチング処理装置２３付近の湿度に関する情報や、基板処理装置１の排気情報などが含まれてもよい。
【００６５】
判定部７１は、エッチング処理を開始する際に、取得されたレシピ情報、および取得された環境情報に一致するレコードがあるか否かを判定する。
【００６６】
レコードには、エッチング処理における各種情報が紐付けられ、登録される。各種情報には、エッチング処理におけるレシピ情報、環境情報、および制御値情報が含まれる。
【００６７】
制御値情報は、エッチング処理の経過時間に対する制御対象の制御値に関する情報である。制御対象は、レシピ情報に関連し、レシピ情報の各設定値を実現するために制御が実行される対象である。また、制御対象の制御値は、制御対象に対する実際の出力値である。
【００６８】
例えば、レシピ情報がリン酸設定濃度に関する情報である場合には、制御対象は、エッチング液のリン酸濃度を調整する第２流量調整器４２Ｃの流量制御弁である。また、制御対象の制御値は、第２流量調整器４２Ｃの流量制御弁の開度、すなわち、流量制御弁の開度を調整するアクチュエータの出力値である。なお、以下では、第２流量調整器４２Ｃの流量制御弁の開度としての制御対象の制御値を「ＤＩＷ供給量」と称する。
【００６９】
また、レシピ情報が槽内設定温度に関する情報である場合には、制御対象は、ヒーター５２である。また、制御対象の制御値は、ヒーター５２の出力（以下、「ヒーター出力」と称する。）である。
【００７０】
なお、制御値情報には、第１流量調整器４０Ｃの流量制御弁の開度などに関する情報が含まれてもよい。
【００７１】
判定部７１は、取得されたレシピ情報と同じレシピ情報、および取得された環境情報と同じ環境情報で過去にエッチング処理が行われ、レシピ情報、環境情報、および制御値情報が既にレコードに登録され、記憶されているか否かを判定する。すなわち、判定部７１は、取得されたレシピ情報と同じレシピ情報、および取得された環境情報と同じ環境情報が登録されたレコードがあるか否かを判定する。なお、取得されたレシピ情報と同じレシピ情報、および取得された環境情報と同じ環境情報が登録されたレコードが無い場合には、取得されたレシピ情報、および取得された環境情報は、ワークエリアに記憶される。
【００７２】
また、判定部７１は、濃度センサ５４、温度センサ８０から取得された信号に基づいて制御対象の制御方法を、フィードバック制御からレコードに記憶された制御値情報に基づく制御（以下、「記憶制御」と称する。）に切り替えるか否かを判定する。
【００７３】
判定部７１は、異常が発生していないセンサに関連する制御対象の制御方法についてはフィードバック制御を維持すると判定する。また、判定部７１は、センサに異常が発生している場合には、異常が発生したセンサに関連する制御対象の制御方法をフィードバック制御から記憶制御に変更すると判定する。
【００７４】
センサの異常は、例えば、センサによって検出される値が通常時に検出される値から大きく離れている状態や、断線などによって信号が送信されない状態である。なお、センサの異常は、センサから異常信号が送信されてもよく、判定部７１によって判定されてもよい。
【００７５】
また、判定部７１は、エッチング処理の経過時間に基づいてエッチング処理が終了したか否かを判定する。
【００７６】
読み出し部７２は、エッチング処理が行われる際に、取得されたレシピ情報、および取得された環境情報が一致するレコードを記憶部６１から読み出す。すなわち、読み出し部７２は、取得されたレシピ情報と同じレシピ情報、および取得された環境情報と同じ環境情報が登録されたレコードを記憶部６１から読み出す。
【００７７】
生成部７３は、エッチング処理が終了した場合に、エッチング処理における各種情報、具体的にはレシピ情報、環境情報、および制御値情報が登録されたレコードを生成する。生成部７３は、エッチング処理の条件毎に１つのレコードを生成する。具体的には、生成部７３は、レシピ情報、および環境情報毎にレコードを生成する。すなわち、生成部７３は、レシピ情報、および環境情報が異なる場合には、異なるレコードを生成する。生成されたレコードは、記憶部６１に記憶される。
【００７８】
例えば、生成部７３は、図４に示すように、ｍ個のレコードを生成する。図４は、実施形態に係るレコードの概念を示す模式図である。例えば、レコードＮｏ１とレコードＮｏ７とでは、レシピ情報としてリン酸設定濃度に関する情報が異なっており、他のレシピ情報、および環境情報は同じである。
【００７９】
レコードＮｏ１には、環境情報として、開始時大気圧「ｅ」に関する情報が登録される。また、レコードＮｏ１には、エッチング処理の経過時間「ｔ１」〜「ｔｎ」に対してレシピ情報としてリン酸設定値濃度「ａ１」〜「ａｎ」に関する情報が紐付けられ、登録される。また、レコードＮｏ１には、制御値情報としてＤＩＷ供給量、すなわち第２流量調整器４２Ｃの流量制御弁の開度「ｃ１」〜「ｃｎ」に関する情報が紐付けられ、登録される。
【００８０】
また、レコードＮｏ１には、エッチング処理の経過時間「ｔ１」〜「ｔｎ」に対してレシピ情報として槽内設定値温度「ｂ１」〜「ｂｎ」に関する情報が紐付けられ、登録される。また、レコードＮｏ１には、制御値情報としてヒーター出力「ｄ１」〜「ｄｎ」に関する情報が紐付けられ、登録される。
【００８１】
レコードＮｏ７には、環境情報として、開始時大気圧「ｅ」に関する情報が登録される。また、レコードＮｏ７には、エッチング処理の経過時間「ｔ１」〜「ｔｎ」に対してレシピ情報としてリン酸設定濃度「Ａ１」〜「Ａｎ」に関する情報が紐付けられ、登録される。また、レコードＮｏ７には、制御値情報としてＤＩＷ供給量「Ｃ１」〜「Ｃｎ」に関する情報が紐付けられ、登録される。
【００８２】
生成部７３は、予め設定された時間間隔、例えば、１分おきのレシピ情報、および制御値情報と、経過時間と紐付けて登録したレコードを生成し、記憶部６１に記憶させる。また、生成部７３は、レシピ情報の値が変更される時間毎に、レシピ情報、および制御値情報と、経過時間と紐付けて登録したレコードを生成し、記憶部６１に記憶させてもよい。
【００８３】
生成部７３は、エッチング処理が行われる際に、取得されたレシピ情報と同じレシピ情報、および取得された環境情報と同じ環境情報が登録されたレコードが有る場合には、レコードの制御値情報を更新する。具体的には、生成部７３は、エッチング処理が終了した後に、エッチング処理によって得られた新たな制御値情報によって、レコードに登録されている制御値情報を上書きし、更新する。
【００８４】
生成部７３は、エッチング処理が行われる際に、取得されたレシピ情報と同じレシピ情報、および取得された環境情報と同じ環境情報が登録されたレコードが無い場合には、新たにレコードを生成する。なお、生成部７３は、エッチング処理において全ての制御対象がフィードバック制御によって正常に終了した場合に、新たにレコードを生成する。
【００８５】
図３に戻り、実行部７４は、レシピ情報に基づいて各制御対象に対する制御信号を出力し、各制御対象の制御を実行する。制御対象に対する制御信号は、制御対象の制御値である。制御対象の制御値は、ワークエリアに記憶される。
【００８６】
実行部７４は、異常が発生していないセンサに関係する制御対象についてはセンサの検出値に基づいてフィードバック制御を実行する。
【００８７】
実行部７４は、異常が発生したセンサに関係する制御対象については、フィードバック制御を停止し、読み出されたレコードの制御値情報に基づいて記憶制御を実行する。すなわち、実行部７４は、制御対象のフィードバック制御に関係するセンサに異常が発生していない場合には、制御対象に対しフィードバック制御を行う。また、実行部７４は、制御対象のフィードバック制御に関係するセンサに異常が発生した場合には、制御対象に対し記憶制御を実行する。
【００８８】
実行部７４は、記憶制御を行う場合には、レコードに登録された制御値情報に基づいた制御信号を出力する。
【００８９】
なお、実行部７４は、異常が発生したセンサとは関係がない制御対象については、フィードバック制御を継続する。
【００９０】
例えば、濃度センサ５４に異常が発生し、温度センサ８０に異常が発生していない場合には、実行部７４は、第２流量調整器４２Ｃの流量制御弁の開度に対する制御をフィードバック制御から記憶制御に切り替える。また、実行部７４は、ヒーター５２に対する制御をフィードバック制御に維持する。
【００９１】
次に、実施形態に係るエッチング処理において濃度センサ５４に異常が発生した場合について、図５Ａ、および図５Ｂを参照し説明する。図５Ａは、実施形態に係るエッチング処理において濃度センサ５４に異常が発生していない場合のリン酸設定濃度、リン酸検出濃度、およびＤＩＷ供給量を示す図である。図５Ｂは、実施形態に係るエッチング処理において濃度センサ５４に異常が発生した場合のリン酸設定濃度、リン酸検出濃度、およびＤＩＷ供給量を示す図である。なお、ここでは、エッチング処理のレシピ情報、および環境情報について登録されたレコードが既に記憶されているものとする。
【００９２】
制御装置１００は、エッチング処理のレシピ情報、および環境情報が一致するレコードを読み出し、時間ｔ０においてフィードバック制御によるエッチング処理を開始し、時間ｔｎにおいてエッチング処理を終了する。
【００９３】
濃度センサ５４に異常が発生していない場合には、制御装置１００は、濃度センサ５４によって検出されたリン酸検出濃度に基づき、リン酸設定濃度となるようにＤＩＷ供給量のフィードバック制御を行う。具体的には、制御装置１００は、第２流量調整器４２Ｃの流量制御弁の開度を制御し、ＤＩＷ供給量を制御する。
【００９４】
これに対し、時間ｔｓ１において濃度センサ５４に異常が発生した場合には、制御装置１００は、時間ｔｓ１以降においてリン酸検出濃度に基づき、ＤＩＷ供給量のフィードバック制御を行うことができない。
【００９５】
そこで、制御装置１００は、時間ｔｓ１以降では、読み出したレコードのＤＩＷ供給量の制御値情報に基づいてＤＩＷ供給量を制御する。
【００９６】
これにより、制御装置１００は、濃度センサ５４に異常が発生した場合であっても、リン酸濃度を調整しつつ、エッチング処理を継続することができる。
【００９７】
次に、実施形態に係るエッチング処理において温度センサ８０に異常が発生した場合について、図６Ａ、および図６Ｂを参照し説明する。図６Ａは、実施形態に係るエッチング処理において温度センサ８０に異常が発生していない場合の槽内設定温度、槽内検出温度、およびヒーター出力を示す図である。図６Ｂは、実施形態に係るエッチング処理において温度センサ８０に異常が発生した場合の槽内設定温度、槽内検出温度、およびヒーター出力を示す図である。なお、ここでも、エッチング処理のレシピ情報、および環境情報について登録されたレコードが既に記憶されているものとする。
【００９８】
温度センサ８０に異常が発生していない場合には、制御装置１００は、温度センサ８０によって検出された槽内検出温度に基づき、槽内設定温度となるようにヒーター出力のフィードバック制御を行う。
【００９９】
これに対し、時間ｔｓ２において温度センサ８０に異常が発生した場合には、制御装置１００は、時間ｔｓ２以降では、読み出したレコードのヒーター出力の制御値情報に基づいてヒーター出力を制御する。
【０１００】
これにより、制御装置１００は、温度センサ８０に異常が発生した場合であっても、槽内温度を調整しつつ、エッチング処理を継続することができる。
【０１０１】
なお、例えば、時間ｔｓ２において濃度センサ５４に異常が発生していない場合には、制御装置１００は、濃度センサ５４によって検出されたリン酸検出濃度に基づき、リン酸設定濃度となるようにＤＩＷ供給量のフィードバック制御を行う。
【０１０２】
次に、実施形態に係るエッチング処理について図７を参照し説明する。図７は、実施形態に係るエッチング処理を示すフローチャートである。
【０１０３】
制御装置１００は、エッチング処理におけるレシピ情報、および環境情報を取得する（Ｓ１００）。ステップＳ１００は、取得工程の一例である。
【０１０４】
制御装置１００は、取得したレシピ情報と同じレシピ情報、および取得した環境情報と同じ環境情報が登録されたレコードがあるか否かを判定する（Ｓ１０１）。制御装置１００は、取得したレシピ情報と同じレシピ情報、および取得した環境情報と同じ環境情報が登録されたレコードが無い場合には（Ｓ１０１：Ｎｏ）、取得したレシピ情報、および取得した環境情報をワークエリアに記憶する（Ｓ１０２）。
【０１０５】
制御装置１００は、取得したレシピ情報と同じレシピ情報、および取得した環境情報と同じ環境情報が登録されたレコードがある場合には（Ｓ１０１：Ｙｅｓ）、取得したレシピ情報、および取得した環境情報が一致するレコードを読み出す（Ｓ１０３）。ステップＳ１０３は、読み出し工程の一例である。
【０１０６】
制御装置１００は、エッチング処理を実行する（Ｓ１０４）。制御装置１００は、各制御対象に対してフィードバック制御を行い、エッチング処理を実行する。また、制御装置１００は、フィードバック制御における各制御対象の制御値情報をワークエリアに記憶する。ステップＳ１０４は、フィードバック制御工程の一例である。
【０１０７】
制御装置１００は、エッチング処理が終了したか否かを判定する（Ｓ１０５）。制御装置１００は、エッチング処理が終了していない場合には（Ｓ１０５：Ｎｏ）、濃度センサ５４、または温度センサ８０に異常が発生したか否かを判定する（Ｓ１０６）。
【０１０８】
制御装置１００は、濃度センサ５４、および温度センサ８０に異常が発生していない場合には（Ｓ１０６：Ｎｏ）、エッチング処理を継続する（Ｓ１０４）。
【０１０９】
制御装置１００は、濃度センサ５４、または温度センサ８０に異常が発生した場合には（Ｓ１０６：Ｙｅｓ）、異常が発生したセンサに関係する制御対象のフィードバック制御を停止する（Ｓ１０７）。
【０１１０】
制御装置１００は、フィードバック制御を停止した制御対象について、レコードに登録された制御値情報を読み出す（Ｓ１０８）。
【０１１１】
制御装置１００は、読み出した制御値情報に基づいて制御対象に対し記憶制御を行い（Ｓ１０９）、エッチング処理を継続する（Ｓ１０４）。ステップＳ１０９は、制御工程の一例である。
【０１１２】
制御装置１００は、エッチング処理が終了した場合には（Ｓ１０５：Ｙｅｓ）、エッチング処理におけるレシピ情報、環境情報、および制御値情報を登録したレコードを記憶する（Ｓ１１０）。ステップＳ１１０は、記憶工程、および生成工程の一例である。
【０１１３】
具体的には、制御装置１００は、取得したレシピ情報と同じレシピ情報、および取得した環境情報と同じ環境情報が登録されたレコードが無い場合には、新たなレコードに、レシピ情報、環境情報、および制御値情報を登録し、レコードを記憶する。すなわち、制御装置１００は、新たなレコードを生成し、記憶する。
【０１１４】
また、制御装置１００は、取得したレシピ情報と同じレシピ情報、および取得した環境情報と同じ環境情報が登録されたレコードが有る場合には、新たに得られた制御値情報によって、レコードに登録されている制御値情報を上書きし、レコードを更新する。制御装置１００は、更新したレコードを記憶する。
【０１１５】
次に、実施形態に係る基板処理装置１の効果について説明する。
【０１１６】
基板処理装置１は、基板処理におけるレシピ情報と、基板処理における制御対象の制御値情報とをレシピ情報毎に１つのレコードとして生成する生成部７３と、生成されたレコードを記憶する記憶部６１と、基板処理を行う際にレシピ情報を取得する取得部７０と、取得されたレシピ情報と同じレシピ情報が登録されたレコードの制御値情報に基づいて制御対象を制御する実行部７４とを備える。
【０１１７】
すなわち、基板処理装置１は、基板処理方法として、基板処理におけるレシピ情報と、基板処理における制御対象の制御値情報とをレシピ情報毎に１つのレコードとして生成する生成工程と、レコードを記憶する記憶工程と、基板処理を行う際にレシピ情報を取得する取得工程と、取得されたレシピ情報と同じレシピ情報が記憶されたレコードを読み出す読み出し工程と、読み出されたレコードのレシピ情報における制御値情報に基づいて制御対象を制御する制御工程とを有する。
【０１１８】
これにより、基板処理装置１は、レコードに記憶された第２流量調整器４２Ｃの流量制御弁の開度に基づいて記憶制御を行うことができる。そのため、基板処理装置１は、基板処理を安定して継続することができる。例えば、基板処理装置１は、異常発生時やメンテナンス時など、通常とは異なる状況においてもエッチング処理を継続することができる。
【０１１９】
また、基板処理装置１は、制御対象に関係するセンサに異常が発生していない場合には、制御対象をフィードバック制御によって制御する。また、基板処理装置１は、制御対象に関係するセンサに異常が発生した場合には、制御対象を記憶制御によって制御する。
【０１２０】
これにより、基板処理装置１は、フィードバック制御によって制御対象を精度良く制御しつつ、異常が発生した場合にエッチング処理を継続することができる。
【０１２１】
また、レコードには、基板処理における環境情報が含まれる。基板処理装置１は、取得されたレシピ情報と同じレシピ情報、および取得された環境情報と同じ環境情報が登録されたレコードを読み出す。
【０１２２】
これにより、基板処理装置１は、記憶制御を行う場合に、環境情報に応じた制御値情報に基づいて記憶制御を行うことができる。そのため、基板処理装置１は、記憶制御を行う場合に、環境情報に応じてエッチング処理を精度良く行うことができる。
【０１２３】
また、基板処理装置１は、新たに得られた制御値情報に基づいてレコードを更新する。
【０１２４】
これにより、基板処理装置１は、記憶制御によってエッチング処理を行う場合に、同じレシピ情報、および同じ環境情報によって行われた最新のフィードバック制御に近い状態でエッチング処理を継続することができる。そのため、基板処理装置１は、記憶制御によるエッチング処理を精度良く行うことができる。
【０１２５】
また、基板処理装置１は、基板処理が正常に終了した場合、すなわち全ての制御対象がフィードバック制御によって制御されて終了した場合に、レコードを生成し、記憶する。
【０１２６】
これにより、基板処理装置１は、レコードに正確な制御値情報を登録し、レコードを記憶することができる。そのため、基板処理装置１は、記憶制御を行う場合に、エッチング処理を精度良く行うことができる。
【０１２７】
次に、変形例に係る基板処理装置１について説明する。
【０１２８】
変形例に係る基板処理装置１は、エッチング処理を行う際に、作業者によってレコードを選択可能としてもよい。変形例に係る基板処理装置１は、記憶されたレコードが作業者によって選択されることで、レコードに記憶されたレシピ情報を読み出してもよい。
【０１２９】
また、変形例に係る基板処理装置１は、レコードに登録された制御値情報を更新する場合に、記憶制御が行われた制御対象の制御値情報を更新せずに、フィードバック制御が行われた制御対象の制御値情報を更新してもよい。
【０１３０】
また、変形例に係る基板処理装置１は、全ての制御対象をフィードバック制御によって制御し、エッチング処理を正常に終了した場合に、制御値情報を更新してもよい。すなわち、変形例に係る基板処理装置１は、記憶制御によってエッチング処理を行った場合には、制御値情報を更新しない。
【０１３１】
これにより、変形例に係る基板処理装置１は、レコードに登録された制御値情報を正確な制御値情報によって更新することができる。
【０１３２】
変形例に係る基板処理装置１は、例えば、作業者の操作によってフィードバック制御から記憶制御に切り替えて制御対象を制御してもよい。
【０１３３】
これにより、変形例に係る基板処理装置１は、例えば、センサによる検出値にばらつきが生じている場合に、作業者がフィードバック制御から記憶制御に切り替えてエッチング処理を継続することができる。また、変形例に係る基板処理装置１は、例えば、センサに異常が発生している状態であっても、記憶制御によってエッチング処理を開始することができる。
【０１３４】
また、変形例に係る基板処理装置１は、エッチング処理中に環境情報、例えば、大気圧が予め設定された範囲を超えて変化した場合に、エッチング処理を中止してもよい。
【０１３５】
上記実施形態、および変形例における基板処理装置１は、複数枚の基板８を処理するエッチング処理を行う装置として説明したが、これは一例であって基板８を１枚ずつ洗浄する枚葉式のエッチング処理を行う装置であってもよい。また、上記した記憶制御は、乾燥処理装置２６などに適用されてもよい。すなわち、レシピ情報と制御対象の制御値情報とを入手可能な、全ての基板処理プロセスについて、上記した記憶制御を適用することができる。また、上記した記憶制御は、ローラなどによって基板を水平方向に搬送しながら処理を行う基板処理に適用されてもよい。
【０１３６】
なお、取得部７０は、リン酸水溶液の流量を検出する流量センサや、純水の流量を検出する流量センサや、基板処理装置１の排気圧を検出する排気圧センサなどから信号を取得してもよい。すなわち、取得部７０は、基板処理プロセスにおいて、フィードバック制御を実行するために用いる全て、または一部のセンサから信号を取得してもよい。また、制御対象には、基板処理プロセスにおいて、フィードバック制御が実行される対象が含まれる。例えば、制御対象には、基板処理装置１の排気圧を調整するダンパが含まれてもよい。この場合、制御対象の制御値は、ダンパの出力である。
【０１３７】
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【０１３８】
１      基板処理装置
２３    エッチング処理装置
４２Ｃ  第２流量調整器
５２    ヒーター
５４    濃度センサ
６０    制御部
６１    記憶部
７０    取得部
７１    判定部
７２    読み出し部
７３    生成部
７４    実行部
８０    温度センサ
【図１】
2020096104.tif 000003
【図２】
2020096104.tif 000004
【図３】
2020096104.tif 000005
【図４】
2020096104.tif 000006
【図５Ａ】
2020096104.tif 000007
【図５Ｂ】
2020096104.tif 000008
【図６Ａ】
2020096104.tif 000009
【図６Ｂ】
2020096104.tif 000010
【図７】
2020096104.tif 000011