(57)【要約】      （修正有）【課題】プリント配線板においてクラックの発生を抑える。【解決手段】プリント配線板１０において、第１の導体パッド１４a上に形成された第１のバンプ２０と、第２の導体パッド１４b上に形成され、第１のバンプよりも小径の第２のバンプ２２と、を備える。第１のバンプは、第１の開口１６a内に形成された第１のベースめっき層２４と、第１のベースめっき層上に、第１の中間層１６aを介して形成された略半球状の第１のトップめっき層２８とを有する。第２のバンプは、第２の開口１６b内に形成された第２のベースめっき層３０と、第２のベースめっき層上に、第２の中間層２６bを介して形成された略半球状の第２のトップめっき層３２とを有する。少なくとも第２のバンプにおいて、第２のベースめっき層のソルダーレジスト層１６から露出する側面および第２の中間層の側面が、第２のトップめっき層で被覆されている。【選択図】図１
2020188139.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線板であって、
基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第１の導体パッドとして露出させる第１の開口、および該第１の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第２の導体パッドとして露出させる第２の開口を有するソルダーレジスト層と、
前記第１の導体パッド上に形成された第１のバンプと、
前記第２の導体パッド上に形成され、前記第１のバンプよりも小径の第２のバンプと、
を備え、
前記第１のバンプは、前記第１の開口内に形成された第１のベースめっき層と、該第１のベースめっき層上に、第１の中間層を介して形成された略半球状の第１のトップめっき層とを有し、
前記第２のバンプは、前記第２の開口内に形成された第２のベースめっき層と、該第２のベースめっき層上に、第２の中間層を介して形成された略半球状の第２のトップめっき層とを有し、
少なくとも前記第２のバンプにおいて、第２のベースめっき層のソルダーレジスト層から露出する側面および第２の中間層の側面が、第２のトップめっき層で被覆されている。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１のバンプにおいて、第１のベースめっき層のソルダーレジスト層から露出する側面および第１の中間層の側面が、第１のトップめっき層で被覆されている。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１のトップめっき層および前記第２のトップめっき層の厚みは、５μｍ〜４５μｍである。
【請求項４】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１のベースめっき層および前記第２のベースめっき層は、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成されている。
【請求項５】
請求項１に記載のプリント配線板であって、第１のトップめっき層および前記第２のトップめっき層は、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。
【請求項６】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１のベースめっき層と前記第１の導体パッドとの間、および前記第２のベースめっき層と前記第１の導体パッド層との間に、ニッケル層、パラジウム層及び金層からなる下地層をそれぞれ有する。
【請求項７】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１の中間層および前記第２の中間層の厚みは７μｍ以下である。
【請求項８】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１および第２のベースめっき層は前記ソルダーレジスト層の表面を超える高さまで形成され、前記ソルダーレジスト層の表面からの前記第１のベースめっき層の厚みおよび前記第２のベースめっき層の厚みはそれぞれ３μｍ〜２０μｍの範囲内にある。
【請求項９】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１の開口のアスペクト比は０．５以下であり、前記第２の開口のアスペクト比は０．６以上である。
【請求項１０】
プリント配線板の製造方法であって、
基部絶縁層を形成することと、
前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、
前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第１の導体パッドとして露出させる第１の開口を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記第１の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第２の導体パッドとして露出させる第２の開口を形成することと、
前記第１の導体パッド上に第１のバンプを形成することと、
前記第２の導体パッド上に、前記第１のバンプよりも小径の第２のバンプを形成することと、を含み、
前記第１のバンプを形成することは、前記第１の開口内に第１のベースめっき層を形成することと、前記第１のベースめっき層上に、第１の中間層を介して、第１のトップめっき層を形成することと、第１のトップめっき層をリフローして、略半球状の第１のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第２のバンプを形成することは、前記第２の開口内に第２のベースめっき層を形成することと、前記第２のベースめっき層上に、第２の中間層を介して、第２のトップめっき層を形成することと、第２のトップめっき層をリフローして、略半球状の第２のトップめっき層を形成することと、少なくとも第２のベースめっき層のソルダーレジスト層から露出する側面および第２の中間層の側面を、第２のトップめっき層で被覆することと、を含む。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１のベースめっき層のソルダーレジスト層から露出する側面および第１の中間層の側面を、第１のトップめっき層で被覆する。
【請求項１２】
請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１のトップめっき層および前記第２のトップめっき層の厚みを５μｍ〜４５μｍの範囲内とする。
【請求項１３】
請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１のベースめっき層および前記第２のベースめっき層を、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成する。
【請求項１４】
請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、第１のトップめっき層および前記第２のトップめっき層を、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成する。
【請求項１５】
請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１のベースめっき層と前記第１の導体パッドとの間、および前記第２のベースめっき層と前記第１の導体パッド層との間に、ニッケル層、パラジウム層及び金層からなる下地層をそれぞれ形成することをさらに含む。
【請求項１６】
請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１の中間層および前記第２の中間層の厚みを７μｍ以下とする。
【請求項１７】
請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１および第２のベースめっき層を前記ソルダーレジスト層の表面を超える高さまで形成し、前記ソルダーレジスト層の表面からの前記第１のベースめっき層の厚みおよび前記第２のベースめっき層の厚みをそれぞれ３μｍ〜２０μｍの範囲内とする。
【請求項１８】
請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１の開口のアスペクト比は０．５以下であり、前記第２の開口のアスペクト比は０．６以上である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっきバンプを有するプリント配線板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、めっき法を用いたバンプ形成を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１２９９９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、図４に示すように、ソルダーレジスト層１６’に形成された大きさの異なる開口１６ａ’、１６ｂ’内の導体パッド１４ａ’、１４ｂ’上にベースめっき層２４’、３０’を形成し、該ベースめっき層２４’、３０’上に、中間層２６’、３１’を介して、トップめっき層２８’、３２’を形成して大きさの異なるバンプ２０’、２２’を形成した場合、中間層２６’とトップめっき層２８’との間に、および、中間層３１’とトップめっき層３２’との間に、クラックが発生することがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線板は、基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第１の導体パッドとして露出させる第１の開口、および該第１の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第２の導体パッドとして露出させる第２の開口を有するソルダーレジスト層と、前記第１の導体パッド上に形成された第１のバンプと、前記第２の導体パッド上に形成され、前記第１のバンプよりも小径の第２のバンプと、を備え、前記第１のバンプは、前記第１の開口内に形成された第１のベースめっき層と、該第１のベースめっき層上に、第１の中間層を介して形成された略半球状の第１のトップめっき層とを有し、前記第２のバンプは、前記第２の開口内に形成された第２のベースめっき層と、該第２のベースめっき層上に、第２の中間層を介して形成された略半球状の第２のトップめっき層とを有し、少なくとも前記第２のバンプにおいて、第２のベースめっき層のソルダーレジスト層から露出する側面および第２の中間層の側面が、第２のトップめっき層で被覆されている。
【０００６】
また、本発明に係るプリント配線板の製造方法は、基部絶縁層を形成することと、前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第１の導体パッドとして露出させる第１の開口を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記第１の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第２の導体パッドとして露出させる第２の開口を形成することと、前記第１の導体パッド上に第１のバンプを形成することと、前記第２の導体パッド上に、前記第１のバンプよりも小径の第２のバンプを形成することと、を含み、前記第１のバンプを形成することは、前記第１の開口内に第１のベースめっき層を形成することと、前記第１のベースめっき層上に、第１の中間層を介して、第１のトップめっき層を形成することと、第１のトップめっき層をリフローして、略半球状の第１のトップめっき層を形成することと、を含み、前記第２のバンプを形成することは、前記第２の開口内に第２のベースめっき層を形成することと、前記第２のベースめっき層上に、第２の中間層を介して、第２のトップめっき層を形成することと、第２のトップめっき層をリフローして、略半球状の第２のトップめっき層を形成することと、少なくとも第２のベースめっき層のソルダーレジスト層から露出する側面および第２の中間層の側面を、第２のトップめっき層で被覆することと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態のプリント配線板を示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態のプリント配線板を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｆ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｇ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｈ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。
【図４】従来技術に従うプリント配線板において、クラックが発生する様子を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜本発明のプリント配線板について＞
本発明のプリント配線板の一実施形態が、図面を参照して説明される。図１および図２には、実施形態の製造方法により作製されたプリント配線板１０の一部が拡大して示されている。プリント配線板１０は、コア基板（図示せず）の片面または両面に所定の回路パターンを有する導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層してなるコア付き基板であってよい。コア基板の両面に導体層を形成する場合には、コア基板を介して対向する導体層同士は、スルーホール導体（図示せず）を介して接続されていてもよい。あるいは、プリント配線板１０は、コア基板の代わりに支持板（図示せず）上で導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層した後、支持板を除去してなるコアレス基板であってもよい。いずれにせよ、プリント配線板１０は、図１に示すように、少なくとも１層の樹脂絶縁層のうち最外に配置されたものである基部絶縁層１２と、基部絶縁層１２上に形成された、所定の回路パターンを有する導体層１４と、基部絶縁層１２および導体層１４上に形成されたソルダーレジスト層１６とを備えている。基部絶縁層１２の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に設けられている場合が多いが、図では省略されている。しかし、プリント配線板１０は、１層の基部絶縁層１２と１層の導体層１４とからなるものでもよい。
【０００９】
基部絶縁層１２は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物等で構成することができる。導体層１４は導電性金属、例えば銅を主成分とする金属で形成される。
【００１０】
ソルダーレジスト層１６は、導体層１４の一部を第１の導体パッド１４ａとして露出させる第１の開口１６ａと、第１の開口１６ａよりも径が小さく導体層１４の他の一部を第２の導体パッド１４ｂとして露出させる第２の開口１６ｂとを有している。第１の開口１６ａのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比は０．５以下とすることができる。第２の開口１６ｂのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比０．６以上とすることができる。
【００１１】
第１および第２の導体パッド１４ａ、１４ｂ上には下地層１８がそれぞれ形成されていてよい。下地層１８としては、第１および第２の導体パッド１４ａ、１４ｂの表面に形成されたニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とを例示することができる。その他、ニッケル層とニッケル層上に形成された金層とを例示することができる。下地層１８は形成しなくてもよい。
【００１２】
プリント配線板１０はさらに、第１の導体パッド１４ａ上に下地層１８を介して形成された第１のバンプ２０と、第２の導体パッド１４ｂ上に下地層１８を介して形成され、第１のバンプ２０よりも小径の第２のバンプ２２とを備えている。下地層１８を形成しない場合、第１および第２のバンプ２０、２２は第１および第２の導体パッド１４ａ、１４ｂ上に直接形成することができる。第１のバンプ２０は電源もしくはグランド線との接続に用いることができる。第１のバンプ２０よりも径の小さい第２のバンプ２２は信号線との接続に用いることができる。
【００１３】
第１のバンプ２０は、第１の開口１６ａ内に形成された第１のベースめっき層２４と、第１のベースめっき層２４上に例えばニッケルを主成分とする第１の中間層２６ａを介して形成された略半球状の第１のトップめっき層２８とを有する。第１の中間層２６ａの厚みは７μｍ以下とすることが好ましい。
【００１４】
第１のベースめっき層２４は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第１のベースめっき層２４はソルダーレジスト層１６の表面（基部絶縁層１２とは反対側の面）を超える高さまで形成する。これにより第１のバンプ２０が第１の開口１６ａ内に安定して保持される。ソルダーレジスト層１６の表面からの第１のベースめっき層２４の厚みＢ１は３μｍ〜２０μｍの範囲内とすることが好ましい。
【００１５】
第１のトップめっき層２８は、第１のベースめっき層２４よりも融点が低くリフロー処理により溶融して図１および図２に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第１のトップめっき層２８の厚み（第１のバンプ２０の外周面において第１のトップめっき層２８の下端から第１のトップめっき層の頂部までの垂直方向の距離）Ａ１は５μｍ〜４５μｍの範囲とすることが好ましい。第１のトップめっき層２８の厚みＡ１をこの範囲とすることで、第１のバンプ２０と、プリント配線板１０に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド（図示せず）との間で良好な接続信頼性が得られる。
【００１６】
第２のバンプ２２は、第２の開口１６ｂ内に形成された第２のベースめっき層３０と、第２のベースめっき層３０上に例えばニッケルを主成分とする第２の中間層２６ｂを介して形成された略半球状の第２のトップめっき層３２とを有する。第２の中間層２６ｂの厚みは７μｍ以下とすることが好ましい。
【００１７】
第２のベースめっき層３０は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第２のベースめっき層３０はソルダーレジスト層１６の表面（基部絶縁層１２とは反対側の面）を超える高さまで形成することが好ましい。これにより第２のバンプ２２が第２の開口１６ｂ内に安定して保持される。ソルダーレジスト層１６の表面からの第２のベースめっき層３０の厚みＢ２は３μｍ〜２０μｍの範囲内とすることが好ましい。
【００１８】
第２のトップめっき層３２は、第２のベースめっき層３０よりも融点が低くリフロー処理により溶融して図１および図２に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第２のトップめっき層３２の厚み（第２のバンプ２２の外周面において第２のトップめっき層３２の下端から第２のトップめっき層３２の頂部までの垂直方向の距離）Ａ２は５μｍ〜４５μｍの範囲とすることが好ましい。第２のトップめっき層３２の厚みＡ２をこの範囲とすることで、第２のバンプ２２と、プリント配線板１０に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド（図示せず）との間で良好な接続信頼性が得られる。
【００１９】
図１に示す本発明に係るプリント配線板では、少なくとも第２のベースめっき層３０のソルダーレジスト層１６から露出する側面および第２の中間層２６ｂの側面が、第２のトップめっき層３２で被覆されている。この構成により、第２の中間層２６ｂと第２のトップめっき層３２との間の箇所は第２のトップめっき層３２で被覆される。そのため、第２の中間層２６ｂと第２のトップめっき層３２との間の箇所にクラックは発生しにくくなる。
【００２０】
図２に示す本発明に係るプリント配線板では、第１のベースめっき層２４のソルダーレジスト層１６から露出する側面および第１の中間層２６ａの側面が、第１のトップめっき層２８で被覆され、第２のベースめっき層３０のソルダーレジスト層１６から露出する側面および第２の中間層２６ｂの側面が、第２のトップめっき層３２で被覆されている。この構成により、第１の中間層２６ａと第１のトップめっき層２８との間の箇所は第１のトップめっき層２８で被覆され、第２の中間層２６ｂと第２のトップめっき層３２との間の箇所は第２のトップめっき層３２で被覆される。そのため、これらの箇所にクラックは発生しにくくなる。
【００２１】
なお、上記側面は、第１のベースめっき層２４とソルダーレジスト層１６との間の箇所、および、第２のベースめっき層３０とソルダーレジスト層１６との間の箇所、も含む概念である。そのため、第１のトップめっき層２８が第１のベースめっき層２４とソルダーレジスト層１６との間の隙間に入り込むとともに、第２のトップめっき層３２が第２のベースめっき層３０とソルダーレジスト層１６との間の隙間に入り込む場合もある。
【００２２】
＜本発明のプリント配線板の製造方法について＞
以下、本発明に係る図１に示すプリント配線板１０の製造方法を、図３Ａ〜図３Ｈを参照して説明する。
【００２３】
図３Ａには、公知の方法を用いて、基部絶縁層１２上に所定の回路パターンを有する導体層１４およびソルダーレジスト層１６が形成された中間体が示されている。基部絶縁層１２の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に形成されている場合が多いが、図では省略されている。複数の導体層および樹脂絶縁層はコア基板上もしくは後に除去可能な支持板上で積層することができる。しかし、プリント配線板１０は、基部絶縁層１２としての１層の樹脂絶縁層と１層の導体層１４とからなるものでもよく、この場合この樹脂絶縁層が基部絶縁層１２に相当する。基部絶縁層１２には、シリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含むビルドアップ用絶縁樹脂フィルムを用いることができる。ソルダーレジスト層１６には、例えば炭酸ガスレーザまたはＵＶ−ＹＡＧレーザ等により、導体層１４の一部を第１の導体パッド１４ａとして露出させる第１の開口１６ａと導体層１４の他の一部を第２の導体パッド１４ｂとして露出させる第２の開口１６ｂが形成される。第１の開口１６ａのアスペクト比は０．５以下とし、第２の開口１６ｂのアスペクト比は０．６以上とするのが好ましい。第１および第２の導体パッド１４ａ、１４ｂ上には、めっきにより例えばニッケル層、パラジウム層、金層がこの順に積層されて下地層１８が形成される。下地層１８は形成しなくてもよい。
【００２４】
図３Ｂに示されるように、例えば、無電解銅めっき処理等の無電解めっき処理が行われ、中間体の表面（ソルダーレジスト層１６の表面および第１および第２の開口１６ａ、１６ｂの側面）上と、下地層１８上（下地層１８が形成されない場合には導体パッド１４ａ、１４ｂ上）にシード層３４が形成される。
【００２５】
図３Ｃに示されるように、シード層３４上に、第１および第２のバンプ２０、２２（図１）の形成予定部位に開口３６ａを有する所定パターンのめっきレジスト３６が形成される。
【００２６】
図３Ｄに示されるように、電解めっき処理が行われ、シード層３４上の、めっきレジスト３６から露出する部分に、例えば銅を主成分とする第１のベースめっき層２４および第２のベースめっき層３０が形成される。
【００２７】
また、第１および第２のベースめっき層２４、３０を形成する際には、ソルダーレジスト層１６の表面からの第１のベースめっき層２４の厚みおよび第２のベースめっき層３０の厚みが３μｍ〜２０μｍの範囲内となるよう、第１および第２のベースめっき層２４、３０のめっき厚を調整するのが好ましい。
【００２８】
図３Ｅに示されるように、例えば電解めっき処理が行われ、第１および第２のベースめっき層２４、３０上に例えばニッケルを主成分とする第１および第２の中間層２６ａ、２６ｂが形成される。第１および第２の中間層２６ａ、２６ｂの厚みは好ましくは７μｍ以下とする。
【００２９】
図３Ｆに示されるように、電解めっき処理が行われ、第１および第２のベースめっき層２４、３０上に第１および第２の中間層２６ａ、２６ｂを介在して第１および第２のトップめっき層２８、３２が形成される。第１および第２のトップめっき層２８、３２は、第１および第２のベースめっき層２４、３０よりも融点が低くリフロー処理により溶融して略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第１および第２のトップめっき層２８、３２の厚みは５μｍ〜４５μｍの範囲とすることが好ましい。
【００３０】
図３Ｇに示されるように、めっきレジスト３６が剥離される。また、めっきレジスト３６の除去により露出したシード層３４の部分がエッチングにより除去される。
【００３１】
図３Ｈに示されるように、リフロー処理が行われ、第１のトップめっき層２８および第２のトップめっき層３２が略半球状に整形される。リフロー処理により、第１および第２の導体パッド１４ａ、１４ｂに近い側から銅層、銅／ニッケル合金層、ニッケル層、ニッケル／スズ合金層、スズ層からなる第１のバンプ２０および第２のバンプ２２が形成される。また、リフロー処理により、第１のトップめっき層２８および第２のトップめっき層３２が略半球状に整形されると同時に、第２のベースめっき層３０のソルダーレジスト層１６から露出する側面および第２の中間層２６ｂの側面が、第２のトップめっき層３２で被覆される（図１の例、図３Ｈでは図示せず）、または、第１のベースめっき層２４のソルダーレジスト層１６から露出する側面および第１の中間層２６ａの側面が、第１のトップめっき層２８で被覆され、第２のベースめっき層３０のソルダーレジスト層１６から露出する側面および第２の中間層２６ｂの側面が、第２のトップめっき層３２で被覆される（図２の例：図３Ｈで図示）。
【００３２】
上述した実施形態では、第１のバンプと第１のバンプよりも小径の第２のバンプとを有するプリント配線板において、第２のバンプのみにトップめっき層の側面被覆を行い、または、第１のバンプおよび第２のバンプの両者にトップめっき層の側面被覆を行っている。しかし、本発明は、２種の径のバンプが存在する場合だけでなく、単独の径のバンプあるいは２種以上の径のバンプを有するプリント配線板についても適用できる。
【符号の説明】
【００３３】
１０  プリント配線板
１２  基部絶縁層
１４  導体層
１４ａ  第１の導体パッド
１４ｂ  第２の導体パッド
１６  ソルダーレジスト層
１６ａ  第１の開口
１６ｂ  第２の開口
１８  下地層
２０  第１のバンプ
２２  第２のバンプ
２４  第１のベースめっき層
２６ａ  第１の中間層
２６ｂ  第２の中間層
２８  第１のトップめっき層
３０  第２のベースめっき層
３２  第２のトップめっき層
３４  シード層
３６  めっきレジスト
【図１】
2020188139.tif 000003
【図２】
2020188139.tif 000004
【図３Ａ】
2020188139.tif 000005
【図３Ｂ】
2020188139.tif 000006
【図３Ｃ】
2020188139.tif 000007
【図３Ｄ】
2020188139.tif 000008
【図３Ｅ】
2020188139.tif 000009
【図３Ｆ】
2020188139.tif 000010
【図３Ｇ】
2020188139.tif 000011
【図３Ｈ】
2020188139.tif 000012
【図４】
2020188139.tif 000013