(57)【要約】【課題】誤検出を減少させることができる検出素子を提供すること。【解決手段】本発明の検出素子は、絶縁部材と、絶縁部材の第１面に配置された、複数の開口部を有する複数の第１電極と、絶縁部材の第１面の反対側の第２面に配置され、絶縁部材の複数の貫通孔にそれぞれ配置された複数の第２電極と、複数の第２電極がそれぞれ接続される複数の接続端子と、を備える。接続端子と第１電極との距離は、第１電極と前記第２電極との距離よりも大きい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁部材と、
前記絶縁部材の第１面に配置された、複数の開口部を有する複数の第１電極と、
前記絶縁部材の前記第１面の反対側の第２面に配置され、前記絶縁部材の複数の貫通孔にそれぞれ配置された複数の第２電極と、
前記絶縁部材の第１面に配置され、前記複数の第２電極がそれぞれ接続される複数の接続端子と、
を備える検出素子であって、
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との材料は、前記複数の接続端子の材料とは異なることを特徴とする放射線検出素子。
【請求項２】
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との材料は、前記複数の接続端子の材料より融点が高いことを特徴とする請求項１に記載の放射線検出素子。
【請求項３】
前記複数の接続端子の材料は、前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との材料よりイオン化傾向が小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出素子。
【請求項４】
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との材料は、銅を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の放射線検出素子。
【請求項５】
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極との材料は、さらに酸化銅を含むことを特徴とする請求項４に記載の放射線検出素子。
【請求項６】
前記複数の接続端子の材料は、金を含むことを特徴とする請求項４又は５に記載の放射線検出素子。
【請求項７】
前記接続端子の端部と前記接続端子に近接する前記第１電極の端部との最短距離Ｘは、前記第１電極の開口端部と前記第１面における前記第２電極の端部との最短距離Ｙよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の放射線検出素子。
【請求項８】
前記第２電極は、マトリクス状に配置されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の放射線検出素子。
【請求項９】
前記接続端子は、外部回路へ接続されることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の放射線検出素子。
【請求項１０】
前記第１電極と前記第２電極間に印加される電圧は６００Ｖであって、
前記最短距離Ｘは４００μｍ以上、前記最短距離Ｙは７０μｍ以上を満たすことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の放射線検出素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ピクセル型電極によるガス電子増幅型放射線検出装置の研究が進められている。ガス電子増幅型放射線検出装置は、従来の検出装置による放射線検出では不十分であった、特に、検出領域の画像イメージングにおいて、大面積かつリアルタイムイメージングができるという特徴がある。
【０００３】
ガス電子増幅型放射線検出装置の構造に関しては、例えば、特許文献１〜３を参照することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３３５４５５１号公報
【特許文献２】特許第４３９１３９１号公報
【特許文献３】特許第３５３５０４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のガス電子増幅型放射線検出装置においては、ピクセル電極以外の場所でガス増幅が起こる場合に発生する誤検出の問題が生じていた。
【０００６】
そこで、本発明は、放射線検出装置における誤検出を減少させることができる検出素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態によると、絶縁部材と、前記絶縁部材の第１面に配置された、複数の開口部を有する複数の第１電極と、前記絶縁部材の前記第１面の反対側の第２面に配置され、前記絶縁部材の複数の貫通孔にそれぞれ配置された複数の第２電極と、前記複数の第２電極がそれぞれ接続される複数の接続端子と、を備える検出素子であって、前記接続端子と前記第１電極との距離は、前記第１電極と前記第２電極との距離よりも大きいことを特徴とする検出素子が提供される。
【０００８】
また、前記第２電極は、マトリクス状に配置されているようにしてもよい。
【０００９】
また、前記接続端子は、外部回路へ接続されるようにしてもよい。
【００１０】
また、前記接続端子と第１電極との距離は、４００μｍ以上であるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一実施形態によると、放射線検出装置において誤検出を減少させた検出素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態１に係る本発明の放射線検出装置１００の検出素子１００ａの概略構成図である。
【図２】実施形態１に係る本発明の放射線検出装置１００の動作原理を示す図である。
【図３】実施形態１に係る本発明の検出素子１００ａの一部の平面図及び断面図である。
【図４】実施形態１における検出素子１００ａの製造プロセスを示す図である。
【図５】実施形態１における検出素子１００ａの製造プロセスを示す図である。
【図６】実施形態２に係る本発明の検出素子１００ａの一部の平面図及び断面図である。
【図７】実施形態３に係る本発明の検出素子１００ａの一部の平面図及び断面図である。
【図８】実施形態４に係る本発明の放射線検出装置（容器モジュール）１５０の断面斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の放射線検出装置及び検出素子について詳細に説明する。なお、本発明の放射線検出装置及び検出素子は以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。全ての実施形態においては、同じ構成要素には同一符号を付して説明する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上、実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
【００１４】
（本件発明に至る経緯）
特許文献２に開示されているような放射線検出装置（以下「従来の放射線検出装置」という。）においては、ピクセル型電極は、外周部に設けられた接続端子と外部回路がワイヤーボンディングで接続されている。
【００１５】
この従来の放射線検出装置においては、アノード電極パターン２５はビア（貫通孔）を介して表層のリード配線２７に接続されている。本発明者らが検討を重ねたところ、このリード配線２７とカソード電極パターン２１間の距離が、アノード電極２２とカソード電極２１間距離よりも小さくなると、ここで放電が生じたり、ピクセル電極以外の場所でガス増幅が起こる誤検出が生じたりする可能性があることが分かった。
【００１６】
また、この従来の放射線検出装置において、リード配線２７にはワイヤーボンディングが施されるため、接続強度の十分な確保のために表面に金めっきをする場合がある。表面に金めっきされたリード配線２７において放電が生じると、金が飛散してアノード電極とカソード電極とが導通し、検出装置が機能しなくなったり、誤検出が起こったりすることがあった。
【００１７】
そこで、本発明者は、上述したような現象を鋭意検討した結果、本願発明に至った。
【００１８】
＜第１実施形態＞
本実施形態に係る本発明の放射線検出装置１００の検出素子１００ａの概略構成図を図１に示す。実施形態に係る本発明の放射線検出装置１００は、ピクセル電極部１０１、接続端子部１０９（１０９ａ及び１０９ｂ）を有する検出素子１００ａ、ドリフト電極１１０及びチャンバー１１１を有している。ピクセル電極部１０１及び接続端子部１０９（１０９ａ及び１０９ｂ）を含めて検出素子１００ａと呼ぶ。また、放射線検出装置１００は、容器モジュール１００とも呼ばれる。
【００１９】
本実施形態に係る本発明の放射線検出装置１００のピクセル電極部１０１は、絶縁部材１０２、カソード電極１０４、アノード電極１０６、アノード電極パターン１０８及び基板１３０を有している。
【００２０】
カソード電極１０４は、絶縁部材１０２の第１面上に複数配置されている。カソード電極１０４は、複数の開口部１０５を有している。カソード電極１０４は、ストリップ状に形成されているので、カソードストリップ電極ともいう。
【００２１】
アノード電極１０６は、絶縁部材１０２の第１面の反対側の第２面から絶縁部材１０２に設けられた貫通孔に配置されている。本実施形態においては、カソード電極１０４の複数の開口部１０５のそれぞれにおいてアノード電極１０６の先端が露出している。本実施形態においては、アノード電極１０６は、開口部１０５のそれぞれにおいて先端が露出している形状を有しているが、開口部１０５のそれぞれにおいて先端が露出しないような形状（先端が絶縁部材１０２の上面（貫通孔の上面）と概略一致する形状、又は先端が絶縁部材１０２の貫通孔の内部に位置する形状を含む。）でもよい
【００２２】
１つのカソード電極１０４の複数の開口部１０５に配置されている複数のアノード電極１０６は、複数のアノード電極パターン１０８にそれぞれ接続されている。アノード電極パターン１０８は、接続端子部１０９ａまで延びている。カソード電極１０４が延在する方向とアノード電極パターン１０８が延在する方向とは、概略垂直である。なお、本実施形態においては、アノード電極１０６とアノード電極パターン１０８とは別に設けられ、それぞれが電気的に接続されている形態について説明しているが、これに限定されるわけではなく、アノード電極１０６と、それぞれのアノード電極１０６が接続されているアノード電極パターン１０８とが一体形成されていてもよい。アノード電極パターン１０８は、ストリップ状に形成されているので、アノードストリップパターンともいう。
【００２３】
カソード電極１０４を第１電極、アノード電極１０６を第２電極、ドリフトを第３電極という場合がある。
【００２４】
配線端子部１０９ａは、アノード電極パターン１０８に接続されたビア１２６、第１の金属層１２０、第２の金属層１２２及び第３の金属層１２４を有している。第１の金属層１２０、第２の金属層１２２及び第３の金属層１２４は、積層して配置され、第３の金属層１２４がビア１２６に接続されている。なお、本実施形態においては、第３の金属層１２４とビア１２６とは別々に形成されている例を示しているが、これらは一体に形成されていてもよい。また、本実施形態においては、アノード電極パターン１０８とビア１２６は、別々に形成されているが、これに限定されるわけではなく、アノード電極パターン１０８とビア１２６とが同じ金属材料で形成されていてもよい。また、本実施形態においては、第１の金属層１２０及び第２の金属層１２２が積層して配置されている例について説明したが、これに限定されるわけではなく、第２の金属層１２２を配置せず、第１の金属層１２０がビア１２６上（又は第３の金属層１２４上）に配置され、接続されるようにしてもよい。
【００２５】
配線端子部１０９ｂは、カソード電極１０４が延在して配置された電極１０４ａを有している。
【００２６】
カソード電極１０４とアノード電極１０６との間には電圧が印加され、電場が形成される。
【００２７】
本実施形態に係る本発明の放射線検出装置１００は、上述したような構成をとることにより、ピクセル電極部１０１において、アノード電極１０６がマトリクス状に配置された構成を有することになる。本実施形態に係る本発明の放射線検出装置１００は、アノード電極１０６とカソード電極１０４の一部とを含む「ピクセル」が複数配置されていることになる。
【００２８】
１１０は、ドリフト電極である。カソード電極１０４はＧＮＤに接続されており、ドリフト電極１１０とカソード電極１０４との間には、電圧が印加され、電場が形成されるようになっている。
【００２９】
１１１は、チャンバーであり、ピクセル電極部１０１、接続端子部１０９及びドリフト電極１１０を囲い、その内部にアルゴンやキセノンなどの希ガスとエタン、メタンなどの分子性気体の混合ガスが存在する。
【００３０】
ここで、本実施形態に係る本発明の放射線検出装置１００の動作原理を図２に示す。本実施形態に係る本発明の放射線検出装置１００においては、ドリフト電極１１０とカソード電極１０４との間に発生させた電場の影響により、入射する放射線が存在する気体との相互作用により発生させた電子は電子雲を形成し、ピクセル電極部１０１へ引き寄せられる。このとき、引き寄せられた電子は気体原子と衝突し、気体原子を電離させる。さらに電離された電子は雪崩的に増殖し、アノード電極１０６で収集された電子群は、電気信号として読み出すことができる程度にまで達する。そして、この電気信号をアノード電極パターン１０８を通して接続端子部１０９ａから外部に読み出すことができる。一方、カソード電極１０４には電子群に誘導された正電荷が生じ、ここから得られる電気信号を接続端子部１０９ｂから外部に読みだすことができる。これらの電気信号を時系列に計測することにより、荷電粒子の飛跡を測定することができる。
【００３１】
次に、本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａの一部の平面図及び断面図を図３に示す。図３（Ｂ）には、本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａのピクセル電極部１０１及び接続端子部１０９ａの平面図を示し、図３（Ａ）には、図３（Ｂ）のＡ−Ａ’線におけるピクセル電極部１０１及び接続端子部１０９ａの断面図を示している。
【００３２】
図３（Ａ）に示すとおり、本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａの接続端子部１０９ａは、第１の金属層１２０、第２の金属層１２２、第３の金属層１２４及びビア１２６を有している。本実施形態においては、第１の金属層には金を用い、第２の金属層１２２にはニッケルを用いている。また、本実施形態においては、ビア１２６には銅が用いられているが、これに限定されるわけではない。第１の金属層（金）とビア１２６（銅）との間に介在する第２の金属層１２２（ニッケル）は、第１の金属層上に外部回路へ接続されるボンディングワイヤが接続されるとき、表面の金が銅に拡散してボンディングを阻害することを防ぎ、ボンディングに必要な硬度を確保する役割を有している。また、第２の金属層１２２のニッケルは拡散係数が小さく、硬度が高い機能を有している。本実施形態においては、接続端子部１０９ａは、ビア１２６を介してアノード電極パターン１０８に電気的に接続されている。なお、本実施形態においては、アノード電極パターン１０８、ビア１２６、第３の金属層１２４は、それぞれ別部材で形成されている例を示しているが、アノード電極パターン１０８、ビア１２６及び第３の金属層１２４は、一体形成されていてもよい。また、第２の金属層１２２には、ニッケルとパラジウムとの積層構造にしてもよい。さらに、第１の金属層１２０にアルミニウム又は銀を用いてもよい。
【００３３】
本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａの接続端子部１０９ａにおいては、第１の金属層１２０と第２の金属層１２２と第３の金属層１２４とピクセル電極（カソード電極１０４とアノード電極１０６）は、それぞれ、以下の条件（１）〜（３）を満たす金属層である。
【００３４】
第３の金属層＝ピクセル電極を構成する材料  ・・・（１）
第１の金属層１２０の融点＜第３の金属層１２４の融点＜第２の金属層１２２の融点  ・・・（２）
第１の金属層１２０のイオン化傾向＜第３の金属層１２４のイオン化傾向＜第２の金属層のイオン化傾向（酸化されやすい）  ・・・（３）
【００３５】
第２の金属層は、第１の金属層と第３の金属層の間に配置されており、第１の金属層から第３の金属層への金属の拡散防止の役割を果たす。
【００３６】
第１の金属層１２０は、アノード電極１０６及びカソード電極１０４とは異なる金属材料を用いるのが好ましい。
【００３７】
本実施形態においては、配線端子部１０９ａに配置された第１の金属層１２０には金を用い、カソード電極１０４及びアノード電極１０６には、金よりも融点の高い銅（酸化銅でもよい）を用いている。金の融点は１０６４℃であるのに対して、銅（酸化銅）の融点は１３２６℃である。本実施形態においては、カソード電極１０４とアノード電極１０６を構成する銅は、ワイヤーボンディング後の封止樹脂の熱処理により酸化されて表面が酸化銅となる。よって、配線端子部１０９ａの第１の金属層１２０の金属材料よりも融点が高い金属材料によってピクセル電極（カソード電極１０４及びアノード電極１０６）を形成することで、カソード電極１０４とアノード電極１０６との間に放電が発生したときの金属の飛散を防止することができる。本実施形態においては、酸化銅の酸化被膜厚さは１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３８】
このような構成をとることにより、カソード電極１０４とアノード電極１０６との間に高電圧を印加する放射線検出装置１００の動作中において、放電が発生することによる金属の飛散を防止し、カソード電極１０４とアノード電極１０６とが導通してしまうという不具合を防止することができる。
【００３９】
次に、本実施形態における本発明の検出素子１００ａの製造プロセスを図４を用いて説明する。図４には、本実施形態における本発明の検出素子１００ａの断面図を示す。
【００４０】
図４（ａ）に示すとおり、基板１３０上に配置されたアノード電極パターン１０８、アノード電極１０６、カソード電極１０４、第３の金属層１２４が配置された状態で、第３の金属層１２４以外にレジストマスク１４０を形成する（図４（ｂ））。そして、ニッケルめっきを形成することによって、接続端子部１０９ａのみにニッケルからなる第２の金属層１２２を形成する（図４（ｃ））。その後、金めっきをニッケルからなる第２の金属層１２２の上に形成することで、金からなる第１の金属層１２０を形成する。そして、レジストマスク１４０を除去することによって、接続端子部１０９ａのみに金でなる第１の電極１２０が配置される（図４（ｄ））。その後、ワイヤーボンディング１３２が第１の金属層１２０上に接続される（図４（ｅ））。
【００４１】
また、本実施形態における検出素子１００ａの別の態様として、図５に示すとおり、銅によるカソード電極１０４、アノード電極１０６、第３の金属層１２４に、後に形成する第１の電極１２０よりも融点の高い第２の金属層１２２を形成する。本実施形態においては、第２の金属層には無電界めっきによるニッケルを用いる。これにより、それぞれの電極の表面に銅（酸化銅）よりも融点の高いニッケル（融点１４５５℃）が形成され、耐放電性を向上させることができる。ニッケルの他には、タングステン（融点３４２２℃）、タンタル（３０２０℃）、モリブデン（２６２３℃）等を用いても良い。その後のプロセス（図５（ｂ）から（ｄ）は、図４（ｂ）〜（ｅ）で説明したプロセスと同様である。
【００４２】
（実施形態２）
本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａの一部の平面図及び断面図を図６に示す。図６（Ｂ）には、本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａのピクセル電極部１０１及び
接続端子部１０９ａの平面図を示し、図６（Ａ）には、図６（Ｂ）のＡ−Ａ’線におけるピクセル電極部１０１及び接続端子部１０９ａの断面図を示している。本実施形態においては、実施形態１と同様の構成を有しているので、同様の構成については改めて説明はしない。
【００４３】
本実施形態においては、外部回路に接続される接続端子部１０９ａと接続端子部１０９ａに近接するカソード電極１０４との距離Ｘと、カソード電極１０４とその開口部１０５に配置されたアノード電極１０６との距離Ｙとの関係がは、次の条件（４）を満たしている。
Ｘ＞Ｙ  ・・・（４）
【００４４】
このような条件（４）を満たすことにより、アノード電極１０６及びカソード電極１０４があるピクセル電極部１０１以外の接続端子部１０９ａにおいて放電が発生することを防止することができ、誤検出を防止することができる。
【００４５】
ここで、外部回路に接続される接続端子部１０９ａと接続端子部１０９ａに近接するカソード電極１０４との距離Ｘと、カソード電極１０４とその開口部１０５に配置されたアノード電極１０６との距離Ｙとを変化させ、本発明の検出素子１００ａの耐放電特性を検証した例を以下の表１に示す。なお、アノード電極１０６とカソード電極１０４との間の印加電圧を６００Ｖ、ピクセルピッチＺを４００μｍとした。
【００４６】
【表１】
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【００４７】
表１においては、「◎」、「○」、「×」、「××」の意味は、以下のとおりである。
◎：接続端子部１０９ａとカソード電極１０４における誤検出がなく、第１の金属層１２０の金属飛散を防止することができ、本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａの動作が良好である。
○：接続端子部１０９ａとカソード電極１０４における誤検出がなく、本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａの動作が良好である。
×：誤検出（ノイズが発生することを含む）が起こり、本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａが機能しない。
××：接続端子部１０９ａとカソード電極１０４に放電が多発し、本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａが機能しない。
【００４８】
上記誤検出は接続端子部１０９ａに沿ったカソード電極１０４で異常な信号が生じることで判別する。すなわち、測定の結果、得られた電子飛跡とは関係のない信号が接続端子部１０９ａ近傍のカソード電極１０４に関連した場所から得られることでわかる。
【００４９】
上記放電はアノード電極１０６とカソード電極１０４との間に流れるリーク電流が１０ｎＡを超えた値で計測されることでわかる。通常、リーク電流は１ｎＡ以下であるが、放電が生じると１０ｎＡを超える。
【００５０】
上記金属の飛散は放電によりアノード電極１０６とカソード電極１０４とが導通してしまい、本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａが動作しなくなったときに、その表面を顕微鏡で観察することにより、確認することができる。
【００５１】
この表１に示す結果により、ピクセルピッチＺが４００μｍ以上のときは、外部回路に接続される接続端子部１０９ａと接続端子部１０９ａに近接するカソード電極１０４との距離Ｘを４００μｍ以上にすることにより、接続端子部１０９ａとカソード電極１０４における誤検出がなく、第１の金属層１２０の金属飛散が防止できるだけでなく、ボンディングの接続信頼性が高く確保できるようになる。よって、本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａの動作を良好にすることができる。
【００５２】
本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａにおいては、アノード電極１０６とカソード電極１０４との間に高電圧が印加されるため、アノード電極１０６とカソード電極１０４との間の距離Ｙが本発明の放射線検出装置１００の性能に影響を与える。距離Ｙが大きいと放電は生じにくくなるが、ガス増幅率が低下するため、本発明の放射線検出装置１００の性能は悪くなる。逆に、距離Ｙが小さいと放電は生じやすくなるが、ガス増幅率が向上するため本発明の放射線検出装置１００の性能は良くなる。よって、アノード電極１０６とカソード電極１０４との間の距離Ｙは放電とガス増幅率のトレードオフの関係のもと、本実施形態においては、約９５μｍに設定している。
【００５３】
しかしながら、距離Ｙを約９５μｍに設定すると、放射線が局所的に多く照射された場合、放電が生じて、放電による熱でアノード電極１０６とカソード電極１０４を構成する金属が溶融して飛散し、両電極間が導通して放射線検出が継続できなくなる問題が生じていた。
【００５４】
この問題に対して、ピクセル電極をあらかじめ加熱して、銅表面を酸化させると飛び散りが解消されることがわかった。これは、ピクセル電極の金属である融点１０８５℃の純銅の表面が融点１３２６℃の酸化銅になり溶融しにくくなったためである。
【００５５】
一方、ピクセル電極周辺に設けられた接続端子１０９ａは、多ピン狭ピッチ接続に対応可能な金ワイヤーを用いたボンディングにより外部回路と接続されるようにしてもよい。接続端子１０９ａを構成する金属表面は酸化されると、ワイヤーボンディングの接合強度が悪くなるため、本実施形態においては、接続端子１０９ａの金属表面に金めっきを施し、第１の金属層１２０を配置した。金はイオン化傾向が最も小さく、酸化されにくいため、ピクセル電極の保存状態によらず、接合強度が良好なワイヤーボンディングが行える。金
めっきは、銅の上に下地となる第２の金属層１２４のニッケル層を無電解めっきで形成し、そのニッケル層の上に無電解めっきで形成する。金と銅の間に介在するニッケルは、拡散防止膜として機能し銅に金が拡散して金がなくなるのを防止するとともに、ボンディングに必要な硬度を確保する役割を有する。
【００５６】
外部回路への接続端子１０９ａとカソード電極１０４との間にもアノード電極１０６とカソード電極１０４との間と同じ高電圧が印加される。外部回路との接続端子１０９ａとカソード電極１０４との間の距離Ｘが、アノード電極１０６とカソード電極１０４との間の距離Ｙ以下の状態では、ピクセル電極部１０１以外の場所でガス増幅が起こり、ノイズ原因となる誤検出が生じる。そこで、距離Ｘは距離Ｙより大きくしなければならない。
【００５７】
接続端子１０９ａの金属表面の第１の金属層１２０である金めっきは、融点が純銅より低い１０６４℃であり、放電による熱で溶融して飛散し、近接するカソード電極１０４との間やアノード電極１０６とカソード電極１０４との間が導通して放射線検出が継続できなくなる問題を引き起こす可能性がある。本実施形態においては、外部回路への接続端子１０９ａとカソード電極１０４との間の距離Ｘを４００μｍ以上確保し、かつ接続端子１０９ａの金属表面に金めっきを施すことにより、誤検出と金属の飛散を防止するだけでなく、外部回路との接続信頼性を高く確保することができるという優れた効果を奏する。
【００５８】
（実施形態３）
本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａの一部の平面図及び断面図を図７に示す。図７（Ｂ）には、本実施形態に係る本発明の検出素子１００ａのピクセル電極部１０１及び接続端子部１０９ａの平面図を示し、図７（Ａ）には、図７（Ｂ）のＡ−Ａ’線におけるピクセル電極部１０１及び接続端子部１０９ａの断面図を示している。本実施形態においては、接続端子部１０９ａの構成を除いては、実施形態１及び２と同様の構成を有しているので、同様の構成については改めて説明はしない。
【００５９】
図７に示すように、本実施形態においては、接続端子部１０９ａの第１の金属層１２０が接続端子部１０９ａの全面には配置されておらず、接続端子部１０９ａの外端側の一部にのみ配置されている構成を有している。これは、実施形態１において説明した、図４（ｂ）におけるレジスト１４０の配置を変更することによって、接続端子部１０９ａの第１の金属層１２０を接続端子部１０９ａの一部に形成することができる。本実施形態においては、実施形態１と同様、第１の金属層１２０には金を用いた。
【００６０】
このような構成をとることにより、接続端子部１０９ａと接続端子部１０９ａに近接するカソード電極１０４との間において放電が生じた場合であっても、第１の金属層１２０の金属が飛散することを防止することができ、周辺のピクセル電極部が使用できなくなるという問題をさらに低減することができる。結果として、接続端子部１０９ａと接続端子部１０９ａに近接するカソード電極１０４との距離Ｘをさらに小さく設定することができる。
【００６１】
（実施形態４）
本実施形態においては、本発明の検出素子１００ａの別の例について説明する。実施形態１、２及び３と同様の構成を有しているので、同様の構成については改めて説明はしない。
【００６２】
図８に、本実施形態に係る本発明の放射線検出装置１５０の断面斜視図を示す。本実施形態に係る本発明の放射線検出装置１５０は、実施形態１〜３と同様、検出素子１００ａ（ピクセル電極部１０１、接続端子部１０９（１０９ａ及び１０９ｂ））、ドリフト電極１１０及びチャンバー１１１を有している。また、本実施形態に係る本発明の放射線検出装置１５０においては、ドリフトケージ１５２ａ及び１５２ｂが設けられている。ドリフトケージ１５２ａ及び１５２ｂは、ドリフト電極１１０とピクセル電極部１０１との間の電界分布を均一化するために設けられている。
【符号の説明】
【００６３】
１００  放射線検出装置
１００ａ  検出素子
１０１  ピクセル電極部
１０９（１０９ａ及び１０９ｂ）  接続端子部
１１０  ドリフト電極
１１１  チャンバー
１０２  絶縁部材
１０４  カソード電極
１０５  開口部
１０６  アノード電極
１０８  アノード電極パターン
１１１  チャンバー
１２０  第１金属層
１２２  第２金属層
１２４  第３金属層
１２６  ビア
１３０  基板
１５０  放射線検出装置（容器モジュール）
１５２ａ、１５２ｂ  ドリフトケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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