(57)【要約】【課題】転写時にパターン層が転写版に残留するのを抑えることができるデバイス製造方法を提供する。【解決手段】微小なポーラスを介して表面と裏面との間で気体を通過可能な多孔質材料による可撓性のシート状の第２の基板の表面に、薄膜トランジスタを構成する少なくとも半導体層を含んで位置合わせされる２つの層を積層した積層構造体と、積層構造体を囲む所定領域の周囲を被覆する隔壁層とを形成する第１の工程と、半導体層の結晶化の為に、第１の工程後の第２の基板を加熱する第２の工程と、積層構造体を囲む所定領域内に絶縁性の支持層を形成する第３の工程と、第１の基板と第２の基板とを一方向に移動させながら、部分的に密着または近接する位置で、第２の基板の裏面から表面に向けて所定圧力の気体を噴出し、ポーラスを通る気体の圧力によって積層構造体を支持層と共に第２の基板から剥離させて第１の基板の表面に転着する第４の工程と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺の可撓性を有する第１の基板上に、転写方式を利用して薄膜トランジスタを含む電子デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
所定の厚みを有し、微小なポーラスを介して表面と裏面との間で気体を通過可能な多孔質材料による可撓性のシート状の第２の基板の前記表面に、前記薄膜トランジスタを構成する電極層、半導体層、絶縁層のうちの少なくとも半導体層を含んで相対的に位置合わせされる２つの層を積層した積層構造体と、該積層構造体を囲む所定領域の周囲を被覆する隔壁層とを形成する第１の工程と、
前記積層構造体の前記半導体層の結晶化の為に、前記第１の工程後の前記第２の基板を加熱する第２の工程と、
前記積層構造体を囲む前記所定領域内に絶縁性の支持層を所定の厚みで形成する第３の工程と、
前記第２の基板の前記表面側と前記第１の基板の表面側とが順次に部分的に密着または近接するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを共に一方向に移動させながら、前記部分的に密着または近接する位置で、前記第２の基板の前記裏面から前記表面に向けて所定圧力の気体を噴出し、前記ポーラスを通る前記気体の圧力によって前記積層構造体を前記支持層と共に前記第２の基板から剥離させて前記第１の基板の表面に転着する第４の工程と、
を含むデバイス製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイス製造方法であって、
前記第２の基板の多孔質材料は、
多孔質ポリイミド、アラミド樹脂ベースの多孔質フィルム、超高分子量ポリエチレン多孔質フィルム、四フッ化エチレン樹脂多孔質膜、表面フッ素化多孔質膜のうちのいずれかである、デバイス製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のデバイス製造方法であって、
前記積層構造体の寸法は、前記第２の基板の前記ポーラスの平均孔径よりも大きくなるように設定される、デバイス製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のデバイス製造方法であって、
前記２の基板は、前記ポーラスの平均孔径や空孔率、或いは厚みが異なる２種の多孔質フィルムを積層した多層構造とし、
前記第２の基板の前記積層構造体と前記隔壁層が形成される表面側の第１多孔質層の平均孔径は、裏面側に積層される第２多孔質層の平均孔径よりも小さく設定される、デバイス製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のデバイス製造方法であって、
前記第１の工程において、
前記隔壁層は、前記第２の基板の前記表面に形成される下地金属層の上に無電解又は電解メッキによりメッキ層を積層することで形成され、前記積層構造体は前記隔壁層の形成後に形成される、
デバイス製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のデバイス製造方法であって、
前記第１の工程は、
前記積層構造体を形成する前に、前記積層構造体が形成される前記所定領域内の前記第２の基板の前記表面を撥液性に処理する段階を含む、
デバイス製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のデバイス製造方法であって、
前記第１の工程において、前記積層構造体は、
前記薄膜トランジスタの前記電極層として、ソース電極とドレイン電極とに対応したパターンを前記第２の基板の前記表面上に形成した後、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間のギャップ部を覆うような範囲で前記半導体層によるパターンを積層して構成される、デバイス製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のデバイス製造方法であって、
前記第１の工程において、
前記薄膜トランジスタを構成する前記半導体層は、印刷方式又はインクジェット方式によるインク材料の塗布によって形成される、デバイス製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のデバイス製造方法であって、
前記第３の工程において、
前記積層構造体を囲む前記所定領域内に形成される前記支持層を、光又は熱によって硬化可能な絶縁性の樹脂の液体の塗布によって形成する際は、前記所定領域の周囲の前記隔壁部の表面を撥液状態に設定する、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイス製造方法に関する。
本願は、２０１２年８月６日に出願された日本国特願２０１２−１７３９８３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ装置などの表示装置を構成する表示素子として、例えば液晶表示素子、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子、電子ペーパに用いられる電気泳動素子などが知られている。これらの素子を作製する手法の１つとして、例えばロール・トゥ・ロール方式（以下、単に「ロール方式」と表記する）と呼ばれる手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ロール方式は、基板供給側のローラーに巻かれた１枚のシート状の基板を送り出すと共に送り出された基板を基板回収側のローラーで巻き取りながら基板を搬送し、基板が送り出されてから巻き取られるまでの間に、表示回路やドライバ回路などのパターンを基板上に順次形成する手法である。近年では例えば大型のディスプレイ装置などの需要が多く、基板上の広範囲にパターンを効率的に形成する技術が求められている。このような技術の一つとして、例えば、予め転写版に形成されたパターン層を基板に転写する転写法（転着法）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００６／１００８６８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、転写法においては、パターン層を基板に転写する際に、転写版にパターンの一部が残ってしまう可能性がある。
【０００６】
本発明に係る態様は、転写時にパターン層が転写版に残留するのを抑えることができるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る一態様のデバイス製造方法は、長尺の可撓性を有する第１の基板上に、転写方式を利用して薄膜トランジスタを含む電子デバイスを製造するデバイス製造方法であって、所定の厚みを有し、微小なポーラスを介して表面と裏面との間で気体を通過可能な多孔質材料による可撓性のシート状の第２の基板の前記表面に、前記薄膜トランジスタを構成する電極層、半導体層、絶縁層のうちの少なくとも半導体層を含んで相対的に位置合わせされる２つの層を積層した積層構造体と、該積層構造体を囲む所定領域の周囲を被覆する隔壁層とを形成する第１の工程と、前記積層構造体の前記半導体層の結晶化の為に、前記第１の工程後の前記第２の基板を加熱する第２の工程と、前記積層構造体を囲む前記所定領域内に絶縁性の支持層を所定の厚みで形成する第３の工程と、前記第２の基板の前記表面側と前記第１の基板の表面側とが順次に部分的に密着または近接するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを共に一方向に移動させながら、前記部分的に密着または近接する位置で、前記第２の基板の前記裏面から前記表面に向けて所定圧力の気体を噴出し、前記ポーラスを通る前記気体の圧力によって前記積層構造体を前記支持層と共に前記第２の基板から剥離させて前記第１の基板の表面に転着する第４の工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る態様によれば、転写時にパターン層が転写版に残留するのを抑えることができるデバイス製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係る第一実施形態の転写装置の全体構成を示す斜視図。
【図２】本実施形態の多孔質シートの構成を示す断面図。
【図３】本実施形態の気体噴出ローラーの構成を示す斜視図。
【図４】本実施形態の気体噴出ローラーの内部構成を示す斜視図。
【図５】本実施形態の転写動作の一例を示す部分断面図。
【図６】本実施形態の転写動作の一例を示す部分断面図。
【図７】本実施形態の転写動作の一例を示す部分断面図。
【図８Ａ】本実施形態における気体噴出ローラーの変形例を示す断面図。
【図８Ｂ】本実施形態における気体噴出ローラーの変形例を示す断面図。
【図９】本発明に係る第二実施形態のデバイス製造システムの全体構成を示す図。
【図１０】本発明に係る多孔質シートの他の構成を示す断面図。
【図１１】本発明に係る多孔質シートによる多段パターン層の転写を説明する断面図。
【図１２Ａ】本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法によって形成される回路の一例を示す図。
【図１２Ｂ】本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法によって形成される回路の一例を示す図。
【図１２Ｃ】本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法によって形成される回路の一例を示す図。
【図１３Ａ】本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法による回路形成工程の一例を示す図。
【図１３Ｂ】本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法による回路形成工程の一例を示す図。
【図１３Ｃ】本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法による回路形成工程の一例を示す図。
【図１４Ａ】本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法による回路形成工程の一例を示す図。
【図１４Ｂ】本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法による回路形成工程の一例を示す図。
【図１４Ｃ】本発明に係る第三実施形態のデバイス製造方法による回路形成工程の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第一実施形態］  
本発明に係る第一実施形態を説明する。  
図１は、本実施形態の転写装置１００の構成を示す斜視図である。  
図１に示すように、転写装置１００は、可撓性を有し多孔質材料によって無端ベルト状に形成された転写版としての多孔質シートＴｓを用いて、当該多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに形成されるパターン層を、転写対象物としてのフィルム状の基板Ｐに対して転写する装置である。転写装置１００は、多孔質シートＴｓを保持するシート保持部（版保持部）１０と、基板Ｐを保持する基板保持部（対象物保持部）２０と、多孔質シートＴｓの内周面Ｔｂ側から外周面Ｔａ側へ向けて気体を供給する気体供給部（流体供給部）３０を有する。なお、基板Ｐとしては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等の樹脂製フィルム、プラスチックシート、極薄の湾曲可能なガラス板、ステンレスを箔状に圧延したフォイルシート、或いは、液体の吸収を抑えるように加工された紙や布等の可撓性を有する基板、所謂フレキシブル基板を用いることができる。
本実施形態においては、特に、材料費が安価である点に着目して、樹脂製フィルムやプラスチックシートを基板Ｐとして用いるものとする。
【００１１】
ここで、転写装置１００の各構成の説明に先立ち、本実施形態に用いられる多孔質シートＴｓの構成を説明する。図２は、多孔質シートＴｓの構成を示す断面図である。  
図２に示すように、多孔質シートＴｓは、多孔質層１１と、下地金属層１２（被覆部）と、メッキ層１３（被覆部）とを有している。
【００１２】
多孔質層１１は、例えばポリイミドなどの多孔質材料を用いて、例えば２０μｍ〜５０μｍ程度の膜厚となるように形成されている。多孔質層１１は、内部に気体を通過させることが可能である。多孔質層１１の第二面１１ｂが多孔質シートＴｓの内周面Ｔｂに相当する。
そのような多孔質ポリイミド膜は、例えば、国際公開番号ＷＯ２０１０／０３８８７３号に開示されている。
【００１３】
下地金属層１２は、多孔質層１１の第一面１１ａに所定のパターン形状となるように形成されている。下地金属層１２によるパターン形状は、基板Ｐに転写すべきパターン層に対して相補的な形状になっている。下地金属層１２によるパターンは、例えば蒸着法等によって形成され、多孔質層１１の第一面１１ａの一部を塞いでいる。
【００１４】
メッキ層１３は、下地金属層１２にメッキ法によって積層されている。メッキ層１３の表面１３ａが多孔質シートＴｓの外周面（表層）Ｔａに相当する。メッキ層１３は、下地金属層１２と同一のパターンを有する。メッキ層１３は、例えば、パターニングされた下地金属層１２を有する多孔質シートＴｓを、メッキ液に所定時間浸漬させて、無電解又は電解メッキすることによって、所望の厚みで形成される。
【００１５】
このように、多孔質層１１の第一面１１ａは、下地金属層１２及びメッキ層１３によるパターンによって一部が塞がれている。一方、多孔質層１１の第一面１１ａのうち、下地金属層１２及びメッキ層１３が設けられていない領域には、結果的に露出部１４によるパターンが形成される。その露出部１４には、詳しくは後述するが、基板Ｐに転写すべきパターン層となる被転写材料が充填される。
【００１６】
従って、多孔質シートＴｓは、下地金属層１２及びメッキ層１３に対して凹んだ露出部１４によって転写を行なうことから、印刷における凹版と同様に機能する。
【００１７】
多孔質層１１の第二面１１ｂから第一面１１ａに気体を通過させる場合、当該気体は下地金属層１２及びメッキ層１３によって遮断され、第一面１１ａの露出部１４から噴出する。
【００１８】
この種の多孔質シート（樹脂膜、フィルム等）としては、耐熱性や寸法安定性などが高いアラミド樹脂ベースの多孔質フィルム、超高分子量ポリエチレン粉末の焼結多孔質成形体を切削して作られる超高分子量ポリエチレン多孔質フィルム、撥液性・耐熱性・耐薬品性等などの特性に優れた四フッ化エチレン樹脂多孔質膜、などが利用可能であるが、多孔質層１１の第一面１１ａは、下地金属層１２の微細パターンの最小寸法に比べて小さな気孔サイズを有し、平坦性が良いものが望ましい。
【００１９】
また、多孔質シートとして、合成樹脂からなる多孔質膜の表面をフッ素ガスで処理してフッ素化した表面フッ素化多孔質膜を利用しても良い。
【００２０】
次に、転写装置１００の各構成の説明に移る。  
図１に示すように、シート保持部１０は、多孔質シートＴｓに対して所定のテンションを与えつつ当該多孔質シートＴｓを搬送するローラーＲ１及びローラーＲ２を有する。ローラーＲ１及びローラーＲ２のうち少なくとも一方のローラーは、不図示の駆動部によって回転可能に設けられている。当該ローラーが回転することにより、無端状の多孔質シートＴｓが一方向に回転可能となる。
【００２１】
図１に示すように、基板保持部２０は、基板Ｐを搬送する圧胴ドラムＤＲを有する。圧胴ドラムＤＲは、例えば円筒状や円柱状など、外周面ＤＲａが円筒面となる形状に形成され、その外周は適当な厚みのゴム材や樹脂材で被覆されている。基板Ｐは、圧胴ドラムＤＲの外周面ＤＲａに巻かれた状態で搬送される。圧胴ドラムＤＲは、不図示の回転駆動部によって外周面ＤＲａの周方向に回転可能に設けられている。圧胴ドラムＤＲは、外周面ＤＲａに巻かれた基板Ｐが多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに密着（又は近接）する位置に設けられている。
【００２２】
また、多孔質シートＴｓの長尺方向（送り方向）に関して、一定の長さ分が圧胴ドラムＤＲの外周面ＤＲａに巻き付いた基板Ｐと安定的に密着するように、テンションローラーＴＲ１、ＴＲ２が設けられる。
【００２３】
気体供給部３０は、無端ベルト状の多孔質シートＴｓの内側に配置されている。気体供給部３０は、多孔質シートＴｓを基板Ｐに押圧し当該多孔質シートＴｓに対して気体を供給する気体噴出ローラーＡＢＲと、当該気体噴出ローラーＡＢＲに対して気体を供給可能な気体供給部３５とを有する。
【００２４】
図３は、気体供給部３０の構成を示す斜視図である。  
図３に示すように、気体噴出ローラーＡＢＲは、円筒状に形成された円筒軸（管状の金属性シャフト）３１と、当該円筒軸３１のうち軸線方向の両端部に１つずつ配置されたベアリング部３２と、多孔質材料を用いて円筒状に形成されると共に、ベアリング部３２によって円筒軸３１の外側に回転自在に支持される円筒状の多孔質管３３と、円筒軸３１の外周面と多孔質管３３の内周面との間に設けられた磁性流体３４とを有する。
【００２５】
多孔質管３３は、例えば、多孔質セラミックス材を、数ミリ程度の肉厚で所定の内外径の筒状に成形して焼成したものである。多孔質管３３は、その内周面から外周面に向けて、無数の微小なポーラス（気孔）を介して加圧気体が通り抜けることができる。ポーラスの平均寸法や密度は、多孔質シートＴｓの第一面１１ａに形成される露出部１４によるパターン形状の最少寸法（線幅等）に応じて設定される。
【００２６】
図４は、図３中に示した円筒状の多孔質管３３を取り除いた様子を示す斜視図であり、円筒軸３１は、中空部３１ａを有している。当該中空部３１ａは、例えば配管などの気体供給経路３５ａを介して気体供給部３５に接続されている。円筒軸３１は、中空部３１ａと外部とを貫通する開口部３１ｂ（噴出部）を有している。開口部３１ｂは、円筒軸３１の軸線（或いは多孔質管３３の回転中心線）が延びる方向に、多孔質シートＴｓの幅に対応した長さでスロット状に形成され、気体供給経路３５ａを介して気体供給部３５から供給される気体を噴出する噴出口となる。
【００２７】
円筒軸３１の開口部３１ｂから加圧した気体が噴出されると、その気体は多孔質管３３の内周面のうち開口部３１ｂと対向した部分から多孔質管３３の外周面に向けて通り抜ける。その際、多孔質管３３の肉厚、ポーラスの径や密度によって程度は異なるものの、多孔質管３３の外周面からはほぼ一様な圧力分布で気体が噴出される。
【００２８】
その噴出気体の圧力は、多孔質シートＴｓの第二面１１ｂに印加されると共に、多孔質シートＴｓの多孔質層１１を通った加圧気体は、第一面１１ａ側の露出部１４に充填される被転写材料によるパターン層に対して、第一面１１ａから剥離する力を与える。
【００２９】
先の図１において、図３、図４に示した円筒軸３１の開口部３１ｂは、圧胴ドラムＤＲの方に向けられている。その為、多孔質シートＴｓの第一面１１ａ側の露出部１４に充填された被転写材料によるパターン層は、第一面１１ａから剥がれて、基板Ｐの表面に強く押し付けられて、転写される。
【００３０】
この際、多孔質シートＴｓ側の被転写材料によるパターン層を基板Ｐに押し付ける転写力（圧着力）は、圧胴ドラムＤＲと多孔質管３３による基板Ｐと多孔質シートＴｓとの狭持力、噴出気体が多孔質シートＴｓの第二面１１ｂ側を押圧する背圧、そして、噴出気体による被転写材料の露出部１４からの剥離力、によって決まってくる。
【００３１】
以上の構成において、ベアリング部３２は、円筒軸３１の周方向に回転可能となるように多孔質管３３を支持する。多孔質管３３は、周方向の一周に亘って多孔質材料で形成されているため、周方向の一周に亘って、円筒軸３１の開口部３１ｂからの加圧気体が通過可能である。多孔質管３３の外周面３３ａには、多孔質シートＴｓの第二面１１ｂが密着される。多孔質管３３は、ベアリング部３２により、円筒軸３１の周りに回転可能である。このため、例えば多孔質管３３を多孔質シートＴｓの移動に応じて従動的に回転させたり、回転駆動部（モータ等）によって駆動される圧胴ドラムＤＲの回転に応じて従動的に回転させたりすることが可能である。
【００３２】
ところで、図３、図４に示した磁性流体３４は、円筒軸３１の外周面と多孔質管３３の内周面との間に形成される僅かな間隙（例えば１〜数ミリ）に満たされるが、その主な作用は、開口部３１ｂから噴出する加圧気体が、円筒軸３１の外周面と多孔質管３３の内周面との間隙部に回り込むことを防止することにある。よって磁性流体３４は、開口部３１ｂと多孔質管３３の内周面との間の気密性を高めるシールとして機能する。
【００３３】
磁性流体３４は、円筒軸３１の外周面に埋め込まれた発磁体（永久磁石、電磁石等）によって捕捉される。特に、円筒軸３１の外周面で開口部３１ｂの周辺には、開口部３１ｂ内に磁性流体がこぼれ落ちないように、開口部３１ｂを取り囲むように配列された強い発磁体（希土類の永久磁石）が設けられている。
【００３４】
上記構成の他、図１に示すように、転写装置１００は、例えば多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに形成されている露出部１４にパターン層を形成するパターン層形成部ＰＨを有する。パターン層形成部ＰＨとしては、パターン層を構成する機能性材料、例えば、ナノ金属粒子を含む導電性インク、カーボンナノワイヤーを含む紫外線硬化樹脂、乾燥時に結晶化して半導体となる有機物や酸化物の溶剤、等の液状やゲル状の機能性材料を多孔質シートＴｓの露出部１４に印刷（充填）する印刷ヘッドなどが用いられている。本実施形態の場合、印刷ヘッドとして好適なのは、露出部１４を狙って機能性材料を滴下できるインクジェット方式のヘッドであるが、スクリーン印刷、グラビア印刷、凸版印刷、オフセット印刷等で使われている版（平版或いは胴版）もヘッドとして用いることができる。
【００３５】
また本実施形態では、図２に示すように、多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに形成されている下地金属層１２及びメッキ層１３が隔壁層（凸部）となり、その周囲の露出部１４が凹部となる。そこで、パターン層形成部ＰＨとして、多孔質シートＴｓ上の露出部１４が形成されている領域に機能性材料を一様に、或いは選択的に塗布したのち、下地金属層１２及びメッキ層１３による隔壁層上に残留した機能性材料を除去して、露出部１４内に機能性材料を残すような塗工機構を持つものでも良い。
【００３６】
尚、パターン層形成部ＰＨは、多孔質シートＴｓの搬送方向に並ぶように複数設けられていても良い。
【００３７】
また、転写装置１００は、多孔質シートＴｓのうちパターン層形成部ＰＨによってパターン層（露出部１４に充填される層）が形成される部分の内周面Ｔｂを支持する支持機構ＰＬＴを有する。支持機構ＰＬＴとしては、例えば平面状に形成された支持面によって内周面Ｔｂを非接触で支持するエア・パッド式ホルダや、多孔質シートＴｓの一部を巻き付ける回転ドラム等を用いることができる。
【００３８】
次に、上記構成を有する転写装置１００の動作を説明する。  
まず、転写装置１００は、パターン層形成部ＰＨにおいて、図５に示すように、多孔質シートＴｓを支持機構ＰＬＴに支持させた状態で、当該多孔質シートＴｓの露出部１４に対して所定の被転写材料（液状又はゲル状の機能性材料）を充填して、被転写パターン層１５を形成する。
【００３９】
その際、被転写パターン層１５となる機能性材料が充填される露出部１４の底部（多孔質層１１の第一面１１ａ）は、機能性材料に対して撥液性を持つような分子構造、即ち多孔質層１１のポーラス内に機能性材料が入り込み難く、密着性が乏しい状態であることが望ましい。その為には、露出部１４の底部（多孔質層１１の第一面１１ａ）の表面をフッ素基で修飾するような化学処理、例えば撥液性を有するＳＡＭ（Self Assemble Monolayer）材の溶液を、多孔質層１１のポーラスを埋めないように、ミスト・デポジション法等により塗布したりすれば良い。
【００４０】
次に、転写装置１００は、ローラーＲ１及びローラーＲ２を回転させて多孔質シートＴｓを移動させると共に、圧胴ドラムＤＲを回転させて基板Ｐを移動させることにより、多孔質シートＴｓの第一面１１ａ（Ｔａ）に形成された被転写パターン層１５と基板Ｐ上の転写対象領域とを接触（圧着）させる。併せて、気体噴出ローラーＡＢＲを構成する円筒軸３１の開口部３１ｂから多孔質シートＴｓの第二面１１ｂ（Ｔｂ）に向けて、加圧気体を噴出させる。
【００４１】
この状態で、転写装置１００は、図６に示すように、気体噴出ローラーＡＢＲから多孔質シートＴｓの内周面Ｔｂに所定の圧力で気体を供給する。内周面Ｔｂから多孔質層１１の内部に供給された気体の流れは、下地金属層１２及びメッキ層１３が形成された領域においては遮断されるため、露出部１４に対して圧力が加えられる。この圧力（剥離力）により、露出部１４に形成された被転写パターン層１５が基板Ｐ側へ押圧され、被転写パターン層１５が基板Ｐに接着（転着）される。
【００４２】
引き続き、ローラーＲ１及びローラーＲ２を回転させると共に、圧胴ドラムＤＲを回転させることで、図７に示すように、露出部１４に配置されていた被転写パターン層１５が基板Ｐに転写された状態で、多孔質シートＴｓ及び基板Ｐが搬送される。この動作を繰り返すことにより、多孔質シートＴｓ上に形成された被転写パターン層１５が、基板Ｐ上に連続的に転写されることになる。
【００４３】
以上の実施形態において、基板Ｐの表面は、被転写パターン層１５を構成する機能性材料との密着性を高めるため、予め表面を改質したり、密着性を向上させる薄膜を形成したりしておくことが望ましい。
【００４４】
さらに、被転写パターン層１５を露出部１４から良好に剥離させる為に、加圧気体を噴出する円筒軸３１の開口部３１ｂの周方向の幅を可変にする調整機構を設けたり、開口部３１ｂの開口形状自体を変えても良い。
【００４５】
図８Ａおよび８Ｂは、上記のような変形例を示すものである。図８Ａは、円筒軸３１の開口部３１ｂの外周部付近に、開口の周方向の幅を可変にするブレード板３１ｗを対向して設けた場合を示す。ブレード板３１ｗは、円筒軸３１の周方向に可動に構成され、加圧気体が噴き付けられる多孔質管３３の内周面上の領域の周方向の幅を調整できる。
【００４６】
図８Ｂは、円筒軸３１の外周面に形成される加圧気体の噴出口を、軸線方向に連続したスロット状にする代わりに、軸線方向に離散的に配列した小開口３１ｈにした例を示す。小開口３１ｈの各々は、円筒軸３１の内周面に軸線方向に延設された溝３１ｇと連通している。この図８Ｂのように、噴出口を複数の小開口３１ｈで構成すると、これらの小開口３１ｈを取り囲む磁性流体３４の領域が小さくでき、永久磁石等の発磁体Ｍｇも少なくて済むといった利点もある。
【００４７】
これら図８Ａおよび８Ｂのように、加圧気体が噴出する開口を小さく絞ることになって、多孔質管３３の内周面に向けて噴出される気体の流速が大きくなり、被転写パターン層１５を露出部１４から剥離させる力も大きくすることができる。
【００４８】
そのため、多孔質シートＴｓの被転写パターン層１５を基板Ｐ側に転写する際、多孔質シートＴｓの外周面Ｔａと基板Ｐの表面とを密着させることなく、微小なギャップ（例えば数μｍ〜十数μｍ）を伴って離間させておいても良い。このように多孔質シートＴｓと基板Ｐとを密着させずに近接させた状態で転着が行なえると、転着の直前で多孔質シートＴｓと基板Ｐとをミクロンオーダーで相対的に位置決めすることが容易になり、基板Ｐ上に既に形成されたパターン層に対して、新たなパターン層を位置合せして重ねることも可能となる。
【００４９】
以上のように、本実施形態の転写装置１００は、所定の厚みの多孔質材料で形成された多孔質層１１と多孔質層１１の第一面１１ａ側に形成された被転写パターン層１５とを有する多孔質シートＴｓを保持するシート保持部１０と、該多孔質シートＴｓの被転写パターン層１５が転着され得る（転着される予定の）基板Ｐを、多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに密着または近接させて保持する基板保持部２０と、多孔質層１１の第二面１１ｂから第一面１１ａに向けて所定圧力の気体を供給する気体供給部３０とを備えるので、多孔質シートＴｓを介して供給される気体の圧力により、多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに配置された被転写パターン層１５が基板Ｐに押し出されることになる。これにより、転写時にパターン層１５が多孔質シートＴｓに残留するのを抑えることできる。
【００５０】
［第二実施形態］  
本発明に係る第二実施形態を説明する。  
図９は、上記第一実施形態の転写装置１００を適用したデバイス製造システム（基板処理装置）１の全体構成を示す。  
図９に示すように、本実施形態の製造ラインには、供給ローラーＦＲ１に巻かれた長尺の基板Ｐに所定の前処理（表面改質等）を施す前処理装置Ｕ１、前処理された基板Ｐにパターン転写を行なう転写装置Ｕ２、パターン転写された基板Ｐに後続の処理を施す後処理装置Ｕ３が設けられている。
【００５１】
転写装置Ｕ２は、上記第一実施形態の転写装置１００が用いられている。転写装置Ｕ２は、上記第一実施形態で説明したシート保持部１０、基板保持部２０、気体供給部３０に加えて、無端ベルト状の多孔質シートＴｓの表面にパターンを形成する為のパターン形成装置４０、多孔質シートＴｓ上のパターンが転写装置Ｕ２で基板Ｐに転写された後の多孔質シートＴｓを洗浄する洗浄装置５０（メンテナンス部）、洗浄後の多孔質シートＴｓを乾燥させる乾燥装置６０（メンテナンス部）、乾燥後の多孔質シートＴｓの表面に所定の下地処理を施す下地処理装置７０（メンテナンス部）を有している。
【００５２】
パターン形成装置４０内には、下地処理された多孔質シートＴｓ２の表面（露出部１４）に印刷方式やインクジェット方式等によって、ＴＦＴや有機ＥＬ用の各種電極部や配線部などのパターンをインク材料で塗布形成する複数のプリントヘッド部（プリントヘッド部ＰＨ１、プリントヘッド部ＰＨ２及びプリントヘッド部ＰＨ３）と、各プリントヘッド部（ＰＨ１、ＰＨ２、ＰＨ３）に対応して、多孔質シートＴｓ２の裏面を支持する平面状のエアパッド式ホルダ、或いは多孔質シートＴｓ２を部分的に巻き付ける回転ドラム等の支持機構ＰＬＴが設けられている。
【００５３】
供給ローラーＦＲ１に巻かれた基板Ｐは、ニップされた駆動ローラーＤＲ１によってＸ方向に所定速度で前処理装置Ｕ１に送り込まれる。前処理装置Ｕ１は、基板Ｐの表面、図では下向きの面Ｐａに対して、パターンの転写（定着）が強固となるような下地層を形成する。その下地層は、基板Ｐの表面に電子ビーム等のエネルギー線を照射して改質した表層面にする（活性化した面にする）方法、転写すべきパターンの材料が基板Ｐに強固に貼り着くようなバインダー層を薄く堆積する方法等により形成される。
【００５４】
前処理された基板Ｐは、エアターンバーＡＴＢにより非接触で搬送方向を転換し、転写装置Ｕ２内のローラーＲ１、エアターンバーＡＴＢ、圧胴ドラムＤＲ、エアターンバーＡＴＢ、ローラーＲ２、エアターンバーＡＴＢの順に掛け渡されて、次の後処理装置Ｕ３に向かうように搬送される。
【００５５】
ローラーＲ１及びローラーＲ２は、基板Ｐが搬送方向に所定のテンションを保って圧胴ドラムＤＲに巻付くように回転速度やトルクが制御される。圧胴ドラムＤＲの外周部は金属または硬質ゴム等で構成され、その外周面は真円度の高い円筒状に形成されている。
【００５６】
さらに転写装置Ｕ２内には、パターン形成装置４０から送られてくるパターン付の多孔質シートＴｓ１を、圧胴ドラムＤＲの下側に巻き付いた基板Ｐと密着させる為のテンションローラーＴＲ１及びテンションローラーＴＲ２と、気体噴出ローラーＡＢＲとが設けられている。テンションローラーＴＲ１、テンションローラーＴＲ２及び気体噴出ローラーＡＢＲは、何れもアクチュエータＡｃｔによって、Ｚ方向の位置が調整可能となっている。
【００５７】
気体噴出ローラーＡＢＲは、上記第一実施形態において説明したように、圧胴ドラムＤＲの下側部分で多孔質シートＴｓ１と基板Ｐとが密着（圧接）したときに、多孔質シートＴｓ１の裏面側から圧搾気体を噴出して、多孔質シートＴｓ１の上面に形成された被転写パターン層１５を綺麗に剥離させる機能を備えている。
【００５８】
転写装置Ｕ２にて被転写パターン層１５が剥離された多孔質シートＴｓは、ローラーＲ１０、ローラーＲ１１を通って折り返され、洗浄装置５０内のウェット洗浄槽に送られ、高圧の洗浄ノズル等から噴射される洗浄液で清掃され、続いて純水によるすすぎ処理を施される。その後、多孔質シートＴｓは、乾燥装置６０内に送られ、多孔質内に取り込まれた水分が充分に除去されるように、温風や赤外線照射により乾燥させられる。
【００５９】
乾燥処理された多孔質シートＴｓ（下地金属層１２とメッキ層１３付き）は、下地処理装置７０に送られ、再び、パターン形成の為に必要な下地作りが行なわれる。その下地処理では、多孔質シートの露出部１４を目詰まりさせることなく（通気性は保ちつつ）、露出部１４に形成される被転写パターン層１５の材料が剥離し易いような性質、例えば、パターン材料に対してある程度の撥液性を持つような性質が付与される。その一例として、先に例示したＳＡＭ材等を多孔質シートの露出部１４に選択的に塗布しても良い。
下地処理された多孔質シートＴｓ２は、ローラーＲ１２及びローラーＲ１３によって折り返され、再びパターン形成装置４０に送られる。
【００６０】
ローラーＲ１２とローラーＲ１３との間には、エアターンバーＡＴＢによるテンション調整機構が設けられ、アクチュエータＡｃｔによってエアターンバーＡＴＢをＸ方向に移動させることで、無端ベルト状の多孔質シートＴｓ全体のテンションが調整される。
【００６１】
以上のように、本実施形態のデバイス製造システム１は、帯状に形成された基板Ｐを搬送する基板保持部２０（基板搬送部）と、当該基板保持部２０によって搬送される基板Ｐに対して処理を行う複数の基板処理部（前処理装置Ｕ１、転写装置Ｕ２及び後処理装置Ｕ３）とを備え、転写装置Ｕ２として、本発明に係る第一実施形態に従う転写装置１００が用いられるので、転写時に被転写パターン層１５が多孔質シートＴｓに残留するのを抑えることできる。これにより、処理精度が高く、歩留まりの高いデバイス製造システム１を得ることができる。
【００６２】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記第一実施形態においては、多孔質シートＴｓの構成として、多孔質層１１の第一面１１ａに下地金属層１２が蒸着法によって形成され、その上にメッキ層１３が形成された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば図１０に示すように、多孔質層１１の第一面１１ａに蒸着膜１６を形成し、その後蒸着膜１６をエッチングすることで、露出部１４によるパターンを形成する構成としても良い。この場合、蒸着膜１６の表面１６ａが多孔質シートＴｓの外周面Ｔａに相当する。
【００６３】
また、上記実施形態においては、多孔質シートＴｓに供給する流体として、気体を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば撥水性を有する機能性材料（インク等）を被転写パターン層１５として多孔質シートＴｓの露出部１４内に充填する場合などには、純水などの液体を流体として用いる構成であっても良い。
【００６４】
また、上記実施形態においては、多孔質板として、多孔質シートＴｓを用いる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば図３に示す気体噴出ローラーＡＢＲの多孔質管３３の表面に直接パターン層（下地金属層１２とメッキ層１３による隔壁層と被転写パターン層１５）を形成し、当該多孔質管３３をパターン層ごと直接基板Ｐに当接させる構成としても良い。この場合、多孔質管３３は所定の曲率で湾曲可能な可撓性の薄板状多孔質板で構成し、当該薄板状多孔質板の他方の面を内側にして、円筒軸３１の外周面に巻かれた状態で設けられる。
【００６５】
また、上記実施形態においては、多孔質シートＴｓの全面に多孔質材料が設けられた構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、パターン層が形成される領域にのみ多孔質材料が配置される構成としても良い。
【００６６】
また、上記実施形態においては、気体噴出ローラーＡＢＲから多孔質シートＴｓへ気体を供給する構成を例に挙げて説明したが、これに加えて、気体噴出ローラーＡＢＲが多孔質シートＴｓを吸引可能な吸引部を更に備える構成としても良い。具体的には、図３に示す構成を例に挙げて説明すると、円筒軸３１の中空部３１ａに真空ポンプなどを接続する構成などが挙げられる。
【００６７】
ところで、以上の実施形態では、基板Ｐ上に一段のパターン層１５を転写する場合を例示したが、図１１に示すように、２段以上のパターン層１５Ａを形成することもできる。
【００６８】
図１１では、多孔質シートＴｓの多孔質層１１の上に、例えばフォトリソグラフィ等の重ね合せ露光技術とフォトエッチング技術を利用して、金属、酸化物、窒化物等の膜による第１のパターン層１６Ｍを形成し、その上に第２のパターン層１６Ｎを積層する。
【００６９】
このような多孔質シートＴｓの露出部１４に、被転写パターン層１５となる機能性材料を塗布又は蒸着させて、基板Ｐ側に転着させると、多段構造のパターン層１５Ａを形成することができる。
【００７０】
尚、多孔質シートＴｓの多孔質層１１上に密着形成する多段構造のパターン層１６N、１６Mは同じ材料の層を厚く一様に堆積させた後に、その堆積層を多孔質層１１の第一面１１ａまで除去する為の第一のマスキングをかけて第一のエッチングを行い、その後、２段目として除去する為の第二のマスキングをかけて第二のエッチングを行う二段階エッチングによって形成しても良い。
【００７１】
［第三実施形態］  
次に、本発明に係る第三実施形態を、図１２Ａ〜１４Ｃを参照して説明する。本実施形態では、一例として、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイの画素回路部を製造対象とし、その形成方法を説明する。ＡＭＯＬＥＤディスプレイの画素回路部は、例えば、図１２Ａのような回路構成となっており、映像信号の輝度に対応した信号が供給される映像信号バスラインＳｙ、水平走査線を選択する走査信号（同期クロック）が供給される走査バスラインＳｈ、画素回路部に正の電源電圧を与える電源バスラインＶｄｄ、負の電源電圧（又はアース電位）を与える電源バスラインＶｓｓを有する。
【００７２】
各画素（ＲＧＢのサブピクセル）には、発光層ＯＬＥＤのＯｎ／Ｏｆｆをスイッチングする第１の薄膜トランジスタＴＲ１（以下、ＴＦＴ−ＴＲ１とする）と、発光層ＯＬＥＤに映像信号の輝度に応じた電流を供給する第２の薄膜トランジスタＴＲ２（以下、ＴＦＴ−ＴＲ２とする）の少なくとも２つが設けられる。ＴＦＴ−ＴＲ１のソース電極Ｓは映像信号バスラインＳｙに接続され、ＴＦＴ−ＴＲ１のゲート電極Ｇは走査バスラインＳｈに接続される。さらに、ＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極ＧはＴＦＴ−ＴＲ１のドレイン電極Ｄに接続され、ＴＦＴ−ＴＲ２のドレイン電極Ｄは電源バスラインＶｄｄに接続され、ＴＦＴ−ＴＲ２のソース電極Ｓは発光層ＯＬＥＤのアノード側に接続される。発光層ＯＬＥＤのカソード側は電源バスラインＶｓｓに接続され、ＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極Ｇ（ＴＦＴ−ＴＲ１のドレイン電極Ｄ）と電源バスラインＶｓｓの間には、発光層ＯＬＥＤの発光時間を保持する為のコンデンサＣＰが接続される。
【００７３】
この図１２Ａのような回路構成を、先の各実施形態で説明した基板Ｐ上に形成する場合の平面配置の一例を、図１２Ｂに示す。映像信号バスラインＳｙ、走査バスラインＳｈ、電源バスラインＶｄｄ（Ｖｓｓ）の交差部分には、丸く示した絶縁層Ｉｓｏが挟み込まれる。ＴＦＴ−ＴＲ１、ＴＦＴ−ＴＲ２を構成する半導体層Ｓｃは、本実施形態では最も下側（基板Ｐ側）に形成され、その上にドレイン電極Ｄとソース電極Ｓが形成され、その上にゲート絶縁膜となる絶縁層Ｉｓｏが形成され、さらにその上にゲート電極Ｇが形成される。図１２Ｃは、図１２Ｂにおいて、ＴＦＴ−ＴＲ１のドレイン電極Ｄとソース電極Ｓとを横切り、ＴＦＴ−ＴＲ２のドレイン電極Ｄを横切る矢視Ｃ−Ｃ’についての断面構造を示したものである。
【００７４】
図１２Ｃのように、基板Ｐの表面には、各ＴＦＴの半導体層Ｓｃ、ドレイン電極Ｄ、ソース電極Ｓを一体的に支持する絶縁性の支持層ＭＲが形成され、この支持層ＭＲの上に、ゲート絶縁膜としての絶縁層Ｉｓｏ、ゲート電極Ｇ、或いは一部のバスラインが積層される。本実施形態では、このような支持層ＭＲを介在させることにより、先の第二実施形態等で説明した多孔質シートＴｓを用いた転写法を適用することができる。      
【００７５】
図１３Ａは、支持層ＭＲを、先の図５又は図１０のような多孔質シートＴｓ上に形成し、それを基板Ｐに転写（圧着）する様子を示す。支持層ＭＲは、ＴＦＴ−ＴＲ１とＴＦＴ−ＴＲ２の主要部であるソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、半導体層Ｓｃを含む適当な平面寸法（例えば、５０μｍ×２５μｍ）となるように、多孔質シートＴｓの多孔質層１１が露出する露出部１４（図５又は図１０参照）内に形成される。また、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、半導体層Ｓｃを含む支持層ＭＲの厚みは、多孔質層１１の上面（１１ａ）に積層される下地金属層１２とメッキ層１３との合計の厚み程度（数百ｎｍ〜数μｍ）にされる。
【００７６】
図１３Ａのような支持層ＭＲは、図１３Ｂ、図１３Ｃに示すように、まず、第一段階として、多孔質シートＴｓの露出部１４内の多孔質層１１の第一面１１ａ上に、低抵抗材料（金属膜、カーボンナノチューブ等）による各ＴＦＴのソース電極Ｓとドレイン電極Ｄを形成する。図１３Ｂは、露出部１４を含む多孔質シートＴｓの部分的な断面図であり、図１３Ｃは、露出部１４の平面図である。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄが対抗するギャップＧｐの幅はチャネル長とも呼ばれ、ＴＦＴの各種特性を所望の範囲に収める為に、精密に加工される。
【００７７】
露出部１４（メッキ層１３による隔壁で囲まれた窓状の領域）内の多孔質層１１の表面１１ａに、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄを精密に位置決めして形成する方法としては、フォトレジストを使ったリソグラフィ法（エネルギー線による露光工程、現像工程、エッチング工程を含む）、フォトレジストの代わりに、紫外線照射によって表面の親液性や撥液性が変化する感光性機能材を使ったフォトアシスト法（現像とエッチングが不要な無電解メッキ等）、或いはインクジェットプリンタを用いて導電性ナノ粒子を含むインクで直接各電極を描画する印刷法等が利用できる。ギャップＧｐの幅をパターニング段階から正確に管理する場合は、リソグラフィ法やフォトアシスト法が適している。しかしながら、例えば、多孔質層１１の表面１１ａ上に、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとをつなげた１つの線状（長方形）パターンとして電極を形成した後、ギャップＧｐに相当する部分をレーザビームのスポットでカット（切断）するような工程が使える場合は、印刷法でも十分な精度でギャップＧｐを形成できる。
【００７８】
ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとを、図１３Ｂ、１３Ｃのように形成する際、電極Ｓ、Ｄと多孔質層１１の表面１１ａとの密着性が過度に高くなったり、過度に低くなったりしないように、多孔質層１１の材質や表面１１ａのポーラスの平均サイズが選定され、必要に応じて表面１１ａの事前処理（ＵＶ照射による活性化等）が施される。      
【００７９】
次に、第二段階として、図１４Ａ、１４Ｂに示すように、各ＴＦＴのソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間のギャップＧｐを覆うように、溶液状の半導体材料（有機半導体、酸化物半導体、カーボンナノチューブ等）が塗布され、適当な結晶配向処理によって半導体層Ｓｃが形成される。図１４Ａは、露出部１４の平面図であり、図１４Ｂは、露出部１４を含む多孔質シートＴｓの部分的な断面図である。半導体層Ｓｃの形成範囲は、ギャップＧｐを確実に覆う状態であれば良く、精度的にはインクジェットプリンタ等による印刷法の利用が好適である。
【００８０】
一般に、溶液状の半導体材料を滴下又は塗布して半導体層を作る場合、結晶化の為に、ある程度の高温が必要となる。例えば、基板Ｐとして、ＰＥＴ樹脂によるフレキシブルな基板を用いる場合、そのガラス転移温度は、概ね１００°前後であり、それ以上の温度を与えると、極端な変形（収縮）が起こる。本実施形態では、一例として、ポリイミド製の多孔質膜を多孔質層１１として利用することで、２００°〜２５０°程度の高温処理が可能となる。図１４Ａ、１４Ｂに示すように、半導体層Ｓｃをインクジェットの液滴で塗布した段階で、多孔質シートＴｓには、金属層１２、メッキ層（金属）１３、及び、金属系の電極Ｓ、Ｄが形成されているだけなので、半導体層Ｓｃの液滴を２００°〜２５０°程度の高温で結晶化（配向）することができ、ＴＦＴの性能向上が期待できる。また、半導体層Ｓｃとして利用できる材料の選択肢も広がる。尚、多孔質層１１の材料を、ポリイミドに替えてセラミックスとすると、さらに高温処理が可能となる。
【００８１】
次に、第三段階として、図１４Ａ、１４Ｂのようにソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、半導体層Ｓｃが形成された露出部１４（凹部）の全体に、支持層ＭＲとなる絶縁性の溶液材料、例えば紫外線硬化樹脂等を一様な厚さで塗布する。この塗布に際しても、インクジェットプリンタが利用できる。また、露出部１４の周囲のメッキ層１３の表面のみを高撥液状態に設定できる場合は、ミスト・デポジション法、ディップ法によって、絶縁性の溶液材料を露出部１４内に充填するようにしても良い。支持層ＭＲの材料が紫外線硬化樹脂の場合は、その後に、多孔質シートＴｓに紫外線を照射して、適当な硬度まで硬化させる。その他の溶液材料の場合は、赤外線やマイクロウェーブの照射、或いはヒータによる加熱によって、溶液材料中の溶剤成分を除去して適度に硬化させる。
【００８２】
以上の第一段階〜第三段階によって、多孔質シートＴｓ上に、図１３Ａのような状態で、支持層ＭＲが形成されるので、先の各実施形態で説明したように、多孔質シートＴｓの裏面１１ｂ側に加圧気体を供給して、支持層ＭＲを基板Ｐ上の所定位置に転写（圧着）させれば良い。
【００８３】
基板Ｐ上に支持層ＭＲが転写されると、先の図１２Ｃの断面構造から明らかなように、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄは支持層ＭＲの上面に露出した状態となる。その為、それらのソース電極Ｓとドレイン電極Ｄの上に、インクジェット等の印刷法により、導電性インクによって各種バスラインＳｙ、Ｓｈ、Ｖｄｄやゲート電極Ｇを積層形成すると、電気的な導通が確保されることになる。
【００８４】
図１２Ｂ、１２Ｃのような画素回路の場合、基板Ｐ上の支持層ＭＲ上には、半導体層Ｓｃを覆うと共に、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄの端部は覆わないような寸法（面積）で、ゲート絶縁膜となる絶縁層Ｉｓｏが形成される。この絶縁層Ｉｓｏは、支持層ＭＲ上に撥液性の感光性機能材を塗布し、絶縁層Ｉｓｏに対応する部分を紫外線で親液性に改質するフォトアシスト法と、親液性に改質された部分に絶縁層Ｉｓｏとなる溶液材料を塗布するインクジェット等の印刷法、ミスト・デポジション法、又はディップ（浸漬）法との組合せによって形成される。
【００８５】
ゲート絶縁膜となる絶縁層Ｉｓｏの形成後、絶縁層Ｉｓｏや支持層ＭＲの上面、或いは基板Ｐの表面に、ゲート電極Ｇや各種バスラインＳｙ、Ｓｈ、Ｖｄｄ、Ｖｓｓが、インクジェット等の印刷法、フォトアシスト法を利用した無電解メッキ法等で形成される。先の絶縁層Ｉｓｏを形成する段階において、支持層ＭＲの表面に撥液性の感光性機能材料が塗布されていると、図１２Ｃのように、ＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極Ｇとなる導電性インクを積層すべきＴＦＴ−ＴＲ１のドレイン電極Ｄの端部表面は、高い撥液性（フッ素分子による）のままである。そこで、ゲート電極Ｇ、各種バスラインＳｙ、Ｓｈ、Ｖｄｄ、Ｖｓｓのパターン形状に応じた紫外線を、支持層ＭＲや基板Ｐの表面に照射して、その部分の撥液性を親液性に改質しておく。
【００８６】
本実施形態の場合、図１２Ｂに示すように、最も下層に位置するのがバスラインＶｄｄであり、その上に位置するのがバスラインＳｙ、さらにその上に位置するのがバスラインＳｈとなっている。そのため、ゲート絶縁膜となる絶縁層Ｉｓｏの形成後に、導電性インクによって最初に形成される導線部は、ＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極ＧとバスラインＶｄｄとなる。従って、ＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極ＧとバスラインＶｄｄに対応した形状で紫外線を照射して、支持層ＭＲと基板Ｐの各表面を親液性に改質する。その紫外線照射によって改質（フッ素分子が除去）された表面部分のみに、メッキ還元能を有するアミン基等が露呈する場合は、紫外線照射後に基板Ｐを無電解メッキ液に浸漬することで、ＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極ＧとバスラインＶｄｄに対応した配線が形成される。これによって、ＴＦＴ−ＴＲ１のドレイン電極ＤはＴＦＴ−ＴＲ２のゲート電極Ｇと電気的に接続され、ＴＦＴ−ＴＲ２のドレイン電極ＤはバスラインＶｄｄと電気的に接続される。      
【００８７】
次に、バスラインＶｄｄ上で、バスラインＳｙとバスラインＳｈとの交差部分に、絶縁層Ｉｓｏが形成される。これも、インクジェット等の印刷法のみ、またはフォトアシスト法と印刷法の併用による湿式工程で実施可能である。その後、バスラインＳｙが印刷法、或いはフォトアシストにより無電解メッキ法等により形成される。これによって、ＴＦＴ−ＴＲ１のソース電極ＳがバスラインＳｙと電気的に接続される。次に、バスラインＳｙ上のバスラインＳｈとの交差部分に絶縁層Ｉｓｏが形成され、その後、バスラインＳｈとＴＦＴ−ＴＲ１のゲート電極Ｇとが、印刷法、或いはフォトアシストにより無電解メッキ法等により形成される。
【００８８】
以上、本実施形態では、ＴＦＴを構成するソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ、及び半導体層Ｓｃの積層構造体を、一体的に多孔質シートＴｓに形成するようにしたので、ＴＦＴの半導体層Ｓｃの結晶化の為の温度条件を緩和して、高温化することが可能となり、湿式プロセスでありながら、ＴＦＴの性能（電子移動度、Ｏｎ／Ｏｆｆ比等）を向上させることができる。
【００８９】
尚、図１２Ｃのように、支持層ＭＲの表面に露呈するソース電極Ｓやドレイン電極Ｄは、基板Ｐの表面に対して支持層ＭＲの厚み分の段差を持つ。そのため、基板Ｐの表面と支持層ＭＲの表面との両方に位置する各種バスラインＳｙ、Ｓｈ、Ｖｄｄ（Ｖｓｓ）は、支持層ＭＲの周辺の段差部をまたぐように形成される。支持層ＭＲの周辺の段差部が垂直に近い状態だと、そこをまたぐ各種バスラインＳｙ、Ｓｈ、Ｖｄｄ（Ｖｓｓ）が上手く形成されずに断線し易くなる。
【００９０】
そこで、図１４Ｂのように、多孔質シートＴｓに形成される露出部１４のメッキ層１３のエッジ（隔壁の側面）を、露出部１４（窓状）の内側からみたときに外側に広がるようなテーパ部ＳＬにしておく。このようにすると、図１４Ｃに示すように、基板Ｐ上に転写された支持層ＭＲの周辺のエッジ部ＳＬ’は、支持層ＭＲの内側に向けて傾斜したものとなり、この傾斜したエッジ部ＳＬ’をまたぐ各種バスラインＳｙ、Ｓｈ、Ｖｄｄ（Ｖｓｓ）の断線が抑制される。
【００９１】
また、本実施形態では、ＴＦＴをトップゲート型で構成したが、ボトムゲート型のＴＦＴであっても、同様にして多孔質シートＴｓの露出部１４内に、ＴＦＴを構成する電極（ソースとドレインＤ）と半導体層の積層構造、半導体層と絶縁層の積層構造、或いは電極（ゲートＧ）と絶縁層の積層構造を一体に形成し、それを基板Ｐ側に転写することができる。
一般に、ＴＦＴは、ギャップＧｐ（チャネル長）で対向するソースとドレインとなる第１電極層と、半導体層と、ゲート絶縁層と、ギャップＧｐを覆うようなゲートとなる第２電極層との積層構造体で構成される。本実施形態では、これらの層のうち、第１電極層（ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ）と半導体層（Ｓｃ）との２層を、支持層ＭＲと共に積層構造体として、多孔質シートＴｓの露出部１４内に形成したが、第１電極層、半導体層、ゲート絶縁層（Ｉｓｏ）の３層を支持層ＭＲと共に積層構造体にしても良い。その場合は、最初に多孔質シートＴｓの露出部１４内の一部分だけに、ゲート絶縁層（Ｉｓｏ）が形成され、その上と露出部１４内の多孔質層１１の第一面１１ａに渡って、第１電極層（ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ）が形成され、さらにその上に半導体層（Ｓｃ）がゲート絶縁層（Ｉｓｏ）の内側に収まる範囲で形成される。また、ボトムゲート型のＴＦＴの場合は、多孔質シートＴｓの露出部１４内の第一面１１ａ上に、最初に半導体層（Ｓｃ）を形成し、加熱等によって結晶化を行った後、その半導体層を覆うような大きさで、その上にゲート絶縁層（Ｉｓｏ）を形成した２層の積層構造体とすることができる。この場合、ゲート電極Ｇは、基板Ｐ上の所定位置に予め形成しておき、そのゲート電極Ｇの上に、ゲート絶縁層と半導体層の積層構造体が支持層ＭＲと共に転写される。このように、支持層ＭＲを設けることで、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する電極層、半導体層、絶縁層のうちの少なくとも２層を積層構造体として予め多孔質シートＴｓ上に作成し、それを基板Ｐへ良好に転写することができる。
【００９２】
以上の各実施形態で使われる多孔質シートＴｓは、平均孔径や膜厚、或いは空孔率が異なる２種の多孔質フィルムを積層した構造でも良い。例えば、ＴＦＴや配線層等の構造体が形成される多孔質シートＴｓの表面側には、平均孔径が５μｍ以下で薄い膜厚（例えば２０μｍ）の第１多孔質層を設け、多孔質シートＴｓの裏面側には、平均孔径が１０μｍ以上で比較的に厚い膜厚（例えば１００μｍ）の第２多孔質層を設けた多層構造としても良い。
【符号の説明】
【００９３】
Ｕ２、１００…転写装置  １…デバイス製造システム  Ｔｓ…多孔質シート  Ｔａ…外周面  Ｔｂ…内周面  Ｐ…基板  ＤＲ…圧胴ドラム  ＡＢＲ…気体噴出ローラー  ＰＨ…パターン層形成部  ＰＬＴ…支持機構  １０…シート保持部  １１…多孔質層  １１ａ…第一面  １１ｂ…第二面  １２…下地金属層  １３…メッキ層  １３ａ…表面  １４…露出部  １５…被転写パターン層  １６…蒸着膜  １６ａ…表面  ２０…基板保持部  ３０…気体供給部  ３１…円筒軸  ３１ａ…中空部  ３１ｂ…開口部  ３３…多孔質管  ３５…気体供給部  ４０…パターン形成装置  ５０…洗浄装置  ６０…乾燥装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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