(57)【要約】      （修正有）【課題】新規な機能パネルを提供する。【解決手段】第１の基板１０１と、第２の基板１０２と、第１の層１０３と、第２の層１０４と、シール部１０５と、第１の接着層１０６と、を有する機能パネルである。シール部は、第１の層と第２の層の間に位置し、第１の接着層は第１の層と第１の基板の間に位置し、第２の基板は、第２の層と接する領域を有する。第１の層の第１の基板と対向する面を第１の面とし、第２の層の第２の基板と接する面を第２の面としたとき、機能パネルは、第１の面と第２の面の距離が異なる複数の領域を有する。【選択図】図１
2020073994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第２の基板と、第１の層と、第２の層と、シール部と、第１の接着層と、を有し、
前記第１の層は、機能素子を有し、
前記第２の層は、絶縁膜を有し、
前記シール部は、前記第１の層の周辺部および前記第２の層の周辺部において、前記第１の層と前記第２の層の間に位置し、
前記第１の接着層は、前記第１の層と前記第１の基板の間に位置し、かつ前記第１の層の側面と接する領域および前記シール部の側面と接する領域を有し、
前記第２の基板は、前記第２の層と接する領域を有し、
前記第１の層は、前記第１の基板と対向する第１の面を有し、
前記第２の層は、前記第２の基板と接する第２の面を有し、
前記第１の面と前記第２の面の距離が異なる複数の領域を有する、機能パネル。
【請求項２】
第１の基板と、第２の基板と、第１の層と、第２の層と、シール部と、第１の接着層と、第２の接着層と、を有し、
前記第１の層は、機能素子を有し、
前記第２の層は、絶縁膜を有し、
前記シール部は、前記第１の層の周辺部および前記第２の層の周辺部において、前記第１の層と前記第２の層の間に位置し、
前記第１の接着層は、前記第１の層と前記第１の基板の間に位置し、かつ前記第１の層の側面と接する領域および前記シール部の側面と接する領域を有し、
前記第２の接着層は、前記第２の層と前記第２の基板の間に位置し、かつ前記第２の層の側面と接する領域および前記第１の接着層の側面と接する領域を有し、
前記第１の層は、前記第１の基板と対向する第１の面を有し、
前記第２の層は、前記第２の基板と対向する第２の面を有し、
前記第１の面と前記第２の面の距離が異なる複数の領域を有する、機能パネル。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に位置する隔壁を有し、
前記隔壁は、前記第１の接着層を囲むように設けられる、機能パネル。
【請求項４】
請求項３において、
前記隔壁は、前記第２の層と接する領域を有する、機能パネル。
【請求項５】
請求項２において、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に位置する隔壁を有し、
前記隔壁は、前記第２の接着層を囲むように設けられる、機能パネル。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の層は、前記第２の層と接する領域を有する、機能パネル。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記機能素子は、トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子、またはマイクロエレクトロメカニカルシステムである、機能パネル。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の層及び前記第２の層、または前記第１の層、前記第２の層、及び前記シール部で囲まれた空間の圧力は大気圧よりも低い、機能パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、機能パネル、装置、または情報処理装置に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野と
しては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、ま
たは、それらの製造方法を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
近年、可撓性を有する基板（以下、可撓性基板とも記す）上に半導体素子、表示素子、発
光素子などの機能素子が設けられたフレキシブルデバイスの開発が進められている。フレ
キシブルデバイスの代表的な例としては、照明装置、画像表示装置の他、トランジスタな
どの半導体素子を有する種々の半導体回路などが挙げられる。
【０００４】
可撓性基板を用いた装置の作製方法としては、ガラス基板または石英基板などの作製基板
上に、薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）などの
機能素子を作製したのち、可撓性基板に該機能素子を転置する技術が開発されている。こ
の方法では、作製基板から機能素子を含む層を剥離する工程（剥離工程とも記す）が必要
である。
【０００５】
機能素子を含む層は薄いため、作製基板を別の支持基板と貼り合わせたのちに剥離工程が
行われる。例えば、特許文献１では作製基板と支持基板の間に接着層を設けることにより
、剥離を行っている。そのため、機能素子などが作製された層の表面と当該層が転置され
る可撓性基板との間に接着層が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１９０７９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することを課題
の一とする。または、本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な装置を提供
することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、新規な半導体装置、発光装置、
表示装置、電子機器、または照明装置等の装置を提供することを課題の一とする。
【０００８】
本発明の一態様は、作製工程における材料費を削減することを課題の一とする。または、
本発明の一態様は、作製工程における省資源化を実現することを課題の一とする。または
、本発明の一態様は、作製工程における工程数を削減することを課題の一とする。
【０００９】
これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、これ
らの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、明細書、図面、請求項の記載か
ら、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、第１の基板と、第２の基板と、第１の層と、第２の層と、シール部と
、第１の接着層と、を有する機能パネルである。シール部は、第１の層と第２の層の間に
位置し、第１の接着層は、第１の層と第１の基板の間に位置し、第２の基板は、第２の層
と接する領域を有する。第１の層の第１の基板と対向する面を第１の面とし、第２の層の
第２の基板と接する面を第２の面としたとき、機能パネルは、第１の面と第２の面の距離
が異なる複数の領域を有する。
【００１１】
本発明の一態様は、第１の基板と、第２の基板と、第１の層と、第２の層と、第３の層と
、シール部と、第１の接着層と、を有する機能パネルである。シール部は、第１の層と第
２の層の間に位置し、第１の接着層は、第１の層と第１の基板の間に位置し、第３の層は
、第２の層と第２の基板の間に位置する。第１の層の第１の基板と対向する面を第１の面
とし、第２の層の第２の基板と対向する面を第２の面としたとき、機能パネルは、第１の
面と第２の面の距離が異なる複数の領域を有する。
【００１２】
本発明の一態様は、第１の基板と、第２の基板と、第１の層と、第２の層と、シール部と
、第１の接着層と、第２の接着層と、を有する機能パネルである。シール部は、第１の層
と第２の層の間に位置し、第１の接着層は、第１の層と第１の基板の間に位置し、第２の
接着層は、第２の層と第２の基板の間に位置する。第１の層の第１の基板と対向する面を
第１の面とし、第２の層の第２の基板と対向する面を第２の面としたとき、機能パネルは
、第１の面と第２の面の距離が異なる複数の領域を有する。
【００１３】
本発明の一態様は、上記いずれかの構成において、第１の層及び第２の層のうち少なくと
も一方が凸部を有し、凸部を含む領域における第１の面と第２の面の距離が、他の領域に
おける第１の面と第２の面の距離よりも長い、機能パネルである。
【００１４】
本発明の一態様は、上記いずれかの構成において、第１の層が第２の層と接する領域を有
する、機能パネルである。
【００１５】
本発明の一態様は、上記いずれかの構成において、第１の層及び第２の層のうち少なくと
も一方が機能素子を有する、機能パネルである。本発明の一態様は、該機能素子がトラン
ジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子またはマイクロエレクトロメカニカルシステ
ム（ＭＥＭＳ）である機能パネルである。
【００１６】
本発明の一態様は、上記いずれかの構成において、第１の層及び第２の層、または第１の
層、第２の層及びシール部で囲まれた空間の圧力が大気圧よりも低い、機能パネルである
。本発明の一態様は、該空間の圧力が１０Ｐａ以下である、機能パネルである。
【００１７】
本発明の一態様は、第１の層との間に、第１の剥離層が形成された第１の作製基板、及び
、第２の層と接する領域を有する第２の基板を用意する第１の工程と、シール部を用いて
、第１の層と第２の層を、減圧雰囲気において接合する第２の工程と、第１の剥離層と第
１の層を、減圧雰囲気の圧力より高い圧力の雰囲気にて剥離する第３の工程と、第１の層
と第１の基板を、第１の接着層を用いて貼り合わせる第４の工程と、を有する機能パネル
の作製方法である。
【００１８】
本発明の一態様は、第１の層との間に、第１の剥離層が形成された第１の作製基板、及び
、第２の層との間に、第３の層が形成された第２の基板を用意する第１の工程と、シール
部を用いて、第１の層と第２の層を、減圧雰囲気において接合する第２の工程と、第１の
剥離層と第１の層を、減圧雰囲気の圧力より高い圧力の雰囲気にて剥離する第３の工程と
、第１の層と第１の基板を、第１の接着層を用いて貼り合わせる第４の工程と、を有する
機能パネルの作製方法である。
【００１９】
本発明の一態様は、第１の層との間に、第１の剥離層が形成された第１の作製基板、及び
、第２の層との間に、第２の剥離層が形成された第２の作製基板を用意する第１の工程と
、シール部を用いて、第１の層と第２の層を、減圧雰囲気において接合する第２の工程と
、第１の剥離層と第１の層を、減圧雰囲気の圧力より高い圧力の雰囲気にて剥離する第３
の工程と、第１の層と第１の基板を、第１の接着層を用いて貼り合わせる第４の工程と、
第２の剥離層と第２の層を、減圧雰囲気の圧力より高い圧力の雰囲気にて剥離する第５の
工程と、第２の層と第２の基板を、第２の接着層を用いて貼り合わせる第６の工程と、を
有する機能パネルの作製方法である。
【００２０】
本発明の一態様は、上記いずれかの作製方法において、第１の層と第２の層を接合する際
の減圧雰囲気の圧力が１０Ｐａ以下である、機能パネルの作製方法である。
【００２１】
本発明の一態様は、上記いずれかの作製方法において、減圧雰囲気の圧力より高い圧力が
大気圧である、機能パネルの作製方法である。
【００２２】
本発明の一態様は、上記いずれかの構成の機能パネルを用いた半導体装置、発光装置、表
示装置、電子機器、または照明装置である。
【００２３】
また、本発明の一態様は、上記いずれかの作製方法を用いた半導体装置、発光装置、表示
装置、電子機器、または照明装置の作製方法である。
【００２４】
なお、本明細書中において、発光装置とは、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発
光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒ
ｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式に
よりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは、発光装置を有する場合がある。さ
らに、照明器具等は、発光装置を有する場合がある。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供できる。
または、本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な装置を提供できる
。または、本発明の一態様によれば、新規な半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器
、または照明装置等の装置を提供できる。
【００２６】
本発明の一態様によれば、作製工程における材料費を削減することができる。または、作
製工程における省資源化を実現することができる。または、作製工程における工程数を削
減することができる。
【００２７】
これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ず
しも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、明細書、図面、請求項の記載から
、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施の形態に係る機能パネルを説明する図。
【図２】実施の形態に係る機能パネルを説明する図。
【図３】実施の形態に係る機能パネルを説明する図。
【図４】実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明する図。
【図５】実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明する図。
【図６】実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明する図。
【図７】実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明する図。
【図８】実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明する図。
【図９】実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明する図。
【図１０】実施の形態に係る表示モジュールの構成を説明する図。
【図１１】実施の形態に係る表示モジュールの構成を説明する図。
【図１２】実施の形態に係る表示モジュールの構成を説明する図。
【図１３】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３０】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００３１】
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際
の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ず
しも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【００３２】
作製基板上に被剥離層を形成した後、被剥離層を作製基板から剥離して、被剥離層を別の
基板に転置することができる。この方法によれば、例えば、耐熱性の高い作製基板上で形
成した被剥離層を、耐熱性の低い基板に転置することができ、被剥離層の作製温度が、耐
熱性の低い基板によって制限されない。作製基板に比べて軽い、薄い、または可撓性が高
い基板等に被剥離層を転置することで、半導体装置、発光装置、表示装置等の各種装置の
軽量化、薄型化、フレキシブル化を実現できる。なお、本明細書中では被剥離層のことを
第１の層または第２の層と表現することもある。
【００３３】
本発明の一態様を適用して作製できる装置は、機能素子を有する。機能素子としては、例
えば、トランジスタ等の半導体素子、発光ダイオード、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子等の
発光素子、液晶素子等の表示素子が挙げられる。例えば、トランジスタを有する半導体装
置、発光素子を有する発光装置（ここでは、トランジスタ及び発光素子を有する表示装置
を含む）等も本発明を適用して作製できる装置の一例である。
【００３４】
例えば、水分などにより劣化しやすい有機ＥＬ素子を保護するために、透水性の低い保護
膜をガラス基板上に高温で形成し、可撓性を有する有機樹脂基板に転置することができる
。有機樹脂基板に転置された保護膜上に有機ＥＬ素子を形成することで、該有機樹脂基板
の耐熱性または防水性が低くても、信頼性の高いフレキシブルな発光装置を作製できる。
【００３５】
（実施の形態１）
＜機能パネルの構成例１−１＞
図１は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明の一態様の機能パネル１００の上面図であり、図１（Ｃ）は図１（Ａ）に示す切断線
Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４における断面図である。図１（Ａ）、（Ｂ）では、一部の構成を
省略している。
【００３６】
機能パネル１００は、第１の基板１０１と、第２の基板１０２と、第１の層１０３と、第
２の層１０４と、シール部１０５と、第１の接着層１０６と、第１の隔壁１０７と、を有
する。第１の層１０３は薄膜部１０３Ａと凸部１０３Ｂで構成されている。なお、図中に
おける第１の層１０３中の点線は薄膜部１０３Ａと凸部１０３Ｂの境界を表している。
【００３７】
凸部１０３Ｂの形状として、様々な幾何学的形状を用いることができる。例えば、単数ま
たは複数の凸部１０３Ｂが存在する形状を用いることができる。凸部１０３Ｂの側面は、
周囲の面に対して、テーパー形状であってもよいし、逆テーパー形状でもよいし、垂直で
あってもよい。また、上面から見たときに格子状の構造を備える凸部１０３Ｂを用いるこ
とができる（図１（Ａ）参照）。また、島状の構造を備える凸部１０３Ｂを用いることが
できる（図１（Ｂ）参照）。島の形状は、上面から見たときにどのような形状であっても
よい。丸であってもよいし、多角形であってもよい。
【００３８】
第１の層１０３と第２の層１０４はシール部１０５を介して接着されている。例えば、シ
ール部１０５は少なくとも一つの凸部１０３Ｂの周りを取り囲むようにして配置されてい
る。
【００３９】
第２の基板１０２は、第２の層１０４と接する領域を有している。第１の接着層１０６は
、第１の層１０３と第１の基板１０１の間に設けられている。第１の隔壁１０７は第１の
接着層１０６を囲むように設けられる。
【００４０】
第１の層１０３の第１の基板１０１と対向する面を第１の面とし、第２の層１０４の第２
の基板１０２と接する面を第２の面としたとき、機能パネル１００は、第１の面と第２の
面の距離が異なる複数の領域を有する。
【００４１】
例えば、凸部１０３Ｂのある領域１２１における第１の面と第２の面の距離１２３は、そ
の周囲の領域１２２における第１の面と第２の面の距離１２４より長い。
【００４２】
図１（Ｃ）では、第１の基板１０１が平坦で、第１の接着層１０６の厚さが部分的に異な
る例を示したが、第１の接着層１０６の厚さが一定で、第１の基板１０１が曲がっている
構成でもよい。どのような構成になるかは作製方法によって変化する。
【００４３】
また、第１の層１０３は第２の層１０４と接する領域を有している。
【００４４】
第１の層１０３及び第２の層１０４、または第１の層１０３、第２の層１０４及びシール
部１０５で囲まれた空間は、大気圧よりも低い圧力になっていることが好ましい。上記空
間の圧力は１０Ｐａ以下であることが好ましく、１Ｐａ以下であるとより好ましい。
【００４５】
《第１の基板、第２の基板》
第１の基板１０１または第２の基板１０２には、少なくとも作製工程中の処理温度に耐え
うる耐熱性を有する基板を用いる。第１の基板１０１または第２の基板１０２としては、
例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板
、樹脂基板、プラスチック基板などを用いることができる。
【００４６】
《第１の層》
第１の層１０３に用いることができる材料に特に限定は無い。例えば、絶縁膜と、絶縁膜
に積層された凸部１０３Ｂを備える膜を第１の層１０３に用いることができる。また、第
１の層１０３は機能素子を有する。但し、第２の層１０４が機能素子を有する場合には、
第１の層１０３が機能素子を有さないことがある。
【００４７】
本実施の形態では、第１の層１０３に含まれる、第１の接着層１０６と接する層として絶
縁層を用いる。
【００４８】
第１の接着層１０６と接する絶縁層は、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリ
コン膜、または窒化酸化シリコン膜等から選ばれた一の膜または複数の膜を積層した構成
を用いることができる。
【００４９】
該絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成する
ことが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃
以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。なお、絶
縁層の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下
が好ましい。
【００５０】
《薄膜部、凸部》
本明細書中において、凸部とは周囲の面から突き出た部分のことを指す。凸部は、周囲の
面から１００ｎｍ以上突き出ていることが好ましく、５００ｎｍ以上突き出ているとより
好ましい。ただし、図１（Ｃ）に示す第１の層１０３のように、層が曲がっている場合、
突き出た部分とは膜厚が厚くなっている部分を指す。その場合、凸部は周囲の膜よりも膜
厚が１００ｎｍ以上厚くなっていることが好ましく、５００ｎｍ以上厚くなっているとよ
り好ましい。
【００５１】
上記凸部を除いた部分を薄膜部とする。
【００５２】
《機能素子》
第１の層１０３内には機能を有するデバイスが含まれる。デバイスとして、トランジスタ
、有機ＥＬ素子、またはＭＥＭＳなどを用いることができる。
【００５３】
なお、有機ＥＬ素子またはＭＥＭＳを用いた表示素子等の表示素子を含む第１の層１０３
を備える機能パネルを表示パネルということができる。
【００５４】
例えば、白色光を発する発光素子を複数備える第１の層１０３と、第１の層１０３と接し
、かつ、カラーフィルタを備える第２の層１０４を機能パネル１００に用いることができ
る。この構成において、発光素子とカラーフィルタ間のギャップが無くなる、もしくはそ
の一部の領域において、従来の構造、例えば発光素子とカラーフィルタの間に接着剤を充
填した構造に比べて、ギャップが小さくなる。ギャップが無くなる、もしくはその一部の
領域において小さくなることにより、機能パネル１００の視野角の改善、隣の画素からの
光漏れの低減、及び信頼性向上の効果がある。また、第１の層と第２の層の間に接着層が
無いため、樹脂の染み込みやダメージが少なくなる。
【００５５】
また、第１の層１０３と第２の層１０４が接することにより、第１の層１０３と第２の層
１０４を電気的に接続することが可能となる。
【００５６】
例えば、陰極と陽極を備える有機ＥＬ素子が設けられた第１の層１０３と、補助配線が設
けられた第２の層１０４において、第１の層１０３に設けられた有機ＥＬ素子の陰極また
は陰極と電気的に接続するようにした配線と、第２の層１０４に設けられた配線を、コン
タクト領域で電気的に接続することができる。これにより、有機ＥＬ素子の陰極における
電圧降下を、補助配線を用いて低減することが可能となる。このように、本発明により新
規な機能パネルを提供することができる。
【００５７】
《第２の層》
第２の層１０４に用いることができる材料に特に限定は無い。例えば、第１の層１０３に
使用可能な材料を用いることができる。また、第２の層１０４に機能素子を設けてもよい
。
【００５８】
第２の層１０４としては絶縁膜、半導体膜、金属膜等、どのような膜を使用することもで
きる。また、第２の層１０４として第１の層１０３に用いた膜を使用することができる。
【００５９】
第１の層１０３と第２の層１０４が接する領域を設けることで、第１の層１０３と第２の
層１０４を密着し、例えば電気的に接続することができる。また、第１の層１０３上への
形成が難しい膜を第２の層１０４として形成し、電気的に接続することで、第２の層１０
４を第１の層１０３上に直接形成した場合と同じ効果が得られる。例えば、第１の層１０
３の機能素子として有機ＥＬ素子を形成した場合、水を用いる洗浄工程もしくはレジスト
剥離工程などを伴うパターニング処理、または高温の熱処理などを第１の層１０３形成後
に行うことは難しい。しかし、例えば配線などを含む第２の層１０４を、水を用いる洗浄
工程もしくはレジスト剥離工程などを伴うパターニング処理、または高温の熱処理などを
用いて、形成し、その後第１の層１０３と第２の層１０４が接する領域を設けることで、
第２の層１０４を第１の層１０３上に形成するのと同じ効果が得られる場合がある。
【００６０】
《第１の接着層》
第１の接着層１０６としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱
硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着
剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド
樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル
）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂
等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。
【００６１】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウム及び酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。または、ゼオライト及びシリカゲル等のように、物理吸着によって水分
を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、大気中の水分の侵入による機
能素子の劣化を抑制でき、装置の信頼性が向上するため好ましい。
【００６２】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーまたは光散乱部材を混合することにより、発光素
子からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム
、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。
【００６３】
《シール部、第１の隔壁》
シール部１０５及び第１の隔壁１０７としては、いずれも第１の接着層１０６に用いるこ
とができる材料を適用できる。また、それぞれの部位に異なる材料を適用することができ
る。
【００６４】
＜機能パネルの構成例１−２＞
構成例１−１では、第１の層１０３は薄膜部１０３Ａと凸部１０３Ｂで構成されているが
、図３（Ａ）の様に、第２の層１０４が薄膜部１０４Ａと凸部１０４Ｂで構成されていて
もよい。なお、図中における第２の層１０４中の点線は薄膜部１０４Ａと凸部１０４Ｂの
境界を表している。
【００６５】
＜機能パネルの構成例１−３＞
図３（Ｂ）は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。
【００６６】
図３（Ｂ）に示す機能パネルは、第１の基板１０１と、第２の基板１０２と、第１の層１
０３と、第２の層１０４と、第３の層１１０と、シール部１０５と、第１の接着層１０６
と、第１の隔壁１０７と、を有する。第１の層１０３は薄膜部１０３Ａと凸部１０３Ｂで
構成されている。
【００６７】
第３の層１１０に用いることができる材料に特に限定は無い。例えば、第１の層１０３に
使用可能な材料を用いることができる。また、第３の層１１０に機能素子を設けてもよい
。
【００６８】
第１の層１０３と第２の層１０４はシール部１０５を介して接着されている。シール部１
０５は少なくとも一つの凸部１０３Ｂの周りを取り囲むようにして配置されている。
【００６９】
第１の接着層１０６は、第１の層１０３と第１の基板１０１の間に設けられ、第３の層１
１０は、第２の層１０４と第２の基板１０２の間に設けられている。第１の隔壁１０７は
第１の接着層１０６を囲むように設けられる。
【００７０】
第１の層１０３の第１の基板１０１と対向する面を第１の面とし、第２の層１０４の第２
の基板１０２と対向する面を第２の面としたとき、機能パネル１００は、第１の面と第２
の面の距離が異なる複数の領域を有する。
【００７１】
例えば、凸部１０３Ｂのある領域１２１における第１の面と第２の面の距離１２３は、そ
の周囲の領域１２２における第１の面と第２の面の距離１２４より長い。
【００７２】
図３（Ｂ）では、第１の基板１０１が平坦で、第１の接着層１０６の厚さが部分的に異な
る例を示したが、第１の接着層１０６の厚さが一定で、第１の基板１０１が曲がっている
構成でもよい。どのような構成になるかは作製方法によって変化する。
【００７３】
また、第１の層１０３は第２の層１０４と接する領域を有している。
【００７４】
＜機能パネルの構成例１−４＞
構成例１−３では、第１の層１０３は薄膜部１０３Ａと凸部１０３Ｂで構成されているが
、図３（Ｃ）の様に、第２の層１０４が薄膜部１０４Ａと凸部１０４Ｂで構成されていて
もよい。
【００７５】
＜機能パネルの構成例２＞
図２は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図２（Ａ）、（Ｂ）は本
発明の一態様の機能パネル２００の上面図であり、図２（Ｃ）は図２（Ａ）に示す切断線
Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４における断面図である。
【００７６】
機能パネル２００は、第１の基板２０１と、第２の基板２０２と、第１の層２０３と、第
２の層２０４と、シール部２０５と、第１の接着層２０６と、第２の接着層２０７と、第
２の隔壁２０９と、を有する。第１の層２０３は薄膜部２０３Ａと凸部２０３Ｂで構成さ
れている。なお、図中における第１の層２０３中の点線は薄膜部２０３Ａと凸部２０３Ｂ
の境界を表している。
【００７７】
凸部２０３Ｂの形状として、様々な幾何学的形状を用いることができる。例えば、単数ま
たは複数の凸部２０３Ｂが存在する形状を用いることができる。具体的には、格子状の構
造を備える凸部２０３Ｂを用いることができる（図２（Ａ）参照）。また、島状の構造を
備える凸部２０３Ｂを用いることができる（図２（Ｂ）参照）。
【００７８】
第１の層２０３と第２の層２０４はシール部２０５を介して接着されている。シール部２
０５は少なくとも一つの凸部２０３Ｂの周りを取り囲むようにして配置されている。
【００７９】
第１の接着層２０６は、第１の層２０３と第１の基板２０１の間に設けられ、第２の接着
層２０７は、第２の層２０４と第２の基板２０２の間に設けられている。第２の隔壁２０
９は第２の接着層２０７を囲むように設けられる。
【００８０】
第１の層２０３の第１の基板２０１と対向する面を第１の面とし、第２の層２０４の第２
の基板２０２と対向する面を第２の面としたとき、機能パネル２００は、第１の面と第２
の面の距離が異なる複数の領域を有する。
【００８１】
例えば、凸部２０３Ｂのある領域２２１における第１の面と第２の面の距離２２３は、そ
の周囲の領域２２２における第１の面と第２の面の距離２２４より長い。
【００８２】
また、図２（Ｃ）は第１の層２０３が曲がっている構成であるが、図３（Ｄ）の様に、第
２の層２０４が曲がっている構成でもよい。
【００８３】
第１の基板２０１は第１の基板１０１に用いることができる材料を適用できる。また、第
２の基板２０２は第２の基板１０２に、第１の層２０３は第１の層１０３に、第２の層２
０４は第２の層１０４に用いることができる材料を適用できる。
【００８４】
第１の接着層２０６、第２の接着層２０７、第２の隔壁２０９及びシール部２０５として
は、いずれも第１の接着層１０６に用いることができる材料を適用できる。また、それぞ
れの部位に異なる材料を適用することができる。
【００８５】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
【００８６】
（実施の形態２）
＜機能パネルの作製方法１−１＞
機能パネルの作製方法１−１は、以下の４つの工程を有する。
【００８７】
《第１の工程》
第１の層１０３との間に第１の剥離層１０９が形成された第１の作製基板１０８を用意す
る。また、第２の層１０４と接する領域を有する第２の基板１０２を用意する（図４（Ａ
））。
【００８８】
例えば、第１の作製基板１０８上に第１の剥離層１０９を形成する。ここでは、島状の第
１の剥離層１０９を形成する例を示したが、これに限られない。
【００８９】
第１の剥離層１０９上に薄膜部１０３Ａと凸部１０３Ｂで構成される第１の層１０３を形
成する。第１の層１０３は島状に形成してもよい。
【００９０】
第１の作製基板１０８から第１の層１０３を剥離することができる材料を選択して、第１
の層１０３及び第１の剥離層１０９に用いる。例えば、第１の作製基板１０８と第１の剥
離層１０９の界面もしくは第１の剥離層１０９と第１の層１０３の界面から第１の層１０
３を剥離する、または第１の剥離層１０９を層中で破壊して第１の層１０３を剥離するこ
とができるような材料を選択する。
【００９１】
本実施の形態では、第１の層１０３と第１の剥離層１０９の界面で第１の層１０３の剥離
が生じる場合を例示するが、第１の剥離層１０９及び第１の層１０３に用いる材料の組み
合わせによってはこれに限られない。
【００９２】
例えば、タングステン膜と酸化タングステン膜と第１の層１０３とがこの順に積層された
構造である場合、タングステン膜と酸化タングステン膜との界面（または界面近傍）で第
１の層１０３を含む層を剥離することができる。なお、第１の層１０３を含む層側に第１
の剥離層１０９の一部（ここでは酸化タングステン膜）が残る場合がある。また第１の層
１０３側に残った第１の剥離層１０９は、その後除去してもよい。
【００９３】
例えば、第１の作製基板１０８と第１の剥離層１０９の界面で第１の層１０３と共に第１
の剥離層１０９の剥離が生じる構成を用いることもできる。具体的には、ガラス板を第１
の作製基板１０８に、ポリイミドを第１の剥離層１０９に用いることができる。
【００９４】
《第１の作製基板》
第１の作製基板１０８としては、第１の基板１０１に用いることができる各種基板を適用
できる。また、フィルム等の可撓性基板を用いてもよい。
【００９５】
なお、量産性を向上させるため、第１の作製基板１０８として大型のガラス基板を用いる
ことが好ましい。例えば、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第３．５世代（６００
ｍｍ×７２０ｍｍ、または６２０ｍｍ×７５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍ
ｍ、または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）、第６
世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８
世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または
２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス
基板、またはこれよりも大型のガラス基板を用いることができる。
【００９６】
第１の作製基板１０８にガラス基板を用いる場合、第１の作製基板１０８と第１の剥離層
１０９との間に、下地膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜
、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ま
しい。
【００９７】
《第１の剥離層》
第１の剥離層１０９は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケ
ル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、
イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、または該元素を含む
化合物材料等を用いて形成できる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多
結晶のいずれでもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタ
ン、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ−
Ｇａ−Ｚｎ酸化物等の金属酸化物を用いてもよい。第１の剥離層１０９に、タングステン
、チタン、モリブデンなどの高融点金属材料を用いると、第１の層１０３の形成工程の自
由度が高まるため好ましい。
【００９８】
第１の剥離層１０９は、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法（スピンコ
ーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む）、印刷法等により形成できる。第
１の剥離層１０９の厚さは例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上
１００ｎｍ以下とする。
【００９９】
第１の剥離層１０９が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、またはタングス
テンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸
化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、ま
たはタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成して
もよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブ
デンの合金に相当する。
【０１００】
また、第１の剥離層１０９として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む
層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物を含む
絶縁膜を形成することによりタングステン層と絶縁膜の間に、タングステンの酸化物を含
む層を形成してもよい。
【０１０１】
また、タングステンを含む層の表面に、表面を酸化する処理を施して、タングステンの酸
化物を含む層を形成してもよい。
【０１０２】
例えば、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水
等の酸化力の強い溶液での処理等を、表面を酸化する処理に用いることができる。また、
酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下でプ
ラズマ処理または加熱処理を行ってもよい。第１の剥離層１０９の表面状態を、上記プラ
ズマ処理または加熱処理を用いて変えることにより、第１の剥離層１０９と後に形成され
る絶縁層との密着性を制御することが可能である。
【０１０３】
なお、作製基板と被剥離層の界面で被剥離層を剥離してもよい。例えば、ガラス基板を作
製基板に用い、ガラス基板に接するポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリア
ミド、ポリカーボネート、またはアクリル等の有機樹脂を被剥離層に用いることができる
。なお、有機樹脂上に絶縁膜、トランジスタまたは発光素子等を形成することができる。
ここでは、被剥離層は第１の層１０３に相当する。
【０１０４】
例えば、有機樹脂を、レーザ光等を用いて局所的に加熱することにより、有機樹脂を作製
基板と有機樹脂の界面から剥離することができる。または、作製基板と有機樹脂の間に金
属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、有機樹脂を金属層と有機樹
脂の界面から剥離してもよい。
【０１０５】
なお、剥離した有機樹脂を有機樹脂上に形成された絶縁膜、トランジスタまたは発光素子
等を支持する基板として用いることができる。また、有機樹脂と他の基板を接着剤により
貼り合わせてもよい。
【０１０６】
第２の層１０４を支持している第２の基板１０２を用意する方法としては、例えば第２の
基板１０２上に第２の層１０４を形成する。第２の層１０４として有機膜、無機膜どちら
の膜を用いてもよい（図４（Ａ））。図４（Ａ）では第２の層１０４が第２の基板１０２
全面に形成されているが、第２の層１０４を島状に形成してもよい。
【０１０７】
《第２の工程》
第１の層１０３上にシール材を形成する。例えば、少なくとも一つの凸部１０３Ｂを取り
囲むように形成する。
【０１０８】
シール材は第２の層１０４上に形成してもよい。その場合、貼り合わせたときにシール部
１０５が第１の層１０３の凸部１０３Ｂを取り囲むように形成される。
【０１０９】
次に、第１の層１０３と第２の層１０４とをシール材を用いて貼り合わせ、シール部１０
５を形成する（図４（Ｂ））。
【０１１０】
第１の層１０３と第２の層１０４の貼り合わせは減圧雰囲気下で行う。減圧雰囲気の圧力
は大気圧よりも低い。例えば、減圧雰囲気の圧力は１０Ｐａ以下であることが好ましく、
１Ｐａ以下であるとより好ましい。
【０１１１】
《第３の工程》
次に、雰囲気の圧力を第２の工程における減圧雰囲気の圧力より高くする。その後、第１
の剥離層１０９から第１の層１０３を剥離する。例えば、大気圧雰囲気または加圧雰囲気
で剥離することができる。
【０１１２】
第１の剥離層１０９から第１の層１０３を剥離する方法としては、例えば、剥離の起点１
１１を形成し、形成された剥離の起点から剥離する方法を用いることができる。具体的に
は、レーザ光などを照射する方法により、剥離の起点を形成することができる（図４（Ｂ
））。
【０１１３】
なお、本明細書においては、第１の剥離層１０９から第１の層１０３の一部が剥離した部
分を剥離の起点という。例えば、界面層（第１の層１０３に含まれる、第１の剥離層１０
９と接する層）に膜割れまたはひびを生じさせることにより、剥離の起点を形成できる。
【０１１４】
このとき、界面層だけでなく、第１の層１０３の他の層、第１の剥離層１０９、またはシ
ール部１０５の一部を除去してもよい。
【０１１５】
具体的には、レーザ光を照射して、膜の一部を溶解、蒸発、または熱的に破壊することに
より、剥離の起点を形成することができる。
【０１１６】
また、鋭利な刃物などで削ることにより、剥離の起点を形成することができる。
【０１１７】
なお、第１の層１０３、第２の層１０４及びシール部１０５で囲まれた空間の圧力は剥離
を行う雰囲気の圧力よりも低い。上記の圧力差により、剥離が進行していく際に、第１の
層１０３が第１の作製基板１０８から剥離された領域では、第１の層１０３の剥離された
面に対して力が加えられる。その結果、第１の面と第２の面の距離が異なる領域が形成さ
れる。また、第１の層１０３が第２の層１０４と接する領域が形成される（図４（Ｃ））
。
【０１１８】
第３の工程により、第１の層１０３を第１の作製基板１０８から第２の基板１０２に転置
することができる（図４（Ｄ））。なお、一方の基板を吸着ステージ等に固定することが
好ましい。例えば、第１の作製基板１０８を吸着ステージに固定し、第１の作製基板１０
８から第１の層１０３を剥離してもよい。また、第２の基板１０２を吸着ステージに固定
し、第２の基板１０２から第１の作製基板１０８を剥離してもよい。
【０１１９】
例えば、剥離の起点を利用して、物理的な力（人間の手もしくは治具で引き剥がす処理、
またはローラーを回転させながら剥離する処理等）によって第１の層１０３と第１の作製
基板１０８とを剥離することができる。剥離工程は、自動的に剥離を行うことのできる装
置を用いて行われることが好ましい。
【０１２０】
また、第１の剥離層１０９と第１の層１０３との界面に水などの液体を浸透させて第１の
作製基板１０８と第１の層１０３とを剥離してもよい。毛細管現象により液体が第１の剥
離層１０９と第１の層１０３の間にしみこむことで、容易に剥離することができる。また
、剥離時に生じる静電気が、第１の層１０３に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと（
半導体素子が静電気により破壊されるなど）を抑制できる。
【０１２１】
《第４の工程》
露出した第１の層１０３を第２の基板１０２と第１の基板１０１の間に挟んで、第１の接
着層１０６を用いて第１の層１０３と第１の基板１０１を貼り合わせ、第１の接着層１０
６を硬化させる（図４（Ｅ））。
【０１２２】
本実施の形態では、枠状の第１の隔壁１０７を第１の接着層１０６になる液状の材料の広
がりを制限するために設け、第１の隔壁１０７の内側に滴下した第１の接着層１０６にな
る液状の材料を用いて、第１の層１０３と第１の基板１０１とを貼り合わせる。
【０１２３】
なお、第１の隔壁１０７は第１の接着層１０６の範囲を制限するために設けられており、
第１の接着層１０６をある領域に制限されるように設けることが可能であれば、必ずしも
必要ではない。例えば、あらかじめシート状に形成された接着層を第１の接着層１０６に
用いることができる。
【０１２４】
貼り合わせの際に、第１の基板１０１及び第２の基板１０２を平坦な基板支持体に吸着さ
せる場合、図４（Ｅ）の様に、第１の基板１０１が平坦で、第１の接着層１０６の厚さが
部分的に異なる構造となる。また、第１の基板１０１及び第２の基板１０２を、圧力を加
えた２つのローラーの間に通すことにより貼り合わせる場合には第１の接着層１０６の厚
さが一定で、第１の基板１０１が曲がっている構造となる場合がある。
【０１２５】
以上の第１の工程乃至第４の工程を有する本発明の一態様の機能パネルの作製方法を用い
ることにより、機能パネルを作製できる。また、第１の層１０３と第２の層１０４の間に
充填する接着層が不要の為、その分の材料が必要なくなり、省資源、低コストになる。ま
た、シール部のみで第１の層１０３と第２の層１０４の貼り合わせを行うため、プロセス
を簡略化することが可能となる。これらにより、作製工程のコストを削減することができ
る。
【０１２６】
＜機能パネルの作製方法１−２＞
作製方法１−１では、第１の層１０３が薄膜部１０３Ａと凸部１０３Ｂで構成されている
が、第２の層１０４が薄膜部１０４Ａと凸部１０４Ｂで構成されていてもよい（図５（Ａ
）乃至（Ｅ））。
【０１２７】
＜機能パネルの作製方法１−３＞
機能パネルの作製方法１−３は、以下の４つの工程を有する。
【０１２８】
《第１の工程》
第１の層１０３との間に第１の剥離層１０９が形成された第１の作製基板１０８を用意す
る。また、第２の層１０４との間に第３の層１１０が形成された第２の基板１０２を用意
する（図６（Ａ））。
【０１２９】
例えば、第１の作製基板１０８上に第１の剥離層１０９を形成し、第１の剥離層１０９上
に薄膜部１０３Ａと凸部１０３Ｂで構成される第１の層１０３を形成する。また、第２の
基板１０２上に第３の層１１０を形成し、第３の層１１０上に第２の層２０４を形成する
。
【０１３０】
《第２乃至第４の工程》
第２乃至第４の工程は、機能パネルの作製方法１−１に記載の工程と同じ作製方法を適用
できる（図６（Ｂ）乃至（Ｅ））。
【０１３１】
＜機能パネルの作製方法１−４＞
作製方法１−３では、第１の層１０３が薄膜部１０３Ａと凸部１０３Ｂで構成されている
が、第２の層１０４が薄膜部１０４Ａと凸部１０４Ｂで構成されていてもよい（図７（Ａ
）乃至（Ｅ））。
【０１３２】
＜機能パネルの作製方法２＞
機能パネルの作製方法２は、以下の６つの工程を有する。
【０１３３】
《第１の工程》
第１の層２０３との間に第１の剥離層２１２が形成された第１の作製基板２１０と第２の
層２０４との間に第２の剥離層２１３が形成された第２の作製基板２１１を用意する（図
８（Ａ））。
【０１３４】
例えば、第１の作製基板２１０上に第１の剥離層２１２を形成し、第１の剥離層２１２上
に薄膜部２０３Ａと凸部２０３Ｂで構成される第１の層２０３を形成する。また、第２の
作製基板２１１上に第２の剥離層２１３を形成し、第２の剥離層２１３上に第２の層２０
４を形成する。
【０１３５】
第１の作製基板２１０及び第２の作製基板２１１としては、いずれも第１の作製基板１０
８に用いることができる材料を適用できる。また、第１の剥離層２１２及び第２の剥離層
２１３としては、いずれも第１の剥離層１０９に用いることができる材料を適用できる。
また、それぞれの部位に異なる材料を適用することができる。
【０１３６】
《第２の工程》
第１の層２０３上に少なくとも１つの凸部２０３Ｂを取り囲むようにシール材を形成する
。
【０１３７】
シール材は第２の層２０４上に形成してもよい。その場合、貼り合わせたときにシール部
２０５が第１の層２０３の凸部２０３Ｂを取り囲むように形成される。
【０１３８】
次に、第１の作製基板２１０と第２の作製基板２１１とを、第１の層２０３と第２の層２
０４が対向するように、シール材を用いて貼り合わせ、シール部２０５を形成する（図８
（Ｂ））。
【０１３９】
第１の作製基板２１０と第２の作製基板２１１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行う。減圧
雰囲気の圧力は１０Ｐａ以下であることが好ましく、１Ｐａ以下であるとより好ましい。
【０１４０】
なお、図８（Ｂ）では、第１の剥離層２１２と第２の剥離層２１３の大きさが同じ場合を
示したが、異なる大きさの剥離層を用いてもよい。
【０１４１】
《第３の工程》
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点２１４を形成する（図８（Ｂ））。
【０１４２】
第１の作製基板２１０及び第２の作製基板２１１はどちらを先に剥離してもよい。剥離層
の大きさが異なる場合、大きい剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい剥離
層を形成した基板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素子、表示
素子等の素子を作製した場合、素子を形成した側の基板から剥離してもよいし、他方の基
板から剥離してもよい。ここでは、第１の作製基板２１０を先に剥離する例を示す。
【０１４３】
レーザ光は、硬化状態のシール部２０５と、第１の層２０３と、第１の剥離層２１２とが
重なる領域に対して照射する。
【０１４４】
界面層（第１の層２０３に含まれる、第１の剥離層２１２と接する層）の一部を除去する
ことで、剥離の起点２１４を形成できる。このとき、界面層だけでなく、第１の層２０３
の他の層、第１の剥離層２１２、またはシール部２０５の一部を除去してもよい。
【０１４５】
レーザ光は、剥離したい剥離層が設けられた基板側から照射することが好ましい。第１の
剥離層２１２と第２の剥離層２１３が重なる領域にレーザ光の照射をする場合は、第１の
層２０３及び第２の層２０４のうち第１の層２０３のみにクラックを入れることで、選択
的に第１の作製基板２１０及び第１の剥離層２１２を剥離することができる。
【０１４６】
第１の剥離層２１２と第２の剥離層２１３が重なる領域にレーザ光を照射する場合、第１
の剥離層２１２側の第１の層２０３と第２の剥離層２１３側の第２の層２０４の両方に剥
離の起点を形成してしまうと、一方の作製基板を選択的に剥離することが難しくなる恐れ
がある。したがって、一方の被剥離層のみにクラックを入れられるよう、レーザ光の照射
条件が制限される場合がある。
【０１４７】
そして、形成した剥離の起点２１４から、第１の層２０３と第１の作製基板２１０とを剥
離する。剥離は貼り合わせを行った減圧雰囲気よりも高い圧力で行う。例えば、大気圧雰
囲気または加圧雰囲気で行う。
【０１４８】
なお、第１の層２０３、第２の層２０４及びシール部２０５で囲まれた空間の圧力は剥離
を行う雰囲気の圧力よりも低くなっている。上記の圧力差により、剥離が進行していく際
に、第１の層２０３が第１の作製基板２１０から剥離された領域では、第１の層２０３の
剥離された面に対して力が加えられる。その結果、第１の面と第２の面の距離が異なる領
域が形成される。また、第２の層２０４が第１の層２０３と接する領域が形成される（図
８（Ｃ））。
【０１４９】
これにより、第１の層２０３を第１の作製基板２１０から第２の作製基板２１１に転置す
ることができる（図８（Ｄ））。
【０１５０】
《第４の工程》
露出した第１の層２０３を第２の作製基板２１１と第１の基板２０１の間に挟んで、第１
の接着層２０６を用いて第１の層２０３と第１の基板２０１を貼り合わせ、第１の接着層
２０６を硬化させる（図９（Ａ））。ここでは、枠状の第１の隔壁２０８を第１の接着層
２０６になる液状の材料の広がりを制限するために設け、第１の隔壁２０８の内側に滴下
した第１の接着層２０６になる液状の材料を用いて、第１の層２０３と第１の基板２０１
とを貼り合わせる。第１の隔壁２０８は第１の接着層１０６に用いることができる材料を
適用できる。
【０１５１】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点２１５を形成する。
【０１５２】
レーザ光は、硬化状態の第１の接着層２０６、シール部２０５、または硬化状態の第１の
隔壁２０８と、第２の層２０４と、第２の剥離層２１３と、が重なる領域に対して照射す
る。ここでは、第１の接着層２０６が硬化状態であり、第１の隔壁２０８が硬化状態でな
い場合を例に示し、硬化状態の第１の接着層２０６にレーザ光を照射する。
【０１５３】
界面層（第２の層２０４に含まれる、第２の剥離層２１３と接する層）の一部を除去する
ことで、剥離の起点を形成できる。このとき、界面層だけでなく、第２の層２０４の他の
層、第２の剥離層２１３、または第１の接着層２０６の一部を除去してもよい。
【０１５４】
レーザ光は、第２の剥離層２１３が設けられた第２の作製基板２１１側から照射すること
が好ましい。
【０１５５】
《第５の工程》
そして、形成した剥離の起点２１５から、第２の層２０４と第２の作製基板２１１とを剥
離する（図９（Ｂ）、（Ｃ））。これにより、第１の層２０３及び第２の層２０４を第１
の基板２０１に転置することができる。
【０１５６】
《第６の工程》
露出した第２の層２０４を第１の基板２０１と第２の基板２０２の間に挟んで、第２の接
着層２０７を用いて第２の層２０４と第２の基板２０２を貼り合わせ、第２の接着層２０
７を硬化させる（図９（Ｄ））。ここでは、枠状の第２の隔壁２０９を第２の接着層２０
７になる液状の材料の広がりを制限するために設け、第２の隔壁２０９の内側に滴下した
第２の接着層２０７になる液状の材料を用いて、第２の層２０４と第２の基板２０２とを
貼り合わせる。
【０１５７】
以上に示した本発明の一態様の剥離方法では、第１の層２０３と第２の層２０４の間に充
填する接着層が不要の為、その分の材料費が必要なくなり、省資源、低コストになる。ま
た、接着層形成の工程を減らせるため、工程数を削減することができる。これらにより、
作製工程のコストを削減することができる。
【０１５８】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
【０１５９】
（実施の形態３）
本実施の形態では、入出力装置に用いることができる本発明の一態様の表示モジュールの
構成について、図１０乃至図１２を参照しながら説明する。
【０１６０】
図１０乃至図１２は本発明の一態様の表示モジュールの構成を説明する図である。
【０１６１】
図１０（Ａ）は本発明の一態様の表示モジュール５００の上面図であり、図１０（Ｂ）は
図１０（Ａ）の切断線Ａ−Ｂ及び切断線Ｃ−Ｄにおける断面図である。また、図１１（Ａ
）は表示モジュール５００の一部の構成を説明する上面図であり、図１１（Ｂ）は図１１
（Ａ）に示す切断線Ｗ３−Ｗ４における断面図である。
【０１６２】
図１２は本発明の一態様の表示モジュール５００を説明する投影図である。なお、説明の
便宜のために表示モジュール５００の一部を拡大して図示している。
【０１６３】
＜表示モジュールの構成例＞
本発明の一態様の表示モジュール５００は、第１の端子部５１９Ａと、第１の端子部５１
９Ａを支持する可撓性の第１の基板５１０と、第１の基板５１０と重なる領域及び第２の
端子部５１９Ｂを備える可撓性の第２の基板５７０と、トランジスタＭＤ、トランジスタ
Ｍ０、表示素子５５０Ｒ及びスペーサＫＢなどを備える第１の層５０３と、着色層ＣＦ、
遮光層ＢＭ及び検知素子等を備える第２の層５０４と、シール部５０５と、第１の基板５
１０と第１の層５０３の間に設けられた第１の接着層５０６と、第２の基板５７０と第２
の層５０４の間に設けられた第２の接着層５０７と、を有する（図１０（Ａ）、（Ｂ）参
照）。
【０１６４】
また、本発明の一態様の表示モジュール５００は表示部を有する。表示部は、第１の基板
５１０と第２の基板５７０の間に表示素子５５０Ｒと、表示素子５５０Ｒと電気的に接続
される第１の端子部５１９Ａと、第１の端子部５１９Ａと電気的に接続される第１のフレ
キシブルプリント基板ＦＰＣ１と、を備える。
【０１６５】
また、本発明の一態様の表示モジュール５００は検知部を有する。検知部は、第１の基板
５１０と第２の基板５７０の間にタッチセンサと、タッチセンサと電気的に接続される第
２の端子部５１９Ｂと、第２の端子部５１９Ｂと電気的に接続される第２のフレキシブル
プリント基板ＦＰＣ２と、を備える（図１０（Ａ）参照）。
【０１６６】
《表示部》
また、本発明の一態様の表示モジュール５００は、制御信号及び画像信号を供給される画
素５０２と、画素５０２が配設される領域５０１と、制御信号を供給する駆動回路ＧＤと
、画像信号を供給する駆動回路ＳＤと、駆動回路ＳＤに電気的に接続される配線５１１と
、配線５１１に電気的に接続される第１の端子部５１９Ａと、を有する（図１０（Ａ）、
（Ｂ）参照）。
【０１６７】
画素５０２は、複数の副画素（例えば、副画素５０２Ｒ）等を備える。なお、様々な色を
表示する機能を備える副画素を用いることができる。具体的には、赤色を表示する機能を
備える副画素を副画素５０２Ｒに用いることができる。また、緑色または青色等を表示す
る機能を備える副画素を画素５０２に用いることができる。
【０１６８】
副画素５０２Ｒは、表示素子５５０Ｒと、表示素子５５０Ｒと重なる領域を備える着色層
ＣＦと、制御信号及び画像信号に基づいて表示素子５５０Ｒに電力を供給する機能を備え
る画素回路と、を備える。例えば、トランジスタＭ０または容量素子を画素回路に用いる
ことができる（図１０（Ｂ）参照）。
【０１６９】
本実施の形態では、表示素子として、発光素子（有機ＥＬ素子）を用いる。表示素子５５
０Ｒは、電力が供給される第１の電極５５１Ｒ及び第２の電極５５２と、第１の電極５５
１Ｒ及び第２の電極５５２の間に発光性の有機化合物を含む層５５３と、を備える。
【０１７０】
第１の電極５５１Ｒは、トランジスタＭ０のソース電極またはドレイン電極と電気的に接
続される。
【０１７１】
駆動回路ＳＤは、トランジスタＭＤまたは容量素子ＣＤを備える。例えば、トランジスタ
Ｍ０と同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭＤに用いること
ができる。
【０１７２】
また、本発明の一態様の表示モジュール５００は、発光性の有機化合物を含む層５５３及
び第１の基板５１０の間に画素回路を有し、発光性の有機化合物を含む層５５３及び画素
回路の間に絶縁膜５２１を有する。
【０１７３】
また、本発明の一態様の表示モジュール５００は、副画素５０２Ｒと重なる領域に開口部
を備える遮光層ＢＭを有する。
【０１７４】
また、本発明の一態様の表示モジュール５００は、領域５０１に重なる領域を備える機能
膜５７０Ｐを有する。例えば、偏光板を機能膜５７０Ｐに用いることができる。
【０１７５】
《検知部》
また、本発明の一態様の表示モジュール５００は、検知素子を含むタッチセンサを有する
。
【０１７６】
タッチセンサと電気的に接続される制御線ＣＬ（ｉ）と、タッチセンサと電気的に接続さ
れる信号線ＭＬ（ｊ）と、制御線ＣＬ（ｉ）と電気的に接続される端子と、信号線ＭＬ（
ｊ）と電気的に接続される第２の端子部５１９Ｂを備える（図１１（Ａ）及び図１２参照
）。
【０１７７】
タッチセンサは、第１の電極Ｃ１（ｉ）と、第１の電極Ｃ１（ｉ）と重ならない部分を備
える第２の電極Ｃ２（ｊ）と、を備える。
【０１７８】
第１の電極Ｃ１（ｉ）または第２の電極Ｃ２（ｊ）は、画素５０２または副画素５０２Ｒ
と重なる領域に透光性を備える領域を具備する導電膜を含む。
【０１７９】
または、第１の電極Ｃ１（ｉ）または第２の電極Ｃ２（ｊ）は、画素５０２または副画素
５０２Ｒと重なる領域に開口部５７６を具備する網目状の導電膜を含む。
【０１８０】
第１の電極Ｃ１（ｉ）は、行方向（図中にＲで示す矢印の方向）に延在する制御線ＣＬ（
ｉ）と電気的に接続される。なお、制御線ＣＬ（ｉ）は、制御信号を供給する機能を備え
る。
【０１８１】
第２の電極Ｃ２（ｊ）は、列方向（図中にＣで示す矢印の方向）に延在する信号線ＭＬ（
ｊ）と電気的に接続される。なお、信号線ＭＬ（ｊ）は、検知信号を供給する機能を備え
る（図１２参照）。
【０１８２】
制御線ＣＬ（ｉ）は配線ＢＲ（ｉ，ｊ）を備える。制御線ＣＬ（ｉ）は、配線ＢＲ（ｉ，
ｊ）において信号線ＭＬ（ｊ）と交差する。配線ＢＲ（ｉ，ｊ）と信号線ＭＬ（ｊ）の間
に絶縁膜５７１を備える（図１１（Ｂ）参照）。これにより、配線ＢＲ（ｉ，ｊ）と信号
線ＭＬ（ｊ）の短絡を防ぐことができる。
【０１８３】
なお、タッチセンサを含む表示モジュール５００は入出力モジュールまたはタッチパネル
モジュールということができる。
【０１８４】
表示モジュール５００は、近接したものを検知して、近接したものの位置情報または軌跡
等を含む検知情報を供給することができる。例えば、表示モジュール５００の使用者は、
表示モジュール５００に近接または接触させた指等をポインタに用いて、様々なジェスチ
ャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）を検知させることができる。
【０１８５】
また、表示モジュール５００の使用者は、表示モジュール５００を用いて様々な操作命令
を演算装置に供給することができる。例えば、表示モジュール５００にジェスチャーを検
知させ、演算装置にプログラム等に基づいて、表示モジュール５００が供給する検知情報
が所定の条件を満たすか否かを判断させ、条件を満たす場合に所定の命令を実行させるこ
とができる。
【０１８６】
以下に、表示モジュール５００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの
構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合または他の構成の一部を含
む場合がある。
【０１８７】
例えば、表示モジュール５００は、タッチパネルであるとともに検知パネルまたは表示パ
ネルでもある。
【０１８８】
《第１の基板》
様々な基板を第１の基板５１０に用いることができる。
【０１８９】
例えば、実施の形態１に記載する第１の基板１０１に用いることができる材料と同様の材
料を用いることができる。
【０１９０】
例えば、本明細書等において、様々な基板または様々な基材を用いて、トランジスタを形
成することができる。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一
例としては、半導体基板（例えば単結晶基板またはシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス
基板、石英基板、プラスチック基板、サファイアガラス基板、金属基板、ステンレス・ス
チル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン
・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、また
は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、ア
ルミノホウケイ酸ガラス、またはソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わ
せフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテ
ルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラス
チックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹脂などがある。または、一例
としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、またはポリ塩化ビニルな
どがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機
蒸着フィルム、または紙類などがある。特に、半導体基板、単結晶基板、またはＳＯＩ基
板などを用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイズ、または形状などの
ばらつきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができ
る。このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、または回
路の高集積化を図ることができる。
【０１９１】
基板とトランジスタの間に剥離層を設け、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成さ
せた後、基板とトランジスタとを分離し、他の基板に転載することができる。その際、ト
ランジスタは耐熱性の劣る基板または可撓性の基板にも転載できる。なお、上述の剥離層
には、例えば、タングステン膜と酸化珪素膜との無機膜の積層構造の構成、または基板上
にポリイミド等の有機樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。
【０１９２】
つまり、ある基板を用いてトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを転
置し、別の基板上にトランジスタを配置してもよい。トランジスタが転置される基板の一
例としては、上述したトランジスタを形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロフ
ァン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基
板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）もし
くは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮
革基板、またはゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいトラ
ンジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性
の付与、軽量化、または薄型化を図ることができる。
【０１９３】
《第２の基板》
様々な基板を第２の基板５７０に用いることができる。
【０１９４】
例えば、実施の形態１に記載する第２の基板１０２に用いることができる材料と同様の材
料を用いることができる。
【０１９５】
《第１の接着層、第２の接着層》
様々な材料を第１の接着層５０６または第２の接着層５０７に用いることができる。
【０１９６】
例えば、実施の形態１に記載する第１の接着層１０６に用いることができる材料と同様の
材料を用いることができる。
【０１９７】
《第１の層、第２の層》
第１の層５０３は絶縁層と、トランジスタＭ０と、トランジスタＭＤと、容量素子ＣＤと
、表示素子５５０Ｒと、第３の隔壁５２８と、スペーサＫＢ等で構成されている。
【０１９８】
ここで、スペーサＫＢは第１の層５０３の凸部と見なすことができる。
【０１９９】
第２の層５０４は絶縁層と、着色層ＣＦと、遮光層ＢＭと、検知素子等で構成されている
。
【０２００】
第１の層５０３の第１の基板５１０と対向する面を第１の面とし、第２の層５０４の第２
の基板５７０と対向する面を第２の面とする。
【０２０１】
スペーサＫＢのある領域５３１における第１の面と第２の面の距離５３３はその周囲の領
域５３２における第１の面と第２の面の距離５３４と比べて長い。
【０２０２】
また、スペーサＫＢのある領域５３１において第１の層５０３と第２の層５０４は接する
領域を有している。また、発光素子と着色層ＣＦのある領域において第１の層５０３と第
２の層５０４は接していることが好ましい。
【０２０３】
本発明により、発光素子と着色層ＣＦとの間のギャップが無くなる、もしくはギャップが
、従来の構造、例えば発光素子と着色層ＣＦの間に接着剤を充填した構造に比べて小さく
なる。ギャップが無くなる、もしくは従来の構造よりも小さくなることにより、表示モジ
ュール５００の視野角の改善、隣の画素からの光漏れの低減、及び信頼性向上の効果があ
る。
【０２０４】
《トランジスタ》
例えば、本明細書等において、トランジスタとして、様々な構造のトランジスタを用いる
ことができる。よって、用いるトランジスタの種類に限定はない。トランジスタの一例と
しては、単結晶シリコンを有するトランジスタ、または、非晶質シリコン、多結晶シリコ
ン、微結晶（マイクロクリスタル、ナノクリスタル、セミアモルファスとも言う）シリコ
ンなどに代表される非単結晶半導体膜を有するトランジスタなどを用いることができる。
または、それらの半導体を薄膜化した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを用いることがで
きる。ＴＦＴを用いる場合、様々なメリットがある。例えば、単結晶シリコンの場合より
も低い温度で製造できるため、製造コストの削減、または製造装置の大型化を図ることが
できる。製造装置を大きくできるため、大型基板上に製造できる。そのため、同時に多く
の個数の表示装置を製造できるため、低コストで製造できる。または、製造温度が低いた
め、耐熱性の低い基板を用いることができる。そのため、透光性を有する基板上にトラン
ジスタを製造できる。または、透光性を有する基板上のトランジスタを用いて表示素子で
の光の透過を制御することができる。または、トランジスタの膜厚が薄いため、トランジ
スタを形成する膜の一部は、光を透過させることができる。そのため、開口率が向上させ
ることができる。
【０２０５】
なお、多結晶シリコンを製造するときに、触媒（ニッケルなど）を用いることにより、結
晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。その
結果、ゲートドライバ回路（走査線駆動回路）、ソースドライバ回路（信号線駆動回路）
、及び信号処理回路（信号生成回路、ガンマ補正回路、ＤＡ変換回路など）を基板上に一
体形成することができる。
【０２０６】
なお、微結晶シリコンを製造するときに、触媒（ニッケルなど）を用いることにより、結
晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。この
とき、レーザ照射を行うことなく、熱処理を加えるだけで、結晶性を向上させることも可
能である。その結果、ソースドライバ回路の一部（アナログスイッチなど）及びゲートド
ライバ回路を基板上に一体形成することができる。なお、結晶化のためにレーザ照射を行
わない場合は、シリコンの結晶性のムラを抑えることができる。そのため、画質の向上し
た画像を表示することができる。ただし、触媒（ニッケルなど）を用いずに、多結晶シリ
コンまたは微結晶シリコンを製造することは可能である。
【０２０７】
なお、シリコンの結晶性を、多結晶または微結晶などへと向上させることは、パネル全体
で行うことが望ましいが、それに限定されない。パネルの一部の領域のみにおいて、シリ
コンの結晶性を向上させてもよい。選択的に結晶性を向上させることは、レーザ光を選択
的に照射することなどにより可能である。例えば、画素以外の領域である周辺回路領域に
のみ、ゲートドライバ回路及びソースドライバ回路などの領域にのみ、またはソースドラ
イバ回路の一部（例えば、アナログスイッチ）の領域にのみ、にレーザ光を照射してもよ
い。その結果、回路を高速に動作させる必要がある領域にのみ、シリコンの結晶化を向上
させることができる。画素領域は、高速に動作させる必要性が低いため、結晶性が向上さ
れなくても、問題なく画素回路を動作させることができる。こうすることによって、結晶
性を向上させる領域が少なくて済むため、製造工程も短くすることができる。そのため、
スループットが向上し、製造コストを低減させることができる。または、必要とされる製
造装置の数も少ない数で製造できるため、製造コストを低減させることができる。
【０２０８】
なお、トランジスタの一例としては、化合物半導体（例えば、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓなど）
、または酸化物半導体（例えば、Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉ
ｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＩＴＯ）、Ｓｎ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＡＺＴＯ）、Ｉ
ｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏなど）などを有するトランジスタを用いることができる。または、こ
れらの化合物半導体、または、これらの酸化物半導体を薄膜化した薄膜トランジスタなど
を用いることができる。これらにより、製造温度を低くできるので、例えば、室温でトラ
ンジスタを製造することが可能となる。その結果、耐熱性の低い基板、例えばプラスチッ
ク基板またはフィルム基板などに直接トランジスタを形成することができる。なお、これ
らの化合物半導体または酸化物半導体を、トランジスタのチャネル部分に用いるだけでな
く、それ以外の用途で用いることもできる。例えば、これらの化合物半導体または酸化物
半導体を配線、抵抗素子、画素電極、または透光性を有する電極などとして用いることが
できる。それらをトランジスタと同時に成膜または形成することが可能なため、コストを
低減できる。
【０２０９】
なお、トランジスタの一例としては、インクジェット法または印刷法を用いて形成したト
ランジスタなどを用いることができる。これらにより、室温で製造、低真空度で製造、ま
たは大型基板上に製造することができる。よって、マスク（レチクル）を用いなくても製
造することが可能となるため、トランジスタのレイアウトを容易に変更することができる
。または、レジストを用いらずに製造することが可能なので、材料費が安くなり、工程数
を削減できる。または、必要な部分にのみ膜を付けることが可能なので、全面に成膜した
後でエッチングする、という製法よりも、材料が無駄にならず、低コストにできる。
【０２１０】
なお、トランジスタの一例としては、有機半導体またはカーボンナノチューブを有するト
ランジスタ等を用いることができる。これらにより、曲げることが可能な基板上にトラン
ジスタを形成することができる。有機半導体またはカーボンナノチューブを有するトラン
ジスタを用いた装置は、衝撃に強くすることができる。
【０２１１】
なお、トランジスタとしては、他にも様々な構造のトランジスタを用いることができる。
例えば、トランジスタとして、ＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラ
トランジスタなどを用いることができる。トランジスタとしてＭＯＳ型トランジスタを用
いることにより、トランジスタのサイズを小さくすることができる。よって、多数のトラ
ンジスタを搭載することができる。トランジスタとしてバイポーラトランジスタを用いる
ことにより、大きな電流を流すことができる。よって、高速に回路を動作させることがで
きる。なお、ＭＯＳ型トランジスタとバイポーラトランジスタとを１つの基板に混在させ
て形成してもよい。これにより、低消費電力、小型化、高速動作などを実現することがで
きる。
【０２１２】
《配線、端子》
配線または端子は画像信号、制御信号、検知信号または電源電位等を供給する機能を備え
る。また、配線は制御線ＣＬ（ｉ）、信号線ＭＬ（ｊ）などを含む。
【０２１３】
導電性を有する様々な材料を配線または端子に用いることができる。
【０２１４】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線ま
たは端子に用いることができる。
【０２１５】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン
、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属
元素などを、配線または端子に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合
金などを、配線または端子に用いることができる。または、上述した金属元素を組み合わ
せた合金などを、配線または端子に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウ
エットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０２１６】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を用いることができる。
【０２１７】
具体的には、酸化インジウム、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添
加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線または端子に用いることができる。
【０２１８】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線または端子に用いることがで
きる。
【０２１９】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することによ
り、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方
法または還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０２２０】
具体的には、導電性高分子を配線または端子に用いることができる。
【０２２１】
《表示ユニット》
表示ユニット５８０Ｒは、表示素子５５０Ｒまたは光の少なくとも一部を透過する着色層
ＣＦを備える。
【０２２２】
また、第３の隔壁５２８と遮光層ＢＭの間にスペーサＫＢを備える。スペーサＫＢは、表
示素子５５０Ｒと着色層ＣＦの間に設けられる間隙の距離を制御する機能を備える。
【０２２３】
例えば、顔料または染料等の材料を含む層、カラーフィルタ等を着色層ＣＦに用いること
ができる。これにより、着色層ＣＦを透過する特定の色を表示する表示ユニットを提供す
ることができる。
【０２２４】
また、反射膜と半透過・半反射膜を備える微小共振器構造を表示ユニット５８０Ｒに用い
ることができる。
【０２２５】
具体的には、反射性の導電膜を一方の電極に、半透過・半反射性の導電膜を他方の電極に
備え、一方の電極と他方の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を備える発光素子を、
表示ユニット５８０Ｒに用いることができる。
【０２２６】
例えば、赤色の光を効率よく取り出す微小共振器及び赤色の光を透過する着色層を、赤色
を表示する表示ユニット５８０Ｒに用いることができる。または、緑色の光を効率よく取
り出す微小共振器及び緑色の光を透過する着色層を、緑色を表示する表示ユニットに用い
ることができる。または、青色の光を効率よく取り出す微小共振器及び青色の光を透過す
る着色層を、青色を表示する表示ユニットに用いることができる。または、黄色の光を効
率よく取り出す微小共振器及び黄色の光を透過する着色層を、これらの表示ユニットと共
に用いることができる。
【０２２７】
《表示素子》
電気、磁気、もしくはそれら両方の効果により、コントラスト、輝度、反射率、透過率な
どが変化する表示媒体を表示素子５５０Ｒに用いることができる。
【０２２８】
例えば、白色の光を射出する有機ＥＬ素子を用いることができる。
【０２２９】
例えば、互いに異なる色を射出する複数の有機ＥＬ素子を用いることができる。
【０２３０】
例えば、複数の表示素子を区切る第３の隔壁５２８を用いることができる。例えば、絶縁
性の材料を第３の隔壁５２８に用いることができる。具体的には、絶縁性の無機酸化物材
料または樹脂等を用いることができる。
【０２３１】
表示素子としては、例えば、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物及び無機物
を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑
色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電
子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬ
Ｖ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム
（ＭＥＭＳ）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（
デジタル・マイクロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、干渉変調（ＩＭＯＤ
）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクト
ロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、などを用いることができる。
【０２３２】
《第１の電極》
導電性を有する材料を第１の電極５５１Ｒに用いることができる。特に、発光性の有機化
合物を含む層５５３から射出される光を効率よく反射する材料が好ましい。
【０２３３】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを用いる
ことができる。なお、例えばこれらから選ばれた材料を含む単一の層または複数の層が積
層された構造を用いることができる。
【０２３４】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タ
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素
、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いる
ことができる。
【０２３５】
特に、銀、アルミニウムまたはこれらを含む合金は、可視光について高い反射率を備える
ため好ましい。
【０２３６】
または、酸化インジウム、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加し
た酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
【０２３７】
または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法または還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０２３８】
または、導電性高分子を用いることができる。
【０２３９】
《第２の電極》
導電性及び透光性を有する材料を第２の電極５５２に用いることができる。
【０２４０】
例えば、第１の電極５５１Ｒに用いることができる材料を、透光性を有する程度に薄くし
て第２の電極５５２に用いることができる。具体的には、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さ
の金属薄膜を用いることができる。
【０２４１】
なお、材料を単一の層でまたは積層された複数の層で用いることができる。具体的には、
インジウムとスズを含む金属酸化物層と厚さ５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の銀を積層して用い
ることができる。
【０２４２】
《発光性の有機化合物を含む層》
蛍光または三重項励起状態を経由して光を発する有機化合物を含む層を、発光性の有機化
合物を含む層５５３に用いることができる。
【０２４３】
また、単一の層または複数の層が積層された構造を、発光性の有機化合物を含む層５５３
に用いることができる。
【０２４４】
例えば、電子に比べて正孔の移動度が優れる材料を含む層、正孔に比べて電子の移動度が
勝る材料を含む層などを用いることができる。
【０２４５】
例えば、構成が異なる複数の発光性の有機化合物を含む層５５３を、一の表示パネルに用
いることができる。例えば、赤色の光を発する発光性の有機化合物を含む層と、緑色の光
を発する発光性の有機化合物を含む層と、青色の光を発する発光性の有機化合物を含む層
と、を表示パネルに用いることができる。
【０２４６】
ところで、発光素子は、一対の電極間に発光性の物質を有する。当該発光性の物質として
は、一重項励起エネルギーを発光に変換することができる材料（例えば、蛍光材料など）
、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる材料（例えば、燐光材料、ＴＡＤ
Ｆ（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  Ａｃｔｉｖａｔｅｄ  Ｄｅｌａｙｅｄ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎ
ｃｅ）材料など）が挙げられる。
【０２４７】
また、上記発光性の物質は、青色（４２０ｎｍ以上５００ｎｍ未満）、緑色（５００ｎｍ
以上５５０ｎｍ未満）、黄色（５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満）、及び赤色（６００ｎｍ
以上７４０ｎｍ以下）の波長帯域において、少なくともいずれか一つに発光スペクトルピ
ークを有する。また、上記発光性の物質は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェッ
ト法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。
【０２４８】
ところで、青色の波長帯域に発光スペクトルピークを有する物質としては、例えば、ピレ
ン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾー
ル誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘
導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体
、ナフタレン誘導体などを有する蛍光材料が挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収
率が高いので好ましい。
【０２４９】
また、青色の波長帯域に発光スペクトルピークを有する物質としては、例えば、イリジウ
ム、ロジウム、あるいは白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体が挙げられ、中でも有
機イリジウム錯体、例えばイリジウム系オルトメタル錯体が好ましい。オルトメタル化す
る配位子としては４Ｈ−トリアゾール配位子、１Ｈ−トリアゾール配位子、イミダゾール
配位子、ピリジン配位子などが挙げられる。また、青色の波長帯域に発光スペクトルピー
クを有する物質としては、例えば、イリジウム金属と、当該イリジウム金属に配位する配
位子と、当該配位子に結合する置換基と、を有し、当該置換基は、質量数が９０以上２０
０未満の架橋環式炭化水素基（例えば、アダマンチル基またはノルボルニル基）である有
機金属イリジウム錯体が挙げられる。また、上述の配位子は、含窒素五員複素環骨格（例
えば、イミダゾール骨格またはトリアゾール骨格）であると好ましい。上述の含窒素五員
複素環骨格を有する物質を発光層に用いると、高い発光効率、または高い信頼性を有する
発光素子とすることが可能となる。
【０２５０】
ところで、緑色、黄色、及び赤色の波長帯域に発光スペクトルピークを有する物質として
は、イリジウム、ロジウム、あるいは白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体が挙げら
れ、中でも有機イリジウム錯体、例えばイリジウム系オルトメタル錯体が好ましい。オル
トメタル化する配位子としては４Ｈ−トリアゾール配位子、１Ｈ−トリアゾール配位子、
イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン配位子、ピラジン配位子、あるいはイ
ソキノリン配位子などが挙げられる。金属錯体としては、ポルフィリン配位子を有する白
金錯体などが挙げられる。また、ピラジン配位子を有する有機金属イリジウム錯体は、色
度の良い赤色発光が得られるため好ましい。また、ピリミジン配位子を有する有機金属イ
リジウム錯体は、信頼性または発光効率が高いため好ましい。
【０２５１】
また、発光素子は、上述の発光性の物質の他、キャリア輸送性（電子またはホール）を有
する物質を有していてもよい。また、発光素子は、上述の発光性の物質の他、無機化合物
または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。
【０２５２】
《フレキシブルプリント基板》
様々な構成のフレキシブルプリント基板を、第１のフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１ま
たは第２のフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２に用いることができる。
【０２５３】
フレキシブルプリント基板は、端子と電気的に接続される配線、当該配線を支持する基材
及び当該配線と重なる領域を備える被覆層を有する。配線は、当該基材と被覆層の間に挟
まれる領域及び被覆層と重ならない領域を備える。
【０２５４】
なお、配線の被覆層と重ならない領域をフレキシブルプリント基板の端子に用いる。
【０２５５】
《検知素子、検知回路》
静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく信号を供
給する検知素子を機能層に用いることができる。
【０２５６】
例えば、導電膜、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または共振器等を検知素子に用
いることができる。
【０２５７】
例えば、導電膜に寄生する静電容量に基づいて変化する信号を供給する機能を備える検知
回路を、機能層に用いることができる。これにより、大気中において導電膜に近接する指
などを、静電容量の変化を用いて検知できる。
【０２５８】
具体的には、制御線ＣＬ（ｉ）を用いて制御信号を第１の電極Ｃ１（ｉ）に供給し、供給
された制御信号及び静電容量に基づいて変化する第２の電極Ｃ２（ｊ）の電位を、信号線
ＭＬ（ｊ）を用いて取得して、検知信号として供給することができる。
【０２５９】
例えば、導電膜に一方の電極が接続された容量素子を含む回路を検知回路に用いることが
できる。
【０２６０】
なお、第２の基板５７０に検知素子を形成するための膜を成膜し、当該膜を加工する方法
を用いて、検知素子を作製してもよい。
【０２６１】
または、表示モジュール５００の一部を他の基材に作製し、当該一部を第２の基板５７０
に転置する方法を用いて、表示モジュール５００を作製してもよい。
【０２６２】
《機能膜》
様々な機能膜を、機能膜５７０Ｐに用いることができる。
【０２６３】
例えば、反射防止膜等を機能膜５７０Ｐに用いることができる。具体的には、アンチグレ
アコートまたは円偏光板等を用いることができる。これにより、例えば屋外の使用時に、
反射する外光の強度を弱めることができる。また、例えば屋内の使用時に、照明の映り込
みを抑制することができる。
【０２６４】
例えば、セラミックコート層またはハードコート層を機能膜５７０Ｐに用いることができ
る。具体的には、酸化アルミニウムまたは酸化珪素などを含むセラミックコート層または
ＵＶ硬化された樹脂層などを用いることができる。
【０２６５】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
【０２６６】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１３を参照しなが
ら説明する。
【０２６７】
図１３は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。
【０２６８】
図１３（Ａ−１）乃至図１３（Ａ−３）は、本発明の一態様の情報処理装置４０００Ａの
投影図である。
【０２６９】
図１３（Ｂ−１）及び図１３（Ｂ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置４０００Ｂの
投影図である。
【０２７０】
図１３（Ｃ−１）及び図１３（Ｃ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置４０００Ｃの
上面図及び底面図ある。
【０２７１】
《情報処理装置Ａ》
情報処理装置４０００Ａは、入出力部４１２０及び入出力部４１２０を支持する筐体４１
０１を有する（図１３（Ａ−１）乃至図１３（Ａ−３）参照）。
【０２７２】
入出力部４１２０は、本発明の一態様の機能パネルを備える。例えば、実施の形態３で説
明する機能パネルを入出力部４１２０に用いることができる。
【０２７３】
また、情報処理装置４０００Ａは、演算部及び演算部に実行させるプログラムを記憶する
記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【０２７４】
なお、筐体４１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【０２７５】
情報処理装置４０００Ａは、側面または／及び上面に表示情報を表示することができる。
【０２７６】
情報処理装置４０００Ａの使用者は、側面または／及び上面に接する指を用いて操作命令
を供給することができる。
【０２７７】
《情報処理装置Ｂ》
情報処理装置４０００Ｂは筐体４１０１を有する（図１３（Ｂ−１）及び図１３（Ｂ−２
）参照）。筐体４１０１は、バックルで固定可能なベルト状の領域４１０１ｂを有する。
【０２７８】
筐体４１０１は、入出力部４１２０及び入出力部４１２０ｂを支持する。
【０２７９】
入出力部４１２０または入出力部４１２０ｂは、本発明の一態様の機能パネルを備える。
例えば、実施の形態３で説明する機能パネルを入出力部４１２０に用いることができる。
【０２８０】
また、情報処理装置４０００Ｂは、演算部及び演算部に実行させるプログラムを記憶する
記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【０２８１】
筐体４１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【０２８２】
情報処理装置４０００Ｂは、入出力部４１２０または入出力部４１２０ｂに情報を表示す
ることができる。
【０２８３】
情報処理装置４０００Ｂの使用者は、入出力部４１２０または入出力部４１２０ｂに接す
る指を用いて操作命令を供給することができる。
【０２８４】
《情報処理装置Ｃ》
情報処理装置４０００Ｃは、入出力部４１２０ならびに入出力部４１２０を支持する筐体
４１０１を有する（図１３（Ｃ−１）及び図１３（Ｃ−２）参照）。
【０２８５】
入出力部４１２０は、本発明の一態様の機能パネルを備える。例えば、実施の形態３で説
明する機能パネルを入出力部４１２０に用いることができる。
【０２８６】
また、情報処理装置４０００Ｃは、演算部及び演算部に実行させるプログラムを記憶する
記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【０２８７】
なお、筐体４１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【０２８８】
筐体４１０１は、曲げることができる領域４１０１ｃを有する。そのため、情報処理装置
４０００Ｃは、領域４１０１ｃの部分で、２つに折りたたむことができる。
【０２８９】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
【符号の説明】
【０２９０】
ＢＭ    遮光層
ＣＤ    容量素子
ＣＦ    着色層
ＦＰＣ１    第１のフレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２    第２のフレキシブルプリント基板
ＧＤ    駆動回路
ＫＢ    スペーサ
Ｍ０    トランジスタ
ＭＤ    トランジスタ
１００    機能パネル
１０１    第１の基板
１０２    第２の基板
１０３    第１の層
１０３Ａ    薄膜部
１０３Ｂ    凸部
１０４    第２の層
１０４Ａ    薄膜部
１０４Ｂ    凸部
１０５    シール部
１０６    第１の接着層
１０７    第１の隔壁
１０８    第１の作製基板
１０９    第１の剥離層
１１０    第３の層
１１１    起点
１２１    領域
１２２    領域
１２３    距離
１２４    距離
２００    機能パネル
２０１    第１の基板
２０２    第２の基板
２０３    第１の層
２０３Ａ    薄膜部
２０３Ｂ    凸部
２０４    第２の層
２０５    シール部
２０６    第１の接着層
２０７    第２の接着層
２０８    第１の隔壁
２０９    第２の隔壁
２１０    第１の作製基板
２１１    第２の作製基板
２１２    第１の剥離層
２１３    第２の剥離層
２１４    起点
２１５    起点
２２１    領域
２２２    領域
２２３    距離
２２４    距離
５００    表示モジュール
５０１    領域
５０２    画素
５０２Ｒ    副画素
５０３    第１の層
５０４    第２の層
５０５    シール部
５０６    第１の接着層
５０７    第２の接着層
５１０    第１の基板
５１１    配線
５１９Ａ    第１の端子部
５１９Ｂ    第２の端子部
５２１    絶縁膜
５２８    第３の隔壁
５３１    領域
５３２    領域
５３３    距離
５３４    距離
５５０Ｒ    表示素子
５５１Ｒ    第１の電極
５５２    第２の電極
５５３    発光性の有機化合物を含む層
５７０    第２の基板
５７０Ｐ    機能膜
５７１    絶縁膜
５７６    開口部
５８０Ｒ    表示ユニット
４０００Ａ    情報処理装置
４０００Ｂ    情報処理装置
４０００Ｃ    情報処理装置
４１０１    筐体
４１０１ｂ    領域
４１０１ｃ    領域
４１２０    入出力部
４１２０ｂ    入出力部
【図１】
2020073994.tif 000003
【図２】
2020073994.tif 000004
【図３】
2020073994.tif 000005
【図４】
2020073994.tif 000006
【図５】
2020073994.tif 000007
【図６】
2020073994.tif 000008
【図７】
2020073994.tif 000009
【図８】
2020073994.tif 000010
【図９】
2020073994.tif 000011
【図１０】
2020073994.tif 000012
【図１１】
2020073994.tif 000013
【図１２】
2020073994.tif 000014
【図１３】
2020073994.tif 000015