(57)【要約】【課題】放熱性の低下を抑制しつつ、ケースの渦電流損失を少なくしたインダクタ装置を提供する。【解決手段】インダクタ装置１は、コア２１および巻線２２を有するインダクタ２と、インダクタ２を内部に収容し、板状の底部５１、および当該底部から立ち上がり、インダクタ２の周囲を囲む側壁部５２を有するケース５とを備える。ケース５の側壁部５２に、インダクタ２の周囲を周回する方向に沿って、絶縁性の非磁性材料で形成された絶縁部Ａと、絶縁部Ａよりも熱伝導率の高い非磁性材料で形成された高熱伝導部Ｂとを交互に配置する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアおよび巻線を有するインダクタと、前記インダクタを内部に収容し、板状の底部、および当該底部から立ち上がり、前記インダクタの周囲を囲む側壁部を有するケースとを備えたインダクタ装置において、
前記ケースの側壁部に、前記インダクタの周囲を周回する方向に沿って、絶縁性の非磁性材料で形成された絶縁部と、前記絶縁部よりも熱伝導率の高い非磁性材料で形成された高熱伝導部とを交互に配置したことを特徴とするインダクタ装置。
【請求項２】
前記高熱伝導部を、前記巻線の外周面と対向する領域に配置した請求項１に記載のインダクタ装置。
【請求項３】
前記インダクタを、巻線軸が底部と平行となる向きに配置した請求項１または２に記載のインダクタ装置。
【請求項４】
前記底部と側壁部を別部材とし、前記底部と側壁部を、その何れか一方に形成した凸部と他方に形成した凹部とを嵌合させることで固定した請求項１〜３何れか１項に記載のインダクタ装置。
【請求項５】
前記凸部の角部にアール部を設けた請求項４に記載のインダクタ装置。
【請求項６】
前記凹部に逃げ部を設けた請求項４または５に記載のインダクタ装置。
【請求項７】
前記コアに磁束発生方向が同方向となる二つの巻線を装着した請求項１〜６の何れか１項に記載のインダクタ装置。
【請求項８】
インターリーブ回路に使用される請求項７に記載のインダクタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＦＣ（Power Factor Correction）回路、コンバータ回路、インバータ回路等では、インダクタやコンデンサの小型化が図られている。インダクタを小型化するためには、巻線およびコアのサイズを縮小することが求められるが、これらのサイズを縮小すると、インダクタの発熱量が増加する傾向にある。従って、小型化したインダクタの連続使用を可能とするためには、如何にしてインダクタの放熱性を高めるのかが重要となる。
【０００３】
放熱性を高めるため、例えば下記の特許文献１には、インダクタを底板部および側壁部を有するケースに収容し、ケースを冷却ベースに固定したリアクトルが開示されている。加えて、特許文献１には、底板部に放熱層を設けること、熱伝導率を高めるためにケースをアルミニウム等の金属材料で形成すること、ケース内に封入する封止樹脂に熱熱伝導性に優れたフィラーを含有させること、も開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５５９７１０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に記載のように、ケースの側壁部全体をアルミニウム等の金属材料で形成した場合、巻線の側壁部に生じる渦電流が側壁部を周回するように流れる。そのため、ケースでの渦電流損失が増大してインダクタの磁気特性（例えばインダクタンス値）の低下を招くことが明らかとなった。磁気特性の低下を補うためには、インダクタの巻線数を増加させ、あるいはコアを大型化する等の対策を講じる必要があり、小型化の要請に反する結果を招く。
【０００６】
そこで、本発明は、放熱性の低下を抑制しつつ、ケースの渦電流損失を少なくしたインダクタ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するため、本発明は、コアおよび巻線を有するインダクタと、前記インダクタを内部に収容し、板状の底部、および当該底部から立ち上がり、前記インダクタの周囲を囲む側壁部を有するケースとを備えたインダクタ装置において、前記ケースの側壁部に、前記インダクタの周囲を周回する方向に沿って、絶縁性の非磁性材料で形成された絶縁部と、前記絶縁部よりも熱伝導率の高い非磁性材料で形成された高熱伝導部とを交互に配置したことを特徴とするものである。
【０００８】
かかる構成であれば、側壁部における渦電流の発生領域が絶縁部によって電気的に分断されるため、側壁部にインダクタの周囲を周回するような渦電流は発生しない。そのため、ケースでの渦電流損失を少なくすることができ、インダクタの磁気特性（例えばインダクタンス値）の低下を最小限に抑えることが可能となる。また、高熱伝導部でインダクタからの放熱が行われるため、インダクタ装置の放熱性を確保することができる。
【０００９】
高熱伝導部を、巻線の外周面と対向する領域に配置するのが好ましい。これにより、高熱伝導部が発熱量の多い巻線の外周面と対向するため、巻線で発生した熱を、高熱伝導部を介して速やかに放熱することができる。
【００１０】
インダクタを巻線軸が底部と直交する向きにしてケース内に配置すると、コアが底部に近接し、巻線からの放熱経路はコアを介したものとなるため、巻線の放熱がコアの熱伝導率に支配されることになる。従って、放熱性を高めようとすると、コアの材料を見直す必要がある。また、巻線上部で生じた熱は、巻線下部およびコアを経由して底部に至る形となり、熱の移動距離が長くなる（熱抵抗が大きい）ため、巻線上部での温度上昇が顕著となる。これに対し、インダクタを、巻線軸が底部と平行となる向きに配置すれば、巻線で生じた熱はコアを介することなく、高熱伝導部および底部を介して放熱される。また、巻線軸方向における巻線各部から底部までの距離が均一化されるため、当該各部での放熱性を均一化することができる。従って、各部の温度上昇幅を均一にして磁気特性のばらつきを抑えることができる。
【００１１】
前記底部と側壁部を別部材とし、前記底部と側壁部を、その何れか一方に形成した凸部と他方に形成した凹部とを嵌合させることで固定するのが好ましい。これにより底部と側壁部の接合作業を簡略化して低コスト化を図ることができる。
【００１２】
凸部の角部にアール部を設けるのが好ましい。かかる構成であれば、凸部を凹部に押し込む際の押し込み方向が案内されるため、凸部と凹部を嵌合作業が容易なものとなる。
【００１３】
凹部に逃げ部を設けるのが好ましい。かかる構成であれば、凸部の圧入に伴う塑性流動が逃げ部で吸収されるので、凸部と凹部を面接触させて両者間での隙間の発生を防止することができる。また、接着剤を使用する場合には、逃げ部が接着剤溜まりとなる。そのため、凸部と凹部の間の接合強度を高めることができる
【００１４】
前記コアに磁束発生方向が同方向となる二つの巻線を装着することにより、インダクタ装置を、二つの巻線を磁気結合した結合インダクタとして用いることが可能となる。
【００１５】
以上に述べたインダクタ装置は、インターリーブ回路での使用に適合する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、放熱性の低下を抑制しつつ、ケースの渦電流損失を少なくしたインダクタ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第一の実施形態にかかるインダクタ装置の組み立て手順を示す斜視図である。
【図２】インダクタ装置の平面図である。
【図３】図２のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【図４】インダクタ装置で使用するケースの他の実施形態を示す斜視図である。
【図５】インターリーブ回路を示す回路図である。
【図６】底部と巻線対向部の固定構造を示す斜視図である。
【図７】（ａ）図は、底部と巻線対向部の固定構造を図６のＰ方向から見た正面図であり、（ｂ）図は底部を図６のＱ方向から見た底面図である。
【図８】（ａ）図は、底部と巻線対向部の固定構造を図６のＰ方向から見た正面図であり、（ｂ）図は底部を図６のＱ方向から見た底面図である。
【図９】（ａ）図は、底部と巻線対向部の固定構造を図６のＰ方向から見た正面図であり、（ｂ）図は底部を図６のＱ方向から見た底面図である。
【図１０】（ａ）図は、底部と巻線対向部の固定構造を図６のＰ方向から見た正面図であり、（ｂ）図は底部を図６のＱ方向から見た底面図である。
【図１１】確認試験１の測定結果を示す表である。
【図１２】確認試験２の測定結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明にかかるインダクタ装置の第一の実施形態を図１〜図３に基づいて説明する。
【００１９】
図１は、インダクタ装置１の組み立て手順を示す斜視図である。図２は組み立て後のインダクタ装置１の平面図であり、図３は、図２のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
図１および図２に示すように、本実施形態のインダクタ装置１は、インダクタ２と、インダクタ２を収容するケース５とを有する。
【００２０】
図１および図２に示すように、インダクタ２は、コア２１とコア２１に装着した二つの巻線２２とを有する。コア２１は、例えば圧粉磁心で形成される。圧粉磁心は、純鉄系、アモルフォス系、軟磁性合金系、ナノ結晶系等からなる軟磁性金属粉末に絶縁被膜をコーティングし、この絶縁被膜付き軟磁性粉末を金型で圧縮成形した後、焼鈍処理を施すことで製作される。
【００２１】
コア２１は閉磁路を形成しており、多角形や円環等の環状に形成される。本実施形態では概略矩形状に形成したコア２１を例示している。図２に示すように、本実施形態のコア２１は、二つの脚部２１１と脚部２１１の一端部間に架橋された連結部２１２とを有する二つのＵ型のコア部材２１ａ，２１ｂを、脚部２１１の端面同士を突合せた形で配置し、両者を接着等により一体化することにより製作される。コア２１のうち、コーナー部となる領域の外側面にはテーパ状の面取り部２１３が形成されている。巻線２２は、各コア部材２１，２１ｂの連結部２１２の外周にそれぞれ巻回されている。図２では、コア２１を無端の環状に形成しているが、コア２１にエアギャップを設けることもできる。
【００２２】
なお、コア部材２１ａ，２１ｂの形態は任意であり、Ｕ型以外にもＩ型のコア部材を使用することもできる。また、コア２１の形態は任意であり、棒状のコアやポット型と呼ばれるコアを採用することもできる。さらに、巻線２２の数も任意であり、一つあるいは三つ以上の巻線２２をコア２１に装着することもできる。
【００２３】
図１に示すように、ケース５は、平板状の底部５１と、底部５１から立ち上がった側壁部５２とを有する。ケース５の一端は底部５１で閉塞され、他端は開口した状態にある。インダクタ２は、ケース５内に収容されるが、その際にインダクタ２は、その巻線軸Ｏが底部５１の内底面５１１と平行となるような向きに配置される。また、各巻線２２と底部５１との距離が一定となる向きに配置される。インダクタ２を保持したケース５は、底部５１の外底面を水冷板等からなる放熱用のベース部材３（図３参照）に接触させて、ねじ止め、接着等の適宜の手段によりベース部材３に固定される。
【００２４】
ケース５の側壁部５２は、インダクタ２の周囲全周を囲むように配置される。本実施形態の側壁部５２は、コア２１の形状に対応した多角筒状に形成されている。側壁部５２は、巻線２２の外周面と対向する巻線対向部５２ａと、コア２１と対向するコア対向部５２ｂとを有する。コア対向部５２ｂは、コア２１の脚部２１１に対向する部分５２ｂ１と、コア２１の面取り部２１３と対向する部分５２ｂ２とを有する。巻線対向部５２ａとコア対向部５２ｂの間には、巻線２２の端面と対向するように突出する規制面５３が形成される。図２に示すように、巻線対向部５２ａを挟んで対峙する二つの規制面５３の間に巻線２２が配置される。
【００２５】
図３に示すように、ケース５内には絶縁性を有する封止樹脂４が充填される（図１および図２では封止樹脂４の図示を省略している）。コア２１および巻線２２と、ケース５の各内面との間にはそれぞれ隙間が形成され、その隙間に封止樹脂４が満たされている。具体的には、コア２１および巻線２２の双方がケース５の底部５１および側壁部５２の何れとも非接触の状態にあり、これらの隙間に封止樹脂４が充填されている。封止樹脂４により、コア２１とケース５の間の絶縁、並びに巻線２２とケース５の間の絶縁がなされる。コア２１と巻線２２の間の絶縁性を確保するため、コア２１の外周面と巻線２２の内周面との間に樹脂等の絶縁材料からなるボビンを介在させてもよい。
【００２６】
ケース５の底部５１は、放熱性を確保するため、少なくとも後述する絶縁部Ａよりも熱伝導率の高い非磁性材料、例えばアルミニウム（アルミニウム合金も含む）で形成される。図示は省略するが、側壁部５２の開口部（底部５１による封口側と反対側の開口部）を天板で覆うこともできる。天板は、底部５１と同様の特性を有する材料で形成することができる。
【００２７】
図１および図２に示すように、ケース５の側壁部５２には、インダクタ２の周囲を周回する方向に沿って、絶縁性の非磁性材料で形成された絶縁部Ａ（散点模様で示す）と、絶縁部Ａよりも熱伝導率の高い非磁性材料で形成された高熱伝導部Ｂ（無模様で示す）とが交互に設けられる。例えば、絶縁部Ａを樹脂材料で形成し、高熱伝導部Ｂをアルミニウム（アルミニウム合金も含む）で形成することができる。絶縁部Ａはセラミックやガラスで形成することもできる。高熱伝導部Ｂの材料としては、非磁性の金属材料が広く使用可能であり、アルミニウム以外にも、例えばマグネシウム（マグネシウム合金も含む）、銅（銅合金も含む）、銀（銀合金も含む）、あるいは非磁性の鋼材（例えばＳＵＳ３０４等のオーステナイト系ステンレス鋼）を使用することができる。以上に述べた材料で形成される高熱伝導部Ｂは、通常、高い導電性も兼ね備える。なお、既に述べた底部５１や天板も、高熱伝導部Ｂの材料として列挙した何れかの材料で形成することができる。
【００２８】
本実施形態では、コア対向部５２ｂのうち、コア２１の面取り部２１３と対向する領域５２ｂ２が絶縁部Ａで形成され、脚軸２１１に対向する領域５２ｂ１が高熱伝導部Ｂで形成されている。また、巻線対向部５２ａが高熱伝導部Ｂで形成されている。絶縁部Ａは、側壁部５２の高さ方向全長にわたって形成される。
【００２９】
このように本実施形態におけるケース５は、側壁部５２を、インダクタ２の周囲を周回する方向に沿って、絶縁性かつ非磁性の材料からなる絶縁部Ａ（例えば樹脂で形成される）と非磁性かつ高熱伝導率を有する材料からなる高熱伝導部Ｂ（例えば金属で形成される）を交互に配置した、ハイブリッド構造とした点に特色がある。
【００３０】
かかる構成であれば、側壁部５２における渦電流の発生領域が絶縁部Ａによって電気的に分断されるため、側壁部５２にインダクタ２の周囲を周回するような渦電流は発生しない。そのため、ケース５での渦電流損失を少なくすることができ、インダクタ２の磁気特性（例えばインダクタンス値）の低下を最小限に抑えることが可能となる。
【００３１】
加えて、高熱伝導部Ｂで形成された巻線対向部５２ａが発熱量の多い巻線３の外周面と対向しているため、巻線３で発生した熱は、巻線対向部５２ａおよび底部５１を介してベース部材３に速やかに放熱される。そのため、インダクタ装置１の放熱性を高めることができ、インダクタ２を小型化した際の放熱性の問題を回避することが可能となる。以上の効果を得るため、高熱伝導部Ｂの熱伝導率は１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が好ましい。
【００３２】
一般に、多角形状のコア２１においては、角部（面取り部２１３の周辺領域）で漏れ磁束が大きくなる傾向にあるが、本実施形態では、この角部と対向する領域５２ｂ２が絶縁部Ａで形成されているため、角部での漏れ磁束による渦電流の発生を抑えることができ、この点からも渦電流損失の低減を図ることができる。その一方で、コア２１の角部での発熱量はそれほど多くないため、熱伝導率の低い絶縁部Ａを角部に対向させても、放熱性の低下は最小限に抑えることができる。
【００３３】
既に述べたとおり、コア２１にはエアギャップを設けることもできるが、その場合、エアギャップでの漏れ磁束も多くなるため、側壁部５２のエアギャップに対向する領域も絶縁部Ａで形成するのが好ましい。
【００３４】
インダクタ２を巻線軸Ｏが底部５１と直交する向きにしてケース５内に配置すると、コア２１が底部５１に近接し、巻線２２からの放熱経路はコア２１を介したものとなるため、巻線２２の放熱がコア２１の熱伝導率に支配されることになる。従って、放熱性を高めようとすると、コア３２の材料を見直す必要があり、コア材料の選定自由度が低下する。また、巻線２２の上部で生じた熱は、巻線下部およびコア２１を経由して底部５１に至る形となり、熱の移動距離が長くなる（熱抵抗が大きい）ため、巻線上部での温度上昇が顕著となる。これに対し、インダクタ２を、巻線軸Ｏが底部５１と平行となる向きに配置すれば、巻線２２で生じた熱はコア２１を介することなく、高熱伝導部Ｂおよび底部５１を介してベース部材３に放熱される。また、巻線軸Ｏ方向における巻線２２各部から底部５１までの距離が均一化されるため、巻線各部での放熱性を均一化することができる。従って、各部の温度上昇幅を均一にして磁気特性のばらつきを抑えることができる。
【００３５】
図４にインダクタ装置１の第二の実施形態を示す。この第二の実施形態では、コア対向部５２ｂを全て絶縁部Ａで形成している。すなわち、コア対向部５２ｂの、コア部材２１ａ，２１ｂの脚部２１１（図１、図２参照）と対向する領域５２ｂ１および面取り部２１３と対向する領域５２ｂ２が絶縁部Ａで一体に形成されている。この第二の実施形態の構成でも、第一の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３６】
以上に述べたインダクタ２は、二つの巻線２２を、直流電流に対する磁束発生方向が同方向となるように接続することにより、結合インダクタとして使用することができる。この結合インダクタ２は、図５に示す複数相（図５は２相の場合を例示する）インターリーブ回路での使用に適合する。インターリーブ回路は、電源を複数系統に分け、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２により各相の電流に位相差を持たせ、リップルなどを互いに打ち消し合う回路である。結合インダクタ２は、漏れ磁束が大きいため、渦電流損失の低減が重要な課題となるが、本実施形態のインダクタ装置１を使用することにより、高い放熱性を確保しつつ渦電流損失を低減することが可能となる。
【００３７】
側壁部５２を構成する絶縁部Ａは底部５１とは別材料となるため、両者は別部材で形成される。絶縁部Ａの底部５１への固定は、接着あるいは超音波溶着等により行うことができる。あるいは底部５１に対して絶縁部Ａをインサート成形することにより底部５１と絶縁部Ａを一体化することができる。
【００３８】
底部５１と高熱伝導部Ｂは同材料（例えばアルミニウム合金）で形成することができる。この場合、例えば鋳造やプレス加工等により底部５１と高熱伝導部Ｂを一体成形することが可能である。その一方で、底部５１と高熱伝導部Ｂを異なる材料で形成する場合、あるいは同材料であっても何らかの事情で両者を別部材とするのが好ましい場合には、底部５１と高熱伝導部Ｂの固定構造を検討する必要がある。固定構造として、例えばねじを使用することも想定されるが、この場合、ねじ穴の加工が必要となる上に、組み立て工数も増大するため、インダクタ装置１が高コスト化する問題がある。
【００３９】
以上の課題を解決するため、別部材の底部５１と高熱伝導部Ｂを固定する場合には、図６に示すように、底部５１と高熱伝導部Ｂを、その何れか一方に形成した凸部６１と他方に形成した凹部６２との嵌合により固定するのが望ましい。この場合、凸部６１を凹部６２に圧入し、あるいは接着剤の介在下で両者を圧入または嵌合することにより、底部５１に高熱伝導部Ｂを固定することができる。この固定構造であれば、ねじ穴を形成する後加工が不要となり、組み立て工数の削減も可能となるのでインダクタ装置１の低コスト化を図ることができる。
【００４０】
以下、この固定構造の実施形態を、底部５１と巻線対向部５２ａの間の固定を例に挙げて、図７（ａ）（ｂ）〜図１０（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。なお、図７（ａ）（ｂ）〜図１０（ａ）（ｎ）における各（ａ）図は、凸部６１と凹部６２を嵌合させる直前の状態を図６のＰ方向から見た図であり、（ｂ）図は、嵌合前の底部５１を図６のＱ方向から見た図である。
【００４１】
図７（ａ）（ｂ）に示すように、一方の部材（例えば底部５１）の端部には、それぞれ凸部６１と凹部６２が形成され、この凸部６１および凹部６２に嵌合する凹部６２および凸部６１が他方の部材（例えば巻線対向部５２ａ）の端部に形成される。一方の部材に形成された凸部６１の突出方向と、他方の部材に形成された、当該凸部６１と嵌合する凹部６２の深さ方向は直交する関係にある。既に述べたように、一方の部材の凸部６１を他方の部材の凹部６２に圧入し、あるいは接着剤の介在下で両者を圧入または嵌合させることにより、巻線対向部５２ａを底部５１に固定することができる
【００４２】
図８（ａ）（ｂ）では、凸部６１の角部に円弧状のアール部６３を設けている。このように凸部６１にアール部６３を設けることで、凸部６１を凹部６２に押し込む際の押し込み方向が案内されるため、凸部６１と凹部６２を嵌合作業が容易なものとなる。
【００４３】
図９（ａ）（ｂ）では、凹部６２の角部に円弧状の逃げ部６４を設けている。このように凹部６２に逃げ部６４を設けることにより、凸部６１の圧入に伴う塑性流動が逃げ部６４で吸収されるので、凸部６１と凹部６２を面接触させて両者間での隙間の発生を防止することができる。また、接着剤を使用する場合には、逃げ部６４が接着剤溜まりとなる。そのため、凸部６１と凹部６２の間の接合強度を高めることができる。
【００４４】
図１０（ａ）（ｂ）では、凸部６１にアール部６３を設けると共に、凹部６２に逃げ部６４を設けている。これによりアール部６３を設けることによる効果と、逃げ部６４を設けることによる効果の双方を享受することができる。
【００４５】
以上に述べた固定構造は、高熱伝導部Ｂで形成された側壁部５２の各部と底部５１との間に適用することができる。従って、図１〜図３に示す第一の実施形態において、側壁部５２のうち、コア対向部５２ｂの脚軸２１１と対向する領域５２ｂ１を同様の固定構造で底部５１に固定することができる。この他、同様の固定構造により、絶縁部Ａを底部５１に固定することもできる。
【００４６】
［確認試験１］
以上の実施形態の説明で述べたインダクタ装置１の効果を確認するため、異なるケース５を使用した実施例１，２、および比較例１，２についてインダクタンス値（Ｌ値）と放熱性（ΔＴ）を測定する試験を行った。実施例１では図１〜図３に示す第一の実施形態のケース５を使用し、実施例２では図４に示す第二の実施形態のケース５を使用している。比較例１では側壁部５２の全周を樹脂で形成したケースを使用し、比較例２では側壁部５２の全周を金属製（アルミニウム合金製）としたケースを使用している。側壁部５２を除き、ケース５の構造やインダクタ２の構造は、比較例１，２および実施例１，２で共通する。
【００４７】
この確認試験は、インダクタ２の各巻線２２に直流電流を重畳した正弦波交流を通電させることで行われる。インダクタ２は一般的な直列接続とし、インダクタンスの平均値をＬ値としている。重畳電流は３０Ａ、周波数は５０ｋＨｚである。また、放熱性（ΔＴ）は、インダクタ２における最高温度（平均値）で評価している。鉄損は４４Ｗ、銅損は９２．１Ｗ、アルミニウム損失は８．５Ｗ、周囲温度は１０５℃である。
【００４８】
ＬおよびΔＴの測定値、並びに比較例１を基準とした時の各測定値の変化率を図１１に示す。図１１から明らかなように、比較例２では比較例１に比べ、放熱性は良好であるがインダクタンス値の減衰が著しい。これは、側壁部を周回する渦電流が生じることによる渦電流損失の増大に起因すると考えられる。これに対し、実施例１，２では、比較例２には劣るが比較例１に比べれば実用上十分な高い放熱性を得ることができ、しかもＬ値の減衰量も特に問題のないレベルに抑えられることが理解される。
【００４９】
［確認試験２］
次に、上記比較例１，２および実施例１，２の各インダクタを、結合インダクタとして図５に示す２相インターリーブ回路に使用し、昇圧動作時におけるリップル幅ΔＩを測定した。ここでリップル幅ΔＩは、ΔＩ＝電圧Ｖ×デューティ比ｄ／（インダクタンスＬ×周波数ｆ）と表すことができる。デューティ比ｄは、昇圧回路でスイッチングする際のＯＮ時間の割合である。電圧Ｖは＋２５０〜−５５０Ｖ、周波数ｆは５０ｋＨｚとし、平均電流３０Ａ狙いで試験を行った。ΔＩの測定値、並びに比較例１を基準とした時の測定値の変化率を図１２に示す。
【００５０】
一般に、リップル幅（ΔＩ）が小さいほど、インダクタの特性として好ましくなる。図１２から明らかなように、比較例２では比較例１に対してリップル幅が急激に増大しており、そのため、比較例２はインターリーブ回路での使用には適さないと考えられる。これに対し、実施例１，２では比較例１と同等のリップル幅が得られており、インターリーブ回路における結合インダクタとしての使用に適合することが理解できる。
【００５１】
以上に述べたインダクタ装置１は、例えば、ＰＦＣ（power factor correction）回路、コンバータ回路、インバータ回路等における変圧用途（降圧、昇圧を問わない）、インバータ用途、コンバータ用途等に広く使用することができる。また、ソレノイドや変圧器として使用することもできる。
【符号の説明】
【００５２】
１      インダクタ装置
２      インダクタ
３      ベース部材
４      封止樹脂
５      ケース
２１    コア
２１ａ  コア部材
２１ｂ  コア部材
２２    巻線
５１    底部
５２    側壁部
６１    凸部
６２    凹部
６３    アール部
６４    逃げ部
Ａ      絶縁部
Ｂ      高熱伝導部
Ｏ      巻線軸
【図１】
2020155455.tif 000003
【図２】
2020155455.tif 000004
【図３】
2020155455.tif 000005
【図４】
2020155455.tif 000006
【図５】
2020155455.tif 000007
【図６】
2020155455.tif 000008
【図７】
2020155455.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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