(57)【要約】【課題】配線基板の品質の向上。【解決手段】実施形態の配線基板１は、コア層１０の各面にそれぞれ形成されている第１及び第２の内側導体層２１、２２と、最表層にそれぞれ形成されている第１及び第２の外側導体層４１、４２と、第１及び第２の中間導体層３１、３２と、を備えている。第１及び第２の内側導体層２１、２２と、第１及び第２の外側導体層４１、４２との少なくとも一方は、金属箔層を少なくとも含む第１積層構造を有し、第１及び第２の中間導体層３１、３２は、第１積層構造に含まれる金属箔層の厚さよりも薄い金属箔層を少なくとも含む第２積層構造を有し、第２積層構造を有する導体層に含まれる導体パターンの上面は、その縁部にコア層側に傾く傾斜部を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア層と、
前記第１面上に形成されている第１内側導体層と、
前記第２面上に形成されている第２内側導体層と、
前記第１面側の最表層に形成されている第１外側導体層と、
前記第２面側の最表層に形成されている第２外側導体層と、
前記第１内側導体層と前記第１外側導体層との間に形成されている第１中間導体層と、
前記第２内側導体層と前記第２外側導体層との間に形成されている第２中間導体層と、
前記第１内側導体層と前記第１中間導体層との間、前記第２内側導体層と前記第２中間導体層との間、前記第１中間導体層と前記第１外側導体層との間、及び、前記第２中間導体層と前記第２外側導体層との間それぞれに介在する層間絶縁層と、
を備える配線基板であって、
前記第１及び第２の内側導体層と前記第１及び第２の外側導体層との少なくとも一方は、所定の厚さを有する金属箔層と、めっき膜層とを少なくとも含む第１積層構造を有し、
前記第１中間導体層及び前記第２中間導体層は、前記所定の厚さよりも薄い厚さを有する金属箔層と、めっき膜層とを少なくとも含む第２積層構造を有し、
前記第２積層構造を有する導体層に含まれている導体パターンの上面は、前記上面の縁部において前記コア層側に傾く傾斜部を有している。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、前記傾斜部は丸みを帯びている。
【請求項３】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１積層構造を有する導体層における前記コア層側の表面の凹凸は、前記第２積層構造を有する導体層における前記コア層側の表面の凹凸よりも大きい。
【請求項４】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１積層構造に含まれる前記めっき膜層の厚さは、前記第２積層構造に含まれる前記めっき膜層の厚さよりも薄い。
【請求項５】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１内側導体層、前記第２内側導体層、前記第１外側導体層、及び前記第２外側導体層は、前記第１積層構造を有している。
【請求項６】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１内側導体層と前記第１中間導体層との間、及び、前記第１中間導体層と前記第１外側導体層との間のいずれか又は両方に形成されている導体層である１以上の内層導体層をさらに含んでおり、
全ての前記１以上の内層導体層は、前記第１積層構造及び前記第２積層構造のいずれかを有している。
【請求項７】
請求項６記載の配線基板であって、全ての前記１以上の内層導体層は前記第１積層構造を有している。
【請求項８】
請求項６記載の配線基板であって、全ての前記１以上の内層導体層は前記第２積層構造を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、層間絶縁樹脂層と配線パターンの層とが複数組積層され、隣接する配線パターンの層のパターン同士がビアホールで接続された多層配線板が開示されている。配線パターンの層は、ビアホールと共に無電解めっき及び電解めっきによって形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１５４６３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の多層配線板では、配線パターンの層に形成されている配線パターンは、外層及び内層のいずれの配線パターンにおいても、稜角を含む断面形状を有している。内層の配線パターンでは、層間絶縁樹脂層を介して隣接する配線パターンとの間で短絡不良が生じる恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア層と、前記第１面上に形成されている第１内側導体層と、前記第２面上に形成されている第２内側導体層と、前記第１面側の最表層に形成されている第１外側導体層と、前記第２面側の最表層に形成されている第２外側導体層と、前記第１内側導体層と前記第１外側導体層との間に形成されている第１中間導体層と、前記第２内側導体層と前記第２外側導体層との間に形成されている第２中間導体層と、前記第１内側導体層と前記第１中間導体層との間、前記第２内側導体層と前記第２中間導体層との間、前記第１中間導体層と前記第１外側導体層との間、及び、前記第２中間導体層と前記第２外側導体層との間それぞれに介在する層間絶縁層と、を備えている。そして、前記第１及び第２の内側導体層と前記第１及び第２の外側導体層との少なくとも一方は、所定の厚さを有する金属箔層と、めっき膜層とを少なくとも含む第１積層構造を有し、前記第１中間導体層及び前記第２中間導体層は、前記所定の厚さよりも薄い厚さを有する金属箔層と、めっき膜層とを少なくとも含む第２積層構造を有し、前記第２積層構造を有する導体層に含まれている導体パターンの上面は、前記上面の縁部において前記コア層側に傾く傾斜部を有している。
【０００６】
本発明の実施形態によれば、多層基板における層間の短絡不良を少なくすることができ、配線基板の品質の向上に寄与し得ると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【図２Ａ】図１に示される導体層の第１積層構造の拡大図。
【図２Ｂ】図１に示される導体層の第２積層構造の拡大図。
【図３Ａ】一実施形態における第１積層構造を有する導体パターンの一例を示す断面図。
【図３Ｂ】一実施形態における第２積層構造を有する導体パターンの一例を示す断面図。
【図４Ａ】一実施形態における第２積層構造を有する導体パターンのさらに他の例を示す断面図。
【図４Ｂ】一実施形態における第２積層構造を有する導体パターンのさらに他の例を示す断面図。
【図５】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。
【図６】本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。
【図７】本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。
【図８Ａ】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図８Ｂ】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図８Ｃ】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
つぎに、本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図１に示されるように、配線基板１は、第１面１０Ｆ及び第１面１０Ｆと反対側の第２面１０Ｓを有するコア層１０と、コア層１０の第１面１０Ｆ上に形成されている第１内側導体層２１と、コア層１０の第２面１０Ｓ上に形成されている第２内側導体層２２と、を備えている。コア層１０は、絶縁性の材料を用いて形成されており、コア層１０と、第１及び第２の内側導体層２１、２２とによってコア基板１０Ｐが構成されている。コア基板１０Ｐにおける第１面１０Ｆが面する側及び第２面１０Ｓが面する側それぞれには、複数の導体層及び層間絶縁層が形成されている。すなわち、配線基板１は、さらに、コア層１０の第１面１０Ｆ側の最表層に形成されている第１外側導体層４１と、コア層１０の第２面１０Ｓ側の最表層に形成されている第２外側導体層４２と、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に形成されている第１中間導体層３１と、第２内側導体層２２と第２外側導体層４２との間に形成されている第２中間導体層３２と、を備えている。さらに、配線基板１は、第１内側導体層２１と第１中間導体層３１との間、第２内側導体層２２と第２中間導体層３２との間、第１中間導体層３１と第１外側導体層４１との間、及び、第２中間導体層３２と第２外側導体層４２との間それぞれに介在する層間絶縁層６を備えている。
【０００９】
図１に例示される実施形態の配線基板１は、コア層１０の第１面１０Ｆ側及び第２面１０Ｓ側それぞれに、さらに、３つの導体層を備えている。すなわち、図１の例の配線基板１は、第１内側導体層２１と第１中間導体層３１との間に内層導体層５０ａを備え、第１中間導体層３１と第１外側導体層４１との間に２つの内層導体層５０ｂ、５０ｃを備えている。さらに、配線基板１は、第２内側導体層２２と第２中間導体層３２との間に内層導体層５０ｄを備え、第２中間導体層３２と第２外側導体層４２との間に２つの内層導体層５０ｅ、５０ｆを備えている。内層導体層５０ａ〜５０ｆそれぞれと、それら各内層導体層それぞれに隣接する導体層との間には層間絶縁層６が設けられている。内層導体層５０ａ〜５０ｃ、第１中間導体層３１、第１外側導体層４１、及び、コア層１０の第１面１０Ｆ側に形成されている層間絶縁層６によって、第１面１０Ｆ側のビルドアップ層が形成されている。同様に、内層導体層５０ｄ〜５０ｆ、第２中間導体層３２、第２外側導体層４２、及び、コア層１０の第２面１０Ｓ側に形成されている層間絶縁層６によって、第２面１０Ｓ側のビルドアップ層が形成されている。
【００１０】
図１に例示される配線基板１は全部で１２層の導体層を備えているが、本実施形態の配線基板の導体層の数は１２に限定されない。配線基板１は、コア層１０の第１面１０Ｆ側及び第２面１０Ｓ側それぞれに、３層以上の任意の数の導体層を備え得る。例えば、配線基板１は、第１内側導体層２１と第１中間導体層３１との間、及び／又は、第１中間導体層３１と第１外側導体層４１との間に、内層導体層５０ａ〜５０ｆのような内層導体層を１以上の任意の層数で備え得る。内層導体層５０ａ〜５０ｆは、以下の説明において内層導体層５０ａ〜５０ｆそれぞれの区別が不要の場合は、「内層導体層５０」とも表記される。
【００１１】
なお「内層導体層」は、配線基板１に備えられる導体層のうち、第１内側導体層２１と第１中間導体層３１との間、第１中間導体層３１と第１外側導体層４１との間、第２内側導体層２２と第２中間導体層３２との間、及び第２中間導体層３２と第２外側導体層４２との間のいずれかに形成されている導体層である。
【００１２】
ここで、第１中間導体層３１は、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に形成されている導体層であって、後述される第２積層構造を有する導体層である。従って、本実施形態では、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に介在していて第２積層構造を有する任意の１の導体層が第１中間導体層３１として特定され得る。そして、その特定された第１中間導体層３１の他に、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に形成されている導体層が「内層導体層」と称される。
【００１３】
同様に、第２内側導体層２２と第２外側導体層４２との間に介在していて第２積層構造を有する任意の１の導体層が第２中間導体層３２として特定され得る。そして、その特定された第２中間導体層３２の他に、第２内側導体層２２と第２外側導体層４２との間に形成されている導体層は「内層導体層」と称される。
【００１４】
従って、第１中間導体層３１及び第２中間導体層３２の「中間」は、第１又は第２の内側導体層２１、２２と、第１又は第２の外側導体層４１、４２との間隔における中央を必ずしも意味しない。すなわち、第１中間導体層３１は、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に設けられていればよく、配線基板１の厚さ方向において、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間の真ん中の位置に必ずしも設けられていなくてもよい。また、第１中間導体層３１は、必ずしも、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に例えば複数設けられている導体層のうちの真ん中の層でなくてもよい。第２中間導体層３２も同様である。従って、例えば図１に例示される積層構造において、内層導体層５０ｃの位置に第１中間導体層３１が設けられていてもよく、内層導体層５０ｄの位置に第２中間導体層３２が設けられていてもよい。
【００１５】
なお、配線基板１の説明では、配線基板１の厚さ方向においてコア層１０から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、コア層１０に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。また、配線基板１の厚さ方向は、単に「Ｚ方向」とも称される。
【００１６】
さらに、各導体層、各導体層に含まれる導体パターン、及び各層間絶縁層の「上面」は、各導体層、各導体層に含まれる導体パターン、及び各層間絶縁層それぞれにおけるコア層１０と反対側を向く表面を意味する。また、各導体層、各導体層に含まれる導体パターン、及び各層間絶縁層におけるコア層１０側を向く表面は「下面」とも称される。
【００１７】
図１の配線基板１は、さらに、コア層１０に設けられているスルーホール導体１０ａ、及び、各層間絶縁層６に設けられているビア導体７を備えている。スルーホール導体１０ａは、コア層１０を貫通し、第１内側導体層２１と第２内側導体層２２とを接続している。ビア導体７は、各ビア導体７を包含する層間絶縁層６それぞれを貫通すると共に、その層間絶縁層６を介して隣接する導体層同士（例えば第１外側導体層４１と内層導体層５０ｃ）を接続している。
【００１８】
第１外側導体層４１及び第２外側導体層４２は、電子部品（図示せず）がその上に実装されるべき接続パッド４ａを含んでいる。図１の配線基板１は、さらに、第１外側導体層４１上に形成されているソルダーレジスト層８１、及び、第２外側導体層４２上に形成されているソルダーレジスト層８２を含んでいる。ソルダーレジスト層８１、８２は、それぞれ、接続パッド４ａを露出させる開口を有している。ソルダーレジスト層８１、８２は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。
【００１９】
コア層１０及び層間絶縁層６は、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。これらの樹脂を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び／又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図１の例においてコア層１０は、補強材１０ｃを含んでいる。図示されていないが、複数の層間絶縁層６のいずれか又は全部が、補強材を含んでいてもよい。
【００２０】
ビア導体７は、各層間絶縁層６を貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成されている所謂フィルドビアである。ビア導体７は、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。例えば第１外側導体層４１の直ぐ下側に形成されているビア導体７は、第１外側導体層４１と共に、且つ、一体的に形成される。ビア導体７は、例えば、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成される。スルーホール導体１０ａも、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。スルーホール導体１０ａは、第１及び第２の内側導体層２１、２２と共に、且つ、一体的に形成されている。
【００２１】
各ビア導体７は、Ｚ方向においてコア層１０に向って縮径するテーパー形状を有している。また、図１の例では、スルーホール導体１０ａは、コア層１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれから、Ｚ方向におけるスルーホール導体１０ａの中央部に向って縮径しており、断面積が最小となるネック部をＺ方向における中央部に有している。なお、便宜上「縮径」と言う用語が用いられているが、ビア導体７及びスルーホール導体１０ａにおけるＺ方向と垂直な断面の形状は、円形又は楕円形に限定されない。
【００２２】
図１の例では、図１の左端部に示されているように、配線基板１はスタックビア導体７１を含んでいる。スタックビア導体７１は、各層間絶縁層６において平面視で互いに重なる位置にそれぞれ形成されるビア導体７の積層体によって構成されている。二つのスタックビア導体７１とスルーホール導体１０ａとによって、第１外側導体層４１及び第２外側導体層４２が、略最短経路で互いに電気的に接続されると共に、他の導体層と接続されている。
【００２３】
第１及び第２の内側導体層２１、２２、第１及び第２の中間導体層３１、３２、第１及び第２の外側導体層４１、４２、並びに内層導体層５０ａ〜５０ｆは、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウムなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。しかし、これら各導体層は、互いに異なる構造を有し得る。図２Ａ及び図２Ｂを参照して、各導体層の積層構造（第１及び第２の積層構造）が説明される。
【００２４】
図２Ａには、本実施形態において第１及び第２の内側導体層２１、２２と第１及び第２の外側導体層４１、４２との少なくとも一方が有する第１積層構造１１の一例が示されている。先に参照した図１の例では、第１内側導体層２１、第２内側導体層２２、第１外側導体層４１、及び第２外側導体層４２の全てが第１積層構造１１を有している。図２Ａに示されるように、第１積層構造１１は、所定の厚さＴ１を有する金属箔層１１ａと、めっき膜層１１ｃとを少なくとも含んでいる。図２Ａの第１積層構造１１は、さらに、中間金属層１１ｂを、金属箔層１１ａとめっき膜層１１ｃとの間に含んでいる。第１積層構造１１を有する各導体層は、例えば、サブトラクティブ法によってパターニングされる。
【００２５】
金属箔層１１ａは、例えば、銅又はニッケルなどを主材とする金属箔によって構成される。めっき膜層１１ｃは、例えば電解めっきによって形成されるめっき膜であり、その材料としては、銅又はニッケルなどが例示される。金属箔層１１ａの厚さＴ１としては、３μｍ以上、１５μｍ以下程度の厚さが例示されるが、厚さＴ１は、この例示に限定されない。中間金属層１１ｂは、めっき膜層１１ｃが電解めっきによって形成される際に、電極としても機能し得るシード層として用いられる。中間金属層１１ｂの材料としては、銅又はニッケルなどが例示される。中間金属層１１ｂは、例えば無電解めっき又はスパッタリングなどによって形成される。なお、第１積層構造１１を有する各導体層では、金属箔層１１ａが下側（コア層１０側）に向けられている。
【００２６】
図２Ｂには、第１中間導体層３１及び第２中間導体層３２が有する第２積層構造１２の一例が示されている。図２Ｂに示されるように、第２積層構造１２は、前述した第１積層構造１１の金属箔層１１ａが有する所定の厚さＴ１よりも薄い厚さＴ２を有する金属箔層１２ａとめっき膜層１２ｃとを少なくとも含んでいる。金属箔層１２ａの厚さＴ２としては、０．５μｍ以上、３μｍ以下程度の厚さが例示されるが、厚さＴ２は、この例示に限定されない。図２Ｂの第２積層構造１２は、さらに、中間金属層１２ｂを、金属箔層１２ａとめっき膜層１２ｃとの間に含んでいる。図２Ａの金属箔層１１ａよりも薄い金属箔層１２ａを含む第２積層構造１２を有する導体層には、第１積層構造１１を有する導体層よりもファインピッチで導体パターンが形成され得る。第２積層構造１２を有する導体パターンは、例えば、金属箔を用いるセミアディティブ法（所謂、ＭＳＡＰ法：Modified Semi Additive Process）によって形成され得る。
【００２７】
金属箔層１２ａは、第１積層構造１１の金属箔層１１ａと同様に、銅又はニッケルなどを主材とする金属箔によって構成される。中間金属層１２ｂは、第１積層構造１１の中間金属層１１ｂと同様に、例えば銅又はニッケルなどを用いて無電解めっき又はスパッタリングによって形成され、めっき膜層１２ｃの形成におけるシード層として機能し得る。そして、めっき膜層１２ｃは、例えば銅又はニッケルなどを用いて、好ましくは電解めっきによって形成される。第２積層構造１２を有する各導体層では、金属箔層１２ａが下側（コア層１０側）に向けられている。
【００２８】
前述したように、第１及び第２の外側導体層４１、４２などが有し得る第１積層構造１１の金属箔層１１ａの厚さＴ１は、第１及び第２の中間導体層３１、３２が有する第２積層構造１２の金属箔層１２ａの厚さＴ２よりも厚い。一方、図１に例示される各導体層それぞれの厚さとしては、これに限定される訳ではないが、１０μｍ以上、４０μｍ以下程度の互いに同程度の厚さが所望されることがある。従って、各導体層に所望される厚さの確保という観点では、第１積層構造１１に含まれるめっき膜層１１ｃの厚さは、第２積層構造１２に含まれるめっき膜層１２ｃの厚さよりも薄くてもよい。
【００２９】
図２Ａ及び図２Ｂを併せて参照すると、第１積層構造１１の金属箔層１１ａ側の表面１１２の凹凸は、第２積層構造１２の金属箔層１２ａ側の表面１２２の凹凸よりも大きく、表面１１２の面粗度は、表面１２２の面粗度よりも高い。従って、第１及び第２の内側導体層２１、２２、及び／又は、第１及び第２の外側導体層４１、４２におけるコア層１０（図１参照）側の表面の凹凸は、第１及び第２の中間導体層３１、３２におけるコア層１０側の表面の凹凸よりも大きい。
【００３０】
第１及び第２の外側導体層４１、４２と層間絶縁層６との界面には、前述した電子部品の実装に伴って、界面剥離を引き起こし得るストレスが生じ得る。図１の例のように第１及び第２の外側導体層４１、４２が第１積層構造１１を有する場合、第１及び第２の外側導体層４１、４２におけるコア層１０側の表面の凹凸が比較的大きいので、第１及び第２の外側導体層４１、４２と層間絶縁層６とが、所謂アンカー効果によって強固に密着し得る。従って界面剥離が生じ難いと考えられる。
【００３１】
さらに、第１積層構造１１における金属箔層１１ａの厚さＴ１は、金属箔層１２ａの厚さＴ２よりも厚いため、図１の例では、接続パッド４ａに供給されるハンダの接続パッド４ａ内への拡散が、第１又は第２の外側導体層４１、４２と層間絶縁層６との界面まで、比較的達し難いと考えられる。従って、この界面の密着強度の低下が生じ難いと推察される。
【００３２】
図３Ａ及び図３Ｂを参照して、第１及び第２の積層構造１１、１２を有する導体層に含まれている導体パターンの形状が説明される。図３Ａには、第１積層構造１１を有する導体層に含まれている導体パターン４１ａをＺ方向に沿って切断して得られる断面の一例が示されている。なお「第１積層構造１１を有する導体層に含まれている導体パターン」は、以下の説明において、単に「第１積層構造を有する導体パターン」とも称される。後述する「第２積層構造を有する導体パターン」も同様の趣旨で用いられる。
【００３３】
図３Ａにおいて、導体パターン４１ａの側面４１２は、導体パターン４１ａの内側に向って湾曲しており、導体パターン４１ａは側面４１２として凹面を有している。導体パターン４１ａの側面４１２は、めっき膜層１１ｃから中間金属層１１ｂを経て金属箔層１１ａに至るまで、全体的に内側に湾曲している。一方、図３Ａの導体パターン４１ａでは、上面（第１表面）４１１は、略傾斜することなく側面４１２に接している。すなわち、導体パターン４１ａの上面４１１は傾斜する部分を有していないか、僅かに傾いているに過ぎない。
【００３４】
図３Ｂには、第２積層構造１２を有する導体パターンの一例として、図１のIIIＢ部に設けられている導体パターン３１ａの拡大図が示されている。本実施形態において、図３Ｂに示される導体パターン３１ａのように第２積層構造１２を有する導体パターンは、縁部において傾斜する上面（コア層と反対側の表面）３１１を有している。すなわち、上面３１１は、側面３１２と接する縁部において金属箔層１２ａ側に傾斜する傾斜部３１３を有している。上面３１１は、傾斜部３１３において、側面３１２に近付くほど金属箔層１２ａに近付くように、すなわち、配線基板１上ではコア層１０に近付くように、コア層１０側に傾いている。
【００３５】
図３Ｂに示される例では、導体パターン３１ａは、傾斜部３１３において丸み付けされており、上面３１１と側面３１２とによる角部（肩部）にコーナーアールを有している。すなわち、導体パターン３１ａは、上面３１１と側面３１２との間において丸みを帯びており、上面３１１と側面３１２との間に曲面を有している。上面３１１は、傾斜部３１３を経て、稜角を形成することなく側面３１２に接している。導体パターン３１ａの肩部が尖っていないので、導体パターン３１ａと、上方において隣接する導体層の導体パターン、及び、Ｚ方向と直交する方向において隣接する同一層の導体パターンとの間で、短絡不良が生じ難いと推察される。配線基板１の品質の向上に寄与し得ると考えられる。
【００３６】
図３Ａ及び図３Ｂを併せて参照すると、第２積層構造１２を有する導体パターン３１ａの傾斜部３１３は、導体パターン４１ａの上面４１１の略傾いていない縁部の傾斜よりも大きくコア層１０側に傾いている。そのため、第２積層構造１２を有する導体パターン３１ａでは、前述したように上方において隣接する導体パターンとの間で短絡不良が生じ難い。配線基板１では、内層に形成される第１中間導体層３１などの導体層が、第２積層構造１２を有し得る。従って、導体パターン３１ａのように、第２積層構造１２を有する導体パターンが傾斜部３１３を有することは、配線基板１の品質向上に特に寄与し得ると考えられる。
【００３７】
図４Ａ及び図４Ｂを参照して、第２積層構造１２を有する導体パターンの他の例が説明される。図４Ａ及び図４Ｂには、第２積層構造１２を有する導体パターンの他の例である導体パターン３１ｂ及び導体パターン３１ｃそれぞれをＺ方向に沿って切断して得られる断面が示されている。
【００３８】
図４Ａに示されるように、導体パターン３１ｂは、図３Ｂに示される曲線状（曲面状）の傾斜部ではなく、図４Ａに示される断面において直線状（全体として平坦面状）の傾斜部３１３ａを有している。すなわち、導体パターン３１ｂは、上面３１１と側面３１２とによる角部（肩部）においてＣ面取り加工されたような形状を有している。図４Ａに示される傾斜部３１３ａも、図３Ａに示される導体パターン４１ａの上面４１１の縁部の傾斜よりも大きくコア層１０側に傾いている。従って、短絡不良が生じ難い。第２積層構造１２を有する導体パターンは、図４Ａに示されるように、Ｃ面取りされたような形状の傾斜部３１３ａを有していてもよい。
【００３９】
一方、図４Ｂに例示される導体パターン３１ｃにおいて、上面３１１は、平坦な部分を略有さず、略傾斜部３１３だけで構成されている。図４Ｂの例の傾斜部３１３は、図３Ｂの例と同様に、Ｒ面取りされたような曲線状（曲面状）の形状を有している。従って、図４Ｂにおいて、上面３１１は、金属箔層１２ａ側と反対側（コア層と反対側）に向って、全体的に湾曲している。第２積層構造１２を有する導体パターンは、図４Ｂに示される導体パターン３１ｃのように、全体的に上方に湾曲する上面３１１を有していてもよい。
【００４０】
なお、実施形態の配線基板では、内層導体層５０のそれぞれは、第１積層構造１１及び第２積層構造１２のいずれを有していてもよい。先に参照した図１の例では、内層導体層５０ａ、５０ｂ、５０ｄ、５０ｅは第２積層構造１２を有し、内層導体層５０ｃ及び内層導体層５０ｆは第１積層構造１１を有している。
【００４１】
また、実施形態の配線基板では、図１の配線基板１と異なり、全ての内層導体層が互いに同じ構造を有していてもよい。すなわち、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に形成されている、第１中間導体層３１を除く全ての導体層、及び、第２内側導体層２２と第２外側導体層４２との間に形成されている、第２中間導体層３２を除く全ての導体層が、互いに同じ構造を有していてもよい。図５及び図６には、そのような内層導体層５０ａ〜５０ｆを含む、一実施形態の配線基板の他の例（配線基板１ａ、１ｂ）が示されている。
【００４２】
図５に示される配線基板１ａでは、図１の配線基板１において第２積層構造を有している内層導体層５０ａ、５０ｂ、５０ｄ、５０ｅを含む全ての内層導体層５０ａ〜５０ｆが、第１及び第２の外側導体層４１、４２と同じ第１積層構造を有している。
【００４３】
図６に示される配線基板１ｂでは、図１の配線基板１において第１積層構造を有している内層導体層５０ｃ、５０ｆを含む全ての内層導体層５０ａ〜５０ｆが、第１及び第２の中間導体層３１、３２と同じ第２積層構造を有している。従って、図６の配線基板１ｂでは、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間、及び、第２内側導体層２２と第２外側導体層４２との間に形成されている全ての導体層は第２積層構造を有している。図５及び図６にそれぞれ示される配線基板１ａ、１ｂにおける内層導体層５０ａ〜５０ｆ以外の構成は、図１の配線基板１と同様であるため、図１の配線基板１と同様の構成要素には、図１と同じ符号が付され、再度の説明は省略される。
【００４４】
なお、本実施形態の配線基板に含まれる内層導体層は、第１及び第２の積層構造のいずれでもない構造を有していてもよい。例えば、図１の内層導体層５０ａ〜５０ｆのそれぞれは、図示されていないが、金属箔層を含まずに、単層又は複数層のめっき膜及び／又はスパッタリング膜からなる積層構造（第３積層構造）を有していてもよい。図示されない第３積層構造は、例えば、中間金属層１２ｂ（図２Ｂ参照）と同様の材料及び製法を用いて形成され得る下地層、並びに、めっき膜層１２ｃ（図２Ｂ参照）と同様の材料及び製法を用いて形成され得るめっき膜層を含み得る。金属箔層を含まない第３積層構造を有する導体層には、第１又は第２の積層構造を有する導体層よりもファインピッチで導体パターンを形成することができる。
【００４５】
図７には、本実施形態の配線基板のさらに他の例である配線基板１ｃの断面図が示されている。配線基板１ｃは、図１に示されるスルーホール導体１０ａの代わりに、一方向だけに向って縮径しながらコア層１０を貫通するビア導体１０ｂを備えている。すなわち、ビア導体１０ｂは、図１に例示されるスルーホール導体１０ａが有するネック部を有さない。図７の例のビア導体１０ｂは、コア層１０の第１面１０Ｆ側から第２面１０Ｓ側に向って縮径している。また、図７の例のビア導体１０ｂは、第１内側導体層２１とだけ一体的に形成されている。すなわち、ビア導体１０ｂは、ビア導体７と同様の有底のビア導体である。実施形態の配線基板は、図７の配線基板１ｃのように、コア基板１０に有底のビア導体１０ｂを含んでいてもよい。図７の配線基板１ｃは、一方向だけに向って縮径するビア導体１０ｂがコア層１０に形成されていることを除いて、図１の例の配線基板１と同様の構成要素を備えている。同様の構成要素に関する説明は省略される。
【００４６】
図１に示される配線基板１の製造方法の一例が、図８Ａ〜図８Ｃを参照して説明される。
【００４７】
図８Ａに示されるように、コア基板１０Ｐが形成される。例えば、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂及び補強材１０ｃによって構成されるコア層１０、並びにコア層１０の両面に設けられた金属箔を有する積層板（例えば両面銅張積層板）が用意される。そして、例えばサブトラクティブ法によって、第１内側導体層２１、第２内側導体層２２、及び、スルーホール導体１０ａが形成されると共に、第１及び第２の内側導体層２１、２２が、所望の導体パターンを有するようにパターニングされる。
【００４８】
図１の例の配線基板１の製造において、第１及び第２の内側導体層２１、２２は、第１積層構造１１を有するように形成される。すなわち、コア層１０の両面に設けられている金属箔それぞれが金属箔層１１ａを構成し、スルーホール導体１０ａの形成のために無電解めっきなどによって形成されるシード層が中間金属層１１ｂを構成する。そして、シード層上に形成される電解めっき膜がめっき膜層１１ｃを構成する。
【００４９】
サブトラクティブ法で第１及び第２の内側導体層２１、２２が形成される場合、めっき膜層１１ｃの表面は、第１及び第２の内側導体層２１、２２のパターニング時にはエッチングマスクに覆われる。そのため、めっき膜層１１ｃの表面１１１はエッチング液に晒されない。
【００５０】
図８Ｂに示されるように、コア層１０の両面上に、層間絶縁層６と各導体層とが交互に形成されると共に、各層間絶縁層６にビア導体７が形成される。図８Ｂは、第１及び第２の中間導体層３１、３２の形成までが終了した状態の一例を示している。
【００５１】
第１及び第２の中間導体層３１、３２は、第２積層構造を有するように形成される。図１の例の配線基板１の製造では、内層導体層５０ａ、５０ｄも、第２積層構造を有するように形成される。第２積層構造を有する各導体層の形成方法としては、金属箔を用いるセミアディティブ法が例示される。すなわち、既に形成されている導体層の上に、例えばシート状のプリプレグ、及び第２積層構造の金属箔層となるべき金属箔が順に積層されて熱圧着され、層間絶縁層６が形成される。この金属箔には、図１の配線基板１において第１積層構造を有する第１及び第２の内側導体層２１、２２の形成に用いられる金属箔よりも薄い金属箔が用いられる。
【００５２】
炭酸ガスレーザー光の照射などによって、金属箔及び層間絶縁層６を貫通するように孔７ｂが形成される。孔７ｂの内壁及び金属箔上に、電解めっき又はスパッタリングなどによって、第２積層構造の中間金属層となるシード層が形成される。そしてシード層上に、適切な位置に開口を有するめっきレジスト（図示せず）が設けられ、シード層を電極として用いる電解めっきによって第２積層構造を有する導体層それぞれの導体パターン、及びビア導体７が形成される。電解めっきによって形成されるめっき膜が、第２積層構造のめっき膜層１２ｃを構成する。図示されないめっきレジストが除去され、さらに、金属箔及びシード層の不要部分がエッチングなどで除去される。
【００５３】
このエッチングは、めっき膜層１２ｃの上面と側面とによる角部を除去すべく、めっき膜層１２ｃを被覆せずに、めっき膜層１２ｃをエッチング液に晒すように行われる。すなわち、第２積層構造を有する導体パターンの上面の縁部に前述した傾斜部を形成すべく、めっき膜層１２ｃにエッチングが施される。
【００５４】
図８Ｃに示されるように、さらに、コア層１０の第１面１０Ｆ側に、内層導体層５０ｂ、５０ｃ及び第１外側導体層４１並びに層間絶縁層６が形成され、第２面１０Ｓ側に、内層導体層５０ｅ、５０ｆ及び第２外側導体層４２並びに層間絶縁層６が形成される。層間絶縁層６は、図８Ｂを参照して前述したように、例えばシート状のプリプレグなどを熱圧着することによって形成される。内層導体層５０ｂ、５０ｅは、前述した第１及び第２の中間導体層３１、３２と同様の方法で形成され得る。内層導体層５０ｃ、５０ｆの形成方法は特に限定されないが、図８Ｃの例では、金属箔を用いるサブトラクティブ法で形成されている。
【００５５】
図１の例の配線基板１の製造において、第１及び第２の外側導体層４１、４２は、第１積層構造１１を有するように形成される。その形成方法としては、金属箔を用いるサブトラクティブ法が例示される。すなわち、既に形成されている内層導体層５０ｃ、５０ｆそれぞれの上に、層間絶縁層６となる樹脂シート（プリプレグ）などと共に、第１積層構造１１の金属箔層１１ａとなるべき金属箔が積層される。この金属箔には、第２積層構造を有する第１及び第２の中間導体層３１、３２の形成に用いられる金属箔よりも厚い金属箔が用いられる。
【００５６】
金属箔層１１ａ及び金属箔層１１ａの下の層間絶縁層６には、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって孔７ｂが形成される。続いて、孔７ｂ内及び金属箔層１１ａの表面全面に、第１積層構造１１の中間金属層１１ｂとなるシード層が無電解めっきなどによって形成される。さらに、シード層を電極として用いる電解めっきによって、第１積層構造１１のめっき膜層１１ｃとなるめっき膜がシード層上の全面に形成される。その結果、第１積層構造１１を有する第１及び第２の外側導体層４１、４２が形成されると共に、孔７ｂ内にビア導体７が形成される。その後、サブトラクティブ法によって第１及び第２の外側導体層４１、４２がパターニングされる。第１及び第２の外側導体層４１、４２の形成においても、第１積層構造１１のめっき膜層１１ｃはエッチング液に晒されない。
【００５７】
その後、第１外側導体層４１上にソルダーレジスト層８１が形成され、第２外側導体層４２上にソルダーレジスト層８２が形成される。ソルダーレジスト層８１、８２は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切なパターンを有するマスクを用いた露光、及び現像とによって形成される。以上の工程を経ることによって、図１の例の配線基板１が完成する。なお、ソルダーレジスト層８１、８２の開口に露出する接続パッド４ａには、必要に応じて、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、ハンダ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。
【００５８】
なお、図８Ａに示される工程において、コア層１０の両面から例えばレーザー光を照射することによって孔１０ｄが形成されると、図８Ａに示される形状のスルーホール導体１０ａが形成され得る。また、コア層１０の一方の面、例えば第１面１０Ｆ側だけからレーザー光を照射することによって有底の穴が形成されると、図７に例示されるビア導体１０ｂが形成される。
【００５９】
なお、第１積層構造１１を有する導体層は、金属箔層とめっき膜層とを含んでさえいればよく、その形成方法は、サブトラクティブ法に限定されない。また、第２積層構造１２を有する導体層は、第１積層構造１１に含まれる金属箔層よりも薄い金属箔層と、めっき膜層とを含んでさえいればよく、その形成方法は、セミアディティブ法に限定されない。
【００６０】
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、スルーホール導体１０ａ及び、スタックビア導体７１は必ずしも設けられていなくてもよい。また、ビア導体７は、コア層１０側に向って縮径する形状を有していなくてもよい。また、ソルダーレジスト層８１、８２は必ずしも設けられなくてもよい。
【符号の説明】
【００６１】
１、１ａ〜１ｃ  配線基板
１０      コア層
１０Ｆ    第１面
１０Ｓ    第２面
１０ａ    スルーホール導体
１１      第１積層構造
１１ａ    金属箔層
１１ｃ    めっき膜層
１２    第２積層構造
１２ａ  金属箔層
１２ｃ  めっき膜層
２１    第１内側導体層
２２    第２内側導体層
３１    第１中間導体層
３１ａ〜３１ｃ  導体パターン
３１１  上面
３１３、３１３ａ  傾斜部
３２    第２中間導体層
４１    第１外側導体層
４１ａ  導体パターン
４１１  上面（第１表面）
４２    第２外側導体層
５０ａ〜５０ｆ  内層導体層
６      層間絶縁層
７      ビア導体
Ｔ１    第１積層構造の金属箔層の厚さ
Ｔ２    第２積層構造の金属箔層の厚さ
【図１】
2020161728.tif 000003
【図２Ａ】
2020161728.tif 000004
【図２Ｂ】
2020161728.tif 000005
【図３Ａ】
2020161728.tif 000006
【図３Ｂ】
2020161728.tif 000007
【図４Ａ】
2020161728.tif 000008
【図４Ｂ】
2020161728.tif 000009
【図５】
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【図６】
2020161728.tif 000011
【図７】
2020161728.tif 000012
【図８Ａ】
2020161728.tif 000013
【図８Ｂ】
2020161728.tif 000014
【図８Ｃ】
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