(57)【要約】【課題】パワー半導体装置の製造過程で絶縁基板との積層構造部分に熱反りが発生し、積層構造部分に剥離等が生じて信頼性が低下する虞がある。【解決手段】第１パワー半導体素子１ａの配置は第１導体３及び第２導体４の配列の中央部であり、ダミーチップ２０の配置は配列の両端側である。本実施形態のようにダミーチップ２０を配置した場合は、ダミーチップ２０が接続材２ａを介して第２導体４に接続され、接続材２ｂを介して第１導体３に接続されることにより、絶縁基板に導体のみが接続される長さが減少するため、熱反りを抑制することができる。これにより、接続材２ｂ等に発生する応力が低減され、クラックを防止できる。したがって積層部の剥離等を防止することができ、信頼性の高いパワー半導体装置１００が実現できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導体と、
前記第１導体の同一面に並べて配置され、前記第１導体と接続される半導体素子及び複数のダミーチップと、
前記半導体素子及び前記複数のダミーチップを挟んで前記第１導体と対向して配置され、前記半導体素子及び前記複数のダミーチップと接続される第２導体と、
前記半導体素子及び前記複数のダミーチップが配置された前記第１導体の面と反対側の面に接続される第１絶縁基板と、
前記半導体素子及び前記複数のダミーチップが配置された前記第２導体の面と反対側の面に接続される第２絶縁基板と、を備え、
前記ダミーチップは、前記第１導体と前記第２導体との間に挟まる厚さが前記半導体素子と同じ厚さであり半導体素子として機能しないパワー半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載のパワー半導体装置であって、
前記第１絶縁基板および前記第２絶縁基板はセラミック材料を含む基板であるパワー半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のパワー半導体装置であって、
前記第１導体の同一面に、複数の前記半導体素子および複数の前記ダミーチップが混在して配置されるパワー半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載のパワー半導体装置であって、
前記第１導体の同一面に並べて配置される前記半導体素子は配列の中央部に配置され、前記ダミーチップは、前記配列の両端側に配置されるパワー半導体装置。
【請求項５】
請求項３に記載のパワー半導体装置であって、
前記第１導体の同一面に並べて配置される前記ダミーチップは、前記半導体素子に挟まれて配置されるパワー半導体装置。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載のパワー半導体装置であって、
前記ダミーチップは、前記半導体素子と同一部材であり、電気的に接続されていないパワー半導体装置。
【請求項７】
請求項１または請求項２に記載のパワー半導体装置であって、
前記ダミーチップは、半導体材料もしくは絶縁材料であって、前記第１導体および前記第２導体と接する面に金属膜が形成されたパワー半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワー半導体装置は、車両駆動用のモータを制御する電力変換装置に適用されている。また、車両駆動用のみならず、鉄道、エレベータ、産業機器、航空機等のモータを制御する電力変換装置にも適用されている。
【０００３】
例えば、ハイブリッド自動車や電気自動車向けの電力変換装置では、充電時間を短縮する目的で動作電圧の高いパワー半導体装置が望まれている。動作電圧の高いパワー半導体装置では絶縁基板として絶縁耐圧の高いセラミック材料を使用する場合がある。一方で、小型化や、冷却性能の要求により両面直接冷却方式のパワー半導体装置が知られている。特許文献1には、電力変換装置の上下アームを構成する複数の半導体素子を両面から冷却するパワー半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２５７３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
パワー半導体装置の製造過程で絶縁基板との積層構造部分に熱反りが発生し、積層構造部分に剥離等が生じて信頼性が低下する虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によるパワー半導体装置は、第１導体と、前記第１導体の同一面に並べて配置され、前記第１導体と接続される半導体素子及び複数のダミーチップと、前記半導体素子及び前記複数のダミーチップを挟んで前記第１導体と対向して配置され、前記半導体素子及び前記複数のダミーチップと接続される第２導体と、前記半導体素子及び前記複数のダミーチップが配置された前記第１導体の面と反対側の面に接続される第１絶縁基板と、前記半導体素子及び前記複数のダミーチップが配置された前記第２導体の面と反対側の面に接続される第２絶縁基板と、を備え、前記ダミーチップは、前記第１導体と前記第２導体との間に挟まる厚さが前記半導体素子と同じ厚さであり半導体素子として機能しない。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、絶縁基板との積層構造部分の剥離等を防止して信頼性の高いパワー半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係るパワー半導体装置の断面図である。
【図２】第１の実施形態に係るパワー半導体装置の展開斜視図である。
【図３】第１の実施形態に係るパワー半導体装置の外観図である。
【図４】第１の実施形態に係る第２導体上の部品等を示す上面図である。
【図５】パワー半導体装置の製造工程を示す図である。
【図６】パワー半導体装置の製造工程を示す図である。
【図７】パワー半導体装置の製造工程を示す図である。
【図８】パワー半導体装置の製造工程を示す図である。
【図９】本実施形態との比較のための断面図である。
【図１０】第２の実施形態に係るパワー半導体装置の断面図である。
【図１１】第２の実施形態に係る第２導体上の部品等を示す上面図である。
【図１２】他の形態に係るパワー半導体装置の断面図である。
【図１３】他の形態に係るパワー半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［第１の実施形態]
第１の実施形態に係るパワー半導体装置１００について、図１〜図９を参照して説明する。図１は、パワー半導体装置１００の断面図である。図２は、パワー半導体装置１００の展開斜視図である。図３は、パワー半導体装置１００の外観図である。なお、図１は、図２、図３に示すＡ−Ａ’における断面図を示している。
【００１０】
図１に示すように、本実施形態のパワー半導体装置１００は、中央部に３個の第１パワー半導体素子１ａが並べて配置され、中央部から離れた両端側の位置に第１パワー半導体素子１ａと並べてダミーチップ２０が２個配置される。複数の第１パワー半導体素子１ａおよびダミーチップ２０は、それぞれの電極面に対向して配置される第１導体３と第２導体４とによって挟まれる。ダミーチップ２０は、第１導体３と第２導体４との間に挟まる厚さが第１パワー半導体素子１ａと同じ厚さであり、半導体素子として機能しない材料である。第１パワー半導体素子１ａおよびダミーチップ２０は、第１導体３及び第２導体４とそれぞれ接続材２ｂ、２ａによって接合されている。ダミーチップ２０は、第１パワー半導体素子１ａが接続されている第２導体４の面４ｂと同じ面に接続されている。第１導体３、第２導体４は、例えば、銅、銅合金、あるいはアルミニウム、アルミニウム合金などにより形成されており、接続材２ｂ、２ａははんだ材、焼結材などにより形成されている。
【００１１】
ダミーチップ２０は、第１パワー半導体素子１ａと同じ部品を使用してもよい。この場合は、配線１２（図４参照）は接続されていないため、ダミーチップ２０に電流が流れることはない。ダミーチップ２０として第１パワー半導体素子１ａと同じ部品を使用することにより、部品の種類の増加がなく、コストの増加を抑制することができる。また、ダミーチップ２０は半導体材料であって第１導体３および第２導体４と接する両面に金属膜が形成されたものでもよい。また、ダミーチップは絶縁材料であって第１導体３および第２導体４と接する両面に金属膜が形成されたものでもよい。ダミーチップ２０の厚さが第１パワー半導体素子１ａと同じ厚さであれば、接続材２ｂで接続する工程で、はんだ厚の制御が容易になる。
【００１２】
第２絶縁基板５０は、絶縁部材５０ａ、第１導体層５０ｂ及び第２導体層５０ｃから構成されている。第１導体３のパワー半導体素子１ａとダミーチップ２０と接続する面と反対の面は、接続材６を介して第１導体層５０ｂと接続されている。絶縁部材５０ａの一面に第１導体層５０ｂが配置され、他面に第２導体層５０ｃが配置される。第２導体層５０ｃは、接続材７を介して放熱部材８と接続されている。放熱部材８の表面には放熱フィン９が形成される。
【００１３】
第１絶縁基板５は、絶縁部材５ａ、第１導体層５ｂ及び第２導体層５ｃから構成されている。第２導体４の第１パワー半導体素子１ａとダミーチップ２０と接続する面と反対の面は、接続材６を介して第１導体層５ｂと接続されている。第１絶縁基板５は、絶縁部材５ａの一面に第１導体層５ｂが配置され、他面に第２導体層５ｃが配置されている。第２導体層５ｃは、接続材７を介して放熱部材８と接続されている。放熱部材８の表面には放熱フィン９が形成されている。
【００１４】
図２に示すように、第１パワー半導体素子１ａと第２パワー半導体素子１ｂは、それぞれ１列に３個設けられ、さらに２列並列に設けられている。第１パワー半導体素子１ａの列と第２パワー半導体素子１ｂの列の両端にはダミーチップ２０が配置される。２列並列に設けられた第１パワー半導体素子１ａと第２パワー半導体素子１ｂに対応して、第１導体３、第２導体４、配線基板１１がそれぞれ２個設けられる。図２に示す端子１４は、第１絶縁基板５の第１導体層５ｂ、および第２絶縁基板５０の第１導体層５０ｂに接続される。
【００１５】
第２導体４上の第１パワー半導体素子１ａと第２パワー半導体素子１ｂの間には、配線基板１１が第２導体４上に設けられている。配線基板１１は、例えばガラスエポキシ樹脂上にパターン配線が設けられている。配線基板１１のパターン配線は、第１パワー半導体素子１ａおよび第２パワー半導体素子１ｂと電気的に接続されている。
【００１６】
第１絶縁基板５の絶縁部材５ａおよび第２絶縁基板５０の絶縁部材５０ａは、第１パワー半導体素子１ａと第２パワー半導体素子１ｂから発生する熱を放熱部材８に熱伝導するものであり、熱伝導率が高く、かつ、絶縁耐圧が大きいセラミック材料を用いる。例えば、酸化アルミニウム（アルミナ）、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等のセラミック材料を用いる。接続材６および接続材７は、はんだ材や焼結材などから形成されている。放熱部材８および放熱フィン９は、電気伝導性を有する部材、例えばＣｕ、Ｃｕ合金、Ｃｕ−Ｃ、Ｃｕ−ＣｕＯなどの複合材、あるいはＡｌ、Ａｌ合金、ＡｌＳｉＣ、Ａｌ−Ｃなどの複合材などから形成されている。
【００１７】
図３は、パワー半導体装置１００の外観図である。図３に示すように、放熱フィン９が形成されている放熱面８ａ及び端子１４以外は、封止樹脂１０で封止されている。
【００１８】
図４は、第２導体４と第２導体４上の部品等を示す上面図である。すなわち、第２導体４を取り出し、第２絶縁基板５０との接続面側からみた上面図である。図４に示すように、第１パワー半導体素子１ａおよび第２パワー半導体素子１ｂが並列に配列され、その配列方向の両端にはダミーチップ２０が配置される。配列された第１パワー半導体素子１ａと第２パワー半導体素子１ｂとの間には配線基板１１が配置される。すなわち、配線基板１１を挟むように第１パワー半導体素子１ａと第２パワー半導体素子１ｂが配列されている。第１パワー半導体素子１ａと第２パワー半導体素子１ｂは、配線基板１１の配線パターンと配線１２により電気的に接続されている。配線１２は例えばアルミワイヤや銅ワイヤなどを用いることができる。一方、ダミーチップ２０は、配線基板１１と電気的に接続されていない。
【００１９】
図５〜図８は、パワー半導体装置１００の製造工程を示す図である。
まず、図５に示すように、第１パワー半導体素子１ａおよびダミーチップ２０が第２導体４に接続材２ａを介して接続される。ダミーチップ２０が、第１パワー半導体素子１ａと比較して第２導体４の中央から遠い位置、すなわち両端側に設けられている。第１パワー半導体素子１ａは、配線基板１１のパターン配線と配線１２により電気的に接続される（図４参照）。一方、ダミーチップ２０は、配線基板１１のパターン配線とは電気的に接続されない。
【００２０】
第２導体４は、例えば、銅、銅合金、あるいはアルミニウム、アルミニウム合金などにより形成される。接続材２ａは、はんだ材または焼結材などにより形成される。
【００２１】
次に、図６に示すように、第１パワー半導体素子１ａとダミーチップ２０の第２導体４が接続されている面と反対の面に、接続材２ｂを介して第１導体３を接続する。第１導体３は、例えば、銅、銅合金、あるいはアルミニウム、アルミニウム合金などにより形成される。接続材２ｂは、はんだ材または焼結材などにより形成される。
【００２２】
次に、図７に示すように、第１導体３及び第２導体４が、接続材６を介してそれぞれ第２絶縁基板５０の第１導体層５０ｂ、第１絶縁基板５の第１導体層５ｂに接続される。第１絶縁基板５は、絶縁部材５ａの一面に第１導体層５ｂが配置され、他面に第２導体層５ｃが配置される。なお、第２絶縁基板５０と第１絶縁基板５を同時に、第１導体３および第２導体４に接続してもよい。同時に接続することで、対称性を保つことができ、組立時の反り変形を抑制することができる。
【００２３】
次に、図８に示すように、放熱部材８は、第２絶縁基板５０および第１絶縁基板５に接続材７を介して接続される。このとき、両面の放熱部材８を同時に接続してもよい。同時に接続することにより、組立時の反り変形を抑制することができる。放熱部材８の表面には放熱フィン９が形成されている。そして最後に、図１に示すように、放熱部材８の放熱フィンが形成されている放熱面８ａ以外は、封止樹脂１０で封止される。
【００２４】
なお、放熱部材８の放熱フィン９の形状をピンフィンとしたが、他の形状、例えばストレートフィンやコルゲートフィンであっても良い。また、本実施形態では、封止樹脂１０が放熱部材８を含み、放熱面８ａ以外が封止された例を示したが、第１絶縁基板５までが樹脂封止された構造であってもよい。この場合、第２絶縁基板５０の第２導体層５０ｃと放熱部材８とが接続され、第１絶縁基板５の第２導体層５ｃと放熱部材８とが接続されていれば、同様の効果が得られる。
【００２５】
一般に、ＳｉＣチップのようにチップサイズの小さいパワー半導体素子を複数並列駆動させるパワー半導体装置の場合、第１パワー半導体素子１ａと第１導体３とを接続する接続材２ｂの接続面積が小さくなる。図９は、図７に示すダミーチップ２０を取り除いたもので、本実施形態との比較のための断面図である。すなわち、図９は、第１導体３及び第２導体４の第１パワー半導体素子１ａが接続されている面とは反対の面に、第２絶縁基板５０および第１絶縁基板５を接続する工程を示す。図９に示すように、接続面積の小さい接続材２ｂの応力が増加し、クラックが発生することが懸念される。これは、高温で第２絶縁基板５０および第１絶縁基板５を接続し、室温まで冷却する過程で、第２絶縁基板５０および第１絶縁基板５と第１導体３及び第２導体４の線膨張係数の差による反り変形（熱反り）が発生するためである。この熱反りにより発生する接続材２ｂの応力は、第２絶縁基板５０に第１導体３のみが接続される長さＬ３、および第１絶縁基板５に第２導体４のみが接続される長さＬ４が長いほど大きくなる。
【００２６】
しかし、本実施形態では、第１パワー半導体素子１ａの配置は第１導体３及び第２導体４の配列の中央部であり、ダミーチップ２０の配置は配列の両端側である。本実施形態のようにダミーチップ２０を配置した場合は、ダミーチップ２０が接続材２ａを介して第２導体４に接続され、接続材２ｂを介して第１導体３に接続されることにより、絶縁基板５、５０に導体のみが接続される長さが減少するため、熱反りを抑制することができる。これにより、接続材２ｂ等に発生する応力が低減される。したがって積層部の剥離等を防止することができ、信頼性の高いパワー半導体装置１００が実現できる。
【００２７】
さらに、パワー半導体装置１００を車両等に設置して使用した場合、パワー半導体装置１００は、動作および停止を繰り返し、その結果、発熱と冷却を繰り返す。パワー半導体装置１００は、絶縁基板５、５０と導体の積層部に繰り返し大きな歪み加わるため、積層部の剥離等が懸念される。積層部の歪みは、特に第２導体４の端部Ａ（図９参照）で大きくなる。本実施形態では、第２導体４の端部Ａでの接続材４ａのひずみを低減するために、発熱する第１パワー半導体素子１ａを第２導体４の端部Ａから遠ざけるように配置する。すなわち第１パワー半導体素子１ａは第２導体４の中央に寄せて配置する。第１パワー半導体素子１ａがオンオフを繰り返す際の温度は第１パワー半導体素子１ａが配置されている部分が最も高く、第１パワー半導体素子１ａから遠ざかるほど温度は低くなる。したがって、第１パワー半導体素子１ａを第２導体４の端部Ａから遠ざけるほど、第２導体４の端部Ａの温度は低くなり、第１パワー半導体素子１ａのオンオフにより繰り返し発生する温度変化は小さくなる。このため、繰り返し発生する応力が減少し、疲労寿命が向上する。これにより信頼性の高いパワー半導体装置１００が実現できる。
【００２８】
本実施形態においては、図１、図２に示したように、第１パワー半導体素子１ａを３個、第２パワー半導体素子１ｂを３個配列した例で説明したが、第１パワー半導体素子１ａ、第２パワー半導体素子１ｂはそれぞれ１個以上あればよい。
【００２９】
［第２の実施形態]
第２の実施形態について、図１０、図１１を参照して説明する。図１０は、本実施形態に係るパワー半導体装置１００の断面図である。図１１は、本実施形態に係る第２導体４上の部品等を示す上面図である。すなわち、図１１は、第２導体４を取り出し、第２絶縁基板５０との接続面側からみた上面図である。
【００３０】
図１０に示すように、本実施形態では、第１パワー半導体素子１ａが３個配列され、各第１パワー半導体素子１ａの間にはダミーチップ２０がそれぞれ１個配置されている。換言すれば、ダミーチップ２０は、第１パワー半導体素子１ａに挟まれて配置されている。その他の構成は第１の実施形態と同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３１】
図１１に示すように、第１パワー半導体素子１ａおよび第２パワー半導体素子１ｂが並列に配列され、その配列方向に沿って第１パワー半導体素子１ａとダミーチップ２０が、また、第２パワー半導体素子１ｂとダミーチップ２０が交互に配置されている。配列された第１パワー半導体素子１ａと第２パワー半導体素子１ｂとの間には配線基板１１が配置される。すなわち、配線基板１１を挟むように第１パワー半導体素子１ａと第２パワー半導体素子１ｂが配列されている。第１パワー半導体素子１ａと第２パワー半導体素子１ｂは、配線基板１１の配線パターンと配線１２により電気的に接続されている。配線１２は例えばアルミワイヤや銅ワイヤなどを用いることができる。一方、ダミーチップ２０は、配線基板１１と電気的に接続されていない。
【００３２】
図１０、図１１に示すように第１パワー半導体素子１ａと第２パワー半導体素子１ｂを配置した場合、第１パワー半導体素子１ａ同士および第２パワー半導体素子１ｂ同士の間隔が長くなる。一般に、本実施形態を適用しない場合は、パワー半導体装置１００の製造工程において、第１導体３と第２導体４の第１パワー半導体素子１ａが接続される面と反対の面に、第１絶縁基板５および第２絶縁基板５０を接続する工程で、絶縁基板と導体の積層構造の部分で熱反りが発生する。このため、接続材２ｂにクラックが発生する懸念がある。これに対して、本実施形態を適用した場合は、第１パワー半導体素子１ａ同士の間にダミーチップ２０を設け、ダミーチップ２０の両面で第１導体３と第２導体４を接続することにより、熱反りを抑制でき、接合材２ｂのクラックを防止できる。これにより信頼性の高いパワー半導体装置１００が実現できる。
【００３３】
さらに、パワー半導体装置１００を車両等に設置して使用した場合に、パワー半導体装置１００は、動作および停止を繰り返し、その結果、発熱と冷却を繰り返す。本実施形態を適用した場合は、第１パワー半導体素子１ａ素子を駆動して発熱した際に、隣のパワー半導体素子同士の熱の干渉が小さくなり、熱抵抗を低減できる効果が得られる。
【００３４】
上述した第１の実施形態〜第２の実施形態では、封止樹脂が放熱部材８を含み、放熱面８ａ以外が封止された例を示した。しかし、例えば、図１２に示すように、絶縁基板５、５０までが封止された構造であってもよい。絶縁基板５、５０の第２の導体層５ｃ、５０ｃと放熱部材８とが接続されていれば、上述した第１の実施形態〜第２の実施形態で述べたと同様の効果が得られる。その他の構成は、図１、図１０と同様であるので、同一箇所には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３５】
また、上述した第１の実施形態〜第２の実施形態では、絶縁基板５、５０の第２の導体層５ｃ、５０ｃ全面に放熱部材８を接続した場合について説明した。しかし、例えば、図１３に示すように、第２の導体層５ｃ、５０ｃに放熱フィン９を直接設けた構造であってもよい。その他の構成は、図１、図１０と同様であるので、同一箇所には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３６】
以上説明した実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）パワー半導体装置１００は、第１導体３と、第１導体３の同一面に並べて配置され、第１導体３と接続される半導体素子（第１パワー半導体素子１ａ、第２パワー半導体素子２ａ）及び複数のダミーチップ２０と、半導体素子（第１パワー半導体素子１ａ、第２パワー半導体素子２ａ）及び複数のダミーチップ２０を挟んで第１導体３と対向して配置され、半導体素子（第１パワー半導体素子１ａ、第２パワー半導体素子２ａ）及び複数のダミーチップ２０と接続される第２導体４と、半導体素子（第１パワー半導体素子１ａ、第２パワー半導体素子２ａ）及び複数のダミーチップ２０が配置された第１導体３の面と反対側の面に接続される第１絶縁基板５と、半導体素子（第１パワー半導体素子１ａ、第２パワー半導体素子２ａ）及び複数のダミーチップ２０が配置された第２導体４の面と反対側の面に接続される第２絶縁基板５０と、を備え、ダミーチップ２０は、第１導体３と第２導体４との間に挟まる厚さが半導体素子（第１パワー半導体素子１ａ、第２パワー半導体素子２ａ）と同じ厚さであり半導体素子として機能しない。これにより、絶縁基板との積層構造部分の剥離等を防止して信頼性の高いパワー半導体装置を提供できる。
【００３７】
（変形例）
本発明は、以上説明した第１および第２の実施形態を次のように変形して実施することができる。
（１）第１および第２の実施形態では、ダミーチップを半導体素子の配列の両端側に配置した例を、また、ダミーチップを半導体素子に挟まれて配置した例を示した。しかし、ダミーチップを複数の半導体素子の配列の中に混在して配置してもよい。例えば、ダミーチップを半導体素子の配列の両端側に配置するとともに、中央部に配置した半導体素子と半導体素子の間にもダミーチップを配置してもよい。また、ダミーチップに挟まれて配置される半導体素子の数は複数個であってもよい。
【００３８】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の特徴を損なわない限り、本発明の技術思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。また、上述の実施形態と複数の変形例を組み合わせた構成としてもよい。
【符号の説明】
【００３９】
１ａ…第１パワー半導体素子
２ａ…第２パワー半導体素子
２ａ、２ｂ…接続材
３…第１導体
４…第２導体
５…第１絶縁基板
５ａ…絶縁部材
５ｂ…第１導体層
５ｃ…第２導体層
６、７…接続材
８…放熱部材
８ａ…放熱面
９…放熱フィン
１０…封止樹脂
１１…配線基板
１２…配線
１４…端子
２０…ダミーチップ
５０…第２絶縁基板
５０ａ…絶縁部材
５０ｂ…第１導体層
５０ｃ…第２導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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