(57)【要約】【課題】厚さの異なる配線を容易に形成すること。【解決手段】第１絶縁層と、前記第１絶縁層の下面に搭載され、上面に第１端子および第２端子を有する第１電子部品と、前記第１絶縁層を貫通する第１貫通孔の内面および前記第１絶縁層の上面に設けられ、前記第１貫通孔を介し前記第１電子部品の前記第１端子および前記第２端子と接続する第１金属層と、第２絶縁層と、前記第２絶縁層の下面に貼られた第２金属層と、前記第１金属層の上面と前記第２金属層の下面とを接合する導電性接合層と、前記第１端子と接続し、前記第１金属層、前記導電性接合層および前記第２金属層を含む第１配線と、前記第２端子と接続し、前記第１金属層を含み前記第２金属層を含まない第２配線と、を備えるモジュール。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の下面に搭載され、上面に第１端子および第２端子を有する第１電子部品と、
前記第１絶縁層を貫通する第１貫通孔の内面および前記第１絶縁層の上面に設けられ、前記第１貫通孔を介し前記第１電子部品の前記第１端子および前記第２端子と接続する第１金属層と、
第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の下面に貼られた第２金属層と、
前記第１金属層の上面と前記第２金属層の下面とを接合する導電性接合層と、
前記第１端子と接続し、前記第１金属層、前記導電性接合層および前記第２金属層を含む第１配線と、
前記第２端子と接続し、前記第１金属層を含み前記第２金属層を含まない第２配線と、
を備えるモジュール。
【請求項２】
前記第１金属層はめっき金属層であり、前記第２金属層は圧延金属層またはめっき金属層である請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記第２金属層は、前記第２絶縁層より厚い請求項１または２に記載のモジュール。
【請求項４】
前記第２金属層は、前記第１金属層より厚い請求項１から３のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項５】
前記第１電子部品は下面に第３端子を有し、
前記モジュールは、
第３絶縁層と、
前記第３絶縁層の上面に設けられ前記第３端子に接続する第３金属層と、
を備える請求項１から４のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項６】
前記第１絶縁層の下面に搭載された第２電子部品および第３電子部品を備え、
前記第１配線は、前記第１端子と前記第２電子部品の上面に設けられた第４端子とを接続し、
前記第２配線は、前記第２端子と前記第３電子部品の上面に設けられた第５端子とを接続する請求項１から４のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項７】
前記第２絶縁層の上面に設けられ、前記第２絶縁層を貫通する第２貫通孔を介し前記第２金属層と接続された第４金属層を備える請求項１から６のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項８】
前記第１電子部品は、トランジスタを含み、前記第１端子は前記トランジスタの制御端子以外の端子であり、前記第２端子は前記トランジスタの制御端子である請求項１から７のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項９】
前記第１電子部品の上面と前記第１絶縁層の下面とを接合する樹脂接着層を備え、
前記第１貫通孔は前記樹脂接着層を貫通する請求項１から８のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項１０】
第１絶縁層を貫通する貫通孔の内面および前記第１絶縁層の上面に、前記第１絶縁層の下面に搭載された電子部品の上面に設けられた第１端子および第２端子に前記貫通孔を介し接続する第１金属層を形成する工程と、
前記第１端子と接続し、前記第１金属層、導電性接合層および第２絶縁層の下面に貼られた第２金属層を含む第１配線と、前記第２端子と接続し、前記第１金属層を含み前記第２金属層を含まない第２配線と、が形成されるように、前記第１金属層の上面と前記第２金属層の下面とを前記導電性接合層を用い接合する工程と、
を含むモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はモジュールおよびその製造方法に関し、例えば電子部品を搭載するモジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワー半導体デバイスと制御デバイスが搭載されたモジュールにおいて、パワー半導体に接続される配線を厚くすることが知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／０２３５８１０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子部品に大電流を供給する配線と微小電流を供給する配線とでは厚さを異ならせることが好ましい。しかしながら、簡単な方法で厚い配線と薄い配線を形成することは難しい。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、厚さの異なる配線を容易に形成することを目的とする、
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の下面に搭載され、上面に第１端子および第２端子を有する第１電子部品と、前記第１絶縁層を貫通する第１貫通孔の内面および前記第１絶縁層の上面に設けられ、前記第１貫通孔を介し前記第１電子部品の前記第１端子および前記第２端子と接続する第１金属層と、第２絶縁層と、前記第２絶縁層の下面に貼られた第２金属層と、前記第１金属層の上面と前記第２金属層の下面とを接合する導電性接合層と、前記第１端子と接続し、前記第１金属層、前記導電性接合層および前記第２金属層を含む第１配線と、前記第２端子と接続し、前記第１金属層を含み前記第２金属層を含まない第２配線と、を備えるモジュールである。
【０００７】
上記構成において、前記第１金属層はめっき金属層であり、前記第２金属層は圧延金属層またはめっき金属層である構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第２金属層は、前記第２絶縁層より厚い構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第２金属層は、前記第１金属層より厚い構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第１電子部品は下面に第３端子を有し、前記モジュールは、第３絶縁層と、前記第３絶縁層の上面に設けられ前記第３端子に接続する第３金属層と、を備える構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１絶縁層の下面に搭載された第２電子部品および第３電子部品を備え、前記第１配線は、前記第１端子と前記第２電子部品の上面に設けられた第４端子とを接続し、前記第２配線は、前記第２端子と前記第３電子部品の上面に設けられた第５端子とを接続する構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記第２絶縁層の上面に設けられ、前記第２絶縁層を貫通する第２貫通孔を介し前記第２金属層と接続された第４金属層を備える構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記第１電子部品は、トランジスタを含み、前記第１端子は前記トランジスタの制御端子以外の端子であり、前記第２端子は前記トランジスタの制御端子である構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記第１電子部品の上面と前記第１絶縁層の下面とを接合する樹脂接着層を備え、前記第１貫通孔は前記樹脂接着層を貫通する構成とすることができる。
【００１５】
本発明は、第１絶縁層を貫通する貫通孔の内面および前記第１絶縁層の上面に、前記第１絶縁層の下面に搭載された電子部品の上面に設けられた第１端子および第２端子に前記貫通孔を介し接続する第１金属層を形成する工程と、前記第１端子と接続し、前記第１金属層、導電性接合層および第２絶縁層の下面に貼られた第２金属層を含む第１配線と、前記第２端子と接続し、前記第１金属層を含み前記第２金属層を含まない第２配線と、が形成されるように、前記第１金属層の上面と前記第２金属層の下面とを前記導電性接合層を用い接合する工程と、を含むモジュールの製造方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、厚さの異なる配線を容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）から図１（ｃ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図（その３）である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図（その４）である。
【図５】図５は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図（その５）である。
【図６】図６は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図（その６）である。
【図７】図７は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図（その７）である。
【図８】図８は、実施例１に係るモジュールの平面図である。
【図９】図９は、実施例１に係るモジュールの平面図である。
【図１０】図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例２に係るモジュールの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１１】図１１は、実施例２に係るモジュールの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１２】図１２は、実施例２に係るモジュールの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１（ａ）から図７は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。図１（ａ）に示すように、絶縁層１０の下面に接着剤１６を塗布する。絶縁層１０はポリイミド層等の樹脂層であり可撓性を有する。絶縁層１０の厚さは例えば７．５μｍから１２５μｍである。接着剤１６は例えばエポキシ樹脂接着剤等の樹脂接着剤である。接着剤１６は耐熱性および低誘電特性に優れた樹脂材料が好ましい。接着剤１６の塗布は、例えばスピンコート法、スプレコート法、インクジェット法またはスクリーン印刷法を用いる。接着剤１６の厚さは硬化後で例えば５μｍから５０μｍである。なお、予め接着剤１６が形成された絶縁層１０を用意してもよい。接着剤１６は、後述する電子部品４０、４２、シム４６および４８が配置される領域に対応して、選択的に塗布されていてもよい。
【００２０】
図１（ｂ）に示すように、絶縁層１０および接着剤１６を貫通する貫通孔１２を形成する。貫通孔１２は、例えばレーザ光を照射することにより形成する。貫通孔１２の大きさは、例えば３０μｍから５００μｍである。
【００２１】
図１（ｃ）に示すように、接着剤１６の下面に電子部品４０および４２、シム４６および４８を配置する。電子部品４０の上面には、端子５１および５２が設けられ、電子部品４０の下面には端子５３が設けられている。電子部品４２の上面には端子５４および５６が設けられている。
【００２２】
電子部品４０は、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、バイポーラトランジスタまたはＦＥＴ（Field Effect Transistor）等のトランジスタである。トランジスタには、Ｓｉ、ＧａＮまたはＳｉＣ等の半導体が用いられる。電子部品４０は、例えばベアチップまたはベアチップが実装されたパッケージである。ベアチップが実装されたパッケージは、ＷＬＰ（Wafer Level Package）またはＳＩＰ（Single Inline Package）等のパッケージである。
【００２３】
電子部品４２は、例えば集積回路であり、電子部品４０を制御するコントローラであり、例えばベアチップまたはベアチップが実装されたパッケージである。端子５１〜５４および５６は、電子部品４０および４２の例えばベアチップまたはパッケージの表面に設けられたＣｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）またはＡｌ（アルミニウム）等の金属を主材料とした金属層からなるパッドである。電子部品４０が縦型トランジスタの場合、ソース端子およびドレイン端子の一方が上面に設けられ、ソース端子およびドレイン端子の他方が下面に設けられる。シム４６および４８はＣｕ層等の金属層である。
【００２４】
熱処理することにより、接着剤１６を硬化させ電子部品４０、４２、シム４６および４８と絶縁層１０とを接合する。熱処理は例えば１５０℃から３００℃の温度で実施する。接着剤１６上に電子部品４０、４２、シム４６および４８を配置する前に熱処理し、接着剤１６のタック性を高めてもよい。端子５１〜５４および５６は貫通孔１２に露出する。
【００２５】
図２（ａ）に示すように、絶縁層１０の上面、貫通孔１２の内面に金属層１４を形成する。金属層１４の形成方法を説明する。絶縁層１０の上面、貫通孔１２の内面にシード層を形成する。シード層は、例えばスパッタリング法または無電解めっき法を用い形成する。シード層は、例えば絶縁層１０側からＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉを主材料とする層およびＣｕを主材料とする層等の金属層である。シード層の上面にめっき層を形成する。めっき層は例えばＣｕ層等の金属層である。めっき層は、例えばシード層に電流を供給することによる電解めっき法を用い形成する。シード層およびめっき層により金属層１４が形成される。金属層１４の厚さは例えば数μｍから１２５μｍであり、貫通孔１２が埋め込まれる厚さとする。
【００２６】
図２（ｂ）に示すように、金属層１４の上面に接合層２８を塗布する。接合層２８は、Ｃｕ粒子またはＡｇ粒子等の金属粒子等が含まれるＣｕペーストまたはＡｇペーストである。金属粒子の粒径が１μｍ未満のナノペーストでもよい。金属粒子は合金からなる粒子でもよい。接合層２８の塗布は、例えば印刷法、ディスペンス法またはインクジェット法を用いる。接合層２８は低温で焼結される金属でもよい。
【００２７】
図３（ａ）に示すように、絶縁層２０の一方主面に金属層２４が形成された支持基板を準備する。絶縁層２０はポリイミド層等の樹脂層である。金属層２４は、例えばＣｕ層である。支持基板は、例えば銅張積層（ＣＣＬ：Copper Clad Laminate）基板であり、金属層２４は圧延された圧延金属層である。絶縁層２０の厚さは例えば７．５μｍから１２５μｍであり、金属層２４の厚さは例えば１０μｍから５０μｍである。
【００２８】
絶縁層２０の全面に金属層２４を形成し、その後金属層２４を、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いパターニングしてもよい。プレス等の機械加工により形成した金属層２４を絶縁層２０に張り付けてもよい。絶縁層２０と金属層２４との間に接着剤等が設けられていてもよい。接着剤は絶縁層２０の主面全体に形成されていてもよいし、絶縁層２０の主面のうち金属層２４が設けられた箇所に選択的に形成されていてもよい。
【００２９】
図３（ｂ）に示すように、絶縁層２０を貫通する貫通孔２２を形成する。貫通孔２２の形成方法は図１（ｂ）の貫通孔１２の形成方法と同様である。絶縁層２０の上面及び貫通孔２２の上面に金属層２６を形成する。金属層２６の形成方法は図２（ａ）の金属層１４の形成方法と同様にめっき法により形成される。これにより、金属層２６は貫通孔２２を介し金属層２４と接続する。金属層２４は例えば主にＣｕ層である。金属層２６の厚さは例えば数μｍから１２５μｍであり、貫通孔１２が埋め込まれる厚さとする。
【００３０】
図４（ａ）に示すように、図２（ｂ）の接合層２８の上面上に金属層２４の下面を接触させる。熱処理することで、接合層２８を焼成する。これにより、金属層１４と２４とが熱的、機械的かつ電気的に接合される。接合層２８の厚さは焼成後で例えば５μｍから５０μｍである。熱処理温度は例えば１５０℃から３００℃であり、絶縁層１０、２０、接着剤１６および絶縁層２０下の接着層が軟化または熱分解しない程度の温度とする。以上により、金属層１４、接合層２８および金属層２４により厚い配線８０および枠体８６が形成される。端子５１および５６は配線８０により金属層２６と電気的に接続される。端子５２と５４とは配線８２により電気的に接続される。枠体８６は、絶縁層１０および２０の周縁に設けられ、絶縁層１０および２０を支持する。
【００３１】
図４（ｂ）に示すように、絶縁層１０と２０との間の空間を樹脂６０を用い封止する。樹脂６０は、例えば熱硬化型樹脂または熱可塑性樹脂である。
【００３２】
図５に示すように、絶縁基板３０の上面および下面には金属層３４および３６が設けられている。絶縁基板３０は、例えばセラミックス基板である。金属層３４および３６は例えばＣｕ層である。絶縁基板３０、金属層３４および３６は電子部品４０の熱を放出するヒートシンクとして機能する。金属層３４上面に接合層３８を塗布する。接合層３８の材料は例えばＡｇペースト、Ｃｕペースト等の金属ペーストまたはロウ材である。金属ペーストの金属粒子は合金でもよい。
【００３３】
図６に示すように、接合層３８の上面に電子部品４０、シム４６および４８の下面を接触させる。熱処理することで、接合層３８を焼成する。これにより、電子部品４０、シム４６および４８と金属層２４が熱的、機械的かつ電気的に接合される。接合層２８の厚さは焼成後で例えば５μｍから５０μｍである。熱処理温度は例えば１５０℃から３００℃であり、絶縁層１０、２０および接着剤１６が軟化または熱分解しない程度の温度とする。端子５３は、金属層３４、シム４６、配線８０を介し金属層２６に電気的に接続される。
【００３４】
図７に示すように、絶縁層１０と絶縁基板３０との間の空間を樹脂６２により封止する。樹脂６２は、例えば熱硬化型樹脂または熱可塑性樹脂である。以上により実施例１に係るモジュールが完成する。
【００３５】
図４（ｂ）において封止樹脂６０を設けず、図７において、封止樹脂６０および樹脂６２を設けてもよい。
【００３６】
図８および図９は、実施例１に係るモジュールの平面図である。図８は、貫通孔２２、金属層２４および２６を図示している。図９は、貫通孔１２、金属層１４、電子部品４０、４２、端子５１−５２、５４、５６、配線８０および８２を図示している。
【００３７】
図８および図９に示すように、電子部品４０ａおよび４０ｂおよび電子部品４２が設けられている。電子部品４０ａの上面には端子５１ａおよび５２ａが設けられ、電子部品４０ｂの上面には端子５１ｂおよび５２ｂが設けられている。電子部品４０ａおよび４０ｂは例えばパワー半導体素子であり縦型のトランジスタである。端子５１ａおよび５１ｂはソース端子であり、端子５２ａおよび５２ｂはゲート端子である。
【００３８】
電子部品４２の上面には端子５４および５６が設けられている。電子部品４２は、トランジスタを制御する制御回路を有する。制御回路は、外部からの制御信号に基づき、トランジスタのゲート端子にゲート信号を出力する。端子５４は、端子５２ａおよび５２ｂにトランジスタのゲート信号を出力する端子である。端子５６は外部から制御信号を受信する端子である。
【００３９】
金属層２６は、ソースパッドＰｓ、ドレインパッドＰｄおよび制御パッドＰｇを形成する。端子５１ａおよび５１ｂは貫通孔１２を介し配線８０ａに電気的に接続される。配線８０ａは貫通孔２２を介しソースパッドＰｓに電気的に接続される。端子５２ａおよび５２ｂは、貫通孔１２および配線８２ａを介し端子５４に電気的に接続される。端子５６は、貫通孔１２、２２および配線８０ｂおよび８２ｂを介し制御パッドＰｇに電気的に接続される。
【００４０】
電子部品４０ａおよび４０ｂの下面に設けられた端子５３は接合層３８、金属層３４、シム４６および配線８０ｃを介しドレインパッドＰｄに電気的に接続される。ドレインパッドＰｄには例えばグランド電位が供給される。
【００４１】
トランジスタでは、ソース端子およびドレイン端子には大きな電流が流れる。ゲート端子は、ソース電流とドレイン端子との間の電流のスイッチングを行うゲート信号が入力する。このため、ソース端子のパッド面積は大きく、ゲート端子のパッド面積は小さい。ソース端子に接続される配線は、平面寸法は大きくてもよいが厚いことが要求される。ゲート端子に接続される配線は、薄くてもよいが平面寸法は小さいことが要求される。
【００４２】
実施例１では、配線８０ａはソースパッドＰｓとソース端子である端子５１ａおよび５１ｂとの間の電流の供給用の配線である。配線８０ｃはドレインパッドＰｄとドレイン端子である端子５３との間の電流の供給用の配線である。配線８２ａは制御回路の制御端子である端子５４とゲート端子である端子５２ａおよび５２ｂとの間の制御電圧または制御電流の供給用の配線である。配線８０ｂは、制御パッドＰｇと端子５６とを接続する配線であり、比較的大きな電流が流れる。
【００４３】
実施例１では、ソース端子に接続される配線８０ａ、ドレイン端子に接続される配線８０ｃ、端子５６に接続される配線８０ｂを金属層１４と２４とで形成し、ゲート端子に接続される配線８２ａを金属層１４のみで形成する。これにより、簡単な工程で厚い配線８０ａから８０ｃと薄い配線８２を形成できる。
【実施例２】
【００４４】
図１０（ａ）から図１１は、実施例２に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。図１０（ａ）に示すように、図２（ｂ）および図３（ｂ）と同様に、絶縁層１０および２０を準備する。絶縁層１０の下面にシムは設けられていない。電子部品４０の下面に端子は設けられていない。電子部品４０が横型トランジスタの場合、ソース端子、ドレイン端子およびゲート端子はいずれも上面に設けられる。
【００４５】
図１０（ｂ）に示すように、図４（ａ）と同様に接合層２８を用い金属層２４の下面と金属層１４の上面とを接合する。配線８０および枠体８６は各々金属層１４および２４を備え、配線８２は金属層１４を備え、金属層２４は備えていない。
【００４６】
図１１に示すように、図４（ｂ）と同様に、絶縁層１０と２０との間の空間を樹脂６０で封止する。これにより、実施例２に係るモジュールが完成する。
【００４７】
図１２は、実施例２に係るモジュールの平面図である。図１２は、貫通孔１２、金属層１４、電子部品４０、４２、端子５１、５２、５４、５６、配線８０、８２および枠体８６を図示している。
【００４８】
図１２に示すように、電子部品４０ａおよび４０ｂおよび電子部品４２が設けられている。電子部品４０ａの上面には端子５１ａ、５１ｃおよび５２ａが設けられ、電子部品４０ｂの上面には端子５１ｂ、５１ｄおよび５２ｂが設けられている。電子部品４０ａおよび４０ｂは例えばパワー半導体素子でありトランジスタである。端子５１ａおよび５１ｂはソース端子であり、端子５１ｃおよび５１ｄはドレイン端子であり、端子５２ａおよび５２ｂはゲート端子である。
【００４９】
端子５１ａと５１ｂとは配線８０ａにより電気的に接続され、絶縁層２０の上面のソースパッド（不図示）に電気的に接続される。端子５１ｃと５１ｄとは配線８０ｃにより電気的に接続され、絶縁層２０の上面のドレインパッド（不図示）に電気的に接続される。端子５２ａと５２ｂとは配線８２ａにより端子５４に電気的に接続される。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００５０】
実施例２のようにソース端子とドレイン端子とは電子部品４０の上面に設けられていてもよい。
【００５１】
実施例１および２によれば、図２（ａ）のように、絶縁層１０（第１絶縁層）を貫通する貫通孔１２（第１貫通孔）の内面および絶縁層１０の上面に、金属層１４（第１金属層）を形成する。金属層１４は、絶縁層１０の下面に搭載された電子部品４０（第１電子部品）の上面に設けられた端子５１（第１端子）および端子５２（第２端子）に貫通孔１２を介し接続する。
【００５２】
図４（ａ）のように、金属層１４の上面と絶縁層２０（第２絶縁層）の下面に貼られた金属層２４（第２金属層）の下面とを接合層２８（導電性接合層）を用い接合する。これにより、配線８０（第１配線）は、端子５１と接続し、金属層１４、接合層２８および金属層２４を含むように形成され、配線８２（第２配線）は、端子５２と接続し、金属層１４を含み金属層２４を含まないように形成される。
【００５３】
これにより、厚い配線８０と薄い配線８２を簡単な方法で形成できる。
【００５４】
金属層１４はめっき金属層であり、金属層２４は圧延金属層またはめっき金属層である。ＣＣＬ等ですでに形成された金属層２４が貼り付けられた絶縁層２０を用いることで、金属層１４を形成するための工程時間が削減できる。特に、配線８０の厚さを１００μｍ以上、好ましくは２００μｍとする場合、工程時間が長くなる。そこで、ＣＣＬ等のめっき金属層または圧延金属層に追加でめっきを形成することにより、厚い配線８０を簡単に形成できる。配線８０を厚くするため、金属層２４は金属層１４より厚いことが好ましい。金属層２４の厚さは金属層１４の厚さの２倍以上がより好ましく、５倍以上がさらに好ましい。また、金属層２４は、絶縁層２０より厚いことが好ましい。金属層２４の厚さは絶縁層２０の厚さの２倍以上がより好ましく、５倍以上がさらに好ましい。
【００５５】
接着剤１６（樹脂接着層）は、電子部品４０および４２の上面と絶縁層１０の下面とを接合する。貫通孔１２は接着剤１６を貫通する。これにより、電子部品４０および４２は簡単に絶縁層１０に接合できる。
【００５６】
実施例１の図７のように、電子部品４０は下面に端子５３（第３端子）を有する。絶縁基板３０（第３絶縁層）は、上面に設けられ端子５３に接続する金属層３４（第３金属層）を備える。これにより、電子部品４０の下面の端子５３に電気的に接続することができる。
【００５７】
図９のように、絶縁層１０の下面に電子部品４０ａ（第１電子部品）、電子部品４０ｂ（第２電子部品）および電子部品４２（第３電子部品）が搭載されている。配線８０ａ（第１配線）は、端子５１ａと電子部品４０ｂの上面に設けられた端子５１ｂ（第４端子）とを接続する。配線８２ａ（第２配線）は、端子５２と電子部品４２の上面に設けられた端子５４（第５端子）とを接続する。これにより、大きな電流の流れる電子部品間の接続に厚い配線８０ａを用い、小さな電流が流れる電子部品間の接続に薄い配線８２ａを用いることがきる。
【００５８】
金属層２６（第４金属層）は、絶縁層２０の上面に設けられ、絶縁層２０を貫通する貫通孔２２（第２貫通孔）を介し金属層２４と接続されている。これにより、配線８０を介し、端子５１を金属層２６に電気的に接続することができる。
【００５９】
電子部品４０は、トランジスタを含み、端子５１はトランジスタの制御端子以外の端子であり、端子５２はトランジスタの制御端子である。これにより、大きな電流の流れる制御端子以外の端子（電流が流入する端子および／または電流が流出する端子）に厚い配線８０を接続でき、小さな電流の流れる制御端子に薄い配線８２を接続できる。制御端子は、ゲート端子またはベース端子であり、制御端子以外の端子はソース端子、ドレイン端子、エミッタ端子またはコレクタ端子である。
【００６０】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００６１】
１０、２０  絶縁層
１２、２２  貫通孔
１４、２４、２６、３４、３６  金属層
１６  接着剤
２８、３８  接合層
３０  絶縁基板
４０、４０ａ、４０ｂ、４２  電子部品
５１−５４、５６、５１ａ−５１ｄ  端子
６０、６２  樹脂
８０、８２  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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