(57)【要約】【課題】イメージング質量分析で得られた画像中の強度のばらつきを抑制する。【解決手段】解析装置は、レーザーが試料における複数の照射位置に照射され、各照射位置に対応する試料成分の質量分析を行って得られた測定データを取得する測定データ取得部と、各照射位置にレーザーが照射される際の照射範囲のうち既にレーザーが照射された部分を除いた照射部分が互いに異なる複数の照射位置の一部である除外照射位置に対応するデータを除外して測定データの解析を行う解析部とを備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーが試料における複数の照射位置に照射され、各照射位置に対応する試料成分の質量分析を行って得られた測定データを取得する測定データ取得部と、
前記各照射位置に前記レーザーが照射される際の照射範囲のうち既に前記レーザーが照射された部分を除いた照射部分が互いに異なる前記複数の照射位置の一部である除外照射位置に対応するデータを除外して前記測定データの解析を行う解析部と
を備える解析装置。
【請求項２】
請求項１に記載の解析装置において、
前記除外照射位置は、前記照射部分の面積の値に基づいて定められる解析装置。
【請求項３】
請求項２に記載の解析装置において、
前記面積は、前記レーザーの照射径および前記複数の照射位置の間隔に基づいて算出されたものである解析装置。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の解析装置において、
前記解析部は、前記試料の複数の位置にそれぞれ対応する複数の画素と、所定のｍ／ｚに対応する分子の強度とが対応した強度画像に対応するデータを作成し、
前記複数の画素は、前記除外照射位置に対応する画素を含まない解析装置。
【請求項５】
請求項４に記載の解析装置において、
前記解析部は、前記強度画像に対応するデータの作成の際、前記測定データまたは前記測定データに基づくデータにおいて、前記強度画像の端から所定の個数の行または列に対応するデータを除外する解析装置。
【請求項６】
請求項５に記載の解析装置において、
前記解析部は、前記測定データまたは前記測定データに基づくデータにおいて、前記強度画像の上端および下端のそれぞれから第１および第２の個数の行に対応するデータを除外し、左端および右端から第３および第４の個数の列に対応するデータを除外し、前記第１、第２、第３および第４の個数のうちの少なくともいずれかは他の個数と異なる解析装置。
【請求項７】
請求項６に記載の解析装置において、
前記レーザーにより、前記強度画像において各行に対応する前記複数の照射位置が順次走査された場合、前記解析部は、前記強度画像の上下端の一方から１行目と、前記強度画像の左右端から少なくとも１列に対応するデータを除外し、
前記レーザーにより、前記強度画像において各列に対応する前記複数の照射位置が順次走査された場合、前記解析部は、前記強度画像の左右端の一方から１列目と、前記強度画像の上下端から少なくとも１行に対応するデータを除外する解析装置。
【請求項８】
請求項４から７までのいずれか一項に記載の解析装置において、
前記強度画像を表示する表示部を備える解析装置。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか一項に記載の解析装置と、
前記質量分析を行う質量分析計と
を備える分析装置。
【請求項１０】
レーザーが試料における複数の照射位置に照射され、各照射位置に対応する試料成分が質量分析されて得られた測定データを取得することと、
前記各照射位置に前記レーザーが照射される際の照射範囲のうち既に前記レーザーが照射された部分を除いた照射部分が互いに異なる前記複数の照射位置の一部である除外照射位置に対応するデータを除外して前記測定データの解析を行うことと
を備える解析方法。
【請求項１１】
レーザーが試料における複数の照射位置に照射され、各照射位置に対応する試料成分が質量分析されて得られた測定データを取得する測定データ取得処理と、
前記各照射位置に前記レーザーが照射される際の照射範囲のうち既に前記レーザーが照射された部分を除いた照射部分が互いに異なる前記複数の照射位置の一部である除外照射位置に対応するデータを除外して前記測定データの解析を行う解析処理と
を処理装置に行わせるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、解析装置、分析装置、解析方法およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
質量分析イメージング法は、試料の複数の位置における成分を質量分析することにより、試料における所定の質量の分子の分布を取得する方法である。試料として生物から採取された組織切片等を用いた場合、これにより注目している分子が当該生物においてどのように局在しているかを調べ、当該分子の発現や機能を解析することができる。このように質量分析イメージング法は、分子の位置情報を利用した様々な解析に用いることができる。
【０００３】
質量分析イメージング法では、試料のイオン化の方法としてマトリックス支援レーザー脱離イオン化（ＭＡＬＤＩ）が好適に用いられる。この場合、試料における複数の位置（照射位置）に順次レーザーを照射してイオン化することにより、各位置の試料成分を順次イオン化して質量分離および検出を行う。
【０００４】
ここで、試料において一度レーザーが照射された部分について再度レーザーが照射された場合、２回目以降の照射により当該部分から取り出されイオン化される試料成分の量は、１回目の照射により当該部分から取り出されイオン化される試料成分の量よりも大きく減少する。従って、複数の照射位置に順次レーザーを照射する場合、異なる照射位置に対応する照射範囲に重なりがあると、照射範囲が重なっている部分については１回目の照射と２回目の照射でイオン化される試料成分の量が異なるため、試料成分の分布の解析におけるばらつきの原因となる。特許文献１では、レーザーの光束の断面形状を、１種類のみで平面充填が可能である図形形状になるように整形し、これにより照射範囲の重なりが少なくなる点が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１７／１８３０８６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
試料の複数の位置にレーザーを照射する質量分析において、各照射位置に対応する照射範囲が重なり合うことにより解析の際の精度が低下するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の好ましい実施形態による解析装置は、レーザーが試料における複数の照射位置に照射され、各照射位置に対応する試料成分の質量分析を行って得られた測定データを取得する測定データ取得部と、前記各照射位置に前記レーザーが照射される際の照射範囲のうち既に前記レーザーが照射された部分を除いた照射部分が互いに異なる前記複数の照射位置の一部である除外照射位置に対応するデータを除外して前記測定データの解析を行う解析部とを備える。
さらに好ましい実施形態では、前記除外照射位置は、前記照射部分の面積に基づいて定められる。
さらに好ましい実施形態では、前記面積は、前記レーザーの照射径および前記複数の照射位置の間隔に基づいて算出されたものである。
さらに好ましい実施形態では、前記解析部は、前記試料の複数の位置にそれぞれ対応する複数の画素と、所定のｍ／ｚに対応する分子の強度とが対応した強度画像に対応するデータを作成し、前記複数の画素は、前記除外照射位置に対応する画素を含まない。
さらに好ましい実施形態では、前記解析部は、前記強度画像に対応するデータの作成の際、前記測定データまたは前記測定データに基づくデータにおいて、前記強度画像の端から所定の個数の行または列に対応するデータを除外する。
さらに好ましい実施形態では、前記解析部は、前記測定データまたは前記測定データに基づくデータにおいて、前記強度画像の上端および下端のそれぞれから第１および第２の個数の行に対応するデータを除外し、左端および右端から第３および第４の個数の列に対応するデータを除外し、前記第１、第２、第３および第４の個数のうちの少なくともいずれかは他の個数と異なる。
さらに好ましい実施形態では、前記レーザーにより、前記強度画像において各行に対応する前記複数の照射位置が順次走査された場合、前記解析部は、前記強度画像の上下端の一方から１行目と、前記強度画像の左右端から少なくとも１列に対応するデータを除外し、前記レーザーにより、前記強度画像において各列に対応する前記複数の照射位置が順次走査された場合、前記解析部は、前記強度画像の左右端の一方から１列目と、前記強度画像の上下端から少なくとも１行に対応するデータを除外する。
さらに好ましい実施形態では、前記強度画像を表示する表示部を備える。
本発明の好ましい実施形態による分析装置は、上述の解析装置と、前記質量分析を行う質量分析計とを備える。
本発明の好ましい実施形態による解析方法は、レーザーが試料における複数の照射位置に照射され、各照射位置に対応する試料成分が質量分析されて得られた測定データを取得することと、前記各照射位置に前記レーザーが照射される際の照射範囲のうち既に前記レーザーが照射された部分を除いた照射部分が互いに異なる前記複数の照射位置の一部である除外照射位置に対応するデータを除外して前記測定データの解析を行うこととを備える。
本発明の好ましい実施形態によるプログラムは、レーザーが試料における複数の照射位置に照射され、各照射位置に対応する試料成分が質量分析されて得られた測定データを取得する測定データ取得処理と、前記各照射位置に前記レーザーが照射される際の照射範囲のうち既に前記レーザーが照射された部分を除いた照射部分が互いに異なる前記複数の照射位置の一部である除外照射位置に対応するデータを除外して前記測定データの解析を行う解析処理とを処理装置に行わせるためのものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、レーザーの光束の断面形状を整形することを必ずしも必要とせず、各照射位置に対応する照射範囲が重なり合うことによる解析の際の精度の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、一実施形態の分析装置の構成を示す概念図である。
【図２】図２（Ａ）は、試料の対象領域を示す概念図であり、図２（Ｂ）は、レーザーによる走査を説明するための概念図である。
【図３】図３（Ａ）は、各照射位置に対応する照射範囲が重ならない場合の強度画像を説明するための概念図であり、図３（Ｂ）は、各照射位置に対応する照射範囲が重なる場合の強度画像を説明するための概念図である。
【図４】図４（Ａ）、４（Ｂ）、４（Ｃ）、４（Ｄ）および４（Ｅ）は、照射範囲において既にレーザーが照射された領域を除いた部分を示す概念図である。
【図５】図５は、参照データを示す表である。
【図６】図６は、一実施形態に係る分析方法の流れを示すフローチャートである。
【図７】図７は、レーザーによる走査を説明するための概念図である。
【図８】図８は、変形例に係る分析方法の流れを示すフローチャートである。
【図９】図９は、プログラムの提供態様を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。以下の実施形態の分析装置は、質量分析イメージング法に用いることができる質量分析装置（イメージング質量分析装置）である。
【００１１】
−第１実施形態−
図１は、本実施形態の分析装置を説明するための概念図である。分析装置１は、測定部１００と、情報処理部４０とを備える。測定部１００は、試料チャンバ９と、試料画像撮像部１０と、イオン化部２０と、質量分析部３０とを備える。
【００１２】
試料画像撮像部１０は、撮像部１１と、観察用窓１２とを備える。イオン化部２０は、レーザー照射部２１と、集光光学系２２と、照射用窓２３と、試料Ｓが配置される試料台２４と、試料台駆動部２５と、イオン輸送管２６とを備える。質量分析部３０は、真空チャンバ３００と、イオン輸送光学系３１と、第１質量分離部３２と、第２質量分離部３３とを備える。第２質量分離部３３は、検出部３３０を備える。
【００１３】
情報処理部４０は、入力部４１と、通信部４２と、記憶部４３と、表示部４４と、制御部５０とを備える。制御部５０は、測定データ取得部５１と、装置制御部５２と、解析部５３と、表示制御部５４とを備える。解析部５３は、強度算出部５３１と、画像作成部５３２と、データ除外部５３３とを備える。
【００１４】
試料チャンバ９は、内部が略大気圧に維持されるチャンバを備える。試料チャンバ９の内部には、試料台２４と、モーターおよび減速機構等を備える試料台駆動部２５が配置されている。試料台２４は、試料台駆動部２５により、試料Ｓを撮像部１１により撮像可能な撮像位置Ｐａと、試料ＳにレーザーＬを照射可能なイオン化位置Ｐｂとの間を移動可能に構成されている。試料チャンバ９には、観察用窓１２と照射用窓２３とが形成されている。試料台２４において、試料Ｓを配置する面はｘｙ平面に沿って配置されているものとし、試料画像撮像部１０の光軸Ａｘはｚ軸に沿って配置されているものとする（座標軸８参照）。ｙ軸は後述する質量分析部３０のイオン光軸と平行に取り、ｙ軸およびｚ軸に垂直にｘ軸をとった。
【００１５】
試料画像撮像部１０は、撮像位置Ｐａにある試料Ｓの画像（以下、試料画像と呼ぶ）を撮像する。試料画像撮像部１０は、試料Ｓからの光を光電変換して得られた信号を制御部５０に出力する（矢印Ａ１）。
【００１６】
試料画像は、試料Ｓにおいて分析対象となる部分にある複数の位置と、当該位置からの光の強度または波長とが対応して示された画像であれば特に限定されない。例えば、試料画像は、不図示の透過照明部からの光が照射された試料Ｓの透過光の像を撮像部１１が撮像した画像である。試料画像の撮像に際し、試料Ｓの特定の構造や分子を、染色用試薬で染色したり、抗体反応または遺伝子組換えにより導入された蛍光体等で標識することができる。その後、撮像部１１は、染色された部分または蛍光体等からの光を光電変換して得られた信号を制御部５０に出力することができる。
【００１７】
撮像部１１は、ＣＣＤやＣＭＯＳ等の撮像素子を備える。試料台２４に配置された試料Ｓからの光は、観察用窓１２を透過して撮像部１１に入射する。撮像部１１は、試料Ｓからの光を撮像素子の各画素の光電変換素子により光電変換する。撮像部１１は、光電変換により得られた信号をＡ／Ｄ変換し、各画素に対応する試料画像上の位置と、Ａ／Ｄ変換により得られた画素値とが対応した試料画像データを生成して制御部５０に出力する。
【００１８】
イオン化部２０は、イオン化位置Ｐｂにある試料Ｓにおいて分析対象となる部分にある複数の位置にレーザーＬを照射し、試料Ｓをイオン化する。イオン化のためにレーザーＬが照射された位置を照射位置と呼ぶ。イオン化部２０は、各照射位置に順次レーザーＬを照射し、各照射位置に対応する照射範囲にある試料成分を順次イオン化する。
【００１９】
レーザー照射部２１は、レーザー光源を備える。レーザー光源の種類は、所望の照射径で試料Ｓの各照射位置にレーザーＬを照射し、試料成分のイオン化を起こすことができれば特に限定されない。例えば、このレーザー光源は、紫外〜赤外領域に対応する波長のレーザーＬを発振する装置とすることができる。ここで、照射径とは、試料Ｓの表面においてレーザーが照射される部分の最大径とする。
【００２０】
集光光学系２２は、レンズ等を備え、試料ＳにおけるレーザーＬの照射範囲を調節する。集光光学系２２を通過したレーザーＬは、照射用窓２３を透過して試料Ｓに入射する。以下では、わかりやすくするため、レーザーＬの進行方向に垂直な断面の形状を円とし、試料Ｓの表面（ｘｙ平面に略平行とする）に対して垂直な方向からレーザーＬが入射するものとする。この場合、試料Ｓにおける照射範囲は照射径を直径とする円の形状となる。照射径はレーザーＬの波長にもよるが例えば数百ｎｍ〜数十μｍである。
【００２１】
試料Ｓの照射位置にレーザーＬが照射されると、照射範囲にある試料成分が脱離しイオン化され、試料由来イオンＳｉが生成される。以下では、試料由来イオンＳｉは、イオン化された試料Ｓの他、イオン化された試料Ｓの解離、分解により生じたイオンや、イオン化された試料Ｓへの原子や原子団の付着等により得られたイオンも指す。試料Ｓから放出された試料由来イオンＳｉは、イオン輸送管２６の内部を通過して質量分析部３０の真空チャンバ３００に導入される。
【００２２】
試料台２４は、試料台駆動部２５により少なくともｘ方向およびｙ方向に移動可能に構成されている。試料Ｓにおける、ある照射位置にレーザーＬが照射された後、試料台２４が移動し、次の照射位置にレーザーＬが照射される。このように、レーザーＬの光路に対して試料台２４が相対的に移動することによりレーザーＬが試料Ｓ上を走査する。従って、イオン化位置Ｐｂは、各照射位置にレーザーＬを照射するための試料Ｓの複数の位置を含むものとする。
なお、試料台２４が移動するのではなく、レーザーＬの光路が変化することにより照射位置を変化させてもよい。
【００２３】
質量分析部３０は、試料由来イオンＳｉを質量分離して検出する。質量分析部３０における試料由来イオンＳｉの経路（イオン光軸Ａ２およびイオンの飛行経路Ａ３）を、一点鎖線の矢印により模式的に示した。真空チャンバ３００に導入された試料由来イオンＳｉは、イオン輸送光学系３１に入射する。
【００２４】
イオン輸送光学系３１は、静電的な電磁レンズや高周波イオンガイド等のイオンの移動を制御する要素を備え、試料由来イオンＳｉの軌道を収束させつつ試料由来イオンＳｉを第１質量分離部３２に輸送する。真空チャンバ３００は、真空度の異なる複数の真空室に分かれており、イオン輸送光学系３１の各要素は、第１質量分離部３２に近づくにつれて適宜段階的に真空度が高められた複数の真空室にそれぞれ配置される。各真空室は不図示の真空ポンプにより排気される。
【００２５】
第１質量分離部３２は、イオントラップ等の質量分析器を備え、試料由来イオンＳｉの解離や質量分離を行う。図１の例のように第１質量分離部３２がイオントラップを備える場合、適宜２段階以上の質量分離等を行うことができる。第１質量分離部３２および後述する第２質量分離部３３では、配置された質量分析器に応じた真空度まで、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプにより排気される。第１質量分離部３２を通過した、または第１質量分離部３２で解離や質量分離により得られた試料由来イオンＳｉは、第２質量分離部３３に導入される。
【００２６】
第２質量分離部３３は、飛行時間型質量分析器等の質量分析器を備え、試料由来イオンＳｉの質量分離を行う。図１の例では、第２質量分離部３３が飛行時間型質量分析器の場合として、試料由来イオンＳｉの飛行経路Ａ３を一点鎖線の矢印で模式的に示した。
【００２７】
検出部３３０は、マイクロチャンネルプレート等のイオン検出器を備え、入射した試料由来イオンＳｉを検出する。検出モードは正イオンを検出する正イオンモードと、負イオンを検出する負イオンモードとのいずれでもよい。イオンを検出して得られた検出信号はＡ／Ｄ変換され、デジタル信号となって情報処理部４０に入力され（矢印Ａ４）、測定データとして記憶部４３に記憶される。
【００２８】
情報処理部４０は、電子計算機等の情報処理装置を備え、適宜分析装置１のユーザー（以下、単に「ユーザー」と呼ぶ）とのインターフェースとなる他、様々なデータに関する通信、記憶、演算等の処理を行う。情報処理部４０は、測定部１００の制御や、解析、表示の処理を行う処理装置となる。
なお、情報処理部４０は、測定部１００と一体になった一つの装置として構成してもよい。また、分析装置１が用いるデータの一部は遠隔のサーバ等に保存してもよく、分析装置１で行う演算処理の一部は遠隔のサーバ等で行ってもよい。測定部１００の各部の動作の制御は、情報処理部４０が行ってもよいし、各部を構成する装置がそれぞれ行ってもよい。
【００２９】
情報処理部４０の入力部４１は、マウス、キーボード、各種ボタンおよび／またはタッチパネル等の入力装置を含んで構成される。入力部４１は、測定部１００が行う測定や制御部５０が行う処理に必要な情報等を、ユーザーから受け付ける。
【００３０】
情報処理部４０の通信部４２は、インターネット等のネットワークを介して無線や有線の接続により通信可能な通信装置を含んで構成される。通信部４２は、測定部１００の測定に必要なデータを受信したり、制御部５０が処理したデータを送信したり、適宜必要なデータを送受信する。
【００３１】
情報処理部４０の記憶部４３は、不揮発性の記憶媒体を備える。記憶部４３は、後述する参照データ、検出部３３０から出力された検出信号に基づく測定データ、および制御部５０が処理を実行するためのプログラム等を記憶する。
【００３２】
情報処理部４０の表示部４４は、液晶モニタ等の表示装置を備える。表示部４４は、表示制御部５４により制御され、測定部１００の測定の分析条件に関する情報や、解析部５３の解析により得られたデータ等を、表示装置に表示する。
【００３３】
情報処理部４０の制御部５０は、ＣＰＵ等のプロセッサを含んで構成される。制御部５０は、測定部１００の制御や、測定データの解析等、記憶部４３等に記憶されたプログラムを実行することにより各種処理を行う。
【００３４】
測定データ取得部５１は、記憶部４３に記憶された測定データを取得し、プロセッサのメモリ等の記憶装置に記憶させる。
【００３５】
装置制御部５２は、測定部１００の各部の動作を制御する。装置制御部５２は、入力部４１からの入力により設定された照射位置、各照射位置を照射する順序（以下、照射順序と呼ぶ）および照射径を取得する。装置制御部５２は、レーザー照射部２１、集光光学系２２および試料台２４を制御し、設定された照射順序、照射位置および照射径によりレーザーＬを試料Ｓに照射させる。
【００３６】
解析部５３は、後述する強度画像の作成を含む、測定データの解析を行う。
【００３７】
解析部５３の強度算出部５３１は、測定データ取得部５１が取得した測定データから、検出された試料由来イオンＳｉのｍ／ｚと検出強度とを対応させ、試料由来イオンＳｉに対応する検出強度を算出する。
【００３８】
第２質量分離部３３で飛行時間型の質量分離を行った場合、強度算出部５３１は、飛行時間を予め取得した較正データを用いてｍ／ｚに変換し、ｍ／ｚと検出されたイオンの強度とを対応させたマススペクトルに対応するデータを作成する。強度算出部５３１は、入力部４１からの入力等により設定された分析対象の分子（以下、対象分子と呼ぶ）を検出するためのｍ／ｚ値から、対象分子またはそのフラグメントイオンに対応するマススペクトルのピークを同定する。強度算出部５３１は、バックグラウンドの除去等のノイズを低減する処理を行った後、同定されたピークのピーク強度またはピーク面積を、対象分子の検出強度の大きさを示す値として算出する。対象分子は１個でも、複数個でもよい。
【００３９】
強度算出部５３１は、照射位置と、当該照射位置にレーザーＬを照射して得られた対象分子の強度とを対応付けた強度データを記憶部４３に記憶させる。例えば、照射位置が正方格子状に並んだ縦１００か所×横１００か所の総計１００００か所とした場合、横方向に並ぶ１００か所を行列の行に対応させ縦方向に並ぶ１００か所を行列の列に対応させることができる。この場合、強度算出部５３１は、算出した対象分子の強度を要素とする１００×１００の行列に対応する二次元配列データを強度データとして記憶部４３に記憶させることができる。
なお、強度データの表現の方法は、解析部５３による解析が可能であれば特に限定されない。
【００４０】
解析部５３の画像作成部５３２は、強度データに基づいて、強度画像に対応するデータ（以下、強度画像データと呼ぶ）を作成する。強度画像は、試料Ｓの複数の位置にそれぞれ対応する複数の画素と、所定のｍ／ｚに対応する対象分子の強度とが対応して示された画像である。画像作成部５３２は、各照射位置をそれぞれ一画素に対応させ、各照射位置に対応する対象分子の強度を画素値に変換し、強度画像データを作成し、記憶部４３に記憶させる。
【００４１】
画像作成部５３２は、全ての照射位置の対象分子の強度を比較し、対象分子の最大強度および最小強度を取得し、この最大強度および最小強度の少なくとも一つに基づいて各照射位置における強度を画素値に変換することができる。例えば、全ての照射位置のうち対象分子の最大強度が１００００（Ａ．Ｕ．）、最小強度が１００（Ａ．Ｕ．）であり、同色、例えば赤色（Ｒ）の２５６段階の画素値に変換する場合には、強度値１００００（Ａ．Ｕ．）を画素値２５５、強度値１００（Ａ．Ｕ．）を０とすることができる。最大強度値と最小強度値の間の強度値は、強度値の変化と画素値の変化が１次の関係等の所定の関係になるように変換することができる。
【００４２】
解析部５３のデータ除外部５３３は、強度画像データにおいて、イオン化される試料Ｓの量が不均一とならないように除外すべき部分を決定する。当該部分は、特定の照射位置に対応する強度画像データであり、レーザーＬの照射径および照射位置の間隔（以下、照射ピッチと呼ぶ）に基づいて決定される。
【００４３】
図２（Ａ）は、試料Ｓにおいて分析対象の領域（以下、対象領域Ｓ１と呼ぶ）を示す図である。この例では、試料Ｓは生物から採取した組織の切片とし、対象領域Ｓ１は縦５か所×横５か所の照射位置Ｃを含む場合を想定している。
【００４４】
図２（Ｂ）は、レーザーＬによる走査を説明するための概念図である。以下では、レーザーＬの「走査」と記載した場合には、照射位置Ｃをステップ状に移動させることを意味する。図２の例では、対象領域Ｓ１の左上の端にある照射位置Ｃ１１を最初の照射位置とする。装置制御部５２は、照射位置Ｃ１１からレーザーＬを右向きに走査させて照射位置Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４、Ｃ１５の順に照射する。その後、対象領域Ｓ１の右端で折り返し、左向きにレーザーＬを走査させて照射位置Ｃ２５、Ｃ２４、Ｃ２３、Ｃ２２、Ｃ２１の順に照射する。その後、対象領域Ｓ１の左端で折り返し、右向きにレーザーＬを走査させて照射位置Ｃ３１、Ｃ３２、Ｃ３３、Ｃ３４、Ｃ３５の順に照射する。このように両端で折り返すように走査する場合を折り返し型走査と呼ぶ。折り返し走査はレーザーＬの試料台２４に対する相対的な移動量を少なくし迅速に走査ができるため好ましい。図２（Ｂ）では、各照射位置を照射する順序を一点鎖線の矢印Ａｓで模式的に示した。
【００４５】
各照射位置Ｃに対し、照射径ＤのレーザーＬが照射される。照射径Ｄが照射ピッチＰｔよりも長いため、隣り合う照射位置Ｃ１１およびＣ１２のそれぞれの照射範囲Ｒ１１およびＲ１２は重なり部分Ｒｏにおいて重なっている。重なり部分Ｒｏでは、最初にレーザーＬが照射されたときにイオン化される試料Ｓの量に比べ、２回目以降にレーザーが照射されたときにイオン化される試料Ｓの量は大幅に減少する。従って、照射範囲Ｒ１と照射範囲Ｒ２の面積は等しいが、レーザーＬの照射の際、実際にイオン化される試料Ｓの量は異なることになる。
【００４６】
図３（Ａ）は、対象領域Ｓ１において各照射位置に対応する照射範囲Ｒが重ならない場合の強度画像Ｍｉ０を説明するための概念図である。図３（Ａ）および３（Ｂ）では、強度画像の強度の大きさをハッチングの濃さで示した。強度画像Ｍｉ０では、画素Ｐｘのうち特に強度が高いもの（後述する高強度画素）が無いとする。
【００４７】
図３（Ｂ）は、対象領域Ｓ１において各照射位置に対応する照射範囲Ｒが重なる場合の強度画像Ｍｉ１を説明するための概念図である。レーザーＬは、対象領域Ｓ１の左上の端の照射位置を起点に右向きに進み、折り返し型走査を行ったものとする。この場合、照射範囲Ｒの重なりに起因して、イオン化される試料成分の量が異なるため、９つの画素（以下、高強度画素Ｐａと呼ぶ）において、その他の画素Ｐｘよりも強度値が高い値に測定されやすくなる。このように、異なる２つの照射位置に対応する照射範囲Ｒの重なり部分があると、測定の精度が低下する。
【００４８】
データ除外部５３３は、照射範囲Ｒに重なりのある条件で取得された強度画像Ｍｉ１における上端、下端、左端または右端から所定の個数の行または列に対応する強度画像データを除外する。除外される強度画像データに対応する照射位置は、各照射位置にレーザーＬが照射される際に、照射範囲Ｒのうち、既にレーザーＬが照射された部分を除いた面積に基づいて定められる。
【００４９】
図４（Ａ）、４（Ｂ）、４（Ｃ）、４（Ｄ）および４（Ｅ）（以下、図４（Ａ）〜（Ｅ）と記載する）は、照射範囲Ｒにおいて既にレーザーＬが照射された領域を除いた部分（以下、新規照射部分Ｒｎと呼ぶ）を示す概念図である。これらの例では、照射径Ｄに対する照射ピッチＰｔの比率は０．５であり、対象領域Ｓ１の左上の端を起点として右向きにレーザーＬを走査し、折り返し型走査を行った場合を示している。
【００５０】
図４（Ａ）は、対象領域Ｓ１の左上の端にレーザーＬを照射した場合、すなわち最初の照射位置にレーザーＬを照射した場合の新規照射部分Ｒｎを示す図である。この場合、それまでにレーザーＬが照射された領域は無いため、新規照射部分Ｒｎは照射範囲Ｒ全体となる。
【００５１】
図４（Ｂ）は、対象領域Ｓ１の上端をレーザーＬが右向きに走査する場合の新規照射部分Ｒｎを示す図である。この場合、照射範囲Ｒのうち左側の一部は直前に照射された照射範囲Ｒｂと重なるため、新規照射部分Ｒｎは円から左側の一部が欠けた形状となる。
【００５２】
図４（Ｃ）は、対象領域Ｓ１の右端をレーザーが下向きに走査する場合の新規照射部分Ｒｎを示す図である。この場合、照射範囲Ｒは、直前の２つの照射範囲Ｒｃ１およびＲｃ２との重なりが有るため、新規照射部分Ｒｎは円の上側の部分が欠けた形状となる。
【００５３】
図４（Ｄ）は、対象領域Ｓ１の上端から２行目をレーザーＬが左向きに走査する場合の新規照射部分Ｒｎを示す図である。この場合、照射範囲Ｒは、少なくとも３つの照射範囲Ｒｄ１、Ｒｄ２およびＲｄ３との重なりが有るため、新規照射部分Ｒｎは円の上側および右側が相当程度欠けた形状となる。
【００５４】
図４（Ｅ）は、対象領域Ｓ１の上端から２行目の最後の照射位置にレーザーＬが照射される場合の新規照射部分Ｒｎを示す図である。この場合、照射範囲Ｒは、少なくとも２つの照射範囲Ｒｅ１およびＲｅ２との重なりが有るため、新規照射部分Ｒｎは円の上側および右側の一部が欠けた形状となる。
【００５５】
図４（Ａ）〜（Ｅ）における新規照射部分Ｒｎのうち、最も面積の小さいものは図４（Ｄ）の新規照射部分Ｒｎである。従って、データ除外部５３３は、図４（Ａ）、４（Ｂ）、４（Ｃ）および４（Ｅ）に対応する場合を含む、強度画像Ｍｉ１の上端の１行、左端の１列、右端の１列に対応する強度画像データを除外して強度画像Ｍｉを再度作成する。言い換えれば、データ除外部５３３が強度画像の一部を切り取る加工を行うことになる。
【００５６】
イオン化部２０がイオン化を行うたびに、上記のような検討に対応する演算を行い除外する部分を導出すると計算量が増えてしまうため、データ除去部５３３は、記憶部４３に予め記憶された参照データを参照し、強度画像データのうち除外する部分を決定することが好ましい。
【００５７】
図５は、参照データの一例を示す表Ｔｂである。参照データでは、レーザーＬの照射径Ｄに対する照射ピッチＰｔの比率（以下、照射比率と呼ぶ）および走査する順序に、強度画像Ｍｉ１の上端、下端、左端および右端から削除する行または列の個数が対応付けられている。表Ｔｂでは、折り返し走査を前提にしている。表Ｔｂに示された条件は一部であり、例えばレーザーＬの走査の起点としては右上や右下を含めることができ、走査の向きも左向きを含めることができる。
なお、照射比率として、照射ピッチＰｔに対する照射径Ｄの比率を用いてもよい。
【００５８】
表Ｔｂに示されている条件のように、強度画像の上端、下端、左端および右端のそれぞれから削除する行または列の個数のうち、少なくとも一つは他とは異なることが好ましいが、特に限定されない。
【００５９】
表Ｔｂに示されている条件のように、レーザーＬにより、強度画像において各行に対応する照射位置Ｃが順次折り返し走査された場合、データ除外部５３３は、強度画像の上下端の一方から１行目と、強度画像の左右端の両方から１以上の列に対応するデータを除外する。また、レーザーＬにより、強度画像において各列に対応する照射位置Ｃが順次折り返し走査された場合、データ除去部５３３は、強度画像の左右端の一方から１列目と、強度画像の上下端の両方から１以上の行に対応するデータを除外する。これにより、強度画像においてできるだけ多くの画素を残しつつ、イオン化される試料Ｓの量の不均一性による精度の低下が抑制された強度画像を得ることができる。
なお、参照データに示された除外部分を含めば任意の範囲の強度画像データを削除してもよい。この場合でも、イオン化される試料Ｓの量の不均一性による精度の低下が抑制された強度画像を得ることができる。
【００６０】
データ除外部５３３は、入力部４１からの入力等に基づいて設定された、照射径Ｄ、照射ピッチＰｔ、走査の起点、および起点からの走査の向きを取得する。データ除外部５３３は、照射径Ｄおよび照射ピッチＰｔから照射比率を算出する。データ除外部５３３は、照射比率と、走査の起点および向きとを参照データにおいて参照し、対応づけられた削除する行または列の数を取得する。データ除外部５３３は、このように取得した参照データからの情報に基づいて、強度画像の上端、下端、左端および右端から所定の個数の行または列を切り取るように強度画像データの一部を削除する。このようにして得られた強度画像は、削除された強度画像データについての照射位置に対応する画素を含まないことになる。
【００６１】
参照データにおいて示される強度画像データの除外部分は、上記図４（Ａ）〜（Ｅ）に対応する検討のように、照射径Ｄと照射ピッチＰｔおよび走査する順序に基づいて、照射範囲Ｒのうち、既にレーザーＬが照射された部分を除いた面積に基づいて算出される。
【００６２】
データ除外部５３３は、各照射位置に対応する照射範囲に重なりが無い場合には、強度画像の一部を切り取る加工を行わないようにできる。このように、データ除外部５３３は、照射範囲に重なりが有るか無いかにより、強度画像を生成、加工する方法を異ならせることができる。
【００６３】
表示制御部５４は、強度画像、試料画像および、測定部１００の測定条件またはマススペクトル等の解析部５３の解析結果についての情報等を含む表示画像を作成し、表示部４４に表示させる。
【００６４】
解析部５３は、強度画像の作成の他、様々な解析を、参照データに基づいて一部が除外されたデータを用いて行うことができる。このようなデータは、測定データまたは測定データに基づくデータであれば特に限定されない。
【００６５】
図６は、本実施形態の分析方法の流れを示すフローチャートである。ステップＳ１００１において、データ除外部５３３は、レーザーＬの照射径Ｄに対する照射ピッチＰｔの比率（照射比率）と、複数の照射位置Ｃを走査する順序（走査順序）と、それぞれの順序において、照射位置ＣにレーザーＬが照射される際の照射範囲Ｒのうち、既にレーザーＬが照射された部分を除いた面積に基づいて算出された、除外すべきデータについての情報とが対応付けられたデータ（参照データ）を取得する。ステップＳ１００１が終了したら、ステップＳ１００３が開始される。
【００６６】
ステップＳ１００３において、撮像部１１は、試料Ｓの画像（試料画像）を撮像する。この際、位置合わせのため、試料Ｓの表面に可視化マーカーを付しておくことが好ましい。ステップＳ１００３が終了したらステップＳ１００５が開始される。ステップＳ１００５において、ユーザー等により試料の表面にマトリックスが付着され、当該試料Ｓが試料台２４に配置される。位置合わせを行う場合、撮像位置Ｐａにおいて、マトリックスが付着された試料Ｓを可視化マーカーが写るように再度撮像し、試料Ｓを試料台２４に固定したまま、試料台駆動部２５によりイオン化位置Ｐｂへと移動させる。この移動は、可視化マーカーによる試料画像とマトリックスが付着された試料Ｓの画像との対応付けにより、ユーザーが試料画像で指定した照射位置へレーザーＬを照射可能な位置に試料Ｓが配置されるように行われる。ステップＳ１００５が終了したら、ステップＳ１００７が開始される。
【００６７】
ステップＳ１００７において、ユーザー等により、レーザーＬの照射径Ｄと、照射ピッチＰｔと、複数の照射位置Ｃを走査する順序（走査順序）とを含む分析条件が設定される。測定部１００は、この分析条件に基づいて試料ＳにレーザーＬを照射し、各照射位置Ｃについてイオン化された試料成分を質量分析し、測定データを取得する。ステップＳ１００７が終了したら、ステップＳ１００９が開始される。
【００６８】
ステップＳ１００９において、強度算出部５３１は、各照射位置Ｃに対応する測定データから、検出された対象分子の強度を算出する。ステップＳ１００９が終了したら、ステップＳ１０１１が開始される。ステップＳ１０１１において、画像作成部５３２は、試料Ｓの各位置と、算出された強度とが対応した強度画像に対応するデータを作成する。ステップＳ１０１１が終了したら、ステップＳ１０１３が開始される。
【００６９】
ステップＳ１０１３において、データ除外部５３３は、ステップＳ１００１で取得した参照データを参照し、強度画像の端から所定の個数の行または列に対応する部分を切り取る加工を行う。ステップＳ１０１３が終了したら、ステップＳ１０１５が開始される。ステップＳ１０１５において、表示部４４は、ステップＳ１０１３で加工された強度画像を表示する。ステップＳ１０１５が終了したら、処理が終了される。  
【００７０】
上述の実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）本実施形態に係る解析装置（情報処理部４０）および解析方法では、レーザーＬが試料Ｓにおける複数の照射位置Ｃに照射され、各照射位置Ｃに対応する試料成分の質量分析を行って得られた測定データを測定データ取得部５１が取得し、解析部５３が、各照射位置ＣにレーザーＬが照射される際の照射範囲Ｒのうち既にレーザーＬが照射された部分を除いた新規照射部分Ｒｎが互いに異なる複数の照射位置Ｃの一部である所定の照射位置に対応するデータを除外して測定データの解析を行う。これにより、各照射位置Ｃに対応する照射範囲Ｒが重なり合うことによる解析の際の精度の低下を抑制することができる。この際、レーザーの光束の断面形状を整形することを必ずしも必要とせず、装置の構成等を複雑にしなくて済む。
【００７１】
（２）本実施形態に係る解析装置において、上記所定の照射位置は、新規照射部分Ｒｎの面積に基づいて定められる。これにより、イオン化される試料Ｓの量の不均一性に基づく、照射位置Ｃによる強度のばらつきを抑制することができる。
【００７２】
（３）本実施形態に係る解析装置において、新規照射部分Ｒｎの面積は、レーザーＬの照射径および複数の照射位置Ｃの間隔に基づいて算出されたものである。これにより、定量的な算出に基づいて、照射位置Ｃによる強度のばらつきを確実に抑制することができる。
【００７３】
（４）本実施形態に係る解析装置において、解析部５３は、試料Ｓの複数の位置にそれぞれ対応する複数の画素と、所定のｍ／ｚに対応する対象分子の強度とが対応した強度画像データを作成し、この複数の画素は、上記所定の照射位置に対応する画素を含まない。これにより、各照射位置Ｃに対応する照射範囲Ｒが重なり合うことによる、強度画像における強度のばらつきを抑制することができる。
【００７４】
（５）本実施形態に係る解析装置において、強度画像の横方向に並ぶ画素および縦方向に並ぶ画素に、それぞれ行および列を対応させたとき、解析部５３は、測定データまたは測定データに基づく強度画像データ等のデータのうち、強度画像の端から所定の個数の行または列に対応するデータを除外することができる。これにより、測定データや強度画像データ等の様々なデータにおける強度のばらつきを効率よく抑制することができる。
【００７５】
（６）本実施形態に係る解析装置において、解析部５３は、測定データまたは測定データに基づく強度画像データ等のデータのうち、強度画像の上端および下端のそれぞれから第１および第２の個数の行に対応するデータを除外し、左端および右端から第３および第４の個数の列に対応するデータを除外し、これらの第１、第２、第３および第４の個数のうちの少なくともいずれかは他の個数と異なるものとすることができる。これにより、測定データや強度画像データ等の様々なデータにおける強度のばらつきをさらに効率よく抑制することができる。
【００７６】
（７）本実施形態に係る解析装置は、強度画像を表示する表示部４４をさらに備える。これにより、表示部４４を見たユーザー等に試料Ｓにおける対象分子の分布をわかりやすく伝えることができる。
【００７７】
（８）本実施形態の分析装置１は、上述の解析装置（情報処理部４０）と、上記質量分析を行う質量分析計（質量分析部３０）とを備える。これにより、各照射位置Ｃに対応する照射範囲Ｒが重なり合うように試料ＳにレーザーＬを照射した場合でも、解析の際の精度の低下を抑制することができる。
【００７８】
次のような変形も本発明の範囲内であり、上述の実施形態と組み合わせることが可能である。以下の変形例において、上述の実施形態と同様の構造、機能を示す部位に関しては、同一の符号で参照し、適宜説明を省略する。
（変形例１）
上述の実施形態の分析装置１はイオントラップおよび飛行時間型質量分離部を備えるイメージング質量分析装置としたが、質量分析部３０の構成は特に限定されない。質量分析部３０は、１つの質量分析器からなる質量分離部を備えてもよいし、上述の実施形態とは異なる組合せの２以上の質量分析器からなる質量分離部を備えてもよい。例えば、分析装置１は、四重極飛行時間型質量分析計、シングル飛行時間型質量分析計、タンデム飛行時間型質量分析計、シングル四重極質量分析計、トリプル四重極質量分析計として構成することができる。また、質量分析部３０の飛行時間型質量分離部は、図１に示したように飛行時間型質量分析器への入射方向に沿った方向に加速する方式の他、直交加速型でもよく、また、図１に示したリフレクトロン型の他、リニア型やマルチターン型でもよい。
【００７９】
分析装置１がタンデム質量分析計または多段階質量分析計を構成する場合、解離の方法は特に限定されない。例えば、衝突誘起解離（Ｃｏｌｌｉｓｉｏｎ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＩＤ）、ポストソース分解、赤外多光子解離、光誘起解離、およびラジカルを用いた解離法等を適宜用いることができる。
【００８０】
（変形例２）
上述の実施形態では、照射径Ｄ、照射ピッチＰｔおよび照射順序の各条件に基づいて、データ除去部５３３が除去するデータに対応する照射位置を算出した。しかし、予めこれらの各条件の下で、所定の濃度の標準試料の各位置にレーザーを照射して質量分析を行い、検出された強度に基づいて除外するデータに対応する照射位置を定めてもよい。例えば、制御部５０は、データが除外された後の、すなわち一部の照射位置が除外された後の標準試料の各照射位置における強度のばらつきが所定の値以下になるように、除外するデータに対応する照射位置を定めてもよい。上記所定の値は、例えば、各照射位置に対応する標準試料の強度の算術平均に対する標準偏差の比率が１０％以下等、適宜設定される。
【００８１】
（変形例３）
上述の実施形態では、試料Ｓの各照射位置に対応するレーザーＬの照射範囲は円としたが、楕円等の任意の形状でもよい。このような場合でも、各照射位置に対応する照射範囲の重なりに基づいて、除外するデータに対応する照射位置を算出することができ、当該データを除外して解析を行うことで上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。除外するデータに対応する照射位置を算出することが難しい場合には、上記変形例のように予め同様の条件で標準試料等に対し質量分析を行った結果に基づいて当該照射位置を決定することができる。
【００８２】
（変形例４）
上述の実施形態では、折り返し型走査によりレーザーＬの走査を行ったが、装置制御部５２は、常に同じ向きに走査するようにレーザーＬを制御してもよい。
【００８３】
図７は本変形例におけるレーザーＬが走査する順序を示す概念図である。照射位置Ｃは図２（Ｂ）と同様、正方格子の格子点上に位置している。レーザーＬは、左上の端にある照射位置Ｃ１１を起点として、右向きに照射位置Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４、Ｃ１５の順で走査する。その後、次の行の左端の照射位置Ｃ２１を照射し、再び右向きにＣ２２、Ｃ２３、Ｃ２４、Ｃ２５の順に走査する。その後、さらに次の行の左端の照射位置Ｃ３１を照射し、再び右向きにＣ３２、Ｃ３３、Ｃ３４、Ｃ３５の順に走査する。このように、本変形例では、装置制御部５２は、一行ごと、または一列ごとに、常に同じ向きにレーザーＬの走査を行う。
【００８４】
このような場合でも、上述の実施形態と同様、様々な値の照射径Ｄと照射ピッチＰｔに基づいて、除外するデータに対応する照射位置を決定することができる。例えば、図７において、照射径Ｄが照射ピッチＰｔの２倍の長さとすると、強度画像データのうち、強度画像の上端から１行、左端から１列に対応するデータを削除すると、残りのデータは、イオン化される試料Ｓの量のばらつきが低減されたデータとなる。
なお、本変形例で示した走査や折り返し走査以外の態様で走査を行ってもよい。
【００８５】
（変形例５）
上述の実施形態において、画像作成部５３２が強度画像データを作成した後に、データ除去部５３３が強度画像データの一部を削除する構成としたが、画像作成部５３２が、測定データのうち、参照データに基づいて定められた一部のデータを用いずに強度画像データを作成してもよい。画像作成部５３２は、照射比率および走査する順序から、参照データにおいて対応する「削除する行または列の数」を参照し、測定データのうち、削除する行または列に対応する一部のデータを用いずに強度画像データを作成する。
【００８６】
従来の方法では、高強度画素Ｐａ（図３（Ｂ））の存在により、強度画像データにおける最大強度の値が不必要に高くなり、広い範囲の強度の値を、予め定められた画素値の範囲へ変換するため、高強度画素Ｐａ以外の画素Ｐｘについて強度画像Ｍｉ１のコントラストが落ちディテールが消失してしまう問題があった（図３（Ｂ）の強度画像Ｍｉ１参照）。本変形例の解析方法によると、測定データのうち、高強度画素Ｐａに対応する一部のデータを除いてから、強度を画素値に変換するため、このような問題を解消することができる。
【００８７】
図８は、本変形例に係る分析方法の流れを示すフローチャートである。ステップＳ２００１〜Ｓ２００９は上述の実施形態のフローチャートにおけるステップＳ１００１〜Ｓ１００９と同様であるため、説明を省略する。ステップＳ２００９が終了したら、ステップＳ２０１１が開始される。
【００８８】
ステップＳ２０１１において、画像作成部５３２は、ステップＳ２００１で取得した参照データを参照し、測定データの一部を除外しつつ、試料Ｓの各位置と、算出された強度とが対応した強度画像に対応するデータを作成する。ステップＳ２０１１が終了したら、ステップＳ２０１３が開始される。ステップＳ２０１３において、表示部４４は、ステップＳ２０１１で作成されたデータに基づいた強度画像を表示する。ステップＳ２０１３が終了したら、処理が終了される。
【００８９】
（変形例６）
分析装置１の情報処理機能を実現するためのプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録された、上述した画像作成部５３２やデータ除外部５３３による処理を含む測定、解析および表示の処理およびそれに関連する処理の制御に関するプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行させてもよい。なお、ここでいう「コンピュータシステム」とは、ＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）や周辺機器のハードウェアを含むものとする。また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、光ディスク、メモリカード等の可搬型記録媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムを送信する場合の通信線のように、短時間の間、動的にプログラムを保持するもの、その場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリのように、一定時間プログラムを保持するものを含んでもよい。また上記のプログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであってもよく、さらに前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせにより実現するものであってもよい。
【００９０】
また、パーソナルコンピュータ（以下、ＰＣと記載）等に適用する場合、上述した制御に関するプログラムは、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体やインターネット等のデータ信号を通じて提供することができる。図９はその様子を示す図である。ＰＣ９５０は、ＣＤ−ＲＯＭ９５３を介してプログラムの提供を受ける。また、ＰＣ９５０は通信回線９５１との接続機能を有する。コンピュータ９５２は上記プログラムを提供するサーバーコンピュータであり、ハードディスク等の記録媒体にプログラムを格納する。通信回線９５１は、インターネット、パソコン通信などの通信回線、あるいは専用通信回線などである。コンピュータ９５２はハードディスクを使用してプログラムを読み出し、通信回線９５１を介してプログラムをＰＣ９５０に送信する。すなわち、プログラムをデータ信号として搬送波により搬送して、通信回線９５１を介して送信する。このように、プログラムは、記録媒体や搬送波などの種々の形態のコンピュータ読み込み可能なコンピュータプログラム製品として供給できる。
【００９１】
上述した情報処理機能を実現するためのプログラムとして、レーザーＬが試料Ｓにおける複数の照射位置Ｃに照射され、各照射位置Ｃに対応する試料成分が質量分析されて得られた測定データを取得する測定データ取得処理（図６のステップＳ１００７および図８のステップＳ２００７に対応）と、各照射位置ＣにレーザーＬが照射される際の照射範囲Ｒのうち、既にレーザーＬが照射された部分を除いた新規照射部分Ｒｎが互いに異なる複数の照射位置の一部である所定の照射位置Ｃに対応するデータを除外して測定データの解析を行う解析処理（図６のステップＳ１０１３および図８のステップＳ２０１１に対応）とを処理装置に行わせるためのプログラムが含まれる。これにより、各照射位置Ｃに対応する照射範囲Ｒが重なり合うことによる解析の際の精度の低下を抑制することができる。
【００９２】
本発明は上記実施形態の内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００９３】
１…分析装置、１０…試料画像撮像部、１１…撮像部、２０…イオン化部、２１…レーザー照射部、２２…集光光学系、２４…試料台、２５…試料台駆動部、３０…質量分析部、３２…第１質量分離部、３３…第２質量分離部、４０…情報処理部、４３…記憶部、５０…制御部、５１…測定データ取得部、５２…装置制御部、５３…解析部、５４…表示制御部、１００…測定部、３００…真空チャンバ、３３０…検出部、５３１…強度算出部、５３２…画像作成部、５３３…データ除外部、Ｃ，Ｃ１１，Ｃ１２、Ｃ１３，Ｃ１４，Ｃ１５，Ｃ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ３１，Ｃ３２，Ｃ３３，Ｃ３４，Ｃ３５…照射位置、Ｍｉ０，Ｍｉ１…強度画像、Ｒｎ…新規照射部分、Ｓ…試料、Ｓ１…対象領域、Ｓｉ…試料由来イオン、Ｐｔ…照射ピッチ、Ｒ，Ｒ１１，Ｒ１２…照射範囲、Ｒｏ…照射範囲の重なり部分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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