(57)【要約】【課題】一つの実施形態は、基板に適切なパターンを形成できる基板の製造方法、及びインプリント装置を提供することを目的とする。【解決手段】一つの実施形態によれば、基板の製造方法が提供される。基板の製造方法は、基板の表面における第１領域と第２領域とのそれぞれにレジストを滴下することを含む。基板の製造方法は、原版のパターンを第１領域のレジストに押し当てることを含む。基板の製造方法は、レジストを硬化させることを含む。基板の製造方法は、原版をレジストから離型させることを含む。基板の製造方法は、基板における第２領域におけるレジストの状態に基づいて、レジストの濡れ性を評価することを含む。【選択図】図１
2020043130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面における第１領域と第２領域とのそれぞれにレジストを滴下することと、
原版のパターンを前記第１領域のレジストに押し当てることと、
前記レジストを硬化させることと、
前記原版を前記レジストから離型させることと、
前記基板における前記第２領域における前記レジストの状態に基づいて、前記レジストの濡れ性を評価することと、
を備えた基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２領域は、パターンが形成されない領域である
請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記レジストの濡れ性が基準を満たす場合、前記第２領域のレジストを選択的に除去することと、
前記選択的な除去の後に、前記第１領域において前記レジストのパターンを前記基板へ転写することと、
をさらに備えた
請求項１又は２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記レジストの滴下の前に、第１の条件で前記基板の表面を処理することと、
前記レジストの濡れ性が基準を満たさない場合、前記基板の表面におけるレジストを全面的に除去することと、
前記全面的な除去の後に、第２の条件で前記基板の表面を処理することと、
をさらに備えた
請求項１から３のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記濡れ性の評価は、
前記離型の後に、前記基板における前記第２領域の画像を取得することと、
前記取得された画像に基づいて、前記レジストの濡れ性が基準を満たすか否か判定することと、
を含む
請求項１から４のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記判定は、
前記取得された画像を基準画像と比較することと、
前記比較の結果に応じて、前記レジストの濡れ性が基準を満たすか否かを判断することと、
を含む
請求項５に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板の表面は、前記第１領域が前記第２領域に対して台座状に隆起している
請求項１から６のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項８】
基板を保持する基板ステージと、
原版を保持する原版ステージと、
前記保持された基板の上にレジストを滴下する滴下装置と、
前記基板の表面における第１領域と第２領域とのそれぞれにレジストを滴下させ、前記原版のパターンを前記第１領域のレジストに押し当て、前記レジストを硬化させ、前記原版を前記レジストから離型させ、前記基板における前記第２領域における前記レジストの状態に基づいて、前記レジストの濡れ性を評価するコントローラと、
を備えたインプリント装置。
【請求項９】
前記第２領域は、パターンが形成されない領域である
請求項８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記コントローラは、
前記基板における前記第２領域の画像を取得する取得部と、
前記取得された画像に基づいて、前記レジストの濡れ性が基準を満たすか否か判定する判定部と、
を有する
請求項８又は９に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記基板の表面は、前記第１領域が前記第２領域に対して台座状に隆起している
請求項８から１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、基板の製造方法、及びインプリント装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の製造方法では、基板上にレジストを滴下し、原版の凹凸パターンを基板上のレジストに押し当て、レジストを硬化させ、原版を基板から離型させた後、レジストのパターンを基板に転写する。このとき、基板に適切なパターンを形成することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−６３７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一つの実施形態は、基板に適切なパターンを形成できる基板の製造方法、及びインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一つの実施形態によれば、基板の製造方法が提供される。基板の製造方法は、基板の表面における第１領域と第２領域とのそれぞれにレジストを滴下することを含む。基板の製造方法は、原版のパターンを第１領域のレジストに押し当てることを含む。基板の製造方法は、レジストを硬化させることを含む。基板の製造方法は、原版をレジストから離型させることを含む。基板の製造方法は、基板における第２領域におけるレジストの状態に基づいて、レジストの濡れ性を評価することを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、実施形態にかかる基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】図２は、実施形態にかかる基板の製造方法に用いられるインプリントシステムの構成を示す図である。
【図３】図３は、実施形態にかかる基板の製造方法における表面処理工程を示す図である。
【図４】図４は、実施形態にかかる基板の製造方法に用いられるインプリント装置の構成を示す図である。
【図５】図５は、実施形態にかかる基板の製造方法における滴下工程を示す図である。
【図６】図６は、実施形態にかかる基板の製造方法における押印・硬化工程を示す図である。
【図７】図７は、実施形態にかかる基板の製造方法における離型工程を示す図である。
【図８】図８は、実施形態にかかる基板の製造方法における評価工程を示す図である。
【図９】図９は、実施形態における基板上のパターン非形成領域の画像を示す図である。
【図１０】図１０は、実施形態にかかる基板の製造方法におけるパターン転写工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる基板の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（実施形態）
実施形態にかかる基板の製造方法について説明する。半導体デバイスの製造において、微細パターンをウェハ上に形成する手法として、ナノインプリントリソグラフィ（インプリント法）が注目されている。
【０００９】
例えば、インプリント法を用いたウェハの製造では、凹凸パターンが形成されたテンプレートをウェハ上に塗布したレジストに接触させる。レジストを硬化させた後、テンプレートをレジストから離型することにより、ウェハ上に凹凸パターンを転写したレジストパターンが形成される。その後、レジストパターンをマスク材として、ウェハを加工することで、ウェハに微細パターンが形成される。
【００１０】
また、ウェハの製造に先立ち、インプリント法を用いたテンプレートの製造が行われる。すなわち、テンプレート上に、ウェハに押印されるべきパターンを形成する。ウェハの製造に向けては、テンプレートを複数製造することができる。そのため、電子ビーム描画装置を用いてテンプレートの鋳型となるマスターテンプレートにパターンを作成した後、そのマスターテンプレートを用いてインプリント技術（インプリント法）によりテンプレートを複数（例えば、大量に）製造する。ここで複数のテンプレートは、鋳型となるマスターテンプレートに対してレプリカテンプレートと呼ばれる場合がある。
【００１１】
このように、インプリント法は、テンプレートの製造とウェハの製造とのそれぞれに適用され得る。すなわち、インプリント法を用いた基板の製造方法では、基板上にレジストを滴下し、原版の凹凸パターンを基板上のレジストに押し当て凹凸パターン内にレジストを充填させ、レジストを硬化させ、原版を基板から離型させた後、レジストのパターンを基板に転写する。テンプレートの製造において、原版がマスターテンプレートであり、基板がレプリカテンプレートである。ウェハの製造において、原版がテンプレート（レプリカテンプレート）であり、基板がウェハである。
【００１２】
例えば、テンプレートの製造において、基板（レプリカテンプレート）が石英ガラスを主成分とする材料で形成される場合、基板の表面が疎レジスト性となり得る。この場合、基板の表面におけるパターン形成領域にレジストを供給した際にレジストの分布の不均一性が増大し、原版の凹凸パターンを基板の表面におけるパターン形成領域に押し当て凹凸パターン内にレジストを充填させた際に、凹凸パターン内にレジストが流入しない部分が生じる未充填欠陥が発生しやすい。これにより、レジストのパターン欠陥が発生すると、それに応じて、基板に転写されるパターンにパターン欠陥が発生する可能性がある。
【００１３】
そこで、本実施形態では、レジストを基板上におけるパターン形成領域だけでなくパターン非形成領域にも滴下し、離型後にパターン非形成領域のレジストの平面形状に基づいてレジストの濡れ性を評価し、レジストの濡れ性が基準を満たす場合にパターン転写を行うことで、基板製造におけるパターン欠陥の防止及び適切なパターン形成を図る。
【００１４】
具体的には、原版（マスターテンプレート）から基板（レプリカテンプレート）を作成する際に、次の（１）〜（５）を行う。
（１）レジストの濡れ性確認用のドロップの適下をドロップレシピに組み込む。確認用のドロップに求められる要件は、押印してしまうとパターン形成領域の濡れ性が判断できないことから、パターン形成領域外にドロップを配置する。
（２）（１）のレジストの濡れ性確認用のドロップを含んだドロップレシピを基板へ滴下した後、テンプレートを用いて押印・離型を行う。
（３）離型後、（１）で押印箇所外に滴下したレジストの濡れ性確認用のドロップを、光学カメラで撮像しにいく。撮像の点数や、座標は予めドロップ配置と照らし合わせ自動撮像できる状態にしておくとよい。
（４）（３）で撮像した画像について、良否判定を行う。判定方法については、次の（ｉ）、（ｉｉ）のようなやり方が考えられる。（ｉ）、（ｉｉ）の少なくともどちらかの判定方法を使用すれば、基板の表面状態（すなわち、濡れ性）に問題があるかないかの良否判断が可能である。
（ｉ）予め正常時の濡れ性画像を登録しておき、本番基板撮像後に画像マッチングを行い、判定する。
（ｉｉ）予め正常時のドロップのサイズや、輪郭を定量化し、登録しておき本番基板撮像後に同一手法により取得した数値を比較することにより判定する。
（５）（４）で否判定になったものについては、加工処理（エッチング）にもって行かず、レジスト剥離処理後の再利用扱いにすれば基板が無駄にならない。一方、良判定となったものは、後続の加工処理に流せばよい。
【００１５】
より具体的には、基板の製造方法を図１に示すように行う。図１は、基板の製造方法を示すフローチャートである。以下では、原版がマスターテンプレートであり基板がレプリカテンプレートである場合について例示的に説明するが、以下の説明は、原版がレプリカテンプレートであり基板がウェハである場合についても適用可能である。
【００１６】
まず、基板の濡れ性を評価するための条件出しとして、濡れ性の判定基準を決定する（Ｓ１）。基板の表面に対するレジストの濡れ性はレジストの液滴の端部が基板の表面となす接触角で定義されるが、接触角自体で評価せずに、レジストの平面形状の変化を通じてレジストの濡れ性を評価することにする。
【００１７】
表面の濡れ性の異なる複数の基板を用意し、複数の基板のそれぞれに対して後述のＳ２〜Ｓ７，Ｓ１１，Ｓ１２の処理を行い、基板のパターン欠陥の発生具合を電子顕微鏡（ＳＥＭ、ＴＥＭ）などにより評価する。そして、パターン欠陥の発生具合（例えば、パターン欠陥の数及び／又は密度）が許容範囲内である場合の濡れ性を良好な濡れ性とし、パターン欠陥の発生具合が許容範囲を外れる場合の濡れ性を不良な濡れ性とすることができる。
【００１８】
また、量産性を考慮した場合、すなわち、濡れ性の評価を短時間で行うことを考慮した場合、濡れ性の判定のための評価装置は、インプリント装置でアライメント用に用いる光学カメラを流用することができる。濡れ性の判定は、光学カメラを用いて行うことができる。
【００１９】
このとき、濡れ性の判定基準は、パターン非形成領域の画像を用いて濡れ性を判定可能である任意の基準に決定できる。例えば、濡れ性の判定基準は、予め実験的に取得された濡れ性が良好な場合のレジストの平面形状を示す基準画像としてもよいし、予め実験的に取得された濡れ性が良好な場合のレジストの液滴の輪郭パターンとしてもよいし、予め実験的に取得された濡れ性が良好な場合のレジストの液滴の平均サイズの閾値としてもよいし、予め実験的に取得された濡れ性が良好な場合のレジストの液滴の輪郭の真円度の閾値としてもよいし、予め実験的に取得された濡れ性が良好な場合のレジストの面積占有率の閾値としてもよい。
【００２０】
濡れ性の判定基準は、図２に示すインプリントシステム１において、判定基準情報６ｂとしてデータベース６に格納しておくことができる。図２は、基板の製造方法に用いられるインプリントシステム１の構成を示す図である。
【００２１】
インプリントシステム１は、ホストコントローラ２、搬送系３、表面処理装置４、インプリント装置７、加工装置５、及びデータベース６を有する。表面処理装置４、インプリント装置７、加工装置５は、搬送系３を介して互いに基板を搬送可能に構成されている。ホストコントローラ２は、通信線（図示せず）を介して搬送系３、表面処理装置４、インプリント装置７、加工装置５に通信可能に接続されている。加工装置５は、エッチング装置であり、ウェットエッチング及び／又はドライエッチングを行うことができる。ホストコントローラ２は、搬送系３、表面処理装置４、インプリント装置７、加工装置５をそれぞれ制御するとともに、データベース６を参照可能である。データベース６は、判定基準情報６ｂに加えて、基板について後述の各工程における処理条件が規定されたレシピ情報６ａを格納することができる。
【００２２】
搬送系３により基板１０が搬入されると、表面処理装置４は、基板１０の表面処理を行う（図１のＳ２）。表面処理装置４は、基板１０の表面１０ａに対して、親レジスト性に改質する表面処理を所定の処理時間で施す。表面処理装置４は、表面処理として、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、シランカップリング剤をガス化して基板１０の表面１０ａに蒸着する処理を行い、表面１０ａに密着層１４（図５（ａ）参照）を形成することができる。密着層１４は、レジストを基板１０に密着させる層であり、表面１０ａ近傍に形成され得る。図３（ａ）は、基板１０の製造方法における表面処理工程を示す断面図であり、図３（ｂ）は、基板１０の製造方法における表面処理工程を示す斜視図である。
【００２３】
このマスターテンプレート用いたレプリカインプリントでは、原版と基板との間の転写が行われる。このとき、原版と基板とがそれぞれ石英ガラスを主成分とする材料で形成される場合、同サイズの接触面どうしを接触させてしまうと強い吸着力が働き、原版と基板との離型が困難になる場合がある。そのため、基板（レプリカテンプレート）のパターン面に、メサ状の段差を（例えば、数１０μｍの段差で）設けることが望ましい。
【００２４】
すなわち、基板１０は、パターン形成領域１１がパターン非形成領域１２に対して台座上に隆起している。パターン形成領域１１は、メサ領域とも呼ばれる。基板１０の表面１０ａに垂直な方向から見ると、パターン非形成領域１２は、パターン形成領域１１の周囲に配され、例えばパターン形成領域１１を囲っている。表面処理装置４は、パターン形成領域１１とパターン非形成領域１２とのそれぞれに対して、親レジスト性（親油性）に改質する表面処理を施すことができる。
【００２５】
また、押印・離型を容易に行うため、原版と基板との少なくともどちらか一方は、湾曲容易な構造とすることができる。このため、原版（マスターテンプレート）及び基板（レプリカテンプレート）のそれぞれの裏面にザグリと呼ばれるくり抜き加工（又はコアアウト加工）を施すことができる。基板１０は、裏面１０ｂの側に開口された開口領域１３をさらに有していてもよい。これにより、無理な離型動作を回避することができ、パターン精度を大きく向上できる。
【００２６】
搬送系３は、表面処理装置４による基板１０の表面処理が完了すると、基板１０を表面処理装置４から搬出する。
【００２７】
搬送系３により基板１０が搬入されると、インプリント装置７は、基板１０の表面にレジストを滴下する（図１のＳ３）。インプリント装置７は、例えば、図４に示すように構成される。図４は、インプリント装置７の構成を示す図である。
【００２８】
インプリント装置７は、原版ステージ７１、基板ステージ７２、光学カメラ７３、液滴下装置７４、光源７５、及びコントローラ７８を有する。原版ステージ７１は、原版チャック７１ａを有し、原版チャック７１ａを用いて原版２０（例えば、マスターテンプレート）を保持する。基板ステージ７２は、基板チャック７２ａ及び基準マーク７２ｂを有し、基板チャック７２ａを用いて基板１０（例えば、レプリカテンプレート）を保持する。光学カメラ７３は、光学系及びイメージセンサを有する。光学カメラ７３は、アライメントセンサとして用いることができ、基準マーク７２ｂを撮像して、原版２０及び基板１０の相対的な位置合わせのための画像を取得する。液滴下装置７４は、ドロップ形状確認用を含んだレジストの液滴（ドロップ）を基板上に滴下する吐出部であり、ディスペンサとも呼ばれる。コントローラ７８は、滴下部７８１、押印部７８２、硬化部７８３、離型部７８４、評価部７８５、及び記憶部７８６を有する。評価部７８５は、撮像部７８５ａ及び判定部７８５ｂを有する。記憶部７８６は、データベース６からホストコントローラ２経由で取得されたレシピ情報６ａ、判定基準情報６ｂを、それぞれ、レシピ情報７８６ａ、判定基準情報７８６ａとして格納する。撮像部７８５ａは、光学カメラ７３を制御し、基板１０の表面１０ａに対して光学カメラ７３で撮像された画像を取得する。光学カメラ７３は、アライメントセンサとして設けられているが、濡れ性の評価に用いる画像を取得するために流用される。判定部７８５ｂは、取得された画像と判定基準情報７８６ａとに基づいて、基板１０の表面１０ａの濡れ性を判定する。
【００２９】
インプリント装置７において、コントローラ７８の滴下部７８１は、レシピ情報７８６ａに含まれたドロップレシピに基づいて液滴下装置７４を制御し、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、基板１０の表面におけるパターン形成領域１１とパターン非形成領域１２とのそれぞれにレジスト３１，３２を滴下させる。図５（ａ）は、基板１０の製造方法における滴下工程を示す断面図であり、図５（ｂ）は、基板１０の製造方法における滴下工程を示す斜視図である。
【００３０】
レジスト３１，３２は、例えば光硬化性の樹脂が有機溶剤に溶かされた液体を用いることができる。パターン非形成領域１２におけるレジスト３２の滴下箇所は、判定基準情報７８６ｂに対応した箇所であれば少なくとも一部の領域でよく、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すようなパターン非形成領域１２におけるパターン形成領域１１に隣接する部分領域１２ａ（図７（ｂ）参照）であってもよい。
【００３１】
インプリント装置７は、原版の基板への押印を行う（図１のＳ４）。すなわち、インプリント装置７において、コントローラ７８の押印部７８２は、レシピ情報７８６ａに基づいて、原版ステージ７１及び／又は基板ステージ７２を制御し、図６（ａ）、図６（ｂ）、図６（ｃ）に示すように、原版２０及び基板１０を相対的に近づけ、原版２０の凹凸パターン２０ａを基板１０におけるパターン形成領域１１のレジスト３１に押印する。これにより、原版２０の凹凸パターン２０ａ内にパターン形成領域１１のレジスト３１が流入される。図６（ａ）、図６（ｂ）は、基板１０の製造方法における押印工程を示す断面図であり、図６（ｃ）は、基板１０の製造方法における押印工程を示す斜視図である。
【００３２】
インプリント装置７は、レジストの硬化を行う（図１のＳ５）。すなわち、インプリント装置７において、コントローラ７８の硬化部７８３は、レシピ情報７８６ａに基づいて、光源７５を制御し、ＵＶ光などの露光光を原版（マスターテンプレート）２０越しに基板（レプリカテンプレート）１０上のレジストに照射し、レジストを光硬化させる。
【００３３】
インプリント装置７は、原版の基板からの離型を行う（図１のＳ６）。すなわち、インプリント装置７において、コントローラ７８の離型部７８４は、レシピ情報７８６ａに基づいて、原版ステージ７１及び／又は基板ステージ７２を制御し、図７（ａ）、図７（ｂ）に示すように、原版２０及び基板１０を相対的に遠ざけ、原版２０の凹凸パターン２０ａを基板１０の表面１０ａにおけるパターン形成領域１１のレジスト３１から引き離す。これにより、原版２０の凹凸パターン２０ａに応じたレジストパターン３１ａが形成される。図７（ａ）は、基板１０の製造方法における離型工程を示す断面図であり、図７（ｂ）は、基板１０の製造方法における離型工程を示す斜視図である。なお、基板１０の表面１０ａにおけるパターン非形成領域１２における部分領域１２ａには、レジスト３２が残存している。
【００３４】
インプリント装置７は、レジスト３２の濡れ性を評価する（Ｓ７）。すなわち、インプリント装置７において、コントローラ７８の評価部７８５は、基板１０におけるパターン非形成領域１２におけるレジスト３２の状態（例えば、平面形状など）に基づいて、レジスト３２の濡れ性を評価する。
【００３５】
具体的には、Ｓ７において、Ｓ８及びＳ９が行われる。インプリント装置７は、基板１０におけるパターン非形成領域１２の画像を取得する（Ｓ８）。すなわち、インプリント装置７において、コントローラ７８の取得部７８５ａは、原版ステージ７１及び光学カメラ７３を制御し、図８（ａ）、図８（ｂ）に示すように、光学カメラ７３の視野範囲ＦＲ−１〜ＦＲ−４がパターン非形成領域１２における部分領域１２ａに重なるように、原版ステージ７１を順次にＸＹ方向に移動させながら光学カメラ７３で撮像させることができる。図８（ａ）は、基板１０の製造方法における評価工程を示す斜視図であり、図８（ｂ）は、基板１０の製造方法における評価工程を示す平面図である。取得部７８５ａは、光学カメラ７３で撮像され取得された画像を判定部７８５ｂへ供給する。
【００３６】
インプリント装置７は、取得された画像に基づいて、レジスト３２の濡れ性が基準を満たすか否か判定する（Ｓ９）。すなわち、インプリント装置７において、コントローラ７８の判定部７８５ｂは、判定基準情報７８６ａと取得された画像とに基づいて、基板１０の表面１０ａが濡れ性の判定基準を満たすか否か判断する。すなわち、判定部７８５ｂは、取得された画像と基準画像とを比較し、比較の結果に応じて、レジストの濡れ性が基準を満たすか否かを判定する。
【００３７】
例えば、判定部７８５ｂは、取得された画像と基準画像との画像マッチングを行い、一致度を示すマッチングスコアを求め、マッチングスコアがスコア閾値を超えれば濡れ性が基準を満たすと判定でき、マッチングスコアがスコア閾値を下回れば濡れ性が基準を満たさないと判定できる。一例として、判定部７８５ｂは、図９（ａ）に示す画像が取得された場合、マッチングスコアがスコア閾値を下回ったとして基準を満たさないと判定でき、図９（ｂ）に示す画像が取得された場合、マッチングスコアがスコア閾値を超えたとして基準を満たすと判定できる。図９（ａ）、図９（ｂ）は、それぞれ、基板１０上のパターン非形成領域１２の画像を示す図である。
【００３８】
あるいは、判定部７８５ｂは、取得された画像に対して輪郭抽出（エッジ検出）処理を行い、抽出されたレジストの輪郭パターンと基準輪郭パターンとの画像マッチングを行い、一致度を示すマッチングスコアを求め、マッチングスコアがスコア閾値を超えれば濡れ性が基準を満たすと判定でき、マッチングスコアがスコア閾値を下回れば濡れ性が基準を満たさないと判定できる。判定部７８５ｂは、図９（ａ）に示す画像が取得された場合、マッチングスコアがスコア閾値を下回ったとして基準を満たさないと判定でき、図９（ｂ）に示す画像が取得された場合、マッチングスコアがスコア閾値を超えたとして基準を満たすと判定できる。
【００３９】
あるいは、判定部７８５ｂは、取得された画像に対して輪郭抽出（エッジ検出）処理を行い、抽出された輪郭パターンに基づいてレジストの液滴の平均サイズを求め、液滴の平均サイズがサイズ閾値を超えれば濡れ性が基準を満たすと判定でき、液滴の平均サイズがサイズ閾値を下回れば濡れ性が基準を満たさないと判定できる。判定部７８５ｂは、図９（ａ）に示す画像が取得された場合、液滴の平均サイズがサイズ閾値を下回ったとして基準を満たさないと判定でき、図９（ｂ）に示す画像が取得された場合、液滴の平均サイズがサイズ閾値を超えたとして基準を満たすと判定できる。
【００４０】
あるいは、判定部７８５ｂは、取得された画像に対して輪郭抽出（エッジ検出）処理を行い、抽出された輪郭パターンに基づいてレジストの液滴の輪郭の真円度を求め、輪郭の真円度が真円度閾値を下回れば基準を満たすと判定でき、輪郭の真円度が真円度閾値を超えれば基準を満たさないと判定できる。判定部７８５ｂは、図９（ａ）に示す画像が取得された場合、輪郭の真円度が真円度閾値を超えたとして基準を満たさないと判定でき、図９（ｂ）に示す画像が取得された場合、輪郭の真円度が真円度閾値を下回ったとして基準を満たすと判定できる。
【００４１】
あるいは、判定部７８５ｂは、取得された画像に対してレジストの占有領域を特定し、画像の全面積に占めるレジストの占有領域の面積の割合を計算してレジストの面積占有率を求め、レジストの面積占有率が占有率閾値を超えれば濡れ性が基準を満たすと判定でき、レジストの面積占有率が占有率閾値を下回れば濡れ性が基準を満たさないと判定できる。判定部７８５ｂは、図９（ａ）に示す画像が取得された場合、レジストの面積占有率が占有率閾値を下回ったとして基準を満たさないと判定でき、図９（ｂ）に示す画像が取得された場合、レジストの面積占有率が占有率閾値を超えたとして基準を満たすと判定できる。
【００４２】
レジストの濡れ性が基準を満たないとインプリント装置７で判定されると（Ｓ９でＮｏ）、その判定結果がインプリント装置７からホストコントローラ２へ通知されるとともに、基板（レプリカテンプレート）１０がインプリント装置７から搬送系３へ搬出される。
【００４３】
加工装置５は、レジストを全面的に剥離する旨の指示をホストコントローラ２から受けることができる。搬送系３により基板１０が搬入されると、加工装置５は、ホストコントローラ２からの指示に従い、基板１０上のレジストを全面的に剥離する（図１のＳ１０）。加工装置５は、例えばウェットエッチングにより基板１０上のレジストパターン３１ａ及びレジスト３２を除去することで、レジストを剥離する。レジストの剥離が完了すると、基板（レプリカテンプレート）１０が加工装置５から搬送系３へ搬出される。
【００４４】
ホストコントローラ２は、レジストの濡れ性が基準を満たないとの判定結果をインプリント装置７から受け、それに応じて、基板（レプリカテンプレート）１０に対する表面処理の条件を変更し、変更後の表面処理の条件を表面処理装置４へ指示する（図１のＳ１１）。これにより、その後のＳ２において、変更後の表面処理の条件で基板（レプリカテンプレート）１０に対する表面処理がなされ得る。
【００４５】
一方、レジストの濡れ性が基準を満たすとインプリント装置７で判定されると（Ｓ９でＹｅｓ）、その判定結果がインプリント装置７からホストコントローラ２へ通知されるとともに、基板（レプリカテンプレート）１０がインプリント装置７から搬送系３へ搬出される。
【００４６】
加工装置５は、パターン非形成領域のレジストを選択的に除去する旨の指示をホストコントローラ２から受けることができる。搬送系３により基板１０が搬入されると、加工装置５は、ホストコントローラ２からの指示に従い、図１０（ａ）に示すように、基板１０上のパターン非形成領域１２のレジスト３２を選択的に除去する（図１のＳ１２）。加工装置５は、例えばウェットエッチングにより基板１０上のパターン非形成領域１２のレジスト３２を選択的に除去することができる。
【００４７】
次いで、加工装置５は、レジストパターン３１ａを基板１０へ転写加工する旨の指示をホストコントローラ２から受けることができる。加工装置５は、ホストコントローラ２からの指示に従い、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）に示すように、レジストパターン３１ａを基板１０へ転写加工する（図１のＳ１３）。加工装置５は、例えばドライエッチングによりレジストパターン３１ａを基板１０へ転写加工する。これにより、基板１０におけるパターン形成領域１１にレジストパターン３１ａに対応した凹凸パターン１１ａが形成され、凹凸パターン１１ａを有する基板（レプリカテンプレート）１０が形成される。このとき、密着膜１４が除去されてもよい。
【００４８】
以上のように、実施形態では、レジストを基板上におけるパターン形成領域だけでなくパターン非形成領域にも滴下し、離型後にパターン非形成領域のレジストの平面形状に基づいてレジストの濡れ性を評価し、レジストの濡れ性が基準を満たす場合にパターン転写を行う。これにより、基板（レプリカテンプレート）の製造において、パターン欠陥の発生を防止でき、適切なパターンを形成できる。すなわち、基板（レプリカテンプレート）の製造において、パターン転写の加工を行うべきかどうか判断できるので、基板の無駄を回避することができ、基板を再作成するまでの製造時間を短縮できる。
【００４９】
なお、親レジスト性に改質する表面処理に用いられるシランカップリング剤として、モノアルコキシシラン類、ジアルコキシシラン類、トリアルコキシシラン類、モノクロロシラン類、ジクロロシラン類、トリクロロシラン類などが例示される。表面処理で基板１０の表面１０ａに形成され得る密着層として、光ラジカル重合性基を有するシランカップリング剤、または光カチオン重合性基を有するシランカップリング剤などを用いることができる。
【００５０】
また、密着層１４として、３−（Ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ  Ａｃｒｙｌａｔｅ、３−［Ｄｉｅｔｈｏｘｙ（ｍｅｔｈｙｌ）ｓｉｌｙｌ］ｐｒｏｐｙｌ  Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、３−（Ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ  Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、３−［Ｔｒｉｓ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｏｘｙ）ｓｉｌｙｌ］ｐｒｏｐｙｌ  Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、３−［Ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ（ｍｅｔｈｙｌ）ｓｉｌｙｌ］ｐｒｏｐｙｌ  Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、３−（Ｍｅｔｈｏｘｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ  Ａｃｒｙｌａｔｅ、３−（Ｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ  Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、３−（Ｔｒｉａｌｌｙｌｓｉｌｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ  Ａｃｒｙｌａｔｅ、３−（Ｔｒｉａｌｌｙｌｓｉｌｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ  Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、Ｄｉｅｔｈｏｘｙ（３−ｇｌｙｃｉｄｙｌｏｘｙｐｒｏｐｙｌ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ、３−Ｇｌｙｃｉｄｙｌｏｘｙｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ、３−Ｇｌｙｃｉｄｙｌｏｘｙｐｒｏｐｙｌ（ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ、［８−（Ｇｌｙｃｉｄｙｌｏｘｙ）−ｎ−ｏｃｔｙｌ］ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ、Ｔｒｉｅｔｈｏｘｙ（３−ｇｌｙｃｉｄｙｌｏｘｙｐｒｏｐｙｌ）ｓｉｌａｎｅなどを例示することができる。
【００５１】
また、図６及び図７では、原版（マスターテンプレート）及び基板（レプリカテンプレート）のそれぞれの裏面にザグリと呼ばれるくり抜き加工（又はコアアウト加工）が施されている場合について例示されているが、原版（マスターテンプレート）の裏面にくり抜き加工（又はコアアウト加工）が施されずに基板（レプリカテンプレート）の裏面にくり抜き加工（又はコアアウト加工）が施されてもよい。あるいは、基板（レプリカテンプレート）の裏面にくり抜き加工（又はコアアウト加工）が施されずに原版（マスターテンプレート）の裏面にくり抜き加工（又はコアアウト加工）が施されてもよい。あるいは、原版（マスターテンプレート）及び基板（レプリカテンプレート）のそれぞれの裏面にくり抜き加工（又はコアアウト加工）が施されなくてもよい。
【００５２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５３】
１  インプリントシステム、７  インプリント装置、７１  原版ステージ、７２  基板ステージ、７３  光学カメラ、７４  液滴下装置、７５  光源、７８  コントローラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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