(57)【要約】【課題】発光層の位置ずれに対応した調整を可能にすることを目的とする。【解決手段】複数層ＭＬは、キャリアの再結合によって発光する発光層４２と、電界によって電子及び正孔の対が発生する電荷発生層４４と、電子ブロック性を備えて電荷発生層４４の第１面に接触して重なる正孔輸送層ＨＴＬと、正孔ブロック性を備えて電荷発生層４４の第２面に接触して重なる電子輸送層ＥＴＬと、を含む。発光層４２は、発光色の違いで複数のグループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂに分かれる複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬを含む。電荷発生層４４は、別々の電荷発生セクションＲ−ＣＧＬ，Ｇ−ＣＧＬ，Ｂ−ＣＧＬを含む。複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬのそれぞれは、別々の電荷発生セクションＲ−ＣＧＬ，Ｇ−ＣＧＬ，Ｂ−ＣＧＬの対応する少なくとも１つに重なる。【選択図】図５
2020161577.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、
前記複数の画素電極にそれぞれ対応する複数の開口を有する絶縁層と、
前記複数の開口で前記複数の画素電極に接触して前記絶縁層に載る最下層を有し、相互に積層した複数層と、
前記複数層の最上層に接触して載る共通電極と、
を有し、
前記複数層は、キャリアの再結合によって発光する発光層と、電界によって電子及び正孔の対が発生する電荷発生層と、電子ブロック性を備えて前記電荷発生層の第１面に接触して重なる正孔輸送層と、正孔ブロック性を備えて前記電荷発生層の第２面に接触して重なる電子輸送層と、を含み、
前記発光層は、前記複数の開口の内側で前記複数の画素電極に重なり、発光色の違いで複数のグループに分かれる複数の発光セクションを含み、
前記電荷発生層は、別々の電荷発生セクションを含み、
前記複数の発光セクションのそれぞれは、前記別々の電荷発生セクションの対応する少なくとも１つに重なることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記複数の発光セクションのそれぞれは、前記複数の開口の対応する１つの内側で、前記別々の電荷発生セクションの対応する１つに重なることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記絶縁層には、前記電荷発生層及び前記発光層の少なくとも一方が重なることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載された表示装置において、
前記正孔輸送層及び前記電子輸送層は、前記電荷発生層が介在する部分と、前記電荷発生層が介在しない部分と、を含み、
前記電荷発生層が介在しない前記部分は、相互に接触していることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載された表示装置において、
前記電荷発生層が介在しない前記部分は、前記絶縁層の上方にあることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載された表示装置において、
前記複数の発光セクションは、隣り合って端部が相互に重なる一対の発光セクションを有し、
前記一対の発光セクションは、相互に重なる前記端部を、前記絶縁層の上方に有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載された表示装置において、
前記電荷発生層が介在しない前記部分は、前記一対の発光セクションの相互に重なる前記端部と重なることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、画素数の増加によって画素間隔が狭まるようになってきた。有機エレクトロルミネセンスディスプレイは、発光層が発光色ごとに分離している一方で、全画素に連続する層（例えばホール注入層）を有していることがある（特許文献１）。ホール注入層は、アノードから発光層へのホール注入をアシストする役割を持つが、低抵抗であるために、隣接画素へのホールのリーク（横リーク）を引き起こす。横リークは異なる発光色の画素間で起こる場合、混色の原因にもなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−８５９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
製造プロセスで発光層の位置がずれることがある。画素電極の端部を覆う絶縁層の上で隣同士の異なる発光色の発光層が重なると、ホールのリークによって隣の異なる発光色の発光層が発光する。この発光は色純度を低下させてしまう。
【０００５】
本発明は、発光層の位置ずれに対応した調整を可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ対応する複数の開口を有する絶縁層と、前記複数の開口で前記複数の画素電極に接触して前記絶縁層に載る最下層を有し、相互に積層した複数層と、前記複数層の最上層に接触して載る共通電極と、を有し、前記複数層は、キャリアの再結合によって発光する発光層と、電界によって電子及び正孔の対が発生する電荷発生層と、電子ブロック性を備えて前記電荷発生層の第１面に接触して重なる正孔輸送層と、正孔ブロック性を備えて前記電荷発生層の第２面に接触して重なる電子輸送層と、を含み、前記発光層は、前記複数の開口の内側で前記複数の画素電極に重なり、発光色の違いで複数のグループに分かれる複数の発光セクションを含み、前記電荷発生層は、別々の電荷発生セクションを含み、前記複数の発光セクションのそれぞれは、前記別々の電荷発生セクションの対応する少なくとも１つに重なることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、正孔輸送層及び電子輸送層は、電荷発生層が介在せずに重なると、正孔も電子も輸送されない。したがって、発光セクションの位置ずれがあるときに、別々の電荷発生セクションのいずれかをずらすことで、発光セクションの一部での発光を阻止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】表示装置の使用状態を示す概略図である。
【図３】図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。
【図４】図１に示す表示装置のIV−IV線断面の拡大図である。
【図５】図４で図示を省略した部分を示す断面図である。
【図６】図１に示す表示装置の一部を拡大した図である。
【図７】発光素子の発光原理を説明するための図である。
【図８】図５に示す発光セクションに位置ずれが生じている例を示す断面図である。
【図９】図８に示す例の平面図である。
【図１０】図８に示す発光素子の非発光原理を説明するための図である。
【図１１】実施形態の変形例に係る表示装置を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す発光セクションに位置ずれが生じている例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１０】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１１】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１２】
図１は、実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、実際には、折り曲げて使用するので、図１は、表示装置を折り曲げる前の展開図である。図２は、表示装置の使用状態を示す概略図である。図３は、図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。
【００１３】
表示装置は、ディスプレイＤＳＰを含む。屈曲の内側にはスペーサＳＰが配置されて、ディスプレイＤＳＰの曲がりすぎを防いでいる。ディスプレイＤＳＰは、可撓性を有し、表示領域ＤＡの外側で折り曲げられている。ディスプレイＤＳＰには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップＣＰが搭載されている。ディスプレイＤＳＰには、表示領域ＤＡの外側で、フレキシブルプリント基板ＦＰが接続されている。
【００１４】
表示装置は、例えば、有機エレクトロルミネセンス表示装置である。表示装置は、画像が表示される表示領域ＤＡを有する。表示領域ＤＡでは、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。
【００１５】
図４は、図１に示す表示装置のIV−IV線断面の拡大図である。基板１０は、ポリイミドからなる。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いてもよい。
【００１６】
基板１０上に、バリア無機膜１２（アンダーコート層）が積層されている。バリア無機膜１２は、シリコン酸化膜１２ａ、シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃの三層積層構造である。最下層のシリコン酸化膜１２ａは、基板１０との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜１２ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜１２ｃは、シリコン窒化膜１２ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１６側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。
【００１７】
薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて機能膜１４を形成してもよい。機能膜１４は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜１２ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて機能膜１４を島状に形成し、その後シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃを積層することで、バリア無機膜１２に機能膜１４を封入するように形成しているが、この限りではなく、基板１０上にまず機能膜１４を形成し、その後にバリア無機膜１２を形成してもよい。
【００１８】
バリア無機膜１２上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１６は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜１８としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２０は、モリブデンタングステンから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２０に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１６（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜１８を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。
【００１９】
ゲート電極２０の上に、層間絶縁膜２２（シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜）が積層されている。層間絶縁膜２２の上に、ソース・ドレイン電極２４となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜２２を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。
【００２０】
第２配線層Ｗ２（ソース・ドレイン電極２４）を覆って、層間絶縁膜２２の上にパッシベーション膜２６が形成されている。パッシベーション膜２６の上には平坦化膜２８が設けられている。平坦化膜２８は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の樹脂が用いられる。
【００２１】
平坦化膜２８及びパッシベーション膜２６は、画素コンタクト部３０では除去されて、その上に酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）膜３２が形成されている。酸化インジウムスズ膜３２は、相互に分離された第１透明導電膜３２ａ及び第２透明導電膜３２ｂを含む。平坦化膜２８及びパッシベーション膜２６の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３２ａにて被覆される。第１透明導電膜３２ａを被覆するように、平坦化膜２８の上にシリコン窒化膜３４が設けられている。シリコン窒化膜３４は、画素コンタクト部３０に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極２４に導通するように画素電極３６が積層されている。表示装置は、複数の画素電極３６を有する。画素電極３６は、画素コンタクト部３０から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。
【００２２】
第２透明導電膜３２ｂは、画素コンタクト部３０に隣接して、画素電極３６の下方（さらにシリコン窒化膜３４の下方）に設けられている。第２透明導電膜３２ｂ、シリコン窒化膜３４及び画素電極３６は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。
【００２３】
図５は、図４で図示を省略した層の詳細を示す断面図である。図４に示す平坦化膜２８の上には、バンク（リブ）と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁層３８が形成されている。絶縁層３８としては平坦化膜２８と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁層３８は、複数の画素電極３６の表面を発光領域として露出するように、複数の開口４０を有する。複数の開口４０は、それぞれ、複数の画素電極３６に対応する。絶縁層３８は、それぞれの画素電極３６の周端部に載る。
【００２４】
画素電極３６は、反射面を有する反射電極である。例えば、酸化インジウム亜鉛膜、銀膜、酸化インジウム亜鉛膜の三層積層構造になっている。酸化インジウム亜鉛膜は透明であり、中間層の銀層の表面が反射面である。なお、酸化インジウム亜鉛膜に代わって酸化インジウムスズ膜を用いてもよい。
【００２５】
複数の画素電極３６の上に、複数層ＭＬが積層されている。複数層ＭＬは相互に積層する。複数層ＭＬの最下層は、複数の開口４０で複数の画素電極３６に接触して絶縁層３８に載る。複数層ＭＬの最下層は、複数の画素電極３６にそれぞれ接触する複数の接触領域を有する。複数の接触領域は、それぞれ、絶縁層３８の複数の開口４０に重なる（又は一致する）。
【００２６】
複数層ＭＬは、キャリアの再結合によって発光する発光層４２を含む。発光層４２は、複数の開口４０の内側で複数の画素電極３６に重なる。発光層４２は絶縁層３８にも重なる。発光層４２は、複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬを含む。
【００２７】
図６は、図１に示す表示装置の一部を拡大した図である。図５では、発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬが連続している例を示すが、図６は後述の通り、分離されている例を示す。複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬは、発光色の違いで複数のグループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂに分かれる。発光色は、赤、緑及び青（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を含む。それぞれのグループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂに、複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬの対応する一群が含まれる。グループＧｒ，グループＧｇ及びグループＧｂのそれぞれにおいて、隣り合う発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬは、図６に示すように分離されていてもよいし、図５のように連続していてもよい。また、同じ色同士では連続し、異なる色同士では分離されていてもよい。その場合、例えば、図６の縦方向の複数の画素において発光セクションが連続し、横方向においては分離されることとなる。
【００２８】
図５に示すように、複数層ＭＬは、電界によって電子及び正孔の対が発生する電荷発生層４４を含む。電荷発生層４４は、別々の電荷発生セクションＲ−ＣＧＬ，Ｇ−ＣＧＬ，Ｂ−ＣＧＬを含む。複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬのそれぞれは、図６に示すように、別々の電荷発生セクションＲ−ＣＧＬ，Ｇ−ＣＧＬ，Ｂ−ＣＧＬの対応する少なくとも１つに重なる。複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬのそれぞれは、複数の開口４０の対応する１つの内側で、別々の電荷発生セクションＲ−ＣＧＬ，Ｇ−ＣＧＬ，Ｂ−ＣＧＬの対応する１つに重なる。電荷発生層４４は絶縁層３８にも重なる。
【００２９】
図５に示すように、複数層ＭＬは、電子ブロック性を備えて電荷発生層４４の第１面（例えば上面）に接触して重なる正孔輸送層ＨＴＬを含む。複数層ＭＬは、正孔ブロック性を備えて電荷発生層４４の第２面（例えば下面）に接触して重なる電子輸送層ＥＴＬを含む。正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬは、電荷発生層４４が介在する部分を含む。
【００３０】
本実施形態によれば、正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬは、電荷発生層４４が介在せずに重なると、正孔も電子も輸送されない。したがって、発光セクションの位置ずれがあるときに、別々の電荷発生セクションＲ−ＣＧＬ，Ｇ−ＣＧＬ，Ｂ−ＣＧＬのいずれかをずらすことで、発光セクションの一部での発光を阻止することができる。
【００３１】
複数の画素電極３６の上に、キャリア注入層４６が積層されている。画素電極３６が陽極であれば、キャリア注入層４６は正孔注入層ＨＩＬである。キャリア注入層４６の上にキャリア輸送層４８が積層されている。キャリア注入層４６が正孔注入層ＨＩＬであれば、キャリア輸送層４８は正孔輸送層ＨＴＬである。キャリア注入層４６及びキャリア輸送層４８は、複数の画素電極３６の上方で連続している。
【００３２】
キャリア輸送層４８の上には、複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬの発光色の違いに応じて、個別キャリア輸送層Ｒ−ＨＴＬ，Ｇ−ＨＴＬが形成されている。キャリア輸送層４８が正孔輸送層ＨＴＬであれば、個別キャリア輸送層Ｒ−ＨＴＬ，Ｇ−ＨＴＬは正孔輸送層である。例えば、発光色が赤の発光セクションＲ−ＥＭＬと重なるように、個別キャリア輸送層Ｒ−ＨＴＬが形成されている。発光色が緑の発光セクションＧ−ＥＭＬと重なるように、個別キャリア輸送層Ｇ−ＨＴＬが形成されている。発光色が青の発光セクションＢ−ＥＭＬに重なる個別キャリア層は形成しない。また、個別キャリア輸送層Ｒ−ＨＴＬ及び個別キャリア輸送層Ｇ−ＨＴＬは、異なる厚みになっていてもよい。こうすることで、発光色の違いに応じて、発光セクションＲ−ＧＭＬ，Ｇ−ＥＭＬから画素電極３６までの距離を異ならせることができる。これにより、発光色の波長に応じて、適切なキャビティ効果を得られるようになっている。
【００３３】
複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬの下面には、キャリアブロック層５０が接触している。複数の画素電極３６が陽極であれば、キャリアブロック層５０は電子ブロック層ＥＢＬである。複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬの上面には、他のキャリアブロック層５２が接触している。共通電極５４が陰極であれば、キャリアブロック層５２は正孔ブロック層ＨＢＬである。その上に積層（接触）するのは、上述した電子輸送層ＥＴＬである。複数層ＭＬの最上層は、正孔輸送層ＨＴＬである。
【００３４】
複数層ＭＬの上に、共通電極５４が設けられている。共通電極５４は、複数層ＭＬの最上層（正孔輸送層ＨＴＬ）に接触して載る。ここでは、トップエミッション構造が採用されているため、共通電極５４は透明である。例えば、マグネシウム層及び銀層を、複数層ＭＬからの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。画素電極３６が陽極であれば、共通電極５４は陰極である。複数の画素電極３６と、共通電極５４と、複数の画素電極３６のそれぞれの中央部と共通電極５４の間に介在する複数層ＭＬで発光素子（図７参照）が構成される。
【００３５】
別々の電荷発生セクションＲ−ＣＧＬ，Ｇ−ＣＧＬ，Ｂ−ＣＧＬは、対応する発光セクションの発光色に応じて、異なる厚みになっていてもよい。こうすることで、発光色の違いに応じて、画素電極３６から共通電極５４までの距離を異ならせることができる。これにより、発光色の波長に応じて、適切なキャビティ効果を得られるようになっている。
【００３６】
共通電極５４の上に、光取り出し効率を向上させるためのキャップ層ＣＡＰが形成され、その上に封止層５６が形成されている。封止層５６は、先に形成した複数層ＭＬを、外部からの水分侵入を防止することを機能の一つとしており、高いガスバリア性が要求される。封止層５６は、有機膜５８及びこれを挟む一対の無機膜６０（例えばシリコン窒化膜）の積層構造になっている。封止層５６には、さらに、タッチセンシングを行うための電極が設けられてもよいし、保護膜となる樹脂層や偏光板（例えば円偏光板）を積層してもよい。
【００３７】
図７は、発光素子の発光原理を説明するための図である。この例では、画素電極３６は陽極であり、共通電極５４は陰極である。したがって、正孔が、画素電極３６から、キャリア注入層４６（正孔注入層ＨＩＬ）、キャリア輸送層４８（正孔輸送層ＨＴＬ）及びキャリアブロック層５０（電子ブロック層ＥＢＬ）を通って、発光セクションＢ−ＥＭＬに輸送される。
【００３８】
別々の電荷発生セクションＢ−ＣＧＬには、画素電極３６及び共通電極５４の間の電界によって、電子及び正孔の対が発生する。正孔は、陰極である共通電極５４に引き寄せられる。電子は、陽極である画素電極３６の方向に引き寄せられ、電子輸送層ＥＴＬ及びキャリアブロック層５２（正孔ブロック層ＨＢＬ）を通って、発光セクションＢ−ＥＭＬに輸送される。発光セクションＢ−ＥＭＬは、電子及び正孔の再結合によって発光する。同様の原理で、発光セクションＧ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬも発光する。
【００３９】
本実施形態では、図６に示すように、複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬは、グループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂごとに別々に形成される。その形成は、マスクを使用した蒸着によるため、マスクの相対的な位置ずれなどの理由で、発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬに位置ずれが生じることがあり得る。
【００４０】
図８は、図５に示す発光セクションに位置ずれが生じている例を示す断面図である。図９は、図８に示す例の平面図である。具体的には、発光色が緑の発光セクションＧ−ＥＭＬに位置ずれが生じて、その端部が、発光色が青の発光セクションＢ−ＥＭＬに重なっている。その重なった部分で両方の発光セクションＧ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬが発光すると、光の混色が生じる。その対策として、発光セクションＧ−ＥＭＬの位置を調整する代わりに、別々の電荷発生セクションＢ−ＣＧＬの位置をずらした。
【００４１】
詳しくは、複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬは、隣り合って端部が相互に重なる一対の発光セクションＧ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬを有する。一対の発光セクションＧ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬは、相互に重なる端部を、絶縁層３８の上方に有する。一対の発光セクションＧ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬの相互に重なる端部の上方では、電荷発生層４４は絶縁層３８に重ならない。つまり、別々の電荷発生セクションＢ−ＣＧＬがずれている。
【００４２】
電荷発生層４４を挟む正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬは、電荷発生層４４が介在しない部分Ｐを含む。本実施例の部分Ｐにおいては、正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬが接している。電荷発生層４４が介在しない部分Ｐは、絶縁層３８の上方にある。電荷発生層４４が介在しない部分Ｐは、一対の発光セクションＧ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬの相互に重なる端部と重なる。
【００４３】
図１０は、図８に示す部分Ｐの発光素子の非発光原理を説明するための図である。一対の発光セクションＧ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬの相互に重なる端部の上方では、正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬは、相互に接触している。そのため、正孔輸送層ＨＴＬは電子を輸送することができず、電子輸送層ＥＴＬは正孔を輸送することができない。したがって、陰極である共通電極５４から、正孔輸送層ＨＴＬに電子を注入することができず、一対の発光セクションＧ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬの相互に重なる端部は発光しない。これにより、横リーク、ひいては混色を防ぐことができる。
【００４４】
図１１は、実施形態の変形例に係る表示装置を示す断面図である。変形例は、キャリアブロック層１５０が、複数のキャリアブロックセクションＲ−ＥＢＬ，Ｇ−ＥＢＬ，Ｂ−ＥＢＬに分かれている点で、上記実施形態（図５）と異なる。
【００４５】
複数のキャリアブロックセクションＲ−ＥＢＬ，Ｇ−ＥＢＬ，Ｂ−ＥＢＬは、発光色に対応して、異なる厚みになっていてもよい。こうすることで、発光色の違いに応じて、発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬから画素電極３６までの距離を異ならせることができる。これにより、発光色の波長に応じて、適切なキャビティ効果を得られるようになっている。なお、変形例では、キャリア輸送層４８の全体上にキャリアブロック層１５０が接触しており、図５に示す個別キャリア輸送層Ｒ−ＨＴＬ，Ｇ−ＨＴＬは形成されていない。
【００４６】
図１２は、図１１に示す発光セクションに位置ずれが生じている例を示す断面図である。具体的には、発光色が緑の発光セクションＧ−ＥＭＬに位置ずれが生じて、その端部が、発光色が青の発光セクションＢ−ＥＭＬに重なっている。その重なった部分で両方の発光セクションＧ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬが発光すると、光の混色が生じる。その対策として、発光セクションＧ−ＥＭＬの位置を調整する代わりに、別々の電荷発生セクションＢ−ＣＧＬの位置をずらした。
【００４７】
詳しくは、複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬは、隣り合って端部が相互に重なる一対の発光セクションＧ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬを有する。一対の発光セクションＧ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬは、相互に重なる端部を、絶縁層３８の上方に有する。一対の発光セクションＧ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬの相互に重なる端部の上方では、電荷発生層４４は絶縁層３８に重ならない。つまり、別々の電荷発生セクションＢ−ＣＧＬがずれている。
【００４８】
電荷発生層４４を挟む正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬは、電荷発生層４４が介在しない部分Ｐを含む。電荷発生層４４が介在しない部分Ｐは、相互に接触している。電荷発生層４４が介在しない部分Ｐは、絶縁層３８の上方にある。電荷発生層４４が介在しない部分Ｐは、一対の発光セクションＧ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬの相互に重なる端部と重なる。
【００４９】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００５０】
１０  基板、１２  バリア無機膜、１２ａ  シリコン酸化膜、１２ｂ  シリコン窒化膜、１２ｃ  シリコン酸化膜、１４  機能膜、１６  半導体層、１８  ゲート絶縁膜、２０  ゲート電極、２２  層間絶縁膜、２４  ドレイン電極、２６  パッシベーション膜、２８  平坦化膜、３０  画素コンタクト部、３２  酸化インジウムスズ膜、３２ａ  第１透明導電膜、３２ｂ  第２透明導電膜、３４  シリコン窒化膜、３６  画素電極、３８  絶縁層、４０  開口、４２  発光層、４４  電荷発生層、４６  キャリア注入層、４８  キャリア輸送層、５０  キャリアブロック層、５２  キャリアブロック層、５４  共通電極、５６  封止層、５８  有機膜、６０  無機膜、１５０  キャリアブロック層、Ｃad  付加容量、ＣＡＰ  キャップ層、ＣＬ１  第１保持容量線、ＣＬ２  第２保持容量線、ＣＰ  集積回路チップ、Ｃｓ  保持容量、ＤＡ  表示領域、ＤＳＰ  ディスプレイ、ＥＢＬ  電子ブロック層、ＥＴＬ  電子輸送層、ＦＰ  フレキシブルプリント基板、Ｇｂ  グループ、Ｇｇ  グループ、Ｇｒ  グループ、ＨＢＬ  正孔ブロック層、ＨＩＬ  正孔注入層、ＨＴＬ  正孔輸送層、ＭＬ  複数層、Ｐ  部分、ＳＰ  スペーサ、ＴＲ  薄膜トランジスタ、Ｗ１  第１配線層、Ｗ２  第２配線層、Ｒ−ＣＧＬ  電荷発生セクション、Ｇ−ＣＧＬ  電荷発生セクション、Ｂ−ＣＧＬ  電荷発生セクション、Ｒ−ＥＢＬ  キャリアブロックセクション、Ｇ−ＥＢＬ  キャリアブロックセクション、Ｂ−ＥＢＬ  キャリアブロックセクション、Ｒ−ＥＭＬ  発光セクション、Ｇ−ＥＭＬ  発光セクション、Ｂ−ＥＭＬ  発光セクション、Ｒ−ＨＴＬ  個別キャリア輸送層、Ｇ−ＨＴＬ  個別キャリア輸送層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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