(57)【要約】【課題】タクトタイムの短縮と、電食によって敏感になったメタル配線膜での腐食（コロージョン）の発生を防止する。【解決手段】基板Ｗをドライエッチング処理するドライエッチング工程Ｓ０４と、基板をリンス液に浸漬するウエットリンス工程Ｓ２２と、を有する基板処理方法であって、ドライエッチング工程からウエットリンス工程へと基板を移動する空間において、露点を基準値以下とする露点設定工程Ｓ１３を有する。【選択図】図２
2020035923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をドライエッチング処理するドライエッチング工程と、
前記基板をリンス液に浸漬するウエットリンス工程と、
を有する基板処理方法であって、
前記ドライエッチング工程から前記ウエットリンス工程へと前記基板を移動する空間において、露点を基準値以下とする露点設定工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記基板を移動する前記空間の前記露点を測定する露点測定工程と、
前記露点測定工程で測定した前記露点が前記基準値以下であった場合に、前記ドライエッチング工程から前記ウエットリンス工程へと前記基板を移動するとともに、
前記露点測定工程で測定した前記露点が前記基準値以上であった場合に、前記ドライエッチング工程から前記ウエットリンス工程へと前記基板を移動しない判断をおこなう搬出判断工程と、
を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記ドライエッチング工程において処理した複数枚の前記基板を貯めておき、
前記ウエットリンス工程において貯めておいた複数枚の前記基板を前記リンス液に一度に浸漬することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記ドライエッチング工程において処理した複数枚の前記基板をカセットに貯めておくことを特徴とする請求項３記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記露点設定工程において、前記空間の内部のリンス槽に前記リンス液を貯留するとともに密閉しておき、
前記ウエットリンス工程において、前記リンス槽の密閉を解除して前記基板をリンス液に浸漬することを特徴とする請求項１から４のいずれか記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記露点設定工程の前において、前記リンス槽を密閉した状態で前記空間に搬入するリンス槽搬入工程と
前記露点設定工程の後において、前記リンス槽を密閉した状態で前記空間から搬出するリンス槽搬出工程と、
を有することを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【請求項７】
基板をドライエッチング処理するドライエッチング室と、
前記基板を浸漬してウエットリンスするリンス液を貯留するとともに密閉可能な蓋部を有するリンス槽と、
前記リンス槽を収納可能とするグローブボックスと、
前記グローブボックスの露点を測定する露点測定ゲージと、
前記グローブボックスの露点を設定する露点設定部と、
前記ドライエッチング室で処理された前記基板を前記ドライエッチング室から前記グローブボックスの前記リンス槽へと搬出する搬出部と、
を有し、
前記搬出部が、前記基板を前記ドライエッチング室から前記グローブボックスの前記リンス槽へと搬出する際に、
前記露点測定ゲージで測定した前記グローブボックスの内部における露点を前記露点設定部が基準値以下に設定することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
前記ドライエッチング室において処理した複数枚の前記基板を貯めておき、前記リンス槽の前記リンス液に一度に浸漬するカセットを有することを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理方法、基板処理装置に関し、特に塩素系のドライエッチング後に用いて好適な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルミニウムなどを主成分とするメタル配線膜（メタル膜）のドライエッチングにおいては、塩素系ガスを用いたプラズマエッチングの後に、そのまま基板を大気中に取り出すと、基板に吸着した塩素と大気中の水分と酸素の影響により、メタル配線膜に腐食（コロージョン）が発生する。これを防止するために、メタルドライエッチングにおいては、エッチングの後工程に何らかの防食処理を必要とする。代表的な防食工程として、ウエットリンス、酸素プラズマアッシング、フッ素プラズマ処理、または加熱処理がある。
【０００３】
特許文献１には、脱塩素水溶液としてチオ硫酸塩の水溶液を用いて、枚葉リンサーによるウエットリンスに関する技術が記載されている。
【０００４】
また、特許文献２に記載されるように、複数種類のメタルを積層して配線等に利用する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０８−１４８４６６号公報
【特許文献２】特開２００３−２１７８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献1記載の技術では、脱塩素水溶液によるウエットリンスを行っているが、塩素系ガスによるドライエッチング処理終了後に枚葉リンサーまでの間に、雰囲気中の水分と基板上の塩素ガスとの影響により、メタル配線膜に腐食（コロージョン）が発生することを防止できていない。
【０００７】
さらに、ドライエッチング処理終了後にウエットリンス処理までの間で基板を移動する空間において、雰囲気中の水分を除去することも考えられるが、この場合、水溶液を用いるリンサーにおいて、枚葉処理のリンス工程で毎回雰囲気中の水分を除去すると、タクトタイムが膨大となり、現実的でない。
【０００８】
特に、複数種のメタルを積層した積層メタル配線においては、異なる金属どうしで異種金属接触腐食（電食）の影響により、積層メタル配線における感度が高まってしまい、極めて短時間の接触、あるいは、極めて微量の水分であっても、敏感に腐食（コロージョン）の発生する場合があることが判明した。
【０００９】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．メタル配線膜における腐食（コロージョン）の発生を防止すること。
２．タクトタイムの短縮を図ること。
３．電食によって敏感になったメタル配線膜での腐食（コロージョン）の発生を防止すること。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、ドライエッチング後におけるコロージョンの発生を抑制するには、ドライエッチング終了時から、ウエットリンス処理のリンス液への浸漬までの間において、基板のおかれる雰囲気が水分を含まないこと、つまり、エッチングからリンスまでの基板移動時における露点を基準値以下にすることで、コロージョン発生を効果的に防止できることを見出し、次のように、本発明を完成させた。
【００１１】
本発明の基板処理方法は、基板をドライエッチング処理するドライエッチング工程と、
前記基板をリンス液に浸漬するウエットリンス工程と、
を有する基板処理方法であって、
前記ドライエッチング工程から前記ウエットリンス工程へと前記基板を移動する空間において、露点を基準値以下とする露点設定工程を有することにより上記課題を解決した。
本発明の基板処理方法は、前記基板を移動する前記空間の前記露点を測定する露点測定工程と、
前記露点測定工程で測定した前記露点が前記基準値以下であった場合に、前記ドライエッチング工程から前記ウエットリンス工程へと前記基板を移動するとともに、
前記露点測定工程で測定した前記露点が前記基準値以上であった場合に、前記ドライエッチング工程から前記ウエットリンス工程へと前記基板を移動しない判断をおこなう搬出判断工程と、
を有することができる。
本発明において、前記ドライエッチング工程において処理した複数枚の前記基板を貯めておき、
前記ウエットリンス工程において貯めておいた複数枚の前記基板を前記リンス液に一度に浸漬することが好ましい。
本発明の基板処理方法は、前記ドライエッチング工程において処理した複数枚の前記基板をカセットに貯めておくことが可能である。
また、本発明の基板処理方法は、前記露点設定工程において、前記空間の内部のリンス槽に前記リンス液を貯留するとともに密閉しておき、
前記ウエットリンス工程において、前記リンス槽の密閉を解除して前記基板をリンス液に浸漬する手段を採用することもできる。
本発明の基板処理方法は、前記露点設定工程の前において、前記リンス槽を密閉した状態で前記空間に搬入するリンス槽搬入工程と
前記露点設定工程の後において、前記リンス槽を密閉した状態で前記空間から搬出するリンス槽搬出工程と、
を有することができる。
本発明の基板処理装置は、基板をドライエッチング処理するドライエッチング室と、
前記基板を浸漬してウエットリンスするリンス液を貯留するとともに密閉可能な蓋部を有するリンス槽と、
前記リンス槽を収納可能とするグローブボックスと、
前記グローブボックスの露点を測定する露点測定ゲージと、
前記グローブボックスの露点を設定する露点設定部と、
前記ドライエッチング室で処理された前記基板を前記ドライエッチング室から前記グローブボックスの前記リンス槽へと搬出する搬出部と、
を有し、
前記搬出部が、前記基板を前記ドライエッチング室から前記グローブボックスの前記リンス槽へと搬出する際に、
前記露点測定ゲージで測定した前記グローブボックスの内部における露点を前記露点設定部が基準値以下に設定することにより上記課題を解決した。
また、本発明の基板処理装置は、前記ドライエッチング室において処理した複数枚の前記基板を貯めておき、前記リンス槽の前記リンス液に一度に浸漬するカセットを有することができる。
【００１２】
本発明の基板処理方法は、基板をドライエッチング処理するドライエッチング工程と、
前記基板をリンス液に浸漬するウエットリンス工程と、
を有する基板処理方法であって、
前記ドライエッチング工程から前記ウエットリンス工程へと前記基板を移動する空間において、露点を基準値以下とする露点設定工程を有する。
ここで、ウエットリンス工程において基板をリンス液によってリンス処理するためには、リンス液が暴露している空間を通って基板を移動させた後に、基板をリンス液に接触させる、あるいは、基板をリンス液内に浸漬することが必要である。このため、基板とリンス液を接触させる直前には、リンス液から発生した水分を含む雰囲気となる空間に対して、基板を曝すことになる。ところが、この露点設定工程により、ドライエッチング工程から前記ウエットリンス工程へと前記基板を移動する前に、あらかじめ、基板を移動する空間の露点を基準値以下に設定しておくことにより、基板周囲における雰囲気の露点が基準値以下である状態を維持することができる。
その結果、ドライエッチング工程からウエットリンス工程へと基板を移動する空間において、腐食が発生する水分量よりも少ない水分しか含有しない状態とすることができる。これにより、ドライエッチングにおいて基板に残る塩素等のエッチングガスと、空間中に存在する水分が反応して、基板上のメタル配線において腐食（コロージョン）あるいは、ダメージが発生することを防止できる。
なお、基板を移動する空間の露点を基準値以下に設定するのは、少なくとも空間内で基板を移動する前後の間に維持されていればよく、これ以外のウエットリンス工程の間、あるいは、リンス液交換等のメンテナンスなど、その他の時間は、露点が上昇する場合があってもよい。
なお、露点の基準値は、メタル配線における腐食に対する感度、つまり、どの程度メタル配線が腐食されやすいかに対応して設定することができる。これにより、腐食感度が高く、耐腐食性の低い積層メタル配線を有する基板においても、腐食（コロージョン）の発生、あるいは、ダメージの発生を防止することが可能となる。
【００１３】
本発明の基板処理方法は、前記基板を移動する前記空間の前記露点を測定する露点測定工程と、
前記露点測定工程で測定した前記露点が前記基準値以下であった場合に、前記ドライエッチング工程から前記ウエットリンス工程へと前記基板を移動するとともに、
前記露点測定工程で測定した前記露点が前記基準値以上であった場合に、前記ドライエッチング工程から前記ウエットリンス工程へと前記基板を移動しない判断をおこなう搬出判断工程と、
を有する。これにより、基板の移動する空間の露点を測定し、測定した露点が基準値以下でない場合には、基板の移動する空間の露点を基準値以下となるように再設定するとともに、測定した露点が基準値以下である場合には、基板を移動してウエットリンス処理をおこなうことで、腐食（コロージョン）の発生、あるいは、ダメージの発生を確実に防止することができる。
【００１４】
本発明において、前記ドライエッチング工程において処理した複数枚の前記基板を貯めておき、
前記ウエットリンス工程において貯めておいた複数枚の前記基板を前記リンス液に一度に浸漬する。これにより、複数枚の前記基板を前記ドライエッチング工程において処理してこれらを貯めている間に、露点設定工程としてエッチング処理後の基板を移動する空間における露点を基準値以下に設定して、腐食（コロージョン）の発生を防止することができる。さらに、露点設定をおこなう時間に、複数枚の基板に対するドライエッチング処理をおこなって、基板処理におけるタクトタイムが短いままで、腐食（コロージョン）の発生を防止することができる。
【００１５】
本発明の基板処理方法は、前記ドライエッチング工程において処理した複数枚の前記基板をカセットに貯めておく。これにより、ドライエッチングの終了した基板をそれぞれカセットに貯めている間に、基板を移動する空間の露点を設定する露点設定工程をおこなうことができる。同時に、ドライエッチング工程において処理した複数枚の基板をカセットごと移動して、複数の基板およびカセットをリンス液に浸漬することが可能となる。
【００１６】
また、本発明の基板処理方法は、前記露点設定工程において、前記空間の内部のリンス槽に前記リンス液を貯留するとともに密閉しておき、
前記ウエットリンス工程において、前記リンス槽の密閉を解除して前記基板をリンス液に浸漬する。これにより、露点設定工程においてはリンス槽を密閉した状態として、基板の移動する空間にリンス液から新たに水分が蒸発して露点が上昇してしまうことを防止できる。さらに、ウエットリンス工程においては、リンス槽に貯留したリンス液に基板を浸漬して腐食（コロージョン）の発生する前に、すばやく、リンス液によって基板に付着した塩素等のエッチングガスを中和（無力化）して、腐食（コロージョン）の発生を防止することもできる。
【００１７】
本発明の基板処理方法は、前記露点設定工程の前において、前記リンス槽を密閉した状態で前記空間に搬入するリンス槽搬入工程と
前記露点設定工程の後において、前記リンス槽を密閉した状態で前記空間から搬出するリンス槽搬出工程と、
を有する。これにより、基板を移動する空間に密閉されたリンス槽を搬入し、この状態で基板を移動する空間における露点の設定をおこなうことができる。また、基板を移動する空間から密閉されたリンス槽を搬出することで、不必要にリンス液が蒸発して、基板を移動する空間における露点が上昇してしまうことを防止できる。
【００１８】
本発明の基板処理装置は、基板をドライエッチング処理するドライエッチング室と、
前記基板を浸漬してウエットリンスするリンス液を貯留するとともに密閉可能な蓋部を有するリンス槽と、
前記リンス槽を収納可能とするグローブボックスと、
前記グローブボックスの露点を測定する露点測定ゲージと、
前記グローブボックスの露点を設定する露点設定部と、
前記ドライエッチング室で処理された前記基板を前記ドライエッチング室から前記グローブボックスの前記リンス槽へと搬出する搬出部と、
を有し、
前記搬出部が、前記基板を前記ドライエッチング室から前記グローブボックスの前記リンス槽へと搬出する際に、
前記露点測定ゲージで測定した前記グローブボックスの内部における露点を前記露点設定部が基準値以下に設定する。これにより、リンス槽まわりのグローブボックスの内部における露点を準値以下に設定しておくことにより、移動する基板周囲における雰囲気の露点が基準値以下である状態を維持することができる。
その結果、ドライエッチング室からリンス槽へと基板が移動するグローブボックスにおいて、腐食が発生する水分量よりも少ない水分しか含有しない状態とすることができる。これにより、ドライエッチングにおいて基板に残る塩素等のエッチングガスと、グローブボックス中に存在する水分が反応して、基板上のメタル配線において腐食（コロージョン）あるいは、ダメージが発生することを防止できる。
また、グローブボックスに蓋部を閉めて密閉したリンス槽を搬入し、この状態でグローブボックスにおける露点の設定をおこなうことができる。また、グローブボックスから密閉したリンス槽を搬出することで、不必要にリンス液が蒸発して、グローブボックスにおける露点が上昇してしまうことを防止できる。
なお、リンス槽は、グローブボックスに1個、あるいは、複数個配置することが可能である。この場合でも、基板をリンス槽に浸漬するための時間のみ、当該リンス槽において蓋部を開放するようにし、それ以外の時間、および、それ以外のリンス槽においては蓋部を閉塞しておくことで、不必要にリンス液が蒸発して、グローブボックスにおける露点が上昇してしまうことを防止できる。
【００１９】
また、本発明の基板処理装置は、前記ドライエッチング室において処理した複数枚の前記基板を貯めておき、前記リンス槽の前記リンス液に一度に浸漬するカセットを有する。これにより、ドライエッチングの終了した基板をそれぞれカセットに貯めている間に、グローブボックスの露点を基準値以下に設定することができる。同時に、ドライエッチング室において処理した複数枚の基板をカセットごと移動して、複数の基板およびカセットをリンス液に浸漬することが可能となる。これにより、複数の基板およびカセットがグローブボックスの内部を移動する時間を短縮することが可能となる。
また、複数枚の前記基板を前記ドライエッチング室において処理してこれらをカセットに貯めている間に、グローブボックスにおける露点を基準値以下に設定して、腐食（コロージョン）の発生を防止することができる。さらに、グローブボックスの露点設定をおこなう時間に、複数枚の基板に対するドライエッチング処理をおこなって、基板処理におけるタクトタイムが短いままで、腐食（コロージョン）の発生を防止することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、タクトタイムの短縮を図ることができ、腐食（コロージョン）の発生を確実に防止することができ、さらに、電食によって敏感になったメタル配線膜においても腐食（コロージョン）の発生を防止することができるという効果を奏することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に係る基板処理装置の第１実施形態を示す模式図である。
【図２】本発明に係る基板処理方法の第１実施形態を示すフローチャートである。
【図３】本発明に係る基板処理装置の第２実施形態を示す模式図である。
【図４】本発明に係る基板処理方法の実施例を示す画像である。
【図５】本発明に係る基板処理方法の実施例を示す画像である。
【図６】本発明に係る基板処理方法の実施例を示す画像である。
【図７】リンサーでの腐食発生を示す画像である。
【図８】リンサーでの腐食発生を示す画像である。
【図９】リンサーにおける湿度（露点）変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明に係る基板処理方法、基板処理装置の第１実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態における基板処理装置を示す模式図であり、図において、符号１０は、基板処理装置である。
【００２３】
本実施形態に係る基板処理装置１０は、基板Ｗにドライエッチング処理を施して、リンス液により中和処理をおこなう装置である。また、基板処理装置１０は、前工程および後工程をおこなうものとしてもよい。
【００２４】
本実施形態に係る基板処理装置１０は、図１に示すように、ドライエッチング室１１と、トランスファチャンバ１２と、カセットチャンバ１３と、グローブボックス１４と、取り出し室１５と、前処理部１６と、後処理部１７と、これらを密閉可能とする密閉部１８ａ〜１８ｅと、を有する。
なお、図１においては、ドライエッチング室１１と、トランスファチャンバ１２と、カセットチャンバ１３と、においては、その平面を示し、グローブボックス１４と、取り出し室１５と、においては、その側面を示している。
【００２５】
ドライエッチング室１１は、例えば、塩素ガス等のエッチングガスによって、基板Ｗのドライエッチング処理をおこなうものとされる。ドライエッチング室１１は、密閉可能とされる。
ドライエッチング室１１には、エッチングガスを供給するエッチングガス供給部１１ａと、ドライエッチング室１１の内部を排気する排気部１１ｂと、基板Ｗを載置してエッチング処理可能とする図示しない基板保持手段と、が設けられる。ドライエッチング室１１は、また、基板Ｗに高周波を印加可能な高周波電極および電源を有する構成とすることもできる。
【００２６】
また、エッチングガス供給部１１ａは、エッチングガスに加えて、パージガス等のガスや、ドライエッチング室１１をクリーニングするクリーニングガス等を供給可能とされてもよい。
排気部１１ｂは、ドライエッチング室１１の排気のみならず、ドライエッチング室１１における水分の除去、つまり、露点を低下する機能を有することもできる。
【００２７】
ドライエッチング室１１は、ドアバルブ等とされる密閉部１８ａによって、トランスファチャンバ１２と密閉可能に連結されている。ドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２とは、互いに基板Ｗをやり取り可能とされている。
【００２８】
トランスファチャンバ１２は、ドアバルブ等とされる密閉部１８ｂによって、カセットチャンバ１３と密閉可能に連結されている。カセットチャンバ１３とトランスファチャンバ１２とは、互いに基板Ｗをやり取り可能とされている。トランスファチャンバ１２は、密閉可能とされる。
【００２９】
トランスファチャンバ１２の内部には、搬送装置（搬送ロボット）１２ａが配置されている。
搬送装置１２ａは、回転軸と、この回転軸に取り付けられたロボットアームと、ロボットアームの一端に形成されたロボットハンドと、上下動装置とを有している。
【００３０】
ロボットアームは、互いに屈曲可能な第一、第二の能動アームと、第一、第二の従動アームとから構成されている。搬送装置１２ａは、被搬送物である基板Ｗを、ドライエッチング室１１，トランスファチャンバ１２，カセットチャンバ１３間で移動させることができる。なお、搬送装置１２ａとして、ロボットアームを回転軸こと水平方向位置に移動させるか、基板Ｗをさらに水平方向に移動させる追加移動手段を設けることもできる。
【００３１】
トランスファチャンバ１２には、トランスファチャンバ１２の内部を排気する排気部１２ｂが接続される。
排気部１２ｂは、トランスファチャンバ１２の排気のみならず、トランスファチャンバ１２における水分の除去、つまり、露点を低下する機能を有することもできる。
トランスファチャンバ１２には、パージガス等のガスや、トランスファチャンバ１２をクリーニングするクリーニングガス等を供給可能なガス供給部が設けられてもよい。
【００３２】
カセットチャンバ１３は、ドアバルブ等とされる密閉部１８ｃによって、グローブボックス１４と密閉可能に連結されている。カセットチャンバ１３は、密閉可能とされる。
カセットチャンバ１３は、ドアバルブ等とされる密閉部１８ｆによって、前処理部１６と密閉可能に連結されている。
【００３３】
カセットチャンバ１３とグローブボックス１４とは、複数の基板Ｗを収納したカセットＣを互いにやり取り可能とされている。
カセットチャンバ１３と前処理部１６とは、複数の基板Ｗを収納したカセットＣを互いにやり取り可能とされている。
【００３４】
カセットチャンバ１３には、カセットチャンバ１３の内部を排気する排気部１３ｂが接続される。
排気部１３ｂは、カセットチャンバ１３の排気のみならず、カセットチャンバ１３における水分の除去、つまり、露点を低下する機能を有することもできる。
カセットチャンバ１３には、パージガス等のガスや、カセットチャンバ１３をクリーニングするクリーニングガス等を供給可能なガス供給部が設けられてもよい。
【００３５】
カセットチャンバ１３には、前処理の終わった複数枚の基板Ｗの収納されたカセットＣを前処理部１６から搬入して載置可能である。そして、カセットチャンバ１３は、搬送装置１２ａによって、カセットＣから基板Ｗを一枚ずつドライエッチング室１１に移送可能である。また、カセットチャンバ１３は、搬送装置１２ａによって、ドライエッチング処理の終了した基板Ｗを一枚ずつカセットＣに収納可能である。
【００３６】
カセットチャンバ１３には、グローブボックス１４へカセットＣを搬出可能なカセット搬出部（搬出部）１３ｃが設けられる。
カセット搬出部１３ｃは、後述するグローブボックス１４のカセット搬出部１４ｃと協働して、カセットＣをカセットチャンバ１３からグローブボックス１４へと搬出可能とされる。具体的には、搬送部１３ｃとしては、ロボットハンドを有する公知の搬送ロボットが採用され、カセットＣとしては、ロボットハントと係合する公知の形状が採用される。なお搬送ロボットは後述するようにグローブボックス１４に設けられてもよい。
【００３７】
前処理部１６は、ドライエッチング室１１におけるドライエッチングより前の工程をおこなう構成とされ、例えば、基板Ｗへのメタル配線層の成膜や、メタル配線層上へのレジスト塗布およびレジストパターン形成などといった、所定の前処理をおこなうものとされることができる。なお、前処理部１６としては、これら以外の処理をおこなう構成とされることも可能である。
【００３８】
前処理部１６は、所定の前処理が終了した複数の基板ＷをカセットＣに収納し、このカセットＣをカセットチャンバ１３へと搬入可能なカセット搬入部を有する構成とされている。
また、前処理部１６は、基板処理装置１０と一体とされるか、あるいは、前処理部１６は、基板処理装置１０と分離した別体とされることができる。
【００３９】
グローブボックス１４は、腐食（コロージョン）が発生しないように，基板Ｗをリンス処理可能なものとされる。
グローブボックス１４には、リンス槽１９と、露点測定ゲージ１４ａと、露点設定部１４ｂと、カセット搬出部（搬出部）１４ｃと、リンス槽移動部１４ｄと、を有する。
【００４０】
グローブボックス１４は、ドアバルブ等とされる密閉部１８ｄによって、取り出し室１５と密閉可能に連結されている。グローブボックス１４は、密閉可能とされる。グローブボックス１４の内部は、露点の設定が可能とされる。
【００４１】
グローブボックス１４とカセットチャンバ１３とは、複数の基板Ｗを収納したカセットＣを互いにやり取り可能とされている。
グローブボックス１４と取り出し室１５とは、密閉状態のリンス槽１９を互いにやり取り可能とされている。
【００４２】
グローブボックス１４には、グローブボックス１４の内部における露点を測定する露点測定ゲージ１４ａが接続される。
露点測定ゲージ１４ａとしては、例えば、公知のものを採用することができる。
【００４３】
グローブボックス１４には、グローブボックス１４の内部を排気するとともに、グローブボックス１４の内部における露点を設定する露点設定部１４ｂが接続される。
露点設定部１４ｂは、グローブボックス１４の内部における水分の除去、つまり、露点を低下する機能を有するとともに、グローブボックス１４の排気をおこなうこともできる。
露点設定部１４ｂは、露点測定ゲージ１４ａから出力される露点測定結果に基づいて、グローブボックス１４の内部における水分の除去、つまり、露点を低下することができる。
【００４４】
露点設定部１４ｂは、グローブボックス１４の内部における除湿に伴ったパージガス等のガスの供給が可能とされてもよい。また、露点設定部１４ｂには、グローブボックス１４をクリーニングするクリーニングガス等を供給可能なガス供給部が設けられてもよい。
【００４５】
グローブボックス１４には、カセットチャンバ１３からカセットＣを搬入してリンス槽１９へと移動可能なカセット搬出部（搬出部）１４ｃが設けられる。
カセット搬出部１４ｃは、カセットチャンバ１３のカセット搬出部１３ｃと協働して、カセットチャンバ１３からグローブボックス１４へと搬入されたカセットＣをリンス槽１９内に浸漬する位置まで移動可能とされる。具体的には、搬送部１４ｃとしては、ロボットハンドを有する公知の搬送ロボットが採用され、カセットＣとしては、ロボットハントと係合する公知の形状が採用されるという構成を有するものとされる。なお搬送部１４ｃに公知の搬送ロボットを採用し、カセットチャンバ１３からグローブボックス１４へとカセットＣを搬入してもよい。
【００４６】
ここで、搬送装置（搬送ロボット）１２ａとカセット搬出部１３ｃとカセット搬出部１４ｃとは、基板Ｗをドライエッチング室１１からグローブボックス１４のリンス槽１９へと搬出する搬出部を構成している。
【００４７】
グローブボックス１４には、グローブボックス１４と取り出し室１５との間で、リンス槽１９を移動可能なリンス槽移動部１４ｄが設けられる。
リンス槽移動部１４ｄは、後述する取り出し室１５のリンス槽移動部１５ｄと協働して、グローブボックス１４と取り出し室１５との間でリンス槽１９を移動可能とされる。
【００４８】
リンス槽１９は、ウエットリンスするリンス液１９ｒを貯留する。リンス槽１９は、基板ＷをカセットＣごとリンス液１９ｒに浸漬可能な大きさとされる。リンス槽１９は、密閉可能な蓋部１９ａを有する。
リンス槽１９は、蓋部１９ａを閉塞することで、リンス液１９ｒから蒸発した水分が外部に拡散しないように密閉される。リンス槽１９は、蓋部１９ａを開放することで、カセットＣに収納された複数の基板Ｗをリンス液１９ｒに浸漬できる。
【００４９】
取り出し室１５は、グローブボックス１４からリンス槽１９を搬出する。取り出し室１５では、リンス槽１９の蓋部１９ａを開放して、リンス液１９ｒに浸漬されていたカセットＣをリンス槽１９の外部に取り出して、複数の基板Ｗを取り出す。これにより、グローブボックス１４の内部における露点を変化させることなく、リンス槽１９から複数の基板Ｗを取り出すことができる。なお取り出し室１５はグローブボックス１５と係合されていなくてもよく、公知の構成でグローブボックス１４からリンス層１９を搬出し、取り出し室１５に搬入してもよい。
【００５０】
取り出し室１５は、グローブボックス１４と取り出し室１５との間でリンス槽１９を移動可能なリンス槽移動部１５ｄが設けられる。
リンス槽移動部１５ｄは、グローブボックス１４のリンス槽移動部１４ｄと協働して、グローブボックス１４と取り出し室１５との間でリンス槽１９を移動可能とされる。
【００５１】
取り出し室１５には、リンス槽１９にリンス液１９ｒを供給するリンス液供給部１５ａが設けられる。
取り出し室１５には、複数のリンス槽１９を収納することができる。例えば、グローブボックス１４から取り出し室１５へと移動してきたリンス槽１９から、基板Ｗを取り出すとともに、次のカセットＣを浸漬するために、グローブボックス１４と移動するリンス槽１９に対して、リンス液供給部１５ａからリンス液１９ｒを供給する準備をおこなうことができる。
【００５２】
取り出し室１５には、取り出し室１５の内部を排気する排気部１５ｂが接続される。
排気部１５ｂは、取り出し室１５の排気のみならず、取り出し室１５における水分の除去、つまり、露点を低下する機能を有することもできる。
取り出し室１５には、パージガス等のガスや、取り出し室１５をクリーニングするクリーニングガス等を供給可能なガス供給部が設けられてもよい。
【００５３】
取り出し室１５は、ドアバルブ等とされる密閉部１８ｅによって、後処理部１７と連結されている。
【００５４】
後処理部１７は、リンス槽１９におけるドライエッチングに対するリンス処理より後の工程をおこなう構成とされる。後処理部１７は、例えば、リンス処理後における基板Ｗの乾燥、基板Ｗへのアッシングや、基板Ｗの加熱処理、基板Ｗの洗浄処理、あるいは、さらなるメタル配線形成およびパターン形成などといった、所定の後処理をおこなうものとすることができる。なお、後処理部１７としては、これら以外の処理をおこなう構成とされることも可能である。
【００５５】
後処理部１７は、リンス処理が終了した複数の基板ＷをカセットＣに収納して、このカセットＣを取り出し室１５からへ搬出可能なカセット搬出部を有する構成とされている。
または、後処理部１７は、カセットＣに収納してリンス処理が終了した複数の基板Ｗを、カセットＣから取り出して、取り出し室１５からへ搬出可能な基板搬出部を有する構成とされてもよい。
【００５６】
また、後処理部１７は、基板処理装置１０と一体とされるか、あるいは、後処理部１７は、基板処理装置１０と分離した別体とされることができる。
【００５７】
本実施形態における基板処理装置１０においては、基板Ｗにドライエッチング処理をおこない、さらに、コロージョンの発生を抑制しつつ、ドライエッチング終了後に基板Ｗをリンス液１９ｒへ浸漬して、ウエットリンス処理をおこなう。
【００５８】
以下、本実施形態における基板処理方法について、図面に基づいて説明する。
図２は、本実施形態における基板処理方法を示すフローチャートである。
【００５９】
本実施形態における基板処理方法は、図２に示すように、前処理工程Ｓ０１と、カセット搬入工程Ｓ０２と、基板移載工程Ｓ０３と、ドライエッチング工程Ｓ０４と、基板移載工程Ｓ０５と、リンス槽搬入工程Ｓ１２と、露点設定工程Ｓ１３と、露点測定工程Ｓ１４と、搬出判断工程Ｓ１５と、カセット搬出工程Ｓ２１と、浸漬工程（ウエットリンス工程）Ｓ２２と、リンス槽搬出工程Ｓ２３と、カセット取り出し工程Ｓ３１と、後処理工程Ｓ３２と、を有する。
【００６０】
図２に示す前処理工程Ｓ０１は、図１に示す基板処理装置１０の前処理部１６によっておこなわれる。前処理工程Ｓ０１は、ドライエッチング室１１におけるドライエッチングより前の工程である。前処理工程Ｓ０１は、例えば、基板Ｗへのメタル配線層の成膜や、メタル配線層上へのレジスト塗布およびレジストパターン形成などといった、所定の前処理とされることができる。なお、前処理工程Ｓ０１としては、これら以外の処理をおこなうことも可能である。
【００６１】
前処理工程Ｓ０１では、所定の前処理が終了した時点で、複数の基板ＷをカセットＣに収納しておく。
【００６２】
図２に示すカセット搬入工程Ｓ０２は、図１に示す基板処理装置１０の前処理部１６からカセット搬入部によって、前処理工程Ｓ０１で複数の基板Ｗが収納されたカセットＣをカセットチャンバ１３へと搬入する。
カセット搬入工程Ｓ０２においては、密閉部１８ｆを開放してカセットＣをカセットチャンバ１３へと搬入する。その後、密閉部１８ｆを閉塞してカセットチャンバ１３を密閉する。
【００６３】
カセット搬入工程Ｓ０２においては、密閉部１８ｂおよび密閉部１８ｃを密閉して、トランスファチャンバ１２およびグローブボックス１４から、カセットチャンバ１３を遮断しておく。
【００６４】
カセット搬入工程Ｓ０２においては、カセットＣの搬入後に、密閉したカセットチャンバ１３の内部を排気部１３ｂによって排気する。このとき、カセットチャンバ１３は、排気部１３ｂによってカセットチャンバ１３の内部における水分が除去される。つまり、カセットチャンバ１３は、排気部１３ｂによってカセットチャンバ１３の内部における露点が基準値以下に低下される。
【００６５】
図２に示す基板移載工程Ｓ０３は、図１に示す基板処理装置１０のドライエッチング室１１におけるドライエッチング処理が可能なように、カセット搬入工程Ｓ０２においてカセットチャンバ１３に搬入されたカセットＣから、ドライエッチング室１１へと一枚の基板Ｗを移動させる。
このとき、図１に示す基板処理装置１０のトランスファチャンバ１２の内部に配置された搬送装置（搬送ロボット）１２ａによって、基板Ｗを移動させる。
【００６６】
基板移載工程Ｓ０３においては、まず、密閉部１８ｂおよび密閉部１８ａを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１２ａによって、カセットＣに収納された複数枚から一枚の基板Ｗを選択して取り上げ、この一枚の基板Ｗをドライエッチング室１１へと移動する。
【００６７】
このとき、トランスファチャンバ１２およびドライエッチング室１１は、排気部１２ｂおよび排気部１１ｂによって、あらかじめトランスファチャンバ１２およびドライエッチング室１１の内部における水分が除去された状態にしておく。つまり、トランスファチャンバ１２およびドライエッチング室１１は、排気部１２ｂおよび排気部１１ｂによって、あらかじめトランスファチャンバ１２およびドライエッチング室１１の内部における露点が基準値以下に低下された状態を維持しておく。
【００６８】
また、基板移載工程Ｓ０３においては、密閉部１８ｆおよび密閉部１８ｃを密閉してカセットチャンバ１３を、前処理部１６およびグローブボックス１４から遮断しておく。
【００６９】
図２に示すドライエッチング工程Ｓ０４は、図１に示す基板処理装置１０のドライエッチング室１１において、基板移載工程Ｓ０３で搬入された基板Ｗに対してドライエッチング処理を施す。
このとき、密閉部１８ａを閉塞して、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気するとともに、エッチングガス供給部１１ａによってドライエッチング室１１にエッチングガスを供給する。同時に、エッチングガス供給部１１ａによってドライエッチング室１１にエッチングガスに加えて、パージガス等のガスを供給してもよい。
エッチングガスは、例えば、塩素を含有するガスとすることができる。
また、密閉部１８ｂは閉塞しても閉塞しなくてもよい。
【００７０】
図２に示す基板移載工程Ｓ０５は、図１に示す基板処理装置１０のドライエッチング室１１において、ドライエッチング工程Ｓ０４のドライエッチング処理が終了した一枚の基板Ｗを、ドライエッチング室１１からカセットチャンバ１３のカセットＣへと移動させる。
このとき、図１に示す基板処理装置１０のトランスファチャンバ１２の内部に配置された搬送装置（搬送ロボット）１２ａによって、基板Ｗを移動させる。
【００７１】
基板移載工程Ｓ０５においては、まず、密閉部１８ａを閉塞した状態で、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、エッチングガス供給部１１ａによってドライエッチング室１１にエッチングガスに加えて、窒素ガス等のパージガスなどを供給してもよい。
【００７２】
基板移載工程Ｓ０５においては、次に、密閉部１８ｂおよび密閉部１８ａを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１２ａによって、ドライエッチング室１１に載置された一枚の基板Ｗを取り上げて、この基板ＷをカセットＣに収納する。
【００７３】
このとき、ドライエッチング室１１は、排気部１１ｂによって、ドライエッチング室１１の内部におけるエッチングガスが完全に充分除去された状態にしておく。同時に、トランスファチャンバ１２は、排気部１２ｂによって、トランスファチャンバ１２の内部における水分が充分に除去された状態にしておく。
【００７４】
本実施形態においては、上記の基板移載工程Ｓ０３と、ドライエッチング工程Ｓ０４と、基板移載工程Ｓ０５と、を繰り返して、カセットＣに収納された全ての基板Ｗにドライエッチングを施す。
【００７５】
図２に示すリンス槽搬入工程Ｓ１２は、図１に示す基板処理装置１０のグローブボックス１４に、リンス槽移動部１４ｄおよびリンス槽移動部１５ｄによって、取り出し室１５からリンス槽１９を搬入する。
【００７６】
リンス槽搬入工程Ｓ１２では、取り出し室１５において、あらかじめ、リンス槽１９に必要な量のリンス液１９ｒを充填する。同時に、リンス槽１９の蓋部１９ａを閉塞して、密閉されたリンス槽１９を取り出し室１５からグローブボックス１４に搬入する。
【００７７】
ここで、リンス槽搬入工程Ｓ１２においては、密閉部１８ｃを閉塞してグローブボックス１４からカセットチャンバ１３を遮断しておく。これにより、リンス槽搬入工程Ｓ１２が、カセットチャンバ１３等においておこなわれている基板移載工程Ｓ０３と、ドライエッチング工程Ｓ０４と、基板移載工程Ｓ０５と、に対して影響を及ぼさないようにする。
【００７８】
また、リンス槽搬入工程Ｓ１２においては、密閉部１８ｄを開放して、リンス槽移動部１４ｄおよびリンス槽移動部１５ｄによって、取り出し室１５からリンス槽１９を搬入する。
なお、リンス槽１９をグローブボックス１４に搬入する際、密閉部１８ｅを閉塞しておくことができる。
【００７９】
さらに、リンス槽搬入工程Ｓ１２において密閉部１８ｄを開放する前に、排気部１５ｂによって、取り出し室１５の内部における水分を除去しておくことが好ましい。ここで、取り出し室１５の内部は、水分除去のために排気することができるが、取り出し室１５の内部圧力は、グローブボックス１４の内部圧力と等しく設定されればよい。
なお、排気部１５ｂによる取り出し室１５の内部における水分除去は、おこなわないこともできる。
【００８０】
リンス槽搬入工程Ｓ１２では、リンス槽１９が搬入された後に、密閉部１８ｄを閉塞してグローブボックス１４を取り出し室１５から遮断しておく。
【００８１】
この状態で、密閉部１８ｄを開放する前に、露点設定部１４ｂによって、グローブボックス１４の内部における水分を除去しておくことが好ましい。ここで、グローブボックス１４の内部は、水分除去のために排気することができるが、グローブボックス１４の内部圧力は、後述するカセット搬出工程Ｓ２１において設定される圧力と等しく設定されることができる。
【００８２】
図２に示す露点設定工程Ｓ１３は、図１に示す基板処理装置１０の露点設定部１４ｂによって、グローブボックス１４の内部における水分の除去をおこなう。同時に、露点設定部１４ｂによって、グローブボックス１４の内部における露点を設定する。
【００８３】
このとき、露点設定部１４ｂは、グローブボックス１４の内部における除湿（水分の除去）のために、グローブボックス１４の内部を排気する。同時に、露点設定部１４ｂは、グローブボックス１４の内部にパージガス等のガスを供給することができる。
【００８４】
露点設定工程Ｓ１３では、グローブボックス１４にリンス槽１９が搬入された状態で、密閉部１８ｄを閉塞してグローブボックス１４を取り出し室１５から遮断しておく。同時に、密閉部１８ｃを閉塞してグローブボックス１４をカセットチャンバ１３から遮断しておく。
【００８５】
露点設定工程Ｓ１３においては、リンス槽１９の蓋部１９ａを閉塞して、グローブボックス１４の内部でリンス槽１９が密閉された状態を維持する。
露点設定部１４ｂは、グローブボックス１４の内部における露点を、後述するカセット搬出工程Ｓ２１において基板Ｗに形成されたメタル配線層等が腐食（コロージョン）を起こさない範囲に設定する。
【００８６】
したがって、露点設定工程Ｓ１３において、露点設定部１４ｂは、基板Ｗに形成されたメタル配線層の感度によって、適宜、グローブボックス１４の内部における露点の設定範囲を変更して設定することができる。
例えば、腐食感度の高い異なる種類のメタルが積層された配線を有する基板Ｗを処理する場合には、単層のメタル配線が形成された基板Ｗを処理する場合に比べて低い範囲となるように、露点設定部１４ｂがグローブボックス１４の内部における露点を設定することができる。
【００８７】
また、露点設定工程Ｓ１３においては、ドライエッチングガス等の反応性に対応してグローブボックス１４の内部における露点を変化して設定することができる。
例えば、水分に対して反応性の高いドライエッチングガスによって基板Ｗを処理する場合には、水分に対して反応性の低いドライエッチングガスによって基板Ｗを処理する場合に比べて低い範囲となるように、露点設定部１４ｂがグローブボックス１４の内部における露点を設定することができる。
【００８８】
図２に示す露点測定工程Ｓ１４は、図１に示す基板処理装置１０の露点測定ゲージ１４ａによって、グローブボックス１４の内部における水分量、すなわち、グローブボックス１４の内部における露点を測定する。
露点測定工程Ｓ１４では、グローブボックス１４にリンス槽１９が搬入された状態で、密閉部１８ｄを閉塞してグローブボックス１４を取り出し室１５から遮断しておく。同時に、密閉部１８ｃを閉塞してグローブボックス１４をカセットチャンバ１３から遮断しておく。
【００８９】
同時に、露点測定工程Ｓ１４においては、リンス槽１９の蓋部１９ａを閉塞して、グローブボックス１４の内部でリンス槽１９が密閉された状態を維持する。
【００９０】
リンス槽搬入工程Ｓ１２、露点設定工程Ｓ１３および露点測定工程Ｓ１４は、前処理工程Ｓ０１、カセット搬入工程Ｓ０２、基板移載工程Ｓ０３、ドライエッチング工程Ｓ０４および基板移載工程Ｓ０５と、平行しておこなうことができる。
特に、リンス槽搬入工程Ｓ１２、露点設定工程Ｓ１３および露点測定工程Ｓ１４は、基板移載工程Ｓ０３、ドライエッチング工程Ｓ０４および基板移載工程Ｓ０５を繰り返して、複数の基板Ｗに対してドライエッチング処理をおこなっている間に、平行しておこなうことができる。
【００９１】
図２に示す搬出判断工程Ｓ１５は、露点測定工程Ｓ１４において、図１に示す基板処理装置１０の露点測定ゲージ１４ａによって測定したグローブボックス１４の内部における露点が、基準値以下であるかどうかを判断する。
ここで、露点測定ゲージ１４ａによって測定したグローブボックス１４の内部における露点が基準値以下である場合には、カセット搬出工程Ｓ２１へと進む。
【００９２】
また、露点測定ゲージ１４ａによって測定したグローブボックス１４の内部における露点が基準値以下でない場合には、露点設定工程Ｓ１３へと戻り、グローブボックス１４の内部における露点が基準値以下となるように、露点設定部１４ｂによって、グローブボックス１４の内部における除湿処理をおこなう。
【００９３】
搬出判断工程Ｓ１５では、グローブボックス１４にリンス槽１９が搬入された状態で、密閉部１８ｄを閉塞してグローブボックス１４を取り出し室１５から遮断しておく。同時に、密閉部１８ｃを閉塞してグローブボックス１４をカセットチャンバ１３から遮断しておく。
同時に、搬出判断工程Ｓ１５においては、リンス槽１９の蓋部１９ａを閉塞して、グローブボックス１４の内部でリンス槽１９が密閉された状態を維持する。
【００９４】
図２に示すカセット搬出工程Ｓ２１は、搬出判断工程Ｓ１５における判断に基づいて、図１に示す基板処理装置１０のカセットチャンバ１３から、カセット搬出部（搬出部）１３ｃおよびカセット搬出部（搬出部）１４ｃによって、処理の終了した基板Ｗが収納されているカセットＣを、露点の低下したグローブボックス１４へと搬出する。
【００９５】
このとき、密閉部１８ｃを開放してグローブボックス１４とカセットチャンバ１３とを連通する。同時に、密閉部１８ｄを閉塞してグローブボックス１４を取り出し室１５から遮断しておく。
また、カセット搬出工程Ｓ２１においては、密閉部１８ｆおよび密閉部１８ｂを密閉して、カセットチャンバ１３を、前処理部１６およびトランスファチャンバ１２から遮断しておく。
【００９６】
カセット搬出工程Ｓ２１においては、排気部１３ｂによって、あらかじめカセットチャンバ１３の内部を充分にガス交換するように排気し、カセットチャンバ１３の内部に残留するエッチングガス等を充分に低減しておく。
【００９７】
図２に示す浸漬工程（ウエットリンス工程）Ｓ２２は、図１に示す基板処理装置１０のグローブボックス１４において、カセット搬出工程Ｓ２１でカセットチャンバ１３から搬出されたカセットＣを、カセット搬出部（搬出部）１４ｃによって、リンス槽１９へと浸漬する。
ここで、リンス槽１９へカセットＣを浸漬する際には、まず、リンス槽１９の蓋部１９ａを開放する。その後、リンス槽１９のリンス液１９ｒにカセットＣを素早く浸漬する。その後、可及的速やかに蓋部１９ａを閉塞する。
【００９８】
この際、蓋部１９ａを開放することによって、リンス槽１９のリンス液１９ｒより上側にたまっている水分を含んだ気体がグローブボックス１４に拡散する。
【００９９】
しかし、蓋部１９ａの開放から、リンス液１９ｒに基板Ｗが浸漬されるまでの時間が極めて短いため、基板Ｗにおいて塩素等のエッチングガスと水分との反応がほとんど起こらない状態で、リンス液によって塩素等のエッチングガスが中和される。
【０１００】
これにより、露点測定工程Ｓ１４において、グローブボックス１４の内部が露点の低下した状態とされており、また、搬出判断工程Ｓ１５において、グローブボックス１４の内部が露点の低下した状態であることを確認しているため、浸漬工程Ｓ２２では、基板Ｗにおいて塩素等のエッチングガスと水分との反応がほとんど起こらない状態を維持することができる。
【０１０１】
したがって、浸漬工程（ウエットリンス工程）Ｓ２２における腐食（コロージョン）の発生を防止することができる。
【０１０２】
浸漬工程（ウエットリンス工程）Ｓ２２においては、密閉部１８ｃを閉塞してグローブボックス１４とカセットチャンバ１３とを遮断する。同時に、密閉部１８ｄを閉塞してグローブボックス１４を取り出し室１５から遮断しておく。
【０１０３】
図２に示すリンス槽搬出工程Ｓ２３は、図１に示す基板処理装置１０のグローブボックス１４において、浸漬工程Ｓ２２でリンス液１９ｒに浸漬したカセットＣが収納された状態であるリンス槽１９を、リンス槽移動部１４ｄおよびリンス槽移動部１５ｄによって、取り出し室１５へと搬出する。同時に、リンス槽搬出工程Ｓ２３では、リンス槽１９の蓋部１９ａを閉塞して、密閉されたリンス槽１９をグローブボックス１４から取り出し室１５に搬出する。
【０１０４】
ここで、リンス槽搬出工程Ｓ２３においては、密閉部１８ｃを閉塞してグローブボックス１４からカセットチャンバ１３を遮断しておく。これにより、浸漬工程Ｓ２２で蓋部１９ａを開放した際に、リンス槽１９からグローブボックス１４に拡散した水分を含む気体が、カセットチャンバ１３に対して影響を及ぼさないようにする。
【０１０５】
また、リンス槽搬出工程Ｓ２３においては、密閉部１８ｄを開放して、リンス槽移動部１４ｄおよびリンス槽移動部１５ｄによって、取り出し室１５へとリンス槽１９を搬出する。
また、リンス槽搬出工程Ｓ２３においては、取り出し室１５へとリンス槽１９を搬出した後に、密閉部１８ｄを閉塞して、グローブボックス１４と取り出し室１５とを遮断する。
なお、リンス槽１９を取り出し室１５に搬入する際、密閉部１８ｅを閉塞しておくことができる。
【０１０６】
さらに、リンス槽搬出工程Ｓ２３において密閉部１８ｄを開放する前に、排気部１５ｂによって、取り出し室１５の内部における水分を除去しておくことが好ましい。ここで、取り出し室１５の内部は、水分除去のために排気することができるが、取り出し室１５の内部圧力は、グローブボックス１４の内部圧力と等しく設定されればよい。
なお、排気部１５ｂによる取り出し室１５の内部における水分除去は、おこなわないこともできる。
【０１０７】
図２に示すカセット取り出し工程Ｓ３１は、図１に示す基板処理装置１０の取り出し室１５において、リンス槽搬出工程Ｓ２３で取り出し室１５へと搬出されたリンス槽１９から、カセットＣを取り出す。
【０１０８】
カセット取り出し工程Ｓ３１は、取り出し室１５において、まず、リンス槽１９の蓋部１９ａを開放する。その後、リンス槽１９のリンス液１９ｒに浸漬されているカセットＣを取り出す。その後、リンス槽１９に新たなリンス液１９ｒを充填する等の必要な処理をおこなう。蓋部１９ａを閉塞して、リンス槽１９を密閉する。
【０１０９】
この際、蓋部１９ａを開放することによって、リンス槽１９の内部から水分を含んだ気体が取り出し室１５に拡散する。同時に、リンス槽１９から取り出したカセットＣおよび基板Ｗから水分を含んだ気体が取り出し室１５に拡散する。
【０１１０】
しかし、リンス槽１９におけるウエットリンス処理は、基板Ｗをリンス液１９ｒに浸漬した瞬間に中和がほぼ終了している。このため、取り出し室１５で取り出した基板Ｗにおいては、塩素等のエッチングガスと水分との反応がほとんど起こらない。
したがって、カセット取り出し工程Ｓ３１における腐食（コロージョン）の発生を防止することができる。
【０１１１】
また、カセット取り出し工程Ｓ３１においては、密閉部１８ｄを閉塞して、グローブボックス１４と取り出し室１５とを遮断する。
【０１１２】
図２に示す後処理工程Ｓ３２は、図１に示す基板処理装置１０の取り出し室１５において、カセット取り出し工程Ｓ３１でリンス槽１９から取り出した基板を後処理部１７へと搬送し、後処理部１７において、リンス槽１９におけるドライエッチングに対するウエットリンス処理より後の工程をおこなう。
【０１１３】
後処理工程Ｓ３２は、例えば、リンス処理後における基板Ｗの乾燥、基板Ｗへのアッシングや、基板Ｗの加熱処理、あるいは、さらなるメタル配線形成およびパターン形成などといった、所定の後処理をおこなうことができる。なお、後処理工程Ｓ３２としては、これら以外の処理をおこなうことも可能である。
【０１１４】
後処理工程Ｓ３２においては、密閉部１８ｅを開放して、リンス処理が終了した複数の基板ＷをカセットＣに収納して、後処理部１７のカセット搬出部により、カセットＣを取り出し室１５から後処理部１７へと搬出可能である。
【０１１５】
または、後処理工程Ｓ３２においては、密閉部１８ｅを開放して、カセットＣに収納してリンス処理が終了した複数の基板Ｗを、後処理部１７の基板搬出部により、カセットＣから取り出して取り出し室１５から後処理部１７へ搬出可能である。
【０１１６】
後処理工程Ｓ３２においては、密閉部１８ｄを閉塞して、グローブボックス１４と取り出し室１５とを遮断する。
【０１１７】
これにより、本実施形態における基板処理を終了する。
【０１１８】
本実施形態における基板処理装置１０を用いた基板処理方法によれば、露点測定工程Ｓ１４により、グローブボックス１４の内部の露点を測定し、測定した露点が基準値以下でない場合には、露点設定工程Ｓ１３により、グローブボックス１４の内部の露点を基準値以下となるように再設定するとともに、測定した露点が基準値以下である場合には、搬出判断工程Ｓ１５により、グローブボックス１４に基板Ｗを移動してウエットリンス工程（浸漬工程）Ｓ２２をおこなうことで、腐食（コロージョン）の発生、あるいは、ダメージの発生を確実に防止することができる。
【０１１９】
このように、グローブボックス１４内部において基板Ｗを収納したカセットＣをリンス液１９ｒに浸漬する直前まで、リンス槽１９の蓋部１９ａを閉塞しておくことで、リンス液１９ｒが暴露している空間がリンス槽１９内部に限定することができる。このため、リンス槽１９のリンス液１９ｒから蒸発した水分がグローブボックス１４の内部に拡散することが防止できる。したがって、グローブボックス１４の内部における露点が上昇することを防止できる。
【０１２０】
露点設定工程Ｓ１３においてはリンス槽１９を密閉した状態として、基板Ｗの移動するグローブボックス１４の内部にリンス液１９ｒから新たに水分が蒸発して、グローブボックス１４の内部における露点が上昇してしまうことを防止できる。
【０１２１】
露点設定工程Ｓ１３において、ドライエッチング工程Ｓ０４から浸漬工程（ウエットリンス工程）Ｓ２２へと基板Ｗを移動する前に、あらかじめ、基板Ｗが移動されるグローブボックス１４の内部における露点を基準値以下に設定しておくことにより、基板Ｗの周囲における雰囲気の露点が基準値以下である状態を維持することができる。
【０１２２】
その結果、ドライエッチング工程Ｓ０４から浸漬工程（ウエットリンス工程）Ｓ２２へと基板を移動するグローブボックス１４の内部の空間において、腐食が発生する水分量よりも少ない水分しか含有しない状態とすることができる。
【０１２３】
したがって、リンス槽１９の蓋部１９ａを開放して、リンス槽１９の内部の水分を含む気体がグローブボックス１４の内部に拡散しても、リンス槽１９の内部の気体はグローブボックス１４の内部に対して小さいので、グローブボックス１４の内部の空間において、腐食が発生する露点まで上昇しない。
【０１２４】
さらに、ウエットリンス工程（浸漬工程）Ｓ２２においては、リンス槽１９に貯留したリンス液１９ｒに基板Ｗを浸漬して腐食（コロージョン）の発生する前に、すばやく、リンス液１９ｒによって基板Ｗに付着した塩素等のエッチングガスを中和（無力化）して、腐食（コロージョン）の発生を防止することもできる。
【０１２５】
このため、基板Ｗとリンス液１９ｒを接触させる直前に、リンス液１９ｒから発生した水分を含んで高い露点である雰囲気に対して、腐食（コロージョン）が発生する程の長時間基板Ｗを曝すことがない。
【０１２６】
これにより、ドライエッチングによって基板Ｗに残る塩素等のエッチングガスと、空間中に存在する水分が反応して、基板Ｗ上のメタル配線において腐食（コロージョン）あるいは、ダメージが発生することを防止できる。
【０１２７】
このように、ドライエッチング後の基板Ｗにおいて、リンス液１９ｒに浸漬する直前までの雰囲気における露点を制御することができるため、腐食の発生しやすい異種メタル積層配線を有する基板Ｗであっても、腐食（コロージョン）が発生することを防止できる。
【０１２８】
なお、基板Ｗを移動するグローブボックス１４の内部の露点を基準値以下に設定するのは、少なくともグローブボックス１４の内部で基板Ｗを移動する前後の間に維持されていればよく、これ以外の浸漬工程（ウエットリンス工程）Ｓ２２の後、あるいは、リンス液１９ｒを交換するためのリンス槽搬入工程Ｓ１２等のメンテナンスなど、その他の時間は、露点が上昇する場合があってもよい。
【０１２９】
なお、露点の基準値は、メタル配線における腐食に対する感度、つまり、どの程度メタル配線が腐食されやすいかに対応して設定することができる。これにより、腐食感度が高く、耐腐食性の低い積層メタル配線を有する基板Ｗにおいても、腐食（コロージョン）の発生、あるいは、ダメージの発生を防止することが可能となる。
【０１３０】
また、複数枚の基板Ｗをドライエッチング処理の工程Ｓ０３，Ｓ０４，Ｓ０５において処理してこれらをカセットＣに貯めている間に、露点設定工程Ｓ１３としてグローブボックス１４における露点を基準値以下に設定して、腐食（コロージョン）の発生を防止することができる。さらに、露点設定をおこなう時間に、複数枚の基板Ｗに対するドライエッチング処理をおこなって、基板Ｗの処理におけるタクトタイムが短いままで、腐食（コロージョン）の発生を防止することができる。
【０１３１】
ドライエッチングの終了した複数の基板ＷをカセットＣに貯めて、複数枚の基板ＷをカセットＣごと移動して、リンス液１９ｒに浸漬することで、複数の基板Ｗの間で、露点の高い空間を移動する時間に差が出てしまうことを防止し、かつ、複数の基板Ｗの間が、露点の高い空間を移動する時間を短縮することができる。
【０１３２】
リンス槽搬入工程Ｓ１２により、グローブボックス１４に密閉されたリンス槽１９を搬入し、この状態で基板Ｗを移動する空間における露点の設定をおこなうことができる。また、リンス槽搬出工程Ｓ２３により、グローブボックス１４から密閉されたリンス槽１９を搬出することで、不必要にリンス液１９ｒが蒸発して、グローブボックス１４における露点が上昇してしまうことを防止できる。
【０１３３】
以下、本発明に係る基板処理方法、基板処理装置の第２実施形態を、図面に基づいて説明する。
図３は、本実施形態における基板処理装置を示す模式図である。
本実施形態において、上述した第１実施形態と異なるのは、カセットチャンバに関する点であり、これ以外の上述した第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１３４】
本実施形態に係る基板処理装置１０は、図２に示すように、トランスファチャンバ１２に、カセットチャンバ１３とカセットチャンバ１３Ａとが接続され、カセットチャンバ１３Ａに前処理部１６が接続されている。
なお、図２においては、ドライエッチング室１１と、トランスファチャンバ１２と、カセットチャンバ１３と、カセットチャンバ１３Ａと、においては、その平面を示し、グローブボックス１４と、取り出し室１５と、においては、その側面を示している。
【０１３５】
トランスファチャンバ１２は、ドアバルブ等とされる密閉部１８ｂによって、カセットチャンバ１３と密閉可能に連結されている。トランスファチャンバ１２は、ドアバルブ等とされる密閉部１８ｆによって、カセットチャンバ１３Ａと密閉可能に連結されている。カセットチャンバ１３とトランスファチャンバ１２とは、互いに基板Ｗをやり取り可能とされている。カセットチャンバ１３Ａとトランスファチャンバ１２とは、互いに基板Ｗをやり取り可能とされている。トランスファチャンバ１２は、密閉可能とされる。
【０１３６】
カセットチャンバ１３は、ドアバルブ等とされる密閉部１８ｃによって、グローブボックス１４と密閉可能に連結されている。カセットチャンバ１３は、密閉可能とされる。
カセットチャンバ１３Ａは、ドアバルブ等とされる密閉部１８ｇによって、前処理部１６と密閉可能に連結されている。
【０１３７】
カセットチャンバ１３とグローブボックス１４とは、複数の基板Ｗを収納したカセットＣを互いにやり取り可能とされている。
カセットチャンバ１３Ａと前処理部１６とは、複数の基板Ｗを収納したカセットＣを互いにやり取り可能とされている。
【０１３８】
カセットチャンバ１３Ａには、カセットチャンバ１３Ａの内部を排気する排気部１３Ａｂが接続される。
排気部１３Ａｂは、カセットチャンバ１３Ａの排気のみならず、カセットチャンバ１３Ａにおける水分の除去、つまり、露点を低下する機能を有することもできる。
カセットチャンバ１３Ａには、パージガス等のガスや、カセットチャンバ１３Ａをクリーニングするクリーニングガス等を供給可能なガス供給部が設けられてもよい。
【０１３９】
カセットチャンバ１３Ａには、前処理の終わった複数枚の基板Ｗの収納されたカセットＣを前処理部１６から搬入して載置可能である。そして、カセットチャンバ１３Ａは、搬送装置１２ａによって、カセットＣから基板Ｗを一枚ずつドライエッチング室１１に移送可能である。
【０１４０】
また、カセットチャンバ１３には、ドライエッチング処理の終わった複数枚の基板Ｗを収納するカセットＣを載置可能である。そして、カセットチャンバ１３は、搬送装置１２ａによって、ドライエッチング処理の終了した基板Ｗを一枚ずつカセットＣに収納可能である。
【０１４１】
前処理部１６は、所定の前処理が終了した複数の基板ＷをカセットＣに収納し、このカセットＣをカセットチャンバ１３Ａへと搬入可能なカセット搬入部を有する構成とされている。
また、カセットチャンバ１３Ａにおいて、搬入したカセットＣに収納されたすべての基板Ｗがドライエッチング室１１でのエッチング処理へと搬送された後に、空になったカセットＣを前処理部１６へと戻すことができる。
【０１４２】
グローブボックス１４とカセットチャンバ１３とは、複数の基板Ｗを収納したカセットＣを互いにやり取り可能とされている。
また、カセットチャンバ１３において、搬入したカセットＣに、ドライエッチング室１１でのエッチング処理が施された所定枚数の基板Ｗが収納された後に、このカセットＣをグローブボックス１４へと搬送することができる。
【０１４３】
したがって、カセットチャンバ１３とカセットチャンバ１３Ａとには、それぞれ別々のカセットＣが載置されている。
このように、カセットチャンバ１３のカセットＣと、カセットチャンバ１３ＡのカセットＣとは、たがいに交換されることがない。
したがって、ドライエッチング室１１でのエッチング処理前の基板Ｗが収納されるカセットＣと、ドライエッチング室１１でのエッチング処理終了後の基板Ｗが収納されるカセットＣとは、異なるカセットＣである。
同様に、グローブボックス１４でのリンス槽１９へ浸漬される基板Ｗが収納されるカセットＣは、前処理部１６での前処理後の基板Ｗが収納されるカセットＣとは、異なるカセットＣである。
【０１４４】
以下、本実施形態における基板処理方法について、図面に基づいて説明する。
【０１４５】
本実施形態における基板処理方法は、図２に示した第１実施形態と同様に、前処理工程Ｓ０１と、カセット搬入工程Ｓ０２と、基板移載工程Ｓ０３と、ドライエッチング工程Ｓ０４と、基板移載工程Ｓ０５と、リンス槽搬入工程Ｓ１２と、露点設定工程Ｓ１３と、露点測定工程Ｓ１４と、搬出判断工程Ｓ１５と、カセット搬出工程Ｓ２１と、浸漬工程Ｓ２２と、リンス槽搬出工程Ｓ２３と、カセット取り出し工程Ｓ３１と、後処理工程Ｓ３２と、を有する。
【０１４６】
図２に示す前処理工程Ｓ０１は、第１実施形態と同様の工程とされ、図３に示す基板処理装置１０の前処理部１６によっておこなわれる。前処理工程Ｓ０１では、所定の前処理が終了した時点で、複数の基板ＷをカセットＣに収納しておく。
【０１４７】
図２に示すカセット搬入工程Ｓ０２は、図３に示す基板処理装置１０の前処理部１６からカセット搬入部によって、前処理工程Ｓ０１で複数の基板Ｗが収納されたカセットＣをカセットチャンバ１３Ａへと搬入する。
カセット搬入工程Ｓ０２においては、密閉部１８ｇを開放してカセットＣをカセットチャンバ１３Ａへと搬入する。その後、密閉部１８ｇを閉塞してカセットチャンバ１３を密閉する。
【０１４８】
カセット搬入工程Ｓ０２においては、密閉部１８ｆを密閉して、トランスファチャンバ１２から、カセットチャンバ１３Ａを遮断しておく。
【０１４９】
カセット搬入工程Ｓ０２においては、カセットＣの搬入後に、密閉したカセットチャンバ１３Ａの内部を排気部１３Ａｂによって排気する。このとき、カセットチャンバ１３Ａは、排気部１３Ａｂによってカセットチャンバ１３Ａの内部における水分が除去される。つまり、カセットチャンバ１３Ａは、排気部１３Ａｂによってカセットチャンバ１３Ａの内部における露点が基準値以下に低下される。
【０１５０】
図２に示す基板移載工程Ｓ０３は、第１実施形態と同様の工程とされ、図３に示す基板処理装置１０のドライエッチング室１１におけるドライエッチング処理が可能なように、カセット搬入工程Ｓ０２においてカセットチャンバ１３Ａに搬入されたカセットＣから、ドライエッチング室１１へと一枚の基板Ｗを移動させる。
このとき、図３に示す基板処理装置１０のトランスファチャンバ１２の内部に配置された搬送装置（搬送ロボット）１２ａによって、基板Ｗを移動させる。
【０１５１】
基板移載工程Ｓ０３においては、密閉部１８ｂを密閉して、トランスファチャンバ１２からカセットチャンバ１３を遮断しておく。
同時に、基板移載工程Ｓ０３においては、密閉部１８ｆおよび密閉部１８ａを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１２ａによって、カセットチャンバ１３ＡのカセットＣに収納された複数枚から一枚の基板Ｗを選択して取り上げ、この一枚の基板Ｗをドライエッチング室１１へと移動する。
【０１５２】
このとき、トランスファチャンバ１２およびドライエッチング室１１は、排気部１２ｂおよび排気部１１ｂによって、あらかじめトランスファチャンバ１２およびドライエッチング室１１の内部における水分が除去された状態にしておく。つまり、トランスファチャンバ１２およびドライエッチング室１１は、排気部１２ｂおよび排気部１１ｂによって、あらかじめトランスファチャンバ１２およびドライエッチング室１１の内部における露点が基準値以下に低下された状態を維持しておく。
【０１５３】
また、基板移載工程Ｓ０３においては、密閉部１８ｇを密閉して、カセットチャンバ１３Ａを前処理部１６から遮断しておく。
【０１５４】
図２に示すドライエッチング工程Ｓ０４は、第１実施形態と同様の工程とされ、図３に示す基板処理装置１０のドライエッチング室１１において、基板移載工程Ｓ０３で搬入された基板Ｗに対してドライエッチング処理を施す。
また、密閉部１８ｆは閉塞しても閉塞しなくてもよい。
【０１５５】
図２に示す基板移載工程Ｓ０５は、第１実施形態と同様の工程とされ、図３に示す基板処理装置１０のドライエッチング室１１において、ドライエッチング工程Ｓ０４のドライエッチング処理が終了した一枚の基板Ｗを、ドライエッチング室１１からカセットチャンバ１３のカセットＣへと移動させる。
このとき、図１に示す基板処理装置１０のトランスファチャンバ１２の内部に配置された搬送装置（搬送ロボット）１２ａによって、基板Ｗを移動させる。
【０１５６】
基板移載工程Ｓ０５においては、まず、密閉部１８ａを閉塞した状態で、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、エッチングガス供給部１１ａによってドライエッチング室１１にエッチングガスに加えて、窒素ガス等のパージガスなどを供給してもよい。
【０１５７】
基板移載工程Ｓ０５においては、次に、密閉部１８ｂおよび密閉部１８ａを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１２ａによって、ドライエッチング室１１に載置された一枚の基板Ｗを取り上げて、この基板Ｗをカセットチャンバ１３のカセットＣに収納する。
【０１５８】
このとき、ドライエッチング室１１は、排気部１１ｂによって、ドライエッチング室１１の内部におけるエッチングガスが完全に充分除去された状態にしておく。同時に、トランスファチャンバ１２は、排気部１２ｂによって、トランスファチャンバ１２の内部における水分が充分に除去された状態にしておく。
【０１５９】
本実施形態においては、上記の基板移載工程Ｓ０３と、ドライエッチング工程Ｓ０４と、基板移載工程Ｓ０５と、を繰り返して、カセットＣに収納された全ての基板Ｗにドライエッチングを施す。
このとき、ドライエッチング工程Ｓ０４を繰り返す間は、密閉部１８ｆを閉塞しても閉塞しなくてもよい。また、最後のドライエッチング工程Ｓ０４が開始されて、カセットチャンバ１３ＡのカセットＣに収納された基板Ｗがなくなった時点で、密閉部１８ｆを閉塞することが好ましい。
【０１６０】
次いで、密閉部１８ｆを閉塞するとともに、密閉部１８ｇを開放して、収納された基板ＷがなくなったカセットＣを、カセットチャンバ１３Ａから前処理部１６へと戻す。
さらに、前処理部１６へと戻されたカセットＣには、次のエッチング処理をおこなう複数の基板Ｗを収納する。
【０１６１】
図２に示すリンス槽搬入工程Ｓ１２は、第１実施形態と同様の工程とされる。
【０１６２】
図２に示す露点設定工程Ｓ１３は、第１実施形態と同様の工程とされる。
【０１６３】
図２に示す露点測定工程Ｓ１４は、第１実施形態と同様の工程とされる。
【０１６４】
図２に示す搬出判断工程Ｓ１５は、第１実施形態と同様の工程とされる。
【０１６５】
図２に示すカセット搬出工程Ｓ２１は、第１実施形態と同様の工程とされ、搬出判断工程Ｓ１５における判断に基づいて、図３に示す基板処理装置１０のカセットチャンバ１３から、カセット搬出部（搬出部）１３ｃおよびカセット搬出部（搬出部）１４ｃによって、処理の終了した基板Ｗが収納されているカセットＣを、露点の低下したグローブボックス１４へと搬出する。
【０１６６】
このとき、密閉部１８ｃを開放してグローブボックス１４とカセットチャンバ１３とを連通する。同時に、密閉部１８ｄを閉塞してグローブボックス１４を取り出し室１５から遮断しておく。
【０１６７】
また、カセット搬出工程Ｓ２１においては、密閉部１８ｂを密閉して、カセットチャンバ１３をトランスファチャンバ１２から遮断しておく。
【０１６８】
カセット搬出工程Ｓ２１においては、排気部１３ｂによって、あらかじめカセットチャンバ１３の内部を充分にガス交換するように排気し、カセットチャンバ１３の内部に残留するエッチングガス等を充分に低減しておく。
【０１６９】
カセット搬出工程Ｓ２１においては、密閉部１８ｆを閉塞しても閉塞しなくてもよい。また、密閉部１８ｆを閉塞して、カセットチャンバ１３を前処理部１６から遮断しておき、カセット搬出工程Ｓ２１の間に、次のエッチング処理をおこなう複数の基板Ｗを収納する、カセット搬入工程Ｓ０２をおこなうこともできる。
【０１７０】
図２に示す浸漬工程Ｓ２２は、第１実施形態と同様の工程とされる。
【０１７１】
図２に示すリンス槽搬出工程Ｓ２３は、第１実施形態と同様の工程とされる。
【０１７２】
図２に示すカセット取り出し工程Ｓ３１は、第１実施形態と同様の工程とされる。
【０１７３】
図２に示す後処理工程Ｓ３２は、第１実施形態と同様の工程とされる。
【０１７４】
なお、カセット搬出工程Ｓ２１の後には、浸漬工程Ｓ２２、リンス槽搬出工程Ｓ２３、カセット取り出し工程Ｓ３１、後処理工程Ｓ３２のいずれか、あるいは、その全ての工程において、新たな空のカセットＣをカセットチャンバ１３に搬入することができる。好ましくは、このカセットチャンバ１３への新たなカセットＣの搬入は、リンス槽搬入工程Ｓ１２と同時におこなうことができる。
【０１７５】
カセットチャンバ１３への新たなカセットＣの搬入は、図３に示す基板処理装置１０のグローブボックス１４から、カセット搬出部（搬出部）１３ｃおよびカセット搬出部（搬出部）１４ｃによって、基板Ｗが収納されていない空のカセットＣを、カセットチャンバ１３へと搬出する。
この場合、グローブボックス１４およびカセットチャンバ１３の露点は、低下している必要はない。
【０１７６】
グローブボックス１４からカセットチャンバ１３への新たなカセットＣの搬入においては、密閉部１８ｂを閉塞して、トランスファチャンバ１２からカセットチャンバ１３を遮断しておく。
【０１７７】
本実施形態においては、カセットチャンバ１３とカセットチャンバ１３Ａとが互いに別室として設けられており、カセットチャンバ１３とカセットチャンバ１３Ａとには、それぞれ別々のカセットＣが載置されている。
これにより、カセットチャンバ１３のカセットＣと、カセットチャンバ１３ＡのカセットＣとは、たがいに交換されることがない。したがって、ドライエッチング室１１でのエッチング処理前の基板Ｗが収納されるカセットＣと、ドライエッチング室１１でのエッチング処理終了後の基板Ｗが収納されるカセットＣとは、異なるカセットＣである。同様に、グローブボックス１４でのリンス槽１９へ浸漬される基板Ｗが収納されるカセットＣは、前処理部１６での前処理後の基板Ｗが収納されるカセットＣとは、異なるカセットＣである。したがって、腐食（コロージョン）の発生、あるいは、ダメージの発生を防止することが可能となる。
【０１７８】
上記の実施形態においては、カセットチャンバ１３，１３Ａとトランスファチャンバ１２とを別室としたが、これを同じチャンバとして形成することもできる。
【０１７９】
上記の実施形態においては、カセットＣを用いて基板Ｗを移動したが、カセットＣを用いない構成とすることもできる。この場合でも、ドライエッチング処理後にリンス処理までの基板Ｗの周りにおいて、その雰囲気における露点を基準値以下に制御する。
【０１８０】
また、上記の実施形態においては、リンス槽１９を用いて基板Ｗを浸漬するものとしたが、枚葉スピンリンサーを有してリンス処理をおこなう構成とすることもできる。この場合でも、ドライエッチング処理後にリンス処理までの基板Ｗの周りにおいて、その雰囲気における露点を基準値以下に制御する。
【０１８１】
さらに、本発明は、ドライエッチング処理後の基板Ｗの周りでの雰囲気における露点を制御することができれば、上記の装置構成に限定されるものではない。
【実施例】
【０１８２】
以下、本発明にかかる実施例を説明する。
【０１８３】
なお、本発明における基板処理装置および基板処理方法の具体例として、コロージョン発生確認試験について説明する。
【０１８４】
＜実験例１＞
図1に記載される基板処理装置１０を用いて、ドライエッチング処理およびリンス処理をおこなった。
【０１８５】
以下に、ドライエッチング処理およびリンス処理における諸元を示す。
基板寸法；Φ２００ｍｍ
基板種類；ニオブ酸リチウム基板
メタル配線；モリブデン、アルミニウム積層
メタル配線膜厚；０．４μｍ
メタル配線幅；１μｍ
エッチングガス；塩素ガス；１０〜１００％
エッチング時間；３００ｓｅｃ
エッチング温度；２０℃
グローブボックス露点；−３５℃以下
バッチ基板枚数；２５枚
リンス液；チオ硫酸ナトリウム；２ｗｔ％
リンス処理時間；６００ｓｅｃ
リンス処理温度；２０℃
【０１８６】
ドライエッチング処理およびリンス処理終了後、基板表面の配線層をＳＥＭ観察した。
この結果を図４〜図６に示す。
【０１８７】
また、この実験例において、グローブボックス内の露点（湿度）を測定した。
【０１８８】
その結果、基板をリンス液に浸漬するために移動している間におけるグローブボックス内の露点（湿度）が、−３５℃以下に保たれていた。
【０１８９】
この結果から、露点を管理することで、積層メタル配線におけるコロージョン、および、積層メタル配線のダメージが発生しないことがわかる。
【０１９０】
＜実験例２＞
比較のため、枚葉スピンリンサーによるドライエッチング処理およびリンス処理をおこなった。
基板、および、ドライエッチング処理の条件は、実験例１と同じである。また、エッチング終了後は、窒素ガスを噴射した雰囲気で、リンス液を滴下する枚葉スピンリンサーに、基板を移動した。
【０１９１】
リンス液、および、リンス処理条件は、実験例１と同様の条件とした。
この実験例においては、スピンリンサーは公知の構成を有する。
【０１９２】
ドライエッチング処理およびリンス処理終了後、基板表面の配線層をＳＥＭ観察した。
この結果を図７〜図８に示す。
【０１９３】
また、この実験例において、スピンリンサーの露点（湿度）を測定した。
この結果を図９に示す。
【０１９４】
なお、湿度、温度と、露点との換算例を以下に示す。
温度（℃）；湿度（％）；露点（℃）
２０      １０      −１２
２０      ５０          ９
２０        １      −３３
【０１９５】
図９に示すように、基板をスピンリンサーまで移動している間におけるグローブボックス内の露点（湿度）が、−３５℃以下に保たれていないことがわかる。
【符号の説明】
【０１９６】
１０…基板処理装置
１１…ドライエッチング室
１１ａ…エッチングガス供給部
１１ｂ…排気部
１２…トランスファチャンバ
１２ａ…搬送装置（搬送ロボット）
１２ｂ…排気部
１３，１３Ａ…カセットチャンバ
１３ｂ，１３Ａｂ…排気部
１３ｃ…カセット搬出部（搬出部）
１４…グローブボックス
１４ａ…露点測定ゲージ
１４ｂ…露点設定部
１４ｃ…カセット搬出部（搬出部）
１４ｄ…リンス槽移動部
１５…取り出し室
１５ａ…リンス液供給部
１５ｂ…排気部
１５ｄ…リンス槽移動部
１６…前処理部
１７…後処理部
１８ａ〜１８ｇ…密閉部
１９…リンス槽
１９ａ…蓋部
１９ｒ…リンス液
Ｗ…基板
Ｃ…カセット
【図１】
2020035923.tif 000003
【図２】
2020035923.tif 000004
【図３】
2020035923.tif 000005
【図４】
2020035923.tif 000006
【図５】
2020035923.tif 000007
【図６】
2020035923.tif 000008
【図７】
2020035923.tif 000009
【図８】
2020035923.tif 000010
【図９】
2020035923.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月15日(2019.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
取り出し室１５は、グローブボックス１４からリンス槽１９を搬出する。取り出し室１５では、リンス槽１９の蓋部１９ａを開放して、リンス液１９ｒに浸漬されていたカセットＣをリンス槽１９の外部に取り出して、複数の基板Ｗを取り出す。これにより、グローブボックス１４の内部における露点を変化させることなく、リンス槽１９から複数の基板Ｗを取り出すことができる。なお取り出し室１５はグローブボックス１４と係合されていなくてもよく、公知の構成でグローブボックス１４からリンス槽１９を搬出し、取り出し室１５に搬入してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
本実施形態に係る基板処理装置１０は、図３に示すように、トランスファチャンバ１２に、カセットチャンバ１３とカセットチャンバ１３Ａとが接続され、カセットチャンバ１３Ａに前処理部１６が接続されている。
なお、図３においては、ドライエッチング室１１と、トランスファチャンバ１２と、カセットチャンバ１３と、カセットチャンバ１３Ａと、においては、その平面を示し、グローブボックス１４と、取り出し室１５と、においては、その側面を示している。