(57)【要約】【課題】基板のパターンを構成している複数の構造物の相互間の間隙に対する処理液の導電成分の移動を制御できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１００は、複数の構造物２３を含むパターンＰＴを有する基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、処理液供給部９と、第１電極１１と、第２電極３２と、電源部１７とを備える。処理液供給部９は、導電性を有する処理液ＬＱを基板Ｗに向けて供給する。第１電極１１は、基板Ｗに付着した処理液ＬＱに接触する。第２電極３２は、基板Ｗに接触する。電源部１７は、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の構造物を含むパターンを有する基板を処理する基板処理装置であって、
導電性を有する処理液を前記基板に向けて供給する処理液供給部と、
前記基板に付着した前記処理液に接触する第１電極と、
前記基板に接触する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に直流電圧を印加する電源部と
を備える、基板処理装置。
【請求項２】
前記複数の構造物の各々の表面の極性が、前記処理液の極性と逆の極性になるように、前記電源部は、前記第１電極と前記第２電極との間に前記直流電圧を印加する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の構造物の各々の表面の極性が、前記処理液の極性と同じ極性になるように、前記電源部は、前記第１電極と前記第２電極との間に前記直流電圧を印加する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記複数の構造物の各々の表面のゼータ電位を打ち消すように、前記電源部は、前記第１電極と前記第２電極との間に前記直流電圧を印加して、前記複数の構造物の各々の表面を帯電させる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理液供給部は、前記第１電極として機能する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板を保持する基板保持部をさらに備え、
前記基板保持部は、前記第２電極として機能する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１電極の材料および前記第２電極の材料のうちの少なくとも一方は、炭素を含有する樹脂材料である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
複数の構造物を含むパターンを有する基板を処理する基板処理方法であって、
導電性を有する処理液を前記基板に向けて供給する工程と、
前記基板に付着した前記処理液に第１電極を接触させる工程と、
前記基板に第２電極を接触させる工程と、
前記第１電極と前記第２電極との間に直流電圧を印加する工程と
を含む、基板処理方法。
【請求項９】
前記直流電圧を印加する前記工程では、前記複数の構造物の各々の表面の極性が、前記処理液の極性と逆の極性になるように、前記第１電極と前記第２電極との間に前記直流電圧を印加する、請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記直流電圧を印加する前記工程では、前記複数の構造物の各々の表面の極性が、前記処理液の極性と同じ極性になるように、前記第１電極と前記第２電極との間に前記直流電圧を印加する、請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記直流電圧を印加する前記工程では、前記複数の構造物の各々の表面のゼータ電位を打ち消すように、前記第１電極と前記第２電極との間に前記直流電圧を印加して、前記複数の構造物の各々の表面を帯電させる、請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記処理液を前記基板に向けて供給する前記工程では、処理液供給部が、前記処理液を前記基板に向けて供給し、
前記第１電極を接触させる前記工程では、前記処理液供給部が、前記第１電極として機能する、請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記第２電極を接触させる前記工程では、前記基板を保持する基板保持部が、前記第２電極として機能する、請求項８から請求項１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記第１電極の材料および前記第２電極の材料のうちの少なくとも一方は、炭素を含有する樹脂材料である、請求項８から請求項１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
複数の構造物を含むパターンを有する半導体基板を処理して、処理後の前記半導体基板である半導体を製造する半導体製造方法であって、
導電性を有する処理液を前記半導体基板に向けて供給する工程と、
前記半導体基板に付着した前記処理液に第１電極を接触させる工程と、
前記半導体基板に第２電極を接触させる工程と、
前記第１電極と前記第２電極との間に直流電圧を印加する工程と
を含む、半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、基板処理方法、および、半導体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載されている基板処理装置は、対向部材と、複数の電源装置と、制御装置とを備える。対向部材は、基板の下面に対向する。対向部材は複数の電極を含む。複数の電極は、回転軸線からの径方向の距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されている。複数の電源装置は、それぞれ、複数の電極に直流電圧を印加する。制御装置は、径方向内側から径方向外側に向かって順番に印加電圧が増加するように、各電源装置に指令を与える。その結果、エッチングの均一性を高めることができる。
【０００３】
エッチングの均一性を高めることができる理由は、次の通りである。すなわち、基板のエッチング量は、基板の上面中央部で最も大きく、基板の上面中央部から離れるにしたがって減少する。一方、基板の上面を帯電させると、エッチングレートが増加し、さらに、エッチングレートは、基板の上面の帯電量が増加するにしたがって増加する。そこで、基板の上面中央部から離れるにしたがって連続的または段階的に帯電量が増加するように基板の上面を帯電させると、エッチングの均一性を高めることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１８４７０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されている基板処理装置では、基板の径方向内側と径方向外側との間でのエッチングの均一性を高めているに過ぎない。
【０００６】
一方、近年、基板に形成されるパターンは、微細化されている。つまり、基板の表面において、パターンを構成している複数の微細構造物の相互間の間隙が、狭小化している。従って、エッチング液等の処理液の導電成分が複数の微細構造物の相互間の間隙に進入することが困難な場合が発生し得る。一方、一定の処理が完了すると、複数の微細構造物の相互間の間隙に、処理液の導電成分が進入することを速やかに停止したい場合が発生し得る。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板のパターンを構成している複数の構造物の相互間の間隙に対する処理液の導電成分の移動を制御できる基板処理装置、基板処理方法、および、半導体製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、複数の構造物を含むパターンを有する基板を処理する。基板処理装置は、処理液供給部と、第１電極と、第２電極と、電源部とを備える。処理液供給部は、導電性を有する処理液を前記基板に向けて供給する。第１電極は、前記基板に付着した前記処理液に接触する。第２電極は、前記基板に接触する。電源部は、前記第１電極と前記第２電極との間に直流電圧を印加する。
【０００９】
本発明の基板処理装置において、前記複数の構造物の各々の表面の極性が、前記処理液の極性と逆の極性になるように、前記電源部は、前記第１電極と前記第２電極との間に前記直流電圧を印加することが好ましい。
【００１０】
本発明の基板処理装置において、前記複数の構造物の各々の表面の極性が、前記処理液の極性と同じ極性になるように、前記電源部は、前記第１電極と前記第２電極との間に前記直流電圧を印加することが好ましい。
【００１１】
本発明の基板処理装置において、前記複数の構造物の各々の表面のゼータ電位を打ち消すように、前記電源部は、前記第１電極と前記第２電極との間に前記直流電圧を印加して、前記複数の構造物の各々の表面を帯電させることが好ましい。
【００１２】
本発明の基板処理装置において、前記処理液供給部は、前記第１電極として機能することが好ましい。
【００１３】
本発明の基板処理装置は、前記基板を保持する基板保持部をさらに備えることが好ましい。前記基板保持部は、前記第２電極として機能することが好ましい。
【００１４】
本発明の基板処理装置において、前記第１電極の材料および前記第２電極の材料のうちの少なくとも一方は、炭素を含有する樹脂材料であることが好ましい。
【００１５】
本発明の他の局面によれば、基板処理方法において、複数の構造物を含むパターンを有する基板が処理される。基板処理方法は、導電性を有する処理液を前記基板に向けて供給する工程と、前記基板に付着した前記処理液に第１電極を接触させる工程と、前記基板に第２電極を接触させる工程と、前記第１電極と前記第２電極との間に直流電圧を印加する工程とを含む。
【００１６】
本発明の基板処理方法において、前記直流電圧を印加する前記工程では、前記複数の構造物の各々の表面の極性が、前記処理液の極性と逆の極性になるように、前記第１電極と前記第２電極との間に前記直流電圧を印加することが好ましい。
【００１７】
本発明の基板処理方法において、前記直流電圧を印加する前記工程では、前記複数の構造物の各々の表面の極性が、前記処理液の極性と同じ極性になるように、前記第１電極と前記第２電極との間に前記直流電圧を印加することが好ましい。
【００１８】
本発明の基板処理方法において、前記直流電圧を印加する前記工程では、前記複数の構造物の各々の表面のゼータ電位を打ち消すように、前記第１電極と前記第２電極との間に前記直流電圧を印加して、前記複数の構造物の各々の表面を帯電させることが好ましい。
【００１９】
本発明の基板処理方法において、前記処理液を前記基板に向けて供給する前記工程では、処理液供給部が、前記処理液を前記基板に向けて供給することが好ましい。前記第１電極を接触させる前記工程では、前記処理液供給部が、前記第１電極として機能することが好ましい。
【００２０】
本発明の基板処理方法において、前記第２電極を接触させる前記工程では、前記基板を保持する基板保持部が、前記第２電極として機能することが好ましい。
【００２１】
本発明の基板処理方法において、前記第１電極の材料および前記第２電極の材料のうちの少なくとも一方は、炭素を含有する樹脂材料であることが好ましい。
【００２２】
本発明のさらに他の局面によれば、半導体基板製造方法において、複数の構造物を含むパターンを有する半導体基板を処理して、処理後の前記半導体基板である半導体が製造される。半導体製造方法は、導電性を有する処理液を前記半導体基板に向けて供給する工程と、前記半導体基板に付着した前記処理液に第１電極を接触させる工程と、前記半導体基板に第２電極を接触させる工程と、前記第１電極と前記第２電極との間に直流電圧を印加する工程とを含む。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板のパターンを構成している複数の構造物の相互間の空間に対する処理液の導電成分の移動を制御できる基板処理装置、基板処理方法、および、半導体製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。
【図２】一般的な基板処理装置において基板Ｗに付着した処理液の挙動を示す模式図である。
【図３】実施形態１に係る基板処理装置が基板のパターンを構成する複数の構造物の表面をプラスに帯電させるときの構成を示す模式図である。
【図４】実施形態１に係る基板処理装置が基板の複数の構造物の表面をプラスに帯電させたときの処理液の挙動を示す模式図である。
【図５】実施形態１に係る基板処理装置が基板のパターンを構成する複数の構造物の表面をマイナスに帯電させるときの構成を示す模式図である。
【図６】実施形態１に係る基板処理装置が基板の複数の構造物の表面をマイナスに帯電させたときの処理液の挙動を示す模式図である。
【図７】実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
【図８】本発明の実施形態２に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。なお、図面の簡略化のため、断面を示す斜線を適宜省略する。
【００２６】
（実施形態１）
図１〜図７を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００を説明する。基板処理装置１００は処理液によって基板Ｗを処理する。以下、処理液を「処理液ＬＱ」と記載する。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。基板Ｗは、例えば、略円板状である。以下の実施形態１の説明では、基板Ｗは半導体基板である。
【００２７】
まず、図１を参照して基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す模式的断面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、基板Ｗを回転しながら、基板Ｗに処理液ＬＱを供給して、基板Ｗを処理する。具体的には、基板処理装置１００は、チャンバー１と、スピンチャック３と、スピン軸５と、スピンモーター７と、ノズル９と、ノズル移動部１０と、バルブＶ１と、配管Ｐ１と、第１電極１１と、電極移動部１３と、ノズル１５と、バルブＶ２と、配管Ｐ２と、複数のガード１６と、電源装置１７と、制御装置１９と、配線ＬＮ１と、配線ＬＮ２と、少なくとも１つの第２電極３２とを備える。実施形態１では、基板処理装置１００は、複数の第２電極３２を備える。電源装置１７は、「電源部」の一例に相当する。
【００２８】
チャンバー１は略箱形状を有する。チャンバー１は、基板Ｗ、スピンチャック３、スピン軸５、スピンモーター７、ノズル９、ノズル移動部１０、第１電極１１、電極移動部１３、ノズル１５、配管Ｐ２の一部、複数のガード１６、配線ＬＮ１の一部、および、配線ＬＮ２の一部を収容する。
【００２９】
スピンチャック３は、基板Ｗを保持して回転する。具体的には、スピンチャック３は、チャンバー１内で基板Ｗを水平に保持しながら、スピンチャック３の回転軸線ＡＸの回りに基板Ｗを回転させる。
【００３０】
スピンチャック３は、複数のチャック部材３１と、スピンベース３３とを含む。複数のチャック部材３１はスピンベース３３に設けられる。複数のチャック部材３１は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。従って、チャック部材３１は基板Ｗに接触する。複数のチャック部材３１は、「基板保持部」の一例に相当する。スピンベース３３は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材３１を支持する。
【００３１】
スピン軸５は、スピンベース３３に固定される。また、スピン軸５は、スピンモーター７の駆動軸に固定される。そして、スピンモーター７は、スピン軸５を回転させることによって、スピンベース３３を回転軸線ＡＸの回りに回転させる。その結果、スピンベース３３に設けられた複数のチャック部材３１に保持された基板Ｗが回転軸線ＡＸの回りに回転する。スピン軸５は、略円筒形状を有し、内部空間５ａを有する。
【００３２】
ノズル９は、回転中の基板Ｗに向けて処理液を供給する。ノズル９は、「処理液供給部」の一例に相当する。
【００３３】
処理液ＬＱは導電性を有する。処理液ＬＱは、プラス極性を有する導電成分（例えばプラスイオン成分）、または、マイナス極性を有する導電成分（例えばマイナスイオン成分）を含む。プラス極性を有する導電成分は、プラスに帯電した導電成分であって、基板Ｗを処理する成分である。マイナス極性を有する導電成分は、マイナスに帯電した導電成分であって、基板Ｗを処理する成分である。
【００３４】
以下の説明では、プラス極性を有する導電成分を「プラス導電成分」と記載し、マイナス極性を有する導電成分を「マイナス導電成分」と記載する。また、「プラス導電成分」と「マイナス導電成分」とを区別して説明する必要のないときは、「プラス導電成分」と「マイナス導電成分」とを総称して、「導電成分」と記載する場合がある。
【００３５】
処理液ＬＱは、例えば、エッチング液である。処理液ＬＱがエッチング液である場合、プラス導電成分およびマイナス導電成分の各々は、基板Ｗをエッチングする成分である。
【００３６】
プラス導電成分を含む処理液ＬＱとしてのエッチング液は、例えば、フッ酸、過酸化水素水、または、硝酸である。マイナス導電成分を含む処理液ＬＱとしてのエッチング液は、例えば、アンモニア、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、または、ＴＢＡＨ（テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド）である。なお、処理液ＬＱが導電性を有する限りは、処理液ＬＱの種類は、特に限定されない。
【００３７】
ノズル移動部１０は、処理位置と退避位置との間でノズル９を移動する。処理位置は、基板Ｗの上方の位置を示す。ノズル９は、処理位置に位置するときに、基板Ｗに向けて処理液ＬＱを供給する。退避位置は、基板Ｗよりも基板Ｗの径方向外側の位置を示す。
【００３８】
具体的には、ノズル移動部１０は、アーム１１１と、回動軸１１３と、ノズル移動機構１１５とを含む。アーム１１１は略水平方向に沿って延びる。アーム１１１の先端部にはノズル９が取り付けられる。アーム１１１は回動軸１１３に結合される。回動軸１１３は、略鉛直方向に沿って延びる。ノズル移動機構１１５は、回動軸１１３を略鉛直方向に沿った回動軸線のまわりに回動させて、アーム１１１を略水平面に沿って回動させる。その結果、ノズル９が略水平面に沿って移動する。例えば、ノズル移動機構１１５は、回動軸１１３を回動軸線のまわりに回動させるアーム揺動モーターを含む。アーム揺動モーターは、例えば、サーボモータである。また、ノズル移動機構１１５は、回動軸１１３を略鉛直方向に沿って昇降させて、アーム１１１を昇降させる。その結果、ノズル９が略鉛直方向に沿って移動する。例えば、ノズル移動機構１１５は、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与えるアーム昇降モーターとを含む。アーム昇降モーターは、例えば、サーボモータである。
【００３９】
配管Ｐ１はノズル９に処理液ＬＱを供給する。バルブＶ１は、ノズル９に対する処理液ＬＱの供給開始と供給停止とを切り替える。
【００４０】
ノズル１５は、処理液ＬＱによって基板Ｗが処理された時よりも後に、回転中の基板Ｗに向けてリンス液を供給する。リンス液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。リンス液の種類は、基板Ｗをリンスできる限りにおいては、特に限定されない。
【００４１】
配管Ｐ２はノズル１５にリンス液を供給する。バルブＶ２は、ノズル１５に対するリンス液の供給開始と供給停止とを切り替える。
【００４２】
第１電極１１は、基板Ｗに付着した処理液ＬＱに接触する。第１電極１１の材料は、例えば、炭素を含有する樹脂材料である。炭素は、例えば、カーボンナノチューブである。樹脂は、例えば、フッ素樹脂である。フッ素樹脂は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（４フッ化）、または、ポリクロロトリフルオロエチレン（３フッ化）である。このように第１電極１１を構成することで、実施形態１では、第１電極１１の導電性を確保しつつ耐薬性を向上できる。
【００４３】
電極移動部１３は、接触位置と退避位置との間で第１電極１１を移動する。接触位置は、基板Ｗに付着した処理液ＬＱに対して、第１電極１１が処理液ＬＱの上方から接触する位置を示す。退避位置は、基板Ｗよりも基板Ｗの径方向外側の位置を示す。具体的には、電極移動部１３は、アーム１３１と、回動軸１３３と、電極移動機構１３５とを含む。アーム１３１の先端部には第１電極１１が取り付けられる。アーム１３１は、回動軸１３３および電極移動機構１３５によって駆動されて、略水平面に沿って回動され、または、略鉛直方向に沿って昇降される。その他、アーム１３１、回動軸１３３、および電極移動機構１３５の構成は、それぞれ、アーム１１１、回動軸１１３、およびノズル移動機構１１５の構成と同様である。
【００４４】
第２電極３２は基板Ｗに接触する。実施形態１では、チャック部材３１が第２電極３２として機能する。従って、実施形態１によれば、第２電極３２を専用部品として設ける場合と比較して、部品点数を削減できる。第２電極３２（つまり、チャック部材３１）の材料は、例えば、炭素を含む樹脂材料である。つまり、第２電極３２の材料は、第１電極１１の材料と同様である。このように第２電極３２を構成することで、実施形態１では、第２電極３２の導電性を確保しつつ耐薬性を向上できる。
【００４５】
なお、例えば、第１電極１１および第２電極３２のうちの少なくとも一方が、炭素を含む樹脂材料であってもよい。また、第１電極１１および第２電極３２の材料は、導電性を有する限りにおいては特に限定されない。
【００４６】
配線ＬＮ１は、第１電極１１と電源装置１７とを接続する。配線ＬＮ２は、複数の第２電極３２の各々と電源装置１７とを接続する。配線ＬＮ２は、スピン軸５の内部空間５ａを通って、複数の第２電極３２の各々から電源装置１７まで引き出されている。なお、基板処理装置１００が、１つの第２電極３２を有している場合は、配線ＬＮ２は、１つの第２電極３２（つまり、１つのチャック部材３１）に接続される。
【００４７】
電源装置１７は、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する。従って、実施形態１によれば、基板Ｗのパターンを構成している複数の構造物をプラスまたはマイナスに帯電させることができる。その結果、基板Ｗのパターンを構成している複数の構造物の相互間の間隙に対する処理液ＬＱの導電成分の移動を制御できる。
【００４８】
例えば、基板Ｗのパターンを構成している複数の構造物がプラスに帯電されると、処理液ＬＱに含まれるマイナス導電成分を、複数の構造物の相互間の間隙に誘導できる。従って、マイナス導電成分が、速やかに複数の構造物の相互間の間隙に進入する。その結果、マイナス導電成分によって、複数の構造物を効果的に処理できる。
【００４９】
例えば、基板Ｗのパターンを構成している複数の構造物がマイナスに帯電されると、処理液ＬＱに含まれるプラス導電成分を、複数の構造物の相互間の間隙に誘導できる。従って、プラス導電成分が、速やかに複数の構造物の相互間の間隙に進入する。その結果、プラス導電成分によって、複数の構造物を効果的に処理できる。
【００５０】
例えば、一定の処理の完了後において、基板Ｗのパターンを構成している複数の構造物がプラスに帯電されると、複数の構造物の相互間の間隙に、処理液ＬＱに含まれるプラス導電成分が進入することが抑制される。従って、プラス導電成分による複数の構造物の処理が速やかに停止される。その結果、プラス導電成分によって、複数の構造物が過剰に処理されることを抑制できる。
【００５１】
例えば、一定の処理の完了後において、基板Ｗのパターンを構成している複数の構造物がマイナスに帯電されると、複数の構造物の相互間の間隙に、処理液ＬＱに含まれるマイナス導電成分が進入することが抑制される。従って、マイナス導電成分による複数の構造物の処理が速やかに停止される。その結果、マイナス導電成分によって、複数の構造物が過剰に処理されることを抑制できる。
【００５２】
例えば、複数の構造物の相互間の間隙に存在する処理後生成物がプラスに帯電している場合に、基板Ｗのパターンを構成している複数の構造物がプラスに帯電されると、間隙から処理後生成物を効果的に排出できる。処理後生成物は、例えば、処理液と構造物との反応によって生成された物質である。
【００５３】
例えば、複数の構造物の相互間の間隙に存在する処理後生成物がマイナスに帯電している場合に、基板Ｗのパターンを構成している複数の構造物がマイナスに帯電されると、間隙から処理後生成物を効果的に排出できる。
【００５４】
複数のガード１６の各々は略筒形状を有する。複数のガード１６の各々は、基板Ｗから排出された液体（処理液ＬＱまたはリンス液）を受け止める。なお、ガード１６は、基板Ｗから排出される液体の種類に応じて設けられる。
【００５５】
制御装置１９は、基板処理装置１００の各構成を制御する。制御装置１９はコンピューターを含む。具体的には、制御装置１９は、制御部１９１と、記憶部１９３とを含む。制御部１９１は、スピンチャック３、スピンモーター７、ノズル移動部１０、バルブＶ１、電極移動部１３、バルブＶ２、複数のガード１６、および、電源装置１７を制御する。制御部１９１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーを含む。記憶部１９３は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。記憶装置は、半導体メモリーのような主記憶装置と、半導体メモリー及び／又はハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶装置は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１９１のプロセッサーは、記憶部１９３の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、スピンチャック３、スピンモーター７、ノズル移動部１０、バルブＶ１、電極移動部１３、バルブＶ２、複数のガード１６、および、電源装置１７を制御する。
【００５６】
次に、図２〜図４を参照して、処理液ＬＱがマイナス導電成分を含む場合において、基板Ｗの複数の構造物の相互間の間隙にマイナス導電成分を誘導するときの基板処理装置１００の動作を説明する。図２〜図４の説明では、処理液ＬＱがエッチング液である例を説明する。
【００５７】
まず、図２を参照して、処理液ＬＱの一般的な挙動を説明する。図２は、一般的な基板処理装置において基板Ｗに付着した処理液ＬＱの挙動を示す図である。図２では、基板Ｗの表面の一部が拡大して示されている。
【００５８】
図２に示すように、基板Ｗは、基板本体２１と、パターンＰＴとを有する。基板本体２１は、シリコンによって形成される。パターンＰＴは、例えば、微細パターンである。パターンＰＴは、複数の構造物２３を含む。構造物２３は、例えば、微細構造物である。
【００５９】
複数の構造物２３の各々は、所定方向Ｄに沿って延びている。所定方向Ｄは、基板本体２１の表面２１ａに対して交差する方向を示す。実施形態１では、所定方向Ｄは、基板本体２１の表面２１ａに対して略直交する方向を示す。互いに隣り合う構造物２３の距離Ｌは、例えば、１０ｎｍ以下である。
【００６０】
複数の構造物２３の各々は、単層または複数層によって構成される。構造物２３が単層によって構成される場合、構造物２３は、絶縁層、半導体層、または、導体層である。構造物２３が複数層によって構成される場合、構造物２３は、絶縁層を含んでもよいし、半導体層を含んでもよいし、導体層を含んでもよいし、絶縁層と半導体層と導体層とのうちの２以上を含んでもよい。
【００６１】
絶縁層は、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である。半導体層は、例えば、ポリシリコン膜、または、アモルファスシリコン膜である。導体層は、例えば、金属膜である。金属膜は、例えば、チタン、タングステン、銅、および、アルミニウムのうちの少なくとも１つを含む膜である。
【００６２】
図２では、基板Ｗに処理液ＬＱが供給されて、基板Ｗには処理液ＬＱが付着している。処理液ＬＱは、複数のマイナス導電成分ＥＣＮを含む。一方、複数の構造物２３の各々の表面にはゼータ電位ＺＰが発生するため、複数の構造物２３の各々の表面は、ゼータ電位ＺＰによってマイナスに帯電している。従って、構造物２３の極性とマイナス導電成分ＥＣＮの極性とは同じである。その結果、マイナス導電成分ＥＣＮは、構造物２３に対して反発し、複数の構造物２３の相互間の間隙ＧＰに進入することが困難である。
【００６３】
そこで、実施形態１では、基板処理装置１００は、複数の構造物２３の各々の表面に発生したゼータ電位ＺＰを打ち消して、複数の構造物２３の各々の表面の極性がマイナス導電成分ＥＣＮと逆の極性（つまり、プラスの極性）になるように、複数の構造物２３の各々の表面を帯電させる。つまり、基板処理装置１００は、複数の構造物２３の各々の表面をプラスに帯電させる。具体的には、次の通りである。
【００６４】
図３は、実施形態１に係る基板処理装置１００が基板Ｗの複数の構造物２３の表面をプラスに帯電させるときの構成を示す模式図である。図３に示すように、第１電極１１は、基板Ｗに付着した処理液ＬＱに接触している。一方、第２電極３２は基板Ｗに接触している。そして、電源装置１７のマイナス極が、配線ＬＮ１によって第１電極１１に接続される。一方、電源装置１７のプラス極が、配線ＬＮ２によって第２電極３２に接続される。そして、電源装置１７は、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する。従って、電源装置１７のプラス極から、基板Ｗに正電荷が供給される。その結果、基板Ｗの複数の構造物２３の表面のゼータ電位ＺＰ（図２）が打ち消されて、複数の構造物２３の表面がプラスに帯電する。
【００６５】
図４は、基板Ｗの複数の構造物２３の表面をプラスに帯電させたときの処理液ＬＱの挙動を示す模式図である。図４では、基板Ｗの表面の一部が拡大して示されている。
【００６６】
図４に示すように、基板Ｗに処理液ＬＱが供給されて、基板Ｗには処理液ＬＱが付着している。処理液ＬＱは、複数のマイナス導電成分ＥＣＮを含む。一方、複数の構造物２３では、図２に示すゼータ電位ＺＰに基づくマイナスの電荷が打ち消されて、複数の構造物２３の表面がプラスに帯電している。従って、構造物２３の表面の極性と処理液ＬＱのマイナス導電成分ＥＣＮの極性とは逆である。その結果、マイナス導電成分ＥＣＮは、構造物２３の表面のプラス電荷に引き付けられて、複数の構造物２３の相互間の間隙ＧＰに容易に進入することができる。よって、マイナス導電成分ＥＣＮによって、複数の構造物２３を効果的にエッチングできる。
【００６７】
なお、ゼータ電位によってマイナスに帯電し得る構造物２３は、例えば、シリコン、アルカリ溶液中のアルミナ、または、シリコン酸化物によって形成される。
【００６８】
一方、基板Ｗの複数の構造物２３の各々の表面が、ゼータ電位によってプラスに帯電する場合がある。ゼータ電位によってプラスに帯電し得る構造物２３は、例えば、酸性中のシリコン酸化物、アルミナ、または、シリコンナイトライドによって形成される。そして、処理液ＬＱが、複数のプラス導電成分を含む場合がある。
【００６９】
この場合は、電源装置１７のプラス極が、配線ＬＮ１によって第１電極１１に接続される。一方、電源装置１７のマイナス極が、配線ＬＮ２によって第２電極３２に接続される。そして、電源装置１７は、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する。従って、電源装置１７のマイナス極から、基板Ｗに負電荷が供給される。その結果、基板Ｗの複数の構造物２３の表面のゼータ電位が打ち消されて、複数の構造物２３の表面がマイナスに帯電する。
【００７０】
複数の構造物２３の表面がマイナスに帯電すると、構造物２３の表面の極性と処理液ＬＱのプラス導電成分の極性とは逆である。その結果、プラス導電成分は、構造物２３の表面のマイナス電荷に引き付けられて、複数の構造物２３の相互間の間隙ＧＰに容易に進入することができる。よって、プラス導電成分によって、複数の構造物２３を効果的にエッチングできる。
【００７１】
引き続き図４を参照して、基板Ｗの構造物２３をさらに説明する。複数の構造物２３のうち互いに隣り合う構造物２３の間の距離Ｌは、第１所定条件（以下、「第１所定条件ＰＣ１」と記載する。）を満たすことが好ましい。第１所定条件ＰＣ１は、電源装置１７によって第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧が印加される前では、構造物２３の表面のゼータ電位に基づく電荷と同極性の処理液ＬＱ中の導電成分が、複数の構造物２３の相互間の間隙ＧＰに進入または浸透できないことを示す。実施形態１によれば、複数の構造物２３が、第１所定条件ＰＣ１を満たすような狭小な距離Ｌを有する複数の超微細構造物である場合であっても、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加することで、処理液ＬＱの導電成分を構造物２３の相互間の間隙ＧＰに進入または浸透させることができる。その結果、複数の構造物２３を効果的にエッチングできる。
【００７２】
換言すれば、複数の構造物２３のうち互いに隣り合う構造物２３の間の距離Ｌは、第２所定条件（以下、「第２所定条件ＰＣ２」と記載する。）を満たすことが好ましい。第２所定条件ＰＣ２は、電源装置１７によって第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧が印加された後では、直流電圧によって帯電された構造物２３の表面の電荷と逆極性の処理液ＬＱ中の導電成分が、複数の構造物２３の相互間の間隙ＧＰに進入または浸透できることを示す。
【００７３】
なお、例えば、距離Ｌが１０ｎｍ以下であると、距離Ｌは第１所定条件ＰＣ１および第２所定条件ＰＣ２を満たす。ただし、本発明の適用は、距離Ｌが第１所定条件ＰＣ１および第２所定条件ＰＣ２を満たす場合に限定されない。
【００７４】
以上、図３および図４を参照して説明したように、実施形態１によれば、基板Ｗの複数の構造物２３の各々の表面の極性が、処理液ＬＱの極性（具体的には処理液ＬＱの導電成分の極性）と逆の極性になるように、電源装置１７は、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する。従って、処理液ＬＱに含まれる導電成分は、基板Ｗの構造物２３の表面の電荷に引き付けられて、複数の構造物２３の相互間の間隙ＧＰに容易に進入することができる。その結果、処理液ＬＱの導電成分によって、複数の構造物２３を効果的にエッチングできる。
【００７５】
また、実施形態１によれば、複数の構造物２３の各々の表面のゼータ電位を打ち消すように、電源装置１７は、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加して、複数の構造物２３の各々の表面を帯電させる。従って、複数の構造物２３の表面のゼータ電位に起因して処理液ＬＱによるエッチングが阻害されることを抑制できる。
【００７６】
次に、図５および図６を参照して、処理液ＬＱがマイナス導電成分を含む場合において、基板Ｗの複数の構造物２３の相互間の間隙ＧＰへのマイナス導電成分の進入を抑制するときの基板処理装置１００の動作を説明する。図５および図６の説明では、処理液ＬＱがエッチング液である例を説明する。
【００７７】
図５は、実施形態１に係る基板処理装置１００が基板Ｗの複数の構造物２３の表面をマイナスに帯電させるときの構成を示す模式図である。図５に示すように、第１電極１１は、基板Ｗに付着した処理液ＬＱに接触している。一方、第２電極３２は基板Ｗに接触している。そして、電源装置１７のプラス極が、配線ＬＮ１によって第１電極１１に接続される。一方、電源装置１７のマイナス極が、配線ＬＮ２によって第２電極３２に接続される。そして、電源装置１７は、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する。従って、電源装置１７のマイナス極から、基板Ｗに負電荷が供給される。その結果、複数の構造物２３の表面がマイナスに帯電する。
【００７８】
図６は、基板Ｗの複数の構造物２３の表面をマイナスに帯電させたときの処理液の挙動を示す模式図である。図６に示すように、基板Ｗに処理液ＬＱが供給されて、基板Ｗには処理液ＬＱが付着している。処理液ＬＱは、複数のマイナス導電成分ＥＣＮを含む。一方、複数の構造物２３の表面がマイナスに帯電している。従って、構造物２３の表面の極性と処理液ＬＱのマイナス導電成分ＥＣＮの極性とは同じである。その結果、複数の構造物２３の相互間の間隙ＧＰに、マイナス導電成分ＥＣＮが進入することが抑制される。その結果、マイナス導電成分ＥＣＮによる複数の構造物２３のエッチングを速やかに停止できる。
【００７９】
また、複数の構造物２３の相互間の間隙ＧＰに存在する処理後生成物ＰＤがマイナスに帯電していると、処理後生成物ＰＤは、複数の構造物２３の表面のマイナス電荷によって間隙ＧＰから押し出される。その結果、処理後生成物ＰＤを間隙ＧＰから速やかに排出できる。処理後生成物ＰＤは、例えば、処理液ＬＱのマイナス導電成分ＥＣＮと構造物２３との反応によって生成された物質である。
【００８０】
一方、処理液ＬＱが、複数のプラス導電成分を含む場合がある。この場合は、電源装置１７のマイナス極が、配線ＬＮ１によって第１電極１１に接続される。一方、電源装置１７のプラス極が、配線ＬＮ２によって第２電極３２に接続される。そして、電源装置１７は、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する。従って、電源装置１７のプラス極から、基板Ｗに正電荷が供給される。その結果、複数の構造物２３の表面がプラスに帯電する。
【００８１】
複数の構造物２３の表面がプラスに帯電すると、構造物２３の表面の極性と処理液ＬＱのプラス導電成分の極性とは同じである。その結果、複数の構造物２３の相互間の間隙ＧＰに、プラス導電成分が進入することが抑制される。その結果、プラス導電成分による複数の構造物２３のエッチングを速やかに停止できる。
【００８２】
また、複数の構造物２３の相互間の間隙ＧＰに存在する処理後生成物ＰＤがプラスに帯電していると、処理後生成物ＰＤは、複数の構造物２３の表面のプラス電荷によって間隙ＧＰから押し出される。その結果、処理後生成物ＰＤを間隙ＧＰから速やかに排出できる。処理後生成物ＰＤは、例えば、処理液ＬＱのプラス導電成分と構造物２３との反応によって生成された物質である。
【００８３】
以上、図５および図６を参照して説明したように、実施形態１によれば、基板Ｗの複数の構造物２３の各々の表面の極性が、処理液ＬＱの極性（具体的には処理液ＬＱの導電成分の極性）と同じ極性になるように、電源装置１７は、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する。従って、処理液ＬＱに含まれる導電成分は、構造物２３の表面の電荷に反発して、複数の構造物２３の相互間の間隙ＧＰに進入することが抑制される。その結果、処理液ＬＱの導電成分による複数の構造物２３のエッチングを速やかに停止できる。また、複数の構造物２３の間隙に存在する処理後生成物ＰＤを間隙ＧＰから速やかに排出できる。
【００８４】
なお、基板Ｗの複数の構造物２３の各々の表面の極性が、処理液ＬＱの極性と同じ極性になるように第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する場合に、複数の構造物２３の各々の表面のゼータ電位を打ち消すように、電源装置１７は、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加して、複数の構造物２３の各々の表面を帯電させてもよい。
【００８５】
次に、図１および図７を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理方法を説明する。基板処理装置１００が基板処理方法を実行する。基板処理方法においては、複数の構造物２３を含むパターンＰＴを有する基板Ｗが処理される。図７は、基板処理方法を示すフローチャートである。図７に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１〜工程Ｓ１５を含む。
【００８６】
図１および図７に示すように、工程Ｓ１において、基板処理装置１００の制御部１９１は、搬送ロボット（不図示）が基板処理装置１００に基板Ｗを搬入するように、搬送ロボットを制御する。その結果、搬送ロボットが基板処理装置１００に基板Ｗを搬入する。
【００８７】
次に、工程Ｓ２において、制御部１９１は、複数のチャック部材３１が基板Ｗを保持するように、複数のチャック部材３１を制御する。その結果、複数のチャック部材３１が基板Ｗを保持する。そして、複数のチャック部材３１が基板に接触する。工程Ｓ２は、「基板Ｗに第２電極３２を接触させる工程」の一例に相当する。チャック部材３１が第２電極３２として機能するからである。
【００８８】
次に、工程・BR>R３において、制御部１９１は、スピンモーター７がスピンチャック３を駆動して基板Ｗの回転を開始するように、スピンモーター７を制御する。その結果、スピンチャック３が回転して、基板Ｗが回転する。
【００８９】
次に、工程Ｓ４において、制御部１９１は、ノズル９が基板Ｗに向けて処理液ＬＱの供給を開始するように、バルブＶ１およびノズル移動部１０を制御する。その結果、ノズル９は、処理位置に移動して基板Ｗに向けて処理液ＬＱを供給する。具体的には、ノズル９は、第１所定期間にわたって基板Ｗに処理液ＬＱを供給する。
【００９０】
次に、工程Ｓ５において、制御部１９１は、ノズル９が基板Ｗに対する処理液ＬＱの供給を終了するように、バルブＶ１およびノズル移動部１０を制御する。その結果、ノズル９は、基板Ｗへの処理液ＬＱの供給を終了して退避位置に移動する。
【００９１】
次に、工程Ｓ６において、制御部１９１は、第１電極１１が基板Ｗに付着した処理液ＬＱに接触するように、電極移動部１３を制御する。その結果、第１電極１１が基板Ｗに付着した処理液ＬＱに接触する。
【００９２】
次に、工程Ｓ７において、制御部１９１は、基板Ｗの複数の構造物２３の極性が処理液ＬＱの極性と逆の極性になるように、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する電源装置１７を制御する。その結果、電源装置１７は、複数の構造物２３の各々の表面の極性が処理液ＬＱの極性と逆の極性になるように、第２所定期間にわたって第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する。そして、電源装置１７は、直流電圧の印加を停止する。
【００９３】
次に、工程Ｓ８において、制御部１９１は、電源装置１７の極性を切り替える。
【００９４】
次に、工程Ｓ９において、制御部１９１は、基板Ｗの複数の構造物２３の極性が処理液ＬＱの極性と同じ極性になるように、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する電源装置１７を制御する。その結果、電源装置１７は、基板Ｗの複数の構造物２３の各々の表面の極性が、処理液ＬＱの極性と同じ極性になるように、第３所定期間にわたって第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する。そして、電源装置１７は、直流電圧の印加を停止する。
【００９５】
次に、工程Ｓ１０において、制御部１９１は、第１電極１１が基板Ｗに付着した処理液ＬＱから離隔するように、電極移動部１３を制御する。その結果、第１電極１１は、処理液ＬＱから離隔して、退避位置に移動する。
【００９６】
次に、工程Ｓ１１において、制御部１９１は、ノズル１５が基板Ｗに向けてリンス液を供給するように、バルブＶ２を制御する。その結果、ノズル１５は、基板Ｗに向けてリンス液を供給する。具体的には、ノズル１５は、第４所定期間にわたって基板Ｗにリンス液を供給する。その結果、基板Ｗ上の処理液ＬＱがリンス液によって洗い流されて、基板Ｗが洗浄される。
【００９７】
次に、工程Ｓ１２において、制御部１９１は、スピンチャック３を高回転速度まで加速させてスピンチャック３の回転速度を高回転速度に維持するように、スピンモーター７を制御する。その結果、基板Ｗが高回転速度で回転して、基板Ｗに付着しているリンス液が振り切られて基板Ｗが乾燥される。
【００９８】
次に、工程Ｓ１３において、制御部１９１は、スピンモーター７がスピンチャック３を停止して基板Ｗの回転を停止するように、スピンモーター７を制御する。その結果、スピンチャック３が停止して、基板Ｗが停止する。
【００９９】
次に、工程Ｓ１４において、制御部１９１は、複数のチャック部材３１が基板Ｗの保持を解除するように、複数のチャック部材３１を制御する。その結果、複数のチャック部材３１が、基板Ｗの保持を解除して、基板Ｗを開放する。
【０１００】
次に、工程Ｓ１５において、制御部１９１は、搬送ロボット（不図示）が基板処理装置１００から基板Ｗを搬出するように、搬送ロボットを制御する。その結果、搬送ロボットが基板処理装置１００から基板Ｗを搬出する。そして、処理が終了する。
【０１０１】
以上、図７を参照して説明したように、実施形態１に係る基板処理方法によれば、電源装置１７は、第１電極１１と第２電極３２との間に直流電圧を印加する（工程Ｓ７または工程Ｓ９）。従って、基板ＷのパターンＰＴを構成している複数の構造物２３をプラスまたはマイナスに帯電させることができる。その結果、基板ＷのパターンＰＴを構成している複数の構造物２３の相互間の間隙ＧＰに対する処理液ＬＱの導電成分の移動を制御できる。
【０１０２】
また、実施形態１に係る半導体製造方法では、複数の構造物２３を含むパターンＰＴを有する半導体基板Ｗを、工程Ｓ１〜工程Ｓ１５を含む基板処理方法によって処理して、処理後の半導体基板Ｗである半導体を製造する。
【０１０３】
なお、基板処理方法および半導体製造方法は、工程Ｓ７と工程Ｓ９とのうちの少なくとも一方を含んでいればよい。この場合は、工程Ｓ８は不要である。また、工程Ｓ５は、工程Ｓ６と工程Ｓ７との間に実行されてもよいし、工程Ｓ７と工程Ｓ８との間に実行されてもよいし、工程Ｓ８と工程Ｓ９との間に実行されてもよいし、工程Ｓ９と工程Ｓ１０との間に実行されてもよいし、工程Ｓ１０と工程Ｓ１１との間に実行されてもよい。
【０１０４】
また、実施形態１では、複数のチャック部材３１が「基板保持部」として機能したが、「基板保持部」の構成は、基板Ｗを保持できる限りにおいては、特に限定されない。例えば、基板処理装置１００は、「基板保持部」として機能するバキュームチャックを備えていてもよい。バキュームチャックは、真空吸着により基板Ｗを保持する。この場合は、バキュームチャックが第２電極３２として機能することが可能である。
【０１０５】
なお、基板処理装置１００は、第２電極３２を、チャック部材３１等の「基板保持部」と別個に備えていてもよい。
【０１０６】
（実施形態２）
図８を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００Ａを説明する。実施形態２では、ノズル９が第１電極１１として機能する点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。
【０１０７】
図８は、実施形態２に係る基板処理装置１００Ａを示す模式的断面図である。図８に示すように、基板処理装置１００Ａにおいては、ノズル９が第１電極１１として機能する。従って、第１電極１１を専用部品として設ける場合と比較して、部品点数を削減できる。第１電極１１として機能するノズル９の材料は、例えば、炭素を含む樹脂材料である。つまり、ノズル９の材料は、実施形態１に係る第１電極１１の材料と同様である。このようにノズル９を構成することで、第１電極１１として機能するノズル９の導電性を確保しつつ耐薬性を向上できる。その他、実施形態２では、実施形態１と同様の効果を有する。また、配線ＬＮ１は、ノズル９と電源装置１７とを接続する。
【０１０８】
なお、実施形態２では、図７に示す工程Ｓ６において、制御部１９１は、第１電極１１として機能するノズル９が基板Ｗに付着した処理液ＬＱに接触するように、ノズル移動部１０を制御する。その結果、第１電極１１として機能するノズル９が基板Ｗに付着した処理液ＬＱに接触する。
【０１０９】
また、工程Ｓ１０において、制御部１９１は、第１電極１１として機能するノズル９が基板Ｗに付着した処理液ＬＱから離隔するように、ノズル移動部１０を制御する。その結果、第１電極１１として機能するノズル９は、処理液ＬＱから離隔して、退避位置に移動する。
【０１１０】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【０１１１】
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明は、基板処理装置、基板処理方法、および、半導体製造方法に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
【符号の説明】
【０１１３】
９    ノズル（処理液供給部）
１１    第１電極
１７    電源装置（電源部）
３１    チャック部材（基板保持部）
３２    第２電極
１００、１００Ａ    基板処理装置
Ｗ    基板
【図１】
2020155614.tif 000003
【図２】
2020155614.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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