(57)【要約】【課題】スループットを向上させつつ処理液の温度に起因する基板処理のばらつきの増大を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】現像液供給源１から供給される現像液が配管ｐ２を通してバッファタンクＢＴ１に貯留される。配管ｐ２のうち少なくとも一部においては、その内部を流れる現像液の温度が現像処理のために予め設定された設定温度に一致するかまたは近づくように調整される。バッファタンクＢＴ１に貯留された現像液が配管ｐ１を通して現像ユニットＳＤに供給される。バッファタンクＢＴ１においては、その内部に貯留された現像液の温度が設定温度に一致するかまたは近づくように調整される。現像ユニットＳＤにおいては、供給された現像液を用いて基板Ｗに現像処理が行われる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を用いて基板に所定の処理を行う処理部と、
前記処理部に処理液を供給する処理液供給系と、
前記処理液供給系において処理液の温度を調整する調整部とを備え、
前記処理液供給系は、
処理液を貯留する第１の貯留部と、
前記第１の貯留部から前記処理部に至る第１の処理液流路と、
処理液供給源から供給される処理液を前記第１の貯留部に供給する第２の処理液流路とを含み、
前記調整部は、
前記所定の処理を行うために設定された設定温度に一致するかまたは近づくように、前記第１の貯留部に貯留された処理液の温度を調整する第１の温度調整装置と、
前記設定温度に一致するかまたは近づくように、前記第２の処理液流路のうち少なくとも一部を流れる処理液の温度を調整する第２の温度調整装置とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の温度調整装置は、前記設定温度に一致するかまたは近づくように、前記第１の処理液流路のうち少なくとも一部を流れる処理液の温度をさらに調整する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理液供給源から供給される処理液を貯留する第２の貯留部をさらに備え、
前記第２の処理液流路は、前記第２の貯留部と前記第１の貯留部とをつなぐように設けられ、
前記第２の温度調整装置は、前記設定温度に一致するかまたは近づくように、前記第２の貯留部に貯留された処理液の温度をさらに調整する、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理部および前記第１の貯留部を含む主本体部と、
前記主本体部とは別体として配置され、前記第２の貯留部を含む副本体部とを備える、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記主本体部と前記副本体部とは互いに離間するように設けられ、
前記第２の処理液流路の少なくとも一部は、前記主本体部と前記副本体部との間の部分を含む、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記主本体部は、下降気流が形成された空間内に設けられ、
前記第１の貯留部は、前記処理部よりも上方に設けられる、請求項４または５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記主本体部を収容する第１の収容室と、
前記副本体部を収容する第２の収容室とをさらに備える、請求項４〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記所定の処理は現像処理を含み、
前記処理部は、前記処理液として現像液を基板に供給する現像装置を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられる。
【０００３】
基板処理装置は、例えば基板に現像処理を行う現像装置を含む。現像処理においては、基板上の露光処理後のレジスト膜に現像液が供給される。現像処理により基板上に形成されるレジスト膜のパターンの線幅は、現像液の温度に依存して変化する。そこで、パターンの線幅のばらつきの増大を防止するために、基板に供給される現像液の温度を予め定められた設定温度に調整する現像装置が提案されている。
【０００４】
例えば、特許文献１に記載された現像装置においては、現像液供給源から現像液バッファタンクに現像液が供給される。現像液バッファタンクに貯留された現像液が現像液配管を通して現像液吐出ノズルに供給される。このとき、現像液配管を流れる現像液の温度が、現像液配管を取り囲むように設けられた恒温水配管を流れる恒温水により調整される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１８２９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
現像処理では、１枚の基板に対して比較的多量の現像液が供給される。そのため、現像処理のスループットを向上させると、現像装置において単位時間当たりに使用されるべき現像液の消費量が増加する。この場合、現像液バッファタンクから現像液吐出ノズルに供給される現像液の温度を迅速に調整しなければならない。しかしながら、特許文献１に記載された現像装置では、求められる現像液の消費量に対して十分な温度調整能力が得られるとは限らない。
【０００７】
特に、現像液バッファタンクに貯留される現像液の温度は、現像液の供給源から現像液バッファタンクに至る現像液の経路の周囲の温度に依存する。そのため、季節の変化等により現像液の経路の周囲の温度が設定温度から大きくずれると、現像液の温度調整が困難になる。
【０００８】
本発明の目的は、スループットを向上させつつ処理液の温度に起因する基板処理のばらつきの増大を抑制することが可能な基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明に係る基板処理装置は、処理液を用いて基板に所定の処理を行う処理部と、処理部に処理液を供給する処理液供給系と、処理液供給系において処理液の温度を調整する調整部とを備え、処理液供給系は、処理液を貯留する第１の貯留部と、第１の貯留部から処理部に至る第１の処理液流路と、処理液供給源から供給される処理液を第１の貯留部に供給する第２の処理液流路とを含み、調整部は、所定の処理を行うために設定された設定温度に一致するかまたは近づくように、第１の貯留部に貯留された処理液の温度を調整する第１の温度調整装置と、設定温度に一致するかまたは近づくように、第２の処理液流路のうち少なくとも一部を流れる処理液の温度を調整する第２の温度調整装置とを含む。
【００１０】
その基板処理装置においては、処理液供給源から供給される処理液が第２の処理液流路を通して第１の貯留部に貯留される。第２の処理液流路のうち少なくとも一部においては、その内部を流れる処理液の温度が設定温度に一致するかまたは近づくように調整される。また、第１の貯留部に貯留された処理液が第１の処理液流路を通して処理部に供給される。第１の貯留部においては、その内部に貯留された処理液の温度が設定温度に一致するかまたは近づくように調整される。処理部においては、処理液を用いて基板に所定の処理が行われる。
【００１１】
上記の構成によれば、処理液供給源から処理部に至る処理液供給経路において、第１および第２の温度調整装置により段階的に処理液の温度調整が行われる。それにより、第１および第２の温度調整装置のうちいずれか一方のみが用いられる場合に比べて、処理液の温度調整能力が向上する。また、第１および第２の温度調整装置を個別に制御することにより、段階的な処理液の温度調整をより適切に行うことが可能である。これにより、基板処理装置の周囲の温度等に起因して処理液の温度が設定された温度からずれることを抑制することができる。
【００１２】
これらの結果、スループットを向上させつつ処理液の温度に起因する基板処理のばらつきの増大を抑制することが可能になる。
【００１３】
（２）第１の温度調整装置は、設定温度に一致するかまたは近づくように、第１の処理液流路のうち少なくとも一部を流れる処理液の温度をさらに調整してもよい。
【００１４】
この場合、第１の処理液流路のうち少なくとも一部を流れる処理液の温度が設定温度に一致するかまたは近づく。それにより、処理液の温度が設定温度からずれることに起因する基板処理のばらつきの増大がさらに抑制される。
【００１５】
（３）基板処理装置は、処理液供給源から供給される処理液を貯留する第２の貯留部をさらに備え、第２の処理液流路は、第２の貯留部と第１の貯留部とをつなぐように設けられ、第２の温度調整装置は、設定温度に一致するかまたは近づくように、第２の貯留部に貯留された処理液の温度をさらに調整してもよい。
【００１６】
この場合、第２の貯留部に貯留される処理液の温度が設定温度に一致するかまたは近づく。それにより、処理液の温度が設定温度からずれることに起因する基板処理のばらつきの増大がさらに抑制される。
【００１７】
（４）基板処理装置は、処理部および第１の貯留部を含む主本体部と、主本体部とは別体として配置され、第２の貯留部を含む副本体部とを備えてもよい。
【００１８】
この場合、第１および第２の貯留部において独立して処理液の温度を調整することができる。したがって、処理部に供給される処理液の温度を適切に調整することができる。
【００１９】
（５）主本体部と副本体部とは互いに離間するように設けられ、第２の処理液流路の少なくとも一部は、主本体部と副本体部との間の部分を含んでもよい。
【００２０】
この場合、第２の処理液流路のうち主本体部と副本体部との間に位置する部分を流れる処理液の温度が調整される。それにより、第２の処理液流路を流れる処理液が主本体部および副本体部の外部の温度の影響を受けることが抑制される。
【００２１】
（６）主本体部は、下降気流が形成された空間内に設けられ、第１の貯留部は、処理部よりも上方に設けられてもよい。
【００２２】
この場合、処理部において発生する熱は下降気流により下方に流れる。それにより、第１の貯留部に貯留される処理液が処理部で発生する熱の影響を受けることが抑制される。
【００２３】
（７）基板処理装置は、主本体部を収容する第１の収容室と、副本体部を収容する第２の収容室とをさらに備えてもよい。
【００２４】
この場合、第２の処理液流路が長くなる場合でも、第２の処理液流路のうち少なくとも一部を流れる処理液の温度が調整される。したがって、レイアウトの自由度が確保されつつ、基板処理のばらつきの増大が抑制される。
【００２５】
（８）所定の処理は現像処理を含み、処理部は、処理液として現像液を基板に供給する現像装置を含んでもよい。
【００２６】
この場合、より高い精度で基板に現像処理が行われる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、スループットを向上させつつ処理液の温度に起因する基板処理のばらつきの増大を抑制することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的ブロック図である。
【図２】図１の第１および第２の温度調整部の構成の一例を示す図である。
【図３】図１の基板処理装置に示される各構成要素のレイアウトの一例を示す模式的平面図である。
【図４】図３の基板処理装置の模式的側面図である。
【図５】他の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。
【００３０】
［１］基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的ブロック図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、クリーンルームＣＬ内で露光装置５００に隣接して設けられ、装置本体部２００および薬液キャビネット３００を備える。装置本体部２００および薬液キャビネット３００は互いに別体として設けられる。
【００３１】
装置本体部２００は、制御装置２１０、塗布処理部２２０、現像処理部２３０、複数の熱処理部２４０、複数の搬送部２５０、第１の温度調整部２６０および複数のバッファタンクＢＴ１を含む。また、薬液キャビネット３００は、第２の温度調整部３１０および一のバッファタンクＢＴ２を含む。
【００３２】
制御装置２１０は、例えばＣＰＵおよびメモリ、またはマイクロコンピュータを含み、塗布処理部２２０、現像処理部２３０、熱処理部２４０、搬送部２５０、第１の温度調整部２６０および第２の温度調整部３１０の動作を制御する。
【００３３】
装置本体部２００は複数の搬送部２５０を含み、各搬送部２５０は基板Ｗを搬送する搬送ロボットを有する。複数の搬送部２５０は、基板Ｗを装置本体部２００の外部に設けられる他の搬送ロボット、塗布処理部２２０、現像処理部２３０、熱処理部２４０および露光装置５００の間で搬送する。
【００３４】
塗布処理部２２０は、複数の塗布ユニットを含む。各塗布ユニットは、未処理の基板Ｗの一面上にレジスト膜を形成する（塗布処理）。レジスト膜が形成された塗布処理後の基板Ｗには、露光装置５００において露光処理が行われる。
【００３５】
現像処理部２３０は、複数の現像ユニットＳＤを含む。各現像ユニットＳＤは、スピンチャック９１および現像ノズル９２を含む。スピンチャック９１は、露光装置５００による露光処理後の基板Ｗを水平姿勢で回転可能に保持する。現像ノズル９２には、基板処理装置１００の外部に設けられる現像液供給源１から、複数の配管ｐ１，ｐ２，ｐ３および複数のバッファタンクＢＴ１，ＢＴ２を通して現像液が供給される。現像ノズル９２は、供給された現像液をスピンチャック９１により保持された基板Ｗの上面に吐出する（現像処理）。
【００３６】
この現像処理に関して、基板処理装置１００においては基板Ｗに供給されるべき現像液の温度が予め設定される。この設定は例えば使用者が図示しない操作部を操作することにより行われる。設定内容は制御装置２１０に記憶される。以下の説明では、基板Ｗに供給されるべき予め設定された現像液の温度を設定温度と呼ぶ。本実施の形態では、基板処理装置１００において処理される複数の基板Ｗについて共通の温度が設定されているものとする。
【００３７】
装置本体部２００は複数の熱処理部２４０を含む。複数の熱処理部２４０は、塗布処理部２２０による塗布処理、現像処理部２３０による現像処理、および露光装置５００による露光処理の前後に基板Ｗの熱処理を行う。
【００３８】
なお、塗布処理部２２０は、基板Ｗに反射防止膜を形成してもよい。この場合、熱処理部２４０には、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理を行うための処理ユニットが設けられてもよい。また、塗布処理部２２０は、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜を保護するためのレジストカバー膜を基板Ｗに形成してもよい。
【００３９】
現像ユニットＳＤに現像液を供給する現像液供給系に関して、図１の例においては、現像液供給源１と薬液キャビネット３００のバッファタンクＢＴ２との間に、配管ｐ３が設けられている。配管ｐ３は、現像液供給源１からバッファタンクＢＴ２に現像液を流通させる。それにより、現像液供給源１から薬液キャビネット３００に流入する現像液がバッファタンクＢＴ２に一時的に貯留される。
【００４０】
また、薬液キャビネット３００のバッファタンクＢＴ２と装置本体部２００の複数のバッファタンクＢＴ１との間に、複数の配管ｐ２が設けられている。複数の配管ｐ２は、バッファタンクＢＴ２から複数のバッファタンクＢＴ１に現像液をそれぞれ流通させる。それにより、薬液キャビネット３００から装置本体部２００に流入する現像液が複数のバッファタンクＢＴ１に一時的に貯留される。
【００４１】
複数のバッファタンクＢＴ１は、現像処理部２３０に設けられる複数の現像ユニットＳＤにそれぞれ対応する。装置本体部２００においては、各バッファタンクＢＴ１とそのバッファタンクＢＴ１に対応する現像ユニットＳＤとの間に、配管ｐ１が設けられている。各配管ｐ１は、バッファタンクＢＴ１から現像ノズル９２に現像液を流通させる。
【００４２】
なお、複数のバッファタンクＢＴ１，ＢＴ２および複数の配管ｐ１〜ｐ３のうち少なくとも一部には、複数の現像ノズル９２における現像液の供給状態を制御するための流体関連機器（図示せず）が設けられる。
【００４３】
第１の温度調整部２６０は、図１に点線の矢印で示すように、複数のバッファタンクＢＴ１にそれぞれ貯留された現像液の温度を、設定温度に一致するかまたは近づくように調整する。また、第１の温度調整部２６０は、図１に点線の矢印およびハッチングで示すように、複数の配管ｐ１を流れる現像液の温度を、設定温度に一致するかまたは近づくように調整する。なお、第１の温度調整部２６０は、各配管ｐ１の一部を流れる現像液の温度を調整してもよい。あるいは、第１の温度調整部２６０は、複数のバッファタンクＢＴ１内の現像液の温度を調整し、複数の配管ｐ１を流れる現像液の温度を調整しなくてもよい。
【００４４】
第２の温度調整部３１０は、図１に点線の矢印およびドットパターンで示すように、複数の配管ｐ２を流れる現像液の温度を、設定温度に一致するかまたは近づくように調整する。なお、第２の温度調整部３１０は、各配管ｐ２の一部を流れる現像液の温度を調整してもよい。また、第２の温度調整部３１０は、図１に点線の矢印で示すように、バッファタンクＢＴ２に貯留された現像液の温度を、設定温度に一致するかまたは近づくように調整する。なお、第２の温度調整部３１０は、複数の配管ｐ２を流れる現像液の少なくとも一部の温度を調整し、バッファタンクＢＴ２に貯留された現像液の温度を調整しなくてもよい。
【００４５】
［２］第１の温度調整部２６０および第２の温度調整部３１０の構成
図２は、図１の第１および第２の温度調整部２６０，３１０の構成の一例を示す図である。図２では、図１の配管ｐ１，ｐ２，ｐ３が太い実線で示される。また、図２では、図１の装置本体部２００と薬液キャビネット３００との境界部分が一点鎖線で示される。
【００４６】
図２に示すように、第１の温度調整部２６０は、恒温槽ｃ１、循環装置ｃ２および循環配管Ｌ１を含む恒温水循環系を備える。恒温槽ｃ１には、例えば上記の設定温度に保たれた恒温水が貯留される。また、恒温槽ｃ１には、恒温水の温度を調整する温度調整装置（図示せず）が設けられている。循環配管Ｌ１の一端および他端は恒温槽ｃ１に接続されている。循環配管Ｌ１には、ポンプ等の循環装置ｃ２が設けられている。
【００４７】
循環配管Ｌ１の一部分ｌｐ１は、バッファタンクＢＴ１の外表面の広い範囲に接触するように設けられている。なお、循環配管Ｌ１の一部分ｌｐ１は、バッファタンクＢＴ１の外周面に代えて、バッファタンクＢＴ１の内部を通過するように設けられてもよい。また、循環配管Ｌ１の他の部分ｌｐ２は、配管ｐ１の一部を覆うように設けられる。これにより、配管ｐ１を内管とし、循環配管Ｌ１の他の部分ｌｐ２を外管とする二重配管が形成される。配管ｐ１の外周面と循環配管Ｌ１の内周面との間には、恒温水を流通させることが可能な空間が形成されている。
【００４８】
上記の構成においては、循環装置ｃ２が動作することにより、図２に点線の矢印で示すように、恒温水が恒温槽ｃ１および循環配管Ｌ１内を流通する。この場合、バッファタンクＢＴ１内に貯留される現像液の温度が、バッファタンクＢＴ１の外表面を通る恒温水により設定温度に一致するかまたは近づくように調整される。また、配管ｐ１内に存在する現像液の温度が、配管ｐ１の外周面を通る恒温水により設定温度に一致するかまたは近づくように調整される。
【００４９】
第２の温度調整部３１０は、第１の温度調整部２６０と同じ構成を有する。具体的には、第２の温度調整部３１０は、恒温槽ｃ１１、循環装置ｃ１２および循環配管Ｌ１１を含む恒温水循環系を備える。恒温槽ｃ１１には、例えば上記の設定温度に保たれた恒温水が貯留される。また、恒温槽ｃ１１には、恒温水の温度を調整する温度調整装置（図示せず）が設けられている。循環配管Ｌ１１の一端および他端は恒温槽ｃ１１に接続されている。循環配管Ｌ１１には、循環装置ｃ１２が設けられている。
【００５０】
循環配管Ｌ１１の一部分ｌｐ１１は、バッファタンクＢＴ２の外表面の広い範囲に接触するように設けられている。また、循環配管Ｌ１１の他の部分ｌｐ１２は、配管ｐ２の一部を覆うように設けられる。これにより、配管ｐ２を内管とし、循環配管Ｌ１１の他の部分ｌｐ１２を外管とする二重配管が形成される。循環装置ｃ１２が動作することにより、恒温水が恒温槽ｃ１１および循環配管Ｌ１１内を流通する。この場合、バッファタンクＢＴ２内に貯留される現像液の温度が、バッファタンクＢＴ２の外表面を通る恒温水により設定温度に一致するかまたは近づくように調整される。また、配管ｐ２内に存在する現像液の温度が、配管ｐ２の外周面を通る恒温水により設定温度に一致するかまたは近づくように調整される。
【００５１】
ここで、第１の温度調整部２６０において使用される恒温水の温度と、第２の温度調整部３１０において使用される恒温水の温度とは互いに同じであってもよいし、互いに異なってもよい。例えば、現像液供給源１における現像液の温度（以下、現像液初期温度と呼ぶ。）が設定温度よりも高い場合を想定する。この場合、第１の温度調整部２６０において使用される恒温水の温度を設定温度とし、第２の温度調整部３１０において使用される恒温水の温度を現像液初期温度と設定温度との間の中間温度をしてもよい。この場合、現像液の段階的な温度調整をより適切に行うことが可能となる。
【００５２】
段階的に温度調整を行う場合、各温度調整部で調整すべき温度は、例えばバッファタンクＢＴ１，ＢＴ２の容量および複数の配管ｐ１，ｐ２の長さ等に応じて適宜定めることが望ましい。
【００５３】
なお、図２の構成において、バッファタンクＢＴ１および配管ｐ１の一部には、現像液の温度を検出する温度センサが設けられてもよい。この場合、第１の温度調整部２６０は、温度センサにより検出される温度に基づいて、配管ｐ１を流れる現像液の温度がより設定温度に近づくように恒温水の温度を変更してもよい。
【００５４】
また、図２の構成において、バッファタンクＢＴ２および配管ｐ２の一部にも、現像液の温度を検出する温度センサが設けられてもよい。この場合、第２の温度調整部３１０は、温度センサにより検出される温度に基づいて、配管ｐ２を流れる現像液の温度がより設定温度に近づくように恒温水の温度を変更してもよい。
【００５５】
［３］基板処理装置１００における複数のバッファタンクＢＴ１のレイアウト
図３は図１の基板処理装置１００に示される各構成要素のレイアウトの一例を示す模式的平面図であり、図４は図３の基板処理装置１００の模式的側面図である。図３に示すように、基板処理装置１００は露光装置５００とともにクリーンルームＣＬ内に設けられる。現像液供給源１は、クリーンルームＣＬの外部に配置される。
【００５６】
本例の装置本体部２００は、４個のブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４を備える。ブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４は、この順で一方向に並ぶように設けられている。ブロックＢ４に隣り合うように露光装置５００が設けられている。
【００５７】
ブロックＢ１は搬送部２５０を含む。ブロックＢ１において、搬送部２５０は基板Ｗの搬入搬出部として機能する。ブロックＢ２は、塗布処理部２２０、熱処理部２４０および搬送部２５０を含む。塗布処理部２２０と熱処理部２４０とは搬送部２５０を挟んで対向するように設けられる。ブロックＢ３は、現像処理部２３０、熱処理部２４０、搬送部２５０および第１の温度調整部２６０（図４）を含む。現像処理部２３０および第１の温度調整部２６０と熱処理部２４０とは搬送部２５０を挟んで対向するように設けられる。ブロックＢ４は搬送部２５０を含む。ブロックＢ４において、搬送部２５０はブロックＢ２，Ｂ３と露光装置５００との間で基板の受け渡しを行う受渡部として機能する。
【００５８】
図４に示すように、クリーンルームＣＬには、グレーチングにより構成される床部ＦＬが設けられている。それにより、クリーンルームＣＬ内には、上部室と下部室が形成されている。図３および図４の例においては、基板処理装置１００の装置本体部２００は、第１の温度調整部２６０を含み、クリーンルームＣＬ内の床部ＦＬ上に設けられている。すなわち、装置本体部２００は上部室に収容されている。一方、薬液キャビネット３００は、第２の温度調整部３１０を含み、クリーンルームＣＬ内の床部ＦＬの下方に設けられている。すなわち、薬液キャビネット３００は下部室に収容されている。
【００５９】
ここで、装置本体部２００に設けられる複数のバッファタンクＢＴ１は、ブロックＢ３の上端部に設けられている。クリーンルームＣＬの内部には、図示しない気流発生装置により下降気流が形成されている。そのため、上記のように、複数のバッファタンクＢＴ１が複数の現像ユニットＳＤよりも上方に設けられる場合には、複数のバッファタンクＢＴ１の周辺の温度が、複数の現像ユニットＳＤから発生される熱の影響を受けにくい。それにより、複数のバッファタンクＢＴ１に貯留される現像液が複数の現像ユニットＳＤから発生される熱の影響を受けることが抑制される。
【００６０】
図３および図４に示される基板処理装置１００の例では、装置本体部２００と薬液キャビネット３００とは互いに離間するように設けられている。ここで、薬液キャビネット３００から装置本体部２００に現像液を供給する複数の配管ｐ２は、装置本体部２００と薬液キャビネット３００との間に位置する。
【００６１】
この場合、第２の温度調整部３１０は、各配管ｐ２のうち少なくとも装置本体部２００と薬液キャビネット３００との間に位置する部分の内部に存在する現像液の温度を調整することが望ましい。それにより、各配管ｐ２内に存在する現像液が装置本体部２００および薬液キャビネット３００の外部、すなわちクリーンルームＣＬ内の温度の影響を受けることが抑制される。
【００６２】
［４］効果
上記の基板処理装置１００においては、現像液供給源１から供給される現像液が、配管ｐ３、バッファタンクＢＴ２および複数の配管ｐ２を通して複数のバッファタンクＢＴ１に貯留される。また、各バッファタンクＢＴ１に貯留された現像液が、配管ｐ１を通して現像ユニットＳＤに供給され、基板Ｗに現像処理が行われる。
【００６３】
ここで、バッファタンクＢＴ１に貯留された現像液および配管ｐ１内に存在する現像液の温度は、第１の温度調整部２６０により設定温度に近づくように調整される。また、バッファタンクＢＴ２に貯留された現像液および配管ｐ２内に存在する現像液の温度は、第２の温度調整部３１０により設定温度に近づくように調整される。
【００６４】
このように、上記の構成によれば、現像液供給源１から現像ユニットＳＤに至る現像液供給系において、段階的に現像液の温度調整が行われる。それにより、第１および第２の温度調整部２６０，３１０のうちいずれか一方のみが用いられる場合に比べて、現像液の温度調整能力が向上する。また、第１および第２の温度調整部２６０，３１０を個別に制御することにより、段階的な現像液の温度調整をより適切に行うことが可能である。これにより、基板処理装置１００の周囲の温度等に起因して、基板Ｗに供給される現像液の温度が設定温度からずれることを抑制することができる。
【００６５】
これらの結果、スループットを向上させつつ現像液の温度に起因する現像処理のばらつきの増大を抑制することが可能になる。
【００６６】
本発明者は、上記の効果を確認するために、実施例として、図３および図４の基板処理装置１００を用いて第１および第２の温度調整部２６０，３１０による現像液の温度調整を行いつつ２５枚の基板Ｗについて連続的に現像処理を行った。その後、２５枚の全ての基板Ｗについて、現像処理により得られたパターンの線幅を測定した。その結果、処理枚数の増加に伴ってパターンの線幅が変化する（線幅が大きくなる）という傾向は確認されなかった。これは、基板処理のばらつきの増大が抑制されたことを意味する。
【００６７】
一方、本発明者は、比較例として、図３および図４の基板処理装置１００を用いて第１の温度調整部２６０のみによる現像液の温度調整を行いつつ２５枚の基板Ｗについて連続的に現像処理を行った。その後、２５枚の全ての基板Ｗについて、現像処理により得られたパターンの線幅を測定した。その結果、処理枚数の増加に伴ってパターンの線幅が変化する（線幅が大きくなる）という傾向が確認された。これは、基板Ｗが連続して処理されることにより、基板処理のばらつきが漸次大きくなることを意味する。パターンの線幅が変化する（線幅が大きくなる）という傾向は、十分に温度調整されていない現像液が基板Ｗに供給されたことに起因すると考えられる。
【００６８】
［５］他の実施の形態
（１）上記実施の形態においては、現像ユニットＳＤに供給される現像液の温度が第１および第２の温度調整部２６０，３１０により調整されるが、本発明はこれに限定されない。第１および第２の温度調整部２６０，３１０は、現像液以外の処理液の温度を調整してもよい。
【００６９】
基板Ｗに供給される処理液として、現像液の他に、現像処理に付随して用いられるリンス液の温度が調整されてもよい。図５は、他の実施の形態に係る基板処理装置１００の構成を示す模式的ブロック図である。図５の基板処理装置１００について、上記実施の形態に係る図１の基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【００７０】
図５の基板処理装置１００においては、各現像ユニットＳＤは、スピンチャック９１および現像ノズル９２に加えて、リンスノズル９９を含む。リンスノズル９９には、基板処理装置１００の外部に設けられるリンス液供給源１２から、複数の配管ｐ３１，ｐ３２，ｐ３３および複数のバッファタンクＢＴ１１，ＢＴ１２を通してリンス液が供給される。リンス液は、例えば純水または界面活性剤である。リンスノズル９９は、現像処理の開始直前に、供給されたリンス液をスピンチャック９１により保持された基板Ｗの上面に吐出する。それにより、現像処理時に基板Ｗの上面上で現像液が拡散しやすくなる。また、リンスノズル９９は、現像処理の停止時に、供給されたリンス液をスピンチャック９１により保持された基板Ｗの上面に吐出する。それにより、現像処理が停止される。
【００７１】
ここで、図５の例においては、リンス液供給源１２と薬液キャビネット３００のバッファタンクＢＴ１２との間に、配管ｐ３３が設けられている。配管ｐ３３は、リンス液供給源１２からバッファタンクＢＴ１２にリンス液を流通させる。それにより、リンス液供給源１２から薬液キャビネット３００に流入するリンス液がバッファタンクＢＴ１２に一時的に貯留される。
【００７２】
また、薬液キャビネット３００のバッファタンクＢＴ１２と装置本体部２００の複数のバッファタンクＢＴ１１との間に、複数の配管ｐ３２が設けられている。複数の配管ｐ３２は、バッファタンクＢＴ１２から複数のバッファタンクＢＴ１１にリンス液をそれぞれ流通させる。それにより、薬液キャビネット３００から装置本体部２００に流入するリンス液が複数のバッファタンクＢＴ１１に一時的に貯留される。
【００７３】
複数のバッファタンクＢＴ１１は、現像処理部２３０に設けられる複数の現像ユニットＳＤにそれぞれ対応する。装置本体部２００においては、各バッファタンクＢＴ１１とそのバッファタンクＢＴ１１に対応する現像ユニットＳＤとの間に、配管ｐ３１が設けられている。各配管ｐ３１は、バッファタンクＢＴ１１からリンスノズル９９に現像液を流通させる。
【００７４】
なお、複数のバッファタンクＢＴ１１，ＢＴ１２および複数の配管ｐ３１〜ｐ３３のうち少なくとも一部には、複数のリンスノズル９９におけるリンス液の供給状態を制御するための流体関連機器（図示せず）が設けられる。
【００７５】
本例の第１の温度調整部２６０は、図５に点線の矢印で示すように、現像液の温度に加えて、複数のバッファタンクＢＴ１１にそれぞれ貯留されたリンス液の温度を、現像液の設定温度に一致するかまたは近づくように調整する。また、第１の温度調整部２６０は、図５に点線の矢印およびハッチングで示すように、複数の配管ｐ３１を流れるリンス液の温度を、現像液の設定温度に一致するかまたは近づくように調整する。
【００７６】
一方、第２の温度調整部３１０は、図５に点線の矢印およびドットパターンで示すように、現像液の温度に加えて、複数の配管ｐ３２を流れるリンス液の温度を、現像液の設定温度に一致するかまたは近づくように調整する。また、第２の温度調整部３１０は、図５に点線の矢印で示すように、バッファタンクＢＴ１２に貯留されたリンス液の温度を、現像液の設定温度に一致するかまたは近づくように調整する。
【００７７】
上記の構成によれば、現像処理の直前および現像処理の終了時に基板Ｗに供給されるリンス液の温度が現像液の設定温度に一致するかまたはほぼ等しくなる。それにより、現像処理の開始時および終了時における基板Ｗの温度がリンス液の温度によって変化することが抑制される。その結果、現像処理の開始時および終了時における基板Ｗの処理状態が安定化する。
【００７８】
基板Ｗに供給される処理液として、上記の例の他、基板Ｗ上にレジスト膜、反射防止膜またはレジストカバー膜等を形成するための塗布液の温度が調整されてもよい。
【００７９】
（２）上記実施の形態に係る装置本体部２００においては、複数の現像ユニットＳＤにそれぞれ対応するように複数のバッファタンクＢＴ１が設けられるが、本発明はこれに限定されない。装置本体部２００においては、複数の現像ユニットＳＤに対して共通の一のバッファタンクＢＴ１が設けられてもよい。この場合、一のバッファタンクＢＴ１から複数の現像ユニットＳＤに延びるように複数の配管ｐ１が設けられる。それにより、第１の温度調整部２６０は、バッファタンクＢＴ１および複数の配管ｐ１内に存在する洗浄液の温度を調整する。
【００８０】
（３）上記実施の形態に係る薬液キャビネット３００においては、複数の現像ユニットＳＤに共通に用いられる一のバッファタンクＢＴ２が設けられるが、本発明はこれに限定されない。薬液キャビネット３００においては、複数の現像ユニットＳＤにそれぞれ対応するように複数のバッファタンクＢＴ２が設けられてもよい。この場合、複数のバッファタンクＢＴ２から複数のバッファタンクＢＴ１にそれぞれ延びるように複数の配管ｐ２が設けられる。それにより、第２の温度調整部３１０は、複数のバッファタンクＢＴ２および複数の配管ｐ２内に存在する洗浄液の温度を調整する。
【００８１】
（４）上記実施の形態に係る基板処理装置１００においては、装置本体部２００と薬液キャビネット３００とが別体として配置されるが、本発明はこれに限定されない。薬液キャビネット３００またはその内部構成は、装置本体部２００内に設けられてもよい。
【００８２】
（５）図４の例では、薬液キャビネット３００は装置本体部２００の下方に設けられるが、本発明はこれに限定されない。薬液キャビネット３００は装置本体部２００と同じ床部ＦＬ上に設けられてもよい。
【００８３】
［６］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明する。上記実施の形態では、現像ユニットＳＤが処理部の例であり、現像液供給源１、リンス液供給源１２、配管ｐ１〜ｐ３，ｐ３１〜ｐ３３、バッファタンクＢＴ１，ＢＴ２，ＢＴ１１，ＢＴ１２が処理液供給系の例であり、第１の温度調整部２６０および第２の温度調整部３１０が調整部の例である。
【００８４】
また、複数のバッファタンクＢＴ１，ＢＴ１１が第１の貯留部の例であり、複数の配管ｐ１，ｐ３１が第１の処理液流路の例であり、配管ｐ２，ｐ３２が第２の処理液流路の例であり、第１の温度調整部２６０が第１の温度調整装置の例であり、第２の温度調整部３１０が第２の温度調整装置の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例である。
【００８５】
また、バッファタンクＢＴ２，ＢＴ１２が第２の貯留部の例であり、装置本体部２００が主本体部の例であり、薬液キャビネット３００が副本体部の例であり、クリーンルームＣＬの上部室が第１の収容室の例であり、クリーンルームＣＬの下部室が第２の収容室の例であり、現像ユニットＳＤが現像装置の例である。
【００８６】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【符号の説明】
【００８７】
１…現像液供給源，１２…リンス液供給源，９１…スピンチャック，９２…現像ノズル，９９…リンスノズル，１００…基板処理装置，２００…装置本体部，２１０…制御装置，２２０…塗布処理部，２３０…現像処理部，２４０…熱処理部，２５０…搬送部，２６０…第１の温度調整部，３００…薬液キャビネット，３１０…第２の温度調整部，５００…露光装置，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４…ブロック，ＢＴ１，ＢＴ２，ＢＴ１１，ＢＴ１２…バッファタンク，ｃ１，ｃ１１…恒温槽，ｃ２，１２…循環装置，ＣＬ…クリーンルーム，ＦＬ…床部，Ｌ１，Ｌ１１…循環配管，ｐ１〜ｐ３，ｐ３１〜ｐ３３…配管，ＳＤ…現像ユニット，Ｗ…基板
【図１】
2020155618.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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