(57)【要約】【課題】基板の局所的な反りを補償する。【解決手段】基板の表面状態の測定結果に応じたマスクを準備する工程と、前記マスクを処理容器内に搬入する工程と、前記基板を前記処理容器内に搬入する工程と、前記基板の裏面に前記マスクを配置した状態で前記基板の裏面を成膜する工程と、を有する成膜方法が提供される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面状態の測定結果に応じたマスクを準備する工程と、
前記マスクを処理容器内に搬入する工程と、
前記基板を前記処理容器内に搬入する工程と、
前記基板の裏面に前記マスクを配置した状態で前記基板の裏面を成膜する工程と、
を有する成膜方法。
【請求項２】
前記マスクを前記処理容器内に搬入した後に前記基板を前記処理容器内に搬入する、
前記請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
複数の前記マスクが保持されたバッファ室から、成膜対象の基板の表面状態に応じたマスクを前記処理容器に搬入し、前記基板の裏面を成膜する、
請求項１又は２に記載の成膜方法。
【請求項４】
プロセス条件とマスク情報とを関連付けて記憶した記憶部を参照して、特定のプロセス条件に関連付けて記憶されたマスク情報に対応するマスクを前記処理容器内に搬入し、前記基板の裏面を成膜する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項５】
プロセス条件とマスク情報とを関連付けて記憶した記憶部を参照して、特定のプロセス条件に関連付けて記憶されたマスク情報に対応する異なる２以上のマスクを前記処理容器内に順に搬入し、前記基板の裏面に配置する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記基板の裏面に異なる前記２以上のマスクの一方を配置した状態で前記基板の裏面を成膜し、前記２以上のマスクの他方を配置した状態で前記基板の裏面を成膜する、
請求項５に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記マスクの材質は、石英又は金属以外の部材である、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記マスクを前記処理容器内に配置した状態でクリーニングを実行する工程を有する、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項９】
処理容器と、
基板を昇降可能に支持する第１の支持機構と、
マスクを支持する第２の支持機構と、
前記基板の裏面にガスを供給するガス供給部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記基板の表面状態の測定結果に応じた前記マスクを準備する工程と、
前記マスクを処理容器内に搬入する工程と、
前記基板を前記処理容器内に搬入する工程と、
前記基板の裏面に前記マスクを配置した状態で前記基板の裏面を成膜する工程と、を制御する、
半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜方法及び半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１は、スパッタリングにより裏面に導電膜を成膜する際にウエハ上に所望のパターンの穴を予め形成したマスクを用い、そのマスク穴の部分だけが金属が堆積するようにスパッタリングにより成膜させる技術を提案する。このような導電膜を用いることにより、ウエハ全面に発生していた応力が減少し、結果的にウエハの反りが低減される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−９３８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板の局所的な反りを補償することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、基板の表面状態の測定結果に応じたマスクを準備する工程と、前記マスクを処理容器内に搬入する工程と、前記基板を前記処理容器内に搬入する工程と、前記基板の裏面に前記マスクを配置した状態で前記基板の裏面を成膜する工程と、を有する成膜方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、基板の局所的な反りを補償することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態に係る半導体製造装置の構成の一例を示す縦断面図。
【図２】図１のＩ−Ｉ断面を示す図。
【図３】一実施形態に係るバッファ室及び搬送装置の一例を示す図。
【図４】一実施形態に係る記憶部のマスク情報とマスクの一例を示す図。
【図５】一実施形態に係る記憶部のマスク情報とマスクの一例を示す図。
【図６】一実施形態に係るマスクとウエハの搬入手順の一例を示す図。
【図７】一実施形態に係るマスクの作成処理の一例を示すフローチャート。
【図８】一実施形態に係る裏面成膜処理の一例を示すフローチャート。
【図９】一実施形態に係る裏面及び表面の成膜切り替えの概要を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【０００９】
［半導体製造装置］
まず、本開示の一実施形態に係る半導体製造装置１の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る半導体製造装置１の構成の一例を示す縦断面図である。一実施形態では、半導体製造装置１は、原料ガスと反応ガスとを交互に基板に供給して原子層あるいは分子層を積層して成膜を行う所謂ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を一例として実施する。
【００１０】
半導体製造装置１は、ウエハＷに成膜処理が行われる真空容器である処理容器１１を有する。処理容器１１の側壁面には、ウエハＷを搬入及び搬出するための搬入出口１３と、搬入出口１３を開閉するゲートバルブ１４とが設けられている。
【００１１】
処理容器１１の天井部にはガス孔５０からガスをシャワー状に導入するガスシャワーヘッドＳＨＢが形成されている。また、処理容器１１の底部に形成された凹部１２にはガスシャワーヘッドＳＨＢに対向してガス孔７０からガスをシャワー状に導入するガスシャワーヘッドＳＨＡが形成されている。ガスシャワーヘッドＳＨＡが形成されたステージ３は、凹部１２に収容されている。
【００１２】
第１の支持機構２は、ステージ３を貫通する複数のリフターピン５及びリフターピン５をピンアップさせるジグ８４を有する。リフターピン５は、ジグ８４により下から押し上げられ、これにより、ウエハＷを昇降可能に支持する。
【００１３】
第２の支持機構４は、ステージ３を貫通する複数のリフターピン６及びリフターピン６をピンアップさせるジグ８０を有する。リフターピン６は、ジグ８０により下から押し上げられ、これにより、マスクＭを昇降可能に支持する。ただし、リフターピン６は、ステージ３の上方にてマスクＭを支持可能な部材であれば昇降機能を有しなくてよい。
【００１４】
図２は、図１のＩ−Ｉ断面を示す。図２に示すように、ステージ３は、内周側にリフターピン５を貫通させる穴を有し、外周側にリフターピン６を貫通させる穴を有し、その間及び中央に複数のガス孔７０を有する。本実施形態ではウエハＷは３本のリフターピン５により支持され、マスクＭは３本のリフターピン６により支持されるが、リフターピン５、６の数はこれに限られず、４本以上であってもよい。
【００１５】
図１に戻り、ステージ３を支持する支持体８１には、回転機構８２及び昇降機構８３が接続されている。モータの動力により回転機構８２はステージ３を回転させる。これにより、ウエハＷは、回転機構８２により第１の支持機構２に支持された状態で回転し、ステージ３は、モータの動力により昇降機構８３によって昇降する。
【００１６】
支持体８１が処理容器１１の底部を貫通する部分は磁気シール８６で封止され、リフターピン５、６が処理容器１１の底部を貫通する部分は磁気シール８７、８５でそれぞれ封止される。これにより、処理容器１１内を気密に保持し、処理容器内の真空状態を所定の真空度に保つ。
【００１７】
処理容器１１の底部には、長手方向の一端側において排気口である排気溝３１が設けられている。処理容器１１の長手方向において、排気溝３１が配置された一端側を下流側ともいい、排気溝３１が配置された側と反対側を上流側ともいう。
【００１８】
排気溝３１の開口部分には、複数のスリット３３を有する蓋部３２が形成されている。排気溝３１の底部には排気管３４が接続され、排気管３４には排気溝３１側から圧力調整部３５、排気バルブ３６が介設され、図示しない真空ポンプに接続されている。
【００１９】
処理容器１１内の上流側には、成膜ガス吐出部４１が設けられている。成膜ガス吐出部４１には長手方向にスリットが設けられている。成膜ガスは、成膜ガス吐出部４１から導入され、ウエハＷの表面全体を通過する。
【００２０】
成膜ガス吐出部４１にはガス供給管４０が接続されている。ガス供給管４０には、処理容器１１の側壁から第３ガスを供給する第３ガス供給源ＧＳ３が接続されている。第３ガス供給源ＧＳ３には、原料ガスを供給する原料ガス供給管４２、原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給管４６及び置換ガスを供給する置換ガス供給管６０が合流されている。
【００２１】
原料ガス供給管４２には、原料ガスの一例であるＤＣＳ（ジクロロシラン）（以下、「ＤＣＳ」と表記する。）を供給するＤＣＳ供給源４３が接続され、ＤＣＳガスの流量を調整する流量調整部４５とＤＣＳガスの供給をオン・オフするバルブ４４とが設けられている。
【００２２】
反応ガス供給管４６には、反応ガスの一例であるＮＨ３を供給するＮＨ３供給源４７が接続され、ＮＨ３ガスの流量を調整する流量調整部４９とＮＨ３ガスの供給をオン・オフするバルブ４８とが設けられている。本例では、原料ガス及び反応ガスを「成膜ガス」ともいう。ＤＣＳ及びＮＨ３は、第３ガスの一例である。
【００２３】
置換ガス供給管６０には、置換ガス（パージガス）の一例であるＡｒガスを供給するＡｒガス供給源６１が接続され、Ａｒガスの流量を調整する流量調整部６３とＡｒガスの供給をオン・オフするバルブ６２とが設けられている。
【００２４】
なお、第３ガス供給源ＧＳ３、成膜ガス吐出部４１及びガス供給管４０は、第１の支持機構２に支持されたウエハＷの径方向に第３ガスを供給する第３ガス供給部の一例である。第３ガス供給部は、第１の支持機構２に支持されたウエハＷの径方向に第３ガスを供給する。
【００２５】
ガス供給管４０には、リモートプラズマ６５が接続されている。リモートプラズマ６５は、処理容器１１の側壁からプラズマを供給する。第３ガス供給源ＧＳ３からの第３ガスの供給と、リモートプラズマ６５からのプラズマの供給との切り替えは、第３ガス供給源ＧＳ３内のバルブ４４、４８とリモートプラズマ６５を制御することで行うことができる。
【００２６】
ガスシャワーヘッドＳＨＢには、成膜ガスの濃度を調整する濃度調整用のガス、例えば希釈ガスであるＡｒガス又は加熱されたＨｅガスを供給する第２ガス供給源ＧＳ２がガス供給管５２を介して接続されている。
【００２７】
第２ガス供給源ＧＳ２は、２系統に別れてそれぞれに流量調整部５３とバルブ５４とが設けられている。流量調整部５３とバルブ５４とをガス調整部５５ともいう。一方のガス調整部５５には、Ｈｅガス供給源５７が接続され、他方のガス調整部５５には、Ａｒガス供給源５８が接続されている。加熱器５６は、Ｈｅガス供給源５７から供給されたＨｅガスを加熱する。加熱されたＨｅガス及びＡｒガス供給源５８から供給されるＡｒガスは、バルブ５４の制御により切り替えられて、ガスシャワーヘッドＳＨＢに供給され、バッファ室５１を経て複数のガス孔５０から処理容器１１内に導入される。Ｈｅガスは、ウエハＷの表面への成膜ガスの回り込みを防ぐパージガスとして機能する。また、Ａｒガスは、成膜ガスの希釈ガスとして機能する。
【００２８】
複数のガス孔５０は、処理容器１１の側壁から供給されるＤＣＳ等の成膜ガスのガス流の上流側から下流側に向かう長さ方向に設けられ、かつ、平面で見てウエハＷの全面をカバーするように幅方向に伸びるスリット状又はホール状に形成されている。これにより、各ガス孔５０から第１の支持機構２に支持されたウエハＷの表面に向けて希釈ガスのＡｒガス又は加熱されたＨｅガスが、幅方向で流量が揃った状態で供給される。
【００２９】
Ｈｅガスは、第２ガスの一例である。第２ガス供給源ＧＳ２及びガスシャワーヘッドＳＨＢは、第１の支持機構２に支持されたウエハＷの表面に第２ガスを供給する第２ガス供給部の一例である。なお、第２ガスはＨｅガスに限られず、不活性ガスを第２ガスとして加熱し、供給してもよい。また、ガスシャワーヘッドＳＨＢから供給される希釈ガスはＡｒガスに限られず、Ｎ２ガス等の不活性ガスであってもよい。
【００３０】
ウエハＷの裏面を成膜する際、第１の支持機構２によりウエハＷを第２ガス供給部に接近させ、第２ガスと第３ガスを供給する。第２ガス供給部は、ウエハＷの裏面を成膜する際、加熱したＨｅガス等の不活性ガスを第２ガスとして供給し、ウエハＷの表面が成膜されることを防ぐ。
【００３１】
ガスシャワーヘッドＳＨＡには、成膜ガスの濃度を調整する濃度調整用のガス、例えば希釈ガスであるＡｒガス又は加熱されたＨｅガスを供給する第１ガス供給源ＧＳ１がガス供給管７２を介して接続されている。
【００３２】
第２ガス供給源ＧＳ２は、２系統に別れてそれぞれに流量調整部７３とバルブ７４とが設けられている。流量調整部７３とバルブ７４とをガス調整部７５ともいう。一方のガス調整部７５には、Ｈｅガス供給源７７が接続され、他方のガス調整部７５には、Ａｒガス供給源７８が接続されている。加熱器７６は、Ｈｅガス供給源７７から供給されたＨｅガスを加熱する。加熱されたＨｅガス及びＡｒガス供給源７８から供給されるＡｒガスは、バルブ７４の制御により切り替えられて、ガスシャワーヘッドＳＨＡに供給され、バッファ室７１を経て複数のガス孔７０から処理容器１１内に導入される。Ｈｅガスは、ウエハＷの裏面への成膜ガスの回り込みを防ぐパージガスとして機能する。また、Ａｒガスは、成膜ガスの希釈ガスとして機能する。
【００３３】
複数のガス孔７０は、処理容器１１の側壁から供給される成膜ガスのガス流の上流側から下流側に向かう長さ方向に設けられ、かつ、平面で見てウエハＷの全面をカバーするように幅方向に伸びるスリット状又はホール状に形成されている。これにより、各ガス孔７０から第１の支持機構２に支持されたウエハＷの裏面に向けて希釈ガスのＡｒガス又は加熱されたＨｅガスが、幅方向で流量が揃った状態で供給される。
【００３４】
Ｈｅガスは、第１ガスの一例である。第１ガス供給源ＧＳ１及びガスシャワーヘッドＳＨＡは、第１の支持機構２に支持されたウエハの裏面に第１ガスを供給する第１ガス供給部の一例である。なお、第１ガスはＨｅガスに限られず、不活性ガスを第１ガスとして加熱し、供給してもよい。また、ガスシャワーヘッドＳＨＡから供給される希釈ガスはＡｒガスに限られず、Ｎ２ガス等の不活性ガスであってもよい。
【００３５】
ウエハＷの表面を成膜する際には、ウエハＷをガスシャワーヘッドＳＨＡに接近させ、ウエハＷの裏面に第１ガスを供給し、ウエハＷの表面に第３ガスを供給する。第３ガスによりウエハＷの表面を成膜する際、加熱したＨｅガス等の不活性ガスを第１ガスとしてウエハＷの裏面に供給することで、ウエハＷの裏面が成膜されることを防ぐ。
【００３６】
一方、ウエハＷの裏面に成膜処理を行う際には、ウエハＷをガスシャワーヘッドＳＨＢに接近させ、ウエハＷの表面に第２ガスを供給し、ウエハＷの裏面に第３ガスを供給する。第３ガスによりウエハＷの裏面を成膜する際、加熱したＨｅガス等の不活性ガスを第２ガスとしてウエハＷの表面に供給することで、ウエハＷの表面が成膜されることを防ぐ。
【００３７】
かかる構成の半導体製造装置１におけるウエハＷの表面の成膜処理について簡単に説明する。まず、ゲートバルブ１４を開き、搬送アームにより外部から搬入したウエハＷを第１の支持機構２に保持する。ゲートバルブ１４を閉じ、処理容器１１を密閉した後、成膜ガス吐出部４１からＡｒガスの供給を開始し、排気溝３１から排気を行い処理容器１１内の圧力を調整する。次いで第１の支持機構２を下降する。ウエハＷの表面の成膜時には、マスクＭは不要である。
【００３８】
その後、成膜ガスとして、原料ガスであるＤＣＳ及び反応ガスであるＮＨ３を用いたＡＬＤ法によりウエハの表面への成膜処理が行われる。これら成膜ガスのウエハＷへの供給方法について説明する。排気溝３１から排気を行っている状態で第１の支持機構２に把持されたウエハＷに向けて、成膜ガスの供給を開始すると共にガスシャワーヘッドＳＨＢからウエハＷの表面に向けて希釈ガスを供給する。成膜ガスは、ガス供給管４０から成膜ガス吐出部４１に流れ込むと、成膜ガス吐出部４１内にて均一に拡散する。その後、成膜ガス吐出部４１のスリットから、ウエハＷの幅方向で揃った流量で供給され、ウエハＷの表面に沿って、全面に亘って流れる。その後平行な流れを保ったまま排気溝３１に流れ込み、排気管３４から排気される。
【００３９】
そして、回転機構８２を駆動し、ステージ３上のウエハＷを支持体８１の軸周りに回転させる。これにより、成膜ガスの濃度が気流の幅方向で均一となり、一方向に向かって連続的に変化する。ウエハＷの各部位から見ると、成膜ガスの濃度が徐々に低くなり、次いで徐々に高くなるという状態が繰り返されることになる。ウエハＷが一回転したとき、中心からの距離が同じ部位では、同じ領域を通過しているので周方向で膜厚は揃っており、その膜厚は当該部位が１回転するときの時間推移に対する濃度変化パターンに応じて決まる。従って、ウエハＷの表面において成膜される薄膜は、同心円状の膜厚分布を持つことになり、その膜厚分布は、ウエハＷの表面近傍における成膜ガスの流れ方向における濃度分布により決まる。上述のように成膜ガスの濃度分布は、ガス孔５０から供給される希釈ガスによる希釈の程度により決まるので、ガス調整部５５によりガス孔５０から供給される希釈ガスの流量を変化させることで成膜ガスの濃度分布を調整することができる。ウエハＷの裏面処理時にはマスクＭを使用してウエハＷの裏面を局所的に成膜する。裏面処理の詳細については後述する。
【００４０】
半導体製造装置１は、装置全体の動作を制御する制御部１００を有する。制御部１００は、ＲＯＭ及びＲＡＭ等の記憶部１０１に格納されたレシピに従って、成膜処理を実行する。レシピには、プロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、圧力（ガスの排気）、高周波電力や電圧、各種ガス流量、処理容器内温度（上部電極温度、処理容器の側壁温度、ウエハＷ温度、静電チャック温度等）、チラーからの冷媒温度等が設定される。制御部１００は、レシピの手順に従い、第１ガス〜第３ガスの供給を制御し、ウエハＷの表面への成膜と、ウエハＷの裏面への成膜を制御する。また、制御部１００は、レシピの手順に従い、成膜処理において処理容器１１内に付着した付着物のクリーニング処理を制御する。
【００４１】
なお、これらのプログラムや処理条件を示すレシピは、ハードディスクや半導体メモリに記憶されてもよい。また、レシピは、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で所定位置にセットされ、読み出されるようにしてもよい。
【００４２】
なお、図１の半導体製造装置１は、ウエハＷの表面と裏面とを成膜可能な装置であるが、一実施形態に係る成膜方法を使用する半導体製造装置は、かかる構成に限られず、ウエハの裏面を成膜可能な装置を用いることができる。
【００４３】
［マスクの作成］
次に、ウエハＷの裏面を成膜する際に使用するマスクの作成について説明する。ウエハＷの表面を成膜すると、ウエハＷ上の膜の応力によりウエハＷが弓状に反るような全体的な歪だけでなく、ウエハＷの表面に形成されたパターンに応じた局所的な歪み（以下、「ローカルストレス」ともいう。）が生じる。
【００４４】
特にウエハＷ上に形成される膜が積層膜であると、ウエハＷに形成された複数膜のそれぞれの厚さのバラツキによりローカルストレスが生じる。このように膜の厚さやパターンに応じた歪みは、ウエハＷをレジスト層のパターンに露光する工程やその後の工程において、オーバーレイ（overlay）と呼ばれる下地パターンとの重ね合わせを悪化させる要因となる。そこで、本実施形態では、ウエハＷの表面に形成された膜の状態に応じてローカルストレスを軽減するためにウエハＷの裏面を局所的に成膜し、これにより、ウエハＷの局所的な反りを補償する。
【００４５】
マスクの作成では、まず、ウエハＷと同一形状及び同一サイズのマスクを用意し、ウエハＷの裏面の成膜したい部分に対応するマスクの領域に穴を開ける。このようにして穴（成膜パターン）を形成したマスクＭを作成し、そのマスクＭのパターンにウエハＷの裏面を成膜する。ウエハＷの裏面の成膜したい部分は、ウエハＷの表面にて局所的な歪が生じている箇所によって変わる。ウエハＷの表面にて局所的な歪が生じている箇所は、ウエハＷの高さを測定し、測定したウエハＷの高さに基づき求めることができる。これにより、ウエハＷの高さの測定結果に応じて、ウエハＷの局所的な反りを補償するパターンのマスクを作成する。
【００４６】
ウエハＷの膜の高さを測定するタイミングは、ウエハに膜が形成され、レジスト層を露光してパターン化する前である。ウエハＷの高さの測定は、レーザ光変位計等の測定装置によって行うことができる。例えば、レーザ光変位計は、測定装置の天井部に配置され、測定装置内の載置台に載置されたウエハＷの上方を水平方向に移動でき、これにより、ウエハＷ上を走査しながらレーザ光をウエハＷに照射する。レーザ光がウエハＷにて反射した反射光を測定することで、ウエハＷ上に形成された膜の高さを測定することができる。これにより、ウエハＷ上の水平方向の（ｘ、ｙ）座標毎の膜の高さを示す測定結果を得ることができる。その測定結果はウエハＷ上の反りに対応する。つまり、膜の有無や膜の厚い部分と薄い部分とによりウエハＷに局所的な歪や反りが生じる。よって、測定結果に基づきウエハＷ上の局所的な歪や反りに対応するマスクＭを作成する。
【００４７】
ウエハＷ上に形成された膜の種類、膜厚、積層状態等の膜構造の違いによって、ウエハＷの局所的な歪や反りの状態は異なる。よって、膜構造の異なる複数のウエハＷについて、ウエハＷ毎に膜の高さを測定し、その測定結果に基づきウエハＷ毎に局所的な歪みや反りに対応するパターンのマスクＭを作成する。裏面成膜では、作成したマスクＭを使用して、ウエハＷの歪みや反りに対応するマスクＭのパターンにウエハＷの裏面を成膜する。これにより、ウエハＷの局所的な反りを補償できる。
【００４８】
［バッファ室］
作成した複数のマスクＭは、図３に示すように半導体製造装置１に近接するバッファ室７内の載置台１５の上下方向に複数設けられた棚１６に保持される。バッファ室７の隣りには、搬送室８が設けられている。搬送装置１７は、ウエハＷの表面の処理を示す特定のプロセスに対応するマスクＭをアームに保持し、半導体製造装置１のゲートバルブ１４を開いて処理容器１１内に搬入する。プロセスはウエハＷ上の膜構造毎に対応する。よって、特定のプロセスに対応するマスクＭを選択することで、成膜対象のウエハＷの膜構造、つまり、ウエハＷの反りや歪に応じたマスクＭを取り出すことができる。バッファ室７及び搬送室８は、気密に保持されている。
【００４９】
制御部１００は、ウエハＷの表面の処理を示す特定のプロセスに対応するマスクＭを、搬送装置１７を用いてバッファ室７から取り出し、半導体製造装置１に搬送するように制御する。制御部１００は、例えば、図１の記憶部１０１に記憶された図４の（ａ）のテーブルを参照して、特定のプロセスに対応するマスクＭを搬送対象として特定する。図４の（ａ）の例では、プロセスＡに対応付けて「マスクＭａ」の情報が記憶され、プロセスＢに対応付けて「マスクＭｂ」の情報が記憶されている。
【００５０】
この場合、特定のプロセスがプロセスＡのときには、制御部１００は、マスクＭａを特定する。これにより、バッファ室７に保持されたマスクＭのうち、マスクＭａが搬送される。マスクＭａ、マスクＭｂは異なるマスクであり、図４（ｂ）に一例を示す。マスクＭａは、処理容器１１内に搬入され、ウエハＷの裏面に配置された状態でウエハＷの裏面が成膜される。なお、制御部１００は、ウエハＷの表面に対して実行される特定のプロセスをレシピから特定する。
【００５１】
制御部１００は、例えば、図１の記憶部１０１に記憶された図５の（ａ）のテーブルを参照して特定のプロセスに対応するマスクＭを搬送対象として特定してもよい。図５の（ａ）の例では、プロセスＡに対応付けて「マスクａ１、マスクａ２」のマスク情報が記憶され、プロセスＢに対応付けて「マスクｂ１、マスクｂ２」のマスク情報が記憶されている。
【００５２】
この場合、特定のプロセスがプロセスＡのときには、制御部１００は、マスクａ１、ａ２を特定する。マスクａ１、マスクａ２は異なるマスクであり、図５（ｂ）に一例を示す。これにより、バッファ室７に保持されたマスクＭのうち、マスクａ１、ａ２が順に処理容器１１内に搬入され、ウエハＷの裏面に配置された状態でウエハＷの裏面が成膜される。例えば、ウエハＷの裏面にまずマスクａ１を配置した状態でウエハＷの裏面を成膜し、マスクａ１を搬出後にマスクａ２を搬入し、更にウエハＷの裏面にマスクａ２を配置した状態でウエハＷの裏面を成膜してもよい。逆にウエハＷの裏面にマスクａ２、ａ１を順に配置した状態でウエハＷの裏面を成膜してもよい。
【００５３】
マスクＭの材質は、クリーニング処理を行った場合に劣化しにくい石英であることが好ましい。ただし、マスクＭの材質は、これに限られず、金属以外の部材であってもよい。また、マスクＭはウエハＷと同一形状及び同一サイズであるため、搬送装置を用いて同じように搬送することができる。
【００５４】
［マスクとウエハの搬入手順］
次に、半導体製造装置１を用いてウエハＷの裏面にマスクＭを配置した状態で裏面成膜を行う際のマスクＭとウエハＷの搬入手順について、図６を参照して説明する。
【００５５】
まず、制御部１００は、ウエハＷの測定結果に応じたマスクを準備する。マスクの準備は、バッファ室７に保持したマスクＭから特定のプロセスに対応するマスクＭを選択することであってもよいし、他の方法で作成したマスクＭを用意することであってもよい。
【００５６】
次に、制御部１００は、ゲートバルブ１４を開き、マスクＭを処理容器１１内に搬入する。例えば、制御部１００は、記憶部１０１を参照して特定のプロセスに対応するマスクＭを特定し、搬送装置１７を制御してバッファ室７から特定したマスクＭを搬出し、処理容器１１内に搬入し、ステージ３の上方まで搬送する。制御部１００は、昇降機構８３を駆動させてリフターピン６を上昇させ、図６の（ａ）に示すように、リフターピン６の上にマスクＭを保持する。
【００５７】
マスクＭを処理容器１１内に搬入した後、制御部１００は、ウエハＷを処理容器１１内に搬入する。制御部１００は、昇降機構８３を駆動させてリフターピン５をマスクＭの上方まで上昇させ、図６の（ｂ）に示すように、リフターピン５の上にウエハＷを保持する。
【００５８】
次に、制御部１００は、リフターピン５をマスクＭの位置まで下降させ、図６の（ｃ）に示すように、ウエハＷの裏面にマスクＭを配置した状態に制御し、この状態でウエハＷの裏面を成膜する。
【００５９】
かかる手順によりウエハＷの裏面にマスクＭを配置した状態でウエハＷの裏面成膜を行うと、マスクＭに副生成物が付着する。マスクに付着した副生成物は、所定時間経過毎に処理容器１１内をクリーニングする際に一緒にクリーニングする。
【００６０】
ウエハＷの搬出時、制御部１００は、図６の（ｃ）の状態から図６の（ｂ）の状態にリフターピン５を制御して、ウエハＷをマスクＭから離した後、搬送アームにより処理容器１１から搬出する。ウエハＷの搬出後、図６の（ａ）の状態で次のウエハＷを搬入する前に処理容器１１内をクリーニングすることで、クリーニング時に処理容器１１とマスクＭとをクリーニングすることができる。
【００６１】
［マスクの作成処理］
次に、一実施形態に係るマスクＭの作成処理の一例について、図７を参照して説明する。マスクＭの作成処理は、マスクＭを用いた裏面成膜処理を実行する前に実行される。
【００６２】
本処理が開始されると、制御部１００は、測定装置を用いてウエハＷのローカルストレスを測定する（ステップＳ１）。例えばレーザ光変位計等の測定装置によってウエハＷ上の膜の高さを（ｘ、ｙ）座標毎に測定することで、ウエハＷのローカルストレスの測定を行う。
【００６３】
次に、制御部１００は、測定結果に基づき、ウエハＷ上のローカルストレスの分布を算出し、ローカルストレスの分布を補償する裏面の成膜パターンを計算する（ステップＳ２）。次に、制御部１００は、計算した成膜パターンの穴を形成したマスクＭを作成し（ステップＳ３）、本処理を終了する。
【００６４】
［裏面成膜処理］
次に、一実施形態に係るウエハＷの裏面成膜処理の一例について、図８を参照して説明する。ウエハＷの裏面成膜処理は、図７のフローチャートに従い作成したマスクＭを用いて実行される。
【００６５】
本処理が開始されると、制御部１００は、バッファ室７から特定のプロセスに対応するマスクＭを搬送する（ステップＳ１１）。次に、制御部１００は、マスクＭを半導体製造装置１の処理容器１１内に搬入する（ステップＳ１２）。これにより、図６の（ａ）に示すように、リフターピン６の上にマスクＭが保持される。
【００６６】
次に、制御部１００は、ウエハＷを処理容器１１内に搬入する（ステップＳ１３）。これにより、図６の（ｂ）に示すように、マスクＭの上方にてリフターピン５の上にウエハＷが保持される。
【００６７】
次に、制御部１００は、ウエハＷの裏面にマスクＭが配置されるようにリフターピン５を下降する（ステップＳ１４）。これにより、図６の（ｃ）に示すように、ウエハＷの裏面にマスクＭが配置される。ただし、制御部１００は、リフターピン５及びリフターピン６の少なくともいずれかを制御してウエハＷの裏面にマスクＭが配置させればよい。このとき、ウエハＷの裏面とマスクＭとの間に隙間が生じないようにウエハＷとマスクＭの配置が制御される。
【００６８】
次に、制御部１００は、ウエハＷの裏面をマスクＭのパターンに成膜する（ステップＳ１５）。次に、制御部１００は、リフターピン５を上昇させ、マスクＭの上方に裏面成膜後のウエハＷを持ち上げ、搬送アームにより処理容器１１から搬出する（ステップＳ１６）。
【００６９】
次に、制御部１００は、クリーニングのタイミングか否かを判定する（ステップＳ１７）。、制御部１００は、クリーニングのタイミングか否かは、例えば、所定時間が経過したかにより判定する。制御部１００は、クリーニングのタイミングであると判定した場合、図６の（ａ）に示すように、マスクＭをリフターピン６に保持した状態でクリーニング処理を実行し（ステップＳ１８）、その後、ステップＳ１９に進む。クリーニング処理は、例えば、図１の半導体製造装置１において第３ガス供給源ＧＳ３からクリーニングガスを供給して、クリーニングを実行してもよい。一方、ステップＳ１７において、制御部は、クリーニングのタイミングでないと判定した場合、直ちにステップＳ１９に進む。
【００７０】
次に、制御部１００は、次のウエハＷがあるかを判定する（ステップＳ１９）。制御部１００は、次のウエハがあると判定した場合、ステップＳ１３に戻り、次のウエハＷについてステップＳ１３〜Ｓ１９の処理を繰り返し実行する。一方、ステップＳ１９において、制御部１００は、次のウエハがないと判定した場合、本処理を終了する。
【００７１】
以上に説明したように、本実施形態に係るウエハＷの裏面を成膜する方法によれば、ウエハＷの反りや歪を示すウエハＷの表面の高さの測定結果に応じたマスクＭを準備する工程と、マスクＭを処理容器１１内に搬入する工程と、ウエハＷを処理容器内１１に搬入する工程と、ウエハＷの裏面にマスクＭを配置した状態でウエハＷの裏面を成膜する工程とを有する。
【００７２】
これにより、ウエハＷの反りや歪に応じたマスクＭのパターンにウエハＷの裏面が成膜される。これにより、ウエハＷの局所的な反りを補償することができる。
【００７３】
［ウエハの表面と裏面の成膜の切り替え］
最後に、図１の半導体製造装置１を簡略化して示した図９を参照して、ウエハＷの裏面の成膜と、ウエハＷの表面の成膜との切り替えについて説明する。
【００７４】
ウエハＷの裏面を成膜する際には、図９（ａ）に示すように、ウエハＷ及びマスクＭをガスシャワーヘッドＳＨＢに接近させて成膜する。このとき、ウエハＷの成膜面と反対面（表面）へのガス及びプラズマの回り込みは、加熱されたＨｅパージガスがガスシャワーヘッドＳＨＢを介してシャワー状にウエハＷの表面に供給されることで十分に抑制される。
【００７５】
ウエハＷの表面を成膜する際には、図９（ｂ）に示すように、ウエハＷをガスシャワーヘッドＳＨＡに接近させて成膜する。このとき、ウエハＷの成膜面と反対面（裏面）へのガス及びプラズマの回り込みは、加熱されたＨｅパージガスがガスシャワーヘッドＳＨＡを介してシャワー状にウエハＷの裏面に供給されることで十分に抑制される。このとき、マスクＭはなくてもよいし、ウエハＷの裏面側に配置されたままであってもよい。
【００７６】
［ウエハＷの裏面を成膜する場合］
ウエハＷの裏面を成膜する場合、制御部１００は、リフターピン５、６を上昇させてウエハＷ及びマスクＭをガスシャワーヘッドＳＨＢに接近させた後、第２ガスと第３ガスを供給し、ウエハＷの裏面を成膜する。第２ガスは、加熱したＨｅガスであり、第３ガスは成膜の原料ガスである。
【００７７】
この場合、制御部１００は、図１に示す第２ガス供給源ＧＳ２のＨｅガス供給源５７に接続されたバルブ５４を開け、Ａｒガス供給源５８に接続されたバルブ５４を閉める。また、制御部１００は、第３ガス供給源ＧＳ３のバルブ４４を開け、バルブ４８、６２を閉める。これにより、本実施形態では、ウエハＷの裏面を成膜中、ガスシャワーヘッドＳＨＢから加熱されたＨｅガスを導入し、ウエハＷの表面に吹き付ける。これにより、ウエハＷの表面への成膜ガスの回り込みを抑制し、ウエハＷの表面が成膜されることを防止する。
【００７８】
また、ウエハＷとガスシャワーヘッドＳＨＢの間の空間にＨｅガスを導入することで、プラズマの着火を抑制し、ウエハＷとガスシャワーヘッドＳＨＢの間の空間におけるプラズマ生成を抑制し、ウエハＷの裏面への成膜をブロックすることができる。
【００７９】
供給された成膜の原料ガスによりウエハＷの裏面に所定の成膜を行うとき、制御部１００は、図１に示す第１ガス供給源ＧＳ１のＨｅガス供給源７７に接続されたバルブ７４を閉じ、Ａｒガス供給源７８に接続されたバルブ７４を開ける。これにより、ガスシャワーヘッドＳＨＡからＡｒガスが供給され、成膜の原料ガスが所定の濃度にまで希釈される。
【００８０】
制御部１００は、バルブ４４を閉じて原料ガスの供給を停止し、リモートプラズマ６５からプラズマを出してウエハＷ表面の原料ガスを固着させてもよい。また、原料ガスと反応ガスとプラズマとの切り替えを制御してもよい。所定のタイミングにＡｒガス供給源６１からＡｒガスを供給し、処理容器１１内をパージしてもよい。
【００８１】
［ウエハＷの表面を成膜する場合］
ウエハＷの表面を成膜する場合、制御部１００は、リフターピン５、６を下降させて第１ガス供給部に近づけ、ウエハＷ及びマスクＭをガスシャワーヘッドＳＨＡに接近させた後、第１ガスと第３ガスを供給し、ウエハＷの表面を成膜する。第１ガスは、加熱したＨｅガスであり、第３ガスは成膜の原料ガスである。
【００８２】
この場合、制御部１００は、図１に示す第１ガス供給源ＧＳ１のＨｅガス供給源７７に接続されたバルブ７４を開け、Ａｒガス供給源７８に接続されたバルブ７４を閉める。また、制御部１００は、第３ガス供給源ＧＳ３のバルブ４４を開け、バルブ４８、６２を閉める。
【００８３】
成膜プロセスでは、供給された成膜の原料ガスによりウエハＷの表面に所定の成膜を行う。このとき、制御部１００は、図１に示す第２ガス供給源ＧＳ２のＨｅガス供給源５７に接続されたバルブ５４を閉じ、Ａｒガス供給源５８に接続されたバルブ５４を開ける。これにより、ガスシャワーヘッドＳＨＢからＡｒガスが供給され、成膜の原料ガスが所定の濃度にまで希釈される。
【００８４】
次に、制御部１００は、バルブ４４を閉じて原料ガスの供給を停止し、リモートプラズマ６５からＮＨ３ガスのプラズマを出してウエハＷ表面の原料ガスを固着させる。ここでは、制御部１００は、原料ガスとプラズマとの切り替えを制御したが、これに限られず、原料ガスと反応ガスとプラズマとの切り替えを制御してもよい。また、原料ガスとプラズマとを切り替える間に、Ａｒガス供給源６１からＡｒガスを供給し、処理容器１１内をパージしてもよい。
【００８５】
今回開示された一実施形態に係る成膜方法及び半導体製造装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【符号の説明】
【００８６】
１                半導体製造装置
２                第１の支持機構
３                ステージ
４                第２の支持機構
５、６            リフターピン
７                バッファ室
１１              処理容器
５０、７０        ガス孔
５１、７１        バッファ室
６５              リモートプラズマ
８０、８４        ジグ
８１              支持体
８２              回転機構
８３              昇降機構
８５、８６、８７  磁気シール
１００            制御部
ＧＳ１            第１ガス供給源
ＧＳ２            第２ガス供給源
ＧＳ３            第３ガス供給源
ＳＨＡ、ＳＨＢ    ガスシャワーヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020077751.tif 000009
【図８】
2020077751.tif 000010
【図９】
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