(57)【要約】【課題】  本発明は、基板と型の位置合わせに有利なインプリント方法を提供することを目的とする。【解決手段】  下地層を介して基板上に配置されたインプリント材に型を接触させ、該インプリント材を硬化させて前記型の形状が転写された硬化物を得るインプリント方法であって、前記型と前記基板の下地層とが前記インプリント材と接触した状態で位置合わせを行う工程を有しており、前記位置合わせ時に発生するせん断力の面内分布を計測する工程と、前記計測結果に基づいて前記下地層の塗布条件を決定する工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に下地層を有する基板上に硬化性組成物を配置し、型を用いて前記基板上に成形された硬化物を得る成形方法であって、
前記型と前記基板の下地層とが前記硬化性組成物と接触した状態で位置合わせを行う位置合わせ工程と、
前記位置合わせ時に発生するせん断力の面内分布、または前記下地層の膜厚の面内分布、を計測する計測工程と、
前記計測工程の計測結果に基づいて前記下地層の塗布条件、または下地層を介する検出の検出条件を決定する決定工程と、
を有することを特徴とする成形方法。
【請求項２】
前記せん断力の面内分布の計測は、前記下地層上に配置した前記硬化性組成物に発生するせん断力の計測値を、前記基板上の複数の領域から得た分布である請求項１に記載の成形方法。
【請求項３】
前記計測工程が、せん断力の面内分布を計測する工程であり、前記決定工程が、前記面内分布の計測結果に応じて前記下地層の塗布条件を決定する工程である請求項１または２に記載の成形方法。
【請求項４】
前記塗布条件を決定する工程は、前記下地層の膜厚に基づいて前記下地層の塗布条件にフィードバックする工程である請求項１から３のいずれか一項に記載の成形方法。
【請求項５】
前記下地層の塗布条件は、前記基板上の複数領域におけるせん断力の分布の高低差が小さくなるように下地層の膜厚を変化させた塗布条件である請求項１から４のいずれか一項に記載の成形方法。
【請求項６】
前記基板の中心から外周方向に向かって生じるせん断力の増加に対応して、前記下地層の膜厚が増加するように塗布条件が決定される請求項１から５のいずれか一項に記載の成形方法。
【請求項７】
前記基板と前記型の位置ずれを検出するアライメント検出工程を有し、前記下地層の塗布条件に基づいて、前記アライメント検出工程で使用するアライメント光の波長と光強度を決定する請求項１から６のいずれか一項に記載の成形方法。
【請求項８】
前記基板に光を照射して前記下地層上のパーティクルを検出するパーティクル検出工程を有し、前記下地層の塗布条件に基づいて、前記パーティクル検出工程でのパーティクルの検出感度を決定する請求項１から７のいずれか一項に記載の成形方法。
【請求項９】
前記モールドが表面に凹凸のパターンを有しており、前記基板上に前記型の凹凸が転写された硬化物を成形するものである請求項１から８のいずれか一項に記載の成形方法を有するインプリント方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のインプリント方法を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンの形成された基板を加工する工程と、を有し、
前記加工した基板の少なくとも一部を含む物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１１】
基板上の硬化性組成物に型を接触させ、該硬化性組成物を硬化させる成形装置であって、
前記型と前記基板の下地層とが前記硬化性組成物と接触した状態で位置合わせを行う位置合わせ手段を有しており、
前記位置合わせ時に発生するせん断力の面内分布を計測する計測部と、
前記計測部で得られた計測結果に基づいて前記下地層の塗布条件を決定する制御部と、
を有することを特徴とする成形装置。
【請求項１２】
基板上の硬化性組成物に型を接触させ、該硬化性組成物を硬化させる成形装置であって、
前記型と前記基板の下地層とが前記硬化性組成物と接触した状態で位置合わせを行う位置合わせ手段を有しており、
前記下地層の膜厚の面内分布を計測する計測部と、
前記計測部で得られた計測結果に基づいて前記下地層の塗布条件を決定する制御部と、
を有することを特徴とする成形装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の成形装置と、該成形装置に供給する下地層が付与された基板を製造する塗布装置と、を有する物品製造システムであって、前記成形装置で得られたせん断力分布に起因する計測結果に基づいて、前記塗布装置の塗布条件を決定するフィードバック手段を有することを特徴とする物品製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成形方法、成形装置、インプリント方法、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上の硬化性組成物を成形する技術として、インプリント技術が知られている。インプリント技術の一つに、光硬化法がある。この光硬化法によるインプリント方法では、まず、基板（ウエハ）上に未硬化のインプリント材（光硬化性組成物、光硬化性樹脂と呼ぶ場合もある）を供給する。次に、基板上のインプリント材と型とを接触させる（押印工程）。そして、インプリント材と型とを接触させた状態で光（紫外線）を照射する（硬化工程）ことで、インプリント材を硬化させる。インプリント材を硬化させた後、基板と型との間隔を広げる（離型工程）ことで、硬化したインプリント材から型が引き離され基板上に樹脂のパターンが形成される。
【０００３】
インプリント装置では、インプリント材と型とを接触させた状態で、基板上に予め形成されているパターン（基板側パターン）の位置と、型に形成されているパターン（型パターン部）の位置とを合わせる必要がある。基板と型との位置合わせにおいて、基板と型を相対移動させることによって、インプリント材の粘弾性に起因して基板と型の相対移動方向と逆方向に力が働く。この力とせん断力と呼ぶ。基板と型との位置合わせにおいて、せん断力は基板および型の面内に歪（Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）を生じさせる原因となることがある。このせん断力によって生成された基板および型の面内の歪が、基板と型との位置合わせの精度を低下させる。
【０００４】
特許文献１には、凝縮性ガスをインプリント材に浸透させることによって、インプリント材の膜厚を厚くし、せん断力を低減して、位置合わせの精度を向上させることが記載されている。
【０００５】
一方で、特許文献２には、粘弾性が低いことによる装置振動等の外乱による位置精度の悪化に対し、基板と型との位置合わせと同時もしくは前にインプリント材へ光を照射し、インプリント材のせん断力を上昇させることが記載されている。これによって、位置合わせの精度を向上させることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−２９０７３号公報
【特許文献２】特開２０１６−５８７３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
基板上の異なる領域においてそれぞれインプリントを行う場合、下地層の塗布状況、あるいは下地層が塗布された基板表面の状況により、特定の領域のみに歪みや欠陥が発生するなど、領域ごとにインプリントの結果に差異が生じてしまうことがある。
【０００８】
例えば、下地層の厚みが基板面内で分布をもっている場合、基板面内でせん断力の分布が発生したり、パーティクルが吸着した場合のインプリントへの影響にも違いが出たりする。
【０００９】
ところが、特許文献１および２の方法は、このような下地層上の異なる領域におけるインプリントへの影響については、何ら考慮されていない。
【００１０】
せん断力が面内で分布をもった状態でそれぞれの領域でインプリントを行うと、基板および型の位置合わせ時に歪が発生する領域が現れ、位置合わせ精度が低下してしまう。
【００１１】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、基板の全面にわたり好適なインプリントを実現可能な成形方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
その目的を達成するために、本発明の一側面としての成形方法は、
表面に下地層を有する基板上に硬化性組成物を配置し、型を用いて前記基板上に成形された硬化物を得る成形方法であって、
前記型と前記基板の下地層とが前記硬化性組成物と接触した状態で位置合わせを行う位置合わせ工程と、
前記位置合わせ時に発生するせん断力の面内分布、または前記下地層の膜厚の面内分布、を計測する計測工程と、
前記計測工程の計測結果に基づいて前記下地層の塗布条件、または下地層を介する検出の検出条件を決定する決定工程と、
を有することを特徴とする成形方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板上の異なる複数の領域において基板と型の位置合わせに有利な成形方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態のインプリント方法のフローチャートである。
【図２】第１実施形態のシステム構成を説明するブロック図である。
【図３】第１実施形態のインプリント装置を示した図である。
【図４】第１実施形態のせん断力分布を示した図である。
【図５】第２実施形態のインプリント方法のフローチャートである。
【図６】第２実施形態の下地層膜厚の面内分布を示した図である。
【図７】第３実施形態のインプリント方法のフローチャートである。
【図８】第３実施形態のインプリント装置を示した図である。
【図９】第４実施形態のインプリント方法のフローチャートである。
【図１０】第４実施形態のパーティクル検出装置を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１６】
尚、以下の形態においては硬化性組成物であるインプリント材を基板上に配置し、表面に凹凸のパターンを有するモールドを用いて、基板上に硬化物のパターンを形成するインプリント方法、およびインプリント装置について詳細に述べる。しかし、本発明はこれに限らず、例えば、平坦なモールドを用いて基板上に平坦な面を形成する平坦化装置などの成形方法、および成形装置としても適用可能である。
【００１７】
＜第１実施形態＞
図１は第１実施形態のインプリント方法のフローを示した図である。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。以下の図において、鉛直方向の軸をＺ軸、当該Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する２軸をＸ軸及びＹ軸としている。
【００１８】
本実施形態のインプリント方法を用いる物品製造システムを、図２に示す。物品製造システムは、基板上に下地層を塗布する前処理装置としての塗布装置１３と、下地層が塗布された基板上にインプリント材（硬化性組成物）を配置し、インプリントを行うインプリント装置１２を有する。さらに、塗布装置１３およびインプリント装置１２に接続された制御部１４（コンピュータ）を有している。
【００１９】
制御部１４はいずれかの装置に内蔵されるものでも、外部のものでも良く、インターネットを介してこれらが互いに接続されている構成でも良い。
【００２０】
本形態に係る物品の製造方法は、インプリント装置１２によるインプリントを行う前に、前処理装置である塗布装置１３を用いて基板９上のパターン転写が行われる場所へ下地層１を塗布する（ステップＳ１）。
【００２１】
塗布装置１３には、一例としてコーターデベロッパーと呼ばれる塗布装置が用いられ、下地層１の塗布にはスピンコートおよびベーキング処理が用いられる。下地層１の材料としては、例えばスピンオンカーボンが用いられる。図３に示すように、下地層１は型側の型アライメントマーク３と基板側の基板アライメントマーク２との間の層であり、単一層でも多層でもよい。
【００２２】
塗布装置１３により下地層１の塗布が完了した基板９は、搬送系（不図示）によって、図４に示すインプリント装置１２に搬送される。インプリント装置１２に搬送された基板９は、型６を用いて表面にインプリント材８のパターンを形成する。基板９には一例としてはＳｉウエハが用いられるが、複数のプロセスを経て表面に多層構造およびパターンが形成されたＳｉウエハも含む。具体的には、型６とインプリント材８とを接触させた状態でインプリント材８を硬化させ、硬化したインプリント材８から型６を引き離すことで、型６のパターン部７に形成された３次元形状の硬化物パターン（凹凸パターン）がインプリント材８に転写される。
【００２３】
本実施形態では、インプリント材８として光硬化性組成物を使用する。
【００２４】
インプリントヘッド（不図示）は真空吸着力又は静電力によって型６を保持する。インプリントヘッドは型６をＺ軸方向に駆動可能に構成されている。インプリントヘッドはパターン部７とインプリント材８とを接触させるときに型６を−Ｚ方向に下降させ押印する（ステップＳ２）。
【００２５】
次に、型６を−Ｚ方向に下降させ押印した状態で、インプリント材８のせん断力を計測する（ステップＳ３）。
【００２６】
図３に示すウエハステージ４は、真空吸着力又は静電力によって基板９を保持して移動する。ウエハステージ４はリニアモータやピエゾアクチュエータ等の駆動機構（不図示）によって移動可能となっている。当該駆動機構は、ウエハステージ４を微小量移動させるための微小駆動系と、当該微小駆動系よりも大きな移動量で移動させる粗動駆動系とを含んでいてもよい。ウエハステージ４は、インプリント処理のために型６の下方に位置決めしたりするために、主にＸＹ平面内で位置決め制御系によって位置決めする。しかし、ウエハステージ４の移動方向はこれに限られず、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、及びこれらの軸周りの回転方向に移動可能に構成されていてもよい。
【００２７】
ウエハステージ４が水平方向に移動する間、基板９の表面と型６との距離は１ｍｍ以下に保たれる。このような狭ギャップにすることで、インプリント処理において型６とインプリント材８の接触動作及び引き離し動作を迅速に行えるようにしている。
【００２８】
型６を押印した状態（すなわち、インプリント材が基板および型と接触した状態）で基板と型をＸまたはＹ方向に相対移動させることによって、インプリント材の粘弾性に起因して基板９と型６の相対移動方向と逆方向に力が働く。この力をせん断力と呼ぶ。
【００２９】
型６を固定し、ウエハステージ４をＸＹ平面内で位置決めするとき、相対移動と逆方向に発生するせん断力と釣り合うように、ウエハステージ４の駆動力が上昇する。
【００３０】
このウエハステージ４の駆動力を検出することによって、型６とウエハステージ４とが相対移動したときに、インプリント材８に発生するせん断力を計測する（ステップＳ３）。
【００３１】
基板９上の複数のインプリントショット領域に対してそれぞれせん断力の計測値が得られる。その結果、基板９上の、すなわち下地層上のせん断力の面内分布を求めることができる。
【００３２】
次に、ステップＳ３で計測されたせん断力の計測結果を前処理装置（不図示）にフィードバックする（ステップＳ４）。制御部では、フィードバックされたせん断力の情報に基づいて、下地層１の塗布条件を決定（塗布条件の決定工程）し、塗布装置における塗布条件を変更する。
【００３３】
図４では、基板９上に同心円状にせん断力の分布があった場合を示している。基板９の中心からせん断力が大きい領域２３、せん断力が中程度の領域２２、せん断力が小さい領域２１と、分かれている。せん断力の面内分布を示す分布１０には、せん断力の観察位置２０における、横軸を位置・縦軸をせん断力としたときのプロファイルが示されている。
【００３４】
本発明者らは、基板表面上でせん断力の分布差が生じることによって、形成される硬化パターンに歪みや位置ズレが生じるという課題に着目した。
【００３５】
この課題に対し、鋭意検討を重ねたところ、位置合わせ時にインプリント材８に働くせん断力が、下地層１の状態、具体的には膜厚に依存する、ということを新たに見出した。本発明は、これに基づき為されたものである。
【００３６】
すなわち本発明は、同一の基板、あるいは同条件で作成された複数の基板上に付与された下地層において、その下地層１の膜厚を厚くしてゆけば、位置合わせ時にインプリント材８に働くせん断力を小さくすることができるという新たな知見に基づいている。
【００３７】
せん断力の面内分布を抑制するべく、面内の各インプリントショット領域のせん断力が許容値以内に入るまで、ステップＳ１〜ステップＳ４の工程を繰り返す。もしくは、予め定めた回数だけ、ステップＳ１〜ステップＳ４の工程を繰り返したのち、ステップＳ５に進んでもよい。
【００３８】
ある基板９において、一つもしくは複数のインプリントショットに対して、せん断力が許容値以内に入った場合、前処理装置（不図示）の塗布条件を固定して他の基板９をインプリントしてもよい。
【００３９】
また、予め定められた枚数の基板９にインプリント処理したのちに、ステップＳ１〜ステップＳ４の工程を再び実施することもできる。例えば、基板９を２５枚インプリント処理するごとにステップＳ１〜ステップＳ４の工程を再び実施し、基板９の個体差による変動や前処理による影響が無いことを確認しながらインプリント処理を進められる。
【００４０】
次に、型６と基板９の位置合わせを行う（位置合わせ工程：ステップＳ５）。図３に示すように、型６と基板９の位置合わせは、型６に形成されたパターン部７に対応する型アライメントマーク３と基板９に形成されたパターン（不図示）に対応する基板アライメントマーク２を検出することで行われる。パターン（不図示）は、基板９上予めパターンが形成されているショット領域が含まれる。つまり、型６と基板９の位置合わせとは、パターン部７とショット領域とを重ね合わせることである。型６と基板９の位置合わせに、型６（パターン部７）の形状を変える工程が含まれていても良い。
【００４１】
型６と基板９との位置合わせは、ウエハステージ４をＸＹ平面内で移動させることによって行われる。結果として、ステップＳ３のせん断力計測を行うことも可能であり、ステップ３のせん断力計測をこのステップＳ５の位置合わせ工程と同時に行ってもよい。
【００４２】
次に、型６によってインプリント材８に形成されたパターンを硬化させる（ステップＳ６）。インプリントヘッド（不図示）はインプリント材８が硬化する波長を有する光をインプリント材８に向けて照射し、インプリント材８を硬化させる。インプリント材８が硬化する波長を有する光は、インプリント材８を光硬化させる電磁波であれば良く、例えば紫外線である。
【００４３】
硬化したインプリント材８から型６を引き離すために型６を＋Ｚ方向に上昇させ、基板９をインプリント装置１２から搬出する。
【００４４】
このように、インプリント方法において、せん断力の計測結果を前処理装置にフィードバックすることによって、基板と型の位置合わせの精度を向上させることができる。
【００４５】
＜第２実施形態＞
次に、図５に基づいて第２実施形態のインプリント方法について説明する。図５は第２実施形態のインプリント方法のフローを示した図である。本実施形態のインプリント方法は、図５に示すように下地層の膜厚の面内分布の計測値を前処理装置（不図示）へフィードバックする（ステップＳ８）点で第１実施形態とは異なる。
【００４６】
図５において、前処理装置（不図示）によって、下地層１が基板９上に塗布された後、下地層１の膜厚の面内分布を計測する（ステップＳ７）。下地層１の膜厚の面内分布の計測を行う計測部は、前処理装置（不図示）、インプリント装置１２、外部計測装置のいずれかに備えられていればよいが、インプリント装置が有することが好ましい。
【００４７】
計測部で行われる計測方法としては、基板９の汚染を防止するために光学計測が望ましく、例えば分光エリプソメトリが用いられる。下地層１は多層であってもよく、多層の場合には、各層の膜厚の面内分布が計測値として得られる。
【００４８】
次に、下地層１の膜厚の面内分布の計測値を前処理装置（不図示）へフィードバックする（ステップＳ８）。前処理装置（不図示）では、フィードバックされた下地層１の膜厚の面内分布の情報に基づいて下地層１の塗布条件を決定し、この条件に変更する。
【００４９】
図６では基板９上に同心円状に下地層１の膜厚の面内分布がある場合を示している。基板９の中心から膜厚が薄い領域３３、膜厚が中程度の領域３２、膜厚が厚い領域３１と、分かれている。下地層膜厚の面内分布５には、膜厚の観察位置３０における、横軸を位置・縦軸を下地層膜厚としたときのプロファイルが示されている。
【００５０】
先に述べたように、インプリント材８に働くせん断力は、下地層１の膜厚に依存することが見出された。すなわち、下地層１の膜厚を厚くしてゆくと、インプリント材８に働くせん断力が小さくなってゆく。そこで、下地層１の膜厚の分布情報に基づいて、下地層１の膜厚が均一となるように塗布条件を決定し、この条件に変更することによって、せん断力分布の高低差の偏りを抑制できる。
【００５１】
すなわち、下地層の塗布条件は、基板上の複数領域におけるせん断力の分布の高低差が小さくなるように、下地層の膜厚を変化させた膜厚分布を持つような塗布条件として設定することができる。
【００５２】
特に、基板の中心から外周方向に向かって生じるせん断力の増加に対応して、下地層の膜厚が増加するように塗布条件を決定するとよい。
【００５３】
また、インプリント装置１２でインプリント処理が行われるより前に、基板９上にパターンが形成されている場合もある。このような場合には、基板９上で下地層１が均一な膜厚分布となっていても、基板９上でせん断力分布を持つことがある。
【００５４】
これは、予め形成されたパターンの凹凸がせん断力分布の原因と考えられる。
【００５５】
そこで、ステップＳ４で前処理装置（不図示）にフィードバックされる基板９のせん断力分布と、ステップＳ８でフィードバックされる下地層１の膜厚分布の両方の情報を元に最適な塗布条件を決めてもよい。この場合には、せん断力分布を優先し、あえて下地層１の膜厚分布をつけてもよい。
【００５６】
このように、インプリント方法において、下地層の膜厚の面内分布の計測値を前処理装置（不図示）へフィードバックすることによって、基板と型の位置合わせの精度を向上させることができる。
【００５７】
＜第３実施形態＞
次に、図７に基づいて第３実施形態のインプリント方法について説明する。図７は第３実施形態のインプリント方法のフローを示した図である。本実施形態のインプリント方法は、図７に示すように下地層１の膜厚の面内分布の計測値をインプリント装置１２へフィードフォワードする（ステップＳ９）点で第１及至第２実施形態とは異なる。
【００５８】
図７のステップＳ７において、下地層１の膜厚の面内分布が計測された後、インプリント装置１２へフィードフォワードする（ステップＳ７）。図８において、インプリント装置１２では、フィードフォワードされた下地層１の膜厚の面内分布の情報を元に、基板９と型６との位置合わせの条件を変更する。
【００５９】
型６と基板９の位置合わせは、型アライメントマーク３と基板アライメントマーク２をアライメント検出手段４０によって検出することで行われる。アライメント検出手段４０は、型アライメントマーク３と基板アライメントマーク２とを照明するための光照射装置と、両アライメントマークから反射・散乱された光を検出する検出部を有している。
【００６０】
下地層１の膜厚が厚くなると、型アライメントマーク３と基板アライメントマーク２から反射・散乱される光が下地層１に吸収され、アライメント検出手段４０に検出される検出強度が弱くなる。結果として、位置合わせの精度を低下させる。そこで、ステップＳ９でフィードフォワードされた下地層１の膜厚の面内分布情報を元に、下地層１の膜厚に合わせて、アライメント検出手段４０から照射される光の波長と光量（光強度）を最適化する。
【００６１】
下地層１による光の吸収は波長依存性を持っているため、吸収の小さい波長を選択することによって、アライメント検出手段４０による検出強度を向上させられる。また、アライメントマークに照射する光の強度を強くすることによって、アライメントマークから反射・散乱される光の強度が強くなり、アライメント検出手段４０による検出強度を向上させられる。下地層１の膜厚の面内分布情報を元に、アライメント光の波長と光強度を選択することによって、基板９と型６との位置合わせをより正確に行うことができる。
【００６２】
このように、インプリント方法において、下地層の膜厚の面内分布の計測値を計測し、この計測結果に基づいて後の下地層を介するアライメント検出の検出条件を決定する。すなわちインプリント装置１２へフィードフォワードすることによって、基板と型の位置合わせの精度を向上させることができる。
【００６３】
＜第４実施形態＞
次に、図９に基づいて第４実施形態のインプリント方法について説明する。図９は第４実施形態のインプリント方法のフローを示した図である。本実施形態のインプリント方法は、図９に示すように下地層１の膜厚の面内分布の計測値をパーティクル検出装置５３へフィードバックする（ステップＳ１１）点で第１及至第３実施形態とは異なる。
【００６４】
図９において、前処理装置（不図示）によって、下地層１が基板９上に塗布された後、下地層１上のパーティクルをパーティクル検出装置５３によって検出する（パーティクル検出工程：ステップＳ１０）。
【００６５】
図１０に、パーティクル検出装置５３の一部を示す。パーティクル検出装置５３では、下地層１の表面に付着しているパーティクルに光を照射し、パーティクルから反射・散乱された光を検出することによって、パーティクルの数と大きさを計測する。
【００６６】
パーティクル検出手段５０は、パーティクルに光を照射する照射機構と、パーティクルから反射・散乱された光を検出する検出機構を有する。また、パーティクル検出装置５３は基板ステージ（不図示）を有しており、基板を回転・ＸＹスキャンすることによって、下地層１上のパーティクル分布を計測することができる。
【００６７】
図１０では、例示的に大きいパーティクル５１と小さいパーティクル５２とが示されており、パーティクルの大きさが大きいほど反射・散乱される光の強度が強くなる。また、下地層１上に多数のパーティクルが付着していた場合、パーティクル検出装置５３ではパーティクルの大きさに閾値を設けて、閾値よりも大きい大きさのパーティクルだけのパーティクルを検出することができる。パーティクル検出装置５３はインプリント装置１２の一部であってもよい。
【００６８】
インプリント装置１２では、ステップＳ２においてインプリント材８をはさんで型６と基板９とを接触させる。図１０に例示的に示すように、下地層１上には大きいパーティクル５１と小さいパーティクル５２が付着している。このとき、許容値以上の大きさのパーティクルが下地層１上に付着していた場合、インプリント材８をはさんで型６と基板９とを接触させたときに型６をパーティクルが破壊してしまうことがある。ステップＳ１０で下地層１上のパーティクルを検出することによって、許容値以上の大きなパーティクルを事前に検出し、型６の破壊を未然に防止することができる。下地層１上に許容値以上の大きさのパーティクルが付着していた場合には、基板９は基板洗浄工程（不図示）もしくはパーティクル除去工程（不図示）に移る。基板洗浄工程（不図示）では、基板９を薬液洗浄及びドライ洗浄することによって、下地層１上に付着したパーティクルを除去する。パーティクル除去工程（不図示）では、粘着剤やレーザー照射を用いて許容値以上の大きさのパーティクルを下地層１上から除去する。
【００６９】
図９のステップＳ１０において、下地層１上のパーティクルが計測された後、下地層１の膜厚の面内分布を計測する（ステップＳ７）。下地層１の膜厚の面内分布を計測した後、下地層１の膜厚の面内分布の計測値をパーティクル検出装置５３へフィードバックする（ステップＳ１１）。パーティクル検出装置５３では、フィードバックされた下地層１の膜厚の面内分布の情報を元に、パーティクル検出条件を最適化する。
【００７０】
許容されるパーティクルの大きさは、下地層１の膜厚に依存する。一般的に、下地層１は型６よりも柔らかい材質で構成されている。例えば型６には石英が用いられ、下地層１にはスピンオンカーボン（ＳＯＣ）等の有機物が用いられる。下地層１上にパーティクルが付着していても、下地層１がクッションの役割を果たし型６が破壊されることを防ぐ。下地層１の膜厚が薄くなってゆくとクッションとしての働きが弱まり、より小さいパーティクルまでしか型６への破壊を防止できない。パーティクル検出装置５３のパーティクル検出感度を上げ、より小さい大きさのパーティクルを検出できるようにすることによって、型６へのパーティクルによる破壊を防止できる。一方で、パーティクルの検出感度を上げることによってノイズレベルも上がってしまい、検出誤差の原因となる。そこで、下地層１の膜厚の面内分布を元に、パーティクル検出装置５３におけるパーティクルの許容サイズの値を増減させる。下地１の膜厚が厚い領域ではより大きい大きさのパーティクルまで検出し、下地１の膜厚が薄い領域ではより小さい大きさのパーティクルまで検出するようにする。こうすることによって、型６へのパーティクルによる破壊を防止しつつ、ノイズレベルも抑制することができる。
【００７１】
このように、インプリント方法において、下地層１の膜厚の面内分布の計測値を計測し、その計測結果に基づいて下地層を介するパーティクル検出の検出条件を決定する。すなわち、パーティクル検出装置５３へフィードバックすることよって、パーティクルによる型６への破壊を防止し、かつ基板と型の位置合わせの精度を向上させることができる。
【００７２】
＜第５実施形態＞
次に、前述のインプリント装置を利用した物品（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子、ＭＥＭＳ等）の製造方法を説明する。物品は、前述のモールドを使用して、感光剤が塗布された基板（ウェハ、ガラス基板等）をインプリントする工程と、その基板を露光する工程と、その基板（感光剤）を現像する工程と、現像された基板を他の周知の工程で加工処理することにより製造される。他の周知の加工処理には、エッチング、インプリント材剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本物品製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。
【００７３】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１  下地層
２  基板アライメントマーク
３  型アライメントマーク
４  ウエハステージ
６  型
７  パターン部
８  インプリント材
９  基板
１２  インプリント装置（成形装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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