(57)【要約】【課題】絶縁層に設けられたキャビティ内に電子部品が収容されてなる電子部品内蔵構造体において、電子部品の剥離や平坦性の低下を防止する。【解決手段】電子部品内蔵構造体１は、キャビティ１２ａを有する絶縁層１２と、キャビティ１２ａに収容された電子部品２０と、キャビティ１２ａの底面Ｂ及び側面Ｓと電子部品２０とを接着する接着剤３０と、電子部品２０を覆うよう、絶縁層１２に積層された絶縁層１３とを備える。接着剤３０はキャビティ１２ａから溢れており、これにより絶縁層１２，１３の界面に接着剤３０の一部が介在する。これによれば、電子部品２０をより強固に固定することができるとともに、絶縁層１３がキャビティ１２ａ内に浸入することによる平坦性の低下も防止される。さらに、絶縁層１２，１３の界面に接着剤３０の一部が介在することから、キャビティ１２ａの近傍における接着剤３０と絶縁層１２の密着性も高められる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティを有する第１の絶縁層と、
前記キャビティに収容された電子部品と、
前記キャビティの底面及び側面と前記電子部品とを接着する接着剤と、
前記電子部品を覆うよう、前記第１の絶縁層に積層された第２の絶縁層と、を備え、
前記接着剤は前記キャビティから溢れており、これにより前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層の界面に前記接着剤の一部が介在することを特徴とする電子部品内蔵構造体。
【請求項２】
前記電子部品は、前記第２の絶縁層で覆われる端子形成面を有し、
前記端子形成面の少なくとも一部は、前記接着剤と接していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵構造体。
【請求項３】
前記端子形成面に設けられた端子電極の上面は、前記接着剤と接することなく、前記第２の絶縁層と接していることを特徴とする請求項２に記載の電子部品内蔵構造体。
【請求項４】
前記電子部品は、前記第２の絶縁層で覆われる端子形成面を有し、
前記端子形成面は、前記接着剤と接することなく、前記第２の絶縁層と接していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵構造体。
【請求項５】
前記端子形成面は前記第１の絶縁層の表面よりも高い位置にあり、これにより前記電子部品の一部が前記キャビティから突出していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品内蔵構造体。
【請求項６】
前記接着剤の熱膨張係数は、前記電子部品の熱膨張係数よりも高く、且つ、前記第１及び第２の絶縁層の熱膨張係数よりも低いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品内蔵構造体。
【請求項７】
前記接着剤の熱伝導率は、前記第１及び第２の絶縁層の熱伝導率よりも高いことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子部品内蔵構造体。
【請求項８】
前記電子部品が薄膜キャパシタであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子部品内蔵構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品内蔵構造体に関し、特に、絶縁層に設けられたキャビティ内に電子部品が収容されてなる電子部品内蔵構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁層に設けられたキャビティ内に電子部品が収容されてなる電子部品内蔵構造体としては、特許文献１に記載された電子部品内蔵構造体が知られている。特許文献１に記載された電子部品内蔵構造体は、キャビティの底面に接着剤を設けることによって、電子部品をキャビティ内で固定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２０７９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された電子部品内蔵構造体では、電子部品の固定をキャビティの底面に設けられた接着剤によって行っていることから、特に電子部品の平面サイズが大きく、且つ、厚さが薄い場合、電子部品の外周部分において剥離が生じやすいという問題があった。また、電子部品の上面を覆う絶縁層の一部は、キャビティ内に浸入することから、電子部品を覆う部分において絶縁層に凹みが生じ、これにより平坦性が低くなるという問題もあった。
【０００５】
したがって、本発明は、絶縁層に設けられたキャビティ内に電子部品が収容されてなる電子部品内蔵構造体において、電子部品の剥離や平坦性の低下を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による電子部品内蔵構造体は、キャビティを有する第１の絶縁層と、キャビティに収容された電子部品と、キャビティの底面及び側面と電子部品とを接着する接着剤と、電子部品を覆うよう、第１の絶縁層に積層された第２の絶縁層とを備え、接着剤はキャビティから溢れており、これにより第１の絶縁層と第２の絶縁層の界面に接着剤の一部が介在することを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、電子部品の底面及び側面に接着剤が設けられることから、電子部品をより強固に固定することができる。また、接着剤がキャビティ内に充填されていることから、第２の絶縁層がキャビティ内に浸入することによる平坦性の低下も防止される。さらに、第１の絶縁層と第２の絶縁層の界面に接着剤の一部が介在することから、接着剤と第１の絶縁層の密着性も高められる。
【０００８】
本発明において、電子部品は第２の絶縁層で覆われる端子形成面を有し、端子形成面の少なくとも一部は、接着剤と接していても構わないし、端子形成面は、接着剤と接することなく第２の絶縁層と接していても構わない。前者の場合、電子部品の密着強度がより高められる。この場合、端子形成面に設けられた端子電極の上面は、接着剤と接することなく、第２の絶縁層と接することが好ましい。これによれば、第２の絶縁層上に形成される配線パターンと端子電極とを接続するビア導体の形成位置に接着剤が介在しないことから、接着剤がリソグラフィプロセスによるビア形成の妨げにならない。このため、ビア導体の接続信頼性が高められる。
【０００９】
本発明において、端子形成面は第１の絶縁層の表面よりも高い位置にあり、これにより電子部品の一部がキャビティから突出していても構わない。これによれば、端子電極の上面が接着剤と接することなく、第２の絶縁層と接する構造を容易に得ることが可能となる。
【００１０】
本発明において、接着剤の熱膨張係数は、電子部品の熱膨張係数よりも高く、且つ、第１及び第２の絶縁層の熱膨張係数よりも低くても構わない。これによれば、熱膨張係数の差に起因する応力が接着剤によって緩和されることから、リフロー時における電子部品の剥離を防止することが可能となる。
【００１１】
本発明において、接着剤の熱伝導率は、第１及び第２の絶縁層の熱伝導率よりも高くても構わない。これによれば、放熱性を高めることが可能となる。
【００１２】
本発明において、電子部品は薄膜キャパシタであっても構わない。薄膜キャパシタは平面サイズが大きく、且つ、厚さが非常に薄いことから、構造体に内蔵すると剥離が生じやすいが、本発明によれば、キャビティに収容した薄膜キャパシタの剥離を防止することが可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
このように、本発明によれば、絶縁層に設けられたキャビティ内に電子部品が収容されてなる電子部品内蔵構造体において、電子部品の剥離や平坦性の低下を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態による電子部品内蔵構造体１の構造を説明するための模式図な断面図である。
【図２】図２は、電子部品２０の端子形成面２０ａの一部が接着剤３０で覆われた状態を示す模式図な平面図である。
【図３】図３は、電子部品内蔵構造体１の製造方法を説明するための工程図である。
【図４】図４は、電子部品内蔵構造体１の製造方法を説明するための工程図である。
【図５】図５は、電子部品内蔵構造体１の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】図６は、電子部品内蔵構造体１の製造方法を説明するための工程図である。
【図７】図７は、電子部品内蔵構造体１の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】図８は、電子部品内蔵構造体１の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】図９は、電子部品内蔵構造体１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１０】図１０は、電子部品内蔵構造体１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１１】図１１は、電子部品内蔵構造体１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１２】図１２は、電子部品内蔵構造体１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１３】図１３は、電子部品内蔵構造体１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１４】図１４は、ダイアタッチフィルム３０Ｆが貼り付けられた電子部品２０の個片化する前の状態を示す略断面図である。
【図１５】図１５は、ピッキングツール８０を用いて電子部品２０をピッキングした状態を示す模式図である。
【図１６】図１６は、ピッキングツール８０を用いて電子部品２０をキャビティ１２ａの底面Ｂに押しつける状態を示す模式図である。
【図１７】図１７は、ディスペンサー８１を用いてダイアタッチペースト３０Ｐをキャビティ１２ａの底面Ｂに塗布した状態を示す模式図である。
【図１８】図１８は、ピッキングツール８０を用いて電子部品２０をキャビティ１２ａの底面Ｂに押しつける状態を示す模式図である。
【図１９】図１９は、本発明の第２の実施形態による電子部品内蔵構造体２の構造を説明するための模式図な断面図である。
【図２０】図２０は、本発明の第３の実施形態による電子部品内蔵構造体３の構造を説明するための模式図な断面図である。
【図２１】図２１は、本発明の第４の実施形態による電子部品内蔵構造体４の構造を説明するための模式図な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１６】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態による電子部品内蔵構造体１の構造を説明するための模式図な断面図である。
【００１７】
図１に示すように、第１の実施形態による電子部品内蔵構造体１は、絶縁層１１〜１３と、配線層Ｌ１〜Ｌ４と、電子部品２０および４０を備えている。絶縁層１１〜１３は、ポリイミドやポリベンゾオキシジン系の感光性樹脂からなる層間絶縁膜である。配線層Ｌ１〜Ｌ４は、絶縁層１１〜１３の表面に設けられている。具体的には、絶縁層１１の表面に配線層Ｌ１が形成され、絶縁層１１と絶縁層１２の間に配線層Ｌ２が形成され、絶縁層１２と絶縁層１３の間に配線層Ｌ３が形成され、絶縁層１３の表面に配線層Ｌ４が形成されている。配線層Ｌ１〜Ｌ４は、銅（Ｃｕ）などの良導体からなり、絶縁層１１〜１３を貫通して設けられたビア導体１４を介して配線層Ｌ１〜Ｌ４が相互に接続されている。配線層Ｌ１は、電子部品内蔵構造体１の一方の表面に設けられた外部端子を構成する。
【００１８】
本実施形態においては、絶縁層１２にキャビティ１２ａが設けられており、キャビティ１２ａに電子部品２０が収容されている。電子部品２０が収容されたキャビティ１２ａの残りのスペースは接着剤３０で充填されている。特に限定されるものではないが、電子部品２０は、例えば厚さが１００μｍ以下の薄膜キャパシタであり、フェイスアップ方式でキャビティ１２ａに収容される。電子部品２０の端子形成面２０ａに設けられた端子電極２１は、絶縁層１３を貫通して設けられたビア導体１５を介して配線層Ｌ４に接続されている。また、電子部品２０の端子形成面２０ａは、絶縁層１２の表面よりも高い位置にある。このため、電子部品２０の上部はキャビティ１２ａから僅かに突出している。
【００１９】
さらに、配線層Ｌ４上には、別の電子部品４０が実装されている。特に限定されるものではないが、電子部品４０は例えば半導体ＩＣであり、フェイスダウン方式で実装されている。電子部品４０に設けられた図示しない端子電極は、ハンダ４１を介して配線層Ｌ４に接続されている。その他、配線層Ｌ４上には、ピラー状の外部端子５１やスパイラル状のコイルパターン５２が形成されている。そして、これらの要素を埋め込むよう、配線層Ｌ４の上面がモールド部材６０によってモールドされている。モールド部材６０としては、エポキシ系の樹脂にフィラーを添加した材料を用いることが好ましい。フィラーは、モールド部材６０の熱膨張係数を低下させるとともに、放熱性を高める役割を果たし、例えばシリカやアルミナ等の材料を用いることができる。
【００２０】
上述の通り、本実施形態においては、電子部品２０がキャビティ１２ａに収容されている。キャビティ１２ａの側面Ｓは絶縁層１２の断面によって構成され、キャビティ１２ａの底面Ｂは絶縁層１１の上面によって構成されている。そして、接着剤３０は、キャビティ１２ａの側面Ｓ及び底面Ｂと接し、且つ、電子部品２０の側面２０Ｓ及び裏面２０Ｂと接している。つまり、キャビティ１２ａの底面Ｂと電子部品２０の裏面２０Ｂの間には接着剤３０が介在し、且つ、キャビティ１２ａの側面Ｓと電子部品２０の側面２０Ｓの間にも接着剤３０が介在する。これにより、電子部品２０の裏面２０Ｂのみを接着剤３０で固定する場合と比べ、より高い密着強度を得ることが可能となる。ここで、電子部品２０が薄膜キャパシタである場合、厚さが１００μｍ以下、例えば３０μｍ程度と非常に薄く、且つ、平面サイズが比較的大きいことから、薄膜キャパシタの外周部分において剥離が生じやすい。しかしながら、本実施形態によれば、薄膜キャパシタが強固に固定されることから、このような剥離が生じにくくなる。
【００２１】
また、接着剤３０はキャビティ１２ａから溢れており、溢れた接着剤３０が絶縁層１２と絶縁層１３の界面に存在している。これにより、キャビティ１２ａの内部は電子部品２０及び接着剤３０によってほぼ完全に満たされ、実質的に空きスペースが残っていない。このため、絶縁層１２の表面に絶縁層１３を積層する際、絶縁層１３の一部がキャビティ１２ａの空きスペースに入り込むことによる平坦性の低下が生じない。しかも、キャビティ１２ａの近傍において絶縁層１２の上面が接着剤３０で覆われることから、キャビティ１２ａの近傍における接着剤３０と絶縁層１２の密着性が高められるとともに、接着剤３０全体が絶縁層１１〜１３に対して強固に固定されることになる。
【００２２】
さらに、本実施形態においては、接着剤３０の一部が電子部品２０の端子形成面２０ａに接している。これにより、電子部品２０の端子形成面２０ａと絶縁層１３との密着強度も高められる。但し、電子部品２０の端子形成面２０ａの全面が接着剤３０で覆われている必要はなく、模式図な平面図である図２に示すように、端子形成面２０ａの外周領域のみが接着剤３０で覆われていても構わない。端子形成面２０ａのうち接着剤３０で覆われる面積の比率は、５％以上であることが好ましい。
【００２３】
但し、本実施形態においては、端子電極２１の上面は接着剤３０で覆われておらず、絶縁層１３と直接接している。つまり、本実施形態においては、端子形成面２０ａの一部が接着剤３０と接しているものの、端子形成面２０ａに設けられた端子電極２１の上面については接着剤３０と接していない。これにより、電子部品２０と絶縁層１３との密着強度を確保しつつ、ビア導体１５と接着剤３０の接触が生じない。
【００２４】
接着剤３０の材料については特に限定されないが、エポキシ系又はアクリル系等の熱硬化性樹脂を用いることができる。接着剤３０の熱膨張係数は、電子部品２０の熱膨張係数よりも高く、且つ、絶縁層１１〜１３の熱膨張係数よりも低いことが好ましい。これによれば、熱膨張係数の差に起因する応力が接着剤によって緩和されることから、リフロー時における電子部品２０の剥離を防止することが可能となる。また、接着剤３０の熱伝導率は、絶縁層１１〜１３の熱伝導率よりも高いことが好ましい。これによれば、電子部品内蔵構造体１の放熱性を高めることが可能となる。
【００２５】
また、キャビティ１２ａの底面Ｂと側面Ｓが成す角度は、９０°以上であることが好ましい。これは、キャビティ１２ａの底面Ｂと側面Ｓが成す角度が９０°未満であると、キャビティ１２ａの角部に気泡が残る可能性があるからである。但し、キャビティ１２ａの底面Ｂと側面Ｓが成す角度が大きすぎると、キャビティ１２ａの容量が増大し、接着剤３０を溢れさせることが難しくなることから、当該角度は、９０°以上、１１０°未満であることが好ましい。
【００２６】
次に、本実施形態による電子部品内蔵構造体１の製造方法について説明する。
【００２７】
図３〜図１３は、本実施形態による電子部品内蔵構造体１の製造方法を説明するための工程図である。
【００２８】
まず、サポートウェハ７１の表面に仮固定材７２を塗布した後（図３）、スパッタリング法によって仮固定材７２の表面にシード層７３を成膜する（図４）。シード層７３は、クロム（Ｃｒ）と銅（Ｃｕ）の積層膜とすることができる。次に、絶縁層１１の材料である感光性絶縁材料をシード層７３の表面に形成した後、露光及び現像を行うことによって絶縁層１１にビア１１ａを形成する（図５）。
【００２９】
次に、図示しないマスクを形成した状態で電解メッキを行うことにより、絶縁層１１の表面に配線層Ｌ２を形成する（図６）。この時、ビア１１ａの内部にはビア導体１４が形成される。次に、絶縁層１２の材料である感光性絶縁材料を絶縁層１１の表面に形成した後、露光及び現像を行うことによって絶縁層１２にキャビティ１２ａ及びビアを形成する（図７）。その後、電解メッキを行うことにより、絶縁層１２の表面に配線層Ｌ３を形成するとともに、ビアの内部にビア導体１４を形成する。キャビティ１２ａにはビア導体１４は形成されず、これによりキャビティ１２ａの底面Ｂには絶縁層１１が露出する。
【００３０】
次に、ダイアタッチフィルム３０Ｆが裏面２０Ｂに貼り付けられた電子部品２０を用意し（図８）、ダイアタッチフィルム３０Ｆをキャビティ１２ａの底面Ｂに押しつけるようにして、電子部品２０をキャビティ１２ａに収容する（図９）。これにより、ダイアタッチフィルム３０Ｆが流動して接着剤３０となり、キャビティ１２ａの内部は、電子部品２０及び接着剤３０で充填される。
【００３１】
より詳細に説明すると、図１４に示すように、複数の電子部品２０の集合体の裏面２０Ｂにダイアタッチフィルム３０Ｆを貼り付けた状態で、ダイシングラインＤに沿って電子部品２０の集合体を切断することにより、電子部品２０を個片化する。次に、図１５に示すように、ピッキングツール８０を用いて個片化した電子部品２０を端子形成面２０ａ側からピッキングする。この状態で、図１６に示すように、加熱しながら電子部品２０をキャビティ１２ａの底面Ｂに押しつけることにより、ダイアタッチフィルム３０Ｆを流動させ、キャビティ１２ａから接着剤３０を溢れさせる。これにより、接着剤３０の一部は、絶縁層１２の表面に達することになる。この段階では、電子部品２０の端子形成面２０ａと接着剤３０は接していなくても構わない。
【００３２】
ここで、電子部品２０の裏面２０Ｂとキャビティ１２ａの底面Ｂの間における接着剤３０の厚さは、初期状態であるダイアタッチフィルム３０Ｆの厚さの半分以下となるよう、ピッキングツール８０を用いて押しつけることが好ましい。一例として、１０μｍ以上の厚さのダイアタッチフィルム３０Ｆを用い、これをキャビティ１２ａの底面Ｂに押しつけることにより、電子部品２０の裏面２０Ｂとキャビティ１２ａの底面Ｂの間における接着剤３０の厚さを５μｍ以下としても構わない。
【００３３】
次に、絶縁層１３の材料である感光性絶縁材料を絶縁層１２の表面に形成した後、露光及び現像を行うことによって絶縁層１３にビアを形成する（図１０）。その後、電解メッキを行うことにより、絶縁層１３の表面に配線層Ｌ４を形成するとともに、ビアの内部にビア導体１４を形成する。絶縁層１３を積層すると、絶縁層１２の表面に存在する接着剤３０の一部が流動し、電子部品２０の端子形成面２０ａに広がる。絶縁層１２の表面に存在する接着剤３０の残りの部分は、絶縁層１２と絶縁層１３の間に残った状態となる。この時、キャビティ１２ａは既に接着剤３０で充填されており、空きスペースが存在しないことから、キャビティ１２ａと重なる部分において絶縁層１３に凹みが生じることはない。
【００３４】
次に、配線層Ｌ４上に電子部品４０を搭載するとともに、ピラー状の外部端子５１やスパイラル状のコイルパターン５２を形成する（図１１）。次に、電子部品４０、外部端子５１及びコイルパターン５２を覆うモールド部材６０を形成した後（図１２）、サポートウェハ７１を剥離し（図１３）、さらに仮固定材７２を除去した後に外部端子である配線層Ｌ１を形成すれば、本実施形態による電子部品内蔵構造体１が完成する。
【００３５】
このように、比較的厚さの厚いダイアタッチフィルム３０Ｆを電子部品２０の裏面２０Ｂに貼り付けておき、電子部品２０をキャビティ１２ａの底面Ｂに押しつけることによってダイアタッチフィルム３０Ｆを流動させれば、キャビティ１２ａの全体を接着剤３０によって充填することが可能となる。しかも、キャビティ１２ａから溢れて絶縁層１２の上面に達した接着剤３０は、絶縁層１３を形成する際に再度流動し、電子部品２０の端子形成面２０ａに達する。これにより、電子部品２０の裏面２０Ｂのみならず、側面２０Ｓ及び端子形成面２０ａについても接着剤３０で覆われることから、電子部品２０の密着強度を高めることが可能となる。
【００３６】
但し、本発明においてダイアタッチフィルム３０Ｆを用いることは必須でなく、図１７に示すように、ディスペンサー８１を用いてダイアタッチペースト３０Ｐをキャビティ１２ａの底面Ｂに塗布した後、図１８に示すように、ピッキングツール８０を用いて、加熱しながら電子部品２０をキャビティ１２ａの底面Ｂに押しつけることにより、ダイアタッチペースト３０Ｐを流動させても構わない。この場合であっても、ダイアタッチペースト３０Ｐの供給量を調整することによって、接着剤３０をキャビティ１２ａから溢れさせることが好ましい。
【００３７】
＜第２の実施形態＞
図１９は、本発明の第２の実施形態による電子部品内蔵構造体２の構造を説明するための模式図な断面図である。
【００３８】
図１９に示すように、第２の実施形態による電子部品内蔵構造体２は、接着剤３０が電子部品２０の端子形成面２０ａに達していない点において、第１の実施形態による電子部品内蔵構造体１と相違している。つまり、電子部品２０の端子形成面２０ａは、接着剤３０と接することなく絶縁層１３と接している。その他の構成は、第１の実施形態による電子部品内蔵構造体１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３９】
第２の実施形態による電子部品内蔵構造体２の構造は、接着剤３０の量を第１の実施形態よりも少なくすることによって得られる。本実施形態が例示するように、本発明において接着剤３０が電子部品２０の端子形成面２０ａと接することは必須でない。
【００４０】
＜第３の実施形態＞
図２０は、本発明の第３の実施形態による電子部品内蔵構造体３の構造を説明するための模式図な断面図である。
【００４１】
図２０に示すように、第３の実施形態による電子部品内蔵構造体３は、接着剤３０が電子部品２０の端子電極２１の上面を覆っている点において、第１の実施形態による電子部品内蔵構造体１と相違している。その他の構成は、第１の実施形態による電子部品内蔵構造体１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４２】
第３の実施形態による電子部品内蔵構造体３の構造は、接着剤３０の量を第１の実施形態よりも多くすることによって得られる。これによれば、電子部品２０と絶縁層１３の密着強度をより高めることができる。但し、ビア導体１５が埋め込まれるビアを絶縁層１３に形成する際、端子電極２１の上面を覆う接着剤３０を貫通する必要がある。
【００４３】
＜第４の実施形態＞
図２１は、本発明の第４の実施形態による電子部品内蔵構造体４の構造を説明するための模式図な断面図である。
【００４４】
図２１に示すように、第４の実施形態による電子部品内蔵構造体４は、電子部品４０、外部端子５１及びコイルパターン５２が配線層Ｌ１側に形成されている点において、第１の実施形態による電子部品内蔵構造体１と相違している。その他の構成は、第１の実施形態による電子部品内蔵構造体１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４５】
本実施形態が例示するように、本発明において構造体の表面に搭載する電子部品４０等の搭載位置は特に限定されない。また、構造体上に電子部品等を搭載することも必須でない。
【００４６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００４７】
１〜４    電子部品内蔵構造体
１１〜１３    絶縁層
１１ａ    ビア
１２ａ    キャビティ
１４，１５    ビア導体
２０    電子部品
２０Ｂ    電子部品の裏面
２０Ｓ    電子部品の側面
２０ａ    端子形成面
２１    端子電極
３０    接着剤
３０Ｆ    ダイアタッチフィルム
３０Ｐ    ダイアタッチペースト
４０    電子部品
４１    ハンダ
５１    外部端子
５２    コイルパターン
６０    モールド部材
７１    サポートウェハ
７２    仮固定材
７３    シード層
８０    ピッキングツール
８１    ディスペンサー
Ｂ    キャビティの底面
Ｄ    ダイシングライン
Ｌ１〜Ｌ４    配線層
Ｓ    キャビティの側面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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