(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子を有する表示装置の信頼性を向上させる。【解決手段】有機ＥＬ素子を有する表示装置の製造方法は、フレキシブル基板からなる基板１１上に有機ＥＬ素子を形成する工程と、有機ＥＬ素子を覆うように、無機絶縁材料からなる保護膜１６を形成する工程と、を含む。保護膜１６を形成する工程は、有機ＥＬ素子を覆うように、絶縁膜１６ａをリモートプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程と、絶縁膜１６ａ上に絶縁膜１６ｂをダイレクトプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程と、を有する。絶縁膜１６ａおよび絶縁膜１６ｂからなる積層膜により、保護膜１６が形成され、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂとは、構成元素が互いに同じである。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む、有機ＥＬ素子を有する表示装置の製造方法：
（ａ）フレキシブル基板上に前記有機ＥＬ素子を形成する工程；
（ｂ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、無機絶縁材料からなる保護膜を形成する工程；
ここで、前記（ｂ）工程は、
（ｃ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、第１絶縁膜をリモートプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程、
（ｄ）前記第１絶縁膜上に、第２絶縁膜をダイレクトプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程、
を有し、
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜からなる積層膜により、前記保護膜が形成され、
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とは、構成元素が互いに同じである。
【請求項２】
前記第２絶縁膜の厚さは、前記第１絶縁膜の厚さよりも厚い、請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１絶縁膜の厚さは、１０ｎｍ以上である、請求項２記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１絶縁膜の厚さは、２０ｎｍ以下である、請求項３記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記保護膜の厚さは、１００ｎｍ以下である、請求項４記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムまたは窒化アルミニウムからなる、請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜は、酸化アルミニウムまたは酸化シリコンからなる、請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記（ｂ）工程では、前記有機ＥＬ素子が形成された前記フレキシブル基板が成膜装置のチャンバ内に配置された状態で、前記保護膜が形成され、
前記（ｃ）工程では、
（ｃ１）前記チャンバ内に第１原料ガスを供給する工程、
（ｃ２）前記（ｃ１）工程後、前記チャンバ内に第１パージガスを供給する工程、
（ｃ３）前記（ｃ２）工程後、前記チャンバ外のプラズマ生成部で第１反応ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ生成部で生成された前記第１反応ガスのプラズマを、前記チャンバ内に供給する工程、
（ｃ４）前記（ｃ３）工程後、前記チャンバ内に第２パージガスを供給する工程、
を複数サイクル繰り返すことにより、前記第１絶縁膜が形成され、
前記（ｄ）工程では、
（ｄ１）前記チャンバ内に第２原料ガスを供給する工程、
（ｄ２）前記（ｄ１）工程後、前記チャンバ内に第３パージガスを供給する工程、
（ｄ３）前記（ｄ２）工程後、前記チャンバ内に第２反応ガスを供給し、前記チャンバ内で前記第２反応ガスのプラズマを生成する工程、
（ｄ４）前記（ｄ３）工程後、前記チャンバ内に第４パージガスを供給する工程、
を複数サイクル繰り返すことにより、前記第２絶縁膜が形成される、請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１原料ガスと前記第２原料ガスとは、互いに同じであり、
前記第１反応ガスと前記第２反応ガスとは、互いに同じである、請求項８記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記（ｂ）工程では、前記有機ＥＬ素子が形成された前記フレキシブル基板が、前記チャンバ内の第１電極と第２電極との間に配置された状態で、前記保護膜が形成され、
前記（ｄ３）工程では、前記第１電極と第２電極との間に高周波電力が印加されることにより、前記第２反応ガスのプラズマが生成され、
前記（ｃ３）工程では、前記第１電極と第２電極との間には、高周波電力は印加されない、請求項８記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記（ｂ）工程後に、
（ｅ）前記保護膜上に、樹脂膜を形成する工程、
を更に有する、請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
フレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に形成された有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子を覆うように形成された、無機絶縁材料からなる保護膜と、
を有する表示装置であって、
前記保護膜は、リモートプラズマＡＬＤ法により形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上にダイレクトプラズマＡＬＤ法により形成された第２絶縁膜との積層膜からなり、
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とは、構成元素が互いに同じである、表示装置。
【請求項１３】
前記第２絶縁膜の厚さは、前記第１絶縁膜の厚さよりも厚い、請求項１２記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１絶縁膜の厚さは、１０ｎｍ以上である、請求項１３記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１絶縁膜の厚さは、２０ｎｍ以下である、請求項１４記載の表示装置。
【請求項１６】
前記保護膜の厚さは、１００ｎｍ以下である、請求項１５記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムまたは窒化アルミニウムからなる、請求項１２記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜は、酸化アルミニウムまたは酸化シリコンからなる、請求項１２記載の表示装置。
【請求項１９】
前記保護膜上に形成された樹脂膜を更に有する、請求項１２記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法および表示装置に関し、例えば、有機ＥＬ表示装置の製造方法および有機ＥＬ表示装置に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
発光素子として、エレクトロルミネッセンスを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子（organic electroluminescence device）の開発が進められている。なお、有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機ＥＬ素子と称される。エレクトロルミネッセンスとは、物質に電圧を印加した際に発光する現象であり、特に、このエレクトロルミネッセンスを有機物質で生じさせる素子を有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）と呼ぶ。有機ＥＬ素子は、電流注入型デバイスであり、かつ、ダイオード特性を示すため、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）とも呼ばれる。
【０００３】
特開２０１５−２０６０７６号（特許文献１）には、ＣＶＤ法によって封止膜を形成する技術が記載されている。特開２００３−１６３０８２号公報（特許文献２）には、リモートプラズマＣＶＤに関する技術が記載されている。国際公開第２０１３／１５１０９５号（特許文献３）には、プラズマＣＶＤ法を用いて保護膜を形成する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−２０６０７６号公報
【特許文献２】特開２００３−１６３０８２号公報
【特許文献３】国際公開第２０１３／１５１０９５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ素子は、水分に弱いため、有機ＥＬ素子を覆うように保護膜を形成して、有機ＥＬ素子への水分の伝達を防ぐことが望ましい。このため、有機ＥＬ素子を用いた表示装置においても、保護膜が使用される。そのような保護膜を用いた表示装置において、信頼性を向上させることが望まれる。
【０００６】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態によれば、有機ＥＬ素子を有する表示装置の製造方法は、（ａ）フレキシブル基板上に前記有機ＥＬ素子を形成する工程、（ｂ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、無機絶縁材料からなる保護膜を形成する工程、を含む。前記（ｂ）工程は、（ｃ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、第１絶縁膜をリモートプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程、
（ｄ）前記第１絶縁膜上に、第２絶縁膜をダイレクトプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程、を有する。前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜からなる積層膜により、前記保護膜が形成され、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とは、構成元素が互いに同じである。
【発明の効果】
【０００８】
一実施の形態によれば、有機ＥＬ素子を有する表示装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施の形態の表示装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】一実施の形態の表示装置の要部平面図である。
【図３】一実施の形態の表示装置の要部断面図である。
【図４】表示装置の基板としてフレキシブル基板を用い、そのフレキシブル基板（表示装置）を折り曲げた場合を模式的に示す断面図である。
【図５】一実施の形態の表示装置の製造工程を示す工程フロー図である。
【図６】一実施の形態の表示装置の製造工程のうちの、保護膜形成工程を示す工程フロー図である。
【図７】一実施の形態の表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図８】図７に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図９】図８に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１０】図９に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１１】図１０に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１２】図１１に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１３】図１２に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１４】保護膜形成用の成膜装置の一例を示す説明図である。
【図１５】リモートプラズマＡＬＤを用いた絶縁膜の形成工程を示す、工程フロー図である。
【図１６】ダイレクトプラズマＡＬＤ法を用いた絶縁膜の形成工程を示す、工程フロー図である。
【図１７】パーティクルの付着に関連する課題を説明する説明図である。
【図１８】パーティクルの付着に関連する課題を説明する説明図である。
【図１９】パーティクルの付着に関連する課題を説明する説明図である。
【図２０】第１検討例の表示装置の要部断面図である。
【図２１】第２検討例の表示装置の要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１１】
（実施の形態）
＜表示装置の全体構造について＞
本実施の形態の表示装置は、有機ＥＬ素子を利用した有機ＥＬ表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）である。本実施の形態の表示装置を、図面を参照して説明する。
【００１２】
図１は、本実施の形態の表示装置１の全体構成を示す平面図である。
【００１３】
図１に示される表示装置１は、表示部２と、回路部３とを有している。表示部２には、複数の画素がアレイ状に配列されており、画像の表示を可能としている。回路部３には、必要に応じて種々の回路が形成されており、例えば、駆動回路または制御回路などが形成されている。回路部３内の回路は、必要に応じて、表示部２の画素に接続されている。回路部３は、表示装置１の外部に設けることもできる。表示装置１の平面形状は、種々の形状を採用できるが、例えば矩形状である。
【００１４】
図２は、表示装置１の要部平面図であり、図３は、表示装置１の要部断面図である。図２には、表示装置１の表示部２の一部（図１に示される領域４）を拡大して示してある。図３は、図２のＡ１−Ａ１線の位置での断面図にほぼ対応している。
【００１５】
表示装置１のベースを構成する基板１１は、絶縁性を有している。また、基板１１は、フレキシブル基板（フィルム基板）であり、可撓性を有している。このため、基板１１は、絶縁性を有するフレキシブル基板、すなわちフレキシブル絶縁基板である。基板１１は、更に透光性を有する場合もあり得る。基板１１として、例えばフィルム状のプラスチック基板（プラスチックフィルム）を用いることができる。基板１１は、図１の表示装置１の平面全体に存在しており、表示装置１の最下層を構成している。このため、基板１１の平面形状は、表示装置１の平面形状とほぼ同じであり、種々の形状を採用できるが、例えば矩形状とすることができる。なお、基板１１の互いに反対側に位置する２つの主面のうち、有機ＥＬ素子が配置される側の主面、すなわち後述のパッシベーション膜１２、電極層１３、有機層１４、電極層１５および保護膜１６を形成する側の主面を、基板１１の上面と称することとする。また、基板１１における上面とは反対側の主面を、基板１１の下面と称することとする。
【００１６】
基板１１の上面上には、パッシベーション膜（パッシベーション層）１２が形成されている。パッシベーション膜１２は、絶縁材料（絶縁膜）からなり、例えば酸化シリコン膜からなる。パッシベーション膜１２は、形成しない場合もあり得るが、形成した方がより好ましい。パッシベーション膜１２は、基板１１の上面のほぼ全体にわたって形成することができる。
【００１７】
パッシベーション膜１２は、基板１１側から有機ＥＬ素子（特に有機層１４）への水分の伝達を防止（遮断）する機能を有している。このため、パッシベーション膜１２は、有機ＥＬ素子の下側の保護膜として機能することができる。一方、保護膜１６は、有機ＥＬ素子の上側の保護膜として機能することができ、上側から有機ＥＬ素子（特に有機層１４）への水分の伝達を防止（遮断）する機能を有している。
【００１８】
基板１１の上面上には、パッシベーション膜１２を介して、有機ＥＬ素子が形成されている。有機ＥＬ素子は、電極層１３と有機層１４と電極層１５とからなる。つまり、基板１１上のパッシベーション膜１２上には、電極層１３と有機層１４と電極層１５とが、下から順に形成（積層）されており、これら電極層１３と有機層１４と電極層１５とにより、有機ＥＬ素子が形成されている。
【００１９】
電極層１３は、下部電極層であり、電極層１５は、上部電極層である。電極層１３は、陽極および陰極のうちの一方を構成し、電極層１５は、陽極および陰極のうちの他方を構成する。すなわち、電極層１３が陽極（陽極層）の場合は、電極層１５は陰極（陰極層）であり、電極層１３が陰極（陰極層）の場合は、電極層１５は陽極（陽極層）である。電極層１３および電極層１５は、それぞれ導電膜からなる。
【００２０】
電極層１３および電極層１５のうちの一方は、反射電極として機能できるように、アルミニウム（Ａｌ）膜などの金属膜により形成することが好ましく、また、電極層１３および電極層１５のうちの他方は、透明電極として機能できるように、ＩＴＯ（インジウムスズオキサイド）などからなる透明導体膜により形成することが好ましい。基板１１の下面側から光を取出す、いわゆるボトムエミッション方式を採用する場合は、電極層１３を透明電極とすることができ、基板１１の上面側から光を取出す、いわゆるトップエミッション方式を採用する場合は、電極層１５を透明電極とすることができる。また、ボトムエミッション方式を採用する場合は、基板１１として透光性を有する透明基板（透明フレキシブル基板）を用いることができる。
【００２１】
基板１１上のパッシベーション膜１２上に電極層１３が形成され、電極層１３上に有機層１４が形成され、有機層１４上に電極層１５が形成されているため、電極層１３と電極層１５との間には、有機層１４が介在している。
【００２２】
有機層１４は、少なくとも有機発光層を含んでいる。有機層１４は、有機発光層以外にも、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層および電子注入層のうちの任意の層を、必要に応じて更に含むことができる。このため、有機層１４は、例えば、有機発光層の単層構造、ホール輸送層と有機発光層と電子輸送層との積層構造、あるいは、ホール注入層とホール輸送層と有機発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造などを有することができる。
【００２３】
電極層１３は、例えば、Ｘ方向に延在するストライプ状のパターンを有している。すなわち、電極層１３は、Ｘ方向に延在するライン状の電極（電極パターン）１３ａが、Ｙ方向に所定の間隔で複数配列した構成を有している。電極層１５は、例えば、Ｙ方向に延在するストライプ状のパターンを有している。すなわち、電極層１５は、Ｙ方向に延在するライン状の電極（電極パターン）１５ａが、Ｘ方向に所定の間隔で複数配列した構成を有している。つまり、電極層１３は、Ｘ方向に延在するストライプ状の電極群からなり、電極層１５は、Ｙ方向に延在するストライプ状の電極群からなる。ここで、Ｘ方向とＹ方向とは、互いに交差する方向であり、より特定的には、互いに直交する方向である。また、Ｘ方向およびＹ方向は、基板１１の上面に略平行な方向でもある。
【００２４】
電極層１５を構成する各電極１５ａの延在方向はＹ方向であり、電極層１３を構成する各電極１３ａの延在方向はＸ方向であるため、電極１５ａと電極１３ａとは、平面視において互いに交差している。なお、平面視とは、基板１１の上面に略平行な平面で見た場合を言うものとする。電極１５ａと電極１３ａとの各交差部においては、電極１５ａと電極１３ａとで有機層１４が上下に挟まれた構造を有している。このため、電極１５ａと電極１３ａとの各交差部に、電極１３ａと電極１５ａと電極１３ａ，１５ａ間の有機層１４とで構成される有機ＥＬ素子（画素を構成する有機ＥＬ素子）が形成され、その有機ＥＬ素子により画素が形成される。電極１５ａと電極１３ａとの間に所定の電圧が印加されることで、その電極１５ａ，電極１３ａ間に挟まれた部分の有機層１４中の有機発光層が発光することができる。すなわち、各画素を構成する有機ＥＬ素子が発光することができる。電極１５ａが、有機ＥＬ素子の上部電極（陽極または陰極の一方）として機能し、電極１３ａが、有機ＥＬ素子の下部電極（陽極または陰極の他方）として機能する。
【００２５】
なお、有機層１４は、表示部２全体にわたって形成することもできるが、電極層１３と同じパターン（すなわち電極層１３を構成する複数の電極１３ａと同じパターン）として形成することもでき、あるいは、電極層１５と同じパターン（すなわち電極層１５を構成する複数の電極１５ａと同じパターン）として形成することもできる。いずれにしても、電極層１３を構成する複数の電極１３ａと電極層１５を構成する複数の電極１５ａとの各交点には、有機層１４が存在している。
【００２６】
このように、平面視において、表示装置１の表示部２では、平面視において、基板１１上に有機ＥＬ素子（画素）がアレイ状に複数配列した状態になっている。
【００２７】
なお、ここでは、電極層１３，１５がストライプ状のパターンを有している場合について説明した。このため、アレイ状に配列した複数の有機ＥＬ素子（画素）において、Ｘ方向に並んだ有機ＥＬ同士では、下部電極（電極１３ａ）同士が繋がっており、また、Ｙ方向に並んだ有機ＥＬ同士では、上部電極（電極１５ａ）同士が繋がっている。しかしながら、これに限定されず、アレイ状に配列する有機ＥＬ素子の構造は、種々変更可能である。
【００２８】
例えば、アレイ状に配列した複数の有機ＥＬ素子が、上部電極でも下部電極でも互いにつながっておらず、独立に配置されている場合もあり得る。この場合は、各有機ＥＬ素子は、下部電極と有機層と上部電極との積層構造を有する孤立パターンにより形成され、この孤立した有機ＥＬ素子が、アレイ状に複数配列することになる。この場合は、各画素において有機ＥＬ素子に加えてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などのアクティブ素子を設けるとともに、画素同士を必要に応じて配線を介して接続することができる。
【００２９】
基板１１（パッシベーション膜１２）の上面上には、有機ＥＬ素子を覆うように、従って電極層１３と有機層１４と電極層１５とを覆うように、保護膜（保護層）１６が形成されている。表示部２に有機ＥＬ素子がアレイ状に配列している場合は、それらアレイ状に配列した有機ＥＬ素子を覆うように、保護膜１６が形成されている。このため、保護膜１６は、表示部２全体に形成されていることが好ましく、また、基板１１の上面のほぼ全体上に形成されていることが好ましい。有機ＥＬ素子（電極層１３、有機層１４および電極層１５）を保護膜１６により覆うことで、有機ＥＬ素子（電極層１３、有機層１４および電極層１５）を保護し、また、有機ＥＬ素子への水分の伝達、特に有機層１４への水分の伝達を、保護膜１６によって防止（遮断）することができる。すなわち、保護膜１６を設けたことで、保護膜１６を越えて有機ＥＬ素子側に水分が侵入するのを防止することができる。保護膜１６は、有機ＥＬ素子用の保護膜である。
【００３０】
但し、電極または配線などの一部を、保護膜１６から露出させる必要がある場合もあり得る。そのような場合は、基板１１の上面側の全領域に保護膜１６を形成するのではなく、基板１１の上面側の一部に保護膜１６が形成されない領域を設けておき、そこ（保護膜１６が形成されていない領域）から、電極または配線などの一部を露出させることもできる。但し、そのような場合でも、保護膜１６を形成していない領域から、有機層１４は露出しないようにすることが好ましい。
【００３１】
保護膜１６は、水分に対するバリア性を得られるように、無機絶縁材料により構成されている。すなわち、保護膜１６は、無機絶縁膜である。また、保護膜１６は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）法で形成された絶縁膜、すなわちＡＬＤ膜である。ＡＬＤ法は、原料ガスと反応ガスとを交互に供給することにより、処理対象物上に原子層単位で膜を形成する成膜方法である。保護膜１６の材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムまたは窒化アルミニウムが好ましく、そのうち特に好ましいのは、酸化アルミニウムまたは酸化シリコンである。
【００３２】
本実施の形態では、保護膜１６は、リモートプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜（無機絶縁膜、絶縁層）１６ａと、絶縁膜１６ａ上にダイレクトプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜（無機絶縁膜、絶縁層）１６ｂとの積層膜からなる。すなわち、保護膜１６は、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂとの２つの層を有している。絶縁膜１６ｂは、絶縁膜１６ａ上に、絶縁膜１６ａに接するように形成されている。
【００３３】
なお、保護膜１６を構成する絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂとは、構成元素が互いに同じである。すなわち、保護膜１６は、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ａ上の絶縁膜１６ｂとからなるが、それらの絶縁膜１６ａ，１６ｂは、互いに同じ材料により構成されている。このため、例えば、保護膜１６を構成する絶縁膜１６ａが酸化アルミニウムからなる場合は、保護膜１６を構成する絶縁膜１６ｂも酸化アルミニウムからなる。また、保護膜１６を構成する絶縁膜１６ａが酸化シリコンからなる場合は、保護膜１６を構成する絶縁膜１６ｂも酸化シリコンからなる。このため、保護膜１６は、全体が同じ材料により形成されている。
【００３４】
保護膜１６上には、保護膜１６とは異なる材料からなる絶縁膜１７が形成されている。絶縁膜１７は、好ましくは樹脂膜（樹脂層、樹脂絶縁膜、有機絶縁膜）であり、絶縁膜１７の材料として、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate：ポリエチレンテレフタレート）などを好適に用いることができる。絶縁膜１７は、その形成を省略することもできる。但し、絶縁膜１７を形成しない場合よりも、絶縁膜１７を形成した場合の方が、有利な場合がある。
【００３５】
保護膜１６は、無機絶縁膜である。無機絶縁膜は、水分を通しにくい膜であるが、硬い膜でもある。このため、保護膜１６上に、樹脂膜（絶縁膜１７）を形成することもでき、この樹脂膜（絶縁膜１７）を、表示装置１の最上層の膜として用いることもできる。樹脂膜（絶縁膜１７）は、無機絶縁膜（保護膜１６）に比べて、水分を通しやすいため、水分の侵入を防止する膜としての機能は小さい。しかしながら、樹脂膜（絶縁膜１７）は、無機絶縁膜（保護膜１６）に比べて、柔らかい。このため、保護膜１６上に柔らかい樹脂膜（絶縁膜１７）を形成することで、表示装置１を取り扱いやすくなる。また、樹脂膜（絶縁膜１７）は、物理的な衝撃からの保護膜（機械的保護膜）として機能することができる。また、基板１１としてフレキシブル基板を用いる場合には、保護膜１６上に樹脂膜（絶縁膜１７）を形成することで、曲げに伴う保護膜１６の割れ（クラック）を、防ぎやすくなる。
【００３６】
また、保護膜１６上に絶縁膜１７を形成した場合、保護膜１６と絶縁膜１７とを合わせたものを、保護膜とみなすこともできる。但し、樹脂膜からなる絶縁膜１７を形成した場合、水分の侵入を防止する膜（水分防止膜）として機能するのは、保護膜１６であり、樹脂膜からなる絶縁膜１７は、主として、機械的な保護膜として機能する。水分保護膜（ここでは保護膜１６）は、無機絶縁物からなり、機械的保護膜（ここでは絶縁膜１７）は、樹脂材料（有機絶縁物）からなることが好ましい。
【００３７】
本実施の形態では、表示装置１の基板１１としてフレキシブル基板を用いている。図４は、表示装置１を構成する基板１１（フレキシブル基板）を折り曲げた場合、すなわち、表示装置１を折り曲げた場合を模式的に示す断面図である。図４は、断面図であるが、図面を見やすくするために、ハッチングは省略してある。表示装置１の基板１１としてフレキシブル基板を用いることで、表示装置１の折り曲げが可能になる。また、基板１１は、フレキシブル基板であるが、繰り返しの折り曲げも可能であり、ベンダブル（bendable）基板とみなすこともでき、また、折りたたむことも可能であり、フォルダブル（foldable）基板とみなすこともできる。このため、基板１１は、フレキシブル基板であるが、そのフレキシブル基板には、ベンダブル基板やフォルダブル基板も包括されている。
【００３８】
＜表示装置の製造方法＞
本実施の形態の表示装置１の製造方法について、図面を参照して説明する。図５は、本実施の形態の表示装置１の製造工程を示す、工程フロー図である。図６は、本実施の形態の表示装置１の製造工程のうちの、保護膜１６形成工程の詳細を示す、工程フロー図である。図７〜図１３は、本実施の形態の表示装置１の製造工程中の要部断面図であり、上記図３に相当する領域の断面図が示されている。なお、ここでは、主として、表示装置１の表示部２の製造工程を説明する。
【００３９】
まず、図７に示されるように、ガラス基板９とフレキシブル基板である基板１１とが貼り合わされた基板１０を用意（準備）する（図５のステップＳ１）。基板１１は可撓性を有しているが、基板１１がガラス基板９に貼り合わされていることで、基板１１はガラス基板９に固定される。これにより、基板１１上への各種の膜の形成やその膜の加工などが容易になる。なお、基板１１の下面が、ガラス基板９に貼り付けられている。
【００４０】
次に、図８に示されるように、基板１０の上面上に、パッシベーション膜１２を形成する（図５のステップＳ２）。なお、基板１０の上面は、基板１１の上面と同義である。
【００４１】
パッシベーション膜１２は、スパッタリング法、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法などを用いて形成することができる。パッシベーション膜１２は、絶縁材料からなり、例えば酸化シリコン膜からなる。例えば、ＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜を、パッシベーション膜１２として好適に用いることができる。
【００４２】
次に、図９に示されるように、基板１０の上面上に、すなわちパッシベーション膜１２上に、電極層１３と電極層１３上の有機層１４と有機層１４上の電極層１５とからなる有機ＥＬ素子を形成する。すなわち、パッシベーション膜１２上に、電極層１３と有機層１４と電極層１５とを順に形成する（図５のステップＳ３，Ｓ４，Ｓ５）。この工程は、例えば、次のようにして行うことができる。
【００４３】
すなわち、基板１０の上面上に、すなわちパッシベーション膜１２上に、電極層１３を形成する（図５のステップＳ３）。電極層１３は、例えば、導電膜をパッシベーション膜１２上に形成してから、この導電膜を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを用いてパターニングすることなどにより、形成することができる。それから、電極層１３上に有機層１４を形成する（図５のステップＳ４）。有機層１４は、例えば、マスクを用いた蒸着法（真空蒸着法）などにより、形成することができる。また、有機層１４用の膜を成膜してからその膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを用いてパターニングする手法で、有機層１４を形成することも可能である。それから、有機層１４上に電極層１５を形成する（図５のステップＳ５）。電極層１５は、例えば、マスクを用いた蒸着法などにより、形成することができる。また、電極層１５用の膜を成膜してからその膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを用いてパターニングする手法で、電極層１５を形成することも可能である。
【００４４】
電極層１３と有機層１４と電極層１５とからなる有機ＥＬ素子を形成した後、基板１０の上面上に、すなわち電極層１５上に、保護膜１６を形成する（図５のステップＳ６）。保護膜１６は、有機ＥＬ素子を覆うように形成される。
【００４５】
保護膜１６は、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ａ上の絶縁膜１６ｂとの積層膜からなるため、ステップＳ６の保護膜１６形成工程は、図６に示されるように、ステップＳ６ａの絶縁膜１６ａ形成工程と、ステップＳ６ｂの絶縁膜１６ｂ形成工程と、を有している。ステップＳ６ａの後にステップＳ６ｂが行われる。
【００４６】
このため、ステップＳ６の保護膜１６形成工程は、具体的には次のようにして行うことができる。すなわち、まず、図１０に示されるように、基板１０上に、すなわち電極層１５上に、絶縁膜１６ａをリモートプラズマＡＬＤ法を用いて形成する（図６のステップＳ６ａ）。絶縁膜１６ａは、有機ＥＬ素子を覆うように形成される。それから、図１１に示されるように、絶縁膜１６ａ上に絶縁膜１６ｂを、ダイレクトプラズマＡＬＤ法を用いて形成する（図６のステップＳ６ｂ）。これにより、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂとの積層膜からなる保護膜１６が形成される。ステップＳ６ｂでは、絶縁膜１６ｂは、絶縁膜１６ａ上に、絶縁膜１６ａに接するように形成される。
【００４７】
なお、「リモートプラズマ」とは、成膜用のチャンバ（後述のチャンバ２２に対応）の内部でプラズマを発生させるのではなく、チャンバの外部に設けられたプラズマ生成部（後述のリモートプラズマ生成部３８に対応）でプラズマを生成し、このプラズマ生成部で生成されたプラズマをチャンバの内部に導入（供給）する構成態様を意味している。
【００４８】
また、「ダイレクトプラズマ」とは、成膜用のチャンバ（後述のチャンバ２２に対応）の内部でプラズマを発生させ、プラズマを発生させる放電空間（後述の上部電極２５とサセプタ２４ａとの間の空間２７に対応）に処理対象物（２３）が配置される構成態様を意味している。
【００４９】
また、電極または配線などの一部を、保護膜１６から露出させる必要がある場合もあり得る。そのような場合は、基板１０の上面の全領域に保護膜１６を形成するのではなく、基板１０の上面の一部に保護膜１６が形成されない領域を設けて、そこ（保護膜１６が形成されていない領域）から、電極または配線などの一部を露出させることができる。この場合は、ステップＳ６の保護膜１６形成工程は、例えば次のようにして行うことができる。すなわち、まず、基板１０上に、すなわち電極層１５上に、マスク（メタルマスク）を配置してから、保護膜１６を形成し、その後、そのマスクを取り除く。これにより、マスクで覆われずに露出されていた領域には、保護膜１６が形成されるが、マスクで覆われていた領域には、保護膜１６は形成されない。これにより、有機ＥＬ素子を覆うように保護膜１６を形成することができるとともに、保護膜１６が形成されていない領域から、電極または配線などを必要に応じて露出させることができる。
【００５０】
保護膜１６を形成すると、電極層１３と有機層１４と電極層１５とからなる有機ＥＬ素子は、保護膜１６で覆われる。複数の有機ＥＬ素子がアレイ状に配列している場合は、それら複数の有機ＥＬ素子が保護膜１６で覆われる。
【００５１】
ステップＳ６で保護膜１６を形成した後、図１２に示されるように、基板１０の上面上に、すなわち保護膜１６上に、絶縁膜１７を形成する（図５のステップＳ７）。保護膜１６の最上層は絶縁膜１６ｂであるので、絶縁膜１６ｂ上に絶縁膜１７が形成される。絶縁膜１７は、好ましくは樹脂膜であり、例えばＰＥＴなどからなり、スピンコート法（塗布法）などを用いて形成することができる。
【００５２】
その後、図１３に示されるように、基板１１をガラス基板９から引きはがすことにより、基板１１とその上面上の構造体とを、ガラス基板９から分離する。このようにして、表示装置１を製造することができる。
【００５３】
＜成膜装置について＞
図１４は、保護膜１６形成用の成膜装置２１の一例を示す説明図（断面図）である。成膜装置２１は、ＡＬＤ法を用いて成膜を行う成膜装置であり、ＡＬＤ装置またはＡＬＤ成膜装置とみなすことができる。また、本実施の形態では、成膜装置２１として、プラズマＡＬＤ装置（プラズマＡＬＤ成膜装置）を使用し、保護膜１６の形成には、ＡＬＤ法として、プラズマＡＬＤ法を用いている。プラズマＡＬＤ装置においては、反応活性を高めるために、プラズマ放電を行って反応ガスをプラズマ化する。このため、プラズマＡＬＤ装置では、プラズマ放電を行うため、平行平板電極などが使用される。
【００５４】
また、本実施の形態では、保護膜１６は、リモートプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜１６ａと、絶縁膜１６ａ上にダイレクトプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜１６ｂとの積層膜からなる。リモートプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜１６ａと、ダイレクトプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜１６ｂとは、同じ成膜装置２１で形成することが好ましい。このため、成膜装置２１は、リモートプラズマＡＬＤ法による成膜と、ダイレクトプラズマＡＬＤ法による成膜とが、可能である。
【００５５】
図１４に示されるように、成膜装置２１は、ＡＬＤ法による成膜が行われるチャンバ（成膜室、成膜容器）２２を有している。チャンバ２２は、その内部に配置された処理対象物２３に対する成膜処理を行うための成膜容器である。
【００５６】
チャンバ２２は、天板部２２ａと、底板部（図示せず）と、天板部２２ａと底板部とを繋ぐ（連結する）側壁部２２ｂと、を有している。天板部２２ａにより、チャンバ２２の上面が形成され、底板部により、チャンバ２２の底面が形成され、側壁部２２ｂにより、チャンバ２２の側面が形成される。
【００５７】
なお、本実施の形態において、「チャンバ２２の上面」と言うときは、「チャンバ２２の内側（内面）における上面」のことを指し、「チャンバ２２の側面」と言うときは、「チャンバ２２の内側（内面）における側面」のことを指し、「チャンバ２２の底面」と言うときは、「チャンバ２２の内側（内面）における底面」のことを指すものとする。
【００５８】
チャンバ２２内には、処理対象物２３を搭載（配置）するためのステージ２４が配置されている。ステージ２４は、処理対象物２３を保持するためのサセプタ（基板保持体）２４ａと、サセプタ２４ａを支持するステージ本体部２４ｂと、を有している。処理対象物２３は、サセプタ２４ａ上に配置されて保持されている。サセプタ２４ａは、導電性を有している。ステージ２４（より特定的にはサセプタ２４ａ）は、下部電極としての機能も有している。また、ステージ２４は、ヒータ（図示せず）などを備えており、ステージ２４上に配置した処理対象物２３を加熱し、処理対象物２３の温度を所望の温度に調整することができるようになっている。
【００５９】
ここでは、ステージ本体部２４ｂとサセプタ２４ａとを合わせたものをステージ２４とみなしているが、別の見方をすると、ステージ本体部２４ｂをステージとみなし、そのステージ上にサセプタ２４ａが配置され、そのサセプタ２４ａ上に処理対象物２３が搭載されるとみなすこともできる。
【００６０】
チャンバ２２内には、ステージ２４（サセプタ２４ａ）の上方に上部電極（平板電極）２５が配置されている。上部電極２５とサセプタ２４ａとは、互いに対向し、サセプタ２４ａの上部電極２５に対向する側の主面（上面）上に、処理対象物２３が配置される。上部電極２５は、サセプタ２４ａと対向する対向面（下面）を有する。上部電極２５は、チャンバ２２の天板部２２ａに支持（保持）されている。上部電極２５と、下部電極（ここではサセプタ２４ａ）とにより、平行平板電極が構成される。
【００６１】
上部電極２５には、高周波電源２６が電気的に接続されている。高周波電源２６は、チャンバ２２の外に配置することができる。高周波電源２６によって上部電極２５に、従って上部電極２５とステージ２４（より特定的にはサセプタ２４ａ）との間に、高周波電力を印加することができ、それによって、上部電極２５とステージ２４（より特定的にはサセプタ２４ａ）との間に、高周波電界を発生させることができる。サセプタ２４ａは、好ましくは、接地電位（グランド電位）に接続されている。上部電極２５とステージ２４（サセプタ２４ａ）との間の空間２７が、ダイレクトプラズマＡＬＤ法による成膜の際に、プラズマ（プラズマ放電）が生成される空間（放電空間、プラズマ放電空間、プラズマ生成空間）となる。高周波電源２６により印加される高周波電力の周波数は、例えば１３．５６ＭＨｚである。
【００６２】
チャンバ２２の側壁部２２ｂには、チャンバ２２内にガスを導入（供給）するための開口部（ガス供給口）２８と、チャンバ２２内からガスを排気（排出）するための開口部（ガス排気口）２９と、が設けられている。チャンバ２２の側壁部２２ｂにおいて、開口部２８と開口部２９とは、上記空間２７を挟んで互いに対向する位置に設けられている。具体的には、チャンバ２２の側壁部２２ｂは、互いに対向する側面（チャンバの側面）３１ａ，３１ｂを有しており、そのうちの一方の側面３１ａに開口部２８が設けられ、他方の側面３１ｂに開口部２９が設けられている。チャンバ２２の開口部２８には、原料ガス導入経路３３と、パージガス導入経路３４と、反応ガス導入経路３５と、パージガス導入経路３６と、ラジカル導入経路３７とが接続されている（つながっている）。
【００６３】
原料ガス導入経路３３は、図示しない原料ガス供給部と接続されており、その原料ガス供給部から、原料ガス導入経路３３および開口部２８を介して、チャンバ２２内に原料ガスを導入（供給）できるようになっている。
【００６４】
また、パージガス導入経路３４は、図示しないパージガス供給部と接続されており、そのパージガス供給部から、パージガス導入経路３４および開口部２８を介して、チャンバ２２内にパージガスを導入（供給）できるようになっている。
【００６５】
また、反応ガス導入経路３５は、図示しない反応ガス供給部と接続されており、その反応ガス供給部から、反応ガス導入経路３５および開口部２８を介して、チャンバ２２内に反応ガスを導入（供給）できるようになっている。
【００６６】
また、パージガス導入経路３６は、図示しないパージガス供給部と接続されており、そのパージガス供給部から、パージガス導入経路３６および開口部２８を介して、チャンバ２２内にパージガスを導入（供給）できるようになっている。
【００６７】
また、ラジカル導入経路３７は、リモートプラズマ生成部（プラズマ生成部、プラズマ供給部、プラズマソース）３８と接続されており、リモートプラズマ生成部３８で生成されたプラズマ（ラジカル）を、ラジカル導入経路（プラズマ導入経路）３７および開口部２８を介して、チャンバ２２内に導入（供給）できるようになっている。リモートプラズマ生成部３８は、リモートプラズマ生成部３８に供給された反応ガスをプラズマ化して、その反応ガスのラジカル（活性種）を生成することができる。リモートプラズマ生成部３８は、チャンバ２２の外部に設けられている。
【００６８】
チャンバ２２の開口部２９は、真空ポンプなどからなる排気部３９に接続されており、開口部２９を介してチャンバ２２内からガスを排気（排出）するとともに、チャンバ２２内を所定の圧力に制御できるようになっている。すなわち、チャンバ２２内は、真空に維持することもでき、また、所望の圧力に制御することもできる。排気部３９は、チャンバ２２の外部に設けられている。
【００６９】
開口部２８から導入されたガスは、チャンバ２２内の上記空間２７を通って、開口部２９から排気される。すなわち、開口部２８からチャンバ２２内に導入されたガスは、開口部２８から開口部２９に向けて流れるため、開口部２８と開口部２９との間にある上記空間２７を通過する。このため、成膜処理の際には、上記空間２７に、原料ガス、パージガス、反応ガス、または、ラジカルを含むガスを供給する（流す）ことができる。
【００７０】
＜成膜工程について＞
次に、成膜装置２１を用いた保護膜１６の形成工程について、説明する。図１５は、絶縁膜１６ａの形成工程を示す、工程フロー図である。図１６は、絶縁膜１６ｂの形成工程を示す、工程フロー図である。保護膜１６の形成工程は、例えば、次のようにして行うことができる。
【００７１】
保護膜１６形成工程より前の工程を終了した後、保護膜１６形成工程を行うために、処理対象物を、成膜装置２１のチャンバ２２内のステージ２４（より特定的にはサセプタ２４ａ）上に配置する。ここで、ステージ２４上に配置される処理対象物２３は、上記パッシベーション膜１２、電極層１３、有機層１４および電極層１５などが形成された基板１０であり、基板１０上に図９の構造が形成されており、図１４では、符号２３を付して処理対象物２３として示してある。チャンバ２２内において、ステージ２４上に配置された処理対象物２３は、上部電極２５とステージ２４（サセプタ２４ａ）との間に配置された状態となっている。
【００７２】
次に、以下に説明するステップＳ１１、ステップＳ１２、ステップＳ１３およびステップＳ１４を、複数サイクル繰り返すことで、チャンバ２２内のステージ２４（サセプタ２４ａ）上に配置された処理対象物２３の表面上に、絶縁膜１６ａを所望の厚さに形成することができる。
【００７３】
以下、具体的に説明する。
【００７４】
まず、ステップＳ１１（原料ガス供給ステップ）として、原料ガス供給部（図示せず）から、原料ガス導入経路３３および開口部２８を介して、チャンバ２２内に原料ガスを導入（供給）する。絶縁膜１６ａとして酸化アルミニウム膜を成膜する場合は、原料ガスとしては、例えばＴＭＡ（Trimethylaluminium：トリメチルアルミニウム）ガスを用いることができる。開口部２８からチャンバ２２内に導入された原料ガスは、主として、上部電極２５とステージ２４（サセプタ２４ａ）との間の空間２７を通って、開口部２９から排気される。ステップＳ１１を行うと、ステージ２４上に配置された処理対象物２３の表面上に、原料ガスの分子が吸着する。すなわち、処理対象物２３の表面に、原料ガスの吸着層が形成される。
【００７５】
次に、ステップＳ１２（パージステップ）として、チャンバ２２内への原料ガスの導入を停止し、パージガス供給部（図示せず）から、パージガス導入経路３４および開口部２８を介して、チャンバ２２内にパージガスを導入（供給）する。パージガスとしては、不活性ガスを好適に用いることができ、窒素ガス（Ｎ２ガス）を用いる場合もあり得る。チャンバ２２内にパージガスを導入することで、処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子（原料ガスの吸着層）は残存するが、それ以外の原料ガス（処理対象物２３に吸着していない原料ガス）は、パージガスと一緒に開口部２９からチャンバ２２外に排出される（パージされる）。開口部２８からチャンバ２２内に導入されたパージガスは、主として、上部電極２５とステージ２４（サセプタ２４ａ）との間の空間２７を通って、開口部２９から排気される。
【００７６】
次に、ステップＳ１３（ラジカル供給ステップ）として、リモートプラズマ生成部３８で反応ガスのプラズマを生成し、リモートプラズマ生成部３８で生成されたプラズマ（反応ガスのプラズマ）を、ラジカル導入経路３７および開口部２８を介して、チャンバ２２内に導入（供給）する。すなわち、リモートプラズマ生成部３８に反応ガスを供給してその反応ガスをリモートプラズマ生成部３８でプラズマ化し、それによって生成されたラジカル（ラジカルを含むガス）を、ラジカル導入経路３７および開口部２８を介して、チャンバ２２内に導入（供給）する。絶縁膜１６ａとして酸化アルミニウム膜を成膜する場合は、反応ガスとしては、例えば酸素ガス（Ｏ２ガス）を用いることができ、リモートプラズマ生成部３８で生成されて、開口部２８からチャンバ２２内に導入されるラジカルは、酸素ラジカルである。開口部２８からチャンバ２２内に導入されたガス（ラジカルを含むガス）は、主として、上部電極２５とステージ２４（サセプタ２４ａ）との間の空間２７を通って、開口部２９から排気されるが、処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子（原料ガスの吸着層）がラジカル（ここでは酸素ラジカル）と反応する。これにより、処理対象物２３の表面に、原料ガスの吸着層とラジカルとの反応層である酸化アルミニウムの原子層（一層）が形成される。
【００７７】
次に、ステップＳ１４（パージステップ）として、チャンバ２２内へのラジカル（ラジカルを含むガス）の導入を停止し、パージガス供給部（図示せず）から、パージガス導入経路３６および開口部２８を介して、チャンバ２２内にパージガスを導入（供給）する。パージガスとしては、不活性ガスを好適に用いることができ、窒素ガス（Ｎ２ガス）を用いる場合もあり得る。ステップＳ１２で使用するパージガスと、ステップＳ１４で使用するパージガスとは、互いに同じであってもよい。チャンバ２２内にパージガスを導入することで、チャンバ２内のラジカル（ラジカルを含むガス）は、パージガスと一緒に開口部２９からチャンバ２２外に排気される（パージされる）。開口部２８からチャンバ２２内に導入されたパージガスは、主として、上部電極２５とステージ２４（サセプタ２４ａ）との間の空間２７を通って、開口部２９から排気される。
【００７８】
このようなステップＳ１１、ステップＳ１２、ステップＳ１３およびステップＳ１４を、複数サイクル繰り返すことで、処理対象物２３の表面上に、絶縁膜１６ａを所望の厚さに形成することができる。例えば、ステップＳ１１、ステップＳ１２、ステップＳ１３およびステップＳ１４を、２０サイクル繰り返せば、２０層の原子層からなる絶縁膜１６ａが形成され、また、ステップＳ１１、ステップＳ１２、ステップＳ１３およびステップＳ１４を、４０サイクル繰り返せば、４０層の原子層からなる絶縁膜１６ａが形成されることになる。
【００７９】
なお、ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４においては、チャンバ２２内の上部電極２５と下部電極（ここではサセプタ２４ａ）との間には高周波電力は印加していない。このため、絶縁膜１６ａ形成工程において、プラズマ（ラジカル）が生成されるのは、チャンバ２２内ではなく、チャンバ２２外のリモートプラズマ生成部３８であり、チャンバ２２外のリモートプラズマ生成部３８で生成されたプラズマ（ラジカル）が、チャンバ２２内に導入される。
【００８０】
このようにして、絶縁膜１６ａを形成した後、以下に説明するステップＳ２１、ステップＳ２２、ステップＳ２３およびステップＳ２４を、複数サイクル繰り返すことで、絶縁膜１６ａ上に、絶縁膜１６ｂを所望の厚さに形成することができる。
【００８１】
以下、具体的に説明する。
【００８２】
まず、ステップＳ２１（原料ガス供給ステップ）として、原料ガス供給部（図示せず）から、原料ガス導入経路３３および開口部２８を介して、チャンバ２２内に原料ガスを導入（供給）する。ステップＳ２１で使用する原料ガスは、上記ステップＳ１１で使用する原料ガスと同様である。開口部２８からチャンバ２２内に導入された原料ガスは、主として、上部電極２５とステージ２４（サセプタ２４ａ）との間の空間２７を通って、開口部２９から排気される。ステップＳ２１を行うと、ステージ２４上に配置された処理対象物２３の表面（より特定的には処理対象物２３の表面に形成された絶縁膜１６ａの表面）上に、原料ガスの分子が吸着する。すなわち、処理対象物２３の表面に、原料ガスの吸着層が形成される。
【００８３】
次に、ステップＳ２２（パージステップ）として、チャンバ２２内への原料ガスの導入を停止し、パージガス供給部（図示せず）から、パージガス導入経路３４および開口部２８を介して、チャンバ２２内にパージガスを導入（供給）する。ステップＳ２２で使用するパージガスは、上記ステップＳ１２で使用するパージガスと同様である。チャンバ２２内にパージガスを導入することで、処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子（原料ガスの吸着層）は残存するが、それ以外の原料ガス（処理対象物２３に吸着していない原料ガス）は、パージガスと一緒に開口部２９からチャンバ２２外に排出される（パージされる）。開口部２８からチャンバ２２内に導入されたパージガスは、主として、上部電極２５とステージ２４（サセプタ２４ａ）との間の空間２７を通って、開口部２９から排気される。
【００８４】
次に、ステップＳ２３（反応ガス供給ステップ）として、反応ガス供給部（図示せず）から、反応ガス導入経路３５および開口部２８を介して、チャンバ２２内に反応ガスを導入（供給）する。反応ガス導入経路３５を通って開口部２８からチャンバ２２内に導入される反応ガスは、プラズマ化されていない反応ガスである。開口部２８からチャンバ２２内に導入された反応ガスは、主として、上部電極２５とステージ２４（サセプタ２４ａ）との間の空間２７を通って、開口部２９から排気される。そして、高周波電源２６により、上部電極２５に、従って上部電極２５とステージ２４（より特定的にはサセプタ２４ａ）との間に、高周波電力を印加する。これにより、上部電極２５とステージ２４（サセプタ２４ａ）との間にプラズマ放電が発生し、空間２７の反応ガス（ここではＯ２ガス）はプラズマ化して、反応ガスにラジカル（活性種）が生成され、処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子（原料ガスの吸着層）が反応ガス（反応ガス中のラジカル）と反応する。これにより、処理対象物２３の表面に、原料ガスの吸着層と反応ガス（反応ガス中のラジカル）との反応層である酸化アルミニウムの原子層（一層）が形成される。
【００８５】
なお、ステップＳ２３で使用する反応ガスは、上記ステップＳ１３で使用する反応ガスと同様であり、絶縁膜１６ｂとして酸化アルミニウム膜を成膜する場合は、反応ガスとしては、例えば酸素ガス（Ｏ２ガス）を用いることができ、チャンバ２内で反応ガスがプラズマ化されることで生成されるラジカルは、酸素ラジカルである。
【００８６】
次に、ステップＳ２４（パージステップ）として、チャンバ２２内への反応ガスの導入と上部電極２５への高周波電力の印加を停止し、パージガス供給部（図示せず）から、パージガス導入経路３６および開口部２８を介して、チャンバ２２内にパージガスを導入（供給）する。ステップＳ２４で使用するパージガスは、上記ステップＳ１４で使用するパージガスと同様である。チャンバ２２内にパージガスを導入することで、チャンバ２内の反応ガスは、パージガスと一緒に開口部２９からチャンバ２２外に排気される（パージされる）。開口部２８からチャンバ２２内に導入されたパージガスは、主として、上部電極２５とステージ２４（サセプタ２４ａ）との間の空間２７を通って、開口部２９から排気される。
【００８７】
このようなステップＳ２１、ステップＳ２２、ステップＳ２３およびステップＳ２４を、複数サイクル繰り返すことで、処理対象物２３の表面上に、すなわち絶縁膜１６ａ上に、絶縁膜１６ｂを所望の厚さに形成することができる。例えば、ステップＳ２１、ステップＳ２２、ステップＳ２３およびステップＳ２４を、５０サイクル繰り返せば、５０層の原子層からなる絶縁膜１６ｂが形成され、また、ステップＳ２１、ステップＳ２２、ステップＳ２３およびステップＳ２４を、１００サイクル繰り返せば、１００層の原子層からなる絶縁膜１６ｂが形成されることになる。
【００８８】
なお、ステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２４においては、チャンバ２２内の上部電極２５と下部電極（ここではサセプタ２４ａ）との間には高周波電力は印加していないが、ステップＳ２３においては、チャンバ２２内の上部電極２５と下部電極（ここではサセプタ２４ａ）との間に高周波電力を印加する。また、ステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３，Ｓ２４においては、リモートプラズマ生成部３８ではプラズマを生成せず、リモートプラズマ生成部３８から開口部２８を介してチャンバ２２内へは、プラズマ（ラジカル）を導入していない。このため、絶縁膜１６ｂ形成工程において、プラズマ（ラジカル）が生成されるのは、チャンバ２２外のリモートプラズマ生成部３８ではなく、チャンバ２２内（より特定的には上部電極２５とサセプタ２４ａとの間の空間２７）である。ステップＳ２３では、チャンバ２２内に反応ガスを供給し、チャンバ２２内でその反応ガスのプラズマを生成する。
【００８９】
また、ステップＳ１１で用いる原料ガスとステップＳ２１で用いる原料ガスとを互いに同じ（酸化アルミニウム膜を形成する場合はＴＭＡガス）にし、ステップＳ１３で用いる反応ガスとステップＳ２３で用いる反応ガスとを互いに同じ（酸化アルミニウム膜を形成する場合は酸素ガス）にすることで、絶縁膜１６ａの構成元素と絶縁膜１６ｂの構成元素とを互いに同じにすることができる。
【００９０】
このようにして、絶縁膜１６ｂが形成される。これにより、処理対象物２３上に、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ａ上の絶縁膜１６ｂとからなる保護膜１６を形成することができる。
【００９１】
チャンバ２２内のステージ２４（サセプタ２４ａ）上に配置された処理対象物２３上への保護膜１６の形成が終了したら、処理対象物２３は、成膜装置２１のチャンバ２２内からチャンバ２２外に搬出され、次の工程に送られる。
【００９２】
＜検討の経緯について＞
有機ＥＬ素子は、水分に弱いため、有機ＥＬ素子を覆うように保護膜（水分保護膜）を形成して、有機ＥＬ素子への水分の伝達を防ぐことが望ましい。この保護膜には、水分の侵入を防止する効果が高い無機絶縁膜を用いることが望ましい。また、有機ＥＬ素子は高温に弱いため、保護膜の成膜温度は、有機ＥＬ素子に悪影響を及ぼさないように、比較的低温であることが好ましく、従って、保護膜としては、比較的低温度で成膜が可能な材料膜を用いることが好ましい。
【００９３】
ところで、本発明者は、有機ＥＬ素子を形成する基板として、フレキシブル基板を用いることを検討している。フレキシブル基板は、可撓性を有しているため、折り曲げることが可能である。有機ＥＬ表示装置の基板としてフレキシブル基板を用いれば、その表示装置の折り曲げが可能になる。
【００９４】
フレキシブル基板を用いる場合は、フレキシブル基板と一緒に保護膜も折り曲げられることになるため、保護膜においても折り曲げ耐性が重要になる。しかしながら、無機絶縁膜は、保護膜（水分保護膜）としては優れているが、樹脂膜などに比べて硬い材料であるため、基板としてフレキシブル基板を用いる場合には、曲げに伴って無機絶縁膜からなる保護膜にクラックが生じるリスクがある。すなわち、フレキシブル基板を小さな折り曲げ半径で折り曲げると、それに伴い保護膜も小さな折り曲げ半径で折り曲げられることになり、その曲げに伴って保護膜にクラックが発生するリスクがある。保護膜にクラックが発生してしまうと、そのクラックを通じて有機ＥＬ素子側へ水分が侵入してしまい、その水分が有機ＥＬ素子に伝達され、有機ＥＬ素子の劣化を引き起こす虞がある。これは、有機ＥＬ素子の信頼性の低下や、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）の信頼性の低下につながってしまう。
【００９５】
そこで、保護膜の厚さを薄くすることで、保護膜の折り曲げ耐性を向上させることが考えられる。保護膜の厚さを薄くすれば、保護膜の折り曲げ耐性が向上し、折り曲げに伴う保護膜のクラックが生じにくくなる。
【００９６】
なお、保護膜の折り曲げ耐性とは、折曲げ試験に対する耐久性に対応しており、また、折曲げ試験とは、折り曲げ動作を多数回繰り返す試験に対応している。折り曲げ動作を多数回繰り返しても、保護膜にクラックなどの不具合が生じなければ、保護膜の折り曲げ耐性が向上したと判断することができる。
【００９７】
また、本発明者は、有機ＥＬ素子用の保護膜を、ＡＬＤ法で形成することを検討している。その理由について、図１７〜図１９を参照して説明する。図１７〜図１９は、パーティクルの付着に関連する課題を説明する説明図（断面図）である。
【００９８】
図１７は、保護膜を形成する処理を行う処理対象物２３が示されているが、この処理対象物２３は、上述のように、上記基板１０とパッシベーション膜１２と電極層１３と有機層１４と電極層１５とを合わせたものに対応している。
【００９９】
図１７には、保護膜を形成する直前の段階での処理対象物２３が示されているが、この段階で、図１７に示されるように、処理対象物２３の表面にパーティクル（粒子、異物）４１が付着している場合がある。例えば、保護膜形成前の種々の工程（例えば成膜工程）に起因して発生したパーティクル４１が処理対象物２３に付着する場合や、あるいは、保護膜形成用の成膜装置に処理対象物２３を搬送して保護膜の成膜を開始するまでにその成膜装置内に存在していたパーティクル４１が処理対象物２３に付着する場合などがあり得る。処理対象物２３の表面にパーティクル４１が付着するのを完全に防止することは容易ではない。このため、製造工程を管理しやすくし、有機ＥＬ表示装置などを製造しやすくするためには、処理対象物２３の表面にパーティクル４１がある程度付着するのを許容して、保護膜を形成することが望まれる。
【０１００】
図１８および図１９は、図１７のようにパーティクル４１が付着している処理対象物２３に対して保護膜を形成した状態が示されている。図１８および図１９のうち、図１８は、ＣＶＤ法で保護膜４２を形成した場合が示され、図１９は、ＡＬＤ法で保護膜４３を形成した場合が示されている。なお、保護膜４２および保護膜４３は、本実施の形態の保護膜１６に相当するものである。
【０１０１】
処理対象物２３にパーティクル４１が付着した状態で、ＣＶＤ法を用いて保護膜４２を形成した場合には、処理対象物２３の表面と、処理対象物２３に付着しているパーティクル４１の表面とに保護膜４２が形成される。しかしながら、ＣＶＤ法を用いて保護膜４２を形成した場合には、図１８に示されるように、処理対象物２３の表面およびパーティクル４１の表面のうち、パーティクル４１で遮蔽される領域には保護膜４２は形成されにくくなってしまうため、処理対象物２３とパーティクル４１との接着領域の近傍では、保護膜４２が形成されなくなってしまう。このため、保護膜４２を形成した後にパーティクル４１が脱落して不具合を生じる虞がある。例えば、保護膜４２を形成した後にパーティクル４１が脱落してしまうと、パーティクル４１が脱落した箇所では、保護膜４２が形成されていないため、そこから水分が侵入してしまい、その水分が有機ＥＬ素子に伝達されて有機ＥＬ素子の劣化を引き起こす虞がある。これは、有機ＥＬ素子の信頼性の低下や、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）の信頼性の低下につながってしまう。ＣＶＤ法を用いて保護膜４２を形成した場合には、パーティクル４１の脱落を防ぐためには、保護膜４２をかなり厚くする必要があるが、保護膜４２を厚くしてしまうと、フレキシブル基板と一緒に保護膜４２も折り曲げた際に、保護膜４２にクラックが発生するリスクが高くなってしまう。
【０１０２】
処理対象物２３にパーティクル４１が付着した状態で、ＡＬＤ法を用いて保護膜４３を形成した場合には、処理対象物２３の表面と、処理対象物２３に付着しているパーティクル４１の表面とに保護膜４３が形成される。ＡＬＤ法は、形成する膜の下地に対するカバレッジに優れた成膜法であるため、ＡＬＤ法を用いて保護膜４３を形成した場合には、図１９に示されるように、処理対象物２３の表面およびパーティクル４１の表面のうち、パーティクル４１で遮蔽される領域にも保護膜４３を形成しやすくなり、処理対象物２３とパーティクル４１との接着領域の近傍でも、保護膜４３を形成することができる。すなわち、図１９のように、保護膜４３は、パーティクル４１が付着した処理対象物２３の表面全体に形成されるとともに、パーティクル４１の表面全体が保護膜４３で覆われため、パーティクル４１の表面を覆う保護膜４３と、処理対象物２３の表面を覆う保護膜４３とが、連続的に繋がった状態になる。このため、保護膜４３の形成後は、パーティクル４１は保護膜４３によって保持され、パーティクル４１は脱落しにくくなるため、パーティクル４１の脱落に伴う不具合は生じにくくなる。
【０１０３】
このため、ＣＶＤ法を用いて保護膜４２を形成した場合に比べて、ＡＬＤ法を用いて保護膜４３を形成した場合の方が、保護膜の厚さを薄くすることができ、それによって、フレキシブル基板と一緒に保護膜も折り曲げた際に、保護膜にクラックが発生するリスクを低くすることができる。
【０１０４】
このため、本発明者は、保護膜をＡＬＤ法で形成することを検討しており、特にプラズマＡＬＤ法で形成することを検討している。プラズマＡＬＤ法は、比較的低温での成膜が可能であるため、高温に弱い有機ＥＬ素子が形成された後に形成する必要がある保護膜の成膜法としても適している。
【０１０５】
図２０は、本発明者が検討した第１検討例の表示装置の要部断面図であり、上記図３に相当する断面が示されている。図２０の第１検討例において、保護膜１１６は、本実施の形態の保護膜１６に相当するものであるが、本実施の形態とは異なり、保護膜１１６全体が、ダイレクトプラズマＡＬＤ法によって形成されている。すなわち、保護膜１１６は、ダイレクトプラズマＡＬＤ法によって形成された１つの絶縁膜だけで構成されており、上記絶縁膜１６ａに相当するものは、図２０の第１検討例では形成されていない。
【０１０６】
しかしながら、本発明者が検討したところ、図２０の第１検討例の場合は、次のような課題が生じることが分かった。
【０１０７】
すなわち、図２０の第１検討例の場合は、ダイレクトプラズマＡＬＤ法により保護膜１１６を形成する際に、有機ＥＬ素子がダメージを受けてしまう虞がある。なぜなら、ダイレクトプラズマＡＬＤ法では、上部電極と下部電極との間に処理対象物を配置した状態で、上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加してプラズマ放電を発生させるため、生成されたプラズマ中の電子やイオンが処理対象物に衝突して、物理的な衝撃を与えるからである。この物理的な衝撃により、有機ＥＬ素子がダメージを受けてしまう虞がある。ダイレクトプラズマＡＬＤ法により保護膜１１６を形成する際に有機ＥＬ素子がダメージを受けてしまうと、表示装置の信頼性が低下してしまう虞がある。例えば、有機ＥＬ素子のダメージは、表示装置のダークスポットの原因となる可能性がある。
【０１０８】
＜主要な特徴と効果について＞
本実施の形態の主要な特徴のうちの一つは、基板１１としてフレキシブル基板を用いたことである。本実施の形態の主要な特徴のうちの他の一つは、無機絶縁材料からなる保護膜１６が、リモートプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜１６ａと、絶縁膜１６ａ上にダイレクトプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜１６ｂとを有する積層膜からなることである。
【０１０９】
本実施の形態では、保護膜１６をプラズマＡＬＤ法で形成している。このため、処理対象物２３に上記パーティクル４１が付着した状態で保護膜１６を形成する場合でも、その保護膜１６はプラズマＡＬＤ法で形成されるため、上記図１９を参照して説明した理由により、保護膜１６の形成後は、パーティクル４１は保護膜１６によって保持され、パーティクル４１の脱落を防止することができる。これにより、パーティクル４１の脱落に伴う不具合を防止することができるため、有機ＥＬ素子の信頼性を向上させることができ、また、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の信頼性を向上させることができる。なお、処理対象物２３にパーティクル４１が付着した状態で保護膜１６をＡＬＤ法で形成した場合も、上記図１９の状態と同じになる。
【０１１０】
しかしながら、本実施の形態とは異なり、上記図２０の第１検討例のように、保護膜１１６全体をダイレクトプラズマＡＬＤ法により形成した場合には、上述したように、保護膜１１６を形成する際に有機ＥＬ素子がダメージ（電子やイオンによる物理的衝撃に起因したダメージ）を受けてしまう虞がある。
【０１１１】
それに対して、本実施の形態では、保護膜１６の最下層は、ダイレクトプラズマＡＬＤ法ではなくリモートプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜１６ａである。リモートプラズマＡＬＤ法により絶縁膜１６ａを形成しているため、絶縁膜１６ａを形成する際に、有機ＥＬ素子にはダメージが生じずに済む。なぜなら、リモートプラズマＡＬＤ法では、プラズマ放電空間に処理対象物が配置されるのではなく、チャンバの外部で生成されたプラズマをチャンバの内部に導入しているため、プラズマ中の電子やイオンが処理対象物に衝突して物理的な衝撃を与えてしまうのを防止できるからである。つまり、ダイレクトプラズマＡＬＤ法による成膜では、処理対象物に対して電子やイオンにより物理的衝撃が加わってしまうが、リモートプラズマＡＬＤ法による成膜では、処理対象物に対してそのような物理的衝撃は加わらずに済む。このため、本実施の形態では、リモートプラズマＡＬＤ法を用いて絶縁膜１６ａを形成することで、絶縁膜１６ａを形成する際に、有機ＥＬ素子に電子やイオンの物理的衝撃が加わるのを防止することができ、それによって、有機ＥＬ素子にダメージが生じるのを防止することができる。
【０１１２】
図２１は、本発明者が検討した第２検討例の表示装置の要部断面図であり、上記図３や図２０に相当する断面が示されている。図２１の第２検討例において、保護膜２１６は、本実施の形態の保護膜１６に相当するものであるが、本実施の形態とは異なり、保護膜２１６全体が、リモートプラズマＡＬＤ法によって形成されている。すなわち、保護膜２１６は、リモートプラズマＡＬＤ法によって形成された１つの絶縁膜だけで構成されており、上記絶縁膜１６ｂに相当するものは、図２１の第２検討例では形成されていない。
【０１１３】
図２１の第２検討例の場合も、保護膜２１６をリモートプラズマＡＬＤ法によって形成しているため、保護膜２１６を形成する際に、有機ＥＬ素子にはダメージが生じずに済む。しかしながら、図２１の第２検討例の場合は、保護膜２１６全体がリモートプラズマＡＬＤ法によって形成されているため、保護膜２１６の水分に対するバリア性が低くなり、保護膜２１６の単位厚さ当たりの水分透過率が高くなってしまう。なぜなら、ダイレクトプラズマＡＬＤ法に比べて、リモートプラズマＡＬＤ法では、緻密な膜（密度が高い膜）を形成することが困難であるため、水分に対するバリア性の高い膜を形成することが難しく、形成した膜の単位厚さ当たりの水分透過率が高くなってしまうからである。ダイレクトプラズマＡＬＤ法に比べて、リモートプラズマＡＬＤ法では、処理対象物の上方空間におけるプラズマ密度が低いため、成膜に必要なラジカルの密度も低くなり、処理対象物の表面に吸着していた原料ガス分子とラジカルとの反応性が低くなるので、形成される膜の密度（膜密度）が低くなると考えられる。
【０１１４】
それに対して、本実施の形態では、リモートプラズマＡＬＤ法によって形成した絶縁膜１６ａ上に、ダイレクトプラズマＡＬＤ法で絶縁膜１６ｂを形成している。リモートプラズマＡＬＤ法に比べて、ダイレクトプラズマＡＬＤ法は、緻密な膜を形成することできるため、水分に対するバリア性の高い膜を形成することができる。すなわち、リモートプラズマＡＬＤ法よりもダイレクトプラズマＡＬＤ法の方が、単位厚さ当たりの水分透過率が低い膜を形成することができる。これは、リモートプラズマＡＬＤ法よりもダイレクトプラズマＡＬＤ法の方が、処理対象物の表面に吸着していた原料ガス分子（原料ガスの吸着層）がラジカルと反応しやすく、より緻密な膜（密度が高い膜）が形成されるからである。すなわち、上記ステップＳ１３よりも、上記ステップＳ２３の方が、処理対象物２３の上方空間（空間２７に対応）におけるプラズマ密度（ラジカルの密度）が高くなるため、処理対象物２３の表面に吸着していた原料ガス分子（原料ガスの吸着層）とラジカルとの反応性が高くなる。このため、本実施の形態では、リモートプラズマＡＬＤ法によって形成された絶縁膜１６ａ上にダイレクトプラズマＡＬＤ法によって絶縁膜１６ｂを形成することで、絶縁膜１６ａ上に、絶縁膜１６ａよりも緻密（高密度）で水分に対するバリア性が高い絶縁膜１６ｂを形成することができる。これにより、保護膜１６の水分に対するバリア性を高めることができ、保護膜１６の水分の透過率を低くすることができる。本実施の形態の保護膜１６の厚さと上記図２１の第２検討例の保護膜２１６の厚さとが同じであると仮定したときに、上記図２１の第２検討例の保護膜２１６よりも、本実施の形態の保護膜１６の方が、水分に対するバリア性が高くなり、すなわち水分の透過率が低くなる。つまり、単位厚さ当たりの水分透過率は、上記図２１の第２検討例の保護膜２１６よりも、本実施の形態の保護膜１６の方が、低くなる。
【０１１５】
また、絶縁膜１６ｂは絶縁膜１６ａ上に形成されるため、有機ＥＬ素子上に絶縁膜１６ａが形成された状態で、絶縁膜１６ａ上にダイレクトプラズマＡＬＤ法で絶縁膜１６ｂを形成することになる。絶縁膜１６ｂをダイレクトプラズマＡＬＤ法で形成する際には、有機ＥＬ素子上には既に絶縁膜１６ａが存在し、この絶縁膜１６ａが、電子やイオンの物理的な衝撃に対する緩衝材として機能することができるため、有機ＥＬ素子が物理的衝撃によりダメージを受けてしまうのを抑制または防止することができる。
【０１１６】
上記図２０の第１検討例の場合は、ダイレクトプラズマＡＬＤ法により保護膜１１６を形成しているため、保護膜１１６を形成する際に有機ＥＬ素子がダメージを受けてしまうことが懸念され、一方、図２１の第２検討例の場合は、リモートプラズマＡＬＤ法により保護膜２１６を形成しているため、保護膜２１６の水分に対するバリア性が低くなることが懸念される。本実施の形態では、本実施の形態では、保護膜１６の最下層として、リモートプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜１６ａを適用したことにより、絶縁膜１６ａを形成する際に有機ＥＬ素子にダメージが生じるのを防止できる。そして、絶縁膜１６ａ上にダイレクトプラズマＡＬＤ法で絶縁膜１６ｂを形成したことにより、保護膜１６の水分に対するバリア性を高めることができる。これにより、保護膜１６の成膜に伴い有機ＥＬ素子がダメージを受けてしまうのを防止できるとともに、保護膜１６の水分に対するバリア性を高めることができる。従って、表示装置の信頼性を向上させることができる。
【０１１７】
本実施の形態の他の特徴について、更に説明する。
【０１１８】
本実施の形態では、保護膜１６を、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂとの積層膜とするとともに、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂのそれぞれの厚さも工夫している。以下、具体的に説明する。
【０１１９】
本実施の形態では、基板１１としてフレキシブル基板を用いているため、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させて、折り曲げに伴い保護膜１６にクラックが生じないようにすることが望まれる。
【０１２０】
そこで、保護膜１６の厚さを薄くすることで、保護膜の折り曲げ耐性を向上させることが考えられる。保護膜１６の厚さを薄くすれば、保護膜１６の折り曲げ耐性が向上し、折り曲げに伴う保護膜１６のクラックが生じにくくなる。しかしながら、その反面、保護膜１６の厚さを薄くすると、その保護膜１６を水分が透過しやすくなる。従って、基板１１としてフレキシブル基板を用いる場合には、保護膜１６の厚さを薄くしても、保護膜１６の水分に対するバリア性を確保できるようにすることが望まれる。
【０１２１】
そこで、本実施の形態では、保護膜１６を、リモートプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜１６ａと、ダイレクトプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜１６ｂとの積層膜により形成するとともに、絶縁膜１６ｂの厚さ（膜厚）Ｔ２を、絶縁膜１６ａの厚さ（膜厚）Ｔ１よりも厚くしている（すなわちＴ２＞Ｔ１）。これにより、保護膜１６の厚さを薄くしても、保護膜１６の水分に対するバリア性を効率的に確保することができる。その理由について、以下に説明する。なお、厚さＴ１は、図３および図１０に示され、厚さＴ２は、図３および図１１に示されている。
【０１２２】
すなわち、リモートプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜１６ａよりも、ダイレクトプラズマＡＬＤ法により形成された絶縁膜１６ｂの方が、水分に対するバリア性が高く、単位厚さ当たりの水分の透過率は低い。そこで、本実施の形態では、保護膜１６の厚さのうち、絶縁膜１６ａに配分する厚さよりも、絶縁膜１６ｂに配分する厚さを大きくする。つまり、絶縁膜１６ａの厚さＴ１よりも、絶縁膜１６ｂの厚さＴ２を厚くする（Ｔ２＞Ｔ１）。絶縁膜１６ａ，１６ｂのうち、単位厚さ当たりの水分の透過率が低い絶縁膜１６ｂを厚くしたことにより、保護膜１６の水分に対するバリア性を高めることができる。また、絶縁膜１６ａ，１６ｂのうち、単位厚さ当たりの水分の透過率が高い絶縁膜１６ａを薄くしたことにより、保護膜１６全体の厚さを抑制することができる。これにより、保護膜１６の厚さを抑制しながら、保護膜１６の水分に対するバリア性を効率的に確保することができる。
【０１２３】
つまり、保護膜１６の厚さを一定にした場合を仮定する。この場合、絶縁膜１６ａを厚くして、その分だけ絶縁膜１６ｂを薄くすると、単位厚さ当たりの水分の透過率が低い絶縁膜１６ｂの厚さが薄くなることを反映して、保護膜１６全体の水分の透過率が高くなってしまう。一方、絶縁膜１６ａを薄くして、その分だけ絶縁膜１６ｂを厚くすると、単位厚さ当たりの水分の透過率が低い絶縁膜１６ｂの厚さが厚くなることを反映して、保護膜１６全体の水分の透過率を低下させることができる。このため、保護膜１６全体の厚さを増加させずに、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を効率的に高めるためには、絶縁膜１６ａを薄くして、その分だけ絶縁膜１６ｂを厚くすることが有効である。それゆえ、絶縁膜１６ａよりも絶縁膜１６ｂを厚くする（Ｔ２＞Ｔ１）ことが好ましい。
【０１２４】
また、絶縁膜１６ｂをダイレクトプラズマＡＬＤ法で形成する際には、絶縁膜１６ａが、電子やイオンの物理的な衝撃に対する緩衝材として機能し、有機ＥＬ素子が物理的衝撃によりダメージを受けてしまうのを抑制または防止することができる。しかしながら、絶縁膜１６ａの厚さＴ１が薄すぎると、そのような緩衝材としての機能が低くなり、絶縁膜１６ｂをダイレクトプラズマＡＬＤ法で形成する際に、有機ＥＬ素子が物理的衝撃によりダメージを受けてしまうのを抑制または防止する効果を、十分には得られなくなる虞がある。このため、絶縁膜１６ａの厚さＴ１は、絶縁膜１６ｂの厚さＴ２よりも薄くするが、１０ｎｍ以上であることが好ましい（すなわちＴ１≧１０ｎｍ）。絶縁膜１６ａの厚さＴ１を１０ｎｍ以上（Ｔ１≧１０ｎｍ）とすることにより、絶縁膜１６ｂをダイレクトプラズマＡＬＤ法で形成する際に、有機ＥＬ素子が物理的衝撃によりダメージを受けてしまうのを抑制または防止する効果を、的確に得ることができる。
【０１２５】
また、絶縁膜１６ａは絶縁膜１６ｂに比べて単位厚さ当たりの水分の透過率が高いことから、絶縁膜１６ａの厚さＴ１は、絶縁膜１６ｂをダイレクトプラズマＡＬＤ法で形成する際に有機ＥＬ素子が物理的衝撃によりダメージを受けてしまうのを防止できる厚さを確保すれば、あまり厚くさせ過ぎない方が、保護膜１６全体の厚さを抑制する観点で有利である。このため、絶縁膜１６ａの厚さＴ１は、２０ｎｍ以下（Ｔ１≦２０ｎｍ）であることが、より好ましい。このため、絶縁膜１６ａの厚さＴ１は、１０〜２０ｎｍがより好ましい。
【０１２６】
また、基板１１としてフレキシブル基板を用いた場合、フレキシブル基板（表示装置）を小さな折り曲げ半径で折り曲げたときでも、保護膜１６にクラックが発生しないようにするためには、保護膜１６の厚さを薄くすることが有効であり、保護膜１６の厚さを１００ｎｍ以下にすれば、特に好適である。保護膜１６の厚さを薄くすることは、保護膜１６の水分に対するバリア性が低下することが懸念されるが、本実施の形態では、上述の工夫を行うことにより、保護膜１６の厚さを抑制しながら、保護膜１６の水分に対するバリア性を効率的に確保することができる。このため、本実施の形態を適用すれば、保護膜１６の水分に対するバリア性を的確に確保しながら、保護膜１６の厚さを薄くすることができ、例えば１００ｎｍ以下にすることもできるため、フレキシブル基板（表示装置）を小さな折り曲げ半径で折り曲げたときでも、保護膜１６にクラックが発生するのを防止することができる。なお、保護膜１６の厚さが１００ｎｍ以下であることは、絶縁膜１６ａの厚さＴ１と絶縁膜１６ｂの厚さＴ２との合計が１００ｎｍ以下（すなわちＴ１＋Ｔ２≦１００ｎｍ）であることに対応している。
【０１２７】
また、本実施の形態とは異なり、絶縁膜１６ａに相当するものと、絶縁膜１６ｂに相当するものとが、異なる材料により構成されている場合を仮定する。この場合、絶縁膜１６ａに相当するものを形成するためのチャンバ（成膜容器）と、絶縁膜１６ｂに相当するものを形成するチャンバ（成膜容器）とを、別々に用意する必要があり、従って、保護膜の形成工程の途中で処理対象物を２つのチャンバ間で移動させる必要がある。この場合、保護膜を形成するのに要する時間が長くなり、スループットが低下してしまう。
【０１２８】
それに対して、本実施の形態では、保護膜１６を構成する絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂとは、構成元素が互いに同じであり、同じ材料により形成されている。すなわち、保護膜１６全体が、同じ材料により形成されている。このため、保護膜１６を構成する絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂとは、同じ成膜装置２１の同じチャンバ２２（成膜容器）内で連続的に形成することができる。すなわち、保護膜１６の形成を開始する段階から保護膜１６の形成を終了するまで、言い換えると、絶縁膜１６ａの形成を開始する段階から、絶縁膜１６ｂの形成を終了するまでの間、処理対象物２３は、上記成膜装置２１の上記チャンバ２２内に配置されており、従って、大気中にはさらされない。本実施の形態では、保護膜１６を構成する絶縁膜１６ａ，１６ｂを、同じチャンバ２２内で連続的に形成することができるため、保護膜１６の形成に要する時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。
【０１２９】
また、保護膜１６は、全体が同じ材料により形成されているため、上記図２０の第１検討例を参照して説明した課題や、上記図２１の第２検討例を参照して説明した課題に気付かなければ、保護膜１６を絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂとに分けることはせず、保護膜１６全体を同じ成膜法で形成するはずである。本願発明者は、上記図２０の第１検討例を参照して説明した課題や、上記図２１の第２検討例を参照して説明した課題に気付いたからこそ、保護膜１６を、互いに同じ材料からなる２つの絶縁膜１６ａ，１６ｂに分けるとともに、その絶縁膜１６ａ，１６ｂを、互いに異なる成膜法で形成している。
【０１３０】
また、有機ＥＬ素子（特に有機層１４）は高温に弱いため、保護膜１６の成膜温度、すなわち絶縁膜１６ａおよび絶縁膜１６ｂの各成膜温度は、有機ＥＬ素子（特に有機層１４）に悪影響を及ぼさないように、比較的低温であることが好ましく、具体的には、１００℃以下であることが好ましく、例えば８０℃程度とすることができる。このため、保護膜１６の材料は、水分保護膜としての機能が優れていることと、リモートプラズマＡＬＤ法やダイレクトプラズマＡＬＤ法を用いて比較的低温度での成膜が可能であることとを考慮して、選択することが望ましい。なお、保護膜１６の材料とは、保護膜１６を構成する絶縁膜１６ａおよび絶縁膜１６ｂの材料のことである。この観点で、保護膜１６の材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムまたは窒化アルミニウムが好ましく、そのうち特に好ましいのは、酸化アルミニウムまたは酸化シリコンである。
【０１３１】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１３２】
１  表示装置
２  表示部
３  回路部
９  ガラス基板
１０  基板
１１  基板
１２  パッシベーション膜
１３  電極層
１３，１５  電極層
１３ａ，１５ａ  電極
１４  有機層
１６，１１６，２１６  保護膜
１６ａ，１６ｂ  絶縁膜
１７  絶縁膜
２１  成膜装置
２２  チャンバ
２２ａ  天板部
２２ｂ  側壁部
２３  処理対象物
２４  ステージ
２４ａ  サセプタ
２４ｂ  ステージ本体部
２５  上部電極
２６  高周波電源
２７  空間
２８，２９  開口部
３１ａ，３１ｂ  側面
３３  原料ガス導入経路
３４，３６  パージガス導入経路
３５  反応ガス導入経路
３７  ラジカル導入経路
３８  リモートプラズマ生成部
４１  パーティクル
４２，４３  保護膜
Ｔ１，Ｔ２  厚さ
【図１】
2020035567.tif 000003
【図２】
2020035567.tif 000004
【図３】
2020035567.tif 000005
【図４】
2020035567.tif 000006
【図５】
2020035567.tif 000007
【図６】
2020035567.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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