(57)【要約】【課題】ウエーハ又はＣＳＰ基板等の板状物の表面を保護しながら分割する場合であっても、生産効率を悪化させない板状物の加工方法を提供する。【解決手段】本発明により、被加工物１０の裏面１０ｂに支持部材を配設する支持部材配設工程と、該支持部材配設工程の前、又は後に被加工物１０の表面１０ａに熱圧着シート２０を敷設し加熱して熱圧着するシート配設工程と、分割すべき領域に分割手段を位置付けて熱圧着シート２０と共に被加工物１０を個々のチップに分割する分割工程と、個々のチップに対応して分割された熱圧着シート２０を加熱し溶融させ分割工程において分割された熱圧着シート２０を連結して一体化する一体化工程と、一体化した熱圧着シート２０を被加工物１０から剥離する剥離工程と、から少なくとも構成される板状物加工方法が提供される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の被加工物を個々のチップに分割する板状物加工方法であって、
被加工物の裏面に支持部材を配設する支持部材配設工程と、
該支持部材配設工程の前、又は後に被加工物の表面に熱圧着シートを敷設し加熱して熱圧着するシート配設工程と、
分割すべき領域に分割手段を位置付けて該熱圧着シートと共に被加工物を個々のチップに分割する分割工程と、
個々のチップに対応して分割された熱圧着シートを加熱し溶融させ分割工程において分割された熱圧着シートを連結して一体化する一体化工程と、
一体化した熱圧着シートを被加工物から剥離する剥離工程と、
から少なくとも構成される板状物加工方法。
【請求項２】
該分割工程は、外周に切り刃を有する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段、又は、レーザー光線を照射して被加工物にアブレーション加工を施すレーザー光線照射手段のいずれかである請求項１に記載の板状物加工方法。
【請求項３】
被加工物は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハである請求項１、又は２に記載の板状物加工方法。
【請求項４】
該熱圧着シートは、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートから選択される請求項１乃至３のいずれかに記載の板状物加工方法。
【請求項５】
該ポリオレフィン系のシートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかから選択される請求項４に記載の板状物加工方法。
【請求項６】
該シート配設工程において、ポリオレフィン系のシートから選択される熱圧着シートが、ポリエチレンシートである場合の加熱温度は１２０℃〜１４０℃であり、ポリプロピレンシートである場合の加熱温度は１６０℃〜１８０℃であり、ポリスチレンシートである場合の加熱温度は、２２０℃〜２４０℃であり、
該一体化工程において、該熱圧着シートが、ポリエチレンシートである場合の加熱温度は１６０℃以上であり、ポリプロピレンシートである場合の加熱温度は２００℃以上であり、ポリスチレンシートである場合の加熱温度は２６０℃以上である請求項５に記載の板状物加工方法。
【請求項７】
該ポリエステル系シートは、ポリエチレンテレフタレートシート、又はポリエチレンナフタレートシートから選択される請求項４に記載の板状物加工方法。
【請求項８】
該シート配設工程において、ポリエステル系のシートから選択される熱圧着シートが、ポリエチレンテレフタレートシートである場合の加熱温度は２５０℃〜２７０℃であり、ポリエチレンナフタレートシートである場合の加熱温度は１６０℃〜１８０℃であり、
該一体化工程において、該熱圧着シートが、ポリエチレンテレフタレートシートである場合の加熱温度は２９０℃以上であり、ポリエチレンナフタレートシートである場合の加熱温度は２００℃以上である請求項７に記載の板状物加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状の被加工物を個々のチップに分割する板状物加工方法の発明に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成された板状のウエーハ、又はＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が分割予定ラインによって区画され表面に形成されたＣＳＰ基板は、切削ブレードを備えたダイシング装置、レーザー加工装置等によって個々のチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
ダイシング装置によって、ウエーハ又はＣＳＰ基板の分割予定ラインに沿って切削すると、切削屑がウエーハ又はＣＳＰ基板の表面に付着してデバイス又はＣＳＰを汚染する。同様に、レーザー加工装置によってウエーハ又はＣＳＰ基板の分割予定ラインにレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すと、デブリが飛散して、デバイス又はＣＳＰを汚染する。これらの汚染からデバイスの表面を守るべく、ウエーハ又はＣＳＰ基板の表面に保護テープを貼着して、切削屑や、デブリによる汚染からデバイスの表面を守ることが提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１３４３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記したように、ダイシング装置、又はレーザー加工装置による加工を施す際に、ウエーハ又はＣＳＰ基板の表面に保護テープを配設し、保護テープと共にウエーハ又はＣＳＰ基板に対する分割加工を施すことで、切削屑やデブリによる汚染からデバイス又はＣＳＰを守ることができる。しかし、ウエーハ又はＣＳＰ基板の表面に保護テープを貼着した状態で個々のチップに分割すると、表面に貼着される保護テープもチップ毎に個片化されてしまい、分割加工を施した後、個々のチップの表面から個片化された保護テープを一つ一つ剥離しなければならず、作業が極めて困難であり、生産効率が著しく低下する。
【０００６】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハ又はＣＳＰ基板等の板状物の表面を保護しながら分割する場合であっても、生産効率を悪化させない板状物の加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、板状の被加工物を個々のチップに分割する板状物加工方法であって、被加工物の裏面に支持部材を配設する支持部材配設工程と、該支持部材配設工程の前、又は後に被加工物の表面に熱圧着シートを敷設し加熱して熱圧着するシート配設工程と、分割すべき領域に分割手段を位置付けて該熱圧着シートと共に被加工物を個々のチップに分割する分割工程と、個々のチップに対応して分割された熱圧着シートを加熱し溶融させ分割工程において分割された熱圧着シートを連結して一体化する一体化工程と、一体化した熱圧着シートを被加工物から剥離する剥離工程と、から少なくとも構成される板状物加工方法が提供される。
【０００８】
該分割工程は、外周に切り刃を有する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段、又は、レーザー光線を照射して板状物にアブレーション加工を施すレーザー光線照射手段のいずれかである。また、被加工物は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハとすることができる。
【０００９】
該熱圧着シートは、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートから選択されることが好ましい。
【００１０】
該ポリオレフィン系のシートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかから選択することができる。該シート配設工程において、ポリオレフィン系のシートから選択される熱圧着シートが、ポリエチレンシートである場合の加熱温度は１２０℃〜１４０℃であり、ポリプロピレンシートである場合の加熱温度は１６０℃〜１８０℃であり、ポリスチレンシートである場合の加熱温度は、２２０℃〜２４０℃であり、該一体化工程において、該熱圧着シートが、ポリエチレンシートである場合の加熱温度は１６０℃以上であり、ポリプロピレンシートである場合の加熱温度は２００℃以上であり、ポリスチレンシートである場合の加熱温度は２６０℃以上であることが好ましい。
【００１１】
該ポリエステル系シートは、ポリエチレンテレフタレートシート、又はポリエチレンナフタレートシートから選択することができる。該シート配設工程において、ポリエステル系のシートから選択される熱圧着シートが、ポリエチレンテレフタレートシートである場合の加熱温度は２５０℃〜２７０℃であり、ポリエチレンナフタレートシートである場合の加熱温度は１６０℃〜１８０℃であり、該一体化工程において、該熱圧着シートが、ポリエチレンテレフタレートシートである場合の加熱温度は２９０℃以上であり、ポリエチレンナフタレートシートである場合の加熱温度は２００℃以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の板状物加工方法は、被加工物の裏面に支持部材を配設する支持部材配設工程と、該支持部材配設工程の前、又は後に被加工物の表面に熱圧着シートを敷設し加熱して熱圧着するシート配設工程と、分割すべき領域に分割手段を位置付けて該熱圧着シートと共に被加工物を個々のチップに分割する分割工程と、個々のチップに対応して分割された熱圧着シートを加熱し溶融させ分割工程において分割された熱圧着シートを連結して一体化する一体化工程と、一体化した熱圧着シートを被加工物から剥離する剥離工程と、から少なくとも構成されることにより、切削屑、又はデブリがウエーハや、ＣＳＰ基板等の板状物の表面に付着して汚染することを防止すると共に、分割されたデバイスチップや、ＣＳＰチップ毎に個片化された熱圧着シートを連結し一括して剥離することができる。これにより、個片化された熱圧着シートを個々のデバイスチップやＣＳＰチップから一つ一つ剥離する必要がなく、生産性を悪化させることがない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】ウエーハ、及び熱圧着シートの斜視図である。
【図２】シート配設工程の実施態様を示す斜視図である。
【図３】支持部材配設工程の実施態様を示す斜視図である。
【図４】（ａ）ダイシング装置によって実施される分割工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）レーザー加工装置によって実施される分割工程の実施態様を示す斜視図である。
【図５】分割工程によって分割されたウエーハの斜視図である。
【図６】一体化工程の実施態様を示す斜視図である。
【図７】剥離工程の実施態様を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に基づき構成される板状物加工方法に係る実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１５】
（シート配設工程）
本実施形態を実施するに当たり、まず、図１に示すように、板状の被加工物として、半導体（例えばＳｉ）からなるウエーハ１０と、熱圧着シート２０を用意する。ウエーハ１０は、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画され表面１０ａに形成されたウエーハである。
【００１６】
熱圧着シート２０は、熱圧着に適する素材から選択される。熱圧着に適する素材とは、所定の温度範囲に加熱することにより軟化して粘着性を発揮する素材から選択されることが好ましい。より具体的には、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートから選択することができる。
【００１７】
さらに具体的にいえば、熱圧着シート２０をポリオレフィン系のシートから選択する場合は、ポリエチレン（ＰＥ）シート、ポリプロピレン（ＰＰ）シート、ポリスチレン（ＰＳ）シートのいずれかから選択することが好ましい。また、熱圧着シート２０をポリエステル系のシートから選択する場合は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）シートのいずれかから選択することが好ましい。なお、以下説明する実施形態においては、熱圧着シート２０として、ポリエチレンシートを選択したものとして説明を続ける。
【００１８】
上記したようにウエーハ１０と、熱圧着シート２０とを用意したならば、図１に示すように、ウエーハ１０の表面１０ａに熱圧着シート２０を敷設する。次いで、図２に示す熱圧着装置３０（全体図は省略する。）に搬送する。熱圧着装置３０は、回転軸３４を中心に回転可能に保持された加熱ローラ３２と、図示しない保持テーブルとを備える。加熱ローラ３２の表面にはフッ素樹脂がコーティングされている。加熱ローラ３２の内部には、電気ヒータ及び温度センサが内蔵（図示は省略する。）されており、別途用意される制御装置によって、加熱ローラ３２の表面を所望の温度に調整することができる。加熱ローラ３２は、回転軸３４を中心に回転しながら、平坦に形成された図示しない保持テーブルの保持面に沿って所定方向（矢印で示す。）に移動させることができる。熱圧着装置３０にウエーハ１０を搬送したならば、ウエーハ１０の熱圧着シート２０が敷設された面を上方に向け、図示しない保持テーブルの保持面に載置する。次いで、図２に示すように、ウエーハ１０の表面１０ａに敷設された熱圧着シート２０側を、加熱ローラ３２で押圧しながら加熱し、回転軸３４を中心に加熱ローラ３２を回転させながら、熱圧着シート２０の表面に沿って矢印で示す方向に移動させる。この際、加熱ローラ３２によって、熱圧着シート２０は１２０℃〜１４０℃の範囲で加熱される。この温度は、熱圧着シート２０を構成するポリエチレンシートの融点近傍の温度であるが、熱圧着シート２０が過度に溶融しない程度の温度で、且つ、軟化して粘着性を発揮する温度で設定する。このようにすることで、ウエーハ１０の表面１０ａ全体に熱圧着シート２０が熱圧着され、シート配設工程が完了する。
【００１９】
（支持部材配設工程）
上記シート配設工程が完了したならば、図３の上段に示すように、表面に粘着性を有するダイシングテープＴと、ダイシングテープＴを保持する環状のフレームＦとからなる支持部材を用意し、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側にダイシングテープＴの中央部を貼着する。これにより、図３の下段に示すように、ウエーハ１０に支持部材が配設された状態となる。
【００２０】
なお、本実施形態では、上記したように、シート配設工程の後に、支持部材配設工程を実施したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、シート配設工程を実施する前に、支持部材配設工程を実施することもできる。より具体的には、まず、熱圧着シート２０を熱圧着する前のウエーハ１０の裏面１０ｂにダイシングテープＴを貼着して、環状のフレームＦによってウエーハ１０を支持する支持部材配設工程を実施する。その後、ウエーハ１０の表面１０ａに熱圧着シート２０を敷設し、上記した熱圧着装置３０を用いて、熱圧着シートを加熱してウエーハ１０の表面１０ａに熱圧着するシート配設工程を実施する。これにより、上記した実施形態と同様に、熱圧着シート２０が表面１０ａに熱圧着され、且つダイシングテープＴを介して環状のフレームＦに支持されたウエーハ１０を得ることができる。
【００２１】
（分割工程）
上記したように、シート配設工程及び支持部材配設工程が完了したならば、分割すべき領域に分割手段を位置付けて熱圧着シート２０と共にウエーハ１０を個々のチップに分割する分割工程を実施する。分割工程の実施態様について、以下に、図４を参照しながら説明する。
【００２２】
熱圧着シート２０と共にウエーハ１０を個々のチップに分割する分割工程は、例えば、図４（ａ）に示すダイシング装置４０（一部のみ示す。）によって実現される。
図４（ａ）に示すように、ダイシング装置４０は、スピンドルユニット４１を備えている。スピンドルユニット４１は、回転スピンドル４２の先端部に固定され外周に切り刃を有する切削ブレード４３と、切削ブレード４３を保護するブレードカバー４４とを備えている。切削ブレード４３は、回転スピンドル４２と共に回転可能に構成されている。ブレードカバー４４には、切削ブレード４３に隣接する位置に切削水供給手段４５が配設されており、切削水を切削ブレード４３によるウエーハ１０の切削位置に向けて供給する。切削ブレード４３によって切削を実施する際には、図示しないアライメント手段を用いて、切削ブレード４３と、図示しない保持テーブルに保持されたウエーハ１０の表面１０ａ側に形成された分割予定ライン１４との位置合わせ（アライメント）を行う。該アライメント手段には、少なくとも図示しない赤外線照明手段、及び赤外線撮像手段が備えられ、表面１０ａの分割予定ライン１４を、熱圧着シート２０側から撮像、検出することが可能に構成されている。
【００２３】
該アライメント手段によるアライメントを実施したならば、回転スピンドル４２と共に高速回転させられる切削ブレード４３を、図示しない保持テーブルに保持したウエーハ１０の分割予定ライン１４に対応した位置に位置付けて下降させて切り込ませ、ウエーハ１０を切削ブレード４３に対して矢印Ｘで示すＸ軸方向（加工送り方向）に移動させる。これにより、分割予定ライン１４に沿ってウエーハ１０を切削して分割する分割溝１００を形成する。この分割溝１００は、ウエーハ１０を完全に分割する溝であり、ウエーハ１０と共に熱圧着シート２０も分割する。図示しない移動手段によって、ウエーハ１０を保持する保持テーブルを、Ｘ軸方向、及びＸ軸方向と直交するＹ軸方向に適宜移動させながら、ウエーハ１０の全ての分割予定ライン１４に対し、上記した切削ブレード４３による切削加工を実施する。これにより、図５に示すように、ウエーハ１０の全ての分割予定ライン１４に沿って分割溝１００を形成し、ウエーハ１０を熱圧着シート２０と共に分割する。以上により、分割工程が完了する。
【００２４】
本発明において実施される分割工程は、図４（ａ）に示すダイシング装置４０によって実施することに限定されず、例えば、図４（ｂ）に示すレーザー加工装置５０（一部のみを示す。）を使用して実施することもできる。レーザー加工装置５０によって実施される分割工程について説明する。
【００２５】
図４（ｂ）に示すように、レーザー加工装置５０は、レーザー光線照射手段５２を備えている。レーザー光線照射手段５２は、図示しないレーザー光線発振器を含む光学系を備え、レーザー光線発振器から発振されたレーザー光線を集光する集光器５２ａを備える。レーザー光線照射手段５２は、ウエーハ１０に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射しアブレーション加工を実施するようにレーザー加工条件が設定される。レーザー光線照射手段５２によって分割工程を実施する前に、図示しないアライメント手段を用いて、集光器５２ａによって照射されるレーザー光線ＬＢの照射位置と、図示しない保持テーブルに保持されたウエーハ１０の表面１０ａ側に形成された分割予定ライン１４との位置合わせ（アライメント）を行う。該アライメント手段には、図示しない赤外線照明手段及び赤外線撮像手段が備えられ、表面１０ａの分割予定ライン１４を、熱圧着シート２０側から撮像、検出することが可能に構成されている。
【００２６】
該アライメント手段によるアライメントを実施したならば、集光器５２ａを、図示しない保持テーブルに保持したウエーハ１０の分割予定ライン１４に対応した位置に位置付けて、集光点をウエーハ１０の所定の位置に位置付ける。次いで、レーザー光線照射手段５２を作動すると共に、ウエーハ１０を集光器５２ａに対して矢印Ｘで示すＸ軸方向（加工送り方向）に移動させる。これにより、ウエーハ１０をアブレーション加工して分割するレーザー加工溝１１０を形成する。このレーザー加工溝１１０は、ウエーハ１０を完全に分割する溝であり、ウエーハ１０と共に熱圧着シート２０も分割する。図示しない移動手段によって、ウエーハ１０を保持する保持テーブルを、Ｘ軸方向、及びＸ軸方向と直交するＹ軸方向に適宜移動させながら、上記したレーザー光線照射手段５２によるアブレーション加工を実施する。これにより、ウエーハ１０の全ての分割予定ライン１４に沿ってレーザー加工溝１１０を形成し、ウエーハ１０を熱圧着シート２０と共に分割する。
【００２７】
上記したダイシング装置４０、レーザー加工装置５０のいずれによって分割した場合であっても、ウエーハ１０の表面１０ａが、熱圧着シート２０によって保護されていることから、切削屑、又はデブリによってデバイス１２が汚染されることが防止される。
【００２８】
（一体化工程）
上記した分割工程を実施したならば、デバイス１２に対応して個々に分割された熱圧着シート２０を加熱し溶融させて連結し一体化する一体化工程を実施する。この一体化工程について、図６を参照しながらより具体的に説明する。
【００２９】
図５において示したように、分割工程によってウエーハ１０と共に熱圧着シート２０もデバイス１２に対応して個々に分割されている。このウエーハ１０を、フレームＦ及びダイシングテープＴからなる支持部材と共に、図６に示す一体化用加熱手段６０の下方に位置付ける。一体化用加熱手段６０は、内部に電気ヒータ、及びファンが内蔵されており、所定の温度の熱風Ｗを下方に向けて噴射するように構成されている。本実施形態では、熱圧着シート２０は、ポリエチレンシートを選択しており、熱圧着シート２０をポリエチレンシートの融点温度を超える１６０℃以上に加熱する。このため、一体化用加熱手段６０から噴射される熱風Ｗの温度は、熱圧着シート２０自体が１６０℃以上になるように設定される（例えば、２００℃）。一体化用加熱手段６０からこのように設定された熱風Ｗを噴射して所定時間だけ加熱することで、熱圧着シート２０が融点以上の温度となって溶融する。すなわち、図６の下段に示すように、先に実施された分割工程によって形成された分割溝１００が熱圧着シート２０の溶融により消滅し連結されて一体化し、再び一枚のシートになる。なお、一体化用加熱手段６０により加熱する温度は高ければ高いほど良いわけではなく、熱圧着シート２０が過剰に溶けてウエーハ１０の外縁からはみ出し、ダイシングテープＴ側に流れ出ない程度の温度に加熱することが好ましい。以上により、一体化工程が完了する。
【００３０】
（剥離工程）
上記したように、分割溝１００を消滅させて連結する一体化工程が完了したならば、図７に示すように、一体化された熱圧着シート２０をウエーハ１０の表面１０ａから剥離する剥離工程を実施する。一体化された熱圧着シート２０をウエーハ１０から剥離する具体的な手段は特に限定されないが、熱圧着シート２０上に、剥離用の粘着テープを貼り、該粘着テープと共に、ウエーハ１０から熱圧着シート２０を剥離するようにするとよい。このようにして剥離工程を実施することにより、ダイシングテープＴ上には、ウエーハ１０が、個々のデバイスチップ１２’に分割された状態で表出する。
【００３１】
以上のようにして剥離工程を実施したならば、ウエーハ１０をダイシングテープＴからデバイスチップ１２’をピックアップするピックアップ工程に搬送するか、ダイシングテープＴ及びフレームＦと共に収容する図示しないカセットケースに搬送して収容する。
【００３２】
なお、上記した実施形態では、熱圧着シート２０をポリエチレンシートとしたが、本発明はこれに限定されず、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートから適宜選択することができる。
【００３３】
熱圧着シート２０を、ポリオレフィン系のシートから選択する場合、具体的には、ポリエチレンシートの他に、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかから選択することができる。
【００３４】
熱圧着シート２０として、ポリプロピレンシートを選択した場合は、シート配設工程において加熱する際の温度を１６０℃〜１８０℃とし、一体化工程において加熱する際の温度を２００℃以上とすることが好ましい。また、熱圧着シート２０として、ポリスチレンシートを選択した場合は、シート配設工程において加熱する際の温度を２２０℃〜２４０℃とし、一体化工程において加熱する際の温度を２６０℃以上とすることが好ましい。
【００３５】
熱圧着シート２０を、ポリエステル系のシートとする場合、具体的には、ポリエチレンテレフタレートシート、又はポリエチレンナフタレートシートから選択することができる。
【００３６】
熱圧着シート２０として、ポリエチレンテレフタレートシートを選択した場合は、シート配設工程において加熱する際の温度を２５０℃〜２７０℃とし、一体化工程において加熱する際の温度を２９０℃以上とすることが好ましい。また、熱圧着シート２０として、ポリエチレンナフタレートシートを選択した場合は、シート配設工程において加熱する際の温度を１６０℃〜１８０℃とし、一体化工程において加熱する際の温度を２００℃以上とすることが好ましい。
【００３７】
上記した実施形態では、加工の対象となる板状物を、円盤形状の複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画され表面１０ａに形成されたウエーハ１０としたが、本発明はこれに限定されず、複数のＣＳＰが分割予定ラインによって区画され表面に形成された矩形状のＣＳＰ基板であってもよい。
【符号の説明】
【００３８】
１０：ウエーハ
１２：デバイス
１２’：デバイスチップ
１４：分割予定ライン
２０：熱圧着シート
３０：熱圧着装置
３２：加熱ローラ
４０：ダイシング装置
４３：切削ブレード
５０：レーザー加工装置
５２：レーザー光線照射手段
５２ａ：集光器
６０：一体化用加熱手段
Ｆ：フレーム
Ｔ：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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