(57)【要約】【課題】電子部品を安定的に実装することができる高品質な多層配線構造体および部品実装多層配線構造体を提供する。【解決手段】第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数）配線層がこの順に積層されてなる多層配線層、このうち積層方向において隣接する２つの配線層の間を電気的に分離する各絶縁層、及び多層配線層のうち少なくとも２つの配線層を電気的に接続する層間接続部を備え、第Ｎ配線層側から多層配線層の積層方向下方に向かって見たときに、第Ｎ配線層を構成する導体パターンの一部の下方に第１〜第Ｎ−１配線層のうちのいずれかの配線層を構成する導体パターンが存在するが、第Ｎ配線層を構成する導体パターンの他部の下方に第１〜第Ｎ−１配線層のうちのいずれかの配線層を構成する導体パターンが存在せず、第Ｎ配線層の導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように絶縁層の一部が肉厚に構成されている。【選択図】  図１
2020043249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数である。）配線層がこの順に積層されてなる多層配線層と、
前記多層配線層のうちの積層方向において隣接する２つの配線層の間を電気的に分離するための各絶縁層と、
前記多層配線層のうちの少なくとも２つの配線層を電気的に接続するための層間接続部と
を備え、
前記第Ｎ配線層側から前記多層配線層の積層方向下方に向かって見たときに、前記Ｎ配線層を構成する導体パターンの一部の下方には、前記第１〜第Ｎ−１配線層のうちのいずれかの配線層を構成する導体パターンが存在するが、前記第Ｎ配線層を構成する導体パターンの他部の下方には、前記第１〜第Ｎ−１配線層のうちのいずれかの配線層を構成する導体パターンが存在せず、
前記第Ｎ配線層の前記導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、前記絶縁層の一部が肉厚に構成されている
多層配線構造体。
【請求項２】
前記第Ｎ配線層を構成する一の前記導体パターンの積層方向における下方には前記第１〜第Ｎ−１配線層のうちのＮ−Ｍ（Ｍは１以上Ｎ−１以下の整数である。）個の配線層のそれぞれを構成する前記導体パターンが位置しており、
前記第Ｎ配線層を構成する他の前記導体パターンの積層方向における下方には前記第１〜第Ｎ−１配線層のうちのＮ−Ｌ（ＬはＭよりも大きく、２以上Ｎ以下の整数である。）個の配線層のそれぞれを構成する前記導体パターンが位置しており、
前記第Ｎ配線層の前記導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、前記第Ｎ配線層を構成する一の前記導体パターンの積層方向下方に位置するＬ−Ｍ個の前記絶縁層の一部が肉厚に構成されている
請求項１に記載の多層配線構造体。
【請求項３】
Ｎは３であり、
第３配線層の前記導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、第１配線層と第２配線層との間に位置する前記絶縁層及び／又は第２配線層と第３配線層との間に位置する前記絶縁層の一部が肉厚に構成されている
請求項１または２に記載の多層配線構造体。
【請求項４】
前記第Ｎ配線層に電気的に接続される複数の電極をさらに備える
請求項１〜３のいずれかに記載の多層配線構造体。
【請求項５】
請求項４に記載の多層配線構造体と、
前記電極に電気的に接続されて実装されてなる少なくとも１つの電子部品と
を備える部品実装多層配線構造体。
【請求項６】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に設けられている第１多層配線構造体と、
前記基板の前記第２面側に設けられている第２多層配線構造体と、
前記基板の厚さ方向に貫通するように設けられている導電体と、を備え、
前記第１多層配線構造体は、請求項１〜３のいずれかに記載の多層配線構造体であり、
前記第２多層配線構造体は、請求項１〜３のいずれかに記載の多層配線構造体であり、
前記第１多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第１〜第Ｎ配線層がこの順で前記基板の前記第１面上に積層されており、
前記第２多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第１〜第Ｎ配線層がこの順で前記基板の前記第２面上に積層されており、
前記第１多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第１配線層と、前記第２多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第１配線層とが、前記導電体を介して互いに電気的に接続されている
多層配線基板。
【請求項７】
前記第１多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第Ｎ配線層に電気的に接続される複数の第１電極と、
前記第２多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第Ｎ配線層に電気的に接続される複数の第２電極と、をさらに備える
請求項６に記載の多層配線基板。
【請求項８】
請求項７に記載の多層配線基板と、
前記第１電極に接続されて実装されてなる少なくとも１つの電子部品と、を備える
部品実装多層配線基板。
【請求項９】
前記第２電極に接続されて実装されてなる少なくとも１つの電子部品をさらに備える
請求項８に記載の部品実装多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、多層配線構造体、部品実装多層配線構造体、多層配線基板、および部品実装多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子機器の高機能化、小型化、薄型化、および軽量化が進む中で、電子機器に組み込まれる電子部品の小型化、多ピン化、および外部端子のファインピッチ化が求められている。また、このような電子部品を多数の外部端子を介してプリント配線基板に搭載するにあたり、多数の外部端子を接続するための多数の電極や配線が必要になる。さらに、小型化により電子部品の搭載領域が狭くなったプリント配線基板上に多数の電極や配線を設けるには、電極や配線自体を微細なサイズで形成することに加え、電極間や配線間の間隙（ピッチ）を狭小化する必要がある。すなわち、高密度配線処理がなされたプリント配線基板が強く要望されている。
【０００３】
近年、より高密度な配線処理を実現可能なプリント配線基板として多層配線基板が使用されるようになってきている。多層配線基板としては、導体パターンを含む配線層と絶縁層とを下層から交互に積み上げてなる多層構造のプリント基板を例示することができ、絶縁層の厚さ方向に設けられるビア（層間接続体）を介して、絶縁層の積層方向上下に対向して設けられる配線層同士が電気的に接続されている。このような多層配線基板を用いることで、基板の面内方向だけでなく、積層方向に配線経路を確保することができ、より高密度な配線設計を実現することが可能になる。
【０００４】
このような多層配線基板においては、その表層に、電子機器がその外部端子を介して電気的に接続されるための電極が設けられている。例えば、電子部品としての半導体チップは、その裏面に設けられた半田バンプを介して、基板側の対向電極にフェースダウン実装によりフリップチップ接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１７９５１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
多層配線基板においては、多数の導体パターンを互いに短絡させることなく積層方向や各層の面内方向に高密度に配置する必要があるため、各配線層を構成する導体パターンの配置態様は各層で異ならざるを得ない。そのため、多層配線基板を積層方向に沿って見た場合に、一の配線層における導体パターンの存在する領域と、他の配線層における導体パターンの存在する領域とが部分的に重なり合わない状態となる。このような多層配線基板の作製方法においては、例えば、配線層としての導体パターンを形成する工程と、当該配線層を被覆する絶縁層を例えばスピンコート法により形成する工程とが繰り返し行われる。このようにして形成された絶縁層においては、配線層の導体パターンの存在する領域上における高さ位置と、導体パターンの存在しない領域上における高さ位置とが異なることになる。そして、互いに高さ位置の異なる絶縁層上に導体パターンが積層形成されることで、多層配線基板の表層に設けられる各電極の高さ位置が異なってしまう。
【０００７】
一般的に、多層配線基板においては、半導体チップ等の電子部品を安定的に表面実装させるために、表層に設けられる複数の電極同士の高さ位置を略一致させることが望ましい。しかし、上記のように表層に設けられる複数の電極同士の高さ位置が略一致しなくなることで、電子部品を安定的に実装することができなくなってしまう。
【０００８】
上記課題に鑑みて、本開示は、電子部品を安定的に実装することができる高品質な多層配線構造体、部品実装多層配線構造体、多層配線基板、および部品実装多層配線基板を提供することを一目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本開示の一実施形態として、第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数である。）配線層がこの順に積層されてなる多層配線層と、前記多層配線層のうちの積層方向において隣接する２つの配線層の間を電気的に分離するための各絶縁層と、前記多層配線層のうちの少なくとも２つの配線層を電気的に接続するための層間接続部とを備え、前記第Ｎ配線層側から前記多層配線層の積層方向下方に向かって見たときに、前記Ｎ配線層を構成する導体パターンの一部の下方には、前記第１〜第Ｎ−１配線層のうちのいずれかの配線層を構成する導体パターンが存在するが、前記第Ｎ配線層を構成する導体パターンの他部の下方には、前記第１〜第Ｎ−１配線層のうちのいずれかの配線層を構成する導体パターンが存在せず、前記第Ｎ配線層の前記導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、前記絶縁層の一部が肉厚に構成されている多層配線構造体が提供される。
【００１０】
上記多層配線構造体において、前記第Ｎ配線層を構成する一の前記導体パターンの積層方向における下方には前記第１〜第Ｎ−１配線層のうちのＮ−Ｍ（Ｍは１以上Ｎ−１以下の整数である。）個の配線層のそれぞれを構成する前記導体パターンが位置しており、前記第Ｎ配線層を構成する他の前記導体パターンの積層方向における下方には前記第１〜第Ｎ−１配線層のうちのＮ−Ｌ（ＬはＭよりも大きく、２以上Ｎ以下の整数である。）個の配線層のそれぞれを構成する前記導体パターンが位置しており、前記第Ｎ配線層の前記導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、前記第Ｎ配線層を構成する一の前記導体パターンの積層方向下方に位置するＬ−Ｍ個の前記絶縁層の一部が肉厚に構成されるものであってもよい。
【００１１】
上記多層配線構造体において、Ｎは３であり、第３配線層の前記導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、第１配線層と第２配線層との間に位置する前記絶縁層及び／又は第２配線層と第３配線層との間に位置する前記絶縁層の一部が肉厚に構成されるものであってもよく、前記第Ｎ配線層に電気的に接続される複数の電極をさらに備えていてもよい。
【００１２】
本開示の一実施形態として、上記多層配線構造体と、前記電極に電気的に接続されて実装されてなる少なくとも１つの電子部品とを備える部品実装多層配線構造体が提供される。
【００１３】
本開示の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基板と、前記基板の前記第１面側に設けられている第１多層配線構造体と、前記基板の前記第２面側に設けられている第２多層配線構造体と、前記基板の厚さ方向に貫通するように設けられている導電体と、を備え、前記第１多層配線構造体は上記多層配線構造体であり、前記第２多層配線構造体は上記多層配線構造体であり、前記第１多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第１〜第Ｎ配線層がこの順で前記基板の前記第１面上に積層されており、前記第２多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第１〜第Ｎ配線層がこの順で前記基板の前記第２面上に積層されており、前記第１多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第１配線層と、前記第２多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第１配線層とが、前記導電体を介して互いに電気的に接続されている多層配線基板が提供される。上記多層配線基板において、前記第１多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第Ｎ配線層に電気的に接続される複数の第１電極と、前記第２多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第Ｎ配線層に電気的に接続される複数の第２電極と、をさらに備えていてもよい。
【００１４】
本開示の一実施形態として、上記多層配線基板と、前記第１電極に接続されて実装されてなる少なくとも１つの電子部品と、を備える部品実装多層配線基板が提供される。当該部品実装多層配線基板において、前記第２電極に接続されて実装されてなる少なくとも１つの電子部品をさらに備えていてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本開示によれば、電子部品を安定的に実装することができる高品質な多層配線構造体および部品実装多層配線構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本開示の第１実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。
【図２】図２は、本開示の第２実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。
【図３】図３は、本開示の第３実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。
【図４】図４は、本開示の第４実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。
【図５】図５は、本開示の第５実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。
【図６】図６は、本開示の一実施形態の多層配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図７】図７は、本開示の一実施形態の多層配線基板の製造方法を示す工程図であり、図６の工程図に続く工程を示す工程図である。
【図８】図８は、最表層に位置する２つの導体パターンの積層方向における高さ位置の差となって現れている多層配線基板の構成例を表す参考図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合がある。
【００１８】
本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。
【００１９】
［第１実施形態］
本開示の第１実施形態における多層配線基板について図面を参照して以下に説明する。図１は、第１実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。第１実施形態における多層配線基板１の概略構成について説明する。多層配線基板１は、基板１０の上面１０Hに第１配線層ＷL1及び第２配線層ＷL2がこの順で積層されてなる多層配線層ＷLMを含む多層配線構造体１Ａを備える。多層配線構造体１Ａにおいて、第１配線層ＷL1と第２配線層ＷL2との間には絶縁層２１が位置し、第２配線層ＷL2の上に絶縁層２２が位置している。多層配線構造体１Ａの表層となる絶縁層２２に電極４１及び電極４２が設けられている。
【００２０】
第１配線層ＷL1は、導体パターン１１で構成され、第２配線層ＷL2は、導体パターン１２及び導体パターン１３で構成されている。導体パターン１１は、基板１０の上面１０Hに位置している。導体パターン１２及び導体パターン１３は、絶縁層２１上の面内方向において互いに所定距離を隔てて位置している。導体パターン１１上に層間接続部としてのビア３１が設けられている。また、電極４１は導体パターン１２の上面に連続して位置し、電極４２は導体パターン１３の上面に連続して位置している。以下、これらの各構成について以下に詳細に説明する。
【００２１】
第１実施形態における「基板」は、電子回路基板の略称ではなく、多層配線基板１を作製するための土台（ベース）となる板のことを意味する。すなわち、配線層と絶縁層とが積層されて多層配線構造体１Ａとして形成され得る限りにおいて、基板１０は必須の構成でなくてもよい。基板１０の種類は特に限定されるものではなく、例えばガラスエポキシ基板、ガラス基板、シリコン基板等が挙げられる。なお、基板１０の大きさや厚さ等は、所望の多層配線基板１のサイズや、多層配線基板１に搭載される電子部品のサイズや数等に応じて適宜設定され得る。なお、第１実施形態における多層配線基板１に搭載され得る電子部品としては、例えばリレー、トランジスタ、集積回路（Integrated Circuit（ＩＣ)）などの能動素子の他、抵抗、コンデンサ、インダクタなどの受動素子等が挙げられる。また、第１実施形態において、上記に例示した電子部品のうちの何れか１以上の電子部品が実装されてなる多層配線構造体を「部品実装多層配線構造体」という。
【００２２】
導体パターン１１および導体パターン１２は、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｇ）等の導電材料で構成されてなる。第１実施形態においては、導体パターン１１と導体パターン１２とが、導電ビア３１を介して接続され、導体パターン１３の上面に電極４１が連続していることで、導体パターン１１、導体パターン１２、および電極４１が電気的に接続され得る（図１）。
【００２３】
導体パターン１３も、導体パターン１１および導体パターン１２と同様に、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。第１実施形態においては、導体パターン１３の上面に電極４２が連続していることで、導体パターン１２と電極４１とが電気的に接続され得る（図１）。なお、導体パターン１１、導体パターン１２、及び導体パターン１３の幅や厚さ等は、多層配線基板１のサイズ、多層配線基板１に実装される電子部品のサイズや数等に応じて適宜設定され得る。
【００２４】
絶縁層２１および絶縁層２２は、例えば感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、及び感光性アクリル樹脂等の感光性樹脂材料で構成されてなる。感光性樹脂材料は、ネガ型の感光性を有していてもよく、ポジ型の感光性を有していてもよい。絶縁層２１は、導体パターン１１を覆うように基板１０の上面１０Hに位置しており、絶縁層２２は、導体パターン１２及び導体パターン１３を覆うように絶縁層２１の上面に位置している。絶縁層２１における、導体パターン１１を覆う所定領域２１W（以下「肉厚領域」とする。）は、導体パターン１１が設けられていない基板１０の上面１０Hを覆う所定領域２１L（以下「肉薄領域」とする。）より肉厚である。さらに、絶縁層２１は、肉厚領域２１Wから、面内方向における肉薄領域２１Lを隔てた部分で、肉薄領域２１Lを除く部分が肉厚に構成されてなる肉厚部２１Tを有する。本実施形態において、肉厚部２１Tは、その積層方向における高さ位置が、肉厚領域２１Wの積層方向における高さ位置と略一致するように構成されている。第１実施形態において、導体パターン１２は肉厚領域２１Wの上面に位置し、導体パターン１３は肉厚部２１Tの上面に位置している。第１実施形態における上記構成によれば、導体パターン１２の積層方向における高さ位置と導体パターン１３の積層方向における高さ位置とを略一致させることができる。
【００２５】
ビア３１は、各導体パターンと同様に、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。ビア３１の寸法や深さ（高さ）は、特に限定されるものではないが、所望の多層配線基板１のサイズ、各導体パターン１１〜１３のサイズおよび数、並びに各絶縁層の厚さ等に応じて適宜設定され得る。なお、ビア３１は、絶縁層２１に形成された貫通孔の壁面に上記導電材料をめっきしてなるものであってもよいし、上記貫通孔に上記導電材料を充填してなるものであってもよい。
【００２６】
電極４１および電極４２は、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、はんだ等の金属材料で構成されてなる。電極４１および電極４２は、多層配線基板１に実装される半導体チップ等の電子部品の外部端子と電気的に接続され得る。電極４１および電極４２の寸法および厚さや、最表層である絶縁層２２の上面から突出するバンプの形状や突出高さは、多層配線基板１に電子部品が安定的に実装され得る限りにおいて、図１に表される態様に限定されるものではない。なお、図示は省略するが、各電極と各配線との間に、ＵＢＭ（Under Barrier Metal）が設けられ得る。
【００２７】
図８は、絶縁層２１”に肉厚部２１Tが設けられていないことにより、表層である絶縁層２２”において、積層方向における高さ位置の差が現れている多層配線基板１’を表す参考図である。なお、図８においては理解を容易にするために「差Ｄ」が誇張されるように描かれているが、実際に生じる差として描かれたものではない。図８を参照して、絶縁層２１”に肉厚部２１Tが設けられていない多層配線基板との比較に基づき、第１実施形態における肉厚部２１Tの作用効果について詳細に説明する。
【００２８】
図８に示される多層配線基板１’において、基板１０の上面１０Hにおける、電極４１の積層方向直下に相当する部分に導体パターン１１が設けられているが、電極４２の積層方向直下に相当する部分には導体パターン１１が設けられていない。そのため、多層配線基板１’の形成過程において、導体パターン１１を覆うように絶縁層２１”を設けた場合、電極４１の積層方向直下の導体パターン１１を覆っている絶縁層２１”部分の高さ位置が、電極４２の積層方向直下の絶縁層２１”部分の高さ位置に比べて導体パターン１１の厚さだけ高くなることになる。
【００２９】
この状態の絶縁層２１”上に、ビア３１を介して導体パターン１１に接続される導体パターン１２を設け、電極４２の積層方向直下の絶縁層２１”上に導体パターン１３を設けた場合、導体パターン１２と導体パターン１３との間に積層方向における高さ位置の差Ｄが現れてしまう（図８）。よって、導体パターン１２の上面に設けられる電極４１と、導体パターン１３の上面に設けられる電極４２との間にも高さ位置の差が現れてしまう。そうなると、高さ位置の差が現れた両電極を介して、電子部品を安定的に実装することが困難になってしまう。
【００３０】
一方、第１実施形態の多層配線基板１によれば、上述の通り、電極４２の積層方向直下において絶縁層２１の一部が肉厚に構成された肉厚部２１Tが設けられていることで、絶縁層２１上に形成される２つの導体パターン１２、１３の高さ位置を略一致させることができる（図１）。このため、電子部品が実装され得る電極４１及び電極４２の高さ位置も略一致することになり、電子部品が安定的に実装され得る高品質な多層配線基板１を実現することができる。なお、導体パターン１２、１３の高さ位置の差が、例えば０μｍ〜３μｍの範囲内、好ましくは１．５μｍ以下となるように、肉厚部２１Tが設けられていることが好ましい。上記の範囲内に当該高さ位置の差が調整されることにより、多層配線基板１の表層に対して略平行に電子部品が実装され得る。当該高さ位置の差が３μｍを超えると、電子部品を多層配線基板１に実装する際に、電子部品と多層配線基板１との接続不良が生じやすくなるおそれがある。
【００３１】
［第２実施形態］
図２は、本開示の第２実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。なお、第１実施形態と略同一の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第２実施形態における多層配線基板１は、第１〜第３配線層ＷL1〜ＷL3の３層が積層されてなる多層配線層ＷLMを含む多層配線構造体１Ａを備え、第３配線層ＷL3を構成する導体パターン１３（電極４２）の積層方向直下に位置する絶縁層２３部分が肉厚に構成されてなる肉厚部２３Tが設けられている点が第１実施形態と異なっている。第２実施形態における多層配線基板１においては、第１配線層ＷL1と第３配線層ＷL3との間に第２配線層ＷL2が設けられており、第２配線層ＷL2は、導体パターン１４で構成されている。第２配線層ＷL2と第３配線層ＷL3との間に絶縁層２３が位置している。
【００３２】
導体パターン１４は、絶縁層２１の肉厚領域２１W上に位置している。導体パターン１４上には層間接続部としてのビア３２が設けられており、導体パターン１４を覆うように、絶縁層２１の上面に絶縁層２３が位置している。絶縁層２３における導体パターン１４を覆う肉厚領域は導体パターン１４が設けられていない絶縁層２１の上面を覆う肉薄領域２１Lより肉厚である。さらに、絶縁層２３は、肉厚領域２３Wから、面内方向における肉薄領域２３L（肉薄領域２１Lを覆う領域）を隔てた部分で、肉薄領域２３Lを除く部分が肉厚に構成されてなる肉厚部２３Tを有する。肉厚部２３Tは、その積層方向における高さ位置が、導体パターン１４上の肉厚領域２３Wの積層方向における高さ位置と略一致するように構成されている。第２実施形態においては、導体パターン１２は肉厚領域２３Wの上面に位置し、導体パターン１３は肉厚部２３Tの上面に位置している。第２実施形態における上記構成によれば、導体パターン１２の積層方向における高さ位置と導体パターン１３の積層方向における高さ位置とを略一致させることができる。なお、絶縁層２３は、絶縁層２１及び絶縁層２２と同様に、例えば感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、及び感光性アクリル樹脂等の感光性樹脂材料で構成され得る。
【００３３】
導体パターン１４は、導体パターン１１、導体パターン１２及び導体パターン１３と同様に、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。第２実施形態においては、導体パターン１１と導体パターン１４とがビア３１を介して接続され、導体パターン１４と導体パターン１２とがビア３２を介して接続され、導体パターン１２上に電極４１が連続していることで、導体パターン１１、導体パターン１４、導体パターン１２、及び電極４１が互いに電気的に接続され得る（図２）。
【００３４】
ビア３２は、ビア３１と同様に、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。ビア３２のサイズ（例えば幅や深さ）は、特に限定されるものではないが、所望の多層配線基板１のサイズ、各導体パターンのサイズやピッチ、並びに各絶縁層の厚さ等に応じて適宜設定され得る。なお、ビア３２は、絶縁層２３に形成された貫通孔の壁面に上記導電材料をめっきしてなるものであってもよいし、上記貫通孔に上記導電材料を充填してなるものであってもよい。
【００３５】
第２実施形態の多層配線基板１によれば、電極４２の積層方向直下において絶縁層２３の一部が肉厚に構成された肉厚部２３Tが設けられていることで、絶縁層２３上に形成される導体パターン１２、１３の高さ位置を略一致させることができる（図２）。このため、電子部品が実装され得る電極４１及び電極４２の高さ位置も略一致することになり、電子部品が安定的に実装され得る高品質な多層配線基板１を実現することができる。
【００３６】
第２実施形態における多層配線基板１は、３層の配線層が積層されてなる多層配線層ＷLMを含む多層配線構造体１Ａを備える多層配線基板１を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、４層以上の配線層が積層されてなる多層配線層を含む多層配線構造体を備える多層配線基板であってもよい。
【００３７】
［第３実施形態］
図３は、本開示の第３実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。なお、第１実施形態と略同一の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第３実施形態における多層配線基板１は、絶縁層２２の平面視において電極４２に隣接する電極４３、第２配線層ＷL2を構成する導体パターン１６、及び第１配線層ＷL1を構成する導体パターン１５を備えている点、並びに導体パターン１６が層間接続部としてのビア３３を介して導体パターン１５に電気的に接続されている点において、第１実施形態における多層配線基板１と異なっている。
【００３８】
導体パターン１５は、基板１０の上面１０Hの面内方向において、導体パターン１１から所定距離を隔てた部分に位置している。導体パターン１２、導体パターン１３、及び導体パターン１６は、絶縁層２１上の面内方向において互いに所定距離を隔てて位置している。電極４３は導体パターン１６の上面に連続して位置している。
【００３９】
導体パターン１５及び導体パターン１６も、導体パターン１１、導体パターン１２及び導体パターン１３と同様に、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。第３実施形態においては、導体パターン１５と導体パターン１６とがビア３３を介して接続され、導体パターン１６上に電極４３が連続していることで、導体パターン１５、導体パターン１６、及び電極４３が互いに電気的に接続され得る（図３）。
【００４０】
第３実施形態においては、導体パターン１１及び導体パターン１５を覆う絶縁層２１の所定領域をそれぞれ肉厚領域２１W1及び２１W2とし、肉厚領域２１W1と肉厚部２１Tとの間、肉厚部２１Tと肉厚領域２１W2との間の各領域を肉薄領域２１L1、２１L2としている。肉厚領域２１W2は、肉薄領域２１L1、２１L2より肉厚であり、肉厚領域２１W2の積層方向における高さ位置と肉厚領域２１W1の積層方向における高さ位置とは略一致している。肉厚部２１Tは、その積層方向における高さ位置が、肉厚領域２１W1、２１W2の積層方向における高さ位置と略一致するように構成されている。第３実施形態においては、導体パターン１２が肉厚領域２１W1の上面に位置し、導体パターン１３が肉厚部２１Tの上面に位置し、導体パターン１６が肉厚領域２１W2の上面に位置している。第３実施形態における上記構成によれば、導体パターン１２、１３、１６のそれぞれの積層方向における高さ位置を略一致させることができる。
【００４１】
ビア３３は、ビア３１と同様に、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。ビア３３のサイズ（例えば幅や深さ）は、特に限定されるものではないが、所望の多層配線基板１のサイズ、各導体パターンのサイズやピッチ、並びに各絶縁層の厚さ等に応じて適宜設定され得る。なお、ビア３３は、ビア３１と同様に、絶縁層２１に形成された貫通孔の壁面に上記導電材料をめっきしてなるものであってもよいし、上記貫通孔に上記導電材料を充填してなるものであってもよい。
【００４２】
電極４３は、電極４１及び４２と同様に、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、はんだ等の金属材料で構成されてなる。電極４１、電極４２、および電極４３は、多層配線基板１に実装される半導体チップ等の電子部品の外部端子と電気的に接続され得る。電極４１、電極４２、および電極４３の寸法および厚さや、最表層である絶縁層２２の上面から突出するバンプの形状や突出高さは、多層配線基板１に電子部品が安定的に実装され得る限りにおいて、図３に表される態様に限定されるものではない。なお、図示は省略するが、各電極と各配線との間に、ＵＢＭ（Under Barrier Metal）が設けられ得る。
【００４３】
第３実施形態における多層配線基板１によれば、電極４２の積層方向直下において絶縁層２１の一部が肉厚に構成された肉厚部２１Tが設けられていることで、絶縁層２１上に形成される３つの導体パターン１２、１３、１６の高さ位置を略一致させることができる（図３）。このため、電子部品が実装され得る電極４１、電極４２及び電極４３の高さ位置も略一致することになり、電子部品が安定的に実装され得る高品質な多層配線基板１を実現することができる。
【００４４】
第３実施形態における多層配線基板１は、表層である絶縁層２２に電極４１、４２、４３の３つの電極が並列されてなる多層配線構造体１Ａを備える多層配線基板１を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、表層である絶縁層２２に４つ以上の電極が並列されてなる多層配線構造体を備える多層配線基板であってもよい。
【００４５】
［第４実施形態］
図４は、本開示の第４実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。なお、第１実施形態〜第３実施形態と略同一の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第４実施形態における多層配線基板１は、第１〜第３配線層ＷL1〜ＷL3の３層が積層されてなる多層配線層ＷLMを含む多層配線構造体１Ａを備えている点が第２実施形態における多層配線基板１と共通している。また、第４実施形態における多層配線基板１は、平面視において電極４２に隣接する電極４３を備え、電極４３の積層方向下方に導体パターン１６及び導体パターン１５が位置している点が、第３実施形態における多層配線基板１と共通している。一方で、第４実施形態における多層配線基板１は、電極４３の積層方向下方に位置する絶縁層２１の一部が肉厚に構成されてなる肉厚部２１Tが位置しており、電極４２の積層方向下方に位置する絶縁層２３の一部が肉厚に構成されてなる肉厚部２３Tが位置しており、導体パターン１５を覆う肉厚領域２３W2を有している点が第１実施形態〜第３実施形態における各多層配線基板１と異なる。第４実施形態における多層配線基板１において、肉厚部２１Tは第１配線層ＷL1と第２配線層ＷL2との間に位置し、肉厚部２３Tは第２配線層ＷL2と第３配線層ＷL3との間に位置している。なお、第４実施形態において、導体パターン１４を覆う絶縁層２３の所定領域を肉厚領域２３W1とする。
【００４６】
第４実施形態において、肉厚部２１Tは、絶縁層２１の面内方向において、肉厚領域２１Wから肉薄領域２１Lを隔てて位置している。肉厚部２１Tは、その積層方向における高さ位置が、肉厚領域２１Wの積層方向における高さ位置と略一致するように構成されている。第４実施形態において、絶縁層２３は、導体パターン１４及び１５を覆うように絶縁層２１の上面に位置している。絶縁層２３における、導体パターン１４を覆う肉厚領域２３W1、及び導体パターン１５を覆う肉厚領域２３W2は、導体パターン１４及び１５が設けられていない絶縁層２１の上面を覆う肉薄領域２３L1、２３L2より肉厚である。さらに、絶縁層２３は、肉薄領域２３L1と肉薄領域２３L2とに挟まれた部分が肉厚に構成されてなる肉厚部２３Tを有する。第４実施形態において、肉厚部２３Tは、その積層方向における高さ位置が、肉厚領域２３W1及び肉厚領域２３w2のそれぞれの積層方向における高さ位置と略一致するように構成されている。第４実施形態において、導体パターン１４は肉厚領域２１Wの上面に位置し、導体パターン１５は肉厚部２１Tの上面に位置していることで、導体パターン１４の積層方向における高さ位置と、導体パターン１５の積層方向における高さ位置とを略一致させることができる。また、第４実施形態において、導体パターン１２は肉厚領域２３W1の上面に位置し、導体パターン１３は肉厚部２３Tの上面に位置し、導体パターン１６は肉厚領域２３W2の上面に位置していることで、導体パターン１２、１３、１６のそれぞれの積層方向における高さ位置を略一致させることができる。
【００４７】
第４実施形態における上記構成によれば、電極４３の積層方向直下において絶縁層２１の一部が肉厚に構成されてなる肉厚部２１Tが設けられていることで、絶縁層２１上に形成される２つの導体パターン１４、１５の高さ位置を略一致させることができる（図４）。さらに、第４実施形態における上記構成によれば、電極４２の積層方向直下において絶縁層２３の一部が肉厚に構成されてなる肉厚部２３Tが設けられていることで、絶縁層２３上に形成される３つの導体パターン１２、１３、１６の高さ位置を略一致させることができる（図４）。このため、電子部品が実装され得る電極４１、電極４２及び電極４３の高さ位置も略一致することになり、電子部品が安定的に実装され得る高品質な多層配線基板１を提供することができる。なお、導体パターン１４、１５の高さ位置の差が、例えば０μｍ〜３μｍの範囲内、好ましくは１．５μｍ以下となるように、肉厚部２１Tが設けられていることが好ましい。同様に、導体パターン１２、１３、１６の高さ位置の差が、例えば０μｍ〜３μｍの範囲内、好ましくは１．５μｍ以下となるように、肉厚部２３Tが設けられていることが好ましい。上記の各範囲内に高さ位置の差が調整されることにより、多層配線基板１の表層に対して略平行に電子部品が実装され得る。当該高さ位置の差が３μｍを超えると、電子部品を多層配線基板１に実装する際に、電子部品と多層配線基板１との接続不良が生じやすくなるおそれがある。
【００４８】
第４実施形態における多層配線基板１は、３層の配線層が積層されてなる多層配線層ＷLMを含む多層配線構造体１Ａを備える多層配線基板１を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、４層以上の配線層が積層されてなる多層配線層を含む多層配線構造体を備える多層配線基板であってもよい。また、第４実施形態における多層配線基板１は、表層である絶縁層２２に電極４１、４２、４３の３つの電極が並列されてなる多層配線構造体１Ａを備える多層配線基板１を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、表層である絶縁層２２に４つ以上の電極が並列されてなる多層配線構造体を備える多層配線基板であってもよい。
【００４９】
さらに、第４実施形態においては、第３配線層ＷL3を構成する導体パターン１２の積層方向下方に２個の導体パターン（導体パターン１１、１４）が位置し、第３配線層ＷL3を構成する導体パターン１６の積層方向下方に１個の導体パターン（導体パターン１５）が位置し、第３配線層ＷL3を構成する導体パターン１３の積層方向下方に位置する絶縁層２３の一部（肉厚部２３T）が肉厚に構成されており、導体パターン１６の積層方向下方に位置する絶縁層２１の一部（肉厚部２１T）が肉厚に構成されているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第４実施形態の構成に替えて、導体パターン１２の積層方向下方に１個の導体パターンが位置し、導体パターン１３の積層方向下方に２個の導体パターンが位置し、導体パターン１２の積層方向下方に位置する絶縁層２１の一部が肉厚に構成されており、導体パターン１６の積層方向下方に位置する絶縁層２３の一部が肉厚に構成されている形態であってもよい。
【００５０】
また、上述した４層以上の配線層、例えば第１〜第４配線層がこの順で積層されてなる多層配線層を備える多層配線基板において、第４配線層を構成する一の導体パターンの積層方向下方に第１〜第３配線層を構成する各導体パターンが位置し、第４配線層を構成する他の導体パターンの積層方向下方に第１〜第３配線層のうちの２つの配線層を構成する各導体パターンが位置し、第４配線層を構成するさらに他の導体パターンの積層方向に第１〜第３配線層のうちのいずれか１つの配線層を構成する導体パターンが位置する形態であってもよい。この場合、第４配線層を構成する各導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、配線層間に位置する絶縁層の一部が肉厚に構成され得る。
【００５１】
［第５実施形態］
図５は、第５実施形態における多層配線基板１を表す概略断面図である。なお、上述した各実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第５実施形態における多層配線基板１は、基板１０の厚さ方向に貫通するスルーホールビア１０THが設けられ、基板１０の上面１０Hに多層配線層ＷLM1を含む第１多層配線構造体１Ａが設けられ、基板１０の下面１０Lに多層配線層ＷLM2を含む第２多層配線構造体１Ｂが設けられた構造を有する。スルーホールビア１０THは、基板１０の厚さ方向に貫通する貫通孔の壁面に導電材料をめっきしてなるものであり、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。スルーホールビア１０THは、多層配線層ＷLM1の導体パターン１１と多層配線層ＷLM2の導体パターン６１とを電気的に接続する導電体として機能する。なお、多層配線層ＷLM1としては第１実施形態における多層配線基板１における多層配線層ＷLMと同様の構成を採用している。第５実施形態における多層配線層ＷLM2として、基板１０を境界として多層配線層ＷLM1を反転させた積層構造を採用しているが、説明の簡略化のために便宜的に採用したものであり、当該構造に限定されるものではなく、種々の積層構造が適宜設定され得る。また、本開示の多層配線基板１を構成する導電体としては、上記スルーホールビア１０THに限定されるものではなく、上記導電材料が上記貫通孔内に充填されてなる充填ビアであってもよい。
【００５２】
多層配線層ＷLM2は、第１配線層ＷL1B及び第２配線層ＷL2Bが基板１０の下面１０L側から順に積層されてなり、第１配線層ＷL1Bと第２配線層ＷL2Bとの間に絶縁層６１が位置し、第２配線層ＷL2Bを覆うように絶縁層６２が位置している。第２多層配線構造体１Ｂの表層に電極８１及び電極８２が設けられている。第１配線層ＷL1Bは、導体パターン５１で構成され、第２配線層ＷL2Bは、導体パターン５２及び導体パターン５３で構成されている。導体パターン５１は、基板１０の下面１０Lに位置している。導体パターン５２及び導体パターン５３は、絶縁層６１上の面内方向において互いに所定距離を隔てて位置している。導体パターン５１上に層間接続部としてのビア３４が設けられている。また、電極８１は導体パターン５２の上面に連続して位置し、電極８２は導体パターン５３の上面に連続して位置している。ビア３４は、ビア３１と同様に、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。ビア３４のサイズ（例えば幅や深さ）は、特に限定されるものではないが、所望の多層配線基板１のサイズ、各導体パターンのサイズやピッチ、並びに各絶縁層の厚さ等に応じて適宜設定され得る。なお、ビア３４は、絶縁層６１に形成された貫通孔の壁面に上記導電材料をめっきしてなるものであってもよいし、当該貫通孔に上記導電材料を充填してなるものであってもよい。
【００５３】
絶縁層６１及び絶縁層６２は、例えば感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、及び感光性アクリル樹脂等の感光性樹脂材料で構成されてなる。絶縁層６１は、導体パターン５１を覆うように基板１０の下面１０Lに位置しており、絶縁層６２は、導体パターン５２及び導体パターン５３を覆うように絶縁層６１の上面に位置している。絶縁層６１における、導体パターン５１を覆う肉厚領域６１Wは、導体パターン５１が設けられていない基板１０の下面１０Lを覆う肉薄領域６１Lより肉厚である。さらに、絶縁層６１は、肉厚領域６１Wから、面内方向において肉薄領域６１Lを隔てた部位が肉厚に構成されてなる肉厚部６１Tを有する。第５実施形態において、肉厚部６１Tは、その積層方向における高さ位置が、肉厚領域６１Wの積層方向における高さ位置と略一致するように構成されている。第５実施形態において、導体パターン５２は肉厚領域６１Wの上面に位置し、導体パターン５３は肉厚部６１Tの上面に位置している。
【００５４】
第５実施形態における上記構成によれば、電極８２の積層方向直下において絶縁層６１の一部が肉厚に構成されてなる肉厚部６１Tが設けられていることで、絶縁層６１上に形成される２つの導体パターン５２、５３の積層方向における高さ位置を略一致させることができる（図５）。このため、電子部品が実装され得る電極８１及び電極８２の高さ位置も略一致することになり、電子部品が安定的に実装され得る高品質な多層配線基板１を実現することができる。なお、導体パターン５２、５３の高さ位置の差が、例えば０μｍ〜３μｍの範囲内、好ましくは１．５μｍ以下となるように、肉厚部６１Tが設けられていることが好ましい。上記の範囲内に高さ位置の差が調整されることにより、多層配線基板１の表層に対して略平行に電子部品が実装され得る。当該高さ位置の差が３μｍを超えると、電子部品を多層配線基板１に実装する際に、電子部品と多層配線基板１との接続不良が生じやすくなるおそれがある。
【００５５】
なお、第５実施形態における多層配線基板１に搭載され得る電子部品としては、例えばリレー、トランジスタ、集積回路（Integrated Circuit（ＩＣ)）などの能動素子の他、抵抗、コンデンサ、インダクタなどの受動素子等が挙げられる。また、第５実施形態において、上記に例示した電子部品のうちの何れか１以上の電子部品が各電極に電気的に接続されて実装されてなる多層配線基板を「部品実装多層配線基板」という。第５実施形態における多層配線基板１を用いる場合、電極４１及び電極４２（第１電極）に１の上記電子部品が電気的に接続されて実装されているとともに、電極８１及び電極８２（第２電極）に１の上記電子部品が電気的に接続されて実装されている部品実装多層配線基板とすることができる。また、例えば、電極４１及び電極４２（第１電極）に１の上記電子部品が電気的に接続されて実装されており、電極８１及び電極８２（第２電極）に上記電子部品が実装されていない部品実装多層配線基板とすることもできる。
【００５６】
第５実施形態における多層配線基板１は、２層の配線層からなる多層配線層ＷLM1を基板１０の上面１０Hに備え、２層の配線層からなる多層配線層ＷLM2を基板１０の下面１０Lに備える多層配線基板１を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、３層以上の配線層が積層されてなる多層配線層を基板１０の両面に備える多層配線基板であってもよい。また、第５実施形態における多層配線基板１は、表層である絶縁層２２に電極４１、４２の２つの電極が並列されてなる多層配線構造体１Ａと、表層である絶縁層６２に電極８１、８２の２つの電極が並列されてなる多層配線構造体１Ｂとを備える多層配線基板１を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、表層である絶縁層２２に３つ以上の電極が並列されてなる多層配線構造体と、表層である絶縁層６２に３つ以上の電極が並列されてなる多層配線構造体とを備える多層配線基板であってもよい。
【００５７】
［多層配線基板の製造方法］
図６は、本開示の一実施形態の多層配線基板（多層配線構造体）の製造方法を表す工程図であり、図７は図６の製造工程に続く工程図である。以下では、第１実施形態における多層配線基板１の製造方法を例として説明する。
【００５８】
まず、基板１０として、所望の厚さと大きさのガラスエポキシを主材とする基板を準備し、基板１０の上面１０Hに、導体パターン１１を形成する（図６（Ａ））。導体パターン１１の形成には、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等、これらを含む合金が好適に用いられる。導体パターン１１を形成する方法としては、例えば基板１０の上面１０Hに形成した導電性シード層上に電気めっき用のレジストパターンを形成し、当該パターンのレジスト開口部に所望の厚さで電気めっきを施した後、レジストパターン及び不要な導電性シード層を除去する方法等が挙げられる。基板１０の上面１０Hに導電性シード層を形成する方法としては、例えばスパッタリング法や無電解めっき法等が挙げられる。また、基板１０の上面１０Hに導電層を形成し、この導電層上にレジストパターンを形成し、その後、このレジストパターンをマスクしてエッチングすることにより、導体パターン１１を形成してもよい。レジストパターンは、ドライフィルムレジストや液レジストに対する露光・現像処理により形成され得る。なお、基板１０としては、上述したガラスエポキシを主材とする基板に限定されるものではなく、ガラス、シリコン等を主材とする基板が好適に用いられ得る。
【００５９】
次に、導体パターン１１を覆うように、基板１０の上面１０Hに、例えばスピンコート、ディップコート、スプレーコート、バーコート等の方法でネガ型の感光性樹脂溶液を塗布し、感光性樹脂塗膜２１’を形成する（図６（Ｂ））。感光性樹脂溶液としては、例えば、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、及び感光性アクリル樹脂等を感光性樹脂材料として含む感光性樹脂溶液が挙げられる。本実施形態においては、導体パターン１１の上面を覆う感光性樹脂塗膜２１’の領域（以下、「肉厚領域」という。）２１’Wの積層方向における高さ位置が、導体パターン１１が形成されていない基板１０の上面１０Hを覆う感光性樹脂塗膜２１’の所定領域（以下、「肉薄領域」という。）２１’Lの積層方向における高さ位置より高くなっている。
【００６０】
次に、透過部１００ｔ、半透過部１００ｈ、及び遮光部１００ｓを有する多階調マスク１００を用いて、硬化部２１’ｄ、半硬化部２１’ｈ、及び未硬化部２１’ｎを有する感光性樹脂層２１’ Yを形成する（図６（Ｃ））。多階調マスク１００として、例えばハーフトーンマスクあるいはグレイトーンマスク等が用いられ得る。本実施形態においては、遮光部１００ｓが肉厚領域２１’Wの一部に対応するように、多階調マスク１００を感光性樹脂塗膜２１’の上方に位置させる。その後、感光性樹脂塗膜２１’に対して多階調マスク１００を介した露光を行う。透過部１００ｔを透過した露光光により、透過部１００ｔに対応する感光性樹脂塗膜２１’部分が硬化され硬化部２１’ｄとなる。また、半透過部１００ｈを透過した露光光の一部により、半透過部１００ｈに対応する感光性樹脂塗膜２１’を構成する一部の樹脂が硬化され、硬化される一部を除くその他の樹脂が未硬化な状態で残り、半硬化部２１’ｈとなる。一方で、遮光部１００ｓにより露光光が遮光されることにより、遮光部１００ｓに対応する感光性樹脂塗膜２１’部分は未硬化部２１’ｎとなる。
【００６１】
その後、感光性樹脂層２１’Yに対して現像処理を行うことにより、貫通孔２１H及び肉厚部２１Tを有する絶縁層２１を形成する（図６（Ｄ））。本実施形態においては、現像処理によって、感光性樹脂層２１’Yの未硬化部２１’ｎが除去されて貫通孔２１Hとなり、感光性樹脂層２１’Yの硬化部２１’ｄが肉厚部２１Tとなる。一方で、感光性樹脂層２１’Yの半硬化部２１’ｈのうち、上記の未硬化な状態で残る樹脂部分は現像処理により除去される。その結果、現像処理により未硬化な状態で残る樹脂部分が除去された後の、半硬化部２１’ｈに対応する絶縁層２１部分の厚さは、現像処理を行う前の感光性樹脂層２１’Yの厚さよりも薄くなる。具体的には、半硬化部２１’ｈに対応する絶縁層２１部分で、導体パターン１１が形成されない基板１０の上面１０Hを覆う部分が、肉厚部２１Tに対して薄膜に形成され得る。また、半硬化部２１’ｈに対応する絶縁層２１部分で、導体パターン１１を覆う（貫通孔２１Hを除く）領域（以下「肉厚領域」という。）２１Wが、現像処理を行う前の感光性樹脂層２１’Yの厚さよりも薄くなる。その結果、肉厚領域２１Wの積層方向における高さ位置と、肉厚部２１Tの積層方向における高さ位置とが略一致することになる（図６（Ｄ））。
【００６２】
なお、本実施形態においては、ネガ型の感光性樹脂溶液で構成された感光性樹脂塗膜２１’に対して多階調マスク１００を介した露光及び現像を行い、貫通孔２１H及び肉厚部２１Tを有する絶縁層２１が形成されるものであるが、これに限定されるものではなく、感光性樹脂塗膜２１’として、ポジ型の感光性樹脂溶液で構成されたものを使用してもよい。
【００６３】
次に、貫通孔２１Hに導電材料を充填してビア３１を形成しつつ、絶縁層２１の肉厚領域２１Wの上面に導体パターン１２を形成し、肉厚部２１Tの上面に導体パターン１３を形成する（図７（Ａ））。ビア３１、導体パターン１２および導体パターン１３は、上述した導体パターン１１と同様にして形成され得る。ビア３１、導体パターン１２および導体パターン１３の形成には、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等、これらを含む合金が好適に用いられる。
【００６４】
その後、導体パターン１２および導体パターン１３を覆うように絶縁層２２を形成する（図７（Ｂ））。絶縁層２２は、エポキシ樹脂溶液等を、スピンコート、ディップコート、スプレーコート、バーコートなどの方法で塗布し、乾燥後、加熱硬化させる、いわゆる塗布法により形成され得る。
【００６５】
次に、導体パターン１２の上面の一部が露出するように、絶縁層２２を厚さ方向に貫通する貫通孔２２H1を形成するとともに、導体パターン１３の上面の一部が露出するように、絶縁層２２の厚さ方向に貫通する貫通孔２２H2を形成する（図７（Ｃ））。貫通孔２２H1および貫通孔２２H2は、例えば絶縁層２２上に所望のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして所望のエッチング液でエッチングする等の方法により形成され得る。
【００６６】
次に、貫通孔２２H1に導電材料を充填して電極４１を形成し、貫通孔２２H2に導電材料を充填して電極４２を形成する（図７（Ｄ））。電極４１および電極４２は、電極４１、４２を構成する材料（例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、鉛錫合金等）を用い、例えば電気めっき、無電解めっき等により形成され得る。以上の工程により、導体パターン１２（電極４１）及び導体パターン１３（電極４２）の高さ位置が略一致した多層配線基板１が形成され得る。
【００６７】
以上説明した実施形態は、本開示の理解を容易にするために記載されたものであって、本開示を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本開示の技術的範囲に属するすべての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００６８】
上記各実施形態における多層配線基板１においては、図１〜図５に示される通り、表層に位置する導体パターンの積層方向の略直下に位置する絶縁層が肉厚に構成されている態様が描かれているが、この態様に限定されるものではない。例えば、表層に位置する導体パターンの高さ位置を略一致させ得る限り、表層に位置する導体パターンの少なくとも一部の積層方向下方に位置する絶縁層が肉厚に構成されているものであればよい。すなわち、表層に位置する導体パターンの積層方向の直下でなくても、当該積層方向の直下の位置から所定の層の面内方向（図示においては左右方向）にずれた位置における絶縁層が肉厚に構成されているものであってもよい。
【実施例】
【００６９】
以下、実施例、試験例等を挙げて本開示をさらに詳細に説明するが、本開示は、下記の実施例等によって何ら限定されるものではない。
【００７０】
［実施例１］
基板１０として、厚さ５００μｍのガラス基板を準備し、このガラス基板一方の面に、導電性材料としてのＣｕを含む導電性シード層（膜厚０．２５μｍ）をスパッタリングにより形成した後、めっき用の液状レジストをスピナー塗布し、第１配線層ＷL1の導体パターン１１用のフォトマスクを用いて、露光し、現像して厚さ３μｍレジストパターンを形成した。続いて、電気銅めっきによりレジスト開口部に厚さ３μｍのＣｕめっきを施した後、ソフトエッチングにより不要な導電性シード層を除去し、導体パターン１１を有する第１配線層ＷL1を形成した。
【００７１】
次に、導体パターン１１を覆うように、基板１０の上面１０Hに、ネガ型感光性ポリイミド樹脂溶液をスピナー塗布し、感光性樹脂塗膜２１’を形成した。続いて、多階調マスク１００としてハーフトーンマスクを介して、感光性樹脂塗膜２１’の表面のうち、貫通孔２１H形成予定領域を遮光し、肉厚部２１T形成予定領域を露光し、肉薄領域２１L形成予定領域を半露光し、感光性樹脂層２１’Yとした。その後、現像して、貫通孔２１H及び肉厚部２１Tを有する絶縁層２１を形成した。
【００７２】
次に、絶縁層２１の上面に、導電性材料としてのＣｕを含む導電性シード層（膜厚０．２５μｍ）をスパッタリングにより形成した。続いて、絶縁層２１の上面に形成されたシード層上に、めっき用の液状レジストを塗布し、第２配線層ＷL2の導体パターン１２及び導体パターン１３用のフォトマスクを介して、露光し、現像して厚さ３μｍのレジストパターンを形成した。続いて、電気銅めっきにより、絶縁層２１の貫通孔２１H、レジスト開口部に厚さ３μｍのＣｕめっきを施した。
【００７３】
次に、絶縁層２１の上面に形成された導電性シード層上からレジストパターンを剥離し、Ｃｕめっきが施された部分以外の露出している不要な導電性シード層をソフトエッチングにより除去し、ビア３１、並びに導体パターン１２及び導体パターン１３を有する第２配線層ＷL2を形成し、その上にパターン化した絶縁層２２を形成して多層配線構造体とした。
【００７４】
続いて、絶縁層２２の開口部に、無電解めっきにより、絶縁層２２の上面から突出するバンプの突出高さが３μｍである電極４１及び電極４２を形成した。上記により、所望の多層配線基板１を作製した。
【００７５】
［比較例１］
導体パターン１１を覆うように、基板１０の上面１０Hに、ネガ型感光性ポリイミド樹脂溶液をスピナー塗布して感光性樹脂塗膜を形成し、貫通孔２１H用のフォトマスクを介して、感光性樹脂塗膜の表面のうち、貫通孔２１H形成予定領域を遮光し、それ以外の領域を露光して感光性樹脂層とし、現像して、貫通孔２１Hを有する絶縁層２１とした他は、実施例１と同様にして、多層配線基板１’を作製した。
【００７６】
［試験例］
実施例１にかかる多層配線基板１を、電極４１、電極４２の形成部分において積層方向に切断した。そして、当該２箇所の切断面を、ＳＥＭ（日本電子（株）製ＪＷＳ−７８５５Ｓ）を用いて観察し、各電極が位置する各導体パターン（導体パターン１２、１３）の積層方向における高さ位置を測定したところ、両電極の積層方向における高さ位置の差は１．０μｍであった。
【００７７】
同様に、比較例１にかかる多層配線基板１’を、電極４１、電極４２の形成部分において積層方向に切断した。そして、当該２箇所の切断面を、ＳＥＭ（日本電子（株）製ＪＷＳ−７８５５Ｓ）を用いて観察し、各電極が位置する各導体パターン（導体パターン１２、１３）の積層方向における高さ位置を測定したところ、両電極の積層方向における高さ位置の差は３．２μｍであった。
【００７８】
上記の試験結果から、実施例１の多層配線基板１においては、電極４１及び電極４２の高さ位置の差が０μｍ〜３μｍの範囲内に抑制されていることが確認された。このことから、実施例１の多層配線基板１のように、感光性樹脂塗膜２１’を形成した後に、多階調マスク１００（ハーフトーンマスク）を介して、感光性樹脂塗膜２１’の表面のうち、貫通孔２１H形成予定領域を遮光し、肉厚部２１T形成予定領域を露光し、肉薄領域２１L形成予定領域を半露光して感光性樹脂層２１”とし、現像して、貫通孔２１H及び肉厚部２１Tを有する絶縁層２１を形成することで、貫通孔２１Hに導電材料が充填されてなるビア３１に連続するように形成されてなる導体パターン１２の積層方向における高さ位置と、肉厚部２１T上に形成されてなる導体パターン１３の積層方向における高さ位置と、が略一致し、その結果、導体パターン１２に連続して形成される電極４１の積層方向における高さ位置と、導体パターン１３に連続して形成される電極４２の積層方向における高さ位置と、が略一致する。よって、電極４１及び電極４２を介して多層配線基板１上に電子部品を安定的に実装することができると考えられる。
【符号の説明】
【００７９】
１…多層配線基板
１Ａ…多層配線構造体
ＷLM、ＷLM1、ＷLM2…多層配線層
ＷL1、ＷL2、ＷL3、ＷL1B、ＷL2B…配線層
１１、１２、１３、１４、１５、１６、５１、５２、５３…導体パターン
２１、２２、２３…絶縁層
３１、３２、３３…ビア（層間接続部）
４１、４２、４３…電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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