(57)【要約】【課題】スループットの向上に有利なインプリント方法を提供する。【解決手段】インプリント方法は、基板のショット領域の上にインプリント材を液滴状態で配置する配置工程と、前記ショット領域の一部分の上の前記インプリント材とモールドのパターン領域とを接触させた後に前記インプリント材と前記パターン領域との接触領域を前記ショット領域の全域まで拡大させる接触工程と、前記接触工程の後に前記インプリント材を硬化させる硬化工程とを含む。前記配置工程では、前記ショット領域の前記一部分からの放射方向に位置する複数の局所領域の各々において、前記放射方向に直交する方向に平行で前記インプリント材の複数の液滴が存在する線上における前記インプリント材の線密度が、前記放射方向に平行で前記インプリント材の複数の液滴が存在する線上における前記インプリント材の線密度より小さいように、前記インプリント材が配置される。【選択図】図１１
2020043338.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のショット領域の上にインプリント材を液滴状態で配置する配置工程と、前記ショット領域の一部分の上の前記インプリント材とモールドのパターン領域とを接触させた後に前記インプリント材と前記パターン領域との接触領域を前記ショット領域の全域まで拡大させる接触工程と、前記接触工程の後に前記インプリント材を硬化させる硬化工程と、を含むインプリント方法であって、
前記配置工程では、前記ショット領域の前記一部分からの放射方向に位置する複数の局所領域の各々において、前記放射方向に直交する方向に平行で前記インプリント材の複数の液滴が存在する線上における前記インプリント材の線密度が、前記放射方向に平行で前記インプリント材の複数の液滴が存在する線上における前記インプリント材の線密度より小さいように、前記インプリント材が配置される、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記複数の局所領域は、前記ショット領域の辺の中央部に接する局所領域を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記複数の局所領域は、前記モールドを用いて互いに同一のパターンが転写される少なくとも２つの局所領域を含み、
前記配置工程では、前記少なくとも２つの局所領域に対して、互いに異なる配列パターンに従って前記インプリント材の液滴が配置される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記配置工程では、前記少なくとも２つの局所領域に対して、互いに等しい体積の前記インプリント材が配置される、
ことを特徴とする請求項３に記載のインプリント方法。
【請求項５】
基板のショット領域の上にインプリント材を液滴状態で配置する配置工程と、前記ショット領域の一部分の上の前記インプリント材とモールドのパターン領域とを接触させた後に前記インプリント材と前記パターン領域との接触領域を前記ショット領域の全域まで拡大させる接触工程と、前記接触工程の後に前記インプリント材を硬化させる硬化工程と、を含むインプリント方法であって、
前記配置工程では、前記ショット領域の辺の中央部に接する局所領域において、前記辺に平行で前記インプリント材の複数の液滴が存在する線上における前記インプリント材の線密度が、前記辺に直交する方向に平行で前記インプリント材の複数の液滴が存在する線上における前記インプリント材の線密度より小さいように、前記インプリント材が配置される、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項６】
前記局所領域の面積は、前記ショット領域の面積の１／４以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記局所領域の面積は、前記ショット領域の面積の１／１００以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記ショット領域は、複数のチップ領域を有し、前記パターン領域は、前記複数のチップ領域にそれぞれ対応する複数のチップパターン領域を有し、前記複数のチップパターン領域は、互いに同じパターンを有し、
前記配置工程では、前記複数のチップ領域のうちの少なくとも２つのチップ領域に対して、互いに異なる配列パターンに従って前記インプリント材の液滴が配置される、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記少なくとも２つのチップ領域は、前記ショット領域の第１辺の中央部に接するチップ領域と、前記第１辺と隣り合う第２辺の中央部に接するチップ領域とを含む、
ことを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
前記配置工程では、前記インプリント材の複数の液滴が矩形格子状に配置される、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１１】
前記配置工程では、前記インプリント材の複数の液滴が千鳥格子状に配置される、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１２】
前記接触工程では、前記モールドが前記基板に向かって凸形状に変形した状態で前記インプリント材と前記パターン領域との接触が開始される、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインプリント方法に従って基板の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を処理して物品を得る工程と、
を含む物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、基板の上のインプリント材とモールドとを接触させ、モールドのパターンを構成する凹部にインプリント材を充填させ、その後にインプリント材を硬化させることによってモールドのパターンを基板に転写する技術である。特許文献１には、モールドを基板に向かって凸形状に変形させ、基板の上の高分子材料（インプリント材）に対してモールドの中心部分を接触させた後に、高分子材料とモールドとの接触領域を拡大させることが記載されている。高分子材料とモールドとの接触領域を拡大させる過程において、基板とモールドとの間に存在するガスが排出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００９−５３６５９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板の上のインプリント材とモールドとの接触領域を拡大させる過程において、基板、モールドおよびインプリント材によって囲まれた空間にガスが閉じ込められると、モールドの凹部へのインプリント材の充填が妨げられる。モールドの凹部へのインプリント材の充填が不完全な状態でインプリント材を硬化させると、インプリント材の硬化物によって形成されるパターンに不良が発生しうる。したがって、上記空間に閉じ込められたガスがインプリント材に溶解し又は凝縮することによって消失し、モールドの凹部にインプリント材が充填されるまで、インプリント材の硬化の開始を待つ必要がある。このようなプロセスは、スループットを低下させうる。ガスの閉じ込めは、ガスが排出される経路がインプリント材によって塞がれることによって起こりうる。そのため、基板の上にインプリント材の液滴をどのように配置するのかが重要である。
【０００５】
本発明は、スループットの向上に有利なインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの側面は、インプリント方法に係り、前記インプリント方法は、基板のショット領域の上にインプリント材を液滴状態で配置する配置工程と、前記ショット領域の一部分の上の前記インプリント材とモールドのパターン領域とを接触させた後に前記インプリント材と前記パターン領域との接触領域を前記ショット領域の全域まで拡大させる接触工程と、前記接触工程の後に前記インプリント材を硬化させる硬化工程と、を含み、前記配置工程では、前記ショット領域の前記一部分からの放射方向に位置する複数の局所領域の各々において、前記放射方向に直交する方向に平行で前記インプリント材の複数の液滴が存在する線上における前記インプリント材の線密度が、前記放射方向に平行で前記インプリント材の複数の液滴が存在する線上における前記インプリント材の線密度より小さいように、前記インプリント材が配置される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、スループットの向上に有利なインプリント方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態のインプリント装置の構成を示す図。
【図２】本発明の一実施形態のインプリント装置の構成を示す図。
【図３】モールド駆動部の構成を例示する図。
【図４】図１、図２に示されるインプリント装置の動作例を示す図。
【図５】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置および接触工程における液滴を例示する図。
【図６】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置および接触工程における液滴を例示する図。
【図７】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置および接触工程における液滴を例示する図。
【図８】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置および接触工程における液滴を例示する図。
【図９】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置および接触工程における液滴を例示する図。
【図１０】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置および接触工程における液滴を例示する図。
【図１１】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置方法を例示する図。
【図１２】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置方法を例示する図。
【図１３】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置方法を例示する図。
【図１４】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置方法を例示する図。
【図１５】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置方法を例示する図。
【図１６】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置方法を例示する図。
【図１７】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置方法を例示する図。
【図１８】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置方法を例示する図。
【図１９】インプリント材の液滴の配置の評価の指標を説明する図。
【図２０】接触工程におけるインプリント材とモールド（のパターン領域）との接触領域の拡大を説明する図。
【図２１】接触工程におけるインプリント材とモールド（のパターン領域）との接触領域の拡大を説明する図。
【図２２】物品製造方法を例示する図。
【図２３】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置方法を例示する図。
【図２４】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置方法を例示する図。
【図２５】ショット領域へのインプリント材の液滴の配置方法を例示する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
【００１０】
図１、図２には、本発明の一実施形態のインプリント装置ＩＭＰの構成が示されている。インプリント装置ＩＭＰは、基板４のショット領域の上にインプリント材ＩＭの硬化物からなるパターンを形成するインプリント方法を実行する。インプリント方法は、配置工程、該配置工程の後に実行される接触工程、該接触工程の後に実行される硬化工程を含みうる。インプリント方法は、該硬化工程の後に実行される分離工程を更に含みうる。配置工程では、基板４のショット領域の上にインプリント材ＩＭが液滴（ドロップ）状態で配置される。配置工程の後に実行されうる接触工程では、基板４のショット領域の一部分の上のインプリント材ＩＭとモールド１のパターン領域ＰＲとを接触させた後にインプリント材ＩＭとパターン領域ＰＲとの接触領域がショット領域の全域まで拡大される。接触工程の後に実行されうる硬化工程では、インプリント材ＩＭが硬化される。硬化工程の後に実行されうる分離工程では、インプリント材ＩＭの硬化物とモールド１とが分離される。
【００１１】
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。
【００１２】
本明細書および添付図面では、基板４の表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。位置合わせ（アライメント）は、基板および型の少なくとも一方の位置および／または姿勢の制御を含みうる。また、位置合わせ（アライメント）は、基板および型の少なくとも一方の形状を補正あるいは変更するための制御を含みうる。
【００１３】
インプリント装置ＩＭＰは、基板４を保持する基板保持部５と、基板保持部５を駆動することによって基板４を駆動する基板駆動部３とを備えうる。また、インプリント装置ＩＭＰは、モールド１を保持するモールド保持部９と、モールド保持部９を駆動することによってモールド１を駆動するモールド駆動部６とを備えうる。図３に例示されるように、モールド駆動部６は、モールド保持部９をＺ方向に駆動する３つの駆動系Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３を含みうる。駆動系Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３は、例えば、Ｚ軸方向における位置およびＺ方向に作用する力を検出するセンサを含み、これらのセンサの出力に基づいて、モールド１の位置および姿勢ならびにモールド１に加わる力を制御することができる。
【００１４】
基板駆動部３およびモールド駆動部６は、基板４とモールド１との相対位置が調整されるように基板４およびモールド１の少なくとも一方を駆動する駆動機構を構成する。該駆動機構による相対位置の調整は、基板４の上のインプリント材に対するモールド１のパターン領域ＰＲの接触、および、インプリント材の硬化物からのモールド１の分離のための駆動を含む。基板駆動部３は、基板４を複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。モールド駆動部６は、モールド１を複数の軸（例えば、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。
【００１５】
インプリント装置ＩＭＰは、インプリント材ＩＭに硬化用のエネルギーを与えることによってインプリント材ＩＭを硬化させる硬化部３０と、パターン領域ＰＲを含む視野を撮像（観察）可能な撮像部１４とを備えうる。撮像部１４を使って、例えば、接触工程においてインプリント材ＩＭとパターン領域ＰＲとの接触領域が拡大する様子や、基板４とパターン領域ＰＲとの間隙によって形成される干渉縞を撮像（観察）することができる。撮像部１４は、光学系１１を介してパターン領域ＰＲを含む視野を撮像しうる。硬化部３０は、光学系１１を介して基板１のショット領域の上のインプリント材ＩＭに硬化用のエネルギーを提供するように構成されうる。光学系１１は、例えば、リレー光学系１２と、ミラー１３とを含みうる。その他、インプリント装置ＩＭＰは、基板４のショット領域とモールド１のパターン領域ＰＲとの相対位置を検出するアライメント検出系（不図示）を備えうる。
【００１６】
モールド１は、第１の側と、第２の側とを有し、該第１の側には、周辺部分よりも突出したメサ部２が設けられ、メサ部２の表面には、パターン領域ＰＲが設けられている。該第２の側には、キャビティ８が設けられている。キャビティ８に圧力（力）を加えることによって、メサ部２およびパターン領域ＰＲをＺ方向に変形させることができる。Ｚ方向に関するメサ部２およびパターン領域ＰＲの変形は、メサ部２およびパターン領域ＰＲを基板４に向かって凸形状にしたり、平面形状にしたりすることを含みうる。
【００１７】
インプリント装置ＩＭＰは、キャビティ８の圧力を制御することよってＺ方向に関するメサ部２およびパターン領域ＰＲの変形を制御する変形部７を備えうる。また、インプリント装置ＩＭＰは、モールド１の側面に力を加えることによって、パターン領域ＰＲのＸＹ平面に平行な面内における形状（ＸＹ平面に投影されたパターン領域ＰＲの形状）を変更する変形機構(不図示)を備えてもよい。
【００１８】
インプリント装置ＩＭＰは、モールド１のパターン領域ＰＲの高さおよびチルト量（θＸ、θＹ）を計測する計測器１５、および、基板４の表面の高さおよびチルト量（θＸ、θＹ）を計測する計測器１６を備えうる。計測器１５は、例えば、基板駆動部３によって、基板保持部５とともに駆動されうる。
【００１９】
インプリント装置ＩＭＰは、基板４の上にインプリント材ＩＭを液滴状態で配置するディスペンサ２０を備えうる。ディスペンサ２０は、インプリント材ＩＭを基板４の上に供給する供給部あるいは塗布部として理解されてもよい。インプリント装置ＩＭＰは、基板駆動部３、モールド駆動部６、硬化部３０、撮像部１４、計測器１５、１６、ディスペンサ２０等を制御する制御部１８を備えうる。制御部１８は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用又は専用のコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。
【００２０】
図４には、インプリント装置ＩＭＰの動作が例示的に示されている。図４に示される動作は、制御部１８によって制御されうる。工程Ｓ４０１では、制御部１８は、基板４のショット領域に対するインプリント材ＩＭの配置を決定する配置決定処理を実行する。この配置決定処理は、例えば、基板４のショット領域に配置されるインプリント材ＩＭの各液滴（ドロップ）の位置を示すマップ（配置情報）を生成する処理を含みうる。
【００２１】
工程Ｓ４０２では、配置工程が実行される。配置工程では、制御部１８は、基板４の処理対象のショット領域に対して、工程Ｓ４０１で決定したインプリント材ＩＭの配置情報に従ってインプリント材ＩＭが配置されるようにディスペンサ２０および基板駆動部３を制御する。ここで、この例では、１回の工程Ｓ４０１において、直後にパターンが形成される１つのショット領域に対してインプリント材ＩＭが配置される。しかし、他の例において、工程Ｓ４０２は、複数のショット領域に対して連続的にインプリント材ＩＭが配置されるように変更されてもよい。
【００２２】
次いで、工程Ｓ４０３では、接触工程が実行される。接触工程では、基板４のショット領域の一部分の上のインプリント材ＩＭとモールド１のパターン領域ＰＲとを接触させた後にインプリント材ＩＭとパターン領域ＰＲとの接触領域がショット領域の全域まで拡大される。一例において、接触工程では、制御部１８は、図２に例示されるように、メサ部２およびパターン領域ＰＲが基板４に向かって凸形状になるように変形部７を制御する。そして、この状態で、制御部１８は、基板４のショット領域の一部分（例えば、中央部）の上のインプリント材ＩＭとモールド１のパターン領域ＰＲの一部分（例えば、中央部）とが接触するようにモールド駆動部６および／または基板駆動部３を制御する。次いで、制御部１８は、インプリント材ＩＭとパターン領域ＰＲとの接触領域がショット領域の全域まで拡大されるように、モールド駆動部６および／または基板駆動部３、ならびに、変形部７を制御する。ここで、接触領域を拡大させるための動作は、モールド駆動部６および／または基板駆動部３によって基板４とモールド１のパターン領域ＰＲとの距離を小さくしつつ、変形部７によってパターン領域ＰＲを平坦に戻す動作を含みうる。
【００２３】
接触工程の少なくとも一部と並行して、又は、接触工程の後に、不図示のアライメント検出系を使って基板４のショット領域とモールド１のパターン領域ＰＲとのアライメント誤差を検出しながらショット領域とパターン領域ＰＲとが位置合わせされうる。インプリント材ＩＭとパターン領域ＰＲとが接触した状態で、パターン領域ＰＲの凹部にインプリント材が充填される。
【００２４】
パターン領域ＰＲの凹部に十分にインプリント材が充填された後に、工程Ｓ４０４が実行される。工程Ｓ４０４では、硬化工程が実行される。硬化工程では、制御部１８は、硬化用のエネルギーが基板４とパターン領域ＰＲとの間のインプリント材ＩＭに照射されるように硬化部３０を制御する。この硬化工程によって、インプリント材ＩＭが硬化して、インプリント材ＩＭの硬化物からなるパターンが形成される。
【００２５】
次いで、工程Ｓ４０５が実行される。工程Ｓ４０５では、分離工程が実行される。分離工程では、制御部１８は、インプリント材ＩＭの硬化物とモールド１のパターン領域ＰＲとが分離されるように、モールド駆動部６および／または基板駆動部３を制御する。次いで、工程４０６では、制御部１８は、パターンを形成すべき全てのショット領域に対するパターンの形成が終了したかどうかを判断し、まだ終了していない場合には、未処理のショット領域に対してパターンを形成するために、工程Ｓ４０２に戻る。
【００２６】
ここで、図５を参照しながら、接触工程において生じうる課題を説明する。図５（ａ）、（ｂ）において、矩形の枠は、モールド１のパターン領域ＰＲおよび基板４のショット領域ＳＲを示し、黒で塗りつぶされた部分は、インプリント材ＩＭの液滴（ドロップ）を示している。図５（ａ）は、ショット領域ＳＲの上のインプリント材ＩＭの液滴とパターン領域ＰＲとが接触する前の状態を模式的に示している。液滴の個数は、現実の個数とは異なるかもしれない。複数の液滴の体積は、互いに等しい。図５（ｂ）は、ショット領域ＳＲの一部分（中央部）の上のインプリント材ＩＭの液滴とモールド１のパターン領域ＰＲの一部分（中央部）とが接触した状態を模式的に示している。パターン領域ＰＲと接触したインプリント材ＩＭの液滴は、押し潰されてショット領域ＰＲ上で広がり、隣接する液滴と結合する。この際に、インプリント材ＩＭの複数の液滴によって囲まれた領域にガスが取り残され、ボイド（ガスがトラップされた空孔）が生じうる。このボイドが小さければ小さいほど、パターン領域ＰＲの凹部、および、基板４とパターン領域ＰＲとの間隙へのインプリント材ＩＭの充填に要する充填時間が短くなる（即ち、スループットが向上する）。
【００２７】
ここで、充填時間は、基板４のショット領域の一部分の上のインプリント材ＩＭへのパターン領域ＰＲの接触を開始してから接触領域が該ショット領域の全域に拡大するまでの時間（以下、接触完了時間）に依存しうる。この接触完了時間を短くするためにインプリント材ＩＭへのモールド１のパターン領域ＰＲの押し付け力を強くすると、インプリンント材ＩＭに加わる圧力が高くなり、そのため、トラップされるガスの圧力も高くなりうる。つまり、スループットを向上させようとして接触完了時間を短くすると、高い圧力のガスがトラップされ、そのガスが抜けるまでに要する時間が長くなり、逆にスループットが低下する可能性がある。あるいは、ガスの圧力が高くなることによってインプリント材ＩＭの液滴が広がることが阻害され、結果として充填時間が長くなるかもしれない。いずれにしても、充填時間は、様々なプロセス条件（材料、インプリントを制御する条件など）に影響を受けうる。以下では、接触完了時間を短くしつつガスのトラップを抑制することによって充填時間を短くする方法を検討する。
【００２８】
まず、図２０、図２１を参照しながら接触工程におけるインプリント材ＩＭとモールド１（のパターン領域ＰＲ）との接触領域の拡大について説明する。なお、図２０、図２１においては、インプリント材ＩＭは、便宜的に、液滴状態ではなく、膜状態であるものとして示されている。図２０は、モールド１のパターン領域ＰＲの凸形状に変形されパターン領域ＰＲの一部分（ここでは中央部）がショット領域ＳＲ上のインプリント材ＩＭに接触した状態が模式的に示されている。インプリント材ＩＭとパターン領域ＰＲとの接触領域は、符号２０１で示されている。図２１に示されるように、接触工程の進行に伴って、接触領域２０１が拡大する。接触領域２０１は、インプリント材ＩＭとパターン領域ＰＲとの接触が開始した一部分（中央部）から放射方向Ｄｒに拡大する。放射方向Ｄｒは、接触領域２０１が拡大する方向と一致している。
【００２９】
図６（ａ）には、インプリント材ＩＭの液滴のＸ方向の配列ピッチ（中心間距離）とＹ方向の配列ピッチとが等しい例、即ち、インプリント材ＩＭの液滴が正方格子状に配列された例が示されている。これらの液滴の体積は全て同じである。図６（ｂ）には、パターン領域ＰＲの凸形状に変形されパターン領域ＰＲの中央部がショット領域ＳＲ上のインプリント材ＩＭの液滴に接触し、液滴が押し広げられた状態が示されている。各液滴は、均等に広がり、隣接する液滴同士が結合し、ガスの排出経路がなくなり、ボイドが発生する。このボイドの大きさ、および、ボイドにおけるガスの圧力が充填時間を決定すると考えられる。
【００３０】
図７（ａ）には、インプリント材ＩＭの液滴のＸ方向の配列ピッチとＹ方向の配列ピッチとが１：２である例、即ち、インプリント材ＩＭの液滴が千鳥格子状に配置された例が示されている。これらの液滴の体積は全て同じである。図７（ｂ）には、パターン領域ＰＲの凸形状に変形されパターン領域ＰＲの中央部がショット領域ＳＲ上のインプリント材ＩＭの液滴に接触し、液滴が押し広げられた状態が示されている。各液滴は、均等に広がり、隣接する液滴同士が結合し、ガスの排出経路がなくなり、ボイドが発生する。図７（ｃ）には、隣接する液滴同士が結合する前、つまりガスがトラップされる前の状態が示されている。図７（ｃ）の状態では、ガスの排出経路が存在する。この状態では、パターン領域ＰＲと液滴とが接触している領域に形成されている、パターン領域ＰＲの中央から放射方向（矢印）に向かって圧力が低下する圧力勾配によって、ガスが放射方向Ｄｒに排出されうる。
【００３１】
ここで、インプリント材ＩＭとパターン領域ＰＲとの接触が開始した一部分（中央部）からの放射方向Ｄｒに位置する任意の局所領域ＬＡ１を考える。局所領域ＬＡ１において、放射方向Ｄｒに直交する方向（Ｘ方向）に平行でインプリント材ＩＭの複数の液滴が存在する線上におけるインプリント材ＩＭの線密度をＡ１とする。また、局所領域ＬＡ１において、放射方向Ｄｒ（Ｙ方向）に平行でインプリント材ＩＭの複数の液滴が存在する線上におけるインプリント材ＩＭの線密度をＢ１とする。前述のように、図７（ａ）の例では、インプリント材ＩＭの液滴のＸ方向の配列ピッチとＹ方向の配列ピッチとが１：２であるので、Ａ１：Ｂ１＝１：２である。これは、局所領域ＬＡ１では、放射方向Ｄｒ（Ｙ方向）へのガスの排出を妨げる抵抗値が、放射方向Ｄｒに直交する方向（Ｘ方向）へのガスの排出を妨げる抵抗値よりも大きいことを示している。
【００３２】
同様に、インプリント材ＩＭとパターン領域ＰＲとの接触が開始した一部分（中央部）からの放射方向Ｄｒに位置する任意の局所領域ＬＡ２を考える。局所領域ＬＡ２において、放射方向Ｄｒに直交する方向（Ｙ方向）に平行でインプリント材ＩＭの複数の液滴が存在する線上におけるインプリント材ＩＭの線密度をＡ２とする。また、局所領域ＬＡ２において、放射方向Ｄｒ（Ｘ方向）に平行でインプリント材ＩＭの複数の液滴が存在する線上におけるインプリント材ＩＭの線密度をＢ２とする。図７（ａ）の例では、インプリント材ＩＭの液滴のＸ方向の配列ピッチとＹ方向の配列ピッチとが１：２であるので、Ａ２：Ｂ２＝２：１である。これは、局所領域ＬＡ２では、放射方向Ｄｒ（Ｘ方向）へのガスの排出を妨げる抵抗値が、放射方向Ｄｒに直交する方向（Ｙ方向）へのガスの排出を妨げる抵抗値よりも小さいことを示している。
【００３３】
以上より、放射方向Ｄｒが互いに異なる局所領域ＬＡ１と局所領域ＬＡ２とにおいて、放射方向Ｄｒへのガスの排出を妨げる抵抗値が互いに異なることが分かる。また、局所領域ＬＡ２の方が局所領域ＬＡ１よりも、放射方向Ｄｒへのガスの排出を妨げる抵抗値が小さいことが分かる。つまり、図７（ａ）に示されたインプリント材ＩＭの液滴の配置は、局所領域ＬＡ２におけるガスの排出には好ましいが、局所領域ＬＡ１におけるガスの排出には好ましくないことが分かる。このことから、局所領域ＬＡ１には、局所領域ＬＡ１におけるガスの排出に有利な液滴の配置を採用し、局所領域ＬＡ２には、局所領域ＬＡ２におけるガスの排出に有利な液滴の配置を採用することが良いことが分かる。
【００３４】
図８（ａ）、（ｂ）には、インプリント材ＩＭの液滴の配置とガスの排出との関係に関して上記を捕捉する例が示されている。図８（ａ）には、インプリント材ＩＭの液滴のＹ方向の配列ピッチが十分に広い例が示されている。これらの液滴の体積は全て同じである。図８（ｂ）には、パターン領域ＰＲの凸形状に変形されパターン領域ＰＲの中央部がショット領域ＳＲ上のインプリント材ＩＭの液滴に接触し、液滴が押し広げられた状態が示されている。図８（ａ）、（ｂ）の例では、Ｙ方向へのガスの排出経路が閉ざされ、中央部から見て＋Ｙ方向の領域と、中央部から見て−Ｙ方向の領域とにおいて、充填時間が長くなる。
【００３５】
局所領域の面積は、ショット領域の面積よりも小さく定めるべきであり、局所領域の面積をショット領域の面積よりも十分に小さく設定することが有利である。そして、各局所領域において、放射方向Ｄｒへのガスの排出を妨げる抵抗値が、放射方向Ｄｒに直交する方向へのガスの排出を妨げる抵抗値よりも小さいように、インプリント材ＩＭの液滴の配置が決定されうる。一例において、局所領域の面積は、ショット領域ＳＲの面積の１／４以下（下限は、インプリント材の配置を決定するための計算負荷等に応じて任意に定められうる）でありうる。他の例において、一例において、局所領域の面積は、ショット領域ＳＲの面積の１／１００以下（下限は、インプリント材の配置を決定するための計算負荷等に応じて任意に定められうる）でありうる。また、複数の局所領域によってショット領域ＳＲの全域が覆われるように該複数のショット領域を決定する必要はなく、充填時間の考慮において注目すべき領域内に局所領域を決定すればよい。
【００３６】
以上より、基板４のショット領域ＳＲにおけるインプリント材ＩＭの液滴の好ましい配置は、工程Ｓ４０１において以下のように定められうる。また、本実施形態のインプリント方法では、このように定められた配列に従って、工程Ｓ４０２において、インプリント材ＩＭがショット領域ＳＲに配置されうる。
【００３７】
工程Ｓ４０１では、まず、ショット領域ＳＲのうちインプリント材ＩＭとパターン領域ＰＲとの接触を開始する一部分（例えば、中央部）からの放射方向Ｄｒに位置する複数の局所領域が決定されうる。工程Ｓ４０１では、次いで、複数の局所領域の各々において、以下の条件１を満たすように、インプリント材ＩＭの液滴の配置が決定されうる。
【００３８】
＜条件１＞放射方向Ｄｒに直交する方向に平行でインプリント材ＩＭの複数の液滴が存在する線上におけるインプリント材ＩＭの線密度が、放射方向Ｄｒに平行でインプリント材ＩＭの複数の液滴が存在する線上におけるインプリント材ＩＭの線密度より小さい。
【００３９】
あるいは、より簡易的には、局所領域は、ショット領域ＳＲの辺の中央部に接するように定められてもよい。この場合に、工程Ｓ４０１では、次いで、複数の局所領域の各々において、以下の条件２を満たすように、インプリント材ＩＭの液滴の配置が決定されうる。
【００４０】
＜条件２＞ショット領域ＳＲの辺に平行でインプリント材ＩＭの複数の液滴が存在する線上におけるインプリント材ＩＭの線密度が、該辺に直交する方向に平行でインプリント材ＩＭの複数の液滴が存在する線上におけるインプリント材の線密度より小さい。
【００４１】
以下、図１１（ａ）、図１１（ｂ）を参照しながら、本発明の実施形態に係るインプリント材ＩＭの液滴の第１配置例を説明する。まず、図１１（ａ）に例示されるように、ショット領域ＳＲをＸ方向に並んだ２つの領域Ａと１つの領域Ｂとの３つの領域に分割する。ここで、２つの領域Ａおよび１つの領域Ｂのそれぞれを前述の局所領域として考えることができるが、この場合、例えば、２つの領域Ａおよび１つの領域Ｂのそれぞれに対して、１つの放射方向を代表的に決定することになる。あるいは、２つの領域Ａのそれぞれの中に局所領域を定め、また、領域Ｂの中に１又は複数の局所領域を定めてもよい。この場合、領域Ａにおけるインプリント材ＩＭの液滴の配置は、領域Ａの中に定めた局所領域における放射方向に基づいて決定され、領域Ｂにおけるインプリント材ＩＭの液滴の配置は、領域Ｂの中に定めた局所領域における放射方向に基づいて決定されうる。つまり、この場合、領域Ａにおける局所領域以外の領域における放射方向は考慮されず、また、領域Ｂにおける局所領域以外の領域における放射方向は考慮されない。
【００４２】
次いで、２つの領域Ａおよび１つの領域Ｂのそれぞれに対して、インプリント材ＩＭの液滴の配置が決定されうる。例えば、領域Ａに対しては、図７（ａ）または図８（ａ）に例示されるように、Ｙ方向の配列ピッチがＸ方向の配列ピッチより大きい配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴の配置が決定されうる。これにより、領域Ａについては、Ｘ方向にガスが排出されやすくなる。領域Ｂに対しては、Ｘ方向の配列ピッチがＹ方向の配列ピッチより大きい配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴の配置が決定されうる。これにより、領域Ｂについては、Ｙ方向にガスが排出されやすくなる。図１１（ｂ）には、このようにして決定された液滴の配置が例示されている。
【００４３】
図１２（ａ）、図１２（ｂ）には、本発明の実施形態に係るインプリント材ＩＭの液滴の第２配置例が示されている。第２配置例では、ショット領域ＳＲをＹ方向に並んだ２つの領域Ｂと１つの領域Ａとの３つの領域に分割する。領域Ａに対しては、Ｙ方向の配列ピッチがＸ方向の配列ピッチより大きい配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴の配置が決定されうる。これにより、領域Ａについては、Ｘ方向にガスが排出されやすくなる。領域Ｂに対しては、Ｘ方向の配列ピッチがＹ方向の配列ピッチより大きい配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴の配置が決定されうる。これにより、領域Ｂについては、Ｙ方向にガスが排出されやすくなる。
【００４４】
図１３（ａ）、図１３（ｂ）には、本発明の実施形態に係るインプリント材ＩＭの液滴の第３配置例が示されている。第３配置例では、ショット領域ＳＲを２つの領域Ａと２つの領域Ｂと１つの領域Ｃとの５つの領域に分割する。領域Ｃは、ショット領域ＳＲの中央に位置し、２つの領域Ａは、Ｘ方向に関して領域Ｃを挟むように配置されている。２つの領域Ｂは、Ｙ方向に関して領域Ｃを挟むように配置されている。領域Ｃは、放射方向Ｄｒが全方位的な領域である。領域Ｃには、図１３（ｂ）に例示されるように、Ｘ方向の配列ピッチとＹ方向の配列ピッチとの比が１：√３に近い千鳥格子状の配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴が配置されうる。このような千鳥格子状の配列パターンは、放射方向Ｄｒが全方位的な領域に有利であることが確認されている。領域Ａに対しては、Ｙ方向の配列ピッチがＸ方向の配列ピッチより大きい配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴の配置が決定されうる。これにより、領域Ａについては、Ｘ方向にガスが排出されやすくなる。領域Ｂに対しては、Ｘ方向の配列ピッチがＹ方向の配列ピッチより大きい配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴の配置が決定されうる。これにより、領域Ｂについては、Ｙ方向にガスが排出されやすくなる。
【００４５】
図１４（ａ）、図１４（ｂ）には、本発明の実施形態に係るインプリント材ＩＭの液滴の第４配置例が示されている。第４配置例は、第３配置例の変形例であり、第４は一例においても、ショット領域ＳＲを２つの領域Ａと２つの領域Ｂと１つの領域Ｃとの５つの領域に分割する。領域Ｃは、ショット領域ＳＲの中央に位置し、２つの領域Ａは、Ｘ方向に関して領域Ｃを挟むように配置されている。２つの領域Ｂは、Ｙ方向に関して領域Ｃを挟むように配置されている。領域Ｃは、放射方向Ｄｒが全方位的な領域である。領域Ｃには、図１４（ｂ）に例示されるように、Ｘ方向の配列ピッチとＹ方向の配列ピッチとの比が１：√３に近い千鳥格子状の配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴が配置されうる。領域Ａに対しては、Ｙ方向の配列ピッチがＸ方向の配列ピッチより大きい配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴の配置が決定されうる。領域Ｂに対しては、Ｘ方向の配列ピッチがＹ方向の配列ピッチより大きい配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴の配置が決定されうる。
【００４６】
図１５は、本発明の実施形態に係るインプリント材ＩＭの液滴の第５配置例を説明するための図である。第５配置例では、ショット領域ＳＲは、放射方向Ｄｒまたはそれに平行な線で分割されている。領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃには、それぞれ前述の領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃに対する配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴が配置されうる。また、放射状に配置された領域Ａ、領域Ｂは、それぞれＸ軸あるいはＹ軸に対してミラー反転されたドロップ配置になっている場合もありうる。この場合、左右の領域Ａは同じ配列のドロップにはならず、回転対称な配列になる。領域Ｂについても同様である（不図示）。
【００４７】
図２３は、ショット領域ＳＲを８分割したもので、例えば図１５（a）を更に放射方向で分割したものである。それぞれの分割領域は異なる８パターンＡからＨで構成されている。これら８つの異なるパターンは図２４に示すような２種類のパターンＡとＢの基本型から派生させたパターンでも良く、パターンＡ’はパターンＡのＹ軸ミラー反転であり、パターンＡ’’はパターンＡ’のＸ軸ミラー反転であり、パターンＡ’’’はパターンＡのＸ軸ミラー反転である。同様にパターンＢ’Ｂ’’Ｂ’’’がパターンＢからの対称形である。上記方法により分割数を放射方向に沿ってさらに増やす事も容易にできる。
【００４８】
更に図２５は図１５を変形させた例で、例えば中央部のパターンＡはＸ軸に平行な方向に対しその直行方向の線密度が小さいタイプのパターンを使用することで、同じパターンでショット領域ＳＲの中央部および左右までをカバーし、パターンＢにより残りの領域をカバーさせた例である。このケースではパターンＡからの派生型はなく、パターンＢのみ先の方法でパターンを派生させて構成している。
【００４９】
図１６（ａ）、図１６（ｂ）には、本発明の実施形態に係るインプリント材ＩＭの液滴の第６配置例が示されている。第６配置例では、ショット領域が２つの領域Ａ、２つの領域Ｂ、１つの領域Ｃ、２つの領域Ｄおよび２つの領域Ｅの９個の領域に分割されている。領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃには、それぞれ前述の領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃに対する配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴が配置されうる。領域Ｄには、図１６（ｂ）に例示されるように、例えば、図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）、図８（ａ）の配列パターンを４５度回転させた配列パターンに従ってインプリンント材ＩＭの液滴が配置されうる。領域Ｅには、図１６（ｂ）に例示されるように、例えば、図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）、図８（ａ）の配列パターンを１３５度回転させた配列パターンに従ってインプリンント材ＩＭの液滴が配置されうる。
【００５０】
実デバイスの製造においては、ショット領域は、例えば、メモリ素子領域、周辺回路領域、更には、チップ境界に相当するカーフと呼ばれる領域で、使用される配列パターンが異なりうる。ただし、これらは、放射方向Ｄｒおよびガスの排出方向を考慮したものではない。
【００５１】
図１７（ａ）、図１７（ｂ）には、１つのショット領域ＳＲが複数のチップ領域ＣＲを有する例が示されている。この場合、モールド１のパターン領域ＰＲは、複数のチップ領域ＣＲにそれぞれ対応する複数のチップパターン領域を有し、該複数のチップパターン領域は、互いに同じパターンを有しうる。配置工程（Ｓ４０２）では、複数のチップ領域ＣＲのうちの少なくとも２つのチップ領域ＣＲに対して、互いに異なる配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴が配置されうる。互いに異なる配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴が配置される少なくとも２つのチップ領域ＣＲは、ショット領域ＳＲの第１辺の中央部に接するチップ領域ＣＲと、該第１辺と隣り合う第２辺の中央部に接するチップ領域ＣＲとを含みうる。
【００５２】
インプリント材の液滴の配列パターンは、液滴が千鳥格子状に配列される配列パターンであってもよいし、液滴が矩形格子状に配列される配列パターンであってもよい。更に、インプリント材の液滴の配列パターンは、次のような配列パターンであってもよい。図９（ａ）、図９（ｂ）には、Ｘ方向に平行な複数の行で構成される配列において、１行おきに液滴群が配列ピッチの１／２未満の距離だけＸ方向にシフトする配列パターンが例示されている。図９（ｃ）には、図９（ｂ）に例示された配列パターンに従うインプリント材ＩＭの液滴が接触工程において広がった状態が示されている。図９（ｂ）において、ガスは、Ｙ方向には移動することができるが、Ｘ方向には移動することができない。つまり、ガスの移動方向あるいは排出方向に異方性が存在する。そこで、１行おきのシフト量を調整すること、および／または、１行おきのシフトの方向を調整することで、種々の方向性を有する配列パターンを得ることができる。このようにして、基本となる配列パターンを準備しておき、その配列パターンを規定するパラメータ値（例えば、シフト量）を変更することによって複数の配列パターンを得ることができる。この場合、パラメータ値を変更しても単位面積当たりの液滴数が変化しないので、インプリント材の体積を考慮することなく、配列パターンを調整することができる。
【００５３】
通常、デバイスの製造において、ＲＴＬ（Ｒｅｓｉｄｕａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）と呼ばれる、インプリント材の最小厚さ（パターン領域ＰＲと基板４の表面との間隔で決まる厚さ）が指定される。ＲＴＬは、通常、ショット領域ＰＲの全域において均一である必要がある。そのため、ショット領域の内の個々の領域ごとにインプリント材の配列パターンを変更する場合に、単位面積当たりの液滴数を一定に維持することが要求されうる。上記のような配列パターンの調整は、このような要求に対する解として有用である。
【００５４】
基板４の上のインプリント材ＩＭとモールド１のパターン領域ＰＲとが接触した際のインプリント材ＩＭの広がり方は、パターン領域ＰＲが有するパターンに依存することが分かっている。パターン領域ＰＲが有するパターンの段差、即ち、パターンを構成する凹部の深さは、例えば、パターンサイズの２倍程度である。また、パターンには、ラインアンドスペース系、孤立ライン系、ピラー系、その他、検査用マーク系などの種々の種類がある。例えば、パターンがラインアンドスペース系である場合、パターンサイズが小さければ小さいほど、単位体積当たりの表面積は増え、その表面積に比例して毛細管力も増加する。その結果、インプリント材ＩＭは、ラインの長手方向により長く広がりやすく、反対にライン幅方向には広がりにくくなる。
【００５５】
図１０（ａ）〜（ｃ）を参照してインプリント材ＩＭの液滴の典型的な広がり例を説明する。図１０（ａ）は、基板４の上に千鳥格子状に配置されたインプリント材ＩＭの液滴を示している。図１０（ｂ）は、Ｘ方向に延びるラインアンドスペースパターンを有するパターン領域ＰＲとの接触によって広がったインプリント材ＩＭの液滴が示されている。図１０（ｂ）の例では、ガスは、Ｘ方向には排出されるが、Ｙ方向には排出されない。図１０（ｃ）は、Ｙ方向に延びるラインアンドスペースパターンを有するパターン領域ＰＲとの接触によって広がったインプリント材ＩＭの液滴が示されている。図１０（ｃ）の例では、ガスは、Ｙ方向には排出されるが、Ｘ方向には排出されない。
【００５６】
図１８には、Ｙ方向に延びるラインアンドスペースパターンをその全域に有するパターン領域ＰＲを有するモールド１を使用してショット領域ＳＲにパターンを形成する際のインプリント材ＩＭの液滴の配置例が示されている。従来は、インプリント材ＩＭとパターン領域ＰＲとが接触を開始するショット領域ＳＲの中央部のＹ方向の領域ａにおいても、Ｘ方向の領域ｂにおいても、同一の配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴が配置される。
【００５７】
本実施形態では、領域ａおよび領域ｂに対して、互いに異なる配列パターンに従ってインプリント材ＩＭの液滴が配置される。領域ａでは、放射方向（Ｙ方向）に直交する方向（Ｘ方向）に平行でインプリント材の複数の液滴が存在する線上におけるインプリント材の線密度が、放射方向に平行でインプリント材の複数の液滴が存在する線上におけるインプリント材の線密度より小さい。領域ｂでは、放射方向（Ｘ方向）に直交する方向（Ｙ方向）に平行でインプリント材の複数の液滴が存在する線上におけるインプリント材の線密度が、放射方向に平行でインプリント材の複数の液滴が存在する線上におけるインプリント材の線密度より小さい。
【００５８】
ここまでは、ショット領域に配置するインプリント材ＩＭの複数の液滴の体積を同じ体積として説明しているが、個々の液滴の体積を調整することによって上記の線密度を調整してもよい。この場合、ＲＴＬに対する要求を満たすように、個々の液滴の体積の調整とともに、液滴の配列パターンも変更されうる。
【００５９】
以下、図１９を参照しながら、インプリント材ＩＭの液滴の配置の評価の指標について説明する。図１９には、ショット領域ＳＲにおける局所領域が示されていて、グレーの円は、インプリント材ＩＭの液滴を示している。いくつかの液滴は、相互に区別するために、液滴ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４として示されている。放射方向Ｄｒは、−Ｘ方向である。放射方向Ｄｒ（−Ｘ方向）に直交する方向（Ｙ方向）に平行でインプリント材ＩＭの複数の液滴が存在する線上におけるインプリント材ＩＭの線密度が小さいほど、ガスが排出されやすいので、この線密度が評価の指標となりうる。放射方向Ｄｒに平行な方向における液滴ｄ１と液滴ｄ２との距離１０４が小さければ小さいほど、液滴ｄ１と液滴ｄ２とが結合しやすく、ガスの排出経路を放射方向Ｄｒに限定しやすい。よって、放射方向Ｄｒに平行な方向における液滴ｄ１と液滴ｄ２との距離１０４が小さいほど、充填時間が短くなりうる。しかし、距離１０４が小さすぎると、放射方向Ｄｒに直交する方向における液滴と液滴との距離が大きくなりすぎ、充填時間が長くなりうる。よって、距離１０４は、評価の指標となりうる。また、放射方向Ｄｒにおける液滴ｄ２と液滴ｄ３との位置ずれ１０５は、液滴ｄ２と液滴ｄ３とが結合する際の形成されるボイドの大きさに影響を与える。位置ずれ１０５が、放射方向Ｄｒにおける液滴の配列ピッチの１／２程度である場合に、ボイドが最も小さくなり、充填時間が短くなりうる。よって、位置ずれ１０５も、評価の指標となりうる。以上の３つの指標に基づいて液滴の配列の最適化がなされうる。
【００６０】
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００６１】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００６２】
次に、インプリント装置あるいはインプリント方法によって基板にパターンを形成し、該パターンが形成された基板を処理し、該処理が行われた基板から物品を製造する物品製造方法について説明する。図２２（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００６３】
図２２（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図２２（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００６４】
図２２（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００６５】
図２２（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図２２（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【符号の説明】
【００６６】
１：モールド、２：メサ、ＰＲ：パターン領域、４：基板、ＳＲ：ショット領域、ＩＭ：インプリント材、ＩＭＰ：インプリント装置、Ｄｒ：放射方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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