(57)【要約】【課題】ポリシリコン付加構造の端部に導電性膜の残渣を生じさせないことで、製造歩留まりを向上した半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】第１導電型の半導体層と、半導体層の上層部に設けられた第２導電型の拡散層と、拡散層上に、第１のシリコン酸化膜を間に介して設けられ、ポリシリコンで形成されたポリシリコン付加構造と、ポリシリコン付加構造の端面に接するように設けられ、ポリシリコン付加構造の端面から、なだらかな下りの傾斜を有する第２のシリコン酸化膜と、拡散層上に、ポリシリコン付加構造の端面から一定距離離れて設けられ、第１のシリコン酸化膜で覆われる第３のシリコン酸化膜と、を有し、第１のシリコン酸化膜は第３のシリコン酸化膜を覆う部分で隆起し、当該隆起と、なだらかな下りの傾斜を有する第２のシリコン酸化膜とで、なだらかなステップ状の表層を有するシリコン酸化膜を構成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体層と、
前記半導体層の上層部に設けられた第２導電型の拡散層と、
前記拡散層上に、第１のシリコン酸化膜を間に介して設けられ、ポリシリコンで形成されたポリシリコン付加構造と、
前記ポリシリコン付加構造の端面に接するように設けられ、前記ポリシリコン付加構造の前記端面から、なだらかな下りの傾斜を有する第２のシリコン酸化膜と、
前記拡散層上に、前記ポリシリコン付加構造の前記端面から一定距離離れて設けられ、前記第１のシリコン酸化膜で覆われる第３のシリコン酸化膜と、を有し、
前記第１のシリコン酸化膜は前記第３のシリコン酸化膜を覆う部分で隆起し、当該隆起と、前記なだらかな下りの傾斜を有する前記第２のシリコン酸化膜とで、なだらかなステップ状の表層を有するシリコン酸化膜を構成する、半導体装置。
【請求項２】
前記拡散層は、
前記第３のシリコン酸化膜の直下の部分に、周囲よりも不純物濃度が低い低濃度拡散層を少なくとも有する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記拡散層は、
前記第３のシリコン酸化膜の前記ポリシリコン付加構造側の端縁部直下と、その反対側の端縁部直下の部分に、それぞれ周囲よりも不純物濃度が低い第１および第２の低濃度拡散層を有し、前記第１および第２の低濃度拡散層の間の部分に前記半導体層を有する、請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記拡散層上に、前記第３のシリコン酸化膜から前記ポリシリコン付加構造とは反対側に一定距離離れて設けられた第４のシリコン酸化膜を有し、
前記第１のシリコン酸化膜は、前記第３および第４のシリコン酸化膜を覆う部分で隆起する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記拡散層上に、前記第３のシリコン酸化膜から前記ポリシリコン付加構造側に一定距離離れて設けられた第４のシリコン酸化膜を有し、
前記第１のシリコン酸化膜は、前記第３および第４のシリコン酸化膜を覆う部分で隆起し、
前記ポリシリコン付加構造は、
前記第１のシリコン酸化膜が前記第４のシリコン酸化膜を覆う部分に乗り上げるように形成される、請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
（ａ）第１導電型の半導体層上に第３のシリコン酸化膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第３のシリコン酸化膜をパターニングして、第１の幅を有するループ状膜とする工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記ループ状膜上から第２導電型の不純物をイオン注入して、前記半導体層の上層部に第２導電型の拡散層を形成する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記半導体層上に第１のシリコン酸化膜を形成して、前記ループ状膜を覆う工程と、
（ｅ）前記第１のシリコン酸化膜上に第１のポリシリコン膜を形成する工程と、
（ｆ）前記ポリシリコン膜をパターニングして、ポリシリコン付加構造を形成する工程と、
（ｇ）前記半導体層上に第２のシリコン酸化膜を形成して前記ポリシリコン付加構造を覆う工程と、
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記第２のシリコン酸化膜を除去して、前記ポリシリコン付加構造の端面のみに、前記端面から、なだらかな下りの傾斜を有するように前記第２のシリコン酸化膜を残す工程と、
（ｉ）前記第１および第２のシリコン酸化膜と前記ポリシリコン付加構造を覆うように絶縁膜および第２のポリシリコン膜を積層する工程と、
（ｊ）前記第２のポリシリコン膜を部分的に除去する工程と、を備え、
前記工程（ｆ）は、
前記ループ状膜の内側の端面から、前記ポリシリコン付加構造の前記端面までが一定距離離れるように前記ポリシリコン付加構造を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）は、
前記ループ状膜の前記第１の幅を、前記拡散層のドーパントの横方向拡散距離の２．０倍よりも小さい値、または、前記ドーパントの縦方向拡散距離の１．２倍よりも小さい値とする工程を含む、請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｂ）は、
前記ループ状膜の前記第１の幅を、前記拡散層のドーパントの横方向拡散距離の２．０倍以上の値、または、前記ドーパントの縦方向拡散距離の１．２倍以上の値とする工程を含む、請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記一定距離は、
前記第２のシリコン酸化膜の膜厚の２倍よりも小さい値に設定される、請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ｂ）は、
前記ループ状膜の外側に、少なくとも１つの他のループ状膜をパターニングする工程を有し、
前記工程（ｄ）は、
前記ループ状膜および前記少なくとも１つの他のループ状膜を覆うように前記第１のシリコン酸化膜を形成する工程を含む、請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記工程（ｂ）は、
前記ループ状膜の内側に、少なくとも１つの他のループ状膜をパターニングする工程を有し、
前記工程（ｄ）は、
前記ループ状膜および前記少なくとも１つの他のループ状膜を覆うように前記第１のシリコン酸化膜を形成する工程を含み、
前記工程（ｆ）は、
前記第１のシリコン酸化膜が前記少なくとも１つの他のループ状膜を覆う部分に乗り上げるように前記ポリシリコン付加構造を形成する工程を含む、請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に、製造歩留まりを向上した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等の電力用半導体装置は、スイッチング動作に伴う装置温度の上昇により異常動作を起こすと、破壊に至ること場合があることが知られている。このため、例えば、特許文献１に開示されるように、温度検出用のダイオードを付加し、温度上昇を検出した場合には、スイッチング動作を停止するなどして異常動作を防止する構成が採られることが多い。
【０００３】
また、電力用半導体装置は、装置表面の電極パッドにワイヤー等をワイヤーボンディングで圧着する際に機械的な衝撃力を受けるので、例えば、特許文献２に開示されるように、電極パッド下に衝撃緩衝構造を付加することで、下地層への衝撃を緩衝する構成が採られることが多い。これらの付加構造は、一般にポリシリコンを母材に形成されることが多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１２９７０７号公報
【特許文献２】特開平３−７６２５０号公報
【特許文献３】特開２０１１−８２４１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電力用半導体装置に、これらのポリシリコン膜を母材とする付加構造（ポリシリコン付加構造）を設ける際、当該ポリシリコン膜上に、一旦、導電性膜を形成した後、当該導電性膜を除去する工程が発生する場合があるが、この場合ポリシリコン膜の端部に導電性膜が除去しきれずに残って、残渣が発生すると、ポリシリコン付加構造と下層のウェル拡散層との絶縁耐量が低下し、不良品となって、製造歩留まりが低下する。
【０００６】
特許文献３には、厚い絶縁膜上に形成したポリシリコン膜を除去する際に、絶縁膜の側面にポリシリコン膜の残渣が発生しないようにするため、一連のパターンニング工程（レジストパターン形成、エッチング、レジスト除去）を繰り返して絶縁膜を階段形状に加工し、高い段差を無くして残渣を発生させない技術が開示されているが、パターンニング工程を繰り返すために、製造工程が複雑になってしまう。
【０００７】
本発明は上記のような問題を解決するためになされたものであり、ポリシリコン付加構造の端部に導電性膜の残渣を生じさせないことで、製造歩留まりを向上した半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体装置の態様は、第１導電型の半導体層と、前記半導体層の上層部に設けられた第２導電型の拡散層と、前記拡散層上に、第１のシリコン酸化膜を間に介して設けられ、ポリシリコンで形成されたポリシリコン付加構造と、前記ポリシリコン付加構造の端面に接するように設けられ、前記ポリシリコン付加構造の前記端面から、なだらかな下りの傾斜を有する第２のシリコン酸化膜と、前記拡散層上に、前記ポリシリコン付加構造の前記端面から一定距離離れて設けられ、前記第１のシリコン酸化膜で覆われる第３のシリコン酸化膜と、を有し、前記第１のシリコン酸化膜は前記第３のシリコン酸化膜を覆う部分で隆起し、当該隆起と、前記なだらかな下りの傾斜を有する前記第２のシリコン酸化膜とで、なだらかなステップ状の表層を有するシリコン酸化膜を構成する。
【発明の効果】
【０００９】
ポリシリコン付加構造の端面から、なだらかな下りの傾斜を有する第２のシリコン酸化膜を備えることで、ポリシリコン付加構造上に、一旦、導電性膜を形成した後、当該導電性膜を除去する工程が実施された場合でも、ポリシリコン付加構造の端部に導電性膜の残渣を生じさせず、製造歩留まりを向上した半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴ全体の上面構成を模式的に示す平面図である。
【図２】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の構成を示す平面図である。
【図３】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴの部分断面図である。
【図４】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図５】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図６】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図７】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図８】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図９】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図１０】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図１１】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図１２】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図１３】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図１４】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図１５】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図１６】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図１７】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図１８】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図１９】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図２０】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図２１】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図２２】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図２３】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図２４】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図２５】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図２６】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図２７】本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図２８】本発明に係る実施の形態１の変形例のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の構成を示す平面図である。
【図２９】本発明に係る実施の形態１の変形例のトレンチゲート型ＩＧＢＴの部分断面図である。
【図３０】本発明に係る実施の形態１の変形例のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図３１】本発明に係る実施の形態１の変形例のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図３２】本発明に係る実施の形態２のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の構成を示す平面図である。
【図３３】本発明に係る実施の形態２のトレンチゲート型ＩＧＢＴの部分断面図である。
【図３４】本発明に係る実施の形態２のレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の製造工程を説明する平面図である。
【図３５】本発明に係る実施の形態２のトレンチゲート型ＩＧＢＴの製造工程を説明する部分断面図である。
【図３６】本発明に係る実施の形態２の変形例のトレンチゲート型ＩＧＢＴのポリシリコン付加構造の構成を示す平面図である。
【図３７】本発明に係る実施の形態２の変形例のトレンチゲート型ＩＧＢＴの部分断面図である。
【図３８】本発明に適用されるポリシリコン付加構造の他の例を示す平面図である。
【図３９】本発明に適用されるポリシリコン付加構造の他の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜はじめに＞
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態について説明する。なお、図面は模式的に示されたものであり、異なる図面にそれぞれ示されている画像のサイズおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されたものではなく、適宜変更され得る。また、以下の説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称および機能も同様のものとする。よって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。
【００１２】
また、以下の説明では、「上」、「下」、「側」、「底」、「表」および「裏」などの特定の位置および方向を意味する用語が用いられる場合があるが、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするため便宜上用いられているものであり、実際に実施される際の方向とは関係しない。また、以下において、「外側」とは半導体装置の外周に向かう方向であり、「内側」とは「外側」に対して反対の方向とする。
【００１３】
また、以下の記載では、不純物の導電型に関して、ｎ型を「第１導電型」、ｐ型を「第２導電型」として一般的に定義するが、その逆の定義でも構わない。
【００１４】
＜実施の形態１＞
＜装置構成＞
図１は、本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴ１００全体の上面構成を模式的に示す平面図である。図１に示すトレンチゲート型ＩＧＢＴ１００は、四角形状の外形を有し、その大部分は、「ユニットセル」と呼称されるＩＧＢＴの最小単位構造（ＩＧＢＴセル）が複数配置された活性領域ＡＲが設けられ、活性領域ＡＲの外側は終端領域ＴＲで囲まれている。活性領域ＡＲには複数のゲートトレンチ（図示せず）が互いに間隔を開けて並列に設けられている。なお、複数のゲートトレンチは、活性領域ＡＲ内に設けられたゲート配線に接続され、ゲート配線はゲートパッドに接続されるが、これらは実施の形態との関係が薄いので図示および説明は省略する。
【００１５】
また、図１においては本実施の形態に関連する構成として、半導体層１０上に設けられたポリシリコン付加構造３１と、その下層に設けられたウェル拡散層４１のみを示しており、その他のゲート電極、エミッタ電極、電極パッド等は便宜的に図示を省略している。
【００１６】
図１に示すようにトレンチゲート型ＩＧＢＴ１００においては、活性領域ＡＲの中央部分にポリシリコン付加構造３１が設けられ、ポリシリコン付加構造３１の下層および、終端領域ＴＲにはウェル拡散層４１が設けられている。ウェル拡散層４１は、終端領域ＴＲにおいては活性領域ＡＲを囲むように設けられ、ポリシリコン付加構造３１の下層のウェル拡散層４１は、終端領域ＴＲのウェル拡散層４１に接続されるように活性領域ＡＲの中央から端まで延在するように設けられている。なお、図１示すポリシリコン付加構造３１は、温度検出用のダイオードであり、ｐ型不純物を含むアノード領域と、ｎ型不純物を含むカソード領域を有するｐｎ接合ダイオードで構成されている。
【００１７】
図１に示す領域“Ｘ”の拡大平面図を図２に示す。なお、以下においては、当該領域“Ｘ”に示される特徴的な構成を本発明に係る実施の形態として説明し、図１は、各実施の形態において共通とする。
【００１８】
図２は、本発明に係る実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴ１００のポリシリコン付加構造３１の構成を示す平面図である。図２に示されるように、ポリシリコン付加構造３１は、四角形状の外形を有し、その周囲にシリコン酸化膜２３（第２のシリコン酸化膜）を有し、ポリシリコン付加構造３１の端面から外側に距離Ｃ（一定距離）だけ離れた位置に、ポリシリコン付加構造３１を囲む幅Ｗ（第１の幅）のループ状のシリコン酸化膜２１ａ（第３のシリコン酸化膜）を有している。なお、以下においては、ループ状のシリコン酸化膜２１ａをループ状膜と呼称する場合もある。
【００１９】
ループ状のシリコン酸化膜２１ａの直下においては、周囲のウェル拡散層４１よりも不純物濃度が低いウェル拡散層４１ａ（低濃度拡散層）が形成されている。シリコン酸化膜２３およびシリコン酸化膜２１ａが、本実施の形態の特徴部となる。
【００２０】
図２におけるＡ−Ａ線での断面図を付加構造部の断面とし、図１におけるＢ−Ｂ線での断面図をセル部の断面として、図３に並べて示す。これは、付加構造部とセル部とで、製造工程の関連性を判りやすく示すためである。
【００２１】
図３に示すように、ポリシリコン付加構造３１は、ｎ型（第１導電型）の半導体層１０の一方の主面側の上層部に設けたｐ型（第２導電型）のウェル拡散層４１上に、シリコン酸化膜２２（第１のシリコン酸化膜）を間に介して形成されている。半導体層１０は、シリコン（Ｓｉ）層でも、炭化珪素（ＳｉＣ）層でも、窒化ガリウム（ＧａＮ）層でも、その他のワイドバンドギャップ半導体層であっても良い。
【００２２】
ポリシリコン付加構造３１の端面に接するようにシリコン酸化膜２３が設けられており、シリコン酸化膜２３は、ポリシリコン付加構造３１の端面から、なだらかな下りの傾斜を有するように設けられている。ポリシリコン付加構造３１の端面に、シリコン酸化膜２３が設けられることで、ポリシリコン付加構造３１の端面に導電性膜の残渣は生じていない。
【００２３】
また、ウェル拡散層４１上には、ポリシリコン付加構造３１の端面から外側に距離Ｃだけ離れた位置に、幅Ｗのシリコン酸化膜２１ａが設けられており、シリコン酸化膜２１ａは、シリコン酸化膜２２で覆われているが、シリコン酸化膜２２は、シリコン酸化膜２１ａより外側に向かうにつれて厚さが薄くなる下りの傾斜を有している。
【００２４】
また、ポリシリコン付加構造３１の上面および端面を覆うようにシリコン酸化膜２４（絶縁膜）が設けられているが、シリコン酸化膜２４は、セル部においてはゲート絶縁膜として機能する。
【００２５】
すなわち、セル部においては、半導体層１０の一方の主面側の上層部にはｐ型の拡散層４２が設けられ、拡散層４２上にはｎ型の拡散層４３が設けられている。そして、拡散層４３および４２を貫通して半導体層１０内に達するようにゲートトレンチ６１が設けられている。
【００２６】
ゲートトレンチ６１の内面を覆うと共に、ゲートトレンチ６１近傍の拡散層４３上を覆うようにシリコン酸化膜２４が設けられ、ゲート絶縁膜として機能する。シリコン酸化膜２４で覆われたゲートトレンチ６１内には不純物を含むポリシリコンのゲート電極６２が埋め込まれている。
【００２７】
なお、この他に、ゲート電極６２上にはゲート配線が設けられ、ゲート配線を覆うように層間絶縁膜が設けられ、ゲートトレンチ６１間の拡散層４３に達するように層間絶縁膜を貫通するエミッタ電極が設けられるが、これらについては本実施の形態との関係が薄いので図示は省略する。
【００２８】
また、半導体層１０の他方の主面側には、ｐ型の拡散層が設けられ、当該拡散層に接するようにコレクタ電極が設けられてＩＧＢＴを構成するが、これらについては本実施の形態との関係が薄いので図示は省略する。
【００２９】
なお、上記に示した半導体層１０はＳｉ基板、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板などの半導体基板であっても良く、また、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板など半導体基板上にエピタキシャル層を形成した後、半導体基板を機械的または化学的またはその他の方法によって除去し、エピタキシャル層のみによって構成される基板であっても良い。
【００３０】
＜製造方法＞
次に、ポリシリコン付加構造３１の端面に導電性膜の残渣が生じない理由について、製造工程を示す図４〜図２９を用いて説明する。なお、以下においては、図４、６、８、１０、１２、１４、１６、１８、２０、２２、２４、２６、２８および３０が、図２に対応する平面図であり、図５、７、９、１１、１３、１５、１７、１９、２１、２３、２５、２７、２９および３１が、図３に対応する断面図である。
【００３１】
まず、図４および図５に示すように、ｎ型の半導体層１０の一方の主面上にシリコン酸化膜２１を形成する。形成方法は、熱酸化法または化学気相成長（ＣＶＤ：：Chemical Vapor Deposition）法等を用いることができる。
【００３２】
次に、図６および図７に示す工程において、シリコン酸化膜２１上にレジスト材を塗布し、付加構造部においてはシリコン酸化膜２１ａの形成領域のみにレジスト材が残るように写真製版を行いレジストマスク５１を形成する。レジストマスク５１の平面視形状は、シリコン酸化膜２１ａと同様の幅Ｗのループ状である。なお、セル部においてはレジスト材が全体を覆ってレジストマスク５１として残る。
【００３３】
そして、レジストマスク５１をエッチングマスクとして、シリコン酸化膜２１をドライエッチングしてループ状にパターンニングすることにより、付加構造部において、幅Ｗのループ状のシリコン酸化膜２１ａ（ループ状膜）が形成される。なお、セル部においてはシリコン酸化膜２１がパターニングされずに残る。
【００３４】
レジストマスク５１を除去した後、図８および図９に示す工程において、半導体層１０上からのｐ型不純物のイオン注入により、半導体層１０の上層部にウェル拡散層４１を形成する。このときシリコン酸化膜２１ａの直下にはイオンが注入されず、注入イオン（ドーパント）の横方向拡散によってのみウェル拡散層４１ａが形成されるので、ウェル拡散層４１ａの不純物濃度は周囲のウェル拡散層４１より濃度が低くなる。
【００３５】
なお、図８および図９を用いて説明したシリコン酸化膜２１ａの幅Ｗを広くし過ぎると、ドーパントの横方向拡散だけではシリコン酸化膜２１ａの直下にウェル拡散層４１が形成されない領域が発生する。そのため、シリコン酸化膜２１ａの幅Ｗは、ドーパントの横方向拡散距離の２．０倍よりも小さい値、または、ドーパントの縦方向拡散距離の１．２倍よりも小さい値とする。
【００３６】
このように設定することで、ウェル拡散層４１はシリコン酸化膜２１ａの直下で濃度が低下したウェル拡散層４１ａとなるものの、シリコン酸化膜２１ａの直下にウェル拡散層４１が形成されない領域が発生することはない。
【００３７】
次に、図１０および図１１に示す工程において、ポリシリコン付加構造３１の下地層となるシリコン酸化膜２２を形成する。シリコン酸化膜２２は、付加構造部においてはウェル拡散層４１上およびシリコン酸化膜２１ａ上を覆い、セル部においてはシリコン酸化膜２１を覆う。なお、付加構造部においてはシリコン酸化膜２１ａ上を覆う部分が周囲よりも高くなり、隆起した表層を持つことになる。
【００３８】
次に、図１２および図１３に示す工程において、セル部のシリコン酸化膜２２および２１を除去した後、セル部の半導体層１０の上層部にｐ型不純物をイオン注入して、拡散層４２を形成する。なお、付加構造部にはシリコン酸化膜２２を残すことで、ｐ型不純物は注入されない。
【００３９】
次に、図１４および図１５に示す工程において、ポリシリコン付加構造３１の母材となるポリシリコン膜３１１を、例えばＣＶＤ法により形成する。なお、ポリシリコン付加構造３１を温度検出用のダイオードとする場合には、ポリシリコン膜３１１には、ｐ型不純物を含むアノード領域と、ｎ型不純物を含むカソード領域を形成するため、イオン注入により、ｐ型不純物およびｎ型不純物の少なくとも一方を導入し、ｐｎ接合を形成する。なお、ｐｎ接合部がポリシリコン付加構造３１の形成領域に形成されるように、イオン注入領域を設定する。
【００４０】
次に、図１６および図１７に示す工程において、ポリシリコン膜３１１上にレジスト材を塗布し、付加構造部においてはポリシリコン付加構造３１の形成領域のみにレジスト材が残るように写真製版を行いレジストマスク５２を形成する。レジストマスク５２の平面視形状は、ポリシリコン付加構造３１と同様の四角形状である。
【００４１】
そして、レジストマスク５２をエッチングマスクとして、ポリシリコン膜３１１をドライエッチングして四角形状にパターンニングすることにより、付加構造部においてポリシリコン付加構造３１が形成される。なお、セル部においてはレジスト材が除去されるのでポリシリコン膜３１１は除去される。
【００４２】
なお、ポリシリコン付加構造３１は、ループ状のシリコン酸化膜２１ａの内側の端面から距離Ｃだけ離れた位置がポリシリコン付加構造３１の端面となるようにレジストマスク５２を形成する。
【００４３】
レジストマスク５２を除去した後、図１８および図１９に示す工程において、セル部の拡散層４２の上層部にｎ型不純物をイオン注入して、拡散層４３を形成する。なお、ポリシリコン付加構造３１を温度検出用のダイオードとする場合には、この段階でレジスト開口領域にｎ型不純物を注入して、ｐｎ接合を形成しても良い。
【００４４】
次に、図２０および図２１に示す工程において、セル部にトレンチゲートを形成する際のエッチングマスクとなるシリコン酸化膜２３を形成する。シリコン酸化膜２３は付加構造部においても形成されるが、ポリシリコン付加構造３１の端縁部では、シリコン酸化膜２１ａに起因した隆起により、シリコン酸化膜２３は、なだらかなステップ状の表層を有することとなる。
【００４５】
ここで、シリコン酸化膜２３がポリシリコン付加構造３１の端縁部で、なだらかなステップ状の表層を有するためには、ポリシリコン付加構造３１の端面とループ状のシリコン酸化膜２１ａとの距離Ｃを、シリコン酸化膜２３の膜厚Ｔｏｘ３の２倍よりも小さい値とする。
【００４６】
次に、図２２および図２３に示す工程において、シリコン酸化膜２３をパターンニングしてゲートトレンチ６１の形成領域に対応する部分に開口部を設けてエッチングマスクとし、当該エッチングマスクを用いてドライエッチングを行い、セル部の拡散層４３および４２を貫通して半導体層１０中に達するゲートトレンチ６１を形成する。この処理によって、シリコン酸化膜２３の膜厚がある程度減少する。
【００４７】
その後、セル部のゲートトレンチ１６の内壁表層のエッチングダメージ層を除去するため、酸化とウエットエッチングおよびケミカルドライエッチング（Chemical Dry Etching：CDE）などの等方性エッチングを複数回繰り返す。この処理よって、図２４および図２５に示す工程において、ゲートトレンチ１６の内壁は滑らかとなり、セル部のシリコン酸化膜２３は完全に除去される。しかし、付加構造部においては、シリコン酸化膜２１ａによるシリコン酸化膜２２の表層の隆起とポリシリコン付加構造３１との間の部分では、シリコン酸化膜２３の垂直方向の膜厚が厚くなっているので、シリコン酸化膜２３は完全には除去されず、ポリシリコン付加構造３１の端面からなだらかな下りの傾斜を有するようにシリコン酸化膜２３が残る。換言すれば、ポリシリコン付加構造３１の端面からシリコン酸化膜２１ａにかけて、なだらかなステップ状の表層を有するシリコン酸化膜で覆われることになる。
【００４８】
次に、図２６および図２７に示す工程において、シリコン酸化膜２４を全面的に形成し、セル部においてはゲートトレンチ６１の内面を覆い、付加構造部においてはポリシリコン付加構造３１を覆う。なお、付加構造部のシリコン酸化膜２３上およびシリコン酸化膜２２上にはシリコン酸化膜２４を示していないが、これは同じシリコン酸化膜どうしであるので、区別がつかないものとして省略図示を省略しているためである。
【００４９】
シリコン酸化膜２４の形成後、例えばＣＶＤ法によりポリシリコン膜３２を全面的に形成し、セル部においてはゲートトレンチ６１をポリシリコン膜３２で埋め込む。ここで、付加構造部においては、ポリシリコン付加構造３１の端面にはシリコン酸化膜２３が残っているため、ポリシリコン付加構造３１の端部近傍ではポリシリコン膜３２がなだらかなステップ状の表層を有することとなり、ポリシリコン膜３２の垂直方向の膜厚は薄くなっている。
【００５０】
次に、ポリシリコン膜３２をエッチングして、ゲートトレンチ６１の内部にのみ残してゲート電極６２とする。このとき、付加構造部においては、ポリシリコン付加構造３１の端部近傍ではポリシリコン膜３２の垂直方向の膜厚は薄くなっているので、図２および図３に示されるようにポリシリコン付加構造３１の端面にポリシリコン膜３２の残渣が生じない。
【００５１】
以上説明したように、本実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴ１００においては、ポリシリコン付加構造３１を囲むようにループ状のシリコン酸化膜２１ａを設けることで、ポリシリコン付加構造３１の端部近傍においては、ポリシリコン付加構造３１の端面からシリコン酸化膜２１ａにかけて、なだらかなステップ状の表層を有するシリコン酸化膜で覆われ、かつ、シリコン酸化膜２１ａの直下に形成されるウェル拡散層４１ａは、不純物濃度が周囲よりも低濃度になっている。このような構成を採ることで、ポリシリコン付加構造３１の端面に導電性膜の残渣が発生せず、ポリシリコン付加構造３１とウェル拡散層４１との間に高電圧が印加されても、電気的な絶縁が維持されるので不良品とならず、製造歩留まりを高めることができる。また、上記効果を得るために加える工程は、シリコン酸化膜２１ａを設ける工程だけなので、製造工程が複雑になることもない。
【００５２】
＜変形例＞
以上説明した実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴ１００においては、図８および図９を用いて説明したように、シリコン酸化膜２１ａの幅Ｗをドーパントの横方向拡散距離の２．０倍よりも小さい値、または、ドーパントの縦方向拡散距離の１．２倍よりも小さい値とした。
【００５３】
しかし、本変形例においては、図２８および図２９に示すように、シリコン酸化膜２１ａの幅Ｗをドーパントの横方向拡散距離の２．０倍以上の値、または、ドーパントの縦方向拡散距離の１．２倍以上の値とする。
【００５４】
この結果、シリコン酸化膜２１ａの外側端縁部の直下に濃度が低下したウェル拡散層４１ａｌ（第２の低濃度拡散層）が形成され、シリコン酸化膜２１ａの内側の端縁部の直下に濃度が低下したウェル拡散層４１ａｒ（第１の低濃度拡散層）が形成され、ウェル拡散層４１ａｌと４１ａｒとの間は、ウェル拡散層４１が形成されず、ｎ型の領域となっている。
【００５５】
ウェル拡散層４１および半導体層１０は、シリコン酸化膜２２を間に介してポリシリコン付加構造３１と電気的に絶縁されていれば問題ないので、このようにウェル拡散層４１が部分的に形成されない領域が存在していても問題はない。
【００５６】
一方、シリコン酸化膜２１ａの幅Ｗを広くすることで、図２４および図２５を用いて説明したセル部のゲートトレンチ１６に酸化とウエットエッチングを複数回繰り返す工程において、ポリシリコン付加構造３１の端面からシリコン酸化膜２３が除去されてしまうことを防ぐことができる。
【００５７】
すなわち、シリコン酸化膜２１ａの幅Ｗを広くすることで、ポリシリコン付加構造３１の端面とループ状のシリコン酸化膜２１ａとの距離Ｃと幅Ｗとの合計が大きくなり、その分だけポリシリコン付加構造３１の端面からシリコン酸化膜２１ａを超えて外側に延在するシリコン酸化膜２３の長さ（図２３に示すＬ）が長くなる。この結果、ウエットエッチングまたはＣＤＥのようなサイドエッチが大きいエッチングを用いる場合でも、ポリシリコン付加構造３１の端面からシリコン酸化膜２３が除去されてしまうことを防ぐことができる。
【００５８】
図３０および図３１は、シリコン酸化膜２１上にレジスト材を塗布し、付加構造部においてはシリコン酸化膜２１ａの形成領域のみにレジスト材が残るように写真製版を行いレジストマスク５１を形成する工程を示しており、図６および図７を用いて説明した工程に対応している。
【００５９】
図３０および図３１に示すように、レジストマスク５１の幅Ｗを、図６および図７に示したレジストマスク５１の幅Ｗよりも大きくすることで、幅Ｗが広いシリコン酸化膜２１ａを形成することができる。
【００６０】
＜実施の形態２＞
図３２および図３３は、本発明に係る実施の形態２のトレンチゲート型ＩＧＢＴ２００の特徴部の構成を示す平面図および断面図であり、図２および図３に示したトレンチゲート型ＩＧＢＴ１００の特徴部の構成を示す平面図および断面図に対応し、図２および図３と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００６１】
実施の形態１のトレンチゲート型ＩＧＢＴ１００との相違点は、ポリシリコン付加構造３１の周囲をループ状のシリコン酸化膜２１ａとループ状のシリコン酸化膜２１ｂ（第４のシリコン酸化膜）が２重に取り囲んでいる点である。
【００６２】
すなわち、ポリシリコン付加構造３１の端面から外側に距離Ｃだけ離れた位置に、ポリシリコン付加構造３１を囲む幅Ｗａのループ状のシリコン酸化膜２１ａが設けられる点では実施の形態１と同じであるが、シリコン酸化膜２１ａのさらに外側に、シリコン酸化膜２１ａを囲む幅Ｗｂのループ状のシリコン酸化膜２１ｂが設けられている。なお、以下においては、ループ状のシリコン酸化膜２１ｂを他のループ状膜と呼称する場合もある。
【００６３】
幅ＷａおよびＷｂは、シリコン酸化膜２１ａおよび２１ｂのそれぞれの直下に周囲のウェル拡散層４１よりも不純物濃度が低いウェル拡散層４１ａおよび４１ｂを形成する場合は、ドーパントの横方向拡散距離の２．０倍よりも小さい値、または、ドーパントの縦方向拡散距離の１．２倍よりも小さい値とする。
【００６４】
このようにシリコン酸化膜２１ａおよび２１ｂを設けると、ポリシリコン付加構造３１の端面にシリコン酸化膜２３が残ると共に、シリコン酸化膜２１ａと２１ｂとの間にもシリコン酸化膜２３が残る。
【００６５】
このように、シリコン酸化膜２１ａおよび２１ｂを設けることで、シリコン酸化膜２１ａの幅Ｗを広くすることと同じ効果が得られる。すなわち、シリコン酸化膜２１ａおよび２１ｂを設けることで、ポリシリコン付加構造３１の端面とループ状のシリコン酸化膜２１ａとの距離Ｃおよびシリコン酸化膜２１ａの内側端面からシリコン酸化膜２１ｂの外側端面までの距離Ｄとの合計の分だけポリシリコン付加構造３１の端面からシリコン酸化膜２１ａおよび２１ｂを超えて外側に延在するシリコン酸化膜２３の長さが長くなる。この結果、ウエットエッチングまたはＣＤＥのようなサイドエッチが大きいエッチングを用いる場合でも、ポリシリコン付加構造３１の端面からシリコン酸化膜２３が除去されてしまうことを防ぐことができる。
【００６６】
図３４および図３５は、シリコン酸化膜２１上にレジスト材を塗布し、付加構造部においてはシリコン酸化膜２１ａおよび２１ｂの形成領域のみにレジスト材が残るように写真製版を行いレジストマスク５１を形成する工程を示しており、図６および図７を用いて説明した工程に対応している。
【００６７】
シリコン酸化膜２１ａおよび２１ｂを設けることで、それぞれの幅は大きくする必要がなくなるので、それぞれの幅を大きくした場合に、それぞれの直下に、ウェル拡散層４１が形成されない領域が生じることがなく、ウェル拡散層４１が分断されることがない。そのため、ウェル拡散層４１が分断されることが望ましくない場合に対応することができる。
【００６８】
なお、シリコン酸化膜２１ａおよび２１ｂのそれぞれの直下に、ウェル拡散層４１が形成されず、ｎ型の領域となって、ウェル拡散層４１が分断されても構わない場合は、シリコン酸化膜２１ａの幅Ｗａおよびシリコン酸化膜２１ｂの幅Ｗｂをドーパントの横方向拡散距離の２．０倍以上の値、または、ドーパントの縦方向拡散距離の１．２倍以上の値とすれば良い。
【００６９】
また、上記ではポリシリコン付加構造３１の周囲をループ状のシリコン酸化膜２１ａおよび２１ｂが２重に取り囲んでいる例を示したが、３重以上に取り囲むようにしても良い。この場合も、一番内側のループ状のシリコン酸化膜の端面から内側に距離Ｃだけ離れた位置にポリシリコン付加構造３１の端面が位置するようにポリシリコン付加構造３１を配置する。
【００７０】
＜変形例＞
以上説明した実施の形態２のトレンチゲート型ＩＧＢＴ２００においては、図３２および図３３を用いて説明したように、ポリシリコン付加構造３１の端面が、一番内側のシリコン酸化膜２１ａの内側端面から距離Ｃだけ離した場所に位置するようにポリシリコン付加構造３１を設けたが、図３６および図３７に示すように、ポリシリコン付加構造３１の端面がシリコン酸化膜２１ａと２１ｂとの間に位置するようにポリシリコン付加構造３１を設けても良い。
【００７１】
この場合、ポリシリコン付加構造３１の端面から外側に距離Ｃだけ離れた位置に、ポリシリコン付加構造３１を囲む幅Ｗａのループ状のシリコン酸化膜２１ａが設けられる点では実施の形態２と同じであるが、シリコン酸化膜２１ａの内側に、ポリシリコン付加構造３１を囲む幅Ｗｂのループ状のシリコン酸化膜２１ｂが設けられている。
【００７２】
この場合も、ポリシリコン付加構造３１の端面にシリコン酸化膜２３を残すことができる。この構成を採る場合、ポリシリコン付加構造３１はシリコン酸化膜２１ｂの存在により凹凸部となった部分の上に乗り上げるように形成されるため、ポリシリコン付加構造３１と下地のシリコン酸化膜２２との付着面積が増加し、外部からの衝撃および応力が加わった場合でも、シリコン酸化膜２２との剥離を抑制する効果が高くなる。
【００７３】
また、上記ではポリシリコン付加構造３１の周囲をループ状のシリコン酸化膜２１ｂおよび２１ａが２重に取り囲んでいる例を示したが、３重以上に取り囲むようにしても良い。この場合も、複数のループ状のシリコン酸化膜の何れかの間にポリシリコン付加構造３１の端面が位置し、当該端面とループ状のシリコン酸化膜の内側の端面が距離Ｃだけ離れるようにポリシリコン付加構造３１を配置する。
【００７４】
＜ポリシリコン付加構造の他の例＞
以上説明した実施の形態１および２のトレンチゲート型ＩＧＢＴ１００および２００では、活性領域ＡＲの中央部分にポリシリコン付加構造３１に温度検出用ダイオードとしてのポリシリコン付加構造３１を設けた例を説明したが、温度検出用ダイオードは活性領域ＡＲの端縁部に設けても良い。
【００７５】
図３８は、温度検出用ダイオードとしてのポリシリコン付加構造３１ｆを活性領域ＡＲを囲むウェル拡散層４１の一部上部に設けた構成を示しており、図１に対応する図である。
【００７６】
また、図１に示したように活性領域ＡＲの中央部分に温度検出用ダイオードとしてのポリシリコン付加構造３１を設けた構成を併せて用いても良い。
【００７７】
また、ポリシリコン付加構造を装置表面の電極パッドにワイヤーをワイヤーボンディングで圧着する際の衝撃緩衝構造として設けても良い。電極パッドは、活性領域ＡＲの端縁部に設けられる場合が多いので、例えば、図３９に示すように、衝撃緩衝構造としてのポリシリコン付加構造３１ｇは、活性領域ＡＲを囲むウェル拡散層４１の一部上部に設ける。
【００７８】
なお、ポリシリコン付加構造３１ｆも３１ｇもポリシリコン付加構造３１と同様に、図３に示したように、端面に接するようにシリコン酸化膜２３が設けられており、ポリシリコン付加構造３１ｆおよび３１ｇの端面に導電性膜の残渣は生じない。
【００７９】
また、ウェル拡散層４１上には、図３に示したように、ポリシリコン付加構造３１ｆおよび３１ｇの端面から外側に距離Ｃだけ離れた位置に、幅Ｗのシリコン酸化膜２１ａが設けられている。
【００８０】
また、上記以外にも、ウェル拡散層上にシリコン酸化膜を間に介してｐ型のポリシリコン膜とｎ型のポリシリコン膜とのｐｎ接合構造を設け、ｐｎ接合構造の接合耐圧で隣接するセル部の電気的な絶縁を保つような場合にもポリシリコン付加構造は適用され、そのようなｐｎ接合構造の形成においても、上述した残渣防止の構成は有効である。
【００８１】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００８２】
１０  半導体層、２１，２１ａ，２１ｂ，２２，２３  シリコン酸化膜、３１  ポリシリコン付加構造、３２  第２のポリシリコン膜、４１，４１ａ，４１ａｒ，４１ａｌ  ウェル拡散層、３１１  第１のポリシリコン膜。
【図１】
2020077734.tif 000003
【図２】
2020077734.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2020077734.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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