(57)【要約】【課題】チャンバー内を短時間で減圧することができる熱処理方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハーＷは、チャンバー６内に形成されたアンモニア雰囲気中にてハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬからの光照射によって加熱処理される。チャンバー６内にアンモニア雰囲気を形成する際には一旦チャンバー６内が減圧される。また、半導体ウェハーＷの加熱処理後にもチャンバー６内が減圧される。チャンバー６内を排気して減圧する前に、ハロゲンランプＨＬから光照射を行ってチャンバー６内の雰囲気を加熱する。減圧前にチャンバー６内の雰囲気を加熱することにより、当該雰囲気中の気体分子の熱運動が活性化するとともにガス密度が小さくなる。その結果、減圧時にはチャンバー６内の気体分子が速やかに排出されることとなり、チャンバー６内を所定の気圧にまで短時間で減圧することができる。【選択図】図１
2020035811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
チャンバー内にてサセプタに保持された基板に連続点灯ランプから光照射を行って前記基板を予備加熱した後に、フラッシュランプからの閃光照射によって前記基板をフラッシュ加熱する光照射工程と、
前記チャンバー内の雰囲気を排出して前記チャンバー内を減圧する減圧工程と、
前記減圧工程の前に、前記連続点灯ランプから光照射を行って前記チャンバー内の雰囲気を加熱する加熱工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の熱処理方法において、
前記加熱工程は、さらに前記減圧工程が開始された後も継続して実行されることを特徴とする熱処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の熱処理方法において、
前記減圧工程および前記加熱工程は、前記チャンバー内にて前記サセプタに前記基板が保持された状態で実行されることを特徴とする熱処理方法。
【請求項４】
請求項３記載の熱処理方法において、
前記減圧工程および前記加熱工程は、前記光照射工程の前および後に実行されることを特徴とする熱処理方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２記載の熱処理方法において、
前記減圧工程および前記加熱工程は、前記チャンバー内に基板が存在しない状態で実行されることを特徴とする熱処理方法。
【請求項６】
請求項５記載の熱処理方法において、
前記減圧工程および前記加熱工程は、前記チャンバーのメンテナンス前に実行されることを特徴とする熱処理方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記加熱工程では、前記連続点灯ランプを一定電力で点灯して前記チャンバー内の雰囲気を加熱することを特徴とする熱処理方法。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記加熱工程では、前記チャンバー内の雰囲気温度または前記サセプタの温度に基づいて前記連続点灯ランプの出力をフィードバック制御することを特徴とする熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。
【０００３】
キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。
【０００４】
このようなフラッシュランプアニールは、極短時間の加熱が必要とされる処理、例えば典型的には半導体ウェハーに注入された不純物の活性化に利用される。イオン注入法によって不純物が注入された半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射すれば、当該半導体ウェハーの表面を極短時間だけ活性化温度にまで昇温することができ、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。
【０００５】
一方、フラッシュランプアニールをアンモニア等の反応性ガスの雰囲気中にて行うことも試みられている。例えば、特許文献１には、高誘電率ゲート絶縁膜(high-k膜)を形成した半導体ウェハーを収容したチャンバー内にアンモニア雰囲気を形成し、当該半導体ウェハーに対してフラッシュ光を照射して加熱することにより、高誘電率ゲート絶縁膜の成膜後熱処理を行うことが開示されている。特許文献１に開示の装置においては、半導体ウェハーを収容したチャンバー内を減圧した後にアンモニアを供給してチャンバー内にアンモニア雰囲気を形成するようにしている。また、特許文献１に開示の装置においては、アンモニア雰囲気中で半導体ウェハーの熱処理を行った後、チャンバー内を減圧して有害なアンモニアを排出して窒素雰囲気に置換してから半導体ウェハーを搬出するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１７−０４５９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に開示されるように、アンモニア等の反応性ガスの雰囲気を形成して半導体ウェハーの加熱処理を行う場合、その加熱処理の前後で２回の減圧処理を行う必要がある。すなわち、アンモニア雰囲気を形成する前にチャンバー内を減圧するとともに、加熱処理後にもアンモニアを排出するためにチャンバー内を減圧する。プロセスの種類によっては、複数の処理ガスの雰囲気を順次に形成して半導体ウェハーの処理を行うこともあり、この場合さらに減圧処理の回数は増えることとなる。その結果、減圧処理に長時間を要すると、１枚あたりの半導体ウェハーＷの処理時間が長くなってスループットが低下するという問題が生じる。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、チャンバー内を短時間で減圧することができる熱処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法において、チャンバー内にてサセプタに保持された基板に連続点灯ランプから光照射を行って前記基板を予備加熱した後に、フラッシュランプからの閃光照射によって前記基板をフラッシュ加熱する光照射工程と、前記チャンバー内の雰囲気を排出して前記チャンバー内を減圧する減圧工程と、前記減圧工程の前に、前記連続点灯ランプから光照射を行って前記チャンバー内の雰囲気を加熱する加熱工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理方法において、前記加熱工程は、さらに前記減圧工程が開始された後も継続して実行されることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理方法において、前記減圧工程および前記加熱工程は、前記チャンバー内にて前記サセプタに前記基板が保持された状態で実行されることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４の発明は、請求項３の発明に係る熱処理方法において、前記減圧工程および前記加熱工程は、前記光照射工程の前および後に実行されることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理方法において、前記減圧工程および前記加熱工程は、前記チャンバー内に基板が存在しない状態で実行されることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項６の発明は、請求項５の発明に係る熱処理方法において、前記減圧工程および前記加熱工程は、前記チャンバーのメンテナンス前に実行されることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項７の発明は、請求項１から請求項６のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記加熱工程では、前記連続点灯ランプを一定電力で点灯して前記チャンバー内の雰囲気を加熱することを特徴とする。
【００１６】
また、請求項８の発明は、請求項１から請求項６のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記加熱工程では、前記チャンバー内の雰囲気温度または前記サセプタの温度に基づいて前記連続点灯ランプの出力をフィードバック制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１から請求項８の発明によれば、チャンバー内の雰囲気を排出してチャンバー内を減圧する前に、連続点灯ランプから光照射を行ってチャンバー内の雰囲気を加熱するため、当該雰囲気中の気体分子の熱運動が活性化するとともにガス密度が小さくなり、チャンバー内を短時間で減圧することができる。
【００１８】
特に、請求項２の発明によれば、減圧工程が開始された後も継続して連続点灯ランプから光照射を行ってチャンバー内の雰囲気を加熱するため、チャンバー内をより短時間で減圧することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。
【図２】保持部の全体外観を示す斜視図である。
【図３】サセプタの平面図である。
【図４】サセプタの断面図である。
【図５】移載機構の平面図である。
【図６】移載機構の側面図である。
【図７】複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。
【図８】第１実施形態の半導体ウェハーの処理手順を示すフローチャートである。
【図９】チャンバー内の圧力変化を示す図である。
【図１０】第２実施形態のチャンバー内雰囲気置換の処理手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置１は、基板として円板形状の半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである（本実施形態ではφ３００ｍｍ）。熱処理装置１に搬入される前の半導体ウェハーＷにはゲート絶縁膜として高誘電率膜(high-k膜)が形成されており、熱処理装置１による加熱処理によって高誘電率膜の成膜後熱処理(PDA:Post Deposition Anneal)が実行される。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
【００２２】
熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。
【００２３】
チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。
【００２４】
また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。
【００２５】
チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。
【００２６】
また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。
【００２７】
さらに、チャンバー側部６１には、貫通孔６１ａが穿設されている。チャンバー側部６１の外壁面の貫通孔６１ａが設けられている部位には放射温度計２０が取り付けられている。貫通孔６１ａは、後述するサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を放射温度計２０に導くための円筒状の孔である。貫通孔６１ａは、その貫通方向の軸がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの主面と交わるように、水平方向に対して傾斜して設けられている。貫通孔６１ａの熱処理空間６５に臨む側の端部には、放射温度計２０が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化バリウム材料からなる透明窓２１が装着されている。
【００２８】
また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガス（本実施形態では窒素ガス（Ｎ２）および／またはアンモニア（ＮＨ３））を供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は二叉に分岐され、そのうちの一方である反応性ガス配管８３ａはアンモニア供給源９１に接続され、他方の不活性ガス配管８３ｂは窒素供給源９２に接続されている。アンモニア供給源９１は、制御部３の制御下にて、反応性ガス配管８３ａにアンモニアを送給する。窒素供給源９２は、制御部３の制御下にて、不活性ガス配管８３ｂに窒素ガスを送給する。
【００２９】
反応性ガス配管８３ａの経路途中には、供給元バルブ９３、供給確認圧力計９４、マスフローコントローラ９５および供給バルブ９６が介挿される。供給元バルブ９３および供給バルブ９６が開放されると、アンモニア供給源９１から反応性ガス配管８３ａおよびガス供給管８３を経て緩衝空間８２にアンモニアが送給される。供給確認圧力計９４は、アンモニア供給源９１から反応性ガス配管８３ａに予め定められた圧力にてアンモニアが供給されているか否かを判定する。マスフローコントローラ９５は、反応性ガス配管８３ａを流れるアンモニアの流量を予め定められた設定値に調整する。
【００３０】
一方、不活性ガス配管８３ｂの経路途中には、マスフローコントローラ９７および供給バルブ９８が介挿される。供給バルブ９８が開放されると、窒素供給源９２から不活性ガス配管８３ｂおよびガス供給管８３を経て緩衝空間８２に窒素ガスが送給される。マスフローコントローラ９７は、不活性ガス配管８３ｂを流れる窒素ガスの流量を予め定められた設定値に調整する。供給元バルブ９３、供給バルブ９６および供給バルブ９８の全てが開放されているときには、反応性ガス配管８３ａから送給されたアンモニアと不活性ガス配管８３ｂから送給された窒素ガスとがガス供給管８３で合流してアンモニアと窒素ガスとの混合ガスが緩衝空間８２に送給される。
【００３１】
また、反応性ガス配管８３ａと不活性ガス配管８３ｂとを連通接続するバイパス配管８４が設けられている。バイパス配管８４は、反応性ガス配管８３ａの供給元バルブ９３と供給確認圧力計９４との間の部位と、不活性ガス配管８３ｂの窒素供給源９２とマスフローコントローラ９７との間の部位とを連通接続する。バイパス配管８４には、バイパスバルブ８５が介挿される。バイパスバルブ８５が開放されると、反応性ガス配管８３ａと不活性ガス配管８３ｂとが連通状態となる。
【００３２】
ガス供給管８３から送給されて緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れて緩衝空間８２を満たす。そして、緩衝空間８２を満たした処理ガスがガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。
【００３３】
チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中には排気バルブ８９および真空圧力計１９１が介挿されている。排気バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。真空圧力計１９１は、直接的にはガス排気管８８の圧力を測定する。ガス排気管８８の真空圧力計１９１が設けられている部位の圧力はチャンバー６内の圧力とほぼ同じであるため、真空圧力計１９１によって測定された圧力は、チャンバー６内の圧力でもある。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。
【００３４】
排気部１９０としては、真空ポンプや熱処理装置１が設置される工場の排気ユーティリティを用いることができる。排気部１９０として真空ポンプを採用し、ガス供給孔８１から何らのガス供給を行うことなく密閉空間である熱処理空間６５の雰囲気を排気すると、チャンバー６内を真空雰囲気にまで減圧することができる。また、排気部１９０として真空ポンプを用いていない場合であっても、ガス供給孔８１からガス供給を行うことなく排気を行うことにより、チャンバー６内を大気圧未満の気圧に減圧することができる。減圧されているチャンバー６内の圧力は真空圧力計１９１によって測定される。
【００３５】
図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。
【００３６】
基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。
【００３７】
サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。
【００３８】
保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。
【００３９】
保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ〜φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。
【００４０】
図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。
【００４１】
チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。
【００４２】
また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。
【００４３】
また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、放射温度計２０が半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計２０が開口部７８およびチャンバー側部６１の貫通孔６１ａに装着された透明窓２１を介して半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光して当該半導体ウェハーＷの温度を測定する。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。
【００４４】
図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。移載アーム１１およびリフトピン１２は石英にて形成されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。
【００４５】
また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。
【００４６】
また、熱処理装置１は、チャンバー６内の雰囲気温度を測定する雰囲気温度計２８およびサセプタ７４の温度を測定する放射温度計２９を備える。雰囲気温度計２８は、例えば熱電対を用いて構成される。放射温度計２９は、石英のサセプタ７４から放射された赤外光を受光し、その赤外光の強度からサセプタ７４の温度を測定する。
【００４７】
図１に戻り、チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。
【００４８】
複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。複数のフラッシュランプＦＬが配列される領域は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも大きい。
【００４９】
キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。
【００５０】
また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。
【００５１】
チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する光照射部である。
【００５２】
図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。
【００５３】
また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。
【００５４】
また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。
【００５５】
ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。
【００５６】
また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。
【００５７】
制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。
【００５８】
上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。
【００５９】
次に、熱処理装置１における処理動作について説明する。図８は、第１実施形態の半導体ウェハーＷの処理手順を示すフローチャートである。ここで処理対象となる半導体ウェハーＷは、ゲート絶縁膜として高誘電率膜が形成されたシリコンの半導体基板である。高誘電率膜は、例えばＡＬＤ(Atomic Layer Deposition)やＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)等の手法によって半導体ウェハーＷの表面に堆積されて成膜されている。その半導体ウェハーＷに対して熱処理装置１がアンモニア雰囲気中にてフラッシュ光を照射して成膜後熱処理（ＰＤＡ）を行うことにより、成膜後の高誘電率膜中の欠陥を消滅させる。以下に説明する熱処理装置１の処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。
【００６０】
まず、高誘電率膜が形成された半導体ウェハーＷが熱処理装置１のチャンバー６に搬入される（ステップＳ１１）。半導体ウェハーＷの搬入時には、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して高誘電率膜が形成された半導体ウェハーＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。この際に、チャンバー６の内外はともに大気圧であるため、半導体ウェハーＷの搬入にともなってチャンバー６内の熱処理空間６５に装置外雰囲気が巻き込まれる。そこで、供給バルブ９８を開放して窒素供給源９２からチャンバー６内に窒素ガスを供給し続けることによって搬送開口部６６から窒素ガス流を流出させ、装置外部の雰囲気がチャンバー６内の流入するのを最小限に抑制するようにしても良い。さらに、ゲートバルブ１８５の開放時には、排気バルブ８９を閉止してチャンバー６からの排気を停止するのが好ましい。これにより、チャンバー６内に供給された窒素ガスは搬送開口部６６のみから流出することとなるため、外部雰囲気の流入をより効果的に防ぐことができる。
【００６１】
搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。
【００６２】
半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、高誘電率膜が成膜された表面を上面としてサセプタ７４に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。
【００６３】
半導体ウェハーＷがチャンバー６に収容され、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖された後、チャンバー６内を大気圧よりも低い気圧に減圧する。図９は、チャンバー６内の圧力変化を示す図である。同図の横軸には時刻を示し、縦軸にはチャンバー６内の圧力を示す。半導体ウェハーＷがチャンバー６に収容されて搬送開口部６６が閉鎖された時刻ｔ１の時点では、チャンバー６内の圧力は常圧Ｐｓ（＝大気圧＝約101325Pa）である。
【００６４】
第１実施形態においては、チャンバー６内を減圧する前の時刻ｔ２にハロゲン加熱部４のハロゲンランプＨＬから光照射を行ってチャンバー６内の雰囲気を加熱している（ステップＳ１２）。ハロゲンランプＨＬから照射された光の一部は直接にチャンバー６内の雰囲気の気体分子によって吸収され、当該雰囲気が昇温する。また、ハロゲンランプＨＬから照射された光の一部はサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷによって吸収され、加熱された半導体ウェハーＷからの熱伝導によってもチャンバー６内の雰囲気が昇温する。
【００６５】
ハロゲンランプＨＬからの光照射によってチャンバー６内の雰囲気を加熱するときには、チャンバー６内の雰囲気の温度が雰囲気温度計２８によって測定されている。雰囲気温度計２８によって測定されたチャンバー６内の雰囲気温度は制御部３に伝達される。制御部３は、雰囲気温度計２８による測定値に基づいて、チャンバー６内の雰囲気温度が目標温度ＴＰとなるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。チャンバー６内の雰囲気温度の昇温レートおよび目標温度ＴＰは特に限定されるものではないが、例えば昇温レートは２０℃／秒で目標温度ＴＰは２５０℃である。すなわち、制御部３は、雰囲気温度計２８による測定値が２０℃／秒の昇温レートで２５０℃となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御するのである。
【００６６】
チャンバー６内の雰囲気温度が目標温度ＴＰに到達した後の時刻ｔ３にチャンバー６内の減圧が開始される（ステップＳ１３）。具体的には、搬送開口部６６が閉鎖されることによって、チャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間となる。この状態にて、給気のための供給バルブ９６および供給バルブ９８を閉止しつつ、排気バルブ８９を開放する。これにより、チャンバー６内に対してはガス供給が行われることなく排気が行われることとなり、チャンバー６内の熱処理空間６５が大気圧未満に減圧される。減圧の初期段階では、排気部１９０が比較的小さな排気流量にてチャンバー６内の雰囲気を排出してチャンバー６内を減圧する。
【００６７】
次に、真空圧力計１９１によって測定されるチャンバー６内の圧力が気圧Ｐ１にまで減圧された時刻ｔ４に排気部１９０による排気流量が増大し、排気速度も速くなる。気圧Ｐ１は、例えば約２００００Ｐａである。そして、時刻ｔ５にチャンバー６内の圧力（真空度）が気圧Ｐ２に到達する。気圧Ｐ２は、例えば約１００Ｐａである。すなわち、減圧の初期段階では小さな排気流量で排気を行った後に、それよりも大きな排気流量に切り換えて排気を行っているのである。
【００６８】
減圧の開始時から大きな排気流量にて急速に排気を行うと、チャンバー６内に大きな気流変化が生じてチャンバー６の構造物（例えば、下側チャンバー窓６４）に付着していたパーティクルが巻き上げられて半導体ウェハーＷに再付着して汚染するおそれがある。減圧の初期段階では小さな排気流量で静かに排気を行った後に、大きな排気流量に切り換えて排気を行うようにすれば、そのようなチャンバー６内のパーティクルの巻き上げを防止することができる。
【００６９】
チャンバー６内の圧力が気圧Ｐ２に到達した時刻ｔ５に、チャンバー６内への処理ガスの供給が開始される（ステップＳ１４）。具体的には、排気バルブ８９を開放しつつ、供給元バルブ９３、供給バルブ９６および供給バルブ９８を開放する。供給元バルブ９３および供給バルブ９６が開放されることによって、反応性ガス配管８３ａからアンモニアが送給される。また、供給バルブ９８が開放されることによって、不活性ガス配管８３ｂから窒素ガスが送給される。送給されたアンモニアと窒素ガスとはガス供給管８３で合流する。そして、アンモニアと窒素ガスとの混合ガスがチャンバー６内の熱処理空間６５に供給される。その結果、チャンバー６内にて保持部７に保持された半導体ウェハーＷの周辺には減圧状態にてアンモニア雰囲気が形成される。アンモニア雰囲気中におけるアンモニアの濃度（つまり、アンモニアと窒素ガスとの混合比）は、特に限定されるものではなく適宜の値とすることができるが、例えば１０vol.％以下であれば良い（本実施形態では約２．５vol.％）。アンモニアの濃度は、マスフローコントローラ９５およびマスフローコントローラ９７によってそれぞれアンモニアおよび窒素ガスの供給流量を制御することにより調整することができる。
【００７０】
チャンバー６内にアンモニアと窒素ガスとの混合ガスが供給されることによって、チャンバー６内の圧力が気圧Ｐ２から上昇して時刻ｔ６に気圧Ｐ３にまで昇圧する。気圧Ｐ３は、例えば約５０００Ｐａである。チャンバー６内を一旦気圧Ｐ２にまで減圧してから気圧Ｐ３に昇圧しているため、チャンバー６内に形成されたアンモニア雰囲気中における酸素濃度を極めて低くすることができる。チャンバー６内の圧力が気圧Ｐ３に昇圧した時刻ｔ６以降は、チャンバー６に対するアンモニア・窒素混合ガスの供給流量とチャンバー６からの排気流量とを等しくしてチャンバー６内の圧力を気圧Ｐ３に維持する。
【００７１】
次に、チャンバー６内の圧力が気圧Ｐ３に昇圧した時刻ｔ６以降に半導体ウェハーＷの加熱処理が行われる（ステップＳ１５）。まず、ハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬからの光照射によって半導体ウェハーＷの予備加熱（アシスト加熱）が行われる。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。
【００７２】
ハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーＷの温度が放射温度計２０によって測定されている。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を透明窓２１を通して放射温度計２０が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。予備加熱温度Ｔ１は３００℃以上６００℃以下であり、本実施形態では４５０℃である。
【００７３】
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、放射温度計２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。
【００７４】
このようなハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うことによって、半導体ウェハーＷの全体を予備加熱温度Ｔ１に均一に昇温している。ハロゲンランプＨＬによる予備加熱の段階においては、より放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲン加熱部４におけるハロゲンランプＨＬの配設密度は、基板Ｗの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光量が多くなり、予備加熱段階における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一なものとすることができる。
【００７５】
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時刻ｔ７にフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬがサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。
【００７６】
フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、高誘電率膜が成膜された半導体ウェハーＷの表面にフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射することによって、高誘電率膜を含む半導体ウェハーＷの表面は瞬間的に処理温度Ｔ２にまで昇温して成膜後熱処理が実行される。フラッシュ光照射によって半導体ウェハーＷの表面が到達する最高温度（ピーク温度）である処理温度Ｔ２は６００℃以上１２００℃以下であり、本実施形態では１０００℃である。
【００７７】
アンモニア雰囲気中にて半導体ウェハーＷの表面が処理温度Ｔ２にまで昇温して成膜後熱処理が実行されると、高誘電率膜の窒化が促進されるとともに、高誘電率膜中に存在していた点欠陥等の欠陥が消滅する。なお、フラッシュランプＦＬからの照射時間は０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の短時間であるため、半導体ウェハーＷの表面温度が予備加熱温度Ｔ１から処理温度Ｔ２にまで昇温するのに要する時間も１秒未満の極めて短時間である。フラッシュ光照射後の半導体ウェハーＷの表面温度は処理温度Ｔ２からただちに急速に下降する。
【００７８】
フラッシュ加熱処理の終了後、時刻ｔ８にハロゲンランプＨＬからの光照射によってチャンバー６内の雰囲気を再度加熱する（ステップＳ１６）。ステップＳ１２と同様に、ハロゲンランプＨＬからの光照射によってチャンバー６内の雰囲気が直接に加熱されるとともに、それに加えて昇温した半導体ウェハーＷからの熱伝導によってもチャンバー６内の雰囲気が間接的に加熱される。また、制御部３は、雰囲気温度計２８による測定値に基づいて、チャンバー６内の雰囲気温度が目標温度ＴＰとなるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。
【００７９】
チャンバー６内の雰囲気温度が目標温度ＴＰに到達した後の時刻ｔ９にチャンバー６内の減圧が開始される（ステップＳ１７）。すなわち、供給バルブ９６および供給バルブ９８を閉止しつつ排気バルブ８９を開放してチャンバー６内の雰囲気を排出してチャンバー６内を再び減圧する。チャンバー６内の圧力は時刻ｔ１０に気圧Ｐ１に到達する。チャンバー６内が排気されて気圧Ｐ１にまで再度減圧されることにより、チャンバー６内の熱処理空間６５から有害なアンモニアを排出することができる。
【００８０】
続いて、排気バルブ８９を閉止して供給バルブ９８を開放し、窒素供給源９２からチャンバー６内に不活性ガスとして窒素ガスを供給してチャンバー６内を常圧Ｐｓにまで復圧する（ステップＳ１８）。これにより、チャンバー６内が窒素雰囲気に置換される。また、ハロゲンランプＨＬも消灯し、これによって半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１からも降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は放射温度計２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する（ステップＳ１９）。
【００８１】
第１実施形態においては、半導体ウェハーＷの処理中にチャンバー６内を排気して減圧する前に、ハロゲンランプＨＬから光照射を行ってチャンバー６内の雰囲気を加熱している（ステップＳ１２およびステップＳ１６）。減圧前にチャンバー６内の雰囲気を加熱することにより、当該雰囲気中の気体分子の熱運動が活性化するとともにガス密度が小さくなる。その結果、減圧時にはチャンバー６内の気体分子が速やかに排出されることとなり、チャンバー６内を所定の気圧にまで短時間で減圧することができる。これにより、減圧処理をともなう半導体ウェハーＷの処理時間が長くなるのを抑制してスループットの低下を防止することが可能となる。
【００８２】
また、第１実施形態ではチャンバー６内に半導体ウェハーＷが存在している状態でハロゲンランプＨＬからの光照射によってチャンバー６内の雰囲気を加熱しているが、チャンバー６内の雰囲気温度が目標温度ＴＰとなるときの半導体ウェハーＷの温度は上記の予備加熱温度Ｔ１未満である。従って、減圧処理のためのハロゲンランプＨＬからの光照射によって半導体ウェハーＷの熱処理履歴に重大な影響を与えるおそれはない。
【００８３】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の熱処理装置１の構成および半導体ウェハーＷの処理手順は第１実施形態と同様である。第１実施形態では半導体ウェハーＷの処理時に、すなわち処理対象となる半導体ウェハーＷをサセプタ７４に保持した状態でフラッシュ加熱の前後にチャンバー６内の雰囲気を加熱してから減圧処理を行っていた。これに対して、第２実施形態においては、熱処理装置１のメンテナンスを行う際に、チャンバー６内の雰囲気を加熱してから減圧処理を行っている。
【００８４】
上記の熱処理装置１に対しては定期的に或いは不定期にメンテナンスが行われる。不定期にメンテナンスが行われるのは、熱処理装置１に何らかの障害が発生した場合である。定期的であるか不定期であるかに関わらず、熱処理装置１のメンテナンスを行う際には、チャンバー６の内部を開放して各種配管を外すこととなる。従って、メンテナンス前にチャンバー６内の熱処理空間６５および各種配管を含む熱処理装置１の全体から有害なアンモニアを完全に排出しておく必要がある。このため、供給バルブ９６を開放し、チャンバー６内の熱処理空間６５に加えて反応性ガス配管８３ａからもアンモニアを排出する。
【００８５】
図１０は、第２実施形態のチャンバー６内雰囲気置換の処理手順を示すフローチャートである。まず、メンテナンスを行う前のチャンバー６内に半導体ウェハーＷが存在していない状態でハロゲンランプＨＬから光照射を行ってチャンバー６内の雰囲気を加熱する（ステップＳ２１）。ハロゲンランプＨＬから照射された光の一部は直接にチャンバー６内の雰囲気の気体分子によって吸収され、当該雰囲気が直接的に加熱される。また、ハロゲンランプＨＬが照射された光の一部はサセプタ７４等のチャンバー６内構造物によって吸収され、当該構造物からの熱伝導によってもチャンバー６内の雰囲気が間接的に加熱される。
【００８６】
ハロゲンランプＨＬからの光照射によってチャンバー６内の雰囲気を加熱するときには、チャンバー６内の雰囲気の温度が雰囲気温度計２８によって測定されている。雰囲気温度計２８によって測定されたチャンバー６内の雰囲気温度は制御部３に伝達される。第２実施形態では、ハロゲンランプＨＬを一定電力（例えば最大電力の３０％固定）で点灯してチャンバー６内の雰囲気温度が目標温度ＴＰとなるまでチャンバー６内の雰囲気を加熱する。すなわち、第１実施形態ではハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御していたのに対して、第２実施形態では定出力制御しているのである。チャンバー６内の雰囲気温度の目標温度ＴＰは第１実施形態と同様に例えば２５０℃である。
【００８７】
チャンバー６内の雰囲気温度が目標温度ＴＰに到達した後にチャンバー６内の減圧が開始される（ステップＳ２２）。具体的には、供給元バルブ９３、バイパスバルブ８５および供給バルブ９８は閉止されるとともに、供給バルブ９６および排気バルブ８９が開放される。これにより、ガス排気管８８からチャンバー６内およびマスフローコントローラ９５を含む反応性ガス配管８３ａ（正確には、供給元バルブ９３よりも下流側の部位）の排気が行われ、チャンバー６内のみならず反応性ガス配管８３ａ内も減圧される。その結果、反応性ガス配管８３ａ内に残留していたアンモニアも排出されることとなる。
【００８８】
次に、真空圧力計１９１によって測定されるチャンバー６内の圧力が所定圧にまで減圧された後、減圧を停止して反応性ガス配管８３ａおよびチャンバー６内への窒素ガス供給を実行する（ステップＳ２３）。このときには、供給元バルブ９３および排気バルブ８９が閉止され、供給バルブ９６、供給バルブ９８およびバイパスバルブ８５が開放される。これにより、窒素供給源９２から送給された窒素ガスの一部がバイパス配管８４を通ってマスフローコントローラ９５を含む反応性ガス配管８３ａ（正確には、供給元バルブ９３と供給バルブ９６との間の部位）に充填されることとなる。また、窒素供給源９２から送給された窒素ガスはチャンバー６内にも充填される。
【００８９】
チャンバー６内および反応性ガス配管８３ａに窒素ガスが充填された後、ステップＳ２４に進み、上記の減圧処理と窒素ガス供給とを設定回数繰り返したか否かが制御部３によって判定される。制御部３には、繰り返しの設定回数が例えばＧＵＩ(Graphical User Interface)を用いて予め設定されている。減圧処理と窒素ガス供給とが設定回数繰り返されていない場合には、再度ステップＳ２２の減圧処理とステップＳ２３の窒素ガス供給とが繰り返される。例えば、繰り返しの設定回数として”１０”と設定されている場合には、上述した減圧処理と窒素ガス供給とが１０回繰り返されることとなる。これにより、反応性ガス配管８３ａおよびチャンバー６内からは確実にアンモニアが排出されて窒素ガスが充填されることとなる。
【００９０】
第２実施形態においては、熱処理装置１のメンテナンス前に、ハロゲンランプＨＬから光照射を行ってチャンバー６内の雰囲気を加熱してからチャンバー６内を排気して減圧している。減圧前にチャンバー６内の雰囲気を加熱することにより、当該雰囲気中の気体分子の熱運動が活性化するとともにガス密度が小さくなる。その結果、第１実施形態と同様に、減圧時にはチャンバー６内の気体分子が速やかに排出されることとなり、チャンバー６内を所定の気圧にまで短時間で減圧することができる。これにより、メンテナンス前の窒素ガスパージに要する時間を短縮することが可能となる。
【００９１】
＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第１，第２実施形態においては、チャンバー６内を減圧する前にチャンバー６内の雰囲気を加熱していたが、それに加えてチャンバー６内の減圧が開始された後も継続してハロゲンランプＨＬからの光照射によってチャンバー６内の雰囲気を加熱するようにしても良い。チャンバー６内の減圧が開始された後もハロゲンランプＨＬからの光照射によってチャンバー６内の雰囲気を加熱することにより、チャンバー６内をより短時間で減圧することができる。或いは、チャンバー６内の減圧が開始された後にハロゲンランプＨＬからの光照射によるチャンバー６内の雰囲気加熱を開始するようにしても良い。
【００９２】
また、第１実施形態においてはハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御していたが、これに代えて第２実施形態のようにハロゲンランプＨＬを一定電力で点灯してチャンバー６内の雰囲気温度が目標温度ＴＰとなるまでチャンバー６内の雰囲気を加熱するようにしても良い。逆に、第２実施形態において、雰囲気温度計２８による測定値に基づいて、チャンバー６内の雰囲気温度が目標温度ＴＰとなるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御するようにしても良い。すなわち、ハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御するか定出力制御するかは適宜に選択しうる。或いは、フィードバック制御と定出力制御とを組み合わせるようにしても良い。例えば、チャンバー６内の雰囲気温度が比較的低温の間はハロゲンランプＨＬの出力を定出力制御するようにし、雰囲気温度が目標温度ＴＰに近付いた後にハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御するようにしても良い。
【００９３】
また、ハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御するに際しては、チャンバー６内の雰囲気温度に代えて、放射温度計２９によって測定されたサセプタ７４の温度または放射温度計２０によって測定された半導体ウェハーＷの温度に基づいてハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御するようにしても良い。もっとも、第１実施形態のように、雰囲気温度計２８によって測定されたチャンバー６内の雰囲気温度に基づいてハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御するようにした方がより直接的にチャンバー６内の雰囲気温度を目標温度ＴＰとすることができる。
【００９４】
また、上記実施形態においては、反応性ガス配管８３ａからアンモニアを供給していたが、これに限定されるものではなく、反応性ガス配管８３ａから酸素（Ｏ２）、水素（Ｈ２）、塩素（Ｃｌ２）、塩化水素（ＨＣｌ）、オゾン（Ｏ３）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、三フッ化窒素（ＮＦ３）などを反応性ガスとして供給するようにしても良い。また、不活性ガス配管８３ｂから供給されるガスも窒素ガスに限定されるものではなく、不活性ガス配管８３ｂからアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）などを不活性ガスとして供給するようにしても良い。
【００９５】
また、第１実施形態においては、チャンバー６内にアンモニア雰囲気を形成して半導体ウェハーＷの加熱処理を行っていたが、チャンバー６内に複数種の異なる雰囲気を順次に形成して半導体ウェハーＷの処理を行うようにしても良い。この場合、１枚の半導体ウェハーＷを処理する間にチャンバー６内を複数回減圧することとなるため、本発明に係る技術を好適に適用してチャンバー６内を毎回短時間で減圧することにより、処理時間を短くすることができる。
【００９６】
また、上記実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。
【００９７】
また、上記実施形態においては、１秒以上連続して発光する連続点灯ランプとしてフィラメント方式のハロゲンランプＨＬを用いて半導体ウェハーＷの予備加熱を行っていたが、これに限定されるものではなく、ハロゲンランプＨＬに代えて放電型のアークランプ（例えば、キセノンアークランプ）を連続点灯ランプとして用いて予備加熱を行うようにしても良い。この場合、減圧処理前にアークランプからの光照射によってチャンバー６内の雰囲気が加熱される。
【００９８】
また、熱処理装置１によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。また、熱処理装置１では、注入された不純物の活性化、金属とシリコンとの接合、或いはポリシリコンの結晶化を行うようにしても良い。
【符号の説明】
【００９９】
１  熱処理装置
３  制御部
４  ハロゲン加熱部
５  フラッシュ加熱部
６  チャンバー
７  保持部
１０  移載機構
２０，２９  放射温度計
２８  雰囲気温度計
６５  熱処理空間
７４  サセプタ
７５  保持プレート
７７  基板支持ピン
８３  ガス供給管
８３ａ  反応性ガス配管
８３ｂ  不活性ガス配管
８４  バイパス配管
８５  バイパスバルブ
８８  ガス排気管
８９  排気バルブ
９１  アンモニア供給源
９２  窒素供給源
９３  供給元バルブ
９６，９８  供給バルブ
１９０  排気部
１９１  真空圧力計
ＦＬ  フラッシュランプ
ＨＬ  ハロゲンランプ
Ｗ  半導体ウェハー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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