(57)【要約】【課題】発光装置を基板に実装する際の位置ずれが抑制された光源装置を提供する。【解決手段】下面に第１電極と第２電極とを有し、下面において、第１電極は、分離領域を介して分離された、第１部及び第２部を有する電子部品と、基材と、基材の上面に配置される一対の配線層とを有する基板と、を備え、一対の配線層の上面と、電子部品の下面にある第１電極及び第２電極とが対面するように電子部品が載置される光源装置であって、基板は、分離領域と対面する位置に第１領域を有し、第１領域は、第１領域以外に位置する一対の配線層の表面よりも半田濡れ性が悪い領域であることを特徴とする光源装置。【選択図】図３Ｂ
2020043366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に第１電極と第２電極とを有し、前記下面において、前記第１電極は、分離領域を
介して分離された、第１部及び第２部を有する電子部品と、
基材と、該基材の上面に配置される一対の配線層とを有する基板と、を備え、
前記一対の配線層の上面と、前記電子部品の前記下面にある前記第１電極及び第２電極
とが対面するように前記電子部品が載置される光源装置であって、
前記基板は、前記分離領域と対面する位置に第１領域を有し、
前記第１領域は、前記第１領域以外に位置する前記一対の配線層の表面よりも半田濡れ
性が悪い領域であることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記電子部品の下面において、前記第１部の平面形状は前記第２部の平面形状と異なる
請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記第１領域において、前記一対の配線層は貫通孔を有し、
前記貫通孔の底部において前記基材の一部が露出している請求項１又は２に記載の光源
装置。
【請求項４】
前記第１領域において、前記一対の配線層は上面に導電性部材又は絶縁性部材を有する
請求項１又は２に記載の光源装置。
【請求項５】
前記第１領域における前記一対の配線層の表面粗さは、前記第１領域以外の前記一対の
配線層の表面粗さと異なる請求項１又は２に記載の光源装置。
【請求項６】
前記基板は、前記電子部品の下面の前記分離領域と対面する位置を除き、且つ、前記第
１電極および前記第２電極の周縁にある近傍領域と対面する位置に、半田濡れ性が悪い第
２領域をさらに有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項７】
前記電子部品の下面は、対向する第１辺および第２辺を有し、
前記第２領域は、前記第１電極および／または前記第２電極の側部と前記第１辺とで挟
まれる領域と対面する位置と、前記第１電極および／または前記第２電極の側部と前記第
２辺とで挟まれる領域と対面する位置とに設けられている請求項６に記載の光源装置。
【請求項８】
前記一対の配線層は互いに溝を介して離間しており、
前記溝は、上面視において屈曲している請求項１〜７のいずれか１項に記載の光源装置
。
【請求項９】
前記電子部品は、前記第１電極および前記第２電極を有するパッケージと、前記パッケ
ージに載置される半導体発光素子とを備える発光装置である請求項１〜８のいずれか１項
に記載の光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
１つ以上の発光装置が基板に実装された光源装置が種々利用されている。このような光
源装置では、発光装置の配向が光源装置の出射光に影響を及ぼすことが知られている（特
許文献１等）。そのため、発光装置の実装後に、発光装置の配光が望ましい配光となるよ
うに、発光装置の位置ずれが抑制された光源装置が求められている。
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２４１２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の実施形態は、発光装置を基板に実装する際の位置ずれが抑制された光源装置を
提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の実施形態の光源装置は、下面に第１電極と第２電極とを有し、下面において、
第１電極は、分離領域を介して分離された、第１部及び第２部を有する電子部品と、基材
と、基材の上面に配置される一対の配線層とを有する基板と、を備え、一対の配線層の上
面と、電子部品の下面にある第１電極及び第２電極とが対面するように電子部品が載置さ
れる光源装置であって、基板は、分離領域と対面する位置に第１領域を有し、第１領域は
、第１領域以外に位置する一対の配線層の表面よりも半田濡れ性が悪い領域である。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の実施形態によれば、発光装置を基板に実装する際の位置ずれが抑制された光源
装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本開示の光源装置の一実施形態を示す模式上面図である。
【図２Ａ】図１の光源装置に搭載される電子部品の一実施形態を示す模式上面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの電子部品を示す模式下面図である。
【図２Ｃ】図２Ａに示すＩ−Ｉ’線における模式断面図である。
【図２Ｄ】図２Ａの電子部品の上面視における模式透過図である。
【図３Ａ】図１の光源装置を構成する基板の一実施形態を示す模式上面図である。
【図３Ｂ】基板と電子部品との位置関係を説明するための模式透過図である。
【図４Ａ】本開示の光源装置に搭載される電子部品の別の実施形態を示す模式透過図である。
【図４Ｂ】図４Ａの電子部品を示す模式下面図である。
【図４Ｃ】基板と電子部品との位置関係を説明するための模式透過図である。
【図５】基板と電子部品との位置関係を説明するための模式透過図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明
する実施形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、本発明を以下に限
定しない。また、一の実施の形態において説明する内容は、他の実施の形態にも適用可能
である。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張してい
ることがある。
【０００９】
〔光源装置〕
本発明の一実施の形態の光源装置１０は、図１に示すように、電子部品１１ａと、基板
１２とを備える。
【００１０】
〔電子部品１１ａ〕
電子部品１１ａは、基板１２に搭載され、光源装置１０を構成する一部品である。
電子部品１１ａは、例えば、発光ダイオードやレーザダイオード等の半導体発光素子１
４、または、半導体発光素子１４を有する発光装置１１を用いることができる。
【００１１】
図２Ａから２Ｃは、電子部品１１ａとして用いられる発光装置１１の一例を示す図であ
る。図２Ａは発光装置１１の模式上面図であり、図２Ｂは発光装置１１の模式下面図であ
り、図２Ｃは図２Ａに示すＩ−Ｉ’線における模式断面図である。図２Ｃでは、ワイヤの
図示は省略している。発光装置１１は、パッケージ１３と、半導体発光素子１４とを備え
る。パッケージ１３は、母体１３１と、第１電極１５及び第２電極１６とを有する。図２
Ａで示すパッケージ１３は、母体１３１として光反射性の樹脂材料を固化して得られる樹
脂部が用いられ、母体１３１と第１電極１５および第２電極１６は一体に形成されている
。
【００１２】
電子部品１１ａは、上面視における外形形状が、例えば、四角形等の多角形、円形、又
はこれらに近い形状が挙げられる。例えば、発光装置１１は、上面視における外形形状が
、第１方向に延びる一対の辺と、第２方向に延びる一対の辺とを有する四角形である。
【００１３】
第１電極１５及び第２電極１６は、電子部品１１ａに給電するための部材である。その
ため、第１電極１５および第２電極１６は、導電性を有し、半田等の接合部材との濡れ性
が良好な材料が好適に用いられる。図２Ａで示す発光装置１１は、２つの半導体発光素子
１４が第１電極１５の上面に配置され、２つの半導体発光素子１４は第１電極１５及び第
２電極１６とワイヤを介して電気的に接続されている。なお、半導体発光素子１４の配置
は、これに限らず、例えば、第１電極１５および第２電極１６それぞれに跨るように配置
されていてもよい。また、第１電極２１および第２電極２２それぞれの上面に少なくとも
１つの半導体発光素子１４が配置されてもよい。
【００１４】
第１電極１５及び第２電極１６は、電子部品１１ａの下面１１ｂに配置される。図２Ｂ
で示す発光装置１１では、第１電極１５及び第２電極１６は、発光装置１１の下面１１ｂ
において母体１３１から露出するように配置されている。電子部品１１ａの下面１１ｂに
配置される第１電極１５および第２電極１６は、後述する基板１２の一対の配線層１９と
半田を介して接合される。
【００１５】
第１電極１５は、電子部品１１ａの下面１１ｂにおいて、第１部１５ａ及び第２部１５
ｂを有している。第１部１５ａ及び第２部１５ｂは、分離領域１３ａを介して分離されて
いる。より具体的には、第１部１５ａ及び第２部１５ｂは、電子部品１１ａの下面１１ｂ
において、分離領域１３ａを介して分離されており、下面１１ｂと反対側の上面側におい
て第１部１５ａ及び第２部１５ｂは一体に連結されている。図２Ｂで示す発光装置１１で
は、第１電極１５は、下面において、窪み部１３ｂ（破線で囲まれる領域）を有し、窪み
部１３ｂ内には母体１３１の一部が配置されている。そして、下面１１ｂにおいて、第１
部１５ａと第２部１５ｂとは、窪み部１３ｂ内に配置された母体１３１によって分離され
ている。なお、第１電極１５の第１部１５ａと第２部１５ｂとの間の窪み部１３ｂは、公
知の方法によって形成することができる。例えば、平板状の金属板を準備し、エッチング
加工又はプレス加工を施すことによって、第１電極１５となる部分および第２電極１６と
なる部分とを備えるリードフレームを形成する。そして、第１電極１５となる部分および
第２電極１６となる部分とを形成する工程と同時に、又は別の工程において、リードフレ
ームに窪み部１３ｂを形成する。具体的には、窪み部１３ｂは、金属板又はリードフレー
ムの下面において、第１電極１５となる部分の一部を、厚み方向に貫通しないようにエッ
チング加工又はプレス加工を施すことによって形成される。
【００１６】
電子部品１１ａの下面１１ｂにおいて、第１部１５ａの平面形状は、第２部１５ｂの平
面形状と異なっている。図２Ｂで示す発光装置１１では、第１部１５ａおよび第２部１５
ｂは、第１方向に並んで配置され、第１部１５ａの第２方向に延びる幅は、第２部１５ｂ
の第２方向に延びる幅よりも広い。また、第１部１５ａの第１方向に延びる幅は、第２部
１５ｂの第１方向に延びる幅よりも広くなっている。第１電極１５の第１部１５ａと第２
部１５ｂとが異なる形状である場合、基板１２に電子部品１１ａを実装した時に、第１部
１５ａおよび第２部１５ｂそれぞれにかかる半田の引っ張る強さが異なる。これにより、
基板１２上に電子部品１１ａを実装した時に、電子部品１１ａに位置ずれが起きる可能性
がある。なお、本開示の光源装置１０では、基板１２が後述する半田濡れ性の悪い第１領
域２１を有し、第１領域２１が第１部１５ａと第２部１５ｂとの間にある分離領域１３ａ
と対面する位置に設けられている。基板１２の特定の位置に第１領域２１が設けられてい
ることによって、第１電極１５の第１部１５ａと第２部１５ｂとが異なる形状の電子部品
を用いたとしても、電子部品１１ａの位置ずれを第１領域２１で抑制することができ、電
子部品１１ａの実装精度を向上させることができる。
【００１７】
これまで電子部品１１ａとして発光装置１１を例にとって説明したが、電子部品１１ａ
は発光装置に限られない。電子部品１１ａは、その他に、半導体発光素子、パワー半導体
、電源整流用ダイオード、ツェナーダイオード、可変容量ダイオード、ＰＩＮダイオード
、ショットキーバリアダイオード、フォトダイオード、太陽電池、サージ保護用ダイオー
ド、バリスタ、コンデンサ、抵抗等の２端子装置、トランジスタ、バイポーラトランジス
タ、電界効果トランジスタ、フォトトランジスタ、ＣＣＤイメージセンサ、サイリスタ、
光トリガサイリスタ等の３端子装置、ＤＲＡＭ及びＳＲＡＭ等のメモリ、マイクロプロセ
ッサ等であってよい。なお、光源装置１０が複数の電子部品１１ａを備える場合は、複数
の電子部品１１ａは、発光装置１１や上記の電子部品を組み合わせて使用することができ
る。
【００１８】
半導体発光素子１４は、特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎxＡｌy
Ｇａ1-x-yＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含むことが好ましい。また、電子部品１
１ａとして発光装置１１を用いる場合、発光装置１１は１つの半導体発光素子１４を備え
ていてよいし、２つ以上の半導体発光素子１４を備えていてよい。発光装置１１が２つの
半導体発光素子１４を備える場合は、例えば、青色光を出射する発光素子と緑色光を出射
する発光素子とを組み合わせて用いることができる。また、発光装置１１が３つの半導体
発光素子１４を備える場合は、例えば、青色光を出射する発光素子、緑色光を出射する発
光素子および赤色光を出射する発光素子を組み合わせて用いることができる。半導体発光
素子１４が２つ以上ある場合は、各半導体発光素子は直列、並列または直列と並列の組み
合わせで電気的に接続される。また、電子部品１１ａとして発光装置１１を用いる場合、
半導体発光素子１４は、電極形成面を上側にしてパッケージ１３上に載置（フェイスアッ
プ実装）する、または、電極形成面を下側にしてパッケージ１３上に載置（フリップチッ
プ実装）する、のいずれでもよい。なお、電子部品１１ａとして半導体発光素子１４を用
いる場合、半導体発光素子１４の第１電極１５および第２電極１６は同一面に形成され、
半導体発光素子１４は電極形成面を下側にして基板１２上に載置（フリップチップ実装）
される。
【００１９】
電子部品１１ａとして発光装置１１を用いる場合、パッケージ１３の母体１３１を構成
する材料は、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等のセラミックス、樹脂（例
えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、トリメチル
ペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂
等）、パルプ、ガラス、又はこれらの複合材料等である。また、パッケージ１３の母体１
３１は、単層構造でもよいし、複数の層を含む多層構造でもよい。
【００２０】
第１電極１５及び第２電極１６は、母材として、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、
タングステン、鉄、ニッケル等の金属、又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等を用い
ることができる。また、第１電極１５及び第２電極１６は、母材の表面に金属層を備えて
いてもよい。金属層は、例えば、銀、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、ロジウム、
金、銅、又はこれらの合金などを単層又は複数層とすることができる。なお、第１電極１
５及び第２電極１６は、金属層が設けられていない領域があってもよい。また、第１電極
１５及び第２電極１６において、上面に形成される金属層と、下面に形成される金属層と
は異なっていてもよい。例えば、上面に形成される金属層はニッケルの金属層を含む複数
層からなる金属層であり、下面に形成される金属層はニッケルの金属層を含まない金属層
とすることができる。また、上面に形成された金属層の厚みは、下面に形成された金属層
の厚みよりも厚いほうが好ましい。上面側の金属層が厚いことで、半導体発光素子１４か
らの光を効率的に上側に反射させることができる。また、半導体発光素子１４からの光を
直接的に反射しない下面側の金属層を薄くすることで、発光装置１１のコストを抑えるこ
とができる。上面の金属層の厚みと、下面の金属層の厚みとが異なる場合は、それぞれの
金属層の層数は同じで、そのうちの一部又は全ての層の厚みを異ならせることで、全体の
厚みを変えてもよい。あるいは、上面の金属層と下面の金属層の層数を異なるようにする
ことで、全体の厚みを変えてもよい。
【００２１】
また、第１電極１５及び第２電極１６の最表面に銀または銀合金の金属層が形成される
場合は、銀または銀合金の金属層の表面に酸化ケイ素等の保護層が設けられることが好ま
しい。これにより、大気中の硫黄成分等により銀または銀合金の金属層が変色することを
抑制できる。保護層の成膜方法は、例えばスパッタ、原子層堆積法等の真空プロセスによ
って成膜することができ、その他の既知の方法を用いてもよい。
【００２２】
〔基板１２〕
図３Ａは電子部品１１ａが搭載される前の基板１２の模式上面図であり、図３Ｂは電子
部品１１ａが搭載された後の基板１２と電子部品１１ａとの位置関係を説明するための模
式透過図である。図３Ａで示すように、基板１２は、基材１７と、一対の配線層１９（第
１配線層１９ａおよび第２配線層１９ｂ）とを備える。基板１２は、電子部品１１ａを搭
載するための部材であり、光源装置１０を構成する一部材である。図３Ｂで示すように、
電子部品１１ａの直下に一対の配線層１９の一部が配置される。具体的には、電子部品１
１ａの第１電極１５の直下には第１配線層１９ａの一部が配置し、電子部品１１ａの第２
電極１６の直下には第２配線層１９ｂの一部が配置する。第１電極１５および第１配線層
１９ａと、第２電極１６および第２配線層１９ｂとはそれぞれ半田を介して電気的に接続
される。
【００２３】
基板１２は、上面視において電子部品１１ａと重なる領域で、且つ、電子部品１１ａの
下面１１ｂの分離領域１３ａと対面する位置に第１領域２１を有する。第１領域２１は、
第１領域２１以外の領域にある一対の配線層１９の表面よりも半田濡れ性が悪い。図３Ｂ
では、第１領域２１において、第１配線層１９ａに貫通孔が設けられており、貫通孔の底
部で基材１７の一部が露出している。貫通孔の底部で露出する基材１７の一部は、一対の
配線層１９よりも半田濡れ性が悪い。そして、電子部品１１ａは、電子部品１１ａの分離
領域１３ａと基板１２の第１領域２１（貫通孔）とが対面するように、基板１２上に半田
実装される。電子部品１１ａをこのような配置で基板１２に実装することで、上面視にお
いて、基板１２の第１領域２１は、電子部品１１ａの第１部１５ａと第２部１５ｂとの間
に位置する。その結果、半田濡れ性の悪い第１領域２１を介して、第１部１５ａに濡れ広
がる半田の一部と第２部１５ｂに濡れ広がる半田の一部とは分離する。これにより、第１
部１５ａにかかる半田の引っ張る力を第２部１５ｂ側に影響しにくくすることができ、一
方で、第２部１５ｂにかかる半田の引っ張る力を第１部１５ａ側に影響しにくくすること
ができる。そして、結果として、電子部品１１ａのセルフアライメント性を向上させるこ
とができる。
【００２４】
第１領域２１が第１領域２１以外の領域にある一対の配線層１９の表面よりも半田濡れ
性が悪いとは、第１領域２１に対する半田の親和性（付着しやすさ）が、第１領域２１以
外の一対の配線層１９に対する半田の親和性よりも低いものを指す。半田濡れ性は、第１
領域２１又は一対の配線層１９の表面での半田の接触角によって表すことができる。半田
濡れ性が悪い領域では半田の接触角は大きくなる。したがって、第１領域２１での半田の
接触角は、一対の配線層１９の表面での半田の接触角よりも大きくなる。半田の接触角は
、液滴法、懸滴法、プレート法、ウォッシュバーン法等の公知の方法で測定することがで
きる。
【００２５】
電子部品１１ａを基板１２に搭載した後、第１領域２１は、上面視において、第１部１
５ａの内側部１５０ａおよび第２部１５ｂの内側部１５０ｂの少なくとも一方と略接する
位置にある。略接する位置とは、例えば、０〜５０μｍ程度離間した距離をいう。例えば
、第１領域２１が、上面視において、第１部１５ａの内側部１５０ａと略接する位置にあ
る場合は、電子部品１１ａが第１部１５ａから第２部１５ｂへの方向に位置ずれすること
を抑制することができる。一方で、第１領域２１が、上面視において、第２部１５ｂの内
側部１５０ｂと略接する位置にある場合は、電子部品１１ａが第２部１５ｂから第１部１
５ａへの方向に位置ずれすることを抑制することができる。図３Ｂでは、第１領域２１は
、第１部１５ａの内側部１５０ａおよび第２部１５ｂの内側部１５０ｂの双方と接する位
置に設けられている。これにより、第１方向の＋方向と−方向双方の位置ずれを抑制する
ことができる。
【００２６】
第１領域２１は、種々の形状とすることができる。第１領域２１の平面形状は、円形、
楕円形、多角形、又は、これらの形状を結合した変則的な形状等が挙げられる。なかでも
、第１領域２１の平面形状は、円形、楕円形等の加工が容易な形状とすることが好ましい
。図３Ｂで示す第１領域２１は、上面視において第１方向に長いトラック形状であるが、
第１領域２１の平面形状は、例えば、第２方向に長い形状であってもよいし、第１部１５
ａの内側部１５０ａまたは第２部１５ｂの内側部１５０ｂに平行な直線を備える略矩形形
状であってもよい。
第１領域２１の幅は、例えば、分離領域１３ａに相当する幅、つまり、第１部１５ａと
第２部１５ｂとの最短距離を有していることが好ましい。また、第１領域２１は、分離領
域１３ａと対面する領域全てに設けられていてもよいし、図３Ｂで示すように分離領域１
３ａと対面する領域のうち一部の領域でもよい。なお、第１領域２１は、１つの電子部品
１１ａに対して１つあればよいが、２つ以上配置されていてもよい。
【００２７】
また、基板１２は、第１領域２１に加えて第２領域２２を有していてもよい。第２領域
２２は、第１領域２１と同様に、第１領域２１及び第２領域２２以外の領域にある配線層
１９の表面よりも半田濡れ性が悪い領域である。第１領域２１は、上述のように、基板１
２の表面のうち電子部品１１ａの下面１１ｂの分離領域１３ａと対面する位置に設けられ
る。一方、第２領域２２は、基板１２の表面のうち、電子部品１１ａの下面１１ｂの分離
領域１３ａと対面する位置を除き、且つ、第１電極１５および第２電極１６の周縁にある
近傍領域と対面する位置に設けられる。図３Ｂでは、第２領域２２は、基板１２の表面の
うち、第１電極１５および第２電極１６の４隅の近傍領域と対面する位置に設けられてい
る。
具体的には、電子部品１１ａの下面１１ｂは、第２方向において離間する第１辺１１ｃ
および第２辺１１ｄを有する。そして、基板１２に設けられる第２領域２２は、それぞれ
、第１電極１５および第２電極１６の側部１５１ａ、１５１ｂと第１辺１１ｃとで挟まれ
る領域の両端部と対面する位置と、第１電極１５の側部１５２ａ、１５３ａと第２辺１１
ｄとで挟まれる領域の両端部と対面する位置と、にある。そして、第２領域２２には、第
１配線層１９ａおよび第２配線層１９ｂが設けられておらず基材１７が露出している。各
第２領域２２は、電子部品１１ａを搭載した際に、各側部１５１ａ、１５２ａ、１５３ａ
、１５１ｂと略接する位置にある。各側部１５１ａ、１５２ａ、１５３ａ、１５１ｂと略
接する位置にあるとは、例えば、各側部１５１ａ、１５２ａ、１５３ａ、１５１ｂと第２
領域２２との距離が０〜５０μｍである。このように基板１２の上面のうち、第２方向に
互いに対向する第１辺１１ｃ側および第２辺１１ｄ側の領域に第２領域２２を設け、各第
２領域２２と第１電極１５および第２電極１６の側部とが略接する位置にあることで、半
田を介して電子部品１１ａを実装したときに電子部品１１ａが第２方向にずれることを抑
制することができる。これにより、電子部品１１ａのセルフアライメント性を向上させる
ことができ、電子部品１１ａの実装精度を向上させることができる。また、第２領域２２
を第１電極１５および第２電極１６の４隅の近傍領域と対面する位置に設けることで、電
子部品１１ａが回転することを抑制することができ、電子部品１１ａの実装精度はさらに
向上する。なお、第１方向への電子部品１１ａの位置ずれは、第１領域２１によって抑制
される。
【００２８】
図３Ｂで示す基板１２では、第２領域２２は複数設けられているが、第２領域２２は１
つでもよい。また、第１領域２１と第２領域２２との半田濡れ性は、同等であることが好
ましいが、異なっていてもよい。
【００２９】
第１領域２１は、一対の配線層１９に貫通孔が設けられる形態に限られない。例えば、
基板１２は、第１領域２１に位置する一対の配線層１９の上面に、導電性部材または絶縁
性部材を有していてもよい。導電性部材または絶縁性部材は、第１領域２１以外の領域に
ある一対の配線層１９の表面よりも半田濡れ性が悪い材料が用いられる。また、基板１２
は、第１領域２１において、一対の配線層１９の一部の材料を変更することにより、又は
、一対の配線層１９の一部の状態（表面粗さ、表面処理状態等）を変更することで半田濡
れ性を異ならせてよい。第２領域２２についても第１領域２１と同様である。
【００３０】
第１領域２１を構成する絶縁性部材としては、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、トリメチルペン
テン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等
が挙げられる。また、その他に、酸化アルミニウム等の酸化物や窒化アルミニウム等の窒
化物等を用いることができる。
第１領域２１を構成する導電性部材としては、上述した一対の配線層１９、第１電極１
５及び第２電極１６を構成する材料の中から選択することができる。
【００３１】
第１領域２１または第２領域２２として、一対の配線層１９に形成された貫通孔から露
出する基材１７を用いる場合は、この貫通孔は、上述した一対の配線層１９のパターニン
グ時に同時に形成することができる。一対の配線層１９のパターニング時に貫通孔を同時
に形成することで、第１領域２１または第２領域２２を低コストで形成することができる
。あるいは、金型、ロールプレス等を利用した押圧法、パンチングによる打ち抜き等によ
って形成することができる。
第１領域２１または第２領域２２として、導電性部材または絶縁性部材を用いる場合は
、フォトリソグラフィ及びスパッタ法、印刷法等を利用して、特定の位置に配置すること
ができる。この場合、導電性部材等の厚みは、電子部品１１ａと基板１２との実装に用い
られる半田の厚みと同様又はそれよりも薄いことが好ましい。この形態では、一対の配線
層１９の体積を減少させることはない。そのため、貫通孔の形態と比較して、基板１２の
放熱性を高くすることができる。
第１領域２１または第２領域２２として、その領域における配線層の表面粗さを異なら
せる場合は、研磨やレーザースクライブ等により形成することができる。この形態では、
一対の配線層１９を形成した後に、第１領域２１または第２領域２２を必要に応じて自由
度高く形成することができる。
【００３２】
基板１２は、基材１７と一対の配線層１９とに加えて、一対の配線層１９の上面を被覆
する被覆部材２３を備えることが好ましい。一対の配線層１９の上面を被覆部材２３が被
覆していることで、一対の配線層１９を保護することができ、且つ、基板１２の絶縁性を
確保することができる。また、被覆部材２３は、光反射性が高い部材であることが好まし
く、また、複数の層からなる積層構造であることが好ましい。被覆部材２３の好ましい形
態として、被覆部材２３は第１被覆部材２３ａと第２被覆部材２３ｂとを有する。第１被
覆部材２３ａは、基材１７の上面のうち電子部品１１ａの載置領域以外の略全ての領域を
被覆する。そして、第２被覆部材２３ｂは、第１被覆部材２３ａよりも光反射性が高い部
材が用いられ、且つ、第１被覆部材２３ａの上面を局所的に被覆し、例えば、電子部品１
１ａの近傍のみを被覆する。このように被覆部材２３が第１被覆部材２３ａおよび第２被
覆部材２３ｂを有し、各被覆部材を上記のように配置することで、第１被覆部材２３ａに
より一対の配線層１９を保護することができるとともに、第２被覆部材２３ｂにより電子
部品１１ａ（発光装置１１）からの出射光を効率的に上面側に反射させることができる。
第１被覆部材２３ａおよび第２被覆部材２３ｂは樹脂材料に光反射性物質が含有された部
材を用いることができる。
【００３３】
（基材１７）
基材１７は、表面に一対の配線層１９が配置されている。基材１７の材料としては、例
えば、アルミニウム又は銅等の金属、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウム等のセラミ
ックス、樹脂、パルプ、ガラス、又はこれらの複合材料等が挙げられる。複合材料として
は、例えば、ガラスエポキシ、ガラスシリコーン及びガラス変性シリコーンが挙げられる
。基材１７は、単層構造でもよいし、複数の層を含む多層構造でもよい。
【００３４】
（一対の配線層１９）
一対の配線層１９は、電子部品１１ａと電気的に接続され、電子部品１１ａに給電する
部材である。一対の配線層１９は、基材１７の上面に配置される。一対の配線層１９は、
第１配線層１９ａと第２配線層１９ｂとを有し、第１配線層１９ａと第２配線層１９ｂと
は互いに溝１８を挟んで離間している。
一対の配線層１９は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケ
ル等の金属、又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等によって形成することができる。
一対の配線層１９の表面は金属層等で被覆されていてもよい。
【００３５】
なお、基板１２は、基材１７上に搭載する電子部品１１ａの数、電子部品１１ａの接続
形態、又は１つの電子部品における外部電極（又は端子）の数等によって、一対の配線層
１９以外に他の配線層を備えていてよい。他の配線層は、例えば、通電に寄与しない放熱
を目的とする部位であってよい。また、第１配線層１９ａおよび第２配線層１９ｂは、上
面視において、大きさ及び形状が互いに異なっていてもよい。
【００３６】
第１配線層１９ａと第２配線層１９ｂとの間に位置する溝１８は、電子部品１１ａの第
１電極１５と第２電極１６との間の領域と対面する。
溝１８の平面形状は、１つの電子部品の直下において、屈曲していることが好ましい。
溝１８の屈曲方向は特に限定されないが、例えば、溝１８は、第２方向に延び、第１方向
に向かって屈曲するものが挙げられる。第２方向から第１方向への屈曲は１つでもよいし
、複数でもよい。さらに、第１方向から第２方向への屈曲が１以上あってもよい。
また、上面視において、第１電極１５と第２電極１６との間の領域と対面する溝１８の
形状または大きさは、第１電極１５と第２電極１６との間の領域の形状または大きさと略
一致することが好ましい。
【００３７】
一対の配線層１９は、基材１７上に、当該分野で公知の方法により任意の形状に形成す
ることができる。例えば、マスクを介してスパッタ法等により配線層となる材料を成膜し
、リフトオフによってパターニングする方法や、全面に蒸着等によって配線層となる材料
を成膜し、マスクを用いたフォトリソグラフィ法等を利用してパターニングする方法等が
挙げられる。また、予めパターニングされた配線を、基材１７上に貼り付けることで一対
の配線層１９を形成してもよい。
【００３８】
電子部品１１ａは、半田を介して基板１２の一対の配線層１９の上面に実装される。半
田の材料は、例えば、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＣｕとＳｎとを主成分と
する合金、ＢｉとＳｎとを主成分とする合金等が挙げられる。
このような半田を介する実装は、半田が一対の配線層１９の上面で広がり、電子部品１
１ａが位置ずれを起こす可能性がある。なお、本開示の光源装置１０では、基板１２が上
述した第１領域２１および第２領域２２を有することで、電子部品１１ａを実装した際の
セルフアライメントを効果的に確保することができる。その結果、電子部品１１ａの実装
精度を向上させることができる。
【００３９】
（その他の部材）
電子部品１１ａとして発光装置１１を用いる場合、発光装置１１は、例えば、その光取
り出し面となる上面に、封止部材等の光学部材、ツェナーダイオード２５等の保護素子を
さらに備えていてもよい。
【００４０】
（実施形態１）
実施形態１の光源装置１０は、図１に示すように、電子部品１１ａに相当する発光装置
１１と、基板１２とを備える。
発光装置１１は、図２Ａから２Ｃに示すように、２つの半導体発光素子１４と、この半
導体発光素子１４を搭載するパッケージ１３とを備える。
パッケージ１３は、酸化チタンを１５〜２５重量％含有するエポキシ樹脂を含む母体１
３１と、第１電極１５及び第２電極１６とを有し、略正方形の平面形状を有する（例えば
、３ｍｍ×３ｍｍ）。第１電極１５及び第２電極１６は、銅と銅の表面に形成された金属
層とを含み、最大厚みが２００μｍで形成される。第１電極１５及び第２電極１６は、半
導体発光素子１４の一対の電極とワイヤにより電気的に接続されている。
第１電極１５は、発光装置１１の下面１１ｂにおいて、第１部１５ａ及び第２部１５ｂ
を有している。これら第１部１５ａ及び第２部１５ｂは、分離領域１３ａを介して分離さ
れている。
【００４１】
図２Ｄは、実施形態１の発光装置１１の透過上面図である。第１電極１５及び第２電極
１６は、図２Ｄに示すように、外周部分１５Ｘ、１６Ｘと、第１部１５ａ及び第２部１５
ｂ間の分離領域１３ａと、に下面側から上面側に窪む窪み部を有する。また、第１電極１
５及び第２電極１６の上面には、樹脂材料を含む母体１３１と、第１電極１５および第２
電極１６との密着性を向上させるために、凹部１５Ｙ、１６Ｙを有する。第１部１５ａの
上面に形成される凹部１５Ｙと、第２部１５ｂの上面に形成される１５Ｙとは、上面視に
おける分離領域１３ａと重なる領域において分離している。これにより、第１電極１５の
下面に形成される窪み部と、上面に形成される凹部１５Ｙとが、上面視において重ならな
いので、第１電極１５の強度を確保することができる。
発光装置１１の下面１１ｂにおいて、第１部１５ａは、第２部１５ｂよりも平面積が大
きい。
【００４２】
基板１２は、図３Ａおよび３Ｂに示すように、基材１７と、一対の配線層１９とを備え
る。実施形態１の基材１７は単層構造のガラスエポキシからなり、一対の配線層１９は銅
によって形成されている。
基板１２は、発光装置１１を搭載する位置において、発光装置１１の下面１１ｂの分離
領域１３ａと対面する位置に第１領域２１を有する。第１領域２１は、第１領域２１以外
の領域にある一対の配線層１９の表面よりも半田濡れ性が悪い領域である。具体的には、
第１領域２１に位置する一対の配線層１９には貫通孔が形成され、貫通孔の底部において
基材１７の一部が露出している。換言すると、銅を含む一対の配線層１９のうち、第１領
域２１に位置する一対の配線層１９には貫通孔が設けられ、貫通孔の底部においてガラス
エポキシを含む基材１７が露出する。つまり、実施形態１における第１領域２１は、基材
１７となる。ガラスエポキシを含む基材１７の表面における半田濡れ性は、銅を含む一対
の配線層１９の表面における半田濡れ性よりも悪い。
基板１２は、さらに、第１領域２１に加えて、４つの第２領域２２を有している。第２
領域２２は、第１領域２１と同様に、第１領域２１及び第２領域２２以外の領域にある一
対の配線層１９の表面よりも半田濡れ性が悪い領域である。第２領域２２も第１領域２１
と同様に、貫通孔が設けられ、貫通孔の底部において基材１７の一部が露出する。つまり
、実施形態１における第２領域２２は、基材１７となる。
【００４３】
一対の配線層１９は、溝１８を挟んで基材１７の上面に配置されている。溝１８は、発
光装置１１の第１電極１５と第２電極１６との間の領域に対面する基板１２の上面に配置
されている。溝の幅は、例えば、４００μｍである。
溝１８は、１つの半導体発光素子１４の直下において、第１電極１５と第２電極１６と
の離間領域の形状に対応して、屈曲している。
【００４４】
一対の配線層１９は、その表面の一部が被覆部材２３により覆われている。被覆部材２
３は、発光装置１１との電気的な接続に必要な配線層の一部を露出して、その他の配線層
を含む基材１７の表面を被覆する。つまり、被覆部材２３は、発光装置１１が搭載された
領域を露出する開口を有する。
被覆部材２３は、基板１２上において、一対の配線層１９を略全面にわたって被覆する
第１被覆部材２３ａと、発光装置１１の周辺にのみ配置された第２被覆部材２３ｂとを備
える。
【００４５】
発光装置１１は、半田を介して基板１２の配線層１９に実装される。半田の材料は、例
えば、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金である。発光装置１１を半田を介して実装
する場合、通常、半田が配線層の上面で広がり、発光装置１１に位置ずれが生じたり、発
光装置の回転等が生じる可能性がある。しかし、本開示の光源装置１０では、基板１２の
特定の位置に第１領域２１および第２領域２２を配置することで、発光装置１１の位置ず
れを効果的に防止することができる。また、光源装置１０を直下型のバックライト用光源
として用いる場合、各発光装置１１の上面にレンズ部材を設けることがある。このような
場合であっても、本開示の光源装置１０は、発光装置１１の位置ずれが効果的に抑制され
ているので、各発光装置１１の光軸と各レンズ部材の光軸とが合わせやすいという効果を
奏する。
【００４６】
（実施形態２）
実施形態２の光源装置は、図４Ａ〜４Ｃに示すように、電子部品１１ａに相当する発光
装置３１と、基板とを備える。図４Ａは発光装置３１の上面視における模式透過図であり
、図４Ｂは図４Ａの発光装置３１を示す模式下面図であり、図４Ｃは基板と発光装置３１
との位置関係を説明するための模式透過図である。
発光装置３１は、図４Ａに示すように、第１方向に長い矩形形状であり、パッケージ３
３と、パッケージ３３に搭載された２つの半導体発光素子３４とを備える。発光装置３１
は、第１電極３５および第２電極３６を備え、第１電極３５および第２電極３６は、発光
装置３１の下面において露出している。そして、第１電極３５は、発光装置３１の下面に
おいて、第１部３５ａ及び第２部３５ｂを有している。第１部３５ａ及び第２部３５ｂは
、分離領域３１ｂを介して分離されている。
第１電極３５の第１部３５ａと第２部３５ｂとは、第１方向に並んで配置されている。
【００４７】
図４Ｃに示すように、基板は、上面に配置された一対の配線層３９ａ、３９ｂを備え、
一対の配線層３９ａ、３９ｂの間には溝３８が配置されている。
溝１８は、１つの発光装置３１の直下において、第１電極３５と第２電極３６との形状
に対応して、第２方向に延び、第１方向に向かって屈曲している。
基板は、発光装置３１を搭載する位置において、発光装置３１の下面の分離領域３１ｂ
と対面する位置に第１領域４１を有する。基板は、さらに、第１領域４１に加えて、４つ
の第２領域４２を有している。第１領域４１に位置する一対の配線層３９ａ、３９ｂには
貫通孔が形成され、貫通孔の底部において基材の一部が露出している。同様に、第２領域
４２に位置する一対の配線層３９ａ、３９ｂには貫通孔が形成され、貫通孔の底部におい
て基材の一部が露出している。
【００４８】
光源装置は、上述した以外、実施形態１と同様の構成を有する。
このように、基板の特定の位置に第１領域２１および第２領域２２を配置することで、
発光装置３１の位置ずれを効果的に防止することができる。その結果、発光装置３１のセ
ルフアライメントを効果的に確保することができ、発光装置３１の実装精度を向上させる
ことができる。
【００４９】
（その他の実施形態）
本開示の電子部品の第１電極および第２電極は種々の形状とすることができる。図５は
、電子部品の下面に露出する第１電極５５および第２電極５６と、基板に配置された第１
領域２１および第２領域２２とを示す模式図である。説明を簡略化するため、電子部品や
基板の外形等は省略して図示している。
図５に示すように、第１電極５５は上面視において凸部を有し、第２電極５６は第１電
極５５に対面し、且つ、第１電極５５の凸部が収まる凹部を有する。そして、第１電極５
５は、電子部品の下面において、略矩形状の第１部５５ａと、凸部に相当する略矩形状の
第２部５５ｂとを有する。そして、第１部５５ａと第２部５５ｂとの間の分離領域５１ｂ
と対面する位置に第１領域２１が配置されている。また、第１電極５５および第２電極５
６の角部近傍には４つの第２領域２２が配置されている。基板は、上面に一対の配線層を
備え、一対の配線層の間には溝５８が配置されている。
このような第１電極および第２電極の形状においても、実施形態１と同様の効果を有す
る。
【符号の説明】
【００５０】
１０    光源装置
１１、３１    発光装置
１１ａ    電子部品
１１ｂ    下面
１１ｃ    第１辺
１１ｄ    第２辺
１２    基板
１３、３３      パッケージ
１３１    母体
１３ａ    分離領域
１３ｂ    窪み部
１４、３４      半導体発光素子
１５、３５、５５      第１電極
１５Ｘ    外周部分
１５Ｙ    凹部
１５ａ、３５ａ、５５ａ    第１部
１５ｂ、３５ｂ、５５ｂ    第２部
１５０ａ  内側部
１５０ｂ  内側部
１５１ａ、１５１ｂ、１５２ａ、１５３ａ      側部
１６、３６、５６      第２電極
１６Ｘ    外周部分
１６Ｙ    凹部
１７      基材
１８、３８、５８      溝
１９、１９ａ、１９ｂ、３９ａ、３９ｂ      配線層
２１、４１      第１領域
２２、４２      第２領域
２３      被覆部材
２３ａ    第１被覆部材
２３ｂ    第２被覆部材
２５      ツェナーダイオード
３１ｂ    分離領域
【図１】
2020043366.tif 000003
【図２Ａ】
2020043366.tif 000004
【図２Ｂ】
2020043366.tif 000005
【図２Ｃ】
2020043366.tif 000006
【図２Ｄ】
2020043366.tif 000007
【図３Ａ】
2020043366.tif 000008
【図３Ｂ】
2020043366.tif 000009
【図４Ａ】
2020043366.tif 000010
【図４Ｂ】
2020043366.tif 000011
【図４Ｃ】
2020043366.tif 000012
【図５】
2020043366.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月6日(2019.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極とを有するパッケージと、
一対の配線層を有し、一方の配線層の上面に前記第１電極の下面が対面して載置され、他方の配線層の上面に前記第２電極の下面が対面して載置される基板と、を有し、
前記第１電極は、下面においては第１分離領域を介して第１部及び第２部に分離され、かつ、上面においては前記第１部及び前記第２部が一体に連結されており、
前記基板は、前記第１分離領域と対面する位置に、前記第１部及び前記第２部と対面する前記配線層の上面よりも半田濡れ性が悪い領域を有する光源装置。
【請求項２】
さらに、前記パッケージの上面に配置される半導体発光素子を有する請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記半導体発光素子は、前記パッケージの前記第１電極または前記第２電極の上面に配置される請求項２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記半導体発光素子は、前記パッケージの前記第１電極の上面に配置され、ワイヤを介して前記第２電極と電気的に接続する請求項３に記載の光源装置。
【請求項５】
前記半導体発光素子は、前記パッケージの前記第１電極及び前記第２電極の上面に配置される請求項３に記載の光源装置。
【請求項６】
少なくとも２つの前記半導体発光素子を有し、
前記パッケージの前記第１電極及び前記第２電極それぞれの上面に、少なくとも１つの前記半導体発光素子が配置される請求項３に記載の光源装置。
【請求項７】
前記第１電極または前記第２電極は、複数の金属層を有し、前記パッケージの上面に形成される金属層と、前記パッケージの下面に形成される金属層と、が異なる金属である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光源装置。
【請求項８】
前記パッケージの下面において、前記第１電極の前記第１部と前記第２部とを分離する前記第１分離領域と、前記第１電極の前記第１部と前記第２電極とを分離する第２分離領域と、が繋がっている請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光源装置。
【請求項９】
前記第１電極の前記第１部及び前記第２部、ならびに、前記第２電極は、前記パッケージの下面において、仮想的な１つの直線が、前記第１分離領域及び前記第２分離領域を通る位置に配置される請求項８に記載の光源装置。
【請求項１０】
前記パッケージは、上面視における外形形状が、第１方向に延びる一対の第１辺と、第２方向に延びる一対の第２辺と、を有する四角形であり、
前記パッケージの下面において、前記第１電極の前記第１部と前記第２部とは、前記第１方向に離れて分離され、
前記パッケージの下面において、前記第１電極の前記第１部と前記第２電極とは、前記第１方向に離れて分離される請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光源装置。
【請求項１１】
前記パッケージの下面において、前記第１電極の前記第１部の前記第１方向の長さは、前記第１電極の前記第２部の前記第１方向の長さよりも長い請求項１０に記載の光源装置。
【請求項１２】
前記パッケージの下面において、前記第１電極の前記第１部の前記第２方向の長さは、前記第１電極の前記第２部の前記第２方向の長さよりも長い請求項１０または１１に記載の光源装置。
【請求項１３】
前記パッケージの下面において、前記第１電極の前記第１部の前記第２方向における両端のうちの一方の端を通り前記第１方向に進む仮想的な直線と、他方の端を通り前記第１方向に進む仮想的な直線と、の間に、前記第１電極の前記第１部及び前記第２電極が配置される請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の光源装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月11日(2019.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極とを有するパッケージと、
一対の配線層を有し、一方の配線層の上面に前記第１電極の下面が対面して載置され、他方の配線層の上面に前記第２電極の下面が対面して載置される基板と、を有し、
前記第１電極は、下面においては第１分離領域を介して第１部及び第２部に分離され、かつ、上面においては前記第１部及び前記第２部が一体に連結されており、
前記基板は、前記第１分離領域と対面する位置に、前記第１部及び前記第２部と対面する前記配線層の上面よりも半田濡れ性が悪い領域を有する光源装置。
【請求項２】
さらに、前記パッケージの上面に配置される半導体発光素子を有する請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記半導体発光素子は、前記パッケージの前記第１電極または前記第２電極の上面に配置される請求項２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記半導体発光素子は、前記パッケージの前記第１電極の上面に配置され、ワイヤを介して前記第２電極と電気的に接続する請求項３に記載の光源装置。
【請求項５】
前記半導体発光素子は、前記パッケージの前記第１電極及び前記第２電極の上面に配置される請求項３に記載の光源装置。
【請求項６】
少なくとも２つの前記半導体発光素子を有し、
前記パッケージの前記第１電極及び前記第２電極それぞれの上面に、少なくとも１つの前記半導体発光素子が配置される請求項３に記載の光源装置。
【請求項７】
前記第１電極または前記第２電極は、複数の金属層を有し、前記パッケージの上面に形成される金属層と、前記パッケージの下面に形成される金属層と、が異なる金属である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光源装置。
【請求項８】
前記パッケージの下面において、前記第１電極の前記第１部と前記第２部とを分離する前記第１分離領域と、前記第１電極の前記第１部と前記第２電極とを分離する第２分離領域と、が繋がっている請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光源装置。
【請求項９】
前記第１電極の前記第１部及び前記第２部、ならびに、前記第２電極は、前記パッケージの下面において、仮想的な１つの直線が、前記第１分離領域及び前記第２分離領域を通る位置に配置される請求項８に記載の光源装置。
【請求項１０】
前記パッケージは、上面視における外形形状が、第１方向に延びる一対の第１辺と、第２方向に延びる一対の第２辺と、を有する四角形であり、
前記パッケージの下面において、前記第１電極の前記第１部と前記第２部とは、前記第１方向に離れて分離され、
前記パッケージの下面において、前記第１電極の前記第１部と前記第２電極とは、前記第１方向に離れて分離される請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光源装置。
【請求項１１】
前記パッケージの下面において、前記第１電極の前記第１部の前記第１方向の長さは、前記第１電極の前記第２部の前記第１方向の長さよりも長い請求項１０に記載の光源装置。
【請求項１２】
前記パッケージの下面において、前記第１電極の前記第１部の前記第２方向の長さは、前記第１電極の前記第２部の前記第２方向の長さよりも長い請求項１０または１１に記載の光源装置。
【請求項１３】
前記パッケージの下面において、前記第１電極の前記第１部の前記第２方向における両端のうちの一方の端を通り前記第１方向に進む仮想的な直線と、他方の端を通り前記第１方向に進む仮想的な直線と、の間に、前記第１電極の前記第２部及び前記第２電極が配置される請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の光源装置。