(57)【要約】【課題】本発明は、ダイシングでのチッピング又はクラックの発生を抑制できる物理量検出センサの製造方法と物理量検出センサを提供することを目的とする。【解決手段】センサ可動部が複数設けられたセンサ基板と、該センサ基板とは材料が異なる異種基板とを張り合わせて、複数のセンサデバイスを有する積層構造を形成することと、ダイシングブレードを用いて該積層構造をダイシングすることと、を備え、該センサ基板又は該異種基板には、該ダイシングブレードの幅よりも大きい幅の溝が該センサ基板又は該異種基板を貫通して設けられ、該ダイシングの少なくとも一部は、該ダイシングブレードが該溝に収まって該溝の左右の面に接触せずに進む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ可動部が複数設けられたセンサ基板と、前記センサ基板とは材料が異なる異種基板とを張り合わせて、複数のセンサデバイスを有する積層構造を形成することと、
ダイシングブレードを用いて前記積層構造をダイシングすることと、を備え、
前記センサ基板又は前記異種基板には、前記ダイシングブレードの幅よりも大きい幅の溝が前記センサ基板又は前記異種基板を貫通して設けられ、前記ダイシングの少なくとも一部は、前記ダイシングブレードが前記溝に収まって前記溝の左右の面に接触せずに進むことを特徴とする物理量検出センサの製造方法。
【請求項２】
前記センサ基板は半導体であり、前記異種基板はガラスであることを特徴とする請求項１に記載の物理量検出センサの製造方法。
【請求項３】
前記異種基板は、前記センサ基板の上面に張り付いた第１異種基板と、前記センサ基板の下面に張り付いた第２異種基板とを備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の物理量検出センサの製造方法。
【請求項４】
前記溝は前記第１異種基板又は前記第２異種基板に設けられたことを特徴とする請求項３に記載の物理量検出センサの製造方法。
【請求項５】
前記溝は前記第１異種基板及び前記第２異種基板に設けられたことを特徴とする請求項３に記載の物理量検出センサの製造方法。
【請求項６】
前記溝によって前記異種基板にテーパ形状の側面が形成されたことを特徴とする請求項４又は５に記載の物理量検出センサの製造方法。
【請求項７】
前記溝は前記センサ基板に設けられたことを特徴とする請求項１又は２に記載の物理量検出センサの製造方法。
【請求項８】
前記溝は前記センサデバイスの外縁のうち前記センサ可動部に最近接した部分に設けられたことを特徴とする請求項７に記載の物理量検出センサの製造方法。
【請求項９】
前記センサ基板は底板部を有し、前記底板部と前記異種基板によって前記センサ可動部が挟まれたことを特徴とする請求項１又は２に記載の物理量検出センサの製造方法。
【請求項１０】
前記異種基板を複数有し、前記溝は、前記センサ基板と複数の前記異種基板のうち、複数の基板に形成されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の物理量検出センサの製造方法。
【請求項１１】
複数の前記異種基板は５つの基板を有することを特徴とする請求項１０に記載の物理量検出センサの製造方法。
【請求項１２】
前記溝は、前記センサ基板と複数の前記異種基板のうち、１つの基板を除くすべての基板に形成されたことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の物理量検出センサの製造方法。
【請求項１３】
センサ可動部が設けられたセンサ基板と、
前記センサ基板に張り合わされた、前記センサ基板とは材料が異なる異種基板と、を備え、
前記センサ基板と前記異種基板の一方の外縁の一部は、他方の外縁より内側に後退していることを特徴とする物理量検出センサ。
【請求項１４】
前記異種基板は、前記センサ基板の上面に張り付いた第１異種基板と、前記センサ基板の下面に張り付いた第２異種基板と、を有し、
前記第１異種基板又は前記第２異種基板の外縁の一部が、前記センサ基板の外縁より内側に後退していることを特徴とする請求項１３に記載の物理量検出センサ。
【請求項１５】
前記異種基板は、前記センサ基板の上面に張り付いた第１異種基板と、前記センサ基板の下面に張り付いた第２異種基板と、を有し、
前記第１異種基板と前記第２異種基板の外縁の一部が、前記センサ基板の外縁より内側に後退していることを特徴とする請求項１３に記載の物理量検出センサ。
【請求項１６】
前記異種基板は、前記センサ基板の上面に張り付いた第１異種基板と、前記センサ基板の下面に張り付いた第２異種基板と、を有し、
前記センサ基板の外縁の一部が、前記第１異種基板と前記第２異種基板の外縁より内側に後退していることを特徴とする請求項１３に記載の物理量検出センサ。
【請求項１７】
前記センサ基板は底板部を有し、前記底板部と前記異種基板によって前記センサ可動部が挟まれたことを特徴とする請求項１３に記載の物理量検出センサ。
【請求項１８】
前記異種基板を複数有し、前記センサ基板と複数の前記異種基板のうち複数の基板の外縁の一部が後退したことを特徴とする請求項１３に記載の物理量検出センサ。
【請求項１９】
後退して設けられた前記外縁は斜面であることを特徴とする請求項１３から１８のいずれか１項に記載の物理量検出センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は物理量検出センサの製造方法と物理量検出センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ガラスのカバー層を機械シリコン層に結合させ、ガラスのカバー層が能動デバイスの気密封止を実現することが開示されている。具体的には、シリコンの機械層中のセンサデバイスは、第１と第２のガラス層の間にサンドイッチ状に挟まれ、ウェーハを構成する。さらに、特許文献１には、ウェーハをスライスして、複数の個々のセンサユニットに分けることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１６０７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ウエハプロセス工程にて物理量検出センサを有する基板に少なくとも１つの基板をウエハレベルで貼り合わせて、貼り合わせた構造をダイシングして１チップに切り出すことで、物理量検出センサを製造する技術がある。ダイシングブレードの材料、形状及び回転速度などの各要素は、特定材料の基板をダイシングすることに特化させることが多い。そのため、異種材料の基板を貼り合わせた積層構造をダイシングする場合、ある基板は弊害なくダイシングできるものの、他の基板では当該他の基板に特化した専用ブレードで切断したときと比べてチッピング又はクラックなどが多く生じてしまうことがある。チッピングは、基板上面、基板底面、又はダイシング部が交差する角部に生じやすい。こうして生じたチッピング又はクラックに、ダイシング若しくはワイヤボンドでの熱応力又はモールドでの荷重などが及ぶと、チッピング部からクラックが進展し物理量検出センサが機能しなくなる問題があった。
【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、ダイシングでのチッピング又はクラックの発生を抑制できる物理量検出センサの製造方法と物理量検出センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願の発明に係る物理量検出センサの製造方法は、センサ可動部が複数設けられたセンサ基板と、該センサ基板とは材料が異なる異種基板とを張り合わせて、複数のセンサデバイスを有する積層構造を形成することと、ダイシングブレードを用いて該積層構造をダイシングすることと、を備え、該センサ基板又は該異種基板には、該ダイシングブレードの幅よりも大きい幅の溝が該センサ基板又は該異種基板を貫通して設けられ、該ダイシングの少なくとも一部は、該ダイシングブレードが該溝に収まって該溝の左右の面に接触せずに進むことを特徴とする。
【０００７】
本願の発明に係る物理量検出センサは、センサ可動部が設けられたセンサ基板と、該センサ基板に張り合わされた、該センサ基板とは材料が異なる異種基板と、を備え、該センサ基板と該異種基板の一方の外縁の一部は、他方の外縁より内側に後退していることを特徴とする。
【０００８】
本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板に溝を形成することで、ダイシングでのチッピング又はクラックの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】積層構造の斜視図である。
【図２】積層構造の一部断面図である。
【図３】積層構造のダイシングを示す図である。
【図４】センサチップの斜視図である。
【図５】センサチップの断面図である。
【図６】変形例に係る積層構造の断面図である。
【図７】他の変形例に係る積層構造の断面図である。
【図８】実施の形態２に係るセンサの製造方法を示す図である。
【図９】センサチップの断面図である。
【図１０】センサ可動部の平面図である。
【図１１】実施の形態３に係るセンサの製造方法を示す図である。
【図１２】変形例に係るセンサの製造方法を示す図である。
【図１３】実施の形態４に係るセンサの製造方法を示す図である。
【図１４】変形例に係るセンサの製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施の形態に係る物理量検出センサの製造方法と物理量検出センサについて図面を参照して説明する。物理量検出センサを単にセンサということがある。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。以下に述べる実施の形態では、本発明の具体例を記載するが、これに限定されず様々な変形が可能である。
【００１２】
実施の形態１．
実施の形態１に係るセンサの製造方法では、まず、複数の基板を張り合わせて積層構造を形成する。図１は、積層構造１０の構成例を示す斜視図である。この積層構造１０は、センサ基板１３に、センサ基板１３とは材料が異なる第１異種基板１２と、センサ基板１３とは材料が異なる第２異種基板１４とを張り合わせて形成されたものである。張り合わせには例えば樹脂接着剤を用いることができる。
【００１３】
センサ基板１３はセンサ可動部が複数設けられた一枚の基板である。センサ基板１３の材料は例えば半導体である。センサ基板１３には例えば複数の加速度センサ部が形成されている。センサ基板１３の上面に張り付いた第１異種基板１２と、センサ基板１３の下面に張り付いた第２異種基板１４は、例えばガラスである。積層構造１０には、複数のセンサデバイスが形成されている。言い換えれば、積層構造１０には、半導体加工技術により形成された分割前の加速度センサチップ１８が複数配置されている。
【００１４】
図２は、図１の積層構造１０の一部断面図である。図２には、積層構造に含まれる３つの分離前のチップが示されている。センサ基板１３は、加速度センサのセンサ可動部１３ａ、センサ電極１３ｂ及び枠部１３ｃを備えている。センサ可動部１３ａがセンサの加速度によって変移することができるように、センサ可動部１３ａは空隙１６に設けられている。この空隙１６が、枠部１３ｃ、第１異種基板１２及び第２異種基板１４によって気密封止されている。
【００１５】
溝１７は、第１異種基板１２を貫通し、センサ基板１３を露出させている。この溝１７は例えば枠部１３ｃを露出させるものである。溝１７の幅は、深さ方向に向かって小さくなる。これにより、第１異種基板１２の側面はテーパ形状となっている。このような溝１７は、例えばサンドブラスト、又は弗化水素を用いたウェットエッチングで形成することができる。
【００１６】
第１異種基板１２には、センサ電極１３ｂを露出させる電極穴１５が形成されている。電極穴１５はセンサ電極１３ｂから電気信号を取り出すために形成されている。電気信号を取り出すために、例えばセンサ電極１３ｂに金属膜を形成して、その金属膜にワイヤボンディングすることができる。センサ電極１３ｂに形成した金属膜、又は金属膜に配線を接続することで、金属膜又は配線を第１異種基板１２の上面まで引き出し、第１異種基板１２の上でその引出し部分にワイヤボンディングする方法もある。センサ可動部１３ａの形成方法、そのパターン、第１第２異種基板１２、１４による気密封止方法に関しては、周知の技術を採用することができる。
【００１７】
上述の積層構造１０を形成した後、ダイシングブレードを用いて積層構造１０をダイシングする。図３は、ダイシングの際のブレード位置を示す図である。このダイシングブレード２０は、例えば、センサ基板１３の切断がチッピングなどの弊害なく行われるようにセンサ基板１３の切断に特化又は最適化したものである。センサ基板１３がシリコンであれば通常のＩＣプロセスで用いるダイシングブレードとダイシング条件を利用することができる。
【００１８】
溝１７の最小の幅Ｘ１は、ダイシングブレード２０の幅Ｘ２より大きい。そのため、溝１７がある部分では、ダイシングブレード２０による第１異種基板１２の切断は不要である。溝１７がある部分では、ダイシングブレード２０が溝１７に収まって、ダイシングブレード２０が溝１７の左右の面に接触せずにダイシングが進む。予め定められたダイシングラインに沿って積層構造１０をダイシングすることで、複数の加速度センサチップを切り出すことができる。
【００１９】
ダイシングブレード２０は、溝１７がある部分においては第１異種基板１２に接しないので、第１異種基板１２のチッピング又はクラックの発生を抑制できる。ダイシングブレード２０は、センサ基板１３の切断に特化又は最適化されているので、センサ基板１３の切断においてチッピング又はクラックの発生を抑制できる。本実施形態では、ダイシングブレード２０によって、第２異種基板１４を切断するが、これは第２異種基板１４の切断によるチッピング又はクラックの発生が軽微又は許容できることを前提とする。
【００２０】
このように、実施の形態１に係る積層構造１０のダイシングでは、溝１７がある部分においてはダイシングブレード２０が第１異種基板１２に接触しないので、ダイシング工程でのチッピング又はクラックの発生を抑制できる。チッピング又はクラックの発生を抑制することで、ダイシング後にダイボンド又はワイヤボンドによって熱応力を受けたり、モールドからの荷重を受けたりしたときに、チッピングがクラックに進展したりクラックが拡大することを抑制できる。そのため、センサの劣化又は破壊を回避でき、センサとしての機能が確保できる。
【００２１】
図４は、ダイシング後の加速度センサチップ１８の構成例を示す斜視図である。溝１７によって第１異種基板１２の４つの側面はテーパ形状の側面となっている。第１異種基板１２の外縁全体に溝１７が形成されているため、第１異種基板１２の外縁は、センサ基板１３の外縁よりも内側に後退している。言い換えれば、平面視での第１異種基板１２の面積は、センサ基板１３の面積より小さい。そのため、センサ基板１３の外縁部分の上面は第１異種基板１２に覆われず、外部に露出している。図５は、図４の加速度センサチップの断面図である。図５には、チッピング又はクラックの発生が抑制された加速度センサチップが示されている。チッピング又はクラックが生じる場合にはそれらによってセンサの動作に影響が及ばないように、センサを構成するパターンを囲み、センサ動作に寄与しない無効領域を大きくする必要がある。無効領域というのは例えば図４の加速度センサチップ１８の外縁の部分である。これに対し、実施の形態１に係るセンサではチッピング又はクラックを抑制できるので、無効領域を小さくすることができる。これはチップサイズの小型化に貢献する。
【００２２】
本実施形態では、例えば、積層構造を有するＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  System）デバイスの１つの形態である容量式の加速度センサを製造することができる。しかし、上述の技術は、加速度、角速度又はその他の物理量を検出するセンサの製造方法に広く利用することができるものである。
【００２３】
実施の形態１では、センサ基板１３と材料が異なる異種基板として、第１異種基板１２と第２異種基板１４を提供したが、異種基板の数を増減させてもよい。異種基板の総数は、設計に応じて適宜定めることができる。
【００２４】
実施の形態１では、第１異種基板１２の外縁全体に溝１７を形成したが、当該外縁の一部に溝１７を形成してもよい。例えば、チッピング又はクラックが発生してもセンサ動作への影響が少ない部分では溝１７を省略することができる。この場合、ダイシングの一部において、ダイシングブレード２０が溝１７に収まって溝１７の左右の面に接触せずに進むこととなる。
【００２５】
図６は、変形例に係るセンサの製造方法を示す図である。図６には、第２異種基板１４に溝１７が設けられたことが図示されている。積層構造をダイシングする際には、ダイシングブレード２０がこの溝１７に収まって溝１７の左右の第２異種基板１４の側面に接触せずにダイシングが進む。このような形態は、第１異種基板１２のダイシングよりも第２異種基板１４のダイシングにおいてチッピング又はクラックが多く発生する場合に、特に有効である。
【００２６】
図７は、他の変形例に係るセンサの製造方法を示す図である。図７には、第１異種基板１２及び第２異種基板１４に溝１７が設けられたことが図示されている。この場合、ダイシングブレード２０は、第１異種基板１２の溝１７と第２異種基板１４の溝１７に収まってこれらの溝１７の左右の面に接触せずにダイシングが進む。ダイシングによって切断されるのはセンサ基板１３だけである。センサ基板１３のダイシングに特化又は最適化したダイシングを行うことで、チッピング又はクラックの発生を抑制できる。
【００２７】
これらの変形は以下の実施の形態にかかるセンサの製造方法に応用することができる。なお、以下の実施の形態にかかるセンサの製造方法は実施の形態１との共通点が多いので実施の形態１との相違点を中心に説明する。
【００２８】
実施の形態２．
図８は、実施の形態２に係るセンサの製造方法を示す図である。溝１７はセンサ基板１３に形成されている。溝１７はセンサ基板１３を貫通する。ダイシングブレード２０が溝１７に収まって溝１７の左右の面に接触せずに第１第２異種基板１２、１４のダイシングが進む。この場合、第１第２異種基板１２、１４のダイシングに特化又は最適化したダイシングを行うことで、第１第２異種基板１２、１４にチッピング又はクラックが発生することを抑制できる。第１第２異種基板１２、１４がガラスの場合、シリコンをダイシングする場合と比べてブレードの目潰れ又は目詰まりが起こりやすい。そのため、第１第２異種基板１２、１４のダイシングでは、シリコンのダイシング時に用いるブレードと比べて適度に磨耗しやすいレジンボンドを使用し、砥粒径も大きくすることができる。また、ガラスのダイシングでは、シリコンのダイシングよりブレードの送り速度を遅くする。
【００２９】
図９は、ダイシング後のチップの断面図である。センサ基板１３に溝１７があるので、第１異種基板１２の下面の外縁部分と、第２異種基板１４の上面の外縁部分が外部に露出している。
【００３０】
図１０は、センサ可動部１３ａの形状の例を示す平面図である。センサ基板１３のうち１チップ分の領域には、４つの外縁１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄがある。外縁１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃとセンサ可動部１３ａは近接しているが、外縁１３Ｄはセンサ可動部１３ａから離れている。センサ可動部１３ａへの影響を考慮すると、外縁１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃにおけるチッピング又はクラックの抑制が、外縁１３Ｄにおけるチッピング又はクラックの抑制よりも必要とされる。そこで、外縁１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃに沿って溝１７を設け、外縁１３Ｄには溝１７を形成しないこととしてもよい。
【００３１】
平面視で、センサデバイスの外縁の一部にのみ溝を設けることは、センサデバイスの外縁全体に溝を形成する場合と比べて、装置の処理能力を向上させる。省略する溝１７の選定は、どの位置でチッピング又はクラックの発生を抑制すべきかという点から定めることができる。チッピング又はクラックの発生を抑制すべきである場所の近くには溝１７を形成し、当該場所から離れたところでは溝１７を省略することができる。図１０の例では、溝１７はセンサデバイスの外縁のうちセンサ可動部１３ａに最近接した部分に設けた。
【００３２】
実施の形態３．
図１１は、実施の形態３に係るセンサの製造方法を示す図である。積層構造は２枚の基板を備えている。具体的には、センサ基板１３と第１異種基板１２を張り合わせることで積層構造が形成されている。積層構造には、例えば、ＭＥＭＳデバイスの１つの形態である容量式の加速度センサが複数形成されている。センサ基板１３は、底板部１３ｄを備えている。底板部１３ｄの材料は例えば半導体である。底板部１３ｄはセンサ可動部１３ａ、センサ電極１３ｂ及び枠部１３ｃの下面に接している。この底板部１３ｄと第１異種基板１２によって、センサ可動部１３ａが気密封止されている。言い換えれば底板部１３ｄと第１異種基板１２によってセンサ可動部１３ａが挟まれている。溝１７は第１異種基板１２に形成されている。ダイシングブレード２０が溝１７に収まって溝１７の左右の面に接触せずにダイシングが進む。
【００３３】
実施の形態３では、溝１７を設けるのは第１異種基板１２だけである。実施の形態１で説明した第２異種基板１４の代わりに底板部１３ｄを提供することで、ダイシングの対象は、シリコン等を材料とするセンサ基板１３だけとなる。よって、センサ基板１３のダイシングに特化又は最適化したダイシングを行うことで、チッピング又はクラックの発生を抑制できる。
【００３４】
図１２は、変形例に係るセンサの製造方法を示す図である。溝１７はセンサ基板１３に設けられている。溝１７は枠部１３ｃと底板部１３ｄを貫通している。ダイシングブレード２０が溝１７に収まって溝１７の左右の面に接触せずにダイシングが進む。
【００３５】
図１１のように第１異種基板１２に溝１７を設けるべきか、図１２のようにセンサ基板１３に溝１７を設けるべきかは、例えば、どちらがチッピング又はクラックの発生を抑制できるかという観点から決めることができる。例えば、溝１７が形成されていない積層構造についてダイシングを行い、チッピング又はクラックが多く発生する基板を特定し、その基板に溝を設けることができる。
【００３６】
実施の形態４．
図１３は、実施の形態４に係るセンサの製造方法を示す図である。図１３の積層構造は、５枚の基板を張り合わせて形成されている。第１異種基板１２の上面には第３異種基板３０が貼り付けられている。第２異種基板１４の下面には第４異種基板３２が貼り付けられている。第３異種基板３０と第４異種基板３２の材料は、第１第２異種基板１２、１４と同じとしたり、センサ基板１３とも第１第２異種基板１２、１４とも異なる材料としたりすることができる。第３異種基板３０と第４異種基板３２の材料は例えばガラスである。第３異種基板３０と第４異種基板３２は、例えばセンサの剛性を高めるために形成されている。
【００３７】
第１異種基板１２に溝１７が形成されている。ダイシングの際には、ダイシングブレード２０が溝１７に収まって溝１７の左右の面に接触せずにダイシングが進む。異種基板を複数有する場合、溝１７は、センサ基板１３と複数の異種基板のうち、複数の基板に形成することができる。例えば、第１異種基板１２と第３異種基板３０の両方に溝１７を形成することができる。
【００３８】
図１４は、変形例に係るセンサの製造方法を示す図である。第１異種基板１２に溝１７ａが形成され、センサ基板１３に溝１７ｂが形成され、第２異種基板１４に溝１７ｃが形成され、第４異種基板３２に溝１７ｄが形成されている。第１異種基板１２、センサ基板１３、第２異種基板１４及び第４異種基板３２に設けられた溝１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄはつながっている。溝１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄは全体として一続きの貫通孔を提供している。この積層構造では、ダイシングブレード２０で第３異種基板３０だけを切断することで、ダイシングを進めることができる。図１４には、ダイシングブレード２０が４つの溝１７a、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄに収まって、溝１７a、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄの左右の面に接触せずにダイシングが進むことが図示されている。この場合、第３異種基板３０のダイシングに特化又は最適化したダイシングを行うことで、チッピング又はクラックの発生を抑制できる。
【００３９】
ダイシングブレード２０の仕様によりダイシングすべき基板を選択したり、ダイシングの実績でチッピングが多い基板に溝を設けたりすることができる。異種基板の数は必要に応じて増減することができる。上述した異種基板の材料は例えばガラス又はセラミックとすることができる。セラミックのダイシング条件はガラスのダイシング条件と同等である。センサ基板と複数の異種基板のうち、１つの基板を除くすべての基板に溝を形成することで、ダイシングの対象となる基板を最小化することができる。例えばガラスとシリコンなどの異種材料を同時にダイシングする必要がある場合は、ダイシングによりカットする体積の大きい層に対して最適化したダイシングを行ってもよいし、チッピングが起こりやすい層でそれを防止することに特化したダイシングを行ってもよい。
【符号の説明】
【００４０】
１０  積層構造、  １２  第１異種基板、  １３  センサ基板、  １４  第２異種基板、  １７  溝、  １８  加速度センサチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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