(57)【要約】【課題】電子部品から生じる熱の放熱路を増やし、放熱性が向上しやすいモジュールを提供する。【解決手段】モジュール１は、第１の実装基板１１及び第２の実装基板１２と、第１の実装基板１１に実装された第１の電子部品２１と、第２の実装基板１２に実装された第２の電子部品２２、第３の電子部品２３とを備える。第１の電子部品２１、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３はそれぞれ、第１の素体２１１、第２の素体２２１、第３の素体２３１と第１の外部端子２１２、第２の外部端子２２２、第３の外部端子２３２とを備える。第１の素体２１１と第２の素体２２１、及び、第１の素体２１１と第３の素体２３１は、平面視時に少なくとも一部が重なる。第１の素体２１１と第２の素体２２１、及び、第１の素体２１１と第３の素体２３１は、外部端子側の主面と対向する主面同士で、直接接触し、または、接着層４０を介して接着される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の実装基板と、
前記第１の実装基板と対向するように配置され、かつ、前記第１の実装基板と電気的に  接続された第２の実装基板と、
前記第１の実装基板と前記第２の実装基板との間に配置された３以上の電子部品と、
を備えるモジュールであって、
前記３以上の電子部品は、
第１の素体と、前記第１の素体の一方主面に形成された第１の外部端子と、を備え、前記第１の実装基板における前記第２の実装基板側の主面に前記第１の外部端子を介して実装された、第１の電子部品と、
第２の素体と、前記第２の素体の一方主面に形成された第２の外部端子と、を備え、  前記第２の実装基板における前記第１の実装基板側の主面に前記第２の外部端子を介し  て実装された、第２の電子部品と、
第３の素体と、前記第３の素体の一方主面に形成された第３の外部端子と、を備え、  前記第２の実装基板における前記第１の実装基板側の主面に前記第３の外部端子を介し  て実装された、第３の電子部品と、
を含み、
前記第１の素体と前記第２の素体とは平面視したとき少なくとも一部が重なっており、かつ、前記第１の素体と前記第３の素体とは平面視したとき少なくとも一部が重なっており、
前記第１の素体における前記第１の外部端子側の主面と対向する主面と、前記第２の素体における前記第２の外部端子側の主面と対向する主面とは、直接接触し、または、接着層を介して接着され、
前記第１の素体における前記第１の外部端子側の主面と対向する主面と、前記第３の素体における前記第３の外部端子側の主面と対向する主面とは、直接接触し、または、接着層を介して接着された、
モジュール。
【請求項２】
前記第１の素体、前記第２の素体、前記第３の素体のうち少なくとも２つの素体は互いに異なる熱伝導率を有する、請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記第１の素体は、前記第２の素体および前記第３の素体より高い熱伝導率を有する、請求項１または２に記載のモジュール。
【請求項４】
前記第１の電子部品は半導体部品であり、
前記第２の電子部品および前記第３の電子部品は弾性波部品である、請求項１〜３のいずれかに記載のモジュール。
【請求項５】
前記第１の電子部品は弾性波部品であり、
前記第２の電子部品および前記第３の電子部品のうち少なくとも一方の電子部品は半導体部品である、請求項１〜３のいずれかに記載のモジュール。
【請求項６】
前記第１の電子部品、前記第２の電子部品、前記第３の電子部品のうち１以上の電子部品は駆動しない状態となりうる、請求項１〜５のいずれかに記載のモジュール。
【請求項７】
前記モジュールは、スイッチ部品を含み、
前記スイッチ部品は、前記第１の電子部品、前記第２の電子部品、前記第３の電子部品のうち少なくとも１つの被制御部品について、前記被制御部品が駆動する状態と、前記被制御部品が駆動しない状態とを切り替え制御する、請求項１〜６のいずれかに記載のモジュール。
【請求項８】
前記第１の電子部品は前記被制御部品である、請求項７に記載のモジュール。
【請求項９】
前記第１の電子部品は、前記スイッチ部品であり、
前記第２の電子部品および前記第３の電子部品のうち少なくとも一方は、前記被制御部品である、請求項７に記載のモジュール。
【請求項１０】
前記被制御部品は、
回路機能を構成する回路部がそれぞれ内蔵された、第１の領域および第２の領域を含み、
前記スイッチ部品は、前記第１の領域が駆動し前記第２の領域が駆動しない状態と、前記第１の領域が駆動せず前記第２の領域が駆動する状態と、を切り替え制御する、請求項７〜９のいずれかに記載のモジュール。
【請求項１１】
平面視したとき、前記第１の素体の外周が、前記第２の素体もしくは前記第３の素体の外周と重なる、または、前記第２の素体の外周もしくは前記第３の素体の外周より外側にある、請求項１〜１０のいずれかに記載のモジュール。
【請求項１２】
前記第１の実装基板および前記第２の実装基板のうち少なくとも一方の実装基板は放熱機構を備えている、請求項１〜１１のいずれかに記載のモジュール。
【請求項１３】
前記第１の実装基板を平面視したときの面積が、前記第２の実装基板を平面視したときの面積と異なる、請求項１〜１２のいずれかに記載のモジュール。
【請求項１４】
少なくとも前記３以上の電子部品と、前記第１の実装基板における前記第２の実装基板側の主面と、前記第２の実装基板における前記第１の実装基板側の主面とが、封止材により封止された、請求項１〜１３のいずれかに記載のモジュール。
【請求項１５】
前記接着層は、樹脂、ガラス、金属、カーボン、セラミック、およびそれらの混合物のうち、いずれかからなる、請求項１４に記載のモジュール。
【請求項１６】
前記接着層と前記封止材とは、同じ材料から構成されている、請求項１４または１５のいずれかに記載のモジュール。
【請求項１７】
前記封止材は、前記第１の素体、または、前記第２の素体、または前記第３の素体以上の熱伝導率を有する、請求項１４〜１６のいずれかに記載のモジュール。
【請求項１８】
前記第１の素体は前記第１の実装基板より高い熱伝導率を有する、または、前記第２の素体もしくは前記第３の素体は前記第２の実装基板より高い熱伝導率を有する、請求項１〜１７のいずれかに記載のモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の電子部品が実装された実装基板を備えるモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、対向するように配置された２枚の実装基板の間に、３つ以上の電子部品を実装した構造のモジュールが知られている。このようなモジュールの一例としては、特許文献１に示された複合部品がある。該複合部品は、第１基板と、第１基板と上下方向に離間して配置された第２基板との２枚の実装基板を備えている。２枚の実装基板の主面にはそれぞれ複数の部品が実装され、実装された各部品は２枚の実装基板の間の内部空間において対向するように配置されている。
【０００３】
一方、特許文献２には、対向するように配置された圧電素子などの電子部品２つが、外部接続用のバンプ側の主面と対向する裏面同士で接着された、図１３に示されたようなデバイスが示されている。該デバイスはベース回路基板と引き回し用基板との２枚の実装基板の間に実装されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１６／０３９２３１号公報
【特許文献２】国際公開第２０１６／０６００７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載のモジュールの放熱性を向上させるためには、例えば、特許文献２に記載のように、対向する電子部品同士を接着または接触させることが考えられる。この場合、対向する各電子部品で生じる熱が放熱され得る経路は、２経路となる。具体的には、一方の電子部品が実装された実装基板から放熱される経路、および、一方の電子部品と接触する他方の電子部品を経由して、他方の電子部品が実装された実装基板から放熱される経路、の２経路である。しかしながら、放熱され得る経路がこの２経路のみでは、実装された各電子部品から生じる熱について、充分に放熱されないことがあった。
【０００６】
そこで本発明は、上記課題を解決するためのものであって、実装された電子部品から生じる熱が放熱され得る経路を増加させることで、放熱性が向上しやすいモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一態様にかかるモジュールは、第１の実装基板と、第１の実装基板と対向するように配置され、かつ、第１の実装基板と電気的に接続された第２の実装基板と、第１の実装基板と第２の実装基板との間に配置された３以上の電子部品とを備えるモジュールであって、３以上の電子部品は、第１の素体と、第１の素体の一方主面に形成された第１の外部端子と、を備え、第１の実装基板における第２の実装基板側の主面に第１の外部端子を介して実装された、第１の電子部品と、第２の素体と、第２の素体の一方主面に形成された第２の外部端子と、を備え、第２の実装基板における第１の実装基板側の主面に第２の外部端子を介して実装された、第２の電子部品と、第３の素体と、第３の素体の一方主面に形成された第３の外部端子と、を備え、第２の実装基板における第１の実装基板側の主面に第３の外部端子を介して実装された、第３の電子部品と、を含み、第１の素体と第２の素体とは平面視したとき少なくとも一部が重なっており、かつ、第１の素体と第３の素体とは平面視したとき少なくとも一部が重なっており、第１の素体における第１の外部端子側の主面と対向する主面と、第２の素体における第２の外部端子側の主面と対向する主面とは、直接接触し、または、接着層を介して接着され、第１の素体における第１の外部端子側の主面と対向する主面と、第３の素体における第３の外部端子側の主面と対向する主面とは、直接接触し、または、接着層を介して接触された、モジュールである。
【０００８】
このとき、第１の素体、第２の素体、第３の素体のうち少なくとも２つの素体は、互いに異なる熱伝導率を有すると好ましい。
【０００９】
加えて、第１の素体は、第２の素体および第３の素体より高い熱伝導率を有すると好ましい。
【００１０】
本構成によれば、伝導する熱の量が相対的に多くなりやすい素体の熱伝導率を相対的に高めることができる。第１の素体は第２の素体、第３の素体の２つの素体と接触または接着する。一方、第２の素体、第３の素体は第１の素体のみと接触または接着する。このとき、第１の素体は、第２の素体や第３の素体に比べて放熱の経由点となる機会が多く、放熱時に伝導する熱の量も多くなりやすい。従って、そのような第１の素体の材料を、第２の素体の材料と第３の素体の材料より高い熱伝導率を有する材料とすれば、放熱される熱の量が増加して、モジュールの放熱性を向上させることができる。
【００１１】
このとき、第１の電子部品は半導体部品であり、第２の電子部品および第３の電子部品は弾性波部品であることが望ましい。
【００１２】
本構成によれば、熱により特性が劣化しやすい部品を、第２の電子部品、第３の電子部品として用いることができる。第２の電子部品および第３の電子部品は、第１の電子部品に比べて放熱時に伝導する熱の量が少なくなりやすい。そのため、これらを熱により特性が劣化しやすい弾性波部品とすれば、熱によるモジュールの特性の劣化を抑制することができる。さらにこのとき、第１の電子部品を、弾性波部品より熱伝導率の高い半導体部品とすれば、よりモジュールの特性の劣化を抑制できる。
【００１３】
上記とは逆に、第１の電子部品は弾性波部品であり、第２の電子部品および第３の電子部品のうち少なくとも一方の電子部品は半導体部品であってもよい。
【００１４】
本構成によれば、第１の電子部品を、熱により特性が劣化しやすい部品とすることができる。第１の電子部品で生じた熱が放熱され得る経路は、第２の電子部品、第３の電子部品で生じた熱が放熱され得るいずれの経路よりも距離が短い経路を含む。そのため、第１の電子部品で生じた熱は、第２の電子部品、第３の電子部品で生じた熱に比べてすばやく放熱される。従って、第１の電子部品を弾性波部品とすれば、熱によるモジュールの特性の劣化を抑制することができる。さらにこのとき、第２の電子部品および第３の電子部品のうち少なくとも一方を、弾性波部品より熱伝導率の高い半導体部品とすれば、よりモジュールの特性の劣化を抑制できる。
【００１５】
また、第１の電子部品、第２の電子部品、第３の電子部品のうち１以上の電子部品は、駆動しない状態となり得る電子部品であることが好ましい。
【００１６】
本構成によれば、接触する電子部品のうち１以上の電子部品が駆動せずに発熱しない状態となりえるため、駆動して発熱する他の電子部品との間に大きな温度差を生むことができる。熱は伝導元と伝導先の温度差が大きい程速く伝導するため、本構成の下では熱の伝導速度が上昇する。すると、放熱される熱の量も増加するため、モジュールの放熱性を向上させることができる。
【００１７】
上述のモジュールは、スイッチ部品を含み、該スイッチ部品は、第１の電子部品、第２の電子部品、第３の電子部品のうち少なくとも１つの被制御部品について、被制御部品が駆動する状態と、被制御部品が駆動しない状態とを切り替え制御することが好ましい。
【００１８】
本構成によれば、スイッチ部品により、所望のタイミングで電子部品を駆動させたり、させなかったりできる。そのため、各電子部品を効率よく駆動させながら、モジュールの放熱性を向上させることができる。
【００１９】
さらに、第１の電子部品は被制御部品であると好ましい。
【００２０】
本構成によれば、第１の電子部品が駆動せず発熱しない状態となり、駆動して発熱する第２の電子部品、第３の電子部品との間に大きな温度差が生じ得る。第１の電子部品は、第２の電子部品、第３の電子部品に比べて放熱の経由点となる機会が多いため、放熱時に伝導する熱の量も多い。従って、そのような第１の電子部品を被制御部品とすれば、放熱される熱の速度や量が向上しやすくなるため、モジュールの放熱性も向上しやすくなる。
【００２１】
また、第１の電子部品がスイッチ部品であり、第２の電子部品および第３の電子部品のうち少なくとも一方の電子部品が被制御部品であってもよい。
【００２２】
本構成によれば、第２の電子部品第や３の電子部品が駆動せず発熱しない状態となり、駆動して発熱する第１の電子部品との間に大きな温度差を生むことができる。そのため、それら２つの電子部品を伝導して放熱される熱の速度や量が向上しやすくなり、モジュールの放熱性が向上しやすくなる。
【００２３】
さらに、第１の電子部品の温度も、第２の電子部品、第３の電子部品双方が駆動する場合における第１の電子部品の温度に比べて、低下しやすくなる。第１の電子部品は、第２の電子部品および第３の電子部品双方と接触している。そのため、第２の電子部品または第３の電子部品が駆動しない状態となる場合、第１の電子部品において、第２の電子部品および第３の電子部品のうち駆動しない電子部品と接触または接着する領域の温度は、上昇しにくくなる。従って、第２の電子部品、第３の電子部品双方が駆動する場合に比べて、第１の電子部品を伝導して放熱される熱の速度や量が上昇しやすくなり、モジュールの放熱性がさらに向上しやすくなる。
【００２４】
また、上記被制御部品は、回路機能を構成する回路部がそれぞれ内蔵された、第１の領域および第２の領域を含み、スイッチ部品は、第１の領域が駆動し第２の領域が駆動しない状態と、第１の領域が駆動せず第２の領域が駆動する状態とを切り替え制御してもよい。
【００２５】
そして、平面視したとき、第１の素体の外周が、第２の素体もしくは第３の素体の外周と重なる、または、第２の素体の外周もしくは第３の素体の外周より外側にあると好ましい。
【００２６】
本構成によれば、第２の素体または第３の素体における第１の素体側の主面全てが、第１の素体と対向する。すると、第２の素体または第３の素体における主面の一部が第１の素体と対向しない場合に比べて、第２の素体または第３の素体から第１の素体へと伝導する熱の量が増えやすくなる。このとき、第１の素体を有する第１の電子部品は、第２の電子部品や第３の電子部品に比べて、放熱の経由点となる機会が多い。従って、放熱される熱の量が増加してモジュールの放熱性もさらに向上する。
【００２７】
加えて、第１の実装基板および第２の実装基板のうち少なくとも一方の実装基板は放熱機構を備えていることが好ましい。
【００２８】
本構成によれば、各電子部品で生じた熱をモジュール外部に放熱する実装基板の放熱性が向上するため、モジュールの放熱性をさらに向上できる。
【００２９】
さらに、第１の実装基板を平面視したときの面積が、第２の実装基板を平面視したときの面積と異なると好ましい。
【００３０】
本構成によれば、平面視したときの面積が相対的に大きい実装基板にて、熱をより拡散できるようになる。従って、モジュール外部への放熱を行う第１の実装基板や第２の実装基板の放熱性が高まるため、モジュールの放熱性も向上しやすくなる。
【００３１】
また、少なくとも上記の３以上の電子部品と、第１の実装基板における第２の実装基板側の主面と、第２の実装基板における第１の実装基板側の主面とが、封止材により封止されていてもよい。
【００３２】
本構成によれば、第１の電子部品、第２の電子部品、第３の電子部品で生じる熱は、封止材を通じても放熱されることができるため、モジュールの放熱性がさらに向上しやすくなる。
【００３３】
加えて、接着層は、樹脂、ガラス、金属、カーボン、セラミック、およびそれらの混合物のうち、いずれかからなってもよい。
【００３４】
また、接着層と封止材とは、同じ材料から構成されていると好ましい。
【００３５】
本構成によれば、接着層と封止材とを一体物として同時に形成できる。従って、本発明にかかるモジュールをより容易に製造することができる。
【００３６】
さらに、上記封止材は、第１の素体、または、第２の素体、または第３の素体以上の熱伝導率を有するとよい。
【００３７】
本構成によれば、封止材の熱伝導率が第１の素体または第２の素体または第３の素体より低い場合に比べて、電子部品から、電子部品が備える各素体の周囲を覆う封止材へと伝導する熱の量は減少しにくくなる。従って、モジュールの放熱性がさらに向上しやすくなる。
【００３８】
なお、第１の素体は第１の実装基板より高い熱伝導率を有する、または、第２の素体もしくは第３の素体は第２の実装基板より高い熱伝導率を有することが好ましい。
【００３９】
本構成によれば、熱は、各素体を通じてある程度拡散された上で実装基板に伝導される。そのため、モジュール外部への放熱を行う実装基板での放熱性が向上し、モジュールの放熱性も向上しやすくなる。
【発明の効果】
【００４０】
実装された電子部品から生じる熱が放熱され得る経路が増えるため、放熱性が向上しやすいモジュールを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態にかかるモジュールの構造を示す図であり、（Ａ）はモ    ジュールの要部を平面視した平面図、（Ｂ）は（Ａ）中のＡ１−Ａ１線の矢視に沿っ    た断面図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかるモジュールにおける第２の素体の構成を示す模    式的断面図であり、（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれ、第２の素体の異なる態様を示す    図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかるモジュールの構造を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかるモジュールにおいて、モジュール内で生じる熱    が放熱され得る経路を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態のうち、実施例２の第１の態様にかかるモジュールが備    えた回路を示す回路図である。
【図６】本発明の実施の形態のうち、実施例２の第１の態様にかかるモジュールの構    造と、モジュール内で生じる熱が放熱され得る経路とを模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態のうち、実施例２の第２の態様にかかるモジュールに備    えた回路を示す回路図である。
【図８】本発明の実施の形態のうち、実施例２の第２の態様にかかるモジュールの構    造と、モジュール内で生じる熱が放熱され得る経路とを模式的に示す断面図である。
【図９】、本発明の実施の形態のうち、実施例２の第３の態様にかかるモジュールの    構造を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態のうち、実施例２の第４の態様にかかるモジュールの    構造と、該モジュールと他の電子部品との位置関係を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態の変形例１にかかるモジュールの構造を示す図であり    、（Ａ）はモジュールの要部を平面視した平面図、（Ｂ）は（Ａ）中のＡ２−Ａ２線    の矢視に沿った断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態の変形例２にかかるモジュールの構造を示す図であり    、（Ａ）はモジュールの要部を平面視した平面図、（Ｂ）は（Ａ）中のＡ３−Ａ３線    の矢視に沿った断面図である。
【図１３】従来技術にかかるモジュールにおいて、モジュール内で生じる熱が放熱さ    れ得る経路を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
《実施の形態》
本発明の実施の形態に係るモジュールについて、２つの弾性波フィルタ部品と、１つの半導体スイッチ部品とを備えたモジュールを例に以下説明する。
【００４３】
〈１．基本構造〉
図１は、本発明の実施の形態に係るモジュール１の構造を示す図であり、図１（Ａ）はモジュール１の要部を平面視した平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）中のＡ１−Ａ１線の矢視に沿った断面図である。モジュール１は、実装基板１１、１２と電子部品２１、２２、２３とを備える。実装基板１１は本発明における第１の実装基板であり、実装基板１２は本発明における第２の実装基板である。また、電子部品２１は、第１の実装基板１１に実装された、本発明における第１の電子部品である。電子部品２２、２３はそれぞれ、第２の実装基板１２に実装された、本発明における第２の電子部品または第３の電子部品である。なお、以下では説明の便宜を図るため、電子部品２２を第２の電子部品、電子部品２３を第３の電子部品として説明する。
【００４４】
図１（Ａ）の平面図が示すように、第１の電子部品２１が備える第１の素体２１１と、第２の電子部品２２が備える第２の素体２２１とは、平面視したとき少なくとも一部が重なっている。同時に、第１の電子部品２１が備える第１の素体２１１と、第３の電子部品２３が備える第３の素体２３１とは、平面視したとき少なくとも一部が重なっている。なお、本図においては、第１の素体２１１の長辺方向と第２の素体２２１、第３の素体２３１の長辺方向とが交差するようにこれらの電子部品が重なっているが、各素体２１１、２２１、２３１の重なり方は同図に示すものに限られない。
【００４５】
図１（Ｂ）の断面図に示すように、第１の電子部品２１は例えば、シリコンからなる第１の素体２１１と、第１の素体２１１の第１の外部端子２１２とを備えた、半導体のスイッチ部品である。第２の電子部品２２と第３の電子部品２３とは例えば、ニオブ酸リチウム（以下、ＬＮと称する。）やタンタル酸リチウム（以下、ＬＴと称する。）からなる第２の素体２２１、第３の素体２３１と、第２の外部端子２２２、第３の外部端子２３２とを備えた、弾性表面波を用いるフィルタ部品である。第１の外部端子２１２、第２の外部端子２２２、第３の外部端子２３２はそれぞれ、第２の素体２１１、第２の素体２２１、第３の素体２３１の一方主面に設けられている。さらに、第２の素体２２１および第３の素体２３１にはそれぞれ、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極２２３、２３３が形成されている。
【００４６】
第１の素体２１１と第２の素体２２１とは接着層４０を介して接着され、かつ、第１の素体２１１と第３の素体２３１も接着層４０を介して接着されている。接着層４０は熱を伝導できる任意の材料からなる層であり、具体的には、空気より熱伝導率の高い材料からなる層であればよい。このとき、第１の素体２１１、第２の素体２２１、第３の素体２３１は、各素体において、各素体が備える外部端子側の主面と対向する主面同士で接着される。従って、第１の電子部品２１は第１の素体２１１における第１の外部端子２１２側の主面が第１の実装基板１１側の主面となるように実装される。同様に、第２の電子部品２２と第３の電子部品２３とはそれぞれ、第２の素体２２１、第３の素体２３１における第２の外部端子２２２、第３の外部端子２３２側の主面が第２の実装基板１２側の主面となるように実装される。これらの電子部品の実装はそれぞれ、第１の外部端子２１２、第２の外部端子２２２、第３の外部端子２３２を介して行われる。第１の外部端子２１２、第２の外部端子２２２、第３の外部端子２３２には、例えば、はんだ、金、銀、銅などの金属やこれらの化合物からなる、バンプやピラー、粒子、または、導電性材料からなるペーストなどが用いられる。
【００４７】
一方、第１の実装基板１１および第２の実装基板１２には例えば、プリント基板やセラミック基板、シリコンやガラスからなるインターポーザ基板やフレキシブル基板などが用いられる。第１の実装基板１１と第２の実装基板１２とは、ビア導体５０とバンプ６０となどの接続部を用いて、互いに対向する形で電気的に接続されている。接続部は第１の実装基板１１と第２の実装基板１２とを電気的に接続できるような導電性材料を含んでいればよく、ビア導体やバンプ以外にも、コネクタなどの部品やピラーなど様々な物体を用いることができる。ビア導体５０とバンプ６０とは全て、第１の実装基板１１に形成された電極パッド７０、または、第２の実装基板１２に形成された電極パッド８０と接続されている。なお、ビア導体５０、バンプ６０や、電極パッド７０、８０は設けられていなくてもよい。
【００４８】
さらに、第１の電子部品２１、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３と、第１の実装基板１１における第２の実装基板１２側の主面、および、第２の実装基板１２における第１の実装基板１１側の主面とは、樹脂などを含む封止材９０により封止されている。このとき、第２の電子部品２２と第２の実装基板１２との間、および、第３の電子部品２３と第２の実装基板１２との間には、ＩＤＴ電極２２３、２３３の励振を可能とするための空隙部２２４、２３４が設けられている。なお、ＩＤＴ電極を備えない第１の電子部品２１と、第１の実装基板１１との間には空隙部を設ける必要はない。また、封止材９０がない場合でも、本発明の効果が失われるわけではない。
【００４９】
上記基本構造においては、第１の電子部品２１が半導体のスイッチ部品、第２の電子部品２２および第３の電子部品２３が弾性表面波を用いるフィルタ部品としているが、本発明にかかるモジュールが備える電子部品の種類は、これらに限定されるものではない。すなわち、本発明にかかるモジュールは、弾性境界波やバルク波を用いる弾性波部品や、誘電性部品、磁性部品など、任意の性質を有する部品を備えることができる。同様に、本発明にかかるモジュールが備える各電子部品の機能についても特に限定はなされない。センサ部品や、パワーアンプ、ローノイズアンプなどの増幅部品、カプラなどの受動部品、メモリやアプリケーションプロセッサなどの部品など、任意の機能を有する部品を用いることができる。
【００５０】
さらに、本発明にかかるモジュールは４以上の電子部品を備えてもよい。また、それらの電子部品のうち３つの電子部品が接触または接着する集合体の数も１つに限定されることはなく、本発明にかかるモジュールはそのような集合体を複数個備えていても良い。同様に、本発明にかかるモジュールが備える実装基板の枚数も複数枚であれば何枚でもよい。例えば、対向するように配置され、電気的に接続されている実装基板が３枚以上であってもかまわない。
【００５１】
ここで、図２を参照して、本発明における第１の素体、第２の素体、第３の素体の構成例について説明する。以下では、本発明における各素体の一例として第２の素体２２１を取り上げて説明するが、第１の素体２１１、第３の素体２３１についても、第２の素体２２１と同様の特徴を備えることができる。
【００５２】
図２は、第２の素体２２１の構成を示す模式的断面図であり、図２（Ａ）および図２（Ｂ）はそれぞれ、ＩＤＴ電極２２３が形成された第２の素体２２１について、異なる態様を示す図となっている。
【００５３】
図２（Ａ）が示すように、第２の素体２２１には、単体の部材を用いてもよい。例えば、上記基本構造においては、第２の素体２２１はＬＮやＬＴからなる。なお、第２の素体２２１を構成する材料はこれらのほか、ガリ砒素などの半導体、ガラスなどの非晶体、サファイアやダイヤモンド、セラミック、金属などの結晶体や、これらの混合物など、任意の材料を用いることができる。
【００５４】
一方、図２（Ｂ）が示すように、第２の素体２２１には、複数の部材が貼り合せられた積層体を用いてもよい。例えば、本図が示す第２の素体２２１は、高音速支持基板２４１と、高音速支持基板２４１に直接、または、間接に積層された低音速膜２６１と、低音速膜２６１上に積層された圧電膜２８１とを備える。ここに示す高音速支持基板とは、圧電膜を伝搬する弾性波よりも、伝搬するバルク波音速が高速となる支持基板を指す。高音速支持基板２４１は主にシリコンや窒化アルミニウムなどからなる。また、低音速膜とは、圧電膜を伝搬する弾性波よりも、伝搬するバルク波音速が低速である材料からなる膜を指す。低音速膜２６１の材料としては例えば、酸化ケイ素、ガラス、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素を加えた化合物などを用いることができる。加えて、圧電膜２８１は、例えば、ＬＴやＬＮなどの圧電単結晶、または、圧電セラミックスからなる。このような積層体を第２の素体として用いても、本発明の効果を妨げるものではない。
【００５５】
また、図３に示すように、第１の素子２１１と第２の素子２２１、および、第１の素子２１１と第３の素子２３１は、接着層を介さずに直接接触していてもよい。このような場合にも、本発明の効果は充分に得ることができる。同様に、第２の素子２２１と第３の素子２３１との間の隙間についても、これを設けなかったからといって本発明の効果の発生を妨げるものではない。
【００５６】
〈２．従来技術との違い〉
上記のような構造を有することにより、従来技術にかかるモジュールに比べて、放熱され得る経路（放熱路）が増加したモジュールを得ることができる。この理由について以下説明する。
【００５７】
図１３は、従来技術にかかるモジュール１００において、電子部品１２２から生じる熱の放熱路を模式的に示す断面図である。従来技術に係るモジュール１００においては、実装基板１１１、１１２のうち少なくとも一方に複数の電子部品が実装され、複数の電子部品は全て２枚の実装基板１１１、１１２の間に配置されている。実装基板１１１に実装された電子部品と実装基板１１２に実装された電子部品とはそれぞれ対向している。本図は、これら複数の電子部品のうち２つの電子部品１２１、１２２のみに着目して描かれた図である。電子部品１２１、１２２は接着層１４０を介して接着される集合体を構成している。この場合、電子部品１２２で生じた熱の主な放熱路は、矢印Ｒ１０１、Ｒ１０２で示した２経路になる。つまり、電子部品１２２から実装基板１１２に至る経路Ｒ１０１と、電子部品１２２から接着層１４０と電子部品１２１とを経由して実装基板１１１に至る経路Ｒ１０２との２経路である。電子部品１２１で生じる熱についても、電子部品１２２と同様に、主に２経路を用いて放熱され得る。
【００５８】
一方、図４は、本発明にかかるモジュール１において、電子部品２２から生じる熱の放熱路を模式的に示す断面図である。本図において２枚の実装基板１１、１２の間に配置されているのは、３つの電子部品２１、２２、２３が接着される集合体である。モジュール１において電子部品２２で生じた熱の主な放熱路は、図中の矢印Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３で示した３経路となる。つまり、電子部品２２から実装基板１２に至る経路Ｒ１、電子部品２２から接着層４０と電子部品２１とを経由して実装基板１１に至る経路Ｒ２、電子部品２２から接着層４０と電子部品２１と電子部品２３とを経由して実装基板１２に至る経路Ｒ３の３経路である。電子部品２１及び電子部品２３にて生じる熱についても、電子部品２２と同様に、主に３経路を用いてそれぞれ放熱され得る。
【００５９】
このように、本発明に係るモジュールは、従来技術に係るモジュールと比べて、実装された電子部品からの放熱路を２経路から３経路へと増加させることができる。これにより、モジュールの放熱性がより向上しやすくなっている。
【００６０】
〈３．実施例〉
以下では、本発明にかかるモジュールの実施例についてそれぞれ説明する。なお、各実施例において、その構造は上記の基本構造とほぼ同様であり、異なるのは各電子部品の機能や種類についてのみである。そのため、以下では主に各電子部品の機能や種類の違いが本発明にかかるモジュールにどのような影響を与えるかについて解説する。
【００６１】
〔１．実施例１〕
まず、第１の電子部品２１、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３のうち少なくとも２つの電子部品が弾性波部品または半導体部品であった場合のモジュールを、本発明の実施の形態の実施例１にかかるモジュールとして説明する。本実施例は基本構造にかかるモジュール１が備える電子部品の種類を限定した場合の例であるため、符号については基本構造にかかるモジュール１と同様の符号を用いて説明することとする。
【００６２】
（１．第１の態様）
本発明の実施例１の第１の態様にかかるモジュールは、第１の電子部品２１が半導体部品であり、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３が弾性波部品である場合のモジュール１である。
【００６３】
弾性波部品は、温度変化に伴う周波数の変動量の大きさを示すＴＣＦ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ  ｏｆ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：周波数温度係数）が比較的高い。そのため、部品内に熱がこもってしまうと、周波数精度を維持するのが困難となり特性が大幅に劣化してしまう。そのような弾性波部品を、本発明にかかるモジュールが複数個備える場合、第１の電子部品２１ではなく、第２の電子部品２２および第３の電子部品２３として用いるほうが好ましい。なぜならば、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３は、第１の電子部品２１に比べて、伝導する熱量が小さくなりやすいからである。そもそも、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３は、第１の電子部品２１と比べて放熱路の経由点となる機会が少なくなりやすい。第１の電子部品２１は、共に集合体を構成する他の電子部品（第２の電子部品２２および第３の電子部品２３）それぞれから生じる熱の放熱路のうち２経路において経由点となる。具体的には、接着層４０と第１の電子部品２１とを経由して第１の実装基板１１に至る経路と、接着層４０、第１の電子部品２１、第２の電子部品２２または第３の電子部品２３、を経由して第２の実装基板１２に至る経路とにおいて、経由点となる。一方、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３は、共に集合体を構成する他の電子部品（第１の電子部品２１および第３の電子部品２３、又は、第１の電子部品２１および第２の電子部品２２）それぞれから生じる熱の放熱路のうち、１経路において経由点となる。具体的には、接着層４０と第２の電子部品２２または第３の電子部品２３とを経由して第２の実装基板１２に至る経路においてのみ経由点となる。このように放熱路の経由点となる機会が相対的に少なくなりやすい第２の電子部品２２、第３の電子部品２３は、伝導する熱の量も相対的に小さくなりやすい。
【００６４】
また、第１の電子部品２１はシリコンやガリ砒素からなる素体を備えた半導体の部品である。第２の電子部品２２、第３の電子部品２３に弾性波部品を用いた場合、第１の電子部品２１には、弾性波部品より熱伝導率の高い半導体部品を用いることが望ましい。上述のように、第１の電子部品２１は、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３から生じる熱が放熱されるときの経由点となりうる。このとき、第１の電子部品２１に、弾性波部品より良好な熱伝導率を有する半導体部品を用いれば、第２の電子部品２２や第３の電子部品２３の中により熱がこもりにくくなるため、より特性が劣化しにくいモジュール１を得ることができる。
【００６５】
（２．第２の態様）
本発明の実施例１の第２の態様にかかるモジュールは、第１の電子部品が弾性波部品であり、第２の電子部品と第３の電子部品は弾性波部品である場合のモジュールである。
【００６６】
本発明にかかるモジュールが、集合体を構成する電子部品のうちに弾性波部品を１つだけ備える場合には、本態様のように第１の電子部品２１を弾性波部品とし、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３を半導体部品とする方がよい。第１の電子部品２１で生じた熱の放熱路において、第１の実装基板１１に至るまでに経由する電子部品の数は０個、第２の実装基板１２に至るまでに経由する電子部品の数は１個である。一方、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３から生じる熱の放熱路において、第１の実装基板１１に至るまでに経由する電子部品の数は１個、第２の実装基板１２に至るまでに経由する電子部品の数は０個または２個となる。このように、第１の電子部品２１から生じる熱が実装基板に至るまでに経由する電子部品の最大個数は、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３から生じる熱が実装基板に至るまでに経由する電子部品の最大個数より少ない。すなわち、第１の電子部品２１で生じる熱の放熱路は、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３にて生じる熱の放熱路に比べて、実装基板に至るまでの距離が短くなりやすい。放熱路は、モジュール外部への放熱を行う実装基板に至るまでの距離が短ければ熱をよりすばやく放熱できるため、放熱能力もより高くなる。そこで、ＴＣＦが比較的高い弾性波部品を１つだけ用いる場合には、相対的に放熱能力が高い放熱路を一部備える第１の電子部品２１として用いるのが最適といえるのである。
【００６７】
この場合も、弾性波部品より熱伝導率のよい半導体部品を第２の電子部品２２、第３の電子部品２３として用いれば、両電子部品を放熱時の経由点として利用する第１の電子部品２１内に熱がよりこもりにくくなり、モジュール１の特性もより劣化しにくくなる。なお、第２の電子部品２２および第３の電子部品２３のうちいずれか一方の部品のみが半導体部品である場合にも、第１の電子部品２１内に熱がこもりにくくなり特性の劣化を抑制できる、という効果は充分に得られる。
【００６８】
〔２．実施例２〕
次に、第１の電子部品２１がスイッチ部品であり、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３がフィルタ部品であった場合におけるモジュールの実施例２について、図５〜１０を参照して説明する。以下の態様は全て、基本構造にかかるモジュール１が、スイッチ機能とフィルタ機能とを備えたモジュール１Ａ〜１Ｄとなる場合の実施例である。
【００６９】
（１．第１の態様）
まず、本発明の実施例２の第１の態様にかかるモジュール１Ａについて、図５，６を参照して説明する。本態様にかかるモジュール１Ａは、集合体を構成する３つの電子部品のうち２つのフィルタ部品を対象に、スイッチ機能による切り替えを行っている。
【００７０】
図５は、第１の態様にかかるモジュール１Ａが備える回路を示す回路図である。同図に示すように、本態様にかかるモジュール１Ａは、スイッチ回路部３１Ａと、フィルタ回路部３２Ａ、３３Ａとを含む回路を備えている。スイッチ回路部３１Ａは、共通端子３１１Ａと第１の選択端子３１２Ａと第２の選択端子３１３Ａとを備えており、共通端子３１１Ａと第１の選択端子３１２Ａとの接続と、共通端子３１１Ａと第２の選択端子３１３Ａとの接続とを切り替え制御している。第１の選択端子３１２Ａはフィルタ回路部３２Ａに接続され、第２の選択端子３１３Ａはフィルタ回路部３３Ａに接続されている。本図において、共通端子３１１Ａと第１の選択端子３１２Ａとが接続されるときには、フィルタ回路部３２Ａが導通してフィルタ回路部３３Ａは導通しない。また、共通端子３１１Ａと第２の選択端子３１３Ａとが接続されるときには、フィルタ回路部３２Ａは導通せずにフィルタ回路部３３Ａが導通する。このとき、フィルタ回路部３２Ａは例えば、ＢａｎｄＡの通信帯域の通信信号を選択的に通過させるフィルタ回路部であり、フィルタ回路部３３Ａは例えば、ＢａｎｄＢの通信帯域の通信信号を選択的に通過させるフィルタ回路部である。本図では、共通端子３１１Ａと第１の選択端子３１２Ａとが接続され、フィルタ回路部３２Ａが導通している状態が描かれている。なお、本図に示す各回路部はそれぞれ、以下で参照する図６に示すモジュール１Ａが備える第１の電子部品２１Ａ、第２の電子部品２２Ａ、第３の電子部品２３Ａのうちいずれかに内蔵されるものとする。
【００７１】
図６は、本態様にかかるモジュール１Ａの構造、および、第２の電子部品２２Ａから生じる熱の放熱路を模式的に示す断面図である。第１の電子部品２１Ａは上述したスイッチ回路部３１Ａを内蔵するスイッチ部品である。また、第２の電子部品２２Ａは、スイッチ回路部３１Ａにより導通する状態と導通しない状態とを切り替え制御されるフィルタ回路部３２Ａを内蔵する、被制御部品である。同様に、第３の電子部品２３Ａは、スイッチ回路部３１Ａにより導通する状態と導通しない状態とを切り替え制御されるフィルタ回路部３３Ａを内蔵する、被制御部品である。各電子部品は、内蔵された回路部が導通するときには駆動する状態となり、導通しないときには駆動しない状態となる。すなわち、第１の電子部品２１Ａは、第２の電子部品２２Ａが駆動して第３の電子部品２３Ａが駆動しない状態と、第２の電子部品２２Ａが駆動せずに第３の電子部品２３Ａが駆動する状態とを切替えるスイッチ部品である。
【００７２】
モジュール１Ａにおいて、図５に示すように共通端子３１１Ａと第１の選択端子３１２Ａとが接続されてフィルタ回路部３２Ａが導通する回路状態となっていた場合、フィルタ回路部３２Ａを内蔵する第２の電子部品２２Ａは駆動して発熱する状態となる。一方、第３の電子部品２３Ａが内蔵するフィルタ回路部３３Ａについては導通しない状態となり、第３の電子部品２３Ａも駆動せず発熱しない状態となる。この場合、発熱する第２の電子部品２２Ａの温度に比べて、発熱しない第３の電子部品２３Ａの温度は大幅に低くなりやすい。熱は温度の高い箇所から低い箇所に伝導し、伝導元と伝導先との温度差が大きいほど伝導速度が速くなって、伝導する熱の量も増加する。そのため、本態様の構成の下では、第２の電子部品２２Ａから第３の電子部品２３Ａを経由して第２の実装基板１２に至る、矢印ＲＡ３で示す放熱路の放熱能力が大幅に向上しやすい。
【００７３】
さらに第３の電子部品２３Ａが発熱しないこのとき、第１の電子部品２１Ａの温度は、第３の電子部品２３Ａが発熱する場合に比べて低下しやすい。これは、第１の電子部品２１Ａが、第３の電子部品２３Ａと接着層４０を介して接着されているためである。そのため、第２の電子部品２２Ａから第１の電子部品２１Ａを経由して第１の実装基板１１に至る放熱路の放熱能力も向上しやすい。
【００７４】
以上のように、モジュール１Ａが備える一部の放熱路の放熱能力が向上しやすくなるため、モジュール１Ａの放熱性が向上しやすくなる。なお、上記とは逆に、第１の電子部品２１Ａにより第２の電子部品２２Ａが駆動せず第３の電子部品２３Ａが駆動する状態となる場合でも、同様の効果が得られる。すなわち、第３の電子部品２３Ａから第１の電子部品２１Ａや第２の電子部品２２Ａを経由して、第１の実装基板１１または第２の実装基板１２に至る経路の放熱能力が向上しやすくなるため、モジュール１Ａの放熱性も向上しやすくなる。
【００７５】
また、本態様のように、第１の電子部品２１Ａはスイッチ部品であることが望ましい。モジュール１Ａにおいて、第１の電子部品２１Ａは、第２の電子部品２２Ａ、第３の電子部品２３Ａに比べて、伝導する熱の量が多くなりやすい。一方、スイッチ部品は数ある電子部品の中でも、駆動時の発熱量が少ないため多量の熱を伝導しやすい。従って、そのようなスイッチ部品を第１の電子部品２１Ａとして用いれば、モジュール１Ａの放熱性がさらに向上しやすくなる。
【００７６】
なお、第１の電子部品２１Ａの代わりに、第２の電子部品２２Ａまたは第３の電子部品２３Ａがスイッチ部品であってもよい。すなわち、第１の電子部品２１Ａが、駆動する状態と駆動しない状態とをスイッチ部品により切り替え制御される被制御部品であってもよい。この場合、第１の電子部品２１Ａが駆動せずに発熱しない状態となり得る。すると、第１の電子部品２１Ａへと伝導する熱の速度と量が大幅に増加する。モジュール１Ａが備える放熱路のうち、この第１の電子部品２１Ａを経由点とする放熱路の数は、第２の電子部品２２Ａ、第３の電子部品２３Ａより多い。従って、第１の電子部品２１Ａが被制御部品である場合には、放熱能力が大幅に向上する放熱路の数が、放熱路が向上しない放熱路の数より多くなるため、モジュール１Ａの放熱性も大幅に向上しやすくなる。
【００７７】
（２．第２の態様）
次に、本発明の実施例２の第２の態様にかかるモジュールとして、スイッチ機能による切り替えを行う対象が、第１の電子部品、第２の電子部品、第３の電子部品のうち１つの電子部品だけである場合のモジュール１Ｂを、図７、８を参照して説明する。
【００７８】
図７は第２の態様にかかるモジュール１Ｂに内蔵された回路を示す回路図である。本態様にかかるモジュール１Ｂは、第１の態様にかかるモジュール１Ａに内蔵された回路に、さらにフィルタ回路部３４Ｂが加わったものとなっている。フィルタ回路部３４Ｂは、例えば、ＢａｎｄＣの通信帯域の通信信号を選択的に通過させるフィルタ回路部である。本回路図においてフィルタ回路部３４Ｂは、第１の選択端子３１２Ｂや、第２の選択端子３１３Ｂとは接続されておらず、スイッチ回路部３１Ｂの共通端子３１１Ｂと常に接続されている。すなわち、フィルタ回路部３４Ｂは常時導通する状態となっている。なお、本図においては、共通端子３１１Ｂと第２の選択端子３１３Ｂとが接続され、フィルタ回路部３３Ｂが導通し、フィルタ回路部３２Ｂが導通しない状態が描かれている。しかし、共通端子３１１Ｂと第１の選択端子３１２Ｂとが接続され、フィルタ回路部３２Ｂが導通し、フィルタ回路部３３Ｂが導通しない状態となることも可能である。また、第１の態様と同様に、本図に示す各回路部はそれぞれ、以下で参照する図８に示すモジュール１Ｂにおいて、第１の電子部品２１Ｂ、第２の電子部品２２Ｂ、第３の電子部品２３Ｂのいずれかに内蔵されるものとする。
【００７９】
図８は、本態様にかかるモジュール１Ｂの構造、および、第２の電子部品２２Ｂから生じる熱の放熱路を模式的に示す断面図である。第１の電子部品２１Ｂは第１の態様と同様、図７に示すスイッチ回路部３１Ｂを内蔵するスイッチ部品である。一方、本態様においては、第２の電子部品２２Ｂは、図７に示すフィルタ回路部３４Ｂを内蔵している。また、第３の電子部品２３Ｂは、フィルタ回路部３２Ｂおよびフィルタ回路部３３Ｂの両方を内蔵し、両フィルタ回路部のうち一方が導通し他方が導通しない状態をスイッチ回路部３１Ｂにより切り替え制御される、被制御部品である。フィルタ回路部３２Ｂは第３の電子部品２３Ｂにおける第１の領域２３１Ｆに内蔵され、フィルタ回路部３３Ｂは第３の電子部品２３Ｂにおける第２の領域２３１Ｓに内蔵されている。各領域は、内蔵された回路部が導通するときには駆動する状態となり、導通しないときには駆動しない状態となる。すなわち、第１の電子部品２１Ｂは、第１の領域２３１Ｆを駆動させ第２の領域２３１Ｓを駆動させない状態と、第１の領域２３１Ｆを駆動させずに第２の領域２３１Ｓを駆動させる状態とを切り替えるスイッチ部品である。
【００８０】
モジュール１Ｂにおいて第２の電子部品２２Ｂは、常時導通するフィルタ回路部３４Ｂを内蔵するため、常に発熱する。一方、第３の電子部品２３Ｂは発熱しない領域と発熱する領域との双方を有することとなる。すなわち、図７に示すように、共通端子３１１Ｂと第２の選択端子３１３Ｂとが接続される場合、導通しないフィルタ回路部３２Ｂが内蔵された第１の領域２３１Ｆは発熱せず、導通するフィルタ回路部３３Ｂが内蔵された第２の領域２３１Ｓは発熱する。すると、第２の電子部品２２Ｂと、第３の電子部品２３Ｂにおける第１の領域２３１Ｆとの間に、大きな温度差が生じやすい。これにより、第２の電子部品２２Ｂから第３の電子部品２３Ｂを経由して第２の実装基板１２に至る放熱路ＲＢ３のうち、第１の領域２３１Ｆを経由する放熱路の放熱能力が向上しやすくなる。このように、被制御部品中の一部の領域が駆動しない場合にも、モジュール１Ｂの備える放熱路の放熱能力が上がって、モジュール１Ｂの放熱性が向上しやすくなる、という効果は得られる。従って、本発明における被制御部品が駆動しない状態とは、１つの被制御部品全体が駆動しない場合のみではなく、１つの被制御部品中の一部が駆動しない場合も含めるものとする。
【００８１】
また、図８に示す第１の領域２３１Ｆのように、各電子部品において駆動しない状態となる領域の少なくとも一部が、接触または接着する他の電子部品と対向していれば、該他の電子部品の温度も下がりやすくなる。同図では、第３の電子部品２３Ｂにおける第１の領域２３１Ｆが、第１の電子部品２１Ｂと対向している。そのため、第１の電子部品２１Ｂにおいて第１の領域２３１Ｆと対向する領域の温度も、第１の領域２３１Ｆが発熱する場合に比べ、より低下しやすくなる。そのため、第１の電子部品２１Ｂを経由して第１の実装基板１１に至る放熱路の放熱能力も、第３の電子部品２３Ｂが被制御部品でない場合に比べて、向上しやすくなっている。
【００８２】
なお、上記とは異なり、一部が駆動しない状態となる被制御部品が第２の電子部品２２Ｂであってもよい。また、スイッチ部品が第２の電子部品２２Ｂまたは第３の電子部品２３Ｂであり、一部が駆動しない状態となる被制御部品が第１の電子部品２１Ｂであってもよい。これらの場合でも、放熱路の放熱能力が向上するという効果は得られることとなる。
【００８３】
（３．第３の態様）
上記第１の態様および第２の態様は、第１の電子部品、第２の電子部品、第３の電子部品のうちいずれかの電子部品がスイッチ部品である態様であったが、第１の電子部品、第２の電子部品、第３の電子部品以外の部品がスイッチ部品であっても良い。そのような場合のモジュールを、第３の態様または第４の態様にかかるモジュール１Ｃ、１Ｄとして、図９、１０を参照して説明する。
【００８４】
図９は、第１の電子部品２１Ｃ、第２の電子部品２２Ｃ、第３の電子部品２３Ｃとは別個のスイッチ部品１３をさらに備えたモジュール１Ｃの構造を示す断面図である。第２の実装基板１２に実装されたスイッチ部品１３は、例えば、第１の態様のスイッチ部品と同様に、第２の電子部品２２Ｃおよび第３の電子部品２３Ｃのうち、いずれか一方を駆動させ他方を駆動させないように切り替え制御するスイッチ回路部を内蔵する。この場合、第１の電子部品２１Ｃは、センサ部品など、スイッチ部品以外の部品である。同図の場合は、スイッチ部品１３により、第３の電子部品２３Ｃは駆動しない状態となっている。なお、スイッチ部品１３が実装される先は第２の実装基板１２のみに限定されず、第１の実装基板１１などモジュール１Ｃの内部であればどこでもよい。
【００８５】
（４．第４の態様）
図１０は、第１の電子部品２１Ｄ、第２の電子部品２２Ｄ、第３の電子部品２３Ｄとは別個のスイッチ部品１３が、本発明にかかるモジュール外部にある場合のモジュール１Ｄの構造、および、モジュール１Ｄとスイッチ部品１３との位置関係を示す断面図である。同図において、第１の電子部品２１Ｄ、第２の電子部品２２Ｄ、第３の電子部品２３Ｄを備えたモジュール１Ｄとスイッチ部品１３とは、接続導体２０２を介してベース回路基板２に実装されている。本図に示すスイッチ部品１３は、図９に示すスイッチ部品１３と同様、第２の電子部品２２Ｄおよび第３の電子部品２３Ｄのうち、いずれか一方を駆動させ他方を駆動させないように切り替え制御している。このように、第１の電子部品２１Ｄ、第２の電子部品２２Ｄ、第３の電子部品２３Ｄの切り替えが、モジュール１Ｄに備えられていない部品により行われてもよい。
【００８６】
また、上記第１〜第４の態様にかかるモジュール１Ａ〜１Ｄにおいては、２つのフィルタ回路部の駆動を切り替え制御するスイッチ部品を示したが、本発明にかかるモジュールが備えるスイッチ部品はこのようなものに限られない。本発明にかかるスイッチ部品は例えば、第１の電子部品、第２の電子部品、第３の電子部品が内蔵するフィルタ回路部のうち１つのフィルタ回路部のみについて、駆動する状態と駆動しない状態とを切り替え制御するスイッチ部品であってもよい。また、第１の電子部品、第２の電子部品、第３の電子部品のうち１つの電子部品を駆動させ、２つの電子部品を駆動させないように切り替え制御するスイッチ部品であってもよい。これらのようなスイッチ部品であっても、互いに接触または接着する第１の電子部品、第２の電子部品、第３の電子部品のうち少なくとも１つの電子部品が駆動しない状態を生み出せる。従って、このように切り替え制御される対象の数が変わっても、本発明にかかるモジュールの放熱性が向上するという効果は充分に得られる。
【００８７】
同様に、第１〜第４の態様においては、導通（駆動）する状態と導通（駆動）しない状態とが切り替わる対象がフィルタ回路部である場合を示したが、導通（駆動）する状態と導通（駆動）しない状態とが切り替わる対象は、フィルタ回路部でなくともかまわない。各電子部品の備える何らかの回路部や機能部が導通（駆動）しない状態と導通（駆動）する状態とに切り替わったり、各電子部品自体が駆動する状態と駆動しない状態とに切り替わったりしてもよい。
【００８８】
〈４．変形例〉
次に、本発明の実施の形態の変形例にかかるモジュールを、図１１、１２を参照して説明する。なお、これらの変形例にかかるモジュールは、上記基本構造にかかるモジュール１と一部が異なるのみとなっている。そのため、以下では主に基本構造にかかるモジュール１との相違点についてのみ説明し、基本構造にかかるモジュール１と同様である点については説明を省略する。なお、符号については、基本構造にかかるモジュール１と同じ符号を用いて説明する。
【００８９】
〔１．変形例１〕
本発明の実施の形態の変形例１にかかるモジュールについて、図１１を参照して説明する。図１１は本変形例にかかるモジュール１の構造を示す図であり、１１（Ａ）はモジュール１の要部を平面視した平面図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）中のＡ２−Ａ２線の矢視に沿った断面図である。
【００９０】
図１１（Ａ）は、第１の実装基板１１と第１の電子部品２１、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３となどの要部を平面視した図である。同図が示すように、モジュール１を平面視したとき、第１の電子部品２１における第１の素体２１１の外周は、第２の電子部品２２における第２の素体２２１の外周より外側にある。すなわち、平面視したとき、第１の素体２１１と第２の素体２２１とが重なっており、かつ、第１の素体２１１の面積は第２の素体２２１の面積より大きい。一方、第３の電子部品２３における第３の素体２３１の外周と比べると、第１の素体２１１の外周はその一部が、第３の素体２３１の外周より内側にある。
【００９１】
この場合、図１１（Ｂ）に示すように、第３の素体２３１における第１の素体２１１側の主面の一部が第１の素体２１１と対向しない状態となる。このとき、第３の素体２３１において第１の素体２１１と対向しない主面は、第１の素体２１１と対向する主面に比べて、第１の素体２１１の第３の素体２３１側の主面との距離が大きくなる。ここで第３の電子部品２３が駆動して第３の素体２３１が発熱すると、第１の素体２１１と対向しない主面から放熱される熱が第１の素体２１１へと伝導する速度は、第１の素体２１１と対向する主面から放熱される熱に比べて遅くなる。つまり、第３の電子部品２３において第１の電子部品２１と対向しない主面から放熱される熱は、第１の電子部品２１と対向する主面から放熱される熱に比べて、第１の電子部品２１に伝導されにくい。一方、第２の素体２２１のように、第２の素体２２１を平面視した外周が、第１の素体２１１を平面視した外周より内側にある場合には、第２の素体２２１における第１の素体２１１側の全ての主面が第１の素体２１１と対向する。すなわち、第２の電子部品２２で生じた熱のうち、第１の電子部品２１へと伝導する熱の量が増えやすくなる。すると、第２の電子部品２２に比べて放熱路の経由点となる機会が多い第１の電子部品２１に熱が伝導されやすくなるため、放熱される熱の量が増加してモジュール１の放熱性が向上しやすくなる。
【００９２】
なお、本図とは逆に、第３の素体２３１を平面視した外周が第１の素体２１１を平面視した外周より内側にあり、第２の素体２２１を平面視した外周の一部が、第１の素体２１１を平面視した外周より外側にある場合も、モジュール１の放熱性が向上しやすい。その場合、第３の電子部品２３で生じた熱のうち、第１の電子部品２１へと伝導する熱の量が増えやすくなるためである。
【００９３】
なお、本図においては平面視した第２の素体２２１の外周は、平面視した第１の素体２１１の外周より外側にあるが、第２の素体２２１の外周が、第１の素体２１１の外周と重なるのみでも、上記効果は充分に得ることができる。
【００９４】
〔２．変形例２〕
次に、本発明の実施の形態の変形例２にかかるモジュールについて、図１２を参照して説明する。図１２は本変形例にかかるモジュール１の構造を示す図であり、図１２（Ａ）はモジュール１の要部を平面視した平面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）中のＡ３−Ａ３線の矢視に沿った模式的断面図である。
【００９５】
図１２（Ａ）は、第１の実装基板１１と第１の電子部品２１、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３などの要部を平面視した図である。同図が示すように、本態様では第１の素体２１１を平面した外周が、第２の素体２２１を平面視した外周および第３の素体２３１を平面視した外周より外側にある。すなわち、平面視したとき、第１の素体２１１と、第２の素体２２１および第３の素体２３１とが重なっており、かつ、第１の素体２１１の面積は第２の素体２２１の面積および第３の素体２３１の面積より大きい。
【００９６】
この場合、図１２（Ｂ）に示すように、第２の素体２２１と第３の素体２３１における第１の素体２１１側の主面は全て、第１の素体２１１と対向している。そのため、第２の電子部品２２、および、第３の電子部品２３の両電子部品で生じる熱のうち第１の電子部品２１へと伝導する熱の量が、増えやすくなる。したがって、モジュール１の放熱性が向上しやすくなる。
【００９７】
〈５．その他の特徴〉
以下、本発明に係るモジュール１が備えうる種々の特徴について、図１２を用いて解説する。
【００９８】
まず、第１の素体２１１、第２の素体２２１、第３の素体２３１のうち少なくとも２つの素体は、互いに異なる熱伝導率を有することが好ましい。中でも望ましいのは、第１の素体２１１が、第２の素体２２１及び第３の素体２３１よりも高い熱伝導率を有する場合である。例えば、上記基本構造にかかるモジュール１では、第１の素体２１１を、熱伝導率が約１６０Ｗ/ｍ・Ｋであるシリコンとし、第２の素体２２１および第３の素体２３１を、熱伝導率が約２〜７Ｗ/ｍ・Ｋである、ＬＮまたはＬＴとしている。
【００９９】
第１の素体２１１を備える第１の電子部品２１は、第２の素体２２１を備える第２の電子部品２２、および、第３の素体２３１を備える第３の電子部品２３に比べて、伝導する熱の量が多くなりやすい。そのため、第１の素体２１１が、第２の素体２２１、第３の素体２３１より高い放熱性を備えれば、放熱される熱の量が増加し、モジュール１の放熱性を向上させることができる。
【０１００】
このとき、積層体からなる素体の熱伝導率と他の素体の熱伝導率とを比較する場合には、その積層体を構成する複数の部材のうち体積が最も大きい部材の熱伝導率と、他の素体の熱伝導率とを比較すればよい。
【０１０１】
また、第１の実装基板１１および第２の実装基板１２のうち少なくとも一方の実装基板は、放熱機構を備えているとよい。ここに指す放熱機構とは、ヒートシンクやヒートパイプといった冷媒を利用する部品や、金属板といった比較的高い熱伝導率を有する材料からなる物体のことをいう。
【０１０２】
このように、実装基板まで伝導した熱をさらに拡散させたり、移動させたりする機能を有する物体を、２枚の実装基板１１、１２のうち少なくとも一方が備えれば、モジュール外部への放熱を行う実装基板の放熱性が向上し、モジュール１の放熱性も向上する。
【０１０３】
加えて、第１の実装基板１１を平面視したときの面積が、第２の実装基板１２を平面視したときの面積と異なると好ましい。特に、第１の実装基板１１を平面視したときの面積が、第２の実装基板１２を平面視したときの面積より大きいとよい。実装基板は、平面視したときの面積が大きければ大きいほど、熱を拡散しやすくなる。このとき、第１の実装基板１１に実装された第１の電子部品２１は、第２の実装基板１２に実装された第２の電子部品２２、第３の電子部品２３に比べて伝導する熱量が多くなりやすい。そのため、第１の電子部品が実装された第１の実装基板１１に伝導する熱量も、第２の実装基板１２に比べて多くなりやすい。従って、このように平面視したときの面積を変えると、第１の実装基板１１の放熱性が大幅に高まるため、モジュール１の放熱性も大幅に向上しやすい。
【０１０４】
一方、第２の実装基板１２を平面視したときの面積が、第１の実装基板１１を平面視したときの面積より大きくてもよい。第２の実装基板１２は、各電子部品が備える３つの放熱路のうち２つの放熱路において、モジュール外部への放熱を担う実装基板となっている。第２の実装基板１２の放熱性が高まれば、この２つの放熱路の放熱能力が高まりやすくなるため、モジュール１の放熱性も向上しやすくなる。
【０１０５】
なお、基本構造に記載のとおり、第１の電子部品２１、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３と、第１の実装基板１１における第２の実装基板１２側の主面および第２の実装基板１２における第１の実装基板１１側の主面とは封止材９０により封止されるとよい。この場合、各電子部品２１、２２、２３から生じる熱は、封止材９０を通じても放熱されることが可能となる。
【０１０６】
このとき、接着層４０を構成する材料は、樹脂、ガラス、金属、カーボン、セラミック、および、これらの混合物のうちいずれかの材料を含んでいてもよい。中でも、金属、カーボンや、アルミナ、炭化ケイ素、チッ化ホウ素などを用いると好ましい。これらの比較的熱伝導率が良好な材料を、各素体を接着させる接着層４０や各素体を覆う封止材９０として用いれば、第１の実装基板１１、第２の実装基板１２まで熱が伝導する速度や量が上がり、各放熱路の放熱能力が向上しやすくなる。従って、モジュール１の放熱性がさらに向上しやすくなる。
【０１０７】
また、接着層４０および封止材９０は、同一の材料から構成されてもよい。接着層４０と封止材９０それぞれに異なる材料を用いる場合、両者を別個に形成する必要がある。一方、接着層４０と封止材９０とを同一の材料から構成する場合には、両者を一体物として同時に形成できる。従って、本発明にかかるモジュール１をより容易に製造できるようになる。
【０１０８】
さらに、封止材９０を構成する材料が、第１の素体２１１、または、第２の素体２２１、または、第３の素体２３１以上の熱伝導率を有すると好ましい。封止材９０の熱伝導率が封止材９０で覆われる第１の素体２１１、第２の素体２２１、第３の素体２３１のうちいずれの素体の熱伝導率よりも小さい場合には、覆われた各電子部品で生じた熱の大部分は、封止材９０へは伝導しない。すなわち、封止材９０を通じて放熱される熱量がそれほど多くならないため、生じた熱が各電子部品内にこもりやすくなる。一方、封止材９０の熱伝導率が第１の素体２１１、第２の素体２２１、第３の素体２３１のうち少なくとも１つの素体以上であれば、電子部品から封止材へと伝導する熱の量は減少しにくくなるため、モジュール１の放熱性も向上しやすくなる。このように、封止材９０の熱伝導率を高める方法としては、封止材９０にアルミナフィラーを含ませる方法が挙げられる。
【０１０９】
同様に、接着層４０を構成する材料が、第１の素体２１１、または、第２の素体２２１、または、第３の素体２３１以上の熱伝導率を有していると好ましい。これにより、第１の電子部品２１や第２の電子部品２２、第３の電子部品２３から生じた熱をそれほど減少させることなく、他の電子部品に伝えることができるため、モジュール１の放熱性もさらに向上しやすくなる。
【０１１０】
なお、接着層４０の厚みは薄ければ薄いほど、接着される素体と素体との間の距離が近くなる。すると、ある素体から生じた熱が、各放熱路において接着層４０の次に経由する素体へと伝導する速度が上昇し、モジュール１の放熱性が向上する。このように接着される素体と素体との間の距離を縮めるには、第１の電子部品２１、第２の電子部品２２、第３の電子部品２３が備える各外部端子２１２、２２２、２３２の高さを高くすればよい。このようにすることで、放熱性がより向上しやすいモジュール１を得ることができる。
【０１１１】
さらに各素体における主面同士が接触または接着する面積が大きくなるほど、ある素体から生じた熱が、各放熱路において経由する他の素体へと伝導しやすくなる。この面積を大きくするために、第１の素体２１１、第２の素体２２１、第３の素体２３１は全て、各素体が備える外部端子側の主面と対向する主面同士で接触または接着している。各素体２１１、２２１、２３１において外部端子側の主面と対向する主面には、外部端子２１２、２２２、２３２が形成されない。そのため、素体の外部端子側の主面同士を接触または接着させる場合より、各素体２２１、２２１、２３１の主面同士が接触または接着する面積が増大するのである。
【０１１２】
なお、実装基板として用いられる基板には、プリント基板やガラスからなるインターポーザ基板、フレキシブル基板など、比較的熱が拡散しづらい基板が多い。そこで、第１の素体２１１、第２の素体２２１、第３の素体２３１が、第１の実装基板１１、第２の実装基板１２より高い熱伝導率を有するとよい。これらの素子２１１、２２１、２３１は、各放熱路において、第１の実装基板１１、第２の実装基板１２に至る直前の経由点となる。そのため、各素体２１１、２２１、２３１の熱伝導率が各実装基板１１、１２より高ければ、各電子部品から生じた熱は、第１の実装基板１１、第２の実装基板１２に伝導される直前で、各素体を通じてある程度拡散される。すなわち、第１の実装基板１１、第２の実装基板１２で熱がそれほど拡散されずとも、モジュール外部へと熱が放熱されやすくなるため、モジュール１の放熱性も向上しやすくなるのである。
【符号の説明】
【０１１３】
１                      モジュール
１１、１２              実装基板
２１、２２、２３        電子部品
４０                    接着層
５０                    ビア導体
６０                    バンプ
７０、８０              電極パッド
９０                    封止材
２１１、２２１、２３１  素体
２１２、２２２、２３２  外部端子
２２３、２３３          ＩＤＴ電極
２２４、２３４          空隙部
【図１】
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【図２】
2020161508.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020161508.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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