(57)【要約】【課題】マスク欠陥修正装置と検査装置との間においてマスクを大気に暴露しながら移動させることなく、精度の高い欠陥修正を行うことができるマスク欠陥修正装置を提供すること。【解決手段】マスク欠陥修正装置は、マスクの欠陥にガスを供給させながら、補正部により補正された照射量の荷電粒子ビームを照射させ、デポジション膜を形成する。【選択図】図９
2020161250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビーム誘起デポジションにより標準デポジション膜を形成し、膜厚測定結果を用いて荷電粒子ビームの照射量を調整し、マスクの欠陥にデポジション膜を形成することにより欠陥を修正するマスク欠陥修正装置において、
前記荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム照射部と、
前記マスクを移動させるステージと、
前記荷電粒子ビームの照射によりデポジション膜を形成するガスを供給するガス供給部と、
前記荷電粒子ビーム照射部と前記ガス供給部とを制御する制御部と、
前記デポジション膜の面積と前記荷電粒子ビームの照射量との関係を示す校正データを記憶する記憶部と、
前記標準デポジション膜の膜厚を測定する膜厚測定部と、
前記膜厚測定部により測定された前記標準デポジション膜の膜厚と前記校正データに基づいて前記荷電粒子ビームの照射量を補正する補正部と、
を備え、
前記制御部は、前記マスクの欠陥に前記ガスを供給させながら、前記補正部により補正された前記照射量の前記荷電粒子ビームを照射させ、前記デポジション膜を形成する、
マスク欠陥修正装置。
【請求項２】
前記膜厚測定部は、白色光干渉測定装置である、
請求項１に記載のマスク欠陥修正装置。
【請求項３】
前記膜厚測定部は、原子間力顕微鏡である、
請求項１に記載のマスク欠陥修正装置。
【請求項４】
荷電粒子ビーム誘起デポジションにより標準デポジション膜を形成する工程と、
前記標準デポジション膜の膜厚を測定する工程と、
デポジション膜の面積と荷電粒子ビームの照射量との関係を示す校正データと前記標準デポジション膜の膜厚を用いて、前記標準デポジション膜の形成に用いた前記荷電粒子ビームの照射量を補正する工程と、
マスクの欠陥を荷電粒子ビーム照射位置に移動させる工程と、
前記欠陥にデポジション膜を形成するガスを供給しつつ、補正された照射量の前記荷電粒子ビームを照射しデポジション膜を形成する工程と、
を有するマスク欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マスク欠陥修正装置、及びマスク欠陥修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集束イオンビームや電子ビーム等を照射する荷電粒子ビーム装置を用いてマスクの欠陥を修正するマスク欠陥修正装置が知られている。
【０００３】
これに関し、光透過率が中間量であるパターン膜が形成されたグレートーンのマスクの欠陥を修正するために、集束イオンビームを発生するイオン光学系と、集束イオンビームをマスクに照射して生じる２次荷電粒子を検出する２次荷電粒子検出器と、イオン光学系と２次荷電粒子検出器の情報を得てマスクのパターン情報を処理する画像処理装置と、画像処理装置の情報から得られたマスクの欠陥位置にＦＩＢ−ＣＶＤ膜を形成して修正するために有機化合物蒸気を当該欠陥に吹きつける化合物蒸気吹きつけ装置を有するパターン膜修正装置を用いたグレートーンのパターン膜の欠陥修正方法において、ＦＩＢ−ＣＶＤ膜を形成する前に、当該欠陥の一部でパターン膜が正常な厚さでないながら残っている部分に集束イオンビームを照射して除去して、欠陥領域をパターン膜が形成されていない状態にする前工程を設け、前工程後の欠陥領域の境界から集束イオンビームの半径に依存した寸法だけ内側の領域をＦＩＢ−ＣＶＤ膜形成のための集束イオンビーム照射領域とし、有機化合物蒸気吹付けと共に集束イオンビームを所定回数照射して、パターン膜と重ならない領域に所定の光透過率を持つＦＩＢ−ＣＶＤ膜を形成するグレートーンのパターン膜欠陥修正方法が知られている（特許文献１参照）。
また、このような欠陥修正方法により欠陥が修正されるマスクの種類として、透明基板、半透過層及び遮光層を持つハーフトーンマスクも知られている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３５０２１９号公報
【特許文献２】特開２００６−１３３７８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ハーフトーンマスク等のマスクに対する白欠陥修正では、修正後の光透過率が一定範囲内になるように正確に修正する必要があった。当該光透過率は、白欠陥修正により形成した膜の膜厚と相関がある。しかしながら、従来の欠陥修正方法では、欠陥修正装置で当該マスクに膜形成を行い、検査装置に当該マスクを移動させ、透過率を確認し、白欠陥修正が不十分である場合には、再び欠陥修正装置に当該マスクを戻し、白欠陥修正を行う必要があった。そのため、作業時間が大幅にかかり、また、当該マスクを大気に暴露して装置間（すなわち、欠陥修正装置と検査装置との間）を移動させるため、新たな欠陥が生じるおそれがあった。
【０００６】
そこで本発明は、上記従来技術の問題に鑑みてなされたものであり、マスク欠陥修正装置と検査装置との間においてマスクを大気に暴露しながら移動させることなく、精度の高い欠陥修正を行うことができるマスク欠陥修正装置、及びマスク欠陥修正方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、荷電粒子ビーム誘起デポジションにより標準デポジション膜を形成し、膜厚測定結果を用いて荷電粒子ビームの照射量を調整し、マスクの欠陥にデポジション膜を形成することにより欠陥を修正するマスク欠陥修正装置において、荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム照射部と、マスクを移動させるステージと、荷電粒子ビームの照射によりデポジション膜を形成するガスを供給するガス供給部と、荷電粒子ビーム照射部とガス供給部とを制御する制御部と、デポジション膜の面積と荷電粒子ビームの照射量との関係を示す校正データを記憶する記憶部と、標準デポジション膜の膜厚を測定する膜厚測定部と、膜厚測定部により測定された標準デポジション膜の膜厚と校正データに基づいて荷電粒子ビームの照射量を補正する補正部と、を備え、制御部は、マスクの欠陥にガスを供給させながら、補正部により補正された照射量の荷電粒子ビームを照射させ、デポジション膜を形成する、マスク欠陥修正装置である。
【０００８】
また、本発明の他の態様は、前記膜厚測定部は、白色光干渉測定装置である、構成が用いられてもよい。
【０００９】
また、本発明の他の態様は、前記デポジション膜の面積は、前記標準デポジション膜の面積よりも小さい、構成が用いられてもよい。
【００１０】
また、本発明の他の態様は、前記膜厚測定部は、原子間力顕微鏡である、構成が用いられてもよい。
【００１１】
また、本発明の他の態様は、前記デポジション膜の面積は、前記標準デポジション膜の面積よりも大きい、構成が用いられてもよい。
【００１２】
また、本発明の他の態様は、荷電粒子ビーム誘起デポジションにより標準デポジション膜を形成する工程と、前記標準デポジション膜の膜厚を測定する工程と、デポジション膜の面積と荷電粒子ビームの照射量との関係を示す校正データと前記標準デポジション膜の膜厚を用いて、前記標準デポジション膜の形成に用いた前記荷電粒子ビームの照射量を補正する工程と、マスクの欠陥を荷電粒子ビーム照射位置に移動させる工程と、前記欠陥にデポジション膜を形成するガスを供給しつつ、補正された照射量の前記荷電粒子ビームを照射しデポジション膜を形成する工程と、を有するマスク欠陥修正方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、マスク欠陥修正装置と検査装置との間においてマスクを大気に暴露しながら移動させることなく、精度の高い欠陥修正を行うことができるマスク欠陥修正装置、及びマスク欠陥修正方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】デポジション膜の膜厚と光透過率との関係の一例を示す図である。
【図２】実施形態に係る欠陥修正装置１の構成の一例を示す図である。
【図３】荷電粒子ビーム照射装置１０の上面図である。
【図４】膜厚測定部１６の構成の一例を示す図である。
【図５】参照鏡ＲＭとビームスプリッターＢＳとが光軸Ｏの上に配置されたミラウ型の干渉対物レンズ１６４の構成の一例を示す図である。
【図６】参照鏡ＲＭが光軸Ｏから外側に配置され、プリズムＰＳが光軸Ｏの上に配置されたマイケルソン型の干渉対物レンズ１６４の構成の一例を示す図である。
【図７】校正データを表すグラフの一例を示す図である。
【図８】制御装置３０のハードウェア構成の一例を示す図である。
【図９】制御装置３０の機能構成の一例を示す図である。
【図１０】欠陥修正装置１が対象膜厚に基づいて校正データを補正する処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図１１】欠陥修正装置１が補正データに基づいてマスクＭの欠陥部分を修正する処理の流れの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜実施形態＞
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１６】
＜ハーフトーンマスクの白欠陥修正＞
ハーフトーンマスクには、露光する光（波長４３６ｎｍのｇ線、波長４０５ｎｍのｈ線またはｇ線とｈ線の混合光）を遮蔽する遮蔽膜と、（２０％から５０％程度を透過する）ハーフトーン膜によりパターンが形成されている。ハーフトーン膜の白欠陥修正では修正部分での光透過率を一定範囲内に制御する必要がある。
露光波長における光透過率を測定する場合、荷電粒子ビームによるデポジション膜の面積は１００平方マイクロメートル程度以上が必要である。しかしながら、白欠陥のサイズは数ミクロン程度以下である場合が多く、従来の光透過率測定装置ではそのサイズのデポジション膜の光透過率の測定は困難であった。
ここで、デポジション膜の膜厚と光透過率には図１のような関係になる。図１は、デポジション膜の膜厚と光透過率との関係の一例を示す図である。当該関係から、光透過率測定できない微小サイズの膜であっても、所望の光透過率に対応する膜厚のデポジション膜を形成することにより正確な白欠陥修正を行うことができることが分かる。
ところで、一定の膜厚のデポジション膜を形成する場合、荷電粒子ビームの照射量とデポジション膜の面積とは単純な比例関係にならない。そこで、本実施形態に係る欠陥修正装置は、荷電粒子ビームの照射量を変化させる校正データを記憶し、膜厚測定装置で測定した膜厚測定結果に基づいて、校正データに補正をかけることにより、デポジション膜の面積に応じた一定の膜厚のデポジションを行い、白欠陥を修正する。
＜欠陥修正装置の構成＞
まず、欠陥修正装置１の構成について説明する。図２は、実施形態に係る欠陥修正装置１の構成の一例を示す図である。
【００１７】
欠陥修正装置１は、荷電粒子ビーム照射装置１０と、制御装置３０と、表示装置３５を備える。なお、この一例における欠陥修正装置１では、荷電粒子ビーム照射装置１０と、制御装置３０と、表示装置３５とのそれぞれが別体に構成されているが、これに代えて、荷電粒子ビーム照射装置１０と、制御装置３０と、表示装置３５との一部又は全部が一体に構成されてもよい。
【００１８】
荷電粒子ビーム照射装置１０は、例えば、筐体１１と、ステージ１２と、荷電粒子ビーム照射部１３と、二次粒子検出部１４と、ガス供給部１５と、膜厚測定部１６と、真空ポンプ１７を備える。
【００１９】
ステージ１２は、筐体１１の内側である加工室Ｒに設置される。ステージ１２には、図２に示したように、カセットＣが取り付けられる。そして、カセットＣの上には、マスクＭが載置される。カセットＣは、ステージ１２上にマスクＭを載置するための治具である。マスクＭは、パターン膜が形成されることによって光透過率が互いに異なる複数の部分を有するマスクである。以下では、一例として、マスクＭが、ＦＰＤ（Flat  Panel  Display）の製造におけるフォトリソグラフィー工程において使われる多階調マスクであり、ハーフトーンマスクである場合について説明する。なお、マスクＭは、ＦＰＤの製造におけるフォトリソグラフィー工程において使われるマスクに代えて、半導体用のフォトマスク等の他のマスクであってもよい。
【００２０】
ステージ１２は、変位機構１２ａによって支持されている。変位機構１２ａは、制御装置３０からの要求に応じて動作するアクチュエーターを備え、図３に示したように、三次元座標系ＣＣにおけるＸＹ平面に沿ってステージ１２の位置を動かす。図３は、荷電粒子ビーム照射装置１０の上面図である。三次元座標系ＣＣは、欠陥修正装置１に対応付けられた三次元直交座標系である。図２及び図３に示した例では、三次元座標系ＣＣにおけるＺ軸の負方向は、重力方向と一致している。なお、当該負方向は、重力方向と一致しなくてもよい。図３に示した点１３Ｐは、荷電粒子ビーム照射部１３で荷電粒子ビームをマスクに照射する位置を示している。また、点１６Ｐは、膜厚測定部１６で膜厚を測定する位置を示している。ここで、図３では、図を簡略化するため、荷電粒子ビーム照射部１３、二次粒子検出部１４、ガス供給部１５、膜厚測定部１６のそれぞれを省略している。ステージ１２の位置は、例えば、ステージ１２の上面の中心の位置によって表される。なお、ステージ１２の位置は、これに代えて、ステージ１２に対応付けられた他の位置によって表されてもよい。
【００２１】
荷電粒子ビーム照射部１３は、例えば、荷電粒子ビームＢとして集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒である。以下では、一例として、荷電粒子ビーム照射部１３が、荷電粒子ビームＢとしてガリウムイオンの集束イオンビームを照射する場合について説明する。なお、荷電粒子ビーム照射部１３は、ガリウムイオンに代えて、他のイオン（例えば、ヘリウム、アルゴン、キセノン等のガスイオン）の集束イオンビームを照射する構成であってもよい。また、荷電粒子ビーム照射部１３は、集束イオンビーム鏡筒に代えて、荷電粒子ビームＢとして電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒等の荷電粒子ビームＢとして他の粒子ビームを照射する鏡筒であってもよい。
【００２２】
荷電粒子ビーム照射部１３は、筐体１１の外側から筐体１１の内側（すなわち、加工室Ｒ）に向かって挿通されている。図２に示した例では、荷電粒子ビーム照射部１３が有する端部のうち荷電粒子ビームＢが射出する側の端部が筐体１１の内側に位置しており、荷電粒子ビーム照射部１３が有する端部のうち荷電粒子ビームＢが射出しない側の端部が筐体１１の外側に位置している。なお、荷電粒子ビーム照射部１３は、全体が加工室Ｒに設置される構成であってもよい。加工室Ｒは、収容部の一例である。
【００２３】
二次粒子検出部１４は、荷電粒子ビームＢが照射された物体において発生する二次粒子Ｐを検出する。二次粒子Ｐは、例えば、散乱電子等の二次電子、散乱イオン、反射イオン等の二次イオン等の荷電粒子である。二次粒子検出部１４が二次粒子Ｐを検出した場合、二次粒子検出部１４は、検出した二次粒子Ｐを示す情報を制御装置３０に出力する。当該情報は、例えば、当該二次粒子Ｐの数を示す情報を含む。この情報は二次荷電粒子の質量から求めたイオン種を含むこともある。
【００２４】
ガス供給部１５は、デポジション膜の原料となる物質（例えば、ピレン、ナフタレン、フェナントレン、プラチナ、カーボン、タングステン等）を含有した化合物ガスとしてデポジション用のガスＧを供給する。ガス供給部１５からガスＧが供給されてマスク上に付着したところに荷電粒子ビームＢを照射すると、遮光性を有するデポジション膜がマスク上に固着して形成される。
【００２５】
膜厚測定部１６は、物体に形成されたデポジション膜の膜厚を測定する。以下では、一例として、膜厚測定部１６が、白色光干渉測定装置である場合について説明する。ここで、図４を参照し、膜厚測定部１６の構成について説明する。図４は、膜厚測定部１６の構成の一例を示す図である。
【００２６】
膜厚測定部１６は、白色光源１６１と、コリメートレンズ１６２と、偏光補正部１６３と、干渉対物レンズ１６４と、結像レンズ１６５と、受光素子１６６を備える。なお、図４に示した物体Ｓは、ステージ１２に載置された何らかの物体を表している。すなわち、物体Ｓは、例えば、マスクＭ、マスクＭと異なる物体等である。
【００２７】
白色光源１６１は、白色光束２００を出射する。白色光源１６１は、例えば、自然光を照射可能なハロゲン光源である。白色光源１６１は、拡散光束であり、光波の直交する２つの偏光成分（図３に示したＰ偏光Ｐｐｌと、Ｓ偏光Ｓｐｌ）の位相関係がでたらめな状態（非偏光）である。コリメートレンズ１６２は、入射する白色光束２００を平行光束にコリメートする。なお、コリメートレンズ１６２から出射された白色光束２００は、非偏光のままである。
【００２８】
偏光補正部１６３は、コリメートレンズ１６２と干渉対物レンズ１６４との間に配置される。偏光補正部１６３は、偏光板１６７と、ビームスプリッター１６８と、１／４波長板１６９を備える。
【００２９】
偏光板１６７は、コリメートレンズ１６２から出射した非偏光の白色光束２００を直線偏光に変換する。すなわち、偏光板１６７は、Ｐ偏光ＰｐｌとＳ偏光Ｓｐｌとを、予め偏りが生じた状態に変換する。なお、偏光板１６７は、コリメートレンズ１６２と白色光源１６１との間に配置される構成であってもよい。
【００３０】
ビームスプリッター１６８は、直線偏光された白色光束２００を光軸Ｏに沿った２つの方向のうちの干渉対物レンズ１６４に向かう方向に反射する。白色光束２００が反射されるビームスプリッター１６８の反射面には、誘電体膜が蒸着（形成）されている。このめ、ビームスプリッター１６８は、白色光束２００を反射した際、Ｐ偏光Ｐｐｌの減衰の大きさをＳ偏光Ｓｐｌの減衰の大きさよりも大きくし、Ｐ偏光ＰｐｌとＳ偏光Ｓｐｌとに偏りを生じさせてしまう。しかし、偏光板１６７によりＰ偏光ＰｐｌとＳ偏光Ｓｐｌとに予め偏りが生じさせているため、ビームスプリッター１６８の反射による偏光成分の偏りの影響は、抑制される。
【００３１】
１／４波長板１６９は、直行する２つの偏光成分の間に９０度の位相差を生じさせる複屈折素子である。このため、１／４波長板１６９は、直線偏光された白色光束２００であってビームスプリッター１６８で反射された白色光束２００を、円偏光Ｃｐｌの白色光束２００に変換する。すなわち、偏光補正部１６３は、干渉対物レンズ１６４に入射する白色光束２００をＰ偏光ＰｐｌとＳ偏光Ｓｐｌとに偏りのない状態の円偏光に補正することができる。
【００３２】
干渉対物レンズ１６４は、１／４波長板１６９を介してビームスプリッター１６８によって反射された白色光束２００を、光軸Ｏに沿った２つの方向のうちの結像レンズ１６５から干渉対物レンズ１６４に向かう方向に向かって集光させて物体Ｓに照射する。ここで、干渉対物レンズ１６４は、図５及び図６に示すように、対物レンズＯＬと、参照鏡ＲＭと、ビームスプリッターＢＳ（又はプリズムＰＳ）を備える。対物レンズＯＬは、平行光束である白色光束２００を集光して物体Ｓに照射する。このため、物体Ｓに集光される白色光束２００では、Ｐ偏光ＰｐｌとＳ偏光Ｓｐｌとに偏りのない状態となる。ビームスプリッターＢＳ（又はプリズムＰＳ）は、物体Ｓに集光される白色光束２００を反射させて参照光束を生じさせる（すなわち、参照光速は、集光される白色光束２００から分岐した光束である）。参照鏡ＲＭは、参照光束の焦点位置に配置され、参照光束を反射する。反射した参照光束は、ビームスプリッターＢＳ（又はプリズムＰＳ）の位置で、物体Ｓから反射して得られる光束である測定光速と結合される。測定光速と参照光速とが結合した干渉光束２０１は、光軸Ｏに沿ってビームスプリッター１６８の方向に戻る。なお、図５に示した干渉対物レンズ１６４は、参照鏡ＲＭとビームスプリッターＢＳとが光軸Ｏの上に配置されたミラウ型の干渉対物レンズであり、主に高倍率とする際に使用される。すなわち、図５は、参照鏡ＲＭとビームスプリッターＢＳとが光軸Ｏの上に配置されたミラウ型の干渉対物レンズ１６４の構成の一例を示す図である。図６に示した干渉対物レンズ１６４は、参照鏡ＲＭが光軸Ｏから外側に配置され、プリズムＰＳが光軸Ｏの上に配置されたマイケルソン型の干渉対物レンズであり、ミラウ型に比べて主に低倍率とする際に使用される。すなわち、図６は、参照鏡ＲＭが光軸Ｏから外側に配置され、プリズムＰＳが光軸Ｏの上に配置されたマイケルソン型の干渉対物レンズ１６４の構成の一例を示す図である。
【００３３】
結像レンズ１６５は、ビームスプリッター１６８を透過する干渉光束２０１を結像する。
【００３４】
受光素子１６６は、二次元平面上に画素が並んだ受光素子であり、結像レンズ１６５により結像された干渉縞を受光する。
【００３５】
なお、干渉光束２０１による干渉縞は、物体Ｓと参照鏡ＲＭとの形状の違いによって生じる。このため、本実施形態では、物体Ｓに集光される白色光束２００が円偏光で質の高い照明光速であることにより、均質な干渉光束２０１を得ることができる。すなわち、本実施形態において、物体Ｓに集光される白色光束２００を円偏光に補正するのは、干渉対物レンズ１６４から受光素子１６６までの間で迷光や反射光の発生を回避するためではなく、質の高い照明光速を得るためである。迷光や反射光が生じた場合であっても、白色光干渉の原理を用いた白色光干渉測定装置である膜厚測定部１６は、干渉縞のコントラストに大きな影響をうけることなく、物体Ｓに形成されたデポジション膜の膜厚の測定を１オングストローム以下の高い分解能で行うことができる。
【００３６】
膜厚測定部１６は、このように白色光干渉測定装置として構成され、受光素子１６６に受光される干渉光束２０１の干渉縞に基づいて、物体Ｓに形成された凹凸の高さを、基準となる高さからのずれとして測定する。すなわち、膜厚測定部１６は、物体ＳがマスクＭであった場合、カセットＣに載置されたマスクＭであって欠陥部分を有さないマスクＭ（マスクＭの設計データ通りに製造された場合のマスクＭ）の表面の高さを基準となる高さとして、当該高さからのずれとして、マスクＭに形成されたデポジション膜の膜厚を測定する。なお、本実施形態における高さとは、三次元座標系ＣＣにおけるＺ軸方向の位置のことである。膜厚測定部１６は、測定した膜厚を示す情報を制御装置３０に出力する。
【００３７】
ここで、膜厚測定部１６が白色光干渉測定装置である場合、膜厚測定部１６と加工室Ｒとの間には、白色光束２００を物体Ｓに集光するための窓部が加工室Ｒ（又は膜厚測定部１６）に設けられている。
【００３８】
なお、膜厚測定部１６は、白色光干渉測定装置に代えて、原子間力顕微鏡等、物体に形成されたデポジション膜の膜厚を測定可能な他の装置であってもよい。原子間力顕微鏡の構成については、例えば、特開平０８−１６６３９５に詳しく記載されているため、説明を省略する。
【００３９】
真空ポンプ１７は、加工室Ｒ内の気体を排気し、加工室Ｒ内を０．００１パスカル未満の高真空状態にするポンプである。
【００４０】
荷電粒子ビーム照射装置１０は、ケーブルによって制御装置３０と通信可能に接続されている。これにより、荷電粒子ビーム照射装置１０が備えるステージ１２と、変位機構１２ａと、荷電粒子ビーム照射部１３と、二次粒子検出部１４と、ガス供給部１５と、膜厚測定部１６と、真空ポンプ１７とのそれぞれとのそれぞれは、制御装置３０から取得される制御信号に基づく動作を行う。なお、ケーブルを介した有線通信は、例えば、イーサネット（登録商標）やＵＳＢ（Universal  Serial  Bus）等の規格によって行われる。また、荷電粒子ビーム照射装置１０は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）等の通信規格により行われる無線通信によって制御装置３０と接続される構成であってもよい。
【００４１】
制御装置３０は、例えば、デスクトップＰＣ（Personal  Computer）、ワークステーション、ノートＰＣ等の情報処理装置である。なお、制御装置３０は、これらに代えて、タブレットＰＣ、多機能携帯電話端末（スマートフォン）等の他の情報処理装置であってもよい。
【００４２】
制御装置３０は、ユーザーから受け付けた操作（又は動作プログラム）に基づいて、荷電粒子ビーム照射装置１０の全体を制御する。例えば、制御装置３０は、指定された指定位置へガス供給部１５にガスＧを供給させるとともに荷電粒子ビーム照射部１３に荷電粒子ビームＢを照射させることにより、当該指定位置にデポジション膜を形成させる。指定位置は、例えば、マスクＭの欠陥部分である。マスクＭの欠陥部分は、この一例において、マスクＭに含まれる部分のうちマスクＭに形成されたパターン膜の欠損している部分である白欠陥部分のことである。なお、マスクＭの欠陥部分には、マスクＭに含まれる他の部分が含まれる構成であってもよい。
【００４３】
また、制御装置３０は、二次粒子検出部１４が検出した二次粒子Ｐを示す情報を二次粒子検出部１４から取得し、取得した当該情報に基づく観察像を生成する。観察像は、マスクＭに含まれる部分のうちの二次粒子検出部１４の視野内に含まれる部分の画像のことである。制御装置３０は、生成した観察像を表示装置３５に表示させる。
【００４４】
表示装置３５は、例えば、液晶ディスプレイパネル、あるいは、有機ＥＬ（ElectroLuminescence）ディスプレイパネルを表示部として備えたディスプレイである。表示装置３５は、制御装置３０から取得した各種の画像を当該表示部に表示する。表示装置３５は、ケーブルによって制御装置３０と通信可能に接続されている。これにより、表示装置３５は、制御装置３０から取得される制御信号に基づく動作を行う。なお、ケーブルを介した有線通信は、例えば、イーサネット（登録商標）やＵＳＢ等の規格によって行われる。また、表示装置３５は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）等の通信規格により行われる無線通信によって制御装置３０と接続される構成であってもよい。
【００４５】
＜欠陥修正装置の概要＞
次に、欠陥修正装置１の概要について説明する。
【００４６】
欠陥修正装置１は、前述した通り、マスクＭの欠陥部分へガス供給部１５にガスＧを供給させるとともに荷電粒子ビーム照射部１３に荷電粒子ビームＢを照射させることにより、マスクＭの欠陥部分にデポジション膜を形成させる。ガス供給部１５の先端には、ガスＧを吐出するノズル（図示されていない）が装着されている。ノズルは、上下動する構造になっており、ステージ１２や変位機構１２ａが移動する間、ノズルがマスクに接触しないように上に退避している。マスクＭの欠陥部分は、ステージ１２によって荷電粒子ビームを照射する位置１３Ｐに水平移動した後、位置Ｐが荷電粒子ビーム照射部に対して所定の高さになるように変位機構１２ａが動作する。その後、ガス供給部１５のノズルは、降下し、デポジションを行いたい位置に対してガスＧを吐出出来るようにする。欠陥修正装置１は、荷電粒子ビーム照射部１３と二次粒子検出部１４により、位置１３Ｐで欠陥部分のイメージングを行って欠陥の輪郭を得る。そして予め取得していた同パターンの正常形状の輪郭と重ね合せ比較をして欠陥の形状と面積を算出する。ここで、正常形状は、当該位置のＣＡＤデータでであってもよく、繰り返しのパターンであれば、欠陥部分に相当する正常位置でイメージングして輪郭抽出して得たものであってもよい。デポジション膜の成長速度は、膜の面積に依存して変わる。欠陥修正装置１は、算出した面積と、形成されるデポジション膜であって所定膜厚のデポジション膜の面積と荷電粒子ビームＢの照射量との関係を示すデータとして予め記憶された校正データとに基づいて、所定膜厚のデポジション膜を形成するために必要な荷電粒子ビームＢの照射量を第１照射量として特定する。所定膜厚は、予め決められた膜厚であり、例えば、１００ｎｍ等の単位膜厚である。なお、所定膜厚は、単位膜厚に代えて、他の膜厚であってもよい。すなわち、所定膜厚は、１００ｎｍより薄い膜厚であってもよく、１００ｎｍより厚い膜厚であってもよい。そして、欠陥修正装置１は、特定した第１照射量と特定した形成予定膜厚とを乗算させた値を、特定した形成予定膜厚のデポジション膜を形成するために必要な荷電粒子ビームＢの照射量である第２照射量として算出する。これにより、欠陥修正装置１は、当該欠陥部分に、所望の膜厚のデポジション膜を形成する。
【００４７】
しかし、このような方法でマスクＭの欠陥部分を修正した場合は、欠陥修正装置１は、荷電粒子ビームＢによるが、欠陥修正装置１やマスクＭの状態が変化した場合、マスクＭの欠陥領域に所望の膜厚のデポジション膜が形成されない場合がある。当該加工条件は、例えば、マスクＭの温度、マスクＭの表面の状態等である。なお、当該加工条件には、他の条件が含まれてもよい。
【００４８】
そこで、欠陥修正装置１は、前述の校正データを、荷電粒子ビーム照射部１３とガス供給部１５とによって形成されたデポジション膜の膜厚である対象膜厚に基づいて補正する。そして、欠陥修正装置１は、補正した校正データである補正データに基づく荷電粒子ビームＢの照射量によってマスクＭの欠陥部分にデポジション膜を形成させる。これにより、欠陥修正装置１は、加工条件が変化してしまう場合であっても、マスクＭの欠陥部分に所望の膜厚のデポジション膜を形成することができる。本実施形態では、欠陥修正装置１が対象膜厚に基づいて校正データを補正する処理と、欠陥修正装置１が補正データに基づいてマスクＭの欠陥部分を修正する処理について詳しく説明する。
【００４９】
ここで、図７は、校正データを表すグラフの一例を示す図である。図７に示したように、校正データは、形成されるデポジション膜の面積と荷電粒子ビームＢの照射量との関係を示す。欠陥修正装置１は、欠陥修正装置１のメーカー等が提供する校正データを予め記憶している構成であってもよく、予備実験等によって校正データを生成する構成であってもよい。以下では、一例として、校正データが欠陥修正装置１に予め記憶されている場合について説明する。
【００５０】
＜制御装置のハードウェア構成＞
以下、図８を参照し、制御装置３０のハードウェア構成について説明する。図８は、制御装置３０のハードウェア構成の一例を示す図である。
【００５１】
制御装置３０は、例えば、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）３１と、記憶部３２と、入力受付部３３と、通信部３４を備える。これらの構成要素は、バスＢ１を介して相互に通信可能に接続されている。また、制御装置３０は、通信部３４を介して荷電粒子ビーム照射装置１０、表示装置３５のそれぞれと通信を行う。
【００５２】
ＣＰＵ３１は、記憶部３２に格納された各種プログラムを実行する。
記憶部３２は、例えば、ＨＤＤ（Hard  Disk  Drive）やＳＳＤ（Solid  State  Drive）、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically  Erasable  Programmable  Read−Only  Memory）、ＲＯＭ（Read−Only  Memory）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）等を含む。なお、記憶部３２は、制御装置３０に内蔵されるものに代えて、ＵＳＢ等のデジタル入出力ポート等によって接続された外付け型の記憶装置であってもよい。記憶部３２は、制御装置３０が処理する各種情報や画像、各種のプログラム、前述の校正データ、補正データ等を記憶する。
【００５３】
入力受付部３３は、例えば、キーボードやマウス、タッチパッド等の入力装置である。なお、入力受付部３３は、制御装置３０が表示装置３５と一体に構成されている場合、表示装置３５が備える表示部と一体に構成されたタッチパネル等の他の入力装置であってもよい。
通信部３４は、例えば、ＵＳＢ等のデジタル入出力ポートやイーサネット（登録商標）ポート等を含んで構成される。
【００５４】
＜制御装置の機能構成＞
以下、図９を参照し、制御装置３０の機能構成について説明する。図９は、制御装置３０の機能構成の一例を示す図である。
【００５５】
制御装置３０は、記憶部３２と、入力受付部３３と、制御部３６を備える。
【００５６】
制御部３６は、制御装置３０の全体を制御する。制御部３６は、照射装置制御部３６１と、取得部３６３と、像生成部３６５と、補正部３６７と、表示制御部３６９を備える。制御部３６が備えるこれらの機能部は、例えば、ＣＰＵ３１が、記憶部３２に記憶された各種プログラムを実行することにより実現される。また、当該機能部のうち一部又は全部は、ＬＳＩ（Large  Scale  Integration）やＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）等のハードウェア機能部であってもよい。
【００５７】
照射装置制御部３６１は、荷電粒子ビーム照射装置１０の全体を制御する。例えば、照射装置制御部３６１は、ステージ１２及び変位機構１２ａによりマスクＭの欠陥を荷電粒子ビームに照射する位置１３Ｐに移動させる動作、ガス供給部１５のノズルを上下動させたりガスＧを吐出する動作、更には欠陥をイメージングしたり修正するための荷電粒子ビーム照射部１３の動作を制御する。
【００５８】
取得部３６３は、二次粒子検出部１４が検出した二次粒子Ｐを示す情報を二次粒子検出部１４から取得する。また、取得部３６３は、膜厚測定部１６が測定した膜厚を示す情報を膜厚測定部１６から取得する。
【００５９】
像生成部３６５は、荷電粒子ビーム照射部１３による荷電粒子ビームＢの走査と二次粒子検出部１４で検出する検出信号とを同期させて、マスクＭのパターン像を生成する。
【００６０】
補正部３６７は、記憶部３２に予め記憶された校正データを記憶部３２から読み出す。補正部３６７は、取得部３６３が膜厚測定部１６から取得した情報に基づいて、読み出した校正データを補正する。補正部３６７は、補正した校正データである補正データを記憶部３２に記憶させる。
【００６１】
表示制御部３６９は、ユーザーから受け付けた操作に基づいて、各種の画像を生成する。表示制御部３６９は、生成した画像を表示装置３５の表示部に表示させる。例えば、表示制御部３６９は、ユーザーから受け付けた操作に基づいて、像生成部３６５が生成した観察像を含む画像を生成し、生成した当該画像を当該表示部に表示させる。例えば、表示制御部３６９は、ユーザーから受け付けた操作に基づいて、画像の倍率を変えてと表示部に表示させたり、二次電子像、二次イオン像、二次イオン種等を切り替えて当該表示部に表示させたりする。
【００６２】
＜欠陥修正装置が対象膜厚に基づいて校正データを補正する処理＞
以下、図１０を参照し、欠陥修正装置１が対象膜厚に基づいて校正データを補正する処理について説明する。図１０は、欠陥修正装置１が対象膜厚に基づいて校正データを補正する処理の流れの一例を示すフローチャートである。以下では、説明の便宜上、校正データを補正する処理をキャリブレーションと称して説明する。なお、以下では、一例として、校正データを補正するために用いられる物体であるキャリブレーション用物体が前述のカセットＣに載置されている場合について説明する。
【００６３】
照射装置制御部３６１は、前述のキャリブレーション用物体にデポジション膜を形成する位置を指定位置として指定する操作を受け付けるまで待機する（ステップＳ１１０）。例えば、照射装置制御部３６１は、表示制御部３６９により表示装置３５の表示部に表示された操作画面を介してユーザーから当該操作を受け付ける。また、当該位置は、キャリブレーション用物体がマスクＭである場合、マスクＭの上面内の位置のうち欠陥部分の位置と異なる位置であれば如何なる位置であってもよいが、マスクＭが有する面のうちフォトリソグラフィーに用いられない面内の位置であることが望ましい。当該操作を受け付けた場合（ステップＳ１１０−ＹＥＳ）、照射装置制御部３６１は、キャリブレーションを開始する操作を受け付けるまで待機する（ステップＳ１２０）。例えば、照射装置制御部３６１は、前述の操作画面を介してユーザーから当該操作を受け付ける。キャリブレーションを開始する操作を受け付けた場合（ステップＳ１２０−ＹＥＳ）、照射装置制御部３６１は、変位機構１２ａを制御し、ステップＳ１１０において指定された指定位置に対して荷電粒子ビーム照射部１３により荷電粒子ビームＢを照射可能な位置へステージ１２の位置を移動させる（ステップＳ１３０）。
【００６４】
次に、照射装置制御部３６１は、記憶部３２に予め記憶された校正データを記憶部３２から読み出す（ステップＳ１４０）。次に、照射装置制御部３６１は、ステップＳ１４０において読み出した校正データに基づいて、荷電粒子ビーム照射部１３とガス供給部１５を制御し、ステップＳ１１０において指定された指定位置にデポジション膜を形成させる（ステップＳ１５０）。ここで、ステップＳ１５０の処理について説明する。
【００６５】
照射装置制御部３６１は、校正データに基づいて、予め決められた面積のデポジション膜であって前述の所定膜厚のデポジション膜を形成するために必要な荷電粒子ビームＢの照射量を前述の第１照射量として特定する。当該予め決められた面積は、膜厚測定部１６で測定できる面積である。膜厚測定部１６が白色干渉測定装置である場合、例えば、面積は４μｍ２から１００μｍ２程度に設定する。照射装置制御部３６１は、特定した第１照射量に基づいて、当該予め決められた面積のデポジション膜を、ステップＳ１１０において指定された指定位置に形成させる。この際において、当該指定位置に形成されたデポジション膜の膜厚が、前述の対象膜厚のことである。対象膜厚は、前述の加工条件に応じて所定膜厚からずれるため、必ずしも所定膜厚と同じ膜厚になるとは限らない。
【００６６】
ステップＳ１４０の処理が行われた後、照射装置制御部３６１は、変位機構１２ａを制御し、ステップＳ１５０において形成されたデポジション膜の膜厚である対象膜厚を膜厚測定部１６により測定可能な位置へステージ１２の位置を移動させる（ステップＳ１６０）。次に、照射装置制御部３６１は、膜厚測定部１６を制御し、対象膜厚を測定させる（ステップＳ１７０）。ステップＳ１７０において、膜厚測定部１６は、対象膜厚を測定した後、測定した対象膜厚を示す情報を制御装置３０に出力する。そして、取得部３６３は、制御装置３０から当該情報を取得する。
【００６７】
次に、補正部３６７は、取得部３６３が膜厚測定部１６から取得した情報が示す膜厚（すなわち、ステップＳ１７０において測定された対象膜厚）に基づいて、ステップＳ１４０において読み出した校正データを補正する（ステップＳ１８０）。ここで、ステップＳ１８０の処理について説明する。
【００６８】
補正部３６７は、例えば、ステップＳ１７０において測定された対象膜厚を、前述の所定膜厚によって除した値を算出する。すなわち、補正部３６７は、所定膜厚と対象膜厚との差を表す割合（当該差を表す比）を算出する。補正部３６７は、算出した当該値を校正データに含まれる各照射量に乗算することにより、校正データを補正する。すなわち、補正部３６７は、図７に示したグラフの曲線を、当該値に応じて縦軸に沿った方向にシフトさせる。ステップＳ１８０において補正された校正データが、前述の補正データのことである。なお、補正部３６７は、対象膜厚に基づく他の方法によって校正データを補正する構成であってもよい。
【００６９】
ステップＳ１８０の処理が行われた後、補正部３６７は、ステップＳ１８０において補正した校正データである補正データを記憶部３２に記憶させ（ステップＳ１９０）、処理を終了する。
【００７０】
このようにして、欠陥修正装置１は、対象膜厚に基づいて校正データを補正する。
【００７１】
＜欠陥修正装置が補正データに基づいてマスクの欠陥部分を修正する処理＞
次に、欠陥修正装置１が補正データに基づいてマスクＭの欠陥部分を修正する処理について説明する。図１１は、欠陥修正装置１が補正データに基づいてマスクＭの欠陥部分を修正する処理の流れの一例を示す図である。以下では、一例として、図１０に示したフローチャートの処理によって記憶部３２に予め補正データが記憶されている場合について説明する。
【００７２】
照射装置制御部３６１は、欠陥検査装置から取得した欠陥部分情報を記憶部３２から読み出す（ステップＳ２１０）。欠陥部分情報は、マスクＭの１以上の欠陥部分それぞれの位置である欠陥部分位置を示す情報である。そして、照射装置制御部３６１は、欠陥部分情報に基づき、欠陥検査装置と欠陥修正装置１との間のステージ座標系間のオフセットや軸傾きの整合をとる。
【００７３】
次に、照射装置制御部３６１は、記憶部３２に予め記憶された補正データを記憶部３２から読み出す（ステップＳ２２０）。
【００７４】
次に、照射装置制御部３６１は、ステップＳ２１０において読み出した欠陥部分情報が示す１以上の欠陥部分位置毎に、ステップＳ２５０〜ステップＳ２６０の処理を繰り返し行う（ステップＳ２４０）。
【００７５】
照射装置制御部３６１は、変位機構１２ａを制御し、ステップＳ２４０において選択された欠陥部分位置に対して荷電粒子ビーム照射部１３により荷電粒子ビームＢを照射可能な位置へステージ１２の位置を移動させる（ステップＳ２５０）。そして、照射装置制御部３６１は、荷電粒子ビーム照射装置１０から荷電粒子ビームＢを照射し、マスクＭの欠陥部分の観察像を取得し、欠陥部分の形状と面積を算出する。
【００７６】
次に、照射装置制御部３６１は、ステップＳ２２０において読み出した補正データに基づいて、対象欠陥部分にデポジション膜を形成させることにより、当該欠陥部分を修正する（ステップＳ２６０）。ここで、ステップＳ２６０の処理について説明する。
【００７７】
照射装置制御部３６１は、観察像から特定した欠陥部分の大きさに基づいて、当該大きさを対象欠陥部分の面積に変換する。照射装置制御部３６１は、補正データに基づいて、当該面積の対象欠陥部分に、前述の所定膜厚のデポジション膜を形成するために必要な荷電粒子ビームＢの照射量を前述の第１照射量として特定する。照射装置制御部３６１は、特定した第１照射量に対して、特定した形成予定膜厚を乗算した値を前述の第２照射量として算出する。照射装置制御部３６１は、算出した第２照射量に基づいて、形成予定膜厚と誤差を除いてほぼ同じ膜厚のデポジション膜を対象欠陥部分に形成させる。すなわち、欠陥修正装置１は、加工条件が変化してしまう場合であっても、対象欠陥部分に所望の膜厚のデポジション膜を形成することができる。このように、欠陥修正装置１は、所望の膜厚のデポジション膜をすることで所望の透過率のデポジション膜を形成することができる。
【００７８】
ステップＳ２６０の処理が行われた後、照射装置制御部３６１は、ステップＳ２４０に遷移し、未選択の欠陥部分位置を選択する。なお、照射装置制御部３６１は、ステップＳ２４０において未選択の欠陥部分位置が存在しない場合、処理を終了する。
【００７９】
以上説明したように、上記の実施形態に係るマスク欠陥修正装置（この一例において、欠陥修正装置１）は、上記において実施形態に係る欠陥修正装置１は、荷電粒子ビーム誘起デポジションにより標準デポジション膜を形成し、膜厚測定結果を用いて荷電粒子ビーム（この一例において、荷電粒子ビームＢ）の照射量（この一例において、第２照射量）を調整し、マスク（この一例において、マスクＭ）の欠陥にデポジション膜を形成することにより欠陥を修正するマスク欠陥修正装置において、荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム照射部（この一例において、荷電粒子ビーム照射部１３）と、マスクを移動させるステージと、荷電粒子ビームの照射によりデポジション膜を形成するガスを供給するガス供給部（この一例において、ガス供給部１５）と、荷電粒子ビーム照射部とガス供給部とを制御する制御部（この一例において、制御部３６）と、デポジション膜の面積と荷電粒子ビームの照射量との関係を示す校正データ（この一例において、補正データ）を記憶する記憶部（この一例において、記憶部３２）と、標準デポジション膜の膜厚を測定する膜厚測定部と、膜厚測定部により測定された標準デポジション膜の膜厚と校正データに基づいて荷電粒子ビームの照射量を補正する補正部（この一例において、補正部３６７）と、を備え、制御部は、マスクの欠陥に前記ガスを供給させながら、補正部により補正された照射量の荷電粒子ビームを照射させ、デポジション膜を形成する。これにより、マスク欠陥修正装置は、マスク欠陥修正装置と検査装置（これにより、欠陥検査装置）との間においてマスクを大気に暴露しながら移動させることなく、精度の高い欠陥修正を行うことができる。ここで、ハーフトーンマスクには、例えば、１０％から５０％程度の間で様々な透過率のパターン膜が有る。このようなハーフトーンマスクに対しても、マスク欠陥修正装置は、上記のように校正データに補正を加えることにより、所望の透過率の欠陥修正デポジション膜を作成することができる。
【００８０】
また、マスク欠陥修正装置では、膜厚測定部は、白色光干渉測定装置である、構成が用いられてもよい。これにより、マスク欠陥修正装置は、白色光干渉測定装置である膜厚測定部により測定された対象膜厚に基づいて、マスク欠陥修正装置やマスクの状態が変化してしまう場合であっても、マスクの欠陥部分に所望の膜厚のデポジション膜を形成することができる。
【００８１】
また、マスク欠陥修正装置では、デポジション膜の面積は、標準デポジション膜の面積よりも小さい、構成が用いられてもよい。
【００８２】
また、マスク欠陥修正装置では、膜厚測定部は、原子間力顕微鏡である、構成が用いられてもよい。これにより、マスク欠陥修正装置は、原子間力顕微鏡である膜厚測定部により測定された対象膜厚に基づいて、マスク欠陥修正装置やマスクの状態が変化してしまう場合であっても、マスクの欠陥部分に所望の膜厚のデポジション膜を形成することができる。
【００８３】
また、マスク欠陥修正装置では、デポジション膜の面積は、標準デポジション膜の面積よりも大きい、構成が用いられてもよい。
【００８４】
なお、上記の実施形態に係るマスク欠陥修正装置は、形成されるデポジション膜の面積と荷電粒子ビーム（この一例において、荷電粒子ビームＢ）の照射量との関係を示すデータとして予め記憶部（この一例において、記憶部３２）に記憶された校正データを、荷電粒子ビーム照射部（この一例において、荷電粒子ビーム照射部１３）とガス供給部（この一例において、ガス供給部１５）とによって形成されたデポジション膜の膜厚である対象膜厚に基づいて補正し、補正した校正データ（この一例において、補正データ）に基づく荷電粒子ビームの照射量（この一例において、第２照射量）によってマスク（この一例において、マスクＭ）の欠陥部分にデポジション膜を形成させる。これにより、欠陥修正装置１は、加工条件が変化してしまう場合であっても、マスクの欠陥部分に所望の膜厚のデポジション膜を形成することができる、構成であってもよい。これにより、マスク欠陥修正装置は、マスク欠陥修正装置やマスクの状態が変化してしまう場合であっても、マスクの欠陥部分に所望の膜厚のデポジション膜を形成することができる。
【００８５】
また、マスク欠陥修正装置では、荷電粒子ビーム照射部と膜厚測定部（この一例において、膜厚測定部１６）とが、収容部（この一例において、加工室Ｒ）に設けられる。これにより、マスク欠陥修正装置は、マスクの欠陥部分へのデポジション膜の形成と、形成したデポジション膜の膜厚の測定とのそれぞれを行うたびにマスク欠陥修正装置へのマスクＭの取り付け又は取り外しを行う必要がなるので、マスクの製造のスループットが短縮出来ると共に、新たな欠陥を作ってしまうリスクが無くなってマスクの製造における生産性を向上させることができる。
【００８６】
また、マスク欠陥修正装置は、所定膜厚と対象膜厚とに基づいて校正データを補正する。これにより、マスク欠陥修正装置は、所定膜厚と対象膜厚とに基づいて、マスク欠陥修正装置やマスクの状態が変化してしまう場合であっても、マスクの欠陥部分に所望の膜厚のデポジション膜を形成することができる。更に、マスク欠陥装置は、所望の透過率の欠陥修正デポジション膜を作成することができる。
【００８７】
また、マスク欠陥修正装置は、所定膜厚と対象膜厚と差を表す割合に基づいて校正データを補正する。これにより、マスク欠陥修正装置は、所定膜厚と対象膜厚との差を表す割合に基づいて、マスク欠陥修正装置やマスクの状態が変化してしまう場合であっても、マスクの欠陥部分に所望の膜厚のデポジション膜を形成することができる。更に、マスク欠陥修正装置は、所望の透過率の欠陥修正デポジション膜を作成することができる。
【００８８】
また、マスク欠陥修正装置は、対象膜厚のデポジション膜を、マスク又はマスクと異なる物体に形成させる。これにより、マスク欠陥修正装置は、マスク又はマスクと異なる物体に形成された対象膜厚のデポジション膜に基づいて、マスク欠陥修正装置やマスクの状態が変化してしまう場合であっても、マスクの欠陥部分に所望の膜厚のデポジション膜を形成することができる。
【００８９】
また、マスク欠陥修正装置では、膜厚測定部は、白色光干渉測定装置又は原子間力顕微鏡である。これにより、マスク欠陥修正装置は、白色光干渉測定装置又は原子間力顕微鏡である膜厚測定部により測定された対象膜厚に基づいて、マスク欠陥修正装置やマスクの状態が変化してしまう場合であっても、マスクの欠陥部分に所望の膜厚のデポジション膜を形成することができる。
【００９０】
以上、この発明の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない限り、変更、置換、削除等されてもよい。
【００９１】
また、以上に説明した装置（例えば、制御装置３０）における任意の構成部の機能を実現するためのプログラムを、コンピューター読み取り可能な記録媒体に記録し、そのプログラムをコンピューターシステムに読み込ませて実行するようにしてもよい。なお、ここでいう「コンピューターシステム」とは、ＯＳ（Operating  System）や周辺機器等のハードウェアを含むものとする。また、「コンピューター読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ（Compact  Disk）−ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピューターシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピューター読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムが送信された場合のサーバーやクライアントとなるコンピューターシステム内部の揮発性メモリー（ＲＡＭ）のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。
【００９２】
また、上記のプログラムは、このプログラムを記憶装置等に格納したコンピューターシステムから、伝送媒体を介して、あるいは、伝送媒体中の伝送波により他のコンピューターシステムに伝送されてもよい。ここで、プログラムを伝送する「伝送媒体」は、インターネット等のネットワーク（通信網）や電話回線等の通信回線（通信線）のように情報を伝送する機能を有する媒体のことをいう。
また、上記のプログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであってもよい。さらに、上記のプログラムは、前述した機能をコンピューターシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であってもよい。
【符号の説明】
【００９３】
１…欠陥修正装置、１０…荷電粒子ビーム照射装置、１１…筐体、１２…ステージ、１２ａ…変位機構、１３…荷電粒子ビーム照射部、１４…二次粒子検出部、１５…ガス供給部、１６…膜厚測定部、１７…真空ポンプ、３０…制御装置、３１…ＣＰＵ、３２…記憶部、３３…入力受付部、３４…通信部、３５…表示装置、１６１…白色光源、１６２…コリメートレンズ、１６３…偏光補正部、１６４…干渉対物レンズ、１６５…結像レンズ、１６６…受光素子、１６７…偏光板、１６８…ビームスプリッター、１６９…１／４波長板、２００…白色光束、２０１…干渉光束、３６１…照射装置制御部、３６３…取得部、３６５…像生成部、３６７…補正部、３６９…表示制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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