(57)【要約】      （修正有）【課題】生産性向上の点で有利な搬送装置を提供する。【解決手段】搬送装置は、基板１を保持して搬送する保持部１０と、保持部に配置され、保持部に保持された基板の第１面に向けて、第１面に対して斜めの方向である第１方向に気体を吹き出すための第１吹出口１２Ｕを含む吹出部１３と、を備える。吹出部１３は、吹出口１２、気体供給源１４および制御弁２０を備える。吹出口１２は、気体供給源１４から供給される清浄な気体を、保持部１０に保持された基板１の外周側から、保持部１０に保持された基板１の表面に向けて吹き出す。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して搬送する保持部と、
前記保持部に配置され、前記保持部に保持された基板の第１面に向けて、前記第１面に対して斜めの方向である第１方向に気体を吹き出すための第１吹出口を含む吹出部と、
を備えることを特徴とする搬送装置。
【請求項２】
前記第１面に対する前記第１方向の角度をθ１、前記第１面に垂直で前記第１方向を含む面内で前記第１方向に垂直な方向における前記第１吹出口の厚さをＴ１、前記基板の直径をＤとするとき、
Ｔ１≧Ｄ・sinθ１
の条件式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の搬送装置。
【請求項３】
前記保持部は、回動可能であって、
前記第１吹出口は、前記保持部の回動に伴い回動し、前記第１面に向けて前記気体を吹き出すように配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の搬送装置。
【請求項４】
前記吹出部は、前記第１面の反対側の第２面に向けて、前記第２面に対して斜めの方向である第２方向に気体を吹き出す第２吹出口と、を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の搬送装置。
【請求項５】
前記第２面に対する前記第２方向の角度をθ２、前記第２面に垂直で前記第２方向を含む面内で前記第２方向に垂直な方向における前記第２吹出口の厚さをＴ２、前記基板の直径をＤとするとき、
Ｔ２≧Ｄ・sinθ２
の条件式を満たすことを特徴とする請求項４に記載の搬送装置。
【請求項６】
前記第１吹出口は、少なくとも前記保持部に保持された基板の外周のうち、前記第１吹出口と最も離れた位置の外周に対して前記気体を吹き出すことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の搬送装置。
【請求項７】
前記基板の大きさに応じて、前記第１方向の角度を変更するための駆動部を備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の搬送装置。
【請求項８】
前記基板の大きさに対応する前記第１方向の角度を記憶する記憶部を有し、前記基板の大きさに応じて、前記記憶部に記憶された角度となるように前記駆動部を制御することを特徴とする請求項７に記載の搬送装置。
【請求項９】
前記吹出部は、前記第１吹出口から吹き出される気体の吹出量を制御する制御部を備えることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の搬送装置。
【請求項１０】
前記吹出部は、前記第１吹出口から吹き出される気体の温度を調節する調節部を備えることを特徴とする請求項９に記載の搬送装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記基板を搬送する際の搬送経路に基づき、前記吹出量または前記温度を制御することを特徴とする請求項１０に記載の搬送装置。
【請求項１２】
前記第１方向は、前記第１吹出口の中心から前記保持部に保持された前記基板の中心に向かう方向であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の搬送装置。
【請求項１３】
前記第１吹出口は、前記気体の流れを整える整流部材を介して、前記気体を吹き出す、ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の搬送装置。
【請求項１４】
保持部に保持された基板を搬送する搬送方法であって、
前記基板を搬送する搬送工程と、
前記搬送工程において、保持部に保持された基板の第１面に向けて、前記第１面に対して斜めの方向である第１方向に気体を吹き出す吹出工程と、を有することを特徴とする搬送方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の搬送装置によって、搬送された基板に対し、パターンを形成する処理部を有する、ことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１６】
パターンを基板に形成するリソグラフィシステムであって、
前記基板に対して処理を行う第１処理装置および第２処理装置と、
前記基板を前記第１処理装置から前記第２処理装置へ搬送する請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の搬送装置と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項１７】
請求項１５に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを前記基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
処理された前記基板から物品を製造する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搬送装置、搬送方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステム、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント装置は、半導体デバイスやＭＥＭＳなどの物品の製造工程に含まれるリソグラフィ工程において、基板上に供給された未硬化の樹脂を型（モールド）で形成し、樹脂のパターンを基板上に形成する。例えば、光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のインプリント領域であるショットに未硬化の樹脂（インプリント材、光硬化樹脂、紫外線硬化樹脂）を供給（塗布）する。次に、樹脂を型により成形する。そして、光（紫外線）を照射して樹脂を硬化させたうえで引き離すことにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。このような、インプリント装置において、生産性向上の為、複数のインプリント装置と、前記複数のインプリント装置間を移動して基板を供給する基板搬送部を含むクラスタ型リソグラフィシステムがある。
【０００３】
近年の半導体デバイスでは集積回路の高集積化によるパターンの微細化に伴い、このようなクラスタ型リソグラフィシステムにおいても、パーティクルやケミカルコンタミネーションについてより一層の厳密な管理が要求されている。特許文献１では基板の表面に対して略平行に気体を流すことで搬送中の基板にパーティクルが付着するのを防ぐ技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２１６７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、基板の表面に対して略平行に気体を流しているため、基板に沿った層流を形成すること難しく、基板の被処理面上で乱流が生じ、周囲の雰囲気を巻き込むことがある。この際に、乱流に巻き込まれたパーティクル等が基板の被処理面上に付着し、その後のインプリント処理において、基板上の形成されるパターンの精度の低下を招来し、生産性を低下させる恐れがある。
【０００６】
そこで、本発明は、例えば、生産性向上の点で有利な搬送装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の１つの側面としての搬送装置は、基板を保持して搬送する保持部と、保持部に配置され、保持部に保持された基板の第１面に向けて、第１面に対して斜めの方向である第１方向に気体を吹き出すための第１吹出口を含む吹出部と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、生産性向上の点で有利な搬送装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係るクラスタ型処理装置を含む処理システムの構成を示す概略平面図である。
【図２】１つの処理部の構成を示す概略図である。
【図３】第１実施形態に係る保持部の構成を示す概略図である。
【図４】基板の表面に対して平行に気体を吹き出す場合の気流の状態を説明する図である。
【図５】第１実施形態に係る基板の表面に吹き出される気流の状態を説明する図である。
【図６】第２実施形態に係る保持部の構成を示す概略図である。
【図７】第３実施形態に係る保持部の構成を示す概略図である。
【図８】第３実施形態に係るメイン処理の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の実施形態では、処理装置として、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置を用いて説明するが、それに限られるものではない。例えば、基板を露光してマスクのパターンを基板に転写する露光装置や、荷電粒子線を基板に照射して当該基板にパターンを形成する描画装置などのリソグラフィ装置においても本発明を適用することができる。
【００１１】
インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。つまり、インプリント装置は、半導体デバイスなどの製造に使用され、凹凸のパターンが形成された型を用いて、基板上に供給されたインプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置は、パターンが形成された型を基板上のインプリント材に接触させた状態で当該インプリント材を硬化する。そして、インプリント装置は、型と基板との間隔を拡げて、硬化したインプリント材から型を剥離（離型）することによって、インプリント材にパターンを形成することができる。
【００１２】
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
【００１３】
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合成化合物と光重合開始材とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合成化合物または溶剤を含有してもよい。非重合成化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマ成分などの群から選択される少なくとも一種である。
【００１４】
インプリント材は、スピンコータやスリットコータにより基板上に膜状に付与される。あるいは、液体噴射ヘッドにより、液滴状、あるいは複数の液滴が繋がってできた島状または膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００１５】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係るリソグラフィ装置について説明する。本実施形態に係るリソグラフィ装置として、処理部を複数有する、所謂クラスタ型の処理装置を用いて説明するが、１つの処理部のみを有するインプリント装置、露光装置、描画装置などのリソグラフィ装置においても本発明を適用することができる。なお、図１は、第１実施形態に係るクラスタ型処理装置２００（リソグラフィ装置）を含む処理システム１００（リソグラフィシステム）の構成を示す概略平面図である。なお、以下では、インプリント材が供給される基板の表面に沿う平面内で互いに直交する方向をＸ軸およびＹ軸とし、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な方向（例えば、インプリント材に対して照射する紫外線の光軸に平行な方向）をＺ軸とする。
【００１６】
処理システム１００は、クラスタ型処理装置２００と、前処理装置３００と、制御部４００を含む。クラスタ型処理装置２００は、複数（本実施形態では一例として６つ）の処理部２１０（２１０Ａ〜２１０Ｆ）と、搬送部２２０と、を含む。
【００１７】
複数の処理部２１０の各々は、型２を用いて基板上にインプリント材２１５のパターンを形成するインプリント処理を行う。処理部２１０の詳細な構成については後述する。
【００１８】
搬送部２２０は、前処理装置３００によって前処理が行われた基板１を複数の処理部２１０の各々に搬送する。搬送部２２０は、例えば、基板１を保持する保持部１０と、保持部１０が移動する搬送路３０と、を含みうる。
【００１９】
前処理装置３００は、インプリント処理が行われる基板１に対して前処理を行う。前処理装置３００で行われる前処理は、例えば、基板１とその上に供給されるインプリント材２１５との密着性を向上させるための密着層を基板上に形成する処理を含みうる。
【００２０】
制御部４００は、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、処理システム１００の各部を制御する。
【００２１】
次に、処理部２１０の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、１つの処理部２１０の構成を示す概略図である。処理部２１０は、例えば、硬化部２０２、型２を保持するインプリントヘッド２０６、基板を保持する基板ステージ２１３、供給部２１４、アライメント計測部２１６、を含む。処理部２１０は、型２を用いて基板上にインプリント材２１５のパターンを形成するインプリント処理を行う。
【００２２】
硬化部２０２は、例えば、光源２０４と、光源２０４から照射された紫外線２０３をインプリントに適切な光に調整するための複数の光学系２０５と、を含む。
【００２３】
型２は、例えば、外周部が矩形で、基板１に対する対向面に、基板１上に供給されたインプリント材に形成する凹凸のパターンが３次元形状に形成されたパターン領域を備える型である。なお、型２の材質には石英などの紫外線を透過させる素材が用いられる。
【００２４】
インプリントヘッド２０６は、例えば、型チャック２０７、型ステージ２０８、型形状補正機構２０９を含む。型チャック２０７は、真空吸着力や静電吸着力などの機械的保持手段（不図示）によって型２を保持する。また、型チャック２０７は、機械的保持手段（不図示）によって、型ステージ２０８に保持される。型ステージ２０８は、型２と基板１とを接触させる際に型２と基板１との間隔を位置決めするための駆動系を備え、型２をＺ軸方向に移動させる。なお、型ステージ２０８の駆動系は、Ｚ軸方向だけではなく、例えばＸ軸方向、Ｙ軸方向およびθ方向（Ｘ軸周り、Ｙ軸周り、Ｚ軸周りの回転方向）に型２を移動させる機能を備えていてもよい。型形状補正機構２０９は、型２の形状を補正するための機構であり、型の外周部を取り囲むように複数箇所に設置されている。
【００２５】
基板ステージ２１３は、基板１を保持し、型２と基板１とを接触させる際に、型２と基板１との並進シフトの補正（位置合せ）をする。基板ステージ２１３は、基板チャック２１２を備える。基板チャック２１２は、基板１を基板吸着パッド（基板吸着部）によって保持する。なお、吸着方式は、真空吸着、静電吸着、その他の吸着方式を利用しても良い。基板ステージ２１３は、型２と基板１との並進シフトの補正（位置合せ）をするためのＸ軸方向およびＹ軸方向に駆動する駆動系を備える。また、Ｘ軸方向とＹ軸方向の駆動系は、粗動駆動系と微動駆動系など複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向の位置調整のための駆動系や、基板１のθ（Ｚ軸周りの回転）方向位置調整機能、基板１の傾きを補正するためのチルト機能を有していても良い。基板ステージ２１３は、複数の保持部の一つである。
【００２６】
基板１は、ガラス、セラミックス、金属、半導体または樹脂等で構成される部材でありうる。必要に応じて、該部材の表面に該部材とは別の材料からなる層が形成されていてもよい。基板１は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、または、石英ガラスプレートなどである。基板１には複数のショット領域が形成されており、インプリント処理をショット領域毎に繰り返すことで、基板１のショット領域上にパターンを形成することができる。処理部２１０は、基板ステージ２１３を保持するためのベース定盤２１９、インプリントヘッド２０６を保持するためのブリッジ定盤２１７、ブリッジ定盤２１７を支えるための支柱２２１をさらに備えうる。
【００２７】
供給部２１４（ディスペンサ）は、基板１上にインプリント材を供給する。供給部２１４は、例えば、吐出ノズル（不図示）を有しており、吐出ノズルから基板１上にインプリント材２１５を供給する。なお、本実施形態において、インプリント材２１５は紫外線によって硬化する性質を持つ樹脂を一例として用いる。また、供給されるインプリント材の量は、必要となるインプリント材の厚さや形成するパターン密度などによって決められても良い。
【００２８】
アライメント計測部２１６は、型２および基板１に形成されたアライメントマークを検出して、基板上に形成されたパターンと型のパターン領域とのＸ軸方向およびＹ軸方向への位置ずれや、形状差を計測するための計測部である。
【００２９】
処理部２１０は、搬送部２２０によって搬送された基板１に対し、インプリント処理を行う。搬送部２２０は、基板１を搬送し、処理部２１０内部と外部との基板１の受け渡しを行う。搬送部２２０は、例えば、前処理装置３００で前処理が行われた基板１を保持部１０に保持させ、保持部１０を搬送路３０に沿って移動させることで、当該基板１を搬送（搬入）すべき処理部２１０の前へ移動させる。そして、搬送部２２０は、基板１を保持した保持部１０を処理部２１０の内部に挿入し、基板ステージ２１３上に基板１を受け渡す。
【００３０】
ここで、保持部１０の構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、第１実施形態に係る保持部１０の構成を示す概略図である。図３（Ａ）は、保持部１０を＋Ｚ方向から見た場合の平面図であり、図３（Ｂ）は、保持部１０を−Ｙ方向から見た場合の側面図である。保持部１０は、例えば、ハンド１１、および、吹出部１３を備える。
【００３１】
ハンド１１は、基板１を保持する。基板１は、被処理面（第１面）を＋Ｚ方向に向けて略水平にハンド１１に載置される。ハンド１１は、例えば、真空吸着、電圧を印加したクーロン力固定等、その他手段により、基板１を保持する。ハンド１１は、例えば、第１支持部１６の先端に固定される。第１支持部１６は、例えば、第２支持部１７と、回動軸１８を介して接続される。これにより、第１支持部１６の先端に固定されたハンド１１は、第２支持部１７に対して回動可能となる。
【００３２】
吹出部１３は、例えば、吹出口１２、気体供給源１４、および、制御弁２０を備える。吹出口１２は、気体供給源１４から供給される清浄な気体を、保持部１０に保持された基板１の外周側から、保持部１０に保持された基板１の表面に向けて吹き出す。なお、本明細書において、基板１の表面という場合、基板１の被処理面と、被処理面の反対側の面（第２面）を含むものとする。吹出口１２は、気体供給源１４から供給される気体が基板１の全面に供給されるように、基板１に対して気体を放射状に吹き出すことが可能な形状となっている。このようにすることにより、吹出口１２を小型化かつ軽量化することが可能となる。なお、吹出口１２の形状は、基板１の全面に気体を吹き出すことが可能であればよく、この形状に限られない。例えば、吹出口１２は、Ｙ軸方向において、基板１の直径と同等の幅を有し、吹出口１２から基板１に向かって平行に（Ｘ方向に沿って）気体を吹き出しても構わない。
【００３３】
吹出口１２は、例えば、回動軸１８よりもハンド１１に近い位置である第１支持部１６に配置される。このように、吹出口１２を配置することで、吹出口１２が、ハンド１１が第２支持部１７に対して回動するのに伴い、吹出口１２も回動することとなる。このため、ハンド１１が第２支持部１７に対して回動した場合であっても、吹出口１２から吹き出される気体の吹出方向と、基板１との関係は変わらないこととなる。吹出口１２は、ハンド１１が搬送路３０に対して回動可能である場合に、ハンド１１の回動に伴い回動し、吹出口１２から吹き出される気体の吹出方向と、基板１との関係が不変となる位置に配置されることが望ましい。
【００３４】
気体供給源１４は、吹出口１２に清浄な気体を供給する。気体供給源１４によって供給される気体の量は、制御部４００によって、制御されても良い。これにより、吹出口１２から吹き出される気体の吹出量が制御される。制御部４００は、例えば、基板の搬送経路や搬送速度に基づいて吹出量を制御しても良い。例えば、処理部と処理部との間を搬送している際には、吹出量を多くし、処理部内では、これよりも少なくしても良い。ここで、吹出量とは、吹出口１２から吹き出される気体の単位時間当たりの量である。
【００３５】
気体供給源１４から供給される清浄な気体は制御弁２０によって、吹き出しおよび停止の制御がされる。
【００３６】
本実施形態では、図３（Ｂ）に示すように、一例として、第１吹出口１２Ｕと第２吹出口１２Ｌの２つの吹出口が配置される。第１吹出口１２Ｕは、基板１の被処理面よりも上方側（＋Ｚ方向側）に配置され、基板１の被処理面に向けて、被処理面に対して斜めの方向である第１方向に気体を吹き出す。
【００３７】
第１吹出口１２Ｕは、第１方向へ気体を吹き出し、第１方向に沿う気流１５Ｕを形成する。第１吹出口１２Ｕから吹き出される気流１５Ｕは、例えば、整流化された気流である。ここで気流の整流化は、不図示の整流部材を介して気体を吹き出すことによって実現されても良い。整流部材としては、例えば、細管の集合体、網体、フィルタ等を用いても良い。
【００３８】
第２吹出口１２Ｌは、基板１の被処理面の反対側の面よりも下方側（−Ｚ方向側）に配置され、基板１の第２面に向けて、第２面に対して斜めの方向である第２方向に気体を吹き出す。第２吹出口１２Ｌも第１吹出口１２Ｕと同様に、第２方向へ気体を吹き出し、第２方向に沿う気流１５Ｌを形成する。第２吹出口１２Ｌから吹き出される気流１５Ｌは、例えば、整流化された気流である。
【００３９】
ここで、基板１の表面に対して平行に気体を吹き出す場合の気流の状態について説明する。図４は、基板１の表面に対して平行に気体を吹き出す場合の気流の状態を説明する図である。図４（Ａ）は、基板１の被処理面上を流れる気流の状態を＋Ｚ方向から見た場合の平面図である。図４（Ｂ）は、基板１の表面を流れる気流の状態を−Ｙ方向から見た場合の側面図である。基板１の被処理面に対して、平行で気体を吹き出す場合、図４に示す通り、基板１の被処理面および被処理面の反対側の面に沿った気流はある位置から乱流となり、拡散しながら周囲の雰囲気を巻き込む。これにより、搬送空間内に存在するパーティクル等を巻き込み、基板１の搬送中に基板１の被処理面および被処理面表面上にパーティクル等の付着を発生させる可能性がある。
【００４０】
図５は、第１実施形態に係る基板１の表面に吹き出される気流の状態を説明する図である。図５（Ａ）は、第１実施形態に係る基板１の被処理面上を流れる気流の状態を＋Ｚ方向から見た場合の平面図である。図５（Ｂ）は、第１実施形態に係る基板１の表面を流れる気流の状態を−Ｙ方向から見た場合の側面図である。
【００４１】
まず、第１吹出口１２Ｕの吹き出し方向（第１方向）について説明する。第１吹出口１２Ｕは、整流化された気流１５Ｕを、基板１の被処理面に対して、吹き出し角度θ１で吹き出すことにより、より多くの空気を基板１の被処理面に沿って流すことができる。このため、気流が拡散して減衰し難く、周囲のパーティクル等が基板１に付着することを低減することが可能となる。
【００４２】
図３に戻り、第１吹出口１２Ｕの吹き出し方向としては、図３（Ｂ）に示すように、まず、第１吹出口１２Ｕの吹き出し方向の角度をθ１とする。次に、基板１の被処理面に垂直で第１吹出口１２Ｕの吹き出し方向を含む面内で第１吹出口１２Ｕの吹き出し方向に垂直な方向における第１吹出口１２Ｕの厚さをＴ１とし、基板１の直径をＤとする。このとき、Ｔ１≧Ｄ・sinθ１の条件式を満たすことが望ましい。この場合、第１吹出口１２Ｕは、保持部１０に保持された基板１の被処理面の全面に整流された気体を吹き出すことが可能となるため、被処理面上にパーティクル等が付着することを低減することが可能となる。
【００４３】
また、第１吹出口１２Ｕは、少なくとも保持部１０に保持された基板１の外周のうち、第１吹出口１２Ｕと最も離れた位置の外周に対して気体を吹き出すことが望ましい。第１吹出口１２Ｕと最も離れた位置の外周に対して吹き出される気流１５１Ｕは、基板１の被処理面上で乱流が発生した場合であっても、この乱流が周囲の雰囲気を巻き込むことを低減する。このため、被処理面にパーティクル等が付着するのを低減することが可能となる。
【００４４】
さらに、第１吹出口１２Ｕの吹き出し方向は、第１吹出口１２Ｕの中心を通り第１方向に沿った直線１５２Ｕが基板１の中心Ｃに向かう方向であることが望ましい。さらに望ましくは、直線１５２Ｕと、基板１の中心Ｃとが交わることが望ましい。このようにすることで、基板１の大きさが変更された場合であっても、対応することが可能となる。
【００４５】
次に、第２吹出口１２Ｌの吹き出し方向（第２方向）について説明する。第２吹出口１２Ｌの吹き出し方向についても第１吹出口１２Ｕと同様に設定することが可能である。まず、第２吹出口１２Ｌの吹き出し方向の角度をθ２とする。次に、基板１の被処理面と反対側の面に垂直で第２吹出口１２Ｌの吹き出し方向を含む面内で第２吹出口１２Ｌの吹き出し方向に垂直な方向における第２吹出口１２Ｌの厚さをＴ２とし、基板１の直径をＤとする。このとき、Ｔ２≧Ｄ・sinθ２の条件式を満たすことが望ましい。この場合、第２吹出口１２Ｌは、保持部１０に保持された基板１の被処理面と反対側の面の全面に整流された気体を吹き出すことが可能となるため、被処理面と反対側の面上にパーティクル等が付着することを低減することが可能となる。
【００４６】
また、第２吹出口１２Ｌは、少なくとも保持部１０に保持された基板１の外周のうち、第２吹出口１２Ｌと最も離れた位置の外周に対して気体を吹き出すことが望ましい。第２吹出口１２Ｌと最も離れた位置の外周に対して吹き出される気流１５１Ｌは、基板１の被処理面と反対側の面上で乱流が発生した場合であっても、この乱流が周囲の雰囲気を巻き込むことを低減する。このため、被処理面と反対側の面にパーティクル等が付着するのを低減することが可能となる。
【００４７】
さらに、第２吹出口１２Ｌの吹き出し方向は、第２吹出口１２Ｌの中心を通り第２方向に沿った直線１５２Ｌが基板１の中心Ｃに向かう方向であることが望ましい。さらに望ましくは、直線１５２Ｌと、基板１の中心Ｃとが交わることが望ましい。このようにすることで、基板１の大きさが変更された場合であっても、対応することが可能となる。
【００４８】
なお、本実施形態では、吹出口１２として、第１吹出口１２Ｕと第２吹出口１２Ｌの２つの吹出口が配置される例を説明したが、この例に限られるものではなく、いずれか一方のみを備えていても良いし、それ以上の個数を備えていても構わない。なお、吹出口１２から吹き出される気体は、基板１の側面１９に対して吹き出されない方が望ましい。このようにすることにより、気体が基板１の側面１９に対して吹き出されることにより発生する乱流を抑制することができる。
【００４９】
また、本実施形態において、搬送部２２０は、処理システム１００の制御部４００によって制御されるものとして説明したが、搬送部２２０が独自の制御部を備えていても良い。
【００５０】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図６は、第２実施形態に係る保持部６０の構成を示す概略図である。図６（Ａ）は、第２実施形態に係る保持部６０を＋Ｚ方向から見た場合の平面図であり、図６（Ｂ）は、第２実施形態に係る保持部６０を−Ｙ方向から見た場合の側面図である。保持部６０は、温度調節部２５を備える。
【００５１】
温度調節部２５は、気体供給源１４から提供される気体の温度を所望の温度に調整する。温度調節部２５によって調整される気体の温度は、例えば、制御部４００によって、制御されても良い。これにより、吹出口１２から吹き出される気体の温度が制御される。制御部４００は、例えば、基板の搬送経路や搬送速度に基づいて気体の温度を制御しても良い。制御部４００は、例えば、前処理装置３００における前処理により、基板１が高温となっている場合には、気体の温度を基板１が所望の温度となっている場合に吹き出す気体の温度よりも低い温度に制御しても良い。
【００５２】
本実施形態によれば、基板の搬送中に、基板を所望の温度とすることができるため、生生産性を向上させることが可能となる。
【００５３】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図７は、第３実施形態に係る保持部７０の構成を示す概略図である。図７（Ａ）は、第２実施形態に係る保持部７０を＋Ｚ方向から見た場合の平面図であり、図７（Ｂ）は、第２実施形態に係る保持部７０を−Ｙ方向から見た場合の側面図である。保持部７０は、第１駆動部７１Ｕおよび第２駆動部７１Ｌを備える。
【００５４】
第１駆動部７１Ｕは、基板１の大きさに応じて第１吹出口１２Ｕを駆動し、第１吹出口１２Ｕの吹き出し方向を変更する。第２駆動部７１Ｌは、基板１の大きさに応じて第２吹出口１２Ｌを駆動し、第２吹出口１２Ｌの吹き出し方向を変更する。
【００５５】
図８は、第３実施形態に係るメイン処理の一例を示すフローチャートである。各フローは、主に制御部４００による各部の制御により実行される。まず、Ｓ８０１において、保持部１０は、基板１を保持する。次に、Ｓ８０２において、例えば、処理システム１００に含まれる計測部（不図示）により、基板１の大きさ、例えば、基板１直径を計測する。なお、ここであらかじめ計測した基板１の大きさを用いても良い。
【００５６】
Ｓ８０３において、制御部４００は、基板１の大きさに応じて、吹出口１２の角度を設定する。制御部４００は、例えば、第１実施形態に記載した条件式を満たす吹き出し角度θ１および吹き出し角度θ２を算出し、算出された角度を吹き出し角度として設定する。また、例えば、制御部４００が、基板１の大きさに対応する吹き出し角度を記憶する記憶部を有し、記憶部に記憶された情報を用いて、吹き出し角度を設定しても良い。さらに、記憶部に記憶された吹き出し角度をあらかじめユーザが選択し、選択された角度を吹き出し角度として設定することが望ましい。
【００５７】
Ｓ８０４において、保持部１０は、基板１を前処理装置３００へ搬送する。前処理装置３００において、基板１に対する前処理が完了したら、Ｓ８０５において、保持部１０は、複数の処理部２１０のうち、保持部１０が保持する基板１の処理を行う処理部（対象処理部）へ基板１を搬送する。その後、Ｓ８０６において、対象処理部において、基板１にインプリント処理を行う。基板１に対しインプリント処理が完了したら（Ｓ８０７、ＹＥＳ）、Ｓ８０８において保持部１０は、再び基板１を保持し、基板１の搬出（搬送）を行う。なお、対象処理部においてインプリント処理が完了した後に、他の処理部へ搬送し、さらにインプリント処理を行っても良い。
【００５８】
本実施形態では、吹出口の吹き出し方向を基板の大きさ応じて変更できるため、様々な大きさの基板１に、より柔軟に対応することが可能となる。
【００５９】
（物品製造方法に係る実施形態）
本実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス、表示デバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。例えば、物品として、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記のリソグラフィ装置（露光装置やインプリント装置、描画装置など）を用いて基板に原版のパターンを転写する工程と、かかる工程でパターンが転写された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。基板は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。
【００６０】
（その他の実施形態）
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００６１】
１  基板
２  型
１０，６０，７０  保持部
１１  ハンド
１２  吹出口
１２Ｌ  第２吹出口
１２Ｕ  第１吹出口
１３  吹出部
１４  気体供給源
２０  制御弁
２５  温度調節部
７１Ｌ  第２駆動部
７１Ｕ  第１駆動部
１００  処理システム
２００  クラスタ型処理装置
２２０  搬送部
３００  前処理装置
４００  制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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