(57)【要約】【課題】配線基板の品質の向上。【解決手段】実施形態の配線基板１は、コア層１０の各面にそれぞれ形成されている第１及び第２の内側導体層２１、２２と、最表層にそれぞれ形成されている第１及び第２の外側導体層４１、４２と、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間、及び、第２内側導体層２２と第２外側導体層４２との間にそれぞれ形成されている第１及び第２の中間導体層３１、３２と、を備えている。第１及び第２の内側導体層２１、２２、第１及び第２の外側導体層４１、４２は、金属箔層を少なくとも含む第１積層構造を有し、第１及び第２の中間導体層３１、３２は、第１積層構造の金属箔層よりも薄い金属箔層を少なくとも含む第２積層構造を有し、コア層１０には、第１内側導体層２１又は第２内側導体層２２のいずれか一方から他方へ向かって縮径するビア導体１０ａが形成され、他方の導体層は一方の導体層よりも厚く形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア層と、
前記第１面上に形成されている第１内側導体層と、
前記第２面上に形成されている第２内側導体層と、
前記第１面側の最表層に形成されている第１外側導体層と、
前記第２面側の最表層に形成されている第２外側導体層と、
前記第１内側導体層と前記第１外側導体層との間に形成されている第１中間導体層と、
前記第２内側導体層と前記第２外側導体層との間に形成されている第２中間導体層と、
前記第１内側導体層と前記第１中間導体層との間、前記第２内側導体層と前記第２中間導体層との間、前記第１中間導体層と前記第１外側導体層との間、及び、前記第２中間導体層と前記第２外側導体層との間それぞれに介在する層間絶縁層と、
を備える配線基板であって、
前記第１内側導体層、前記第２内側導体層、前記第１外側導体層及び前記第２外側導体層は、それぞれ、所定の厚さを有する金属箔層と、めっき膜層とを少なくとも含む第１積層構造を有し、
前記第１中間導体層及び前記第２中間導体層は、前記所定の厚さよりも薄い厚さを有する金属箔層と、めっき膜層とを少なくとも含む第２積層構造を有し、
前記コア層には、前記第１内側導体層又は前記第２内側導体層のいずれか一方の導体層から他方の導体層へ向かって縮径し、前記第１内側導体層と前記第２内側導体層とを接続するビア導体が形成され、
前記他方の導体層は前記一方の導体層よりも厚く形成されている。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、前記他方の導体層の前記めっき膜層が前記一方の導体層の前記めっき膜層よりも厚く形成されている。
【請求項３】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１内側導体層と前記第１中間導体層との間、前記第１中間導体層と前記第１外側導体層との間、前記第２内側導体層と前記第２中間導体層との間、及び、前記第２中間導体層と前記第２外側導体層との間のいずれかに形成されている導体層である１以上の内層導体層をさらに含んでおり、全ての前記１以上の内層導体層は、前記第１積層構造及び前記第２積層構造のいずれかを有している。
【請求項４】
請求項３記載の配線基板であって、全ての前記１以上の内層導体層は前記第１積層構造を有している。
【請求項５】
請求項３記載の配線基板であって、全ての前記１以上の内層導体層は前記第２積層構造を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、両面銅張積層板からなるコア基板を有する多層プリント配線板が開示されている。両面銅張積層板の絶縁層を貫通する電解銅めっきにより形成されたバイアホールによって、表層の導体回路が接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００８／０５３８３３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の多層プリント配線板では、両面銅張積層板のバイアホールは、両面銅張積層板の一方側からのレーザー加工によって他方側に向って縮径するテーパーを成す円錐台形状に形成され、両面銅張積層板の一方側と他方側ではバイアホールの径が異なる。従って、両面銅張積層板のバイアホール内の一方側と他方側における導体材料の含有量が異なることとなり、これに起因するコア基板の反りが生じる虞があるものと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア層と、前記第１面上に形成されている第１内側導体層と、前記第２面上に形成されている第２内側導体層と、前記第１面側の最表層に形成されている第１外側導体層と、前記第２面側の最表層に形成されている第２外側導体層と、前記第１内側導体層と前記第１外側導体層との間に形成されている第１中間導体層と、前記第２内側導体層と前記第２外側導体層との間に形成されている第２中間導体層と、前記第１内側導体層と前記第１中間導体層との間、前記第２内側導体層と前記第２中間導体層との間、前記第１中間導体層と前記第１外側導体層との間、及び、前記第２中間導体層と前記第２外側導体層との間それぞれに介在する層間絶縁層と、を備える配線基板であって、前記第１内側導体層、前記第２内側導体層、前記第１外側導体層及び前記第２外側導体層は、それぞれ、所定の厚さを有する金属箔層と、めっき膜層とを少なくとも含む第１積層構造を有し、前記第１中間導体層及び前記第２中間導体層は、前記所定の厚さよりも薄い厚さを有する金属箔層と、めっき膜層とを少なくとも含む第２積層構造を有し、前記コア層には、前記第１内側導体層又は前記第２内側導体層のいずれか一方の導体層から他方の導体層へ向かって縮径し、前記第１内側導体層と前記第２内側導体層とを接続するビア導体が形成され、前記他方の導体層は前記一方の導体層よりも厚く形成されている。
【０００６】
本発明の実施形態によれば、多層基板における反りの発生を抑制でき、配線基板の品質の向上に寄与し得ると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【図２Ａ】図１に示される導体層の第１積層構造の拡大図。
【図２Ｂ】図１に示される導体層の第２積層構造の拡大図。
【図３Ａ】一実施形態における第２積層構造を有する導体パターンの一例を示す断面図。
【図３Ｂ】一実施形態における第１積層構造を有する導体パターンの一例を示す断面図。
【図４】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。
【図５】本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。
【図６Ａ】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図６Ｂ】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図６Ｃ】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
つぎに、本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図１に示されるように、配線基板１は、第１面１０Ｆ及び第１面１０Ｆと反対側の第２面１０Ｓを有するコア層１０と、コア層１０の第１面１０Ｆ上に形成されている第１内側導体層２１と、コア層１０の第２面１０Ｓ上に形成されている第２内側導体層２２と、を備えている。コア層１０は、絶縁性の材料を用いて形成されており、コア層１０と、第１及び第２の内側導体層２１、２２とによってコア基板１０Ｐが構成されている。コア基板１０Ｐにおける第１面１０Ｆが面する側及び第２面１０Ｓが面する側それぞれには、複数の導体層及び層間絶縁層が形成されている。すなわち、配線基板１は、さらに、コア層１０の第１面１０Ｆ側の最表層に形成されている第１外側導体層４１と、コア層１０の第２面１０Ｓ側の最表層に形成されている第２外側導体層４２と、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に形成されている第１中間導体層３１と、第２内側導体層２２と第２外側導体層４２との間に形成されている第２中間導体層３２と、を備えている。さらに、配線基板１は、第１内側導体層２１と第１中間導体層３１との間、第２内側導体層２２と第２中間導体層３２との間、第１中間導体層３１と第１外側導体層４１との間、及び、第２中間導体層３２と第２外側導体層４２との間それぞれに介在する層間絶縁層６を備えている。
【０００９】
図１に例示される実施形態の配線基板１は、コア層１０の第１面１０Ｆ側及び第２面１０Ｓ側それぞれに、さらに、３つの導体層を備えている。すなわち、図１の例の配線基板１は、第１内側導体層２１と第１中間導体層３１との間に内層導体層５０ａを備え、第１中間導体層３１と第１外側導体層４１との間に２つの内層導体層５０ｂ、５０ｃを備えている。さらに、配線基板１は、第２内側導体層２２と第２中間導体層３２との間に内層導体層５０ｄを備え、第２中間導体層３２と第２外側導体層４２との間に２つの内層導体層５０ｅ、５０ｆを備えている。内層導体層５０ａ〜５０ｆそれぞれと、それら各内層導体層それぞれに隣接する導体層との間には層間絶縁層６が設けられている。内層導体層５０ａ〜５０ｃ、第１中間導体層３１、第１外側導体層４１、及び、コア層１０の第１面１０Ｆ側に形成されている層間絶縁層６によって、第１面１０Ｆ側のビルドアップ層が形成されている。同様に、内層導体層５０ｄ〜５０ｆ、第２中間導体層３２、第２外側導体層４２、及び、コア層１０の第２面１０Ｓ側に形成されている層間絶縁層６によって、第２面１０Ｓ側のビルドアップ層が形成されている。
【００１０】
図１に例示される配線基板１は全部で１２層の導体層を備えているが、本実施形態の配線基板の導体層の数は１２に限定されない。配線基板１は、コア層１０の第１面１０Ｆ側及び第２面１０Ｓ側それぞれに、３層以上の任意の数の導体層を備え得る。例えば、配線基板１は、第１内側導体層２１と第１中間導体層３１との間、及び／又は、第１中間導体層３１と第１外側導体層４１との間に、内層導体層５０ａ〜５０ｆのような内層導体層を１以上の任意の層数で備え得る。内層導体層５０ａ〜５０ｆは、以下の説明において内層導体層５０ａ〜５０ｆそれぞれの区別が不要の場合は、「内層導体層５０」とも表記される。
【００１１】
なお「内層導体層」は、配線基板１に備えられる導体層のうち、第１内側導体層２１と第１中間導体層３１との間、第１中間導体層３１と第１外側導体層４１との間、第２内側導体層２２と第２中間導体層３２との間、及び第２中間導体層３２と第２外側導体層４２との間のいずれかに形成されている導体層である。
【００１２】
ここで、第１中間導体層３１は、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に形成されている導体層であって、後述される第２積層構造を有する導体層である。従って、本実施形態では、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に介在していて第２積層構造を有する任意の１の導体層が第１中間導体層３１として特定され得る。そして、その特定された第１中間導体層３１の他に、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に形成されている導体層が「内層導体層」と称される。
【００１３】
同様に、第２内側導体層２２と第２外側導体層４２との間に介在していて第２積層構造を有する任意の１の導体層が第２中間導体層３２として特定され得る。そして、その特定された第２中間導体層３２の他に、第２内側導体層２２と第２外側導体層４２との間に形成されている導体層は「内層導体層」と称される。
【００１４】
従って、第１中間導体層３１及び第２中間導体層３２の「中間」は、第１又は第２の内側導体層２１、２２と、第１又は第２の外側導体層４１、４２との間隔における中央を必ずしも意味しない。すなわち、第１中間導体層３１は、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に設けられていればよく、配線基板１の厚さ方向において、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間の真ん中の位置に必ずしも設けられていなくてもよい。また、第１中間導体層３１は、必ずしも、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に例えば複数設けられている導体層のうちの真ん中の層でなくてもよい。第２中間導体層３２も同様である。従って、例えば図１に例示される積層構造において、内層導体層５０ｃの位置に第１中間導体層３１が設けられていてもよく、内層導体層５０ｄの位置に第２中間導体層３２が設けられていてもよい。
【００１５】
なお、配線基板１の説明では、配線基板１の厚さ方向においてコア層１０から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、コア層１０に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層、各導体層に含まれる導体パターン、及び各層間絶縁層において、コア層１０と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア層１０側を向く表面は「下面」とも称される。また、配線基板１の厚さ方向は、単に「Ｚ方向」とも称される。
【００１６】
図１の配線基板１は、さらに、コア層１０に設けられているビア導体１０ａ、及び、各層間絶縁層６に設けられているビア導体７を備えている。ビア導体１０ａは、コア層１０を貫通し第１内側導体層２１と第２内側導体層２２とを接続している。ビア導体７は、各ビア導体７を包含する層間絶縁層６それぞれを貫通すると共に、その層間絶縁層６を介して隣接する導体層同士（例えば第１外側導体層４１と内層導体層５０ｃ）を接続している。
【００１７】
第１外側導体層４１及び第２外側導体層４２は、電子部品（図示せず）がその上に実装されるべき接続パッド４ａを含んでいる。図１の配線基板１は、さらに、第１外側導体層４１上に形成されているソルダーレジスト層８１、及び、第２外側導体層４２上に形成されているソルダーレジスト層８２を含んでいる。ソルダーレジスト層８１、８２は、それぞれ、接続パッド４ａを露出させる開口を有している。ソルダーレジスト層８１、８２は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。
【００１８】
コア層１０及び層間絶縁層６は、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。これらの樹脂を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び／又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図１の例においてコア層１０は、補強材１０ｂを含んでいる。図示されていないが、複数の層間絶縁層６のいずれか又は全部が、補強材を含んでいてもよい。
【００１９】
ビア導体７は、各層間絶縁層６を貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成されている所謂フィルドビアである。ビア導体７は、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。例えば第１外側導体層４１の直ぐ下側に形成されているビア導体７は、第１外側導体層４１と共に、且つ、一体的に形成される。ビア導体７は、例えば、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成される。ビア導体１０ａも、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。ビア導体１０ａは、第１内側導体層２１と共に、且つ、一体的に形成されている。
【００２０】
各ビア導体７は、Ｚ方向においてコア層１０に向って縮径するテーパー形状を有している。また、図１の例では、ビア導体１０ａは、コア層１０の第１面１０Ｆ側から第２面１０Ｓ側に向って縮径しており、断面積が最小となる底部をコア層１０の第２面１０Ｓに有している。なお、便宜上「縮径」と言う用語が用いられているが、ビア導体７及びビア導体１０ａにおけるＺ方向と垂直な断面の形状は、円形又は楕円形に限定されない。
【００２１】
図１の例では、図１の左端部に示されているように、配線基板１はスタックビア導体７１を含んでいる。スタックビア導体７１は、各層間絶縁層６において平面視で互いに重なる位置にそれぞれ形成されるビア導体７の積層体によって構成されている。２つのスタックビア導体７１とビア導体１０ａとによって、第１外側導体層４１及び第２外側導体層４２が、略最短経路で互いに電気的に接続されると共に、他の導体層と接続されている。
【００２２】
第１及び第２の内側導体層２１、２２、第１及び第２の中間導体層３１、３２、第１及び第２の外側導体層４１、４２、並びに内層導体層５０ａ〜５０ｆは、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウムなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。しかし、これら各導体層は、互いに異なる構造を有し得る。図１に示される例では、第１内側導体層２１、第１外側導体層４１、第２内側導体層２２、及び第２外側導体層４２は同じ層構造を有しており、図２Ａに示されるように、金属箔層１１ａ、中間金属層１１ｂ、及びめっき膜層１１ｃの３層構造を有している。第１中間導体層３１、及び第２中間導体層３２も、図２Ｂに示されるように、金属箔層１２ａ、中間金属層１２ｂ、及びめっき膜層１２ｃの３層構造を有するが、詳しくは後述するように、第１内側導体層２１、第１外側導体層４１、第２内側導体層２２、及び第２外側導体層４２の構造とは異なる構造を有する。
【００２３】
図１の配線基板１が備えるビア導体１０ａは、コア層１０の第１面１０Ｆ側から第２面１０Ｓ側に向って縮径し、また、第１内側導体層２１と一体的に形成されている。すなわち、ビア導体１０ａは、第１及び第２内側導体層２１、２２を接続する、ビア導体７と同様の有底のビア導体である。
【００２４】
図１に示される配線基板１では、第２内側導体層２２の厚さは第１内側導体層２１の厚さよりも厚く形成されている。具体的には、第２内側導体層２２が有するめっき膜層１１ｃ２の厚さが、第１内側導体層２１が有するめっき膜層１１ｃ１の厚さよりも厚い。
【００２５】
第１内側導体層２１が第２内側導体層２２よりも薄く形成されることによって、コア層１０の第２面１０Ｓに向って一方的に縮径するビア導体１０ａの、第１面１０Ｆ側と第２面１０Ｓ側とにおける導体の体積のアンバランスが軽減され得る。すなわち、ビア導体１０ａは第１面１０Ｆから第２面１０Ｓに向かって縮径するテーパー形状を有することから、コア層１０における厚さ方向の中心部から第１面１０Ｆ側の部分と第２面１０Ｓ側の部分とで導体の含有量（体積）に差が生じ、第１面１０Ｆ側の部分における導体の含有量が第２面１０Ｓ側の部分における導体の含有量よりも多くなる。これにより、温度が上昇した際には第１面１０Ｆ側と第２面１０Ｓ側での熱膨張量に差が生じることになり、コア基板１０Ｐを第１面１０Ｆ側に凸となるように湾曲させる力が生じ得る。これに対して、第２内側導体層２２が第１内側導体層２１よりも厚く形成されていることによって、コア基板１０Ｐを第２面１０Ｓ側に向って凸となるように湾曲させる力が生じ得る。従って、ビア導体１０ａ内の導体含有量のアンバランスさによって生じる力がキャンセルされ、コア基板１０Ｐの反りが抑制され得る。なお、コア層１０の絶縁層の熱膨張率によっては、コア基板１０Ｐを第２面１０Ｓ側に向って凸となるように湾曲させる力が生じ得るが、この場合には、第２内側導体層２２が比較的厚く形成されていることにより、反りが抑制され得る。
【００２６】
図１に示される例では、ビア導体１０ａは第１面１０Ｆ側から第２面１０Ｓ側へ向けて縮径しており、第２面１０Ｓにビア導体１０ａの底部が位置するが、ビア導体１０ａは第２面１０Ｓから第１面１０Ｆへ向けて縮径する形状を有してもよく、この場合、ビア導体１０ａの底部は第１面１０Ｆに位置し、ビア導体１０ａは第２内側導体層２２のめっき膜層１１ｃ２と一体的に形成され、めっき膜層１１ｃ２が第１内側導体層２１のめっき膜層１１ｃ１よりも薄く形成される。
【００２７】
次に、図２Ａ及び図２Ｂを参照して、各導体層の積層構造が説明される。図２Ａには、第１内側導体層２１、第２内側導体層２２、第１外側導体層４１、及び第２外側導体層４２が有する第１積層構造１１の一例が示されている。図２Ａに示されるように、第１積層構造１１は、所定の厚さＴ１を有する金属箔層１１ａと、めっき膜層１１ｃとを少なくとも含んでいる。図２Ａの第１積層構造１１は、さらに、中間金属層１１ｂを、金属箔層１１ａとめっき膜層１１ｃとの間に含んでいる。第１積層構造１１を有する各導体層は、例えば、サブトラクティブ法によってパターニングされる。
【００２８】
金属箔層１１ａは、例えば、銅又はニッケルなどを主材とする金属箔によって構成される。めっき膜層１１ｃは、例えば電解めっきによって形成されるめっき膜であり、その材料としては、銅又はニッケルなどが例示される。中間金属層１１ｂは、めっき膜層１１ｃが電解めっきによって形成される際に、電極としても機能し得るシード層として用いられる。中間金属層１１ｂの材料としては、銅又はニッケルなどが例示される。中間金属層１１ｂは、例えば無電解めっき又はスパッタリングなどによって形成される。なお、第１積層構造１１を有する各導体層では、金属箔層１１ａが下側（コア層１０側）に向けられている。
【００２９】
図２Ｂには、第１中間導体層３１及び第２中間導体層３２が有する第２積層構造１２の一例が示されている。図２Ｂに示されるように、第２積層構造１２は、前述した第１積層構造１１の金属箔層１１ａが有する所定の厚さＴ１よりも薄い厚さＴ２を有する金属箔層１２ａとめっき膜層１２ｃとを少なくとも含んでいる。図２Ｂの第２積層構造１２は、さらに、中間金属層１２ｂを、金属箔層１２ａとめっき膜層１２ｃとの間に含んでいる。図２Ａの金属箔層１１ａよりも薄い金属箔層１２ａを含む第２積層構造１２を有する導体層には、第１積層構造１１を有する導体層よりもファインピッチで導体パターンが形成され得る。第２積層構造１２を有する導体パターンは、例えば、金属箔を用いるセミアディティブ法（所謂、ＭＳＡＰ法：Modified Semi Additive Process）によって形成され得る。
【００３０】
金属箔層１２ａは、第１積層構造１１の金属箔層１１ａと同様に、銅又はニッケルなどを主材とする金属箔によって構成される。中間金属層１２ｂは、第１積層構造１１の中間金属層１１ｂと同様に、例えば銅又はニッケルなどを用いて無電解めっき又はスパッタリングによって形成され、めっき膜層１２ｃの形成におけるシード層として機能し得る。そして、めっき膜層１２ｃは、例えば銅又はニッケルなどを用いて、好ましくは電解めっきによって形成される。第２積層構造１２を有する各導体層では、金属箔層１２ａが下側（コア層１０側）に向けられている。
【００３１】
第１積層構造１１の金属箔層１１ａの厚さＴ１としては、５μｍ以上、３０μｍ以下程度の厚さが例示されるが、厚さＴ１は、この例示に限定されない。第２積層構造１２の金属箔層１２ａの厚さＴ２としては、０．５μｍ以上、５μｍ以下程度の厚さが例示されるが、厚さＴ２は、この例示に限定されない。
【００３２】
第１及び第２の内側導体層２１、２２、第１及び第２の中間導体層３１、３２、並びに第１及び第２の外側導体層４１、４２それぞれの厚さとしては、これに限定される訳ではないが、１０μｍ以上、４０μｍ以下程度が例示される。第１及び第２の外側導体層４１、４２などに含まれる金属箔層１１ａの厚さＴ１は、中間導体層３１、３２に含まれる金属箔層１２ａの厚さＴ２よりも厚い。従って、各導体層に所望される厚さの確保という観点では、第１積層構造１１に含まれるめっき膜層１１ｃの厚さは、第２積層構造１２に含まれるめっき膜層１２ｃの厚さよりも薄くてもよい。
【００３３】
図１の例に含まれる内層導体層５０ａ〜５０ｆそれぞれは、図２Ａに例示される第１積層構造１１及び図２Ｂに例示される第２積層構造１２のいずれを有していてもよい。図１の例では、内層導体層５０ａ、５０ｂ、５０ｄ、５０ｅは第２積層構造１２を有し、内層導体層５０ｃ及び内層導体層５０ｆは第１積層構造１１を有している。
【００３４】
図３Ａ、図３Ｂを参照して、第１積層構造１１を有する導体層（例えば第１外側導体層４１）又は第２積層構造１２を有する導体層（例えば第１中間導体層３１）に形成される導体パターンの断面形状の幾つかの例が説明される。なお、これらの導体パターンは、以下の説明において、単に「第１積層構造を有する導体パターン」又は「第２積層構造を有する導体パターン」とも称される。
【００３５】
図３Ａには、第２積層構造１２を有する導体パターン３１ａをＺ方向（配線基板１の厚さ方向）に沿った切断線で切断して得られる断面の一例が示されている。導体パターン３１ａは、図３Ａに示されるように、上面（コア層と反対側を向く面）３１１と側面３１２とが交差するコーナー部、すなわち上面３１１の縁部付近に、傾斜部３１３を含んでいる。
【００３６】
傾斜部３１３では、上面３１１が側面３１２に向かうほど金属箔層１２ａ側に、すなわち配線基板１のコア層１０側に向かうように傾斜している。図３Ａに示される例では、導体パターン３１ａは、傾斜部３１３において丸み付けされており、その結果、コーナーアールを有している。導体パターン３１ａのコーナー部が尖っていないので、Ｚ方向及びＺ方向と直交する方向において隣接するいずれかの導体パターンとの間における短絡不良が生じ難いと考えられる。なお、導体パターン３１ａは、図３Ａに示される断面において、図３Ａの例のようなＲ面取りされたような傾斜部３１３ではなく、Ｃ面取りされたような傾斜部３１３を有していてもよい。
【００３７】
図３Ｂには、第１積層構造１１を有する導体パターン４１ａをＺ方向に沿った切断線で切断して得られる断面の一例が示されている。図３Ｂの例において、導体パターン４１ａの両側の側面４１４それぞれは、導体パターン４１ａの内側に向って湾曲している。すなわち、導体パターン４１ａは、各側面４１４として凹面を有している。
【００３８】
図３Ｂの導体パターン４１ａにおいては、側面４１４が平坦な面である場合と比べて、層間絶縁層６との接触面積が大きい。従って、層間絶縁層６と導体パターン４１ａとの密着強度が高く、よって界面剥離が生じ難いと考えられる。
【００３９】
また、実施形態の配線基板では、図１の例の配線基板１と異なり、全ての内層導体層が互いに同じ構造を有していてもよい。すなわち、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間に形成されている、第１中間導体層３１を除く全ての導体層、及び、第２内側導体層２２と第２外側導体層４２との間に形成されている、第２中間導体層３２を除く全ての導体層が、互いに同じ構造を有していてもよい。図４及び図５には、そのような内層導体層５０ａ〜５０ｆを含む、一実施形態の配線基板の他の例（配線基板１ａ、１ｂ）が示されている。
【００４０】
図４に示される配線基板１ａでは、図１の配線基板１において第２積層構造を有している内層導体層５０ａ、５０ｂ、５０ｄ、５０ｅを含む全ての内層導体層５０ａ〜５０ｆが、第１及び第２の外側導体層４１、４２と同じ第１積層構造を有している。
【００４１】
図５に示される配線基板１ｂでは、図１の配線基板１において第１積層構造を有している内層導体層５０ｃ、５０ｆを含む全ての内層導体層５０ａ〜５０ｆが、第１及び第２の中間導体層３１、３２と同じ第２積層構造を有している。従って、図５の配線基板１ｂでは、第１内側導体層２１と第１外側導体層４１との間、及び、第２内側導体層２２と第２外側導体層４２との間に形成されている全ての導体層は第２積層構造を有している。図４及び図５にそれぞれ示される配線基板１ａ、１ｂにおける内層導体層５０ａ〜５０ｆ以外の構成は、図１の配線基板１と同様であるため、図１の配線基板１と同様の構成要素には、図１と同じ符号が付され、再度の説明は省略される。
【００４２】
図１に示される配線基板１の製造方法の一例が図６Ａ〜図６Ｃを参照して説明される。
【００４３】
図６Ａに示されるように、コア基板１０Ｐが形成される。例えば、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂及び補強材１０ｂによって構成されるコア層１０、並びにコア層１０の両面に設けられた金属箔を有する積層板（例えば両面銅張積層板）が用意される。そして、例えばサブトラクティブ法によって、第１内側導体層２１、第２内側導体層２２、及び、ビア導体１０ａが形成されると共に、第１及び第２の内側導体層２１、２２が、所望の導体パターンを有するようにパターニングされる。レーザー加工により、第１内側導体層２１と第２内側導体層２２とを接続するための孔１０ｃがコア層１０に設けられる際には、レーザー加工が施される部位の金属箔（第１内側導体層２１の金属箔１１ａ）表面を黒化処理することによってレーザー光の反射を少なくする処理が施される。黒化処理によってレーザー加工エネルギーが低減されるため、反対側の金属箔（第２内側導体層２２の金属箔１１ａ）の損傷を抑制しながら孔１０ｃが形成される。コア層１０の一方の面、例えば第１面１０Ｆ側だけからレーザー光が照射されると、図１及び図６Ａに示されるように、第１面１０Ｆから第２面１０Ｓに向かって縮径するテーパー形状のビア導体１０ａが形成される。
【００４４】
第１及び第２の内側導体層２１、２２は、第１積層構造１１を有するように形成される。すなわち、コア層１０の両面に設けられている金属箔それぞれが金属箔層１１ａを構成し、ビア導体１０ａの形成のために無電解めっきなどによって形成されるシード層が中間金属層１１ｂを構成する。そして、シード層上に形成される電解めっき膜がめっき膜層１１ｃを構成する。この電解めっき膜層１１ｃは、ビア導体１０ａの径が大きい側（図６Ａに示される例におけるコア層１０の第１面１０Ｆ側）で、ビア導体１０ａの径が小さい反対側（図６Ａに示される例におけるコア層１０の第２面１０Ｓ側）のめっき膜層１１ｃよりも薄くなるように形成される。第１内側導体層２１及び第２内側導体層２２の電解めっき膜層１１ｃの厚さの差異の程度は、電解めっき条件（硫酸銅濃度、促進剤濃度、抑制剤濃度、めっき時間、及び／又は温度など）によって調整され得る。また、第１内側導体層２１及び第２内側導体層２２の電解めっき膜層１１ｃが同じ厚さで形成され、第１内側導体層２１側のめっき膜層１１ｃの表面を研磨することで、第２内側導体層２２のめっき膜層１１ｃよりも薄くなるように調整してもよい。サブトラクティブ法で第１及び第２の内側導体層２１、２２が形成される場合、めっき膜層１１ｃの表面は、第１及び第２の内側導体層２１、２２のパターニング時にはエッチングマスクに覆われる。
【００４５】
図６Ｂに示されるように、コア層１０の両面上に、層間絶縁層６と各導体層とが交互に形成されると共に、各層間絶縁層６にビア導体７が形成される。図６Ｂは、内層導体層５０ｂ及び内層導体層５０ｅの形成までが終了した状態の一例を示している。内層導体層５０ａ、５０ｂ、５０ｄ、５０ｅの形成方法としては、金属箔を用いるセミアディティブ法が例示される。
【００４６】
第１及び第２の中間導体層３１、３２は、第２積層構造を有するように形成される。図１の例の配線基板１の製造では、内層導体層５０ａ、５０ｄも、第２積層構造を有するように形成される。第２積層構造を有する各導体層の形成方法としては、金属箔を用いるセミアディティブ法が例示される。すなわち、既に形成されている内層導体層５０ａ、５０ｄそれぞれの上に、例えばシート状のプリプレグ、及び第２積層構造の金属箔層となるべき金属箔が順に積層されて熱圧着され、層間絶縁層６が形成される。この金属箔には、第１積層構造を有する第１及び第２の内側導体層２１、２２の形成に用いられる金属箔よりも薄い金属箔が用いられる。
【００４７】
炭酸ガスレーザー光の照射などによって、ビア導体７を形成するための孔７ｂが、金属箔及び層間絶縁層６を貫通するように形成される。この孔７ｂの内壁及び金属箔上に、電解めっき又はスパッタリングなどによって、第２積層構造の中間金属層となるシード層が形成される。そしてシード層上に、適切な位置に開口を有するめっきレジスト（図示せず）が設けられ、シード層を電極として用いる電解めっきによってめっきレジストの開口内及び孔７ｂ内に第１及び第２の中間導体層３１、３２それぞれの導体パターン及びビア導体７が形成される。電解めっきによって形成されるめっき膜が、第２積層構造のめっき膜層１２ｃを構成する。図示されないめっきレジストが除去され、さらに、金属箔及びシード層の不要部分がエッチングなどで除去される。第２積層構造のめっき膜層１２ｃの表面は、シード層などの不要部分の除去の際にエッチング液に晒してエッチングすることができる。すなわち、めっき膜層１２ｃの表面の面粗度を低くすることができる。
【００４８】
図６Ｃに示されるように、さらに、コア層１０の第１面１０Ｆ側に、内層導体層５０ｃ及び第１外側導体層４１並びに層間絶縁層６が形成され、第２面１０Ｓ側に、内層導体層５０ｆ及び第２外側導体層４２並びに層間絶縁層６が形成される。層間絶縁層６は、図７Ｂを参照して前述したように、例えばシート状のプリプレグなどを熱圧着することによって形成される。内層導体層５０ｃ、５０ｆの形成方法は特に限定されないが、図６Ｃの例では、金属箔を用いるサブトラクティブ法で形成されている。
【００４９】
第１及び第２の外側導体層４１、４２は、第１積層構造１１を有するように形成される。その形成方法としては、金属箔を用いるサブトラクティブ法が例示される。すなわち、既に形成されている内層導体層５０ｃ、５０ｆそれぞれの上に、層間絶縁層６となる樹脂シート（プリプレグ）などと共に、第１積層構造１１の金属箔層１１ａとなるべき金属箔が積層される。この金属箔には、第２積層構造を有する第１及び第２の中間導体層３１、３２の形成に用いられる金属箔よりも厚い金属箔が用いられる。
【００５０】
金属箔層１１ａ及び金属箔層１１ａの下の層間絶縁層６には、ビア導体７を形成するための孔７ｂが、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって形成される。続いて、孔７ｂ内及び金属箔層１１ａの表面全面に、第１積層構造１１の中間金属層１１ｂとなるシード層が無電解めっきなどによって形成される。さらに、シード層を電極として用いる電解めっきによって、第１積層構造１１のめっき膜層１１ｃとなるめっき膜がシード層上の全面に形成される。その結果、第１積層構造１１を有する第１及び第２の外側導体層４１、４２が形成されると共に、孔７ｂ内にビア導体７が形成される。その後、サブトラクティブ法によって第１及び第２の外側導体層４１、４２がパターニングされる。
【００５１】
その後、第１外側導体層４１上にソルダーレジスト層８１が形成され、第２外側導体層４２上にソルダーレジスト層８２が形成される。ソルダーレジスト層８１、８２は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切なパターンを有するマスクを用いた露光、及び現像とによって形成される。以上の工程を経ることによって、図１の例の配線基板１が完成する。なお、ソルダーレジスト層８１、８２の開口に露出する接続パッド４ａには、必要に応じて、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、ハンダ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。
【００５２】
なお、セミアディティブ法を用いて第２積層構造を有する導体層を形成する場合、その導体層に形成される導体パターンの上面と側面とのコーナー部を面取りすることができる。例えば、前述したシード層などの不要部分の除去時に、既に形成されている導体パターンをエッチング液に晒すことができる。従って、その導体パターンのコーナー部を、エッチング条件に応じた量だけ除去することができる。その結果、先に参照した図３Ａに例示される形状を有する導体パターンを形成し得ることがある。
【００５３】
なお、第１積層構造１１を有する導体層は、金属箔層とめっき膜層とを含んでさえいればよく、その形成方法は、サブトラクティブ法に限定されない。また、第２積層構造１２を有する導体層は、第１積層構造１１に含まれる金属箔層よりも薄い金属箔層とめっき膜層とを含んでさえいればよく、その形成方法は、セミアディティブ法に限定されない。
【００５４】
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、スタックビア導体７１は必ずしも設けられていなくてもよい。また、ビア導体７は、コア層１０側に向って縮径する形状を有していなくてもよい。また、ソルダーレジスト層８１、８２は必ずしも設けられなくてもよい。
【符号の説明】
【００５５】
１、１ａ、１ｂ    配線基板
１０      コア層
１０Ｆ    第１面
１０Ｓ    第２面
１０Ｐ    コア基板
１０ａ    ビア導体
１０ｂ    補強材
１０ｃ    孔
１１      第１積層構造
１１ａ    金属箔層
１１ｃ    めっき膜層
１２      第２積層構造
１２ａ    金属箔層
１２ｃ    めっき膜層
２１      第１内側導体層
２２      第２内側導体層
３１      第１中間導体層
３２      第２中間導体層
４１      第１外側導体層
４２      第２外側導体層
５０ａ〜５０ｆ  内層導体層
６        層間絶縁層
７        ビア導体
Ｔ１      第１積層構造の金属箔層の厚さ
Ｔ２      第２積層構造の金属箔層の厚さ
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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