(57)【要約】      （修正有）【課題】周囲温度の変化に起因する計測誤差の発生が抑制されたひずみゲージを提供する。【解決手段】ひずみゲージ２０は基材２１と、基材上に形成された回路パターンとを備える。基材は、起歪部材の荷重を受けてひずみが生じる起歪領域に取り付けられる受感領域２１ｓと、起歪領域の外側に配置される不感領域２１ｎ１，２１ｎ２を有する。回路パターンは、第１ブリッジ回路ＢＣ１を構成する第１方向ひずみ受感素子Ｘ１，Ｘ２と、第２ブリッジ回路ＢＣ２を構成する第２方向ひずみ受感素子Ｙ１，Ｙ２と、第１ブリッジ回路を構成する第１方向固定抵抗素子ＲＸ１，ＲＸ２及び第２ブリッジ回路を構成する第２方向固定抵抗素子ＲＹ１，ＲＹ２の少なくとも一方を含む。ひずみ受感素子及び固定抵抗素子は同一材料で形成されている。ひずみ受感素子は受感領域に、固定抵抗素子は不感領域に形成されている。【選択図】図１
2020073880.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷重を受けてひずむ起歪部材に取り付けられて、前記起歪部材の第１方向に作用する荷重の第１ホイートストンブリッジ回路による検出、及び前記起歪部材の第１方向に直交する第２方向に作用する荷重の第２ホイートストンブリッジ回路による検出に用いられるひずみゲージであって、
基材と、
前記基材上に形成された回路パターンとを備え、
前記基材は、前記起歪部材の荷重を受けてひずみが生じる起歪領域に取り付けられる受感領域と、前記起歪領域の外側に配置される不感領域とを有し、
前記回路パターンは、第１ホイートストンブリッジ回路を構成する２つの第１方向ひずみ受感素子と、第２ホイートストンブリッジ回路を構成する２つの第２方向ひずみ受感素子と、第１ホイートストンブリッジ回路を構成する第１方向固定抵抗素子及び第２ホイートストンブリッジ回路を構成する第２方向固定抵抗素子の少なくとも一方を含み、
前記２つの第１方向ひずみ受感素子、前記２つの第２方向ひずみ受感素子、並びに前記第１方向固定抵抗素子及び第２方向固定抵抗素子の少なくとも一方は同一材料で形成されており、
前記２つの第１方向ひずみ受感素子及び前記２つの第２方向ひずみ受感素子は前記受感領域に形成されており、前記第１方向固定抵抗素子及び第２方向固定抵抗素子の少なくとも一方は前記不感領域に形成されているひずみゲージ。
【請求項２】
前記回路パターンは、第１ホイートストンブリッジ回路を構成する２つの第１方向固定抵抗素子と第２ホイートストンブリッジ回路を構成する２つの第２方向固定抵抗素子とを含み、
前記２つの第１方向ひずみ受感素子、前記２つの第２方向ひずみ受感素子、前記２つの第１方向固定抵抗素子、及び前記２つの第２方向固定抵抗素子は同一材料で形成されており、
前記２つの第１方向固定抵抗素子、及び前記２つの第２方向固定抵抗素子は前記不感領域に形成されている請求項１に記載のひずみゲージ。
【請求項３】
前記回路パターンは少なくとも１つの端子を更に含み、
前記少なくとも１つの端子が、前記不感領域に形成されている請求項１又は２に記載のひずみゲージ。
【請求項４】
前記不感領域において、前記少なくとも１つの端子が、前記第１方向固定抵抗素子及び第２方向固定抵抗素子の少なくとも一方の前記受感領域とは反対側に設けられている請求項３に記載のひずみゲージ。
【請求項５】
前記不感領域は、前記受感領域の両側に一対設けられている請求項１〜４のいずれか一項に記載のひずみゲージ。
【請求項６】
前記回路パターンは２つの第３方向ひずみ受感素子又は２つの第３方向固定抵抗素子を更に含み、
前記２つの第３方向ひずみ受感素子又は２つの第３方向固定抵抗素子は、第１ホイートストンブリッジ回路と第２ホイートストンブリッジ回路とを接続して第３ホイートストンブリッジ回路を構成する請求項１〜５のいずれか一項に記載のひずみゲージ。
【請求項７】
起歪板と、
前記起歪板に接続された荷重作用部と、
前記起歪板に取り付けられた請求項１〜６のいずれか一項に記載のひずみゲージとを備える多軸力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ひずみゲージ及び該ひずみゲージを備える多軸力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
ひずみゲージを備える多軸力センサは、ロボット、ゲーム機器、各種計測機器、その他の機器において広く活用されている。特許文献１、２には、ひずみゲージを含む多軸力センサの一例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開第２０１０−１６４４９５号公報
【特許文献２】特許第５００８１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ひずみゲージを備える多軸力センサにおいては、周囲温度の変化に起因する計測誤差の存在が認識されており、その抑制が望まれている。
【０００５】
そこで本発明は、周囲温度の変化に起因する計測誤差の発生が抑制されたひずみゲージ、及びこれを備える多軸力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、
荷重を受けてひずむ起歪部材に取り付けられて、前記起歪部材の第１方向に作用する荷重の第１ホイートストンブリッジ回路による検出、及び前記起歪部材の第１方向に直交する第２方向に作用する荷重の第２ホイートストンブリッジ回路による検出に用いられるひずみゲージであって、
基材と、
前記基材上に形成された回路パターンとを備え、
前記基材は、前記起歪部材の荷重を受けてひずみが生じる起歪領域に取り付けられる受感領域と、前記起歪領域の外側に配置される不感領域とを有し、
前記回路パターンは、第１ホイートストンブリッジ回路を構成する２つの第１方向ひずみ受感素子と、第２ホイートストンブリッジ回路を構成する２つの第２方向ひずみ受感素子と、第１ホイートストンブリッジ回路を構成する第１方向固定抵抗素子及び第２ホイートストンブリッジ回路を構成する第２方向固定抵抗素子の少なくとも一方を含み、
前記２つの第１方向ひずみ受感素子、前記２つの第２方向ひずみ受感素子、並びに前記第１方向固定抵抗素子及び第２方向固定抵抗素子の少なくとも一方は同一材料で形成されており、
前記２つの第１方向ひずみ受感素子及び前記２つの第２方向ひずみ受感素子は前記受感領域に形成されており、前記第１方向固定抵抗素子及び第２方向固定抵抗素子の少なくとも一方は前記不感領域に形成されているひずみゲージが提供される。
【０００７】
第１の態様のひずみゲージにおいて、前記回路パターンは、第１ホイートストンブリッジ回路を構成する２つの第１方向固定抵抗素子と第２ホイートストンブリッジ回路を構成する２つの第２方向固定抵抗素子とを含んでもよく、前記２つの第１方向ひずみ受感素子、前記２つの第２方向ひずみ受感素子、前記２つの第１方向固定抵抗素子、及び前記２つの第２方向固定抵抗素子は同一材料で形成されていてもよく、前記２つの第１方向固定抵抗素子、及び前記２つの第２方向固定抵抗素子は前記不感領域に形成されていてもよい。
【０００８】
第１の態様のひずみゲージにおいて、前記回路パターンは少なくとも１つの端子を更に含んでもよく、前記少なくとも１つの端子が、前記不感領域に形成されていてもよい。
【０００９】
第１の態様のひずみゲージは、前記不感領域において、前記少なくとも１つの端子が、前記第１方向固定抵抗素子及び第２方向固定抵抗素子の少なくとも一方の前記受感領域とは反対側に設けられていてもよい。
【００１０】
第１の態様のひずみゲージにおいて、前記不感領域は、前記受感領域の両側に一対設けられていてもよい。
【００１１】
第１の態様のひずみゲージにおいて、前記回路パターンは２つの第３方向ひずみ受感素子又は２つの第３方向固定抵抗素子を更に含んでもよく、前記２つの第３方向ひずみ受感素子又は２つの第３方向固定抵抗素子は、第１ホイートストンブリッジ回路と第２ホイートストンブリッジ回路とを接続して第３ホイートストンブリッジ回路を構成してもよい。
【００１２】
本発明の第２の態様に従えば、
起歪板と、
前記起歪板に接続された荷重作用部と、
前記起歪板に取り付けられた第１の態様のひずみゲージとを備える多軸力センサが提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のひずみゲージ及び当該ひずみゲージを備える多軸力センサにおいては、周囲温度の変化に起因する計測誤差の発生が抑制されている。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係るひずみゲージの配線パターンを示す。
【図２】図２は、図１のひずみゲージの配線パターンに対応する回路図である。
【図３】図３（ａ）、図３（ｂ）は、本発明の実施形態に係る３軸力センサにおける計測の様子を示す説明図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態に係るひずみゲージの配線パターンの変形例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜実施形態＞
本発明のひずみゲージ及び多軸力センサの実施形態について、ひずみゲージ２０と、これを適用する３軸力センサ１００を例として、図１〜図４を参照して説明する。
【００１６】
図１に、ひずみゲージ２０が３軸力センサ１００の起歪体１１（図３（ａ）、図３（ｂ）参照）に取り付けられる前の状態を示す。ひずみゲージ２０は、図１に示す通り、矩形の基材２１と、基材２１の表面上にプリントされた回路パターンＣＰを含む。基材２１は、受感領域２１ｓ及びこれを挟む不感領域２１ｎ１、２１ｎ２を有し、回路パターンＣＰは、６つのひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１、Ｚ２と、４つの固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＹ１、ＲＹ２と、８つの端子Ｔ１〜Ｔ８と、これらを接続する配線Ｗとを含む。なお、以下の説明では、ひずみゲージ２０及びこれを含む３軸力センサ１００において、不感領域２１ｎ１、２１ｎ２が受感領域２１ｓを挟む方向をｙ方向（第２方向）とし、基材２１の表面上においてｙ方向に直交する方向をｘ方向（第１方向）とする。また、ｘ方向及びｙ方向に直交する軸の方向をｚ方向（第３方向）とする。
【００１７】
ここで、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す３軸力センサ１００において、起歪板１１は、３軸力センサ１００に荷重作用部１２を介して加えられる外部からの荷重を受けてひずむ円板状である。起歪板１１におけるひずみは、起歪板１１の表面及び裏面（ｚ方向に直交する上下面）において生じ、起歪板１１の側面（ｚ方向と平行な周面）においては生じないか無視できるほど小さい。本明細書においては、本実施形態における起歪板１１の表面及び裏面のように、起歪板１１のうち外部荷重を受けてひずむ領域を「起歪領域」と呼ぶこととする。起歪板１１の径及び厚さは任意である。
【００１８】
荷重作用部１２は、起歪板１１の表面の中央から、起歪板１１の回転軸Ａの方向（ｚ方向）に直立する。荷重作用部１２は、外部からの荷重を受けて移動し、起歪板１１にひずみを生じさせる部分であり、例えば断面形状が正方形の角柱である。荷重作用部１２は、角柱の中心軸が起歪板１１の回転軸Ａと一致するよう、即ち起歪板１１と同軸状に、起歪板１１の表面に設けられている。起歪板１１及び荷重作用部１２は、例えば合成樹脂素材により一体成形されている。
【００１９】
図１に戻って、基材２１は、可撓性を有する例えば樹脂フィルムであり、中央の円形状の受感領域２１ｓと、受感領域２１ｓを挟む一対の不感領域２１ｎ１、２１ｎ２とを有する。樹脂フィルムとしては、ポリエステル、ポリイミド等を使用することができる。また、受感領域２１ｓ、不感領域２１ｎ１、２１ｎ２をそれぞれ異なる材料より形成することも可能であるが、これらを同一の材料により形成して全領域の温度特性（抵抗温度係数等）を等しくすることが望ましい。また、この場合は、一体に形成された材料（例えばポリエステル、ポリイミド等のシート）内の近傍の部位より受感領域２１ｓ、不感領域２１ｎ１、２１ｎ２を一体に切り出して基材２１を形成することがより望ましい。これにより各領域の温度特性をより均一にすることができる。
【００２０】
受感領域２１ｓは、起歪板１１の裏面に貼り付けられる領域であるため、起歪板１１の裏面と同等かそれより小さい径を有する。受感領域２１ｓの一面上には、中心ｃをｘ方向に挟んでひずみ受感素子（第１方向ひずみ受感素子）Ｘ１、Ｘ２が、ｙ方向に挟んでひずみ受感素子（第２方向ひずみ受感素子）Ｙ１、Ｙ２が形成されており、外周に沿ってひずみ受感素子（第３方向ひずみ受感素子）Ｚ１、Ｚ２が形成されている。
【００２１】
ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２は、それぞれｙ方向をグリッドの幅方向として、互いに平行に形成されている。ひずみ受感素子Ｘ１とひずみ受感素子Ｘ２とは、それぞれ中心ｃから等距離の位置に形成されており、ひずみ受感素子Ｘ１とひずみ受感素子Ｘ２との間のｘ方向の距離は、荷重作用部１２のｘ方向の幅よりも大きい。
【００２２】
ひずみ受感素子Ｙ１、Ｙ２は、それぞれｘ方向をグリッドの幅方向として、互いに平行に形成されている。ひずみ受感素子Ｙ１とひずみ受感素子Ｙ２とは、それぞれ中心ｃから等距離の位置に形成されており、ひずみ受感素子Ｙ１とひずみ受感素子Ｙ２との間のｙ方向の距離は、荷重作用部１２のｙ方向の幅よりも大きい。
【００２３】
ひずみ受感素子Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ円弧状であり、受感領域２１ｓの周方向をグリッドの幅方向として、ｘ方向に対向して形成されている。ひずみ受感素子Ｚ１、Ｚ２は、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２の中心ｃとは反対側（外側）に配置されている。
【００２４】
一対の不感領域２１ｎ１、２１ｎ２は、ｙ方向に受感領域２１ｓを挟む形状である。
【００２５】
不感領域２１ｎ１の表面上における受感領域２１ｓから遠い部分には、それぞれｘ方向に延びる固定抵抗素子（第１方向固定抵抗素子）ＲＸ１、ＲＸ２が、ｘ方向に並んで形成されており、受感領域２１ｓに近い部分には、ｘ方向に並ぶ４つの端子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４が形成されている。すなわち、不感領域２１ｎ１においては、固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２が端子Ｔ１〜Ｔ４の、受感領域２１ｓとは反対側に配置されている。
【００２６】
同様に、不感領域２１ｎ２の表面上における受感領域２１ｓから遠い部分には、それぞれｘ方向に延びる固定抵抗素子（第２方向固定抵抗素子）ＲＹ１、ＲＹ２が、ｘ方向に並んで形成されており、受感領域２１ｓに近い部分には、ｘ方向に並ぶ４つの端子Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７、Ｔ８が形成されている。すなわち、不感領域２１ｎ２においては、固定抵抗素子ＲＹ１、ＲＹ２が端子Ｔ５〜Ｔ８の、受感領域２１ｓとは反対側に配置されている。
【００２７】
図１及び図２に示す通り、配線Ｗは、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２を接続して第１ブリッジ回路（第１ホイートストンブリッジ回路）ＢＣ１を構成している。また、ひずみ受感素子Ｘ１と固定抵抗素子ＲＸ１との間に端子Ｔ１が、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２の間に端子Ｔ２が、固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２の間に端子Ｔ３が、ひずみ受感素子Ｘ２と固定抵抗素子ＲＸ２との間に端子Ｔ４が接続されている。
【００２８】
同様に、配線Ｗは、ひずみ受感素子Ｙ１、Ｙ２、固定抵抗素子ＲＹ１、ＲＹ２を接続して第２ブリッジ回路（第２ホイートストンブリッジ回路）ＢＣ２を構成している。ひずみ受感素子Ｙ１と固定抵抗素子ＲＹ１の間に端子Ｔ８が、ひずみ受感素子Ｙ１、Ｙ２の間に端子Ｔ６が、固定抵抗素子ＲＹ１、ＲＹ２の間に端子Ｔ７が、ひずみ受感素子Ｙ２と固定抵抗素子ＲＹ２の間に端子Ｔ５が接続されている。
【００２９】
ひずみ受感素子Ｚ１の一端はひずみ受感素子Ｘ１と固定抵抗素子ＲＸ１との間において第１ブリッジ回路ＢＣ１に接続されており、他端はひずみ受感素子Ｙ１と固定抵抗素子ＲＹ１との間において第２ブリッジ回路ＢＣ２に接続されている。同様に、ひずみ受感素子Ｚ２の一端はひずみ受感素子Ｘ２と固定抵抗素子ＲＸ２との間において第１ブリッジ回路ＢＣ１に接続されており、他端はひずみ受感素子Ｙ２と固定抵抗素子ＲＹ２との間において第２ブリッジ回路ＢＣ２に接続されている。これにより、一対の対辺部に第１ブリッジ回路ＢＣ１と第２ブリッジ回路ＢＣ２をそれぞれ有し、他の一対の対辺部にひずみ受感素子Ｚ１、Ｚ２をそれぞれ有する第３ブリッジ回路（第３ホイートストンブリッジ回路）ＢＣ３を構成している。
【００３０】
回路パターンＣＰに含まれるひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１、Ｚ２、固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＹ１、ＲＹ２、配線Ｗは互いに同じ材料により、さらに好ましくは一つの材料内の近傍の部位により形成されている。この材料は、一例として銅、銅／ニッケルなどの銅合金等である。回路パターンＣＰの基材２１上へのプリントは、フォトエッチング、印刷、蒸着、スパッタリング等により行うことができる。
【００３１】
ひずみゲージ２０は、基材２１の、回路パターンＣＰが形成された面とは反対側の面が起歪板１１に接するように、起歪板１１に貼り付けられている。
【００３２】
具体的には、基材２１の受感領域２１ｓは、中心ｃが起歪板１１の回転軸Ａに一致するように、起歪板１１の裏面に貼り付けられている。なお、上記の通りひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２の間のｘ方向の距離は荷重作用部１２のｘ方向の寸法より大きく、ひずみ受感素子Ｙ１、Ｙ２間のｙ方向の距離は荷重作用部１２のｙ方向の寸法より大きい。したがって、基材２１の受感部２１ｓを起歪板１１に貼り付けた状態においては、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２及びひずみ受感素子Ｙ１、Ｙ２は、それぞれ、ｘ方向及びｙ方向において荷重作用部１２の外側の、ひずみが比較的大きく生じる領域に配置される。なお、図１及び図４においては、起歪板１１に基材２１を貼り付けた状態における荷重作用部１２の輪郭を点線で示し、荷重作用部１２とひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２との位置関係を示している。
【００３３】
３軸力センサ１００に貼り付けられた基材２１において、不感領域２１ｎ１に形成された端子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、不感領域２１ｎ２に形成された端子Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７、Ｔ８は、起歪板１１の径方向外側（即ち、起歪領域の外側）に露出している。
【００３４】
次に、本実施形態のひずみゲージ２０及び３軸力センサ１００の使用方法と動作について説明する。
【００３５】
３軸力センサ１００を例えばロボットハンドの触覚センサとして用いる場合には、まず、３軸力センサ１００を、ロボットハンドの指先に固定する。次いで、端子Ｔ１〜Ｔ８と信号処理部（不図示）とを、それぞれ、リード線Ｌ１〜Ｌ８（図２）を用いて接続する。端子Ｔ１〜Ｔ８とリード線Ｌ１〜Ｌ８の接合は任意の方法で行うことができ、例えばはんだや異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いて行うことができる。
【００３６】
端子Ｔ１、Ｔ５は、それぞれ、リード線Ｌ１、Ｌ５により、信号処理部の電源（不図示）に接続される。端子Ｔ２、Ｔ３、端子Ｔ６、Ｔ７、端子Ｔ４、Ｔ８は、それぞれ、リード線Ｌ２、Ｌ３、リード線Ｌ６、Ｌ７、リード線Ｌ４、Ｌ８により、信号処理部内のアンプ（不図示）を介して、信号処理部内の演算部（不図示）に接続される。
【００３７】
３軸力センサ１００の動作時には、電源により端子Ｔ１と端子Ｔ５との間に入力電圧Ｅｉをかける。第１ブリッジ回路ＢＣ１、第２ブリッジ回路ＢＣ２、第３ブリッジ回路ＢＣ３を構成する各ひずみ受感素子の抵抗値及び各固定抵抗素子の抵抗値は、基材２１の受感領域２１ｓにたわみがない状態において、端子Ｔ２、Ｔ３間で電圧が等しくなり、端子Ｔ６、Ｔ７間で電圧が等しくなり、端子Ｔ４、Ｔ８間で電圧が等しくなるように調整されている。したがって、起歪板１１にひずみが生じておらず、受感領域２１ｓにたわみがない状態（図３（ａ））においては、端子Ｔ２、Ｔ３間、端子Ｔ６、Ｔ７間、端子Ｔ４、Ｔ８間に電位差はなく、演算部はひずみを算出しない。
【００３８】
次に、荷重作用部１２にｘ方向の荷重が付加されると、荷重作用部１２が荷重を受けて移動し、起歪板１１にひずみを生じさせる（図３（ｂ））。この時、起歪板１１に貼り付けられたひずみゲージ２０の基材２１の受感領域２１ｓも、起歪板１１と一体にたわみ、ひずみ受感素子Ｘ１には圧縮ひずみが、ひずみ受感素子Ｘ２には伸びひずみが生じる。これにより、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２の抵抗値がそれぞれ変化し、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２を含む第１ブリッジ回路ＢＣ１の端子Ｔ２、Ｔ３間に電位差が生じる。演算部はこの電位差に基づいて、起歪板１１に生じたひずみの量を求め、荷重作用部１２に作用したｘ方向の荷重の大きさを求める。なおこの時、起歪領域の外側、すなわち不感領域２１ｎ１及び２１ｎ２にはひずみは生じておらず、固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２の抵抗値は一定である。荷重作用部１２にｙ方向の荷重が付加された場合も、同様にして作用したｙ方向の荷重の大きさを求める。
【００３９】
荷重作用部１２にＺ方向の荷重が付加された場合には、起歪板１１及び基材２１の受感領域２１ｓは中心が突出するように湾曲するため、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１、Ｚ２の全てにおいて延びひずみが生じる。これにより、第１ブリッジ回路ＢＣ１の合成抵抗、第２ブリッジ回路ＢＣ２の合成抵抗、ひずみ受感素子Ｚ１、Ｚ２の抵抗値がそれぞれ変化し、第３ブリッジ回路ＢＣ３の端子Ｔ４、Ｔ８間に電位差が生じる。演算部はこの電位差に基づいて、起歪板１１に生じたひずみの量を求め、荷重作用部１２に作用したＺ方向の荷重の大きさを求める。
【００４０】
ここで、第１ブリッジ回路ＢＣ１の固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、第２ブリッジ回路ＢＣ２の固定抵抗素子ＲＹ１、ＲＹ２を基材２１上にプリントし、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２と同一の材料により形成する意義について説明する。
【００４１】
（１）固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＹ１、ＲＹ２をこのように形成することにより、固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＹ１、ＲＹ２が、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１、Ｚ２と同一の材料で、且つこれらに近接した位置に形成されることになる。ここで、温度変化に対する抵抗値の変化の割合を示す抵抗温度係数は、材料に依存する物性値であるため、本実施形態では全ひずみ受感素子と全固定抵抗素子の抵抗温度係数は等しい。また、固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＹ１、ＲＹ２が基材２１上に形成されており、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１、Ｚ２の近傍に形成されているため、全ひずみ受感素子と全固定抵抗素子に影響する周囲温度の変化は実質的に同一となる。したがって、周囲温度に変化が生じた場合には、全ひずみ受感素子の抵抗値と全固定抵抗素子の抵抗値は同一の割合で変化する。
【００４２】
第１ブリッジ回路ＢＣ１、第２ブリッジ回路ＢＣ２、第３ブリッジ回路ＢＣ３においては、それぞれに含まれる抵抗素子（ひずみ受感素子及び固定抵抗素子）の間で抵抗値のバランスが変化した場合に、端子Ｔ２、Ｔ３間、端子Ｔ６、Ｔ７間、端子Ｔ４、Ｔ８間に電位差が生じ、これに基づきひずみが検出される。したがって周囲温度の変化によりひずみ受感素子の抵抗値及び固定抵抗素子の抵抗値の間のバランスが変化した場合には、このバランスの変化により計測誤差が生じ得る。しかしながら、本実施形態においては、周囲温度に変化が生じた場合には、全ひずみ受感素子の抵抗値と全固定抵抗素子の抵抗値が同一の割合で変化するため、周囲の温度が変化した場合でも各素子間の抵抗値のバランスは変化せず、計測誤差の発生が抑制される。なお、回路パターンＣＰの形成時に、一体の塊りとして準備された材料（銅、銅合金等）の近傍の部位を用いてひずみ受感素子等を形成することで、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１、Ｚ２、固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＹ１、ＲＹ２、配線Ｗの抵抗温度係数をより均一とでき、計測誤差の発生をより良好に抑制することができる。
【００４３】
（２）本実施形態のように、第１ブリッジ回路ＢＣ１の固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、第２ブリッジ回路ＢＣ２の固定抵抗素子ＲＹ１、ＲＹ２を、基材２１の不感領域２１ｎ１、２１ｎ２に形成し、以てひずみが生じない部分（起歪領域の外側）において、固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＹ１、ＲＹ２を温度補償用のダミーゲージとして作用させることができる。したがって、周囲温度の変化により起歪板１１を含む３軸力センサ１００の本体部に膨張や収縮が生じた場合にも、この膨張や収縮によるひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２の抵抗値の変化を補償して、計測誤差の発生を抑制することができる。
【００４４】
（３）固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＹ１、ＲＹ２を基材２１上にプリントして形成することにより、第１ブリッジ回路ＢＣ１、第２ブリッジ回路ＢＣ２、第３ブリッジ回路ＢＣ３を、それぞれ、基材２１上で完結した閉回路として形成することができる。
【００４５】
ブリッジ回路を構成するひずみ受感素子を基材上にプリントし、ブリッジ回路を構成する固定抵抗素子を基材の外部、例えば信号処理部に設ける場合には、ブリッジ回路を閉回路とするために、基材上のひずみ受感素子と信号処理部の固定抵抗素子とをリード線等により接続する必要がある。この場合、基材上の配線とリード線との接続は、基材上に設けられた電極にリード線を接合して行うが、電極とリード線との接合部に接合抵抗が生じるとこれがブリッジ回路内の抵抗となり大きなひずみ検出誤差の原因となるため、接合方法は、接合抵抗が実質的に無視できるほど小さいはんだ接合に限られている。
【００４６】
しかしながら、はんだ接合を良好に行うためには、基材上に比較的大きな電極を設け、且つ複数の電極間のピッチを確保する必要があるため、基材が大きくなってしまう。また、はんだ接合を良好に行うためにはある程度の厚みを有してはんだを盛る必要があるため、３軸力センサの小型化の妨げにもなる。
【００４７】
これに対し、本実施形態では、第１ブリッジ回路ＢＣ１、第２ブリッジ回路ＢＣ２、第３ブリッジ回路ＢＣ３が、それぞれ、基材２１上で完結した閉回路として形成されており、端子Ｔ１〜Ｔ８を介した基材２１と信号処理部との接続は、第１ブリッジ回路ＢＣ１、第２ブリッジ回路ＢＣ２、第３ブリッジ回路ＢＣ３を電源や演算部に接続するための接合にすぎない。したがって、本実施形態においては、端子Ｔ１〜Ｔ８とリード線Ｌ１〜Ｌ８との接合部において接合抵抗の発生が許容され、はんだ接合以外の任意の接合方法、例えば異方性導電フィルムを用いた接合を採用することができる。なお、異方性導電フィルムを用いることにより、電極の大きさ、電極間のピッチ、接合部の厚さをいずれもはんだ接合の場合の１０分の１程度に抑えることができるため、３軸力センサ１００の小型化を望む場合には異方性導電フィルムによる接合が有利である。
【００４８】
本実施形態のひずみゲージ２０及び３軸力センサ１００の効果は以下の通りである。
【００４９】
本実施形態のひずみゲージ２０は、第１ブリッジ回路ＢＣ１の固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、第２ブリッジ回路ＢＣ２の固定抵抗素子ＲＹ１、ＲＹ２を基材２１上に形成しているため、上記（２）、（３）の効果を奏することができ、更に固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＹ１、ＲＹ２をひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２と同一の材料により形成しているため上記（１）の効果を奏することができる。
【００５０】
本実施形態のひずみゲージ２０においては、受感領域２１ｓには、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１、Ｚ２のみが形成されており、端子Ｔ１〜Ｔ８及び固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＹ１、ＲＹ２は不感領域２１ｎ１、２１ｎ２に形成されている。したがって、受感領域２１ｓの径（寸法）を小さくすることができ、ひいては３軸力センサ１００の起歪板１１を小さくすることができる。起歪板１１の小型化は３軸力センサ１００の小型化につながり好ましい。
【００５１】
本実施形態のひずみゲージ２０においては、電極Ｔ１〜Ｔ８が不感領域２１ｎ１、２１ｎ２に設けられているため、必要に応じて、受感領域２１ｓの径を大きくすることなく、電極Ｔ１〜Ｔ８の寸法を大きくし、リード線等との接合作業を容易とすることができる。
【００５２】
本実施形態の３軸力センサ１００は、ひずみゲージ２０を備えるため、ひずみゲージ２０の効果と同様の効果を奏することができる。
【００５３】
上記実施形態において、次の変形態様を採用することもできる。
【００５４】
ひずみゲージ２０において、ひずみ受感素子Ｚ１、Ｚ２は、不感領域２１ｎ１及び／又は不感領域２１ｎ２に形成されていてもよい。この場合、不感領域２１ｎ１、２１ｎ２にはたわみが生じないため、ひずみ受感素子Ｚ１、Ｚ２は実質的に固定抵抗素子（第３方向固定抵抗素子）として作用する。
【００５５】
ひずみ受感素子Ｚ１、Ｚ２が固定抵抗素子として作用する場合も、第１ブリッジ回路ＢＣ１を用いたｘ方向荷重の検出、第２ブリッジ回路ＢＣ２を用いたｙ方向荷重の検出は、上記実施形態と同様に行うことができる。また、Ｚ方向荷重の検出も行うことができる。荷重作用部１２にＺ方向荷重が作用してひずみ検出素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２に抵抗値の変化が生じると、第１ブリッジ回路ＢＣ１の合成抵抗、第２ブリッジ回路ＢＣ２の合成抵抗がそれぞれ変化し、ひずみ受感素子Ｚ１、Ｚ２の抵抗値が一定であっても、第３ブリッジ回路ＢＣ３の素子間の抵抗値のバランスが変化するためである。
【００５６】
ひずみゲージ２０は、ひずみ受感素子Ｚ１、Ｚ２を有さなくても良い。この場合は例えば、第１ブリッジ回路ＢＣ１、第２ブリッジ回路ＢＣ２は、ひずみ受感素子Ｚ１、Ｚ２に代えて、２本の円弧状の配線Ｗで接続される。
【００５７】
ひずみ受感素子Ｚ１、Ｚ２が存在しない場合も、第１ブリッジ回路ＢＣ１を用いたｘ方向荷重の検出、第２ブリッジ回路ＢＣ２を用いたｙ方向荷重の検出は、上記実施形態と同様に行うことができる。このような変形態様のひずみゲージ２０は、２軸力センサにおいて用いることができる。または、このような変形態様のひずみゲージが有する第１ホイートストンブリッジ及び第２ホイートストンブリッジを、信号処理部に形成された固定抵抗素子で繋いで第３ホイートストンブリッジを構成して、３軸力センサにおいて用いることもできる。
【００５８】
ひずみゲージ２０において、基材２１の不感領域２１ｎ１、２１ｎ２に形成された固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＹ１、ＲＹ２は、これらの少なくとも１つを基材２１上に残し、他を基材２１の外部、例えば信号処理部に設けても良い。このような態様であっても、第１ブリッジ回路ＢＣ１を構成する固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２及び第２ブリッジ回路ＢＣ２を構成する固定抵抗素子ＲＹ１、ＲＹ２の少なくとも１つを基材２１上の不感領域２１ｎ１及び／又は２１ｎ２に設けることにより、ひずみゲージ２０及び３軸力センサ１００における温度誤差を抑制する効果を奏することができる。
【００５９】
受感領域２１ｓのｙ方向（第２方向）の一方側に設けられた不感領域２１ｎ１において、固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２と端子Ｔ１〜Ｔ４とをｙ方向（第２方向）に直交するｘ方向（第１方向）に沿って一列に配置してもよく、受感領域２１ｓのｙ方向（第２方向）の他方側に設けられた不感領域２１ｎ２において、固定抵抗素子ＲＹ１、ＲＹ２と端子Ｔ５〜Ｔ８とをｙ方向（第２方向）に直交するｘ方向（第１方向）に沿って一列に配置してもよい。
【００６０】
図４に示す通り、不感領域２１ｎ１の受感領域２１ｓに近い部分に固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２が、受感領域２１ｓから遠い部分に端子Ｔ１〜Ｔ４が形成されていてもよい。すなわち、不感領域２１ｎ１においては、端子Ｔ１〜Ｔ４が固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２の受感領域２１ｓとは反対側に設けられていてもよい。不感領域２１ｎ２における固定抵抗素子ＲＹ１、ＲＹ２及び端子Ｔ５〜Ｔ８の配置も同様である。このように端子Ｔ１〜Ｔ８を外側に配置することで、端子Ｔ１〜Ｔ８へのリード線等の接合がより容易となる。
【００６１】
端子Ｔ１〜Ｔ８のいずれか１つ以上が、受感領域２１ｓに形成されていてもよい。この場合、荷重作用部１２の下方に貼り付けられてひずみが生じにくい中心ｃの近傍に設けることが望ましい。
【００６２】
受感領域２１ｓにおいて、ひずみ受感素子Ｚ１、Ｚ２は、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２の中心ｃ側（内側）に配置されていてもよい。また、ひずみ受感素子Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２はそれぞれ、そのグリッドの幅方向が受感領域２１ｓの周方向となるよう円弧状に形成されていてもよい。このようなひずみゲージ２０は、回転軸Ａを中心とする円筒状の荷重作用部１２が接続された起歪板１１に貼り付けて良好に使用することができる。
【００６３】
ひずみゲージ２０の基材２１の形状は任意であり、例えば楕円形状であってもよく、不感領域２１ｎ１、２１ｎ２のいずれか一方を有するのみでもよい。不感領域２１ｎ１、２１ｎ２のいずれか一方のみを有する基材２１においては、この不感領域に固定抵抗素子ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＹ１、ＲＹ２、端子Ｔ１〜Ｔ８のすべてが形成され得る。その他、基材２１は、多軸力センサの起歪板に貼り付けられる受感領域と、当該領域の外側に配置される不感領域とを備える任意の形状とすることができる。
【００６４】
上記実施形態のひずみゲージ２０を、多軸力センサ以外の任意のセンサの起歪部材に用いることもできる。
【００６５】
本発明の特徴を維持する限り、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明のひずみゲージ及び多軸力センサは、荷重検出における温度変化の影響を抑制でき、ロボット、ゲーム機器、各種計測機器、その他の機器における安定性、信頼性の向上に寄与することができる。
【符号の説明】
【００６７】
１１  起歪板（起歪部材）
１２  荷重作用部
２０  ひずみゲージ
２１  基材
２１ｓ  受感領域
２１ｎ１、２１ｎ２  不感領域
ＢＣ１  第１ブリッジ回路（第１ホイートストンブリッジ回路）
ＢＣ２  第２ブリッジ回路（第２ホイートストンブリッジ回路）
ＢＣ３  第３ブリッジ回路（第３ホイートストンブリッジ回路）
ＲＸ１、ＲＸ２  固定抵抗素子（第１方向固定抵抗素子）
ＲＹ１、ＲＹ２  固定抵抗素子（第２方向固定抵抗素子）
Ｔ１〜Ｔ８  端子
Ｘ１、Ｘ２  ひずみ受感素子（第１方向ひずみ受感素子）
Ｙ１、Ｙ２  ひずみ受感素子（第２方向ひずみ受感素子）
Ｚ１、Ｚ２  ひずみ受感素子（第３方向ひずみ受感素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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