(57)【要約】【課題】被接合部材にて発生した熱を、外部に効率よく放出させることができる接合構造体を提供する。【解決手段】回路パターンを有する基板と、電極端子を備えた被接合部材とが導電性接合材を介して接合した接合構造体であって、前記回路パターンと前記導電性接合材との接触面積をＸとし、前記電極端子と前記導電性接合材との接触面積をＹとし、前記導電性接合材の熱伝導度をλとしたときに下記の式（１）を満足することを特徴とする接合構造体。        ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）≧２．９２０９×λ−０．１４１・・・（１）【選択図】図１
2020155728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンを有する基板と、電極端子を備えた被接合部材とが導電性接合材を介して接合した接合構造体であって、
前記回路パターンと前記導電性接合材との接触面積をＸとし、前記電極端子と前記導電性接合材との接触面積をＹとし、前記導電性接合材の熱伝導度をλとしたときに下記の式（１）を満足することを特徴とする接合構造体。
ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）≧２．９２０９×λ−０．１４１・・・（１）
【請求項２】
前記被接合部材が、ＬＥＤチップ、もしくはパワーモジュールであることを特徴とする請求項１に記載の接合構造体。
【請求項３】
前記導電性接合材が、銀粒子、銅粒子、スズで被覆された銅粒子からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属粒子の焼結体であることを特徴とする請求項１または２に記載の接合構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤチップやパワーモジュールなどの電子部品を実装するための基板の一つとして、金属ベース基板が知られている。金属ベース基板は、金属基板と、絶縁層と、回路層とがこの順で積層された積層体である。回路層は、所定の回路パターンに成形され、電子部品の電極端子は、回路パターンの上に、半田などの導電性接合材を介して接合される（特許文献１）。このような構成とされた金属ベース基板では、電子部品にて発生した熱は、絶縁層を介して金属基板に伝達され、金属基板から外部に放熱される。
【０００３】
電子部品などの電極端子を備えた被接合部材と、回路パターンとを接合した接合構造体は、被接合部材にて発生した熱を、外部に効率よく放出させることができること、すなわち放熱性が高いことが好ましい。接合構造体の放熱性を高めるために、導電性接合材の熱伝導度を向上させることが検討されている（特許文献２〜５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１０３３１４号公報
【特許文献２】特開２０１８−１７２７９２号公報
【特許文献３】特開２０１８−１６８２２６号公報
【特許文献４】特開２０１８−１５２１７６号公報
【特許文献５】特開２０１６−２０４７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年の電子機器の高容量化や高出力化に伴って、接合構造体にて発生する熱量は増加する傾向にある。しかしながら、接合材の熱伝導度を向上させることだけでは、電子機器のさらなる高容量化や高出力化に対応するには限界がある。
【０００６】
本発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、電子部品などの電極端子を備えた被接合部材と、回路パターンとを接合した接合構造体の放熱性を向上させること、すなわち被接合部材にて発生した熱を、外部に効率よく放出させることができる接合構造体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明の接合構造体は、回路パターンを有する基板と、電極端子を備えた被接合部材とが導電性接合材を介して接合した接合構造体であって、前記回路パターンと前記導電性接合材との接触面積をＸとし、前記電極端子と前記導電性接合材との接触面積をＹとし、前記導電性接合材の熱伝導度をλとしたときに下記の式（１）を満足することを特徴とする。
ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）≧２．９２０９×λ−０．１４１・・・（１）
【０００８】
本発明の接合構造体では、回路パターンと導電性接合材との接触面積Ｘと電極端子と導電性接合材との接触面積Ｙと、導電性接合材の熱伝導度λとが上記の式（１）の関係を満足するので、接合構造体の熱抵抗が低減する。このため、被接合部材にて発生した熱を、外部に効率よく放出させることができる。
【０００９】
ここで、本発明の接合構造体においては、前記被接合部材が、ＬＥＤチップ、もしくはパワーモジュールであってもよい。
この場合、ＬＥＤチップ及びパワーモジュールは、近年の電気機器の高機能化や小型化に伴って発熱量が増加しているが、本発明の接合構造体は放熱性が高いため、被接合部材が、ＬＥＤチップやパワーモジュールであっても優れた放熱性を示し、熱によるＬＥＤチップ及びパワーモジュールの劣化を抑制することができる。
【００１０】
また、本発明の接合構造体においては、前記導電性接合材が、銀粒子、銅粒子、スズで被覆された銅粒子からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属粒子の焼結体であることが好ましい。
この場合、導電性接合材は高い熱伝導性を有するので、より確実に、被接合部材にて発生した熱を、外部に効率よく放出させることができる。また、金属粒子の焼結体は、高温状態であっても溶融して流動性を持つことがないので、被接合部材を安定して固定することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、被接合部材にて発生した熱を、外部に効率よく放出させることができる接合構造体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る接合構造体の概略断面図である。
【図２】式（１）を検証するためのシミュレーションに用いた接合構造体を模式的に示す断面図である。
【図３】図２に示す接合構造体の平面図である。
【図４】シミュレーションで得られたＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）と相対熱抵抗との関係を示すグラフである。
【図５】シミュレーションで得られた導電性接合材の熱伝導度λと接合構造体の相対熱抵抗が２％減少するときのＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施形態である接合構造体について、添付した図面を参照して説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る接合構造体の概略断面図である。
【００１４】
図１において、接合構造体１は、金属ベース基板１０と、被接合部材７０とが接合した構造体である。金属ベース基板１０は、金属基板２０、絶縁層３０と、回路パターン４０とがこの順で積層された積層体である。被接合部材７０は電極端子７１を備える。金属ベース基板１０の回路パターン４０と、被接合部材７０の電極端子７１とが、導電性接合材６０を介して接合されている。
【００１５】
接合構造体１は、回路パターン４０と導電性接合材６０との接触面積Ｘ（単位：ｍｍ２）と、電極端子７１と導電性接合材６０との接触面積Ｙ（単位：ｍｍ２）と、導電性接合材６０の熱伝導度λ（単位：Ｗ／ｍＫ）が、下記の式（１）を満足するようにされている。なお、式（１）において、ＳＱＲＴは平方根を表す。
ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）≧２．９２０９×λ−０．１４１・・・（１）
【００１６】
接合構造体１は、熱伝導度λの導電性接合材６０に対して、上記式（１）を満足するように接触面積Ｘと接触面積Ｙとを設定することによって熱抵抗が低減し、電極端子７１から回路パターン４０への熱の伝導性が向上すると共に、回路パターン４０に伝わった熱が金属ベース基板１０内に拡散しやすくなる。
【００１７】
電極端子７１と導電性接合材６０との接触面積Ｙは、被接合部材７０の電源電圧などによって異なるが、被接合部材７０の底面積の５割以上９割以下の範囲内にあることが好ましい。接触面積Ｙが上記の範囲内にあると、被接合部材７０に対して電力を安定して供給でき、かつ被接合部材７０にて発生した熱の電極端子７１から回路パターン４０への伝導性が向上する。
【００１８】
金属基板２０は、金属ベース基板１０のベースとなる部材である。金属基板２０としては、銅板、アルミニウム板及びこれらの積層板を用いることができる。
【００１９】
絶縁層３０は、金属基板２０と回路パターン４０とを絶縁するための層である。絶縁層３０は、絶縁性樹脂３１とセラミック粒子３２（熱伝導性フィラー）とを含む絶縁性樹脂組成物から形成されている。絶縁層３０を、絶縁性が高い絶縁性樹脂３１と、熱伝導度が高いセラミック粒子３２とを含む絶縁性樹脂組成物から形成することによって、絶縁性を維持しつつ、回路パターン４０から金属基板２０までの金属ベース基板１０全体の熱抵抗をより低減させることができる。
【００２０】
絶縁性樹脂３１は、ポリイミド樹脂又はポリアミドイミド樹脂、もしくはこれらの混合物であることが好ましい。ポリイミド樹脂及びポリアミドイミド樹脂は、イミド結合を持つので、優れた耐熱性と機械特性を有する。
【００２１】
セラミック粒子３２としては、シリカ（二酸化ケイ素）粒子、アルミナ（酸化アルミニウム）粒子、窒化ホウ素（ＢＮ）粒子、酸化チタン粒子、アルミナドープシリカ粒子、アルミナ水和物粒子、窒化アルミニウム粒子などを用いることができる。セラミック粒子３２は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を組合せて使用してもよい。これらのセラミック粒子の中では、アルミナ粒子は熱伝導性が高い点で好ましい。セラミック粒子３２の形態は、特に制限はないが、微細なセラミック粒子の凝集粒子、あるいは単結晶のセラミック粒子であることが好ましい。
【００２２】
微細なセラミック粒子の凝集粒子は、一次粒子が比較的弱く連結しているアグロメレートであってもよいし、一次粒子が比較的強く連結しているアグリゲートであってもよい。また、凝集粒子同士がさらに集合した粒子集合体を形成していてもよい。セラミック粒子３２の一次粒子が凝集粒子を形成して絶縁層３０中に分散していることによって、セラミック粒子３２間の相互接触によるネットワークが形成されて、セラミック粒子３２の一次粒子間を熱が伝導しやすくなり、絶縁層３０の熱伝導度が向上する。
【００２３】
微細なセラミック粒子の凝集粒子の市販品としては、ＡＥ５０、ＡＥ１３０、ＡＥ２００、ＡＥ３００、ＡＥ３８０、ＡＥ９０Ｅ（いずれも、日本アエロジル株式会社製）、Ｔ４００（ワッカー社製）、ＳＦＰ−２０Ｍ（デンカ株式会社製）などのシリカ粒子、Ａｌｕ６５（日本アエロジル株式会社製）、ＡＡ−０４（住友化学株式会社製）などのアルミナ粒子、ＡＰ−１７０Ｓ（Ｍａｒｕｋａ社製）などの窒化ホウ素粒子、ＡＥＲＯＸＩＤＥ（Ｒ）ＴｉＯ２  Ｐ９０（日本アエロジル株式会社製）などの酸化チタン粒子、ＭＯＸ１７０（日本アエロジル株式会社製）などのアルミナドープシリカ粒子、Ｓａｓｏｌ社製のアルミナ水和物粒子などを用いることができる。
【００２４】
単結晶のセラミック粒子は、αアルミナ（αＡｌ２Ｏ３）の結晶構造を有するαアルミナ単結晶粒子であることが好ましい。αアルミナ単結晶粒子の市販品としては、住友化学株式会社から販売されているアドバンストアルミナ（ＡＡ）シリーズのＡＡ−０３、ＡＡ−０４、ＡＡ−０５、ＡＡ−０７、ＡＡ−１．５などを用いることができる。
【００２５】
絶縁層３０のセラミック粒子３２の含有量は、５体積％以上６０体積％以下の範囲内にあることが好ましい。セラミック粒子３２の含有量が少なくなりすぎると、絶縁層３０の熱伝導性が十分に向上しないおそれがある。一方、セラミック粒子３２の含有量が多くなりすぎると、絶縁性樹脂３１の含有量が相対的に減少して、絶縁層３０の形状を安定に維持できなくなるおそれがある。また、セラミック粒子３２が過剰に大きな凝集粒子を形成しやすくなり、絶縁層３０の表面粗さＲａが大きくなるおそれがある。絶縁層３０の熱伝導性を確実に向上させるためには、セラミック粒子３２の含有量は１０体積％以上であることが好ましい。また、絶縁層３０の形状の安定性を確実に向上させ、表面粗さＲａを低くするためには、セラミック粒子３２の含有量は５０体積％以下であることが特に好ましい。
絶縁層３０の膜厚は、特には制限されるものではないが、１μｍ以上２００μｍ以下の範囲内にあることが好ましく、３μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあることが特に好ましい。
【００２６】
回路パターン４０の材料としては、アルミニウム、銅、銀、金、錫、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、パラジウム、チタン、亜鉛及びこれら金属の合金を用いることができる。これらの金属の中では、アルミニウム、銅が好ましく、特にアルミニウムが好ましい。回路パターン４０の成形方法としては、特に制限なく、例えば、エッチング法を用いることができる。
【００２７】
回路パターン４０の膜厚は、好ましくは１０μｍ以上１０００μｍ以下の範囲内、特に好ましくは２０μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にある。回路パターン４０の膜厚が薄くなりすぎると、熱抵抗が高くなるおそれがある。一方、回路パターン４０の膜厚が厚くなりすぎると、エッチング法により回路パターンを形成するのが困難となるおそれがある。また、回路パターン４０の膜厚が厚くなりすぎると、接合構造体１を構成する各材料の熱膨張係数の差異によって、回路パターン４０に付与される熱応力が大きくなり、冷熱サイクル中に、絶縁層３０と回路パターン４０とが剥離しやすくなるおそれがある。
【００２８】
被接合部材７０の例としては、特に制限はなく、半導体素子、抵抗、キャパシタ、水晶発振器などが挙げられる。半導体素子の例としては、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-oxide-semiconductor field effect transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＬＥＤ（発光ダイオード）、ＬＥＤチップ、ＬＥＤ−ＣＳＰ（LED-Chip Size Package）が挙げられる。
【００２９】
導電性接合材６０の材料としては、金属もしくは合金を用いることができる。導電性接合材６０は、金属粒子の焼結体であることが好ましい。金属粒子としては、銀粒子、銅粒子、スズで被覆された銅粒子（スズ被覆銅粒子）を用いることができる。これらの金属粒子は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を組合せて使用してもよい。導電性接合材６０の厚みは、１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあることが好ましい。
【００３０】
金属粒子の焼結体は、金属ベース基板１０の回路パターン４０と、被接合部材７０の電極端子７１との間に金属粒子を含むペーストを介在させた状態で加熱して、金属粒子を焼結させることによって成させることができる。
【００３１】
次に、本実施形態の接合構造体の製造方法について説明する。
接合構造体は、例えば、金属ベース基板の回路パターンに金属粒子ペーストを塗布して金属粒子ペースト層を形成する塗布工程と、金属粒子ペースト層の上に、被接合部材を積載する積載工程と、被接合部材を積載した金属ベース基板を加熱して、金属粒子焼結体を生成させる接合工程とを含む方法によって製造することができる。
【００３２】
塗布工程において、金属粒子ペーストの塗布量は、金属粒子ペーストの加熱によって生成する金属粒子焼結体の熱伝導度λを予め求めておき、金属粒子ペーストの加熱によって生成する金属粒子焼結体と回路パターンとの接触面積Ｘ、及び金属粒子焼結体と電極端子との接触面積Ｙが上記の式（１）を満足するように設定する。金属ベース基板の回路パターンに金属粒子ペーストを塗布する方法としては、スクリーン印刷法などの方法を用いることができる。
【００３３】
積載工程では、被接合部材の電極端子が金属粒子ペースト層に接するように、被接合部材を積載する。
【００３４】
接合工程において、金属ベース基板の加熱は、被接合部材を加圧しながら行うことが好ましい。金属ベース基板の加熱温度は、金属粒子ペーストの金属粒子が焼結する温度であり、２００℃以上３５０℃以下の範囲内にあることが好ましい。加熱雰囲気は、非酸化雰囲気であることが好ましい。
【００３５】
以上のような構成とされた本実施形態の接合構造体１によれば、回路パターン４０と導電性接合材６０との接触面積Ｘと、被接合部材７０の電極端子７１と導電性接合材６０との接触面積Ｙと、導電性接合材６０の熱伝導度λとが上記の式（１）の関係を満足するので、接合構造体１の熱抵抗が低減する。このため、被接合部材にて発生した熱を、外部に効率よく放出させることができる。
【００３６】
また、本実施形態の接合構造体１においては、被接合部材７０が、ＬＥＤチップやパワーモジュールであっても優れた放熱性を示し、熱によるＬＥＤチップ及びパワーモジュールの劣化を抑制することができる。
【００３７】
また、本実施形態の接合構造体１において、導電性接合材６０が、銀粒子、銅粒子、スズで被覆された銅粒子からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属粒子の焼結体である場合は、導電性接合材６０は高い熱伝導性を有するので、より確実に、被接合部材７０にて発生した熱を、外部に効率よく放出させることができる。
【００３８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態の接合構造体１においては、導電性接合材６０として、銀粒子、銅粒子、スズで被覆された銅粒子などの金属粒子の焼結体を例示したが、導電性接合材６０はこれらに限定されるものではない。例えば、導電性接合材６０として半田を用いてもよい。
【実施例】
【００３９】
以下に、本発明の作用効果を実施例により説明する。
【００４０】
［本発明例１：シミュレーション］
図２は、前記式（１）を検証するためのシミュレーションに用いた接合構造体を模式的に示す断面図である。図３は、図２の接合構造体の平面図である。シミュレーションはＬＩＳＡ（Ｓｏｎｎｅｎｈｏｆ  Ｈｏｌｄｉｎｇｓ）を用いて行った。
図２、３に示す接合構造体１Ｓにおいて、金属ベース基板１０Ｓは、金属基板２０Ｓ、絶縁層３０Ｓと、銅箔４０Ｓとがこの順で積層された積層体である。銅箔４０Ｓは絶縁層３０Ｓの上に全体に形成されている。被接合部材７０Ｓは、ＡＩＮ（窒化アルミニウム）部材７２Ｓを介して電極端子７１Ｓと接続している。被接合部材７０Ｓは、ＬＥＤチップとし、電極端子７１Ｓは銅端子とした。接合構造体１Ｓの各部材の特性は、下記の通りとした。
【００４１】
金属基板２０Ｓ：平面のサイズ：５ｍｍ×５ｍｍ、熱伝達係数：３００Ｗ／ｍ２Ｋ
絶縁層３０Ｓ：厚み：１００μｍ、熱伝導度：１０Ｗ／ｍＫ
銅箔４０Ｓ：厚み：３５μｍ、熱伝導度：４００Ｗ／ｍＫ
導電性接合材６０Ｓ：厚み、熱伝導度は、下記の表１に記載した。
電極端子７１Ｓ：厚み：３５μｍ、熱伝導度：４００Ｗ／ｍＫ
ＡＩＮ部材７２Ｓ：厚み：６３５μｍ、熱伝導度：１７０Ｗ／ｍＫ
被接合部材７０Ｓ：厚み：１００μｍ、熱伝導度：１０００００００００Ｗ／ｍＫ、発熱密度：２０Ｗ／ｍ３
銅箔４０Ｓと導電性接合材６０Ｓとの接触面積Ｘ（ｍｍ２）、電極端子７１Ｓと導電性接合材６０Ｓとの接触面積Ｙ（ｍｍ２）、ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）は、下記の表１に記載した。
【００４２】
シミュレーションにより、被接合部材７０Ｓが発熱したときの接合構造体１Ｓの熱分布を得た。そして、接合構造体１Ｓの各部材中の最高温度（℃）と、最低温度（℃）と、最高温度と最低温度の温度差（最高温度−最低温度）を求めた。その結果を、表１に示す。
また、接合構造体１Ｓの最高温度と最低温度の温度差と、被接合部材７０Ｓの発熱量（Ｗ）から、下記の式より接合構造体１Ｓ内の熱抵抗を算出した。そして、導電性接合材６０Ｓの熱伝導度λが同じで、ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）が異なる接合構造体１Ｓについて、ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）＝１．２の熱抵抗を１００とした場合の熱抵抗の相対値を求めた。この結果を、相対熱抵抗（％）として表１に示す。
熱抵抗（Ｋ／Ｗ）＝（最高温度−最低温度）／発熱量
【００４３】
【表１】
2020155728.tif 000003
【００４４】
図４は、シミュレーションで得られたＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）と相対熱抵抗との関係を示すグラフである。図４において、導電性接合材６０Ｓの熱伝導度λが同じ接合構造体１Ｓで得られたシミュレーション結果を線で結んでいる。図４の結果から、導電性接合材６０Ｓの熱伝導度λが同じである場合は、ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）が増加するに伴って、相対熱抵抗が低下することがわかる。また、導電性接合材６０Ｓの熱伝導度λが大きくなるにしたがって、ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）が増加することに伴う相対熱抵抗の低下量が大きくなることがわかる。
【００４５】
図５は、シミュレーションで得られた導電性接合材の熱伝導度λと接合構造体の相対熱抵抗が２％減少するときのＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）との関係を示すグラフである。図５に示すグラフ中の黒丸の点は、導電性接合材６０Ｓの熱伝導度λと、接合構造体Ｓ１の相対熱抵抗が２％減少するとき（図４に示すグラフにおいて相対熱抵抗が９８％となるとき）のＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）との関係をプロットした点である。また、グラフ中の曲線は、プロットした黒丸の点をデータフィッテングした累乗近似曲線である。この累乗近似曲線は、ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）＝２．９２０９×λ−０．１４１で示されている。図５に示すグラフにおいて、この累乗近似曲線より上側の領域が、接合構造体Ｓ１の相対熱抵抗が２％以上低減する領域となる。したがって、この図５の結果から、接合構造体Ｓ１の銅箔４０Ｓ（回路パターン）と導電性接合材６０Ｓとの接触面積（Ｘ）、電極端子７１Ｓと導電性接合材６０Ｓとの接触面積（Ｙ）、導電性接合材６０Ｓの熱伝導度λが、ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）≧２．９２０９×λ−０．１４１の関係を満たす場合は、相対熱抵抗を２％以上低減できることがわかる。
【００４６】
［本発明例２：導電性接合材に銀粒子焼結体を用いた接合構造体］
銅基板（３０ｍｍ×２０ｍｍ×０．３ｍｍｔ）の上に、アルミナ粒子含有ポリドイミド樹脂を含む絶縁層（厚み：３０μｍ、アルミナ粒子含有量：６０体積％）と、銅層（厚み：３５μｍ）とがこの順で積層され銅ベース基板を作製した。この銅ベース基板の銅層をエッチング法によりエッチングして、回路パターンを形成した。
【００４７】
銅ベース基板の回路パターンに銀粒子ペースト（銀粒子の平均粒子径：１５０ｎｍ）を塗布して銀粒子ペースト塗布層（幅:１０ｍｍ、厚み：５０μｍ）を形成した。次いで、銀粒子ペーストの上に、ＬＥＤチップの電極端子（端子のサイズ：１．６５ｍｍ×０．４５ｍｍ）を積載した。そして、積載したＬＥＤチップを加圧（１０Ｐａ）しながら、窒素雰囲気下、３００℃で加熱して、銀粒子ペーストの銀粒子を焼結させて、銅ベース基板とＬＥＤチップとが銀粒子焼結体を介して接合した接合構造体を作製した。
【００４８】
得られた接合構造体の回路パターンと銀粒子焼結体との接触面積（Ｘ）、ＬＥＤチップの電極端子と銀粒子焼結体との接触面積（Ｙ）、銀粒子焼結体の熱伝導度λをそれぞれ測定した。そして、ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）と、２．９２０９×λ−０．１４１とを算出した結果、ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）は２３．２であり、２．９２０９×λ−０．１４１は１．３であった。また、得られた接合構造体を目視で観察した結果、ＬＥＤチップの位置ずれや浮きは確認されなかった。
【００４９】
［本発明例３：導電性接合材に銅粒子焼結体を用いた接合構造体］
銀粒子ペーストの代わりに銅粒子ペースト（銅粒子の平均粒子径：１５０ｎｍ）を用いたこと以外は、本発明例２と同様にして、銅ベース基板とＬＥＤチップとが銅粒子焼結体を介して接合した接合構造体を作製した。
得られた接合構造体の回路パターンと銀粒子焼結体との接触面積（Ｘ）、ＬＥＤチップの電極端子と銀粒子焼結体との接触面積（Ｙ）、銅粒子焼結体の熱伝導度λをそれぞれ測定した。そして、ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）と、２．９２０９×λ−０．１４１とを算出した結果、ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）は２３．２であり、２．９２０９×λ−０．１４１は１．３であった。また、得られた接合構造体を目視で観察した結果、ＬＥＤチップの位置ずれや浮きは確認されなかった。
【００５０】
［本発明例４：導電性接合材にスズ被覆銅粒子焼結体を用いた接合構造体］
銀粒子ペーストの代わりにスズ被覆銅粒子ペースト（スズ被覆銅粒子の平均粒子径：９μｍ）を用いたこと以外は、本発明例２と同様にして、銅ベース基板とＬＥＤチップとがスズ被覆銅粒子焼結体を介して接合した接合構造体を作製した。
得られた接合構造体の回路パターンと銀粒子焼結体との接触面積（Ｘ）、ＬＥＤチップの電極端子と銀粒子焼結体との接触面積（Ｙ）、スズ被覆銅粒子焼結体の熱伝導度λをそれぞれ測定した。そして、ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）と、２．９２０９×λ−０．１４１とを算出した結果、ＳＱＲＴ（Ｘ）／ＳＱＲＴ（Ｙ）は２３．２であり、２．９２０９×λ−０．１４１は１．８であった。また、得られた接合構造体を目視で観察した結果、ＬＥＤチップの位置ずれや浮きは確認されなかった。
【符号の説明】
【００５１】
１、１Ｓ  接合構造体
１０、１０Ｓ  金属ベース基板
２０、２０Ｓ  金属基板
３０、３０Ｓ  絶縁層
３１  絶縁性樹脂
３２  セラミック粒子
４０  回路パターン
４０Ｓ  銅箔
６０、６０Ｓ  導電性接合材
７０、７０Ｓ  被接合部材
７１、７１Ｓ  電極端子
７２Ｓ  ＡＩＮ（窒化アルミニウム）部材
【図１】
2020155728.tif 000004
【図２】
2020155728.tif 000005
【図３】
2020155728.tif 000006
【図４】
2020155728.tif 000007
【図５】
2020155728.tif 000008