(57)【要約】【課題】点灯に伴う各副画素からの出射光の色度の変化を抑制する。【解決手段】基板上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極１１９と、行方向における画素電極と画素電極の間に配され列方向に延伸されてなる複数の列バンク５２２Ｙと、行方向に隣接する２つのバンク間の間隙に配された複数の発光層１２３と、複数の発光層上方に配された透光性の対向電極１２５と、対向電極上方に配された前面板１３１とを備え、複数の発光層は、それぞれ、バンク間の間隙の行方向の中心を含む範囲に存在し行方向に層厚が均一な平坦部１２３ｆｌと、平坦部の行方向の両側に存在し平坦部よりも層厚が厚いピンニング部１２３ｐｎとを含み、前面板は、発光層のピンニング部の上方に位置する第１の部分１３１１と発光層の平坦部の上方に位置する第２の部分１３１２とが、特定の波長に対する透過率が異なっている。【選択図】図３
2020035713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、
基板と、
前記基板上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極と、
少なくとも行方向における前記画素電極と前記画素電極の間に配され列方向に延伸されてなる複数のバンクと、
行方向に隣接する２つの前記バンク間の間隙に配された複数の発光層と、
複数の前記発光層上方に配された透光性の対向電極と、
前記対向電極上方に配された前面板とを備え、
複数の前記発光層は、それぞれ、前記バンク間の間隙の行方向の中心を含む範囲に存在し行方向に層厚が均一な平坦部と、前記平坦部の行方向の両側に存在し前記平坦部よりも層厚が厚いピンニング部とを含み、
前記前面板は、前記発光層のピンニング部の上方に位置する第１の部分と前記発光層の平坦部の上方に位置する第２の部分とが、特定の波長に対する透過率が異なって構成されている
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
前記前面板は、前記第１の部分は遮光層から構成され、前記第２の部分は下方に位置する前記発光層の発する光の波長に対応するカラーフィルタ層から構成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
前記前面板は、前記第１の部分を含む、少なくとも前記画素電極の行方向の間隙の上方に配され列方向に延伸されてなる遮光層を有する
請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
前記前面板において、前記第１の部分及び前記第２の部分は、前記第１の部分及び前記第２の部分の下方に位置する前記発光層の発する光の波長の範囲に対する透過率が異なるカラーフィルタ層からそれぞれ構成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記前面板は、前記第１の部分及び前記第２の部分の下方に位置する前記発光層の発する光の波長が青色光であるとき、前記第１の部分は第２の部分よりも、青色光に対する透過率が小さい
請求項４に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
前記前面板は、前記第１の部分及び前記第２の部分の下方に位置する前記発光層の発する光の波長が緑色光であるとき、前記第１の部分は第２の部分よりも、緑色光に対する透過率が小さい
請求項４に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
前記前面板は、前記第１の部分及び前記第２の部分の下方に位置する前記発光層の発する光の波長が赤色光であるとき、前記第１の部分は第２の部分よりも、赤色光に対する透過率が大きい
請求項４に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項８】
前記前面板において、前記第１の部分及び前記第２の部分は、前記第１の部分及び前記第２の部分の下方に位置する前記発光層の発する光の波長の範囲の一部に対する透過率が異なるカラーフィルタ層からそれぞれ構成されている
請求項４から７の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項９】
前記前面板において、前記第１の部分及び前記第２の部分は、異なる種類の顔料を含むカラーフィルタ層からそれぞれ構成されている
請求項４又は８に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記前面板において、前記第１の部分及び前記第２の部分は、厚みの異なるカラーフィルタ層からそれぞれ構成されている
請求項４又は８に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
複数の前記発光層は、前記ピンニング部では、前記平坦部から離間するにつれて層厚が徐々に増加する
請求項１から１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１２】
前記発光層から発された光が前記画素電極にて反射されて前記対向電極を通して上方に出射される反射光と、前記発光層から発された光が前記対向電極を通して上方に出射される直接光とが干渉して強め合う光共振器構造を有する
請求項１から１１の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１３】
複数の前記発光層は、それぞれの前記画素電極層上方の前記バンクが存在しない領域において有機電界発光を生ずる
請求項１から１２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１４】
前記バンクを列バンクとしたとき、さらに、少なくとも列方向における前記画素電極と前記画素電極の間に配され行方向に延伸されてなる複数の行バンクを備え、
複数の前記発光層は、複数の前記行バンクの上面に連続して長尺状に配されている
請求項１から１３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１５】
複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、
基板と、
前記基板上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極と、
少なくとも行方向における前記画素電極と前記画素電極の間に配され列方向に延伸されてなる複数の列バンクと、
少なくとも列方向における前記画素電極と前記画素電極の間に配され行方向に延伸されてなる複数の行バンクと、
行方向に隣接する２つの前記列バンクと列方向に隣接する２つの前記行バンクに囲まれたに区画領域に配された複数の発光層と、
複数の前記発光層上方に配された透光性の対向電極と、
前記対向電極上方に配された前面板とを備え、  複数の前記発光層は、それぞれ、前記区画領域の行及び列方向の中心点を含む範囲に存在し行及び列方向に層厚が均一な平坦部と、前記平坦部を取り囲む範囲に存在し前記平坦部よりも層厚が厚いピンニング部とを含み、
前記前面板は、前記発光層のピンニング部の上方に位置する第１の部分と前記発光層の平坦部の上方に位置する第２の部分とが、特定の波長に対する透過率が異なって構成されている
有機ＥＬ表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示パネルに関し、特に、有機ＥＬ表示パネルにおける前面板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。
【０００３】
トップエミッション型の有機ＥＬ素子では、基板上に光反射性材料からなる画素電極（反射電極）、有機層（発光層を含む）、及び光透光性材料からなる対向電極が順に設けられた素子構造を有する。発光層からの光は、反射電極にて反射されて対向電極から出射される反射光と、発光層から直接出射される直接光とが干渉して強められて外部に出射される光共振器構造を採ることにより高い光取り出し効率を実現することができる。
【０００４】
カラー表示用の有機ＥL表示パネルにおいては、このような有機ＥＬ素子が、ＲＧＢ各色の副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。そして、一般に、有機ＥＬ表示パネルでは、各画素に設けられた反射電極の外縁による外光の照り返しによる表示のコントラストが低下や隣接福画素間の混色を防止して、出射される光の色純度を向上するために、隣接する副画素間の境界に格子状の遮光層と、遮光層に囲まれた副画素の上方にＲＧＢの発光色に対応したカラーフィルタが設けられていた。例えば、特許文献１には、ＲＧＢ各色の副画素を区画する隔壁の側壁の上方にマトリックス状の遮光部材を設けることにより、外光反射に伴う表示光の視認性の低下を防止する有機ＥＬ素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２２６７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、特許文献１に記載される有機ＥＬ素子構造では、発光材料を含むインクと塗布して形成された発光層を備えた有機ＥＬ表示パネルにおいて、点灯に伴いＲＧＢの各副画素から出射される光の色度が経時的に変化するという課題があった。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、発光材料を含むインクと塗布して形成された発光層を備えた有機ＥＬ表示パネルの点灯に伴う各副画素からの出射光の色度の変化を抑制する有機ＥＬ表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極と、少なくとも行方向における前記画素電極と前記画素電極の間に配され列方向に延伸されてなる複数のバンクと、行方向に隣接する２つの前記バンク間の間隙に配された複数の発光層と、複数の前記発光層上方に配された透光性の対向電極と、前記対向電極上方に配された前面板とを備え、複数の前記発光層は、それぞれ、前記バンク間の間隙の行方向の中心を含む範囲に存在し行方向に層厚が均一な平坦部と、前記平坦部の行方向の両側に存在し前記平坦部よりも層厚が厚いピンニング部とを含み、前記前面板は、前記発光層のピンニング部の上方に位置する第１の部分と前記発光層の平坦部の上方に位置する第２の部分とが、特定の波長に対する透過率が異なって構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、発光材料を含むインクと塗布して形成された発光層を備えた有機ＥＬ表示パネルの点灯に伴う各副画素からの出射光の色度の変化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の一部を拡大した模式平面図である。
【図２】図１におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。
【図３】図２におけるＡ２部の拡大断面図である。
【図４】有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図８】発光層１２３の乾燥工程におけるインク液面の変化を示す模式図である。
【図９】（ａ）〜（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１１】有機ＥＬ表示パネル１０の行方向に切断した断面におけるホール注入層１２０Ｂから発光層１２３までの機能層の膜厚の測定結果である。
【図１２】（ａ）は初期状態、（ｂ）は所定時間経過後における有機ＥＬ表示パネルの比較例における副画素の平面視における輝度分布の測定結果を示す模式図である。
【図１３】有機ＥＬ表示パネルの比較例における副画素における図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で測定した色度（ｙ値）分布の測定結果を示す模式図であり、（ａ）は初期状態、（ｂ）は素子寿命に相当する点灯時間経過後、（ｃ）はさらに点灯時間を増加した状態における結果である。
【図１４】有機ＥＬ表示パネル１０の光共振器構造における光の干渉を説明する模式図である。
【図１５】（ａ）は、素子寿命に相当する点灯時間経過後における表示パネル１０の副画素の平面視における輝度分布の測定結果を示す模式図、（ｂ）は、表示パネル１０の副画素における図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で測定した色度（ｙ値）分布の測定結果を示す模式図である。
【図１６】実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｘの、図２におけるＡ２部と同じ断面の拡大断面図である。
【図１７】（ａ）は、素子寿命に相当する点灯時間経過後における表示パネル１０Ｘの副画素の平面視における輝度分布の測定結果を示す模式図、（ｂ）は、表示パネル１０Ｘの副画素における図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で測定した色度（ｙ値）分布の測定結果を示す模式図である。
【図１８】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路構成を示す模式ブロック図である。
【図１９】有機ＥＬ表示装置に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。
【図２０】変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｙの、図２におけるＡ２部と同じ断面の拡大断面図である。
【図２１】変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｚの、図２におけるＡ２部と同じ断面の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極と、少なくとも行方向における前記画素電極と前記画素電極の間に配され列方向に延伸されてなる複数のバンクと、行方向に隣接する２つの前記バンク間の間隙に配された複数の発光層と、複数の前記発光層上方に配された透光性の対向電極と、前記対向電極上方に配された前面板とを備え、複数の前記発光層は、それぞれ、前記バンク間の間隙の行方向の中心を含む範囲に存在し行方向に層厚が均一な平坦部と、前記平坦部の行方向の両側に存在し前記平坦部よりも層厚が厚いピンニング部とを含み、前記前面板は、前記発光層のピンニング部の上方に位置する第１の部分と前記発光層の平坦部の上方に位置する第２の部分とが、特定の波長に対する透過率が異なって構成されていることを特徴とする。
【００１１】
係る構成により、有機ＥＬ表示パネルの点灯に伴う各副画素からの出射光の色度の変化を抑制することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記前面板は、前記第１の部分は遮光層から構成され、前記第２の部分は下方に位置する前記発光層の発する光の波長に対応するカラーフィルタ層から構成されている構成としてもよい。
【００１２】
係る構成により、経時的な点灯に伴い、発光層の平坦部のｘ方向の両側では、平坦部における発光色度が変化した光が発光されるが、発光層のピンニング部の上方に位置する前面板の第１の部分は遮光層に覆われているので、前面板の第１の部分から色度が変化した光が出射されることを抑止できる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記前面板は、前記第１の部分を含む、少なくとも前記画素電極の行方向の間隙の上方に配され列方向に延伸されてなる遮光層を有する構成としてもよい。
【００１３】
係る構成により、画素電極による外光反射を抑制するとともに、前面板の第１の部分から色度が変化した光は出射されることを抑止できる遮光層を実現できる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記前面板において、前記第１の部分及び前記第２の部分は、前記第１の部分及び前記第２の部分の下方に位置する前記発光層の発する光の波長の範囲に対する透過率が異なるカラーフィルタ層からそれぞれ構成されている構成としてもよい。
【００１４】
係る構成により、経時的な点灯により発光層のピンニング部における色度が変化した場合でも、平坦部とピンニング部からの発される光の色度を等価に近い状態に補正して出射することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記前面板は、前記第１の部分及び前記第２の部分の下方に位置する前記発光層の発する光の波長が青色光であるとき、前記第１の部分は第２の部分よりも、青色光に対する透過率が小さい構成としてもよい。
【００１５】
係る構成により、青色副画素においては、発光層のピンニング部において、出射される光の波長が長波長側（青から緑の方向）にシフトし、出射される光の示す色度ｙが増加するが、変化した色度を光を出射できる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記前面板は、前記第１の部分及び前記第２の部分の下方に位置する前記発光層の発する光の波長が緑色光であるとき、前記第１の部分は第２の部分よりも、緑色光に対する透過率が小さい構成としてもよい。
【００１６】
係る構成により、緑色副画素では、発光層のピンニング部において、出射される光の波長が長波長側（緑から赤方向）にシフトし、出射される光の示す色度xが増加するが、変化した色度を補正して光を出射できる。
ができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記前面板は、前記第１の部分及び前記第２の部分の下方に位置する前記発光層の発する光の波長が赤色光であるとき、前記第１の部分は第２の部分よりも、赤色光に対する透過率が大きい構成としてもよい。
【００１７】
係る構成により、赤色副画素では、発光層のピンニング部において、出射される光の波長が長波長側（より赤方向）にシフトし、出射される光の示す色度xが増加するが、変化した色度を補正して光を出射できる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記前面板において、前記第１の部分及び前記第２の部分は、前記第１の部分及び前記第２の部分の下方に位置する前記発光層の発する光の波長の範囲の一部に対する透過率が異なるカラーフィルタ層からそれぞれ構成されている構成としてもよい。
【００１８】
係る構成により、変化した色度に対応するようにＲＧＢの各光の波長範囲の一部に対する透過率を異ならせたカラーフィルタ層を設計して用いることにより、平坦部とピンニング部からの発される光の色度をより一層精度良く補正して出射することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記前面板において、前記第１の部分及び前記第２の部分は、異なる種類の顔料を含むカラーフィルタ層からそれぞれ構成されている構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記前面板において、前記第１の部分及び前記第２の部分は、厚みの異なるカラーフィルタ層からそれぞれ構成されている構成としてもよい。
【００１９】
係る構成により、前面板の第１の部分及び第２の部分は、下方に位置する発光層の発する光の波長の範囲に対する透過率が異なるカラーフィルタ層の構成を実現できる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、複数の前記発光層は、前記ピンニング部では、前記平坦部から離間するにつれて層厚が徐々に増加する構成としてもよい。
係る構成により、経時的な点灯により発光層のピンニング部における色度がピンニング部の膜厚に応じて変化した場合でも、色度の変化量に応じてピンニング部からの発される光の色に応じた補正を行い、平坦部とピンニング部からの発される光の色度を等価に補正して出射することができる。
【００２０】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記発光層から発された光が前記画素電極にて反射されて前記対向電極を通して上方に出射される反射光と、前記発光層から発された光が前記対向電極を通して上方に出射される直接光とが干渉して強め合う光共振器構造を有する構成としてもよい。
係る構成により、発光層のピンニング部では発光に伴い干渉して強め合う光の波長が長波長側にシフトし、平坦部から離間するにつれて発光に伴い出射される光の波長が長波長側にシフトするが、変化した色度を遮断又は補正して光を出射することができる。
【００２１】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、複数の前記発光層は、それぞれの前記画素電極層上方の前記バンクが存在しない領域において有機電界発光を生ずる構成としてもよい。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記バンクを列バンクとしたとき、さらに、少なくとも列方向における前記画素電極と前記画素電極の間に配され行方向に延伸されてなる複数の行バンクを備え、複数の前記発光層は、複数の前記行バンクの上面に連続して長尺状に配されている構成としてもよい。
【００２２】
係る構成により、行バンクによって、インクの流動が程良く抑制され、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
また、別の態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極と、少なくとも行方向における前記画素電極と前記画素電極の間に配され列方向に延伸されてなる複数の列バンクと、少なくとも列方向における前記画素電極と前記画素電極の間に配され行方向に延伸されてなる複数の行バンクと、行方向に隣接する２つの前記列バンクと列方向に隣接する２つの前記行バンクに囲まれたに区画領域に配された複数の発光層と、複数の前記発光層上方に配された透光性の対向電極と、前記対向電極上方に配された前面板とを備え、複数の前記発光層は、それぞれ、前記区画領域の行及び列方向の中心点を含む範囲に存在し行及び列方向に層厚が均一な平坦部と、前記平坦部を取り囲む範囲に存在し前記平坦部よりも層厚が厚いピンニング部とを含み、前記前面板は、前記発光層のピンニング部の上方に位置する第１の部分と前記発光層の平坦部の上方に位置する第２の部分とが、特定の波長に対する透過率が異なって構成されている構成であってもよい。
【００２３】
係る構成では、行バンクが形成される領域には、発光層が形成されておらず、発光層は行バンクと列バンクが形成する格子内に島状に形成され、副画素毎に分離している態様としてもよい。係るピクセルバンクにより区画される発光層においても、経時的な点灯により発光層のピンニング部における色度が変化するので、このような場合でも、平坦部とピンニング部からの発される光の色度を遮断又は補正して出射することができ、点灯に伴う各副画素からの出射光の色度の変化を抑制することができる。
【００２４】
≪実施の形態１≫
＜有機ＥＬ表示パネル１０の全体構成＞
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。図１は、表示パネル１０の一部を拡大した模式平面図である。
【００２５】
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が配された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００がマトリックス状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図１におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。
【００２６】
図１に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが配された区画領域１０ｅから構成されている。本明細書では、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとを総称して「バンク１２２」とする。区画領域１０ｅでは、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘにより規制される各区画に有機ＥＬ素子１００が形成されている。
【００２７】
表示パネル１０の区画領域１０ｅ（以後、「領域１０ｅ」とする）には、有機ＥＬ素子１００に対応する単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、図１に示すように行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素１００ｓｅが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。
【００２８】
また、図１に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態でマトリックス状に配されている。画素電極１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。行列状に配された画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、Ｇ、Ｂに対応する。
【００２９】
表示パネル１０では、バンク１２２の形状は、いわゆるライン状のバンク形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が列方向（図１のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数行方向に並設されている。
一方、列方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が行方向（図１のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。
【００３０】
隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義し、自己発光領域１００ａＲに対応する間隙を赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する間隙を緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する間隙を青色間隙５２２ｚＢ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢを区別しない場合は「間隙５２２ｚ」）とする。
【００３１】
また、図１に示すように、表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚに沿って列方向に交互に並んで配され、非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ1とを接続する接続凹部（コンタクトホール、不図示）が設けられている。
＜表示パネル１０の各部構成＞
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成について、図２、図３を用いて説明する。図２は、図１におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。図３は、図２におけるＡ２部の拡大断面図である。
【００３２】
本実施の形態に係る表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
（基板１００ｘ）
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ層（不図示）とを有する。
【００３３】
基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ回路は、有機ＥＬ素子１００の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、ＴＦＴ層は、基材上面に形成された電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。本実施の形態では、ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。配線は、ＴＦＴのソースＳ1 と対応する画素電極１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。
【００３４】
（有機ＥＬ素子部）
［平坦化層１１８］
基材上及びＴＦＴ層の上面には平坦化層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するとともに、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。
【００３５】
平坦化層１１８には、画素電極１１９と対応する画素のソースＳ1 に接続される配線とを接続するために、画素電極１１９に対応して、当該配線の上方の一部にコンタクト孔（不図示）が開設されている。
［画素電極１１９］
基板１００ｘにおける領域１０ｅの上面に位置する平坦化層１１８上には、図２に示すように、副画素１００ｓｅ単位で画素電極１１９が設けられている。
【００３６】
画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。表示パネル１０はトップエミッション型であるため、画素電極１１９は光反射性を有する。画素電極１１９の形状は、例えば、概矩形形状をした平板状である。平坦化層１１８のコンタクト孔（不図示）上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部（不図示）が形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ1 に接続される配線とが接続される。
【００３７】
［ホール注入層１２０］
画素電極１１９及上には、図２に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、基板１００ｘ側から順に、画素電極１１９上に形成された金属酸化物からなるホール注入層１２０Ａと、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内のホール注入層１２０Ａの上それぞれに積層された有機物からなるホール注入層１２０Ｂとを含む。ＲＧＢの各副画素に形成されるホール注入層１２０ＢＲ、１２０ＢＧ、１２０ＢＢは、ＲＧＢの各副画素によって膜厚が異なって形成されている（以後、ホール注入層１２０ＢＲ、１２０ＢＧ、１２０ＢＢを区別しない場合は「ホール注入層１２０Ｂ」とする）。
【００３８】
本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、ホール注入層１２０Ｂは列方向に延伸するように線状に設けられている。
［バンク１２２］
図２に示すように、画素電極１１９、ホール注入層１２０の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがある（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」と称する）。
【００３９】
列バンク５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。また、列バンク５２２Ｙは、行方向の基部により行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
【００４０】
行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙを貫通するようにして行方向に設けられており、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上面を有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。
【００４１】
［ホール輸送層１２１］
図２に示すように、間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。また、行バンク１２２Ｘにおけるホール注入層１２０上にも、ホール輸送層１２１が積層される（不図示）。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。ＲＧＢの各副画素に形成されるホール輸送層１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂは、ＲＧＢの各副画素によって膜厚が異なって形成されている（以後、ホール輸送層１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂを区別しない場合は「ホール輸送層１２１」とする）。
【００４２】
本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂと同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。
［発光層１２３］
図２に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。
【００４３】
各色の副画素１００ｓｅにおいて、画素電極１１９と対向電極１２５との間に各色の発光層１２３が存在し、発光層１２３からの光を共振させて対向電極１２５側から出射させる光共振器構造が形成されている。すなわち、それぞれの発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂから発された光が画素電極１１９にて反射されて対向電極１２５を通して上方に出射される反射光と、発光層Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂから発された光が対向電極１２５を通して上方に出射される直接光とが干渉して強め合う構造を有する。そのため、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂそれぞれから出射させる光の波長に応じて、発光層１２３上面と画素電極１１９上面との間の光学距離が設定され、各色に対応する光成分が強め合うように、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ、ホール輸送層１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂ、ホール注入層１２０ＢＲ、１２０ＢＧ、１２０ＢＢの膜圧が、ＲＧＢの各副画素によって異なって形成されている。
【００４４】
発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分が自己発光領域１００ａとなり、行バンク１２２Ｘの側面及び上面の上方にある部分は非自己発光領域となる。発光層１２３は、自己発光領域においては、ホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上のホール輸送層１２１上面に位置する（不図示）。
【００４５】
図３に示すように、発光層１２３は、それぞれ、バンク間の間隙５２２ｚの行方向の中心を含む幅Ｗ１の範囲に存在し行方向に層厚ｔ１が所定の範囲内にあって均一な平坦部１２３ｆｌを有する。また、発光層１２３は、平坦部１２３ｆｌの行方向の両側の幅Ｗ２の範囲に存在し平坦部１２３ｆｌよりも層厚が厚いピンニング部１２３ｐｎとを含む。ピンニング部ｐｎでは、平坦部１２３ｆｌから離間するにつれて層厚が最大膜厚ｔ２に向けて徐々に増加している。
【００４６】
本実施の形態では、図３に示すように、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎは、列バンク５２２Ｙの側壁に挟まれた間隙５２２ｚにも存在する。列バンク５２２Ｙの側壁の根本から発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎと平坦部１２３ｆｌとの境界までのＸ方向の距離は５μｍ以下であることが好ましい。また、列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚのＸ方向の幅に対する発光層１２３の平坦部１２３ｆｌの比率は、６０％以上であることが好ましい。
【００４７】
なお、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
【００４８】
［電子輸送層１２４］
図２に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚ内の発光層１２３上を被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４は、表示パネル１０の少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。電子輸送層１２４は、対向電極１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。電子輸送層１２４は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａと、電子輸送層１２４Ａ上に積層された有機物を主成分とする電子輸送層１２４Ｂとを含む（以後において、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂを総称する場合は「電子輸送層１２４」と表記する）。
【００４９】
［対向電極１２５］
図２に示すように、電子輸送層１２４上に、対向電極１２５が形成されている。対向電極１２５は、各発光層１２３に共通の電極となっている。対向電極１２５Ａは、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作る。対向電極１２５は、発光層１２３へキャリアを供給し、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。
【００５０】
対向電極１２５は、基板１００ｘ側から順に金属を主成分とする対向電極１２５Ａと、対向電極１２５Ａ上に積層された金属酸化物からなる対向電極１２５Ｂとを含む（以後において、対向電極１２５Ａ、１２５Ｂを総称する場合は「対向電極１２５」と表記する）。
［封止層１２６］
対向電極１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、対向電極１２５の上面を覆うように設けられている。また、ディスプレイとして良好な光取り出し性を確保するために高い透光性を有することが必要である。
【００５１】
（発光素子部の構成材料）
発光素子部の各部の構成材料について、一例を示す。
［基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）］
基材１００ｐとしては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
【００５２】
ＴＦＴ層は、基材１００ｐに形成されたＴＦＴ回路と、ＴＦＴ回路上に形成された無機絶縁層（不図示）、平坦化層１１８とを有する。ＴＦＴ回路は、基材上面に形成された電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。
ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。
【００５３】
基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。
［画素電極１１９］
画素電極１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極１１９の表面部が高い反射性を有する。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。アルミニウム（Ａｌ）合金では、反射率が８０〜９５％と高く、電気抵抗率が、２．８２×１０-8（１０  ｎΩｍ）と小さく、画素電極１１９の材料として好適である。さらに、コスト面からアルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることが好ましい。
【００５４】
金属層としては、アルミニウム合金などの金属層の他、高反射率の観点から、例えば、銀や銀を含む合金等を用いることができる。
［ホール注入層１２０］
ホール注入層１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。ホール注入層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。
【００５５】
本実施の形態では、ホール注入層１２０Ａは、膜厚が２ｎｍ以上（ここでは一例として１０ｎｍ）３０ｎｍ以下の酸化タングステン層として構成される。ホール注入層１２０Ａは、酸化タングステンから構成されることが望ましいが、通常混入し得る程度の極微量の不純物が含まれていてもよい。
ホール注入層１２０Ｂは、上述のとおり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。また、図２に示すように、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられたホール注入層１２０Ｂを、それぞれホール注入層１２０ＢＢ、１２０ＢＧ及び１２０ＢＲとしたとき、ホール注入層１２０ＢＲの厚みは、ホール注入層１２０ＢＢの厚み及びホール注入層１２０ＢＧの厚みよりも大きく構成されている。ホール注入層１２０ＢＢの厚みは０ｎｍより大きく２５ｎｍ以下であり、ホール注入層１２０ＢＧの厚みは０ｎｍより大きく３０ｎｍ以下であり、ホール注入層１２０ＢＲの厚みは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００５６】
［バンク１２２］
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。
【００５７】
又は、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
【００５８】
また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
［ホール輸送層１２１］
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。図２に示すように、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられたホール輸送層１２１を、それぞれホール輸送層１２１Ｂ、ホール輸送層１２１Ｇ及びホール輸送層１２１Ｒとしたとき、これらの膜厚は概ね１０ｎｍから３０ｎｍの範囲であることが好ましい。
【００５９】
［発光層１２３］
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い成膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。発光層１２３は膜厚が、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲で形成されていることが好ましい。
【００６０】
［電子輸送層１２４］
電子輸送層１２４には、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１２４Ａは、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。電子輸送層１２４Ｂに用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。電子輸送層１２４Ａは膜厚が、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で形成されていることが好ましい。
【００６１】
また、電子輸送層１２４Ｂは、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。電子輸送層１２４Ｂは膜厚が、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲で形成されていることが好ましい。本実施の形態では、電子輸送層１２４は、約３０ｎｍとした。
［対向電極１２５］
対向電極１２５Ａは、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用い形成される。
【００６２】
対向電極１２５Ｂは、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。
［封止層１２６］
封止層１２６は、トップエミッション型の場合においては、光透過性の材料で形成される。例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００６３】
（前面板１３１の各部構成）
［上部基板１３０］
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１３２が形成された前面板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
【００６４】
［カラーフィルタ層１３２］
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１３２が形成されている。カラーフィルタ層１３２は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１３２としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。カラーフィルタ層１３２は膜厚が、１μｍ以上４μｍ以下の範囲で形成されていることが好ましい。カラーフィルタ層１３２は、具体的には、例えば、複数の開口部を画素単位に行列状に形成されたカラーフィルタ形成用のカバーガラスからなる上部基板１３０に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
【００６５】
［遮光層１３３］
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１３３が形成されている。遮光層１３３は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。例えば、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料の黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。遮光層１３３は膜厚が、１μｍ以上２μｍ以下の範囲で形成されていることが好ましい。
【００６６】
本開示に係る表示パネルは、前面板１３１において、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置する第１の部分１３１１と発光層１２３の平坦部１２３ｆｌの上方に位置する第２の部分１３１２は、特定の波長に対する透過率が異なって構成されている点に特徴がある。
本実施の形態では、前面板１３１は、第１の部分１３１１を含む少なくとも画素電極１１９の行方向の間隙の上方に配され列方向に延伸されてなる遮光層１３３を有する構成を採る。そのため、前面板１３１の第１の部分１３１１は遮光層１３３から構成され、第２の部分１３１２は下方に位置する発光層１２３の発する光の波長に対応するカラーフィルタ層１３２から構成されている。
【００６７】
なお、上述のとおり、本実施の形態では、図３に示すように、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎは、列バンク５２２Ｙの側壁に挟まれた間隙５２２ｚにも存在する。したがって、遮光層１３３は、少なくとも画素電極１１９の行方向の間隙の上方から列バンク５２２Ｙの側壁に挟まれた間隙５２２ｚ内に位置する発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの内縁までを覆うことが好ましい。
【００６８】
［接合層１２７］
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１３２が形成された前面板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルと前面板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
【００６９】
＜表示パネル１０の製造方法＞
表示パネル１０の製造方法について、図４〜１０を用いて説明する。図４は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。図５〜７、９、１０における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【００７０】
［基板１００ｘの準備］
複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図４におけるステップＳ１、図５（ａ））。
［平坦化層１１８の形成］
基板１００ｘを被覆するように、上述の平坦化層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１１８を形成する（図４：ステップＳ２、図５（ｂ））。具体的には、一定の流動性を有する樹脂材料を、例えば、ダイコート法により、基板１００ｘ１の上面に沿って、ＴＦＴ層による基板１００ｘ１上の凹凸を埋めるように塗布する。これにより、平坦化層１１８の上面は平坦化した形状となる。
【００７１】
平坦化層１１８における、ＴＦＴ素子の例えばソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホール（不図示）を形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するようにパターニングなどを用いて形成される。
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が平坦化層１１８上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウエットエッチング法を用いてパターニングすればよい。
【００７２】
［画素電極１１９、ホール注入層１２０Ａの形成］
次に、画素電極１１９、ホール注入層１２０Ａの形成を行う（図４：ステップＳ３）。
先ず、平坦化層１１８を形成した後、平坦化層１１８の表面にドライエッチング処理を行い成膜前洗浄を行う。
次に、平坦化層１１８の表面に成膜前洗浄を行った後、画素電極１１９を形成するための画素電極用の金属膜１１９ｘをスパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法により平坦化層１１８の表面に成膜する。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により成膜する。
【００７３】
さらに、金属膜１１９Ｘの表面に成膜前洗浄を行った後、引き続き真空雰囲気下でホール注入層１２０Ａを形成するためのホール注入層１２０Ａ用の金属膜１２０Ａ’を気相成長法により金属膜１１９ｘの表面に成膜する（図５（ｄ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により成膜する。本実施の形態では、後述する行バンク１２２に対する焼成工程において、ホール注入層１２０Ａを所定条件で成膜及び焼成することにより、酸素欠陥構造を持つ酸化タングステンを含む酸化タングステン膜からなるホール注入層１２０を成膜して占有準位を形成する構成としている。
【００７４】
その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する（図６（ａ））。次に、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。
その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、金属膜１２０Ａ’にドライエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０Ａを形成する。
【００７５】
続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ及びホール注入層１２０Ａを介して、金属膜１１９ｘにウエットエッチング処理を施ししてパターニングを行い、画素電極１１９を形成する。
ホール注入層１２０Ａの形成において、ドライエッチング処理を行う理由は、例えば、酸化タングステン膜からなる金属膜１２０Ａ’と、例えば、アルミ系合金からなる金属膜１１９ｘとはウェットエッチングレートに大きな差があるため一括に処理することが困難であるためである。本実施形態において、酸化タングステンはアルゴンガス等でのドライエッチングを使用し、アルミ合金はウェットエッチングする製法について説明したが、例えば、ホール注入層１２０Ａと画素電極１１９とをドライエッチングで一括に処理してもよい。
【００７６】
最後に、フォトレジスト層ＦＲを剥離して、同一形状にパターニングされた画素電極１１９及びホール注入層１２０Ａの積層体を形成する（図６（ｂ））。
［バンク１２２の形成］
ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ａを形成した後、ホール注入層１２０Ａを覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し、その後、間隙５２２ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成する（図４：ステップＳ４、図６（ｃ））。
【００７７】
先ず、行バンク１２２の形成は、先ず、ホール注入層１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２Ｘの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘを形成する。
行バンク１２２Ｘのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。
【００７８】
次に、列バンク５２２Ｙの形成工程では、ホール注入層１２０Ａ上及び行バンク１２２Ｘ上に、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することにより、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する。
【００７９】
具体的には、列バンク５２２Ｙの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。
【００８０】
次に、感光性樹脂を現像、によって列バンク５２２Ｙをパターニングした絶縁層を、焼成（約２３０℃、約６０分）することにより形成する。
ここで、ホール注入層１２０Ａは、上述のとおり、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングされるが、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層１２０Ａとして完成する。
【００８１】
［有機機能層の形成］
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０Ａ上に対して、ホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する（図４：ステップＳ５、図６（ｄ））。
ホール注入層１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
【００８２】
ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる、あるいは、焼成することによりなされる。ホール輸送層１２１のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法は、上述したホール注入層１２０Ｂにおける方法と同じである。
【００８３】
発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる図４：ステップＳ６、図７（ａ））。具体的には、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の動作テーブル上に載置され、Ｙ方向（図７（ａ）では紙面奥行き方向）に沿って複数のノズル孔がライン状に配置されたインクジェットヘッド３０１をＸ方向に基板１００ｘに対し相対的に移動しながら、各ノズル孔から列バンク５２２Ｙ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクの液滴１８を着弾させることによって行う。
【００８４】
また、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩ（をそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。
【００８５】
基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。
【００８６】
なお、ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は上記の方法には限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布してもよい。
図８は、発光層１２３の乾燥工程におけるインク液面の変化を示す模式図である。
【００８７】
インク材が吐出された直後は、図８に示すように、赤色液面、緑色液面及び青色液面は、それぞれ、インク液面１２３ＲＩａ、１２３ＧＩａ及び１２３Ｂａのように、基板１００ｘの厚み方向、上方に突出している。乾燥工程においてインクの乾燥が進むにつれて、溶媒が蒸発し各インク材の液滴の体積が減少してゆく。この過程において、赤色発光層について、この図に示すように、赤色インク液面は、順に、１２３ＲＩａ、１２３ＲＩｂ、１２３ＲＩｃ、１２３ＲＩｄのように変化する。また、緑色液面は、順に、１２３ＧＩａ、１２３ＧＩｂ、１２３ＧＩｃ、１２３ＧＩｄのように変化する。さらに、青色液面は、順に、１２３ＢＩａ、１２３ＢＩｂ、１２３ＢＩｃ、１２３ＢＩｄのように変化する。そして、乾燥工程の最終段階では、インク液面１２３ＲＩｄ、１２３ＧＩｄ及び１２３ＢＩｄでは、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚの行方向の中心を含む範囲が平坦となり、バンクの側面に対するインクの表面張力によって列バンク５２２Ｙ間の側面に沿って液面がせり上がった（ピンニングした）状態となる。そして、この状態でベーク処理がされることによって、形成される発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂは、図７（ａ）に示すように、バンク間の間隙５２２ｚの行方向の中心を含む範囲に存在し行方向に層厚が均一な平坦部１２３ｆｌと、平坦部１２３ｆｌの行方向の両側に存在し平坦部１２３ｆｌよりも層厚が厚いピンニング部１２３ｐｎとを含む形態となる。
【００８８】
［電子輸送層１２４の形成］
発光層１２３を形成した後、表示パネル１０の発光エリア（表示領域）全面にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図４：ステップＳ７、図７（ｂ））。真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層１２３に損傷を与えないためと、高真空化で行う真空蒸着法は成膜対象の分子が基板に向かって垂直方向に直進的に成膜される。電子輸送層１２４Ａは、発光層１２３の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより成膜する。電子輸送層１２４Ａの上に、有機材料と金属材料との共蒸着法により、電子輸送層１２４Ｂを成膜する。なお、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂの膜厚は、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。
【００８９】
［対向電極１２５の形成］
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極１２５を形成する（図４：ステップＳ８、図７（ｃ））。対向電極１２５は、基板１００ｘ側から順に金属を主成分とする対向電極１２５Ａと、対向電極１２５Ａ上に積層された金属酸化物からなる対向電極１２５Ｂとを含む。
【００９０】
このうち、先ず、対向電極１２５Ａは、電子輸送層１２４を被覆するように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する。本例では、対向電極１２５Ａを真空蒸着法により銀を堆積することにより形成する構成としている。
次に、対向電極１２５Ｂは、対向電極１２５Ａ上にスパッタリング法などにより形成する。本例では、対向電極１２５Ｂはスパッタリング法を用いてＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電層を形成する構成としている。
【００９１】
［封止層１２６の形成］
対向電極１２５Ｂを被覆するように、封止層１２６を形成する（図４：ステップＳ９、図７（ｄ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
［前面板１３１の形成］
次に、前面板１３１の製造工程を例示する。
【００９２】
透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層の材料（１３３Ｘ）を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図９（ａ））。
塗布した遮光層の材料の膜１３３´の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図９（ｂ））。
【００９３】
その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１３３を除去して現像し、キュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光層１３３が完成する（図９（ｃ））。このとき、遮光層１３３は、基板１００ｘと対向させたときに、基板１００ｘに形成された発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置するようにパターニングされている。
次に、遮光層１３３を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１３２（例えば、Ｇ）の材料１３２Ｇを塗布し（図９（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図９（ｅ））。
【００９４】
その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト１３２Ｇを除去して現像すると、カラーフィルタ層１３２Ｇが形成される（図９（ｆ））。
この工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｂを形成する（図９（ｇ））。以上で前面板１３１が形成される。
［前面板１３１と背面パネルとの貼り合わせ］
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１０（ａ））。
【００９５】
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルと前面板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１０（ｂ））。
このとき、前面板１３１に形成された遮光層１３３は、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置するようにアライメントされている。そのため、表示パネル１０は、前面板１３１において、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置する第１の部分１３１１は遮光層１３３から構成され、発光層１２３の平坦部１２３ｆｌの上方に位置する第２の部分１３１２は下方に位置する発光層１２３の発する光の波長に対応するカラーフィルタ層１３２から構成される。
【００９６】
その結果、表示パネル１０では、前面板１３１において、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置する第１の部分１３１１と発光層１２３の平坦部１２３ｆｌの上方に位置する第２の部分１３１２は、特定の波長に対する透過率が異なって形成される。
＜効  果＞
以下、実施の形態に係る表示パネル１０の効果について説明する。
【００９７】
（膜厚測定）
先ず、表示パネル１０における機能層の膜厚の測定結果を示す。
図１１は、有機ＥＬ表示パネル１０の行方向に切断した断面におけるホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３からなる塗布法により形成される機能層の膜厚を図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で測定した結果である。図１１に示すように、塗布法により形成される機能層の膜厚は、バンク間の間隙５２２ｚの行方向の中心（ｘ＝０）を含む幅±７．５μｍの範囲において約４０ｎｍから５０ｎｍの範囲であり、膜厚の変動幅が１０ｎｍ以下である平坦部１２３ｆｌが存在していることが確認できる。一方、平坦部１２３ｆｌのｘ方向の両側では、平坦部１２３ｆｌから離間するにつれて層厚が５０μｍから１１０μｍに向けて徐々に増加しており、平坦部１２３ｆｌのｘ方向の両側５μｍに平坦部１２３ｆｌよりも層厚が厚いピンニング部１２３ｐｎが存在していることが確認できる。
【００９８】
（発光試験）
[輝度測定]
次に、表示パネルにおける副画素１００ｓｅの輝度分布の測定結果を示す。
図１２は、有機ＥＬ表示パネルの比較例における副画素の平面視における輝度分布の測定結果を示す模式図であり、（ａ）は初期状態、（ｂ）は素子寿命に相当する点灯時間が１００００時間経過後における結果である。ここで、比較例とは、表示パネル１０において、遮光層１３３に替えて、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置する第１の部分１３１１を覆わない遮光層を用いた表示パネルである。
【００９９】
初期状態では、図１２（ａ）に示すように、副画素１００ｓｅにおける発光層１２３の平坦部１２３ｆｌに相当する範囲において輝度Ｌｕ１の発光が観測された。その理由は、初期状態では、発光層１２３において相対的にピンニング部１２３ｐｎに比べて膜厚が小さい平坦部１２３ｆｌはピンニング部１２３ｐｎに比べて電気抵抗が小さいために、電流密度が高くなり平坦部１２３ｆｌにおける発光が支配的になるためである。
【０１００】
これに対し、点灯時間が１００００時間経過後では、図１２（ｂ）に示すように、発光層１２３の平坦部１２３ｆｌに相当する範囲において観測された輝度Ｌｕ１は輝度Ｌｕ１´に低下するとともに、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎに相当する範囲において輝度Ｌｕ２が観測された。また、１００００時間経過後では、平坦部１２３ｆｌにおける初期状態における輝度Ｌｕ１は輝度Ｌｕ１´に低下した。発光層１２３の平坦部１２３ｆｌを構成する発光材料が経時的な点灯により局所的に絶縁化する部分が生じ、発光層１２３の平坦部１２３ｆｌにおける電気抵抗が上昇して電流密度が低下するためである。また、経時的な点灯により発光材料の発光特性が低下することにも起因する。
【０１０１】
また、平坦部１２３ｆｌにおける電気抵抗が上昇しピンニング部１２３ｐｎにおける電気抵抗に近づくために、平坦部１２３ｆｌにも電流が流れ輝度Ｌｕ２が観測されると考えられる。
さらに、点灯時間の増加に伴って平坦部１２３ｆｌにおける電流密度がピンニング部１２３ｐｎに比べて高くなり、ピンニング部１２３ｐｎにおける輝度Ｌｕ２が平坦部１２３ｆｌにおける輝度Ｌｕ１´よりも大きくなることが確認された。その理由は、平坦部１２３ｆｌにおける電気抵抗がピンニング部１２３ｐｎに比べて大きくなるためである。
【０１０２】
[色度測定]
次に、表示パネルにおける副画素１００ｓｅの色度分布の測定結果を示す。
図１３は、有機ＥＬ表示パネルの比較例における副画素の図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で測定した色度分布の測定結果を示す模式図であり、（ａ）は初期状態、（ｂ）は素子寿命に相当する点灯時間が１００００時間経過後、（ｃ）はさらに点灯時間を増加した状態での結果である。図１３において、色度ｙは、ＣＩＥｘｙＹ色空間におけるｙ値であり、青の副画素における結果である。
【０１０３】
初期状態では、図１３（ａ）に示すように、副画素１００ｓｅにおける発光層１２３の平坦部１２３ｆｌに相当する範囲において色度ｙ１を示す発光が観測された。その理由は、上述のとおり、初期状態では、膜厚が小さい平坦部１２３ｆｌの電気抵抗が小さいために平坦部１２３ｆｌにおける発光が支配的になるためである。
次に、点灯時間が１００００時間経過後では、図１３（ｂ）に示すように、発光層１２３の平坦部１２３ｆｌに相当する範囲では色度ｙ１を示す発光が観測されるとともに、平坦部１２３ｆｌのｘ方向の両側では、平坦部１２３ｆｌから離間するにつれて発光示す色度ｙ１から色度ｙ２の連続的な変化が観測された。その理由は、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎでは平坦部１２３ｆｌから離間するにつれて膜厚が徐々に増加することに起因して、出射される光の示す色度ｙが増加するためである。
【０１０４】
さらに、点灯時間の増加に伴って、図１３（ｃ）に示すように、平坦部１２３ｆｌに相当する範囲における色度ｙ１の発光の強度は低下した。平坦部１２３ｆｌにおける電気抵抗がピンニング部１２３ｐｎに比べて大きくなるためである。
以下、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎにおいて平坦部１２３ｆｌから離間するにつれて出射される光の色度が変化する理由について説明する。
【０１０５】
有機ＥＬ表示パネルでは、光取り出し効率を調整するため、共振器構造が採用されている。図１４は、本実施形態にかかる表示パネル１０の光共振器構造における光の干渉を説明する図である。当図では１つの副画素１００ｓｅに相当する素子部分について説明する。
この有機ＥＬ素子１００の副画素１００ｓｅの光共振器構造において、発光層１２３からはホール輸送層１２１との界面近傍から光が出射されて各層を透過していく。この各層界面において光の一部が反射されることによって光の干渉が生じる。
【０１０６】
発光層１２３から出射され対向電極１２５側に進行した光の一部が、対向電極１２５を透過して発光素子の外部に出射される第１光路Ｃ1と、発光層１２３から、画素電極１１９側に進行した光の一部が、画素電極１１９で反射された後、発光層１２３および対向電極１２５を透過して発光素子の外部に出射される第２光路Ｃ2とが形成される。そして、この直接光と反射光との干渉が生じる。
【０１０７】
図１４に示す光学膜厚Ｌ1は、第１光路Ｃ1と第２光路Ｃ2との光学距離の差に対応している。この光学膜厚Ｌ1は、発光層１２３と画素電極１１９との間に挟まれたホール注入層１２０Ａ、１２０Ｂ、ホール輸送層１２１の合計の光学距離である。
発光層１２３から対向電極１２５側に進行した光の一部が、対向電極１２５で反射されて、さらに画素電極１１９で反射された後、発光素子の外部に出射される第３光路Ｃ3も形成される。そして、この第３光路Ｃ3を経由する光と、上記第１光路Ｃ1を経由する光との干渉が生じる。第２光路Ｃ2と第３光路Ｃ3との光学距離の差は図１４に示す光学膜厚Ｌ2に対応する。この光学膜厚Ｌ2は、発光層１２３、電子輸送層１２４の合計の光学距離である。
【０１０８】
第３光路Ｃ3を経由する光と、上記第１光路Ｃ1を経由する光との干渉も生じる。第１光路Ｃ1と第３光路Ｃ3との光学距離の差は、図１３に示す光学膜厚Ｌ3に対応する。光学膜厚Ｌ3は、上記光学膜厚Ｌ1と光学膜厚Ｌ2の和である（Ｌ3＝Ｌ1＋Ｌ2）。光学膜厚Ｌ3は、画素電極１１９と対向電極１２５との間に挟まれたホール注入層１２０Ａ、１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３、電子輸送層１２４の合計の光学距離である。
【０１０９】
光共振器構造を用いた発光素子における光学距離の設計では、上記のうち、光学膜厚Ｌ1の調整のために決定されたホール注入層１２０Ａ、１２０Ｂ、ホール輸送層１２１の膜厚を踏まえて、光学膜厚Ｌ2と光学膜厚Ｌ3の両方の調整のために発光層１２３膜厚が決定される。このとき、発光層１２３膜厚が影響する光学膜厚Ｌ2、Ｌ3の調整では、各色の発光波長の違いにより、光学的な最適電極間距離は赤色副画素が最も長く、青色副画素が最も短い構成となる。
【０１１０】
上述のとおり、平坦部１２３ｆｌでは、発光層１２３の膜厚は約４０ｎｍから５０ｎｍの範囲であり、平坦部１２３ｆｌのｘ方向の両側では、平坦部１２３ｆｌから離間するにつれて層厚が５０μｍから１１０μｍに向けて徐々に増加する。すなわち、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎでは平坦部１２３ｆｌから離間するにつれて膜厚が徐々に増加する。そのため、ピンニング部１２３ｐｎでは発光に伴い干渉して強め合う光の波長が長波長側にシフトし、平坦部１２３ｆｌから離間するにつれて発光に伴い出射される光の波長が長波長側にシフトする。
【０１１１】
その結果、青色副画素においては、出射される光の波長が長波長側（青から緑の方向）にシフトし、出射される光の示す色度ｙが増加する。
他方、緑及び赤色副画素においては、出射される光の波長が長波長側（より赤方向）にシフトし、出射される光の示す色度xが増加する。
[表示パネル１０における測定結果]
次に、表示パネル１０の副画素１００ｓｅの輝度及び色度分布の測定結果を示す。図１５（ａ）は、素子寿命に相当する点灯時間経過後における表示パネル１０の副画素の平面視における輝度分布の測定結果を示す模式図、（ｂ）は、表示パネル１０の副画素における図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で測定した色度（ｙ値）分布の測定結果を示す模式図である。
【０１１２】
図１５（ａ）に示すように、表示パネル１０では、点灯時間が１００００時間経過後では、発光層１２３の平坦部１２３ｆｌに相当する範囲において観測された輝度Ｌｕ１´が観測された。発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎに相当する範囲では、比較例と同様にに輝度Ｌｕ２に相当する発光が生じるが、表示パネル１０では発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置する前面板１３１の第１の部分１３１１は遮光層１３３に覆われているので、前面板１３１の第１の部分１３１１からは輝度Ｌｕ２に相当する発光が上方に出射されることはない（輝度Ｌｕ０）。
【０１１３】
また、図１５（ｂ）に示すように、点灯時間が１００００時間経過後では、表示パネル１０では、発光層１２３の平坦部１２３ｆｌに相当する範囲では色度ｙ１を示す発光が観測されるとともに、平坦部１２３ｆｌのｘ方向の両側では、平坦部１２３ｆｌから離間するにつれて発光示す色度ｙ１から色度ｙ２に連続的な変化する光が発光されるが、表示パネル１０では発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置する前面板１３１の第１の部分１３１１は遮光層１３３に覆われているので、前面板１３１の第１の部分１３１１からは色度ｙ１から色度ｙ２に連続的な変化する光が上方に出射されることはない。
【０１１４】
＜まとめ＞
以上のとおり、本開示の実施の形態に係る表示パネル１０は、基板１００ｘ上に行列状に配され光反射材料からなる複数の画素電極１１９と、行方向における画素電極と画素電極の間に配され列方向に延伸されてなる複数の列バンク５２２Ｙと、行方向に隣接する２つのバンク間の間隙に配された複数の発光層１２３と、複数の発光層上方に配された透光性の対向電極１２５と、対向電極上方に配された前面板１３１とを備え、複数の発光層は、それぞれ、バンク間の間隙の行方向の中心を含む範囲に存在し行方向に層厚が均一な平坦部１２３ｆｌと、平坦部の行方向の両側に存在し平坦部よりも層厚が厚いピンニング部１２３ｐｎとを含み、前面板は、発光層のピンニング部の上方に位置する第１の部分１３１１と発光層の平坦部の上方に位置する第２の部分１３１２とが、特定の波長に対する透過率が異なって構成されていることを特徴とする。また、前面板１３１は、第１の部分１３１１を含む、少なくとも画素電極１１９の行方向の間隙の上方に配され列方向に延伸されてなる遮光層１３３を有し、前面板１３１は、第１の部分１３１１は遮光層1３３から構成され、第２の部分は下方に位置する発光層の発する光の波長に対応するカラーフィルタ層１３２から構成されていてもよい。
【０１１５】
係る構成により、経時的な点灯に伴い表示パネル１０では、発光層１２３の平坦部１２３ｆｌのｘ方向の両側では、平坦部１２３ｆｌにおける発光色度が変化した光が発光されるが、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置する前面板１３１の第１の部分１３１１は遮光層１３３に覆われているので、前面板１３１の第１の部分１３１１から色度が変化した光が出射されることはない。その結果、有機ＥＬ表示パネルの点灯に伴う各副画素からの出射光の色度の変化を抑制することができる。
【０１１６】
≪実施の形態２≫
実施の形態１に係る表示パネル１０では、前面板１３１は、第１の部分１３１１を含む、少なくとも画素電極１１９の行方向の間隙の上方に配され列方向に延伸されてなる遮光層１３３を有し、前面板１３１の第１の部分１３１１は遮光層1３３から構成され、第２の部分は下方に位置する発光層の発する光の波長に対応するカラーフィルタ層１３２からなる構成としている。
【０１１７】
しかしながら、本開示に係る表示パネルでは前面板１３１は、発光層のピンニング部の上方に位置する第１の部分１３１１と発光層の平坦部の上方に位置する第２の部分１３１２は、特定の波長に対する透過率が異なる構成であればよく、前面板１３１の第１の部分１３１１は遮光層1３３から構成されたものには限られない。
以下、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｘ（以下、「表示パネル１０Ｘ」とする）について説明する。
【０１１８】
＜構  成＞
図１６は、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｘの、図２におけるＡ２部と同じ断面の拡大断面図である。図１６に示すように、表示パネル１０Ｘでは、前面板１３１Ｘの第１の部分１３１１及び第２の部分１３１２は、下方に位置する発光層１２３の発する光の波長の範囲に対する透過率が異なるカラーフィルタ層１３２Ｘからそれぞれ構成されている点で実施の形態１と相違する。したがって、前面板１３１Ｘにおける相違点のみを説明し、その他の構成は実施の形態１と同じであるので、同じ番号を付して説明を省略する。
【０１１９】
表示パネル１０Ｘでは、前面板１３１Ｘは、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置する第１の部分１３１１、及び発光層１２３の平坦部１２３ｆｌの上方に位置する第２の部分１３１２にはカラーフィルタ層１３２１が形成されており、さらに、第１の部分１３１１又は第１の部分１３１２の何れかではカラーフィルタ層１３２１の上面にカラーフィルタ層１３２２が積層された構成を有する。カラーフィルタ層１３２１とカラーフィルタ層１３２２とは同じ材料で構成されていてもよく、異なる材料で構成されていてもよい。第１の部分１３１１又は第１の部分１３１２の何れにカラーフィルタ層１３２２が積層されるかについては、ＲＧＢの副画素によって態様が異なる。
【０１２０】
先ず、青色副画素である場合、すなわち、第１の部分１３１１及び第２の部分１３１２の下方に位置する発光層１２３の発する光の波長が青色光であるとき、第１の部分１３１１は第２の部分１３１２よりも、青色光に対する透過率が小さいことが好ましい。青色副画素においては、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎにおいて、出射される光の波長が長波長側（青から緑の方向）にシフトし、出射される光の示す色度ｙが増加するため、この変化を補正した光を出射するためである。
【０１２１】
次に、緑色副画素である場合、すなわち、第１の部分１３１１及び第２の部分１３１２の下方に位置する発光層１２３の発する光の波長が緑色光であるとき、第１の部分１３１１は第２の部分１３１２よりも、緑色光に対する透過率が小さいことが好ましい。緑色副画素においても、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎにおいて、出射される光の波長が長波長側（緑から赤方向）にシフトし、出射される光の示す色度xが増加するため、この変化を補正した光を出射するためである。
そのため、青色副画素及び緑色福画素においては、前面板１３１Ｘのカラーフィルタ層１３２Ｘでは、第１の部分１３１１及び第２の部分１３１２に配置されたカラーフィルタ層１３２１の上面において、第１の部分１３１１にカラーフィルタ層１３２２が積層された構成を採る。係る構成により、カラーフィルタ層１３２Ｘは、第１の部分１３１１が第２の部分１３１２よりも青色光又は緑色光に対する透過率が小さい構成となる。
【０１２２】
他方、赤色副画素である場合、すなわち、第１の部分１３１１及び第２の部分１３１２の下方に位置する発光層１２３の発する光の波長が赤色光であるとき、前面板１３１Ｘは、第１の部分１３１１は第２の部分１３１２よりも赤色光に対する透過率が大きいことが好ましい。赤色副画素においては、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎにおいて、出射される光の波長が長波長側（より赤方向）にシフトし、出射される光の示す色度xが増加するため、この変化を補正した光を出射するためである。
【０１２３】
そのため、赤色副画素においては、前面板１３１Ｘのカラーフィルタ層１３２Ｘは、第１の部分１３１１及び第２の部分１３１２に配置されたカラーフィルタ層１３２１の上面において、第２の部分１３１２にカラーフィルタ層１３２２が積層された構成を採る。係る構成により、カラーフィルタ層１３２Ｘは、第１の部分１３１１が第２の部分１３１２よりも赤色光に対する透過率が大きい構成となる。
【０１２４】
＜製造方法＞
カラーフィルタ層１３２２の製造は、以下のように行うことができる。遮光層１３３と、前面板１３１の第１部分１３１１及び第２部分１３１２にカラーフィルタ層１３２１が形成された上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１３２２の材料を塗布し、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う。その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペーストを除去して現像すると、カラーフィルタ層１３２２が形成される。この工程を各色のカラーフィルタ層１３２２の材料について同様に繰り返すことで、ＲＧＢの副画素においてカラーフィルタ層１３２２を形成することができる。
【０１２５】
そして、前面板１３１と有機ＥＬ発光素子１００が形成された背面パネルとを貼り合わせた状態では、前面板１３１に形成されたカラーフィルタ層１３２２は、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置するようにアライメントされる。そのため、表示パネル１０は、前面板１３１において、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置する第１の部分１３１１はカラーフィルタ層１３２２とカラーフィルタ層１３２１とが積層され、発光層１２３の平坦部１２３ｆｌの上方に位置する第２の部分１３１２はカラーフィルタ層１３２１の単層から構成される。
【０１２６】
＜効  果＞
図１７（ａ）は、素子寿命に相当する点灯時間経過後における表示パネル１０Ｘの副画素の平面視における輝度分布の測定結果を示す模式図である。図１７（ａ）に示すように、表示パネル１０でＸは、点灯時間１００００時間経過後では、発光層１２３の平坦部１２３ｆｌに相当する範囲において観測された輝度Ｌｕ１´が観測された。発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎに相当する範囲では、比較例と同様に輝度Ｌｕ２に相当する発光が生じるが、表示パネル１０では発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置する前面板１３１の第１の部分１３１１はカラーフィルタ層１３２１に加えてカラーフィルタ層１３２２が積層されているので、前面板１３１の第１の部分１３１１からは輝度Ｌｕ２に相当する発光が輝度Ｌｕ２´に変化して上方に出射される。
【０１２７】
出射される輝度Ｌｕ２´が輝度Ｌｕ１´と等価となるようにカラーフィルタ層１３２２の透過率を設定することにより、点灯時間が１００００時間経過後に発光層１２３の平坦部１２３ｆｌの発光輝度が低下し、ピンニング部１２３ｐｎにおける発光が生じた場合でも、平坦部１２３ｆｌとピンニング部１２３ｐｎからの発される光の輝度を等価に近い状態とすることができる。
【０１２８】
図１７（ｂ）は、表示パネル１０Ｘの副画素における図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で測定した色度（ｙ値）分布の測定結果を示す模式図である。図１７（ｂ）に示すように、点灯時間１００００時間経過後では、表示パネル１０では、発光層１２３の平坦部１２３ｆｌに相当する範囲では色度ｙ１を示す発光が観測されるとともに、平坦部１２３ｆｌのｘ方向の両側では、平坦部１２３ｆｌから離間するにつれて発光示す色度ｙ１から色度ｙ２に連続的な変化する光が発光されるが、表示パネル１０では発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置する前面板１３１の第１の部分１３１１はカラーフィルタ層１３２１に加えてカラーフィルタ層１３２２が積層されているので、前面板１３１の第１の部分１３１１からは色度ｙ１に変換されて光が上方に出射される。
【０１２９】
色度ｙ２が色度ｙ１と等価となるようにカラーフィルタ層１３２２の分光透過率を設定することにより、点灯時間１００００時間経過後に発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎにおける色度が変化した場合でも、平坦部１２３ｆｌとピンニング部１２３ｐｎからの発される光の色度を等価に近い状態とすることができる。
＜まとめ＞
以上のとおり、本開示の実施の形態に係る表示パネルは、前面板１３１において、第１の部分１３１１及び第２の部分１３１２は、下方に位置する発光層の発する光の波長の範囲に対する透過率が異なるカラーフィルタ層１３２１及び１３２２からそれぞれ構成されている。
【０１３０】
係る構成により、経時的な点灯により発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎにおける色度が変化した場合でも、平坦部１２３ｆｌとピンニング部１２３ｐｎからの発される光の色度を等価に近い状態に補正して出射することができる。その結果、有機ＥＬ表示パネルの点灯に伴う各副画素からの出射光の色度の変化を抑制することができる。
≪有機ＥＬ表示装置１の回路構成≫
以下では、実施の形態１に係る表示パネル１０を用いた有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」と称する）の回路構成について、図２０を用い説明する。
【０１３１】
図２０に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。
表示パネル１０は、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
【０１３２】
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２１を用い説明する。
図２１は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
【０１３３】
図２１に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
スイッチングトランジスタＴｒ2のゲートＧ2は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ2 は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ2 のドレインＤ2は、駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1に接続されている。
【０１３４】
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1 は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける対向電極（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2及び駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
【０１３５】
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ2からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ2からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
【０１３６】
また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
≪変形例≫
実施の形態に係る表示パネル１０、１０Ｘを説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、有機ＥＬ表示パネルの変形例を説明する。
【０１３７】
＜変形例１＞
変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｙ（以下、「表示パネル１０Ｙ」とする）表示パネル１０Ｙでは、前面板１３１Ｙにおいて、第１の部分１３１１及び第２の部分１３１２は、異なる種類の顔料を含むカラーフィルタ層１３２４、１３２１からそれぞれ構成されている。図２０は、変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｙの、図２におけるＡ２部と同じ断面の拡大断面図である。
【０１３８】
図２０に示すように、表示パネル１０Ｙでは、前面板１３１Ｙのカラーフィルタ層１３２Ｙは、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置する第１の部分１３１１に形成されているカラーフィルタ層１３２４は、発光層１２３の平坦部１２３ｆｌの上方に位置する第２の部分１３１２に形成されているカラーフィルタ層１３２１と異なる顔料を含む材料から構成されている。これにより、表示パネル１０Ｙでは、前面板１３１Ｙの第１の部分１３１１及び第２の部分１３１２は、下方に位置する発光層１２３の発する光の波長の範囲に対する透過率が異なる構成を採る。第１の部分１３１１又は第１の部分１３１２の何れに透過率が高いフィルタを形成する顔料を用いるかについては、ＲＧＢの副画素によって態様が異なる。
【０１３９】
青色副画素では、前面板１３１Ｙのカラーフィルタ層１３２Ｙは、第１の部分１３１１に形成されるカラーフィルタ層１３２４は第２の部分１３１２に形成されるカラーフィルタ層１３２１よりも、青色光に対する透過率が小さい顔料を含む材料から構成されることが好ましい。
また、緑色副画素では、カラーフィルタ層１３２Ｙは、第１の部分１３１１に形成されるカラーフィルタ層１３２４は第２の部分１３１２に形成されるカラーフィルタ層１３２１よりも、緑色光に対する透過率が小さい顔料を含む材料から構成されることが好ましい。
【０１４０】
他方、赤色副画素では、第１の部分１３１１に形成されるカラーフィルタ層１３２４は第２の部分１３１２に形成されるカラーフィルタ層１３２１よりも、赤色光に対する透過率が大きい顔料を含む材料から構成されることが好ましい。
係る構成により、表示パネル１０Ｙでは、実施の形態２に係る表示パネル１０Ｙと同様に、経時的な点灯に伴い発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎにおける色度が変化した場合でも、平坦部１２３ｆｌとピンニング部１２３ｐｎから発される光の色度を等価に補正して出射することができる。
【０１４１】
カラーフィルタ層１３２Ｙの製造は、以下のように行うことができる。遮光層１３３と、前面板１３１の第２部分１３１２にカラーフィルタ層１３２１が形成された上部基板１３０表面に、カラーフィルタ層１３２１と異なる顔料を含む材料から構成され、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１３２４の材料を塗布し、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う。その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペーストを除去して現像すると、カラーフィルタ層１３２４が形成される。この工程を各色のカラーフィルタ層１３２４の材料について同様に繰り返すことで、ＲＧＢの副画素においてカラーフィルタ層１３２４を形成することができる。
【０１４２】
以上のとおり、変形例１に係る表示パネル１０Ｙによると、有機ＥＬ表示パネルの点灯に伴う各副画素からの出射光の色度の変化を抑制することができる。
＜変形例２＞
変形例２に係る表示パネル１０Ｚでは、前面板１３１Ｚにおいて、第１の部分１３１１及び第２の部分１３１２は、厚みの異なるカラーフィルタ層１３２２からそれぞれ構成されている。図２１は、変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｚの、図２におけるＡ２部と同じ断面の拡大断面図である。
【０１４３】
図２１に示すように、表示パネル１０Ｚでは、前面板１３１Ｚは、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの上方に位置する第１の部分１３１１に形成されているカラーフィルタ層１３２２の部分は、第２の部分１３１２から離間するにつれて層厚がｔｆ１から最大ｔｆ２に連続的に増加するように構成されている。このような膜厚が連続的に変化するカラーフィルタ層１３２２を用いることにより、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎの膜厚が平坦部１２３ｆｌから離間するにつれて層厚が徐々に増加しており、ピンニング部１２３ｐｎの膜厚に応じて出射される光の色度の変化が増加することに対して、ピンニング部１２３ｐｎの膜厚に応じた透過率を有したカラーフィルタ層１３２２を形成して、色度の変化量に応じた透過率のフィルタによる補正を行うことができる。すなわち、表示パネル１０Ｚでは、前面板１３１Ｚの第１の部分１３１１は第２の部分１３１２から離間するにつれて、下方に位置する発光層１２３の発する光の波長範囲の透過率が連続的に変化する構成を採ることができる。
【０１４４】
係る構成により、表示パネル１０Ｚでは、経時的な点灯により発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎにおける色度がピンニング部１２３ｐｎの膜厚に応じて変化した場合でも、色度の変化量に応じてピンニング部１２３ｐｎからの発される光の色に応じた補正を行い、平坦部１２３ｆｌとピンニング部１２３ｐｎからの発される光の色度を等価に補正して出射することができる。
【０１４５】
表示パネル１０Ｚにおけるカラーフィルタ層１３２２の製造は、以下のように行うことができる。遮光層１３３が形成された上部基板１３０表面に、カラーフィルタ層１３２２の材料から構成され、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１３２２の材料を塗布し、第１部分１３１１に対応するマスク部分がハーフトーンマスクからなる所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行いハーフトーン露光を行う。その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペーストを除去して現像すると、図２０に示すような断面形状をしたカラーフィルタ層１３２２が形成される。この工程を各色のカラーフィルタ層１３２２の材料について同様に繰り返すことで、ＲＧＢの副画素においてカラーフィルタ層１３２２を形成することができる。
【０１４６】
以上のとおり、変形例２に係る表示パネル１０Ｚによると、有機ＥＬ表示パネルの点灯に伴う各副画素からの出射光の色度の変化をより一層抑制することができる。
＜変形例３＞
変形例３に係る表示パネルでは、前面板において、第１の部分及び第２の部分は、第１の部分及び第２の部分の下方に位置する発光層の発する光の波長の範囲の一部に対する透過率が異なるカラーフィルタ層からそれぞれ構成されている。
【０１４７】
係る構成により、表示パネル１０Ｙでは、実施の形態２に係る表示パネル１０Ｘと同様に、経時的な点灯に伴い発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎにおける色度が変化した場合でも、変化した色度に対応するようにＲＧＢの各光の波長範囲の一部に対する透過率を異ならせたカラーフィルタ層を設計して用いることにより、平坦部１２３ｆｌとピンニング部１２３ｐｎからの発される光の色度をより一層精度良く補正して出射することができる。
【０１４８】
＜その他の変形例＞
実施の形態に係る有機ＥＬ素子１００では、画素電極１１９と対向電極１２５の間に、ホール注入層１２０Ａ，１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４Ａ，１２４Ｂが存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と対向電極１２５との間にホール注入層１２０Ａ、発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【０１４９】
実施の形態に係る表示パネル１０では、バンク１２２の形状は、いわゆるライン状のバンク形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が列方向（図１のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数行方向に並設されており、列方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が行方向（図１のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設され、行バンク１２２Ｘが形成される領域は、発光層１２３が列状に連続して形成されているが、有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる構成としている。しかしながら、行バンク１２２Ｘが形成される領域には、発光層１２３が形成されておらず、発光層１２３は行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙが形成する格子内に島状に形成され、副画素毎に分離している態様としてもよい。係るピクセルバンクにより区画される発光層１２３においても、経時的な点灯により発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎにおける色度が変化する。このような場合でも、平坦部１２３ｆｌとピンニング部１２３ｐｎからの発される光の色度を遮断又は補正して出射することができ、有機ＥＬ表示パネルの点灯に伴う各副画素からの出射光の色度の変化を抑制することができる。
【０１５０】
また、上記実施の形態では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。
【０１５１】
表示パネル１０では、画素１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、白色などに発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、単位画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
【０１５２】
また、上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に対向電極、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
【０１５３】
また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つの副画素に対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
【０１５４】
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【０１５５】
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【０１５６】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１５７】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１５８】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  有機ＥＬ表示パネル
１０ｅ  区画領域（表示用領域）
１００  有機ＥＬ素子
１００ｅ  単位画素
１００ｓｅ  副画素
１００ａ  自己発光領域
１００ｂ  非自己発光領域
１００ｘ  基板（ＴＦＴ基板）
１１８  平坦化層
１１９  画素電極（反射電極）
１２０、１２０Ａ、１２０Ｂ  ホール注入層
１２１  ホール輸送層
１２２  バンク
１２２Ｘ  行バンク（行絶縁層）
５２２Ｙ  列バンク（列絶縁層）
５２２ｚ（５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ）  間隙
１２３（１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ）  発光層
１２４、１２４Ａ、１２４Ｂ  電子輸送層
１２５、１２５Ａ、１２５Ｂ  対向電極
１２６  封止層
１２７  接合層
１３０  上部基板
１３１、１３１Ｘ、１３１Ｙ、１３１Ｚ  前面板
１２１１  前面板の第１部分
１３１２  前面板の第２部分
１３２、１３２１、１３２２、１３２Ｘ、１３２４、１３２Ｙ  カラーフィルタ層
１３３  遮光層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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