(57)【要約】【課題】電気光学装置の信頼性を向上させる。【解決手段】電気光学装置である表示装置ＤＳＰ１は、液晶層ＬＱが形成されている表示領域ＤＡと、屈曲領域ＢＮＤを有する非表示領域ＮＤＡとを有する。可撓性を備える支持基板１０は、屈曲領域ＢＮＤの内径面側に設けられ、可撓性を備える支持基板２０は、屈曲領域ＢＮＤの外径面側に設けられている。ここで、屈曲領域ＢＮＤにおいて、支持基板１０と支持基板２０との間に、支持基板１０側から支持基板２０側へ向かって順番に、トランジスタに電気的に接続された配線ＷＲ１、無機材料からなるバリア膜ＢＲ、および、衝撃吸収層ＢＦＬ１が形成されている。また、衝撃吸収層ＢＦＬ１は、支持基板２０およびバリア膜ＢＲの各々の靭性よりも大きい靭性を有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域、および、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域の一部である屈曲領域を有する電気光学装置であって、
可撓性を備える第１支持基板と、
可撓性を備える第２支持基板と、
を有し、
前記表示領域において、前記第１支持基板と前記第２支持基板との間に、前記第１支持基板側から前記第２支持基板側へ向かって順番に、第１無機膜、スイッチ素子、電気光学層および第２無機膜が形成され、
前記屈曲領域において、前記第１支持基板は、前記屈曲領域の内径面側に設けられ、前記第２支持基板は、前記屈曲領域の外径面側に設けられ、
前記屈曲領域において、前記第１支持基板と前記第２支持基板との間に、前記第１支持基板側から前記第２支持基板側へ向かって順番に、前記スイッチ素子に電気的に接続された第１配線、前記第２無機膜および第１衝撃吸収層が形成され、
前記第１衝撃吸収層は、前記第２支持基板および前記第２無機膜の各々の靭性よりも大きい靭性を有する、電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記表示領域において、前記電気光学層と前記第２無機膜との間に複数のカラーフィルタが形成され、前記複数のカラーフィルタの各々の境界に遮光膜が形成され、
前記屈曲領域において、前記遮光膜は、前記第１配線と前記無機膜との間に形成されている、電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置において、
前記屈曲領域において、前記第２無機膜と前記遮光膜との間に第２衝撃吸収層が形成され、
第２衝撃吸収層は、前記第２支持基板および前記第２無機膜の各々の靭性よりも大きい靭性を有する、電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置において、
前記第２支持基板は、ポリマーを含む樹脂材料からなり、
前記第２無機膜は、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素または酸化アルミニウムのうち少なくとも１つを含み、
前記第１衝撃吸収層および前記第２衝撃吸収層の各々は、モリブデン、タングステンまたはアルミニウムのうち少なくとも１つを含む、電気光学装置。
【請求項５】
請求項２に記載の電気光学装置において、
前記屈曲領域において、前記第１支持基板と前記第１配線との間に第１有機膜が形成され、前記第１配線と前記遮光膜との間に第２有機膜が形成され、前記第２有機膜と前記遮光膜との間にシール材が形成されている、電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置において、
前記第２有機膜は、前記第１有機膜の靭性よりも大きい靭性を有する、電気光学装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の電気光学装置において、
前記第２支持基板を構成する材料のヤング率は、５ＧＰａ以上である、電気光学装置。
【請求項８】
請求項１〜６の何れか１項に記載の電気光学装置において、
前記屈曲領域において、前記内径面側で発生している圧縮応力と、前記外径面側で発生している引張応力とからなる曲げモーメントに対する中立面は、前記複数の第１配線と前記第２無機膜との間に位置している、電気光学装置。
【請求項９】
請求項１〜６の何れか１項に記載の電気光学装置において、
前記第２支持基板は、ポリマーを含む樹脂材料からなり、
前記第２無機膜は、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素または酸化アルミニウムのうち少なくとも１つを含み、
前記第１衝撃吸収層は、モリブデン、タングステンまたはアルミニウムのうち少なくとも１つを含む、電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１〜６の何れか１項に記載の電気光学装置において、
前記電気光学層は、液晶層である、電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置に関し、例えば、可撓性を有する基板の周辺領域を屈曲させて用いる電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、表示装置である電気光学装置を構成する基板として、可撓性を有する基板を使用する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１１８３７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液晶層を有する表示装置のような電気光学装置において、可撓性を有する基板を用いた場合、基板を屈曲させることができる。表示領域の外側にある周辺領域の基板を屈曲させることによって、周辺領域の面積を低減することができる。一方で、表示領域に形成されている電極と、周辺領域にある駆動回路とを電気的に接続する配線は、屈曲領域を跨ぐように延在している。
【０００５】
しかしながら、屈曲領域に印加される応力の影響によって、屈曲領域に形成されている構造体が損傷し、上記配線が断線するなどの不具合が発生する場合がある。従って、そのような不具合が発生しないように、屈曲領域における構造体の損傷を抑制し、表示装置のような電気光学装置の信頼性を向上させる技術が望まれている。
【０００６】
また、その他の課題および新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態である電気光学装置は、表示領域、および、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域の一部である屈曲領域を有する。また、電気光学装置は、可撓性を備える第１支持基板と、可撓性を備える第２支持基板と、を有する。ここで、前記表示領域において、前記第１支持基板と前記第２支持基板との間に、前記第１支持基板側から前記第２支持基板側へ向かって順番に、トランジスタ、電気光学層および無機膜が形成されている。また、前記屈曲領域において、前記第１支持基板は、前記屈曲領域の内径面側設けられ、前記第２支持基板は、前記屈曲領域の外径面側に設けられている。また、前記屈曲領域において、前記第１支持基板と前記第２支持基板との間に、前記第１支持基板側から前記第２支持基板側へ向かって順番に、前記トランジスタに電気的に接続された第１配線、前記無機膜および第１衝撃吸収層が形成されている。また、前記第１衝撃吸収層は、前記第２支持基板および前記無機膜の各々の靭性よりも大きい靭性を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１の表示装置を示す平面図である。
【図２】実施の形態１の表示装置における一つの画素の周辺の回路構成例を示す回路図である。
【図３】実施の形態１の表示装置を示す断面図である。
【図４】実施の形態１の表示装置を示す拡大断面図である。
【図５】実施の形態１の表示装置を示す拡大平面図である。
【図６】実施の形態１の表示装置を示す拡大断面図である。
【図７】実施の形態１の表示装置を示す拡大断面図である。
【図８】実施の形態２の表示装置を示す拡大断面図である。
【図９】実施の形態３の表示装置を示す拡大断面図である。
【図１０】実施の形態４の表示装置において、本願発明者らによる実験データを示すグラフである。
【図１１】検討例の表示装置を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さまたは形状等について模式的に表される場合があるが、図面は、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書および各図面において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一または関連する符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
（実施の形態１）
以下に、液晶層のような電気光学層を備えた電気光学装置として、表示領域に種々の画像を表示させる表示装置について説明する。なお、本実施の形態では、主にスマートフォンまたはタブレット端末機器などに使用される表示装置について説明するが、電気光学装置としては、車のルームミラーなどに使われる光の透過を制御するためのシャッター液晶素子なども含まれる。
【００１１】
また、液晶層を備えた表示装置は、液晶層の液晶分子の配向を変化させるための電界の印加方向により、大きくは以下の２通りに分類される。すなわち、第１の分類として、表示装置の厚さ方向または表示面の面外方向に電界が印加される、所謂、縦電界モードがある。縦電界モードには、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モードおよびＶＡ（Vertical Alignment）モードがある。また、第２の分類として、表示装置の平面方向または表示面の面内方向に電界が印加される、所謂、横電界モードがある。横電界モードには、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）モードおよびＩＰＳモードの一つであるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードがある。以下で説明する技術は、縦電界モードおよび横電界モードの何れにも適用できるが、本実施の形態では、横電界モードの表示装置について説明する。
【００１２】
以下に、図１〜７を用いて、本実施の形態における電気光学装置である表示装置ＤＳＰ１について詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本実施の形態の表示装置ＤＰＳ１を示す平面図である。図２は、表示装置ＤＰＳ１における一つの画素ＰＸの周辺の回路構成例を示す回路図である。図３は、図１に示されるＡ１−Ａ１線に沿った断面図である。図４は、表示領域ＤＡの一部を拡大した断面図である。図５は、図１の一部を拡大した平面図である。図６は、図５に示されるＡ２−Ａ２線に沿った断面図であり、且つ、図３の一部を拡大した断面図である。図７は、図５に示されるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００１４】
＜表示装置ＤＳＰ１の構成＞
図１に示されるように、表示装置ＤＳＰ１は、表示装置ＤＳＰ１の外部から供給される入力信号に応じて画像が形成される表示領域ＤＡ、および、平面視において、表示領域ＤＡの周辺に位置する非表示領域（額縁領域）ＮＤＡを有する。また、図１では、主に基板ＳＵＢ１の平面図が示されており、図３などに示されるような基板ＳＵＢ２およびカバー部材ＣＶＭの図示が省略されている。
【００１５】
図１では、平面視における表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとの境界が二点鎖線で示されている。表示領域ＤＡは、図３などに示される液晶層（電気光学層）ＬＱが形成される領域であり、平面視において、表示領域ＤＡは非表示領域ＮＤＡに囲まれている。言い換えれば、非表示領域ＮＤＡは、液晶層ＬＱが形成されていない領域である。なお、図１に示される表示領域ＤＡは四角形であるが、表示領域ＤＡは、多角形または円形など、四角形以外の形状であってもよい。また、図１では、表示装置ＤＳＰ１が備える回路のうち、画像を表示する表示部に相当する回路ブロックおよび配線の一部が実線で模式的に示されている。
【００１６】
非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡに近い順に、周辺領域ＰＦ２、屈曲領域ＢＮＤおよび周辺領域ＰＦ１を有する。周辺領域ＰＦ１は、表示装置ＤＳＰ１の外部に配置された配線板（フレキシブル配線板）ＦＷＢ、および、図３に示される回路基板ＣＢなどに電気的に接続されている。また、図１では、便宜上、周辺領域ＰＦ１と屈曲領域ＢＮＤとの境界、および、周辺領域ＰＦ２と屈曲領域ＢＮＤとの境界が点線で示されている。
【００１７】
また、後で図３などを用いて説明するが、基板ＳＵＢ１は、可撓性を有しており、実際には屈曲領域ＢＮＤにおいて屈曲しているため、表示領域ＤＡに対する法線方向（Ｚ方向）から視た平面視において、周辺領域ＰＦ１は視認されない。しかし、図１では、基板ＳＵＢ１の構成を理解し易くするため、屈曲領域ＢＮＤおよび周辺領域ＰＦ１が示されている。
【００１８】
また、図１では、平面視において、シール材（接着材）ＳＬＭが配置される領域（シール領域）にドットパターンを付している。シール材ＳＬＭは、表示領域ＤＡの周囲を囲むように周辺領域ＰＦ２、屈曲領域ＢＮＤおよび周辺領域ＰＦ１を含む非表示領域ＮＤＡに形成されており、表示領域ＤＡには形成されていない。
【００１９】
図１に示されるように、表示領域ＤＡにおいて、複数のゲート線（走査線）ＧＬがＸ方向に延在し、複数のソース線（信号線、映像信号線）ＳＬがＹ方向に延在している。複数のゲート線ＧＬは、Ｙ方向において互いに間隔を空けて配列され、複数のソース線ＳＬは、Ｘ方向において互いに間隔を空けて配列されている。各々のゲート線ＧＬと各々のソース線ＳＬとが交差する位置が、画素ＰＸが形成される領域となる。
【００２０】
複数のゲート線ＧＬは、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡに引き出され、ゲート駆動回路（走査線駆動回路）ＧＤに接続される。複数のソース線ＳＬは、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡに引き出され、スイッチ回路部ＳＷＳに接続される。ゲート駆動回路ＧＤおよびスイッチ回路部ＳＷＳは、信号用接続配線ＳＣＬ（配線ＷＲ１）を介して、配線板ＦＷＢに電気的に接続される。なお、信号用接続配線ＳＣＬは、Ｙ方向に延在する部分を有するが、Ｙ方向に対して交差する方向に延在する部分も有している。
【００２１】
本実施の形態では、ソース線ＳＬと信号用接続配線ＳＣＬとの間に、スイッチ回路部ＳＷＳが設けられている。スイッチ回路部ＳＷＳは、例えばマルチプレクサ回路であって、複数のソース線ＳＬから選択されたソース線ＳＬに対して信号を供給（出力）する。例えば、赤色用、青色用および緑色用の３種類のソース線ＳＬがある場合、スイッチ回路部ＳＷＳは、選択された色用のソース線ＳＬに対して信号を供給する。複数のソース線ＳＬがスイッチ回路ＳＷＳに接続されている場合、スイッチ回路ＳＷＳとソース駆動回路（信号線駆動回路）ＳＤとを接続する配線の数を、ソース線ＳＬの数より少なくすることができる。
【００２２】
スイッチ回路部ＳＷＳは、周辺領域ＰＦ２に設けられている。スイッチ回路部ＳＷＳが表示領域ＤＡの近傍に配置されていることで、スイッチ回路部ＳＷＳと配線板ＦＷＢとを電気的に接続する配線ＷＲ１の数を低減させることができる。
【００２３】
図２には、一つの画素ＰＸの周辺の回路構成例が示されている。ゲート駆動回路ＧＤは、各々のゲート線ＧＬに入力される走査信号Ｇｓｉを出力する走査信号出力回路である。ソース駆動回路ＳＤは、各々のソース線ＳＬを介して各々の画素ＰＸが備える画素電極ＰＥに入力される映像信号Ｓｐｉｃを出力する映像信号出力回路である。ソース駆動回路ＳＤは、例えば、配線板ＦＷＢまたは図３に示される回路基板ＣＢに形成されている。
【００２４】
画素ＰＸは、画素スイッチ素子ＰＳＷを有し、画素スイッチ素子ＰＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）のようなトランジスタＴｒ１によって構成されている。トランジスタＴｒ１は、ゲート線ＧＬに接続されたゲート電極ＧＥ、ソース線ＳＬに接続されたソース電極ＳＥ、および、画素電極ＰＥに接続されたドレイン電極ＤＥを有する。
【００２５】
共通電極ＣＥには、表示期間内において、複数の画素ＰＸに対して共通の駆動電位が供給される。共通の駆動電位は、図４に示されるコモン信号線ＣＭＬを介して、共通電極駆動回路ＣＤから供給される。なお、共通電極駆動回路ＣＤは、配線板ＦＷＢまたは図３に示される回路基板ＣＢに形成されている。ドレイン電極ＤＥは、容量ＣＳを介して共通電極ＣＥに電気的に接続され、画素電極ＰＥは、液晶層ＬＱを介して共通電極ＣＥに電気的に接続されている。
【００２６】
トランジスタＴｒ１がオン状態である時、ソース線ＳＬから供給される映像信号Ｓｐｉｃは、ドレイン電極ＤＥを介して画素電極ＰＥへ送られる。この時、表示装置ＤＳＰ１が画像を表示する表示期間において、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間の電位差に応じて、液晶分子を駆動する電界が形成される。これにより、液晶層ＬＱの液晶配向が変化し、液晶層ＬＱを透過する光の強度を調整することができる。
【００２７】
なお、共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡの全体に形成されているが、表示領域ＤＡに一つの共通電極ＣＥが形成されていてもよいし、表示領域ＤＡに複数の共通電極ＣＥが形成されていてもよい。
【００２８】
図３は、図１に示されるＡ１−Ａ１線に沿った断面図である。図３に示されるように、表示装置ＤＳＰ１は、表面ＦＳ１および裏面ＢＳ１を有する基板ＳＵＢ１と、表面ＦＳ２および裏面ＢＳ２を有する基板ＳＵＢ２とを有する。基板ＳＵＢ１は、Ｚ方向（厚さ方向）において基板ＳＵＢ２と対向している。表示領域ＤＡにおいて、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間に、液晶層（電気光学層）ＬＱが形成されている。すなわち、液晶層ＬＱは、基板ＳＵＢ１の表面ＦＳ１と、基板ＳＵＢ２の裏面ＢＳ２とに貼り合わされている。言い換えれば、表示領域ＤＡにおいて、基板ＳＵＢ１および基板ＳＵＢ２は、液晶層ＬＱと重畳している。本実施の形態では、表示領域ＤＡにおいて、基板ＳＵＢ２の表面ＦＳ２側が、表示装置ＤＳＰ１の表示面側となる。
【００２９】
また、基板ＳＵＢ１の裏面ＢＳ１側には、バックライトユニット（光源）ＢＬが設けられており、基板ＳＵＢ１とバックライトユニットＢＬとの間に、光学素子ＯＤ１が設けられている。バックライトユニットＢＬは、基板ＳＵＢ１から基板ＳＵＢ２へ向かう方向へ、光を出射する機能を有する。また、基板ＳＵＢ２の表面ＦＳ２側には、光学素子ＯＤ２が設けられている。光学素子ＯＤ１および光学素子ＯＤ２の各々は、少なくとも偏光板を含み、必要に応じて位相差板を含んでもよい。
【００３０】
基板ＳＵＢ２の表面ＦＳ２上には、光学素子ＯＤ２を介してカバー部材ＣＶＭが設けられている。カバー部材ＣＶＭは、基板ＳＵＢ１、基板ＳＵＢ２、光学素子ＯＤ１および光学素子ＯＤ２を保護するための部材であり、表示装置ＤＳＰ１の表示面を覆うように設けられている。ただし、カバー部材ＣＶＭは必須ではなく、製品仕様によっては、表示装置ＤＳＰ１にカバー部材ＣＶＭが設けられていない場合もある。
【００３１】
後述の図４などで詳細に説明するが、基板ＳＵＢ１は、複数のトランジスタＴｒ１がアレイ状に形成されたアレイ基板であり、基板ＳＵＢ１には、複数のゲート線ＧＬ、複数のソース線ＳＬ、複数の共通電極ＣＥ、複数のコモン信号線ＣＭＬ、複数の画素電極ＰＥおよび配向膜ＡＬ１などが形成されている。また、基板ＳＵＢ２は、カラーフィルタＣＦＲ、カラーフィルタＣＦＧおよびカラーフィルタＣＦＢなどが形成されたカラーフィルタ基板であり、基板ＳＵＢ２には、配向膜ＡＬ２、平坦化膜（絶縁膜）ＯＣ、遮光膜ＢＭおよびバリア膜ＢＲなどが形成されている。
【００３２】
液晶層ＬＱは、画素ＰＸの周辺に形成される電界の状態がトランジスタＴｒ１を用いて制御されることにより、バックライトユニットＢＵから出射された光を変調する機能を備えている。
【００３３】
非表示領域ＮＤＡにおいて、基板ＳＵＢ１および基板ＳＵＢ２は、シール材ＳＬＭを介して接着されている。シール材ＳＬＭは、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間に、液晶層ＬＱとなる液晶を封入するための役割も果たす。
【００３４】
また、基板ＳＵＢ１および基板ＳＵＢ２は、曲げ変形が可能な程度の可撓性を備えている。このため、基板ＳＵＢ１および基板ＳＵＢ２を屈曲させることで、Ｙ方向において、非表示領域ＮＤＡの幅を低減できる。図３に示されるように、本実施の形態では、非表示領域ＮＤＡは、基板ＳＵＢ１および基板ＳＵＢ２が屈曲された屈曲領域ＢＮＤと、表示領域ＤＡに隣接し、且つ、表示領域ＤＡと屈曲領域ＢＮＤとの間に位置する周辺領域ＰＦ２と、配線板ＦＷＢに電気的に接続され、且つ、屈曲領域ＢＮＤと配線板ＦＷＢとの間に位置する周辺領域ＰＦ２とを有する。周辺領域ＰＦ２は、表示領域ＤＡと同様に平坦な領域であり、周辺領域ＰＦ１も平坦な領域である。
【００３５】
また、断面視において、屈曲領域ＢＮＤの内径側に設けられているのが基板ＳＵＢ１であり、屈曲領域ＢＮＤの外径側に設けられているのが基板ＳＵＢ２である。言い換えれば、屈曲領域ＢＮＤの内径面は、基板ＳＵＢ１の裏面ＢＳ１に相当し、屈曲領域ＢＮＤの外径面は、基板ＳＵＢ２の表面ＦＳ２に相当する。
【００３６】
なお、ここで言う内径面および外径面の各々は、断面視において、真円の弧であってもよいし、曲率半径が異なる曲線が連続的に繋がっている弧であってもよい。また、上記曲線は、曲率半径が零である直線も含む。
【００３７】
配線板ＦＷＢは、平面視においてバックライトユニットＢＬと重なる位置に設けられており、端子ＴＭ１および端子ＴＭ２を介して基板ＳＵＢ１に電気的に接続されている。端子ＴＭ１は、配線ＷＲ１の一部であり、端子ＴＭ２は、配線板ＦＷＢの内部に形成された配線の一部である。異方導電膜ＡＣＦは、導電性を有する絶縁膜であり、例えば、複数の導電粒子を含む絶縁膜である。回路基板ＣＢは、配線板ＦＷＢと同様に、平面視においてバックライトユニットＢＬと重なる位置に設けられており、配線板ＦＷＢの内部の配線に電気的に接続されている。回路基板ＣＢには、例えば、図２に示されるソース駆動回路ＳＤおよび共通電極駆動回路ＣＤなどが形成されている。
【００３８】
ここで、Ｚ方向において、表示面側である基板ＳＵＢ２の表面ＦＳ２から基板ＳＵＢ１の裏面ＢＳ１へ向かうように表示装置ＤＳＰ１を視た場合、視認可能な範囲において、非表示領域ＮＤＡの面積を低減させることができれば、表示装置ＤＳＰ１の表示領域ＤＡの有効面積率を向上させることができる。従って、本実施の形態では、基板ＳＵＢ１が配線板ＦＷＢおよび回路基板ＣＢに電気的に接続されるために必要なスペース分は、非表示領域ＮＤＡから削減できる。また、屈曲領域ＢＮＤにおける曲率半径を小さくする程、非表示領域ＮＤＡの面積を低減することができる。
【００３９】
このように基板ＳＵＢ１を屈曲させて、表示領域ＤＡの背面側に配線板ＦＷＢや回路基板ＣＢを配置する場合、表示領域ＤＡに形成されているトランジスタＴｒ１および各種の電極と、表示領域ＤＡの背面側に配置される回路基板ＣＢとを電気的に接続させる必要がある。このため、基板ＳＵＢ１では、周辺領域ＰＦ２において、表示領域ＤＡに形成されているトランジスタＴｒ１および各種の電極に電気的に接続されている配線ＷＲ２が引き出されている。すなわち、配線ＷＲ２は、複数のゲート線ＧＬ、複数のソース線ＳＬおよび複数のコモン信号線ＣＭＬに電気的に接続された配線である。
【００４０】
周辺領域ＰＦ２において、配線ＷＲ２は、配線ＷＲ１に接続されている。配線ＷＲ１は、周辺領域ＰＦ２、屈曲領域ＢＮＤおよび周辺領域ＰＦ１に亘って延在している。そして、非表示領域ＮＤＡにおいて、配線ＷＲ１と基板ＳＵＢ１との間に、有機膜ＯＦ１が形成されており、配線ＷＲ１とシール材ＳＬＭとの間に、有機膜ＯＦ２が形成されている。すなわち、配線ＷＲ１は、有機膜ＯＦ１と有機膜ＯＦ２との間に形成されている。また、周辺領域ＰＦ１において、有機膜ＯＦ２から露出している配線ＷＲ１の一部が、上述の端子ＴＭ１となる。
【００４１】
有機膜ＯＦ１は、有機膜ＯＦ２と異なる材料でも良いが、本実施の形態では、有機膜ＯＦ１および有機膜ＯＦ２を構成する材料が同じである場合を例示する。有機膜ＯＦ１および有機膜ＯＦ２は、それぞれ例えばアクリル樹脂膜であり、感光性樹脂材料からなる。
【００４２】
なお、配線ＷＲ１は、例えばモリブデン（Ｍｏ）若しくはタングステン（Ｗ）などの金属からなる単層膜、または、これらの合金からなる金属膜の積層膜である。配線ＷＲ１を構成する材料の他の例として、配線ＷＲ１は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属膜でもよく、例えばアルミニウム膜がチタン（Ｔｉ）膜および窒化チタン（ＴｉＮ）膜などに挟まれた積層膜であってもよい。
【００４３】
図４は、表示領域ＤＡの一部を拡大した断面図であり、表示領域ＤＡにおける基板ＳＵＢ１および基板ＳＵＢ２の内部の詳細な構造を示している。また、以下に説明するゲート線ＧＬ、ソース線ＳＬ、共通電極ＣＥ、コモン信号線ＣＭＬおよび画素電極ＰＥは、実際には異なる断面に形成されている場合もあるが、図４では、Ｚ方向におけるこれらの位置関係を示すことを主旨としている。
【００４４】
本実施の形態における主要な断面構造を簡潔に記すと、表示領域ＤＡにおいて、支持基板１０と支持基板２０との間に、支持基板１０側から支持基板２０へ向かって順番に、複数のトランジスタＴｒ１、液晶層ＬＱ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢおよびバリア膜ＢＲが形成されている。
【００４５】
まず、基板ＳＵＢ１の詳細な構造について説明する。
【００４６】
基板ＳＵＢ１は、可撓性を備え、且つ、可視光が透過する特性を備えた支持基板（絶縁性基板、樹脂基板）１０を有する。支持基板１０は、有機膜であり、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリカーボナートまたはポリエステルなどのポリマーを含む樹脂材料からなる。また、支持基板１０の裏面は、基板ＳＵＢ１の裏面ＢＳ１に対応している。すなわち、屈曲領域ＢＮＤの内径面は、支持基板１０の裏面ＢＳ１に相当し、支持基板１０は、屈曲領域ＢＮＤの内径面側に設けられている。
【００４７】
支持基板１０上には、無機材料からなる絶縁膜１１（バリア膜ＢＲ）が形成されている。絶縁膜１１は、例えば窒化珪素（ＳｉＮ）膜、酸化珪素（ＳｉＯ）膜、酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）膜若しくは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）膜のような単層膜、または、これらを適宜積層させた積層膜である。これらの膜は、水分の浸透を防止する効果があり、バリア膜として機能する。
【００４８】
絶縁膜１１上には、第１導電層としてゲート線ＧＬが形成されている。ゲート線ＧＬは、金属膜であり、例えばモリブデン（Ｍｏ）若しくはタングステン（Ｗ）などの単層膜、または、これらの合金からなる合金膜である。なお、ゲート線ＧＬは、トランジスタＴｒ１のゲート電極ＧＥに電気的に接続されている。また、ゲート線ＧＬが、トランジスタＴｒ１のゲート電極ＧＥを構成している場合もある。
【００４９】
絶縁膜１１上には、ゲート線ＧＬを覆うように、無機材料からなる絶縁膜１２が形成されている。絶縁膜１２を構成する材料は、絶縁膜１１と同様である。
【００５０】
また、絶縁膜１１と絶縁膜１２との間に、ゲート線ＧＬの他に、トランジスタＴｒ１を構成するゲート電極ＧＥおよび半導体層などが形成されている。仮に、支持基板１０の表面上にゲート線ＧＬを直接形成する場合、ゲート線ＧＬとなる金属膜を支持基板１０の表面上に成膜し、この金属膜をパターニングすることになる。ここで、支持基板１０は、有機膜からなり、可撓性を備えている。このため、金属膜のパターニングを精度よく行うことが難しく、更に、ゲート線ＧＬとなる金属膜のパターンが、支持基板１０から剥離する恐れがある。これに対して、絶縁膜１１は、無機材料からなり、有機膜からなる支持基板１０と比較して可撓性が低いものの、本実施の形態のように、支持基板１０とゲート線ＧＬとの間に、絶縁膜１１が配置されていれば、絶縁膜１１が無い場合と比較して、金属膜のパターニングを精度よく行うことができ、金属膜のパターンが剥離し難くなり、上記の恐れを抑制することができる。
【００５１】
絶縁膜１２上には、第２導電層としてソース線ＳＬが形成されている。ソース線ＳＬは、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜がチタン（Ｔｉ）膜や窒化チタン（ＴｉＮ）膜などに挟まれた積層膜のように、多層構造の金属膜を含んでいる。なお、ソース線ＳＬは、トランジスタＴｒ１のソース電極ＳＥに電気的に接続されている。
【００５２】
絶縁膜１２上には、ソース線ＳＬを覆うように、有機膜として絶縁膜１３が形成されている。絶縁膜１３は、例えばアクリル樹脂膜であり、感光性樹脂材料からなる。
【００５３】
絶縁膜１３上には、第３導電層として共通電極ＣＥが形成されている。共通電極ＣＥは、例えばＩＴＯ（Indium tin oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明度が高い導電材料からなり、導電性を有する酸化金属物からなる。
【００５４】
ここで、共通電極ＣＥの平坦性を維持するために、絶縁膜１３の表面が平坦であることが好ましい。ここで、絶縁膜１３の表面をなるべく平坦にするためには、絶縁膜１３の厚さが厚い方が好ましい。そこで、無機膜よりも有機膜の方が厚く積層出来るため、絶縁膜１３には、無機材料からなる絶縁膜１１および絶縁膜１２と比較して、平坦化し易い有機膜が用いられる。
【００５５】
絶縁膜１３上には、共通電極ＣＥを覆うように、無機材料からなる絶縁膜１４が形成されている。絶縁膜１４を構成する材料は、絶縁膜１１と同様である。
【００５６】
絶縁膜１４上には、第４導電層としてコモン信号線ＣＭＬが形成されている。コモン信号線ＣＭＬは、主に共通電極ＣＥに駆動電位を供給するための配線であり、コモン信号線ＣＭＬを構成する材料は、ソース線ＳＬと同様である。なお、本実施の形態では、共通電極ＣＥとコモン信号線ＣＭＬとを絶縁膜１４によって離間しているが、変形例として、共通電極ＣＥ上に、絶縁膜１４を介さずにコモン信号線ＣＭＬが直接形成される場合もある。この場合、絶縁膜１４が形成されている必要はない。
【００５７】
絶縁膜１４上には、コモン信号線ＣＭＬを覆うように、無機材料からなる絶縁膜１５が形成されている。絶縁膜１５を構成する材料は、絶縁膜１１と同様である。
【００５８】
絶縁膜１５上には、第５導電層として画素電極ＰＥが形成されている。画素電極ＰＥを構成する材料は、共通電極ＣＥと同様である。また、本実施の形態では、平面視において、複数の画素電極ＰＥは、互いに隣り合う二つのソース線ＳＬの間に位置している。
【００５９】
また、変形例として、第３導電層に画素電極ＰＥが形成され、第５導電層に共通電極ＣＥが形成されていてもよい。この場合、絶縁膜１５を形成せずに、コモン信号線ＣＭＬ上に、共通電極ＣＥを直接形成してもよい。
【００６０】
また、本実施の形態では、複数の共通電極ＣＥおよび複数の画素電極ＰＥは、互いに異なる導電層に形成されているが、変形例として、複数の共通電極ＣＥおよび複数の画素電極ＰＥが、同じ導電層に形成され、互いに隣り合うように交互に配列されていてもよい。すなわち、複数の共通電極ＣＥおよび複数の画素電極ＰＥが絶縁膜１３上に形成されていてもよい。また、共通電極ＣＥは、基板ＳＵＢ２に設けられている場合もある。
【００６１】
絶縁膜１５上には、画素電極ＰＥを覆うように、有機膜である配向膜ＡＬ１が形成されている。配向膜ＡＬ１は、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子の初期配向を揃える機能を備え、例えばポリイミドのような樹脂材料からなる。また、配向膜ＡＬ１は、液晶層ＬＱに接している。
【００６２】
次に、基板ＳＵＢ２の詳細な構造について説明する。
【００６３】
基板ＳＵＢ２は、可撓性を備え、且つ、可視光が透過する特性を備えた支持基板（絶縁性基板、樹脂基板）２０を有する。支持基板２０は、有機膜であり、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリカーボナートまたはポリエステルなどのポリマーを含む樹脂材料からなる。また、支持基板２０の表面は、基板ＳＵＢ２の表面ＦＳ２に対応している。すなわち、屈曲領域ＢＮＤの外径面は、支持基板２０の表面ＦＳ２に相当し、支持基板２０は、屈曲領域ＢＮＤの外径面側に設けられている。
【００６４】
支持基板２０と液晶層ＬＱとの間に、バリア膜ＢＲ、遮光膜（ブラックマトリクス）ＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、カラーフィルタＣＦＧ、カラーフィルタＣＦＢ、平坦化膜ＯＣおよび配向膜ＡＬ２が形成されている。
【００６５】
バリア膜ＢＲは、支持基板２０を覆うように、支持基板２０の裏面全体に形成されている。バリア膜ＢＲは、無機材料からなり、例えば窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素または酸化アルミニウムのうち少なくとも１つを含む無機膜（無機絶縁膜）である。すなわち、バリア膜ＢＲは、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸窒化珪素膜または酸化アルミニウム膜の単層膜であってもよいし、これらの積層膜であってもよい。また、バリア膜ＢＲは、支持基板２０の外部に存在する水分が、支持基板２０の内部に浸透した場合、この水分が、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢおよび液晶層ＬＱなどへも浸透することを防止するために設けられている。
【００６６】
支持基板２０の裏面側には、バリア膜ＢＲを介して三色のカラーフィルタ（色変換層）が形成されている。本実施の形態では、赤（Ｒ）のカラーフィルタＣＦＲ、緑（Ｇ）のカラーフィルタＣＦＧ、および、青（Ｂ）のカラーフィルタＣＦＢが周期的に配列されている。表示装置ＤＳＰ１では、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の三色の画素を１組とすることで、カラー画像が表示される。基板ＳＵＢ２の複数のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、基板ＳＵＢ１に形成されている画素電極ＰＥを有するそれぞれの画素ＰＸ（図１参照）と、互いに対向する位置に配置されている。なお、カラーフィルタの種類は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色に限定されるものではない。また、本実施の形態のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、自身を透過する光の波長を変化させることができる色変換層も含む。
【００６７】
また、複数のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢの各々の境界に、遮光膜ＢＭが配置される。遮光膜ＢＭは、例えば黒色の樹脂、または、低反射性を有する金属から成る。遮光膜ＢＭは、平面視において、例えば格子状に形成されている。言い換えれば、遮光膜ＢＭは、Ｘ方向およびＹ方向に延在していており、平面視において画素電極ＰＥと重なる位置に開口部を有する。このように、各画素ＰＸを遮光膜ＢＭで区画することにより、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢの各々において、光漏れおよび混色の発生を抑制することができる。一般的に、遮光膜ＢＭの開口部のうち、最も周縁部側に形成された開口部の端部が、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとの境界として規定される。また、後で詳細に説明するが、遮光膜ＢＭは、非表示領域ＮＤＡにも形成されている。
【００６８】
平坦化膜ＯＣは、支持基板２０の裏面ＢＳ２側において、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを覆っている。平坦化膜ＯＣは、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢから液晶層ＬＱへ不純物が拡散することを防止するための保護膜であり、カラーフィルタと遮光膜の段差を吸収する平坦化膜である。平坦化膜ＯＣは、ポリイミドなどの有機の樹脂材料から形成される。
【００６９】
配向膜ＡＬ２は、液晶層ＬＱに接しており、液晶層ＬＱと平坦化膜ＯＣとの間に形成されている。配向膜ＡＬ２は、配向膜ＡＬ１と同様に、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子の初期配向を揃える機能を備え、例えばポリイミドのような有機の樹脂材料からなる。
【００７０】
＜非表示領域ＮＤＡの詳細な構造＞
以下に、表示装置ＤＳＰ１の非表示領域ＮＤＡの詳細な構造について説明する。図５は、図１に示される表示装置ＤＳＰ１のうち、屈曲領域ＮＤＡの周辺を拡大した平面図である。図６は、図５のＡ２−Ａ２線に沿った拡大断面図であり、図７は、図５のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。
【００７１】
図５では、複数の配線ＷＲ１および複数の開口部（コンタクトホール）ＣＨのそれぞれを実線で示し、複数の配線ＷＲ２を点線で示している。また、図５では、配線ＷＲ２に電気的に接続される複数のトランジスタＴｒ１を四角形で模式的に示している。配線ＷＲ２は、表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡへ引き出され、開口部ＣＨにおいて、非表示領域ＮＤＡの配線ＷＲ１に接続されている。
【００７２】
図６に示されるように、本実施の形態では、ソース線ＳＬまたはゲート線ＧＬと同層の配線ＷＲ２が、周辺領域ＰＦ２に引き出されている場合を例示している。周辺領域ＰＦ２において、有機膜ＯＦ１に開口部ＣＨが選択的に設けられており、開口部ＣＨの内部には配線ＷＲ１の一部が形成され、開口部ＣＨの内部において、配線ＷＲ２と配線ＷＲ１とが接続している。すなわち、表示領域ＤＡのトランジスタＴｒ１は、配線ＷＲ２を介して、非表示領域ＮＤＡの配線ＷＲ１に電気的に接続されている。
【００７３】
また、本実施の形態では、非表示領域ＮＤＡにおいて、配線ＷＲ１と開口部ＣＨを覆うように有機膜ＯＦ２が形成される。このため、配線ＷＲ１は、有機膜ＯＦ１と有機膜ＯＦ２間に形成されることになる。これは、後に詳細は説明するが、有機膜ＯＦ１によって、配線ＷＲ１を中立面に近づけるようにし、有機膜ＯＦ２によって、シール材ＳＬＭ側からのクラックの電波を配線ＷＲ１に伝えないようにするためである。
【００７４】
また、図７に示されるように、複数の配線ＷＲ１が形成されている領域以外の領域において、有機膜ＯＦ１と有機膜ＯＦ２とが接している。このため、複数の配線ＷＲ１は、有機膜ＯＦ２によって、互いに絶縁分離されている。
【００７５】
非表示領域ＮＤＡでは、支持基板１０と支持基板２０との間に、支持基板１０側から支持基板２０側へ向かって順番に、有機膜ＯＦ１、配線ＷＲ１、有機膜ＯＦ２、シール材ＳＬＭ、平坦化膜ＯＣ、遮光膜ＢＭ、バリア膜ＢＲおよび衝撃吸収層（バッファ層）ＢＦＬ１が形成されている。また、これらの全部が、周辺領域ＰＦ２、屈曲領域ＢＮＤおよび周辺領域ＰＦ１に亘って形成されている。なお、表示領域ＤＡの遮光膜ＢＭは、格子状に形成されていたが、非表示領域ＮＤＡの遮光膜ＢＭは、平坦化膜ＯＣとバリア膜ＢＲとの間に隙間無く形成されている。
【００７６】
また、表示領域ＤＡにおいて、バリア膜ＢＲは、支持基板２０の外部に存在する水分がカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢへ浸透することを防止するために設けられていたが、バリア膜ＢＲは、非表示領域ＮＤＡにも形成されている。非表示領域ＮＤＡにバリア膜ＢＲが形成されていることによって、支持基板２０の外部に存在する水分が、支持基板２０の内部に浸透した場合、この水分が、遮光膜ＢＭまたはシール材ＳＬＭなどへも浸透することを防止することができる。従って、屈曲領域ＢＮＤを含む非表示領域ＮＤＡにおける構造体が腐蝕されるなどの不具合を防止することができる。
【００７７】
本実施の形態の主な特徴は、非表示領域ＮＤＡのうち、特に屈曲領域ＢＮＤにおいて、バリア膜ＢＲと支持基板２０との間に、衝撃吸収層ＢＦＬ１が形成されていることであるが、このような特徴を詳しく説明する前に、本願発明者らの検討例について説明する。
【００７８】
＜検討例の表示装置ＤＳＰ２＞
図１１は、本願発明者らが検討した検討例の表示装置ＤＳＰ２を示しており、屈曲領域ＢＮＤの拡大断面図を示している。なお、検討例の表示装置ＤＳＰ２は、公知の構造ではなく、本願発明者らが新規に開発している構造である。
【００７９】
検討例では、本実施の形態と同様に、支持基板１０と支持基板２０との間に、有機膜ＯＦ１、配線ＷＲ１、有機膜ＯＦ２、シール材ＳＬＭ、平坦化膜ＯＣ、遮光膜ＢＭおよびバリア膜ＢＲが形成されている。しかし、検討例の表示装置ＤＳＰ２は、衝撃吸収層ＢＦＬ１が形成されていない点で、本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１と相違する。
【００８０】
以下に、検討例の表示装置ＤＳＰ２が有する特徴および問題点について説明する。
【００８１】
屈曲領域ＢＮＤにおいて、基板を曲げた場合、外径面側には引張応力が発生し、屈曲領域ＢＮＤの内径面側には圧縮応力が発生する。すなわち、屈曲領域ＢＮＤにおいて、支持基板２０の表面ＦＳ２側には引張応力が発生しており、支持基板１０の裏面ＢＳ１側では圧縮応力が発生する。屈曲領域ＢＮＤの構造体に印加される曲げモーメントに対する中立面ＮＰの位置は、図１１の左図の「クラック発生時」に示されるように、シール材ＳＬＭ付近となっている。
【００８２】
なお、本実施の形態で説明している中立面ＮＰとは、屈曲領域ＢＮＤの外径面側に発生している引張応力と、屈曲領域ＢＮＤの内径面側に発生している圧縮応力とが相殺され、理想的には歪の発生が無い面である。中立面ＮＰの位置は、屈曲領域ＢＮＤの構造体を構成する各材料の密度、ヤング率および断面積などの値により変化するが、本発明のように上下基板毎曲げる表示装置においては、中立面ＮＰが、配線ＷＲ１よりも外径側となるシール材ＳＬＭ付近に位置するように構成する。
【００８３】
このように中立面ＮＰの位置を調整することで、配線ＷＲ１には圧縮応力が印加されるようになる。金属材料からなる配線ＷＲ１は、一般的に、圧縮応力には強いが引張応力には弱く、引張応力を受けると断線する可能性が出てくる。このため、図１１の左図で示す位置に中立面ＮＰを位置させることで、配線ＷＲ１の断線が発生し難くなっている。この点において、検討例では、表示装置ＤＳＰ２の信頼性を向上させることができる。
【００８４】
一方で、中立面ＮＰよりも支持基板２０の表面ＦＳ２側に形成されているバリア膜ＢＲには、強い引張応力が印加されている。上述のように、バリア膜ＢＲは、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素または酸化アルミニウムのような無機材料を含む膜であり、靭性が小さい膜である。すなわち、バリア膜ＢＲは割れ易い膜である。
【００８５】
このため、引張応力によってバリア膜ＢＲが割れた際に、バリア膜ＢＲが破損した箇所が起点となって、クラックが発生する。そして、クラックは、バリア膜ＢＲから支持基板２０の表面ＦＳ２側および支持基板１０の裏面ＢＳ１側へ進行する。図１１の左図の「クラック発生時」には、支持基板２０の表面ＦＳ２側へ進行するクラックＣＲ１、および、支持基板１０の裏面ＢＳ１側へ進行するクラックＣＲ２が示されている。
【００８６】
その後、図１１の右図の「クラック発生後」に示されるように、進行したクラックＣＲ１およびクラックＣＲ２によって、屈曲領域ＢＮＤの構造体が破損する。ここでは、クラックＣＲ１が支持基板２０へ到達し、クラックＣＲ２がシール材ＳＬＭまで貫通した様子を示している。クラックＣＲ２がシール材ＳＬＭまで貫通した場合、シール材ＳＬＭと有機膜ＯＦ２との間の接着力は、元々あまり高くないため、シール材ＳＬＭおよびシール材ＳＬＭの上方に形成されている構造体が、有機膜ＯＦ２から剥がれるという不具合が発生する場合がある。
【００８７】
そのような不具合が発生すると、中立面ＮＰが、配線ＷＲ１の位置を超えて、支持基板１０の裏面ＢＳ１に近い位置へ移動する。そうすると、有機膜ＯＦ２および配線ＷＲ１には、強い引張応力が印加される。更に、有機膜ＯＦ２が引張応力に耐えられず、有機膜ＯＦ２の表面からクラックＣＲ３が発生する場合もある。このため、強い引張応力およびクラックＣＲ３によって、配線ＷＲ１が断線するという問題が発生する。配線ＷＲ１が断線すると、表示領域ＤＡに形成されているトランジスタＴｒ１に各種の信号が伝達されなくなり、表示装置ＤＳＰ２は故障となる。従って、配線ＷＲ１の断線を防止し、表示装置ＤＳＰ２の信頼性を向上させることが求められる。
【００８８】
＜本実施の形態の主な特徴＞
本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１は、検討例を用いて説明した問題点を考慮して、発案されたものである。
【００８９】
まず、本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１では、検討例の表示装置ＤＳＰ２と同様に、配線ＷＲ１の上方に、有機膜ＯＦ２、シール材ＳＬＭ、平坦化膜ＯＣ、遮光膜ＢＭ、バリア膜ＢＲおよび支持基板２０が形成されている。このため、屈曲領域ＢＮＤの構造体に印加される曲げモーメントに対する中立面ＮＰは、バリア膜ＢＲと配線ＷＲ１との間に位置し、シール材ＳＬＭ付近に位置している。従って、配線ＷＲ１には圧縮応力が印加されるため、配線ＷＲ１の断線が発生し難くなっている。
【００９０】
本実施の形態の主な特徴は、図６に示されるように、非表示領域ＮＤＡの屈曲領域ＢＮＤにおいて、バリア膜ＢＲと支持基板２０との間に、衝撃吸収層（バッファ層）ＢＦＬ１が形成されていることである。衝撃吸収層ＢＦＬ１は、引張強度および延性が大きい材料からなり、すなわち靭性の大きい材料からなる。具体的には、金属材料からなり、衝撃吸収層ＢＦＬ１の靭性は、少なくとも支持基板２０およびバリア膜ＢＲの各々の靭性よりも大きく、更に遮光膜ＢＭ、平坦化膜ＯＣおよびシール材ＳＬＭの各々の靭性よりも大きい。
【００９１】
このため、衝撃吸収層ＢＦＬ１に引張応力が印加された場合でも、衝撃吸収層ＢＦＬ１が割れることが無く、バリア膜ＢＲからクラックＣＲ１が発生した場合でも、クラックＣＲ１の進行は衝撃吸収層ＢＦＬ１によって妨げられる。従って、クラックＣＲ１によって支持基板２０が分断されるような不具合を抑制することができる。
【００９２】
また、仮に、バリア膜ＢＲから発生するクラックＣＲ２がシール材ＳＬＭなどまで到達したとしても、支持基板２０が分断されずに存在していることで、屈曲領域ＢＮＤにおける構造体の形状を保つことができる。また、衝撃吸収層ＢＦＬ１によって支持基板２０が保護されているので、中立面ＮＰの位置は移動しない。従って、有機膜ＯＦ２および配線ＷＲ１に強い引張応力が印加される恐れを抑制することができ、配線ＷＲ１が断線するという恐れも抑制することができる。従って、表示装置ＤＳＰ１の信頼性を向上させることができる。
【００９３】
なお、本実施の形態における衝撃吸収層ＢＦＬ１は、例えばモリブデン（Ｍｏ）若しくはタングステン（Ｗ）などの金属からなる単層膜、または、これらの合金からなる金属膜の積層膜である。また、衝撃吸収層ＢＦＬ１は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属膜でもよく、例えば銅または銀が添加されたアルミニウム膜でもよい。また、衝撃吸収層ＢＦＬ１は、アルミニウムを主成分とする上記金属膜が、チタン（Ｔｉ）膜および窒化チタン（ＴｉＮ）膜などに挟まれた積層膜であってもよい。すなわち、衝撃吸収層ＢＦＬ１は、モリブデン、タングステンまたはアルミニウムのうち少なくとも１つを含む。
【００９４】
また、本実施の形態において、衝撃吸収層ＢＦＬ１の厚さは１００〜１５０ｎｍ程度であり、バリア膜ＢＲの厚さは２００〜５００ｎｍ程度である。バリア膜ＢＲの厚さに対する衝撃吸収層ＢＦＬ１の厚さが上記の範囲であれば、バリア膜ＢＲから発生するクラックＣＲ１の進行を衝撃吸収層ＢＦＬ１によって妨げることができる。
【００９５】
また、配線ＷＲ１の損傷を抑制する観点において、配線ＷＲ１と配線ＷＲ１の下地材との密着性を向上させることが好ましい。本実施の形態では、配線ＷＲ１と支持基板１０との間に有機膜ＯＦ１が形成されている。言い換えれば、有機膜ＯＦ１は、支持基板１０および配線ＷＲ１の各々に接着されている。有機膜ＯＦ１は、支持基板１０とは異なる材料を用いることができるので、配線ＷＲ１との密着性を考慮して材料を選択することができる。すなわち、仮に、支持基板１０と配線ＷＲ１との密着性が十分でなかった場合、有機膜ＯＦ１の材料を、配線ＷＲ１との密着性を考慮して、適切に選択することができる。
【００９６】
また、配線ＷＲ１の下地材として、無機絶縁膜を適用することも考えられる。しかし、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸窒化珪素膜または酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜は、曲げモーメントによって割れ易い。このため、屈曲領域ＢＮＤにおいて、配線ＷＲ１下に無機絶縁膜を形成すると無機絶縁膜が割れ、無機絶縁膜の割れが、その上に形成された配線ＷＲ１にも伝播し、配線ＷＲ１が損傷する恐れがある。これに対して、有機膜ＯＦ１は、無機絶縁膜よりもヤング率が小さく、柔らかい。従って、屈曲領域ＢＮＤにおいて、有機膜ＯＦ１が配線ＷＲ１下に形成されている場合でも、有機膜ＯＦ１は破壊され難い。この結果、有機膜ＯＦ１上に形成された配線ＷＲ１も損傷され難くなる。
【００９７】
また、本実施の形態では、シール材ＳＬＭと有機膜ＯＦ２とが、互いに異なる材料からなる。有機膜ＯＦ２がシール材ＳＬＭと異なる材料である場合、有機膜ＯＦ２を構成する材料選択の自由度を高めることができる。
【００９８】
また、配線ＷＲ１とシール材ＳＬＭとの間に有機膜ＯＦ２を形成し、有機膜ＯＦ２の厚さまたはヤング率を調整することで、中立面ＮＰの位置を調整し易くすることができる。
【００９９】
また、有機膜ＯＦ２を構成する材料は、有機膜ＯＦ１を構成する材料と同じであることが好ましい。これらの材料が同じであれば、互いに隣り合う配線ＷＲ１の間において、有機膜ＯＦ１と有機膜ＯＦ２との接着強度が向上する。
【０１００】
また、本実施の形態において、有機絶縁膜ＯＦ１は、表示領域ＤＡ内の有機絶縁膜である絶縁膜１３と同時に形成することができる。更に、配線ＷＲ１は、表示領域ＤＡ内の第４導電層であるコモン配線ＣＭＬと同じ製造工程で形成することができる。このように、表示領域ＤＡおよび非表示領域ＮＤＡにおいて、製造工程を共有化させることで、製造工程の簡略化を図ることができる。
【０１０１】
（実施の形態２）
以下に、実施の形態２の電気光学装置である表示装置ＤＳＰ１を、図８を用いて説明する。なお、以下では、実施の形態１との相違点を主に説明する。
【０１０２】
図８に示されるように、実施の形態２では、実施の形態１のように、衝撃吸収層ＢＦＬ１がバリア膜ＢＲと支持基板２０との間に形成されているだけでなく、衝撃吸収層（バッファ層）ＢＦＬ２がバリア膜ＢＲと遮光膜ＢＭとの間に形成されている。衝撃吸収層ＢＦＬ２は、衝撃吸収層ＢＦＬ１と同じ材料からなり、衝撃吸収層ＢＦＬ１と同程度の厚さを有する。
【０１０３】
衝撃吸収層ＢＦＬ２が形成されていることによって、バリア膜ＢＲを起点として発生するクラックＣＲ２の進行を妨げることができる。その結果、例えば図１１で説明した検討例のように、クラックＣＲ２がシール材ＳＬＭまで貫通し、シール材ＳＬＭおよびシール材ＳＬＭの上方に形成されている構造体が、有機膜ＯＦ２から剥がれるという不具合を抑制することができる。
【０１０４】
このように、実施の形態２では実施の形態１と比較して、衝撃吸収層ＢＦＬ２を形成する分の製造コストが増加するが、クラックＣＲ２の進行を抑制できる分、表示装置ＤＳＰ１の信頼性をより向上させることができる。
【０１０５】
また、衝撃吸収層ＢＦＬ２のみを設け、衝撃吸収層ＢＦＬ１を設けない場合も考えられる。この場合でも、検討例のような、衝撃吸収層ＢＦＬ１および衝撃吸収層ＢＦＬ２の両方が設けられていない表示装置ＤＳＰ２と比較して、信頼性を向上させることができる。しかしながら、検討例の項目で説明したように、支持基板２０が分断されると、中立面ＮＰの位置が支持基板１０の裏面ＢＳ１へ移動するため、支持基板２０よりも下層の構造体において更なるクラックが発生するというような、二次的な問題が発生する恐れがある。
【０１０６】
すなわち、表示装置ＤＳＰ１の信頼性を向上させるという観点では、衝撃吸収層ＢＦＬ１および衝撃吸収層ＢＦＬ２の両方が設けられている構造が最も好ましく、衝撃吸収層ＢＦＬ１のみが設けられている構造が二番目に好ましく、衝撃吸収層ＢＦＬ２のみが設けられている構造が三番目に好ましい。
【０１０７】
（実施の形態３）
以下に、実施の形態３の電気光学装置である表示装置ＤＳＰ１を、図９を用いて説明する。なお、以下では、実施の形態１との相違点を主に説明する。
【０１０８】
図９に示されるように、実施の形態３では、実施の形態１で使用されていた有機膜ＯＦ２に代えて、有機膜ＯＦ２よりも靭性が大きい有機膜ＯＦ３を適用している。言い換えれば、有機膜ＯＦ３は、有機膜ＯＦ２よりも曲げモーメントに対する耐性が高い材料によって構成されている。有機膜ＯＦ１は、例えばアクリル樹脂膜であり、感光性樹脂材料からなり、有機膜ＯＦ３は、例えばポリイミドのような樹脂材料からなる。
【０１０９】
このように、配線ＷＲ１の上方に、曲げモーメントに対する耐性が高い有機膜ＯＦ３を適用することで、仮に、バリア膜ＢＲからのクラックＣＲ２などに起因してシール材ＳＬＭなどが剥離され、中立面ＮＰの位置が移動し、有機膜ＯＦ３に強い引張応力が印加されたとしても、有機膜ＯＦ３が割れるような不具合が発生し難くなる。このため、配線ＷＲ１が断線する恐れを抑制することができ、表示装置ＤＳＰ１の信頼性を更に向上させることができる。
【０１１０】
また、実施の形態３で開示した技術を、実施の形態２で開示した技術に組み合わせて適用することもできる。
【０１１１】
（実施の形態４）
以下に、実施の形態４の電気光学装置である表示装置ＤＳＰ１を、図１０を用いて説明する。なお、以下では、実施の形態１との相違点を主に説明する。
【０１１２】
図１０は、本願発明者らによる実験データを示すグラフである。横軸は、支持基板２０を構成する材料のヤング率を示しており、縦軸は、支持基板２０のみの単層構造と、支持基板２０および無機絶縁膜の積層構造とを比較した場合、単層構造および積層構造にそれぞれ引張試験を行うことで得られた破断強度の強度比を示している。
【０１１３】
なお、ここで説明する無機絶縁膜は、例えばバリア膜ＢＲに相当する。また、図１０の実験は、支持基板２０としてポリイミドを用いた。また、無機絶縁膜として、２００ｎｍの厚さを有する酸化珪素膜または２００ｎｍの厚さを有する窒化珪素膜を用いたが、これらの材料による顕著な違いはなく、無機絶縁膜であれば、概ね図１０の結果の傾向が示された。
【０１１４】
図１０の結果によれば、支持基板２０の単層構造に代えて、支持基板２０および無機絶縁膜の積層構造にした場合、測定点Ａでは、破断強度が約５０％にまで低下した。すなわち、積層構造の破断強度が、単層構造の破断強度の半分程度まで低下した。
【０１１５】
これに対して、測定点Ｃ、Ｄに示されるように、ヤング率が５ＧＰａを超えるように支持基板２０の材料を変更することで、支持基板２０および無機絶縁膜の積層構造が、支持基板２０の単層構造よりも、破断強度が向上することが分かった。
【０１１６】
支持基板２０を構成する材料は、例えばポリイミドであるが、同じポリイミドでもその組成により、ヤング率が変化する。すなわち、支持基板２０と遮光膜ＢＭとの間に、無機材料からなるバリア膜ＢＲが形成されている場合、支持基板２０を構成する材料をヤング率が５ＧＰａ以上となるように形成すれば、破断強度の向上が期待できる。従って、実施の形態４では、実施の形態１と比較して、表示装置ＤＳＰ１の信頼性を更に向上させることができる。
【０１１７】
また、実施の形態４で開示した技術を、実施の形態２および実施の形態３で開示した技術に組み合わせて適用することもできる。
【０１１８】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、上述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明は、表示装置のような電気光学装置、または、電気光学装置が組み込まれた電子機器に利用可能である。
【符号の説明】
【０１２０】
１０、２０    支持基板
ＦＳ１、ＦＳ２    表面
ＢＳ１、ＢＳ２    裏面
１１、１２、１４、１５    絶縁膜（無機膜）
１３    絶縁膜（有機膜）
ＡＣＦ    異方導電膜
ＡＬ１、ＡＬ２    配向膜
ＢＦＬ１、ＢＦＬ２    衝撃吸収層（バッファ層）
ＢＬ    バックライトユニット
ＢＭ    遮光膜
ＢＮＤ    屈曲領域
ＢＲ    バリア膜（無機膜）
ＣＢ    回路基板
ＣＤ    共通電極駆動回路
ＣＥ    共通電極
ＣＦＢ、ＣＦＧ、ＣＦＲ    カラーフィルタ
ＣＨ    開口部
ＣＭＬ    コモン信号線
ＣＲ１、ＣＲ２、ＣＲ３    クラック
ＣＳ    容量
ＣＶＭ    カバー部材
ＤＡ    表示領域
ＤＥ    ドレイン電極
ＤＳＰ１、ＤＳＰ２    表示装置（電気光学装置）
ＦＷＢ    配線板
ＧＤ    ゲート駆動回路
ＧＥ    ゲート電極
ＧＬ    ゲート線
Ｇｓｉ    走査信号
ＬＱ    液晶層（電気光学層）
ＮＤＡ    非表示領域
ＮＰ    中立面
ＯＣ    平坦化膜（絶縁膜）
ＯＤ１、ＯＤ２    光学素子
ＯＦ１、ＯＦ２、ＯＦ３    有機膜
ＰＥ    画素電極
ＰＦ１、ＰＦ２    周辺領域
ＰＳＷ    画素スイッチ素子
ＰＸ    画素
ＳＣＬ    信号用接続配線
ＳＤ    ソース駆動回路
ＳＥ    ソース電極
ＳＬ    ソース線
ＳＬＭ    シール材
Ｓｐｉｃ    映像信号
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２    基板
ＳＷＳ    スイッチ回路部
ＴＭ１、ＴＭ２    端子
Ｔｒ１  トランジスタ
ＷＲ１、ＷＲ２    配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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