(57)【要約】      （修正有）【課題】アース部材の異常を早期に発見し描画装置の停止期間を低減させる異常判定方法を提供する。【解決手段】第１アース部材Ｈを処理対象に取り付ける第１チャンバ３３０と、処理対象にパターンを描画する第２チャンバ４００と、処理対象の抵抗値を判定する演算処理部７００とを備えた描画装置における異常判定方法であって、第１チャンバ内３３０において第１アース部材Ｈを処理対象に取り付けたときに第１アース部材Ｈを介して処理対象の第１抵抗値を測定し、第２チャンバ４００内において、接地された第２アース部材に第１アース部材Ｈを接触させ、第１および第２アース部材を介して処理対象の第２抵抗値を測定し、複数の処理対象の第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差の動向に基づき第２アース部材の異常判定することを具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象を接地させる第１アース部材を前記処理対象に取り付ける第１チャンバと、荷電粒子ビームで前記処理対象に所定のパターンを描画する第２チャンバと、前記処理対象の抵抗値を判定する演算処理部とを備えた描画装置における異常判定方法であって、
前記第１チャンバ内において、前記第１アース部材を前記処理対象に取り付けたときに、前記第１アース部材を介して前記処理対象の第１抵抗値を測定し、
前記第２チャンバ内において、接地された第２アース部材に前記第１アース部材を接触させ、前記第１および第２アース部材を介して前記処理対象の第２抵抗値を測定し、
複数の前記処理対象についての前記第１抵抗値と前記第２抵抗値との抵抗差の動向に基づいて、前記第２アース部材の異常を前記演算処理部で判定することを具備する異常判定方法。
【請求項２】
前記演算処理部は、前記抵抗差が第１閾値を超えた回数に基づいて、前記第２アース部材の異常を判定する、請求項１に記載の異常判定方法。
【請求項３】
前記演算処理部は、前記回数が第２閾値を超えたときに、前記第２アース部材に異常があると判定する、請求項２に記載の異常判定方法。
【請求項４】
前記演算処理部は、前記抵抗差が第１閾値を超える頻度に基づいて、前記第２アース部材の異常を判定する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の異常判定方法。
【請求項５】
処理対象を接地させる第１アース部材を該処理対象に取り付ける第１チャンバと、
荷電粒子ビームで前記処理対象に所定のパターンを描画する第２チャンバと、
前記第１チャンバ内において前記処理対象を接地させる第１アース部材を該処理対象に取り付け、前記第１アース部材を介して前記処理対象の第１抵抗値を測定する第１抵抗測定部と、
前記第２チャンバ内に設置され、接地された第２アース部材に前記処理対象に取り付けた前記第１アース部材を接触させて、前記処理対象の第２抵抗値を、前記第１および第２アース部材を介して測定する第２抵抗測定部と、
複数の前記処理対象についての前記第１抵抗値と前記第２抵抗値との抵抗差の動向に基づいて、前記第２アース部材の異常を判定する演算処理部とを具備する描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、異常判定方法および描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
マスク描画装置は、基板（主にガラス基板）及び該基板上に成膜された遮光膜（例えば、クロム（Ｃｒ））からなるマスク基板（ブランク）に荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画する装置である。マスク基板の表面にはレジスト膜が形成されており、このレジスト膜を荷電粒子ビームで感光させて所望のパターンを描画する。荷電粒子ビームによる描画は、マスク基板を接地した状態で行われる。これは、荷電粒子ビームによりマスク基板に電荷が蓄積すると、荷電粒子ビームの軌道が曲がってしまったり、荷電粒子ビームが拡散してぼけが生じたりするためである。
【０００３】
マスク基板を接地するために、マスク描画装置では、接地用のアース体をマスク基板にセットし、アース体をアーススプリングに接触させて、荷電粒子ビームによる描画を行っている。荷電粒子ビームによりマスク基板に蓄積する電荷は、アース体およびアーススプリングを介して排出されるためマスク基板の帯電を防止することができる。
【０００４】
しかしながら、アース体とアーススプリングとの接触抵抗値（以下、抵抗値）が高くなると、マスク基板を充分に接地することができず、アースエラーが発生する。
【０００５】
このような抵抗値の上昇の原因としては、アーススプリングの表面が変質または劣化が考えられる。従来、アースエラーが発生してからその原因を調査し、アーススプリングの変質または劣化が原因であることが判明した場合、アース体とアーススプリングとの接触点を変更するために、アーススプリング上におけるマスク基板の位置をずらしたり、アース体を交換していた。また、アーススプリング自体を交換することもあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−０１１３７４号公報
【特許文献２】特開２０１２−１７６８３２号公報
【特許文献３】特開２０１６−１１５６７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、アース体とアーススプリングとの接触点を変更して暫定的に抵抗値が低下しても、アーススプリングが変質あるいは劣化している場合、抵抗値が充分に低下せず、あるいは短期間で再上昇してしまう。また、アース体とアーススプリングとの接触点を変更するために、マスク描画装置を長期間停止させる必要があった。
【０００８】
また、アーススプリング自体の交換は抵抗値を確実に低下させる対策となるが、そのためには、マスク描画装置をさらに長期間停止させる必要があった。このような停止期間の長期化は、描画処理の遅延の原因となっていた。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、アース部材の異常を早期に発見し、マスク描画装置の停止期間を低減させることができる異常判定方法および描画装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本実施形態による異常判定方法は、処理対象を接地させる第１アース部材を処理対象に取り付ける第１チャンバと、荷電粒子ビームで処理対象に所定のパターンを描画する第２チャンバと、処理対象の抵抗値を判定する演算処理部とを備えた描画装置における異常判定方法であって、第１チャンバ内において、第１アース部材を処理対象に取り付けたときに、第１アース部材を介して処理対象の第１抵抗値を測定し、第２チャンバ内において、接地された第２アース部材に第１アース部材を接触させ、第１および第２アース部材を介して処理対象の第２抵抗値を測定し、複数の処理対象についての第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差の動向に基づいて、第２アース部材の異常を演算処理部で判定することを具備する。
【００１１】
演算処理部は、回数が第２閾値を超えたときに、第２アース部材に異常があると判定してもよい。
【００１２】
演算処理部は、抵抗差が第１閾値を超える頻度に基づいて、第２アース部材の異常を判定してもよい。
【００１３】
本実施形態による描画装置は、処理対象を接地させる第１アース部材を該処理対象に取り付ける第１チャンバと、荷電粒子ビームで処理対象に所定のパターンを描画する第２チャンバと、第１チャンバ内において処理対象を接地させる第１アース部材を該処理対象に取り付け、第１アース部材を介して処理対象の第１抵抗値を測定する第１抵抗測定部と、第２チャンバ内に設置され、接地された第２アース部材に処理対象に取り付けた第１アース部材を接触させて、処理対象の第２抵抗値を、第１および第２アース部材を介して測定する第２抵抗測定部と、複数の処理対象についての第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差の動向に基づいて、第２アース部材の異常を判定する演算処理部とを具備する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態に係るマスク描画装置の模式図。
【図２】アース体の模式図。
【図３】アース体の構成をさらに詳細に示す斜視図。
【図４】アースピンおよびアーススプリングの構成をより詳細に示す斜視図。
【図５】Ｈチャンバ内部の模式図。
【図６】Ｗチャンバ内部の模式図。
【図７】抵抗測定部の構成図。
【図８】Ｈチャンバ内において、マスク基板の第１抵抗値を測定する様子を示す概略図。
【図９】Ｗチャンバ内において、マスク基板の第２抵抗値を測定する様子を示す概略図。
【図１０】マスク描画装置の動作の一例を示すフロー図。
【図１１】アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常を判定する方法の一例を示すフロー図。
【図１２】アーススプリングの異常判定を説明するためのグラフ。
【図１３】第２実施形態によるマスク描画装置１１の模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１６】
（第１実施形態）
図１（Ａ）および図１（Ｂ）は、第１実施形態に係るマスク描画装置１０の模式図である。図１（Ａ）は、マスク描画装置１０の平面模式図である。図１（Ｂ）は、マスク描画装置１０の断面模式図である。以下、図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、マスク描画装置１０の構成について説明する。なお、図１（Ａ）では、電子ビーム鏡筒５００の図示を省略している。
【００１７】
図１（Ａ）に示すように、マスク描画装置１０は、インターフェース（Ｉ／Ｆ）１００と、搬入出（Ｉ／Ｏ）チャンバ２００と、ロボットチャンバ（Ｒチャンバ）３００と、ライティングチャンバ（Ｗチャンバ）４００と、電子ビーム鏡筒５００と、制御機構６００と、演算処理部７００と、ゲートバルブＧ１〜Ｇ３とを備える。なお、図１中の鎖線は、制御信号やデータ等の流れを示している。
【００１８】
Ｉ／Ｆ１００は、マスク基板Ｗが収容された容器Ｃ（例えば、ＳＭＩＦＰｏｄ）を載置する載置台１１０と、マスク基板Ｗを搬送する搬送ロボット１２０とを備える。
【００１９】
Ｉ／Ｏチャンバ２００は、Ｒチャンバ３００内を真空（低気圧）に保ったままマスク基板Ｗを搬入出するためのいわゆるロードロックチャンバである。Ｉ／Ｏチャンバ２００には、Ｉ／Ｆ１００との間にゲートバルブＧ１が設けられており、真空ポンプ２１０と、ガス供給系２２０とを備える。真空ポンプ２１０は、例えば、ドライポンプやターボ分子ポンプ等であり、Ｉ／Ｏチャンバ２００内を真空引きする。ガス供給系２２０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００を大気圧とする際にＩ／Ｏチャンバ２００内へベント用ガス（例えば、窒素ガスやＣＤＡ）を供給する。
【００２０】
Ｉ／Ｏチャンバ２００内を真空引きする際は、Ｉ／Ｏチャンバ２００に接続された真空ポンプ２１０を用いて真空引きする。また、Ｉ／Ｏチャンバ２００内を大気圧に戻す際には、ガス供給系２２０からベント用ガスが供給され、Ｉ／Ｏチャンバ２００内が大気圧となる。なお、Ｉ／Ｏチャンバ２００内を真空引きする際及び大気圧とする際には、ゲートバルブＧ１，Ｇ２はＣｌｏｓｅ（閉）される。
【００２１】
Ｒチャンバ３００は、真空ポンプ３１０と、アライメントチャンバ（ＡＬＮチャンバ）３２０と、アース体チャンバ（Ｈチャンバ）３３０と、搬送ロボット３４０とを備える。Ｒチャンバ３００は、ゲートバルブＧ２を介してＩ／Ｏチャンバ２００と接続されている。
【００２２】
真空ポンプ３１０は、例えば、Ｃｒｙｏポンプやターボ分子ポンプ等である。真空ポンプ３１０は、Ｒチャンバ３００に接続されており、Ｒチャンバ３００内を真空引きして高真空を保つ。
【００２３】
Ｈチャンバ３３０は、マスク基板Ｗを接地するためのアース体Ｈを収容する。アース体Ｈは、マスク基板Ｗの外縁を被覆し、マスク基板Ｗの外縁に荷電粒子ビーム（例えば、電子ビーム）の電荷が蓄積することを抑制する。即ち、アース体Ｈは、マスク基板Ｗの外縁に対するひさしとして機能する。また、アース体Ｈは、マスク基板Ｗに蓄積される荷電粒子ビームの電荷をアースに逃がすために設けられている。Ｈチャンバ３３０は、マスク基板Ｗにアース体Ｈを取り付けるために、マスク基板Ｗを収容可能である。また、Ｈチャンバ３３０には、抵抗測定部４０が設けられている。抵抗測定部４０は、アース体Ｈがマスク基板Ｗにセットされた状態で、アース体Ｈを介してマスク基板Ｗの抵抗値を測定する。例えば、抵抗測定部４０は、複数の測定ピンを有し、その複数の測定ピンをアース体Ｈに接触させて該測定ピン間の抵抗値を測定する。これにより、抵抗測定部４０は、アース体Ｈを介してマスク基板Ｗの抵抗値（第１抵抗値）を測定する。マスク基板Ｗの抵抗値の測定は、図８（Ａ）および図８（Ｂ）を参照して後で説明する。
【００２４】
ＡＬＮチャンバ３２０は、マスク基板Ｗを位置決め（アライメント）するためのチャンバである。ＡＬＮチャンバ３２０において、マスク基板Ｗのアライメントが行われる。
ＡＬＮチャンバ３２０におけるアライメント中、アース体Ｈを昇降ステージ上で待機させ、アライメント完了後、ＡＬＮチャンバ３２０でマスク基板Ｗにアース体Ｈを搭載してもよい。この場合、ＡＬＮチャンバ３２０には、Ｈチャンバ３３０と同様に、抵抗測定部４０が設けられ、同様に、アース体Ｈがマスク基板Ｗにセットされた状態で、アース体Ｈを介してマスク基板Ｗの抵抗値を測定することができる。
【００２５】
搬送ロボット３４０は、アーム３４１と、アーム３４１の末端に設けられたエンドエフェクタ３４２とを備える。搬送ロボット３４０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００、ＡＬＮチャンバ３２０、Ｈチャンバ３３０及びＷチャンバ４００間で、マスク基板Ｗを搬送する。
【００２６】
Ｗチャンバ４００は、真空ポンプ４１０と、Ｘ−Ｙステージ４２０と、駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂと、を備え、ゲートバルブＧ３を介してＲチャンバ３００と接続されている。Ｗチャンバ４００は、荷電粒子ビームでマスク基板Ｗに所定のパターンを描画するためにマスク基板Ｗを収容可能である。
【００２７】
真空ポンプ４１０は、例えば、Ｃｒｙｏポンプやターボ分子ポンプ等である。真空ポンプ４１０は、Ｗチャンバ４００に接続されており、Ｗチャンバ４００内を真空引きして高真空を保つ。Ｘ−Ｙステージ４２０は、マスク基板Ｗを載置するための台である。駆動機構４３０Ａは、Ｘ−Ｙステージ４２０をＸ方向に駆動する。駆動機構４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０をＹ方向に駆動する。
【００２８】
Ｗチャンバ４００内には、第２アース部材としてのアーススプリング（図４参照）が設けられている。アーススプリングは、接地されており、Ｘ−Ｙステージ４２０上にマスク基板Ｗを載置したときに、アース体Ｈと接触するように構成されている。これにより、描画の際に、マスク基板Ｗは、アース体Ｈおよびアーススプリングを介して接地される。また、Ｗチャンバ４００には、抵抗測定部５０が設けられている。抵抗測定部５０は、アース体Ｈおよびアーススプリングを介してマスク基板Ｗの抵抗値（第２抵抗値）を測定する。
【００２９】
図１（Ｂ）の電子ビーム鏡筒５００は、電子銃５１０、アパーチャ５２０、偏向器５３０、レンズ５４０（照明レンズ（ＣＬ）、投影レンズ（ＰＬ）、対物レンズ（ＯＬ））等から構成される荷電粒子ビーム照射手段を備え、Ｘ−Ｙステージ４２０上に載置されたマスク基板Ｗに荷電粒子ビームを照射する。
【００３０】
制御機構６００は、例えば、コンピュータ等であり、ＭＰＵ６０１、メモリ６０２（例えば、solid state drive(ＳＳＤ)、hard disk drive(ＨＤＤ)）等を備える。制御機構６００は、マスク描画装置１０の動作を制御する。
【００３１】
演算処理部７００は、例えば、制御機構６００とは別に設けられたコンピュータ等であり、ＭＰＵ７０１、メモリ７０２（例えば、 ＳＳＤ、ＨＤＤ）等を備える。演算処理部７００は、制御機構６００と同一コンピュータであっても構わない。演算処理部７００は、抵抗測定部４０、５０からのマスク基板Ｗの第１および第２抵抗値を受け取り、アーススプリングの異常を判定するために第１および第２抵抗値を記憶し、演算処理する。アーススプリングの異常判定および演算処理については、後で詳細に説明する。
【００３２】
（アース体Ｈの構成）
図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、アース体Ｈの模式図である。図２（Ａ）は、アース体Ｈの平面図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の線分Ｌ−Ｌでの断面図である。なお、図２には、マスク基板Ｗにセットした状態のアース体Ｈを示している。
【００３３】
図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、アース体Ｈは、３本のアースピンＨ１ａ〜Ｈ１ｃと、額縁形状の枠体Ｈ２とを備える。枠体Ｈ２、アースピンＨ１ａ〜Ｈ１ｃには、例えば、チタン、ジルコニア等の導電性材料を用いている。アースピンＨ１ａは、枠体Ｈ２に電気的に接続されているが、接地されない。アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃの一方は、枠体Ｈ２に電気的に接続されている。アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃの他方は絶縁体を介して枠体Ｈ２に設けられており枠体Ｈ２から電気的に分離されている。アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃは、アーススプリングを介して接地される。また、マスク基板Ｗは、ガラス基板Ｗａ上に遮光膜Ｗｂ（例えば、クロム（Ｃｒ））と、レジスト膜Ｗｃとが積層された構成を有する。
【００３４】
アース体Ｈをマスク基板Ｗにセットすると、アース体ＨのアースピンＨ１ａ〜Ｈ１ｃが自重によりレジスト膜Ｗｃを突き破って導電体である遮光膜Ｗｂと接触する。これにより、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂは、アースピンＨ１ａ〜Ｈ１ｃを介して接地される。このため、荷電粒子ビームの照射によりマスク基板Ｗへ蓄積される電荷は、このアース体Ｈを介して排出される。また、アース体Ｈの枠体Ｈ２は、アースピンＨ１ａを介して接地される。このため、枠体Ｈ２に蓄積される電荷は、アースピンＨ１ａを介して排出される。
【００３５】
図３は、アース体Ｈの構成をさらに詳細に示す斜視図である。例えば、アースピンＨ１ａ〜Ｈ１ｃは、枠体Ｈ２の内周と外周とを挟んで固定される金属部材である。アースピンＨ１ａ〜Ｈ１ｃは、枠体Ｈ２の内周側に鋭角に尖ったピン部Ｐａ〜Ｐｃを有する。上述のとおり、アース体Ｈをマスク基板Ｗにセットしたときに、ピン部Ｐａ〜Ｐｃがマスク基板Ｗのレジスト膜Ｗｃを突き破って遮光膜Ｗｂと接触する。また、アースピンＨ１ａ〜Ｈ１ｃは、枠体Ｈ２の外周側にコネクタＣａ〜Ｃｃを有する。コネクタＣａ〜Ｃｃは、それぞれピン部Ｐａ〜Ｐｃと電気的に接続されている。コネクタＣｂおよびＣｃは、アースピンＨ１ｂおよびＨ１ｃをアーススプリングに電気的に接続するために設けられている。
【００３６】
図４は、アースピンＨ１ｂおよびアーススプリングＥｂの構成をより詳細に示す斜視図である。アースピンＨ１ａ、Ｈ１ｃの構成は、アースピンＨ１ｂの構成と同じであるので、ここでは、アースピンＨ１ｂの構成を説明する。ただし、アースピンＨ１ａは、アーススプリングＥｂと同様の構成を有するスプリング部材上に配置されるが、そのスプリング部材は接地されていない。アースピンＨ１ａは、アースピンＨ１ｂまたはＨ１ｃと電気的に接続されており、ほぼ同電圧となっている。従って、描画中において、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃは、接地され、アースピンＨ１ａはアースピンＨ１ｂまたはＨ１ｃを介して接地される。
【００３７】
第２アース部材としてのアーススプリングＥｂは、Ｗチャンバ４００内に設けられており、描画中にアースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃを介してマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂを接地する。アーススプリングＥｂの一端は、マスク描画装置１０の本体等のアースに接続されており、他端は、図４に示すように略水平方向に延伸しており、コネクタＣｂと接触する。アーススプリングＥｂには、例えば、チタン等の導電性材料を用いている。
【００３８】
マスク基板Ｗおよびアース体Ｈをアーススプリング上に載置すると、アースピンＨ１ｂのコネクタＣｂは、アーススプリングＥｂに接触し、アーススプリングＥｂと電気的に導通する。これにより、アースピンＨ１ｂは、アーススプリングＥｂを介して接地され、マスク基板Ｗは、アースピンＨ１ｂおよびアーススプリングＥｂを介して接地される。
【００３９】
ここでは図示しないが、アースピンＨ１ｃのコネクタＣｃは、それに対応するアーススプリングに接触し、該アーススプリングと電気的に導通する。これにより、マスク基板Ｗは、アースピンＨ１ｃおよびそれに対応するアーススプリングを介して接地される。
【００４０】
このように、Ｗチャンバ４００内において、アースピンＨ１ａ〜Ｈ１ｃは、アーススプリングを介してマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂを接地する。これにより、描画中に、荷電粒子ビームの照射により遮光膜Ｗｂに蓄積される電荷をアースへ放電することができる。
【００４１】
（Ｈチャンバ３３０内部の構成）
図５（Ａ）および図５（Ｂ）は、Ｈチャンバ３３０内部の模式図である。図５（Ａ）は、Ｈチャンバ３３０の側面図である。図５（Ｂ）は、Ｈチャンバ３３０の平面図である。以下、図５（Ａ）および図５（Ｂ）を参照して、Ｈチャンバ３３０の構成について説明する。
【００４２】
図５（Ａ）に示すように、Ｈチャンバ３３０内には、アース体Ｈを載置する載置棚２０と、マスク基板Ｗを回転させる回転機構３０とが設けられている。
【００４３】
回転機構３０は、マスク基板Ｗを載置する載置台３１と、一端が載置台３１に接続された回転軸３２とを備えている。載置台３１は、搬送ロボット３４０のエンドエフェクタ３４２を逃すための逃し溝３３が４方向に設けられている。また、回転軸３２は、他端側が図示しないモータに接続されており、載置台３１を９０°ごとに回転させることができるように構成されている。
【００４４】
載置棚２０は、アース体Ｈを上下移動させ、マスク基板Ｗ上にアース体Ｈを載置する。このとき、アース体ＨのアースピンＨ１ａ〜Ｈ１ｃは、アース体Ｈの自重で、レジスト膜Ｗｃを突き破って導電体である遮光膜Ｗｂと接触する。これにより、図２（Ｂ）に示す状態となる。
【００４５】
（Ｗチャンバ４００内部の構成）
図６は、Ｗチャンバ４００内部の模式図である。Ｗチャンバ４００内のＸ−Ｙステージ４２０は、マスク基板Ｗを支持する複数のマスク支持部４２１と、マスク基板Ｗを接地するアーススプリングＥｂ、Ｅｃとを備える。図６は、Ｘ−Ｙステージ４２０上にマスク基板Ｗを載置した状態を示している。マスク支持部４２１は、Ｘ−Ｙステージ４２０上に載置されたマスク基板Ｗおよびアース体Ｈを下方から支持する。アーススプリングＥｂ、Ｅｃは、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃと弾性的に接触し、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃを介してマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂを接地する。このように、Ｗチャンバ４００では、マスク基板ＷをＸ−Ｙステージ４２０上に載置し、アーススプリングＥｂ、Ｅｃで接地した状態で描画を実行する。
【００４６】
（抵抗測定部４０または５０の構成）
図７は、抵抗測定部４０または５０の構成図である。抵抗測定部５０の構成は、基本的に抵抗測定部４０のそれと同じであるので、ここでは、抵抗測定部４０の構成について説明する。
抵抗測定部４０は、Ｈチャンバ３３０の外部に配置されたＤＣ電源４１と、ＤＣ電源４１に接続されたコントローラ４２とを備える。コントローラ４２は、電流制御回路４２ａと、電圧測定回路４２ｂと、抵抗値算出回路４２ｃとを備え、端子４０ａ，４０ｂ間の電気抵抗を測定する。端子４０ａ、４０ｂは、Ｈチャンバ３３０内に設けられ、上述したアース体ＨのアースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃと接続可能となっている。
【００４７】
抵抗測定部４０は、アース体Ｈがマスク基板Ｗにセットされた状態で、アース体Ｈとマスク基板Ｗとの接触抵抗値（抵抗値）を測定する。具体的には、アース体Ｈがマスク基板Ｗにセットされた状態で、電流制御回路４２ａが端子４０ａ，４０ｂ間に一定値の電流を流し、電圧測定回路４２ｂが端子４０ａ，４０ｂ間の電圧を測定する。そして、抵抗値算出回路４２ｃが端子４０ａ，４０ｂ間を流れる電流値と測定される電圧値から端子４０ａ，４０ｂ間の抵抗値を算出する。なお、抵抗値を測定する際は、抵抗測定部４０の端子４０ａ，４０ｂとアース体ＨのアースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃとは接続された状態となっている。例えば、抵抗測定部４０は、端子４０ａ、４０ｂのそれぞれに接続された複数の測定ピン（図８参照））を備え、その測定ピンをアースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃに接触させればよい。
【００４８】
上述したように、アースピンＨ１ｂ又はＨ１ｃは、絶縁体を介して枠体Ｈ２に設けられている。このため、電流制御回路４２ａにより印可される電流は、アースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃ及びマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂを介して端子４０ａ，４０ｂ間を流れる。ここで、端子４０ａ，４０ｂとアースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃとの接続抵抗値は非常に小さく、ほぼ無視できる。このため、アースピンＨ１ｂとアースピンＨ１ｃとの間、例えば、アースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃ及びマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂ間の抵抗値を測定することができる。
【００４９】
抵抗測定部５０も抵抗測定部４０と同様に図７に示す構成を有する。しかし、抵抗測定部５０の端子４０ａ、４０ｂは、それぞれ異なるアーススプリングに接続されており、アーススプリングを介してアースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃにそれぞれ接続されている。これにより、抵抗測定部５０は、アーススプリング、アースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃおよびマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂの抵抗値を測定することができる。
【００５０】
（マスク基板Ｗの第１および第２抵抗値の測定）
図８（Ａ）および図８（Ｂ）は、Ｈチャンバ３３０内において、マスク基板Ｗの抵抗値（第１抵抗値）を測定する様子を示す概略図である。測定ピンＭｂ、Ｍｃは、抵抗測定部４０の端子４０ａ、４０ｂのそれぞれに接続されている。抵抗測定部４０は、測定ピンＭｂ、ＭｃをアースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃにそれぞれ接触させ、アースピンＨ１ｂとアースピンＨ１ｃとの間の第１抵抗値を測定する。測定ピンＭｂ、Ｍｃは、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃに低抵抗で接触する。従って、第１抵抗値は、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂの抵抗値とほぼ等しくなる。
【００５１】
図９は、Ｗチャンバ４００内において、マスク基板Ｗの抵抗値（第２抵抗値）を測定する様子を示す概略図である。マスク基板Ｗの第２抵抗値は、アーススプリングＥｂ、Ｅｃを介して測定する。例えば、図６を参照して説明したように、Ｗチャンバ４００内において、マスク基板ＷがＸ−Ｙステージ４２０上に載置されたときに、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃは、それぞれアーススプリングＥｂ、Ｅｃに接触する。アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃのコネクタＣｂ、Ｃｃは、アーススプリングＥｂ、Ｅｃに接触し、アーススプリングＥｂ、Ｅｃと電気的に導通する。
【００５２】
図４を参照して説明したように、描画中においては、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃを介してマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂを接地する。一方、描画を実行する前および／またはその後において、抵抗測定部５０は、アーススプリングＥｂとアーススプリングＥｃとの間の抵抗値を測定する。これにより、第１アース部材としてのアースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃおよび第２アース部材としてのアーススプリングＥｂ、Ｅｃを介してマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂの抵抗値を測定する。このとき、第２抵抗値は、第１抵抗値と異なり、コネクタＣｂ、ＣｃとアーススプリングＥｂ、Ｅｃとの接触抵抗を含む。従って、Ｗチャンバ４００で測定される第２抵抗値は、Ｈチャンバ３３０で測定される第１抵抗値よりも幾分高いものの、コネクタＣｂ、ＣｃとアーススプリングＥｂ、Ｅｃとが充分に低い抵抗で接触している場合には、第１抵抗値に近い値となるはずである。しかし、コネクタＣｂ、ＣｃとアーススプリングＥｂ、Ｅｃとの接触不良が生じている場合、第２抵抗値は、第１抵抗値よりも抵抗値がかなり高くなる。従って、第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差は、コネクタＣｂ、ＣｃとアーススプリングＥｂ、Ｅｃとの接触状態を表すパラメータとして用いることができる。そこで、本実施形態によるマスク描画装置１０は、第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差の動向に基づいて、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常を判定する。
【００５３】
（マスク描画装置１０の動作）
次に、マスク描画装置１０の動作について説明する。図１０は、マスク描画装置１０の動作の一例を示すフロー図である。なお、マスク描画装置１０は、制御機構６００により制御される。また、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常は、演算処理部７００にて判定される。
【００５４】
まず、マスク基板Ｗを収容した容器Ｃを載置台１１０に載置する。搬送ロボット１２０は、マスク基板Ｗを容器Ｃから取り出す。次に、Ｉ／Ｏチャンバ２００が大気圧とされ、ゲートバルブＧ１がＯｐｅｎ（開）する。
【００５５】
搬送ロボット１２０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内に載置した後、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する（Ｓ１０）。次に、ゲートバルブＧ１がＣｌｏｓｅする。Ｉ／Ｏチャンバ２００内が所定の圧力まで真空引きされた後、ゲートバルブＧ２がＯｐｅｎする。次に、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内から取り出す。その後、ゲートバルブＧ２がＣｌｏｓｅする。
【００５６】
次に、搬送ロボット３４０は、ＡＬＮチャンバ３２０にマスク基板Ｗを搬送する。そして、ＡＬＮチャンバ３２０で、マスク基板Ｗの位置合わせ（アライメント）が行われる（Ｓ２０）。
【００５７】
アライメント後、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＨチャンバ３３０に搬送し、Ｈチャンバ３３０の載置棚２０に載置されているアース体Ｈをマスク基板Ｗにセットする（Ｓ３０）。Ｈチャンバ３３０の抵抗測定部４０は、測定ピンＭｂ、ＭｃをアースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃに接触させてアースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃを介してマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂの第１抵抗値を測定する（Ｓ４０）。演算処理部７００は、抵抗測定部４０で測定された第１抵抗値をメモリ７０２に記憶する。
【００５８】
演算処理部７００のＭＰＵ７０１は、第１抵抗値を用いてアースチェックを行う（Ｓ５０）。アースチェックは、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃがマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂに電気的に接続しており、マスク基板Ｗを接地可能であることを確認する処理である。ＭＰＵ７０１は、第１抵抗値を所定値と比較する。第１抵抗値が所定値以上である場合、ＭＰＵ７０１はアースエラーと判定する（Ｓ５０のＮＯ）。アースエラーが発生した場合、測定ピンＭｂ、Ｍｃの上げ下げ動作を行い、第１抵抗値の測定を再度実施する（Ｓ４０、Ｓ５０）。
【００５９】
第１抵抗値が所定値未満である場合、ＭＰＵ７０１は、マスク基板Ｗの抵抗値が正常で、接地可能状態であると判定する（Ｓ５０のＹＥＳ）。
【００６０】
次に、ゲートバルブＧ３がＯｐｅｎし、搬送ロボット３４０が、マスク基板ＷをＷチャンバ４００内のＸ−Ｙステージ４２０上に載置する（Ｓ６０）。搬送ロボット３４０はＷチャンバ４００内から退避した後、ゲートバルブＧ３がＣｌｏｓｅする。マスク基板ＷがＸ−Ｙステージ４２０上に載置されることによって、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃのコネクタＣｂ、Ｃｃは、Ｗチャンバ４００内に設けられたアーススプリングＥｂ、Ｅｃに接触する。
【００６１】
次に、Ｗチャンバ４００の抵抗測定部５０は、アーススプリングＥｂ、ＥｃおよびアースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃを介してマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂの第２抵抗値を測定する（Ｓ７０）。制御機構６００は、抵抗測定部５０で測定された第２抵抗値をメモリ７０２に記憶する。
【００６２】
次に、演算処理部７００のＭＰＵ７０１は、第２抵抗値を用いてアースチェックを行う（Ｓ８０）。アースチェックは、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃおよびアーススプリングＥｂ、Ｅｃを介して、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂに電圧を印加し、遮光膜Ｗｂが接地されていることを確認する処理である。ＭＰＵ７０１は、第２抵抗値を所定値と比較する。第２抵抗値が所定値以上である場合（Ｓ８０のＮＯ）、ＭＰＵ７０１はアースエラーと判定する。アースエラーが発生した場合、遮光膜Ｗｂに電圧を再度印加し、アースチェックを再度実施する（Ｓ７０、Ｓ８０）。
【００６３】
ステップＳ５０、Ｓ８０のアースチェックを所定回数実行してもアースエラーとなる場合、描画処理（Ｓ９０）を実行することなく、処理は終了する。この場合、図１１を参照して後述するように、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常検出等を実行する。
【００６４】
第２抵抗値が所定値未満である場合（Ｓ８０のＹＥＳ）、ＭＰＵ７０１は、マスク基板Ｗの抵抗値が正常であり、マスク基板Ｗが接地状態であると判定する。この場合、Ｗチャンバ４００において、荷電粒子ビームがマスク基板Ｗに照射され、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂに所望のパターンが描画される（Ｓ９０）。このとき、マスク基板Ｗに蓄積される電荷は、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃおよびアーススプリングＥｂ、Ｅｃを介してアースへ流れる。よって、マスク基板Ｗが描画中に帯電することを抑制することができる。
【００６５】
マスク基板Ｗへの描画が終了すると、駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０を所定の位置に移動させる。次に、ゲートバルブＧ３がＯｐｅｎし、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＷチャンバ４００から取り出す。次に、ゲートバルブＧ３がＣｌｏｓｅする。搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＨチャンバ３３０内へ搬送し、マスク基板Ｗにアース体Ｈをセットした時とは逆の手順で、アース体ＨをＨチャンバ３３０内へ収容する。
【００６６】
次に、ゲートバルブＧ２がＯｐｅｎし、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内へ載置した後、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ２がＣｌｏｓｅする。ガス供給系２２０からベント用ガスが供給されＩ／Ｏチャンバ２００内が大気圧まで昇圧された後、ゲートバルブＧ１がＯｐｅｎする。
【００６７】
搬送ロボット１２０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００内からマスク基板Ｗを取り出して、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ１がＣｌｏｓｅする。次に、搬送ロボット１２０は、マスク基板Ｗを容器Ｃ内へ収容する。このように、マスク描画装置１０は、マスク基板のアースチェックを行い、描画処理を実行する。
【００６８】
ここで、アースエラーは、マスク基板Ｗ自体の抵抗値の異常だけでなく、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常や、他の要因で生じていることも多い。また、アースチェックは、個々のマスク基板Ｗに対して実行される処理であり、複数のマスク基板Ｗに亘るマスク基板Ｗの抵抗値の動向（変動あるいは傾向）を確認するものではない。従って、アースチェックでは、アーススプリングＥｂ、Ｅｃが次第に劣化（酸化）していることを判定することは困難である。
【００６９】
図１１は、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常の判定方法の一例を示すフロー図である。演算処理部７００のＭＰＵ７０１は、マスク基板Ｗの描画処理ごとに、図１０のステップＳ４０およびＳ７０で測定された第１抵抗値と第２抵抗値、又はこれらの差（抵抗差）をメモリ７０２に格納（記憶）する（Ｓ１１０）。複数のマスク基板Ｗについて描画処理を行うと、この複数のマスク基板Ｗの抵抗差の動向（変動または傾向）が得られる。本実施形態によれば、ＭＰＵ７０１は、複数のマスク基板Ｗの抵抗差の動向に基づいて、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常を判定する（Ｓ１２０）。
【００７０】
例えば、図１２は、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常判定を説明するためのグラフである。このグラフの横軸は、マスク基板Ｗの処理枚数を示し、縦軸は、第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差を示す。ＭＰＵ７０１は、各マスク基板Ｗの描画処理ごとに第１および第２抵抗値、あるいは、第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差をメモリ７０２に格納（記憶）する。これにより、演算処理部７００は、複数のマスク基板Ｗについて、第１および第２抵抗値の履歴、あるいは、第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差の履歴が得られる。
【００７１】
図１１を再度参照する。ＭＰＵ７０１は、第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差と第１閾値Ｒｔｈとを比較し、抵抗差が第１閾値Ｒｔｈよりも小さい場合には、アーススプリングＥｂ、Ｅｃが正常であると判定する（Ｓ１２０のＮＯ）。
【００７２】
ところで、マスク基板Ｗの描画処理を繰り返し、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの表面が酸化すると、例えば、酸化チタン等の絶縁物がアーススプリングＥｂ、Ｅｃの表面に形成される。この場合、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃとアーススプリングＥｂ、Ｅｃとの間の接触抵抗が上昇し、第２抵抗値が高くなる。これにより、第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差（例えば、第２抵抗値−第１抵抗値）は大きくなる。しかし、或る１つのマスク基板Ｗにおいて、第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差が過渡的に第１閾値Ｒｔｈを超えても、上述の通り、アーススプリングＥｂ、Ｅｃ以外の他の要因で生じていることもある。従って、ＭＰＵ７０１は、１つのマスク基板Ｗの抵抗差が第１閾値Ｒｔｈを超えても、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常とは判断しない。例えば、図１２の抵抗差Ｒ１は、第１閾値Ｒｔｈを超えている。しかし、この段階では、ＭＰＵ７０１は、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常とは判断しない。
【００７３】
ＭＰＵ７０１は、第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差の動向を、該抵抗差が第１閾値Ｒｔｈを超えた回数で把握してもよい。この場合、ＭＰＵ７０１は、抵抗差が第１閾値Ｒｔｈを超えた回数に基づいて、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常を判定する。例えば、抵抗差が第１閾値Ｒｔｈを超えた回数が第２閾値を超えたときに、ＭＰＵ７０１は、アーススプリングＥｂ、Ｅｃに異常があると判定してもよい。第２閾値を７とすると、図１２のＲ８が発生したときに、ＭＰＵ７０１は、アーススプリングＥｂ、Ｅｃに異常があると判定する。
【００７４】
アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常判定は、抵抗差が第１閾値Ｒｔｈを超えた回数に限定されず、他のパラメータを用いて行ってもよい。例えば、ＭＰＵ７０１は、抵抗差が第１閾値を超える頻度（密度）に基づいて、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常を判定してもよい。第１閾値を超える頻度（密度）が、例えば、マスク基板Ｗの描画枚数の半数（５０％）以上となった場合、ＭＰＵ７０１は、アーススプリングＥｂ、Ｅｃに異常があると判定する。
【００７５】
例えば、ＭＰＵ７０１は、抵抗差が第１閾値を超える連続回数に基づいて、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常を判定してもよい。第１閾値を超える事象の連続回数が第３閾値以上となった場合、ＭＰＵ７０１は、アーススプリングＥｂ、Ｅｃに異常があると判定する。
【００７６】
ＭＰＵ７０１は、第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差と第１閾値Ｒｔｈとを比較し、抵抗差が第１閾値Ｒｔｈ以上である場合（Ｓ１２０のＹＥＳ）、アーススプリングＥｂ、Ｅｃが異常であると判定する。アーススプリングＥｂ、Ｅｃに異常があると判定された場合、アーススプリングＥｂ、ＥｃとアースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃとの接触抵抗を低減させるために、演算処理部７００は、制御機構６００へ指令を送信し、アース体ＨまたはアーススプリングＥｂ、Ｅｃに対して保全処置を実行する（Ｓ１３０）。例えば、アース体Ｈの接触位置をずらしたり、アース体Ｈを交換する。あるいは、アーススプリングＥｂ、Ｅｃ自体を交換してもよい。
【００７７】
このようなアーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常検出は、図１０に示すステップＳ４０、Ｓ７０で第１および第２抵抗値が得られて後の任意の時点で実行してよい。
【００７８】
尚、上記実施形態において、第２抵抗値は、Ｗチャンバ４００内において、描画処理前に測定されている。しかし、第２抵抗値は、描画処理後に測定されてもよい。第２抵抗値は、描画処理前後の両方で測定される場合もある。このような場合、描画処理前後のいずれか一方の第２抵抗値、あるいは、両方の第２抵抗値を用いてもよい。描画処理前後の両方の第２抵抗値を用いる場合、抵抗差は、描画処理前後の第２抵抗値の平均値と第１抵抗値との差であってもよい。あるいは、描画処理前後の両方の第２抵抗値を用いる場合、演算処理部７００は、描画処理前後の第２抵抗値のうち第１抵抗値との差が大きい第２抵抗値を用いてもよい。
【００７９】
本実施形態による異常判定方法によれば、演算処理部７００は、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃを介して測定されたマスク基板Ｗの第１抵抗値とアースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃおよびアーススプリングＥｂ、Ｅｃを介して測定された複数のマスク基板Ｗの第２抵抗値との抵抗差を用いてアーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常を判定している。第１抵抗差は、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃとアーススプリングＥｂ、Ｅｃとの接触抵抗を含まないが、第２抵抗差は、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃとアーススプリングＥｂ、Ｅｃとの接触抵抗を含む。従って、この抵抗差は、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの劣化（例えば、酸化）を判定するのに用いることができる。尚、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃのコネクタＣｂ、Ｃｃは、描画処理ごとにメンテナンスされているので、コネクタＣｂ、Ｃｃの劣化は考慮しなくてよい。
【００８０】
さらに、本実施形態によれば、Ｈチャンバ３３０およびＷチャンバ４００におけるアースチェックと異なり、第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差の動向（変動あるいは傾向）でアーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常判断を行っている。従って、演算処理部７００は、アーススプリングによるアースエラーが発生する前に、第１抵抗値と第２抵抗値との抵抗差の動向によって、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの変質または劣化を発見することができる。これにより、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常を早期に発見することができ、他のアーススプリングＥｂ、Ｅｃや他のアース体Ｈを予め準備することができる。その結果、マスク描画装置１０の停止期間（ダウンタイム）を低減させることができる。
【００８１】
また、演算処理部７００は、複数のマスク基板Ｗの抵抗差の動向でアーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常を判定している。アーススプリングＥｂ、Ｅｃの表面に酸化膜が形成されると、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃとアーススプリングＥｂ、Ｅｃとの接触抵抗が定常的に高くなるので、抵抗差もそれに伴い大きくなる。これにより、演算処理部７００は、突発的に発生する他の異常をアーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常として判定してしまうことを抑制することができ、アーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常をより正確に判定することができる。
【００８２】
（第２実施形態）
図１３は、第２実施形態によるマスク描画装置１１の模式図である。第２実施形態では、ＡＬＮチャンバ（アライメントチャンバ）３２０に抵抗測定部４０が設けられている。第２実施形態によるマスク描画装置１１は、ＡＬＮチャンバ３２０においてアース体Ｈを昇降ステージ上で待機させ、マスク基板Ｗの位置合わせを行う。抵抗測定部４０は、位置合わせの完了後、ＡＬＮチャンバ３２０において、マスク基板Ｗにアース体Ｈを取り付け、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂの抵抗値（第１抵抗値）を測定する。このとき、第１抵抗値の測定方法は、第１実施形態における第１抵抗値の測定方法と同様でよい。第２実施形態によるアーススプリングＥｂ、Ｅｃの異常の判定方法も、第１実施形態のそれと同様である。また、第２実施形態によるマスク描画装置１１のその他の構成は、第１実施形態の構成と同様でよい。これにより、第２実施形態は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００８４】
１０  マスク描画装置、３２０  アライメントチャンバ（ＡＬＮチャンバ）、３３０  アース体チャンバ（Ｈチャンバ）、４００  ライティングチャンバ（Ｗチャンバ）、５００  電子ビーム鏡筒、６００  制御機構、７００  演算処理部、Ｈ１ａ〜Ｈ１ｃ  アースピン、Ｅａ〜Ｅｃ  アーススプリング、
【図１】
2020035984.tif 000003
【図２】
2020035984.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2020035984.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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