(57)【要約】【課題】放熱性が高い半導体パッケージ、ダイアタッチフィルム及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイアタッチフィルムの製造方法は、支持板上に複数のポストを形成する工程と、前記ポスト間に、熱伝導率が前記ポストの熱伝導率よりも低い接着材層を形成する工程と、前記支持板を除去する工程と、を備える。【選択図】図３
2020155570.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持板上に複数のポストを形成する工程と、
前記ポスト間に、熱伝導率が前記ポストの熱伝導率よりも低い接着材層を形成する工程と、
前記支持板を除去する工程と、
を備えたダイアタッチフィルムの製造方法。
【請求項２】
前記ポストは金属を含む請求項１記載のダイアタッチフィルムの製造方法。
【請求項３】
前記金属は銅である請求項２記載のダイアタッチフィルムの製造方法。
【請求項４】
前記ポストを形成する工程は、前記金属を電解めっきする工程を有した請求項２または３に記載のダイアタッチフィルムの製造方法。
【請求項５】
前記支持板は絶縁性であり、
前記ポストを形成する工程は、前記支持板上に電源電位に接続されるシード層を選択的に形成する工程をさらに有し、
前記電解めっきは前記シード層に対して行う請求項４記載のダイアタッチフィルムの製造方法。
【請求項６】
前記ポストを形成する工程は、
前記電解めっきする工程の前に、前記支持板を覆い前記シード層を露出させるレジストパターンを形成する工程と、
前記電解めっきする工程の後に、前記レジストパターンを除去する工程と、
をさらに有した請求項５記載のダイアタッチフィルムの製造方法。
【請求項７】
前記ポストを形成する工程は、
前記支持板上にシード層を選択的に形成する工程と、
前記支持板を覆い前記シード層を露出させるレジストパターンを形成する工程と、
前記シード層に前記金属を無電解めっきする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
を有した請求項２または３に記載のダイアタッチフィルムの製造方法。
【請求項８】
前記支持板は、母材及び前記母材上に設けられた樹脂テープを含み、
前記ポストを形成する工程は、
前記樹脂テープ上に開口部が形成されたマスクパターンを形成する工程と、
前記樹脂テープ上及び前記マスクパターン上に金属層を形成する工程と、
前記マスクパターン及び前記マスクパターン上に形成された前記金属層を除去する工程と、
前記金属層の残留部分をシード層として前記金属を電解めっきする工程と、
を有し、
前記支持板を除去する工程は、前記樹脂テープを除去する工程を有する請求項２または３に記載のダイアタッチフィルムの製造方法。
【請求項９】
前記接着材層を形成する工程は、
接着材料を前記支持板上に前記ポストを覆うように配置する工程と、
前記接着材料をスキージして前記ポストの上面を露出させる工程と、
を有した請求項１〜８のいずれか１つに記載のダイアタッチフィルムの製造方法。
【請求項１０】
前記接着材層を形成する工程は、
前記支持板及び前記複数のポストに接着フィルムを積層する工程と、
前記接着フィルムの上部を除去することにより、前記ポストの上面を露出させる工程と、
を有した請求項１〜８のいずれか１つに記載のダイアタッチフィルムの製造方法。
【請求項１１】
接着剤層と、
前記接着剤層中に設けられ、前記接着剤層の第１面において露出し、熱伝導率が前記接着剤層の熱伝導率よりも高い複数のポストと、
を備えたダイアタッチフィルム。
【請求項１２】
前記ポストは、前記接着剤層の第２面においても露出している請求項１１記載のダイアタッチフィルム。
【請求項１３】
前記ポストの形状は、中心軸が前記接着剤層の厚さ方向に延びる柱状である請求項１１または１２に記載のダイアタッチフィルム。
【請求項１４】
前記ポストの形状は、前記接着剤層の厚さ方向から見て格子状である請求項１１または１２に記載のダイアタッチフィルム。
【請求項１５】
前記複数のポストが周期的に配列されている請求項１１〜１４のいずれか１つに記載のダイアタッチフィルム。
【請求項１６】
前記ポストは金属を含む請求項１１〜１５のいずれか１つに記載のダイアタッチフィルム。
【請求項１７】
前記金属は銅である請求項１６記載のダイアタッチフィルム。
【請求項１８】
リードフレームと、
半導体チップと、
前記リードフレーム及び前記半導体チップに接し、前記半導体チップを前記リードフレームに固定する請求項１１〜１７のいずれか１つに記載のダイアタッチフィルムと、
前記リードフレームの少なくとも一部、前記半導体チップ及び前記ダイアタッチフィルムを覆う樹脂部材と、
を備えた半導体パッケージ。
【請求項１９】
前記ダイアタッチフィルムのうち、前記半導体チップの中央部に接する第１部分における前記ポストの割合は、前記半導体チップの周辺部に接する第２部分における前記ポストの割合よりも高い請求項１８記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体パッケージ、ダイアタッチフィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、リードフレームにダイアタッチフィルム（Die Attach Film：ＤＡＦ）を介して半導体チップを固定し、リードフレームと半導体チップを樹脂部材により封止した半導体パッケージが開発されている。半導体チップの発熱量が大きい場合、半導体パッケージには高い放熱性が要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３９０８５９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態の目的は、放熱性が高い半導体パッケージ、ダイアタッチフィルム及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法は、支持板上に複数のポストを形成する工程と、前記ポスト間に、熱伝導率が前記ポストの熱伝導率よりも低い接着材層を形成する工程と、前記支持板を除去する工程と、を備える。
【０００６】
実施形態に係るダイアタッチフィルムは、接着剤層と、前記接着剤層中に設けられ、前記接着剤層の第１面において露出し、熱伝導率が前記接着剤層の熱伝導率よりも高い複数のポストと、を備える。
【０００７】
実施形態に係る半導体パッケージは、リードフレームと、半導体チップと、前記リードフレーム及び前記半導体チップに接し、前記半導体チップを前記リードフレームに固定する前記ダイアタッチフィルムと、前記リードフレームの少なくとも一部、前記半導体チップ及び前記ダイアタッチフィルムを覆う樹脂部材と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る半導体パッケージを示す断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体パッケージを示す平面図である。
【図３】（ａ）は第１の実施形態に係るダイアタッチフィルムを示す斜視図であり、（ｂ）はその断面図である。
【図４】第１の実施形態の第１の変形例に係るダイアタッチフィルムを示す平面図である。
【図５】（ａ）は第１の実施形態の第２の変形例に係るダイアタッチフィルムを示す斜視図であり、（ｂ）はその平面図である。
【図６】第１の実施形態の第３の変形例に係る半導体パッケージを示す平面図である。
【図７】第１の実施形態の第４の変形例に係るダイアタッチフィルムを示す平面図である。
【図８】（ａ）は第２の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図９】（ａ）は第２の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図１０】（ａ）は第２の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図１１】（ａ）は第２の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図１２】（ａ）は第２の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図１３】（ａ）は第２の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図１４】（ａ）は第２の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図１５】（ａ）は第２の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図１６】（ａ）は第３の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図１７】（ａ）は第３の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図１８】（ａ）は第３の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図１９】（ａ）は第３の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図２０】（ａ）は第３の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図２１】（ａ）は第３の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す斜視図であり、（ｂ）その断面図である。
【図２２】（ａ）〜（ｄ）は、第４の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す断面図である。
【図２３】（ａ）〜（ｄ）は、第４の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す断面図である。
【図２４】（ａ）〜（ｅ）は、第５の実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す断面図である。
【図２５】（ａ）〜（ｃ）は、第６の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜第１の実施形態＞
以下、第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体パッケージを示す断面図である。
図２は、本実施形態に係る半導体パッケージを示す平面図である。
図３（ａ）は本実施形態に係るダイアタッチフィルムを示す斜視図であり、（ｂ）はその断面図である。
なお、各図は模式的なものであり、適宜誇張及び省略されている。また、図間において、構成要素の数及び寸法比等は必ずしも一致していない。後述する図についても、同様である。
【００１０】
図１に示すように、本実施形態に係る半導体パッケージ１１においては、リードフレーム２１、半導体チップ２２、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１、ワイヤ２３及び樹脂部材２４が設けられている。
【００１１】
リードフレーム２１は金属材料からなり、例えば、銅又は銅合金からなる。リードフレーム２１は、半導体パッケージ１１の用途に応じて、所定の形状に加工されている。
【００１２】
半導体チップ２２はリードフレーム２１上に配置されている。半導体チップ２２は、例えば、比較的大きな電流が流れるチップであり、動作時の発熱量も大きい。半導体チップ２２は、例えば、電力制御用のパワー半導体チップ、又は、アナログ信号処理用のアナログ半導体チップであり、例えば、モータ制御チップである。半導体チップ２２には複数の電極（図示せず）が設けられている。
【００１３】
ダイアタッチフィルム１はリードフレーム２１と半導体チップ２２との間に配置されている。ダイアタッチフィルム１の一方の表面はリードフレーム２１の上面に接触しており、他方の表面は半導体チップ２２の下面に接触している。ダイアタッチフィルム１により、半導体チップ２２はリードフレーム２１に対して接着されている。
【００１４】
半導体チップ２２の電極は、ワイヤ２３を介して、リードフレーム２１に接続されている。ワイヤ２３は、リードフレーム２１及び半導体チップ２２の上方でループを形成している。
【００１５】
樹脂部材２４は、リードフレーム２１の側面及び上面、ダイアタッチフィルム１、半導体チップ２２及びワイヤ２３を覆っており、概ね、半導体パッケージ１１の外形を規定している。樹脂部材２４の形状は例えば略直方体である。本実施形態においては、例えば、リードフレーム２１の下面は樹脂部材２４から露出している。これにより、放熱性が向上する。なお、樹脂部材２４はリードフレーム２１の全体を覆っていてもよい。これにより、外部雰囲気に対する保護性が向上する。
【００１６】
図２、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイアタッチフィルム１においては、シート状の接着剤層３１が設けられている。接着剤層３１は接着剤からなり、例えば、エポキシ又はアクリルからなる。接着剤層３１中には複数のポスト３２が設けられている。ポスト３２は、熱伝導率が接着剤層３１の熱伝導率よりも高い材料からなり、例えば、銅又は銅合金等の金属からなる。なお、図２においては、半導体チップ２２を二点鎖線で表し、樹脂部材２４の上部及びワイヤ２３は省略している。
【００１７】
ポスト３２の形状は、中心軸が接着剤層３１の厚さ方向に延びる柱状であり、例えば、円柱形である。但し、ポスト３２の形状は円柱形には限定されず、例えば、楕円柱形、四角柱形又は六角柱形等であってもよい。ポスト３２は、接着剤層３１の第１面３１ａにおいて露出している。また、ポスト３２は、接着剤層３１の第１面３１ａ及び第２面３１ｂの双方において露出していてもよい。なお、ダイアタッチフィルム１の表裏は任意であり、接着剤層３１の第１面３１ａがリードフレーム２１に接し、第２面３１ｂが半導体チップ２２に接していてもよく、接着剤層３１の第１面３１ａが半導体チップ２２に接し、第２面３１ｂがリードフレーム２１に接していてもよい。
【００１８】
ポスト３２は、接着剤層３１の第１面３１ａに対して平行な２つの方向、すなわち、Ｘ方向及びＹ方向に沿って、それぞれ周期的に配列されている。Ｘ方向は、Ｙ方向に対して例えば直交している。Ｘ方向におけるポスト３２の配列周期は、例えば、Ｙ方向におけるポスト３２の配列周期と等しい。
【００１９】
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態に係るダイアタッチフィルム１においては、接着剤層３１中にポスト３２が設けられている。ポスト３２の熱伝導率は接着剤層３１の熱伝導率よりも高い。このため、ダイアタッチフィルム１は、接着剤層３１により、半導体チップ２２をリードフレーム２１に対して接着して固定することができ、ポスト３２により、半導体チップ２２の熱をリードフレーム２１に対して伝導させることができる。
【００２０】
ポスト３２は、接着剤層３１の少なくとも第１面３１ａにおいて露出し、例えば、第２面３１ｂにおいても露出している。このため、ポスト３２とリードフレーム２１及び／又は半導体チップ２２との間の熱抵抗が低い。また、ポスト３２の形状は接着剤層３１の厚さ方向に延びる柱状であるため、ポスト３２によって、ダイアタッチフィルム１の両面間で最短の伝熱経路を実現することができる。このため、ダイアタッチフィルム１は、膜厚方向における熱伝導性が高い。半導体チップ２２において発生した熱は、ダイアタッチフィルム１を膜厚方向に伝導してリードフレーム２１に伝わり、半導体パッケージ１１の外部に排出される。したがって、半導体パッケージ１１は放熱性が高い。
【００２１】
また、ダイアタッチフィルム１においては、接着剤層３１内に固体状のポスト３２を配置しているため、機械的な構造が安定である。これに対して、仮に、ダイアタッチフィルムの替わりに、樹脂材料と貴金属を含むペーストを用いた場合は、ペーストが半導体チップ２２の側面に沿って這い上がる場合がある。半導体チップ２２として薄いチップを用いた場合は、這い上がったペーストが半導体チップ２２の上面に達し、半導体チップ２２の上面を汚染する可能性がある。本実施形態に係る半導体チップ１１は、半導体チップ２２をリードフレーム２１に固定する固定材料としてダイアタッチフィルムを用いているため、このような懸念がなく、薄く発熱量が大きい半導体チップに好適に適用できる。
【００２２】
＜第１の実施形態の第１の変形例＞
次に、本実施形態の第１の変形例について説明する。
本変形例においては、第１の実施形態と比較して、ダイアタッチフィルムの構成が異なっている。
図４は、本変形例に係るダイアタッチフィルムを示す平面図である。
【００２３】
図４に示すように、本変形例に係るダイアタッチフィルム２においては、接着剤層３１中にポスト３２が３つの方向、すなわち、Ｘ方向、Ｖ方向及びＷ方向に沿って、それぞれ周期的に配列されている。例えば、Ｘ方向、Ｖ方向及びＷ方向の相互間の角度は１２０度であり、ポスト３２の配列周期は同一である。これにより、ポスト３２間の距離を一定としたときに、ポスト３２を２次元的に最密充填で配置することができる。この結果、ダイアタッチフィルム２の熱伝導性をより向上させることができる。
本変形例における上記以外の構成及び効果は、第１の実施形態と同様である。
【００２４】
＜第１の実施形態の第２の変形例＞
次に、本実施形態の第２の変形例について説明する。
本変形例においては、第１の実施形態と比較して、ダイアタッチフィルムの構成が異なっている。
図５（ａ）は本変形例に係るダイアタッチフィルムを示す斜視図であり、（ｂ）はその平面図である。
【００２５】
図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、本変形例に係るダイアタッチフィルム３においては、接着剤層３１中にポスト３２が格子状のパターンで配列されている。上述の如く、ダイアタッチフィルムにおいては、接着剤層３１が接着性を担い、ポスト３２が熱伝導性を担っている。このため、ダイアタッチフィルムにおけるポスト３２の割合が低いほど接着性は高くなるが熱伝導性が低下し、ポスト３２の割合が高いほど熱伝導性は高くなるが接着性は低くなる。本変形例のように、ポスト３２を任意のパターンで配列させることにより、ダイアタッチフィルム３における接着性と熱伝導性とのバランスを局所的に最適化することができる。
【００２６】
また、ポスト３２の配列を調整することにより、ダイアタッチフィルム３の熱膨張係数を制御することができる。例えば、ダイアタッチフィルム３の熱膨張係数をリードフレーム２１の熱膨張係数と半導体チップ２２の熱膨張係数の間の値とすることができる。これにより、リードフレーム２１と半導体チップ２２との間で発生する熱応力を緩和し、半導体パッケージの信頼性を向上させることができる。この場合においても、ポスト３２を任意のパターンで配列させることにより、ダイアタッチフィルム３の熱膨張係数を局所的に最適化することができる。例えば、高温になる部分では、ダイアタッチフィルム３の熱膨張係数の最適化を優先させ、それ以外の部分では接着性及び熱伝導性のバランスの最適化を優先させることができる。
本変形例における上記以外の構成及び効果は、第１の実施形態と同様である。
【００２７】
＜第１の実施形態の第３の変形例＞
次に、本実施形態の第３の変形例について説明する。
本変形例は、ダイアタッチフィルムにおけるポスト３２の配置を、半導体チップ２２に合わせて最適化した例である。
図６は、本変形例に係る半導体パッケージを示す平面図である。
なお、図６においては、半導体チップ２２を二点鎖線で表し、樹脂部材２４の上部及びワイヤ２３は省略している。
【００２８】
図６に示すように、本変形例に係る半導体パッケージ１２においては、ダイアタッチフィルム４が設けられている。ダイアタッチフィルム４においては、第１部分４ａにおけるポスト３２の割合が、第２部分４ｂにおけるポスト３２の割合よりも高い。第１部分４ａは半導体チップ２２の中央部に接する部分であり、第２部分４ｂは半導体チップ２２の周辺部に接する部分である。半導体チップ２２の中央部とは、上方から見て、半導体チップ２２の中心、例えば、対角線の交点を含み、半導体チップ２２の端縁を含まない部分であり、半導体チップ２２の周辺部とは、上方から見て、半導体チップ２２の中心を含まず、端縁を含む部分である。なお、第１部分４ａと第２部分４ｂとの区別は任意であり、物理的な境界が存在するとは限らない。
【００２９】
本変形例においては、ダイアタッチフィルム４のうち、熱がこもりやすい半導体チップ２２の中央部に接する第１部分４ａでは、ポスト３２の割合を高くして、接着性よりも熱伝導性を優先させ、剥離の起点となりやすい半導体チップ２２の周辺部に接する第２部分４ｂでは、ポスト３２の割合を低くして、熱伝導性よりも接着性を優先させている。このように、ダイアタッチフィルム４における接着性と熱伝導性とのバランスを、半導体チップ２２に対応させて局所的に最適化することにより、半導体パッケージ１２全体として、良好な放熱性と強度を実現することができる。
本変形例における上記以外の構成及び効果は、第１の実施形態と同様である。
【００３０】
＜第１の実施形態の第４の変形例＞
次に、本実施形態の第４の変形例について説明する。
本変形例においては、第１の実施形態と比較して、ダイアタッチフィルムの構成が異なっている。
図７は、本変形例に係るダイアタッチフィルムを示す平面図である。
【００３１】
図７に示すように、本変形例に係るダイアタッチフィルム５においては、接着剤層３１と、ポスト３３が設けられている。接着剤層３１の厚さ方向から見て、ポスト３３の形状は格子状であり、Ｘ方向に延びる直線状の部分とＹ方向に延びる直線状の部分を含んでいる。ポスト３３の上記以外の構成は、第１の実施形態におけるポスト３２と同様である。
【００３２】
ダイアタッチフィルム５においては、ポスト３３の形状が格子状であるため、膜厚方向だけでなく、膜面方向における熱伝導性も高い。このため、熱を膜厚方向に伝導しつつ、膜面方向にも効率的に拡散し、全体として高い放熱性を実現することができる。
本変形例における上記以外の構成及び効果は、第１の実施形態と同様である。
【００３３】
＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態について説明する。
本実施形態は、上述の第１の実施形態及びその各変形例に係るダイアタッチフィルムの製造方法である。
図８（ａ）〜図１５（ｂ）は、本実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す図である。
図８（ａ）はある工程を示す斜視図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）と同じ工程を示す断面図である。図９（ａ）〜図１５（ｂ）についても同様である。
【００３４】
先ず、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持板５０を用意する。支持板５０は絶縁板であり、例えば樹脂板である。そして、支持板５０の上面５０ａ上に、シード層５１を選択的に形成する。シード層５１は金属からなり、例えば銅からなる。シード層５１には、ポスト３２を形成する予定の領域に形成する本体部５１ａと、本体部５１ａから引き出され、電源電位に接続される配線部５１ｂとを設ける。シード層５１を形成する方法は特に限定されないが、例えば、無電解めっき法により形成してもよく、真空蒸着法によって全面に金属層を形成した後、リソグラフィ法によりパターニングして形成してもよい。
【００３５】
次に、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持板５０の上面５０ａ上にレジスト材料を塗布することにより、レジスト膜５２ａを形成する。
【００３６】
次に、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えばリソグラフィ法によりレジスト膜５２ａを選択的に除去することにより、レジストパターン５２を形成する。レジストパターン５２には、シード層５１の本体部５１ａの直上域に、開口部５２ｂを形成する。これにより、レジストパターン５２は、支持板５０の露出面を覆い、シード層５１の本体部５１ａを露出させる。
【００３７】
次に、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、シード層５１の配線部５１ｂを用いて本体部５１ａに電位を印加することにより、本体部５１ａの上面に金属、例えば、銅を電解めっきする。これにより、本体部５１ａ上にポスト３２が形成される。以後、シード層５１の本体部５１ａはポスト３２の一部として説明する。
【００３８】
次に、図１２（ａ）及び（ｂ）に示すように、レジストパターン５２（図１１（ａ）及び（ｂ）参照）を除去する。
【００３９】
次に、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持板５０の上面５０ａ上に接着材料を塗布して、接着剤層３１ｃを形成する。この段階では、接着剤層３１ｃはポスト３２の全体を覆う。
【００４０】
次に、図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように、接着剤層３１ｃの上部を除去する。例えば、スキージ１０１によって接着剤層３１ｃの上部を掻き取る。これにより、ポスト３２の上面が露出し、接着剤層３１が形成される。接着剤層３１の熱伝導率はポスト３２の熱伝導率よりも低い。この段階で、接着剤層３１の上面（第２面３１ｂ）において、ポスト３２が露出する。なお、ポスト３２の上面上に薄く接着剤層３１を残留させてもよい。この場合は、接着剤層３１の上面（第２面３１ｂ）において、ポスト３２は露出しない。
【００４１】
次に、図１５（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持板５０（図１４（ａ）及び（ｂ）参照）を除去する。例えば、支持板５０の溶解速度が、接着剤層３１及びポスト３２の溶解速度よりも速い薬品を支持板５０に接触させて、支持板５０を下面側から溶解する。これにより、接着剤層３１の下面（第１面３１ａ）においてポスト３２が露出する。このとき、シード層５１は支持板５０と共に除去される場合もあり、除去されない場合もある。図１５（ａ）及び（ｂ）は、シード層５１が除去された場合を示している。このようにして、ダイアタッチフィルム１が製造される。
【００４２】
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態によれば、図８（ａ）及び（ｂ）に示す工程において、シード層５１を任意にレイアウトで形成することにより、図１１（ａ）及び（ｂ）に示す工程において、ポスト３２を任意の位置に形成することができる。これにより、ポスト３２の配置を自由に決定し、ダイアタッチフィルム１の接着性と熱伝導性のバランスを最適化することができる。例えば、ポスト３２を周期的に配列させて、ダイアタッチフィルム１全体で均一な接着性及び熱伝導性を実現してもよい。又は、ポスト３２を不均一に配置させて、接着性と熱伝導性のバランスを部分毎に最適化してもよい。
【００４３】
また、本実施形態によれば、図８（ａ）及び（ｂ）に示す工程においてシード層５１を形成した後、図１１（ａ）及び（ｂ）に示す工程において、電界めっき法によりポスト３２を形成している。これにより、ポスト３２を効率よく形成することができる。
【００４４】
なお、ダイアタッチフィルム１を補強するために、支持板５０を残留させた状態で、ダイアタッチフィルム１を流通させて、使用直前に支持板５０を除去してもよい。また、本実施形態においては、前述の第１の実施形態に係るダイアタッチフィルム１を製造する例を示したが、これには限定されない。例えば、第１の実施形態の各変形例に係るダイアタッチフィルムも同様な方法によって製造することができる。また、第１の実施形態及びその変形例において開示していない構成のダイアタッチフィルムも、本実施形態に係る方法によって製造することができる。
【００４５】
＜第３の実施形態＞
次に、第３の実施形態について説明する。
本実施形態も、上述の第１の実施形態及びその各変形例に係るダイアタッチフィルムの製造方法である。
図１６（ａ）〜図２１（ｂ）は、本実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す図である。
図１６（ａ）はある工程を示す斜視図であり、図１６（ｂ）は図１６（ａ）と同じ工程を示す断面図である。図１７（ａ）〜図２１（ｂ）についても同様である。
【００４６】
先ず、図１６（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持板５０を用意する。支持板５０は絶縁板であり、例えば樹脂板である。そして、支持板５０の上面５０ａ上に、シード層５４を選択的に形成する。シード層５４は金属からなり、例えば銅からなる。シード層５４は、ポスト３２を形成する予定の領域に形成する。
【００４７】
次に、図１７（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持板５０の上面５０ａ上にレジスト材料を塗布することにより、レジスト膜５２ａを形成する。
【００４８】
次に、図１８（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えばリソグラフィ法によりレジスト膜５２ａを選択的に除去することにより、レジストパターン５２を形成する。レジストパターン５２には、シード層５４の直上域に、開口部５２ｂを形成する。これにより、レジストパターン５２は、支持板５０の露出面を覆い、シード層５４を露出させる。
【００４９】
次に、図１９（ａ）及び（ｂ）に示すように、開口部５２ｂ内、すなわち、シード層５４の上面に、金属、例えば、銅を無電解めっきする。これにより、シード層５４上にポスト３２が形成される。以後、シード層５４はポスト３２の一部として説明する。
【００５０】
次に、図２０（ａ）及び（ｂ）に示すように、レジストパターン５２（図１９（ａ）及び（ｂ）参照）を除去する。
【００５１】
次に、図２１（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えばノズル１０２により、支持板５０の上面５０ａに接着材料を塗布する。接着材料はポスト３２間に充填させる。これにより、接着剤層３１が形成される。
【００５２】
次に、図１５（ａ）及び（ｂ）と同様な工程を実施して、支持板５０を除去する。このようにして、ダイアタッチフィルム１が製造される。
【００５３】
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態においては、図１９（ａ）及び（ｂ）に示す工程において、無電解めっき法により、ポスト３２を形成している。このため、図１６（ａ）及び（ｂ）に示す工程において、シード層５４を形成する際に、配線部を形成する必要がない。これにより、シード層５４を高密度に配置させることができ、ポスト３２を高密度に配置させることができる。
本実施形態における上記以外の製造方法及び効果は、第２の実施形態と同様である。
【００５４】
＜第４の実施形態＞
次に、第４の実施形態について説明する。
本実施形態も、上述の第１の実施形態及びその各変形例に係るダイアタッチフィルムの製造方法である。
図２２（ａ）〜（ｄ）及び図２３（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す断面図である。
【００５５】
先ず、図２２（ａ）に示すように、支持板６０を用意する。支持板６０においては、例えば金属からなる母材６１に、樹脂テープ６２が貼り合わされている。樹脂テープ６２は樹脂材料からなり、例えば、ポリイミドからなる。
【００５６】
次に、図２２（ｂ）に示すように、リソグラフィ法により、支持板６０の樹脂テープ６２上にレジストパターン６３を形成する。レジストパターン６３には、ポスト３２を形成する予定の領域に開口部６３ｂを形成する。
【００５７】
次に、図２２（ｃ）に示すように、例えば、無電解めっき法、又は、真空蒸着法若しくはスパッタリング法等の気相成長法により、全面に金属層６４ａを形成する。
【００５８】
次に、図２２（ｄ）に示すように、レジストパターン６３を除去する。このとき、金属層６４ａのうち、レジストパターン６３の表面上に形成された部分は、レジストパターン６３と共に除去される。一方、金属層６４ａのうち、レジストパターン６３の開口部６３ｂ内において、樹脂テープ６２上に形成された部分は残留し、シード層６４となる。
【００５９】
次に、図２３（ａ）に示すように、電解めっき法により、シード層６４上に金属、例えば、銅を堆積させて、ポスト３２を形成する。以後、シード層６４はポスト３２の一部として説明する。
【００６０】
次に、図２３（ｂ）に示すように、ポスト３２を覆うように、樹脂テープ６２に接着フィルム３１ｄを貼り合わせる。このとき、樹脂テープ６２の上面には、ポスト３２を反映した凸部が出現する。
【００６１】
次に、図２３（ｃ）に示すように、接着フィルム３１ｄの上部を除去することにより、ポスト３２の上面を露出させる。例えば、接着フィルム３１ｄの上面を研磨することにより、ポスト３２を反映した凸部を除去する。これにより、接着フィルム３１ｄがポスト３２間に残留し、接着剤層３１となる。
【００６２】
次に、図２３（ｄ）に示すように、樹脂テープ６２を例えば薬液に溶解させることによって除去する。これにより、母材６１が接着剤層３１及びポスト３２から剥離し、支持板６０が除去される。このようにして、ダイアタッチフィルム１が製造される。
【００６３】
本実施形態によっても、第１の実施形態及びその変形例に係るダイアタッチフィルムを製造することができる。
本実施形態における上記以外の製造方法及び効果は、第２の実施形態と同様である。
【００６４】
なお、第２の実施形態においては、スキージを用いた印刷法により接着剤層３１を形成する方法を説明し、第３の実施形態においては、ノズルを用いた塗布法により接着剤層３１を形成する方法を説明し、第４の実施形態においては、接着フィルムを貼り合わせるラミネート法により接着剤層３１を形成する方法を説明したが、各実施形態と接着剤層３１を形成する各方法の組み合わせは任意である。また、各実施形態と支持板の除去方法の組み合わせも任意である。
【００６５】
＜第５の実施形態＞
次に、第５の実施形態について説明する。
本実施形態も、上述の第１の実施形態及びその各変形例に係るダイアタッチフィルムの製造方法である。
図２４（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態に係るダイアタッチフィルムの製造方法を示す断面図である。
【００６６】
先ず、図２４（ａ）に示すように、導電性の支持板７０を用意する。支持板７０は、ポスト３２とは異なる金属又は合金によって形成されていることが好ましい。次に、支持板７０上にレジストパターン７１を形成する。レジストパターン７１には、ポスト３２を形成する予定の領域に、開口部７１ｂを形成する。
【００６７】
次に、図２４（ｂ）に示すように、支持板７０を介して電位を印加することにより、支持板７０の上面に金属、例えば、銅を電解めっきする。このとき、金属は支持板７０の露出面上のみに堆積され、レジストパターン７１の表面には堆積されない。これにより、支持板７０上におけるレジストパターン７１の開口部７１ｂ内に、ポスト３２を形成する。
【００６８】
次に、図２４（ｃ）に示すように、レジストパターン７１を除去する。
【００６９】
次に、図２４（ｄ）に示すように、ポスト３２間に接着剤層３１を形成する。接着剤層３１を形成する方法は、例えば、前述の第２〜第４の実施形態で説明した方法のうち、いずれかの方法を用いる。
【００７０】
次に、図２４（ｅ）に示すように、例えば薬液により支持板７０を溶解することにより、支持板７０を除去する。このとき、支持板７０の材料とポスト３２の材料を異ならせ、支持板７０の溶解速度がポスト３２の溶解速度よりも速い薬液を用いることにより、ポスト３２を残留させたまま、支持板７０のみを選択的に除去することができる。
【００７１】
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態によれば、シード層を形成することなく、ポスト３２を電解めっき法により形成することができるため、ダイアタッチフィルムを効率よく製造することができる。
本実施形態における上記以外の製造方法及び効果は、第２の実施形態と同様である。
【００７２】
＜第６の実施形態＞
次に、第６の実施形態について説明する。
本実施形態は、ダイアタッチフィルムをリードフレーム上に直接形成する例である。
図２５（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す図である。
【００７３】
図２５（ａ）に示すように、リードフレーム２１の原板２１ａ上に、ダイアタッチフィルム１を形成する。例えば、図２４（ａ）〜（ｄ）に示す工程において、支持板７０としてリードフレーム２１の原板２１ａを用いることにより、原板２１ａ上にダイアタッチフィルム１を形成する。
【００７４】
次に、図２５（ｂ）に示すように、原板２１ａを所定の形状に加工し、リードフレーム２１を形成する。
【００７５】
次に、図２５（ｃ）に示すように、半導体チップ２２を用意する。そして、半導体チップ２２をダイアタッチフィルム１に接着する。次に、熱処理を施すことにより、接着剤層３１を固化させる。このようにして、半導体チップ２２がダイアタッチフィルム１を介してリードフレーム２１に固定される。
【００７６】
次に、図１に示すように、ワイヤボンディングを行って、リードフレーム２１と半導体チップ２２の間にワイヤ２３を接続する。次に、樹脂材料をモールドすることにより、リードフレーム２１の少なくとも一部、ダイアタッチフィルム１、半導体チップ２２及びワイヤ２３を封止する樹脂部材２４を形成する。このようにして、半導体パッケージを製造することができる。
【００７７】
本実施形態によれば、１つのリードフレーム２１に複数の半導体チップ２２を搭載する場合に、半導体チップ２２毎に、ダイアタッチフィルム１におけるポスト３２の配置を最適化することができる。
本実施形態における上記以外の構成及び効果は、第１の実施形態と同様である。
【００７８】
なお、前述の各実施形態においては、ポスト３２を金属により形成する例を示したが、これには限定されず、ポスト３２の材料は、熱伝導性が接着剤層３１の熱伝導性よりも高い材料であればよく、例えば、無機材料又は有機材料であってもよい。例えば、ポスト３２を窒化アルミニウム（ＡｌＮ）により形成してもよい。
【００７９】
以上説明した実施形態によれば、放熱性が高い半導体パッケージ、ダイアタッチフィルム及びその製造方法を実現することができる。
【００８０】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の実施形態は、相互に組み合わせて実施することもできる。
【符号の説明】
【００８１】
１、２、３、４、５：ダイアタッチフィルム
４ａ：第１部分
４ｂ：第２部分
１１、１２：半導体パッケージ
２１：リードフレーム
２１ａ：原板
２２：半導体チップ
２３：ワイヤ
２４：樹脂部材
３１：接着剤層
３１ａ：第１面
３１ｂ：第２面
３１ｃ：接着剤層
３１ｄ：接着フィルム
３２、３３：ポスト
５０：支持板
５０ａ：上面
５１：シード層
５１ａ：本体部
５１ｂ：配線部
５２：レジストパターン
５２ａ：レジスト膜
５２ｂ：開口部
５４：シード層
６０：支持板
６１：母材
６２：樹脂テープ
６３：レジストパターン
６３ｂ：開口部
６４：シード層
６４ａ：金属層
７０：支持板
７１：レジストパターン
７１ｂ：開口部
１０１：スキージ
１０２：ノズル
【図１】
2020155570.tif 000003
【図２】
2020155570.tif 000004
【図３】
2020155570.tif 000005
【図４】
2020155570.tif 000006
【図５】
2020155570.tif 000007
【図６】
2020155570.tif 000008
【図７】
2020155570.tif 000009
【図８】
2020155570.tif 000010
【図９】
2020155570.tif 000011
【図１０】
2020155570.tif 000012
【図１１】
2020155570.tif 000013
【図１２】
2020155570.tif 000014
【図１３】
2020155570.tif 000015
【図１４】
2020155570.tif 000016
【図１５】
2020155570.tif 000017
【図１６】
2020155570.tif 000018
【図１７】
2020155570.tif 000019
【図１８】
2020155570.tif 000020
【図１９】
2020155570.tif 000021
【図２０】
2020155570.tif 000022
【図２１】
2020155570.tif 000023
【図２２】
2020155570.tif 000024
【図２３】
2020155570.tif 000025
【図２４】
2020155570.tif 000026
【図２５】
2020155570.tif 000027