(57)【要約】      （修正有）【課題】洗浄に対して高い耐性が得られるインプリント処理に用いられる原版を提供する。【解決手段】原版１０は、基板１１と、基板１１に微細パターンが配置されたパターン領域１０ｐと、基板１１に被転写体との位置合わせに用いる凹凸を含むマークが配置されたマーク領域１０ｍと、マーク領域１０ｍの凹部に配置され、基板１１に対して高いコントラストを有する第１の膜と、マーク領域１０ｍを覆い、基板に対するコントラストが第１の膜より低い第２の膜と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に微細パターンが配置されたパターン領域と、
前記基板に被転写体との位置合わせに用いる凹凸を含むマークが配置されたマーク領域と、
前記マーク領域の凹部に配置され、前記基板に対して高いコントラストを有する第１の膜と、
前記マーク領域を覆い、前記基板に対するコントラストが前記第１の膜より低い第２の膜と、を備える、
原版。
【請求項２】
前記第２の膜は前記パターン領域を覆う、
請求項１に記載の原版。
【請求項３】
前記第１の膜は高い反射率を有し、
前記第２の膜は前記第１の膜よりも低い反射率を有する、
請求項１または請求項２に記載の原版。
【請求項４】
前記第２の膜は、耐酸性、耐アルカリ性、および耐酸化性の少なくともいずれかを有する、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の原版。
【請求項５】
前記第１の膜は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ、ＳｉＣ、及びＳｉＦの少なくともいずれかの材料で構成され、
前記第２の膜は、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ２、ＹＡＧ、ＨｆＯ２、及びＣａＦ２の少なくともいずれかの材料で構成される、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の原版。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、原版に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において微細なパターンを形成する方法として、インプリント法が提案されている。インプリント法では、被加工膜上にレジストを滴下し、微細なパターンが形成された原版をレジストに押し付けて、原版の微細パターンをレジストに転写する。
【０００３】
原版は、酸性溶液やアルカリ性溶液等で洗浄されながら繰り返し使用される。このため、原版には洗浄に対する耐性が要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−０８２６２４号公報
【特許文献２】特開２０１５−２３３０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態は、洗浄に対して高い耐性が得られる原版を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の原版は、基板と、前記基板に微細パターンが配置されたパターン領域と、前記基板に被転写体との位置合わせに用いる凹凸を含むマークが配置されたマーク領域と、前記マーク領域の凹部に配置され、前記基板に対して高いコントラストを有する第１の膜と、前記マーク領域を覆い、前記基板に対するコントラストが前記第１の膜より低い第２の膜と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施形態にかかるテンプレートの構成を示す図であって、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は拡大断面図であり、（ｃ）は拡大平面図である。
【図２】図２は、実施形態にかかるテンプレートの製造処理の手順の一例を示すフロー図である。
【図３】図３は、実施形態にかかるテンプレートの製造処理の手順の一例を示すフロー図である。
【図４】図４は、実施形態にかかるインプリント装置の構成例を示す図である。
【図５】図５は、実施形態にかかるテンプレートによるインプリント処理の手順の一例を示すフロー図である。
【図６】図６は、実施形態の変形例にかかるテンプレートの構成を示す断面図である。
【図７】図７は、実施形態の変形例にかかるテンプレートの製造処理の手順の一例を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。
【０００９】
図１〜図７を用い、本実施形態について説明する。
【００１０】
［テンプレートの構成］
図１は、実施形態にかかるテンプレート１０の構成を示す図であって、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は拡大断面図であり、（ｃ）は拡大平面図である。
【００１１】
図１（ａ）に示すように、原版としてのテンプレート１０は合成石英等の透明部材から構成される基板１１を備える。基板１１は例えば矩形を有している。基板１１の一方の主面には、主面から突出したメサ部１２が配置されている。メサ部１２は台座部とも称される。メサ部１２は、例えば基板１１の中央に配置され、矩形を有している。メサ部１２の中央には、微細な凹凸を有する微細パターン１３が配置されている。
【００１２】
図１（ｂ）に示すように、テンプレート１０は、より詳細には、微細パターン１３が配置されるパターン領域１０ｐ、及び位置合わせマーク１４が配置されるマーク領域１０ｍを有する。テンプレート１０は、半導体基板等のウェハに微細パターンを形成するための原版として用いられる。位置合わせマーク１４は、例えばパターン領域１０ｐの外周部に設けられ、ウェハとテンプレート１０との位置合わせを行うために用いられる。位置合わせマーク１４は凹部と凸部とを有している。
【００１３】
位置合わせマーク１４の凹部には、凹部の底面の全部および側面の一部を覆う第１の膜としての高コントラスト膜１５が形成されている。高コントラスト膜１５は、テンプレート１０の基板１１に対して高コントラストを有する膜であり、例えば光に対して高い反射率を有する。すなわち、高コントラスト膜１５は、テンプレート１０の基板１１とは異なる光学特性を有することにより、基板１１に対して高コントラストを有する。より具体的には、高コントラスト膜１５は金属等を含む膜である。さらに具体的には、高コントラスト膜１５は、例えばＴｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ、ＳｉＣ、及びＳｉＦの少なくともいずれかの材料で構成される。すなわち、高コントラスト膜１５は、これらの元素のいくつかを組み合わせた合金で構成されていてもよく、あるいは、種類の異なる元素の膜が複数積層された膜であってもよい。
【００１４】
位置合わせマーク１４の凹部と凸部には、マーク領域１４ｍの全体を覆う第２の膜としての低コントラスト膜１６が形成されている。つまり、低コントラスト膜１６は、凹部の底面全部、側面全部、及び凸部の上面全部を覆っている。低コントラスト膜１６は、テンプレート１０の基板１１に対して高コントラスト膜１５よりも低いコントラストを有する膜であり、例えば高コントラスト膜１５よりも低い反射率を有する。また、低コントラスト膜１６は、耐酸性、耐アルカリ性、及び耐酸化性の少なくともいずれかの特性を備えていることが好ましい。より具体的には、低コントラスト膜１６は、可視光等の所定波長の光に対して透過性を有する透明な酸化膜等である。すなわち、低コントラスト膜１６は、テンプレート１０の基板１１と類似する光学特性を有する。さらに具体的には、低コントラスト膜１６は、例えばＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ２、ＹＡＧ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、ＨｆＯ２、及びＣａＦ２の少なくともいずれかの材料で構成される。すなわち、低コントラスト膜１６は、これらの元素のいくつかを含む酸化膜で構成されていてもよく、あるいは、種類の異なる元素の酸化膜が複数積層された膜であってもよい。
【００１５】
図１（ｃ）に示すように、低コントラスト膜１６は、位置合わせマーク１４全体を覆い、位置合わせマーク１４よりも四方に数μｍずつ広がった矩形となっている。マーク領域１４ｍは、位置合わせマーク１４を含み、低コントラスト膜１６で覆われた領域全体を指す。
【００１６】
図示しないパターン領域１０ｐもまた、例えば矩形を有する。マーク領域１０ｍは、例えば矩形のパターン領域１０ｐの四隅に配置される。
【００１７】
［テンプレートの製造処理］
次に、図２及び図３を用いて、実施形態のテンプレート１０の製造処理の例について説明する。図２及び図３は、実施形態にかかるテンプレート１０の製造処理の手順の一例を示すフロー図である。
【００１８】
図２（ａ）に示すように、それぞれに凹凸が形成されたパターン領域１０ｐとマーク領域１０ｍとを有する基板１１を準備する。このような基板１１は、基板１１が有する凹凸の反転パターンを有するマスタテンプレートを用いて形成することができる。
【００１９】
図２（ｂ）に示すように、基板１１の全面を覆うようにＣｒ等の金属膜１５ｂを形成する。金属膜１５ｂは、例えば物理的気相成長法または化学的気相成長法等により形成される。このとき、マーク領域１０ｍにおいては、金属膜１５ｂは凹部の底面および側面の全体を覆う。一方、パターン領域１０ｐにおいては、金属膜１５ｂは凹部の底面を覆い、側面には形成されない。パターン領域１０ｐにおける凹部の間口は微細であり、凹部のアスペクト比が高いため、これに対して充分なカバレッジ性を有さない金属膜１５ｂは、凹部の全体を覆うことができない。
【００２０】
図２（ｃ）に示すように、基板１１の全面を覆うようにレジストパターン３１ｐを形成する。レジストパターン３１ｐは、マーク領域１０ｍにおいて薄膜を有し、パターン領域１０ｐにおいて厚膜を有するように形成される。このようなレジストパターン３１ｐは、レジストパターン３１ｐとは凹凸が反転したパターンを有するマスクテンプレートを用いて形成することができる。
【００２１】
図２（ｄ）に示すように、基板１１の全面に対してレジストパターン３１ｐのエッチバックを行う。パターン領域１０ｐにおいては、レジストパターン３１ｐの膜厚が厚いため、エッチバック後も薄くなったレジストパターン３１ｐが残る。マーク領域１０ｍにおいては、レジストパターン３１ｐの膜厚が薄いため、基板１１上面のレジストパターン３１ｐが消失し、その後は、金属膜１５ｂの一部がエッチバックされる。これにより、凹部の底面全体と側面の一部が残った金属膜パターン１５ｐが形成される。
【００２２】
図２（ｅ）に示すように、マーク領域１０ｍの凹部、およびパターン領域１０ｐに残ったレジストパターン３１ｐを除去する。レジストパターン３１ｐは、ドライアッシング等を用いず、硫酸化水等によるウェットエッチングで除去することが望ましい。ドライアッシングを用いると、金属膜パターン１５ｐが酸化されてしまい、光学特性が悪化するためである。
【００２３】
図２（ｆ）に示すように、基板１１の全面を覆うようにＴａ２Ｏ５等の酸化膜１６ｂを形成する。酸化膜１６ｂは、例えば物理的気相成長法または化学的気相成長法等により形成される。このときも、マーク領域１０ｍにおいては、酸化膜１６ｂは凹部の底面および側面の全体を覆う。一方、パターン領域１０ｐにおいては、酸化膜１６ｂは凹部の底面を覆い、側面には形成されない。
【００２４】
図３（ａ）に示すように、基板１１の全面を覆うようにレジストパターン３２ｐを形成する。レジストパターン３２ｐは、マーク領域１０ｍにおいて厚膜を有し、パターン領域１０ｐにおいて薄膜を有するように形成される。
【００２５】
図３（ｂ）に示すように、基板１１の全面に対してレジストパターン３２ｐのエッチバックを行う。マーク領域１０ｍにおいては、レジストパターン３２ｐの膜厚が厚いため、薄くなったレジストパターン３２ｐがエッチバック後にも残る。パターン領域１０ｐにおいては、レジストパターン３２ｐの膜厚が薄いため、レジストパターン３２ｐが消失して酸化膜１６ｂが露出する。
【００２６】
図３（ｃ）に示すように、パターン領域１０ｐに露出した酸化膜１６ｂをエッチバック等で除去して金属膜パターン１５ｐを露出させる。マーク領域１０ｍでは、酸化膜１６ｂはレジストパターン３２ｐにより保護され除去されない。これにより、マーク領域１０ｍの全体を覆う酸化膜パターン１６ｐが形成される。
【００２７】
図３（ｄ）に示すように、マーク領域１０ｍに残ったレジストパターン３２ｐをウェットエッチング等で除去する。
【００２８】
図３（ｅ）に示すように、パターン領域１０ｐに露出した金属膜パターン１５ｐをエッチバック等で除去する。マーク領域１０ｍでは、金属膜パターン１５ｐは酸化膜パターン１６ｐにより保護され除去されない。これにより、マーク領域１０ｍの凹部に残る高コントラスト膜１５と、マーク領域１０ｍの全体に残る低コントラスト膜１６とが形成される。
【００２９】
以上により、実施形態のテンプレート１０の製造処理が終了する。
【００３０】
［テンプレートによるインプリント処理］
次に、実施形態のテンプレート１０の使用例として、テンプレート１０を用いたインプリント処理の例について説明する。テンプレート１０は、インプリント装置にインストールされてインプリント処理に用いられる。まずは、図４を用いてインプリント装置１の構成例について説明する。図４は、実施形態にかかるインプリント装置１の構成例を示す図である。
【００３１】
図４に示すように、インプリント装置１は、テンプレートステージ８１、載置台８２、基準マーク８５、アライメントセンサ８６、液滴下装置８７、ステージベース８８、光源８９、および制御部９０を備えている。インプリント装置１には、テンプレート１０がインストールされている。
【００３２】
載置台８２は、ウェハチャック８４、及び本体８３を備える。ウェハチャック８４は、被転写体としてのウェハＷを本体８３上の所定位置に固定する。載置台８２上には、基準マーク８５が設けられている。基準マーク８５は、ウェハＷを載置台８２上にロードする際の位置合わせに用いられる。
【００３３】
載置台８２は、ウェハＷを載置するとともに、載置したウェハＷと平行な平面内（水平面内）を移動する。載置台８２は、ウェハＷにレジストを滴下する際にはウェハＷを液滴下装置８７の下方側に移動させ、ウェハＷへの転写処理を行う際には、ウェハＷをテンプレート１０の下方側に移動させる。
【００３４】
ステージベース８８は、テンプレートステージ８１によってテンプレート１０を支持するとともに、上下方向（鉛直方向）に移動することにより、テンプレート１０の微細パターン１３をウェハＷ上のレジストに押し当てる。ステージベース８８上には、アライメントセンサ８６が設けられている。アライメントセンサ８６は、ウェハＷの位置検出やテンプレート１０の位置合わせマーク１４（図１参照）の位置検出を行うセンサである。
【００３５】
液滴下装置８７は、インクジェット方式によってウェハＷ上にレジストを滴下する装置である。液滴下装置８７が備えるインクジェットヘッドは、レジストの液滴を噴出する複数の微細孔を有しており、レジストの液滴をウェハＷ上に滴下する。
【００３６】
光源８９は、例えば紫外線を照射する装置であり、ステージベース８８の上方に設けられている。光源８９は、テンプレート１０がレジストに押し当てられた状態で、テンプレート１０上から光を照射する。
【００３７】
制御部９０は、テンプレートステージ８１、載置台８２、基準マーク８５、アライメントセンサ８６、液滴下装置８７、ステージベース８８、および光源８９を制御する。
【００３８】
図５は、実施形態にかかるテンプレート１０によるインプリント処理の手順の一例を示すフロー図である。
【００３９】
被加工膜Ｏｘが形成されたウェハＷを載置台８２に載置し、載置台８２を液滴下装置８７の下方に移動させる。
【００４０】
図５（ａ）に示すように、液滴下装置８７からレジストＲの液滴を被加工膜Ｏｘ上に滴下する。その後、載置台８２をテンプレート１０の下方に移動させる。
【００４１】
図５（ｂ）に示すように、テンプレートステージ８１を下方に移動させ、アライメントセンサ８６で位置合わせマーク１４（図１参照）を検出して位置合わせを行いながら、テンプレート１０の微細パターン１３をレジストＲに押し当てる。続いて、テンプレート１０を押し付けた状態で、インプリント装置１の光源８９からレジストＲに光を照射し、レジストＲを硬化させる。
【００４２】
図５（ｃ）に示すように、テンプレート１０を離型する。これにより、ウェハＷの被加工膜Ｏｘ上には、微細パターン１３が転写されたレジストパターンＲｐが形成される。
【００４３】
図５（ｄ）に示すように、微細パターン１３が転写されたレジストパターンＲｐをマスクにして被加工膜Ｏｘを加工する。これにより、被加工膜パターンＯｘｐが形成される。
【００４４】
図５（ｅ）に示すように、レジストパターンＲｐをアッシング等により剥離して、ウェハＷ上に形成された被加工膜パターンＯｘｐが得られる。
【００４５】
これ以降、上記のような処理を繰り返し、複数の被加工膜パターンをウェハＷ上に形成していくことで、半導体装置が製造される。
【００４６】
なお、実施形態のインプリント装置１では、レジストＲを滴下するように構成されているが、スピンコート塗布法によって、ウェハＷ上の全面にレジストを塗布してもよい。
【００４７】
インプリント処理に用いられるテンプレートは、ウェハ上のレジストと接触するため、定期的に、酸性溶液やアルカリ性溶液や酸化ドライアッシング等を用いて洗浄される。一方、テンプレートは、ウェハとの位置合わせのため、位置合わせマークを有する。位置合わせマークは、視認性を向上させるため、金属膜等を有することがある。しかしながら、金属膜の耐酸性、耐アルカリ性、耐酸化性は低く、テンプレートの繰り返し洗浄に耐えられない。
【００４８】
実施形態のテンプレート１０は、高コントラスト膜１５を覆う低コントラスト膜１６を備える。低コントラスト膜１６は、耐酸性、耐アルカリ性、及び耐酸化性の少なくともいずれかの特性を備えている。これにより、テンプレート１０を洗浄する際、これらの特性に劣る高コントラスト膜１５を保護することができ、テンプレート１０の洗浄に対する耐性を向上させることができる。よって、テンプレート１０の繰り返し使用が可能となり、テンプレート１０の寿命が延びる。
【００４９】
実施形態のテンプレート１０は、基板１１と類似の光学特性を備える低コントラスト膜１６を備える。これにより、低コントラスト膜１６で高コントラスト膜１５を覆っても、位置合わせマーク１４の視認性を著しく低下させることがない。
【００５０】
実施形態のテンプレート１０は、物理的気相成長法または化学的気相成長法等で形成された高コントラスト膜１５および低コントラスト膜１６を備える。テンプレート１０の上述の製造処理によれば、物理的気相成長法または化学的気相成長法等が行われる装置内にレジストパターン付きの基板１１が持ち込まれることがない。これにより、レジストパターンによる装置内の汚染を抑制することができる。
【００５１】
［変形例］
次に、図６及び図７を用いて、実施形態の変形例のテンプレート２０について説明する。変形例のテンプレート２０は、パターン領域２０ｐにも低コントラスト膜２６を有する点が、上述の実施形態とは異なる。
【００５２】
図６は、実施形態の変形例にかかるテンプレート２０の構成を示す断面図である。
【００５３】
図６に示すように、原版としてのテンプレート２０は、微細パターン２３が配置されるパターン領域２０ｐ、及び位置合わせマーク２４が配置されるマーク領域２０ｍを有する。
【００５４】
位置合わせマーク２４の凹部には、凹部の底面の全部および側面の一部を覆う高コントラスト膜２５が形成されている。高コントラスト膜２５は、例えばＴｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ、ＳｉＣ、及びＳｉＦの少なくともいずれかの材料で構成される。
【００５５】
位置合わせマーク２４の凹部と凸部には、マーク領域２４ｍの全体を覆う低コントラスト膜２６が形成されている。つまり、低コントラスト膜２６は、凹部の底面全部、側面全部、及び凸部の上面全部を覆っている。低コントラスト膜２６は、パターン領域２４ｐの凹部と凸部にも、パターン領域２４ｐの全体を覆って形成されている。つまり、低コントラスト膜２６は、パターン領域２４ｐにおいても凹部の底面全部、側面全部、及び凸部の上面全部を覆っている。低コントラスト膜２６は、例えばＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ２、ＹＡＧ、ＨｆＯ２、及びＣａＦ２の少なくともいずれかの材料で構成される。
【００５６】
図７は、実施形態の変形例にかかるテンプレート２０の製造処理の手順の一例を示すフロー図である。
【００５７】
図７（ａ）に示すように、それぞれに凹凸が形成されたパターン領域２０ｐとマーク領域２０ｍとを有する基板２１を準備する。
【００５８】
図７（ｂ）に示すように、基板２１の全面を覆うようにＣｒ等の金属膜２５ｂを物理的気相成長法または化学的気相成長法等により形成する。このとき、マーク領域２０ｍにおいては、金属膜２５ｂは凹部の底面および側面の全体を覆う。一方、パターン領域２０ｐにおいては、金属膜２５ｂは凹部の底面を覆い、側面には形成されない。
【００５９】
図７（ｃ）に示すように、基板２１の全面を覆うようにレジストパターン３３ｐを形成する。レジストパターン３３ｐは、マーク領域２０ｍにおいて厚膜を有し、パターン領域２０ｐにおいて薄膜を有するように形成される。
【００６０】
図７（ｄ）に示すように、基板２１の全面に対してレジストパターン３３ｐのエッチバックを行う。マーク領域２０ｍにおいては、基板２１上面のレジストパターン３３ｐが消失し、その後、金属膜２５ｂの一部が消失するまでエッチバックを継続する。一方、パターン領域２０ｐにおいては、レジストパターン３３ｐの膜厚が薄いため、レジストパターン３３ｐ及び金属膜２５ｂの両方が消失する。これにより、マーク領域２０ｍの凹部に高コントラスト膜２５が形成される。
【００６１】
図７（ｅ）に示すように、マーク領域２０ｍの凹部に残ったレジストパターン３３ｐをウェットエッチング等により除去する。
【００６２】
図２７（ｆ）に示すように、基板２１の全面を覆うようにＴａ２Ｏ５等の酸化膜を物理的気相成長法または化学的気相成長法等により形成する。このとき、カバレッジ性の高い条件を用いることで、マーク領域２０ｍのみならずパターン領域２０ｐにおいても、凹部の底面および側面の全体を覆う低コントラスト膜２６を形成することができる。
【００６３】
以上により、実施形態の変形例のテンプレート２０の製造処理が終了する。
【００６４】
実施形態の変形例のテンプレート２０においても、実施形態のテンプレート１０と同様の効果を奏する。
【００６５】
また、実施形態の変形例のテンプレート２０は、マーク領域２０ｍだけでなくパターン領域２０ｐも覆う低コントラスト膜２６を備える。これにより、テンプレート２０の洗浄に対する耐性がさらに向上する。また、インプリント処理中のテンプレート２０の微細パターン２３の損傷等も抑制することができる。
【００６６】
なお、実施形態および変形例では、インプリント装置１に用いられるテンプレート１０，２０を例に挙げて説明したが、低コントラスト膜で覆われた高コントラスト膜を有する位置合わせマークは、露光装置のレチクル等、他の光学系装置の原版に広く適用することができる。
【００６７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６８】
１…インプリント装置、１０，２０…テンプレート、１０ｍ，２０ｍ…マーク領域、１０ｐ，２０ｐ…パターン領域、１１，２１…基板、１３，２３…微細パターン、１４，２４…位置合わせマーク、１５，２５…高コントラスト膜、１６，２６…低コントラスト膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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