(57)【要約】【課題】配線の表面にガラス成分が浮き出ることを抑制できる配線基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】配線基板１は、ガラスセラミック基板３の表面の配線７は、酸化ビスマスを含んでいるので、配線７はガラスセラミック基板３に強固に密着している。しかも、配線基板１の配線７には、ガラス相を含んでいない。即ち、配線７にはガラス相を構成するガラス成分を含んでいないので、配線７の表面にはガラス成分の浮き出しがない。従って、配線パターン１３を備えた積層体１５をセッター１７上に載置して、同時焼成する際に、配線７がセッター１７に貼り付くことを抑制できる。その結果、配線の剥がれや配線基板の割れを抑制できる。さらに、配線の表面に容易にメッキが可能であるので、メッキ不良の発生を抑制できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板の表面に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうち少なくとも１種の金属を主成分として含む配線を備えた配線基板において、
前記ベース基板は、ガラスセラミックを主成分とし、
前記配線は、酸化ビスマスを含むとともに、ガラス相を含まない、
配線基板。
【請求項２】
前記ベース基板の内部に、内部配線を備えた、
請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ベース基板のガラスとセラミックとを含む材料からなる中間ベース層と、前記配線の前記金属と前記酸化ビスマスとを含む材料からなり前記中間ベース層に形成された中間配線層と、を同時焼成して、前記ベース基板と前記配線とを作製する、
配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ベース基板のガラスとセラミックとを含む材料からなる中間ベース層を焼成して前記ベース基板を作製し、前記ベース基板に前記配線の前記金属と前記酸化ビスマスとを含む材料からなる中間配線層を形成し、該中間配線層を焼成して前記配線を作製する、
配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、例えば高周波帯域における信号伝達を効率よく行うことができる配線を備えた配線基板と、その配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板として、ガラス及びセラミックを材料とするガラスセラミック基板の表面等に、金属を主成分とする配線を備えた配線基板が知られている。
この種の配線基板を製造する方法として、ガラスセラミック基板の材料と配線の材料とを同時焼成する製造方法が知られている。例えば、ガラス及びセラミックを主成分とするグリーンシートの表面に、金属を含む導体ペーストを塗布して配線パターンを形成し、この配線パターンを形成したグリーンシートをセラミック製のセッターに載置して、グリーンシートと配線パターンとを同時焼成することによって、配線基板を製造する方法が知られている。
【０００３】
なお、この同時焼成によって製造される配線基板として、例えば、ＡｇやＣｕに代表されるように、融点は低いが低抵抗の金属を用いたＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板が知られている。
【０００４】
さらに、上述した配線基板に関しては、メタライズ層である配線とガラスセラミック基板との接合強度を高めるために、導体ペーストに低融点のガラス粉末を添加する技術（特許文献１参照）や、低融点のガラス粉末に加えて酸化ビスマスを添加する技術（特許文献２参照）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１５８０２７号公報
【特許文献２】特開昭６０−２４０３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したように、配線パターンを形成したグリーンシートをセッター上に載置して同時焼成する場合には、焼成の際に、配線パターン（従って配線）の表面にガラス成分が染み出すこと（即ち浮き出ること）があった。
【０００７】
その結果、浮き出したガラス成分によって配線がセッターに貼り付いてしまい、セッターから配線基板を取り出す際に、配線の剥がれ（いわゆるメタライズ剥がれ）や配線基板の割れが発生することがあった。
【０００８】
また、配線の表面にガラス成分が浮き出ている場合には、ガラス成分の表面にはメッキがされないので、配線の表面にメッキをすることが困難となる。したがって、配線の表面にメッキがされていない状態となり、いわゆるメッキ不良の状態となることがあった。
【０００９】
本開示は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線の表面にガラス成分が浮き出ることを抑制できる配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本開示の第１局面は、ベース基板の表面に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうち少なくとも１種の金属を主成分として含む配線を備えた配線基板に関するものである。
この配線基板では、ベース基板は、ガラスセラミックを主成分とし、配線は、酸化ビスマスを含むとともに、ガラス相を含まない。
【００１１】
本第１局面の配線基板では、ガラスセラミックからなるベース基板の表面に配線を備えており、その配線は、酸化ビスマスを含んでいるので、配線の密着性が高く、配線はベース基板に強固に密着している。
【００１２】
しかも、本第１局面の配線基板では、配線にはガラス相を含んでいない。即ち配線には非晶質のガラス相を構成するガラス成分を含んでいない。従って、配線の表面にはガラス成分が無い（即ち従来のようなガラス成分の浮き出しがない）。
【００１３】
従って、本第１局面の配線基板では、例えば配線パターンを備えたグリーンシートをセッター上に載置して焼成する際に、配線がセッターに貼り付くことを抑制できる。その結果、配線の剥がれや配線基板の割れを抑制できる。さらに、配線の表面に容易にメッキが可能であるので、メッキ不良の発生を抑制できる。
【００１４】
（２）本開示の第２局面では、ベース基板の内部に、内部配線を備えていてもよい。
この内部配線は、前記表面の配線と同様な材料から構成されていてもよいが、他の材料から構成されていてもよい。なお、内部配線としては、ベース基板の平面方向に沿って広がる層状の内部配線層や、ベース基板の厚み方向に延びるビアが挙げられる。
【００１５】
（３）本開示の第３局面は、上述した配線基板の製造方法に関するものである。
この配線基板の製造方法では、ベース基板のガラスとセラミックとを含む材料からなる中間ベース層と、配線の金属と酸化ビスマスとを含む材料からなり中間ベース層に形成された中間配線層と、を同時焼成して、ベース基板と配線とを作製する。
【００１６】
本第３局面では、ベース基板の未焼成の材料からなる中間ベース層と配線の未焼成の材料からなる中間配線層とを同時焼成することにより、配線を備えたベース基板である配線基板を製造することができる。
【００１７】
そして、この同時焼成の際には、中間配線層中（即ちメタライズ材料中）に含まれる酸化ビスマスの一部が、ガラスとセラミックの材料からなる中間ベース層（従ってガラスセラミックからなるベース基板）内に拡散することで、メタライズとガラスセラミックとの密着性（即ち配線とベース基板との密着性）が強くなる。
【００１８】
また、酸化ビスマスは、ガラスのように、メタライズの表面（即ち配線の表面）に濡れて広がることがないので、焼成中に中間配線層（従って配線）がセッターに貼り付くことを抑制できる。その結果、配線の剥がれや配線基板の割れを抑制できる。さらに、配線の表面に容易にメッキが可能であるので、メッキ不良の発生を抑制できる。
【００１９】
（４）本開示の第４局面は、上述した配線基板の製造方法に関するものである。
この配線基板の製造方法では、ベース基板のガラスとセラミックとを含む材料からなる中間ベース層を焼成してベース基板を作製し、ベース基板に配線の金属と酸化ビスマスとを含む材料からなる中間配線層を形成し、中間配線層を焼成して配線を作製する。
【００２０】
本第４局面では、焼成品であるベース基板に配線の未焼成の材料からなる中間配線層を形成し、その中間配線層を焼成して配線を作製することにより、配線を備えたベース基板である配線基板を製造することができる。
【００２１】
そして、この焼成（いわゆる２次焼成）の際には、中間配線層中（即ちメタライズ材料中）に含まれる酸化ビスマスの一部が、ガラスセラミックからなるベース基板内に拡散することで、メタライズとガラスセラミックとの密着性（即ち配線とベース基板との密着性）が強くなる。
【００２２】
また、酸化ビスマスは、ガラスのように、メタライズの表面（即ち配線の表面）に濡れて広がることがないので、焼成中に中間配線層（従って配線）がセッターに貼り付くことを抑制できる。その結果、配線の剥がれや配線基板の割れを抑制できる。さらに、配線の表面に容易にメッキが可能であるので、メッキ不良の発生を抑制できる。
【００２３】
＜以下に、本開示の各構成について説明する＞
・主成分とは、最も量（即ち重量）が多い成分を示している。
・ベース基板は、電気絶縁性を有しており、配線（即ち表面の配線や内部配線）は導電性を有している。
【００２４】
・ベース基板は、ガラス成分とセラミック成分とを含む材料からなる基板（つまり、ガラスセラミック基板）である。なお、ガラス成分及びセラミック成分を併せた成分がガラスセラミックであり、このガラスセラミックがベース基板の主成分である。また、ベース基板は、主成分であるガラスセラミック以外に、例えば酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化クロム等他の成分を、例えば４０重量％以下の範囲で含んでいてもよい。
【００２５】
ガラス成分とセラミック成分との割合としては、ガラス成分及びセラミック成分の合計を１００重量％とすると、ガラス成分として２０重量％〜８０重量％の範囲を採用できる。
・ガラス成分としては、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸鉛ガラスなどを採用できる。つまり、軟化点が１０００℃以下の低軟化点のガラスを採用できる。
【００２６】
ガラスを構成するガラス成分としては、例えば、ＳｉＯ２、ＢａＣＯ３、ＭｇＣＯ３、Ｍｎ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ３などが挙げられる。なお、本開示では、酸化ビスマスは、ガラス成分でないとする。
【００２７】
・ガラス相とは、非晶質の状態のガラスの構成を示している。
・表面の配線や内部配線は、導電性を有する金属を主成分としており、主成分以外に、セラミックなどの他の成分を含んでいてもよい。なお、表面の配線は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種の金属を主成分として含んでいる。一方、内部配線は、表面の配線と同様に前記金属を主成分とすることができる。
【００２８】
・配線における酸化ビスマスの割合としては、１重量％〜１０重量％の範囲が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第１実施形態の配線基板を厚み方向に破断して示す断面図である。
【図２】第１実施形態の配線基板の製造方法を示す説明図である。
【図３】第２実施形態の配線基板の製造方法を示す説明図である。
【図４】第３実施形態の配線基板を厚み方向に破断して示す断面図である。
【図５】図５Ａは実験例の配線基板の破断を示す画像、図５Ｂは実験例の配線基板の断面におけるＥＰＭＡによるＡｌの分布を示す画像、図５Ｃは実験例の配線基板の断面におけるＥＰＭＡによるＳｉの分布を示す画像、図５Ｄは実験例の配線基板の断面におけるＥＰＭＡによるＢｉの分布を示す画像である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
次に、本開示の配線基板及びその製造方法の実施形態について説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．配線基板の構成］
まず、第１実施形態の配線基板について説明する。
【００３１】
図１に示す様に、本第１実施形態の配線基板１は、ベース基板であるガラスセラミック基板３の厚み方向（図１の上下方向）における各表面５に、それぞれ配線（即ち表面配線）７が形成された低温同時焼成セラミック基板（即ちＬＴＣＣ配線基板）である。
【００３２】
詳しくは、配線基板１は、ガラスセラミック基板３の厚み方向の一方（図１の上方）の表面（表側の表面：第１表面）５ａに、表側の第１表面配線７ａが形成されるとともに、ガラスセラミック基板３の厚み方向の他方（図１の下方）の表面（裏側の表面：第２表面）５ｂに、裏側の第２表面配線７ｂが形成されたものである。
【００３３】
この配線基板１は、９００℃〜１１００℃の温度範囲にて、ガラスセラミック基板３となる材料と表面配線７となる材料とが同時焼成されて形成された配線基板である。
前記ガラスセラミック基板３は、例えば、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯをガラス成分とするガラス（即ちホウケイ酸系ガラス）と、セラミックであるアルミナとを主成分とするガラスセラミックからなり、前記９００℃〜１１００℃の温度範囲にて焼成されて焼結した基板である。
【００３４】
このガラスセラミック基板３では、基板全体に対する主成分であるガラス成分及びセラミック成分の割合は、例えば８０重量％〜１００重量％の範囲であり、ガラス成分及びセラミック成分に対するガラスの割合は、例えば３０重量％〜７０重量％の範囲である。
【００３５】
なお、ここでは、複数（例えば２層）のガラスセラミックス層３ａが積層された多層のガラスセラミック基板３の例を挙げるが、１層のガラスセラミック基板３であってもよい。
また、各表面配線７は、金（Ａｕ）を主成分とし添加物として酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）を含む配線である。各表面配線７（即ち金及び酸化ビスマス）における酸化ビスマスの添加量は、例えば１重量％〜１０重量％の範囲である。
【００３６】
［１−２．配線基板の製造方法］
次に、配線基板１の製造方法について説明する。
＜グリーンシートの作製工程＞
ガラスセラミックス原料粉末として、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯからなるホウケイ酸系ガラス粉末と、アルミナ粉末とを用意した。
【００３７】
そして、アルミナ製のポットに、前記ホウケイ酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを、所定割合（例えば重量比で５０：５０）となるように秤量して投入した。
これに、アクリル樹脂と、適当なスラリー粘度とシート強度を持たせるのに必要な量の溶剤及び可塑剤とを、前記ポットに入れ、所定時間混合することにより、ガラスセラミックのスラリーを得た。
【００３８】
次に、図２Ａに示すように、得られたスラリーを用いて、ドクターブレード法により、所定の厚みのグリーンシート９を得た。
＜導体ペーストの作製工程＞
表面配線７を構成する材料として、金粉末と酸化ビスマス粉末とを用意した。また、アクリル樹脂を溶剤に溶解させたビヒクルを用意した。
【００３９】
そして、金粉末と酸化ビスマス粉末と混合した混合物にビヒクルを加えて混錬して、金粉末及び酸化ビスマス粉末を含む導体ペーストを得た。なお、酸化ビスマスの添加量は、金と酸化ビスマスとが上述した表面配線７の組成となるように調整した。
【００４０】
＜積層体の作製工程＞
次に、図２Ｂに示すように、グリーンシート９の一方の表面に、前記導体ペーストを用いてスクリーン印刷して、配線パターン１３を形成した。なお、この配線パターン１３を形成したグリーンシート９を、２個作製した。
【００４１】
次に、図２Ｃに示すように、配線パターン１３を印刷したグリーンシート９の他方の表面（即ち配線パターン１３を形成しない表面）に溶剤を塗布した。そして、溶剤を塗布した面を合わせるようにして、一対のグリーンシート９を積層して、厚み方向の両面に配線パターン１３を備えた積層体１５を作製した。
【００４２】
なお、表側（図２Ｃの上側）の配線パターン１３を第１配線パターン１３ａと称し、裏側（図２Ｃの下側）の配線パターン１３を第２配線パターン１３ｂと称する。
なお、これとは別の方法として、グリーンシート９を複数積層して積層体１５を作製し、その積層体１５の厚み方向の両側にそれぞれ配線パターン１３を形成してもよい。
【００４３】
＜焼成工程＞
次に、図２Ｄに示すように、両配線パターン１３を形成した積層体１５を、裏側の第２配線パターン１３ｂを下にしてアルミナ製のセッター１７の上に載置した。
【００４４】
そして脱脂した後に、９００℃〜１０００℃の範囲にて１〜３時間焼成し（即ち同時焼成し）、図２Ｅに示すように、ガラスセラミック基板３の表面５（表と裏の表面５ａ、５ｂ）に、各表面配線７を備えた配線基板１を得た。
【００４５】
［１−３．効果］
本第１実施形態の配線基板１は、ガラスセラミック基板３の表面に配線７を備えており、その配線７は、酸化ビスマスを含んでいるので、配線７の密着性が高く、配線７はガラスセラミック基板３に強固に密着している。
【００４６】
しかも、この配線基板１では、配線７にはガラス相を含んでいない。即ち配線７には非晶質のガラス相を構成するガラス成分を含んでいない。従って、配線７の表面にはガラス成分が無い（即ち従来のようなガラス成分の浮き出しがない）。
【００４７】
従って、配線パターン１３を備えた積層体１５をセッター１７上に載置して、同時焼成する際に、配線７がセッター１７に貼り付くことを抑制できる。つまり、酸化ビスマスは、ガラスのように、メタライズの表面（即ち配線７の表面）に濡れて広がることがないので、同時焼成によって、配線７がセッター１７に貼り付くことを抑制できる。
【００４８】
その結果、配線の剥がれや配線基板の割れを抑制できる。さらに、配線の表面に容易にメッキが可能であるので、メッキ不良の発生を抑制できる。
また、配線パターン１３の焼成の際には、配線パターン１３に含まれる酸化ビスマスの一部が、ガラスとセラミックの材料からなる積層体１５内に拡散することで、配線７とガラスセラミック基板３との密着性が強くなる。
【００４９】
［１−４．文言の対応関係］
ここで、特許請求の範囲と実施形態とにおける文言の対応関係について説明する。
本第１実施形態の、ガラスセラミック基板３、配線７、配線基板１、グリーンシート９、配線パターン１３は、本開示の、ベース基板、配線、配線基板、中間ベース層、中間配線層の一例に相当する。
【００５０】
［２．第２実施形態］
次に、第２実施形態について説明するが、第１実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡略化する。
【００５１】
本第２実施形態は、第１実施形態とは、配線基板の製造方法が異なるので、本第２実施形態の製造方法について説明する。なお、第１実施形態と同様な構成については、同様な番号を付す。
【００５２】
＜グリーンシートの作製工程＞
第１実施形態と同様に、ガラスセラミックス原料粉末として、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯからなるホウケイ酸系ガラス粉末と、アルミナ粉末とを用意した。
【００５３】
そして、アルミナ製のポットに、所定割合のホウケイ酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを投入した。
これに、アクリル樹脂と溶剤と可塑剤とを、前記ポットに入れ、所定時間混合することにより、ガラスセラミックのスラリーを得た。
【００５４】
次に、図３Ａに示すように、得られたスラリーを用いて、ドクターブレード法により、所定の厚みのグリーンシート９を得た。
＜導体ペーストの作製工程＞
第１実施形態と同様に、表面配線７を構成する材料として、金粉末と酸化ビスマス粉末とを用意した。また、アクリル樹脂を溶剤に溶解させたビヒクルを用意した。
【００５５】
そして、金粉末と酸化ビスマス粉末と混合した混合物にビヒクルを加えて混錬して、金粉末及び酸化ビスマス粉末を含む導体ペーストを得た。
＜積層体の作製工程＞
次に、図３Ｂに示すように、複数のグリーンシート９を積層して圧着し、積層体１５を作製した。
【００５６】
＜積層体の焼成工程＞
次に、図３Ｃに示すように、積層体１５をセッター１７上に載置し、脱脂した後に、第１実施形態の焼成条件と同様な条件で焼成した。
【００５７】
これによって、図３Ｄに示すようなガラスセラミック基板３を得た。
＜配線パターンの作製工程＞
次に、図３Ｅに示すように、ガラスセラミック基板３の表面５（即ち表と裏の表面５ａ、５ｂ）に、それぞれ、前記導体ペーストを用いてスクリーン印刷して、表と裏の配線パターン１３（即ち第１配線パターン１３ａ、第２配線パターン１３ｂ）を形成した。
【００５８】
＜配線の作製工程＞
次に、図３Ｆに示すように、両配線パターン１３を形成したガラスセラミック基板３を、裏側の第２配線パターン１３ｂを下にしてセッター１７の上に載置した。
【００５９】
そして脱脂した後に、例えば８００℃にて１０００時間焼成し（即ち２次焼成し）、図３Ｇに示すように、ガラスセラミック基板３の表面５（表と裏の表面５ａ、５ｂ）に、各表面配線７を備えた配線基板１を得た。
【００６０】
本第２実施形態においても、第１実施形態と同様な効果を奏する。
［３．第３実施形態］
次に、第３実施形態について説明するが、第１実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡略化する。
【００６１】
本第３実施形態は、第１実施形態とは、配線基板の構造が異なるので、本第３実施形態の配線基板の構造について説明する。なお、第１実施形態と同様な構成については、同様な番号を付す。
【００６２】
図４に示すように、本第３実施形態の配線基板２１では、ガラスセラミック基板３の各表面５（即ち第１表面５ａ、第２表面５ｂ）に、上述した各表面配線７（即ち第１表面配線７ａ、第２表面配線７ｂ）を備えるとともに、ガラスセラミック基板３の内部に、導電性を有する周知の内部配線層２３とビア２５とを備えている。
【００６３】
詳しくは、ガラスセラミック基板３を構成する両ガラスセラミック層３ａの間に、内部配線層２３を備えている。また、内部配線層２３と第１表面配線７ａとを接続するビア２５（即ち第１ビア２５ａ）を備えるとともに、内部配線層２３と第２表面配線７ｂとを接続するビア２５（即ち第２ビア２５ｂ）を備えている。
【００６４】
なお、内部配線層２３とビア２５を構成する導体（金属）としては、表面配線７と同様な金属を採用することができるが、異なる金属（例えば銅）を採用することができる。また、内部配線層２３とビア２５とには、酸化ビスマスを添加しなくともよい。
【００６５】
本第３実施形態は、第１実施形態と同様な効果を奏する。
［４．実験例］
次に、本開示の効果を確認するために行った実験例について説明する。
【００６６】
＜実験例１＞
この実験例１は、下記に示す３種の配線基板の試料（No.１〜３）に関して、配線の接着強度（即ち接合強度）を調べたものである。つまり、それぞれの試料を作製する際の配線用の導体ペーストを違えて、各配線基板の試料を作製し、配線の接合強度を調べたものである。
【００６７】
なお、試料No.１〜３のうち、試料No.１、２は（本開示の範囲外の）比較例であり、試料No.３は本開示例である。
ａ）試料の製造方法
ここでは、試料の製造方法を説明するが、下記に記載の内容以外については、第１実施形態の製造方法と同様である。
【００６８】
（導体ペーストの作製方法）
試料No.１の導体ペーストとして、Ａｕ粉末８８質量部とビヒクル１２質量部とを混練して、Ａｕペーストを作製した。
【００６９】
試料No.２の導体ペーストとして、Ａｕ粉末８７質量部とガラス粉末１質量部とビヒクル１２質量部とを混練して、Ａｕペーストを作製した。ガラス粉末は、ＳｉＯ２６３．３質量部、Ｂ２Ｏ３２４．１質量部、Ａｌ２Ｏ３５．７質量部、ＣａＯ６．９質量部の組成を有するホウケイ酸系ガラスであり、軟化点が６００℃〜１０００℃の低軟化ガラスである。
【００７０】
試料No.３の導体ペーストとして、Ａｕ粉末８７質量部と酸化ビスマス粉末１質量部とビヒクル１２質量部とを混練して、Ａｕペーストを作製した。
（グリーンシートの作製方法）
まず、ＳｉＯ２６３．３質量部、Ｂ２Ｏ３２４．１質量部、Ａｌ２Ｏ３５．７質量部、ＣａＯ６．９質量部の組成を有するガラス粉末５０質量部と、アルミナフィラー（即ちアルミナ粉末）５０質量部とを混合して、ガラスとアルミナの混合粉末を作製した。この混合粉末の平均粒径は２．７μｍであり、アルカリ金属不純物を０．２ｍｏｌ％以下の範囲で含んでいる。
【００７１】
次に、アルミナとガラスの混合粉末１００質量部に対して、アクリル樹脂からなるバインダーを１４質量部及びフタル酸ジブチルから成る可塑剤６質量部と、適量のトルエン・イソプロピルアルコール混合溶媒とを加えて、スラリーを作製した。
【００７２】
次に、前記スラリーを用いて、例えばドクターブレード法のシート成形により、厚さ６５μｍ〜２５０μｍ（例えば６５μｍ）のグリーンシート（即ちセラミックグリーンシート）を成形した。このグリーンシートは、比較的低温（ここでは１０００℃をいう）で焼成できる低温焼成用のグリーンシートである。
【００７３】
（配線基板の作製方法）
次に、複数（例えば３枚）のグリーンシートを用意し、各グリーンシートの一方の表面の所定位置（各試料の配線の形成位置）に、スクリーン印刷法にて、前記No.１〜３の各試料のＡｕペーストをそれぞれ印刷した。つまり、３種の異なる配線パターンをそれぞれ形成した３種の異なるグリーンシートを作製した。なお、配線パターンは、縦２ｍｍ×横２ｍｍである。
【００７４】
次に、各配線パターンを印刷した各グリーンシートの他方の表面（即ち配線パターンを形成しない表面）に溶剤を塗布した。そして、溶剤を塗布した面を合わせるようにして、一対のグリーンシートを積層し、外側に両面に配線パターンを備えた積層母材を作製した。なお、積層する一対のグリーンシートの配線パターンは、同じ種類である。
【００７５】
次に、前記積層母材を、縦５０ｍｍ×横５０ｍｍに切断し、積層体を作製した。
次に、前記積層体を、アルミナ製のセッター上に載置し、周知のように脱脂した後に、９００℃〜１１００℃の温度範囲で、１〜３時間焼成（即ち同時焼成）を行った。この焼成によって、ガラスセラミック基板の表面にＡｕメタライズを形成した。
【００７６】
つまり、これによって、ガラスセラミック基板の両側に配線を備えた３種の配線基板（即ち試料No.１〜３に対応した配線基板）を得た。
なお、同時焼成の際に、本開示例の試料No.３の配線基板の配線は、セッターに接着することはなかった。一方、比較例の試料No.１、２の配線基板の配線は、セッターに接着していた。
【００７７】
ｂ）試料の実験方法
次に、上述した３種の試料の実験方法を説明する。
各試料の配線基板の配線（縦２ｍｍ×横２ｍｍ）の表面に、直径０．５ｍｍの太さの鉄製のワイヤーの先端をハンダ付けた。そして、配線基板を固定した状態で、ワイヤーを上方に引っ張る引張試験を行って配線の接合強度を測定した。
【００７８】
具体的には、各試料に接合したワイヤーを引っ張り、その際に配線がガラスセラミック基板から剥離する強度（引張強度）を測定した。その結果を下記表１に記す。
なお、実験では、各試料を６個ずつ用意し、各試料毎の強度の平均値、最大値、最小値を求めた。
【００７９】
【表１】
2020077816.tif 000003
この表１から明らかなように、比較例の試料No.１は、引張強度（従って接合強度）が小さく好ましくない。一方、本開示の試料No.３は、配線中にガラスを含む試料No.２と同様に引張強度が大きく好適である。なお、比較例の試料No.２は、配線中にガラスを含むので引張強度が大きいが、焼成の際にセッターに接着するという問題がある。
【００８０】
＜実験例２＞
次に、実験例２について説明する。
実験例２は、前記試料No.１〜３の配線基板の配線に、メッキ処理を行って、メッキ不良の発生状態を調べたものである。
【００８１】
なお、メッキ処理としては、周知の無電解メッキによって、配線の表面にＮｉメッキ層を形成し、次に、Ｎｉメッキ層の表面に、周知の電解メッキによって金メッキ層を形成するものである。
【００８２】
そして、試料No.１〜３の配線基板の配線に、前記メッキ処理を行って、配線の外観観察を行ったところ、比較例の試料No.２は、配線の表面にメッキされていない部分を有するメッキ不良が発生し好ましくない。一方、本開示の試料No.３では、十分にメッキ層が形成されており好適である。なお、比較例の試料No.１は、メッキ層が形成されるが、上述のように引張強度が小さいという問題がある。
【００８３】
＜実験例３＞
次に、実験例３について説明する。
実験例３は、本開示例の試料No.３の配線基板に対して、各種の成分の分布状態を調べたものである。
【００８４】
具体的には、試料No.３の配線基板を、Ａｕメタライズである配線を含むように厚み方向に破断し、その断面をクロスセクションポリッシャにて表面処理を行った（図５Ａ参照）。
【００８５】
そして、その断面に対してＥＰＭＡ（Electron Probe Micro Analyzer）にて成分分析を行った。その結果、配線からは、ガラスセラミック基板の成分である、ＡｌやＳｉは観察されなかった（図５Ｂ、図５Ｃ参照）。なお、図５Ｂでは、基板部分の白色等のドットがＡｌを示し、図５Ｃでは、基板部分の白色等のドットがＳｉを示している。
【００８６】
一方、Ｂｉについては、配線からガラスセラミック基板の範囲まで拡散していることが確認された（図５Ｄ参照）。なお、図５Ｄでは、配線部分などの白色のドットがＢｉを示している。
【００８７】
［５．その他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において、様々な態様にて実施することが可能である。
【００８８】
（１）例えば、ガラスセラミックス基板の組成や配線の組成については、本開示の範囲を逸脱しない範囲において、各種の組成を採用できる。
（２）また、配線基板の構成、例えば表面の配線や内部配線やビアの配置等については、本開示の範囲を逸脱しない範囲において、各種の組成を採用できる。
【００８９】
（３）なお、上記各実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【符号の説明】
【００９０】
１、２１…配線基板
３…ガラスセラミック基板
７…配線
９…グリーンシート
１１…積層体
１３…配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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