(57)【要約】      （修正有）【課題】フリーエアボールの酸化を抑制する能力を向上させ、ひいては良好なボンディング品質を確保する。【解決手段】ワイヤボンディング装置のフィーダユニット４０は、ワイヤ接続領域１０１ｃに開口１０１ｈを有する基板１０１を支持し、基板に不活性ガスを吹き付ける開口４３ｈを有するボンディングステージ４３と、基板のワイヤ接続領域に対応して開口する複数の開口４４ｈを有し、基板をボンディングステージに固定するウインドクランパ４４と、ワイヤ接続領域にワイヤを圧着するキャピラリを有するボンディングツールと、ウインドクランパの上方に配置され、キャピラリが通過すると共に、開口を通過した不活性ガスの流路を絞りキャピラリの先端に不活性ガスを導出する開口を有するシャッタ板を備える。【選択図】図８
2020155425.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤ接続領域に第１開口部を有する基板を支持し、前記基板に第１不活性ガスを吹き付ける第２開口部を有するボンディングステージと、
前記基板の前記ワイヤ接続領域に対応して開口する複数の第３開口部を有し、前記基板を前記ボンディングステージに固定するウインドクランパと、
前記ワイヤ接続領域にワイヤを圧着するキャピラリを有する上部ボンディング機構と、
前記ウインドクランパの上方に配置され、前記キャピラリが通過すると共に、前記第１開口部、前記第２開口部及び前記第３開口部を通過した前記第１不活性ガスの流路を絞り前記キャピラリの先端に前記第１不活性ガスを導出する第４開口部を有するシャッタと、を備える、ワイヤボンディング装置。
【請求項２】
前記シャッタは、前記キャピラリが前記ワイヤ接続領域に前記ワイヤを接続する際に前記キャピラリと共に前記ウインドクランパ及び前記基板に対して移動する、請求項１に記載のワイヤボンディング装置。
【請求項３】
前記上部ボンディング機構は、前記キャピラリの先端が通過する通過孔を有する板部材と、前記キャピラリを囲むチャンバ部材と、前記板部材及び前記チャンバ部材で囲まれた領域に第２不活性ガスを供給する不活性ガス供給路と、をさらに有する、請求項１又は２に記載のワイヤボンディング装置。
【請求項４】
前記第４開口部を通過した前記第１不活性ガスは、前記通過孔を下方側に通過した前記キャピラリの先端の雰囲気となる第１不活性ガス領域を形成し、
前記不活性ガス供給路から供給される第２不活性ガスは、前記通過孔よりも上方に位置する前記キャピラリの先端の雰囲気となる第２不活性ガス領域を形成する、請求項３に記載のワイヤボンディング装置。
【請求項５】
前記チャンバ部材は、第１チャンバブロックと、前記第１チャンバブロックとは別体の第２チャンバブロックと、前記第１チャンバブロック及び前記第２チャンバブロックの一方を前記キャピラリに対して相対的に移動させる可動部と、を含み、
前記可動部は、前記第１チャンバブロック及び前記第２チャンバブロックによって前記キャピラリの周囲を囲む第１形態と、前記第１チャンバブロック及び前記第２チャンバブロックの少なくとも一方を移動させることにより、前記キャピラリの周囲の一部を開放する第２形態と、を相互に切り替える、請求項３に記載のワイヤボンディング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤボンディング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの電極にワイヤを接合するとき、ボールボンディングが行われる。ボールボンディングでは、キャピラリ先端から突出させたワイヤの先端を溶融させてフリーエアボールを形成する。そして、フリーエアボールを電極に押圧する。フリーエアボールは、溶融金属であるので比較的酸化しやすい。フリーエアボールの酸化は、電極との接続不良の原因になり得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２９４９７５号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００７／０２５１９８０号明細書
【特許文献３】特開平５−２３５０８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１〜３は、フリーエアボールの酸化を抑制するために、フリーエアボールが形成される領域へ不活性ガスを提供する技術を開示する。特許文献１，２に開示された技術は、キャピラリの先端の近傍にガス供給管の排出口を配置し、当該排出口からボールに向けてカバーガスを提供する。特許文献３に開示された技術は、密閉型フィーダに供給される窒素ガス等の酸化抑制ガスをキャピラリツールに向けて噴出させる。
【０００５】
当該技術分野においては、不活性ガスを利用するフリーエアボールの酸化抑制技術（特許文献１〜３）が知られているが、酸化抑制能力の更なる向上が望まれている。
【０００６】
そこで本発明は、フリーエアボールの酸化を抑制する能力を向上させ、ひいては良好なボンディング品質を確保できるワイヤボンディング装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態は、ワイヤ接続領域に第１開口部を有する基板を支持し、基板に第１不活性ガスを吹き付ける第２開口部を有するボンディングステージと、基板のワイヤ接続領域に対応して開口する複数の第３開口部を有し、基板をボンディングステージに固定するウインドクランパと、ワイヤ接続領域にワイヤを圧着するキャピラリを有する上部ボンディング機構と、ウインドクランパの上方に配置され、キャピラリが通過すると共に、第１開口部、第２開口部及び第３開口部を通過した第１不活性ガスの流路を絞りキャピラリの先端に第１不活性ガスを導出する第４開口部を有するシャッタと、を備える。
【０００８】
ボンディングステージの第２開口部から供給された第１不活性ガスは、基板に吹き付けられる。この構成によれば、基板の周囲に不活性ガス領域を形成することが可能である。そして、基板に吹き付けられた第１不活性ガスは、第１開口部、第３開口部を通過した後に、シャッタにおける第４開口部において、その流れが絞られる。すなわち、第１不活性ガスは、第４開口部によって上部ボンディング機構が有するキャピラリの先端に導出される。この構成によれば、キャピラリの先端に不活性ガス領域を形成することが可能である。従って、キャピラリの先端におけるフリーエアボールの周囲に、不活性ガス領域を好適に形成できるので、フリーエアボールの酸化を抑制する能力を向上させ、ひいては良好なボンディング品質を確保することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、フリーエアボールの酸化を抑制する能力を向上させ、ひいては良好なボンディング品質を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施形態に係るワイヤボンディング装置の第１形態を示す斜視図である。
【図２】図２は、可動アームを分解して示す斜視図である。
【図３】図３は、左チャンバブロック及び右チャンバブロックを示す平面図である。
【図４】図４は、左チャンバブロック及び右チャンバブロックを示す正面図である。
【図５】図５は、不活性ガス領域を示す斜視図である。
【図６】図６は、ワイヤボンディング装置の第２形態を示す斜視図である。
【図７】図７は、ワイヤボンディング装置の第２形態を示す側面図である。
【図８】図８は、フィーダユニットの構成を拡大して示す断面斜視図である。
【図９】図９は、不活性ガスの流れを示すフィーダユニット及びシャッタユニットの断面図である。
【図１０】図１０は、シャッタユニットのシャッタ開口の近傍を拡大して示す斜視図である。
【図１１】図１１は、シャッタ板の断面を示す図である。
【図１２】図１２は、不活性ガスの流れを示すフィーダユニット及びシャッタユニットの別の断面図である。
【図１３】図１３は、不活性ガスの流れを示す比較例に係るフィーダユニット及びシャッタユニットの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら本発明を実施するための形態を詳細に説明する。図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１２】
図１に示されるワイヤボンディング装置１は、半導体チップ又は基板の電極にワイヤを圧着する。ワイヤボンディング装置１は、ベースユニット２（基体部）と、キャピラリユニット３（キャピラリ部）と、チャンバユニット４（チャンバ部材）とを有する。これらベースユニット２、キャピラリユニット３およびチャンバユニット４は、ボンディングツール１０（上部ボンディング機構）を構成する。なお、ワイヤボンディング装置１は、筐体及び制御装置といったその他の構成要素を有するが、以下の説明及び図面においてはそれらを省略する。
【００１３】
ワイヤボンディング装置１は、キャピラリユニット３から僅かに突出するようにワイヤを保持した後に、突出させたワイヤの先端にフリーエアボール（Free Air Ball）を形成する。次に、ワイヤボンディング装置１は、ボールボンドを行う。具体的には、キャピラリユニット３によってフリーエアボールを半導体チップの電極に押し当てる。この動作により、ワイヤが電極に接合される。
【００１４】
ここで、ボールボンドを行うとき、上述したように、ワイヤの先端にフリーエアボールを形成する。このフリーエアボールは、例えば溶融した銅であるので酸化しやすい。そこで、ワイヤボンディング装置１は、図１に示されるような閉鎖形態（第１形態）をとり、チャンバユニット４によって、フリーエアボールの酸化を抑制する領域としての不活性ガス領域ＳＢ（第２不活性ガス領域）を形成する。チャンバユニット４は、フリーエアボールが配置される領域に不活性ガス（例えば、窒素ガス）を吹付けて不活性ガス領域ＳＢ（図１、図４及び図５参照）を形成する。さらに、チャンバユニット４は、この不活性ガスが吹付けられる領域を物理的に囲う。従って、不活性ガスは囲われた領域に留められるので、良好な不活性ガス領域ＳＢを維持することができる。
【００１５】
以下、ワイヤボンディング装置１の具体的な構成について説明する。ワイヤボンディング装置１の説明にあたっては、説明の便宜上、上下方向Ｄ１、前後方向Ｄ２及び左右方向Ｄ３を用いる。これらの方向は、ワイヤボンディング装置１を操作する作業者から見た相対的な方向である。例えば、上下方向Ｄ１は、鉛直方向に沿う方向或いは後述するキャピラリ６の延在方向であるともいえる。前後方向Ｄ２は、ワイヤボンディング装置１から作業者に向かう方向であって、作業者側を「前」とし装置側を「後」とする。左右方向Ｄ３は、上下方向Ｄ１及び前後方向Ｄ２のそれぞれに直交する方向であるともいえる。また、ここでいう「右」及び「左」とは、説明の便宜上のものである。「右」及び「左」は、ワイヤボンディング装置１の正面に立つ作業者から見たときの「右」及び「左」に一致する。
【００１６】
ベースユニット２は、キャピラリユニット３とチャンバユニット４とを支持する基体である。ワイヤボンディング装置１が稼働している期間において、ベースユニット２は、予め定められた位置を維持する。このベースユニット２に対して、キャピラリユニット３及びチャンバユニット４が移動可能に設けられる。例えば、キャピラリユニット３は、上下方向Ｄ１に往復移動する。
【００１７】
キャピラリユニット３は、キャピラリ６と、キャピラリアーム７と、を有する。キャピラリ６は、ワイヤを半導体チップの電極に接合する。キャピラリ６は、上下方向Ｄ１に沿って延在する円筒状の部材である。キャピラリ６の上端は、キャピラリアーム７に着脱可能に保持される。キャピラリ６は、上端側から下端側に向けて延びる貫通孔を有し、キャピラリ６の下端には開口が設けられる。この貫通孔には、ワイヤが挿通される。キャピラリ６は、図示しない構成によって、ワイヤを保持する状態とワイヤを解放する状態とを相互に切り替える。キャピラリアーム７は、キャピラリ６をベースユニット２に対して連結する。キャピラリアーム７は、前後方向Ｄ２に延びる片持ち梁である。キャピラリアーム７の後端は、ベースユニット２に対して上下方向Ｄ１に沿って往復移動が可能に連結される。キャピラリアーム７の前端は、キャピラリ６の上端を着脱可能に保持する。
【００１８】
チャンバユニット４は、左チャンバユニット４Ｌと、右チャンバユニット４Ｒと、を有する。左チャンバユニット４Ｌ及び右チャンバユニット４Ｒは、一方が他方に対して相対的に移動可能である。具体的には、左チャンバユニット４Ｌは、ベースユニット２に対して固定されている。つまり、左チャンバユニット４Ｌは、なんらの移動も行わない。一方、右チャンバユニット４Ｒは、ベースユニット２に対して相対的に移動可能である。換言すると、右チャンバユニット４Ｒは、ベースユニット２に固定された左チャンバユニット４Ｌに対して相対的に移動可能である。
【００１９】
左チャンバユニット４Ｌは、左アーム８Ｌ（保持部）と、左ガス供給部９Ｌ（図３等参照）と、左チャンバブロック１１Ｌ（第２チャンバブロック）と、を有する。左アーム８Ｌの基端側は、ベースユニット２に対して固定される。左アーム８Ｌの先端側には、左チャンバブロック１１Ｌが固定される。
【００２０】
右チャンバユニット４Ｒは、右アーム８Ｒと、右ガス供給部９Ｒと、右チャンバブロック１１Ｒ（第１チャンバブロック）と、を有する。本実施形態においては、左チャンバブロック１１Ｌ及び右チャンバブロック１１Ｒは、チャンバ１１（チャンバ部材）を構成する。従って、左チャンバブロック１１Ｌ及び右チャンバブロック１１Ｒは、互いに別体である。また、左ガス供給部９Ｌ及び右ガス供給部９Ｒは、ガス供給部９（不活性ガス供給路）を構成する。
【００２１】
右アーム８Ｒの基端側は、ベースユニット２に対して固定される。右アーム８Ｒの先端側には、右チャンバブロック１１Ｒが固定される。右アーム８Ｒは、固定アーム１２と、可動アーム１３とを有する。固定アーム１２の基端は、ベースユニット２に対して固定される。固定アーム１２には、可動アーム１３が連結される。可動アーム１３は、Ｌ字状の形状を呈する。可動アーム１３の基端１３ａは、固定アーム１２に対して回動可能に連結される。可動アーム１３の先端１３ｂには、右チャンバブロック１１Ｒが固定される。つまり、可動アーム１３が固定アーム１２に対して回動することにより、右チャンバブロック１１Ｒが左チャンバブロック１１Ｌに対して相対的に移動する。
【００２２】
図２に示されるように、可動アーム１３は、固定アーム１２に対してボルト１４によって連結される。ボルト１４の軸部１４ａは、可動アーム１３の挿通穴１３ｈに挿通される。そして軸部１４ａの先端は、固定アーム１２の連結穴１２ａにねじ込まれる。そうすると、ボルト１４のヘッド１４ｂと固定アーム１２との間に、可動アーム１３が挟み込まれる。軸部１４ａの直径は、挿通穴１３ｈの内径よりも僅かに小さいので、ボルト１４に対して可動アーム１３を滑らかに回動させることができる。これら連結穴１２ａ、挿通穴１３ｈ及びボルト１４は、可動機構１５（可動部）を構成する。
【００２３】
なお、右チャンバユニット４Ｒは、必要に応じてラッチ機構１７を有してもよい。ラッチ機構１７は、可動アーム１３の位置を保持する。具体的には、閉鎖形態（第１形態、図１参照）における右チャンバブロック１１Ｒの位置を保持すると共に、開放形態（第２形態、図６参照）における右チャンバブロック１１Ｒの位置を保持する。ラッチ機構１７は、第１吸着部１８及び第２吸着部１９を有する。
【００２４】
第１吸着部１８は、第１磁石Ｍ１及び第２磁石Ｍ２を有する。ワイヤボンディング装置１が閉鎖形態であるとき、第１吸着部１８が右チャンバブロック１１Ｒの位置を維持する。つまり、第１吸着部１８は、固定アーム１２に対して可動アーム１３の位置を維持する。この維持は、第１磁石Ｍ１と第２磁石Ｍ２との間の吸引力に基づく。従って、可動アーム１３に吸引力より大きい逆方向の力を加えると、右チャンバブロック１１Ｒの位置が維持された状態が解除される。
【００２５】
第２吸着部１９は、第１磁石Ｍ１及び第３磁石Ｍ３を有する。ワイヤボンディング装置１が開放形態であるとき、第２吸着部１９が右チャンバブロック１１Ｒの位置を維持する。つまり、第２吸着部１９は、固定アーム１２に対して可動アーム１３の位置を維持する。この維持は、第１磁石Ｍ１と第３磁石Ｍ３との間の吸引力に基づく。従って、可動アーム１３に吸引力より大きい逆方向の力を加えると、右チャンバブロック１１Ｒの位置が維持された状態が解除される。
【００２６】
ワイヤボンディング装置１が稼働しているとき、ワイヤボンディング装置１においては種々の部品が機械的に動いている。第１吸着部１８によれば、これらの部品の動きに起因する振動などによって、右チャンバブロック１１Ｒの位置がずれることを抑制できる。従って、ワイヤボンディング装置１が稼働している間において、不活性ガス領域ＳＢを好適に維持することができる。
【００２７】
また、第２吸着部１９によれば、作業者がキャピラリ６を交換するような場合に、右チャンバブロック１１Ｒの位置を保持することができる。例えば、作業者が誤って可動アーム１３に触れた場合であっても右チャンバブロック１１Ｒの位置を維持し続けることができる。
【００２８】
ラッチ機構１７は、さらに第１緩衝部２１と第２緩衝部２２とを有してもよい。
【００２９】
第１緩衝部２１は、開放形態から閉鎖形態へ切り替えるときに可動アーム１３の勢いを減衰させる。従って、可動アーム１３が固定アーム１２に衝突することを抑制できる。つまり、開放形態から閉鎖形態へ切り替えるとき、可動アーム１３は、第１緩衝部２１によって勢いが弱められた後に、第１吸着部１８によって保持状態とされる。同様に、第２緩衝部２２は、閉鎖形態から開放形態へ切り替えるときに可動アーム１３の勢いを減衰させる。つまり、閉鎖形態から開放形態へ切り替えるとき、可動アーム１３は、第２緩衝部２２によって勢いが弱められた後に、第２吸着部１９によって保持状態とされる。
【００３０】
第１緩衝部２１は、第４磁石Ｍ４と第５磁石Ｍ５とを有する。第４磁石Ｍ４は、固定アーム１２に配置される。第５磁石Ｍ５は、可動アーム１３に配置される。閉鎖形態とされたとき、第４磁石Ｍ４と第５磁石Ｍ５とは互いに対面する。つまり、第１緩衝部２１は、閉鎖形態への移行が完了する直前にその機能を奏する。第１緩衝部２１は、第４磁石Ｍ４及び第５磁石Ｍ５により生じる反発力を利用して、可動アーム１３の勢いを弱める。そこで、第４磁石Ｍ４及び第５磁石Ｍ５は、同極の面が対面する。
【００３１】
第２緩衝部２２は、第４磁石Ｍ４と第６磁石Ｍ６とを有する。第６磁石Ｍ６は、固定アーム１２に配置される。開放形態とされたとき、第４磁石Ｍ４と第６磁石Ｍ６とは互いに対面する。つまり、第２緩衝部２２は、開放形態への移行が完了する直前にその機能を奏する。第４磁石Ｍ４及び第６磁石Ｍ６は、同極の面が対面する。
【００３２】
続いて、左チャンバブロック１１Ｌ及び右チャンバブロック１１Ｒについて詳細に説明する。
【００３３】
図３に示されるように、左チャンバブロック１１Ｌは、第３包囲面Ｐ３と、左ガス供給穴９Ｌａとを有する。左チャンバブロック１１Ｌは、キャピラリ６の左側に配置される。左チャンバブロック１１Ｌの先端１１Ｌａは、キャピラリアーム７の前端面７ｃよりも後側に位置する。つまり、左チャンバブロック１１Ｌは、キャピラリアーム７の左側面７ａを部分的に包囲する。このキャピラリアーム７の左側面７ａと対面する部分は、第３包囲面Ｐ３である。第３包囲面Ｐ３は、左右方向Ｄ３と直交する面であるともいえる。
【００３４】
図４に示されるように、左チャンバブロック１１Ｌのブロック下面１１Ｌｂには、チャンバプレート１６（板部材）が取り付けられる。チャンバプレート１６には、キャピラリ６が挿通される通過孔１６ａが設けられる。チャンバプレート１６は、第３包囲面Ｐ３から後述する右チャンバブロック１１Ｒに向けて延びる。チャンバプレート１６は、キャピラリアーム７が最も下方に位置したときのキャピラリアーム７の底面７ｄよりもさらに下方に位置する。つまり、チャンバプレート１６は、キャピラリアーム７の底面７ｄを覆う。
【００３５】
再び図３に示されるように、左ガス供給穴９Ｌａは、第３包囲面Ｐ３に形成された排出開口を有する。左ガス供給穴９Ｌａは、左ガス供給管９Ｌｂから供給される不活性ガスを排出開口から吐き出す。左ガス供給穴９Ｌａの排出開口の軸線Ａ２は、キャピラリ６の軸線Ａ１と交差する。
【００３６】
右チャンバブロック１１Ｒは、第１包囲面Ｐ１と、第２包囲面Ｐ２と、第１右ガス供給穴９Ｒａと、第２右ガス供給穴９Ｒｃと、を有する。右チャンバブロック１１Ｒは、キャピラリ６の右側に配置される。右チャンバブロック１１Ｒは、キャピラリアーム７の右側面７ｂから前端面７ｃに亘ってキャピラリアーム７を包囲する。このキャピラリアーム７の右側面７ｂと対面する部分は、第１包囲面Ｐ１であり、キャピラリアーム７の前端面７ｃと対面する部分は第２包囲面Ｐ２である。
【００３７】
第１包囲面Ｐ１は、第３包囲面Ｐ３と対面すると共に、左右方向Ｄ３と直交する面であるともいえる。第２包囲面Ｐ２は、前後方向Ｄ２と交差する面であるともいえる。第２包囲面Ｐ２は、右包囲面Ｐ２ａと左包囲面Ｐ２ｂとを含む。右包囲面Ｐ２ａは、第１包囲面Ｐ１に連続する。左包囲面Ｐ２ｂは、右包囲面Ｐ２ａに連続する。右包囲面Ｐ２ａと左包囲面Ｐ２ｂとの間の角度は、約９０度であり、右包囲面Ｐ２ａと左包囲面Ｐ２ｂとの境界部は、軸線Ａ１をとおり前後方向Ｄ２と平行な軸線と交差してもよい。従って、右包囲面Ｐ２ａは、キャピラリアーム７の前端面７ｃにおける右側と対面する。左包囲面Ｐ２ｂは、キャピラリアーム７の前端面７ｃにおける左側と対面する。左包囲面Ｐ２ｂの先端と、左チャンバブロック１１Ｌの先端１１Ｌａとの間には、隙間が設けられる。
【００３８】
ガス管９Ｒｂが接続された第１右ガス供給穴９Ｒａは、第２包囲面Ｐ２に形成された排出開口を有し、当該排出開口からキャピラリ６に向けて不活性ガスを吐き出す。第１右ガス供給穴９Ｒａの排出開口の軸線Ａ３は、軸線Ａ１をとおる。
【００３９】
ガス管９Ｒｄが接続された第２右ガス供給穴９Ｒｃは、右チャンバブロック１１Ｒの下面に形成された排出開口を有し、当該排出開口から不活性ガスを吐き出す。第２右ガス供給穴９Ｒｃの軸線Ａ４を平面視したとき、軸線Ａ４は、軸線Ａ１上において、左ガス供給穴９Ｌａの軸線Ａ２及び第１右ガス供給穴９Ｒａの軸線Ａ３と交差する。
【００４０】
以下、ワイヤボンディング装置１の動作について説明する。ワイヤボンディング装置１は、閉鎖形態（図１参照）と開放形態（図６及び図７参照）とを相互に切替可能である。ワイヤボンディング装置１は、ワイヤボンドを行う場合に、閉鎖形態とされる。一方、ワイヤボンディング装置１は、作業者がワイヤボンディング装置１に対して何らかの操作を行う場合に、開放形態とされる。この操作には、点検作業や保守作業を含むことができ、例えば、キャピラリ６を交換する作業などが挙げられる。この切り替えは、例えば、作業者が可動アーム１３を手動で動かすことにより行われてもよい。
【００４１】
閉鎖形態と開放形態とでは、右チャンバブロック１１Ｒの位置が互いに相違する。一方、閉鎖形態と開放形態とでは、左チャンバブロック１１Ｌの位置が互いに同じである。さらに、閉鎖形態と開放形態とにおいて、キャピラリ６の位置は問われない。
【００４２】
図５に示されるように、ワイヤボンディング装置１を閉鎖形態としたとき、不活性ガス領域ＳＢが形成される。つまり、閉鎖形態とは、不活性ガス領域ＳＢを形成するための形態であるともいえる。不活性ガス領域ＳＢは、その機能から説明すると、フリーエアボールの酸化を抑制する領域である。これに対して、不活性ガス領域ＳＢは、その構造から説明すると、少なくとも左チャンバブロック１１Ｌと右チャンバブロック１１Ｒとに囲まれた領域である。
【００４３】
具体的には、不活性ガス領域ＳＢは、第３包囲面Ｐ３と、チャンバプレート１６と、第１包囲面Ｐ１と、右包囲面Ｐ２ａと、左包囲面Ｐ２ｂとに囲まれた空間である。すなわち、不活性ガス領域ＳＢは、５つの面が囲まれた領域である。このようにキャピラリ６の周囲を囲むための右チャンバブロック１１Ｒの位置を、第１位置と呼ぶ。従って、右チャンバブロック１１Ｒが第１位置にあるとき、右チャンバブロック１１Ｒの一部（第１包囲面Ｐ１の一部及び第２包囲面Ｐ２）は、キャピラリ６よりも前側に位置する。さらに、フリーエアボールが形成されるときには、フリーエアボールの上方にはキャピラリアーム７が配置される（図４参照）。従って、不活性ガス領域ＳＢは、キャピラリアーム７の底面７ｄを加えると、６つの面が囲まれた領域であるともいえる。
【００４４】
このような閉鎖形態によれば、不活性ガスを、第３包囲面Ｐ３と、チャンバプレート１６と、第１包囲面Ｐ１と、右包囲面Ｐ２ａと、左包囲面Ｐ２ｂと、キャピラリアーム７の底面７ｄとに囲まれた空間に、閉じ込めることができる。従って、不活性ガスを不活性ガス領域ＳＢに留めることが可能になるので、フリーエアボールの酸化を好適に抑制することができる。
【００４５】
図６及び図７に示されるように、ワイヤボンディング装置１を開放形態としたとき、作業スペースＳ２が形成される。つまり、開放形態は、その機能から説明すると、作業スペースＳ２を形成するための形態であるともいえる。つまり、開放形態であるとき、作業者とキャピラリアーム７の先端との間には、物理的な部品で遮られていない領域（つまり作業スペースＳ２）が形成される。開放形態は、その構造から説明すると、右チャンバブロック１１Ｒをキャピラリアーム７から離間させた形態である。この離間させた位置は、右チャンバブロック１１Ｒの第２位置である。
【００４６】
より具体的に各軸線方向における右チャンバブロック１１Ｒの位置を説明する。まず、上下方向Ｄ１においては、右チャンバブロック１１Ｒは、キャピラリアーム７の先端及びキャピラリ６よりも上方に位置する。次に、前後方向Ｄ２においては、右チャンバブロック１１Ｒは、キャピラリアーム７の先端及びキャピラリ６よりも後ろ側に位置する。この位置は、キャピラリアーム７の先端及びキャピラリ６とベースユニット２との間であるともいえる。さらに、左右方向Ｄ３においては、右チャンバブロック１１Ｒは、キャピラリアーム７の先端及びキャピラリ６よりも右側に離間する。
【００４７】
つまり、閉鎖形態から開放形態に切り替えるとき、右チャンバブロック１１Ｒは、キャピラリアーム７の先端に対して、右斜め後ろに移動する。この右チャンバブロック１１Ｒをキャピラリアーム７から離間させる構成は、可動機構１５によって実現される。可動機構１５のボルト１４の軸線ＡＲは、前後方向Ｄ２に対して直交し、上下方向Ｄ１及び左右方向Ｄ３のそれぞれに対して傾いている。例えば、ボルト１４の軸線ＡＲは、左右方向Ｄ３に対して４５度傾いている。また、軸線ＡＲは、キャピラリ６とベースユニット２との間に配置される。
【００４８】
このような第２位置によれば、キャピラリアーム７の右側面７ｂと前端面７ｃとを開放することができる。つまり、作業者は、キャピラリアーム７の前端面７ｃ側を正面から目視することが可能になる。さらに、作業者は、キャピラリアーム７の右側面７ｂの側からアクセスし、キャピラリ６の交換作業を行うことができる。このとき、右チャンバブロック１１Ｒは、キャピラリアーム７の前端面７ｃよりも上方に位置するので、作業者は、キャピラリアーム７の右側面７ｂに対して右から左に向かってアクセスすることができる。従って、作業性をより向上させ得る。
【００４９】
さらに、図１に示されるように、本実施形態に係るワイヤボンディング装置１は、シャッタユニット３０と、フィーダユニット４０とを有する。シャッタユニット３０は、フィーダユニット４０の上に配置されて、フィーダユニット４０から排出される不活性ガスをキャピラリ６の下方まで導く。シャッタユニット３０は、チャンバユニット４と協働して不活性ガス領域形成部２０を構成する。フィーダユニット４０は、ワイヤが接続されていない半導体チップユニット１００（後述）をキャピラリ６の下方に順次搬送する。また、フィーダユニット４０は、ワイヤが接続された半導体チップユニット１００をキャピラリ６の下方から搬出する。さらに、フィーダユニット４０は、閉鎖空間を形成する。この閉鎖空間には、不活性ガスが供給される。従って、フィーダユニット４０の内部には、不活性ガス領域が形成される。この不活性ガス領域は、フリーエアボールを電極に接続する場所を含む。従って、ワイヤ接続中におけるフリーエアボール及び電極の酸化を抑制できる。つまり、ワイヤボンディング装置１は、キャピラリ６が上方にあってフリーエアボールを形成する位置から、キャピラリ６を半導体チップユニット１００に向けて下降させてフリーエアボールを電極に接続する位置までを包含する不活性ガス領域を形成する。
【００５０】
図８に示されるように、フィーダユニット４０は、ハウジング４１と、ガス供給部４２と、ボンディングステージ４３と、ウインドクランパ４４と、を有する。
【００５１】
ハウジング４１は、中空の箱状を呈する。ハウジング４１は、図示しない搬送機構によって、半導体チップユニット１００を左右方向Ｄ３に搬送する。ハウジング４１は、左右方向Ｄ３に沿って延びる。ハウジング４１は、ハウジング上板４１ａと、ハウジング下板４１ｂと、開口４１ｈと、を有する。ハウジング上板４１ａは、シャッタユニット３０と対面する。開口４１ｈは、ハウジング上板４１ａに形成される。開口４１ｈは、平面視して矩形状を呈する。
【００５２】
ガス供給部４２は、ハウジング４１の内部に配置される。ガス供給部４２は、半導体チップユニット１００の周囲に対して不活性ガスを供給する。ガス供給部４２は、主面４２ａと、裏面４２ｂと、ガス受入管４２ｃと、ガス供給穴４２ｈとを有する。ガス供給部４２は、箱状を呈し、ガス受入管４２ｃによって外部のガス源と接続される。主面４２ａは、ハウジング上板４１ａと対面する。裏面４２ｂは、ハウジング下板４１ｂと対面する。ガス供給穴４２ｈは、主面４２ａに設けられる。
【００５３】
ボンディングステージ４３は、半導体チップユニット１００を支持すると共に、ガス供給部４２から提供された不活性ガスを半導体チップユニット１００の周囲に分配する。ボンディングステージ４３は、主面４３ａと、裏面４３ｂと、分配領域４３ｓと、開口４３ｈ（第２開口部）と、を有する。主面４３ａは、ハウジング上板４１ａと対面する。また、主面４３ａには、半導体チップユニット１００が載置される。裏面４３ｂは、ガス供給部４２の主面４２ａと対面する。分配領域４３ｓは、裏面４３ｂに設けられる。分配領域４３ｓは、裏面４３ｂから厚み方向に凹んだ領域である。開口４３ｈは、分配領域４３ｓから主面４３ａに貫通する細孔である。ボンディングステージ４３は、複数の開口４３ｈを有する。
【００５４】
半導体チップユニット１００は、ボンディングステージ４３の主面４３ａ上に載置される。半導体チップユニット１００は、基板１０１と複数の半導体チップ（不図示）とを有する。基板１０１は、主面１０１ａと裏面１０１ｂと、を有する。主面１０１ａは、ウインドクランパ４４と接触する。また、主面１０１ａには、複数のワイヤ接続領域１０１ｃが設定される。ワイヤ接続領域１０１ｃは、キャピラリ６によってワイヤが接続される導電接続部と、開口１０１ｈ（第１開口部）と、を含む。開口１０１ｈは、規則的又は不規則的に形成され、いくつかの開口１０１ｈは、開口４３ｈと連通する。裏面１０１ｂは、ボンディングステージ４３と接触する。
【００５５】
ウインドクランパ４４は、ハウジング４１に取り付けられる。具体的には、ウインドクランパ４４は、ハウジング４１の開口４１ｈを閉鎖するように、ハウジング上板４１ａに取り付けられる。ウインドクランパ４４は、フィルム状の半導体チップユニット１００をボンディングステージ４３に押し当てることにより、半導体チップユニット１００の位置を保持する。つまり、半導体チップユニット１００は、ウインドクランパ４４とボンディングステージ４３とによって挟持される。
【００５６】
ウインドクランパ４４は、主面４４ａと、裏面４４ｂと、クランプ部４４ｃと、開口４４ｈ（第３開口部）とを有する。主面４４ａは、シャッタユニット３０と対面する。裏面４４ｂは、ハウジング上板４１ａ、ボンディングステージ４３及び半導体チップユニット１００と対面する。クランプ部４４ｃは、裏面４４ｂに設けられ、半導体チップユニット１００に向けて突出する。クランプ部４４ｃは、半導体チップユニット１００に接触する。つまり、クランプ部４４ｃは、半導体チップユニット１００上に形成される。
【００５７】
ウインドクランパ４４の開口４４ｈは、左右方向Ｄ３に沿って２列に設けられ、前後方向Ｄ２に複数個設けられる。開口４４ｈは、主面４４ａからクランプ部４４ｃの当接面まで貫通する貫通穴であり、半導体チップユニット１００に設けられたいずれかの開口１０１ｈと連通する。開口４４ｈは、ワイヤ接続領域１０１ｃに対応して設けられる。つまり、キャピラリ６の先端を半導体チップユニット１００まで導く。具体的には、ボンディングが行われる半導体チップユニット１００の電極パッドといった導電接続部を含むワイヤ接続領域１０１ｃを露出させる。つまり、一つの開口４４ｈは、一つのワイヤ接続領域１０１ｃを露出させてもよいし、一つの開口４４ｈは、複数のワイヤ接続領域１０１ｃを露出させてもよい。
【００５８】
図９に示されるように、このようなフィーダユニット４０上に、シャッタユニット３０が配置される。シャッタユニット３０は、シャッタ板３１（シャッタ）と、右連結部３２Ｒ及び左連結部３２Ｌとを有する。シャッタ板３１は、ハウジング上板４１ａの一部を覆う。右連結部３２Ｒ及び左連結部３２Ｌは、シャッタ板３１をボンディングツール１０に連結する。このような構成によれば、ボンディングツール１０が水平面（前後方向Ｄ２及び左右方向Ｄ３が形成する平面）に沿って移動したとき、シャッタユニット３０もボンディングツール１０の移動に伴って水平方向に移動する。つまり、シャッタユニット３０は、キャピラリ６がワイヤ接続領域１０１ｃにワイヤを接続する際に、キャピラリ６と共にウインドクランパ４４及び基板１０１に対して移動する。
【００５９】
シャッタ板３１は、フィーダユニット４０のウインドクランパ４４上に配置され、当該ウインドクランパ４４を覆う。より具体的には、シャッタ板３１は、ウインドクランパ４４の開口４４ｈ上に配置される。
【００６０】
シャッタ板３１は、主面３１ａと、裏面３１ｂと、開口３１ｈ（第４開口部）と、ブロック対面部３１ｃ（第１対面部）（図１０参照）と、を有する。シャッタ板３１の裏面３１ｂとウインドクランパ４４の主面４４ａとの間には僅かな隙間が形成される。
【００６１】
図１０に示されるように、開口３１ｈは、キャピラリ導入穴部３２ａとブロック導入穴部３２ｂとを含む。キャピラリ導入穴部３２ａは、キャピラリ６の移動軌跡（上下方向Ｄ１）と交差する位置に設けられ、ウインドクランパ４４の一部を露出させる。ここでいうウインドクランパ４４の一部とは、開口４４ｈを含む領域である。従って、キャピラリ６の先端は、キャピラリ導入穴部３２ａ及び開口４４ｈを介して半導体チップユニット１００へ到達することができる。
【００６２】
ブロック導入穴部３２ｂは、左チャンバブロック１１Ｌの一部を収容する。図１１に示されるように、具体的には、ブロック導入穴部３２ｂは、左チャンバブロック１１Ｌの下部と、チャンバプレート１６と、チャンバフランジ１１ｓと、を収容する。例えば、チャンバプレート１６のプレート下面１６ｃは、シャッタ板３１の主面３１ａと裏面３１ｂとの間に配置されてもよいし、裏面３１ｂと面一に配置されてもよい。
【００６３】
再び図１０に示されるように、ブロック対面部３１ｃは、開口３１ｈの近傍に形成される領域である。ブロック対面部３１ｃは、右チャンバブロック１１Ｒのブロック下面１１Ｒｂと対面する。つまり、右チャンバブロック１１Ｒは、主面３１ａとの間に僅かな隙間を形成する位置に配置される。従って、右チャンバブロック１１Ｒは、左チャンバブロック１１Ｌのように、シャッタ板３１に入り込むことはない。
【００６４】
右連結部３２Ｒは、主面３１ａに固定され、アングル部材を介して右アーム８Ｒに連結される。左連結部３２Ｌは、右連結部３２Ｒに対して左方向に離間するように主面３１ａに固定され、左アーム８Ｌに連結される。つまり、シャッタユニット３０は、右アーム８Ｒ及び左アーム８Ｌを介して、ボンディングツール１０に連結されている。
【００６５】
以下、ワイヤボンディング装置１の作用効果について説明する。
【００６６】
ボンディングステージ４３の開口４３ｈから供給された不活性ガスは、基板１０１に吹き付けられる。この構成によれば、基板１０１の周囲に不活性ガス領域ＳＡを形成することが可能である。そして、基板１０１に吹き付けられた不活性ガスは、開口１０１ｈ，４４ｈを通過した後に、シャッタ板３１における開口３１ｈにおいて、その流れが絞られる。すなわち、不活性ガスは、開口３１ｈによってボンディングツール１０が有するキャピラリ６の先端に導出される。この構成によれば、キャピラリ６の先端に不活性ガス領域ＳＢを形成することが可能である。従って、キャピラリ６の先端におけるフリーエアボールの周囲に、不活性ガス領域ＳＡ，ＳＢを好適に形成できるので、フリーエアボールの酸化を抑制する能力を向上させ、ひいては良好なボンディング品質を確保することができる。
【００６７】
さらに、シャッタユニット３０を有しない比較例に係るワイヤボンディング装置２００と比較しつつ、実施形態に係るワイヤボンディング装置１の作用効果について具体的に説明する。
【００６８】
図１３は、比較例に係るワイヤボンディング装置２００において、左右方向Ｄ３に直交する面に沿ったフィーダユニット４０の断面を示す。矢印線は、不活性ガスが移動する様子を示す。
【００６９】
図１３に示されるように、不活性ガスは、ガス供給穴４２ｈから上方に排出され、分配領域４３ｓに移動する。次に、不活性ガスは、複数の開口４３ｈを介して分配領域４３ｓから排出される。排出された不活性ガスは、基板１０１の開口１０１ｈ及びウインドクランパ４４の開口４４ｈを介してさらに上方へ排出される。ここで、比較例に係るワイヤボンディング装置２００は、右チャンバブロック１１Ｒ及び左チャンバブロック１１Ｌの下方における開口４４ｈは覆われている。しかし、その他の開口４４ｈは全て開放されている。そうすると、開放された開口４４ｈからは不活性ガスが大気中に排出されてしまい、再利用されることがない。
【００７０】
図１２に示されるように、ワイヤボンディング装置１では、開口４４ｈの上方に隙間を挟んでシャッタユニット３０が配置されている。そうすると、開口４４ｈから排出された不活性ガスは、裏面３１ｂと主面４４ａとの間の隙間を介して、前後方向Ｄ２に移動する。そして、不活性ガスは、開口３１ｈに達すると、再び上方に向かって移動する。開口３１ｈの上方には、右チャンバブロック１１Ｒ及び左チャンバブロック１１Ｌに囲まれた不活性ガス領域ＳＢが形成されている。つまり、フィーダユニット４０から排出された不活性ガスは、シャッタユニット３０によって不活性ガス領域ＳＢに導かれる。
【００７１】
換言すると、実施形態に係るワイヤボンディング装置１では、フィーダユニット４０における不活性ガスが２個の態様において利用される。すなわち、不活性ガスは、まず、半導体チップユニット１００の周囲における不活性ガス領域ＳＡ（第１不活性ガス領域）の形成に用いられる。その後、不活性ガスは、フリーエアボールの周囲における不活性ガス領域ＳＢの形成に用いられる。
【００７２】
この不活性ガス領域ＳＢには、第１右ガス供給穴９Ｒａ、第２右ガス供給穴９Ｒｃ及び左ガス供給穴９Ｌａから不活性ガスが供給される。従って、不活性ガス領域ＳＢには、２箇所から不活性ガスが供給されるので、フリーエアボールの酸化を充分に抑制し得る不活性領域を形成することができる。
【００７３】
上述した不活性ガスの誘導は、左右方向Ｄ３においても生じる。図９に示されるように不活性ガスは、ガス受入管４２ｃから導入され、ガス供給穴４２ｈから上方に排出される。次に、不活性ガスは、複数の開口４３ｈ、開口１０１ｈ及びウインドクランパ４４の開口４４ｈを介してさらに上方へ排出される。開口４４ｈは、左右方向Ｄ３に沿って複数設けられている。シャッタユニット３０は、作業対象となるワイヤ接続領域１０１ｃを露出させる開口４４ｈを除く他の開口４４ｈを塞ぐように配置されている。このような構成によると、開口４４ｈには、不活性ガスが留められて、不活性ガス領域ＳＡが形成される。そして、不活性ガスは、裏面３１ｂと主面４４ａとの間の隙間を介して、左右方向Ｄ３に移動する。そして、不活性ガスは、開口３１ｈに達すると、再び上方に向かって移動し、不活性ガス領域ＳＢに導かれる。
【００７４】
従って、実施形態に係るワイヤボンディング装置１によれば、フィーダユニット４０に提供された不活性ガスを有効に利用することが可能になる。そして、ワイヤボンディング装置１は、フリーエアボールのための不活性ガス領域ＳＢを形成するにあたり、右チャンバブロック１１Ｒ及び左チャンバブロック１１Ｌのガス供給部４２から供給される不活性ガスに加えて、さらに、フィーダユニット４０から誘導される不活性ガスが用いられる。従って、ワイヤボンディング装置１は、ガス雰囲気の形成能力を向上させることが可能になり、所望の酸素濃度を有する不活性ガス領域ＳＢを形成することができる。ひいては、ワイヤボンディング装置１は、良質のフリーエアボールを形成することが可能になるので、良好なボンディング品質を確保できる。
【００７５】
また、シャッタ板３１は、キャピラリ６がワイヤ接続領域１０１ｃにワイヤを接続する際にキャピラリ６と共にウインドクランパ４４及び基板１０１に対して移動する。この構成によれば、複雑な機構を設けることなく、フィーダユニット４０から排出される不活性ガスを利用して不活性ガス領域ＳＡを形成することができる。
【００７６】
また、ボンディングツール１０は、キャピラリ６の先端が通過する通過孔１６ａを有するチャンバプレート１６と、キャピラリ６を囲むチャンバユニット４と、チャンバプレート１６及びチャンバユニット４で囲まれた領域に第２不活性ガスを供給する不活性ガス供給路と、をさらに有する。この構成によれば、不活性ガス領域ＳＡに加えて、さらに不活性ガス領域ＳＢを形成することができる。従って、フリーエアボールの酸化をさらに好適に抑制することができる。
【００７７】
また、図４に示されるように、開口４４ｈを通過した不活性ガスは、通過孔１６ａを下方側に通過したキャピラリ６の先端の雰囲気となる不活性ガス領域ＳＡを形成し、第１右ガス供給穴９Ｒａ、第２右ガス供給穴９Ｒｃ及び左ガス供給穴９Ｌａにより構成される不活性ガス供給路から供給される不活性ガスは、通過孔１６ａよりも上方に位置するキャピラリ６の先端の雰囲気となる不活性ガス領域ＳＢを形成する。
【００７８】
ここで、図４を参照しつつ、不活性ガス領域ＳＡ，ＳＢに注目する。不活性ガス領域ＳＡは、ワイヤ接続領域１０１ｃにおいてフリーエアボールを基板１０１にボンディングする際におけるフリーエアボール及び導電接続部の酸化を抑制する。一方、不活性ガス領域ＳＢは、キャピラリ６の先端に形成されるフリーエアボールの酸化を抑制する。不活性ガス領域ＳＡ，ＳＢは、上下方向Ｄ１に沿って、不活性ガス領域ＳＡが不活性ガス領域ＳＢの下側に位置するように設定される。不活性ガス領域ＳＡ及び不活性ガス領域ＳＢのしきいは、例えば、チャンバプレート１６としてもよい。つまり、チャンバプレート１６より下側に形成される不活性領域は、不活性ガス領域ＳＡである。た、チャンバプレート１６より上側に形成される不活性領域は、不活性ガス領域ＳＢである。
【００７９】
また、チャンバユニット４は、右チャンバブロック１１Ｒと、右チャンバブロック１１Ｒとは別体の左チャンバブロック１１Ｌと、右チャンバブロック１１Ｒをキャピラリ６に対して相対的に移動させる可動機構１５と、を含む。可動機構１５は、右チャンバブロック１１Ｒ及び右チャンバブロック１１Ｒによってキャピラリ６の周囲を囲む第１形態と、右チャンバブロック１１Ｒを移動させることにより、キャピラリ６の周囲の一部を開放する第２形態と、を相互に切り替える。
【００８０】
上記の構成によれば、可動機構１５は、左チャンバブロック１１Ｌを移動させることにより、開放形態から閉鎖形態に切り替える。閉鎖形態では、キャピラリ６の周囲が左チャンバブロック１１Ｌ及び右チャンバブロック１１Ｒによって囲まれる。従って、キャピラリ６の周囲に不活性ガスを滞留させることが可能になるので、フリーエアボールの酸化を抑制することができる。そして、可動機構１５は、左チャンバブロック１１Ｌを逆の方向へ移動させることにより、閉鎖形態から開放形態に切り替える。開放形態は、キャピラリ６の周囲の一部が開放されているので、作業スペースＳ２を確保することが可能である。従って、ワイヤボンディングの作業性を向上させることができる。これにより、ワイヤボンディング装置１は、良好なボンディング品質の確保と作業性の向上とを両立することができる。
【００８１】
また、本実施形態に係るワイヤボンディング装置１は、右チャンバブロック１１Ｒを移動させる可動機構１５を含む。さらに、シャッタユニット３０は、右チャンバブロック１１Ｒのブロック下面１１Ｌｂと対面するブロック対面部３１ｃを含む。この構成によれば、ブロック対面部３１ｃが開口４４ｈを覆う。すなわち、シャッタ板３１において開口４４ｈを覆う面積が大きくなる。従って、フィーダユニット４０から排出される不活性ガスを効率よく不活性ガス領域ＳＢに誘導できる。
【００８２】
また、本実施形態に係るワイヤボンディング装置１によれば、チャンバユニット４は、キャピラリ６に対する左チャンバブロック１１Ｌの相対的な位置を保持する左アーム８Ｌをさらに有する。そして、シャッタユニット３０は、左チャンバブロック１１Ｌのブロック下面１１Ｌｂ及びチャンバプレート１６を受け入れる開口３１ｈを含む。この構成によれば、開口３１ｈが大きくなるので、シャッタ板３１を軽量化することができる。そして、軽量化されたシャッタ板３１によれば、質量に起因する慣性力が小さくなるので、ボンディングツール１０の高速動作を妨げることがなくなる。さらに、シャッタ板３１に覆われない開口４４ｈは、開口３１ｈに受け入れられた左チャンバブロック１１Ｌ等によって覆われる。すなわち、シャッタ板３１の機能を左チャンバブロック１１Ｌが代替することが可能である。従って、フィーダユニット４０から排出される不活性ガスを効率よく不活性ガス領域ＳＢに誘導できる。
【００８３】
以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【００８４】
上記実施形態では、左チャンバブロック１１Ｌを固定し、右チャンバブロック１１Ｒを可動させる構成とした。例えば、右チャンバブロック１１Ｒに加えて、さらに左チャンバブロック１１Ｌを第２可動部（第２機構）によって稼働させる構成としてもよい。シャッタユニット３０は、左チャンバブロック１１Ｌのブロック下面１１Ｌｂと対面するブロック対面部３１ｄ（第２対面部）をさらに含む。つまり、開口３１ｈがさらに縮小されるので、フィーダユニット４０から排出される不活性ガスをさらに効率よく不活性ガス領域ＳＢに誘導できる。
【００８５】
上記実施形態では、左チャンバブロック１１Ｌ及び右チャンバブロック１１Ｒの両方にガス供給部９を設けた。例えば、左チャンバブロック１１Ｌ及び右チャンバブロック１１Ｒのいずれか一方にのみガス供給部９を設けてもよい。
【００８６】
上記実施形態では、右チャンバブロック１１Ｒの第２位置を、キャピラリ６に対して右斜め上方であってさらに後方とした。右チャンバブロック１１Ｒの第２位置は、キャピラリ６及びキャピラリアーム７の先端の一部を開放可能な位置であれば、この配置に限定されない。
【符号の説明】
【００８７】
１，２００…ワイヤボンディング装置、２…ベースユニット、３…キャピラリユニット、４…チャンバユニット、４Ｌ…左チャンバユニット、４Ｒ…右チャンバユニット、６…キャピラリ、７…キャピラリアーム、７ａ…左側面、７ｂ…右側面、７ｃ…前端面、７ｄ…底面、８Ｌ…左アーム、８Ｒ…右アーム、９…ガス供給部、９Ｌ…左ガス供給部、９Ｌａ…左ガス供給穴、９Ｌｂ…左ガス供給管、９Ｒ…右ガス供給部、９Ｒａ…第１右ガス供給穴、９Ｒｃ…第２右ガス供給穴、１０…ボンディングツール、１１…チャンバ、１１Ｌ…左チャンバブロック、１１Ｌａ…先端、１１Ｌｂ…ブロック下面、１１Ｒ…右チャンバブロック、１１Ｒｂ…ブロック下面、１２…固定アーム、１２ａ…連結穴、１３…可動アーム、１３ａ…基端、１３ｂ…先端、１３ｈ…挿通穴、１４…ボルト、１４ａ…軸部、１４ｂ…ヘッド、１５…可動機構、１６…チャンバプレート、１６ａ…通過孔、１６ｃ…プレート下面、１７…ラッチ機構、１８…第１吸着部、１９…第２吸着部、２０…不活性ガス領域形成部、２１…第１緩衝部、２２…第２緩衝部、３０…シャッタユニット、３１…シャッタ板、３１ａ…主面、３１ｂ…裏面、３１ｃ，３１ｄ…ブロック対面部、３１ｈ，４１ｈ，４３ｈ，４４ｈ，１０１ｈ…開口、３２Ｒ…右連結部、３２Ｌ…左連結部、３２ａ…キャピラリ導入穴部、３２ｂ…ブロック導入穴部、４０…フィーダユニット、４１…ハウジング、４１ａ…ハウジング上板、４１ｂ…ハウジング下板、４２…ガス供給部、４２ｃ…ガス受入管、４２ａ…主面、４２ｂ…裏面、４２ｈ…ガス供給穴、４３…ボンディングステージ、４３ａ…主面、４３ｂ…裏面、４３ｓ…分配領域、４４…ウインドクランパ、４４ａ…主面、４４ｂ…裏面、４４ｃ…クランプ部、１００…半導体チップユニット、１０１…基板、１０１ａ…主面、１０１ｂ…裏面、Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，ＡＲ…軸線、Ｄ１…上下方向、Ｄ２…前後方向、Ｄ３…左右方向、Ｍ１…第１磁石、Ｍ２…第２磁石、Ｍ３…第３磁石、Ｍ４…第４磁石、Ｍ５…第５磁石、Ｍ６…第６磁石、Ｐ１…第１包囲面、Ｐ２…第２包囲面、Ｐ２ａ…右包囲面、Ｐ２ｂ…左包囲面、Ｐ３…第３包囲面、ＳＡ，ＳＢ…不活性ガス領域、Ｓ２…作業スペース。
【図１】
2020155425.tif 000003
【図２】
2020155425.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2020155425.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2020155425.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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