(57)【要約】【課題】デバイス製造プロセスの性能を向上させる方法を提供する。【解決手段】パターニングプロセスによって処理される基板のパターン又はパターニングプロセスによって処理される基板用のパターンの第１の変数の値を、基板に関する第１の変数のフィンガープリントと、第１の変数の特定の値とを統合することによって計算することと、第１の変数の計算値に少なくとも部分的に基づいて、パターンの第２の変数の値を決定することと、を含む方法。【選択図】図３Ｂ
2020126279.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のパターンのメトロロジデータに対する、モデリングされる第１のプロセス変数の第１の寄与を取得することと、
前記パターンの前記メトロロジデータに対する、モデリングされない第２のプロセス変数の第２の寄与を取得することと、
ハードウェアコンピュータにより前記第１の寄与及び前記第２の寄与を統合することによって、前記メトロロジデータを取得することと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記メトロロジデータが、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）、クリティカルディメンジョン均一性（ＣＤＵ）、側壁角、エッジ位置、オーバーレイ、焦点、パターンシフト、又はそれらから選択された組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記メトロロジデータが、パターングループの統計値を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２のプロセス変数が、前記基板の露光の下流のプロセスの特性である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プロセスが、前記基板上のレジスト層の現像である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記プロセスが、前記基板のエッチングである、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のプロセス変数が、前記基板の特性である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のプロセス変数が、前記基板上のレジスト層の特性である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のプロセス変数の値が、未知である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の寄与及び前記第２の寄与を統合することが、前記第１の寄与及び前記第２の寄与を加算すること、又は、前記第１の寄与及び前記第２の寄与をコンボリューションすること、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
パターニングプロセスによって処理される基板のパターン、又は、パターニングプロセスによって処理される基板用のパターンの第１の変数の値を、前記基板に関する前記第１の変数のフィンガープリントと、前記第１の変数の特定の値と、を統合することによって計算することと、
前記第１の変数の前記計算値に少なくとも部分的に基づいて、前記パターンの第２の変数の値を決定することと、
を含む、方法。
【請求項１２】
前記第１の変数及び／又は前記第２の変数が、基板上のメトロロジターゲットに関係する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記パターンの前記第２の変数に基づいて、前記基板上への前記パターンの転写の下流のプロセスに続いて欠陥があるか否かを予測することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板上への前記パターンの転写の下流の前記プロセスに続く前記パターンにおける欠陥の予測に応答して、前記基板又は別の基板に関する前記パターニングプロセスの変数を調整する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
記録された命令を有する非一時的コンピュータ可読媒体を含むコンピュータプログラムであって、
前記命令が、コンピュータによって実行されると、請求項１に記載の方法を実施する、コンピュータプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本出願は、本明細書にその全体が援用される、２０１６年２月２２日に出願された米国特許出願第６２／２９８，３６７号、２０１６年９月１日に出願された米国特許出願第６２／３８２，７６４号、及び２０１７年２月１５日に出願された米国特許出願第６２／４５９，３２７号の優先権を主張する。
【０００２】
[0002]  本開示は、デバイス製造プロセスの性能を向上させる方法に関する。本方法は、リソグラフィ装置又はメトロロジ装置に関連して使用されてもよい。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板のターゲット部分に与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。その状況では、代替的にマスク又はレチクルと呼ばれるパターニングデバイスが、ＩＣの個々の層に対応した回路パターンを生成するために使用されてもよく、及びこのパターンは、放射感応性材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に結像することができる。一般に、単一の基板は、連続して露光される隣接するターゲット部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置は、各ターゲット部分が、パターン全体を１回でターゲット部分に露光させることによって照射される、いわゆるステッパと、ビームを用いてある方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に対して平行又は逆平行に基板を同期してスキャンすることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナと、を含む。
【０００４】
[0004]  パターニングデバイスから基板に回路パターンを転写する前に、基板は、プライミング、レジストコーティング、及びソフトベークなどの様々なプロシージャを経てもよい。露光後に、基板は、ポストベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、及び転写された回路パターンの測定／インスペクションなどの他のプロシージャを受けてもよい。この多数のプロシージャは、デバイス、例えばＩＣの個々の層を作るための基礎として使用される。基板は、次に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨など（全て、デバイスの個々の層を仕上げることを意図したもの）の様々なプロセスを経てもよい。デバイスに幾つかの層が必要とされる場合、プロシージャ全体又はそれの異形が、各層に対して繰り返される。最終的に、基板上の各ターゲット部分にデバイスが存在する。これらのデバイスは、次に、ダイシング又はソーイングなどの技術によって互いに分離され、その結果として、個々のデバイスがキャリア上に取り付けられること、ピンに接続されることなどが可能である。
【０００５】
[0005]  従って、半導体デバイスなどの製造デバイスは、一般的に、デバイスの様々なフィーチャ及び複数の層を形成するための多数の製作プロセスを用いて、基板（例えば半導体ウェーハ）を処理することを含む。このような層及びフィーチャは、一般的に、例えば、堆積、リソグラフィ、エッチング、化学機械研磨、及びイオン注入を用いて、製造及び処理される。複数のデバイスが、基板上の複数のダイ上で製作され、その後、個々のデバイスに分離されてもよい。このデバイス製造プロセスは、パターニングプロセスと見なすことができる。パターニングプロセスは、パターニングデバイス上のパターンを基板に転写するために、リソグラフィ装置においてパターニングデバイスを用いる光及び／又はナノインプリントリソグラフィなどのパターニングステップを含み、及び一般的に（但し任意選択的に）、現像装置によるレジスト現像、ベークツールを用いた基板のベーク、エッチング装置を用いたパターンを使用するエッチングなどの１つ又は複数の関連のパターン処理ステップを含む。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  本明細書に開示されるのは、基板上のパターンのメトロロジデータに対する、モデリング可能なプロセス変数の第１の寄与を取得することと、パターンのメトロロジデータに対する、モデリングされないプロセス変数の第２の寄与を取得することと、ハードウェアコンピュータにより第１の寄与及び第２の寄与を統合することによって、メトロロジデータを取得することと、を含む方法である。
【０００７】
[0007]  ある実施形態によれば、メトロロジデータは、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）、クリティカルディメンジョン均一性（ＣＤＵ）、側壁角、エッジ位置、オーバーレイ、焦点、及び／又はパターンシフトから選択された１つ又は複数を含む。
【０００８】
[0008]  ある実施形態によれば、メトロロジデータは、パターングループの統計値を含む。
【０００９】
[0009]  ある実施形態によれば、モデリングされないプロセス変数は、基板の露光の下流のプロセスの特性である。
【００１０】
[0010]  ある実施形態によれば、プロセスは、基板上のレジスト層の現像である。
【００１１】
[0011]  ある実施形態によれば、プロセスは、基板のエッチングである。
【００１２】
[0012]  ある実施形態によれば、モデリングされないプロセス変数は、基板の特性である。
【００１３】
[0013]  ある実施形態によれば、モデリングされないプロセス変数は、基板上のレジスト層の特性である。
【００１４】
[0014]  ある実施形態によれば、モデリングされないプロセス変数の値は、未知である。
【００１５】
[0015]  ある実施形態によれば、第１の寄与及び第２の寄与を統合することは、第１の寄与及び第２の寄与を加算すること、又は第１の寄与及び第２の寄与をコンボリューションすることを含む。
【００１６】
[0016]  本明細書に開示されるのは、基板上のパターンのメトロロジデータに対する第２のプロセス変数の寄与を、ハードウェアコンピュータにより、メトロロジデータに対する第１のプロセス変数の寄与を除去することによって取得することを含む方法である。
【００１７】
[0017]  ある実施形態によれば、第１のプロセス変数は、モデリング可能である。
【００１８】
[0018]  ある実施形態によれば、第１のプロセス変数の寄与の取得は、モデリングによるものである。
【００１９】
[0019]  ある実施形態によれば、第１のプロセス変数の寄与は、第２のプロセス変数の非線形関数である。
【００２０】
[0020]  ある実施形態によれば、第１のプロセス変数は、モデリングされない。
【００２１】
[0021]  ある実施形態によれば、第１のプロセス変数の寄与は、実験的又は経験的に決定される。
【００２２】
[0022]  本明細書に開示されるのは、基板上の第１のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、メトロロジデータに対する第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与をメトロロジデータから除去することによって取得することと、第１のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に基づいて、ハードウェアコンピュータにより、基板上の第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を取得することと、を含む方法である。
【００２３】
[0023]  ある実施形態によれば、方法は、第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に基づいて、第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数を調整することによって、第２のパターンにおける欠陥の確率を減少させることをさらに含む。
【００２４】
[0024]  ある実施形態によれば、第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与は、第２のパターンのメトロロジデータを取得することなく取得される。
【００２５】
[0025]  ある実施形態によれば、第２のパターンにおける欠陥の確率は、第２のパターンに計測を行うことなく減らされる。
【００２６】
[0026]  ある実施形態によれば、方法は、第２のパターンのメトロロジデータに対する第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を第２のパターンのメトロロジデータから除去することによって取得することをさらに含む。
【００２７】
[0027]  ある実施形態によれば、第２のパターンのメトロロジデータに対する第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与は、第２のパターンにおける第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の値を取得することなく取得される。
【００２８】
[0028]  ある実施形態によれば、方法は、第２のパターンのメトロロジデータに対する第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与、第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与、又は両方に基づいて、第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の内の１つ又は複数のプロセス変数を調整することによって、第２のパターンにおける欠陥の確率を減少させることをさらに含む。
【００２９】
[0029]  本明細書に開示されるのは、第１のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、第１のパターンのメトロロジデータに対する第１のグループのプロセス変数の変化の寄与を除去することによって取得することと、第１のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に基づいて、基板上の第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を取得することと、ハードウェアコンピュータにより、第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に基づいて、第２のパターンに関する第１のグループのプロセス変数が及ぶサブプロセスウィンドウ（サブＰＷ）を取得することと、を含む方法である。
【００３０】
[0030]  ある実施形態によれば、第１のグループは、モデリング可能な全てのプロセス変数を含み、及び第２のグループは、モデリングされない全てのプロセス変数を含む。
【００３１】
[0031]  ある実施形態によれば、方法は、サブＰＷに基づいて、第１のグループのプロセス変数の内の１つ又は複数のプロセス変数の値を調整することによって、第２のパターンにおける欠陥の確率を減少させることをさらに含む。
【００３２】
[0032]  本明細書に開示されるのは、メトロロジデータに対する第１のグループの１つ又は複数のモデリング可能なプロセス変数の変化の寄与、及びメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のモデリングされないプロセス変数の変化の寄与を統合することによって、ホットスポットのメトロロジデータの推定値を取得することと、ハードウェアコンピュータにより、メトロロジデータの推定値に基づいて、ホットスポットに欠陥があるか否かを決定することと、を含む方法である。
【００３３】
[0033]  ある実施形態によれば、推定値は、ホットスポットに計測を行うことなく取得される。
【００３４】
[0034]  本明細書に開示されるのは、パターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与をメトロロジデータから除去することによって取得することと、メトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を決定するためのモデルのパラメータの値を、ハードウェアコンピュータにより、パターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に対してパラメータをフィッティングすることによって取得することと、を含む方法である。
【００３５】
[0035]  ある実施形態によれば、第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数は、モデリングされない全てのプロセス変数を含む。
【００３６】
[0036]  ある実施形態によれば、第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の全てのプロセス変数は、モデリング可能である。
【００３７】
[0037]  本明細書に開示されるのは、基板上のパターンのメトロロジデータの推定値を、メトロロジデータに対する全てのモデリング可能なプロセス変数の変化の寄与と、メトロロジデータに対する全てのモデリングされないプロセス変数の変化の寄与とを統合することによって取得することと、メトロロジデータの推定値が基準を満たすか否かを決定することと、推定値が基準を満たさない場合、ハードウェアコンピュータにより、モデリングされないプロセス変数と、メトロロジデータに対する全てのモデリングされないプロセス変数の変化の寄与との関係を調整することと、を含む方法である。
【００３８】
[0038]  ある実施形態によれば、関係の調整は、基板上のレジストの化学組成を変更することを含む。
【００３９】
[0039]  ある実施形態によれば、関係の調整は、基板上のレジストの現像に使用される化学薬品を変更することを含む。
【００４０】
[0040]  ある実施形態によれば、関係の調整は、基板のエッチングに使用されるエッチング装置を変更することを含む。
【００４１】
[0041]  本明細書に開示されるのは、パターニングプロセスによって処理される基板のパターン、又はパターニングプロセスによって処理される基板用のパターンの第１の変数の値を、基板に関する第１の変数のフィンガープリントと、第１の変数の特定の値とを統合することによって計算することと、第１の変数の計算値に少なくとも部分的に基づいて、パターンの第２の変数の値を決定することと、を含む方法である。
【００４２】
[0042]  ある実施形態によれば、パターンの第２の変数の値の決定は、第１の変数の計算値及び第２の変数に少なくとも部分的に基づいた再構築又はシミュレーション結果がルールに適合するまで、ハードウェアコンピュータにより、第２の変数を調整することを含む。
【００４３】
[0043]  ある実施形態によれば、ルールは、基板上のパターンの測定結果と、再構築／シミュレーション結果との差が、閾値を超える又は閾値に合致することを示す。
【００４４】
[0044]  ある実施形態によれば、再構築／シミュレーション結果は、計算放射分布であり、及び測定結果は、測定放射分布である。
【００４５】
[0045]  ある実施形態によれば、第１の変数の変化が、第２の変数の同じ変化よりも、再構築又はシミュレーション結果においてより大きな差をもたらす。
【００４６】
[0046]  ある実施形態によれば、第１の変数は、基板上のメトロロジターゲットに関係する。
【００４７】
[0047]  ある実施形態によれば、第１の変数は、基板上のメトロロジターゲットのパターンのクリティカルディメンジョンである。
【００４８】
[0048]  ある実施形態によれば、第２の変数は、基板上のメトロロジターゲットに関係する。
【００４９】
[0049]  ある実施形態によれば、第２の変数は、メトロロジターゲットのパターンの側壁角、メトロロジターゲットのパターンの高さ、メトロロジターゲットの層の厚さ、現像中のメトロロジターゲットのパターンのレジスト損失、メトロロジターゲットのフッティング、メトロロジターゲットの層の屈折率、メトロロジターゲットの層の吸収、及び／又はメトロロジターゲットの層の吸光係数から選択された１つ又は複数を含む。
【００５０】
[0050]  ある実施形態によれば、方法は、パターンの第２の変数に基づいて、基板上へのパターンの転写の下流のプロセスに続いて、欠陥があるか否かを予測することをさらに含む。
【００５１】
[0051]  ある実施形態によれば、基板上へのパターンの転写の下流のプロセスに続く、パターンにおける欠陥の予測に応答して、基板又は別の基板に関するパターニングプロセスの変数が調整される。
【００５２】
[0052]  ある実施形態によれば、プロセスは、基板上のレジスト層の現像を含む。
【００５３】
[0053]  ある実施形態によれば、プロセスは、基板のエッチングを含む。
【００５４】
[0054]  ある実施形態によれば、方法は、パターニングプロセスのリソグラフィ装置に関係する第１のグループの１つ又は複数の変数からの第１の寄与と、リソグラフィ装置におけるパターンの転写より前、又は後の１つ又は複数の製作プロセスに関係する第２のグループの１つ又は複数の変数からの第２の寄与と、パターンの転写に使用されるパターニングデバイスに関係する第３のグループの１つ又は複数の変数からの第３の寄与とを統合することによって、第１の変数のフィンガープリントを取得することをさらに含む。
【００５５】
[0055]  ある実施形態によれば、第１のグループの変数は、リソグラフィ装置による照明、リソグラフィ装置の投影系、リソグラフィ装置の基板ステージの移動の移動標準偏差、基板ステージの移動の移動平均、焦点、ドーズ、帯域幅、露光期間、高周波レーザ帯域幅変化、高周波レーザ波長変化、及び／又は基板の平坦性の１つ又は複数の変数を含む。
【００５６】
[0056]  ある実施形態によれば、第２のグループの変数は、スピンコーティング、ポストベーク、現像、エッチング、堆積、ドーピング、及び／又はパッケージングの１つ又は複数の変数を含む。
【００５７】
[0057]  ある実施形態によれば、第３のグループの変数は、マスクＣＤ、アシストパターンの形状及び／又は位置、及び／又は解像度向上技術によって適用される調整の１つ又は複数の変数を含む。
【００５８】
[0058]  ある実施形態によれば、第１の変数のフィンガープリントと、第１の変数の特定の値との統合は、第１の変数のフィンガープリントと、第１の変数の特定の値とを加算することを含む。
【００５９】
[0059]  ある実施形態によれば、第１の変数の特定の値は、基板に関する第１の変数の一群の測定の平均値を求めることによって取得される。
【００６０】
[0060]  ある実施形態によれば、第１の変数の特定の値は、第１の変数の設計値である。
【００６１】
[0061]  ある実施形態によれば、第２の変数の値の決定時に使用される第１の変数は、第１の変数の計算値を中心とした特定の範囲内に制限された値を有する。
【００６２】
[0062]  本明細書に開示されるのは、パターニングプロセスによって作成されるパターンに関連付けられた変数の基板全体フィンガープリントを取得することと、ハードウェアコンピュータシステムにより、フィンガープリント内の基板位置から選択された変数の値に基づいて、パターンのフィーチャのコンターを予測することと、を含む方法である。
【００６３】
[0063]  ある実施形態によれば、予測は、変数の値を用いて、フィーチャの特定の形状の公称コンターを選択することを含む。
【００６４】
[0064]  ある実施形態によれば、公称コンターは、シミュレーション又は数学モデルを用いた演算によって取得される。
【００６５】
[0065]  ある実施形態によれば、公称コンターは、レジストにおいて期待されるコンターである。
【００６６】
[0066]  ある実施形態によれば、予測は、フィーチャの公称コンターのサイズを変更することを含む。
【００６７】
[0067]  ある実施形態によれば、サイズの変更は、パターンに関連付けられたさらなる変数の値に基づき、その値は、さらなる変数の基板全体フィンガープリントから同じ基板位置で選択される。
【００６８】
[0068]  ある実施形態によれば、さらなる変数の基板全体フィンガープリントは、ポストエッチング状況に対応する。
【００６９】
[0069]  ある実施形態によれば、さらなる変数は、クリティカルディメンジョンを含む。
【００７０】
[0070]  ある実施形態によれば、変数は、焦点を含む。
【００７１】
[0071]  ある実施形態によれば、フィーチャは、決定されたホットスポットである。
【００７２】
[0072]  ある実施形態によれば、方法は、予測コンターを用いて、エッジ配置位置又は誤差を決定することをさらに含む。
【００７３】
[0073]  ある実施形態によれば、方法は、フィーチャ又は別のフィーチャに欠陥のある可能性が高いか否かを決定するために、予測コンターに対するチェックを用いることをさらに含む。
【００７４】
[0074]  ある実施形態によれば、方法は、予測コンターを用いて、数学モデルを較正することをさらに含む。
【００７５】
[0075]  ある実施形態によれば、数学モデルは、光近接効果補正モデルを含む。
【００７６】
[0076]  本明細書に開示されるのは、記録された命令を有する非一時的コンピュータ可読媒体を含むコンピュータプログラムであって、命令は、コンピュータによって実行されると、本明細書の方法の何れかを実施する、コンピュータプログラムである。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】[0077]  ある実施形態によるリソグラフィ装置を模式的に描く。
【図２】[0078]  プロセス変数のカテゴリ例を示す。
【図３Ａ】[0079]  モデリング可能なプロセス変数の変化、及びモデリングされないプロセス変数の変化の両方が、メトロロジデータに対する寄与を有し得ることを模式的に示す。
【図３Ｂ】[0080]  基板上のＣＤに対する統合寄与のモデリングの一例を模式的に示し、この寄与は、複数のモデリング可能なプロセス変数の変化のものである。
【図４Ａ】[0081]  ２つの寄与を有するメトロロジデータを模式的に示し、寄与の一方は、１つ又は複数のモデリング可能なプロセス変数の変化によるものであり、寄与の他方は、モデリングされない場合、モデリング可能である場合、又はそれらの混合である場合がある、１つ又は複数の他のプロセス変数の変化によるものである。
【図４Ｂ】[0082]  ２つの寄与を有するメトロロジデータを模式的に示し、寄与の一方は、１つ又は複数のモデリングされないプロセス変数の変化によるものであり、寄与の他方は、モデリングされない場合、モデリング可能である場合、又はそれらの混合である場合がある、１つ又は複数の他のプロセス変数の変化によるものである。
【図５】[0083]  ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。
【図６】[0084]  ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。
【図７Ａ】[0085]  サブＰＷに対するモデリングされないプロセス変数の影響を模式的に示す。
【図７Ｂ】[0085]  サブＰＷに対するモデリングされないプロセス変数の影響を模式的に示す。
【図８】[0086]  ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。
【図９】[0087]  ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。
【図１０】[0088]  ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。
【図１１】[0089]  ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。
【図１２】[0090]  例示的なインスペクション装置及びメトロロジ技術を模式的に描く。
【図１３】[0091]  例示的なインスペクション装置を模式的に描く。
【図１４】[0092]  インスペクション装置の照明スポットと、メトロロジターゲットとの関係を示す。
【図１５】[0093]  測定データに基づいて、関心のある複数の変数の導出プロセスを模式的に描く。
【図１６】[0094]  ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。
【図１７】[0095]  ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。
【図１８】[0096]  寄与／フィンガープリント例及びコンターの選択の一実施形態を模式的に描く。
【図１９】[0097]  寄与／フィンガープリント例及びコンターの変更の一実施形態を模式的に描く。
【図２０Ａ】[0098]  欠陥分析プロセスの一実施形態を模式的に描く。
【図２０Ｂ】[0098]  欠陥分析プロセスの一実施形態を模式的に描く。
【図２０Ｃ】[0098]  欠陥分析プロセスの一実施形態を模式的に描く。
【図２１Ａ】[0099]  欠陥分析プロセスの一実施形態を模式的に描く。
【図２１Ｂ】[0099]  欠陥分析プロセスの一実施形態を模式的に描く。
【図２１Ｃ】[0099]  欠陥分析プロセスの一実施形態を模式的に描く。
【図２２】[00100]  コンピュータシステム例のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００７８】
[00101]  本文において、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して具体的な言及がなされる場合があるが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造といった他の適用例も有し得ることが理解されるものとする。当業者は、このような代替適用例の文脈において、本明細書の「ウェーハ」又は「ダイ」という用語の使用が、それぞれ、より一般的な用語である「基板」又は「ターゲット部分」と同義であると見なすことができることを認識するだろう。本明細書における基板は、露光の前又は後に、例えばトラック（一般的に、レジストの層を基板に塗布し、及び露光レジストを現像するツール）又はメトロロジ又はインスペクションツールにおいて処理されてもよい。適用可能な場合、本明細書の開示は、上記及び他の基板プロセスツールに適用されてもよい。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、２回以上処理されてもよく、そのため、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理された層を既に含む基板も指す場合がある。
【００７９】
[00102]  本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）及び極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射、並びにイオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを包含する。
【００８０】
[00103]  本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、例えば基板のターゲット部分にパターンを生成するために、その断面にパターンを持つ放射ビームを付与するために使用することができるデバイスを指すと広く解釈されるものとする。放射ビームに付与されるパターンは、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に一致しない場合があることに留意されたい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイス内の特定の機能層に対応する。
【００８１】
[00104]  パターニングデバイスは、透過型又は反射型でもよい。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィにおいてよく知られており、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、並びに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小型ミラーのマトリックス配置を採用し、各小型ミラーは、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個々に傾斜させることができ、このようにして、反射されたビームがパターン形成される。
【００８２】
[00105]  サポート構造が、パターニングデバイスを保持する。それは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、及び例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されるか否かなどの他の条件に応じたやり方で、パターニングデバイスを保持する。サポートは、機械的クランプ、真空、又は例えば真空条件下での静電クランプといった他のクランプ技術を用いることができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定されてもよく、又は移動可能であってもよく、及び例えば投影系に対して所望の位置にパターニングデバイスがあることを確実にすることができるフレーム又はテーブルでもよい。本明細書における「レチクル」又は「マスク」という用語の使用は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義であると見なすことができる。
【００８３】
[00106]  本明細書で使用される「投影系」という用語は、例えば、使用されている露光放射に、又は液浸液の使用又は真空の使用などの他のファクタに応じて適切に、屈折光学系、反射光学系、及び反射屈折光学系を含む様々なタイプの投影系を包含すると広く解釈されるものとする。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用は、より一般的な用語である「投影系」と同義であると見なすことができる。
【００８４】
[00107]  照明系は、放射ビームの誘導、整形、又は制御用の屈折、反射、及び反射屈折光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントも包含してもよく、このようなコンポーネントは、以下において、まとめて、又は単独で「レンズ」と呼ばれる場合もある。
【００８５】
[00108]  図１は、ある実施形態によるリソグラフィ装置を模式的に描く。この装置は、
−放射（例えば、ＵＶ放射又はＤＵＶ放射）ビームＰＢを調節するための照明系（イルミネータ）ＩＬ、
−パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持し、且つアイテムＰＳに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするための第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたサポート構造ＭＴ、
−基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持し、且つアイテムＰＳに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴ、及び
−パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に結像するように構成された投影系（例えば屈折投影レンズ）ＰＳ、
を含む。
【００８６】
[00109]  ここに描かれるように、本装置は、透過型（例えば、透過型マスクを用いる）である。代替的に、本装置は、反射型（例えば、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイを用いる）でもよい。
【００８７】
[00110]  イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源及びリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別個のエンティティでもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、及び放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他のケースでは、放射源は、例えば放射源が水銀ランプである場合に、装置の一体化部分でもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ばれる場合がある。
【００８８】
[00111]  イルミネータＩＬは、ビームの強度分布を変更することができる。イルミネータは、イルミネータＩＬの瞳面内の環状領域内で強度分布が０でないように放射ビームの半径範囲を限定するように配置されてもよい。追加的又は代替的に、イルミネータＩＬは、瞳面内の複数の等間隔セクタにおいて強度分布が０でないように、瞳面内のビームの分布を限定するように動作可能でもよい。イルミネータＩＬの瞳面内の放射ビームの強度分布は、照明モードと呼ばれる場合がある。
【００８９】
[00112]  イルミネータＩＬは、ビームの強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＭを含んでもよい。一般に、少なくともイルミネータの瞳面内の強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。イルミネータＩＬは、ビームの角度分布を変化させるように動作可能でもよい。例えば、イルミネータは、強度分布が０でない瞳面内のセクタの数及び角度範囲を変更するように動作可能でもよい。イルミネータの瞳面内のビームの強度分布を調整することによって、異なる照明モードが達成されてもよい。例えば、イルミネータＩＬの瞳面内の強度分布の半径及び角度範囲を限定することによって、強度分布は、例えば、ダイポール、四極、又は六極分布などの多極分布を有してもよい。所望の照明モードが、例えば、その照明モードを提供する光学部品をイルミネータＩＬに挿入することによって、又は空間光変調器を用いることによって、得られてもよい。
【００９０】
[00113]  イルミネータＩＬは、ビームの偏光を変更するように動作可能でもよく、及びアジャスタＡＭを用いて偏光を調整するように動作可能でもよい。イルミネータＩＬの瞳面にわたる放射ビームの偏光状態は、偏光モードと呼ばれる場合がある。異なる偏光モードの使用は、基板Ｗ上に形成される像において、より大きなコントラストの達成を可能にすることができる。放射ビームは、非偏光でもよい。代替的に、イルミネータは、放射ビームを直線偏光するように配置されてもよい。放射ビームの偏光方向は、イルミネータＩＬの瞳面にわたって異なってもよい。放射の偏光方向は、イルミネータＩＬの瞳面内の異なる領域において異なってもよい。放射の偏光状態は、照明モードに基づいて選択されてもよい。多極照明モードの場合、放射ビームの各極の偏光は、イルミネータＩＬの瞳面内のその極の位置ベクトルに対してほぼ垂直でもよい。例えば、ダイポール照明モードの場合、放射は、ダイポールの２つの対向するセクタを二等分する線に対してほぼ垂直な方向に直線偏光されてもよい。放射ビームは、Ｘ偏光状態及びＹ偏光状態と呼ばれる場合がある２つの異なる直交方向の一方に偏光されてもよい。四極照明モードの場合、各極のセクタにおける放射は、そのセクタを二等分する線に対してほぼ垂直な方向に直線偏光されてもよい。この偏光モードは、ＸＹ偏光と呼ばれる場合がある。同様に、六極照明モードの場合、各極のセクタにおける放射は、そのセクタを二等分する線に対してほぼ垂直な方向に直線偏光されてもよい。この偏光モードは、ＴＥ偏光と呼ばれる場合がある。
【００９１】
[00114]  さらに、イルミネータＩＬは、一般に、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを含む。イルミネータは、断面に所望の均一性及び強度分布を持つ、調節された放射ビームＰＢを提供する。
【００９２】
[00115]  放射ビームＰＢは、サポート構造ＭＴ上に保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射する。ビームＰＢは、パターニングデバイスＭＡを横断した後、ビームの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃに合わせる投影系ＰＳを通過する。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉デバイス）を用いて、例えば異なるターゲット部分ＣをビームＰＢのパス内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、例えばマスクライブラリの機械検索後に、又はスキャン中に、第１の位置決めデバイスＰＭ及び別の位置センサ（図１では明確に描かれていない）を用いて、ビームＰＢのパスに対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクトテーブルＭＴ及びＷＴの移動は、位置決めデバイスＰＭ及びＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現される。但しステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよく、又は固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。
【００９３】
[00116]  投影系ＰＳは、不均一となり得る（これは、基板Ｗ上に結像されるパターンに影響を与え得る）光学伝達関数を有する。非偏光放射の場合、このような影響は、投影系ＰＳを出射する放射の透過（アポディゼーション）及び相対位相（収差）を、それの瞳面内での位置の関数として記述する２つのスカラーマップによって、かなり良く表すことができる。透過マップ及び相対位相マップと呼ばれる場合があるこれらのスカラーマップは、基底関数の完全なセットの線形結合として表現することができる。特に便利なセットは、単位円上で定義される直交多項式のセットを形成するゼルニケ多項式である。各スカラーマップの決定は、そのような展開における係数を決定することを含んでもよい。ゼルニケ多項式は、単位円上で直交するので、ゼルニケ係数は、各ゼルニケ多項式と測定されたスカラーマップの内積を順に演算し、これを、当該ゼルニケ多項式のノルムの二乗で除算することによって決定されてもよい。
【００９４】
[00117]  透過マップ及び相対位相マップは、フィールド及びシステムに依存する。すなわち、一般に、各投影系ＰＳは、各フィールド点に対して（すなわち、それの像面における各空間位置に対して）異なるゼルニケ展開を有する。瞳面内の投影系ＰＬの相対位相は、例えば、投影系ＰＳの対物面（すなわち、パターニングデバイスＭＡの面）内の点状放射源から投影系ＰＳを通して放射を投影することによって、及びシヤリング干渉計を用いて波面（すなわち、同じ位相を持つ点の軌跡）を測定することによって決定されてもよい。シヤリング干渉計は、共通経路干渉計であり、従って、有利に、波面の測定に二次基準ビームが必要とされない。シヤリング干渉計は、投影系の像面（すなわち、基板テーブルＷＴ）内に回折格子（例えば二次元グリッド）と、投影系ＰＳの瞳面と共役な面内で干渉パターンを検出するように配置された検出器とを含んでもよい。干渉パターンは、シヤリング方向の瞳面内の座標に対する放射の位相の導関数に関連する。検出器は、例えば電荷結合デバイス（ＣＣＤ）などのセンシング要素のアレイを含んでもよい。
【００９５】
[00118]  回折格子は、投影系ＰＳの座標系の軸（ｘ及びｙ）と一致してもよい、又はこれらの軸に対して４５度などの角度を成していてもよい、２つの直角を成す方向に順次スキャンされてもよい。スキャンは、例えば１格子周期といった整数の格子周期にわたって行われてもよい。スキャンは、一方の方向における位相変動を平均し、他方の方向における位相変動が再構築されることを可能にする。これは、波面が両方向の関数として決定されることを可能にする。
【００９６】
[00119]  瞳面内の投影系ＰＳの透過（アポディゼーション）は、例えば、投影系ＰＳの対物面（すなわち、パターニングデバイスＭＡの面）内の点状放射源から投影系ＰＳを通して放射を投影することによって、及び検出器を用いて投影系ＰＳの瞳面と共役な面内の放射の強度を測定することによって決定されてもよい。収差を決定するための波面の測定に使用されたのと同じ検出器が使用されてもよい。投影系ＰＳは、複数の光学（例えばレンズ）要素を含んでもよく、及び収差（フィールド全体の瞳面にわたる位相変動）を補正するために光学要素の１つ又は複数を調整するように構成された調整機構ＰＡをさらに含んでもよい。これを達成するために、調整機構ＰＡは、投影系ＰＳ内の１つ又は複数の光学（例えばレンズ）要素を１つ又は複数の異なるやり方で操作するように動作可能でもよい。投影系は、光軸がｚ方向に延びる座標系を有してもよい。調整機構ＰＡは、以下の任意の組み合わせを行うように動作可能でもよい：１つ又は複数の光学要素を変位させること；１つ又は複数の光学要素を傾斜させること；及び／又は１つ又は複数の光学要素を変形させること。光学要素の変位は、任意の方向（ｘ、ｙ、ｚ又はそれらの組み合わせ）のものでもよい。光学要素の傾斜は、一般的に、ｘ又はｙ方向の軸周りを回転することによって（ｚ軸周りの回転は、非回転対称非球面光学要素に使用されてもよい）、光軸に垂直な面から外れる。光学要素の変形は、低周波形状（例えば非点収差）及び高周波形状（例えば自由形状非球面）の両方を含んでもよい。光学要素の変形は、例えば、１つ又は複数のアクチュエータを用いて光学要素の１つ又は複数の側面に力を及ぼすことによって、及び／又は１つ又は複数の加熱要素を用いて光学要素の１つ又は複数の選択された領域を加熱することによって行われてもよい。一般に、アポディゼーション（瞳面にわたる透過変動）を補正するために投影系ＰＳを調整することが可能ではない場合がある。リソグラフィ装置ＬＡ用のパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを設計する際に、投影系ＰＳの透過マップが使用されてもよい。計算機リソグラフィ技術を用いて、パターニングデバイスＭＡは、少なくとも部分的にアポディゼーションを補正するように設計されてもよい。
【００９７】
[00120]  パターニングプロセスの変数は、「プロセス変数」と呼ばれる。パターニングプロセスは、リソグラフィ装置におけるパターンの実際の転写の上流及び下流のプロセスを含んでもよい。図２は、プロセス変数３７０のカテゴリ例を示す。第１のカテゴリは、リソグラフィ装置又はリソグラフィプロセスで使用されるその他の装置の変数３１０でもよい。このカテゴリの例は、リソグラフィ装置の照明、投影系、基板ステージなどの変数を含む。第２のカテゴリは、パターニングプロセスで行われる１つ又は複数のプロシージャの変数３２０でもよい。このカテゴリの例は、焦点制御又は焦点測定、ドーズ制御又はドーズ測定、帯域幅、露光期間、現像温度、現像に使用される化学組成などを含む。第３のカテゴリは、パターニングデバイスにおける、又はパターニングデバイスを用いた、設計レイアウト及びその実施の変数３３０でもよい。このカテゴリの例は、アシストフィーチャの形状及び／又は位置、解像度向上技術（ＲＥＴ）によって適用される調整、マスクフィーチャのＣＤなどを含んでもよい。第４のカテゴリは、基板の変数３４０でもよい。例は、レジスト層の下の構造の特性、レジスト層の化学組成及び／又は物理的寸法などを含む。第５のカテゴリは、パターニングプロセスの１つ又は複数の変数の時間的変動の特性３５０でもよい。このカテゴリの例は、高周波ステージ移動の特性（例えば、周波数、振幅など）、高周波レーザ帯域幅変化（例えば、周波数、振幅など）、及び／又は高周波レーザ波長変化を含む。これらの高周波変化又は移動は、基本的な変数（例えばステージ位置、レーザ強度）を調整するための機構の応答時間を超えるものである。第６のカテゴリは、スピンコーティング、ポストベーク（ＰＥＢ）、現像、エッチング、堆積、ドーピング、及び／又はパッケージングなどのリソグラフィ装置におけるパターン転写の上流又は下流のプロセスの特性３６０でもよい。
【００９８】
[00121]  プロセス変数の一部又は全ての値は、適切な方法によって決定することができる。例えば、これらの値は、様々なメトロロジツール（例えば、基板メトロロジツール）を用いて取得されたデータから決定されてもよい。これらの値は、パターニングプロセスにおける装置の様々なセンサ又はシステム（例えば、リソグラフィ装置のレベリングセンサ又はアライメントセンサなどのセンサ、リソグラフィ装置の制御システム（例えば、基板又はパターニングデバイステーブル制御システム）、トラックツールにおけるセンサなど）から取得されてもよい。これらの値は、パターニングプロセスのオペレータからのものでもよい。
【００９９】
[00122]  プロセス変数は、「モデリング可能な」場合、又は「モデリングされない」場合がある。プロセス変数がモデリング可能であるとは、メトロロジデータに対するプロセス変数（例えば、焦点、ドーズなど）の変化の寄与が、計算モデルによって決定可能であること、又は計算モデルによって決定されることを意味する。簡単な例では、モデリング可能なプロセス変数の変化の寄与は、その変化と、モデリング可能なプロセス変数に対するメトロロジデータの感度との積である。メトロロジデータの非限定的例は、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）、クリティカルディメンジョン均一性（ＣＤＵ）、側壁角、エッジ位置、オーバーレイ、焦点、パターンシフトなどを含み得る。メトロロジデータは、個々のパターンの特性の値、又はパターングループの特性の統計値（例えば平均）でもよい。プロセス変数がモデリングされないとは、メトロロジデータに対するプロセス変数（例えば、現像、エッチングなど）の変化の寄与が、適切な時期に、又はそれが計算モデルによって、決定することができない又は正確に決定することができないという理由で、計算的にモデリングされないことを意味する。プロセス変数は、それがメトロロジデータにどのように影響を及ぼすかの知識の欠如により、モデリングされない場合がある。例えば、第４のカテゴリの一部のプロセス変数（例えば、レジスト層の組成）、及び第６のカテゴリの一部のプロセス変数（例えば、ＰＥＢ、現像、エッチング、堆積、又はドーピングの特性）は、メトロロジデータと完全に理解された関係をまだ持たない場合があり、従って、メトロロジデータに対するそれらの変化の寄与は、計算モデリングによって簡単に決定できない。プロセス変数は、その値が知られていないため、モデリングされない場合がある。プロセス変数がモデリングされないとは、計算モデリングのプロセス変数が不可能であることを必ずしも意味しない。プロセス変数は、そのプロセス変数とメトロロジデータとの間の関係がまだ理解されていないため、モデリングされない場合がある。
【０１００】
[00123]  図３Ａは、モデリング可能なプロセス変数３１１の変化が、基板上のパターンのメトロロジデータ３５２に対する寄与３１２を有し得ること（例えば、メトロロジデータは、ＣＤ、オーバーレイエラー、焦点、ドーズなどを決定することができる）、及びモデリングされないプロセス変数３２１の変化が、メトロロジデータ３５２に対する寄与３２２を有し得ることを模式的に示す。つまり、メトロロジデータ３５２は、モデリング可能なプロセス変数及びモデリングされないプロセス変数の両方の変化の統合寄与を有し得る。これらの寄与３１２及び３２２は、単純に加法でもよく（重み付き加算を含んでもよい）、又は他の関数（例えばコンボリューション）によって統合されてもよい。メトロロジデータ３５２は、モデリング可能な場合、又はモデリングされない場合がある他の変数の変化の寄与を有してもよい。例えば、モデリング可能なプロセス変数３１１は、パターンの露光に使用される焦点でもよい。パターンに対する焦点の変化の影響、及び従ってパターンのメトロロジデータは、通常既知であり、モデリングによって予測することができる。モデリングされないプロセス変数３２１は、基板をエッチングしてパターンを形成するために使用されるエッチングチャンバにおける設定（例えばヒータのセットポイント）でもよい。パターンに対するエッチング設定の変化の影響、及び従ってパターンのメトロロジデータは、まだ完全に分かっていない場合があり、及びその影響は、モデリングによって決定されない場合がある。
【０１０１】
[00124]  図３Ｂは、基板上のＣＤに対する統合寄与のモデリングの一例を模式的に示し、この寄与は、焦点（Ｆ）４００、基板の法線方向における基板の移動の移動標準偏差（ＭＳＤｚ）４１０、及び基板と平行な方向における基板の移動の移動標準偏差（ＭＳＤｘ）４２０などの複数のモデリング可能なプロセス変数の変化（例えばエラー）のものである。従って、この例では、焦点（Ｆ）４００のＣＤに対する寄与の一例は、寄与４３０として示され、移動標準偏差（ＭＳＤｚ）４１０のＣＤに対する寄与の一例は、寄与４４０として示され、及び移動標準偏差（ＭＳＤｘ）４２０のＣＤに対する寄与の一例は、寄与４４０として示される。これらの寄与の各々は、その後、統合される（４６０）。要素４６０（及び図の他の要素）がプラス記号を示すが、４６０での動作は、加算である必要はなく、例えば、それは、乗算、コンボリューションなどでもよい。一例では、統合寄与は、ＣＤ（ｘ，ｙ）＝ａ１＊ＣＤ（Ｆ）２（ｘ，ｙ）＋ｂ１＊ＣＤ（ＭＳＤｘ）（ｘ，ｙ）＋ｃ１＊ＣＤ（ＭＳＤｚ）（ｘ，ｙ）＋…で表される。ある実施形態では、寄与４３０、４４０、４５０は、それぞれ、焦点（Ｆ）４００、移動標準偏差（ＭＳＤｚ）４１０、及び移動標準偏差（ＭＳＤｘ）４２０の分布でもよく、その場合、ＣＤモデルを用いて、それらをＣＤ分布に統合する。さらに、ここに示されない交差項（例えばＦ×ＭＳＤの関数としてのＣＤなど）が存在してもよい。ＣＤの絶対値を得るために、ＣＤの公称値又はシミュレーション値を寄与と統合してもよい。ａ１、ｂ１、ｃ１などの係数は、モデリング可能なプロセス変数又はそれらの関数に対するメトロロジデータＣＤの感度である。ＭＳＤは、リソグラフィ装置におけるパターン転写中の基板の位置決めエラーの移動標準偏差（ＭＳＤ）であり、従って、位置決めエラーの高周波部分を表す。この例では、寄与は、１つの基板にわたるが、ある実施形態では、寄与の１つ又は複数は、ダイ／フィールド毎でもよい（この場合、例えば各事例での適用可能な条件に応じて、基板にわたって繰り返されてもよい）。寄与（又はそれの絶対値への変換）は、それが基板／ダイ／フィールドにわたって空間的に定義可能であるので、フィンガープリントとして特性化されてもよい。
【０１０２】
[00125]  図４Ａは、メトロロジデータ５５０が２つの寄与５１２及び５２２を有することを模式的に示す。寄与５１２は、１つ又は複数のモデリング可能なプロセス変数５１１の変化によるものである。寄与５２２は、モデリングされない場合、モデリング可能である場合、又はそれらの混合である場合がある、１つ又は複数の他のプロセス変数の変化によるものである。寄与５２２は、メトロロジデータ５５０から寄与５１２を除去することによって取得されてもよい。定義上、寄与５１２は、１つ又は複数のモデリング可能なプロセス変数５１１をモデリングすることによって決定されてもよい。寄与５１２は、１つ又は複数のモデリング可能なプロセス変数５１１の関数として表されてもよい。この関数は、線形又は非線形でもよい。
【０１０３】
[00126]  図４Ｂは、２つの寄与５４２及び５３２を有する前述のメトロロジデータ５７０を模式的に示す。寄与５４２は、１つ又は複数のモデリングされないプロセス変数５４１の変化によるものである。寄与５３２は、モデリングされない場合、モデリング可能である場合、又はそれらの混合である場合がある、１つ又は複数の他のプロセス変数の変化によるものである。寄与５３２は、メトロロジデータ５７０から寄与５４２を除去することによって取得されてもよい。１つ又は複数のプロセス変数５４１はモデリング可能ではないが、寄与５４２が、実験的に、又は経験的に決定されてもよい。
【０１０４】
[00127]  １つ又は複数のモデリング可能な変数の寄与は、リソグラフィ装置に特有のものでもよく、すなわち、１つ又は複数のモデリング可能な変数の寄与は、ある特定の実際のリソグラフィ装置に特有である。ある実施形態では、１つ又は複数のモデリング可能な変数の寄与は、ある特定の基板に特有のものではない（従って、複数の基板にわたって使用することができる）。従って、１つ又は複数のモデリング可能な変数の寄与は、予め特性化され、及び後に、様々な統合プロセスのためにデータベースから取得されてもよい。この１つ又は複数のモデリング可能な変数の寄与は、それを、ある特定の基板の１つ又は複数の変数及び感度関係のデータと統合することによって、その特定の基板に適用することができる。１つ又は複数のモデリング可能な変数の寄与は、基板に特有のものでもよい。例えば、寄与は、各基板又は特定の基板グループに関して決定されてもよい。そのような変数の例は、限定されないが、照明、投影系、焦点、ドーズ、帯域幅、露光期間、高周波ステージ移動の特性（例えば、基板ステージの移動の移動標準偏差（ＭＳＤ）、基板ステージの移動の移動平均など）、高周波レーザ帯域幅変化（例えば、周波数、振幅など）、高周波レーザ波長変化、及び／又は基板の平坦性を含み得る。
【０１０５】
[00128]  １つ又は複数のモデリング可能な変数の寄与は、パターン又はパターニングデバイスに特有のものでもよく、すなわち、寄与は、ある特定の実際のパターニングデバイス又はパターニングデバイスによって提供される特定のパターンに特有である。この寄与は、さらに基板に依存していなくてもよい。従って、パターン又はパターニングデバイスに特有の寄与は、予め特性化され、及び後に、様々な統合プロセスのためにデータベースから取得されてもよい。このような変数の例は、限定されないが、マスクＣＤ、アシストフィーチャの形状及び／又は位置、解像度向上技術（ＲＥＴ）によって適用される調整などを含み得る。
【０１０６】
[00129]  １つ又は複数のモデリングされない変数の寄与は、基板に依存していなくてもよく、又は基板に依存していてもよい。ある実施形態では、１つ又は複数のモデリングされない変数の寄与は、各基板にわたって繰り返し使用されてもよい。従って、１つ又は複数のモデリングされない変数の寄与は、予め特性化され、及び様々な統合プロセスのためにデータベースから取得されてもよい。１つ又は複数のモデリングされない変数の寄与は、装置（全体として、又は装置の特定の部分（例えばエッチングチャンバ））に特有でもよい。このような変数の例は、限定されないが、スピンコーティング、ＰＥＢ、現像、エッチング、堆積、ドーピング、及び／又はパッケージングなどのリソグラフィ装置におけるパターン転写の上流又は下流のプロセスの様々な特性を含み得る。
【０１０７】
[00130]  異なるプロセス変数の変化の寄与は、基板にわたり、異なる空間均一性を有していてもよい。例えば、１つ又は複数のモデリングされないプロセス変数の変化の寄与は、基板全体にわたり基本的に均一となり得るが、１つ又は複数のモデリング可能なプロセス変数の変化の寄与は、基板全体にわたり、あまり均一ではない場合がある。この差は、プロセス変数の異なる性質に起因し得る。例えば、レジスト層、レジスト層の現像、及び／又は基板のエッチングに関連した１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与は、基板全体が、通常、同時に、且つ同じ条件下で、レジスト層でコーティングされ、現像され、又はエッチングされるので、基本的に均一となる傾向があり、又は多くのこれらのプロセスの間、基板の回転により、回転対称となる傾向がある。例えば、露光又はリソグラフィ装置に関連した１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与は、露光が、ダイ毎に行われる傾向があるので、均一性が低い傾向にあり、及び１つ又は複数のプロセス変数は、あるダイの露光と、別のダイの露光とで変化し得る。従って、基板にわたり基本的に均一でない寄与を、あるパターンのメトロロジデータから除去することができれば、基板にわたり基本的に均一な寄与を、このパターン及び基板上の他の位置のパターンのメトロロジデータから取得することができる。
【０１０８】
[00131]  従って、ある特定の例では、レベリング情報、基板の移動の移動平均（ＭＡ）、ＭＳＤｘｙｚ、ドーズ、レーザ帯域幅、瞳形状などのデータを、ウェーハ上の露光される各点に関して、リソグラフィ装置から収集することができる。このデータは、一般的に、リソグラフィ装置において、例えば診断ファイルにおいて、既に利用可能である。このデータから、上記の寄与（これは、寄与が基板にわたり空間的に分布される仮想基板又は基板フィンガープリントとしても表現することができる）は、関心のあるフィーチャのＣＤモデル及びＣＤＵ感度（ＣＤは、評価が望まれるメトロロジ変数である）を用いて生成することができる。感度は、シミュレーションから、又は実験から取得することができる。このように生成された寄与は、トラック及びレジストモデル較正が完璧であると仮定して、レジスト現像後の測定中に見られるはずのものである。例えば現像後、又はエッチング後に基板が測定されると、寄与（例えば、仮想基板又は仮想フィンガープリント）が、同等な測定（例えばＣＤＵ測定）から除去される。残りの寄与（例えばフィンガープリント）は、この時点で、プリ又はポストパターン転写プロセス（例えば、一般にフィールド間であるトラック及び／又はエッチング装置による）及びパターニングデバイス（フィールド内）による寄与である。リソグラフィ装置エラーは、測定されたデータから補正済みであるだろう。同様に、パターニングデバイスの寄与が測定され、且つその寄与が除去されて、プリ又はポストパターン転写プロセスによる寄与を残してもよい。
【０１０９】
[00132]  従って、寄与は、プロセスフロー（例えば、使用されるパターニングパラメータ及び／又は装置の組み合わせ）毎に、又は特定の装置又はそれの一部（例えば、エッチング装置又はエッチングチャンバ）毎に除去することができる。フィールド内フィンガープリントの場合、リソグラフィ装置の外乱及び／又はそれの寄与に表されるシステマティクスから一掃されると、パターニングデバイス対基板測定のはるかに優れた相関を得ることが可能となるはずである。
【０１１０】
[00133]  さらに、例えばリソグラフィ装置の寄与の除去は、フィーチャ間デルタフィンガープリントの大幅な減少をもたらすことができる。これは、あるフィーチャに関して測定されたフィンガープリントが、別のフィーチャの欠陥予測に使用される場合に有用となり得る（例えば、これは、パターンフィーチャ自体が測定されない、又は測定されなくてもよいパターンフィーチャの欠陥を予測するために測定を使用することができるように、機能デバイスフィーチャではなくターゲットフィーチャ（例えば格子）の測定が行われる場合に有用となる）。
【０１１１】
[00134]  従って、例えばリソグラフィ装置の寄与の除去は、測定結果のノイズを減少させ（リソグラフィ装置のばらつきが補正されるため）、非リソグラフィ装置のフィンガープリントの測定をより正確にし、及び／又は原因が解明されていないリソグラフィ装置のフィンガープリントのトラブルシューティングに対して測定をより適するようにすることができる。
【０１１２】
[00135]  図５は、ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与６１２が、基板上の第１のパターンのメトロロジデータ６５０から除去され、その結果、メトロロジデータ６５０に対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与６２２を取得し、例えば、寄与６２２は、寄与６１２よりも高い空間均一性を有する。同じ又は異なる基板上の第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与６４２は、第２のパターンからメトロロジデータを実際に取得する必要なく、寄与６２２に基づいて取得することができる。例えば、寄与６４２は、第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化が、メトロロジデータに対する高い空間均一性を持つ寄与を生じさせるので、寄与６２２と同じであると推定されてもよい。任意選択的なプロシージャ６６０では、第２のパターンに計測を行うことなく、寄与６４２に基づいて、第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の内の１つ又は複数のプロセス変数を調整することによって、第２のパターンにおける欠陥の確率を減少させることができる。一例では、第１のパターンは、テスト目的のパターンでもよく（すなわちターゲット）、及び第１のパターンに計測を行うことは、基板上の機能パターンに影響を与えず、第２のパターンは、１つ又は複数の機能パターンであり、及び第２のパターンに計測を行うことは、従って、それに悪影響を与える場合があり、回避されるべきである。図５のこのフローは、第２のパターンに計測を行うことなく、少なくともあるプロセス変数（すなわち、ここでは第２のグループ）による第２のパターンへの影響を取得する方法を提供する。一例では、第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数は、焦点、ドーズ、基板の位置決め、及び／又は基板の露光中のリソグラフィ装置の他の変数を含んでもよい。第１のパターン及び第２のパターンは同時に露光されない場合があるので、これらの変数（例えば、それらの値）は、第１のパターン及び第２のパターンによって異なり得る。第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数は、基板全体にわたり実質的に均一な、ＰＥＢ温度及び／又は期間、デベロッパの濃度及び／又は期間、エッチング速度などを含み得る。第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数は、基板全体に適用されるので（例えば、基板全体が同じベーキング及び現像条件を課される）、第１のパターン及び第２のパターンに対する影響は、類似する傾向がある。
【０１１３】
[00136]  図６は、ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与６１２が、基板上の第１のパターンのメトロロジデータ６５０から除去され、その結果、メトロロジデータ６５０に対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与６２２を取得し、寄与６２２は、例えば、寄与６１２よりも高い空間均一性を有する。基板上の第２のパターンのメトロロジデータ６５５に対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与６４２は、寄与６２２に基づいて取得することができる。例えば、寄与６４２は、プロセス変数の１つ又は複数の第２のグループの変化が、メトロロジデータに対する高い空間均一性を持つ寄与を生じさせるので、寄与６２２と同じであると推定されてもよい。プロセス変数の１つ又は複数の第２のグループの変化の寄与６４２は、次に、メトロロジデータ６５５（例えば、第１及び第２のグループのプロセス変数に関与するプロセス後に実際に測定された第２のパターンのデータ）から除去され、その結果、第２のパターンにおけるプロセス変数の１つ又は複数の第１のグループの値を実際に取得することなく、メトロロジデータ６５５に対するプロセス変数の１つ又は複数の第１のグループの変化の寄与６３２を取得することができる。プロシージャ６７０では、寄与６３２、寄与６４２、又はそれらの統合に基づいて、プロセス変数の１つ又は複数の第１のグループの変数の１つ又は複数を調整することによって、第２のパターンにおける欠陥の確率を減少させてもよい。図６のこのフローは、第２のパターンに関するメトロロジデータが利用可能である場合の寄与６４２の推定の別の利用である。一例では、プロセス変数の１つ又は複数の第１のグループは、焦点、ドーズ、基板の位置決め、及び／又は基板の露光中のリソグラフィ装置の他の変数を含んでもよく、プロセス変数の１つ又は複数の第２のグループは、例えば基板全体にわたり実質的に均一な、ＰＥＢ温度及び／又は期間、デベロッパの濃度及び／又は期間、エッチング速度などを含んでもよい。
【０１１４】
[00137]  パターニングデバイス上の、又はパターニングデバイスによって提供される様々なパターンは、異なるプロセスウィンドウ、すなわち、仕様の範囲内でパターンが生成されるプロセス変数の空間を有していてもよい。潜在的システマティック欠陥に関連するパターン仕様の例は、ネッキング、ラインプルバック、ライン細線化、ＣＤ、エッジ配置、オーバーラッピング、レジストトップロス、レジストアンダーカット、及び／又はブリッジングを含む。パターニングデバイス又はそれの一領域上の全てのパターンのプロセスウィンドウは、各個々のパターンのプロセスウィンドウを併合（例えば、オーバーラッピング）することによって取得されてもよい。全パターンのプロセスウィンドウの境界は、個々のパターンの一部のプロセスウィンドウの境界を含む。つまり、これらの個々のパターンは、全パターンのプロセスウィンドウを限定する。これらのパターンは、本明細書では代替可能に使用される「ホットスポット」又は「プロセスウィンドウ限定パターン（ＰＷＬＰ）」と呼ばれる場合がある。パターニングプロセスを制御する際に、ホットスポットに注目することが可能且つ経済的である。ホットスポットに欠陥がなければ、全パターンに欠陥がない可能性が最も高い。
【０１１５】
[00138]  数学的観点から、プロセスウィンドウは、全てのプロセス変数が及ぶベクトル空間内の領域である。あるパターニングプロセスにおいて、パターンのプロセスウィンドウは、そのパターンの仕様及びパターニングプロセスに関与する物理特性によってのみ定められる。つまり、仕様及び物理特性がパターニングプロセス中に変化しなければ、プロセスウィンドウは変化しない。
【０１１６】
[00139]  しかしながら、プロセス変数の一部は、モデリングされない場合があり、従って、１つ又は複数のパターンの仕様が定めるこれらのモデリングされないプロセス変数の値の境界は、モデリングによって得られない場合がある。従って、プロセスウィンドウとして、全プロセス変数が及ぶベクトル空間内の領域を使用することは、便利ではない場合がある。全プロセス変数（「フルＰＷ」）が及ぶ領域の代わりに、部分空間の領域（すなわち全プロセス変数より少ないプロセス変数が及ぶ空間）（「サブＰＷ」）が使用されてもよい。例えば、多くのプロセス変数を有するパターニングプロセスでは、焦点及びドーズが及ぶ部分空間の領域がサブＰＷとして使用されてもよい。部分空間の範囲に及ぶプロセス変数は、全てモデリング可能でもよい。サブＰＷの範囲に及ばないこれらのプロセス変数が、１つ又は複数のモデリングされないプロセス変数を含む場合、サブＰＷの範囲に及ぶプロセス変数の値が、１つ又は複数のモデリングされないプロセス変数のあらゆる可能性のある値において、仕様の範囲内でパターンを作る値である必要があるので、サブＰＷは、小さくなり得る。一例では、サブＰＷの範囲に及ばないプロセス変数は、レジスト層の下の構造の特性、レジスト層の化学組成及び／又は物理的寸法、及び／又はスピンコーティング、ＰＥＢ、現像、エッチング、堆積、ドーピング、及び／又はパッケージングなどのリソグラフィ装置におけるパターン転写の上流又は下流の１つ又は複数のプロセスの特性などの、１つ又は複数のモデリングされないプロセス変数を含んでもよい。このような変数はモデリングされないので、メトロロジデータに対するそれの影響は、決定が難しい。
【０１１７】
[00140]  図７Ａ及び図７Ｂは、サブＰＷに対する１つ又は複数のモデリングされないプロセス変数の影響を模式的に示す。便宜上、図７Ａでは、ＰＷは、実際には他の次元を有し得るが、三次元（例えば、焦点（ｆ）、ドーズ（ｄ）、及びモデリングされない別のプロセス変数Ｘ）空間の領域として描かれる。プロセス変数の内の２つ（焦点（ｆ）及びドーズ（ｄ））が及ぶサブＰＷは、ＰＷの断面（例えば断面７０１〜７０５）として示される。図７Ｂは、Ｘの可能値が断面７０１と７０５との間である場合に、ｆ及びｄが及ぶサブＰＷは、断面７０１と７０５との間の全断面の重複部分である網掛け部分である（なぜなら、網掛け部分内のｆ及びｄの値は、断面７０１と７０５との間のあらゆるＸの値において、パターンが仕様の範囲内であることを保証するからである）ことを模式的に示す。モデリングされないプロセス変数Ｘの例は、レジスト層の下の構造の特性、レジスト層の化学組成及び／又は物理的寸法、及び／又はスピンコーティング、ＰＥＢ、現像、エッチング、堆積、ドーピング、及び／又はパッケージングなどのリソグラフィ装置におけるパターン転写の上流又は下流の１つ又は複数のプロセスの特性を含み得る。
【０１１８】
[00141]  図８は、ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。プロセス変数の１つ又は複数の第１のグループの変化の寄与８１２が、第１のパターンのメトロロジデータ８５０から除去され、その結果、メトロロジデータ８５０に対するプロセス変数の１つ又は複数の第２のグループの変化の寄与８２２を取得する。第１のグループは、全てのモデリング可能なプロセス変数を含み、第２のグループは、全てのモデリングされないプロセス変数を含む。基板上の第２のパターンのメトロロジデータに対するプロセス変数の１つ又は複数の第２のグループの変化の寄与８４２は、寄与８２２に基づいて取得することができる。第２のパターンのメトロロジデータは、寄与８４２を取得するために利用可能である必要はない。例えば、寄与８４２は、プロセス変数の１つ又は複数の第２のグループの変化が、メトロロジデータに対する高い空間均一性を持つ寄与を生じさせる場合、寄与８２２と同じであると推定されてもよい。プロシージャ８７０では、第２のパターンに関する第１のグループのプロセス変数が及ぶサブＰＷが、寄与８４２に基づいて取得される。任意選択的なプロシージャ８８０では、第１のグループのプロセス変数のプロセス変数の内の１つ又は複数の値が、サブＰＷ（及び任意選択的に寄与８１２と共に）に基づいて、第２のパターンにおける欠陥の確率を減少させるように調整されてもよい。サブＰＷは、第１のグループのプロセス変数の値に基づいて、第２のパターンに欠陥が存在するか否かを決定するために使用されてもよい。第２のグループのプロセス変数の例は、レジスト層の下の構造の特性、レジスト層の化学組成及び／又は物理的寸法、及び／又はスピンコーティング、ＰＥＢ、現像、エッチング、堆積、ドーピング、及び／又はパッケージングなどのリソグラフィ装置におけるパターン転写の上流又は下流の１つ又は複数のプロセスの特性を含み得る。第１のグループのプロセス変数の例は、リソグラフィ装置の照明、投影系、基板ステージなど、焦点、ドーズ、帯域幅、露光期間、アシストフィーチャの形状及び／又は位置、解像度向上技術（ＲＥＴ）によって適用される調整、高周波ステージ移動の特性（例えば、周波数、振幅など）、高周波レーザ帯域幅変化（例えば、周波数、振幅など）、及び／又は高周波レーザ波長変化の変数を含み得る。
【０１１９】
[00142]  図９は、ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。例えばホットスポットのメトロロジデータに対する、第１のグループの１つ又は複数のモデリング可能なプロセス変数９１１の変化の寄与９１２は、例えばモデリングによって決定される。第２のグループの１つ又は複数のモデリングされないプロセス変数９２１の変化の寄与９２２が取得される。寄与９２２は、実験によって取得されてもよく、及びデータベースから取得されてもよい。寄与９２２は、例えば、図６の寄与６４２を取得するフローを用いて取得されてもよい（つまり、寄与９２２は、ホットスポットとは異なるパターンのメトロロジデータに対する、第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に基づいて取得されてもよい）。寄与９１２は、基板毎に決定されてもよいが、寄与９２２は、多数の基板にわたって繰り返し使用されてもよい。寄与９１２及び寄与９２２を統合して、実際にホットスポットに計測を行うことなく、ホットスポットのメトロロジデータの推定値９５０が取得される。プロシージャ９７０では、メトロロジデータの推定値に基づいて、ホットスポットに欠陥があるか否かが決定される。第２のグループのプロセス変数の例は、レジスト層の下の構造の特性、レジスト層の化学組成及び／又は物理的寸法、及び／又はスピンコーティング、ＰＥＢ、現像、エッチング、堆積、ドーピング、及び／又はパッケージングなどのリソグラフィ装置におけるパターン転写の上流又は下流の１つ又は複数のプロセスの特性を含み得る。第１のグループのプロセス変数の例は、リソグラフィ装置の照明、投影系、基板ステージなど、焦点、ドーズ、帯域幅、露光期間、アシストフィーチャの形状及び／又は位置、解像度向上技術（ＲＥＴ）によって適用される調整、高周波ステージ移動の特性（例えば、周波数、振幅など）、高周波レーザ帯域幅変化（例えば、周波数、振幅など）、及び／又は高周波レーザ波長変化の変数を含み得る。
【０１２０】
[00143]  図１０は、ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与１０１２が、あるパターンのメトロロジデータ１０５０から除去され、その結果、そのパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与１０２２を取得する。第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数は、少なくとも全てのモデリングされないプロセス変数を含むが、モデリング可能なプロセス変数を含んでも、又は含まなくてもよい。第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の全てのプロセス変数は、モデリング可能である。プロシージャ１０７０では、メトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を決定するためのモデルの１つ又は複数のパラメータが、寄与１０２２に対してフィッティングされ、その結果、モデルの１つ又は複数のパラメータの値１０８０を取得する。モデリングされないプロセス変数の例は、レジスト層の下の構造の特性、レジスト層の化学組成及び／又は物理的寸法、及び／又はスピンコーティング、ＰＥＢ、現像、エッチング、堆積、ドーピング、及び／又はパッケージングなどのリソグラフィ装置におけるパターン転写の上流又は下流の１つ又は複数のプロセスの特性を含み得る。モデリング可能なプロセス変数の例は、リソグラフィ装置の照明、投影系、基板ステージなど、焦点、ドーズ、帯域幅、露光期間、アシストフィーチャの形状及び／又は位置、解像度向上技術（ＲＥＴ）によって適用される調整、高周波ステージ移動の特性（例えば、周波数、振幅など）、高周波レーザ帯域幅変化（例えば、周波数、振幅など）、及び／又は高周波レーザ波長変化の変数を含み得る。
【０１２１】
[00144]  従って、一例として、プロセス及び／又は基板スタックにおける変化に適応するためのモデル及びそのモデルで表現される感度を有することが望ましい。従って、ある実施形態では、測定される各基板の予測ＣＤＵ（又はオーバーレイ）基板フィンガープリントをリソグラフィ装置から生成することができる。このために、前もって（例えばオリジナルのモデル較正中に）確立されたＣＤモデル、例えば、上記のようなＣＤ＝ａ１＊Ｄ＋ａ２＊Ｆ２＋ａ３＊ＭＳＤｘ＋ａ４＊ＭＳＤｙ＋ａ５＊ＭＳＤｚ＋…を使用することができる。基板の測定時に、プリ及び／又はポストプロセス（例えばトラック／エッチング）フィンガープリント及びパターニングデバイスフィンガープリントを測定されたＣＤから除去することができる。残りのＣＤＵフィンガープリント測定を予測されたＣＤ値と比較することができる。この状況では、この時点で、ＣＤ、ドーズ、焦点、ＭＳＤ−ｘｙｚ、収差などが既知である方程式の一セット（測定点と同数の方程式）が存在する。この方程式のセットは、望まれる感度（ａ１、ａ２、・・）について解くことができる。これが、ある特定の製品に関して測定された多数の基板に対して行われる場合、望まれるＣＤ感度を再推定するための多くのデータが存在する。複数のリソグラフィ装置からのデータが使用され、及び／又は焦点露光マトリックスの露光からのデータが同じように使用される場合、入力信号における十分なバリエーション（例えば、焦点、ドーズ、ＭＳＤ、ＣＤなど）が、感度の正確な推定を可能にすることができる。さらに、この技術は、焦点深度、露光寛容度などの他のメトロロジデータに適用することができる。
【０１２２】
[00145]  ある実施形態では、さらなる精度を付け足すために、トレーニングアルゴリズムが使用されてもよい。例えば、収差の感度を解く際に、収差がスリット上でのみ変動し、及びこれらの感度をフィッティングする前にＣＤ（又はオーバーレイ）データをプリフィルタリングすることができるという境界条件が考慮に入れられてもよい。
【０１２３】
[00146]  ある実施形態では、感度は、それらを時々又は継続的に再評価することによって、パターニングプロセスにおける変動に対してロバストになることができる。
【０１２４】
[00147]  図１１は、ある実施形態による方法のフローを模式的に示す。あるパターンのメトロロジデータに対するモデリング可能なプロセス変数の変化の寄与１１１２、及びメトロロジデータに対するモデリングされないプロセス変数の変化の寄与１１２２が、統合され、その結果、メトロロジデータの推定値１１５０を取得する。プロシージャ１１６０では、メトロロジデータの推定値１１５０が基準を満たすか否かが決定される。推定値１１５０が基準を満たさない場合、プロシージャ１１７０において、モデリングされないプロセス変数と寄与１１２２との間の関係に調整が行われる。例えば、モデリングされないプロセス変数がレジストのコーティングプロセスの特性を含む場合、関係の調整は、レジストの化学組成の変更を含んでもよい。例えば、モデリングされないプロセス変数がレジスト現像の特性を含む場合、関係の調整は、現像で使用される化学薬品の変更を含んでもよい。例えば、モデリングされないプロセス変数が基板のエッチングの特性を含む場合、関係の調整は、エッチング装置の変更を含んでもよい。このフローを用いて、エッチング装置の特性及び基板の特性に基づいて、幾つかのエッチング装置の中から選択することができる。例えば、この関係は、エッチング装置毎に確立することができる。
【０１２５】
[00148]  ある実施形態では、エッチングチャンバ間の性能の適切な一致を保証する限られた可能性及び経時的な性能ドリフトが存在することを考えれば、ＣＤ（又は他の変数）のエッチング後の性能は、ツール毎、チャンバ毎に変動し得る。これは、歩留まり損失を生じさせる可能性がある。従って、エッチング後のＣＤを測定して、プロセスフィンガープリントを取得することができる。次に、このプロセスフィンガープリントを用いて、エッチング前に利用可能な情報に基づいて、エッチング後の性能がどのようになるかを予測することができる。現像後及びエッチング後の両方でＣＤが測定される場合、純エッチングフィンガープリント（ＬＥＢ）を導出することができる。ＬＥＢフィンガープリントが、エッチャ及び／又はエッチングチャンバ毎に決定される場合、それらを用いて、エッチャ／エッチングチャンバ毎に、エッチング後のＣＤ性能及びエッチング後の欠陥確率を予測することができる。次に、基板（例えば、多数の基板）を処理するためにどのエッチングツール／エッチングチャンバを使用するかを、最小欠陥確率に基づいて、前もって選択することができる。
【０１２６】
[00149]  図１２は、インスペクション装置例（例えばスキャトロメータ）を描く。それは、放射を基板Ｗ上に投影する広帯域（白色光）放射プロジェクタ２を含む。再誘導された放射は、例えば左下のグラフに示されるような鏡面反射放射のスペクトル１０（波長の関数としての強度）を測定するスペクトロメータ検出器４に渡される。このデータから、検出されたスペクトルを生じさせる構造又はプロファイルが、プロセッサＰＵによって、例えば、厳密結合波分析及び非線形回帰によって、又は図１２の右下に示されるようなシミュレーションスペクトルのライブラリとの比較によって、再構築されてもよい。一般に、再構築のためには、構造の一般形態が既知であり、且つ幾つかの変数が、構造が作られたプロセスの知識から推測され、測定データから決定される、構造の数個の変数のみが残されている。このようなインスペクション装置は、法線入射インスペクション装置又は斜め入射インスペクション装置として構成されてもよい。
【０１２７】
[00150]  使用することができる別のインスペクション装置が、図１３に示される。このデバイスでは、放射源２によって放出された放射は、レンズ系１２を用いてコリメートされ、干渉フィルタ１３及びポラライザ１７を透過し、部分反射面１６によって反射され、及び望ましくは少なくとも０．９又は少なくとも０．９５の高開口数（ＮＡ）を有する対物レンズ１５を介して基板Ｗ上のスポットＳに焦点が合わせられる。液浸インスペクション装置（水などの比較的高い屈折率の流体を用いる）は、１を超える開口数を有してもよい。
【０１２８】
[00151]  リソグラフィ装置ＬＡなどの場合、測定動作中に基板Ｗを保持するために、１つ又は複数の基板テーブルが設けられてもよい。基板テーブルは、図１の基板テーブルＷＴと形態が類似してもよく、又は同一でもよい。インスペクション装置がリソグラフィ装置と一体化されるある例では、それらは、同じ基板テーブルでもよい。測定光学系に関連して基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに粗動及び微動ポジショナが提供されてもよい。例えば関心のあるターゲットの位置を獲得して、且つそれを対物レンズ１５の下の位置に至らせるために、様々なセンサ及びアクチュエータが設けられてもよい。一般的に、基板Ｗにわたる異なる位置で、ターゲットに関して多くの測定が行われる。基板サポートは、異なるターゲットを獲得するためにＸ及びＹ方向に、及び光学系の焦点に対するターゲットの所望の位置を取得するためにＺ方向に移動させることができる。例えば、実際には光学系が実質的に静止したままで（一般的にＸ及びＹ方向において、但し、場合によってはＺ方向においても）、且つ基板のみが移動する場合に、対物レンズが基板に対して異なる場所に移動させられるかのように考えること、及び動作を表現することが便利である。基板及び光学系の相対位置が正しいと仮定すると、原理上、現実の世界においてそれらのどちらが移動しているか、又は両方が移動しているか、又は光学系の一部が、光学系の残りの部分が静止した状態で移動し（例えば、Ｚ及び／又は傾斜方向に）、及び基板が移動する（例えば、Ｘ及びＹ方向に、但し任意選択にＺ及び／又は傾斜方向にも）という組み合わせかは重要ではない。
【０１２９】
[00152]  基板Ｗによって再誘導された放射は、次に、検出されたスペクトルを有するために検出器１８へと部分反射面１６を通過する。検出器１８は、後方投影焦点面１１に（すなわちレンズ系１５の焦点距離に）位置してもよく、又は面１１は、補助光学部品（不図示）を用いて、検出器１８上に再結像されてもよい。検出器は、基板ターゲット３０の二次元角散乱スペクトルを測定することができるように、二次元検出器でもよい。検出器１８は、例えばＣＣＤ又はＣＭＯＳセンサのアレイでもよく、及び例えば１フレームにつき４０ミリ秒の積分時間を用いてもよい。
【０１３０】
[00153]  例えば入射放射の強度を測定するために、基準ビームが使用されてもよい。これを行うために、放射ビームが部分反射面１６に入射すると、それの一部が、基準ビームとして基準ミラー１４に向けて部分反射面１６を透過する。次に基準ビームが、同じ検出器１８の異なる部分、又は代替的に異なる検出器（不図示）上に投影される。
【０１３１】
[00154]  例えば４０５〜７９０ｎｍ、又はさらに低い２００〜３００ｎｍなどの範囲内の関心のある波長を選択するために、１つ又は複数の干渉フィルタ１３が利用可能である。干渉フィルタは、異なるフィルタの一セットを含むのではなく、調節可能であってもよい。干渉フィルタの代わりに、格子が使用されてもよい。ターゲットに対する放射の入射角の範囲を制御するために、開口絞り又は空間光変調器（不図示）が照明パス内に設けられてもよい。
【０１３２】
[00155]  検出器１８は、単一波長（又は狭い波長範囲）の再誘導放射の強度、複数の波長で別々の、又はある波長範囲にわたって積分された強度を測定してもよい。さらに、検出器は、ＴＭ（transverse magnetic）及びＴＥ（transverse electric）偏光放射の強度、及び／又はＴＭ偏光放射とＴＥ偏光放射との間の位相差を別々に測定してもよい。
【０１３３】
[00156]  基板Ｗ上のターゲット３０は、現像後にバーが固体レジストラインから形成されるように印刷された１Ｄ格子でもよい。ターゲット３０は、現像後に格子が固体レジストピラー又はレジストにおけるビアから形成されるように印刷される２Ｄ格子でもよい。バー、ピラー、又はビアは、基板内に又は基板上で（例えば、基板上の１つ又は複数の層内に）エッチングされてもよい。（例えば、バー、ピラー、又はビアの）パターンは、パターニングプロセスにおけるプロセスの変化（例えば、リソグラフィ投影装置（特に投影系ＰＳ）における光学収差、焦点変化、ドーズ変化など）に敏感であり、及び印刷格子の変動として現れる。従って、印刷格子の測定データを用いて、格子が再構築される。ライン幅及び／又は形状などの１Ｄ格子の１つ又は複数のパラメータ、又はピラー又はビアの幅、長さ、又は形状などの２Ｄ格子の１つ又は複数のパラメータが、印刷ステップ及び／又は他のインスペクションプロセスの知識から、プロセッサＰＵによって行われる再構築プロセスに入力されてもよい。
【０１３４】
[00157]  再構築によるパラメータの測定に加えて、角度分解スキャトロメトリが、製品及び／又はレジストパターンにおけるフィーチャの非対称性の測定に有用である。非対称性測定のある特定の適用は、ターゲット３０が互いに重畳された周期的フィーチャの一セットを含むオーバーレイの測定に関するものである。図１２又は図１３の機器を用いた非対称性測定の概念は、例えば本明細書にその全体が援用される米国特許出願公開第２００６−０６６８５５号に記載されている。簡単に言うと、ターゲットの回折スペクトルの回折次数の位置が、ターゲットの周期性によってのみ決定されるが、回折スペクトルの非対称性は、ターゲットを構成する個々のフィーチャにおける非対称性を示す。検出器１８がイメージセンサでもよい図１３の機器では、回折次数におけるこのような非対称性が、検出器１８によって記録される瞳像における非対称性として直接現れる。この非対称性は、ユニットＰＵにおけるデジタル画像処理によって測定され、及びオーバーレイの既知の値に対して較正されてもよい。
【０１３５】
[00158]  図１４は、一般的なターゲット３０の平面図及び図１３の装置の照明スポットＳの範囲を示す。周囲の構造の干渉を受けない回折スペクトルを取得するためには、ターゲット３０は、ある実施形態では、照明スポットＳの幅（例えば直径）よりも大きい周期的構造（例えば格子）である。スポットＳの幅は、ターゲットの幅及び長さよりも小さくてもよい。つまり、ターゲットは、照明によって「不十分に満たされ」、及び回折信号は、基本的に、ターゲット自体の外側で、製品のフィーチャなどからの信号を含まない。照明配置２、１２、１３、１７は、対物系１５の後方焦点面にわたり均一な強度の照明を提供するように構成されてもよい。代替的に、例えば照明パスに開口を含むことによって、照明は、オンアクシス又はオフアクシス方向に制限されてもよい。
【０１３６】
[00159]  図１５は、メトロロジを用いて取得された測定データに基づいて、ターゲットパターン３０’の関心のある１つ又は複数の変数の値の決定のプロセス例を模式的に描く。検出器１８によって検出された放射は、ターゲット３０’の測定放射分布１０８を提供する。
【０１３７】
[00160]  あるターゲット３０’に関して、放射分布２０８は、例えば数値マクスウェル解法２１０を用いて、パラメータ化モデル２０６から計算／シミュレーションすることができる。パラメータ化モデル２０６は、ターゲットを構成する、及びターゲットに関連する様々な材料の層の例を示す。パラメータ化モデル２０６は、変動し得る、及び導出され得る検討中のターゲット部分のフィーチャ及び層に関する変数の１つ又は複数を含んでもよい。図１５に示されるように、変数の１つ又は複数は、１つ又は複数の層の厚さｔ、１つ又は複数のフィーチャの幅ｗ（例えばＣＤ）、１つ又は複数のフィーチャの高さｈ、及び／又は１つ又は複数のフィーチャの側壁角αを含んでもよい。図示されないが、変数の１つ又は複数は、限定されないが、層の１つ又は複数の屈折率（例えば、実又は複素屈折率、屈折率テンソルなど）、１つ又は複数の層の吸光係数、１つ又は複数の層の吸収、現像中のレジスト損失、１つ又は複数のフィーチャのフッティング、及び／又は１つ又は複数のフィーチャのラインエッジラフネスをさらに含んでもよい。変数の初期値は、測定されているターゲットに期待されるものでもよい。測定放射分布１０８は、次に、２１２において、計算放射分布２０８と比較されて、二者間の差を決定する。差があれば、パラメータ化モデル２０６の変数の１つ又は複数の値の変動の可能性があり、測定放射分布１０８と計算放射分布２０８との間に十分な一致が存在するまで、新しい計算放射分布２０８が演算され、及び測定放射分布１０８と比較されてもよい。その時点で、パラメータ化モデル２０６の変数の値は、実際のターゲット３０’のジオメトリの良好な又は最適の一致を提供する。ある実施形態では、測定放射分布１０８と計算放射分布２０８との間の差が許容閾値の範囲内である時に、十分な一致が存在する。
【０１３８】
[00161]  パラメータ化モデルの変数の１つ又は複数が、１つ又は複数の他の変数よりも、計算放射分布に対してより強い影響を持ち得る。例えば、１つ又は複数の変数の小さな変化率は、計算放射分布に大きな差をもたらし得る。このような変数は、強い変数と呼ばれる場合がある。強い変数は、限定されないが、フィーチャのクリティカルディメンジョンを含み得る。一方、１つ又は複数の他の変数の大きな変化率は、計算放射分布に小さな差をもたらし得る。このような変数は、弱い変数と呼ばれる場合がある。弱い変数は、限定されないが、フィーチャの側壁角、フィーチャの高さ、層の厚さ、現像中のレジスト損失、フィーチャのフッティング、層の屈折率、層の吸収、及び／又は層の吸光係数を含み得る。
【０１３９】
[00162]  パターニングプロセスの１つ又は複数のステップを評価するために、パラメータ化モデルにおいて強い変数及び弱い変数の両方が、ユーザ（例えば、人、制御システムなど）によって用いられてもよい。具体的には、スピンコーティング、ＰＥＢ、現像、エッチング、堆積、ドーピング、及び／又はパッケージングなどのリソグラフィ装置におけるパターン転写の上流又は下流の１つ又は複数のプロセスにおいて用いられることが可能な１つ又は複数の弱い変数は、ターゲット３０’又は他のパターン上に欠陥が存在するか否かを決定するのに有用となり得る。例えば、基板上のパターンの側壁角が、ある特定の閾値を超える場合、エッチングにより、１つ又は複数の欠陥が生じる可能性が高くなり得る。そのため、基板上のパターンの側壁角の値に基づいて、エッチングプロセスの前に、エッチングにより起こり得る欠陥を予測することができる。このような例は、非限定的である。
【０１４０】
[00163]  しかしながら、直接測定に基づいて弱い変数の値を決定することは困難である。これは、インスペクションシステムにおいて弱い変数の値を決定するために使用することができる信号が、通常非常に弱く、時には、弱過ぎて検出されないからである。さらに、特にパラメータ化モデルに多くの変数が存在し、且つ強い変数の値が未知である場合に、ある一定のレベルの弱い変数の値を決定する精度を提供することは難しい。
【０１４１】
[00164]  図１５に示されるような再構築プロセスによる様々な用途（例えば、欠陥の予測）のための１つ又は複数の弱い変数のより正確な値を取得するために、再構築プロセス自体の外で、パラメータ化モデルの１つ又は複数の強い変数（例えばＣＤ）の値を決定することが望ましい。
【０１４２】
[00165]  図１６は、ある実施形態による、基板に関する強い変数の値を決定する方法（これは、基板に関する強い変数の計測を行うことを回避することができる）のフローを示す。このプロセスは、複数の異なる強い変数の値を取得するために適用することができる。図示されるように、基板に関する強い変数のフィンガープリント１６４０が、リソグラフィ装置に関係した第１のグループの１つ又は複数の変数（焦点、ドーズ、ＭＳＤ、収差、瞳形状など、及びそれ（ら）は、ダイ／フィールド毎に空間的に特定され、及び適用条件下で基板にわたり繰り返され、又は基板にわたり空間的に特定されることが可能である）からの第１の寄与１６１０と、リソグラフィ装置におけるパターン転写より前又は後の１つ又は複数の製作プロセスに関係した第２のグループの１つ又は複数の変数（エッチング、現像など、及びそれ（ら）は、基板にわたり空間的に特定されることが可能である）からの第２の寄与１６２０と、パターニングプロセスにおいて使用されるパターニングデバイスに関係した第３のグループの１つ又は複数の変数（マスクＣＤなど、及びそれ（ら）は、ダイ／フィールド毎に空間的に特定され、及び適用条件下で基板にわたり繰り返され、又は基板にわたり空間的に特定されることが可能である）からの第３の寄与１６３０とを統合することによって取得されてもよい。強い変数のフィンガープリント１６４０は、ターゲット３０’の部分などの基板の任意の特定の部分に関して取得することができる。
【０１４３】
[00166]  リソグラフィ装置に関係した第１のグループの１つ又は複数の変数は、上記のような１つ又は複数のモデリング可能な変数でもよい。第１の寄与１６１０は、リソグラフィ装置に特有のものでもよく、つまり、第１の寄与１６１０は、ある特定の実際のリソグラフィ装置に特有である。ある実施形態では、第１の寄与１６１０は、ある特定の基板に特有のものではない（従って、複数の基板にわたって使用することができる）。従って、第１の寄与１６１０は、予め特性化され、及び後に、再構築プロセスのためにデータベースから取得されてもよい。この第１の寄与１６１０は、それを、ある特定の基板の１つ又は複数の変数及び感度関係のデータと統合することによって、その特定の基板に適用することができる。第１の寄与１６１０は、基板に特有のものでもよい。例えば、第１の寄与１６１０は、強い変数のフィンガープリント１６４０が基板又は基板グループに特有となるように、各基板又は特定の基板グループに関して決定されてもよい。第１のグループの変数の例は、限定されないが、照明、投影系、焦点、ドーズ、帯域幅、露光期間、高周波ステージ移動の特性（例えば、基板ステージの移動の移動標準偏差（ＭＳＤ）、基板ステージの移動の移動平均など）、高周波レーザ帯域幅変化（例えば、周波数、振幅など）、高周波レーザ波長変化、及び／又は基板の平坦性を含み得る。
【０１４４】
[00167]  パターニングデバイスに関係した第３のグループの１つ又は複数の変数は、上記のような１つ又は複数のモデリング可能な変数でもよい。第３の寄与１６３０は、パターン又はパターニングデバイスに特有のものでもよく、つまり、第３の寄与１６３０は、ある特定の実際のパターニングデバイス又はパターニングデバイスによって提供される特定のパターンに特有である。第３の寄与１６３０は、基板に依存していなくてもよい。従って、第３の寄与１６３０は、予め特性化され、及び後に、再構築プロセスのためにデータベースから取得されてもよい。第３のグループの変数の例は、限定されないが、マスクＣＤ、アシストフィーチャの形状及び／又は位置、解像度向上技術（ＲＥＴ）によって適用される調整などを含み得る。
【０１４５】
[00168]  リソグラフィ装置におけるパターン転写より前又は後の１つ又は複数の製作プロセスに関係した第２のグループの１つ又は複数の変数は、上記のようなモデリングされない変数でもよい。第１の寄与１６１０のように、第２の寄与１６２０は、基板に依存していなくてもよく、又は基板に依存していてもよい。ある実施形態では、第２の寄与１６２０は、各基板にわたって繰り返し使用されてもよい。従って、第２の寄与１６２０は、予め特性化され、及び再構築プロセス中にデータベースから取得されてもよい。第２のグループの１つ又は複数の変数の例は、限定されないが、スピンコーティング、ＰＥＢ、現像、エッチング、堆積、ドーピング、及び／又はパッケージングなどのリソグラフィ装置におけるパターン転写の上流又は下流のプロセスの様々な特性を含み得る。
【０１４６】
[00169]  第１の寄与１６１０、第２の寄与１６２０、及び／又は第３の寄与１６３０は、例えば図４〜６の何れかのフローを用いて、実験によって特性化されてもよく、又は以前の製造データから取り出されてもよい。ある実施形態では、第３の寄与１６３０（すなわちパターニングデバイスフィンガープリント）は、パターニングデバイスメトロロジツールを用いて直接パターニングデバイスを測定することによって取得されてもよい。
【０１４７】
[00170]  強い変数のフィンガープリント１６４０が決定された後に、強い変数１６６０の値が、強い変数のフィンガープリント１６４０及び強い変数の特定の値１６５０を統合することによって取得されてもよい。ある実施形態では、強い変数の特定の値は、公称設計値でもよい。ある実施形態では、強い変数は、基板に関する強い変数の一群の測定の平均でもよい。強い変数の一群の測定は、基板上の２つ以上のダイにおける同じフィーチャに対して行われてもよい。
【０１４８】
[00171]  パラメータ化モデルにおける１つ又は複数の強い変数の値が与えられると（例えば、１つ又は複数の強い変数の値を固定すること、又は１つ又は複数の強い変数の各々の値を所定の範囲内（例えば、１０％以内、５％以内、３％以内、１％以内）に制限することによって）、計算放射分布が測定放射分布と実質的に類似するまで、又は計算放射分布と測定放射分布との間の差が所定の許容閾値内となるまで、１つ又は複数の弱い変数が調整されてもよい。計算放射分布が測定放射分布と実質的に類似する場合、又は上記差が所定の許容閾値内にある場合、１つ又は複数の弱い変数の値が出力されてもよい。
【０１４９】
[00172]  上記の通り、１つ又は複数の弱い変数の値を用いて、露光後の１つ又は複数の下流プロセス（例えば、ＰＥＢ、レジスト層の現像、エッチング、堆積、ドーピング、及び／又はパッケージング）による欠陥が存在するか否かを予測することができる。欠陥が予測される場合、第１のグループの１つ又は複数の変数、第２のグループの１つ又は複数の変数、及び／又は第３のグループの１つ又は複数の変数の内の変数の１つ又は複数の値が、強い変数の新しいフィンガープリントを取得するために調整されてもよい。これは、上記のプロセスを用いて、１つ又は複数の弱い変数の値の新しい一セットを再構築することができるように行われる。このような調整は、１つ又は複数の弱い変数の値の新しい一セットに基づいて、欠陥が予測されなくなるまで反復的に行うことができる。
【０１５０】
[00173]  上述の寄与／フィンガープリントのさらなる適用では、１つ又は複数の寄与／フィンガープリントを用いて、パターンのコンターを予測することができる。この文脈では、コンターは、基板に転写されるパターンのフィーチャの形状の外形である。コンターは、例えば、基板に転写されるパターンフィーチャの形状の外側境界を抜き出すように基板の画像（例えば走査電子顕微鏡画像）を処理することによって可視化することができる。しかし、コンターは、基板に転写されることが予期されるので、パターンフィーチャの電子表現を作成する数学的プロセス（例えばシミュレーション）によって生成することもできる。一般的に、コンターは線状であるが、本明細書で使用されるコンターは、フィーチャの境界を表すデータにより一般化することができる。コンターは、連続している必要はなく、つまり、外形及び／又はデータは、不連続な外形及び／又はデータがフィーチャの境界を十分に表す場合、フィーチャの周囲で不連続でもよい。ある実施形態では、コンターは、二次元（すなわち、平面を定義する）又は三次元でもよい。ある実施形態では、コンターは、パターンが上に形成される基板の面と実質的に平行な面に延在してもよい。ある実施形態では、コンターは、パターンが上に形成される基板の面と実質的に垂直な面に延在してもよく、この場合、それは、プロファイルとして特性化することができ、及び二次元又は三次元形態のものでもよい。
【０１５１】
[00174]  コンターを予測するために、１つ又は複数の寄与／フィンガープリントは、本明細書に記載のように取得され、及び予測されたコンターに至るために、ある特定の公称コンターを選択し、及び／又は公称コンターを修正するために使用されることが可能である。図１７を参照して、コンターの予測の方法のフローチャートの一実施形態が描かれている。１７００では、パターンのフィーチャの公称コンターが決定される。ある実施形態では、公称コンターは、レジストにおいて期待されるコンターである。ある実施形態では、公称コンターは、現像されたレジストにおいて期待されるコンターである。
【０１５２】
[00175]  ある実施形態では、公称コンターは、モデル及び／又はシミュレーションを用いた数学的演算によって取得することができる。ある実施形態では、シミュレータ又はモデル（例えば、ASMLのTachyon製品などのシミュレータ）は、フィーチャのパターニングプロセスの１つ又は複数のプロセス変数に関する適用可能な設計値でパターンのフィーチャの期待されるコンターを決定することができる。演算によって取得されたこのコンターを公称コンターとして指定することができる。同様に、シミュレータ又はモデルは、フィーチャの複数のコンター（各コンターは、１つ又は複数のプロセス変数の異なる値にある）を取得するために、１つ又は複数のプロセス変数（例えば、異なる焦点設定又は条件、異なるドーズ設定又は条件、異なる投影系収差設定又は条件、異なる照明瞳形状設定又は条件などの１つ又は複数の光学設定又は条件）の様々な異なる値にあるコンターを決定することができる。演算によって取得されたこれらのコンターを、各公称コンターが１つ又は複数のプロセス変数の異なる値と関連付けられた公称コンターとして指定することができる。ある実施形態では、公称コンターは、異なる焦点設定又は条件に対して設定され、従って、各公称コンターは、異なる焦点設定又は条件（最適焦点からの一定のバリアンスなど）と関連付けられることが可能である。以下の記載は、焦点設定又は条件に注目するが、公称コンターは、焦点とは異なる設定又は条件に関して決定することができ、及び設定又は条件の様々な組み合わせに関して決定することができる。
【０１５３】
[00176]  ある実施形態では、公称コンターが決定される１つ又は複数のプロセス変数の１つ又は複数の他のプロセス変数に対する影響が評価される。ある実施形態では、評価される１つ又は複数の他のプロセス変数は、コンターの形状及び／又はサイズに対する影響を持つ１つ又は複数のプロセス変数である。従って、公称コンターが焦点設定に関して決定されるある実施形態では、１つ又は複数の他のプロセス変数（ＣＤなど）に対する焦点の影響が決定される。ある実施形態では、あるパターンが少なくとも異なる焦点設定又は条件で評価される焦点露光マトリックス（ＦＥＭ）タイプのプロセスを用いて、この影響を決定することができる。次に、どの程度のＣＤの変化が焦点によるものかを評価するために、これらの異なる焦点設定又は条件におけるＣＤを決定することができる。ある実施形態では、その後メトロロジツールによって測定される１つ又は複数の処理基板を用いて、上記の影響を実験的に決定することができる。ある実施形態では、シミュレータを用いて上記の影響を決定することができる。
【０１５４】
[00177]  演算によって１つ又は複数の公称コンターを決定することに加えて、又はそれに替えて、ある実施形態では、１つ又は複数の公称コンターを実験によって取得することができる。例えば、フィーチャが、パターニングプロセスの１つ又は複数のプロセス変数の適用可能な設計値で、１つ又は複数の基板上に作成され、及び次にフィーチャのコンターを導出するために測定（例えば、走査電子顕微鏡を用いて）されることが可能である。この測定によって取得されたコンターを公称コンターとして指定することができる。追加的又は代替的に、フィーチャが、１つ又は複数のプロセス変数（例えば、上述のような１つ又は複数の光学設定又は条件）の様々な異なる値で、１つ又は複数の基板上に作成され、及び次にフィーチャの複数のコンター（各コンターは、１つ又は複数のプロセス変数の異なる値にある）を導出するために測定（例えば、走査電子顕微鏡を用いて）されることが可能である。これらの測定によって取得されたコンターを、各公称コンターが１つ又は複数のプロセス変数の異なる値と関連付けられる公称コンターとして指定することができる。従って、ある特定の例として、各公称コンターは、異なる焦点設定又は条件（最適焦点からの一定のバリアンスなど）と関連付けることができる。
【０１５５】
[00178]  従って、ある実施形態では、１つ又は複数の公称コンターは、コンターの形状を表すことができる。例えば、１つ又は複数の公称コンターは、ある特定の焦点条件におけるコンターの形状を表すことができる。従って、複数の異なる焦点条件で取得された複数の公称コンターの場合、各公称コンターは、適用可能な焦点条件で予測されたコンターの形状を表すことができる。
【０１５６】
[00179]  従って、ある実施形態では、及びさらに説明されるように、それぞれ１つ又は複数のプロセス変数（例えば焦点）の異なる値と関連付けられた公称コンターを用いて、公称コンターを参照することによって、１つ又は複数のプロセス変数の何れの値に関しても、コンターの形状を予測することができる。１つ又は複数のプロセス変数のある特定の値に関して公称コンターを入手できない場合、補間、補外などによって、コンターを生成することができる。従って、一例として、基板上のある位置のどのような焦点値に関しても、関心のある１つ又は複数の適用可能なパターンフィーチャのコンターの形状を予測することができる。
【０１５７】
[00180]  従って、１７１０では、１つ又は複数の公称コンターが決定された１つ又は複数のプロセス変数に関して第１の寄与／フィンガープリントを取得することができる。第１の寄与／フィンガープリントは、本明細書に記載の技術の何れかを用いて取得することができる。ある実施形態では、第１の寄与／フィンガープリントは、エッチングより前の状況に対応する。
【０１５８】
[00181]  ある実施形態では、第１の寄与／フィンガープリントは、焦点のものであり、従って、ある実施形態では、第１の寄与／フィンガープリントは、基板全体焦点マップである。ある実施形態では、第１の寄与／フィンガープリントは、基板のパターニングに使用されるリソグラフィ装置から取得されたデータに基づいて生成することができる。例えば、リソグラフィ装置は、焦点マップを構築するために、焦点情報（例えば、焦点残差など）及び／又は高周波ステージ移動の特性（例えばＭＳＤ）を提供することができる。図１８は、異なる陰影が、公称焦点（例えば、最適焦点、平均焦点など）からの異なるバリアンスを模式的に表す、パターニングプロセスの例示的な焦点マップ１８００を示す。
【０１５９】
[00182]  １７２０では、第１の寄与／フィンガープリントを用いて、関心のあるフィーチャの公称コンターを選択する。例えば、基板上のある特定の位置において、及び関心のある特定のフィーチャに関して、１つ又は複数の公称コンターが決定された１つ又は複数のプロセス変数の値が、第１の寄与／フィンガープリント１７１０から決定され、及び次に関連付けられた１つ又は複数の公称コンターを選択するために使用されることが可能である。従って、第１の寄与／フィンガープリント１７１０が焦点マップである一例では、焦点マップ内のある基板位置における焦点推定値を用いて、コンターの予測として、関連付けられた公称コンターを取得することができる。従って、予測コンターは、フィーチャ毎に、及び基板の位置毎に決定することができる。
【０１６０】
[00183]  図１８を再び参照して、このような選択の一例が描かれている。図１８では、最適焦点における公称コンター１８１０、１８１２、１８１４が示されている。ここで、公称コンター１８１２と関連付けられた焦点マップ１８００上の位置において、焦点マップは、焦点が最適焦点にあった、又はその付近にあったことを示す。従って、その位置に関して、公称コンター１８１２が予測コンターとして選択される。公称コンター１８１０と関連付けられた位置に関して、焦点マップは、焦点が負の焦点はずれ−Ｆにあったことを示す。従って、その場合、公称コンター１８１０を用いる代わりに、負の焦点はずれ−Ｆに関して決定された公称コンター、つまり公称コンター１８２０が選択される。図１８に見られるように、公称コンター１８２０は、フィーチャの特性を有するが、負の焦点はずれ−Ｆにより異なる形状を有する。同様に、公称コンター１８１４と関連付けられた位置に関して、焦点マップは、焦点が正の焦点はずれ＋Ｆにあったことを示す。従って、その場合、公称コンター１８１４を用いる代わりに、正の焦点はずれ＋Ｆに関して決定された公称コンター、つまり公称コンター１８３０が選択される。図１８に見られるように、公称コンター１８３０は、フィーチャの特性を有するが、正の焦点はずれ＋Ｆにより異なる形状を有する。従って、−Ｆの焦点では、最適焦点における公称コンターは、形状を変化させ、及び同様に、＋Ｆの焦点では、最適焦点における公称コンターは、形状を変化させる。従って、例えばＦが最適焦点からのバリアンスであり、且つ＋Ｆ及び−Ｆが同じ絶対値を有する場合、それぞれのコンター形状変化は、図１８に示されるように同じになり得る。
【０１６１】
[00184]  図１７に戻って参照し、１７３０において、１つ又は複数の公称コンターが決定された１つ又は複数のプロセス変数以外の１つ又は複数のプロセス変数に関して、第２の寄与／フィンガープリントを取得することができる。第２の寄与／フィンガープリント１７３０は、本明細書に記載の技術の何れかを用いて取得することができる。ある実施形態では、第２の寄与／フィンガープリントは、ポストエッチング状況に対応する。
【０１６２】
[00185]  ある実施形態では、第２の寄与／フィンガープリント１７３０は、クリティカルディメンジョンのものであり、従って、ある実施形態では、第２の寄与／フィンガープリントは、基板全体クリティカルディメンジョンマップ（例えば、クリティカルディメンジョン均一性マップ）である。ある実施形態では、この寄与／フィンガープリントは、メトロロジツールを用いて、パターニングプロセスのエッチングステップ後にパターンを有する１つ又は複数の基板に対して測定されたデータに基づいて生成することができる。図１９は、異なる陰影が、公称クリティカルディメンジョン（例えば、設計クリティカルディメンジョン、平均クリティカルディメンジョンなど）からの異なるバリアンスを模式的に示す、パターニングプロセスの例示的なクリティカルディメンジョンマップ１９００を示す。従って、例えば、クリティカルディメンジョンマップ１８００は、アンカーアスペクトに関して測定されたクリティカルディメンジョンを表すことができ、及び平均クリティカルディメンジョンの百分率として作図されてもよい。
【０１６３】
[00186]  ある実施形態では、第２の寄与／フィンガープリントは、第２の寄与／フィンガープリントの１つ又は複数のプロセス変数に対する、第１の寄与／フィンガープリントと関連付けられた１つ又は複数のプロセス変数の影響について補正される。従って、例えば、第１の寄与／フィンガープリントが焦点マップであり、且つ第２の寄与／フィンガープリントがクリティカルディメンジョンマップである場合、第２の寄与／フィンガープリントは、第２の寄与／フィンガープリントにおけるクリティカルディメンジョンに対する焦点の影響（例えば、焦点情報（例えば、焦点残差など）及び／又は高周波ステージ移動の特性）について補正されることが可能である。このような影響の決定の詳細は、上記に述べられている。例えば、ＦＥＭを用いて、パターン転写ステップ中に生じるＣＤに対する焦点の影響を分離し、その後、エッチング後ＣＤ測定からその影響を除去することができる。追加的又は代替的に、様々なリソグラフィ装置信号を処理することによって、パターン転写中の焦点の推定値及びＣＤに対するそれの影響を得て、その後、エッチング後ＣＤ測定からその影響を除去することができる。理解されるように、この修正は、修正を第２の寄与／フィンガープリントに直接組み入れること、以下で１７４０との関連で説明されるように第２の寄与／フィンガープリントから値が選択された後に修正を行うことなどを含む、様々な方法で行うことができる。
【０１６４】
[00187]  １７４０では、第２の寄与／フィンガープリント１７３０を用いて、関心のあるフィーチャの公称コンターを修正する。ある実施形態では、公称コンターは、１７２０で選択された公称コンターである。しかし、１７２０における選択は、１７２０の選択ステップを用いることなく、関心のあるフィーチャに関して、ある公称コンターが既に選択されている場合には、省略されてもよい（但し、修正は行われてもよい）。同様に、１７４０の修正は、ステップ１７２０で公称コンターが選択され、且つそれが修正を必要としない場合には、省略されてもよい。
【０１６５】
[00188]  従って、１７４０において、例えば、基板上のある特定の位置において、及び関心のある特定のフィーチャに関して、１つ又は複数の他のプロセス変数の値が、第２の寄与／フィンガープリント１７３０から取得され、及び次に、その値を使用して、公称コンターの適切な修正を決定する。ある実施形態では、この修正は、公称コンターのサイズの変化である。従って、第２の寄与／フィンガープリント１７３０がクリティカルディメンジョンマップである一例では、クリティカルディメンジョンマップ内のある基板位置におけるクリティカルディメンジョン推定値を用いて、コンターの予測として、公称コンター（例えば１７２０で選択された公称コンター）のサイズを修正することができる。従って、予測コンターは、フィーチャ毎に、及び基板の位置毎に決定することができる。
【０１６６】
[00189]  ある実施形態では、第２の寄与／フィンガープリント１７３０から、ある位置で取得された１つ又は複数の他のプロセス変数の値が、関心のあるフィーチャ全体に当てはまると仮定される。従って、第２の寄与／フィンガープリント１７３０に表されるフィーチャのクリティカルディメンジョンが、あるクリティカルディメンジョン（例えば平均クリティカルディメンジョン）からある一定の量（例えば５％）だけ逸脱する場合、同じ位置のどのフィーチャの全てのクリティカルディメンジョンも、同じ量だけ逸脱する。従って、この仮定は、完全なコンターが、クリティカルディメンジョンの逸脱と同じ量だけサイズ変更されることを意味する。従って、基板上のある位置のフィーチャの完全なコンターサイズが、第２の寄与／フィンガープリント１７３０を取得するために測定された同じ位置のアンカーアスペクトのクリティカルディメンジョンと同じ量を相対的に変化させると仮定した場合、クリティカルディメンジョンがｘ％減少すると、公称コンターがｘ％縮小され、クリティカルディメンジョンがｘ％増加すると、公称コンターがｘ％拡大する。この変化は、コンター全体にわたって均一にもたらされる。
【０１６７】
[00190]  再び図１９を参照し、このようなサイズ変化の一例が描かれている。図１９では、公称コンター１９１０、１９１２、１９１４が示される。ここで、公称コンター１９１２（これは、ステップ１７２０を用いて選択することができる）と関連付けられたクリティカルディメンジョンマップ１９００上の位置において、クリティカルディメンジョンマップは、クリティカルディメンジョンが公称クリティカルディメンジョン（例えば、設計クリティカルディメンジョン、平均クリティカルディメンジョンなど）に一致することを示す。従って、その位置に関して、公称コンター１９１２が予測コンターとして選択される。公称コンター１９１０と関連付けられた位置に関して、クリティカルディメンジョンマップは、クリティカルディメンジョンが、ある量（例えば、−ｘ％）だけ低かったことを示す。従って、その場合、公称コンター１９１０を用いる代わりに、予測コンター１９２０を取得するために、上記ある量（例えば−ｘ％）だけ公称コンター１９１０を縮小させる。図１９に見られるように、コンター１９２０は、フィーチャの特性を有するが、上記より低いクリティカルディメンジョンにより、より小さなサイズを有する。同様に、公称コンター１９１４と関連付けられた位置に関して、クリティカルディメンジョンマップは、クリティカルディメンジョンが、ある量（例えば、＋ｘ％）だけ高かったことを示す。従って、その場合、公称コンター１９１４を用いる代わりに、予測コンター１９３０を取得するために、上記ある量（例えば＋ｘ％）だけ公称コンター１９１４のサイズを増加させる。図１９に見られるように、コンター１９３０は、フィーチャの特性を有するが、上記より高いクリティカルディメンジョンにより、より大きなサイズを有する。従って、−ｘ％のクリティカルディメンジョンの場合、公称コンターは、均一に縮小されるが、なおその形状を保ち、＋ｘ％のクリティカルディメンジョンの場合、公称コンターは、均一に拡大されるが、なおその形状を保つ。
【０１６８】
[00191]  従って、ある実施形態では、これらの２つの仮定（つまり、ある１つ又は複数のプロセス変数（例えば焦点）の値がコンターの形状を予測することができること、及びある１つ又は複数の他のプロセス変数（例えばＣＤ）の値がコンターのサイズを予測することができること）を所与として、コンターの形状及びサイズは、１つ又は複数の寄与／フィンガープリントから選択された値に基づいて、フィーチャについて予測することができる。特に、基板上のあらゆる位置に関して、関心のある１つ又は複数のフィーチャの完全なコンターを予測することができる。ある実施形態では、関心のあるフィーチャは、決定されたホットスポットである。
【０１６９】
[00192]  ある特定の実施形態では、コンターは、クリティカルディメンジョン及び焦点の測定から予測される。ある特定の実施形態では、コンターは、クリティカルディメンジョン及び焦点のフィンガープリントを用いて推定される。
【０１７０】
[00193]  １７５０では、様々な適用例において、予測コンターを使用することができる。例えば、コンターは、それ自体が、又は１つ又は複数の他のコンターとの関連でチェックされることにより、欠陥が予測されるか否かを決定することができる（例えば、ネッキング、ブリッジング、ラインプルバック、ライン細線化、オーバーラッピング、レジストトップロス、及び／又はレジストアンダーカットについて、１つ又は複数のチェックを行うことができる）。この技術は、特に、例えばブリッジング欠陥を決定するために有用となり得る。これらの欠陥は、互いに接触する２つのフィーチャによって生じ、これは、原理上、２つのフィーチャのコンター上のあらゆる点で生じ得る（その位置の特定のＣＤ、焦点、及び／又はオーバーレイ状態に応じて）。コンターの使用は、例えば、隣接するフィーチャ上のカットラインにおける寸法の評価と比較して、このような欠陥のよりロバストな評価を可能にする。
【０１７１】
[00194]  別の例として、コンターを用いて、エッジ配置位置及び／又は誤差（これは、ブリッジングなどの欠陥を識別するためにも使用することができる）を評価することができる。実際には、この技術は、エッジ配置誤差を決定するための計算形式のメトロロジを提供することができる。例えば、予測コンターを用いて、「仮想」エッジ配置誤差を予測することができる。例えばエッジ配置誤差によって引き起こされるマルチパターニング欠陥予測において、これを用いることができる。従って、エッジ配置誤差によって引き起こされる欠陥は、ＣＤ及び焦点のフィンガープリントを用いて推定することができる。
【０１７２】
[00195]  予測コンターを用いて、潜在的欠陥を決定することができる一例は、スペーサ・アンド・カット層プロセス（spacer-and-cut layer process）にある。これの一例は、図２０Ａ〜Ｃに示される。図２０Ａは、ライン２０００がパターン２０１０を用いて「カット」される例示的なスペーサ・アンド・カット層プロセスを描く。図２０Ａは、ライン２０００及びパターン２０１０が、望ましいアライメント、サイズなどにある公称プロセスを描く。このようなプロセスの結果は、パターン２０１０による中央のライン２０００のきれいなカットである。ここで、図２０に模式的に示されるマップ１８００及び１９００を用いて、図１７のプロセスが適用されることにより、ライン２０００及びパターン２０１０の予測コンターの決定に至ることができる。図２０Ｂに示されるこの例では、ライン２０００の予測コンターは期待通りであるが、パターン２０１０のコンターは、サイズが大きくなる（この例では、その形状は変化していないが、変化する場合もある）と予測されたと判断される。ここで、図２０Ｃは、パターン２０１０の予測コンターがスペーサ・アンド・カット層プロセスに使用された場合の結果を示す。２０２０に見られるように、パターン２０１０は、上側及び下側のライン２０００の一部を望ましくない形でカットする。従って、ある実施形態では、スペーサ・アンド・カット層プロセスの予測動作は、パターン２０１０を使用してライン２０００をカットする場合に、潜在的欠陥を生じさせるとしてフラグが立てられてもよい。
【０１７３】
[00196]  別の例として、予測コンターを用いて、リソエッチ・リソエッチ（ＬＥＬＥ）プロセスにおいて潜在的欠陥を決定することができる。これの一例は、図２１Ａ〜Ｃに示される。図２１Ａは、ライン２１００が、第１のリソエッチプロセスで作成され、及びパターン２１１０が、第２のリソエッチプロセスによってライン２１００でインタリーブされる、例示的なリソエッチ・アンド・リソエッチプロセスを描く。図２１Ａは、ライン２１００及びパターン２１１０が、望ましいアライメント、サイズなどにある公称プロセスを描く。このようなプロセスの結果は、パターン２１１０とライン２１００との設計された分離である。ここで、図２１に模式的に示されるマップ１８００及び１９００を用いて、図１７のプロセスが適用されることにより、ライン２１００及びパターン２１１０の予測コンターの決定に至ることができる。図２１Ｂに示されるこの例では、ライン２１００の予測コンターは期待通りであるが、パターン２１１０のコンターは、サイズが大きくなり、且つ形状が変化すると予測されたと判断される。ここで、図２１Ｃは、パターン２１１０の予測コンターがリソエッチ・アンド・リソエッチプロセスに使用された場合の結果を示す。２１２０に見られるように、パターン２１１０は、望ましくない形で、下側のライン２１００に近過ぎ（例えば、フィーチャ間の空間が、ある閾値を下回る）、つまり、それは、重複エリアとなり、又は最小距離要件に違反する。これは、ブリッジング欠陥をもたらし得る。さらに、パターン２１１０は、フィーチャが狭くなり過ぎている（例えば、幅が閾値を下回っている）といった、フィーチャが形状変化したネッキング欠陥２１３０を有し得る。従って、ある実施形態では、リソエッチ・アンド・リソエッチプロセスの予測動作は、パターン２１１０がライン２１００と併せて作成される場合に、１つ又は複数の潜在的欠陥を生じさせるとしてフラグが立てられてもよい。従って、ある実施形態では、多重露光ＬＥＬＥタイプの適用例における欠陥予測の場合、予測コンターは、欠陥インジケータ／カットラインのみを用いた場合と比較して、ネッキング及び／又はブリッジング欠陥の予測能力を向上させることが可能であるはずである。
【０１７４】
[00197]  予測コンターの別の可能な利用では、モデル較正、特に光近接効果補正モデルの較正において、予測コンターを使用することができる。予測コンターは、測定されたゲージ（コンター）におけるエッチングフィンガープリント及び／又は焦点フィンガープリントの補正を可能にする。例えば、この予測コンターを用いて、マスクデータ準備エッチング後モデルを較正することができる。
【０１７５】
[00198]  従って、ある実施形態では、この技術は、仮想ウェーハからのコンター予測を可能にし、従って、この技術は、コンターを測定する必要なく、それらを生成するために、メトロロジを計算と組み合わせる。ある実施形態では、この技術は、適切なフィンガープリント（例えば、エッチング後クリティカルディメンジョンフィンガープリント及びリソグラフィ装置焦点フィンガープリント）を所与として、基板にわたるコンター及びエッジ配置誤差の変動性の予測を可能にする。ある実施形態では、この技術は、マルチパターニングのより優れた予測能力を可能にする。ある実施形態では、この技術は、予測コンターに基づいたエッジ配置最適化を用いることによって、パターン制御を可能にする。
【０１７６】
[00199]  本明細書の方法の結果（又は本明細書の方法の結果から導出された別の結果（例えば欠陥予測））は、パターニングプロセス中のプロセス又はその中の装置の制御、パターニングプロセスによって製造される基板のモニタリング、パターニングプロセスのプロセス又は装置の設計などを含む様々な目的のために使用することができる。例えば、上記結果又はそれらから導出された別の結果を用いて、基板のさらなる処理のため、又は別の基板の処理のために、パターニングプロセスの装置又はプロセスを変更することができる。例えば、上記結果を用いて、欠陥を予測することができる。欠陥の予測は、例えば、メトロロジツールを制御して影響を受けたエリアを検査するため、及び／又は基板のさらなる処理のため、又は別の基板の処理のために、パターニングプロセスの装置又はプロセスを変更するために使用することができる。さらに、上記結果を用いて、例えば、リソグラフィ装置の修正のためのドーズレシピを導出すること、パターニングデバイス及びそれのパターンの設計を可能にすること、プロセスのセットアップなどによって、パターニングプロセスを設計することができる。さらに、上記結果は、モデル較正、例えば、光近接効果補正モデル、放射源−マスク最適化モデル、リソグラフィ製造チェックモデル、レジストモデル、結像モデル、測定モデル（例えば、測定のプロセスをモデリングする）などの較正に使用することができる。上記結果を用いて、後に様々な目的で使用することができるプロセスの１つ又は複数の変数（例えば、最適露光及び／又は最適ドーズ）を決定することができる。理解されるように、多くの他の利用が存在し得る。
【０１７７】
[00200]  図２２は、本明細書に開示される方法及びフローの実施を支援可能なコンピュータシステム１００を示すブロック図である。コンピュータシステム１００は、バス１０２又は情報を通信するための他の通信機構と、情報を処理するためにバス１０２と結合されたプロセッサ１０４（又は複数のプロセッサ１０４及び１０５）とを含む。コンピュータシステム１００は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）又は他の動的ストレージデバイスなどの、プロセッサ１０４によって実行される情報及び命令を保存するためにバス１０２に結合されたメインメモリ１０６も含む。メインメモリ１０６は、プロセッサ１０４によって実行される命令の実行中に、一時変数又は他の中間情報を保存するためにも使用されてもよい。コンピュータシステム１００は、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）１０８、又はプロセッサ１０４のための静的情報及び命令を保存するためにバス１０２に結合された他の静的ストレージデバイスをさらに含む。情報及び命令を保存するための磁気ディスク又は光ディスクなどのストレージデバイス１１０が設けられると共に、バス１０２に結合される。
【０１７８】
[00201]  コンピュータシステム１００は、バス１０２を介して、情報をコンピュータユーザに表示するための、陰極線管（ＣＲＴ）、フラットパネル、又はタッチパネルディスプレイなどのディスプレイ１１２に結合されてもよい。英数字及び他のキーを含む入力デバイス１１４が、情報及びコマンド選択をプロセッサ１０４に通信するためにバス１０２に結合される。別のタイプのユーザ入力デバイスは、プロセッサ１０４に方向情報及びコマンド選択を通信するため、及びディスプレイ１１２上でカーソルの移動を制御するための、マウス、トラックボール、又はカーソル方向キーなどのカーソル制御部１１６である。この入力デバイスは、一般的に、２つの軸（第１の軸（例えばｘ）及び第２の軸（例えばｙ））において、デバイスがある面内で位置を特定することを可能にする２つの自由度を有する。タッチパネル（スクリーン）ディスプレイが、入力デバイスとして使用されてもよい。
【０１７９】
[00202]  ある実施形態によれば、プロセスの部分は、メインメモリ１０６に含まれる１つ又は複数の命令の１つ又は複数のシーケンスを実行するプロセッサ１０４に応答して、コンピュータシステム１００によって行われてもよい。このような命令は、ストレージデバイス１１０などの別のコンピュータ可読媒体からメインメモリ１０６に読み込まれてもよい。メインメモリ１０６に含まれる命令のシーケンスの実行は、プロセッサ１０４に本明細書に記載のプロセスステップを行わせる。メインメモリ１０６に含まれる命令のシーケンスを実行するために、多重処理構成の１つ又は複数のプロセッサが用いられてもよい。ある代替実施形態では、ソフトウェア命令の代わりに、又はソフトウェア命令と一緒に、ハードワイヤード回路が用いられてもよい。従って、本明細書の記載は、ハードウェア回路及びソフトウェアの特定の組み合わせに限定されない。
【０１８０】
[00203]  本明細書で使用される「コンピュータ可読媒体」という用語は、実行のためにプロセッサ１０４に命令を提供することに関与するあらゆる媒体を指す。このような媒体は、限定されないが、不揮発性媒体、揮発性媒体、及び伝送媒体を含む、多くの形態をとり得る。不揮発性媒体は、例えば、ストレージデバイス１１０などの光又は磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリ１０６などの動的メモリを含む。伝送媒体は、同軸ケーブル、銅線及び光ファイバ（バス１０２を含むワイヤを含む）を含む。伝送媒体は、無線周波数（ＲＦ）及び赤外線（ＩＲ）データ通信中に生成されるものなどの、音波又は光波の形態もとり得る。コンピュータ可読媒体の一般的形態は、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、その他の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、その他の光媒体、パンチカード、紙テープ、孔のパターンを有したその他の物理媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、及びＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ−ＥＰＲＯＭ、その他のメモリチップ又はカートリッジ、以下に記載されるような搬送波、又はコンピュータが読み取ることができるその他の媒体を含む。
【０１８１】
[00204]  コンピュータ可読媒体の様々な形態が、実行のためにプロセッサ１０４に１つ又は複数の命令の１つ又は複数のシーケンスを運ぶことに関与してもよい。例えば、命令は、最初は、リモートコンピュータの磁気ディスクにある場合がある。リモートコンピュータは、命令をそれの動的メモリにロードし、及びモデムを使用して電話回線上で命令を送ることができる。コンピュータシステム１００にローカルなモデムが、電話回線上のデータを受信し、及び赤外線送信機を用いてデータを赤外線信号に変換することができる。バス１０２に結合された赤外線検出器が、赤外線信号で搬送されたデータを受信し、及びそのデータをバス１０２にのせることができる。バス１０２は、データをメインメモリ１０６に搬送し、そこからプロセッサ１０４が、命令の読み出し及び実行を行う。メインメモリ１０６によって受信された命令は、任意選択的に、プロセッサ１０４による実行の前又は後に、ストレージデバイス１１０に保存されてもよい。
【０１８２】
[00205]  コンピュータシステム１００は、好ましくは、バス１０２に結合された通信インターフェース１１８も含む。通信インターフェース１１８は、ローカルネットワーク１２２に接続されたネットワークリンク１２０に結合する双方向データ通信を提供する。例えば、通信インターフェース１１８は、対応するタイプの電話回線にデータ通信接続を提供するデジタル総合サービス網（ＩＳＤＮ）カード又はモデムでもよい。別の例として、通信インターフェース１１８は、互換性のあるＬＡＮへのデータ通信接続を提供するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）カードでもよい。ワイヤレスリンクが実施されてもよい。このような実施において、通信インターフェース１１８は、様々なタイプの情報を表すデジタルデータストリームを搬送する電気、電磁、又は光信号の送信及び受信を行う。
【０１８３】
[00206]  ネットワークリンク１２０は、一般的に、１つ又は複数のネットワークを通して、他のデータデバイスにデータ通信を提供する。例えば、ネットワークリンク１２０は、ローカルネットワーク１２２を通して、ホストコンピュータ１２４又はインターネットサービスプロバイダ（ＩＳＰ）１２６によって操作されるデータ機器への接続を提供することができる。ＩＳＰ１２６は、次に、ワールドワイドパケットデータ通信ネットワーク（現在、一般に「インターネット」１２８と呼ばれる）によるデータ通信サービスを提供する。ローカルネットワーク１２２及びインターネット１２８は共に、デジタルデータストリームを搬送する電気、電磁、又は光信号を使用する。コンピュータシステム１００に対して、及びコンピュータシステム１００からデジタルデータを搬送する、様々なネットワークを通る信号、及びネットワークリンク１２０上の、及び通信インターフェース１１８を通る信号は、情報を運ぶ搬送波の形態例である。
【０１８４】
[00207]  コンピュータシステム１００は、１つ又は複数のネットワーク、ネットワークリンク１２０、及び通信インターフェース１１８を通して、メッセージを送信すること、及びプログラムコードを含むデータを受信することができる。インターネット例では、サーバ１３０は、インターネット１２８、ＩＳＰ１２６、ローカルネットワーク１２２、及び通信インターフェース１１８を通して、アプリケーションプログラムの要求コードを送信する場合がある。そのようなダウンロードされたあるアプリケーションは、例えば実施形態の照明最適化を提供することができる。受信されたコードは、受信された際にプロセッサ１０４によって実行されてもよく、及び／又は後で実行するためにストレージデバイス１１０又は他の不揮発性ストレージに保存されてもよい。このようにして、コンピュータシステム１００は、搬送波の形態のアプリケーションコードを取得してもよい。
【０１８５】
[00208]  本開示の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせで実施されてもよい。本開示の実施形態は、１つ又は複数のプロセッサによって読み取り及び実行を行うことができる、機械可読媒体に保存された命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、機械（例えば計算デバイス）によって読み取り可能な形態で、情報を保存又は送信する機構を含んでもよい。例えば、機械可読媒体は、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスクストレージ媒体、光ストレージ媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音、又は他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）などを含み得る。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、本明細書では、特定の動作を行うと記載される場合がある。しかし、このような記載は、単に便宜上のものであり、このような動作は、実際には、計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスから生じることが理解されるものとする。
【０１８６】
[00209]  ブロック図では、図示されたコンポーネントが離散機能ブロックとして描かれるが、実施形態は、本明細書に記載される機能性が図示通りに編成されるシステムに限定されない。各コンポーネントによって提供される機能性は、現在描かれているものとは異なるように編成されたソフトウェア又はハードウェアモジュールによって提供されてもよく、例えば、そのようなソフトウェア又はハードウェアは、混合、結合、複製、分割、配布（例えば、データセンター内で、又は地理的に）が行われてもよく、あるいは、異なって編成されてもよい。本明細書に記載の機能性は、タンジブルで非一時的な機械可読媒体に保存されたコードを実行する１つ又は複数のコンピュータの１つ又は複数のプロセッサによって提供されてもよい。場合によっては、サードパーティコンテンツ配信ネットワークが、ネットワーク上で伝達される情報の一部又は全てをホスティングしてもよく、その場合、情報（例えばコンテンツ）が供給される、あるいは提供されると言われている範囲で、コンテンツ配信ネットワークからその情報を読み出す命令を送ることによって、情報が提供されてもよい。
【０１８７】
[00210]  特に別段の記載のない限り、上記説明から明らかなように、本明細書全体を通して、「処理する」、「計算する」、「演算する」、「決定する」などの用語を利用した説明は、専用コンピュータ又は類似の専用電子処理／計算デバイスなどの特定の装置の動作又はプロセスを指すことが認識される。
【０１８８】
[00211]  読み手は、本出願が幾つかの発明を記載することを認識するはずである。これらの発明を複数の分離した特許出願に分けるのではなく、出願人は、これらの発明を、それらの関連した主題が出願プロセスの経済性に適しているという理由で、単一の文書にまとめている。しかし、このような発明の異なる利点及び局面は、１つにまとめられないものとする。場合によっては、実施形態は、本明細書に記載された欠点の全てに対処するが、これらの発明は、独立して有用であり、幾つかの実施形態は、このような問題の一部にのみ対処し、又は本開示を精査する当業者には明白となる他の言及されていない利点を提供することが理解されるものとする。コストの制約により、本明細書に開示される幾つかの発明は、現在請求されていない場合があり、及び継続出願などの後の出願で、又は現在の請求項の補正により、請求される場合がある。同様に、スペースの制約により、本文書の要約書部分及び概要部分のどちらも、上記発明の全て、又は上記発明の全ての局面の包括的リストを含むと見なされるべきものではない。
【０１８９】
[00212]  本明細書及び図面は、本発明を開示された特定の形態に限定することを意図したものではなく、逆に、その意図は、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の精神及び範囲内に入る全ての変更形態、等価形態、及び代替形態を対象に含めることと理解されるものとする。
【０１９０】
[00213]  本発明の様々な局面の変更形態及び代替実施形態は、本明細書に鑑みて、当業者には明らかとなるだろう。従って、本明細書及び図面は、単なる例示と見なされるべきものであり、及び本発明を実施する一般的な態様を当業者に教示する目的のものである。本明細書に図示及び記載される本発明の形態は、実施形態の例と見なされるべきであることが理解されるものとする。本発明の本明細書の恩恵を受けた後に全て当業者には明らかとなるように、要素及び材料が、本明細書に図示及び記載されたものの代わりに使用されてもよく、部品及びプロセスの反転、順序の変更、又は削除が行われてもよく、特定のフィーチャが独立して利用されてもよく、及び複数の実施形態又は複数の実施形態のフィーチャが組み合わせられてもよい。以下の特許請求の範囲に記載されるような本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、本明細書に記載された要素に変更が行われてもよい。本明細書に使用される見出しは、単なる構成目的のものであり、本明細書の範囲を限定するために使用されることは意図されない。
【０１９１】
[00214]  本出願全体を通して、「してもよい（may）」という語は、義務的な意味（すなわち、「しなければならない（must）」の意味）ではなく、許容の意味（すなわち、「〜する可能性がある」の意味）で使用される。「含む（include）」、「含んでいる（including）」、及び「含む（includes）」などの語は、「限定されることなく含んでいること」を意味する。本出願全体を通して、単数形「a」、「an」、及び「the」は、内容が明らかにそうでないことを示さない限り、複数の指示対象を含む。従って、例えば、「１つの（an）」要素又は「１つの（a）」要素に対する言及は、「１つ又は複数の（one or more）」などの１つ又は複数の要素に対する他の用語及びフレーズの使用にもかかわらず、２つ以上の要素の組み合わせを含む。「又は（or）」という用語は、別段の指示のない限り、非排他的であり、すなわち、「及び（and）」と「又は（or）」の両方を包含する。例えば、「Ｘに応答して、Ｙ」、「Ｘに際して、Ｙ」、「もしＸであれば、Ｙ」「Ｘの時にＹ」などといった条件関係を表す用語は、先行詞が必要な因果条件であり、先行詞が十分な因果条件であり、又は先行詞が結果の一因となる因果条件である（例えば、「条件Ｙの獲得に際して、状態Ｘが生じる」は、「Ｙに際してのみＸが生じる」及び「Ｘが、Ｙ及びＺに際して生じる」を包括する）因果関係を包含する。このような条件関係は、一部の結果が遅延され得ることから、先行詞の後にすぐさま続く獲得する結果に限定されず、条件文において、先行詞はそれらの結果に関係があり、例えば、先行詞は、結果が生じる可能性に関係する。複数の属性又は機能が複数の対象に対応付けられる文（例えば、１つ又は複数のプロセッサが、ステップＡ、Ｂ、Ｃ、及びＤを行う）は、別段の指示がない限り、全てのそのような属性又は機能が、全てのそのような対象に対応付けられること、及び属性又は機能のサブセットが、属性又は機能のサブセットに対応付けられることの両方（例えば、全プロセッサのそれぞれが、ステップＡ〜Ｄを行うこと、及びプロセッサ１がステップＡを行い、プロセッサ２がステップＢ及びステップＣの一部を行い、及びプロセッサ３がステップＣの一部及びステップＤを行うケースの両方）を包含する。さらに別段の指示がない限り、１つの値又は動作が別の条件又は値に「基づく」文は、その条件又は値が、唯一の因子である場合、及びその条件又は値が、複数の因子の中の１つの因子である場合の両方を包含する。別段の指示のない限り、ある集団の「各々の」例が、ある特性を有するという文は、より大きな集団の他の点では同一又は類似のメンバーがその特性を持たないケースを排除すると解釈されるべきではなく、すなわち、「各々」は、必ずしも、「ありとあらゆる」を意味しない。
【０１９２】
[00215]  実施形態は、以下の条項を用いてさらに説明することができる：
１．基板上のパターンのメトロロジデータに対する、モデリングされる第１のプロセス変数の第１の寄与を取得することと、
パターンのメトロロジデータに対する、モデリングされない第２のプロセス変数の第２の寄与を取得することと、
ハードウェアコンピュータにより第１の寄与及び第２の寄与を統合することによって、メトロロジデータを取得することと、
を含む、方法。
２．メトロロジデータが、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）、クリティカルディメンジョン均一性（ＣＤＵ）、側壁角、エッジ位置、オーバーレイ、焦点、パターンシフト、又はそれらから選択された組み合わせを含む、条項１に記載の方法。
３．メトロロジデータが、パターングループの統計値を含む、条項１又は２に記載の方法。
４．第２のプロセス変数が、基板の露光の下流のプロセスの特性である、条項１〜３の何れか一項に記載の方法。
５．プロセスが、基板上のレジスト層の現像である、条項４に記載の方法。
６．プロセスが、基板のエッチングである、条項４に記載の方法。
７．第２のプロセス変数が、基板の特性である、条項１〜３の何れか一項に記載の方法。
８．第２のプロセス変数が、基板上のレジスト層の特性である、条項１〜３の何れか一項に記載の方法。
９．第２のプロセス変数の値が、未知である、条項１〜８の何れか一項に記載の方法。
１０．第１の寄与及び第２の寄与を統合することが、第１の寄与及び第２の寄与を加算すること、又は第１の寄与及び第２の寄与をコンボリューションすることを含む、条項１〜９の何れか一項に記載の方法。
１１．基板上のパターンのメトロロジデータに対する第２のプロセス変数の寄与を、ハードウェアコンピュータにより、メトロロジデータに対する第１のプロセス変数の寄与をメトロロジデータから除去することによって取得することを含む、方法。
１２．第１のプロセス変数が、モデリングされる、条項１１に記載の方法。
１３．第１のプロセス変数の寄与の取得が、モデリングによるものである、条項１２に記載の方法。
１４．第１のプロセス変数の寄与が、第２のプロセス変数の非線形関数である、条項１２に記載の方法。
１５．第１のプロセス変数が、モデリングされない、条項１１に記載の方法。
１６．第１のプロセス変数の寄与が、実験的又は経験的に決定される、条項１５に記載の方法。
１７．基板上の第１のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、メトロロジデータに対する第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与をメトロロジデータから除去することによって取得することと、
第１のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に基づいて、ハードウェアコンピュータにより、基板上の第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を取得することと、
を含む、方法。
１８．第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に基づいて、第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の内の１つ又は複数の変数を調整することによって、第２のパターンにおける欠陥の確率を減少させることをさらに含む、条項１７に記載の方法。
１９．第２のパターンに計測を行うことなく、第２のパターンにおける欠陥の確率を減少させる、条項１８に記載の方法。
２０．第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与が、第２のパターンのメトロロジデータを取得することなく取得される、条項１７に記載の方法。
２１．第２のパターンのメトロロジデータに対する第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を第２のパターンのメトロロジデータから除去することによって取得することをさらに含む、条項１７に記載の方法。
２２．第２のパターンのメトロロジデータに対する第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与が、第２のパターンに関する第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の値を取得することなく取得される、条項２１に記載の方法。
２３．第２のパターンのメトロロジデータに対する第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与、第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与、又は両方に基づいて、第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の内の１つ又は複数のプロセス変数を調整することによって、第２のパターンにおける欠陥の確率を減少させることをさらに含む、条項２１に記載の方法。
２４．第１のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、第１のパターンのメトロロジデータに対する第１のグループのプロセス変数の変化の寄与をメトロロジデータから除去することによって取得することと、
第１のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に基づいて、基板上の第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を取得することと、
ハードウェアコンピュータにより、第２のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に基づいて、第２のパターンに関する第１のグループのプロセス変数が及ぶサブプロセスウィンドウ（サブＰＷ）を取得することと、
を含む、方法。
２５．第１のグループが、モデリングされる全てのプロセス変数を含み、及び第２のグループが、モデリングされない全てのプロセス変数を含む、条項２４に記載の方法。
２６．サブＰＷに基づいて、第１のグループのプロセス変数の内の１つ又は複数の値を調整することによって、第２のパターンにおける欠陥の確率を減少させることをさらに含む、条項２４に記載の方法。
２７．メトロロジデータに対するモデリングされる第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与、及びメトロロジデータに対するモデリングされない第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を統合することによって、ホットスポットのメトロロジデータの推定値を取得することと、
ハードウェアコンピュータにより、メトロロジデータの推定値に基づいて、ホットスポットに欠陥があるか否かを決定することと、
を含む、方法。
２８．推定値が、ホットスポットに計測を行うことなく取得される、条項２７に記載の方法。
２９．パターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与をメトロロジデータから除去することによって取得することと、
メトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を決定するためのモデルのパラメータの値を、ハードウェアコンピュータにより、パターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に対してパラメータをフィッティングすることによって取得することと、
を含む、方法。
３０．第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数が、モデリングされない全てのプロセス変数を含む、条項２９に記載の方法。
３１．第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の全てのプロセス変数が、モデリングされる、条項２９に記載の方法。
３２．基板上のパターンのメトロロジデータの推定値を、メトロロジデータに対するモデリングされるプロセス変数の変化の寄与と、メトロロジデータに対するモデリングされないプロセス変数の変化の寄与とを統合することによって取得することと、
メトロロジデータの推定値が基準を満たすか否かを決定することと、
推定値が基準を満たさない場合、ハードウェアコンピュータにより、モデリングされるプロセス変数と、メトロロジデータに対するモデリングされないプロセス変数の変化の寄与との関係を調整することと、
を含む、方法。
３３．関係の調整は、基板上のレジストの化学組成を変更することを含む、条項３２に記載の方法。
３４．関係の調整は、基板上のレジストの現像に使用される化学薬品を変更することを含む、条項３２に記載の方法。
３５．関係の調整は、基板のエッチングに使用されるエッチング装置を変更することを含む、条項３２に記載の方法。
３６．パターニングプロセスによって処理される基板のパターン、又はパターニングプロセスによって処理される基板用のパターンの第１の変数の値を、基板に関する第１の変数のフィンガープリントと、第１の変数の特定の値とを統合することによって計算することと、
第１の変数の計算値に少なくとも部分的に基づいて、パターンの第２の変数の値を決定することと、
を含む、方法。
３７．パターンの第２の変数の値の決定は、第１の変数の計算値及び第２の変数に少なくとも部分的に基づいた再構築又はシミュレーション結果がルールに適合するまで、ハードウェアコンピュータにより、第２の変数を調整することを含む、条項３６に記載の方法。
３８．ルールは、基板上のパターンの測定結果と、再構築／シミュレーション結果との差が、閾値を超える又は閾値に合致することを示す、条項３７に記載の方法。
３９．再構築／シミュレーション結果が、計算放射分布であり、及び測定結果が、測定放射分布である、条項３６又は３７に記載の方法。
４０．第１の変数の変化が、第２の変数の同じ変化よりも、再構築又はシミュレーション結果においてより大きな差をもたらす、条項３７〜３９の何れか一項に記載の方法。
４１．第１の変数が、基板上のメトロロジターゲットに関係する、条項３６〜４０の何れか一項に記載の方法。
４２．第１の変数が、基板上のメトロロジターゲットのパターンのクリティカルディメンジョンである、条項４１に記載の方法。
４３．第２の変数が、基板上のメトロロジターゲットに関係する、条項３６〜４２の何れか一項に記載の方法。
４４．第２の変数が、メトロロジターゲットのパターンの側壁角、メトロロジターゲットのパターンの高さ、メトロロジターゲットの層の厚さ、現像中のメトロロジターゲットのパターンのレジスト損失、メトロロジターゲットのフッティング、メトロロジターゲットの層の屈折率、メトロロジターゲットの層の吸収、及び／又はメトロロジターゲットの層の吸光係数から選択された１つ又は複数を含む、条項４３に記載の方法。
４５．パターンの第２の変数に基づいて、基板上へのパターンの転写の下流のプロセスに続いて、欠陥があるか否かを予測することをさらに含む、条項３６〜４４の何れか一項に記載の方法。
４６．基板上へのパターンの転写の下流のプロセスに続く、パターンにおける欠陥の予測に応答して、基板又は別の基板に関するパターニングプロセスの変数を調整する、条項４５に記載の方法。
４７．プロセスが、基板上のレジスト層の現像を含む、条項４５又は４６に記載の方法。
４８．プロセスが、基板のエッチングを含む、条項４５〜４７の何れか一項に記載の方法。
４９．パターニングプロセスのリソグラフィ装置に関係する第１のグループの１つ又は複数の変数からの第１の寄与と、リソグラフィ装置におけるパターンの転写より前、又は後の１つ又は複数の製作プロセスに関係する第２のグループの１つ又は複数の変数からの第２の寄与と、パターンの転写に使用されるパターニングデバイスに関係する第３のグループの１つ又は複数の変数からの第３の寄与とを統合することによって、第１の変数のフィンガープリントを取得することをさらに含む、条項３６〜４８の何れか一項に記載の方法。
５０．第１のグループの変数が、リソグラフィ装置による照明、リソグラフィ装置の投影系、リソグラフィ装置の基板ステージの移動の移動標準偏差、基板ステージの移動の移動平均、焦点、ドーズ、帯域幅、露光期間、高周波レーザ帯域幅変化、高周波レーザ波長変化、及び／又は基板の平坦性の１つ又は複数の変数を含む、条項４９に記載の方法。
５１．第２のグループの変数が、スピンコーティング、ポストベーク、現像、エッチング、堆積、ドーピング、及び／又はパッケージングの１つ又は複数の変数を含む、条項４９又は５０に記載の方法。
５２．第３のグループの変数が、マスクＣＤ、アシストパターンの形状及び／又は位置、及び／又は解像度向上技術によって適用される調整の１つ又は複数の変数を含む、条項４９〜５１の何れか一項に記載の方法。
５３．第１の変数のフィンガープリントと、第１の変数の特定の値との統合は、第１の変数のフィンガープリントと、第１の変数の特定の値とを加算することを含む、条項３６〜５２の何れか一項に記載の方法。
５４．第１の変数の特定の値が、基板に関する第１の変数の一群の測定の平均値を求めることによって取得される、条項３６〜５３の何れか一項に記載の方法。
５５．第１の変数の特定の値が、第１の変数の設計値である、条項３６〜５３の何れか一項に記載の方法。
５６．第２の変数の値の決定時に使用される第１の変数が、第１の変数の計算値を中心とした特定の範囲内に制限された値を有する、条項３６〜５４の何れか一項に記載の方法。
５７．パターニングプロセスによって作成されるパターンに関連付けられた変数の基板全体フィンガープリントを取得することと、
ハードウェアコンピュータシステムにより、フィンガープリント内の基板位置から選択された変数の値に基づいて、パターンのフィーチャのコンターを予測することと、
を含む、方法。
５８．予測が、変数の値を用いて、フィーチャの特定の形状の公称コンターを選択することを含む、条項５７に記載の方法。
５９．公称コンターが、シミュレーション又は数学モデルを用いた演算によって取得される、条項５８に記載の方法。
６０．公称コンターが、レジストにおいて期待されるコンターである、条項５８又は５９に記載の方法。
６１．予測が、フィーチャの公称コンターのサイズを変更することを含む、条項５７〜６０の何れか一項に記載の方法。
６２．サイズの変更が、パターンに関連付けられたさらなる変数の値に基づき、その値が、さらなる変数の基板全体フィンガープリントから同じ基板位置で選択される、条項６１に記載の方法。
６３．さらなる変数の基板全体フィンガープリントが、ポストエッチング状況に対応する、条項６２に記載の方法。
６４．さらなる変数が、クリティカルディメンジョンを含む、条項６２又は６３に記載の方法。
６５．変数が、焦点を含む、条項５７〜６４の何れか一項に記載の方法。
６６．フィーチャが、決定されたホットスポットである、条項５７〜６５の何れか一項に記載の方法。
６７．予測コンターを用いて、エッジ配置位置又は誤差を決定することをさらに含む、条項５７〜６６の何れか一項に記載の方法。
６８．フィーチャ又は別のフィーチャに欠陥のある可能性が高いか否かを決定するために、予測コンターに対するチェックを用いることをさらに含む、条項５７〜６７の何れか一項に記載の方法。
６９．予測コンターを用いて、数学モデルを較正することをさらに含む、条項５７〜６８の何れか一項に記載の方法。
７０．数学モデルが、光近接効果補正モデルを含む、条項６９に記載の方法。
７１．記録された命令を有する非一時的コンピュータ可読媒体を含むコンピュータプログラムであって、命令が、コンピュータによって実行されると、条項１〜７０の何れか一項に記載の方法を実施する、コンピュータプログラム。
【０１９３】
[00216]  特定の米国特許、米国特許出願、又は他の資料（例えば、論文）が援用された範囲で、上記米国特許、米国特許出願、及び他の資料の本文は、上記資料と、本明細書に明記された記載及び図面との間に矛盾のない範囲でのみ援用される。そのような矛盾の際には、上記援用された米国特許、米国特許出願、及び他の資料におけるそのような矛盾する本文は、厳密には本明細書に援用されない。
【０１９４】
[00217]  本開示の具体的な実施形態を上記に説明したが、これらの実施形態は、記載された以外の方法で実施され得ることが認識されるだろう。
【図１】
2020126279.tif 000003
【図２】
2020126279.tif 000004
【図３Ａ】
2020126279.tif 000005
【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
2020126279.tif 000010
【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
2020126279.tif 000012
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
2020126279.tif 000025
【図２０Ｂ】
2020126279.tif 000026
【図２０Ｃ】
2020126279.tif 000027
【図２１Ａ】
2020126279.tif 000028
【図２１Ｂ】
2020126279.tif 000029
【図２１Ｃ】
2020126279.tif 000030
【図２２】
2020126279.tif 000031
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月28日(2020.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メトロロジデータを処理するための方法であって、
基板上の第１のパターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、前記メトロロジデータに対する第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を前記メトロロジデータから除去することによって取得することと、
前記第１のパターンの前記メトロロジデータに対する前記第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の前記寄与に基づいて、ハードウェアコンピュータにより、前記基板上の第２のパターンのメトロロジデータに対する前記第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を取得することと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記第２のパターンのメトロロジデータに対する前記第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の前記寄与に基づいて、前記第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の内の１つ又は複数の変数を調整することによって、前記第２のパターンにおける欠陥の確率を減少させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のパターンの前記メトロロジデータに対する前記第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の前記寄与が、前記第２のパターンの前記メトロロジデータを取得することなく取得される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
メトロロジデータを処理するための方法であって、
メトロロジデータに対するモデリングされる第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与と、前記メトロロジデータに対するモデリングされない第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与と、を統合することによって、ホットスポットのメトロロジデータの推定値を取得することと、
ハードウェアコンピュータにより、前記メトロロジデータの推定値に基づいて、前記ホットスポットに欠陥があるか否かを決定することと、
を含む、方法。
【請求項５】
前記推定値が、前記ホットスポットに計測を行うことなく取得される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
メトロロジデータを処理するための方法であって、
パターンのメトロロジデータに対する第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、第１のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を前記メトロロジデータから除去することによって取得することと、
前記メトロロジデータに対する前記第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の前記寄与を決定するためのモデルのパラメータの値を、ハードウェアコンピュータにより、前記パターンの前記メトロロジデータに対する前記第２のグループの１つ又は複数のプロセス変数の変化の前記寄与に対して前記パラメータをフィッティングすることによって取得することと、
を含む、方法。
【請求項７】
基板のパターンの変数を処理するための方法であって、
パターニングプロセスによって処理される基板のパターン、又は、パターニングプロセスによって処理される基板用のパターン、の第１の変数の値を、前記基板に関する第１の変数のフィンガープリントと、前記第１の変数の特定の値と、を統合することによって計算することと、
前記第１の変数の前記計算値に少なくとも部分的に基づいて、前記パターンの第２の変数の値を決定することと、
を含む、方法。
【請求項８】
前記パターンの前記第２の変数の値の決定は、前記第１の変数の前記計算値及び前記第２の変数に少なくとも部分的に基づいた再構築又はシミュレーション結果がルールに適合するまで、ハードウェアコンピュータにより、前記第２の変数を調整することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の変数が、前記基板上の前記メトロロジターゲットに関係する、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の変数が、前記メトロロジターゲットのパターンの側壁角、前記メトロロジターゲットのパターンの高さ、前記メトロロジターゲットの層の厚さ、現像中の前記メトロロジターゲットのパターンのレジスト損失、前記メトロロジターゲットのフッティング、前記メトロロジターゲットの層の屈折率、前記メトロロジターゲットの層の吸収、及び／又は、前記メトロロジターゲットの層の吸光係数、から選択された１つ又は複数を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
コンターを予測するための方法であって、
パターニングプロセスによって作成されるパターンに関連付けられた変数の基板全体フィンガープリントを取得することと、
ハードウェアコンピュータシステムにより、前記フィンガープリント内の基板位置から選択された前記変数の値に基づいて、前記パターンのフィーチャのコンターを予測することと、
を含む、方法。
【請求項１２】
前記予測が、前記変数の値を用いて、前記フィーチャの特定の形状の公称コンターを選択することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記公称コンターが、シミュレーション又は数学モデルを用いた演算によって取得される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記公称コンターが、レジストにおいて期待されるコンターである、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記予測コンターを用いて、エッジ配置位置又は誤差を決定することをさらに含む、請求項１１から１３の何れか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記フィーチャ又は別のフィーチャに欠陥のある可能性が高いか否かを決定するために、前記予測コンターに対するチェックを用いることをさらに含む、請求項１１から１３の何れか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記予測コンターを用いて、数学モデルを較正することをさらに含む、請求項１１から１３の何れか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記数学モデルが、光近接効果補正モデルを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
記録された命令を有する非一時的コンピュータ可読媒体を含むコンピュータプログラムであって、
前記命令が、コンピュータによって実行されると、請求項６又は１１に記載の方法を実施する、コンピュータプログラム。
【外国語明細書】
2020126279000001.pdf