(57)【要約】【課題】ガス噴出口やこれにつながる配管内にＳｉＣが析出することを防止し、組成の均一な膜の成膜が可能な成膜装置および成膜方法を提供することにある。【解決手段】第１面と、前記第１面と対向する第２面と、前記第１面と前記第２面とをつなぐ４つの側面からなる直方体状の内形を有する成膜室と、前記第１面またはその近傍にあり、原料ガスおよびキャリアガスを含む混合ガスを前記成膜室に噴出する混合ガス噴出口と、前記第２面またはその近傍にあり、前記混合ガスを前記成膜室から排出する混合ガス排出口と、４つの前記側面を囲み、前記成膜室を加熱するヒータと、複数の基板を、基板同士を非接触で等間隔に積層して保持可能であり、前記成膜室の前記第１面と前記第２面との間において、前記基板の成膜対象面を前記側面と平行に設置可能な基板ホルダーと、前記混合ガス噴出口から噴出される前記混合ガスの噴出速度を、前記混合ガスの拡散速度よりも早くすることができる噴出速度制御手段と、を備える成膜装置。【選択図】図１
2020161542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面と対向する第２面と、前記第１面と前記第２面とをつなぐ４つの側面からなる直方体状の内形を有する成膜室と、
前記第１面またはその近傍にあり、原料ガスおよびキャリアガスを含む混合ガスを前記成膜室に噴出する混合ガス噴出口と、
前記第２面またはその近傍にあり、前記混合ガスを前記成膜室から排出する混合ガス排出口と、
４つの前記側面を囲み、前記成膜室を加熱するヒータと、
複数の基板を、基板同士を非接触で等間隔に積層して保持可能であり、前記成膜室の前記第１面と前記第２面との間において、前記基板の成膜対象面を前記側面と平行に設置可能な基板ホルダーと、
前記混合ガス噴出口から噴出される前記混合ガスの噴出速度を、前記混合ガスの拡散速度よりも早くすることができる噴出速度制御手段と、を備える成膜装置。
【請求項２】
複数の前記混合ガス噴出口が、前記複数の基板の積層方向に並べられている、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記混合ガス噴出口と前記基板ホルダーとの最短距離は、１５０ｍｍ以上である、請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の成膜装置を用いる成膜方法であって、
前記成膜室において、前記基板ホルダーに基板同士を非接触で等間隔に積層され、かつ、前記成膜対象面を前記側面と平行に設置された複数の前記基板に対し、前記混合ガス噴出口から前記混合ガスを前記成膜室に噴出すると共に、前記混合ガス排出口から前記混合ガスを前記成膜室から排出して、当該混合ガスを前記成膜対象面と平行な方向に流通させて、前記基板に膜を成膜する成膜工程を含む、成膜方法。
【請求項５】
前記混合ガス噴出口から噴出される前記混合ガスの噴出速度を、前記混合ガスの拡散速度よりも早くする、請求項４に記載の成膜方法。
【請求項６】
炭化珪素多結晶膜の成膜方法であり、前記原料ガスは、珪素源ガスおよび炭素源ガスを含み、前記珪素源ガスは、ＳｉＨ4、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、およびＳｉＣｌ4からなる群から選ばれた１種又は２種以上であり、前記炭素源ガスは、炭素数が５以下の炭化水素から選ばれた１種または２種以上であり、前記キャリアガスは水素ガスである、請求項４または５に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記成膜室の室内の温度を１４００K〜１７００K、かつ前記第１面の温度を１１００Ｋ以下とする、請求項６に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記混合ガス噴出口の温度を１２００Ｋ以下とする、請求項６または７に記載の成膜方法。
【請求項９】
炭化珪素単結晶膜の成膜方法であり、前記原料ガスは、珪素源ガスおよび炭素源ガスを含み、前記珪素源ガスは、ＳｉＨ4、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、およびＳｉＣｌ4からなる群から選ばれた１種又は２種以上であり、前記炭素源ガスは、炭素数が５以下の炭化水素から選ばれた１種または２種以上であり、前記キャリアガスは水素ガスであり、
前記珪素源ガスにおける珪素原子数に対する前記炭素源ガスにおける炭素原子数の比（C/Si）を０．７〜１．３にして、前記基板に炭化珪素単結晶の薄膜をエピタキシャル成長させる、請求項４または５に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置および成膜方法に関し、例えば、複数の支持基板等を非接触の状態で互いに隙間を空けて等間隔に積層し、多結晶炭化珪素等を成膜する成膜装置および成膜方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）は、２．２〜３．３ｅＶの広い禁制帯幅を有するワイドバンドギャップ半導体であり、その優れた物理的、化学的特性から、例えば、高周波電子デバイス、高耐圧かつ高出力の電子デバイス、青色から紫外にかけての短波長光デバイス等をはじめとして、炭化珪素によるデバイス（半導体素子）作製の研究開発が盛んに行われている。ＳｉＣデバイスの実用化を進めるにあたっては、高品質のＳｉＣエピタキシャル成長のために大口径の炭化珪素基板を製造することが求められている。現在、その多くは、種結晶を用いた昇華再結晶法（改良レーリー法、改良型レーリー法等と呼ばれる）やCVD法（化学的気相蒸着法）等で製造されている。
【０００３】
ＣＶＤ法を利用する炭化珪素基板の製造方法は、原料ガスを気相反応させ、基材面上に炭化珪素生成物を析出させて被膜を生成した後、基材を除去するものであり、緻密で高純度の炭化珪素基板を得ることができる。また、基材は切削や研磨等により除去されるが、基材に炭素材を用いると空気中で熱処理することにより除去できる。
【０００４】
特許文献１には、ＣＶＤ法による炭化珪素基板の製造方法として、基材の表面に化学蒸着法により炭化珪素膜を形成し、その後前記基材を除去して得られた炭化珪素基板の両面に、更に炭化珪素膜を形成することを特徴とする、化学蒸着法による炭化珪素基板の製造方法が提案されている。
【０００５】
ＳｉＣ基板を作製するために、CVD法の中で熱ＣＶＤ法を利用する際には、一般に、成長室内の基板ホルダー上に炭化珪素基板を載せて、ホルダーを回転させながら、ＳｉＣ基板の直上に、例えば珪素源のシランガスやクロロシランガス等と炭素源の炭化水素ガス等とを混合した原料ガスを、水素等のキャリアガスと共に供給して、ＳｉＣ単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる方法が採用されている（例えば非特許文献１参照）。
【０００６】
このとき、窒素（N2） 等のドーピングガスは、通常、原料ガスに混合されて供給される。そして、このようにＳｉＣ基板をホルダーに載置する基板処理装置を、ここでは横型配列構造の基板処理装置と呼ぶ。また、同じ横型配列構造の基板処理装置でも、より大きなホルダーを使って複数の炭化珪素基板を横に並べて搭載し、各ＳｉＣ基板を回転（自転）させると共にホルダーを回転（公転）させて、一度の処理で複数枚のエピタキシャル成長させた炭化珪素ウエハ（エピタキシャルＳｉＣウエハ）を得ることも可能である。このようにホルダー上に複数のＳｉＣ基板を並べる基板処理装置を、ここではプラネタリ構造の基板処理装置と呼ぶ。
【０００７】
このプラネタリ構造の基板処理装置の場合には、ＳｉＣ基板の自転と公転を組み合わせることで、複数のＳｉＣ基板に対して同等のエピタキシャル成長環境を作り出すことが可能なため、ひとつのＳｉＣ基板の基板面内のみならず、複数のＳｉＣ基板の基板間での膜厚やドーピング密度のばらつきを抑えることができて、生産性の観点から有利であるとされる。しかしながら、ホルダーの大きさで搭載可能なＳｉＣ基板の枚数が決まるため、ＳｉＣ基板の口径が大きくなるにつれて、搭載可能な基板の数は減少してしまう。特に、大口径化を図っているＳｉＣ基板においては、エピタキシャルＳｉＣウエハの生産性についても同時に検討しなければならない。
【０００８】
エピタキシャルＳｉＣウエハの生産性を向上させる手段のひとつに、成長室内でホルダーを縦方向に並べて、複数のＳｉＣ基板を互いに隙間を空けて積層する方向に配列させる縦型配列構造の基板処理装置が挙げられる。これによれば、ＳｉＣ基板の口径が大きくなっても然程装置上の制約は受けず、縦方向に配列するＳｉＣ基板の数を増やすことで、横型配列構造の基板処理装置よりも生産性良くエピタキシャルＳｉＣウエハを製造することを可能にする。
【０００９】
ところが、このような縦型配列構造の基板処理装置では、横型配列構造の基板処理装置の場合とは異なる制御が求められる。例えば、成長室の温度が縦方向に揃っていないと、炭化珪素基板を配置した場所によって、得られるエピタキシャル成長膜の膜厚が変わってしまったり、ドーピング密度にばらつきが生じてしまうおそれがある。また、成長室内を縦方向に配列された各ＳｉＣ基板に、それぞれ均一にエピタキシャル成長膜を成長させるためには、成長室内を縦方向に沿う配管を通じて珪素源と炭素源を含んだ原料ガスを導入し、ＳｉＣ基板間の各隙間に対応する位置にガス吹出し口を設けて、ＳｉＣ基板の表面に原料ガスを供給する。ここで、横型配列構造の基板処理装置の場合のように、珪素源のガスと炭素源のガスとを混合して供給すると、ＳｉＣの熱ＣＶＤ法における高温環境下において、配管内でこれらのガスが反応してＳｉＣが生成してしまい、これによって吹き出し口を塞いでしまったり、配管内にＳｉＣが堆積してしまうことがある。
【００１０】
そこで、珪素源を含んだ珪素材料ガスと炭素源を含んだ炭素材料ガスとを、個別のガス導入管によりそれぞれ成長室内に導入する、縦型配列構造の基板処理装置が提案されている（例えば特許文献２、３参照） 。この縦型配列構造の基板処理装置を使えば、多数枚のＳｉＣ基板に対して均一な膜厚でＳｉＣのエピタキシャル成長膜を成膜することが可能になる。しかしながら、このような基板処理装置を使っても、得られるエピタキシャルＳｉＣウエハは、ＳｉＣ基板を配置した場所によってそのＳｉＣ単結晶薄膜のドーピング密度にばらつきがあったり、単一のエピタキシャルＳｉＣウエハにおいてＳｉＣ単結晶薄膜の同一面内でのドーピング密度にばらつきが生じてしまうことがある。
【００１１】
これらの課題に対応するため、特許文献４では、ガス導入管が炭化珪素単結晶基板間の各隙間に対応する位置に、それぞれガス吹出し口を有しており、各炭化珪素単結晶基板の表面にそれぞれ珪素材料ガス、炭素材料ガス、及びドーピングガスとキャリアガスとして希ガスを混合して供給する、エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平８−１８８４０８号公報
【特許文献２】特開２０１０−２８３３３６号公報
【特許文献３】特開２０１１−３８８５号公報
【特許文献４】特開２０１４−１０３１８８号公報
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】Materials Science Forum Vols.45-648(2010),pp77-82
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、従来のホットウォール式の縦型炉に、特許文献４のように成膜対象面を水平にして基板を積層した場合、基板間に十分な原料ガスを供給するためにはＳｉＣが生成する温度領域に配管を形成する必要があり、そうすると、ＳｉＣが生成して配管内やガス噴出口にSiCが析出することで、ガスの供給の制御が困難となるおそれがある。また、積層した基板の間に１つ以上のガス噴出口と排気口が必要なため、積層する基板の枚数が増加すると、管理するガス噴出口と排気口の数が多くなり、管理が難しい場合がある。そして、原料ガスを珪素材料ガス、炭素材料ガスに分離して供給する場合には、原料ガスの混合が不十分になることで、基板上で原料ガス組成を均一化できないおそれがある。
【００１５】
そこで、本発明は、上記の問題点に鑑み、ガス噴出口やこれにつながる配管内にＳｉＣが析出することを防止し、組成の均一な膜の成膜が可能な成膜装置および成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の成膜装置は、第１面と、前記第１面と対向する第２面と、前記第１面と前記第２面とをつなぐ４つの側面からなる直方体状の内形を有する成膜室と、前記第１面またはその近傍にあり、原料ガスおよびキャリアガスを含む混合ガスを前記成膜室に噴出する混合ガス噴出口と、前記第２面またはその近傍にあり、前記混合ガスを前記成膜室から排出する混合ガス排出口と、４つの前記側面を囲み、前記成膜室を加熱するヒータと、複数の基板を、基板同士を非接触で等間隔に積層して保持可能であり、前記成膜室の前記第１面と前記第２面との間において、前記基板の成膜対象面を前記側面と平行に設置可能な基板ホルダーと、前記混合ガス噴出口から噴出される前記混合ガスの噴出速度を、前記混合ガスの拡散速度よりも早くすることができる噴出速度制御手段と、を備える。
【００１７】
複数の前記混合ガス噴出口が、前記複数の基板の積層方向に並べられていることが好ましい。
【００１８】
前記混合ガス噴出口と前記基板ホルダーとの最短距離は、１５０ｍｍ以上であることが好ましい。
【００１９】
また、上記課題を解決するために、本発明の成膜方法は、上記の本発明の成膜装置を用いる成膜方法であって、前記成膜室において、前記基板ホルダーに基板同士を非接触で等間隔に積層され、かつ、前記成膜対象面を前記側面と平行に設置された複数の前記基板に対し、前記混合ガス噴出口から前記混合ガスを前記成膜室に噴出すると共に、前記混合ガス排出口から前記混合ガスを前記成膜室から排出して、当該混合ガスを前記成膜対象面と平行な方向に流通させて、前記基板に膜を成膜する成膜工程を含む。
【００２０】
前記混合ガス噴出口から噴出される前記混合ガスの噴出速度を、前記混合ガスの拡散速度よりも早くしてもよい。
【００２１】
炭化珪素多結晶膜の成膜方法であり、前記原料ガスは、珪素源ガスおよび炭素源ガスを含み、前記珪素源ガスは、ＳｉＨ4、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、およびＳｉＣｌ4からなる群から選ばれた１種又は２種以上であり、前記炭素源ガスは、炭素数が５以下の炭化水素から選ばれた１種または２種以上であり、前記キャリアガスは水素ガスであってもよい。
【００２２】
前記成膜室の室内の温度を１４００K〜１７００K、かつ前記第１面の温度を１１００Ｋ以下としてもよい。
【００２３】
前記混合ガス噴出口の温度を１２００Ｋ以下としてもよい。
【００２４】
炭化珪素単結晶膜の成膜方法であり、前記原料ガスは、珪素源ガスおよび炭素源ガスを含み、前記珪素源ガスは、ＳｉＨ4、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、およびＳｉＣｌ4からなる群から選ばれた１種又は２種以上であり、前記炭素源ガスは、炭素数が５以下の炭化水素から選ばれた１種または２種以上であり、前記キャリアガスは水素ガスであり、前記珪素源ガスにおける珪素原子数に対する前記炭素源ガスにおける炭素原子数の比（C/Si）を０．７〜１．３にして、前記基板に炭化珪素単結晶の薄膜をエピタキシャル成長させてもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、ガス噴出口やこれにつながる配管内にＳｉＣが析出することを防止し、組成の均一な膜の成膜が可能な成膜装置および成膜方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態の成膜装置１０００の上面からみた断面を示す概略図である。
【図２】第１面１１０を成膜室１１０の内部から見た正面概略図である。
【図３】第２面１２０を成膜室１１０の内部から見た正面概略図である。
【図４】基板ホルダー５００の模式図である。
【図５】混合ガスの噴出について説明する模式図である。
【図６】比較例の成膜装置２０００の側面の断面を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の成膜装置および成膜方法の一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明はこれらの実施形態に限定されない。
【００２８】
［成膜装置１０００］
図１に、本発明の一実施形態の成膜装置１０００の上面からみた断面を示す概略図を示す。成膜装置１０００は、成膜室１００と、混合ガス噴出口２００と、混合ガス排出口３００と、ヒータ４００と、基板ホルダー５００と、を備える。
【００２９】
〈成膜室１００〉
成膜室１００は、第１面１１０と、第１面１１０と対向する第２面１２０と、第１面１１０と第２面１２０とをつなぐ４つの側面１３０からなる直方体状の内形を有する。直方体状の内形とすることで、複数の基板を成膜室１００に設置した場合において、基板と基板との間の隙間と基板と側面１３０との間の隙間の形状が同一または近似する。そのため、基板と基板との間を流れる混合ガスと同様に、側面１３０と基板との間を流れる混合ガスも、混合ガス噴出口２００から混合ガス排出口３００へ向かって均一に流すことができる。その結果として、基板に対して均一でばらつきの少ない膜を成膜することができる。
【００３０】
例えば、成膜室１００の内形が直方体状ではなく、筒状の場合には、基板と基板との間の隙間と基板と側面１３０との間の隙間の形状が大きく異なるため、基板と基板との間を流れる混合ガスと、側面１３０と基板との間を流れる混合ガスとが均一に流れなくなる。その結果として、基板と基板との間で成膜した膜と、基板と側面１３０との間で成膜した膜が不均一となり、基板間でばらつきの大きい膜が成膜されるおそれがある。
【００３１】
なお、成膜室１００の内形は、基板ホルダー５００と基板ホルダー５００に保持された基板が入る大きさがあればよく、成膜に関与しない混合ガスが混合ガス噴出口２００から混合ガス排出口３００へ向かって流れて、成膜室１００から排出されてしまうような余分な空間を設けないことが好ましい。
【００３２】
また、成膜室１００は黒鉛製であることが好ましい。黒鉛であれば直方体状への加工が容易であり、また、成膜時に不活性雰囲気下とすることで、高温となる成膜条件に十分な耐久性を持つことができる。
【００３３】
〈混合ガス噴出口２００〉
混合ガス噴出口２００は、成膜室１００の第１面１１０またはその近傍にあり、原料ガスおよびキャリアガスを含む混合ガスを前記成膜室１００に噴出する。混合ガス噴出口２００は複数あることが好ましいが、１つであってもよい。混合ガス噴出口２００が複数あることにより、１つのみの場合と比べて成膜室１００へ混合ガスをより均一に噴出することができる。混合ガス噴出口２００の一例としては、混合ガスが流通する混合ガス導入管２１０において、混合ガスが噴出される開口端部に相当する。そして、混合ガス噴出口２００は、第１面１１０にあってもよく、図１に示すように第１面１１０の近傍であって、成膜室１００の内部側や、混合ガスのガス漏れが無いことを前提として成膜室１００の外部にあってもよい。近傍は、例えば第１面１１０から２０ｍｍ程度が目安となる。なお、混合ガス噴出口２００の温度を制御できるよう、混合ガス導入管２１０を適宜加熱できるヒータや冷却できるクーラー等の温度制御手段を備えてもよい。
【００３４】
図２に、第１面１１０を成膜室１１０の内部から見た正面概略図を示す。図２では、第１面１１０に４個の混合ガス噴出口２００が、一列に配置されている。４個の混合ガス噴出口２００が並ぶ方向は、基板ホルダー５００において基板６００が並んで積層される方向と一致する。各混合ガス噴出口２００のそれぞれから、混合ガスを均等に排出することが可能である。混合ガス噴出口２００の内径は、混合ガス噴出口２００の数や噴出条件によって最適のものを用いればよく、混合ガスの噴出に問題が無ければ特に限定されないが、例えば１０ｍｍ〜２５ｍｍの範囲に設定することができる。また、隣接する混合ガス噴出口２００同士の距離は、混合ガス噴出口２００の数や噴出条件によって最適のものを用いればよく、混合ガス８１０の噴出に問題が無ければ特に限定されないが、例えば２ｍｍ〜１６ｍｍの範囲に設定することができる。また、第１面１１０には、混合ガス噴出口２００が複数の行と複数の列とによって配置されていてもよい。
【００３５】
〈混合ガス排出口３００〉
混合ガス排出口３００は、成膜室１００の第２面１２０またはその近傍にあり、混合ガスを成膜室１００から排出する。混合ガス排出口３００の一例としては、混合ガスが外部へ排出されるために流通する混合ガス排出管３１０において、混合ガスが排出される開口端部に相当する。そして、混合ガス排出口３００は、第２面１２０にあってもよく、図１に示すように第２面１２０の近傍であって、成膜室１００の内部側や、混合ガスのガス漏れが無いことを前提として成膜室１００の外部にあってもよい。近傍は、例えば第２面１２０から２０ｍｍ程度が目安となる。なお、炭化珪素等が混合ガス排出口３００や混合ガス排出管３１０において析出しないよう、混合ガス排出口３００や混合ガス導入管２１０を温度制御するべく、適宜加熱できるヒータや冷却できるクーラー等の温度制御手段を備えてもよい。
【００３６】
図３に、第２面１２０を成膜室１００の内部から見た正面概略図を示す。図３では、第２面１２０の中央に１個の混合ガス排出口３００が配置されている。混合ガス排出口３００は、炭化珪素等が多少成膜しても混合ガスを問題なく排出できれば、１個であってもよく、複数あってもよいが、炭化珪素等が多少成膜しても混合ガスを問題なく排出できるよう、第２面の一辺の１/５〜１/２程度の開口直径を持つものが好ましい。
【００３７】
〈ヒータ４００〉
ヒータ４００は、成膜室１００の４つの側面１３０を囲み、成膜室１００を加熱する。ヒータ４００を制御することによって、成膜室１００の温度を基板に膜を成膜させるのに適した温度に制御することができる。ヒータ４００としては、熱ＣＶＤ法に有用なヒータを用いることができ、例えば筒状のカーボンヒータやカンタルヒータを用いることができる。
【００３８】
〈基板ホルダー５００〉
図４に基板ホルダー５００の模式図を示す。図４（ａ）が基板６００を保持した基板ホルダー５００の側面図であり、図４（ｂ）が成膜室１００の内部において第１面１１０側から見た基板ホルダー５００の正面図である。基板ホルダー５００は、複数の基板６００を、基板６００同士を非接触で等間隔に積層して保持可能であり、成膜室１００の第１面１１０と第２面１２０との間において、基板６００の成膜対象面６１０を成膜室１００の側面１３０と平行に設置可能である。
【００３９】
図４において、基板ホルダー５００は、上保持棒５１０と下保持棒５２０によって基板６００を上下の２か所より挟んで保持することができ、上保持棒５１０と下保持棒５２０のいずれも基板６００を保持するための溝５１１、５２１を有するものである。ただし、基板ホルダーとしてはこれに限定されず、上下に加えて前後にも保持棒を有し、３か所または４か所で基板を保持することができる。
【００４０】
基板ホルダー５００は、例えば上保持棒５１０と下保持棒５２０のいずれもが、成膜室１００の側面１３０のうち、上側面１３０ａと下側面１３０ｂとそれぞれ密接していることで、成膜に関与しない混合ガスが混合ガス噴出口２００から混合ガス排出口３００へ向かって流れて、成膜室１００から大量に排出されてしまうことを防止することができる。
【００４１】
なお、図４（ｂ）では、基板６００の成膜対象面６１０は成膜室１００の側面１３０のうち、左側面１３０ｃと右側面１３０ｄと平行に設置されており、上側面１３０ａおよび下側面１３０ｂと垂直に設置されている。ただし、基板ホルダー５００の形状を変えることにより、基板６００の成膜対象面６１０が左側面１３０ｃと右側面１３０ｄと垂直に設置され、上側面１３０ａおよび下側面１３０ｂと平行に設置されることもできる。すなわち、基板６００は、垂直方向に積層してもよく、水平方向に積層してもよい。ただし、成膜対象面６１０が混合ガス噴出口２００に面するように、成膜対象面６１０を第１面１１０および第２面１２０と平行となるように基板６００を設置すると、基板の間に混合ガスが均一に流れなくなるため、好ましくない。
【００４２】
また、基板６００の成膜対象面６１０と左側面１３０ｃとの隙間の幅７００、および右側面１３０ｄとの隙間の幅７１０が、等間隔に積層した基板６００間のそれぞれの隙間の幅７２０と同一であると、これらの隙間を混合ガスが均一に流れるため、基板間や同一成膜対象面において、厚みのバラツキの少ない膜を成膜することができる。
【００４３】
〈混合ガスの噴出速度〉
図５に、混合ガスの噴出について説明する模式図を示す。混合ガスにおける分子同士の衝突を無視した場合の混合ガスの広がりを模式的に示したものであり、混合ガスに加圧等せずに第１面の混合ガス噴出口２００から自然に拡散する場合の拡散速度をＶｄ、混合ガスを加圧等して混合ガス噴出口２００から噴出する場合の噴出速度をＶｇとする。
【００４４】
拡散速度Ｖｄが噴出速度Ｖｇよりも速い場合、混合ガス８００の拡散がゆっくりと進むため（図５（ａ））、原料ガスの成膜室１００への供給量が少なくなり、成膜速度が遅くなるおそれがある。混合ガス噴出口２００が混合ガスによって成膜しないように、成膜室１００において基板６００と混合ガス噴出口２００との距離をある程度設けることで混合ガス噴出口の温度を低温（例えば１２００Ｋ以下）に制御しようとすると、混合ガス８００が基板６００へ到達するまでに距離があるため、より成膜に時間がかかることとなる。
【００４５】
〈噴出速度制御手段〉
そのため、本発明の成膜装置１０００では、混合ガス噴出口２００から噴出される混合ガスの噴出速度を、前記混合ガスの拡散速度よりも早くすることができる噴出速度制御手段を備える。噴出速度Ｖｇを拡散速度Ｖｄよりも早くすることで（図５（ｂ））、混合ガス８１０が混合ガス噴出口２００より強制的に排出される。これにより、成膜室１００において基板６００と混合ガス噴出口２００との距離をある程度設けた場合であっても、成膜速度の低下を抑えることができる。すなわち、従来法と同等の成膜速度を維持しつつ、混合ガス噴出口２００が混合ガスによって成膜して口径が小さくなっていくことや、混合ガス噴出口２００が塞がってしまうことを防止することができる。
【００４６】
噴出速度Ｖｇを拡散速度Ｖｄよりも早くするべく、混合ガス８１０を混合ガス噴出口２００より強制的に排出することは、例えば、ガス量をレギュレータやコンプレッサ、吸引装置等の噴出速度制御手段により調整することで可能である。例えば、噴出速度Ｖｇを０．４ｍ／秒以上とすることで、従来法と同等の成膜速度を維持しつつ、混合ガス噴出口２００が混合ガスの成膜によって口径が小さくなっていくことや、混合ガス噴出口２００が塞がってしまうことを容易に防止することができる。さらに、噴出速度Ｖｇが１ｍ／秒以上であれば、従来法よりも成膜速度を明確に早めることが可能であり、成膜処理時間をより効果的に短縮することができる。また、本発明の成膜装置１０００において、複数の混合ガス噴出口２００が設けられる場合、基板ホルダー５００が保持可能な基板６００の枚数と、混合ガス噴出口２００の口数との比は、１：０．４〜１．５であることが好ましい。基板ホルダー５００が保持可能な基板６００の枚数と、混合ガス噴出口２００の口数との比は、１：０．４〜１．５であれば、上記のガス速度やガス流量の均一性を満足しつつ、成膜速度の低下を防止することができる。
【００４７】
本発明の成膜装置１０００において、混合ガス噴出口２００と基板ホルダー５００との最短距離は、１５０ｍｍ以上であることが好ましい。混合ガス８１０の噴出速度やガス流量、混合ガス噴出口２００の口数によっても、最適な最短距離は異なる物の、上記の最短距離が１５０ｍｍ以上であれば、成膜室１００における基板６００周辺の成膜温度よりも、混合ガス噴出口２００周辺の温度を十分に下げることができる。これにより、混合ガス噴出口２００が混合ガスの成膜によって口径が小さくなっていくことや、混合ガス噴出口２００が塞がってしまうことを容易に防止することができる。
【００４８】
（その他の構成）
本発明の一実施形態の成膜装置１０００は、上記の構成の他、更なる構成を備えていてもよい。例えば、図１に示すように、成膜室１００が内部に挿入された例えばカーボン製の円筒状の外筒１１００、外筒１１００の内部において成膜室１００を第１面１１０および第２面１２０の外部から固定する保持治具１２００、外筒１１００が内部に挿入され、外筒１１００との間にＡｒガス等の不活性ガスを流通させるセラミック炉芯管１３００、外筒１１００およびセラミック炉芯管１３００をそれらの両端において固定する固定フランジ１４００、成膜室１００を外筒１１００およびセラミック炉芯管１３００と共に内部に収める筐体１５００を備えてもよい。また、未図示ではあるが、成膜室１００の室内の温度や第１面１００の温度、混合ガス噴出口２００の温度を測定する温度計等の温度測定手段、ヒータ４００の発熱を制御するスイッチ等の制御手段や発熱させるための電源等を備えることができる。
【００４９】
［成膜方法］
次に、本発明の成膜方法の一例として、成膜装置１０００を用いる成膜方法について説明する。本発明の成膜方法は、成膜工程を含む。
【００５０】
〈成膜工程〉
成膜工程は、成膜室１００において、基板ホルダー５００に基板６００同士を非接触で等間隔に積層され、かつ、成膜対象面６１０を側面１３０と平行に設置された複数の基板６００に対し、複数の混合ガス噴出口２００から混合ガス８１０を成膜室１００に噴出すると共に、混合ガス排出口３００から混合ガス８１０を成膜室１００から排出して、混合ガス８１０を成膜対象面６１０と平行な方向に流通させて、基板６００に膜を成膜する工程である。このように成膜すれば、基板間や同一成膜対象面において、厚みのバラツキの少ない膜を成膜することができる。
【００５１】
また、基板６００の成膜対象面６１０と左側面１３０ｃとの隙間の幅７００、および右側面１３０ｄとの隙間の幅７１０が、等間隔に積層した基板６００間のそれぞれの隙間の幅７２０と同一であると、これらの隙間を混合ガスが均一に流れるため、基板間や同一成膜対象面において、より厚みのバラツキの少ない膜を成膜することができる。
【００５２】
例えば、図５を用いて説明したように、混合ガス噴出口２００から噴出される混合ガス８１０の噴出速度Ｖｇを、混合ガス８１０の拡散速度Ｖｄよりも早くすることが好ましい。
【００５３】
本発明の成膜方法としては、例えば炭化珪素多結晶膜の成膜方法が挙げられる。この場合には、炭化珪素の原料となる珪素源ガスと炭素源ガスが原料ガスとなり、原料ガスとさらにこれらの原料ガスを運搬する役目を持つアルゴンガスやヘリウムガス等の希ガスや水素ガス等のキャリアガスを混合したものが、混合ガス８１０となる。混合ガス８１０は更に適宜窒素ガス等のドーパントガスやアルゴンガスを含んでもよい。
【００５４】
珪素源ガスとしては、基板６００へ炭化珪素多結晶膜を問題なく成膜できれば、特に限定されない。例えば、単量体であるＳｉＨ4、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、およびＳｉＣｌ4からなる群から選ばれた１種又は２種以上を珪素源ガスとして用いることができる。
【００５５】
また、炭素源ガスとしては、基板６００へ炭化珪素多結晶膜を問題なく成膜できれば、特に限定されない。常温付近でガス状態であってハンドリングする上で好都合であることから、炭素数が５以下の飽和炭化水素、又は、炭素数が５以下の不飽和炭化水素からなる炭素源ガスであるのがよく、これらの１種又は２種以上を混合したものを好適に用いることができる。特に、炭素数が５以下の炭化水素から選ばれた１種または２種以上であり、メタン、エタン、プロパン、ブタンやこれらに類似する炭化水素ガスを、適宜炭素源ガスとして用いることができる。
【００５６】
炭化珪素多結晶膜を成膜する場合には、成膜室１００の室内の温度を１４００K〜１７００K、かつ第１面１１０の温度を１１００Ｋ以下とすることが好ましい。成膜室１００の室内の温度は、基板６００へ炭化珪素多結晶膜を成膜させるために重要な条件である。室内の温度が低いと、炭化珪素多結晶膜が成膜しないか、成膜速度が遅くなって製造効率を低下させるおそれがある。さらに、成膜に関与しない原料ガスが成膜室から大量に排出されてしまい、原料ガスのロスが大きくなるおそれがある。また、室内の温度が高いと、エピタキシャル成長が起こるおそれや、混合ガス８１０の上流側に相当する混合ガス噴出口２００から近い成膜対象面６１０が成膜され易く、混合ガス８１０の下流側に相当する混合ガス排出口３００から近い成膜対象面６１０が成膜され難くなるおそれがあり、同一の成膜対象面６１０において炭化珪素多結晶膜の膜厚が著しくばらつくおそれがある。成膜室１００の室内の温度を１４００K〜１７００Kとすることで、製造効率を低下させることなく、炭化珪素多結晶膜の均一な成膜が可能となる。
【００５７】
そして、第１面１１０の温度は、混合ガス噴出口２００へ炭化珪素多結晶膜が析出して塞がれないために、また、混合ガス８１０の噴出の制御が困難とならないようにするために重要な条件となる。第１面１１０の温度が高いと、混合ガス噴出口２００へ炭化珪素多結晶膜が析出してしまい、混合ガス８１０の噴出の制御が困難となるおそれや、混合ガス噴出口２００が塞がれてしまうおそれがある。また、第１面１１０の温度が低くても問題ないが、第１面１１０の温度が低くなることで成膜室１００の室内の温度の制御が困難となるおそれがある。これらの点を考慮すると、第１面１１０の温度を１１００Ｋ以下、より好ましくは６００Ｋ〜１０００Ｋ程度とすることが良い。
【００５８】
さらに、炭化珪素多結晶膜を成膜する場合には、混合ガス噴出口２００の温度を１２００Ｋ以下とすることが好ましい。混合ガス噴出口２００の温度は、混合ガス噴出口２００へ炭化珪素多結晶膜が析出して塞がれないために、また、混合ガス８１０の噴出の制御が困難とならないようにするために重要な条件となる。混合ガス噴出口２００の温度が高いと、混合ガス噴出口２００へ炭化珪素多結晶膜が析出してしまい、混合ガス８１０の噴出の制御が困難となるおそれや、混合ガス噴出口２００が塞がれてしまうおそれがある。また、混合ガス噴出口２００の温度が低くても問題ないが、第１面１１０の温度が低くなることで成膜室１００の室内の温度の制御が困難となるおそれがある。これらの点を考慮すると、混合ガス噴出口２００の温度を１２００Ｋ以下、より好ましくは６００Ｋ〜１０００Ｋ程度とすることが良い。
【００５９】
なお、各基板６００の成膜対象面６１０に成長させる炭化珪素多結晶薄膜の膜厚については、適宜設定することができ、特に制限はない。一般的には膜厚を０．２〜５ｍｍ程度の範囲とすることができる。
【００６０】
また、本発明の成膜方法としては、炭化珪素単結晶膜の成膜方法が挙げられる。この場合には、炭化珪素の原料となる珪素源ガスと炭素源ガスが原料ガスとなり、原料ガスとさらにこれらの原料ガスを運搬する役目を持つアルゴンガスやヘリウムガス等の希ガスや水素ガス等のキャリアガスを混合したものが、混合ガス８１０となる。混合ガス８１０は更に適宜窒素ガス等のドーパントガスやアルゴンガスを含んでもよい。
【００６１】
珪素源ガスとしては、基板６００へ炭化珪素多結晶膜を問題なく成膜できれば、特に限定されない。例えば、単量体であるＳｉＨ4、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、およびＳｉＣｌ4からなる群から選ばれた１種又は２種以上を珪素源ガスとして用いることができる。
【００６２】
また、炭素源ガスとしては、基板６００へ炭化珪素多結晶膜を問題なく成膜できれば、特に限定されない。常温付近でガス状態であってハンドリングする上で好都合であることから、炭素数が５以下の飽和炭化水素、又は、炭素数が５以下の不飽和炭化水素からなる炭素源ガスであるのがよく、これらの１種又は２種以上を混合したものを好適に用いることができる。特に、炭素数が５以下の炭化水素から選ばれた１種または２種以上であり、メタン、エタン、プロパン、ブタンやこれらに類似する炭化水素ガスを、適宜炭素源ガスとして用いることができる。
【００６３】
さらに、炭化珪素単結晶膜を成膜する場合には、前記珪素源ガスにおける珪素原子数に対する前記炭素源ガスにおける炭素原子数の比（C/Si）が重要であり、C/Siを０．７〜１．３に制御することにより、基板６００に炭化珪素単結晶の薄膜をエピタキシャル成長させることが容易となり、成長速度を大きくすることができて生産性の向上に繋がる。C/Siが０．７〜１．３から外れた場合には、珪素原子と炭素原子の存在割合のバランスが悪くなることで、成膜が困難となるおそれや、成膜速度が遅くなるおそれ、成膜に関与しない原料ガスが増えて無駄になるおそれがある。例えば、C/Siが０．７未満であると、未反応のＳｉが金属状態で膜に付着（ドロップレット）してしまうおそれがあり、欠陥発生の原因となる。また、C/Siが１．３を超えると、バンチングと呼ばれる表面段差が発生するおそれがあり、デバイスを作製する上で悪影響を与えることがある。より好ましくは、C/Siを０．８〜１．２とする。
【００６４】
炭化珪素単結晶薄膜の成長速度は1０μｍ／時間〜７０μｍ／時間とするのが好適であり、その際の珪素材料ガスについては、上記で好適な例として挙げた珪素源ガスの濃度が１体積％〜１０体積％になるようにするのがよく、好ましくは２体積％〜４体積％であるのがよい。一方の炭素材料ガスについては、好適な例として挙げた炭素源ガスの濃度が０．０１体積％〜１体積％以下になるようにするのがよく、好ましくは０．０２体積％〜０．０６体積％であるのがよい。なお、この濃度範囲は、一例としてＣ3Ｈ8の場合について例示したものであり、この濃度範囲を目安として、他の炭素源ガスを用いる場合には、カーボン（C）の量で等量となるように変更すればよい。例えば、メタン（CH4）を用いる場合には、この濃度範囲の上限値及び下限値をそれぞれ３倍にすればよい。
【００６５】
また、炭化珪素単結晶薄膜の成長圧力については、成長温度と同様、炭化珪素薄膜をCVD成長させる際の一般的な条件をそのまま採用することができる。例えば、成長圧力を１０，０００Ｐａ〜１１０，０００Ｐａの範囲とするのがよい。
【００６６】
なお、本発明の成膜方法は、炭化珪素多結晶膜や炭化珪素単結晶膜の成膜方法に限定されない。例えば、窒化チタン、窒化アルミニウム、炭化チタン、ダイヤモンドライクカーボン等の成膜にも有用な方法である。
【００６７】
（その他の工程）
本発明の成膜方法は、上記した成膜工程以外にも、他の工程を含むことができる。例えば、基板ホルダー５００に基板６００同士を非接触で等間隔に積層して、基板６００を基板ホルダー５００に設置する工程や、基板６００を設置した基板ホルダー５００を成膜室１００に設置する工程、成膜装置１０００を成膜できる状態に立ち上げる工程、成膜工程後に成膜室を冷却する工程、成膜後の基板を成膜室１００から取り出す工程等が挙げられる。
【００６８】
また、本発明の成膜方法では、複数のＳｉ基板又はＣ基板等の支持基板を基板６００とし、その成膜対象面６１０のそれぞれに炭化珪素多結晶薄膜を成長させることができる。一度の成膜処理における基板６００の枚数については、特に制限はないが、５〜１０枚の基板から２０枚〜３０枚、またはそれ以上の数の基板６００まで、同時に成膜させることができる。なお、基板６００は支持基板に限定されず、成膜対象として好適なものを適宜選択して基板として使用することができる。
【実施例】
【００６９】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は以下の内容に制限されるものではない。
【００７０】
［実施例１］
基板６００として、直径４インチ（１００ｍｍ）、厚み１ｍｍの炭素基板を９枚用意し、図１に示す成膜装置１０００を用いて、熱ＣＶＤ法により、基板６００の成膜対象面６１０となる両面に炭化珪素多結晶膜を成膜する成膜工程を実施した。成膜工程後、混合ガス噴出口２００における炭化珪素の析出の状態を確認すると共に、成膜した炭化珪素多結晶膜の膜厚を測定し、膜厚のばらつきについて評価した。
【００７１】
（成膜装置１０００）
外筒１１００は黒鉛製の両端坩堝から形成された筒状の形状であり、セラミック炉芯管１３００に挿入されたものである。セラミック炉芯管１３００および外筒１１００の両端は金属製の固定フランジ１４００で密閉されている。そして、外筒１１００の内部に成膜室１００が保持冶具１２００で固定されている。黒鉛製の混合ガス導入管２１０は、成膜室１００の内部に混合ガス噴出口２００が位置するように、保持治具１２００および第１面１００に挿入されて設置される。そして、黒鉛製の混合ガス排出管３１０は、成膜室１００の内部に混合ガス排出口３００が位置するように、保持治具１２００および第２面１２０に挿入されて設置される。また、セラミック炉芯管１３００を囲む円筒状の黒鉛製ヒータ４００が設置されており、さらに、成膜室１００を外筒１１００およびセラミック炉芯管１３００と共に内部に収める筐体１５００を備える。そして、成膜室１００に供給された混合ガス８１０は、混合ガス排出管３１０に接続された未図示の真空ポンプを用いて成膜装置１０００から外部へ排出可能である。
【００７２】
成膜装置１０００において、セラミック炉芯管１３００の寸法は外径２１０ｍｍ、内径１９０ｍｍで厚みは均一であり、長さが７００ｍｍである。外筒１１００は外径１８０ｍｍ、内径１７０ｍｍで厚みは均一であり、長さが７００ｍｍである。また、成膜室１００は、外形が118ｍｍ角で長さが３２０ｍｍの直方体状であり、内形が110ｍｍ角で長さが３２０ｍｍの直方体状であり、厚みは均一である。
【００７３】
（ガス噴出口２００）
図２に示すように、第１面１１０に内径が１２ｍｍの混合ガス噴出口２００が１列に４個配置されている。４つの混合ガス噴出口２００は、管中心で２２ｍｍの等間隔に配置されている。また、混合ガス噴出口２００の列は、第１面１１０における幅方向（列と直交する方向）の中央部に配置されている。
【００７４】
（基板６００の設置）
図４に示す態様のように、９枚の基板６００を基板ホルダー５００に設置した。基板６００は、溝５１１および溝５２１によって基板ホルダー５００に固定された状態で、成膜室１００に設置した。図４（ｂ）に示す態様のように、基板ホルダー５００の上保持棒５１０は、上側面１３０ａとの間に混合ガス８１０が侵入しないように上側面１３０ａと密接させ、下保持棒５２０は、下側面１３０ｂとの間に混合ガス８１０が侵入しないように下側面１３０ｂと密接させた。基板６００の成膜対象面６１０と左側面１３０ｃとの隙間の幅７００、右側面１３０ｄとの隙間の幅７１０および、等間隔に積層した基板６００間のそれぞれの隙間の幅７２０と同一とし、それぞれ１０ｍｍとした。なお、混合ガス噴出口２００と基板ホルダー５００との最短距離は、１５０ｍｍとした。
【００７５】
（炭化珪素多結晶膜の成膜）
黒鉛材料の酸化防止のために、外筒１１００およびセラミック炉芯管１３００との間、および筐体１５００内にＡｒガスを流した。そして、未図示の真空ポンプによって成膜室１００内を真空排気した後、混合ガス導入管２１０を使って水素ガスを毎分２００ｃｍ3の流量で成膜室１００へ導入しながら、成膜室１００内の圧力を大気圧（101,325Ｐａ）に調整した。その後、圧力を一定に保ちながら、第１面１１０の温度を１１００Ｋ以下、および混合ガス噴出口２００の温度を１２００Ｋ以下に維持しつつ、成膜室１００内の温度を１５５０Ｋまで上げた。そして、成膜室１００へ導入する水素ガスの流量を毎分6.5リットルまで増加させた。その状態を３分間保持した後、この水素ガスへＳｉＣｌ4ガスを毎分0.65リットル、ＣＨ４ガスを毎分0.65リットル、アルゴンガスを毎分3.2リットル混合して混合ガス８１０とし、Ｖｇ＞Ｖｄの状態で基板６００へ炭化珪素多結晶膜の熱ＣＶＤによる成膜を開始した。
【００７６】
成膜処理を10時間行った後、混合ガス８１０の供給やヒータ４００による加熱を止めて基板６００を室温まで冷却後、基板ホルダー５００より炭化珪素多結晶膜が成膜した基板６００を取り出した。そして外周の研削処理により基板６００を露出させ、大気中で基板６００を焼成して灰化し、９枚の基板６００のおもて面およびうら面に成膜した炭化珪素多結晶基板６５０を１８枚得た。
【００７７】
（炭化珪素多結晶基板６５０の膜厚の測定）
斜入射型光学測定器を用いて、炭化珪素多結晶基板６５０の膜厚を測定した。各基板において複数箇所で膜厚を測定して平均し、さらに、同一の基板６００より得られた２枚の炭化珪素多結晶基板６５０の膜厚を平均した。表１に、各基板位置における膜厚の平均値を示す。
【００７８】
［実施例２］
図１に示す成膜装置１０００において、第１面１１０の中心が内径が２０ｍｍの混合ガス噴出口２００の中心と一致するように、混合ガス噴出口２００を１つのみ設けた。それ以外は実施例１と同じ条件で成膜処理を行い、膜厚を測定し、膜厚の平均値を算出した。結果を表１に示す。
【００７９】
［実施例３］
図１に示す成膜装置１０００において、第１面１１０に内径が２０ｍｍの混合ガス噴出口２００を２つ設けた。第１面１１０は一辺１１０ｍｍの正方形であり、その上端から３５ｍｍの位置、および、その下端から３５ｍｍの位置のそれぞれに混合ガス噴出口２００の中心が位置するように、２つの混合ガス噴出口２００を配置した。２つの混合ガス噴出口２００は、第１面１１０における幅方向の中央部に配置されている。それ以外は実施例１と同じ条件で成膜処理を行い、膜厚を測定し、膜厚の平均値を算出した。結果を表１に示す。
【００８０】
【表１】
2020161542.tif 000003
【００８１】
［比較例］
図６に、比較例の成膜装置２０００の側面の断面を示す概略図を示す。成膜装置２０００は、成膜室２１００と、混合ガス噴出口２２００と、混合ガス排出口２３００と、ヒータ２４００と、基板ホルダー２５００と、を備える。尚、成膜装置２０００における各部は、成膜装置１０００とは配置が異なっているものの、同様の材質によって構成されて同様の機能を有している。
【００８２】
成膜室２１００は、第１非加熱面２１１０と、第１非加熱面２１１０と対向する第２非加熱面２１２０と、第１非加熱面２１１０と第２非加熱面２１２０とをつなぐ４つの側面２１３０からなる直方体状の内形を有する。ヒータ２４００は、成膜室２１００の４つの側面２１３０を囲み、成膜室１００を加熱する。即ち、成膜装置２０００における第１非加熱面２１１０が、成膜装置１０００における第１面１１０に相当し、成膜装置２０００における第２非加熱面２１２０が、成膜装置１０００における第２面１２０に相当し、成膜装置２０００における４つの側面２１３０が、成膜装置１０００における側面１３０に相当する。尚、「非加熱」とは、ヒータ２４００に対向せず、直接加熱されないことを意味する。
【００８３】
複数の混合ガス噴出口２２００が、１本の混合ガス導入管２２１０に形成されている。混合ガス導入管２２１０は、成膜室２１００において１つの側面２１３０に対向する位置に設けられ、混合ガス噴出口２２００はその反対側の側面２１３０に向けられている。このように、混合ガス噴出口２２００は、成膜室２１００における反応刃に配置されており、基板６００と同程度の温度となる環境下にある。
【００８４】
複数の混合ガス排出口２３００が、混合ガス噴出口２２００が向けられた側面２１３０に形成されている。４つの側面２１３０および第２非加熱面２１２０を囲むように外筒２１４０が設けられており、混合ガス排出口２３００を通過した混合ガスは、外筒２１４０と側面２１３０との間の空間を通って排出される。
【００８５】
基板ホルダー２５００は、混合ガス導入管２２１０と、混合ガス排出口２３００が形成された側面２１３０と、の間に配置されている。基板ホルダー２５００によって保持された基板６００は、混合ガスが流れる方向（混合ガス導入管２２１０と、混合ガス排出口２３００が形成された側面２１３０と、の対向方向）と平行となっている。
【００８６】
ヒータ２４００は、４つの側面２１３０および外筒２１４０を囲むように配置されている。従って、混合ガス噴出口２２００が形成された混合ガス導入管２２１０は、ヒータ２４００によって囲まれている。
【００８７】
実施例１〜３と同様の基板６００を用意し、図６に示したような成膜装置２０００を使用し、ＣＶＤ成長させることで成膜処理を行った。使用するガスの種類や、成膜温度、ガス圧力等の成膜条件は実施例１〜３と同様とした。
【００８８】
実施例１〜３および比較例において、混合ガス噴出口２００に炭化珪素は付着したか（ＳｉＣが析出したか）否かを評価した。この結果を表２に示す。
【００８９】
【表２】
2020161542.tif 000004
【００９０】
いずれの例においても、混合ガス噴出口２００に炭化珪素が析出することを防止することができた。また、１つの混合ガス噴出口２００のみを用いた実施例２よりも、複数の混合ガス噴出口２００のみを用いた実施例１、３において、基板間での膜厚のばらつきを緩和することができた。
【００９１】
［まとめ］
以上において説明したように、本発明の成膜装置および成膜方法であれば、ガス噴出口に炭化珪素が析出することを防止できることは、明らかである。
【符号の説明】
【００９２】
１００  成膜室
１１０  第１面
１１０ａ  第１面
１１０ｂ  第１面
１２０  第２面
１３０  側面
１３０ａ  上側面
１３０ｂ  下側面
１３０ｃ  左側面
１３０ｄ  右側面
２００  混合ガス噴出口
２１０  混合ガス導入管
３００  混合ガス排出口
３１０  混合ガス排出管
４００  ヒータ
５００  基板ホルダー
５１０  上保持棒
５１１  溝
５２０  下保持棒
５２１  溝
６００  基板
６１０  成膜対象面
８００  混合ガス
８１０  混合ガス
１０００  成膜装置
１１００  外筒
１２００  保持治具
１３００  セラミック炉芯管
１４００  固定フランジ
１５００  筐体
Ｖｇ  噴出速度
Ｖｄ  拡散速度
【図１】
2020161542.tif 000005
【図２】
2020161542.tif 000006
【図３】
2020161542.tif 000007
【図４】
2020161542.tif 000008
【図５】
2020161542.tif 000009
【図６】
2020161542.tif 000010