(57)【要約】【課題】ＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を効率よく経済的に生成することができるＳｉＣ基板の加工方法を提供する。【解決手段】ＳｉＣ基板の加工方法は、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢの集光点をＳｉＣインゴット２の上面から所望の内部位置に位置づけてレーザー光線ＬＢをＳｉＣインゴット２に照射して剥離層３８を形成する剥離層形成工程と、ＳｉＣインゴット２の上面にサブストレート４０を貼着するサブストレート貼着工程と、剥離層３８に外力を付与してＳｉＣ基板４４をサブストレート４０と共に剥離する剥離工程とから少なくとも構成される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を生成するＳｉＣ基板の加工方法であって、
ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置に位置づけてレーザー光線をＳｉＣインゴットに照射して剥離層を形成する剥離層形成工程と、
ＳｉＣインゴットの上面にサブストレートを貼着するサブストレート貼着工程と、
該剥離層に外力を付与してＳｉＣ基板を該サブストレートと共に剥離する剥離工程と、
から少なくとも構成されるＳｉＣ基板の加工方法。
【請求項２】
該剥離層形成工程の前に、ＳｉＣインゴットの上面を平坦化する上面平坦化工程が含まれる請求項１記載のＳｉＣ基板の加工方法。
【請求項３】
該剥離工程の後、該サブストレートに貼着されたＳｉＣ基板の剥離面を平坦に仕上げる剥離面平坦化工程が含まれる請求項１記載のＳｉＣ基板の加工方法。
【請求項４】
該剥離面平坦化工程の後、ＳｉＣ基板の平坦に仕上げられた剥離面にデバイスを形成するデバイス形成工程が含まれる請求項３記載のＳｉＣ基板の加工方法。
【請求項５】
デバイスが形成されたＳｉＣ基板から該サブストレートを除去するサブストレート除去工程が含まれる請求項４記載のＳｉＣ基板の加工方法。
【請求項６】
該剥離層形成工程において、ＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置とは、ＳｉＣ基板の上面にデバイスを形成できる必要不可欠な厚みのＳｉＣ基板が生成できる深さである請求項１記載のＳｉＣ基板の加工方法。
【請求項７】
ＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置とは、３０〜１００μｍである請求項６記載のＳｉＣ基板の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を生成するＳｉＣ基板の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーデバイス、ＬＥＤ等のデバイスは、ＳｉＣ基板の上面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されてウエーハの形態で形成される。そして、デバイスが形成されたウエーハは、レーザー加工装置等によって分割予定ラインに加工が施されて個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは制御装置、自動車部品等に利用される。
【０００３】
ＳｉＣ基板は、一般的に円柱形状のＳｉＣインゴットをワイヤーソーで薄く切断することにより生成され、切断されたＳｉＣ基板の表面および裏面は研磨により鏡面に仕上げられる（たとえば特許文献１参照。）。しかし、ＳｉＣインゴットをワイヤーソーで切断し、切断したＳｉＣ基板の表面および裏面を研磨すると、高価なＳｉＣインゴットの大部分（７０〜８０％）が捨てられることになるため、ＳｉＣ基板は相当の高額となり、ＳｉＣ基板を用いたデバイスチップも高額になるという問題がある。
【０００４】
そこで本出願人は、ＳｉＣインゴットに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を生成すべきＳｉＣ基板の厚みに相当する深さに位置づけてＳｉＣインゴットにレーザー光線を照射し、ｃ面においてＳｉＣがＳｉとＣとに分離すると共にＳｉとＣとに分離したｃ面に沿ってクラックが延びる剥離層を形成し、外力を付与してＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を剥離してＳｉＣ基板を効率よく生成できる技術を開発した（たとえば特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−９４２２１号公報
【特許文献２】特開２０１６−１１１１４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、ＳｉＣ基板の上面に複数のデバイスを形成する幾多の工程において加工が施される際に、ＳｉＣ基板が損傷しないようにＳｉＣ基板の厚みは５００〜７００μｍに設定されており、ＳｉＣ基板１枚当たりの価格を充分に下げられないという問題がある。
【０００７】
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、ＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を効率よく経済的に生成することができるＳｉＣ基板の加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下のＳｉＣ基板の加工方法である。すなわち、ＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を生成するＳｉＣ基板の加工方法であって、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置に位置づけてレーザー光線をＳｉＣインゴットに照射して剥離層を形成する剥離層形成工程と、ＳｉＣインゴットの上面にサブストレートを貼着するサブストレート貼着工程と、該剥離層に外力を付与してＳｉＣ基板を該サブストレートと共に剥離する剥離工程と、から少なくとも構成されるＳｉＣ基板の加工方法である。
【０００９】
好ましくは、該剥離層形成工程の前に、ＳｉＣインゴットの上面を平坦化する上面平坦化工程が含まれる。該剥離工程の後、該サブストレートに貼着されたＳｉＣ基板の剥離面を平坦に仕上げる剥離面平坦化工程が含まれるのが好適である。該剥離面平坦化工程の後、ＳｉＣ基板の平坦に仕上げられた剥離面にデバイスを形成するデバイス形成工程が含まれるのが好都合である。デバイスが形成されたＳｉＣ基板から該サブストレートを除去するサブストレート除去工程が含まれるのが好ましい。該剥離層形成工程において、ＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置とは、ＳｉＣ基板の上面にデバイスを形成できる必要不可欠な厚みのＳｉＣ基板が生成できる深さであるのが好適である。ＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置とは、３０〜１００μｍであるのが好都合である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明が提供するＳｉＣ基板の加工方法は、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣインゴットの上面から所望の内部位置に位置づけてレーザー光線をＳｉＣインゴットに照射して剥離層を形成する剥離層形成工程と、ＳｉＣインゴットの上面にサブストレートを貼着するサブストレート貼着工程と、該剥離層に外力を付与してＳｉＣ基板を該サブストレートと共に剥離する剥離工程と、から少なくとも構成されているので、剥離層形成工程においてＳｉＣインゴットの上面から浅い位置に剥離層を形成して比較的薄いＳｉＣ基板を生成しても、ＳｉＣ基板にはサブストレートが貼着されており、ＳｉＣ基板の上面に複数のデバイスを形成する幾多の工程においてＳｉＣ基板の損傷が抑制される。したがって、本発明のＳｉＣ基板の加工方法では、従来よりも薄いＳｉＣ基板を生成することができるので、ＳｉＣインゴットから従来よりも多くのＳｉＣ基板を効率よく生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）ＳｉＣインゴットの正面図、（ｂ）ＳｉＣインゴットの平面図。
【図２】ＳｉＣインゴットを保持テーブルに載置する状態を示す斜視図。
【図３】上面平坦化工程を実施している状態を示す斜視図。
【図４】（ａ）剥離層形成工程を実施している状態を示す斜視図、（ｂ）剥離層が形成されたＳｉＣインゴットの断面図。
【図５】サブストレート貼着工程を実施している状態を示す斜視図。
【図６】剥離工程を実施している状態を示す斜視図。
【図７】（ａ）ＳｉＣインゴットから剥離したＳｉＣ基板をチャックテーブルに載置する状態を示す斜視図、（ｂ）剥離面平坦化工程を実施している状態を示す斜視図。
【図８】デバイスが形成されたＳｉＣ基板の斜視図。
【図９】（ａ）サブストレート除去工程を実施している状態を示す斜視図、（ｂ）サブストレート除去工程を実施している状態を示す断面図、（ｃ）サブストレートが除去されたＳｉＣ基板の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明のＳｉＣ基板の加工方法の好適実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１３】
図１には、本発明のＳｉＣ基板の加工方法が実施され得る六方晶単結晶ＳｉＣインゴット２が示されている。ＳｉＣインゴット２は、全体として円柱形状に形成され、円形状の第一の端面４と、第一の端面４と反対側の円形状の第二の端面６と、第一の端面４および第二の端面６の間に位置する周面８と、第一の端面４から第二の端面６に至るｃ軸（＜０００１＞方向）と、ｃ軸に直交するｃ面（｛０００１｝面）とを有する。
【００１４】
ＳｉＣインゴット２においては、第一の端面４の垂線１０に対してｃ軸が傾いており、ｃ面と第一の端面４とでオフ角α（たとえばα＝１、３、６度）が形成されている。オフ角αが形成される方向を図１に矢印Ａで示す。また、ＳｉＣインゴット２の周面８には、結晶方位を示す矩形状の第一のオリエンテーションフラット１２および第二のオリエンテーションフラット１４が形成されている。第一のオリエンテーションフラット１２は、オフ角αが形成される方向Ａに平行であり、第二のオリエンテーションフラット１４は、オフ角αが形成される方向Ａに直交している。図１（ｂ）に示すとおり、上方からみて、第二のオリエンテーションフラット１４の長さＬ２は、第一のオリエンテーションフラット１２の長さＬ１よりも短い（Ｌ２＜Ｌ１）。
【００１５】
図示の実施形態では図２に示すとおり、まず、適宜の接着剤（たとえばエポキシ樹脂系接着剤）を介してＳｉＣインゴット２を保持テーブル１６の上面に固定する。保持テーブル１６は、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に構成されていると共に、後述の研削装置１８やレーザー加工装置３０等の間を移動自在に構成されている。
【００１６】
ＳｉＣインゴット２を保持テーブル１６に固定した後、ＳｉＣインゴット２の上面が既に平坦に形成されている場合を除き、ＳｉＣインゴット２の上面を平坦化する上面平坦化工程を実施する。上面平坦化工程は、たとえば図３に一部を示す研削装置１８を用いて実施することができる。研削装置１８は、スピンドル用モータ（図示していない。）に連結され、かつ上下方向に延びるスピンドル２０と、スピンドル２０の下端に固定された円板状のホイールマウント２２とを含む。ホイールマウント２２の下面にはボルト２４により環状の研削ホイール２６が固定されている。研削ホイール２６の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の研削砥石２８が固定されている。
【００１７】
図３を参照して説明を続けると、上面平坦化工程では、まず、保持テーブル１６を研削装置１８の下方に移動させる。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）で保持テーブル１６を回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル２０を回転させる。次いで、研削装置１８の昇降手段（図示していない。）でスピンドル２０を下降させ、ＳｉＣインゴット２の上面（図示の実施形態では第一の端面４）に研削砥石２８を接触させる。その後、所定の研削送り速度（たとえば０．１μｍ／ｓ）でスピンドル２０を下降させる。これによって、後述の剥離層形成工程におけるレーザー光線の入射を妨げない程度にＳｉＣインゴット２の上面を平坦化することができる。
【００１８】
上面平坦化工程を実施した後、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣインゴット２の上面から所望の内部位置に位置づけてレーザー光線をＳｉＣインゴット２に照射して剥離層を形成する剥離層形成工程を実施する。剥離層形成工程は、たとえば図４に一部を示すレーザー加工装置３０を用いて実施することができる。レーザー加工装置３０は、パルスレーザー光線発振器（図示していない。）が発振したパルスレーザー光線ＬＢを集光してＳｉＣインゴット２に照射するための集光器３２を備える。集光器３２は、図４（ａ）に矢印Ｘで示すＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向（図４（ａ）に矢印Ｙで示す方向）とのそれぞれに進退自在に構成されている。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向が規定する平面は実質上水平である。
【００１９】
図４（ａ）を参照して説明を続けると、剥離層形成工程では、まず、保持テーブル１６をレーザー加工装置３０の下方に移動させる。次いで、レーザー加工装置３０の撮像手段（図示していない。）で上方からＳｉＣインゴット２を撮像する。次いで、撮像手段で撮像したＳｉＣインゴット２の画像に基づいて、保持テーブル１６を回転させると共に集光器３２を移動させることにより、ＳｉＣインゴット２の向きを所定の向きに調整すると共に、ＳｉＣインゴット２と集光器３２とのＸＹ平面における位置を調整する。ＳｉＣインゴット２の向きを所定の向きに調整する際は、図４（ａ）に示すとおり、第二のオリエンテーションフラット１４をＸ軸方向に整合させることによって、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向をＸ軸方向に整合させると共に、オフ角αが形成される方向ＡをＹ軸方向に整合させる。
【００２０】
次いで、レーザー加工装置３０の集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器３２を昇降させ、ＳｉＣインゴット２の上面から所望の内部位置に集光点を位置づける。ＳｉＣインゴット２の上面から所望の内部位置とは、ＳｉＣ基板の上面にデバイスを形成できる必要不可欠な厚みのＳｉＣ基板が生成できる深さであるのが好ましく、たとえば３０〜１００μｍ程度である。
【００２１】
次いで、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に整合しているＸ軸方向に集光器３２を所定の送り速度で移動させながら、ＳｉＣインゴット２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器３２からＳｉＣインゴット２に照射する。そうすると、図４（ｂ）に示すとおり、パルスレーザー光線ＬＢの照射によりＳｉＣがＳｉ（シリコン）とＣ（炭素）とに分離し次に照射されるパルスレーザー光線ＬＢが前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離すると共に、ＳｉＣがＳｉとＣとに分離した部分３４からｃ面に沿って等方的に延びるクラック３６が生成される。なお、ＳｉＣインゴット２にパルスレーザー光線ＬＢを照射する際は、集光器３２に代えて保持テーブル１６を移動させてもよい。
【００２２】
そして、オフ角αが形成される方向Ａに整合しているＹ軸方向に、クラック３６の幅を超えない範囲で所定インデックス量Ｌｉだけ、ＳｉＣインゴット２に対して集光器３２を相対的にインデックス送りしながら、パルスレーザー光線ＬＢの照射を繰り返す。これによって、Ｙ軸方向に所定インデックス量Ｌｉの間隔をおいて、ＳｉＣインゴット２の上面から所望の内部位置に、ＳｉＣがＳｉとＣとに分離した部分３４およびクラック３６からなる強度が低下した剥離層３８を形成することができる。なお、インデックス送りの際は集光器３２に代えて保持テーブル１６を移動させてもよい。このような剥離層形成工程は、たとえば以下の加工条件で行うことができる。
パルスレーザー光線の波長  ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数            ：８０ｋＨｚ
平均出力                  ：３．２Ｗ
パルス幅                  ：４ｎｓ
スポット径                ：３μｍ
集光器の開口数（ＮＡ）    ：０．４３
インデックス量            ：２５０〜４００μｍ
送り速度                  ：１２０〜２６０ｍｍ／ｓ
【００２３】
剥離層形成工程を実施した後、ＳｉＣインゴット２の上面にサブストレートを貼着するサブストレート貼着工程を実施する。図示の実施形態では図５に示すとおり、ＳｉＣインゴット２の直径とほぼ同じ直径を有する円板状のガラス製サブストレート４０を適宜の接着剤（たとえばポリイミド樹脂系接着剤）を介してＳｉＣインゴット２の第一の端面４（剥離層３８に近い方の端面）に貼着している。サブストレート４０の厚みは、ＳｉＣインゴット２から生成されたＳｉＣ基板に加工が施される際に、サブストレート４０でＳｉＣ基板を保持してＳｉＣ基板の損傷を防止することができる程度の厚みであればよく、たとえば５００〜１０００μｍ程度でよい。
【００２４】
サブストレート貼着工程を実施した後、剥離層３８に外力を付与してＳｉＣ基板をサブストレート４０と共に剥離する剥離工程を実施する。剥離工程は、たとえば図６に示す水槽４２内において、水を介してＳｉＣインゴット２に超音波を付与することによって実施することができる。
【００２５】
剥離工程では、まず、ＳｉＣインゴット２を水槽４２内に移動させる。たとえば、上部および下部が開放された筒体４２’を昇降自在に構成し、剥離工程実施場所に保持テーブル１６を移動させた後、保持テーブル１６が載置されている基台（図示していない。）の上面あるいは保持テーブル１６の上面周縁部に筒体４２’の下端を接触させることによって、水槽４２を形成し、ＳｉＣインゴット２を水槽４２内に収容する。次いで、ＳｉＣインゴット２が浸漬するまで水槽４２内に水を供給する。次いで、圧電セラミックス等から形成され得る超音波振動子（図示していない。）を浸水させて作動させる。超音波振動子を作動させる際は、超音波振動子とＳｉＣインゴット２とを接触させてもよく、あるいは超音波振動子とＳｉＣインゴット２との間に間隙（たとえば２〜３ｍｍ）を設けてもよい。超音波振動子を作動させると超音波によって剥離層３８を刺激して破壊し、剥離層３８を起点として、ＳｉＣインゴット２からＳｉＣ基板４４（図７参照。）をサブストレート４０と共に剥離することができる。なお、剥離工程は、先端に向かって厚みが薄くなるノミのような部材を用いて、剥離層３８に衝撃を加えることによっても実施することができる。
【００２６】
剥離工程を実施した後、サブストレート４０に貼着されたＳｉＣ基板４４の剥離面を平坦に仕上げる剥離面平坦化工程を実施する。剥離面平坦化工程は、上述の研削装置１８と、ＳｉＣ基板４４を吸引保持するチャックテーブル４６（図７参照。）とを用いて実施することができる。チャックテーブル４６の上端部分には、吸引手段（図示していない。）に接続された多孔質の円形の吸着チャック４８が配置され、チャックテーブル４６においては、吸引手段で吸着チャック４８の上面に吸引力を生成し、上面に載せられたＳｉＣ基板４４を吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル４６は上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に構成されていると共に、研削装置１８の下方の研削位置と、研削装置１８から離間した待機位置との間で移動自在に構成されている。
【００２７】
剥離面平坦化工程では、まず、図７（ａ）に示すとおり、ＳｉＣ基板４４の剥離面４４ａを上に向けて、チャックテーブル４６の上面で、サブストレート４０に貼着されたＳｉＣ基板４４を吸引保持する。次いで、チャックテーブル４６を研削位置に移動させる。次いで、図７（ｂ）に示すとおり、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブル４６を回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル２０を回転させる。次いで、研削装置１８の昇降手段（図示していない。）でスピンドル２０を下降させ、ＳｉＣ基板４４の剥離面４４ａに研削砥石２８を接触させる。その後、所定の研削送り速度（たとえば０．１μｍ／ｓ）でスピンドル２０を下降させる。これによって、サブストレート４０に貼着されたＳｉＣ基板４４の剥離面４４ａを平坦に仕上げることができる。なお、ＳｉＣインゴット２については、上述の上面平坦化工程を実施して剥離面４４ｂを平坦化した上で、剥離層形成工程、サブストレート貼着工程および剥離工程を繰り返すことにより、ＳｉＣインゴット２から複数のＳｉＣ基板４４を生成する。そして、生成したＳｉＣ基板４４のそれぞれに対して剥離面平坦化工程を実施する。
【００２８】
剥離面平坦化工程を実施した後、ＳｉＣ基板４４の平坦に仕上げられた剥離面４４ａにデバイスを形成するデバイス形成工程を実施する。図示の実施形態では図８に示すとおり、ＳｉＣ基板４４の平坦に仕上げられた剥離面４４ａは、格子状の分割予定ライン５０によって複数の矩形領域に区画され、複数の矩形領域のそれぞれにはパワーデバイス、ＬＥＤ等のデバイス５２が形成されている。図示の実施形態では、ＳｉＣ基板４４にサブストレート４０が貼着されているので、デバイス形成工程においてＳｉＣ基板４４に加工を施す際に、ＳｉＣ基板４４の損傷が抑制される。
【００２９】
デバイス形成工程を実施した後、デバイス５２が形成されたＳｉＣ基板４４からサブストレート４０を除去するサブストレート除去工程を実施する。サブストレート除去工程は、たとえば図９に一部を示すレーザー加工装置５４を用いて実施することができる。レーザー加工装置５４は、被加工物を吸引保持するチャックテーブル（図示していない。）と、チャックテーブルに吸引保持された被加工物にパルスレーザー光線ＬＢ’を照射する集光器５６とを備える。集光器５６は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に進退自在に構成されている。
【００３０】
図９を参照して説明を続けると、サブストレート除去工程では、まず、サブストレート４０を上に向けて、チャックテーブルの上面でＳｉＣ基板４４を吸引保持する。次いで、レーザー加工装置５４の集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器５６を昇降させ、サブストレート４０とＳｉＣ基板４４とを接着している接着剤５８に集光点を位置づける。次いで、集光器５６を所定の送り速度でＸ軸方向に移動させながら、パルスレーザー光線ＬＢ’を集光器５６から接着剤５８に照射して接着剤５８を破壊する。パルスレーザー光線ＬＢ’の照射は、集光器５６を所定インデックス量だけＹ軸方向にインデックス送りしながら適宜繰り返す。そして、ＳｉＣ基板４４からサブストレート４０を除去することができる程度に接着剤５８を破壊したら、ＳｉＣ基板４４からサブストレート４０を除去することによって、図９（ｃ）に示すとおり、デバイス５２が形成されたＳｉＣ基板４４を得ることができる。なお、接着剤５８にパルスレーザー光線ＬＢ’を照射する際やインデックス送りの際は、集光器５６に代えてチャックテーブルを移動させてもよい。このようなサブストレート除去工程は、たとえば以下の加工条件で行うことができる。
パルスレーザー光線の波長  ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数            ：８０ｋＨｚ
平均出力                  ：１．５Ｗ
パルス幅                  ：４ｎｓ
スポット径                ：３μｍ
集光器の開口数（ＮＡ）    ：０．４３
インデックス量            ：１００μｍ
送り速度                  ：２４０ｍｍ／ｓ
【００３１】
以上のとおり図示の実施形態では、剥離層形成工程においてＳｉＣインゴット２の上面から浅い位置（たとえば３０〜１００μｍ程度）に剥離層３８を形成して比較的薄いＳｉＣ基板４４を生成しても、ＳｉＣ基板４４にはサブストレート４０が貼着されているので、デバイス形成工程においてＳｉＣ基板４４の損傷が抑制される。したがって、図示の実施形態では、従来よりも薄いＳｉＣ基板４４を生成することができるので、ＳｉＣインゴット２から従来よりも多くのＳｉＣ基板４４を効率よく生成することができる。
【符号の説明】
【００３２】
２：ＳｉＣインゴット
３８：剥離層
４０：サブストレート
４４：ＳｉＣ基板
４４ａ：ＳｉＣ基板の剥離面
５２：デバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2020035821.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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