(57)【要約】【課題】処理液の変化を精度よく検知することが可能な基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一の実施形態によれば、基板処理装置は、基板を支持し回転させる支持部と、前記基板に処理液を供給する液供給部とを備える。前記装置はさらに、前記支持部と離間して設けられ、前記支持部を少なくとも部分的に囲む側壁部と、前記支持部と前記側壁部との間に設けられ、前記基板の処理後の前記処理液の変化を検出する検出器とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持し回転させる支持部と、
前記基板に処理液を供給する液供給部と、
前記支持部と離間して設けられ、前記支持部を少なくとも部分的に囲む側壁部と、
前記支持部と前記側壁部との間に設けられ、前記基板の処理後の前記処理液の変化を検出する検出器と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
基板を支持し回転させる支持部と、
前記基板に処理液を供給する液供給部と、
前記基板から排出され貯留部へと向かう前記処理液の変化を検知する検出器と、
を備える基板処理装置。
【請求項３】
前記検出器は、前記処理液に出射された光を検出する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理液に前記光を出射し、出射された前記光を受光し、受光された前記光を前記検出器に供給するプローブをさらに備え、
前記プローブは、前記基板から排出され前記貯留部へと向かう前記処理液から１００μｍ以内の地点に配置されている、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板から排出された前記処理液が衝突する壁をさらに備え、
前記検出器は、前記壁の表面に沿って前記貯留部へと流れる前記処理液を利用して前記処理液の変化を検知する、請求項２から４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記検出器は、前記壁の表面に沿って前記貯留部へと流れる前記処理液に出射され、前記処理液を透過し、前記壁で反射された光を検出する、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記壁の前記表面は、親水性である、請求項５または６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記貯留部に貯留された前記処理液を再び前記液供給部に供給する流路をさらに備える、請求項２から７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記検出器からの前記処理液に関する信号を受信する制御部をさらに備える、請求項１から８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
被加工膜が形成された基板上に処理液を供給して、前記被加工膜をエッチングし、
前記基板から排出され貯留部へと向かう前記処理液の変化を検知し、
検知された前記変化に基づいて、前記エッチングを制御する、
ことを含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェットエッチング等において終点を光学的手法や化学的手法により検知することで、ウェットエッチング等を適切なタイミングで終了する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２６０１６５号公報
【特許文献２】特許第２８２１２８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
処理液の変化を精度よく検知することが可能な基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一の実施形態によれば、基板処理装置は、基板を支持し回転させる支持部と、前記基板に処理液を供給する液供給部とを備える。前記装置はさらに、前記支持部と離間して設けられ、前記支持部を少なくとも部分的に囲む側壁部と、前記支持部と前記側壁部との間に設けられ、前記基板の処理後の前記処理液の変化を検出する検出器とを備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態の基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】第１実施形態の終点検知について説明するための断面図である。
【図３】第１実施形態の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図４】第１実施形態の半導体装置の製造方法の例を示す断面図である。
【図５】第１実施形態の半導体装置の製造方法の別の例を示す断面図である。
【図６】第１実施形態の半導体装置の製造方法について説明するためのグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図１〜図６において、同一または類似の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。図１の基板処理装置は、エッチング液によりウエハ１をエッチングするウェットエッチング装置である。
【０００９】
図１の基板処理装置は、支持部の例であるステージ１１と、エッチング液供給部の例であるエッチング液ノズル１２と、貯留部１３ａを有するウエハ収容部１３と、光源１４と、光ファイバ１５と、プローブ１６と、検出器１７と、制御部１８と、リンス液供給部の例であるリンス液ノズル１９とを備えている。
【００１０】
ステージ１１は、ウエハ収容部１３内でウエハ１を支持し回転させる。図１は、ウエハ１の上面Ｓ１や下面Ｓ２に平行で、互いに垂直なＸ方向およびＹ方向と、ウエハ１の上面Ｓ１や下面Ｓ２に垂直なＺ方向を示している。本明細書では、＋Ｚ方向を上方向として取り扱い、−Ｚ方向を下方向として取り扱う。−Ｚ方向は、重力方向と一致していてもよいし、重力方向と一致していなくてもよい。本実施形態のステージ１１は、ウエハ１の下面Ｓ２をチャックしているが、代わりにウエハ１のべベルをチャックしてもよい。
【００１１】
エッチング液ノズル１２は、符号Ｐ１で示すようにステージ１１上のウエハ１にエッチング液を吐出し、エッチング液によりウエハ１をエッチングする。本実施形態のウエハ１は、シリコン（Ｓｉ）ウエハなどの半導体ウエハ（基板）と、半導体ウエハ上に設けられた被加工膜とを備え、被加工膜がエッチング液によりエッチングされる。なお、エッチング液は、半導体ウエハのエッチング用に用いられてもよい。
【００１２】
本実施形態のエッチング液は、ステージ１１により回転されているウエハ１の上面Ｓ１に供給される。そのため、ウエハ１に供給されたエッチング液は、符号Ｐ２で示すようにウエハ１から遠心力で飛び散るように、ウエハ１から排出される。符号Ｐ１が、ウエハ１をエッチングする前のエッチング液を示しているのに対し、符号Ｐ２は、ウエハ１をエッチングした後のエッチング液を示している。
【００１３】
ウエハ収容部１３は、エッチング対象のウエハ１を収容する容器である。ウエハ収容部１３の内壁面は、ウエハ１の斜め上に位置する斜面Ｋ１と、ウエハ１の横に位置する側面（側壁部）Ｋ２と、ウエハ１の下に位置する底面Ｋ３とを有している。底面Ｋ３や、底面Ｋ３付近の側面Ｋ２は、ウエハ１から排出された処理後のエッチング液を貯留する貯留部１３ａを構成している。本実施形態の基板処理装置は、貯留部１３ａに貯留されたエッチング液を再びエッチング液ノズル１２に供給する流路Ｃを備えていてもよい。これにより、エッチング液を再利用することが可能となる。側面Ｋ２は、ステージ１１を全体的に囲んでいてもよいし、ステージ１１を部分的に囲んでいてもよい。
【００１４】
ウエハ収容部１３において、側面Ｋ２を構成する壁は、ウエハ１から飛び散るエッチングを受け止めるガードとして機能する。ウエハ１から飛び散ったエッチング液は、この壁の側面Ｋ２に衝突し、側面Ｋ２に沿って貯留部１３ａへと滝のように流れる。本実施形態の検出器１７は、後述するように、側面Ｋ２に沿って貯留部１３ａへと流れるエッチング液を利用して、上記のエッチングの終点を検知する。本実施形態のウエハ収容部１３の側面Ｋ２は、スプラッシュガードとも呼ばれる。
【００１５】
本実施形態の貯留部１３ａは、ウエハ収容部１３の内部に設けられているが、代わりにウエハ収容部１３の外部に設けられていてもよい。このような貯留部１３ａの例は、ウエハ収容部１３の外部に設けられた排液回収タンクである。
【００１６】
光源１４は、エッチング液に照射するための光を発生させる。光源１４からの光は、光ファイバ１５を介してプローブ１６に供給される。プローブ１６は、ウエハ収容部１３内に設けられており、ウエハ１から排出され貯留部１３ａへと向かうエッチング液にこの光を出射（照射）する。具体的には、側面Ｋ２に沿って貯留部１３ａへと流れるエッチング液に光が出射される。その結果、この光は、エッチング液を透過し、側面Ｋ２を構成する壁で反射され、プローブ１６により受光される。すなわち、壁で反射された光がプローブ１６に入射する。プローブ１６は、受光された光を光ファイバ１５を介して検出器１７に供給する。ただし、プローブ１６は、エッチング液に光を出射する光出射部（光照射部）と、壁で反射された光を受光する光受光部（光入射部）とを別々に備えていてもよい。
【００１７】
検出器１７は、ウエハ１から排出され貯留部１３ａへと向かうエッチング液を利用して上記のエッチングの終点を検知する。具体的には、検出器１７は、プローブ１６からエッチング液に出射され、プローブ１６により受光され、プローブ１６から検出器１７に供給された光を検出することで、エッチングの終点を検知する。検出器１７はさらに、エッチングの終点に関する信号を制御部１８に出力する。
【００１８】
ここで、本実施形態のエッチング対象を、シリコン酸化膜と想定する。シリコン酸化膜のエッチングが終点に到達すると、エッチング液に何らかの変化が見られる。例えば、エッチング液を流路Ｃにより循環させない場合、終点に到達する前のエッチング液は、シリコン酸化膜に由来するシリコンや酸素を含むが、終点に到達した後のエッチング液は、シリコン酸化膜に由来するシリコンや酸素を含まないという変化が見られ得る。一方、エッチング液を流路Ｃにより循環させる場合、終点に到達する前は、エッチング液中のシリコン濃度や酸素濃度が増加していくが、終点に到達した後は、エッチング液中のシリコン濃度や酸素濃度が一定になるという変化が見られ得る。また、エッチング液中の酸性成分やアルカリ性成分に何らかの変化が見られる場合もある。
【００１９】
このように、エッチングが終点に到達すると、エッチング液の組成に何らかの変化が見られる。このような組成の変化を光学的手法や化学的手法により検出すれば、エッチングの終点を検知することができる。
【００２０】
そこで、本実施形態の検出器１７は、プローブ１６から検出器１７に供給された光を利用（解析）することで、エッチングの終点を検知する。エッチングの終点を検知するための光の解析は、どのような手法で行ってもよい。光の解析結果は、検出器１７から制御部１８に出力される信号に反映される。この信号は例えば、エッチングの終点が検知されたか否かを示していてもよいし、終点の検知結果に応じて変化する制御部１８への指令を示していてもよい。
【００２１】
なお、検出器１７は、エッチングの終点をこのように光学的手法により検知する代わりに、化学的手法により検知してもよい。例えば、検出器１７は、エッチング液のｐＨを利用（解析）することで、エッチングの終点を検知してもよい。あるいは、エッチング液の温度、濃度、密度、粘度、吸光度、導電率、または酸化還元電位を測定することにより、エッチングの終点を検知してもよい。
【００２２】
制御部１８は、基板処理装置の種々の動作を制御する。制御部１８の例は、プロセッサ、電気回路、ＰＣ（Personal Computer）などである。例えば、制御部１８は、ステージ１１の回転、エッチング液ノズル１２のオン／オフ、光源１４のオン／オフ、検出器１７の動作と、リンス液ノズル１９のオン／オフなどを制御する。
【００２３】
本実施形態の制御部１８は、検出器１７からの信号に基づいて、上記のエッチングを制御する。例えば、制御部１８は、エッチングの終点が検知されていないことを信号が示す場合には、エッチング液ノズル１２からウエハ１へのエッチング液の吐出を継続する。一方、制御部１８は、エッチングの終点が検知されたことを信号が示す場合には、エッチング液ノズル１２からウエハ１へのエッチング液の吐出を停止する。
【００２４】
リンス液ノズル１９は、符号Ｐ３で示すようにステージ１１上のウエハ１にリンス液を吐出し、リンス液によりウエハ１をリンスする。本実施形態のリンス液は、ステージ１１により回転されているウエハ１の上面Ｓ１に供給される。そのため、ウエハ１に供給されたリンス液は、ウエハ１から遠心力で飛び散るように、ウエハ１から排出される。これはエッチング液と同様である。
【００２５】
本実施形態の制御部１８は、検出器１７からの信号に基づいて、エッチングとリンスを制御する。例えば、制御部１８は、エッチングの終点が検知されたことを信号が示す場合には、エッチング液ノズル１２からウエハ１へのエッチング液の吐出を停止し、リンス液ノズル１９からウエハ１へのリンス液の吐出を開始する。このような制御は例えば、エッチング液ノズル１２用のバルブを閉じ、リンス液ノズル１９用のバルブを開くことで実現可能である。
【００２６】
なお、検出器１７は、上記の信号として、終点の検知結果に応じて変化する制御部１８への指令を示していてもよい。例えば、終点が検知されていない場合には、エッチング液の吐出を継続する指令を出力してもよい。一方、終点が検知された場合には、エッチング液の吐出を停止し、リンス液の吐出を開始する指令を出力してもよい。
【００２７】
以上のように、本実施形態の検出器１７は、ウエハ１から排出され貯留部１３ａへと向かうエッチング液を利用して、エッチングの終点を検知する。これにより、以下のようなメリットを享受することが可能となる。
【００２８】
例えば、貯留部１３ａ内に貯留されたエッチング液を利用して終点を検知すると、終点の検知が遅れてしまう。理由は、終点に到達した後に排出されたエッチング液が、終点に到達する前に排出されたエッチング液と混合されてしまい、エッチング液の組成の変化が緩やかになってしまうからである。エッチング液の混合によって、終点検知の精度も低くなってしまう。また、貯留部１３ａはウエハ１から遠く離れているため、このことも終点の検知を遅れさせてしまう。終点検知の遅れは、オーバーエッチングの原因となる。
【００２９】
一方、本実施形態では、貯留部１３ａ内に貯留される前のエッチング液を利用して終点を検知するため、エッチングが終点に到達した際に、エッチング液の組成の変化が急峻になる。よって、エッチングの終点を迅速かつ高精度に検知することが可能となる。また、なるべくウエハ１から近い地点のエッチング液を利用することで、終点到達から終点検知までのタイムラグをより短くすることが可能となる。本実施形態によれば例えば、終点到達から１秒程度で終点を検知することが可能となる。別言すると、本実施形態によれば、終点検知とｉｎ−ｓｉｔｕのウェットエッチング制御を行うことが可能となる。
【００３０】
ここで、ウエハ１から排出されたエッチング液ではなく、ウエハ１上のエッチング液を利用して、終点を検知することが考えられる。しかしながら、この場合には、ウエハ１上のパターンが光学測定のノイズになる可能性がある。さらには、ウエハ１上のエッチング液を観察するために、ウエハ１を揺動させたり、ウエハ１の回転を停止したりすることが必要となり得る。これは、エッチングの遅れや、エッチングの特性の変化をもたらし得るため好ましくない。そのため、本実施形態では、ウエハ１から排出されたエッチング液を利用して終点を検知している。
【００３１】
本実施形態の終点検知は例えば、３次元メモリの製造に適している。理由は、３次元メモリを製造する際には、アスペクト比の高い構造を取り扱うことが多く、エッチング液によりエッチングされる膜の表面積が大きいことが多いからである。エッチングされる膜の表面積が大きいと、エッチング液に溶出する膜の量が多くなり、エッチング液の組成の変化がより顕著となる。
【００３２】
図２は、第１実施形態の終点検知について説明するための断面図である。
【００３３】
図２は、ウエハ収容部１３の壁の側面Ｋ２と、側面Ｋ２付近に配置されたプローブ１６とを示している。符号Ｐ４は、側面Ｋ２に衝突した後、側面Ｋ２に沿って貯留部１３ａへと滝のように流れるエッチング液（ダイナミックフロー）を示している。
【００３４】
ウエハ収容部１３の側面Ｋ２を構成する壁は、金属などで形成された非透明部材１３ｂと、テフロン（登録商標）などで形成された透明部材１３ｃとを含んでいる。透明部材１３ｃは、非透明部材１３ｂの内壁面に設けられており、側面Ｋ２を有している。透明部材１３ｃをテフロン（登録商標）で形成すると、透明部材１３ｃの表面が疎水性となることから、本実施形態では透明部材１３ｃの表面を親水加工しておくことが望ましい。これにより、側面Ｋ２が親水性となり、側面Ｋ２に沿ってエッチング液が流れやすくなる。
【００３５】
プローブ１６は、レンズ１６ａと、レンズ１６ａの表面に設けられた透明部材１６ｂとを含んでいる。透明部材１６ｂは例えば、テフロン（登録商標）で形成されている。符号Ｌは、プローブ１６から側面Ｋ２を流れるエッチング液に出射された光を示している。この光は、エッチング液や透明部材１３ｃを透過し、非透明部材１３ｂで反射され、プローブ１６により受光される。光は、エッチング液や透明部材１３ｃで反射されてもよいし、プローブ１６とウエハ収容部１３の壁との間で繰り返し反射してもよい。
【００３６】
本実施形態では例えば、分子エリプソ法を用いた光学測定により、エッチングの終点を検知する。これにより、エッチング対象の溶出を濃度変化として光学的に測定することが可能となる。
【００３７】
符号Ｗは、プローブ１６と、側面Ｋ２に沿って流れるエッチング液との距離を示している。本実施形態では、この距離Ｗを１００μｍ以内に設定することが望ましい。これにより、本実施形態の光学測定を高精度に行うことが可能となる。
【００３８】
図３は、第１実施形態の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【００３９】
まず、制御部１８が、エッチング液ノズル１２を制御してエッチングを開始する（ステップＳ１）。これにより、ウエハ１にエッチング液が供給され始める。検出器１７は、エッチングの終点検知処理を開始する。
【００４０】
検出器１７は、エッチングの終点を検知すると、エッチングの終点が検知されたことを信号を制御部１８に出力する（ステップＳ２）。その結果、制御部１８は、エッチング液ノズル１２を制御してエッチングを停止し（ステップＳ３）、リンス液ノズル１９を制御してリンスを開始する（ステップＳ４）。これにより、ウエハ１へのエッチング液の供給が停止され、かつ、ウエハ１にリンス液が供給され始める。
【００４１】
その後、制御部１８は、リンス液ノズル１９を制御してリンスを停止する（ステップＳ５）。これにより、ウエハ１へのリンス液の供給が停止される。
【００４２】
図４は、第１実施形態の半導体装置の製造方法の例を示す断面図である。
【００４３】
図４(ａ)は、本実施形態のウエハ１を示している。まず、基板（半導体ウエハ）２１上に下地層２２と絶縁膜２３とを順に形成する。次に、絶縁膜２３に複数の開口部Ｈ１を形成する。次に、基板２１の全面にバリアメタル層２４と配線材層２５とを順に形成する。その結果、開口部Ｈ１内や開口部Ｈ１外にバリアメタル層２４を介して配線材層２５が形成される（図４(ａ)）。
【００４４】
次に、ウェットエッチングにより、配線材層２５の一部を除去する（図４(ｂ)および図４(ｃ)）。図４(ｂ)は、バリアメタル層２４が露出するまで配線材層２５が除去された状態を示している。図４(ｃ)は、図４(ｂ)の状態からさらに配線材層２５が除去された状態を示している。この例によれば、開口部Ｈ１内に、バリアメタル層２４と配線材層２５とを含む配線、コンタクトプラグ、またはビアプラグが形成される。このようにして、本実施形態の半導体装置が製造される。
【００４５】
図５は、第１実施形態の半導体装置の製造方法の別の例を示す断面図である。
【００４６】
図５(ａ)は、本実施形態のウエハ１を示している。まず、基板（半導体ウエハ）２１上に下地層２２を形成し、下地層２２上に複数の絶縁膜２６と複数の犠牲膜とを交互に形成する。次に、これら絶縁膜２６と犠牲膜とを貫通する開口部Ｈ２を形成し、開口部Ｈ２を用いて犠牲膜を除去する。その結果、絶縁膜２６間に複数の開口部Ｈ３が形成される。次に、基板２１の全面にバリアメタル層２７と配線材層２８とを順に形成する。その結果、開口部Ｈ２およびＨ３内にバリアメタル層２７を介して配線材層２８が形成される（図５(ａ)）。
【００４７】
次に、ウェットエッチングにより、配線材層２８の一部を除去する（図５(ｂ)および図５(ｃ)）。図５(ｂ)は、開口部Ｈ２内のバリアメタル層２７が露出するまで配線材層２８が除去された状態を示している。図５(ｃ)は、図５(ｂ)の状態からさらに配線材層２８が除去された状態を示している。この例によれば、複数の開口部Ｈ３内に、バリアメタル層２７と配線材層２８とを含む複数の配線が形成される。これらの配線は例えば、３次元メモリのワード線である。このようにして、本実施形態の半導体装置が製造される。
【００４８】
図６は、第１実施形態の半導体装置の製造方法について説明するためのグラフである。
【００４９】
図６は、図４(ａ)〜図４(ｃ)の工程にて配線材層２５を除去（エッチング）する際に生成され、基板２１から排出されたエッチング液中に含まれる副生成物の濃度の変化を示している。図６の横軸はエッチング時間を示し、図６の縦軸は副生成物の濃度を示している。なお、図６は、図２に示す地点付近のエッチング液中の副生成物の濃度を示している。
【００５０】
図６に示す矢印(ａ)、矢印(ｂ)、矢印(ｃ)はそれぞれ、図４(ａ)、図４(ｂ)、図４(ｃ)の状態における副生成物の濃度を示している。図４(ａ)の状態では副生成物の濃度が高いのに対し、図４(ｂ)および図４(ｃ)の状態では副生成物の濃度が低いことが分かる。なお、図６のような変化は、エッチング液の濃度以外の測定値（例えばｐＨ）でも見られる。
【００５１】
符号Ｔ１は、濃度が下がり始める時点を示し、符号Ｔ２は、濃度が下がり終わった時点を示している。符号Ｔ３は、Ｔ１とＴ２との間の時点を示している。このように、図６に示す副生成物の濃度は、Ｔ１の時点から下がり始め、Ｔ２の時点に下がり終わり、その後は一定値に維持される。
【００５２】
本実施形態の基板処理装置は例えば、Ｔ１の時点から終点検知処理を開始し、Ｔ２の時点で終点が検知されたと判断する。これにより、ウェットエッチングを好適なタイミングに終了することが可能となる。
【００５３】
好適な終了のタイミングとは、図４(ｂ)の状態でもよいし、図４(ｃ)に示すようなオーバーエッチングが生じた状態でもよい。そこで、本実施形態の基板処理装置は例えば、Ｔ１の時点から終点検知処理を開始し、Ｔ３の時点で終点が検知されたと判断してもよい。これにより、図４(ｂ)の状態への制御か、図４(ｃ)の状態におけるオーバーエッチング量の制御を可能とし、ウェットエッチングを好適なタイミングに終了することが可能となる。
【００５４】
なお、以上の説明は、図５(ａ)〜図５(ｃ)の工程にも同様に適用可能である。この場合、図６に示す矢印(ａ)、矢印(ｂ)、矢印(ｃ)はそれぞれ、図５(ａ)、図５(ｂ)、図５(ｃ)の状態における副生成物の濃度を示す。
【００５５】
以上のように、本実施形態では、ウエハ１から排出され貯留部１３ａへと向かうエッチング液を利用して、エッチングの終点を検知する。よって、本実施形態によれば、エッチングの終点を精度よく検知することが可能となる。これにより、オーバーエッチングやエッチング不足を抑制することが可能となる。さらには、被加工膜２３のエッチングレートや下地層２２の種類に合わせて、エッチング時間を適切に制御することが可能となる。
【００５６】
なお、本実施形態の手法は、エッチング液以外の処理液に適用してもよい。本実施形態によれば、エッチング液の場合と同様に、処理液の変化を精度よく検知することが可能となる。
【００５７】
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。
【符号の説明】
【００５８】
１：ウエハ、１１：ステージ、１２：エッチング液ノズル、１３：ウエハ収容部、
１３ａ：貯留部、１３ｂ：非透明部材、１３ｃ：透明部材、１４：光源、
１５：光ファイバ、１６：プローブ、１６ａ：レンズ、１６ｂ：透明部材、
１７：検出器、１８：制御部、１９：リンス液ノズル、
２１：基板、２２：下地層、２３：絶縁膜、２４：バリアメタル層、
２５：配線材層、２６：絶縁膜、２７：バリアメタル層、２８：配線材層
【図１】
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【図２】
2020035794.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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