(57)【要約】【課題】基板毎の処理均一性の向上させる【解決手段】  基板をプログラムに基づいて処理する処理遂行部と、プログラムを処理する第１制御部と、第１制御部から受信したデータに基づいて、処理遂行部を制御する第２制御部と、を有し、第１制御部は、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の稼働データの判定を行い、他の基板処理装置の第１制御部で不具合が発生したと判定したときに、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の代替制御を実行可能に構成される技術。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をプログラムに基づいて処理する処理遂行部と、
前記プログラムを処理する第１制御部と、
前記第１制御部から受信したデータに基づいて、前記処理遂行部を制御する第２制御部と、を有し、
前記第１制御部は、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の稼働データの判定を行い、
前記他の基板処理装置の第１制御部で不具合が発生したと判定したときに、前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部の代替制御を実行可能に構成される
基板処理装置。
【請求項２】
前記第１制御部は、入出力装置を有し、
前記第１制御部は、前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部で不具合が発生したと判定した時に、前記入出力装置に、前記他の基板処理装置の制御要求を報知するように構成される請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１制御部は、記憶部を有し、
前記第１制御部は、前記他の基板処理装置の第１制御部が有する装置データを定期的に前記記憶部に記録する様に構成される請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１制御部は、前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部の代替制御の実行中に、前記他の基板処理装置に関する最新情報データを受信する様に構成される請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１制御部は、前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部が正常状態に回復した時に、前記最新情報データを前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部に送信する様に構成される請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記代替制御では、前記第１制御部は、前記他の基板処理装置に設けられた第２制御部の制御を行う様に構成される請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１制御部は、前記他の基板処理装置の前記第１制御部の代替制御が不能な時は、更に異なる基板処理装置の第１制御部と上位装置のいずれか又は両方に代替制御要求を送信する様に構成される
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第２制御部は、前記他の基板処理装置の第１制御部に代替制御要求を送信可能に構成される請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板処理装置に設けられた第１制御部がプログラムを処理する工程と、
前記基板処理装置に設けられた第２制御部が前記処理されたプログラムに基づいて、処理遂行部を制御して基板を処理する工程と、
前記第１制御部が、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の稼働データを判定する工程と、
前記他の基板処理装置の第１制御部で不具合が発生したと判定したときに、前記第１制御部から前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部の代替制御を実行する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板処理装置に設けられた第１制御部がプログラムを処理させる手順と、
前記基板処理装置に設けられた第２制御部が前記処理されたプログラムに基づいて、処理遂行部を制御して基板を処理させる手順と、
前記第１制御部が、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の稼働データを判定させる手順と、
前記他の基板処理装置の第１制御部で不具合が発生したと判定したときに、前記第１制御部から前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部の代替制御を実行させる手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
【請求項１１】
基板処理装置に設けられた第１制御部がプログラムを処理させる手順と、
前記基板処理装置に設けられた第２制御部が前記処理されたプログラムに基づいて、処理遂行部を制御して基板を処理させる手順と、
前記第１制御部が、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の稼働データを判定させる手順と、
前記他の基板処理装置の第１制御部で不具合が発生したと判定したときに、前記第１制御部から前記他の基板処理装置に設けられた第１制御部の代替制御を実行させる手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが記録された記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置の一態様としては、例えばリアクタを有するモジュールを備えた装置がある。このような基板処理装置においては、装置稼働情報等をディスプレイ等で構成される入出力装置に表示して、装置管理者が確認し得るようにしている。（例えば、特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７―１０３３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板処理装置について効率の良い管理を実現する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一態様によれば、
基板をプログラムに基づいて処理する処理遂行部と、プログラムを処理する第１制御部と、第１制御部から受信したデータに基づいて、処理遂行部を制御する第２制御部と、を有し、第１制御部は、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の稼働データの判定を行い、他の基板処理装置の第１制御部で不具合が発生したと判定したときに、他の基板処理装置に設けられた第１制御部の代替制御を実行可能に構成される技術が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本開示に係る技術によれば、基板処理装置について効率の良い管理が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】基板処理システムの概略構成図である。
【図２】基板処理装置の概略構成図である。
【図３】ガス供給部を説明する図である。
【図４】コントローラの概略構成図である。
【図５】装置接続データの例である。
【図６】基板処理のフロー図である。
【図７】制御部の切替工程を含むフロー図である。
【図８】制御部の代替制御中の基板処理システムの概略構成図である。
【図９】代替制御要求の画面の例である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に本開示の実施の形態について説明する。
【０００９】
＜一実施形態＞
以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】
まず、本開示が解決する課題についていくつか記す。複数の基板処理装置を運用する際に、少なくとも以下の（ａ）〜（ｃ）いずれかの課題を生じる場合がある。各番号の構成については、後述する。
【００１１】
（ａ）複数の基板処理装置１００を運用する場合に、いずれかの基板処理装置１００に設けられ、基板処理装置１００に設けられた各部を操作する操作部としての第１制御部２６０がダウンした時、第１制御部２６０がダウンした基板処理装置１００は操作不能となる。
【００１２】
（ｂ）基板処理装置１００に設けられた第１制御部２６０は、故障対策のため二重化されることが有る。この場合、二重化された片方が故障した場合に、一方に切り替える制御がなされている。しかしながら、片方が故障したまま使用を継続することがあり、一方の第１制御部２６０も故障し、基板処理装置１００が操作不能となることがある。
【００１３】
（ｃ）複数の基板処理装置１００で同様の処理を行っている場合において、いずれかの基板処理装置１００をメンテナンスすることがある。メンテナンス後に、メンテナンスした基板処理装置１００に最新の設定データを適用することがある。この場合、最新の設定データは、上位装置５００から送信されるが、メンテナンスが終わるまで、設定できないことがある。
【００１４】
このような課題に対して、本開示の基板処理システムは、以下に記す様に構成されている。
（１）基板処理システムの構成
一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を、図１、図２、図３、図４を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理システムの構成例を示すである。図２は本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す横断面図である。図３は本実施形態に係る基板処理装置のガス供給系の概略構成図である。図４は、基板処理装置に設けられた各部と第１制御部２６０との接続関係を示す概略構成図である。
【００１５】
図１において、基板処理システム１０００は、複数の基板処理装置１００（１００ａ,１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）を有する。基板処理装置１００には、それぞれ、第１制御部２６０（２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃ，２６０ｄ）と、第２制御部２８０（２８０ａ，２８０ｂ，２８０ｃ，２８０ｄ）と、データ送受信部２８５（２８５ａ，２８５ｂ，２８５ｃ，２８５ｄ）を有する。第１制御部２６０は、第２制御部２８０を介して、基板処理装置１００の各部の操作を実行可能に構成される。また、データ送受信部２８５とデータ送受信部２８５に接続されたネットワーク２６８を介して、他の基板処理装置１００の第１制御部２６０や第２制御部２６０等と送受信可能に構成される。第２制御部２８０は、基板処理装置１００に設けられた各部の動作を制御可能に構成される。第１制御部２６０と第２制御部２８０とデータ送受信部２８５はそれぞれ相互に通信可能に構成される。また、第１制御部２６０と第２制御部２８０は、ネットワーク２６８に接続されている。ここでは、第１制御部２６０と第２制御部２８０はデータ送受信部２８５を介して接続している例を示しているが、それぞれネットワーク２６８に直接接続される様に構成しても良い。この様に構成することで、１つの基板処理装置１００に設けられた第１制御部２６０から他の基板処理装置１００に設けられた第２制御部２８０を操作することが可能となる。例えば、基板処理装置１００ａの第１制御部２６０ａから基板処理装置１００ｂの第２制御部２８０ｂを操作することが可能となる。
【００１６】
次に、基板処理装置１００の概略構成について、図２を用いて説明する。
（２）基板処理装置の構成
基板処理装置１００は、例えば、基板２００に絶縁膜を形成するユニットであり、図２に示されているように、枚葉式基板処理装置として構成されている。ここでは、基板処理装置１００ａ（１００）について説明する。他の基板処理装置１００ｂ，１００ｃ，１００ｄについては同様の構成のため説明を省略する。基板処理装置１００に設けられる各部は、基板２００を処理する処理遂行部の一つとして構成される。
【００１７】
図２に示すとおり、基板処理装置１００は処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば水平断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料または、石英により構成されている。処理容器２０２内には、基板としてのシリコンウエハ等の基板２００を処理する処理室２０１と、移載室２０３が形成されている。処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には仕切部２０４が設けられる。上部容器２０２ａに囲まれた空間であって、仕切部２０４よりも上方の空間を処理室２０１と呼ぶ。また、下部容器２０２ｂに囲まれた空間であって、ゲートバルブ１４９付近を移載室２０３と呼ぶ。
【００１８】
下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９に隣接した基板搬入出口１４８０が設けられており、基板２００は基板搬入出口１４８０を介して図示しない搬送室と移載室２０３との間を移動する。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。更に、下部容器２０２ｂは接地されている。
【００１９】
処理室２０１内には、基板２００を支持する基板支持部２１０が設けられている。基板支持部２１０は、基板２００を載置する載置面２１１と、載置面２１１を表面に持つ載置台２１２、加熱部としてのヒータ２１３を主に有する。基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。また、基板載置台２１２には、基板２００や処理室２０１にバイアスを印加するバイアス電極２５６が設けられていても良い。ここで、ヒータ２１３には、温度制御部４００が接続され、温度制御部４００によってヒータ２１３の温度が制御される。なお、ヒータ２１３の温度情報は、温度制御部４００から第２制御部２８０に送信可能に構成される。また、バイアス電極２５６は、バイアス調整部２５７に接続され、バイアス調整部２５７によって、バイアスが調整可能に構成される。また、バイアス調整部２５７は、第２制御部２８０との間でバイアスデータを送受信可能に構成される。
【００２０】
基板載置台２１２はシャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、処理容器２０２の底部を貫通しており、更には処理容器２０２の外部で昇降部２１８に接続されている。昇降部２１８を作動させてシャフト２１７及び支持台２１２を昇降させることにより、基板載置面２１１上に載置される基板２００を昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、処理室２０１内は気密に保持されている。なお、昇降部２１８は、第２制御部２８０との間で、基板載置台２１２の高さデータ（位置データ）を送受信可能に構成されていても良い。なお、基板載置台２１２の位置は、少なくとも２つ以上設定可能に構成される。例えば、第１処理位置と第２処理位置である。なお、第１処理位置や第２処理位置は、それぞれ調整可能に構成されている。
【００２１】
基板載置台２１２は、基板２００の搬送時には、ウエハ移載位置に移動し、基板２００の第１処理時には図２の実線で示した第１処理位置（ウエハ処理位置）に移動する。また、第２処理時には、図２の破線で示した第２処理位置に移動する。なお、ウエハ移載位置は、リフトピン２０７の上端が、基板載置面２１１の上面から突出する位置である。
【００２２】
具体的には、基板載置台２１２をウエハ移載位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７が基板２００を下方から支持するようになっている。また、基板載置台２１２をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７は基板載置面２１１の上面から埋没して、基板載置面２１１が基板２００を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン２０７は、基板２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナなどの材質で形成することが望ましい。
【００２３】
（排気系）
処理室２０１（上部容器２０２ａ）の側面側には、処理室２０１の雰囲気を排気する第１排気部としての第１排気口２２１が設けられている。第１排気口２２１には排気管２２４ａが接続されており、排気管２２４ａには、処理室２０１内を所定の圧力に制御するＡＰＣ等の圧力調整器２２７と真空ポンプ２２３が順に直列に接続されている。主に、第１排気口２２１、排気管２２４ａ、圧力調整器２２７により第一の排気系（排気ライン）が構成される。なお、真空ポンプ２２３も第一の排気系の構成としても良い。また、移載室２０３の側面側には、移載室２０３の雰囲気を排気する第２排気口１４８１が設けられている。また、第２排気口１４８１には排気管１４８が接続されている。排気管１４８には、圧力調整器２２８が設けられ、移載室２０３内の圧力を所定の圧力に排気可能に構成されている。また、移載室２０３を介して処理室２０１内の雰囲気を排気することもできる。また、圧力調整器２２７は、圧力データや、弁開度のデータを第２制御部２８０と送受信可能に構成される。また、真空ポンプ２２３は、ポンプのＯＮ／ＯＦＦデータや負荷データ等を第２制御部２８０に送信可能に構成される。
【００２４】
（ガス導入口） 
処理室２０１の上部に設けられるシャワーヘッド２３４の上面（天井壁）には、蓋２３１が設けられている。蓋２３１には処理室２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２４１が設けられている。ガス供給部であるガス導入口２４１に接続される各ガス供給ユニットの構成については後述する。
【００２５】
（ガス分散ユニット）
ガス分散ユニットとしてのシャワーヘッド２３４は、バッファ室２３２、分散板２４４ａを有する。なお、分散板２４４ａは、第１活性化部としての第１電極２４４ｂとして構成されていても良い。分散板２４４ａには、ガスを基板２００に分散供給する孔２３４ａが複数設けられている。シャワーヘッド２３４は、ガス導入口２４１と処理室２０１との間に設けられている。ガス導入口２４１から導入されるガスは、シャワーヘッド２３４のバッファ室２３２（分散部とも呼ぶ。）に供給され、孔２３４ａを介して処理室２０１に供給される。
【００２６】
なお、分散板２４４ａを第１電極２４４ｂとして構成した場合は、第１電極２４４ｂは、導電性の金属で構成され、処理室２０１内のガスを励起するための活性化部（励起部）の一部として構成される。第１電極２４４ｂには、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成されている。なお、蓋２３１を導電性部材で構成する際には、蓋２３１と第１電極２４４ｂとの間に絶縁ブロック２３３が設けられ、蓋２３１と第１電極部２４４ｂの間を絶縁する構成となる。
【００２７】
（活性化部（プラズマ生成部））
活性化部としての第１電極２４４ｂが設けられている場合の構成について説明する。活性化部としての第１電極２４４ｂには、整合器２５１と高周波電源部２５２が接続され、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成されている。これにより、処理室２０１内に供給されたガスを活性化させることができる。また、第１電極２４４ｂは、容量結合型のプラズマを生成可能に構成される。具体的には、第１電極２４４ｂは、導電性の板状に形成され、上部容器２０２ａに支持されるように構成される。活性化部は、少なくとも第１電極２４４ｂ、整合器２５１、高周波電源部２５２で構成される。なお、第１電極２４４ｂと高周波電源２５２との間に、インピーダンス計２５４を設けても良い。インピーダンス計２５４を設けることによって、測定されたインピーダンスに基づいて、整合器２５１、高周波電源２５２をフィードバック制御することができる。また、高周波電源２５２は、電力データを第２制御部２８０と送受信可能に構成され、整合器２５１は、整合データ（進行波データ、反射波データ）を第２制御部２８０と送受信可能に構成され、インピーダンス計２５４は、インピーダンスデータを第２制御部２８０と送受信可能に構成される。
【００２８】
（供給系）
ガス導入口２４１には、共通ガス供給管２４２が接続されている。共通ガス供給管２４２は、管の内部で連通しており、共通ガス供給管２４２から供給されるガスは、ガス導入口２４１を介してシャワーヘッド２３４内に供給される。
【００２９】
共通ガス供給管２４２には、図３に示す、ガス供給部が接続される。ガス供給部は、第１ガス供給管１１３ａ、第２ガス供給管１２３ａ、第３ガス供給管１３３ａが接続されている。
【００３０】
第１ガス供給管１１３ａを含む第１ガス供給部からは第１元素含有ガス（第１処理ガス）が主に供給される。また、第２ガス供給管１２３ａを含む第２ガス供給部からは主に第２元素含有ガス（第２処理ガス）が供給される。また、第３ガス供給管１３３ａを含む第３ガス供給部からは主に第３元素含有ガスが供給される。
【００３１】
（第１ガス供給部）
第１ガス供給管１１３ａには、上流方向から順に、第１ガス供給源１１３、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１５、及び開閉弁であるバルブ１１６が設けられている。
【００３２】
第１ガス供給管１１３ａから、第１元素含有ガスが、ＭＦＣ１１５、バルブ１１６、共通ガス供給管２４２を介してシャワーヘッド２３４に供給される。
【００３３】
第１元素含有ガスは、処理ガスの一つである。第１元素含有ガスはシリコン（Ｓｉ）を含むガスであり、例えば、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ２、略称：ＨＣＤＳ）、等のガスである。
【００３４】
第１ガス供給部は、主に、第１ガス供給管１１３ａ、ＭＦＣ１１５、バルブ１１６により構成される。
【００３５】
更には、第１ガス供給源１１３、第１ガスを活性化させるリモートプラズマユニット（ＲＰＵ）１８０ａのいずれか若しくは両方を第１ガス供給部に含めて考えてもよい。
【００３６】
（第２ガス供給部）
第２ガス供給管１２３ａには、上流方向から順に、第２ガス供給源１２３、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６が設けられている。
【００３７】
第２ガス供給管１２３ａからは、第２元素含有ガスが、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３４内に供給される。
【００３８】
第２元素含有ガスは、処理ガスの一つである。第２元素含有ガスは窒素（Ｎ）を含むガスであり、例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスや、窒素（Ｎ２）ガス等のガスである。
【００３９】
第２ガス供給部は、主に、第２ガス供給管１２３ａ、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６で構成される。
【００４０】
更には、第２ガス供給源１２３、第１ガスを活性化させるリモートプラズマユニット（ＲＰＵ）１８０ｂのいずれか若しくは両方を第２ガス供給部に含めて考えてもよい。
【００４１】
（第３ガス供給部）
第３ガス供給管１３３ａには、上流方向から順に、第３ガス供給源１３３、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６が設けられている。
【００４２】
第３ガス供給管１３３ａからは、不活性ガスが、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６、共通ガス供給管２４２を介してシャワーヘッド２３４に供給される。
【００４３】
不活性ガスは、第１ガスと反応し難いガスである。不活性ガスは例えば、窒窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、等のガスである。
【００４４】
第３ガス供給部は、主に、第３ガス供給管１３３ａ、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６で構成される。
【００４５】
ここで、第１ガス供給部、第２ガス供給部、第３ガス供給部のそれぞれを構成するＭＦＣ、バルブは第２制御部２８０と送受信可能に構成され、それぞれ、以下のデータを送受信する。ＭＦＣ：流量データ、バルブ：開度データ。なお、第１ガス供給部や、第２ガス供給部に気化器、ＲＰＵを含めて構成しても良い。気化器やＲＰＵも第２制御部２８０と送受信可能に構成され、それぞれ、以下のデータを送受信する。気化器：気化量データ、ＲＰＵ：電力データ。
【００４６】
（第１制御部，第２制御部）
次に、制御部について説明する。図４に示すように基板処理装置１００は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する制御部としての第１制御部２６０と第２制御部２８０を有している。
【００４７】
第１制御部２６０と第２制御部２８０の概略構成図と、管理部２７４、ネットワーク２６８、上位装置５００等の接続構成図を図４に示す。ここでは、基板処理装置１００ａが有する第１制御部２６０ａと第２制御部２８０ａとについて記す。他の基板処理装置１００ｂ，１００ｃ，１００ｄについても同様の構成であるので、説明を省略する。
【００４８】
（第１制御部）
第１制御部２６０ａは、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）２６１、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）２６２ａ、記憶装置２６３ａ、Ｉ／Ｏポート２６４ａを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２６２ａ、記憶装置２６３ａ、Ｉ／Ｏポート２６４ａは、内部バス２６５ａを介して、ＣＰＵ２６１ａとデータ交換可能なように構成されている。なお、内部バス２６５ａには、送受信部２８５ａ，外部記憶装置２６７ａ，入出力装置２６９ａ等が接続されている。これらの送受信部２８５，外部記憶装置２６７ａ，入出力装置２６９ａの少なくともいずれかを、第１制御部２６０ａの構成に含めても良い。
【００４９】
記憶装置２６３ａは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２６３ａには、装置データが読み出し可能に記録されている。
【００５０】
装置データは、以下の少なくともいずれかを含む。例えば、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ、基板２００への処理に用いるプロセスレシピを設定するまでの過程で生じる演算データや処理データ、スケジュールデータ、稼働データ、装置接続データ、内部接続データ、ウエハ２００データ、等である。
【００５１】
ここで、稼働データとは、第１制御部２６０ａに設けられたＣＰＵ２６１ａ，ＲＡＭ２６２ａ，記憶装置２６３ａの少なくともいずれかの負荷状態，エラー発生数，稼働時間，温度、等の少なくともいずれかのデータである。
【００５２】
次に、装置接続データは、基板処理装置１００とネットワークとの接続関係データである。例えば、基板処理装置１００が有する第１制御部２６０と第２制御部２８０と、接続可能な他の基板処理装置１００が有する第１制御部２６０と第２制御部２８０との関係を示すデータである。例えば、図５に示す様な接続関係を示すデータで構成される。各第１制御部２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃ，２６０ｄ・・・２６０ｘが接続可能な接続先１，２，３，４，・・・Ｎがデータテーブルａ１，ａ２，ａ３，ａ４・・・ａＸ、ｂ１，ｂ２，ｂ３，ｂ４・・・ｂＸ、・・・・ｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４・・・ｎＸに記録される様に構成される。ここで、ｘは、基板処理装置の記号が入力され、ｎ，Ｎには、整数が入力される。ｘ，ｎ，Ｎは、適宜増やすことができる。例えば、基板処理システム１０００に設けられた基板処理装置１００の数だけ増やすことができる。また、基板処理システム１０００で構成せずに、基板処理装置１００を複数台で設定しても良い。
【００５３】
ここで、図５に示す第１接続先は、同じ基板処理装置１００内に設けられた第２制御部２８０が設定され、第２接続先以降に、代替制御可能な接続先が設定される。具体的には、以下の様に設定される。第１制御部２６０ａは、第２制御部２８０ａに接続され、第２制御部２８０ｂ，第２制御部２８０ｄを代替制御可能に設定される。第１制御部２６０ｂは、第２制御部２８０ｂに接続され、第２制御部２８０ａを代替制御可能に設定される。第１制御部２６０ｃは、第２制御部２８０ｃに接続され、第２制御部２８０ａ，第２制御部２８０ｂ，第２制御部２８０ｄを代替制御可能に設定される。なお、接続先が設定されていないデータテーブル（データが記録されていないデータテーブル）には、後述の接続先探索工程Ｓ２０６で随時、接続先を追加可能に構成される。また、ネットワーク２６８に、他の基板処理装置１００や、第１制御部２６０が接続された時に、ネットワーク２６８内を探索して、接続可能な機器を接続先として追加しても良い。ここで、機器とは、第１制御部２６０や、第１制御部２６０を代替可能な制御装置を意味する。第１制御部なお、具体的な情報としては、ＩＰアドレスや接続プロトコルのデータでの少なくともいずれかを含む。
【００５４】
内部接続設定データは、基板処理装置１００内に設けられた各部（処理遂行部）の接続関係を示すデータである。具体的な情報としては、ＩＰアドレスや接続プロトコルのデータの少なくともいずれかを含む。
【００５５】
ウエハ２００データは、基板処理装置１００に搬送されるウエハ２００に付随するデータである。
【００５６】
スケジュールデータは、基板２００の処理スケジュールを示すデータである。
【００５７】
なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順を第１制御部２６０に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム、上述のデータ、等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
【００５８】
演算部としてのＣＰＵ２６１ａは、記憶装置２６３ａからの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置２６９ａからの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２６３ａからプロセスレシピを読み出すように構成されている。また、送受信部２８５ａから入力された設定値と、記憶装置２６３ａに記憶されたプロセスレシピや制御データとを比較・演算して、演算データを算出可能に構成されている。また、演算データから対応する処理データ（プロセスレシピ）の決定処理等を実行可能に構成されている。演算データは、内部バス２６５ａ，Ｉ／Ｏポート２６４ａ，送受信部２８５ａの少なくともいずれかを介して、後述の第２制御部２８０ａに送受信される。各部の制御を行う際は、ＣＰＵ２６１ａ内の送受信部が、プロセスレシピの内容に沿った制御情報を送信／受信することで制御する。
【００５９】
ＲＡＭ２６２ａは、ＣＰＵ２６１ａによって読み出されたプログラム、演算データ、処理データ等のデータが一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００６０】
Ｉ／Ｏポート２６４ａは、後述の第２制御部２８０ａに接続される。
【００６１】
入出力装置２６９ａは、ディスプレイや、タッチパネルとして構成される表示部を有する。
【００６２】
送受信部２８５ａは、ネットワーク２６８を介して上位装置５００や管理装置２７４と、第１制御部２６０ａと第２制御部２８０ａのいずれか又は両方と通信可能に構成される。
【００６３】
（第２制御部）
第２制御部２８０ａは、基板処理装置の各部（処理遂行部）に接続されている。例えば、ゲートバルブ１４９、昇降部２１８、温度制御部４００、圧力調整器２２７，２２８、真空ポンプ２２３、整合器２５１、高周波電源部２５２、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５、バルブ１１６，１２６，１３６、バイアス制御部２５７、等に接続されている。また、インピーダンス計２５４、ＲＰＵ１８０、真空搬送ロボット２７００、大気搬送ロボット２２２０等にも接続されていても良い。また、送受信部２８５ａと、ネットワーク２６８のいずれか又は両方に接続されていても良い。
【００６４】
第２制御部２８０ａは、第１制御部２６０ａで演算（処理）されたプロセスレシピ（プログラム）のデータに沿うように、ゲートバルブ１４９（の開閉動作、昇降部２１８の昇降動作、温度制御部４００への電力供給動作、温度制御部４００による基板載置台２１２の温度調整動作、圧力調整器２２７，２２８の圧力調整動作、真空ポンプ２２３のオンオフ制御、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５でのガス流量制御動作、ＲＰＵ１８０ａ，１８０ｂのガスの活性化動作、バルブ１１６，１２６，１３６でのガスのオンオフ制御、整合器２５１の電力の整合動作、高周波電源部２５２の電力制御、バイアス制御部２５７の制御動作、インピーダンス計２５４が測定した測定データに基づいた整合器２５１の整合動作や、高周波電源２５２の電力制御動作、等を制御するように構成されている。
【００６５】
なお、第１制御部２６０ａや第２制御部２８０ａは、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていても良い。例えば、上述のプログラム（データ）を格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２６７ａを用意し、係る外部記憶装置２６７ａを用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係る第１制御部２６０ａを構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給（記録）するための手段は、外部記憶装置２６７ａを介して供給する場合に限らない。例えば、送受信部２８５ａやネットワーク２６８（インターネットや専用回線）等の通信手段を用い、外部記憶装置２６７ａを介さずにプログラム（データ）を供給するようにしても良い。なお、記憶装置２６３や外部記憶装置２６７ａは、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２６３ａ単体のみを含む場合、外部記憶装置２６７ａ単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合が有る。
【００６６】
なお、本開示での接続とは、各部が物理的なケーブルで繋がっているという意味も含むが、各部の信号（電子データ）が直接または間接的に送信／受信可能になっているという意味も含む。
【００６７】
（２）基板処理工程
次に、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜を成膜する工程例について、上述の基板処理装置１００の処理フローついて図６を参照して説明する。なお、ここで絶縁膜としては、例えば窒化膜としてのシリコン窒化（ＳｉＮ）膜が成膜される。また、この製造工程の一工程は、なお、以下の説明において、各部の動作は第１制御部２６０と第２制御部２８０により制御される。
【００６８】
以下に、基板処理工程について説明する。
【００６９】
（基板搬入・加熱工程：Ｓ１０２） 
先ず、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）について説明する。
基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）では、容器２０２内にウエハ２００を搬入する。そして、容器２０２内にウエハ２００を搬入したら、真空搬送ロボット（不図示）を容器２０２の外へ退避させ、ゲートバルブ１４９を閉じて容器２０２内を密閉する。その後、基板載置台２１２を上昇させることにより、基板載置台２１２に設けられた基板載置面２１１上にウエハ２００を載置させ、さらに基板載置台２１２を上昇させることにより、前述した処理空間２０５内の処理位置（基板処理ポジション）までウエハ２００を上昇させる。
【００７０】
ウエハ２００が移載室２０３に搬入された後、処理室２０１内の処理位置まで上昇すると、バルブ２２８を閉状態とする。これにより、排気管１４８から移載室２０３の排気が終了する。一方、ＡＰＣ２２７を開き、処理室２０１と真空ポンプ２２３の間を連通させる。ＡＰＣ２２７は、排気管２２４ａのコンダクタンスを調整することで、真空ポンプ２２３による処理室２０１の排気流量を制御し、処理空間２０１を所定の圧力（例えば１０−5〜１０−1Ｐａの高真空）に維持する。
【００７１】
このようにして、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）では、処理室２０１内を所定の圧力となるように制御するとともに、ウエハ２００の表面温度が所定の温度となるように制御する。温度は、例えば室温以上５００℃以下であり、好ましくは室温以上であって４００℃以下である。圧力は例えば５０〜５０００Ｐａとすることが考えられる。
【００７２】
（成膜工程:Ｓ１０４） 
続いて、成膜工程（Ｓ１０４）について説明する。
処理室２０１内の処理位置にウエハ２００を位置させたら、基板処理装置１００では、成膜工程（Ｓ１０４）を行う。成膜工程（Ｓ１０４）は、プロセスレシピに応じて、異なる処理ガスである第一処理ガス（第一元素含有ガス）と第二処理ガス（第二元素含有ガス）とを処理室２０１に供給することで、ウエハ２００上に薄膜を形成する工程である。成膜工程（Ｓ１０４）では、第一処理ガスと第二処理ガスとを同時に処理室２０１に存在させてＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理を行ったり、第一処理ガスと第二処理ガスとを交互に供給する工程を繰り返すサイクリック（交互供給）処理を行ったりしてもよい。また、第二処理ガスをプラズマ状態として処理する場合は、ＲＰＵ１８０ｂを起動してもよい。また、第一処理ガスと第二処理ガスのいずれかを供給する熱処理、改質処理、等の基板処理が行われても良い。
【００７３】
（基板搬入出工程：Ｓ１０６） 
次に、基板搬入出工程（Ｓ１０６）について説明する。
成膜工程（Ｓ１０４）の終了後、基板処理装置１００では、基板搬入出工程（Ｓ１０６）を行う。基板搬入出工程（Ｓ１０６）では、上述した基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）と逆の手順にて、処理済みのウエハ２００を容器２０２の外へ搬出する。そして、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）と同様の手順にて、次に待機している未処理のウエハ２００を容器２０２内に搬入する。その後、搬入されたウエハ２００に対しては、成膜工程（Ｓ１０４）が実行されることになる。
【００７４】
（判定工程：Ｓ１０８） 
次に、判定工程（Ｓ１０８）を説明する。
基板搬入出工程（Ｓ１０６）を終えると、基板処理装置１００では、上述した一連の処理（Ｓ１０２〜Ｓ１０６）を１つのサイクルとし、その１サイクルを所定回数実施したか否かを判定する。そして、所定回数実施していなければ、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）から基板搬入出工程（Ｓ１０６）までの１サイクルを繰り返す。一方、所定回数実施したときには、基板処理工程を終了する。
【００７５】
この基板処理工程の前と後のいずれかで、図７に記載の以下の工程が行われる。図７は、制御部の切替工程を含むフロー図である。なお、以下の工程は、基板処理工程の間に行われても良いし、基板処理工程と所定期間並行して行われても良い。複数の基板処理装置１００の間で、以下の工程が行われる。なお、以下の説明は、代表して基板処理装置１００ａの第１制御部２６０ａ，第２制御部２８０ａと、基板処理装置１００ｂの第１制御部２６０ｂ，第２制御部２８０ｂについて記すが、他の基板処理装置１００の組み合わせについても同様の工程が実行可能である。
【００７６】
（装置データ共有工程Ｓ２０１）
各基板処理装置１００の間で、第１制御部２６０が保持している最新の装置データの共有処理が行われる。
【００７７】
装置データの共有処理は、具体的には、基板処理装置１００ａの第１制御部２６０ａの記憶装置２６３ａやＲＡＭ２６２ａが保持しているデータを、他の基板処理装置１００（例えば１００ｂ）の第１制御部２６０（例えば２６０ｂ）の記憶装置２６３ｂやＲＡＭ２６２ｂにコピー（バックアップ）する処理である。装置データが有するデータの種類が多い場合や、装置データの容量が多い場合、等には、一回の通信で全てのデータを送受信せずに、分割送受信が行われても良い。また、データ種別に応じて、送受信タイミングを異ならせても良い。例えば、稼働データは定期的に送受信を行い、プロセスレシピデータは、そのデータが更新又は追加された時に送受信されれば良い。
【００７８】
なお、この装置データ共有工程は、監視工程とも呼ぶ。
【００７９】
（判定工程Ｓ２０２）
次に、取得した稼働データについて、所定の内容になっているか否かの判定工程が行われる。例えば、以下Ａ〜Ｅの少なくともいずれかの判定条件がある。
【００８０】
（判定条件の例）
（Ａ）稼働データが所定の値を超えているか否かを判定する。
（Ｂ）所定の値を下回っているか否かを判定する。
（Ｃ）稼働データが所定の内容になっているか否かを判定する。
（Ｄ）稼働データが取得できているか否かを判定する。
【００８１】
これら少なくともいずれかの判定条件を満たしていないときは、稼働データを取得した対象の第１制御部２６０が動作不良を起こしていると判定（ＮＯ判定）する。ここで、動作不良とは、ハード的な故障（破損）の場合や、データのバグ等によるエラー処理ができなくなった場合、等の少なくともいずれかを含む。動作不良とは、単に不良，不具合とも呼ぶ。ＮＯ判定が有った場合は、後述の接続切替工程Ｓ２０３を行わせる。判定条件を満たしている場合は、正常と判定（ＹＥＳ判定）し、通常制御を継続する。例えば、第１制御部２６０ａの稼働データの内、第１制御部２６０を駆動する電圧が、所定の値を下回っている場合は、第１制御部２６０ｂは、第１制御部２６０ａが動作不良を起こしている（故障している）と判定する。また、第１制御部２６０ａが有するＲＡＭ２６２ａや記憶装置２６３ａのエラー率が所定値を超えた場合に、第１制御部２６０ｂは、第１制御部２６０ａが動作不良を起こしていると判定する。
【００８２】
なお、第１制御部２６０ａが故障する前に第１制御部２６０ａがセルフチェックを行う様にしても良い。稼働データが所定の値を超えることが予想される場合に、ＮＯ判定として、接続切替工程Ｓ２０３を行わせても良い。
【００８３】
（接続切替工程Ｓ２０３）
故障判定の場合は、故障した第１制御部２６０と正常な第２制御部２８０との接続を、他の基板処理装置１００の正常な第１制御部２６０との接続に切り替える工程が行われる。接続切替工程Ｓ２０３は、図７に示す様に、接続要求工程Ｓ２０４，接続切替認証工程Ｓ２０５を有する。それぞれの工程について、説明する。
【００８４】
（切替要求工程Ｓ２０４）
切替要求工程Ｓ２０４では、他の基板処理装置１００が有する第１制御部２６０から、故障した第１制御部２６０が接続された第２制御部２８０への接続要求が行われる。例えば、第１制御部２６０ｂから、第２制御部２８０ａへ接続要求が行われる。この場合、図９に示す様な、接続要求を行うか否かを確認する画面（ウィンドウ）２７５を表示させても良い。また、逆に、第２制御部２６０ａから第１制御部２６０ｂへ接続要求が行われても良い。この場合にも、図９に示す、接続要求を行うか否かを確認する画面（ウィンドウ）２７５を表示させても良い。
【００８５】
ここで、図９に示す、接続要求（制御要求確認）の画面２７５の構成について説明する。制御要求確認の画面２７５は、要求を承認するＹＥＳボタン２７５ａと、要求を拒否するＮＯボタン２７５ｂとを有する。なお、図９の破線で示すように、上位装置５００や管理部２７４に対して担当者の呼び出し要求を送信する担当者呼び出しボタン２７５ｃを設けても良い。
【００８６】
（接続認証工程Ｓ２０５）
接続認証工程Ｓ２０５では、接続要求を受け取った第２制御部２８０ａ又は第１制御部２６０ｂが、接続要求の送信元と接続可能か否かの確認が行われる
接続が可能な場合は、ＹＥＳ判定として、第２制御部２８０の制御を開始する。接続が不能な場合は、Ｎｏ判定として、切替先探索工程Ｓ２０６が行われる。ここでの確認は、図９に示す確認画面に表示されたＹＥＳボタンによって認証確定させても良い。また、接続要求を受けた側の稼働状態や負荷状態に応じて、認証判定を行わせても良い。例えば、接続要求を受けた側の負荷状態が高い場合には、Ｎｏ判定とする。また、接続要求を送信又は受信してから所定時間経過してタイムアウトした場合にも、Ｎｏ判定としても良い。
【００８７】
認証が行われた後は、制御を行う第１制御部２６０と制御される側の第２制御部２８０との間で、ＩＰアドレスの登録等、が行われる。例えば、第１制御部２６０ｂと第２制御部２８０ａとの間での認証が成立した場合には、次の代替制御工程Ｓ２０７が行われる。
【００８８】
（接続先探索工程Ｓ２０６）
次に、接続認証工程Ｓ２０５で、ＮＯ判定が有った場合に行われる接続先探索工程Ｓ２０６について説明する。接続先探索工程Ｓ２０６では、第１制御部２６０ｂと第２制御部２８０ａのいずれかから、他の第１制御部２６０（例えば、第１制御部２６０ｃ）に接続要求が行われる。第１制御部２６０ｃで上述と同様の認証処理が行われる。第１制御部２６０ｃで接続認証が成立しない場合には、次の第１制御部２６０（例えば、２６０ｄ）に接続要求が行われる。ネットワーク２６８に接続されている、第１制御部２６０全てで接続認証が行われなかった場合は、第１制御部２６０のいずれかで接続待機が行われる。また、ネットワーク２６８に接続された他の機器に接続要求を送信しても良い。ここで、他の機器は、例えば、管理部２７４や、上位装置５００である。
【００８９】
（代替制御工程Ｓ２０７）
代替制御工程Ｓ２０７では、一つの基板処理装置１００の制御（操作）を他の基板処理装置１００から実行される。例えば、図８の一点鎖線で示す様に、第１制御部２６０ｂと第２制御部２８０ａとが、接続認証されている場合は、第１制御部２６０ｂから第２制御部２８０ａの制御（操作）が可能となる。即ち、第１制御部２６０ｂから基板処理装置１００ｂを操作可能な状態となる。ここで、第１制御部２７０ｂが実行可能な操作は、例えば、基板処理装置１００ａに設けられた各部の操作、基板処理工程の実行、基板処理装置１００ａのメンテナンス処理、等である。
【００９０】
また、接続切替の後には、故障した第１制御部２６０ａのメンテナンス工程が行われる。メンテナンス工程では、例えば、第１制御部２６０ａの再起動処理、第１制御部２６０ａを構成する部品交換又は、第１制御部２６０ａ自体の交換、等の少なくともいずれかが行われる。
【００９１】
このメンテナンス工程中には、上位装置５００から、第１制御部２６０ａに対して、最新の基板処理装置１００の各部の設定データや、プログラムレシピデータが送信されることが有る。このとき、第１制御部２６０ａは故障またはメンテナンスしているため、これらの最新データのダウンロードができない状態となっている。この様な場合、第１制御部２６０ｂが代替ダウンロードを行い、第１制御部２６０ａが正常状態に戻ったことを検出した後に、第１制御部２６０ａに最新データを送信しても良い。ここで、正常状態に戻るとは、正常状態に回復するとも呼ぶ。また、正常状態とは、上述の判定工程Ｓ２０２で、ＹＥＳ判定となる状態のことを意味する。また、第１制御部２６０ｂが、最新データの有無データを保持しておき、第１制御部２６０ａが正常状態に戻ったことを検出した後に、第１制御部２６０ａから上位装置５００に対して最新データのダウンロード要求を指示するデータを送信させても良い。
【００９２】
以上、本開示の一実施形態を具体的に説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００９３】
また、上述では、半導体装置の製造工程について記したが、実施形態に係る発明は、半導体装置の製造工程以外にも適用可能である。例えば、液晶デバイスの製造工程、太陽電池の製造工程、発光デバイスの製造工程、ガラス基板の処理工程、セラミック基板の処理工程、導電性基板の処理工程、などの基板処理が有る。
【００９４】
また、上述では、原料ガスとしてシリコン含有ガス、反応ガスとして窒素含有ガスを用いて、シリコン窒化膜を形成する例を示したが、他のガスを用いた成膜にも適用可能である。例えば、酸素含有膜、窒素含有膜、炭素含有膜、ホウ素含有膜、金属含有膜とこれらの元素が複数含有した膜等が有る。なお、これらの膜としては、例えば、ＡｌＯ膜、ＺｒＯ膜、ＨｆＯ膜、ＨｆＡｌＯ膜、ＺｒＡｌＯ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣ膜、ＴｉＡｌＣ膜などが有る。
【００９５】
また、上述では、一つの処理室で一枚の基板を処理する装置構成を示したが、これに限らず、複数枚の基板を水平方向又は垂直方向に並べた装置であっても良い。
【符号の説明】
【００９６】
１００      基板処理装置
２００      ウエハ（基板）
２６０      第１制御部
２８０      第２制御部
【図１】
2020077666.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020077666.tif 000009
【図８】
2020077666.tif 000010
【図９】
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