(57)【要約】【課題】半導体素子が発する熱の放熱性を高め、効率的に放熱を行うことができる基板構造体を提供する。【解決手段】半導体素子１３の実装面３１１を有する基板部３１を備え、実装面３１１と対向する対向板部を介して熱を取得して放熱する基板構造体において、実装面３１１に一列に実装された複数の半導体素子１３と、前記対向板部にて、複数の半導体素子１３に対応する位置に形成された窪み部を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の実装面を有する基板部を備え、前記実装面と対向する対向板部を介して熱を取得して放熱する基板構造体において、
前記実装面に一列に実装された複数の半導体素子と、
前記対向板部にて、前記複数の半導体素子に対応する位置に形成された窪み部を備える基板構造体。
【請求項２】
各半導体素子は、一側面側の第１端子、及び、前記一側面と対向する他側面側の第２端子を有し、前記第１端子には前記第２端子より大きい電流が流れ、
前記複数の半導体素子の前記第１端子と接続する第１導電板と、
前記複数の半導体素子の前記第２端子と接続し、前記第１導電板より小さい第２導電板とを備える請求項１に記載の基板構造体。
【請求項３】
前記窪み部の壁部と対向配置された放熱フィンを備える請求項１又は２に記載の基板構造体。
【請求項４】
前記放熱フィンは前記窪み部の長寸方向に沿って延びている請求項３に記載の基板構造体。
【請求項５】
各半導体素子と前記窪み部との間に介在する熱伝導材を備える請求項１から４の何れか一つに記載の基板構造体。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を備える基板構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、比較的大きな電流を導通させるための回路を構成する導電部材（バスバー等とも称される）が実装された基板が一般的に知られている。
【０００３】
一方、特許文献１には、筐体内に設けられた電気部品から発生した熱を筐体の外部に速やかに排出させ、筐体内に外気を取り込んで電気部品を冷却するため、斯かる筐体に孔を形成した電子装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−０６３９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したような回路構造体においては、大きな電流が半導体素子のような電子部品に流れることから、斯かる電子部品及び導電部材において大量の熱を発する。このように発生した熱は前記電子部品の誤動作の原因になるうえに、周囲の電子部品等が二次的熱的弊害を被る恐れもある。
【０００６】
特許文献１の電子装置においては、このような問題に対応するため、筐体に孔を形成しているものの、筐体に孔を形成したため、外部から筐体内に埃、水等が入り込む虞が生じる。特許文献１の電子装置においてはこれを防ぐためにフィルタを別途設けており、その結果、複雑な構成になるうえに、製造コストが高まるという問題がある。
【０００７】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体素子が発する熱の放熱性を高め、効率的に放熱を行うことができる基板構造体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様に係る基板構造体は、半導体素子の実装面を有する基板部を備え、前記実装面と対向する対向板部を介して熱を取得して放熱する基板構造体において、前記実装面に一列に実装された複数の半導体素子と、前記対向板部にて、前記複数の半導体素子に対応する位置に形成された窪み部を備える。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の一態様によれば、半導体素子が発する熱の放熱性を高め、効率的に放熱を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係る電気装置の斜視図である。
【図２】本実施形態に係る電気装置の分解図である。
【図３】本実施形態に係る電気装置の基板収容部の概略的底面図である。
【図４】本実施形態に係る電気装置の概略的正面図である。
【図５】本実施形態に係る電気装置の概略的側面図である。
【図６】本実施形態に係る電気装置の概略的底面図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線による縦断面図である。
【図８】本実施形態に係る電気装置において、窪み部とＦＥＴとの関係を示す部分的縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［本発明の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列挙して説明する。また、以下に記載する実施形態の少なくとも一部を任意に組み合わせてもよい。
【００１２】
（１）本開示の一態様に係る基板構造体は、半導体素子の実装面を有する基板部を備え、前記実装面と対向する対向板部を介して熱を取得して放熱する基板構造体において、前記実装面に一列に実装された複数の半導体素子と、前記対向板部にて、前記複数の半導体素子に対応する位置に形成された窪み部を備える。
【００１３】
本態様にあっては、複数の半導体素子が一列に実装されており、前記窪み部も前記複数の半導体素子の列に倣う形状を有する。従って、前記基板部の構成が簡単になり、前記窪み部を、例えば鋳造する場合、湯流れが改善できる。
【００１４】
（２）本開示の一態様に係る基板構造体は、各半導体素子は、一側面側の第１端子、及び、前記一側面と対向する他側面側の第２端子を有し、前記第１端子には前記第２端子より大きい電流が流れ、前記複数の半導体素子の前記第１端子と接続する第１導電板と、前記複数の半導体素子の前記第２端子と接続し、前記第１導電板より小さい第２導電板とを備える。
【００１５】
本態様にあっては、前記第１端子には前記第２端子より大きい電流が流れ、前記第１端子と接続する前記第１導電板より、前記第２端子と接続する前記第２導電板が小さい。従って、前記第２導電板より大きい電流が流れる前記第１導電板の大きさが大きくし、放熱性を高めることができる。
【００１６】
（３）本開示の一態様に係る基板構造体は、前記窪み部の壁部と対向配置された放熱フィンを備える。
【００１７】
本態様にあっては、前記窪み部の壁部と前記放熱フィンとが対向配置されているので、前記放熱フィンに沿う空気の流れが前記窪み部の壁部によって遮られることを未然に防止できる。
【００１８】
（４）本開示の一態様に係る基板構造体は、前記放熱フィンは前記窪み部の長寸方向に沿って延びている。
【００１９】
本態様にあっては、前記放熱フィンは、前記窪み部の長寸方向に延びる壁部と対向配置されているので、前記放熱フィンに沿う空気の流れが前記窪み部の壁部によって遮られることを極力抑制することができる。
【００２０】
（５）本開示の一態様に係る基板構造体は、各半導体素子と前記窪み部との間に介在する熱伝導材を備える。
【００２１】
本態様にあっては、各半導体素子と前記窪み部との間に前記熱伝導材が介在しており、前記半導体素子が熱を発した場合、前記熱伝導材が斯かる熱を速やかに前記窪み部に伝導し、前記放熱フィンを介して外気に放熱される。
【００２２】
[本発明の実施形態の詳細]
本発明をその実施形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。本開示の実施形態に係る基板構造体を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００２３】
以下においては、本実施形態に係る基板構造体を備えた電気装置を例に挙げて説明する。
【００２４】
（実施形態１）
図１は、本実施形態に係る電気装置１の斜視図である。電気装置１は、基板収容部１０と、基板収容部１０を支持する支持部材２０とを備える。
【００２５】
電気装置１（基板構造体）は、車両が備えるバッテリなどの電源と、ランプ、ワイパ等の車載電装品又はモータなどからなる負荷との間の電力供給経路に配される。電気装置１は、例えばＤＣ−ＤＣコンバータ、インバータなどの電子部品として用いられる。
【００２６】
本実施形態では、便宜上、図１に示す前後、左右、上下の各方向により、電気装置１の「前」、「後」、「左」、「右」、「上」、「下」を定義する。以下では、このように定義される前後、左右、上下の各方向を用いて、電気装置１の構成について説明する。
【００２７】
図２は、本実施形態に係る電気装置１の分解図であり、図３は、本実施形態に係る電気装置１の基板収容部１０の概略的底面図である。即ち、図３は基板収容部１０を下から見た図である。
【００２８】
基板収容部１０は、電力回路を構成する基板部３１、及び基板部３１に実装される電子部品を備える。斯かる電子部品は、電気装置１の用途に応じて適宜実装され、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）などのスイッチング素子、抵抗、コイル、コンデンサ等を含む。
【００２９】
支持部材２０は、上側の周縁部２１１にて基板収容部１０を支持する基部２１と、周縁部２１１とは反対側の下面２１２に設けられた放熱部２２とを備える。支持部材２０が備える基部２１及び放熱部２２は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料を用いたダイキャストにより一体的に成形されても良い。
【００３０】
基板収容部１０は電力回路３０を備える。電力回路３０は、バスバー１１１〜１１３を含む基板部３１と、基板部３１の下側の実装面３１１に実装された半導体スイッチング素子１３（半導体素子）とを少なくとも備える。
【００３１】
半導体スイッチング素子１３は、例えばＦＥＴ（具体的には面実装タイプのパワーＭＯＳＦＥＴ）であり、バスバー１１１〜１１３の下面側に実装されている。バスバー１１１〜１１３の下面側には半導体スイッチング素子１３（以下、ＦＥＴ１３と称する）の他に、ツェナーダイオード等の電子部品が実装されてもよい。
【００３２】
ＦＥＴ１３は、例えば、素子本体の下面（実装面３１１と対向する面）にドレイン端子１３１（第１端子）を備え、ドレイン端子１３１は素子本体の一側面側にはみ出ている。また、ＦＥＴ１３は前記一側面と対向する他側面にソース端子１３２（第２端子）及びゲート端子１３３を備える。
【００３３】
ＦＥＴ１３のドレイン端子１３１はバスバー１１１に半田接続されている。以下、バスバー１１１をドレインバスバー１１１（第１導電板）と称する。また、ＦＥＴ１３のソース端子１３２はバスバー１１２に半田接続されている。以下、バスバー１１２をソースバスバー１１２（第２導電板）と称する。ドレインバスバー１１１及びソースバスバー１１２は、銅又は銅合金等の金属材料により形成された導電性板部材である。
【００３４】
一方、ＦＥＴ１３のゲート端子１３３は、バスバー１１３に半田接続されている。以下、バスバー１１３をゲートバスバー１１３と称する。ゲートバスバー１１３は、銅又は銅合金等の金属材料により形成された導電性部材である。
【００３５】
ドレインバスバー１１１、ソースバスバー１１２及びゲートバスバー１１３の夫々の間には絶縁性樹脂材の樹脂部１１４が介在しており、ドレインバスバー１１１、ソースバスバー１１２及びゲートバスバー１１３は、樹脂部１１４と共に一体化されて基板部３１を構成している。
【００３６】
ドレインバスバー１１１は、ソースバスバー１１２及びゲートバスバー１１３より大きく、矩形の板状をなしている。即ち、ドレインバスバー１１１は、基板部３１において露出面積が最も広く、前側の大部分を占める。また、複数のＦＥＴ１３は、夫々のドレイン端子１３１がドレインバスバー１１１の一長辺部に半田付けされることによって、ドレインバスバー１１１に固定されている。
【００３７】
ソースバスバー１１２は、ドレインバスバー１１１より小さく、略台形の板状をなしており、基板部３１において露出面積がドレインバスバー１１１より狭い。ソースバスバー１１２は、長底辺がドレインバスバー１１１の前記一長辺部と対向するように配置されている。
【００３８】
ドレインバスバー１１１及びソースバスバー１１２の間には、樹脂部１１４が介在している。即ち、ドレインバスバー１１１及びソースバスバー１１２は樹脂部１１４を挟んで対向している。樹脂部１１４は、例えばフェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂材料を用いたインサート成形により製造される。樹脂部１１４は、ドレインバスバー１１１、ソースバスバー１１２及びゲートバスバー１１３と係合することによって、これらを一体化しており、これによって基板部３１が構成されている。
【００３９】
ソースバスバー１１２は、ドレインバスバー１１１において複数のＦＥＴ１３が固定された一長辺部と対向する長底辺部が櫛状に凹凸している。即ち、ソースバスバー１１２においては、前記長底辺部に複数の凹部１１５，１１５，…１１５が形成されている。各凹部１１５は、複数のＦＥＴ１３の夫々のゲート端子１３３に対応する位置に形成されている。ソースバスバー１１２においては、複数のＦＥＴ１３の夫々のソース端子１３２が、凹部１１５を除く前記長底辺部に半田付けされている。
【００４０】
以上のように、複数のＦＥＴ１３は、ドレインバスバー１１１（前記一長辺部）及びソースバスバー１１２（前記長底辺部）に跨るように、直線状に配置されている。
【００４１】
各凹部１１５の内側には、凹部１１５の縁と間隔を隔ててゲートバスバー１１３の一端部が配置されている。また、各凹部１１５の縁とゲートバスバー１１３の前記一端部の間には、樹脂部１１４が介在している。即ち、ゲートバスバー１１３の前記一端部は樹脂部１１４によって取り囲まれており、これによって、ゲートバスバー１１３及びソースバスバー１１２が絶縁されている。
各ゲートバスバー１１３には、複数のＦＥＴ１３の夫々のゲート端子１３３が接続されている。例えば、ゲートバスバー１１３は、略Ｌ字状に屈曲してある（図示せず）。
【００４２】
基板部３１は、上下方向視で略矩形であり、下側の実装面３１１に複数のＦＥＴ１３が実装されている。即ち、ソースバスバー１１２及びゲートバスバー１１３の下側面と、ゲートバスバー１１３の一部が面一をなして基板部３１の実装面３１１を構成している。複数のＦＥＴ１３は、基板部３１の長寸方向（左右方向）に沿って実装面３１１に一列に並設されている。
【００４３】
ＦＥＴ１３においては、ドレイン端子１３１及びソース端子１３２に流れる電流が大きいが、ドレイン端子１３１に流れる電流が最も大きい。従って、ドレインバスバー１１１で発生する熱は、ソースバスバー１１２で発生する熱より大きい。よって、基板部３１においては、ドレインバスバー１１１の大きさ（露出面積）の割合を、ソースバスバー１１２の大きさ（露出面積）の割合より広くして放熱性を高める必要がある。
【００４４】
しかしながら、複数のＦＥＴ１３が一列ではなく、例えばＬ字状等に配置されたような場合は、基板部３１においてドレインバスバー１１１の大きさの割合と、ソースバスバー１１２の大きさの割合を調整し難い。
【００４５】
これに対して、本実施形態に係る電気装置１においては、以上のように、複数のＦＥＴ１３が、ドレインバスバー１１１の（前記一長辺部）及びソースバスバー１１２（前記長底辺部）に跨るように、基板部３１の長寸方向（左右方向）に沿って実装面３１１に一列に並設されている。従って、複数のＦＥＴ１３の列の位置を、斯かる列と交差する方向に設計変更するのみで、基板部３１におけるドレインバスバー１１１及びソースバスバー１１２の大きさ（露出面積）の割合を容易に調整できる。
【００４６】
図４は、本実施形態に係る電気装置１の概略的正面図であり、図５は、本実施形態に係る電気装置１の概略的側面図であり、図６は、本実施形態に係る電気装置１の概略的底面図である。
【００４７】
支持部材２０の基部２１は、適宜の厚みを有する矩形状の平板部材である。基部２１の周縁部２１１には基板収容部１０を固定するためのネジ孔が形成されている。例えば、基板収容部１０は、ネジ止めによって支持部材２０（基部２１）に固定される。
【００４８】
基部２１においては、周縁部２１１より内側であって、上下方向における基板部３１の実装面３１１と対向する位置に対向板部２２３が形成されている。対向板部２２３は基板部３１の実装面３１１に倣う形状を有しており、実装面３１１と対向する上側面が扁平である。
【００４９】
対向板部２２３の内側には、窪み部２４が下方向に向けて凹設されている。窪み部２４は、上下方向において前記一列の複数のＦＥＴ１３と対応する位置に設けられている。即ち、対向板部２２３において、並設された前記複数のＦＥＴ１３の列に対応する範囲が凹設され、窪み部２４をなしている。これによって、対向板部２２３の下側面は、窪み部２４に相当する部分が下方向に突出している。
【００５０】
窪み部２４は基板部３１の長寸方向がその長寸方向となるようにして、上下方向視略矩形をなすように設けられている。窪み部２４は、底部２４３と、底部２４３を除く壁部２４１とを有する。壁部２４１は対向板部２２３と交差する方向に立ち上がっている。
【００５１】
基板収容部１０が支持部材２０に固定された状態において、全てのＦＥＴ１３は窪み部２４の内側に収容される。即ち、基板収容部１０が支持部材２０に固定された状態において、図３にて破線で画定された領域が窪み部２４に相当し、窪み部２４は全てのＦＥＴ１３を覆う（図７参照）。
【００５２】
対向板部２２３と基板部３１との間には第１熱伝導材１４が介在している。第１熱伝導材１４は、例えば、熱伝導性の優れたグリース、伝熱シート等である。第１熱伝導材１４は、対向板部２２３において、窪み部２４を除く他の部分に配置され、対向板部２２３は第１熱伝導材１４を介して基板部３１の実装面３１１と接触している。即ち、第１熱伝導材１４は、基板部３１における実装面３１１と、対向板部２２３との両方に接している。ＦＥＴ１３から熱が発せられた場合、斯かる熱は基板部３１（実装面３１１）に熱伝導され、第１熱伝導材１４を介して対向板部２２３に伝達される。従って、ＦＥＴ１３が発する熱を容易、かつ素早く対向板部２２３に伝達できる。
【００５３】
基部２１の下側には放熱部２２が設けられている。放熱部２２は、基部２１の下面２１２から下方に向けて突出した複数の放熱フィン２２１を備え、基板収容部１０（例えば、ＦＥＴ１３）から発せられる熱を取得して外気へ放熱する。即ち、第１熱伝導材１４を介して対向板部２２３（基板部３１）に伝達されたＦＥＴ１３の熱が放熱フィン２２１を介して空冷される。
【００５４】
各放熱フィン２２１は、左右方向、即ち、窪み部２４の長寸方向に沿って延びるように設けられている。また、複数の放熱フィン２２１は前後方向に間隔を隔てて並設されている。なお、窪み部２４の外側にも放熱フィン２２１が設けられている。
【００５５】
即ち、上述したように、窪み部２４が下方向に凹設されたことにより、対向板部２２３の下側面には突出部が形成されている。斯かる突出部において突出先の突出端面２４２、即ち、窪み部２４の底部２４３の外側面は扁平であり、突出端面２４２にも他の部分と同様に放熱フィン２２１ａ及び放熱フィン２２１ｂが設けられている。
【００５６】
基部２１、対向板部２２３（窪み部２４）及び放熱フィン２２１は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料を用いたダイキャストにより一体成形される。
【００５７】
一方、複数のＦＥＴ１３が、例えばＬ字状のように屈曲した形状で配置された場合は、窪み部２４もそれに対応して上下方向視所定の屈曲を有するように設ける必要がある。しかし、このような屈曲した形状の場合は、窪み部２４の鋳造の際に湯流れが悪くなり、不良率の上昇の懸念がある。
これに対して本実施形態に係る電気装置１においては、複数のＦＥＴ１３が一列であり、窪み部２４もこれに対応して上下方向視矩形をなしている。従って、上述したような鋳造時における湯流れの悪化問題を解決できる。
【００５８】
放熱部２２において、空気は、放熱フィン２２１同士の間を、放熱フィン２２１に沿って流れる。一方、放熱フィン２２１の延び方向（以下、長寸方向）と窪み部２４の壁部２４１とが交差するように壁部２４１が設けられた場合、放熱フィン２２１に沿って放熱フィン２２１の長寸方向に流れる空気を壁部２４１が遮ることになるので、放熱部２２において空気の流れが悪くなり放熱部２２の放熱性を低下させる。
【００５９】
一方、複数のＦＥＴ１３がＬ字状のように屈曲を有するように配置された場合は、窪み部２４も上下方向視所定の屈曲を有するように設けられるので、窪み部２４の壁部２４１が放熱フィン２２１の長寸方向と交差する場合が増える。
【００６０】
これに対して、本実施形態に係る電気装置１は、複数のＦＥＴ１３が一列であり、窪み部２４もこれに対応して上下方向視矩形をなしているので、窪み部２４の長寸方向と放熱フィン２２１の長寸方向とが一致している。即ち、本実施形態に係る電気装置１では、壁部２４１のうち、窪み部２４の長寸方向に延びる長壁部２４１Ａと、各放熱フィン２２１の長寸方向とが一致するように複数の放熱フィン２２１が並設されており、窪み部２４の壁部２４１が放熱フィン２２１の長寸方向と交差することを抑制する。よって、窪み部２４の長壁部２４１Ａと放熱フィン２２１とが対向し、長壁部２４１Ａと放熱フィン２２１との間を空気が流れる。従って、放熱フィン２２１に沿って流れる空気の流れが壁部２４１によって邪魔されず、放熱部２２の放熱性の低下を事前に防止できる（図６の破線参照）。
【００６１】
図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線による縦断面図である。
上述したように、対向板部２２３には、全てのＦＥＴ１３を覆う窪み部２４が形成されており、窪み部２４の底部２４３側の突出端面２４２には放熱フィン２２１ａ及び放熱フィン２２１ｂが窪み部２４の長寸方向に沿って設けられている。また、対向板部２２３において、窪み部２４以外の他部分は、第１熱伝導材１４を介して基板部３１の実装面３１１と接触している。
【００６２】
上述したように、ＦＥＴ１３から熱が発せられた場合、斯かる熱は基板部３１に熱伝導され、第１熱伝導材１４を介して対向板部２２３に伝達される。対向板部２２３に伝達されたＦＥＴ１３の熱の一部分は、放熱フィン２２１を介して空冷される。また、対向板部２２３に伝達された前記熱の他部分は、窪み部２４の壁部２４１及び底部２４３を介して放熱フィン２２１ａ、放熱フィン２２１ｂに伝達され、放熱フィン２２１ａ、放熱フィン２２１ｂによって空冷される。
【００６３】
また、本実施形態に係る電気装置１においては、窪み部２４外側の突出端面２４２に、長壁部２４１Ａと一体化された放熱フィン２２１ａが設けられている。より詳しくは、放熱フィン２２１ａは、対向板部２２３と交差する方向に、長壁部２４１Ａの下側端部から連設されている。この際、放熱フィン２２１ａの一面は、長壁部２４１Ａの外側面と面一をなしている。
【００６４】
例えば、図７においては、２つの放熱フィン２２１ａのうち、図面視右側の放熱フィン２２１ａは、２つの長壁部２４１Ａのうち、図面視右側の長壁部２４１Ａの外側面と面一をなしており、図面視左側の放熱フィン２２１ａは図面視左側の長壁部２４１Ａの外側面と面一をなしている。
【００６５】
このような構成を有することから、本実施形態に係る電気装置１においては、長壁部２４１Ａが基板部３１から取得した熱が速やかに放熱フィン２２１ａに伝達される。
即ち、本実施形態に係る電気装置１においては、対向板部２２３と交差する方向に長壁部２４１Ａ及び放熱フィン２２１ａが直線上に連設されており、長壁部２４１Ａの外側面と放熱フィン２２１ａの一面が面一をなし、一体化されている。従って、長壁部２４１Ａの上側端部に伝導された熱は、最短距離にて放熱フィン２２１ａの先端まで伝導される。
【００６６】
（実施形態２）
図８は、本実施形態に係る電気装置１において、窪み部２４とＦＥＴ１３との関係を示す部分的縦断面図である。
【００６７】
実施形態１と同様、全てのＦＥＴ１３は窪み部２４によって覆われている。更に、本実施形態においては、各ＦＥＴ１３と窪み部２４の内側面との間に第２熱伝導材４０が介在している。第２熱伝導材４０は、例えば、熱伝導性の優れたグリース、伝熱シート等である。第２熱伝導材４０は、例えば、ＦＥＴ１３の下側面と、窪み部２４の内側面とに接し、ＦＥＴ１３から発せられる熱を窪み部２４に伝達する。
【００６８】
このように、本実施形態に係る電気装置１においては、ＦＥＴ１３が発熱した場合、斯かる熱が第２熱伝導材４０を介して素早く窪み部２４に伝導される。次いで、放熱フィン２２１ａ及び２２１ｂは窪み部２４から熱を取得して空冷させる。従って、ＦＥＴ１３が発する熱をより効果的に放熱できる。
【００６９】
実施形態１と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００７０】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００７１】
１  電気装置
１０  基板収容部
１３  ＦＥＴ
１４  第１熱伝導材
２０  支持部材
２１  基部
２２  放熱部
２４  窪み部
３０  電力回路
３１  基板部
４０  第２熱伝導材
１１１〜１１３  バスバー
１３１  ドレイン端子
１３２  ソース端子
１３３  ゲート端子
２２１，２２１ａ  放熱フィン
２２３  対向板部
２４１  壁部
２４１Ａ  長壁部
２４２  突出端面
２４３  底部
３１１  実装面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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