(57)【要約】【課題】電磁波シールドを実装するために必要な空間を低減する。【解決手段】被加工物の第１面に切削ブレードを切り込ませ、被加工物の仕上がり厚さを超える深さの切削溝を分割予定ラインに沿って形成する切削溝形成ステップと、切削溝形成ステップの後、被加工物の第１面に保護部材を貼り付ける保護部材貼り付けステップと、保護部材を介して被加工物をチャックテーブルで保持して被加工物が仕上がり厚さになるまで第２面側を研削することにより、被加工物を複数の半導体デバイスに分割する研削ステップと、研削ステップの後、第１面側に保護部材が貼り付けられた複数の半導体デバイスの各々の側面と研削後の第２面側とに、金属膜を被覆する金属膜被覆ステップと、金属膜被覆ステップの後、第１面側から保護部材を除去する保護部材除去ステップと、を備える金属膜付き半導体デバイスの製造方法を提供する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属膜付き半導体デバイスの製造方法であって、
格子状に配置された複数の分割予定ラインで区画された各領域に半導体素子の電極が設けられた第１面と、該第１面と反対側の第２面とを有する被加工物の該第１面に切削ブレードを切り込ませ、該被加工物の仕上がり厚さを超える深さの切削溝を該分割予定ラインに沿って形成する切削溝形成ステップと、
該切削溝形成ステップの後、該被加工物の該第１面に保護部材を貼り付ける保護部材貼り付けステップと、
該保護部材を介して該被加工物をチャックテーブルで保持して該被加工物が仕上がり厚さになるまで該第２面側を研削することにより、該被加工物を複数の半導体デバイスに分割する研削ステップと、
該研削ステップの後、該第１面側に該保護部材が貼り付けられた該複数の半導体デバイスの各々の側面と研削後の該第２面側とに、金属膜を被覆する金属膜被覆ステップと、
該金属膜被覆ステップの後、該第１面側から該保護部材を除去する保護部材除去ステップと、を備えることを特徴とする金属膜付き半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
該切削溝形成ステップの前に該第１面側を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップと、
該保護部材除去ステップの後に該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、
を更に備え、
該保護部材貼り付けステップにおいて該保護部材を該保護膜に密着させることを特徴とする請求項１に記載の金属膜付き半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
該保護膜被覆ステップの後且つ該切削溝形成ステップの前に、該保護膜が形成された該被加工物の該第１面側にレーザービームを照射し、該分割予定ラインに沿って該切削溝より太い幅のレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップを更に備えることを特徴とする請求項２に記載の金属膜付き半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
該保護膜被覆ステップの後且つ該レーザー加工溝形成ステップの前に、該保護膜に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該分割予定ラインに沿って該保護膜に照射することにより、該保護膜が該分割予定ラインに沿って該切削溝及び該レーザー加工溝のいずれよりも太い幅で除去された保護膜除去ラインを形成する保護膜除去ライン形成ステップを更に備えることを特徴とする請求項３に記載の金属膜付き半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】
該レーザー加工溝形成ステップ又は該切削溝形成ステップの後、且つ、該保護部材貼り付けステップの前に、該被加工物をエッチングガスで処理し、該レーザー加工溝及び該切削溝の少なくともいずれかに付着したデブリを除去するデブリ除去ステップを更に備える請求項３又は４に記載の金属膜付き半導体デバイスの製造方法。
【請求項６】
該金属膜被覆ステップの後且つ該保護部材除去ステップの前に、該複数の半導体デバイスにおける該金属膜が被覆された該第２面側に粘着テープを貼り付ける粘着テープ貼り付けステップを更に備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか記載の金属膜付き半導体デバイスの製造方法。
【請求項７】
該保護部材貼り付けステップで貼り付ける該保護部材は、エキスパンド性を有する粘着テープであって、該研削ステップの後且つ該金属膜被覆ステップの前に、該保護部材を拡張して、個々の半導体デバイスの間隔を広げる拡張ステップを更に備えることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の金属膜付き半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも一部が金属膜で被覆された半導体デバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やスマートフォン等の携帯無線通信機器では、高機能化、高性能化等のために、携帯無線通信機器の無線システムを構成するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）デバイスやアンテナエレメント等の電子部品の数が増加している。
【０００３】
また、携帯無線通信機器の高機能化、高性能化等のために、携帯無線通信機器に搭載されるＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やフラッシュメモリ等の各種半導体デバイスのデータ転送速度の更なる高速化も進められている。データ転送速度の高速化に伴い、各種半導体デバイスが発生する電磁波が無線システムに対してノイズとなり、無線システムに悪影響を及ぼすという問題がある。
【０００４】
そこで、電磁波ノイズの影響を低減するべく、電磁波シールドとして機能する金属で半導体デバイスを覆うことが知られている。例えば、金属を有する熱可塑性樹脂の成形品のケース（例えば、特許文献１参照）や、金属板の蓋体及び導電性エラストマの壁部（例えば、特許文献２参照）で、半導体デバイスを覆うことで電磁波ノイズを低減できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−４４６８０号公報
【特許文献２】特開２００４−７２０５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、金属のケースや金属板の蓋体等を採用した場合には、電磁波シールドを実装するために必要な空間が比較的大きくなるので、携帯無線通信機器の小型化や薄型化の妨げとなる。本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、電磁波シールドを実装するために必要な空間を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、金属膜付き半導体デバイスの製造方法であって、格子状に配置された複数の分割予定ラインで区画された各領域に半導体素子の電極が設けられた第１面と、該第１面と反対側の第２面とを有する被加工物の該第１面に切削ブレードを切り込ませ、該被加工物の仕上がり厚さを超える深さの切削溝を該分割予定ラインに沿って形成する切削溝形成ステップと、該切削溝形成ステップの後、該被加工物の該第１面に保護部材を貼り付ける保護部材貼り付けステップと、該保護部材を介して該被加工物をチャックテーブルで保持して該被加工物が仕上がり厚さになるまで該第２面側を研削することにより、該被加工物を複数の半導体デバイスに分割する研削ステップと、該研削ステップの後、該第１面側に該保護部材が貼り付けられた該複数の半導体デバイスの各々の側面と研削後の該第２面側とに、金属膜を被覆する金属膜被覆ステップと、該金属膜被覆ステップの後、該第１面側から該保護部材を除去する保護部材除去ステップと、を備える金属膜付き半導体デバイスの製造方法が提供される。
【０００８】
好ましくは、金属膜付き半導体デバイスの製造方法は、該切削溝形成ステップの前に該第１面側を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップと、該保護部材除去ステップの後に該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を更に備え、該保護部材貼り付けステップにおいて該保護部材を該保護膜に密着させる。
【０００９】
また、好ましくは、金属膜付き半導体デバイスの製造方法は、該保護膜被覆ステップの後且つ該切削溝形成ステップの前に、該保護膜が形成された該被加工物の該第１面側にレーザービームを照射し、該分割予定ラインに沿って該切削溝より太い幅のレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップを更に備える。
【００１０】
また、好ましくは、金属膜付き半導体デバイスの製造方法は、該保護膜被覆ステップの後且つ該レーザー加工溝形成ステップの前に、該保護膜に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該分割予定ラインに沿って該保護膜に照射することにより、該保護膜が該分割予定ラインに沿って該切削溝及び該レーザー加工溝のいずれよりも太い幅で除去された保護膜除去ラインを形成する保護膜除去ライン形成ステップを更に備える。
【００１１】
また、好ましくは、金属膜付き半導体デバイスの製造方法は、該レーザー加工溝形成ステップ又は該切削溝形成ステップの後、且つ、該保護部材貼り付けステップの前に、該被加工物をエッチングガスで処理し、該レーザー加工溝及び該切削溝の少なくともいずれかに付着したデブリを除去するデブリ除去ステップを更に備える。
【００１２】
また、好ましくは、金属膜付き半導体デバイスの製造方法は、該金属膜被覆ステップの後且つ該保護部材除去ステップの前に、該複数の半導体デバイスにおける該金属膜が被覆された該第２面側に粘着テープを貼り付ける粘着テープ貼り付けステップを更に備える。
【００１３】
また、好ましくは、該保護部材貼り付けステップで貼り付ける該保護部材は、エキスパンド性を有する粘着テープであって、金属膜付き半導体デバイスの製造方法は、該研削ステップの後且つ該金属膜被覆ステップの前に、該保護部材を拡張して、個々の半導体デバイスの間隔を広げる拡張ステップを更に備える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様に係る金属膜付き半導体デバイスの製造方法では、半導体デバイスの各々の側面と仕上がり厚さまで研削された第２面とに金属膜を被覆するので、金属製のケースや金属板の蓋体等を採用する場合に比べて、電磁波シールドを実装するために必要な空間を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】被加工物の例を示す斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）を示す図であり、図２（Ｂ）は、保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）を示す図であり、図２（Ｃ）は、研削ステップ（Ｓ３０）を示す図である。
【図３】図３（Ａ）は、金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）を示す図であり、図３（Ｂ）は、粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）を示す図であり、図３（Ｃ）は、保護部材除去ステップ（Ｓ６０）を示す図である。
【図４】第１実施形態に係る金属膜付き半導体デバイスの製造方法のフロー図である。
【図５】図５（Ａ）は、保護膜被覆ステップ（Ｓ５）を示す図であり、図５（Ｂ）は、表面側に保護膜が形成されたウェーハの断面図であり、図５（Ｃ）は、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）を示す図である。
【図６】図６（Ａ）は、保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）を示す図であり、図６（Ｂ）は、研削ステップ（Ｓ３０）を示す図であり、図６（Ｃ）は、金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）を示す図である。
【図７】図７（Ａ）は、粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）を示す図であり、図７（Ｂ）は、保護部材除去ステップ（Ｓ６０）を示す図であり、図７（Ｃ）は、保護膜除去ステップ（Ｓ６５）を示す図である。
【図８】第２実施形態に係る金属膜付き半導体デバイスの製造方法のフロー図である。
【図９】図９（Ａ）は、保護膜被覆ステップ（Ｓ５）を示す図であり、図９（Ｂ）は、レーザービームでウェーハの表面側を加工する様子を示す一部断面側面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は、レーザー加工溝を示す拡大図であり、図１０（Ｂ）は、保護膜除去ラインを示す拡大図であり、図１０（Ｃ）は、保護膜除去ライン形成ステップ（Ｓ７）後のレーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８）で形成されたレーザー加工溝の拡大図である。
【図１１】図１１（Ａ）は、デブリ除去ステップ（Ｓ９）を示す図であり、図１１（Ｂ）は、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）を示す図である。
【図１２】図１２（Ａ）は、保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）を示す図であり、図１２（Ｂ）は、研削ステップ（Ｓ３０）を示す図である。
【図１３】図１３（Ａ）は、金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）を示す図であり、図１３（Ｂ）は、粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）を示す図である。
【図１４】第３実施形態に係る金属膜付き半導体デバイスの製造方法のフロー図である。
【図１５】図１５（Ａ）は、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）を示す図であり、図１５（Ｂ）は、第２変形例に係るデブリ除去ステップ（Ｓ９）を示す図である。
【図１６】図１６（Ａ）は、保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）を示す図であり、図１６（Ｂ）は、研削ステップ（Ｓ３０）を示す図である。
【図１７】図１７（Ａ）は、拡張ステップ（Ｓ３５）を示す図であり、図１７（Ｂ）は、金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）を示す図である。
【図１８】第４実施形態に係る金属膜付き半導体デバイスの製造方法のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、被加工物の例を示す斜視図である。本実施形態の被加工物は、円盤状のウェーハ１１である。ウェーハ１１は、主としてシリコン（Ｓｉ）から成り、厚さが５００μｍから１０００μｍ程度の円盤状に形成されている半導体基板１１ｃ（図２（Ａ）参照）を有する。
【００１７】
なお、半導体基板１１ｃの材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などから成るシリコン以外の半導体材料等を半導体基板１１ｃとして用いることもできる。
【００１８】
半導体基板１１ｃ上には、半導体基板１１ｃよりも薄い円盤状の機能層１５ｃが設けられている（図２（Ａ）参照）。半導体基板１１ｃの機能層１５ｃ側の領域と機能層１５ｃとにより、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体素子（不図示）が構成されている。
【００１９】
機能層１５ｃには、上述の半導体素子を構成する半導体基板１１ｃの活性領域と電気的に接続している、半導体素子の電極１５ｄが設けられている。更に、機能層１５ｃは、複数の電極１５ｄ間の層間絶縁層として機能する低誘電率絶縁体層（いわゆる、Ｌｏｗ−ｋ材料層）１５ｅを有する。なお、各電極１５ｄの上端は、低誘電率絶縁体層１５ｅから露出している。
【００２０】
ところで、本実施形態では、機能層１５ｃ側のウェーハ１１の面を表面（第１面）１１ａと称する。また、半導体基板１１ｃの機能層１５ｃとは反対側の面をウェーハ１１の裏面（第２面）１１ｂと称する。このように、表面１１ａと裏面１１ｂとは互いにウェーハ１１の反対側に位置している。
【００２１】
ウェーハ１１の表面１１ａ側には、格子状に配置された複数の分割予定ライン（ストリート）１３で区画された各領域に、上述の半導体素子を構成する半導体基板１１ｃの活性領域と機能層１５ｃとを含むデバイス領域１５ａが形成されている。
【００２２】
デバイス領域１５ａの表面１１ａには、電極１５ｄが露出しており、この電極１５ｄ上には、半田等の金属材料で球状に形成された複数のバンプ（突起電極）１５ｂが配置されている。なお、デバイス領域１５ａ及びバンプ１５ｂの種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等に制限はない。
【００２３】
本実施形態では、ウェーハ１１の表面１１ａ側にバンプ１５ｂが設けられているが、バンプ１５ｂは設けられなくてもよい。また、被加工物は、表面１１ａ側が封止樹脂でモールドされ、封止樹脂からバンプ１５ｂが突出するよう配置されているいわゆるＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）であってもよい。また、被加工物は、複数のデバイスチップがモールド樹脂で封止された状態の樹脂パッケージ基板であってもよい。
【００２４】
ウェーハ１１は、表面１１ａ側に、複数のデバイス領域１５ａが配置されたデバイス部と、このデバイス部を囲む外周余剰部とを有する。ウェーハ１１の外周余剰部の外周端部には、結晶方位を示すノッチ１１ｄが設けられている。なお、ノッチ１１ｄの代わりに、オリエンテーションフラット等の他のマークが設けられてもよい。
【００２５】
次に、図２、図３及び図４を用いて、第１実施形態に係る金属膜付き半導体デバイス２１の製造方法について説明する。第１実施形態では、まず、ウェーハ１１に切削溝を形成する（切削溝形成ステップ（Ｓ１０））。図２（Ａ）は、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）を示す図である。
【００２６】
第１実施形態では、切削装置（不図示）を用いて切削溝を形成する。切削装置は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引して保持するチャックテーブル（不図示）を備える。チャックテーブルは、モータ等の回転機構（不図示）と連結されており、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転できる。
【００２７】
また、チャックテーブルの下方には、テーブル移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブルは、このテーブル移動機構によってＸ軸方向（加工送り方向）に移動できる。なお、Ｘ軸、Ｙ軸（後述）及びＺ軸は、直交座標系を構成している。
【００２８】
チャックテーブルの保持面は、チャックテーブルの内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面に作用させることで、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側がチャックテーブルで吸引保持される。
【００２９】
切削装置は、ウェーハ１１を切削するための切削ユニット（不図示）を更に備える。切削ユニットは、Ｙ軸方向（割り出し送り方向）と略平行な回転軸となるスピンドル（不図示）を有する。
【００３０】
スピンドルは、その一端側に連結されたモータ等の回転駆動源（不図示）により、回転する。また、スピンドルの回転駆動源とは反対側に位置する他端側には、円環状のブレードマウント（不図示）が回転可能な態様で一体的に固定されている。
【００３１】
ブレードマウントを介してスピンドルには、いわゆるハブ型の切削ブレード２０が装着されている。本実施形態の切削ブレード２０は、円環状の基台（不図示）と、この基台の外周に設けられた円環状の切り刃２２とを有する。切り刃２２は、例えば、金属や樹脂等のボンド材（結合材）に、ダイヤモンドやＣＢＮ（Cubic  Boron  Nitride）等の砥粒を混合して形成される。
【００３２】
切削溝形成ステップ（Ｓ１０）では、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にダイシングテープ（不図示）を貼り付けて、このダイシングテープを介してウェーハ１１の裏面１１ｂ側をチャックテーブルの保持面に載置する。次いで、吸引源の負圧を作用させて、ウェーハ１１の表面１１ａ側が上方に露出した状態で、ウェーハ１１をチャックテーブルで吸引保持する。
【００３３】
そして、切削ブレード２０を高速に回転させつつ切削ユニットをチャックテーブルに向けて降下させて、ウェーハ１１の表面１１ａ側に切削ブレード２０を切り込ませる。但し、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）では、ウェーハ１１を完全には切断しない。
【００３４】
切削溝形成ステップ（Ｓ１０）では、ウェーハ１１の仕上がり厚さＴ１を超え且つウェーハ１１の裏面１１ｂに達しない所定深さの切削溝１７（図２（Ｂ）参照）を形成するべく、切削ブレード２０の切り込み深さを調節する。
【００３５】
次に、切削ブレード２０の切り込み深さを維持したまま、切削ブレード２０とチャックテーブルとをＸ軸方向に沿って相対的に移動させる。これにより、Ｘ軸方向に沿う１本の分割予定ライン１３の一端から他端まで、ウェーハ１１に切削溝１７を形成する（即ち、ウェーハ１１をハーフカットする）。
【００３６】
１本の分割予定ライン１３に沿う切削溝１７を形成した後、切削ユニットをＹ軸方向に移動させる。そして、上述の１本の分割予定ライン１３にＹ軸方向で隣接する他の分割予定ライン１３の一端から他端まで、同様に切削溝１７を形成する。
【００３７】
一の方向に沿う全ての分割予定ライン１３に沿って切削溝１７を形成した後、回転機構によりチャックテーブルを９０度回転させて、再び同様に、一の方向と直交する他の方向に沿う全ての分割予定ライン１３に沿って切削溝１７を形成する。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａ側で格子状に配置された全ての分割予定ライン１３に、所定深さの切削溝１７を形成する。
【００３８】
切削溝形成ステップ（Ｓ１０）の後、ウェーハ１１の表面１１ａに保護部材１９を貼り付ける（保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０））。図２（Ｂ）は、保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）を示す図である。
【００３９】
保護部材１９は、例えば、ウェーハ１１と略同じ径を有する樹脂製の基材層を有する。基材層は、例えば、５μｍ以上２００μｍ以下の厚さを有し、ポリオレフィン（ＰＯ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）等の高分子材料で形成されている。
【００４０】
また、保護部材１９は、基材層の表面側に粘着層を有する。粘着層は、例えば、熱又は紫外線が照射されると硬化して粘着力が低下する樹脂製の接着剤で構成された層である。粘着層は、基材層の円形の端部領域に環状に設けられてよく、基材層の全面に設けられてもよい。なお、粘着層は、保護部材１９に設けられなくてもよい。
【００４１】
保護部材１９は、粘着層によりウェーハ１１の表面１１ａ側に対して剥離可能な態様で接着される。また、保護部材１９は、ウェーハ１１のデバイス領域１５ａにおけるバンプ１５ｂ等の凹凸構造に倣うように変形する。例えば、保護部材１９の一方の面は、ウェーハ１１の表面１１ａとバンプ１５ｂの表面とに接着する。なお、保護部材１９が粘着層を有しない場合、基材層が表面１１ａ側に対して剥離可能な態様で密着する。
【００４２】
保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）では、保護部材貼り付け装置（不図示）を用いて、ウェーハ１１の表面１１ａに保護部材１９を貼り付ける。保護部材貼り付け装置は、チャンバー（不図示）を備えており、このチャンバーには、チャンバー内部を減圧するための吸引源（不図示）が接続されている。
【００４３】
また、チャンバー内には、ウェーハ１１を支持する支持テーブル（不図示）が設けられている。この支持テーブルは、例えば、ボールネジ式の移動機構によって所定方向（例えば、Ｘ軸方向）に移動される。
【００４４】
保護部材貼り付け装置は、ロール状に巻かれたテープ体（不図示）を支持テーブルの上方へ送り出す送り出し機構を有する。テープ体は、保護部材１９及び離型シートから構成されている。
【００４５】
また、保護部材貼り付け装置は、テープ体が支持テーブルの上方へ送り出されるときに、保護部材１９を離型シートから剥離する剥離ユニット（不図示）を有する。剥離ユニットにより離型シートから剥離された保護部材１９は、送り出し機構により保護部材１９の粘着層が支持テーブルと対面する様に支持テーブルの上方へ送り出される。
【００４６】
保護部材貼り付け装置は、支持テーブルの上方へ送り出された保護部材１９の基材層側を押圧する押圧ローラーを更に有する。押圧ローラーが保護部材１９の基材層側を押圧することにより、保護部材１９の粘着層側が、支持テーブルへ押し付けられる。
【００４７】
保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）では、まず、支持テーブル上にウェーハ１１の裏面１１ｂ側を載置する。次に、吸引源でチャンバー内の圧力を低下させる。チャンバー内を減圧することで、ウェーハ１１の表面１１ａと保護部材１９との間にエアー、塵、その他の異物等が入り込むことを防止できる。
【００４８】
そして、ロール状のテープ体を支持テーブル上へ送り出しながら、剥離ユニットでテープ体から離型シートを剥離すると共に、押圧ローラーで保護部材１９を支持テーブル上に配置されたウェーハ１１の表面１１ａに貼り付ける。ウェーハ１１の表面１１ａに保護部材１９を設けることで、後続する加工工程におけるウェーハ１１の表面１１ａ側の損傷を防止できる。
【００４９】
なお、吸引源に接続され内部が減圧されるチャンバーを用いることは必須ではなく、テープ貼着装置は、大気圧下でウェーハ１１の表面１１ａに保護部材１９を貼り付けてもよい。この場合、テープ貼着装置は、上述の支持テーブル、送り出し機構、剥離ユニット、押圧ローラー等により構成される。
【００５０】
なお、保護部材１９に粘着層が設けられていない場合、保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）では、支持テーブルを加熱することにより、保護部材１９を軟化及び変形させつつ、保護部材１９をウェーハ１１に貼り付けてもよい。
【００５１】
軟化した保護部材１９は、ウェーハ１１の表面１１ａ側の凹凸構造に倣うように変形するので、ウェーハ１１の表面１１ａ側に密着できる。なお、加熱温度は、保護部材１９の材料に応じて、各材料の軟化点となる様に適宜調節してよい。
【００５２】
また、支持テーブルの加熱に代えて、保護部材１９に対して温風を吹き付けることにより、保護部材１９を軟化及び変形させてもよい。温風を吹き付ける場合、風圧により保護部材１９はウェーハ１１の表面１１ａ側に押し付けられるので、加圧ローラーを用いずに、保護部材１９をウェーハ１１の表面１１ａ側に密着させて貼り付けることができる。
【００５３】
保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）の後、ウェーハ１１が仕上がり厚さになるまでウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削することにより、ウェーハ１１を複数の半導体デバイス２１に分割する（研削ステップ（Ｓ３０））。図２（Ｃ）は、研削ステップ（Ｓ３０）を示す図である。
【００５４】
研削ステップ（Ｓ３０）では、研削装置３０を用いてウェーハ１１を研削する。研削装置３０は、保護部材１９を介してウェーハ１１の表面１１ａ側を吸引保持するチャックテーブル３２を備えている。このチャックテーブル３２は、モータ等の回転機構（不図示）と連結されており、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
【００５５】
チャックテーブル３２の表面側には円盤状の多孔質部材が設けられ、この多孔質部材の表面はチャックテーブル３２の保持面３２ａとなっている。保持面３２ａには、チャックテーブル３２の内部に形成された流路を通じて吸引源（不図示）からの負圧が作用し、ウェーハ１１の表面１１ａ側を吸引する吸引力が発生する。
【００５６】
保持面３２ａに対向するように、チャックテーブル３２の上方には研削機構３４が配置されている。研削機構３４は、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転するスピンドル（不図示）を備えている。このスピンドルは、昇降機構（不図示）でＺ軸方向に沿って昇降される。スピンドルの下端側には、円盤状のホイールマウント（不図示）が固定されている。
【００５７】
ホイールマウントの下面には、ホイールマウントと略同径の研削ホイール３６が装着されている。研削ホイール３６は、アルミニウム又はステンレス鋼等の金属材料で形成された環状のホイール基台３８ａを備えている。
【００５８】
ホイール基台３８ａの上面側が、ホイールマウントに装着されることで、ホイール基台３８ａはスピンドルに固定される。また、ホイール基台３８ａの下面には複数の研削砥石（砥石チップ）３８ｂが設けられている。
【００５９】
各々の研削砥石３８ｂは、略直方体形状であり、ホイール基台３８ａの環状の下面の全周において、隣り合う研削砥石３８ｂどうしの間に間隙が設けられる態様で環状に配列されている。
【００６０】
研削砥石３８ｂは、例えば、金属、セラミックス、樹脂等の結合材に、ダイヤモンド、ＣＢＮ（Cubic Boron Nitride）等の砥粒を混合して形成されている。ただし、結合材や砥粒に制限はなく、研削砥石３８ｂの仕様に応じてこれらは適宜選択される。
【００６１】
本実施形態の研削ステップ（Ｓ３０）では、まず、保護部材１９が配設されたウェーハ１１を、保護部材貼り付け装置から研削装置３０のチャックテーブル３２に移動する。その後、吸引源（不図示）の負圧を保持面３２ａに作用させて、保護部材１９を介してウェーハ１１の表面１１ａ側を保持面３２ａで吸引保持する。
【００６２】
そして、チャックテーブル３２と研削機構３４のスピンドルとを、それぞれ所定の方向に回転させつつ、研削機構３４のスピンドルを降下させ、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石３８ｂを押し当てる。
【００６３】
ウェーハ１１の裏面１１ｂ側は厚さＴ２だけ除去され、ウェーハ１１の厚さは、仕上がり厚さＴ１となる。切削溝１７は、仕上がり厚さＴ１より深くなるように形成されているので、ウェーハ１１を仕上がり厚さＴ１まで薄くすると、半導体基板１１ｃは切削溝１７を境に分割され、ウェーハ１１は複数の半導体デバイス２１に分割される。
【００６４】
研削ステップ（Ｓ３０）の後、仕上がり厚さまで研削された後のウェーハ１１の裏面（即ち、半導体デバイス２１の裏面１１ｅ）側と、半導体デバイス２１の各々の側面１１ｆ（即ち、半導体基板１１ｃ及び機能層１５ｃの各側面）とに、金属膜を被覆する（金属膜被覆ステップ（Ｓ４０））。金属膜２３は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）又はステンレス鋼等の金属の薄膜である。図３（Ａ）は、金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）を示す図である。
【００６５】
金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）では、物理蒸着（ＰＶＤ：physical vapor deposition）装置又は化学蒸着（ＣＶＤ：chemical vapor deposition）装置を用いて、ウェーハ１１に金属膜２３を形成する。ＰＶＤとしては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が用いられる。また、ＣＶＤとしては、プラズマＣＶＤ等が用いられる。
【００６６】
本実施形態では、高周波マグネトロンスパッタリング装置（不図示。以下、スパッタ装置と略記する）を用いて金属膜２３を形成する。スパッタ装置は、処理チャンバー（不図示）を備え、その処理チャンバーの内部には、静電式又はその他の方法によりウェーハ１１を保持する保持テーブル（不図示）が設けられている。また、保持テーブルの上方には、金属膜２３の材料となるターゲット（不図示）が励磁部材（不図示）に支持された状態で設けられている。
【００６７】
このターゲットには高周波電源（不図示）が接続されている。また、処理チャンバーにはアルゴン（Ａｒ）等のスパッタガスを導入する導入口（不図示）と、減圧源（不図示）に接続する排気口（不図示）とが設けられている。
【００６８】
金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）では、まず、表面１１ａ側に保護部材１９が貼り付けられたウェーハ１１を、保護部材１９を介して処理チャンバー内の保持テーブルに載置し、静電式又はその他の方法によりウェーハ１１を保持する。つまり、研削後の半導体デバイス２１の裏面１１ｅをターゲットに対向させる。次に、処理チャンバーを密封し、排気口から処理チャンバーの内部を排気して減圧する。
【００６９】
次に、励磁部材によって磁化されたターゲットに高周波電源から高周波電力を加え、導入口からスパッタガスを導入してプラズマを発生させる。プラズマ中のスパッタガスのイオンがターゲットに衝突すると、ターゲットから金属粒子がはじき出されて、半導体デバイス２１の裏面１１ｅ及び側面１１ｆに金属が堆積する。
【００７０】
金属膜２３の厚さは、例えば、２μｍ以上１０μｍ以下であり、より好ましくは、３μｍ以上８μｍ以下である。金属膜２３は、半導体デバイス２１から放出される電磁波ノイズを遮蔽する電磁波シールドとして機能する。
【００７１】
このように、本実施形態では、電磁波シールドとしてμｍオーダーの金属膜２３を半導体デバイス２１の裏面１１ｅ及び側面１１ｆに直接形成するので、従来の様に金属製のケースや、金属板の蓋体等を採用する場合に比べて、電磁波シールドを実装するために必要な空間を低減できる。
【００７２】
また、金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）では、保護部材１９に貼り付けられている複数の半導体デバイス２１に対して一斉に金属膜２３を形成できる。それゆえ、従来の様に、個々の半導体デバイスを個別に金属のケース等で覆う場合に比べて、より効率的に半導体デバイス２１を電磁波シールドで覆うことができる。
【００７３】
金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）の後、複数の半導体デバイス２１と、金属製で環状のフレーム２５とに粘着テープ２７を貼り付けてフレームユニット２９を形成する（粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０））。図３（Ｂ）は、粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）でのフレームユニット２９の断面図である。
【００７４】
粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）では、まず、金属膜２３が上側に位置する様に複数の半導体デバイス２１及び保護部材１９をフレーム２５の開口に配置する。次に、フレーム２５、複数の半導体デバイス２１及び保護部材１９上に、フレーム２５の開口よりも大きな径を有する円形の樹脂製の粘着テープ２７を貼り付ける。
【００７５】
これにより、金属膜２３が被覆された半導体デバイス２１の裏面１１ｅ側に粘着テープ２７を貼り付けて、保護部材１９と、複数の半導体デバイス２１と、フレーム２５とを、粘着テープ２７を介して一体化してフレームユニット２９を形成する。
【００７６】
粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）の後、ウェーハ１１の表面１１ａ側から保護部材１９を除去する（保護部材除去ステップ（Ｓ６０））。図３（Ｃ）は、保護部材除去ステップ（Ｓ６０）でのフレームユニット２９の断面図である。
【００７７】
保護部材１９が粘着層を有する場合、保護部材除去ステップ（Ｓ６０）では、紫外線照射装置又は加熱装置を用いて保護部材１９の粘着層の粘着力を低下させた後、保護部材１９をウェーハ１１の表面１１ａ側から剥がす。
【００７８】
なお、保護部材１９が粘着層を有しない場合には、紫外線等で保護部材１９を処理すること無く、表面１１ａ側から保護部材１９を剥がすことができる。保護部材１９の除去後、ピックアップ装置（不図示）等を用いて、個々の半導体デバイス２１を粘着テープ２７から取り出す。
【００７９】
図４は、第１実施形態に係る金属膜２３付き半導体デバイス２１の製造方法のフロー図である。上述の様に、本実施形態では、半導体デバイス２１の裏面１１ｅ及び側面１１ｆに金属膜２３を直接形成できるので、電磁波シールドを実装するために必要な空間を低減できる。また、全ての半導体デバイス２１に対して一斉に金属膜２３を形成するので、より効率的に半導体デバイス２１を電磁波シールドで覆うことができる。
【００８０】
次に、図５から図８を用いて、第２実施形態について説明する。第２実施形態では、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）の前にウェーハ１１の表面１１ａ側を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップ（Ｓ５）を更に備える。図５（Ａ）は、保護膜被覆ステップ（Ｓ５）を示す図であり、図５（Ｂ）は、表面１１ａ側に保護膜４５が形成されたウェーハ１１の断面図である。
【００８１】
保護膜被覆ステップ（Ｓ５）では、保護膜形成装置４０を用いて、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護膜４５を形成する。保護膜形成装置４０は、例えば、スピンナテーブル機構（不図示）と、スピンナテーブル機構の周囲及び底部を囲んで設けられた流体受け機構（不図示）とを備えている。
【００８２】
スピンナテーブル機構は、円形のスピンナテーブル（不図示）と、スピンナテーブルを支持する円柱状の支持部材（不図示）と、支持部材を介してスピンナテーブルを回転駆動する電動モータ（不図示）とを含む。電動モータを回転駆動すると、スピンナテーブルは図５（Ａ）の矢印方向に回転する。
【００８３】
スピンナテーブルは多孔質材料から形成された吸引保持部を有しており、この吸引保持部は吸引源（不図示）に接続されている。スピンナテーブルの吸引保持部上に載置されたウェーハ１１は、吸引源からの負圧により、吸引保持部上に吸引保持される。
【００８４】
液体受け機構は、スピンナテーブル機構の周囲及び底部を囲む液体受け容器（不図示）と、支持部材に装着されたカバー部材（不図示）とを含む。
【００８５】
保護膜形成装置４０は、スピンナテーブルに保持されたウェーハ１１の表面１１ａ側に、液状の樹脂を吐出する液状樹脂吐出ユニット（不図示）を更に備えている。液状樹脂吐出ユニットは、概略Ｌ形状のアームと、このアームの先端に設けられ液状樹脂を吐出する液状樹脂吐出ノズル４２と、アームを揺動する電動モータとを有する。液状樹脂吐出ノズル４２はアームを介して液状樹脂供給源（不図示）に接続されている。
【００８６】
なお、保護膜形成装置４０は、ウェーハ１１を洗浄する洗浄装置と兼用される。保護膜形成装置４０は、液状樹脂吐出ユニットとは異なる位置に、スピンナテーブルに保持されたウェーハ１１を洗浄するための洗浄液吐出ユニット（不図示）を備えている。
【００８７】
洗浄液吐出ユニットは、液状樹脂吐出ユニットと同様に、概略Ｌ形状のアームと、このアームの先端に設けられ洗浄液４８を吐出する洗浄液吐出ノズル４６（図７（Ｃ）参照）と、アームを揺動する電動モータとを有する。洗浄液吐出ノズル４６はアームを介して洗浄液供給源（不図示）に接続されている。
【００８８】
保護膜被覆ステップ（Ｓ５）の手順について説明すると、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側が液状樹脂吐出ノズル４２と対向する様に、ウェーハ１１をスピンナテーブルの吸引保持部上に載置する。
【００８９】
そして、吸引源からの負圧によりウェーハ１１の裏面１１ｂ側をスピンナテーブルで吸引保持する。次に、電動モータを駆動してスピンナテーブルと一体にウェーハ１１を回転させる。なお、このとき、洗浄液吐出ノズル４６は、スピンナテーブルの上方から退避している。
【００９０】
そして、図５（Ａ）に示す様に、スピンナテーブルを矢印方向に低速（例えば３０ｒｐｍから５０ｒｐｍ）で回転させつつ、液状樹脂吐出ノズル４２をスピンナテーブル上でスピンナテーブルの回転中心を横切るように円弧状に揺動させながら、液状樹脂吐出ノズル４２からウェーハ１１上に液状樹脂４４を滴下する。
【００９１】
液状の樹脂は遠心力によりウェーハ１１の表面１１ａ上及びバンプ１５ｂの表面上に一様に広がる。保護膜４５は、バンプ１５ｂ等の凹凸を反映する様に、ウェーハ１１の表面１１ａ側の凹凸に倣って、例えば、約１μｍから２０μｍの厚さで形成される（図５（Ｂ）参照）。
【００９２】
保護膜４５は、耐熱性及び耐薬品性を有する樹脂膜であり、例えば、塩化ビニル膜である。なお、本実施形態では、スピンナテーブル機構を用いて保護膜４５を形成したが、これに代えて、シート状の保護膜４５をウェーハ１１の表面１１ａ側に貼り付けてもよい。
【００９３】
シート状の保護膜４５を表面１１ａ側に貼り付ける場合、表面１１ａ側に貼り付ける前に、保護膜４５の厚さを予め調整できる。それゆえ、スピンナテーブル機構を用いて保護膜４５を形成する場合に比べて、保護膜４５の厚さを容易に調整できる。例えば、スピンナテーブル機構を用いて保護膜４５を形成する場合に比べて保護膜４５の厚さをより厚く、約５μｍから２００μｍとすることができる。
【００９４】
保護膜被覆ステップ（Ｓ５）の後、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）を行う。図５（Ｃ）は、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）を示す図である。第２実施形態の切削溝形成ステップ（Ｓ１０）では、上述の切削装置を用いて、保護膜４５を切断し、且つ、第１実施形態と同様にウェーハ１１に切削溝１７を形成する（図６参照）。
【００９５】
切削溝形成ステップ（Ｓ１０）の後、保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）を行う。図６（Ａ）は、保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）を示す図である。第２実施形態の保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）でも、上述の保護部材貼り付け装置を用いて、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材１９を貼り付けて、保護部材１９を保護膜４５に密着させる。
【００９６】
このように、第２実施形態では、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護膜４５を介して保護部材１９を設ける。それゆえ、保護部材１９をウェーハ１１から剥離した後、仮に、ウェーハ１１の表面１１ａ及びバンプ１５ｂに保護部材１９の粘着層が残ったとしても、保護膜４５を除去するときにこの粘着層も併せて除去できる。それゆえ、半導体デバイス２１の表面１１ａに保護部材１９の粘着層が残ることを防止できる。
【００９７】
保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）の後、研削ステップ（Ｓ３０）を行う。図６（Ｂ）は、研削ステップ（Ｓ３０）を示す図である。第２実施形態の研削ステップ（Ｓ３０）でも、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を厚さＴ２だけ除去し、ウェーハ１１を仕上がり厚さＴ１に加工する。これにより、半導体基板１１ｃは切削溝１７を境に分割され、ウェーハ１１は複数の半導体デバイス２１となる。
【００９８】
研削ステップ（Ｓ３０）の後、金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）を行う。図６（Ｃ）は、金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）を示す図である。第２実施形態の金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）でも、ＰＶＤ又はＣＶＤにより、半導体デバイス２１の裏面１１ｅ及び側面１１ｆに、金属膜２３を形成する。
【００９９】
金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）の後、粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）を行う。図７（Ａ）は、粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）を示す図である。粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）では、第１実施形態と同様に、フレームユニット２９を形成する。
【０１００】
粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）の後、ウェーハ１１の表面１１ａ側から保護部材１９を除去する（保護部材除去ステップ（Ｓ６０））。図７（Ｂ）は、保護部材除去ステップ（Ｓ６０）を示す図である。なお、保護膜４５は、ウェーハ１１の表面１１ａ側と密着しており、保護部材除去ステップ（Ｓ６０）で表面１１ａ側から保護膜４５の全ては剥がれない。
【０１０１】
そこで、第２実施形態に係る金属膜２３付き半導体デバイス２１の製造方法では、保護部材除去ステップ（Ｓ６０）の後に、保護膜４５を除去する保護膜除去ステップ（Ｓ６５）を行う。保護膜除去ステップ（Ｓ６５）では、洗浄装置を兼ねる保護膜形成装置４０を用いて保護膜４５を除去する。図７（Ｃ）は、保護膜除去ステップ（Ｓ６５）を示す図である。
【０１０２】
保護膜４５を除去する手順について説明すると、まず、表面１１ａ側を上方に位置付けるように粘着テープ２７の半導体デバイス２１とは反対側（即ち、裏面２７ｂ側）をスピンナテーブルの吸引保持部上に載置する。
【０１０３】
そして、吸引源からの負圧により粘着テープ２７の裏面２７ｂ側をスピンナテーブルで吸引保持する。次に、電動モータを駆動してスピンナテーブルと一体にフレームユニット２９を回転させる。なお、このとき、洗浄液吐出ノズル４６は、スピンナテーブルの上方から退避している。
【０１０４】
そして、スピンナテーブルを例えば８００ｒｐｍで回転させつつ、洗浄液吐出ノズル４６をスピンナテーブル上で円弧状に揺動させながら、ウェーハ１１上に洗浄液４８（例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ））を滴下する。
【０１０５】
図７（Ｃ）に示す様に、保護膜４５は、洗浄液４８に溶解して使用済液Ａとなり、遠心力により半導体デバイス２１外へ吹き飛ばされ、液体受け容器に受け止められる。この様にして、保護膜４５は、洗浄液４８によりウェーハ１１の表面１１ａ側から除去される。なお、シート状の保護膜４５が表面１１ａに貼り付けられている場合、保護部材除去ステップ（Ｓ６０）で保護部材１９を剥がす様に保護膜４５を剥がしてよい。
【０１０６】
図８は、第２実施形態に係る金属膜２３付き半導体デバイス２１の製造方法のフロー図である。第２実施形態では、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護膜４５を介して保護部材１９を設けるので、半導体デバイス２１の表面１１ａに保護部材１９の粘着層が残ることを防止できる。
【０１０７】
また、第２実施形態でも、第１実施形態と同様に、金属膜２３を半導体デバイス２１の裏面１１ｅ及び側面１１ｆに直接形成でき、電磁波シールドを実装するために必要な空間を低減できる。また、全ての半導体デバイス２１に対して一斉に金属膜２３を形成するので、効率的に半導体デバイス２１を電磁波シールドで覆うことができる。
【０１０８】
次に、図９から図１４を用いて、第３実施形態について説明する。第３実施形態では、まず、第２実施形態と同様に、保護膜形成装置４０を用いて、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護膜４５を形成する（保護膜被覆ステップ（Ｓ５））。図９（Ａ）は、保護膜被覆ステップ（Ｓ５）を示す図である。
【０１０９】
第３実施形態では、保護膜被覆ステップ（Ｓ５）の後、且つ、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）の前に、保護膜４５が形成されたウェーハ１１の表面１１ａ側にレーザービームＬを照射して、分割予定ライン１３に沿ってレーザー加工溝５１等を形成する。
【０１１０】
図９（Ｂ）は、レーザービームＬでウェーハ１１の表面１１ａ側を加工する様子を示す一部断面側面図である。例えば、レーザービームＬの照射により、保護膜４５及び機能層１５ｃをアブレーションして、レーザー加工溝５１を形成する（レーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８））。図１０（Ａ）は、レーザー加工溝５１を示す拡大図である。なお、図１０（Ａ）は、図９（Ｂ）の領域Ｂを示している。
【０１１１】
レーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８）は、レーザー加工装置５０を用いて実行される。レーザー加工装置５０は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引保持するチャックテーブル（不図示）を有する。
【０１１２】
また、チャックテーブルに対向する位置には、チャックテーブルで保持されたウェーハ１１の表面１１ａ側に、パルス状のレーザービームＬを照射する加工ヘッド５２が設けられている。レーザービームＬは、保護膜４５及びウェーハ１１に対して吸収性を有する（即ち、保護膜４５及びウェーハ１１に吸収される）波長、例えば、３５５ｎｍの波長を有する。
【０１１３】
チャックテーブルの保持面は、チャックテーブルの内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面に作用させることで、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側がチャックテーブルで吸引保持される。
【０１１４】
また、チャックテーブルの下方には支持テーブル（不図示）が設けられており、この支持テーブルは、ボールネジ式の移動機構によって所定方向（例えば、Ｘ軸方向）に沿って移動する。
【０１１５】
レーザービームＬで保護膜４５及びウェーハ１１を加工するときには、例えば、１つの分割予定ライン１３とチャックテーブルが移動するＸ軸方向とを平行にする。そして、レーザービームＬをウェーハ１１の表面１１ａ側に照射しつつ、加工ヘッド５２とチャックテーブルとをＸ軸方向に相対的に移動させる。レーザービームＬの幅にも依存するが、レーザービームＬは、１つの分割予定ライン１３に沿って１回又は複数回照射されてもよい。
【０１１６】
これにより、保護膜４５及び機能層１５ｃを分割予定ライン１３に沿ってアブレーション加工して除去し、半導体基板１１ｃに達するレーザー加工溝５１を分割予定ライン１３に沿って形成する。
【０１１７】
また、チャックテーブルをＹ軸方向に移動させたり回転させたりすることにより、全ての分割予定ライン１３に沿ってレーザー加工溝５１を形成する。なお、レーザー加工溝５１は、後続する切削溝形成ステップ（Ｓ１０）で形成される切削溝１７の幅Ｗ４（図１１（Ｂ）参照）よりも太い幅Ｗ１を有する（即ち、Ｗ１＜Ｗ４）。
【０１１８】
本実施形態では、幅Ｗ１のレーザー加工溝５１をレーザービームＬで形成し、後続する切削溝形成ステップ（Ｓ１０）で、この幅Ｗ１内に切削ブレード２０を位置付けて半導体基板１１ｃを切削ブレード２０で切削する。これにより、機能層１５ｃ及び保護膜５４を切削ブレード２０で切削する場合に比べて、機能層１５ｃの膜剥がれ等を防止できるので、より高品位な切削加工が可能となる。また、保護膜５４により、アブレーション加工時に発生するデブリ（Debris）がデバイス領域１５ａへ付着することを防止できる。
【０１１９】
ところで、後続する金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）では、レーザー加工溝５１に金属膜２３が形成されるが、このとき、レーザー加工溝５１の内側に露出している保護膜４５の側部５７にも金属膜２３が形成される。
【０１２０】
しかしながら、保護膜４５は最終的に保護膜除去ステップ（Ｓ６５）で除去されるので、保護膜４５の側部５７に設けられた金属膜２３は空間中に突出した状態となり、レーザー加工溝５１の内側に露出している機能層１５ｃの側面に設けられた金属膜２３は僅かなきっかけで剥がれやすくなる。それゆえ、金属膜２３による電磁波シールドの効果が低減する恐れがある。
【０１２１】
そこで、第３実施形態の第１変形例では、機能層１５ｃの一部を保護膜４５から露出させることで段差部を形成する。当該第１変形例では、保護膜被覆ステップ（Ｓ５）の後且つレーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８）の前に、レーザービームＬを分割予定ライン１３に沿って保護膜４５に照射する。保護膜４５は分割予定ライン１３に沿ってアブレーションされて除去され、保護膜除去ライン５３が形成される（保護膜除去ライン形成ステップ（Ｓ７））。
【０１２２】
この保護膜除去ライン５３は、レーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８）で形成されるレーザー加工溝５５の幅Ｗ３と、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）で形成される切削溝１７の幅Ｗ４とのいずれよりも太い幅Ｗ２を有する。図１０（Ｂ）は、保護膜除去ライン５３の拡大図である。なお、図１０（Ｂ）は、図９（Ｂ）の領域Ｂを示している。
【０１２３】
例えば、保護膜４５におけるレーザービームＬのスポットを幅Ｗ２に対応する幅広形状に整形した上で、レーザービームＬを分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１の表面１１ａ側に照射する。これにより、保護膜除去ライン５３を形成できる。
【０１２４】
また、スポットを幅広形状に整形することに代えて、保護膜４５におけるレーザービームＬのスポットを円形状としてもよい。この場合、幅Ｗ２の幅方向（即ち、分割予定ライン１３に直交する方向）にレーザービームＬの軌跡が部分的に重なる様に、ウェーハ１１の表面１１ａ側にレーザービームＬを照射する。
【０１２５】
保護膜除去ライン形成ステップ（Ｓ７）の後、ウェーハ１１の表面１１ａ側から幅Ｗ２の内側に位置する機能層１５ｃにレーザービームＬを照射して、レーザー加工溝５５を形成する（レーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８））。レーザー加工溝５５は、切削溝１７の幅Ｗ４よりも太く、保護膜除去ライン５３の幅Ｗ２よりも狭い幅Ｗ３を有する（即ち、Ｗ４＜Ｗ３＜Ｗ２）。
【０１２６】
例えば、第１変形例のレーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８）では、保護膜除去ライン形成ステップ（Ｓ７）に比べてレーザービームＬを絞ることにより、パワー密度（Ｗ／ｃｍ２）を高くして、幅Ｗ２の内側に位置する機能層１５ｃをアブレーションする。これにより、保護膜除去ライン５３よりも狭い幅Ｗ３を有し、半導体基板１１ｃに達するレーザー加工溝５５を形成できる。
【０１２７】
図１０（Ｃ）は、保護膜除去ライン形成ステップ（Ｓ７）後における第１変形例のレーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８）で形成されたレーザー加工溝５５を示す拡大図である。なお、図１０（Ｃ）は、図９（Ｂ）の領域Ｂを示している。図１０（Ｃ）に示す様に、第１変形例では、レーザー加工溝５５の内側で露出している機能層１５ｃの側部５９ａと、保護膜４５が除去された領域の機能層１５ｃの上面とから構成される、段差部５９ｂが形成される。
【０１２８】
後続する金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）では、機能層１５ｃの段差部５９ｂに接して金属膜２３が形成される。特に、金属膜２３は機能層１５ｃの上面に形成されているので、図１０（Ａ）に示すレーザー加工溝５１に金属膜２３を形成する場合に比べて、金属膜２３は、より強固に機能層１５ｃに密着できる。したがって、金属膜２３は、図１０（Ａ）に示す例に比べて、機能層１５ｃの側部５９ａから剥がれ難くなる。
【０１２９】
第３実施形態では、レーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８）後、又は、保護膜除去ライン形成ステップ（Ｓ７）及びレーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８）後、且つ、保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）の前にデブリ除去ステップ（Ｓ９）を行う。これにより、レーザー加工溝５５に付着した機能層１５ｃのデブリを除去する。
【０１３０】
図１１（Ａ）は、デブリ除去ステップ（Ｓ９）を示す図である。なお、以降では、第３実施形態の第１変形例として記載した保護膜除去ライン形成ステップ（Ｓ７）及びレーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８）を経たウェーハ１１を図示することとする。
【０１３１】
デブリ除去ステップ（Ｓ９）は、プラズマエッチング装置６０を用いて行う。本実施形態のプラズマエッチング装置６０は、エッチングガスをプラズマ状態にした後に、真空チャンバー内にこのプラズマ状態のエッチングガスを導入するリモートプラズマエッチング装置である。
【０１３２】
プラズマエッチング装置６０は、内部に処理空間を有する真空チャンバー（不図示）を備えている。また、処理空間には、ウェーハ１１を支持するためのテーブルベース（不図示）が設けられている。
【０１３３】
円盤部の上面には、円盤部よりも径の小さい円盤状の静電チャックテーブル（不図示）が配置されている。静電チャックテーブルは、絶縁材料によって形成されたテーブル本体と、テーブル本体に埋め込まれた複数の電極とを備え、電極間に発生する静電気によってウェーハ１１を吸着して保持する。各電極は、例えば、５ｋＶ程度の高電圧を発生可能な直流電源に接続されている。
【０１３４】
真空チャンバーの上壁には、静電チャックテーブルによって保持されるウェーハ１１に対してプラズマ状態の原料ガスを供給する供給ノズル（不図示）が設けられており、供給ノズルに接続している流路の上流側には、１以上のガス供給源（不図示）の各々が、バルブ（不図示）、流量コントローラー（不図示）等を介して並列に接続されている。
【０１３５】
１以上のガス供給源から供給されるガスの種類の数は、除去するデブリに応じて変えてよい。デブリは、主として機能層１５ｃに由来しており、例えば、機能層１５ｃにおける低誘電率絶縁体層１５ｅが炭素含有酸化シリコン系（ＳｉＯＣＨ系）の酸化物である場合には、パーフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）又は六フッ化硫黄（ＳＦ６）を含有するガスが、ガス供給源から供給される。
【０１３６】
また、例えば、機能層１５ｃにおける低誘電率絶縁体層１５ｅが炭素含有酸化シリコン系とは異なる有機物である場合には、水素（Ｈ２）を含有するガスが第１のガス供給源から供給され、更に、窒素（Ｎ２）を含有するガスが第２のガス供給源から供給される。
【０１３７】
供給ノズルの下流端に形成された供給口とガス供給源との間には、供給ノズルを流れる混合ガスに高周波電圧を加えるための電極が設けられている。この電極には、高周波電源が接続されている。高周波電源は、電極に対して、４５０ｋＨｚから２．４５ＧＨｚ程度（例えば、１３．５６ＭＨｚ）の高周波電圧で０．５ｋＷから５ｋＷ程度の電力を供給する。
【０１３８】
高周波電源等を用いて、供給ノズルを流れる混合ガスに高周波電圧を作用させることで、混合ガスをプラズマ化（代表的には、ラジカル化又はイオン化）できる。プラズマ状態の混合ガスは、供給ノズルの供給口から処理空間に供給される。
【０１３９】
本実施形態のデブリ除去ステップ（Ｓ９）では、まず、上述したリモートプラズマＣＶＤ装置の真空チャンバーの処理空間にウェーハ１１を搬入し、ウェーハ１１の表面１１ａ側が上方に露出するようにウェーハ１１の裏面１１ｂ側を静電チャックテーブルの上面に載せる。
【０１４０】
その後、静電チャックテーブルの電極に直流電圧を印加して、静電気によりウェーハ１１を静電チャックテーブルで吸着して保持する。また、処理空間を排気して、処理空間を例えば、２００Ｐａ程度まで減圧する。
【０１４１】
その後、各ガス供給源から、原料ガス及び不活性ガス等を任意の流量で供給する。また、高周波電源から電極に高周波電圧を供給して、原料ガス及び不活性ガスの混合ガスをプラズマ化（ラジカル化、イオン化等）する。これにより、供給ノズルの供給口からプラズマ状態のエッチングガスＰを処理空間に供給できる。
【０１４２】
供給口から供給されたプラズマ状態のエッチングガスＰは、供給口の下方に配置されているウェーハ１１の表面１１ａ側に供給されて、レーザー加工溝５５に存在するデブリを除去する。これにより、エッチングガスＰでデブリを除去しない場合に比べて、後続する金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）で形成する金属膜２３を機能層１５ｃに対してより強固に密着させることができる。
【０１４３】
なお、デブリ除去ステップ（Ｓ９）では、プラズマ化していない反応性ガスをレーザー加工溝５５に供給することによりデブリを除去してもよい。反応性ガスとしては、例えば、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）、二フッ化キセノン（ＸｅＦ２）等が用いられる。また、反応性ガスと、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等の不活性ガスとの混合ガスを供給することによりデブリを除去してもよい。
【０１４４】
デブリ除去ステップ（Ｓ９）の後、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）を行う。図１１（Ｂ）は、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）を示す図である。切削溝形成ステップ（Ｓ１０）では、上述の切削装置を用いてレーザー加工溝５５の内側に幅Ｗ４の切削溝１７を形成する。
【０１４５】
切削溝１７形成ステップ（Ｓ１０）の後、保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）を行う。図１２（Ａ）は、保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）を示す図である。保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）では、上述の保護部材貼り付け装置を用いて、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材１９を設ける。なお、保護部材１９は、保護膜４５と密着するが、ウェーハ１１の表面１１ａには接しないので、段差部５９ｂにおける機能層１５ｃの上面と、保護部材１９のウェーハ１１側の表面との間には空間が形成される。
【０１４６】
保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）の後、研削ステップ（Ｓ３０）を行う。図１２（Ｂ）は、研削ステップ（Ｓ３０）を示す図である。例えば、上述の研削装置３０を用いて、ウェーハ１１を仕上がり厚さＴ１に加工する。これにより、ウェーハ１１を半導体デバイス２１に分割する。
【０１４７】
研削ステップ（Ｓ３０）の後、金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）を行う。図１３（Ａ）は、金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）を示す図である。例えば、上述のスパッタ装置を用いて、高周波マグネトロンスパッタリング法で半導体デバイス２１の裏面１１ｅ、側面１１ｆ、段差部５９ｂの上面に金属膜２３を形成する。
【０１４８】
上述の様に、段差部５９ｂにおける機能層１５ｃの上面には金属膜２３が形成されるので、保護膜４５を除去しても、金属膜２３は機能層１５ｃの側面（即ち、側部５９ａの表面）から剥がれ難くなる。これにより、保護膜除去ステップ（Ｓ６５）を経ても半導体デバイス２１の側面１１ｆから金属膜２３が剥がれ難くなる。
【０１４９】
金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）の後且つ保護部材除去ステップ（Ｓ６０）の前に、粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）を行う。図１３（Ｂ）は、粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）を示す図である。
【０１５０】
粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）では、上述の様に、保護部材１９及び複数の半導体デバイス２１を、環状のフレーム２５と、円形の粘着テープ２７と共に一体化して、フレームユニット２９を形成する。フレームユニット２９を形成することで、フレームユニット２９を形成しない場合に比べて、以降の各ステップにおける複数の半導体デバイス２１の取り扱いがより容易になる。
【０１５１】
粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）の後、保護部材除去ステップ（Ｓ６０）を行う。上述のように、保護部材除去ステップ（Ｓ６０）では、紫外線照射装置又は加熱装置を用いて保護部材１９の粘着層の粘着力を低下させた後、保護部材１９をウェーハ１１の表面１１ａ側から剥がす。なお、保護部材１９が粘着層を有しない場合には、紫外線等で保護部材１９を処理すること無く、表面１１ａ側から保護部材１９を剥がしてよい。
【０１５２】
保護部材除去ステップ（Ｓ６０）の後、保護膜除去ステップ（Ｓ６５）を行う。上述の様に、保護膜除去ステップ（Ｓ６５）では、洗浄装置を兼ねる保護膜形成装置４０を用いて保護膜４５を除去する。
【０１５３】
また、保護膜除去ステップ（Ｓ６５）の後、上述のピックアップ装置（不図示）等を用いて、個々の半導体デバイス２１を粘着テープ２７から取り出してよい。これにより、電磁波シールドとしてμｍオーダーの金属膜２３を有する半導体デバイス２１を得ることができる。
【０１５４】
図１４は、第３実施形態に係る金属膜２３付き半導体デバイス２１の製造方法のフロー図である。第３実施形態では、保護膜除去ライン５３を形成する場合には（Ｓ６でＹＥＳ）、保護膜除去ライン形成ステップ（Ｓ７）及びレーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８）を順次行い、デブリ除去ステップ（Ｓ９）に進む。これに対して、保護膜除去ライン５３を形成しない場合には（Ｓ６でＮＯ）、レーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８）のみを行い、デブリ除去ステップ（Ｓ９）に進む。
【０１５５】
次に、第３実施形態の第２変形例について説明する。第２変形例では、レーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８）の後に、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）及びデブリ除去ステップ（Ｓ９）をこの順で行う。係る点が、第１変形例と異なる。
【０１５６】
第３実施形態の第２変形例では、レーザー加工溝形成ステップ（Ｓ８）の後に、上述の切削装置を用いて切削溝形成ステップ（Ｓ１０）を行う。図１５（Ａ）は、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）を示す図である。
【０１５７】
そして、切削溝形成ステップ（Ｓ１０）の後、且つ、後続する保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）の前に、ウェーハ１１をプラズマ化したエッチングガスＰで処理し、レーザー加工溝５５及び切削溝１７に付着したデブリを除去する（デブリ除去ステップ（Ｓ９））。図１５（Ｂ）は、第２変形例に係るデブリ除去ステップ（Ｓ９）を示す図である。
【０１５８】
第３実施形態の第２変形例では、レーザーアブレーションにより生じた機能層１５ｃのデブリに加えて、切削溝１７内に生じたデブリをエッチングガスＰで除去する。これにより、エッチングガスＰで処理しない場合に比べて、例えば、後続する金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）で形成する金属膜２３を半導体基板１１ｃ及び機能層１５ｃに対してより強固に密着させることができる。デブリ除去ステップ（Ｓ９）後に保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）を行う。以降のステップは、第３実施形態と同じである。
【０１５９】
なお、上述の様に、デブリ除去ステップ（Ｓ９）は、プラズマ化していない反応性ガスをレーザー加工溝５５に供給してデブリを除去してもよく、反応性ガスと不活性ガスとの混合ガスによりデブリを除去してもよい。
【０１６０】
次に、図１６から図１８を用いて第４実施形態について説明する。以降では、第３実施形態と第４実施形態との差異を主として説明する。第４実施形態でも、第３実施形態と同様に、まず、保護膜被覆ステップ（Ｓ５）から切削溝形成ステップ（Ｓ１０）までを行う。
【０１６１】
切削溝形成ステップ（Ｓ１０）の後、保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）を行う。但し、第４実施形態の保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）でウェーハ１１の表面１１ａ側に貼り付ける保護部材１９は、外力により径方向に拡張する（即ち、エキスパンド性を有する）粘着テープである。
【０１６２】
保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）では、表面１１ａ側に保護膜４５が形成されたウェーハ１１を、金属製の環状のフレーム２５の開口部に配置した状態で、上述の保護部材貼り付け装置（不図示）を用いてフレーム２５及びウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材１９を貼り付ける。これにより、ウェーハ１１、フレーム２５及び保護部材１９等が一体化されたフレームユニット２９が形成される。図１６（Ａ）は、保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）を示す図である。
【０１６３】
保護部材貼り付けステップ（Ｓ２０）の後、上述の研削装置３０を用いて研削ステップ（Ｓ３０）を行い、ウェーハ１１を複数の半導体デバイス２１に分割する。図１６（Ｂ）は、研削ステップ（Ｓ３０）を示す図である。
【０１６４】
研削ステップ（Ｓ３０）の後且つ金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）の前に、保護部材１９を拡張して、個々の半導体デバイス２１の間隔を広げる（拡張ステップ（Ｓ３５））。拡張ステップ（Ｓ３５）では、例えば、エキスパンド装置７０を用いて保護部材１９を径方向に拡張する。図１７（Ａ）は、拡張ステップ（Ｓ３５）を示す図である。
【０１６５】
エキスパンド装置７０は、ウェーハ１１の径よりも大きい径を有する円筒状のドラム７２を備える。このドラム７２の頂部には周方向に沿って複数のローラー７４が設けられている。半導体デバイス２１とは反対側に位置する保護部材１９の裏面１９ｂがローラー７４に接する態様で、フレームユニット２９はドラム７２上に載置される。
【０１６６】
また、エキスパンド装置７０は、保護部材１９の裏面１９ｂ側に配置され、円環状の金属製の内側リング７６を有する。内側リング７６は、その径方向が水平となる様に下端部が支持されており、その上端部が保護部材１９の裏面１９ｂに接するように構成されている。
【０１６７】
エキスパンド装置７０は、更に、保護部材１９の半導体デバイス２１側（即ち、表面１９ａ側）に配置され、内側リング７６の外径よりも内径が大きい円環状の金属製の外側リング７８を有する。外側リング７８は、その下端部が保護部材１９の表面１９ａに接し、その上端部が押圧される様に構成されている。
【０１６８】
円環状の内側リング７６及び外側リング７８は、同軸状に配置され、互いに近づく向きに相対的に移動可能に構成されている。また、内側リング７６の外径と外側リング７８の内径との差は、保護部材１９の厚さよりも小さい。内側リング７６及び外側リング７８が相対的に移動して互いに同じ高さ位置に来ると、内側リング７６の外周と外側リング７８の内周との間で保護部材１９は挟まれて固定される。
【０１６９】
エキスパンド装置７０は、更に、フレーム保持ユニット（不図示）を備える。フレーム保持ユニットは、ドラム７２の上端部を外周側から囲むように設けられたフレーム支持台（不図示）を含む。フレーム支持台は、ドラム７２の径よりも大きい径の開口を有しており、ドラム７２の上端部と同様の高さに配置されている。また、フレーム支持台の外周側の複数箇所には、クランプ（不図示）が設けられている。
【０１７０】
フレーム支持台の上にフレーム２５が配置されるようにフレームユニット２９をドラム７２上に載置して、クランプによりフレーム２５を固定すると、フレームユニット２９がフレーム支持台により固定される。
【０１７１】
フレーム支持台は、鉛直方向に沿って伸長する複数のロッド（不図示）により支持される。各ロッドの下端部には、円盤状のベース（不図示）により支持されており、ロッドを昇降させるエアシリンダ（不図示）が設けられている。各エアシリンダを引き込み状態にすると、フレーム支持台がドラム７２に対して引き下げられる。
【０１７２】
拡張ステップ（Ｓ３５）では、まず、ドラム７２の上端の高さと、フレーム支持台の上面の高さとが一致するように、エアシリンダを作動させてフレーム支持台の高さを調節する。次に、フレームユニット２９をドラム７２及びフレーム支持台の上に載せる。その後、クランプによりフレーム支持台の上にフレーム２５を固定する。
【０１７３】
次に、エアシリンダを作動させてフレーム保持ユニットのフレーム支持台をドラム７２に対して引き下げる。これにより、図１７（Ａ）に示す様に、保護部材１９が径方向に拡張される。
【０１７４】
保護部材１９が径方向に拡張されると、保護部材１９に支持されている半導体デバイス２１どうしの間隔が広げられる。これにより、拡張ステップ（Ｓ３５）を行わない場合と比較して、後続する金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）において、半導体デバイス２１に金属が堆積しやすくなる。
【０１７５】
より、具体的には、半導体デバイス２１の側面１１ｆ（即ち、半導体基板１１ｃ及び機能層１５ｃの側面）と、段差部５９ｂの上面（図１０（Ｃ）参照。なお、図１７（Ａ）において、段差部５９ｂの上面は、下方を向いている。）とに、金属が堆積しやすくなる。
【０１７６】
保護部材１９を拡張させた後、内側リング７６及び外側リング７８を近づけるように相対的に移動させて、内側リング７６の外周と外側リング７８の内周との間に保護部材１９を挟み込む。これにより、保護部材１９は、拡張した状態で内側リング７６及び外側リング７８により固定される。
【０１７７】
その後、外側リング７８とローラー７４との間の位置で外側リング７８の外周に沿って保護部材１９を円状に切断して、リングユニット８０（図１７（Ｂ）参照）を形成する。これにより、拡張ステップ（Ｓ３５）を終了する。
【０１７８】
拡張ステップ（Ｓ３５）の後、上述のスパッタ装置等を用いて金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）を行う。金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）では、例えば、スパッタ装置の保持テーブルの表面に保護部材１９の裏面１９ｂが接するように、保持テーブル上にリングユニット８０を配置する。
【０１７９】
そして、スパッタ装置を用いて、半導体デバイス２１の裏面１１ｅ及び側面１１ｆ等に金属膜２３を形成する。図１７（Ｂ）は、金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）を示す図である。なお、第４実施形態に係る金属膜２３付き半導体デバイス２１の製造方法のフロー図を図１８に示す。第４実施形態では、第３実施形態と同様に、金属膜被覆ステップ（Ｓ４０）後に、粘着テープ貼り付けステップ（Ｓ５０）以降のステップを、順次行う。
【０１８０】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、第４実施形態における拡張ステップ（Ｓ３５）を、第１及び第２実施形態に適用してもよい。
【０１８１】
また、第１実施形態から第４実施形態並びに第３実施形態の第１及び第２変形例では、半導体基板１１ｃ及び機能層１５ｃを有する被加工物から金属膜２３付きの半導体デバイス２１を製造したが、被加工物がＷＬ−ＣＳＰ又は樹脂パッケージ基板である場合には、被加工物から金属膜２３付きの半導体パッケージデバイスを製造してもよい。
【符号の説明】
【０１８２】
１１  ウェーハ（被加工物）
１１ａ  表面（第１面）
１１ｂ  裏面（第２面）
１１ｃ  半導体基板
１１ｄ  ノッチ
１１ｅ  裏面
１１ｆ  側面
１３  分割予定ライン（ストリート）
１５ａ  デバイス領域
１５ｂ  バンプ（突起電極）
１５ｃ  機能層
１５ｄ  電極
１５ｅ  低誘電率絶縁体層
１７  切削溝
１９  保護部材
１９ａ  表面
１９ｂ  裏面
２０  切削ブレード
２１  半導体デバイス
２２  切り刃
２３  金属膜
２５  フレーム
２７  粘着テープ
２７ｂ  裏面
２９  フレームユニット
３０  研削装置
３２  チャックテーブル
３２ａ  保持面
３４  研削機構
３６  研削ホイール
３８ａ  ホイール基台
３８ｂ  研削砥石
４０  保護膜形成装置（洗浄装置）
４２  液状樹脂吐出ノズル
４４  液状樹脂
４５  保護膜
４６  洗浄液吐出ノズル
４８  洗浄液（ＩＰＡ）
５０  レーザー加工装置
５２  加工ヘッド
５１  レーザー加工溝
５３  保護膜除去ライン
５５  レーザー加工溝
５７  側部
５９ａ  側部
５９ｂ  段差部
６０  プラズマエッチング装置
７０  エキスパンド装置
７２  ドラム
７４  ローラー
７６  内側リング
７８  外側リング
８０  リングユニット
Ａ  使用済液
Ｂ  領域
Ｌ  レーザービーム
Ｐ  エッチングガス
Ｔ１  仕上がり厚さ
Ｔ２  厚さ
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４  幅
【図１】
2020077709.tif 000003
【図２】
2020077709.tif 000004
【図３】
2020077709.tif 000005
【図４】
2020077709.tif 000006
【図５】
2020077709.tif 000007
【図６】
2020077709.tif 000008
【図７】
2020077709.tif 000009
【図８】
2020077709.tif 000010
【図９】
2020077709.tif 000011
【図１０】
2020077709.tif 000012
【図１１】
2020077709.tif 000013
【図１２】
2020077709.tif 000014
【図１３】
2020077709.tif 000015
【図１４】
2020077709.tif 000016
【図１５】
2020077709.tif 000017
【図１６】
2020077709.tif 000018
【図１７】
2020077709.tif 000019
【図１８】
2020077709.tif 000020