(57)【要約】【課題】基板に塗布された接着剤を加熱した際に、接着層の厚さにムラが生じることを抑制し、基板と支持体とを高精度に貼り付ける。【解決手段】加熱装置１００は、接着剤が塗布された基板Ｓを収容して加熱するためのチャンバ１０と、チャンバ１０内を吸引する吸引部３０と、を備える加熱装置１００であって、チャンバ１０は、基板Ｓを収容し、基板Ｓの側方において外部との間で気体の流通を規制可能な側壁１４を有する第１室１１と、第１室１１の下方に配置されかつ外部との間で気体の流通が許容され、基板Ｓを加熱する加熱部１７を有する第２室１２と、平面視において少なくとも第１室１１に収容された基板Ｓの外側の領域で第１室１１と第２室１２との間の気体の流通を規制するように第１室１１と第２室１２とを仕切る仕切り部１３と、を有し、吸引部３０は、第１室１１に設けられた吸引口１６ａから第１室１１内の気体を吸引する。【選択図】図１
2020155646.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤が塗布された基板を収容して加熱するためのチャンバと、前記チャンバ内を吸引する吸引部と、を備える加熱装置であって、
前記チャンバは、
前記基板を収容し、前記基板の側方において外部との間で気体の流通を規制可能な側壁を有する第１室と、
前記第１室の下方に配置されかつ外部との間で気体の流通が許容され、前記基板を加熱する加熱部を有する第２室と、
平面視において少なくとも前記第１室に収容された前記基板の外側の領域で前記第１室と前記第２室との間の気体の流通を規制するように前記第１室と前記第２室とを仕切る仕切り部と、を有し、
前記吸引部は、前記第１室に設けられた吸引口から前記第１室内の気体を吸引する、加熱装置。
【請求項２】
前記加熱部は、前記仕切り部と併せて前記第１室と前記第２室とを仕切るように配置される、請求項１に記載の加熱装置。
【請求項３】
前記第１室は、前記基板を加熱する上部加熱部を有し、
前記上部加熱部は、前記吸引口と前記基板との間に配置される、請求項１又は請求項２に記載の加熱装置。
【請求項４】
前記第１室は、前記基板を搬入出するために前記側壁に設けられた開口部と、前記開口部を開閉するシャッタと、を備え、
前記吸引口は、前記第１室の天井部に設けられ、
前記第１室内に外気を導入する導入路は、前記第１室と前記第２室との境界であって平面視において前記第１室に収容された前記基板の内側に配置される、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の加熱装置。
【請求項５】
前記吸引口は、平面視において前記第１室に収容された前記基板の中央又はほぼ中央に配置される、請求項４に記載の加熱装置。
【請求項６】
前記基板を載置して昇降可能な複数のピンと、
前記複数のピンを昇降させるピン駆動部と、を備える、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の加熱装置。
【請求項７】
前記ピンの周囲は、前記導入路の少なくとも一部を形成する、請求項６に記載の加熱装置。
【請求項８】
前記チャンバが設置される空間を囲むカバーと、前記カバー内の気体を排出する排出装置と、を備える、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の加熱装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の加熱装置を含む、基板処理システム。
【請求項１０】
前記基板に対して加熱する温度が異なる複数の前記加熱装置を含む、請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項１１】
前記加熱装置で加熱された後の前記基板に支持体を貼り付ける貼り付け装置を含む、請求項９又は請求項１０に記載の基板処理システム。
【請求項１２】
前記加熱装置で加熱される前の前記基板に対して接着剤を塗布する塗布装置を含む、請求項９から請求項１１のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項１３】
接着剤が塗布された基板を収容して加熱するためのチャンバを用いて前記基板を処理する方法であって、
前記チャンバは、
前記基板を収容し、前記基板の側方において外部との間で気体の流通を規制可能な側壁を有する第１室と、
前記第１室の下方に配置されかつ外部との間で気体の流通が許容され、前記基板を加熱する加熱部を有する第２室と、
平面視において少なくとも前記第１室に収容された前記基板の外側の領域で前記第１室と前記第２室との間の気体の流通を規制するように前記第１室と前記第２室とを仕切る仕切り部と、を有し、
前記基板を、前記第１室に収容することと、
前記第１室に収容された前記基板を前記加熱部により加熱することと、
前記第１室に設けられた吸引口から前記第１室内の気体を吸引することと、を含む、基板処理方法。
【請求項１４】
前記第１室の天井部に設けられた前記吸引口から前記第１室内の気体が吸引され、かつ、前記第１室と前記第２室との境界であって平面視において前記第１室に収容された前記基板の内側に配置される導入路から前記第１室内に外気を導入することを含む、請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
平面視において前記第１室に収容された前記基板の中央又はほぼ中央に配置された前記吸引口から前記第１室内の気体を吸引することを含む、請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記チャンバが設置される空間を囲むカバー内の気体を排出装置により排出することを含む、請求項１３から請求項１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
異なる温度で前記基板を複数回加熱することを含む、請求項１３から請求項１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記基板を複数回加熱する場合において、後の加熱ほど前記基板を加熱する温度が高いことを含む、請求項１７に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記基板を複数回加熱する場合において、最初の加熱は、前記接着剤に含まれる溶媒のうち最も低い沸点の３分の１から２分の１の温度に設定することを含む、請求項１７又は請求項１８に記載の基板処理方法。
【請求項２０】
加熱された後の前記基板に支持体を貼り付けることを含む、請求項１３から請求項１９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱装置、基板処理システム、及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等の電子装置では、小型化及び薄型化が求められている。このような電子装置を製造する場合、例えば複数の電子部品を有する基板と、ガラス等の支持体とを貼り付けて積層体を形成し、この積層体の状態でその後の基板への処理を行うことが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１７０８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の積層体では、基板と支持体とが接着層を介して貼り付けられている。この積層体は、先ず、基板に接着剤が塗布され、続いて、基板を加熱して接着剤中の溶媒を揮発させた後に基板と支持体とを貼り付けることで形成される。接着剤が塗布された基板の加熱は、例えば、接着剤塗布後の基板をチャンバ内に収容し、チャンバ内を排気しつつチャンバ内のヒータ等により行っている。このとき、チャンバ内では、排気によってガスの流れが生じており、このガスの流れが基板表面上を一方向に横切ると、溶媒揮発後の接着層の厚さにムラが生じる場合がある。接着層の厚さのムラは、基板と支持体との貼り付け精度を低下させる要因となり、その後の積層体（基板）の処理を高精度に行うことができなくなる。
【０００５】
本発明は、基板に塗布された接着剤を加熱した際に、接着層の厚さにムラが生じることを抑制し、基板と支持体とを高精度に貼り付けることが可能な加熱装置、基板処理システム、及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１態様に係る加熱装置は、接着剤が塗布された基板を収容して加熱するためのチャンバと、前記チャンバ内を吸引する吸引部と、を備える加熱装置であって、前記チャンバは、前記基板を収容し、前記基板の側方において外部との間で気体の流通を規制可能な側壁を有する第１室と、前記第１室の下方に配置されかつ外部との間で気体の流通が許容され、前記基板を加熱する加熱部を有する第２室と、平面視において少なくとも前記第１室に収容された前記基板の外側の領域で前記第１室と前記第２室との間の気体の流通を規制するように前記第１室と前記第２室とを仕切る仕切り部と、を有し、前記吸引部は、前記第１室に設けられた吸引口から前記第１室内の気体を吸引する。
【０００７】
本発明の第２態様に係る基板処理システムは、本発明の第１態様に係る加熱装置を含む。
【０００８】
本発明の第３態様に係る基板処理方法は、接着剤が塗布された基板を収容して加熱するためのチャンバを用いて前記基板を処理する方法であって、前記チャンバは、前記基板を収容し、前記基板の側方において外部との間で気体の流通を規制可能な側壁を有する第１室と、前記第１室の下方に配置されかつ外部との間で気体の流通が許容され、前記基板を加熱する加熱部を有する第２室と、平面視において少なくとも前記第１室に収容された前記基板の外側の領域で前記第１室と前記第２室との間の気体の流通を規制するように前記第１室と前記第２室とを仕切る仕切り部と、を有し、前記基板を、前記第１室に収容することと、前記第１室に収容された前記基板を前記加熱部により加熱することと、前記第１室に設けられた吸引口から前記第１室内の気体を吸引することと、を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板に塗布された接着剤を加熱した際に、接着層の厚さにムラが生じることを抑制し、基板と支持体とを高精度に貼り付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係る加熱装置の一例を示す断面図である。
【図２】第１室の内部の一例を示す平面図である。
【図３】開口部を開放した状態を示す図である。
【図４】開口部を閉塞した状態を示す図である。
【図５】チャンバの一部（後側）を拡大して示す図である。
【図６】チャンバの一部（前側）を拡大して示す図である。
【図７】（Ａ）は、接着剤が塗布された基板を本実施形態に係る加熱装置を用いて加熱した場合の接着剤の膜厚の一例を示す図であり、（Ｂ）は比較例に係る加熱装置を用いて基板を加熱した場合の接着剤の膜厚の一例を示す図である。
【図８】本実施形態に係る基板処理システムの一例を示す図である。
【図９】本実施形態に係る基板処理システムの他の例を示す図である。
【図１０】本実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャートである。
【図１１】（Ａ）は基板に接着層を塗布する動作を示す図、（Ｂ）は接着剤が塗布された基板の一例を示す図である。
【図１２】本実施形態に係る基板処理方法において基板を加熱する動作の一例を示すフローチャートである。
【図１３】（Ａ）は支持体に分離層を形成した状態の一例を示す図、（Ｂ）は支持体を反転させる動作の一例を示す図である。
【図１４】基板と支持体とを貼り付ける動作の一例を示す図である。
【図１５】本実施形態に係る基板処理システムの他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明は以下に説明する実施形態に限定されない。また、図面においては実施形態を説明するため、一部分を大きく又は強調して記載するなど適宜縮尺を変更して表現している。以下、水平面に垂直な方向を上下方向とする。水平面に平行な方向のうち、チャンバ１０に対して基板Ｓを搬入出する方向を前後方向とし、基板Ｓの搬入出を行う側を前側、前側の反対側を後側とする。
【００１２】
図１は、本実施形態に係る加熱装置１００の一例を示す断面図である。図１に示すように、加熱装置１００は、チャンバ１０と、吸引部３０と、カバー４０と、排出装置５０とを備える。チャンバ１０は、例えば水平面に平行な床面等に載置され、接着剤が塗布された基板Ｓを収容して加熱する。本実施形態において、基板Ｓには、複数の電子部品が形成される。電子部品は、例えば、半導体等を用いて形成されたチップ等を含む。なお、基板Ｓは、複数の電子部品がモールドによって保持される構成であってもよい。
【００１３】
チャンバ１０は、第１室１１と、第２室１２と、仕切り部１３と、側壁１４と、底部１５と、天井部１６と、加熱部１７と、上部加熱部１８と、基板昇降部１９と、シャッタ２０とを有する。第１室１１は、側壁１４と、天井部１６と、加熱部１７の上面１７ａと、仕切り部１３とで区画される空間である。第１室１１は、基板Ｓを収容する。第２室１２は、側壁１４と、底部１５と、加熱部１７と、仕切り部１３とで区画される空間である。第２室１２には、加熱部１７の本体部分が配置される。
【００１４】
仕切り部１３は、第１室１１と第２室１２とを仕切るように設けられる。仕切り部１３は、側壁１４と加熱部１７との間を塞ぐように配置される。この構成により、仕切り部１３は、平面視において少なくとも第１室１１に収容された基板Ｓの外側の領域で第１室１１と第２室１２との間の気体の流通を規制する。仕切り部１３の外周側には、下方に屈曲される屈曲部１３ａが設けられる。屈曲部１３ａは、不図示の固定部材により側壁１４に固定される。仕切り部１３は、屈曲部１３ａと側壁１４との間に不図示のシール部材を挟み込ませた状態で設けられてもよい。仕切り部１３の内周側は、不図示の固定部材により後述するフレーム２１のフランジ部２１ｃに固定される。
【００１５】
側壁１４は、平面視において矩形枠状である。側壁１４は、基板用開口部（開口部）１４ａと、昇降用開口部１４ｂと、を有する。基板用開口部１４ａは、第１室１１の内外を連通するように設けられており、基板Ｓが通過可能な断面形状に設けられている。基板Ｓは、基板用開口部１４ａを介してチャンバ１０内（第１室１１内）に対して搬入又は搬出される。昇降用開口部１４ｂは、第２室１２の内外を連通して設けられ、基板昇降部１９の一部が貫通した状態となっている。昇降用開口部１４ｂは、基板用開口部１４ａが設けられる側壁１４と反対側の側壁１４に設けられる。昇降用開口部１４ｂの上下方向は、基板昇降部１９の一部が昇降する距離に対応するように設定されている。
【００１６】
底部１５は、例えば平面視において矩形状であり、床面等の水平面に平行な面を有する基台等に載置される。底部１５は、側壁１４の下端に接続して設けられ、第２室１２の下側を封止する。側壁１４と底部１５との間には、不図示のシール部材等を挟み込ませてもよいし、側壁１４と底部１５との接続部分にシール材が充填又は貼付されてもよい。底部１５上には、後述する複数の土台部２２が載置される。土台部２２のそれぞれは、底部１５に固定されてもよいし、固定されなくてもよい。
【００１７】
天井部１６は、例えば平面視において矩形状であり、側壁１４の上端に接続して設けられ、第１室１１の上部を封止する。天井部１６は、底部１５と平行である。天井部１６は、後述する上部加熱部１８を吊り下げた状態で支持する。すなわち、天井部１６の下面と、上部加熱部１８の上面との間には隙間（間隔）Ｄを設けた状態となっている。天井部１６は、吸引口１６ａを有する。第１室１１内の気体は、吸引口１６ａを介して排出される。吸引口１６ａは、例えば平面視において、第１室１１に収容される基板Ｓの中央又はほぼ中央に重なる位置に設けられる。
【００１８】
加熱部１７は、第１室１１に収容された基板Ｓを下方から加熱する。加熱部１７は、例えば平面視で円板状のホットプレートであり、第１室１１に収容された基板Ｓより大きな直径を有する（図２参照）。加熱部１７は、上面１７ａが平面状であり、例えば底部１５及び天井部１６と平行である。加熱部１７は、後述する基板昇降部１９のピン１９ａを配置するための貫通孔１７ｂを有する。貫通孔１７ｂは、加熱部１７を上下に貫通して設けられる。貫通孔１７ｂは、本実施形態において例えば３つ設けられる。貫通孔１７ｂは、第１室内１１に外気を導入するための導入路として用いられる。
【００１９】
図２は、第１室１１の内部の一例を示す平面図である。図２に示すように、３つの貫通孔１７ｂは、平面視において加熱部１７の中心位置が重心位置となる正三角形の各頂点に対応する位置に１つずつ配置される。又は、３つの貫通孔１７ｂは、加熱部１７の中心位置を中心とする円周上に等間隔で配置される。なお、貫通孔１７ｂは、後述する基板昇降部１９のピン１９ａに対応して設けられ、ピン１９ａが４本以上である場合は、ピン１９ａに対応して４カ所以上設けられる。
【００２０】
加熱部１７の上面１７ａには、固定ピン１７ｃが設けられる。固定ピン１７ｃは、上端において基板Ｓを載置するために用いられる。本実施形態において、固定ピン１７ｃは、例えば４つ配置される。４つの固定ピン１７ｃは、平面視において加熱部１７の中心となる位置と、加熱部１７の中心を重心位置とする正三角形の３つの頂点に対応する位置に１つずつと、計４つ設けられる。加熱部１７の中心に設けられた固定ピン１７ｃを除いた３つの固定ピン１７ｃは、加熱部１７の中心位置を中心とする円周上に等間隔で配置される。この３つの固定ピン１７ｃが配置される円周は、上記した３つの貫通孔１７ｂ（３つのピン１９ａ）が配置される円周と異なるが、固定ピン１７ｃと貫通孔１７ｂとが同一の円周上に設けられてもよい。固定ピン１７ｃの上端は、後述するピン１９ａの上昇時における上端より低くなるように設けられている。
【００２１】
加熱部１７は、第２室１２に配置されたフレーム２１に支持される。フレーム２１は、フレーム底部２１ａ、フレーム側部２１ｂ及びフランジ部２１ｃを有する。フレーム底部２１ａは、円板状であり、複数の土台部２２により支持される。フレーム底部２１ａには、複数の貫通孔２１ｄを有する。貫通孔２１ｄは、加熱部１７の貫通孔１７ｂと連通し、ピン１９ａが配置される。フレーム側部２１ｂは、フレーム底部２１ａの外周に沿って円筒状に設けられる。フランジ部２１ｃは、フレーム側部２１ｂの上端から外側に張り出すように設けられる。加熱部１７は、フレーム２１に収容された状態でフレーム２１に支持される。
【００２２】
上部加熱部１８は、第１室１１に設けられ、第１室１１に収容された基板Ｓを上方から加熱する。上部加熱部１８は、例えばホットプレート等が用いられる。上部加熱部１８は、例えば平面視で円板状のホットプレートであり、第１室１１に収容された基板Ｓより大きな直径を有する。上部加熱部１８は、天井部１６から吊り下げられた状態で固定され、基板Ｓの上方に配置される。本実施形態において、上部加熱部１８は、吸引口１６ａと基板Ｓとの間に配置される。上部加熱部１８は、天井部１６との間に隙間Ｄを設けた状態で配置される。このため、吸引口１６ａから吸引した場合、第１室１１内の気体は、上部加熱部１８の側縁側から上面側に沿って隙間Ｄを流れた後に、吸引口１６ａに達することになる。
【００２３】
基板昇降部１９は、第１室１１内に収容された基板Ｓを昇降させる。基板昇降部１９は、複数のピン１９ａと、複数のピン１９ａを支持するピン支持部１９ｂと、複数のピン１９ａを昇降させるピン駆動部１９ｃとを有する。ピン１９ａは、上端において基板Ｓを載置可能である。ピン１９ａは、固定ピン１７ｃに基板Ｓを載置する、又は固定ピン１７ｃに載置された基板Ｓを受け取る際に用いられる。複数のピン１９ａは、平面視において加熱部１７の中心を重心位置とする正三角形の３つの頂点に対応する位置に１つずつ配置される。複数のピン１９ａは、加熱部１７の貫通孔１７ｂを貫通した状態で配置され、貫通孔１７ｂ内においてそれぞれ昇降可能である。複数のピン１９ａは、上昇時において加熱部１７の上面１７ａから第１室１１内に突出し、下降時において加熱部１７の上面１７ａから没入する。
【００２４】
上記したように、ピン１９ａの上昇時にはピン１９ａの上端が固定ピン１７ｃの上端より高くなっている。従って、ピン１９ａの上昇時においてピン１９ａ上に載置された基板Ｓを、ピン１９ａが下降することにより固定ピン１７ｃに載置させることができる。また、ピン１９ａが上昇することにより、固定ピン１７ｃに載置されている基板Ｓを受け取ることができる。
【００２５】
各ピン１９ａの外径は、貫通孔１７ｂの内径よりも小さい。このため、複数のピン１９ａが貫通孔１７ｂに挿入された状態において、ピン１９ａの外周面と貫通孔１７ｂの内周面との間には隙間Ｋが形成される。第１室１１と第２室１２との間は、この隙間Ｋを介して連通されている。隙間Ｋは、第１室内１１に外気を導入するための導入路である。隙間Ｋの大きさは任意に設定可能であり、ピン１９ａの外径、又は貫通孔１７ｂの内径を調整することにより隙間Ｋの大きさを調整可能である。
【００２６】
ピン支持部１９ｂは、例えば板状であり、上面側に複数のピン１９ａの下端が固定されている。ピン支持部１９ｂは、第２室１２内の下部側に配置される。ピン支持部１９ｂは、奥側の端部が昇降用開口部１４ｂから第２室１２の外部に突出して配置される。ピン支持部１９ｂは、例えば不図示のガイド等にガイドされて昇降可能であり、複数のピン１９ａと一体で昇降する。１つのピン支持部１９ｂに複数のピン１９ａが固定されることにより、ピン支持部１９ｂを昇降させることで、複数のピン１９ａを同時又はほぼ同時に昇降させることができる。
【００２７】
ピン駆動部１９ｃは、ピン支持部１９ｂを昇降させることにより、複数のピン１９ａを昇降させる。ピン駆動部１９ｃは、第２室１２の外部に配置される。ピン駆動部１９ｃは、例えばエアシリンダ装置、電動モータ等の駆動源を有し、この駆動源の駆動力によりピン支持部１９ｂ（ピン１９ａ）を昇降させる。なお、基板昇降部１９は、ピン１９ａを昇降させる構成であれば、上記した構成に限定されない。例えば、電動モータ等の駆動源を用いてランクアンドピニオン機構、又は歯車列を介して各ピン１９ａを昇降させる構成が適用されてもよい。
【００２８】
シャッタ２０は、基板用開口部１４ａを開閉する。図３は、基板用開口部１４ａを開放した状態を示す図である。図４は、基板用開口部１４ａを閉塞した状態を示す図である。及び図４では、シャッタ２０及びシャッタ駆動部２３の動作の一例を示している。図３は、シャッタ２０が開放位置Ｐ１に配置された状態を示す。図４は、シャッタ２０が閉塞位置Ｐ２に配置された状態を示す。
【００２９】
図３及び図４に示すように、シャッタ２０は、基板用開口部１４ａを開放する開放位置Ｐ１と、基板用開口部１４ａを閉塞する閉塞位置Ｐ２との間で移動可能である。シャッタ２０は、基板用開口部１４ａを閉塞可能な大きさに設けられた板状部材が用いられる。開放位置Ｐ１では、シャッタ２０は、基板用開口部１４ａの前後方向から下方に退避する。閉塞位置Ｐ２では、シャッタ２０は、基板用開口部１４ａの周縁に当接してシールする。なお、シャッタ２０は、基板用開口部１４ａの周縁に当接する部分に気密用のシール部材が設けられてもよい。
【００３０】
シャッタ２０は、シャッタ駆動部２３により開放位置Ｐ１と閉塞位置Ｐ２との間を移動する。シャッタ駆動部２３は、シャッタ２０を上下方向に移動させる（昇降させる）昇降駆動部２３ａと、シャッタ２０を前後方向（水平方向）に移動させる水平駆動部２３ｂとを有する。昇降駆動部２３ａ及び水平駆動部２３ｂのそれぞれは、例えばエアシリンダ機構等が用いられる。昇降駆動部２３ａは、上下方向に延びる案内部２３ｃを備える。昇降駆動部２３ａは、案内部２３ｃに沿って昇降する。昇降駆動部２３ａは、シャッタ２０を上側の位置又は下側の位置に移動させる。
【００３１】
水平駆動部２３ｂは、昇降駆動部２３ａに設けられ、昇降駆動部２３ａと一体で案内部２３ｃに沿って昇降する。水平駆動部２３ｂは、前後方向に進退する伝達部材２３ｄを備える。伝達部材２３ｄは、昇降駆動部２３ａに設けられた案内部２３ｅに沿って前後方向に前進又は後退する。シャッタ２０は、伝達部材２３ｄを介して水平駆動部２３ｂに接続される。水平駆動部２３ｂは、伝達部材２３ｄを前進又は後退させることにより、シャッタ２０を前側の位置又は後ろ側の位置に移動させる。
【００３２】
図３に示すように、昇降駆動部２３ａによってシャッタ２０を下側に配置させ、水平駆動部２３ｂによってシャッタ２０を前側に配置させることで、シャッタ２０を開放位置Ｐ１に配置することができる。シャッタ２０が開放位置Ｐ１に配置される場合、基板用開口部１４ａが開放された状態となる。この場合、例えば不図示の基板搬送機構等によって、基板用開口部１４ａを介して第１室１１内に対する基板Ｓの搬入又は搬出を行うことが可能となる。
【００３３】
また、図４に示すように、昇降駆動部２３ａによってシャッタ２０を上側に配置させ、水平駆動部２３ｂによってシャッタ２０を後側に配置させることで、シャッタ２０を閉塞位置Ｐ２に配置することができる。シャッタ２０が閉塞位置Ｐ２に配置される場合、基板用開口部１４ａが閉塞された状態となる。この場合、基板用開口部１４ａからチャンバ１０内への気体（空気、外気）の流出及び流入が規制される。すなわち、第１室１１において、側壁１４からの気体の流出及び流入が規制される。
【００３４】
吸引部３０は、チャンバ１０内を吸引する。吸引部３０は、例えば吸引ポンプ当が用いられる。吸引部３０は、第１室１１の天井部１６に設けられた吸引口１６ａから第１室１１内の気体を吸引する。吸引部３０による吸引量、吸引タイミングは、不図示の制御装置によって制御されてもよいし、作業者等によるマニュアル操作によって設定されてもよい。例えば、不図示の制御装置は、シャッタ２０の位置にかかわらず、常時吸引部３０を駆動させてもよいし、シャッタ２０が閉塞位置Ｐ２に配置されたタイミング（基板用開口部１４ａを閉塞したタイミング）で吸引部３０を駆動させてもよい。吸引部３０によりチャンバ１０内から吸引された気体は、カバー４０内に放出される。また、チャンバ１０内には、カバー４０内の気体が流入する。チャンバ１０内への気体の流入については後述する。
【００３５】
カバー４０は、チャンバ１０が配置される空間を囲むように設けられる。カバー４０は、例えば、チャンバ１０（加熱装置１００）以外の装置を含む空間を囲むように設けられてもよい。カバー４０は、例えばクリーンルーム等であってもよい。カバー４０内の気体は、排出装置５０により外部に排出される。排出装置５０としては、例えばファン等が用いられる。チャンバ１０内の気体は、カバー４０内に放出され、カバー４０内の気体とともに排出装置５０により外部に排気される。
【００３６】
図５及び図６は、チャンバ１０の一部を拡大して示す図である。図５は、チャンバ１０の後側部分における断面図を示しており、図６は、チャンバ１０の前側端部における断面図を示している。吸引部３０がチャンバ１０内の第１室１１を吸引することにより、図５及び図６に示すように、チャンバ１０内には外気が導入される。なお、図５及び図６では、吸引部３０によりチャンバ１０内の吸引時において、シャッタ２０が閉塞位置Ｐ２に配置された状態を示している。第１室１１内の気体が吸引口１６ａを介してチャンバ１０の外部に排出されることに伴い、シャッタ２０によって閉塞される第１室１１内は負圧となる。
【００３７】
第１室１１内が負圧になることにより、図５に示すように、第２室１２内の気体が、加熱部１７の貫通孔１７ｂ及びフレーム２１の貫通孔２１ｄと、複数のピン１９ａとの隙間Ｋ（導入路）を介して第１室１１に流入する。その結果、第２室１２が負圧になり、外気Ａが昇降用開口部１４ｂを介して第２室１２内に外気Ａが流入する。従って、昇降用開口部１４ｂから第２室１２内に流入した外気Ａは、導入路である隙間Ｋを介して第１室１１に導入される。
【００３８】
第１室１１内に導入された外気Ａは、図５及び図６のそれぞれで示すように、基板Ｓの下面に沿って側方に向けて（放射方向の外側に向けて）流れていき、第１室１１内において基板Ｓの縁部を回り込むように上昇する。上昇した外気Ａは、上部加熱部１８の縁部から上部加熱部１８の上方に回り込み、天井部１６と上部加熱部１８との隙間Ｄを吸引口１６ａに向けて流れる。すなわち、隙間Ｄにおいては、外気Ａは、上部加熱部１８の縁部から放射方向の外側に向けて流れることになる。吸引口１６ａに達した外気Ａは、吸引口１６ａを介してチャンバ１０の外部に放出される。
【００３９】
このように、チャンバ１０内には、外気Ａが流れる経路として、昇降用開口部１４ｂから隙間Ｋまで向かう経路と、隙間Ｋを経て第１室１１内に流れ込む経路と、隙間Ｋから基板Ｓの下面に沿って基板Ｓの縁部に向かう経路と、基板Ｓの縁部を回り込んで隙間Ｄに入り込む経路と、隙間Ｄを流れて吸引口１６ａに至る経路とが形成される。外気Ａが第１室１１内に導入される導入路としては、隙間Ｋが用いられる。この隙間Ｋは、第１室１１と第２室１２との境界であって平面視において第１室１１に収容された基板Ｓの内側に配置される。このため、第１室１１内では、上記した経路のような外気Ａの経路が形成されることになる。
【００４０】
図７（Ａ）は、接着剤が塗布された基板Ｓを本実施形態に係る加熱装置１００を用いて加熱した場合の接着剤の膜厚の一例を示す図であり、図７（Ｂ）は、比較例に係る加熱装置を用いて基板Ｓを加熱した場合の接着剤の膜厚の一例を示す図である。図７（Ａ）及び（Ｂ）は、基板Ｓにおいて接着剤の膜厚の分布を示すグラフである。図７（Ａ）及び（Ｂ）のグラフでは、の横軸が基板Ｓの前後方向の位置であり、縦軸が接着剤の膜厚である。図７（Ａ）に示すように、本実施形態では、上記のように、第２室１２から第１室１１に流れ込んだ外気Ａが、基板Ｓの縁部から天井部１６の吸引口１６ａに向けて流れるので、基板Ｓにおける前側端部から後側端部にかけて接着剤の膜厚のばらつきが小さく、基板Ｓ全体にわたってほぼ均一の膜厚となっている。
【００４１】
また、本実施形態では、基板Ｓの縁部から回り込んだ外気Ａが、天井部１６と上部加熱部１８との隙間Ｄを流れるため、接着層の表面側を流れる外気Ａがなく、又は少ないので、加熱後の接着剤において膜厚のばらつきが小さくなっている。
【００４２】
一方、図７（Ｂ）に示す例は、基板Ｓを収容する第１室１１において、側壁１４からの外気の流通が規制された構成ではなく、さらに、仕切り部１３がない加熱装置を用いて基板Ｓを加熱した場合について示している。この比較例に係る加熱装置では、チャンバ１０の周囲を排気することで、チャンバ１０内の気体をチャンバ１０外に排出している。このとき、外気は、チャンバ１０の側壁１４の隙間、又はシャッタ２０と側壁１４との隙間から第１室１１内に流れ込み、例えば、第１室１１内において前側から後側に向けて外気が流れた状態となっている。
【００４３】
その結果、比較例に係る加熱装置では、基板Ｓの表面上において外気の流れが形成される場合があり、例えば、外気の流れが基板Ｓの表面上を一方向に横切ると、溶媒揮発後の接着層の膜厚にばらつきが生じる場合がある。外気の流れが基板Ｓの前側から後側に向けて一方向に流れると、図７（Ｂ）に示すように、基板Ｓの他の領域に比べて後側端部において膜厚が大きくなってしまう。本実施形態では、上記した加熱装置１００を用いて基板Ｓを加熱することにより、接着層の膜厚のばらつきを抑制することができる。
【００４４】
図８は、本実施形態に係る基板処理システム２００の一例を示す図である。図８に示すように、基板処理システム２００は、塗布装置１１０と、加熱装置１００と、貼り付け装置１２０とを備えている。塗布装置１１０は、加熱装置１００で加熱される前の基板Ｓに対して接着剤を塗布する。塗布装置１１０は、例えばスピンコート法によって基板Ｓに接着剤を塗布し、接着層を形成する。なお、塗布装置１１０は、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズル法等の他の塗布法等によって接着層を形成してもよい。貼り付け装置１２０は、加熱装置１００で加熱された後の基板Ｓに対してガラス等の支持体を貼り付ける。塗布装置１１０及び貼り付け装置１２０は、少なくとも一方が設けられない構成であってもよい。
【００４５】
図９は、基板処理システムの他の例を示す図である。図９に示す基板処理システム２００Ａでは、基板処理システム２００に対して、加熱装置１００が複数配置された構成を有する。この場合、塗布装置１１０及び貼り付け装置１２０における処理に対して、加熱装置１００における処理に時間がかかる場合、加熱装置１００を複数設けることにより、基板Ｓの加熱を複数の加熱装置１００で並列して行うことができる。このため、基板処理システム２００Ａにおける全体的な基板Ｓの処理時間を短縮できる。
【００４６】
図１０は、本実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャートである。図１０に示すように、本実施形態では、基板Ｓに対して接着剤を塗布する工程（ステップＳ０１）と、基板を加熱する工程（ステップＳ０２）と、支持体に対して分離層を形成する工程（ステップＳ０３）と、支持体を反転する工程（ステップＳ０４）と、基板Ｓと支持体とを貼り付ける工程（ステップＳ０５）とを含む。
【００４７】
図１１（Ａ）は、ステップＳ０１における動作の一例を示す図である。図１１（Ａ）は、基板Ｓに接着層を塗布する動作を示す図であり、図１１（Ｂ）は、接着剤が塗布された基板Ｓの一例を示す図である。図１１（Ａ）に示すように、ステップＳ０１では、例えば基板Ｓを不図示のステージ上に保持し、ノズル等から基板Ｓの形成面Ｓａに接着層６１を形成するための液状体を吐出する。この状態でステージを回転させることにより、液状体が基板Ｓの形成面Ｓａ上に広がり、図１１（Ｂ）に示すように、基板Ｓの形成面Ｓａ上に接着層６１が形成される。
【００４８】
基板Ｓは、例えば、厚さが６００〜８００μｍの円形状又はほぼ円形状の半導体ウエハが用いられる。半導体ウエハの厚さは任意である。また基板Ｓは、半導体ウエハに代えて、例えば、厚さが５００〜１５００μｍのガラス板などが用いられてもよい。基板Ｓは、円形状又はほぼ円形状であることに限定されず、例えば、矩形状、楕円形状、多角形状など、他の形状であってもよい。
【００４９】
接着剤としては、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー等の、当該分野において公知の種々の接着剤が使用可能である。接着層６１に含有される樹脂としては、接着性を備えたものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等が挙げられる。
【００５０】
接着剤の融点は、上記樹脂の種類や分子量、及び接着剤への可塑剤等の配合物によって変化する。上記接着剤に含有される樹脂の種類や分子量は、基板及び支持体の種類に応じて適宜選択することができるが、接着剤に使用する樹脂の融点は、５０℃以上、３００℃以下の範囲内が好ましい。接着剤に使用する樹脂の融点が５０℃以上、３００℃以下の範囲内であることによって、加熱時における接着層の流動性を抑制できる。また、接着層６１の融点は、適宜、可塑剤や低重合度の樹脂等を配合することによって調整してもよい。融点は、例えば、公知の示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ）を用いて測定することができる。
【００５１】
（炭化水素樹脂）
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある）、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」ということがある）等が挙げられるが、これに限定されない。
【００５２】
樹脂（Ａ）としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環（共）重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加（共）重合させた樹脂等が挙げられる。
【００５３】
樹脂（Ａ）を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の二環体、ジシクロペンタジエン、ジヒドロキシペンタジエン等の三環体、テトラシクロドデセン等の四環体、シクロペンタジエン三量体等の五環体、テトラシクロペンタジエン等の七環体、又はこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチル等）置換体、アルケニル（ビニル等）置換体、アルキリデン（エチリデン等）置換体、アリール（フェニル、トリル、ナフチル等）置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、又はこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。
【００５４】
樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセン、α−オレフィン等が挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。
【００５５】
また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性（低い熱分解、熱重量減少性）の観点から好ましい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性及び溶液での経時安定性の観点からは８０モル％以下であることが好ましく、７０モル％以下であることがより好ましい。
【００５６】
また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性及び柔軟性の観点からは１０〜９０モル％であることが好ましく、２０〜８５モル％であることがより好ましく、３０〜８０モル％であることがさらに好ましい。
【００５７】
なお、樹脂（Ａ）は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。
【００５８】
単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。
【００５９】
樹脂（Ａ）として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ」及び「ＺＥＯＮＥＸ」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ」等が挙げられる。
【００６０】
樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。
【００６１】
樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は特に限定されないが、３００〜３，０００であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３００以上であると、耐熱性が充分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３，０００以下であると、積層体を剥離するときの剥離速度が良好なものとなる。なお、本実施形態における樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。
【００６２】
なお、樹脂として、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性及び剥離速度が良好なものとなる。例えば、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との混合割合としては、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）であることが、剥離速度、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。
【００６３】
（アクリル−スチレン系樹脂）
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
【００６４】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数１５〜２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐状であってもよい。
【００６５】
炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。
【００６６】
脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。
【００６７】
芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数１〜５の鎖状又は分岐状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。
【００６８】
（マレイミド系樹脂）
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ｎ−へプチルマレイミド、Ｎ−ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、Ｎ−シクロプロピルマレイミド、Ｎ−シクロブチルマレイミド、Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド、Ｎ−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
【００６９】
例えば、下記の化学式［化１］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化２］で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。
【００７０】
【化１】
2020155646.tif 000003
【００７１】
【化２】
2020155646.tif 000004
【００７２】
（上記の化学式［化２］中、ｎは０又は１〜３の整数である。）
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、ＡＰＬ  ８００８Ｔ、ＡＰＬ  ８００９Ｔ、及びＡＰＬ  ６０１３Ｔ（全て三井化学株式会社製）等を使用することができる。
【００７３】
（エラストマー）
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であることが好ましい。
【００７４】
スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易且つ迅速に第一接着剤層を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤（例えばＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ等）、酸（フッ化水素酸等）、アルカリ（ＴＭＡＨ等）に対して優れた耐性を発揮する。
【００７５】
なお、エラストマーには、上述した（メタ）アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。
【００７６】
また、スチレン単位の含有量は、より好ましくは１７重量％以上であり、また、より好ましくは４０重量％以下である。
【００７７】
重量平均分子量のより好ましい範囲は２０，０００以上であり、また、より好ましい範囲は１５０，０００以下である。
【００７８】
エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、及び、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製））等であって、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。
【００７９】
また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
【００８０】
また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。
【００８１】
より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
【００８２】
接着層６１を構成する接着剤に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。
【００８３】
接着層６１を構成する接着剤に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を１００重量部として、５０重量部以上、９９重量部以下の範囲内が好ましく、６０重量部以上、９９重量部以下の範囲内がより好ましく、７０重量部以上、９５重量部以下の範囲内が最も好ましい。これら範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、ウエハと支持体とを好適に貼り合わせることができる。
【００８４】
また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。つまり、接着層６１を構成する接着剤は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着層６１を構成する接着剤において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が３０重量％である株式会社クラレ製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ４０３３と、スチレン単位の含有量が１３重量％であるセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２０６３とを重量比１対１で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は２１〜２２重量％となり、従って１４重量％以上となる。また、例えば、スチレン単位が１０重量％のものと６０重量％のものとを重量比１対１で混合すると３５重量％となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着層６１を構成する接着剤に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、且つ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。
【００８５】
なお、光硬化性樹脂（例えば、ＵＶ硬化性樹脂）以外の樹脂を用いて接着層６１を形成することが好ましい。光硬化性樹脂以外の樹脂を用いることで、接着層６１の剥離又は除去の後に、被支持基板の微小な凹凸の周辺に残渣が残ることを防ぐことができる。特に、接着層６１を構成する接着剤としては、あらゆる溶剤に溶解するものではなく、特定の溶剤に溶解するものが好ましい。これは、基板Ｓに物理的な力を加えることなく、接着層６１を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層６１の除去に際して、強度が低下した基板Ｓからでさえ、基板Ｓを破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層６１を除去することができる。
【００８６】
（希釈溶剤）  
接着層６１を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、デカヒドロナフタリン（沸点１８５℃〜１９５℃）、酢酸ブチル（沸点１２６℃）を用いることができる。他の希釈溶剤としては、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。
【００８７】
（その他の成分）
接着層６１を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
【００８８】
図１２は、ステップＳ０２における動作を示すフローチャートである。図１２に示すように、ステップＳ０２では、まず、接着層６１を形成した基板Ｓを加熱装置１００の第１室１１内に搬入する（ステップＳ２１）。この場合、加熱装置１００のシャッタ２０を開放位置Ｐ１に配置させておき、不図示の基板搬送機構により基板Ｓを基板用開口部１４ａから第１室１１内に搬入する。基板搬送機構は、基板Ｓを固定ピン１７ｃの上端よりも上方の位置で待機させる。
【００８９】
この状態で、ピン駆動部１９ｃの駆動により、複数のピン１９ａを加熱部１７の上面１７ａから突出させ、複数のピン１９ａの上端を固定ピン１７ｃの上端よりも上方に移動させて、基板Ｓを支持させる。複数のピン１９ａにより基板Ｓが支持された後、基板搬送機構は、基板Ｓの保持を解除する。この動作により、基板Ｓは、基板搬送機構から複数のピン１９ａ上に渡される。その後、基板搬送機構は、基板用開口部１４ａからチャンバ１０の外部に退避する。また、ピン駆動部１９ｃは、複数のピン１９ａを下降させて、基板Ｓを固定ピン１７ｃの上端に載置させる。
【００９０】
次に、第１室１１に搬入された基板Ｓを、加熱部１７により加熱する（ステップＳ２２）。図１１（Ｂ）は、ステップＳ０２における動作の一例を示す図である。ステップＳ２２では、例えば異なる温度で基板Ｓを複数回加熱してもよい。例えば、基板Ｓを複数回加熱する場合において、後の加熱ほど基板Ｓを加熱する温度が高くなるようにする。より具体的には、基板Ｓを複数回加熱する場合において、最初の加熱は、接着剤に含まれる溶媒（溶剤）のうち最も低い沸点の３分の１から２分の１の温度に設定する。次いで沸点と同等の温度及び／又は沸点より高い温度に設定する。このように接着層６１を加熱することにより、図１１（Ｂ）に示すように、接着層６１に含まれる溶媒が気化し、接着層６１が乾燥する。
なお、このステップＳ２２における「沸点の３分の１から２分の１の温度」とは、溶媒のうち最も低い沸点をセルシウス温度でＸ［℃］と表記したときに「Ｘ／３［℃］からＸ／２［℃］の温度」の領域を指すものとし、たとえば、沸点が１５０℃の溶媒が最も沸点の低い溶媒である場合は、「５０℃から７５℃」の温度領域を指すものとする。
また、「沸点と同等の温度」とは、典型的にはＸ±１５［℃］の温度領域を指すものとする。
また、Ｘとして採用される温度はたとえば８０℃〜２４０℃であり、好ましくは１００℃〜２２０℃であり、さらに好ましくは１１０℃〜２００℃である。
【００９１】
接着層６１を加熱する際、加熱装置１００では、吸引部３０を作動させることにより、第１室１１に設けられた吸引口１６ａから第１室１１内の気体を吸引する（ステップＳ２３）。この動作により、昇降用開口部１４ｂからチャンバ１０の外気Ａが第２室１２内に流入する。外気Ａは、隙間Ｋ（導入路）を経て第１室１１に導入される。第１室１１に導入された外気Ａは、上記した経路を経て吸引口１６ａに流れ、吸引口１６ａからチャンバ１０の外部に排出される。
【００９２】
チャンバ１０の外部に排出された外気Ａは、カバー４０の排出装置５０により、カバー４０の外部に排出される。基板Ｓの加熱により接着層６１から気化した溶媒は、上部加熱部１８の下面に沿って基板Ｓの縁部側に向けて流れ、外気Ａの流れに混じって吸引口１６ａからチャンバ１０の外部に排出される。なお、基板Ｓを加熱する際、加熱部１７に加えて、上部加熱部１８を用いて基板Ｓの加熱を行ってもよい。
【００９３】
加熱処理が終了した後、基板Ｓをチャンバ１０の外部に搬出する。この場合、第１室１１では、ピン駆動部１９ｃにより複数のピン１９ａを上昇させることで固定ピン１７ｃからピン１９ａの上端で基板Ｓを受け取り、基板搬送機構に渡す位置に基板Ｓを配置させる。その後、例えばシャッタ駆動部２３により、シャッタ２０を開放位置Ｐ１に移動させ、チャンバ１０の外部で待機する基板搬送機構を第１室１１内に進入させて、ピン１９ａ上に載置された基板Ｓを基板搬送機構に渡す。その後、ピン駆動部１９ｃは、複数のピン１９ａを加熱部１７の貫通孔１７ｂ内に収容させる。また、基板Ｓを受け取った基板搬送機構は、基板Ｓを保持した状態で基板用開口部１４ａから第１室１１の外部に移動する。この動作により、加熱処理後の基板Ｓは、チャンバ１０から搬出され、第１室１１内において新たな基板Ｓを搬入可能な状態となる。
【００９４】
次に、図１０に示すフローチャートにおいて、支持体Ｇ側の工程を説明する。図１３（Ａ）は、ステップＳ０３における動作の一例を示す図である。ステップＳ０３では、ＣＶＤ等の成膜法により、支持体Ｇに分離層を形成する。その他、当該ステップＳ０３では図１３（Ａ）に示すように、例えば支持体Ｇを不図示のステージ上に保持し、ノズル等から支持体Ｇの形成面Ｇａに分離層６２を形成するための液状体を吐出する。また、このステップＳ０３においては、上述のノズルとして、スリットノズル等も用いることもできる。その場合、ステージとスリットノズルとを相対的に移動させ、支持体Ｇの形成面Ｇａ上に分離層６２が形成する態様を採用することができる。なお、支持体Ｇは、例えば、厚さが６００〜８００μｍの円形状又はほぼ円形状の半導体ウエハが用いられる。半導体ウエハの厚さは任意である。また、支持体Ｇは、半導体ウエハに代えて、例えば、厚さが５００〜１５００μｍのガラス板などが用いられてもよい。支持体Ｇの形状は、基板Ｓの形状に合わせて設定される。
【００９５】
以下、図１３（Ａ）を例にとって分離層の詳細について説明する。
分離層６２は、例えば光を吸収することによって変質する材料から形成される。分離層６２が変質するとは、分離層６２をわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層６２と接する層との接着力が低下した状態にさせることをいう。分離層６２は、光を吸収して変質することにより、変質する前に比べて、強度又は支持体に対する接着性が低下する。このため、変質後の分離層６２は、わずかな外力を加えること等により破壊され、又は支持体Ｇから剥離する。
【００９６】
分離層６２の変質は、吸収した光のエネルギーによる（発熱性又は非発熱性の）分解、架橋、立体配置の変化又は官能基の解離（そして、これらにともなう分離層６２の硬化、脱ガス、収縮又は膨張）等であり得る。分離層６２の変質は、分離層６２を構成する材料による光の吸収の結果として生じる。よって、分離層６２の変質の種類は、分離層６２を構成する材料の種類に応じて変化し得る。また、分離層６２は、光を吸収することによって変質する材料に限定されない。例えば、光によらずに与えられた熱を吸収することによって変質する材料、あるいは、他の溶剤等によって変質する材料であってもよい。
【００９７】
分離層６２の厚さは、例えば、０．０５〜５０μｍであることがより好ましく、０．３〜１μｍであることがさらに好ましい。分離層６２の厚さが０．０５〜５０μｍの範囲内に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射、あるいは短時間の加熱、溶剤への短時間の浸漬などによって、分離層６２に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層６２の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲内に収まっていることが特に好ましい。
【００９８】
以下、吸収した光のエネルギーにより変質する分離層６２について説明する。分離層６２は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層６２を形成してもよい。また、分離層６２における接着層６１に対向する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、分離層６２の形成が容易に行なえ、かつ貼り付け時においても均一に貼り付けることが可能となる。
【００９９】
分離層６２は、レーザから照射される光を吸収することによって変質するものであってもよい。すなわち、分離層６２を変質させるために分離層６２に照射される光は、レーザから照射されたものであってもよい。分離層６２に照射する光を発射するレーザの例としては、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光等が挙げられる。分離層６２に照射する光を発射するレーザは、分離層６２を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、分離層６２を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザを選択すればよい。
【０１００】
図１３（Ｂ）は、ステップＳ０４における動作の一例を示す図である。図１３（Ｂ）は、支持体Ｇを反転させる動作の一例を示している。図１３（Ｂ）に示すように、ステップＳ０４では、例えば支持体Ｇを不図示の反転装置の保持部に保持させる。その後、保持部を所定の軸まわりに反転させることにより、分離層６２が形成される形成面Ｇａが下側になるように支持体Ｇを反転させる。なお、反転装置は、支持体Ｇを反転させることができれば、その構成は任意である。
【０１０１】
なお、図１０に示すフローチャートにおいて、基板Ｓ側の工程であるステップＳ０１、Ｓ０２と、支持体Ｇ側の工程であるステップＳ０３、Ｓ０４とは、全部又は一部が並行して行われてもよいし、ステップＳ０１、Ｓ０２、Ｓ０３、Ｓ０４が時系列に並べられた順番で行われてもよい。
【０１０２】
図１４は、ステップＳ０５における動作の一例を示す図である。図１４は、基板Ｓと支持体Ｇとを貼り付ける動作の一例を示している。図１４に示すように、ステップＳ０５では、不図示の貼り付け装置により基板Ｓと支持体Ｇとを貼り付ける。貼り付け装置は、ステップＳ０４で用いられる反転装置に含まれてもよいし、反転装置とは別の装置であってもよい。貼り付け装置は、基板Ｓの接着層６１と支持体Ｇの分離層６２とを互いに貼り合わせることで、基板Ｓと支持体Ｇとを貼り付ける。この場合、接着層６１を上向きとした基板Ｓと、ステップＳ０４で分離層６２を下向きに反転させられた分離層６２とを対向させて位置合わせし、基板Ｓと支持体Ｇとを近接させることで両者の貼り合わせを行う。なお、貼り付け装置は、基板Ｓと支持体Ｇとを貼り付けることができれば、その構成は任意である。
【０１０３】
図１５は、本実施形態に係る基板処理システムの他の例を示す図である。図１５では、基板処理システム２００Ｂにおいて各ユニットの配置の一例を示している。なお、図１５では、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。このＸＹＺ座標系において、鉛直方向をＺ方向とし、水平方向をＸ方向及びＹ方向とする。また、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の各方向について、矢印の指す方向を＋方向（例えば、＋Ｘ方向）と称し、その反対方向を−方向（例えば、−Ｘ方向）と称する。
【０１０４】
図１５に示す基板処理システム２００Ｂは、基板Ｓを処理する。基板処理システム２００Ｂは、基板Ｓの搬入及び搬出に用いられる基板搬入出部ＣＳと、基板Ｓを搬送する搬送部ＴＲと、基板Ｓを冷却するための冷却部ＣＡと、基板Ｓに接着剤を塗布する塗布部ＳＣと、基板Ｓを洗浄する洗浄部ＣＣと、基板Ｓを加熱する加熱部ＢＰと、基板Ｓを減圧下で加熱する真空加熱部ＶＢと、基板Ｓの位置合わせを行うプリアライナーＰＡと、基板Ｓを一時収容するロードロック室ＬＬと、基板Ｓと支持体Ｇとを貼り付ける貼り付け部ＢＯと、システム全体に電源を供給する電源部ＥＢとを備える。基板処理システム２００Ｂにおいて、加熱部ＢＰは、上記した加熱装置１００を含む。また、塗布部ＳＣは、上記した塗布装置１１０を含む。また、貼り付け部ＢＯは、上記した貼り付け装置１２０を含む。
【０１０５】
基板搬入出部ＣＳは、基板処理システム２００Ｂの−Ｙ側の端部に設けられ、Ｘ方向に複数、例えば４か所に配置される。なお、基板搬入出部ＣＳの数は、４か所に限定されず、３か所以下又は５か所以上設けられてもよい。複数の（４か所の）基板搬入出部ＣＳを交互に用いることにより、基板処理システム２００Ｂに対する基板Ｓの搬入又は搬出効率を向上できる。
【０１０６】
搬送部ＴＲは、第１搬送部ＴＲ１及び第２搬送部ＴＲ２を有する。第１搬送部ＴＲ１は、Ｘ方向に広い範囲で基板Ｓ、支持体Ｇ、又は両者の積層体等を搬送する。第１搬送部ＴＲ１は、例えば、不図示の搬送ロボットを有する。搬送ロボットは、第１搬送部ＴＲ１内をＸ方向に沿って移動可能である。第１搬送部ＴＲ１の−Ｘ側にはロードロック室ＬＬ（第１ロードロック室ＬＬ１）が配置され、＋Ｘ側には電源部ＥＢが配置される。第１搬送部ＴＲの＋Ｙ側には、プリアライナーＰＡ、冷却部ＣＡ、加熱部ＢＰ（第７加熱部ＢＰ７及び第８加熱部ＢＰ８）、ロードロック室ＬＬ（第２ロードロック室ＬＬ２）が配置される。なお、冷却部ＣＡは、冷却プレートが配置されるユニットと、冷却エリアが配置されるユニットとがＺ方向に重なって配置される。第１搬送部ＴＲ１は、これらの基板搬入出部ＣＳ、ロードロック室ＬＬ、プリアライナーＰＡ、冷却部ＣＡ、加熱部ＢＰとの間で基板Ｓ等を搬送する。
【０１０７】
第２搬送部ＴＲ２は、冷却部ＣＡの＋Ｙ側に配置され、Ｙ方向に広い範囲で基板Ｓ、支持体Ｇ等を搬送する。第２搬送部ＴＲ２は、不図示の搬送ロボットを有する。搬送ロボットは、第２搬送部ＴＲ２内をＹ方向に沿って移動可能である。第２搬送部ＴＲ２の−Ｘ側には、メンテナンス部ＭＮ、塗布部ＳＣ、洗浄部ＣＣが配置される。第２搬送部ＴＲ２の＋Ｘ側には、メンテナンス部ＭＮ、加熱部ＢＰ（第１加熱部ＢＰ１〜第４加熱部ＢＰ４、第５加熱部ＢＰ５〜第６加熱部ＢＰ６）、真空加熱部ＶＢが配置される。なお、第１加熱部ＢＰ１〜第４加熱部ＢＰ４は、Ｚ方向に重なって配置される。また、第５加熱部ＢＰ５〜第６加熱部ＢＰ６と、真空加熱部ＶＢとは、Ｚ方向に重なって配置される。第２搬送部ＴＲ２は、これらの塗布部ＳＣ、洗浄部ＣＣ、加熱部ＢＰ（第１加熱部ＢＰ１〜第６加熱部ＢＰ６）、真空加熱部ＶＢとの間で基板Ｓ等を搬送する。
【０１０８】
基板搬入出部ＣＳから搬入された基板Ｓ、支持体Ｇは、本実施形態に係る基板処理方法により、第１搬送部ＴＲ１又は第２搬送部ＴＲ２によって搬送される各搬送先で処理され、基板Ｓと支持体Ｇとが貼り付けられた積層体となって第１搬送部ＴＲ１により基板搬入出部ＣＳに搬入される。このように、基板処理システム２００Ｂは、システムの大型化を抑えつつ、本実施形態に係る基板処理方法を効率よく実施できるように各装置がレイアウトされている。
【０１０９】
以上のように、本実施形態に係る加熱装置１００、基板処理方法、基板処理システム２００、２００Ａ、２００Ｂによれば、基板Ｓに塗布された接着剤を加熱する際に、気体の流れが基板Ｓ上を一方向に横切ることを抑制できるため、基板Ｓ上に形成される接着層の膜厚にばらつきが生じることを抑制できる。その結果、基板Ｓと支持体Ｇとを高精度に貼り付けることができる。
【０１１０】
また、本発明は、上述した説明に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【０１１１】
Ａ・・・外気
Ｇ・・・支持体
Ｋ・・・隙間
Ｐ１・・・開放位置
Ｐ２・・・閉塞位置
Ｓ・・・基板
１７・・・加熱部
２００、２００Ａ、２００Ｂ・・・基板処理システム
１０・・・チャンバ
１１・・・第１室
１２・・・第２室
１３・・・仕切り部
１４・・・側壁
１４ａ・・・基板用開口部
１４ｂ・・・昇降用開口部
１６・・・天井部
１６ａ・・・吸引口
１７ｂ、２１ｄ・・・貫通孔
１７ｃ・・・固定ピン
１８・・・上部加熱部
１９・・・基板昇降部
１９ａ・・・ピン
１９ｃ・・・ピン駆動部
２０・・・シャッタ
２３・・・シャッタ駆動部
２３ａ・・・昇降駆動部
２３ｂ・・・水平駆動部
３０・・・吸引部
３１・・・上側加熱部
４０・・・カバー
５０・・・排出装置
１００・・・加熱装置
１１０・・・塗布装置
１２０・・・貼り付け装置
【図１】
2020155646.tif 000005
【図２】
2020155646.tif 000006
【図３】
2020155646.tif 000007
【図４】
2020155646.tif 000008
【図５】
2020155646.tif 000009
【図６】
2020155646.tif 000010
【図７】
2020155646.tif 000011
【図８】
2020155646.tif 000012
【図９】
2020155646.tif 000013
【図１０】
2020155646.tif 000014
【図１１】
2020155646.tif 000015
【図１２】
2020155646.tif 000016
【図１３】
2020155646.tif 000017
【図１４】
2020155646.tif 000018
【図１５】
2020155646.tif 000019