(57)【要約】【課題】量産時の発振周波数のバラツキが小さく、しかもＣＩ値が低いなど、電気的特性を向上し得る音叉素子を提供する。【解決手段】音叉素子１０は、基部１１と基部１１から同じ長手方向に延びた一対の腕部１１ａ，１１ｂとを有する水晶片１９と、一対の腕部１１ａ，１１ｂの先端側に設けられた一対の周波数調整部１７ａ，１７ｂと、を備えている。一対の周波数調整部１７ａ，１７ｂは互いに異なる質量を有する。【選択図】図１
2020043484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と前記基部から同じ長手方向に延びた一対の腕部とを有する水晶片と、
前記一対の腕部の先端側に設けられた一対の周波数調整部と、
を備えた音叉型水晶素子であって、
前記一対の周波数調整部は互いに異なる質量を有する、
ことを特徴とする音叉型水晶素子。
【請求項２】
前記一対の腕部間の質量差は、前記一対の周波数調整部を除去した場合の前記一対の腕部間の質量差よりも小さい、
請求項１記載の音叉型水晶素子。
【請求項３】
前記一対の腕部はその先端側に設けられた一対の錘部を有し、
前記一対の錘部に前記一対の周波数調整部が設けられ、
前記一対の周波数調整部は、それぞれ第一調整部及び第二調整部を有し、
前記第一調整部には前記水晶片の一部からなる削成面が付され、
前記第二調整部には金属膜からなる削成面が付された、
請求項１又は２記載の音叉型水晶素子。
【請求項４】
前記一対の周波数調整部において、前記第一調整部間の質量差が前記第二調整部間の質量差よりも小さい、
請求項３記載の音叉型水晶素子。
【請求項５】
前記水晶片は、直交座標系のＸ軸、Ｙ’軸及びＺ’軸からなる結晶軸において前記Ｚ’軸方向に厚みを有し、
前記長手方向は前記Ｙ’軸方向である、
請求項１乃至４のいずれか一つに記載の音叉型水晶素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一つに記載の音叉型水晶素子と、
前記音叉型水晶素子を実装した基板と、
前記基板上で前記音叉型水晶素子を囲む枠体と、
前記枠体を介して前記基板ととともに前記音叉型水晶素子を封止する蓋体とを備え、
前記枠体は前記基板側及び前記蓋体側の少なくとも一方に設けられた、
水晶デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば基準信号源やクロック信号源に用いられる音叉型水晶素子（以下「音叉素子」と略称する。）、及び、これを実装した水晶デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の音叉素子として、例えば特許文献１に開示されたものが知られている。この音叉素子の製造方法は、フォトリソグラフィ及びウェットエッチング（以下「フォトエッチ技術」という。）により、水晶ウェーハ内に複数個の音叉型水晶片を作成する工程と、水晶ウェーハ内に作られた複数個の音叉型水晶片の一対の腕部に設けられた粗調整用金属膜を除去して、音叉型水晶片の周波数粗調整を行なう工程と、音叉型水晶片をパッケージにマウント後、音叉型水晶片の一対の腕部に設けられた微調整用金属膜を除去して、音叉型水晶片の周波数微調整を行なう工程とを有する。周波数調整工程では、粗調整用金属膜及び微調整用金属膜を一対の腕部間で均等に除去していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３１８６８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の音叉素子では、一対の腕部間で質量が異なることがあった。例えば、フォトエッチ技術により水晶ウェーハ内に音叉型水晶片を作成する工程では、水晶のウェットエッチングが異方性エッチングになることにより、エッチング残渣の付き方に一対の腕部間で差異が生ずる。その結果、一対の腕部間で質量が微妙に異なってしまうのである。
【０００５】
一対の腕部間で質量差が生じると、一対の腕部間で共振周波数がずれることにより、量産時の発振周波数のバラツキが大きくなったり、振動洩れによってＣＩ（クリスタル・インピーダンス）値が増加したりする等、電気的特性が悪化することがあった。この傾向は、近年における音叉素子の小型化に伴い、ますます顕著になっている。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、量産時の発振周波数のバラツキが小さく、しかもＣＩ値が低いなど、電気的特性を向上し得る音叉素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る音叉素子は、
基部と前記基部から同じ長手方向に延びた一対の腕部とを有する水晶片と、
前記一対の腕部の先端側に設けられた一対の周波数調整部と、
を備えた音叉型水晶素子であって、
前記一対の周波数調整部は互いに異なる質量を有する、
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、一対の周波数調整部が互いに異なる質量を有することにより、一対の腕部間の質量差を縮小できるので、量産時の発振周波数のバラツキが小さく、しかもＣＩ値が低いなど、電気的特性を向上させた音叉素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態１の音叉素子を示す平面図である。
【図２】図２［Ａ］は図１におけるIIａ−IIａ線断面図、図２［Ｂ］は図１におけるIIｂ−IIｂ線断面図、図２［Ｃ］は図１の音叉素子を実装した水晶デバイスを示す概略断面図である。
【図３】図１の音叉素子におけるエッチング残渣の一例を示す概略平面図である。
【図４】図４［Ａ］は変形例１の音叉素子の一部を拡大して示す概略平面図、図４［Ｂ］は図４［Ａ］の音叉素子におけるエッチング残渣の一例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いることにより重複説明を省略する。また、図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。
【００１１】
以下、実施形態１について図１乃至図３に基づき説明する。まず、本実施形態１の特徴を次の（１）〜（６）に分けて説明する。
【００１２】
（１）音叉素子１０は、基部１１と基部１１から同じ長手方向に延びた一対の腕部１１ａ，１１ｂとを有する水晶片１９と、一対の腕部１１ａ，１１ｂの先端側に設けられた一対の周波数調整部１７ａ，１７ｂと、を備えている。一対の周波数調整部１７ａ，１７ｂは互いに異なる質量を有する。
【００１３】
すなわち、周波数調整部１７ａ，１７ｂの質量をそれぞれｍａ，ｍｂとすると、
ｍａ≠ｍｂ
となる。この構成によれば、周波数調整部１７ａ，１７ｂが互いに異なる質量を有することにより、腕部１１ａ，１１ｂ間の質量差を縮小できるので、量産時の発振周波数のバラツキが小さく、しかもＣＩ値が低いなど、電気的特性を向上できる。なお、質量は、実測してもよいが、例えば二次元若しくは三次元的な外観や膜厚のデータ、又は、レーザビームやイオンビームのショット数の痕跡等から推測することもできる。
【００１４】
（２）一対の腕部１１ａ，１１ｂ間の質量差は、一対の周波数調整部１７ａ，１７ｂを除去した場合の腕部１１ａ，１１ｂ間の質量差よりも小さい。
【００１５】
すなわち、腕部１１ａ，１１ｂの質量をそれぞれＭａ，Ｍｂとし、周波数調整部１７ａ，１７ｂを除去した場合の腕部１１ａ，１１ｂの質量をそれぞれＭａ’，Ｍｂ’とすると、
｜Ｍａ−Ｍｂ｜＜｜Ｍａ’−Ｍｂ’｜
ただし、Ｍａ＝Ｍａ’＋ｍａ、Ｍｂ＝Ｍｂ’＋ｍｂ
が成り立つ。この式は、腕部１１ａ，１１ｂ間の質量差が周波数調整後に縮小することを示している。なお、Ｍａ，Ｍｂは上式の関係を満たせばよいが、Ｍａ＝Ｍｂとなることがより好ましい。
【００１６】
（３）一対の腕部１１ａ，１１ｂは、その先端側に設けられた一対の錘部１６ａ，１６ｂを有している。そして、一対の錘部１６ａ，１６ｂに一対の周波数調整部１７ａ，１７ｂが設けられている。一対の周波数調整部１７ａ，１７ｂは、それぞれ第一調整部１７１ａ，１７１ｂ及び第二調整部１７２ａ，１７２ｂを有する。第一調整部１７１ａ，１７１ｂには水晶片１９の一部からなる削成面１８１ａ，１８１ｂが付され、第二調整部１７２ａ，１７２ｂには金属膜２３ａ，２３ｂからなる削成面１８２ａ，１８２ｂが付されている。
【００１７】
第一調整部１７１ａ，１７１ｂ及び第二調整部１７２ａ，１７２ｂによって、二段階の周波数調整が可能である。しかも、削成面１８１ａ，１８１ｂが水晶、削成面１８２ａ，１８２ｂが金属であることから、削成面１８２ａ，１８２ｂを形成する時に生じる金属くずが削成面１８１ａ，１８１ｂの水晶には付着しにくいので、発振周波数を誤って調整してしまうことを抑制できる。第二調整部１７２ａ，１７２ｂは、周波数調整部１７ａ，１７ｂの面積の５０％以上を占めることが好ましい。その理由は、金属膜２３ａ，２３ｂによって錘部１６ａ，１６ｂに一定の質量を付与するためである。
【００１８】
（４）一対の周波数調整部１７ａ，１７ｂにおいて、第一調整部１７１ａ，１７１ｂ間の質量差が第二調整部１７２ａ，１７２ｂ間の質量差より小さい。
【００１９】
すなわち、第一調整部１７１ａ，１７１ｂの質量をそれぞれｍ１ａ，ｍ１ｂとし、第二調整部１７２ａ，１７２ｂの質量をそれぞれｍ２ａ，ｍ２ｂとすると、
｜ｍ１ａ−ｍ１ｂ｜＜｜ｍ２ａ−ｍ２ｂ｜
ただし、ｍａ＝ｍａ１＋ｍａ２、ｍｂ＝ｍｂ１＋ｍｂ２
が成り立つ。この式は、第一調整部１７１ａ，１７１ｂの削成面１８１ａ，１８１ｂは一様に形成し、第二調整部１７２ａ，１７２ｂの削成面１８２ａ，１８２ｂはそれぞれ別々に形成することを示している。つまり、第一調整部１７１ａ，１７１ｂを粗調用とし第二調整部１７２ａ，１７２ｂを微調用とすることにより、効率的かつ正確な周波数調整を実現できる
【００２０】
（５）水晶片１９は、直交座標系のＸ軸、Ｙ’軸及びＺ’軸からなる結晶軸においてＺ’軸方向に厚みを有する。そして、一対の腕部１１ａ，１１の長手方向はＹ’軸方向である。
【００２１】
水晶のウェットエッチングは、異方性エッチングになる。そのため、水晶片１９をウェットエッチングによって形成する際に、結晶軸に応じて異なるエッチング残差が生ずる。このとき、結晶軸が定まっていれば、量産時において、エッチング残差の形状及び大きさを予測できることにより、腕部１１ａ，１１ｂ間の質量差も予測できる。よって、腕部１１ａ，１１ｂ間の質量差が縮小するように、周波数調整部１７ａ，１７ｂのそれぞれの切削量を予め設定できる。
【００２２】
（６）水晶デバイス３０は、音叉素子１０と、音叉素子１０を実装した基板３１と、基板３１上で音叉素子１０を囲む枠体３２と、枠体３２を介して基板３１ととともに音叉素子１０を封止する蓋体３３と、を備えている。枠体３２は基板３１側に設けられ、基板３１と枠体３２とが一体化されたパッケージ３４を構成している。
【００２３】
この構成によれば、音叉素子１０を実装しているので、製品間での発振周波数のバラツキが小さく、低消費電力であるなど、電気的特性に優れた水晶デバイス３０を得ることができる。なお、枠体３２は、蓋体３３側に設けてもよいし、基板３１側及び蓋体３３側の両方に設けてもよい。
【００２４】
次に、音叉素子１０について更に詳しく説明する。
【００２５】
音叉素子１０は、基部１１と腕部１１ａ，１１ｂとを備えている。腕部１１ａ，１１ｂは、基端側の励振部１２ａ，１２ｂと、先端側の錘部１６ａ，１６ｂとを有する。励振部１２ａ，１２ｂには溝部１５ａ，１５ｂが直線状に設けられ、溝部１５ａ，１５ｂの内外には励振電極２２ａ，２２ｂが設けられている。溝部１５ａ，１５ｂは、励振部１２ａ，１２ｂに基部１１側から錘部１６ａ，１６ｂ側まで互いに平行に設けられた二本からなる。錘部１６ａ，１６ｂには、周波数調整部１７ａ，１７ｂが設けられている。
【００２６】
音叉素子１０は、前述の構成要素以外にも、励振部１２ａ，１２ｂの間の基部１１から長手方向（Ｙ’軸方向）に突き出た突起部１３と、突起部１３の先端１３０から長手方向（Ｙ’軸方向）に形成されたスリット１４と、を備えている。そして、突起部１３は、基部１１側を底辺１３１ａとし先端１３０側を頂点１３１ｂとする三角状突起１３１と、三角状突起１３１の頂点１３１ｂ側から先端１３０までに設けられた四角状突起１３２と、を備える。
【００２７】
基部１１、励振部１２ａ，１２ｂ、突起部１３、スリット１４及び錘部１６ａ，１６ｂは、水晶のウェットエッチングによって形成された水晶片１９からなる。音叉素子１０は、水晶片１９の他に、パッド電極２１ａ，２１ｂ、励振電極２２ａ，２２ｂ、金属膜２３ａ，２３ｂ、配線パターン２４ａ，２４ｂなども備えている。
【００２８】
次に、音叉素子１０の各構成要素について更に詳しく説明する。
【００２９】
基部１１は、平面視略四角形の平板となっている。水晶片１９は、基部１１、励振部１２ａ，１２ｂ、突起部１３及び錘部１６ａ，１６ｂが一体となって音叉形状をなしており、水晶ウェーハからフォトエッチ技術によって製造される。なお、基部１１から外側に延びる支持部を設けてもよい。
【００３０】
溝部１５ａ，１５ｂは、励振部１２ａの表裏面に二本ずつ及び励振部１２ｂの表裏面に二本ずつ、基部１１との境界部分から励振部１２ａ，１２ｂの先端に向って、励振部１２ａ，１２ｂの長手方向と平行に所定の長さで設けられる。なお、溝部１５ａ，１５ｂは、本実施形態１では励振部１２ａの表裏面に二本ずつ及び励振部１２ｂの表裏面に二本ずつ設けられているが、それらの本数に制限はなく、例えば励振部１２ａの表裏面に一本ずつ及び励振部１２ｂの表裏面に一本ずつ設けてもよく、また、表裏のどちらか片面にのみ設けてもよい。溝部１５ａ，１５ｂ内には、ウェットエッチング時に貫通しないように、エッチング抑制パターンを設けてもよい。
【００３１】
励振部１２ａには、水晶を挟んで対向する平面同士が同極となるように、両側面に励振電極２２ａが設けられ、表裏面の溝部１５ａの内側に励振電極２２ｂが設けられる。同様に、励振部１２ｂには、水晶を挟んで対向する平面同士が同極となるように、両側面に励振電極２２ｂが設けられ、表裏面の溝部１５ｂの内側に励振電極２２ａが設けられる。したがって、励振部１２ａにおいては両側面に設けられた励振電極２２ａと溝部１５ａ内に設けられた励振電極２２ｂとが異極同士となり、励振部１２ｂにおいては両側面に設けられた励振電極２２ｂと溝部１５ｂ内に設けられた励振電極２２ａとが異極同士となる。
【００３２】
基部１１にはパッド電極２１ａ，２１ｂ及び配線パターン２４ａ，２４ｂが設けられ、錘部１６ａ，１６ｂには金属膜２３ａ，２３ｂが設けられる。配線パターン２４ａはパッド電極２１ａと励振電極２２ａとの間を電気的に接続し、配線パターン２４ｂはパッド電極２１ｂと励振電極２２ｂとの間を電気的に接続する。パッド電極２１ａ、励振電極２２ａ及び配線パターン２４ａは、互いに電気的に導通している。パッド電極２１ｂ、励振電極２２ｂ及び配線パターン２４ｂも、互いに電気的に導通している。
【００３３】
三角状突起１３１は平面視略二等辺三角形状であり、底辺１３１ａを挟む二つの辺１３１ｃ，１３１ｄは直線状になっている。四角状突起１３２は平面視略長方形状である。スリット１４は、励振電極２２ａと励振電極２２ｂとが短絡しないように、電極膜をリフトオフ法で形成する際に、その電極膜を切り離す役割を果たす。
【００３４】
図２［Ｃ］に示すように、音叉素子１０は、パッド電極２１ａ，２１ｂ（図１）及び導電性接着剤３６を介して、パッケージ３４側のパッド電極３５に片持ち梁状に固定されると同時に電気的に接続される。音叉素子１０が実装されたパッケージ３４は、蓋体３３によって封止され、水晶デバイス３０となる。その封止方法には、例えば金錫封止や電気溶接や溶融ガラスが用いられる。
【００３５】
水晶の結晶は三方晶系である。水晶の頂点を通る結晶軸をＺ軸、Ｚ軸に垂直な平面内の稜線を結ぶ三つの結晶軸をＸ軸、Ｘ軸及びＺ軸に直交する座標軸をＹ軸とする。ここで、これらのＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸からなる座標系をＸ軸を中心として例えば±５度の範囲で回転させたときの回転後のＹ軸及びＺ軸を、それぞれＹ’軸及びＺ’軸とする。この場合、本実施形態１では、二本の腕部１１ａ，１１ｂの長手方向がＹ’軸の方向であり、二本の腕部１１ａ，１１ｂの短手方向がＸ軸の方向である。また、法線が＋Ｘ軸方向を向く結晶面は＋Ｘ面であり、法線が−Ｘ軸方向を向く結晶面は−Ｘ面である。
【００３６】
次に、音叉素子１０の動作を説明する。
【００３７】
音叉素子１０を屈曲振動させる場合、パッド電極２１ａ，２１ｂに交番電圧を印加する。印加後のある電気的状態を瞬間的に捉えると、励振部１２ａの表裏の溝部１５ａに設けられた励振電極２２ｂはプラス電位となり、励振部１２ａの両側面に設けられた励振電極２２ａはマイナス電位となり、プラスからマイナスに電界が生じる。このとき、励振部１２ｂの表裏の溝部１５ｂに設けられた励振電極２２ａはマイナス電位となり、励振部１２ｂの両側面に設けられた励振電極２２ｂはプラス電位となり、励振部１２ａに生じた極性とは反対の極性となり、プラスからマイナスに電界が生じる。この交番電圧で生じた電界によって、励振部１２ａ，１２ｂに伸縮現象が生じ、所定の共振周波数の屈曲振動モードが得られる。
【００３８】
次に、音叉素子１０及び水晶デバイス３０の製造方法の一例について説明する。この製造方法の主な工程は次のとおりである。
【００３９】
第一工程：フォトエッチ技術によって水晶ウェーハ内に複数個の水晶片１９を作成する工程。フッ酸などを用いた水晶のウェットエッチングでは、異方性エッチングになることにより、例えば図３に示すようにエッチング残渣Ｅ１〜Ｅ４が水晶片１９に付着する。エッチング残渣Ｅ１〜Ｅ４は、主に＋Ｘ面に生じるが、水晶片１９の形状によっても複雑に変化する。その結果、腕部１１ａ，１１ｂ間には質量差が生ずることになる。腕部１１ａ，１１ｂ間の質量差は、量産時に予測可能である。なお、図１及び図２ではエッチング残渣の図示を省略している。
【００４０】
第二工程：成膜技術及びリフトオフ技術によって水晶片１９に励振電極２２ａ，２２ｂ、パッド電極２１ａ，２１ｂ及び配線パターン２４ａ，２４ｂを形成する工程。成膜技術としては、例えばスパッタリングや蒸着が挙げられる。リフトオフ技術では、レジストパターンを含む水晶片１９全面に金属膜を形成した後、レジストパターンとともにレジストパターン上の金属膜を除去する。
【００４１】
第三工程：成膜技術及びマスクによって水晶片１９に周波数調整用の金属膜２３ａ，２３ｂを形成する工程。水晶片１９をマスクで覆って成膜することにより、マスクの開口部から露出した水晶片１９の一部に金属膜２３ａ，２３ｂを形成する。このとき、金属膜２３ａ，２３ｂは、第一調整部１７１ａ，１７１ｂ及び第二調整部１７２ａ，１７２ｂに形成する。
【００４２】
第四工程：第一調整部１７１ａ，１７１ｂに削成面１８１ａ，１８１ｂを一様に形成する工程。少なくともいずれか一つの水晶片１９の発振周波数を測定し、その発振周波数が一定範囲内になるまで、水晶ウェーハ内の全ての第一調整部１７１ａ，１７１ｂに対し、例えばレーザビームによって一様に削成面１８１ａ，１８１ｂを形成する。このとき、削成面１８１ａ，１８１ｂは、金属膜を越えて水晶片１９にまで達する（図２［Ａ］）。これにより、腕部１１ａ，１１ｂの質量が減少し、発振周波数が上昇して目標周波数に近づくので、発振周波数の粗調整が行われる。ただし、第一調整部１７１ａ，１７１ｂ間で切削量は均等になるので、腕部１１ａ，１１ｂ間の質量差は変化しない。
【００４３】
第五工程：水晶ウェーハから個々の水晶片１９を分離して音叉素子１０としてパッケージ３４に実装する工程。音叉素子１０は、導電性接着剤３６を介してパッケージ３４に片持ち梁状に固定される（図２［Ｃ］）。
【００４４】
第六工程：第二調整部１７２ａ，１７２ｂに削成面１８２ａ，１８２ｂを別々に形成する工程。音叉素子１０の発振周波数を一つずつ測定し、その発振周波数が一定範囲内になるまで、第二調整部１７２ａ，１７２ｂに対し例えばイオンビームによって削成面１８２ａ，１８２ｂを形成する。このとき、削成面１８２ａ，１８２ｂは、金属膜２３ａ，２３ｂに留まる（図２［Ａ］）。これにより、腕部１１ａ，１１ｂの質量が更に減少し、発振周波数が更に上昇して一定範囲内に収まるので、発振周波数の微調整が行われる。ただし、第一工程で生ずる腕部１１ａ，１１ｂ間の質量差が縮小するように（より好ましくはその質量差が無くなるように）、第二調整部１７２ａ，１７２ｂ間で切削量に差をつける。例えば、腕部１１ａが腕部１１ｂよりも重くなる場合は、第二調整部１７２ａを第二調整部１７２ｂよりも多く切削する。第二調整部１７２ａを第二調整部１７２ｂよりも多く切削するには、第二調整部１７２ｂに比べて、例えば、ビームの照射時間を長くする、ビームのパワーを強くする、ビームのショット回数を増やす、などが挙げられる。したがって、第六工程では、腕部１１ａ，１１ｂ間の質量差を縮小しつつ、音叉素子１０の発振周波数を微調整することになるので、従来よりも目標周波数を得やすくなる。
【００４５】
第七工程：音叉素子１０が実装されたパッケージ３４を蓋体３３によって封止する工程。音叉素子１０を実装しているので、製品間での発振周波数のバラツキの少ない水晶デバイス３０が完成する（図２［Ｃ］）。
【００４６】
なお、上記の例では、第一調整部１７１ａ，１７１ｂに削成面１８１ａ，１８１ｂを一様に形成し、第二調整部１７２ａ，１７２ｂに削成面１８２ａ，１８２ｂを別々に形成しているが、これとは逆に、第二調整部１７２ａ，１７２ｂに削成面１８２ａ，１８２ｂを一様に形成し、第一調整部１７１ａ，１７１ｂに削成面１８１ａ，１８１ｂを別々に形成するようにしてもよい。
【００４７】
次に、実施形態１の変形例１について図４に基づき説明する。
【００４８】
本変形例１の音叉素子４０は、突起部１３の先端１３０から腕部１１ａまでの間及び突起部１３の先端１３０から腕部１１ｂまでの間のうち、エッチング残渣が大きく生じる方に、少なくとも一本の別のスリット４４が形成されている。
【００４９】
フッ酸などを用いた水晶のウェットエッチングでは、水晶に特有の異方性エッチングによって、エッチング残渣が水晶に付着する。実施形態１における四角状突起１３２（図１）には、図において左側面に＋Ｘ面、右側面に−Ｘ面がそれぞれ現れる。−Ｘ面に生じるエッチング残渣は、＋Ｘ面に生じるエッチング残渣よりも大きくなる。つまり、先端１３０から−Ｘ軸方向にあるエッチング残渣は、先端１３０から＋Ｘ軸方向にあるエッチング残渣よりも大きくなる（図３）。そのため、本変形例１では、先端１３０から腕部１１ｂまでの間に、別のスリット４４が形成されている。
【００５０】
先端１３０から腕部１１ｂまでの間にもう一本のスリット４４を形成することにより、突起部１３の先端１３０から見て−Ｘ軸方向にあるエッチング残渣の大きさを、＋Ｘ軸方向にあるエッチング残渣の大きさに近づけることができる。そのため、腕部１１ａ，１１ｂ間の質量差が縮小することにより、前述の第六工程において第二調整部１７２ａ，１７２ｂ間の切削量差も縮小できるので、第六工程を簡素化できる。これに加え、二本のスリット１４，４４を設けたことにより、二本のうちのどちらか一本で電極膜を分離できればよいので、電極膜の分離不良を低減できる。
【００５１】
次に、音叉素子４０の効果について、図３及び図４［Ｂ］に基づき更に詳しく説明する。
【００５２】
図３に示す音叉素子１０では、先端１３０から腕部１１ｂまでの間に別のスリットが形成されていない。そのため、先端１３０から−Ｘ軸方向にあるエッチング残渣Ｅ４は、先端１３０から＋Ｘ軸方向にあるエッチング残渣Ｅ２よりも大きくなる。すなわち、（エッチング残渣Ｅ４の面積）＞（エッチング残渣Ｅ２の面積）が成り立つ。
【００５３】
これに対し、図４［Ｂ］に示す音叉素子４０では、先端１３０から腕部１１ｂまでの間に別のスリット４４が形成されている。そのため、先端１３０から−Ｘ軸方向にあるエッチング残渣Ｅ４’の大きさは、先端１３０から＋Ｘ軸方向にあるエッチング残渣Ｅ２の大きさに近くなる。すなわち、（エッチング残渣Ｅ４’の面積）≒（エッチング残渣Ｅ２の面積）が成り立つ。
【００５４】
本変形例１のその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。
【００５５】
以上、上記実施形態及び変形例を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本発明には、上記実施形態及び変形例の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、基部及び腕部を備える音叉素子であれば、どのようなものにでも利用可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１０，４０  音叉素子
１１  基部
１１ａ，１１ｂ  腕部
１２ａ，１２ｂ  励振部
１３  突起部
１３０  先端
１３１  三角状突起
１３１ａ  底辺
１３１ｂ  頂点
１３１ｃ，１３１ｄ  辺
１３２  四角状突起
１４，４４  スリット
１５ａ，１５ｂ  溝部
１６ａ，１６ｂ  錘部
１７ａ，１７ｂ  周波数調整部
１７１ａ，１７１ｂ  第一調整部
１８１ａ，１８１ｂ  削成面
１７２ａ，１７２ｂ  第二調整部
１８２ａ，１８２ｂ  削成面
１９  水晶片
２１ａ，２１ｂ  パッド電極
２２ａ，２２ｂ  励振電極
２３ａ，２３ｂ  金属膜
２４ａ，２４ｂ  配線パターン
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ４’  エッチング残渣
３０  水晶デバイス
３１  基板
３２  枠体
３３  蓋体
３４  パッケージ
３５  パッド電極
３６  導電性接着剤
【図１】
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【図２】
2020043484.tif 000004
【図３】
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【図４】
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