(57)【要約】【課題】アイソレーション特性を向上させること。【解決手段】一端が共通端子に他端が第１端子に接続され、第１通過帯域を有する第１バンドパスフィルタと、一端が前記共通端子に他端が第２端子に接続され、前記第１通過帯域と重ならず前記第１通過帯域より高い第２通過帯域を有する第２バンドパスフィルタと、一端が前記第１端子に他端が前記第２端子に接続され、前記第１通過帯域内または前記第１通過帯域近傍に位置する第１減衰極と前記第２通過帯域内または前記第２通過帯域近傍に位置する第２減衰極とから形成される第１阻止帯域を有する第１バンドストップフィルタと、を備えるマルチプレクサ。【選択図】図１
2020043404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が共通端子に他端が第１端子に接続され、第１通過帯域を有する第１バンドパスフィルタと、
一端が前記共通端子に他端が第２端子に接続され、前記第１通過帯域と重ならず前記第１通過帯域より高い第２通過帯域を有する第２バンドパスフィルタと、
一端が前記第１端子に他端が前記第２端子に接続され、前記第１通過帯域内または前記第１通過帯域近傍に位置する第１減衰極と前記第２通過帯域内または前記第２通過帯域近傍に位置する第２減衰極とから形成される第１阻止帯域を有する第１バンドストップフィルタと、
を備えるマルチプレクサ。
【請求項２】
前記第１バンドストップフィルタは、前記第１端子と前記第２端子との間に接続された１または複数の直列共振器と、前記第１端子と前記第２端子との間に並列に接続された１または複数の並列共振器と、を備える請求項１に記載のマルチプレクサ。
【請求項３】
前記１または複数の直列共振器の反共振周波数は前記第１通過帯域内または前記第１通過帯域の近傍に位置し、
前記１または複数の並列共振器の共振周波数は前記第２通過帯域内または前記第２通過帯域の近傍に位置する請求項２に記載のマルチプレクサ。
【請求項４】
前記１または複数の直列共振器の反共振周波数の平均値は前記第１通過帯域内に位置し、前記１または複数の並列共振器の共振周波数の平均値は前記第２通過帯域内に位置する請求項３に記載のマルチプレクサ。
【請求項５】
前記１または複数の直列共振器は複数設けられ、前記複数の直列共振器の１つの反共振周波数は前記第１通過帯域より低く、前記複数の直列共振器の他の１つの反共振周波数は前記第１通過帯域より高く、
前記１または複数の並列共振器は複数設けられ、前記複数の並列共振器の１つの共振周波数は前記第２通過帯域より低く、前記複数の並列共振器の他の１つの共振周波数は前記第２通過帯域より高い請求項３に記載のマルチプレクサ。
【請求項６】
前記１または複数の直列共振器および前記１または複数の並列共振器は弾性波共振器である請求項３から５のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。
【請求項７】
前記第１バンドパスフィルタおよび前記第２バンドパスフィルタは弾性波共振器を含む請求項６に記載のマルチプレクサ。
【請求項８】
前記第１バンドパスフィルタおよび前記第２バンドパスフィルタは弾性波共振器がラダー状に接続されたラダー型フィルタである請求項６に記載のマルチプレクサ。
【請求項９】
前記第１端子から前記第２端子に前記第１バンドパスフィルタおよび前記第２バンドパスフィルタを通過する前記第２通過帯域内の信号と、前記第１端子から前記第２端子に前記第１バンドストップフィルタを通過する前記第２通過帯域内の信号と、の位相差の絶対値は前記第２通過帯域の少なくとも一部において９０°より大きく、
前記第２端子から前記第１端子に前記第２バンドパスフィルタおよび前記第１バンドパスフィルタを通過する前記第１通過帯域内の信号と、前記第２端子から前記第１端子に前記第１バンドストップフィルタを通過する前記第１通過帯域内の信号と、の位相差の絶対値は前記第１通過帯域の少なくとも一部において９０°より大きい請求項１から８のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。
【請求項１０】
一端が前記共通端子に他端が第３端子に接続され、前記第１通過帯域および前記第２通過帯域と重ならず前記第２通過帯域より高い第３通過帯域を有する第３バンドパスフィルタと、
一端が前記第２端子に他端が前記第３端子に接続され、前記第２通過帯域内または前記第２通過帯域近傍に位置する第３減衰極と前記第３通過帯域内または前記第３通過帯域近傍に位置する第４減衰極とから形成される第２阻止帯域を有する第２バンドストップフィルタと、
一端が前記第３端子に他端が前記第１端子に接続され、前記第３通過帯域内または前記第３通過帯域近傍に位置する第５減衰極と前記第１通過帯域内または前記第１通過帯域近傍に位置する第６減衰極とから形成される第３阻止帯域を有する第３バンドストップフィルタと、
を備える請求項１から９のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチプレクサに関し、例えば複数のフィルタを有するマルチプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のフィルタを有するマルチプレクサにおいて、複数の端子間のアイソレーション特性を向上させるため、付加回路を設けることが知られている（例えば特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１２０８４１号公報
【特許文献２】特開２０１５−２３４１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１および２のマルチプレクサでは、広帯域においてアイソレーション特性を向上させることが難しい。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、アイソレーション特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、一端が共通端子に他端が第１端子に接続され、第１通過帯域を有する第１バンドパスフィルタと、一端が前記共通端子に他端が第２端子に接続され、前記第１通過帯域と重ならず前記第１通過帯域より高い第２通過帯域を有する第２バンドパスフィルタと、一端が前記第１端子に他端が前記第２端子に接続され、前記第１通過帯域内または前記第１通過帯域近傍に位置する第１減衰極と前記第２通過帯域内または前記第２通過帯域近傍に位置する第２減衰極とから形成される第１阻止帯域を有する第１バンドストップフィルタと、を備えるマルチプレクサである。
【０００７】
上記構成において、前記第１バンドストップフィルタは、前記第１端子と前記第２端子との間に接続された１または複数の直列共振器と、前記第１端子と前記第２端子との間に並列に接続された１または複数の並列共振器と、を備える構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記１または複数の直列共振器の反共振周波数は前記第１通過帯域内または前記第１通過帯域の近傍に位置し、前記１または複数の並列共振器の共振周波数は前記第２通過帯域内または前記第２通過帯域の近傍に位置する構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記１または複数の直列共振器の反共振周波数の平均値は前記第１通過帯域内に位置し、前記１または複数の並列共振器の共振周波数の平均値は前記第２通過帯域内に位置する構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記１または複数の直列共振器は複数設けられ、前記複数の直列共振器の１つの反共振周波数は前記第１通過帯域より低く、前記複数の直列共振器の他の１つの反共振周波数は前記第１通過帯域より高く、前記１または複数の並列共振器は複数設けられ、前記複数の並列共振器の１つの共振周波数は前記第２通過帯域より低く、前記複数の並列共振器の他の１つの共振周波数は前記第２通過帯域より高い構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記１または複数の直列共振器および前記１または複数の並列共振器は弾性波共振器である構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記第１バンドパスフィルタおよび前記第２バンドパスフィルタは弾性波共振器を含む構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記第１バンドパスフィルタおよび前記第２バンドパスフィルタは弾性波共振器がラダー状に接続されたラダー型フィルタである構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記第１端子から前記第２端子に前記第１バンドパスフィルタおよび前記第２バンドパスフィルタを通過する前記第２通過帯域内の信号と、前記第１端子から前記第２端子に前記第１バンドストップフィルタを通過する前記第２通過帯域内の信号と、の位相差の絶対値は前記第２通過帯域の少なくとも一部において９０°より大きく、前記第２端子から前記第１端子に前記第２バンドパスフィルタおよび前記第１バンドパスフィルタを通過する前記第１通過帯域内の信号と、前記第２端子から前記第１端子に前記第１バンドストップフィルタを通過する前記第１通過帯域内の信号と、の位相差の絶対値は前記第１通過帯域の少なくとも一部において９０°より大きい構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、一端が前記共通端子に他端が第３端子に接続され、前記第１通過帯域および前記第２通過帯域と重ならず前記第２通過帯域より高い第３通過帯域を有する第３バンドパスフィルタと、一端が前記第２端子に他端が前記第３端子に接続され、前記第２通過帯域内または前記第２通過帯域近傍に位置する第３減衰極と前記第３通過帯域内または前記第３通過帯域近傍に位置する第４減衰極とから形成される第２阻止帯域を有する第２バンドストップフィルタと、一端が前記第３端子に他端が前記第１端子に接続され、前記第３通過帯域内または前記第３通過帯域近傍に位置する第５減衰極と前記第１通過帯域内または前記第１通過帯域近傍に位置する第６減衰極とから形成される第３阻止帯域を有する第３バンドストップフィルタと、を備える構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、アイソレーション特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、実施例１に係るマルチプレクサの回路図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１におけるＢＳＦの例を示す回路図である。
【図３】図３（ａ）は、ＢＰＦの通過特性を示す図、図３（ｂ）は、ＢＳＦの通過特性を示す図である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１における弾性波共振器の例を示す断面図である。
【図５】図５は、シミュレーション１におけるマルチプレクサの回路図である。
【図６】図６は、シミュレーション１におけるアイソレーション特性を示す図である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は、シミュレーション１における位相および位相差を示す図である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、シミュレーション１におけるアイソレーション特性および位相差を示す図である。
【図９】図９（ａ）および図９（ｂ）は、シミュレーション１におけるアイソレーション特性および位相差を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、シミュレーション１におけるアイソレーション特性および位相差を示す図である。
【図１１】図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、実施例１の変形例１および２に係るマルチプレクサの回路図である。
【図１２】図１２は、実施例２に係るマルチプレクサの回路図である。
【図１３】図１３は、シミュレーション２におけるマルチプレクサの回路図である。
【図１４】図１４（ａ）は、シミュレーション２におけるマルチプレクサＣのＢＰＦおよびＢＳＦの通過特性を示す図、図１４（ｂ）は、マルチプレクサＤのＢＰＦの通過特性を示す図である。
【図１５】図１５（ａ）から図１５（ｃ）は、シミュレーション２におけるＢＰＦの通過帯域付近のＢＳＦの通過特性を示す図、図１５（ｄ）から図１５（ｆ）は、ＢＳＦの位相を示す図である。
【図１６】図１６（ａ）は、シミュレーション２における端子Ｔ２からＴ１のマルチプレクサのアイソレーション特性を示す図、図１６（ｂ）は、端子Ｔ２からＴ１のＢＳＦ１２の通過特性を示す図、図１６（ｃ）は、マルチプレクサの位相を示す図、図１６（ｄ）は、ＢＳＦ１２の位相を示す図である。
【図１７】図１７（ａ）は、シミュレーション２における端子Ｔ３からＴ１のマルチプレクサのアイソレーション特性を示す図、図１７（ｂ）は、端子Ｔ３からＴ１のＢＳＦ３１の通過特性を示す図、図１７（ｃ）は、マルチプレクサの位相を示す図、図１７（ｄ）は、ＢＳＦ３１の位相を示す図である。
【図１８】図１８（ａ）は、シミュレーション２における端子Ｔ１からＴ２のマルチプレクサのアイソレーション特性を示す図、図１８（ｂ）は、端子Ｔ１からＴ２のＢＳＦ１２の通過特性を示す図、図１８（ｃ）は、マルチプレクサの位相を示す図、図１８（ｄ）は、ＢＳＦ１２の位相を示す図である。
【図１９】図１９（ａ）は、シミュレーション２における端子Ｔ３からＴ２のマルチプレクサのアイソレーション特性を示す図、図１９（ｂ）は、端子Ｔ３からＴ２のＢＳＦ２３の通過特性を示す図、図１９（ｃ）は、マルチプレクサの位相を示す図、図１９（ｄ）は、ＢＳＦ２３の位相を示す図である。
【図２０】図２０（ａ）は、シミュレーション２における端子Ｔ２からＴ３のマルチプレクサのアイソレーション特性を示す図、図２０（ｂ）は、端子Ｔ２からＴ３のＢＳＦ２３の通過特性を示す図、図２０（ｃ）は、マルチプレクサの位相を示す図、図２０（ｄ）は、ＢＳＦ２３の位相を示す図である。
【図２１】図２１（ａ）は、シミュレーション２における端子Ｔ１からＴ３のマルチプレクサのアイソレーション特性を示す図、図２１（ｂ）は、端子Ｔ１からＴ３のＢＳＦ３１の通過特性を示す図、図２０（ｃ）は、マルチプレクサの位相を示す図、図２０（ｄ）は、ＢＳＦ３１の位相を示す図である。
【図２２】図２２は、シミュレーション２における各端子間のアイソレーション特性をまとめた図である。
【図２３】図２３は、実施例２に係るマルチプレクサの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照し実施例について説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は、実施例１に係るマルチプレクサの回路図である。図１に示すように、共通端子Ａｎｔと端子Ｔ１との間にＢＰＦ（バンドパスフィルタ）１０が接続されている。共通端子Ａｎｔと端子Ｔ２との間にＢＰＦ２０が接続されている。端子Ｔ１とＴ２との間にＢＳＦ（バンドストップフィルタ）１２が接続されている。
【００２０】
ＢＰＦ１０は、共通端子Ａｎｔと端子Ｔ１との間を通過する高周波信号のうち通過帯域ＰＢ１の信号を通過させ、その他の周波数帯域の信号を抑圧する。ＢＰＦ２０は、共通端子Ａｎｔと端子Ｔ２との間を通過する高周波信号のうち通過帯域ＰＢ２の信号を通過させ、その他の周波数帯域の信号を抑圧する。通過帯域ＰＢ１とＰＢ２は重なっていないため、端子Ｔ１に入力した通過帯域ＰＢ１およびＰＢ２の信号は端子Ｔ２から出力しないことが好ましい。しかし、端子Ｔ１に入力した通過帯域ＰＢ２の信号の一部の信号Ａ１２が端子Ｔ２に漏れる。端子Ｔ２に入力した通過帯域ＰＢ１の信号の一部の信号Ａ２１が端子Ｔ２に漏れる。これにより、端子Ｔ１とＴ２との間のアイソレーション特性が劣化する。
【００２１】
そこで、ＢＳＦ１２は、端子Ｔ１に入力した通過帯域ＰＢ２の信号の一部の信号Ｂ１２を端子Ｔ２に通過させ信号Ａ１２と合成する。端子Ｔ２に入力した通過帯域ＰＢ１の信号の一部の信号Ｂ２１を端子Ｔ１に通過させ信号Ａ２１と合成する。ＢＳＦ１２は、通過帯域ＰＢ２における信号Ａ１２とＢ１２の振幅を略同じとしかつ略逆位相とする。これにより、信号Ａ１２とＢ１２がキャンセルし端子Ｔ１からＴ２のアイソレーション特性が向上する。ＢＳＦ１２は、通過帯域ＰＢ１における信号Ａ２１とＢ２１の振幅を略同じとしかつ略逆位相とする。これにより、信号Ａ２１とＢ２１がキャンセルし端子Ｔ１からＴ２のアイソレーション特性が向上する。なお、信号Ａ１２とＢ１２とが略逆位相および信号Ａ２１とＢ２１とが略逆位相とは、信号Ａ１２とＢ１２との位相差および信号Ａ２１とＢ２１との位相差が、−１８０°から１８０°の範囲でその絶対値が９０°より大きいことである。
【００２２】
図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１におけるＢＳＦの例を示す回路図である。図２（ａ）に示すように、端子ＴａとＴｂとの間に直列共振器Ｓが直列に接続され、並列共振器Ｐが並列に接続されている。図２（ｂ）に示すように、端子ＴａとＴｂとの間に直列共振器Ｓ１およびＳ２が直列に接続され、直列共振器Ｓ１とＳ２の間のノードとグランドとの間にインダクタＬが接続されている。図２（ｃ）に示すように、端子ＴａとＴｂとの間に直列共振器Ｓ１およびＳ２が直列に接続され、直列共振器Ｓ２に並列にインダクタＬが接続されている。図２（ａ）から図２（ｃ）のように、ＢＳＦは任意の回路構成とすることができる。
【００２３】
図３（ａ）は、ＢＰＦの通過特性を示す図、図３（ｂ）は、ＢＳＦの通過特性を示す図である。図３（ａ）に示すように、図２（ａ）の回路において、直列共振器Ｓの反共振周波数Ｆａｓを並列共振器Ｐの共振周波数Ｆｒｐより高くする。直列共振器Ｓの共振周波数Ｆｒｓと並列共振器Ｐの反共振周波数Ｆａｐを同程度とする。これにより、ＦｒｓとＦａｐより通過帯域が形成され、ＦｒｐおよびＦａｓが阻止帯域となる。よって、バンドパスフィルタが形成される。
【００２４】
図３（ｂ）に示すように、図２（ａ）の回路において、直列共振器Ｓの反共振周波数Ｆａｓを並列共振器Ｐの共振周波数Ｆｒｐより低くする。これにより、ＦａｓとＦｒｐより阻止帯域が形成され、ＦｒｓおよびＦａｐが通過帯域となる。よって、バンドストップフィルタが形成される。バンドストップフィルタはバンドエリミネーションフィルタとも呼ばれる。阻止帯域が狭い場合はノッチフィルタとも呼ばれる。
【００２５】
図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１における弾性波共振器の例を示す断面図である。図４（ａ）は、弾性波共振器が弾性表面波共振器の例である。基板５０上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４０と反射器４２が形成されている。ＩＤＴ４０は、互いに対向する１対の櫛型電極４０ａを有する。櫛型電極４０ａは、複数の電極指４０ｂと複数の電極指４０ｂを接続するバスバー４０ｃとを有する。反射器４２は、ＩＤＴ４０の両側に設けられている。ＩＤＴ４０が基板５０に弾性表面波を励振する。基板５０は例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板である。基板５０は、支持基板に圧電基板が接合された複合基板でもよい。支持基板は例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、水晶基板またはシリコン基板である。ＩＤＴ４０および反射器４２は例えばアルミニウム膜または銅膜により形成される。基板５０上にＩＤＴ４０および反射器４２を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。
【００２６】
図４（ｂ）は、実施例１における弾性波共振器が圧電薄膜共振器の例である。基板５０上に圧電膜４６が設けられている。圧電膜４６を挟むように下部電極４４および上部電極４８が設けられている。下部電極４４と基板５０との間に空隙４５が形成されている。圧電膜４６の少なくとも一部を挟み下部電極４４と上部電極４８とが対向する領域が共振領域である。共振領域内の下部電極４４および上部電極４８は圧電膜４６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。基板５０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である。下部電極４４および上部電極４８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜である。
【００２７】
［シミュレーション１］
実施例１のマルチプレクサの特性についてシミュレーションを行った。図５は、シミュレーション１におけるマルチプレクサの回路図である。ＢＰＦ１０では、共通端子Ａｎｔと端子Ｔ１との間に、直列に直列共振器Ｓ４１からＳ４３が接続され、並列に並列共振器Ｐ４１およびＰ４２が接続されている。ＢＰＦ２０では、共通端子Ａｎｔと端子Ｔ２との間に、直列に直列共振器Ｓ５１からＳ５３が接続され、並列に並列共振器Ｐ５１およびＰ５２が接続されている。ＢＳＦ１２では、端子Ｔ１とＴ２との間に、直列に直列共振器Ｓ１１およびＳ１２が接続され、直列共振器Ｓ１１とＳ１２との間のノードとグランドとの間に並列に並列共振器Ｐ１１およびＰ１２が接続されている。
【００２８】
実施例１に相当するＢＳＦ１２を設けたマルチプレクサＡ、比較例１に相当するＢＳＦ１２を設けないマルチプレクサＢ、およびＢＳＦ１２のみ、の３つについて、端子Ｔ１からＴ２のアイソレーション特性をシミュレーションした。マルチプレクサＢのアイソレーションの大きさは図１の信号Ａ１２およびＡ２１の振幅に相当する。ＢＳＦ１２のアイソレーションの大きさは図１の信号Ｂ１２およびＢ２１の振幅に相当する。
【００２９】
ＢＰＦ１０では通過帯域ＰＢ１が１５３５ＭＨｚから１５５５ＭＨｚとなるように各共振器の共振周波数を設定した。ＢＰＦ２０では通過帯域ＰＢ２が１６５１ＭＨｚから１６７１ＭＨｚとなるように各共振器の共振周波数を設定した。直列共振器Ｓ１１およびＳ１２の反共振周波数をそれぞれＦａｓ１およびＦａｓ２とし、並列共振器Ｐ１１およびＰ１２の共振周波数をそれぞれＦｒｐ１およびＦｒｐ２とした。
【００３０】
図６は、シミュレーション１におけるアイソレーション特性を示す図である。図６に示すように、直列共振器Ｓ１１の反共振周波数Ｆａｓ１はＢＰＦ１０の通過帯域ＰＢ１の近傍に位置しかつ通過帯域ＰＢ１より低い。直列共振器Ｓ１２の反共振周波数Ｆａｓ２はＢＰＦ１０の通過帯域ＰＢ１の近傍に位置しかつ通過帯域ＰＢ１より高い。並列共振器Ｐ１１の共振周波数Ｆｒｐ１はＢＰＦ２０の通過帯域ＰＢ２の近傍に位置しかつ通過帯域ＰＢ２より高い。並列共振器Ｐ１２の共振周波数Ｆｒｐ２はＢＰＦ２０の通過帯域ＰＢ２の近傍に位置しかつ通過帯域ＰＢ２より低い。Ｆａｓ１、Ｆａｓ２、Ｆｒｐ１およびＦｒｐ２により、ＢＳＦ１２は通過帯域ＰＢ１およびＰＢ２を含む阻止帯域ＳＢ１を有する。
【００３１】
通過帯域ＰＢ１およびＰＢ２において、マルチプレクサＢとＢＳＦ１２のアイソレーションの大きさの差（すなわち図１の信号Ａ１２とＢ１２との振幅の差および信号Ａ２１とＢ２１との振幅の差）は±１０ｄＢ程度の差である。通過帯域ＰＢ１はＢＰＦ２０の阻止帯域に位置し、通過帯域ＰＢ２はＢＰＦ１０の阻止帯域に位置する。よって、通過帯域ＰＢ１およびＰＢ２をＢＳＦ１２の阻止帯域ＳＢ１とすることで、マルチプレクサＢを通過する信号Ａ１２およびＡ２１の振幅と、ＢＳＦ１２を通過する信号Ｂ１２およびＢ２１の振幅と、を略同じにできる。
【００３２】
図７（ａ）および図７（ｂ）は、シミュレーション１における位相および位相差を示す図である。図７（ａ）は、ＢＳＦ１２がないマルチプレクサＢ、およびＢＳＦ１２の端子Ｔ１に対するＴ２との位相を示す。図７（ｂ）は、ＢＳＦ１２がないマルチプレクサＢとＢＳＦ１２の位相差を示す。
【００３３】
図７（ａ）に示すように、通過帯域ＰＢ１では、マルチプレクサＢの位相は１００°から０°であり、ＢＳＦ１２の位相は−８０°である。通過帯域ＰＢ２では、マルチプレクサＢの位相は５０°から−１００°であり、ＢＳＦ１２の位相は１５０°から８０°である。図７（ｂ）に示すように、通過帯域ＰＢ１におけるマルチプレクサＢとＢＳＦ１２の位相差は１８０°から９０°である。通過帯域ＰＢ２におけるマルチプレクサＢとＢＳＦ１２の位相差は−１１０°から−１８０°である。
【００３４】
以上のように、マルチプレクサＢを通過する信号Ａ１２およびＡ２１とＢＳＦ１２を通過する信号Ｂ１２およびＢ２１の振幅は略同じであり、位相差は略逆位相となる。これにより、図６のマルチプレクサＡのように、通過帯域ＰＢ１およびＰＢ２におけるアイソレーション特性がマルチプレクサＢより向上する。
【００３５】
直列共振器Ｓ１１およびＳ１２の反共振周波数Ｆａｓ１およびＦａｓ２の大小関係、並列共振器Ｐ１１およびＰ１２の共振周波数Ｆｒｐ１およびＦｒｐ２の大小関係が、アイソレーション特性に影響するかシミュレーションした。
【００３６】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、シミュレーション１におけるアイソレーション特性および位相差を示す図である。図８（ａ）に示すように、Ｆａｓ１＜Ｆａｓ２とし、Ｆｒｐ１＜Ｆｒｐ２とした。
【００３７】
図９（ａ）および図９（ｂ）は、シミュレーション１におけるアイソレーション特性および位相差を示す図である。図９（ａ）に示すように、Ｆａｓ２＜Ｆａｓ１とし、Ｆｒｐ１＜Ｆｒｐ２とした。
【００３８】
図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、シミュレーション１におけるアイソレーション特性および位相差を示す図である。図１０（ａ）に示すように、Ｆａｓ２＜Ｆａｓ１とし、Ｆｒｐ２＜Ｆｒｐ１とした。
【００３９】
図６から図１０（ｂ）のように、Ｆａｓ１とＦａｓ２の大きさを入れ替えても、Ｆｒｐ１とＦｒｐ２の大きさを入れ替えてもＢＳＦ１２を通過する信号の振幅はほとんど変わらない。また、マルチプレクサＢとＢＳＦ１２との位相差はほとんど変わらない。これにより、マルチプレクサＡのアイソレーション特性はほとんど変わらない。このように、直列共振器Ｓ１１およびＳ１２の接続の順番並びに並列共振器Ｐ１１およびＰ１２の接続の順番は任意に設定できる。
【００４０】
［実施例１の変形例１］
図１１（ａ）は，実施例１の変形例１に係るマルチプレクサの回路図である。図１１（ａ）に示すように、ＢＳＦ１２では、直列共振器Ｓ１１ａおよびＳ１１ｂの間に並列共振器Ｐ１１ａおよびＰ１１ｂが接続されている。直列共振器Ｓ１２ａおよびＳ１２ｂの間に並列共振器Ｐ１２ａおよびＰ１２ｂが接続されている。同様に、直列共振器Ｓ１ｎａおよびＳ１ｎｂの間に並列共振器Ｐ１ｎａおよびＰ１ｎｂが接続されている。Ｓ１１ａおよびＰ１１ａを１段とし、２ｎ段のラダー型フィルタである。
【００４１】
［実施例１の変形例２］
図１１（ｂ）は、実施例１の変形例２に係るマルチプレクサの回路図である。図１１（ｂ）に示すように、ＢＳＦ１２では、直列共振器Ｓ１１からＳ１ｎの間にそれぞれ並列共振器Ｐ１１からＰ１ｎ−１が接続されている。並列共振器Ｐ１１は実施例１の変形例１の並列共振器Ｐ１１ａとＰ１１ｂとを結合した共振器に対応する。直列共振器Ｓ１２は実施例１の変形例１の直列共振器Ｓ１１ｂとＳ１２ａとを結合した共振器に対応する。
【００４２】
実施例１の変形例１および２のように、直列共振器および並列共振器の個数および接続は任意に設定できる。
【実施例２】
【００４３】
図１２は、実施例２に係るマルチプレクサの回路図である。図１２に示すように、共通端子Ａｎｔと端子Ｔ３との間にＢＰＦ３０が接続されている。端子Ｔ２とＴ３との間にＢＳＦ２３が接続されている。端子Ｔ３とＴ１との間にＢＳＦ３１が接続されている。その他の構成は実施例１の図１と同じであり説明を省略する。
【００４４】
［シミュレーション２］
実施例２のマルチプレクサの特性についてシミュレーションを行った。図１３は、シミュレーション２におけるマルチプレクサの回路図である。ＢＰＦ１０では、共通端子Ａｎｔと端子Ｔ１との間に、直列共振器Ｓ４１からＳ４４が直列に接続され、並列共振器Ｐ４１からＰ４３が並列に接続されている。ＢＰＦ２０では、共通端子Ａｎｔと端子Ｔ２との間に、直列共振器Ｓ５１からＳ５４が直列に接続され、並列共振器Ｐ５１からＰ５４が並列に接続されている。ＢＰＦ３０では、共通端子Ａｎｔと端子Ｔ３との間に、直列共振器Ｓ６１からＳ６４が直列に接続され、並列共振器Ｐ６１からＰ６３が並列に接続されている。
【００４５】
ＢＳＦ１２では、端子Ｔ１とＴ２との間に、直列共振器Ｓ１１からＳ１３が直列に接続され、並列共振器Ｐ１１およびＰ１２が並列に接続されている。ＢＳＦ２３では、端子Ｔ２とＴ３との間に、直列共振器Ｓ２１からＳ２３が直列に接続され、並列共振器Ｐ２１およびＰ２２が並列に接続されている。ＢＳＦ３１では、端子Ｔ３とＴ１との間に、直列共振器Ｓ３１からＳ３３が直列に接続され、並列共振器Ｐ３１およびＰ３２が並列に接続されている。
【００４６】
共通端子Ａｎｔとグランドとの間にインダクタＬａが接続されている。端子Ｔ１、Ｔ２およびＴ３とグランドとの間にそれぞれインダクタＬ１、Ｌ２およびＬ３が接続されている。インダクタＬａ、Ｌ１からＬ３は移相回路である。
【００４７】
ＢＳＦ１２、２３および３１を設けた実施例２に相当するマルチプレクサＣと、ＢＳＦ１２、２３および３１を設けない比較例２に相当するマルチプレクサＤについてシミュレーションを行った。ＢＰＦ１０、２０および３０はそれぞれバンド３４（帯域：２０１０ＭＨｚ〜２０２５ＭＨｚ、ＴＤＤ（Time Division Duplex）方式）、バンド３９（帯域：１８８０ＭＨｚ〜１９２０ＭＨｚ、ＴＤＤ方式）およびバンド４１（帯域、２４９６ＭＨｚ〜２６９０ＭＨｚのうち２５４０ＭＨｚ〜２６６０ＭＨｚに対応、ＴＤＤ方式）用のフィルタとした。
【００４８】
ＢＳＦ１２の直列共振器Ｓ１１からＳ１３の反共振周波数Ｆａｓ１を１８９２ＭＨｚとし、並列共振器Ｐ１１およびＰ１２の共振周波数Ｆｒｐ１を２０２０ＭＨｚとした。ＢＳＦ２３の直列共振器Ｓ２１からＳ２３の反共振周波数Ｆａｓ２を１８９２ＭＨｚとし、並列共振器Ｐ２１およびＰ２２の共振周波数Ｆｒｐ２を２６４０ＭＨｚとした。ＢＳＦ３１の直列共振器Ｓ３１からＳ３３の反共振周波数Ｆａｓ３を２０２０ＭＨｚとし、並列共振器Ｐ３１およびＰ３２の共振周波数Ｆｒｐ３を２６３５ＭＨｚとした。ＢＳＦ１２、２３および３１の全ての直列共振器の静電容量を１ｐＦとし、ＢＳＦ１２、２３および３１の全ての並列共振器の静電容量を２．４８ｐＦとした。
【００４９】
マルチプレクサＣにおけるインダクタＬａ、Ｌ１、Ｌ２およびＬ３のインダクタンスをそれぞれ２．４ｎＨ、７．６ｎＨ、１０ｎＨおよび１．３ｎＨとした。マルチプレクサＤにおけるインダクタＬａ、Ｌ１、Ｌ２およびＬ３のインダクタンスをそれぞれ２．５ｎＨ、１８ｎＨ、１８ｎＨおよび３．０ｎＨとした。
【００５０】
図１４（ａ）は、シミュレーション２におけるマルチプレクサＣのＢＰＦおよびＢＳＦの通過特性を示す図、図１４（ｂ）は、マルチプレクサＤのＢＰＦの通過特性を示す図である。図１４（ａ）に示すように、ＢＰＦ１０の通過帯域ＰＢ１はバンド３４の帯域２０１０ＭＨｚ〜２０２５ＭＨｚを含み、ＢＰＦ２０の通過帯域ＰＢ２はバンド３９の帯域１８８０ＭＨｚ〜１９２０ＭＨｚを含み、ＢＰＦ３０の通過帯域ＰＢ３はバンド４１の帯域の一部２５４０ＭＨｚ〜２６６０ＭＨｚを含む。ＢＳＦ１２の阻止帯域は通過帯域ＰＢ１とＰＢ２を含む。ＢＳＦ２３の阻止帯域は通過帯域ＰＢ２およびＰＢ３を含む。ＢＳＦ３１の阻止帯域は通過帯域ＰＢ３およびＰＢ１を含む。図１４（ｂ）に示すように、マルチプレクサＣとＤではＢＰＦ１０、２０および３０の通過特性はほとんど変わらない。すなわち、ＢＳＦ１２、２３および３１を設けても、ＢＰＦ１０、２０および３０の通過特性はほとんど変わらない。
【００５１】
図１５（ａ）から図１５（ｃ）は、シミュレーション２におけるＢＰＦの通過帯域付近のＢＳＦの通過特性を示す図、図１５（ｄ）から図１５（ｆ）は、ＢＳＦの位相を示す図である。図１５（ａ）に示すように、通過帯域ＰＢ１内にＢＳＦ１２の並列共振器Ｐ１１およびＰ１２の共振周波数Ｆｒｐ１に由来するよる減衰極と、通過帯域ＰＢ１内にＢＳＦ３１の直列共振器Ｓ３１からＳ３３の反共振周波数Ｆａｓ３に由来する減衰極が位置する。ＢＳＦ２３の減衰極は通過帯域ＰＢ１内に位置しない。
【００５２】
図１５（ｂ）に示すように、通過帯域ＰＢ２内にＢＳＦ１２の直列共振器Ｓ１２からＳ１３の反共振周波数Ｆａｓ１に由来する減衰極と、ＢＳＦ２３の直列共振器Ｓ２１からＳ２３の反共振周波数Ｆａｓ２に由来する減衰極が位置する。ＢＳＦ３１の減衰極は通過帯域ＰＢ２内に位置しない。
【００５３】
図１５（ｃ）に示すように、通過帯域ＰＢ３内にＢＳＦ２３の並列共振器Ｐ２１およびＰ２２の共振周波数Ｆｒｐ２に由来する減衰極と、ＢＳＦ３１の並列共振器Ｐ３１およびＰ３２の共振周波数Ｆｒｐ３に由来する減衰極が位置する。ＢＳＦ１２の減衰極は通過帯域ＰＢ３内に位置しない。
【００５４】
図１５（ｄ）に示すように、ＢＳＦ１２および３１では、通過帯域ＰＢ１内で位相が大きく変化する。ＢＳＦ２３では通過帯域ＰＢ１内で位相はほとんど変化しない。図１５（ｅ）に示すように、ＢＳＦ１２および２３では、通過帯域ＰＢ２内で位相が大きく変化する。ＢＳＦ３１では通過帯域ＰＢ２内で位相はほとんど変化しない。図１５（ｆ）に示すように、ＢＳＦ２３および３１では、通過帯域ＰＢ３内で位相が大きく変化する。ＢＳＦ１２では通過帯域ＰＢ２内で位相はほとんど変化しない。
【００５５】
図１６（ａ）は、シミュレーション２における端子Ｔ２からＴ１のマルチプレクサのアイソレーション特性を示す図、図１６（ｂ）は、端子Ｔ２からＴ１のＢＳＦ１２の通過特性を示す図、図１６（ｃ）は、マルチプレクサの位相を示す図、図１６（ｄ）は、ＢＳＦ１２の位相を示す図である。
【００５６】
図１６（ａ）のマルチプレクサＤの通過帯域ＰＢ１内のアイソレーションと図１６（ｂ）のＢＳＦ１２の通過帯域ＰＢ１内の減衰量とがほぼ同じである。図１６（ｃ）のマルチプレクサＤの通過帯域ＰＢ１内の位相と図１６（ｄ）のＢＳＦ１２の通過帯域ＰＢ１内の位相とを比べると、ＰＢ１内に位相差の絶対値が９０°から１８０°となる周波数範囲が広い。これにより、端子Ｔ２からＴ１にマルチプレクサＤ（すなわちマルチプレクサＣのＢＰＦ２０および１０）を通過する通過帯域ＰＢ１内の信号と端子Ｔ２からＴ１にＢＳＦ１２を通過する通過帯域ＰＢ１内の信号とがキャンセルする。よって、図１６（ａ）に示すように、通過帯域ＰＢ１におけるマルチプレクサＣのアイソレーション特性はマルチプレクサＤより改善する。
【００５７】
図１７（ａ）は、シミュレーション２における端子Ｔ３からＴ１のマルチプレクサのアイソレーション特性を示す図、図１７（ｂ）は、端子Ｔ３からＴ１のＢＳＦ３１の通過特性を示す図、図１７（ｃ）は、マルチプレクサの位相を示す図、図１７（ｄ）は、ＢＳＦ３１の位相を示す図である。
【００５８】
図１７（ａ）から図１７（ｄ）のように、通過帯域ＰＢ１内のマルチプレクサＤのアイソレーションとＢＳＦ３１の減衰量とがほぼ同じである。通過帯域ＰＢ１内のマルチプレクサＤの位相とＢＳＦ３１の位相とを比べると、ＰＢ１内に位相差の絶対値が９０°から１８０°となる周波数範囲が広い。これにより、端子Ｔ３からＴ１にマルチプレクサＤ（すなわちマルチプレクサＣのＢＰＦ３０および１０）を通過する通過帯域ＰＢ１内の信号と端子Ｔ３からＴ１にＢＳＦ３１を通過する通過帯域ＰＢ１内の信号とがキャンセルする。よって、図１７（ａ）に示すように、通過帯域ＰＢ１におけるマルチプレクサＣのアイソレーション特性はマルチプレクサＤより改善する。
【００５９】
図１８（ａ）は、シミュレーション２における端子Ｔ１からＴ２のマルチプレクサのアイソレーション特性を示す図、図１８（ｂ）は、端子Ｔ１からＴ２のＢＳＦ１２の通過特性を示す図、図１８（ｃ）は、マルチプレクサの位相を示す図、図１８（ｄ）は、ＢＳＦ１２の位相を示す図である。
【００６０】
図１８（ａ）から図１８（ｄ）のように、通過帯域ＰＢ２内のマルチプレクサＤのアイソレーションとＢＳＦ１２の減衰量とがほぼ同じである。通過帯域ＰＢ２内のマルチプレクサＤの位相とＢＳＦ１２の位相とを比べると、ＰＢ２内に位相差の絶対値が９０°から１８０°となる周波数範囲が広い。これにより、端子Ｔ１からＴ２にマルチプレクサＤ（すなわちマルチプレクサＣのＢＰＦ１０および２０）を通過する通過帯域ＰＢ２内の信号と端子Ｔ１からＴ２にＢＳＦ１２を通過する通過帯域ＰＢ２内の信号とがキャンセルする。よって、図１８（ａ）に示すように、通過帯域ＰＢ２におけるマルチプレクサＣのアイソレーション特性はマルチプレクサＤより改善する。
【００６１】
図１９（ａ）は、シミュレーション２における端子Ｔ３からＴ２のマルチプレクサのアイソレーション特性を示す図、図１９（ｂ）は、端子Ｔ３からＴ２のＢＳＦ２３の通過特性を示す図、図１９（ｃ）は、マルチプレクサの位相を示す図、図１９（ｄ）は、ＢＳＦ２３の位相を示す図である。
【００６２】
図１９（ａ）から図１９（ｄ）のように、通過帯域ＰＢ２内のマルチプレクサＤのアイソレーションとＢＳＦ２３の減衰量とがほぼ同じである。通過帯域ＰＢ２内のマルチプレクサＤの位相とＢＳＦ２３の位相とを比べると、ＰＢ２内に位相差の絶対値が９０°から１８０°となる周波数範囲が広い。これにより、端子Ｔ３からＴ２にマルチプレクサＤ（すなわちマルチプレクサＣのＢＰＦ３０および２０）を通過する通過帯域ＰＢ２内の信号と端子Ｔ３からＴ２にＢＳＦ２３を通過する通過帯域ＰＢ２内の信号とがキャンセルする。よって、図１９（ａ）に示すように、通過帯域ＰＢ２におけるマルチプレクサＣのアイソレーション特性はマルチプレクサＤより改善する。
【００６３】
図２０（ａ）は、シミュレーション２における端子Ｔ２からＴ３のマルチプレクサのアイソレーション特性を示す図、図２０（ｂ）は、端子Ｔ２からＴ３のＢＳＦ２３の通過特性を示す図、図２０（ｃ）は、マルチプレクサの位相を示す図、図２０（ｄ）は、ＢＳＦ２３の位相を示す図である。
【００６４】
図２０（ａ）から図２０（ｄ）のように、通過帯域ＰＢ３内のマルチプレクサＤのアイソレーションとＢＳＦ２３の減衰量とがほぼ同じである。通過帯域ＰＢ３内のマルチプレクサＤの位相とＢＳＦ２３の位相とを比べると、ＰＢ３内に位相差の絶対値が９０°から１８０°となる周波数範囲が広い。これにより、端子Ｔ２からＴ３にマルチプレクサＤ（すなわちマルチプレクサＣのＢＰＦ２０および３０）を通過する通過帯域ＰＢ３内の信号と端子Ｔ２からＴ３にＢＳＦ２３を通過する通過帯域ＰＢ３内の信号とがキャンセルする。よって、図２０（ａ）に示すように、通過帯域ＰＢ３におけるマルチプレクサＣのアイソレーション特性はマルチプレクサＤより改善する。
【００６５】
図２１（ａ）は、シミュレーション２における端子Ｔ１からＴ３のマルチプレクサのアイソレーション特性を示す図、図２１（ｂ）は、端子Ｔ１からＴ３のＢＳＦ３１の通過特性を示す図、図２０（ｃ）は、マルチプレクサの位相を示す図、図２０（ｄ）は、ＢＳＦ３１の位相を示す図である。
【００６６】
図２１（ａ）から図２１（ｄ）のように、通過帯域ＰＢ３内のマルチプレクサＤのアイソレーションとＢＳＦ３１の減衰量とがほぼ同じである。通過帯域ＰＢ３内のマルチプレクサＤの位相とＢＳＦ３１の位相とを比べると、ＰＢ３内に位相差の絶対値が９０°から１８０°となる周波数範囲が広い。これにより、端子Ｔ１からＴ３にマルチプレクサＤ（すなわちマルチプレクサＣのＢＰＦ１０および３０）を通過する通過帯域ＰＢ３内の信号と端子Ｔ１からＴ３にＢＳＦ３１を通過する通過帯域ＰＢ３内の信号とがキャンセルする。よって、図２０（ａ）に示すように、通過帯域ＰＢ３におけるマルチプレクサＣのアイソレーション特性はマルチプレクサＤより改善する。
【００６７】
以上のように、ＢＳＦ１２、２３および３１を設けることで、通過帯域ＰＢ１からＰＢ３における各端子Ｔ１からＴ３間のアイソレーションを向上できる。
【００６８】
図２２は、シミュレーション２における各端子間のアイソレーション特性をまとめた図である。「端子」はアイソレーションを評価した端子を示す。「端子間」はアイソレーションを評価した端子間を示す。例えば「端子」が「Ｔ１」および「端子間」が「Ｔ２→Ｔ１」は、端子Ｔ２からＴ１への通過帯域ＰＢ１内のアイソレーション特性を示す。「ＢＳＦ１２」はＢＳＦ１２のみ設けたマルチプレクサのアイソレーション特性を示す。「ＢＳＦ１２  ＢＳＦ３１」はＢＳＦ１２および３１を設けＢＳＦ２３を設けないマルチプレクサのアイソレーション特性を示す。「ＢＳＦ１２  ＢＳＦ２３  ＢＳＦ３１」はＢＳＦ１２、２３および３１を設けたマルチプレクサのアイソレーション特性を示す。
【００６９】
アイソレーション特性の「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」および「Ｄ」はＢＳＦ１２、２３および３１をいずれも設けていないマルチプレクサＤに対するアイソレーション特性の改善を示す指標である。「Ｄ」はアイソレーション特性が改善していないことを示す。「Ｃ」はアイソレーション特性が若干改善していることを示す。「Ｂ」はアイソレーション特性が改善していることを示す。「Ａ」はアイソレーション特性が非常に改善していることを示す。
【００７０】
図２２のように、ＢＳＦ１２、２３および３１を少なくとも１つ設けることにより、いずれかの端子のアイソレーション特性が改善する。ハッチングした領域６０のように、ＢＳＦ１２、２３および３１を全て設けることにより、全ての端子間のアイソレーション特性が非常に改善する。
【００７１】
図２３は、実施例２に係るマルチプレクサの平面図である。図２３に示すように、基板５０上に弾性波共振器５２、配線５４およびバンプ５６が設けられている。弾性波共振器５２は、図４（ａ）の弾性表面波共振器または図４（ｂ）の圧電薄膜共振器である。配線５４はアルミニウム膜、金膜または銅膜等の金属膜であり、弾性波共振器５２間および弾性波共振器５２とバンプ５６とを電気的に接続する。バンプ５６は、金属バンプであり外部と電気的に接続する。バンプ５６は、共通端子Ａｎｔ、端子Ｔ１からＴ３およびグランド端子ＧＮＤである。
【００７２】
図２３のように、ＢＰＦ１０、２０、３０、ＢＳＦ１２、２３および３１を同一基板５０上に形成してもよい。ＢＰＦ１０、２０、３０、ＢＳＦ１２、２３および３１を異なる基板上に形成してもよい。
【００７３】
実施例１によれば、図１のように、ＢＰＦ１０（第１バンドパスフィルタ）は、一端が共通端子Ａｎｔに他端が端子Ｔ１（第１端子）に接続されている。ＢＰＦ２０（第２バンドパスフィルタ）は、一端が共通端子Ａｎｔに他端が端子Ｔ２（第２端子）に接続されている。ＢＳＦ１２（第１バンドストップフィルタ）は、一端が端子Ｔ１に他端が端子Ｔ２に接続されている。図６のように、ＢＰＦ１０は、通過帯域ＰＢ１（第１通過帯域）を有する。ＢＰＦ２０は、ＰＢ１と重ならずＰＢ１より高い通過帯域ＰＢ２（第２通過帯域）を有する。ＢＳＦ１２は、ＰＢ１内またはＰＢ１近傍に位置する第１減衰極（Ｆａｓ１およびＦａｓ２）とＰＢ２内またはＰＢ２近傍に位置する第２減衰極（Ｆｒｐ１およびＦｒｐ２）とから形成される阻止帯域ＳＢ１（第１阻止帯域）を有する。
【００７４】
図１および図６のように、端子Ｔ１からＢＰＦ１０および２０を通過して端子Ｔ２に至るＰＢ２の信号Ａ１２はＢＰＦ２０の阻止帯域を通過する。そこで、ＰＢ２にＢＳＦ１２の阻止帯域ＳＢ１を設ける。これにより、端子Ｔ１からＢＳＦ１２を通過して端子Ｔ２に至るＰＢ２の信号Ｂ１２の振幅をＡ１２の振幅と略同じにできる。同様に、端子Ｔ２からＢＰＦ２０および１０を通過して端子Ｔ１に至るＰＢ１の信号Ａ２１はＢＰＦ１０の阻止帯域を通過する。そこで、ＰＢ１にＢＳＦ１２の阻止帯域ＳＢ１を設ける。これにより、端子Ｔ２からＢＳＦ１２を通過して端子Ｔ１に至るＰＢ１の信号Ｂ１２の振幅をＡ２１の振幅と略同じにできる。よって、端子Ｔ１とＴ２との間のアイソレーション特性を向上できる。
【００７５】
減衰極が通過帯域の近傍に位置するとは、実施例１および２の効果を奏する程度に近傍に位置することであり、例えば、減衰極は通過帯域と中心が一致し幅が通過帯域の４倍の帯域（例えばＰＢ１が１５３５ＭＨｚ〜１５５５ＭＨｚのとき、１５０５ＭＨｚ〜１５８５ＭＨｚ）以内に位置する。減衰極は通過帯域の３倍の幅の帯域以内に位置することが好ましく、２倍の幅以内に位置することがより好ましく、１．５倍の幅以内に位置することがさらに好ましい。
【００７６】
図７（ｂ）のように、端子Ｔ１からＴ２にＢＰＦ１０および２０を通過するＰＢ２内の信号Ａ１２と、端子Ｔ１からＴ２にＢＳＦ１２を通過するＰＢ２内の信号Ｂ１２と、の位相差の絶対値はＰＢ２の少なくとも一部において９０°より大きい。端子Ｔ２からＴ１にＢＰＦ２０および１０を通過するＰＢ１内の信号Ａ２１と、端子Ｔ２からＴ１にＢＳＦ１２を通過するＰＢ１内の信号Ｂ２１と、の位相差の絶対値はＰＢ１の少なくとも一部において９０°より大きい。これにより、端子Ｔ１とＴ２との間のアイソレーション特性をより向上できる。信号Ａ１２とＢ１２の位相差の絶対値および信号Ａ２１とＢ２１の位相差の絶対値は１００°以上が好ましく、１２０°以上がより好ましい。信号Ａ１２とＢ１２の位相差はＰＢ２内のうち１／２以上の範囲で９０°より大きいことが好ましく、ＰＢ２内全ての範囲で９０°より大きいことが好ましい。信号Ａ２１とＢ２１の位相差はＰＢ１内のうち１／２以上の範囲で９０°より大きいことが好ましく、ＰＢ１内全ての範囲で９０°より大きいことが好ましい。
【００７７】
図５のように、ＢＳＦ１２は、端子Ｔ１とＴ２との間に接続された１または複数の直列共振器Ｓ１１およびＳ１２と、端子Ｔ１とＴ２との間に並列に接続された１または複数の並列共振器Ｐ１１およびＰ１２と、を備える。これにより、信号Ａ１２とＢ１２の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とし、信号Ａ２１とＢ２１の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とすることができる。ＢＳＦ１２、２３および／または３１には直列共振器および／または並列共振器は設けられていなくてもよい。ＢＳＦ１２、２３および／または３１は、インダクタおよび／またはキャパシタを有してもよい。
【００７８】
図６のように、１または複数の直列共振器Ｓ１１およびＳ１２の反共振周波数Ｆａｓ１およびＦａｓ２はＰＢ１内またはＰＢ１近傍に位置する。１または複数の並列共振器Ｐ１１およびＰ１２の共振周波数Ｆｒｐ１およびＦｒｐ２はＰＢ２内またはＰＢ２近傍に位置する。これにより、信号Ａ１２とＢ１２の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とし、信号Ａ２１とＢ２１の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とすることができる。
【００７９】
１または複数の直列共振器Ｓ１１およびＳ１２の反共振周波数Ｆａｓ１およびＦａｓ２の平均値はＰＢ１内に位置する。１または複数の並列共振器Ｐ１１およびＰ１２の共振周波数Ｆｒｐ１およびＦｒｐ２の平均値はＰＢ２内に位置する。これにより、信号Ａ１２とＢ１２の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とし、信号Ａ２１とＢ２１の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とすることができる。
【００８０】
ＢＳＦ１２において、複数の直列共振器の反共振周波数が同じであるとき、および直列共振器が１個のとき、直列共振器の反共振周波数はＰＢ１内に位置することが好ましい。複数の並列共振器の共振周波数が同じであるとき、および並列共振器が１個のとき、並列共振器の共振周波数はＰＢ２内に位置することが好ましい。
【００８１】
図６のように、直列共振器Ｓ１１およびＳ１２が複数設けられているとき、直列共振器Ｓ１１およびＳ１２の１つの反共振周波数はＰＢ１より低く、直列共振器Ｓ１１およびＳ１２の他の１つの反共振周波数はＰＢ１より高い。並列共振器Ｐ１１およびＰ１２が複数設けられているとき、並列共振器Ｐ１１およびＰ１２の１つの共振周波数はＰＢ２より低く、並列共振器Ｐ１１およびＰ１２の他の１つの共振周波数はＰＢ２より高い。これにより、信号Ａ１２とＢ１２の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とし、信号Ａ２１とＢ２１の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とすることができる。
【００８２】
直列共振器Ｓ１１、Ｓ１２、並列共振器Ｐ１１およびＰ１２は弾性波共振器である。これにより、信号Ａ１２とＢ１２の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とし、信号Ａ２１とＢ２１の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とすることができる。
【００８３】
ＢＰＦ１０、２０およびＢＳＦ１２は弾性波共振器を含む。これにより、ＢＰＦ１０、２０およびＢＳＦ１２の阻止帯域の減衰量を略同じにできる。よって、信号Ａ１２とＢ１２の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とし、信号Ａ２１とＢ２１の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とすることができる。図２（ｂ）および図２（ｃ）のように、ＢＳＦは弾性波共振器以外の素子を含んでもよい。
【００８４】
ＢＰＦ１０、２０およびＢＳＦ１２は、弾性波共振器がラダー状に接続されたラダー型フィルタである。これにより、ＢＰＦ１０、２０およびＢＳＦ１２の阻止帯域の減衰量を略同じにできる。よって、信号Ａ１２とＢ１２の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とし、信号Ａ２１とＢ２１の振幅を略同じかつ位相を略逆位相とすることができる。ＢＰＦ１０および２０は多重モード型フィルタでもよい。
【００８５】
実施例２によれば、図１２のように、ＢＰＦ３０（第３バンドパスフィルタ）は、一端が共通端子Ａｎｔに他端が端子Ｔ３（第３端子）に接続されている。ＢＳＦ２３（第２バンドストップフィルタ）は、一端が端子Ｔ２に他端が端子Ｔ３に接続されている。ＢＳＦ３１（第３バンドストップフィルタ）は、一端が端子Ｔ３に他端が端子Ｔ１に接続されている。図１４（ａ）のように、ＢＰＦ３０は、ＰＢ１およびＰＢ２と重ならずＰＢ１およびＰＢ２より高い通過帯域ＰＢ３（第３通過帯域）を有する。ＢＳＦ２３は、ＰＢ２内またＰＢ２近傍に位置する第３減衰極とＰＢ３内またはＰＢ３近傍に位置する第４減衰極とから形成される第２阻止帯域を有する。ＢＳＦ３１は、ＰＢ３内またはＰＢ３近傍に位置する第５減衰極とＰＢ１内またはＰＢ１近傍に位置する第６減衰極とから形成される第３阻止帯域を有する。これにより、図２２のように各端子Ｔ１からＴ３間のアイソレーションを向上できる。
【００８６】
実施例１および２では、ＢＰＦが２個または３個の例を説明したがＢＰＦは４個以上でもよい。ＢＳＦは少なくとも１個備えればよい。実施例２では、ＢＰＦ１０、２０および３０としてＴＤＤ方式のバンド用のフィルタを例に説明したが、ＢＰＦ１０、２０および３０は、ＦＤＤ（Frequency Division Duplex）方式の受信フィルタおよび／または送信フィルタでもよい。
【００８７】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００８８】
１０、２０、３０  ＢＰＦ
１２、２３、３１  ＢＳＦ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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