(57)【要約】【課題】エッジリングと静電チャックとの対向する側壁の隙間を管理する。【解決手段】基板の周囲に配置され、下部に第１の凹部を有するエッジリングと、前記基板を載置する第１載置面と前記エッジリングを載置する第２載置面とを有し、前記第２載置面に対向して電極が埋め込まれた静電チャックと、前記静電チャックの周囲に配置され、第２の凹部を有する環状部材と、前記第１の凹部と前記静電チャックと前記第２の凹部とで囲まれる空間に配置された、伸縮性のある部材と、を有する載置台が提供される。【選択図】図３
2020077653.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の周囲に配置され、下部に第１の凹部を有するエッジリングと、
前記基板を載置する第１載置面と前記エッジリングを載置する第２載置面とを有し、前記第２載置面に対向して電極が埋め込まれた静電チャックと、
前記静電チャックの周囲に配置され、第２の凹部を有する環状部材と、
前記第１の凹部と前記静電チャックと前記第２の凹部とで囲まれる空間に配置された、伸縮性のある部材と、
を有する載置台。
【請求項２】
基板の周囲に配置され、下部に第１の凹部が形成されたエッジリングと、
前記基板を載置する第１載置面と前記エッジリングを載置する第２載置面とを有し、前記第２載置面に対向して電極が埋め込まれ、前記第２載置面に第２の凹部を有する静電チャックと、
前記第１の凹部と前記第２の凹部とで囲まれる空間に配置された、伸縮性のある部材と、
を有する載置台。
【請求項３】
前記伸縮性のある部材は、シート状、フィルム状又はバネ状である、
請求項１又は２に記載の載置台。
【請求項４】
前記伸縮性のある部材は、周方向又は径方向に伸縮する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の載置台。
記載の載置台。
【請求項５】
前記伸縮性のある部材は、
樹脂により形成される、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項６】
前記伸縮性のある部材は、
周方向に１つ又は複数設けられる、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項７】
エッジリングの位置決め方法であって、
基板の周囲に配置され、下部に第１の凹部を有するエッジリングと、
前記基板を載置する第１載置面と前記エッジリングを載置する第２載置面とを有し、前記第２載置面に対向して電極が埋め込まれた静電チャックと、
前記静電チャックの周囲に配置され、第２の凹部を有する環状部材と、
前記第１の凹部と前記静電チャックと前記第２の凹部とで囲まれる空間に配置された、伸縮性のある部材と、を有し、
前記電極に電圧を印加する工程と、
前記エッジリングを第１の温度に設定する工程と、
前記エッジリングを前記第１の温度と異なる第２の温度に設定する工程と、
前記エッジリングが前記第２の温度に設定された後に前記電極への電圧の印加を停止する工程とを有する、
エッジリングの位置決め方法。
【請求項８】
エッジリングの位置決め方法であって、
基板の周囲に配置され、下部に第１の凹部が形成されたエッジリングと、
前記基板を載置する第１載置面と前記エッジリングを載置する第２載置面とを有し、前記第２載置面に対向して電極が埋め込まれ、前記第２載置面に第２の凹部が形成された静電チャックと、
前記第１の凹部と前記第２の凹部とで囲まれる空間に配置された、伸縮性のある部材と、を有し、
前記電極に電圧を印加する工程と、
前記エッジリングを第１の温度に設定する工程と、
前記エッジリングを前記第１の温度と異なる第２の温度に設定する工程と、
前記エッジリングが前記第２の温度に設定された後に前記電極への電圧の印加を停止する工程とを有する、
エッジリングの位置決め方法。
【請求項９】
基板の周囲に配置され、下部に第１の凹部を有するエッジリングと、
前記基板を載置する第１載置面と前記エッジリングを載置する第２載置面とを有し、前記第２載置面に対向して電極が埋め込まれた静電チャックと、
前記静電チャックの周囲に配置され、第２の凹部を有する環状部材と、
前記第１の凹部と前記静電チャックと前記第２の凹部とで囲まれる空間に配置された、伸縮性のある部材と、を有する載置台を備えた基板処理装置。
【請求項１０】
基板の周囲に配置され、下部に第１の凹部が形成されたエッジリングと、
前記基板を載置する第１載置面と前記エッジリングを載置する第２載置面とを有し、前記第２載置面に対向して電極が埋め込まれ、前記第２載置面に第２の凹部が形成された静電チャックと、
前記第１の凹部と前記第２の凹部とで囲まれる空間に配置された、伸縮性のある部材と、を有する載置台を備えた基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、載置台、エッジリングの位置決め方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１は、上面のウエハ載置部と、ウエハ載置部の外側に延在する環状の周辺部とを有する載置台を開示する。ウエハ載置部の上には処理対象のウエハが載置され、環状周辺部の上にはフォーカスリングが取り付けられる。エッジリングと静電チャックとの対向する側壁の間には所定の隙間が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２４４２７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、エッジリングと静電チャックとの対向する側壁の隙間を管理することが可能な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、基板の周囲に配置され、下部に第１の凹部を有するエッジリングと、前記基板を載置する第１載置面と前記エッジリングを載置する第２載置面とを有し、前記第２載置面に対向して電極が埋め込まれた静電チャックと、前記静電チャックの周囲に配置され、第２の凹部を有する環状部材と、前記第１の凹部と前記静電チャックと前記第２の凹部とで囲まれる空間に配置された、伸縮性のある部材と、を有する載置台が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、エッジリングと静電チャックとの対向する側壁の隙間を管理することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図。
【図２】温度変化による伸縮に基づくエッジリングの位置の偏りを説明するための図。
【図３】一実施形態に係るエッジリングの位置決めの一例を示す図。
【図４】一実施形態に係るエッジリングの位置決めの効果の一例を示す図。
【図５】一実施形態に係る伸縮性部材の一例を示す図。
【図６】一実施形態の変形例に係るエッジリングの位置決めの一例を示す図。
【図７】一実施形態及び変形例に係るエッジリングの位置決め処理の一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【０００９】
［基板処理装置の全体構成］
図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の一例を示す図である。本実施形態にかかる基板処理装置１は、容量結合型の平行平板処理装置であり、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる円筒状の処理容器１０を有している。処理容器１０は接地されている。
【００１０】
処理容器１０の底部には、セラミックス等からなる絶縁板１２を介して円柱状の支持台１４が配置され、この支持台１４の上に例えばアルミニウムからなる載置台１６が設けられている。載置台１６は、静電チャック２０と基台１６ａとエッジリング２４とバネ部材２５とインシュレータリング２６とを有する。静電チャック２０は、基板の一例であるウエハＷを載置する。静電チャック２０は、導電膜からなる第１の電極２０ａを絶縁層２０ｂで挟んだ構造を有し、第１の電極２０ａには直流電源２２が接続されている。静電チャック２０は、ヒータを有し、温度制御が可能であってもよい。
【００１１】
ウエハＷの周囲には、例えばシリコンからなる導電性のエッジリング２４が配置されている。エッジリング２４は、フォーカスリングとも呼ぶ。静電チャック２０、基台１６ａ及び支持台１４の周囲には、例えば石英からなる環状のインシュレータリング２６が設けられている。インシュレータリング２６には、段差部２６ａが形成されている。インシュレータリング２６は、静電チャック２０の周囲に配置され、第２の凹部を有する環状部材に相当する。段差部２６ａは第２の凹部の一例である。
【００１２】
静電チャック２０のエッジリング２４と対向する位置には、第２の電極２１が埋め込まれている。第２の電極２１には、直流電源２３が接続されている。直流電源２２および直流電源２３は、それぞれ個別に直流電圧を印加する。静電チャック２０の中央部は、直流電源２２から第１の電極２０ａに印加された電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、静電力により静電チャック２０にウエハＷを吸着保持する。また、静電チャック２０の周辺部は、直流電源２３から第２の電極２１に印加された電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、静電力により静電チャック２０にエッジリング２４を吸着保持する。
【００１３】
エッジリング２４の下部に設けられた凹部２４ａと、インシュレータリング２６の内周側の上部角部に設けられた凹部（段差部２６ａ）と、静電チャック２０の側壁とに囲まれる空間には、伸縮性部材の一例であるバネ部材２５が配置されている。バネ部材２５は、円周方向に対して等間隔に複数設けられてもよいし、環状に１つ設けられてもよい。バネ部材２５は、エッジリング２４の位置決めを行う機能を有する。エッジリング２４の位置決めについては後述される。
【００１４】
支持台１４の内部には、例えば円周上に冷媒室２８が設けられている。冷媒室２８には、外部に設けられたチラーユニットより配管３０ａ，３０ｂを介して所定温度の冷媒、例えば冷却水が循環供給され、冷媒の温度によって載置台１６上のウエハＷの温度が制御される。さらに、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスがガス供給ライン３２を介して静電チャック２０の上面とウエハＷの裏面との間に供給される。
【００１５】
載置台１６の上方には、載置台１６と対向して上部電極３４が設けられている。上部電極３４と載置台１６の間はプラズマ処理空間となる。
【００１６】
上部電極３４は、絶縁性の遮蔽部材４２を介して処理容器１０の天井部の開口を閉塞するように設けられる。上部電極３４は、載置台１６との対向面を構成し、かつ多数のガス吐出孔３７を有する電極板３６と、この電極板３６を着脱自在に支持し、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる電極支持体３８とを有する。電極板３６は、シリコンやＳｉＣ等のシリコン含有物で構成されることが好ましい。電極支持体３８の内部には、ガス拡散室４０ａ、４０ｂが設けられ、このガス拡散室４０ａ、４０ｂからはガス吐出孔３７に連通する多数のガス通流孔４１ａ、４１ｂが下方に延びている。
【００１７】
電極支持体３８には、ガス拡散室４０ａ、４０ｂへガスを導くガス導入口６２が形成されており、このガス導入口６２にはガス供給管６４が接続され、ガス供給管６４には処理ガス供給源６６が接続されている。ガス供給管６４には、処理ガス供給源６６が配置された上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）６８および開閉バルブ７０が設けられている。そして、処理ガス供給源６６から、処理ガスがガス供給管６４を介してガス拡散室４０ａ、４０ｂ、ガス通流孔４１ａ、４１ｂを通り、ガス吐出孔３７からシャワー状に吐出される。
【００１８】
上部電極３４には、可変直流電源５０が接続され、可変直流電源５０からの直流電圧が上部電極３４に印加される。上部電極３４には、給電棒８９及び整合器８８を介して第１の高周波電源９０が接続されている。第１の高周波電源９０は、ＨＦ（High Frequency）電力を上部電極３４に印加する。整合器８８は、第１の高周波電源９０の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとを整合させる。これにより、プラズマ処理空間においてガスからプラズマが生成される。なお、第１の高周波電源９０から供給されるＨＦ電力を、載置台１６に印加してもよい。
【００１９】
ＨＦ電力を上部電極３４に印加する場合、ＨＦの周波数は、３０ＭＨｚ〜７０ＭＨｚの範囲であればよく、例えば４０ＭＨｚであってもよい。ＨＦ電力を載置台１６に印加する場合、ＨＦの周波数は、３０ＭＨｚ〜７０ＭＨｚの範囲であればよく、例えば６０ＭＨｚであってもよい。
【００２０】
載置台１６には、給電棒４７及び整合器４６を介して第２の高周波電源４８が接続されている。第２の高周波電源４８は、ＬＦ（Low Frequency）電力を載置台１６に印加する。整合器４６は、第２の高周波電源４８の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとを整合させる。これにより、載置台１６上のウエハＷにイオンが引き込まれる。第２の高周波電源４８は、２００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数の高周波電力を出力する。整合器４６は第２の高周波電源４８の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとを整合させる。載置台１６には、所定の高周波をグランドに通すためのフィルタが接続されてもよい。
【００２１】
ＬＦの周波数はＨＦの周波数よりも低く、ＬＦの周波数は、２００ｋＨｚ〜４０ＭＨｚの範囲であればよく、例えば１２．８８ＭＨｚであってもよい。ＬＦ及びＨＦの電圧又は電流は、連続波であってもよく、パルス波であってもよい。このように、ガスを供給するシャワーヘッドは、上部電極３４として機能し、載置台１６は下部電極として機能する。
【００２２】
処理容器１０の底部には排気口８０が設けられ、この排気口８０に排気管８２を介して排気装置８４が接続されている。排気装置８４は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、処理容器１０内を所望の真空度まで減圧する。また、処理容器１０の側壁にはウエハＷの搬入出口８５が設けられており、この搬入出口８５はゲートバルブ８６により開閉可能である。
【００２３】
環状のインシュレータリング２６と処理容器１０の側壁との間には、環状のバッフル板８３が設けられている。バッフル板８３には、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆したものを用いることができる。
【００２４】
かかる構成の基板処理装置１においてエッチング処理等の所定の処理を行う際には、まず、ゲートバルブ８６を開状態とし、搬入出口８５を介してウエハＷを処理容器１０内に搬入し、載置台１６の上に載置する。そして、処理ガス供給源６６からエッチング等の所定の処理のためのガスを所定の流量でガス拡散室４０ａ、４０ｂへ供給し、ガス通流孔４１ａ、４１ｂおよびガス吐出孔３７を介して処理容器１０内へ供給する。また、排気装置８４により処理容器１０内を排気する。これにより、内部の圧力は例えば０．１〜１５０Ｐａの範囲内の設定値に制御される。
【００２５】
このように処理容器１０内に所定のガスを導入した状態で、第１の高周波電源９０からＨＦ電力を上部電極３４に印加する。また、第２の高周波電源４８からＬＦ電力を載置台１６に印加する。また、直流電源２２から直流電圧を第１の電極２０ａに印加し、ウエハＷを載置台１６に保持する。また、直流電源２３から直流電圧を第２の電極２１に印加し、エッジリング２４を載置台１６に保持する。可変直流電源５０から直流電圧を上部電極３４に印加してもよい。
【００２６】
上部電極３４のガス吐出孔３７から吐出されたガスは、主にＨＦの高周波電力により解離及び電離しプラズマとなり、プラズマ中のラジカルやイオンによってウエハＷの被処理面にエッチング等の処理が施される。また、載置台１６にＬＦの高周波電力を印加することで、プラズマ中のイオンを制御し、エッチング等の処理が促進される。
【００２７】
基板処理装置１には、装置全体の動作を制御する制御部２００が設けられている。制御部２００に設けられたＣＰＵは、ＲＯＭ及びＲＡＭ等のメモリに格納されたレシピに従って、エッチング等の所望のプラズマ処理を実行する。レシピには、プロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、圧力（ガスの排気）、ＨＦ及びＬＦの高周波電力や電圧、各種ガス流量が設定されてもよい。また、レシピには、処理容器内温度（上部電極温度、処理容器の側壁温度、ウエハＷ温度、静電チャック温度等）、チラーから出力される冷媒の温度などが設定されてもよい。なお、これらのプログラムや処理条件を示すレシピは、ハードディスクや半導体メモリに記憶されてもよい。また、レシピは、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で所定位置にセットされ、読み出されるようにしてもよい。
【００２８】
［エッジリングの位置の偏り］
次に、温度変化による伸縮に基づくエッジリング２４の位置の偏りについて、図２を参照して説明する。図２（ａ）〜（ｄ）の上段は、ウエハＷを載置する静電チャック２０の載置面１２０とエッジリング２４とを平面視した図である。図２（ａ）〜（ｄ）の下段は、図２（ａ）〜（ｄ）の上段のＡ−Ａ面で示した、静電チャック２０とエッジリング２４との断面の一部を拡大した図である。
【００２９】
静電チャック２０は、ウエハＷを載置する載置面１２０と段差を有し、エッジリング２４を載置する載置面１２１を有する。載置面１２０は、基板を載置する第１載置面に相当し、載置面１２１は、エッジリング２４を載置する第２載置面に相当する。
【００３０】
図２（ａ）〜（ｄ）の上段は、静電チャック２０とエッジリング２４との位置関係を、載置面１２０とエッジリング２４との位置で示す。図２（ａ）は載置面１２０とエッジリング２４との位置の初期状態を示す。エッジリング２４は、静電チャック２０の中心軸Ｏと略同心円状に位置決めされている。以下、エッジリング２４が、静電チャック２０の中心軸Ｏと略同心円状に位置決めされることを「調芯」ともいう。このとき、静電チャック２０とエッジリング２４との隙間Ｓは等しく管理されている。
【００３１】
図２（ｂ）はウエハのプラズマ処理中にプラズマからの入熱によりエッジリング２４の温度が上昇して第１の温度に設定されたときの状態の一例である。ここでは、静電チャック２０よりも線膨張係数の大きいエッジリング２４が外周側に膨張して隙間Ｓが大きくなっている。なお、静電チャック２０も、エッジリング２４と同様に膨張するが、エッジリング２４の膨張よりも小さい。
【００３２】
図２（ｃ）はプラズマ処理後、プラズマの消失によりエッジリング２４が第１の温度よりも低い第２の温度に設定されたときの状態の一例である。ここでは、静電チャック２０よりも線膨張係数の大きいエッジリング２４が内周側に収縮して隙間Ｓに偏りが生じた状態の一例を示す。図２（ａ）〜（ｃ）に示すプラズマ処理の前後において、エッジリング２４は、直流電圧（ＨＶ）を印加したまま静電チャック２０に吸着した状態で伸縮し、静電チャック２０と略同心円状の位置（図２（ａ））からずれる。これにより、エッジリング２４は、調芯されていない位置（図２（ｃ））に移動している。図２（ｃ）の例では、隙間Ｓは左側で大きく、右側で小さくなっている。ただし、図２（ｃ）に示すずれは一例であり、これに限られない。
【００３３】
図２（ｃ）の状態のままで次のプラズマ処理が始まると、図２（ｄ）に示すように、エッジリング２４は、調芯されていない状態で膨張し、隙間Ｓはさらに左側で大きくなる。このようにウエハ毎にプラズマ処理が実行される度に静電チャック２０とエッジリング２４との隙間Ｓが管理できずに、特に静電チャック２０とエッジリング２４との隙間Ｓが狭い箇所にてマイクロアーキングと呼ばれる異常放電が発生する。この異常放電により静電チャック２０とエッジリング２４の間からパーティクルが生じ、ウエハＷの上に飛来して、ウエハＷの処理に影響を与え、歩留まりを低下させる要因となる。
【００３４】
図２（ａ）〜（ｄ）に示す処理の間、第１の電極２０ａ及び第２の電極２１には直流電圧（ＨＶ）が印加され、ウエハＷを載置面１２０に静電吸着するとともにエッジリング２４を載置面１２１に静電吸着している。しかしながら、これによっても、図２（ａ）〜（ｄ）の工程を繰り返すことでエッジリング２４が静電チャック２０（中心軸Ｏ）と略同心円状の位置からずれてしまう。
【００３５】
これに対して、本実施形態では、エッジリング２４の調芯動作を可能とし、エッジリング２４が静電チャック２０と略同心円状の位置からずれることを防止する。これにより、静電チャック２０とエッジリング２４との隙間Ｓを管理し、異常放電が生じること防止することでパーティクルの発生を回避することができる。
【００３６】
［エッジリングの調芯動作］
以下、本実施形態に係るエッジリング２４の調芯動作について、図３を参照して説明する。図３（ａ）〜（ｄ）の上段は、載置面１２０とエッジリング２４とを平面視した図である。図３（ａ）〜（ｄ）の下段は、図３（ａ）〜（ｄ）の上段に対応する静電チャック２０とエッジリング２４との断面の一部を拡大した図である。
【００３７】
図３（ａ）は載置面１２０とエッジリング２４との位置の初期状態を示す。エッジリング２４は、静電チャック２０の中心軸Ｏと略同心円状に位置決めされている。エッジリング２４の下部の凹部２４ａと、インシュレータリング２６の内周側の段差部２６ａと、静電チャック２０の側壁１２２とに囲まれる空間Ｕにはバネ部材２５が配置されている。バネ部材２５は、断面がＶ字状であり径方向に伸縮可能である。エッジリング２４の下部の凹部２４ａは第１の凹部の一例である。インシュレータリング２６の段差部２６ａは第２の凹部の一例である。
【００３８】
図３（ｂ）はプラズマ処理中にプラズマからの入熱によりエッジリング２４の温度が上昇して第１の温度に設定された状態の一例である。静電チャック２０よりも線膨張係数の大きいエッジリング２４は外周側に膨張し、隙間Ｓが大きくなっている。これにより、バネ部材２５は、空間Ｕにてエッジリング２４の膨張とともに外周側に押されるが、インシュレータリング２６の段差部２６ａにて抑えられて、縮んだ状態でそれ以上のエッジリング２４の外周側への移動を停止させる。
【００３９】
図３（ｃ）はプラズマ処理後、プラズマの消失によりエッジリング２４が第１の温度よりも低い第２の温度に設定されたときに、エッジリング２４が収縮した状態の一例を示す。エッジリング２４は、プラズマ処理後も直流電圧（ＨＶ）を印加しているため、静電チャック２０に静電吸着した状態で収縮する。バネ部材２５は、空間Ｕにてエッジリング２４の収縮とともに内周側に押されるが、静電チャック２０の側壁１２２にて抑えられて、縮んだ状態でそれ以上のエッジリング２４の内周側への移動を停止させる。
【００４０】
この状態では、エッジリング２４は、静電チャック２０と略同心円状の位置（図３（ａ））からずれるが、図３（ｃ）にてエッジリング２４が第２の温度に設定された後に、図３（ｄ）の下段に示すように、第２の電極２１への直流電圧（ＨＶ）の印加を停止する。このうち「エッジリング２４が第２の温度に設定された」とは、エッジリング２４を能動的に第２の温度に設定した場合と、プラズマが消失した結果、エッジリング２４が受動的に第２の温度に設定された場合とが含まれる。これにより、エッジリング２４は、静電チャック２０への静電吸着力から解放され、自由に動ける状態となる。これにより、バネ部材２５が図３（ｄ）に示すように径方向に広がることで、エッジリング２４が調芯され、エッジリング２４を静電チャック２０と略同心円状の位置に再配置される。
【００４１】
以上のようにして、エッジリング２４の調芯動作を実現することで、エッジリング２４と静電チャック２０との隙間Ｓを等間隔に管理することができる。これにより、異常放電が生じること防止でき、隙間Ｓからのパーティクルの発生を回避することができる。
【００４２】
なお、図３（ｄ）の「直流電圧をオフ」することでバネ部材２５の伸縮性によりエッジリング２４を調芯した後、直流電圧が再び印加され、次のウエハＷに対して図３（ｂ）に示すプラズマ処理が行われ、ウエハＷ毎に調芯動作が繰り返し行われる。
【００４３】
［実験結果］
図４を参照して、本実施形態に係るエッジリング２４の調芯動作の結果を、比較例と比較して説明する。図４の比較例は、図２にて説明したエッジリング２４と静電チャック２０との隙間Ｓの実験結果の一例を示す。図４の本実施形態は、図３にて説明したエッジリング２４と静電チャック２０との隙間Ｓの実験結果の一例を示す。両グラフの横軸は、「Measurement point」に示すエッジリング２４と静電チャック２０との隙間Ｓを、真上の方向を０°（３６０°）として、右横方向（９０°）、下方向（１８０°）、左横方向（２７０°）に対して４５°の間隔で測定する。そして、その測定値を、縦軸のクリアランスに示す。縦軸には各角度における隙間Ｓの測定値が任意単位（arbitrary unit）で示されている。
【００４４】
実験の結果、比較例では、Ｃ線にて示す初期状態の隙間Ｓは各角度で一定であるのに対して、Ｄ線にて示す５０時間のプラズマ処理を実行した後の隙間Ｓは一定に管理されておらずエッジリング２４が静電チャック２０（中心軸Ｏ）に対して左右方向にずれている。
【００４５】
これに対して、本実施形態では、Ｅ線にて示す初期状態の隙間Ｓは各角度で概ね一定であるのに対して、Ｆ線にて示す５０時間のプラズマ処理を実行した後の隙間Ｓについても各角度で概ね一定である。
【００４６】
以上から、本実施形態にかかる載置台１６では、バネ部材２５の伸縮性によりエッジリング２４が静電チャック２０に対して調芯できていることがわかる。なお、本実施形態では、所定時間（例えば５０時間）プラズマ処理を実行した後の各角度の隙間Ｓの最大値が閾値Ｔｈ（０．５ｍｍ）より大きければ許容範囲内、すなわち、エッジリング２４が静電チャック２０に対して調芯できていると判定する。
【００４７】
直流電圧をオフするタイミングは、図３に示すようにウエハＷを１枚処理する毎に１回であってもよいし、複数枚のウエハＷを処理したときに１回であってもよい。また、直流電圧をオフするタイミングは、前のウエハＷのプラズマ処理が終了して、次のウエハＷのプラズマ処理が開始される前であればいつであってもよい。例えば、前のプラズマ処理が終了して、次のプラズマ処理が開始される前にクリーニング処理が実行される場合、クリーニング処理後であってもよいし、クリーニング処理前であってもよい。
【００４８】
また、１枚のウエハＷのプラズマ処理が複数のステップにて実行される場合、複数のステップにて温度変化がある場合がある。この場合、複数のステップのうちの一のステップと他のステップとでエッジリング２４の温度が変わる。この場合、複数のステップの間に直流電圧をオフするステップを入れてもよい。これにより、１枚のウエハＷの処理中にエッジリング２４を調芯することができる。
【００４９】
[伸縮性のある部材]
次に、図５を参照して伸縮性のある部材について例を挙げて説明する。図５の実施例１及び実施例２は、伸縮性のある部材の一例を示す。図５の実施例１及び実施例２は、図３（ａ）及び（ｄ）に示す載置面１２１の高さにて、静電チャック２０と、バネ部材２５と、段差部２６ａに設けられたインシュレータリング２６とを上面から見た図である。
【００５０】
実施例１に示すバネ部材２５は、径方向（法線方向）に伸縮性のある部材の一例である。実施例２に示すバネ部材２５は、周方向に伸縮性のある部材の一例である。実施例１及び実施例２では、３つのバネ部材２５が周方向に均等に配置される。エッジリング２４は、実施例１のように法線方向に調芯してもよいし、実施例２のように周方向に調芯してもよい。いずれの場合にも、エッジリング２４を静電チャック２０と略同心円状に調芯することができる。ただし、バネ部材２５の個数は３つに限られず、環状に１つ設けられてもよいし、２つ以上設けられてもよい。また、実施例１及び実施例２では、バネ部材２５は、断面がＶ字になるように配置されるが、これに限られず、断面が逆Ｖ字になるように配置されてもよい。
【００５１】
更に、バネ部材２５は伸縮性のある部材の一例であり、伸縮性のある部材はバネ状に限られない。伸縮性のある部材は、伸縮性があって調芯機能を達成できる部材であれば、バネ状でなくてもよい。例えば、伸縮性のある部材は、シート状であってもよいし、フィルム状であってもよい。シート状またはフィルム状の伸縮性部材の場合、径方向に伸縮可能である。なお、伸縮性部材は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ：polytetrafluoroethylene）等の樹脂により形成されてもよい。バネ部材２５を樹脂により形成することで、エッジリング２４及び静電チャック２０を傷つけないようにすることができる。
【００５２】
[変形例]
次に、図６を参照して一実施形態の変形例に係る載置台１６の構成について例を挙げて説明する。図６（ａ）〜（ｄ）は、変形例に係る載置台１６の静電チャック２０とエッジリング２４との断面の一部を拡大した図である。
【００５３】
変形例に係る載置台１６は、ウエハＷの周囲に配置され、下部に凹部２４ａが形成されたエッジリング２４と、載置面１２０と載置面１２１とを有し、載置面１２１に対向するように第２の電極２１が埋め込まれた静電チャック２０とを有する。さらに、変形例にかかる静電チャック２０の載置面１２１には凹部２０ｃが形成されている。凹部２４ａは第１の凹部に相当し、凹部２０ｃは第２の凹部の一例である。なお、変形例に係る載置台１６では、インシュレータリング２６はあってもよいし、なくてもよい。
【００５４】
図６（ａ）は静電チャック２０とエッジリング２４との位置の初期状態を示す。初期状態では、エッジリング２４は、静電チャック２０と略同心円状に位置決めされている。載置面１２１には凹部２０ｃが形成されている。エッジリング２４の下部に設けられた凹部２４ａと、載置面１２１に設けられた凹部２０ｃとにより囲まれる空間Ｕにバネ部材２５が配置されている。バネ部材２５は、径方向に伸縮可能である。
【００５５】
図６（ｂ）はプラズマ処理中にプラズマからの入熱によりエッジリング２４の温度が第１の温度に設定された状態の一例である。このとき、静電チャック２０よりも線膨張係数の大きいエッジリング２４が外周側に膨張する。これにより、バネ部材２５は、空間Ｕにてエッジリング２４の膨張とともに外周側に押されるが、静電チャック２０の凹部２０ｃの外側壁に抑えられて径方向に縮んだ状態で、それ以上のエッジリング２４の外周側への動きを停止させる。
【００５６】
図６（ｃ）はプラズマ処理後、プラズマの消失によりエッジリング２４が第１の温度よりも低い第２の温度に設定されたときに、エッジリング２４が収縮した状態の一例を示す。エッジリング２４は、プラズマ処理後も第２の電極２１へ直流電圧（ＨＶ）を印加しているため、静電チャック２０に吸着した状態で収縮する。これにより、バネ部材２５は、空間Ｕにてエッジリング２４の収縮とともに内周側に押されるが、静電チャック２０の凹部２０ｃの内側壁により抑えられ、それ以上のエッジリング２４の内周側への動きを停止させる。
【００５７】
図６（ｃ）にてエッジリング２４が第２の温度に設定された後に、図６（ｄ）に示すように、第２の電極２１への直流電圧（ＨＶ）の印加を停止する。これにより、エッジリング２４は、静電チャック２０の静電吸着力から解放され、自由に動ける状態となる。この状態において、バネ部材２５は、図６（ｃ）に示す径方向に縮んでいた状態から、図６（ｄ）に示す径方向に広がった状態に戻る。これにより、エッジリング２４を静電チャック２０と略同心円状の位置に配置できる。
【００５８】
以上のようにして、変形例にかかる載置台１６においても、エッジリング２４の上記調芯動作により、エッジリング２４と静電チャック２０との隙間Ｓを管理することができる。これにより、異常放電が生じること防止でき、パーティクルの発生を回避することができる。
【００５９】
なお、図６（ｄ）に示す「直流電圧をオフ」してエッジリング２４を調芯する動作の後、直流電圧が再び印加され、図６（ｂ）に示すプラズマ処理が次のウエハＷに対して行われ、図６（ｂ）〜図６（ｄ）が繰り返し実行される。
【００６０】
[エッジリングの位置決め方法]
最後に、一実施形態に係るエッジリングの位置決め方法について、図７のフローチャートを参照して説明する。本処理は、主に制御部２００により制御される。
【００６１】
本処理が開始されると、バネ部材２５を静電チャック２０の外周側に供給する（ステップＳ１）。その後、ウエハＷを処理容器１０内に搬入し、静電チャック２０の載置面１２０に載置する。
【００６２】
次に、静電チャック２０の第１の電極２０ａ及び第２の電極２１に直流電圧（ＨＶ）を印加する（ステップＳ２）。次に、処理ガス供給源６６から処理ガスを供給し、第１の高周波電源９０及び第２の高周波電源４８からプラズマ生成用及びイオン引き込み用の高周波電力ＨＦ及び高周波電力ＬＦを印加する。これにより、プラズマが生成される。プラズマからの入熱により、エッジリング２４は第１の温度Ｔ１に設定され（ステップＳ３）、生成されたプラズマによりウエハＷにエッチング等のプラズマ処理を実行する（ステップＳ４）。
【００６３】
プラズマ処理後、処理ガス供給源６６から処理ガスの供給を停止し、第１の高周波電源９０及び第２の高周波電源４８からプラズマ生成用及びイオン引き込み用の高周波電力ＨＦ及び高周波電力ＬＦの印加を停止する（ステップＳ５）。これにより、プラズマが消失し、エッジリング２４は第２の温度Ｔ２に設定される。第２の温度Ｔ２は、第１の温度Ｔ１と異なる温度であり、第１の温度よりも低い。ただし、第２の温度Ｔ２は、第１の温度Ｔ１と異なる温度であれば、第１の温度よりも高くてもよい。
【００６４】
次に、所定時間後、エッジリング２４の直流電圧（ＨＶ）の印加を停止する（ステップＳ６）。これにより、エッジリング２４は、静電チャック２０の静電吸着力から解放され、自由に動ける状態となる。このため、バネ部材２５の伸縮力により、エッジリング２４を静電チャック２０と略同心円状に調芯することができる。これにより、エッジリング２４と静電チャック２０との隙間Ｓを管理することができ、異常放電の発生を防止して、パーティクルの発生を回避することができる。
【００６５】
なお、ステップＳ６の所定時間には、エッジリング２４の温度がある程度下がる（又は上がる）までの時間が予め設定される。基板処理装置１内は真空雰囲気であるため、大気雰囲気と比べて伝熱性が悪い。これを考慮すると、所定時間には、静電チャック２０に静電吸着してエッジリング２４の熱を静電チャック２０に効果的に伝える時間が設定されていることが好ましい。これにより、エッジリング２４を所定の温度まで低下（又は上昇）させる時間を短縮できるためである。
【００６６】
次に、次のウエハＷがあるかを判定する（ステップＳ７）。ステップＳ７において、次のウエハＷがあると判定されると、ステップＳ２に戻り、ステップＳ２以降のウエハ処理が実行される。ステップＳ７において、次のウエハＷがないと判定されると、本処理を終了する。
【００６７】
以上に説明したように、本実施形態の載置台１６及びエッジリング２４の位置決め方法によれば、エッジリング２４と静電チャック２０との隙間Ｓを管理することができる。これにより、異常放電の発生を防止し、パーティクルの発生を回避することができる。
【００６８】
今回開示された一実施形態に係る載置台、エッジリングの位置決め方法及び基板処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００６９】
本開示の基板処理装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。
【００７０】
本明細書では、基板の一例としてウエハＷを挙げて説明した。しかし、基板は、これに限らず、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に用いられる各種基板、プリント基板等であっても良い。
【符号の説明】
【００７１】
１      基板処理装置
１０    処理容器
１６    載置台
１６ａ  基台
２０    静電チャック
２０ａ  第１の電極
２０ｃ  凹部
２１    第２の電極
２２、２３  直流電源
２４    エッジリング
２４ａ  凹部
２５    バネ部材
２６    インシュレータリング
２６ａ  段差部
３４    上部電極
４８    第２の高周波電源
５０    可変直流電源
９０    第１の高周波電源
１２０、１２１  載置面
２００  制御部
Ｓ      エッジリングと静電チャックとの隙間
【図１】
2020077653.tif 000003
【図２】
2020077653.tif 000004
【図３】
2020077653.tif 000005
【図４】
2020077653.tif 000006
【図５】
2020077653.tif 000007
【図６】
2020077653.tif 000008
【図７】
2020077653.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月31日(2019.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2020077653.tif 000010