(57)【要約】      （修正有）【課題】素子性能が改善された有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に配置された有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、有機層が発光層と電子輸送層を含み、電子輸送層は陰極と発光層の間に配置され、かつ、発光層に隣接し、電子輸送層が２つのカルバゾール誘導体を結合してなる第１化合物、及び、窒素と炭素原子６つで構成された６員複素環誘導体からなる、または、２つのカルバゾール誘導体を単環炭化水素で結合してなる、または、ベンゾイミダゾール誘導体からなる、いずれかの第２化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に配置された有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機層が発光層と電子輸送層を含み、
前記電子輸送層は前記陰極と前記発光層の間に配置され、かつ、前記発光層に隣接し、
前記電子輸送層が下記式（Ａ）で表される第１化合物及び下記式（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれかで表される第２化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子
【化１】
2020043182.tif 000256
（式中、
Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基である、
ただし、Ａ１及びＡ２の少なくとも１つは、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のビナフチル基、置換もしくは無置換のアントラセニル基、置換もしくは無置換のフルオランテニル基、置換もしくは無置換のベンゾ［ｂ］フルオランテニル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のベンゾトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のナフトトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のベンゾフェナントリル基、置換もしくは無置換のジベンゾフェナントリル基、置換もしくは無置換のクリセニル基、置換もしくは無置換のベンゾクリセニル基、置換もしくは無置換のピセニル基、置換もしくは無置換の９，９−ジメチルフルオレニル基、置換もしくは無置換のベンゾ−９，９−ジメチルフルオレニル基、置換もしくは無置換の９，９−ジフェニルフルオレニル基、及び置換もしくは無置換のピレニル基から選ばれる置換もしくは無置換の縮合アリール基であり、
Ｙ５〜Ｙ８の１つは＊１に結合する炭素原子であり、
Ｙ９〜Ｙ１２の１つは＊２に結合する炭素原子であり、
Ｙ１〜Ｙ４、Ｙ１３〜Ｙ１６、＊１に結合する炭素原子ではないＹ５〜Ｙ８、及び＊２に結合する炭素原子ではないＹ９〜Ｙ１２は、それぞれ独立に、ＣＲ又は窒素原子であり、
各Ｒは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であるか、又は、隣接するＲと結合して置換もしくは無置換の環構造を形成し、Ｒが表す前記置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である、
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基である。）
【化２】
2020043182.tif 000257
（式中、
Ｘ３２はＣＨ又は窒素原子であり、
Ｘ３１及びＸ３３は、それぞれ独立に、ＣＨ又は窒素原子であるか、又は、Ｘ３１及びＸ３３の一方がＣＨ又は窒素原子であり、他方がＡｒ１と共に置換もしくは無置換の環構造を形成する、
ただし、Ｘ３１、Ｘ３２、及びＸ３３の少なくとも１つは窒素原子である、
Ａｒ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１３のヘテロアリール基であるか、又は、Ｘ３１又はＸ３３と共に前記置換もしくは無置換の環構造を形成し、
Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１３のヘテロアリール基であり、
ｎは１〜３の整数であり、
Ｌ３は単結合、環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素の置換もしくは無置換の２〜４価の残基、又は環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素を２〜３個含む環集合の置換もしくは無置換の２〜４価の残基である、ただし、Ｌ３が単結合の場合、ｎは１である、
Ｌ４は単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１３のヘテロアリーレン基である。）
【化３】
2020043182.tif 000258
（式中、
Ａ３及びＡ４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ａ５は、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜６の単環炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜６の単環複素環基であり、
ｍは、０〜３の整数であり、ｍが０のとき、（Ａ５)０は単結合を表し、
Ｘ２５〜Ｘ２８の１つは＊ｅに結合する炭素原子であり、
Ｘ２１〜Ｘ２４及び＊ｅに結合する炭素原子ではないＸ２５〜Ｘ２８は、それぞれ独立に、Ｎ又はＣＲａであり、
Ｙ２１〜Ｙ２４の１つは＊ｆに結合する炭素原子であり、
Ｙ２５〜Ｙ２８及び＊ｆに結合する炭素原子ではないＹ２１〜Ｙ２４は、それぞれ独立に、Ｎ又はＣＲａであり、
各Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であるか、又は、隣接するＲａと結合して置換もしくは無置換の環構造を形成し、Ｒａが表す前記置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。
式（Ｂ２）は、下記（ｉ）及び（ｉｉ）の一方又は双方を満たす。
（ｉ）Ａ３及びＡ４の少なくとも１つが、シアノ基を有する環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換された環形成炭素数６〜３０のアリール基であって、該置換基又はアリール基がシアノ基を有する基、シアノ基を有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、又は置換された環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であって、該置換基又はヘテロアリール基がシアノ基を有する基である。
（ｉｉ）Ｘ２１〜Ｘ２８及びＹ２１〜Ｙ２８の少なくとも１つはＣＲａであり、該少なくとも１つのＣＲａ中の少なくとも１つのＲａはシアノ基を有する環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換された環形成炭素数６〜３０のアリール基であって、該置換基又はアリール基がシアノ基を有する基、シアノ基を有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、又は置換された環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であって、該置換基又はヘテロアリール基がシアノ基を有する基である。）
【化４】
2020043182.tif 000259
（式中、
Ｒ２１は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換のイソキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基であり、
Ｒ２６は、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換のイソキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基であり、
Ｒ２２〜Ｒ２５は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基は置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基である、
ただし、
Ｒ２２〜Ｒ２５から選ばれる隣接する２つは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成し、
Ｒ２１〜Ｒ２６の少なくとも１つは−Ｌ１１−Ｌ１２−Ｌ１３−Ａｒ１１であり、
Ｌ１１、Ｌ１２、及びＬ１３は、それぞれ独立に、単結合又はリンカーであり、該リンカーは、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリーレン基、置換もしくは無置換のピリジニレン基、又は置換もしくは無置換のキノリニレン基であり、
Ａｒ１１は置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のピリミジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基である。）
【請求項２】
前記第２化合物が式（Ｂ１）で表される化合物である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記第２化合物が式（Ｂ２）で表される化合物である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記第２化合物が式（Ｂ３）で表される化合物である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記式（Ａ）が下記式（Ａ−ａ）、（Ａ−ｂ）、又は（Ａ−ｃ）で表される請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化５】
2020043182.tif 000260
【化６】
2020043182.tif 000261
【化７】
2020043182.tif 000262
（式中、Ｙ１〜Ｙ１６、Ａ１、Ａ２、Ｌ１、及びＬ２は式（Ａ）において定義したとおりである。）
【請求項６】
前記式（Ａ）のＡ１及びＡ２の一方が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であり、他方が前記置換もしくは無置換の縮合アリール基である請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記式（Ａ）のＡ１及びＡ２の双方が前記置換もしくは無置換の縮合アリール基である請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記式（Ａ）の置換もしくは無置換の縮合アリール基において、該縮合アリール基は以下の基から選ばれる請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化８】
2020043182.tif 000263
【請求項９】
前記式（Ａ）の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基において、該環形成炭素数６〜３０のアリール基がフェニル基、ビフェニリル基、又はターフェニリル基である請求項１〜６及び８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記式（Ａ）のＬ１及びＬ２が、それぞれ独立に、単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基である請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記式（Ａ）のＬ１及びＬ２が表す置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基において、該環形成炭素数６〜３０のアリーレン基がフェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、又はフェナントリレン基である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
前記式（Ｂ１）のＬ３が下記の２〜４価の基から選ばれる請求項１、２及び５〜１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化９】
2020043182.tif 000264
【請求項１３】
前記式（Ｂ１）において、Ａｒ１が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基であり、Ｌ４が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２のアリーレン基であり、Ａｒ２が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１０のヘテロアリール基である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】
記式（Ｂ１）の（Ａｒ３）ｎが下記式（３−ａ）で表される請求項１、２及び５〜１３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１０】
2020043182.tif 000265
（式中、
＊ａはＬ３に結合する位置を表し、
Ｘｂは酸素原子、硫黄原子、又はＮＲｂであり、
Ｒｂは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｘ１〜Ｘ８は、それぞれ独立に、Ｎ又はＣＲｃであり、
Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であるか、又は、隣接するＲｃと結合して置換もしくは無置換の環構造を形成し、Ｒｃが表す前記置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
ｎは１〜３の整数である、
ただし、
Ｘ１〜Ｘ８の少なくとも一つはＣＲｃであり、Ｒｂ及びＲｃから選ばれる一つは＊ａを介してＬ３に結合する単結合である。）
【請求項１５】
前記式（３−ａ）が式（３−ｂ）、（３−ｃ）、（３−ｄ）、又は（３−ｅ）で表される請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１１】
2020043182.tif 000266
【化１２】
2020043182.tif 000267
（式（３−ｂ）において、Ｘ１〜Ｘ８、Ｒｂ、及びｎは、前記と同じである。ただし、Ｘ１〜Ｘ８の少なくとも一つはＣＲｃであり、該Ｒｃは＊ａを介してＬ３に結合する単結合である。
式（３−ｃ）において、Ｘ１〜Ｘ８、及びｎは、前記と同じである。
式（３−ｄ）及び（３−ｅ）において、Ｘ１〜Ｘ８及びｎは、前記と同じである。ただし、Ｘ１〜Ｘ８の少なくとも一つはＣＲｃであり、該Ｒｃは＊ａを介してＬ３に結合する単結合である。）
【請求項１６】
前記式（３−ａ）が式（３−ｂ’）、（３−ｃ’）、（３−ｄ’）、又は（３−ｅ’）で表される請求項１４又は１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１３】
2020043182.tif 000268
【化１４】
2020043182.tif 000269
（式（３−ｂ’）において、Ｒｂ、Ｒｃ、及びｎは、前記と同じである。ただし、Ｒｃの１つは＊ａを介してＬ３に結合する単結合である。
式（３−ｃ’）において、Ｒｃ及びｎは、前記と同じである。
式（３−ｄ’）及び（３−ｅ’）において、Ｒｃ及びｎは、前記と同じである。）
【請求項１７】
前記式（Ｂ１）のＡｒ３が下記式（４−ａ）で表される請求項１、２及び５〜１３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１５】
2020043182.tif 000270
（式中、
＊ｂはＬ１に結合する位置を表し、
Ｒ５〜Ｒ８の１つは＊ｃに結合する単結合であり、
Ｒ１１〜Ｒ１４の１つは＊ｄに結合する単結合であり、
Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ１５〜Ｒ１８、＊ｃに結合する単結合ではないＲ５〜Ｒ８、及び＊ｄに結合する単結合ではないＲ１１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。
ただし、Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ１５〜Ｒ１８、＊ｃに結合する単結合ではないＲ５〜Ｒ８、及び＊ｄに結合する単結合ではないＲ１１〜Ｒ１４から選ばれる隣接する２つは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。
Ａｒ５は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｌ５は単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基である。）
【請求項１８】
前記式（４−ａ）が式（４−ｂ）〜（４−ｅ）のいずれかで表される請求項１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１６】
2020043182.tif 000271
（式中、Ｒ１〜Ｒ８、Ｒ１１〜Ｒ１８、Ａｒ５、及びＬ５は前記と同じである。）
【請求項１９】
前記要件（ｉ）を満たし、前記要件（ｉｉ）を満たさない請求項１、３及び５〜１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
式（Ｂ２）が、下記要件（ｉａ）及び（ｉｉａ）の一方又は双方を満たす請求項１、３及び５〜１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
（ｉａ）Ａ３及びＡ４の少なくとも１つが、シアノ基を有する環形成炭素数６〜３０のアリール基又はシアノ基を有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。
（ｉｉａ）Ｘ２１〜Ｘ２８及びＹ２１〜Ｙ２８の少なくとも１つはＣＲａであり、該少なくとも１つのＣＲａ中の少なくとも１つのＲａはシアノ基を有する環形成炭素数６〜３０のアリール基又はシアノ基を有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。
【請求項２１】
式（Ｂ２）が前記要件（ｉ）又は（ｉａ）を満たし、要件（ｉｉ）及び（ｉｉａ）を満たさず、Ｘ２１〜Ｘ２４、＊ｅに結合する炭素原子ではないＸ２５〜Ｘ２８、Ｙ２５〜Ｙ２８、及び＊ｆに結合する炭素原子ではないＹ２１〜Ｙ２４がすべてＣＲａであり、ｍは０であり、かつ、Ａ３及びＡ４が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２のアリール基である請求項１、３、５〜１１、１９及び２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２２】
前記式（Ｂ２）が下記式（Ｂ２−ａ１）、（Ｂ２−ｂ１）、又は（Ｂ２−ｃ１）で表される請求項１、３、５〜１１、及び１９〜２１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１７】
2020043182.tif 000272
【化１８】
2020043182.tif 000273
【化１９】
2020043182.tif 000274
（式中、Ｘ２１〜Ｘ２８、Ｙ２１〜Ｙ２８、Ａ３、及びＡ４は前記と同じである。）
【請求項２３】
前記式（Ｂ２−ａ１）、（Ｂ２−ｂ１）、及び（Ｂ２−ｃ１）はそれぞれ下記式（Ｂ２−ａ１’）、（Ｂ２−ｂ１’）、及び（Ｂ２−ｃ１’）で表される請求項２２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２０】
2020043182.tif 000275
【化２１】
2020043182.tif 000276
【化２２】
2020043182.tif 000277
（式中、Ｒａ、Ａ３、及びＡ４は前記と同じである。）
【請求項２４】
前記要件（ｉ）、（ｉａ）、（ｉｉ）及び（ｉｉa）のシアノ基を有する環形成炭素数６〜３０のアリール基が下記式（２−１）〜（２−５）から選ばれる請求項１、３、５〜１１及び１９〜２３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２３】
2020043182.tif 000278
【請求項２５】
前記要件（ｉ）及び（ｉｉ）のシアノ基を有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基が下記式（２−６）〜（２−９）から選ばれる請求項請求項１、３、５〜１１及び１９〜２３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２４】
2020043182.tif 000279
【請求項２６】
前記式（Ｂ３）のＲ２１〜Ｒ２５が表すピリジル基、キノリル基、又はイソキノリル基が以下の基から選ばれる請求項１、４〜１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２５】
2020043182.tif 000280
【請求項２７】
前記式（Ｂ３）が下記式（Ｂ３−ａ）又は（Ｂ３−ｂ）で表される請求項１、４〜１１、及び２６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２６】
2020043182.tif 000281
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２６、Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、及びＡｒ１１は前記と同じである。）
【請求項２８】
Ｌ１１が単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０アリーレン基、又は置換もしくは無置換のピリジニレン基であり、該アリーレン基及び該ピリジニレン基が以下の基より選ばれる請求項１、４〜１１、２６、及び２７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２７】
2020043182.tif 000282
【請求項２９】
Ｌ１２が単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０アリーレン基であり、該アリーレン基がアントラセンジイル基である請求項１、４〜１１、及び２６〜２８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３０】
Ｌ１３が単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０アリーレン基であり、該アリーレン基がフェニレン基である請求項１、４〜１１、及び２６〜２９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３１】
前記発光層が蛍光ドーパント材料を含む請求項１〜３０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３２】
前記発光層が燐光ドーパント材料を含む請求項１〜３０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３３】
前記陰極と前記電子輸送層の間に電子注入層を有し、該電子注入層が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ金属含有有機錯体、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属含有有機錯体、希土類金属酸化物、希土類金属ハロゲン化物、及び希土類金属含有有機錯体からなる群から選ばれる少なくとも一つを含有する請求項１〜３２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３４】
前記電子注入層が、アルカリ金属又は希土類金属を含む請求項３３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３５】
請求項１〜３４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及び該有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は陽極、陰極、及び陽極と陰極に挟まれた有機層から構成されている。両電極間に電圧が印加されると、陰極側から電子、陽極側から正孔が発光領域に注入され、注入された電子と正孔は発光領域において再結合して励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際に光を放出する。従って、電子又は正孔を発光領域に輸送し、電子と正孔との再結合を容易にする素子構造の開発は高性能有機ＥＬ素子を得る上で重要である。
【０００３】
特許文献１は、ビスカルバゾール化合物を記載している。実施例において、該ビスカルバゾール化合物は燐光素子の発光層にホストとして使用されている。
【０００４】
特許文献２は、カルバゾール骨格の窒素原子又はベンゼン環にアジン環を有する基が結合した化合物を記載している。実施例において、この化合物は電子輸送層又は電子注入層に使用されている。
【０００５】
特許文献３は、ビスカルバゾール骨格の窒素原子にアジン環を有する基が結合した化合物を記載している。実施例において、この化合物は燐光素子の発光層にホストとして使用されている。
【０００６】
特許文献４は、カルバゾール骨格の窒素原子及び／又はベンゼン環にシアノ基を有する基が結合した化合物を記載している。実施例において、この化合物は有機ＥＬ素子の正孔阻止層、電子輸送層などに使用されている。
【０００７】
特許文献５は、ベンゾイミダゾール骨格を有する化合物を記載している。実施例において、この化合物は燐光素子の電子輸送層に使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１０８３８８号公報
【特許文献２】国際公開第２０１５／０７２５２０号公報
【特許文献３】国際公開第２０１１／１３２６８４号公報
【特許文献４】国際公開第２０１３／０８４８８１号公報
【特許文献５】国際公開第２００９／００８１９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来、多くの有機ＥＬ素子が報告されているが、有機ＥＬ素子の性能を更に向上させることが依然として求められている。
【００１０】
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、素子性能がより改善された有機ＥＬ素子を提供すること目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、特許文献１〜５に記載の化合物を含む有機ＥＬ素子について鋭意研究を重ねた結果、下記式（Ａ）で表される第１化合物及び下記式（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれかで表される第２化合物を同一の電子輸送層に含む有機ＥＬ素子が改善された素子性能を示すことを見出した。
【００１２】
一態様において、本発明は、
陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に配置された有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機層が発光層と電子輸送層を含み、
前記電子輸送層は前記陰極と前記発光層の間に配置され、かつ、前記発光層に隣接し、
前記電子輸送層が下記式（Ａ）で表される第１化合物及び下記式（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれかで表される第２化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【００１３】
【化１】
2020043182.tif 000002
（式中、
Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基である、
ただし、Ａ１及びＡ２の少なくとも１つは、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のビナフチル基、置換もしくは無置換のアントラセニル基、置換もしくは無置換のフルオランテニル基、置換もしくは無置換のベンゾ［ｂ］フルオランテニル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のベンゾトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のナフトトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のベンゾフェナントリル基、置換もしくは無置換のジベンゾフェナントリル基、置換もしくは無置換のクリセニル基、置換もしくは無置換のベンゾクリセニル基、置換もしくは無置換のピセニル基、置換もしくは無置換の９，９−ジメチルフルオレニル基、置換もしくは無置換のベンゾ−９，９−ジメチルフルオレニル基、置換もしくは無置換の９，９−ジフェニルフルオレニル基、及び置換もしくは無置換のピレニル基から選ばれる置換もしくは無置換の縮合アリール基であり、
Ｙ５〜Ｙ８の１つは＊１に結合する炭素原子であり、
Ｙ９〜Ｙ１２の１つは＊２に結合する炭素原子であり、
Ｙ１〜Ｙ４、Ｙ１３〜Ｙ１６、＊１に結合する炭素原子ではないＹ５〜Ｙ８、及び＊２に結合する炭素原子ではないＹ９〜Ｙ１２は、それぞれ独立に、ＣＲ又は窒素原子であり、
各Ｒは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成し、Ｒが表す前記置換基はハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である、
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基である。）
【００１４】
【化２】
2020043182.tif 000003
（式中、
Ｘ３２はＣＨ又は窒素原子であり、
Ｘ３１及びＸ３３は、それぞれ独立に、ＣＨ又は窒素原子であるか、又は、Ｘ３１及びＸ３３の一方がＣＨ又は窒素原子であり、他方がＡｒ１と共に置換もしくは無置換の環構造を形成する、
ただし、Ｘ３１、Ｘ３２、及びＸ３３の少なくとも１つは窒素原子である、
Ａｒ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１３のヘテロアリール基であるか、又は、Ｘ３１又はＸ３３と共に前記置換もしくは無置換の環構造を形成し、
Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１３のヘテロアリール基であり、
ｎは１〜３の整数であり、
Ｌ３は単結合、環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素の置換もしくは無置換の２〜４価の残基、又は環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素を２〜３個含む環集合の置換もしくは無置換の２〜４価の残基である、ただし、Ｌ３が単結合の場合、ｎは１である、
Ｌ４は単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１３のヘテロアリーレン基である。）
【００１５】
【化３】
2020043182.tif 000004
（式中、
Ａ３及びＡ４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ａ５は、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜６の単環炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜６の単環複素環基であり、
ｍは、０〜３の整数であり、ｍが０のとき、（Ａ５)０は単結合を表し、
Ｘ２５〜Ｘ２８の１つは＊ｅに結合する炭素原子であり、
Ｘ２１〜Ｘ２４及び＊ｅに結合する炭素原子ではないＸ２５〜Ｘ２８は、それぞれ独立に、Ｎ又はＣＲａであり、
Ｙ２１〜Ｙ２４の１つは＊ｆに結合する炭素原子であり、
Ｙ２５〜Ｙ２８及び＊ｆに結合する炭素原子ではないＹ２１〜Ｙ２４は、それぞれ独立に、Ｎ又はＣＲａであり、
各Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であるか、又は、隣接するＲａと結合して置換もしくは無置換の環構造を形成し、Ｒａが表す前記置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。
ただし、
式（Ｂ２）は、下記（ｉ）及び（ｉｉ）の一方又は双方を満たす。
（ｉ）Ａ３及びＡ４の少なくとも１つが、シアノ基を有する環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換された環形成炭素数６〜３０のアリール基であって、該置換基又はアリール基がシアノ基を有する基、シアノ基を有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、又は置換された環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であって、該置換基又はヘテロアリール基がシアノ基を有する基である。
（ｉｉ）Ｘ２１〜Ｘ２８及びＹ２１〜Ｙ２８の少なくとも１つはＣＲａであり、該少なくとも１つのＣＲａ中の少なくとも１つのＲａはシアノ基を有する環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換された環形成炭素数６〜３０のアリール基であって、該置換基又はアリール基がシアノ基を有する基、シアノ基を有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、又は置換された環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であって、該置換基又はヘテロアリール基がシアノ基を有する基である。）
【００１６】
【化４】
2020043182.tif 000005
（式中、
Ｒ２１は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換のイソキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基であり、
Ｒ２６は、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換のイソキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基であり、
Ｒ２２〜Ｒ２５は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基は置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基である、
ただし、
Ｒ２２〜Ｒ２５から選ばれる隣接する２つは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成し、
Ｒ２１〜Ｒ２６の少なくとも１つは−Ｌ１１−Ｌ１２−Ｌ１３−Ａｒ１１であり、
Ｌ１１、Ｌ１２、及びＬ１３は、それぞれ独立に、単結合又はリンカーであり、該リンカーは、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリーレン基、置換もしくは無置換のピリジニレン基、又は置換もしくは無置換のキノリニレン基であり、
Ａｒ１１は置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のピリミジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基である。）
【００１７】
他の態様において、本発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
式（Ａ）で表される第１化合物及び式（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれかで表される第２化合物を同一の電子輸送層に含む有機ＥＬ素子は改善された素子性能を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略図である。
【図２】本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の層構成の他の例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
【００２１】
本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。
【００２２】
本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「無置換ＺＺ基」とは、ＺＺ基の水素原子が置換基で置換されていないことを意味する。
【００２３】
本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、及び三重水素（ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。
【００２４】
本明細書において、「アリール基」及び「アリーレン基」とは、芳香族炭化水素の残基であり、環形成ヘテロ原子を含むヘテロアリール基及びヘテロアリーレン基とは区別される。
【００２５】
本明細書において、「環形成炭素数」とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジン環は環形成炭素数５であり、フラン環は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数に含めない。
【００２６】
本明細書において、「環形成原子数」とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は環形成原子数は６であり、キナゾリン環は環形成原子数が１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。ピリジン環やキナゾリン環の環形成炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子は、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロビフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
【００２７】
本発明の有機ＥＬ素子は、式（Ａ）で表される第１化合物及び式（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれかで表される第２化合物を同時に含む電子輸送層を有する。
【００２８】
第１化合物
第１化合物は下記式（Ａ）で表される。
【００２９】
【化５】
2020043182.tif 000006
【００３０】
Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基である。ただし、Ａ１及びＡ２の少なくとも１つは、以下に記載する特定の置換もしくは無置換の縮合アリール基である。
すなわち、式（Ａ）は、Ａ１及びＡ２の双方が該特定の置換もしくは無置換の縮合アリール基である化合物、又は、Ａ１及びＡ２の一方が該特定の置換もしくは無置換の縮合アリール基であり、他方が該置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基である化合物を表す。
【００３１】
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基において、該環形成炭素数６〜３０のアリール基は、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、又はトリフェニレニル基であり、
好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又はナフチル基であり、更に好ましくはフェニル基、ビフェニリル基、又はターフェニリル基である。
置換された環形成炭素数６〜３０のアリール基は、例えば、トリル基、ｔ−ブチルフェニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、ベンゾ−９，９−ジメチルフルオレニル基、ベンゾ−９，９−ジフェニルフルオレニル基、又は、ベンゾ−９，９’−スピロビフルオレニル基である。
【００３２】
前記特定の置換もしくは無置換の縮合アリール基は、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のビナフチル基、置換もしくは無置換のアントラセニル基、置換もしくは無置換のフルオランテニル基、置換もしくは無置換のベンゾ［ｂ］フルオランテニル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のベンゾトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のナフトトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のベンゾフェナントリル基、置換もしくは無置換のジベンゾフェナントリル基、置換もしくは無置換のクリセニル基、置換もしくは無置換のベンゾクリセニル基、置換もしくは無置換のピセニル基、置換もしくは無置換の９，９−ジメチルフルオレニル基、置換もしくは無置換のベンゾ−９，９−ジメチルフルオレニル基、置換もしくは無置換の９，９−ジフェニルフルオレニル基、又は置換もしくは無置換のピレニル基である。
【００３３】
前記特定の置換もしくは無置換の縮合アリール基は、好ましくは、置換もしくは無置換のフルオランテニル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のベンゾトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は置換もしくは無置換のベンゾフェナントリル基である。
【００３４】
前記特定の置換もしくは無置換の縮合アリール基において、該縮合アリール基は、例えば、以下の基から選ばれる。該縮合アリール基が９−アントラセニル基である場合、１０位が後述する任意の置換基を有することが好ましい。
【化６】
2020043182.tif 000007
【００３５】
前記置換もしくは無置換のアリール基及び前記特定の縮合アリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
【００３６】
Ｙ５〜Ｙ８の１つは＊１に結合する炭素原子であり、Ｙ９〜Ｙ１２の１つは＊２に結合する炭素原子である。
【００３７】
本発明の好ましい態様において、式（Ａ）は下記式（Ａ−ａ）で表される。
【化７】
2020043182.tif 000008
【００３８】
本発明の他の好ましい態様において、式（Ａ）は下記式（Ａ−ｂ）で表される。
【化８】
2020043182.tif 000009
【００３９】
本発明の他の好ましい態様において、式（Ａ）は下記式（Ａ−ｃ）で表される。
【化９】
2020043182.tif 000010
【００４０】
Ｙ１〜Ｙ４、Ｙ１３〜Ｙ１６、＊１に結合する炭素原子ではないＹ５〜Ｙ８、及び＊２に結合する炭素原子ではないＹ９〜Ｙ１２は、それぞれ独立に、ＣＲ又は窒素原子である。
【００４１】
各Ｒは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基である。ただし、隣接する２つのＲは、それぞれ独立に、水素原子又は該置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。
【００４２】
本発明の一態様において、Ｙ１〜Ｙ４、Ｙ１３〜Ｙ１６、＊１に結合する炭素原子ではないＹ５〜Ｙ８、及び＊２に結合する炭素原子ではないＹ９〜Ｙ１２はすべてＣＨであることが好ましい。
本発明の一態様において、少なくとも一組の隣接する２つのＲは互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。他の態様においては、隣接する２つのＲは環構造を形成しない。
【００４３】
本発明の好ましい態様において、式（Ａ−ａ）、（Ａ−ｂ）、及び（Ａ−ｃ）はそれぞれ下記式（Ａ−ａ’）、（Ａ−ｂ’）、及び（Ａ−ｃ’）で表される。
【化１０】
2020043182.tif 000011
【化１１】
2020043182.tif 000012
【化１２】
2020043182.tif 000013
【００４４】
本発明の好ましい態様において、式（Ａ−ａ’）、（Ａ−ｂ’）、及び（Ａ−ｃ’）のＲはすべて水素原子である。
【００４５】
Ｒが表す前記置換基は、ハロゲン原子；ニトロ基；置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０、好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜８、さらに好ましくは５又は６のシクロアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基；置換もしくは無置換の炭素数７〜３６、好ましくは７〜２６、より好ましくは７〜２０のアラルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルコキシ基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリールオキシ基；置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基；置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８ハロアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のハロアルコキシ基；及び、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３のヘテロアリール基からなる群から選ばれる。
Ｒが表す前記置換基は、好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、及び、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基からなる群から選ばれ；より好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、及び、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基からなる群から選ばれ；更に好ましくは置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であり、特に好ましくは置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基である。
【００４６】
前記ハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、フッ素原子が好ましい。
【００４７】
前記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基において、該炭素数１〜３０のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、又はドデシル基であり；好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、又はペンチル基であり；より好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、又はｔ−ブチル基であり；更に好ましくは、メチル基又はｔ−ブチル基である。
前記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
【００４８】
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基において、該環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基は、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はシクロヘプチル基であり、好ましくは、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
【００４９】
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基において、該環形成炭素数６〜３０のアリール基は、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、又はトリフェニレニル基であり、好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又はナフチル基である。
置換された環形成炭素数６〜３０のアリール基は、例えば、トリル基、ｔ−ブチルフェニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、ベンゾ−９，９−ジメチルフルオレニル基、ベンゾ−９，９−ジフェニルフルオレニル基、又は、ベンゾ−９，９’−スピロビフルオレニル基である。
【００５０】
前記置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基において、該炭素数７〜３６のアラルキル基のアリール部位は上記の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選択され、アルキル部位は上記の置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基から選択される。該炭素数７〜３６のアラルキル基は、例えば、ベンジル基、フェネチル基、又は、フェニルプロピル基であり、ベンジル基が好ましい。
前記置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
【００５１】
前記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基において、該炭素数１〜３０のアルコキシ基のアルキル部位は上記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基から選択される。該炭素数１〜３０のアルコキシ基は、例えば、ｔ−ブトキシ基、プロポキシ基、エトキシ基、又はメトキシ基であり、好ましくは、エトキシ基又はメトキシ基であり、より好ましくは、メトキシ基である。
前記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基は、存在する場合には異性体基を含む。
【００５２】
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基において、該環形成炭素数６〜３０アリールオキシ基のアリール部位は上記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選択される。該環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基は、例えば、ターフェニルオキシ基、ビフェニルオキシ基、又はフェノキシ基であり、好ましくは、ビフェニルオキシ基又はフェノキシ基であり、より好ましくは、フェノキシ基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基は、存在する場合には異性体基を含む。
【００５３】
前記モノ、ジ又はトリ置換シリル基が有する置換基は、上記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基、及び、上記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選択される。トリ置換シリル基が好ましく、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、又はトリトリルシリル基がより好ましい。
前記モノ、ジ又はトリ置換シリル基は、存在する場合には異性体基を含む。
【００５４】
前記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルキル基において、該炭素数１〜３０のハロアルキル基は、上記炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基の少なくとも１個の水素原子、好ましくは１〜７個の水素原子、又は全ての水素原子をハロゲン原子で置換して得られる基である。該ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子から選ばれ、好ましくはフッ素原子である。該ハロアルキル基は炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のフルオロアルキル基が好ましく、ヘプタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、又はトリフルオロメチル基がより好ましく、ペンタフルオロエチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、又はトリフルオロメチル基がさらに好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。
前記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
【００５５】
前記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基において、該炭素数１〜３０のハロアルコキシ基のハロアルキル部位は上記炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のハロアルキル基から選択される。該ハロアルコキシ基は炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のフルオロアルコキシ基が好ましく、ヘプタフルオロプロポキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、２,２,２−トリフルオロエトキシ基、又はトリフルオロメトキシ基がより好ましく、ペンタフルオロエトキシ基、２,２,２−トリフルオロエトキシ基、又はトリフルオロメトキシ基がさらに好ましく、トリフルオロメトキシ基が特に好ましい。
前記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基は、存在する場合には異性体基を含む。
【００５６】
前記置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基において、該環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基は１〜５個、好ましくは１〜３個、より好ましくは１〜２個の環形成ヘテロ原子を含む。該環形成ヘテロ原子は、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選択される。該ヘテロアリール基の遊離原子価は環形成炭素原子上に存在するか、又は、可能な場合には、環形成窒素原子上に存在する。
該環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基は、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、キサンテニル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基（ベンゾチエニル基、以下同様）、イソベンゾチオフェニル基（イソベンゾチエニル基、以下同様）、ナフトベンゾチオフェニル基（ナフトベンゾチエニル基、以下同様）、ジベンゾチオフェニル基（ジベンゾチエニル基、以下同様）、又はカルバゾリル基である。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基（９−カルバゾリル基、又は、１−、２−、３−又は４−カルバゾリル基）である。
置換された環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基は、例えば、９−フェニルカルバゾリル基、９−ビフェニリルカルバゾリル基、９−フェニルフェニルカルバゾリル基、９−ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基（フェニルジベンゾチエニル基、以下同様）である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
【００５７】
前記隣接する２つのＲが任意に形成する前記環構造は、例えば、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素環、置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜１８の脂肪族炭化水素環、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１８の芳香族複素環、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１８の脂肪族複素環である。
前記環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素環は、例えば、ベンゼン環、ビフェニレン環、ナフタレン環、アントラセン環、ベンゾアントラセン環、フェナントレン環、ベンゾフェナントレン環、フェナレン環、ピレン環、クリセン環、１，１−ジメチルインデン環、又はトリフェニレン環であり、好ましくはベンゼン環又はナフタレン環である。
前記環形成炭素数５〜１８の脂肪族炭化水素環は、例えば、シクロペンテン環、シクロペンタジエン環、シクロヘキセン環、シクロヘキサジエン環、又は、前記環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素環を部分的に水素化して得られる脂肪族環である。
前記環形成原子数５〜１８の芳香族複素環は、例えば、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、インドール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ジベンゾフラン環、ナフトベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトベンゾチオフェン環、カルバゾール環、又はベンゾカルバゾール環である。
前記環形成原子数５〜１８の脂肪族複素環は、例えば、上記環形成原子数５〜１８の芳香族複素環を部分的に水素化して得られる脂肪族複素環である。
２個以上の前記環構造が同一の環上に形成されてもよい。
【００５８】
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３のヘテロアリーレン基であり、好ましくは単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基である。
本発明の一態様において、Ｌ１及びＬ２の双方が単結合であってもよい。
本発明の他の態様において、Ｌ１及びＬ２の双方が、それぞれ独立に、前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基、好ましくは前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基であってもよい。
本発明の更に他の態様において、Ｌ１及びＬ２の一方が単結合であり、他方が前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基、好ましくは前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基であってもよい。
【００５９】
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基において、該環形成炭素数６〜３０のアリーレン基は、例えば、フェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ベンゾアントリレン基、フェナントリレン基、ベンゾフェナントリレン基、フェナレニレン基、ピセニレン基、ペンタフェニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ベンゾクリセニレン基、トリフェニレニレン基、フルオランテニレン基、フルオレニレン基、又は９，９’−スピロビフルオレニレン基であり；好ましくはフェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、又はフェナントリレン基であり；より好ましくはｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ビフェニル−４，４’−ジイル基、ビフェニル−３，４’−ジイル基、ｐ−ターフェニル−４，４”−ジイル基、１，４−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、２，７−ナフチレン基、又は２，７−フェナントリレン基であり；更に好ましくはｍ−フェニレン基又はｐ−フェニレン基である。
【００６０】
前記置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基において、該ヘテロアリーレン基は１〜５個、好ましくは１〜３個、より好ましくは１〜２個の環形成ヘテロ原子を含む。該環形成ヘテロ原子は、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選ばれる。遊離原子価は環形成炭素原子上に存在するか、又は、構造的に可能である場合には、窒素原子上に存在してもよい。
該ヘテロアリーレン基としては、例えば、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、フラン、チオフェン、オキサゾール、イソオキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、イソチアゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、インドール、イソインドール、インドリジン、キノリジン、キノリン、イソキノリン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、キサンテン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ナフトベンゾチオフェン、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソキサゾール、フェノキサジン、ベンゾチアゾール、ベンゾイソチアゾール、及びフェノチアジンから選ばれる芳香族複素環の２価の残基が挙げられ；好ましくはピリジン、ピリミジン、トリアジン、インドール、キノリン、キナゾリン、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ナフトベンゾチオフェン、及びベンゾオキサゾールから選ばれる芳香族複素環の２価の残基であり；より好ましくはピリジン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、及びジベンゾチオフェンから選ばれる芳香族複素環の２価の残基である。
【００６１】
「置換もしくは無置換」というときの任意の置換基は後述する。ただし、任意の置換基はシアノ基を含まないことが好ましい。すなわち、式（Ａ）で表される第１化合物はシアノ基を含まないことが好ましい。
【００６２】
式（Ａ）の化合物は公知の方法、例えば、国際公開第２０１２／１０８３８８号公報に記載の方法によって合成することができる。
【００６３】
以下に式（Ａ）で表される第１化合物の具体例を示すが、第１化合物は以下の例示化合物に限定されるものではない。
【００６４】
【化１３】
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【００６５】
【化１４】
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【００６６】
【化１５】
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【００６７】
【化１６】
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【００６８】
【化１７】
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【００６９】
【化１８】
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【００７０】
【化１９】
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【００７１】
【化２０】
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【００７２】
【化２１】
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【００７３】
【化２２】
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【００７４】
【化２３】
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【００７５】
【化２４】
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【００７６】
【化２５】
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【００７７】
【化２６】
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【００７８】
【化２７】
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【００７９】
【化２８】
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【００８０】
【化２９】
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【００８１】
【化３０】
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【００８２】
【化３１】
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【化３２】
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【化３３】
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【化３４】
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【０１３５】
【化８４】
2020043182.tif 000085
【０１３６】
【化８５】
2020043182.tif 000086
【０１３７】
【化８６】
2020043182.tif 000087
【０１３８】
【化８７】
2020043182.tif 000088
【０１３９】
【化８８】
2020043182.tif 000089
【０１４０】
【化８９】
2020043182.tif 000090
【０１４１】
【化９０】
2020043182.tif 000091
【０１４２】
【化９１】
2020043182.tif 000092
【０１４３】
【化９２】
2020043182.tif 000093
【０１４４】
【化９３】
2020043182.tif 000094
【０１４５】
【化９４】
2020043182.tif 000095
【０１４６】
【化９５】
2020043182.tif 000096
【０１４７】
【化９６】
2020043182.tif 000097
【０１４８】
【化９７】
2020043182.tif 000098
【０１４９】
【化９８】
2020043182.tif 000099
【０１５０】
【化９９】
2020043182.tif 000100
【０１５１】
【化１００】
2020043182.tif 000101
【０１５２】
【化１０１】
2020043182.tif 000102
【０１５３】
【化１０２】
2020043182.tif 000103
【０１５４】
【化１０３】
2020043182.tif 000104
【０１５５】
【化１０４】
2020043182.tif 000105
【０１５６】
【化１０５】
2020043182.tif 000106
【０１５７】
【化１０６】
2020043182.tif 000107
【０１５８】
第２化合物
第２化合物は式（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれかで表される。
【０１５９】
式（Ｂ１）で表される第２化合物
【化１０７】
2020043182.tif 000108
【０１６０】
Ｘ３２はＣＨ又は窒素原子であり、Ｘ３１及びＸ３３は、それぞれ独立に、ＣＨ又は窒素原子であるか、又は、Ｘ３１及びＸ３３の一方がＣＨ又は窒素原子であり、他方がＡｒ１と共に置換もしくは無置換の環構造を形成する。ただし、Ｘ３１、Ｘ３２、及びＸ３３の少なくとも１つは窒素原子である。
本発明の一態様において、Ｘ３１とＸ３２、Ｘ３１とＸ３３、又はＸ３２とＸ３３が窒素原子であることが好ましく、他の態様においては、Ｘ３１、Ｘ３２、及びＸ３３がすべて窒素原子であることが好ましい。
【０１６１】
Ａｒ１は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１２、より好ましくは６〜１０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１３、好ましくは５〜１０のヘテロアリール基であるか、又は、Ｘ３１又はＸ３３と共に前記置換もしくは無置換の環構造を形成する。
Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１２、より好ましくは６〜１０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１３、好ましくは５〜１０のヘテロアリール基である。
【０１６２】
Ａｒ１がＸ３１又はＸ３３と共に形成してもよい環構造の詳細は、式（Ａ）の隣接する２つのＲが任意に形成する環構造の詳細と同じである。本発明の一態様において、Ａｒ１はＸ３１又はＸ３３と共に環構造を形成するのが好ましく、他の態様においては、環構造を形成しないことが好ましい。
【０１６３】
前記Ａｒ１〜Ａｒ３が表す置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基において、該環形成炭素数６〜１８のアリール基としては、それぞれ独立に、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、又はトリフェニレニル基であり、好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又は、ナフチル基であり、より好ましくは、フェニル基、２−、３−、又は４−ビフェニリル基、２−、３−、又は４−ｏ−ターフェニリル基、２−、３−、又は４−ｍ−ターフェニリル基、２−、３−、又は４−ｐ−ターフェニリル基、又は、１−又は２−ナフチル基であり、更に好ましくは、フェニル基、２−、３−、又は４−ビフェニリル基、又は、１−又は２−ナフチル基であり、特に好ましくは、フェニル基である。
置換された環形成炭素数６〜３０のアリール基は、例えば、トリル基、ｔ−ブチルフェニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、又は、スピロビフルオレニル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
【０１６４】
前記Ａｒ１〜Ａｒ３が表す置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１３のヘテロアリール基において、該環形成原子数５〜１３のヘテロアリール基としては、それぞれ独立に、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基（ベンゾチエニル基、以下同様）、イソベンゾチオフェニル基（イソベンゾチエニル基、以下同様）、ジベンゾチオフェニル基（ジベンゾチエニル基、以下同様）、又はカルバゾリル基である。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基（９−カルバゾリル基、又は、１−、２−、３−又は４−カルバゾリル基）である。
置換された環形成原子数５〜１３のヘテロアリール基は、例えば、９−フェニルカルバゾリル基、９−ビフェニリルカルバゾリル基、９−フェニルフェニルカルバゾリル基、９−ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基（フェニルジベンゾチエニル基、以下同様）である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１３のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
【０１６５】
ｎは１〜３の整数、好ましくは１又は２である。
Ｌ３は単結合、環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１２の芳香族炭化水素の置換もしくは無置換の２〜４価の残基、又は環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１２の芳香族炭化水素が２〜３個結合した環集合の置換もしくは無置換の２〜４価の残基である。ただし、Ｌ３が単結合の場合、ｎは１である。
前記２〜４価の残基としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、ピレン、ビフェニル、ターフェニル、９，９−ジメチルフルオレン等の芳香族炭化水素の２〜４価の残基、及び、これらの芳香族炭化水素を２〜３個含む環集合の２〜４価の残基が挙げられる。
好ましくは、以下の２〜４価の残基が挙げられる。遊離原子価の一つが６員環の環形成炭素原子に結合し、残りの遊離原子価がＡｒ３に結合する。
【化１０８】
2020043182.tif 000109
【０１６６】
Ｌ４は単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１２のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１３、好ましくは６〜１３のヘテロアリーレン基である。
前記環形成炭素数６〜１８のアリーレン基は、例えば、フェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ベンゾアントリレン基、フェナントリレン基、ベンゾフェナントリレン基、フェナレニレン基、ピセニレン基、ペンタフェニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ベンゾクリセニレン基、トリフェニレニレン基、フルオランテニレン基、又はフルオレニレン基であり；
好ましくはフェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、又はフェナントリレン基であり；より好ましくはｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ビフェニル−４，４’−ジイル基、ビフェニル−３，４’−ジイル基、ｐ−ターフェニル−４，４”−ジイル基、１，４−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、２，７−ナフチレン基、又は２，７−フェナントリレン基であり；更に好ましくはｍ−フェニレン基又はｐ−フェニレン基である。
前記環形成原子数５〜１３のヘテロアリーレン基は１〜５個、好ましくは１〜３個、より好ましくは１〜２個の環形成ヘテロ原子を含む。該環形成ヘテロ原子は、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選ばれる。遊離原子価は環形成炭素原子上に存在するか、又は、構造的に可能である場合には、窒素原子上に存在してもよい。
該ヘテロアリーレン基としては、例えば、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、フラン、チオフェン、オキサゾール、イソオキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、イソチアゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、インドール、イソインドール、インドリジン、キノリジン、キノリン、イソキノリン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナジン、カルバゾール、キサンテン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソキサゾール、フェノキサジン、ベンゾチアゾール、ベンゾイソチアゾール、及びフェノチアジンから選ばれる芳香族複素環の２価の残基が挙げられ；好ましくはピリジン、ピリミジン、トリアジン、インドール、キノリン、キナゾリン、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、及びベンゾオキサゾールから選ばれる芳香族複素環の２価の残基であり；より好ましくはピリジン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ベンゾチオフェン、及びジベンゾチオフェンから選ばれる芳香族複素環の２価の残基である。
【０１６７】
本発明の一態様において、Ａｒ３が下記式（３−ａ）で表されることが好ましい。
【化１０９】
2020043182.tif 000110
【０１６８】
式中、
＊ａはＬ３に結合する位置を表し、
Ｘｂは酸素原子、硫黄原子、又はＮＲｂであり、
Ｒｂは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｘ１〜Ｘ８は、それぞれ独立に、Ｎ又はＣＲｃであり、
Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であるか、又は、隣接するＲｃと結合して置換もしくは無置換の環構造を形成し、Ｒｃが表す前記置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
ｎは１〜３の整数、好ましくは１又は２である、
ただし、
Ｘ１〜Ｘ８の少なくとも一つはＣＲｃであり、Ｒｂ及びＲｃから選ばれる一つは＊ａを介してＬ３に結合する単結合である。
【０１６９】
Ｒｂ及びＲｃが表す各基の詳細は、式（Ａ）のＲに関して上記した対応する基の詳細と同じである。隣接する２つのＲｃが任意に形成する環構造の詳細は、式（Ａ）の隣接する２つのＲが任意に形成する環構造の詳細と同じである。本発明の一態様において、隣接する２つのＲｃは環構造を形成するのが好ましく、他の態様においては、隣接する２つのＲｃは環構造を形成しないことが好ましい。
【０１７０】
本発明の一態様において、Ｘｂは酸素原子又は硫黄原子であることが好ましく、他の態様においてはＮＲｂであることが好ましい。
【０１７１】
本発明の一態様において、＊ａを介してＬ３に結合する単結合ではないＲｃはすべて水素原子であることが好ましい。
【０１７２】
本発明の一態様において、前記式（３−ａ）が式（３−ｂ）又は（３−ｃ）で表されることが好ましい。
【化１１０】
2020043182.tif 000111
【０１７３】
式中、Ｘ１〜Ｘ８、Ｒｂ、及びｎは、前記と同じである。ただし、Ｘ１〜Ｘ８の少なくとも一つはＣＲｃであり、該Ｒｃは＊ａを介してＬ３に結合する単結合である。
【化１１１】
2020043182.tif 000112
【０１７４】
式中、Ｘ１〜Ｘ８、及びｎは、前記と同じである。
本発明の一態様において、Ｘ１〜Ｘ８のすべてがＣＨであることが好ましい。
【０１７５】
本発明の一態様において、前記式（３−ａ）が式（３−ｄ）又は（３−ｅ）で表されることが好ましい。
【化１１２】
2020043182.tif 000113
【０１７６】
式中、Ｘ１〜Ｘ８及びｎは、前記と同じである。ただし、Ｘ１〜Ｘ８の少なくとも一つはＣＲｃであり、該Ｒｃは＊ａを介してＬ３に結合する単結合である。
【０１７７】
本発明の一態様において、前記式（３−ｂ）が式（３−ｂ’）で表されることが好ましい。
【化１１３】
2020043182.tif 000114
【０１７８】
式中、Ｒｂ、Ｒｃ、及びｎは、前記と同じである。ただし、Ｒｃの１つは＊ａを介してＬ３に結合する単結合である。
本発明の一態様において、カルバゾール骨格の３位に結合するＲｃが＊ａを介してＬ３に結合する単結合であることが好ましい。
本発明の他の態様において、カルバゾール骨格の３位に結合するＲｃが＊ａを介してＬ３に結合する単結合であり、他のＲｃがすべて水素原子であることが好ましい。
【化１１４】
2020043182.tif 000115
【０１７９】
式中、Ｒｃ及びｎは、前記と同じである。
本発明の一態様において、Ｒｃがすべて水素原子であることが好ましい。
【０１８０】
本発明の一態様において、前記式（３−ｄ）が式（３−ｄ’）で表され、前記式（３−ｅ）が式（３−ｅ’）で表されることが好ましい。
【化１１５】
2020043182.tif 000116
【０１８１】
式中、Ｒｃ及びｎは、前記と同じである。
本発明の一態様において、ジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格の１、２，又は３位、好ましくは２又は３位、より好ましくは２位に結合するＲｃが＊ａを介してＬ３に結合する単結合であることが好ましい。
本発明の他の態様において、ジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格の１、２，又は３位、好ましくは２又は３位、より好ましくは２位に結合するＲｃが＊ａを介してＬ３に結合する単結合であり、他のＲｃがすべて水素原子であることが好ましい。
【０１８２】
本発明の一態様において、Ａｒ３が下記式（４−ａ）で表されることが好ましい。
【化１１６】
2020043182.tif 000117
【０１８３】
前記式（４−ａ）において、
＊ｂはＬ３に結合する位置を表し、
Ｒ５〜Ｒ８の１つは＊ｃに結合する単結合であり、
Ｒ１１〜Ｒ１４の１つは＊ｄに結合する単結合であり、
Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ１５〜Ｒ１８、＊ｃに結合する単結合ではないＲ５〜Ｒ８、及び＊ｄに結合する単結合ではないＲ１１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。
ただし、Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ１５〜Ｒ１８、＊ｃに結合する単結合ではないＲ５〜Ｒ８、及び＊ｄに結合する単結合ではないＲ１１〜Ｒ１４から選ばれる隣接する２つは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。
Ａｒ５は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｌ５は単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基である。
【０１８４】
前記置換基の詳細は、式（Ａ）のＲに関して上記した対応する基の詳細と同様である。
Ａｒ５が表す環形成炭素数６〜３０のアリール基及び環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基の詳細は、式（Ａ）のＲに関して上記した環形成炭素数６〜３０のアリール基及び環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基の詳細と同様である。
Ｌ５が表す環形成炭素数６〜３０のアリーレン基及び環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基の詳細は、式（Ａ）のＬ１及びＬ２に関して上記した環形成炭素数６〜３０のアリーレン基及び環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基の詳細と同様である。
Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ１５〜Ｒ１８、＊ｃに結合する単結合ではないＲ５〜Ｒ８、及び＊ｄに結合する単結合ではないＲ１１〜Ｒ１４から選ばれる隣接する２つが任意に形成する環構造の詳細は、式（Ａ）の隣接する２つのＲが任意に形成する環構造の詳細と同じである。本発明の一態様において、前記隣接する２つは環構造を形成するのが好ましく、他の態様においては、前記隣接する２つは環構造を形成しないことが好ましい。
【０１８５】
本発明の一態様において、前記式（４−ａ）は式（４−ｂ）〜（４−ｅ）のいずれかで表されることが好ましく、式（４−ｂ）又は（４−ｄ）で表されることがより好ましい。
【化１１７】
2020043182.tif 000118
【０１８６】
式中、Ｒ１〜Ｒ８、Ｒ１１〜Ｒ１８、Ａｒ５、及びＬ５は前記と同じである。
本発明の一態様において、式（４−ｂ）〜（４−ｅ）の各Ｒが水素原子であることが好ましい。
【０１８７】
式（Ｂ１）のＡｒ３が式（４−ａ）〜（４−ｄ）のいずれかで表される場合、ｎは好ましくは１又は２、より好ましくは１である。
【０１８８】
式（Ｂ１）で表される化合物は公知の方法、例えば、国際公開第２０１１／１３２６８４号公報に記載の方法により合成することが出来る。
【０１８９】
以下に式（Ｂ１）で表される化合物の具体例を記載するが、式（Ｂ１）で表される化合物は下記化合物に限定されない。
【０１９０】
【化１１８】
2020043182.tif 000119
【０１９１】
【化１１９】
2020043182.tif 000120
【０１９２】
【化１２０】
2020043182.tif 000121
【０１９３】
【化１２１】
2020043182.tif 000122
【０１９４】
【化１２２】
2020043182.tif 000123
【０１９５】
【化１２３】
2020043182.tif 000124
【０１９６】
【化１２４】
2020043182.tif 000125
【０１９７】
【化１２５】
2020043182.tif 000126
【０１９８】
【化１２６】
2020043182.tif 000127
【０１９９】
【化１２７】
2020043182.tif 000128
【０２００】
【化１２８】
2020043182.tif 000129
【０２０１】
【化１２９】
2020043182.tif 000130
【０２０２】
【化１３０】
2020043182.tif 000131
【０２０３】
【化１３１】
2020043182.tif 000132
【０２０４】
【化１３２】
2020043182.tif 000133
【０２０５】
【化１３３】
2020043182.tif 000134
【０２０６】
【化１３４】
2020043182.tif 000135
【０２０７】
【化１３５】
2020043182.tif 000136
【０２０８】
【化１３６】
2020043182.tif 000137
【０２０９】
【化１３７】
2020043182.tif 000138
【０２１０】
【化１３８】
2020043182.tif 000139
【０２１１】
【化１３９】
2020043182.tif 000140
【０２１２】
【化１４０】
2020043182.tif 000141
【０２１３】
【化１４１】
2020043182.tif 000142
【０２１４】
【化１４２】
2020043182.tif 000143
【０２１５】
【化１４３】
2020043182.tif 000144
【０２１６】
【化１４４】
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【０２１７】
【化１４５】
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【０２１８】
【化１４６】
2020043182.tif 000147
【０２１９】
【化１４７】
2020043182.tif 000148
【０２２０】
【化１４８】
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【０２２１】
【化１４９】
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【０２２２】
【化１５０】
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【０２２３】
【化１５１】
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【０２２４】
【化１５２】
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【０２２５】
【化１５３】
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【０２２６】
【化１５４】
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【０２２７】
【化１５５】
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【０２２８】
【化１５６】
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【０２２９】
【化１５７】
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【０２３０】
【化１５８】
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【０２３１】
【化１５９】
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【０２３２】
【化１６０】
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【０２３３】
【化１６１】
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【０２３４】
【化１６２】
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【０２３５】
【化１６３】
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【０２３６】
【化１６４】
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【０２３７】
【化１６５】
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【０２３８】
【化１６６】
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【０２３９】
【化１６７】
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【０２４０】
【化１６８】
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【０２４１】
【化１６９】
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【０２４２】
【化１７０】
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【０２４３】
【化１７１】
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【０２４４】
【化１７２】
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【０２４５】
【化１７３】
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【０２４６】
【化１７４】
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【０２４７】
【化１７５】
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【０２４８】
【化１７６】
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【０２４９】
【化１７７】
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【０２５０】
【化１７８】
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【０２５１】
【化１７９】
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【０２５２】
【化１８０】
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【０２５３】
【化１８１】
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【０２５４】
【化１８２】
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【０２５５】
【化１８３】
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【０２５６】
【化１８４】
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【０２５７】
【化１８５】
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【０２５８】
【化１８６】
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【０２５９】
【化１８７】
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【０２６０】
【化１８８】
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【０２６１】
【化１８９】
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【０２６２】
【化１９０】
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【０２６３】
【化１９１】
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【０２６４】
【化１９２】
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【０２６５】
【化１９３】
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【０２６６】
【化１９４】
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【０２６７】
【化１９５】
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【０２６８】
【化１９６】
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【０２６９】
【化１９７】
2020043182.tif 000198
【０２７０】
式（Ｂ２）で表される第２化合物
式（Ｂ２）で表される第２化合物は、シアノ基を１個又は２個以上、好ましくは１〜３個、より好ましくは１個又は２個、さらに好ましくは１個有する化合物である。
【化１９８】
2020043182.tif 000199
【０２７１】
Ａ３及びＡ４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８、更に好ましくは６〜１２のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３のヘテロアリール基である。
前記環形成炭素数６〜３０のアリール基及び前記環形成原子数５〜３０のヘテロリール基の具体例は、式（Ａ）のＲに関して記載した環形成炭素数６〜３０のアリール基及び環形成原子数５〜３０のヘテロリール基の具体例と同様である。
前記環形成炭素数６〜３０のアリール基は、好ましくはフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、又は９，９’−スピロビフルオレニル基であり、フェニル基が特に好ましい。
前記環形成原子数５〜３０のヘテロリール基は、好ましくはジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、又はアザカルバゾリル基である。
前記環形成炭素数６〜３０のアリール基及び前記環形成原子数５〜３０のヘテロリール基は、後述する任意の置換基、例えば、メチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、フェニル−ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、トリメチルシリル基、カルバゾリル基、及びフッ素原子から選ばれる基で置換されていてもよい。
【０２７２】
Ａ５は、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜６の単環炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜６の単環複素環基である。
前記環形成炭素数３〜６の単環炭化水素基の例としては、フェニレン基、シクロペンテニレン基、シクロペンタジエニレン基、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基等が挙げられ、フェニレン基が好ましい。前記環形成原子数３〜６の単環複素環基の例としては、ピロリレン基、ピラジニレン基、ピリジニレン基、フリレン基、チエニレン基等が挙げられる。
カルバゾール骨格の６員環とこれに隣接するＡ５は縮合してもよい。
【０２７３】
ｍは０〜３の整数、好ましくは０〜２の整数、更に好ましくは０又は１である。本発明の一態様において、ｍは０であることが好ましく、他の態様においては１であることが好ましい。
ｍが０のとき、（Ａ５)０は単結合を表す。
【０２７４】
Ｘ２５〜Ｘ２８の１つは＊ｅに結合する炭素原子であり、Ｙ２１〜Ｙ２４の１つは＊ｆに結合する炭素原子である。
Ｘ２１〜Ｘ２４、＊ｅに結合する炭素原子ではないＸ２５〜Ｘ２８、Ｙ２５〜Ｙ２８、及び＊ｆに結合する炭素原子ではないＹ２１〜Ｙ２４は、それぞれ独立に、Ｎ又はＣＲａである。
すなわち、Ｘ２５〜Ｘ２８の１つ、及び、Ｙ２１〜Ｙ２４の１つは、−（Ａ５）ｍ−を介して２つのカルバゾール骨格を連結する２つ炭素原子を表す。このような２つ炭素原子の組合せは、例えば、Ｘ２６とＹ２３、Ｘ２６とＹ２２、Ｘ２６とＹ２４、Ｘ２６とＹ２１、Ｘ２７とＹ２３、Ｘ２５とＹ２３、Ｘ２８とＹ２３、Ｘ２７とＹ２２、Ｘ２７とＹ２４、Ｘ２７とＹ２１、Ｘ２５とＹ２２、Ｘ２８とＹ２２、Ｘ２８とＹ２４、Ｘ２８とＹ２１、Ｘ２５とＹ２１、Ｘ２５とＹ２４などである。
【０２７５】
本発明の好ましい態様において、式（Ｂ２）は下記式（Ｂ２−ａ）で表される。
【化１９９】
2020043182.tif 000200
【０２７６】
本発明の他の好ましい態様において、式（Ｂ２）は下記式（Ｂ２−ｂ）で表される。
【化２００】
2020043182.tif 000201
【０２７７】
本発明の他の好ましい態様において、式（Ｂ２）は下記式（Ｂ２−ｃ）で表される。
【化２０１】
2020043182.tif 000202
【０２７８】
本発明の一態様において、前記式（Ｂ２−ａ）、（Ｂ２−ｂ）、及び（Ｂ２−ｃ）は、それぞれ下記式（Ｂ２−ａ１）、（Ｂ２−ｂ１）、及び（Ｂ２−ｃ１）で表される。
【化２０２】
2020043182.tif 000203
【化２０３】
2020043182.tif 000204
【化２０４】
2020043182.tif 000205
【０２７９】
本発明の一態様において、前記式（Ｂ２−ａ１）、（Ｂ２−ｂ１）、及び（Ｂ２−ｃ１）はそれぞれ下記式（Ｂ２−ａ１’）、（Ｂ２−ｂ１’）、及び（Ｂ２−ｃ１’）で表される。
【化２０５】
2020043182.tif 000206
【化２０６】
2020043182.tif 000207
【化２０７】
2020043182.tif 000208
【０２８０】
各Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であるか、又は、隣接するＲａと結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。Ｒａが表す前記置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である、
本発明の一態様においては、少なくとも一組の隣接する２つのＲａが前記置換もしくは無置換の環構造を形成し、他の態様においては、隣接する２つのＲａは環構造を形成しない。
Ｒａが表す各基の詳細は、式（Ａ）のＲに関して記載した対応する基の詳細と同じであり、前記環構造の詳細は式（Ａ）の隣接する２つのＲが任意に形成する環構造の詳細と同じである。
【０２８１】
式（Ｂ２）は、下記（ｉ）及び（ｉｉ）の一方又は双方を満たす。
（ｉ）Ａ３及びＡ４の少なくとも１つが、シアノ基を有する環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換された環形成炭素数６〜３０のアリール基であって、該置換基又はアリール基がシアノ基を有する基、シアノ基を有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、又は置換された環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であって、該置換基又はヘテロアリール基がシアノ基を有する基、好ましくは、シアノ基を有する環形成炭素数６〜３０のアリール基又はシアノ基を有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。
（ｉｉ）Ｘ２１〜Ｘ２８及びＹ２１〜Ｙ２８の少なくとも１つはＣＲａであり、該少なくとも１つのＣＲａ中の少なくとも１つのＲａが、シアノ基を有する環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換された環形成炭素数６〜３０のアリール基であって、該置換基又はアリール基がシアノ基を有する基、シアノ基を有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、又は置換された環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であって、該置換基又はヘテロアリール基がシアノ基を有する基、好ましくは、シアノ基を有する環形成炭素数６〜３０のアリール基又はシアノ基を有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。
【０２８２】
すなわち、式（Ｂ２）で表される化合物は、
（１）要件（ｉ）を満たし、要件（ｉｉ）を満たさない、
（２）要件（ｉｉ）を満たし、要件（ｉ）を満たさない、又は
（３）要件（ｉ）及び要件（ｉｉ）の両方を満たす。
本発明の一態様において、式（Ｂ２）で表される化合物は要件（ｉ）を満たし、要件（ｉｉ）を満たさないことが好ましく、要件（ｉ）を満たし、かつ、Ｒａがシアノ基を含まないことがより好ましい。
本発明の他の態様において、式（Ｂ２）は要件（ｉ）を満たし、Ｘ２１〜Ｘ２４、＊ｅに結合する炭素原子ではないＸ２５〜Ｘ２８、Ｙ２５〜Ｙ２８、＊ｆに結合する炭素原子ではないＹ２１〜Ｙ２４がすべてＣＨであることが好ましい。
【０２８３】
要件（ｉ）及び（ｉｉ）の環形成炭素数６〜３０のアリール基及び環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基の詳細は、式（Ｂ２）のＡ３及びＡ４に関して記載した環形成炭素数６〜３０のアリール基及び環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基の詳細と同じである。
【０２８４】
要件（ｉ）及び（ｉｉ）のシアノ基を有する環形成炭素数６〜３０のアリール基は、下記式（２−１）〜（２−５）から選ばれることが好ましい。
【化２０８】
2020043182.tif 000209
【０２８５】
要件（ｉ）及び（ｉｉ）のシアノ基を有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基は、下記式（２−６）〜（２−９）から選ばれることが好ましい。
【化２０９】
2020043182.tif 000210
【０２８６】
前記式（２−１）は好ましくは下記式（２−１ａ）で表される。
【化２１０】
2020043182.tif 000211
【０２８７】
前記式（２−２）は、好ましくは下記式（２−２ａ）、（２−２ｂ）、（２−２ｃ）、又は（２−２ｄ）で表され、より好ましくは下記式（２−２ｅ）、（２−２ｆ）、（２−２ｇ）、又は（２−２ｈ）で表され、更に好ましくは下記式（２−２ｅ）で表される。
【化２１１】
2020043182.tif 000212
【化２１２】
2020043182.tif 000213
【０２８８】
前記式（２−３）は、好ましくは式（２−３ａ）又は（２−３ｂ）、より好ましくは式（２−３ｃ）で表される。
【化２１３】
2020043182.tif 000214
【化２１４】
2020043182.tif 000215
【０２８９】
前記式（２−４）は、好ましくは下記式（２−４ａ）又は（２−４ｂ）、より好ましくは下記式（２−４ｃ）で表される。
【化２１５】
2020043182.tif 000216
【化２１６】
2020043182.tif 000217
【０２９０】
前記式（２−５）は、好ましくは下記式（２−５ａ）又は（２−５ｂ）、より好ましくは下記式（２−５ｃ）で表される。
【化２１７】
2020043182.tif 000218
【化２１８】
2020043182.tif 000219
【０２９１】
前記式（２）で表される化合物は公知の方法、例えば、ＷＯ２０１３／０８４８８１号公報に記載の方法により合成することができる。
【０２９２】
以下に、前記式（２）で表される化合物の具体例を記載するが、式（２）で表される化合物は下記化合物に限定されない。
【０２９３】
【化２１９】
2020043182.tif 000220
【０２９４】
【化２２０】
2020043182.tif 000221
【０２９５】
【化２２１】
2020043182.tif 000222
【０２９６】
【化２２２】
2020043182.tif 000223
【０２９７】
【化２２３】
2020043182.tif 000224
【０２９８】
【化２２４】
2020043182.tif 000225
【０２９９】
【化２２５】
2020043182.tif 000226
【０３００】
【化２２６】
2020043182.tif 000227
【０３０１】
【化２２７】
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【０３０２】
【化２２８】
2020043182.tif 000229
【０３０３】
【化２２９】
2020043182.tif 000230
【０３０４】
【化２３０】
2020043182.tif 000231
【０３０５】
【化２３１】
2020043182.tif 000232
【０３０６】
【化２３２】
2020043182.tif 000233
【０３０７】
【化２３３】
2020043182.tif 000234
【０３０８】
【化２３４】
2020043182.tif 000235
【０３０９】
【化２３５】
2020043182.tif 000236
【０３１０】
式（Ｂ３）で表される第２化合物
【化２３６】
2020043182.tif 000237
【０３１１】
Ｒ２１は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換のイソキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルコキシ基であり、好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換のイソキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基である。
Ｒ２６は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換のイソキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルコキシ基であり、好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換のイソキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基である。
Ｒ２２〜Ｒ２５は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基、又は置換もしくは無置換の１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルコキシ基であり、好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基である。
ただし、Ｒ２２〜Ｒ２５から選ばれる隣接する２つは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。本発明の一態様において、少なくとも一組の隣接する２つは前記置換もしくは無置換の環構造を形成する。他の態様においては、隣接する２つは環構造を形成しない。
【０３１２】
Ｒ２１及びＲ２６が表す置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、及び置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基において、該アリール基、アルキル基、及びアルコキシ基の具体例は、式（Ａ）のＲに関して上記した対応する各基の具体例と同じである。
前記アリール基はフェニル基であることが特に好ましく、前記アルキル基はメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基であることが特に好ましい。
前記ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基は以下の基であることが好ましい。
【化２３７】
2020043182.tif 000238
【０３１３】
Ｒ２２〜Ｒ２５が表す置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、及び置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基において、該アリール基、アルキル基、及びアルコキシ基の詳細は、式（Ａ）のＲに関して上記した対応する各基の詳細と同じである。
Ｒ２２〜Ｒ２５から選ばれる隣接する２つが任意に形成する置換もしくは無置換の環構造の詳細は、式（Ａ）のＲに関して上記した置換もしくは無置換の環構造の詳細と同じである。
【０３１４】
Ｒ２１〜Ｒ２６の少なくとも１つ、好ましくはＲ２１又はＲ２６は、−Ｌ１１−Ｌ１２−Ｌ１３−Ａｒ１１である。
Ｌ１１、Ｌ１２、及びＬ１３は、それぞれ独立に、単結合又はリンカーであり、該リンカーは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリーレン基、置換もしくは無置換のピリジニレン基、又は置換もしくは無置換のキノリニレン基であり、好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基又は置換もしくは無置換のピリジニレン基である。
【０３１５】
前記環形成炭素数６〜３０のアリーレン基の具体例は、式（Ａ）に関して上記した環形成炭素数６〜３０のアリーレン基の具体例と同じである。
【０３１６】
Ｌ１１が表すリンカーは以下の基（任意の置換基は簡略化のために省略した）であることが特に好ましい。
【化２３８】
2020043182.tif 000239
【０３１７】
Ｌ１２が表すリンカーは、好ましくは置換もしくは無置換のアントラセンジイル基、より好ましくは９，１０−アントラセンジイル基、２，６−アントラセンジイル基、又は２，１０−アントラセンジイル基である。
【０３１８】
Ｌ１３が表すリンカーは、好ましくはフェニレン基、より好ましくはｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、又はｐ−フェニレン基、更に好ましくはｍ−フェニレン基又はｐ−フェニレン基、特に好ましくはｐ−フェニレン基である。
【０３１９】
本発明の一態様において、Ｌ１１、Ｌ１２、及びＬ１３はすべて単結合であってもよい。
【０３２０】
従って、−Ｌ１１−Ｌ１２−Ｌ１３−は、好ましくは
−（単結合）−（リンカー）−（単結合）−、
−（単結合）−（リンカー）−（リンカー）−、
−（リンカー）−（リンカー）−（単結合）−、
−（リンカー）−（リンカー）−（リンカー）−、又は
−（単結合）−（単結合）−（単結合）−、
を表す。
【０３２１】
Ａｒ１１は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のピリミジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルコキシ基であり、好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のピリミジル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基である。
【０３２２】
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基の具体例は、式（Ａ）に関して上記した環形成炭素数６〜３０のアリール基の具体例と同じである。
本発明の好ましい態様において、Ａｒ１１はフェニル基、ビフェニリル基（ｏ−、ｍ−、又はｐ−ビフェニリル基）、ターフェニリル基（ｍ−ターフェニリル−３’−イル基）、ナフチル基（１−ナフチル基又は２−ナフチル基）、フェナントリル基（２−又は９−フェナントリル基）、ピリジル基（２−ピリジル基）、ピリミジル基（２−ピリミジル基）、フルオランテニル基（３−フルオランテニル基）、ピレニル基（２−ピレニル基）、トリフェニレニル基（２−トリフェニレニル基）、ベンゾトリフェニレニル基（ベンゾ［ｃ］トリフェニレン−２−イル基）、９，９’−スピロビフルオレニル基（２−又は４−９，９’−スピロビフルオレニル基）、９，９−ジメチルフルオレニル基（２−９，９−ジメチルフルオレニル基）、又は９，９−ジフェニルフルオレニル基（２−又は４−９，９−ジフェニルフルオレニル基）であることが特に好ましい。
【０３２３】
本発明の好ましい態様において、式（Ｂ３）は下記式（Ｂ３−ａ）又は（Ｂ３−ｂ）で表される。
【化２３９】
2020043182.tif 000240
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２６、Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、及びＡｒ１１は式（Ｂ３）において定義したとおりである。）
【０３２４】
式（Ｂ３）で表される化合物は公知の方法により合成することが出来る。
【０３２５】
式（Ｂ３）で表される化合物の具体例を以下に示すが、式（Ｂ３）で表される化合物は下記化合物に限定されるものではない。
【０３２６】
（１）式（Ｂ３）において、Ｒ２６が−Ｌ１１−Ｌ１２−Ｌ１３−Ａｒ１１であり、
【化２４０】
2020043182.tif 000241
が下記グループＡ１から選ばれる基であり、−Ｌ１２−Ｌ１３−Ａｒ１１が下記グループＢ１から選ばれる基である化合物。
【０３２７】
グループＡ１
【化２４１】
2020043182.tif 000242
【０３２８】
グループＢ１
【化２４２】
2020043182.tif 000243
【０３２９】
（２）式（Ｂ３）において、Ｒ２１が−Ｌ１１−Ｌ１２−Ｌ１３−Ａｒ１１であり、
【化２４３】
2020043182.tif 000244
が下記グループＡ２から選ばれる基であり、Ａｒ１１が下記グループＢ２から選ばれる基である化合物。
【０３３０】
グループＡ２
【化２４４】
2020043182.tif 000245
【０３３１】
グループＢ２
【化２４５】
2020043182.tif 000246
【０３３２】
本明細書において、「置換もしくは無置換」というときの任意の置換基は、特に断らない限り、ハロゲン原子；シアノ基；ニトロ基；炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基；環形成炭素数３〜３０、好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜８、さらに好ましくは５又は６のシクロアルキル基；環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基；炭素数７〜３６、好ましくは７〜２６、より好ましくは７〜２０のアラルキル基；炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルコキシ基；環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリールオキシ基；炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基及び環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基；炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８ハロアルキル基；炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のハロアルコキシ基；及び、環形成原子数５〜３０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３のヘテロアリール基からなる群より選ばれる。
前記任意の置換基は、好ましくは、炭素数１〜３０のアルキル基、環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜３０のアルキル基及び環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、及び、環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基からなる群から選ばれ；より好ましくは、炭素数１〜３０のアルキル基、環形成炭素数６〜３０のアリール基、及び、環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基からなる群から選ばれ；更に好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基又は環形成炭素数６〜３０のアリール基であり、特に好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基である。
上記任意の置換基の詳細は、式（Ａ）のＲに関して上記した対応する置換基の詳細と同じである。
【０３３３】
有機ＥＬ素子
本発明の有機ＥＬ素子は陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に配置された有機層を含む。該有機層は発光層と電子輸送層を含み、該電子輸送層は前記陰極と前記発光層の間に配置され、かつ、前記発光層に隣接している。前記電子輸送層が上記式（Ａ）で表される第１化合物及び上記式（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれかで表される第２化合物を同時に含む。
【０３３４】
本発明の有機ＥＬ素子は、蛍光又は燐光発光型の単色発光素子であっても、蛍光／燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよく、中でも、蛍光発光型の素子であることが好ましい。ここで、「発光ユニット」とは、有機層を含み、そのうちの少なくとも一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光する最小単位をいう。
【０３３５】
例えば、シンプル型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（１）陽極／発光ユニット／陰極
また、上記発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、その場合、各発光層の間に、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、スペース層を有していてもよい。シンプル型発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。括弧内の層は任意である。
（ａ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｂ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層電子輸送層（／電子注入層）
（ｃ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１蛍光発光層／第２蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｄ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／第２燐光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｅ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｆ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／第２燐光発光層／スペース層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｇ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／スペース層／第２燐光発光層／スペース層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｈ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／第１蛍光発光層／第２蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｉ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｊ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／燐光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｋ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｌ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／燐光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｍ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｎ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／燐光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｏ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／蛍光発光層／第１電子輸送層／第２電子輸送層（／電子注入層）
（ｐ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／燐光発光層／第１電子輸送層／第２電子輸送層（／電子注入層）
（ｑ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／正孔阻止層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｒ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／正孔阻止層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｓ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／励起子阻止層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｔ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／励起子阻止層／電子輸送層（／電子注入層）
【０３３６】
上記各燐光又は蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を示すものとすることができる。具体的には、上記積層発光ユニット（ｆ）において、（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層（赤色発光）／第２燐光発光層（緑色発光）／スペース層／蛍光発光層（青色発光）／電子輸送層といった層構成等が挙げられる。
なお、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子阻止層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔阻止層を設けてもよい。電子阻止層や正孔阻止層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。
【０３３７】
タンデム型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（２）陽極／第１発光ユニット／中間層／第２発光ユニット／陰極
ここで、上記第１発光ユニット及び第２発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットから選択することができる。
上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第１発光ユニットに電子を、第２発光ユニットに正孔を供給する、公知の材料構成を用いることができる。
【０３３８】
図１に、本発明の有機ＥＬ素子の構成の一例を示す概略図である。有機ＥＬ素子１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット１０とを有する。発光ユニット１０は、発光層５を有する。発光層５と陽極３との間に正孔輸送帯域６（正孔注入層、正孔輸送層等）、発光層５と陰極４との間に電子輸送帯域７（電子注入層、電子輸送層等）を有する。また、発光層５の陽極３側に電子阻止層（図示せず）を、発光層５の陰極４側に正孔阻止層（図示せず）を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層５に閉じ込めて、発光層５における励起子の生成効率をさらに高めることができる。
【０３３９】
図２は、本発明の有機ＥＬ素子の他の構成を示す概略図である。有機ＥＬ素子１１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット２０とを有する。発光ユニット２０は、発光層５を有する。陽極３と発光層５の間に配置された正孔輸送帯域は、第１正孔輸送層６ａ及び第２正孔輸送層６ｂから形成されている。また、発光層５と陰極４の間に配置された電子輸送帯域は、第１電子輸送層７ａ及び第２電子輸送層７ｂから形成されている。
【０３４０】
なお、本発明において、蛍光ドーパント（蛍光発光材料）と組み合わされたホストを蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたホストを燐光ホストと称する。蛍光ホストと燐光ホストは分子構造のみにより区分されるものではない。すなわち、燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を形成する材料を意味し、蛍光発光層を形成する材料として利用できないことを意味しているわけではない。蛍光ホストについても同様である。
【０３４１】
基板
基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどの板を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
【０３４２】
陽極
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステンおよび酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または前記金属の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【０３４３】
これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜１０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを、酸化タングステンおよび酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
【０３４４】
陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔注入が容易である材料を用いて形成されるため、電極材料として一般的に使用される材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、元素周期表の第１族または第２族に属する元素）を用いることができる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
【０３４５】
正孔注入層
正孔注入層は、正孔注入性の高い材料（正孔注入性材料）を含む層であり、陽極と発光層の間、又は、存在する場合には、陽極と正孔輸送層の間に形成される。
【０３４６】
正孔注入性材料としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
【０３４７】
低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等も正孔注入層材料として挙げられる。
【０３４８】
高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。
【０３４９】
さらに、下記式（Ｋ）で表されるヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）化合物などのアクセプター材料を用いることも好ましい。
【化２４６】
2020043182.tif 000247
【０３５０】
（上記式中、Ｒ２１〜Ｒ２６は、それぞれ独立にシアノ基、−ＣＯＮＨ２、カルボキシル基、又は−ＣＯＯＲ２７（Ｒ２７は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数３〜２０のシクロアルキル基を表す）を表す。また、Ｒ２１及びＲ２２、Ｒ２３及びＲ２４、及びＲ２５及びＲ２６から選ばれる隣接する２つが互いに結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を形成してもよい。）
Ｒ２７としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【０３５１】
正孔輸送層
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い材料（正孔輸送性材料）を含む層であり、陽極と発光層の間、又は、存在する場合には、正孔注入層と発光層の間に形成される。
【０３５２】
正孔輸送層は、単層構造でもよく、２以上の層を含む多層構造でもよい。例えば、正孔輸送層は第１正孔輸送層（陽極側）と第２正孔輸送層（陰極側）を含む２層構造であってもよい。本発明の一態様において、前記単層構造の正孔輸送層は発光層に隣接していることが好ましく、又、前記多層構造中の最も陰極に近い正孔輸送層、例えば、上記２層構造の第２正孔輸送層、は発光層に隣接していることが好ましい。本発明の他の態様において、前記単層構造の正孔輸送層と発光層の間に、又は、前記多層構造中の最も発光層に近い正孔輸送層と発光層の間に、後述する電子阻止層などを介在させてもよい。
【０３５３】
正孔輸送性材料としては、例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。
芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、及び、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）が挙げられる。上記化合物は、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する。
【０３５４】
カルバゾール誘導体としては、例えば、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、及び、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）が挙げられる。
アントラセン誘導体としては、例えば、２−ｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、及び、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）が挙げられる。
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い化合物であれば、上記以外の化合物を用いてもよい。
【０３５５】
発光層のドーパント材料
発光層は、発光性の高い材料（ドーパント材料）を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光発光材料や燐光発光材料をドーパント材料として用いることができる。蛍光発光材料は一重項励起状態から発光する化合物であり、燐光発光材料は三重項励起状態から発光する化合物である。
【０３５６】
発光層に用いることができる青色系の蛍光発光材料として、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。
【０３５７】
発光層に用いることができる緑色系の蛍光発光材料として、芳香族アミン誘導体等を使用できる。具体的には、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。
【０３５８】
発光層に用いることができる赤色系の蛍光発光材料として、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【０３５９】
発光層に用いることができる青色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。
【０３６０】
発光層に用いることができる緑色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体等が使用される。トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。
【０３６１】
発光層に用いることができる赤色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、白金錯体、テルビウム錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。
【０３６２】
また、トリス（アセチルアセトナート）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光発光材料として用いることができる。
【０３６３】
発光層のホスト材料
発光層は、上述したドーパント材料を他の材料（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ドーパント材料よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い材料を用いることが好ましい。
【０３６４】
ホスト材料としては、例えば
（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、又は亜鉛錯体等の金属錯体、
（２）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、又はフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、
（３）カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、又はクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、
（４）トリアリールアミン誘導体又は縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が使用される。
【０３６５】
例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体；
２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物；
９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物；及び
Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物を用いることができる。ホスト材料は複数種用いてもよい。
【０３６６】
特に、青色蛍光素子の場合には、下記のアントラセン化合物をホスト材料として用いることが好ましい。
【０３６７】
【化２４７】
2020043182.tif 000248
【０３６８】
【化２４８】
2020043182.tif 000249
【０３６９】
【化２４９】
2020043182.tif 000250
【０３７０】
電子輸送層
電子輸送層は電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）を含む層であり、発光層と陰極の間、又は、存在する場合は、発光層と電子注入層の間に形成される。
電子輸送層は、単層構造でもよく、２以上の層を含む多層構造でもよい。例えば、電子輸送層は第１電子輸送層（陽極側）と第２電子輸送層（陰極側）を含む２層構造であってもよい。本発明の一態様において、前記単層構造の電子輸送層は発光層に隣接していることが好ましく、又、前記多層構造中の最も陽極に近い電子輸送層、例えば、上記２層構造の第１電子輸送層、は発光層に隣接していることが好ましい。本発明の他の態様において、前記単層構造の電子輸送層と発光層の間に、又は、前記多層構造中の最も発光層に近い電子輸送層と発光層の間に、後述する正孔阻止層などを介在させてもよい。
【０３７１】
本発明の有機ＥＬ素子は発光層に隣接する電子輸送層を含み、該電子輸送層が前記式（Ａ）で表される第１化合物と前記式（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれかで表される第２化合物を同時に含む。
第１化合物と第２化合物の含有割合、第１化合物／第２化合物、は質量比で９５／５〜５／９５、好ましくは７０／３０〜３０／７０である。第１化合物と第２化合物の電子輸送層中の合計量は、２０〜１００％、好ましくは５０〜１００％である。
【０３７２】
電子輸送層には、第１化合物と第２化合物に加えて、他の化合物、例えば、
（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、
（２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、
（３）高分子化合物を使用してもよい。
【０３７３】
金属錯体としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）が挙げられる。
【０３７４】
複素芳香族化合物としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）が挙げられる。
【０３７５】
高分子化合物としては、例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）が挙げられる。
【０３７６】
上記材料は、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い材料であれば、上記以外の材料を電子輸送層に用いてもよい。
【０３７７】
電子注入層
電子注入層は、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属、及びこれらの金属を含む化合物を用いることができる。そのような化合物としては、例えば、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ金属含有有機錯体、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属含有有機錯体、希土類金属酸化物、希土類金属ハロゲン化物、及び希土類金属含有有機錯体が挙げられる。また、これらの化合物を複数混合して用いることもできる。
その他、電子輸送性を有する材料にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、有機化合物が電子供与体から電子を受け取るため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、受け取った電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する材料（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す材料であればよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【０３７８】
陰極
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
【０３７９】
絶縁層
有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層からなる絶縁層を挿入してもよい。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。なお、これらの混合物や積層物を用いてもよい。
【０３８０】
スペース層
上記スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させない、あるいは、キャリアバランスを調整する目的で、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。
スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料であることが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、三重項エネルギーが２．６ｅＶ以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。
【０３８１】
阻止層
電子阻止層、正孔阻止層、励起子阻止層などの阻止層を発光層に隣接して設けてもいい。電子阻止層とは発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層であり、正孔阻止層とは発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層である。励起子阻止層は発光層で生成した励起子が周辺の層へ拡散することを防止し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
【０３８２】
前記有機ＥＬ素子の各層は従来公知の蒸着法、塗布法等により形成することができる。例えば、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）などの蒸着法、あるいは、層を形成する化合物の溶液を用いた、ディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
【０３８３】
各層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い駆動電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常５ｎｍ〜１０μｍであり、１０ｎｍ〜０．２μｍがより好ましい。
【０３８４】
前記有機ＥＬ素子は、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の表示装置、及び、照明、車両用灯具の発光装置等の電子機器に使用できる。
【実施例】
【０３８５】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０３８６】
実施例１
有機ＥＬ素子の製造
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行った。ＩＴＯ透明電極の厚さは１３０ｎｍとした。
洗浄後のＩＴＯ透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ透明電極を覆うようにして化合物ＨＩを蒸着して膜厚５ｎｍの正孔注入層を形成した。
次に、この正孔注入層上に、化合物ＨＴ１（第１正孔輸送層材料）を蒸着して膜厚８０ｎｍの第１正孔輸送層を形成した。
次に、この第１正孔輸送層上に、化合物ＨＴ２（第２正孔輸送層材料）を蒸着して膜厚１０ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。
次に、この第２正孔輸送層上に、化合物ＢＨ（ホスト材料）と化合物ＢＤ（ドーパント材料）を共蒸着し、膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。化合物ＢＨと化合物ＢＤの質量比は９６：４であった。
次に、この発光層の上に、化合物ＥＴＡ１（第１化合物）と化合物ＥＴＢ１（第２化合物）を共蒸着し、膜厚１０ｎｍの電子輸送層を形成した。化合物ＥＴＡ１と化合物ＥＴＢ１の質量比は７０：３０であった。
次に、この電子輸送層の上に、化合物ＥＴ３とＬｉを共蒸着して膜厚１５ｎｍの電子注入層を形成した。化合物ＥＴ３とＬｉの質量比は９６：４であった。
次に、この電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成し、下記の層構造を有する有機ＥＬ素子を製造した。
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
ETA1:ETB1=70:30(10)/ET3:Li=96:4(15)/Al(80)
上記層構造において、括弧内の数字は膜厚（ｎｍ）であり、割合は質量比である（以下、同様）。
【０３８７】
【化２５０】
2020043182.tif 000251
【０３８８】
素子寿命の測定
得られた有機ＥＬ素子を電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２で直流駆動し、輝度が初期輝度の９５％に減少するまでの時間を測定し、これを９５％寿命（ＬＴ９５）とした。結果を表１に示す。
【０３８９】
実施例２〜３
第２化合物を化合物ＥＴＢ２（実施例２）又は化合物ＥＴＢ３（実施例３）に代えた以外は実施例１と同様にして各有機ＥＬ素子を製造し、実施例１と同様にして９５％寿命（ＬＴ９５）を測定した。結果を表１に示す。
層構造
実施例２
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
ETA1:ETB2=70:30(10)/ET3:Li =96:4(15)/Al(80)
実施例３
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
ETA1:ETB3=70:30(10)/ET3:Li =96:4(15)/Al(80)
【化２５１】
2020043182.tif 000252
【０３９０】
比較例１〜４
電子輸送層を化合物ＥＴＢ１（比較例１）、化合物ＥＴＢ２（比較例２）、化合物ＥＴＢ３（比較例３）、又は化合物ＥＴＡ１（比較例４）を単独で用いて形成した以外は実施例１と同様にして各有機ＥＬ素子を製造し、実施例１と同様にして９５％寿命（ＬＴ９５）を測定した。結果を表１に示す。
層構造
比較例１
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
ETB1(10)/ET3:Li =96:4(15)/Al(80)
比較例２
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
ETB2(10)/ET3:Li =96:4(15)/Al(80)
比較例３
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
ETB3(10)/ET3:Li =96:4(15)/Al(80)
比較例４
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
ETA1(10)/ET3:Li =96:4(15)/Al(80)
【表１】
2020043182.tif 000253
【０３９１】
実施例１と比較例１の比較、実施例２と比較例２の比較、実施例３と比較例３の比較から、第２化合物に加えて第１化合物を併用して電子輸送層を形成することにより有機ＥＬ素子の寿命が著しく改善されることが分かる。
又、実施例１〜３と比較例４の比較から、第１化合物に加えて第２化合物を併用して電子輸送層を形成することにより有機ＥＬ素子の寿命が著しく改善されることが分かる。
【０３９２】
実施例４
実施例１と同様にして、ＩＴＯ透明電極上に、電子注入層、第１正孔輸送層、第２正孔輸送層、及び発光層を順次形成した。
次いで、発光層の上に、化合物ＥＴＡ１（第１化合物）と化合物ＥＴＢ４（第２化合物）を共蒸着し、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を形成した。化合物ＥＴＡ１と化合物ＥＴＢ４の質量比は５０：５０であった。
次に、電子輸送層上に、ＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入性電極（陰極）を形成した。
このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成し、下記の層構造を有する有機ＥＬ素子を製造した。
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
ETA1:ETB4=50:50(20)/LiF(1)/Al(80)
【化２５２】
2020043182.tif 000254
【０３９３】
駆動電圧の測定
得られた有機ＥＬ素子に電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように電圧を印加したときの電圧（単位：Ｖ）を測定した。
【０３９４】
外部量子効率（ＥＱＥ）の測定
得られた有機ＥＬ素子を室温下、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２で直流定電流駆動し、輝度計（ミノルタ社製分光輝度放射計ＣＳ−１０００）を用いて輝度を測定した。測定結果から外部量子効率（％）を求めた。
【０３９５】
素子寿命の測定
得られた有機ＥＬ素子を電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２で直流駆動し、輝度が初期輝度の９５％に減少するまでの時間を測定し、これを９５％寿命（ＬＴ９５）とした。
【０３９６】
実施例５〜６
化合物ＥＴＡ１（第１化合物）と化合物ＥＴＢ４（第２化合物）の質量比を３０：７０（実施例５）又は７０：３０（実施例６）に代えた以外は実施例４と同様にして各有機ＥＬ素子を製造し、実施例４と同様にして駆動電圧、外部量子効率、及び９５％寿命を測定した。
層構造
実施例５
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
ETA1:ETB4=30:70(20)/LiF(1)/Al(80)
実施例６
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
ETA1:ETB4=70:30(20)/LiF(1)/Al(80)
【０３９７】
比較例５〜６
電子輸送層を化合物ＥＴＡ１（比較例５）又は化合物ＥＴＢ４（比較例６）を単独で用いて形成した以外は実施例４と同様にして各有機ＥＬ素子を製造し、実施例４と同様にして駆動電圧、外部量子効率、及び９５％寿命を測定した。
層構造
比較例５
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
ETA1 (20)/LiF(1)/Al(80)
比較例６
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
ETB4 (20)/LiF(1)/Al(80)
【表２】
2020043182.tif 000255
【０３９８】
表２から明らかなように、第１化合物と第２化合物の蒸着比率を変えても、第１化合物と第２化合物の併用により同等の素子性能の改善効果が得られる。
【符号の説明】
【０３９９】
１、１１  有機ＥＬ素子
２  基板
３  陽極
４  陰極
５  発光層
６  正孔輸送帯域（正孔輸送層）
６ａ  第１正孔輸送層
６ｂ  第２正孔輸送層
７  電子輸送帯域（電子輸送層）
７ａ  第１電子輸送層
７ｂ  第２電子輸送層
１０、２０  発光ユニット
【図１】
2020043182.tif 000283
【図２】
2020043182.tif 000284