(57)【要約】      （修正有）【課題】有機発光ダイオードマイクロスクリーンにおいて、サブピクセル間のクロストークを減少させる構造を有したピクセルを提供する。【解決手段】基板１；可視スペクトルで反射するリフレクタ２；スペーシング層３；第１の透明電極（Ｅ１）；白色光を出射するように構成された有機発光層のスタック４；スタック４上に形成された第２の半透明電極（Ｅ２）、第２の電極（Ｅ２）及びリフレクタ２は光共振器を形成し；を次々に備え、スペーシング層３は、第１、第２、及び第３の部分３０、３１、３２を有し、その厚さは、光共振器がそれぞれ赤、緑及び青の光の透過を可能にするように調整され、スペーシング層３の第１及び第２の部分３０、３１は、それぞれ、可視スペクトルで反射する材料で覆われた側縁部３００を含む、有機発光ダイオードマイクロスクリーンのピクセル。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
−基板（１）；
−可視スペクトルで反射し、前記基板（１）上に形成されるリフレクタ（２）；
−前記リフレクタ（２）上に形成されたスペーシング層（３）；
−可視スペクトルで透明で、前記スペーシング層（３）上に形成された第１の電極（Ｅ１）；
−白色光を出射するように構成され、前記第１の電極（Ｅ１）上に形成された有機発光層のスタック（４）；
−可視スペクトルにおいて半透明であり、前記スタック（４）上に形成される第２の電極（Ｅ２）、前記第２の電極（Ｅ２）及び前記リフレクタ（２）は、光共振器を形成し；
を次々に備え、
前記スペーシング層（３）は、前記光共振器が前記スタック（４）から出射される白色光から赤色光、緑色光、及び青色光の透過をそれぞれ可能にすることにより、赤、緑、及び青のサブピクセル（ＰＲ、ＰＶ、ＰＢ）をそれぞれ定義するように、厚さが調整される第１、第２、及び第３の部分（３０、３１、３２）を有し、
前記スペーシング層（３）の第１及び第２の部分（３０、３１）は、それぞれ、可視スペクトルで反射する材料で覆われた側縁部（３００）を含むことを特徴とする、
有機発光ダイオードマイクロスクリーンのピクセル。
【請求項２】
前記スペーシング層（３）の前記第３の部分（３２）は、可視スペクトルで反射する材料で覆われた側縁部（３００）を含む、請求項１に記載のピクセル。
【請求項３】
前記スペーシング層の前記第３の部分の厚さがゼロであり、前記光共振器の厚さが、前記スタック（４）から出射される前記白色光から青色光の透過を可能にするように調整される、請求項１に記載のピクセル。
【請求項４】
前記基板は、好ましくはＳｉＯ２又はＳｉＮで形成され、その上に前記リフレクタ（２）が形成される構造化誘電体層（５）を含み、前記構造化誘電体層（５）は、赤、緑、及び青のサブピクセル（ＰＲ、ＰＶ、ＰＢ）にそれぞれ関連付けられた第１、第２、及び第３のパターン部（５０、５１、５２）を備え、
前記第１、第２、及び第３のパターン部（５０、５１、５２）は、それぞれ、好ましくはＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＷから選択される導電性材料で覆われた側縁部（５００）を含み、前記第１、第２、及び第３のパターン部（５０、５１、５２）の前記側縁部（５００）は、互いに電気的に絶縁されている、
請求項１〜３の何れか一項に記載のピクセル。
【請求項５】
前記スペーシング層（３）の前記第１及び第２の部分（３０、３１）の前記側縁部（３００）を覆う反射材料は導電性であり、
前記構造化誘電体層（５）の前記第１及び第２のパターン部（５０、５１）の前記側縁部（５００）は、それぞれ、前記スペーシング層（３）の前記第１及び第２の部分（３０、３１）の側縁部（３００）に沿って延びている、
請求項１又は３と組み合わせた請求項４に記載のピクセル。
【請求項６】
前記スペーシング層（３）の前記第１、第２、及び第３の部分（３０、３１、３２）の側縁部（３００）を覆う反射材料は導電性であり、
前記構造化誘電体層（５）の前記第１、第２、及び第３のパターン部（５０、５１、５２）の側縁部（５００）は、それぞれ、前記スペーシング層（３）の第１、第２、及び第３の部分（３０、３１、３２）の側縁部（３００）に沿って延びている。
請求項２と組み合わせた請求項４に記載のピクセル。
【請求項７】
前記基板（１）がＣＭＯＳ回路を含み、
そして、前記構造化誘電体層（５）の前記第１、第２、及び第３のパターン部（５０、５１、５２）の前記側縁部（５００）は、前記ＣＭＯＳ回路に電気的に接続されている、
請求項５又は６に記載のピクセル。
【請求項８】
前記リフレクタ（２）が、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＷから選択される材料で形成される、請求項１〜７の何れか一項に記載のピクセル。
【請求項９】
前記スペーシング層（３）の前記第１、第２、及び第３の部分（３０、３１、３２）の側縁部（３００）を覆う反射材料は、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＷから選択される、請求項１〜８の何れか一項に記載のピクセル。
【請求項１０】
前記スペーシング層（３）は、導電性を有し可視スペクトルにおいて透明な材料、好ましくは酸化物、より好ましくはインジウムスズ酸化物、酸化スズＳｎＯ２、及び酸化亜鉛ＺｎＯから選択される酸化物で形成される、請求項１〜９の何れか一項に記載のピクセル。
【請求項１１】
前記スペーシング層（３）の前記第１、第２、及び第３の部分（３０、３１、３２）は、互いに電気的に絶縁された側縁部（３００）を含む、請求項１〜１０の何れか一項に記載のピクセル。
【請求項１２】
請求項１〜１１の何れか一項に記載のピクセルのマトリックスアレイを含む有機発光ダイオードマイクロスクリーン。
【請求項１３】
ステップａ）基板（１）を用意する；
ステップｂ）前記基板（１）上に可視スペクトルで反射するリフレクタ（２）を形成する；
ステップｃ）前記リフレクタ（２）上にスペーシング層（３）を形成する；
ステップｄ）前記スペーシング層（３）上に可視スペクトルで透明な第１の電極（Ｅ１）を形成する；
ステップｅ）前記第１の電極（Ｅ１）上に有機発光層のスタック（４）を形成し、前記スタック（４）は白色光を出射するように構成される；
ステップｆ）前記スタック（４）上に可視スペクトルにおいて半透明である第２の電極（Ｅ２）を形成し、前記第２の電極（Ｅ２）及び前記リフレクタ（２）は光共振器を形成する；
を備え、
前記ステップｃ）において、前記スペーシング層（３）が、前記光共振器が前記スタック（４）から出射される白色光から赤色光、緑色光、及び青色光の透過をそれぞれ可能にすることにより、赤、緑、及び青のサブピクセル（ＰＲ、ＰＶ、ＰＢ）をそれぞれ定義するように、厚さが調整される第１、第２、及び第３の部分（３０、３１、３２）を有し、前記スペーシング層（３）の前記第１及び第２の部分（３０、３１）が側縁部（３００）を有し；
前記ステップｃ）は、前記スペーシング層（３）の前記第１及び第２の部分（３０、３１）の前記側縁部（３００）を可視スペクトルで反射する材料で覆うステップを含むことを特徴とする、
有機発光ダイオードマイクロスクリーン用のピクセルの製造するプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオードマイクロスクリーンの技術分野に関する。
特に、本発明は、仮想現実又は拡張現実のヘッドセット及び眼鏡、カメラのファインダー、ヘッドアップディスプレイ、ピコプロジェクター等の製造に適用可能である。
【背景技術】
【０００２】
従来技術、特に、米国特許第８９５６８９８号明細書に開示されている有機発光ダイオードマイクロスクリーン用のピクセルは、
−基板；
−可視スペクトルで反射し、基板上に形成されるリフレクタ；
−リフレクタ上に形成されたスペーシング層；
−可視スペクトルで透明であり、スペーシング層上に形成される第１の電極；
−白色光を出射するように構成され、第１の電極上に形成された有機発光層のスタック；
−可視スペクトルにおいて半透明であり、スタック上に形成される第２の電極、第２の電極及びリフレクタは光共振器を形成する；
を次々に含み、
スペーシング層は、光共振器がスタックから出射される白色光から赤色光、緑色光、及び青色光の透過をそれぞれ可能にすることにより、赤、緑、及び青のサブピクセルをそれぞれ定義するように、厚さが調整される第１、第２、及び第３の部分を有し、
第１の透明電極の下に配置されたリフレクタ及びスペーシング層により、従来技術のこのようなピクセルは、平面を形成する第１の電極の上に有機発光層のスタックを容易に堆積させることができるが、欧州特許第１６７２９６２号明細書に記載されているような、スタックが非平面（異なる厚さの３つの部分）である平面でないスペーシング層上に形成される、他のアーキテクチャでは不可能である。
【０００３】
さらに、従来技術のこのようなピクセルは、干渉フィルターを形成するファブリ・ペロー光共振器により、カラーフィルターを省略することができる。フィルターされる波長の範囲は、スペーシング層の第１、第２、及び第３の部分の厚さによって決定され、光共振器が有機発光層のスタックによって出射された白色光から赤色光、緑色光、及び青色光の透過をそれぞれ許可するように、光共振器の厚さ（リフレクタと第２の電極によって区切られる）を調整することを可能にする。しかしながら、従来技術のこのようなピクセルは、赤、緑、及び青のサブピクセルの電子制御が、隣接するサブピクセル間のクロストークにつながる可能性があるため、完全に満足できるものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第８９５６８９８号明細書
【特許文献２】欧州特許第１６７２９６２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前述の欠点を完全に又は部分的に克服することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的のために、本発明の１つの主題は、
−基板（１）；
−可視スペクトルで反射し、前記基板（１）上に形成されるリフレクタ（２）；
−前記リフレクタ（２）上に形成されたスペーシング層（３）；
−可視スペクトルで透明で、前記スペーシング層（３）上に形成された第１の電極（Ｅ１）；
−白色光を出射するように構成され、前記第１の電極（Ｅ１）上に形成された有機発光層のスタック（４）；
−可視スペクトルにおいて半透明であり、前記スタック（４）上に形成される第２の電極（Ｅ２）、前記第２の電極（Ｅ２）及び前記リフレクタ（２）は、光共振器を形成し；
を次々に備え、
前記スペーシング層（３）は、前記光共振器が前記スタック（４）から出射される白色光から赤色光、緑色光、及び青色光の透過をそれぞれ可能にすることにより、赤、緑、及び青のサブピクセル（ＰＲ、ＰＶ、ＰＢ）をそれぞれ定義するように、厚さが調整される第１、第２、及び第３の部分（３０、３１、３２）を有し、
前記スペーシング層（３）の第１及び第２の部分（３０、３１）は、それぞれ、可視スペクトルで反射する材料で覆われた側縁部（３００）を含むことを特徴とする、
有機発光ダイオードマイクロスクリーンのピクセルである。
【０００７】
したがって、本発明に係るこのようなピクセルは、赤と緑のサブピクセル間のクロストークを、スペーシング層の第１及び第２の部分の反射性を有する側縁部により、著しく減少させることができ、光キャビティ内における反射光線の閉じ込めを改善する。
【０００８】
（定義）
−「マイクロスクリーン」という用語は、各ピクセルの面積が３０μｍ×３０μｍ以下であるスクリーンを意味すると理解される。
−「基板」という用語は、電子デバイス又は電子コンポーネントの組み込みを可能にするベース材料で製造された、自立型の物理的キャリアを意味すると理解される。基板は、従来、半導体材料の単結晶インゴットから切断されたウェハである。
−「可視スペクトル」という用語は、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの電磁スペクトルを意味すると理解される。
−「反射」という用語は、対応する要素（つまり、リフレクタ又は側縁部を覆う材料）の強度反射係数（intensity reflection coefficient）が、可視スペクトル全体で平均して、７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらにより好ましくは９０％以上であるであることを意味すると理解される。
−「半透明」という用語は、第２の電極の強度透過係数が、可視スペクトル全体で平均して、厳密に８０％未満、好ましくは厳密に７０％未満、より好ましくは厳密に６０％未満であることを意味すると理解される。
−「透明」という用語は、第１の電極の強度透過係数が、可視スペクトル全体で平均して、７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらにより好ましくは９０％以上であることを意味すると理解される。
−「厚さ」という用語は、ピクセル又はサブピクセルの表面の法線に沿った寸法を意味すると理解される。
−「側縁部（lateral edges）」という用語は、基板の法線（つまり、ピクセル又はサブピクセルの表面の法線）に垂直な方向に伸びる縦方向の縁を意味すると理解される。
【０００９】
本発明に係るピクセルは、以下の特徴のうちの１つ以上を含んでいてもよい。
【００１０】
本発明の１つの特徴によれば、スペーシング層の第３の部分は、可視スペクトルで反射する材料で覆われた側縁部を含む。
したがって、得られる利点の１つは、赤、緑、及び青のサブピクセル間のクロストークが、スペーシング層の第１、第２、及び第３の部分の反射性を有する側縁部により著しく減少し、光キャビティ内における反射光線の閉じ込めを改善することである。
【００１１】
本発明の１つの特徴によれば、スペーシング層の第３の部分の厚さがゼロであり、光共振器の厚さが、スタックから出射される白色光から青色光の透過を可能にするように調整される。
したがって、得られる利点の１つは、スペーシング層の第３の部分の厚さを制御する必要がないことにより、青色サブピクセルの製造が単純化されることである。
【００１２】
本発明の１つの特徴によれば、基板は、好ましくはＳｉＯ２又はＳｉＮで形成され、その上にリフレクタが形成される構造化誘電体層を含み、構造化誘電体層は、赤、緑、及び青のサブピクセルにそれぞれ関連付けられた第１、第２、及び第３のパターン部を備え、
第１、第２、及び第３のパターン部は、それぞれ、好ましくはＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＷから選択される導電性材料で覆われた側縁部を含み、第１、第２、及び第３のパターン部の側縁部は、互いに電気的に絶縁されている。
「誘電体」という用語は、３００Ｋにおける層の導電率が１０−６Ｓ／ｃｍ以下であることを意味すると理解される。
「導電性」という用語は、３００Ｋにおける材料の導電率が１０２Ｓ／ｃｍ以上であることを意味すると理解される。
したがって、得られる利点の１つは、２つの隣接するパターン部に属する２つの側縁部によって壁が定義される相互接続ビアが、互いに向かい合って形成されることである。
したがって、相互接続ビアの壁は導電性であり、壁の内側は誘電材料で満たされていてもよい。このような相互接続ビアは、壁が誘電体であり、壁の内側が導電性である従来技術とは異なる。
【００１３】
本発明の１つの特徴によれば、スペーシング層の第１及び第２の部分の側縁部を覆う反射材料は導電性であり、
構造化誘電体層の第１及び第２のパターン部の側縁部は、それぞれ、スペーシング層の第１及び第２の部分の側縁部に沿って延びている。
したがって、得られる利点の１つは、相互接続ビア（２つの隣接するパターン部の２つの側縁部によって形成される）が、スペーシング層の第１及び第２の部分の側縁部を介して第１の電極に電気的に接続されることである。このようなアーキテクチャにより、基板内に組み込まれた赤及び緑のサブピクセルの制御回路に、バルクを減らして容易にアクセスすることができる。
【００１４】
本発明の１つの特徴によれば、スペーシング層の第１、第２、及び第３の部分の側縁部を覆う反射材料は導電性であり、
構造化誘電体層の第１、第２、及び第３のパターン部の側縁部は、それぞれ、スペーシング層の第１、第２、及び第３の部分の側縁部に沿って延びている。
したがって、得られる利点の１つは、相互接続ビア（２つの隣接するパターン部の２つの側縁部によって形成される）が、スペーシング層の第１、第２、及び第３の部分の側縁部を介して第１の電極に電気的に接続されることである。このようなアーキテクチャにより、基板内に組み込まれている赤、緑、及び青のサブピクセルの制御回路に、コンパクトに容易にアクセスすることができる。
【００１５】
本発明の１つの特徴によれば、基板はＣＭＯＳ回路を含み、
構造化誘電体層の第１、第２、及び第３のパターン部の側縁部は、ＣＭＯＳ回路に電気的に接続されている。
したがって、得られる利点の１つは、基板内に組み込まれた赤、緑、及び青のサブピクセルのＣＭＯＳ制御回路へ、バルクを減少させて、容易にアクセスすることである。
【００１６】
本発明の１つの特徴によれば、リフレクタは、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＷから選択される材料で形成される。
したがって、このような金属材料は、可視スペクトルでの高い強度反射係数と高い導電率の両方を示す。
【００１７】
本発明の１つの特徴によれば、スペーシング層の第１、第２、及び第３の部分の側縁部を覆う反射材料は、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＷから選択される。
したがって、このような金属材料は、可視スペクトルでの高い強度反射係数と高い導電率の両方を示す。
【００１８】
本発明の１つの特徴によれば、スペーシング層は、導電性であり、可視スペクトルにおいて透明な材料、好ましくは酸化物、より好ましくはインジウムスズ酸化物、酸化スズＳｎＯ２、及び酸化亜鉛ＺｎＯから選択される材料で形成される。
【００１９】
本発明の１つの特徴によれば、スペーシング層の第１、第２、及び第３の部分は、互いに電気的に絶縁された側縁部を含む。
【００２０】
本発明の１つの特徴によれば、第１の電極は酸化インジウムスズで形成される。
【００２１】
本発明の１つの特徴によれば、第２の電極は、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＷから選択された材料で形成される。
【００２２】
本発明の１つの特徴によれば、基板は半導体材料、好ましくはシリコンで形成される。
【００２３】
本発明の別の主題は、本発明に係るピクセルのマトリックスアレイを含む有機発光ダイオードマイクロスクリーンである。
【００２４】
本発明の別の主題は、
ステップａ）基板を用意する；
ステップｂ）基板上に可視スペクトルで反射するリフレクタを形成する；
ステップｃ）リフレクタ上にスペーシング層を形成する；
ステップｄ）スペーシング層上に可視スペクトルで透明な第１の電極を形成する；
ステップｅ）第１の電極上に有機発光層のスタックを形成し、スタックは白色光を出射するように構成される；
ステップｆ）スタック上に可視スペクトルにおいて半透明である第２の電極を形成し、第２の電極及びリフレクタは光共振器を形成する；
を備え、
ステップｃ）において、スペーシング層が、光共振器がスタックから出射される白色光から赤色光、緑色光、及び青色光の透過をそれぞれ可能にすることにより、赤、緑、及び青のサブピクセルをそれぞれ定義するように、厚さが調整される第１、第２、及び第３の部分を有し、スペーシング層の第１及び第２の部分が側縁部を有し；
ステップｃ）は、スペーシング層の第１及び第２の部分の側縁部を可視スペクトルで反射する材料で覆うステップを含むことを特徴とする、
有機発光ダイオードマイクロスクリーン用のピクセルの製造するプロセスである。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
他の特徴及び利点は、本発明の様々な実施形態の、実施例及び添付の図面を参照する詳細な説明において明らかになる。
【図１】図１は、本発明に係るピクセルの概略断面図であり、スペーシング層の第１の実施形態を示しており、その断面はピクセルの表面の法線に沿っている。
【図２】図２は、本発明に係るピクセルの概略断面図であり、スペーシング層の第２の実施形態を示しており、その断面はピクセルの表面の法線に沿っている。
【図３】図３Ａ〜３Ｈは、基板の法線に沿った概略断面図であり、本発明に係る第１の製造プロセスのステップを示している。
【図４】図４Ｉ〜４Ｋは、基板の法線に沿った概略断面図であり、本発明に係る第１の製造プロセスのステップを示している。
【図５】図５Ａ〜５Ｈは、基板の法線に沿った概略断面図であり、本発明に係る第２の製造プロセスのステップを示している。
【図６】図６Ｉ〜６Ｋは、基板の法線に沿った概略断面図であり、本発明に係る第２の製造プロセスのステップを示している。
【図７】図７Ａ〜７Ｈは、基板の法線に沿った概略断面図であり、本発明に係る第３の製造プロセスのステップを示している。
【図８】図８Ｉ〜８Ｋは、基板の法線に沿った概略断面図であり、本発明に係る第３の製造プロセスのステップを示している。
【図９】図９Ａ〜９Ｈは、本発明に係る第４の製造プロセスのステップを示す、基板の法線に沿った概略断面図である。
【００２６】
読みやすく理解しやすいように、上記の図面は概略的なものであり、縮尺通りではないことに留意されたい。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
同一、又は同じ機能を提供する要素に対しては、簡略化のため、異なる実施形態において同一の符号を付す。
【００２８】
本発明の主題の１つは、
−基板１；
−可視スペクトルで反射し、基板１上に形成されるリフレクタ２；
−リフレクタ２上に形成されたスペーシング層３；
−可視スペクトルで透明で、スペーシング層３上に形成された第１の電極Ｅ１；
−白色光を出射するように構成され、第１の電極Ｅ１上に形成された有機発光層のスタック４；
−可視スペクトルにおいて半透明であり、スタック４上に形成される第２の電極Ｅ２、第２の電極Ｅ２及びリフレクタ２は、光共振器を形成し；
を次々に備え、
スペーシング層３は、光共振器がスタック４から出射される白色光から赤色光、緑色光、及び青色光の透過をそれぞれ可能にすることにより、赤、緑、及び青のサブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢをそれぞれ定義するように、厚さが調整される第１の部分３０、第２の部分３１、及び第３の部分３２を有し、
スペーシング層３の第１の部分３０及び第２の部分３１は、それぞれ、可視スペクトルで反射する材料で覆われた側縁部（lateral edge）３００を含む。
有機発光ダイオードマイクロスクリーン用のピクセルである。
【００２９】
（間隔レイヤー）
図１に示すように、スペーシング層３の第３の部分３２は、可視スペクトルで反射する材料で覆われた側縁部３００を含んでいてもよい。スペーシング層３の第１の部分３０、第２の部分３１、及び第３の部分３２の側縁部３００を覆う反射材料は、好ましくは導電性である。スペーシング層３の第１の部分３０、第２の部分３１、及び第３の部分３２の側縁部３００を覆う反射材料は、好ましくは、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＷから選択される。スペーシング層３の第１の部分３０、第２の部分３１、及び第３の部分３２の側縁部３００を覆う反射材料の強度反射係数（intensity reflection coefficient）は、可視スペクトル全体で平均して、７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらにより好ましくは９０％以上である。
【００３０】
図２に示す変形例によれば、スペーシング層３の第３の部分３２の厚さはゼロであり、光共振器の厚さは、スタック４によって出射される白色光から青色光の透過を可能にするように調整される。
【００３１】
スペーシング層３は、好ましくは、導電性を有し、可視スペクトルにおいて透明な材料、好ましくは酸化物、より好ましくはインジウムスズ酸化物、酸化スズＳｎＯ２及び酸化亜鉛ＺｎＯから選択される材料で形成される。
【００３２】
（基板）
基板１は、好ましくは半導体材料、好ましくはシリコンで形成されている。
【００３３】
基板１は、好ましくは、ＳｉＯ２又はＳｉＮからなる構造化誘電体層５を含み、その上にリフレクタ２が形成される。構造化誘電体層５は、赤のサブピクセルＰＲ、緑のサブピクセルＰＶ、及び青のサブピクセルＰＢにそれぞれ関連付けられた第１のパターン部５０、第２のパターン部５１、及び第３のパターン部５２を含む。第１のパターン部５０、第２のパターン部５１、及び第３のパターン部５２は、サブピクセル間の所望の距離に対応する距離、例えば約６００ｎｍだけ互いに離間されている。構造化誘電体層５の第１のパターン部５０、第２のパターン部５１、及び第３のパターン部５２の厚さは、平面の第１の電極Ｅ１を得るために、スペーシング層３の第１の部分３０、第２の部分３１、及び第３の部分３２の厚さと一致していることが好ましい。
【００３４】
第１のパターン部５０、第２のパターン部５１、及び第３のパターン部５２は、それぞれ、好ましくはＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＷから選択される導電性材料で覆われた側縁部５００を含むことが好ましい。第１のパターン部５０、第２のパターン部５１、及び第３のパターン部５２は、必要に応じて、例えばＳｉＯ２又はＳｉＮからなる誘電体中間層６を介して、互いに電気的に絶縁されることが好ましい。誘電体中間層６は、第１の電極Ｅ１の表面と同一平面になるまで上方へ延びていることが好ましい。したがって、スペーシング層３の第１の部分３０、第２の部分３１、及び第３の部分３２の側縁部３００は、誘電体中間層６によって互いに電気的に絶縁されている。
【００３５】
構造化誘電体層５の第１のパターン部５０及び第２のパターン部５１の側縁部５００は、スペーシング層３の第１の部分３０及び第２の部分３１の側縁部３００に沿ってそれぞれ延びていることが好ましい。スペーシング層３の３２が可視スペクトルで反射する材料で覆われた側縁部３００を含む場合、構造化誘電体層５の第３のパターン部５２の側縁部５００は、スペーシング層３の第３の部分３２の側縁部３００に沿って延びていることが好ましい。
【００３６】
基板１は、赤、緑、及び青のサブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢの制御回路を形成するＣＭＯＳ回路を含んでいてもよい。構造化誘電体層５の第１のパターン部５０、第２のパターン部５１、及び第３のパターン部５２の側縁部５００は、ＣＭＯＳ回路に電気的に接続されていることが好ましい。
【００３７】
（リフレクタ）
リフレクタ２は、好ましくは金属材料、より好ましくはＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＷから選択されたものから形成される。リフレクタ２が形成される材料は、好ましくは、スペーシング層３の第１の部分３０、第２の部分３１、及び第３の部分３２の側縁部３００を覆う反射材料と同一であり、これにより、製造プロセスが簡素化される。同様に、リフレクタ２が形成される材料は、好ましくは、構造化誘電体層５の第１のパターン部５０、第２のパターン部５１、及び第３のパターン部５２の側縁部５００を覆う導電材料と同一であり、これにより、製造プロセスが簡素化される。
【００３８】
リフレクタ２の厚さは、好ましくは０．１μｍ以上２μｍ以下である。
リフレクタ２の反射係数は、可視スペクトル全体で平均して、７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらにより好ましくは９０％以上である。
【００３９】
（第１の電極及び第２の電極）
赤、緑及び青のサブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢのそれぞれの第１及び第２の電極Ｅ１、Ｅ２の厚さは一定である。
【００４０】
赤、緑、及び青のサブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢのそれぞれの第１の電極Ｅ１は、酸化インジウムスズで形成されていることが有利である。赤、緑、及び青のサブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢのそれぞれの第１の電極Ｅ１の強度透過係数は、可視スペクトル全体で平均して、７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらにより好ましくは９０％以上である。
【００４１】
赤、緑、及び青のサブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢのそれぞれの第２の電極Ｅ２は、好ましくはＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＷから選択される金属材料で形成されていることが好ましい。赤、緑、及び青のサブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢのそれぞれの第２の電極Ｅ２の強度透過係数は、可視スペクトル全体で平均して、厳密に８０％より低く、好ましくは厳密に７０％より低く、より好ましくは厳密に６０％より低い。非限定的な例として、赤、緑、及び青のサブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢのそれぞれの第２の電極Ｅ２は、Ａｌで形成されており、厚さが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であってもよい。
【００４２】
第１の電極Ｅ１は好ましくはアノードであり、第２の電極Ｅ２は好ましくはカソードである。
第２の電極Ｅ２は、好ましくは、赤、緑及び青のサブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢのそれぞれの第２の電極Ｅ２とスタック４とを空気及び水分から保護するのに適した封止層（encapsulation layer）７で被覆される。
【００４３】
（有機発光層のスタック）
有機発光層のスタック４の厚さは、赤、緑、及び青の各サブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢに対して一定である。
【００４４】
非限定的な例として、スタック４は縦方向に並ぶ３つの発光層を含んでいてもよい。より具体的には、第１の電極Ｅ１がアノードであり、第２の電極Ｅ２がカソードである場合、スタック４は以下を含んでいてもよい。
−第１の電極Ｅ１上に形成された第１の正孔輸送層；
−第１の正孔輸送層上に形成された、青色光を出射する第１の発光層；
−第１の発光層上に形成された第１の電子輸送層；
−第１の電子輸送層上に形成される電荷発生層（相互接続層とも呼ばれる）；
−電荷発生層上に形成される第２の正孔輸送層；
−第２の正孔輸送層上に形成される、緑色光を出射する第２の発光層；
−第２の発光層上に形成される、赤色光を出射する第３の発光層；
−第３の発光層上に形成され、第２の電極Ｅ２で被覆される第２の電子輸送層。
【００４５】
変形例として、スタック４は以下を含んでいてもよい。
−縦方向に並んで配置されることなく、それぞれ青色光、緑色光、赤色光を出射する３つの発光層（従来の構造）；
−従来の構造に配置された黄色光と青色光とをそれぞれ発する２つの発光層；
−縦方向に並んで配置された黄色光と青色光とをそれぞれ発する２つの発光層。
【００４６】
（マイクロスクリーン）
本発明の１つの主題は、本発明に係るピクセルのマトリックスアレイを含む有機発光ダイオードマイクロスクリーンである。マトリックスアレイにおけるピクセルのピッチは、４μｍ〜５μｍであることが好ましい。
【００４７】
（ピクセルの製造プロセス）
本発明の１つの主題は、有機発光ダイオードマイクロスクリーン用のピクセルを製造するプロセスであり、以下のステップを含む：
ステップａ）基板１を用意する；
ステップｂ）基板１上に可視スペクトルで反射するリフレクタ２を形成する；
ステップｃ）リフレクタ２上にスペーシング層３を形成する；
ステップｄ）スペーシング層３上に可視スペクトルで透明な第１の電極Ｅ１を形成する；
ステップｅ）第１の電極Ｅ１上に有機発光層のスタック４を形成し、スタック４は白色光を出射するように構成される；
ステップｆ）スタック４上に可視スペクトルにおいて半透明である第２の電極Ｅ２を形成し、第２の電極Ｅ２及びリフレクタ２は光共振器を形成する。
【００４８】
ステップｃ）は、スペーシング層３が、光共振器がスタック４から出射される白色光から赤色光、緑色光、及び青色光の透過をそれぞれ可能にすることにより、赤のサブピクセルＰＲ、緑のサブピクセルＰＶ、及び青のサブピクセルＰＢをそれぞれ定義するように、厚さが調整される第１の部分３０、第２の部分３１、及び第３の部分３２を有し、スペーシング層３の第１の部分３０及び第２の部分３１が側縁部３００を有するように実行される。
【００４９】
ステップｃ）は、スペーシング層３の第１の部分３０及び第２の部分３１の側縁部３００を、可視スペクトルで反射する材料で覆うステップを含む。
【００５０】
（第１の実装（図３Ａ〜図４Ｋ））
図３Ａに示すように、ステップａ）では、構造化誘電体層５の第１のパターン部５０、第２のパターン部５１、及び第３のパターン部５２を形成するため、基板１上へＳｉＯ２を連続的に３回堆積する。
【００５１】
図３Ｂに示すように、ステップｂ）は、リフレクタ２の材料、例えばＡｌを１００ｎｍの厚さに堆積する処理を含む。当該材料は、物理蒸着により堆積させてもよい。
【００５２】
図３Ｃに示すように、ステップｃ）は、スペーシング層３の材料のウェハスケール堆積と、好ましくは化学機械研磨（chemical-mechanical polishing）によって実行される、平坦化ステップとを含む。
【００５３】
図３Ｄに示すように、リソグラフィを行って、赤、緑、及び青のサブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢを区切るように、リフレクタ２とスペーシング層３の材料をエッチングし、ステップｂ）とステップｃ）とを終了する。
【００５４】
図３Ｅに示すように、ステップｃ）は、スペーシング層３の第１の部分３０、第２の部分３１、及び第３の部分３２の側縁部３００を可視スペクトルで反射する材料で覆うステップｃ１）を含む。ステップｃ１）は、反射材料、例えばＡｌを１００ｎｍの厚さに堆積することにより実行されてもよい。ステップｃ１）において、構造化誘電体層５の第１のパターン部５０、第２のパターン部５１、及び第３のパターン部５２の側縁部５００も反射材料で覆われて、さらに、反射材料は導電性となるように選択される。
【００５５】
図３Ｆ及び３Ｇに示すように、ステップｃ１）の後、トレンチの底部をエッチングし、次に当該トレンチを、例えばＳｉＯ２又はＳｉＮからなる誘電体中間層６で充填する操作が行われる。
【００５６】
図３Ｈに示すように、このプロセスは、スペーシング層３の表面を解放するため、好ましくは化学機械研磨によって実行される、平坦化ステップを含む。
【００５７】
図４Ｉ及び４Ｊに示すように、ステップｄ）は、第１の電極Ｅ１のウェハスケール堆積と、それに引き続いて行われる、赤、緑及び青のサブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢの範囲を定めるのに適したリソグラフィ操作を含む。
【００５８】
図４Ｋに示すように、ステップｅ）及びｆ）は、当業者に知られている堆積技術により実行される。このプロセスには、第２の電極Ｅ２の上に封止層７を形成するステップが含まれてもよい。このプロセスには、第１の電極Ｅ１の表面と同一平面になるまで誘電体中間層６を延長するステップが含まれてもよい。
【００５９】
（第２の実装（図５Ａ〜図６Ｋ））
図５Ｃに示すように、第２の実装は第１の実装とは異なり、ステップｃ）の平坦化ステップ、好ましくは化学機械研磨処理が、構造化誘電体層５の第３のパターン部５２の上に延びるリフレクタ２の材料において停止する。したがって、スペーシング層３の第３の部分３２の厚さはゼロであり、スペーシング層３の第１の部分３０及び第２の部分３１の厚さは完全に制御される。
【００６０】
（第３の実装（図７Ａ〜図８Ｋ））
図７Ａに示すように、第３の実装は、構造化誘電体層５が連続的なステップの形態で堆積されるという点で第２の実装と異なる。
【００６１】
（第４の実装（図９Ａ〜９Ｈ））
図９Ａ及び９Ｂに示すように、ステップａ）では、基板１上に、誘電体層５’を（例えば、ＳｉＯ２を１５０ｎｍの厚さで）ウェハスケールで堆積させ、その後、赤、緑、及び青のサブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢの範囲を定めるために、誘電体層５’を（リソグラフィによって）構造化して構造化誘電体層５を取得する。
【００６２】
図９Ｃに示すように、ステップｂ）は、構造化誘電体層５上にリフレクタ２の材料、例えばＡｌを１００ｎｍの厚さに堆積する処理を含む。当該材料は、物理蒸着により堆積させてもよい。
【００６３】
図９Ｄに示すように、表面上のリフレクタ２の材料は、例えば化学機械研磨によって除去される。
【００６４】
図９Ｅに示すように、ステップｃ）は以下を含む：
−スペーシング層３の第１の部分３０、第２の部分３１、及び第３の部分３２の側縁部３００がリフレクタ２の材料で覆われるように、リフレクタ２の材料上にスペーシング層３の材料を堆積する処理。
−スペーシング層３を、好ましくは化学機械研磨により平坦化する処理。
【００６５】
図９Ｆ及び９Ｇに示すように、ステップｄ）は、第１の電極Ｅ１のウェハスケール堆積と、それに引き続いて行われる、赤、緑及び青のサブピクセルＰＲ、ＰＶ、ＰＢの範囲を定めるのに適したリソグラフィ操作を含む。
【００６６】
図９Ｈに示すように、ステップｅ）及びｆ）は、当業者に知られている堆積技術により実行される。このプロセスには、第２の電極Ｅ２の上に封止層７を形成するステップが含まれてもよい。このプロセスには、第１の電極Ｅ１の表面と同一平面になるまで、構造化誘電体層５上に誘電体中間層６を延長するステップが含まれてもよい。
【００６７】
本発明は、記載された実施形態に限定されない。当業者は、これらの技術的に実行可能な組み合わせを検討し、これらを等価物で置き換えることができる。
【図１】
2020043059.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
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