(57)【要約】【課題】コアレス工法において、２層以上の複数層のビルドアップ層から犠牲基板を剥離した後、犠牲基板剥離後のビルドアップ層に生じる反りを抑制することができる犠牲基板、及び、犠牲基板剥離後のビルドアップ層に生じる反りを抑制することができる、該犠牲基板を用いたコアレス基板の製造方法を提供する。【解決手段】コアレス基板を形成するために用いられる犠牲基板であって、該犠牲基板は、熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるプリプレグの硬化物で構成されており、熱機械分析装置を用いて、温度５０℃から１００℃の昇温過程で測定される、当該犠牲基板の線膨張係数α１が１０ｐｐｍ／℃以下であって、  下記の測定方法で測定される、当該犠牲基板の収縮量差Ｙ−Ｘ％が−０．０２３０％以上０％以下である、犠牲基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアレス基板を形成するために用いられる犠牲基板であって、
該犠牲基板は、該犠牲基板の少なくとも一方の面に、熱処理を伴う工程により形成された２層以上のビルドアップ層を有するコアレス基板を形成するための犠牲基板であって、
該犠牲基板は、熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるプリプレグの硬化物で構成されており、
熱機械分析装置を用いて、温度５０℃から１００℃の昇温過程で測定される、当該犠牲基板の線膨張係数α１が１０ｐｐｍ／℃以下であって、
下記の測定方法で測定される、当該犠牲基板の収縮量差Ｙ−Ｘ％が−０．０２３０％以上、０％以下である、犠牲基板。
（測定方法）
・１回目の加熱プレスによる収縮量Ｘ％:当該犠牲基板を、ホットプレスを用いて、温度２００℃、圧力８ｋｇｆ/ｍｍ２の条件で２時間加熱加圧する。一回目の加熱プレス前の室温における当該犠牲基板を基準とし、一回目の加熱プレス後、室温に冷却された当該犠牲基板の収縮量をＸ％とする。
・２回目の加熱プレスによる収縮量Ｙ％:１回目の加熱プレス後、一度冷却され室温になった犠牲基板を、ホットプレスを用いて、温度２００℃、圧力８ｋｇｆ/ｍｍ２の条件で２時間加熱加圧する。一回目の加熱プレス前の室温における当該犠牲基板を基準とし、２回目の加熱プレス後、室温に冷却された当該犠牲基板の収縮量をＹ％とする。
・上記した方法により算出される一回目の加熱プレスにおける収縮量Ｘ％及び、二回目の加熱プレスにおける収縮量Ｙ％の差であるＹ−Ｘ％を、収縮量差Ｙ−Ｘ％とする。
【請求項２】
請求項１に記載の犠牲基板であって、
前記熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含み、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂からなる群より選択される１種以上である、犠牲基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の犠牲基板であって、
前記熱硬化性樹脂組成物は、無機充填材を含む、犠牲基板。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の犠牲基板であって、
前記コアレス基板の厚みが、５０μｍ以上５００μｍ以下である、犠牲基板。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の犠牲基板の少なくとも一方の面上に第１の熱硬化性樹脂層を形成する第１の積層工程と、
次いで、前記第１の熱硬化性樹脂層を硬化して第１のビルドアップ層を形成する第１の硬化工程と、
次いで、前記第１のビルドアップ層の上に、第２の熱硬化性樹脂層を形成する第２の積層工程と、
次いで、前記第２の熱硬化性樹脂層を硬化して第２のビルドアップ層を形成する第２の硬化工程と、
次いで、第１のビルドアップ層及び第２のビルドアップ層から、前記犠牲基板を剥離する剥離工程と、を含む、コアレス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のコアレス基板の製造方法であって、
前記第１の積層工程において、前記犠牲基板と、前記第１の熱硬化性樹脂層と、金属層とをこの順で積層した、３層積層構造を形成し、
前記剥離工程の前に、前記金属層をエッチングするエッチング工程を含む、コアレス基板の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載のコアレス基板の製造方法であって、
前記犠牲基板が、前記犠牲基板上に金属箔を接着した金属箔付犠牲基板であって、
前記剥離工程の後、前記犠牲基板上の前記金属箔をフラッシュエッチングするフラッシュエッチング工程を含む、コアレス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コアレス基板の製造に用いる犠牲基板、及び、該犠牲基板を用いたコアレス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板（パッケージ基板）の工法において、プリント基板の高密度化、薄化の要求はますます高まっている。従来のプリント基板の工法では、プリント基板を作成する際にコアを用いてきた。しかしながら、コアを用いたプリント配線基板の高密度化、薄化は、コアを薄化するだけでは限界があることから、プリント基板の高密度化、薄化の要求に応えるために、コアレス工法を用いた、コアレス基板の検討が行われている。
【０００３】
一般に、コアレス工法は、例えば、犠牲基板の上に熱硬化性樹脂層を形成し、次いで、熱硬化性樹脂層を加熱加圧、冷却することで硬化させてビルドアップ層を作成し、次いで、ビルドアップ層から犠牲基板を剥離し、コアレス基板を得るものである。
また、２層以上の複数層のビルドアップ層を有するコアレス基板を製造する場合は、まず、犠牲コアの上に第１の熱硬化性樹脂を積層し、加熱加圧・冷却することで硬化させて第１のビルドアップ層を作成し、さらに、第１のビルドアップ層の上に第２熱硬化性樹脂層を積層し、加熱加圧・冷却することで硬化させて第２のビルドアップ層を形成する。次いで、ビルドアップ層から犠牲基板を剥離し、２層のビルドアップ層を有するコアレス基板を得ることができる。
特許文献１には、樹脂基板、樹脂シート及び銅箔を積層して構成されたコアレス基板製造用のスタート材料が開示されている。特許文献１では、コアレス基板製造時の補強のため、耐熱性樹脂板や繊維強化樹脂板等の補強板の両面に樹脂シートを真空ラミネートによって形成し、更にその上に互いに剥離可能な銅箔２枚を配置したスタート材料が使用されている。
また、特許文献２には、コアレス基板を製造の際に用いる合成樹脂製の板状キャリアに係る発明が開示されており、回路の位置ずれを抑制するために、板状キャリアが金属箔の熱膨張率の＋１０％、−３０％以内であることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３３２１１５号公報
【特許文献２】特開２０１４−１５９１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、複数の異なる材料をスタート材料として複数の原材料を使用するため、原材料コストや工費がかさみ、生産効率の低下が避けられないという問題がある。また、既存技術では、得られるコアレス基板において、反りが生じ、歩留り低下の一因となる問題があった。
また、コアレス工法では、例えば、第１のビルドアップ層の上に、第２のビルドアップ層を有するコアレス基板や、第２のビルドアップ層に加えて、さらに第３のビルドアップ層を有する、２層以上のビルドアップ層を有するコアレス基板も製造されるが、このように、２層以上の複数層のビルドアップ層を有するコアレス基板においては特に、反りの問題が顕著であった。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、コアレス工法において、２層以上の複数層のビルドアップ層から犠牲基板を剥離した後、犠牲基板剥離後のビルドアップ層に生じる反りを抑制することができる犠牲基板、及び、犠牲基板剥離後のビルドアップ層に生じる反りを抑制することができる、該犠牲基板を用いたコアレス基板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記したように、２層以上の複数層のビルドアップ層を有するコアレス基板を製造する場合、犠牲基板上に熱硬化性樹脂を積層し、加熱加圧・冷却する工程を複数回行うため、犠牲基板、及び、下層のビルドアップ層は、複数回の熱履歴を経ることとなる。また、犠牲基板・第一のビルドアップ層・第二のビルドアップ層・第ｎのビルドアップ層は、それぞれ加熱加圧・冷却過程において、熱硬化性樹脂の硬化、冷却等により収縮するため、犠牲基板と第一のビルドアップ層の間、第一のビルドアップ層と第二のビルドアップ層の間、第ｎ−１のビルドアップ層と第ｎのビルドアップ層の間にはそれぞれ内部応力が蓄積されることとなり、特に２層以上の複数層のビルドアップ層を有するコアレス基板の製造においては、各層を構成する材料の収縮・変形を考慮した犠牲基板及びビルドアップ層の材料設計は非常に困難であった。
【０００８】
本発明者が複数層のビルドアップ層を有するコアレス基板において、反りが発生する原因について検討した結果、複数層のビルドアップ層を有するコアレス基板の反りは、犠牲基板を剥離した際に生じる場合があり、特定の要件を満たす犠牲基板を用いることによって、得られるコアレス基板の反りの制御がより容易となることが明らかになった。
すなわち、上記したように、複数層のビルドアップ層を有するコアレス基板の製造工程において、該コアレス基板の製造に用いる犠牲基板は、形成するビルドアップ層の数と同じ回数の加熱加圧・冷却過程を経ることとなるが、この際、毎回の加熱加圧・冷却過程において、犠牲基板の収縮量が変動してしまうと、犠牲基板の収縮を考慮したビルドアップ層の設計が困難となる。
【０００９】
本発明者は、コアレス基板の製造における、反りに影響を及ぼす数々の因子の中から、犠牲基板の温度５０℃から１００℃の昇温過程で測定される線膨張係数α１及び特定の測定条件における犠牲基板の収縮量差を特定の数値範囲内とし、該犠牲基板を用いてコアレス基板を製造することで、多層のビルドアップ層を有するコアレス基板の反りを制御することができることを新たに知見し、本発明を成し得たものである。
すなわち本発明は、
コアレス基板を形成するために用いられる犠牲基板であって、
該犠牲基板は、該犠牲基板の少なくとも一方の面に、熱処理を伴う工程により形成された２層以上のビルドアップ層を有するコアレス基板を形成するための犠牲基板であって、
該犠牲基板は、熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるプリプレグの硬化物で構成されており、
熱機械分析装置を用いて、温度５０℃から１００℃の昇温過程で測定される、当該犠牲基板の線膨張係数α１が１０ｐｐｍ／℃以下であって、
下記の測定方法で測定される、当該犠牲基板の収縮量差Ｙ−Ｘ％が−０．０２３０％以上、０％以下である、犠牲基板である。
（測定方法）
・１回目の加熱プレスの収縮量Ｘ％:当該犠牲基板を、ホットプレスを用いて、温度２００℃、圧力８ｋｇｆ/ｍｍ２の条件で２時間加熱加圧する。一回目の加熱プレス前の室温における当該犠牲基板を基準とし、一回目の加熱プレス後、室温に冷却された当該犠牲基板の収縮量をＸ％とする。
・２回目の加熱プレスの収縮量Ｙ％:１回目の加熱プレス後、一度冷却され室温になった犠牲基板を、ホットプレスを用いて、温度２００℃、圧力８ｋｇｆ/ｍｍ２の条件で２時間加熱加圧する。一回目の加熱プレス前の室温における当該犠牲基板を基準とし、２回目の加熱プレス後、室温に冷却された当該犠牲基板の収縮量をＹ％とする。
・上記した方法により算出される一回目の加熱プレスにおける収縮量Ｘ％及び、二回目の加熱プレスにおける収縮量Ｙ％の差であるＹ−Ｘ％を、収縮量差Ｙ−Ｘ％とする。
【００１０】
また、本発明は、前記犠牲基板の少なくとも一方の面上に第１の熱硬化性樹脂層を形成する第１の積層工程と、
次いで、前記第１の熱硬化性樹脂層を硬化して第１のビルドアップ層を形成する第１の硬化工程と、
次いで、前記第１のビルドアップ層の上に、第２の熱硬化性樹脂層を形成する第２の積層工程と、
次いで、前記第２の熱硬化性樹脂層を硬化して第２のビルドアップ層を形成する第２の硬化工程と、
次いで、第１のビルドアップ層及び第２のビルドアップ層から、前記犠牲基板を剥離する剥離工程と、を含む、コアレス基板の製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本実施形態に係る犠牲基板によれば、複数層のビルドアップ層から犠牲基板を剥離する際に、犠牲基板を剥離した後のコアレス基板の反りを低減することができ、不良品発生が少なくなり、歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係るコアレス基板の製造工程の一例を示す。
【図２】収縮量測定用穴あき犠牲基板の一例を示す。
【図３】本実施形態に係るコアレス基板を用いた半導体装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施形態について説明する。なお、文中の数字の間にある「〜」は特に断りがなければ、以上から以下を表す。
本明細書における「電子装置」の語は、半導体チップ、半導体素子、プリント配線基板、電気回路ディスプレイ装置、情報通信端末、発光ダイオード、物理電池、化学電池など、電子工学の技術が適用された素子、デバイス、最終製品等を包含する意味で用いられる。
尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。
【００１４】
本実施形態に係る犠牲基板は、該犠牲基板の少なくとも一方の面に、熱処理を伴う工程により形成された２層以上のビルドアップ層を有するコアレス基板を形成するための犠牲基板である。
コアレス基板製造のためのコアレス工法では、犠牲基板の上に熱硬化性樹脂層を形成し、次いで、熱硬化性樹脂層を加熱加圧・冷却することで硬化させてビルドアップ層を作成し、次いで、ビルドアップ層から犠牲基板を剥離することにより、コアレス基板を得ることができる。
２層以上の複数層のビルドアップ層を有するコアレス基板の一般的な工法は、まず、犠牲コアの上に第１の熱硬化性樹脂を積層し、加熱加圧・冷却することで硬化させて第１のビルドアップ層を作成し、さらに、第１のビルドアップ層の上に第２の熱硬化性樹脂層を積層し、加熱加圧・冷却することで硬化させて第２のビルドアップ層を形成する。また、熱硬化性樹脂層の積層、加熱加圧・冷却を繰り返すことにより、第ｎのビルドアップ層を形成することもできる。次いで、ビルドアップ層から犠牲基板を剥離し、２層以上の複数層のビルドアップ層を有するコアレス基板を得ることができる。
本実施形態に係る犠牲基板は、犠牲基板の上に熱硬化性樹脂層を形成し、次いで、形成された熱硬化性樹脂層を加熱加圧・冷却することで硬化させて、少なくとも２層以上のビルドアップ層を作成し、次いで、ビルドアップ層から犠牲基板を剥離するコアレス工法によって、２層以上の複数のビルドアップ層を有するコアレス基板を形成するための犠牲基板である。
【００１５】
本実施形態に係る犠牲基板は、熱機械分析装置を用いて、温度５０℃から１００℃の昇温過程で測定される、当該犠牲基板の線膨張係数α１が１０ｐｐｍ／℃以下であり、７ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であることが特に好ましい。
線膨張係数α１を特定の値以下とすることで、犠牲基板と第一のビルドアップ層との界面に生じる内部応力を低減させることができ、得られるコアレス基板の反りを抑制することができる。上記平均線膨張係数の下限値は、特に限定されないが、例えば、０.１ｐｐｍ／℃以上としてもよく、１ｐｐｍ／℃以上としてもよい。
【００１６】
本実施形態に係る犠牲基板の、５０℃から２５０℃の範囲において算出した平均線膨張係数の上限値は、例えば、２０ｐｐｍ／℃以下であり、好ましくは１０ｐｐｍ／℃以下であり、より好ましくは８ｐｐｍ／℃以下である。これにより、製造プロセス中における犠牲基板及びコアレス基板の反りを低減することができる。一方、上記平均線膨張係数の下限値は、特に限定されないが、例えば、１ｐｐｍ／℃以上としてもよく、３ｐｐｍ／℃以上としてもよい。
【００１７】
上記線膨張係数は、例えば、熱機械分析装置ＴＭＡを用いて測定することができる。具体的には、上記線膨張係数は、例えば、熱機械分析装置ＴＭＡ（ＴＡインスツルメント社製、Ｑ４００）を用いて、温度範囲３０〜２６０℃、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、荷重１０ｇ、引張りモードの条件で熱機械分析（ＴＭＡ）を２サイクル測定する。５０から１００℃又は５０℃から２５０℃の範囲における平面方向（ＸＹ方向）の線膨張係数の平均値を算出する。なお、線膨脹係数は、２サイクル目の値を採用する。
【００１８】
さらに、本実施形態に係る犠牲基板は、下記の測定方法で測定される、当該犠牲基板の収縮量差Ｙ−Ｘが−０．０２３０％以上０％以下である。該収縮量差Ｙ−Ｘは、−０．０２００％以上、０％以下であることがより好ましく、−０．０１５０％以上、０％以下であることが特に好ましい。
（測定方法）
・１回目の加熱プレスの収縮量Ｘ％:当該犠牲基板を、ホットプレスを用いて、温度２００℃、圧力８ｋｇｆ/ｍｍ２の条件で２時間加熱加圧する。一回目の加熱プレス前の室温における当該犠牲基板を基準とし、一回目の加熱プレス後、室温に冷却された当該犠牲基板の収縮量をＸ％とする。
・２回目の加熱プレスの収縮量Ｙ％:１回目の加熱プレス後、一度冷却され室温になった犠牲基板を、ホットプレスを用いて、温度２００℃、圧力８ｋｇｆ/ｍｍ２の条件で２時間加熱加圧する。一回目の加熱プレス前の室温における当該犠牲基板を基準とし、２回目の加熱プレス後、室温に冷却された当該犠牲基板の収縮量をＹ％とする。
・上記した方法により算出される一回目の加熱プレスにおける収縮量Ｘ％及び、二回目の加熱プレスにおける収縮量Ｙ％の差であるＹ−Ｘ％を、収縮量差Ｙ−Ｘ％とする。
【００１９】
本発明は、コアレス基板の製造の際に生じる反りに関与する数々の因子のうち、犠牲基板の２回目の加熱プレスの収縮量と、１回目の加熱プレスの収縮量の差である、収縮量差Ｙ−Ｘ％を特定の値としたところに特徴がある。犠牲基板の２回目の加熱プレスの収縮量と、１回目の加熱プレスの収縮量の差である収縮量差Ｙ−Ｘ％を上記した値の範囲内とすると、１回目の加熱プレスと、２回目の加熱プレスの収縮量の差が一定の値以下となるため、例えば、第一のビルドアップ層に係る熱硬化性樹脂層と、第二のビルドアップ層に係る熱硬化性樹脂層の設計において、犠牲基板の収縮を考慮した材料設計、及び、全体として反りの少ないコアレス基板の設計が容易となり、得られるコアレス基板の反りを低減することができる。
【００２０】
本実施形態に係る犠牲基板は、熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるプリプレグの硬化物で構成される。
ここで、上記線膨張係数α１及び上記収縮量差を、それぞれ、上述した特定の数値範囲とするためには、プリプレグに含浸させる熱硬化性樹脂組成物の配合の種類、配合量、及び、特性を適切に選択することが重要である。プリプレグに含浸させる熱硬化性樹脂組成物は、プリプレグの硬化物が、上記した線膨張係数α１及び収縮量差を、それぞれ、上記した特定の数値範囲とすることができれば、特に限定されないが、熱硬化性樹脂、硬化剤、無機充填剤を含むことができる。
以下、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物を構成する各成分について詳述する。
【００２１】
（熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるプリプレグの硬化物である犠牲基板が、上記した線膨張係数α１及び収縮量を、それぞれ、上記した特定の数値範囲とすることができれば、特に限定されない。
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂からなる群より選択される１種以上であることが好ましい。また、熱硬化性樹脂は、少なくともエポキシ樹脂またはマレイミド化合物を含有してもよく、少なくともエポキシ樹脂を含有してもよい。
また、熱硬化性樹脂は、２５℃室温において、液状であることが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物における各成分の分散性を向上させることができる。また、無機充填材の充填量を高めることが可能になる。
【００２２】
本実施形態の熱硬化性樹脂の、２５℃における粘度の下限値は、例えば、０．１Ｐａ・ｓ以上であり、より好ましくは０．５Ｐａ・ｓ以上であり、さらに好ましくは１Ｐａ・ｓ以上である。これにより、熱硬化性樹脂組成物の成膜性を向上させることができる。一方、２５℃における粘度の上限値は、例えば、２００Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは１００Ｐａ・ｓ以下であり、より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以下である。これにより、熱硬化性樹脂組成物の分散性を向上させることができる。
【００２３】
本実施形態のエポキシ樹脂のエポキシ当量の下限値は、例えば、３００ｇ／ｅｑ以上であり、好ましくは３３０ｇ／ｅｑ以上であり、より好ましくは３５０ｇ／ｅｑ以上である。これにより、架橋点分子量を適切に制御できるので、最適な架橋密度の熱硬化性樹脂組成物の硬化物を実現することができる。また、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の破断伸び率を向上させることができる。一方、上記エポキシ当量の上限値は、特に限定されないが、例えば、７００ｇ／ｅｑ以下としてもよく、６００ｇ／ｅｑ以下としてもよく、５００ｇ／ｅｑ以下としてもよい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の強度を向上させることができる。
【００２４】
また、本実施形態のエポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、特に限定されないが、Ｍｗ３００以上としてもよく、好ましくはＭｗ８００以上としてもよい。Ｍｗが上記下限値以上であると、樹脂膜の硬化物にタックが生じるのを抑制することができる。Ｍｗの上限は、特に限定されないが、Ｍｗ２０，０００以下としてもよく、好ましくはＭｗ１５，０００以下としてもよい。Ｍｗが上記上限値以下であると、ハンドリング性が向上し、樹脂膜を形成するのが容易となる。エポキシ樹脂のＭｗは、例えばＧＰＣで測定することができる。
【００２５】
本実施形態のエポキシ樹脂は、２５℃室温において液状であり、そのエポキシ当量が上記範囲内である第１エポキシ樹脂を少なくとも一種以上含むことが好ましい。
第１エポキシ樹脂の種類としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂等のナフタレン型エポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂；ポリエーテル型エポキシ樹脂等が挙げられる。第１エポキシ樹脂としては、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。第１エポキシ樹脂の中でも、粘度の観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、２官能ナフタレン型エポキシ樹脂、およびポリエーテル型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種以上を用いることができる。
【００２６】
また、本実施形態のエポキシ樹脂としては、上記第１エポキシ樹脂の他に、他の第２エポキシ樹脂を併用してもよい。この第２エポキシ樹脂としては、第１エポキシ樹脂として挙げられたエポキシ樹脂の種類から選択することができる。
【００２７】
エポキシ樹脂の中でも、得られる犠牲基板の耐熱性の観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上が好ましく、アラルキル型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂およびナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上がより好ましい。
【００２８】
エポキシ樹脂の含有量の下限値は、熱硬化性樹脂組成物全体（溶媒を除く全固形分）１００質量％に対して、３質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましく、８質量％以上がさらに好ましい。エポキシ樹脂の含有量が上記下限値以上であると、ハンドリング性が向上し、樹脂膜を形成するのが容易となる。一方、エポキシ樹脂の含有量の上限値は、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、特に限定されないが、例えば、５０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、２５質量％以下がさらに好ましい。エポキシ樹脂の含有量が上記上限値以下であると、得られる犠牲基板の強度や耐熱性が向上したり、犠牲基板の線膨張係数が低下し、反りの低減効果が向上したりする場合がある。
なお、熱硬化性樹脂組成物の全固形分とは、熱硬化性樹脂組成物中に含まれる溶剤を除く成分全体を指す。以下、本明細書において同様である。
【００２９】
（マレイミド化合物）
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、マレイミド化合物を含むことができる。
本実施形態において、マレイミド化合物のマレイミド基は、５員環の平面構造を有し、マレイミド基の二重結合が分子間で相互作用しやすく極性が高いため、マレイミド基、ベンゼン環、その他の平面構造を有する化合物等と強い分子間相互作用を示し、分子運動を抑制することができる。そのため、熱硬化性樹脂組成物は、マレイミド化合物を含むことにより、得られる犠牲基板の線膨張係数を下げ、ガラス転移温度を向上させることができ、さらに、耐熱性を向上させることができる。
【００３０】
上記マレイミド化合物としては、分子内に少なくとも２つのマレイミド基を有するマレイミド化合物が好ましい。
イミド拡張型ビスマレイミドとしては、例えば、以下の式（ａ１）により示されるマレイミド化合物、以下の式（ａ２）により示されるマレイミド化合物、以下の式（ａ３）により示されるマレイミド化合物等が挙げられる。式（ａ１）により示されるマレイミド化合物の具体例のとしてはＢＭＩ−１５００（デジグナーモレキュールズ社製、分子量１５００）等が挙げられる。式（ａ２）により示されるマレイミド化合物の具体例のとしてはＢＭＩ−１７００（デジグナーモレキュールズ社製、分子量１７００）、ＢＭＩ−１４００（デジグナーモレキュールズ社製、分子量１４００）等が挙げられる。式（ａ３）により示されるマレイミド化合物の具体例のとしてはＢＭＩ−３０００（デジグナーモレキュールズ社製、分子量３０００）等が挙げられる。
【００３１】
【化１】
2020077811.tif 000003
上記式（ａ１）において、ｎは１以上１０以下の整数を示す。
【００３２】
【化２】
2020077811.tif 000004
上記式（ａ２）において、ｎは１以上１０以下の整数を示す。
【００３３】
【化３】
2020077811.tif 000005
上記式（ａ３）において、ｎは１以上１０以下の整数を示す。
【００３４】
上記マレイミド化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、特に限定されないが、Ｍｗ４００以上が好ましく、特にＭｗ８００以上が好ましい。Ｍｗが上記下限値以上であると、絶縁層にタックが生じるのを抑制することができる。Ｍｗの上限は、特に限定されないが、Ｍｗ４０００以下が好ましく、Ｍｗ２５００以下がより好ましい。Ｍｗが上記上限値以下であると、犠牲基板作製時、ハンドリング性が向上し、犠牲基板を形成するのが容易となる。マレイミド化合物のＭｗは、例えばＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質：ポリスチレン換算）で測定することができる。
また、両末端にマレイミドを有する上記イミド拡張型ビスマレイミドのＭｗは、架橋点間分子量と見なすことができる。
【００３５】
熱硬化性樹脂組成物中に含まれるマレイミド化合物の含有量は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、１．０質量％以上２５．０質量％以下が好ましく、３．０質量％以上２０．０質量％以下がより好ましい。マレイミド化合物の含有量が上記範囲内であると、得られる犠牲基板の低熱収縮性および耐薬品性のバランスをより一層向上させることができる。
【００３６】
（硬化剤）
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、硬化剤を含むことができる。
上記硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、ベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）などの３級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）などのイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体などのルイス酸などの触媒型の硬化剤が挙げられる。
また、例えば、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｏ−キシレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、１，５−ジアミノナフタレン、４，４'−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジアニリン、２，２−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、４，４'−ジアミノ−３，３'−ジメチルジフェニルメタン、４，４'−ジアミノ−３，３'−ジエチル−５，５'−ジメチルジフェニルメタン、３，３'−ジエチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタンなどの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類などの重付加型の硬化剤；２，２'−メチレンビス（４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２'−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４'−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４'−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）トリオンなどのフェノール系化合物も用いることができる。
さらに、第２硬化剤としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂系硬化剤；メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂などの縮合型の硬化剤も用いてもよい。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３７】
上記フェノール樹脂系硬化剤は、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂；トリフェノールメタン型フェノール樹脂などの多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂などの変性フェノール樹脂；フェニレン骨格および／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂などのアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦなどのビスフェノール化合物等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。これらのうち、硬化性の点から水酸基当量は９０ｇ／ｅｑ以上、２５０ｇ／ｅｑ以下のものを使用してもよい。
フェノール樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量４×１０２以上１．８×１０３以下としてもよく、好ましくは５×１０２以上１．５×１０３以下としてもよい。重量平均分子量を上記下限値以上とすることでプリプレグにタック性が生じるなどの問題がおこりにくくなり、上記上限値以下とすることで、プリプレグ作製時、繊維基材への含浸性が向上し、より均一な犠牲基板を得ることができる。
【００３８】
硬化剤の含有量の下限値は、熱硬化性樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、特に限定されないが、例えば、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．２質量％以上がさらに好ましい。硬化剤の含有量を上記下限値以上とすることにより、硬化を促進する効果を十分に発揮することができる。一方、硬化剤の含有量の上限値は、熱硬化性樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、特に限定されないが、例えば、１５質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、８質量％以下がさらに好ましい。硬化剤の含有量が上記上限値以下であるとプリプレグの保存性をより向上できる。
【００３９】
（無機充填材）
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、無機充填材を含むことができる。
無機充填材としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカ等の酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。
これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましく、シリカが特に好ましい。無機充填材としては、これらの中の１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。
【００４０】
上記無機充填材の平均粒子径の下限値は、特に限定されないが、例えば、０．０１μｍ以上としてもよく、０．０５μｍ以上としてもよい。
これにより、上記熱硬化性樹脂のワニスの粘度が高くなるのを抑制でき、絶縁層作製時の作業性を向上させることができる。また、無機充填材の平均粒子径の上限値は、特に限定されないが、例えば、５．０μｍ以下が好ましく、２．０μｍ以下がより好ましく、１．５μｍ以下がさらに好ましい。これにより、上記熱硬化性樹脂のワニス中における無機充填材の沈降等の現象を抑制でき、より均一な樹脂膜を得ることができる。
本実施形態において、無機充填材の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒子径とすることができる。
【００４１】
また、本実施形態において、無機充填材の含有量が６０質量％以上である場合には、当該無機充填材の平均粒子径の下限値は、例えば、０．５μｍ以上であり、好ましくは０．６μｍ以上であり、さらに好ましくは０．８μｍ以上である。一方、当該無機充填材の平均粒子径の上限値は、たとえば、２μｍ以下であり、好ましくは１．９μｍ以下であり、より好ましくは１．８μｍ以下である。無機充填材の含有量を上記範囲内とすることにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の反りを低減しつつ強度を一層高めることができる。
【００４２】
また、無機充填材は、特に限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いてもよいし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いてもよい。さらに平均粒子径が単分散および／または多分散の無機充填材を１種類または２種類以上で併用してもよい。
【００４３】
上記無機充填材はシリカ粒子を含むことが好ましい。上記シリカ粒子の平均粒子径は、特に限定されないが、例えば、５．０μｍ以下としてもよく、０．０１μｍ以上４．０μｍ以下としてもよく、０．０２μｍ以上２．０μｍ以下としてもよい。これにより、無機充填材の充填性をさらに向上させることができる。
【００４４】
無機充填材の含有量の下限値は、熱硬化性樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、特に限定されないが、例えば、５０質量％以上が好ましく、６０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上がさらに好ましい。これにより、樹脂膜の硬化物を特に低熱膨張、低吸水とすることができる。これにより、犠牲基板及び得られるコアレス基板の反りを抑制することができる。また、本実施形態のプリプレグの硬化物は、高い伸び率を維持したまま、無機充填材の含有量を高めることができるので、応力緩和性を向上させることができる。一方で、無機充填材の含有量の上限値は、熱硬化性樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、特に限定されないが、例えば、９８質量％以下としてもよく、９５質量％以下としてもよく、９０質量％以下としてもよい。プリプレグの硬化物の加工性を向上させることができる。
【００４５】
（シアネート樹脂）
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、シアネート樹脂をさらに含むことができる。
シアネート樹脂は、分子内にシアネート基（−Ｏ−ＣＮ）を有する樹脂であり、シアネート基を分子内に２個以上を有する樹脂を用いることができる。このようなシアネート樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類やナフトール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
シアネート樹脂を用いることにより、プリプレグの硬化物の線膨張係数を小さくすることができる。さらに、プリプレグの硬化物の機械強度等を高めることができる。
【００４６】
シアネート樹脂は、例えば、ノボラック型シアネート樹脂；ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂；ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂；ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂；ビフェニルアルキル型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂、ナフトールアラルキル型シアネート樹脂が好ましく、ノボラック型シアネート樹脂がより好ましい。ノボラック型シアネート樹脂を用いることにより、プリプレグの硬化物の架橋密度が増加し、耐熱性が向上する。
【００４７】
この理由としては、ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成することが挙げられる。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。また、ノボラック型シアネート樹脂を含む樹脂膜の硬化物は優れた剛性を有する。よって、プリプレグの硬化物の耐熱性をより一層向上できる。
【００４８】
ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式（Ｉ）で示されるものを使用することができる。
【００４９】
【化４】
2020077811.tif 000006
【００５０】
一般式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは任意の整数である。平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１以上が好ましく、２以上がより好ましい。平均繰り返し単位ｎが上記下限値以上であると、ノボラック型シアネート樹脂の耐熱性が向上し、加熱時に低量体が脱離、揮発することを抑制できる。また、平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１０以下が好ましく、７以下がより好ましい。ｎが上記上限値以下であると、溶融粘度が高くなるのを抑制でき、プリプレグの成形性を向上させることができる。
【００５１】
また、シアネート樹脂としては、下記一般式（ＩＩ）で表わされるナフトールアラルキル型シアネート樹脂も好適に用いられる。下記一般式（ＩＩ）で表わされるナフトールアラルキル型シアネート樹脂は、例えば、α−ナフトールあるいはβ−ナフトール等のナフトール類とｐ−キシリレングリコール、α，α'−ジメトキシ−ｐ−キシレン、１，４−ジ（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼン等との反応により得られるナフトールアラルキル型フェノール樹脂とハロゲン化シアンとを縮合させて得られるものである。一般式（ＩＩ）の繰り返し単位ｎは１０以下の整数であることが好ましい。繰り返し単位ｎが１０以下であると、より均一なプリプレグを得ることができる。また、合成時に分子内重合が起こりにくく、水洗時の分液性が向上し、収量の低下を防止できる傾向がある。
【００５２】
【化５】
2020077811.tif 000007
（式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子またはメチル基を示し、ｎは１以上１０以下の整数を示す。）
【００５３】
また、シアネート樹脂は１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。
【００５４】
シアネート樹脂の含有量の下限値は、熱硬化性樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、たとえば、１質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、３質量％以上がさらに好ましい。プリプレグの硬化物の低線膨張化、高弾性率化を図ることができる。一方、シアネート樹脂の含有量の上限値は、熱硬化性樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、特に限定されないが、例えば、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。耐熱性や耐湿性を向上させることができる。また、シアネート樹脂の含有量が上記範囲内であると、プリプレグの硬化物の貯蔵弾性率Ｅ'をより一層向上させることができる。
【００５５】
（硬化促進剤）
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、例えば、硬化促進剤を含んでもよい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化性を向上させることができる。硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂の硬化反応を促進させるものを用いることができ、その種類は特に限定されない。本実施形態においては、硬化促進剤として、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸、およびオニウム塩化合物から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性をより効果的に向上させる観点からは、オニウム塩化合物を含むことがより好ましい。
【００５６】
硬化促進剤として用いられるオニウム塩化合物は、特に限定されないが、例えば、下記一般式（２）で表される化合物を用いることができる。
【００５７】
【化６】
2020077811.tif 000008
（式（２）中、Ｐはリン原子、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ−は分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｎ（ｎ≧１）価のプロトン供与体のアニオン、またはその錯アニオンを示す）
【００５８】
硬化促進剤の含有量の下限値は、例えば、熱硬化性樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、たとえば、０．０１質量％以上としてもよく、好ましくは０．０５質量％以上としてもよい。硬化促進剤の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化性をより効果的に向上させることができる。一方、硬化促進剤の含有量の上限値は、例えば、熱硬化性樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、２．５質量％以下としてもよく、好ましくは１質量％以下としてもよい。硬化促進剤の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物の保存性を向上させることができる。
【００５９】
（カップリング剤）
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤は熱硬化性樹脂組成物の調製時に直接添加してもよいし、無機充填材にあらかじめ添加しておいてもよい。カップリング剤の使用により無機充填材と各樹脂との界面の濡れ性を向上させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、プリプレグの硬化物の耐熱性を改良することができる。また、後述のように、本実施形態の犠牲基板上には、金属箔を接着するが、カップリング剤を用いることにより、金属箔との密着性を向上させることができる。さらに、吸湿耐性を向上できるので、湿度環境下後においても、銅箔との密着性を維持することができる。
【００６０】
カップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤等のシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。カップリング剤は一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用してもよい。本実施形態において、カップリング剤はシランカップリング剤を含有してもよい。
これにより、無機充填材と各樹脂との界面の濡れ性を高くすることができ、プリプレグの硬化物の耐熱性をより向上させることができる。
【００６１】
シランカップリング剤としては、各種のものを用いることができるが、例えば、エポキシシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン、ビニルシラン等が挙げられる。
【００６２】
具体的な化合物としては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−６−（アミノヘキシル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（３−（トリメトキシシリルプロピル）−１，３−ベンゼンジメタナン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等が挙げられ、これらのうちの一種または二種以上を組み合せて用いることができる。これらのうちエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシランが好ましく、アミノシランとしては、１級アミノシラン又はアニリノシランがより好ましい。
【００６３】
カップリング剤の添加量は、無機充填材の比表面積に対して適切に調整することができる。このようなカップリング剤の添加量の下限値は、例えば、熱硬化性樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、０．０５質量％以上としてもよく、好ましくは０．１質量％以上としてもよい。カップリング剤の含有量が上記下限値以上であると、無機充填材を十分に被覆することができ、樹脂膜の硬化物の耐熱性を向上させることができる。一方、カップリング剤の添加量の上限値は、例えば、熱硬化性樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、３質量％以下としてもよく、好ましくは１．５質量％以下としてもよい。カップリング剤の含有量が上記上限値以下であると、反応に影響を与えるのを抑制でき、プリプレグの硬化物の曲げ強度等の低下を抑制することができる。
【００６４】
（添加剤）
なお、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、緑、赤、青、黄、および黒等の染料、黒色顔料等の顔料、色素からなる群から選択される一種以上を含む着色剤、低応力剤、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤、ゴム粒子等の上記の成分以外の添加剤を含んでもよい。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６５】
顔料としては、カオリン、合成酸化鉄赤、カドミウム黄、ニッケルチタン黄、ストロンチウム黄、含水酸化クロム、酸化クロム、アルミ酸コバルト、合成ウルトラマリン青等の無機顔料、フタロシアニン等の多環顔料、アゾ顔料等が挙げられる。
【００６６】
染料としては、イソインドリノン、イソインドリン、キノフタロン、キサンテン、ジケトピロロピロール、ペリレン、ペリノン、アントラキノン、インジゴイド、オキサジン、キナクリドン、ベンツイミダゾロン、ビオランスロン、フタロシアニン、アゾメチン等が挙げられる。
【００６７】
ゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。
【００６８】
（プリプレグの製造方法）
本実施形態における犠牲基板を構成するプリプレグは、繊維基材を内部に含む、熱硬化性樹脂組成物を当該繊維基材に含浸してなるプリプレグである。本実施形態に係るプリプレグは、例えば、繊維基材に一または二以上の熱硬化性樹脂および充填材を含む樹脂組成物を含浸させ、その後、半硬化させて得られる。
本実施形態において、樹脂組成物を繊維基材に含浸させる方法としては、とくに限定されないが、例えば、樹脂組成物を溶剤に溶かして樹脂ワニスを調製し、樹脂ワニスを繊維基材に塗布する方法、などが挙げられる。
【００６９】
本実施形態において、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物は、溶剤を含むことができる。
上記溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト ン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤が挙げられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７０】
熱硬化性樹脂組成物がワニス状である場合において、熱硬化性樹脂組成物の固形分含有量は、たとえば３０質量％以上８０質量％以下としてもよく、より好ましくは４０質量％以上７０質量％以下としてもよい。これにより、作業性や成膜性に非常に優れた熱硬化性樹脂組成物が得られる。
【００７１】
ワニス状の熱硬化性樹脂組成物は、上述の各成分を、たとえば、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶剤中に溶解、混合、撹拌することにより調製することができる。本実施形態において、熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸させる方法としては、特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物を溶剤に溶かして樹脂ワニスを調製し、繊維基材を上記樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより上記樹脂ワニスを繊維基材に塗布する方法、スプレーにより上記樹脂ワニスを繊維基材に吹き付ける方法、熱硬化性樹脂組成物からなる上記樹脂膜で繊維基材の両面をラミネートする方法等が挙げられる。
【００７２】
また、上記熱硬化性樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度は、好ましくは１５０℃以上３５０℃以下であり、より好ましくは２００℃以上２９０℃以下である。
熱硬化性樹脂組成物の硬化物のガラス転移点Ｔｇが大きくなるほど、線膨張係数α１は大きくなる傾向にあり、一方、上記収縮量は小さくなる傾向にある。したがって、上記線膨張係数α１及び上記収縮量を所望の数値範囲とするためには、熱硬化性樹脂組成物の硬化物のガラス転移点Ｔｇを特定の数値範囲内とすることが好ましい。
【００７３】
上記ガラス転移温度は、動的粘弾性分析装置（ＤＭＡ）を用いて測定することができる。また、上記ガラス転移温度は、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件での動的粘弾性測定により得られる曲線において、損失正接ｔａｎδが最大値を示す温度である。
【００７４】
本実施形態において、熱硬化性樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度は、２００℃、２時間で熱処理して得られる樹脂膜の硬化物に対して、たとえば動的粘弾性測定装置を用いて周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分の条件で動的粘弾性試験を行うことにより得られる測定結果から算出することができる。動的粘弾性測定装置としては、とくに限定されないが、たとえばＤＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製、Ｑ８００）を用いることができる。
【００７５】
（繊維基材）
上記繊維基材としては、例えば、ガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、あるいはガラス以外の無機化合物を成分とする繊布又は不繊布等の無機繊維基材、芳香族ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機繊維で構成される有機繊維基材等が挙げられる。これら基材の中でも強度の点でガラス織布に代表されるガラス繊維基材を用いると、プリント配線基板の機械的強度、耐熱性を良好なものとすることができる。
繊維基材の厚みは、とくに限定されないが、好ましくは１０μｍ以上、２００μｍ以下であり、より好ましくは１５μｍ以上、１８０μｍ以下であり、さらに好ましくは２０μｍ以上、１５０ｍ以下である。このような厚みを有する繊維基材を用いることにより、プリプレグ製造時のハンドリング性が向上し、得られる犠牲基板の熱膨張、熱収縮を制御することが容易となる。
繊維基材の厚みが上記上限値以下であると、繊維基材中の熱硬化性樹脂組成物の含浸性が向上し、ボイドの発生を抑制することができる。また、繊維基材の厚みが上記下限値以上であると、繊維基材やプリプレグの強度を向上させることができる。その結果、ハンドリング性が向上できたり、プリプレグの作製が容易となったり、得られる犠牲基板の反りを抑制できたりする。
【００７６】
上記ガラス繊維基材として、例えば、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、ＵＴガラス、Ｌガラス、ＨＰガラスおよび石英ガラスから選ばれる一種または二種以上のガラスにより形成されたガラス繊維基材が好適に用いられる。
【００７７】
（プリプレグを用いた、犠牲基板の製造方法）
上記の方法で得られたプリプレグを硬化し、本実施形態に係る犠牲基板を得る。１枚以上のプリプレグを積層し、硬化することで本実施形態に係る犠牲基板を得ることもできる。プリプレグの積層枚数は、例えば１枚から４枚である。
プリプレグの硬化物で構成される犠牲基板の厚みは、好ましくは２０μｍ以上３００μｍ以下であり、より好ましくは２５μｍ以上２５０μｍ以下であり、さらに好ましくは３０μｍ以上２００ｍ以下である。このような厚みを有する犠牲基板とすることで、コアレス工法の過程における反り量、及び、ビルドアップ層との内部応力を制御することができ、犠牲基板剥離時のコアレス基板の反り量をより低減することができる。
【００７８】
本実施形態に係る犠牲基板は、片側又は両側の表面に金属箔を接着することもできる。プリプレグの硬化と、金属箔の接着は、同じタイミングで行うことも、異なるタイミングで行うこともできるが、プリプレグの硬化と、金属箔の接着を同時に行うことが好ましい。
【００７９】
（犠牲基板に接着する金属箔）
金属箔を構成する金属としては、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金、銀、銀系合金、金、金系合金、亜鉛、亜鉛系合金、ニッケル、ニッケル系合金、錫、錫系合金、鉄、鉄系合金、コバール（商標名）、４２アロイ、インバー、スーパーインバー等のＦｅ−Ｎｉ系の合金、Ｗ、Ｍｏ等が挙げられる。これらの中でも、金属箔を構成する金属としては、導電性に優れ、エッチングによる回路形成が容易であり、また安価であることから銅または銅合金が好ましい。すなわち、金属箔としては、銅箔が好ましい。
犠牲基板上に接着する金属箔は、剥離可能なピーラブル金属箔であることが好ましい。犠牲基板上に２層以上の所望のビルドアップ層を積層した場合において、ピーラブル金属箔は、犠牲基板と、第一のビルドアップ層とで、挟まれた状態となる。この状態で、ピーラブル銅箔を剥離することにより、犠牲基板とビルドアップ層とをデタッチすることが好ましい。剥離後は、ピーラブル金属箔の一方がビルドアップ層側に、ピーラブル金属箔の他方が犠牲基板側に残ることになる。ピーラブル金属箔としては、例えば、三井金属鉱業株式会社製、型番MT18Eｘ-S等を用いることができる。また、ピーラブル金属箔は、その剥離前の全厚みが、１５μｍ〜３０μｍの厚さの箔を使用することが好ましく、１８μｍ〜２５μｍの厚さの箔を使用することがより好ましい。また、ピーラブル金属箔は、その剥離後の薄膜の厚みが１μｍ〜６μｍの厚さの箔を使用することが好ましく、２μｍ〜５μｍの厚さの箔を使用することがより好ましく、ピーラブル金属箔は、その剥離後の厚膜の厚みが１４μｍ〜２４μｍの厚さの箔を使用することが好ましく、１６μｍ〜２０μｍの厚さの箔を使用することがより好ましい。ピーラブル金属箔は、薄膜側がビルドアップ層側に、厚膜側が犠牲基板側に残るよう接着することが好ましい。
また、金属箔は犠牲基板の片面又は両面に接着することができ、両面に接着することがより好ましい。
【００８０】
金属箔付犠牲基板の製造方法は以下の通りである。
プリプレグまたはプリプレグを２枚以上重ね合わせた積層体の外側の上下両面または片面に金属箔を重ね、ラミネーター装置やベクレル装置を用いて高真空条件下でこれらを接合する、あるいはそのままプリプレグの外側の上下両面または片面に金属箔を重ねる。また、プリプレグを２枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔を重ねる。次いで、プリプレグと金属箔とを重ねた積層体を加熱加圧成形することで金属箔付犠牲基板を得ることができる。ここで、加熱加圧成形時に、冷却終了時まで加圧を継続することが好ましい。
上記の加熱加圧成形するときの加熱温度は、１００℃以上２５０℃以下が好ましく、１５０℃以上２４０℃以下がより好ましい。
また、上記の加熱加圧成形するときの圧力は、０．５ＭＰａ以上５ＭＰａ以下が好ましく、１．５ＭＰａ以上５．０ＭＰａ以下の高圧がより好ましい。
【００８１】
（コアレス基板の製造方法）
続いて、本実施形態に係る犠牲基板を用いた、コアレス基板の製造方法について説明する。
一般に、コアレス工法は、例えば、犠牲基板の上に熱硬化性樹脂層を形成し、次いで、熱硬化性樹脂層を加熱加圧、冷却することで硬化させてビルドアップ層を作成し、次いで、ビルドアップ層から犠牲基板を剥離し、コアレス基板を得るものである。
本実施形態に係る製造方法は、犠牲基板の少なくとも一方の面上に第１の熱硬化性樹脂層を形成する第１の積層工程と、
次いで、前記熱硬化性樹脂層を硬化して第１のビルドアップ層を形成する第１の硬化工程と、
次いで、前記第１のビルドアップ層の上に、第２の熱硬化性樹脂層を形成する第２の積層工程と、
次いで、前記第２の熱硬化性樹脂層を硬化して第２のビルドアップ層を形成する第２の硬化工程と、
次いで、第１のビルドアップ層及び第２のビルドアップ層から、前記犠牲基板を剥離する剥離工程と、を含む。
本発明は、２層以上の複数層のビルドアップ層を有するコアレス基板の製造方法であって、３層、４層、４層以上の複数層のビルドアップ層を有するコアレス基板を含む。
すなわち、本実施形態に係る犠牲基板は、積層されるビルドアップ層の総数が多く、製造に多くの熱履歴を要し、犠牲基板と第一のビルドアップ層の間、及び、各ビルドアップ層の層間に内部応力が蓄積し、犠牲基板及び、各ビルドアップ層の設計が困難となる場合、特に効果が大きい。
また、本発明に係るコアレス基板は、その厚みが、５０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以上４５０ｍ以下であることがより好ましく、２００μｍ以上４００ｍ以下であることが特に好ましい。
【００８２】
本実施形態に係るコアレス基板の製造方法において、前記第１の積層工程において、前記犠牲基板と、前記第１の熱硬化性樹脂層と、金属層とをこの順で積層した、３層積層構造を形成し、
前記剥離工程の前に、前記金属層をエッチングするエッチング工程を含むことが好ましい。
【００８３】
以下、本願発明の犠牲基板を支持体として作製するコアレス基板の具体的な製造工程を説明する。図１は、本実施形態に係るコアレス基板の製造工程の一例である。本実施形態に係るコアレス基板の製造方法は、例えば
（Ａ）金属箔付犠牲基板に回路を形成する工程
（Ｂ−１）第１の熱硬化性樹脂層を積層し、加熱加圧プレスし、回路を形成する工程
（Ｂ−２）第２の熱硬化性樹脂層を積層し、加熱加圧プレスし、回路を形成する工程
（Ｂ−Ｎ）第Ｎの熱硬化性樹脂層を積層し、加熱加圧プレスし、回路を形成する工程
（Ｃ）犠牲基板からの剥離
（Ｄ）フラッシュエッチング
を順次行うことで得られる。
【００８４】
（Ａ）金属箔付犠牲基板に回路を形成する工程
本実施形態に係る製造方法においては、まず、犠牲基板１０に、ピーラブル銅箔２０を接合した金属箔付犠牲基板に回路を形成することが好ましい。金属箔付犠牲基板に回路パターン２１を形成する場合、回路の形成方法には公知の手法を用いることができるが、例えば、以下の方法で回路を形成することができる。金属箔上に所定の開口パターンを有するめっきレジストを形成する。この開口パターンは、例えば回路パターンに相当する。めっきレジストとしては、特に限定されず、公知の材料を用いることができるが、液状およびドライフィルムを用いることができる。微細配線形成の場合には、めっきレジストとしては、感光性ドライフィルム等を用いることが好ましい。感光性ドライフィルムを用いた一例を説明する。例えば、金属箔上に感光性ドライフィルムを積層し、非回路形成領域を露光して光硬化させ、未露光部を現像液で溶解、除去する。硬化した感光性ドライフィルムを残存させることにより、めっきレジストを形成する。
【００８５】
次いで、少なくともめっきレジストの開口パターン上に、電気めっき処理により、電解金属めっき層を形成する。電気めっき処理としては、通常のプリント配線基板で用いられる公知の方法を使用することができ、例えば、硫酸銅等のめっき液中に浸漬させた状態で、めっき液に電流を流す等の方法を使用することができる。電解金属めっき層は単層でもよく多層構造を有していてもよい。電解金属めっき層の材料としては、例えば、銅、銅合金、４２合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田のいずれか一種以上を用いることができる。
次いで、アルカリ性剥離液や硫酸または市販のレジスト剥離液等を用いてめっきレジストを除去し、犠牲基板上に回路パターン２１を得ることができる。
【００８６】
（Ｂ）熱硬化性樹脂層を積層し、加熱加圧プレスし、回路を形成する工程
続いて得られた回路形成後の金属箔付犠牲基板上に第一の熱硬化性樹脂層４１を積層する。
積層する第一の熱硬化性樹脂層４１は、上記した犠牲基板作製用のプリプレグに用いた熱硬化性樹脂組成物と同じ熱硬化性樹脂組成物を用いても構わないし、異なる熱硬化性樹脂組成物を用いても構わない。
積層する熱硬化性樹脂組成物は特に制限されないが、例えば、その厚みを１０〜２００μｍとしてもよく、１５〜１５０μｍとしてもよい。
【００８７】
積層する熱硬化性樹脂層の硬化物の熱膨張率は、熱機械分析装置を用いて、温度５０℃から１００℃の昇温過程で測定される、当該熱硬化性樹脂層の硬化物の線膨張係数α１が２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、１５ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましく、１０ｐｐｍ／℃以下であることが特に好ましい。
さらに、積層する熱硬化性樹脂層の硬化物は、下記の測定条件で測定される、当該積層する熱硬化性樹脂層の硬化物の収縮量差Ｙ−Ｘが−１％以上１％以下であることが好ましく、該収縮量差Ｙ−Ｘは、−０．５％以上０．５％以下であることがより好ましく、−０．２％以上０％以下であることが特に好ましい。
また、上記熱硬化性樹脂層の硬化物のガラス転移温度は、好ましくは１５０℃以上４００℃以下であり、より好ましくは１８０℃以上３２０℃以下である。
【００８８】
積層する熱硬化性樹脂層は、熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸させ、その後、半硬化させて得られるシート状のプリプレグとしてから積層することができる。熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸させる方法としては、特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物を溶剤に溶かして樹脂ワニスを調製し、繊維基材を上記樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより上記樹脂ワニスを繊維基材に塗布する方法、スプレーにより上記樹脂ワニスを繊維基材に吹き付ける方法、繊維基材の両面から熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂層で繊維基材をラミネートする方法等が挙げられる。
【００８９】
第１の熱硬化性樹脂層４１となるプリプレグを犠牲基板（または、下層のビルドアップ層）に積層し、加熱加圧する際、積層した熱硬化性樹脂層の上に金属箔を重ね、同時に金属箔を積層することもできる。
プリプレグまたはプリプレグを２枚以上重ね合わせた積層体の上面に金属箔を重ね、ラミネーター装置やベクレル装置を用いて高真空条件下でこれらを接合する、あるいはそのままプリプレグの上に金属箔を重ねる。また、プリプレグを２枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の面に金属箔を重ねる。
次いで、プリプレグと金属箔とを重ねた積層体を加熱加圧成形する。ここで、加熱加圧成形時に、冷却終了時まで加圧を継続することが好ましい。
熱硬化性樹脂層を硬化する際の加熱加圧プレスの条件は、１００℃以上２５０℃以下が好ましく、１５０℃以上２４０℃以下がより好ましい。
また、上記の加熱加圧成形するときの圧力は、０．５ＭＰａ以上５ＭＰａ以下が好ましく、１．５ＭＰａ以上５．０ＭＰａ以下の高圧がより好ましい。
積層したビルドアップ層上に回路を形成する場合、回路の形成方法は公知の手法を用いることができ、例えば、セミアディティブプロセス（ＳＡＰ）や、上記した犠牲基板上への回路形成方法と同じ手法によって、回路パターン４２を形成することができる。以上の方法で、第１の熱硬化性樹脂層４１の上に回路パターン４２が積層した第１のビルドアップ層４０を得ることができる。また、第１のビルドアップ層４０を得た工程と同様の工程を繰り返すことによって、第２の熱硬化性樹脂層５１の上に回路パターン５２が積層した第２のビルドアップ層５０を得ることができる。
熱硬化性樹脂層・金属箔の積層と、硬化、回路の形成の工程を必要な回数繰り返すことで、所望の多層のビルドアップ層を得ることができる。
【００９０】
（Ｃ）犠牲基板からの剥離
所望のビルドアップ層を得た後、複数層のビルドアップ層から犠牲基板を剥離する。所望のビルドアップ層を得た後、犠牲基板と、第一のビルドアップ層との間には、金属箔が挟まれた状態となる。この状態で、ピーラブル銅箔を剥離することにより、犠牲基板とビルドアップ層とをデタッチすることが好ましい。剥離後、ピーラブル金属箔は、厚みの薄い方が、ビルドアップ層側に残り、厚みの厚い方が、犠牲基板側に残ることが好ましい。
この場合、剥離後、ビルドアップ層側には、厚み１〜６ｕｍのピーラブル金属箔の全部又は一部である、ピーラブル銅箔（剥離後残存部）２２が残存する。
【００９１】
（Ｄ）フラッシュエッチング
次いで、犠牲基板を剥離した後、ビルドアップ層に残るピーラブル銅箔（剥離後残存部）２２を、例えば、ソフトエッチング（フラッシュエッチング）等を用いることにより、除去することでコアレス基板１００を得ることができる。ここで、ソフトエッチング処理は、例えば、硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングにより行うことができる。以上の方法により、２層以上のビルドアップ層を有するコアレス基板１００を得ることができる。
本実施形態に係る犠牲基板を用いて製造されたコアレス基板１００は、犠牲基板側において、回路が埋め込まれた構造となり、金属の残渣が残りにくいので、狭い幅のピッチの回路形成をすることが容易となり、より高密度化が可能である効果を有する。
【００９２】
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００９３】
（プリント配線基板）
本実施形態通常のプリント配線基板に用いることができ、単数又は複数の半導体素子を搭載することができる。また、プリント配線基板に搭載された複数の半導体素子を一括封止した後、これらを個片化することにより、複数の半導体パッケージを得ることができる。
【００９４】
本実施形態のプリント配線基板の一例を説明する。図３は、プリント配線基板５００の製造プロセス一例の工程断面図である。図３（ｃ）は、コア層を有しないプリント配線基板５００を示す。
本実施形態のプリント配線基板５００は、繊維基材を有するコア層を備えないものであり、例えば、ビルドアップ層やソルダーレジスト層で構成されているコアレス基板とすることができる。例えば、図３（ｃ）に示すプリント配線基板５００は、２層のビルドアップ層（絶縁層５４０，５５０）とソルダーレジスト層（絶縁層５６０）を備えるものである。上記プリント配線基板は、例えば、犠牲基板５１０上に、ビルドアップ層、ソルダーレジスト層を形成した後、この犠牲基板５１０を剥離することにより得ることができる。具体的には、図３に示すように、大面積の犠牲基板５１０上に、ピーラブル金属箔５２０、５３０（例えば、銅箔）を配置する。ピーラブル金属箔５２０、５３０は後に、ピーラブル金属箔５２０（上面）と、ピーラブル金属箔５３０（下面）とに剥離することができる。続いて、ピーラブル金属箔５３０上に金属層５４２を形成する。この金属層５４２を、たとえば、ＳＡＰ（セミアディティブプロセス）方法等の通常の手法によりパターニングする。続いて、加熱加圧成形法等により、熱硬化性樹脂層や、金属箔を所望の層数積層した後、ピーラブル金属箔５２０と、５３０とを剥離することによって、犠牲基板からビルドアップ層を剥離する。そして、ピーラブル金属箔５３０をエッチング等により除去する。
以上により、図３に示すプリント配線基板５００が得られる。
【００９５】
本実施形態のプリント配線基板において、コアレス基板は、複数層の層間絶縁層で構成されている。このような層間絶縁層中には、層間接続配線としてビア配線および金属層が形成されていてもよい。また、本実施形態において、ビア配線、金属層、または金属層は、例えば、銅などの金属で構成されていてもよい。また、コアレス樹脂基板の上面と下面は、ソルダーレジスト層（絶縁層）で覆われていてもよい。
【実施例】
【００９６】
以下、本発明について実施例を参照して詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
【００９７】
（１）樹脂ワニスの調整
まず、表１に示す固形分割合で各成分を溶解または分散させ、メチルエチルケトンで不揮発分７０％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して、樹脂ワニスＰ１、Ｐ２、Ｐ３を調製した。
なお、表１における各成分の配合割合を示す数値は、熱硬化性樹脂組成物の固形分全体に対する各成分の配合割合（質量％）を示している。
【００９８】
表１における各成分の詳細は下記のとおりである。
実施例および比較例では、以下の原料を用いた。
【００９９】
（熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂１：多官能型マレイミド（ＢＭＩ−２３００、大和化成工業社製）
熱硬化性樹脂２：ジアミノジフェルメタン型ベンゾオキサジン（Ｐ−ｄ型ベンゾオキサジン、四国化成工業社製）
熱硬化性樹脂３：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学製、ｊＥＲ８２８ＥＬ）
熱硬化性樹脂４：ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＨＰ−５０００）
熱硬化性樹脂５：シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、ＰＴ−３０、重量平均分子量７００）
【０１００】
（硬化剤）
硬化剤１：２−フェニルイミダゾール（四国化成社製、２ＰＺ−ＰＷ）
硬化剤２：テトラフェニルホスホニウムのビス（ナフタレン−２，３−ジオキシ）フェニルシリケート付加物
【０１０１】
（無機充填材）
無機充填材１： シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＣ４０５０、平均粒径１．１μｍ）
無機充填材２： シリカナノ粒子（アドマテックス社製、アドマナノ、平均粒径５０ｎｍ）
【０１０２】
【表１】
2020077811.tif 000009
【０１０３】
各実施例・比較例で用いた繊維基材について以下に示す。
（繊維基材）
繊維基材１：ガラスクロス（日東紡績(株)製、ＷＥＡ−１１６Ｅ）
繊維基材２：ガラスクロス（ユニチカグラスファイバー社製、Ｅ１０Ｔ）
【０１０４】
（２）コアレス基板の製造
＜実施例１＞
（プリプレグの製造）
得られた樹脂ワニスＰ１を厚み９０μｍのガラス繊維に含浸させ、樹脂ワニスを繊維基材１に塗布した後、１６０℃、５分間の条件で溶剤を除去して、厚さ１０５μｍのプリプレグ１を形成した。
【０１０５】
（金属箔付犠牲基板）
得られたプリプレグ１を１枚準備し、その両面にピーラブル銅箔（メーカー：三井金属鉱業株式会社、型番ＭＴ１８Ｅｘ、厚み５μｍ）を接着して、金属箔付の犠牲基板を得た。接着条件は、圧力２ＭＰａ、温度２２０℃、２時間とした。得られた金属箔付の犠牲基板の厚みは１５１μｍであった。
【０１０６】
（ビルドアップ層の形成）
上記のようにして得られた金属箔付犠牲基板の両面に、それぞれビルドアップ用プリプレグと金属箔（メーカー：三井金属鉱業株式会社、型番ＭＴ１８Ｅｘ、厚み５μｍ）とを重ね合わせ、圧力２ＭＰａ、温度２２０℃で２時間加熱加圧成形することにより、金属箔付犠牲基板の両面に、第一のビルドアップ層を形成した。さらに、同工程を繰り返すことにより、第２のビルドアップ層を形成した。
【０１０７】
（犠牲基板の剥離）
得られた犠牲基板から、ピーラブル銅箔を剥離することにより、ビルドアップ層を犠牲基板から剥離し、コアレス基板１を得た。
【０１０８】
（エッチング）
得られたコアレス基板の犠牲基板側の金属箔をフラッシュエッチングで除去した。エッチング後の、犠牲基板剥離後に得られたコアレス基板の厚みは６０μｍであった。
【０１０９】
（実施例２）
得られた樹脂ワニスＰ２を厚み９０μｍのガラス繊維に含浸させ、樹脂ワニスを繊維基材２に塗布した後、１６０℃、５分間の条件で溶剤を除去して、厚さ１０５μｍのプリプレグ２を形成した。
得られたプリプレグ２を用い、実施例１と同様の方法で、コアレス基板２を作成した。なお、実施例２では、金属箔付犠牲基板の厚みは１５０μｍ、得られたコアレス基板２の厚みは６０μｍであった。
【０１１０】
（比較例１）
得られた樹脂ワニスＰ３を厚み９０μｍのガラス繊維に含浸させ、樹脂ワニスを繊維基材２に塗布した後、１６０℃、５分間の条件で溶剤を除去して、厚さ１０５μｍのプリプレグを形成した。
得られたプリプレグを用い、実施例１と同様の方法で、コアレス基板を作成した。比較例１では、金属箔付犠牲基板の厚みは１５０μｍ、得られたコアレス基板の厚みは６０μｍであった。
【０１１１】
（線膨張係数）
ビルドアップ層を積層する前の金属箔付犠牲基板から４ｍｍ×１５ｍｍのテストピースを切り出し、エッチング液（第二塩化鉄溶液、３５℃）で銅箔を除去し、線膨張係数評価用の試験片を得た。次いで、得られた試験片に対し、熱機械分析装置ＴＭＡ（ＴＡインスツルメント社製、Ｑ４００）を用いて、温度範囲３０〜２６０℃、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、荷重１０ｇ、圧縮モードの条件で熱機械分析（ＴＭＡ）を２サイクル測定した。５０℃から１００℃の範囲における平面方向（ＸＹ方向）の線膨張係数の平均値α１を算出した。
なお、線膨脹係数は、２サイクル目の値を採用した。
【０１１２】
（収縮量）
収縮量差Ｙ−Ｘは、パンチングされた犠牲基板の、穴の中心間の距離を測定することにより算出した（図２）。測定方法、加熱条件、及び、算出方法は以下の通りである。
（１）収縮量測定用穴あき犠牲基板
各実施例・比較例の金属箔付犠牲基板から、２５０ｍｍ×２５０ｍｍの試験片を切り出した。試験片の4つの角に直径１ｍｍの穴を開けた。穴の位置は各試験片の板端から１０ｍｍの距離の直線の交点を中心とした４カ所とした。
【０１１３】
（２）加熱プレス前の犠牲基板の寸法測定
４つの直径１ｍｍの穴について、対角線を除いた、穴の中心から他の穴の中心までの長さ４か所（図中Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）を測定し、各測定値をＤ０Ａ、Ｄ０Ｂ、Ｄ０Ｃ、Ｄ０Ｄとし、その平均を、Ｄ０とした。
【０１１４】
（３）１回目の加熱プレス後の寸法測定
犠牲基板を、ホットプレスを用いて、温度２００℃、圧力８ｋｇｆ/ｍｍ２の条件で２時間加熱加圧した。加圧は、２時間加熱加圧の終了後犠牲基板が５０℃に冷却されるまで、続けて行った。当該犠牲基板が２５℃に冷却されてから、２５℃で穴の中心から他の穴の中心までの長さ４か所（図中Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）を測定し、各測定値をＤ１Ａ、Ｄ１Ｂ、Ｄ１Ｃ、Ｄ１Ｄとし、その平均を、Ｄ１とした。
【０１１５】
（４）２回目の加熱プレス後の寸法測定
１回目の加熱プレス後、２５℃に冷却された犠牲基板を、ホットプレスを用いて、温度２００℃、圧力８ｋｇｆ/ｍｍ２の条件で２時間加熱加圧した。加圧は、２時間加熱加圧の終了後犠牲基板が５０℃に冷却されるまで、続けて行った。当該犠牲基板が２５℃に冷却されてから、２５℃で穴の中心から他の穴の中心までの長さ４か所（図中Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）を測定し、各測定値をＤ２Ａ、Ｄ２Ｂ、Ｄ２Ｃ、Ｄ２Ｄとし、その平均を、Ｄ２とした。
【０１１６】
（５）算出方法
１回目の加熱プレスの収縮量Ｘを、
Ｘ＝（Ｄ０―Ｄ１）／Ｄ０×１００［％］
とした。
２回目の加熱プレスの収縮量Ｙを、
Ｙ＝（Ｄ０―Ｄ２）／Ｄ０×１００[％]
とした。
上記した方法により算出される一回目の加熱プレスにおける収縮量Ｘ％及び、二回目の加熱プレスにおける収縮量Ｙ％の差であるＹ−Ｘ％を、収縮量差Ｙ−Ｘ％とした。
【０１１７】
（反り）
得られた各実施例・比較例のコアレス基板の２５℃での反りをノギスで測定した。具体的には、各コアレス基板を水平な平面におき、変位差の最も大きい値を反り量とした。評価基準は以下の通りである。
◎：反り量が１０ｍｍ未満
〇：反り量が１０ｍｍ以上２０ｍｍ未満
×：反り量が２０ｍｍ以上
【０１１８】
【表２】
2020077811.tif 000010
【符号の説明】
【０１１９】
１０  犠牲基板
２０  ピーラブル金属箔
２１  回路パターン
２２  ピーラブル銅箔（剥離後残存部）
４０  第１のビルドアップ層
４１  第１の熱硬化性樹脂層
４２  回路パターン
５０  第２のビルドアップ層
５１  第２の熱硬化性樹脂層部材名
５２  回路パターン
１００  コアレス基板
５００  プリント配線基板
５１０  支持基板
５２０  ピーラブル金属箔
５３０  ピーラブル金属箔
５４０  絶縁層
５４２  金属層
５５０  絶縁層
５５２  金属層
５６０  絶縁層
５６２  金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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