(57)【要約】      （修正有）【課題】長手方向のテンションの調整により、幅の変化を抑制することができる磁気記録媒体及びカートリッジを提供する。【解決手段】磁気記録媒体１０は、少なくとも記録層１３、下地層１２、基体１１をこの順に有する。記録層１３は、磁性粉、第一の結着剤及び導電性粒子を含む。第一の結着剤は、ポリウレタン系樹脂若しくは塩化ビニル系樹脂の少なくとも一方を含む。基体１１は、ポリエステル系樹脂を含む。下地層は非磁性粉及び第二の結着剤を含む。第二の結着剤は、ポリウレタン系樹脂若しくは塩化ビニル系樹脂の少なくとも一方を含む。磁気記録媒体１０には、サーボパターンが記録されている。磁気記録媒体１０の垂直方向における角形比が６５％以上で、磁気記録媒体１０の所定の形状、所定の条件における長手方向のテンション変化に対する磁気記録媒体１０の幅方向の寸法変化量Δｗが、７００≦Δｗ≦８０００［ｐｐｍ／Ｎ］である。【選択図】図１
2020161208.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも記録層、下地層、基体をこの順に有する磁気記録媒体であって、
前記記録層は磁性粉、第一の結着剤、および導電性粒子を含み、
前記第一の結着剤はポリウレタン系樹脂もしくは塩化ビニル系樹脂の少なくとも一方を含み、
前記基体はポリエステル系樹脂を含み、
前記下地層は非磁性粉および第二の結着剤を含み、
前記第二の結着剤はポリウレタン系樹脂もしくは塩化ビニル系樹脂の少なくとも一方を含み、
前記磁気記録媒体にはサーボパターンが記録されており、
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が６５％以上であり、
前記磁気記録媒体を１／２インチ幅かつ２５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製し、温度２５℃相対湿度５０％の環境下において前記サンプルの長手方向に０．２Ｎ、０．６Ｎ、１．０Ｎの順で荷重をかけ、０．２Ｎ、１．０Ｎそれぞれの荷重における前記サンプルの幅Ｄ（０．２Ｎ）、Ｄ（１．０Ｎ）を測定し、以下の式（１）により求めた、前記磁気記録媒体の長手方向のテンション変化に対する前記磁気記録媒体の幅方向の寸法変化量Δｗが、７００≦Δｗ≦８０００［ｐｐｍ／Ｎ］である磁気記録媒体。
【数１】
2020161208.tif 000017
【請求項２】
前記寸法変化量Δｗが、７５０≦Δｗ≦８０００［ｐｐｍ／Ｎ］である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記寸法変化量Δｗが、８００≦Δｗ≦８０００［ｐｐｍ／Ｎ］である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記磁気記録媒体の温度膨張係数αが、６［ｐｐｍ／℃］≦α≦８［ｐｐｍ／℃］であり、且つ、前記磁気記録媒体の湿度膨張係数βが、β≦５［ｐｐｍ／％ＲＨ］である請求項１から３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記磁気記録媒体のポアソン比ρが、０．３≦ρである請求項１から４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記磁気記録媒体の長手方向の弾性限界値σＭＤが、０．８［Ｎ］≦σＭＤである請求項１から５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記弾性限界値σＭＤが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに依らない請求項６に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
５０℃にて前記磁気記録媒体の垂直方向に測定した保磁力Ｈｃ（５０）と２５℃にて前記磁気記録媒体の垂直方向に測定した保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒ（＝（Ｈｃ（５０）／Ｈｃ（２５））×１００）が、９５％以上である請求項１から７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記磁気記録媒体のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、３．０以上１００以下である請求項１から８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記記録層の平均厚みｔｍが、３５［ｎｍ］≦ｔｍ≦９０［ｎｍ］である請求項１から９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記磁性粉はε酸化鉄磁性粉を含み、前記ε酸化鉄磁性粉の平均粒子サイズは、８ｎｍ以上２２ｎｍ以下である請求項１から１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記磁気記録媒体の垂直方向に測定した保磁力Ｈｃが、２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下である請求項１１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記磁性粉はバリウムフェライト磁性粉を含み、前記バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である請求項１から１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
前記磁気記録媒体の垂直方向に測定した保磁力Ｈｃが１７０ｋＡ／ｍ以上２７０ｋＡ／ｍ以下である請求項１３に記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】
前記磁性粉はコバルトフェライト磁性粉を含み、前記コバルトフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、２５ｎｍ以下である請求項１から１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１６】
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が、７３％以上である請求項１から１５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１７】
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が、８０％以上である請求項１から１５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１８】
前記基体の平均厚みが２．６μｍ以上５．０μｍ以下である請求項１から１７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１９】
前記ポリエステル系樹脂がＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を含む請求項１から１８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項２０】
前記下地層の平均厚みが、０．６μｍ以上２．０μｍ以下である請求項１から１９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項２１】
前記磁気記録媒体が磁性面を有し、前記磁性面の算術平均粗さＲａが２．０ｎｍ以下である請求項１から２０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項２２】
前記磁気記録媒体が磁性面と該磁性面とは反対側となるバック面とを有し、前記磁性面と前記バック面の層間摩擦係数μが、０．２０≦μ≦０．８０である請求項１から２１のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項２３】
前記サーボパターンがハの字状である請求項１から２２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項２４】
前記非磁性粉が針状酸化鉄粒子を含む請求項１から２３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項２５】
前記下地層が潤滑剤を含む請求項１から２４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項２６】
前記下地層が導電性粒子を含む請求項１から２５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項２７】
前記磁気記録媒体の活性化体積Ｖａｃｔが、８０００ｎｍ３以下である請求項１から２６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項２８】
請求項１から２７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、リールと、カートリッジケースを有し、
前記磁気記録媒体は前記リールに巻回されて前記カートリッジケース内に収容されているカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、磁気記録媒体およびカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータ用データストレージとして利用されている磁気テープ（磁気記録媒体）では、データの記録密度を向上するために、トラック幅および隣接するトラック間の距離は非常に狭くなっている。このようにトラック幅およびトラック間の距離が狭くなると、温湿度変化等の環境要因に起因するテープ自体の寸法変化量として最大許容される変化量がますます小さくなる。
【０００３】
このため、特許文献１では、環境要因に起因する幅方向の寸法変化を小さく抑え、オフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる磁気テープ媒体が提案されている。また、特許文献１には、長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量を小さくすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３３２５１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示の目的は、長手方向のテンションの調整により、幅の変化を抑制することができる磁気記録媒体およびカートリッジを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、本開示は、
少なくとも記録層、下地層、基体をこの順に有する磁気記録媒体であって、
記録層は磁性粉、第一の結着剤、および導電性粒子を含み、
第一の結着剤はポリウレタン系樹脂もしくは塩化ビニル系樹脂の少なくとも一方を含み、
基体はポリエステル系樹脂を含み、
下地層は非磁性粉および第二の結着剤を含み、
第二の結着剤はポリウレタン系樹脂もしくは塩化ビニル系樹脂の少なくとも一方を含み、
磁気記録媒体にはサーボパターンが記録されており、
磁気記録媒体の垂直方向における角形比が６５％以上であり、
磁気記録媒体を１／２インチ幅かつ２５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製し、温度２５℃相対湿度５０％の環境下においてサンプルの長手方向に０．２Ｎ、０．６Ｎ、１．０Ｎの順で荷重をかけ、０．２Ｎ、１．０Ｎそれぞれの荷重におけるサンプルの幅Ｄ（０．２Ｎ）、Ｄ（１．０Ｎ）を測定し、以下の式（１）により求めた、磁気記録媒体の長手方向のテンション変化に対する磁気記録媒体の幅方向の寸法変化量Δｗが、７００≦Δｗ≦８０００［ｐｐｍ／Ｎ］である磁気記録媒体である。
【数１】
2020161208.tif 000003
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、長手方向のテンションの調整により、幅の変化を抑制することができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果またはそれらと異質な効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図２】磁性粒子の構成を示す断面図である。
【図３】測定装置の構成を示す斜視図である。
【図４】ＳＦＤ曲線の一例を示すグラフである。
【図５】記録再生装置の構成を示す概略図である。
【図６】変形例における磁性粒子の構成を示す断面図である。
【図７】変形例における磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図８】第２の実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図９】スパッタ装置の構成を示す概略図である。
【図１０】第３の実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
１  第１の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）
２  第２の実施形態（真空薄膜型の磁気記録媒体の例）
３  第３の実施形態（真空薄膜型の磁気記録媒体の例）
【００１０】
＜１  第１の実施形態＞
［概要］
本発明者らは、長尺状の磁気記録媒体の長手方向のテンションを調整することで、磁気記録媒体の幅を一定またはほぼ一定に保つことができる記録再生装置を検討している。しかしながら、本発明者らの知見によれば、一般的な磁気記録媒体は、上述したように、長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量が小さいため、上記記録再生装置により磁気記録媒体の幅を一定またはほぼ一定に保つことは困難である。
【００１１】
そこで、本発明者らは、上記記録再生装置により磁気記録媒体の幅を一定またはほぼ一定に保つことが可能な磁気記録媒体について鋭意検討した。その結果、上記の一般的な磁気記録媒とは反対に、長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量を大きくした磁気記録媒体、具体的には長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量Δｗを７００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗとした磁気記録媒体を案出するに至った。
【００１２】
［磁気記録媒体の構成］
まず、図１を参照して、第１の実施形態に係る磁気記録媒体１０の構成について説明する。磁気記録媒体１０は、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体であって、図１に示すように、長尺状の基体１１と、基体１１の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層）１２と、下地層１２上に設けられた記録層（磁性層）１３と、基体１１の他方の主面上に設けられたバック層１４とを備える。なお、バック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。以下では、磁気記録媒体１０の両主面のうち、記録層１３が設けられた側の面を磁性面といい、それとは反対となる、バック層１４が設けられた側の面をバック面という。
【００１３】
磁気記録媒体１０は長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。また、磁気記録媒体１０は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されており、例えば最短記録波長が上記範囲である記録再生装置に用いられる。この記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備えるものであってもよい。記録トラック幅は、例えば２μｍ以下である。
【００１４】
（基体）
支持体となる基体１１は、可撓性を有する長尺状の非磁性基体である。非磁性基体はフィルムであり、フィルムの厚みは、例えば３μｍ以上８μｍ以下である。基体１１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。基体１１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。
【００１５】
ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。
【００１６】
ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。
【００１７】
その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。
【００１８】
（記録層）
記録層１３は、いわゆる垂直記録層であり、例えば、磁性粉、結着剤および導電性粒子を含む。記録層１３が、必要に応じて、潤滑剤、研磨剤、防錆剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。
【００１９】
記録層１３の平均厚みｔｍが、３５［ｎｍ］≦ｔｍ≦９０［ｎｍ］であることが好ましい。記録層１３の平均厚みｔｍが３５［ｎｍ］≦ｔｍ≦９０［ｎｍ］であると、電磁変換特性を向上することができる。
【００２０】
記録層１３の平均厚みｔｍは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０を、その主面に対して垂直に薄く加工して試料片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察を行う。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向で少なくとも１０点以上の位置で記録層１３の厚みを測定した後、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して記録層１３の平均厚みｔｍ（ｎｍ）とする。
【００２１】
（磁性粉）
磁性粉は、ε酸化鉄を含むナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含む。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。
【００２２】
ε酸化鉄粒子は、球状もしくはほぼ球状を有しているか、または立方体状もしくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、媒体の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制できる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）を得ることができる。
【００２３】
ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、図２に示すように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを備える。
【００２４】
コア部２１は、ε酸化鉄を含む。コア部２１に含まれるε酸化鉄は、ε−Ｆｅ２Ｏ３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε−Ｆｅ２Ｏ３からなるものがより好ましい。
【００２５】
第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部２１と第１シェル部２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。
【００２６】
第１シェル部２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金またはＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金などの軟磁性体を含む。α−Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。
【００２７】
第２シェル部２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ３Ｏ４、Ｆｅ２Ｏ３およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部２２ａがα−Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα−Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。
【００２８】
ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部２２ａを有することで、熱安定性を確保するためにコア部２１単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部２２ｂを有することで、磁気記録媒体１０の製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆びなどが発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体１０の特性劣化を抑制することができる。
【００２９】
磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）Ｄは、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、更により好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。
【００３０】
上記の磁性粉の平均粒子サイズＤは、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法などにより加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５００個のε酸化鉄粒子を無作為に選び出し、それぞれの粒子の最大粒子サイズｄｍａｘを測定して、磁性粉の最大粒子サイズｄｍａｘの粒度分布を求める。ここで、“最大粒子サイズｄｍａｘ”とは、いわゆる最大フェレ径を意味し、具体的には、ε酸化鉄粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のものをいう。その後、求めた最大粒子サイズｄｍａｘの粒度分布から最大粒子サイズｄｍａｘのメジアン径（５０％径、Ｄ５０）を求めて、これを磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）Ｄとする。
【００３１】
（結着剤）
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂などに架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体１０に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体１０において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。
【００３２】
例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴムなどが挙げられる。
【００３３】
また、熱硬化性樹脂、または反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。
【００３４】
また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ３Ｍ、−ＯＳＯ３Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）２などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、あるいはリチウム、カリウム、ナトリウムなどのアルカリ金属である。
【００３５】
更に、極性官能基としては、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３＋Ｘ−の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２＋Ｘ−の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、または炭化水素基であり、Ｘ−は弗素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン元素イオン、または無機もしくは有機イオンである。また、極性官能基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、エポキシ基なども挙げられる。
【００３６】
（添加剤）
記録層１３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）などをさらに含有していてもよい。
【００３７】
（下地層）
下地層１２は、非磁性粉および結着剤を主成分として含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、導電性粒子、潤滑剤、硬化剤および防錆剤などのうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
【００３８】
下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、下地層１２の平均厚みは、記録層１３の平均厚みｔｍと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層１２の厚みに応じて適宜調整される。
【００３９】
（非磁性粉）
非磁性粉は、無機物質でも有機物質でもよい。また、非磁性粉は、カーボンブラックなどでもよい。無機物質としては、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物などが挙げられる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状などの各種形状が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００４０】
（結着剤）
結着剤は、上述の記録層１３と同様である。
【００４１】
（バック層）
バック層１４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の下地層１２と同様である。
【００４２】
無機粒子の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。無機粒子の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズＤと同様にして求められる。
【００４３】
バック層１４の平均厚みｔｂは、ｔｂ≦０．６［μｍ］であることが好ましい。バック層１４の平均厚みｔｂが上記範囲である事で、磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴをｔＴ≦５．５［μｍ］にした場合でも、下地層１２や基体１１の厚みを厚く保つことが出来、これにより磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことが出来る。
【００４４】
バック層１４の平均厚みｔｂは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitsutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプルの異なる場所の厚みを５点以上測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔＴ［μｍ］を算出する。続いて、サンプルのバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）等の溶剤や希塩酸等で除去した後、再び上記のレーザーホロゲージを用いてサンプルの異なる場所の厚みを５点以上測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して平均値ｔＢ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔｂ（μｍ）を求める。
ｔｂ［μｍ］＝ｔＴ［μｍ］−ｔＢ［μｍ］
【００４５】
（磁気記録媒体の平均厚みｔＴ）
磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴが、ｔＴ≦５．５［μｍ］である。磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴがｔＴ≦５．５［μｍ］であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を従来よりも高める事ができる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、３．５［μｍ］≦ｔＴである。
【００４６】
磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴは、バック層１４の平均厚みｔｂにおける平均値ｔＴと同様にして求められる。
【００４７】
（寸法変化量Δｗ）
磁気記録媒体１０の長手方向のテンション変化に対する磁気記録媒体１０の幅方向の寸法変化量Δｗが、７００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗ、好ましくは７５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗ、より好ましくは８００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗである。寸法変化量ΔｗがΔｗ＜７００［ｐｐｍ／Ｎ］であると、記録再生装置による長手方向のテンションの調整では、幅の変化を抑制することが困難となる虞がある。寸法変化量Δｗの上限値は特に限定されるものではないが、例えばΔｗ≦１７０００００［ｐｐｍ／Ｎ］、好ましくはΔｗ≦２００００［ｐｐｍ／Ｎ］、より好ましくはΔｗ≦８０００［ｐｐｍ／Ｎ］である。寸法変化量Δｗは、例えば、基体１１の厚み、基体１１の材料を選択することにより所望の値に設定される。なお、基体１１の厚みおよび基体１１の材料のうちの一方を選択してもよいし、両方を選択してもよい。
【００４８】
寸法変化量Δｗは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプル１０Ｓを作製する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎ、０．６Ｎ、１．０Ｎの順で荷重をかけ、０．２Ｎ、１．０Ｎの荷重におけるサンプル１０Ｓの幅を測定する。続いて、以下の式より寸法変化量Δｗを求める。
【数２】
2020161208.tif 000004
（但し、式中、Ｄ（０．２Ｎ）、Ｄ（１．０Ｎ）はそれぞれ、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎ、１．０Ｎに荷重をかけたときのサンプル１０Ｓの幅を示す。）
【００４９】
なお、各荷重をかけたときのサンプル１０Ｓの幅は以下のようにして測定される。まず、測定装置としてキーエンス社製のデジタル寸法測定器ＬＳ−７０００を組み込んだ、図３に示す測定装置を準備し、この測定装置にサンプル１０Ｓをセットする。具体的には、長尺状のサンプル（磁気記録媒体）１０Ｓの一端を固定部２３１により固定し、サンプル１０Ｓを複数の棒状の支持部材２３２を跨ぐように架ける。なお、支持部材２３２のうち、発光器２３４および受光器２３５の間に位置する支持部材２３２にはスリット２３２Ａが設けられており、このスリット２３２Ａを介して発光器２３４から受光器２３５に光Ｌが照射されるようになっている。
【００５０】
続いて、温度２５℃相対湿度５０％の一定環境下に制御されたチャンバー内に測定装置を収容した後、サンプル１０Ｓの他端に重り２３３を取り付け、サンプル１０Ｓを上記環境に馴染ませる。この重り２３３の重さを調整することによりサンプル１０Ｓの長手方向に加わる荷重を変化させることができる。その後、発光器２３４から受光器２３５に向けて光Ｌを照射し、長手方向に荷重が加えられたサンプル１０Ｓの幅を測定する。発光器２３４および受光器２３５は、デジタル寸法測定器ＬＳ−７０００に備えられているものである。
【００５１】
（温度膨張係数α）
磁気記録媒体１０の温度膨張係数αは、６［ｐｐｍ／℃］≦α≦８［ｐｐｍ／℃］であることが好ましい。温度膨張係数αが上記範囲であると、記録再生装置による磁気記録媒体１０の長手方向のテンションの調整により、磁気記録媒体１０の幅の変化を更に抑制することができる。
【００５２】
温度膨張係数αは以下のようにして求められる。まず、寸法変化量Δｗの測定方法と同様にしてサンプル１０Ｓを作製し、寸法変化量Δｗの測定方法と同様の測定装置にサンプル１０Ｓをセットしたのち、測定装置を温度２９℃相対湿度２４％の一定環境に制御されたチャンバー内に収容する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎの荷重をかけ、上記環境にサンプル１０Ｓを馴染ませる。その後、相対湿度２４％を保持したまま、４５℃、２９℃、１０℃の順で温度を変え、４５℃、１０℃におけるサンプル１０Ｓの幅を測定し、以下の式より温度膨張係数αを求める。
【数３】
2020161208.tif 000005
（但し、式中、Ｄ（４５℃）、Ｄ（１０℃）はそれぞれ、温度４５℃、１０℃におけるサンプル１０Ｓの幅を示す。）
【００５３】
（湿度膨張係数β）
磁気記録媒体１０の湿度膨張係数βは、β≦５［ｐｐｍ／％ＲＨ］であることが好ましい。湿度膨張係数βが上記範囲であると、記録再生装置による磁気記録媒体１０の長手方向のテンションの調整により、磁気記録媒体１０の幅の変化を更に抑制することができる。
【００５４】
湿度膨張係数βは以下のようにして求められる。まず、寸法変化量Δｗの測定方法と同様にしてサンプル１０Ｓを作製し、寸法変化量Δｗの測定方法と同様の測定装置にサンプルを１０Ｓセットしたのち、測定装置を温度２９℃相対湿度２４％の一定環境に制御されたチャンバー内に収容する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎの荷重をかけ、上記環境にサンプルを馴染ませる。その後、温度２９℃を保持したまま、８０％、２４％、１０％の順で相対湿度を変え、８０％、１０％におけるサンプル１０Ｓの幅を測定し、以下の式より湿度膨張係数βを求める。
【数４】
2020161208.tif 000006
（但し、式中、Ｄ（８０％）、Ｄ（１０％）はそれぞれ、温度８０％、１０％におけるサンプル１０Ｓの幅を示す。）
【００５５】
（ポアソン比ρ）
磁気記録媒体１０のポアソン比ρは、０．３≦ρであることが好ましい。ポアソン比ρが上記範囲であると、記録再生装置による磁気記録媒体１０の長手方向のテンションの調整により、磁気記録媒体１０の幅の変化を更に抑制することができる。
【００５６】
ポアソン比ρは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを１５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製したのち、そのサンプルの中央部に６ｍｍ×６ｍｍのサイズのマークを付与する。次に、チャック間の距離が１００ｍｍとなるようにサンプルの長手方向の両端部をチャックし、初期荷重２Ｎをかけ、その際のサンプルの長手方向のマークの長さを初期長とし、サンプルの幅方向のマークの幅を初期幅とする。続いて、引張速度０．５ｍｍ／ｍｉｎで、インストロンタイプの万能引張試験装置にて引張り、キーエンス製イメージセンサーにて、サンプルの長手方向のマークの長さ、およびサンプルの幅方向のマークの幅それぞれの寸法変化量を測定する。その後、以下の式よりポアソン比ρを求める。
【数５】
2020161208.tif 000007
【００５７】
（長手方向の弾性限界値σＭＤ）
磁気記録媒体１０の長手方向の弾性限界値σＭＤが、０．８［Ｎ］≦σＭＤであることが好ましい。弾性限界値σＭＤが上記範囲であると、記録再生装置による磁気記録媒体１０の長手方向のテンションの調整により、磁気記録媒体１０の幅の変化を更に抑制することができる。また、ドライブ側の制御がし易くなる。磁気記録媒体１０の長手方向の弾性限界値σＭＤの上限値は特に限定されるものではないが、例えばσＭＤ≦５.０［Ｎ］である。弾性限界値σＭＤが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに依らないことが好ましい。弾性限界値σＭＤが上記速度Ｖに依らないことで、記録再生装置における磁気記録媒体１０の走行速度や、記録再生装置のテンション調整速度とその応答性に影響を受ける事無く、効果的に磁気記録媒体１０の幅の変化を抑制できるからである。弾性限界値σＭＤは、例えば、下地層１２、記録層１３およびバック層１４の硬化条件の選択、基体１１の材質の選択により所望の値に設定される。例えば、下地層形成用塗料、記録層形成用塗料およびバック層形成用塗料の硬化時間を長くするほど、あるいは硬化温度を上げるほど、これらの各塗料に含まれるバインダと硬化剤の反応が促進する。これにより、弾性的な特徴が向上し、弾性限界値σＭＤが向上する。
【００５８】
弾性限界値σＭＤは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを１５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製し、チャック間距離λ０がλ０＝１００ｍｍとなるように、万能引張試験装置にサンプルの長手方向の両端をチャックする。次に、引張速度０．５ｍｍ／ｍｉｎでサンプルを引張り、チャック間距離λ（ｍｍ）に対する荷重σ（Ｎ）を連続的に計測する。続いて、得られたλ（ｍｍ）、σ（Ｎ）のデータを用い、Δλ（％）とσ（Ｎ）の関係をグラフ化する。但し、Δλ（％）は以下の式により与えられる。
Δλ（％）＝（（λ−λ０）／λ０）×１００
次に、上記のグラフ中、σ≧０．２Ｎの領域で、グラフが直線となる領域を算出し、その最大荷重σを弾性限界値σＭＤ（Ｎ）とする。
【００５９】
（層間摩擦係数μ）
磁性面とバック面の層間摩擦係数μが、０．２０≦μ≦０．８０であることが好ましい。層間摩擦係数μが上記範囲であると、磁気記録媒体１０をリール（例えば図５のリール１０Ｃ）に巻いたときに、巻ズレが発生することを抑制できる。より具体的には、層間摩擦係数μがμ＜０．２０であると、カートリッジリールに既に巻かれている磁気記録媒体１０のうち最外周に位置する部分の磁性面と、その外側に新たに巻こうとしている磁気記録媒体１０のバック面との間の層間摩擦が極端に低い状態となり、新たに巻こうとしている磁気記録媒体１０が、既に巻かれている磁気記録媒体１０のうち最外周に位置する部分の磁性面からズレやすくなる。したがって、磁気記録媒体１０の巻ズレが発生する。一方、層間摩擦係数μが０．８０＜μであると、ドライブ側リールの最外周から正に巻き出されようとしている磁気記録媒体１０のバック面と、その直下に位置する、未だドライブリールに巻かれたままの磁気記録媒体１０の磁性面との間の層間摩擦が極端に高い状態となり、上記バック面と上記磁性面とが貼り付いた状態となる。したがって、カートリッジリールへと向かう磁気記録媒体１０の動作が不安定となり、これにより磁気記録媒体１０の巻ズレが発生する。
【００６０】
層間摩擦係数μは以下のようにして求められる。まず、１インチ径の円柱に、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０をバック面を表にして巻き付け、磁気記録媒体１０を固定する。次に、この円柱に対し、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を今度は磁性面が接触する様に抱き角θ（°）＝１８０°＋１°〜１８０°−１０°で接触させ、磁気記録媒体１０の一端を可動式ストレインゲージと繋ぎ、他方端にテンションＴ０＝０．６（Ｎ）を付与する。可動式ストレインゲージを０．５ｍｍ／ｓにて８往復させた際の各往路でのストレインゲージの読みＴ１（Ｎ）〜Ｔ８（Ｎ）を測定し、Ｔ４〜Ｔ８の平均値をＴａｖｅ（Ｎ）とする。その後、以下の式より層間摩擦係数μを求める。
【数６】
2020161208.tif 000008
【００６１】
（バック面の表面粗度Ｒｂ）
バック面の表面粗度（バック層１４の表面粗度）Ｒｂが、Ｒｂ≦６．０［ｎｍ］であることが好ましい。バック面の表面粗度Ｒｂが上記範囲であると、電磁変換特性を向上することができる。
【００６２】
バック面の表面粗度Ｒｂは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、そのバック面を上にしてスライドガラスに貼り付け、試料片とする。次に、その試験片のバック面を下記の光干渉を用いた非接触粗度計により、面粗度を測定する。
装置：光干渉を用いた非接触粗度計
（株式会社菱化システム製  非接触表面・層断面形状計測システム  VertScan R5500GL-M100-AC）
対物レンズ：２０倍（約２３７μｍ×１７８μｍ視野）
分解能：６４０points×４８０points
測定モード：ｐｈａｓｅ
波長フィルター：５２０ｎｍ
面補正：２次多項式近似面にて補正 
上述のようにして、長手方向で少なくとも５点以上の位置にて面粗度を測定したのち、各位置で得られた表面プロファイルから自動計算されたそれぞれの算術平均粗さＳａ（ｎｍ）の平均値をバック面の表面粗度Ｒｂ（ｎｍ）とする。
【００６３】
（保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは２３０ｋＡ／ｍ以上３００ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは２４０ｋＡ／ｍ以上２９０ｋＡ／ｍ以下である。保磁力Ｈｃが２２０ｋＡ／ｍ以上であると、保磁力Ｈｃが十分な大きさとなるため、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、より優れたＳＮＲを得ることができる。一方、保磁力Ｈｃが３１０ｋＡ／ｍ以下であると、記録ヘッドによる飽和記録が容易になるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。
【００６４】
上記の保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体１０から測定サンプルを切り出し、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて測定サンプルの厚み方向（磁気記録媒体１０の厚み方向）に測定サンプル全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノールなどを用いて塗膜（下地層１２、記録層１３など）を払拭し、基体１１のみを残してバックグラウンド補正用とし、ＶＳＭを用いて基体１１の厚み方向（磁気記録媒体１０の厚み方向）に基体１１のＭ−Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ−Ｈループから基体１１のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループから保磁力Ｈｃを求める。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
【００６５】
（保磁力Ｈｃ（５０）と保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒ）
５０℃にて磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃ（５０）と２５℃にて磁気記録媒体１０の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒ（＝（Ｈｃ（５０）／Ｈｃ（２５））×１００）が、好ましくは９５％以上、より好ましくは９６％以上、更により好ましくは９７％以上、特に好ましくは９８％以上である。上記比率Ｒが９５％以上であると、保磁力Ｈｃの温度依存性が小さくなり、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制することができる。
【００６６】
上記の保磁力Ｈｃ（２５）は、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして求められる。また、上記の保磁力Ｈｃ（５０）は、測定サンプおよび基体１１のＭ−Ｈループの測定をいずれも５０℃にて行うこと以外は上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして求められる。
【００６７】
（走行方向に測定した角形比Ｓ１）
磁気記録媒体１０の走行方向に測定した角形比Ｓ１が、好ましくは３５％以下、より好ましくは２７％以下、更により好ましくは２０％以下である。角形比Ｓ１が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、よりドライブ側の制御がし易くなる。
【００６８】
上記の角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体１０から測定サンプルを切り出し、ＶＳＭを用いて磁気記録媒体１０の走行方向（長手方向）に対応する測定サンプル全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノールなどを用いて塗膜（下地層１２、記録層１３など）を払拭し、基体１１のみを残して、バックグラウンド補正用とし、ＶＳＭを用いて基体１１の走行方向（磁気記録媒体１０の走行方向）に対応する基体１１のＭ−Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ−Ｈループから基体１１のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式に代入して、角形比Ｓ１（％）を計算する。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００
【００６９】
（垂直方向に測定した角形比Ｓ２）
磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）に測定した角形比Ｓ２が、好ましくは６５％以上、より好ましくは７３％以上、更により好ましくは８０％以上である。角形比Ｓ２が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、よりドライブ側の制御がし易くなる。
【００７０】
角形比Ｓ２は、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０および基体１１の垂直方向（厚み方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。なお、角形比Ｓ２の測定においては、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
【００７１】
角形比Ｓ１、Ｓ２は、例えば、記録層形成用塗料に印加される磁場の強度、記録層形成用塗料に対する磁場の印加時間、記録層形成用塗料中における磁性粉の分散状態、または記録層形成用塗料中における固形分の濃度等を調整することにより所望の値に設定される。具体的には例えば、磁場の強度を強くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁場の印加時間を長くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁性粉の分散状態を向上するほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、固形分の濃度を低くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。なお、上記の調整方法は単独で使用してもよいし、２以上組み合わせて使用してもよい。
【００７２】
（ＳＦＤ）
磁気記録媒体１０のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、好ましくは３．０以上、より好ましくは５．０以上、更により好ましくは７．０以上、特に好ましくは１０．０以上、最も好ましくは２０．０以上である（図４参照）。ピーク比Ｘ／Ｙが３．０以上であると、実際の記録に寄与するε酸化鉄粒子の他にε酸化鉄特有の低保磁力成分（例えば軟磁性粒子や超常磁性粒子など）が磁性粉中に多く含まれることを抑制できる。したがって、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できるので、より優れたＳＮＲを得ることができる。ピーク比Ｘ／Ｙの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００以下である。
【００７３】
上記のピーク比Ｘ／Ｙは、以下のようにして求められる。まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。次に、得られたＭ−ＨループからＳＦＤカーブを算出する。ＳＦＤカーブの算出には測定機に付属のプログラムを用いてもよいし、その他のプログラムを用いてもよい。算出したＳＦＤカーブがＹ軸（ｄＭ／ｄＨ）を横切る点の絶対値を「Ｙ」とし、Ｍ−Ｈループで言うところの保磁力Ｈｃ近傍に見られるメインピークの高さを「Ｘ」として、ピーク比Ｘ／Ｙを算出する。なお、Ｍ−Ｈループの測定は、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様に２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
【００７４】
（活性化体積Ｖａｃｔ）
活性化体積Ｖａｃｔが、好ましくは８０００ｎｍ３以下、より好ましくは６０００ｎｍ３以下、更により好ましくは５０００ｎｍ３以下、特に好ましくは４０００ｎｍ３以下、最も好ましくは３０００ｎｍ３以下である。活性化体積Ｖａｃｔが８０００ｎｍ３以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を急峻にすることができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、より優れたＳＮＲが得られなくなる虞がある。
【００７５】
上記の活性化体積Ｖａｃｔは、Ｓｔｒｅｅｔ＆Ｗｏｏｌｌｅｙにより導出された下記の式により求められる。
Ｖａｃｔ（ｎｍ３）＝ｋＢ×Ｔ×Χｉｒｒ／（μ０×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋＢ：ボルツマン定数（１．３８×１０−２３Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χｉｒｒ：非可逆磁化率、μ０：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ３））
【００７６】
上記式に代入される非可逆磁化率Χｉｒｒ、飽和磁化Ｍｓおよび磁気粘性係数Ｓは、ＶＳＭを用いて以下のようにして求められる。なお、ＶＳＭによる測定方向は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）とする。また、ＶＳＭによる測定は、長尺状の磁気記録媒体１０から切り出された測定サンプルに対して２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
【００７７】
（非可逆磁化率Χｉｒｒ）
非可逆磁化率Χｉｒｒは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気記録媒体１０全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧｉｒｒとなる。
【００７８】
（飽和磁化Ｍｓ）
まず、磁気記録媒体１０の厚み方向に磁気記録媒体１０（測定サンプル）全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンおよびエタノールなどを用いて塗膜（下地層１２、記録層１３など）を払拭し、基体１１のみを残して、バックグラウンド補正用として、基体１１のＭ−Ｈループを同様に厚み方向に測定する。その後、磁気記録媒体１０全体のＭ−Ｈループから基体１１のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の記録層１３の体積（ｃｍ３）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ３）を算出する。なお、記録層１３の体積は測定サンプルの面積に記録層１３の平均厚みを乗ずることにより求められる。記録層１３の体積の算出に必要な記録層１３の平均厚みの算出方法については後述する。
【００７９】
（磁気粘性係数Ｓ）
まず、磁気記録媒体１０（測定サンプル）全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）の関係を以下の式に照らし合わせて、磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）
【００８０】
（算術平均粗さＲａ）
磁性面の算術平均粗さＲａは、好ましくは２．５ｎｍ以下、より好ましくは２．０ｎｍ以下である。Ｒａが２．５ｎｍ以下であると、より優れたＳＮＲを得ることができる。
【００８１】
上記の算術平均粗さＲａは以下のようにして求められる。まず、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）（ブルカー製、Dimension Icon）を用いて記録層１３が設けられている側の表面を観察して、断面プロファイルを取得する。次に、取得した断面プロファイルから、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１に準拠して算術平均粗さＲａを求める。
【００８２】
［磁気記録媒体の製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉および結着剤などを溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤などを溶剤に混練、分散させることにより、記録層形成用塗料を調製する。記録層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。
【００８３】
上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノールなどのアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテートなどのエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。
【００８４】
上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダーなどの混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」など）、ホモジナイザー、超音波分散機などの分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。
【００８５】
次に、下地層形成用塗料を基体１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に記録層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、記録層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。記録層１３の形成後、基体１１の他方の主面にバック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。
【００８６】
その後、得られた磁気記録媒体１０を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、磁気記録媒体１０に対してカレンダー処理を行った後、所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする細長い長尺状の磁気記録媒体１０が得られる。
【００８７】
［記録再生装置の構成］
次に、図５を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の記録および再生を行う記録再生装置３０の構成について説明する。
【００８８】
記録再生装置３０は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有している。また、記録再生装置３０は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している。ここでは、説明を容易とするために、記録再生装置３０が、１つの磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している場合について説明するが、記録再生装置３０が、複数の磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有していてもよい。
【００８９】
記録再生装置３０は、ネットワーク４３を介してサーバ４１およびパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）４２等の情報処理装置に接続されており、これらの情報処理装置から供給されたデータを磁気記録媒体カートリッジ１０Ａに記録可能に構成されている。記録再生装置３０の最短記録波長は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下である。
【００９０】
記録再生装置は、図５に示すように、スピンドル３１と、記録再生装置側のリール３２と、スピンドル駆動装置３３と、リール駆動装置３４と、複数のガイドローラ３５と、ヘッドユニット３６と、通信インターフェース（以下、Ｉ／Ｆ）３７と、制御装置３８とを備えている。
【００９１】
スピンドル３１は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装着可能に構成されている。磁気記録媒体カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格に準拠しており、カートリッジケース１０Ｂに磁気記録媒体１０を巻装した単一のリール１０Ｃを回転可能に収容している。磁気記録媒体１０には、サーボ信号としてハの字状のサーボパターンが予め記録されている。リール３２は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａから引き出された磁気記録媒体１０の先端を固定可能に構成されている。
【００９２】
スピンドル駆動装置３３は、スピンドル３１を回転駆動させる装置である。リール駆動装置３４は、リール３２を回転駆動させる装置である。磁気記録媒体１０に対してデータの記録または再生を行う際には、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが、スピンドル３１とリール３２とを回転駆動させることによって、磁気記録媒体１０を走行させる。ガイドローラ３５は、磁気記録媒体１０の走行をガイドするためのローラである。
【００９３】
ヘッドユニット３６は、磁気記録媒体１０にデータ信号を記録するための複数の記録ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているデータ信号を再生するための複数の再生ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているサーボ信号を再生するための複数のサーボヘッドとを備える。記録ヘッドとしては例えばリング型ヘッドを用いることができるが、記録ヘッドの種類はこれに限定されるものではない。
【００９４】
通信Ｉ／Ｆ３７は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置と通信するためのものであり、ネットワーク４３に対して接続される。
【００９５】
制御装置３８は、記録再生装置３０の全体を制御する。例えば、制御装置３８は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット３６により磁気記録媒体１０に記録する。また、制御装置３８は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット３６により、磁気記録媒体１０に記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。
【００９６】
また、制御装置３８は、ヘッドユニット３６から供給されるサーボ信号に基づき、磁気記録媒体１０の幅の変化を検出する。具体的には、磁気記録媒体１０にはサーボ信号として複数のハの字状のサーボパターンが記録されており、ヘッドユニット３６はヘッドユニット３６上の２つのサーボヘッドにより、異なる２つのサーボパターンを同時に再生し、其々のサーボ信号を得ることが出来る。このサーボ信号から得られる、サーボパターンとヘッドユニットとの相対位置情報を用いて、サーボパターンを追従する様に、ヘッドユニット３６の位置を制御する。これと同時に、２つのサーボ信号波形を比較する事で、サーボパターンの間の距離情報も得ることが出来る。各々の測定時に得られるこのサーボパターン間の距離情報を比較する事で、各々の測定時におけるサーボパターン間の距離の変化を得ることができる。これに、サーボパターン記録時のサーボパターン間の距離情報を加味する事で、磁気記録媒体１０の幅の変化も計算できる。制御装置３８は、上述のようにして得られたサーボパターン間の距離の変化、または計算した磁気記録媒体１０の幅の変化に基づき、スピンドル駆動装置３３およびリール駆動装置３４の回転駆動を制御し、磁気記録媒体１０の幅が規定の幅、またはほぼ規定の幅となるように、磁気記録媒体１０の長手方向のテンションを調整する。これにより、磁気記録媒体１０の幅の変化を抑制することができる。
【００９７】
［記録再生装置の動作］
次に、上記構成を有する記録再生装置３０の動作について説明する。
【００９８】
まず、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａが記録再生装置３０に装着し、磁気記録媒体１０の先端を引き出して、複数のガイドローラ３５およびヘッドユニット３６を介してリール３２まで移送し、磁気記録媒体１０の先端をリール３２に取り付ける。
【００９９】
次に、図示しない操作部を操作すると、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが制御装置３８の制御により駆動され、リール１０Ｃからリール３２へ向けて磁気記録媒体１０が走行されるように、スピンドル３１とリール３２とが同方向に回転される。これにより、磁気記録媒体１０がリール３２に巻き取られつつ、ヘッドユニット３６によって、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。
【０１００】
また、リール１０Ｃに磁気記録媒体１０を巻き戻す場合は、上記とは逆方向に、スピンドル３１とリール３２とが回転駆動されることにより、磁気記録媒体１０がリール３２からリール１０Ｃに走行される。この巻き戻しの際にも、ヘッドユニット３６による、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。
【０１０１】
［効果］
第１の実施形態に係る磁気記録媒体１０では、磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴが、ｔＴ≦５．５［μｍ］であり、かつ磁気記録媒体１０の長手方向のテンション変化に対する磁気記録媒体１０の幅方向の寸法変化量Δｗが７００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗである。これにより、温湿度変化があっても、記録再生装置により磁気記録媒体１０の長手方向のテンションの調整することで、磁気記録媒体１０の幅の変化を抑制することができる。したがって、磁気記録媒体１０の幅を一定またはほぼ一定に保つことができる。
【０１０２】
［変形例］
（変形例１）
上述の第１の実施形態では、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有している場合について説明したが、図６に示すように、ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部２３を有していてもよい。この場合、シェル部２３は、第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述した一実施形態におけるように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有していることが好ましい。
【０１０３】
（変形例２）
上述の第１の実施形態では、ε酸化鉄粒子がコアシェル構造を有している場合について説明したが、ε酸化鉄粒子が、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上である。
【０１０４】
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε−Ｆｅ２−ｘＭｘＯ３結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくは、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。
【０１０５】
（変形例３）
磁性粉は、バリウムフェライト磁性粉であってもよい。バリウムフェライト磁性粉は、バリウムフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「バリウムフェライト粒子」という。）を含む。
【０１０６】
バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。
【０１０７】
記録層１３が磁性粉としてバリウムフェライト磁性粉を含む場合、記録層１３の平均厚みｔｍが、３５［ｎｍ］≦ｔｍ≦１００［ｎｍ］であることが好ましい。また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは１６０ｋＡ／ｍ以上２８０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは１６５ｋＡ／ｍ以上２７５ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは１７０ｋＡ／ｍ以上２７０ｋＡ／ｍ以下である。なお、走行方向に測定した角形比Ｓ１、および垂直方向に測定した角形比Ｓ２は、第１の実施形態と同様である。
【０１０８】
（変形例４）
磁性粉は、コバルトフェライト磁性粉であってもよい。コバルトフェライト磁性粉は、コバルトフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「コバルトフェライト磁性粒子」という。）を含む。コバルトフェライト磁性粒子は、一軸異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト磁性粒子は、例えば、立方体状またはほぼ立方体状を有している。コバルトフェライトは、Ｃｏを含むコバルトフェライトである。コバルトフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上をさらに含んでいてもよい。
【０１０９】
コバルトフェライトは、例えば以下の式（１）で表される平均組成を有する。
ＣｏｘＭｙＦｅ２ＯＺ  ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）
【０１１０】
コバルトフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下である。コバルトフェライト磁性粉の保磁力Ｈｃは、好ましくは２５００Ｏｅ以上、より好ましくは２６００Ｏｅ以上３５００Ｏｅ以下である。なお、走行方向に測定した角形比Ｓ１、および垂直方向に測定した角形比Ｓ２は、第１の実施形態と同様である。
【０１１１】
（変形例５）
磁気記録媒体１０が、図７に示すように、基体１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層１５をさらに備えるようにしてもよい。バリア層１５は、基体１１が有する環境に応じた寸法変化を抑える為の層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例として、基体１１の吸湿性がある。その際、バリア層１５により基体１１への水分の侵入速度を低減できる。バリア層１５は、金属または金属酸化物を含む。金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、ＡｕおよびＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５およびＺｒＯ２のうちの少なくとも１種を用いることができるし、上記金属の酸化物の何れかを用いることもできる。またダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンドなどを用いる事もできる。
【０１１２】
バリア層１５の平均厚みは、好ましくは２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。バリア層１５の平均厚みは、記録層１３の平均厚みｔｍと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、バリア層１５の厚みに応じて適宜調整される。
【０１１３】
（変形例６）
磁気記録媒体１０をライブラリ装置に用いるようにしてもよい。この場合、ライブラリ装置は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有しており、第１の実施形態における記録再生装置３０を複数備えるものであってもよい。
【０１１４】
（変形例７）
磁気記録媒体１０をサーボライタに用いてもよい。すなわち、サーボライタが、サーボ信号の記録時等に磁気記録媒体１０の長手方向のテンションを調整することで、磁気記録媒体１０の幅を一定またはほぼ一定に保つようにしてもよい。この場合、サーボライタが、磁気記録媒体１０の幅を検出する検出装置を備え、この検出装置の検出結果に基づき、磁気記録媒体１０の長手方向のテンションを調整するようにしてもよい。
【０１１５】
（変形例８）
磁気記録媒体１０は、垂直記録型の磁気記録媒体に限定されるものであなく、水平記録型の磁気記録媒体であってもよい。この場合、磁性粉としてはメタル磁性粉等の針状磁性粉を用いてもよい。
【０１１６】
（変形例９）
磁性粉が、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状またはほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
【０１１７】
より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ１２Ｏ１９で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。
【０１１８】
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。なお、走行方向に測定した角形比Ｓ１、および垂直方向に測定した角形比Ｓ２は、第１の実施形態と同様である。
【０１１９】
＜２  第２の実施形態＞
［磁気記録媒体の構成］
第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０は、長尺状の垂直磁気記録媒体であり、図８に示すように、フィルム状の基体１１１と、軟磁性裏打ち層（Soft magnetic underlayer、以下「ＳＵＬ」という。）１１２と、第１のシード層１１３Ａと、第２のシード層１１３Ｂと、第１の下地層１１４Ａと、第２の下地層１１４Ｂと、記録層１１５とを備える。ＳＵＬ１１２、第１、第２のシード層１１３Ａ、１１３Ｂ、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂおよび記録層１１５は、例えば、スパッタ層等の真空薄膜である。
【０１２０】
ＳＵＬ１１２、第１、第２のシード層１１３Ａ、１１３Ｂおよび第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂは、基体１１１の一方の主面（以下「表面」という。）と記録層１１５との間に設けられ、基体１１１から記録層１１５の方向に向かってＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂの順序で積層されている。
【０１２１】
磁気記録媒体１１０が、必要に応じて、記録層１１５上に設けられた保護層１１６と、保護層１１６上に設けられた潤滑層１１７とをさらに備えるようにしてもよい。また、磁気記録媒体１１０が、必要に応じて、基体１１１の他方の主面（以下「裏面」という。）上に設けられたバック層１１８をさらに備えるようにしてもよい。
【０１２２】
以下では、磁気記録媒体１１０の長手方向（基体１１１の長手方向）をＭＤ（Machine Direction）方向という。ここで、機械方向とは、磁気記録媒体１１０に対する記録および再生ヘッドの相対的な移動方向、すなわち記録再生時に磁気記録媒体１１０が走行される方向を意味する。
【０１２３】
第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０は、今後ますます需要が高まることが期待されるデータアーカイブ用ストレージメディアとして用いて好適なものである。この磁気記録媒体１１０は、例えば、現在のストレージ用塗布型磁気記録媒体の１０倍以上の面記録密度、すなわち５０Ｇｂ／ｉｎ２以上の面記録密度を実現することが可能である。このような面記録密度を有する磁気記録媒体１１０を用いて、一般のリニア記録方式のデータカートリッジを構成した場合には、データカートリッジ１巻当たり１００ＴＢ以上の大容量記録が可能になる。
【０１２４】
第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０は、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型またはトンネル磁気抵抗効果（Tunneling Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドとを有する記録再生装置（データを記録再生するための記録再生装置）に用いて好適なものである。また、第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０は、サーボ信号書込ヘッドとしてリング型の記録ヘッドが用いられるものであることが好ましい。記録層１１５には、例えばリング型の記録ヘッドによりデータ信号が垂直記録される。また、記録層１１５には、例えばリング型の記録ヘッドによりサーボ信号が垂直記録される。
【０１２５】
磁気記録媒体１１０の平均厚みｔＴ、寸法変化量Δｗ、温度膨張係数α、湿度膨張係数β、ポアソン比ρ、長手方向の弾性限界値σＭＤ、バック層１１８の平均厚みｔｂ、バック層１１８の表面粗度Ｒｂ、および磁性面とバック面の層間摩擦係数μなどは、第１の実施形態におけるものと同様である。
【０１２６】
（基体）
基体１１１は、第１の実施形態における基体１１と同様である。
【０１２７】
（ＳＵＬ）
ＳＵＬ１１２は、アモルファス状態の軟磁性材料を含む。軟磁性材料は、例えば、Ｃｏ系材料およびＦｅ系材料のうちの少なくとも１種を含む。Ｃｏ系材料は、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａまたはＣｏＺｒＴａＮｂを含む。Ｆｅ系材料は、例えば、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＺｒまたはＦｅＣｏＴａを含む。
【０１２８】
ＳＵＬ１１２は、単層のＳＵＬであり、基体１１１に直接設けられている。ＳＵＬ１１２の平均厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。
【０１２９】
ＳＵＬ１１２の平均厚みは、第１の実施形態における記録層１３と同様にして求められる。なお、後述する、ＳＵＬ１１２以外の層の平均厚み（すなわち、第１、第２のシード層１１３Ａ、１１３Ｂ、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂおよび記録層１１５の平均厚み）も、第１の実施形態における記録層１３と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、各層の厚みに応じて適宜調整される。
【０１３０】
（第１、第２のシード層）
第１のシード層１１３Ａは、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有している。また、この合金には、Ｏ（酸素）がさらに含まれていてもよい。この酸素は、スパッタリング法などの成膜法で第１のシード層１１３Ａを成膜する際に、第１のシード層１１３Ａ内に微量に含まれる不純物酸素であってもよい。
【０１３１】
ここで、“合金”とは、ＴｉおよびＣｒを含む固溶体、共晶体、および金属間化合物などの少なくとも一種を意味する。“アモルファス状態”とは、Ｘ線回折または電子線回折法などにより、ハローが観測され、結晶構造を特定できないことを意味する。
【０１３２】
第１のシード層１１３Ａに含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの原子比率は、好ましくは３０原子％以上１００原子％未満、より好ましくは５０原子％以上１００原子％未満の範囲内である。Ｔｉの原子比率が３０％未満であると、Ｃｒの体心立方格子（Body-Centered Cubic lattice：ｂｃｃ）構造の（１００）面が配向するようになり、第１のシード層１１３Ａ上に形成される第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの配向性が低下する虞がある。
【０１３３】
上記Ｔｉの原子比率は次のようにして求められる。記録層１１５側から磁気記録媒体１１０をイオンミリングしながら、オージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy、以下「ＡＥＳ」という。）による第１のシード層１１３Ａの深さ方向分析（デプスプロファイル測定）を行う。次に、得られたデプスプロファイルから、膜厚方向におけるＴｉおよびＣｒの平均組成（平均原子比率）を求める。次に、求めたＴｉおよびＣｒの平均組成を用いて、上記Ｔｉの原子比率を求める。
【０１３４】
第１のシード層１１３ＡがＴｉ、ＣｒおよびＯを含む場合、第１のシード層１１３Ａに含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯの総量に対するＯの原子比率は、好ましくは１５原子％以下、より好ましくは１０原子％以下である。Ｏの原子比率が１５原子％を超えると、ＴｉＯ２結晶が生成することにより、第１のシード層１１３Ａ上に形成される第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの結晶核形成に影響を与えるようになり、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの配向性が低下する虞がある。上記Ｏの原子比率は、上記Ｔｉの原子比率と同様の解析方法を用いて求められる。
【０１３５】
第１のシード層１１３Ａに含まれる合金が、ＴｉおよびＣｒ以外の元素を添加元素としてさらに含んでいてもよい。この添加元素としては、例えば、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｏ、ＡｌおよびＷなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。
【０１３６】
第１のシード層１１３Ａの平均厚みは、好ましくは２ｎｍ以上１５ｎｍ以下、より好ましくは３ｎｍ以上１０ｍ以下である。
【０１３７】
第２のシード層１１３Ｂは、例えば、ＮｉＷまたはＴａを含み、結晶状態を有している。第２のシード層１１３Ｂの平均厚みは、好ましくは３ｎｍ以上２０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。
【０１３８】
第１、第２のシード層１１３Ａ、１１３Ｂは、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂに類似した結晶構造を有し、結晶成長を目的として設けられるシード層ではなく、当該第１、第２のシード層１１３Ａ、１１３Ｂのアモルファス状態によって第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの垂直配向性を向上するシード層である。
【０１３９】
（第１、第２の下地層）
第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂは、記録層１１５と同様の結晶構造を有していることが好ましい。記録層１１５がＣｏ系合金を含む場合には、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂは、Ｃｏ系合金と同様の六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。記録層１１５の配向性を高め、かつ、第２の下地層１１４Ｂと記録層１１５との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えば、Ｒｕ−ＳｉＯ２、Ｒｕ−ＴｉＯ２またはＲｕ−ＺｒＯ２などのＲｕ合金酸化物が挙げられる。
【０１４０】
上述のように、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの材料として同様のものを用いることができる。しかしながら、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂそれぞれの目的とする効果が異なっている。具体的には、第２の下地層１１４Ｂについてはその上層となる記録層１１５のグラニュラ構造を促進する膜構造であり、第１の下地層１１４Ａについては結晶配向性の高い膜構造である。このような膜構造を得るためには、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂそれぞれのスパッタ条件などの成膜条件を異なるものとすることが好ましい。
【０１４１】
第１の下地層１１４Ａの平均厚みは、好ましくは３ｎｍ以上１５ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。第２の下地層１１４Ｂの平均厚みは、好ましくは７ｎｍ以上４０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。
【０１４２】
（記録層）
磁性層としての記録層１１５は、磁性材料が垂直に配向した垂直磁気記録層である。記録層１１５は、記録密度を向上する観点からすると、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ磁性層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界（例えばＳｉＯ２などの酸化物）とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する記録層１１５を構成することができる。
【０１４３】
Ｃｏ系合金は、六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有し、そのｃ軸が膜面に対して垂直方向（膜厚方向）に配向している。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含有するＣｏＣｒＰｔ系合金を用いることが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系合金は、特に限定されるものではなく、ＣｏＣｒＰｔ合金がさらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、ＮｉおよびＴａなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。
【０１４４】
強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含む。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば、金属酸化物および金属窒化物のうちの少なくとも一方を用いることができ、グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられ、少なくともＳｉ酸化物（すなわちＳｉＯ２）を含む金属酸化物が好ましい。金属酸化物の具体例としては、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２またはＨｆＯ２などが挙げられる。金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。金属窒化物の具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮまたはＡｌＮなどが挙げられる。
【０１４５】
強磁性結晶粒子に含まれるＣｏＣｒＰｔ系合金と、非磁性粒界に含まれるＳｉ酸化物とが、以下の式（１）に示す平均組成を有していることが好ましい。反磁界の影響を抑え、かつ、十分な再生出力を確保できる飽和磁化量Ｍｓを実現でき、これにより、記録再生特性の更なる向上を実現できるからである。
（ＣｏｘＰｔｙＣｒ１００−ｘ−ｙ）１００−ｚ−（ＳｉＯ２）ｚ  ・・・（１）
（但し、式（１）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦Ｘ≦７５、１０≦ｙ≦１６、９≦Ｚ≦１２の範囲内の値である。）
【０１４６】
なお、上記組成は次のようにして求めることができる。記録層１１５側から磁気記録媒体１１０をイオンミリングしながら、ＡＥＳによる記録層１１５の深さ方向分析を行い、膜厚方向におけるＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉおよびＯの平均組成（平均原子比率）を求める。
【０１４７】
記録層１１５の平均厚みｔｍは、好ましくは９［ｎｍ］≦ｔｍ≦９０［ｎｍ］、より好ましくは９［ｎｍ］≦ｔｍ≦２０［ｎｍ］、更により好ましくは９［ｎｍ］≦ｔｍ≦１５［ｎｍ］である。記録層１３の平均厚みｔｍが９［ｎｍ］≦ｔｍ≦９０［ｎｍ］であると、電磁変換特性を向上することができる。
【０１４８】
（保護層）
保護層１１６は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含み、保護層１１６の膜強度の観点からすると、炭素材料を含むことが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンドなどが挙げられる。
【０１４９】
（潤滑層）
潤滑層１１７は、少なくとも１種の潤滑剤を含む。潤滑層１１７は、必要に応じて各種添加剤、例えば防錆剤をさらに含んでいてもよい。潤滑剤は、少なくとも２つのカルボキシル基と１つのエステル結合とを有し、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含む。潤滑剤は、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物以外の種類の潤滑剤をさらに含んでいてもよい。
一般式（１）：
【化１】
2020161208.tif 000009
（式中、Ｒｆは非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基、Ｅｓはエステル結合、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）
【０１５０】
上記カルボン酸系化合物は、下記の一般式（２）または（３）で表されるものが好ましい。
一般式（２）：
【化２】
2020161208.tif 000010
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
一般式（３）：
【化３】
2020161208.tif 000011
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
【０１５１】
潤滑剤は、上記の一般式（２）および（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含むことが好ましい。
【０１５２】
一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物を含む潤滑剤を記録層１１５または保護層１１６などに塗布すると、疎水性基である含フッ素炭化水素基又は炭化水素基Ｒｆ間の凝集力により潤滑作用が発現する。Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、総炭素数が６〜５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４〜２０であるのが好ましい。Ｒｆ基は、飽和又は不飽和、直鎖又は分岐鎖又は環状であってよいが、とくに飽和で直鎖であるのが好ましい。
【０１５３】
例えば、Ｒｆ基が炭化水素基である場合には、下記一般式（４）で表される基であることが望ましい。
一般式（４）：
【化４】
2020161208.tif 000012
（但し、一般式（４）において、ｌは、８〜３０、より望ましくは１２〜２０の範囲から選ばれる整数である。）
【０１５４】
また、Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、下記一般式（５）で表される基であることが望ましい。
一般式（５）：
【化５】
2020161208.tif 000013
（但し、一般式（５）において、ｍとｎは、それぞれ次の範囲から選ばれる整数で、ｍ＝２〜２０、ｎ＝３〜１８、より望ましくは、ｍ＝４〜１３、ｎ＝３〜１０である。）
【０１５５】
フッ化炭化水素基は、上記のように１箇所に集中していても、また下記一般式（６）のように分散していてもよく、−ＣＦ３や−ＣＦ２−ばかりでなく−ＣＨＦ２や−ＣＨＦ−等であってもよい。
一般式（６）：
【化６】
2020161208.tif 000014
（但し、一般式（６）において、ｎ１＋ｎ２＝ｎ、ｍ１＋ｍ２＝ｍである。）
【０１５６】
一般式（４）、（５）および（６）において炭素数を上記のように限定したのは、アルキル基または含フッ素アルキル基を構成する炭素数（ｌ、又は、ｍとｎの和）が上記下限以上であると、その長さが適度の長さとなり、疎水性基間の凝集力が有効に発揮され、良好な潤滑作用が発現し、摩擦・摩耗耐久性が向上するからである。また、その炭素数が上記上限以下であると、上記カルボン酸系化合物からなる潤滑剤の、溶媒に対する溶解性が良好に保たれるからである。
【０１５７】
特に、Ｒｆ基は、フッ素原子を含有すると、摩擦係数の低減、さらには走行性の改善等に効果がある。但し、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間に炭化水素基を設け、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間を隔てて、エステル結合の安定性を確保して加水分解を防ぐのがよい。
【０１５８】
また、Ｒｆ基がフルオロアルキルエーテル基、又はパーフルオロポリエーテル基を有するものであるのもよい。
【０１５９】
Ｒ基は、なくてもよいが、ある場合には、比較的炭素数の少ない炭化水素鎖であるのがよい。
【０１６０】
また、Ｒｆ基又はＲ基は、構成元素として窒素、酸素、硫黄、リン、ハロゲンなどの元素を含み、既述した官能基に加えて、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、アミノ基、及びエステル結合等を更に有していてもよい。
【０１６１】
一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、具体的には以下に示す化合物の少なくとも１種であることが好ましい。すなわち、潤滑剤は、以下に示す化合物を少なくとも１種含むことが好ましい。
CF3(CF2)7(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
C17H35COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(C18H37)COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CHF2(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)11OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
C18H37OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)9(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)12COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)5(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C9H19)CH2CH=CH(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C6H13)(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CH3(CH2)3(CH2CH2CH(CH2CH2(CF2)9CF3))2(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
【０１６２】
一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、環境への負荷の小さい非フッ素系溶剤に可溶であり、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、エステル系溶剤などの汎用溶剤を用いて、塗布、浸漬、噴霧などの操作を行えるという利点を備えている。具体的には、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサノンなどの溶媒を挙げることができる。
【０１６３】
保護層１１６が炭素材料を含む場合には、潤滑剤として上記カルボン酸系化合物を保護層１１６上に塗布すると、保護層１１６上に潤滑剤分子の極性基部である２つのカルボキシル基と少なくとも１つのエステル結合基が吸着され、疎水性基間の凝集力により特に耐久性の良好な潤滑層１１７を形成することができる。
【０１６４】
なお、潤滑剤は、上述のように磁気記録媒体１１０の表面に潤滑層１１７として保持されるのみならず、磁気記録媒体１１０を構成する記録層１１５および保護層１１６などの層に含まれ、保有されていてもよい。
【０１６５】
（バック層）
バック層１１８は、第１の実施形態におけるバック層１４と同様である。
【０１６６】
［スパッタ装置の構成］
以下、図９を参照して、第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０の製造に用いられるスパッタ装置１２０の構成の一例について説明する。このスパッタ装置１２０は、ＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂおよび記録層１１５の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、図９に示すように、成膜室１２１と、金属キャン（回転体）であるドラム１２２と、カソード１２３ａ〜１２３ｆと、供給リール１２４と、巻き取りリール１２５と、複数のガイドロール１２７ａ〜１２７ｃ、１２８ａ〜１２８ｃとを備える。スパッタ装置１２０は、例えばＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。
【０１６７】
成膜室１２１は、排気口１２６を介して図示しない真空ポンプに接続され、この真空ポンプにより成膜室１２１内の雰囲気が所定の真空度に設定される。成膜室１２１の内部には、回転可能な構成を有するドラム１２２、供給リール１２４および巻き取りリール１２５が配置されている。成膜室１２１の内部には、供給リール１２４とドラム１２２との間における基体１１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール１２７ａ〜１２７ｃが設けられていると共に、ドラム１２２と巻き取りリール１２５との間における基体１１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール１２８ａ〜１２８ｃが設けられている。スパッタ時には、供給リール１２４から巻き出された基体１１１が、ガイドロール１２７ａ〜１２７ｃ、ドラム１２２およびガイドロール１２８ａ〜１２８ｃを介して巻き取りリール１２５に巻き取られる。ドラム１２２は円柱状の形状を有し、長尺状の基体１１１はドラム１２２の円柱面状の周面に沿わせて搬送される。ドラム１２２には、図示しない冷却機構が設けられており、スパッタ時には、例えば−２０℃程度に冷却される。成膜室１２１の内部には、ドラム１２２の周面に対向して複数のカソード１２３ａ〜１２３ｆが配置されている。これらのカソード１２３ａ〜１２３ｆにはそれぞれターゲットがセットされている。具体的には、カソード１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ、１２３ｄ、１２３ｅ、１２３ｆにはそれぞれ、ＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂ、記録層１１５を成膜するためのターゲットがセットされている。これらのカソード１２３ａ〜１２３ｆにより複数の種類の膜、すなわちＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂおよび記録層１１５が同時に成膜される。
【０１６８】
上述の構成を有するスパッタ装置１２０では、ＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂおよび記録層１１５をRoll to Roll法により連続成膜することができる。
【０１６９】
［磁気記録媒体の製造方法］
第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【０１７０】
まず、図９に示したスパッタ装置１２０を用いて、ＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂおよび記録層１１５を基体１１１の表面上に順次成膜する。具体的には以下のようにして成膜する。まず、成膜室１２１を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、成膜室１２１内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、カソード１２３ａ〜１２３ｆにセットされたターゲットをスパッタする。これにより、ＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂおよび記録層１１５が、走行する基体１１１の表面に順次成膜される。
【０１７１】
スパッタ時の成膜室１２１の雰囲気は、例えば、１×１０−５Ｐａ〜５×１０−５Ｐａ程度に設定される。ＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂおよび記録層１１５の膜厚および特性は、基体１１１を巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒガスなどのプロセスガスの圧力（スパッタガス圧）、および投入電力などを調整することにより制御可能である。
【０１７２】
次に、記録層１１５上に保護層１１６を成膜する。保護層１１６の成膜方法としては、例えば化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法または物理蒸着（physical vapor deposition：ＰＶＤ）法を用いることができる。
【０１７３】
次に、結着剤、無機粒子および潤滑剤などを溶剤に混練、分散させることにより、バック層成膜用の塗料を調製する。次に、基体１１１の裏面上にバック層成膜用の塗料を塗布して乾燥させることにより、バック層１１８を基体１１１の裏面上に成膜する。
【０１７４】
次に、例えば潤滑剤を保護層１１６上に塗布し、潤滑層１１７を成膜する。潤滑剤の塗布方法としては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を用いることができる。次に、必要に応じて、磁気記録媒体１１０を所定の幅に裁断する。以上により、図８に示した磁気記録媒体１１０が得られる。
【０１７５】
［効果］
第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０では、第１の実施形態と同様に、磁気記録媒体１０の長手方向のテンションの調整により、磁気記録媒体１０の幅を一定またはほぼ一定に保つことができる。
【０１７６】
［変形例］
磁気記録媒体１１０が、基体１１１とＳＵＬ１１２との間に下地層をさらに備えるようにしてもよい。ＳＵＬ１１２はアモルファス状態を有するため、ＳＵＬ１１２上に形成される層のエピタキシャル成長を促す役割を担わないが、ＳＵＬ１１２の上に形成される第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの結晶配向を乱さないことが求められる。そのためには、軟磁性材料がカラムを形成しない微細な構造を有していることが好ましいが、基体１１１からの水分などのデガスの影響が大きい場合、軟磁性材料が粗大化し、ＳＵＬ１１２上に形成される第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの結晶配向を乱してしまう虞がある。基体１１１からの水分などのデガスの影響を抑制するためには、上述のように、基体１１１とＳＵＬ１１２との間に、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有する下地層を設けることが好ましい。この下地層の具体的な構成としては、第２の実施形態の第１のシード層１１３Ａと同様の構成を採用することができる。
【０１７７】
磁気記録媒体１１０が、第２のシード層１１３Ｂおよび第２の下地層１１４Ｂのうちの少なくとも１つの層を備えていなくてもよい。但し、ＳＮＲの向上の観点からすると、第２のシード層１１３Ｂおよび第２の下地層１１４Ｂの両方の層を備えることがより好ましい。
【０１７８】
磁気記録媒体１１０が、単層のＳＵＬに代えて、ＡＰＣ−ＳＵＬ（Antiparallel Coupled ＳＵＬ）を備えるようにしてもよい。
【０１７９】
＜３  第３の実施形態＞
［磁気記録媒体の構成］
第３の実施形態に係る磁気記録媒体１３０は、図１０に示すように、基体１１１と、ＳＵＬ１１２と、シード層１３１と、第１の下地層１３２Ａと、第２の下地層１３２Ｂと、記録層１１５とを備える。なお、第３の実施形態において第２の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
【０１８０】
ＳＵＬ１１２、シード層１３１、第１、第２の下地層１３２Ａ、１３２Ｂは、基体１１１の基体１１１の一方の主面と記録層１１５との間に設けられ、基体１１１から記録層１１５の方向に向かってＳＵＬ１１２、シード層１３１、第１の下地層１３２Ａ、第２の下地層１３２Ｂの順序で積層されている。
【０１８１】
（シード層）
シード層１３１は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子（ｆｃｃ）構造を有し、この面心立方構造の（１１１）面が基体１１１の表面に平行になるように優先配向している。ここで、優先配向とは、Ｘ線回折法のθ−２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度が他の結晶面からの回折ピークより大きい状態、またはＸ線回折法のθ−２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度のみが観察される状態を意味する。
【０１８２】
シード層１３１のＸ線回折の強度比率は、ＳＮＲの向上の観点から、好ましくは６０ｃｐｓ／ｎｍ以上、より好ましくは７０ｃｐｓ／ｎｍ以上、さらにより好ましくは８０ｃｐｓ／ｎｍ以上である。ここで、シード層１３１のＸ線回折の強度比率は、シード層１３１のＸ線回折の強度Ｉ（ｃｐｓ）をシード層１３１の平均厚みＤ（ｎｍ）で除算して求められる値（Ｉ／Ｄ（ｃｐｓ／ｎｍ））である。
【０１８３】
シード層１３１に含まれるＣｒ、ＮｉおよびＦｅは、以下の式（２）で表される平均組成を有することが好ましい。
ＣｒＸ（ＮｉＹＦｅ１００−Ｙ）１００−Ｘ  ・・・（２）
（但し、式（２）中において、Ｘは１０≦Ｘ≦４５、Ｙは６０≦Ｙ≦９０の範囲内である。）
Ｘが上記範囲内であると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。同様にＹが上記範囲内であると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。
【０１８４】
シード層１３１の平均厚みは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。シード層１３１の平均厚みをこの範囲内にすることで、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向を向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。なお、シード層１３１の平均厚みは、第１の実施形態における記録層１３と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、シード層１３１の厚みに応じて適宜調整される。
【０１８５】
（第１、第２の下地層）
第１の下地層１３２Ａは、面心立方格子構造を有するＣｏおよびＯを含み、カラム（柱状結晶）構造を有している。ＣｏおよびＯを含む第１の下地層１３２Ａでは、Ｒｕを含む第２の下地層１３２Ｂとほぼ同様の効果（機能）が得られる。Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の濃度比（（Ｏの平均原子濃度）／（Ｃｏの平均原子濃度））が１以上である。濃度比が１以上であると、第１の下地層１３２Ａを設ける効果が向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。
【０１８６】
カラム構造は、ＳＮＲ向上の観点から、傾斜していることが好ましい。その傾斜の方向は、長尺状の磁気記録媒体１３０の長手方向であることが好ましい。このように長手方向が好ましいのは、以下の理由による。本実施形態に係る磁気記録媒体１３０は、いわゆるリニア記録用の磁気記録媒体であり、記録トラックは磁気記録媒体１３０の長手方向に平行となる。また、本実施形態に係る磁気記録媒体１３０は、いわゆる垂直磁気記録媒体でもあり、記録特性の観点からすると、記録層１１５の結晶配向軸が垂直方向であることが好ましいが、第１の下地層１３２Ａのカラム構造の傾きの影響で、記録層１１５の結晶配向軸に傾きが生じる場合がある。リニア記録用である磁気記録媒体１３０においては、記録時のヘッド磁界との関係上、磁気記録媒体１３０の長手方向に記録層１１５の結晶配向軸が傾いている構成が、磁気記録媒体１３０の幅方向に記録層１１５の結晶配向軸が傾いている構成に比べて、結晶配向軸の傾きによる記録特性への影響を低減できる。磁気記録媒体１３０の長手方向に記録層１１５の結晶配向軸を傾かせるためには、上記のように第１の下地層１３２Ａのカラム構造の傾斜方向を磁気記録媒体１３０の長手方向とすることが好ましい。
【０１８７】
カラム構造の傾斜角は、好ましくは０°より大きく６０°以下であることが好ましい。傾斜角が０°より大きく６０°以下の範囲では、第１の下地層１３２Ａに含まれるカラムの先端形状の変化が大きくほぼ三角山状になるため、グラニュラ構造の効果が高まり、低ノイズ化し、ＳＮＲが向上する傾向がある。一方、傾斜角が６０°を超えると、第１の下地層１３２Ａに含まれるカラムの先端形状の変化が小さくほぼ三角山状とはなりにくいため、低ノイズ効果が薄れる傾向がある。
【０１８８】
カラム構造の平均粒径は、３ｎｍ以上１３ｎｍ以下である。平均粒径が３ｎｍ未満であると、記録層１１５に含まれるカラム構造の平均粒径が小さくなるため、現在の磁性材料では記録を保持する能力が低下する虞がある。一方、平均粒径が１３ｎｍ以下であると、ノイズを抑制し、より良好なＳＮＲを得ることができる。
【０１８９】
第１の下地層１３２Ａの平均厚みは、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。第１の下地層１３２Ａの平均厚みが１０ｎｍ以上であると、第１の下地層１３２Ａの面心立方格子構造の（１１１）配向が向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。一方、第１の下地層１３２Ａの平均厚みが１５０ｎｍ以下であると、カラムの粒径が大きくなることを抑制できる。したがって、ノイズを抑制し、より良好なＳＮＲを得ることができる。なお、第１の下地層１３２Ａの平均厚みは、第１の実施形態における記録層１３と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、第１の下地層１３２Ａの厚みに応じて適宜調整される。
【０１９０】
第２の下地層１３２Ｂは、記録層１１５と同様の結晶構造を有していることが好ましい。記録層１１５がＣｏ系合金を含む場合には、第２の下地層１３２Ｂは、Ｃｏ系合金と同様の六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。記録層１１５の配向性を高め、かつ、第２の下地層１３２Ｂと記録層１１５との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えば、Ｒｕ−ＳｉＯ２、Ｒｕ−ＴｉＯ２またはＲｕ−ＺｒＯ２などのＲｕ合金酸化物が挙げられる。
【０１９１】
第２の下地層１３２Ｂの平均厚みは、一般的な磁気記録媒体における下地層（例えばＲｕを含む下地層）よりも薄くてもよく、例えば、１ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることが可能である。第２の下地層１３２Ｂの下に上述の構成を有するシード層１３１および第１の下地層１３２Ａを設けているので、第２の下地層１３２Ｂの平均厚みが上述のように薄くても良好なＳＮＲが得られる。なお、第２の下地層１３２Ｂの平均厚みは、第１の実施形態における記録層１３と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、第２の下地層１３２Ｂの厚みに応じて適宜調整される。
【０１９２】
［効果］
第３の実施形態に係る磁気記録媒体１３０では、第１の実施形態と同様に、磁気記録媒体１０の長手方向のテンションの調整により、磁気記録媒体１０の幅を一定またはほぼ一定に保つことができる。
【０１９３】
第３の実施形態に係る磁気記録媒体１３０は、基体１１１と第２の下地層１３２Ｂとの間にシード層１３１および第１の下地層１３２Ａを備えている。シード層１３１は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、この面心立方構造の（１１１）面が基体１１１の表面に平行になるように優先配向している。第１の下地層１３２Ａは、ＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する。これにより、第２の下地層１３２Ｂの厚さを薄くして高価な材料であるＲｕをできるだけ使用せずに、良好な結晶配向を有し、かつ高い抗磁力を有する記録層１１５を実現できる。
【０１９４】
第２の下地層１３２Ｂに含まれるＲｕは、記録層１１５の主成分であるＣｏと同じ六方稠密格子構造を有する。このため、Ｒｕには、記録層１１５の結晶配向性向上とグラニュラ性促進とを両立させる効果がある。また、第２の下地層１３２Ｂに含まれるＲｕの結晶配向を更に向上させるために、第２の下地層１３２Ｂの下に第１の下地層１３２Ａおよびシード層１３１を設けている。第３の実施形態に係る磁気記録媒体１３０においては、Ｒｕを含む第２の下地層１３２Ｂとほぼ同様の効果（機能）を、面心立方格子構造を有する安価なＣｏＯを含む第１の下地層１３２Ａで実現している。このため、第２の下地層１３２Ｂの厚さを薄くできる。また、第１の下地層１３２Ａの結晶配向を高めるために、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含むシード層１３１を設けている。
【実施例】
【０１９５】
以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【０１９６】
以下の実施例および比較例において、磁気テープの平均厚みｔＴ、磁気テープの長手方向のテンション変化に対する磁気テープの幅方向の寸法変化量Δｗ、磁気テープの温度膨張係数α、磁気テープの湿度膨張係数β、磁気テープのポアソン比ρ、磁気テープの長手方向の弾性限界値σＭＤ、記録層の平均厚みｔｍ、角形比Ｓ２、バック層の平均厚みｔｂ、バック層の表面粗度Ｒｂ、および磁性面とバック面の層間摩擦係数μは、第１の実施形態にて説明した測定方法により求められた値である。但し、後述するように、実施例１１では、長手方向の弾性限界値σＭＤを測定する際の速度Ｖを、第１の実施形態とは異なる値とした。
【０１９７】
［実施例１］
（記録層形成用塗料の調製工程）
記録層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、記録層形成用塗料を調製した。
【０１９８】
（第１組成物）
ε酸化鉄ナノ粒子（ε−Ｆｅ２Ｏ３結晶粒子）の粉末：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：１０質量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α−Ａｌ２Ｏ３、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）
【０１９９】
（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部
【０２００】
最後に、上述のようにして調製した記録層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。
【０２０１】
（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。
【０２０２】
（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ２Ｏ３、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）
【０２０３】
（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部
【０２０４】
最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。
【０２０５】
（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
【０２０６】
（成膜工程）
上述のようにして作製した塗料を用いて、非磁性支持体である長尺のポレエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）上に平均厚み１．０μｍの下地層、および平均厚み９０ｎｍの記録層を以下のようにして形成した。まず、フィルム上に、下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、フィルム上に下地層を形成した。次に、下地層上に、記録層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に記録層を形成した。なお、記録層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、記録層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し、磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６５％に設定した。
【０２０７】
続いて、下地層、および記録層が形成されたフィルムに対して、平均厚み０．６μｍのバック層を塗布し乾燥させた。そして、下地層、記録層、およびバック層が形成されたフィルムに対して硬化処理を行った。続いて、カレンダー処理を行い、記録層表面を平滑化した。この際、磁性面とバック面の層間摩擦係数μが０．５となるように、カレンダー処理の条件（温度）を調整した後、再硬化処理を施し、平均厚み５．５μｍの磁気テープが得られた。
【０２０８】
（裁断の工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、表１、２に示す特性を有する、目的とする長尺状の磁気テープが得られた。
【０２０９】
［実施例２］
寸法変化量Δｗが７５０［ｐｐｍ／Ｎ］となるように、実施例１よりもＰＥＮフィルムの厚みを薄くした。これ以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。
【０２１０】
［実施例３］
寸法変化量Δｗが８００［ｐｐｍ／Ｎ］となるように、実施例１よりもＰＥＮフィルムの厚みを薄くし、更にバック層および下地層の平均厚みを薄くした。これ以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。
【０２１１】
［実施例４］
寸法変化量Δｗが８００［ｐｐｍ／Ｎ］となるように、実施例１よりもＰＥＮフィルムの厚みを薄くし、更にバック層および下地層の平均厚みを薄くした。更に下地層、記録層、およびバック層が形成されたフィルムの硬化処理条件を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。
【０２１２】
［実施例５］
温度膨張係数αが８［ｐｐｍ／℃］となるように、下地層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例４と同様にして磁気テープを得た。
【０２１３】
［実施例６］
湿度膨張係数βが３［ｐｐｍ／％ＲＨ］となるように、ＰＥＮフィルムの両表面に薄いバリア層を形成したこと以外は実施例４と同様にして磁気テープを得た。
【０２１４】
［実施例７］
ポアソン比ρが０．３１となるように、バック層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例４と同様にして磁気テープを得た。
【０２１５】
［実施例８］
ポアソン比ρが０．３５となるように、バック層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例４と同様にして磁気テープを得た。
【０２１６】
［実施例９］
長手方向の弾性限界値σＭＤが０．８［Ｎ］となるように、下地層、記録層、およびバック層が形成されたフィルムの硬化条件を調整したこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２１７】
［実施例１０］
長手方向の弾性限界値σＭＤが３．５［Ｎ］となるように、下地層、記録層、およびバック層が形成されたフィルムの硬化条件、並びに再硬化条件を調整したこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２１８】
［実施例１１］
実施例９と同様にして磁気テープを得た。そして、得られた磁気テープの弾性限界値σＭＤを、長手方向の弾性限界値σＭＤを測定する際の速度Ｖを５ｍｍ／ｍｉｎに変更して測定した。その結果、長手方向の弾性限界値σＭＤは、上記速度Ｖが０．５ｍｍ／ｍｉｎの長手方向の弾性限界値σＭＤ（実施例９）に対して変化はなく０．８であった。
【０２１９】
［実施例１２］
記録層の平均厚みｔｍが４０ｎｍとなるように、記録層形成用塗料の塗布厚を変更したこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２２０】
［実施例１３］
（ＳＵＬの成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、非磁性支持体としての長尺の高分子フィルムの表面上に、平均厚み１０ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層（ＳＵＬ）を成膜した。なお、高分子フィルムとしては、ＰＥＮフィルムを用いた。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
【０２２１】
（第１のシード層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＣｏＺｒＮｂ層上に平均厚み５ｎｍのＴｉＣｒ層（第１のシード層）を成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＴｉＣｒターゲット
到達真空度：５×１０−５Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ
【０２２２】
（第２のシード層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒ層上に平均厚み１０ｎｍのＮｉＷ層（第２のシード層）を成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＮｉＷターゲット
到達真空度：５×１０−５Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ
【０２２３】
（第１の下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＮｉＷ層上に平均厚み１０ｎｍのＲｕ層（第１の下地層）を成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ
【０２２４】
（第２の下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ層上に平均厚み２０ｎｍのＲｕ層（第２の下地層）を成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ
【０２２５】
（記録層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ層上に平均厚み９ｎｍの（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ２）層（記録層）を成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ２）ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ
【０２２６】
（保護層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、記録層上に平均厚み５ｎｍのカーボン層（保護層）を成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ
【０２２７】
（潤滑層の成膜工程）
次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、潤滑層を成膜した。
【０２２８】
（バック層の成膜工程）
次に、記録層とは反対側の面に、バック層形成用塗料を塗布し乾燥することにより、平均厚み０．３μｍのバック層を形成した。これにより、平均厚み４．０μｍの磁気テープが得られた。
【０２２９】
（裁断の工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、表１、２に示す特性を有する、目的とする長尺状の磁気テープが得られた。
【０２３０】
［実施例１４］
バック層の平均厚みｔｂが０．２μｍとなるように、バック層形成用塗料の塗布厚を変更したこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２３１】
［実施例１５］
バック層の表面粗度Ｒｂが３［ｎｍ］となるように、バック層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２３２】
［実施例１６］
磁性面とバック面の層間摩擦係数μが０．２となるように、カレンダー処理の条件（温度）を調整したこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２３３】
［実施例１７］
磁性面とバック面の層間摩擦係数μが０．８となるように、カレンダー処理の条件（温度）を調整したこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２３４】
［実施例１８］
記録層の平均厚みｔｍが１１０ｎｍとなるように、記録層形成用塗料の塗布厚を変更したこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２３５】
［実施例１９］
バック層の表面粗度Ｒｂが７［ｎｍ］となるように、バック層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２３６】
［実施例２０］
磁性面とバック面の層間摩擦係数μが０．１８となるように、カレンダー処理の条件（温度）を調整したこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２３７】
［実施例２１］
磁性面とバック面の層間摩擦係数μが０．８２となるように、カレンダー処理の条件（温度）を調整したこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２３８】
［実施例２２］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し、磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を７３％に設定したこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２３９】
［実施例２３］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し、磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を８０％に設定したこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２４０】
［実施例２４］
長手方向の弾性限界値σＭＤが５．０［Ｎ］となるように、下地層、記録層、およびバック層が形成されたフィルムの硬化条件、並びに再硬化条件を調整したこと以外は実施例１０と同様にして磁気テープを得た。
【０２４１】
［実施例２５］
ε酸化鉄ナノ粒子に代えてバリウムフェライト（ＢａＦｅ１２Ｏ１９）ナノ粒子を用いたこと以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た。
【０２４２】
［比較例１］
寸法変化量Δｗが６５０［ｐｐｍ／Ｎ］となるように、ＰＥＮフィルムのテンシライズを変更したこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
【０２４３】
（テープ幅の変化量の判定）
まず、１／２インチ幅の磁気テープを組み込んだカートリッジサンプルを準備した。なお、磁気テープには、ハの字の磁気パターンの列を、互いに既知の間隔で、長手方向に平行に２列以上予め記録した。次に、カートリッジサンプルを記録再生装置で往復走行をさせた。そして、往復走行時に上記のハの字の磁気パターン列の２列以上を同時に再生し、それぞれの列の再生波形の形状から、走行時の磁気パターン列の間隔を連続的に計測した。
尚、走行時には、この計測された磁気パターン列の間隔情報に基づき、スピンドル駆動装置とリール駆動装置の回転駆動を制御し、磁気パターン列の間隔が規定の幅、またはほぼ規定の幅となるように、磁気テープの長手方向のテンションを自動で調整する様にした。
この磁気パターン列の間隔の１往復分全ての計測値を平均化したものを「計測された磁気パターン列の間隔」とし、これと「予め記録した際の既知の磁気パターン列の間隔」の差分を「テープ幅の変化」とした。
【０２４４】
また、記録再生装置による往復走行は、恒温恒湿槽中で行った。往復走行中の温湿度は、上記の往復走行とは独立に、温度範囲１０℃〜４５℃、相対湿度範囲１０％〜８０％で、予め組まれた環境変化プログラム（例：１０℃１０％→２９℃８０％→１０℃１０％を２回繰り返す。温湿度の変化は２時間以上かける。）に従って、徐々に且つ繰り返し変化させた。
【０２４５】
この評価を、「予め組まれた環境変化プログラム」が終了するまで繰り返した。評価終了後、各往復時に得られた「テープ幅の変化」それぞれの絶対値全てを用いて平均値を計算し、その値をそのテープの「実効的なテープ幅の変化量」とした。この「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離（小さい程望ましい）に従った判定を各テープに対して行い、８段階の判定値をそれぞれ付与した。なお、評価“８”が最も望ましい判定結果を示し、評価“１”が最も望ましくない判定結果を示すものとした。
【０２４６】
（電磁変換特性の評価）
まず、ループテスター（Microphysics社製）を用いて、磁気テープの再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
head : GMR head
speed : 2m/s
signal : 単一記録周波数（１０ＭＨｚ）
記録電流：最適記録電流
【０２４７】
次に、再生信号をスペクトラムアナライザ（spectrum analyze）によりスパン（SPAN）0〜20MHz（resolution band width = 100kHz, VBW = 30kHz）で取り込んだ。次に、取り込んだスペクトルのピークを信号量Ｓとすると共に、ピークを除いたfloor noise を積算して雑音量Ｎとし、信号量Ｓと雑音量Ｎの比Ｓ／ＮをＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）として求めた。次に、求めたＳＮＲを、リファレンスメディアとしての比較例１のＳＮＲを基準とした相対値（ｄＢ）に変換した。次に、上述のようにして得られたＳＮＲ（ｄＢ）を用いて、電磁変換特性の良否を以下のようにして判定した。
良好：磁気テープのＳＮＲが評価基準サンプル（比較例１）のＳＮＲ（＝０（ｄＢ））と同等、もしくはこのＳＮＲ（＝０（ｄＢ））を超える。
不良：磁気テープのＳＮＲが評価基準サンプル（比較例１）のＳＮＲ（＝０（ｄＢ））未満である。
【０２４８】
（巻ズレの評価）
まず、上記の“テープ幅の変化量の判定”後のカートリッジサンプルを準備した。次に、カートリッジサンプルからテープが巻かれたリールを取り出し、巻かれたテープの端面を目視にて観察した。なお、リールにはフランジがあり、少なくとも１つのフランジは透明または半透明であり、内部のテープ巻き状態をフランジ越しに観察することができる。
【０２４９】
観察の結果、テープの端面が平坦でなく、段差やテープの飛び出しがある場合、テープの巻ズレがあるものとした。また、これらの段差やテープの飛び出しが複数個観察される程、「巻ズレ」は悪いものとした。上記の判定をサンプル毎に行った。各サンプルの巻ズレ状態を、リファレンスメディアとしての比較例１の巻ズレ状態と比較し、良否を以下のようにして判定した。
良好：サンプルの巻ズレ状態が、基準サンプル（比較例１）の巻ズレ状態と同等もしくは少ない場合
不良：サンプルの巻ズレ状態が、基準サンプル（比較例１）の巻ズレ状態とより多い場合
【０２５０】
表１、２は、実施例１〜２１、比較例１の磁気テープの構成および評価結果を示す。
【表１】
2020161208.tif 000015
【０２５１】
【表２】
2020161208.tif 000016
【０２５２】
なお、表１、２中の各記号は、以下の測定値を意味する。
ｔＴ：磁気テープの厚み
Δｗ：磁気テープの長手方向のテンション変化に対する磁気テープの幅方向の寸法変化量
α：磁気テープの温度膨張係数
β：磁気テープの湿度膨張係数
ρ：磁気テープのポアソン比
σＭＤ：磁気テープの長手方向の弾性限界値
Ｖ：弾性限界測定を行う際の速度
ｔｍ：記録層の平均厚み
Ｒ２：磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比
ｔｂ：バック層の平均厚み
Ｒｂ：バック層の表面粗度
μ：磁性面とバック面の層間摩擦係数
【０２５３】
表１、２から以下のことがわかる。
実施例１、比較例１等の評価結果の比較から、寸法変化量Δｗが７００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであると、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制することができることがわかる。
実施例１〜３等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、寸法変化量Δｗが７５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであることが好ましく、８００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであることがより好ましいことがわかる。
【０２５４】
実施例３、４、６等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、温度膨張係数αが６［ｐｐｍ／℃］≦α≦８［ｐｐｍ／℃］であることが好ましいことがわかる。
実施例３〜５等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、湿度膨張係数βがβ≦５［ｐｐｍ／％ＲＨ］であることが好ましいことがわかる。
【０２５５】
実施例６〜８等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、ポアソン比ρが０．３≦ρであることが好ましいことがわかる。
実施例７、９、１０、２３等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、長手方向の弾性限界値σＭＤが、０．８［Ｎ］≦σＭＤであることが好ましいことがわかる。
実施例９、１１等の弾性限界値σＭＤが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに寄らない請求項１に記載の磁気記録媒体
【０２５６】
実施例９、１２、１８等の評価結果の比較から、電磁変換特性の向上の観点からすると、記録層の平均厚みｔｍが、ｔｍ≦９０［ｎｍ］であることが好ましいことがわかる。
【０２５７】
実施例７、１５、１９等の評価結果の比較から、電磁変換特性の向上の観点からすると、バック層の表面粗度 Ｒｂが、Ｒｂ≦６．０［ｎｍ］であることが好ましいことがわかる。
【０２５８】
実施例７、１６、１７、２１等の評価結果の比較から、巻ズレを抑制する観点からすると、磁性面とバック面の層間摩擦係数μが０．２０≦μ≦０．８０であることが好ましいことがわかる。
【０２５９】
実施例７、２２、２３等の評価結果の比較から、電磁変換特性の向上の観点からすると、垂直方向における磁気テープの角形比Ｓ２が８０％以上であることが好ましいことがわかる。
【０２６０】
実施例７、２５等の評価結果の比較から、磁性粒子としてバリウムフェライトナノ粒子を用いた場合にも、寸法変化量Δｗ、温度膨張係数αおよび湿度膨張係数β等の各パラメータを調整することで、磁性粒子としてε酸化鉄ナノ粒子を用いた場合と同様の評価結果が得られることがわかる。
【０２６１】
以上、本開示の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【０２６２】
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。
【０２６３】
また、上述の実施形態および実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【０２６４】
また、本明細書において、「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０２６５】
また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
平均厚みｔＴが、ｔＴ≦５．５［μｍ］であり、
長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量Δｗが、７００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗである磁気記録媒体。
（２）
前記寸法変化量Δｗが、７５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗである（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
前記寸法変化量Δｗが、８００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗである（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
温度膨張係数αが、６［ｐｐｍ／℃］≦α≦８［ｐｐｍ／℃］であり、且つ、湿度膨張係数βが、β≦５［ｐｐｍ／％ＲＨ］である（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
ポアソン比ρが、０．３≦ρである（１）から（４）のいずれかに磁気記録媒体。
（６）
長手方向の弾性限界値σＭＤが、０．８［Ｎ］≦σＭＤである（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記弾性限界値σＭＤが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに依らない（６）に記載の磁気記録媒体。
（８）
スパッタ層である記録層を備える（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記記録層の平均厚みｔｍが、９［ｎｍ］≦ｔｍ≦９０［ｎｍ］である（８）に記載の磁気記録媒体。
（１０）
垂直に配向した記録層を備える（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１１）
磁性粉を含む記録層を備える（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１２）
前記記録層の平均厚みｔｍが、３５［ｎｍ］≦ｔｍ≦９０［ｎｍ］である（１１）に記載の磁気記録媒体。
（１３）
前記磁性粉は、ε酸化鉄磁性粉、バリウムフェライト磁性粉またはコバルトフェライト磁性粉を含む（１１）または（１２）に記載の磁気記録媒体。
（１４）
バック層を備え、
前記バック層の平均厚みｔｂが、ｔｂ≦０．６［μｍ］である（１）から（１３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１５）
バック層を備え、
前記バック層の表面粗度Ｒｂが、Ｒｂ≦６．０［ｎｍ］である（１）から（１３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１６）
磁性面と該磁性面とは反対側となるバック面とを有し、
前記磁性面と前記バック面の層間摩擦係数μが、０．２０≦μ≦０．８０である（１）から（１５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１７）
垂直方向における角形比が、６５％以上である（１）から（１６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１８）
（１）から（１７）のいずれかに記載の磁気記録媒体の記録および再生を行う記録再生装置。
【符号の説明】
【０２６６】
１０    磁気記録媒体
１０Ａ    磁気記録媒体カートリッジ
１０Ｂ    カートリッジケース
１０Ｃ    リール
１０Ｓ  サンプル
１１    基体
１２    下地層
１３    記録層
１４    バック層
１５    バリア層
２１    コア部
２２    シェル部
２２ａ    第１シェル部
２２ｂ    第２シェル部
３０    記録再生装置
３１    スピンドル
３２    リール
３３    スピンドル駆動装置
３４    リール駆動装置
３５    ガイドローラ
３６    ヘッドユニット
３７    通信インターフェース
３８    制御装置
４１    サーバ
４２    パーソナルコンピュータ
４３    ネットワーク
１１０、１３０    磁気記録媒体
１１１    基体
１１２    軟磁性裏打ち層
１１３Ａ    第１のシード層
１１３Ｂ    第２のシード層
１１４Ａ、１３２Ａ    第１の下地層
１１４Ｂ、１３２Ｂ    第２の下地層
１１５    記録層
１１６    保護層
１１７    潤滑層
１１８    バック層
１２０    スパッタ装置
１２１    成膜室
１２２    ドラム
１２３ａ〜１２３ｆ    カソード
１２４    供給リール
１２５    巻き取りリール
１２６    排気口
１２７ａ〜１２７ｃ、１２８ａ〜１２８ｃ    ガイドロール
１３１    シード層
２３１    固定部
２３２    支持部材
２３２Ａ    スリット
２３３    重り
２３４    発光器
２３５    受光器
【図１】
2020161208.tif 000018
【図２】
2020161208.tif 000019
【図３】
2020161208.tif 000020
【図４】
2020161208.tif 000021
【図５】
2020161208.tif 000022
【図６】
2020161208.tif 000023
【図７】
2020161208.tif 000024
【図８】
2020161208.tif 000025
【図９】
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【図１０】
2020161208.tif 000027
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月3日(2020.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
記録層１３の平均厚みｔｍは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０を、その主面に対して垂直に薄く加工して試験片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察を行う。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向で少なくとも１０点以上の位置で記録層１３の厚みを測定した後、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して記録層１３の平均厚みｔｍ（ｎｍ）とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
湿度膨張係数βは以下のようにして求められる。まず、寸法変化量Δｗの測定方法と同様にしてサンプル１０Ｓを作製し、寸法変化量Δｗの測定方法と同様の測定装置にサンプルを１０Ｓセットしたのち、測定装置を温度２９℃相対湿度２４％の一定環境に制御されたチャンバー内に収容する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎの荷重をかけ、上記環境にサンプルを馴染ませる。その後、温度２９℃を保持したまま、８０％、２４％、１０％の順で相対湿度を変え、８０％、１０％におけるサンプル１０Ｓの幅を測定し、以下の式より湿度膨張係数βを求める。
【数４】
2020161208.tif 000028
（但し、式中、Ｄ（８０％）、Ｄ（１０％）はそれぞれ、相対湿度８０％、１０％におけるサンプル１０Ｓの幅を示す。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
バック面の表面粗度Ｒｂは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、そのバック面を上にしてスライドガラスに貼り付け、試験片とする。次に、その試験片のバック面を下記の光干渉を用いた非接触粗度計により、面粗度を測定する。
装置：光干渉を用いた非接触粗度計
（株式会社菱化システム製  非接触表面・層断面形状計測システム  VertScan R5500GL-M100-AC）
対物レンズ：２０倍（約２３７μｍ×１７８μｍ視野）
分解能：６４０points×４８０points
測定モード：ｐｈａｓｅ
波長フィルター：５２０ｎｍ
面補正：２次多項式近似面にて補正 
上述のようにして、長手方向で少なくとも５点以上の位置にて面粗度を測定したのち、各位置で得られた表面プロファイルから自動計算されたそれぞれの算術平均粗さＳａ（ｎｍ）の平均値をバック面の表面粗度Ｒｂ（ｎｍ）とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
上記の保磁力Ｈｃ（２５）は、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして求められる。また、上記の保磁力Ｈｃ（５０）は、測定サンプルおよび基体１１のＭ−Ｈループの測定をいずれも５０℃にて行うこと以外は上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして求められる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８０】
ＳＵＬ１１２、シード層１３１、第１、第２の下地層１３２Ａ、１３２Ｂは、基体１１１の一方の主面と記録層１１５との間に設けられ、基体１１１から記録層１１５の方向に向かってＳＵＬ１１２、シード層１３１、第１の下地層１３２Ａ、第２の下地層１３２Ｂの順序で積層されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９４】
第２の下地層１３２Ｂに含まれるＲｕは、記録層１１５の主成分であるＣｏと同じ稠密六方格子構造を有する。このため、Ｒｕには、記録層１１５の結晶配向性向上とグラニュラ性促進とを両立させる効果がある。また、第２の下地層１３２Ｂに含まれるＲｕの結晶配向を更に向上させるために、第２の下地層１３２Ｂの下に第１の下地層１３２Ａおよびシード層１３１を設けている。第３の実施形態に係る磁気記録媒体１３０においては、Ｒｕを含む第２の下地層１３２Ｂとほぼ同様の効果（機能）を、面心立方格子構造を有する安価なＣｏＯを含む第１の下地層１３２Ａで実現している。このため、第２の下地層１３２Ｂの厚さを薄くできる。また、第１の下地層１３２Ａの結晶配向を高めるために、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含むシード層１３１を設けている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０５】
（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭カーボン株式会社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５０】
表１、２は、実施例１〜２１、比較例１の磁気テープの構成および評価結果を示す。
【表１】
2020161208.tif 000029
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５５】
実施例６〜８等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、ポアソン比ρが０．３≦ρであることが好ましいことがわかる。
実施例７、９、１０、２３等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、長手方向の弾性限界値σＭＤが、０．８［Ｎ］≦σＭＤであることが好ましいことがわかる。
実施例９、１１等の弾性限界値σＭＤが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに依らない。