(57)【要約】      （修正有）【課題】流体とカップとの衝突に起因する不具合を抑制する。【解決手段】基板処理装置は、基板保持部と、カップ１２０とを備える。基板保持部は、回転軸を中心とした回転方向に沿って基板が回転するように基板を保持する。カップ１２０は、基板保持部の周囲に設けられる。カップ１２０は、基板に対向する内周面１２０ａに設けられた溝１２４を有する。溝１２４は、溝１２４のうちの鉛直上方に位置する第１端部１２４ａと、溝１２４のうちの鉛直下方に位置する第２端部１２４ｂとを有する。カップ１２０の内周面１２０ａにおいて、溝１２４の第２端部１２４ｂは、溝１２４の第１端部１２４ａよりも回転方向Ｒに沿った方向に位置している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸を中心とした回転方向に沿って基板が回転するように前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部の周囲に設けられたカップと
を備え、
前記カップは、前記基板に対向する内周面に設けられた溝を有し、
前記溝は、前記溝のうちの鉛直上方側に位置する第１端部と、前記溝のうちの鉛直下方側に位置する第２端部とを有し、
前記カップの前記内周面において、前記溝の前記第２端部は、前記溝の前記第１端部よりも前記回転方向に沿った方向に位置している、基板処理装置。
【請求項２】
前記カップの前記内周面には、前記溝を含む複数の溝が設けられている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の溝は平行に配列される、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記溝は、前記基板の回転に伴って前記カップの前記内周面に到達する流体の進行方向に沿って設けられる、請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記流体は、前記基板の回転によって前記基板から飛散する液滴、および前記基板の周囲に形成される気体の流れの少なくとも一方を含む、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記溝は、前記流体の進行方向と前記カップの前記内周面の法線とを含む平面に沿って設けられる、請求項４または５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記溝は、平面視にて直線状に延びる、請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記溝は、平面視にて曲線状に延びる、請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記溝は、第１位置と、前記第１位置よりも前記第２端部の近くに位置する第２位置とを有し、
前記溝の前記第２位置における前記回転方向に対する傾きは、前記溝の前記第１位置における前記回転方向に対する傾きよりも大きい、請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、基板処理装置は、半導体基板またはガラス基板の製造に用いられる。枚葉型の基板処理装置では、典型的には、基板処理する際に基板の周囲にはカップが配置され、カップは、基板処理時に基板から飛散する処理液を受けて止めて回収する。カップにおいて、基板外周に位置するカップに飛散した塗布液の下方への落下を促進することが検討されている（特許文献１）。特許文献１のカップ（アウターカップ１３０）では、縦方向に溝を形成することにより、基板からカップに飛散した塗布液はカップの溝を伝って下方に滑落させており、カップの内周面に残留する塗布量を低減させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−１６６１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１のカップを用いる場合でも、基板からカップに飛散した塗布液がカップにおいて跳ね返ってしまうおそれがある。塗布液がカップにおいて跳ね返ると、塗布液の液滴がカップに付着して、後に液滴が基板に再付着してしまうことがある。また、カップに付着した液滴が基板雰囲気中にミストとして残存することがある。このように塗布液が基板に意図せずに付着してしまうと、基板を充分に処理できないおそれがあった。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、流体とカップとの衝突に起因する不具合を抑制可能な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板保持部と、カップとを備える。基板保持部は、回転軸を中心とした回転方向に沿って基板が回転するように前記基板を保持する。前記カップは、前記基板保持部の周囲に設けられる。前記カップは、前記基板に対向する内周面に設けられた溝を有する。前記溝は、前記溝のうちの鉛直上方側に位置する第１端部と、前記溝のうちの鉛直下方側に位置する第２端部とを有する。前記カップの前記内周面において、前記溝の前記第２端部は、前記溝の前記第１端部よりも前記回転方向に沿った方向に位置している。
【０００７】
ある実施形態において、前記カップの前記内周面には、前記溝を含む複数の溝が設けられている。
【０００８】
ある実施形態において、前記複数の溝は平行に配列される。
【０００９】
ある実施形態において、前記溝は、前記基板の回転に伴って前記カップの前記内周面に到達する流体の進行方向に沿って設けられる。
【００１０】
ある実施形態において、前記流体は、前記基板の回転によって前記基板から飛散する液滴、および前記基板の周囲に形成される気体の流れの少なくとも一方を含む。
【００１１】
ある実施形態において、前記溝は、前記流体の進行方向と、前記カップの前記内周面に前記流体が当たる点における前記内周面上の法線とを含む平面に沿って設けられる。
【００１２】
ある実施形態において、前記溝は、平面視にて直線状に延びる。
【００１３】
ある実施形態において、前記溝は、平面視にて曲線状に延びる。
【００１４】
ある実施形態において、前記溝は、第１位置と、前記第１位置よりも前記第２端部の近くに位置する第２位置とを有し、前記溝の前記第２位置における前記回転方向に対する傾きは、前記溝の前記第１位置における前記回転方向に対する傾きよりも大きい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、流体とカップとの衝突に起因する不具合を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態の基板処理装置の模式図である。
【図２】（ａ）は本実施形態の基板処理装置におけるカップの模式的な斜視図であり、（ｂ）および（ｃ）は本実施形態の基板処理装置におけるカップの模式的な側面図である。
【図３】（ａ）は本実施形態の基板処理装置におけるカップと基板からの流体の進行方向との関係を示す模式図であり、（ｂ）は本実施形態の基板処理装置において溝の設けられたカップと基板からの流体の進行方向との関係を示す模式図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は本実施形態の基板処理装置におけるカップの溝の方向を示す模式図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置におけるカップの溝の方向を説明するための模式図である。
【図６】本実施形態の基板処理装置におけるカップおよび基板の模式的な上面図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は本実施形態の基板処理装置における溝の設けられたカップの模式図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は本実施形態の基板処理装置におけるカップの溝の形状による入射角の変化を説明するための模式図である。
【図９】本実施形態の基板処理装置におけるカップと基板からの流体の進行方向との関係を示す模式図である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は本実施形態の基板処理装置におけるカップの模式的な側面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置におけるカップの溝の方向を説明するための模式図である。
【図１２】本実施形態の基板処理装置におけるカップおよび基板の模式的な上面図である。
【図１３】本実施形態の基板処理装置の模式図である。
【図１４】本実施形態の基板処理装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を記載することがある。典型的には、Ｘ方向およびＹ方向は水平方向に平行であり、Ｚ方向は鉛直方向に平行である。さらに、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向以外に互いに直交する方向を記載することがある。
【００１８】
図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。
【００１９】
基板Ｗは、薄い板状である。典型的には、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板などを含む。
【００２０】
基板処理装置１００は、処理液で基板Ｗを処理する。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを処理液で１枚ごとに処理する。
【００２１】
基板処理装置１００は、チャンバー１１２と、基板保持部１１４と、処理液供給部１１６と、カップ１２０とを含む。チャンバー１１２は、基板Ｗを収容する。
【００２２】
チャンバー１１２は、内部空間を有する略箱形状である。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー１１２には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー１１２内に収容され、チャンバー１１２内で処理される。チャンバー１１２には、基板保持部１１４、処理液供給部１１６およびカップ１２０の少なくとも一部が収容される。チャンバー１１２のＺ方向下方には排気口１１２ｐが設けられる。チャンバー１１２内の気体は排気口１１２ｐから外部に排気される。
【００２３】
基板保持部１１４は、基板Ｗを保持する。基板保持部１１４は、基板Ｗの上面を上方に向け、基板Ｗの裏面を鉛直下方に向くように基板Ｗを水平に保持する。また、基板保持部１１４は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。
【００２４】
例えば、基板保持部１１４は、基板Ｗの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部１１４は、基板Ｗを裏面から保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部１１４は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部１１４は、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）の中央部を上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。あるいは、基板保持部１１４は、複数のチャックピンを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。
【００２５】
例えば、基板保持部１１４は、スピンベース１１４ａと、チャック部材１１４ｂと、シャフト１１４ｃと、電動モータ１１４ｄとを含む。チャック部材１１４ｂは、スピンベース１１４ａに設けられる。チャック部材１１４ｂは、基板Ｗをチャックする。典型的には、スピンベース１１４ａには、複数のチャック部材１１４ｂが設けられる。
【００２６】
シャフト１１４ｃは、中空軸である。シャフト１１４ｃは、回転軸Ａｘに沿って鉛直方向に延びている。シャフト１１４ｃの上端には、スピンベース１１４ａが結合されている。基板Ｗの裏面は、スピンベース１１４ａに接触し、基板Ｗは、スピンベース１１４ａの上方に載置される。
【００２７】
スピンベース１１４ａは、円板状であり、基板Ｗを水平に支持する。シャフト１１４ｃは、スピンベース１１４ａの中央部から下方に延びる。電動モータ１１４ｄは、シャフト１１４ｃに回転力を与える。電動モータ１１４ｄは、シャフト１１４ｃを回転方向Ｒに回転させることにより、回転軸Ａｘを中心に基板Ｗおよびスピンベース１１４ａを回転させる。ここでは、回転方向Ｒは、反時計回りである。
【００２８】
処理液供給部１１６は、配管１１６ａと、バルブ１１６ｂと、ノズル１１６ｃとを含む。配管１１６ａには処理液が流れる。ノズル１１６ｃは、配管１１６ａに接続される。配管１１６ａには、処理液供給源からの処理液が供給される。配管１１６ａには、バルブ１１６ｂが配置される。バルブ１１６ｂが開くと、処理液は、ノズル１１６ｃから基板Ｗに供給される。基板Ｗは、処理液によって処理される。
【００２９】
カップ１２０は、基板Ｗに供給された処理液を回収する。カップ１２０は、基板保持部１１４の周囲に設けられる。
【００３０】
例えば、カップ１２０は、基板Ｗの回転によって基板Ｗから飛散する処理液を回収する。また、カップ１２０は、基板Ｗに処理液が供給されていない場合でも、基板Ｗの回転によって生じた気体の流れ（気流）を受け止め、気流を下方に流す。
【００３１】
カップ１２０は、鉛直方向に移動可能であってもよい。例えば、カップ１２０は、基板Ｗを処理液で処理する場合に、基板Ｗの側方を覆うように上昇し、基板Ｗを処理液で処理した後で、基板Ｗの側方から下方に下降してもよい。
【００３２】
例えば、カップ１２０は、ポリ塩化ビニル（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ｃｈｌｏｒｉｄｅ：ＰＶＣ）から形成される。あるいは、カップ１２０は、ポリプロピレン（ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ：ＰＰ）から形成される。
【００３３】
また、カップ１２０は、内周面１２０ａと、外周面１２０ｂとを有する。内周面１２０ａは、基板Ｗに対向する。カップ１２０の内周面１２０ａには溝１２４が設けられる。溝１２４は、内周面１２０ａに対して凹むように形成される。溝１２４により、内周面１２０ａに凹みが形成される。溝１２４は内周面１２０ａに線状に延びている。
【００３４】
基板処理装置１００は、制御装置１０１をさらに備える。制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。
【００３５】
制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０４とを含む。制御部１０２は、プロセッサを含む。プロセッサは、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、プロセッサは汎用演算機を有してもよい。例えば、制御部１０２は、処理液供給部１１６およびカップ１２０を制御する。
【００３６】
記憶部１０４は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。記憶部１０４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行する。
【００３７】
なお、記憶部１０４には、予め手順の定められたコンピュータプログラムが記憶されており、基板処理装置１００は、コンピュータプログラムに定められた手順に従って動作する。
【００３８】
基板保持部１１４が基板Ｗを回転すると、基板Ｗの回転に伴って基板Ｗの周囲に流体が形成される。形成された流体は、カップ１２０に到達する。カップ１２０は、到達する流体を流体の進行方向に沿って滑らかに流すことが好ましい。
【００３９】
例えば、処理液供給部１１６が基板Ｗに処理液を供給して基板Ｗを処理する際に、基板保持部１１４が基板Ｗを回転すると、処理液が基板Ｗから飛散してカップに到達する。カップ１２０は、基板Ｗから飛散した液滴を跳ね返らせることなく、下方に流すことが好ましい。また、カップ１２０に到達した液滴は、カップ１２０に付着し続けると、液滴から気化した雰囲気成分が基板Ｗを汚染してしまうことがある。このため、カップ１２０に到達した液滴は、カップ１２０から鉛直下方向に流れることが好ましい。
【００４０】
さらに、処理液供給部１１６が基板Ｗに処理液を供給しない期間でも、基板保持部１１４が基板Ｗを回転していると、基板Ｗの周囲に気流が形成され、形成された気流が基板Ｗからカップ１２０に向かって進行してカップ１２０に到達する。カップ１２０は、基板Ｗからの気流を跳ね返らせることなく、気流を滑らかに流すことが好ましい。また、カップ１２０に到達した気流は、カップ１２０の近傍にとどまり続けると、気流の雰囲気成分が基板Ｗを汚染してしまうことがある。このため、カップ１２０に到達した気流は、鉛直下方向に流れることが好ましい。
【００４１】
次に、図１および図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０を説明する。図２（ａ）は、カップ１２０の模式的な斜視図であり、図２（ｂ）は、カップ１２０の中心からカップ１２０の内周面１２０ａを視た模式図である。なお、図２（ａ）および図２（ｂ）には、基板Ｗの回転方向Ｒを併せて示している。
【００４２】
図２（ａ）に示すように、カップ１２０は、基板Ｗの回転軸Ａｘを中心とした対象構造を有している。基板Ｗの回転軸Ａｘは、カップ１２０の中心軸となる。
【００４３】
ここでは、カップ１２０は、上部１２０ｕおよび下部１２０ｄを有する。カップ１２０は、幅一定のリング構造を有している。カップ１２０の上部１２０ｕおよび下部１２０ｄは、同心の円形状である。ただし、カップ１２０の下部１２０ｄの円の直径は、カップ１２０の上部１２０ｕの円の直径よりも大きい。このため、カップ１２０の下方は、カップ１２０の上方に対して径方向に広がっている。
【００４４】
カップ１２０の内周面１２０ａには、溝１２４が設けられる。カップ１２０の溝１２４は、射出成型によって形成されてもよい。あるいは、カップ１２０の溝１２４は、切削によって形成されてもよい。
【００４５】
カップ１２０は、回転軸Ａｘを中心とした対象構造を有している。このため、カップ１２０の内周面１２０ａの法線は、回転軸Ａｘ上を通過する。
【００４６】
図２（ａ）および図２（ｂ）に示したカップ１２０では、内周面１２０ａに溝１２４が複数設けられており、溝１２４はほぼ直線状に延びている。例えば、溝１２４の幅は、１μｍ以上５ｍｍ以下であってもよい。流体として液滴を想定する場合、溝１２４の幅は、液滴の平均粒径よりも大きいことが好ましい。
【００４７】
なお、複数の溝１２４は平行に配置されることが好ましい。また、複数の溝１２４は一定の間隔で配置されていることが好ましい。例えば、隣接する溝１２４の間隔は、１μｍ以上５ｍｍ以下であってもよい。
【００４８】
図２（ｂ）に示すように、カップ１２０の溝１２４は、上端１２４ａと、中央部１２４ｂと、下端１２４ｃとを有する。溝１２４の上端１２４ａは、溝１２４のうちの鉛直上方側の端部に位置する。溝１２４の下端１２４ｃは、溝１２４のうちの鉛直下方側の端部に位置する。溝１２４の中央部１２４ｂは、上端１２４ａと下端１２４ｃとの間に位置する。本明細書において、溝１２４の上端１２４ａを溝１２４の第１端部または第１端部１２４ａと記載することがある。また、溝１２４の下端１２４ｃを溝１２４の第２端部または第２端部１２４ｃと記載することがある。
【００４９】
図２（ａ）では、溝１２４の上端（第１端部）１２４ａは、内周面１２０ａの上部１２０ｕに達している。また、溝１２４の下端（第２端部）１２４ｃは、内周面１２０ａの下部１２０ｄに達している。
【００５０】
カップ１２０の中心から内周面１２０ａを視た場合に、溝１２４は、回転方向Ｒに沿って傾いている。溝１２４は、内周面１２０ａにおいて鉛直方向に対して斜めに位置している。また、溝１２４は、内周面１２０ａの延びる方向に対して斜めに配置されている。カップ１２０の溝１２４の下端１２４ｃは、上端１２４ａに対して回転方向Ｒに沿って位置する。
【００５１】
本実施形態の基板処理装置１００では、カップ１２０の溝１２４が回転方向Ｒに沿った方向に傾いている。詳細は後述するが、溝１２４により、基板Ｗから飛ばされた処理液がカップ１２０と衝突するときでも、処理液に対するカップ１２０からの衝撃を低減できる。このため、基板処理装置１００において処理液が液滴またはミスト化して基板Ｗの処理に悪影響が生じることを抑制できる。
【００５２】
また、溝１２４により、基板保持部１１４の回転に伴って発生した気流がカップ１２０に到達したときでも、気流に対するカップ１２０からの衝撃を低減できる。このように、カップ１２０は、処理液および／または気流の乱れを抑制できる。このため、チャンバー１１２内の排気効率を向上でき、チャンバー１１２内で発生した液滴またはミストが基板Ｗに悪影響を及ぼすことを抑制できる。
【００５３】
なお、図２（ｂ）を参照した上述の説明では、カップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の上部１２０ｕから下部１２０ｄにわたって設けられたが、本実施形態はこれに限定されない。カップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の上部１２０ｕから下部１２０ｄにわたって設けられなくてもよい。
【００５４】
例えば、図２（ｃ）に示すように、カップ１２０の溝１２４の上端１２４ａは、カップ１２０の上部１２０ｕに達しなくてもよい。また、カップ１２０の溝１２４の下端１２４ｃは、カップ１２０の下部１２０ｄに達しなくてもよい。ただし、カップ１２０の溝１２４の少なくとも下端１２４ｃは、カップ１２０の下部１２０ｄに達していることが好ましい。これにより、カップ１２０の溝１２４に到達した処理液をカップ１２０の下方に落とすことが容易になり、カップ１２０に付着する処理液の量を低減できる。
【００５５】
なお、本実施形態の基板処理装置１００において、カップ１２０の溝１２４は、基板Ｗの回転に伴って基板Ｗからカップ１２０の内周面１２０ａに到達する流体の進行方向に沿って設けられることが好ましい。
【００５６】
以下、図３を参照して、基板処理装置１００におけるカップ１２０に対する基板Ｗからの流体の進行方向を説明する。図３（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０と基板Ｗとの関係を示す模式図であり、図３（ｂ）は、基板処理装置１００におけるカップ１２０の溝１２４と基板Ｗからの流体の進行方向との関係を示す模式図である。
【００５７】
図３（ａ）に示すように、基板Ｗは、回転軸Ａｘを中心に回転する。カップ１２０は、基板Ｗの周囲に設けられる。基板Ｗが回転すると、基板Ｗの回転によって形成された流体は、カップ１２０に向かって進行する。例えば、基板Ｗ上の液体は、基板Ｗの回転によって基板Ｗから飛翔してカップ１２０に向かって進行する。あるいは、基板Ｗの周囲の気体は、基板Ｗの回転によって基板Ｗからカップ１２０に向かって進行する。ここでは、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの外周側面から接線方向に沿って基板Ｗからカップ１２０に向かって液体または気体が進行する。本明細書において、液体または気体を含む流体Ｆがカップ１２０に向かって進行する方向を進行方向Ｆｄと示す。
【００５８】
図３（ｂ）に示すように、カップ１２０の内周面１２０ａには溝１２４が設けられる。溝１２４は、回転方向Ｒに沿って斜めに配置される。なお、溝１２４は、カップ１２０の内周面１２０ａのうち流体Ｆがカップ１２０の内周面１２０ａに到達する到達位置における法線と流体Ｆの進行方向Ｆｄとを含む平面に沿って形成されることが好ましい。
【００５９】
以下、図４〜図６を参照して、本実施形態の基板処理装置１００において好適なカップ１２０における溝１２４の構成を説明する。まず、図４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００のカップ１２０、流体Ｆの進行方向Ｆｄ、および、溝１２４の方向を説明する。
【００６０】
図４（ａ）は、基板Ｗからカップ１２０の内周面１２０ａに向かって流体Ｆが進行方向Ｆｄに沿って進行することを示す模式図である。なお、図３（ａ）では、流体Ｆがカップ１２０の奥側部分に進行することを示したが、図４（ａ）では、流体Ｆがカップ１２０の手前側部分に進行することを示していることに留意されたい。
【００６１】
流体Ｆは、基板Ｗの回転に伴って基板Ｗからカップ１２０に向かって進行する。ここでは、説明の便宜上、基板Ｗの回転による流体は、重力の影響を受けることなく基板Ｗと同一平面に進行するものとする。
【００６２】
図４（ａ）に示すように、流体Ｆは、基板Ｗの回転によってカップ１２０に向かって進行方向Ｆｄに沿って進行する。流体Ｆが進行方向Ｆｄに沿って進行すると、流体Ｆは、カップ１２０の内周面１２０ａの到達位置ｔｐに到達する。
【００６３】
なお、図４（ａ）には、内周面１２０ａの到達位置ｔｐにおける法線を法線Ｎｐとして示している。図４（ａ）は、直線状の法線Ｎｐが一点に視える角度からカップ１２０を視た斜視図である。
【００６４】
図４（ｂ）は、進行方向Ｆｄに沿って進行する流体Ｆがカップ１２０の内周面１２０ａに入射することを示す模式図である。上述したように、流体Ｆは基板Ｗの回転に伴って基板Ｗからカップ１２０に向かって進行している。図４（ｂ）では、カップ１２０の内周面１２０ａを平面に示している。進行方向Ｆｄに従って進行する流体Ｆは、カップ１２０の内周面１２０ａの到達位置ｔｐにおいてカップ１２０の内周面１２０ａに到達する。
【００６５】
図４（ｂ）では、流体Ｆの進行方向Ｆｄを内周面１２０ａに投影した成分Ｆｐに平行な方向を方向Ｌと示し、カップ１２０の内周面１２０ａの法線方向を方向Ｎと示し、方向Ｌおよび方向Ｎに直交する方向を方向Ｍと示している。図４（ｂ）に示すように、流体Ｆは、カップ１２０の内周面１２０ａに対して斜めに近づくように進行方向Ｆｄに沿って進行する。
【００６６】
図４（ｃ）は、カップ１２０の内周面１２０ａと、流体Ｆの進行方向Ｆｄとの関係を示す模式図である。なお、図４（ｃ）は、図４（ｂ）と同様に、カップ１２０の内周面１２０ａの到達位置ｔｐを基準に示している。
【００６７】
図４（ｃ）には、流体Ｆの進行方向Ｆｄと、カップ１２０の内周面１２０ａのうちの到達位置ｔｐを通る法線Ｎｐとを含む平面Ｐ１を示している。平面Ｐ１は、流体Ｆの進行方向Ｆｄを含む平面である。このため、カップ１２０の溝１２４が平面Ｐ１に沿っていると、進行方向Ｆｄに沿って進行する流体Ｆは、カップ１２０の内周面１２０ａにおいて衝突しても、投影した成分Ｆｐを実質的に変更することなく溝１２４に沿って滑らかに進行する。このため、本実施形態では、カップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の内周面１２０ａにおいて平面Ｐ１と平行に形成する。
【００６８】
図４（ｄ）は、溝１２４の形成されたカップ１２０の内周面１２０ａを示す。図４（ｅ）は、溝１２４の設けられた内周面１２０ａの上面図である。溝１２４は、カップ１２０の内周面１２０ａにおいて、Ｌ方向に延びるように形成される。また、溝１２４の延びる方向Ｌは、流体Ｆの進行方向Ｆｄを投影した成分Ｆｐと平行であり、内周面１２０ａのうちの到達位置ｔｐの法線Ｎｐに直交する。
【００６９】
カップ１２０の溝１２４を平面Ｐ１に沿って形成すると、カップ１２０の溝１２４は、流体Ｆの進行方向Ｆｄの成分Ｆｐを実質的に変更しないため、流体Ｆは、カップ１２０の内周面１２０ａにおいて滑らかに進行する。また、流体Ｆは、カップ１２０の溝１２４と比較的広い面積で接触する。これにより、流体Ｆは、カップ１２０においてそれほど跳ね返ることなく溝１２４に沿って滑らかに進行する。このため、本実施形態の基板処理装置１００は、流体Ｆがカップ１２０に衝突する際の不具合を抑制できる。
【００７０】
なお、図４（ｄ）に示したカップ１２０において、溝１２４の断面は矩形状である。ただし、溝１２４の断面は矩形状に限定されない。溝１２４の断面は矩形以外の形状であってもよい。
【００７１】
図４（ｄ）および図４（ｅ）に示すように、カップ１２０の内周面１２０ａには、複数の溝１２４が設けられ、複数の溝１２４は互いに平行であることが好ましい。図４（ｅ）に示すように、流体Ｆが進行方向Ｆｄに沿って進行しても、カップ１２０の内周面１２０ａには、流体Ｆが進行方向Ｆｄを投影した成分Ｆｐに平行な方向Ｌに沿って溝１２４が設けられており、流体Ｆがカップ１２０の内周面１２０ａに対して強く跳ね返ることを抑制できる。
【００７２】
次に、図５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０の溝１２４と基板Ｗからの流体Ｆの進行方向Ｆｄとの関係を説明する。図５（ａ）〜図５（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０の溝１２４の形成方向を示す模式図である。図５（ａ）は、基板Ｗおよびカップ１２０を上方から視た模式的な上面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の基板Ｗおよびカップ１２０を−Ｘ方向（Ｄ２方向）から視た模式的な側面図であり、図５（ｃ）は、図５（ａ）の基板Ｗおよびカップ１２０を−Ｘ方向および−Ｙ方向（Ｄ３方向）から視た模式的な側面図である。また、図５では、説明の便宜上、溝１２４を１本のみ示している。
【００７３】
なお、図５（ｂ）および図５（ｃ）には、特定方向から視た場合のカップ１２０の外周形状が示されていることに留意されたい。ここでは、カップ１２０の側方視は台形状である。なお、図５（ｂ）および図５（ｃ）では、基板Ｗの延びる方向をＸ方向と示している。さらに、図５（ａ）〜図５（ｃ）では、カップ１２０の外周面１２０ｂが見えるはずであるが、ここでは、説明の便宜上、カップ１２０の外周面１２０ｂを透明として取り扱っており、カップ１２０の内周面１２０ａを示していることに留意されたい。
【００７４】
図５（ａ）に示すように、カップ１２０は、基板Ｗの側方を囲むように配置される。基板Ｗは、回転方向Ｒに沿って回転する。基板Ｗが回転する際に、流体Ｆが基板Ｗからカップ１２０に向かって進行することがある。
【００７５】
なお、ここでは、流体Ｆは、基板Ｗの端部からＸ方向に沿ってカップ１２０に向かって進行しており、流体Ｆの進行方向ＦｄはＸ方向と平行である。また、流体Ｆは、カップ１２０に到達位置ｔｐに到達する。このため、図５（ｂ）では、進行方向Ｆｄに沿って進行する流体Ｆは到達位置ｔｐ上に視える。また、法線Ｎｐは、カップ１２０のうちの到達位置ｔｐにおける法線を示す。このため、法線Ｎｐは、カップ１２０の内周面１２０ａの到達位置ｔｐにおいて内周面１２０ａと直交する。
【００７６】
図５（ｂ）に示すように、溝１２４は、流体Ｆの進行方向Ｆｄと、到達位置ｔｐを通過する法線Ｎｐを含む平面Ｐ２とカップ１２０の内周面１２０ａとの交線に沿って形成される。これにより、進行方向Ｆｄに沿ってカップ１２０の内周面１２０ａに向かって進行する流体Ｆは、カップ１２０の内周面１２０ａに衝突すると、内周面１２０ａ上を内周面１２０ａの到達位置ｔｐに形成された溝１２４に沿って滑らかに進行する。このため、流体Ｆがカップ１２０に衝突しても、流体Ｆは、カップ１２０から強い跳ね返り作用を受けることなく内周面１２０ａ上で滑らかに進行するため、流体Ｆとカップ１２０との衝突に起因する不具合の発生を抑制できる。
【００７７】
図５（ｃ）には、流体Ｆの進行方向Ｆｄのうちカップ１２０の内周面１２０ａに投影した成分Ｆｐを示している。図５（ｃ）に示すように、溝１２４は、進行方向Ｆｄを投影した成分Ｆｐと到達位置ｔｐを通過する法線Ｎｐを含む平面Ｐ３とカップ１２０の内周面１２０ａとの交線に沿って形成される。なお、図５（ｃ）に示した角度からは、カップ１２０の内周面１２０ａに形成された到達位置ｔｐを通る溝１２４のうちの下半分しか視えない。
【００７８】
図５（ｃ）でも、溝１２４は、成分Ｆｐと到達位置ｔｐを通過する法線Ｎｐを含む平面Ｐ３とカップ１２０の内周面１２０ａとの交線に沿って形成される。これにより、進行方向Ｆｄに沿ってカップ１２０の内周面１２０ａに向かって進行する流体Ｆは、カップ１２０の内周面１２０ａに衝突すると、内周面１２０ａ上を内周面１２０ａの到達位置ｔｐに形成された溝１２４に沿って滑らかに進行する。このため、流体Ｆがカップ１２０に衝突しても、流体Ｆは、カップ１２０から強い跳ね返り作用を受けることなく内周面１２０ａ上で滑らかに進行するため、流体Ｆとカップ１２０との衝突に起因する不具合の発生を抑制できる。
【００７９】
なお、図３〜図５を参照した上述の説明では、説明および図面が過度に複雑になることを避けるために、基板Ｗの外周側面の１点から流体Ｆがカップ１２０に向かって進行する状況を説明したが、流体は基板Ｗの外周側面の任意の点からカップ１２０に向かって進行し得る。このため、カップ１２０の内周面１２０ａには複数の溝１２４が平行に配置されることが好ましい。
【００８０】
図６は、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０および基板Ｗの模式的な上面図である。ここでも、カップ１２０の外周面１２０ｂが見えるはずであるが、説明の便宜上、カップ１２０の外周面１２０ｂを透明として取り扱っており、図６には、カップ１２０の内周面１２０ａおよび内周面１２０ａの溝１２４を示している。
【００８１】
図６に示すように、カップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の上部１２０ｕから下部１２０ｄに向かって回転方向Ｒに沿って傾いている。なお、カップ１２０の溝１２４は、カップ１２０を平面視した場合には、曲線状に延びるように視える。図６に示すように、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の形状と同様に回転対称構造であることが好ましい。
【００８２】
なお、図１〜図６を参照した上述の説明では、基板Ｗの回転方向Ｒは反時計回りであり、カップ１２０の溝１２４の下端１２４ｃは上端１２４ａよりも反時計回りに沿った位置に配置されていたが、本実施形態はこれに限定されない。基板Ｗの回転方向Ｒは時計回りである場合には、カップ１２０の溝１２４の下端１２４ｃは、上端１２４ａよりも時計回りに沿った位置に配置されてもよい。
【００８３】
また、図１〜図６を参照した上述の説明では、カップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の内周面１２０ａに設けられる一方で、外周面１２０ｂに設けられなかったが、本実施形態はこれに限定されない。カップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の外周面１２０ｂにも設けられてもよい。例えば、外周面１２０ｂの溝は、カップ１２０の内周面１２０ａにおいて隣接する２つの溝１２４を連絡するように配置されてもよい。
【００８４】
さらに、図１〜図６を参照した上述の説明では、カップ１２０は、基板Ｗの側面全周を囲むように設けられたが、本実施形態はこれに限定されない。カップ１２０は、基板Ｗの側面を部分的に分けて囲んでもよい。
【００８５】
なお、図４（ｄ）に示したカップ１２０において、溝１２４の断面は矩形状であったが、本実施形態はこれに限定されない。溝１２４の断面は矩形状以外の形状であってもよい。
【００８６】
次に、図７および図８を参照して溝１２４の断面がＶ字形状であるカップ１２０を説明する。図７（ａ）および図７（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０の模式図である。図７（ａ）は、流体Ｆが進行方向Ｆｄに沿って進行してカップ１２０の内周面１２０ａに入射することを示す模式図である。
【００８７】
方向Ｌは、流体Ｆの進行方向Ｆｄを、カップ１２０の内周面１２０ａに投影した成分Ｆｐに平行な方向である。溝１２４は、方向Ｌに延びている。図７（ａ）でも、溝１２４は、カップ１２０の内周面１２０ａに複数設けられる。
【００８８】
図７（ａ）に示したカップ１２０では、溝１２４の断面はＶ字形状である。図７（ｂ）は、流体Ｆが進行方向Ｆｄに沿って進行してカップ１２０の内周面１２０ａに入射することを示す模式図である。図７（ａ）および図７（ｂ）は、方向Ｌ、方向Ｍおよび方向Ｎに沿って表記している。
【００８９】
図７（ｂ）は、進行方向Ｆｄに沿って進行する流体Ｆの入射するカップ１２０の模式図である。ここでは、カップ１２０の溝１２４がＶ字形状であるため、流体Ｆのカップ１２０に対する入射角を小さくできる。
【００９０】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０の溝１２４と流体Ｆの進行方向Ｆｄとの関係を示す模式図である。図８（ａ）は、流体Ｆが斜めに入射するカップ１２０の模式的な斜視図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）の部分Ｄ８ｂのカップ１２０の内周面１２０ａの一部を拡大した一部拡大図と、流体Ｆが進行方向Ｆｄに沿って入射する第１側面１２４ｐの上面図と、流体Ｆが進行方向Ｆｄに沿って入射する第１側面１２４ｐの側面図を含む。
【００９１】
図８（ａ）に示すように、流体Ｆは、カップ１２０の内周面１２０ａに対して入射角αで入射する。このため、内周面１２０ａから視た流体Ｆの進行方向Ｆｄの単位ベクトルは（−ｓｉｎα，０，ｃｏｓα）と表すことができる。なお、ここでは、カップ１２０の溝１２４は、Ｖ字形状を有している。
【００９２】
図８（ｂ）に示すように、溝１２４は、第１側面１２４ｐと、第２側面１２４ｑとを有する。溝１２４の角度は２βである。第１側面１２４ｐは、法線Ｎｐに対して角度βだけ傾いており、第２側面１２４ｑは、法線Ｎｐに対して角度βだけ傾いている。
【００９３】
図８（ｂ）に示すように、流体Ｆは、進行方向Ｆｄに沿って進行すると、第１側面１２４ｐの到達位置ｔｋに到達する。第１側面１２４ｐの到達位置ｔｋにおける単位法線ベクトルは、（０，ｃｏｓβ，ｓｉｎβ）と表される。ここで、到達位置ｔｋにおける流体Ｆの入射角γを検討する。
【００９４】
図８（ｂ）に示すように、流体Ｆは、第１側面１２４ｐの到達位置ｔｋに対して、入射角γで入射する。進行方向Ｆｄの単位ベクトル（−ｓｉｎα，０，ｃｏｓα）と単位法線ベクトル（０，ｃｏｓβ，ｓｉｎβ）との内積（＝ｃｏｓα・ｓｉｎβ）はｃｏｓγと等しい。すなわち、ｃｏｓα・ｓｉｎβ＝ｃｏｓγである。βが９０°ではない場合、ｓｉｎβは１よりも小さいため、γはαよりも大きくなる。
【００９５】
このように、溝１２４がＶ字形状であることにより、流体Ｆの入射角をさらに大きくすることができる。この場合、流体Ｆは、溝１２４の側面に大きい入射角で入射するため、流体Ｆの跳ね返りを低減できる。
【００９６】
なお、図７および図８に示したカップ１２０では、溝１２４の形状は先端の尖ったＶ字形状であったが、本実施形態はこれに限定されない。溝１２４の形状はＶ字形状でなくてもよく、溝１２４の先端（深部）は丸まっていてもよい。ただし、カップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の内周面１２０ａの法線方向に沿って幅の狭くなるように窪んでいることが好ましい。
【００９７】
また、図７および図８に示したカップ１２０の内周面１２０ａでは、溝１２４以外の部分は平坦であったが、本実施形態はこれに限定されない。内周面１２０ａのうち溝１２４以外の部分は平坦でなくてもよい。内周面１２０ａのうち溝１２４以外の部分は突起してもよい。
【００９８】
なお、図１〜図８を参照した上述の説明では、説明が過度に複雑になることを避けるために流体Ｆに対する重力の影響を考慮しなかったが、本実施形態はこれに限定されない。流体Ｆに対する重力の影響を考慮してもよい。例えば、基板Ｗの回転速度が比較的小さい場合、基板Ｗからカップ１２０に向かう途中で、流体は、基板Ｗと同一のＸＹ平面から鉛直下方に落下しながらカップ１２０に到達する。
【００９９】
図９は、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０と基板Ｗとの関係を示す模式図である。図９に示すように、流体Ｆは、基板Ｗの回転によってカップ１２０に向かって進行方向Ｆｄに沿って進行する。流体Ｆが進行方向Ｆｄに沿って進行すると、流体Ｆは、カップ１２０の内周面１２０ａに到達する。
【０１００】
ここで、カップ１２０の内周面１２０ａのうち、重力の影響を実質的に受けることなく流体Ｆの到達する到達位置を到達位置ｔｐ１と示す。到達位置ｔｐ１は、流体Ｆの重力の影響を実質的に考慮しなかった場合に流体Ｆがカップ１２０に到達する到達位置を示す。到達位置ｔｐ１は、基板Ｗの平面とカップ１２０の内周面１２０ａとの交線の一部である。また、図９では、内周面１２０ａの到達位置ｔｐ１における法線を法線Ｎｐ１と示している。
【０１０１】
また、カップ１２０の内周面１２０ａのうち、重力の影響を受けながら流体Ｆの到達する到達位置を到達位置ｔｐ２と示す。到達位置ｔｐ２は、流体の重力の影響を考慮した場合に流体がカップ１２０に到達する到達位置を示す。流体Ｆが基板Ｗからカップ１２０の到達位置ｔｐ２に到達するまでの過程において、流体Ｆは、基板Ｗの平面から鉛直下方に移動する。このため、到達位置ｔｐ２のＺ座標は、基板Ｗの平面の座標よりも低い位置にある。また、図９では、内周面１２０ａの到達位置ｔｐ２における法線を法線Ｎｐ２と示している。
【０１０２】
なお、法線Ｎｐ１および法線Ｎｐ２は、内周面１２０ａの起点が異なるだけでなく法線Ｎｐ１および法線Ｎｐ２の傾きも異なり、法線Ｎｐ１および法線Ｎｐ２は平行でなくてもよい。ただし、図９では、図面が過度に複雑になることを避けるために、法線Ｎｐ１および法線Ｎｐ２の両方を一点で示している。
【０１０３】
図９から理解されるように、重力の影響を受けた流体Ｆは、カップ１２０の内周面１２０ａに対して鉛直方向の成分を有して入射する。このため、カップ１２０の内周面１２０ａに、重力の影響を受けた流体Ｆの進行方向Ｆｄに沿った溝１２４を形成する場合、溝１２４は、重力による鉛直方向の成分を加味した方向に向いていることが好ましい。
【０１０４】
なお、図２（ａ）〜図２（ｃ）を参照して上述したように、流体Ｆの重力を実質的に無視した場合、カップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の中心から視た場合に内周面１２０ａに対して一直線状に延びていたが、本実施形態はこれに限定されない。流体Ｆの重力を考慮すると、カップ１２０の溝１２４の形状は一直線状でなくてもよい。カップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の中心から視た場合に内周面１２０ａに対して２以上の直線状に延びてもよい。あるいは、カップ１２０の溝１２４は、内周面１２０ａに対して曲線状に延びてもよい。
【０１０５】
図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０の溝１２４を示す模式図である。
【０１０６】
図１０（ａ）に示すように、カップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の中心から視た場合に内周面１２０ａに対して第１方向に延びる第１直線部１２４ｓと、第２方向に延びる第２直線部１２４ｔとを有する。第１直線部１２４ｓおよび第２直線部１２４ｔは連続しており、溝１２４のうち第１直線部１２４ｓは第２直線部１２４ｔよりも鉛直上方に位置する。
【０１０７】
なお、第２直線部１２４ｔと回転方向Ｒとのなす角θ２は、第１直線部１２４ｓと回転方向Ｒとのなす角θ１よりも大きいことが好ましい。これにより、カップ１２０の内周面１２０ａのうち基板Ｗの平面から鉛直下方に流体が到達しても、カップ１２０に到達する流体の進行方向に沿って流体を滑らかに流すことができる。
【０１０８】
また、図１０（ａ）に示したカップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の中心から視た場合に複数の直線状に延びていたが、本実施形態はこれに限定されない。カップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の中心から視た場合に曲線状に延びていてもよい。
【０１０９】
図１０（ｂ）に示すように、カップ１２０の溝１２４の中央部１２４ｂは曲線状である。この場合でも、カップ１２０の溝１２４の下方と回転方向Ｒとのなす角θ２は、カップ１２０の溝１２４の上方と回転方向Ｒとのなす角θ１よりも大きいことが好ましい。中央部１２４ｂの曲線に対する回転方向Ｒとのなす角は、カップ１２０の内周面１２０ａの上部１２０ｕから下部１２０ｄに向かって滑らかに増加する。
【０１１０】
なお、流体Ｆの重力を考慮する場合でも、進行方向Ｆｄに沿って進行する流体Ｆがカップ１２０の内周面１２０ａに沿って進行することが好ましい。
【０１１１】
次に、図１１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０と基板Ｗとの関係を説明する。図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０と基板Ｗとの関係を示す模式図である。なお、図１１の模式図は、流体Ｆの重力を考慮している点を除いて図５の模式図と同様である。このため、冗長な説明を避けるために重複する記載を省略する。
【０１１２】
図１１（ａ）は、基板Ｗおよびカップ１２０を上方から視た模式的な上面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の基板Ｗおよびカップ１２０を−Ｘ方向（Ｄ２方向）から視た模式的な側面図であり、図１１（ｃ）は、図１１（ａ）の基板Ｗおよびカップ１２０を−Ｘ方向および−Ｙ方向（Ｄ３方向）から視た模式的な側面図である。
【０１１３】
図１１（ａ）〜図１１（ｃ）において、カップ１２０の内周面１２０ａのうち重力の影響を実質的に受けることなく流体Ｆの到達する到達位置を到達位置ｔｐ１と示す。到達位置ｔｐ１は、流体Ｆの重力の影響を実質的に考慮しなかった場合に流体Ｆがカップ１２０に到達する到達位置を示す。到達位置ｔｐ１は、基板Ｗの平面とカップ１２０の内周面１２０ａとの交線の一部である。また、内周面１２０ａの到達位置ｔｐ１における法線を法線Ｎｐ１と示している。
【０１１４】
また、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）において、カップ１２０の内周面１２０ａのうち、重力の影響を受けながら流体Ｆの到達する到達位置を到達位置ｔｐ２と示す。到達位置ｔｐ２は、流体の重力の影響を考慮した場合に流体がカップ１２０に到達する到達位置を示す。流体Ｆが基板Ｗからカップ１２０の到達位置ｔｐ２に到達するまでの過程において、流体Ｆは、鉛直下方に移動する。このため、到達位置ｔｐ２のＺ座標は、基板Ｗの平面の座標よりも低い位置にある。また、内周面１２０ａの到達位置ｔｐ２における法線を法線Ｎｐ２と示している。
【０１１５】
なお、ここでは、カップ１２０は側面視で台形形状であり、法線Ｎｐ１は、基板Ｗの回転軸Ａｘと到達位置ｔｐ１とを結ぶ直線とＺ軸からなる平面内にあるため、図１１（ｃ）に示すように、方向Ｄ３からは、法線Ｎｐ２は法線Ｎｐ１とほぼ平行に視える。ただし、図１１（ｂ）に示すように、方向Ｄ２からは、法線Ｎｐ２は法線Ｎｐ１と平行には視えないことに留意されたい。
【０１１６】
図１２は、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０および基板Ｗの模式的な上面図である。ここでも、カップ１２０の外周面１２０ｂが見えるはずであるが、説明の便宜上、カップ１２０の外周面１２０ｂを透明として取り扱っており、図６には、カップ１２０の内周面１２０ａおよび内周面１２０ａの溝１２４を示している。
【０１１７】
図１２に示すように、カップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の上部１２０ｕから下部１２０ｄに向かって回転方向Ｒに沿って傾いている。溝１２４の下部１２０ｄ近傍の回転方向Ｒに対する傾きは、溝１２４の上部１２０ｕ近傍の回転方向Ｒに対する傾きよりも大きい。図１２に示すように、本実施形態の基板処理装置１００におけるカップ１２０の溝１２４は、カップ１２０の形状と同様に回転対称構造であることが好ましい。
【０１１８】
なお、図１に示した基板処理装置１００は、特定方向に延びた溝１２４の設けられたカップ１２０を備えたが、本実施形態はこれに限定されない。基板処理装置１００は、別のカップをさらに備えてもよい。
【０１１９】
以下、図１３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１３は、本実施形態の基板処理装置１００模式図である。図１３の基板処理装置１００は、リンス液供給部１１７およびカップ１２０Ａをさらに備える点を除いて図１の基板処理装置１００と同様の構成を有している。したがって、冗長を避けるために、重複する説明を省略する。
【０１２０】
図１３に示すように、基板処理装置１００は、チャンバー１１２、基板保持部１１４、処理液供給部１１６およびカップ１２０に加えて、リンス液供給部１１７およびカップ１２０Ａをさらに備える。
【０１２１】
リンス液供給部１１７は、配管１１７ａと、バルブ１１７ｂと、ノズル１１７ｃとを含む。配管１１７ａにはリンス液が流れる。ノズル１１７ｃは、配管１１７ａに接続される。配管１１７ａには、リンス液供給源からのリンス液が供給される。配管１１７ａには、バルブ１１７ｂが配置される。バルブ１１７ｂが開くと、リンス液は、ノズル１１７ｃから基板Ｗに供給される。基板Ｗは、リンス液によって洗浄される。
【０１２２】
カップ１２０Ａの内周面には、カップ１２０とは異なり、溝が形成されない。カップ１２０Ａの内周面は平坦である。ここでは、カップ１２０Ａは、カップ１２０の内側に配置されている。
【０１２３】
制御部１０２は、基板保持部１１４、処理液供給部１１６およびカップ１２０に加えてリンス液供給部１１７およびカップ１２０Ａを制御する。例えば、制御部１０２は、カップ１２０およびカップ１２０Ａを選択的に上下に移動できる。例えば、基板Ｗを粘度の高い液体で処理する場合、溝１２４の設けられないカップ１２０Ａを用いて液体を回収することが好ましい。一方、基板Ｗを粘度の低い液体で処理する場合、溝１２４の設けられたカップ１２０を用いて液体を回収することが好ましい。例えば、処理液またはリンス液が水またはアンモニア過酸化水素水混合液（ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とを含む混合液：ＳＣ１）を含む場合、カップ１２０を用いて液体を回収することが好ましい。
【０１２４】
なお、図１３に示すように、カップ１２０Ａがカップ１２０よりも内側に配置されていることが好ましい。これにより、カップ１２０Ａが下方に位置し、カップ１２０が基板Ｗの側方に配置されている場合、カップ１２０は、基板Ｗから進行する液体だけでなく気体もカップ１２０の内周面１２０ａに沿って流すことができる。
【０１２５】
次に、図１４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。本実施形態の基板処理装置１００は複数のチャンバー１１２を備える点で、上述した基板処理装置１００とは異なる。ただし、冗長な説明を避ける目的で重複する記載を省略する。
【０１２６】
図１４は、基板処理装置１００の模式的な平面図である。図１４に示すように、基板処理装置１００は、成分液キャビネット１００Ａと、複数の流体ボックス１００Ｂと、複数のチャンバー１１２と、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲを制御する。制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。
【０１２７】
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲとチャンバー１１２との間で基板Ｗを搬送する。チャンバー１１２の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。流体ボックス１００Ｂの各々は流体機器を収容する。成分液キャビネット１００Ａは、成分液を収容する。
【０１２８】
具体的には、複数のチャンバー１１２は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（図１４では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数のチャンバー１１２（図１４では３つのチャンバー１１２）を含む。複数の流体ボックス１００Ｂは、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。成分液キャビネット１００Ａ内の成分液は、いずれかの流体ボックス１００Ｂを介して、流体ボックス１００Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全てのチャンバー１１２に供給される。
【０１２９】
以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１３０】
本発明は、基板処理装置に好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１３１】
１００    基板処理装置
１１２    チャンバー
１１４    基板保持部
１２０    カップ
１２０ａ  内周面
１２０ｂ  外周面
１２４    溝
Ｗ    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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