(57)【要約】【課題】特性が低下したり変化したりすることを抑制できる電子部品を提供する。【解決手段】可変容量素子２０が形成された基板２１と、可変容量素子２０と電気的に接続されると共に、被実装部材９０と電気的に接続される接続パターン７１、７２と、を備える。そして、基板２１は、基板２１より誘電率が低く、かつ基板２１より絶縁抵抗が高い材料を用いて構成された封止部材で封止されるようにする。また、接続パターン７１、７２は、封止部材３０における外表面３０ａ、３０ｂ上に配置されるようにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変容量素子（２０）を有する電子部品であって、
前記可変容量素子が形成された基板（２１）と、
前記可変容量素子と電気的に接続されると共に、被実装部材（９０）と電気的に接続される接続パターン（７１、７２）と、を備え、
前記基板は、前記基板より誘電率が低く、かつ前記基板より絶縁抵抗が高い材料を用いて構成された封止部材（３０）にて封止されており、
前記接続パターンは、少なくとも一部が前記封止部材における外表面（３０ａ、３０ｂ）上に配置されている電子部品。
【請求項２】
可変容量素子（２０）を有する電子装置であって、
前記可変容量素子が形成された基板（２１）と、
前記可変容量素子と電気的に接続されると共に、被実装部材（９０）と電気的に接続される接続パターン（７１、７２）と、を備え、
前記基板は、前記基板より誘電率が低く、かつ前記基板より絶縁抵抗が高い材料を用いて構成された封止部材（３０）にて封止されており、
前記接続パターンは、少なくとも一部が前記封止部材における外表面（３０ａ、３０ｂ）上に配置され、
前記封止部材にける外表面には、前記可変容量素子と電気的に接続されると共に、アンテナとして機能する導体パターン（７３）が形成されている電子装置。
【請求項３】
前記封止部材には、前記可変容量素子と電気的に接続され、所定の周波数とされた電波を発振させる発振回路（９０）が備えられている請求項２に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可変容量素子を有する電子部品および電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、バラクタダイオード等の可変容量素子を含む電子部品が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。具体的には、この電子部品は、基板にバラクタダイオードが形成されていると共に、基板上に、他の構成部材との接続を図るための配線パターン等が形成されている。
【０００３】
そして、このような電子部品は、例えば、ミリ波レーダ装置を構成するように、アンテナやＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuitの略）チップ等と共に制御基板等に実装されて用いられる。このようなミリ波レーダ装置では、可変容量素子により、アンテナの共振周波数を変更しつつ、電力損失の低減等を図ることができる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Jing Nie1,Yan-Qing Tan1,Chun-Lin Ji, and Ruo-Peng Liu、Analysis of Ku-band Steerable Metamaterials Reflectarray with Tunable Varactor Diodes、2016 Progress In Electromagnetic Research Symposium
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記電子部品では、配線パターンに起因する寄生インダクタンス成分および寄生容量成分（すなわち、寄生ＬＣ成分）について特に考慮されていない。このため、上記電子部品では、これら寄生インダクタンス成分や寄生容量成分によって特性が低下したり変化したりする可能性がある。
【０００６】
本発明は上記点に鑑み、特性が低下したり変化したりすることを抑制できる電子部品および電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するための請求項１では、可変容量素子（２０）を有する電子部品であって、可変容量素子が形成された基板（２１）と、可変容量素子と電気的に接続されると共に、被実装部材（９０）と電気的に接続される接続パターン（７１、７２）と、を備え、基板は、基板より誘電率が低く、かつ基板より絶縁抵抗が高い材料を用いて構成された封止部材（３０）にて封止されており、接続パターンは、少なくとも一部が封止部材における外表面（３０ａ、３０ｂ）上に配置される。
【０００８】
これによれば、封止部材が基板よりも誘電率が低く、かつ基板より絶縁抵抗が高い材料で構成されている。このため、この封止部材上に接続パターンを形成することにより、当該接続パターンに起因する寄生ＬＣ成分を低減できる。したがって、電子部品の特性が変化したり低下したりすることを抑制できる。
【０００９】
また、請求項２では、可変容量素子（２０）を有する電子装置であって、可変容量素子が形成された基板（２１）と、可変容量素子と電気的に接続されると共に、被実装部材（９０）と電気的に接続される接続パターン（７１、７２）と、を備え、基板は、基板より誘電率が低く、かつ基板より絶縁抵抗が高い材料を用いて構成された封止部材（３０）にて封止されており、接続パターンは、少なくとも一部が封止部材における外表面（３０ａ、３０ｂ）上に配置され、封止部材にける外表面には、可変容量素子と電気的に接続されると共に、アンテナとして機能する導体パターン（７３）が形成されている。
【００１０】
これによれば、封止部材が基板よりも誘電率が低く、かつ基板より絶縁抵抗が高い材料で構成されている。このため、この封止部材上に接続パターンを形成することにより、当該接続パターンに起因する寄生ＬＣ成分を低減できる。したがって、電子装置の特性が変化したり低下したりすることを抑制できる。
【００１１】
また、封止部材にアンテナとして機能する導体パターンが形成されているため、例えば、電子装置を被実装部材としての制御基板に実装してミリ波レーダ装置を構成する際、制御基板にアンテナを形成する必要がなくなる。このため、制御基板の小型化を図ることができ、ひいてはミリ波レーダ装置の小型化を図ることができる。
【００１２】
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態における電子部品の断面図である。
【図２】各材料における誘電率および絶縁抵抗の関係を示す図である。
【図３】図１に示す電子部品を備えるミリ波レーダ装置の断面図である。
【図４Ａ】図１に示す電子部品の製造工程を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く電子部品の製造工程を示す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く電子部品の製造工程を示す断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｃに続く電子部品の製造工程を示す断面図である。
【図４Ｅ】図４Ｄに続く電子部品の製造工程を示す断面図である。
【図４Ｆ】図４Ｅに続く電子部品の製造工程を示す断面図である。
【図４Ｇ】図４Ｆに続く電子部品の製造工程を示す断面図である。
【図５】第１実施形態の変形例における電子部品の断面図である。
【図６】第１実施形態の変形例における電子部品の断面図である。
【図７】第２実施形態における電子装置の断面図である。
【図８】図７に示す電子装置を備えるミリ波レーダ装置の断面図である。
【図９Ａ】図７に示す電子装置の製造工程を示す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ａに示す電子装置の製造工程を示す断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｂに示す電子装置の製造工程を示す断面図である。
【図９Ｄ】図９Ｃに示す電子装置の製造工程を示す断面図である。
【図９Ｅ】図９Ｄに示す電子装置の製造工程を示す断面図である。
【図９Ｆ】図９Ｅに示す電子装置の製造工程を示す断面図である。
【図９Ｇ】図９Ｆに示す電子装置の製造工程を示す断面図である。
【図９Ｈ】図９Ｇに示す電子装置の製造工程を示す断面図である。
【図９Ｉ】図９Ｈに示す電子装置の製造工程を示す断面図である。
【図１０】第３実施形態における電子装置の断面図である。
【図１１】第４実施形態における電子装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１５】
（第１実施形態）
第１実施形態について説明する。本実施形態の電子部品は、例えば、車両に搭載されるミリ波レーダ装置を構成する部品として用いられると好適である。なお、ミリ波レーダ装置は、例えば、アダプティブクルーズコントロール（すなわち、ＡＣＣ）を行うために、自車と先行車との間の距離および相対速度を測定するものである。
【００１６】
電子部品１０は、図１に示されるように、可変容量素子としてのバラクタダイオード２０が形成された基板２１を備えている。本実施形態では、基板２１は、一面２１ａおよび一面２１ａと反対側の他面２１ｂを有し、Ｎ型とされたガリウムヒ素基板が用いられている。そして、基板２１には、一面２１ａ側に不純物が拡散されて構成されるＰ型層２２が形成されている。
【００１７】
また、電子部品１０は、バラクタダイオード２０が形成された基板２１を封止する封止部材３０を備えている。本実施形態の封止部材３０における外形は、基板２１の一面２１ａと対向する一面３０ａ、基板２１の他面２１ｂと対向する他面３０ｂを有する略直方体状とされている。なお、本実施形態では、封止部材３０における一面３０ａおよび他面３０ｂが封止部材３０の外表面に相当する。
【００１８】
ここで、封止部材３０は、バラクタダイオード２０が形成される基板２１よりも誘電率が低く、かつ絶縁抵抗が高い材料で構成されている。すなわち、封止部材３０は、基板２１よりも周波数特性が高い材料で構成されている。なお、絶縁抵抗が高いとは、言い換えると、寄生インダクタンス成分が低いことである。つまり、封止部材３０は、基板２１よりも寄生インダクタンス成分および寄生容量成分（すなわち、寄生ＬＣ成分）が低い材料で構成されている。
【００１９】
具体的には、本実施形態では、図２に示されるように、基板２１は、ガリウムヒ素基板で構成されており、誘電率が１３、絶縁抵抗が１．０×１０７Ωｃｍとされている。このため、封止部材３０は、誘電率が１３未満、絶縁抵抗が１．０×１０７Ωｃｍより大きいもので構成されている。本実施形態では、誘電率が約３、絶縁抵抗が約１．０×１０１３Ωｃｍとされているエポキシ樹脂で構成されている。
【００２０】
封止部材３０の内部には、基板２１の一面２１ａ（すなわち、Ｐ型層２２）と電気的に接続される第１電極５１が配置されていると共に、基板２１の他面２１ｂと電気的に接続される第２電極５２が配置されている。本実施形態では、第１電極５１は、基板２１の面方向において、基板２１の一面２１ａから一部が突出するように形成されている。つまり、第１電極５１は、基板２１の面方向に対する法線方向から視たとき、基板２１と重複しない部分を有するように形成されている。同様に、第２電極５２は、基板２１の面方向において、基板２１の他面２１ｂから一部が突出するように形成されている。
【００２１】
封止部材３０には、一面３０ａ側から、第１電極５１を露出させる第１ビアホール４１が形成されていると共に、第２電極５２を露出させる第２ビアホール４２が形成されている。そして、第１ビアホール４１には、第１電極５１と接続される第１貫通ビア６１が埋め込まれている。第２ビアホール４２には、第２電極５２と接続される第２貫通ビア６２が埋め込まれている。封止部材３０の一面３０ａ上には、第１貫通ビア６１と接続される第１接続パターン７１および第２貫通ビア６２と接続される第２接続パターン７２が形成されている。
【００２２】
なお、本実施形態では、第１電極５１、第２電極５２、第１貫通ビア６１、第２貫通ビア６２、第１接続パターン７１および第２接続パターン７２は、それぞれ銅等を用いて構成されるが、アルミニウム等を用いて構成されていてもよい。
【００２３】
以上が本実施形態における電子部品１０の構成である。このような電子部品１０は、ミリ波レーダ装置を構成するように、例えば、図３に示されるように、アンテナ８０、ＭＭＩＣチップ９０、図示しない電源部等が搭載された制御基板１００に実装されて用いられる。具体的には、電子部品１０は、封止部材３０の一面３０ａ側が制御基板１００と対向するように配置され、第１接続パターン７１および第２接続パターン７２と制御基板１００の接続パターンとの間にはんだ等の接合部材１１０を介して制御基板１００に実装される。
【００２４】
なお、制御基板１００には、例えば、各種信号処理回路、マイクロコンピュータ等が形成されている。そして、本実施形態では、制御基板１００が被実装部材に相当する。また、ＭＭＩＣチップ９０は、所定の周波数とされた電波（例えば、ミリ波）を発振させる発振回路である。
【００２５】
次に、上記電子部品１０の製造方法について、図４Ａ〜図４Ｇを参照して説明する。
【００２６】
まず、図４Ａに示されるように、仮固定部材１２０上に、バラクタダイオード２０が形成された基板２１を配置して固定する。本実施形態では、仮固定部材１２０としては、例えば、常温で粘着性を有し、加熱されることで粘着性が低下する熱発泡シートが用いられる。
【００２７】
次に、図４Ｂに示されるように、図示しない金型を用いたトランスファーモールド法等により、基板２１の一面２１ａが露出する状態で当該基板２１の側面を覆う第１封止部材３１を形成する。なお、ここでの側面とは、基板の一面２１ａと他面２１ｂとを繋ぐ面のことである。
【００２８】
続いて、図４Ｃに示されるように、基板２１の一面２１ａと電気的に接続される第１電極５１を形成する。本実施形態では、メッキ法等によって銅で構成される金属膜を形成し、当該金属膜をパターニングすることで第１電極５１を形成する。
【００２９】
その後、図４Ｄに示されるように、図示しない金型を用いたトランスファーモールド法等により、第１電極５１を封止するように、第２封止部材３２を形成する。これにより、第２封止部材３２のうちの第１封止部材３１側と反対側の面にて封止部材３０の一面３０ａが構成される。
【００３０】
続いて、図４Ｅに示されるように、仮固定部材１２０を加熱することで当該仮固定部材１２０の粘着性を低下させ、仮固定部材１２０を基板２１および第１封止部材３１から剥離する。そして、基板２１の他面２１ｂと電気的に接続される第２電極５２を形成する。なお、第２電極５２は、第１電極５１と同様に、メッキ法等によって銅で構成される金属膜を形成し、当該金属膜をパターニングすることで形成される。
【００３１】
その後、図４Ｆに示されるように、図示しない金型を用いたトランスファーモールド法等により、第２電極５２を封止するように、第３封止部材３３を形成する。これにより、第１〜第３封止部材３１〜３３を有する封止部材３０が構成される。また、第３封止部材３３のうちの第１封止部材３１側と反対側の面にて封止部材３０の他面３０ｂが構成される。
【００３２】
次に、図４Ｇに示されるように、封止部材３０の一面３０ａからレーザ等を照射し、封止部材３０に第１電極５１を露出させる第１ビアホール４１を形成すると共に、第２電極５２を露出させる第２ビアホール４２を形成する。そして、第１ビアホール４１および第２ビアホール４２が埋め込まれるように、メッキ等によって銅で構成される金属膜を形成することにより、第１貫通ビア６１および第２貫通ビア６２を形成する。その後、封止部材３０の一面３０ａ上に形成された金属膜をパターニングすることにより、第１貫通ビア６１と接続される第１接続パターン７１および第２貫通ビア６２と接続される第２接続パターン７２を形成する。
【００３３】
以上のようにして、上記電子部品１０が製造される。なお、第１電極５１を構成する金属膜は、例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法やスパッタ法等で形成されてもよい。同様に、第２電極５２、第１貫通ビア６１、第２貫通ビア６２、第１接続パターン７１、第２接続パターン７２を構成する金属膜は、ＣＶＤ法やスパッタ法等で形成されてもよい。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態の電子部品１０では、バラクタダイオード２０が形成された基板２１は、基板２１よりも誘電率が低く、かつ絶縁抵抗が高い材料で構成されている。そして、第１、第２接続パターン７１、７２が封止部材３０の一面３０ａに配置されている。このため、第１、第２接続パターン７１、７２に起因する寄生ＬＣ成分を低減できる。したがって、電子部品１０の特性が変化したり低下したりすることを抑制できる。
【００３５】
また、電子部品１０は、バラクタダイオード２０を構成する基板２１が封止部材３０で封止されて構成されている。このため、封止部材３０を備えない電子部品１０を同じ大きさに構成した場合と比較して、基板２１の使用量を削減できる。したがって、例えば、ウェハを切り出して上記基板２１を構成する場合には、ウェハから得られる基板２１の生産数を多くでき、ひいてはコストの低減を図ることができる。特に、基板２１として高価なガリウムヒ素基板を用いた場合には、コストの低減を大きくできる。
【００３６】
（第１実施形態の変形例）
第１実施形態の変形例について説明する。第１実施形態において、第１接続パターン７１および第２接続パターン７２の少なくとも一部が封止部材３０の一面３０ａ上に形成されるのであれば、適宜形状は変更可能である。
【００３７】
例えば、図５に示されるように、電子部品１０は、第１電極５１と第１接続パターン７１とが共通とされていてもよい。また、図６に示されるように、第１電極５１と第１接続パターン７１とが共通とされつつ、第２電極５２と第２接続パターン７２とが共通とされていてもよい。このような構成では、第１接続パターン７１および第２接続パターン７２の一部が封止部材３０の一面３０ａ上に形成された構成となる。なお、このような構成とする場合には、制御基板１００に実装される場合には、例えば、第２電極５２が接合部材１１０を介して制御基板１００と接続されつつ、第１電極５１がボンディングワイヤ等を介して制御基板１００と接続される。
【００３８】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態の電子部品１０に導体パターン等を備えて電子装置としたものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００３９】
本実施形態の電子装置１３０は、図７に示されるように、バラクタダイオード２０が形成された基板２１を複数備えている。そして、各基板２１は、封止部材３０によって一体的に封止されている。具体的には、各基板２１は、各基板２１の一面２１ａが同一平面上に位置しつつ、規則的に配列された状態で封止部材３０に封止されている。
【００４０】
封止部材３０の内部には、各基板２１の一面２１ａと接続される第１電極５１がそれぞれ配置されている。同様に、封止部材３０の内部には、各基板２１の他面２１ｂと電気的に接続される第２電極５２がそれぞれ配置されている。
【００４１】
また、封止部材３０には、他面３０ｂ側から第２電極５２を露出させる第２ビアホール４２が形成されている。そして、各第２ビアホール４２には、それぞれ第２貫通ビア６２が埋め込まれ、封止部材３０の他面３０ｂ上には、第２貫通ビア６２と接続される第２接続パターン７２が埋め込まれている。
【００４２】
なお、図７中の略中央部に配置された基板２１と接続される第２電極５２は、図７とは別断面において、第２ビアホール４２によって一部が露出するように、基板２１の他面２１ｂから一部が突出するように形成されている。
【００４３】
また、封止部材３０には、図７とは別断面において、他面３０ｂ側から第１電極５１を露出させる第１ビアホール４１も形成されている。つまり、第１電極５１は、第１ビアホール４１によって一部が露出するように、基板２１の一面２１ａから一部が突出するように形成されている。そして、各第１ビアホール４１には、それぞれ第１貫通ビア６１が埋め込まれ、封止部材３０の他面３０ｂ上には、第１貫通ビア６１と電気的に接続される第１接続パターン７１が形成されている。
【００４４】
さらに、封止部材３０には、一面３０ａ側から第１電極５１を露出させる第３ビアホール４３が形成されている。各第３ビアホール４３には、それぞれ第３貫通ビア６３が埋め込まれている。
【００４５】
そして、封止部材３０の一面３０ａには、各第３貫通ビア６３と接続される複数の導体パターン７３が形成されている。この複数の導体パターン７３は、ミリ波レーダ装置が構成された際にアンテナとして機能する部分である。つまり、本実施形態では、封止部材３０上に直接アンテナが配置された構成とされている。
【００４６】
なお、本実施形態では、基板２１が規則的に配列されており、導体パターン７３も規則的に配列される。つまり、複数の導体パターン７３は、アレイアンテナとして機能するように配置されている。また、本実施形態では、第３貫通ビア６３および導体パターン７３は、第１、第２貫通ビア６１、６２、第１、第２接続パターン７１、７２と同様に、銅等で構成される。
【００４７】
さらに、封止部材３０には、他面３０ｂに凹部３０ｃが形成されている。なお、各基板２１の他面２１ｂに接続される第２電極５２は、凹部３０ｃの底面から露出するように適宜引き回されている。
【００４８】
そして、凹部３０ｃには、各基板２１の他面２１ｂに接続された第２電極５２と接続されるように、ＭＭＩＣチップ９０が配置されている。なお、本実施形態では、ＭＭＩＣチップ９０が所定の周波数とされた電波（例えば、ミリ波）を発振させる発振回路に相当する。
【００４９】
以上が本実施形態における電子装置１３０の構成である。そして、このような電子装置１３０は、第１実施形態の電子部品１０と同様に、ミリ波レーダ装置を構成するように、被実装部材としての制御基板１００に実装されて用いられる。具体的には、図８に示されるように、電子装置１３０は、封止部材３０の他面３０ｂ側が制御基板１００と対向するように配置される。そして、電子装置１３０は、第１接続パターン７１および第２接続パターン７２と制御基板１００の接続パターンとの間にはんだ等の接合部材１１０を介して制御基板１００に実装される。つまり、第１接続パターン７１および第２接続パターン７２は、制御基板１００と接合部材１１０を介して電気的、機械的に接続されている。
【００５０】
この場合、本実施形態では、アンテナとして機能する導体パターン７３が形成されている。このため、ミリ波レーダ装置を構成した際、制御基板１００にアンテナ８０を形成する部分が必要無くなり、制御基板１００の小型化を図ることができ、ひいてはミリ波レーダ装置の小型化を図ることできる。
【００５１】
また、電子装置１３０には、ＭＭＩＣチップ９０が搭載されており、制御基板１００にＭＭＩＣチップ９０が搭載されている場合と比較して、バラクタダイオード２０とＭＭＩＣチップ９０との間の配線長さを短くできる。このため、ノイズの影響を低減できる。
【００５２】
以上が本実施形態における電子装置１３０の構成である。次に、上記電子装置１３０の製造方法について、図９Ａ〜図９Ｉを参照して説明する。
【００５３】
まず、図９Ａ〜図９Ｄに示されるように、バラクタダイオード２０が形成された複数の基板２１を用意し、図４Ａ〜図４Ｄと同様の工程を行う。つまり、図９Ａに示されるように、仮固定部材１２０上に複数の基板２１を配置した後、図９Ｂ〜図９Ｄに示されるように、図４Ｂ〜図４Ｄと同様の工程を行って第１封止部材３１、第１電極５１、第２封止部材３２を形成する。
【００５４】
次に、図９Ｅに示されるように、一面３０ａ側からレーザ等を照射し、第１電極５１を露出させる第３ビアホール４３を形成する。そして、第３ビアホール４３が埋め込まれるように、メッキ等によって銅等で構成される金属膜を形成することにより、第３貫通ビア６３を形成する。その後、第２封止部材３２上に形成された金属膜をパターニングすることにより、第３貫通ビア６３と接続される導体パターン７３を形成する。
【００５５】
続いて、図９Ｆに示されるように、図４Ｅと同様の工程を行い、仮固定部材１２０を剥離する。そして、各基板２１の他面２１ｂと電気的に接続される第２電極５２をそれぞれ形成する。
【００５６】
その後、図９Ｇに示されるように、図４Ｆと同様の工程を行い、第３封止部材３３を形成することにより、封止部材３０を構成する。なお、封止部材３０に形成される凹部３０ｃは、第３封止部材３３を形成する際に同時に形成されるようにしてもよいし、第３封止部材３３を形成した後にレーザ等を照射することで形成されるようにしてもよい。
【００５７】
次に、図９Ｈに示されるように、封止部材３０の他面３０ｂからレーザ等を照射し、封止部材３０に第２電極５２を露出させる第２ビアホール４２を形成する。そして、第２ビアホール４２が埋め込まれるように、メッキ等によって金属膜を形成することにより、第２貫通ビア６２を形成する。その後、第３封止部材３３上に形成された金属膜をパターニングすることにより、第２貫通ビア６２と接続される第２接続パターン７２を形成する。
【００５８】
なお、図９Ｈの工程では、図９Ｈとは別断面において封止部材３０の他面３０ｂから第１電極５１を露出させる第１ビアホール４１も形成し、第１貫通ビア６１および第１接続パターン７１も形成する。
【００５９】
その後、図９Ｉに示されるように、封止部材３０の凹部３０ｃにＭＭＩＣチップ９０を実装する。これにより、上記図７に示す電子装置１３０が製造される。
【００６０】
以上説明したように、アンテナとしての導体パターン７３を備えた電子装置１３０としてもよい。この場合、ミリ波レーダ装置を構成した際、制御基板１００にアンテナ８０を形成する部分が必要無くなり、制御基板１００の小型化を図ることができ、ひいてはミリ波レーダ装置の小型化を図ることできる。
【００６１】
また、電子装置１３０には、ＭＭＩＣチップ９０が搭載されている。このため、制御基板１００にＭＭＩＣチップ９０が搭載されている場合と比較して、バラクタダイオード２０とＭＭＩＣチップ９０との間の配線長さを短くできる。したがって、ノイズの影響を低減できる。
【００６２】
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。第３実施形態は、第２実施形態に対し、複数のバラクタダイオード２０を共通の基板２１に形成したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６３】
本実施形態では、図１０に示されるように、複数のバラクタダイオード２０は、共通の基板２１に形成されている。なお、各バラクタダイオード２０は、特に図示していないが、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolationの略）構造等の素子分離構造によって素子分離されている。
【００６４】
以上説明したように、複数のバラクタダイオード２０を備える場合には、複数のバラクタダイオード２０は、共通の基板２１に形成されていてもよい。このような電子装置１３０としても、上記第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６５】
（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。第４実施形態は、第２実施形態に対し、ＭＭＩＣチップ９０を封止部材３０の内部に配置したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６６】
本実施形態では、図１１に示されるように、ＭＭＩＣチップ９０が封止部材３０の内部に配置されている。具体的には、ＭＭＩＣチップ９０は、各基板２１と略同一平面上に位置するように配置されている。なお、このような電子装置１３０は、例えば、図９Ａの工程において、仮固定部材１２０上に、基板２１と共にＭＭＩＣチップ９０も配置することで製造される。
【００６７】
これによれば、ＭＭＩＣチップ９０を配置するための凹部３０ｃを形成する必要がなく、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００６８】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００６９】
例えば、上記各実施形態において、基板２１は、シリコン基板で構成されていてもよい。
【００７０】
また、上記第２実施形態において、ＭＭＩＣチップ９０は、封止部材３０に備えられていなくてもよい。このような電子装置１３０としても、導体パターン７３をアンテナとして機能させることにより、ミリ波レーダ装置を構成した際に当該ミリ波レーダ装置の小型化を図ることができる。
【００７１】
また、上記第１実施形態において、複数の基板２１が封止部材３０に封止されるようにしてもよい。同様に、上記第２、第４実施形態において、１つの基板２１が封止部材３０に封止されるようにしてもよい。
【００７２】
さらに、上記第１実施形態において、第１、第２接続パターン７１、７２は、封止部材３０の他面３０ｂに形成されるようにしてもよい。同様に、上記第２〜第４実施形態において、第１、第２接続パターン７１、７２が封止部材３０の一面３０ａに形成されるようにし、第３接続パターン７３が封止部材３０の他面３０ｂに形成されるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００７３】
２０    バラクタダイオード（可変容量素子）
２１    基板
３０    封止部材
３０ａ  一面
３０ｂ  他面
７１    第１接続パターン
７２    第２接続パターン
９０    制御回路（被実装部材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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【図９Ｇ】
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【図９Ｈ】
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【図９Ｉ】
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【図１０】
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【図１１】
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