(57)【要約】【課題】測定装置における測定誤差を小さくする。【解決手段】電子部品６を、第１支持体１の第１平面上に設けられた第１導体からなる第１シグナル線２及び第１グランド線３と、第１平面上に設けられた第１ループ状導体からなり、第１シグナル線と第１グランド線を接続する第１ループアンテナ４とを有する第１励振基板５を備えるものとする。【選択図】図１
2020043469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１支持体の第１平面上に設けられた第１導体からなる第１シグナル線及び第１グランド線と、前記第１平面上に設けられた第１ループ状導体からなり、前記第１シグナル線と前記第１グランド線を接続する第１ループアンテナとを有する第１励振基板を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
第２支持体の第２平面上に設けられた第２導体からなる第２シグナル線及び第２グランド線と、前記第２平面上に設けられた第２ループ状導体からなり、前記第２シグナル線と前記第２グランド線を接続する第２ループアンテナとを有する第２励振基板を備え、
前記第１励振基板及び前記第２励振基板は、前記第１平面と前記第２平面が平行になるように設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第１励振基板に取り付けられ、かつ、第１ケーブルを接続可能な第１コネクタを備えることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１励振基板に取り付けられ、かつ、第１ケーブルを接続可能な第１コネクタと、
前記第２励振基板に取り付けられ、かつ、第２ケーブルを接続可能な第２コネクタとを備えることを特徴とする、請求項２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１コネクタ及び前記第２コネクタを固定する支持台を備えることを特徴とする、請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記第１ループ状導体は、２回以上螺旋状に巻かれていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記第１ループ状導体及び前記第２ループ状導体の少なくとも一方は、２回以上螺旋状に巻かれていることを特徴とする、請求項２、４、５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
第１支持体の第１平面上に設けられた第１導体からなる第１シグナル線及び第１グランド線と、前記第１平面上に設けられた第１ループ状導体からなり、前記第１シグナル線と前記第１グランド線を接続する第１ループアンテナとを有する第１励振基板と、
第２支持体の第２平面上に設けられた第２導体からなる第２シグナル線及び第２グランド線と、前記第２平面上に設けられた第２ループ状導体からなり、前記第２シグナル線と前記第２グランド線を接続する第２ループアンテナとを有する第２励振基板と、
共振器とを備え、
前記第１励振基板及び前記第２励振基板は、前記第１平面と前記第２平面が平行になるように、前記共振器を挟んで両側に設けられていることを特徴とする測定装置。
【請求項９】
前記共振器は、誘電体円柱と、前記誘電体円柱の上方及び下方に設けられた第１導体層及び第２導体層とを含み、
前記第１励振基板及び前記第２励振基板は、前記誘電体円柱を挟んで両側に、かつ、前記第１導体層と前記第２導体層の間に位置するように設けられていることを特徴とする、請求項８に記載の測定装置。
【請求項１０】
前記第１励振基板、前記第２励振基板及び前記共振器は、前記第１導体層及び前記第２導体層の少なくとも一方と前記第１平面及び前記第２平面が平行になるように設けられていることを特徴とする、請求項９に記載の測定装置。
【請求項１１】
前記第１導体層及び前記第２導体層の少なくとも一方は、被測定導体層であり、
前記第１励振基板及び前記第２励振基板に接続され、導電率を測定する測定部を備えることを特徴とする、請求項９又は１０に記載の測定装置。
【請求項１２】
前記第１励振基板に取り付けられ、かつ、第１ケーブルを接続可能な第１コネクタと、
前記第２励振基板に取り付けられ、かつ、第２ケーブルを接続可能な第２コネクタとを備えることを特徴とする、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項１３】
前記第１コネクタ及び前記第２コネクタを固定する支持台を備えることを特徴とする、請求項１２に記載の測定装置。
【請求項１４】
前記第１ループ状導体及び前記第２ループ状導体の少なくとも一方は、２回以上螺旋状に巻かれていることを特徴とする、請求項８〜１３のいずれか１項に記載の測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及び測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばミリ波やマイクロ波などの高周波領域における誘電体材料の誘電率や誘電正接などの測定については、様々な測定方法が考案されており、例えば、導波管法、空洞共振器法、誘電体共振器法などが存在する。
また、高周波領域における導体材料の導電率や半導体材料の抵抗率などの測定についても、種々の方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２８４５４０号公報
【特許文献２】特開２００６−２０８０７０号公報
【特許文献３】特開２００４−２２６３７９号公報
【特許文献４】特開２０００−４６７５６号公報
【特許文献５】特開２０１５−２２７８５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のような誘電体材料の誘電率や誘電正接、導電材料の導電率、半導体材料の抵抗率などの電気的特性を測定するのに、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法などで用いられているような励振ケーブルを用いる場合がある。
このような励振ケーブルは、同軸構造になっており、その中心のシグナル線（シグナル導体）が引き出され、ループ状に曲げられ、シグナル線の外周に絶縁体を挟んで設けられているグランド線（グランド導体）に接合された励振線構造を有するものとなっている（例えば図１２参照）。
【０００５】
しかしながら、このような励振線構造では、測定誤差が大きくなることがわかった。
本発明は、測定誤差を小さくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１つの態様では、電子部品は、第１支持体の第１平面上に設けられた第１導体からなる第１シグナル線及び第１グランド線と、第１平面上に設けられた第１ループ状導体からなり、第１シグナル線と第１グランド線を接続する第１ループアンテナとを有する第１励振基板を備える。
１つの態様では、測定装置は、第１支持体の第１平面上に設けられた第１導体からなる第１シグナル線及び第１グランド線と、第１平面上に設けられた第１ループ状導体からなり、第１シグナル線と第１グランド線を接続する第１ループアンテナとを有する第１励振基板と、第２支持体の第２平面上に設けられた第２導体からなる第２シグナル線及び第２グランド線と、第２平面上に設けられた第２ループ状導体からなり、第２シグナル線と第２グランド線を接続する第２ループアンテナとを有する第２励振基板と、共振器とを備え、第１励振基板及び第２励振基板は、第１平面と第２平面が平行になるように、共振器を挟んで両側に設けられている。
【発明の効果】
【０００７】
１つの側面として、測定誤差を小さくすることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態にかかる電子部品の構成例を示す模式的斜視図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、本実施形態にかかる電子部品に備えられるループアンテナの構成例を示す模式的平面図である。
【図３】本実施形態にかかる電子部品に備えられる励振基板の構成例を示す模式的断面図である。
【図４】本実施形態にかかる電子部品に備えられる励振基板の構成例を示す模式的斜視図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態にかかる電子部品に備えられる励振基板の構成例を示す模式的断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、本実施形態にかかる電子部品に備えられる励振基板の構成例を示す模式的断面図である。
【図７】本実施形態にかかる電子部品の構成例を示す模式的斜視図である。
【図８】本実施形態にかかる電子部品に備えられる励振基板による作用・効果を説明するための図面である。
【図９】本実施形態にかかる電子部品の構成例を示す模式的斜視図である。
【図１０】本実施形態にかかる測定装置の構成例を示す模式図である。
【図１１】本実施形態にかかる測定装置に備えられる電子部品及び共振器の構成例を示す模式的断面図であって、図１０中、符号Ｘで示す部分を拡大して示す図である。
【図１２】従来の測定装置の構成を示す模式図である。
【図１３】従来の測定装置によって得られる共振波形を示す図である。
【図１４】本実施形態にかかる電子部品及び測定装置による効果を説明するための図である。
【図１５】本実施形態にかかる電子部品に備えられる励振基板の構成例を示す模式的斜視図である。
【図１６】本実施形態にかかる電子部品に備えられる励振基板の構成例を示す模式的平面図及び断面図である。
【図１７】本実施形態にかかる電子部品に備えられる励振基板の構成例を示す模式的断面図である。
【図１８】本実施形態にかかる電子部品に備えられる励振ケーブルの構成例を示す模式的斜視図である。
【図１９】本実施形態にかかる電子部品に備えられる励振ケーブルの周波数−透過特性（Ｓ２１）を示す図である。
【図２０】本実施形態にかかる電子部品に備えられる励振ケーブルのＱ値（ここではＱｌ値、Ｑｕ値）を計算した結果を示す図である。
【図２１】従来の励振ケーブルの構成を示す模式的斜視図である。
【図２２】従来の励振ケーブルの構成を側面視及び上面視で示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる電子部品及び測定装置について、図１〜図２２を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる測定装置は、高周波領域における導体（導体材料）の導電率を測定する導電率測定装置である。
ここでは、導電率測定装置は、例えば約１ＧＨｚ以上、特に、例えば約１ＧＨｚ〜約２０ＧＨｚ程度の高周波領域における導体の表面比導電率を測定する表面比導電率測定装置である。
【００１０】
なお、導電率測定装置を、比導電率測定装置、表面比導電率測定装置、又は、高周波導電率測定装置ともいう。
例えば、表面比導電率測定装置は、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法における試験装置に備えられる結合励振ケーブル及び支持台（例えば図１２参照）を、後述する励振基板５（５Ｘ、５Ｙ）を含む電子部品６（例えば図９、図１１参照）に置き換えることによって構成することができる。
【００１１】
ここで、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法における装置（試験装置；測定装置）は、誘電体共振器法（誘電体円柱共振器法）を用いた装置であって、以下のように構成される。
つまり、この装置は、図１２に示すように、２つの円板状の導体板（導体円板）及び誘電体円柱を、導体円板（第１導体層）、誘電体円柱、導体円板（第２導体層）の順に重ねた３層構造の共振器（誘電体共振器）を備える。
【００１２】
また、この３層構造の共振器を構成する上下の導体円板の間に、一端（先端）に結合ループを有し、他端がコネクタになっている２本一対の結合励振ケーブル（励振線）の先端側部分が挿入される。なお、結合ループを、ループアンテナ又は微小ループアンテナともいう。
また、これらの２本の結合励振ケーブルは、支持台に支持され、ケーブル固定ネジで固定される。
【００１３】
そして、２本の結合励振ケーブルのコネクタは、それぞれ、同軸ケーブル５０、５１によって、例えばネットワークアナライザなどの測定器（共振測定器；測定部）５２に接続される（例えば図１０参照）。なお、全透過レベルを測定する際には、基準レベル測定ケーブルが接続される。
このような装置を用いることで、図１３に示すような共振波形及び共振ピーク波長が得られる。
【００１４】
このＱ値又は先鋭度とも呼ばれる共振ピークの鋭さは、測定系の構造のほか、誘電体円柱での電磁界エネルギの損失、導体円板での電磁界エネルギの損失などで決定されるため、別の測定結果と合わせて計算することで、誘電体円柱の損失と導体円板の損失を切り分けて計算することができる。
これにより、該当周波数（特定周波数）における導体表面の導電率、即ち、導体の表面比導電率を求めることができる。つまり、上述のような装置の共振器の高周波共振波形から導体の表面比導電率を計算することができる。
【００１５】
なお、導体の表面比導電率を測定する場合には、上下の導体円板の少なくとも一方（ここでは両方）が測定試料となり、その表面が被測定面（被測定導体面）となる。また、誘電体の誘電率や誘電正接などの誘電特性を測定する場合には、誘電体円柱が測定試料となる。
また、上下の導体円板に代えて、金属層（導体層）が設けられた誘電体基板を用いることで、金属（導体）と誘電体の界面の導電率を測定することができる。また、誘電体円柱と上下の導体円板の少なくとも一方との間に測定試料としての誘電体層又は半導体層を設けることで、誘電体の誘電特性や半導体の抵抗率などを測定することもできる。
【００１６】
このように、上述のような装置では、誘電体の誘電特性、半導体の抵抗率、導体表面の導電率、導体と誘電体の界面の導電率などの電気的特性（電気的物性値）の測定を行なうことができる。
ところで、例えば、電子機器に用いられる配線板は、絶縁材料と導体材料から形成され、これらの各種絶縁材料と導体材料の特性を求めたいという要求がある。
【００１７】
例えば約１ＧＨｚ以上、特に、例えば約１ＧＨｚから約２０ＧＨｚ程度の周波数での誘電体材料の誘電率や誘電正接の測定については、様々な測定方法が考案されており、例えば導波管法、空洞共振器法、誘電体共振器法などが存在する。
また、例えば、導体の電気的特性（例えば表面比導電率）の測定に関しては、誘電体共振器法において、誘電率や誘電正接を高精度に決定することができれば、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法などを用いることで、導出可能である。
【００１８】
しかしながら、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法などでは、励振ケーブル（結合励振ケーブル）が用いられる。
そして、励振ケーブルは、同軸構造になっており、その中心のシグナル線（シグナル導体；信号線；信号導体）が引き出され、ループ状に曲げられ、シグナル線の外周に絶縁体を挟んで設けられているグランド線（グランド導体；接地導体）に例えばはんだ付けや点溶接などで接合された励振線構造を有する（例えば図１２のＡ部拡大図参照）。
【００１９】
そして、このような励振線構造を有する励振ケーブルを用いると、測定誤差が大きくなることが判明した。
また、これは、引き出した信号線を真っ直ぐなループ形状に作製することが困難であること、励振ケーブルを水平に固定することが困難であることなどが一因であることが判明した（例えば図８の従来技術の欄を参照）。
【００２０】
そこで、本実施形態では、例えば図１０に示すような測定器５２と接続するための励振線構造として、水平性の高い励振線構造を実現すべく、回路基板（配線基板；配線板）からなる励振線構造を用いている。
つまり、本実施形態では、図１に示すように、支持体１の平面上に設けられた導体からなるシグナル線（信号線）２及びグランド線３（３Ａ、３Ｂ）と、平面上に設けられたループ状導体からなり、シグナル線２とグランド線３（ここでは３Ａ）を接続するループアンテナ４とを有する励振基板５を用いている。つまり、このような励振基板５を備える電子部品６を用いている。
【００２１】
なお、励振基板５に備えられる支持体、平面、導体、シグナル線、グランド線、ループ状導体、ループアンテナを、それぞれ、第１支持体、第１平面、第１導体、第１シグナル線、第１グランド線、第１ループ状導体、第１ループアンテナともいう。
このように、励振線構造を有する回路基板、即ち、励振線として機能する励振基板５を用いている。
【００２２】
この場合、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法などで、上述のようにして形成される結合ループに該当する部分（例えば図１２のＡ部拡大図参照）は、回路基板のパターニングによって形成されることになる。
このため、励振線構造を安定的に作製することが可能となる。
また、図８に示すように、ループアンテナ４の部分の水平度が格段に向上する。
【００２３】
また、基板の製造技術によって、ループアンテナ４の部分の平面度が格段に向上する。例えば、約１ｍｍの長さに対して約１０μｍ以内の平坦度を有するものとすることが可能である。
これに対し、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法などの従来技術における、同軸構造の励振線のシグナル線を引き出して、ループ状に曲げて形成される結合ループの場合は、先端部分で約３００μｍ程度曲がる場合がある。
【００２４】
また、上述のように構成される励振基板５は、面方向に広く平坦なため、ループアンテナ４を含む励振線構造を水平に設置することが容易となる。
つまり、ループアンテナ４を水平にセットするのが容易となり、ループアンテナ４と被測定面を容易に平行にすることが可能となる。
これに対し、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法などの従来技術における、同軸構造の励振線のシグナル線を引き出して、ループ状に曲げて形成される結合ループの場合は、設置の際に回転してしまうため、結合ループを水平にセットするのが難しい。
【００２５】
これにより、上述のような導電率測定装置の検出感度（測定感度）を高めることができる。つまり、本実施形態にかかる電子部品６は、上述のような導電率測定装置の検出感度を高めるための電子部品である。この結果、測定誤差を小さくすることができる。
なお、図８では、本発明のものとして図４に示す構成例を図示しているが、他の構成例（例えば図１、図２、図５、図６参照）の場合も同様である。
【００２６】
ここで、励振基板５は、一般的な回路基板と同様に、導体と絶縁体からなるものとすれば良く、その材料としては、例えば、導体は、銅、銀、アルミなどであり、絶縁体は、エポキシ、ポリイミド等の有機材料、ガラス、セラミックス等の無機材料などである。
例えば、支持体１としてガラス基板（絶縁体；絶縁基板；絶縁層）１Ｘを用い、このガラス基板１Ｘの表面（支持体の平面）に銅などの導体（導体層）をパターニングして、シグナル線２、グランド線３（３Ａ、３Ｂ）及びこれらを接続するループアンテナ４を設けて、励振線構造を有する励振基板５を形成すれば良い。
【００２７】
ここでは、ガラス基板１Ｘの表面の中央の細い線状に設けられた導体が信号線２であり、その両側方に設けられた導体がグランド線３（３Ａ、３Ｂ）であり、これらを接続するようにループ状に設けられた導体がループアンテナ４である。
なお、ここでは、ガラス基板１Ｘの裏面にも銅などの導体をパターニングして、グランド線３（３Ｃ）を設けている。
【００２８】
そして、信号線２が、後述するコネクタ８を介して、同軸ケーブル５０、５１（例えば図１０参照）の信号線と接続され、グランド線３が、同軸ケーブル５０、５１（例えば図１０参照）のグランド線と接続される。
ここで、導体層の厚さは、約５μｍ〜約５０μｍ程度であり、導体のパターン幅は、約１０μｍ以上である。また、基板の長さは、約２０ｍｍ〜約１００ｍｍ程度であり、幅は約５ｍｍ〜約２０ｍｍ程度であり、厚さは約１００μｍ〜約１０００μｍ程度である。
【００２９】
なお、ここでは、基板の表裏に導体パターンを設けているが、その上面及び下面に絶縁層を追加して、導体パターンを保護しても良い。この場合、絶縁層の厚さは、約１０μｍ〜約２００μｍ程度とすれば良い。
また、ループアンテナ４の寸法に関しては、目的とする周波数によって適切な数値が異なる。
【００３０】
ループアンテナ４を構成する導体の長さに関しては、ループが長いほど、一般に検出される信号波形は強くなるものの、長すぎると本来のＱ値が出ず、不適切な測定結果となる。
例えば、約５ＧＨｚをターゲットとした場合は、ループの長さの上限は約１５ｍｍとなるが、約２０ＧＨｚをターゲットとした場合は、ループの長さの上限は約３．７５ｍｍとなる。
【００３１】
このような上限を超えない範囲でループは長い方が、Ｓ／Ｎ比の観点から測定系の構築が容易になり、望ましい。
また、ループアンテナ４の形状は、ループ状の形状、即ち、周回する形状であれば良く、例えば図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すように、円形状、多角形状など、励振構造（微小なループアンテナ）としての役割を果たす形状であれば良い。
【００３２】
また、上述のようにして導体のパターニングによってループアンテナ４を形成することで、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法などで、はんだ付けなどによって形成される結合ループと比較して、ループ長さの誤差が格段に小さくなる。このため、ループ長さの制御が容易となり、この点からも信号検出に優れた励振線を形成することが可能となる。
【００３３】
なお、ここでは、回路基板としての励振基板５を、支持体１としてのガラス基板（支持基板；絶縁体）１Ｘの表裏に導体パターンのある導体層２層構造とし、表面導体パターンを信号線２の両側にグランド線３（３Ａ、３Ｂ）を備えるものとする場合（図１参照）を例示しているが、これに限られるものではない。
例えば、図３、図４に示すように、励振基板５を、支持体１としてのガラス基板（支持基板；絶縁体）１Ｘの表裏に導体パターンのある導体層２層構造とし、表面導体パターンを信号線２の片側にグランド線３（３Ａ）を備えるものとしても良い。
【００３４】
また、例えば図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示すように、励振基板５を、支持体１としてのガラス基板（支持基板；絶縁体）１Ｘの表面のみに導体パターンのある導体層１層構造としても良い。
この場合、例えば図５（Ａ）に示すように、表面導体パターンを信号線２の片側にグランド線３（３Ａ）を備えるものとしても良いし、例えば図５（Ｂ）に示すように、表面導体パターンを信号線２の両側にグランド線３（３Ａ、３Ｂ）を備えるものとしても良い。
【００３５】
また、ここでは、強度を出すために、支持体１に用いられる絶縁体をガラスとしているが、これに限られるものではなく、例えばパナソニック社製Megtron GXなどの有機材料（有機基板材料）などを用いても良い。
例えば図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示すように、支持体１に用いられる絶縁体を、樹脂が含まれる絶縁材料（樹脂材料）からなる樹脂体（樹脂層）１Ｙとしても良い。
【００３６】
この場合、樹脂層１Ｙとして複数の樹脂層を積層させることが好ましい。
例えば、図６（Ａ）に示すように、励振基板５を、樹脂層１Ｙとしての下部樹脂層（絶縁体）１ＹＡの表裏に導体パターンのある導体層２層構造とし、下部樹脂層１ＹＡの表面に形成される導体パターンを信号線２の両側にグランド線３（３Ａ、３Ｂ）を備えるものとし、その上に樹脂層１Ｙとしての上部樹脂層（絶縁体）１ＹＢを備えるものとしても良い。
【００３７】
さらに、例えば図６（Ｂ）に示すように、上部樹脂層１ＹＢの表面にグランド線３（３Ｄ）となる導体パターンを設けても良い。
つまり、励振基板５を、下部樹脂層１ＹＡの下側（裏面側）、下部樹脂層１ＹＡと上部樹脂層１ＹＢの間、及び、上部樹脂層１ＹＢの上側（表面側）に導体パターンのある導体層３層構造とし、下部樹脂層１ＹＡと上部樹脂層１ＹＢの間の導体パターンを信号線２の両側にグランド線３（３Ａ、３Ｂ）を備えるものとし、下部樹脂層１ＹＡの裏面及び上部樹脂層１ＹＢの表面にグランド線３（３Ｃ、３Ｄ）となる導体パターンを設けても良い。
【００３８】
また、例えば図６（Ｃ）に示すように、図６（Ｂ）に示す構成のものに、さらに、表面及び裏面を保護するために、表面保護用の絶縁層７Ａ、７Ｂを設けても良い。
このようにして、支持体１は、剛性の高いものとするのが好ましい。
つまり、例えば、支持体１は、ガラス基板１Ｘとし、シグナル線２、グランド線３及びループアンテナ４を構成する導体及びループ状導体が設けられる支持体１の平面は、ガラス基板１Ｘの表面とすれば良い。
【００３９】
また、例えば、支持体１は、シグナル線２、グランド線３及びループアンテナ４を構成する導体及びループ状導体を挟んで上下に積層された下部樹脂層１ＹＡ及び上部樹脂層１ＹＢによって構成されるものとし、導体及びループ状導体が設けられる支持体１の平面は、下部樹脂層１ＹＡの表面としても良い。
ところで、図１に示すように、上述のように構成される励振基板５に、ケーブル［ここでは同軸ケーブル５０（５１）；図１０参照］を接続可能なコネクタ８を取り付けても良い。
【００４０】
つまり、上述のように構成される励振基板５に取り付けられ、かつ、ケーブルを接続可能なコネクタ８を備えるものとしても良い。
この場合、電子部品６は、上述の励振基板５と、このようなコネクタ８とを備えるものとなる。
なお、コネクタ８は、励振基板５とケーブル［ここでは同軸ケーブル５０（５１）；図１０参照］を接続するためのものである。このため、コネクタ８は、ケーブル［ここでは同軸ケーブル５０（５１）；図１０参照］が接続される部分８Ａを有する。
【００４１】
また、例えば図７に示すように、ねじ９を用いてねじ止めするなどの方法によって、コネクタ８を励振基板５に取り付ければ良い。
例えば、励振基板５のループアンテナ４が設けられている側の反対側の端部に、同軸ケーブル５０（５１）（図１０参照）を接続可能なエッジコネクタを取り付ければ良い。
ここで、エッジコネクタには様々な種類があるが、同軸ケーブルと薄型（約１００μｍ〜約１０００μｍ程度）の基板の接続に用いるもので、特に、近年の技術の進歩によって開発された、Ｋコネクタ又はＶコネクタと接続可能なEnd-Launchと呼ばれるタイプのコネクタ（例えばWaka製作所製End-Launch 2.92mmK Connectors）などを用いるのが望ましい。
【００４２】
ところで、上述のように構成される励振基板５に取り付けられたコネクタ８を支持台１０に固定するようにしても良い（例えば図９参照）。
つまり、上述のように構成される励振基板５に取り付けられたコネクタ８を固定する支持台１０を備えるものとしても良い（例えば図９参照）。
この場合、電子部品６は、上述の励振基板５及びコネクタ８に加え、コネクタ８を固定する支持台１０を備えるものとなる（例えば図９参照）。
【００４３】
ここで、支持台１０へのコネクタ８の固定方法としては、コネクタ８の形状（長方形形状）に合わせて支持台１０を削り、その隙間にコネクタ８を嵌合させ、固定用の押え部材１１によって押え、図示していないねじによってねじ止めするなどの方法がある（例えば図９参照）。
例えば、上述のように、励振基板５を取り付ける部分が平面になっており、また、支持台１０に固定する部分が平面になっており、これらの平面が平行になっているコネクタ８（例えば図１、図９参照）を用いることで、上述のように構成される励振基板５及びコネクタ８を、支持台１０に水平に固定することが可能となる（例えば図８参照）。
【００４４】
つまり、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法などで用いられる結合励振ケーブルでは、これをトルクレンチで締め付ける際に結合励振ケーブルが回転してしまい、水平に固定するのが困難であった（例えば図８参照）。
これに対し、上述のコネクタのように、励振基板５を取り付ける部分が平面になっており、また、支持台１０に固定する部分が平面になっており、これらの平面が平行になっているコネクタ８（例えば図１、図９参照）を用いることで、上述のように構成される励振基板５及びコネクタ８を、支持台１０に水平に固定することが可能となる（例えば図８参照）。これにより、検出感度をより向上させ、測定誤差をより小さくすることが可能である。
【００４５】
また、上述のように構成される励振基板５及びコネクタ８を支持台１０に取り付けた後に（例えば図９参照）、コネクタ８にケーブル［ここでは同軸ケーブル５０（５１）；図１０参照］を接続する際に、ループアンテナ４を含む励振線構造（ここでは励振基板５）が回転してしまうのを防止することも可能となり、水平度の向上に大きく寄与する（例えば図８参照）。これにより、検出感度をより向上させ、測定誤差をより小さくすることが可能である。
【００４６】
ところで、本実施形態では、図９に示すように、電子部品６は、支持体１の平面上に設けられた導体からなるシグナル線（信号線）２及びグランド線３（３Ａ、３Ｂ）と、平面上に設けられたループ状導体からなり、シグナル線２とグランド線３（ここでは３Ａ）を接続するループアンテナ４とを有する第１励振基板５Ｘ（５）を備える。なお、第１励振基板５Ｘは、回路基板からなる励振線である。
【００４７】
この第１励振基板５Ｘにおいて、ループアンテナ４は、ほぼ平坦に設けられ、平面内に保持され、一端は信号線２、他端はグランド線３（ここでは３Ａ）に接続されることになる。
なお、第１励振基板５Ｘに備えられる支持体、平面、導体、シグナル線、グランド線、ループ状導体、ループアンテナを、それぞれ、第１支持体、第１平面、第１導体、第１シグナル線、第１グランド線、第１ループ状導体、第１ループアンテナともいう。
【００４８】
また、支持体１の平面上に設けられた導体からなるシグナル線２及びグランド線３（３Ａ、３Ｂ）と、平面上に設けられたループ状導体からなり、シグナル線２とグランド線３（ここでは３Ａ）を接続するループアンテナ４とを有する第２励振基板５Ｙ（５）を備える。なお、第２励振基板５Ｙは、回路基板からなる励振線である。
この第２励振基板５Ｙにおいて、ループアンテナ４は、ほぼ平坦に設けられ、平面内に保持され、一端は信号線２、他端はグランド線３（ここでは３Ａ）に接続されることになる。
【００４９】
なお、第２励振基板５Ｙに備えられる支持体、平面、導体、シグナル線、グランド線、ループ状導体、ループアンテナを、それぞれ、第２支持体、第２平面、第２導体、第２シグナル線、第２グランド線、第２ループ状導体、第２ループアンテナともいう。
そして、第１励振基板５Ｘ及び第２励振基板５Ｙは、第１平面と第２平面が平行になるように設けられている。
【００５０】
これにより、第１励振基板５Ｘの第１平面上に設けられる第１ループアンテナ４Ｘ（４）と、第２励振基板５Ｙの第２平面上に設けられる第２ループアンテナ４Ｙ（４）とが、平行になる。
この場合、第１ループアンテナ４Ｘ（４）と第２ループアンテナ４Ｙ（４）は、上下方向（垂直方向）にずれても良いが、水平方向（左右方向）にずれると測定に影響を与えることになるため、好ましくない。
【００５１】
また、本実施形態では、電子部品６は、第１励振基板５Ｘに取り付けられ、かつ、第１ケーブルを接続可能な第１コネクタ８Ｘ（８）と、第２励振基板５Ｙに取り付けられ、かつ、第２ケーブルを接続可能な第２コネクタ８Ｙ（８）とを備える。
また、本実施形態では、電子部品６は、第１コネクタ８Ｘ及び第２コネクタ８Ｙを固定する支持台１０を備える。
【００５２】
また、第１支持体１Ａは、第１ガラス基板であり、第２支持体１Ｂは、第２ガラス基板であり、第１平面は、第１ガラス基板の表面であり、第２平面は、第２ガラス基板の表面であることが好ましい（例えば図１、図３〜図５参照）。
また、第１支持体１Ａは、第１導体及び第１ループ状導体を挟んで上下に積層された第１下部樹脂層及び第１上部樹脂層によって構成され、第２支持体１Ｂは、第２導体及び第２ループ状導体を挟んで上下に積層された第２下部樹脂層及び第２上部樹脂層によって構成され、第１平面は、第１下部樹脂層の表面であり、第２平面は、第２下部樹脂層の表面であることが好ましい（例えば図６参照）。
【００５３】
このような構成を有するものとすることで、水平性の高い励振線構造を実現することができる。このような水平性の高い励振線構造は、例えば、高周波測定用の励振線構造、表面比導電率測定用の励振線構造などとして用いるのが好ましい。
そして、上述のように構成される励振基板５（第１励振基板５Ｘ及び第２励振基板５Ｙ）を含む電子部品６（例えば図９参照）を、上述のように構成される導電率測定装置（例えば図１０、図１２参照）に用いることで、導電率測定装置の検出感度を高めることができ、この結果、測定誤差を小さくすることができる。なお、図１１中、符号Ｘは、図１０の符号Ｘで示す部分を拡大して示したものである。
【００５４】
具体的には、ＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法における試験装置に備えられる結合励振ケーブル及び支持台（例えば図１２参照）を、上述のように構成される励振基板５（第１励振基板５Ｘ及び第２励振基板５Ｙ）を含む電子部品６に置き換えることで（例えば図９、図１１参照）、上述のように構成される導電率測定装置の検出感度を高めることができ、この結果、測定誤差を小さくすることができる。
【００５５】
この場合、図１１に示すように、測定装置１２は、上述の第１励振基板５Ｘと、上述の第２励振基板５Ｙと、共振器１３とを備え、第１励振基板５Ｘ及び第２励振基板５Ｙは、第１平面１７と第２平面１８が平行になるように、共振器１３を挟んで両側に設けられているものとなる。なお、共振器１３を高周波共振器ともいう。
また、共振器１３は、誘電体円柱１４と、誘電体円柱１４の上方及び下方に設けられた第１導体層１５及び第２導体層１６とを含み、第１励振基板５Ｘ及び第２励振基板５Ｙは、誘電体円柱１４を挟んで両側に、かつ、第１導体層１５と第２導体層１６の間に位置するように設けられているものとなる。なお、共振器１３を誘電体共振器ともいう。
【００５６】
また、第１励振基板５Ｘ、第２励振基板５Ｙ及び共振器１３は、第１導体層１５及び第２導体層１６の少なくとも一方（ここでは両方）と第１平面１７及び第２平面１８が平行になるように設けられているものとなる。
また、第１導体層１５及び第２導体層１６の少なくとも一方（ここでは両方）は、被測定導体層であり、第１励振基板５Ｘ及び第２励振基板５Ｙに接続され、導電率を測定する測定部５２を備えるものとなる（例えば図１０参照）。
【００５７】
例えば、導体の表面比導電率を測定する場合には、誘電体円柱１４の上方及び下方に設けられた第１導体層１５及び第２導体層１６の少なくとも一方（ここでは両方）が被測定導体層（測定試料）となり、その表面が被測定面（被測定導体面）となる。
そして、被測定面に対して、第１励振基板５Ｘの第１平面１７及び第２励振基板５Ｙの第２平面１８（即ち、第１励振基板５Ｘ及び第２励振基板５Ｙの積層構造の各層に沿う方向）が平行になるように、第１励振基板５Ｘ、第２励振基板５Ｙ及び共振器１３が設けられることになる。
【００５８】
また、第１励振基板５Ｘに取り付けられ、かつ、第１ケーブル（ここでは同軸ケーブル５０；図１０参照）を接続可能な第１コネクタ８Ｘと、第２励振基板５Ｙに取り付けられ、かつ、第２ケーブル（ここでは同軸ケーブル５１；図１０参照）を接続可能な第２コネクタ８Ｙとを備えるものとなる。
また、第１コネクタ８Ｘ及び第２コネクタ８Ｙを固定する支持台１０を備えるものとなる（例えば図９参照）。
【００５９】
また、第１支持体１Ａ（例えば図９参照）は、第１ガラス基板であり、第２支持体１Ｂ（例えば図９参照）は、第２ガラス基板であり、第１平面１７は、第１ガラス基板の表面であり、第２平面１８は、第２ガラス基板の表面であることが好ましい（例えば図１、図３〜図５参照）。
また、第１支持体１Ａ（例えば図９参照）は、第１導体及び第１ループ状導体を挟んで上下に積層された第１下部樹脂層及び第１上部樹脂層によって構成されており、第２支持体１Ｂ（例えば図９参照）は、第２導体及び第２ループ状導体を挟んで上下に積層された第２下部樹脂層及び第２上部樹脂層によって構成されており、第１平面は、第１下部樹脂層の表面であり、第２平面は、第２下部樹脂層の表面であることが好ましい（例えば図６参照）。
【００６０】
なお、ここでは、誘電体円柱１４の上方及び下方に設けられた第１導体層１５及び第２導体層１６の少なくとも一方（ここでは両方）が被測定導体層（測定試料）となり、導体の表面比導電率（高周波導電率）を測定する測定装置を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではない。
例えば、上述のように構成される測定装置１２を、誘電体の誘電率や誘電正接などの誘電特性を測定する測定装置として用いることもできる。この場合、誘電体円柱１４が測定試料となる。
【００６１】
また、誘電体円柱１４の上方及び下方に設けられた第１導体層１５及び第２導体層１６を、誘電体基板に設けられた金属層（導体層）とすることで、金属（導体）と誘電体の界面の導電率を測定する測定装置として用いることもできる。
また、誘電体円柱１４とその上方及び下方に設けられた第１導体層１５及び第２導体層１６の少なくとも一方との間に測定試料としての誘電体層又は半導体層を設けることで、誘電体の誘電特性や半導体の抵抗率などを測定する測定装置として用いることもできる。
【００６２】
このように、上述のように構成される測定装置１２は、誘電体の誘電特性、半導体の抵抗率、導体表面の導電率、導体と誘電体の界面の導電率などの電気的特性（電気的物性値）の測定を行なうのに用いることができる。
したがって、本実施形態にかかる電子部品及び測定装置は、測定誤差を小さくすることができるという効果を有する。
【００６３】
ここで、図１４は、本実施形態の励振基板５（５Ｘ、５Ｙ）を水平にした場合（水平構造）と、故意に傾斜させた場合（傾斜構造）の特性を示している。
ここでは、傾斜角度は約６．８４度とした。
図１４に示すように、水平にした場合の導体の表面比導電率σrは１００%である。
一方、傾斜させた場合は、測定されるＱ値が悪化しており、その値から求められる表面比導電率σrは、実に真値から約６％もの誤差を含んでおり、これでは正確な表面比導電率を測定していることにはならない。
【００６４】
なお、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法などで、同軸構造の励振線のシグナル線を引き出して、ループ状に曲げて形成される結合ループの傾斜角度は約２０度以上になる場合がある。このため、故意に傾斜させた場合よりも誤差が大きくなると考えられる。
これに対し、上述の実施形態のような構成を採用することで、ループアンテナ４を含む励振線構造である励振基板５（５Ｘ、５Ｙ）を水平に設置することが可能であるため、傾斜によって生じるこれほどの測定誤差（測定精度）を改善し、測定誤差を小さくすることができる。
【００６５】
なお、上述の実施形態の電子部品６及び測定装置１２では、コネクタ８や支持台１０を備えるものとしているが、これに限られるものではなく、上述のように構成されるコネクタや支持台を備えないものとしても良い。
また、上述の実施形態の電子部品６及び測定装置１２は、２つの励振基板５Ｘ、５Ｙを備えるものとしているが、これに限られるものではなく、測定装置の構成に応じて、２つ以上の励振基板を備えるものとしても良い。
【００６６】
また、上述の実施形態の電子部品６が、上述の実施形態の共振器１３を含むものとして構成しても良い。
また、上述の実施形態では、共振器１３を、誘電体円柱１４と、誘電体円柱１４の上方及び下方に設けられた第１導体層１５及び第２導体層１６とを含むものとしているが、これに限られるものではなく、共振器は、他の構成であっても良い。
【００６７】
例えば、誘電体円柱１４の上方及び下方に設けられた第１導体層１５及び第２導体層１６を、誘電体基板に設けられた金属層（導体層）としても良い。
つまり、共振器を、誘電体円柱と、誘電体円柱の上方及び下方に設けられ、第１金属層（第１導体層）を備える第１誘電体基板及び第２金属層（第２導体層）を備える第２誘電体基板とを備えるものとしても良い。
【００６８】
この場合、測定装置は、金属（導体）と誘電体の界面の導電率を測定する測定装置となり、この測定装置に用いられる励振線構造に、上述の実施形態の励振基板５が用いられることになる。
また、例えば、誘電体円柱とその上方及び下方に設けられた第１導体層及び第２導体層の少なくとも一方との間に測定試料としての誘電体層又は半導体層を設けても良い。
【００６９】
つまり、共振器を、誘電体円柱と、誘電体円柱の上方及び下方に設けられた第１導体層及び第２導体層と、誘電体円柱と第１導体層及び第２導体層の少なくとも一方との間に設けられた誘電体層又は半導体層とを備えるものとしても良い。
この場合、測定装置は、誘電体の誘電特性や半導体の抵抗率などを測定する測定装置となり、この測定装置に用いられる励振線構造に、上述の実施形態の励振基板５が用いられることになる。
【００７０】
また、共振器は、例えばSplit Post誘電体共振器（ＳＰＤＲ）法において用いられる共振器であっても良い。
この場合、測定装置は、Split Post誘電体共振器（ＳＰＤＲ）法によって誘電特性を測定する測定装置となり、この測定装置に用いられる励振線構造に、上述の実施形態の励振基板５が用いられることになる。
【００７１】
また、共振器は、例えば空洞共振器であっても良い。
この場合、測定装置は、空洞共振器に設けられた２箇所の開口部から、上述の実施形態の励振基板５を挿入した構成を備えるものとなり、誘電特性や導電率等を測定する測定装置となる。
また、上述の実施形態及び各変形例では、第１ループアンテナ４Ｘ（４）を構成する第１ループ状導体、及び、第２ループアンテナ４Ｙ（４）を構成する第２ループ状導体は、１回巻かれているだけであるが、これに限られるものではない。
【００７２】
例えば、図１５、図１６に示すように、第１ループアンテナ４Ｘ（４）を構成する第１ループ状導体、及び、第２ループアンテナ４Ｙ（４）を構成する第２ループ状導体の少なくとも一方は、２回以上螺旋状に巻かれていても良い。これにより、Ｑ値（先鋭度）を向上させることができる。
この場合、図１５〜図１７に示すように、第１励振基板５Ｘ（５）及び第２励振基板５Ｙ（５）の少なくとも一方を、導体層１９と絶縁層２０を積層した積層構造を有するものとし、複数の導体層１９のそれぞれにループ状に１回巻かれるように導体１９Ａを設け、これらの導体１９Ａをビア２１で接合することで、２回以上螺旋状に巻かれているループ状導体からなるループアンテナ４（４Ｘ、４Ｙ）を備えるものとすれば良い。
【００７３】
ここで、ビア２１は、少しずつ層内での位置をずらすことで、層数分のループを形成することができる。なお、２回以上螺旋状に巻かれているループ状導体を、複数回巻のループ状導体ともいう。また、複数回巻のループ状導体からなるループアンテナ４を、複数回巻のループアンテナともいう。また、複数回巻のループアンテナ４は、２回以上螺旋状に巻かれているループ状導体を備える。
【００７４】
なお、第１ループアンテナ４Ｘ（４）のみを備える電子部品６の場合は、第１ループアンテナ４Ｘ（４）を構成する第１ループ状導体が２回以上螺旋状に巻かれていれば良い。これにより、Ｑ値を向上させることができる。
なお、ここでは、Ｑ値を向上させるために、励振基板５に備えられるループアンテナ４を、２回以上螺旋状に巻かれているものとしているが、これに限られるものではない。
【００７５】
例えば図１８に示すように、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法などで用いられているような励振ケーブル２２において、結合ループ（ループアンテナ）２３を、２回以上螺旋状に巻かれているものとしても良い。
このように、シグナル線と、グランド線と、シグナル線とグランド線を接続するループアンテナ４、２３とを有する励振基板５又は励振ケーブル２２（励振線；励振線構造）を備える電子部品又は測定装置において、ループアンテナ４、２３を２回以上螺旋状に巻かれているものとすれば良い。これにより、Ｑ値を向上させることができる。
【００７６】
ここで、図１９は、３回螺旋状に巻かれているループアンテナ２３を有する励振ケーブル２２（図１８参照）と、従来の励振ケーブル、即ち、１回巻かれているループアンテナ２５を有する励振ケーブル２４（図２１参照）の周波数−透過特性（Ｓ２１）を示す図である。
また、図２０は、３回螺旋状に巻かれているループアンテナ２３を有する励振ケーブル２２（図１８参照）と、従来の励振ケーブル、即ち、１回巻かれているループアンテナ２５を有する励振ケーブル２４（図２１参照）のＱ値（ここではＱｌ値、Ｑｕ値）を計算した結果を示している。
【００７７】
図１９、図２０に示すように、３回螺旋状に巻かれているループアンテナ２３を有する励振ケーブル２２とすることで、従来の励振ケーブル、即ち、１回巻かれているループアンテナ２５を有する励振ケーブル２４と比較して、Ｑ値を向上させることができる。
ところで、上述のように構成しているのは、以下の理由による。
Ｑ値を計算することで、表面比導電率（導体の高周波での損失パラメータ）を計算することができる。つまり、表面比導電率は、Ｑ値ピークの読み取り値から計算することができる。
【００７８】
しかしながら、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６２７  マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法などで用いられているような従来の励振ケーブル２４において、結合ループ（微小ループ）２５に接続される線路を給電する部分（給電線路）２６（例えば図２２参照）での信号損失が大きいほどＱ値が低下することがわかった。なお、図２２中、上側は側面視であり、下側は上面視である。
【００７９】
特に、高周波（例えば１０ＧＨｚ以上）になると、導体損失や誘電損失による給電線路２６の信号損失が大きくなり、Ｑ値の低下の度合いが大きくなり、測定に支障が出ることがわかった。
そこで、上述のような構成を採用している。
つまり、ループアンテナ４、２３を２回以上螺旋状に巻かれているものとして、Ｑ値を向上させるようにしている。
【００８０】
特に、導体表面比導電率測定系のおけるＱ値を向上させるようにしている。
なお、本発明は、上述した実施形態及び各変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
以下、上述の実施形態及び各変形例に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
第１支持体の第１平面上に設けられた第１導体からなる第１シグナル線及び第１グランド線と、前記第１平面上に設けられた第１ループ状導体からなり、前記第１シグナル線と前記第１グランド線を接続する第１ループアンテナとを有する第１励振基板を備えることを特徴とする電子部品。
【００８１】
（付記２）
第２支持体の第２平面上に設けられた第２導体からなる第２シグナル線及び第２グランド線と、前記第２平面上に設けられた第２ループ状導体からなり、前記第２シグナル線と前記第２グランド線を接続する第２ループアンテナとを有する第２励振基板を備え、
前記第１励振基板及び前記第２励振基板は、前記第１平面と前記第２平面が平行になるように設けられていることを特徴とする、付記１に記載の電子部品。
【００８２】
（付記３）
前記第１励振基板に取り付けられ、かつ、第１ケーブルを接続可能な第１コネクタを備えることを特徴とする、付記１に記載の電子部品。
（付記４）
前記第１励振基板に取り付けられ、かつ、第１ケーブルを接続可能な第１コネクタと、
前記第２励振基板に取り付けられ、かつ、第２ケーブルを接続可能な第２コネクタとを備えることを特徴とする、付記２に記載の電子部品。
【００８３】
（付記５）
前記第１コネクタを固定する支持台を備えることを特徴とする、付記３に記載の電子部品。
（付記６）
前記第１コネクタ及び前記第２コネクタを固定する支持台を備えることを特徴とする、付記４に記載の電子部品。
【００８４】
（付記７）
前記第１支持体は、第１ガラス基板であり、
前記第１平面は、前記第１ガラス基板の表面であることを特徴とする、付記１、３、５のいずれか１項に記載の電子部品。
（付記８）
前記第１支持体は、第１ガラス基板であり、
前記第２支持体は、第２ガラス基板であり、
前記第１平面は、前記第１ガラス基板の表面であり、
前記第２平面は、前記第２ガラス基板の表面であることを特徴とする、付記２、４、６のいずれか１項に記載の電子部品。
【００８５】
（付記９）
前記第１支持体は、前記第１導体及び前記第１ループ状導体を挟んで上下に積層された第１下部樹脂層及び第１上部樹脂層によって構成されており、
前記第１平面は、前記第１下部樹脂層の表面であることを特徴とする、付記１、３、５のいずれか１項に記載の電子部品。
【００８６】
（付記１０）
前記第１支持体は、前記第１導体及び前記第１ループ状導体を挟んで上下に積層された第１下部樹脂層及び第１上部樹脂層によって構成されており、
前記第２支持体は、前記第２導体及び前記第２ループ状導体を挟んで上下に積層された第２下部樹脂層及び第２上部樹脂層によって構成されており、
前記第１平面は、前記第１下部樹脂層の表面であり、
前記第２平面は、前記第２下部樹脂層の表面であることを特徴とする、付記２、４、６のいずれか１項に記載の電子部品。
【００８７】
（付記１１）
前記第１ループ状導体は、２回以上螺旋状に巻かれていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子部品。
（付記１２）
前記第１ループ状導体及び前記第２ループ状導体の少なくとも一方は、２回以上螺旋状に巻かれていることを特徴とする、請求項２、４、６、８、１０のいずれか１項に記載の電子部品。
【００８８】
（付記１３）
シグナル線と、グランド線と、前記シグナル線と前記グランド線を接続するループアンテナとを有する励振基板又は励振ケーブルを備え、
前記ループアンテナは、２回以上螺旋状に巻かれていることを特徴とする電子部品。
（付記１４）
第１支持体の第１平面上に設けられた第１導体からなる第１シグナル線及び第１グランド線と、前記第１平面上に設けられた第１ループ状導体からなり、前記第１シグナル線と前記第１グランド線を接続する第１ループアンテナとを有する第１励振基板と、
第２支持体の第２平面上に設けられた第２導体からなる第２シグナル線及び第２グランド線と、前記第２平面上に設けられた第２ループ状導体からなり、前記第２シグナル線と前記第２グランド線を接続する第２ループアンテナとを有する第２励振基板と、
共振器とを備え、
前記第１励振基板及び前記第２励振基板は、前記第１平面と前記第２平面が平行になるように、前記共振器を挟んで両側に設けられていることを特徴とする測定装置。
【００８９】
（付記１５）
前記共振器は、誘電体円柱と、前記誘電体円柱の上方及び下方に設けられた第１導体層及び第２導体層とを含み、
前記第１励振基板及び前記第２励振基板は、前記誘電体円柱を挟んで両側に、かつ、前記第１導体層と前記第２導体層の間に位置するように設けられていることを特徴とする、付記１４に記載の測定装置。
【００９０】
（付記１６）
前記第１励振基板、前記第２励振基板及び前記共振器は、前記第１導体層及び前記第２導体層の少なくとも一方と前記第１平面及び前記第２平面が平行になるように設けられていることを特徴とする、付記１５に記載の測定装置。
（付記１７）
前記第１導体層及び前記第２導体層の少なくとも一方は、被測定導体層であり、
前記第１励振基板及び前記第２励振基板に接続され、導電率を測定する測定部を備えることを特徴とする、付記１５又は１６に記載の測定装置。
【００９１】
（付記１８）
前記第１励振基板に取り付けられ、かつ、第１ケーブルを接続可能な第１コネクタと、
前記第２励振基板に取り付けられ、かつ、第２ケーブルを接続可能な第２コネクタとを備えることを特徴とする、付記１４〜１７のいずれか１項に記載の測定装置。
（付記１９）
前記第１コネクタ及び前記第２コネクタを固定する支持台を備えることを特徴とする、付記１８に記載の測定装置。
【００９２】
（付記２０）
前記第１支持体は、第１ガラス基板であり、
前記第２支持体は、第２ガラス基板であり、
前記第１平面は、前記第１ガラス基板の表面であり、
前記第２平面は、前記第２ガラス基板の表面であることを特徴とする、付記１４〜１９のいずれか１項に記載の測定装置。
【００９３】
（付記２１）
前記第１支持体は、前記第１導体及び前記第１ループ状導体を挟んで上下に積層された第１下部樹脂層及び第１上部樹脂層によって構成されており、
前記第２支持体は、前記第２導体及び前記第２ループ状導体を挟んで上下に積層された第２下部樹脂層及び第２上部樹脂層によって構成されており、
前記第１平面は、前記第１下部樹脂層の表面であり、
前記第２平面は、前記第２下部樹脂層の表面であることを特徴とする、付記１４〜１９のいずれか１項に記載の測定装置。
【００９４】
（付記２２）
前記第１ループ状導体及び前記第２ループ状導体の少なくとも一方は、２回以上螺旋状に巻かれていることを特徴とする、付記１４〜２１のいずれか１項に記載の測定装置。
（付記２３）
第１シグナル線と、第１グランド線と、前記第１シグナル線と前記第１グランド線を接続する第１ループアンテナとを有する第１励振基板又は第１励振ケーブルと、
第２シグナル線と、第２グランド線と、前記第２シグナル線と前記第２グランド線を接続する第２ループアンテナとを有する第２励振基板又は第２励振ケーブルと、
共振器とを備え、
前記第１励振基板又は前記第１励振ケーブル、及び、前記第２励振基板又は前記第２励振ケーブルは、前記共振器を挟んで両側に設けられており、
前記第１ループアンテナ及び前記第２ループアンテナの少なくとも一方は、２回以上螺旋状に巻かれていることを特徴とする測定装置。
【符号の説明】
【００９５】
１  支持体
１Ａ  第１支持体
１Ｂ  第２支持体
１Ｘ  ガラス基板（絶縁体；絶縁基板；絶縁層）
１Ｙ  樹脂体（樹脂層）
１ＹＡ  下部樹脂層（絶縁体）
１ＹＢ  上部樹脂層（絶縁体）
２  シグナル線（信号線）
３、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ  グランド線
４  ループアンテナ
４Ｘ  第１ループアンテナ
４Ｙ  第２ループアンテナ
５  励振基板
５Ｘ  第１励振基板
５Ｙ  第２励振基板
６  電子部品
７Ａ、７Ｂ  表面保護用の絶縁層
８  コネクタ
８Ｘ  第１コネクタ
８Ｙ  第２コネクタ
９  ねじ
１０  支持台
１１  固定用の押え部材
１２  測定装置
１３  共振器
１４  誘電体円柱
１５  第１導体層
１６  第２導体層
１７  第１平面
１８  第２平面
１９  導体層
１９Ａ  導体
２０  絶縁層
２１  ビア
２２  励振ケーブル
２３  ３回螺旋状に巻かれているループアンテナ（結合ループ）
２４  従来の励振ケーブル
２５  １回巻かれているループアンテナ（結合ループ）
２６  給電線路
５０、５１  同軸ケーブル
５２  測定器（共振測定器；測定部）
【図１】
2020043469.tif 000003
【図２】
2020043469.tif 000004
【図３】
2020043469.tif 000005
【図４】
2020043469.tif 000006
【図５】
2020043469.tif 000007
【図６】
2020043469.tif 000008
【図７】
2020043469.tif 000009
【図８】
2020043469.tif 000010
【図９】
2020043469.tif 000011
【図１０】
2020043469.tif 000012
【図１１】
2020043469.tif 000013
【図１２】
2020043469.tif 000014
【図１３】
2020043469.tif 000015
【図１４】
2020043469.tif 000016
【図１５】
2020043469.tif 000017
【図１６】
2020043469.tif 000018
【図１７】
2020043469.tif 000019
【図１８】
2020043469.tif 000020
【図１９】
2020043469.tif 000021
【図２０】
2020043469.tif 000022
【図２１】
2020043469.tif 000023
【図２２】
2020043469.tif 000024