(57)【要約】【課題】電磁波のシールド機能に優れるともに、封止材とシールド材との密着性に優れる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子２０と、半導体素子２０の表面を覆うように半導体素子２０を封止しており、封止用樹脂組成物を硬化してなる封止材５０と、封止材５０の側面から上面にわたり封止材５０の表面に設けられた金属層７０と、を含み、封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、無機充填材と、を含み、金属層７０は、封止材５０に接して設けられた第１の金属層７２と、第１の金属層７２の上部に接して設けられ、第１の金属層７２と透磁率が異なる材料により構成される第２の金属層７４とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子の表面を覆うように前記半導体素子を封止しており、封止用樹脂組成物を硬化してなる封止材と、
前記封止材の側面から上面にわたり前記封止材の表面に設けられた金属層と、
を含み、
前記封止用樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
無機充填材と、
を含み、
前記金属層が、
前記封止材に接して設けられた第１の金属層と、
前記第１の金属層の上部に接して設けられ、前記第１の金属層と透磁率が異なる材料により構成される第２の金属層と、
を含む、半導体装置。
【請求項２】
前記第１および第２の金属層の材料が、独立して、銅、ニッケル、アルミニウム、クロム、チタン、銀、金、白金、ステンレス鉱からなる群から選択される１または２以上を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属層の厚さが０．０１μｍ以上１００μｍ以下である、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止材の４０〜８０℃における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、前記第１の金属層の２５℃における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）、前記封止材の２５℃における貯蔵弾性率をＥ１（ＧＰａ）としたとき、以下の式（１）を満たす、請求項１乃至３いずれか１項に記載の半導体装置。
（α１−α２）×Ｅ１≦１１７    （１）
【請求項５】
半導体素子の表面を覆うように前記半導体素子を封止用樹脂組成物の硬化物により封止して封止材を形成する工程と、
前記封止材の側面から上面にわたり前記封止材の表面に金属層を形成する工程と、
を含み、
前記封止用樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
無機充填材と、
を含み、
金属層を形成する前記工程が、
前記封止材に接する第１の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層の上部に接するように、前記第１の金属層と透磁率が異なる材料により構成される第２の金属層を形成する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置に電磁波のシールド機能を付与しようとする技術として、特許文献１および２に記載のものがある。
【０００３】
特許文献１（特開２０１５−１１５５４９号公報）には、不要電磁波の漏洩の低減を図ることが可能な半導体装置、および、半導体装置の製造方法を提供するための技術として、接地配線を含む配線層を有し、パッド電極が設けられた基板に搭載された半導体チップおよびボンディングワイヤを封止する封止樹脂層の上面、封止樹脂層の側面及び基板の側面を覆う導電性のシールド層を備え、配線層の切断面のうちの接地配線の切断面は、シールド層と電気的に接続され、接地配線の前記切断面の面積は、前記接地配線の切断面に平行な接地配線の断面の面積よりも大きい、半導体装置について記載されている。
【０００４】
特許文献２（特開２０１７−１４７３４１号公報）には、第１面、第２面及び内部に配線パターンを有する基板と、基板の第１面上に搭載された半導体素子と、半導体素子を封止する封止樹脂と、基板の第２面上に形成された複数の外部接続電極と、封止樹脂の上面及び封止樹脂と基板の側面に形成された電磁波をシールドする電磁波シールド膜と、電磁波シールド膜に電気的に接続され、基板に形成されたアース配線と、を具備した、半導体パッケージについて記載されている。そして、同文献によれば、半導体パッケージの樹脂封止された上面及び基板を含む側面に金属膜からなる電磁波シールド膜を被覆し、更に半導体パッケージがマザーボードに実装された際、電磁波シールド膜が接地される構造をとることにより、板金シールドを用いる事なく無線システムに悪影響を及ぼさない半導体パッケージを提供することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１１５５４９号公報
【特許文献２】特開２０１７−１４７３４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、上述した各特許文献に記載の技術について本発明者が検討した結果、電磁波のシールド機能に優れるともに、封止材とシールド材との密着性に優れる半導体装置を得るという点で改善の余地があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、
半導体素子と、
前記半導体素子の表面を覆うように前記半導体素子を封止しており、封止用樹脂組成物を硬化してなる封止材と、
前記封止材の側面から上面にわたり前記封止材の表面に設けられた金属層と、
を含み、
前記封止用樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
無機充填材と、
を含み、
前記金属層が、
前記封止材に接して設けられた第１の金属層と、
前記第１の金属層の上部に接して設けられ、前記第１の金属層と透磁率が異なる材料により構成される第２の金属層と、
を含む、半導体装置が提供される。
【０００８】
また、本発明によれば、
半導体素子の表面を覆うように前記半導体素子を封止用樹脂組成物の硬化物により封止して封止材を形成する工程と、
前記封止材の側面から上面にわたり前記封止材の表面に金属層を形成する工程と、
を含み、
前記封止用樹脂組成物が、
エポキシ樹脂と、
フェノール樹脂硬化剤と、
無機充填材と、
を含み、
金属層を形成する前記工程が、
前記封止材に接する第１の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層の上部に接するように、前記第１の金属層と透磁率が異なる材料により構成される第２の金属層を形成する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電磁波のシールド機能に優れるともに、封止材とシールド材との密着性に優れる半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態における半導体装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは必ずしも一致していない。また、本実施形態において、組成物は、各成分を単独でまたは２種以上を組み合わせて含むことができる。
【００１２】
図１は、本実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。図１に示した半導体装置１００は、基板３０に搭載されている半導体素子２０と、半導体素子２０の表面を覆うように半導体素子２０を封止しており、封止用樹脂組成物を硬化してなる封止材５０と、封止材５０の側面から上面にわたり封止材５０の表面に設けられた金属層７０と、を含む。金属層７０は、封止材５０に接して設けられた第１の金属層７２と、第１の金属層７２の上部に接して設けられ、第１の金属層７２と透磁率が異なる材料により構成される第２の金属層７４とを含む。また、封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、無機充填材と、を含む。
【００１３】
半導体装置１００としては、たとえば、ＭＡＰ（Mold Array Package）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＣＳＰ（Chip Size Package）、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＦ−ＢＧＡ（Lead Flame BGA）、ＦＣＢＧＡ（Flip Chip BGA）、ＭＡＰＢＧＡ（Molded Array Process BGA）、ｅＷＬＢ（Embedded Wafer-Level BGA）、Ｆａｎ−Ｉｎ型ｅＷＬＢ、Ｆａｎ−Ｏｕｔ型ｅＷＬＢなどの種類が挙げられる。
【００１４】
基板３０は、たとえば、インターポーザ等の配線基板、またはリードフレームである。また、半導体素子２０は、ワイヤボンディングまたはフリップチップ接続等により、基板３０に電気的に接続される。図１においては、基板３０が回路基板であり、基板３０の所定の位置に配線３２が設けられている。また、基板３０には接地配線が設けられている。基板３０の素子搭載面の裏面には、たとえば複数の半田ボール６０が形成される。半導体素子２０は、基板３０上に搭載され、かつワイヤ４０を介して基板３０と電気的に接続される。ここで、ワイヤ４０としては、たとえば、Ａｕ線、Ａｌ線、Ｃｕ線、Ａｇ線が挙げられ、ワイヤ４０は好ましくは銅で構成される。
【００１５】
半導体素子２０の具体例としては、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等が挙げられる。半導体素子２０は、好ましくは、受光素子および発光素子（発光ダイオード等）等の光半導体素子を除く、いわゆる、光の入出を伴わない素子である。
【００１６】
また、図１に示した例では、基板３０に、他に素子２２、素子２４、素子２６および素子２８が搭載されている。これらの素子は、たとえば半導体素子２０について前述したものとすることができるし、その他の素子とすることもできる。
【００１７】
封止材５０は、基板３０の上部において半導体素子２０全体を封止するように設けられ、たとえば半導体素子２０のうちの基板３０との対向面とは反対側の面を覆うように半導体素子２０を封止する。図１では、半導体素子２０の上記反対側の面と側面とを覆うように封止材５０が形成されている。
封止材５０は、封止用樹脂組成物の硬化物により構成される。以下、封止用樹脂組成物に含まれる成分について説明する。
【００１８】
（封止用樹脂組成物）
封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤および無機充填材を含む。以下、各成分の具体例を挙げる。
【００１９】
（エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を限定するものではない。
エポキシ樹脂としては、たとえば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の２官能性または結晶性エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂およびアルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の３官能型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂；トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられる。
封止材５０の低弾性化による金属層との応力緩和の観点から、エポキシ樹脂は、好ましくはビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂およびビフェニル型エポキシ樹脂から選択される１種以上を含む。
【００２０】
封止用樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、封止用樹脂組成物の流動性を向上させ、成形性を向上する観点から、封止用樹脂組成物の全固形分に対して、８質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましく、１２質量％以上とすることがさらに好ましい。
また、エポキシ樹脂の含有量は、半導体装置１００の耐湿信頼性や耐リフロー性、耐温度サイクル性を向上する観点から、封止用樹脂組成物の全固形分に対して、３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。
【００２１】
本実施形態において、封止用樹脂組成物の全固形分とは、封止用樹脂組成物中における不揮発分を指し、水や溶媒等の揮発成分を除いた残部を指す。また、本実施形態において、封止用樹脂組成物全体に対する含有量とは、溶媒を含む場合には、樹脂組成物のうちの溶媒を除く固形分全体に対する含有量を指す。
【００２２】
（フェノール樹脂硬化剤）
フェノール樹脂系硬化剤としては、たとえばエポキシ樹脂組成物に一般に使用されているものが挙げられる。フェノール樹脂系硬化剤の具体例として、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂をはじめとするフェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール、α−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のフェノール類とホルムアルデヒドやケトン類とを酸性触媒下で縮合または共縮合させて得られるノボラック樹脂、上述したフェノール類とジメトキシパラキシレンまたはビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂などのフェノールアラルキル樹脂、トリスフェニルメタン骨格を有するフェノール樹脂が挙げられる。
【００２３】
フェノール樹脂系硬化剤の配合量については、エポキシ樹脂とフェノール硬化剤との当量比、すなわち、エポキシ樹脂中のエポキシ基モル数／フェノール樹脂系硬化剤中のフェノール性水酸基モル数の比が、成形性と信頼性に優れるエポキシ樹脂組成物を得るために、たとえば０．５以上２以下の範囲が好ましく、０．６以上１．８以下の範囲がより好ましく、０．８以上１．５以下の範囲がさらに好ましい。
【００２４】
（無機充填材）
無機充填材としては、たとえば、溶融破砕シリカおよび溶融球状シリカ等の溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、窒化珪素、および窒化アルミ等が挙げられる。この中でも、好ましくは、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ等のシリカであり、より好ましくは溶融球状シリカを使用することができる。
【００２５】
無機充填材の平均粒径（ｄ50）は、封止用樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性をより効果的に向上させる観点から、たとえば０．０１μｍ以上でもよく、１μｍ以上でもよく、５μｍ以上でもよい。また、充填性を向上する観点から、無機充填材の平均粒径（ｄ50）は、たとえば５０μｍ以下であり、好ましくは４０μｍ以下である。また、無機充填材は、平均粒径（ｄ50）が１μｍ以上５０μｍ以下の無機充填材を少なくとも含むことができる。これにより、流動性をより優れたものとすることができる。
【００２６】
ここで、無機充填材の平均粒径（ｄ50）は、市販のレーザー回折式粒度分布測定装置（たとえば、島津製作所社製、ＳＡＬＤ−７０００）を用いて粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（ｄ50）を平均粒径とすることができる。
【００２７】
上記無機充填材の含有量は、半導体装置１００の耐温度サイクル性や耐リフロー性をより効果的に向上させる観点から、封止用樹脂組成物の全固形分に対して、７０質量％以上であることが好ましく、７３質量％以上であることがより好ましく、７５質量％以上であることがさらに好ましい。
また、封止用樹脂組成物の成形時における流動性や充填性をより効果的に向上させるから、無機充填材の含有量は、封止用樹脂組成物の全固形分に対して、９５質量％以下であることが好ましく、９３質量％以下であることがより好ましく、９０質量％以下であることがさらに好ましい。
【００２８】
封止用樹脂組成物は、上述した成分以外の成分をさらに含んでもよい。
たとえば、封止用樹脂組成物は、上述したフェノール樹脂硬化剤以外の硬化剤；
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケンおよびその誘導体、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物（イミダゾール系硬化促進剤）、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート等の硬化促進剤；
エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、メタクリルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等のカップリング剤；
ハイドロタルサイト、アルミニウム−マグネシウム系無機イオン交換体等のイオン捕捉剤；
カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤；
カルナバワックス等の天然ワックス、モンタン酸エステルワックス、ジエタノールアミン・ジモンタン酸エステル、トリレンジイソシアネート変性酸化ワックス等の合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸およびその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤；
水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホスファゼン等の難燃剤；
酸化防止剤等の各種添加剤を適宜含んでもよい。
封止用樹脂組成物中のこれら各成分の量は、封止用樹脂組成物の全固形分に対して、それぞれ、０．０１〜３質量％程度の量とすることができる。
【００２９】
封止材５０は、封止用樹脂組成物をトランスファー成形法、圧縮成形法等の公知の方法を用いて封止成形することにより形成することができる。
【００３０】
（金属層）
次に、金属層７０の構成について説明する。
金属層７０は、封止材５０の側から半導体装置１００の外側に向かって、第１の金属層７２および第２の金属層７４がこの順に積層されてなる。図１においては、基板３０に設けられたパッド電極８０に金属層７０が接続している。
金属層７０は、電磁波のシールド効果を高める観点から、好ましくは基板３０の上部において封止材５０の全面を覆うように設けられている。また、同様の観点から、封止材５０には、基板３０の上部において金属層７０からの露出部が設けられていないことが好ましい。
【００３１】
第１の金属層７２および第２の金属層７４は、互いに透磁率が異なる材料により構成されている。このような構成の具体例として、第１の金属層７２と第２の金属層７４とが互いに異なる成分を含む構成が挙げられる。このとき、第１の金属層７２および第２の金属層７４が共通の成分を含んでいてもよい。
たとえば、第１の金属層７２および第２の金属層７４の材料は、独立して、銅、ニッケル、アルミニウム、クロム、チタン、銀、金、白金、ステンレス鉱からなる群から選択される１または２以上を含む。
【００３２】
電磁波のシールド効果を高める観点から、好ましくは第１の金属層７２および第２の金属層７４の一方が、Ｃｕ層である。
【００３３】
また、第１の金属層７２および第２の金属層７４は、電磁波のシールド効果と封止材５０との密着性の向上効果とのバランスを高める観点から、線膨張係数が異なる材料により構成された層であることが好ましい。
【００３４】
第１の金属層７２の厚さは、電磁波のシールドを高める観点から、たとえば５ｎｍ以上とすることができ、好ましくは０．０１μｍ以上であり、より好ましくは０．１μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。
また、半導体装置１００全体の小型化、軽量化の観点から、第１の金属層７２の厚さは、たとえば１００μｍ未満とすることができ、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下である。
【００３５】
第２の金属層７４の厚さは、電磁波のシールド効果を高める観点から、たとえば５ｎｍ以上とすることができ、好ましくは０．０１μｍ以上であり、より好ましくは０．１μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。
また、半導体装置１００全体の小型化、軽量化の観点から、第２の金属層７４の厚さは、たとえば１００μｍ未満とすることができ、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下である。
【００３６】
また、金属層７０全体の厚さについては、電磁波のシールド効果を高める観点から、金属層７０の厚さは好ましくは０．０１μｍ以上であり、より好ましくは０．２μｍ以上、さらに好ましくは２μｍ以上である。
また、半導体装置１００全体の小型化、軽量化の観点から、金属層７０の厚さは、好ましくは１００μｍ以下であり、より好ましくは２０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。
【００３７】
また、第１の金属層７２および第２の金属層７４は、製造安定性の観点から、好ましくはスパッタ膜であり、より好ましくは放電ガスとしてＡｒを用いて形成されたＡｒプラズマスパッタ膜である。
【００３８】
また、半導体装置１００においては、電磁波のシールド効果および封止材５０と金属層７０との密着性向上のバランスを高める観点から、封止材５０の４０〜８０℃における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）、第１の金属層７２の２５℃における線膨張係数をα２（ｐｐｍ／℃）、封止材５０の２５℃における貯蔵弾性率をＥ１（ＧＰａ）としたとき、以下の式（１）を満たすことが好ましい。
（α１−α２）×Ｅ１≦１１７    （１）
【００３９】
ここで、α１（ｐｐｍ／℃）、α２（ｐｐｍ／℃）、Ｅ１（ＧＰａ）は以下の方法で測定される。
封止材５０のα１（ｐｐｍ／℃）については、ＴＭＡを用いて、封止用樹脂組成物の硬化物に、圧縮荷重１０ｇをかけ、昇温速度５℃／分として、２５℃から２６０℃の温度範囲で計測を行ない、ガラス転移点Ｔｇを測定する。また、同測定により、４０〜８０℃における線膨張係数をα１（ｐｐｍ／℃）での線膨張係数α１を取得する。
第１の金属層７２のα２（ｐｐｍ／℃）については、ＪＩＳ  Ｚ  ２２８５に準拠して測定することができる。
また、封止材５０の弾性率Ｅ１（ＧＰａ）は、動的粘弾性測定装置を用い、３点曲げモード、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５℃／分として、測定温度３０〜３００℃で測定できる。
【００４０】
次に、半導体装置１００の製造方法を説明する。
半導体装置１００の製造方法は、たとえば、半導体素子２０の表面を覆うように半導体素子２０を前述した封止用樹脂組成物の硬化物により封止して封止材５０を形成する工程；および
封止材５０の側面から上面にわたり封止材５０の表面に金属層７０を形成する工程
を含む。
そして、金属層７０を形成する工程は、封止材５０に接する第１の金属層７２を形成する工程と、第１の金属層７２の上部に接するように、第１の金属層７２と透磁率が異なる材料により構成される第２の金属層７４を形成する工程と、を含む。
【００４１】
さらに具体的には、まず、基板３０上に半導体素子２０を搭載し、これらをワイヤ４０により互いに接続する。次いで、半導体素子２０およびワイヤ４０を、封止用樹脂組成物の硬化物により封止して封止材５０を形成する。
そして、封止材５０の表面全面に、たとえば放電ガスとしてＡｒを用いるスパッタ法により、第１の金属層７２および第２の金属層７４を順次形成して金属層７０を得る。このとき、電磁波のシールド効果を高める観点から、第１の金属層７２および第２の金属層７４が、いずれも、封止材５０の表面全体を被覆するように、各金属膜を形成することが好ましい。
その後、基板３０の素子搭載面の裏面の所定の位置に半田ボール６０を形成する。
【００４２】
本実施形態において得られる半導体装置１００においては、封止材５０が所定の材料により構成されているとともに、封止材５０の側面から上面にわたり封止材５０の表面に金属層７０が設けられており、金属層７０が透磁率の異なる第１の金属層７２および第２の金属層７４を有する。このため、半導体装置１００は、電磁波のシールド効果に優れるとともに、金属層７０と封止材５０との密着性にも優れている。
【００４３】
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００４４】
たとえば、図１においては、金属層７０が第１の金属層７２および第２の金属層７４から構成される例を示したが、金属層７０が３つ以上の積層体であってもよい。具体的には、半導体装置１００は、第２の金属層７４の上部に接して設けられた第３の金属層をさらに含んでもよい。このとき、第３の金属層の材料として、第１の金属層７２および第２の金属層７４と独立して、銅、ニッケル、アルミニウム、クロム、チタン、銀、金、白金、ステンレス鉱からなる群から選択される１または２以上を含んでもよい。また、このとき、第３の金属層が、第１の金属層７２と同じ材料で構成されるとともに、第２の金属層７４と異なる材料から構成されてもよい。
【００４５】
また、図１においては、半導体素子２０がワイヤボンディングにより基板３０に電気的に接続される例を示したが、たとえば、半導体素子２０は、基板３０に対してフリップチップ実装されていてもよい。
【符号の説明】
【００４６】
２０  半導体素子
２２  素子
２４  素子
２６  素子
２８  素子
３０  基板
３２  配線
４０  ワイヤ
５０  封止材
６０  半田ボール
７０  金属層
７２  第１の金属層
７４  第２の金属層
８０  パッド電極
１００  半導体装置
【図１】
2020161586.tif 000003