(57)【要約】      （修正有）【課題】生産性が高く、回路のインピーダンスが低く、表示領域の光学特性及び電気特性が優れたタッチパネル、タッチパネルの製造方法を提供する。【解決手段】タッチパネル１００は、基板１１０と、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１、第２のタッチセンサ電極ＴＥ２、第１のトレースＰＴ１及び第２のトレースＰＴ２と、を備える。第１及び第２のタッチセンサ電極は、基板の表示領域ＶＡに形成される。第１及び第２のトレースは、基板の周辺領域ＰＡに形成される。第１のタッチセンサ電極は、パターニングされた金属ナノワイヤ層の第１の部分によって形成される。周辺トレース１２０は、導電層と、金属ナノワイヤ層１４０Ａの第２の部分を備え、共通のエッチング工程によってパターニングされる。導電層及び金属ナノワイヤ層の第２の部分は、同一平面上にエッチングされた表面を有する。第２のタッチセンサ電極は、絶縁層上に形成され、第２のトレースと接続する。【選択図】図１
2020155119.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域及び周辺領域を有するタッチパネルであって、
基板と、
前記表示領域において前記基板の第１の表面に配置された第１のタッチセンサ電極であって、パターニングされた第１の金属ナノワイヤ層の第１の部分を備える、第１のタッチセンサ電極と、
前記周辺領域において前記基板の第１の表面に配置された第１の周辺トレース及び第２の周辺トレースであって、前記第１の周辺トレースは、前記第１のタッチセンサ電極に電気的に接続され、前記第１の周辺トレース及び前記第２の周辺トレースは、導電層と、前記第１の金属ナノワイヤ層の第２の部分を備え、前記導電層及び前記第１の金属ナノワイヤ層の第２の部分は、同一平面上のエッチング表面を有する、第１の周辺トレース及び第２の周辺トレースと、
前記第１のタッチセンサ電極及び前記第２の周辺トレースを覆う絶縁層であて、前記第２の周辺トレースに対応して配置された導電性ビアを有する絶縁層と、
前記絶縁層上に配置された第２のタッチセンサ電極であって、パターニングされた第２の金属ナノワイヤ層を備え、前記導電性ビアを介して、前記第２の周辺トレースに電気的に接続される第２のタッチセンサ電極と
を備える、タッチパネル。
【請求項２】
前記第１の金属ナノワイヤ層の前記第２の部分は、前記基板の前記第１の表面に配置され、
前記導電層は、前記第１の金属ナノワイヤ層の前記第２の部分に配置され、又は、前記基板の前記第１の表面に配置され、
前記第１の金属ナノワイヤ層の前記第２の部分は、前記導電層の上面に配置される、請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記第１の金属ナノワイヤ層及び前記第２の金属ナノワイヤ層の少なくとも一方に配置された被覆層をさらに備える、請求項１又は２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記タッチパネルは、一対の前記第２の周辺トレースを備え、
前記絶縁層は、前記一対の第２の周辺トレースに対応する一対の前記導電性ビアを備え、
前記第２のタッチセンサ電極は、前記一対の導電性ビアを介して、前記一対の第２の周辺トレースに電気的に接続され、前記絶縁層上にブリッジ構造を形成する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記基板の第２の表面に配置された液晶材料層をさらに備え、
前記第２の表面は、前記第１の表面の反対側の面である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記液晶材料層は、偏光液晶層及び位相差液晶層のうちの少なくとも一方を含む、請求項５に記載のタッチパネル。
【請求項７】
表示領域及び周辺領域を有するタッチパネルの製造方法であって、
金属ナノワイヤを有する第１の金属ナノワイヤ層を基板の第１の表面に形成し、
導電層を前記第１の金属ナノワイヤ層上に形成し、
第１のパターニング処理を実施することにより、前記表示領域内の前記第１の金属ナノワイヤ層をパターニングすると共に、前記周辺領域内の前記導電層及び前記第１の金属ナノワイヤ層をパターニングして、第１の周辺トレース及び第２の周辺トレースを形成し、
前記表示領域内の前記導電層を除去することにより、前記第１の金属ナノワイヤ層のパターニングによって形成された第１のタッチセンサ電極を露出させ、
前記第１のタッチセンサ電極及び前記第２の周辺トレースを覆う絶縁層を形成し、前記絶縁層は、前記第２の周辺トレースに対応して配置された導電性ビアを備え、
第２のタッチセンサ電極を前記絶縁層上に形成し、前記第２のタッチセンサ電極は、前記導電性ビアを介して、前記第２の周辺トレースに電気的に接続される、
タッチパネルの製造方法。
【請求項８】
前記第２のタッチセンサ電極を前記絶縁層上に形成することは、
金属ナノワイヤを有する第２の金属ナノワイヤ層を前記絶縁層上に形成することと、
第２のパターニング処理を実施することにより、前記第２の金属ナノワイヤ層をパターニングして、前記第２のタッチセンサ電極を形成することを含む、請求項７に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項９】
前記第１のパターニング処理を実施することは、第１のエッチング液を用いて、前記導電層及び前記第１の金属ナノワイヤ層を同時にエッチングすることを含む、請求項７又は８に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記表示領域内の前記導電層を除去することは、第２のエッチング液を用いて、前記表示領域内の前記導電層を除去することを含む、請求項７〜９のいずれか１項に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記タッチパネルは、一対の前記第２の周辺トレースを備え、
前記絶縁層は、前記一対の第２の周辺トレースに対応する一対の導電性ビアを備え、
前記第２のタッチセンサ電極は、前記一対の導電性ビアを介して、前記一対の第２の周辺トレースに電気的に接続され、前記絶縁層上にブリッジ構造を形成する、請求項７〜１０のいずれか１項に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１２】
液晶材料層を前記基板の第２の表面に形成することをさらに含み、
前記第２の表面は、前記第１の表面の反対側の面であり、
前記液晶材料層を形成することは、コーティング及びプリンティングを含む、請求項７〜１１のいずれか１項に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記液晶材料層は、偏光液晶層及び位相差液晶層のうちの少なくとも一方を含む、請求項１２に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１４】
表示領域及び周辺領域を有するタッチパネルの製造方法であって、
導電層を基板の第１の表面に形成し、
表示領域内の前記導電層を除去し、
金属ナノワイヤを有する第１の金属ナノワイヤ層を、前記基板の前記第１の表面及び前記導電層の表面に形成し、
第１のパターニング処理を実施することにより、前記表示領域内の前記第１の金属ナノワイヤ層をパターニングして、第１のタッチセンサ電極を形成すると同時に、前記周辺領域内の前記導電層及び前記第１の金属ナノワイヤ層をパターニングして、第１の周辺トレース及び第２の周辺トレースを形成し、
第１のタッチセンサ電極及び第２の周辺トレースを覆う絶縁層を形成し、前記絶縁層は、前記第２の周辺トレースに対応して配置された導電性ビアを備え、
第２のタッチセンサ電極を前記絶縁層上に形成し、前記第２のタッチセンサ電極は、前記導電性ビアを介して、前記第２の周辺トレースに電気的に接続される、
タッチパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記第２のタッチセンサ電極を前記絶縁層上に形成することは、
金属ナノワイヤを有する第２の金属ナノワイヤ層を前記絶縁層上に形成することと、
第２のパターニング処理を実施することにより、前記第２の金属ナノワイヤ層をパターニングして、前記第２のタッチセンサ電極を形成することを含む、請求項１４に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１６】
前記表示領域内の前記導電層を除去することは、第１のエッチング液を用いて、前記表示領域内の前記導電層を除去することを含む、請求項１４又は１５に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１７】
前記第１のパターニング処理を実施することは、第２のエッチング液を用いて、前記導電層及び前記第１の金属ナノワイヤ層を同時にエッチングすることを含む、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１８】
前記タッチパネルは、一対の前記第２の周辺トレースを有し、
前記絶縁層は、前記一対の第２の周辺トレースに対応する一対の前記導電性ビアを備え、
前記第２のタッチセンサ電極は、前記一対の導電性ビアを介して、前記一対の第２の周辺トレースに電気的に接続され、前記絶縁層上にブリッジ構造を形成する、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１９】
前記基板の第２の表面に液晶材料層を形成することをさらに含み、
前記第２の表面は、前記第１の表面の反対側の面であり、
前記液晶材料層を形成することは、コーティング及びプリンティングを含む、請求項１４〜１８のいずれか１項に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項２０】
前記液晶材料層は、偏光液晶層及び位相差液晶層の少なくとも一方を含む、請求項１９に記載のタッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、タッチパネル及びタッチパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
良好な光透過性及び導電性を有する透過型導電体は、一般に、ディスプレイパネル又はタッチパネルに関連するデバイスに応用される。透過型導電体は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）、カドミウムスズ酸化物（ＣＴＯ）、又はアルミニウムでドープ処理された酸化亜鉛（ＡＺＯ）等の金属酸化物を有する。しかしながら、これらの金属酸化物フィルムの或る特性、例えば、不十分な柔軟性等には問題がある。また、ユーザが、金属酸化膜に形成されたパターンを、容易に視認できてしまう場合もある。そのため、現在、金属ナノワイヤを有する様々な透過型導電体が開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】中国特許出願公告第１０５１８３２４６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ナノワイヤをパターニングしてセンサ電極を形成し、視野領域を取り囲む装置の周辺領域内の金属トレースに接続することが行われている。通常、接着工程を実施すると、アライメント空間が作られる。アライメントに必要とされる空間を追加することと、境界を狭くすることは、トレードオフの関係にある。
【０００５】
また、ナノワイヤを用いて形成されたタッチセンサと他の光学部品を一体化することも、研究開発の対象となっている。
【０００６】
ナノワイヤを用いてタッチセンサ電極を製造する場合、優れた性能を実現するために、関連する製造工程及び電極構造が、材料の特性に応じてカスタマイズされる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示のいくつかの実施形態では、生産性が高く、回路のインピーダンスが低く、表示領域の光学特性及び電気特性が優れたタッチパネルの製造方法が提案される。
【０００８】
タッチパネルは、表示領域と、周辺領域とを有する。さらに、タッチパネルは、基板と、第１のタッチセンサ電極と、第１の周辺トレースと、第２の周辺トレースと、絶縁層と、第２のタッチセンサ電極とを備える。第１のタッチセンサ電極は、表示領域において基板の第１の表面に配置され、第１のタッチセンサ電極は、パターニングされた第１の金属ナノワイヤ層の第１の部分を備える。第１の周辺トレースは、第１のタッチセンサ電極に電気的に接続される。第１の周辺トレース及び第２の周辺トレースは、導電層と、第１の金属ナノワイヤ層の第２の部分とを備える。導電層及び第１の金属ナノワイヤ層の第２の部分は、同時にエッチングされた表面を備える。絶縁層は、第１のタッチセンサ電極と、第２の周辺トレースを覆い、第２の周辺トレースは、第２の周辺トレースに対応して配置された導電性ビアを備える。第２のタッチセンサ電極は、絶縁層に配置され、パターニングされた第２の金属ナノワイヤ層を備える。第２のタッチセンサ電極は、導電性ビアを介して、第２の周辺トレースに接続される。
【０００９】
いくつかの実施形態では、第１の金属ナノワイヤ層の第２の部分は、基板の第１の表面に形成され、導電層は、金属ナノワイヤ層の第２の部分に形成され、または、基板の第１の表面に形成され、第１の金属ナノワイヤ層の第２の部分は、導電層の上面に形成される。
【００１０】
本開示のいくつかの実施形態では、タッチパネルは、第１の金属ナノワイヤ層及び／又は第２の金属ナノワイヤ層に配置された被覆層をさらに備える。
【００１１】
本開示のいくつかの実施形態では、タッチパネルは、一対の第２の周辺トレースを備え、絶縁層は、一対の第２の周辺トレースに対応する一対の導電性ビアを備え、第２のタッチセンサ電極は、一対の導電性ビアを介して、一対の第２の周辺トレースに電気的に接続され、絶縁層上にブリッジ構造を形成する。
【００１２】
本開示のいくつかの実施形態では、タッチパネルはさらに、基板の第２の表面に形成された液晶材料層を備え、第２の表面は、第１の表面の反対側の面である。
【００１３】
本開示のいくつかの実施形態では、液晶材料層は、偏光液晶層及び／又は位相差液晶層を含む。
【００１４】
本開示のいくつかの実施形態では、タッチパネルの製造方法を提供する。この方法は、以下の工程を含む。第１の金属ナノワイヤ層を備える金属ナノワイヤが、基板の第１の表面に形成される。導電層が、第１の金属ナノワイヤ層に形成される。第１のパターニング処理を実施することにより、表示領域内の第１の金属ナノワイヤ層をパターニングすると同時に、周辺領域内の導電層及び第１の金属ナノワイヤ層をパターニングして、第１の周辺トレース及び第２の周辺トレースを形成する。表示領域内の導電層を除去し、第１の金属ナノワイヤ層のパターニングによって形成された第１のタッチセンサ電極を露出させる。第１のタッチセンサ電極及び第２の周辺トレースを覆う絶縁層を形成し、当該絶縁層は、第２の周辺トレースに対応して配置された導電性ビアを備える。第２のタッチセンサ電極が、絶縁層上に形成され、第２のタッチセンサ電極は、導電性ビアを介して、第２の周辺トレースに電気的に接続される。
【００１５】
本開示のいくつかの実施形態では、第２のタッチセンサ電極を絶縁層上に形成することは、金属ナノワイヤを有する第２の金属ナノワイヤ層を絶縁層上に形成することと、第２のパターニング処理を実施して、第２の金属ナノワイヤ層をパターニングして、第２のタッチセンサ電極を形成することを含む。
【００１６】
本開示のいくつかの実施形態では、表示領域内の導電層を除去することは、第１のエッチング液を用いて、表示領域内の導電層を除去することを含む。
【００１７】
本開示のいくつかの実施形態では、第１のパターニング処理を実施することは、第２のエッチング液を用いて、導電層及び第１の金属ナノワイヤ層を同時にエッチングすることを含む。
【００１８】
本開示のいくつかの実施形態では、この方法は、基板の第２の表面に液晶材料層を形成することをさらに含み、第２の表面は、第１の表面の反対側の面であり、液晶材料層を形成することは、コーティング及びプリンティングを含む。
【００１９】
本開示のいくつかの実施形態では、タッチパネルの製造方法を提供する。導電層が、基板の第１の表面に形成される。表示領域内の導電層が除去される。金属ナノワイヤを含む第１の金属ナノワイヤ層が、基板の第１の表面及び導電層の表面に形成される。第１のパターニング処理を実施することにより、表示領域内の第１の金属ナノワイヤ層をパターニングして、第１のタッチセンサ電極を形成すると同時に、周辺領域内の導電層及び第１の金属ナノワイヤ層をパターニングして、第１の周辺トレース及び第２の周辺トレースを形成する。第１のタッチセンサ電極と第２の周辺トレースを覆う絶縁層が形成され、絶縁層は、第２の周辺トレースに対応して配置された導電性ビアを備える。第２のタッチセンサ電極が、絶縁層上に形成され、第２のタッチセンサ電極は、導電性ビアを介して、第２の周辺トレースに接続される。
【００２０】
本開示のいくつかの実施形態では、第２のタッチセンサ電極を絶縁層上に形成することは、金属ナノワイヤを備える第２の金属ナノワイヤ層を絶縁層上に形成することと、第２のパターニング処理を実施して、第２の金属ナノワイヤ層をパターニングし、第２のタッチセンサ電極を形成することを含む。
【００２１】
本開示のいくつかの実施形態では、表示領域内の導電層を除去することは、第１のエッチング液を用いて、表示領域内の導電層を除去することを含む。
【００２２】
本開示のいくつかの実施形態では、第１のパターニング処理を実施することは、第２のエッチング液を用いて、導電層及び第１の金属ナノワイヤ層を、同時にエッチングすることを含む。
【００２３】
本開示のいくつかの実施形態では、この方法は、液晶材料層を基板の第２の表面に形成することをさらに含む、第２の表面は、第１の表面の反対側の面であり、液晶材料層を形成することは、コーティング及びプリンティングを含む。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本開示のいくつかの実施形態に係るタッチパネルの概略図である。
【図２】図２は、本開示のいくつかの実施形態に係るタッチパネルの製造方法の第１の工程の概略図である。
【図３】図３は、本開示のいくつかの実施形態に係るタッチパネルの製造方法の第２の工程の概略図である。
【図４】図４は、本開示のいくつかの実施形態に係るタッチパネルの製造方法の第３の工程の概略図である
【図４Ａ】図４Ａは、図４の線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、図４の線Ｃ−Ｃに沿った断面図である。
【図５】図５は、本開示のいくつかの実施形態に係るタッチパネルの製造方法の第４の工程の概略図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図５の線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図６】図６は、本開示のいくつかの実施形態に係るタッチパネルの製造方法の第５の工程の概略図である。
【図６Ａ】図６Ａは、図６の線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図７】図７は、本開示のいくつかの実施形態に係るタッチパネルの概略図である。
【図８】図８（Ａ）−８（Ｄ）は、本開示のいくつかの実施形態に係るタッチパネルの製造方法の複数の工程の概略図である。
【図９】図９は、本開示のいくつかの実施形態に係るタッチパネルの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の様々な実施形態が、図面に開示されている。しかしながら、これらの実際の詳細は、本発明を限定するものではないことを理解すべきである。すなわち、本発明のいくつかの実施形態では、これらの実際の詳細を必要としない。さらに、従来の構造及び要素の一部を簡略化して図示している。
【００２６】
本明細書で使用する「約」、「凡そ」、又の「実質的に」の用語は、通常、値の誤差又は範囲を意味し、２０％以内であり、１０％以内であることが好ましく、さらに５％以内であることが好ましい。特に明記しない限り、記載された数値は、近似値である。すなわち、記載された数値には、「約」又は「凡そ」が示す誤差又は範囲が含まれる。さらに、本明細書で使用する「パターン」、「グラフィック」の用語は、同じ意味又は類似の意味を有しており、説明の便宜上、これらの用語は、相互に置き換えて使用されることがある。
【００２７】
様々な実施形態に係るタッチパネル１００が、図１に示されている。タッチパネル１００は、基板１１０と、周辺トレース１２０と、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａを備える第１のタッチセンサ電極ＴＥ１と、第２の金属ナノワイヤ層１４０Ｂを備える第２のタッチセンサ電極ＴＥ２と、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１及び第２のタッチセンサ電極ＴＥ２の間に配置される絶縁層１６０（図６Ａに示す）とを備える。第１のタッチセンサ電極ＴＥ１及び第２のタッチセンサ電極ＴＥ２は、周辺トレース１２０に電気的に接続される。周辺トレース１２０は、導電性の金属層１２０Ａと、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａとを備える（図６Ａに示す）。周辺トレース１２０、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１、及び第２のタッチセンサ電極ＴＥ２の数は、１以上とすることができ、以下の実施形態及び図面に示す数は、例示である。
【００２８】
図１を参照する。基板１１０は、表示領域ＶＡ及び周辺領域ＰＡを有する。周辺領域ＰＡは、表示領域ＶＡの横に配置される。例えば、周辺領域ＰＡは、表示領域ＶＡのフレーム型の領域の４つの側（すなわち、右側、左側、上側及び下側）に配置することができる。いくつかの実施形態では、周辺領域ＰＡは、表示領域ＶＡの左側及び下側に配置されたＬ字型の領域とすることができる。図１に示すように、本実施形態では、７組の第１の周辺トレースＰＴ１と、５組の第２の周辺トレースＰＴ２が、基板１１０の周辺領域ＰＡに配置される。第１のタッチセンサ電極ＴＥ１又は第２のタッチセンサ電極ＴＥ２は、実質的に基板１１０の表示領域ＶＡ内に配置される。
【００２９】
図１のタッチパネルの製造方法は、以下の工程を含む。基板１１０が用意される。第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａを備える金属ナノワイヤ１４０が、基板１１０に配置される。導電層１２０Ａが、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａに配置される。第１のタッチセンサ電極ＴＥ１及び周辺トレース１２０を同時に形成するパターニング処理が実施される。
【００３０】
図１に示すタッチパネルの製造工程の詳細については、以下に示す。
【００３１】
図２を参照すると、基板１１０が用意される。本開示のいくつかの実施形態では、基板１１０は、理想的には、透明基板であり、詳細には、硬質の透明基板又は可撓性を有する透明基板とすることができる。基板１１０の材料は、ガラス、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）又はポリスチレン（ＰＳ）等の透明材料から選択することができる。
【００３２】
続いて、再び図２を参照すると、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ及び導電層１２０Ａが、基板１１０上に形成される。第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａは、少なくとも金属ナノワイヤ１４０を備えることができる。第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａは、具体的には、金属ナノワイヤ１４０を含む分散液又はインキをコーティングして乾燥させることにより、当該分散液又はインキを基板１１０の第１の表面（例えば、上面）上に形成することによって形成され、金属ナノワイヤ１４０によって基板１１０の表面を覆う。換言すると、上述した硬化及び乾燥工程を通じて、金属ナノワイヤ１４０が、基板１１０上に第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａを形成する。表示領域ＶＡ及び周辺領域ＰＡは、基板１１０上に画定することができる（図１に示す）。周辺領域ＰＡは、表示領域ＶＡの横に配置される。より詳細には、表示領域ＶＡでは、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａの第１の部分を、基板１１０の表面に直接形成することができ、周辺領域ＰＡでは、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａの第２の部分を、基板１１０の表面に直接形成することができる。
【００３３】
本開示の実施形態では、上述した金属ナノワイヤ１４０を含む分散液は、水、アルコール、ケトン、エーテル、炭化水素、又は芳香族溶剤（ベンゼン、トルエン、キシレン等）の溶媒とすることができる。分散液は、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシプロピルメチルセルロース（ＨＰＭＣ）、スルホナート、硫酸塩、ジスルホン酸塩、スルホコハク酸塩、リン酸塩、又はフッ素系界面活性剤等の添加剤、界面活性剤、又はバインダを含むことができる。金属ナノワイヤ層は、例えば、銀ナノワイヤ層、金ナノワイヤ層、又は銅ナノワイヤ層とすることができる。詳細には、本明細書で使用する「金属ナノワイヤ」の用語は、複数の元素金属、金属合金、又は金属化合物（金属酸化物を含む）を含む、一組の金属線を意味する系の総称であり、金属ナノワイヤの数は、本開示の特許請求の範囲に影響を与えない。単一の金属ナノワイヤは、５００nm未満、好ましくは１００nm未満、より好ましくは５０nm未満の少なくとも１つの断面寸法（すなわち、断面直径）を有する。本開示において「ワイヤ」と称される金属ナノ構造体は、主に高いアスペクト比、例えば、１０〜１０００００のアスペクト比を有する。より詳細には、金属ナノワイヤのアスペクト比（長さ：断面直径）は、１０より大きく、また、５０より大きいことが好ましく、さらに、１００よりも大きいことがより好ましい。金属ナノワイヤは、限定されることなく、銀、金、銅、ニッケル、金メッキされた銀などの任意の金属を採用することができる。また、上述したサイズ及び高いアスペクト比を有する、シルク、ファイバー、チューブ等のその他の用語も、本開示の範囲に含まれる。
【００３４】
金属ナノワイヤ１４０を含む分散液又はインキは、スクリーンプリンティング、ノズルコーティング、ローラーコーティング等の任意の方法を用いて、基板１１０の表面に形成することができるが、これらに限定されない。少なくとも１つの実施形態では、金属ナノワイヤ１４０を含む分散液又はインキが、ロールツーロール工程により、連続して供給される基板１１０上に被覆される。上述した硬化／乾燥工程の後、溶媒等が蒸発し、金属ナノワイヤ１４０が、基板１１０の表面にランダムに配置される。金属ナノワイヤ１４０は、剥離されることなく、基板１１０の表面に固定し、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａを形成することが好ましい。金属ナノワイヤ１４０は、互いに接触して、連続的な電流の経路を提供し、その結果、導電性ネットワークが形成される。
【００３５】
本開示のいくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ１４０は、約２０〜１００ｎｍの平均的な直径を有し、約２０〜１００μｍの平均的な長さを有する、銀ナノワイヤ又は銀ナノファイバを採用することができる。金属ナノワイヤ１４０は、約２０ｎｍ〜７０ｎｍの平均的な直径を有し、約２０μｍ〜７０μｍの平均的な長さを有することが好ましい（すなわち、アスペクト比が１０００）。いくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ１４０は、７０ｎｍ〜８０ｎｍの直径と、約８μｍの長さを有することができる。
【００３６】
少なくとも１つの実施形態では、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａに被覆層（図示せず）を形成してもよく、硬化の後、被覆層及び第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａが、複合構造を形成する。少なくとも１つの実施形態は、コーティング工程において、好適なポリマー又はそれらの混合物が、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ上に形成される。ポリマーは、金属ナノワイヤ１４０の間に浸透し、充填剤を形成する。そして、ポリマーに硬化処理が施され、被覆層を形成する。換言すると、金属ナノワイヤ１４０が、被覆層に組み込まれたとみなすことができる。特定の実施形態では、硬化処理は、（約６０℃〜１５０℃の温度の）加熱及び焼付けにより、上述したポリマー又はその混合物を第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ上に形成することができる。本開示では、被覆層と第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａの物理的な構造を限定しない。例えば、被覆層及び第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａは、２層の積層体とすることができ、または、被覆層及び第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａを組み合わせて、複合層を形成することができる。金属ナノワイヤ１４０を被覆層に埋め込んで複合体を形成し、後続の処理でパターンを形成することが好ましい。
【００３７】
上述した好適なポリマーは、特定の化学的特性、機械的特性及び光学的特性、例えば、金属ナノワイヤ１４０と基板１１０の接着、優れた物理的及び機械的な強度等を、金属ナノワイヤ１４０に与えることができるため、被覆層は、基質とも称される。さらに別の態様では、被覆層は、金属ナノワイヤ１４０の損傷を抑制する耐摩耗性の表面を提供する特定のポリマー、例えば、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリデカン、シリコーン、ポリ（シリコン−アクリル酸）等を用いて形成し、金属ナノワイヤ１４０の表面強度を高めて、引っ掻き抵抗性を改善する。さらに、架橋剤、重合禁止剤、安定剤（酸化防止剤又は紫外線安定剤等、ただし、これらに限定されるものはない）、界面活性剤等、又はこれらの混合物をポリマーに添加し、複合構造の紫外線抵抗性を改善し、寿命を延ばすことができる。
【００３８】
導電層１２０Ａの特定の形成工程は、以下の通りである。金属材料が、適切な工程により、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ上に形成される。例えば、優れた電気伝導性を有する金属（例えば、単層の銀及び銅、又は、モリブデン／アルミニウム／モリブデン、銅／ニッケル、チタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／クロム等の多層材料）が、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ上に形成されるが、これらに限定されない。第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａと同様に、導電層１２０Ａは、ＶＡ表示領域に形成された第１の部分と、周辺領域ＰＡに形成された第２の部分を備えることができる。導電層１２０Ａの第１の部分は、後続の工程で除去される。導電層１２０Ａの第２の部分と、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａの第２の部分は、後続の工程でパターニングされ、周辺トレース１２０が形成される。
【００３９】
次に、第１のパターニング処理を実施し、当該第１のパターニング処理は主に、導電層１２０Ａ及び第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａをパターニングして、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１のパターンを形成すると同時に、周辺領域ＰＡ内の導電層１２０Ａ及び第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａをパターニングし、図３に示すような周辺トレース１２０を形成する。具体的には、本実施形態は、以下の工程を含むことができる。先ず、感光材料（例えば、フォトレジスト）が露光／焼付けされ、表示領域ＶＡ内の第１のタッチセンサ電極ＴＥ１のパターンと、周辺領域ＰＡ内の周辺トレース１２０のパターンを画定する（すなわち、周知のリソグラフィ工程）。次に、エッチングが行われ、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａを備える第１のタッチセンサ電極ＴＥ１のパターンが、表示領域ＶＡに形成される。第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ（すなわち、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａの第２の部分）と、導電層１２０Ａ（すなわち、導電層１２０Ａの第２の部分）を備える周辺トレース１２０が、周辺領域ＰＡに形成される。
【００４０】
少なくとも１つの実施形態では、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ及び導電層１２０Ａを同時にエッチングすることが可能なエッチング液を（すなわち、第１のエッチング液）を用いて、同一の工程で、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１及び周辺トレース１２０を形成できる。したがって、表示領域ＶＡの第１のタッチセンサ電極ＴＥ１と周辺領域ＰＡの周辺トレース１２０との接続を、最小限のアライメント（例えば、１回）で完了することができるため、従来の複数回のアライメントによる生産性の低下を防止し、アラインメント工程に必要なアライメントトレランスを確保し、周辺トレース１２０の幅をできる限り縮小し、ディスプレイの境界を狭くすることができる。
【００４１】
特定の実施形態によれば、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａがナノ銀層であり、かつ、導電層１２０Ａが銅層である場合、第１のエッチング液を用いて、銅及び銀をエッチングすることができる。例えば、エッチング液の主成分は、ＨＮＯ３（５〜１５％の比率）及びＨ３ＰＯ４（５５〜７０％の比率）であり、これを用いて、銅材料及び銀材料を同一の工程で除去する。別の実施形態では、エッチング液の主成分に、添加剤、例えば、エッチング選択比の調整剤等を加えて、銅のエッチング速度と銀のエッチング速度を調整できる。例えば、主成分であるＨＮＯ３（５〜１５％の比率）及びＨ３ＰＯ４（５５〜７０％の比率）に対し、５〜１０％のベンゾリアゾール（ＢＴＡ）を加えることにより、銅が過剰にエッチングされる問題を解決する。
【００４２】
次に、第２のパターニング処理を実施し、当該第２のパターニング処理は主に、導電層１２０Ａをパターニングして、表示領域ＶＡ内の金属材料を除去し、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１を露出させ、当該第１のタッチセンサ電極ＴＥ１は、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａをパターニングすることによって形成される。具体的には、本実施形態は、以下の工程を含むことができる。先ず、感光材料（例えば、フォトレジスト）を露光／焼付けてパターンを画定し、表示領域ＶＡの導電層１２０Ａの第１の部分を露出させる（すなわち、周知のフォトリソグラフィ処理）。次に、エッチングを行い、表示領域ＶＡ内の導電層１２０Ａの第１の部分を除去することにより、表示領域ＶＡ内の第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａが露出する（このとき、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａは、パターン、すなわち、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１を備える）。
【００４３】
上述したエッチング処理において、例えば、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａがナノ銀層であり、かつ、導電層１２０Ａが銅層である場合、銀のエッチング速度が十分に低い第２のエッチング液を用いて、銅をエッチングし、銅のエッチング液によるナノ銀層への影響を減らすことができる。特定の実施形態では、銅のエッチング液の主成分は、ＣＨ３ＣＯＯＨ及びＮＨ４ＯＨであり、銀ナノワイヤに対するエッチング液成分のエッチング速度は、銅に対するエッチング速度よりも十分に低い（例えば、この２つのエッチング速度の比は、１：１００〜１：１００００である）。少なくとも１つの実施形態では、エッチング液処理後における第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａの抵抗値の変化は、１０％未満である。
【００４４】
代替の実施形態では、表示領域ＶＡ内の導電層１２０Ａが除去される。次に、第２のパターニング処理が実施され、当該第２のパターニング処理は主に、表示領域ＶＡ内の第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａをパターニングして、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１を形成すると同時に、周辺領域ＰＡ内の導電層１２０Ａ及び第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａをパターニングして、周辺トレース１２０を形成する。
【００４５】
図４は、上述した２つのパターニング処理後の構造を示す。第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ（すなわち、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａの第１の部分）を備える第１のタッチセンサ電極ＴＥ１が、表示領域ＶＡに形成される。第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ（すなわち、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａの第２の部分）及び導電層１２０Ａ（すなわち、導電層１２０Ａの第２の部分）を備える周辺トレース１２０が、周辺領域ＰＡに形成される。さらに、図４、図４Ａ、及び図４Ｂを同時に参照すると、周辺トレース１２０は、第１の周辺トレースＰＴ１と、第２の周辺トレースＰＴ２とを備えることができる。第１のタッチセンサ電極ＴＥ１が、第１の周辺トレースＰＴ１に電気的に接続される。第２の周辺トレースＰＴ２が、後続の工程で作られる第２のタッチセンサ電極ＴＥ２に接続される。第２の周辺トレースＰＴ２は、第２のタッチセンサ電極ＴＥ２の電極の両端に存在するが、これに限定されない。第２の周辺トレースＰＴ２は、第２のタッチセンサ電極ＴＥ２の一方の端部に形成することができる。
【００４６】
次に、絶縁層１６０が作られる。さらに、図５に示すように、絶縁層１６０を形成する際に、導電性ビア１６１が形成される。少なくとも１つの実施形態では、例えば、ＳｉＯ２等の絶縁材料を用いて、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａと導電層１２０Ａを覆ってもよい。換言すると、表示領域ＶＡ内の第１のタッチセンサ電極ＴＥ１と、周辺領域ＰＡ内の周辺トレース１２０が、絶縁層１６０で覆われる。少なくとも１つの実施形態では、絶縁層１６０は、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１及び第２の周辺トレースＰＴ２のみを覆ってもよい。
【００４７】
絶縁層１６０の材料を、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ又は導電層１２０Ａのエッチングされたギャップに、完全又は部分的に充填することができる。さらに、フォトリソグラフィ処理又はレーザ処理により、導電性ビア１６１を絶縁層１６０に形成できる。導電性ビア１６１を周辺トレース１２０の一部に対応付けることにより、後に作られる電極構造と周辺トレース１２０を、導電性ビア１６１を介して接続することができるため有益である。図５Ａに示すように、導電性ビア１６１は、第２の周辺トレースＰＴ２に対応する。そして、第２の周辺トレースＰＴ２が露出される。導電性ビア１６１は、実質的に表示領域ＶＡと周辺領域ＰＡの境界に位置する。導電性ビア１６１の位置は、必要に応じて調整することができる。
【００４８】
そして、第２のタッチセンサ電極ＴＥ２が、絶縁層１６０に形成され、第２のタッチセンサ電極ＴＥ２が、対応する周辺トレース１２０に接続される。具体的には、この工程は、以下の工程を含み得る。第２の金属ナノワイヤ層１４０Ｂが、絶縁層１６０に形成される。第２の金属ナノワイヤ層１４０Ｂがパターニングされ、第２のタッチセンサ電極ＴＥ２が形成される。ナノワイヤ層を形成する処理とパターニング処理は、上述した実施形態を参照することができるため、ここでは説明しない。また、第２の金属ナノワイヤ層１４０Ｂの材料を、導電性ビア１６１に完全又は部分的に充填することにより、第２のタッチセンサ電極ＴＥ２を、基板１１０に配置された周辺トレース１２０に接続することができ、当該第２のタッチセンサ電極ＴＥ２は、第２の金属ナノワイヤ層１４０Ｂをパターニングした後で形成される。少なくとも１つの実施形態では、硝酸をエッチング液として用いて、第２の金属ナノワイヤ層１４０Ｂのパターニング処理を行うことができる。
【００４９】
図６Ａを参照すると、第２のタッチセンサ電極ＴＥ２は、導電性ビア１６１の構造により、基板１１０に配置された第２の周辺トレースＰＴ２に接続することができる。本実施形態では、単一の第２のタッチセンサ電極ＴＥ２が、一対又は一組の第２の周辺トレースＰＴ２に対応する。これに応じて、絶縁層１６０は、一対の導電性ビア１６１を備える。単一の第２のタッチセンサ電極ＴＥ２は、導電性ビア１６１を介して、一対の第２の周辺トレースＰＴ２に電気的に接続される。第２のタッチセンサ電極ＴＥ２は、絶縁層１６０上にブリッジ構造を形成する。換言すれば、ブリッジ構造の両端が、それぞれ一対の第２の周辺トレースＰＴ２に接続される。
【００５０】
この時点で、本開示の実施形態のタッチパネル１００が完成する。図６を参照すると、本開示の実施形態に係るタッチパネル１００は、基板１１０と、導電層１２０Ａ及び第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａを備える周辺トレース１２０と、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａを備える第１のタッチセンサ電極ＴＥ１と、第２の金属ナノワイヤ層１４０Ｂを備える第２のタッチセンサ電極ＴＥ２と、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１と第２のタッチセンサ電極ＴＥ２の間に配置された絶縁層１６０とを含む。第１のタッチセンサ電極ＴＥ１及び第２のタッチセンサ電極ＴＥ２は、周辺トレース１２０に電気的に接続される。第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ及び／又は第２の金属ナノワイヤ層１４０Ｂは、金属ナノワイヤ１４０を備える。さらに、導電層１２０Ａ及び第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａは、（同一のエッチング処理において）同時にエッチングされ、基板の上面に配置された第１のタッチセンサ電極ＴＥ１及び周辺トレース１２０を同時に形成する。
【００５１】
詳細には、本開示のいくつかの実施形態では、周辺トレース１２０は、電極を異なる軸方向に接続する第１の周辺トレースＰＴ１及び第２の周辺トレースＰＴ２を備えることができる。構造の観点では、第１の周辺トレースＰＴ１及び第２の周辺トレースＰＴ２は、パターニングされた２つの導電層を備える複合構造体であり、導電層１２０Ａと、導電層１２０Ａと基板１１０の間の第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａとを備える。導電層１２０Ａ及び第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ（すなわち、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａの第２の部分）は、周辺トレース１２０を構成し、同一平面上のエッチング表面を有する。第１のタッチセンサ電極ＴＥ１は、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａがパターニングされた後に形成される。すなわち、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａが、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１を表示領域ＶＡに形成し、周辺トレース１２０の下層構造を周辺領域ＰＡに形成する。したがって、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１は、周辺トレース１２０に電気的に接続でき、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａの導電性によって信号を伝送することができる。また、絶縁層１６０により、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａと第２の金属ナノワイヤ層１４０Ｂは、互いに電気的に絶縁され、パターニングされた第１のタッチセンサ電極ＴＥ１及び第２のタッチセンサ電極ＴＥ２によって送信される信号は、互いに影響を与えない。例えば、第１の方向Ｄ１に沿って配置された第１のタッチセンサ電極ＴＥ１を用いて、外部の制御信号を送信し、第２の方向Ｄ２に沿って配置された第２のタッチセンサ電極ＴＥ２を用いて、接触検知信号を送信することができる。
【００５２】
図４及び図４Ｃを参照すると、周辺領域ＰＡでは、（第２の周辺トレースＰＴ２によって例示する）隣接する周辺トレース１２０の間に非導電性領域１３６があり、隣接する周辺トレース１２０を電気的に絶縁し、短絡を防止する。すなわち、非導電性領域１３６が、隣接する導電層の１２０Ａの第１の側壁の１２２の間にあり、また、隣接する金属ナノワイヤ層１４０Ａの第２の側壁の１４２の間にある。本実施形態では、非導電性領域１３６は、隣接する周辺トレース１２０を絶縁するためのギャップである。少なくとも１つの実施形態では、上述したエッチング方法によってギャップを形成できるため、第１の側壁１２２及び第２の側壁１４２は、同一平面上のエッチングされた表面である。換言すれば、第１の側壁１２２及び第２の側壁１４２は、同じエッチング液を用いて、同一のエッチング処理で形成される。または、先に第１の側壁１２２が、エッチングによって形成され、その後、第２の側壁１４２が、エッチングによって形成される。少なくとも１つの実施形態では、金属ナノワイヤ層１４０Ａの第２の側壁１４２は、上述したエッチング処理により、金属ナノワイヤを含まなくなる場合がある。さらに、導電層１２０Ａ及び金属ナノワイヤ層１４０Ａは、同一又は類似のパターン及び寸法、例えば、長く直線的なパターン、同一又は類似の幅等を有することになる。
【００５３】
同様に、表示領域ＶＡでは、隣接する第１のタッチセンサ電極ＴＥ１の間に非導電性領域１３６があり、隣接する第１のタッチセンサ電極ＴＥ１を電気的に絶縁して、短絡を防止する。また、隣接する第２のタッチセンサ電極ＴＥ２の間には、非導電性領域１３６がある。少なくとも１つの実施形態では、隣接する第１のタッチセンサ電極ＴＥ１のギャップと、隣接する第２のタッチセンサ電極ＴＥ２の間のギャップは、上述したエッチング方法を用いて形成することができる。
【００５４】
本実施形態では、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１及び第２のタッチセンサ電極ＴＥ２が交差する。例えば、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１は、第１の方向Ｄ１に延在する細長い電極であり、第２のタッチセンサ電極ＴＥ２は、第２の方向Ｄ２に延在する細長い電極であり、交差構造を形成する。他の実施形態では、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１及び／又は第２のタッチセンサ電極ＴＥ２は、直列に接続された四角形構造又は六角形構造等の適切な形状を有するが、本開示の範囲は、本明細書の実施形態によって限定されない。
【００５５】
本実施形態では、表示領域ＶＡ内の第１のタッチセンサ電極ＴＥ１及び／又は第２のタッチセンサ電極ＴＥ２は、導電性と光透過性を有することが好ましい。したがって、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１及び／又は第２のタッチセンサ電極ＴＥ２を形成するために使用されるナノワイヤ層は、次の特性を有することが好ましい。可視光（例えば、約４００nm〜７００nmの間の波長）に対する透過率は、約８０％を超えることができ、表面抵抗は、約１０〜１０００オーム／スクエアである。ナノワイヤ層は、可視光（例えば、約４００〜７００nmの波長）に対する透過率が約８５％を超え、表面抵抗が約５０〜５００オーム／スクエアであることが好ましい。
【００５６】
少なくとも１つの実施形態では、上述した完成したタッチパネル１００は、以下の工程で使用することができる。図７を参照すると、液晶材料層２１０が、タッチ電極と反対側の基板１１０の第２の表面（例えば、下面）に形成され得る。少なくとも１つの実施形態では、完成したタッチパネル１００に液晶材料層２１０を設けて、光学機能を有するタッチパネルを作ることができる。例えば、液晶材料層２１０は、偏光機能を有する光学機能層とすることができる（これは、偏光液晶層とも称される）。本実施形態では、偏光機能を有するタッチパネルを作ることができる。または、２つの液晶材料層２１０を形成することができる。一方が偏光機能を有し（これは、偏光液晶層とも称される）、他方が、光学位相差を調整する機能を有する（これは、位相差液晶層とも称される）。したがって、これらの２つの層を複合光学機能層に組み込み、接触検知機能、偏光機能、位相差の調整機能を同時に提供することができる。
【００５７】
少なくとも１つの実施形態では、偏光液晶層は、重合性液晶を含む組成物を用いて、基板の第２の表面をコーティングし、硬化させることで形成される。重合性液晶の組成物は、反応性の高い液晶化合物と二色性染料を含むことができる。反応性の高い液晶化合物が、反応（光照射又は熱照射）により重合すると、液晶構造を維持し、ポリマーネットワーク構造を形成し、二色性染料が偏光特性を提供することができる。
【００５８】
位相差液晶層は、光配向材料を用いて、２つの配向方向を有する光配向層を偏向液晶上に形成し、重合性液晶を含む組成物で光配向層をコーティングし、この組成物を硬化させることによって形成される。
【００５９】
偏光液晶層及び位相差液晶層を作成するためのコーティング方法には、スリットコーティング、ブレードコーティング、グラビアコーティング、バーコーティング、ロールコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、スクリーンプリンティング、グラビアプリンティング、リソグラフィ、ディスペンシングプリンティング等が含まれ得る。また、偏光液晶層及び位相差液晶層を形成するために使用される硬化方法には、熱硬化又は光硬化が含まれ得る。少なくとも１つの実施形態では、ロールツーロール工程を用いて、上述したコーティング処理及び硬化処理を実施することができる。さらに、実際の設計では、必要な偏光値を得るために、複数の積層構造の偏光液晶層を設けることができ、また、必要な位相差値を得るために、複数の積層構造の位相差液晶層を設けることができるが、本発明は、これらに限定されない。
【００６０】
偏光液晶層を設けることにより、本実施形態のタッチパネルは、偏光機能を有することができる。そして、位相差液晶層を設けることにより、タッチパネルは、優れた画像の可視性をさらに有することができる。構造全体により、一体化されたデザインが同じ基板上に形成される。したがって、タッチパネルを、表示機能を有する電子機器に適用する場合、効果的に薄型化を実現することができる。本実施形態では、タッチパネルの製造が完了した後、偏光液晶層及び／又は位相差液晶層が、タッチセンサ電極が存在しないタッチパネルの一方の側面に形成されることに留意すべきである。これにより、タッチセンサ電極の製造中に、高温、強酸、強アルカリ等の環境要因によって生じ得る構成要素（液晶層等）の損傷を防止できる。
【００６１】
本開示の実施形態では、タッチパネルの別の製造方法を提供し、この製造方法は、少なくとも以下の点で第１の製造方法と異なる。本実施形態では、先ず導電層１２０Ａが、周辺領域ＰＡに形成され、次いで、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａが形成され、そして、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１及び周辺トレース１２０が、上述した方法によって形成され、絶縁層１６０が形成され、最後に、第２のタッチセンサ電極ＴＥ２が形成される。
【００６２】
例えば、特定の方法は、以下の通りである。図８（Ａ）に示すように、先ず導電層１２０Ａが、基板１１０の表面（上面等）に形成される。表示領域ＶＡ内の導電層１２０Ａが、エッチング工程によって除去される。残った導電層１２０Ａは、実質的に周辺領域ＰＡに配置される。第１のパターニング処理は、上述した通りである（図８（Ｂ）に示す）。次に、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａが、周辺領域ＰＡ及び表示領域ＶＡに形成される。第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａの第１の部分が、基板１１０の表面に直接形成され、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａの第２の部分が、導電層１２０Ａを覆う（図８（Ｃ）に示す）。そして、共通のエッチング工程により、第２のパターニング処理が実施される。第２のパターニング処理では、表示領域ＶＡ内の第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａがエッチングされ、第１のタッチセンサ電極ＴＥ１を形成し、周辺領域ＰＡ内の導電層１２０Ａ及び金属ナノワイヤ層１４０Ａは、エッチングによってパターニングされ、周辺トレース１２０を形成する（図８（Ｄ）に示す）。そして、絶縁層１６０及び第２のタッチセンサ電極ＴＥ２が形成される。これらの２つの処理の特定の実施形態は、上述した実施形態と同様であるため、その詳細については、ここで再び説明しない。
【００６３】
図９は、図８（Ａ）−（Ｄ）の製造方法によって製造されたタッチパネルの概略図である。本実施形態の特定の内容については、上述した説明を参照することができ、その詳細については、ここで再び説明しない。図６Ａと比較すると、図９に示す構造では、周辺領域ＰＡ内の周辺トレース１２０は、上側に第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａを有し、下側に導電層１２０Ａを有する２層構造である（基板１１０上に生成される）。すなわち、この２層構造では、金属ナノワイヤ１４０が、上述した被覆層によって保護された場合でも、金属ナノワイヤ１４０は、導電層１２０Ａと直接接触するため、これらの間の接触抵抗が低くなり、それにより、送信された接触信号のロス及び歪みを改善する。
【００６４】
上述した実施形態と同様に、基板１１０の他の表面（下面等）に液晶材料層２１０を形成することができ、その詳細については、ここで再び説明しない。
【００６５】
少なくとも１つの実施形態では、予め形成された金属ナノワイヤ１４０にさらに後処理を施し、その伝導性を高めることができる。後処理には、例えば、加熱処理、プラズマ処理、コロナ放電処理、紫外線オゾン処理、又は加圧処理が含まれ得る。例えば、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ及び第２の金属ナノワイヤ層１４０Ｂを形成する硬化処理の後、ローラーを用いて、これらを加圧することができる。一実施形態では、金属ナノワイヤ層は、１以上のローラーを用いて加圧することができる。金属ナノワイヤ層には、５０〜３４００ｐｓｉの圧力が加えられ、１００〜１０００ｐｓｉ、２００〜８００ｐｓｉ、又は３００〜５００ｐｓｉの圧力を加えることが好ましい。いくつかの実施形態では、後処理の加熱処理及び加圧処理を同時に行うことができる。詳細には、形成された金属ナノワイヤ１４０は、上述した１以上のローラーを用いて、加圧及び加熱を同時にすることができる。この圧力は、１０〜５００ｐｓｉであり、４０〜１００ｐｓｉであることが好ましく、また、ローラーは、約７０〜２００℃の範囲で加熱され、約１００〜１７５℃の範囲で加熱されることが好ましく、その結果、第１の金属ナノワイヤ層１４０Ａ及び第２の金属ナノワイヤ層１４０Ｂの伝導性が向上する。いくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ１４０は、後処理のために、還元剤で処理することが好ましい。例えば、銀ナノワイヤを備える金属ナノワイヤ１４０は、後処理のために、銀の還元剤で処理することが好ましい。銀の還元剤には、水素化ホウ素ナトリウム等のヒドロホウ素、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ：dimethylaminoborane）等のホウ素窒素化合物、又は、水素ガス（Ｈ２）等のガス還元剤が含まれる。処理時間は、約１０秒〜約３０分であり、約１分〜約１０分であることが好ましい。加圧処理は、実際の必要に応じて適切に行うことができる。
【００６６】
本開示の様々な実施形態に係る構造、材料、及び工程は、相互に参照することができ、上述した実施形態を限定するものではない。
【００６７】
本開示のいくつかの実施形態では、２軸のタッチセンサ電極に施される周辺金属層のコーティング処理を１回にすることができ、絶縁層の上側及び下側において周辺金属層を第１のタッチセンサ電極及び第２のタッチセンサ電極に接続することができるため、工程を簡略化することができる。
【００６８】
本開示のいくつかの実施形態では、初めに金属ナノワイヤ層又は金属層（すなわち、導電層）を処理することができるため、工程がフレキシブルである。
【００６９】
本開示のいくつかの実施形態では、周辺領域内の導電層は、金属ナノワイヤ層に直接接触して、周辺トレースを形成することができる。これにより、全体として、金属ナノワイヤ層の金属ナノワイヤと周辺トレースが直接接触し、タッチセンサ電極と外部コントローラとの間で制御信号及び接触検知信号を送信するための信号伝送パスのインピーダンスを低くするため、インピーダンスが低いことによって信号伝送のロスを減らすことができる。したがって、従来の構造における高い接触抵抗の問題を解決することができる。
【００７０】
本開示のいくつかの実施形態では、導電性の周辺トレースのインピーダンスを低くすることができ、接触信号の伝送能力が向上するため、送信された接触信号のロス及び歪みが減る。
【００７１】
本開示のいくつかの実施形態では、周辺トレースの複合構造層は、１回のエッチング工程で形成することができる。これは、タッチパネルの製造に適用でき、周辺トレースのパターニング処理を簡略化することができる。この処理は、シンプルで早く、また、生産コストが低い。
【００７２】
本開示のいくつかの実施形態では、周辺トレースの複合構造層は、１回のエッチング工程で形成することができるため、当該工程で必要なアラインメントの数を減らすことができ、それにより、アライメント工程で生じるエラーを防止し、その結果、工程の生産性を改善することができる。
【００７３】
本開示のいくつかの実施形態では、周辺トレースの複合構造層は、１回のエッチング工程で形成することができ、当該工程におけるアライメントのエラーによる無駄な空間を減らすことができ、それにより、周辺領域の幅を効果的に縮小することができる。
【００７４】
本開示のいくつかの実施形態では、光学機能層が、基板の他の側（タッチセンサ電極の反対側）に形成され、接触機能及び光学的機能の双方を有する高度に一体化された製品が作られる。
【００７５】
本開示のいくつかの実施形態では、工程は、ロールツーロール製造技術と組み合わせることができ、片面／両面の電極構造を有する連続的で大きな一群のタッチパネルを製造することができる。
【００７６】
本発明の様々な実施形態について説明したが、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨及び範囲から逸脱することなく、修正及び変更することができる。本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲に従う。
【００７７】
＜関連出願の相互参照＞
本出願は、２０１９年３月２２日に中国に出願した出願番号２０１９１０２２３１６０．５の優先権を主張し、当該出願は、参照によって本明細書に取り込まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図５Ａ】
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【図６】
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【図６Ａ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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