(57)【要約】【課題】  基板間の良好な界面特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】  実施形態に係る半導体装置１は、基板１０と、基板２０と、第１の界面層４１と、第２の界面層４２とを備える。基板１０は、第１の金属元素を含有する金属電極１２と、第１の元素及び酸素（Ｏ）を含有する絶縁層１３とを含む。基板２０は、第２の金属元素を含有する金属電極２２と、第２の元素及び酸素（Ｏ）を含有する絶縁層２３とを含む。第１の界面層４１は、金属電極１２と金属電極２２との界面に設けられ、第１の金属元素及び第２の金属元素の少なくとも一方と第３の金属元素とを含有し、導電性を有する。第２の界面層４２は、絶縁層１３と絶縁層２３との界面に設けられ、第１の元素及び第２の元素の少なくとも一方と第３の金属元素と酸素（Ｏ）とを含有し、絶縁性を有する。【選択図】  図１
2020043120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属元素を含有する第１の金属層と、第１の元素及び酸素（Ｏ）を含有する第１の絶縁層とを含む第１の基板と、
第２の金属元素を含有する第２の金属層と、第２の元素及び酸素（Ｏ）を含有する第２の絶縁層とを含む第２の基板と、
前記第１の金属層と前記第２の金属層との界面に設けられ、前記第１の金属元素及び前記第２の金属元素の少なくとも一方と第３の金属元素とを含有し、導電性を有する第１の界面層と、
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との界面に設けられ、前記第１の元素及び前記第２の元素の少なくとも一方と前記第３の金属元素と酸素（Ｏ）とを含有し、絶縁性を有する第２の界面層と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の金属層と前記第２の絶縁層との界面に設けられ、前記第１の金属元素と前記第３の金属元素とを含有し且つ前記第１の金属層側に設けられた第１の部分と、前記第２の元素と前記第３の金属元素と酸素（Ｏ）とを含有し且つ前記第２の絶縁層側に設けられた第２の部分とを含む第３の界面層をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の金属層と前記第１の絶縁層との界面に設けられ、前記第２の金属元素と前記第３の金属元素とを含有し且つ前記第２の金属層側に設けられた第１の部分と、前記第１の元素と前記第３の金属元素と酸素（Ｏ）とを含有し且つ前記第１の絶縁層側に設けられた第２の部分とを含む第４の界面層をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の金属元素は、銅（Ｃｕ）及びタングステン（Ｗ）から選択され、
前記第２の金属元素は、銅（Ｃｕ）及びタングステン（Ｗ）から選択されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の元素及び前記第２の元素はシリコン（Ｓｉ）であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３の金属元素は、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、クロム（Ｃｒ）、イットリウム（Ｙ）、テクネチウム（Ｔｃ）及びレニウム（Ｒｅ）から選択されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の界面層は、銅（Ｃｕ）及びＭｎ（マンガン）を含有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の界面層にはさらに酸素（Ｏ）が含有されることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２の界面層は、シリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）及びマンガン（Ｍｎ）を含有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面に金属電極パターンを有する２枚の基板（ウェハ）同士を貼り合わせる技術（Wafer-to-Wafer(W2W)/Hybrid bonding）が開発されている。この技術では、各基板の主面側に金属電極及び絶縁層を形成し、２枚の基板同士を貼り合わせて金属電極同士を接合している。
【０００３】
しかしながら、２枚の基板同士を接合する界面の特性は必ずしも十分なものではなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−３３９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板間の良好な界面特性を有する半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る半導体装置は、第１の基板と、第２の基板と、第１の界面層と、第２の界面層とを備える。前記第１の基板は、第１の金属元素を含有する第１の金属層と、第１の元素及び酸素（Ｏ）を含有する第１の絶縁層とを含む。前記第２の基板は、第２の金属元素を含有する第２の金属層と、第２の元素及び酸素（Ｏ）を含有する第２の絶縁層とを含む。前記第１の界面層は、第１の金属層と前記第２の金属層との界面に設けられ、前記第１の金属元素及び前記第２の金属元素の少なくとも一方と第３の金属元素とを含有し、導電性を有する。前記第２の界面層は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との界面に設けられ、前記第１の元素及び前記第２の元素の少なくとも一方と前記第３の金属元素と酸素（Ｏ）とを含有し、絶縁性を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示した断面図である。
【図２】実施形態に係る半導体装置の製法方法の一部を示した断面図である。
【図３】実施形態に係る半導体装置の製法方法の一部を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して実施形態を説明する。
図１は、実施形態に係る半導体装置１の構成を模式的に示した断面図である。
半導体装置１は、基板１０（第１の基板）、基板２０（第２の基板）、第１の界面層４１、第２の界面層４２、第３の界面層４３、及び第４の界面層４４を備える。
【０００９】
基板１０は、下部構造１１、金属電極１２（第１の金属層）、バリアメタル層１２ａ（第１のバリアメタル層）、及び絶縁層１３（第１の絶縁層）を有する。
下部構造１１は、例えば、半導体基板とトランジスタ等を含む回路とを有する。
金属電極１２は、基板１０の主面側表面に所定のパターンで形成されている。金属電極１２は第１の金属元素を主成分として含有する。例えば、第１の金属元素は銅（Ｃｕ）である。以下の説明においては、第１の金属元素は銅（Ｃｕ）であるとして説明する。
【００１０】
バリアメタル層１２ａは、金属電極１２と絶縁層１３の間に形成されており、金属電極１２に含まれる金属元素（銅（Ｃｕ））が絶縁層１３に拡散するのを防止するために設けられている。バリアメタル層１２ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ルテニウム（Ｒｕ）又はそれらの窒化物（窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化ルテニウム（ＲｕＮ））で形成される。また、金属電極１２は、基板１０中の図示せぬ配線と接続している。
【００１１】
絶縁層１３は、金属電極１２同士を絶縁するための層間絶縁膜として機能する。絶縁層１３は少なくとも第１の元素及び酸素（Ｏ）を含有する。例えば、第１の元素は、シリコン（Ｓｉ）である。絶縁層１３は、酸化膜であり、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、又はシリコン炭素酸化物（ＳｉＯＣ）などを主成分とする。以下の説明では、第１の元素は、シリコン（Ｓｉ）であり、絶縁層１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）で形成されているとして説明する。
【００１２】
基板２０は、下部構造２１、金属電極２２（第２の金属層）、バリアメタル層２２ａ（第２のバリアメタル層）、及び絶縁層２３（第２の絶縁層）を有する。
下部構造２１は、例えば、半導体基板とセンサ等とを含む。
金属電極２２は、基板２０の主面側表面に所定のパターンで形成される。金属電極２２は第２の金属元素を主成分として含有する。例えば、第２の金属元素は、第１の金属元素と同様、銅（Ｃｕ）である。以下の説明においては、第２の金属元素は、第１の金属元素と同様、銅（Ｃｕ）であるとして説明する。
【００１３】
バリアメタル層２２ａは、金属電極２２と絶縁層２３の間に形成されている。バリアメタル層２２ａは、金属電極２２に含まれる金属元素（銅（Ｃｕ））が絶縁層２３に拡散するのを防止するために設けられている。バリアメタル層２２ａの主成分はバリアメタル層１２ａと同様である。また、金属電極２２は、基板２０中の図示せぬ配線と接続している。
【００１４】
絶縁層２３は金属電極２２同士を絶縁するための層間絶縁膜として機能する。絶縁層２３は少なくとも第２の元素及び酸素（Ｏ）を含有する。例えば、第２の元素は第１の元素と同様、シリコン（Ｓｉ）である。絶縁層２３は酸化膜であり、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、又はシリコン炭素酸化物（ＳｉＯＣ）などを主成分とする。以下の説明では、第２の元素は、シリコン（Ｓｉ）であり、絶縁層２３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）で形成されているとして説明する。
【００１５】
基板１０及び基板２０は、金属電極１２、２２同士が対向するように、主面同士を向い合せて貼り合わされている。基板１０及び基板２０の間には、第１の界面層４１、第２の界面層４２、第３の界面層４３、及び第４の界面層４４が形成されている。
第１の界面層４１は、金属電極１２と金属電極２２との界面に設けられている。第１の界面層４１は、第１の金属元素及び第２の金属元素の少なくとも一方と第３の金属元素とを含有する。第３の金属元素は、例えばマンガン（Ｍｎ）である。また、上述したように、第１の金属元素及び第２の金属元素が銅（Ｃｕ）である場合、第１の界面層４１には、Ｃｕ（銅）及びＭｎ（マンガン）が含有されている。また、第１の界面層４１は導電性を有しており、第１の界面層４１を介した金属電極１２、２２間の導通を実現できる。
【００１６】
第２の界面層４２は、絶縁層１３と絶縁層２３との界面に設けられている。第２の界面層４２は、第１の元素及び第２の元素の少なくとも一方と第３の金属元素と酸素（Ｏ）とを含有する。上述したように、第１の元素及び第２の元素はシリコン（Ｓｉ）であり、第３の金属元素は、マンガン（Ｍｎ）であることから、第２の界面層４２は、マンガン（Ｍｎ）、及びシリコン（Ｓｉ）が含有された酸化物で形成されている。
【００１７】
第２の界面層４２は絶縁性を有する。また、第２の界面層４２により、金属電極１２、金属電極２２、第１の界面層４１、後述する第３の界面層４３及び第４の界面層４４に含まれる第１及び第２の金属元素（ここでは、銅（Ｃｕ））が、互いに隣り合う金属電極１２間、及び互いに隣り合う金属電極２２間で拡散することを抑制することができる。
【００１８】
このように、第２の界面層４２により、基板１０内の金属電極１２同士の間、及び基板２０内の金属電極２２同士の間の漏れ電流を抑制することができる。
基板１０の金属電極１２の位置は基板２０の金属電極２２の位置と一致することが理想である。しかしながら、基板１０と基板２０とを貼り合わせる場合、基板１０の金属電極１２の位置と基板２０の金属電極２２の位置とがずれてしまう場合がある。このような場合、それらの界面には、第３の界面層４３、及び第４の界面層４４が形成される。
【００１９】
第３の界面層４３は、基板１０の金属電極１２と基板２０の絶縁層２３との界面に設けられている。第３の界面層４３は、第１の部分４３ａと第２の部分４３ｂとを有する。第１の部分４３ａは、第１の金属元素（銅（Ｃｕ））と第３の金属元素（マンガン（Ｍｎ））とを含有する。第１の部分４３ａは、第３の界面層４３における金属電極１２側に設けられている。第２の部分４３ｂは、第２の元素（シリコン（Ｓｉ））と第３の金属元素（マンガン（Ｍｎ））と酸素（Ｏ）とを含有する。また、第２の部分４３ｂは、第３の界面層４３における絶縁層２３側に設けられている。
【００２０】
第４の界面層４４は、基板１０の絶縁層１３と基板２０の金属電極２２との界面に設けられている。第４の界面層４４は、第１の部分４４ａと第２の部分４４ｂとを有している。
第１の部分４４ａは、第２の金属元素（銅（Ｃｕ））と第３の金属元素（Ｍｎ（マンガン））とを含有する。また、第１の部分４４ａは、第４の界面層４４における金属電極２２側に設けられている。第２の部分４４ｂは、第１の元素（シリコン（Ｓｉ））と第３の金属元素（マンガン（Ｍｎ））と酸素（Ｏ）とを含有する。また、第２の部分４４ｂは、第４の界面層４４における絶縁層１３側に設けられている。
【００２１】
第３の界面層４３の第２の部分４３ｂは、基板１０の金属電極１２、第１の界面層４１及び第３の界面層４３の第１の部分４３ａから銅（Ｃｕ）が基板２０の絶縁層２３に拡散することを抑制できる。同様に、第４の界面層４４の第２の部分４４ｂは、基板２０の金属電極２２、第１の界面層４１及び第４の界面層４４の第１の部分４４ａから銅（Ｃｕ）が基板１０の絶縁層１３に拡散することを抑制できる。
【００２２】
次に、実施形態に係る半導体装置１の製法方法を図２及び図３を用いて説明する。
まず、図２に示すような構造を形成する。なお、以下の説明では、便宜上、基板１０の工程と基板２０の工程とを並列に記述しているが、基板１０の工程と基板２０の工程とはそれぞれ独立して行われる。
【００２３】
図２に示すように、基板１０においては下部構造１１を形成し、基板２０においては下部構造２１を形成する。
次に、基板１０の下部構造１１上に絶縁層１３を、基板２０の下部構造２１上に絶縁層２３を形成する。絶縁層１３及び絶縁層２３は、ＣＶＤ法等を用いて形成される。
【００２４】
次に、基板１０においてはバリアメタル層１２ａを、基板２０においてはバリアメタル層２２ａを形成する。ここでは、基板１０の絶縁層１３上にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜をマスクとしてドライエッチング処理を行うことで、絶縁層１３に溝を形成し、その形成された溝の側面及び底面と絶縁層１３表面にバリアメタル層１２ａを形成する。バリアメタル層１２ａは、チタン（Ｔｉ）、タリウム（Ｔａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、又はそれらの窒化物（窒化チタン（ＴｉＮ）、ＴａＮ（窒化タリウム）、窒化ルテニウム（ＲｕＮ））などをＡｒ／Ｎ２雰囲気中でスパッタリングすることで生成される。バリアメタル層２２ａも同様にして、基板２０に形成される。
【００２５】
次に、基板１０においてはバリアメタル層１２ａが形成された溝に金属電極１２を形成し、基板２０においてはバリアメタル層２２ａが形成された溝に金属電極２２を形成する。金属電極１２及び金属電極２２は電解メッキ法により、銅（Ｃｕ）で形成される。
【００２６】
さらに、基板１０においては金属電極１２及びバリアメタル層１２ａを、基板２０においては金属電極２２及びバリアメタル層２２ａをＣＭＰ等によって研磨して平坦化することで図２に示す状態になる。即ち、基板１０の表面に金属電極１２、バリアメタル層１２ａ、及び絶縁層１３が露出した状態になる。同様に、基板２０の表面に金属電極２２、バリアメタル層２２ａ、及び絶縁層２３が露出した状態になる。
【００２７】
次に、図３に示すように、スパッタ法を用いて、基板１０においては金属電極１２上及び絶縁層１３上にＭｎ層３０ａを形成し、基板２０においては金属電極２２上及び絶縁層２３上にＭｎ層３０ｂを形成する。この際のＭｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂの厚さは、例えば２ｎｍである。
【００２８】
次に、基板１０及び基板２０の表面に対して、１分程度Ｎ２プラズマ処理を行う。このＮ２プラズマ処理は、例えば、高周波電源の出力が２５０Ｗ、高周波電源の周波数が３５０ｋＨｚ、Ｎ２の流量が３５ｓｃｃｍ、時間が１分（６０秒）間という条件で行われる。ここでは、Ｎ２プラズマ処理を行うとしたが、Ｍｎ層３０ａ、３０ｂ表面の不純物等を取り除くために追加で水洗処理を行ってもよい。水洗処理に限らず、薬液を用いた処理を行ってもよい。
【００２９】
次に、図１に示すように、基板１０の主面と基板２０の主面とを向い合せて、金属電極１２の位置と金属電極２２の位置とが対応するように基板１０と基板２０とを貼り合わせる。このとき、金属電極１２の位置と金属電極２２の位置とが完全に一致せず、金属電極１２の一部に対向する位置に絶縁層２３が位置し、金属電極２２の一部に対向する位置に絶縁層１３が位置する場合がある。図１は、このような場合について示している。
【００３０】
基板１０及び基板２０を貼り合わせた後、基板１０と基板２０とに熱処理を行う。このとき、例えば、基板１０及び基板２０は、Ｎ２雰囲気、大気圧で、１時間、２５０℃で加熱される。
Ｎ２プラズマ処理及び熱処理を行うことで、金属電極１２及び金属電極２２に含まれる銅（Ｃｕ）が拡散し、Ｍｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂ中に導入される。そして、金属電極１２及び金属電極２２の界面には、マンガン（Ｍｎ）と銅（Ｃｕ）とを含む第１の界面層４１が形成される。
【００３１】
また、Ｎ２プラズマ処理及び熱処理を行うことで、絶縁層１３及び絶縁層２３に含まれるシリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）がＭｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂ中に導入される。これにより、絶縁層１３及び絶縁層２３の界面には、マンガン（Ｍｎ）、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）を含む第２の界面層４２が形成される。
【００３２】
なお、第２の界面層４２に含まれる酸素（Ｏ）は、絶縁層１３及び絶縁層２３から導入されたもの、基板１０、２０同士の貼り合わせ前にＭｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂ表面の酸化よってＭｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ａに含まれるに至ったもの、Ｍｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂの成膜以降の熱工程中に、基板１０及び基板２０上の絶縁層１３及び絶縁層２３に含有された水分によってＭｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂが酸化されることで導入されたものがある。
【００３３】
また、上述した貼り合わせ工程により、金属電極１２の位置と、金属電極２２の位置とが一致していない部分には、第３の界面層及び第４の界面層が形成される。
基板１０及び基板２０表面にＭｎ層を形成しないで、基板１０及び基板２０を貼り合わせる場合、即ち、基板１０の金属電極１２と基板２０の金属電極２２とを直接を接合する場合、貼り合わせずれが生じることで以下の問題が生じる。貼り合わせずれとは、基板１０の金属電極１２と基板２０の絶縁層２３とが接触する部分、基板２０の金属電極２２と基板１０の絶縁層１３とが接触する部分が生じることである。
【００３４】
貼り合わせずれの部分では、一方の基板の金属電極を構成する銅（Ｃｕ）が、他方の基板の絶縁層中に拡散してしまう。これにより、半導体装置１の電気特性、信頼性が低下するおそれがある。また、絶縁層１３及び絶縁層２３同士の接合界面はバルクの絶縁層と異なり微小な欠陥が存在すると、金属電極１２及び２２を構成する銅（Ｃｕ）が拡散しやすいため、金属電極１２及び金属電極２２を構成する銅（Ｃｕ）が界面を拡散し得る。この場合、同じ基板内の金属電極間でショートしたり、金属電極間のＴＤＤＢ劣化が生じる。
【００３５】
また、基板１０の表面は、金属電極（銅（Ｃｕ））１２と絶縁層（シリコン酸化物（ＳｉＯ２））１３とバリアメタル層１２ａとで構成されている。即ち、基板１０表面は異なる材料で構成された複数の層が露出している。このため、基板１０及び基板２０を接合する前の処理を最適化することが難しい。例えば、絶縁層１３を接合に適した状態にするためにプラズマ処理、洗浄などを実行した場合、金属電極１２表面が酸化してしまう。基板２０についても同様である。
【００３６】
また、基板１０及び基板２０表面にＭｎ層を形成しない場合、基板１０及び基板２０の表面の金属電極部分に凹みを有する状態で基板１０及び基板２０を貼り合わせ、熱処理を行うことで、金属電極１２、２２を膨張させて基板１０の金属電極１２と基板２０の金属電極２２とを接合していた。この場合、貼り合わせずれ部分において隙間が生じることがあり、基板１０、２０同士を強固に貼り付けることが難しい。
【００３７】
これに対して、本実施形態における半導体装置１は、基板１０及び基板２０の表面にそれぞれＭｎ層３０ａ、３０ｂを形成した後、基板１０、２０同士の接合前処理（Ｎ２プラズマ処理）、基板１０、２０同士の貼り合わせ、接合後処理（熱処理）を行うことで、上述したように、基板１０及び基板２０の界面に、絶縁性を有し、金属元素（銅（Ｃｕ））の拡散を抑制する性質を有する第２の界面層４２が形成される。このため、基板１０及び基板２０を接合した後において、同一基板内の金属電極間における漏れ電流を抑制することができる。よって、同一基板内での金属電極間でのショート、金属電極間のＴＤＤＢ劣化を抑制できる。
【００３８】
また、基板１０及び基板２０の界面には、導電性を有する第１の界面層４１が形成されるため、基板１０の金属電極１２と基板２０の金属電極２２間の導通を確保できる。
さらに基板１０と基板２０との貼り合わせずれの部分には、第３の界面層４３と第４の界面層４４が形成されるため、金属電極１２、２２を構成する金属元素（Ｃｕ）が、他方の基板の絶縁層中へ拡散することを抑制できる。
【００３９】
また、基板１０及び基板２０の接合界面全面がマンガン（Ｍｎ）を主成分とする層から構成されるため、接合前処理の最適化が容易となる。例えば、Ｎ２プラズマ処理、水洗処理による金属電極の酸化を防止できる。
また、第１〜第４の界面層４１、４２、４３、４４は、高い密着性を有しており、基板１０と基板２０とを強固に接合することが可能である。
【００４０】
したがって、上述した基板１０の金属電極１２と基板２０の金属電極２２との貼り合わせずれが生じる場合の問題点を改善できる。
なお、金属電極１２に含まれる第１の金属元素として、銅（Ｃｕ）の代わりにタングステン（Ｗ）が用いられてもよい。金属電極２２に含まれる第２の金属元素についても同様、銅（Ｃｕ）の代わりにタングステン（Ｗ）が用いられてもよい。
【００４１】
また、第１〜第４の界面層４１、４２、４３、４４の主成分である第３の金属元素はマンガン（Ｍｎ）であるとして説明したが、第１〜第４の界面層４１、４２、４３、４４には主成分として、Ｍｎ（マンガン）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、クロム（Ｃｒ）、イットリウム（Ｙ）、テクネチウム（Ｔｃ）及びレニウム（Ｒｅ）から選択された金属元素が含まれればよい。
【００４２】
なお、上述した説明において、図３に示すＭｎ層を形成する工程において、基板１０及び基板２０にそれぞれＭｎ層３０ａ，３０ｂを形成するとしたが、一方の基板のみにＭｎ層を形成し、基板１０と基板２０とを貼り合わせてもよい。
また、第１の界面層４１にはさらに酸素（Ｏ）が含有されていてもよい。即ち、図３に示す、基板１０及び基板２０それぞれにＭｎ層３０ａ及びＭｎ層３０ｂを形成することに替えて、マンガン酸化物（ＭｎＯ２）層を形成してもよい。
【００４３】
以上、本実施形態によれば、基板間の良好な界面特性を有する複数の基板同士が接合された半導体装置を提供できる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４４】
１…半導体装置    １０…基板    １１…下部構造    １２…金属電極
１２ａ…バリアメタル層    １３…絶縁層    ２０…基板    ２１…下部構造  
２２…金属電極    ２２ａ…バリアメタル層    ２３…絶縁層    
３０ａ，３０ｂ…Ｍｎ層    ４１…第１の界面層    ４２…第２の界面層    
４３…第３の界面層    ４３ａ…第１の部分    ４３ｂ…第２の部分    
４４…第４の界面層    ４４ａ…第１の部分    ４４ｂ…第２の部分
【図１】
2020043120.tif 000003
【図２】
2020043120.tif 000004
【図３】
2020043120.tif 000005