(57)【要約】【課題】多層基板を小型化すること。【解決手段】第１金属層および第２金属層と、前記第１金属層と前記第２金属層との間に設けられ、本体部と、前記本体部に設けられた第１開口内に設けられ前記本体部と電気的に分離された島部と、を含む金属コア層と、前記第１金属層と前記金属コア層とに挟まれた第１絶縁層と、前記第２金属層と前記金属コア層とに挟まれた第２絶縁層と、前記第１絶縁層を貫通し、前記島部の厚さの１／５以下の厚さを有し、前記第１金属層と前記島部とを接続する複数の第１金属ビアと、前記第２絶縁層を貫通し、前記島部の厚さの１／５以下の厚さを有し、前記第２金属層と前記島部とを接続する複数の第２金属ビアと、を備える多層基板。【選択図】図１
2020161639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属層および第２金属層と、
前記第１金属層と前記第２金属層との間に設けられ、本体部と、前記本体部に設けられた第１開口内に設けられ前記本体部と電気的に分離された島部と、を含む金属コア層と、
前記第１金属層と前記金属コア層とに挟まれた第１絶縁層と、
前記第２金属層と前記金属コア層とに挟まれた第２絶縁層と、
前記第１絶縁層を貫通し、前記島部の厚さの１／５以下の厚さを有し、前記第１金属層と前記島部とを接続する複数の第１金属ビアと、
前記第２絶縁層を貫通し、前記島部の厚さの１／５以下の厚さを有し、前記第２金属層と前記島部とを接続する複数の第２金属ビアと、
を備える多層基板。
【請求項２】
前記島部の幅は前記島部の厚さ以上である請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記第１金属ビアが前記島部に接続する面における断面積の合計は、前記島部の平面面積の５％以上であり、
前記第２金属ビアが前記島部に接続する面における断面積の合計は、前記島部の平面面積の５％以上である請求項１または２に記載の多層基板。
【請求項４】
前記複数の第１金属ビアのうち隣接する第１金属ビアの端間の最短距離のうち、最も大きい距離は前記島部の厚さの２倍以下であり、
前記複数の第２金属ビアのうち隣接する第２金属ビアの端間の最短距離のうち、最も大きい距離は前記島部の厚さの２倍以下である請求項１から３のいずれか一項に記載の多層基板。
【請求項５】
前記複数の第１金属ビアのうち最も外側の第１金属ビアの端と前記島部の端との最短距離のうち、最も大きい距離は前記島部の厚さ以下であり、
前記複数の第２金属ビアのうち最も外側の第２金属ビアの端と前記島部の端との最短距離のうち、最も大きい距離は前記島部の厚さ以下である請求項１から４のいずれか一項に記載の多層基板。
【請求項６】
前記島部の端と前記第１開口の端との距離は前記島部の厚さの２倍以下である請求項１から５のいずれか一項に記載の多層基板。
【請求項７】
前記本体部はグランド電位が供給される請求項１から６のいずれか一項に記載の多層基板。
【請求項８】
前記本体部の設けられた第２開口に埋め込まれた電子部品を備える請求項１から７のいずれか一項に記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層基板に関し、例えばコア層を有する多層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属コア層を含む複数の金属層と絶縁層とが積層された多層基板において、金属コア層の上方の金属層と下方の金属層とを接続するときに、金属コア層に形成された開口内に上方の金属層と下方の金属層とを接続するスルーホールを設けることが知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−３０２５６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上方の金属層と下方の金属層との間に大きな電流を流すためにはスルーホールを複数設けることになる。しかしながら、スルーホールを複数設けると、多層基板が大型化してしまう。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、多層基板を小型化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１金属層および第２金属層と、前記第１金属層と前記第２金属層との間に設けられ、本体部と、前記本体部に設けられた第１開口内に設けられ前記本体部と電気的に分離された島部と、を含む金属コア層と、前記第１金属層と前記金属コア層とに挟まれた第１絶縁層と、前記第２金属層と前記金属コア層とに挟まれた第２絶縁層と、前記第１絶縁層を貫通し、前記島部の厚さの１／５以下の厚さを有し、前記第１金属層と前記島部とを接続する複数の第１金属ビアと、前記第２絶縁層を貫通し、前記島部の厚さの１／５以下の厚さを有し、前記第２金属層と前記島部とを接続する複数の第２金属ビアと、を備える多層基板である。
【０００７】
上記構成において、前記島部の幅は前記島部の厚さ以上である構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第１金属ビアが前記島部に接続する面における断面積の合計は、前記島部の平面面積の５％以上であり、前記第２金属ビアが前記島部に接続する面における断面積の合計は、前記島部の平面面積の５％以上である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記複数の第１金属ビアのうち隣接する第１金属ビアの端間の最短距離のうち、最も大きい距離は前記島部の厚さの２倍以下であり、
前記複数の第２金属ビアのうち隣接する第２金属ビアの端間の最短距離のうち、最も大きい距離は前記島部の厚さの２倍以下である構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記複数の第１金属ビアのうち最も外側の第１金属ビアの端と前記島部の端との最短距離のうち、最も大きい距離は前記島部の厚さ以下であり、前記複数の第２金属ビアのうち最も外側の第２金属ビアの端と前記島部の端との最短距離のうち、最も大きい距離は前記島部の厚さ以下である構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記島部の端と前記第１開口の端との距離は前記島部の厚さの２倍以下である構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記本体部はグランド電位が供給される構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記本体部の設けられた第２開口に埋め込まれた電子部品を備える構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、多層基板を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係る多層基板の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、比較例１および実施例１における断面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｈ）は、比較例１および実施例における開口３０の平面図である。
【図４】図４は、比較例１および実施例１における開口３０の面積に対する金属層１４と１８との間の電気抵抗を示す図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１における島部の平面図である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１における島部の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１（ａ）は、実施例１に係る多層基板の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）は主に、コア層１０、ビア１３、１７および電子部品３４を図示している。
【００１８】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、多層基板１００では、コア層１０は本体部１０ａと島部１０ｂを有している。本体部１０ａには開口３０および３２が形成されている。開口３０内に島部１０ｂが設けられている。本体部１０ａと島部１０ｂとは絶縁されている。開口３２内に電子部品３４が埋め込まれている。開口３０および３２内には絶縁層１１が埋め込まれている。
【００１９】
コア層１０上に絶縁層１２が設けられ、絶縁層１２上に金属層１４が設けられている。金属層１４および絶縁層１２上に絶縁層２２が設けられ、絶縁層２２上に金属層２４が設けられている。複数のビア１３は絶縁層１２を貫通し、島部１０ｂと金属層１４とを電気的に接続する。複数のビア２３は絶縁層２２を貫通し、金属層１４と２４とを電気的に接続する。絶縁層２２上に金属層２４上に開口を有する絶縁層２５が設けられている。
【００２０】
コア層１０下に絶縁層１６が設けられ、絶縁層１６下に金属層１８、１８ａおよび１８ｂが設けられている。金属層１８、１８ａ、１８ｂおよび絶縁層１６下に絶縁層２６が設けられ、絶縁層２６下に金属層２８、２８ａおよび２８ｂが設けられている。複数のビア１７、１７ａおよび１７ｂは絶縁層１６を貫通し、複数のビア２７、２７ａおよび２７ｂは絶縁層２６を貫通する。ビア１７は金属層１８と島部１０ｂとを電気的に接続する。ビア２７は金属層１８と金属層２８とを電気的に接続する。
【００２１】
金属層２８ａは、ビア２７ａ、金属層１８ａおよびビア１７ａを介し本体部１０ａに電気的に接続されている。金属層２８ａにグランド電位を供給することで、本体部１０ａは接地される。金属層２８ｂは、ビア２７ｂ、金属層１８ｂおよびビア１７ｂを介し電子部品３４に電気的に接続されている。金属層２８、２８ａおよび２８ｂはランド等の端子として機能する。絶縁層２６下に金属層２８、２８ａおよび２８ｂ下に開口を有する絶縁層２９が設けられている。
【００２２】
コア層１０は、例えば銅、銅合金、鉄または鉄合金等の金属層である。絶縁層１１、１２、１６、２２および２６は、例えば合成樹脂であり、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂またはポリイミド樹脂であり、合成樹脂にガラス繊維等のフィラーが混合されていてもよい。絶縁層２５および２９は例えばエポキシ樹脂等のソルダーレジストである。金属層１４、１８、１８ａ、１８ｂ、２４、２８、２８ａ、２８ｂ、ビア１３、１７、１７ａ、１７ｂ、２３、２７、２７ａおよび２７ｂは、例えば銅、金または銀を主成分とする金属層であり、バリア層および／または密着層を含んでもよい。電子部品３４は、例えばチップコンデンサ、チップインダクタまたはチップ抵抗等のチップ部品でもよく、集積回路またはトランジスタ等の半導体装置でもよい。半導体装置は、ベアチップでもよいし、ベアチップが実装されたパッケージでもよい。
【００２３】
コア層１０の厚さＴ１は、一例として３４０μｍであり、例えば３５μｍから５００μｍである。絶縁層１２および１６の各々の厚さ（ビア１３、１７の高さＴ２）は、一例として３４μｍであり、例えば５μｍから１００μｍである。金属層１４および１８各々の厚さＴ３は、一例として２３μｍであり、例えば５μｍから１００μｍである。絶縁層２２および２６の各々の厚さＴ４は、一例として２９μｍであり、例えば５μｍから１００μｍである。金属層２４および２８各々の厚さＴ５は、一例として２３μｍであり、例えば５μｍから１００μｍである。絶縁層２５および２９の各々の厚さＴ６は、一例として１５μｍであり、例えば２μｍから５０μｍである。多層基板１００の厚さＴは、一例として５８８μｍである。
【００２４】
比較例１として、スルーホール３８を介し金属層１４と１８とを電気的に接続する場合と、実施例１のように、島部１０ｂを介し金属層１４と１８とを電気的に接続する場合についてシミュレーションを行った。
【００２５】
図２（ａ）および図２（ｂ）は、比較例１および実施例１における断面図である。図２（ａ）に示すように、比較例１のスルーホール３８では、開口３０内の絶縁層１１、１２、１６に開口２０が形成されている。開口２０の内面に金属層１９が設けられている。金属層１９内に絶縁層４０が設けられている。スルーホール３８の高さＴ７は、Ｔ１＋２×Ｔ２である。スルーホール３８の直径をＤ６とし、金属層１９の厚さをＤ９とする。
【００２６】
図２（ｂ）に示すように、実施例１では島部１０ｂ上および下にピラー１５としてビア１３および１７が設けられている。ピラー１５の高さＴ２は絶縁層１２および１６の厚さである。ピラー１５の直径をＤ１とし、島部１０ｂの幅をＤ５とする。
【００２７】
図３（ａ）から図３（ｈ）は、比較例１および実施例における開口３０の平面図である。図３（ａ）から図３（ｄ）は、比較例１のそれぞれサンプルＡからＤにおける開口３０の平面図である。図３（ｅ）から図３（ｈ）は、実施例１のそれぞれサンプルＥからＨにおける開口３０の平面図である。サンプルＡとＥはほぼ同じ開口３０の面積を有している。サンプルＢとＦとはほぼ同じ開口３０の面積を有し、サンプルＣとＧとはほぼ同じ開口３０の面積を有し、サンプルＤとＨとはほぼ同じ開口３０の面積を有している。サンプルＢおよびＦはサンプルＡおよびＥより開口３０の面積が大きく、サンプルＣおよびＧはサンプルＢおよびＦより開口３０の面積が大きく、サンプルＤおよびＨはサンプルＣおよびＧより開口３０の面積が大きい。
【００２８】
サンプルＡでは、スルーホール３８は３個×３個設けられている。サンプルＢでは、スルーホール３８は４個×３個設けられている。サンプルＣでは、スルーホール３８は４個×４個設けられている。サンプルＤでは、スルーホール３８は５個×５個設けられている。
【００２９】
サンプルＥでは、ピラー１５は２個×２個設けられている。サンプルＦでは、ピラー１５は４個×２個設けられている。サンプルＧでは、ピラー１５は４個×４個設けられている。サンプルＨでは、ピラー１５は５個×５個設けられている。
【００３０】
スルーホール３８の直径はＤ６、スルーホール３８の端の距離Ｄ７およびスルーホール３８の端と開口３０の端との距離Ｄ８は、各々サンプルＡからＤで同じである。ピラー１５の直径Ｄ１、ピラー１５の端の距離Ｄ２、ピラー１５の端と島部１０ｂの端との距離Ｄ３および島部１０ｂの端と開口３０の端との距離Ｄ４は、各々サンプルＥからＨで同じである。
【００３１】
比較例１および実施例１において、開口３０の面積に対する金属層１４と１８間の抵抗をシミュレーションした。
シミュレーションの条件は以下である。
コア層１０、金属層１４および１８の材料：銅
コア層１０の厚さＴ１：３４０μｍ
実施例１
ピラー１５の高さＴ２：６８μｍ、３４μｍ
ピラー１５の直径Ｄ１：５０μｍ
ピラー１５端の距離Ｄ２：１００μｍ
ピラー１５端と島部１０ｂ端との距離Ｄ３：７５μｍ
島部１０ｂ端と開口３０端との距離Ｄ４：２００μｍ
ピラー１５の高さＴ２が６８μｍのサンプルでは、Ｔ１：Ｔ２は５：１であり、Ｔ２が３４μｍのサンプルでは、Ｔ１：Ｔ２は１０：１である。
比較例１
スルーホール３８の高さＴ７：４５４μｍ
スルーホール３８の直径Ｄ６：１１０μｍ
スルーホール３８端の距離Ｄ７：１３０μｍ
スルーホール３８端と開口３０端との距離Ｄ８：９５μｍ
金属層１９の厚さＤ９：２３μｍ
【００３２】
図４は、比較例１および実施例１における開口３０の面積に対する金属層１４と１８との間の電気抵抗を示す図である。ドットはシミュレーションした点を示し、線はドットをつなぐ線である。ＡからＨはそれぞれサンプルＡからＨのドットを示す。
【００３３】
図４に示すように、開口３０を大きくすると抵抗が低くなる。開口３０の面積が小さいとき、比較例１より実施例１の抵抗が高い。開口３０の面積が大きくなると、実施例１の抵抗は比較例１より小さくなる。Ｔ１：Ｔ２＝５：１では、サンプルＤおよびＨより開口３０が大きくなると実施例１の抵抗は比較例１より低くなる。Ｔ１：Ｔ２ではサンプルＢおよびＦより開口３０が大きくなると実施例１の抵抗は比較例１より小さくなる。
【００３４】
以上のように、実施例１では、島部１０ｂの厚さＴ１をピラー１５の高さＴ２の５倍以上とすることで、金属層１４と１８との間の電気抵抗を低くできる。これにより、コア層１０の上方と下方との間に大きな電流を流すことができる。また、ピラー１５および島部１０ｂを介し金属層１４と１８との間の熱抵抗を低くできる。これにより、コア層１０の上方と下方との間の放熱性を高めることができる。金属層１４と１８との間の電気抵抗および熱抵抗を比較例１と同じとすると、比較例１より開口３０の面積を小さくできる。これにより、多層基板１００を小型化できる。
【００３５】
図５（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１における島部の平面図である。図５（ａ）の例では、島部１０ｂの平面形状は略正方形でありピラー１５は１０個×１０個設けられている。ピラー１５の平面形状は略円形状である。島部１０ｂの平面形状を略正方形とすることで、島部１０ｂの単位面積当たりのピラー１５の個数を多くできる。ピラー１５の個数を多くすることで、電気抵抗および熱抵抗を小さくできる。
【００３６】
図５（ｂ）の例では、島部１０ｂの平面形状は略長方形状でありピラー１５は１０個×１個設けられている。図５（ｃ）の例では、島部１０ｂはＬ字状でありピラー１５はＬ字状に設けられている。図５（ａ）から図５（ｃ）のように、島部１０ｂの平面形状は任意であり、多層基板１００を小型化できるように、設定できる。
【００３７】
図６（ａ）の例では、ピラー１５の平面形状は直線状の略長方形状である。図６（ｂ）の例では、ピラー１５の平面形状は楕円形状である。図６（ａ）および図６（ｂ）のように、ピラー１５の平面形状は任意である。
【００３８】
図６（ｃ）の例では、平面形状が円形状と楕円形状のピラー１５が設けられている。図６（ｃ）のように、同じ島部１０ｂに接続されるピラー１５の平面形状は異なっていてもよい。図５（ａ）から図５（ｂ）のように、ピラー１５の平面形状は互いに同じでもよい。
【００３９】
比較例１では、スルーホール３８内の金属層１９はめっき法等を用い形成される。このため、金属層１９を厚くすることが難しい。スルーホール３８の直径Ｄ６を大きくしても金属層１９の厚さＤ９を一定とするとスルーホール３８内の金属層１９の体積はスルーホール３８の体積ほどは大きくならない。
【００４０】
一方、実施例１によれば、コア層１０（金属コア層）は、金属層１４（第１金属層）と金属層１８（第２金属層）との間に設けられている。コア層１０は開口３０（第１開口）が設けられた本体部１０ａと、本体部１０ａ内に設けられ本体部１０ａと電気的に分離された島部１０ｂとを含む。絶縁層１２（第１絶縁層）および絶縁層１６（第２絶縁層）は、金属層１４および１８とコア層１０とに挟まれている。複数のビア１３（第１金属ビア）は絶縁層１２を貫通し、金属層１４と島部１０ｂとを接続する。複数のビア１７（第２金属ビア）は絶縁層１６を貫通し、金属層１８と島部１０ｂとを接続する。
【００４１】
島部１０ｂはコア層１０の一部であるため、比較例１の金属層１９のような厚さの制限がない。そこで、複数のビア１３および１７の厚さ（高さＴ２）を島部１０ｂの厚さＴ１の１／５以下とする。これにより、同じ開口３０の面積でも比較例１に比べ、金属層１４と１８との間の電気抵抗および熱抵抗を小さくできる。よって、損失を抑制しかつ放熱性を向上できる。同じ電気抵抗および熱抵抗を比較例１より小さい開口３０で実現できる。このため、多層基板１００を小型化できる。なお、本体部１０ａおよび島部１０ｂの厚さは略等しくＴ１である。
【００４２】
ビア１３および１７の厚さ（高さＴ２）は島部１０ｂの厚さＴ１の１／７以下が好ましく、１／１０以下がより好ましい。島部１０ｂが厚くなると多層基板が大型化する。よって、ビア１３および１７の厚さ（高さＴ２）は島部１０ｂの厚さＴ１の１／５０以上が好ましく、１／２０以上がより好ましい。島部１０ｂの厚さＴ１は、多層基板１００の厚さＴの１／３以上が好ましく、１／２以上がより好ましい。
【００４３】
図３（ｅ）から図３（ｈ）、図５（ａ）から図５（ｃ）および図６（ａ）から図６（ｃ）におけるピラー１５の面積の合計（ビア１３および１７が島部１０ｂに接続する面における断面積の合計）は、島部１０ｂの平面面積の５％以上が好ましく、１０％以上がより好ましい。これにより、金属層１４と１８との間の電気抵抗および熱抵抗を低くできる。
【００４４】
島部１０ｂの幅Ｄ５は島部１０ｂの厚さＴ１以上である。これにより、金属層１４と１８との間の電気抵抗および熱抵抗を低くできる。島部１０ｂの平面形状が略矩形の場合、短辺の幅が島部１０ｂの厚さＴ１以上であることが好ましい。島部１０ｂの幅Ｄ５は厚さＴ１の２倍以上がより好ましく、５倍以上がさらに好ましい。
【００４５】
隣接するビア１３端間の最短距離Ｄ２は島部１０ｂの厚さＴ１の２倍以下が好ましく、Ｔ１以下がより好ましく、Ｔ１の１／２以下がさらに好ましい。隣接するビア１７端間の最短距離Ｄ２は島部１０ｂの厚さＴ１の２倍以下が好ましく、Ｔ１以下がより好ましく、Ｔ１の１／２以下がさらに好ましい。図６（ｃ）のように、円形状のピラー１５（すなわちビア１３および１７）の最短距離Ｄ２´と楕円形状のピラー１５の最短距離Ｄ２が異なる場合、最も大きな距離Ｄ２がコア層１０の厚さＴ１以下である。これにより、ビア１３および１７が島部１０ｂに接続する面における断面積の合計を大きくできる。
【００４６】
最も外側のビア１３の端と島部１０ｂの端との最短距離Ｄ３は島部１０ｂの厚さＴ１以下が好ましく、Ｔ１の１／２以下がより好ましい。最も外側のビア１７の端と島部１０ｂの端との最短距離Ｄ３は島部１０ｂの厚さＴ１以下が好ましく、Ｔ１の１／２以下がより好ましい。図６（ｂ）のように、ピラー１５（すなわちビア１３および１７）端と島部１０ｂ端との最短距離Ｄ３´およびＤ３が異なる場合、最も大きな距離Ｄ３が島部１０ｂの厚さＴ１以下である。これにより、ビア１３および１７が島部１０ｂに接続する面における断面積の合計を大きくできる。
【００４７】
１つの島部１０ｂに接続される複数のビア１３および１７の個数は各々１０以上である。これにより、金属層１４と１８との間の電気抵抗および熱抵抗を低くできる。１つの島部１０ｂに接続される複数のビア１３および１７の個数は各々２０以上が好ましく、５０以上がより好ましい。
【００４８】
複数のビア１３および１７は距離Ｄ２の一定間隔で設けられている。これにより、金属層１４と１８との間の電気抵抗および熱抵抗を低くできる。
【００４９】
島部１０ｂの端と開口３０の端との距離Ｄ４は、島部１０ｂの厚さＴ１の２倍以下が好ましく、Ｔ１以下がより好ましい。これにより、開口３０の面積を小さくでき、多層基板１００を小型化できる。
【００５０】
本体部１０ａにはグランド電位が供給される。この場合、島部１０ｂが本体部１０ａと接触すると、ピラー１５が接地されてしまう。よって、島部１０ｂは本体部１０ａと絶縁されている。
【００５１】
電子部品３４は本体部１０ａに設けられた開口３２（第２開口）に埋め込まれている。電子部品３４が埋め込まれた多層基板は、小型化が可能であるが、多層基板の熱密度が増大する。そこで、島部１０ｂおよびピラー１５を介し放熱することが有効である。２個以上の電子部品３４が本体部１０ａに埋め込まれていてもよい。金属層２４上に別の電子部品が実装されていてもよい。
【００５２】
多層基板１００にスルーホール３８が設けられていてもよい。電流が小さい経路にはスルーホール３８を用いることにより、多層基板１００の面積を小さくできる。
【００５３】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１０  コア層
１０ａ  本体部
１０ｂ  島部
１１、１２、１６、２２、２５、２６、２９  絶縁層
１３、１７、１７ａ、１７ｂ、２７、２７ａ、２７ｂ  ビア
１４、１８、１８ａ、１８ｂ、２４、２８、２８ａ、２８ｂ  金属層
【図１】
2020161639.tif 000003
【図２】
2020161639.tif 000004
【図３】
2020161639.tif 000005
【図４】
2020161639.tif 000006
【図５】
2020161639.tif 000007
【図６】
2020161639.tif 000008