(57)【要約】【課題】隣接画素へのキャリアのリークを無くすことを目的とする。【解決手段】表示装置は、複数の画素電極３６と、複数の画素電極３６の中央部それぞれに重なる複数の開口ＯＰを有して複数の画素電極３６の周縁部それぞれに載る絶縁層３８と、複数の画素電極３６の中央部及び絶縁層３８に載るエレクトロルミネセンス層４４と、エレクトロルミネセンス層４４の上に載る共通電極５０と、を有する。エレクトロルミネセンス層４４は、複数の画素電極３６の中央部及び絶縁層３８に連続的に接触する最下層を含む。絶縁層３８は、複数の開口ＯＰそれぞれに隣接する複数の枠端部４０と、複数の枠端部４０の隣り合う一対の間にある枠中央部４２と、を含む。枠中央部４２は、最下層を酸化させるための酸化剤を含む。枠端部４０は、酸化剤を含まない。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の中央部それぞれに重なる複数の開口を有して前記複数の画素電極の周縁部それぞれに載る絶縁層と、
前記複数の画素電極の前記中央部及び前記絶縁層に載るエレクトロルミネセンス層と、
前記エレクトロルミネセンス層の上に載る共通電極と、
を有し、
前記エレクトロルミネセンス層は、前記複数の画素電極の前記中央部及び前記絶縁層に連続的に接触する最下層を含み、
前記絶縁層は、前記複数の開口それぞれに隣接する複数の枠端部と、前記複数の枠端部の隣り合う一対の間にある枠中央部と、を含み、
前記枠中央部は、前記最下層を酸化させるための酸化剤を含み、
前記枠端部は、前記酸化剤を含まないことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記エレクトロルミネセンス層の前記最下層は、キャリア注入層であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記絶縁層は、感光剤を含むフォトレジストから形成され、
前記酸化剤は、前記感光剤に含まれることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
複数の画素電極の中央部それぞれに重なる複数の開口を有して前記複数の画素電極の周縁部それぞれに載るように、絶縁層を形成する工程と、
前記複数の画素電極の前記中央部及び前記絶縁層に載るように、エレクトロルミネセンス層を形成する工程と、
前記エレクトロルミネセンス層の上に載るように、共通電極を形成する工程と、
を含み、
前記エレクトロルミネセンス層は、前記複数の画素電極の前記中央部及び前記絶縁層に連続的に接触する最下層を含み、
前記絶縁層は、前記複数の開口それぞれに隣接する複数の枠端部と、前記複数の枠端部の隣り合う一対の間にある枠中央部と、を含み、
前記絶縁層を形成する工程は、酸化剤を含む材料から前記絶縁層をパターニングする工程と、パターニングされた前記絶縁層の前記枠中央部を避けて前記枠端部に紫外線を照射して前記酸化剤を失活させる工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載された表示装置の製造方法において、
前記酸化剤を含む前記材料は、フォトレジストであり、
前記絶縁層をパターニングする工程には、フォトリソグラフィが適用されることを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置は、画素数の増加によって隣同士の画素が接近するようになってきた。有機エレクトロルミネセンスディスプレイは、発光層が画素ごとに分離していても、全画素に連続する層（例えばホール注入層）を有することがある（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−８５９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ホール注入層は、アノードから発光層へのホール注入をアシストする役割を持つが、低抵抗であるために、隣接画素へのホールのリーク（横リーク）を引き起こし、非点灯とすべき画素の微弱な発光（電気混色）の原因となる。これはディスプレイのコントラストや効率の低下をもたらす。単純な解決策としては、ホール注入層の抵抗を高める調整（厚みや濃度）が考えられるが、本来の電気的特性をも悪化させてしまう。
【０００５】
本発明は、隣接画素へのキャリアのリークを無くすことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極の中央部それぞれに重なる複数の開口を有して前記複数の画素電極の周縁部それぞれに載る絶縁層と、前記複数の画素電極の前記中央部及び前記絶縁層に載るエレクトロルミネセンス層と、前記エレクトロルミネセンス層の上に載る共通電極と、を有し、前記エレクトロルミネセンス層は、前記複数の画素電極の前記中央部及び前記絶縁層に連続的に接触する最下層を含み、前記絶縁層は、前記複数の開口それぞれに隣接する複数の枠端部と、前記複数の枠端部の隣り合う一対の間にある枠中央部と、を含み、前記枠中央部は、前記最下層を酸化させるための酸化剤を含み、前記枠端部は、前記酸化剤を含まないことを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、酸化剤によって、エレクトロルミネセンス層の最下層が酸化されるので、隣接画素へのキャリアのリークを無くすことができる。
【０００８】
本発明に係る表示装置の製造方法は、複数の画素電極の中央部それぞれに重なる複数の開口を有して前記複数の画素電極の周縁部それぞれに載るように、絶縁層を形成する工程と、前記複数の画素電極の前記中央部及び前記絶縁層に載るように、エレクトロルミネセンス層を形成する工程と、前記エレクトロルミネセンス層の上に載るように、共通電極を形成する工程と、を含み、前記エレクトロルミネセンス層は、前記複数の画素電極の前記中央部及び前記絶縁層に連続的に接触する最下層を含み、前記絶縁層は、前記複数の開口それぞれに隣接する複数の枠端部と、前記複数の枠端部の隣り合う一対の間にある枠中央部と、を含み、前記絶縁層を形成する工程は、酸化剤を含む材料から前記絶縁層をパターニングする工程と、パターニングされた前記絶縁層の前記枠中央部を避けて前記枠端部に紫外線を照射して前記酸化剤を失活させる工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、酸化剤によって、エレクトロルミネセンス層の最下層を酸化させることができ、これにより、隣接画素へのキャリアのリークを無くすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】表示装置の使用状態を示す概略図である。
【図３】図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。
【図４】表示装置の表示領域を一部拡大した図である。
【図５】図４に示す表示装置のＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】図４に示す表示装置のVI−VI線断面図である。
【図７】実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１２】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１３】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１４】
図１は、実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、実際には、折り曲げて使用するので、図１は、表示装置を折り曲げる前の展開図である。図２は、表示装置の使用状態を示す概略図である。図３は、図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。
【００１５】
表示装置は、ディスプレイＤＳＰを含む。屈曲の内側にはスペーサＳＰが配置されて、ディスプレイＤＳＰの曲がりすぎを防いでいる。ディスプレイＤＳＰは、可撓性を有し、表示領域ＤＡの外側で折り曲げられている。ディスプレイＤＳＰには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップＣＰが搭載されている。ディスプレイＤＳＰには、表示領域ＤＡの外側で、フレキシブルプリント基板ＦＰが接続されている。
【００１６】
表示装置は、例えば、有機エレクトロルミネセンス表示装置である。表示装置は、画像が表示される表示領域ＤＡを有する。表示領域ＤＡでは、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。
【００１７】
図４は、表示装置の表示領域を一部拡大した図である。図５は、図４に示す表示装置のＶ−Ｖ線断面図である。
【００１８】
基板１０は、ポリイミドからなる。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いてもよい。
【００１９】
基板１０上に、バリア無機膜１２（アンダーコート層）が積層されている。バリア無機膜１２は、シリコン酸化膜１２ａ、シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃの三層積層構造である。最下層のシリコン酸化膜１２ａは、基板１０との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜１２ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜１２ｃは、シリコン窒化膜１２ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１６側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。
【００２０】
薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて機能膜１４を形成してもよい。機能膜１４は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜１２ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて機能膜１４を島状に形成し、その後シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃを積層することで、バリア無機膜１２に機能膜１４を封入するように形成しているが、この限りではなく、基板１０上にまず機能膜１４を形成し、その後にバリア無機膜１２を形成してもよい。
【００２１】
バリア無機膜１２上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１６は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜１８としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２０は、ＭｏＷから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２０に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１６（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜１８を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。
【００２２】
ゲート電極２０の上に、層間絶縁膜２２（シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜）が積層されている。層間絶縁膜２２の上に、ソース・ドレイン電極２４となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜２２を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。
【００２３】
第２配線層Ｗ２（ソース・ドレイン電極２４）を覆って、層間絶縁膜２２の上にパッシベーション膜２６が形成されている。パッシベーション膜２６の上には平坦化膜２８が設けられている。平坦化膜２８は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の樹脂が用いられる。
【００２４】
平坦化膜２８及びパッシベーション膜２６は、画素コンタクト部３０では除去されて、その上に酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）膜３２が形成されている。酸化インジウムスズ膜３２は、相互に分離された第１透明導電膜３２ａ及び第２透明導電膜３２ｂを含む。平坦化膜２８及びパッシベーション膜２６の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３２ａにて被覆される。第１透明導電膜３２ａを被覆するように、平坦化膜２８の上にシリコン窒化膜３４が設けられている。シリコン窒化膜３４は、画素コンタクト部３０に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極２４に導通するように画素電極３６が積層されている。画素電極３６は、反射電極として形成され、酸化インジウム亜鉛膜、Ａｇ膜、酸化インジウム亜鉛膜の三層積層構造になっている。ここで、酸化インジウム亜鉛膜に代わって酸化インジウムスズ膜を用いてもよい。画素電極３６は、画素コンタクト部３０から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。
【００２５】
第２透明導電膜３２ｂは、画素コンタクト部３０に隣接して、画素電極３６の下方（さらにシリコン窒化膜３４の下方）に設けられている。第２透明導電膜３２ｂ、シリコン窒化膜３４及び画素電極３６は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。
【００２６】
図６は、図４に示す表示装置のVI−VI線断面図である。平坦化膜２８の上には、バンク（リブ）と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁層３８が形成されている。絶縁層３８としては平坦化膜２８と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁層３８は、複数の画素電極３６の表面を発光領域として露出するように、複数の開口ＯＰを有する（図４）。複数の開口ＯＰは、複数の画素電極３６の中央部それぞれに重なる。絶縁層３８は、それぞれの画素電極３６の周端部に載る。開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、その上に形成されるエレクトロルミネセンス層のカバレッジ不良を生ずる。
【００２７】
絶縁層３８は、感光剤を含むフォトレジストから形成されている。感光剤は、酸化剤（例えばスルホン酸）を含む。絶縁層３８は、複数の開口ＯＰそれぞれに隣接する複数の枠端部４０を含む。枠端部４０は、酸化剤を含まない。絶縁層３８は、複数の枠端部４０の隣り合う一対の間にある枠中央部４２を含む。枠中央部４２は、酸化剤を含む。
【００２８】
複数の画素電極３６の上に、有機材料からなるエレクトロルミネセンス層４４が積層されている。エレクトロルミネセンス層４４は、複数の画素電極３６にそれぞれ接触する複数の接触領域を有する。複数の接触領域は、それぞれ、絶縁層３８の複数の開口ＯＰに重なる（又は一致する）。エレクトロルミネセンス層４４は、複数の開口ＯＰの内側で複数の画素電極３６に接触する。エレクトロルミネセンス層４４は、複数の画素電極３６の中央部に載る。エレクトロルミネセンス層４４は絶縁層３８に載る。
【００２９】
エレクトロルミネセンス層４４は、複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂを含む。複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂは、それぞれ、複数の画素電極３６に重なる。複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂは、図４に示すように、発光色に応じた複数グループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂに分けられる。発光色は、青、緑及び赤（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を含む。それぞれのグループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂに、複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの対応する一群が含まれる。共通するグループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂにおいて、隣り合う一対の発光層は連続している（図４参照）。
【００３０】
エレクトロルミネセンス層４４は、図６に示すように、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの下及び上にそれぞれ、キャリアを複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂに効率良く供給するための第１キャリア調整層４６及び第２キャリア調整層を含む。第１キャリア調整層４６及び第２キャリア調整層４８は、供給するキャリアの電荷の正負が逆である。画素電極３６が陽極であれば、第１キャリア調整層４６が供給するキャリアは正孔であり、第２キャリア調整層４８が供給するキャリアは電子である。
【００３１】
第１キャリア調整層４６の最下層は、第１キャリア注入層ＨＩＬである。第１キャリア注入層ＨＩＬの下面が複数の画素電極３６と接触する。エレクトロルミネセンス層４４の最下層は、複数の画素電極３６の中央部及び絶縁層３８に連続的に接触する。少なくとも最下層（第１キャリア注入層ＨＩＬ）は、絶縁層３８の枠中央部４２が含有する酸化剤によって酸化されて、高抵抗化される。高抵抗される部分は、隣同士の画素の間にある。これにより、隣接画素へのキャリアのリークを無くすことができる。
【００３２】
第１キャリア注入層ＨＩＬの上に、第１キャリア輸送層ＨＴＬが積層されている。第１キャリア調整層４６の最上層は、第１キャリアブロック層ＥＢＬである。第１キャリアブロック層ＥＢＬがブロックするキャリアは、第１キャリア注入層ＨＩＬ及び第１キャリア輸送層ＨＴＬが注入輸送するキャリアとは、電荷の正負が逆である。
【００３３】
青の発光層ＥＭｂの下では、第１キャリアブロック層ＥＢＬは第１キャリア輸送層ＨＴＬの上面に接触して設けられている。一方、緑及び赤の発光層ＥＭｇ，ＥＭｒの下では、第１キャリアブロック層ＥＢＬと第１キャリア輸送層ＨＴＬの間には、それぞれ、追加キャリア輸送層ＨＴＬｇ，ＨＴＬｒが介在する。緑の追加キャリア輸送層ＨＴＬｇと赤の追加キャリア輸送層ＨＴＬｒは、厚みが異なっていてもよいし、同じ厚みであってもよい。これにより、第１キャリア調整層４６は、青の発光層ＥＭｂの下と、緑又は赤の発光層ＥＭｇ，ＥＭｒの下とで、厚みが異なる。
【００３４】
詳しくは、第１キャリア調整層４６は、マイクロキャビティ効果を得るために、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの発光色に応じた厚みを有する。つまり、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂで発生した光が画素電極３６の反射面で反射して共振するマイクロキャビティ構造において、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの下面から反射面までの距離が光の波長に対応するように、第１キャリア調整層４６の厚みが調整されている。
【００３５】
第２キャリア調整層４８の最上層は、第２キャリア注入層ＥＩＬである。第２キャリア注入層ＥＩＬの下に、第２キャリア輸送層ＥＴＬが積層されている。第２キャリア調整層４８の最下層は、第２キャリアブロック層ＨＢＬである。第２キャリアブロック層ＨＢＬがブロックするキャリアは、第２キャリア注入層ＥＩＬ及び第２キャリア輸送層ＥＴＬが注入輸送するキャリアとは、電荷の正負が逆である。複数の発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂは、第２キャリアブロック層ＨＢＬの下面に接触して設けられている。第２キャリア調整層４８は、発光層ＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの発光色にかかわらず均一の厚みを有していてもよいし、発光色に応じて異なる厚みを有していてもよい。
【００３６】
エレクトロルミネセンス層４４を構成する各層は、蒸着によって形成してもよいし、溶媒分散の上での塗布によって形成してもよく、画素電極３６（各サブ画素）に対して選択的に形成してもよいし、表示領域ＤＡを覆う全面にベタ形成されてもよい。
【００３７】
エレクトロルミネセンス層４４の上に、共通電極５０が設けられている。ここでは、トップエミッション構造が採用されているため、共通電極５０は透明である。例えば、Ｍｇ層及びＡｇ層を、エレクトロルミネセンス層４４からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。画素電極３６が陽極であれば、共通電極５０は陰極である。複数の画素電極３６と、共通電極５０と、複数の画素電極３６のそれぞれの中央部と共通電極５０の間に介在するエレクトロルミネセンス層４４と、で発光素子が構成される。
【００３８】
共通電極５０の上に封止層５２が形成されている。封止層５２は、先に形成したエレクトロルミネセンス層４４を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一つとしており、高いガスバリア性が要求される。封止層５２は、有機膜５４及びこれを挟む一対の無機膜５６（例えばシリコン窒化膜）の積層構造になっている。封止層５２には、さらに、タッチセンシングを行うための電極が設けられてもよいし、保護膜となる樹脂層や偏光板（例えば円偏光板）を積層してもよい。
【００３９】
図７〜図９は、実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
【００４０】
図７に示すように、絶縁層３８を、酸化剤を含む材料からパターニングする。酸化剤（例えばスルホン酸）を含む材料は、フォトレジストである。絶縁層３８をパターニングする工程には、マスク５８を使用したフォトリソグラフィが適用される。
【００４１】
図８に示すように、絶縁層３８は、複数の画素電極３６の中央部それぞれに重なる複数の開口ＯＰを有して複数の画素電極３６の周縁部それぞれに載るように形成する。パターニングされた絶縁層３８は、比較的低温で加熱処理（ミドルベーク）してもよい。これにより角部を丸くすることができ、その上に形成する層の破断を防止することができる。
【００４２】
図９に示すように、パターニングされた絶縁層３８の枠中央部４２を避けて、枠端部４０に紫外線を照射する。紫外線の照射は、例えばマスク６０を使用して行う。これにより、酸化剤を失活させる。その後、絶縁層３８を硬化させる加熱処理（ポストベーク）を行う。なお、枠端部４０及び枠中央部４２の詳細は上述した通りである。
【００４３】
その後、図６に示すように、複数の画素電極３６の中央部及び絶縁層３８に載るように、エレクトロルミネセンス層４４を形成する。エレクトロルミネセンス層４４の最下層は、複数の画素電極３６の中央部及び絶縁層３８に連続的に接触する。また、エレクトロルミネセンス層４４の上に載るように、共通電極５０を形成する。
【００４４】
本実施形態によれば、酸化剤によって、エレクトロルミネセンス層４４の少なくとも最下層を酸化させることができ、これにより、隣接画素へのキャリアのリークを無くすことができる。
【００４５】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４６】
１０  基板、１２  バリア無機膜、１２ａ  シリコン酸化膜、１２ｂ  シリコン窒化膜、１２ｃ  シリコン酸化膜、１４  機能膜、１６  半導体層、１８  ゲート絶縁膜、２０  ゲート電極、２２  層間絶縁膜、２４  ドレイン電極、２６  パッシベーション膜、２８  平坦化膜、３０  画素コンタクト部、３２  酸化インジウムスズ膜、３２ａ  第１透明導電膜、３２ｂ  第２透明導電膜、３４  シリコン窒化膜、３６  画素電極、３８  絶縁層、４０  枠端部、４２  枠中央部、４４  エレクトロルミネセンス層、４６  第１キャリア調整層、４８  第２キャリア調整層、５０  共通電極、５２  封止層、５４  有機膜、５６  無機膜、Ｃad  付加容量、ＣＬ１  第１保持容量線、ＣＬ２  第２保持容量線、ＣＰ  集積回路チップ、Ｃｓ  保持容量、ＤＡ  表示領域、ＤＬ  信号線、ＤＳＰ  ディスプレイ、ＥＢＬ  第１キャリアブロック層、ＥＩＬ  第２キャリア注入層、ＥＭｂ  発光層、ＥＭｇ  発光層、ＥＭｒ  発光層、ＥＴＬ  第２キャリア輸送層、ＦＰ  フレキシブルプリント基板、ＧＤ  走査回路、ＧＬ  走査線、Ｇｂ  グループ、Ｇｇ  グループ、Ｇｒ  グループ、ＨＢＬ  第２キャリアブロック層、ＨＩＬ  第１キャリア注入層、ＨＴＬ  第１キャリア輸送層、ＨＴＬｇ  追加キャリア輸送層、ＨＴＬｒ  追加キャリア輸送層、ＯＤ  発光素子、ＯＰ  開口、ＰＷＬ  電源線、ＰＸ  画素、ＳＤ  信号駆動回路、ＳＰ  スペーサ、ＴＲ  薄膜トランジスタ、ＴＲ２  薄膜トランジスタ、Ｗ１  第１配線層、Ｗ２  第２配線層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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