(57)【要約】【課題】フッ素樹脂からなる線状の絶縁体とその表面を被覆するめっき層を備え、絶縁体とめっき層の密着性が高い線状部材及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様において、表面に複数のクラック状の溝を有する、フッ素樹脂からなる線状の絶縁体１１と、絶縁体１１の表面を被覆するめっき層であるシールド１２と、を備え、絶縁体１１の表面の状態が、算術平均粗さＲａが４０ｎｍ以上と、二乗平均粗さＲｍｓが８０ｎｍ以上の、少なくともいずれか一方の条件を満たす、ケーブル１を提供する。【選択図】図１
2020117754.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のクラック状の溝を有する、フッ素樹脂からなる線状の絶縁体と、
前記絶縁体の表面を被覆するめっき層と、
を備え、
前記絶縁体の表面の状態が、算術平均粗さＲａが４０ｎｍ以上と、二乗平均粗さＲｍｓが８０ｎｍ以上の、少なくともいずれか一方の条件を満たす、
線状部材。
【請求項２】
フッ素樹脂からなる線状の絶縁体の表面に粗化処理を施す工程と、
前記粗化処理の後、前記絶縁体の表面にめっき処理を施してめっき層を形成する工程と、
を含み、
前記粗化処理が、ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理、低温ブラスト処理、又は電子線照射である、
線状部材の製造方法。
【請求項３】
前記粗化処理がナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理であり、
前記粗化処理後の前記絶縁体の表面の状態が、算術平均粗さＲａが４０ｎｍ以上と、二乗平均粗さＲｍｓが８０ｎｍ以上の、少なくともいずれかの条件を満たす、
請求項２に記載の線状部材の製造方法。
【請求項４】
前記粗化処理が低温ブラスト処理であり、液体窒素を用いて前記絶縁体の温度を低下させた状態でブラスト処理を実施する、
請求項２に記載の線状部材の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁体の表面の算術平均粗さＲａが前記粗化処理により前記粗化処理前の１．７倍以上に増加するという条件と、前記絶縁体の表面の二乗平均粗さＲｍｓが前記粗化処理により前記粗化処理前の２倍以上に増加するという条件の、少なくともいずれか一方を満たす、
請求項２〜４のいずれか１項に記載の線状部材の製造方法。
【請求項６】
フッ素樹脂からなる線状の絶縁体の表面に親水化処理を施す工程と、
前記親水化処理の後、前記絶縁体の表面にめっき処理を施してめっき層を形成する工程と、
を含み、
前記親水化処理後の前記絶縁体の表面の赤外全反射吸収スペクトルにおいて、カルボキシ基に帰属する吸収ピークの積分値をフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピークの積分値で規格化した値が０．０２以上である、
線状部材の製造方法。
【請求項７】
前記親水化処理が、ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理である、
請求項６に記載の線状部材の製造方法。
【請求項８】
前記親水化処理により、前記絶縁体の表面のカルボキシ基の量が前記親水化処理前の６倍以上になる、
請求項６又は７に記載の線状部材の製造方法。
【請求項９】
フッ素樹脂からなる線状の絶縁体と、
前記絶縁体の表面を被覆するめっき層と、
を備え、
前記絶縁体の表面にヒドロキシ基が存在する、
線状部材。
【請求項１０】
前記絶縁体の表面の赤外全反射吸収スペクトルにおいて、カルボキシ基に帰属する吸収ピークの積分値をフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピークの積分値で規格化した値が０．０２以上である、
請求項９に記載の線状部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、線状部材及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の信号線と、信号線の周囲を被覆する絶縁体層と、絶縁体層を被覆するシールドとしてのめっき層と、を備える差動信号伝送用ケーブルの製造方法であって、絶縁体層の外周面にドライアイスブラスト処理などによる粗化処理を行い、その後、前記外周面にコロナ放電暴露処理などによる改質処理を行い、その後、前記外周面にめっき層を形成する差動信号伝送用ケーブルの製造方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１によれば、粗化処理により、絶縁体層の外周面における算術平均粗さＲａを０．６μｍ以上とすることにより、めっき層と絶縁体層との密着性が向上し、めっき層が絶縁体層から剥がれたり、めっき層と絶縁体層との間に空隙が生じたりすることを抑制できるとされている。
【０００４】
また、特許文献１によれば、改質処理により、絶縁体層の外周面にカルボニル基やヒドロキシ基等の官能基を形成することにより、絶縁体層の外周面が親水化し、表面ぬれ性が向上するとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第６２４５４０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、絶縁体がフッ素樹脂である場合、特許文献１に記載されるブラスト処理による粗化処理とコロナ放電暴露処理による改質処理を施しても、めっき層が安定して形成されず、再現性が低い。この原因のひとつとして、フッ素樹脂がポリエチレンなどと比べて軟らかいため、ブラスト処理による粗化効果が薄くなり、めっき層との密着性が不十分になることが考えられる。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、フッ素樹脂からなる線状の絶縁体とその表面を被覆するめっき層を備え、絶縁体とめっき層の密着性が高い線状部材及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、表面に複数のクラック状の溝を有する、フッ素樹脂からなる線状の絶縁体と、前記絶縁体の表面を被覆するめっき層と、を備え、前記絶縁体の表面の状態が、算術平均粗さＲａが４０ｎｍ以上と、二乗平均粗さＲｍｓが８０ｎｍ以上の、少なくともいずれか一方の条件を満たす、線状部材を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、フッ素樹脂からなる線状の絶縁体とその表面を被覆するめっき層を備え、絶縁体とめっき層の密着性が高い線状部材及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、第１の実施の形態に係る線状部材としてのケーブルの断面図である。
【図２】図２は、めっき層であるシールドの形成に用いるシールド形成システムの構成を示す模式図である。
【図３】図３は、本発明の変形例に係るチューブの斜視図である。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の変形例に係る導電性繊維の径方向の断面図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、粗化処理としてのナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理、低温ブラスト処理、電子線照射が施されたフッ素樹脂の表面のレーザー顕微鏡の観察像である。
【図６】図６（ａ）は、絶縁体に粗化処理としてのナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理を施した場合の、浸漬時間と算術平均粗さＲａ又は二乗平均粗さＲｍｓとの関係を示すグラフである。図６（ｂ）は、処理前（浸漬時間が０）の算術平均粗さＲａと二乗平均粗さＲｍｓをそれぞれＲａ０とＲｍｓ０としたときの、浸漬時間とＲａ／Ｒａ０又はＲｍｓ／Ｒｍｓ０との関係を示すグラフである。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理を施した絶縁体上にめっき層を形成したチューブの外観写真である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、処理前（浸漬時間が０）、１０秒間の浸漬処理後、４０秒間の浸漬処理後の絶縁体の赤外全反射吸収スペクトルを示す。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の赤外全反射吸収スペクトルのカルボキシ基に帰属する吸収ピーク周辺を拡大したものである。
【図１０】図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の赤外全反射吸収スペクトルのフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピーク周辺を拡大したものである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
〔実施の形態〕
（線状部材の構造）
図１は、第１の実施の形態に係る線状部材としてのケーブル１の断面図である。ケーブル１は、導体１０と、導体１０の周囲を被覆する線状の絶縁体１１と、絶縁体１１の表面（外周面）を直接被覆するシールド１２と、を備える。ケーブル１の直径は、例えば、０．７〜１．３ｍｍである。
【００１２】
線状の導体１０は、ケーブル１の芯線であり、銅などの導体からなる。また、導体１０は、屈曲特性を確保するために、複数の導線を撚って形成される撚線であってもよい。ケーブル１に含まれる導体１０の本数は特に限定されず、ケーブル１の形態に応じて適宜設定される。図１に示される例では、ケーブル１は、ツイナックス構造を有する差動信号用ケーブルであり、２本の導体１０を備える。
【００１３】
絶縁体１１は、図示されない他の部材を介して導体１０を被覆してもよい。すなわち、絶縁体１１は、直接又は間接的に導体１０を被覆する。
【００１４】
シールド１２は、絶縁体１１の表面にめっき処理を施すことにより形成されるめっき層である。シールド１２は、銅などの金属からなる。シールド１２の厚さは、例えば、０．５〜３０μｍである。
【００１５】
シールド１２はめっき層であるため、従来一般的に用いられている、絶縁体の周囲に巻き付けられた金属テープからなるシールドと比べて、絶縁体１１との間に空隙が生じにくく、この空隙の形成による伝送特性の低下を抑えることができる。特に、ケーブル１が高速伝送用ケーブルなどの細径のケーブルである場合は、金属テープの巻き付けが難しく、より空隙が生じやすいため、めっき層をシールドに用いることによる効果が大きい。
【００１６】
また、シールド１２はめっき層であるため、金属テープからなるシールドのように、巻きつけに必要な機械的強度が得られる厚さを有する必要がなく、ケーブル１においてノイズを抑制できるだけの厚さを有していればよい。例えば、一般的な電子機器のシールドに必要な１／３０〜１／１０００のノイズ減弱を想定した場合（例えば、技術解説  電磁シールドについて、岡山県工業技術センター・技術情報、Ｎｏ.４５７、ｐ．５を参照）、表皮効果の原理上、銅シールドであれば１〜２μｍにまで薄くしても、数１０ＧＨｚ帯域では、ほぼ所望のシールド効果を得られる。このため、シールド１２の厚さを金属テープからなるシールドの厚さの約１／１０にすることができる。なお、後述する本実施の形態のめっき処理によれば、数１０ｎｍ〜数１０μｍの均一な厚さを有するシールド１２を形成することができる。
【００１７】
ケーブル１においては、絶縁体１１の表面上にめっき処理によりシールド１２が形成されるため、絶縁体１１とシールド１２との間に十分な密着性を付与するために、めっき下地である絶縁体１１には、適切な条件での表面処理が施されている。ここで、表面処理とは、粗化処理や親水化処理であり、これら両方を含むことが好ましい。表面処理の詳細については後述する。
【００１８】
（絶縁体の特徴）
絶縁体１１は、フッ素樹脂からなる。フッ素樹脂としては、具体的には、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフロロアルコキシ（ＰＦＡ）、パーフルオロエチレンプロペンコポリマー（ＦＥＰ）、エチレン・テトラフルオロエチレンコポリマー（ＥＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロジオキソールコポリマー（ＴＦＥ／ＰＤＤ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、エチレン−クロロトリフロオロエチレンコポリマー（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）などを用いることができる。
【００１９】
また、誘電率、誘電正接を小さくするため、絶縁体１１の材料として、発泡フッ素樹脂を用いてもよい。この場合、例えば、フッ素樹脂に発泡剤を混練させて、成型時の温度や圧力によって発泡度を制御する方法、窒素などの不活性ガスを成型圧力によりフッ素樹脂へ注入し、圧力解放時に発泡させる方法などを用いて絶縁体１１を形成することができる。
【００２０】
ケーブル１の径方向の断面において、絶縁体１１の外縁の形状は、円形、楕円形、角丸長方形（角が丸められた長方形）であることが好ましい。この場合、絶縁体１１の表面全体に均一な厚さでめっき層を形成することが容易になる。また、絶縁体１１の表面全体に均一に後述する粗化処理及び親水化処理を行うことが容易になる。
【００２１】
絶縁体１１は、粗化処理により形成された凹凸を表面に有する。これにより、シールド１２を形成する際のめっき処理において、触媒が絶縁体１１の表面から脱離しにくくなる。また、めっき液が凹凸の凹部に入り込みやすくなり、より絶縁体１１の表面に広がりやすくなる。また、シールド１２が凹部に入り込むことにより生じるアンカー効果が向上する。その結果、めっき層であるシールド１２と絶縁体１１との密着性が向上する。さらに、絶縁体１１の表面積が大きくなるため、後述する親水化処理による、表面ぬれ性の向上に寄与する極性官能基の生成量が増加する。
【００２２】
上記の絶縁体１１の表面の粗化処理には、例えば、ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理、低温ブラスト処理、又は電子線照射を用いることができる。
【００２３】
粗化処理としてナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理を施す場合、絶縁体１１の表面の凹凸は、絶縁体１１の表面に形成された複数のクラック状の溝により構成される。この場合、絶縁体１１の表面の状態は、算術平均粗さＲａが４０ｎｍ以上と、二乗平均粗さＲｍｓが８０ｎｍ以上の、少なくともいずれか一方の条件を満たす。この条件を満たすことにより、めっき層であるシールド１２と絶縁体１１との密着性が高くなる。
【００２４】
なお、粗化処理としてナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理を施す場合の、シールド１２と絶縁体１１との密着性を高くするために必要な絶縁体１１の表面の算術平均粗さＲａや二乗平均粗さＲｍｓの値は、粗化処理として他の方法を用いる場合に必要な値よりも格段に小さく、算術平均粗さＲａと二乗平均粗さＲｍｓがそれぞれ他の方法では十分な密着性を得ることが困難な０．６μｍ以下、０．８μｍ以下であっても十分な密着性が得られる。これは、ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理により形成される絶縁体１１の表面のクラック状の溝の幅が、他の粗化処理の方法により形成される凹凸の凹部の幅よりも狭く、絶縁体１１とシールド１２の間に特に高いアンカー効果が生じるためと考えられる。
【００２５】
ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理を粗化処理として用いる場合、浸漬時間、溶液の濃度や温度などを調整することにより、絶縁体１１の表面の算術平均粗さＲａや二乗平均粗さＲｍｓを制御することができる。
【００２６】
低温ブラスト処理は、低温条件下で対象物の温度を下げた状態で実施するブラスト処理である。温度を下げることにより対象物を硬化させることができるため、軟らかいフッ素樹脂からなる絶縁体１１の表面をブラスト処理により効果的に粗化することができる。特に、液体窒素を用いて、絶縁体１１の温度を液体窒素温度（−１９６℃）近傍まで下げた状態でブラスト処理を施すことにより、より効果的に絶縁体１１の表面を粗化することができる。
【００２７】
ブラスト処理としては、ドライアイスの粒子を噴射剤として用いるドライアイスブラスト、アルミナ、ＳｉＣなどの粒子を噴射剤として用いるサンドブラスト、水と研磨材の混合液(スラリー)を噴射剤として用いるウェットブラストなどを用いることができる。
【００２８】
特に、絶縁体１１の表面の粗化処理には、ドライアイスブラストを用いることが好ましい。ドライアイスは常圧下で昇華し、処理後に絶縁体１１の表面に残らないため、ドライアイスブラストを用いた場合は、処理後の洗浄工程が不要になる。
【００２９】
絶縁体１１の表面の粗化処理にブラスト処理を用いる場合、ブラストの噴射剤の粒径、ブラストの噴射圧力（吹付圧力）、ブラスト装置の噴射ノズルと絶縁体との距離、絶縁体１１の硬さなどを調整することにより、絶縁体１１の表面の算術平均粗さＲａや二乗平均粗さＲｍｓを制御することができる。
【００３０】
また、フッ素樹脂は電子線照射により削ることができるため、電子線照射をフッ素樹脂からなる絶縁体１１の表面の粗化処理に用いることができる。なお、ポリエチレンのような、電子線照射に耐性を有する材料に対しては、電子線照射による表面の粗化はできない。
【００３１】
絶縁体１１の表面の粗化処理に電子線照射を用いる場合、電子線の照射電流密度やエネルギーなどを調整することにより、絶縁体１１の表面の算術平均粗さＲａや二乗平均粗さＲｍｓを制御することができる。
【００３２】
絶縁体１１の表面の算術平均粗さＲａや二乗平均粗さＲｍｓは、レーザー顕微鏡などにより測定することができる。
【００３３】
また、絶縁体１１は、親水化処理により表面のぬれ性が高められていることが好ましい。親水化処理を施すことにより、絶縁体１１の表面に極性官能基を生成することができ、それによってぬれ性が向上する。ここで、極性官能基は、カルボキシ基やヒドロキシ基などの極性を有する官能基（親水基）である。一般に、極性官能基の存在は表面ぬれ性に直結する（例えば、中島 章著、固体表面の濡れ性  超親水性から超撥水性まで（共立出版（株）、２０１４年）を参照）。なお、ヒドロキシ基は、カルボキシ基に含まれるため、カルボキシ基に含まれるヒドロキシ基は、カルボキシ基の一部として絶縁体１１の表面に生成されるといえる。
【００３４】
絶縁体１１の表面のぬれ性が向上することにより、めっき処理に用いられる触媒液やめっき液が絶縁体１１の表面と全周にわたって接触しやすくなる。その結果、めっき層であるシールド１２と絶縁体１１との密着性が向上し、また、シールド１２の厚さの均一性が向上する。シールド１２と絶縁体１１との密着性が向上することにより、シールド１２と絶縁体１１との間に空隙が形成されることによるケーブル１の伝送特性の低下を抑えることができる。また、シールド１２の厚さの均一性が向上することにより、シールド１２の厚さのばらつきに起因するケーブル１の伝送特性の低下を抑えることができる。
【００３５】
シールド１２と絶縁体１１との密着性を十分に高めるためには、親水化処理後の絶縁体１１の表面の赤外全反射吸収スペクトルにおいて、カルボキシ基に帰属する吸収ピークの積分値をフッ素樹脂のＣ−Ｆ振動吸収ピークの積分値で規格化した値が０．０２以上であることが好ましく、０．０３以上であることがより好ましい。
【００３６】
赤外全反射吸収スペクトルは、フーリエ変換赤外吸収分光法の一つ、全反射吸収測定法（ＡＴＲ：Attenuated Total Reflection）による測定により得ることができる。
【００３７】
絶縁体１１の表面の粗化処理にナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理又は電子線照射を用いる場合は、絶縁体１１の表面に極性官能基が生成される。すなわち、ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理及び電子線照射は、粗化処理と親水化処理の両方を兼ねる。
【００３８】
ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理を実施する場合は、浸漬時間、溶液の濃度や温度などを調整することにより、絶縁体１１の表面に生成される極性官能基の量を制御することができる。また、電子線照射を実施する場合は、電子線の照射電流密度やエネルギーなどを調整することにより、絶縁体１１の表面に生成される極性官能基の量を制御することができる。
【００３９】
また、粗化処理とは別に、例えば、コロナ放電暴露、大気組成ガスや希ガスを混合したガス中のプラズマ暴露、紫外線照射、電子線照射、γ線照射、Ｘ線照射、イオン線照射、オゾン含有液への浸漬などを親水化処理として実施してもよい。
【００４０】
例えば、絶縁体１１の親水化処理に、放電プローブからコロナ放電光を噴出する形式の装置によるコロナ放電暴露を用いる場合、電圧出力、暴露時間、絶縁体１１の表面と放電プローブの先端の距離などを調整することにより、絶縁体１１の表面に生成される極性官能基の量を制御することができる。
【００４１】
（ケーブルの製造方法）
以下、本実施の形態に係るケーブル１の製造方法の一例について説明する。
【００４２】
図２は、ケーブル１のめっき層であるシールド１２の形成に用いるシールド形成システム１００の構成を示す模式図である。シールド形成システム１００は、脱脂ユニット１１０と、表面処理ユニット１２０と、第１活性化ユニット１３０と、第２活性化ユニット１４０と、無電解めっきユニット１５０と、電解めっきユニット１６０と、ケーブル５を移送するためのボビン１７０ａ〜１７０ｍと、を備える。
【００４３】
シールド形成システム１００においては、ボビン１７０ａ〜１７０ｍを所望の回転数で連続稼働させることによって、一定の張力を維持しながら、所望の速さでケーブル５を移送する。シールド形成システム１００を通過する前のケーブル５は、導体１０と絶縁体１１からなるケーブルであり、シールド形成システム１００を通過してシールド１２が形成されることにより、ケーブル１となる。なお、絶縁体１１は、例えば、公知の押出成形により設けることができる。
【００４４】
脱脂ユニット１１０は、絶縁体１１の表面の油脂を取り除くためのものであり、脱脂槽１１１と、脱脂槽１１１に収容された脱脂液１１２を備える。脱脂液１１２は、例えば、ホウ酸ソーダ、リン酸ソーダ、界面活性剤などを含む。ケーブル５を移送して脱脂液１１２中を通過させるため、ボビン１７０ｂの少なくとも一部は脱脂液１１２中に位置する。
【００４５】
表面処理ユニット１２０は、絶縁体１１に表面処理を施すためのものであり、表面処理装置１２１を備える。表面処理装置１２１としては、例えば、粗化処理を施すためのブラスト装置、電子線照射装置、ナトリウムナフタレン錯体溶液をエッチャントとして用いるエッチング装置や、親水化処理を施すためのコロナ処理装置、プラズマ処理装置、紫外線照射装置、電子線照射装置、γ線照射装置、Ｘ線照射装置、イオン線照射装置、オゾン含有液などをエッチャントとして用いるエッチング装置などが用いられる。
【００４６】
粗化処理と親水化処理の両方を表面処理として実施する場合や、粗化処理又は親水化処理として複数の処理を施す場合は、複数種の表面処理装置１２１が表面処理ユニット１２０に含まれていてもよい。
【００４７】
第１活性化ユニット１３０は、絶縁体１１の表面に触媒活性層を形成するためのものであり、第１活性化槽１３１と、第１活性化槽１３１に収容された第１活性化液１３２とを備える。第１活性化液１３２は、例えば、塩化パラジウム、塩化第一錫、濃塩酸などを含む。触媒活性層は、シールド１２として、緻密な高品質のめっき層を形成するためのものである。ケーブル５を移送して第１活性化液１３２中を通過させるため、ボビン１７０ｆの少なくとも一部は第１活性化液１３２中に位置する。
【００４８】
第２活性化ユニット１４０は、第１活性化ユニット１３０により形成された触媒活性層の表面を洗浄するためのものであり、第２活性化槽１４１と、第２活性化槽１４１に収容された第２活性化液１４２とを備える。第２活性化液１４２は、例えば、硫酸である。ケーブル５を移送して第２活性化液１４２中を通過させるため、ボビン１７０ｈの少なくとも一部は第２活性化液１４２中に位置する。
【００４９】
無電解めっきユニット１５０は、電解めっき処理前に無電解めっき層を形成して絶縁体１１の表面（触媒活性層の表面）を導電化するためのものであり、無電解めっき槽１５１と、無電解めっき槽１５１に収容された無電解めっき液１５２とを備える。無電解めっき液１５２は、例えば、硫酸銅、ロッシエル塩、ホルムアルデヒド、水酸化ナトリウムなどを含む。ケーブル５を移送して無電解めっき液１５２中を通過させるため、ボビン１７０ｊの少なくとも一部は無電解めっき液１５２中に位置する。
【００５０】
電解めっきユニット１６０は、電解めっき処理を行うためのものであり、電解めっき槽１６１と、電解めっき槽１６１に収容された電解めっき液１６２と、一対のアノード１６３と、電源ユニット１６４とを備える。
【００５１】
電解めっき液１６２の組成の例として、硫酸銅（ＣｕＳＯ４）めっき液とシアン化銅（ＣｕＣＮ）めっき液の組成及び製造方法を以下に示す。
【００５２】
［硫酸銅めっき液］
電解めっき液１６２としての、硫酸銅めっき液の組成の例を表１に示す。表１中の「塩化ナトリウム、塩酸」は、塩化物の一例である。
【００５３】
【表１】
2020117754.tif 000003
【００５４】
まず、十分に洗浄した電解めっき槽１６１にめっき液全体の約６０〜７０体積％の水を投入した後、常温から５０℃程度にまで水温を上昇させる。次に、所望のシールド１２の厚み、ケーブル５の大きさや長さなどに依存する必要なめっき析出量に応じた量の硫酸銅を前述の温水中に投入して、溶解が完了するまで攪拌する。そして、めっき液の導電性（電流密度）及び陽極銅板の溶解度を適正な範囲に制御するため、必要な量の硫酸を撹拌しながら追加し、その後、最終的に必要なめっき液量に到達するまで水を追加投入する。また、めっき液中の不純物を取り除くために、活性炭を投入あるいはろ過機のろ材上に活性炭層を設けた後に、ろ過機に循環させて不純物を吸着させた活性炭を除去する。
【００５５】
次に、めっき層の表面光沢の作用を向上させる塩素イオン濃度を所定値に合わせこむため、適宜、めっき液中に塩化ナトリウムや塩酸等を加える。そして、硫酸と硫酸銅が規定濃度にあるかを分析し、確認する。次に、絶縁体１１の材料に対応した光沢剤や界面活性剤などの添加剤を適切に添加した後、ハルセル試験（例えば、“山名式雄、機械工学入門シリーズ、めっき作業入門、理工学社”や“榎本英彦、古川直治、松村宗順、複合めっき、日刊工業新聞社”を参照）を実施して、所望のめっき層が得られるかを否か、めっき液の状態を点検する。最後に連続ろ過を行いながら１０数Ａ／ｄｍ２程度で数時間の空電解を行った後に、安定にめっき成膜が可能か否かを確認する。
【００５６】
電解めっき液１６２として硫酸銅めっき液を用いて、ＣｕイオンをＣｕ原子（金属）として生成する場合、以下の式１で表される反応が生じる。式１は、２価のＣｕ陽イオンが２個の電子を受け取ることによってＣｕ原子（金属）となることを表している。
【００５７】
【数１】
2020117754.tif 000004
【００５８】
式１で表される反応においては、１個のＣｕイオンに対して２個の電子が必要となるため、１ｍｏｌのＣｕを生成するのに必要な電荷量は、電気素量とアボガドロ定数の積の２倍である約１９２，９７１Ｃである。このため、銅の原子量６３．５４を考慮すれば、銅１ｇを形成するために必要な電荷量は約３，０３７Ｃ／ｇである。
【００５９】
［シアン化銅めっき液］
電解めっき液１６２としての、シアン化銅めっき液の組成の例を表２に示す。表２中の「遊離シアン化ナトリウム（遊離シアン化カリウム）」は、シアン化銅と反応せずに浴中に残存したシアン化アルカリである。
【００６０】
【表２】
2020117754.tif 000005
【００６１】
まず、めっき液全体の６０％程度の、硫黄や塩素等の不純物成分を除去した純水を予備漕に入れる。次に、シアン化ナトリウム又はシアン化カリウムを純水に投入して溶解させ、シアン化アルカリ水溶液を形成する。さらに、純水を用いてのり状にしたシアン化第一銅を撹拌しながら、シアン化アルカリ水溶液に添加して溶解させる。また、シアン分解を抑制することを目的として、めっき液のｐＨや導電率を調整するために水酸化カリウム又は水酸化ナトリウムを追加する。次に、めっき処理時のめっき液の温度に近い４０〜７０℃に加熱しながら活性炭等を加えて充分に撹拌した後に静置して、不純物を吸着させた活性炭を沈降させる。その後、ろ過装置に通して不純物を取り込んだ活性炭等を除去した上で、めっき漕に移した後に、純水を加えて液量を調整し、めっき液を得る。
【００６２】
次に、このめっき液を分析し、めっき性能の向上と安定化を図るために、必要に応じて添加材料を追加する。具体的には、炭酸ナトリウムや炭酸カリウムをｐＨ緩衝、調整材として適量加える。また、銅アノードの溶解を円滑にして効率良く銅イオンを供給するために、酒石酸カリウムナトリウム（ロッシェル塩）を添加する。最後に、カソードとしてステンレス板、アノードとしてめっき用の圧延銅板を吊るして、弱い電流密度（０．２〜０．５Ａ／ｄｍ２）によって弱電解を行う。
【００６３】
電解めっき液１６２としてシアン化銅めっき液を用いて、ＣｕイオンをＣｕ原子（金属）として生成する場合、以下の式２で表される反応が生じる。式２は、１価のＣｕ陽イオンが１個の電子を受け取ることによってＣｕ原子（金属）となることを表している。
【００６４】
【数２】
2020117754.tif 000006
【００６５】
式２で表される反応においては、１個のＣｕイオンに対して１個の電子が必要となるため、１ｍｏｌのＣｕを生成するのに必要な電荷量は、電気素量とアボガドロ定数の積である約９６，４８５Ｃである（ファラデー定数に相当する）。このため、銅の原子量６３．５４を考慮すれば、銅１ｇを形成するために必要な電荷量は約１，５１８Ｃ／ｇである。
【００６６】
以下の式３に示されるように、電流ｉは、電荷量Ｑ、時間ｔによって表される。このため、電解めっきの電流密度が同じであれば、原理的には、電解めっき液１６２として低価数（価数＋１）の銅イオンを擁するシアン化銅めっき液を用いる場合、硫酸銅めっき液を用いる場合の半分の時間でめっき層であるシールド１２を形成することができる。そのため、電解めっき時の使用電圧と電流が一定であれば、めっき時間と直結する消費電力が半分になると考えられ、エネルギーコストを低減できる。また、電解めっき処理工程における工場稼働時間が半分になるので生産数に対する人件費の圧縮を期待できる。
【００６７】
【数３】
2020117754.tif 000007
【００６８】
なお、電解めっき液１６２として用いることのできるめっき液は、上述の硫酸銅めっき液やシアン化銅めっき液に限られるものではなく、例えば、Ｃｕ（ＢＦ４）２、ＨＢＦ４、Ｃｕ金属等を混合して作製されるほうフッ化銅めっき液、Ｃｕ２Ｐ２Ｏ７・３Ｈ２Ｏ、Ｋ４Ｐ２Ｏ７・３Ｈ２Ｏ、ＮＨ４ＯＨ、ＫＮＯ３、Ｃｕ金属等を混合して作製されるピロリン酸めっき液であってもよい。また、これらのめっき液のうち、２種以上のめっき液を組み合わせためっき液であってもよい。
【００６９】
アノード１６３は電解めっき液１６２の中に浸漬されている。アノード１６３は、電解めっきにおける銅イオンの供給元であり、例えば、銅湯から作製した溶融銅（純度が約９９％の粗銅）を圧延鋳造したものである。また、粗銅をアノード、ステンレスやチタン板等をカソードとした種板電解を行い、カソード表面に析出した銅を剥ぎ取ることにより得られる、純度を向上させた銅からなる剥離銅板（電気銅）をアノード１６３として使用してもよい。
【００７０】
電解めっき槽１６１上に位置するボビン１７０ｋ及びボビン１７０ｍは、導電性を有し、カソードとして機能する。電解めっき液１６２中に位置するボビン１７０ｌは、絶縁性である。電源ユニット１６４は、アノード１６３と、カソードボビンであるボビン１７０ｋ及びボビン１７０ｍとの間に直流電圧を印加する。
【００７１】
ノード１６３とボビン１７０ｋ及びボビン１７０ｍとの間に直流電圧を印加した状態で、ケーブル５を移送して電解めっき液１６２中を通過させることにより、絶縁体１１の表面の無電解めっき層上に電解めっき層を形成し、シールド１２を得る。
【００７２】
なお、電解めっきユニット１６０におけるケーブル５の移送機構は、ボビン１７０ｋ、ボビン１７０ｌ、及びボビン１７０ｍによるものに限られない。例えば、電解めっき液１６２中にボビン機構を設けずに、ケーブル５を所定の曲率又は多数の曲率を有する形状に曲げながら電解めっき液１６２中に這わせ、一方から押出し、他方から引っ張って移送するような機構であってもよい。さらに、移送機構を設けず、一纏めにしたケーブル５を電解めっき液１６２に浸漬させた上で、カソード電極に結線し、適切に揺動させることによってケーブル５の全表面を電解めっき液１６２に接触させて、電解めっきを行ってもよい。
【００７３】
次に、シールド形成システム１００を用いたシールド１２の形成工程の流れの一例について説明する。
【００７４】
まず、導体１０と絶縁体１１からなるケーブル５を脱脂ユニット１１０において脱脂液１１２に３〜５分間浸漬する。このときの脱脂液１１２の温度は、例えば、４０〜６０℃である。これにより、絶縁体１１の表面に付着している油脂を除去する。
【００７５】
なお、次の表面処理工程において、ブラスト法による粗化処理などの絶縁体１１の表面の油脂などを除去する効果を持つ処理を行う場合は、脱脂ユニット１１０による脱脂工程を省略することができる。
【００７６】
次に、表面処理ユニット１２０において、ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理による粗化処理と親水化処理を表面処理としてケーブル５に施す。
【００７７】
ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理においては、浸漬時間を５〜６０秒とし、処理温度を約２０〜３０℃（常温）とする。浸漬処理後、めっきの不着や剥離を防ぐために、アセトンやアルコール類などの有機溶剤を用いる超音波洗浄や揺動洗浄によって、浸漬処理表面に散在する錯体溶液の残滓物を十分に取り除く。
【００７８】
次に、第１活性化ユニット１３０において、第１活性化液１３２にケーブル５を１〜３分間浸漬する。第１活性化液１３２の温度は、例えば、３０〜４０℃である。これにより、絶縁体１１の表面に触媒活性層を形成する。具体的には、例えば、第１活性化液１３２としてＰｄ−Ｓｎ粒子のコロイド溶液を用いることにより、高触媒活性を示すＰｄを含むＰｄ−Ｓｎ粒子を絶縁体１１の表面に付着させ、触媒活性層を形成する。
【００７９】
次に、第２活性化ユニット１４０において、第２活性化液１４２にケーブル５を３〜６分間浸漬する。第２活性化液１４２の温度は、例えば、３０〜５０℃である。これによって、例えば、絶縁体１１の表面の触媒活性層から活性度を低下させるＳｎを除去し、触媒活性層の活性度を増加させることができる。
【００８０】
次に、無電解めっきユニット１５０において、無電解めっき液１５２にケーブル５を１０分間以下の時間浸漬する。無電解めっき液１５２の温度は、例えば、２０〜３０℃である。これによって、絶縁体１１の表面に電解めっきのシード層としての無電解めっき層が形成され、絶縁体１１の表面が導電化される。無電解めっき液１５２への浸漬時間が長いほど、無電解めっき層の厚みは大きくなる。
【００８１】
次に、電解めっきユニット１６０において、電解めっき液１６２にケーブル５を３分間以下の時間浸漬する。ケーブル５の移送速度や電解めっき液１６２への浸漬時間により、電解めっき層の厚みを制御することができる。ケーブル５の移送速度や浸漬時間は、シールド１２のシールド性能、めっき浴の管理状況、めっき浴の経時変化などに応じて、電流密度、めっき浴の濃度、ｐＨ、温度、添加剤の種類などを考慮して最適化される。
【００８２】
電解めっきユニット１６０における電解めっきの具体的な条件の例は、以下の表３に示すとおりである。表３における「浴温度」、「浴電圧」は、それぞれめっき浴の温度、めっき浴中におけるアノード１６３と、カソードとしてのボビン１７０ｋ及びボビン１７０ｍとの間の電圧である。
【００８３】
【表３】
2020117754.tif 000008
【００８４】
上述の電解めっきによって、無電解めっき層の表面に電解めっき層が形成される。この無電解めっき層と電解めっき層の積層体からシールド１２が構成される。以上の工程を経ることより、本実施の形態に係るケーブル１が得られる。
【００８５】
なお、図２では記載を省略しているが、上記の各工程の間においては、前工程の薬剤残留が原因の不良が発生しないように、純水でケーブル５の洗浄（超音波洗浄、揺動洗浄、流水洗浄など）を行うことが好ましい。
【００８６】
また、各工程において適したケーブル５の移送速度を得るため、ボビン１７０ａ〜１７０ｍの各々について、ギア比（回転半径）を調整して回転数を最適化することが好ましい。そのため、工程間経路中での移送速度変更や一時待機が任意で実施できるように、各ユニットの間にバッファをもたせた回転機構を配備することが好ましい。
【００８７】
（実施の形態の効果）
上記実施の形態に係るケーブル１によれば、絶縁体１１への表面処理として、フッ素樹脂に対して効果的な粗化処理を実施することにより、フッ素樹脂からなる絶縁体１１とめっき層からなるシールド１２との密着性を向上させ、めっき層の絶縁体からの剥離や、めっき層と絶縁体との間の空隙の形成による伝送特性の低下を抑制することができる。
【００８８】
なお、上記実施の形態のフッ素樹脂からなる絶縁体とめっき層との密着性を向上させる方法は、めっき層が表面に形成された線状の絶縁体を有する、ケーブルやチューブ、導電性繊維などの線状部材の全般に適用することができる。
【００８９】
図３は、本発明の変形例に係るチューブ２の斜視図である。チューブ２は、中空の線状の絶縁体２１と、絶縁体２１の表面（外周面）を直接被覆するめっき層２２と、を備える。絶縁体２１はケーブル１の絶縁体１１と同様に、フッ素樹脂からなり、算術平均粗さＲａや、親水化処理後の赤外全反射吸収スペクトルにおける、カルボキシ基に帰属する吸収ピークの積分値をフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピークの積分値で規格化した値などの表面状態の満たす条件も、絶縁体１１と同様である。めっき層２２は、ケーブル１のシールド１２と同様の材料から、同様の方法で形成することができる。チューブ２は、例えば、導波管などとして使用することができる。
【００９０】
図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の変形例に係る導電性繊維３の径方向の断面図である。導電性繊維３は、１本の樹脂繊維３０又は撚り合わされた複数の樹脂繊維３０からなる中心糸３１と、中心糸３１の表面（外周面）を直接被覆するめっき層３２と、を備える。図４（ａ）は、中心糸３１が撚り合わされた複数の樹脂繊維３０から構成される場合の導電性繊維３の断面を示し、図４（ｂ）は、中心糸３１が１本の樹脂繊維３０から構成される場合の導電性繊維３の断面を示す。
【００９１】
樹脂繊維３０はケーブル１の絶縁体１１と同様に、フッ素樹脂からなり、算術平均粗さＲａや、親水化処理後の赤外全反射吸収スペクトルにおける、カルボキシ基に帰属する吸収ピークの積分値をフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピークの積分値で規格化した値などの表面状態の満たす条件も、絶縁体１１と同様である。めっき層３２は、ケーブル１のシールド１２と同様の材料から、同様の方法で形成することができる。
【００９２】
導電性繊維３は、例えば、ｘＥＶ車用ハーネス、ロボット用ハーネス、医療用プローブの電磁シールド線、軽量イヤフォン用コード、軽量ヒーター用銅通船、高速伝送ケーブルなどの種々のケーブルに用いられる編組シールドとして用いることができる。すなわち、本発明によれば、編まれた複数の導電性繊維３から構成される編組シールドを備えたケーブルを提供することができる。
【００９３】
この場合、複数の導電性繊維３を織って編組シールドを形成する。導電性繊維３からなる編組シールドは、全体が金属からなる編組シールドと比較して格段に軽いため、これを備えるケーブルなどを軽量化することができる。また、例えば、導電性繊維３からなる編組シールドを用いることにより、ｘＥＶ車やロボットの総重量を低減できるため、省電力化が可能になる。
【００９４】
また、導電性繊維３は、浄水機器などに用いられるフィルターとして用いることができる。この場合、複数の導電性繊維３を織ってフィルターを形成する。すなわち、本発明によれば、編まれた複数の導電性繊維３から構成されるフィルターを提供することができる。また、この場合、めっき層３２は殺菌作用のあるＡｇやＣｕからなることが好ましい。導電性繊維３からなるフィルターは、全体が金属からなるフィルターと比較して格段に軽い。
【実施例１】
【００９５】
まず、シート状のフッ素樹脂としてのパーフルオロエチレンプロペンコポリマー（ＦＥＰ）に、粗化処理としてナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理、低温ブラスト処理、又は電子線照射を施し、それぞれの表面の状態を調べた。
【００９６】
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、粗化処理としてのナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理、低温ブラスト処理、電子線照射が施されたフッ素樹脂の表面のレーザー顕微鏡の観察像である。
【００９７】
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）によれば、低温ブラスト処理又は電子線照射が施されたフッ素樹脂の表面が平坦性を失っているのに対し、ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理が施されたフッ素樹脂の表面はある程度の平坦性を保った状態で、クラック状の溝が形成されている。
【００９８】
次に、上記実施の形態にかかるチューブ２の絶縁体２１を用意し、粗化処理の処理時間と算術平均粗さＲａ又は二乗平均粗さＲＭＳとの関係を調べた。絶縁体２１の材料として、フッ素樹脂であるポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を用いた。算術平均粗さＲａ及び二乗平均粗さＲＭＳは、チューブ２の長さ方向に沿って測定した。
【００９９】
図６（ａ）は、絶縁体２１に粗化処理としてのナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理を施した場合の、浸漬時間と算術平均粗さＲａ又は二乗平均粗さＲｍｓとの関係を示すグラフである。
【０１００】
図６（ａ）によれば、浸漬時間の調整により算術平均粗さＲａ及び二乗平均粗さＲｍｓを制御することができ、算術平均粗さＲａを４０ｎｍ以上、二乗平均粗さＲｍｓを８０ｎｍ以上にできることがわかる。
【０１０１】
図６（ｂ）は、処理前（浸漬時間が０）の算術平均粗さＲａと二乗平均粗さＲｍｓをそれぞれＲａ０とＲｍｓ０としたときの、浸漬時間とＲａ／Ｒａ０又はＲｍｓ／Ｒｍｓ０との関係を示すグラフである。
【０１０２】
図６（ｂ）によれば、１０秒間の浸漬処理を実施することにより、算術平均粗さＲａが処理前の１．７０倍以上となり、二乗平均粗さＲｍｓが１．９６倍以上となる。また、４０秒間の浸漬処理を実施することにより、算術平均粗さＲａが処理前の約２．６５倍以上となり、二乗平均粗さＲｍｓが２．８５倍以上となる。
【０１０３】
図７（ａ）、（ｂ）は、ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理を約２０〜３０℃の常温下で約１０秒間行い、その後、揺動を伴う約３０秒のアセトンによる洗浄、さらに1分間の流水による洗浄を施した絶縁体２１上に上記実施の形態に係る方法でめっき層２２を形成したチューブ２の外観写真である。図７（ａ）、（ｂ）によれば、めっき層２２が絶縁体２１の全表面上に均質に形成されており、曲げた状態でも剥がれなどが生じていないことが確認できる。このことから、めっき層２２と絶縁体２１との密着性が高いことがわかる。
【０１０４】
また、上述の絶縁体２１にナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理が施されたチューブ２について、算術平均粗さＲａ又は二乗平均粗さＲｍｓと、めっき層２２と絶縁体２１との密着性との関係を調べたところ、算術平均粗さＲａが約４０ｎｍ以上と、二乗平均粗さＲｍｓが約８０ｎｍ以上の、少なくともいずれか一方の条件を満たすときに、めっき層２２と絶縁体２１との密着性が特に高くなることが確認された。
【０１０５】
また、絶縁体２１の表面の算術平均粗さＲａが粗化処理により粗化処理前の約１．７倍以上に増加するという条件と、絶縁体２１の表面の二乗平均粗さＲｍｓが粗化処理により粗化処理前の約２倍以上に増加するという条件の、少なくともいずれか一方を満たすときに、粗化処理によりめっき層２２と絶縁体２１との密着性が大きく向上することが確認された。
【実施例２】
【０１０６】
ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理を約２０〜３０℃の常温下で約１０秒間行い、その後、揺動を伴う約３０秒のアセトンによる洗浄、さらに1分間の流水による洗浄を施した絶縁体２１について、赤外全反射吸収スペクトルを測定した。絶縁体２１の材料として、フッ素樹脂であるポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を用いた。
【０１０７】
図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、処理前（浸漬時間が０）、１０秒間の浸漬処理後、４０秒間の浸漬処理後の絶縁体２１の赤外全反射吸収スペクトルを示す。また、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の赤外全反射吸収スペクトルのカルボキシ基に帰属する吸収ピーク周辺を拡大したものである。図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の赤外全反射吸収スペクトルのフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピーク周辺を拡大したものである。
【０１０８】
図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）によれば、浸漬時間の増加に伴ってカルボキシ基に帰属する吸収ピークの強度が大きくなることがわかる。処理前、１０秒間の浸漬処理後、４０秒間の浸漬処理後のカルボキシ基に帰属する吸収ピークの積分値は、それぞれ約０．０９、約０．５４、約２．０１であった。
【０１０９】
図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）によれば、３つのフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピークが確認できる。図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）においては、測定された赤外全反射吸収スペクトルが点線で示され、これにほぼ一致するのがフィッティングにより得られたフィッティングプロファイルであり、３つのフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピークを合成したものである。処理前、１０秒間の浸漬処理後、４０秒間の浸漬処理後のフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピークの積分値は、それぞれ約２３．４０、約２１．０、約２１．０１であった。
【０１１０】
上記の赤外全反射吸収スペクトルにおいては、カルボキシ基に帰属する吸収ピークの積分値をフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピークの積分値で規格化した値、すなわちカルボキシ基に帰属する吸収ピークの積分値をフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピークの積分値で除した値は、処理前において約０．００３８、１０秒間の浸漬処理後において約０．０２６、４０秒間の浸漬処理後において約０．０９６であった。
【０１１１】
赤外全反射吸収スペクトルのプロファイルとめっき層２２と絶縁体２１との密着性との関係をしらべたところ、カルボキシ基に帰属する吸収ピークの積分値をフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピークの積分値で規格化した値が０．０２以上であるときにめっき層２２と絶縁体２１との密着性が大きく向上し、０．０３以上であるときにより大きく向上することが確認された。
【０１１２】
（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
【０１１３】
［１］表面に複数のクラック状の溝を有する、フッ素樹脂からなる線状の絶縁体（１１）、（２１）と、絶縁体（１１）、（２１）の表面を被覆するめっき層（１２）、（２２）と、を備え、絶縁体（１１）、（２１）の表面の状態が、算術平均粗さＲａが４０ｎｍ以上と、二乗平均粗さＲｍｓが８０ｎｍ以上の、少なくともいずれか一方の条件を満たす、線状部材（１）、（２）。
【０１１４】
［２］フッ素樹脂からなる線状の絶縁体（１１）、（２１）の表面に粗化処理を施す工程と、前記粗化処理の後、絶縁体（１１）、（２１）の表面にめっき処理を施してめっき層（１２）、（２２）を形成する工程と、を含み、前記粗化処理が、ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理、低温ブラスト処理、又は電子線照射である、線状部材（１）、（２）の製造方法。
【０１１５】
［３］前記粗化処理がナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理であり、前記粗化処理後の絶縁体（１１）、（２１）の表面の状態が、算術平均粗さＲａが４０ｎｍ以上と、二乗平均粗さＲｍｓが８０ｎｍ以上の、少なくともいずれかの条件を満たす、上記［２］に記載の線状部材（１）、（２）の製造方法。
【０１１６】
［４］前記粗化処理が低温ブラスト処理であり、液体窒素を用いて絶縁体（１１）、（２１）の温度を低下させた状態でブラスト処理を実施する、上記［２］に記載の線状部材（１）、（２）の製造方法。
【０１１７】
［５］絶縁体（１１）、（２１）の表面の算術平均粗さＲａが前記粗化処理により前記粗化処理前の１．７倍以上に増加するという条件と、絶縁体（１１）、（２１）の表面の二乗平均粗さＲｍｓが前記粗化処理により前記粗化処理前の２倍以上に増加するという条件の、少なくともいずれか一方を満たす、上記［２］〜［４］のいずれか１項に記載の線状部材（１）、（２）の製造方法。
【０１１８】
［６］フッ素樹脂からなる線状の絶縁体（１１）、（２１）の表面に親水化処理を施す工程と、前記親水化処理の後、絶縁体（１１）、（２１）の表面にめっき処理を施してめっき層（１２）、（２２）を形成する工程と、を含み、前記親水化処理後の絶縁体（１１）、（２１）の表面の赤外全反射吸収スペクトルにおいて、カルボキシ基に帰属する吸収ピークの積分値をフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピークの積分値で規格化した値が０．０２以上である、線状部材（１）、（２）の製造方法。
【０１１９】
［７］前記親水化処理が、ナトリウムナフタレン錯体溶液への浸漬処理である、上記［６］に記載の線状部材（１）、（２）の製造方法。
【０１２０】
［８］前記親水化処理により、絶縁体（１１）、（２１）の表面のカルボキシ基の量が前記親水化処理前の６倍以上になる、上記［６］又は［７］に記載の線状部材（１）、（２）の製造方法。
【０１２１】
［９］フッ素樹脂からなる線状の絶縁体（１１）、（２１）と、絶縁体（１１）、（２１）の表面を被覆するめっき層（１２）、（２２）と、を備え、絶縁体（１１）、（２１）の表面にヒドロキシ基が存在する、線状部材（１）、（２）。
【０１２２】
［１０］絶縁体（１１）、（２１）の表面の赤外全反射吸収スペクトルにおいて、カルボキシ基に帰属する吸収ピークの積分値をフッ素樹脂のＣ−Ｆ収縮振動に帰属する吸収ピークの積分値で規格化した値が０．０２以上である、上記［９］に記載の線状部材。
【０１２３】
以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明したが、本発明は、上記実施の形態及び実施例に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
【０１２４】
また、上記に記載した実施の形態及び実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び実施例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【符号の説明】
【０１２５】
１          ケーブル
２          チューブ
３          導電性繊維
１０        導体
１１        絶縁体
１２        シールド
２１        絶縁体
２２        めっき層
【図１】
2020117754.tif 000009
【図２】
2020117754.tif 000010
【図３】
2020117754.tif 000011
【図４】
2020117754.tif 000012
【図５】
2020117754.tif 000013
【図６】
2020117754.tif 000014
【図７】
2020117754.tif 000015
【図８】
2020117754.tif 000016
【図９】
2020117754.tif 000017
【図１０】
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