(57)【要約】      （修正有）【課題】炭化珪素エピタキシャル基板を再生する過程での割れ、欠け等の発生を抑制することが可能な再生基板の製造方法の提供。【解決手段】第１主面と、その反対面の第２主面と、側面と、第１主面及び側面に連なり、かつ、第１主面側から側面側に向かうにしたがって第２主面側に傾斜する傾斜面とを含む炭化珪素基板と、第１主面上及び傾斜面上に形成された第１炭化珪素エピタキシャル層とを有する炭化珪素エピタキシャル基板の準備工程Ｓ１と、第１主面上の第１炭化珪素エピタキシャル層の除去工程Ｓ４と、第１主面に研磨を行う工程Ｓ５とを備え、工程Ｓ５は、少なくとも機械研磨を行う第１工程Ｓ５１を含み、第１主面から第２主面に向かう方向における第１主面と第１炭化珪素エピタキシャル層の表面の側面側の端との距離が閾値未満である場合には、距離が閾値以上となるようにべべリング工程Ｓ３を行った上で第１工程Ｓ５１が行われる、再生基板の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、側面と、前記第１主面及び前記側面に連なり、かつ、前記第１主面側から前記側面側に向かうにしたがって前記第２主面側に傾斜する傾斜面とを含む炭化珪素基板と、前記第１主面上及び前記傾斜面上に形成された第１炭化珪素エピタキシャル層とを有する炭化珪素エピタキシャル基板を準備する工程と、
前記第１主面上にある前記第１炭化珪素エピタキシャル層を除去する工程と、
前記第１主面に対して研磨を行う工程とを備え、
前記研磨は、少なくとも第１機械研磨を含み、
前記第１主面から前記第２主面に向かう方向における前記第１主面と前記第１炭化珪素エピタキシャル層の表面の前記側面側の端との距離が閾値未満である場合には、前記距離が前記閾値以上となるように前記炭化珪素エピタキシャル基板に対してべべリングを行った上で前記第１機械研磨が行われ、
前記距離が前記閾値以上である場合には、前記炭化珪素エピタキシャル基板に対するべべリングが行われることなく前記第１機械研磨が行われる、再生基板の製造方法。
【請求項２】
前記閾値は、４８μｍを超える、請求項１に記載の再生基板の製造方法。
【請求項３】
前記閾値は、４８μｍを超えて５７μｍ未満である、請求項１に記載の再生基板の製造方法。
【請求項４】
前記閾値は、５７μｍ以上である、請求項１に記載の再生基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２主面に対して第２機械研磨を行う工程をさらに備え、
前記第１機械研磨及び前記第２機械研磨は、同時に行われる、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の再生基板の製造方法。
【請求項６】
前記研磨は、前記第１機械研磨の後に行われる化学的機械研磨をさらに含む、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の再生基板の製造方法。
【請求項７】
前記化学的機械研磨の後に前記第１主面上に第２炭化珪素エピタキシャル層を成長させる工程をさらに備える、請求項６に記載の再生基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、再生基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば特開２０１６−５２９９１号公報（特許文献１）に記載の炭化珪素エピタキシャル基板が知られている。特許文献１に記載の炭化珪素エピタキシャル基板は、炭化珪素基板と、炭化珪素基板の一方の主面上に形成されたエピタキシャル層とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−５２９９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の目的は、炭化珪素エピタキシャル基板を再生する過程での割れ、欠け等の発生を抑制することが可能な再生基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様に係る再生基板の製造方法は、第１主面と、第１主面の反対面である第２主面と、側面と、第１主面及び側面に連なり、かつ、第１主面側から側面側に向かうにしたがって第２主面側に傾斜する傾斜面とを含む炭化珪素基板と、第１主面上及び傾斜面上に形成された第１炭化珪素エピタキシャル層とを有する炭化珪素エピタキシャル基板を準備する工程と、第１主面上にある第１炭化珪素エピタキシャル層を除去する工程と、第１主面に対して研磨を行う工程とを備える。
【０００６】
研磨は、少なくとも第１機械研磨を含む。第１主面から第２主面に向かう方向における第１主面と第１炭化珪素エピタキシャル層の表面の側面側の端との距離が閾値未満である場合には、距離が閾値以上となるように炭化珪素エピタキシャル基板に対してべべリングを行った上で第１機械研磨が行われる。距離が閾値以上である場合には、炭化珪素エピタキシャル基板に対するべべリングが行われることなく第１機械研磨が行われる。
【発明の効果】
【０００７】
上記によれば、炭化珪素エピタキシャル基板を再生する過程での割れ、欠け等の発生を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係る再生基板の製造方法を示す工程図である。
【図２】準備工程Ｓ１において準備される炭化珪素エピタキシャル基板１０の断面図である。
【図３】炭化珪素エピタキシャル基板１０の外形線である。
【図４】べべリング工程Ｓ３後における炭化珪素エピタキシャル基板１０の断面図である。
【図５】べべリング工程Ｓ３におけるべべリング加工を示す模式図である。
【図６】エピタキシャル層除去工程Ｓ４後における炭化珪素エピタキシャル基板１０の断面図である。
【図７】エピタキシャル成長工程Ｓ６後における炭化珪素エピタキシャル基板１０の断面図である。
【図８】べべリング工程Ｓ３が行われずにエピタキシャル層除去工程Ｓ４が行われた場合の炭化珪素エピタキシャル基板１０の断面図である。
【図９】研磨試験における距離Ｌ２と不良率との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本開示の実施形態の説明］
まず、本開示の実施形態を列記して説明する。
【００１０】
（１）本開示の一態様に係る再生基板の製造方法は、第１主面と、第１主面の反対面である第２主面と、側面と、第１主面及び側面に連なり、かつ、第１主面側から側面側に向かうにしたがって第２主面側に傾斜する傾斜面とを含む炭化珪素基板と、第１主面上及び傾斜面上に形成された第１炭化珪素エピタキシャル層とを有する炭化珪素エピタキシャル基板を準備する工程と、第１主面上にある第１炭化珪素エピタキシャル層を除去する工程と、第１主面に対して研磨を行う工程とを備える。研磨は、少なくとも第１機械研磨を含む。第１主面から第２主面に向かう方向における第１主面と第１炭化珪素エピタキシャル層の表面の側面側の端との距離が閾値未満である場合には、距離が閾値以上となるように炭化珪素エピタキシャル基板に対してべべリングを行った上で第１機械研磨が行われる。距離が閾値以上である場合には、炭化珪素エピタキシャル基板に対するべべリングが行われることなく第１機械研磨が行われる。
【００１１】
上記（１）の再生基板の製造方法によると、炭化珪素エピタキシャル基板を再生する過程での割れ、欠け等の発生を抑制することが可能となる。
【００１２】
（２）上記（１）の再生基板の製造方法において、閾値は、４８μｍを超えていてもよい。
【００１３】
上記（２）の再生基板の製造方法によると、炭化珪素エピタキシャル基板を再生する過程での割れ、欠け等の発生を抑制することが可能となる。
【００１４】
（３）上記（１）の再生基板の製造方法において、閾値は、４８μｍを超えて５７μｍ未満であってもよい。
【００１５】
上記（３）の再生基板の製造方法によると、炭化珪素エピタキシャル基板を再生する過程での割れ、欠け等の発生を抑制しつつ、再生基板の生産性を向上させることができる。
【００１６】
（４）上記（１）の再生基板の製造方法において、閾値は、５７μｍ以上であってもよい。
【００１７】
上記（３）の再生基板の製造方法によると、炭化珪素エピタキシャル基板を再生する過程での割れ、欠け等の発生をさらに抑制することが可能となる。
【００１８】
（５）上記（１）〜（４）の再生基板の製造方法は、さらに、第２主面に対して第２機械研磨を行う工程を備えていてもよい。第１機械研磨及び第２機械研磨は、同時に行われてもよい。
【００１９】
上記（５）の再生基板の製造方法によると、機械研磨が両面研磨という割れ、欠け等を生じさせやすい態様で行われたとしても、炭化珪素エピタキシャル基板を再生する過程での割れ、欠け等の発生を抑制することが可能となる。
【００２０】
（６）上記（１）〜（５）の再生基板の製造方法において、研磨は、第１機械研磨の後に行われる化学的機械研磨をさらに含んでいてもよい。
【００２１】
（７）上記（６）の再生基板の製造方法は、化学的機械研磨の後に第１主面上に第２炭化珪素エピタキシャル層を成長させる工程をさらに備えていてもよい。
【００２２】
［本開示の実施形態の詳細］
次に、本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。なお、以下の図面においては、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さない。
【００２３】
（実施形態に係る再生基板の製造方法）
以下に、実施形態に係る再生基板の製造方法を説明する。
【００２４】
図１は、実施形態に係る再生基板の製造方法を示す工程図である。図１に示されるように、実施形態に係る再生基板の製造方法は、準備工程Ｓ１と、寸法測定工程Ｓ２と、べべリング工程Ｓ３と、エピタキシャル層除去工程Ｓ４と、研磨工程Ｓ５と、エピタキシャル成長工程Ｓ６とを有している。
【００２５】
準備工程Ｓ１においては、炭化珪素エピタキシャル基板１０が準備される。図２は、準備工程Ｓ１において準備される炭化珪素エピタキシャル基板１０の断面図である。図２に示されるように、炭化珪素エピタキシャル基板１０は、炭化珪素基板２０と、第１炭化珪素エピタキシャル層３０とを有している。
【００２６】
炭化珪素基板２０は、炭化珪素の単結晶で形成されている。例えば、炭化珪素基板２０は、ポリタイプが４Ｈの六方晶炭化珪素の単結晶で形成されている。炭化珪素基板２０は、第１主面２１と、第１傾斜面２２と、側面２３と、第２主面２４と、第２傾斜面２５とを有している。
【００２７】
第１傾斜面２２は、第１主面２１及び側面２３の双方に連なっている。第１傾斜面２２は、第１主面２１側から側面２３側に向かうにしたがって下方（第２主面２４側）に傾斜している。すなわち、第１傾斜面２２の第１主面２１側の端と第２主面２４との距離は、第１傾斜面２２の側面２３側の端と第２主面２４との距離よりも大きくなっている。第２主面２４は、第１主面２１の反対面である。第２傾斜面２５は、第２主面２４及び側面２３の双方に連なっている。第２傾斜面２５は、第２主面２４側から側面２３側に向かうにしたがって上方（第１主面２１側）に傾斜している。すなわち、第２傾斜面２５の第２主面２４側の端と第１主面２１との距離は、第２傾斜面２５の側面２３側の端と第１主面との距離よりも大きくなっている。
【００２８】
第１炭化珪素エピタキシャル層３０は、第１主面２１上及び第１傾斜面２２上に形成されている。第１炭化珪素エピタキシャル層３０は、炭化珪素の単結晶で形成されている。第１主面２１上に形成されている第１炭化珪素エピタキシャル層は、厚さＴを有している。
【００２９】
寸法測定工程Ｓ２においては、炭化珪素エピタキシャル基板１０の寸法測定が行われる。より具体的には、寸法測定工程Ｓ２においては、第１主面２１から第２主面２４に向かう方向における第１主面２１上に形成されている第１炭化珪素エピタキシャル層３０の表面と第１傾斜面２２上に形成されている第１炭化珪素エピタキシャル層３０の表面の側面２３側の端との間の距離である距離Ｌ１（図２参照）が測定される。寸法測定工程Ｓ２は、ＳＥＰ−１４０１（コベルコ科研製）を用いて以下の方法で行われる。
【００３０】
距離Ｌ１の測定においては、側方から炭化珪素エピタキシャル基板１０に対して水平に光が照射されることで、炭化珪素エピタキシャル基板１０の形状に対応する影がスクリーン上に投射される。このスクリーン上に投射された炭化珪素エピタキシャル基板１０の影の形状から、炭化珪素エピタキシャル基板１０の外形線が定まる。
【００３１】
図３は、炭化珪素エピタキシャル基板１０の外形線である。径方向における炭化珪素エピタキシャル基板１０の外形線の端は、図３中の点Ａである。点Ａを通る垂線を直線ＬＡとする。側面２３と第１傾斜面２２上に形成された第１炭化珪素エピタキシャル層３０の表面との境界は、図３中の点Ｂである。炭化珪素エピタキシャル基板１０の外形線の点Ｂにおける接線は、直線ＬＢである。第１主面２１に形成された第１炭化珪素エピタキシャル層３０の表面と第１傾斜面２２上に形成された第１炭化珪素エピタキシャル層３０の表面との境界は、図３中の点Ｃである。炭化珪素エピタキシャル基板１０の外形線の点Ｃにおける接線は、直線ＬＣである。
【００３２】
直線ＬＢと直線ＬＡとがなす角度θ１が２０°となる位置が、点Ｂとして定義される。直線ＬＣと直線ＬＡとがなす角度θ２が７７．５°となる位置が、点Ｃとして定義される。なお、角度θ１及び角度θ２は、直線ＬＢ及び直線ＬＣが直線ＬＡに対して図３中における反時計回り方向に回転している場合に、正の値となる。そして、炭化珪素エピタキシャル基板１０の厚さ方向における点Ｂと点Ｃとの距離を測定することにより、距離Ｌ１が定まる。
【００３３】
測定された距離Ｌ１から厚さＴを減じることにより、第１主面２１から第２主面２４に向かう方向における第１主面２１と第１傾斜面２２上に形成されている第１炭化珪素エピタキシャル層３０の表面の側面２３側の端との距離である距離Ｌ２が算出される。なお、第１主面２１及び第１傾斜面２２の稜線と側面２３との距離を、距離Ｌ３とする。
【００３４】
べべリング工程Ｓ３においては、炭化珪素エピタキシャル基板１０に対するべべリングが行われる。べべリング工程Ｓ３は、距離Ｌ２が閾値未満である場合に行われる。距離Ｌ２が閾値以上である場合には、べべリング工程Ｓ３は、行われない。図４は、べべリング工程Ｓ３後における炭化珪素エピタキシャル基板１０の断面図である。べべリング工程Ｓ３は、べべリング工程Ｓ３後における距離Ｌ２が上記の閾値以上になるように行われる。なお、べべリング工程Ｓ３は、距離Ｌ３がべべリング工程Ｓ３後において大きくなるように行われる。
【００３５】
図５は、べべリング工程Ｓ３におけるべべリング加工を示す模式図である。図４に示されるように、べべリング工程Ｓ３は、砥石４０を用いて行われる。すなわち、べべリング工程Ｓ３は、中心軸Ａ１周りに回転する砥石４０に対して炭化珪素エピタキシャル基板１０を押し当てることで行われる。この際に、炭化珪素エピタキシャル基板１０を中心軸Ａ２周りに回転させることで、べべリング加工が炭化珪素エピタキシャル基板１０の全周にわたって行われる。
【００３６】
なお、べべリング工程Ｓ３が行われた後に、寸法測定工程Ｓ２が行われることにより、べべリング工程Ｓ３が行われた後における炭化珪素エピタキシャル基板１０における距離Ｌ２が算出されてもよい。その結果算出された距離Ｌ２が閾値未満である場合には、再度べべリング工程Ｓ３が行われてもよい。
【００３７】
上記の閾値は、４８μｍを超えている。上記の閾値は、４８μｍを超えて５７μｍ未満であってもよい。上記の閾値は、５７μｍ以上であってもよい。なお、上記の閾値は、炭化珪素エピタキシャル基板１０の厚さ（第１主面２１と第２主面２４との間の距離）の１／２以下である。
【００３８】
図６は、エピタキシャル層除去工程Ｓ４後における炭化珪素エピタキシャル基板１０の断面図である。図６に示されるように、エピタキシャル層除去工程Ｓ４においては、第１炭化珪素エピタキシャル層３０の除去が行われる。エピタキシャル層除去工程Ｓ４においては、少なくとも、第１主面２１上に形成されている第１炭化珪素エピタキシャル層３０が除去される。これにより、第１主面２１が露出する。第１炭化珪素エピタキシャル層３０の除去は、例えば、研削で行われる。
【００３９】
なお、べべリング工程Ｓ３が行われない場合、エピタキシャル層除去工程Ｓ４が行われることにより第１主面２１上の第１炭化珪素エピタキシャル層３０が除去された結果、第１傾斜面２２上に形成されている第１炭化珪素エピタキシャル層３０が残存していてもよい。
【００４０】
研磨工程Ｓ５は、図１に示されるように、第１工程Ｓ５１を含んでいる。研磨工程Ｓ５は、第２工程Ｓ５２をさらに含んでいてもよい。第２工程Ｓ５２は、第１工程Ｓ５１後に行われる。
【００４１】
第１工程Ｓ５１においては、機械研磨（Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）による第１主面２１の研磨が行われる。第１工程Ｓ５１においては、機械研磨による第１主面２１及び第２主面２４の双方の研磨が行われてもよい。この場合、第１主面２１の機械研磨及び第２主面２４の機械研磨は、同時に行われる（両面研磨）。この機械研磨は、例えばダイヤモンド砥粒を用いて行われる。
【００４２】
第２工程Ｓ５２においては、化学的機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）による第１主面２１の研磨が行われる。第２工程Ｓ５２においては、化学的機械研磨による第１主面２１及び第２主面２４の研磨が行われてもよい。この化学的機械研磨は、例えば、コロイダルシリカ等を用いて行われる。
【００４３】
図７は、エピタキシャル成長工程Ｓ６後における炭化珪素エピタキシャル基板１０の断面図である。図７に示されるように、エピタキシャル成長工程Ｓ６においては、第２炭化珪素エピタキシャル層５０が形成される。第２炭化珪素エピタキシャル層５０は、例えばＣＶＤ（化学気相成長法、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で第１主面２１上にエピタキシャル成長される。以上により、実施形態に係る再生基板の製造工程が完了する。
【００４４】
（実施形態に係る再生基板の製造方法の効果）
以下に、実施形態に係る再生基板の製造方法の効果を説明する。
【００４５】
炭化珪素エピタキシャル基板１０の再生は、第１炭化珪素エピタキシャル層３０に不良が生じた場合（例えば、第１炭化珪素エピタキシャル層３０中における不純物濃度や欠陥密度が所定の基準を満たしていない場合など）に行われる。そのため、炭化珪素エピタキシャル基板１０の再生を行う際には、少なくとも第１主面２１上に形成されている第１炭化珪素エピタキシャル層３０を一旦除去する必要がある。
【００４６】
図８は、べべリング工程Ｓ３が行われずにエピタキシャル層除去工程Ｓ４が行われた場合の炭化珪素エピタキシャル基板１０の断面図である。図８に示されるように、べべリング工程Ｓ３が行われなかった場合、エピタキシャル層除去工程Ｓ４において第１主面２１上の第１炭化珪素エピタキシャル層３０が除去されることにより、炭化珪素エピタキシャル基板１０においてべべリングが行われている部分が小さくなる。その結果、第１工程Ｓ５１（機械研磨）において、炭化珪素エピタキシャル基板１０に割れ、欠け等が生じやすくなる。
【００４７】
第１工程Ｓ５１において炭化珪素エピタキシャル基板１０に割れ、欠け等が発生することを抑制するためには、エピタキシャル層除去工程Ｓ４に先立って、炭化珪素エピタキシャル基板１０に対してべべリングを行っておくことが有効である。しかしながら、炭化珪素エピタキシャル基板１０の全数に対してべべリングを行うことは、製造コストの観点から好ましくない。
【００４８】
本願の発明者らが見出した知見によると、距離Ｌ２が、第１工程Ｓ５１において炭化珪素エピタキシャル基板１０に割れ、欠け等が発生するか否かに関する支配的な因子となる。そのため、距離Ｌ２が閾値以上である場合にはべべリング工程Ｓ３を行うことなく第１工程Ｓ５１を行うとともに、距離Ｌ２が閾値未満である場合にはべべリング工程Ｓ３を行った上で第１工程Ｓ５１を行うことにより、炭化珪素エピタキシャル基板１０に割れ、欠け等が発生することを抑制することができる。また、このようにすることで、炭化珪素エピタキシャル基板１０の全数に対してべべリングを行う必要がなくなるため、製造コストを低減することが可能となる。
【００４９】
第１工程Ｓ５１において第１主面２１及び第２主面２４に対する機械研磨が同時に行われる場合（両面研磨である場合）、機械研磨の際に炭化珪素エピタキシャル基板１０が拘束されないため、炭化珪素エピタキシャル基板１０に割れ、欠け等が発生しやすくなる。実施形態に係る再生基板の製造方法によると、機械研磨が両面研磨という割れ、欠け等を生じさせやすい態様で行われたとしても、炭化珪素エピタキシャル基板１０に割れ、欠け等が生じることを抑制することができる。
【００５０】
（研磨試験）
以下に、実施形態に係る再生基板の製造方法の効果を確認するために行った研磨試験を説明する。
【００５１】
この研磨試験においては、第１工程Ｓ５１を両面研磨の方法で行った際に、欠け、割れ及びチッピングが生じた炭化珪素エピタキシャル基板１０の数が調査された。なお、この研磨試験に供された炭化珪素エピタキシャル基板１０に対しては、エピタキシャル層除去工程Ｓ４は行われているが、べべリング工程Ｓ３は行われていない。また、この研磨試験においては、距離Ｌ２の値が、１２μｍから１５１μｍの範囲で変化している。この研磨試験の結果は、以下の表１に示されている。
【００５２】
図９は、研磨試験における距離Ｌ２と不良率との関係を示すグラフである。なお、図９中において、横軸は距離Ｌ２（単位：μｍ）であり、縦軸は不良率（単位：パーセント）である。不良率とは、欠け、割れ及びチッピングの少なくともいずれかが生じた炭化珪素エピタキシャル基板１０の数を研磨試験に供された炭化珪素エピタキシャル基板１０の数で除し、１００を乗じた値である。
【００５３】
【表１】
2020011853.tif 000003
【００５４】
表１及び図９に示されるように、距離Ｌ２が３７μｍ以下の場合には、不良率が１００パーセントであった。距離Ｌ２が４８μｍの場合には、不良率が６７パーセントであったが、距離Ｌ２が５７μｍの場合には、不良率が０パーセントとなっていた。このように、距離Ｌ２が４８μｍを超えて５７μｍに至るまでに、不良率が著しく改善されていた。距離Ｌ２が５７μｍ以上である場合には、不良率が０パーセントであった。
【００５５】
以上のような試験結果から、４８μｍを超えるように閾値を設定し（４８μｍを超えて５７μｍ未満となるように閾値を設定し、又は５７μｍ以上となるように閾値を設定し）、距離Ｌ２が閾値未満である場合にはべべリング工程Ｓ３を行った上で第１工程Ｓ５１を行うとともに、距離Ｌ２が閾値以上である場合にはべべリング工程Ｓ３を行わずに第１工程Ｓ５１を行うことで、炭化珪素エピタキシャル基板１０の再生の過程で、割れ、欠け及びチッピングの発生が抑制されることが実験的に示された。
【００５６】
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５７】
１０  炭化珪素エピタキシャル基板
２０  炭化珪素基板
２１  第１主面
２２  第１傾斜面
２３  側面
２４  第２主面
２５  第２傾斜面
３０  第１炭化珪素エピタキシャル層
４０  砥石
５０  第２炭化珪素エピタキシャル層
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３  距離
Ｓ１  準備工程
Ｓ２  寸法測定工程
Ｓ３  べべリング工程
Ｓ４  エピタキシャル層除去工程
Ｓ５  研磨工程
Ｓ６  エピタキシャル成長工程
Ｓ５１  第１工程
Ｓ５２  第２工程
Ｔ  厚さ
【図１】
2020011853.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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