(57)【要約】【課題】  半導体プロセスを実行開始する際のタスクの影響を低減させる。【解決手段】  半導体製造システムの制御方法は、予め定められた半導体プロセスを実行開始する際、該半導体プロセスにおいて制御される制御対象についての実行開始直前の状態が実行開始直後でも維持されるように、前記半導体プロセスの実行開始直後の、前記制御対象の状態を制御する制御工程を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造システムの制御方法であって、
予め定められた半導体プロセスを実行開始する際、該半導体プロセスにおいて制御される制御対象についての実行開始直前の状態が実行開始直後でも維持されるように、前記半導体プロセスの実行開始直後の、前記制御対象の状態を制御する状態制御工程、
を有する制御方法。
【請求項２】
前記半導体プロセスの処理内容を規定する、複数のＡＬＤサイクルを含むレシピを設定する設定工程を更に有し、
前記状態制御工程は、
Ｎ番目のＡＬＤサイクルにおける前記制御対象の最後の状態が維持されるように、設定された前記レシピに基づいて、Ｎ＋１番目のＡＬＤサイクルにおける前記制御対象の最初の状態を制御する、請求項１に記載の制御方法。
【請求項３】
前記制御対象は、ＡＬＤ法による成膜に用いるガスの供給を制御するバルブ、または、プラズマを形成するための高周波電源である、請求項２に記載の制御方法。
【請求項４】
前記レシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルを生成する生成工程を更に有し、
前記生成工程は、
所定の順序で配列された複数のステップから、最後に配列されたステップを取り出し、取り出したステップの処理内容を２つに分割することで生成した、分割後の第１のステップ及び第２のステップを、前記最後に配列されたステップが取り出された後の残りの複数のステップの配列の最初と最後に加えることで、前記ＡＬＤサイクルを生成する、
請求項２に記載の制御方法。
【請求項５】
予め定められた半導体プロセスを実行開始する際、該半導体プロセスにおいて制御される制御対象についての実行開始直前の状態が実行開始直後でも維持されるように、前記半導体プロセスの実行開始直後の、前記制御対象の状態を制御する状態制御部
を有する半導体製造システム。
【請求項６】
前記半導体プロセスの処理内容を規定する、複数のＡＬＤサイクルを含むレシピを設定する設定部を更に有し、
前記状態制御部は、
Ｎ番目のＡＬＤサイクルにおける前記制御対象の最後の状態が維持されるように、設定された前記レシピに基づいて、Ｎ＋１番目のＡＬＤサイクルにおける前記制御対象の最初の状態を制御する、請求項５に記載の半導体製造システム。
【請求項７】
前記制御対象は、ＡＬＤ法による成膜に用いるガスの供給を制御するバルブ、または、プラズマを形成するための高周波電源である、請求項６に記載の半導体製造システム。
【請求項８】
前記レシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルを生成する生成部を更に有し、
前記生成部は、
所定の順序で配列された複数のステップから、最後に配列されたステップを取り出し、取り出したステップの処理内容を２つに分割することで生成した、分割後の第１のステップ及び第２のステップを、前記最後に配列されたステップが取り出された後の残りの複数のステップの配列の最初と最後に加えることで、前記ＡＬＤサイクルを生成する、
請求項６に記載の半導体製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体製造システムの制御方法及び半導体製造システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造システムのうち、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により成膜を行う成膜システム等では、１つの半導体ウエハに対して、例えば、複数の半導体プロセス（ＡＬＤサイクル）を、順次、切り替えて実行する。成膜システムにおいて実行される各ＡＬＤサイクルには、複数のステップが含まれ、当該複数のステップは各ＡＬＤサイクルにおいて繰り返し実行される。
【０００３】
一般に、ＡＬＤサイクルにおいて繰り返し実行される複数のステップは実行時間が短く、成膜システムでは、バルブ等の制御対象の状態を高速に制御しながら、各ステップを実行することになる。
【０００４】
ここで、ＡＬＤサイクルの切り替えにおいては膨大なタスクが発生するため、成膜システムでは、これらのタスクを処理しながら、次のＡＬＤサイクルを実行開始することになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００７−５３５８１９号公報
【特許文献２】特開２０１３−２３９５８４号公報
【特許文献３】特開２０１６−１０５４３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示は、半導体プロセスを実行開始する際のタスクの影響を低減させる、半導体製造システムの制御方法及び半導体製造システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様による半導体製造システムの制御方法は、
予め定められた半導体プロセスを実行開始する際、該半導体プロセスにおいて制御される制御対象についての実行開始直前の状態が実行開始直後でも維持されるように、前記半導体プロセスの実行開始直後の、前記制御対象の状態を制御する制御工程を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、半導体プロセスを実行開始する際のタスクの影響を低減させる、半導体製造システムの制御方法及び半導体製造システムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】成膜システムの一構成例を示す図である。
【図２】ＡＬＤ法により成膜を行う成膜システムにおいて、制御部に設定されるレシピ（バルブ動作を規定したレシピ）の一例を示す図である。
【図３】制御部に設定されるレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルのうち、連続するＡＬＤサイクル間の特徴を説明するための図である。
【図４】従来のレシピの一例を示す図である。
【図５】従来のレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合の、ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作を示す図である。
【図６】制御部に設定されるレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合の、ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作を示す図である。
【図７】レシピ生成処理の流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、各実施形態の詳細について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、以下の各実施形態では、半導体製造システムとして、成膜システムを例に挙げて説明する。また、成膜システムが制御対象の状態を高速に制御する半導体プロセスとして、ＡＬＤサイクルを例に挙げて説明する。しかしながら、制御対象の状態を高速に制御する半導体プロセスは、ＡＬＤサイクルに限定されず、他の半導体プロセスであってもよい。
【００１１】
また、以下の各実施形態では、成膜システムが高速に制御する制御対象として、バルブを例に挙げて説明する。しかしながら、成膜システムが高速に制御する制御対象は、バルブに限定されず、他の制御対象であってもよい。
【００１２】
以下、各実施形態を説明するにあたり、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省略する。
【００１３】
［第１の実施形態］
＜成膜システムの構成＞
はじめに、ＡＬＤ法により成膜を行う、第１の実施形態に係る成膜システムの構成例について説明する。図１は、成膜システムの一構成例を示す図である。図１に示すように、成膜システム１００は、処理容器１と、載置台２と、シャワーヘッド３と、排気部４と、ガス供給機構５と、制御部６とを有する。
【００１４】
処理容器１は、アルミニウム等の金属により構成され、略円筒状を有している。処理容器１は、被処理基板である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）を収容する。処理容器１の側壁にはウエハＷを搬入又は搬出するための搬入出口１１が形成され、搬入出口１１はゲートバルブ１２により開閉される。処理容器１の本体の上には、断面が矩形状をなす円環状の排気ダクト１３が設けられている。排気ダクト１３には、内周面に沿ってスリット１３ａが形成されている。排気ダクト１３の外壁には、排気口１３ｂが形成されている。排気ダクト１３の上面には、処理容器１の上部開口を塞ぐように天壁１４が設けられている。排気ダクト１３と天壁１４との間はシールリング１５で気密に封止されている。
【００１５】
載置台２は、処理容器１内でウエハＷを水平に支持する。載置台２は、ウエハＷに対応した大きさの円板状に形成されており、支持部材２３に支持されている。載置台２は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックス材料や、アルミニウムやニッケル合金等の金属材料で形成されており、内部にウエハＷを加熱するためのヒータ２１が埋め込まれている。ヒータ２１は、ヒータ電源（図示せず）から給電されて発熱する。そして、載置台２の上面の近傍に設けられた熱電対（図示せず）の温度信号によりヒータ２１の出力を制御することで、ウエハＷが所定の温度に制御される。載置台２には、上面の外周領域及び側面を覆うようにアルミナ等のセラミックスにより形成されたカバー部材２２が設けられている。
【００１６】
載置台２の底面には、載置台２を支持する支持部材２３が設けられている。支持部材２３は、載置台２の底面の中央から処理容器１の底壁に形成された孔部を貫通して処理容器１の下方に延び、その下端が昇降機構２４に接続されている。昇降機構２４により載置台２が支持部材２３を介して、図１で示す処理位置と、その下方の二点鎖線で示すウエハＷの搬送が可能な搬送位置との間で昇降する。支持部材２３の処理容器１の下方には、鍔部２５が取り付けられており、処理容器１の底面と鍔部２５の間には、処理容器１内の雰囲気を外気と区画し、載置台２の昇降動作にともなって伸縮するベローズ２６が設けられている。
【００１７】
処理容器１の底面の近傍には、昇降板２７ａから上方に突出するように３本（２本のみ図示）のウエハ支持ピン２７が設けられている。ウエハ支持ピン２７は、処理容器１の下方に設けられた昇降機構２８により昇降板２７ａを介して昇降する。ウエハ支持ピン２７は、搬送位置にある載置台２に設けられた貫通孔２ａに挿通されて載置台２の上面に対して突没可能となっている。ウエハ支持ピン２７を昇降させることにより、搬送機構（図示せず）と載置台２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
【００１８】
シャワーヘッド３は、処理容器１内に処理ガスをシャワー状に供給する。シャワーヘッド３は、金属製であり、載置台２に対向するように設けられており、載置台２とほぼ同じ直径を有している。シャワーヘッド３は、処理容器１の天壁１４に固定された本体部３１と、本体部３１の下に接続されたシャワープレート３２とを有している。本体部３１とシャワープレート３２との間にはガス拡散空間３３が形成されており、ガス拡散空間３３には処理容器１の天壁１４及び本体部３１の中央を貫通するようにガス導入孔３６、３７が設けられている。シャワープレート３２の周縁部には下方に突出する環状突起部３４が形成されている。環状突起部３４の内側の平坦面には、ガス吐出孔３５が形成されている。載置台２が処理位置に存在した状態では、載置台２とシャワープレート３２との間に処理空間３８が形成され、カバー部材２２の上面と環状突起部３４とが近接して環状隙間３９が形成される。
【００１９】
排気部４は、処理容器１の内部を排気する。排気部４は、排気口１３ｂに接続された排気配管４１と、排気配管４１に接続された真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気機構４２とを有する。処理に際しては、処理容器１内のガスがスリット１３ａを介して排気ダクト１３に至り、排気ダクト１３から排気配管４１を通って排気機構４２により排気される。
【００２０】
ガス供給機構５は、処理容器１内に処理ガスを供給する。ガス供給機構５は、プリカーサ供給源５１ａ、Ｎ２ガス供給源５２ａ、Ｎ２ガス供給源５３ａ、還元ガス供給源５４ａ、還元ガス供給源５５ａ、Ｎ２ガス供給源５６ａ、及びＮ２ガス供給源５７ａを有する。
【００２１】
プリカーサ供給源５１ａは、ガス供給ライン５１ｂを介して塩化タングステンガスであるプリカーサを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５１ｂには、上流側から流量制御器５１ｃ、貯留タンク５１ｄ及びバルブ５１ｅが介設されている。ガス供給ライン５１ｂのバルブ５１ｅの下流側は、ガス導入孔３６に接続されている。プリカーサ供給源５１ａから供給されるプリカーサは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５１ｄで一旦貯留され、貯留タンク５１ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５１ｄから処理容器１へのプリカーサの供給及び停止は、バルブ５１ｅにより行われる。このように貯留タンク５１ｄへプリカーサを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的にプリカーサを処理容器１内に供給することができる。
【００２２】
Ｎ２ガス供給源５２ａは、ガス供給ライン５２ｂを介してパージガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５２ｂには、上流側から流量制御器５２ｃ、貯留タンク５２ｄ及びバルブ５２ｅが介設されている。ガス供給ライン５２ｂのバルブ５２ｅの下流側は、ガス供給ライン５１ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源５２ａから供給されるＮ２ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５２ｄで一旦貯留され、貯留タンク５２ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５２ｄから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５２ｅにより行われる。このように貯留タンク５２ｄへＮ２ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的にＮ２ガスを処理容器１内に供給することができる。
【００２３】
Ｎ２ガス供給源５３ａは、ガス供給ライン５３ｂを介してキャリアガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５３ｂには、上流側から流量制御器５３ｃ、バルブ５３ｅ及びオリフィス５３ｆが介設されている。ガス供給ライン５３ｂのオリフィス５３ｆの下流側は、ガス供給ライン５１ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源５３ａから供給されるＮ２ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。Ｎ２ガス供給源５３ａから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５３ｅにより行われる。貯留タンク５１ｄ、５２ｄによってガス供給ライン５１ｂ、５２ｂには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス５３ｆによってガス供給ライン５１ｂ、５２ｂに供給されるガスがＮ２ガス供給ライン５３ｂに逆流することが抑制される。
【００２４】
還元ガス供給源５４ａは、還元ガス供給ライン５４ｂを介して還元ガスを処理容器１内に供給する。還元ガス供給ライン５４ｂには、上流側から流量制御器５４ｃ、バルブ５４ｅ及びオリフィス５４ｆが介設されている。還元ガス供給ライン５４ｂのオリフィス５４ｆの下流側は、ガス導入孔３７に接続されている。還元ガス供給源５４ａから供給される還元ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。還元ガス供給源５４ａから処理容器１への還元ガスの供給及び停止は、バルブ５４ｅにより行われる。後述する貯留タンク５５ｄ、５６ｄによってガス供給ライン５５ｂ、５６ｂには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス５４ｆによってガス供給ライン５５ｂ、５６ｂに供給されるガスが還元ガス供給ライン５４ｂに逆流することが抑制される。
【００２５】
還元ガス供給源５５ａは、ガス供給ライン５５ｂを介して還元ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５５ｂには、上流側から流量制御器５５ｃ、貯留タンク５５ｄ及びバルブ５５ｅが介設されている。ガス供給ライン５５ｂのバルブ５５ｅの下流側は、還元ガス供給ライン５４ｂに接続されている。還元ガス供給源５５ａから供給される還元ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５５ｄで一旦貯留され、貯留タンク５５ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５５ｄから処理容器１への還元ガスの供給及び停止は、バルブ５５ｅにより行われる。このように貯留タンク５５ｄへ還元ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的に還元ガスを処理容器１内に供給することができる。
【００２６】
Ｎ２ガス供給源５６ａは、ガス供給ライン５６ｂを介してパージガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５６ｂには、上流側から流量制御器５６ｃ、貯留タンク５６ｄ及びバルブ５６ｅが介設されている。ガス供給ライン５６ｂのバルブ５６ｅの下流側は、還元ガス供給ライン５４ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源５６ａから供給されるＮ２ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５６ｄで一旦貯留され、貯留タンク５６ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５６ｄから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５６ｅにより行われる。このように貯留タンク５６ｄへＮ２ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的にＮ２ガスを処理容器１内に供給することができる。
【００２７】
Ｎ２ガス供給源５７ａは、ガス供給ライン５７ｂを介してキャリアガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５７ｂには、上流側から流量制御器５７ｃ、バルブ５７ｅ及びオリフィス５７ｆが介設されている。ガス供給ライン５７ｂのオリフィス５７ｆの下流側は、還元ガス供給ライン５４ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源５７ａから供給されるＮ２ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。Ｎ２ガス供給源５７ａから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５７ｅにより行われる。貯留タンク５５ｄ、５６ｄによってガス供給ライン５５ｂ、５６ｂには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス５７ｆによってガス供給ライン５５ｂ、５６ｂに供給されるガスがＮ２ガス供給ライン５７ｂに逆流することが抑制される。
【００２８】
制御部６は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０５、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）１１０、ＲＯＭ（Read Only Memory）１１５、ＲＡＭ（Random Access Memory）１２０を有する。ＣＰＵ１０５、ＨＤＤ１１０、ＲＯＭ１１５、ＲＡＭ１２０は、バスＢを介して互いに接続されている。
【００２９】
制御部６は、ウエハＷをＡＬＤ法により成膜する際に用いるレシピ（複数のＡＬＤサイクルを含むレシピ）を生成する生成部として機能する。また、制御部６は、生成したレシピをＨＤＤ１１０またはＲＡＭ１２０に設定する設定部として機能する。更に、制御部６は、設定したレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルを切り替えて実行することでウエハＷを成膜すべく、成膜システム１００の各制御対象（例えば、バルブ５１ｅ〜５７ｅ）の状態を制御する状態制御部として機能する。なお、レシピを生成する生成部は、成膜システム１００の内部において実現されてもよいし、外部において実現されてもよい。レシピを生成する生成部が成膜システム１００の外部において実現された場合、生成されたレシピは、有線または無線の通信手段を介して、成膜システム１００に送信され、制御部６に設定される。
【００３０】
＜ＡＬＤ法により成膜を行う場合の制御対象の状態の高速制御＞
次に、ＡＬＤ法により成膜を行う成膜システム１００による、各制御対象の状態の高速制御について説明する。ここでは、一例として、バルブの状態の高速制御について、図２を参照しながら説明する。図２は、ＡＬＤ法により成膜を行う成膜システムにおいて、制御部に設定されるレシピ（複数のＡＬＤサイクルを含み、各ＡＬＤサイクルにおいて、バルブの動作が規定されたレシピ）の一例を示す図である。
【００３１】
成膜システム１００では、ＡＬＤサイクル１（符号２００）を実行開始する前に、最初に、バルブ５１ｅ〜５７ｅが閉じられた状態で、ゲートバルブ１２を開いて搬送機構によりウエハＷを処理容器１内に搬送し、搬送位置にある載置台２に載置する。更に、成膜システム１００では、搬送機構を処理容器１内から退避させた後、ゲートバルブ１２を閉じる。更に、成膜システム１００では、載置台２のヒータ２１によりウエハＷを所定の温度（例えば４５０〜６５０℃）に加熱するとともに載置台２を処理位置まで上昇させ、処理空間３８を形成する。更に、成膜システム１００では、排気機構４２の圧力制御バルブにより処理容器１内を所定の圧力（例えば１．３×１０３〜８．０×１０３Ｐａ）に調整する。
【００３２】
続いて、成膜システム１００では、ＡＬＤサイクル１（符号２００）を実行開始する。具体的には、成膜システム１００は、ステップｃｓ１において、バルブ５３ｅ、５７ｅを開き、Ｎ２ガス供給源５３ａ、５７ａから夫々ガス供給ライン５３ｂ、５７ｂに所定の流量（例えば１００〜３０００ｓｃｃｍ）のキャリアガス（Ｎ２ガス）を供給する。また、成膜システム１００は、ステップｃｓ１において、バルブ５４ｅを開き、還元ガス供給源５４ａから還元ガス供給ライン５４ｂに所定の流量（例えば５００〜８０００ｓｃｃｍ）の還元ガスを供給する。また、成膜システム１００は、ステップｃｓ１において、貯留タンク５２ｄ、５６ｄにそれぞれ貯留されたパージガスを処理容器１内に、所定の時間（例えば０．０５〜５秒）供給する。更に、成膜システム１００は、ステップｃｓ１において、プリカーサ供給源５１ａ及び還元ガス供給源５５ａから夫々プリカーサ及び還元ガスをガス供給ライン５１ｂ、５５ｂに供給する。このとき、バルブ５１ｅ、５５ｅが閉じられているので、プリカーサ及び還元ガスは、貯留タンク５１ｄ、５５ｄに夫々貯留され、貯留タンク５１ｄ、５５ｄ内が昇圧する。
【００３３】
続いて、成膜システム１００は、ステップｃｓ２において、バルブ５１ｅを開き、貯留タンク５１ｄに貯留されたプリカーサを処理容器１内に供給し、ウエハＷの表面に吸着させる。また、成膜システム１００は、ステップｃｓ２において、処理容器１内へのプリカーサの供給に並行して、Ｎ２ガス供給源５２ａ、５６ａからガス供給ライン５２ｂ、５６ｂに夫々パージガス（Ｎ２ガス）を供給する。このとき、バルブ５２ｅ、５６ｅが閉じられたことにより、パージガスは貯留タンク５２ｄ、５６ｄに貯留され、５２ｄ、５６ｄ内が昇圧する。
【００３４】
バルブ５１ｅを開いてから所定の時間（例えば０．０５〜５秒）が経過した後、成膜システム１００は、ステップｃｓ３において、バルブ５１ｅを閉じるとともにバルブ５２ｅ、５６ｅを開く。これにより、成膜システム１００では、処理容器１内へのプリカーサの供給を停止するとともに、貯留タンク５２ｄ、５６ｄに夫々貯留されたパージガスを処理容器１内に供給する。このとき、圧力が上昇した状態の貯留タンク５２ｄ、５６ｄから供給されるので、処理容器１内には比較的大きな流量、例えばキャリアガスの流量よりも大きい流量（例えば５００〜１００００ｓｃｃｍ）でパージガスが供給される。そのため、処理容器１内に残留するプリカーサが速やかに排気配管４１へ排出され、処理容器１内がプリカーサ雰囲気から還元ガス及びＮ２ガスを含む雰囲気に短時間で置換される。一方、バルブ５１ｅが閉じられたことにより、プリカーサ供給源５１ａからガス供給ライン５１ｂに供給されるプリカーサが貯留タンク５１ｄに貯留され、貯留タンク５１ｄ内が昇圧する。
【００３５】
バルブ５２ｅ、５６ｅを開いてから所定の時間（例えば０．０５〜５秒）が経過した後、成膜システム１００は、ステップｃｓ４において、バルブ５２ｅ、５６ｅを閉じるとともにバルブ５５ｅを開く。これにより、成膜システム１００では、処理容器１内へのパージガスの供給を停止するとともに、貯留タンク５５ｄに貯留された還元ガスを処理容器１内に供給し、ウエハＷの表面に吸着したプリカーサを還元する。このとき、バルブ５２ｅ、５６ｅが閉じられたことにより、Ｎ２ガス供給源５２ａ、５６ａからガス供給ライン５２ｂ、５６ｂに夫々供給されるパージガスが貯留タンク５２ｄ、５６ｄに貯留され、貯留タンク５２ｄ、５６ｄ内が昇圧する。
【００３６】
バルブ５５ｅを開いてから所定の時間（例えば０．０５〜５秒）が経過した後、成膜システム１００は、ステップｃｓ５において、バルブ５５ｅを閉じるとともにバルブ５２ｅ、５６ｅを開く。これにより、成膜システム１００では、処理容器１内への還元ガスの供給を停止するとともに、貯留タンク５２ｄ、５６ｄに夫々貯留されたパージガスを処理容器１内に供給する。このとき、圧力が上昇した状態の貯留タンク５２ｄ、５６ｄから供給されるので、処理容器１内には比較的大きな流量、例えばキャリアガスの流量よりも大きい流量（例えば５００〜１００００ｓｃｃｍ）でパージガスが供給される。そのため、処理容器１内に残留する還元ガスが速やかに排気配管４１へ排出され、処理容器１内が還元ガス雰囲気から還元ガス及びＮ２ガスを含む雰囲気に短時間で置換される。一方、バルブ５５ｅが閉じられたことにより、還元ガス供給源５５ａからガス供給ライン５５ｂに供給される還元ガスが貯留タンク５５ｄに貯留され、貯留タンク５５ｄ内が昇圧する。
【００３７】
バルブ５２ｅ、５６ｅを開いてから所定の時間（例えば、０．０５〜５秒）が経過すると、成膜システム１００では、再び、ステップｃｓ１に戻る。そして、成膜システム１００では、上記ステップｃｓ１〜ステップｃｓ５を所定回数繰り返した後、次のＡＬＤサイクル（"ＡＬＤサイクル２"（符号２０１））に切り替える。このように、成膜システム１００では、ＡＬＤ法により成膜を行う場合、各ＡＬＤサイクルにおいて制御対象の状態（バルブ５１ｅ、５５ｅ、５２ｅ、５６ｅの開閉状態）を高速に制御しながら、複数のステップを実行する。
【００３８】
＜レシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルのうち、連続するＡＬＤサイクル間の特徴＞
次に、第１の実施形態に係る成膜システム１００の制御部６に設定されるレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルの特徴について説明する。制御部６に設定されるレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルは、連続するＡＬＤサイクル間において所定の特徴を有する。
【００３９】
図３は、制御部に設定されるレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルのうち、連続するＡＬＤサイクル間の特徴を説明するための図である。図３の例は、図２に示した複数のＡＬＤサイクルのうち、最初に実行される"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）と、次に実行される"ＡＬＤサイクル２"（符号２０１）とを並べて示した図である。
【００４０】
上述したように、"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）のステップｃｓ１〜ｃｓ５が、所定回数繰り返されると、"ＡＬＤサイクル２"（符号２０１）に切り替えられる。ここで、"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）から"ＡＬＤサイクル２"（符号２０１）に切り替えられる場合の切り替え直前の各バルブの状態は以下に示す通りとなる。
・バルブ５１ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５５ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５４ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５３ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５７ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５２ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５６ｅ：ＯＮ（開）
一方、"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）から"ＡＬＤサイクル２"（符号２０１）に切り替えられた場合の切り替え直後の各バルブの状態は、以下に示す通りとなる。
・バルブ５１ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５５ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５４ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５３ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５７ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５２ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５６ｅ：ＯＮ（開）
つまり、制御部６に設定されるレシピの場合、ＡＬＤサイクルを切り替える際に、切り替えの前後で全てのバルブの状態が維持されるように構成されている（ＯＦＦ（閉）→ＯＦＦ（閉）またはＯＮ（開）→ＯＮ（開））。
【００４１】
これにより、制御部６に設定されるレシピによれば、次のＡＬＤサイクルに切り替えられる際に、成膜システム１００において膨大なタスクが発生したとしても、制御部６は、直ちに、各バルブの状態を変更する必要がなくなる。つまり、当該レシピによれば、次のＡＬＤサイクルを実行開始する際のタスクの影響を低減させることができる。
【００４２】
＜比較例としての従来のレシピ＞
次に、制御部６に設定されるレシピ（図３）との比較例として、従来のレシピについて説明する。図４は、従来のレシピの一例を示す図である。
【００４３】
図３で示した"ＡＬＤサイクル１、２"（符号２００、２０１）と、図４で示した"ＡＬＤサイクル１、２"（符号４００、４０１）との相違点は、ＡＬＤサイクルを切り替える際のバルブ５１ｅ、５２ｅ、５６ｅの状態である。
【００４４】
従来のレシピの場合、"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）から"ＡＬＤサイクル２"（符号４０１）へ切り替える際の切り替え直前の各バルブの状態は以下に示す通りである。
・バルブ５１ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５５ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５４ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５３ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５７ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５２ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５６ｅ：ＯＮ（開）
一方、"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）から"ＡＬＤサイクル２"（符号４０１）に切り替えられた場合の切り替え直後の各バルブの状態は、以下に示す通りである。
・バルブ５１ｅ：ＯＮ（閉）
・バルブ５５ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５４ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５３ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５７ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５２ｅ：ＯＦＦ（開）
・バルブ５６ｅ：ＯＦＦ（開）
つまり、従来のレシピの場合、ＡＬＤサイクルを切り替える際に、バルブ５５ｅ、５４ｅ、５３ｅ、５７ｅについては、切り替えの前後で状態が維持される（ＯＦＦ（閉）→ＯＦＦ（閉）またはＯＮ（開）→ＯＮ（開））。一方で、バルブ５１ｅ、５２ｅ、５６ｅについては、切り替えの前後で状態が変更される（ＯＦＦ（閉）→ＯＮ（開）またはＯＮ（開）→ＯＦＦ（閉））。
【００４５】
このため、従来のレシピによれば、次のＡＬＤサイクルに切り替えられる際に、成膜システム１００において膨大なタスクが発生し、各バルブの状態を、直ちに変更することができなくなった場合に、レシピに従った処理を実現することができない。つまり、従来のレシピによれば、次のＡＬＤサイクルを実行開始する際にタスク処理の影響を受けることになる。
【００４６】
＜ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作の詳細＞
次に、ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作の詳細について説明する。具体的には、
・制御部６に設定されるレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルのうち、連続するＡＬＤサイクル（図３）と、
・比較例である従来のレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルのうち、連続するＡＬＤサイクル（図４）と、
をそれぞれ実行した場合の、ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作の詳細について、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００４７】
（１）従来のレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合
図５は、従来のレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合の、ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作を示す図である。なお、ここでは、説明を簡略化するため、ＡＬＤサイクル内のステップ数を"２"（ステップｃｓ１、ｃｓ２）、制御対象であるバルブの数を"２"（ガスＡのバルブ、ガスＢのバルブ）としている。
【００４８】
図５に示すように、従来のレシピの場合、ＡＬＤサイクル１（符号５１０）には、
・ステップｃｓ１において、０．２［秒］間、ガスＡのバルブを開状態にすること、
・ステップｃｓ２において、０．２［秒］間、ガスＢのバルブを開状態にすること、
が規定されている。また、ＡＬＤサイクル２（符号５２０）には、
・ステップｃｓ１において、０．３［秒］間、ガスＡのバルブを開状態にすること、
・ステップｃｓ２において、０．４［秒］間、ガスＢのバルブを開状態にすること、
が規定されている。
【００４９】
このような規定のもとで、ＡＬＤサイクル１（符号５１０）からＡＬＤサイクル２（符号５２０）に切り替える際の、ガスＡ、Ｂのバルブに対する制御部からの命令と、ガスＡ、Ｂのバルブの実際の動作との関係を示すと、図５下側のタイムチャートのとおりとなる。以下、図５下側のタイムチャートについて説明する。
【００５０】
符号５１１は、ＡＬＤサイクル１（符号５１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ１に基づき、
・制御部が、ガスＡのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＡのバルブが、制御部からの開命令に応じて開状態となったこと、
を示している。また、符号５１１は、ＡＬＤサイクル１（符号５１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ２に基づき、
・０．２［秒］経過した後に、制御部がガスＡのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・０．２［秒］経過した後に、ガスＡのバルブが制御部からの閉命令に応じて閉状態となったこと、
を示している。
【００５１】
また、符号５１２は、ＡＬＤサイクル１（符号５１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ２に基づき、
・制御部が、ガスＢのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＢのバルブが、制御部からの開命令に応じて開状態となったこと、
を示している。また、符号５１２は、ＡＬＤサイクル２（符号５２０）の最初のサイクルにおけるステップｃｓ１に基づき、
・０．２［秒］経過した後に、制御部がガスＢのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・０．２［秒］経過した後に、ガスＢのバルブが制御部から閉命令を受けたが、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響により、実際には、タスクの処理完了後に、閉状態となったこと（ガスＢのバルブが点線で示す本来の動作とは異なる動作をしたこと）、
を示している。
【００５２】
また、符号５２１は、ＡＬＤサイクル２（符号５２０）の最初のサイクルにおけるステップｃｓ１に基づき、
・制御部が、ガスＡのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＡのバルブが、制御部から開命令を受けたが、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響により、実際には、タスクの処理完了後に、開状態となったこと（つまり、ガスＡのバルブが点線で示す本来の動作とは異なる動作をしたこと）、
を示している。また、符号５２１は、ＡＬＤサイクル２（符号５２０）の最初のサイクルにおけるステップｃｓ２に基づき、
・０．３［秒］経過した後に、制御部がガスＡのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・０．３［秒］経過した後に、ガスＡのバルブが、制御部からの閉命令に応じて閉状態となったこと、
を示している。
【００５３】
このように、従来のレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響を受けて、
・ＡＬＤサイクル１（符号５１０）については、最後のサイクルの最後のステップのバルブ（ガスＢのバルブ）の終了動作が遅延し、最後のサイクルの最後のステップの処理が、ＡＬＤサイクル１（符号５１０）に規定された処理時間よりも長くなる。図５の例では、０．２［秒］が０．２８［秒］になっている。
・ＡＬＤサイクル２（符号５２０）については、最初のサイクルの最初のステップのバルブ（ガスＡのバルブ）の開始動作が遅延し、最初のサイクルの最初のステップの処理が、ＡＬＤサイクル２（符号５２０）に規定された処理時間よりも短くなる。図５の例では、０．３［秒］が０．２２［秒］になっている。
【００５４】
（２）制御部６に設定されるレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合
図６は、制御部に設定されるレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合の、ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作を示す図である。なお、説明を簡略化するため、ここではＡＬＤサイクル内のステップ数を"３"（ステップｃｓ１、ｃｓ２、ｃｓ３）、制御対象であるバルブの数を"２"（ガスＡのバルブ、ガスＢのバルブ）としている。
【００５５】
図６に示すように、制御部６に設定されるレシピの場合、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）には、
・ステップｃｓ１において、０．１［秒］間、ガスＢのバルブを開状態にすること、
・ステップｃｓ２において、０．２［秒］間、ガスＡのバルブを開状態にすること、
・ステップｃｓ３において、０．１［秒］間、ガスＢのバルブを開状態にすること、
が規定されている。また、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）には、
・ステップｃｓ１において、０．１［秒］間、ガスＢのバルブを開状態にすること、
・ステップｃｓ２において、０．３［秒］間、ガスＡのバルブを開状態にすること、
・ステップｃｓ３において、０．３［秒］間、ガスＢのバルブを開状態にすること、
が規定されている。ただし、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）に規定された各ステップの時間はあくまで一例であり、各ステップの時間がこれに限定されないことは言うまでもない。
【００５６】
このような規定のもとで、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）からＡＬＤサイクル２（符号６２０）に切り替える際の、ガスＡ、Ｂのバルブに対する制御部からの命令と、ガスＡ、Ｂのバルブの実際の動作との関係を示すと、図６下側のタイムチャートのとおりとなる。以下、図６下側のタイムチャートについて説明する。
【００５７】
符号６１１は、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後から２番目のサイクルにおけるステップｃｓ３と、最後のサイクルにおけるステップｃｓ１とに基づき、
・制御部６が、ガスＢのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・０．１［秒］経過した後に、制御部６がガスＢのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＢのバルブが、制御部６からの開命令に応じて開状態となったこと、及び、
・０．１［秒］経過した後に、ガスＢのバルブが、制御部６から開命令を受けたことに応じて、開状態を維持したこと、
を示している。また、符号６１１は、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ２に基づき、
・０．１［秒］経過した後に、制御部６がガスＢのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・０．１［秒］経過した後に、ガスＢのバルブが、制御部６からの閉命令に応じて閉状態となったこと、
を示している。
【００５８】
また、符号６１２は、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ２に基づき、
・制御部６が、ガスＡのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＡのバルブが、制御部６からの開命令に応じて開状態となったこと、
を示している。また、符号６１２は、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ３に基づき、
・０．２［秒］経過した後に、制御部６がガスＡのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・０．２［秒］経過した後に、ガスＡのバルブが制御部６からの閉命令に応じて閉状態となったこと、
を示している。
【００５９】
また、符号６１３は、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ３に基づき、
・制御部６が、ガスＢのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＢのバルブが、制御部６からの開命令に応じて開状態となったこと、
を示している。
【００６０】
また、符号６２２は、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）の最初のサイクルにおけるステップｃｓ１に基づき、
・制御部６が、ガスＢのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＢのバルブが、制御部６から開命令を受けたが、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響により、実際には、タスクの処理完了後に開状態に動作したこと（開状態に動作すべき本来のタイミングよりも遅れたタイミングで開状態に動作したこと）、
を示している。また、符号６２２は、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）の最初のサイクルにおけるステップｃｓ２に基づき、
・０．１［秒］経過した後に、制御部６がガスＢのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・０．１［秒］経過した後に、ガスＢのバルブが制御部６からの閉命令に応じて閉状態となったこと、
を示している。
【００６１】
ただし、ガスＢのバルブについては、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後のサイクルの最後のステップｃｓ３を実行した時点で、既に開状態となっている。このため、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）の最初のサイクルの最初のステップｃｓ１に基づく動作が遅延しても、遅延の影響を受けない。つまり、開状態に動作すべき本来のタイミングで開状態に動作したのと同じ結果となる。
【００６２】
また、符号６２１は、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）の最初のサイクルにおけるステップｃｓ１に基づき、
・制御部６が、ガスＡのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・ガスＡのバルブが、制御部６から閉命令を受けたが、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響により、実際には、タスクの処理完了後に、閉状態に動作したこと（本来の閉状態に動作するタイミングよりも、遅れたタイミングで閉状態に動作したこと）、
を示している。
【００６３】
ただし、ガスＡのバルブについては、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後のサイクルの最後のステップｃｓ３を実行した時点で、既に閉状態となっている。このため、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）の最初のサイクルの最初のステップｃｓ１に基づく動作が遅延しても、遅延の影響を受けない。つまり、閉状態に動作すべき本来のタイミングで閉状態に動作したのと同じ結果となる。
【００６４】
＜まとめ＞
以上の説明から明らかなように、成膜システム１００では、
・バルブの状態がＡＬＤサイクルの切り替えの前後で維持されるように各ステップが配列されたＡＬＤサイクルを複数含むレシピを制御部に設定する。
・設定されたレシピを実行することで、ＡＬＤサイクルを切り替える際、該ＡＬＤサイクルにおいて制御されるバルブについての切り替え直前の状態が、切り替え直後でも維持されるように、ＡＬＤサイクルの切り替え直後のバルブの状態を制御する。
【００６５】
これにより、成膜システム１００によれば、ＡＬＤサイクルを切り替える際に膨大なタスクが発生したことでバルブ動作が遅延した場合でも、遅延の影響を受けることなくレシピに従った処理を実現することができる。
【００６６】
つまり、第１の実施形態によれば、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響を低減させる制御方法及び成膜システムを提供することができる。
【００６７】
［第２の実施形態］
上記第１の実施形態では、制御部６に対して、図３を用いて説明したような特徴（ＡＬＤサイクルの切り替えの前後で制御対象の状態が維持されるという特徴）を有するレシピを、ユーザが設定するものとして説明した。しかしながら、ユーザは比較例のようなレシピ（図４参照）を入力し、制御部６が、図３に示すレシピを自動生成するように構成してもよい（つまり、制御部６を、レシピを自動生成する生成部として機能させてもよい）。以下、第２の実施形態について、上記第１の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００６８】
＜比較例である従来のレシピと制御部６に設定されるレシピとの関係＞
はじめに、比較例である従来のレシピ（例えば、図４の符号４００参照）と、制御部６に設定されるレシピ（例えば、図３の符号２００参照）との関係について説明する。
【００６９】
図３と図４との対比から明らかなように、成膜システム１００が、図３の"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）のステップｃｓ１において実行する処理は、図４で示した"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）のステップｃｓ４において実行する処理と同じである。ただし、成膜システム１００が、図３の"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）のステップｃｓ１において実行する当該処理の時間は、図４で示した"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）のステップｃｓ４において実行する処理の時間の半分である。
【００７０】
同様に、成膜システム１００が、図３の"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）のステップｃｓ５において実行する処理は、図４で示した"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）のステップｃｓ４において実行する処理と同じである。ただし、成膜システム１００が、図３の"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）のステップｃｓ５において実行する当該処理の時間は、図４で示した"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）のステップｃｓ４において実行する処理の時間の半分である。
【００７１】
つまり、制御部６は、図４で示した"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）を、以下の変更手順に従って変更することで、"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）を自動生成する。
・比較例である従来の"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）において所定の順序で配列された複数のステップ（ステップｃｓ１〜ステップｃｓ４）から、最後に配列されたステップｃｓ４を取り出し、
・取り出したステップｃｓ４の処理内容（処理時間）を２つに分割することで、分割後のステップｃｓ１とステップｃｓ５とを生成し、
・比較例である従来の"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）からステップｃｓ４が取り出された後の残りのステップｃｓ１〜ステップｃｓ３の配列の最初と最後に、当該生成したステップｃｓ１とステップｃｓ５とを加え、
・ステップ番号を振り直す（比較例である従来の"ＡＬＤサイクル"（符号４００）のステップｃｓ１〜ｃｓ３をステップｃｓ２〜ｃｓ４にする）。
【００７２】
このようにして自動生成される図３の"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）の各ステップの処理を繰り返し実行した場合の処理内容は、図４の"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）の各ステップの処理を繰り返し実行した場合の処理内容と等しくなる。そして、レシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルのうち、連続するＡＬＤサイクル間において、上述したような特徴をもたせることができる。
【００７３】
＜制御部によるレシピ生成処理の流れ＞
図７は、レシピ生成処理の流れを示すフローチャートである。ステップＳ７０１において、制御部６は、各ＡＬＤサイクルの各ステップの処理内容を取得し、レシピを生成する。
【００７４】
ステップＳ７０２において、制御部６は、生成されたレシピの各ＡＬＤサイクルにおいて所定の順序で配列された各ステップのうち、最後のステップを分割し、分割後の第１の分割ステップと、第２の分割ステップとを生成する。
【００７５】
ステップＳ７０３において、制御部６は、生成されたレシピの各ＡＬＤサイクルにおいて所定の順序で配列された各ステップから、最後のステップを取り出した残りのステップの配列の最初と最後に、第１の分割ステップと第２の分割ステップとを加える。
【００７６】
ステップＳ７０４において、制御部６は、ステップ番号を振り直し、新たなＡＬＤサイクルを含むレシピを再生成する。
【００７７】
＜まとめ＞
以上の説明から明らかなように、成膜システム１００では、比較例のようなレシピをユーザより受け付け、制御部６が、連続するＡＬＤサイクル間において、所定の特徴を有するレシピを再生成する。
【００７８】
これにより、第２の実施形態によれば、ユーザは比較例のようなレシピを入力するだけで、ＡＬＤサイクルを切り替える際に発生するタスクの影響を低減させることが可能なレシピを自動生成することができる。つまり、第２の実施形態よれば、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響を低減させる制御方法及び成膜システムを提供することができる。
【００７９】
［その他の実施形態］
上記第１及び第２の実施形態では、成膜システム１００においてＡＬＤ法による成膜に用いるガスの供給を制御するバルブを制御対象としたが、制御対象はこれに限定されない。例えば、成膜システム１００において、プラズマを形成するための高周波電源を制御対象としてもよい。
【００８０】
また、上記第１及び第２の実施形態では、成膜システム１００が実行する半導体プロセスとしてＡＬＤサイクルについて説明した。しかしながら、成膜システム１００は、ＡＬＤサイクル以外の半導体プロセスであって、制御対象の状態を高速に制御する半導体プロセスを実行してもよい。
【００８１】
また、上記第１の実施形態では、現在（Ｎ番目）のＡＬＤサイクルから、次（Ｎ＋１番目）のＡＬＤサイクルに切り替えて実行開始するケースについて説明した。しかしながら、現在のＡＬＤサイクルから次のＡＬＤサイクルに切り替えて実行開始するケースに限定されず、（実行中のレシピがなく）新たなレシピについて、１番目のＡＬＤサイクルを実行開始するケースについても同様である。つまり、ＡＬＤサイクルを実行開始することには、次のＡＬＤサイクルを実行開始すること、及び、新たなレシピについて１番目のＡＬＤサイクルを実行開始すること、の両方が含まれるものとする。このように、成膜システム１００では、（実行中のレシピの有無に関わらず）ＡＬＤサイクルの実行開始直前のバルブの状態が、実行開始直後でも維持されるように、ＡＬＤサイクルの実行開始直後のバルブの状態を制御する。更に、上記第１の実施形態では、レシピからレシピへの切り替え時について説明したが、この限りではない。例えば、ＡＬＤではない状態（前処理など）からＡＬＤサイクルのレシピに移行する切り替え時も含まれる。
【００８２】
また、上記第２の実施形態では、制御部６が、最後のステップを分割して、分割後の第１の分割ステップと第２の分割ステップを生成する際、処理時間が等しくなるように分割するものとして説明した。しかしながら、制御部６は、第１の分割ステップと第２の分割ステップの処理時間が異なるように分割してもよい（例えば、図６の符号６２０において、ステップｃｓ１とステップｃｓ３とは、処理時間が異なるように分割した場合の一例である）。
【００８３】
また、上記第２の実施形態において説明したレシピ生成処理は一例であり、制御部６は、他のレシピ生成処理に基づいて、レシピを生成してもよい。ただし、制御部６が生成するレシピは、制御対象の状態がＡＬＤサイクルの切り替えの前後で維持されるように各ステップが配列されるものとする。
【００８４】
また、上記第２の実施形態では、制御部６においてレシピが自動生成されるものとして説明した。しかしながら、レシピの自動生成は、例えば、制御部６とネットワークを介して接続されるサーバ装置（不図示）において実行されてもよい。
【００８５】
また、上記第１の実施形態では、制御部６を一体的に形成するものとして説明したが、制御部６は、別体の複数の装置により形成されてもよい。
【００８６】
なお、上記実施形態に挙げた構成等に、その他の要素との組み合わせ等、ここで示した構成に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
【符号の説明】
【００８７】
６              ：制御部
１００          ：成膜システム
【図１】
2020117762.tif 000003
【図２】
2020117762.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2020117762.tif 000008
【図７】
2020117762.tif 000009