(57)【要約】【課題】３０ＧＨｚ超の高周波数領域において低い減衰特性を示し、且つ周波数依存性が極めて低いミリ波モジュール及びその構成部品を提供する。【解決手段】環状ポリオレフィンを成形加工してなる部品を有するミリ波モジュールであって、環状ポリオレフィンが、少なくとも１種の芳香族ビニルモノマー単位及び少なくとも１種の共役ジエンモノマー単位を含むブロックコポリマーの水素化体である水素化ブロックコポリマーからなり、水素化ブロックコポリマーは、水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位、及び水素化共役ジエンポリマーブロック単位を有し、水素化ブロックコポリマーは、水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位を少なくとも２個有すると共に、水素化共役ジエンポリマーブロック単位を少なくとも１個有するミリ波モジュールを用いる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状ポリオレフィンを成形加工してなる部品を有するミリ波モジュールであって、
該環状ポリオレフィンが、少なくとも１種の芳香族ビニルモノマー単位及び少なくとも１種の共役ジエンモノマー単位を含むブロックコポリマーの水素化体である水素化ブロックコポリマーからなり、
該水素化ブロックコポリマーは、前記芳香族ビニルモノマー単位からなるポリマーブロックの水素化体である水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位、及び前記共役ジエンモノマー単位からなるポリマーブロックの水素化体である水素化共役ジエンポリマーブロック単位を有し、
該水素化ブロックコポリマーは、前記水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位を少なくとも２個有すると共に、前記水素化共役ジエンポリマーブロック単位を少なくとも１個有するミリ波モジュール。
【請求項２】
前記水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位が９０％以上の水素化レベルをもち、かつ、前記水素化共役ジエンポリマーブロック単位が９５％以上の水素化レベルをもつ、請求項１に記載のミリ波モジュール。
【請求項３】
前記水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位が水素化ポリスチレンからなり、前記環状ポリオレフィン中の含有率が５０〜９９モル％である、請求項１又は２に記載のミリ波モジュール。
【請求項４】
前記水素化共役ジエンポリマーブロック単位が水素化ポリブタジエンからなり、前記環状ポリオレフィン中の含有率が１〜５０モル％である、請求項１又は２に記載のミリ波モジュール。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のミリ波モジュールを構成する前記環状ポリオレフィンからなる部品である送受信アンテナフィルム。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のミリ波モジュールを構成する前記環状ポリオレフィンからなる部品であり、ミリ波レーダーカバー、コネクタ、及び筐体から選ばれるミリ波モジュール構成部品。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のミリ波モジュールを構成する前記環状ポリオレフィンからなる部品であるミリ波受発信用回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミリ波を利用した高速大容量通信用回路やその周辺部品からなるミリ波モジュール、及び送受信アンテナフィルム、ミリ波レーダーカバー、コネクタ、筺体、ミリ波受発信用回路基板等のミリ波モジュール構成部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信の高速度化、大容量化は年々進歩しており、例えばマイクロ波を利用した現在の携帯電話は大容量、高速データ通信の第四世代（４Ｇ）に達している。次世代の超高速通信規格（第五世代・５Ｇ）においては、周波数３０ＧＨｚを超える無線通信が広帯域、大容量、近距離伝送に向いているため、更に高周波数の電波、例えばミリ波が用いられる。
また、追突防止用レーダー等には、高周波数電波であるミリ波が直進性が高いために好適であり、採用されつつある。
【０００３】
一方、ミリ波領域の高周波数電波は、回路やアンテナ、センサー、カバー、コネクタ、ケーシングといった関連部品に用いられる材料において、その素材の持つ誘電損失により低減することが知られており、通信効率を下げないためにも、上記関連部品に用いられる材料としては低誘電率、特に低誘電損失なる特性が求められる。
ミリ波モジュール、特にミリ波通信モジュールの例として、ミリ波レーダーモジュールは、ミリ波の送受信アンテナ、レドーム、筐体、コネクタ、レーダー基板、回路基板、ケーシング等からなっている。また、携帯電話はアンテナ、レシーバー、回路基板等を備えている。
【０００４】
これらモジュールには、しばしば樹脂成形部品や樹脂フィルムが用いられており、具体的には、アンテナフィルムやカバー、コネクタ、ケーシング、回路基板等として、様々な種類の樹脂製の様々な形状からなる部品が用いられている。
ところで、この樹脂製部品のミリ波の透過性が不十分であったりミリ波が途中減衰してしまう場合、受発信信号にノイズが生じたり強度が低下したり、受発信精度が低下したりし、通信機器やレーダーとしての十分な性能を得ることができなくなる。
このため、３０ＧＨｚ以上のミリ波領域において、電波損失の少ない材料が強く要求されている。
【０００５】
従来このような用途にはセラミックが多く用いられてきたが、セラミックは加工が困難であり、薄肉軽量化が困難であることから、安価で加工が容易な高分子材料への材料変更が提案されている。
例えば、特許文献１には、誘電特性に優れたポリテトラフルオロエチレンを用い、高温で加熱して誘電体導波路線を製造する方法が開示されている。
特許文献２にはフィルム状ポリイミド樹脂の上に回路を設けることで安価なモジュールを製造する方法が開示されている。
特許文献３には特定の熱可塑性液晶ポリマーを用い、誘電率の安定したミリ波アンテナを製造する方法が用いられている。
特許文献４には多層フィルムの中間層を熱可塑性液晶ポリマーとポリエステル等を複合化した低誘電性樹脂フィルムが開示されている。
特許文献５にはポリマー材料中に微細な空孔を分散形成してなる低誘電率フィルムが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１８−０６１２４９号公報
【特許文献２】特開２００２−１５１９１５号公報
【特許文献３】特開２０１２−０７７１１７号公報
【特許文献４】特開２００５−１９３６５７号公報
【特許文献５】特開２０１８−０２１１７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の方法では非常に複雑な加熱工程が必要な上、薄肉化が困難であり、特に高周波数領域における低い誘電損失を確保することが困難である。
特許文献２の方法では高周波特性がポリテトラフルオロエチレンより大幅に劣り、また吸湿性が大きいため、吸湿により極端に高周波特性が悪化してしまう。
特許文献３の方法では超高周波数領域の誘電特性については述べられておらず、且つ誘電損失については発明の範囲においても十分に低くはない。
特許文献４ではミリ波領域の誘電特性については述べられていない。
特許文献５の方法でも高周波数領域での誘電損失が十分に低くはない。
【０００８】
５Ｇ通信用電波の中でも近距離通信用規格であるＷｉＧｉＧでは６０ＧＨｚ、ミリ波レーダーにおいては７７ＧＨｚと、特に超高周波数電波が用いられ、高いミリ波透過性や低い減衰特性が求められている。しかしながら従来の技術では電波損失が周波数増大と共に上昇する傾向にあり、このような要求にこたえるミリ波通信、レーダー用部品は未だ達成されていない。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、３０ＧＨｚ超の高周波数領域において低い減衰特性を示し、且つ周波数依存性が極めて低いミリ波モジュール及びその構成部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は鋭意検討を重ねた結果、特定の構造を有する水素化ブロックコポリマーを成形加工してなるモジュール構成部品が３０ＧＨｚ以上の領域において周波数依存性が無く優れた損失特性を有することを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、以下の各構成を有する。
【００１１】
［１］環状ポリオレフィンを成形加工してなる部品を有するミリ波モジュールであって、該環状ポリオレフィンが、少なくとも１種の芳香族ビニルモノマー単位及び少なくとも１種の共役ジエンモノマー単位を含むブロックコポリマーの水素化体である水素化ブロックコポリマーからなり、該水素化ブロックコポリマーは、前記芳香族ビニルモノマー単位からなるポリマーブロックの水素化体である水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位、及び前記共役ジエンモノマー単位からなるポリマーブロックの水素化体である水素化共役ジエンポリマーブロック単位を有し、該水素化ブロックコポリマーは、前記水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位を少なくとも２個有すると共に、前記水素化共役ジエンポリマーブロック単位を少なくとも１個有するミリ波モジュール。
【００１２】
［２］前記水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位が９０％以上の水素化レベルをもち、かつ、前記水素化共役ジエンポリマーブロック単位が９５％以上の水素化レベルをもつ、［１］に記載のミリ波モジュール。
［３］前記水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位が水素化ポリスチレンからなり、前記環状ポリオレフィン中の含有率が５０〜９９モル％である、［１］又は［２］に記載のミリ波モジュール。
［４］前記水素化共役ジエンポリマーブロック単位が水素化ポリブタジエンからなり、前記環状ポリオレフィン中の含有率が１〜５０モル％である、［１］又は［２］に記載のミリ波モジュール。
［５］［１］〜［４］のいずれか１項に記載のミリ波モジュールを構成する前記環状ポリオレフィンからなる部品である送受信アンテナフィルム。
［６］［１］〜［４］のいずれか１項に記載のミリ波モジュールを構成する前記環状ポリオレフィンからなる部品であり、ミリ波レーダーカバー、コネクタ、及び筐体から選ばれるミリ波モジュール構成部品。
［７］［１］〜［４］のいずれか１項に記載のミリ波モジュールを構成する前記環状ポリオレフィンからなる部品であるミリ波受発信用回路基板。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によるミリ波モジュールは、特定の環状ポリオレフィンからなる部品を用いるので、ミリ波に対する誘電損失が低いという特徴を発揮する。このため、ミリ波モジュールを構成する部品である、電波送受信システムのアンテナ用のフィルム、回路基板、コネクタ、装置類カバー、封止材等を前記の環状ポリオレフィンを用いて製造することができる。このため、本発明によるミリ波モジュールは、自動車の前方または後方監視レーダーのモジュールとして用いることができ、また、Ｗｉｆｉ等の近距離通信システムや通信基地局におけるモジュールとして用いることができ、通信エラーの低減や、通信速度、精度の向上、大容量化へ寄与することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」という表現を用いる場合、その前後の数値又は物性値を含む表現として用いるものとする。
【００１５】
本発明は、環状ポリオレフィンを成形加工してなる部品を有するミリ波モジュールであって、該環状ポリオレフィンが、少なくとも１種の芳香族ビニルモノマー単位及び少なくとも１種の共役ジエンモノマー単位を含むブロックコポリマーの水素化体（以下、「水素化ブロックコポリマー」と称する。）からなり、該水素化ブロックコポリマーは、前記芳香族ビニルモノマー単位からなるポリマーブロックの水素化体（以下、「水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位」と称する。）、及び前記共役ジエンモノマー単位からなるポリマーブロックの水素化体（以下、「水素化共役ジエンポリマーブロック単位」と称する。）を有し、該水素化ブロックコポリマーは、前記水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位を少なくとも２個有すると共に、前記水素化共役ジエンポリマーブロック単位を少なくとも１個有するミリ波モジュールである。
【００１６】
＜環状ポリオレフィン＞
前記の通り、本発明の環状ポリオレフィンは、前記水素化ブロックコポリマーからなる樹脂である。
この水素化ブロックコポリマーは、前記水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位、及び前記水素化共役ジエンポリマーブロック単位を有する。
そして、該水素化ブロックコポリマーは、水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位を少なくとも２個有すると共に、水素化共役ジエンポリマーブロック単位を少なくとも１個有する。
なお、「ブロック」とは、後記するように、本明細書において、コポリマーの構造的又は組成的に異なった重合セグメントからのミクロ層分離を表すコポリマーの重合セグメントをいう。このため、例えば「ブロック単位を少なくとも２個有する」とは、水素化ブロックコポリマーの中に、構造的又は組成的に異なった重合セグメントからのミクロ層分離を表すコポリマーの重合セグメントを少なくとも２個有することをいう。
【００１７】
前記の芳香族ビニルモノマー単位の原料となる芳香族ビニルモノマーは、一般式（１）で示されるモノマーである。
【００１８】
【化１】
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ここでＲは水素又はアルキル基、Ａｒはフェニル基、ハロフェニル基、アルキルフェニル基、アルキルハロフェニル基、ナフチル基、ピリジニル基、またはアントラセニル基である。
【００１９】
前記アルキル基はハロ基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボニル基、及びカルボキシル基のような官能基で単置換又は多重置換されていてもよい、１から６個の炭素原子を含む。
Ａｒはフェニル基又はアルキルフェニル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
芳香族ビニルモノマーとしては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン（全ての異性体を含み、特にｐ−ビニルトルエン）、エチルスチレン、プロピルスチレン、ブチルスチレン、ビニルビフェニル、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン（全ての異性体）、及びこれらの混合物が挙げられる。
【００２０】
前記の共役ジエンモノマーは２個の共役二重結合を持つモノマーであればよく、特に限定されるものではない。
共役ジエンモノマーとしては、例えば、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３ペンタジエン、イソプレンとその類似化合物、及びこれらの混合物が挙げられる。
【００２１】
前記１，３−ブタジエンの重合体であるポリブタジエンは、水素化で１−ブテン繰り返し単位の等価物を与える１，２配置、又は水素化でエチレン繰り返し単位の等価物を与える１，４配置のいずれかを含むことができる。
【００２２】
前記の芳香族ビニルモノマーや、１，３−ブタジエンを含む前記共役ジエンモノマーから構成される重合性ブロックの水素化体は、本発明で使用される水素化ブロックコポリマーに含まれる。好ましくは、水素化ブロックコポリマーは官能基のないブロックコポリマーである。
なお、「官能基のない」とはブロックコポリマー中に如何なる官能基、即ち、炭素と水素以外の元素を含む基が存在しないことを意味する。
【００２３】
前記の水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位の好ましい例としては、水素化ポリスチレンを挙げることができ、前記の水素化共役ジエンポリマーブロック単位の好ましい例としては、水素化ポリブタジエンを挙げることができる。
そして、水素化ブロックコポリマーの好ましい一態様としては、スチレンとブタジエンの水素化トリブロック又はペンタブロックコポリマーを挙げることができ、他の如何なる官能基又は構造的変性剤も含まないことが好ましい。
「ブロック」とは、コポリマーの構造的又は組成的に異なった重合セグメントからのミクロ層分離を表すコポリマーの重合セグメントとして定義される。ミクロ層分離は、ブロックコポリマー中で重合セグメントが混じり合わないことにより生ずる。
なお、ミクロ層分離とブロックコポリマーは、ＰＨＹＳＩＣＳ ＴＯＤＡＹの１９９９年２月号３２−３８頁の“Ｂｌｏｃｋ  Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒｓ−Ｄｅｓｉｇｎｅｒ  Ｓｏｆｔ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ”で広範に議論されている。
【００２４】
水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位の含有率は、前記環状ポリオレフィンに対して、好ましくは５０〜９９モル％、より好ましくは６０〜９０モル％である。
水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位の比率が上記下限以上であれば剛性が低下することがなく、上記上限以下であれば脆性が悪化することがない。
【００２５】
また、水素化共役ジエンポリマーブロック単位の含有率は、前記環状ポリオレフィンに対して、好ましくは１〜５０モル％、より好ましくは１０〜４０モル％である。
水素化共役ジエンポリマーブロック単位の比率が上記下限以上であれば脆性が悪化することがなく、上記上限以下であれば剛性が低下することがない。
【００２６】
なお、前記のとおり、本願発明にかかるポリオレフィンは、「環状ポリオレフィン」であるが、この「環状」とは、前記水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位が有する、芳香族環の水素化により生じる脂環式構造のことをいう。
【００２７】
本発明の水素化ブロックコポリマーはＳＢＳ、ＳＢＳＢＳ、ＳＩＳ、ＳＩＳＩＳ、及びＳＩＳＢＳ（ここで、Ｓはポリスチレン、ＢはポリブタジェンそしてＩはポリイソプレンを意味する。）のようなトリブロック、マルチブロック、テーパーブロック、及びスターブロックコポリマーを含むブロックコポリマーの水素化によって製造される。
【００２８】
本発明の水素化ブロックコポリマーはそれぞれの末端に芳香族ビニルポリマーからなるセグメントを含む。このため、本発明の水素化ブロックコポリマーは、少なくとも２個の水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位を有することとなる。そして、この２個の水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位の間には、少なくとも１つの水素化共役ジエンポリマーブロック単位を有することとなる。
【００２９】
前記水素化ブロックを構成する水素化前のブロックコポリマーは、何個かの追加ブロックを含んでいてもよく、これらのブロックはトリブロックポリマー骨格のどの位置に結合していてもよい。このように、線状ブロックは例えばＳＢＳ、ＳＢＳＢ、ＳＢＳＢＳ、そしてＳＢＳＢＳＢを含む。コポリマーは分岐していてもよく、重合連鎖はコポリマーの骨格に沿ってどの位置に結合していてもよい。
【００３０】
水素化ブロックコポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、好ましくは３０，０００以上、より好ましくは４０，０００以上、更に好ましくは４５，０００以上、特に好ましくは５０，０００以上である。また、Ｍｗの上限は、好ましくは１２０，０００以下、より好ましくは１００，０００以下、更に好ましくは９５，０００以下、特に好ましくは９０，０００以下、最も好ましくは８５，０００以下、極めて好ましくは８０，０００以下である。
Ｍｗが上記下限以上であれば機械強度が低下せず、上記上限以下であれば成形加工性が悪化しない。
本明細書のＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて決定される。
【００３１】
ブロックコポリマーの水素化レベルは、好ましくは水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位が９０％以上、水素化共役ジエンポリマーブロック単位が９５％以上であり、より好ましくは水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位が９５％以上、水素化共役ジエンポリマーブロック単位が９９％以上であり、更に好ましくは水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位が９８％以上、水素化共役ジエンポリマーブロック単位が９９．５％以上であり、特に好ましくは水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位が９９．５％以上、水素化共役ジエンポリマーブロック単位が９９．５％以上の水素化である。
このように高レベルの水素化は、ミリ波モジュールの誘電損失を低減させるために好ましい。
なお、水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位の水素化レベルとは、芳香族ビニルポリマーブロック単位が水素化によって飽和される割合を示し、水素化共役ジエンポリマーブロック単位の水素化レベルとは、共役ジエンポリマーブロック単位が水素化によって飽和される割合を示す。
【００３２】
水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位の水素化レベルと水素化共役ジエンポリマーブロック単位の水素化レベルは、プロトンＮＭＲを用いて決定される。
【００３３】
本発明の環状ポリオレフィンのメルトフローレート（ＭＦＲ）は特に限定されないが、通常０．１ｇ／１０分以上であり、成形方法や成形体の外観の観点から、好ましくは０．５ｇ／１０分以上である。また通常２００ｇ／１０分以下であり、材料強度の観点から、好ましくは１００ｇ／１０分以下、より好ましくは５０ｇ／１０分以下である。
ＭＦＲは、ＪＩＳ  Ｋ７２１０（１９９９年）に従って、測定温度２３０℃、測定荷重２１．１８Ｎの条件で測定した。
【００３４】
本発明の環状ポリオレフィンとしては、市販のものを用いることができ、具体的には三菱ケミカル（株）製：ゼラス（商標登録）が挙げられる。
【００３５】
＜その他の成分＞
本発明の環状ポリオレフィンには、その他の成分として、樹脂組成物に常用されている配合剤を、本発明の効果を損なわない範囲で含有させることができる。
このような配合剤としては、例えば、熱安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、酸化防止剤、帯電防止剤、結晶核剤、防錆剤、無機充填材、ガラス繊維、発泡剤、及び顔料が挙げられる。このうち、酸化防止剤は、特にフェノール系、硫黄系、又はリン系の酸化防止剤を含有させるのが好ましく、酸化防止剤は、前記環状ポリオレフィン１００質量部に対して０．１〜２質量部含有させるのが好ましい。
【００３６】
また、本発明の効果を損なわない範囲で、前記環状ポリオレフィン以外の樹脂成分やエラストマー成分を含有させてもよい。
このような樹脂成分としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、エチレン−α−オレフィン共重合樹脂、プロピレン−α−オレフィン共重合樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂、エチレン−アクリル酸エステル共重合樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合体、アクリル系樹脂、及び石油樹脂スチレン−共役ジエンブロック共重合樹脂が挙げられる。
【００３７】
これらのその他の成分の配合は、熱可塑性樹脂の溶融混練に常用されている混練方法にて前記環状ポリオレフィンに練り込んで添加しても構わないし、前記環状ポリオレフィンと共に有機溶媒へ溶解させて混合しても構わない。
【００３８】
＜環状ポリオレフィンの成形加工方法＞
本発明の環状ポリオレフィンは、熱可塑性樹脂の溶融成形加工に常用されている成形加工方法にて成形体を得ることができる。
成形加工方法としては、射出成形、押出成形、回転成形、熱プレス成形、更には３Ｄプリンティング成形法等が適用できる。
【００３９】
射出成形としては、通常の射出成形の他、共射出成形、インサートインジェクション成形、直接長繊維混練射出成形法等が適用できる。
押出成形としては、Ｔダイフィルム成形、シート成形、空冷インフレーションフィルム成形、水冷インフレーションフィルム成形、パイプ成形、異形押出成形、押出ラミネート成形等が適用できる。例えばミリ波レーダーの筐体やカバー製造には射出成形が好適に使用でき、アンテナフィルム製造にはＴダイフィルム成形が好適に使用でき、回路基板にはシート成形や熱プレス成形が好適に使用できる。
かかる押出成形においては、本発明の効果を損なわない範囲で、本発明の環状ポリオレフィン樹脂と共に他の樹脂を共押出して積層成形体を得ることもできる。
【００４０】
また、本発明の環状ポリオレフィンは有機溶媒に溶解させた後に基材となる他の成形体やフィルム、シート等の上に塗工し、乾燥させて塗膜として使用することも好適である。
塗工の際に用いる有機溶媒としては本発明の環状ポリオレフィンが溶解するものであれば特に限定されない。工業的に容易に入手でき、乾燥除去の容易なものとしては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族有機溶媒；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族有機溶媒；フラン、シクロヘキサン、シクロヘプタン等の脂環式有機溶媒；ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性有機溶媒が挙げられる。
これらの中では、溶解性の観点からシクロヘキサンが好適である。
【００４１】
本発明の環状ポリオレフィンを用いた成形体の厚みは目的や用途によって細かく決められるべきものであるが、射出成形によって製造される場合は１〜５ｍｍ、フィルム成形によって製造される場合は３０μｍ〜５ｍｍ、溶液塗工によって製造される場合は１〜１０μｍが一般的に好適に用いられる。
【００４２】
本発明の環状ポリオレフィンにより得られた成形加工品は、次工程として各種加工を行うこともできる。
例えばフィルムやシートについては一軸、二軸、斜め延伸加工の何れを採用してもよいが、分子配向度を制御することがより容易な二軸延伸が好ましい。また延伸は、公知の一軸延伸機、同時二軸延伸機、逐次二軸延伸機等が使用できる。
【００４３】
また、本発明の環状ポリオレフィンからなるフィルムやシートを、別のフィルムやシートと貼り合わせて複合積層化することもできる。貼り合せるフィルムとしては、例えば、紙、アルミニウム箔、セロファン、織布、不織布、高分子重合体のフィルム（例えば、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸エステル共重合体、アイオノマー、ポリプロピレン、ポリ−１−ブテン、ポリ−４−メチルペンテン−１等のオレフィン重合体；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリアクリロニトリル等のビニル共重合体；ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン７、ナイロン１０、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６１０、ポリメタキシリレンアジパミド等のポリアミド；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート／イソフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル；ポリビニルアルコール、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリカーボネート等のフィルム）が挙げられる。
【００４４】
更に上記フィルム１種類単独でも、２種類以上の複合使用でもよく、また、基材の種類によっては延伸加工を行ったものでもよい。
特に一軸、又は二軸延伸ポリプロピレンフィルム、延伸ナイロンフィルム、延伸ポリエチエンテレフタレートフィルム、延伸ポリスチレンフィルムが用いられる。更に、上記基材上にポリ塩化ビニリデンやポリビニルアルコール等をコーティングしたものや、アルミ、アルミナやシリカ、又はアルミナ及びシリカの混合物を蒸着した基材を用いてもよい。
貼り合せる方法としては公知のドライラミネート、熱ラミネート、ウェットラミネート、サンドイッチラミネート等を用いることができる。
【００４５】
本発明における環状ポリオレフィンにより成形加工品を得たのち、その表面に必要に応じて処理を行うことも可能である。
用いられる処理方法としては、コロナ処理、フレーム処理、プラズマ処理、金属蒸着加工、シリカ蒸着加工、アルミナ蒸着加工、凹凸エンボス加工、ニードルパンチ加工、メッキ加工等を使用することができる。
例えば表面への親水性や塗装性、接着性を付与するためにコロナ処理を用いることが特に好ましい。
【００４６】
＜ミリ波モジュール及びその構成部品の製造方法＞
本発明のミリ波モジュールは、本発明の環状ポリオレフィンを成形加工して得られる部品（以下、単に「樹脂成形部品」と称する。）を含む各モジュール構成部品を組み立てることにより製造される。このモジュール構成部品としては、ミリ波の送受信アンテナ、レドーム、筐体、コネクタ、レーダー基板、回路基板、ケーシング、レシーバー等が挙げられる。そして、ミリ波モジュールを構成する樹脂成形部品としては、ミリ波用送受信アンテナフィルム、ミリ波受発信用回路基板、筺体、コネクタ、ミリ波レーダーカバー等が挙げられる。
【００４７】
本発明のミリ波モジュールを構成する樹脂成形部品を製造する方法は特に制約されないが、例えばミリ波用送受信アンテナフィルムを製造する場合は、本発明における環状ポリオレフィンからなる成形フィルム上に各種伝送線路、例えば、同軸線路、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、コプレナー線路、平行線路等の公知又は慣用の伝送線路が形成される。
また、ミリ波受発信用回路基板を製造する場合は、例えば、本発明における環状ポリオレフィンからなる成形体の上に二酸化ケイ素の薄膜を積層し、更にその上に金属配線を形成し、エッチングにより必要な回路を形成することで得ることができる。
その他、筐体やコネクタ等は、関連の部品や端子を公知の方法で埋め込んだり、他の部品と嵌合させることにより得ることができる。
【実施例】
【００４８】
以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は本実施例により何ら限定されるものではない。尚、以下の実施例及び比較例においては、下記の方法により各種物性を測定した。
【００４９】
＜メルトフローレート（ＭＦＲ）＞
・装置…（株）東洋精機製作所製：メルトインデクサー
・温度…２３０℃
・オリフィス穴径…２ｍｍ
・荷重…２１．１８Ｎ
【００５０】
＜分子量＞
・装置…東ソー（株）製：ＧＰＣ  ＨＬＣ−８３２ＧＰＣ／ＨＴ
・検出器…ＭＩＲＡＮ社製：１Ａ赤外分光光度計（測定波長、３．４２μｍ）
・カラム…昭和電工（株）製：ＡＤ８０６Ｍ／Ｓ  ３本（カラムの較正は東ソー製単分散ポリスチレン（Ａ５００，Ａ２５００，Ｆ１，Ｆ２，Ｆ４，Ｆ１０，Ｆ２０，Ｆ４０，Ｆ２８８の各０．５ｍｇ／ｍｌ溶液）の測定を行い、溶出体積と分子量の対数値を３次式で近似した。
・測定温度…１３５℃
・濃度…２０ｍｇ／１０ｍＬ
・注入量…０．２ｍｌ
・溶媒…オルソジクロロベンゼン
・流速…１．０ｍｌ／分
【００５１】
＜ポリマーブロック比率＞
［カーボンＮＭＲによる測定］
・装置…Ｂｒｕｋｅｒ社製：ＡＶＡＮＣＥ４００分光計
・溶媒…オルソジクロロベンゼン−ｈ４／パラジクロロベンゼン−ｄ４混合溶媒
・濃度…０．３ｇ／２．５ｍＬ
・測定…１３Ｃ−ＮＭＲ
・共鳴周波数…４００ＭＨｚ
・積算回数…１５３６
・フリップ角…４５度
・データ取得時間…１．５秒
・パルス繰り返し時間…１５秒
・測定温度…１００℃
・１Ｈ照射…完全デカップリング
【００５２】
＜水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位、水素化共役ジエンポリマーブロック単位の水素化率＞
[プロトンＮＭＲによる測定]
・装置…日本分光社製  ４００ＹＨ分光計
・溶媒…重クロロホルム
・濃度…０．０４５ｇ／１．０ｍＬ
・測定…１Ｈ−ＮＭＲ
・共鳴周波数…４００ＭＨｚ
・積算回数…８
・測定温度…１８．５℃
・水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位の水素化率：６．８〜７．５ｐｐｍの積分値低減率
・水素化共役ジエンポリマーブロック単位の水素化率：５．７〜６．４ｐｐｍの積分値低減率
【００５３】
＜成形加工＞
インラインスクリュータイプ射出成形機（東芝機械（株）製：ＩＳ１３０）により、成形温度２５０℃、金型温度８０℃、成形速度２００ｍｍ／秒、射出時間２５秒、冷却時間３０秒にて、２ｍｍ×１０ｃｍ×１０ｃｍの平板を作成した。但し、比較例の材料に関しては材料の固化挙動に応じて金型温度は４０℃とした。
【００５４】
＜誘電率、誘電損失測定＞
誘電体レンズ付き透過減衰測定治具にて測定を行った。
・装置…ＫＥＹＳＩＧＨＴ社製：ベクトルネットワークアナライザＮ５２２７Ａ、
ＶＩＲＧＩＮＩＡ  ＤＩＯＤＥＳ社製：ミリ波モジュール  ＷＲ１０−ＶＮＡＸ、
ＫＥＹＳＩＧＨＴ社製：ネットワークアナライザＥ８３６１Ａ。
・測定環境：２６℃、湿度４０％
・測定周波数：１０ＧＨｚ、５０ＧＨｚ、７７ＧＨｚ
【００５５】
（実施例１）
環状ポリオレフィンとして、三菱ケミカル（株）製：ゼラス（商標登録）ＭＣ９３０を用い、射出成形加工により平板を作成し、これをミリ波モジュールとした。
得られたミリ波モジュールについて、誘電率、誘電損失を測定した。結果を表１に示す。
【００５６】
［ゼラスＭＣ９３０］
・密度（ＡＳＴＭ  Ｄ７９２）：０．９４ｇ／ｃｍ３
・ＭＦＲ（２３０℃、２１．１６Ｎ）：２ｇ／１０分
・Ｍｗ：７５，６００
・水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位：ポリマーブロック比率６８モル％、水素化率９９．５％以上の水素化ポリスチレン
・水素化共役ジエンポリマーブロック単位：ポリマーブロック比率３２モル％、水素化率９９．５％以上の水素化ポリブタジエン
・ペンタブロック構造、合計水素化率：９９．５％以上
【００５７】
（実施例２）
環状ポリオレフィンとして、三菱ケミカル（株）製：ゼラス（商標登録）ＭＣ９３１を用い、それ以外は実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
【００５８】
［ゼラスＭＣ９３１］
・密度（ＡＳＴＭ  Ｄ７９２）：０．９４ｇ／ｃｍ３
・ＭＦＲ（２３０℃、２１．１６Ｎ）：３５ｇ／１０分
・Ｍｗ：５４，２００
・水素化芳香族ビニルポリマーブロック単位：ポリマーブロック比率６６モル％、水素化率９９．５％以上の水素化ポリスチレン
・水素化共役ジエンポリマーブロック単位：ポリマーブロック比率３４モル％、水素化率９９．５％以上の水素化ポリブタジエン
・ペンタブロック構造、合計水素化率：９９．５％以上
【００５９】
（比較例１）
環状ポリオレフィンの代わりに、ＫＲＡＴＯＮ社製スチレン−ブタジエン共重合樹脂ＫＲＡＴＯＮ（商標登録）Ｄ１１５５Ｊを用い、それ以外は実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
【００６０】
［ＫＲＡＴＯＮ  Ｄ１１５５Ｊ］
・密度（ＡＳＴＭ  Ｄ７９２）：０．９５ｇ／ｃｍ３
・ＭＦＲ（２３０℃、２１．１６Ｎ）：５ｇ／１０分
・Ｍｗ：９９，５００
・芳香族ビニルポリマーブロック単位：ポリマーブロック比率４０モル％、水素化率０％のポリスチレン
・共役ジエンポリマーブロック単位：ポリマーブロック比率：６０モル％、水素化率０％のポリブタジエン
・トリブロック構造、合計水素化率：０％
【００６１】
（比較例２）
環状ポリオレフィンの代わりに、ＫＲＡＴＯＮ社製水添スチレン−ブタジエン共重合樹脂ＫＲＡＴＯＮ（商標登録）Ｇ１６５２Ｍを用い、それ以外は実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
【００６２】
［ＫＲＡＴＯＮ  Ｇ１６５２Ｍ］
・密度（ＡＳＴＭ  Ｄ７９２）：０．９１ｇ／ｃｍ３
・ＭＦＲ（２３０℃、２１．１６Ｎ）：６ｇ／１０分
・Ｍｗ：６８，５００
・芳香族ビニルポリマーブロック単位：ポリマーブロック比率２９モル％、水素化率０％のポリスチレン
・水素化共役ジエンポリマーブロック単位：ポリマーブロック比率７１モル％、水素化率９９％の水素化ポリブタジエン
・トリブロック構造、合計水素化率：４５モル％
【００６３】
＜比較例３＞
環状ポリオレフィンの代わりに、ＫＲＡＴＯＮ社製水添スチレン−ブタジエン共重合樹脂ＫＲＡＴＯＮ（商標登録）Ａ１５３５ＨＵを用い、それ以外は実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
【００６４】
［ＫＲＡＴＯＮ  Ａ１５３５ＨＵ］
・密度（ＡＳＴＭ  Ｄ７９２）：０．９６ｇ／ｃｍ３
・ＭＦＲ（２３０℃、２１．１６Ｎ）：＜１ｇ／１０分
・Ｍｗ：２３４，０００
・芳香族ビニルポリマーブロック単位：ポリマーブロック比率５８モル％、水素化率０％のポリスチレン
・水素化共役ジエンポリマーブロック単位：ポリマーブロック比率：４２モル％、水素化率９９％の水素化ポリブタジエン
・トリブロック構造、合計水素化率：１９モル％
【００６５】
【表１】
2020117651.tif 000003
【００６６】
＜評価結果＞
表１に示すように、本発明の環状ポリオレフィンを用いた実施１，２においては、低周波数領域から高周波数領域まで安定して低い誘電率、誘電損失であることがわかった。
一方、水素化されていない共重合樹脂を用いた比較例１や、芳香族ビニルポリマーブロック単位が水素化されていない比較例２，３では、各周波数において、特に誘電損失が高く、高周波数領域で急激に誘電損失が上昇してしまい、高性能のミリ波デバイス製造ができないことがわかった。