(57)【要約】【課題】  スズがドープされた酸化ガリウム膜を速い成長速度で形成することを実現する。【解決手段】  スズがドープされた酸化ガリウム膜を基体上に形成する成膜方法を提案する。この成膜方法は、前記基体を加熱しながら、ガリウム化合物と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した溶液のミストを前記基体の表面に供給する工程、を有する。この成膜方法によれば、ドナーとしてスズ（ＩＶ）を含む酸化ガリウム膜を速い成長速度で形成することができる。【選択図】図１
2020011859.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スズがドープされた酸化ガリウム膜を基体上に形成する成膜方法であって、
前記基体を加熱しながら、ガリウム化合物と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した溶液のミストを前記基体の表面に供給する工程、
を有する成膜方法。
【請求項２】
前記ガリウム化合物と前記塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した前記溶液の前記ミストを前記基体の前記表面に供給する前記工程が、
前記ガリウム化合物と前記塩化スズ（ＩＶ）・５水和物の両方が溶解した溶液からミストを生成する工程と、
前記ガリウム化合物と前記塩化スズ（ＩＶ）・５水和物の両方が溶解した前記溶液の前記ミストを前記基体の前記表面に供給する工程、
を有する請求項１の成膜方法。
【請求項３】
前記ガリウム化合物と前記塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した前記溶液の前記ミストを前記基体の前記表面に供給する前記工程が、
前記ガリウム化合物が溶解した溶液からミストを生成する工程と、
前記塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した溶液からミストを生成する工程と、
前記ガリウム化合物が溶解した前記溶液の前記ミストと前記塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した前記溶液の前記ミストを前記基体の前記表面に供給する工程、
を有する請求項１の成膜方法。
【請求項４】
前記酸化ガリウム膜が、単結晶膜である請求項１〜３のいずれか一項の成膜方法。
【請求項５】
前記ガリウム化合物が、有機物である請求項１〜４のいずれか一項の成膜方法。
【請求項６】
前記ガリウム化合物が、金属錯体である請求項１〜５のいずれか一項の成膜方法。
【請求項７】
前記ガリウム化合物が、ガリウムアセチルアセトナートである請求項１〜６のいずれか一項の成膜方法。
【請求項８】
前記ガリウム化合物が、ハロゲン化物である請求項１〜４のいずれか一項の成膜方法。
【請求項９】
前記ガリウム化合物が、塩化ガリウムである請求項１〜４及び８のいずれか一項の成膜方法。
【請求項１０】
前記ガリウム化合物と前記塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した前記溶液の前記ミストに含まれるスズ原子の数が、前記ガリウム化合物と前記塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した前記溶液の前記ミストに含まれるガリウム原子の数の１０倍以下である請求項１〜９のいずれか一項の成膜方法。
【請求項１１】
前記基体が、酸化ガリウムにより構成されている請求項１〜１０のいずれか一項の成膜方法。
【請求項１２】
前記基体が、β−Ｇａ２Ｏ３により構成されている請求項１１の成膜方法。
【請求項１３】
前記基体が、α−Ｇａ２Ｏ３により構成されている請求項１１の成膜方法。
【請求項１４】
前記基体が、α−Ａｌ２Ｏ３により構成されている請求項１〜１０のいずれか一項の成膜方法。
【請求項１５】
前記酸化ガリウム膜が、β−Ｇａ２Ｏ３により構成されている請求項１〜１４のいずれか一項の成膜方法。
【請求項１６】
前記酸化ガリウム膜を形成するときに、前記基体を４００〜１０００℃に加熱する請求項１〜１５のいずれか一項の成膜方法。
【請求項１７】
半導体装置の製造方法であって、請求項１〜１６のいずれか一項の成膜方法によって前記酸化ガリウム膜を形成する工程を備える、製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示の技術は、基体上に膜を形成する技術に関する。
【０００２】
特許文献１には、酸化ガリウム膜を形成する技術が開示されている。この技術では、基板を加熱しながら、ガリウム化合物とスズ（ＩＩ）化合物とが溶解した溶液のミストを基板の表面に供給する。この技術によれば、基板の表面に、スズが添加された酸化ガリウム膜を成長させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−０２８４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
スズは、二価と四価の酸化数を取り得る。四価のスズ（以下、スズ（ＩＶ）という）は酸化ガリウム中でドナーとして機能する一方で、二価のスズ（以下、スズ（ＩＩ）という）は酸化ガリウム中でドナーとして機能しない。したがって、特許文献１では、ガリウム化合物とスズ（ＩＩ）化合物とが溶解した溶液中に塩酸と過酸化水素を添加して、スズ（ＩＩ）化合物をスズ（ＩＶ）化合物に変換している。しかしながら、溶液中に塩酸や過酸化水素が添加されていると、溶液をミスト化して基板の表面に酸化ガリウム膜を成長させるときに、酸化ガリウム膜の成長速度が遅くなる。したがって、本明細書では、スズがドープされた酸化ガリウム膜をより速い成長速度で形成することができる成膜方法を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書が開示する成膜方法では、スズがドープされた酸化ガリウム膜を基体上に形成する。この成膜方法は、前記基体を加熱しながら、ガリウム化合物と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した溶液のミストを前記基体の表面に供給する工程を有する。
【０００６】
基体の表面に前記溶液（すなわち、ガリウム化合物と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した溶液）のミストを供給すると、ミストが基体の表面に付着する。加熱された基体の表面に付着したミストは、基体上で化学反応を起こす。その結果、基体の表面に、スズ（ＩＶ）が添加された酸化ガリウム膜が生成される。スズ（ＩＶ）は酸化ガリウム膜中でドナーとして機能する。したがって、この成膜方法によれば、スズがドープされた酸化ガリウム膜を形成することができる。また、この成膜方法では、溶液に塩酸や過酸化水素水を添加しなくても、ドナーとして機能するスズ（ＩＶ）が酸化ガリウム膜中に取り込まれる。したがって、この成膜方法によれば、速い成長速度で酸化ガリウム膜を成長させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】成膜装置１０の構成図。
【発明を実施するための形態】
【実施例】
【０００８】
図１に示す成膜装置１０は、基板７０上に酸化ガリウム膜を形成する装置である。成膜装置１０は、基板７０が配置される炉１２と、炉１２を加熱するヒータ１４と、炉１２に接続されたミスト供給装置２０と、炉１２に接続された排出管８０を備えている。
【０００９】
炉１２の具体的な構成は特に限定されない。一例ではあるが、図１に示す炉１２は、上流端１２ａから下流端１２ｂまで延びる管状炉である。炉１２の長手方向に垂直な断面は、円形である。例えば、炉１２の直径を、約４０mmとすることができる。但し、炉１２の断面は円形に限定されない。炉１２の上流端１２ａには、ミスト供給装置２０が接続されている。炉１２の下流端１２ｂには、排出管８０が接続されている。
【００１０】
炉１２内には、基板７０を支持するための基板ステージ１３が設けられている。基板ステージ１３は、炉１２の長手方向に対して基板７０が傾くように構成されている。基板ステージ１３に支持された基板７０は、炉１２内を上流端１２ａから下流端１２ｂに向かって流れるミストが基板７０の表面にあたる向きで支持される。
【００１１】
ヒータ１４は、前述したように、炉１２を加熱する。ヒータ１４の具体的な構成は特に限定されない。一例ではあるが、図１に示すヒータ１４は、電気式のヒータであって、炉１２の外周壁に沿って配置されている。これにより、ヒータ１４は炉１２の外周壁を加熱し、それによって炉１２内の基板７０が加熱される。
【００１２】
ミスト供給装置２０は、炉１２内に、酸化ガリウム膜の原料を含む溶液のミストを供給する。ミスト供給装置２０の具体的な構成は特に限定されない。一例ではあるが、図１に示すミスト供給装置２０は、溶液６０を収容する容器２２と、容器２２に設けられた超音波振動子２４と、容器２２と炉１２との間を接続するミスト供給路２６と、容器２２に接続された搬送ガス導入路２８と、ミスト供給路２６に接続された希釈ガス導入路３０を備える。搬送ガス導入路２８は、容器２２へ搬送ガス６４を供給する。希釈ガス導入路３０は、ミスト供給路２６へ希釈ガス６６を供給する。超音波振動子２４は、容器２２内の溶液６０に超音波振動を加えて、溶液６０のミスト６２を生成する。
【００１３】
排出管８０は、炉１２の下流端１２ｂに接続されている。ミスト供給装置２０によって炉１２内に供給されたミスト６２は、炉１２内を下流端１２ｂまで流れた後に、排出管８０を介して炉１２の外部に排出される。
【実施例１】
【００１４】
次に、成膜装置１０を用いた成膜方法について説明する。実施例１では、基板７０として、表面に（０１０）結晶面が露出しているβ型酸化ガリウム（β−Ｇａ２Ｏ３）の単結晶によって構成された基板を用いる。また、実施例１では、基板７０の表面に、β型酸化ガリウム膜を形成する。また、実施例１では、溶液６０として、塩化ガリウム（ＩＩＩ）（ＧａＣｌ３、Ｇａ２Ｃｌ６）と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）が溶解した水溶液を用いる。溶液６０には、０．５ｍｏｌ／Ｌの濃度で塩化ガリウム（ＩＩＩ）が溶解しており、５×１０−６ｍｏｌ／Ｌの濃度で塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解している。また、実施例１では、搬送ガス６４として窒素ガスを用い、希釈ガス６６として窒素ガスを用いる。
【００１５】
図１に示すように、まず、炉１２内の基板ステージ１３上に基板７０を設置する。ここでは、基板７０の（０１０）結晶面が上面（ミスト６２に曝される面）となる向きで基板７０を基板ステージ１３上に設置する。次に、ヒータ１４によって、基板７０を加熱する。ここでは、基板７０の温度を、約７５０℃に制御する。基板７０の温度が安定したら、ミスト供給装置２０を作動させる。すなわち、超音波振動子２４を動作させることによって、容器２２内に溶液６０のミスト６２を生成する。同時に、搬送ガス導入路２８から容器２２内に搬送ガス６４を導入し、希釈ガス導入路３０からミスト供給路２６に希釈ガス６６を導入する。ここでは、搬送ガス６４及び希釈ガス６６の合計流量を、約５Ｌ／ｍｉｎとする。搬送ガス６４は、容器２２を通って、矢印４４に示すようにミスト供給路２６内に流入する。このとき、容器２２内のミスト６２が、搬送ガス６４と共にミスト供給路２６内に流入する。また、希釈ガス６６は、ミスト供給路２６内でミスト６２と混合される。これによって、ミスト６２が希釈化される。ミスト６２は、窒素ガス（すなわち、搬送ガス６４と希釈ガス６６）とともにミスト供給路２６内を下流側に流れ、矢印４８に示すようにミスト供給路２６から炉１２内に流入する。炉１２内では、ミスト６２は、窒素ガスとともに下流端１２ｂ側へ流れ、排出管８０へ排出される。
【００１６】
炉１２内を流れるミスト６２の一部は、加熱された基板７０の表面に付着する。すると、ミスト６２（すなわち、溶液６０）が、基板７０上で化学反応を起こす。その結果、基板７０上に、β型酸化ガリウム（β−Ｇａ２Ｏ３）が生成される。基板７０の表面に継続的にミスト６２が供給されるので、基板７０の表面にβ型酸化ガリウム膜が成長する。この成膜方法によれば、高品質の単結晶のβ型酸化ガリウム膜が成長する。β型酸化ガリウム膜には、塩化スズ（ＩＶ）・５水和物中のスズ（ＩＶ）がドナーとして取り込まれる。このため、スズがドープされたβ型酸化ガリウム膜が形成される。すなわち、半導体または導体の特性を有するβ型酸化ガリウム膜が形成される。ここでは、３０分間成膜処理を行い、約５０ｍｌの溶液６０を消費して、β型酸化ガリウム膜を成長させる。この成膜方法により形成したβ型酸化ガリウム膜の特性をホール効果測定によって測定したところ、１．８×１０１８ｃｍ−３のキャリア密度と、７７ｃｍ２／Ｖｓｅｃの移動度を観測した。
【００１７】
実施例１の成膜方法によれば、高品質なβ型酸化ガリウム膜を形成することができる。特に、実施例１では、β型酸化ガリウム膜がβ型酸化ガリウムによって構成された基板７０上にホモエピタキシー成長するので、より高品質なβ型酸化ガリウム膜を形成することができる。また、ホモエピタキシー成長とすることで、β型酸化ガリウム膜の導電性の制御も容易となる。
【実施例２】
【００１８】
次に、実施例２の成膜方法について説明する。実施例２では、基板７０としてサファイア（Ａｌ２Ｏ３）によって構成された基板を用いる。また、実施例２では、基板７０の表面に、α型酸化ガリウム膜（α−Ｇａ２Ｏ３）を形成する。また、実施例２では、溶液６０として、臭化ガリウム（ＧａＢｒ３、Ｇａ２Ｂｒ６）と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した水溶液を用いる。溶液６０には、０．１ｍｏｌ／Ｌの濃度で臭化ガリウムが溶解しており、１×１０−６ｍｏｌ／Ｌの濃度で塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解している。また、実施例２では、搬送ガス６４として窒素ガスを用い、希釈ガス６６として窒素ガスを用いる。
【００１９】
実施例２の成膜方法でも、実施例１と同様に、基板ステージ１３上に基板７０を設置し、ヒータ１４によって基板７０を加熱する。ここでは、基板７０の温度を、約５００℃に制御する。基板７０の温度が安定したら、ミスト供給装置２０を作動させる。すなわち、超音波振動子２４の動作、搬送ガス６４の導入、及び、希釈ガス６６の導入を、実施例１と同様に実施する。その結果、ミスト６２が、炉１２内に流入し、炉１２内を流れるミスト６２の一部が加熱された基板７０の表面に付着する。すると、ミスト６２（すなわち、溶液６０）が、基板７０上で化学反応を起こす。その結果、基板７０上に、α型酸化ガリウムが生成される。基板７０の表面に継続的にミスト６２が供給されるので、基板７０の表面にα型酸化ガリウム膜が成長する。この成膜方法によれば、高品質の単結晶のα型酸化ガリウム膜が成長する。α型酸化ガリウム膜には、塩化スズ（ＩＶ）・５水和物中のスズ（ＩＶ）がドナーとして取り込まれる。このため、スズがドープされたα型酸化ガリウム膜が形成される。すなわち、半導体または導体の特性を有するα型酸化ガリウム膜が形成される。
【実施例３】
【００２０】
次に、実施例３の成膜方法について説明する。実施例３では、基板７０として、表面に（−２０１）結晶面が露出しているβ型酸化ガリウムの単結晶によって構成された基板を用いる。また、実施例３では、溶液６０として、塩化ガリウム（ＩＩＩ）と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した水溶液を用いる。溶液６０には、０．５ｍｏｌ／Ｌの濃度で塩化ガリウム（ＩＩＩ）が溶解しており、５×１０−６ｍｏｌ／Ｌの濃度で塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解している。また、実施例３では、搬送ガス６４として窒素ガスを用い、希釈ガス６６として窒素ガスを用いる。
【００２１】
実施例３の成膜方法でも、実施例１と同様に、基板ステージ１３上に基板７０を設置する。ここでは、基板７０の（−２０１）結晶面が上面（ミスト６２に曝される面）となる向きで基板７０を基板ステージ１３上に設置する。次に、ヒータ１４によって基板７０を加熱する。ここでは、基板７０の温度を、約６００℃に制御する。基板７０の温度が安定したら、ミスト供給装置２０を作動させる。すなわち、超音波振動子２４の動作、搬送ガス６４の導入、及び、希釈ガス６６の導入を、実施例１と同様に実施する。その結果、ミスト６２が、炉１２内に流入し、炉１２内を流れるミスト６２の一部が加熱された基板７０の表面に付着する。すると、ミスト６２（すなわち、溶液６０）が、基板７０上で化学反応を起こす。その結果、基板７０上に、ε型酸化ガリウム（ε−Ｇａ２Ｏ３）が生成される。基板７０の表面に継続的にミスト６２が供給されるので、基板７０の表面にε型酸化ガリウム膜が成長する。この成膜方法によれば、高品質の単結晶のε型酸化ガリウム膜が成長する。ε型酸化ガリウム膜には、塩化スズ（ＩＶ）・５水和物中のスズ（ＩＶ）がドナーとして取り込まれる。このため、スズがドープされたε型酸化ガリウム膜が形成される。すなわち、半導体または導体の特性を有するε型酸化ガリウム膜が形成される。
【００２２】
以上、実施例１〜３の成膜方法について説明した。これらの成膜方法によれば、溶液６０に塩酸や過酸化水素水を添加しなくても、成長する酸化ガリウム膜中にスズをドープすることができる。このため、速い成長速度で酸化ガリウム膜を成長させることができる。実施例１〜３のように成膜した酸化ガリウム膜を用いて半導体装置（例えば、ダイオード、トランジスタ等）を製造することで、優れた特性を有する半導体装置を得ることができる。
【００２３】
なお、上述した実施例１〜３では、いずれも、溶液６０に溶解しているスズ原子の数（濃度）が、溶液６０に溶解しているガリウム原子の数（濃度）の１０倍以下である。この構成によれば、結晶品質が高い酸化ガリウム膜を形成することができる。
【００２４】
また、上述した実施例１〜３では、基板７０を５００〜７５０℃に加熱した。成膜工程においては、基板７０を４００〜１０００℃の温度に制御することができる。このように温度を制御することで、より好適に酸化ガリウム膜を形成することができる。
【００２５】
また、上述した実施例１〜３では、単結晶の酸化ガリウム膜を形成した。しかしながら、アモルファス、または、多結晶の酸化ガリウム膜を形成してもよい。
【００２６】
また、上述した実施例１〜３では、基板７０が、β型酸化ガリウムまたはサファイアにより構成されていた。しかしながら、基板７０が、他の材料によって構成されていてもよい。他の材料によって構成された基板７０を用いることで、実施例１〜３とは異なる特性の酸化ガリウム膜を形成することができる。例えば、基板７０が、α型酸化ガリウム、γ型酸化ガリウム、δ型酸化ガリウム、ε型酸化ガリウム、酸化アルミニウム（例えば、α型酸化アルミニウム（α−Ａｌ２Ｏ３））、窒化ガリウム（ＧａＮ）、または、ガラス等によって構成されていてもよい。また、基板７０は、絶縁体でも、半導体でも、導体でもよい。
【００２７】
また、上述した実施例１〜３では、基板７０（すなわち、板状の部材）の表面に酸化ガリウム膜を形成した。しかしながら、他の形状の部材を基材として用い、その基材の表面に酸化ガリウム膜を形成してもよい。
【００２８】
また、上述した実施例１〜３では、溶液６０に溶解しているガリウム化合物が、塩化ガリウム（ＩＩＩ）、または、臭化ガリウムであった。しかしながら、溶液６０に溶解させるガリウム化合物として、他の材料を用いてもよい。なお、高品質な酸化ガリウム膜を形成するために、ガリウム化合物は、有機物であってもよい。また、ガリウム化合物は、金属錯体であってもよい。もしくは、ガリウム化合物は、ハロゲン化物であってもよい。例えば、ガリウム化合物として、ガリウムアセチルアセトナート（例えば、ガリウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（Ｃ１５Ｈ２１ＧａＯ６））、三酢酸ガリウム（Ｃ６Ｈ９ＧａＯ６）、ヨウ化ガリウム（ＧａＩ３、Ｇａ２Ｉ６）等を用いることができる。但し、塩化ガリウム（特に、塩化ガリウム（ＩＩＩ））は、安価であり、残留不純物が少ない成膜が可能であるので、より使いやすい。
【００２９】
また、上述した実施例１〜３では、容器２２がガリウム化合物と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物の両方が溶解した溶液６０を収容しており、その溶液６０からミストを生成し、生成したミストを炉１２に供給した。しかしながら、ガリウム化合物が溶解した溶液を収容する第１容器と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した第２容器をそれぞれ別個に設けてもよい。そして、第１容器内でガリウム化合物が溶解した溶液の第１ミストを生成し、第２容器内で塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した溶液の第２ミストを生成し、第１ミストと第２ミストを炉１２に供給してもよい。
【００３０】
また、上述した実施例１〜３では、搬送ガス６４及び希釈ガス６６として窒素を用いたが、不活性ガス等の他のガスを搬送ガス６４及び希釈ガス６６として用いることができる。
【００３１】
本明細書が開示する技術要素について、以下に列記する。なお、以下の各技術要素は、それぞれ独立して有用なものである。
【００３２】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、ガリウム化合物と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した溶液のミストを基体の表面に供給する工程が、前記ガリウム化合物と前記塩化スズ（ＩＶ）・５水和物の両方が溶解した溶液からミストを生成する工程と、前記ガリウム化合物と前記塩化スズ（ＩＶ）・５水和物の両方が溶解した前記溶液の前記ミストを前記基体の前記表面に供給する工程を有していてもよい。
【００３３】
本明細書が開示する別の一例の成膜方法においては、ガリウム化合物と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した溶液の前記ミストを基体の表面に供給する工程が、前記ガリウム化合物が溶解した溶液からミストを生成する工程と、前記塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した溶液からミストを生成する工程と、前記ガリウム化合物が溶解した前記溶液の前記ミストと前記塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した前記溶液の前記ミストを前記基体の前記表面に供給する工程を有していてもよい。
【００３４】
このように、ガリウム化合物と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物の両方が溶解した溶液からミストを生成する方法でも、ガリウム化合物が溶解した溶液と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した溶液をそれぞれミスト化する方法のいずれでも、好適に酸化ガリウム膜を形成することができる。
【００３５】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、酸化ガリウム膜が単結晶膜であってもよい。
【００３６】
単結晶である酸化ガリウム膜を形成することで、酸化ガリウム膜を半導体素子等に好適に用いることができる。
【００３７】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、ガリウム化合物が有機物であってもよい。
【００３８】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、ガリウム化合物が、金属錯体であってもよい。
【００３９】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、ガリウム化合物が、ガリウムアセチルアセトナートであってもよい。
【００４０】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、ガリウム化合物が、ハロゲン化物であってもよい。
【００４１】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、ガリウム化合物が、塩化ガリウムであってもよい。
【００４２】
塩化ガリウムは、安価であると共に、残留不純物を生じさせ難い。したがって、酸化ガリウム膜の材料として有用である。
【００４３】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、ガリウム化合物と塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した溶液のミストに含まれるスズ原子の数が、前記ガリウム化合物と前記塩化スズ（ＩＶ）・５水和物が溶解した前記溶液の前記ミストに含まれるガリウム原子の数の１０倍以下であってもよい。
【００４４】
この構成によれば、結晶品質が高い酸化ガリウム膜を形成することができる。
【００４５】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、基体が、酸化ガリウムにより構成されていてもよい。
【００４６】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、基体が、β−Ｇａ２Ｏ３により構成されていてもよい。
【００４７】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、基体が、α−Ｇａ２Ｏ３により構成されていてもよい。
【００４８】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、基体が、α−Ａｌ２Ｏ３により構成されていてもよい。
【００４９】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、酸化ガリウム膜が、β−Ｇａ２Ｏ３により構成されていてもよい。
【００５０】
この構成によれば、酸化ガリウム膜の特性が安定であり、酸化ガリウム膜の導電性を制御し易い。
【００５１】
本明細書が開示する一例の成膜方法においては、酸化ガリウム膜を形成するときに、基体を４００〜１０００℃に加熱してもよい。
【００５２】
この構成によれば、結晶品質が高い酸化ガリウム膜を形成できるとともに、酸化ガリウム膜の導電性を正確に制御することができる。
【００５３】
以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの１つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００５４】
１０    ：成膜装置
１２    ：炉
１３    ：基板ステージ
１４    ：ヒータ
２０    ：ミスト供給装置
２２    ：容器
２４    ：超音波振動子
２６    ：ミスト供給路
２８    ：搬送ガス導入路
３０    ：希釈ガス導入路
６０    ：溶液
６２    ：ミスト
６４    ：搬送ガス
６６    ：希釈ガス
７０    ：基板
８０    ：排出管
【図１】
2020011859.tif 000003