(57)【要約】      （修正有）【課題】アルカリ性ｐＨで安定化されたコロイダルシリカ砥粒粒子を有する化学機械研磨組成物および研磨方法を提供する。【解決手段】ポリアルコキシ化有機シランで安定化されたコロイダルシリカ砥粒粒子を含む、誘電体基板を研磨するための化学機械研磨組成物。ポリアルコキシ有機シラン化合物がコロイダルシリカ砥粒粒子の表面を共有結合で修飾して立体的保護をもたらすことによって、凝集が抑制される。そのような立体的保護は、比較的高い濃度の無機塩であっても達成される。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学機械研磨組成物であって、初期成分として：
水；
コロイダルシリカ砥粒；
式（Ｉ）：
【化１２】
2020117707.tif 000017
［式中、Ｒは、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルから選択され；Ｒ１は、水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルおよびＲ２Ｃ（Ｏ）−からなる群より選択され、ここで、Ｒ２は、水素および（Ｃ１−Ｃ４）アルキルからなる群より選択され；そして、ｎは、１〜１２の範囲の整数である］を有するポリアルコキシ有機シラン；
ｐＨ＞７；および
場合により、アルカリ金属もしくはアンモニウムの無機塩またはそれらの混合物；および
場合により、ｐＨ調整剤
を含む、化学機械研磨組成物。
【請求項２】
初期成分として：
水；
０．１〜４０wt%のコロイダルシリカ砥粒粒子
０．００１〜５wt%の式（Ｉ）を有するポリアルコキシ有機シラン；
０．０１〜２wt%のアルカリ金属もしくはアンモニウムの無機塩またはそれらの混合物；
ｐＨ調整剤を含み；そして
ｐＨが８〜１２である、請求項１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項３】
初期成分として：
水；
コロイダルシリカ砥粒粒子；
Ｒが、メチル、エチルおよびプロピルからなる群より選択され、Ｒ１が、水素、メチル、エチル、プロピルおよびＲ２−Ｃ（Ｏ）−からなる群より選択され、ここで、Ｒ２が、水素、メチル、エチルおよびプロピルからなる群より選択される、式（Ｉ）を有するポリアルコキシ有機シラン；
を含む、請求項１に記載の化学機械研磨組成物であって、アルカリ金属もしくはアンモニウムの無機塩またはそれらの混合物をさらに含み；ｎが、６〜１２の範囲の整数であり；ｐＨ調整剤をさらに含み；そして、ｐＨが８〜１２である、化学機械研磨組成物。
【請求項４】
殺生物剤をさらに含む、請求項１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項５】
初期成分として：
水；
コロイダルシリカ砥粒粒子；
Ｒが、メチルおよびエチルからなる群より選択され、Ｒ１が、水素、メチル、エチルおよびＲ２−Ｃ（Ｏ）−からなる群より選択され、ここで、Ｒ２が、メチルおよびエチルからなる群より選択される、式（Ｉ）を有するポリアルコキシ有機シラン；
を含む、請求項１に記載の化学機械研磨組成物であって、アルカリ金属の無機塩をさらに含み、ここで、アルカリ金属の無機塩が炭酸カリウムであり；ｎが６〜９、８〜１２または９〜１２の範囲であり；ｐＨ調整剤をさらに含み；そして、ｐＨが８〜１１である、化学機械研磨組成物。
【請求項６】
式（Ｉ）を有するポリアルコキシ有機シランが、２−［メトキシ（ポリエチレンオキシ）６〜９プロピル］トリメトキシシラン、２−［メトキシ（ポリエチレンオキシ）９〜１２プロピル］トリメトキシシラン、［ヒドロキシ（ポリエチレンオキシ）８〜１２プロピル］トリエトキシシランおよび２−［（アセトキシ（ポリエチレンオキシ）プロピル］トリエトキシシランからなる群より選択される、請求項１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項７】
基板の化学機械研磨のための方法であって、
基板を提供する工程であって、基板が、酸化ケイ素、窒化ケイ素およびポリケイ素の少なくとも１つを含む、工程；
請求項１に記載の化学機械研磨組成物を提供する工程；
研磨表面を備えた化学機械研磨パッドを提供する工程；
化学機械研磨パッドの研磨表面と基板との間の界面に０．６９〜６９kPaのダウンフォースで動的接触を生じさせる工程；並びに
化学機械研磨組成物を、化学機械研磨パッド上、化学機械研磨パッドと基板との間の界面またはその近くに分注する工程；
を含み、基板が研磨され；かつ、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリケイ素またはそれらの組み合わせの少なくとも一部が基板から除去される、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の分野
本発明は、誘電体基板を研磨するためのアルカリ性ｐＨで安定化されたコロイダルシリカ砥粒粒子を有する化学機械研磨組成物を対象とする。より具体的には、本発明は、安定化されたコロイダルシリカ砥粒粒子がポリアルコキシ化有機シランで安定化されている、アルカリ性ｐＨで安定化されたコロイダルシリカ砥粒粒子を有する化学機械研磨組成物を対象とする。
【背景技術】
【０００２】
発明の背景
集積回路および他の電子デバイスの作製において、導電材料、半導体材料および誘電体材料の複数層が、半導体ウェーハの表面に堆積されるかまたは表面から除去される。導電材料、半導体材料および誘電体材料の薄層を、様々な堆積技術によって堆積させることができる。現代の加工における一般的な堆積技術は、スパッタリングとしても知られている物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）、プラズマ増強化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）、および電気化学めっき法（ＥＣＰ）を含む。
【０００３】
材料の層が連続的に堆積および除去されるにつれて、ウェーハの最上表面は非平面になる。後続の半導体加工（例えば、メタライゼーション）はウェーハが平坦面を有することを要求するため、ウェーハを平坦化する必要がある。平坦化は、望ましくない表面トポグラフィーおよび表面欠陥を除去するのに有用である。
【０００４】
化学機械平坦化、または化学機械研磨（ＣＭＰ）は、半導体ウェーハのような基板を平坦化するために使用される一般的な技術である。従来のＣＭＰでは、ウェーハはキャリアアセンブリ上に取り付けられ、ＣＭＰ装置内で研磨パッドと接触して配置される。このキャリアアセンブリは、ウェーハに制御可能な圧力を与え、ウェーハを研磨パッドに押し付ける。このパッドは、外部駆動力によってウェーハに対して移動（例えば、回転）させられる。それと同時に、研磨組成物（「スラリー」）または他の研磨溶液が、ウェーハと研磨パッドとの間に提供される。したがって、ウェーハ表面は、パッド表面およびスラリーの化学的および機械的作用によって研磨および平坦化される。
【０００５】
ある種の進歩したデバイス設計は、より低い使用時点（ＰＯＵ）砥粒wt%での増強された層間誘電体（ＩＬＤ）除去効率を提供する、アルカリ性研磨組成物を要求する。そのようなＩＬＤは、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む。１つのアプローチは、電解質濃度を増加させる、したがって導電率を増加させることである；しかしながら、電解質濃度を増加させることは、コロイダルシリカ砥粒粒子の不安定性をもたらす。イオン濃度を増加させることは、コロイダルシリカ砥粒粒子上のより小さな表面電荷を導き、かつ、粒子を安定化させる主な力である粒子反発をより小さくする。
【０００６】
したがって、アルカリ性ｐＨで改善されたコロイダルシリカ砥粒粒子の安定性を示す、研磨組成物および研磨方法が必要とされている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
発明の概要
本発明は、化学機械研磨組成物であって、初期成分として：
水；
コロイダルシリカ砥粒粒子；
式（Ｉ）：
【化１】
2020117707.tif 000002
［式中、Ｒは、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルから選択され；Ｒ１は、水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルおよびＲ２Ｃ（Ｏ）−からなる群より選択され、ここで、Ｒ２は、水素および（Ｃ１−Ｃ４）アルキルからなる群より選択され；そして、ｎは、１〜１２の範囲の整数である］を有するポリアルコキシ有機シラン；
ｐＨ＞７；および
場合により、アルカリ金属もしくはアンモニウムの無機塩またはそれらの混合物；および
場合により、ｐＨ調整剤
を含む、化学機械研磨組成物を対象とする。
【０００８】
本発明はまた、基板の化学機械研磨のための方法であって、
基板を提供する工程であって、基板が、酸化ケイ素、窒化ケイ素およびポリケイ素の少なくとも１つを含む、工程；
化学機械研磨組成物を提供する工程であって、初期成分として：
水；
コロイダルシリカ砥粒粒子；
式（Ｉ）：
【化２】
2020117707.tif 000003
［式中、Ｒは、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルから選択され；Ｒ１は、水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルおよびＲ２Ｃ（Ｏ）−からなる群より選択され、ここで、Ｒ２は、水素および（Ｃ１−Ｃ４）アルキルからなる群より選択され；そして、ｎは、１〜１２の範囲の整数である］を有するポリアルコキシ有機シラン；
ｐＨ＞７；および
場合により、アルカリ金属もしくはアンモニウムの無機塩またはそれらの混合物；および
場合により、ｐＨ調整剤
を含む、組成物を提供する工程；
研磨表面を備えた化学機械研磨パッドを提供する工程；
化学機械研磨パッドの研磨表面と基板との間の界面に０．６９〜６９kPaのダウンフォースで動的接触を生じさせる工程；並びに
化学機械研磨組成物を、化学機械研磨パッド上、化学機械研磨パッドと基板との間の界面またはその近くに分注する工程
を含み；
基板が研磨され；かつ、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリケイ素またはそれらの組み合わせの少なくとも一部が基板から除去される、方法を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の化学機械研磨組成物のポリアルコキシ有機シラン化合物は、コロイダルシリカ砥粒粒子をアルカリ性ｐＨで安定化させ、コロイダルシリカ砥粒粒子が実質上凝集しないようにする。そのような凝集は、ポリアルコキシ有機シラン化合物がコロイダルシリカ砥粒粒子の表面を共有結合で修飾して立体的保護をもたらすことによって、抑制される。そのような立体的保護は、比較的高い濃度の無機塩であっても達成される。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
発明の詳細な説明
本明細書全体を通して使用される場合、以下の略語は、文脈が別途指示しない限り、以下の意味を有する：℃＝セ氏温度；ｇ＝グラム；Ｌ＝リットル；mL＝ミリリットル；kPa＝キロパスカル；cm＝センチメートル；nm＝ナノメートル；min.＝分；mS＝ミリジーメンス；wt%＝重量パーセント；ＰＳ＝本発明の研磨スラリー；ＰＣ＝比較研磨スラリー。
【００１１】
用語「化学機械研磨」または「ＣＭＰ」は、化学的および機械的な力だけによって基板が研磨されるプロセスを指し、基板に電気バイアスが印加される電気化学機械研磨（ＥＣＭＰ）とは区別される。用語「ＴＥＯＳ」は、オルトケイ酸テトラエチル（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）の分解から形成される酸化ケイ素を意味する。用語「組成物」および「スラリー」は、本明細書全体を通して互換的に使用される。用語「ハロゲン化物」は、塩化物、臭化物、フッ化物およびヨウ化物を意味する。用語「ａ」および「ａｎ」は、単数形と複数形の両方を指す。全ての百分率は、別途記載のない限り重量百分率である。全ての数値範囲は、そのような数値範囲が合計して１００％になるように制約されることが論理的である場合を除き、範囲の始めと終わりを含み、任意の順序で組み合わせ可能である。
【００１２】
本発明の化学機械研磨組成物は、水；コロイダルシリカ砥粒粒子；および式（Ｉ）：
【化３】
2020117707.tif 000004
［式中、Ｒは、（Ｃ１−Ｃ４）アルキル、例えば、メチル、エチル、プロピルまたはブチルから選択され、好ましくは、Ｒは、（Ｃ１−Ｃ３）アルキル、例えば、メチル、エチルまたはプロピルから選択され、より好ましくは、Ｒは、（Ｃ１−Ｃ２）アルキル、例えば、メチルまたはエチルから選択され、最も好ましくは、Ｒは、メチルであり；Ｒ１は、水素および（Ｃ１−Ｃ４）アルキル、例えば、メチル、エチル、プロピルまたはブチル、およびＲ２Ｃ（Ｏ）−からなる群より選択され、ここで、Ｒ２は、水素および（Ｃ１−Ｃ４）アルキル、例えば、メチル、エチル、プロピルまたはブチルからなる群より選択され、好ましくは、Ｒ１は、水素、（Ｃ１−Ｃ３）アルキル、例えば、メチル、エチルまたはプロピル、およびＲ２−Ｃ（Ｏ）−からなる群より選択され、ここで、Ｒ２は、（Ｃ１−Ｃ２）アルキル、例えば、メチルまたはエチルから選択され、より好ましくは、Ｒ１は、水素、メチルおよびＲ２−Ｃ（Ｏ）−からなる群より選択され、ここで、Ｒ２は、メチルであり、最も好ましくは、Ｒ１は、メチルであり；そして、ｎは、１〜１２の整数であり、好ましくは、ｎは、６〜１２の範囲の整数であり、より好ましくは、ｎは、６〜９、８〜１２または９〜１２の範囲の整数であり、さらにより好ましくは、ｎは、６〜９または９〜１２の範囲の整数であり、最も好ましくは、ｎは、６〜９の範囲である］を有するポリアルコキシ有機シラン化合物を含有する。
【００１３】
好ましくは、本発明の化学機械研磨組成物において、上記の通りの式（Ｉ）を有するポリアルコキシ有機シラン化合物は、エトキシ化の混合物を含み、ここで、エトキシ化の数は、上の通り、変数ｎによって指定され、そして、ｎは、６〜９、８〜１２または９〜１２の範囲であり、より好ましくは、ｎは、６〜９または９〜１２の範囲であり、最も好ましくは、ｎは、６〜９の範囲のエトキシ化である。本発明の典型的なポリアルコキシ有機シランは、以下である：
【化４】
2020117707.tif 000005
２−［メトキシ（ポリエチレンオキシ）６〜９プロピル］トリメトキシシラン；
【化５】
2020117707.tif 000006
２−［メトキシ（ポリエチレンオキシ）９〜１２プロピル］トリメトキシシラン；
【化６】
2020117707.tif 000007
［ヒドロキシ（ポリエチレンオキシ）８〜１２プロピル］トリエトキシシラン；および
【化７】
2020117707.tif 000008
２−［（アセトキシ（ポリエチレンオキシ）プロピル］トリエトキシシラン。
【００１４】
本発明の化学機械研磨組成物は、初期成分として、０．００１〜５wt%、好ましくは、０．０１〜１wt%、より好ましくは、０．０５〜０．５wt%、最も好ましくは、０．０５〜０．２５wt%の式（Ｉ）〜（Ｖ）を有するポリアルコキシ有機シランを含有する。
【００１５】
本発明の化学機械研磨組成物は、ｐＨ＞７を有する。好ましくは、本発明の化学機械研磨組成物は、８〜１２のｐＨを有し、より好ましくは、本発明の化学機械研磨組成物は、８〜１１のｐＨを有し、最も好ましくは、本発明の化学機械研磨組成物は、９〜１１のｐＨを有する。
【００１６】
場合により、化学機械研磨組成物のｐＨを＞７に調整するために必要に応じて、本発明の化学機械研磨組成物にｐＨ調整剤を加えることができる。そのようなｐＨ調整剤は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアおよび第四級アンモニウム化合物の１以上を含む。
【００１７】
化学機械研磨組成物に含有される水は、好ましくは、付随する不純物を制限するために脱イオンされた水および蒸留された水の少なくとも一つである。
【００１８】
本発明の化学機械研磨組成物において使用するための砥粒は、コロイダルシリカである。好ましくは、コロイダルシリカ砥粒は、沈降シリカの少なくとも１つを含有する。好ましくは、使用されるコロイダルシリカは、＜２００nm、より好ましくは、７５〜１５０nm、最も好ましくは、１００〜１５０nmの平均粒径を有し；かつ、化学機械研磨組成物の０．１〜４０wt%、好ましくは、５〜２５wt%、より好ましくは、８〜２５wt%、最も好ましくは、１５〜２５wt%を占める。市販のコロイダルシリカの例は、平均粒径１３９nmを有するKlebosol（商標）II 1630コロイダルシリカ；平均粒径１４５nmを有するKlebosol（商標）II 1630コロイダルシリカ；および粒径１３０nmを有するKlebosol（商標）II 1730コロイダルシリカであり、全てMerck KgAA（Darmstadt, Germany）製であり、全てThe Dow Chemical Companyから入手可能である。好ましくは、コロイダルシリカ砥粒粒子は、負のゼータ電位を有する。
【００１９】
場合により、化学機械研磨組成物は、アルカリ金属およびアンモニウムの１以上の無機塩を含む。好ましくは、無機塩は、０．０１〜２wt%、好ましくは、０．１〜１wt%、より好ましくは、０．２５〜１wt%、最も好ましくは、０．５〜１wt%の量で化学機械研磨組成物に含まれ、ここで、アルカリ金属は、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウムの１以上から選択され、そして、対アニオンは、硝酸、炭酸、重炭酸、ハロゲン化物、リン酸、重リン酸、ピロリン酸、三リン酸および硫酸のイオンの１以上から選択される。最も好ましい無機塩は、炭酸カリウムである。
【００２０】
場合により、酸性化学機械研磨組成物は、KORDEX（商標）MLX（９．５〜９．９％ メチル−４−イソチアゾリン−３−オン、８９．１〜８９．５％ 水および≦１．０％の関連反応生成物）、または、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オンおよび５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オンの有効成分を含有するKATHON（商標）ICP III（各々、The Dow Chemical Company製）（KATHON（商標）およびKORDEX（商標）は、The Dow Chemical Companyの商標である）のような殺生物剤を含有することができる。当業者に公知の通り、そのような殺生物剤を、従来の量で本発明の酸性化学機械研磨組成物に含めることができる。
【００２１】
好ましくは、本発明の化学機械研磨組成物は、酸化剤および腐食抑制剤を含まない。
【００２２】
好ましくは、化学機械研磨組成物は、水；コロイダルシリカ砥粒粒子；式（Ｉ）：
【化８】
2020117707.tif 000009
［式中、Ｒは、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルから選択され；Ｒ１は、水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルおよびＲ２Ｃ（Ｏ）−からなる群より選択され、ここで、Ｒ２は、水素および（Ｃ１−Ｃ４）アルキルからなる群より選択され；そして、ｎは、１〜１２の範囲の整数である］を有するポリアルコキシ有機シラン化合物；ｐＨ＞７；および、場合によりアルカリ金属もしくはアンモニウムの無機塩またはそれらの混合物；場合によりｐＨ調整剤；および場合により殺生物剤からなる。
【００２３】
より好ましくは、化学機械研磨組成物は、水；コロイダルシリカ砥粒粒子；式（Ｉ）：
【化９】
2020117707.tif 000010
［式中、Ｒは、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルから選択され；Ｒ１は、水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルおよびＲ２Ｃ（Ｏ）−からなる群より選択され、ここで、Ｒ２は、水素および（Ｃ１−Ｃ４）アルキルからなる群より選択され；そして、ｎは、１〜１２の範囲の整数である］を有するポリアルコキシ有機シラン化合物；ｐＨ＞７；アルカリ金属もしくはアンモニウムの無機塩またはそれらの混合物；場合によりｐＨ調整剤；および場合により殺生物剤からなる。
【００２４】
さらにより好ましくは、化学機械研磨組成物は、水；コロイダルシリカ砥粒粒子；２−［メトキシ（ポリエチレンオキシ）６〜９プロピル］トリメトキシシラン、２−［メトキシ（ポリエチレンオキシ）９〜１２プロピル］トリメトキシシラン、［ヒドロキシ（ポリエチレンオキシ）８〜１２プロピル］トリエトキシシランおよび２−［（アセトキシ（ポリエチレンオキシ）プロピル］トリエトキシシランからなる群より選択されるポリアルコキシ有機シラン化合物；アルカリ金属もしくはアンモニウムの無機塩またはそれらの混合物；場合によりｐＨ調整剤；および場合により殺生物剤からなる。
【００２５】
本発明の化学機械研磨方法において研磨される基板は、酸化ケイ素、窒化ケイ素およびポリケイ素の少なくとも１つを含む。基板中の酸化ケイ素は、ホウリンケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）、プラズマエッチングオルトケイ酸テトラエチル（ＰＥＴＥＯＳ）、熱酸化物、非ドープケイ酸ガラス、高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化物、およびオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）から誘導される二酸化ケイ素を含むが、それらに限定されない。基板の窒化ケイ素は、存在する場合、Ｓｉ３Ｎ４のような窒化ケイ素材料を含むが、それらに限定されない。ポリケイ素は、アモルファスポリケイ素、単結晶ポリケイ素または結晶性ポリケイ素を含むことができる。
【００２６】
好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供される化学機械研磨パッドは、当技術分野において公知の任意の好適な研磨パッドであることができる。当業者は、本発明の方法において使用するために適切な化学機械研磨パッドを選択することを知っている。より好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供される化学機械研磨パッドは、織布研磨パッドおよび不織布研磨パッドから選択される。さらにより好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供される化学機械研磨パッドは、ポリウレタン研磨層を含む。最も好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供される化学機械研磨パッドは、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層およびポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む。好ましくは、提供される化学機械研磨パッドは、研磨表面上に少なくとも１つの溝を有する。
【００２７】
好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供される化学機械研磨組成物は、提供される化学機械研磨パッドの研磨表面上、化学機械研磨パッドと基板との間の界面またはその近くに分注される。
【００２８】
好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供される化学機械研磨パッドと基板との間の界面に、研磨される基板の表面に対して垂直に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を生じさせる。
【００２９】
以下の実施例は、本発明をさらに例証することを意図しているが、その範囲を限定することを意図するものではない。
【実施例】
【００３０】
実施例１
化学機械研磨組成物
以下の化学機械研磨組成物を、下の表１に開示される成分および量を含むように調製した。成分を残部である脱イオン水と合わせた。組成物のｐＨを水酸化カリウムで調整した。
【００３１】
【表１】
2020117707.tif 000011
【００３２】
【化１０】
2020117707.tif 000012
グリシドキシプロピル−トリエトキシシラン
【化１１】
2020117707.tif 000013
メトキシポリエチレンオキシ−６〜９プロピルトリメトキシシラン
【００３３】
実施例２
オーブン老化試験および平均粒径
実施例１の表１からのスラリーを５５℃の従来の対流式オーブンに入れて粒子老化を加速させ、そして、平均粒径を４週間にわたって監視し、粒径（CPS）によって収集した。粒径（CPS）は、CPS Instrumentディスク遠心システム（CPS Instruments Incから入手可能）によって測定した場合の組成物の重量平均粒径を意味する。溶媒中で遠心力を使用して粒子をサイズによって分離し、光学的光散乱を使用して定量する。
【００３４】
【表２】
2020117707.tif 000014
【００３５】
平均粒径は、従来のグリシドキシプロピルトリエトキシシランコロイダルシリカ安定化剤を用いた場合であっても、比較スラリーでは２８日かけて＞３５％増加した。対照的に、メトキシポリエチレンオキシ−６〜９プロピルトリメトキシシランで安定化された本発明のスラリーの平均粒径は、２８日にわたる平均粒径の増加はわずか約３％であった。
【００３６】
実施例３
化学機械研磨組成物
以下の化学機械研磨組成物を、下の表３に開示される成分および量を含むように調製した。成分を残部である脱イオン水と合わせた。組成物のｐＨを水酸化カリウムで調整した。
【００３７】
【表３】
2020117707.tif 000015
【００３８】
導電率測定手順および装置：
装置：Cole Parmerから入手可能なYSI 3200ベンチトップメーター；
プローブ−温度補償ありのYSI 3253二重白金リング；
較正−使用前に実施され、Mettler Toledoから入手可能なMettler Toledo導電率標準と共に使用された；
試料調製−全ての試料を、測定前に、２５℃の水浴に２０分間入れた。
【００３９】
導電率測定の結果を下の表４に開示する。
【００４０】
【表４】
2020117707.tif 000016
【００４１】
無機塩の炭酸カリウムの添加は、濃度の増加と共に導電率（イオン強度）を大幅に増加させ、したがって粒子間反発をより小さくした。
【外国語明細書】
2020117707000001.pdf