(57)【要約】【課題】耐摩耗性及び耐熱性を向上できるコネクタ用端子材及びコネクタ用端子を提供する。【解決手段】少なくとも表面が銅又は銅合金からなる基材の上の少なくとも一部に形成され、表面層を構成する銀金合金めっき層を有し、銀金合金めっき層は、Ａｕの含有量が０．１ａｔ％以上１０ａｔ％以下で、膜厚が１μｍ以上５０μｍ以下であり、基材と銀金合金めっき層との間に膜厚が０．５μｍ以上５０μｍ以下の銀めっき層を介在させることも可能である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面が銅又は銅合金からなる基材の上の少なくとも一部に形成され、表面層を構成する銀金合金めっき層を有し、前記銀金合金めっき層は、Ａｕの含有量が０．１ａｔ％以上１０ａｔ％以下で、膜厚が１μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とするコネクタ用端子材。
【請求項２】
少なくとも表面が銅又は銅合金からなる基材と、該基材の上の少なくとも一部に形成された銀めっき層と、該銀めっき層の上の少なくとも一部に形成され、表面層を構成する銀金合金めっき層とを有し、前記銀めっき層は、膜厚が０．５μｍ以上５０μｍ以下であり、前記銀金合金めっき層は、Ａｕの含有量が０．１ａｔ％以上１０ａｔ％以下で、膜厚が０．０５μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とするコネクタ用端子材。
【請求項３】
請求項１又は２記載のコネクタ用端子材からなるコネクタ用端子であって、相手方コネクタ用端子との接点部分の表面に前記銀金合金めっき層が形成されていることを特徴とするコネクタ用端子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車や民生機器等の電気配線の接続に使用される有用な皮膜が設けられたコネクタ用端子材及びコネクタ用端子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、自動車等の信号系および電源系の電気部品の接続に用いられるコネクタ用端子は、一般的に銅又は銅合金からなる基材の上に錫めっきを施した後、リフロー処理を行った錫めっき層付き端子が多く用いられていた。しかし、近年、自動車の電動化率が増加し、より電流を多く流すことができる耐熱性、耐摩耗性に優れた貴金属めっきを施した端子の用途が増加している。
【０００３】
このような耐熱性、耐摩耗性が求められるコネクタ用端子材として、例えば、特許文献１に記載のように、銅又は銅合金からなる基材に、シアン浴を用いて銀めっきを施して、銀めっき層を形成した端子材が知られている。
また、この銀めっき層に代えて、特許文献２記載のようにアンチモンを添加した銀合金めっき層とする、あるいは、特許文献３記載のように、銀錫合金（Ａｇ−Ｓｎ）めっき層とすることにより、めっき層を硬くして、耐摩耗性を高めることも提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１６９４０８号公報
【特許文献２】特開２００９−７９２５０公報
【特許文献３】特開２０１５−１８３２１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の端子では、加熱すると、銀めっき層の結晶径が大きくなるため硬度が低下する問題がある。この硬度の低下を抑制するため、銀めっき層を厚くすることが考えられるが、コスト増を招く。一方、特許文献２に記載のように、アンチモンを添加した銀合金めっき層としても、初期硬度は高いものの、加熱によって硬度が低下するとともに、アンチモンがめっき層表面に濃化して酸化することにより、接触抵抗が増大する不具合が生じる。また、特許文献３に記載の端子材では、金錫合金めっき層が硬すぎるので、この金錫合金めっき層が形成された基材を曲げると、めっき層にクラックが発生し、プレス加工（後加工）が困難になるという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、耐摩耗性及び耐熱性を向上できるコネクタ用端子材及びコネクタ用端子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のコネクタ用端子材は、少なくとも表面が銅又は銅合金からなる基材の上の少なくとも一部に形成され、表面層を構成する銀金合金めっき層を有し、前記銀金合金めっき層は、Ａｕの含有量が０．１ａｔ％以上１０ａｔ％以下で、膜厚が１μｍ以上５０μｍ以下である。
【０００８】
銀金合金めっき層が表面に形成されるので、表面を硬くすることができる。この銀金合金めっき層の膜厚が１μｍ未満では、薄すぎるため早期に摩耗して消失し易く、高温環境下で接触抵抗が上昇する不具合が生じる。銀金合金めっき層の膜厚が５０μｍを超える厚さとしても問題はないが、コストの点から５０μｍ以下とするのが好ましい。なお、銀と金とは全率固溶体であって金属間化合物を形成しないので、過剰に硬くならず、プレス加工等で割れが生じにくい。また、加熱環境下でも結晶粒の粗大化や表面酸化を生じにくいので、硬度の低下を抑制できる。
銀金合金めっき層のＡｕの含有量は０．１ａｔ％では表面を硬くする効果が低い。Ａｕが１０ａｔ％を超える含有量としても問題はないが、コストの面から１０ａｔ％以下とするのが好ましい。
【０００９】
本発明のコネクタ用端子材は、少なくとも表面が銅又は銅合金からなる基材と、該基材の上の少なくとも一部に形成された銀めっき層と、該銀めっき層の上の少なくとも一部に形成され、表面層を構成する銀金合金めっき層とを有し、前記銀めっき層は、膜厚が０．５μｍ以上５０μｍ以下であり、前記銀金合金めっき層は、Ａｕの含有量が０．１ａｔ％以上１０ａｔ％以下で、膜厚が０．０５μｍ以上５０μｍ以下である。
【００１０】
銀金合金めっき層が表面に形成されるので、表面を硬くすることができる。この銀金合金めっき層の膜厚が０．０５μｍ未満では、薄すぎるため早期に摩耗して消失し易い。この端子材の場合は、銀金合金めっき層と基材との間に銀めっき層が介在しているので、銀金合金めっき層が薄くても優れた耐摩耗性を有する。銀金合金めっき層の膜厚が５０μｍを超える厚さとしても問題はないが、コストの点から５０μｍ以下とするのが好ましい。なお、膜厚が厚くても、プレス加工等で割れが生じにくい。また、表面の銀金合金めっき層は、加熱環境下でも結晶粒の粗大化や表面酸化を生じにくいので、硬度の低下を抑制できる。
銀金合金めっき層のＡｕの含有量は０．１ａｔ％では表面を硬くする効果が低い。Ａｕが１０ａｔ％を超える含有量としても問題はないが、コストの面から１０ａｔ％以下とするのが好ましい。
銀めっき層は膜厚が０．５μｍ未満では、銀金合金めっき層が薄い場合に耐摩耗性を高める効果に乏しく、銀めっき層の膜厚が５０μｍを超える厚さとしても問題はないが、コストの点から５０μｍ以下とするのが好ましい。
【００１１】
本発明のコネクタ用端子は、上記コネクタ用端子材からなるコネクタ用端子であって、相手方コネクタ用端子との接点部分の表面に前記銀金合金めっき層が形成されている。
このコネクタ用端子は、接点部分に硬い銀金合金めっき層が形成されているので、耐摩耗性に優れている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、コネクタ用端子材及びコネクタ用端子の表面の硬さが高く、耐摩耗性が向上するとともに、加熱環境下でも硬度低下が少なく、耐熱性を向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係るコネクタ用端子材を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係るコネクタ用端子材を模式的に示す断面図である。
【図３】試料４の断面のＳＩＭ像である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
【００１５】
＜第１実施形態＞
［コネクタ用端子材の構成］
第１実施形態のコネクタ用端子材１は、図１に断面を模式的に示したように、少なくとも表面が銅又は銅合金からなる板状の基材２と、該基材２の表面の少なくとも一部（図１では左半分）に被覆され、表面層を構成する銀金合金めっき層４と、を備えている。
なお、基材２は、銅または銅合金からなるものであれば、特に、その組成が限定されるものではない。また、母材の表面に銅又は銅合金からなる銅めっき層が施されためっき材により構成されてもよい。この場合、母材としては銅以外の金属材料であってもよい。
【００１６】
銀金合金めっき層４は、コネクタ用端子材１の最表面に位置し、基材２の表面に銀ストライクめっきが施された後、その上に被覆される。この銀金合金めっき層４は、Ａｕの含有量が０．１ａｔ％以上１０ａｔ％以下で、膜厚が１μｍ以上５０μｍ以下である。
この銀金合金めっき層４において、金（Ａｕ）はアンチモン（Ｓｂ）より融点が高いので、アンチモンのように加熱によって表面に拡散して硬度低下することは生じにくい。また、金は電気伝導率が高いので、銀金合金の電気抵抗も良好である。さらに、銀金合金は純銀（Ａｇ）より酸化しにくいため、加熱による接触抵抗の劣化が生じにくい。
【００１７】
銀金合金めっき層４のＡｕの含有量は０．１ａｔ％では表面を硬くする効果が低い。Ａｕが１０ａｔ％を超える含有量としても問題はないが、コストの点から１０ａｔ％以下とするのが好ましい。この銀金合金めっき層４の好ましいＡｕの含有量は０．５ａｔ％以上である。
また、銀金合金めっき層４の膜厚が１μｍ未満では、薄すぎるため早期に摩耗して消失し易く、高温環境下で接触抵抗が上昇する不具合がある。銀金合金めっき層４の膜厚が５０μｍを超える厚さとしても問題はないが、コストの点から５０μｍ以下とするのが好ましい。なお、銀と金とは全率固溶体であって金属間化合物を形成しないので、過剰に硬くならず、プレス加工等で割れが生じにくい。この銀金合金めっき層４の好ましい膜厚は２μｍ以上１０μｍ以下である。また、銀金合金であるので、加熱環境下でも結晶粒の粗大化や表面酸化を生じにくく、硬度の低下を抑制でき、耐熱性にも優れている。
【００１８】
［製造方法］
次に、このコネクタ用端子材１の製造方法について説明する。このコネクタ用端子材１１の製造方法は、基材２となる銅又は銅合金からなる板材を洗浄する前処理工程と、前処理工程後の基材２の表面に、銀ストライクめっきを施す銀ストライクめっき工程と、銀ストライクめっきを施した後に、銀金合金めっき層４を形成する銀金合金めっき層形成工程と、を備える。
【００１９】
（前処理工程）
まず、基材２として、銅又は銅合金からなる板材を用意し、この板材に脱脂、酸洗等をすることによって表面を清浄する前処理を行う。前述したように、銅以外の金属材の上に銅又は銅合金からなる銅めっき層を形成したものを基材としてもよい。
【００２０】
（銀ストライクめっき工程）
基材２の表面において銀金合金めっき層４が形成される部分に５質量％〜１０質量％の水酸化カリウム水溶液を用いて活性化処理を行った後、銀ストライクめっきを施す。この銀ストライクめっきは、銀金合金めっき層４と基材２との密着性を高めるために実行される。この銀ストライクめっきを施すためのめっき浴の組成は、特に限定されないが、例えば、シアン化銀（ＡｇＣＮ）１ｇ／Ｌ〜５ｇ／Ｌ、シアン化カリウム（ＫＣＮ）８０ｇ／Ｌ〜１２０ｇ／Ｌからなるめっき浴が好適である。そして、この銀ストライクめっき浴に対してアノードとしてステンレス鋼板（ＳＵＳ３１６）を用いて、浴温が常温（２５℃〜３０℃）、電流密度１Ａ／ｄｍ２の条件下で銀めっきを３０秒程度施すことにより、薄く銀ストライクめっき層が形成される。
【００２１】
（銀金合金めっき層形成工程）
銀ストライクめっき工程後、銀ストライクめっき層上に銀金合金めっきを施して銀金合金めっき層４を形成する。この銀金合金めっき層４を形成するためのめっき浴の組成は、特に限定されないが、例えば、シアン化金カリウム（ＫＡｕ（ＣＮ）２）１ｇ／Ｌ〜５ｇ／Ｌ、シアン化銀（ＡｇＣＮ）５ｇ／Ｌ〜１５ｇ／Ｌ、シアン化カリウム（ＫＣＮ）１０ｇ／Ｌ〜３０ｇ／Ｌ、炭酸カリウム（ＫＣＯ３）１０ｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ、添加剤５ｍｌ／Ｌからなるめっき浴が好適である。シアン浴で、アンチモンが含有されなければよい。そして、この銀めっき浴に対してアノードとして純銀板を用いて、浴温が常温（２５℃〜３０℃）で、電流密度０．１Ａ／ｄｍ２〜３Ａ／ｄｍ２の条件下で５０秒〜８５分程度めっきを施すことにより銀金合金めっき層４が形成される。
【００２２】
このようにして基材２の表面の一部に銀金合金めっき層４が形成されたコネクタ用端子材１に対してプレス加工等を施し、接点として用いられる部分に銀金合金めっき層４が配置されたコネクタ用端子を形成する。この場合、コネクタ用端子材において、銀金合金めっき層４が形成された部分が、相手端子との嵌合部（接点部）に配置されるように用いられる。
本実施形態では、銀金合金めっき層４が表面に形成されるので、表面を硬くすることができる。銀金合金は、金の融点が高く、貴金属として安定している金を共析させているため、加熱により軟らかくなる銀とは異なり、加熱後の硬度低下も少ない。また、銀より金が貴の金属であるため、表面が酸化しにくくなり、接触抵抗も良好である。
また、銀金合金であるので、コネクタとして摺動による凝着が生じにくく、耐摩耗性が向上する。
【００２３】
＜第２実施形態＞
［コネクタ用端子材の構成］
第２実施形態のコネクタ用端子材１１は、第１実施形態のコネクタ用端子材１の層構造に対して、図２に断面を模式的に示したように、基材２と銀金合金めっき層４１との間に銀めっき層５が形成された構成である。すなわち、少なくとも表面が銅又は銅合金からなる板状の基材２と、該基材２の表面の少なくとも一部に被覆された銀めっき層５と、銀めっき層５の上に形成された銀金合金めっき層４１と、を備えている。
この場合、銀めっき層５は、膜厚が０．５μｍ以上５０μｍ以下であり、銀金合金めっき層４１は、Ａｕの含有量が０．１ａｔ％以上１０ａｔ％以下であるが、膜厚が０．０５μｍ以上５０μｍ以下である。
【００２４】
銀めっき層５は、純銀からなるのが好ましいが、Ａｇ濃度が９５質量％以上であればよい。これは、銀めっき層５のＡｇ濃度が９５質量％未満であると不純物が多く含まれることとなり、銀めっき層が合金化して硬くなり、プレス加工等により曲げられた際に割れる可能性があるためである。
銀めっき層５は、膜厚が０．５μｍ未満では、銀金合金めっき層４１が薄い場合に耐摩耗性を高める効果に乏しく、また、高温環境下で基材２のＣｕ成分が銀金合金めっき層４１に拡散するのを防止する効果も乏しくなる。この銀めっき層５の膜厚が５０μｍを超える厚さとしても問題はないが、コストの点から５０μｍ以下とするのが好ましい。この銀めっき層５の好ましい膜厚は１μｍ以上１０μｍ以下である。
【００２５】
このコネクタ用端子材１１は、基材２と銀金合金めっき層４１との間に銀めっき層５が形成されているので、銀金合金めっき層４１の膜厚を第１実施形態のものより薄くしても、優れた耐摩耗性を発揮することができ、銀金合金めっき層４１の膜厚の下限を０．０５μｍとすることができる。この銀金合金めっき層４１の膜厚が０．０５μｍ未満では、薄すぎることから早期に摩耗して消失し易い。銀金合金めっき層４１の膜厚が５０μｍを超える厚さとしても問題はないが、コストの点から５０μｍ以下とするのが好ましい。銀めっき層５の上に形成されるので、銀金合金めっき層４１としては５μｍの膜厚でも十分である。この銀金合金めっき層４の好ましい膜厚は０．１μｍ以上５μｍ以下である。
銀金合金めっき層４のＡｕの含有量は０．１ａｔ％では表面を硬くする効果が低い。Ａｕが１０ａｔ％を超える含有量としても問題はないが、コストの点から１０ａｔ％以下とするのが好ましい。この銀金合金めっき層４の好ましいＡｕの含有量は０．５ａｔ％以上である。
【００２６】
［製造方法］
この第２実施形態のコネクタ用端子材１１を製造する場合、前処理工程、銀ストライクめっき工程は、第１実施形態の場合と同様である。第２実施形態では、銀ストライクめっき工程の後に、銀めっき層形成工程、銀金合金めっき層形成工程を施す。
【００２７】
（銀めっき層形成工程）
銀ストライクめっき層の上に銀めっき工程を施して銀めっき層５を形成する。この銀めっき層を形成するためのめっき浴の組成は、特に限定されないが、例えば、シアン化銀（ＡｇＣＮ）３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ、シアン化カリウム（ＫＣＮ）１２０ｇ／Ｌ〜１６０ｇ／Ｌ、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）１０ｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ、添加剤５ｍｌ／Ｌからなる。そして、この銀めっき浴に対してアノードとして純銀板を用いて、浴温２５℃、電流密度２Ａ／ｄｍ２の条件下で銀めっきを５０秒〜８５分程度施すことにより銀めっき層５が形成される。
【００２８】
（銀金合金めっき層形成工程）
銀金合金めっき層形成工程は、第１実施形態で説明した組成のめっき浴に対してアノードとして純銀板を用いて、浴温が常温（２５℃〜３０℃）で、電流密度とめっき時間を調整することにより、銀金合金めっき層４１を形成する。例えば、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２〜３Ａ／ｄｍ２の条件下で５３秒〜６５分程度のめっき条件とする。
【００２９】
この実施形態のコネクタ用端子材１２は、基材２の上に銀めっき層５を介して銀金合金めっき層４１が形成されているので、銀金合金めっき層４１の膜厚を薄くすることが可能であり、銀金合金めっき層４１として、０．０５μｍ以上の膜厚があれば、良好な耐摩耗性を発揮することができる。
【００３０】
＜他の実施形態＞
その他、細部構成は実施形態の構成のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
第１実施形態では、基材２の表面の少なくとも一部に銀金合金めっき層４が形成された構成であり、第２実施形態では、基材２の表面の少なくとも一部に銀めっき層５を介して銀金合金めっき層４が形成された構成とした。これらの構成に対して、基材２の全面に銀金合金めっき層４が形成された構成、あるいは基材２の全面に銀めっき層５が形成され、その銀めっき層５の全面に銀金合金めっき層４１が形成された構成としてもよい。さらに、銀めっき層５を設ける場合、基材２の全面に銀めっき層５が形成され、その銀めっき層５の一部に銀金合金めっき層４１が形成された構成とすることも可能である。
つまり、銀金合金めっき層４，４１については少なくともコネクタ用端子として相手端子との接点部に配置される部分に形成されていればよい。
【実施例】
【００３１】
＜第１実施例＞
銅合金板からなる厚さ０．３ｍｍの基材を用意し、この基材に脱脂、酸洗等をすることによって表面を清浄する前処理を行った後、基材の表面に、５質量％の水酸化カリウム水溶液を用いて基材の表面を清浄化する活性化処理を行い、この活性化処理後に、基材に対して、銀ストライクめっきを施し、銀ストライクめっき層上に、表１の膜厚となるように電流密度及びめっき時間を調整して、銀金合金めっき層を形成した。
【００３２】
なお、各めっきの条件は以下のとおりとした。
（銀ストライクめっき条件）
・めっき浴組成
シアン化銀２ｇ／Ｌ、
シアン化カリウム１００ｇ／Ｌ
・アノード
ＳＵＳ３１６
・浴温２５℃
・電流密度１Ａ／ｄｍ２
【００３３】
（銀金合金めっき条件）
・めっき浴組成
シアン化金カリウム３ｇ／Ｌ
シアン化銀１０ｇ／Ｌ
シアン化カリウム２０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム１５ｇ／Ｌ
添加剤５ｍｌ／Ｌ
・アノード
純銀板
・浴温２５℃
・電流密度０．５Ａ／ｄｍ２〜３Ａ／ｄｍ２
【００３４】
比較例には、基材の表面に銀ストライクめっきを実施後、日進化成株式会社製のアンチモンが添加されたニッシンブライトＮ浴を用いて、光沢銀めっきを実施した。めっき浴の組成は、標準組成を用い、浴温２５℃、電流密度１Ａ／ｄｍ２とし、アノードとして純銀板を用い、膜厚２．５μｍの銀合金めっき層（ＡｇＳｂ合金層）を形成して、比較例１０とした。また、銀ストライクめっきの後に、銀金合金めっきではなく、純銀めっきを施したもの（比較例１１）も作製した。
そして、これらの実施例及び比較例の試料について、以下の測定及び試験を実施した。
【００３５】
［めっき層の膜厚測定］
銀金合金めっき層の膜厚（ＡｇＡｕめっき厚）は、ＦＩＢ（集束イオンビーム装置）にて銀金合金めっき層の断面加工を行った後、日本電子株式会社製の電子線マイクロアナライザー：ＥＰＭＡ（型番ＪＸＡ−８５３０Ｆ）を用いて断面を観察することにより測定した。測定値は５か所の算術平均とした。
【００３６】
［Ａｕ含有量の測定］
ＦＩＢ（集束イオンビーム装置）にて銀金合金めっき層の断面加工を行った後、銀金合金中のＡｕ含有量は、日本電子株式会社製の電子線マイクロアナライザー：ＥＰＭＡ（型番ＪＸＡ−８５３０Ｆ）を用いて、加速電圧１０ｋＶ、ビーム径φ３０μｍとし、各試料の表面を測定した。測定値は５か所の算術平均とした。
【００３７】
［ビッカース硬さの測定］
加熱前（初期）の各試料及び１５０℃で２４０時間加熱後の各試料のそれぞれについて、マイクロビッカース硬さ試験機ＨＭ−２００（株式会社ミツトヨ製）を用いて、測定数Ｎ＝１０、荷重０．００５Ｎの条件下でビッカース硬さを測定した。ただし、試料１〜試料３は、そのままではビッカース硬さの測定ができなかったため、銀金合金めっき層のＡｕ含有量を変えずに膜厚のみ２μｍとしたものを作製して、ビッカース硬さを測定した。
【００３８】
［硬さ低下量の測定］
硬さ低下量は、ビッカース硬さの測定によって得られた加熱前（初期）のビッカース硬さの値から１５０℃で２４０時間加熱後のビッカース硬さの値を引くことにより算出した。
【００３９】
［曲げ試験］
試験片を幅１０ｍｍの短冊に接点予定部と心線接触予定部の面積が１：１になるように切り出し、接点予定部と心線接触予定部の境界が、曲げ部となるように、曲げ半径１．５ｍｍの１２０°曲げを実施し後、曲げ戻しを行った。試料の曲げ外周部表面を光学顕微鏡（倍率５０倍）で観察し、異常の有無を調べた。銅又は銅合金基材の板厚は０．３ｍｍとした。曲げ戻し部に剥離または亀裂または割れなど、平板状態と異なる状態が見られた場合を「Ｂ」、異常が見られなかった場合を「Ａ」とした。
【００４０】
［接触抵抗の測定］
加熱前の各試料及び１５０℃で２４０時間加熱後の各試料のそれぞれを６０ｍｍ×１０ｍｍの試験片に切り出し、平板サンプルをオス端子の代用とし、この平板サンプルに曲率半径１．０ｍｍの凸加工を行ったサンプルをメス端子の代用とした。摺動試験は、ブルカー・エイエックスエス株式会社の摩擦摩耗試験機（ＵＭＴ−Ｔｒｉｂｏｌａｂ）を用い、水平に設置したオス端子試験片にメス試験片の凸面を接触させ、オス端子試験片を荷重負荷速度１／１５Ｎ／ｓｅｃで、０Ｎから２Ｎまで荷重をかけた時の接触抵抗値を測定した。
以上の測定、試験の結果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
2020117769.tif 000003
【００４２】
この表１からわかるように、基材上に、膜厚が１μｍ以上の銀金合金めっき層が形成され、銀金合金めっき層のＡｕ含有量が０．１ａｔ％以上である試料２〜６及び８〜１０は、高いビッカース硬さで、加熱後も硬さ低下が少なく、曲げ試験でも剥離や亀裂等の異常が認められず、接触抵抗も良好であった。
【００４３】
試料４の断面を走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）で観察したところ、図３に示すように、基材（Ｃｕと表記）の上に、銀金合金めっき層（ＡｇＡｕと表記）が形成されていることが確認された。
【００４４】
一方、試料１は、銀金合金めっき層の膜厚が０．８μｍと薄かったため、加熱後の接触抵抗が高くなった。試料７は、銀金合金めっき層中のＡｕ含有量が０．０８ａｔ％と低かったため、ビッカース硬さが低くなった。試料１１は表面が銀アンチモン合金めっき層であり、初期硬さは高いが、加熱後の硬さの低下が大きく、曲げ試験でも剥離や亀裂等の異常が認められ、加熱後の接触抵抗も大きくなった。試料１２は、表面が純銀めっき層であり、加熱後の硬さの低下が大きくなった。
【００４５】
＜第２実施例＞
銅合金板からなる厚さ０．３ｍｍの基材を用意し、この基材に脱脂、酸洗等をすることによって表面を清浄する前処理を行った後、基材の表面に、５質量％の水酸化カリウム水溶液を用いて基材の表面を清浄化する活性化処理を行い、この活性化処理後に、基材に対して、銀ストライクめっきを施し、銀ストライクめっき層上に、銀めっき層を形成し、表１の膜厚となるように電流密度及びめっき時間を調整して、銀金合金めっき層を形成した。銀めっき層以外の各めっき層の条件は前述した第１実施例と同じである。
【００４６】
銀めっきの条件は以下の通りとし、膜厚２．５μｍの銀めっき層を形成した。
（銀めっき条件）
・めっき浴組成
シアン化銀４０ｇ／Ｌ、
シアン化カリウム１２０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム１５ｇ／Ｌ
・アノード
純銀板
・浴温２５℃
・電流密度２Ａ／ｄｍ２
【００４７】
比較例としては、第１実施例の試料１１，１２と同じものを作製し、それぞれ試料２６，２７とした。
これらの試料について、めっき層の膜厚測定、銀金合金めっき層中のＡｕ含有量の測定、ビッカース硬さ及び硬さ低下量の測定、曲げ試験を実施した。これらの測定方法、試験方法は前述の第１実施例と同様である。
その結果を表２に示す。
【００４８】
【表２】
2020117769.tif 000004
【００４９】
この表２からわかるように、基材上に、銀めっき層を介して、膜厚が０．０５μｍ以上５０μｍ以下の銀金合金めっき層が形成され、銀金合金めっき層のＡｕ含有量が０．１ａｔ％以上である試料２３〜２５は、ビッカース硬さが高く、加熱後も硬さ低下が少ない。また、曲げ試験でも剥離や亀裂等の異常が認められず、接触抵抗も良好であった。
【００５０】
一方、試料２１は銀金合金めっき層が０．０２μｍと薄く、試料２２は銀金合金めっき層中のＡｕ含有量が０．０８ａｔ％と低かったため、いずれもビッカース硬さが低かった。ただし、銀めっき層が形成されているため、接触抵抗は良好であった。試料２６は表面が銀アンチモン合金めっき層であり、初期硬さは高いが、加熱後の硬さの低下が大きく、曲げ試験でも剥離や亀裂等の異常が認められ、加熱後の接触抵抗も大きくなった。試料２７は、表面が純銀めっき層であり、ビッカース硬さが低かった。
【符号の説明】
【００５１】
１  コネクタ用端子材
２  基材
４，４１  銀金合金めっき層
５  銀めっき層
【図１】
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【図２】
2020117769.tif 000006
【図３】
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