(57)【要約】【課題】作業の複雑さを緩和できるフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとが積層された第１積層基板１１、および、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとが積層された第２積層基板１２を含み、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとが対向するように積層された多層積層基板１０の製造に関する。この製造方法は、第１積層基板１１と第２積層基板１２を積層する工程よりも前の工程である前段工程を含む。前段工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２の少なくとも一方について、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一つの切断に関連する加工を施す前段加工工程を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス層と樹脂層とが積層された複数の積層基板を備え、前記複数の積層基板は第１ガラス層と第１樹脂層とが積層された第１積層基板、および、第２ガラス層と第２樹脂層とが積層された第２積層基板を含み、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板の製造に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
前記複数の積層基板を積層する工程よりも前の工程である前段工程を含み、
前記前段工程は、前記複数の積層基板の少なくとも一方について、前記ガラス層および前記樹脂層の少なくとも一方の切断に関連する加工を施す前段加工工程を含む
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項２】
前記前段加工工程では、前記ガラス層を切断する
請求項１に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項３】
前記前段加工工程では、前記樹脂層を切断する
請求項１または２に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項４】
前記複数の積層基板を積層する工程以後の工程である後段工程をさらに含み、
前記前段加工工程では、前記複数の積層基板の一方を切断し、
前記後段工程は、切断された前記複数の積層基板の一方を切断されていない前記複数の積層基板の他方に積層する後段積層工程を含む
請求項１〜３のいずれか一項に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項５】
前記前段加工工程では、前記複数の積層基板を積層する工程以後の工程である後段工程において前記積層基板をブレイクするための予備加工を、前記複数の積層基板の少なくとも一方に施す
請求項１に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項６】
前記予備加工では、前記ガラス層にスクライブラインを形成する
請求項５に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項７】
前記前段加工工程では、前記複数の積層基板の両方を切断する
請求項１に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（electro luminescence）ディスプレイは発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスを備える。フレキシブル有機ＥＬディスプレイでは、基板にフレキシブル基板が用いられる。フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造工程では、ガラス層に樹脂層が形成され、樹脂層に発光層等が形成される（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】再公表特許ＷＯ２０１１／０３０７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
新しい構造の発光デバイスが提案されている。この発光デバイスは、対向するように設けられる第１樹脂層および第２樹脂層を有する。第１樹脂層と第２樹脂層との間に発光層等が設けられる。従来の発光デバイスとは構造が異なるため、新しい構造の発光デバイスの製造工程では、例えばガラス層および樹脂層等が積層された積層基板の切断に関して複雑な作業をともなうおそれがある。
【０００５】
本発明の目的は、作業の複雑さを緩和できるフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、ガラス層と樹脂層とが積層された複数の積層基板を備え、前記複数の積層基板は第１ガラス層と第１樹脂層とが積層された第１積層基板、および、第２ガラス層と第２樹脂層とが積層された第２積層基板を含み、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板の製造に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、前記複数の積層基板を積層する工程よりも前の工程である前段工程を含み、前記前段工程は、前記複数の積層基板の少なくとも一方について、前記ガラス層および前記樹脂層の少なくとも一方の切断に関連する加工を施す前段加工工程を含む。
ガラス層および樹脂層の少なくとも一方の切断に関連する加工は、例えばガラス層を切断する加工、樹脂層を切断する加工、ガラス層をブレイクするための予備加工、および、樹脂層をブレイクするための予備加工の１つまたは複数を含む。前段工程で上記切断に関連する加工が複数の積層基板の少なくとも一方に施されることにより、複数の積層基板を積層する工程以後の工程(以下「後段工程」)において多層積層基板に必要な切断に関する工程が削減される。積層基板よりも構造が複雑な多層積層基板に対する加工が少ないため、作業の複雑さが緩和される。
【０００７】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記前段加工工程では、前記ガラス層を切断する。
この製造方法では、前段工程でガラス層が切断されるため、例えば多層積層基板の樹脂層をレーザで切断する場合にレーザの照射にともない発生するガスがガラス層の切断部分から排出され、ガスが樹脂層の品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
【０００８】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記前段加工工程では、前記樹脂層を切断する。
この製造方法では、前段工程で樹脂層が切断されるため、後段工程においてガラス層に挟まれた樹脂層を切断する必要がなく、作業の複雑さが緩和される。
【０００９】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記複数の積層基板を積層する工程以後の工程である後段工程をさらに含み、前記前段加工工程では、前記複数の積層基板の一方を切断し、前記後段工程は、切断された前記複数の積層基板の一方を切断されていない前記複数の積層基板の他方に積層する後段積層工程を含む。
この製造方法では、前段工程で一方の積層基板が切断されるため、後段工程において多層積層基板に必要な切断に関する工程が削減され、作業の複雑さが緩和される。切断されていない他方の積層基板に一方の積層基板を積層できるため、切断された両方の積層基板を積層する場合に比較して積層作業における各積層基板の位置管理に要求される精度が緩和される。
【００１０】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記前段加工工程では、前記複数の積層基板を積層する工程以後の工程である後段工程において前記積層基板をブレイクするための予備加工を、前記複数の積層基板の少なくとも一方に施す。
この製造方法では、前段工程で予備加工が施されることにより、後段工程において多層積層基板に必要な切断に関する工程が削減され、作業の複雑さが緩和される。
【００１１】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記予備加工では、前記ガラス層にスクライブラインを形成する。
この製造方法では、前段工程でガラス層にスクライブラインが形成されるため、例えば多層積層基板の樹脂層をレーザで切断する場合にガスによりガラス層のスクライブラインの部分がブレイクされ、ガスが切断部分から排出される。ガスが樹脂層の品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
【００１２】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記前段加工工程では、前記複数の積層基板の両方を切断する。
この製造方法では、前段工程で両方の積層基板が切断されることにより、後段工程において多層積層基板に切断に関連する工程を施す必要がなくなり、作業の複雑さが緩和される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、積層基板の切断に関する作業の複雑さを緩和できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態の製造方法に関する多層積層基板の断面図。
【図２】図１の第１積層基板の平面図。
【図３】レーザ加工装置の構成を示す模式図。
【図４】スクライブ加工装置の構成を示す模式図。
【図５】スクライビングホイールの断面図。
【図６】実施形態の製造方法を示すフローチャート。
【図７】前段積層工程の第２の例を示す図。
【図８】前段積層工程の第３の例を示す図。
【図９】前段積層工程の第４の例を示す図。
【図１０】前段加工工程の加工対象および加工層数を示す図。
【図１１】前段加工工程の一例を示す図。
【図１２】前段加工工程の第１加工手順の一部を示すフローチャート。
【図１３】前段加工工程での加工順番および加工種類を示す図。
【図１４】レーザ加工装置の構成を示す模式図。
【図１５】後段積層工程の一例を示す図。
【図１６】前段加工工程の第２加工手順の一部を示すフローチャート。
【図１７】後段積層工程の一例を示す図。
【図１８】後段加工工程の一例を示す図。
【図１９】剥離工程の一例を示す図。
【図２０】単位積層基板の一例を示す断面図。
【図２１】変形例の製造方法に関する後段積層工程の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（実施形態）
図面を参照してフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。フレキシブル有機ＥＬディスプレイは、据置型の機器および携帯機器等に用いられる。据置型の機器の一例はパーソナルコンピュータおよびテレビ受像機である。携帯機器の一例は携帯情報端末、ウェアラブルコンピュータ、および、ノート型パーソナルコンピュータである。携帯情報端末の一例はスマートフォン、タブレット、および、携帯ゲーム機である。ウェアラブルコンピュータの一例はヘッドマウントディスプレイおよびスマートウォッチである。
【００１６】
フレキシブル有機ＥＬディスプレイは、発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスと、発光デバイスを一方から覆う第１保護フィルムと、発光デバイスを他方から覆う第２保護フィルムとを有する。第１保護フィルムおよび第２保護フィルムはそれぞれ、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate）が用いられる。なお、第１保護フィルムおよび第２保護フィルムの一方は省略してもよい。発光デバイスの製造工程では、図１に示される１枚の多層積層基板１０から複数の発光デバイスが製造される。
【００１７】
多層積層基板１０は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造の途中段階で製造される。多層積層基板１０は、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとが積層された第１積層基板１１と、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとが積層された第２積層基板１２とを有する。多層積層基板１０は、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとが対向するように第１積層基板１１と第２積層基板１２とが積層されて構成されている。多層積層基板１０は、導電層１３をさらに有する。導電層１３は、例えば第１積層基板１１の第１樹脂層１１Ｂ上に形成されている。導電層１３は、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとに挟まれている。導電層１３は、ＯＬＥＤ（Organic Light Diode）、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の電子デバイス用部材が形成されている。第１樹脂層１１Ｂ、導電層１３、および、第２樹脂層１２Ｂは、発光デバイスを構成している。
【００１８】
第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａと第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの組成は、特に限定されないが、例えばアルカリ金属酸化物を含有するガラス、または無アルカリガラス等の種々の組成のガラスを用いることができる。アルカリ金属酸化物を含有するガラスの一例は、ソーダライムガラスである。本実施形態では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａは、無アルカリガラスが用いられる。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば０．５ｍｍ程度であることが好ましい。第１ガラス層１１Ａは、第１樹脂層１１Ｂが形成される第１平面１４Ａ、および、第１平面１４Ａと対をなす第２平面１４Ｂを有する。第２ガラス層１２Ａは、第２樹脂層１２Ｂが形成される第１平面１５Ａ、および、第１平面１５Ａと対をなす第２平面１５Ｂを有する。
【００１９】
第１積層基板１１の第１樹脂層１１Ｂと第２積層基板１２の第２樹脂層１２Ｂとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの組成は、特に限定されないが、例えばポリイミド（ＰＩ）を用いることができる。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００２０】
図２は、第１積層基板１１の平面図である。
図２の破線によって示される切断予定部１６に沿って第１積層基板１１を格子状に切断することによって第１単位積層基板２１が形成される。第２積層基板１２についても同様に、切断予定部１７（図２では図示略、例えば図１１参照）に沿って第２積層基板１２を格子状に切断することによって第２単位積層基板２２が形成される。第１単位積層基板２１および第２単位積層基板２２の平面視におけるサイズは、平面視における発光デバイスの予め決められたサイズに相当する。本実施形態の第１単位積層基板２１の平面視におけるサイズおよび第２単位積層基板２２の平面視におけるサイズは、互いに等しい。第１単位積層基板２１および第２単位積層基板２２を第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとが対向するように積層することによって、多層積層基板１０としての単位積層基板２０（図１９参照）が構成される。
【００２１】
第１積層基板１１および第２積層基板１２の切断には、レーザ加工装置およびスクライブ加工装置の少なくとも一方が用いられる。図３は、レーザ加工装置の構成の一例であり、図４は、スクライブ加工装置の構成の一例である。図３および図４において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、および、Ｚ軸方向を図３および図４に示すとおり規定する。なお、第１積層基板１１および第２積層基板１２の切断には、ダイシング加工装置（図示略）を用いてもよい。
【００２２】
図３に示されるように、レーザ加工装置３０は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を切断するためのレーザ装置３１と、レーザ装置３１に対して第１積層基板１１および第２積層基板１２を移動させるための機械駆動系３２と、レーザ装置３１および機械駆動系３２を制御する第１制御部３３とを備える。
【００２３】
レーザ装置３１は、第１積層基板１１および第２積層基板１２における樹脂層およびガラス層の一方を加工する。レーザ装置３１は、第１積層基板１１および第２積層基板１２にレーザ光を照射するためのレーザ発振器３４と、レーザ光を機械駆動系３２に伝送する伝送光学系３５とを有する。レーザ発振器３４は、例えばＵＶ（Ultra Violet）レーザまたはＣＯ２レーザである。レーザ加工装置３０が第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを加工する場合、レーザ発振器３４はＵＶレーザである。レーザ加工装置３０が第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを加工する場合、レーザ発振器３４はＣＯ２レーザまたはＵＶレーザである。伝送光学系３５は、例えば集光レンズ、複数のミラー、プリズム、ビームエキスパンダ等から構成される。また、伝送光学系３５は、例えばレーザ発振器３４が組み込まれたレーザ照射ヘッドをＸ軸方向に移動させるためのＸ軸方向移動機構を備える。レーザ発振器３４から照射されたレーザ光は、伝送光学系３５を介して第１積層基板１１および第２積層基板１２に向けて照射される。
【００２４】
機械駆動系３２は、レーザ装置３１とＺ軸方向に対向して配置されている。機械駆動系３２は、ベッド３６、加工テーブル３７、および、移動装置３８から構成される。加工テーブル３７上には、第１積層基板１１または第２積層基板１２が載置される。移動装置３８は、加工テーブル３７をベッド３６に対して水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に移動させる。移動装置３８は、ガイドレール、移動テーブル、モータ等を有する公知の機構である。
【００２５】
第１制御部３３は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＭＰＵ（Micro Processing Unit）を有する。第１制御部３３は、１または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第１制御部３３は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第１制御部３３は、レーザ装置３１に設けられてもよいし、機械駆動系３２に設けられてもよいし、レーザ装置３１および機械駆動系３２とは別に設けられてもよい。第１制御部３３がレーザ装置３１および機械駆動系３２とは別に設けられる場合、第１制御部３３の配置位置は任意に設定可能である。
【００２６】
図４に示されるように、スクライブ加工装置４０は、スクライビングホイール５０と第１積層基板１１または第２積層基板１２とがＸ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動することによって第１積層基板１１または第２積層基板１２にＸ軸方向およびＹ軸方向に沿うスクライブラインを形成する。スクライブ加工装置４０は、第１積層基板１１または第２積層基板１２を加工するための加工装置４１と、第１積層基板１１または第２積層基板１２を搬送するための搬送装置４２と、加工装置４１および搬送装置４２を制御する第２制御部４３とを備える。
【００２７】
搬送装置４２は、一対のレール４４、テーブル４５、直進駆動装置４６、回転装置４７等から構成される。一対のレール４４は、Ｙ軸方向に沿って延びている。図４のスクライブ加工装置４０では、スクライブ加工装置４０のベース（図示略）に一対のレール４４が配置され、直進駆動装置４６によってテーブル４５が一対のレール４４に沿って往復移動し、回転装置４７によってテーブル４５が中心軸Ｃまわりを回転する。テーブル４５には、第１積層基板１１または第２積層基板１２が載置される。直進駆動装置４６の一例は、送りねじ装置を有する。回転装置４７は、駆動源となるモータを有する。
【００２８】
加工装置４１は、横駆動装置４８、縦駆動装置４９、および、スクライビングホイール５０等から構成される。スクライビングホイール５０は、スクライビングホイール５０を保持するためのホルダユニットに取り付けられる。ホルダユニットは、ホルダユニットを保持するためのスクライブヘッドに取り付けられる。スクライブヘッドは、横駆動装置４８によってＸ軸方向に移動し、縦駆動装置４９によってＺ軸方向に移動する。スクライビングホイール５０がＸ軸方向に移動することによって、第１積層基板１１および第２積層基板１２にＸ軸方向に沿うスクライブラインを形成する。
【００２９】
スクライビングホイール５０は、ホルダユニットに取り付けられるピン（図示略）に回転可能に支持される。スクライビングホイール５０を構成する材料の一例は、焼結ダイヤモンド（Poly Crystalline Diamond）、超硬金属、単結晶ダイヤモンド、および、多結晶ダイヤモンドである。スクライビングホイール５０は、例えば図５（ａ）に示される形状のスクライビングホイール５０Ａ、および、図５（ｂ）に示される形状のスクライビングホイール５０Ｂのいずれかを用いることができる。
【００３０】
図５（ａ）に示されるスクライビングホイール５０Ａは、円板状の本体部５１と、断面Ｖ字状の刃先部５２とから構成される。断面Ｖ字状とは、スクライビングホイール５０Ａの厚さ方向（以下「厚さ方向ＤＴ」）に沿う平面でスクライビングホイール５０Ａを切った断面において、スクライビングホイール５０Ａの外周縁に向けて先細る形状である。
【００３１】
本体部５１の中心部には、本体部５１を厚さ方向ＤＴに貫通する挿入孔５３が形成される。挿入孔５３にはピンが挿入される。
刃先部５２は、断面Ｖ字状を形成する２つの斜面である第１斜面５２Ａおよび第２斜面５２Ｂを有する。第１斜面５２Ａおよび第２斜面５２Ｂは、スクライビングホイール５０Ａの厚さ方向ＤＴの中心であって、厚さ方向ＤＴに直交する回転中心面ＲＣに対して対称である。
【００３２】
図５（ｂ）に示されるスクライビングホイール５０Ｂは、スクライビングホイール５０Ａと比較して、刃先部５２の形状が異なる。スクライビングホイール５０Ｂの刃先部５２における第１斜面５２Ａおよび第２斜面５２Ｂは、回転中心面ＲＣに対して非対称である。一例では、厚さ方向に沿うスクライビングホイール５０Ｂの断面において、スクライビングホイール５０Ｂの径方向に平行な線分Ｌ１と第１斜面５２Ａとがなす第１角度θ１は、線分Ｌ１と第２斜面５２Ｂとがなす第２角度θ２よりも大きい。なお、回転中心面ＲＣに対して線分Ｌ１に沿う方向における刃先部５２の先端の位置がずれていれば、第１角度θ１は、第２角度θ２と等しくてもよい。
【００３３】
第２制御部４３は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばＣＰＵまたはＭＰＵを有する。第２制御部４３は、１または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第２制御部４３は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第２制御部４３は、加工装置４１に設けられてもよいし、搬送装置４２に設けられてもよいし、加工装置４１および搬送装置４２とは別に設けられてもよい。第２制御部４３が加工装置４１および搬送装置４２とは別に設けられる場合、第２制御部４３の配置位置は任意に設定可能である。
【００３４】
〔フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法〕
次に、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の詳細について説明する。図６は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の工程の一例を示す。
【００３５】
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法では、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとが積層された第１積層基板１１と、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとが積層された第２積層基板１２とを有し、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとが対向するように積層された多層積層基板１０が製造される。本実施形態では、第１積層基板１１および第２積層基板１２の少なくとも一方は、第１積層基板１１と第２積層基板１２とが積層される前に所定サイズに切断される。第１積層基板１１および第２積層基板１２がそれぞれ所定サイズに切断される場合、多層積層基板１０は、所定サイズの単位積層基板２０となる。第１積層基板１１および第２積層基板１２の一方が所定サイズに切断される場合、第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層した後、第１積層基板１１および第２積層基板１２の他方を所定サイズに切断して多層積層基板１０としての単位積層基板２０を製造する。そして単位積層基板２０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを除去することにより発光デバイスが製造される。そして、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに第１保護フィルムおよび第２保護フィルムを取り付ける。これにより、フレキシブル有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００３６】
図６に示されるように、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程よりも前の工程である前段工程と、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程以後の工程である後段工程とに区分される。前段工程は、前段積層工程および前段加工工程を含む。前段積層工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を製造する工程である。前段加工工程は、積層工程よりも前に、第１積層基板１１および第２積層基板１２について、切断に関連する加工を施す工程である。後段工程は、後段積層工程および剥離工程を含む。後段積層工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程である。剥離工程は、レーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）によって第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを剥離し、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを剥離する工程である。以下、各工程の詳細について説明する。
【００３７】
前段積層工程では、次の第１の例〜第４の例のいずれか１つを選択できる。前段積層工程は第１の例〜第４の例のそれぞれにおいて共通するため、図７〜図９については第１積層基板１１および第２積層基板１２に関する符号を併せて付している。第２の例〜第４の例では、前段積層工程は、前段加工工程の一部を兼ねている。
【００３８】
第１の例では、第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａの全体にわたり第１樹脂層１１Ｂを形成することによって第１積層基板１１を製造し、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａの全体にわたり第２樹脂層１２Ｂを形成することによって第２積層基板１２を製造する。第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａへの第１樹脂層１１Ｂの形成方法、および、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａへの第２樹脂層１２Ｂの形成方法はそれぞれ、ガラス層に樹脂層を塗布する方法、または、ガラス層に接着層を介して樹脂層をラミネートする方法を選択できる。またガラス層に樹脂層を固定する方法として、加熱硬化処理、または、プレス法による加熱および加圧処理を選択できる。
【００３９】
第２の例および第３の例では、第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａにおける切断が予定される切断予定部１６Ａが第１樹脂層１１Ｂで被覆されないように第１ガラス層１１Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成する。第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａにおける切断が予定される切断予定部１７Ａが第２樹脂層１２Ｂで被覆されないように第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成する。
【００４０】
第２の例では、図７に示されるように、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに溝１８を形成し、溝１８が露出するように第１ガラス層１１Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成し、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに溝１９を形成し、溝１９が露出するように第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成する。溝１８は、第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａ側に開口している。溝１９は、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａ側に開口している。例えば第１ガラス層１１Ａに例えばワニスからなる第１樹脂層１１Ｂをローラ等で塗布する方法では、第１ガラス層１１Ａの溝１８にはワニスが塗布されないため、特別な塗布方法を用いずに溝１８が露出するように第１樹脂層１１Ｂを形成できる。第２ガラス層１２Ａに例えばワニスからなる第２樹脂層１２Ｂをローラ等で塗布する方法も同様である。なお、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａにのみ溝１８を形成してもよいし、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａのみに溝１９を形成してもよい。
【００４１】
第３の例では、図８に示されるように、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６ＡにマスクＭＳ１を形成し、第１ガラス層１１Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成する。マスクＭＳ１は、第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａ側に形成されている。この場合、マスクＭＳ１によって第１樹脂層１１Ｂにおける第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに対応する部分に第１樹脂層１１Ｂが形成されない。その後、マスクＭＳ１を除去する。また第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７ＡにマスクＭＳ２を形成し、第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成する。マスクＭＳ２は、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａ側に形成されている。この場合、マスクＭＳ２によって第２樹脂層１２Ｂにおける第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに対応する部分に第２樹脂層１２Ｂが形成されない。その後、マスクＭＳ２を除去する。なお、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６ＡにのみマスクＭＳ１を形成してもよいし、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７ＡのみにマスクＭＳ２を形成してもよい。
【００４２】
第４の例では、図９に示されるように、第１樹脂層１１Ｂにおける第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに対応する部分（切断予定部１６Ｂ）を切断し、第２樹脂層１２Ｂにおける第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに対応する部分（切断予定部１７Ｂ）を除去する。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂは、レーザ、ブレイク、および、ダイシングのいずれかによって除去される。なお、第１樹脂層１１Ｂにおける第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに対応する部分および第２樹脂層１２Ｂにおける第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに対応する部分の一方のみを除去してもよい。
【００４３】
図１０は、前段加工工程における第１積層基板１１および第２積層基板１２の加工の組み合わせ例、すなわち、第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａの少なくとも１つについて切断に関連する加工を施すパターンの組み合わせ例を示す。前段加工工程では、図１０に示すパターンのいずれかを選択できる。一例では、前段加工工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方を切断する。一例では、前段加工工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方を切断する。一例では、前段加工工程は、第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂをそれぞれ切断する。一例では、前段加工工程は、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂをそれぞれ切断する。一例では、前段加工工程は、第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２ガラス層１２Ａ、および、第２樹脂層１２Ｂのうちの３つを切断する。一例では、前段加工工程は、第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２ガラス層１２Ａ、および、第２樹脂層１２Ｂをそれぞれ切断する。
【００４４】
前段加工工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２の少なくとも一方をブレイクするための予備加工を第１積層基板１１および第２積層基板１２の少なくとも一方に施す予備加工工程を含んでもよい。予備加工の一例は、第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂのそれぞれにスクライブラインを形成し、第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂのそれぞれにスクライブラインを形成する。ガラス層および樹脂層のスクライブラインの形成には、レーザ加工装置３０またはスクライブ加工装置４０が用いられる。
【００４５】
予備加工工程では、例えば、第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施し、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施す。予備加工工程の一例では、スクライビングホイール５０によって第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａをスクライブし、レーザによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂをスクライブする。スクライビングホイール５０によって第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａをスクライブし、レーザによって第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂをスクライブする。このように、本実施形態では、ガラス層と樹脂層とで異なる手段の予備加工を施す。
【００４６】
なお、予備加工工程において、レーザによって第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａをスクライブし、スクライビングホイール５０によって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂをスクライブしてもよい。また予備加工工程において、レーザによって第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａをスクライブし、スクライビングホイール５０によって第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂをスクライブしてもよい。
【００４７】
図１１に示されるように、第１ガラス層１１Ａにおける切断が予定される切断予定部１６Ａおよび第１樹脂層１１Ｂにおける切断が予定される切断予定部１６Ｂにそれぞれスクライブラインが形成されている。第２ガラス層１２Ａにおける切断が予定される切断予定部１７Ａおよび第２樹脂層１２Ｂにおける切断が予定される切断予定部１７Ｂにそれぞれスクライブラインが形成されている。
【００４８】
なお、第１積層基板１１および第２積層基板１２の少なくとも一方をブレイクするための予備加工に代えて、ガラス層をブレイクするための予備加工、および、樹脂層をブレイクするための予備加工の少なくとも一方を、第１積層基板１１および第２積層基板１２の少なくとも一方に施してもよい。
【００４９】
後段積層工程では、図１２に示す前段加工工程の第１加工手順および図１６に示す前段加工工程の第２加工手順のいずれかを選択できる。以下では、第１加工手順で製造された第１積層基板１１および第２積層基板１２の積層と、第２加工手順で製造された第１積層基板１１および第２積層基板１２の積層とについて説明する。なお、図１５、図１８、および、図１９に示される第１積層基板１１および第２積層基板１２は、前段積層工程の第１の例によって製造された第１積層基板１１および第２積層基板１２を示す。
【００５０】
図１２に示されるように、第１加工手順は、第１積層基板１１を所定サイズに切断する第１切断工程および第２積層基板１２を所定サイズに切断する第２切断工程を含む。第１加工手順は、第１切断工程および第２切断工程の順に実行される。なお、第１工程手順は、第２切断工程および第１切断工程の順に実行されてもよい。
【００５１】
図１３（ａ）に示されるように、第１切断工程において、第１積層基板１１を切断する順番および加工種類を任意に選択できる。第１積層基板１１は、第１樹脂層１１Ｂおよび第１ガラス層１１Ａの順に切断してもよいし、第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂの順に切断してもよい。第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂの切断について、レーザ加工装置３０およびスクライブ加工装置４０のいずれかを用いてもよい。また、第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂの切断について、レーザ加工装置３０またはスクライブ加工装置４０によって第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂをスクライブした後、ブレイクしてもよいし、レーザ加工装置３０によって切断してもよい。
【００５２】
図１３（ｂ）に示されるように、第２切断工程において、第２積層基板１２を切断する順番および加工種類を任意に選択できる。第２積層基板１２は、第２樹脂層１２Ｂおよび第２ガラス層１２Ａの順に切断してもよいし、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂの順に切断してもよい。第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂの切断について、レーザ加工装置３０およびスクライブ加工装置４０のいずれかを用いてもよい。また、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂの切断について、レーザ加工装置３０またはスクライブ加工装置４０によって第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂをスクライブした後、ブレイクしてもよいし、レーザ加工装置３０によって切断してもよい。なお、第１切断工程および第２切断工程の少なくとも一方において、ダイシング装置によってガラス層および樹脂層を切断してもよい。
【００５３】
第１切断工程および第２切断工程において、ガラス層および樹脂層のそれぞれをレーザによって切断する場合、またはガラス層および樹脂層のそれぞれをスクライブする場合、図３に示されるレーザ加工装置３０に代えて、図１４に示されるレーザ加工装置３０Ａが用いられる。レーザ加工装置３０Ａは、レーザ加工装置３０と比較して、レーザ装置の構成が異なる。以下、レーザ加工装置３０Ａのうちの異なる構成について説明する。
【００５４】
レーザ加工装置３０Ａのレーザ装置３１Ａは、第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを有する。第１レーザ発振器３４ＡはＵＶレーザであり、第２レーザ発振器３４ＢはＣＯ２レーザである。第１レーザ発振器３４Ａから照射されたレーザ光、および、第２レーザ発振器３４Ｂから照射されたレーザ光は、伝送光学系３５を介して第１積層基板１１および第２積層基板１２に照射される。なお、伝送光学系３５は、第１レーザ発振器３４Ａに対応する伝送光学系と、第２レーザ発振器３４Ｂに対応する伝送光学系とが個別に設けられてもよい。
【００５５】
第１制御部３３は、第１積層基板１１および第２積層基板１２に対する加工対象の種類（ガラス層または樹脂層）に応じて第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを選択する。例えば第１制御部３３は、予め記憶された制御プログラムによって加工対象の種類であるガラス層および樹脂層の加工順番を定め、定められた加工順番に応じて第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを選択する。
【００５６】
図１５に示されるように、後段積層工程では、第１切断工程によって所定サイズに切断された第１積層基板１１である第１単位積層基板２１と、第２切断工程によって所定サイズに切断された第２積層基板１２である第２単位積層基板２２とが、例えば接着層ＳＤを介して貼り合せられる。これにより、所定サイズの多層積層基板１０である単位積層基板２０が製造される。
【００５７】
図１６に示されるように、本実施形態の第２加工手順では、第２切断工程のみが実行される。なお、第２工程手順では、第１切断工程のみが実行されてもよい。このように、第１積層基板１１および第２積層基板１２の一方が所定サイズに切断された後、第１積層基板１１および第２積層基板１２の他方に第１積層基板１１および第２積層基板１２の一方が貼り合せられる。第１積層基板１１および第２積層基板１２の一方の加工順番および加工方法は、図１３（ａ）（ｂ）に示される加工順番および加工方法を選択できる。
【００５８】
第２加工手順を経た後の後段積層工程は、切断された第１積層基板１１および第２積層基板１２の一方を切断されていない第１積層基板１１および第２積層基板１２の他方に積層する。一例では、図１７に示されるように、後段積層工程において、第２切断工程によって所定サイズに切断された複数の第２積層基板１２が所定サイズに切断される前の第１積層基板１１に貼り合せられている。
【００５９】
第２加工手順を経た後の後段積層工程は、後段加工工程を含む。後段加工工程は、切断されていない第１積層基板１１および第２積層基板１２の他方を所定サイズに切断する工程である。一例では、図１８に示されるように、第２切断工程において、第２積層基板１２が所定サイズに切断されている。第２積層基板１２の加工順番および加工方法は、図１３（ｂ）に示される加工順番および加工方法を選択できる。これにより、所定サイズの多層積層基板１０である単位積層基板２０が製造される。
【００６０】
剥離工程では、レーザリフトオフ装置（図示略）を用いる。本実施形態では、レーザリフトオフ装置のレーザとしてＵＶレーザが用いられる。図１９（ａ）に示されるように、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂにレーザを照射することによって第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離する。第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離する場合、レーザは、第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂに直交するように照射される。次に、図１９（ｂ）に示されるように、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂにレーザを照射することによって第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離する。第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離する場合、レーザは、第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂに直交するように照射される。なお、単位積層基板２０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを剥離する順番は任意に変更可能である。例えば、第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離した後、第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離してもよい。
【００６１】
多層積層基板１０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａが取り除かれた（図１９（ｃ）参照）後、すなわち発光デバイスの製造後、第１樹脂層１１Ｂを覆うように第１保護フィルムが取り付けられ、第２樹脂層１２Ｂを覆うように第２保護フィルムが取り付けられることにより、フレキシブル有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００６２】
図２０は、図５（ｂ）に示されるスクライビングホイール５０Ｂによって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブした場合の所定サイズの多層積層基板１０である単位積層基板２０を示す。図２０に示される単位積層基板２０の断面において、単位積層基板２０の厚さ方向Ｔと直交する方向を幅方向Ｗと規定する。単位積層基板２０の断面において、単位積層基板２０の幅方向Ｗの中心に向かう側を内側とし、幅方向Ｗの端部に向かう方向を外側とする。
【００６３】
図２０に示されるように、第１切断工程では、単位積層基板２０の第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａが第１樹脂層１１Ｂの切断面２３Ｂに対して外側に位置するように第１ガラス層１１Ａを切断する。第２切断工程では、単位積層基板２０の第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａが第２樹脂層１２Ｂの切断面２４Ｂに対して外側に位置するように第２ガラス層１２Ａを切断する。より詳細には、第１切断工程において第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂから第１平面１４Ａに向かうにつれて第１ガラス層１１Ａの幅ＷＤ１が狭くなる切断面２３Ａが形成されるように第１ガラス層１１Ａが切断されている。第２切断工程において第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂから第１平面１５Ａに向かうにつれて第２ガラス層１２Ａの幅ＷＤ２が狭くなる切断面２４Ａが形成されるように第２ガラス層１２Ａが切断されている。スクライビングホイール５０Ｂによって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブするため、第１切断工程では、スクライブ加工装置４０は、図２０に示す断面視において第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂから第１平面１４Ａに向かうにつれて第１ガラス層１１Ａの幅ＷＤ１が狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるように第１ガラス層１１Ａをスクライブする。次にスクライブした第１ガラス層１１Ａをブレイクする。第２切断工程では、スクライブ加工装置４０は、図２０に示す断面視において第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂから第１平面１５Ａに向かうにつれて第２ガラス層１２Ａの幅ＷＤ２が狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるように第２ガラス層１２Ａをスクライブする。次にスクライブした第２ガラス層１２Ａをブレイクする。なお、スクライビングホイール５０Ｂに代えて、レーザ加工装置３０によって図２０に示される第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａを形成してもよい。
【００６４】
図２０に示される単位積層基板２０では、第１樹脂層１１Ｂの幅方向Ｗの端縁まで第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂが形成され、第２樹脂層１２Ｂの幅方向Ｗの端縁まで第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂが形成されている。すなわち、厚さ方向Ｔにおいて、第１樹脂層１１Ｂの幅方向Ｗの端縁と第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａとが重ならず、第２樹脂層１２Ｂの幅方向Ｗの端縁と第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａとが重なっていない。このため、第１樹脂層１１Ｂの幅方向Ｗの端縁および第２樹脂層１２Ｂの幅方向Ｗの端縁に対してレーザリフトオフ装置のレーザを照射する場合、レーザが第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａを通過しない。
【００６５】
本実施形態の作用について説明する。
前段加工工程の第１加工手順では、第１積層基板１１および第２積層基板１２をそれぞれ所定サイズに切断して第１単位積層基板２１および第２単位積層基板２２を製造した後、第１単位積層基板２１と第２単位積層基板２２とを貼り合せることにより多層積層基板１０である単位積層基板２０を製造する。例えばレーザ加工装置３０，３０Ａによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断する場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂが露出しているため、レーザによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを加工する場合に発生するガスが第１積層基板１１および第２積層基板１２の外部に排出される。
【００６６】
前段加工工程の第２加工手順では、第１積層基板１１と第２積層基板１２とを貼り合せる前に第１積層基板１１および第２積層基板１２の一方を所定サイズに切断する。例えばレーザ加工装置３０，３０Ａによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方を切断する場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方が露出しているため、レーザによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方を加工する場合に発生するガスが第１積層基板１１および第２積層基板１２の一方の外部に排出される。第１積層基板１１および第２積層基板１２の一方が第１積層基板１１および第２積層基板１２の他方に貼り合せられた状態では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一部が露出する。このため、レーザ加工装置３０，３０Ａによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの他方を切断する場合、レーザによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの他方を加工する場合に発生するガスが第１積層基板１１および第２積層基板１２の外部に排出される。
【００６７】
本実施形態の効果について説明する。
（１）フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａの少なくとも１つの切断に関連する加工を施す前段加工工程を含む。このため、後段加工工程において多層積層基板１０に必要な切断に関する工程が削除される。第１積層基板１１および第２積層基板１２よりも構造が複雑な多層積層基板１０に対する加工が少ないため、作業の煩雑さが緩和される。
【００６８】
（２）前段加工工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方を切断することによって、例えば多層積層基板１０の第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方をレーザで切断する場合に発生するガスが第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのうちの切断されたガラス層から排出される。樹脂層とガラス層との間にガスが滞留することが抑制されるため、ガスが第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方の品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
【００６９】
（３）前段加工工程において第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方を切断することによって、後段工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａに挟まれた第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方を切断する必要がなく、作業の煩雑さが緩和される。
【００７０】
（４）前段加工工程において第１積層基板１１および第２積層基板１２の一方を切断する場合、後段積層工程は、切断された第１積層基板１１および第２積層基板１２の一方を切断されていない第１積層基板１１および第２積層基板１２の他方に積層する。前段工程において第１積層基板１１および第２積層基板１２の一方が切断されるため、後段工程において多層積層基板１０に必要な切断に関する工程が削除され、作業の煩雑さが緩和される。切断されていない第１積層基板１１および第２積層基板１２の他方に切断された第１積層基板１１および第２積層基板１２の一方が積層されるため、第１単位積層基板２１および第２単位積層基板２２を積層する場合に比較して、後段積層工程における第１単位積層基板２１および第２単位積層基板２２の位置管理に要求される精度が緩和される。加えて、次工程を実施するために多層積層基板１０を搬送する場合、第１単位積層基板２１および第２単位積層基板２２に分離されていない状態で搬送できるため、多層積層基板１０を容易に搬送できる。
【００７１】
（５）前段加工工程では、後段工程において第１積層基板１１および第２積層基板１２をブレイクするための予備加工を第１積層基板１１および第２積層基板１２の少なくとも一方に施す。この製造方法では、前段工程において予備加工が施されることによって、後段工程において多層積層基板１０に必要な切断に関する工程が削減され、作業の複雑さが緩和される。
【００７２】
（６）前段加工工程において第１積層基板１１および第２積層基板１２の両方を切断することによって、後段工程において多層積層基板１０に切断に関する工程を施す必要がなくなり、作業の煩雑さが緩和される。
【００７３】
（７）前段積層工程において第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの少なくとも一方が樹脂で被覆されないように第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを形成する。この製造方法では、後段工程において第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの少なくとも一方を切断する必要がない。第１積層基板１１および第２積層基板１２よりも複雑な構成を有する多層積層基板１０に対して必要な加工が少なくなり、作業の煩雑さが緩和される。
【００７４】
（８）前段積層工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａに溝１８，１９を形成し、溝１８が露出するように第１ガラス層１１Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成し、溝１９が露出するように第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成する。例えば第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａに第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの元になるワニスが塗布される場合、溝１８，１９が形成される部分には塗布装置のワニスが接触せず、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａを除いた部分にワニスが塗布される。切断予定部１６Ａ，１７Ａに対応する第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを除去する作業が不要となり、作業の煩雑さが緩和される。なお、第１ガラス層１１Ａに溝１８が形成され、第２ガラス層１２Ａに溝１９が形成されない場合では、切断予定部１６Ａに対応する第１樹脂層１１Ｂを除去する作業が不要となり、多層積層基板１０の加工作業の煩雑さが緩和される。第２ガラス層１２Ａに溝１９が形成され、第１ガラス層１１Ａに溝１８が形成されない場合では、切断予定部１７Ａに対応する第２樹脂層１２Ｂを除去する作業が不要となり、多層積層基板１０の加工作業の煩雑さが緩和される。
【００７５】
（９）前段積層工程において第１ガラス層１１Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成し、第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成し、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの少なくとも一方を除去する。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの少なくとも一方が樹脂で被覆されていない状態を正確に形成できる。
【００７６】
（１０）前段積層工程において第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６ＡにマスクＭＳ１を形成し、第１ガラス層１１Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成し、マスクＭＳ１を除去する。第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７ＡにマスクＭＳ２を形成し、第２ガラス層１２Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成し、マスクＭＳ２を除去する。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａが樹脂で被覆されていない状態を正確に形成できる。なお、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６ＡにマスクＭＳ１が形成され、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７ＡにマスクＭＳ２が形成されない場合では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａが樹脂で被覆されていない状態を正確に形成できる。第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７ＡにマスクＭＳ２が形成され、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６ＡにマスクＭＳ１が形成されない場合では、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａが樹脂で被覆されていない状態を正確に形成できる。
【００７７】
（１１）前段加工工程は、第１積層基板１１から所定サイズの第１単位積層基板２１を切り出す第１切断工程と、第２積層基板１２から所定サイズの第２単位積層基板２２を切り出す第２切断工程とを含む。図２０に示されるように、第１切断工程では、第１単位積層基板２１の第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａが第１樹脂層１１Ｂの切断面２３Ｂに対して外側に位置するように第１ガラス層１１Ａを切断する。第２切断工程では、第２単位積層基板２２の第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａが第２樹脂層１２Ｂの切断面２４Ｂに対して外側に位置するように第２ガラス層１２Ａを切断する。この製造方法では、ガラス層と樹脂層とを剥離するためのレーザが第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａの影響を受けることなく第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに照射される。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに適切にレーザが照射されるため、第１ガラス層１１Ａから剥離される第１樹脂層１１Ｂの品質および第２ガラス層１２Ａから剥離される第２樹脂層１２Ｂの品質が低下しにくい。
【００７８】
（１２）図２０に示されるように、第１切断工程では、第２平面１４Ｂから第１平面１４Ａに向かうにつれて第１ガラス層１１Ａの幅ＷＤ１が狭くなる切断面２３Ａが形成されるように第１ガラス層１１Ａを切断する。第２切断工程では、第２平面１５Ｂから第１平面１５Ａに向かうにつれて第２ガラス層１２Ａの幅ＷＤ２が狭くなる切断面２４Ａが形成されるように第２ガラス層１２Ａを切断する。この製造方法では、傾斜した切断面２３Ａ，２４Ａの形成を意図して第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを切断するため、製造誤差の影響を考慮しても意図した方向とは異なる方向に傾斜した切断面が形成されにくい。
【００７９】
（１３）図２０に示されるように、第１切断工程では、第２平面１４Ｂから第１平面１４Ａに向かうにつれて第１ガラス層１１Ａの幅ＷＤ１が狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるように第１ガラス層１１Ａをスクライブし、スクライブされた第１ガラス層１１Ａをブレイクする。第２切断工程では、第２平面１５Ｂから第１平面１５Ａに向かうにつれて第２ガラス層１２Ａの幅ＷＤ２が狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるように第２ガラス層１２Ａをスクライブし、スクライブされた第２ガラス層１２Ａをブレイクする。この製造方法では、第１樹脂層１１Ｂの切断面２３Ｂに対して外側に位置する第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａを効率的に形成でき、第２樹脂層１２Ｂの切断面２４Ｂに対して外側に位置する第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａを効率的に形成できる。
【００８０】
（１４）第１切断工程および第２切断工程では、図５（ｂ）に示される回転中心面ＲＣに対して非対称な形状の刃先部５２を有するスクライビングホイール５０Ｂを用いて第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブする。この製造方法では、第２平面１４Ｂに対して傾斜する第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａの形状、および第２平面１５Ｂに対して傾斜する第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａの形状が刃先部５２の形状により規定され、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを容易に切断できる。
【００８１】
（１５）レーザリフトオフによって第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを剥離し、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを剥離する剥離工程をさらに含む。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを効率的に剥離でき、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを効率的に剥離できる。
【００８２】
（１６）前段加工工程の予備加工において第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施し、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施す。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂのそれぞれに適した予備加工を選択でき、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂのそれぞれに適した予備加工を選択できる。第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂが適切に予備加工され、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂが適切に予備加工され、切断時の品質が向上する。
【００８３】
（１７）前段加工工程の予備加工において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライビングホイール５０によりスクライブし、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザによりスクライブする。この製造方法では、既存の装置を用いて第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂをそれぞれスクライブできる。
【００８４】
（１８）予備加工が後段積層工程よりも前の前段工程に含まれることによって、第１積層基板１１および第２積層基板１２が積層されていない状態で予備加工される。このため、例えば多層積層基板１０の第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザで予備加工する場合とは異なり、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの予備加工にレーザを用いても、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂにレーザを照射することにともない発生するガスが多層積層基板１０内に滞留することが抑制される。このため、ガスの影響により第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質が低下するおそれが低減される。
【００８５】
（変形例）
上記実施形態は本開示に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または、実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変形例において、実施形態の形態と共通する部分については、実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【００８６】
・上記実施形態において、第１積層基板１１に導電層１３が形成されることに代えて、または第１積層基板１１に導電層１３が形成されることに加えて、第２積層基板１２に導電層１３が形成されてもよい。
【００８７】
・上記実施形態において、前段積層工程の第２の例〜第４の例のいずれかによって第１積層基板１１および第２積層基板１２が製造された場合、前段加工工程における第１切断工程および第２切断工程を省略してもよい。この場合、後段積層工程において所定サイズに切断されていない第１積層基板１１と所定サイズに切断されていない第２積層基板１２とを積層して多層積層基板１０を製造する。図２１は、前段積層工程の第３の例または第４の例によって製造された第１積層基板１１および第２積層基板１２を後段積層工程において積層した多層積層基板１０の一例である。この場合、後段工程は、後段積層工程と剥離工程との間に実施される後段加工工程を有する。後段加工工程では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａを切断することによって単位積層基板２０が製造される。
【００８８】
・上記実施形態の予備加工工程において、第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａに対して施す予備加工の種類は任意に変更可能である。一例では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施してもよいし、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施してもよい。第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂのそれぞれに対して同じ手段の予備加工を施してもよいし、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂのそれぞれに対して同じ手段の予備加工を施してもよい。第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａのそれぞれに対して同じ手段の予備加工を施してもよい。
【００８９】
・上記実施形態の予備加工工程において、第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂのいずれかに予備加工を施してもよいし、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂのいずれかに予備加工を施してもよい。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方に予備加工を施し、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに予備加工を施さない場合、後段工程において次のように第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをブレイクしてもよい。すなわち、前段加工工程の第１切断工程および第２切断工程が省略され、後段積層工程において所定サイズに切断されていない第１積層基板１１と所定サイズに切断されていない第２積層基板１２とを積層して多層積層基板１０を製造する。そして後段加工工程において例えば多層積層基板１０の第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方をレーザで切断する。この場合、レーザによる第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの加工時に発生するガスによってスクライブラインが形成されたガラス層がブレイクされる。ガスは、ブレイクされたガラス層の切断部分から多層積層基板１０の外部に排出される。このため、ガスが第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
【００９０】
・上記実施形態の後段積層工程において第１積層基板１１および第２積層基板１２がそれぞれ所定サイズに切断されていない場合、前段加工工程におけるレーザによる第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断を次のように実施してもよい。レーザによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを連続して切断する場合、第１ガラス層１１Ａ側からレーザを照射して第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの順に切断してもよいし、第２ガラス層１２Ａ側からレーザを照射して第２樹脂層１２Ｂおよび第１樹脂層１１Ｂの順に切断してもよい。
【符号の説明】
【００９１】
１０  ：多層積層基板
１１  ：第１積層基板
１１Ａ：第１ガラス層
１１Ｂ：第１樹脂層
１２  ：第２積層基板
１２Ａ：第２ガラス層
１２Ｂ：第２樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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