(57)【要約】【課題】レーザ誘起ブレークダウン分光法を用いた微量金属検出装置における誤検出を抑制する。【解決手段】データ処理部１９０は、試料２０の塗布前の状態における母材５０に対してレーザ光源１１０からのレーザ光を照射することによって得られるスペクトルデータをバックグラウンドデータとして予め取得する。データ処理装置１９０は、母材５０上に試料２０が固定された試験材５１に対してレーザ光を照射することによって得られるスペクトルデータからバックグラウンドデータを減算することによって、試料２０の発光スペクトルを取得する。【選択図】図１
2020071131.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源と、
前記レーザ光源からのレーザ光を照射することで得られるプラズマによる発光が入力される分光器と、
前記分光器によって得られる、各波長における光強度を示すスペクトルデータが入力されるデータ処理部とを備え、
前記データ処理部は、試料の塗布前の状態における母材に対して前記レーザ光を照射することによって得られる第１のスペクトルデータを予め取得するとともに、前記母材上に前記試料が固定された試験材に対して前記レーザ光を照射することによって得られる第２のスペクトルデータから前記第１のスペクトルデータを減算することによって、前記試料の発光スペクトルを取得する、微量金属検出装置。
【請求項２】
前記データ処理部は、前記第１のスペクトルデータでの予め定められた基準波長における第１の光強度、及び、前記第２のスペクトルデータでの前記基準波長における第２の光強度の比に従う補正係数をさらに算出し、
前記試料の前記発光スペクトルは、前記第１及び第２のスペクトルデータのうちの一方に対して前記分光器の全波長範囲に亘って前記補正係数を乗算する補正演算後、前記第２のスペクトルデータから前記第１のスペクトルデータを減算することによって取得される、請求項１記載の微量金属検出装置。
【請求項３】
前記全波長範囲は複数の波長範囲に分割され、かつ、前記基準波長は、前記複数の波長範囲の各々で予め設定され、
前記補正係数は、前記複数の波長範囲の各々において、前記基準波長における前記第１及び第２の光強度の比に従って別個に算出され、
前記補正演算は、前記複数の波長範囲毎に別個の前記補正係数を用いて実行される、請求項２記載の微量金属検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は微量金属検出装置に関し、より特定的には、レーザ誘起ブレークダウン分光法（ＬＩＢＳ：Laser  Induced  Breakdown  Spectroscopy）を用いた微量金属検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ誘起ブレークダウン分光法の適用により、液体試料中の金属元素（検出対象物質）を検出する含有物質計測装置が、特開２０１６−９５１３９号公報（特許文献１）に記載されている。特許文献１には、シリコン又は金属（銅やニッケル等）で構成された基板上にバインダ層及び液体試料による試料層が形成された試験体プレパラートを作成し、当該試験体プレパラートへのレーザ光の照射によるプラズマ発光を分析して取得された発光スペクトルから、液体試料中の含有物質を特定するとともに、当該物質の濃度が測定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−９５１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１のような微量金属の検出では、測定時の外部環境による影響が誤検出を招く虞がある。例えば、蛍光灯の光が照射位置に入り込むと、発光スペクトルにＨｇ（水銀）のピークが生じることから、Ｈｇが含まれていない試料からＨｇを誤検出することが懸念される。更に、Ｈｇ以外の外乱光、或いは、外乱光以外の外部要因が影響することによっても、微量金属が誤検出される虞がある。
【０００５】
本発明はこのような問題点を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、レーザ誘起ブレークダウン分光法を用いた微量金属検出装置における誤検出を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のある局面では、微量金属検出装置は、レーザ光源と、分光器と、データ処理部とを備える。分光器には、レーザ光源からのレーザ光を照射することによって得られる、プラズマによる発光が入力される。データ処理部には、分光器によって得られる、各波長における光強度を示すスペクトルデータが入力される。データ処理部は、試料の塗布前の状態における母材に対してレーザ光を照射することによって得られる第１のスペクトルデータを予め取得するとともに、母材上に試料が固定された試験材に対してレーザ光を照射することによって得られる第２のスペクトルデータから第１のスペクトルデータを減算することによって、試料の発光スペクトルを取得する。
【０００７】
上記微量金属検出装置によれば、試料が固定された試験材のスペクトルデータ（第２のスペクトルデータ）から母材及び外乱影響が現れるバックグラウンドデータ（第１のスペクトルデータ）を減算することによって、試験材の発光スペクトルを取得することができるので、試料に含まれる金属（例えば、Ｃｕ及びＡｌ）ピーク波長の成分のみを取り出すことにより、外乱影響による誤検出を抑制することが可能である。この結果、レーザ誘起ブレークダウン分光法を用いた微量金属検出装置における誤検出が抑制される。
【０００８】
データ処理部は、第１のスペクトルデータでの予め定められた基準波長における第１の光強度、及び、第２のスペクトルデータでの基準波長における第２の光強度の比に従う補正係数をさらに算出することができる。更に、試料の発光スペクトルは、第１及び第２のスペクトルデータのうちの一方に対して分光器の全波長範囲に亘って補正係数を乗算する補正演算後、第２のスペクトルデータから第１のスペクトルデータを減算することによって取得することができる。
【０００９】
このようにすると、予め定められた基準波長でのバックグラウンドデータ（第１のスペクトルデータ）及び試料が固定された試験材のスペクトルデータ（第２のスペクトルデータ）の光強度の比を用いた補正処理後に、上記と同様の減算処理によって試料の発光スペクトルを取得することができる。この結果、プラズマ発光強度のばらつきに起因した誤検出の可能性をさらに抑制することが可能となる。
【００１０】
基準波長は、分光器の全波長範囲が分割された複数の波長範囲の各々において予め設定されてもよい。更に、補正係数は、複数の波長範囲の各々において、基準波長における第１及び第２の光強度の比に従って別個に算出されるとともに、補正演算は、複数の波長範囲毎に別個の補正係数を用いて実行することができる。
【００１１】
このようにすると、分光器の波長帯域が広い場合にも、プラズマ発光強度のばらつきに起因する誤検出を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、レーザ誘起ブレークダウン分光法を用いた微量金属検出装置における誤検出を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施の形態に係る微量金属検出装置の構成を説明するブロック図である。
【図２】実施の形態１に係る微量金属検出装置におけるスペクトルデータに対する演算処理を説明するためのフローチャートである。
【図３】ブランク状態の母材のスペクトルデータの一例を示すグラフである。
【図４】試料を想定したサンプル液が固定された試験材のスペクトルデータの一例を示すグラフである。
【図５】減算処理によって得られるスペクトルデータの一例を示すグラフである。
【図６】実施の形態２に係る微量金属検出装置におけるスペクトルデータに対する演算処理を説明するためのフローチャートである。
【図７】補正処理によって得られるスペクトルデータの一例を示すグラフである。
【図８】実施の形態２に係る微量金属検出装置におけるスペクトルデータに対するデータ処理の変形例を説明するためのフローチャートである。
【図９】実施の形態２に係る微量金属検出装置における補正係数の設定の変形例を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお以下では、図中の同一または相当部分に同一符号を付して、その説明は原則的に繰返さないものとする。
【００１５】
［実施の形態１］
図１は、本実施の形態に係る微量金属検出装置の構成を説明するブロック図である。
【００１６】
図１を参照して、本実施の形態に係る微量金属検出装置１００は、検査対象となる液体の試料２０中の微量金属を検出する。例えば、試料２０は、半導体製造工程の洗浄装置１０で用いられる半導体ウェハの洗浄液である。
【００１７】
半導体製造工程は、半導体ウェハ上にデバイス（トランジスタ、キャパシタ、及び、抵抗等）をパターンとして形成するまでの基板工程（ＦＥＯＬ：Front End Of the Line）と、その後の多層配線を形成する配線工程（ＢＥＯＬ：Back End Of the Line）とに大別される。半導体デバイスは、様々な工程を経て製造されるが、それぞれの工程でパーティクル、種々の金属を含む無機物等の汚染物質が生じる。このような汚染物質が、半導体デバイスに残存或いは付着すると、電気的特性の劣化等が生じ、その品質に大きな影響を与えるという問題が生じる。洗浄装置１０による汚染物質除去は、半導体製造工程において必要不可欠であり、半導体デバイスの構造が微細になるに従って、洗浄も高度な技術が要求されるようになっている。
【００１８】
一般的に、半導体製造工程の洗浄工程では、半導体ウェハを液体で洗浄する、いわゆるウェット洗浄が広く用いられている。洗浄液としては、例えば、アンモニア、過酸化水素水及び純水の混合液や、塩酸、過酸化水素水、及び、純水の混合液が、主に金属汚染を除去するために使用される。洗浄工程で用いられる洗浄装置１０において、洗浄液は循環して繰り返し使用されるが、半導体ウェアを洗浄する毎に微量な金属が洗浄液に混入する。配線工程での洗浄では、一例として、配線材料であるＣｕ（銅）が洗浄液に混入する。同じ洗浄液を繰り返して循環使用すると、洗浄液中のＣｕ濃度が徐々に増加して、洗浄液はＣｕで汚染された状態となる。汚染が進むにつれて、即ち、Ｃｕ濃度（金属濃度）の上昇に従って、当該洗浄液の洗浄能力も低下していく。
【００１９】
一方で、半導体製造ラインでは使用される洗浄液は、莫大な量であるので、洗浄液を頻繁に交換すると、製造コストのアップに繋がり、環境負荷の面からも洗浄液を廃棄することは望ましくない。このため、半導体を製造する洗浄装置１０のユーザとしては、最終製品であるデバイスの品質を維持できる範囲内で、洗浄液は可能な限り長く繰り返して使用したい要望がある。このため、洗浄液中の微量金属をリアルタイムに把握するニーズが存在する。
【００２０】
図１を参照して、本実施の形態に係る微量金属検出装置１００は、ヒータ６０と、レーザ光源１１０と、制御回路１２０と、分光器１３０と、レンズ１４０、集光器１５０と、ファイバ１６０と、データ処理装置１９０とを備える。微量金属検出装置１００は、レーザ誘起ブレークダウン分光法（ＬＩＢＳ）によって、試料２０中の微量金属を検出する。あるいは、集光器１５０の配置は省略されてもよい。
【００２１】
洗浄装置１０から一定量の洗浄液が試料２０として採取されて、母材５０上に滴下される。本実施の形態では、母材５０には、例えば、シリコン（Ｓｉ）で作製されたチップが用いられる。ヒータ６０は、試料２０が滴下された母材５０を加熱することによって、試料２０の蒸発乾固処理を実行する。当該蒸発乾固処理は、例えば、特許文献１と同様に行うことが可能である。これにより、母材５０上に試料２０が固定された試験材５１が得られる。
【００２２】
尚、洗浄液からの試料２０の採取については、適宜、人の作業によって行うことができる。或いは、図１に示すように、洗浄装置１０の稼働中に、洗浄液の一部が微量金属検出装置１００へ導入された後、再び洗浄装置１０へ戻される洗浄剤経路２５を設けることで、洗浄液からの試料２０を自動的に採取することも可能である。
【００２３】
レーザ光源１１０から出力されたレーザは、レンズ１４０によって集光されて、試験材５１の試料２０に照射される。これにより、試験材５１の表面に初期プラズマが発生する。レーザ光源１１０からのレーザ出力の強度及び方向等は、制御回路１２０に入力される制御パラメータによって調整することが可能である。
【００２４】
レーザが照射された個所では、試料２０中に含まれる原子が励起されるとともに、初期プラズマにレーザ光が吸収されてプラズマが成長する。成長したプラズマの発光は、集光器１５０及びファイバ１６０を通して、分光器１３０へ入力される。或いは、集光器１５０の配置が省略された構成では、プラズマの発光は、ファイバ１６０のみを通して分光器１３０へ入力される。分光器１３０からはスペクトルが出力される。分光器１３０で得られたスペクトルにより、各波長での光強度を示すデータ（以下、「スペクトルデータ」とも称する）が得られる。金属成分に依存して、スペクトル中のピーク波長は異なる。例えば、Ｃｕ（銅）は、３２４．７（ｎｍ）にピークが現れる。従って、スペクトル中に現れたピーク波長から、試料２０中に含まれる金属元素を特定することができる。
【００２５】
更に、金属に対するスペクトル中のピーク波長の光強度について、濃度に関する検量線を予め取得しておくことにより、得られたスペクトルデータでの波長毎の光強度から、試料２０中に含まれる金属の種別及びその濃度を検知することが可能となる。
【００２６】
データ処理装置１９０は、分光器１３０から出力されたスペクトルデータに対する演算処理によって、試料２０の発光スペクトルを求める。データ処理装置１９０は、図示しない、Ｉ／Ｏポート、Ａ／Ｄ変換器、Ｄ／Ａ変換器、メモリ、及び、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）を有する、パーソナルコンピュータ、又は、マイクロコンピュータ等によって構成することができる。データ処理装置１９０は、データ及び／又は情報を視覚的に表示するための表示部１９５を含む。表示部１９５は、代表的には、液晶等のディスプレイ画面によって構成することが可能である。
【００２７】
データ処理装置１９０によれば、求められた発光スペクトル中のピーク波長から、試料２０中の特定金属の有無を判定するとともに、上記検量線を予めメモリ（図示せず）記憶しておくことにより、ピーク波長での光強度から検出された金属の濃度を算出することが可能である。
【００２８】
しかしながら、上述のように、蛍光灯等が照射位置に入り込む等によって、分光器１３０に対して試料２０に含まれていない金属成分（例えば，Ｈｇ）を誤検出する虞がある。又、特定成分以外の外乱光の照射によって、測定データのバックグラウンド成分が上昇することにより、Ｓ／Ｎ比が悪化することも懸念される。従って、実施の形態１に係る微量金属検出装置では、データ処理装置１９０によって、上記のような誤検出を抑制するためのスペクトルデータに対する演算処理が実行される。
【００２９】
図２は、実施の形態１に係る微量金属検出装置におけるスペクトルデータに対する演算処理を説明するためのフローチャートである。
【００３０】
図２を参照して、データ処理装置１９０は、ステップ（以下、単に「Ｓ」とも表記する）１００により、母材５０の発光スペクトルを示すスペクトルデータＤ１を取得する。即ち、Ｓ１１０では、試料２０の付着前の状態（ブランク状態）の母材５０に対してレーザ光源１１０からのレーザを照射することによって得られたスペクトルが、データ処理装置１９０へ入力される。
【００３１】
更に、データ処理装置１９０は、Ｓ１２０により、試料２０が蒸発乾固処理された試験材５１の発光スペクトルを示すスペクトルデータＤ２を取得する。即ち、Ｓ１２０では、試料２０が固定された試験材５１に対してレーザ光源１１０からのレーザを照射することによって得られたスペクトルが、データ処理装置１９０へ入力される。
【００３２】
データ処理装置１９０は、Ｓ１３０により、Ｓ１２０で取得したスペクトルデータＤ２から、Ｓ１１０で取得したスペクトルデータＤ１（バックグランウドデータ）を減算することによって、試料２０の発光スペクトルを取得する。
【００３３】
図３には、ブランク状態の母材５０のスペクトルデータの一例を示すグラフである。図３の縦軸には、各波長における光強度が任意単位（Ａ．Ｕ．：Arbitrary Unit）で示される。
【００３４】
図３を参照して、Ｓ１１０で取得される母材５０のスペクトルデータＤ１では、Ｓｉの波長成分である３９０．６（ｎｍ）に加えて、図中に丸印で囲んだ３８５（ｎｍ）付近にもピークが発生している。
【００３５】
図４は、試料２０を想定したサンプル液を固定した試験材５１のスペクトルデータの一例を示すグラフである。サンプル液中には、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、及び、その他の金属元素が混合されている。図４には、実線で表記された試験材５１のスペクトルデータＤ２とともに、図３の母材５０のスペクトルデータＤ１（バックグラウンドデータ）が点線で表記される。即ち、図４の縦軸にも、図３と同様に、各波長での光強度が任意単位（Ａ．Ｕ．）によって示される。
【００３６】
図４を参照して、試験材５１のスペクトルデータＤ２（実線）には、スペクトルデータＤ１（点線）と同様の波長でのピークに加えて、Ｃｕ（銅）を示す波長３２４．７（ｎｍ）、及び、Ａｌ（アルミニウム）を示す波長３９６．１（ｎｍ）にピークが現れる。
【００３７】
スペクトルデータＤ１及びＤ２の両方において、波長３８５（ｎｍ）付近で、母材５０及び試料２０（サンプル液）の成分によらない、外部影響（外乱光）によるピークが発生している。従って、仮に、試験材５１のスペクトルデータＤ２のみを用いると、試料２０中に、Ｃｕ（銅）及び、Ａｌ（アルミニウム）の他に、波長３８５（ｎｍ）付近に、図３及び図４中において点線で囲んだピークを有する金属を誤検出することが懸念される。
【００３８】
図５は、Ｓ１３０（図２）の減算処理によって得られるスペクトルデータの一例を示すグラフである。
【００３９】
図５を参照して、Ｓ１３０（図２）では、スペクトルデータＤ２からバックグラウンドデータであるスペクトルデータＤ１を減算することによって、即ち、各波長での光強度の減算処理（Ｄ２−Ｄ１）によって、最終的な発光スペクトルが取得される。減算後のスペクトルデータでは、バックグラウンドデータ（図３）に発生していた、母材５０の材質に起因する波長３９０．６（ｎｍ）のピーク、及び、外部影響（外乱光）による波長３８５（ｎｍ）付近のピークが消失している一方で、Ｃｕ及びＡｌによるピークを確認することができる。図５に示された発光スペクトルは、例えば、表示部１９５に表示される。表示部１９５には、発光スペクトルの波形に加えて、検出された金属元素名及びその濃度を示す情報を更に表示することが可能である。
【００４０】
この結果、実施の形態１に係る微量金属検出装置によれば、試料２０に含まれる金属（例えば、Ｃｕ及びＡｌ）ピーク波長の成分のみを取り出すことが可能であり、閾値との比較による当該金属の検出が容易となる。この結果、レーザ誘起ブレークダウン分光法を用いた微量金属検出装置における誤検出を抑制することが可能となる。
【００４１】
［実施の形態２］
実施の形態１では、外乱光に代表される外乱影響が発光スペクトルに混入することに対する誤検出の抑制を説明した。しかしながら、レーザ誘起ブレークダウン分光法を用いた微量金属検出装置では、外乱影響のみならず、プラズマ発光強度のばらつきに起因して、スペクトルデータの定量値に誤差が生じることも懸念される。例えば、同一の制御パラメータ下でのレーザ光源１１０からのレーザ出力変動、或いは、母材５０であるＳｉチップの表面性状の違い等によって、プラズマ発光強度のばらつきが生じる虞がある。実施の形態２では、プラズマ発光強度のばらつきに起因する誤検出の抑制をさらに図ることができる。
【００４２】
図６は、実施の形態２に係る微量金属検出装置におけるスペクトルデータに対する演算処理を説明するためのフローチャートである。
【００４３】
図６を参照して、データ処理装置１９０は、図２と同様のＳ１１０及びＳ１２０により、ブランク状態の母材５０の発光を示すスペクトルデータＤ１、及び、試料２０が固定された試験材５１の発光スペクトルを示すスペクトルデータＤ２を取得する。
【００４４】
更に、データ処理装置１９０は、Ｓ１２２により、予め定められた基準波長λｒにおける、スペクトルデータＤ１及びＤ２の光強度の比から補正係数ｋを算出する。例えば、補正係数ｋは、スペクトルデータＤ１の光強度に対するスペクトルデータＤ２の光強度の比として、下記の式（１）に従って算出することができる。
【００４５】
ｋ＝ＡＵ２（λｒ）／ＡＵ１（λｒ）    …（１）
式（１）中において、ＡＵ１（λｒ）は、スペクトルデータＤ１の基準波長λｒにおける光強度を示し、ＡＵ２（λｒ）は、スペクトルデータＤ２の基準波長λｒにおける光強度を示す。基準波長λｒは、例えば、母材５０の材質に対応させて、即ち、Ｓｉのピーク波長である３９０．６（ｎｍ）に予め定められる。
【００４６】
データ処理装置１９０は、Ｓ１２４により、補正係数ｋ（Ｓ１２２）を用いた補正処理を行う。具体的には、スペクトルデータＤ１（Ｓ１１０）の各波長での光強度に対して補正係数ｋを乗算することによって、補正処理が実行される。
【００４７】
データ処理装置１９０は、Ｓ１３０により、スペクトルデータＤ２から補正処理後のスペクトルデータＤ１（バックグランウドデータ）を減算することによって、試料２０の発光スペクトルを取得する。即ち、実施の形態２では、試料２０の発光スペクトルは、補正処理後のスペクトルデータＤ１を用いた減算処理によって取得される。
【００４８】
図７は、補正処理によって得られるスペクトルデータの一例を示すグラフである。
図７では、図４と同様のスペクトルデータＤ２から、図３における各波長での光強度に補正係数ｋを乗算した補正処理後のスペクトルデータＤ１を減算することによって、最終的な発光スペクトルが取得される。
【００４９】
図７中で丸印で囲んだ波長３８５（ｎｍ）付近において、図５では僅かにピークが見られる一方で、補正処理を行う図７では、ピークが消失していることが確認される。この結果、プラズマ発光強度のばらつきによって生じたピークに起因した誤検出の可能性を抑制できることが理解される。
【００５０】
図８には、実施の形態２に係るスペクトルデータに対するデータ処理の変形例を説明するためのフローチャートが示される。
【００５１】
図８を図６と比較して、データ処理装置１９０は、Ｓ１２２において、補正係数ｋを、スペクトルデータＤ２の光強度に対するスペクトルデータＤ１の光強度の比として、具体的には、下記の式（２）に従って算出することも可能である。
【００５２】
ｋ＝ＡＵ１（λｒ）／ＡＵ２（λｒ）    …（２）
この場合には、データ処理装置１９０は、Ｓ１２４では、Ｓ１２０で得られたスペクトルデータＤ２の各波長での光強度に補正係数ｋ（Ｓ１２２）を乗算することによって、補正処理を実行する。
【００５３】
更に、データ処理装置１９０は、Ｓ１３０では、スペクトルデータＤ１（バックグランウドデータ）から補正処理後のスペクトルデータＤ２を減算することによって、試料２０の発光スペクトルを取得する。即ち、実施の形態２では、試料２０の発光スペクトルは、補正処理後のスペクトルデータＤ２を用いた減算処理によって取得することも可能である。或いは、基準波長λｒにおけるスペクトルデータＤ１及びＤ２の光強度の比に従う限り、スペクトルデータＤ１及びＤ２の両方に補正処理を実行することも可能である。
【００５４】
このように、実施の形態２に係る微量金属検出装置によれば、予め定められた基準波長λｒでのスペクトルデータＤ１及びＤ２の光強度の比を用いた補正処理後に、実施の形態１と同様の減算処理によって試料の発光スペクトルを取得することができる。この結果、プラズマ発光強度のばらつきに起因した誤検出の可能性をさらに抑制できる。
【００５５】
図９には、実施の形態２に係る微量金属検出装置における補正係数の設定の変形例を説明するための概念図が示される。
【００５６】
図９（ａ）では、図６〜図８で説明したように、分光器１３０によって得られるスペクトルの全波長範囲λｍｉｎ〜λｍａｘに対して、例えば母材５０の材質に対応する、単一の基準波長λｒが設定される。この場合には、波長範囲毎に光強度のレベルが異なる場合に補正処理の有効度が低下することが懸念される。
【００５７】
例えば、図２及び図３に示されたスペクトルデータでは、３２０〜３８０（ｎｍ）の波長範囲と、３８０〜４１０（ｎｍ）の波長範囲とを比較すると、３８０〜４１０（ｎｍ）の波長範囲の光強度が全体的に高くなっている。即ち、波長範囲毎に光強度のレベルに差が存在している。例えば、全波長範囲λｍｉｎ〜λｍａｘが広くなる分光器１３０を用いる場合には、検出可能な金属の種類が多くなる一方で、このような波長範囲に依存した光強度のレベル差の発生が懸念される。
【００５８】
図９（ｂ）には、スペクトルの全波長範囲λｍｉｎ〜λｍａｘを複数の波長範囲に分割して、波長範囲毎に基準波長が設定される変形例が示される。図９（ｂ）の例では、全波長範囲λｍｉｎ〜λｍａｘは４個の波長範囲ＡＲ１〜ＡＲ４に分割され、波長範囲ＡＲ１〜ＡＲ４毎に別個の基準波長λｒ１〜λｒ４が予め設定される。
【００５９】
図９（ｂ）に従って複数の波長範囲及び基準波長が設定される場合には、図６及び図８のＳ１２０では、波長範囲毎に補正係数ｋが算出され、Ｓ１２４では、波長範囲毎に、個別の補正係数を用いて、スペクトルデータＤ１及びＤ２の少なくとも一方の補正処理が実行される。
【００６０】
このようにすると、分光器１３０の波長帯域が広い場合にも、プラズマ発光強度のばらつきに起因する誤検出を抑制することができる。
【００６１】
尚、本実施の形態において、スペクトルデータを得るための図１の構成は例示に過ぎず、任意の構成によって取得された、ブランク状態の母材のスペクトルデータ及び試料固定後後の試験材のスペクトルデータに対して、実施の形態１又は２を適用して、誤検出を抑制した試料の発光スペクトルを得ることが可能である。
【００６２】
又、本実施の形態では、半導体製造工程で用いられる半導体チップの洗浄液を試料とする例を説明したが、微量金属の検出対象となる試料は任意である。即ち、任意の液体又は固体の試料を対象として、実施の形態１又は２に係る微量金属検出装置により、ブランク状態の母材のスペクトルデータ及び試験材のスペクトルデータを用いて、ＬＩＢＳによる発光スペクトルを取得することが可能である。
【００６３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６４】
１０  洗浄装置、２０  試料、５０  母材、５１  試験材、６０  ヒータ、１００  微量金属検出装置、１１０  レーザ光源、１２０  制御回路、１３０  分光器、１４０  レンズ、１５０  集光器、１６０  ファイバ、１９０  データ処理装置、１９５  表示部、ＡＲ１〜ＡＲ４  波長範囲、Ｄ１  スペクトルデータ（ブランク状態）、Ｄ２  スペクトルデータ（試料固定後）、ｋ  補正係数。
【図１】
2020071131.tif 000003
【図２】
2020071131.tif 000004
【図３】
2020071131.tif 000005
【図４】
2020071131.tif 000006
【図５】
2020071131.tif 000007
【図６】
2020071131.tif 000008
【図７】
2020071131.tif 000009
【図８】
2020071131.tif 000010
【図９】
2020071131.tif 000011