(57)【要約】【課題】周囲の温度変化による測定精度の低下を抑制することができる走査装置を提供する。【解決手段】走査装置１が、ベース部１２と、ベース部１２に対して所定の回動軸１３ａまわりに回動可能に支持される可動板１３と、可動板１３の表面に形成されて入射光を反射する反射部１４と、可動板１４の裏面に配置される磁石１５と、磁石１５に磁力を作用させて可動板１３を回動させる磁気回路１６と、を備え、反射部１４は、可動板１３の表面のうちの磁石１５と対向しない第１領域１３１に形成されることを特徴とする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース部と、
前記ベース部に対して所定の回動軸まわりに回動可能に支持される可動板と、
前記可動板の表面に形成されて入射光を反射する反射部と、
前記可動板の裏面に配置される磁石と、
前記磁石に磁力を作用させて前記可動板を回動させる磁気回路と、
を備え、
前記反射部は、前記表面のうちの前記磁石と対向しない第１領域に形成されることを特徴とする走査装置。
【請求項２】
前記反射部は、前記表面のうちの前記磁石と対向する第２領域を囲んで形成されることを特徴とする請求項１に記載の走査装置。
【請求項３】
前記表面のうちの前記磁石と対向する第２領域を覆うように形成され、前記入射光の反射を抑制する反射抑制部を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の走査装置。
【請求項４】
前記表面のうちの前記磁石と対向する第２領域を覆うように形成され、前記入射光を吸収する光吸収部を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の走査装置。
【請求項５】
前記入射光としてレーザ光を前記反射部に照射する照射部と、
前記反射部を介して被測定物に照射されて当該被測定物で反射された前記レーザ光を、前記反射部を介して受光するセンサと、
を備えることを特徴とする請求項１〜４のうち何れか一項に記載の走査装置。
【請求項６】
前記入射光が、前記反射部における前記第２領域を避けて前記第１領域へと照射されることを特徴とする請求項１〜５のうち何れか一項に記載の走査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に入射光を反射する反射部が形成された可動板を回動させることで被測定物を走査する走査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表面に入射光を反射する反射部が形成された可動板を回動させることで被測定物を走査する走査装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１に記載の走査装置では、可動板における裏面に磁石を配置し、可動板から離間して設置された磁気回路で磁石に磁力を作用させて可動板を回動させるいわゆるムービングマグネット方式が採用されている。
【０００３】
ムービングマグネット方式では、ヨークに巻かれたコイルの巻線数やコイルに流される電流を適宜に調整することが可能である。このため、ムービングマグネット方式によれば、可動板にコイルを配置し、可動板から離間して磁石を設置するムービングコイル方式に比べて、容易に大きな駆動力を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２１６９９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、上述したようなムービングマグネット方式では、シリコン等で形成される可動板と磁石とで熱膨張率が異なるため、周囲の温度変化により、可動板において磁石が配置された部分に歪が生じる場合がある。可動板にこのような歪が生じると、そのような歪の部分において光の反射方向が変化してしまい、走査装置における測定精度が低下する恐れがある。
【０００６】
したがって、本発明の課題は、周囲の温度変化による測定精度の低下を抑制することができる走査装置を提供すること等が一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述した課題を解決し目的を達成するために、本発明の走査装置は、ベース部と、前記ベース部に対して所定の回動軸まわりに回動可能に支持される可動板と、前記可動板の表面に形成されて入射光を反射する反射部と、前記可動板の裏面に配置される磁石と、前記磁石に磁力を作用させて前記可動板を回動させる磁気回路と、を備え、前記反射部は、前記表面のうちの前記磁石と対向しない第１領域に形成されることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施例における走査装置を示す模式図である。
【図２】図１に示されている照射部を示す模式図である。
【図３】被測定物からの戻り光が反射部及び集光部を介してラインセンサとしてのセンサで受光、検出される様子を示す模式図である。
【図４】図１に示されている走査装置の内部構造を矢印Ｖ１１方向から見た模式的な透視図である。
【図５】図１に示されている走査装置の内部構造を矢印Ｖ１２方向から見た模式的な透視図である。
【図６】図１、図４、及び図５に示されている走査装置における可動板、及び、可動板を回動させるための周辺構造を示す図である。
【図７】周囲の温度変化により、可動板において磁石が配置された部分に歪が生じる様子を示す模式図である。
【図８】反射部が全面形成された可動板に歪が生じたときに、そのような歪の部分において光の反射方向が変化してしまい、走査装置における測定精度が低下する様子を示す模式図である。
【図９】第２実施例における可動板の第２領域の取扱いを示す模式図である。
【図１０】第３実施例における可動板の第２領域の取扱いを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を説明する。本発明の実施形態に係る走査装置は、ベース部と、可動板と、反射部と、磁石と、磁気回路と、を備えている。可動板は、ベース部に対して所定の回動軸まわりに回動可能に支持される。反射部は、可動板の表面に形成されて入射光を反射する。磁石は、可動板の裏面に配置される。磁気回路は、磁石に磁力を作用させて可動板を回動させる。そして、反射部は、可動板の表面のうちの磁石と対向しない第１領域に形成される。
【００１０】
本実施形態の走査装置では、可動板と磁石との熱膨張率の差異により周囲の温度変化に応じて可動板に生じる歪は、反射部が形成される可動板の表面においては磁石と対向する領域に生じる。このとき、本実施形態によれば、可動板の表面のうちの磁石と対向しない第１領域に反射部が形成されることから、この反射部での反射方向は上記のような歪の影響をほとんど受けない。このため、本実施形態によれば、周囲の温度変化による測定精度の低下を抑制することができる。
【００１１】
ここで、本実施形態では、反射部は、可動板の表面のうちの磁石と対向する第２領域を囲んで形成される。
【００１２】
本実施形態によれば、反射部が第２領域を囲んで広く形成されるので、反射光の光量を多くすることができ、測定精度の低下を一層抑制することができる。
【００１３】
また、本実施形態の走査装置は、表面のうちの磁石と対向する第２領域を覆うように形成され、入射光の反射を抑制する反射抑制部を備えてもよい。
【００１４】
上記の反射抑制部を設けることで、周囲の温度変化に応じて歪が生じる場合がある第２領域での反射が一層抑制されるので、測定精度の低下を一層抑制することができる。
【００１５】
また、本実施形態の走査装置は、表面のうちの磁石と対向する第２領域を覆うように形成され、入射光を吸収する光吸収部を備えてもよい。
【００１６】
上記の光吸収部を設けることによっても、上記の第２領域での反射が一層抑制されるので、測定精度の低下を一層抑制することができる。
【００１７】
また、本実施形態の走査装置は、照射部と、センサと、を備えている。照射部は、入射光としてレーザ光を反射部に照射する。センサは、反射部を介して被測定物に照射されて当該被測定物で反射されたレーザ光を、反射部を介して受光する。
【００１８】
本実施形態によれば、レーザ光を走査に利用することで、高い精度で走査を行うことができる。
【００１９】
また、本実施形態では、入射光が、反射部における第２領域を避けて第１領域へと照射される。
【００２０】
本実施形態によれば、反射部が設けられない第２領域を避けて入射光が照射されるので、入射光が洩れなく反射されて走査に用いられることとなることから高効率で走査を行うことができる。
【実施例】
【００２１】
以下、周囲の温度変化による測定精度の低下を抑制するという課題を解決するための実施例について図を参照して具体的に説明する。まず、第１実施例について説明する。
【００２２】
図１は、第１実施例における走査装置を示す模式図である。
【００２３】
図１に示されている走査装置１は、筐体１１、ベース部１２、可動板１３、反射部１４、磁石１５、磁気回路１６、照射部１７、集光部１８、及びセンサ１９、を備えている。まず、この走査装置１は、照射部１７としてラインレーザが採用され、センサ１９としてラインセンサが採用された走査装置となっている。
【００２４】
図２は、図１に示されている照射部を示す模式図である。
照射部１７は、内蔵の半導体レーザ素子からのレーザ光を、光出射口１７ａに設けられたレンズ素子で図中の上下方向Ｄ１１に直線状に拡散させて、ラインレーザ光Ｌ１１を出射するレーザ光源となっている。
【００２５】
図１に示されている走査装置１では、このような照射部１７から照射されたラインレーザ光Ｌ１１が、可動板１３の反射部１４を介して、筐体１１の窓１１１から走査対象領域に存在する被測定物に照射される。そして、被測定物で反射されて窓１１１から筐体１１の内部に戻ってきた戻り光Ｌ１２が、反射部１４及び集光部１８を介してラインセンサとしてのセンサ１９で受光、検出される。
【００２６】
図３は、被測定物からの戻り光が反射部及び集光部を介してラインセンサとしてのセンサで受光、検出される様子を示す模式図である。なお図３においては、簡単のため、実際は可動板１３の反射部１４で反射される光の光路を、反射部１４を透過する光路に置き換えて表現している。
【００２７】
センサ１９は、所定波長の光を検出する受光素子１９１が、ラインレーザ光Ｌ１１の拡散の方向と同じ上下方向Ｄ１１に一列又は複数列に配置されたセンサである。センサ１９を構成する複数の受光素子１９１は、上下方向Ｄ１１の面内における複数の入射角度に対応している。そして、各受光素子１９１では、被測定物で反射され、更に、ベース１２に支持された可動板１３の反射部１４で反射された戻り光Ｌ１２のうち、各受光素子１９１に対応する入射角度の光が集光部１８で集光されて受光される。図３には、３つの入射角度θ１１，θ１２，θ１３の光Ｌ１２１，Ｌ１２２，Ｌ１２３が、それぞれ対応する受光素子１９１へと集光されて受光、検出される様子が示されている。
【００２８】
図４は、図１に示されている走査装置の内部構造を矢印Ｖ１１方向から見た模式的な透視図であり、図５は、図１に示されている走査装置の内部構造を矢印Ｖ１２方向から見た模式的な透視図である。
【００２９】
走査装置１では、まず、照射部１７におけるラインレーザ光Ｌ１１の出射時点から、センサ１９を構成する複数の受光素子１９１それぞれにおいて集光部１８で集光された戻り光Ｌ１２が検出されるまでの時間が計時される。そして、不図示の制御部において、各受光素子１９１についての計時結果に応じて、被測定物における各戻り光Ｌ１２の反射ポイントまでの距離が算出される。この算出結果から、受光素子１９１の配置方向である上下方向Ｄ１１について被測定物の形状が取得される。
【００３０】
更に、走査装置１では、ラインレーザ光Ｌ１１及び戻り光Ｌ１２を反射する反射部１４が表面に形成された可動板１３が、上下方向Ｄ１１に延在する回動軸１３ａ回りの回動方向Ｄ１２に磁気回路１６によって回動される。これにより、ラインレーザ光Ｌ１１の照射方向が、上下方向Ｄ１１と交差する水平走査方向Ｄ１３に変化することとなる。このようにラインレーザ光Ｌ１１の照射方向を変化させながら上記のような被測定物の上下方向Ｄ１１の形状取得を行うことで、被測定物の三次元形状が求められる。
【００３１】
このように、走査装置１は、可動板１３の回動によりラインレーザ光Ｌ１１の照射方向を変えて走査対象領域に存在する被測定物を３Ｄ−スキャンする走査装置となっている。この走査装置１の利用形態としては、例えば車両に搭載されて走行中の周辺状況を検出するＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging）への利用等といった形態が一例として挙げられる。
【００３２】
図６は、図１、図４、及び図５に示されている走査装置における可動板、及び、可動板を回動させるための周辺構造を示す図である。
【００３３】
走査装置１では、可動板１３に磁石１５を配置し、この可動板１３から離間して設置された磁気回路１６で磁石１５に磁力を作用させて可動板１３を回動させるムービングマグネット方式が採用されている。
【００３４】
可動板１３は、四角枠状のベース部１２に対し、回動軸１３ａまわりに回動可能に支持されている。本実施例では、可動板１３が楕円板形状に形成され、その長軸が回動軸１３ａと略一致するようにベース部１２に支持されている。この支持は、可動板１３から、その長軸に沿って直線状にベース部１２の内縁まで延出した一対の連結部１３ｂによって成されている。ベース部１２、可動板１３、及び両者を繋ぐ一対の連結部１３ｂはシリコンで一体成形されており、一対の連結部１３ｂがトーションバネとして機能するように構成されている。
【００３５】
この可動板１３の表面には、照射部１７からのラインレーザ光Ｌ１１や走査対象領域からの戻り光Ｌ１２を反射する反射部１４が、金の高反射膜として形成されている。ここで、金が反射部１４の形成材料として採用されているのは、車両用のＬｉＤＡＲにおいて走査光として用いられることが多い近赤外線に対する反射率が高いためである。反射部１４の形成材料としては、金の他にも、アルミニウム、銀、プラチナ、クロム等が採用し得る。また、反射部１４の形成手法としては、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等が挙げられる。
【００３６】
可動板１３の裏面には、この可動板１３を回動させるための磁石１５が配置されている。この磁石１５は永久磁石であり、可動板１３の裏面に接着剤等によって貼付されている。そして、この可動板１３の裏面側に、磁石１５に磁力を作用させて可動板１３を回動させる磁気回路１６が可動板１３から離間して設置されている。磁気回路１６は、略Ｃ字型のヨーク１６１と、このヨーク１６１に巻き回されたコイル１６２と、を備えている。ヨーク１６１における一対の腕部１６１ａの端部間隙１６１ｂが、磁石１５の近傍に位置するように磁気回路１６は設置される。コイル１６２に交流電流が流されることで、ヨーク１６１の端部間隙１６１ｂに交番磁界が発生し、この交番磁界を磁石１５が受けることで、可動板１３が回動軸１３ａ回りの回動方向Ｄ１２に回動する。
【００３７】
ここで、本実施例では、反射部１４が、可動板１３の表面のうちの磁石１５と対向しない第１領域１３１に形成されている。尚、ここにいう磁石１５と対向とは、可動板１３の表面から裏面の磁石１５を透視するように見たときの平面視において、可動板１３の表面のうちで磁石１５と重なるという意味である。上記の第１領域１３１は、この平面視において、磁石１５を避けた領域となっている。
【００３８】
また、本実施例では、図６に示されているように、反射部１４は、可動板１３の表面のうちの磁石１５と対向する第２領域１３２を囲んでリング状に形成されている。第２領域１３２は、上記の平面視において、磁石１５と重なる矩形部分を含む楕円領域となっている。
【００３９】
尚、反射部１４が第２領域１３２を囲んで形成されるということは、本実施例のようにリング状の形成に限るものではない。反射部１４は、第２領域１３２を囲んでいれば、周方向に一部が途切れた状態で、第２領域１３２を断続的に囲んで形成されるもの等であってもよい。あるいは、反射部１４は、第１領域１３１に形成されるのであれば、この第１領域１３１の一部に局在形成されるもの等であってもよい。
【００４０】
このように反射部１４が、第２領域１３２を囲んで第１領域１３１に形成されることにより、以下に説明する効果を得ることができる。
【００４１】
まず、本実施例のようにシリコン製の可動板１３に磁石１５が貼付された構造では、可動板１３と磁石１５とで熱膨張率が異なるため、周囲の温度変化により、可動板１３において磁石１５が配置された部分に歪が生じる場合がある。
【００４２】
図７は、周囲の温度変化により、可動板において磁石が配置された部分に歪が生じる様子を示す模式図である。
【００４３】
図７には、低温時、室温時、及び高温時、の３つのときの可動板１３の様子が側面図で示されている。この図７の例では、シリコン製の可動板１３の磁石１５よりも大きな熱膨張率により、低温時には可動板１３において磁石１５よりも大きな熱収縮が生じて表面側に凹状の歪みが生じている。また、高温時には可動板１３において磁石１５よりも大きな熱膨張が生じて表面側に凸状の歪みが生じている。尚、表面側に凸状と凹状の何れの歪みが生じるかは、その時々の内部応力がどのような方向に働くかにより、図７の例とは逆に低温時に表面側に凸状の歪みが生じ、高温時に表面側に凹状の歪みが生じる場合もあり得る。
【００４４】
ここで、本実施例とは異なり、仮に、可動板１３の表面に反射部１４が全面形成されていたと仮定する。このような可動板１３の表面側に上記のような歪みが生じたとすると、そのような歪の部分において光の反射方向が変化してしまい、走査装置１における測定精度が低下する恐れがある。
【００４５】
図８は、反射部が全面形成された可動板に歪が生じたときに、そのような歪の部分において光の反射方向が変化してしまい、走査装置における測定精度が低下する様子を示す模式図である。なお図８においても、簡単のため、実際は可動板１３の反射部１４で反射される光の光路を、反射部１４を透過する光路に置き換えて表現している。
【００４６】
この図８には、可動板１３に生じた歪によって、走査対象領域からの戻り光Ｌ１２の一部において反射方向が変化した様子が示されている。上述したように、戻り光Ｌ１２のうち、センサ１９への入射角度が互いに同じとなる光は、本来であれば、集光部１８によって、その入射角度に応じた受光素子１９１へと集光され、その受光素子１９１によって受光、検出される。しかしながら、可動板１３に上記のような歪が生じ、その歪の部分にも反射部１４が形成されている場合には、歪の部分で反射される光Ｌ１２５，Ｌ１２６は、反射方向が変化して他の光Ｌ１２４とは異なる受光素子１９１へと向かう迷光となってしまう恐れがある。このような迷光が、本来あるべき受光素子１９１とは異なる受光素子１９１で受光、検出されてしまうと、その検出結果がノイズとなって走査装置１における測定精度を低下させてしまう場合がある。
【００４７】
これに対し、本実施例では、図６に示されているように、可動板１３と磁石１５との熱膨張率の差異によって歪が生ずる可能性のある第２領域１３２には反射部１４が形成されていない。可動板１３がシリコン製で略透明であるため、戻り光Ｌ１２のうち第２領域１３２に向かう光の多くが可動板１３を透過することとなり、図８に示されているような迷光の発生が抑制される。つまり、本実施例によれば、可動板１３の表面のうちの磁石１５と対向しない第１領域１３１に形成された反射部１４で戻り光Ｌ１２が反射されるので、この反射部１４での反射方向は上記のような歪の影響をほとんど受けない。このため、本実施例によれば、周囲の温度変化による測定精度の低下を抑制することができる。
【００４８】
ここで、本実施例では、反射部１４は、可動板１３の表面のうちの磁石１５と対向する第２領域１３２を囲んで形成される。
【００４９】
本実施例によれば、反射部１４が第２領域１３２を囲んで広く形成されるので、反射光の光量を多くすることができ、測定精度の低下を一層抑制することができる。
【００５０】
また、本実施例の走査装置１は、照射部１７と、センサ１９と、を備えている。照射部１７は、入射光としてレーザ光を反射部１４に照射し、センサ１９は、反射部１４を介して被測定物に照射されて当該被測定物で反射されたレーザ光を戻り光Ｌ１２として反射部１４を介して受光する。
【００５１】
本実施例によれば、レーザ光を走査に利用することで、高い精度で走査を行うことができる。
【００５２】
また、本実施例では、図５に示されているように、照射部１７からのラインレーザ光Ｌ１１が、入射光として反射部１４において第２領域１３２を避けるように第１領域１３１へと照射される。
【００５３】
本実施例によれば、反射部１４が設けられない第２領域１３２を避けて入射光が照射されるので、入射光が洩れなく反射されて走査に用いられることとなることから高効率で走査を行うことができる。
【００５４】
次に、第２実施例について説明する。この第２実施例は、可動板１３において反射部１４が形成されない第２領域１３２の取扱いが、上述した第１実施例と異なっている。以下、第２実施例について第１実施例との相違点に注目して説明を行い、走査装置１の全体構成等といった第１実施例との同一点については説明を省略する。
【００５５】
図９は、第２実施例における可動板の第２領域の取扱いを示す模式図である。尚、この図９では、図６に示されている第１実施例の構成要素と同等な構成要素については図６と同じ符号が付されており、以下では、それら同等な構成要素の重複説明を割愛する。
【００５６】
第２実施例では、可動板１３の表面のうち磁石１５と対向して反射部１４が形成されない第２領域１３２に、入射光の反射を抑制する反射抑制部２０１が設けられている。上述した第１実施例やこの第２実施例のようにシリコンでベース１２等と一体に可動板１３を形成したとき、波長が９００ｎｍ〜１５００ｎｍの近赤外線は、凡そ３０％〜４０％が反射される場合がある。本実施例では、第２領域１３２に反射抑制部２０１を設けることで、シリコンによる反射も抑制されることとなっている。
【００５７】
反射抑制部２０１としては、光学的厚さ「ｎ・ｄ」が照射部１７からのレーザ光の波長の１／４となるように形成したＡＲコート（Anti-Reflective coat）の膜が利用され得る。ＡＲコートの膜は、光の干渉効果により反射光を打ち消すことで反射を抑制する。「ｎ」は反射抑制部２０１の屈折率であり、「ｄ」は反射抑制部２０１の膜厚である。形成材料の一例としては、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）等が挙げられる。形成手法としては、反射部１４と同様に、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等が挙げられる。
【００５８】
以上に説明した第２実施例によっても、上述した第１実施例と同様に、走査装置において、周囲の温度変化による測定精度の低下を抑制することができることは言うまでもない。
【００５９】
また、本実施例によれば、可動板１３の表面のうちの磁石１５と対向する第２領域１３２を覆うように反射抑制部２０１を設けることで、この第２領域１３２での反射が一層抑制されるので、測定精度の低下を一層抑制することができる。
【００６０】
次に、第３実施例について説明する。この第３実施例は、可動板１３における第２領域１３２の取扱いが、上述した第１実施例や第２実施例の何れとも異なっている。以下、第３実施例について第１実施例との相違点に注目して説明を行い、走査装置１の全体構成等といった第１実施例との同一点については説明を省略する。
【００６１】
図１０は、第３実施例における可動板の第２領域の取扱いを示す模式図である。尚、この図１０でも、図６に示されている第１実施例の構成要素と同等な構成要素については図６と同じ符号が付されており、以下では、それら同等な構成要素の重複説明を割愛する。
【００６２】
第３実施例では、可動板１３の表面のうち磁石１５と対向して反射部１４が形成されない第２領域１３２に、入射光を吸収する光吸収部３０１が設けられている。本実施例では、第２領域１３２に光吸収部３０１を設けることで、シリコンによる反射が一層抑制されることとなっている。
【００６３】
光吸収部３０１としては、カーボン膜等が利用され得る。形成手法としては、反射部１４や第２実施例における反射抑制部２０１と同様に、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等が挙げられる。
【００６４】
以上に説明した第３実施例によっても、上述した第１実施例と同様に、走査装置において、周囲の温度変化による測定精度の低下を抑制することができることは言うまでもない。
【００６５】
また、本実施例によれば、可動板１３の表面のうちの磁石１５と対向する第２領域１３２を覆うように光吸収部３０１を設けることによっても、上記の第２領域１３２での反射が一層抑制されるので、測定精度の低下を一層抑制することができる。
【００６６】
尚、本発明は、以上に説明した実施例に限定されるものではなく、本発明の目的が達成できる他の構成等を含み、以下に示すような変形等も本発明に含まれる。
【００６７】
例えば、上述した第１〜第３実施例では、走査装置１の利用形態としてＬｉＤＡＲへの利用等といった形態が一例として挙げられているが、光による走査を活用できる分野であれば、具体的な利用形態は任意に設定し得る。
【００６８】
また、上述した第１〜第３実施例では、照射部１７としてラインレーザを備え、センサ１９としてラインセンサを備えた形態の走査装置１が例示されている。しかしながら、光の照射部やセンサは、ラインレーザやラインセンサに限るものではなく、一般的な半導体レーザや受光センサ等であってもよい。この場合、可動板の回動形態は、第１〜第３実施例のように１本の回動軸１３ａの回りに回動させる一軸回動に限るものではなく、互いに直交する２本の回動軸それぞれの回りに回動させる二軸回動としてもよい。
【００６９】
また、上述した第１〜第３実施例では、可動板１３等の形状や材質について具体例を挙げているが、これらの形状や材質については、これら具体例に限るものではなく、任意に設定し得るものである。
【符号の説明】
【００７０】
１      走査装置
１１    筐体
１２    ベース部
１３    可動板
１３ａ  回動軸
１３ｂ  連結部
１４    反射部
１５    磁石
１６    磁気回路
１７    照射部
１７ａ  光出射口
１８    集光部
１９    センサ
１１１  窓
１３１  第１領域
１３２  第２領域
１６１  ヨーク
１６１ａ  腕部
１６１ｂ  端部間隙
１６２  コイル
１９１  受光素子
２０１  反射抑制部
３０１  光吸収部
Ｄ１１  上下方向
Ｄ１２  回動方向
Ｄ１３  水平走査方向
Ｌ１１  ラインレーザ光
Ｌ１２  戻り光
Ｌ１２１，Ｌ１２２，Ｌ１２３，Ｌ１２４，Ｌ１２５，Ｌ１２６  光
θ１１，θ１２，θ１３  入射角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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