(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザ誘起ブレークダウン分光法を用いた微量金属検出装置において微量金属の濃度の変化の予測に基づくガイダンス機能を具備する。【解決手段】データ処理部１９０には、試料２０を含む試験材５１に対して、レーザ光を照射することによって得られる発光スペクトル２００における各波長での光強度を示すスペクトルデータが入力される。データ処理部１９０は、スペクトルデータの所定の波長における光強度から、試料２０中における当該波長に対応する所定の金属元素の濃度を検出するとともに、検出された濃度の変化履歴を用いて、濃度の推移を示すための予め定められたモデル関数の係数を算出するための同定演算処理を実行する。表示部１９５には、同定後のモデル関数を用いて取得される予測情報が表示される。【選択図】図１
2020071130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源と、
試料を含む試験材に対して前記レーザ光源からのレーザ光を照射することによって得られるプラズマによる発光が入力される分光器と、
前記分光器によって得られる、各波長における光強度を示すスペクトルデータが入力されるデータ処理部とを備え、
前記データ処理部は、
前記スペクトルデータの所定の波長における光強度から、前記試料中における前記所定の波長に対応する所定の金属元素の濃度を検出する濃度検出部と、
前記濃度検出部によって検出された前記濃度の履歴を保持する記憶部と、
前記記憶部に保持された前記濃度の変化履歴を用いて、前記濃度の推移を示すための予め定められたモデル関数の係数を算出する同定演算部と、
前記同定演算部によって算出された前記係数を有する同定後の前記モデル関数を用いて取得される予測情報を表示する表示部とを含む、微量金属検出装置。
【請求項２】
前記予測情報は、前記同定後のモデル関数に従った、現時点以降での前記濃度の予測値を含む、請求項１記載の微量金属検出装置。
【請求項３】
前記予測情報は、前記同定後のモデル関数に従って前記現時点以降で前記濃度が変化したときに、前記濃度が予め定められた閾値を超える時期に関連する情報を含む、請求項２記載の微量金属検出装置。
【請求項４】
前記データ処理部は、
複数の金属元素のうちから監視対象となる少なくとも１つの金属元素の選択指示を入力するための選択入力部をさらに含み、
前記濃度検出部は、前記スペクトルデータにおける前記監視対象に選択された金属元素の各々に対応する波長の光強度から、当該金属元素の前記濃度を検出し、
前記同定演算部は、当該金属元素毎に前記モデル関数の前記係数を個別に算出する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の微量金属検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は微量金属検出装置に関し、より特定的には、レーザ誘起ブレークダウン分光法（ＬＩＢＳ：Laser  Induced  Breakdown  Spectroscopy）を用いた微量金属検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ誘起ブレークダウン分光法の適用により、液体試料中の金属元素（検出対象物質）を検出する含有物質計測装置が、特開２０１６−９５１３９号公報（特許文献１）に記載されている。特許文献１には、シリコン又は金属（銅やニッケル等）で構成された基板上にバインダ層及び液体試料による試料層が形成された試験体プレパラートを作成し、当該試験体プレパラートへのレーザ光の照射によるプラズマ発光を分析して取得された発光スペクトルから、液体試料中の含有物質を特定するとともに、当該物質の濃度が測定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−９５１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、ＬＩＢＳを用いた微量金属検出装置によって、半導体製造工程で使用される洗浄液中の微量金属濃度を検出することができる。半導体製造ラインでは、洗浄液によって半導体ウェハに付着する種々の金属を含む無機物等の汚染物質を除去するための洗浄装置が用いられる。半導体ウェハの洗浄によって、洗浄液には、配線材料であるＣｕ（銅）等が洗浄液に混入する。同じ洗浄液を繰り返して循環使用すると、洗浄液中のＣｕ濃度が徐々に増加して、洗浄液はＣｕで汚染された状態となり、Ｃｕ濃度（金属濃度）の上昇に従って、当該洗浄液の洗浄能力も低下していく。洗浄能力が低下した洗浄液を継続的に用いると、生産品の不良率が上昇する（即ち、歩留まりが低下する）ことが懸念される。
【０００５】
従って、使用者側（例えば、半導体メーカ等）からは、金属濃度が一定限度を超えて上昇すると洗浄液の交換が必要となる一方で、製造コスト及び環境負荷の面から、最終製品であるデバイスの品質を維持できる範囲内で洗浄液は限界まで使用したい要望がある。従って、ＬＩＢＳを用いた微量金属検出装置によって、洗浄液中の金属濃度を都度検出することによって、洗浄液の交換要否を適切に判断することが可能となる。
【０００６】
しかしながら、洗浄液の交換作業は、多量の洗浄液の準備、及び、長時間に亘る交換作業を要する。このため、特に、繁忙期等の生産ラインが継続して稼働している期間では、洗浄液の交換作業の工程を突発的に組み込むことが困難である。従って、微量金属の濃度をリアルタイムで検出するだけではなく、将来の推移を予測するニーズが存在する。同様のニーズは、半導体製造ラインで用いられる洗浄液のみならず、微量金属濃度の検出対象となる種々の液体及び固体を測定対象として存在するものと理解される。
【０００７】
本発明はこのような問題点を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、レーザ誘起ブレークダウン分光法を用いた微量金属検出装置において微量金属の濃度の変化の予測に基づくガイダンス機能を具備することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のある局面では、微量金属検出装置は、レーザ光源と、分光器と、データ処理部とを備える。分光器には、試料を含む試験材に対してレーザ光源からのレーザ光を照射することによって得られるプラズマによる発光が入力される。データ処理部には、分光器によって得られる、各波長における光強度を示すスペクトルデータが入力される。データ処理部は、濃度検出部と、記憶部と、同定演算部と、表示部とを含む。濃度検出部は、スペクトルデータの所定の波長における光強度から、所定の波長に対応する所定の金属元素の試料中の濃度を検出する。記憶部は、濃度検出部によって検出された濃度の履歴を保持する。同定演算部は、記憶部に保持された濃度の変化履歴を用いて、濃度の推移を示すための予め定められたモデル関数の係数を同定する。表示部は、同定演算部によって同定された係数を有する同定後のモデル関数を用いて取得される予測情報を表示する。
【０００９】
上記微量金属検出装置によれば、試料中の特定金属の濃度をリアルタイムに検出するのみならず、検出された濃度の履歴からモデル関数を同定することによって、金属濃度の推移を予測することができる。そして、予測に基づく情報の表示により、微量金属の濃度の変化の予測に基づくガイダンス機能を具備することができる。
【００１０】
予測情報は、同定後のモデル関数に従った現時点以降での濃度の予測値、又は、同定後のモデル関数に従って現時点以降で濃度が変化したときに濃度が予め定められた閾値を超える時期に関連する情報を含む。
【００１１】
このように、同定されたモデル関数を用いて、現時点以降での濃度予測値の直接表示、或いは、金属濃度が閾値を超える時期を予測する情報の表示によって、ユーザガイダンスを提供することが可能である。
【００１２】
或いは、データ処理部は、選択入力部をさらに含むように構成することができる。選択入力部は、複数の金属元素のうちから監視対象となる少なくとも１つの金属元素の選択指示を入力するために設けられる。濃度検出部は、スペクトルデータにおける監視対象に選択された金属元素の各々に対応する波長の光強度から、当該金属元素の濃度を検出し、同定演算部は、当該金属元素毎にモデル関数の係数を個別に係数を算出することができる。
【００１３】
このようにすると、データ処理部による演算負荷の軽減とともに、監視対象を絞った金属濃度の監視によりユーザへのガイダンス機能を高めることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、レーザ誘起ブレークダウン分光法を用いた微量金属検出装置に微量金属の濃度の変化の予測に基づくガイダンス機能を具備することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施の形態に係る微量金属検出装置の構成を説明するブロック図である。
【図２】図１に示されたデータ処理装置のハードウェア構成例を説明するブロック図である。
【図３】本実施の形態に係る微量金属検出装置におけるデータ処理装置の機能ブロック図である。
【図４】図３に示された記憶部内の濃度履歴テーブルの記憶内容の一例を示す図表である。
【図５】図３に示された、同定演算部、予測部、及び、判定部の機能を説明するための概念図である。
【図６】図１に示された表示部での表示内容の一例を説明する概念図である。
【図７】本実施の形態の変形例に係る微量金属検出装置におけるデータ処理装置の機能ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお以下では、図中の同一または相当部分に同一符号を付して、その説明は原則的に繰返さないものとする。
【００１７】
図１は、本実施の形態に係る微量金属検出装置の構成を説明するブロック図である。
図１を参照して、本実施の形態に係る微量金属検出装置１００は、検査対象となる液体の試料２０中の微量金属を検出する。例えば、試料２０は、半導体製造工程の洗浄装置１０で用いられる半導体ウェハの洗浄液である。
【００１８】
微量金属検出装置１００は、ヒータ６０と、レーザ光源１１０と、制御回路１２０と、分光器１３０と、レンズ１４０と、集光器１５０と、ファイバ１６０と、データ処理装置１９０とを備える。微量金属検出装置１００は、レーザ誘起ブレークダウン分光法（ＬＩＢＳ）によって、試料２０中の微量金属を検出する。或いは、集光器１５０の配置は省略されてもよい。
【００１９】
洗浄装置１０から一定量の洗浄液が試料２０として採取されて、母材５０上に滴下される。本実施の形態では、母材５０には、シリコン（Ｓｉ）で作製されたチップが用いられる。ヒータ６０は、試料２０が滴下された母材５０を加熱することによって、試料２０の蒸発乾固処理を実行する。当該蒸発乾固処理は、例えば、特許文献１と同様に行うことが可能である。これにより、母材５０上に試料２０が固定された試験材５１が得られる。
【００２０】
尚、洗浄液からの試料２０の採取については、適宜、人の作業によって行うことができる。或いは、図１に示すように、洗浄装置１０の稼働中に、洗浄液の一部が微量金属検出装置１００へ導入された後、再び洗浄装置１０へ戻される洗浄剤経路２５を設けることで、洗浄液からの試料２０を自動的に採取することも可能である。
【００２１】
レーザ光源１１０から出力されたレーザは、レンズ１４０によって集光されて、試験材５１の試料２０に照射される。これにより、試験材５１の表面に初期プラズマが発生する。レーザ光源１１０からのレーザ出力の強度及び方向等は、制御回路１２０に入力される制御パラメータによって調整することが可能である。
【００２２】
レーザが照射された個所では、試料２０中に含まれる原子が励起されるとともに、初期プラズマにレーザ光が吸収されてプラズマが成長する。成長したプラズマの発光は、集光器１５０及びファイバ１６０を通して、分光器１３０へ入力される。或いは、集光器１５０の配置が省略された構成では、プラズマの発光は、ファイバ１６０のみを通して分光器１３０へ入力される。分光器１３０からはスペクトルが出力される。分光器１３０で得られたスペクトルにより、各波長での光強度を示すデータ（以下、「スペクトルデータ」とも称する）が得られる。金属成分に依存して、スペクトル中のピーク波長は異なる。従って、スペクトル中に現れたピーク波長から、試料２０中に含まれる金属元素を特定することができる。
【００２３】
更に、金属に対するスペクトル中のピーク波長の光強度を検量線等の形で予め取得しておくことにより、得られたスペクトルデータでの波長毎の光強度から、試料２０中に含まれる金属の種別及びその濃度を検知することが可能となる。データ処理装置１９０は、分光器１３０から出力されたスペクトルデータに対する演算処理により、試料２０の発光スペクトル２００を求めることができる。
【００２４】
図２は、データ処理装置１９０のハードウェア構成例を説明するブロック図である。データ処理装置１９０は、代表的にはパーソナルコンピュータによって構成することが可能である。
【００２５】
図２を参照して、データ処理装置１９０は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）１９１と、メモリ１９２と、Ｉ／Ｏ部１９３と、ユーザ入力部１９４と、表示部１９５と、表示ドライバ１９６とを含む。
【００２６】
Ｉ／Ｏ部１９３は、Ａ／Ｄ変換機能、及び、Ｄ／Ａ変換機能を具備しており、ＣＰＵ１９１に対するアナログ信号の入出力インターフェイスとして機能する。例えば、分光器１３０から出力された、発光スペクトル２００を示すスペクトルデータＳＤは、Ｉ／Ｏ部１９３を経由して、デジタルデータとしてＣＰＵ１９１へ入力される。
【００２７】
ＣＰＵ１９１は、メモリ１９２に格納されたプログラム及びデータを用いたソフトウェア処理によって、演算処理を実行する。
【００２８】
表示部１９５は、例えば、液晶ディスプレイによって構成されて、情報及びデータを視覚的に表示することができる。表示部１９５による表示内容は、Ｉ／Ｏ部１９３及び表示ドライバ１９６を介して、ＣＰＵ１９１によって制御することができる。
【００２９】
ユーザ入力部１９４は、例えば、キーボード又はマウス等で構成されて、ユーザによる指示入力を受け付ける。表示部１９５がタッチパネルで構成される場合には、タッチパネル上に表示されるソフトスイッチを用いて、ユーザ入力部１９４を構成することも可能である。ユーザ入力部１９４への指示入力は、Ｉ／Ｏ部１９３を経由して、デジタルデータとしてＣＰＵ１９１へ入力される。
【００３０】
次に、データ処理装置１９０によるスペクトルデータを用いた演算処理を詳細に説明する。図３には、本実施の形態に係る微量金属検出装置におけるデータ処理装置の機能ブロック図が示される。例えば、図３中の各機能ブロックによる機能は、上述のＣＰＵ１９１によるソフトウェア処理によって実現することが可能である。或いは、一部又は全部の機能ブロックによる機能、又は、各機能ブロックのうちの一部の機能について、専用のハードウェア（電子回路）を用いて実現することも可能である。
【００３１】
図３を参照して、データ処理装置１９０は、濃度検出部２１０と、記憶部１９２ａと、同定演算部２２０と、予測部２３０と、判定部２４０と、表示制御部２５０とを含む。
【００３２】
濃度検出部２１０には、微量金属検出装置１００による試料２０を含む試験材５１の測定毎に、発光スペクトル２００を示すスペクトルデータＳＤが入力される。
【００３３】
尚、本実施の形態では、微量金属検出装置１００は、洗浄装置１０による洗浄処理時間、及び／又は、洗浄装置１０による洗浄処理個数（チップ数）についての予め定められた測定条件が成立する毎に、洗浄液（試料２０）の金属濃度が、微量金属検出装置１００によって測定されるものとする。
【００３４】
スペクトルデータＳＤは、発光スペクトルの各波長における光強度を示すデータによって構成される。特定の波長における光強度が予め定められた閾値を超えるピークを示すことにより、試料２０中における当該ピーク波長に対応する金属元素の存在が検知される。例えば、Ｃｕ（銅）の存在時には、波長３２４．７（ｎｍ）にピークが生じ、Ａｌ（アルミニウム）の存在時には、波長３９６．１（ｎｍ）にピークが現れる。
【００３５】
さらに、特定金属に対応するピーク波長での光強度について、濃度と対応付ける検量線を予め作成される。上記検量線及び閾値を示すデータは、メモリ１９２の一部領域を用いて形成された記憶部１９２ａに記憶される。
【００３６】
濃度検出部２１０は、記憶部１９２ａから読み出されたデータと、スペクトルデータＳＤとを用いて、スペクトルデータＳＤから、試料２０中の特定金属の有無とともに、検出された金属の濃度を算出することができる。濃度検出部２１０は、特定の金属元素について、測定回毎に算出された金属濃度を逐次、記憶部１９２ａ内の濃度履歴テーブルへ記憶する。
【００３７】
図４は、記憶部１９２ａ内の濃度履歴テーブルの記憶内容の一例を示す図表である。
図４を参照して、層度履歴テーブルには、例えば、半導体デバイス製造時に金属配線材料として用いられる、Ｔｉ（チタン）、Ｃｕ（銅）、及び、Ａｌ（アルミニウム）について、検出された金属濃度が記憶される。
【００３８】
金属濃度は、微量金属検出装置１００による試験材５１のレーザ照射測定による、試料２０の各測定回において、スペクトルデータＳＤでの特定波長での光強度から検量線データに従って算出される。測定回毎に算出された金属濃度は、金属毎に蓄積される。これにより、時間経過に伴う金属濃度の履歴を保持することができる。
【００３９】
再び図３を参照して、同定演算部２２０は、図４に示された濃度履歴テーブルに保持されたデータを用いて、予め定められた形式のモデル関数の係数を算出する。モデル関数は、金属元素毎の時間経過に伴う濃度の推移（変化）を予測するものである。
【００４０】
当該モデル関数は、任意の関数として予め定義することができるが、本実施の形態では、モデル関数は、二次関数で示されるものとする。従って、濃度変化モデル関数は、下記の式（１）で表すことができる。
【００４１】
Ｙ＝ａ・ｘ2＋ｂ・ｘ＋ｃ    …（１）
例えば、公知の回帰分析法（代表的には、最小二乗法）に従って、濃度履歴テーブルに保持された過去の金属濃度の履歴を示すデータを式（１）中のｘに代入することで、二次関数モデルの係数ａ，ｂ，ｃを同定することができる。一般的には、これまでの各測定回での金属濃度（実績値）と関数モデル式による値（Ｙ）との誤差が最小となるように、係数ａ，ｂ，ｃが算出される。
【００４２】
予測部２３０は、同定演算部２２０で求められた係数ａ〜ｃを有する、同定後のモデル関数に従って、現時点以降での金属濃度の予測値を算出する。これにより、特定金属についての第ｉ番目（ｉ：自然数）の測定回における金属濃度Ｍｃ（ｉ）が求められる。これにより、過去の１〜ｍ番目の測定回で検出された金属濃度を用いて定められたモデル関数から、ｉ＞ｍを含む任意のｉに対して、金属濃度Ｍｃ（ｉ）を求めることができる。
【００４３】
判定部２４０は、予め定められた閾値Ｒｔｈと、金属濃度Ｍｃ（ｉ）との比較による判定処理を実行する。例えば、閾値Ｒｔｈは、半導体製造工程の洗浄装置１０で用いられる洗浄液の交換要否を判定するように定められる。上述のように、当該閾値は、最終製品であるデバイスの品質を維持できる範囲内の上限値に対応させて定めることができる。これにより、同定演算部２２０で同定されたモデル関数に従って金属濃度Ｍｃ（ｉ）が増加する下で、Ｍｃ（ｉ）＞Ｒｃｈとなるｉの最小値として、限界回数Ｎｃｈを求めることができる。
【００４４】
図５には、同定演算部２２０、予測部２３０、及び、判定部２４０の機能を説明するための概念図が示される。
【００４５】
図５を参照して、同定演算部２２０は、記憶部１９２ａ（濃度履歴テーブル）に保持された、ｉ＝１〜３の３回分の金属濃度データＣ１〜Ｃ３を用いて、式（１）の係数ａ〜ｃを同定することにより、二次関数で示されるモデル関数２２５を決定する。
【００４６】
これにより、予測部２３０は、ｉ＞４の領域においても、同定された係数ａ〜ｃによるモデル関数２２５の点線部分に従って、金属濃度Ｍｃ（ｉ）を予測することができる。更に、判定部２４０は、ｉ＞４の領域での金属濃度Ｍｃ（ｉ）と、閾値Ｒｔｈとの比較により、限界回数Ｎｃｈを求めることができる。
【００４７】
再び図３を参照して、表示制御部２５０は、予測部２３０からの金属濃度Ｍｃ（ｉ）、及び、判定部２４０からの限界回数Ｎｃｈを用いて、表示部１９５での表示内容を制御する。表示制御部２５０によって指定された表示内容は、図２に示された表示ドライバ１９６によって、視覚的な情報として表示部１９５に表示される。
【００４８】
図６には、表示部１９５での表示内容の一例を説明する概念図が示される。
図６を参照して、例えば、今回（ｉ＝Ｎ）の測定濃度Ｌ＝Ｍｃ（Ｎ）とともに、モデル関数に従って予測される、（Ｎ＋１）回目の測定時における予測濃度Ｍ＝Ｍｃ（Ｎ＋１）を表示することができる。（Ｎ＋２）回目以降についても、Ｍｃ（ｉ）に従って、金属濃度の予測値を表示することが可能である。
【００４９】
更に、表示部１９５には、判定部２４０で求められた限界回数Ｎｃｈを直接表示する他、限界回数Ｎｃｈに基づく残り使用可能回数Ｔ（回）を表示することも可能である。例えば、Ｎ回目の測定後には、限界回数Ｎｃｈを用いて、Ｔ＝Ｎｃｈ−Ｎ−１（回）と表示することが可能である。図６で説明した、これらの予測濃度Ｍ、及び、残り使用可能回数Ｔ（或いは、限界回数Ｎｃｈ）は、「予測情報」の一実施例に対応する。
【００５０】
以上説明したように、本実施の形態に従う微量金属測定装置によれば、ＬＩＢＳで取得された発光スペクトルによって試料中の特定金属の濃度をリアルタイムに検出するのみならず、検出された濃度の履歴からモデル関数を同定することによって、金属濃度の推移を予測することができる。そして、当該予測情報をユーザに対して提示することにより、試料の採取元となる物質（例えば、半導体チップの洗浄液）の交換時期の予測が可能となり、微量金属の濃度の変化の予測に基づくガイダンス機能を具備することができる。
【００５１】
尚、金属濃度の履歴の保存対象、及び、モデル関数による濃度推移の監視対象となる金属元素は、分光器１３０によって検出可能な波長領域に含まれる金属元素を対象に、任意の個数とすることが可能である。監視対象が複数である場合には、金属元素毎に異なるモデル関数が同定される。即ち、式（１）中の係数ａ〜ｃについて、金属元素毎に別個の値が求められる。或いは、金属元素間で濃度推移の挙動が異なる場合には、例えば、二次関数と三次関数との使い分け等、金属元素間で異なる関数を用いてモデル関数を定義することも可能である。
【００５２】
或いは、図８に示される、本実施の形態の変形例では、図３の構成に加えて、図２に示されたユーザ入力部１９４を用いて構成された、選択入力部１９４ａをさらに配置することができる。
【００５３】
選択入力部１９４ａは、監視対象となる金属元素を指定するためのユーザ入力を受けるように構成される。ユーザ入力は、例えば、検出可能な波長域に含まれ、かつ、検量線が予め用意された複数の金属元素のうちから、少なくとも１つを選択する態様とすることができる。
【００５４】
選択入力部１９４ａは、ユーザ入力に従って、監視対象となる金属を特定するための選択信号Ｓｍｔを出力する。選択信号Ｓｍｔは、濃度検出部２１０、同定演算部２２０、及び、判定部２４０に入力される。例えば、濃度検出部２１０による金属濃度の検出及び記憶部１９２ａ（濃度履歴テーブル）への保持、同定演算部２２０でのモデル関数の同定演算、判定部２４０での判定処理について、選択信号Ｓｍｔに従う金属元素のみに限定して実行することができる。
【００５５】
これにより、データ処理装置１９０での演算負荷の軽減とともに、監視対象を絞った濃度監視によりユーザへのガイダンス機能を高めることができる。尚、図９の構成において、ユーザ入力によって監視対象が増やされた場合に対応できるように、濃度検出部２１０による金属濃度の検出及び記憶部１９２ａ（濃度履歴テーブル）への保持については、現在選択中の金属元素に止まらず、ユーザが選択可能な複数の金属元素の各々について各測定回において実行することも可能である。
【００５６】
尚、本実施の形態では、測定回数単位で時間経過に対する金属濃度の推移（増加）を予測したが、他の単位（例えば、本実施の形態では、洗浄装置１０による洗浄処理時間、又は、洗浄装置１０による洗浄処理個数等）に従って、時間経過に対する金属濃度の推移（増加）を予測することも可能である。
【００５７】
又、本実施の形態では、半導体製造工程で用いられる洗浄装置の洗浄液を試料とする例を説明したが、微量金属の検出対象となる試料は任意である。即ち、任意の液体又は固体を対象として、本実施の形態又は変形例に係る微量金属検出装置により、ＬＩＢＳによる試料のスペクトルデータから得られた金属濃度の履歴から、金属濃度の将来的な推移の予測機能を実現することが可能である。
【００５８】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５９】
１０  洗浄装置、２０  試料、２５  洗浄剤経路、５０  母材、５１  試験材、６０  ヒータ、１００  微量金属検出装置、１１０  レーザ光源、１２０  制御回路、１３０  分光器、１４０  レンズ、１５０  集光器、１６０  ファイバ、１９０  データ処理装置、１９２  メモリ、１９２ａ  記憶部、１９３  Ｉ／Ｏ部、１９４  ユーザ入力部、１９４ａ  選択入力部、１９５  表示部、１９６  表示ドライバ、２００  発光スペクトル、２１０  濃度検出部、２２０  同定演算部、２２５  モデル関数、２３０  予測部、２４０  判定部、２５０  表示制御部、Ｍｃ（ｉ）  金属濃度、Ｎｃｈ  限界回数、Ｒｔｈ  閾値、ＳＤ  スペクトルデータ、Ｓｍｔ  選択信号。
【図１】
2020071130.tif 000003
【図２】
2020071130.tif 000004
【図３】
2020071130.tif 000005
【図４】
2020071130.tif 000006
【図５】
2020071130.tif 000007
【図６】
2020071130.tif 000008
【図７】
2020071130.tif 000009