(57)【要約】【課題】養生部材上の基材にシワが発生することを抑制可能な成膜装置を提供する。【解決手段】本発明の一形態に係る成膜装置は、巻出しローラと、巻取りローラと、メインローラと、成膜部とを具備する。上記巻出しローラは、金属製の長尺の基材を巻き出す。上記巻取りローラは、上記巻出しローラから巻き出された上記基材を巻き取る。上記メインローラは、メインローラ本体と、金属製の養生部材とを有する。上記メインローラ本体は、上記基材を支持する第１の領域と、上記基材を支持しない第２の領域とを含む外周面を有し、上記基材の搬送方向において上記巻出しローラと上記巻取りローラとの間に設けられる。上記養生部材は、上記第１の領域と上記第２の領域との境界に跨って上記外周面に配置される。上記成膜部は、上記メインローラ本体に対向する成膜源を有し、上記基材上に薄膜を形成する。【選択図】図１
2020056083.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製の長尺の基材を巻き出す巻出しローラと、
前記巻出しローラから巻き出された前記基材を巻き取る巻取りローラと、
前記基材を支持する第１の領域と、前記基材を支持しない第２の領域とを含む外周面を有し、前記基材の搬送方向において前記巻出しローラと前記巻取りローラとの間に設けられたメインローラ本体と、
前記第１の領域と前記第２の領域との境界に跨って前記外周面に配置された金属製の養生部材と
を有するメインローラと、
前記メインローラ本体に対向する成膜源を有し、前記基材上に薄膜を形成する成膜部と
を具備する成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記基材及び前記養生部材の接触角は８０°以上１１５°以下である
成膜装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の成膜装置であって、
前記基材及び前記養生部材の表面粗さ（ＲＭＳ）は１ｎｍ以上５８ｎｍ以下である
成膜装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１つに記載の成膜装置であって、
前記基材又は前記養生部材は、ステンレス鋼製又は銅製である
成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸発材料を蒸発させて基材上に当該蒸発材料の膜を形成する成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、巻出しローラから巻き出された基材をメインローラに巻き付けながら、基材上に薄膜を形成し、当該基材を巻取りローラにより巻き取る方式の成膜装置が知られている。
【０００３】
ここで、上記のような成膜装置において、成膜材料の粒子がメインローラに付着することを防ぐために、メインローラを養生する場合がある（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−０８２２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されたような成膜装置では、メインローラ上の養生部材（養生帯）と基材との平滑性が低いと、基材がメインローラを介して搬送される際に、基材にシワが発生してしまう場合がある。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、養生部材上の基材にシワが発生することを抑制可能な成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る成膜装置は、巻出しローラと、巻取りローラと、メインローラと、成膜部とを具備する。
上記巻出しローラは、金属製の長尺の基材を巻き出す。
上記巻取りローラは、上記巻出しローラから巻き出された上記基材を巻き取る。
上記メインローラは、メインローラ本体と、金属製の養生部材とを有する。
上記メインローラ本体は、上記基材を支持する第１の領域と、上記基材を支持しない第２の領域とを含む外周面を有し、上記基材の搬送方向において上記巻出しローラと上記巻取りローラとの間に設けられる。
上記養生部材は、上記第１の領域と上記第２の領域との境界に跨って上記外周面に配置される。
上記成膜部は、上記メインローラ本体に対向する成膜源を有し、上記基材上に薄膜を形成する。
【０００８】
上記成膜装置によれば、養生部材と基材とが互いに金属製であるため、養生部材と基材との平滑性が向上し、基材が養生部材上を滑りやすくなる。これにより、基材がメインローラを介して搬送される際に、基材にシワが発生することが抑制される。
【０００９】
上記基材及び上記養生部材の接触角は８０°以上１１５°以下であってもよい。
【００１０】
上記基材及び上記養生部材の表面粗さ（ＲＭＳ）は１ｎｍ以上５８ｎｍ以下であってもよい。
【００１１】
上記基材又は上記養生部材は、ステンレス鋼製又は銅製であってもよい。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように、本発明によれば、養生部材上の基材にシワが発生することを抑制可能な成膜装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る成膜装置の構成例を示す模式図である。
【図２】上記成膜装置の構成例を示す模式図である。
【図３】上記成膜装置の構成例を簡略的に示す模式図である。
【図４】上記成膜装置の成膜方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。
【００１５】
［成膜装置の構成］
図１は、本発明の一実施形態に係る成膜装置１００の構成例を示す模式図である。図１に示すＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は相互に直交する３軸方向を示し、本明細書の全図において共通である。
【００１６】
成膜装置１００は、図１に示すように、真空チャンバ１０１と、成膜部１１０と、搬送部１２０と、搬送機構１３０とを有する。
【００１７】
（真空チャンバ）
真空チャンバ１０１は、密閉構造を有し、真空ポンプＰ１を有する排気ラインＬ１に接続される。これにより、真空チャンバ１０１は、その内部が所定の減圧雰囲気に排気又は維持可能に構成される。また、真空チャンバ１０１は、図１に示すように、成膜部１１０と搬送部１２０をそれぞれ区画する仕切り板１１１を有する。
【００１８】
（成膜部）
成膜部１１０は、仕切り板１１１と真空チャンバ１０１の外壁により区画された成膜室であり、その内部に蒸発源１１２を有する。また、成膜部１１０は、排気ラインＬ１に接続されている。これにより、真空チャンバ１０１が排気される際には、先ず、成膜部１１０内が排気される。
【００１９】
一方、成膜部１１０は搬送部１２０と連通しているため、成膜部１１０内が排気されると、搬送部１２０内も排気される。これにより、成膜部１１０と搬送部１２０との間に圧力差が生じる。この圧力差により、蒸発材料の蒸発流が搬送部１２０内に侵入することが抑制される。
【００２０】
蒸発源１１２は、任意の蒸発材料を蒸発させる蒸発源であり、この蒸発材料を加熱する加熱機構（図示略）を有する。加熱機構の加熱温度は、例えば蒸発材料がリチウム金属である場合に、５３０℃〜７００℃程度である。蒸発源１１２は、例えば、抵抗加熱式蒸発源、誘導加熱式蒸発源又は電子ビーム加熱式蒸発源等である。
【００２１】
成膜部１１０は、図１に示すように、防着板１１３を有する。図２は蒸発源１１２側から見た成膜装置１００の構成例を示す模式図であり、図３は成膜装置１００の構成例を簡略的に示す模式図である。
【００２２】
なお、図２では真空チャンバ１０１、蒸発源１１２、防着板１１３及び排気ラインＬ１の図示を省略し、図３では真空チャンバ１０１、蒸発源１１２、巻出しローラ１３１、巻取りローラ１３３及び排気ラインＬ１の図示を省略する。
【００２３】
防着板１１３は、後述するメインローラ本体１３２ａと蒸発源１１２との間に設けられ、開口部１１３ａを有する。防着板１１３は、メインローラ本体１３２ａのＹ軸方向両端部に蒸発源１１２からの蒸着粒子が付着することを防ぐマスクとして機能する。メインローラ本体１３２ａの外周面のうち、Ｚ軸方向において開口部１１３ａと対向する位置が、基材Ｆに薄膜を形成する際の成膜位置となる。蒸発源１１２は、この成膜位置に対向する。
【００２４】
なお本実施形態では、基材Ｆの成膜面全域を成膜領域とする全面成膜を例に挙げて説明するが、これに限られない。例えば、基材Ｆの幅方向両端を非成膜領域とする場合は、図３において二点鎖線で示すように、開口部１１３ａの開口幅が、基材Ｆの成膜領域に対応するように設定されてもよい。
【００２５】
（搬送部）
搬送部１２０は、仕切り板１１１と、真空チャンバ１０１の外壁に区画された搬送室であり、真空チャンバ１０１内のＺ軸方向上方に配置される。本実施形態では、排気ラインＬ１を成膜部１１０にのみ接続したが、搬送部１２０にも別の排気ラインを接続することにより、搬送部１２０と成膜部１１０とを独立して排気してもよい。
【００２６】
（搬送機構）
搬送機構１３０は、巻出しローラ１３１と、メインローラ１３２と、巻取りローラ１３３とを有する。巻出しローラ１３１、メインローラ１３２（メインローラ本体１３２ａ）、巻取りローラ１３３は、それぞれ回転駆動部（図示略）を備え、Ｙ軸周りに所定の回転速度でそれぞれ回転可能に構成される。これにより、真空チャンバ１０１内において、巻出しローラ１３１から巻取りローラ１３３に向かって基材Ｆが所定の搬送速度で搬送される。
【００２７】
巻出しローラ１３１は、成膜部１１０よりも基材Ｆの搬送方向上流側に設けられ、基材Ｆをメインローラ１３２へ送り出す機能を有する。巻出しローラ１３１とメインローラ１３２との間の適宜の位置には、独自の回転駆動部を備えていないフリーローラである少なくとも１つのガイドローラ（図示略）が配置されてもよい。
【００２８】
メインローラ１３２は、メインローラ本体１３２ａと、養生部材１３２ｂとを有する。メインローラ本体１３２ａは、基材Ｆの搬送方向において巻出しローラ１３１と巻取りローラ１３３との間に配置される。メインローラ本体１３２ａは、基材Ｆを支持する第１の領域Ｓ１と、第１の領域Ｓ１よりもＹ軸方向外側に配置され、基材Ｆを支持しない第２の領域Ｓ２とを有する。第１及び第２の領域Ｓ１，Ｓ２は、メインローラ本体１３２ａのＹ軸周りの外周面Ｓを構成する。
【００２９】
メインローラ本体１３２ａは、Ｚ軸方向における下部の少なくとも一部が、仕切り板１１１に設けられた開口部１１１ａを通って成膜部１１０に臨む位置に配置される。これにより、メインローラ本体１３２ａは、所定の間隔を空けて開口部１１１ａに対向し、蒸発源１１２とＺ軸方向に対向する。
【００３０】
メインローラ本体１３２ａは、ステンレス鋼、鉄、アルミニウム等の金属材料で筒状に構成され、その内部に例えば温調媒体循環系等の温調ユニット（図示略）が設けられてもよい。温調ユニットに循環させる温媒としては、例えばシリコン油等の高沸点の有機媒体を用いることができ、冷媒としては水を用いることができる。
【００３１】
メインローラ本体１３２ａの大きさは特に限定されないが、典型的には、Ｙ軸方向の幅寸法が基材ＦのＺ軸方向の幅寸法よりも大きく設定される。これにより、第１及び第２の領域Ｓ１，Ｓ２が形成される。第１及び第２の領域Ｓ１，Ｓ２の範囲は、基材Ｆの幅で決定される。
【００３２】
養生部材１３２ｂは、メインローラ本体１３２ａの第１の領域Ｓ１と基材Ｆと間に設けられ、第１の領域Ｓ１と第２の領域Ｓ２との境界を跨ぐようにして、メインローラ本体１３２ａの外周面Ｓに配置される。図３に示すように、基材ＦのＹ軸方向両端を支持する。即ち、本実施形態の基材Ｆは、養生部材１３２ｂを介してメインローラ本体１３２ａに支持される。
【００３３】
養生部材１３２ｂは、メインローラ本体１３２ａのＹ軸方向の両端部を被覆するように巻回される一対のテープ材で構成される。テープ材としては、例えば、メインローラ本体１３２ａに対して剥離可能に貼着される粘着層を有する粘着テープが用いられる。
【００３４】
養生部材１３２ｂがメインローラ本体１３２ａの第１の領域Ｓ１と第２の領域Ｓ２との境界に跨って配置されるため、メインローラ本体１３２ａ上の基材Ｆの幅方向両端部は、養生部材１３２ｂの一部に支持される。養生部材１３２ｂによって被覆される第１の領域Ｓ１の幅は、基材Ｆを安定に支持できる大きさであれば特に限定されない。一方、養生部材１３２ｂによって被覆される第２の領域Ｓ２の幅は、防着板１１３とメインローラ本体１３２ａとの間に回り込んでくる蒸着粒子の付着を制限できる大きさであれば特に限定されず、図３に示すように外周面Ｓの両端部の近傍まで被覆できる幅であってもよいし、外周面Ｓの両端部の全域を被覆できる幅であってもよい。
【００３５】
養生部材１３２ｂを構成する材料としては、典型的には銅、アルミニウム、ニッケル又はステンレス鋼等の金属材料が採用されるが、ＯＰＰ（延伸ポリプロピレン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイト）、ＰＩ（ポリイミド）又はＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等の樹脂材料が採用されてもよい。本実施形態では、基材Ｆが銅製である場合、養生部材１３２ｂを構成する材料としてステンレス鋼が採用されることが好ましい。
【００３６】
養生部材１３２ｂの厚さは、特に限定されず、例えば数μｍ〜数十μｍである。また、養生部材１３２ｂの幅や長さについても特に制限はなく、用途に応じて適宜決定可能である。養生部材１３２ｂは、基材Ｆよりも厚くてもよいし、同一であってもよいし、薄くてもよい。養生部材１３２ｂの幅は、例えば、メインローラ本体１３２ａ上の基材Ｆを支持しない非支持領域（第２の領域Ｓ２）の大きさに応じて決定されてもよい。
【００３７】
巻取りローラ１３３は、成膜部１１０より基材Ｆの搬送方向下流側に設けられ、巻出しローラ１３１から巻き出され成膜部１１０で薄膜が形成された基材Ｆを回収する機能を有する。メインローラ１３２と巻取りローラ１３３との間の適宜の位置には、独自の回転駆動部を備えていないフリーローラである少なくとも１つのガイドローラ（図示略）が配置されてもよい。
【００３８】
基材Ｆは、例えば、所定幅に裁断された長尺のフィルムである。基材Ｆを構成する材料としては、典型的には銅、アルミニウム、ニッケル又はステンレス等の金属材料が採用されるが、ＯＰＰ（延伸ポリプロピレン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイト）、ＰＩ（ポリイミド）又はＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等の樹脂材料が採用されてもよい。あるいは、基材Ｆは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）付き樹脂フィルム等であってもよい。
【００３９】
本実施形態では、基材Ｆは、養生部材１３２ｂと同種の材料から構成されてもよく、異なる材料から構成されてもよいが、養生部材１３２ｂが金属製である場合は同じく金属製であることが好ましい。
【００４０】
養生部材１３２ｂと基材Ｆとが互いに金属製であることによって、養生部材１３２ｂと基材Ｆとの平滑性が向上し、基材Ｆが養生部材１３２ｂ上を滑りやすくなる。これにより、基材Ｆがメインローラ１３２を介して搬送される際に、基材Ｆにシワが発生することが抑制される。
【００４１】
また、養生部材１３２ｂと基材Ｆとが互いに金属製であることによって、蒸発材料の種類に依存することなく、安定した成膜が可能となる。例えば、基材Ｆ及び養生部材１３２ｂが樹脂製のとき、蒸発材料に例えばＬｉを用いると、基材Ｆや養生部材１３２ｂと反応して所定のガス（例えばフッ素ガス）が発生し、これが成膜雰囲気に悪影響を及ぼして安定した成膜を継続することができない場合がある。
【００４２】
さらに、養生部材１３２ｂと基材Ｆとが互いに金属製であることによって、基材Ｆと養生部材１３２ｂが樹脂製である場合と比較して、基材Ｆと養生部材１３２ｂとの接触・摩擦によって発生した静電気が帯電しにくい。よって、このような静電気によって基材Ｆと養生部材１３２ｂとの平滑性が低下し、基材Ｆにシワが発生することが抑制される。
【００４３】
なお、養生部材１３２ｂと基材Ｆとの平滑性を確保する観点から、養生部材１３２ｂの表面の接触角は８０°以上１１５°以下であることが好ましく、その表面粗さ（ＲＭＳ：二乗平均平方根高さ）は、１ｎｍ以上５８ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４４】
同様に、養生部材１３２ｂと基材Ｆとの平滑性を確保する観点から、養生部材１３２ｂと接触する基材Ｆの表面の接触角は８０°以上１１５°以下であることが好ましく、その表面粗さ（ＲＭＳ：二乗平均平方根高さ）は１ｎｍ以上５８ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４５】
基材Ｆの厚さは、特に限定されず、例えば数μｍ〜数十μｍである。また、基材Ｆの幅や長さについても特に制限はなく、用途に応じて適宜決定可能である。
【００４６】
成膜装置１００は、以上のような構成を有する。なお、成膜装置１００の構成は図１〜図３に示す構成に限定されるものではなく、例えば、成膜部１１０、搬送部１２０、巻出しローラ１３１、メインローラ１３２、巻取りローラ１３３の数や大きさ、配置等は適宜変更されてもよい。
【００４７】
［成膜方法］
図４は、成膜装置１００の成膜方法を示すフローチャートである。以下、本実施形態の成膜方法について、図４を適宜参照しながら説明する。
【００４８】
（ステップＳ０１：排気処理）
真空ポンプＰを起動させ、真空チャンバ１０１内を排気し、成膜部１１０と搬送部１２０各々を所定の真空度に維持する。
【００４９】
また、基材Ｆを支持する搬送機構１３０を起動させ、基材Ｆを巻出しローラ１３１から巻取りローラ１３３に向けて搬送させる。成膜部１１０では、蒸発源１１２が蒸発材料を蒸発させ、メインローラ本体１３２ａ上の基材Ｆに向けて出射する蒸発材料の蒸気流を形成する。
【００５０】
（ステップＳ０２：成膜工程）
次に、巻出しローラ１３１、メインローラ本体１３２ａ及び巻取りローラ１３３がＹ軸周りの所定の回転速度で連続的に回転することにより、メインローラ本体１３２ａ上の基材Ｆが成膜部１１０を通過する過程で、蒸発材料の粒子が基材Ｆに堆積し、基材Ｆ上に薄膜が形成される。
【００５１】
この際、養生部材１３２ｂがメインローラ本体１３２ａの第１の領域Ｓ１と第２の領域Ｓ２とに跨るように配置されているため（図２，図３参照）、蒸発源１１２から蒸発した粒子が基材Ｆと防着板１１３との間の隙間から入り込んだとしても、第２の領域Ｓ２内の養生部材１３２ｂによって、メインローラ本体１３２ａに当該粒子が付着することが防がれる。
【００５２】
（ステップＳ０３：回収）
巻出しローラ１３１、メインローラ本体１３２ａ及び巻取りローラ１３３がＹ軸周りの所定の回転速度で連続的に回転することによって、薄膜が形成された基材Ｆが巻取りローラ１３３側へ搬送される。そして、巻取りローラ１３３に巻き取られ、回収される。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００５４】
［シワの発生の有無の確認］
実施例１〜６及び比較例１，２に係る基材と養生部材との組み合わせについて、上記の成膜方法に従って薄膜を形成し、シワの発生の有無を目視により確認した。表１はこの結果をまとめたものである。なお、表１において「○」はシワが確認されなかったことを示し、「×」はシワが確認されたことを示す。
【００５５】
【表１】
2020056083.tif 000003
【００５６】
表１に示すように、実施例１〜６の組み合わせでは、シワが目視により確認されなかった。即ち、実施例１〜６の組み合わせが基材にシワが発生しない組み合わせであることが判明した。
【００５７】
［接触角の測定］
次に、実施例１〜６の組み合わせを構成する基材及び養生部材の接触角を、一般的な液滴法により測定した。具体的には、水滴をサンプルに接触させて着滴したときの、サンプル面とのなす角度を各サンプルについて３回測定し、その平均を算出した。表２は、この結果をまとめたものである。
【００５８】
【表２】
2020056083.tif 000004
【００５９】
表２に示すように、実施例１，２，４の組み合わせを構成する基材又は養生部材（銅箔）の接触角は８０．０°以上８２．０°以下であり、実施例２〜４の組み合わせを構成する基材又は養生部材（ＳＵＳ箔）の接触角は８２．５°以上８４．０°以下であり、実施例５，６の組み合わせを構成する養生部材（ＰＴＦＥテープ）の接触角は１１３°以上１１５°以下であった。この結果から、基材と養生部材との平滑性を確保するためには、基材及び養生部材の接触角が８０．０°以上１１５°以下であることが好ましいことが実験的に確認された。なお、８０．０°以上８４．０°以下及び１１３°以上１１５°以下の範囲において基材と養生部材との平滑性が確保される（シワが発生しない）ことから、８４．０°より大きく１１３°より小さい範囲において基材と養生部材との平滑性が確保される（シワが確認されない）ことは自明である。
［表面粗さ測定］
次に、実施例１〜６の組み合わせを構成する基材及び養生部材の表面粗さ（ＲＭＳ）を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）用いて測定した。表３は、この結果をまとめたものである。なお、銅箔については、鏡面と梨地面の表面粗さを測定した。
【００６０】
【表３】
2020056083.tif 000005
【００６１】
表３に示すように、実施例１，２，４の組み合わせを構成する基材又は養生部材（銅箔）の、鏡面及び梨地面の表面粗さ（ＲＭＳ）はそれぞれ８ｎｍ、３５ｎｍであった。また、実施例２〜４の組み合わせを構成する基材又は養生部材（ＳＵＳ箔）の表面粗さ（ＲＭＳ）は、３０ｎｍであった。また、実施例５，６の組み合わせを構成する養生部材（ＰＴＦＥテープ）の表面粗さ（ＲＭＳ）は、５８ｎｍであった。この結果から、基材と養生部材との平滑性を確保するためには、基材及び養生部材の表面粗さが８ｎｍ以上５８ｎｍ以下であることが好ましいことが確認された。さらに追試の結果、基材及び養生部材の表面粗さが１ｎｍ以上であることが好ましいことが確認された。
【００６２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
【００６３】
例えば、蒸発源１１２に保持される蒸発材料は典型的にはリチウム金属であるが、これに限られず、例えばインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ビスマス（Ｂｉ）、ナトリウム（Ｎａ）及びカリウム（Ｋ）等であってもよく、基材Ｆ及び養生部材１３２ｂを構成する材料に応じて適宜決定されてよい。
【００６４】
また、上記実施形態では、養生部材１３２ｂが一対のテープであるがこれに限られず、第１の領域Ｓ１と第２の領域Ｓ２との境界に跨る一枚のシート状のテープであってもよい。
【００６５】
さらに、上記実施形態では、成膜方法の一例として真空蒸着法が採用されるが、これに限られない。本発明は、高温で金属材料の粒子を生成して、基材Ｆ上に当該粒子を堆積させる成膜技術一般に適用可能である。具体的には、例えば分子線蒸着法、イオンプレーディング法又はイオンビーム蒸着法等が採用されてもよい。
【符号の説明】
【００６６】
１００・・・成膜装置
１１０・・・成膜部
１１２・・・蒸発源（成膜源）
１１３・・・防着板
１２０・・・搬送部
１３１・・・巻出しローラ
１３２・・・メインローラ
１３２ａ・・メインローラ本体
１３２ｂ・・養生部材
１３３・・・巻取りローラ
Ｆ・・・・・基材
【図１】
2020056083.tif 000006
【図２】
2020056083.tif 000007
【図３】
2020056083.tif 000008
【図４】
2020056083.tif 000009