(57)【要約】【課題】低温環境で低下したエレクトロクロミック素子の応答性能を向上するには、先ず素子を加熱することが考えられる。しかしながら、従来の通電による加熱では、素子の駆動回路および加熱回路構成が複雑になることに加え、比較的大きな電力消費があるといった問題がある。【解決手段】撮像素子と、一対の透明電極基板と、前記一対の透明電極基板の間に配置された少なくとも一種のエレクトロクロミック材料と溶媒とを含むエレクトロクロミック媒体と、を有するエレクトロクロミック素子を内包する撮像装置であって、体積が可変であって、前記エレクトロクロミック媒体の封止を行う熱伝導性封止部材と、撮影動作中に高温状態となる発熱体との熱的な接続及び遮断を行う機構を有することを特徴とする。【選択図】図３
2020056858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子と、
一対の透明電極基板と、
前記一対の透明電極基板の間に配置された少なくとも一種のエレクトロクロミック材料と溶媒とを含むエレクトロクロミック媒体と、を有するエレクトロクロミック素子を内包する撮像装置であって、
体積が可変であって、前記エレクトロクロミック媒体の封止を行う熱伝導性封止部材と、
撮影動作中に高温状態となる発熱体との熱的な接続及び遮断を行う機構を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記熱伝導性封止部材が金属ベローズであることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記熱伝導性封止部材が金属箔であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光の強度および色を制御するエレクトロクロミック素子を用いた撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロクロミック素子は、一対の電極と、この一対の電極間に配置されているエレクトロクロミック層と、を有する素子である。
【０００３】
エレクトロクロミック素子の一対の電極間に電圧を印加してエレクトロクロミック層内のエレクトロクロミック化合物を酸化還元すると、可視光領域の分光透過率が変化し、これによってエレクトロクロミック素子を通過する可視光量を調整することができる。
【０００４】
近年、固体撮像素子を用いた動画撮影装置において、光学濃度を無段階に調整できる可変ＮＤフィルタに対する要求が高まっている。この用途の光学素子としては、これまでに液晶や無機エレクトロクロミック薄膜を用いたものが多く提案されているが、光量調整範囲や信頼性等の点で従来の固定濃度のＮＤフィルタより劣るため広く普及していない。
【０００５】
一方、有機エレクトロクロミック分子を用いた光学素子は光量調整範囲が広く、また分光透過率の設計が比較的容易であることから、撮像装置に搭載する可変ＮＤフィルタ用途として有望である。
【０００６】
有機エレクトロクロミック分子を用いたエレクトロクロミック素子は、一対の電極間に電気化学的に活性なアノード性材料とカソード性材料と、を有する。そして、これらの少なくとも一つがエレクトロクロミック性、すなわち電気化学的な酸化還元によって可視光領域に吸収帯を発現する材料として構成されている。このとき一対の電極上では、アノード性材料の酸化反応とカソード性材料の還元反応とが同時に起こり、素子に閉回路が形成されて電流が流れる。
【０００７】
しかしながら、有機エレクトロクロミック分子を用いたエレクトロクロミック素子は溶液相における分子の酸化還元反応を利用しているため、光学濃度増減に係る応答時間は原理的に環境温度に依存する。即ち、低温環境では反応分子の物質移動が阻害されて応答時間が極めて遅くなり、高温環境では逆に応答時間が早くなる。
【０００８】
撮像装置に組み込まれた可変ＮＤフィルタ等は低温環境においても不都合無く動作する必要があり、そのためにはエレクトロクロミック素子が遅滞なく動作する温度まで加熱することが重要になってくる。
【０００９】
特許文献１には、電極上に形成したエレクトロクロミック物質層を加熱するために、少なくとも一方の電極を加熱用電源に接続して通電を行う内容が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開昭６１−２４５１４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記従来の通電によるエレクトロクロミック素子の加熱では、素子の駆動回路および加熱回路構成が複雑になることに加え、比較的大きな電力消費があるといった問題がある。
【００１２】
一方、撮像装置に関しては、小型化の要請によって、撮像素子が実装された回路基板や、制御信号や画像信号を処理する電子部品が実装されたメイン回路基板の配置スペースが小さくなっており、これらの基板は密集した状態で配置されている。また、高画素化に伴う撮像素子の消費電力増大により、撮像素子における発熱量も増大している。
【００１３】
このように現状の撮像装置において、撮像素子が実装された回路基板やメイン回路基板は発熱体に相当するものになっている。
【００１４】
そこで、本発明は、撮像装置の回路基板や撮像素子で発生した熱をエレクトロクロミック素子に効率良く伝熱させることによってエレクトロクロミック素子の低温環境時における応答性能を向上し、さらに撮像装置全体の熱マネジメントを適正化することで撮像装置の性能向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成するために、本発明に係る撮像装置は、
撮像素子と、一対の透明電極基板と、前記一対の透明電極基板の間に配置された少なくとも一種のエレクトロクロミック材料と溶媒とを含むエレクトロクロミック媒体と、を有するエレクトロクロミック素子を内包する撮像装置であって、体積が可変であって、前記エレクトロクロミック媒体の封止を行う熱伝導性封止部材と、撮影動作中に高温状態となる発熱体との熱的な接続及び遮断を行う機構を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、撮像装置の回路基板や撮像素子で発生した熱をエレクトロクロミック素子に効率良く伝熱させることによってエレクトロクロミック素子の低温環境時における応答性能を向上し、さらに撮像装置全体の熱マネジメントを適正化することで撮像装置の性能向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の撮像装置で使用したエレクトロクロミック素子の一実施形態を表わす断面模式図である。
【図２】本発明の撮像装置で使用したエレクトロクロミック素子の一実施形態を表わす平面模式図である。
【図３】本発明の撮像装置の一実施形態を表わす断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しながら本発明のエレクトロクロミック素子を用いた撮像装置の構成について、好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。但し、この実施の形態に記載されている構成、相対配置等は特に記載がない限り、本発明の範囲を限定する趣旨のものではない。
【００１９】
本発明に係る撮像装置は、一対の透明電極基板と、前記一対の透明電極基板の間に配置された、少なくとも一種のエレクトロクロミック材料と溶媒とを含むエレクトロクロミック媒体と、を有するエレクトロクロミック素子を内包する撮像装置であって、前記エレクトロクロミック媒体の封止が体積可変の熱伝導性封止部材によって行われ、前記体積可変の熱伝導性封止部材と、撮像装置内の回路基板との熱的な接続及び遮断機構を有することを特徴とする。
【００２０】
図１は、本発明の撮像装置で使用したエレクトロクロミック素子１００の一実施形態を示す断面模式図であり、図２は本発明の撮像装置で使用したエレクトロクロミック素子１００の一実施形態を表わす平面模式図である。図１において、ガラス基板１ａ，１ｂには、それぞれ透明電極２ａ，２ｂが形成されている。これにより、一対の透明電極基板が構成されている。一対の透明電極基板はギャップ制御粒子（不図示）を含むシール３を介して貼り合わされ、このとき一対の透明電極基板間には少なくとも一種類のエレクトロクロミック材料を含有する溶媒からなるエレクトロクロミック媒体４が充填される。
【００２１】
また、一対の透明電極基板にはそれぞれ少なくとも一つ以上の給電端子（不図示）が設置される。給電端子はそれぞれ駆動回路基板を含む駆動電源７に接続され、これらの端子間に電圧パルスが印加されることによって素子の駆動が行われる。
【００２２】
エレクロクロミック媒体４の充填方法としては、ガラス基板１ａ，１ｂに一対のエレクトロクロミック媒体の注入穴５を形成して充填する方法や、シールパターンによって形成した素子側面の充填孔からから真空注入する方法や、一対の透明電極基板の貼り合わせと同時に真空中で充填する方法等があり、何れも好適に使用することができる。
【００２３】
本発明の撮像装置におけるエレクトロクロミック素子１００は、撮像装置内における回路基板や撮像素子等の発熱源の排熱を利用して伝熱によって加熱するため、これらの発熱源とエレクトロクロミック素子は良好な熱伝導性部材によって接続している必要がある。
【００２４】
エレクトロクロミック素子の構成部材で唯一熱の良導体と言えるのは透明電極であるが、透明電極と発熱源を熱伝導性部材によって接続してしまうと、エレクトロクロミック素子の電圧印加操作に干渉してしまう。
【００２５】
そこで、本発明の撮像装置におけるエレクトロクロミック素子１００では、エレクトロクロミック媒体４の封止部材として熱伝導性封止部材６を使用し、これと発熱源を接続することによりエレクトロクロミック媒体の加熱を行う。
【００２６】
また、エレクトロクロミック媒体４は温度が上昇すると数％程度の体積膨張があるため、封止部材として可撓性がない部材で固定してしまうと、エレクトロクロミック素子の中央部分が膨らむ外形変化が起きる。素子の外形変化は光学的な影響を伴うため、本発明における封止部材としては、可撓性、若しくは体積可変である熱伝導性部封止部材６を使用することが好適である。
【００２７】
例えば、金属製の超小型ベローズや、金属箔等を好ましく使用することができる。特に金属製ベローズを封止部材として用いる場合には、予めインジウム、インジウム−スズ、インジウム−銀等を用いてガラス基板にろう付けした後に、ベローズを最小にした状態で注入することが好ましい。このときベローズの注入穴の封止や、金属箔で封止する場合も上記ろう付け材料を好ましく使用することができる。
【００２８】
図３は、本発明の撮像装置１０の一実施形態を表わす断面模式図である。
【００２９】
９はレンズユニット、１０は撮像装置であり、本発明のエレクトロクロミック素子を用いた光学フィルタ８は撮像装置１０内において、ガラスブロック１１と撮像素子が実装された回路基板との間に設置される。さらに、エレクトロクロミック素子を用いた光学フィルタ８の熱伝導性封止部材６は、後述の機構１４によって、撮像素子が実装された回路基板１２やメイン回路基板１３と、熱的な接続されたり遮断されたりする状態になる。
【００３０】
エレクトロクロミック素子を用いた光学フィルタ８（以下、「エレクトロクロミック光学フィルタ８」とする）は不図示の温度検知手段によって温度をモニタしている。これにより、エレクトロクロミック光学フィルタ８が低温の時には遮断機構１４を介して回路基板１２やメイン回路基板１３と熱的な接続がなされる。また、エレクトロクロミック光学フィルタ８が所定温度以上の時には、遮断機構１４によってエレクトロクロミック光学フィルタ８は回路基板１２やメイン回路基板１３と熱的な接続が遮断されてエレクトロクロミック素子の過昇温が防止される。
【００３１】
なお、遮断機構１４の具体的な構成としては、例えば、遮断機構１４が複数の熱伝導部材が接続された状態であり、その一部が移動可能な状態に配設されている。また、モータ等の公知の駆動手段によって、一部の熱伝導部材が移動する事により、他の熱伝導部材と接続したり切り離されたりする。このような構成によって、エレクトロクロミック光学フィルタ８は、回路基板１２やメイン回路基板１３と熱的な接続状態と遮断状態に切り替え可能になっている。
【００３２】
つまり、遮断機構１４は、本発明の撮影動作中に高温状態となる発熱体との熱的な接続及び遮断を行う機構に相当する。
【００３３】
本発明のエレクトロクロミック光学フィルタ８の使用方法として、エレクトロクロミック素子１００が加熱されて所定の性能まで達した後に、撮像装置１０側でその使用が可能とする表示を行うようなインターフェースを採用することも好ましく採用することができる。
【００３４】
以下、本発明のエレクトロクロミック光学フィルタ８として用いるエレクトロクロミック素子１００について詳しく説明する。
【００３５】
ガラス基板１ａ，１ｂとしては、光学ガラス、石英ガラス、白板ガラス、青板ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、化学強化ガラス等を用いることができ、特に透明性や耐久性、耐熱性の点から無アルカリガラスを好適に使用することができる。
【００３６】
ガラス基板１ａ，１ｂには透明電極２のほかに、ガラス基板表面、ガラス基板−透明電極界面及び透明電極−エレクトロクロミック媒体界面の反射を低減して素子透過率を向上する不図示の反射防止層やインデックスマッチング層を好適に使用することができる。
【００３７】
透明電極２としては、いわゆる透明導電性酸化物であるスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、酸化スズ、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、ニオビウムドープ酸化チタン（ＴＮＯ）等を用いることができる。
【００３８】
シール３としては、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂を用いることができるが、前述したエレクトロクロミック媒体４の充填法、すなわち素子プロセスによって適宜好適な材料が選択される。また、シール３には一対の透明電極基板間隔を規定するセルギャップ制御粒子を混練しておくのが好ましい。
【００３９】
エレクトロクロミック媒体４は、少なくとも一種類のエレクトロクロミック材料と、溶媒と、からなり、さらに支持電解質や増粘剤等他の有益剤を添加してもよい。
【００４０】
エレクトロクロミック材料としては、酸化還元により可視光透過率が変化する化合物を好適に使用することができ、中でもチオフェン類化合物、フェナジン類化合物、ビピリジニウム塩類化合物等の有機化合物を好適に用いることができる。
【００４１】
溶媒としては、エレクトロクロミック材料や支持電解質等の有益剤を溶解するものであれば特に限定されないが、極性が大きいものを好ましく用いることができる。具体的には水や、メタノール、エタノール、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ジメチルスルホキシド、ジメトキシエタン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、プロピオンニトリル、ベンゾニトリル、ジメチルアセトアミド、メチルピロリジノン、ジオキソラン等の有機極性溶媒が挙げられる。
【００４２】
支持電解質としては、イオン解離性の塩であり、かつ溶媒に対して良好な溶解性を示すものであれば限定されないが、電子供与性を有する電解質を好ましく用いることができる。例えば、各種のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩などの無機イオン塩や４級アンモニウム塩や環状４級アンモニウム塩などがあげられる。具体的にはＬｉＣｌＯ４、ＬｉＳＣＮ、ＬｉＢＦ４、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＬｉＰＦ６、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＮａＳＣＮ、ＮａＣｌＯ４、ＮａＢＦ４、ＮａＡｓＦ６、ＫＳＣＮ、ＫＣｌ等のＬｉ、Ｎａ、Ｋのアルカリ金属塩等や、（ＣＨ３）４ＮＢＦ４、（Ｃ２Ｈ５）４ＮＢＦ４、（ｎ−Ｃ４Ｈ９）４ＮＢＦ４、（ｎ−Ｃ４Ｈ９）４ＮＰＦ６、（Ｃ２Ｈ５）４ＮＢｒ、（Ｃ２Ｈ５）４ＮＣｌＯ４、（ｎ−Ｃ４Ｈ９）４ＮＣｌＯ４等の４級アンモニウム塩および環状４級アンモニウム塩等が挙げられる。
【００４３】
増粘剤としては、例えばシアノエチルポリビニルアルコール、シアノエチルプルラン、及びシアノエチルセルロースから選ばれる少なくとも１種を好適に使用することができる。これらは、ＣＲ−Ｖ（シアノエチルポリビニルアルコール：軟化温度２０〜４０℃、誘電率１８．９）、ＣＲ−Ｓ（シアノエチルプルラン：軟化温度９０〜１００℃、誘電率１８．９）、ＣＲ−Ｃ（シアノエチルセルロース：軟化温度２００℃以上、誘電率１６）、ＣＲ−Ｍ（シアノエチルプルランとシアノエチルポリビニルアルコールの混合物：軟化温度４０〜７０℃、誘電率１８．９）として、信越化学工業製から入手することが可能であり、広い温度範囲にわたる高粘性と高イオン導電性という、相反する課題を良好なバランスで解決する添加剤である。
【００４４】
以上の構成によって作製したエレクトロクロミック素子１００は、電圧制御、或いはＰＷＭ制御によって任意の光学濃度に設定することができるが、光学濃度変化には化学反応を利用しているため、応答時間が低温側で遅くなるという原理的な特徴がある。
【００４５】
エレクトロクロミック素子１００の構成によっても異なるが、−５℃においては６段着消色に３〜４秒程度、室温２５℃では１〜２秒程度、６０℃では１秒程度の時間が必要となる。
【００４６】
以下、本発明の撮像装置１０の実施例について説明する。
【実施例１】
【００４７】
先ず、エレクトロクロミック素子１００を用いたエレクトロクロミック光学フィルタ８について説明する。
【００４８】
厚さ０．７ｍｍのガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ社製ＥＡＧＬＥ−ＸＧ）上にシート抵抗１０Ω／□のＩＴＯ透明電極を形成し、これを一対の透明電極基板として使用した。
【００４９】
ギャップ制御粒子（積水化学工業社製ミクロパール−ＳＰ（直径３０μｍ））と熱硬化型エポキシ樹脂（三井化学製ストラクトボンドＨＣ−１８５０）を混練し、一方の透明電極基板にディスペンサ装置を使用してシールパターンを描画塗布し、エレクトロクロミック媒体４の注入穴を形成したもう一方の透明電極基板と貼り合わせて電極間間隙３０μｍの素子を作製した。ここでエレクトロクロミック媒体注入部を除く、素子の有効光線領域は１１×１８ｍｍとした。
【００５０】
次に、エレクトロクロミック媒体４の体積可変な熱伝導性封止部材８として、ＳＵＳ製の超小型ベローズを金属インジウムを用いて一対の注入穴部分にろう付けした。
【００５１】
エレクトロクロミック媒体４としては、３種類のアノード性エレクトロクロミック材料（フェナジン類化合物）と、３種類のカソード性エレクトロクロミック材料（ビピリジニウム塩類化合物）とを炭酸プロピレン溶媒に溶解したものを作製した。
【００５２】
先に作製した素子の金属ベローズ穴からエレクトロクロミック媒体を注入し、最後に金属ベローズ穴を金属インジウムによって封止した。
【００５３】
さらに一対の透明電極２には一対のリード線をハンダ付けして、電圧印加により光学濃度可変なエレクトロクロミック光学フィルタ８を作製した。
【００５４】
さらに、熱伝導性封止部材である金属ベローズには銅箔を接続し、これを撮像素子が実装された回路基板１２やメイン回路基板１３と、熱的な接続及び遮断機構１４を介して接続して撮像装置１０内に組み込んだ。
【００５５】
（評価）
実施例１で作製した撮像装置１０にレンズユニット９を取り付け、環境試験機内で動作及び実写確認を行った。
【００５６】
先ず、環境試験機の温度を−５℃に設定し、エレクトロクロミック光学フィルタ８と、撮像素子が実装された回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続を行った状態で、撮像装置１０を立ち上げて標準的な使用を行った場合の３０分後のエレクトロクロミック光学フィルタ８の温度を確認したところ、約１５℃であり、このとき６段着消色時間は約２秒であった。比較のためにエレクトロクロミック光学フィルタ８と回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続を遮断した状態で同様の評価を行ったところ、エレクトロクロミック光学フィルタ８の温度は約−５℃のままであり、このとき６段着消色時間は約３〜４秒であった。
【００５７】
次に、環境試験機の温度を６０℃に設定して同様の評価を行った。このとき、エレクトロクロミック光学フィルタ８と回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続を行った状態では、３０分後のエレクトロクロミック光学フィルタ８の温度は約８０℃であり、またこのときの６段着消色時間は約０．５〜１秒であった。
【００５８】
一方、エレクトロクロミック光学フィルタ８と回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続を遮断した状態では、エレクトロクロミック光学フィルタ８の温度は約６０℃であり、このときの６段着消色時間は約１秒であった。
【００５９】
さらに、比較のために金属ベローズ（熱伝導性封止部材６）を用いずに標準的なＵＶ硬化性樹脂で注入穴を封止したエレクトロクロミック素子を作製し、これを回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続が無い状態で撮像装置１０に組込み、同様の評価を行った。
【００６０】
エレクトロクロミック光学フィルタ８の温度変化は、金属ベローズを使用して回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続が無い場合と略同様であったが、６０℃環境における使用では、エレクトロクロミック光学フィルタ８の外形変化に伴う影響から、一部で撮影画像の劣化が確認された。
【００６１】
つまり、エレクトロクロミック光学フィルタ８と回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続を行った状態ではエレクトロクロミック光学フィルタ８を効率よく加熱することができ、低温環境時において応答性能を向上することができた。さらに、体積が可変である熱伝導性封止部材６として金属ベローズを使用した場合には、エレクトロクロミック媒体の熱膨張による体積変化を緩衝して、形状変化による光学的な影響を抑制することができた。
【実施例２】
【００６２】
実施例２の素子は実施例１と同様のプロセスで作製を行った。但し、体積可変な熱伝導性封止部材８として、銀箔を用いて一対の注入穴部分にろう付けを行った。
【００６３】
（評価）
実施例２で作製した撮像装置にレンズユニット９を取り付け、環境試験機内で動作確認を行った。
【００６４】
先ず、環境試験機の温度を−５℃に設定し、エレクトロクロミック光学フィルタ８と、撮像素子が実装された回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続を行った状態で、撮像装置１０を立ち上げて標準的な使用を行った場合の３０分後のエレクトロクロミック光学フィルタ８の温度を確認したところ、約２０℃であり、このときの６段着消色時間は約１〜２秒であった。比較のためにエレクトロクロミック光学フィルタ８と回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続を遮断した状態で、同様の評価を行ったところ、エレクトロクロミック光学フィルタ８の温度は約−５℃のままであり、このときの６段着消色時間は約３〜４秒であった。
【００６５】
次に、環境試験機の温度を６０℃に設定して同様の評価を行った。
【００６６】
このとき、エレクトロクロミック光学フィルタ８と回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続を行った状態では、３０分後のエレクトロクロミック光学フィルタ８の温度は約８５℃であり、このときの６段着消色時間は約０．５秒であった。
【００６７】
一方、エレクトロクロミック光学フィルタ８と回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続を遮断した状態では、エレクトロクロミック光学フィルタ８の温度は約６０℃であり、このとき６段着消色時間は約１秒であった。
【００６８】
さらには、エレクトロクロミック光学フィルタ８と回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続を行った状態で約８５℃で撮影した画像は若干の画質劣化を伴っていたため、８０℃に達したところでエレクトロクロミック光学フィルタ８と回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続を遮断したところ、画質劣化は見られなくなった。
【００６９】
つまり、エレクトロクロミック光学フィルタ８と回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続を行った状態ではエレクトロクロミック光学フィルタ８を効率よく加熱することができ、低温環境時において応答性能を向上することができた。さらに、体積可変の熱伝導性封止部材６として銀箔を使用した場合には、エレクトロクロミック媒体の熱膨張による体積変化を緩衝する効果がやや不十分であったものの、回路基板１２及びメイン回路基板１３との熱的な接続を遮断する機構によって過昇温を防止することができ、エレクトロクロミック光学フィルタ８の形状変化による光学的な影響を抑制することができた。
【００７０】
以上、説明したように、本発明の撮像装置によれば、撮像装置の回路基板や撮像素子で発生した熱をエレクトロクロミック素子に効率良く伝熱させることによってエレクトロクロミック素子の低温環境時における応答性能を向上し、さらに撮像装置全体の熱マネジメントを適正化することで撮像装置の性能向上することができる。
【符号の説明】
【００７１】
１ａ，１ｂ  ガラス基板、２ａ，２ｂ  透明電極、  シール、
４  エレクトロクロミック媒体、
５  エレクトロクロミック媒体の注入穴、
６  熱伝導性封止部材（金属ベローズ）、
７  駆動回路基板を含む駆動電源、
８  エレクトロクロミック素子を用いた光学フィルタ、
９  レンズユニット、１０  撮像装置、１１  ガラスブロック、
１２  撮像素子が実装された回路基板、１３  メイン回路基板、
１４  エレクトロクロミック素子と回路基板との熱的な接続及び遮断機構、
１００  エレクトロクロミック素子
【図１】
2020056858.tif 000003
【図２】
2020056858.tif 000004
【図３】
2020056858.tif 000005