(57)【要約】【課題】ガラス層から剥離される樹脂層の品質が低下しにくいフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、ガラス層６１と樹脂層６２とが積層された積層基板６０から所定サイズの単位積層基板７０を切り出す切断工程を含む。切断工程では、単位積層基板７０のガラス層６１の切断面６６が樹脂層６２の切断面６７に対して外側に位置するようにガラス層６１を切断する。【選択図】図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス層と樹脂層とが積層された積層基板から所定サイズの単位積層基板を切り出す切断工程を含み、
前記切断工程では、前記単位積層基板の前記ガラス層の切断面が前記樹脂層の切断面に対して外側に位置するように前記ガラス層を切断する
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項２】
前記ガラス層は、前記樹脂層が形成される第１平面、および、前記第１平面と対をなす第２平面を含み、
前記切断工程では、前記第２平面から前記第１平面に向かうにつれて前記ガラス層の幅が狭くなる切断面が形成されるように前記ガラス層を切断する
請求項１に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項３】
前記切断工程では、前記第２平面から前記第１平面に向かうにつれて前記ガラス層の幅が狭くなるスクライブラインが形成されるように前記ガラス層をスクライブし、スクライブされた前記ガラス層をブレイクする
請求項２に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項４】
前記切断工程では、回転中心面に対して非対称な形状の刃先部を有するスクライビングホイールを用いて前記ガラス層をスクライブする
請求項３に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項５】
レーザリフトオフにより前記単位積層基板の前記ガラス層と前記樹脂層とを剥離する剥離工程をさらに含む
請求項１〜４のいずれか一項に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項６】
前記切断工程では、複数の前記積層基板を備え、前記複数の積層基板は第１ガラス層と第１樹脂層とが積層された第１積層基板、および、第２ガラス層と第２樹脂層とが積層された第２積層基板を含み、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板から単位積層基板を切り出す
請求項１〜５のいずれか一項に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（electro luminescence）ディスプレイは発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスを備える。フレキシブル有機ＥＬディスプレイでは、基板にフレキシブル基板が用いられる。フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造工程では、ガラス層に樹脂層が形成され、樹脂層に発光層等が形成される（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】再公表特許ＷＯ２０１１／０３０７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造工程では、発光層等が形成された樹脂層とガラス層とは剥離される。剥離の手段は、例えばレーザリフトオフである。照射対象に対するレーザの照射の状態が、剥離される樹脂層の品質に影響を及ぼす場合がある。
【０００５】
本発明の目的は、ガラス層から剥離される樹脂層の品質が低下しにくいフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、ガラス層と樹脂層とが積層された積層基板から所定サイズの単位積層基板を切り出す切断工程を含み、前記切断工程では、前記単位積層基板の前記ガラス層の切断面が前記樹脂層の切断面に対して外側に位置するように前記ガラス層を切断する。
この製造方法では、レーザがガラス層の切断面の影響を受けることなく樹脂層に照射される。樹脂層に適切にレーザが照射されるため、ガラス層から剥離される樹脂層の品質が低下しにくい。
【０００７】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記ガラス層は、前記樹脂層が形成される第１平面、および、前記第１平面と対をなす第２平面を含み、前記切断工程では、前記第２平面から前記第１平面に向かうにつれて前記ガラス層の幅が狭くなる切断面が形成されるように前記ガラス層を切断する。
垂直面に対して平行な切断面の形成を意図してガラス層を切断した場合でも製造誤差により切断面が垂直面に対して傾斜することがある。このような切断面の形成を正確に管理することには困難をともなう。上記製造方法では、傾斜した切断面の形成を意図してガラス層を切断するため、製造誤差の影響を考慮しても意図した方向とは異なる方向に傾斜した切断面が形成されにくい。
【０００８】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記切断工程では、前記第２平面から前記第１平面に向かうにつれて前記ガラス層の幅が狭くなるスクライブラインが形成されるように前記ガラス層をスクライブし、スクライブされた前記ガラス層をブレイクする。
この製造方法では、樹脂層の切断面に対して外側に位置するガラス層の切断面を効率的に形成できる。
【０００９】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記切断工程では、回転中心面に対して非対称な形状の刃先部を有するスクライビングホイールを用いて前記ガラス層をスクライブする。
この製造方法では、垂直面に対して傾斜するガラス層の切断面の形状が刃先部の形状により規定され、ガラス層を容易に切断できる。
【００１０】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、レーザリフトオフにより前記単位積層基板の前記ガラス層と前記樹脂層とを剥離する剥離工程をさらに含む。
この製造方法によれば、樹脂層とガラス層とを効率的に剥離できる。
【００１１】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記切断工程では、複数の前記積層基板を備え、前記複数の積層基板は第１ガラス層と第１樹脂層とが積層された第１積層基板、および、第２ガラス層と第２樹脂層とが積層された第２積層基板を含み、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板から単位積層基板を切り出す。
この製造方法では、単位積層基板を切り出す元となる積層基板が多層積層基板である場合にも、レーザがガラス層の切断面の影響を受けることなく樹脂層に照射され、ガラス層から剥離される樹脂層の品質が低下しにくい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ガラス層から剥離される樹脂層の品質が低下しにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態の製造方法に関する多層積層基板の断面図。
【図２】図１の多層積層基板の平面図。
【図３】レーザ加工装置の構成を示す模式図。
【図４】スクライブ加工装置の構成を示す模式図。
【図５】スクライビングホイールの断面図。
【図６】第１実施形態の製造方法を示すフローチャート。
【図７】後段加工工程の加工順番と加工種類との関係を示す図。
【図８】レーザ加工装置の構成を示す模式図。
【図９】単位積層基板の一例の断面図。
【図１０】剥離工程の一例を示す図。
【図１１】第２実施形態の製造方法に関する多層積層基板の断面図。
【図１２】第２実施形態の製造方法を示すフローチャート。
【図１３】切断工程の加工順番と加工種類との関係を示す図。
【図１４】剥離工程の一例を示す図。
【図１５】変形例の製造方法に関する多層積層基板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１実施形態）
図面を参照してフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。フレキシブル有機ＥＬディスプレイは、据置型の機器および携帯機器等に用いられる。据置型の機器の一例は、パーソナルコンピュータおよびテレビ受像機である。携帯機器の一例は、携帯情報端末、ウェアラブルコンピュータ、および、ノート型パーソナルコンピュータである。携帯情報端末の一例はスマートフォン、タブレット、および、携帯ゲーム機である。ウェアラブルコンピュータの一例は、ヘッドマウントディスプレイおよびスマートウォッチである。
【００１５】
フレキシブル有機ＥＬディスプレイは、発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスと、発光デバイスを一方から覆う第１保護フィルムと、発光デバイスを他方から覆う第２保護フィルムとを有する。第１保護フィルムおよび第２保護フィルムはそれぞれ、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate）が用いられる。なお、第１保護フィルムおよび第２保護フィルムの一方は省略してもよい。発光デバイスの製造工程では、図１に示される１枚の多層積層基板１０から複数の発光デバイスが製造される。
【００１６】
多層積層基板１０は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造の途中段階で製造される。多層積層基板１０は、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとが積層された第１積層基板１１と、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとが積層された第２積層基板１２とを有する。多層積層基板１０は、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとが対向するように第１積層基板１１と第２積層基板１２とが積層されて構成されている。多層積層基板１０は、導電層１３をさらに有する。導電層１３は、例えば第１積層基板１１の第１樹脂層１１Ｂ上に形成されている。導電層１３は、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとに挟まれている。導電層１３は、ＯＬＥＤ（Organic Light Diode）、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の電子デバイス用部材が形成されている。第１樹脂層１１Ｂ、導電層１３、および、第２樹脂層１２Ｂは、発光デバイスを構成している。
【００１７】
第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａと第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの組成は、特に限定されないが、例えばアルカリ金属酸化物を含有するガラス、または無アルカリガラス等の種々の組成のガラスを用いることができる。アルカリ金属酸化物を含有するガラスの一例は、ソーダライムガラスである。本実施形態では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａは、無アルカリガラスが用いられる。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば０．５ｍｍ程度であることが好ましい。第１ガラス層１１Ａは、第１樹脂層１１Ｂが形成される第１平面１４Ａ、および、第１平面１４Ａと対をなす第２平面１４Ｂを有する。第２ガラス層１２Ａは、第２樹脂層１２Ｂが形成される第１平面１５Ａ、および、第１平面１５Ａと対をなす第２平面１５Ｂを有する。
【００１８】
第１積層基板１１の第１樹脂層１１Ｂと第２積層基板１２の第２樹脂層１２Ｂとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの組成は、特に限定されないが、例えばポリイミド（ＰＩ）を用いることができる。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００１９】
図２は、多層積層基板１０の平面図である。
図２の破線によって示される切断予定部１６，１７に沿って多層積層基板１０を格子状に切断することによって単位積層基板２０が形成される。単位積層基板２０の平面視におけるサイズは、平面視において発光デバイスの予め決められたサイズに相当する。
【００２０】
多層積層基板１０の切断には、レーザ加工装置およびスクライブ加工装置の少なくとも一方が用いられる。図３は、レーザ加工装置の構成の一例であり、図４は、スクライブ加工装置の構成の一例である。図３および図４において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、および、Ｚ軸方向を図３および図４に示すとおり規定する。なお、第１積層基板１１および第２積層基板１２の切断には、ダイシング加工装置（図示略）を用いてもよい。
【００２１】
図３に示されるように、レーザ加工装置３０は、多層積層基板１０を切断するためのレーザ装置３１と、レーザ装置３１に対して多層積層基板１０を移動させるための機械駆動系３２と、レーザ装置３１および機械駆動系３２を制御する第１制御部３３とを備える。
【００２２】
レーザ装置３１は、多層積層基板１０における第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂと、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａとの少なくとも一方を加工可能である。レーザ装置３１は、多層積層基板１０にレーザ光を照射するためのレーザ発振器３４と、レーザ光を機械駆動系３２に伝送する伝送光学系３５とを有する。レーザ発振器３４は、例えばＵＶ（Ultra Violet）レーザまたはＣＯ２レーザである。レーザ加工装置３０が第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを加工する場合、レーザ発振器３４はＵＶレーザである。レーザ加工装置３０が第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを加工する場合、レーザ発振器３４はＣＯ２レーザまたはＵＶレーザである。伝送光学系３５は、例えば集光レンズ、複数のミラー、プリズム、ビームエキスパンダ等から構成される。また、伝送光学系３５は、例えばレーザ発振器３４が組み込まれたレーザ照射ヘッドをＸ軸方向に移動させるためのＸ軸方向移動機構を有する。レーザ発振器３４から照射されたレーザ光は、伝送光学系３５を介して多層積層基板１０に向けて照射される。
【００２３】
機械駆動系３２は、レーザ装置３１とＺ軸方向に対向して配置されている。機械駆動系３２は、ベッド３６、加工テーブル３７、および、移動装置３８から構成される。加工テーブル３７上には、多層積層基板１０が載置される。移動装置３８は、加工テーブル３７をベッド３６に対して水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に移動させる。移動装置３８は、ガイドレール、移動テーブル、モータ等を有する公知の機構である。
【００２４】
第１制御部３３は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＭＰＵ（Micro Processing Unit）を有する。第１制御部３３は、１または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第１制御部３３は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第１制御部３３は、レーザ装置３１に設けられてもよいし、機械駆動系３２に設けられてもよいし、レーザ装置３１および機械駆動系３２とは別に設けられてもよい。第１制御部３３がレーザ装置３１および機械駆動系３２とは別に設けられる場合、第１制御部３３の配置位置は任意に設定可能である。
【００２５】
図４に示されるように、スクライブ加工装置４０は、スクライビングホイール５０と多層積層基板１０とがＸ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動することによって多層積層基板１０にＸ軸方向およびＹ軸方向に沿うスクライブラインを形成する。スクライブ加工装置４０は、多層積層基板１０を加工するための加工装置４１と、多層積層基板１０を搬送するための搬送装置４２と、加工装置４１および搬送装置４２を制御する第２制御部４３とを備える。
【００２６】
搬送装置４２は、一対のレール４４、テーブル４５、直進駆動装置４６、回転装置４７等から構成される。一対のレール４４は、Ｙ軸方向に沿って延びている。図４のスクライブ加工装置４０では、スクライブ加工装置４０のベース（図示略）に一対のレール４４が配置され、直進駆動装置４６によってテーブル４５が一対のレール４４に沿って往復移動し、回転装置４７によってテーブル４５が中心軸Ｃまわりを回転する。テーブル４５には、多層積層基板１０が載置される。直進駆動装置４６の一例は、送りねじ装置を有する。回転装置４７は、駆動源となるモータを有する。
【００２７】
加工装置４１は、横駆動装置４８、縦駆動装置４９、および、スクライビングホイール５０等から構成される。スクライビングホイール５０は、スクライビングホイール５０を保持するためのホルダユニットに取り付けられる。ホルダユニットは、ホルダユニットを保持するためのスクライブヘッドに取り付けられる。スクライブヘッドは、横駆動装置４８によってＸ軸方向に移動し、縦駆動装置４９によってＺ軸方向に移動する。スクライビングホイール５０がＸ軸方向に移動することによって、多層積層基板１０にＸ軸方向に沿うスクライブラインを形成する。
【００２８】
スクライビングホイール５０は、ホルダユニットに取り付けられるピン（図示略）に回転可能に支持される。スクライビングホイール５０を構成する材料の一例は、焼結ダイヤモンド（Poly Crystalline Diamond）、超硬金属、単結晶ダイヤモンド、および、多結晶ダイヤモンドである。スクライビングホイール５０は、例えば図５（ａ）に示される形状のスクライビングホイール５０Ａ、および、図５（ｂ）に示される形状のスクライビングホイール５０Ｂのいずれかを用いることができる。
【００２９】
図５（ａ）に示されるスクライビングホイール５０Ａは、円板状の本体部５１と、断面Ｖ字状の刃先部５２とから構成される。断面Ｖ字状とは、スクライビングホイール５０Ａの厚さ方向（以下「厚さ方向ＤＴ」）に沿う平面でスクライビングホイール５０Ａを切った断面において、スクライビングホイール５０Ａの外周縁に向けて先細る形状である。
【００３０】
本体部５１の中心部には、本体部５１を厚さ方向ＤＴに貫通する挿入孔５３が形成される。挿入孔５３にはピンが挿入される。
刃先部５２は、断面Ｖ字状を形成する２つの斜面である第１斜面５２Ａおよび第２斜面５２Ｂを有する。第１斜面５２Ａおよび第２斜面５２Ｂは、スクライビングホイール５０Ａの厚さ方向ＤＴの中心であって、厚さ方向ＤＴに直交する回転中心面ＲＣに対して対称である。
【００３１】
図５（ｂ）に示されるスクライビングホイール５０Ｂは、スクライビングホイール５０Ａと比較して、刃先部５２の形状が異なる。スクライビングホイール５０Ｂの刃先部５２における第１斜面５２Ａおよび第２斜面５２Ｂは、回転中心面ＲＣに対して非対称である。より詳細には、厚さ方向に沿うスクライビングホイール５０Ｂの断面において、スクライビングホイール５０Ｂの径方向に平行な線分Ｌ１と第１斜面５２Ａとがなす第１角度θ１は、線分Ｌ１と第２斜面５２Ｂとがなす第２角度θ２よりも大きい。なお、回転中心面ＲＣに対して線分Ｌ１に沿う方向における刃先部５２の先端の位置がずれていれば、第１角度θ１は、第２角度θ２と等しくてもよい。
【００３２】
第２制御部４３は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばＣＰＵまたはＭＰＵを有する。第２制御部４３は、１または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第２制御部４３は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第２制御部４３は、加工装置４１に設けられてもよいし、搬送装置４２に設けられてもよいし、加工装置４１および搬送装置４２とは別に設けられてもよい。第２制御部４３が加工装置４１および搬送装置４２とは別に設けられる場合、第２制御部４３の配置位置は任意に設定可能である。
【００３３】
〔フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法〕
次に、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の詳細について説明する。図６は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の工程の一例を示す。
【００３４】
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法では、第１積層基板１１および第２積層基板１２を貼り合せて多層積層基板１０を製造後、多層積層基板１０を所定サイズに切断して単位積層基板２０を製造する。次に、単位積層基板２０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを除去することにより、発光デバイスが製造される。そして、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに第１保護フィルムおよび第２保護フィルムを取り付ける。これにより、フレキシブル有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００３５】
図６に示されるように、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程よりも前の工程である前段工程と、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程以降の工程である後段工程とに区分される。前段工程は、前段積層工程を含む。前段積層工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を製造する工程である。後段工程は、後段積層工程、後段加工工程、および、剥離工程を含む。後段積層工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層して多層積層基板１０を製造する工程である。後段加工工程は、多層積層基板１０の切断予定部１６，１７に沿って多層積層基板１０を切断することにより、すなわち多層積層基板１０を所定サイズに切断することにより、単位積層基板２０を製造する工程である。剥離工程は、レーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）によって第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを剥離し、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを剥離する工程である。以下、各工程の詳細について説明する。
【００３６】
前段積層工程では、第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａの全体にわたり第１樹脂層１１Ｂを形成することによって第１積層基板１１を製造し、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａの全体にわたり第２樹脂層１２Ｂを形成することによって第２積層基板１２を製造する。第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａへの第１樹脂層１１Ｂの形成方法、および、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａへの第２樹脂層１２Ｂの形成方法はそれぞれ、ガラス層に樹脂層を塗布する方法、または、ガラス層に接着層を介して樹脂層をラミネートする方法を選択できる。またガラス層に樹脂層を固定する方法として、加熱硬化処理、または、プレス法による加熱および加圧処理を選択できる。
【００３７】
後段積層工程では、所定サイズに切断されていない第１積層基板１１と所定サイズに切断されていない第２積層基板１２とを積層する。一例では、第１積層基板１１と第２積層基板１２とが、例えば接着層ＳＤを介して貼り合せられる。これにより、多層積層基板１０が製造される。
【００３８】
後段加工工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２をそれぞれ切断する後段切断工程を含む。後段加工工程の後段切断工程では、例えば図７（ａ）（ｂ）に示されるように、多層積層基板１０を切断する順番および加工種類を任意に選択できる。図７（ａ）の表は、第１積層基板１１および第２積層基板１２の順に切断する場合の各層の加工順番と加工種類との関係の一例を示す。図７（ｂ）は、第２積層基板１２および第１積層基板１１の順に切断する場合の各層の加工順番と加工種類との関係の一例を示す。図７（ａ）（ｂ）に示されるとおり、第１樹脂層１１Ｂを第１ガラス層１１Ａよりも前に切断またはスクライブする場合、および、第２樹脂層１２Ｂを第２ガラス層１２Ａよりも前に切断またはスクライブする場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの加工にスクライブ加工装置４０を用いることはできない。第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂをレーザで切断する場合、例えば次の第１の方法および第２の方法を選択できる。第１の方法は、レーザによって第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂをスクライブした後、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂをブレイクする。第２の方法は、レーザによって第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂを切断する。なお、第１の工程例の後段加工工程の後段切断工程では、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂに対して、切断する層およびスクライブ後にブレイクする層のいずれかを任意に選択できる。
【００３９】
第１樹脂層１１Ｂまたは第２樹脂層１２Ｂをレーザで切断する場合、第１樹脂層１１Ｂまたは第２樹脂層１２Ｂに対するレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が抑制される所定出力未満に設定し、第１樹脂層１１Ｂまたは第２樹脂層１２Ｂにレーザを複数回照射することが好ましい。レーザによる第１樹脂層１１Ｂまたは第２樹脂層１２Ｂの加工時に発生するガスが時間の経過とともに冷却されるため、多層積層基板１０の内部のガスの体積の増大を抑制できる。
【００４０】
レーザまたはスクライビングホイール５０によって第１ガラス層１１Ａをスクライブした後、レーザによって第２樹脂層１２Ｂを切断または第２樹脂層１２Ｂをスクライブする場合、第２ガラス層１２Ａ側からレーザを照射することが好ましい。レーザによって第２樹脂層１２Ｂを切断する場合、第２樹脂層１２Ｂを切断後、同一照射方向のレーザによって第１樹脂層１１Ｂを切断または第１樹脂層１１Ｂをスクライブしてもよい。レーザまたはスクライビングホイール５０によって第２ガラス層１２Ａをスクライブした後、レーザによって第１樹脂層１１Ｂを切断または第１樹脂層１１Ｂをスクライブする場合、第１ガラス層１１Ａ側からレーザを照射することが好ましい。レーザによって第１樹脂層１１Ｂを切断する場合、第１樹脂層１１Ｂを切断後、同一照射方向のレーザによって第２樹脂層１２Ｂを切断または第２樹脂層１２Ｂをスクライブしてもよい。
【００４１】
ガラス層および樹脂層のそれぞれをレーザによって切断またはガラス層および樹脂層のそれぞれをスクライブする場合、図３に示されるレーザ加工装置３０に代えて、図８に示されるレーザ加工装置３０Ａが用いられる。レーザ加工装置３０Ａは、レーザ加工装置３０と比較して、レーザ装置の構成が異なる。以下、レーザ加工装置３０Ａのうちの異なる構成について説明する。
【００４２】
レーザ加工装置３０Ａのレーザ装置３１Ａは、第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを有する。第１レーザ発振器３４ＡはＵＶレーザであり、第２レーザ発振器３４ＢはＣＯ２レーザである。第１レーザ発振器３４Ａから照射されたレーザ光、および、第２レーザ発振器３４Ｂから照射されたレーザ光は、伝送光学系３５を介して多層積層基板１０に照射される。なお、伝送光学系３５は、第１レーザ発振器３４Ａに対応する伝送光学系と、第２レーザ発振器３４Ｂに対応する伝送光学系とが個別に設けられてもよい。
【００４３】
第１制御部３３は、多層積層基板１０に対する加工対象の種類（ガラス層または樹脂層）に応じて第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを選択する。例えば第１制御部３３は、予め記憶された制御プログラムによって加工対象の種類であるガラス層および樹脂層の加工順番を定め、定められた加工順番に応じて第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを選択する。
【００４４】
図９は、後段切断工程において製造された単位積層基板２０の一例を示す。図９に示される単位積層基板２０は、図５（ｂ）に示されるスクライビングホイール５０Ｂによって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａがスクライブされた後にブレイクされることによって製造される。図９に示される単位積層基板２０の断面において、単位積層基板２０の厚さ方向Ｔと直交する方向を幅方向Ｗと規定する。単位積層基板２０の断面において、単位積層基板２０の幅方向Ｗの中心に向かう側を内側とし、幅方向Ｗの端部に向かう方向を外側とする。
【００４５】
後段切断工程では、単位積層基板２０の第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａが第１樹脂層１１Ｂの切断面２３Ｂに対して外側に位置するように第１ガラス層１１Ａを切断する。単位積層基板２０の第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａが第２樹脂層１２Ｂの切断面２４Ｂに対して外側に位置するように第２ガラス層１２Ａを切断する。より詳細には、第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂから第１平面１４Ａに向かうにつれて第１ガラス層１１Ａの幅ＷＤ１が狭くなる切断面２３Ａが形成されるように第１ガラス層１１Ａが切断されている。第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂから第１平面１５Ａに向かうにつれて第２ガラス層１２Ａの幅ＷＤ２が狭くなる切断面２４Ａが形成されるように第２ガラス層１２Ａが切断されている。スクライビングホイール５０Ｂによって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブするため、スクライブ加工装置４０は、図９に示す断面視において第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂから第１平面１４Ａに向かうにつれて第１ガラス層１１Ａの幅ＷＤ１が狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるように第１ガラス層１１Ａをスクライブする。次にスクライブした第１ガラス層１１Ａをブレイクする。スクライブ加工装置４０は、図９に示す断面視において第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂから第１平面１５Ａに向かうにつれて第２ガラス層１２Ａの幅ＷＤ２が狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるように第２ガラス層１２Ａをスクライブする。次にスクライブした第２ガラス層１２Ａをブレイクする。なお、スクライビングホイール５０Ｂに代えて、レーザ加工装置３０のレーザによって図９に示される第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａを形成してもよい。
【００４６】
剥離工程では、レーザリフトオフ装置（図示略）を用いる。本実施形態では、レーザリフトオフ装置のレーザとしてＵＶレーザが用いられる。図１０（ａ）に示されるように、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂにレーザを照射することによって第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離する。第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離する場合、レーザは、第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂに直交するように照射される。次に、図１０（ｂ）に示されるように、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂにレーザを照射することによって第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離する。第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離する場合、レーザは、第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂに直交するように照射される。なお、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを剥離する順番は任意に変更可能である。例えば、第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離した後、第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離してもよい。
【００４７】
多層積層基板１０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａが取り除かれた（図１０（ｃ）参照）後、第１樹脂層１１Ｂを覆うように第１保護フィルムが取り付けられ、第２樹脂層１２Ｂを覆うように第２保護フィルムが取り付けられることにより、フレキシブル有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００４８】
図９に示される単位積層基板２０では、第１樹脂層１１Ｂの幅方向Ｗの端縁まで第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂが形成され、第２樹脂層１２Ｂの幅方向Ｗの端縁まで第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂが形成されている。すなわち、厚さ方向Ｔにおいて、第１樹脂層１１Ｂの幅方向Ｗの端縁と第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａとが重ならず、第２樹脂層１２Ｂの幅方向Ｗの端縁と第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａとが重なっていない。このため、第１樹脂層１１Ｂの幅方向Ｗの端縁および第２樹脂層１２Ｂの幅方向Ｗの端縁に対してレーザリフトオフ装置のレーザを照射する場合、レーザが第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａを通過しない。
【００４９】
本実施形態の効果について説明する。
（１−１）単位積層基板２０の第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａが第１樹脂層１１Ｂの切断面２３Ｂよりも幅方向Ｗの外側に位置し、第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａが第２樹脂層１２Ｂの切断面２４Ｂよりも幅方向Ｗの外側に位置している。この製造方法によれば、レーザが第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａの影響を受けることなく、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに照射される。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂにそれぞれレーザが適切に照射されるため、第１ガラス層１１Ａから剥離される第１樹脂層１１Ｂの品質、および、第２ガラス層１２Ａから剥離される第２樹脂層１２Ｂの品質がそれぞれ低下しにくい。
【００５０】
（１−２）後段切断工程では、第２平面１４Ｂから第１平面１４Ａに向かうにつれて第１ガラス層１１Ａの幅ＷＤ１が狭くなる切断面２３Ａが形成されるように第１ガラス層１１Ａを切断する。第２平面１５Ｂから第１平面１５Ａに向かうにつれて第２ガラス層１２Ａの幅ＷＤ２が狭くなる切断面２４Ａが形成されるように第２ガラス層１２Ａを切断する。この製造方法では、傾斜した切断面２３Ａ，２４Ａの形成を意図して第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを切断するため、製造誤差の影響を考慮しても意図した方向とは異なる方向に傾斜した切断面が形成されにくい。
【００５１】
（１−３）後段切断工程では、第２平面１４Ｂから第１平面１４Ａに向かうにつれて第１ガラス層１１Ａの幅ＷＤ１が狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるように第１ガラス層１１Ａをスクライブし、スクライブされた第１ガラス層１１Ａをブレイクする。第２平面１５Ｂから第１平面１５Ａに向かうにつれて第２ガラス層１２Ａの幅ＷＤ２が狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるように第２ガラス層１２Ａをスクライブし、スクライブされた第２ガラス層１２Ａをブレイクする。この製造方法では、第１樹脂層１１Ｂの切断面２３Ｂに対して外側に位置する第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａを効率的に形成でき、第２樹脂層１２Ｂの切断面２４Ｂに対して外側に位置する第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａを効率的に形成できる。
【００５２】
（１−４）後段切断工程では、図５（ｂ）に示される回転中心面ＲＣに対して非対称な形状の刃先部５２を有するスクライビングホイール５０Ｂを用いて第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブする。この製造方法では、第２平面１４Ｂに対して傾斜する第１ガラス層１１Ａの切断面２３Ａの形状、および第２平面１５Ｂに対して傾斜する第２ガラス層１２Ａの切断面２４Ａの形状が刃先部５２の形状により規定され、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを容易に切断できる。
【００５３】
（１−５）レーザリフトオフによって第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを剥離し、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを剥離する剥離工程をさらに含む。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを効率的に剥離でき、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを効率的に剥離できる。
【００５４】
（１−６）フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層する工程以降の工程である後段工程において、多層積層基板１０を所定サイズに切断する。この製造方法では、第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層された多層積層基板１０の状態で切断されるため、積層作業が簡素化される。このため、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくい。
【００５５】
（１−７）後段加工工程の後段切断工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをまず切断し、次に第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断する。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａが先に切断されるため、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断する工程では第１樹脂層１１Ｂにおける第１ガラス層１１Ａに覆われていない部分、および、第２樹脂層１２Ｂにおける第２ガラス層１２Ａに覆われていない部分をそれぞれ切断できる。例えば、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザで切断する場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスが第１ガラス層１１Ａの切断部分および第２ガラス層１２Ａの切断部分から排出される。このため、ガスが第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
【００５６】
（１−８）後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザにより切断する。このため、例えばスクライビングホイール５０を用いた切断と比較して、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断時の発熱量が少なく、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質が低下しにくい。
【００５７】
（１−９）後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が抑制される所定出力未満に設定する。この製造方法によれば、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂにレーザが照射された場合に高温のガスが発生しにくく、ガスの影響により第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂの品質が低下するおそれが低減される。
【００５８】
（第２実施形態）
図１１〜図１４を参照して、第２実施形態のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。本実施形態では、第１実施形態と比較して、多層積層基板１０に代えて積層基板６０を製造する点が異なる。
【００５９】
図１１に示されるように、積層基板６０は、ガラス層６１と樹脂層６２とが積層されて構成される。ガラス層６１は、樹脂層６２が形成される第１平面６３Ａ、および、第１平面６３Ａと対をなす第２平面６３Ｂを有する。積層基板６０は、導電層６８をさらに有する。導電層６８は、第１実施形態の導電層１３と同じである。樹脂層６２および導電層６８は、発光デバイスを構成している。ガラス層６１の組成は、例えば第１実施形態の第１ガラス層１１Ａまたは第２ガラス層１２Ａの組成と同じである。樹脂層６２の組成は、例えば第１実施形態の第１樹脂層１１Ｂまたは第２樹脂層１２Ｂの組成と同じである。
【００６０】
図１２に示されるように、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、積層工程、切断工程、および、剥離工程を含む。積層工程は、ガラス層６１に樹脂層６２を積層して積層基板６０を製造する工程である。切断工程は、積層基板６０から所定サイズの単位積層基板７０（図１４（ａ）参照）を切り出す工程である。剥離工程は、レーザリフトオフにより単位積層基板７０の樹脂層６２とガラス層６１とを剥離する工程である。以下、各工程の詳細について説明する。
【００６１】
積層工程では、ガラス層６１の第１平面６３Ａの全体にわたり樹脂層６２を形成することによって積層基板６０を製造する。ガラス層６１の第１平面６３Ａへの樹脂層６２の形成方法は、ガラス層６１に樹脂層６２を塗布する方法、または、ガラス層６１に接着層を介して樹脂層６２をラミネートする方法を選択できる。またガラス層６１に樹脂層６２を固定する方法として、加熱硬化処理、または、プレス法による加熱および加圧処理を選択できる。
【００６２】
切断工程では、図１１に示されるガラス層６１の切断予定部６４Ａおよび樹脂層６２の切断予定部６４Ｂに沿ってガラス層６１および樹脂層６２をそれぞれ切断する。切断予定部６４Ａ，６４Ｂは、積層基板６０が所定サイズに切断するための切断部分である。図１３に示されるように、切断工程では、積層基板６０を切断する順番および加工種類を任意に選択できる。積層基板６０は、樹脂層６２およびガラス層６１の順に切断してもよいし、ガラス層６１および樹脂層６２の順に切断してもよい。ガラス層６１および樹脂層６２の切断について、レーザ加工装置３０およびスクライブ加工装置４０のいずれかを用いてもよい。また、ガラス層６１および樹脂層６２の切断について、レーザ加工装置３０またはスクライブ加工装置４０によってスクライブした後、ブレイクしてもよいし、レーザ加工装置３０によって切断してもよい。
【００６３】
切断工程において、ガラス層６１の切断予定部６４Ａおよび樹脂層６２の切断予定部６４Ｂのそれぞれをレーザによってスクライブまたは切断する場合、図３に示されるレーザ加工装置３０に代えて、図８に示されるレーザ加工装置３０Ａが用いられる。
【００６４】
図１４（ａ）は、切断工程において図５（ｂ）に示されるスクライビングホイール５０Ｂによってガラス層６１をスクライブおよびブレイクした場合の所定サイズの積層基板６０である単位積層基板７０を示す。図１４（ａ）に示される単位積層基板７０の断面において、単位積層基板７０の厚さ方向Ｔと直交する方向を幅方向Ｗと規定する。単位積層基板７０の断面において、単位積層基板７０の幅方向Ｗの中心に向かう側を内側とし、幅方向Ｗの端部に向かう方向を外側とする。
【００６５】
切断工程では、単位積層基板７０のガラス層６１の切断面６６が樹脂層６２の切断面６７に対して外側に位置するようにガラス層６１の切断予定部６４Ａ（図１１参照）を切断する。より詳細には、切断工程においてガラス層６１の第２平面６３Ｂから第１平面６３Ａに向かうにつれてガラス層６１の幅ＷＤが狭くなる切断面６６が形成されるようにガラス層６１の切断予定部６４Ａが切断されている。スクライビングホイール５０Ｂによってガラス層６１をスクライブするため、切断工程では、スクライブ加工装置４０は、図１４（ａ）の断面視においてガラス層６１の第２平面６３Ｂから第１平面６３Ａに向かうにつれてガラス層６１の幅ＷＤが狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるようにガラス層６１の切断予定部６４Ａをスクライブする。次にスクライブしたガラス層６１の切断予定部６４Ａをブレイクする。なお、スクライビングホイール５０Ｂに代えて、レーザ加工装置３０のレーザによって図１４（ａ）に示されるガラス層６１の切断面６６を形成してもよい。
【００６６】
剥離工程では、第１実施形態と同様のレーザリフトオフ装置（図示略）を用いて、図１４（ａ）に示されるように、ガラス層６１から樹脂層６２にレーザを照射することによって樹脂層６２とガラス層６１とを剥離する。
【００６７】
多層積層基板１０からガラス層６１が取り除かれた（図１４（ｂ）参照）後、樹脂層６２の厚さ方向Ｔの一方を覆うように第１保護フィルムが取り付けられ、樹脂層６２の厚さ方向Ｔの他方を覆うように第２保護フィルムが取り付けられることにより、フレキシブル有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００６８】
図１４（ａ）に示される単位積層基板７０では、樹脂層６２の幅方向Ｗの端縁までガラス層６１の第２平面６３Ｂが形成されている。すなわち、厚さ方向Ｔにおいて、樹脂層６２の幅方向Ｗの端縁とガラス層６１の切断面６６とが重なっていない。このため、樹脂層６２の幅方向Ｗの端縁に対してレーザリフトオフ装置のレーザを照射する場合、レーザがガラス層６１の切断面６６を通過しない。
【００６９】
本実施形態の効果について説明する。
（２−１）単位積層基板７０のガラス層６１の切断面６６が樹脂層６２の切断面６７よりも幅方向Ｗの外側に位置している。この製造方法によれば、レーザリフトオフ装置のレーザがガラス層６１の切断面６６およびガラス層６１の切断面６７の影響を受けることなく、樹脂層６２に照射される。樹脂層６２にレーザリフトオフ装置のレーザが適切に照射されるため、ガラス層６１から剥離される樹脂層６２の品質が低下しにくい。
【００７０】
（２−２）切断工程では、第２平面６３Ｂから第１平面６３Ａに向かうにつれてガラス層６１の幅ＷＤが狭くなる切断面６６が形成されるようにガラス層６１を切断する。この製造方法では、傾斜した切断面６６の形成を意図してガラス層６１を切断するため、製造誤差の影響を考慮しても意図した方向とは異なる方向に傾斜した切断面が形成されにくい。
【００７１】
（２−３）切断工程では、第２平面６３Ｂから第１平面６３Ａに向かうにつれてガラス層６１の幅ＷＤが狭くなるスクライブライン（クラック）が形成されるようにガラス層６１をスクライブし、スクライブされたガラス層６１をブレイクする。この製造方法では、樹脂層６２の切断面６７に対して外側に位置するガラス層６１の切断面６６を効率的に形成できる。
【００７２】
（２−４）図５（ｂ）に示される回転中心面ＲＣに対して非対称な形状の刃先部５２を有するスクライビングホイール５０Ｂを用いてガラス層６１をスクライブする。この製造方法では、第２平面６３Ｂに対して傾斜するガラス層６１の切断面６６の形状が刃先部５２の形状により規定され、ガラス層６１を容易に切断できる。
【００７３】
（２−５）フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、レーザリフトオフによってガラス層６１と樹脂層６２とを剥離する剥離工程をさらに含む。この製造方法では、ガラス層６１と樹脂層６２とを効率的に剥離できる。
【００７４】
（変形例）
上記各実施形態は本開示に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または、各実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変形例において、各実施形態の形態と共通する部分については、各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【００７５】
・第１実施形態において、後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断する場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスを吸引する吸引機構８０が設けられてもよい。図１５に示されるように、吸引機構８０は、多層積層基板１０の周面１０Ａを介してガスを吸引するように構成される。吸引機構８０の一例は、吸気ファンを有する。吸引機構８０は、吸気ファンが駆動することにより、多層積層基板１０の周面１０Ａにおける空気を吸引する。この場合、多層積層基板１０内に発生したガスが周面１０Ａを介して多層積層基板１０の外部に排出される。
【００７６】
・第１実施形態において、複数回のレーザの照射により、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断する場合、レーザを所定出力未満に設定することに代えてまたは加えて、一定の時間を空けて第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂにレーザを複数回照射することにより第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断してもよい。この製造方法では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方にレーザが照射され、レーザの照射が一時的に中断され、一定の時間が経過した後に再び第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方にレーザが照射され、これらのレーザの照射および一時的な照射の中断が複数回にわたり繰り返される。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの他方にレーザが照射される場合も同様である。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対するレーザの照射にともない発生したガスが、レーザの照射が一時的に中断されているときに冷却され、ガスの影響により第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂの品質が低下するおそれが低減される。
【００７７】
・第１実施形態において、所定サイズの第１積層基板１１である第１単位積層基板と、所定サイズの第２積層基板１２である第２単位積層基板とを貼り合せて単位積層基板２０を製造してもよい。すなわち前段工程は、第１積層基板１１を所定サイズに切断する第１切断工程と、第２積層基板１２を所定サイズに切断する第２切断工程とを含む。後段積層工程では、第１単位積層基板と第２単位積層基板とを積層する。この場合、第１単位積層基板の第１ガラス層１１Ａには切断面２３Ａが形成され、第２単位積層基板の第２ガラス層１２Ａには切断面２４Ａが形成される。
【００７８】
・第１実施形態において、所定サイズの第１積層基板１１である第１単位積層基板と、所定サイズに切断される前の第２積層基板１２とを貼り合せた後、第２積層基板１２を所定サイズに切断して単位積層基板２０を製造してもよい。また所定サイズの第２積層基板１２である第２単位積層基板と、所定サイズに切断される前の第１積層基板１１とを貼り合せた後、第１積層基板１１を所定サイズに切断して単位積層基板２０を製造してもよい。すなわち、前段工程は、第１積層基板１１を所定サイズに切断する第１切断工程と、第２積層基板１２を所定サイズに切断する第２切断工程との一方を含む。後段工程は、第１積層基板１１を所定サイズに切断する第１切断工程と、第２積層基板１２を所定サイズに切断する第２切断工程との他方を含む。この場合、後段加工工程後には、図９に示される単位積層基板２０が製造される。
【００７９】
・第１実施形態において、第１積層基板１１に導電層１３が形成されることに代えて、または第１積層基板１１に導電層１３が形成されることに加えて、第２積層基板１２に導電層１３が形成されてもよい。
【符号の説明】
【００８０】
１０  ：多層積層基板
１１  ：第１積層基板
１１Ａ：第１ガラス層
１１Ｂ：第１樹脂層
１２  ：第２積層基板
１２Ａ：第２ガラス層
１２Ｂ：第２樹脂層
１４Ａ：第１平面
１４Ｂ：第２平面
１５Ａ：第１平面
１５Ｂ：第２平面
２０  ：単位積層基板
２３Ａ：切断面
２３Ｂ：切断面
２４Ａ：切断面
２４Ｂ：切断面
５０，５０Ａ，５０Ｂ：スクライビングホイール
５２  ：刃先部
６０  ：積層基板
６１  ：ガラス層
６２  ：樹脂層
６３Ａ：第１平面
６３Ｂ：第２平面
６６  ：切断面
６７  ：切断面
７０  ：単位積層基板
ＲＣ  ：回転中心面
【図１】
2020071968.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020071968.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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