(57)【要約】【課題】製造効率が低下しにくいフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１ガラス層と第１樹脂層とが積層された第１積層基板、および、第２ガラス層と第２樹脂層とが積層された第２積層基板を含み、第１樹脂層と第２樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板の製造に関する。この製造方法は、第１ガラス層、第２ガラス層、第１樹脂層、および、第２樹脂層をブレイクするための予備加工を第１ガラス層、第２ガラス層、第１樹脂層、および、第２樹脂層のそれぞれに施す予備加工工程と、予備加工が施された多層積層基板をブレイクする後段切断工程とを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス層と樹脂層とが積層された複数の積層基板を備え、前記複数の積層基板は第１ガラス層と第１樹脂層とが積層された第１積層基板、および、第２ガラス層と第２樹脂層とが積層された第２積層基板を含み、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板の製造に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
前記多層積層基板の前記ガラス層および前記樹脂層をブレイクするための予備加工を前記ガラス層および前記樹脂層のそれぞれに施す予備加工工程と、
前記予備加工が施された前記多層積層基板をブレイクする後段切断工程とを含む
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項２】
前記予備加工工程では、前記ガラス層および前記樹脂層のそれぞれに対して異なる手段で前記予備加工を施す
請求項１に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項３】
前記予備加工工程では、前記ガラス層をスクライブし、前記樹脂層を冷却する
請求項２に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項４】
前記予備加工工程では、前記ガラス層をスクライビングホイールによりスクライブし、前記樹脂層をレーザによりスクライブする
請求項２に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項５】
前記予備加工工程は、前記複数の積層基板を積層する工程よりも前の前段工程に含まれる
請求項１〜４のいずれか一項に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（electro luminescence）ディスプレイは発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスを備える。フレキシブル有機ＥＬディスプレイでは、基板にフレキシブル基板が用いられる。フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造工程では、ガラス層に樹脂層が形成され、樹脂層に発光層等が形成される（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】再公表特許ＷＯ２０１１／０３０７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
新しい構造の発光デバイスが提案されている。この発光デバイスは、対向するように設けられる第１樹脂層および第２樹脂層を有する。第１樹脂層と第２樹脂層との間に発光層等が設けられる。従来の発光デバイスとは構造が異なるため、新しい構造の発光デバイスの製造に関する効率が低下するおそれがある。
【０００５】
本発明の目的は、製造効率が低下しにくいフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、ガラス層と樹脂層とが積層された複数の積層基板を備え、前記複数の積層基板は第１ガラス層と第１樹脂層とが積層された第１積層基板、および、第２ガラス層と第２樹脂層とが積層された第２積層基板を含み、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板の製造に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、前記多層積層基板の前記ガラス層および前記樹脂層をブレイクするための予備加工を前記ガラス層および前記樹脂層のそれぞれに施す予備加工工程と、前記予備加工が施された前記多層積層基板をブレイクする後段切断工程とを含む。
この製造方法では、複数の積層基板を積層する工程よりも前の前段工程においてガラス層が切断されないため、複数の積層基板を積層する場合の作業性が向上し、製造効率が低下しにくい。
【０００７】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記予備加工工程では、前記ガラス層および前記樹脂層のそれぞれに対して異なる手段で前記予備加工を施す。
この製造方法では、ガラス層および樹脂層のそれぞれに適した予備加工を選択できる。各層が適切に予備加工され、切断時の品質が向上する。
【０００８】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記予備加工工程では、前記ガラス層をスクライブし、前記樹脂層を冷却する。
この製造方法では、樹脂層をブレイクにより切断できる。例えばレーザにより樹脂層をスクライブする場合と比較し、樹脂層がブレイクされるまでに樹脂層が受ける熱の影響が小さく、樹脂層の品質が低下しにくい。
【０００９】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記予備加工工程では、前記ガラス層をスクライビングホイールによりスクライブし、前記樹脂層をレーザによりスクライブする。
この製造方法では、既存の装置を用いてガラス層および樹脂層をそれぞれスクライブできる。
【００１０】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記予備加工工程は、前記複数の積層基板を積層する工程よりも前の前段工程に含まれる。
この製造方法では、複数の積層基板が積層されていない状態で予備加工されるため、例えば多層積層基板の樹脂層をレーザで予備加工する場合とは異なり、樹脂層の予備加工にレーザを用いてもガスの影響により樹脂層の品質が低下するおそれが低減される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態の製造方法に関する多層積層基板の断面図。
【図２】図１の多層積層基板の平面図。
【図３】レーザ加工装置の構成を示す模式図。
【図４】スクライブ加工装置の構成を示す模式図。
【図５】実施形態の製造方法を示すフローチャート。
【図６】予備加工工程の例を示す図。
【図７】後段積層工程の例を示す図。
【図８】剥離工程の一例を示す図。
【図９】第２実施形態の製造方法に関する予備加工工程の第１の例を示す図。
【図１０】予備加工工程の第２の例を示す図。
【図１１】予備加工工程の加工順番のパターンを示す図。
【図１２】予備加工工程の第３の例を示す図。
【図１３】レーザ加工装置の構成を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（第１実施形態）
図面を参照してフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。フレキシブル有機ＥＬディスプレイは、据置型の機器および携帯機器等に用いられる。据置型の機器の一例は、パーソナルコンピュータおよびテレビ受像機である。携帯機器の一例は、携帯情報端末、ウェアラブルコンピュータ、および、ノート型パーソナルコンピュータである。携帯情報端末の一例はスマートフォン、タブレット、および、携帯ゲーム機である。ウェアラブルコンピュータの一例は、ヘッドマウントディスプレイおよびスマートウォッチである。
【００１４】
フレキシブル有機ＥＬディスプレイは、発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスと、発光デバイスを一方から覆う第１保護フィルムと、発光デバイスを他方から覆う第２保護フィルムとを有する。第１保護フィルムおよび第２保護フィルムはそれぞれ、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate）が用いられる。なお、第１保護フィルムおよび第２保護フィルムの一方は省略してもよい。発光デバイスの製造工程では、図１に示される１枚の多層積層基板１０から複数の発光デバイスが製造される。
【００１５】
多層積層基板１０は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造の途中段階で製造される。多層積層基板１０は、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとが積層された第１積層基板１１と、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとが積層された第２積層基板１２とを有する。多層積層基板１０は、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとが対向するように第１積層基板１１と第２積層基板１２とが積層されて構成されている。多層積層基板１０は、導電層１３をさらに有する。導電層１３は、例えば第１積層基板１１の第１樹脂層１１Ｂ上に形成されている。導電層１３は、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとに挟まれている。導電層１３は、ＯＬＥＤ（Organic Light Diode）、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の電子デバイス用部材が形成されている。第１樹脂層１１Ｂ、導電層１３、および、第２樹脂層１２Ｂは、発光デバイスを構成している。
【００１６】
第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａと第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの組成は、特に限定されないが、例えばアルカリ金属酸化物を含有するガラス、または無アルカリガラス等の種々の組成のガラスを用いることができる。アルカリ金属酸化物を含有するガラスの一例は、ソーダライムガラスである。本実施形態では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａは、無アルカリガラスが用いられる。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば０．５ｍｍ程度であることが好ましい。第１ガラス層１１Ａは、第１樹脂層１１Ｂが形成される第１平面１４Ａ、および、第１平面１４Ａと対をなす第２平面１４Ｂを有する。第２ガラス層１２Ａは、第２樹脂層１２Ｂが形成される第１平面１５Ａ、および、第１平面１５Ａと対をなす第２平面１５Ｂを有する。
【００１７】
第１積層基板１１の第１樹脂層１１Ｂと第２積層基板１２の第２樹脂層１２Ｂとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの組成は、特に限定されないが、例えばポリイミド（ＰＩ）を用いることができる。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００１８】
図２は、多層積層基板１０の平面図である。
図２の破線によって示される切断予定部１６，１７に沿って多層積層基板１０を格子状に切断することによって単位積層基板２０が形成される。単位積層基板２０の平面視におけるサイズは、平面視において発光デバイスの予め決められたサイズに相当する。
【００１９】
多層積層基板１０の切断には、レーザ加工装置およびスクライブ加工装置の少なくとも一方が用いられる。図３は、レーザ加工装置の構成の一例であり、図４は、スクライブ加工装置の構成の一例である。図３および図４において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、および、Ｚ軸方向を図３および図４に示すとおり規定する。
【００２０】
図３に示されるように、レーザ加工装置３０は、多層積層基板１０を切断するためのレーザ装置３１と、レーザ装置３１に対して多層積層基板１０を移動させるための機械駆動系３２と、レーザ装置３１および機械駆動系３２を制御する第１制御部３３とを備える。
【００２１】
レーザ装置３１は、多層積層基板１０における第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂと、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａとの少なくとも一方を加工可能である。レーザ装置３１は、多層積層基板１０にレーザ光を照射するためのレーザ発振器３４と、レーザ光を機械駆動系３２に伝送する伝送光学系３５とを有する。レーザ発振器３４は、例えばＵＶ（Ultra Violet）レーザまたはＣＯ２レーザである。レーザ加工装置３０が第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを加工する場合、レーザ発振器３４はＵＶレーザである。レーザ加工装置３０が第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを加工する場合、レーザ発振器３４はＣＯ２レーザまたはＵＶレーザである。伝送光学系３５は、例えば集光レンズ、複数のミラー、プリズム、ビームエキスパンダ等から構成される。また、伝送光学系３５は、例えばレーザ発振器３４が組み込まれたレーザ照射ヘッドをＸ軸方向に移動させるためのＸ軸方向移動機構を有する。レーザ発振器３４から照射されたレーザ光は、伝送光学系３５を介して多層積層基板１０に向けて照射される。
【００２２】
機械駆動系３２は、レーザ装置３１とＺ軸方向に対向して配置されている。機械駆動系３２は、ベッド３６、加工テーブル３７、および、移動装置３８から構成される。加工テーブル３７上には、多層積層基板１０が載置される。移動装置３８は、加工テーブル３７をベッド３６に対して水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に移動させる。移動装置３８は、ガイドレール、移動テーブル、モータ等を有する公知の機構である。
【００２３】
第１制御部３３は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＭＰＵ（Micro Processing Unit）を有する。第１制御部３３は、１または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第１制御部３３は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第１制御部３３は、レーザ装置３１に設けられてもよいし、機械駆動系３２に設けられてもよいし、レーザ装置３１および機械駆動系３２とは別に設けられてもよい。第１制御部３３がレーザ装置３１および機械駆動系３２とは別に設けられる場合、第１制御部３３の配置位置は任意に設定可能である。
【００２４】
図４に示されるように、スクライブ加工装置４０は、スクライビングホイール５０と多層積層基板１０とがＸ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動することによって多層積層基板１０にＸ軸方向およびＹ軸方向に沿うスクライブラインを形成する。スクライブ加工装置４０は、多層積層基板１０を加工するための加工装置４１と、多層積層基板１０を搬送するための搬送装置４２と、加工装置４１および搬送装置４２を制御する第２制御部４３とを備える。
【００２５】
搬送装置４２は、一対のレール４４、テーブル４５、直進駆動装置４６、回転装置４７等から構成される。一対のレール４４は、Ｙ軸方向に沿って延びている。図４のスクライブ加工装置４０では、スクライブ加工装置４０のベース（図示略）に一対のレール４４が配置され、直進駆動装置４６によってテーブル４５が一対のレール４４に沿って往復移動し、回転装置４７によってテーブル４５が中心軸Ｃまわりを回転する。テーブル４５には、多層積層基板１０が載置される。直進駆動装置４６の一例は、送りねじ装置を有する。回転装置４７は、駆動源となるモータを有する。
【００２６】
加工装置４１は、横駆動装置４８、縦駆動装置４９、および、スクライビングホイール５０等から構成される。スクライビングホイール５０は、スクライビングホイール５０を保持するためのホルダユニットに取り付けられる。ホルダユニットは、ホルダユニットを保持するためのスクライブヘッドに取り付けられる。スクライブヘッドは、横駆動装置４８によってＸ軸方向に移動し、縦駆動装置４９によってＺ軸方向に移動する。スクライビングホイール５０がＸ軸方向に移動することによって、多層積層基板１０にＸ軸方向に沿うスクライブラインを形成する。
【００２７】
スクライビングホイール５０は、ホルダユニットに取り付けられるピン（図示略）に回転可能に支持される。スクライビングホイール５０を構成する材料の一例は、焼結ダイヤモンド（Poly Crystalline Diamond）、超硬金属、単結晶ダイヤモンド、および、多結晶ダイヤモンドである。
【００２８】
第２制御部４３は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばＣＰＵまたはＭＰＵを有する。第２制御部４３は、１または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第２制御部４３は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第２制御部４３は、加工装置４１に設けられてもよいし、搬送装置４２に設けられてもよいし、加工装置４１および搬送装置４２とは別に設けられてもよい。第２制御部４３が加工装置４１および搬送装置４２とは別に設けられる場合、第２制御部４３の配置位置は任意に設定可能である。
【００２９】
〔フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法〕
次に、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の詳細について説明する。図５は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の工程の一例を示す。
【００３０】
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法では、第１積層基板１１および第２積層基板１２を貼り合せて多層積層基板１０を製造後、多層積層基板１０を所定サイズに切断して単位積層基板２０を製造する。次に、単位積層基板２０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを除去することにより、発光デバイスが製造される。そして、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに第１保護フィルムおよび第２保護フィルムを取り付ける。これにより、フレキシブル有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００３１】
図５に示されるように、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程よりも前の工程である前段工程と、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程以後の工程である後段工程とに区分される。本実施形態の前段工程は、前段積層工程および予備加工工程を含む。前段積層工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を製造する工程である。予備加工工程は、多層積層基板１０の第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａをブレイクするための予備加工を第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａのそれぞれに施す工程である。後段工程は、後段積層工程、後段切断工程、および、剥離工程を含む。後段積層工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層して多層積層基板１０を製造する工程である。後段切断工程は、予備加工が施された多層積層基板１０をブレイクすることにより単位積層基板２０を製造する工程である。剥離工程は、レーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）によって第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを剥離し、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを剥離する工程である。以下、各工程の詳細について説明する。
【００３２】
前段積層工程では、第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成することによって第１積層基板１１を製造し、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成することによって第２積層基板１２を製造する。第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａへの第１樹脂層１１Ｂの形成方法、および、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａへの第２樹脂層１２Ｂの形成方法はそれぞれ、ガラス層に樹脂層を塗布する方法、または、ガラス層に接着層を介して樹脂層をラミネートする方法を選択できる。またガラス層に樹脂層を固定する方法として、加熱硬化処理、または、プレス法による加熱および加圧処理を選択できる。
【００３３】
予備加工工程では、多層積層基板１０の第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂをブレイクするための予備加工を第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂのそれぞれに施す。一例では、図６に示されるように、予備加工の一例は、第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａにおける切断が予定される切断予定部１６Ａおよび第１樹脂層１１Ｂにおける切断が予定される切断予定部１６Ｂのそれぞれにスクライブラインを形成する。予備加工の一例は、第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａにおける切断が予定される切断予定部１７Ａおよび第２樹脂層１２Ｂにおける切断が予定される切断予定部１７Ｂのそれぞれにスクライブラインを形成する。ガラス層および樹脂層のスクライブラインの形成には、レーザ加工装置３０またはスクライブ加工装置４０が用いられる。
【００３４】
本実施形態の予備加工工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施し、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施す。予備加工工程の一例では、スクライブ加工装置４０によって第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａをスクライブし、レーザ加工装置３０により第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂをスクライブする。スクライブ加工装置４０により第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａをスクライブし、レーザ加工装置３０により第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂをスクライブする。このように、本実施形態では、ガラス層および樹脂層のそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施す。
【００３５】
なお、予備加工工程において、レーザ加工装置３０によって第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａをスクライブし、スクライブ加工装置４０によって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂをスクライブしてもよい。また予備加工工程において、レーザ加工装置３０によって第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａをスクライブし、スクライブ加工装置４０によって第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂをスクライブしてもよい。
【００３６】
後段積層工程では、所定サイズに切断されていない第１積層基板１１と所定サイズに切断されていない第２積層基板１２とを積層する。一例では、第１積層基板１１と第２積層基板１２とが、例えば接着層ＳＤを介して貼り合せられる。これにより、図７に示されるように、予備加工が施された多層積層基板１０が製造される。
【００３７】
後段切断工程は、第１ガラス層１１Ａにおいて予備加工が施された切断予定部１６Ａ、第１樹脂層１１Ｂにおいて予備加工が施された切断予定部１６Ｂ、第２ガラス層１２Ａにおいて予備加工が施された切断予定部１７Ａ、および、第２樹脂層１２Ｂにおいて予備加工が施された切断予定部１７Ｂのそれぞれをブレイクする。これにより、単位積層基板２０が製造される。
【００３８】
剥離工程では、レーザリフトオフ装置（図示略）を用いる。本実施形態では、レーザリフトオフ装置のレーザとしてＵＶレーザが用いられる。図８（ａ）に示されるように、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂにレーザを照射することによって第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離する。第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離する場合、レーザは、第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂに直交するように照射される。次に、図８（ｂ）に示されるように、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂにレーザを照射することによって第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離する。第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離する場合、レーザは、第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂに直交するように照射される。なお、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを剥離する順番は任意に変更可能である。例えば、第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離した後、第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離してもよい。
【００３９】
多層積層基板１０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａが取り除かれた（図８（ｃ）参照）後、第１樹脂層１１Ｂを覆うように第１保護フィルムが取り付けられ、第２樹脂層１２Ｂを覆うように第２保護フィルムが取り付けられることにより、フレキシブル有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００４０】
本実施形態の効果について説明する。
（１−１）フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層する工程以後の工程である後段工程において、多層積層基板１０を所定サイズに切断する。この製造方法では、第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層された多層積層基板１０の状態で切断されるため、積層作業が簡素化される。このため、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくい。
【００４１】
（１−２）フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂをブレイクするための予備加工を第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂのそれぞれに施す予備加工工程を含む。予備加工が施された多層積層基板１０をブレイクすることによって単位積層基板２０が製造される。この製造方法によれば、後段積層工程よりも前の前段工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａが切断されないため、後段積層工程における第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層する作業性が向上する。このため、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくい。
【００４２】
（１−３）予備加工工程において第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施し、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施す。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂのそれぞれに適した予備加工を選択でき、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂのそれぞれに適した予備加工を選択できる。第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂが適切に予備加工され、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂが適切に予備加工され、切断時の品質が向上する。
【００４３】
（１−４）予備加工工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライビングホイール５０によりスクライブし、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザによりスクライブする。この製造方法では、既存の装置を用いて第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂをそれぞれスクライブできる。
【００４４】
（１−５）予備加工が後段積層工程よりも前の前段工程に含まれることによって、第１積層基板１１および第２積層基板１２が積層されていない状態で予備加工が第１積層基板１１および第２積層基板１２にそれぞれ施される。このため、例えば多層積層基板１０の第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザによって予備加工を施す場合とは異なり、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの予備加工にレーザを用いても、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂにレーザを照射することにともない発生するガスが多層積層基板１０内に滞留することが抑制される。このため、ガスの影響により第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質が低下するおそれが低減される。
【００４５】
（第２実施形態）
図９〜図１３を参照して、第２実施形態のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。本実施形態の製造方法は、第１実施形態の製造方法と比較して、後段工程に予備加工工程が実施される点が異なる。以下の説明において、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、第１実施形態と共通する多層積層基板１０の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４６】
本実施形態では、予備加工工程は、後段積層工程の後かつ後段切断工程の前に実施される。本実施形態の予備加工工程では、次の第１の例〜第３の例のいずれかを選択できる。第１の例では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブし、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを冷却する。第２の例では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブし、レーザにより第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを脆化させる。第３の例では、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂをそれぞれスクライブする。
【００４７】
第１の例について説明する。
第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａに関する予備加工工程では、例えばレーザまたはスクライビングホイール５０によって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのそれぞれをスクライブする。一例では、スクライビングホイール５０によって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのそれぞれをスクライブする。より詳細には、レーザまたはスクライビングホイール５０によって第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａのそれぞれにスクライブラインを形成する。一例では、スクライビングホイール５０によって第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａのそれぞれにスクライブラインを形成する。
【００４８】
第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに関する予備加工工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂが脆化する温度となるように多層積層基板１０を冷却する。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの脆化とは、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂがブレイク可能な状態であることを示す。一例では、冷却工程では、多層積層基板１０を冷却槽（図示略）に収容することによって多層積層基板１０を冷却する。図９の薄いドットで示されるように、冷却工程において第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂはそれぞれ全体が脆化する。なお、冷却工程では、多層積層基板１０を冷却槽に収容することに代えて、冷却装置によって冷却気体を第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに吹き付けてもよい。冷却装置は、例えば多層積層基板１０に局所的に冷却気体を吹き付けることが可能なノズルを含む吹出部と、多層積層基板１０を載置するテーブルと、テーブルを３次元的に移動可能な移動機構とを備える。移動機構によって、ノズルの吹出口と多層積層基板１０との相対位置を変更可能となる。また移動機構は、テーブルの移動に代えて、またはテーブルの移動に加えて、ノズルを３次元的に移動するように構成されてもよい。
【００４９】
予備加工を施す順番は、任意に変更可能である。一例では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブした後、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを冷却する。一例では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを冷却した後、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブする。一例では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方をスクライブした後、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを冷却し、最後に第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方をスクライブする。
【００５０】
第２の例について説明する。
第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａに関する予備加工工程は、第１の例の第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａに関する予備加工工程と同じである。
【００５１】
第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに関する予備加工工程では、図１０の薄いドットで示されるように、ＵＶレーザを第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂにそれぞれ照射することによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂをそれぞれ脆化させる。ＵＶレーザによる第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの脆化には、例えばレーザ加工装置３０が用いられる。
【００５２】
第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂに対して予備加工を施す順番は任意に変更可能である。すなわち、図１１に示されるとおり、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂに予備加工が施される場合の加工順番は、Ｐ１〜Ｐ２４の２４通りのパターンを有する。一例では、レーザによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂにスクライブラインを形成し、次にスクライビングホイール５０により第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａにスクライブラインを形成する。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの順に予備加工を施してもよいし、第２樹脂層１２Ｂおよび第１樹脂層１１Ｂの順に予備加工を施してもよい。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの順に予備加工を施してもよいし、第２ガラス層１２Ａおよび第１ガラス層１１Ａの順に予備加工を施してもよい。
【００５３】
第３の例について説明する。
予備加工工程では、図１２に示されるように、予備加工の一例は、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａ、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂ、第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａのそれぞれにスクライブラインを形成する。
【００５４】
予備加工は、レーザまたはスクライブによって施される。レーザによる予備加工は、第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａに対して施すことができる。スクライブによる予備加工は、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａに対して施すことができる。一例では、予備加工工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをそれぞれスクライビングホイール５０によってスクライブし、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをそれぞれレーザによりスクライブする。
【００５５】
また、レーザによりガラス層および樹脂層のそれぞれにスクライブラインを形成する場合、図３に示されるレーザ加工装置３０に代えて、図１３に示されるレーザ加工装置３０Ａが用いられる。レーザ加工装置３０Ａは、レーザ加工装置３０と比較して、レーザ装置の構成が異なる。以下、レーザ加工装置３０Ａのうちの異なる構成について説明する。
【００５６】
レーザ加工装置３０Ａのレーザ装置３１Ａは、第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを有する。第１レーザ発振器３４ＡはＵＶレーザであり、第２レーザ発振器３４ＢはＣＯ２レーザである。第１レーザ発振器３４Ａから照射されたレーザ光、および、第２レーザ発振器３４Ｂから照射されたレーザ光は、伝送光学系３５を介して多層積層基板１０に照射される。なお、伝送光学系３５は、第１レーザ発振器３４Ａに対応する伝送光学系と、第２レーザ発振器３４Ｂに対応する伝送光学系とが個別に設けられてもよい。
【００５７】
第１制御部３３は、多層積層基板１０に対する加工対象の種類（ガラス層または樹脂層）に応じて第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを選択する。例えば第１制御部３３は、予め記憶された制御プログラムによって加工対象の種類であるガラス層および樹脂層の加工順番を定め、定められた加工順番に応じて第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを選択する。
【００５８】
第３の例の予備加工工程では、例えば、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａと、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂとに対して異なる手段で予備加工を施す。一例では、予備加工工程では、スクライブによって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａに対して予備加工を施し、レーザによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対して予備加工を施す。この場合、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂに対して予備加工を施す順番は任意に変更可能である。予備加工を施す順番は、第２の例と同様に、図１１に示されるとおり、第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂに予備加工が施される場合の加工順番は、Ｐ１〜Ｐ２４の２４通りのパターンを有する。
【００５９】
本実施形態の効果について説明する。
（２−１）予備加工工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライブし、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを冷却する。この製造方法では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂにスクライブラインが形成されることなくブレイクされる。例えばレーザにより第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂにスクライブラインを形成する場合と比較して、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂがブレイクされるまでに第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂが受ける熱の影響が小さく、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質が低下しにくい。
【００６０】
（２−２）予備加工工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをスクライビングホイール５０によりスクライブし、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザによりスクライブする。この製造方法では、既存の装置を用いて第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａをそれぞれスクライブできる。
【００６１】
（変形例）
上記各実施形態は本開示に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または、各実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変形例において、各実施形態の形態と共通する部分については、各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【００６２】
・第１実施形態の予備加工工程において、第１積層基板１１および第２積層基板１２の少なくとも一方に、第２実施形態の予備加工工程の第１の例または第２の例の予備加工を施してもよい。
【００６３】
・各実施形態において、第１積層基板１１に導電層１３が形成されることに代えて、または第１積層基板１１に導電層１３が形成されることに加えて、第２積層基板１２に導電層１３が形成されてもよい。
【００６４】
・各実施形態の予備加工工程において、第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂのそれぞれに対して同一手段で予備加工を施してもよい。予備加工工程の一例では、スクライブ加工装置４０によって第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂのそれぞれをスクライブする。また予備加工工程の一例では、レーザ加工装置３０によって第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂのそれぞれをスクライブする。
【００６５】
また、予備加工工程において、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂのそれぞれに対して同一手段で予備加工を施してもよい。予備加工工程の一例では、スクライブ加工装置４０によって第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂのそれぞれをスクライブする。また予備加工工程の一例では、レーザ加工装置３０によって第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂのそれぞれをスクライブする。
【００６６】
予備加工工程において、第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂのそれぞれをレーザによってスクライブする場合、図３のレーザ加工装置３０に代えて、図１３のレーザ加工装置３０Ａを用いることが好ましい。また第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂのそれぞれをレーザによってスクライブする場合も図１３のレーザ加工装置３０Ａを用いることが好ましい。
【００６７】
・各実施形態において、所定サイズの第１積層基板１１である第１単位積層基板と、所定サイズに切断される前の第２積層基板１２とを貼り合せた後、第２積層基板１２を所定サイズに切断して単位積層基板２０を製造してもよい。また所定サイズの第２積層基板１２である第２単位積層基板と、所定サイズに切断される前の第１積層基板１１とを貼り合せた後、第１積層基板１１を所定サイズに切断して単位積層基板２０を製造してもよい。すなわち、前段工程は、第１積層基板１１を所定サイズに切断する第１切断工程と、第２積層基板１２を所定サイズに切断する第２切断工程との一方を含む。第１切断工程および第２切断工程の一方は、予備加工工程の後に実施される。このため、第１切断工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第１樹脂層１１Ｂをブレイクし、第２切断工程では、第２ガラス層１２Ａおよび第２樹脂層１２Ｂをブレイクする。第１切断工程および第２切断工程の順番は任意に変更可能である。後段工程は、第１積層基板１１を所定サイズに切断する第１切断工程と、第２積層基板１２を所定サイズに切断する第２切断工程との他方を含む。
【符号の説明】
【００６８】
１０  ：多層積層基板
１１  ：第１積層基板
１１Ａ：第１ガラス層
１１Ｂ：第１樹脂層
１２  ：第２積層基板
１２Ａ：第２ガラス層
１２Ｂ：第２樹脂層
５０  ：スクライビングホイール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020071970.tif 000009
【図８】
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【図９】
2020071970.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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