(57)【要約】【課題】製造効率が低下しにくいフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとが積層された第１積層基板１１、および、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとが積層された第２積層基板１２を含み、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとが対向するように積層された多層積層基板１０の製造に関する。この製造方法は、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方にブレイクのための予備加工を施す予備加工工程と、予備加工が施されたガラス層を第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスでブレイクする後段切断工程とを含む。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス層と樹脂層とが積層された複数の積層基板を備え、前記複数の積層基板は第１ガラス層と第１樹脂層とが積層された第１積層基板、および、第２ガラス層と第２樹脂層とが積層された第２積層基板を含み、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板の製造に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
前記複数の積層基板の少なくとも一方の前記ガラス層にブレイクのための予備加工を施す予備加工工程と、
前記多層積層基板について、前記予備加工が施された前記ガラス層を前記樹脂層に対するレーザの照射にともない発生するガスでブレイクする後段切断工程とを含む
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項２】
前記後段切断工程では、前記樹脂層に対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が促進される所定出力以上に設定する
請求項１に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項３】
前記予備加工工程では、前記複数の積層基板の一方の前記ガラス層に前記予備加工を施し、前記複数の積層基板の他方の前記ガラス層に前記予備加工を施さない
請求項１または２に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項４】
前記後段切断工程では、前記予備加工が施されていない前記ガラス層を介して前記樹脂層にレーザを照射する
請求項１〜３のいずれか一項に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項５】
前記後段切断工程では、前記複数の積層基板の両方の前記樹脂層をレーザにより切断した後に、前記複数の積層基板の他方の前記ガラス層を切断する
請求項３または４に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（electro luminescence）ディスプレイは発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスを備える。フレキシブル有機ＥＬディスプレイでは、基板にフレキシブル基板が用いられる。フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造工程では、ガラス層に樹脂層が形成され、樹脂層に発光層等が形成される（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】再公表特許ＷＯ２０１１／０３０７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
新しい構造の発光デバイスが提案されている。この発光デバイスは、対向するように設けられる第１樹脂層および第２樹脂層を有する。第１樹脂層と第２樹脂層との間に発光層等が設けられる。従来の発光デバイスとは構造が異なるため、新しい構造の発光デバイスの製造に関する効率が低下するおそれがある。
【０００５】
本発明の目的は、製造効率が低下しにくいフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、ガラス層と樹脂層とが積層された複数の積層基板を備え、前記複数の積層基板は第１ガラス層と第１樹脂層とが積層された第１積層基板、および、第２ガラス層と第２樹脂層とが積層された第２積層基板を含み、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板の製造に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、前記複数の積層基板の少なくとも一方の前記ガラス層にブレイクのための予備加工を施す予備加工工程と、前記多層積層基板について、前記予備加工が施された前記ガラス層を前記樹脂層に対するレーザの照射にともない発生するガスでブレイクする後段切断工程とを含む。
この製造方法では、レーザにより樹脂層を切断する作業に併せてガラス層が切断される。多層積層基板の切断に関する工数が削減され、製造効率が低下しにくい。
【０００７】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記後段切断工程では、前記樹脂層に対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が促進される所定出力以上に設定する。
この製造方法では、レーザによる樹脂層の切断にともない比較的高温のガスが発生し、ガラス層がガスにより適切にブレイクされる。
【０００８】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記予備加工工程では、前記複数の積層基板の一方の前記ガラス層に前記予備加工を施し、前記複数の積層基板の他方の前記ガラス層に前記予備加工を施さない。
この製造方法では、一方のガラス層だけがガスでブレイクされる。両方のガラス層がガスでブレイクされる場合と比較して、ブレイク時のガラス層の状態が安定する。
【０００９】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記後段切断工程では、前記予備加工が施されていない前記ガラス層を介して前記樹脂層にレーザを照射する。
この製造方法では、レーザがガラス層の被加工部の影響を受けることなく樹脂層に照射され、樹脂層が効率的に切断またはスクライブされる。
【００１０】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記後段切断工程では、前記複数の積層基板の両方の前記樹脂層をレーザにより切断した後に、前記複数の積層基板の他方の前記ガラス層を切断する。
この製造方法では、切断されていない他方のガラス層により両方の樹脂層が支持された状態で両方の樹脂層がレーザにより切断される。切断時の樹脂層の状態が安定する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態の製造方法に関する多層積層基板の断面図。
【図２】図１の多層積層基板の平面図。
【図３】レーザ加工装置の構成を示す模式図。
【図４】スクライブ加工装置の構成を示す模式図。
【図５】実施形態の製造方法を示すフローチャート。
【図６】予備加工工程および後段切断工程の例を示す図。
【図７】レーザ加工装置の構成を示す模式図。
【図８】剥離工程の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施形態）
図面を参照してフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。フレキシブル有機ＥＬディスプレイは、据置型の機器および携帯機器等に用いられる。据置型の機器の一例は、パーソナルコンピュータおよびテレビ受像機である。携帯機器の一例は、携帯情報端末、ウェアラブルコンピュータ、および、ノート型パーソナルコンピュータである。携帯情報端末の一例はスマートフォン、タブレット、および、携帯ゲーム機である。ウェアラブルコンピュータの一例は、ヘッドマウントディスプレイおよびスマートウォッチである。
【００１４】
フレキシブル有機ＥＬディスプレイは、発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスと、発光デバイスを一方から覆う第１保護フィルムと、発光デバイスを他方から覆う第２保護フィルムとを有する。第１保護フィルムおよび第２保護フィルムはそれぞれ、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate）が用いられる。なお、第１保護フィルムおよび第２保護フィルムの一方は省略してもよい。発光デバイスの製造工程では、図１に示される１枚の多層積層基板１０から複数の発光デバイスが製造される。
【００１５】
多層積層基板１０は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造の途中段階で製造される。多層積層基板１０は、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとが積層された第１積層基板１１と、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとが積層された第２積層基板１２とを有する。多層積層基板１０は、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとが対向するように第１積層基板１１と第２積層基板１２とが積層されて構成されている。多層積層基板１０は、導電層１３をさらに有する。導電層１３は、例えば第１積層基板１１の第１樹脂層１１Ｂ上に形成されている。導電層１３は、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとに挟まれている。導電層１３は、ＯＬＥＤ（Organic Light Diode）、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の電子デバイス用部材が形成されている。第１樹脂層１１Ｂ、導電層１３、および、第２樹脂層１２Ｂは、発光デバイスを構成している。
【００１６】
第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａと第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの組成は、特に限定されないが、例えばアルカリ金属酸化物を含有するガラス、または無アルカリガラス等の種々の組成のガラスを用いることができる。アルカリ金属酸化物を含有するガラスの一例は、ソーダライムガラスである。本実施形態では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａは、無アルカリガラスが用いられる。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば０．５ｍｍ程度であることが好ましい。第１ガラス層１１Ａは、第１樹脂層１１Ｂが形成される第１平面１４Ａ、および、第１平面１４Ａと対をなす第２平面１４Ｂを有する。第２ガラス層１２Ａは、第２樹脂層１２Ｂが形成される第１平面１５Ａ、および、第１平面１５Ａと対をなす第２平面１５Ｂを有する。
【００１７】
第１積層基板１１の第１樹脂層１１Ｂと第２積層基板１２の第２樹脂層１２Ｂとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの組成は、特に限定されないが、例えばポリイミド（ＰＩ）を用いることができる。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００１８】
図２は、多層積層基板１０の平面図である。
図２の破線によって示される切断予定部１６，１７に沿って多層積層基板１０を格子状に切断することによって単位積層基板２０が形成される。単位積層基板２０の平面視におけるサイズは、平面視において発光デバイスの予め決められたサイズに相当する。
【００１９】
多層積層基板１０の切断には、レーザ加工装置およびスクライブ加工装置の少なくとも一方が用いられる。図３は、レーザ加工装置の構成の一例であり、図４は、スクライブ加工装置の構成の一例である。図３および図４において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、および、Ｚ軸方向を図３および図４に示すとおり規定する。
【００２０】
図３に示されるように、レーザ加工装置３０は、多層積層基板１０を切断するためのレーザ装置３１と、レーザ装置３１に対して多層積層基板１０を移動させるための機械駆動系３２と、レーザ装置３１および機械駆動系３２を制御する第１制御部３３とを備える。
【００２１】
レーザ装置３１は、多層積層基板１０における第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂと、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａとの少なくとも一方を加工可能である。レーザ装置３１は、多層積層基板１０にレーザ光を照射するためのレーザ発振器３４と、レーザ光を機械駆動系３２に伝送する伝送光学系３５とを有する。レーザ発振器３４は、例えばＵＶ（Ultra Violet）レーザまたはＣＯ２レーザである。レーザ加工装置３０が第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを加工する場合、レーザ発振器３４はＵＶレーザである。レーザ加工装置３０が第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを加工する場合、レーザ発振器３４はＣＯ２レーザまたはＵＶレーザである。伝送光学系３５は、例えば集光レンズ、複数のミラー、プリズム、ビームエキスパンダ等から構成される。また、伝送光学系３５は、例えばレーザ発振器３４が組み込まれたレーザ照射ヘッドをＸ軸方向に移動させるためのＸ軸方向移動機構を有する。レーザ発振器３４から照射されたレーザ光は、伝送光学系３５を介して多層積層基板１０に向けて照射される。
【００２２】
機械駆動系３２は、レーザ装置３１とＺ軸方向に対向して配置されている。機械駆動系３２は、ベッド３６、加工テーブル３７、および、移動装置３８から構成される。加工テーブル３７上には、多層積層基板１０が載置される。移動装置３８は、加工テーブル３７をベッド３６に対して水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に移動させる。移動装置３８は、ガイドレール、移動テーブル、モータ等を有する公知の機構である。
【００２３】
第１制御部３３は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＭＰＵ（Micro Processing Unit）を有する。第１制御部３３は、１または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第１制御部３３は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第１制御部３３は、レーザ装置３１に設けられてもよいし、機械駆動系３２に設けられてもよいし、レーザ装置３１および機械駆動系３２とは別に設けられてもよい。第１制御部３３がレーザ装置３１および機械駆動系３２とは別に設けられる場合、第１制御部３３の配置位置は任意に設定可能である。
【００２４】
図４に示されるように、スクライブ加工装置４０は、スクライビングホイール５０と多層積層基板１０とがＸ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動することによって多層積層基板１０にＸ軸方向およびＹ軸方向に沿うスクライブラインを形成する。スクライブ加工装置４０は、多層積層基板１０を加工するための加工装置４１と、多層積層基板１０を搬送するための搬送装置４２と、加工装置４１および搬送装置４２を制御する第２制御部４３とを備える。
【００２５】
搬送装置４２は、一対のレール４４、テーブル４５、直進駆動装置４６、回転装置４７等から構成される。図４のスクライブ加工装置４０では、スクライブ加工装置４０のベース（図示略）に一対のレール４４が配置され、直進駆動装置４６によってテーブル４５が一対のレール４４に沿って往復移動し、回転装置４７によってテーブル４５が中心軸Ｃまわりを回転する。テーブル４５には、多層積層基板１０が載置される。直進駆動装置４６の一例は、送りねじ装置を有する。回転装置４７は、駆動源となるモータを有する。
【００２６】
加工装置４１は、横駆動装置４８、縦駆動装置４９、および、スクライビングホイール５０等から構成される。スクライビングホイール５０は、スクライビングホイール５０を保持するためのホルダユニットに取り付けられ、ホルダユニットは、ホルダユニットを保持するためのスクライブヘッドに取り付けられる。スクライブヘッドは、横駆動装置４８によってＸ軸方向に移動し、縦駆動装置４９によってＺ軸方向に移動する。スクライビングホイール５０がＸ軸方向に移動することによって、多層積層基板１０にＸ軸方向に沿うスクライブラインを形成する。
【００２７】
スクライビングホイール５０は、ホルダユニットに取り付けられるピン（図示略）に回転可能に支持される。スクライビングホイール５０を構成する材料の一例は、焼結ダイヤモンド（Poly Crystalline Diamond）、超硬金属、単結晶ダイヤモンド、および、多結晶ダイヤモンドである。
【００２８】
第２制御部４３は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばＣＰＵまたはＭＰＵを有する。第２制御部４３は、１または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第２制御部４３は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第２制御部４３は、加工装置４１に設けられてもよいし、搬送装置４２に設けられてもよいし、加工装置４１および搬送装置４２とは別に設けられてもよい。第２制御部４３が加工装置４１および搬送装置４２とは別に設けられる場合、第２制御部４３の配置位置は任意に設定可能である。
【００２９】
〔フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法〕
次に、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の詳細について説明する。図５は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の工程の一例を示す。
【００３０】
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法では、第１積層基板１１および第２積層基板１２を貼り合せて多層積層基板１０を製造後、多層積層基板１０を所定サイズに切断して単位積層基板２０を製造する。次に、単位積層基板２０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを除去することにより、発光デバイスが製造される。そして、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに第１保護フィルムおよび第２保護フィルムを取り付ける。これにより、フレキシブル有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００３１】
図５に示されるように、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程よりも前の工程である前段工程と、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程以後の工程である後段工程とに区分される。本実施形態の前段工程は、前段積層工程を含む。前段積層工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を製造する工程である。後段工程は、後段積層工程、後段加工工程、および、剥離工程を含む。後段積層工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層して多層積層基板１０を製造する工程である。後段加工工程は、多層積層基板１０の切断予定部１６，１７を切断することによって単位積層基板２０を製造する工程である。剥離工程は、レーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）によって第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを剥離し、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを剥離する工程である。以下、各工程の詳細について説明する。
【００３２】
前段積層工程では、第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａに第１樹脂層１１Ｂを形成することによって第１積層基板１１を製造し、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａに第２樹脂層１２Ｂを形成することによって第２積層基板１２を製造する。第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａへの第１樹脂層１１Ｂの形成方法、および、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａへの第２樹脂層１２Ｂの形成方法はそれぞれ、ガラス層に樹脂層を塗布する方法、または、ガラス層に接着層を介して樹脂層をラミネートする方法を選択できる。またガラス層に樹脂層を固定する方法として、加熱硬化処理、または、プレス法による加熱および加圧処理を選択できる。
【００３３】
後段積層工程では、所定サイズに切断されていない第１積層基板１１と所定サイズに切断されていない第２積層基板１２とを積層する。一例では、第１積層基板１１と第２積層基板１２とが、例えば接着層ＳＤを介して貼り合せられる。これにより、図１に示されるように、予備加工が施された多層積層基板１０が製造される。
【００３４】
後段加工工程は、予備加工工程および後段切断工程を含む。予備加工工程は、多層積層基板１０の第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方にブレイクのための予備加工を施す工程である。予備加工は、レーザ加工装置３０またはスクライブ加工装置４０によるスクライブによって施される。予備加工の一例は、スクライビングホイール５０によって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方にクラックを形成する。後段切断工程は、予備加工が施されたガラス層を第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスでブレイクする工程を含む。
【００３５】
予備加工工程は、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方に予備加工を施し、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方に予備加工を施さない。図６は、第２ガラス層１２Ａに予備加工が施された例を示す。図６に示されるように、予備加工は、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに施され、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに施されていない。切断予定部１７Ａには、スクライビングホイール５０によってクラックが形成されている。
【００３６】
後段切断工程では、レーザによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの少なくとも一方を切断、またはレーザによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの少なくとも一方にスクライブラインを形成する。本実施形態では、後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が促進される所定出力以上に設定する。所定出力以上に設定すると、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂへのレーザの照射にともない多層積層基板１０内に発生したガスが予備加工を施されたガラス層をブレイク可能な力をガラス層に作用させる。
【００３７】
このように、後段切断工程では、多層積層基板１０について、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのうちの予備加工が施されたガラス層を、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスでブレイクする。
【００３８】
一例では、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに予備加工が施された場合、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに対してレーザを照射する。レーザによって第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂが切断されるときに発生するガスで第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａがブレイクされる。一例では、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに予備加工が施された場合、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂに対してレーザを照射して第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂを切断した後、同一の照射方向で第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂにレーザを照射して第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂを切断または第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂにスクライブラインを形成する。レーザによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂが加工されるときに発生するガスで第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａがブレイクされる。
【００３９】
一例では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに予備加工が施された場合、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂに対してレーザを照射する。レーザによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂが切断されるときに発生するガスで第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａがブレイクされる。一例では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに予備加工が施された場合、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに対してレーザを照射して第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂを切断した後、同一の照射方向で第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂにレーザを照射して第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂを切断または第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂにスクライブラインを形成する。レーザによって第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂおよび第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂが加工されるときに発生するガスで第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａがブレイクされる。
【００４０】
後段切断工程は、予備加工が施されていない第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方を切断する。一例では、後段切断工程では、レーザ加工装置３０またはスクライブ加工装置４０によって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方にスクライブラインを形成した後、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方をスクライブラインに沿ってブレイクする。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方にスクライブラインが形成されている場合、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのブレイク時に併せてブレイクする。これにより、単位積層基板２０が製造される。一例では、後段切断工程では、レーザまたはダイシングによって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方を切断する。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方にスクライブラインが形成されている場合、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方の切断後、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方をブレイクする。これにより、単位積層基板２０が製造される。
【００４１】
予備加工工程および後段切断工程において、ガラス層および樹脂層のそれぞれをレーザによって切断する場合、または、ガラス層および樹脂層のそれぞれにレーザによってクラックを形成する場合、図３に示されるレーザ加工装置３０に代えて、図７に示されるレーザ加工装置３０Ａが用いられる。レーザ加工装置３０Ａは、レーザ加工装置３０と比較して、レーザ装置の構成が異なる。以下、レーザ加工装置３０Ａのうちの異なる構成について説明する。
【００４２】
レーザ加工装置３０Ａのレーザ装置３１Ａは、第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを含む。第１レーザ発振器３４ＡはＵＶレーザであり、第２レーザ発振器３４ＢはＣＯ２レーザである。第１レーザ発振器３４Ａから照射されたレーザ光、および、第２レーザ発振器３４Ｂから照射されたレーザ光は、伝送光学系３５を介して第１積層基板１１および第２積層基板１２に照射される。なお、伝送光学系３５は、第１レーザ発振器３４Ａに対応する伝送光学系と、第２レーザ発振器３４Ｂに対応する伝送光学系とが個別に設けられてもよい。
【００４３】
第１制御部３３は、第１積層基板１１および第２積層基板１２に対する加工対象の種類（ガラス層または樹脂層）に応じて第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを選択する。例えば第１制御部３３は、予め記憶された制御プログラムによって加工対象の種類であるガラス層および樹脂層の加工順番を定め、定められた加工順番に応じて第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを選択する。
【００４４】
剥離工程では、レーザリフトオフ装置（図示略）を用いる。本実施形態では、レーザリフトオフ装置のレーザとしてＵＶレーザが用いられる。図８（ａ）に示されるように、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂにレーザを照射することによって第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離する。第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離する場合、レーザは、第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂに直交するように照射される。次に、図８（ｂ）に示されるように、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂにレーザを照射することによって第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離する。第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離する場合、レーザは、第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂに直交するように照射される。なお、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを剥離する順番は任意に変更可能である。例えば、第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離した後、第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離してもよい。
【００４５】
多層積層基板１０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａが取り除かれた（図８（ｃ）参照）後、第１樹脂層１１Ｂを覆うように第１保護フィルムが取り付けられ、第２樹脂層１２Ｂを覆うように第２保護フィルムが取り付けられることにより、フレキシブル有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００４６】
本実施形態の効果について説明する。
（１）フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層する工程以後の工程である後段工程において、多層積層基板１０を所定サイズに切断する。この製造方法では、第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層された多層積層基板１０の状態で切断されるため、積層作業が簡素化される。このため、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくい。
【００４７】
（２）フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａおよび第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方にブレイクのための予備加工を施す予備加工工程と、予備加工が施されたガラス層を第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方に対するレーザの照射にともない発生するガスでブレイクする後段切断工程とを含む。この製造方法では、レーザにより第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方を切断する作業に併せて予備加工が施されたガラス層が切断される。このため、多層積層基板１０の切断に関する工数が削減され、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくい。
【００４８】
（３）後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が促進される所定出力以上に設定する。この製造方法では、レーザによる第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方の切断にともない比較的高温のガスが発生し、予備加工が施されたガラス層がガスにより適切にブレイクされる。
【００４９】
（４）予備加工工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方に予備加工を施し、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方に予備加工を施さない。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方だけがガスでブレイクされる。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの両方がガスでブレイクされる場合と比較して、ブレイク時の第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの状態が安定する。
【００５０】
（５）後段切断工程では、予備加工が施されていないガラス層を介して、予備加工が施されていないガラス層に対応する樹脂層にレーザを照射する。この製造方法では、レーザが予備加工されたガラス層の被加工部の影響を受けることなく、予備加工が施されていないガラス層に対応する樹脂層に照射されるため、樹脂層が効率的に切断または効率的に樹脂層にクラックが形成される。
【００５１】
（６）後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザにより切断した後に、予備加工されていないガラス層を切断する。この製造方法では、予備加工が施されていないガラス層により第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂが支持された状態で第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂがレーザにより切断される。このため、切断時の第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの状態が安定する。
【００５２】
（変形例）
上記実施形態は本開示に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または、実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変形例において、実施形態の形態と共通する部分については、実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【００５３】
・実施形態において、第１積層基板１１に導電層１３が形成されることに代えて、または第１積層基板１１に導電層１３が形成されることに加えて、第２積層基板１２に導電層１３が形成されてもよい。
【００５４】
・実施形態の予備加工工程において、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの両方に予備加工を施してもよい。この場合、後段切断工程において、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの両方をブレイクする。
【００５５】
・実施形態の後段切断工程において、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力は任意に設定可能である。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を所定温度以上のガスの発生が促進される所定出力未満に設定してもよい。この場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対して複数回にわたりレーザを照射することが好ましい。
【００５６】
・実施形態において、予備加工工程において第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに予備加工が施された場合、後段切断工程において第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂにレーザを照射することによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂにスクライブラインを形成してもよい。この場合、レーザによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂにスクライブラインを形成するときに発生するガスによって第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａがブレイクされる。また、予備加工工程において第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに予備加工が施された場合、後段切断工程において第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂにレーザを照射することによって第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂにスクライブラインを形成してもよい。この場合、レーザによって第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂにスクライブラインを形成するときに発生するガスによって第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａがブレイクされる。
【符号の説明】
【００５７】
１０  ：多層積層基板
１１  ：第１積層基板
１１Ａ：第１ガラス層
１１Ｂ：第１樹脂層
１２  ：第２積層基板
１２Ａ：第２ガラス層
１２Ｂ：第２樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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