(57)【要約】【課題】製造効率が低下しにくいフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとが積層された第１積層基板１１、および、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとが積層された第２積層基板１２を含み、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとが対向するように積層された多層積層基板１０の製造に関する。この製造方法は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程以後の工程である後段工程を含む。後段工程は、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方に、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方の切断にともない生じる異物を排出する排出部を形成する排出部形成工程を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス層と樹脂層とが積層された複数の積層基板を備え、前記複数の積層基板は第１ガラス層と第１樹脂層とが積層された第１積層基板、および、第２ガラス層と第２樹脂層とが積層された第２積層基板を含み、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板の製造に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
前記複数の積層基板を積層する工程以後の工程である後段工程を含み、
前記後段工程は、前記複数の積層基板の少なくとも一方の前記ガラス層に、前記樹脂層の切断にともない生じる異物を排出する排出部を形成する排出部形成工程を含む
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項２】
前記排出部形成工程では、前記ガラス層を切断することにより、または、前記ガラス層をスクライブすることにより前記排出部を形成する
請求項１に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項３】
前記排出部形成工程では、前記ガラス層をレーザまたはダイシングにより切断し、前記排出部を形成する
請求項２に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項４】
前記排出部形成工程では、スクライビングホイールにより前記ガラス層をスクライブし、前記排出部を形成する
請求項２に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項５】
前記排出部形成工程では、複数のスクライブラインが交差するように前記ガラス層をスクライブする
請求項４に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項６】
前記後段工程は、前記排出部形成工程の後に前記複数の積層基板の少なくとも一方の前記樹脂層をレーザにより切断する後段切断工程をさらに含む
請求項１〜５のいずれか一項に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項７】
前記排出部形成工程では、前記複数の積層基板の一方に前記排出部を形成し、
前記後段切断工程では、前記排出部が形成されていない前記ガラス層を介して前記樹脂層にレーザを照射する
請求項６に記載のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（electro luminescence）ディスプレイは発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスを備える。フレキシブル有機ＥＬディスプレイでは、基板にフレキシブル基板が用いられる。フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造工程では、ガラス層に樹脂層が形成され、樹脂層に発光層等が形成される（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】再公表特許ＷＯ２０１１／０３０７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
新しい構造の発光デバイスが提案されている。この発光デバイスは対向するように設けられる第１樹脂層および第２樹脂層を有する。第１樹脂層と第２樹脂層との間に発光層等が設けられる。従来の発光デバイスとは構造が異なるため、新しい構造の発光デバイスの製造に関する効率が低下するおそれがある。
【０００５】
本発明の目的は、製造効率が低下しにくいフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、ガラス層と樹脂層とが積層された複数の積層基板を備え、前記複数の積層基板は第１ガラス層と第１樹脂層とが積層された第１積層基板、および、第２ガラス層と第２樹脂層とが積層された第２積層基板を含み、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板の製造に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、前記複数の積層基板を積層する工程以後の工程である後段工程を含み、前記後段工程は、前記複数の積層基板の少なくとも一方の前記ガラス層に、前記樹脂層の切断にともない生じる異物を排出する排出部を形成する排出部形成工程を含む。
この製造方法によれば、例えば樹脂層をレーザで切断する場合に発生するガスがガラス層の排出部を介して多層積層基板の外部に排出され、ガスの影響により樹脂層の品質が低下するおそれが低減される。
【０００７】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記排出部形成工程では、前記ガラス層を切断することにより、または、前記ガラス層をスクライブすることにより前記排出部を形成する。
ガラス層を切断する場合、例えば樹脂層をレーザで切断する場合に樹脂層にレーザを照射することにともない発生するガスがガラス層の切断部分から多層積層基板の外部に排出される。ガラス層をスクライブする場合、例えば樹脂層をレーザで切断する場合にレーザを樹脂層に照射することにともない発生するガスによってガラス層をブレイクしたうえでガラス層の切断部分から多層積層基板の外部にガスが排出される。ガスが樹脂層の品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
【０００８】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記排出部形成工程では、前記ガラス層をレーザまたはダイシングにより切断し、前記排出部を形成する。
この製造方法では、ガラス層の切断に一般に用いられる切断方法によりガラス層に排出部が形成される。例えば、既存の装置を流用できる。
【０００９】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記排出部形成工程では、スクライビングホイールにより前記ガラス層をスクライブし、前記排出部を形成する。
この製造方法では、例えば次のように排出部が形成される。第１例では、ガラス層がスクライブされ、そのガラス層がブレイクされることにより排出部が形成される。第２例では、ガラス層がスクライブされ、その状態で樹脂層がレーザで切断されることにより、レーザの照射にともない発生するガスによりガラス層がブレイクされ、排出部が形成される。
【００１０】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記排出部形成工程では、複数のスクライブラインが交差するように前記ガラス層をスクライブする。
この製造方法によれば、ガラス層における複数のスクライブが交差する部分では、ガラス層がブレイクされた場合に相対的に広い排出部が形成される。樹脂層の切断にともない発生する異物の排出性が向上する。
【００１１】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記後段工程は、前記排出部形成工程の後に前記複数の積層基板の少なくとも一方の前記樹脂層をレーザにより切断する後段切断工程をさらに含む。
この製造方法では、樹脂層がレーザにより切断されるため、切断にともなう発熱量が少なく、樹脂層の品質が低下しにくい。
【００１２】
前記フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例では、前記排出部形成工程では、前記複数の積層基板の一方に前記排出部を形成し、前記後段切断工程では、前記排出部が形成されていない前記ガラス層を介して前記樹脂層にレーザを照射する。
この製造方法では、レーザがガラス層の排出部の影響を受けることなく樹脂層に照射され、樹脂層が効率的に切断またはスクライブされる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態の製造方法に関する多層積層基板の断面図。
【図２】図１の多層積層基板の平面図。
【図３】レーザ加工装置の構成を示す模式図。
【図４】スクライブ加工装置の構成を示す模式図。
【図５】実施形態の製造方法を示すフローチャート。
【図６】排出部形成工程の第１の例を示す図。
【図７】排出部形成工程の第２の例を示す図。
【図８】レーザ加工装置の構成を示す模式図。
【図９】剥離工程の一例を示す図。
【図１０】第２実施形態の製造方法に関する多層積層基板の断面図。
【図１１】変形例の製造方法に関する多層積層基板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（第１実施形態）
図面を参照してフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。フレキシブル有機ＥＬディスプレイは、据置型の機器および携帯機器等に用いられる。据置型の機器の一例は、パーソナルコンピュータおよびテレビ受像機である。携帯機器の一例は、携帯情報端末、ウェアラブルコンピュータ、および、ノート型パーソナルコンピュータである。携帯情報端末の一例はスマートフォン、タブレット、および、携帯ゲーム機である。ウェアラブルコンピュータの一例は、ヘッドマウントディスプレイおよびスマートウォッチである。
【００１６】
フレキシブル有機ＥＬディスプレイは、発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスと、発光デバイスを一方から覆う第１保護フィルムと、発光デバイスを他方から覆う第２保護フィルムとを有する。第１保護フィルムおよび第２保護フィルムはそれぞれ、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate）が用いられる。なお、第１保護フィルムおよび第２保護フィルムの一方は省略してもよい。発光デバイスの製造工程では、図１に示される１枚の多層積層基板１０から複数の発光デバイスが製造される。
【００１７】
多層積層基板１０は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造の途中段階で製造される。多層積層基板１０は、第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとが積層された第１積層基板１１と、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとが積層された第２積層基板１２とを有する。多層積層基板１０は、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとが対向するように第１積層基板１１と第２積層基板１２とが積層されて構成されている。多層積層基板１０は、導電層１３をさらに有する。導電層１３は、例えば第１積層基板１１の第１樹脂層１１Ｂ上に形成されている。導電層１３は、第１樹脂層１１Ｂと第２樹脂層１２Ｂとに挟まれている。導電層１３は、ＯＬＥＤ（Organic Light Diode）、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の電子デバイス用部材が形成されている。第１樹脂層１１Ｂ、導電層１３、および、第２樹脂層１２Ｂは、発光デバイスを構成している。
【００１８】
第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａと第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの組成は、特に限定されないが、例えばアルカリ金属酸化物を含有するガラス、または無アルカリガラス等の種々の組成のガラスを用いることができる。アルカリ金属酸化物を含有するガラスの一例は、ソーダライムガラスである。本実施形態では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａは、無アルカリガラスが用いられる。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば０．５ｍｍ程度であることが好ましい。第１ガラス層１１Ａは、第１樹脂層１１Ｂが形成される第１平面１４Ａ、および、第１平面１４Ａと対をなす第２平面１４Ｂを有する。第２ガラス層１２Ａは、第２樹脂層１２Ｂが形成される第１平面１５Ａ、および、第１平面１５Ａと対をなす第２平面１５Ｂを有する。
【００１９】
第１積層基板１１の第１樹脂層１１Ｂと第２積層基板１２の第２樹脂層１２Ｂとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの組成は、特に限定されないが、例えばポリイミド（ＰＩ）を用いることができる。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００２０】
図２は、多層積層基板１０の平面図である。
図２の破線によって示される切断予定部１６，１７に沿って多層積層基板１０を格子状に切断することによって単位積層基板２０が形成される。単位積層基板２０の平面視におけるサイズは、平面視において発光デバイスの予め決められたサイズに相当する。
【００２１】
多層積層基板１０の切断には、レーザ加工装置およびスクライブ加工装置の少なくとも一方が用いられる。図３は、レーザ加工装置の構成の一例であり、図４は、スクライブ加工装置の構成の一例である。図３および図４において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、および、Ｚ軸方向を図３および図４に示すとおり規定する。なお、第１積層基板１１および第２積層基板１２の切断には、ダイシング加工装置（図示略）を用いてもよい。
【００２２】
図３に示されるように、レーザ加工装置３０は、多層積層基板１０を切断するためのレーザ装置３１と、レーザ装置３１に対して多層積層基板１０を移動させるための機械駆動系３２と、レーザ装置３１および機械駆動系３２を制御する第１制御部３３とを備える。
【００２３】
レーザ装置３１は、多層積層基板１０における第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、第１ガラス層１１Ａ、および、第２ガラス層１２Ａの少なくとも１つを加工する。レーザ装置３１は、多層積層基板１０にレーザ光を照射するためのレーザ発振器３４と、レーザ光を機械駆動系３２に伝送する伝送光学系３５とを有する。レーザ発振器３４は、例えばＵＶ（Ultra Violet）レーザまたはＣＯ２レーザである。レーザ加工装置３０が第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを加工する場合、レーザ発振器３４はＵＶレーザである。レーザ加工装置３０が第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを加工する場合、レーザ発振器３４はＣＯ２レーザまたはＵＶレーザである。伝送光学系３５は、例えば集光レンズ、複数のミラー、プリズム、ビームエキスパンダ等から構成される。また、伝送光学系３５は、例えばレーザ発振器３４が組み込まれたレーザ照射ヘッドをＸ軸方向に移動させるためのＸ軸方向移動機構を有する。レーザ発振器３４から照射されたレーザ光は、伝送光学系３５を介して多層積層基板１０に向けて照射される。
【００２４】
機械駆動系３２は、レーザ装置３１とＺ軸方向に対向して配置されている。機械駆動系３２は、ベッド３６、加工テーブル３７、および、移動装置３８から構成される。加工テーブル３７上には、多層積層基板１０が載置される。移動装置３８は、加工テーブル３７をベッド３６に対して水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に移動させる。移動装置３８は、ガイドレール、移動テーブル、モータ等を有する公知の機構である。
【００２５】
第１制御部３３は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＭＰＵ（Micro Processing Unit）を有する。第１制御部３３は、１または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第１制御部３３は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第１制御部３３は、レーザ装置３１に設けられてもよいし、機械駆動系３２に設けられてもよいし、レーザ装置３１および機械駆動系３２とは別に設けられてもよい。第１制御部３３がレーザ装置３１および機械駆動系３２とは別に設けられる場合、第１制御部３３の配置位置は任意に設定可能である。
【００２６】
図４に示されるように、スクライブ加工装置４０は、スクライビングホイール５０と多層積層基板１０とがＸ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動することによって多層積層基板１０にＸ軸方向およびＹ軸方向に沿うスクライブラインを形成する。スクライブ加工装置４０は、多層積層基板１０を加工するための加工装置４１と、多層積層基板１０を搬送するための搬送装置４２と、加工装置４１および搬送装置４２を制御する第２制御部４３とを備える。
【００２７】
搬送装置４２は、一対のレール４４、テーブル４５、直進駆動装置４６、回転装置４７等から構成される。一対のレール４４は、Ｙ軸方向に沿って延びている。図４のスクライブ加工装置４０では、スクライブ加工装置４０のベース（図示略）に一対のレール４４が配置され、直進駆動装置４６によってテーブル４５が一対のレール４４に沿って往復移動し、回転装置４７によってテーブル４５が中心軸Ｃまわりを回転する。テーブル４５には、多層積層基板１０が載置される。直進駆動装置４６の一例は、送りねじ装置を有する。回転装置４７は、駆動源となるモータを有する。
【００２８】
加工装置４１は、横駆動装置４８、縦駆動装置４９、および、スクライビングホイール５０等から構成される。スクライビングホイール５０は、スクライビングホイール５０を保持するためのホルダユニットに取り付けられる。ホルダユニットは、ホルダユニットを保持するためのスクライブヘッドに取り付けられる。スクライブヘッドは、横駆動装置４８によってＸ軸方向に移動し、縦駆動装置４９によってＺ軸方向に移動する。スクライビングホイール５０がＸ軸方向に移動することによって、多層積層基板１０にＸ軸方向に沿うスクライブラインを形成する。
【００２９】
スクライビングホイール５０は、ホルダユニットに取り付けられるピン（図示略）に回転可能に支持される。スクライビングホイール５０を構成する材料の一例は、焼結ダイヤモンド（Poly Crystalline Diamond）、超硬金属、単結晶ダイヤモンド、および、多結晶ダイヤモンドである。
【００３０】
第２制御部４３は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばＣＰＵまたはＭＰＵを有する。第２制御部４３は、１または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第２制御部４３は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第２制御部４３は、加工装置４１に設けられてもよいし、搬送装置４２に設けられてもよいし、加工装置４１および搬送装置４２とは別に設けられてもよい。第２制御部４３が加工装置４１および搬送装置４２とは別に設けられる場合、第２制御部４３の配置位置は任意に設定可能である。
【００３１】
〔フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法〕
次に、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の詳細について説明する。図５は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法の工程の一例を示す。
【００３２】
フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法では、第１積層基板１１および第２積層基板１２を貼り合せて多層積層基板１０を製造後、多層積層基板１０を所定サイズに切断して単位積層基板２０を製造する。次に、単位積層基板２０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを除去することにより、発光デバイスが製造される。そして、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに第１保護フィルムおよび第２保護フィルムを取り付ける。これにより、フレキシブル有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００３３】
図５に示されるように、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程よりも前の工程である前段工程と、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層する工程以後の工程である後段工程とに区分される。前段工程は、前段積層工程を含む。前段積層工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を製造する工程である。後段工程は、後段積層工程、後段加工工程、および、剥離工程を含む。後段積層工程は、第１積層基板１１および第２積層基板１２を積層して多層積層基板１０を製造する工程である。後段加工工程は、多層積層基板１０の切断予定部１６，１７に沿って多層積層基板１０を切断することにより、すなわち多層積層基板１０を所定サイズに切断することにより、単位積層基板２０を製造する工程である。剥離工程は、レーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）によって第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを剥離し、第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを剥離する工程である。以下、各工程の詳細について説明する。
【００３４】
前段積層工程では、第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａの全体にわたり第１樹脂層１１Ｂを形成することによって第１積層基板１１を製造し、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａの全体にわたり第２樹脂層１２Ｂを形成することによって第２積層基板１２を製造する。第１ガラス層１１Ａの第１平面１４Ａへの第１樹脂層１１Ｂの形成方法、および、第２ガラス層１２Ａの第１平面１５Ａへの第２樹脂層１２Ｂの形成方法はそれぞれ、ガラス層に樹脂層を塗布する方法、または、ガラス層に接着層を介して樹脂層をラミネートする方法を選択できる。またガラス層に樹脂層を固定する方法として、加熱硬化処理、または、プレス法による加熱および加圧処理を選択できる。
【００３５】
後段積層工程では、所定サイズに切断されていない第１積層基板１１と所定サイズに切断されていない第２積層基板１２とを積層する。一例では、第１積層基板１１と第２積層基板１２とが、例えば接着層ＳＤを介して貼り合せられる。これにより、多層積層基板１０が製造される。
【００３６】
後段加工工程は、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方にガスを排出する排出部１８を形成する排出部形成工程と、レーザによって第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方を切断する後段切断工程とを含む。後段加工工程では、排出部形成工程および後段切断工程の順に実施される。
【００３７】
一例では、後段加工工程では、排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの一方に排出部１８を形成した後、後段切断工程において第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの少なくとも一方を切断する。
【００３８】
一例では、後段加工工程では、排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの一方に排出部１８を形成した後、後段切断工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方に対応する樹脂層を切断する。次に、排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ｂおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ｂの他方に排出部１８を形成した後、後段切断工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方に対応する樹脂層を切断する。
【００３９】
一例では、後段加工工程では、排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに排出部１８を形成した後、後段切断工程において第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断する。一例では、後段加工工程では、排出部形成工程において第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに排出部１８を形成した後、後段切断工程において第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断する。なお、後段加工工程におけるレーザによる第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの加工は、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断に代えて、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをスクライブすることであってもよい。
【００４０】
排出部形成工程では、排出部１８の形成方法として次の第１の例および第２の例のいずれかを選択できる。第１の例では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方を切断することにより排出部１８を形成する。第２の例では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方に溝（スクライブライン）を形成し、排出部１８を形成する。なお、排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａのみに排出部１８を形成してもよいし、第２ガラス層１２Ａのみに排出部１８を形成してもよい。
【００４１】
第１の例の排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの少なくとも一方を、レーザ、ダイシング、または、ブレイクにより切断する。切断予定部１６Ａおよび切断予定部１７Ａのうちの切断された部分が排出部１８を形成する。図６は、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａを切断した場合を示す。切断予定部１７Ａにおいて第２ガラス層１２Ａが切断された部分が排出部１８を構成する。
【００４２】
第２の例の排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方について、スクライビングホイール５０によって複数のスクライブラインが交差するようにスクライブする。複数のスクライブラインの交差部は、スクライブラインの他の部分よりも深くスクライブされることによって排出部１８を形成する。図７は、第１ガラス層１１Ａの４つのスクライブラインＳＬが交差するように第１ガラス層１１Ａがスクライブされた場合を示す。４つのスクライブラインＳＬの交差部が排出部１８を構成する。なお、スクライブラインの交差部においてスクライブラインが形成されたガラス層を貫通するようにレーザを照射して排出部１８を形成してもよい。
【００４３】
また、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方について、レーザによって切断予定部に沿って溝を形成することにより、切断予定部の交差部に排出部１８を形成してもよい。この溝は、スクライビングホイール５０によるスクライブラインに相当する。切断予定部の交差部において溝が形成されたガラス層が貫通するようにレーザを照射して排出部１８を形成してもよい。
【００４４】
後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方をレーザによって切断する。レーザの照射方向は任意に設定可能である。一例では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対して同一の照射方向でレーザを照射してもよいし、第１樹脂層１１Ｂに対するレーザの照射方向と第２樹脂層１２Ｂに対するレーザの照射方向とが反対方向であってもよい。
【００４５】
第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａがスクライブされた場合、レーザは、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂに向けて照射してもよいし、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１６Ｂに向けて照射してもよい。第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａがスクライブされた場合、レーザは、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに向けて照射してもよいし、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１７Ｂに向けて照射してもよい。これらの場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの順に第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂを切断してもよいし、第２樹脂層１２Ｂおよび第１樹脂層１１Ｂの順に第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂを切断してもよい。なお、レーザを樹脂層の切断予定部に高精度に照射する観点から、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａがスクライブされた場合、レーザは、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに向けて照射することが好ましい。第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａがスクライブされた場合、レーザは、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂに向けて照射することが好ましい。
【００４６】
第１ガラス層１１Ａがスクライブされた状態で第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂに向けてレーザを照射する場合、レーザは、第２樹脂層１２Ｂを切断した後、第１樹脂層１１Ｂを切断または第１樹脂層１１Ｂをスクライブしてもよい。第１ガラス層１１Ａがスクライブされた状態で第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂに向けてレーザが照射される場合、レーザは、第１樹脂層１１Ｂを切断した後、第２樹脂層１２Ｂを切断または第２樹脂層１２Ｂをスクライブしてもよい。第２ガラス層１２Ａがスクライブされた状態で第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂに向けてレーザを照射する場合、レーザは、第１樹脂層１１Ｂを切断した後、第２樹脂層１２Ｂを切断または第２樹脂層１２Ｂをスクライブしてもよい。第２ガラス層１２Ａがスクライブされた状態で第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂに向けてレーザを照射する場合、レーザは、第２樹脂層１２Ｂを切断した後、第１樹脂層１１Ｂを切断または第１樹脂層１１Ｂをスクライブしてもよい。
【００４７】
レーザの第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対する照射にともないガスが発生する。ガスは排出部１８を介して多層積層基板１０の外部に排出されるため、ガスが多層積層基板１０の内部に滞留することが抑制される。加えて、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの加工時に発生するデブリ等の異物が排出部１８を介して多層積層基板１０の外部に排出される。このため、多層積層基板１０の内部のガスの滞留および異物による多層積層基板１０の内部の圧力増加に起因して第１ガラス層１１Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、第２樹脂層１２Ｂ、および、第２ガラス層１２Ａが変形することが抑制される。
【００４８】
第１の例の排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを切断した場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断することによって単位積層基板２０が製造される。第１の例の排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方を切断した場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断した後、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方を切断することによって単位積層基板２０が製造される。
【００４９】
第２の例の排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２ＡのそれぞれにスクライブラインＳＬを形成した場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断した後、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをブレイクすることによって単位積層基板２０が製造される。第２の例の排出部形成工程において第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方にスクライブラインＳＬを形成した場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断した後、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方をスクライブし、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａをブレイクすることによって単位積層基板２０が製造される。なお、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂがスクライブされた場合には、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのブレイク時に第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂが併せてブレイクされる。
【００５０】
ガラス層および樹脂層のそれぞれをレーザによって切断する場合、または、ガラス層および樹脂層のそれぞれにレーザによってスクライブラインを形成する場合、図３に示されるレーザ加工装置３０に代えて、図８に示されるレーザ加工装置３０Ａが用いられる。レーザ加工装置３０Ａは、レーザ加工装置３０と比較して、レーザ装置の構成が異なる。以下、レーザ加工装置３０Ａのうちの異なる構成について説明する。
【００５１】
レーザ加工装置３０Ａのレーザ装置３１Ａは、第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを含む。第１レーザ発振器３４ＡはＵＶレーザであり、第２レーザ発振器３４ＢはＣＯ２レーザである。第１レーザ発振器３４Ａから照射されたレーザ光、および、第２レーザ発振器３４Ｂから照射されたレーザ光は、伝送光学系３５を介して第１積層基板１１および第２積層基板１２に照射される。なお、伝送光学系３５は、第１レーザ発振器３４Ａに対応する伝送光学系と、第２レーザ発振器３４Ｂに対応する伝送光学系とが個別に設けられてもよい。
【００５２】
第１制御部３３は、第１積層基板１１および第２積層基板１２に対する加工対象の種類（ガラス層または樹脂層）に応じて第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを選択する。例えば第１制御部３３は、予め記憶された制御プログラムによって加工対象の種類であるガラス層および樹脂層の加工順番を定め、定められた加工順番に応じて第１レーザ発振器３４Ａおよび第２レーザ発振器３４Ｂを選択する。
【００５３】
剥離工程では、レーザリフトオフ装置（図示略）を用いる。本実施形態では、レーザリフトオフ装置のレーザとしてＵＶレーザが用いられる。図９（ａ）に示されるように、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂにレーザを照射することによって第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離する。第１ガラス層１１Ａと第１樹脂層１１Ｂとを剥離する場合、レーザは、第１ガラス層１１Ａの第２平面１４Ｂに直交するように照射される。次に、図９（ｂ）に示されるように、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂにレーザを照射することによって第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離する。第２ガラス層１２Ａと第２樹脂層１２Ｂとを剥離する場合、レーザは、第２ガラス層１２Ａの第２平面１５Ｂに直交するように照射される。なお、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａを剥離する順番は任意に変更可能である。例えば、第２樹脂層１２Ｂと第２ガラス層１２Ａとを剥離した後、第１樹脂層１１Ｂと第１ガラス層１１Ａとを剥離してもよい。
【００５４】
多層積層基板１０から第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａが取り除かれた（図９（ｃ）参照）後、すなわち発光デバイスの製造後、第１樹脂層１１Ｂを覆うように第１保護フィルムが取り付けられ、第２樹脂層１２Ｂを覆うように第２保護フィルムが取り付けられることにより、フレキシブル有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００５５】
本実施形態の効果について説明する。
（１−１）後段加工工程は、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方に排出部１８を形成する排出部形成工程を含む。この製造方法によれば、例えば第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザで切断する場合に発生するガスが排出部１８を介して多層積層基板１０の外部に排出されるため、ガスの影響により第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質が低下するおそれが低減される。
【００５６】
（１−２）排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方を切断することにより、排出部１８を形成する。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方を切断する場合、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂにレーザを照射することにともない発生するガスが第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方の切断部分から多層積層基板１０の外部に排出される。このため、ガスが第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
【００５７】
（１−３）排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方をレーザまたはダイシングにより切断し、排出部１８を形成する。この製造方法では、ガラス層の切断に一般に用いられる切断方法により第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方に排出部１８が形成される。このため、例えば、既存の装置を流用できる。
【００５８】
（１−４）排出部形成工程では、スクライビングホイール５０により複数のスクライブラインＳＬが交差するように第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの少なくとも一方をスクライブする。この製造方法によれば、スクライブラインＳＬが交差する交差部は、スクライブラインＳＬの他の部分と比較して、スクライブされた深さが深くなることにより、ガラス層を貫通する。このため、スクライブラインＳＬが交差する交差部は、排出部１８を形成する。このため、例えば、既存の装置を流用できる。
【００５９】
（１−５）後段加工工程は、排出部形成工程の後に第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方をレーザにより切断する後段切断工程を含む。この製造方法では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方がレーザにより切断されるため、切断にともなう発熱量が少なく、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質が低下しにくい。
【００６０】
（１−６）排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方に排出部１８を形成し、後段切断工程では、排出部１８が形成されていない、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方を介して第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方に対応する樹脂層にレーザを照射する。この製造方法では、レーザが第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方の排出部１８の影響を受けることなく、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方に対応する樹脂層に照射され、樹脂層が効率的に切断またはスクライブされる。
【００６１】
（１−７）フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層する工程以降の工程である後段工程において、多層積層基板１０を所定サイズに切断する。この製造方法では、第１積層基板１１と第２積層基板１２とを積層された多層積層基板１０の状態で切断されるため、積層作業が簡素化される。このため、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくい。
【００６２】
（１−８）後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザにより切断する。このため、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断時の発熱量が少なく、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの品質が低下しにくい。
【００６３】
（第２実施形態）
図１０を参照して、第２実施形態のフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。本実施形態では、第１実施形態と比較して、後段加工工程が異なる。以下の説明において、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、第１実施形態と共通する多層積層基板１０の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６４】
排出部形成工程では、第１積層基板１１の第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２積層基板１２の第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの少なくとも一方をスクライブすることにより排出部１８を形成する。一例では、レーザまたはスクライブによって排出部１８が形成される。
【００６５】
本実施形態の排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの一方に排出部１８を形成し、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの他方に排出部１８を形成しない。図１０は、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに排出部１８が形成され、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに排出部１８が形成されていない例を示す。
【００６６】
後段切断工程では、レーザによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの少なくとも一方を切断、またはレーザによって第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂの少なくとも一方にスクライブラインを形成する。本実施形態では、後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が促進される所定出力以上に設定する。所定出力以上に設定すると、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂへのレーザの照射にともない多層積層基板１０内に発生したガスが予備加工を施されたガラス層をブレイク可能な力をガラス層に作用させる。
【００６７】
このように、後段切断工程では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａのうちのスクライブライン（排出部１８）が形成されたガラス層を、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスでブレイクする。これにより、排出部１８は、多層積層基板１０の内部と外部とを連通することになり、多層積層基板１０内のガスを多層積層基板１０の外部に排出できる。
【００６８】
後段切断工程の一例では、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに排出部１８が形成された場合、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに対してレーザを照射する。第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスで第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａがブレイクされる。一例では、第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａに排出部１８が形成された場合、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂに対してレーザを照射して第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂを切断した後、同一の照射方向で第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂにレーザを照射して第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂを切断または第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂをスクライブする。第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスで第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａがブレイクされる。
【００６９】
後段切断工程の一例では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに排出部１８が形成された場合、第１ガラス層１１Ａ側から第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂに対してレーザを照射する。第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスで第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａがブレイクされる。一例では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａに排出部１８が形成された場合、第２ガラス層１２Ａ側から第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに対してレーザを照射して第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂを切断した後、同一の照射方向で第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂにレーザを照射して第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂを切断または第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂをスクライブする。第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂおよび第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスで第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａがブレイクされる。
【００７０】
後段切断工程は、排出部１８が形成されていない第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方を切断する。一例では、後段切断工程では、レーザ加工装置３０またはスクライブ加工装置４０によって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方をスクライブした後、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方をスクライブラインに沿ってブレイクする。これにより、単位積層基板２０が製造される。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方にスクライブラインが形成されている場合、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａのブレイク時に併せてブレイクする。これにより、単位積層基板２０が製造される。一例では、後段切断工程では、レーザまたはダイシングによって第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方を切断する。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方にスクライブラインが形成されている場合、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの他方の切断後、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの他方をブレイクする。これにより、単位積層基板２０が製造される。
【００７１】
本実施形態の効果について説明する。
（２−１）排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの少なくとも一方に排出部１８を形成する。後段切断工程では、排出部１８が形成されたガラス層を第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方に対するレーザの照射にともない発生するガスでブレイクする。この製造方法では、レーザにより第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方を切断する作業に併せて排出部１８が形成されたガラス層が切断される。このため、多層積層基板１０の切断に関する工数が削減され、フレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造効率が低下しにくい。
【００７２】
（２−２）後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が促進される所定出力以上に設定する。この製造方法では、レーザによる第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの少なくとも一方の切断にともない比較的高温のガスが発生し、予備加工が施されたガラス層がガスにより適切にブレイクされる。
【００７３】
（２−３）排出部形成工程では、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの一方に排出部１８を形成し、第１ガラス層１１Ａの切断予定部１６Ａおよび第２ガラス層１２Ａの切断予定部１７Ａの他方に排出部１８を形成しない。この製造方法では、第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの一方だけがガスでブレイクされる。第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの両方がガスでブレイクされる場合と比較して、ブレイク時の第１ガラス層１１Ａおよび第２ガラス層１２Ａの状態が安定する。
【００７４】
（２−４）後段切断工程では、排出部１８が形成されていないガラス層を介して、排出部１８が形成されていないガラス層に対応する樹脂層にレーザを照射する。この製造方法では、レーザが予備加工されたガラス層の被加工部の影響を受けることなく、排出部１８が形成されていないガラス層に対応する樹脂層に照射されるため、樹脂層が効率的に切断または効率的に樹脂層がスクライブされる。
【００７５】
（２−５）後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂをレーザにより切断した後に、排出部１８が形成されていないガラス層を切断する。この製造方法では、排出部１８が形成されていないガラス層により第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂが支持された状態で第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂがレーザにより切断される。このため、切断時の第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの状態が安定する。
【００７６】
（変形例）
上記各実施形態は本開示に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関するフレキシブル有機ＥＬディスプレイの製造方法は各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または、各実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変形例において、各実施形態の形態と共通する部分については、各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【００７７】
・第１実施形態において、後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対する１回あたりのレーザの照射におけるレーザの出力を、所定温度以上のガスの発生が抑制される所定出力未満に設定して、複数回のレーザの照射により、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断してもよい。この製造方法によれば、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂにレーザが照射された場合に高温のガスが発生しにくく、ガスの影響により第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂの品質が低下するおそれが一層低減される。
【００７８】
・上記変形例において、複数回のレーザの照射により、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断する場合、レーザを所定出力未満に設定することに代えてまたは加えて、一定の時間を空けて第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂにレーザを複数回照射することにより第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断してもよい。この製造方法では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方にレーザが照射され、レーザの照射が一時的に中断され、一定の時間が経過した後に再び第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの一方にレーザが照射され、これらのレーザの照射および一時的な照射の中断が複数回にわたり繰り返される。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの他方にレーザが照射される場合も同様である。第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂに対するレーザの照射にともない発生したガスが、レーザの照射が一時的に中断されているときに冷却され、ガスの影響により第１ガラス層１１Ａ、第２ガラス層１２Ａ、第１樹脂層１１Ｂ、および、第２樹脂層１２Ｂの品質が低下するおそれが一層低減される。
【００７９】
・第１実施形態において、多層積層基板１０における排出部１８が形成される場所は、第１積層基板１１の切断予定部１６および第２積層基板１２の切断予定部１７に限定されない。例えば図２に示されるように、多層積層基板１０において、隣り合う単位積層基板２０の間の部分に排出部１８が形成されてもよい。
【００８０】
・各実施形態において、後段切断工程では、第１樹脂層１１Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂを切断する場合、第１樹脂層１１Ｂの切断予定部１６Ｂおよび第２樹脂層１２Ｂの切断予定部１７Ｂに対するレーザの照射にともない発生するガスを吸引する吸引機構６０が設けられてもよい。図１１に示されるように、吸引機構６０は、多層積層基板１０の周面１０Ａを介してガスを吸引するように構成される。吸引機構６０の一例は、吸気ファンを有する。吸引機構６０は、吸気ファンが駆動することにより、多層積層基板１０の周面１０Ａにおける空気を吸引する。この場合、多層積層基板１０内に発生したガスが周面１０Ａを介して多層積層基板１０の外部に排出される。
【００８１】
・各実施形態において、第１積層基板１１に導電層１３が形成されることに代えて、または第１積層基板１１に導電層１３が形成されることに加えて、第２積層基板１２に導電層１３が形成されてもよい。
【符号の説明】
【００８２】
１０  ：多層積層基板
１１  ：第１積層基板
１１Ａ：第１ガラス層
１１Ｂ：第１樹脂層
１２  ：第２積層基板
１２Ａ：第２ガラス層
１２Ｂ：第２樹脂層
１８  ：排出部
５０  ：スクライビングホイール
ＳＬ  ：スクライブライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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