(57)【要約】【課題】膜厚分布の均一性が得られる成膜装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る成膜装置は、内部を真空とすることが可能なチャンバ１と、チャンバ１内に設けられ、円周の搬送経路に沿って、処理対象面が立体形状のワークＷを搬送する搬送部３ａと、搬送部３ａにより搬送されるワークＷに対して、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜部４ａと、ワークＷが通過する側に開口９１を有し、成膜部４ａによる成膜が行われる成膜室Ｄｐを形成するシールド部材Ｓ１と、を有し、成膜室Ｄｐ内に突出する補正板９５が設けられ、補正板９５は、ワークＷの処理対象面Ｓｐに倣った立体形状を有し、ワークＷと対向する位置に設けられている。【選択図】図７
2020056100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部を真空とすることが可能なチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、円周の搬送経路に沿って、処理対象面が立体形状のワークを搬送する搬送部と、
前記搬送部により搬送される前記ワークに対して、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜部と、
前記ワークが通過する側に開口を有し、前記成膜部による成膜が行われる成膜室を形成するシールド部材と、を有し、
前記成膜室内に突出する補正板が設けられ、
前記補正板は、前記ワークの処理対象面に倣った立体形状を有し、前記ワークと対向する位置に設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記ワークは、前記成膜部に対向する面に凸部と平坦面を有し、
前記シールド部材は、前記ワークの凸部に沿う凹部を開口端に有し、
前記補正板は、前記シールド部材の開口端において前記ワークの凸部の一部と前記平坦面を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記補正板は、前記ワークにおいて成膜レートが最低レベルの部分を露出させるように構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記補正板と前記ワークの処理対象面との間の距離が５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３いずれか一項記載の成膜装置。
【請求項５】
前記成膜室には３つの円形のターゲットが設けられ、
前記３つのターゲットのうち２つのターゲットの中心を結ぶ線上から残り１つのターゲットの中心がずれて配置されており、
前記補正板は、前記２つのターゲットの中心を結ぶ線に対して、前記残り１つのターゲットとは反対側に設けられる請求項１〜４いずれか一項記載の成膜装置。
【請求項６】
前記シールド部材は、前記ワークが搬送される搬送方向において互いに対向する隔壁を有し、
前記補正板は、前記搬送方向において上流側の前記隔壁に取り付けられる請求項１〜５いずれか一項記載の成膜装置。
【請求項７】
前記シールド部材は、前記ワークが搬送される搬送方向において互いに対向する隔壁を有し、
前記補正板は前記隔壁に接触して取り付けられる請求項１〜６いずれか一項記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体やディスプレイあるいは光ディスクなど各種の製品の製造工程において、例えばウエーハやガラス基板等のワーク上に光学膜等の薄膜を成膜することがある。薄膜は、ワークに対して金属等の膜を形成する成膜と、形成した膜に対してエッチング、酸化又は窒化等の膜処理を繰り返すことによって、作成することができる。
【０００３】
成膜及び膜処理は様々な方法で行うことができるが、その一つとして、プラズマ処理による方法がある。成膜では、ターゲットを配置した真空容器であるチャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに直流電圧を印加する。プラズマ化したスパッタガスのイオンをターゲットに衝突させ、ターゲットから叩き出された材料をワークに堆積させて成膜を行う。膜処理では、電極を配置したチャンバ内にプロセスガスを導入し、電極に高周波電圧を印加する。プラズマ化したプロセスガスのイオンをワーク上の膜に衝突させることによって膜処理を行う。
【０００４】
このような成膜と膜処理（以下、両者を含めてプラズマ処理とする）を連続して行えるように、一つのチャンバの内部に回転テーブルを取り付け、チャンバの天井、つまり回転テーブルの上方の周方向に、成膜部と膜処理部を複数配置した成膜装置がある（例えば、特許文献１参照）。これにより、ワークを回転テーブル上に保持して搬送し、成膜部と膜処理部の直下を通過させることによって、光学膜等を形成できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４４２８８７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、スマートフォンなどのディスプレイに反射防止膜を形成し、視認性を良くすることが行われている。しかし、反射防止膜に色のムラがあると、ディスプレイ上で色のムラが発生し、視認性が悪いと判断される。反射防止膜は、多層構造であることが多い。ここで、一層の膜に対して許容できる膜厚の分布を設計値から±２％以内とすることで、人間が色のムラを感じないと言われている。そのため、光学用途においては、高い膜厚均一性が求められている。さらに、自動車で用いられるワークである、ヘッドアップディスプレイのような凹凸のある立体形状のディスプレイについて、スパッタリングを利用した成膜装置で反射防止膜を形成したいという要求も増加している。
【０００７】
ところで、上記のような成膜装置は、チャンバ内に、プラズマ処理を行う空間である処理室を有する。プラズマ処理を行う処理室内では、ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子の一部が、反応ガス分子と衝突し散乱する。この散乱したスパッタ粒子が原因となり、ワーク上に堆積される膜の厚みに違いが生じ、ワーク上において均一な膜厚分布が得られない可能性があった。特に、ワークの処理対象面が立体形状である場合に、膜厚分布の不均一性が顕著に現れた。
【０００８】
本発明の目的は、良好な膜厚分布の均一性が得られる成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明の成膜装置は、内部を真空とすることが可能なチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、円周の搬送経路に沿って、処理対象面が立体形状のワークを搬送する搬送部と、前記搬送部により搬送される前記ワークに対して、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜部と、前記ワークが通過する側に開口を有し、前記成膜部による成膜が行われる成膜室を形成するシールド部材と、を有し、前記成膜室内に突出する補正板が設けられ、前記補正板は、前記ワークの処理対象面に倣った立体形状を有し、前記ワークと対向する位置に設けられている。
【００１０】
前記ワークは、前記成膜部に対向する面に凸部と平坦面を有し、前記補正板は、前記凸部の一部と前記平坦面を覆うように設けられていてもよい。
【００１１】
前記補正板は、前記ワークにおいて成膜レートが最低レベルの部分を露出させるように構成されていてもよい。
【００１２】
前記補正板と前記ワークの処理対象面との間の距離が５ｍｍ以下であってもよい。
【００１３】
前記成膜室には３つの円形のターゲットが設けられ、前記３つのターゲットのうち２つのターゲットの中心を結ぶ線上から残り１つのターゲットの中心がずれて配置されており、前記補正板は、前記２つのターゲットの中心を結ぶ線に対して、前記残り１つのターゲットとは反対側に設けられていても良い。
【００１４】
前記シールド部材は、前記ワークが搬送される搬送方向において互いに対向する隔壁を有し、前記補正板は、前記搬送方向において上流側の前記隔壁に取り付けられていても良い。
【００１５】
前記シールド部材は、前記ワークが搬送される搬送方向において互いに対向する隔壁を有し、前記補正板は前記隔壁に接触して取り付けられていても良い。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、膜厚分布の均一性が得られる成膜装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態に係る成膜装置の構成を模式的に示す透視平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】ワークの側面図（Ａ）、平面図（Ｂ）、斜視図（Ｃ）である。
【図４】保持部であるトレイの側面図（Ａ）、平面図（Ｂ）、斜視図（Ｃ）である。
【図５】成膜部のシールド部材を示す斜視図である。
【図６】シールド部材とワークとの間隔を示す部分拡大断面図である。
【図７】シールド部材に設けられた補正板を示す透視斜視図である。
【図８】補正前後の膜厚圧分布を示すグラフである。
【図９】ワークの変形例を示す側面図（Ａ）、平面図（Ｂ）、斜視図（Ｃ）である。
【図１０】シールド部材に設けられた補正板とターゲットの位置関係を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
［構成］
本発明の実施形態について、図面を参照して具体的に説明する。以下の説明では、重力に従う方向を下方、これとは逆に重力に抗する方向を上方とする。
［チャンバ］
図１及び図２に示すように、成膜装置１００はチャンバ１を有する。チャンバ１は、略円筒形状の有底の容器である。チャンバ１は、内部を真空とすることが可能である。チャンバ１の開口には、開閉可能な蓋体１ａが設けられている。蓋体１ａは、円形の板状部材であり、チャンバ１の上部を気密に封止する。また、チャンバ１には排気部２が設けられており、チャンバ１の内部を真空に排気可能になっている。すなわち、チャンバ１は真空容器として機能する。排気部２は、図示しない真空源を含む空気圧回路に接続された配管を有する。この空気圧回路の接続箇所が排気位置である。本実施形態では、排気位置は、チャンバ１の底部である。なお、本実施形態では、チャンバ１の蓋体１ａは上、底部は下となっているが、蓋体１ａが下、底部が上となってもよい。
【００１９】
［回転テーブル］
チャンバ１内には、回転することにより円周の搬送経路Ｌに沿ってワークＷを搬送する搬送部として、回転テーブル３が水平に設けられている。つまり、中空の回転筒３ｂが、チャンバ１の底部を貫通してチャンバ１の内部に立設し、回転筒３ｂには、略円形の回転テーブル３が取り付けられている。回転筒３ｂには不図示の駆動機構が連結される。駆動機構の駆動によって回転テーブル３は回転筒３ｂを中心に回転する。中空の回転筒３ｂの内部には、不動の支柱３ｃが配置されている。支柱３ｃは、チャンバ１の外部に設けられた不図示の基台に固定され、チャンバ１の底部を貫通してチャンバ１の内部に立設される。回転テーブル３の中心には開口部が設けられている。支柱３ｃは回転テーブル３の開口部を貫通し、先端は回転テーブル３の上面と、チャンバ１の上面の間に位置する。なお、以下の説明では、回転筒３ｂの回転軸を、回転テーブル３の回転の軸とする。また、回転テーブル３の回転軸に近い側を内周側、軸から離れる側を外周側とする。
【００２０】
回転テーブル３の開口部と支柱３ｃとの間にはボールベアリング３ｄが配置されている。すなわち、回転テーブル３は、ボールベアリング３ｄを介して支柱３ｃに回転可能に支持されている。なお、支柱３ｃの先端は、後述する内周支持部ＩＰを構成している。
【００２１】
回転テーブル３の上面には、ワークＷを保持する保持部３ａが複数設けられる。複数の保持部３ａは、回転テーブル３の周方向に沿って等間隔に設けられる。回転テーブル３が回転することによって、保持部３ａに保持されたワークＷが回転テーブル３の周方向に移動する。言い替えると、回転テーブル３の面上には、ワークＷの円周の移動軌跡である搬送経路Ｌが形成される。保持部３ａは、例えばワークＷを載置する窪み、トレイ等とすることができる。保持部３ａに、ワークＷを把持する静電チャック、メカチャック等のチャック部材を設けてもよい。
【００２２】
本実施形態ではワークＷの例として、図３（Ａ）の側面図、（Ｂ）の平面図、（Ｃ）の斜視図に示すように、後述する処理部に対向する面、つまり、処理対象となる面（以下、処理対象面Ｓｐとする）に凸部Ｃｐを有し、凸部Ｃｐと反対側の面に凹部Ｒｐを有する板状の部材である。すなわち、ワークＷの処理対象面Ｓｐは、平板状ではなく、一部に凸部Ｃｐまたは凹部Ｒｐを有する立体形状の処理対象面Ｓｐである。凸部Ｃｐとは、処理対象面Ｓｐにおいて、曲率中心が処理対象面Ｓｐとは反対側に位置する湾曲部分または、処理対象面Ｓｐが角度の異なる複数の平面で構成される場合に異なる平面同士を連結する部分（図９参照）をいう。凹部Ｒｐとは凸部Ｃｐの反対側の部分をいう。
【００２３】
本実施形態では、ワークＷは長方形状の基板であって、一短辺側に形成された湾曲部分によって処理対象面Ｓｐに凸部Ｃｐが形成されている。つまり、湾曲により伸長する側が凸部Ｃｐ、その反対側が凹部Ｒｐである。ワークＷの凸部Ｃｐから他方の短辺までの処理対象面Ｓｐは、平坦面となっている。本実施形態では、凸部Ｃｐが形成された処理対象面Ｓｐの部分は、平坦面となっている処理対象面Ｓｐの部分より下方に位置する。すなわち、処理対象面Ｓｐは、ワークＷの一短辺側が下方に向けて湾曲した長方形状の面である。ワークＷは、金属、カーボン等の導電性材料を含むもの、ガラスやゴム等の絶縁物を含むもの、シリコン等の半導体を含むものを用いても良い。
【００２４】
このようなワークＷを載置して保持する保持部３ａとしては、図４（Ｂ）の平面図、図４（Ｃ）の斜視図に示すようなトレイを用いることができる。保持部３ａにおいて、後述する処理部に対向する面を対向面３１と称する。本実施形態では、保持部３ａは、略扇形形状の板状体であり、Ｖ字に沿う一対の側面である斜面３２を有している。ここでいう略扇形とは、扇子の扇面の部分の形を意味する。一対の斜面３２が接近する側の端部は、直線に沿う内周面３３で結ばれている。保持部３ａの一対の斜面３２が離れる側の端部には、直交する辺を組み合わせた凸形状に沿う外周面３４が連続している。この外周面３４における互いに対向する平行な面を、規制面３４ａと呼ぶ。
【００２５】
各保持部３ａは、対向面３１に、後述するシールド部材Ｓ１の凹部９０、シールド部材Ｓ２の凹部に沿う凸部３１ａを有する。シールド部材Ｓ１およびＳ２の各凹部に沿うとは、各凹部に倣う形状であることをいう。保持部３ａの凸部３１ａは、シールド部材Ｓ１およびＳ２の凹部に非接触で対向する。本実施形態では、凸部３１ａは、ワークＷの凹部Ｒｐに倣う曲面でもある。凸部３１ａは、図４（Ｂ）に示すように、平面視で一対の斜面３２の中央を結ぶ円弧状に沿って形成されている。保持部３ａの対向面３１は、凸部３１ａを挟んで、内周面３３側が回転テーブル３に近い低位の平坦面、外周面３４側が回転テーブル３から離れた高位の平坦面となっている。
【００２６】
本実施形態では、ワークＷは、保持部３ａの凸部３１ａにワークＷの凹部Ｒｐを合わせるようにして載置される。そして、ワークＷの凸部Ｃｐが内周側に配置されるように、保持部３ａが成膜装置１００に搬入される。保持部３ａが回転テーブル３に全てセットされた状態では、ワークＷの長手方向は、回転テーブル３の径方向に沿う。そのため、ワークＷの処理対象面Ｓｐは、径方向に見ると凹凸があるが、搬送方向（径方向に直交する方向）に見ると一定の高さとなっている。
【００２７】
［処理部］
回転テーブル３の保持部３ａに対向する位置には、成膜装置１００における各工程の処理を行う処理部４が設けられている。各処理部４は、回転テーブル３の面上に形成されるワークＷの搬送経路Ｌに沿って、互いに所定の間隔を空けて隣接するように配置されている。保持部３ａに保持されたワークＷが各処理部４に対向する位置を通過することで、各工程の処理が行われる。なお、排気部２は、回転テーブル３を挟んで、処理部４と反対側に設けられている。
【００２８】
図１の例では、回転テーブル３上の搬送経路Ｌに沿って７つの処理部４が配置されている。本実施形態では、ワークＷに成膜処理を行う処理部４が、成膜部４ａである。成膜部４ａによってワークＷ上に形成された膜に対して処理を行う処理部４が、膜処理部４ｂである。本実施形態では、成膜部４ａは、回転テーブル３により搬送されるワークＷに、プラズマを用いたスパッタリングにより、成膜材料を堆積させて成膜する。
【００２９】
また、膜処理部４ｂは、後酸化を行う処理部４として説明する。後酸化とは、成膜部４ａで成膜された金属膜に対して、プラズマにより生成された酸素イオンによって金属膜を酸化させる処理である。なお、膜処理部４ｂの処理は、これには限定されない。例えば、プラズマにより生成された窒素イオン等によって金属膜を窒化させる後窒化を行ってもよい。また、酸素イオン、窒素イオンによる酸窒化を行ってもよい。成膜部４ａ、膜処理部４ｂは、周方向に間隔を空けて、配置されている。本実施形態では、成膜部４ａは６つ、膜処理部４ｂは１つである。但し、複数の処理部４のうち、少なくとも成膜部４ａが１つあればよい。
【００３０】
（成膜部）
成膜部４ａは、図２に示すように、スパッタ源６を有する。スパッタ源６は、成膜材料の供給源である。スパッタ源６は、ターゲット６１、バッキングプレート６２、電極６３を有する。ターゲット６１は、ワークＷ上に堆積されて膜となる成膜材料で構成された板状の部材である。ターゲット６１は、ワークＷが成膜部４ａに対向する位置を通過する際に、ワークＷと対向する位置に設置される。本実施形態では、ターゲット６１は、円形のものが３つ設けられている。２つのターゲット６１Ｂ，６１Ｃは、中心が回転テーブル３の半径方向に並んでいる。残り１つのターゲット６１Ａは、その中心ａが、ターゲット６１Ｂ、６１Ｃの中心ｂ、ｃを結ぶ線上から搬送方向においてずれた位置に配置される。すなわち、ターゲット６１Ｂ、６１Ｃが、後述する隔壁９３ｃと隔壁９３ｄの間の略中心に配置される場合、ターゲット６１Ａは、隔壁９３ｃまたは隔壁９３ｄのいずれかの側に寄るように配置される。例えば、１つのターゲット６１Ａが他の２つのターゲット６１Ｂ，６１Ｃと二等辺三角形の頂点を形成する位置に配置されている（図１参照）。ただし、ターゲット６１は、単数、２つ、または４つ以上であっても良い。なお、以下の説明では、ターゲット６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃを区別しない場合には、ターゲット６１と呼ぶ場合がある。
【００３１】
バッキングプレート６２は、ターゲット６１を保持する部材である。電極６３は、チャンバ１の外部からターゲット６１に電力を印加するための導電性の部材である。なお、スパッタ源６には、必要に応じてマグネット、冷却機構などが適宜具備されている。
【００３２】
ターゲット６１には、電極６３を介して直流電圧を印加するＤＣ電源７が接続されている。また、チャンバ１の底部には、ターゲット６１に対向する位置にスパッタガスＧ１をチャンバ１の内部に導入するために、スパッタガス導入部８が設置されている。スパッタガスＧ１は、電力の印加によって生じるプラズマにより、発生するイオンをターゲット６１に衝突させて、ターゲット６１の材料をワークＷの表面に堆積させるためのガスである。スパッタガスＧ１は、例えば、アルゴン等の不活性ガスを用いることができる。
【００３３】
以上のようなスパッタ源６のターゲット６１を囲む位置には、シールド部材Ｓ１が設けられている。シールド部材Ｓ１は、スパッタガスＧ１が導入されるガス空間の一部を構成し、チャンバ１の内部の搬送経路Ｌに向かう開口９１を有する部材である。ここでいうガス空間は、成膜部４ａによる成膜が行われる成膜室Ｄｐである。
【００３４】
シールド部材Ｓ１は、カバー部９２、側面部９３を有する。カバー部９２は、成膜室Ｄｐの天井を形成する部材である。カバー部９２は、図２及び図５に示すように、回転テーブル３の平面と平行に配置された略扇形の板状体である。カバー部９２には、成膜室Ｄｐ内に各ターゲット６１が露出するように、各ターゲット６１に対応する位置に、ターゲット６１の大きさ及び形状と同じターゲット孔９２ａが形成されている。また、シールド部材Ｓ１の内部には、ターゲット６１の近傍までスパッタガス導入部８の先端が延びている。つまり、スパッタガス導入部８は、スパッタガスＧ１が導入される成膜室Ｄｐ内に、スパッタガスＧ１を供給するガス供給部である。
【００３５】
側面部９３は、成膜室Ｄｐの周縁の側面を形成する部材である。側面部９３は、外周壁９３ａ、内周壁９３ｂ、隔壁９３ｃ、９３ｄを有する。外周壁９３ａ及び内周壁９３ｂは、円弧状に湾曲した直方体形状で、回転テーブル３の軸方向に延びた板状体である。外周壁９３ａの上縁は、カバー部９２の外縁に取り付けられている。内周壁９３ｂの上縁は、カバー部９２の内縁に取り付けられている。
【００３６】
隔壁９３ｃ、９３ｄは、平坦な直方体形状で、回転テーブル３の軸方向に延びた板状体である。隔壁９３ｃ、９３ｄは、ワークＷの搬送方向において互いに対向する。隔壁９３ｃ、９３ｄの上縁は、それぞれが、カバー部９２の一対の半径方向の縁部に取り付けられている。カバー部９２と側面部９３との接合部は、気密に封止されている。なお、カバー部９２と側面部９３を、一体的に、つまり共通の材料により連続して形成してもよい。このようなシールド部材Ｓ１により、上部及び周縁の側面がカバー部９２及び側面部９３によって覆われ、ワークＷに向かう側が開口した成膜室Ｄｐの一部が形成される。なお、シールド部材Ｓ１は必ずしも、外周壁９３ａ、内周壁９３ｂ、隔壁９３ｃ、９３ｄの全てを有している必要はない。例えば、カバー部９２に対し、隔壁９３ｃ、９３ｄのみを取り付けることで、シールド部材Ｓ１を構成しても良い。
【００３７】
この成膜室Ｄｐは、成膜の大半が行われる領域であるが、成膜室Ｄｐから外れる領域であっても、成膜室Ｄｐからの成膜材料の漏れはあるため、全く膜の堆積がないわけではない。つまり、成膜部４ａにおいて成膜が行われる成膜領域は、シールド部材Ｓ１で画される成膜室Ｄｐよりもやや広い領域となる。
【００３８】
シールド部材Ｓ１は、平面視で回転テーブル３の半径方向における中心側から外側に向けて拡径する略扇形になっている。シールド部材Ｓ１の開口９１も、同様に略扇形である。回転テーブル３上に保持されるワークＷが開口９１に対向する位置を通過する速度は、回転テーブル３の半径方向において中心側に向かうほど遅くなり、外側へ向かうほど速くなる。そのため、開口９１が単なる長方形又は正方形であると、半径方向における中心側と外側とでワークＷが開口９１に対向する位置を通過する時間に差が生じる。開口９１を半径方向における中心側から外側に向けて拡径させることで、ワークＷが開口９１を通過する時間を一定とすることができ、通過する時間の違いにより成膜量に差が生じることを防ぐことができる。ただし、通過する時間の差が製品上問題にならない程度であれば、長方形又は正方形でもよい。シールド部材Ｓ１の材質としては、例えば、アルミニウムやＳＵＳを用いることができる。
【００３９】
隔壁９３ｃ、９３ｄの下端と回転テーブル３との間には、図６に示すように、回転する回転テーブル３上のワークＷが通過可能な間隔Ｄ１が形成されている。つまり、シールド部材Ｓ１の下縁とワークＷとの間に、僅かな隙間が生じるように、隔壁９３ｃ、９３ｄの高さが設定されている。
【００４０】
より具体的には、図６に示す通り、シールド部材Ｓ１は、保持部３ａに載置されたワークＷの凸部Ｃｐに沿う凹部９０を有する。凸部Ｃｐに沿うとは、凸部Ｃｐに倣う形状であることをいう。本実施形態では、凹部９０は、凸部Ｃｐの湾曲に沿う曲面である。但し、凹部９０と凸部Ｃｐとの間は、上記のように間隔Ｄ１が空いている。つまり、凹部９０を含む隔壁９３ｃ、９３ｄの下縁には、ワークＷの処理対象面Ｓｐに非接触で沿う形状が形成されている。ワークＷの処理対象面Ｓｐとシールド部材Ｓ１との間隔Ｄ１は、凸部Ｃｐと凹部９０との間隔も含めて、５ｍｍ以下とすることが好ましい。これは、ワークＷの通過を許容するとともに、内部の成膜室Ｄｐの圧力を維持するためである。また、反応ガスの漏れを極力少なくするためでもある。
【００４１】
また、シールド部材Ｓ１には、図７に示すように、補正板９５が設けられている。補正板９５は、成膜される膜の膜厚分布を調整する部材である。補正板９５は、成膜室Ｄｐ内の一部に、成膜材料のスパッタ粒子を遮蔽する領域を形成する板状の部材である。この補正板９５により、膜厚分布を補正する。補正板９５は、スパッタ粒子が多く付着して膜が厚くなり易い箇所に、必要以上にスパッタ粒子が付着しないように遮蔽する。つまり、補正板９５は、成膜材料を遮る遮蔽部である。
【００４２】
具体的には、ワークＷの搬送方向の上流側の隔壁である隔壁９３ｄの下端に、補正板９５は設けられている。すなわち、補正板９５は、ワークＷの処理対象面Ｓｐと対向する位置に設けられている。補正板９５は、ワークＷの平坦面と、平坦面から凸部Ｃｐの一部までを覆うように隔壁９３ｄから、成膜室Ｄｐの内部に突出するように設けられている。補正板９５は、ワークＷに倣った形状をしており、平板状ではなく、平坦面と凸部を有する立体形状である。具体的には、成膜室Ｄｐを通過するワークＷと補正板９５を径方向に直交する方向から見たとき、処理対象面Ｓｐの形状に、補正板９５の処理対象面Ｓｐ側の面の形状が一致していればよい。
【００４３】
なお、補正板９５は、シールド部材Ｓ１と一体成形されていても良い。また、シールド部材Ｓ１とは別の部材で構成しシールド部材Ｓ１に対して着脱可能に構成しても良い。他にも、支持部材を設けて、シールド部材Ｓ１とは別部材とした補正板９５を、シールド部材Ｓ１の近傍に位置するように支持しても良い。補正板９５は、シールド部材Ｓ１の下端側に設けられている方が、ワークＷに近接させることができ好ましい。ただし、補正板９５とワークＷの距離が離れている場合も散乱したスパッタ粒子を遮蔽する効果は得られるため、シールド部材Ｓ１の下端側以外の位置に設けられていても良い。
【００４４】
なお、スパッタ粒子は、クヌーセンのコサイン則に従って真空中で分散するため、ターゲット６１の直下に最も多く付着する。シールド部材Ｓ１は、ターゲット６１の直下から離れた位置にあるため、シールド部材Ｓ１の近傍に飛来するスパッタ粒子は、ターゲット６１の直下の位置よりも少なくなる。そのため、シールド部材Ｓ１の近傍に補正板９５を取り付けることで、補正板９５の機械加工で生じる誤差や取り付け誤差による影響が減少する。従って、補正板９５が、搬送方向において上流側の隔壁９３ｄに設けられる場合、中心が、他の２つのターゲット６１Ｂ，６１Ｃの中心と二等辺三角形の頂点を形成する位置に配置されている１つのターゲット６１Ａは、搬送方向において下流側の隔壁９３ｃ側に位置することが好ましい。換言すると、３つのターゲットのうち２つのターゲットの中心を結ぶ線上から残り１つのターゲットの中心がずれて配置される場合、補正板９５は２つのターゲットを結ぶ線に対して、残り１つのターゲットとは反対側に設けられていると好ましい。より具体的には、ターゲット６１Ｂ、６１Ｃの中心ｂ、ｃを結ぶ線上から搬送方向においてずれた位置に配置されるターゲット６１Ａが、下流側の隔壁９３ｃ寄りに位置する場合、補正板９５はｂ、ｃを結ぶ線に対して搬送方向においてターゲット６１Ａとは反対側（上流側）の隔壁９３ｄに設けられることが好ましい（図１０）。また、補正板９５は、必ずしもワークＷの搬送方向の上流側の隔壁９３ｄに設ける必要はない。例えば、搬送方向の下流側である隔壁９３ｃに設けることもできる。
【００４５】
但し、補正板９５の一方の端部をシールド部材Ｓ１に取り付けるように補正板９５を配置する場合、補正板９５を上流側の隔壁９３ｄに取り付けることで、取り付けられていない側の端部がプラズマ熱による影響などを受けて変形して垂れ下がったとしても、少なくともワークＷの側面や保持部３ａの側面との正面衝突を防ぐことができ、補正板９５が損傷を受けることを抑制することができる。
【００４６】
上述の通り、本実施形態において、ワークＷは、処理対象面Ｓｐの一部に凸部Ｃｐまたは凹部Ｒｐを有する。このようなワークＷに対して成膜装置１００を用いて成膜を行うと、ワークＷの凸部Ｃｐのうち内周側の一部に対する成膜レートが低くなる。成膜レートとは、単位時間当たりの成膜材料の堆積量または膜厚を意味する。具体的に説明すると、回転テーブル３上において、ワークＷの凸部Ｃｐは、回転テーブル３の内周側に向けて下がるように湾曲している。そのため、凸部Ｃｐの内周側の端部は、ワークＷの平坦面とほぼ垂直な垂直面となる。成膜レートは、平坦面（水平面）に対して垂直面に向かうに従って低くなる。そのため、凸部Ｃｐを構成する面において成膜レートが大きく異なる。
【００４７】
そのため、補正板９５は、ワークＷの凸部Ｃｐの一部を覆うが、凸部Ｃｐの全てを覆うようには設けられていない。補正板９５がワークＷを覆う、とは、補正板９５とワークＷが軸方向において重なることを意味する。なお、補正板９５は、シールド部材Ｓ１の開口９１の一部を覆っている。
【００４８】
補正板９５が覆う凸部Ｃｐの一部とは、凸部Ｃｐを構成する面であっても、成膜レートが最低レベルに達していない部分を意味する。すなわち、補正板９５は、成膜レートが最低レベルとなる凸部Ｃｐの内周側の一部を露出させるように構成されている。補正板９５がワークＷを露出させる、とは、補正板９５とワークＷが軸方向において重ならないことを意味する。上記の通り、補正板９５は、ワークＷが回転テーブル３により成膜部４ａに搬送され、ワークＷが成膜部４ａに対向する位置を通過する際に、ワークＷと軸方向において重なる。しかし、補正板９５は、成膜レートが最低レベルとなる凸部Ｃｐの内周側の一部に対しては設けられていない。従って、補正板９５がワークＷと軸方向において重なる位置にあったとしても、成膜レートが最低レベルとなる凸部Ｃｐの内周側の一部は露出されることとなる。
【００４９】
最低レベルとは、成膜レートが所定の値以下となることを意味する。膜厚分布は、平均値±｛（最大値−最小値）／（最大値＋最小値）｝×１００で算出される。±｛（最大値−最小値）／（最大値＋最小値）｝×１００の部分が誤差である。所定の値とは、膜厚分布の最小値に対して｛（Ｘ−最小値）／（Ｘ＋最小値）｝×１００の値が２以下となる膜厚Ｘの部分における成膜レートの値である。
【００５０】
補正板９５が、ワークＷの凸部Ｃｐの一部のうちどこまでを覆うかについては、補正板９５を設けていないシールド部材を用いてワークＷに成膜処理を行い、膜厚分布から回転テーブル３の半径方向の所定の位置毎の成膜レートを算出し、求めた成膜レートに基づき決定することができる。なお、補正板９５の周方向の幅についても、求めた成膜レートに基づき決定すればよい。ここで重要なのは、一部に凸部Ｃｐを有する立体形状のワークＷを用いた場合、凸部Ｃｐの湾曲形状により、凸部Ｃｐを構成する面において成膜レートが低くなることである。従って、補正板９５は、成膜レートが最低レベルとなる凸部Ｃｐの内周側の一部については露出させるように、ワークＷの平坦面と凸部Ｃｐの一部を必ず覆うように構成される。
【００５１】
また、補正板９５は、ワークＷとの間の距離が一定となるように構成されている。上記の通り、補正板９５は、ワークＷの平坦面と凸部Ｃｐの一部を覆うように構成されている。ここで、補正板９５は、ワークＷに倣った立体形状を有している。そのため、補正板９５とワークＷの平坦面との間の距離と、補正板９５とワークＷの凸部Ｃｐとの間の距離は、同じである。補正板９５とワークＷとの間の距離は、５ｍｍ以下とすることが好ましい。ワークＷの通過を許容するとともに、内部の成膜室Ｄｐの圧力を維持するためである。
【００５２】
補正板９５とワークＷとの間の距離は、保持部３ａであるトレイの対向面３１および凸部３１ａと補正板９５の距離を一定に保つことで調整することができる。また、回転テーブル３に窪みを設けてワークＷを保持する場合にも、保持部３ａである回転テーブル３の窪みの対向面３１および凸部３１ａと補正板９５の距離を一定に保てば良い。すなわち、補正板９５とワークＷとの距離が一定となるように、保持部３ａの形状を適宜設定することができる。また、保持部３ａの形状に合わせて、シールド部材Ｓ１の形状も適宜設定することができる。
【００５３】
このようなシールド部材Ｓ１によって、図２に示すように、スパッタ源６によりワークＷが成膜される成膜ポジションが仕切られる。シールド部材Ｓ１によって、成膜ポジションのスパッタガスＧ１及び成膜材料が成膜室Ｄｐからチャンバ１内に拡散することを抑制できる。
【００５４】
（膜処理部）
膜処理部４ｂは、チャンバ１の蓋体１ａに設置され、筒形に形成された電極（以下、「筒形電極」という。）１０を備えている。筒形電極１０は、プロセスガスＧ２が導入されるガス空間に、搬送経路Ｌを通過するワークＷをプラズマ処理するためのプラズマを発生させるプラズマ源である。ここでいうガス空間は、膜処理部４ｂによる膜処理が行われる膜処理室Ｆｐである。
【００５５】
本実施形態の筒形電極１０は角筒状であり、一端に開口部１１を有し、他端は閉塞されている。筒形電極１０はチャンバ１の蓋体１ａに設けられた貫通孔を貫通して、開口部１１側の端部がチャンバ１の内部に位置し、閉塞された端部がチャンバ１の外部に位置するように配置される。筒形電極１０は、絶縁材を介してチャンバ１の貫通孔の周縁に支持されている。筒形電極１０の開口部１１は、回転テーブル３上に形成された搬送経路Ｌと向かい合う位置に配置される。すなわち、回転テーブル３は、ワークＷを搬送して開口部１１に対向する位置を通過させる。そして、開口部１１に対向する位置が、ワークＷの通過位置となる。
【００５６】
図１及び図２に示すように、筒形電極１０及びその開口部１１は、シールド部材Ｓ１と同様に、上から見ると回転テーブル３の半径方向における中心側から外側に向けて拡径する略扇形になっている。略扇形としている理由は、シールド部材Ｓ１と同様であり、通過する時間の差が製品上問題にならない程度であれば、長方形又は正方形でもよい。
【００５７】
筒形電極１０は、シールド部材Ｓ２の内部に収容されている。シールド部材Ｓ２は、プロセスガスＧ２が導入されるガス空間の一部を構成し、チャンバ１の内部の搬送経路Ｌに向かう開口１３ａを有するシールド部材Ｓとして捉えることができる。なお、以下の説明では、シールド部材Ｓ１、Ｓ２を区別しない場合には、シールド部材Ｓと呼ぶ場合がある。
【００５８】
プロセスガスＧ２は、高周波の印加により生じるプラズマにより発生する活性種を、ワークＷの表面に堆積された膜に浸透させて、化合物膜を形成するためのガスである。プロセスガスＧ２は、処理の目的によって適宜変更可能である。例えば、膜の酸化を行う場合には酸素、膜の窒化を行う場合には窒素、膜の酸窒化を行う場合には、酸素と窒素の混合ガスを用いる。さらに、エッチングを行う場合は、エッチングガスとしてアルゴン等の不活性ガスを用いることができる。なお、以下の説明では、スパッタガスＧ１、プロセスガスＧ２を区別しない場合には、反応ガスＧと呼ぶ場合がある。
【００５９】
シールド部材Ｓ２は、外部シールド１２、内部シールド１３を有する。上述したように、筒形電極１０はチャンバ１の貫通孔を貫通し、一部がチャンバ１の外部に露出している。この筒形電極１０におけるチャンバ１の外部に露出した部分が、図２に示すように、外部シールド１２に覆われている。外部シールド１２によってチャンバ１の内部の空間が気密に保たれる。筒形電極１０のチャンバ１の内部に位置する部分の周囲は、内部シールド１３によって覆われている。
【００６０】
内部シールド１３は、筒形電極１０と相似形の角筒状であり、チャンバ１の内部の蓋体１ａに支持されている。内部シールド１３の筒の各側面は、筒形電極１０の各側面と略平行に設けられる。内部シールド１３の回転テーブル３に対向する端面は筒形電極１０の開口部１１と高さ方向において同じ位置であってもよく、開口部１１よりも下方に配置されていても良い。内部シールド１３の端面は、開口１３ａとなっている。この開口１３ａには、回転テーブル３の平面と平行かつ開口１３ａの外側に延びたフランジ１４が設けられている。このフランジ１４によって、筒形電極１０の内部で発生したプラズマが内部シールド１３の外部に流出することが抑制される。
【００６１】
また、シールド部材Ｓ１の凹部９０のように、シールド部材Ｓ２は、開口１３ａに不図示の凹部を有する。この凹部は、保持部３ａに載置されたワークＷの凸部Ｃｐに沿う形状を有する。凸部Ｃｐに沿うとは、凸部Ｃｐに倣う形状であることをいう。本実施形態では、シールド部材Ｓ２の凹部は、凸部Ｃｐの湾曲に沿う曲面である。但し、開口１３ａに設けられた凹部と凸部Ｃｐとの間は、回転テーブル３上のワークＷが通過可能な間隔が形成されている。つまり、シールド部材Ｓ２の凹部を含む開口１３ａの下縁には、ワークＷの処理対象面Ｓｐに非接触で沿う形状が形成されている。ワークＷの処理対象面Ｓｐとシールド部材Ｓ２との間隔は、凸部Ｃｐと凹部との間隔も含めて、５ｍｍ以下とすることが好ましい。これは、ワークＷの通過を許容するとともに、内部の膜処理室Ｆｐの圧力を維持するためである。また、シールド部材Ｓ２と同様に、筒形電極１０の開口部１１に凹部を設ける構成としても良い。
【００６２】
回転テーブル３によって搬送されるワークＷは、回転テーブル３と開口１３ａの間の隙間を通って筒形電極１０の開口部１１に対向する位置に搬入され、再び回転テーブル３と開口１３ａの間の隙間を通って筒形電極１０の開口部１１の対向する位置から搬出される。
【００６３】
筒形電極１０には、高周波電圧を印加するためのＲＦ電源１５が接続されている。ＲＦ電源１５の出力側には整合回路であるマッチングボックス２１が直列に接続されている。ＲＦ電源１５はチャンバ１にも接続されている。筒形電極１０がアノード、チャンバ１から立設する回転テーブル３がカソードとして作用する。マッチングボックス２１は、入力側及び出力側のインピーダンスを整合させることで、プラズマの放電を安定化させる。なお、チャンバ１や回転テーブル３は接地されている。フランジ１４を有する内部シールド１３も接地される。
【００６４】
また、筒形電極１０にはプロセスガス導入部１６が接続されており、プロセスガス導入部１６を介して外部のプロセスガス供給源から、シールド部材Ｓ２の内部の筒形電極１０の内部に、プロセスガスＧ２が導入される。プロセスガス導入部１６は、膜処理室Ｆｐ内に、プロセスガスＧ２を供給するガス供給部である。ＲＦ電源１５及びプロセスガス導入部１６はともに、外部シールド１２に設けられた貫通孔を介して筒形電極１０に接続される。
【００６５】
［ロードロック部］
いずれかの一組の処理部４の間には、チャンバ１内の真空を維持した状態で、外部から未処理のワークＷをチャンバ１の内部に搬入し、処理済みのワークＷをチャンバ１の外部へ搬出するロードロック部５が設けられている。なお、本実施形態では、ワークＷの搬送方向を、平面視で反時計回りとする。もちろん、これは一例であり、搬送方向、処理部の種類、並び順及び数は特定のものに限定されず、適宜決定することができる。
【００６６】
［制御部］
成膜装置１００は、さらに制御部２０を備えている。制御部２０はＰＬＣやＣＰＵなどを含むプロセッサと呼ばれる演算処理装置から構成される。制御部２０は、チャンバ１へのスパッタガスＧ１およびプロセスガスＧ２の導入および排気に関する制御、ＤＣ電源７及びＲＦ電源１５の制御、および、回転テーブル３の回転速度の制御などの制御を行う。
【００６７】
［動作］
本実施形態の成膜装置１００の動作を説明する。蓋体１ａによって封止されたチャンバ１の内部は、図２において黒塗りの矢印に示すように、排気部２によって排気されて真空状態にされる。チャンバ１内の真空状態を維持しつつ、ロードロック部５から、未処理のワークＷをチャンバ１内に搬入する。搬入されたワークＷは、ロードロック部５に順次位置決めされる回転テーブル３の保持部３ａによって保持される。さらに、回転テーブル３を連続して回転させることにより、ワークＷを搬送経路Ｌに沿って回転搬送して、各処理部４に対向する位置を通過させる。
【００６８】
成膜部４ａでは、スパッタガス導入部８からスパッタガスＧ１を導入し、ＤＣ電源７からスパッタ源６に直流電圧を印加する。直流電圧の印加によってスパッタガスＧ１がプラズマ化され、イオンが発生する。発生したイオンがターゲット６１に衝突すると、ターゲット６１の材料が飛び出す。飛び出した材料が成膜部４ａに対向する位置を通過するワークＷに堆積することで、ワークＷ上に薄膜が形成される。ただし、必ずしもすべての成膜部４ａで成膜する必要はない。一例として、ここでは、１つの成膜部４ａを用いてワークＷに対してＳｉＯ２膜をＤＣスパッタリングにより成膜する。
【００６９】
成膜部４ａによる成膜時において、シールド部材Ｓ１の内部と外部との間で、スパッタガスＧ１の流れが発生する。そのため、ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子の一部は、この位置で反応ガスＧの分子と衝突して散乱する。本実施形態では、シールド部材Ｓ１に補正板９５が設けられている。そのため、補正板９５が取り付けられた位置よりも上で散乱したスパッタ粒子がワークＷ上に堆積することが防止され、均一な膜厚分布が得られる。補正板９５は、ワークＷの処理対象面ＳＰの形状に倣った立体形状を有しているため、より確実に散乱したスパッタ粒子の堆積を防止する。また、ワークＷは、成膜レートが最低レベルの部分を露出させるように構成されているため、成膜レートが低い部分の成膜効率を下げずに膜厚分布が均一化されることとなる。
【００７０】
このような本実施形態の補正板９５を用いて成膜を行った結果を図８のグラフを用いて説明する。図８は、横軸に回転中心からの距離、縦軸に規格化した膜厚をプロットした膜厚分布を示すグラフである。図８からも明らかな通り、補正板９５を用いずに立体形状を有するワークＷを成膜した場合、回転中心からの距離が６５０ｍｍ以下の内周側において、成膜された膜の厚みに落ち込みが生じた。この膜厚の落ち込みは、ワークＷの凸部Ｃｐに対して生じている。補正板９５を用いずに成膜した場合、膜厚均一性は±２１．９％であった。一方、補正板９５を用いて同じワークＷを成膜した場合には、部分的に膜厚が薄くなることはなく均一な膜厚分布が得られている。補正板９５を用いて成膜した場合、膜厚均一性は±１．６％に改善した。
【００７１】
成膜部４ａで成膜が行われたワークＷは、引き続き搬送経路Ｌ上を回転テーブル３によって搬送され、膜処理部４ｂにおいて、筒形電極１０の開口部１１に対向する位置、すなわち膜処理位置を通過する。上述したように、本実施形態では、膜処理部４ｂにおいて後酸化を行う例を説明する。膜処理部４ｂでは、プロセスガス導入部１６から筒形電極１０内にプロセスガスである酸素ガスを導入し、ＲＦ電源１５から筒形電極１０に高周波電圧を印加する。高周波電圧の印加によって酸素ガスがプラズマ化され、電子、イオン及びラジカル等が発生する。プラズマはアノードである筒形電極１０の開口部１１から、カソードである回転テーブル３へ流れる。プラズマ中のイオンが開口部１１の下を通過するワークＷ上の薄膜に衝突することで、薄膜が後酸化される。
【００７２】
［作用効果］
（１）本実施形態の成膜装置１００は、内部を真空とすることが可能なチャンバ１と、チャンバ１内に設けられ、円周の搬送経路に沿って、処理対象面Ｓｐが立体形状のワークＷを搬送する搬送部と、搬送部により搬送されるワークに対して、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜部４ａと、ワークＷが通過する側に開口９１を有し、成膜部４ａによる成膜が行われる成膜室Ｄｐを形成するシールド部材Ｓ１と、を有し、成膜室Ｄｐ内に突出する補正板９５が設けられ、補正板９５は、ワークＷの処理対象面ＳＰに形状に倣った立体形状を有し、ワークＷと対向する位置に設けられている。
【００７３】
従来、複数のターゲット６１を用いて成膜処理を行う場合において、ワークＷに堆積される膜厚分布が均一とならない場合には、電力制御による調整が行われていた。しかし、ワークＷが立体形状を有する場合、その立体形状部分に対して成膜するターゲット６１に印加する電力を増加させると、成膜レートが最も低い部分の膜が厚くなるに伴い、他の部分の膜も厚くなる。そのため、膜厚分布を変更できても、均一な膜厚分布を得ることは難しかった。
【００７４】
また、例えば平板状の補正板を用いて膜厚分布を調整する場合、立体形状を有するワークＷと補正板との間の間隔が一定とならず、立体形状部分で間隔が大きくなったり小さくなったりする。この場合、平板状の補正板によりスパッタガスＧ１に新たな流れが発生しスパッタ粒子が散乱する様子が補正板を取り付ける前と異なってしまう。従って、膜厚分布を均一とすることができなかった。
【００７５】
一方、本実施形態の補正板９５は、ワークＷの処理対象面Ｓｐに倣った立体形状を有する。ワークＷの形状に合わせて補正板９５を曲げる等することにより、ワークＷの処理対象面Ｓｐに、散乱したスパッタ粒子が堆積することが防止される。したがって、ワークＷに成膜される膜の膜厚分布を均一に調整することができる。
【００７６】
補正板９５は、ワークＷの処理対象面Ｓｐに倣った立体形状を有している。そのため、補正板９５とワークＷの間の距離が一定となり、補正板９５によりスパッタガスＧ１に新たな流れが発生することを抑制できる。そのため、スパッタ粒子の散乱が抑制され、より確実に膜厚分布を均一にすることができる。また、平らな板状の補正板と比べると、ワークの凸部Ｃｐとの距離が短くなる。したがって、ワークＷの凸部Ｃｐにおいても、補正板９５の取り付け位置よりも上で散乱したスパッタ粒子の堆積をより確実に防止することができ、より均一な膜厚分布を得ることができる。
【００７７】
上述の通りスパッタ粒子は、クヌーセンのコサイン則に従って真空中で分散するため、ターゲット直下に最も多く付着する。また、補正板９５の形状は、機械加工で生じる寸法誤差を含む。また、作業者による組み立て誤差も存在する。つまり、ターゲット直下に補正板９５を設けると、寸法誤差や組み立て誤差の影響を最も受けることになる。設計値から±２％以内の高い膜厚均一性を達成するためには、上記の誤差による影響も考慮する必要がある。シールド部材Ｓ１の近傍は、ターゲット６１直下から離れた位置にあるので、飛来するスパッタ粒子は、ターゲット６１直下の位置よりも少なくなる。このため、上記の誤差による影響を少なくすることができる。
【００７８】
特に、シールド部材Ｓ１の下端に補正板９５を設けることで、補正板９５の形状を小さくでき、機械加工で生じる誤差を少なくすることができる。また、ターゲット６１直下の位置に補正板９５を設ける場合、シールド部材Ｓ１の外周壁９３ａおよび内周壁９３ｂと点接触で接続することになる。補正板９５がプラズマにより加熱された場合、点接触している箇所でしか熱の授受ができないので、冷却効率が悪い。シールド部材Ｓ１の下端に補正板９５を設けると、熱容量の大きいシールド部材Ｓ１の端部で補正板９５と接触することができる。そのため、補正板９５に蓄熱した熱をシールド部材Ｓ１に放熱することができ、冷却効率を向上させることができる。
【００７９】
（２）ワークＷは、成膜部４ａに対向する面に凸部Ｃｐと平坦面を有し、シールド部材Ｓ１は、ワークの凸部Ｃｐに沿う凹部９０を開口端に有し、補正板９５は、シールド部材Ｓ１の開口端においてワークＷの凸部Ｃｐの一部と平坦面を覆うように設けられている。
【００８０】
補正板９５は、ワークＷの立体形状である凸部Ｃｐのうち、一部を覆うがそれ以外の部分を露出させるように構成されている。ワークＷの立体形状部分では、特に、膜厚分布が均一になりにくい。従って、凸部Ｃｐのうち、成膜レートが高い部分を覆い、成膜レートが低い部分を露出する補正板９５とすることにより、膜厚分布をより均一に調整することが可能となる。
【００８１】
（３）補正板９５は、ワークＷにおいて成膜レートが最低レベルの部分を露出させるように構成されている。
【００８２】
補正板９５が、成膜レートが最低レベルの部分を露出させることにより、成膜レートが低い部分の成膜効率を下げずに、膜厚分布を均一化することが可能となる。
【００８３】
（４）補正板９５とワークＷの間の距離が５ｍｍ以下である。
【００８４】
補正板９５とワークＷの間の距離を５ｍｍ以下とすることで、ワークＷの通過を許容するとともに、内部の成膜室Ｄｐ内の圧力を維持することができる。また、シールド部材Ｓ１は、ターゲット６１から離れた位置にある。このため、補正板９５とワークＷの間の距離を５ｍｍよりも大きくした場合、スパッタ粒子を遮蔽するために補正板９５の板の長さを大きくする必要がある。例えば、ワークＷに入射角θで付着するスパッタ粒子を遮蔽する場合、スパッタ粒子の入射する線と法線と補正板９５とで形成する直角三角形を考える。このとき、補正板９５は、直角三角形の対辺となる。対辺は、対辺がθから遠いほど、長くなる。したがって、補正板９５がワークＷから遠いほど、補正板９５の遮蔽するための板の長さは、長くなる。つまり、補正板９５とワークＷの間の距離を５ｍｍ以下とすることで、補正板９５のスパッタ粒子を遮蔽するための板の長さを短くすることができる。このため、機械加工による誤差も小さくでき、より確実に膜厚分布を均一にすることができる。
【００８５】
［変形例］
本発明の実施形態は、上記の態様に限定されるものではなく、以下のような変形例も含む。
【００８６】
（１）ワークＷの形状、種類及び材料は特定のものに限定されない。例えば、図９に示すように、処理対象面Ｓｐが角度の異なる複数の平面で構成されることにより、異なる平面同士を連結する部分によって凸部Ｃｐが形成されたワークＷであってもよい。また、ワークＷの厚みによっては、ワークＷの処理対象面Ｓｐがトレイの対向面３１よりも上に突出する場合がある。この場合、シールド部材Ｓ１、Ｓ２に、ワークＷの突出部分を避ける凹部を設けることになる。ワークＷの材料としては、金属、カーボン等の導電性材料を含むもの、ガラスやゴム等の絶縁物を含むもの、シリコン等の半導体を含むものを用いても良い。シールド部材Ｓ１、Ｓ２の凹部は、ワークＷの凸部Ｃｐに沿う形状であればよいため、ワークＷの形状に応じて、種々の形状とすることができる。また、トレイの凸部３１ａは、シールド部材Ｓ１、Ｓ２の凹部に沿う形状であればよいため、凹部の形状に応じて、種々の形状とすることができる。
【００８７】
さらに、ワークＷの成膜される面は、上記の実施形態では、凸部Ｃｐを有する面を成膜していたが、反対側の面を成膜してもよい。例えば、凹部Ｒｐを有する面を成膜してもよい。この場合、シールド部材Ｓ１、Ｓ２は、凹部Ｒｐに沿う凸部を有していればよい。また、トレイは、凹部Ｒｐに沿うとともに、シールド部材Ｓ１、Ｓ２の凸部に沿う凹部を有していればよい。凹部Ｒｐに対して成膜する場合、凹部Ｒｐと平坦面との境が最も成膜レートが低くなると考えられる。従って、補正板９５は、凹部Ｒｐの一部を露出させるように二分割された板状部材により形成されても良い。
【００８８】
また本実施形態では、一端に凸部Ｃｐを有したワークＷとしたが、両端に凸部を有するワークや、断面が円弧状でワークＷ全体が凸部となったワークとしても良い。搬送方向（径方向と直交する方向）において高さが一定のワークＷであれば、本実施形態の補正板９５を、ワークＷの処理対象面Ｓｐに倣う形状とすることで、ワークＷと補正板９５との距離を一定とすることができる。従って、ワークＷの被処理面は、径方向と直交する方向において、高さが一定である必要がある。
【００８９】
（２）上記の態様では、搬送部を回転テーブル３としているが、搬送部は回転テーブル３には限定されない。回転中心から放射状に延びたアームにトレイやワークを保持して回転する態様であってもよい。また、処理部４がチャンバ１の底部側にあり、処理部４と回転テーブル３との上下関係が逆となっていてもよい。この場合、保持部３ａが配設される回転テーブル３の表面は、回転テーブル３が水平方向である場合に下方を向く面、つまり下面となる。シールド部材Ｓの開口は上方を向く。
【００９０】
（３）成膜装置１００の設置面は、床面であっても、天井であっても、側壁面であってもよい。上記の態様では、水平に配置した回転テーブル３の上面に保持部３ａを設け、この回転テーブル３を水平面内で回転させ、この回転テーブル３の上方に処理部４を配置するものとして説明したが、これに限定されるものではない。例えば、回転テーブル３の配置は、水平に限らず垂直の配置でも傾斜した配置でもよい。また、保持部３ａを、回転テーブル３の相反する面に設けるようにしてもよい。つまり、本発明は、搬送部の回転平面の方向はどのような方向であってもよく、保持部３ａの位置、処理部４の位置は、保持部３ａに保持されたワークＷに処理部４が対向する位置であればよい。
【００９１】
（４）処理部４において、プラズマを発生させる装置は、上記の態様には限定されない。反応ガスＧを用いたプラズマ処理により成膜、膜処理を行うことができる装置であればよい。
【００９２】
（５）シールド部材Ｓの回転テーブル３の回転軸に直交する方向の断面は、略扇形には限定されない。断面が長方形状となる角筒形状であってもよいし、断面が角丸長方形状となる円筒形状であってもよい。但し、シールド部材Ｓの断面を略扇形とする方が、半径方向の速度差による処理量の相違を周長差によって補うことができる。
【００９３】
（６）補正板９５は単一の板部材には限定されない。例えば複数のブロック板の端部同士を嵌合して組み合わせることで補正板９５とすることができる。この場合、ブロック板の組み合わせを変えることで、補正板９５の形状や大きさを簡易に変形させることができる。
【００９４】
（７）以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。各請求項の発明をどのように組み合わせた態様とするかは自由である。
【符号の説明】
【００９５】
１  チャンバ
１ａ  蓋体
２  排気部
３  回転テーブル
３ａ  保持部
３ｂ  回転筒
３ｃ  支柱
３ｄ  ボールベアリング
４  処理部
４ａ  成膜部
４ｂ  膜処理部
５  ロードロック部
６  スパッタ源
７  ＤＣ電源
８  スパッタガス導入部
１０  筒形電極
１１  開口部
１２  外部シールド
１３  内部シールド
１３ａ  開口
１４  フランジ
１５  ＲＦ電源
１６  プロセスガス導入部
２０  制御部
２１  マッチングボックス
６１、６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃ  ターゲット
６２  バッキングプレート
６３  電極
９１  開口
９２  カバー部
９２ａ  ターゲット孔
９３  側面部
９３ａ  外周壁
９３ｂ  内周壁
９３ｃ  隔壁
９３ｄ  隔壁
９５  補正板
１００  成膜装置
Ｆｐ  膜処理室
Ｄｐ  成膜室
Ｇ  反応ガス
Ｇ１  スパッタガス
Ｇ２  プロセスガス
Ｌ  搬送経路
Ｓ、Ｓ１、Ｓ２  シールド部材
Ｗ  ワーク
【図１】
2020056100.tif 000003
【図２】
2020056100.tif 000004
【図３】
2020056100.tif 000005
【図４】
2020056100.tif 000006
【図５】
2020056100.tif 000007
【図６】
2020056100.tif 000008
【図７】
2020056100.tif 000009
【図８】
2020056100.tif 000010
【図９】
2020056100.tif 000011
【図１０】
2020056100.tif 000012