(57)【要約】【課題】高い周波数のパルス信号を用いて駆動されるＯＬＥＤ照明装置において、ＯＬＥＤの金属電極と配線基板との接続に用いるコンタクト部材の温度上昇量を求めることができるＯＬＥＤ駆動装置を提供する。【解決手段】ＯＬＥＤ駆動装置８００は、ＯＬＥＤ照明装置８００がパルス信号を用いて駆動されることにより発生する第２コンタクト部材（カソードコンタクト部材４）の温度上昇量ΔＴを、ＯＬＥＤ１の駆動電圧の値を示す駆動電圧値Ｖと、パルス信号の周波数の値を示す周波数値ｆと、を用いて求める第１の算出部８５４を備える。【選択図】図９
2020071946.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード電極またはカソード電極の一方である第１電極と、前記第１電極の材料より電気抵抗率が低い材料により構成され、前記アノード電極または前記カソード電極の他方である第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機発光層と、前記第１電極、前記有機発光層および前記第２電極を含む構造体が形成されたガラス基板と、を含むＯＬＥＤと、
配線基板と、
前記第１電極と前記配線基板とをコンタクトさせる第１コンタクト部材と、
前記第２電極と前記配線基板とをコンタクトさせ、前記第１コンタクト部材の面積より小さい面積を有する第２コンタクト部材と、
を備える検査用のＯＬＥＤ照明装置を、パルス信号を用いて駆動するＯＬＥＤ駆動装置であって、
前記ＯＬＥＤ照明装置が前記パルス信号を用いて駆動されることにより発生する前記第２コンタクト部材の温度上昇量を、前記ＯＬＥＤの駆動電圧の値を示す駆動電圧値と、前記パルス信号の周波数の値を示す周波数値と、を用いて求める第１の算出部を備える、ＯＬＥＤ駆動装置。
【請求項２】
前記第１の算出部は、下記式を用いて、前記温度上昇量を算出する、請求項１に記載のＯＬＥＤ駆動装置。
ΔＴ＝（Ｋ×Ｖ×Ｖ×ｆ）÷（ｓ×ｓ）
ここで、ΔＴは、前記温度上昇量を示し、Ｋは、前記ＯＬＥＤ照明装置の仕様で決まる定数を示し、Ｖは、前記駆動電圧値を示し、ｆは、前記周波数値を示し、ｓは、前記第２コンタクト部材の面積を示す。
【請求項３】
前記ＯＬＥＤ駆動装置の外部から入力される、前記ＯＬＥＤを点灯させるトリガー信号となる前記パルス信号の周波数を示す値を、前記周波数値として算出する第２の算出部を、さらに備える、請求項１または２に記載のＯＬＥＤ駆動装置。
【請求項４】
前記第１の算出部は、ユーザ操作で入力された、前記ＯＬＥＤに流す定電流の値を示す定電流値を、前記駆動電圧値に変換する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＯＬＥＤ駆動装置。
【請求項５】
前記第１の算出部によって算出された前記温度上昇量が、予め定められたしきい値を超えるか否かを判定する判定部と、
前記判定部によって前記温度上昇量が前記しきい値を超える判定がされたとき、報知する報知部と、をさらに備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＯＬＥＤ駆動装置。
【請求項６】
前記第１の算出部によって算出された前記温度上昇量が、予め定められたしきい値を超えるか否かを判定する判定部と、
前記判定部によって前記温度上昇量が前記しきい値を超える判定がされたとき、前記駆動電圧値または前記周波数値を下げる値変更部と、
前記値変更部によって前記駆動電圧値または前記周波数値が下げられたとき、報知する報知部と、をさらに備え、
前記値変更部は、
前記周波数値を優先させる周波数優先モードが前記ユーザ操作によって予め選択されているとき、前記周波数値を変更せずに、前記温度上昇量を前記しきい値以下にすることができる値に前記駆動電圧値を下げ、前記駆動電圧値を優先させる電圧優先モードが前記ユーザ操作によって予め選択されているとき、前記駆動電圧値を変更せずに、前記温度上昇量を前記しきい値以下にすることができる値に前記周波数値を下げる、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＯＬＥＤ駆動装置。
【請求項７】
前記値変更部は、前記周波数優先モードの下で前記駆動電圧値を下げる場合、前記周波数値を変更せずに、前記温度上昇量を前記しきい値以下にできる前記駆動電圧値の中で最大値を、前記駆動電圧値にし、前記電圧優先モードの下で前記周波数値を下げる場合、前記駆動電圧値を変更せずに、前記温度上昇量を前記しきい値以下にできる前記周波数値の中で最大値を、前記周波数値にする、請求項６に記載のＯＬＥＤ駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査用のＯＬＥＤ照明に用いられるＯＬＥＤ照明装置を駆動するＯＬＥＤ駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）照明の用途として、製品の検査用照明がある。ここでの製品は、例えば、半導体、電子・電気部品、ＦＰＤ関連、搬送・ロボット、鉄・金属部品、紙・フィルム・ガラス、自動車、ゴム・樹脂・プラスチック製品、食品、薬品、容器、包装、医療機器である。例えば、マシンビジョン（Ｍａｃｈｉｎｅ  Ｖｉｓｉｏｎ）を用いて、これらを検査するときに、照明として、ＯＬＥＤ照明が用いられることがある。
【０００３】
ＯＬＥＤは、アノード電極またはカソード電極の一方に透明電極が用いられ、他方に金属電極が用いられる。有機発光層が生成した光が、アノード電極を透過して外部に放出される構造の場合、アノード電極が透明電極にされ、カソード電極が金属電極にされる。有機発光層が生成した光が、カソード電極を透過して外部に放出される構造の場合、カソード電極が透明電極にされ、アノード電極が金属電極にされる。透明電極の材料として、多くは酸化金属が用いられ、エネルギー準位の関係で透明電極がアノード電極に用いられることが多い。従って、前者の構造を前提にして説明する。
【０００４】
透明電極の材料（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ））の電気抵抗率と、金属電極の材料（例えば、銀）の電気抵抗率との差は大きく、透明電極の材料の電気抵抗率は、金属電極の材料の電気抵抗率と比べて、二桁程度大きい。
【０００５】
アノード電極の一部、カソード電極の一部が、それぞれ、発光領域（発光領域は、有機発光層が生成した光を外部に取り出す領域である）を囲む非発光領域に位置しており、アノード取り出し電極、カソード取り出し電極となる。非発光領域は、額縁と称されることがある。アノード取り出し電極、カソード取り出し電極は、それぞれ、コンタクト部材（例えば、導電性接着剤）を用いて、配線基板と接続されている。
【０００６】
ＯＬＥＤは、アノード取り出し電極とカソード取り出し電極を介して給電される。このため、ＯＬＥＤ上では、アノード取り出し電極、カソード取り出し電極から離れるに従って電圧降下が大きくなるので、アノード取り出し電極、カソード取り出し電極から離れた箇所の輝度が低下する。中型、大型のＯＬＥＤは、これを無視できず、面発光の均一性が失われる。そこで、中型、大型のＯＬＥＤの場合、非発光領域の形状と同じ形状を有する配線基板（補強基板）が、非発光領域と正対させて配置され、複数のアノード取り出し電極、複数のカソード取り出し電極が、非発光領域の全周に並べられた構造が採用される。この構造により、非発光領域の全周囲からＯＬＥＤに給電されるので、均一な面発光にすることができる。
【０００７】
ＯＬＥＤの形状が矩形の場合、非発光領域の四辺のそれぞれに、アノード取り出し電極、カソード取り出し電極が設けられている。アノード電極（例えば、ＩＴＯ電極）は、カソード電極（例えば、銀電極）と比べて電気抵抗率がかなり高い。アノード電極から有機発光層に十分な電流が流れるようするために、アノード取り出し電極の面積がカソード取り出し電極の面積より大きくされている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１３６２６２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
アノード取り出し電極と配線基板とをコンタクトするコンタクト部材をアノードコンタクト部材とし、カソード取り出し電極と配線基板とをコンタクトするコンタクト部材をカソードコンタクト部材とする。上述したように、アノード取り出し電極の面積がカソード取り出し電極の面積より大きいので、アノードコンタクト部材の面積は、カソードコンタクト部材の面積より大きい。
【００１０】
本発明者は、高い周波数（例えば、１ｋＨｚ〜５０ｋＨｚ）のパルス信号を用いてＯＬＥＤ照明装置が駆動されると、カソードコンタクト部材の温度上昇量が大きくなり、これにより、ＯＬＥＤが形成されているガラス基板が局所的に加熱され、このガラス基板が熱割れするおそれがあることを見出した。通常の直流電流や低い周波数（例えば、商用電源の５０〜６０Ｈｚ）のパルス信号の場合、このようなことは発生しない。なお、カソード電極が透明電極にされ、アノード電極が金属電極にされた構造の場合、アノードコンタクト部材の温度上昇量が問題となる。
【００１１】
上述した局所的な加熱でガラス基板が熱割れしなくても、この加熱が繰り返され、ガラス基板が疲労することにより、ガラス基板が割れるおそれがある。ガラス基板の熱割れや疲労を防止するためには、ＯＬＥＤの金属電極と配線基板との接続に用いるコンタクト部材の温度上昇量を把握する必要がある。
【００１２】
本発明の目的は、高い周波数のパルス信号を用いて駆動されるＯＬＥＤ照明装置において、ＯＬＥＤの金属電極と配線基板との接続に用いるコンタクト部材の温度上昇量を求めることができるＯＬＥＤ駆動装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係るＯＬＥＤ駆動装置は、
アノード電極またはカソード電極の一方である第１電極と、前記第１電極の材料より電気抵抗率が低い材料により構成され、前記アノード電極または前記カソード電極の他方である第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機発光層と、前記第１電極、前記有機発光層および前記第２電極を含む構造体が形成されたガラス基板と、を含むＯＬＥＤと、
配線基板と、
前記第１電極と前記配線基板とをコンタクトさせる第１コンタクト部材と、
前記第２電極と前記配線基板とをコンタクトさせ、前記第１コンタクト部材の面積より小さい面積を有する第２コンタクト部材と、
を備える検査用のＯＬＥＤ照明装置を、パルス信号を用いて駆動するＯＬＥＤ駆動装置であって、
前記ＯＬＥＤ照明装置が前記パルス信号を用いて駆動されることにより発生する前記第２コンタクト部材の温度上昇量を、前記ＯＬＥＤの駆動電圧の値を示す駆動電圧値と、前記パルス信号の周波数の値を示す周波数値と、を用いて求める第１の算出部を備える。
【００１４】
第２コンタクト部材の面積が第１コンタクト部材の面積より小さいので、第２コンタクト部材の温度上昇量が問題となる。
【００１５】
第１の算出部は、ＯＬＥＤ照明装置がパルス信号を用いて駆動されることにより、第２コンタクト部材で発生する温度上昇量を算出する。この算出には、駆動電圧値と周波数値が用いられる。
【００１６】
第１の算出部は、例えば、下記式を用いて、第２コンタクト部材の温度上昇量を算出する。
【００１７】
ΔＴ＝（Ｋ×Ｖ×Ｖ×ｆ）÷（ｓ×ｓ）
ここで、ΔＴは、ＯＬＥＤ照明装置がパルス信号を用いて駆動されることにより発生する第２コンタクト部材の温度上昇量を示し、Ｋは、ＯＬＥＤ照明装置の仕様で決まる定数を示し、Ｖは、駆動電圧値を示し、ｆは、周波数値を示し、ｓは、第２コンタクト部材の面積を示す。
【００１８】
第２コンタクト部材が複数あるとき、１つの第２コンタクト部材の温度上昇量が求められる。複数の第２コンタクト部材の面積が異なるとき、最小面積を有する第２コンタクト部材の温度上昇量が算出されればよい。以上説明したように、本発明に係るＯＬＥＤ駆動装置によれば、第２コンタクト部材の温度上昇量を求めることができる。
【００１９】
なお、第１の算出部は、上記式の替わりに、近似式、テーブルを用いて、第２コンタクト部材の温度上昇量を求めてもよい。
【００２０】
ＯＬＥＤ駆動装置は、第１の算出部によって算出された第２コンタクト部材の温度上昇量を、表示部に表示させる表示制御部を備えてもよい。
【００２１】
ＯＬＥＤが、有機発光層が生成した光を外部に取り出す領域である発光領域と、発光領域の外側に位置する非発光領域と、を含むとき、第１コンタクト部材は、非発光領域で第１電極と配線基板とをコンタクトさせ、第２コンタクト部材は、非発光領域で第２電極と配線基板とをコンタクトさせる。
【００２２】
上記構成において、前記ＯＬＥＤ駆動装置の外部から入力される、前記ＯＬＥＤを点灯させるトリガー信号となる前記パルス信号の周波数を示す値を、前記周波数値として算出する第２の算出部を、さらに備える。
【００２３】
トリガー信号は、例えば、カメラ（撮影部）のシャッターを切るトリガーとなる信号である。第２の算出部は、所定期間、トリガー信号（パルス信号）のパルスの数をカウントすることにより、周波数値を算出する。なお、第２コンタクト部材の温度上昇量の算出には、ユーザ操作で入力された周波数値を用いることもできる。
【００２４】
上記構成において、前記第１の算出部は、ユーザ操作で入力された、前記ＯＬＥＤに流す定電流の値を示す定電流値を、前記駆動電圧値に変換する。
【００２５】
第１の算出部は、例えば、ＯＬＥＤに関する定電流−駆動電圧の特性を示すグラフと、ユーザ操作で入力された定電流値とから駆動電圧値を求める。なお、第２コンタクト部材の温度上昇量の算出には、ユーザ操作で入力された駆動電圧値を用いることもできる。
【００２６】
上記構成において、前記第１の算出部によって算出された前記温度上昇量が、予め定められたしきい値を超えるか否かを判定する判定部と、前記判定部によって前記温度上昇量が前記しきい値を超える判定がされたとき、報知する報知部と、をさらに備える。
【００２７】
しきい値は、ＯＬＥＤの基板であるガラス基板の熱割れや疲労を防止できる値である。第２コンタクト部材の温度上昇量が、例えば、１５度を超えたとき、ガラス基板の熱割れや疲労が発生する懸念があるとする。この場合、しきい値は、１５度以下となる。
【００２８】
第１の算出部によって算出された、第２コンタクト部材の温度上昇量が、しきい値を超えれば、報知部は、報知する。これにより、ユーザは、駆動電圧値および周波数値の少なくとも一つを再入力（再設定）することにより、第２コンタクト部材の温度上昇量がしきい値を超えないようにすることができる。なお、ユーザ操作で定電流値が入力される場合、ユーザが再入力（再設定）するのは、定電流値である。
【００２９】
上記構成において、前記第１の算出部によって算出された前記温度上昇量が、予め定められたしきい値を超えるか否かを判定する判定部と、前記判定部によって前記温度上昇量が前記しきい値を超える判定がされたとき、前記駆動電圧値または前記周波数値を下げる値変更部と、前記値変更部によって前記駆動電圧値または前記周波数値が下げられたとき、報知する報知部と、をさらに備え、前記値変更部は、前記周波数値を優先させる周波数優先モードが前記ユーザ操作によって予め選択されているとき、前記周波数値を変更せずに、前記温度上昇量を前記しきい値以下にすることができる値に前記駆動電圧値を下げ、前記駆動電圧値を優先させる電圧優先モードが前記ユーザ操作によって予め選択されているとき、前記駆動電圧値を変更せずに、前記温度上昇量を前記しきい値以下にすることができる値に前記周波数値を下げる。
【００３０】
しきい値は、上述したように、ＯＬＥＤの基板であるガラス基板の熱割れや疲労を防止できる値である。
【００３１】
ユーザは、周波数値を下げたくない場合、周波数優先モードを選択する。周波数優先モードの下で、第２コンタクト部材の温度上昇量が、しきい値を超えれば、値変更部は、第２コンタクト部材の温度上昇量がしきい値以下になるように、駆動電圧値を下げ、そして、報知部は、それを報知する。これにより、ユーザは、第２コンタクト部材の温度上昇量がしきい値を超えたときでも、駆動電圧値を再入力（再設定）する必要がなくなる。また、ユーザは、周波数値が変更されずに、駆動電圧値が下げられたことを知ることができる。なお、ユーザ操作で定電流値が入力される場合、ユーザが再入力（再設定）するのは、定電流値であり、ユーザは、報知によって、定電流値が下げられたことを知ることができる。
【００３２】
ユーザは、駆動電圧値を下げたくない場合、電圧優先モードを選択する。電圧優先モードの下で、第２コンタクト部材の温度上昇量が、しきい値を超えれば、値変更部は、第２コンタクト部材の温度上昇量がしきい値以下になるように、周波数値を下げ、報知部は、それを報知する。これにより、ユーザは、第２コンタクト部材の温度上昇量がしきい値を超えたときでも、周波数値を再入力（再設定）する必要がなくなる。また、ユーザは、駆動電圧値が変更されずに、周波数値が下げられたことを知ることができる。
【００３３】
定電流値と駆動電圧値とは、正の相関関係を有する。従って、値変更部が駆動電圧値を下げるとは、定電流値を下げることを意味する。駆動電圧値を優先させる電圧優先モードは、定電流値を優先させる電流優先モードを意味する。
【００３４】
上記構成において、前記値変更部は、前記周波数優先モードの下で前記駆動電圧値を下げる場合、前記周波数値を変更せずに、前記温度上昇量を前記しきい値以下にできる前記駆動電圧値の中で最大値を、前記駆動電圧値にし、前記電圧優先モードの下で前記周波数値を下げる場合、前記駆動電圧値を変更せずに、前記温度上昇量を前記しきい値以下にできる前記周波数値の中で最大値を、前記周波数値にする。
【００３５】
上述したように、周波数優先モードの下で、第２コンタクト部材の温度上昇量が、しきい値を超えたとき、値変更部は、第２コンタクト部材の温度上昇量がしきい値以下になるように、駆動電圧値を下げる。ユーザは、当初設定された駆動電圧値にできるだけ近い値を望むことが考えられる。この構成によれば、値変更部は、周波数値を変更せずに、第２コンタクト部材の温度上昇量をしきい値以下にできる駆動電圧値の中で最大値を、新たな駆動電圧値にする。ユーザは、この最大値を見つける手間を省くことができる。
【００３６】
周波数値についても同様である。すなわち、上述したように、電圧優先モードの下で、第２コンタクト部材の温度上昇量が、しきい値を超えたとき、値変更部は、第２コンタクト部材の温度上昇量がしきい値以下になるように、周波数値を下げる。ユーザは、当初に設定された周波数値にできるだけ近い値を望むことが考えられる。この構成によれば、値変更部は、駆動電圧値を変更せずに、第２コンタクト部材の温度上昇量をしきい値以下にできる周波数値の中で最大値を、新たな周波数値にする。ユーザは、この最大値を見つける手間を省くことができる。
【００３７】
定電流値と駆動電圧値とは、正の相関関係を有する。従って、値変更部が、駆動電圧値の中で最大値を新たな駆動電圧値にするとは、定電流値の中で最大値を新たな定電流値にすることを意味する。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、高い周波数のパルス信号を用いて駆動されるＯＬＥＤ照明装置において、ＯＬＥＤの金属電極と配線基板との接続に用いるコンタクト部材の温度上昇量を求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】実施形態に係るＯＬＥＤ照明装置の分解斜視図である。
【図２】ＯＬＥＤの平面図である。
【図３】配線基板の平面図である。
【図４】上面視された配線基板において、配線基板の上面の一つの角部付近を拡大した拡大図である。
【図５】上面視された配線基板において、配線基板の下面の一つの角部付近を拡大した拡大図である。
【図６】図５に示す配線基板に、アノードコンタクト部材およびカソードコンタクト部材が配置された状態を説明する説明図である。
【図７】ＯＬＥＤの発光方式および調光方式を説明する説明図である。
【図８】実施形態に係るＯＬＥＤ駆動装置、ＯＬＥＤ照明装置のそれぞれについて、物理的構成要素を示すブロック図である。
【図９】ＭＣＵの機能ブロック図である。
【図１０】実施形態に係るＯＬＥＤ駆動装置の特徴となる動作を説明するフローチャートである。
【図１１】変形例に係るＭＣＵの機能ブロック図である。
【図１２】変形例の特徴となる動作を説明するフローチャートである。
【図１３】ＯＬＥＤパネル（アノード電極、有機発光層およびカソード電極で構成される構造体）と、配線基板と、ＯＬＥＤ駆動装置との関係を示す等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。各図において、同一符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その構成について、既に説明している内容については、その説明を省略する。
【００４１】
図１は、実施形態に係るＯＬＥＤ照明装置１０００の分解斜視図である。ＯＬＥＤ照明装置１０００は、ＯＬＥＤ１と、配線基板２（補強基板）と、を備える。図２は、ＯＬＥＤ１の平面図である。図３は、配線基板２の平面図である。
【００４２】
図１および図２を参照して、ＯＬＥＤ１は、ガラス基板１１と、アノード電極１２（第１電極）と、有機発光層１３と、カソード電極１４（第２電極）と、を備える。ガラス基板１１上に、アノード電極１２、有機発光層１３、カソード電極１４がこの順で積層されている。言い換えれば、アノード電極１２、有機発光層１３およびカソード電極１４を含む構造体が、ガラス基板１１上に形成されている。ＯＬＥＤ１の平面形状は矩形である。なお、ＯＬＥＤ１の外部からの酸素、水等でＯＬＥＤ１の性能劣化を防止するために、ＯＬＥＤ１の上に封止缶または封止膜が配置される。しかしながら、これは実施形態と無関係であるので、省略されている。
【００４３】
アノード電極１２は、透明電極である。透明電極の材料は、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明な導電性を有する化合物（透明電極材料）である。カソード電極１４は、金属電極である。金属電極の材料は、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属（合金を含む）である。
【００４４】
有機発光層１３は、アノード電極１２とカソード電極１４との間に位置し、アノード電極１２とカソード電極１４によって給電されると、発光する部材である。有機発光層１３は、一例では、正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）／正孔輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｌａｙｅｒ）／発光層（ＥＭＬ：ＥＭｉｓｓｉｖｅ  Ｌａｙｅｒ）／電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｌａｙｅｒ）／電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）により構成される。有機発光層１３として、上記の他に、例えば発光層／電子輸送層により構成されるもの、正孔輸送層／発光層／電子輸送層により構成されるもの、正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層により構成されるもの、正孔輸送層/発光層/正孔阻止層／電子輸送層／バッファー層により構成されるもの、バッファー層／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／バッファー層により構成されるものが挙げられる。なお、光量を増加させるために、有機発光層１３が多層化されても良い。
【００４５】
有機発光層１３は、アノード電極１２、カソード電極１４のそれぞれに向けて、光を出射する。アノード電極１２へ向けて出射された光は、アノード電極１２を透過し、ＯＬＥＤ１の外部に出る。カソード電極１４へ向けて出射された光は、カソード電極１４で反射され、有機発光層１３、アノード電極１２を透過し、ＯＬＥＤ１の外部に出る。
【００４６】
発光領域１５は、有機発光層１３が生成した光を、ＯＬＥＤ１の外部に取り出す領域である。発光領域１５は、ＯＬＥＤ１が平面視されたとき、有機発光層１３とアノード電極１２とカソード電極１４とが重なる領域である。
【００４７】
非発光領域１６は、発光領域１５の外側に位置しており、発光領域１５を囲む領域である。非発光領域１６に、アノード電極１２およびカソード電極１４が位置しているが、有機発光層１３は位置していない。このように、アノード電極１２、カソード電極１４が、それぞれ、非発光領域１６まで延びている。非発光領域１６に位置するアノード電極１２の部分がアノード取り出し電極１２１となる。非発光領域１６に位置するカソード電極１４の部分がカソード取り出し電極１４１となる。背景技術で説明したように、アノード取り出し電極１２１の面積は、カソード取り出し電極１４１の面積より大きくされている。
【００４８】
アノード電極１２の平面形状は、略矩形形状である。矩形を構成する各辺の中央に凹部１２２が形成されている。アノード取り出し電極１２１の平面形状は、Ｌ字型である。アノード取り出し電極１２１の角部が、アノード電極１２の角部となる。アノード取り出し電極１２１−１は、凹部１２２−１と凹部１２２−２との間に位置する。アノード取り出し電極１２１−２は、凹部１２２−２と凹部１２２−３との間に位置する。アノード取り出し電極１２１−３は、凹部１２２−３と凹部１２２−４との間に位置する。アノード取り出し電極１２１−４は、凹部１２２−４と凹部１２２−１との間に位置する。
【００４９】
カソード電極１４の平面形状は、略矩形形状である。矩形を構成する各辺の中央に、凸形状を有するカソード取り出し電極１４１が形成されている。カソード取り出し電極１４１−１は、凹部１２２−１と重なっており、アノード取り出し電極１２１−４およびアノード取り出し電極１２１−１と分離されている。カソード取り出し電極１４１−２は、凹部１２２−２と重なっており、アノード取り出し電極１２１−１およびアノード取り出し電極１２１−２と分離されている。カソード取り出し電極１４１−３は、凹部１２２−３と重なっており、アノード取り出し電極１２１−２およびアノード取り出し電極１２１−３と分離されている。カソード取り出し電極１４１−４は、凹部１２２−４と重なっており、アノード取り出し電極１２１−３およびアノード取り出し電極１２１−４と分離されている。
【００５０】
アノード電極１２およびカソード電極１４は、有機発光層１３より平面のサイズが大きい。このため有機発光層１３の周りに絶縁層（不図示）が配置されており、この絶縁層および有機発光層１３によって、アノード電極１２とカソード電極１４とが電気的に絶縁されている。絶縁層は、例えば、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４である。
【００５１】
図１および図３を参照して、配線基板２は、外部からケーブル９００（図８）を介して供給された電力を、ＯＬＥＤ１に供給するための部材である。配線基板２は、プリント基板（好ましくは、フレキシブルプリント基板）である。配線基板２の平面形状は、矩形の枠型であり、非発光領域１６（図２）の形状と同じである。配線基板２は、非発光領域１６と正対させて配置される。
【００５２】
図４は、上面視された配線基板２において、配線基板２の上面の一つの角部付近を拡大した拡大図である。図５は、上面視された配線基板２において、配線基板２の下面の一つの角部付近を拡大した拡大図である。配線基板２の下面でアノード電極１２およびカソード電極１４が配線基板２と接続される。図４および図５を参照して、配線基板２は、基板２１と、アノード用配線２２と、カソード用配線２３と、を備える。
【００５３】
基板２１には、アノード用配線２２およびカソード用配線２３が形成される。基板２１は、例えば、プラスチックフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルムにより形成される。
【００５４】
アノード用配線２２は、基板２１の下面２１２（配線基板２の下面）に形成されている。アノード用配線２２は、アノード電極１２と接続されている。カソード用配線２３は、基板２１の上面２１１（配線基板２の上面）に形成されている。カソード用配線２３は、カソード電極１４と接続されている。有機発光層１３を発光させるために、ＯＬＥＤ１に供給される電流は、アノード用配線２２、ＯＬＥＤ１、カソード用配線２３の順に流れる。アノード用配線２２およびカソード用配線２３は、例えば、銅配線、アルミニウム配線である。なお、アノード用配線２２が基板２１の上面２１１に形成され、カソード用配線２３が基板２１の下面２１２に形成されてもよい。
【００５５】
基板２１には、カソード用配線２３を配線基板２の下面側に取り出すために、ビアホール２４が形成されている。アノード配線２２とカソード配線２３がショートするのを防止するために、アノード配線２２は、ビアホール２４の出口と対応する箇所に位置する切り欠き部２２１を有する。
【００５６】
図６は、図５に示す配線基板２に、アノードコンタクト部材３およびカソードコンタクト部材４が配置された状態を説明する説明図である。アノードコンタクト部材３およびカソードコンタクト部材４は、例えば、導電性接着剤、はんだ、異方性導電膜、異方性導電ペーストである。
【００５７】
図１および図２を参照して、アノード電極１２（第１電極）は、アノードコンタクト部材３（第１コンタクト部材）を用いて、非発光領域１６で配線基板２と接続されている。アノードコンタクト部材３について詳しく説明する。
【００５８】
図１および図６を参照して、アノードコンタクト部材３は、アノード取り出し電極１２１とアノード用配線２２とをコンタクトさせる部材である。これにより、アノード取り出し電極１２１とアノード用配線２２とが電気的に接続される。アノードコンタクト部材３−１は、アノード取り出し電極１２１−１とアノード配線２２とをコンタクトさせ、アノードコンタクト部材３−２は、アノード取り出し電極１２１−２とアノード配線２２とをコンタクトさせ、アノードコンタクト部材３−３は、アノード取り出し電極１２１−３（図２）とアノード配線２２とをコンタクトさせ、アノードコンタクト部材３−４は、アノード取り出し電極１２１−４（図２）とアノード配線２２とをコンタクトさせる。
【００５９】
図１および図２を参照して、カソード電極１４（第２電極）は、カソードコンタクト部材４（第２コンタクト部材）を用いて、非発光領域１６で配線基板２と接続されている。カソードコンタクト部材４について詳しく説明する。
【００６０】
図１および図６を参照して、カソードコンタクト部材４は、カソード取り出し電極１４１とカソード用配線２３とをコンタクトさせる部材である。これにより、カソード取り出し電極１４１とカソード用配線２３とが電気的に接続される。カソードコンタクト部材４−１は、カソード取り出し電極１４１−１とカソード配線２３とをコンタクトさせ、カソードコンタクト部材４−２は、カソード取り出し電極１４１−２とカソード配線２３とをコンタクトさせ、カソードコンタクト部材４−３は、カソード取り出し電極１４１−３とカソード配線２３とをコンタクトさせ、カソードコンタクト部材４−４は、カソード取り出し電極１４１−４とカソード配線２３とをコンタクトさせる。
【００６１】
図２および図６を参照して、カソード取り出し電極１４１の面積がアノード取り出し電極１２１の面積より小さいので、カソードコンタクト部材４の面積は、アノードコンタクト部材３の面積より小さい。
【００６２】
図７は、ＯＬＥＤ１の発光方式および調光方式を説明する説明図である。ＯＬＥＤ１の発光方式には、連続発光方式と間欠発光方式がある。連続発光方式は、ＯＬＥＤ１を定常発光させる。間欠発光方式は、ＯＬＥＤ１をパルス発光させる。ストロボ発光およびオーバードライブ発光は、間欠発光方式であり、外部トリガーによってパルス発光が制御される。
【００６３】
ストロボ発光は、定格電流（定格電流値）以下の電流をＯＬＥＤ１に流す方式である。定格電流は、照明パネル（ここでは、ＯＬＥＤ照明装置１０００）を製造するメーカが保証する、照明パネルを安定的に使用できる電流値である。
【００６４】
オーバードライブ発光は、定格電流よりも大きな電流をＯＬＥＤ１に流す方式である。これにより、照明をより明るくすることができる。ＯＬＥＤ１の故障、劣化の加速を防止するために、オーバードライブの期間は短く制限されている（例えば、１μｓ〜１０００μｓ）。
【００６５】
ＯＬＥＤ１の調光方式には、連続調光方式と間欠調光方式がある。連続調光方式は、ＯＬＥＤ１をＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）調光する。間欠調光方式は、ＯＬＥＤ１をＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ  Ｗｉｄｔｈ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）調光する。
【００６６】
マシンビジョンでは、大量の検査対象を高速で検査することがあり、この場合、カメラの撮影範囲を検査対象が高速で通過する。このため、検査対象の撮影にハイスピードカメラが用いられる。本発明者は、ハイスピードカメラを用いた検査対象の撮影について、間欠発光方式でパルス発光するＯＬＥＤ照明装置１０００を実用化することを検討した。検討の結果、以下の課題を見出した。
【００６７】
図１および図２を参照して、ＯＬＥＤ１を点灯（発光）させるタイミングを、ハイスピードカメラのシャッターのタイミングに合わせるために、ＯＬＥＤ１を点灯させるトリガー信号（トリガー信号はパルス信号である）の周波数を高くする必要がある（例えば、１ｋＨｚ〜５０ｋＨｚ）。ＯＬＥＤ１は、有機発光層１３をアノード電極１２とカソード電極１４とで挟んだ構造を備えるので、比較的大きな寄生容量を有する。このため、トリガー信号の周波数が高くなると、寄生容量の充放電が高速で繰り返されるので、ＯＬＥＤ１の発熱量が大きくなる。
【００６８】
本発明者は、トリガー信号（パルス信号）の周波数が１ｋＨｚ、１０ｋＨｚ、３０ｋＨｚ、５０ｋＨｚ、８０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、１５０ｋＨｚの下で、ＯＬＥＤ１をパルス駆動させ、ＯＬＥＤ１の表面の温度を測定する実験をした。実験の結果、カソード取り出し電極１４１の付近において、ＯＬＥＤ１の表面の温度上昇量が大きいことが分かった。カソードコンタクト部材４の面積（平面積）が小さいことが原因である。
【００６９】
カソードコンタクト部材４の面積を大きくすれば、カソードコンタクト部材４の温度上昇量を小さくできる。しかしながら、アノードコンタクト部材３およびカソードコンタクト部材４が配置される非発光領域１６は、ＯＬＥＤ１をコンパクト化するために、面積を小さくする要請がされている。従って、カソードコンタクト部材４の面積を大きくすることには限界がある。
【００７０】
ＯＬＥＤ１を間欠発光方式でパルス発光させる場合で説明したが、ＯＬＥＤ１がＰＷＭ調光される場合にも、ＰＷＭ信号の周波数が高くなると（例えば、１ｋＨｚ以上）、カソードコンタクト部材４の温度上昇量が大きくなる。
【００７１】
カソードコンタクト部材４の温度上昇量が大きければ、ガラス基板１１が局所的に加熱され、ガラス基板１１が熱割れや疲労する。カソードコンタクト部材４の温度上昇量を把握する必要がある。そこで、本発明者は、下記式１を導き出した。式１は、カソードコンタクト部材４の温度上昇量を示す理論式である。
【００７２】
ΔＴ＝（Ｋ×Ｖ×Ｖ×ｆ）÷（ｓ×ｓ）・・・式１
ΔＴは、ＯＬＥＤ照明装置１０００がパルス信号を用いて駆動されることにより発生するカソードコンタクト部材４の温度上昇量を示し、Ｋは、ＯＬＥＤ照明装置１０００の仕様で決まる定数を示し、Ｖは、駆動電圧値を示し、ｆは、周波数値を示し、ｓは、カソードコンタクト部材４の面積を示す。
【００７３】
Ｋは、有機発光層１３の誘電率、有機発光層１３の面積、有機発光層１３の厚み、カソードコンタクト部材４の電気抵抗率、カソードコンタクト部材４の厚み等で決まる定数である。
【００７４】
駆動電圧値は、ＯＬＥＤ１の駆動電圧の値である。ユーザ操作でＯＬＥＤ１に流す定電流の値（定電流値Ｉ）が入力される場合、駆動電圧値は、ＯＬＥＤ１のＩ−Ｖ特性から算出される。ＯＬＥＤ１のＩ−Ｖ特性は、ＯＬＥＤ１に関する定電流−駆動電圧の特性である。この特性は、ＯＬＥＤ１に流す定電流とＯＬＥＤ１の駆動電圧との関係を示す二次曲線で表され、予め求められている。定電流が大きくなると、駆動電圧が大きくなり、定電流が小さくなると、駆動電圧が小さくなる。ＯＬＥＤ１に流す定電流値Ｉが決まると、この曲線からＯＬＥＤ１の駆動電圧値Ｖが求められる。定電流値Ｉが大きくなると、ＯＬＥＤ１の輝度が大きくなり、定電流値Ｉが小さくなると、ＯＬＥＤ１の輝度が小さくなる。
【００７５】
周波数値ｆは、パルス信号を用いたＯＬＥＤ１の駆動において、パルス信号の周波数の値である。ＯＬＥＤ１を間欠発光方式でパルス発光させる場合、トリガー（パルス信号）の周波数の値がｆである。ＯＬＥＤ１をＰＷＭ調光させる場合、ＰＷＭ信号（パルス信号）の周波数の値がｆである。
【００７６】
本発明者が式１を導き出した過程については、後で説明する。
【００７７】
図８は、実施形態に係るＯＬＥＤ駆動装置８００、ＯＬＥＤ照明装置１０００のそれぞれについて、物理的構成要素を示すブロック図である。ＯＬＥＤ照明装置１０００は、検査用照明に用いられる。ＯＬＥＤ駆動装置８００とＯＬＥＤ照明装置１０００とは別体であり、これらはケーブル９００によって電気的に接続されている。なお、ＯＬＥＤ駆動装置８００とＯＬＥＤ照明装置１０００とが一体でもよい（すなわち、これらが１つの筐体に収められている）。
【００７８】
ＯＬＥＤ駆動装置８００は、電圧源８１と、定電流回路８２と、操作パネル８４と、ＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ  Ｕｎｉｔ）８５と、を備えており、ＯＬＥＤ照明装置１０００を駆動する。
【００７９】
電圧源８１は、例えば、ＡＣ−ＤＣコンバータまたはＤＣ−ＤＣコンバータであり、ケーブル９００を介して、ＯＬＥＤ１のアノード電極１２と接続されている。電圧源８１は、アノード電極１２に対して、ＯＬＥＤ１の発光に必要な正電圧を印加する。
【００８０】
定電流回路８２は、ＯＬＥＤ１の発光に必要な定電流をＯＬＥＤ１に流すための回路である。定電流回路８２は、ＯＬＥＤ駆動装置８００に適用可能な公知の回路であればよい。
【００８１】
マシンビジョンにおいて、ＯＬＥＤ駆動装置８００は、外部からトリガー信号Ｓ（パルス信号）が入力されることにより、ＯＬＥＤ照明装置１０００を点灯させる。トリガー信号Ｓは、カメラ（不図示）がシャッターを切るタイミング信号であり、カメラは、トリガー信号Ｓを生成し、出力し、カメラが出力したトリガー信号ＳがＯＬＥＤ駆動装置８００に入力する。トリガー信号Ｓの立ち上がりが、ＯＬＥＤ１が点灯するタイミングとなり、その立ち下がりが、ＯＬＥＤ１が消灯するタイミングとなるのが通例である。大量の検査対象が高速で検査される場合、カメラの撮影範囲を高速で通過する検査対象を撮影するために、トリガー信号Ｓの周波数が高くなる。
【００８２】
操作パネル８４は、ハードキー、ソフトキー、ディスプレイ等により構成される。ユーザは、操作パネル８４を操作して、ＯＬＥＤ照明装置１０００の駆動に必要な設定（例えば、定電流値Ｉの入力）をする。定電流値Ｉは、ＯＬＥＤ１に流す定電流の値である。
【００８３】
ＭＣＵ８５は、定電流回路８２を制御することにより、ＯＬＥＤ１の点灯と消灯を制御し、ＯＬＥＤ１に流す定電流の値を定電流値Ｉに制御する。なお、ＭＣＵ８５の替わりに、ＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ）を用いてもよい。
【００８４】
ＯＬＥＤ照明装置１０００は、ＯＬＥＤ１とメモリ５とを備える。ＯＬＥＤ１については既に説明した。メモリ５は、ＯＬＥＤ１の最大電流（最大電流より大きな電流がＯＬＥＤ１に流れると、ＯＬＥＤ１が故障、破壊する）等を示すＯＬＥＤ情報を予め記憶している。ＭＣＵ８５は、ケーブル９００を介して、メモリ５と通信することができ、メモリ５に記憶されているＯＬＥＤ情報をメモリ５から読み出すことができる。
【００８５】
図９は、ＭＣＵ８５の機能ブロック図である。ＭＣＵ８５は、制御部８５１と、通信部８５２と、第２の算出部８５７と、記憶部８５３と、第１の算出部８５４と、判定部８５５と、を備える。
【００８６】
制御部８５１は、ＭＣＵ８５の各部（通信部８５２、第２の算出部８５７、記憶部８５３、第１の算出部８５４、判定部８５５）を、当該各部の機能に応じてそれぞれ制御するための装置である。また、制御部８５１は、外部からトリガー信号Ｓが入力し、トリガー信号Ｓを基にして、定電流回路８２を制御する制御信号を生成する。制御信号は、例えば、ＯＬＥＤ１の点灯と消灯を制御する信号、ＯＬＥＤ１に流す定電流の値を定電流値Ｉに制御する信号である。
【００８７】
通信部８５２は、制御部８５１が生成した命令信号をメモリ５に送信し、メモリ５から送信されてきたＯＬＥＤ情報を受信する。制御部８５１は、通信部８５２が受信したＯＬＥＤ情報を記憶部８５３に記憶させる。通信部８５２は、操作パネル８４と通信可能であり、操作パネル８４に入力された命令、情報、データ等（例えば、定電流値Ｉ）を受信し、操作パネル８４のディスプレイに表示させる情報、データ等（例えば、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴ）を操作パネル８４に送信する。
【００８８】
第２の算出部８５７は、制御部８５１に入力されたトリガー信号Ｓ（パルス信号）の周波数を示す値を周波数値ｆとして算出する。制御部８５１には、トリガー信号Ｓが連続して入力されており、第２の算出部８５７は、所定期間、トリガー信号（パルス信号）のパルスの数をカウントすることにより、周波数値ｆを算出する。周波数値ｆは、ユーザ操作で設定（入力）することもできる。この場合、ユーザは、操作パネル８４を操作して、周波数値ｆをＭＣＵ８５に入力する。
【００８９】
記憶部８５３は、定電流値Ｉ、周波数値ｆ、式１およびＯＬＥＤ情報を記憶している。ユーザは、操作パネル８４を操作して、定電流値ＩをＭＣＵ８５に入力する。ＭＣＵ８５は、入力された定電流値Ｉを記憶部８５３に記憶させる。第２の算出部８５７は、算出した周波数値ｆを記憶部８５３に記憶させる。ユーザ操作で周波数値ｆが入力される場合、ＭＣＵ８５は、入力された周波数値ｆを記憶部８５３に記憶させる。式１は、ＯＬＥＤ駆動装置８００のメーカが用意した式１を実行するプログラムと一緒に、記憶部８５３に予め記憶されている。なお、式１および式１を実行するプログラムは、ＯＬＥＤ情報に含まれていてもよい。
【００９０】
ＯＬＥＤ情報は、ＯＬＥＤ１の最大電流、ＯＬＥＤ１のＩ−Ｖ特性（ＯＬＥＤ１に関する定電流−駆動電圧の特性）、カソードコンタクト部材４の面積ｓ、定数Ｋおよびしきい値Ｔｈを含む。ＯＬＥＤ１の最大電流、および、ＯＬＥＤ１に関する定電流−駆動電圧の特性は、既に説明されている。
【００９１】
カソードコンタクト部材４の面積ｓは、ＯＬＥＤ照明装置１０００に備えられるＯＬＥＤ１に含まれるカソードコンタクト部材４の面積であり、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴを算出するパラメータの１つである。
【００９２】
定数Ｋは、ＯＬＥＤ照明装置１０００の仕様で決まる値であり、上記ΔＴを算出するパラメータの１つである。定数Ｋは、次の式７で表される。
【００９３】
【数１】
2020071946.tif 000003
【００９４】
ｈ：熱伝達率
ε：有機発光層１３の誘電率
Ｓ：有機発光層１３の面積
ｄ１：有機発光層１３の厚み
ρ：カソードコンタクト部材４の電気抵抗率
ｄ２：カソードコンタクト部材４の厚み  
Ｒｓ：アノード（ＩＴＯ）の面抵抗
Ｌ：アノード電極１２（ＩＴＯ）の長さ
Ｗ：アノード電極１２（ＩＴＯ）の幅
ｈは、ニュートンの冷却則で定められ、ｈが大きくなると、流体と物体との間の熱移動能力が大きくなる。
【００９５】
しきい値Ｔｈは、カソードコンタクト部材４の温度上昇量の許容値である。すなわち、しきい値Ｔｈは、ガラス基板１１の熱割れや疲労を防止できる値である。カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴが、例えば、１５度を超えたとき、ガラス基板１１の熱割れや疲労が発生する懸念があるとする。この場合、しきい値Ｔｈは、１５度以下となる。
【００９６】
第１の算出部８５４は、記憶部８５３に記憶されている定電流値Ｉと、記憶部８５３に記憶されているＯＬＥＤ情報に含まれるＯＬＥＤ１のＩ−Ｖ特性と、を用いて、定電流値ＩをＯＬＥＤ１の駆動電圧値Ｖに変換し、駆動電圧値Ｖを記憶部８５３に記憶させる。第１の算出部８５４は、定数Ｋ、駆動電圧値Ｖ、周波数値ｆ、および、カソードコンタクト部材４の面積ｓを、式１に代入し、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴを算出する。判定部８５５は、第１の算出部８５４によって算出されたΔＴが、しきい値Ｔｈを超えるか否かを判定する。
【００９７】
報知部は、判定部８５５によってΔＴがしきい値Ｔｈを超える判定がされたとき、報知する。実施形態では、操作パネル８４に備えられるディスプレイが報知部として機能し、ＭＣＵ８５は、ディスプレイ（例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ）に所定の表示をさせる。例えば、ディスプレイには、「ＯＬＥＤ内の温度上昇が原因でガラス基板が熱割れや疲労する可能性があります。定電流値および周波数値の少なくとも一方を再設定して下さい。」を示す文字情報が表示される。報知の方法は、これに限定されない。例えば、操作パネル８４に報知部となる警告ランプが搭載されており、ＭＣＵ８５は、警告ランプを点灯させてもよい。
【００９８】
周波数の再設定について説明する。第２の算出部８５７がトリガー信号Ｓを用いて、周波数値ｆを算出する場合、ユーザは、カメラがシャッターを切る間隔を再設定することにより、周波数を再設定する。ユーザ操作で周波数値ｆが入力される場合、ユーザは、操作パネル８４を操作して、周波数値ｆを再設定（再入力）する。
【００９９】
ユーザ操作で駆動電圧値Ｖが入力される場合、例えば、ディスプレイには、「ＯＬＥＤ内の温度上昇が原因でガラス基板が熱割れや疲労する可能性があります。駆動電流値および周波数値の少なくとも一方を再設定して下さい。」を示す文字情報が表示される。
【０１００】
実施形態に係るＯＬＥＤ駆動装置８００の特徴となる動作を説明する。図１０は、この動作のフローチャートである。図８、図９および図１０を参照して、ユーザは、ＯＬＥＤ駆動装置８００とＯＬＥＤ照明装置１０００とをケーブル９００で接続する。ユーザは、ＯＬＥＤ駆動装置８００の電源をＯＮする。これにより、ＭＣＵ８５が起動し、ＭＣＵ８５は、ＯＬＥＤ照明装置１０００に備えられるメモリ５からＯＬＥＤ情報を読み出し、記憶部８５３に記憶させる（ステップＳ１）。なお、上述したように、記憶部８５３には、式１が予め記憶されている。
【０１０１】
ユーザが、操作パネル８４を操作して、定電流値ＩをＭＣＵ８５に入力すると、ＭＣＵ８５は、定電流値Ｉを記憶部８５３に記憶させる（ステップＳ２）。
【０１０２】
第１の算出部８５４は、ＯＬＥＤ１のＩ−Ｖ特性（ＯＬＥＤ１に関する定電流−駆動電圧の特性）、および、定電流値Ｉを記憶部８５３から読み出し、これらを用いて、ＯＬＥＤ１の駆動電圧値Ｖを算出し、記憶部８５３に記憶させる（ステップＳ３）。ＯＬＥＤ１のＩ−Ｖ特性は、ＯＬＥＤ情報に含まれている。
【０１０３】
制御部８５１には、カメラ（不図示）から出力されたトリガー信号Ｓが入力されている。第２の算出部８５７は、トリガー信号Ｓを用いて、トリガー信号Ｓの周波数値ｆを算出し、記憶部８５３に記憶させる（ステップＳ１８）。周波数値ｆの算出は、ステップＳ１の前でもよいし、ステップＳ２の前でもよいし、ステップＳ３の前でもよい。
【０１０４】
第１の算出部８５４は、式１、定数Ｋ、駆動電圧値Ｖ、周波数値ｆおよびカソードコンタクト部材４の面積ｓを記憶部８５３から読み出し、定数Ｋ、駆動電圧値Ｖ、周波数値ｆおよびカソードコンタクト部材４の面積ｓを、式１に代入し、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴを算出する（ステップＳ４）。
【０１０５】
判定部８５５は、しきい値Ｔｈ（カソードコンタクト部材４の温度上昇量の許容値）を記憶部８５３から読み出し、ステップＳ４で算出されたΔＴが、しきい値Ｔｈを超えるか否かを判定する（ステップＳ５）。
【０１０６】
判定部８５５によって、ΔＴがしきい値Ｔｈ以下と判定されたとき（ステップＳ５でＮｏ）、制御部８５１は、ＯＬＥＤ照明装置１０００の駆動を許可する（ステップＳ６）。これにより、ＯＬＥＤ駆動装置８００は、ステップＳ２で入力された定電流値Ｉおよび周波数値ｆの下で、パルス信号を用いて、ＯＬＥＤ照明装置１０００を駆動することが可能となる。
【０１０７】
判定部８５５によって、ΔＴがしきい値Ｔｈを超えたと判定されたとき（ステップＳ５でＹｅｓ）、ＭＣＵ８５は、操作パネル８４のディスプレイを用いてユーザに報知する（ステップＳ７）。ユーザは、定電流値Ｉおよび周波数値ｆの少なくとも一つを再設定（再入力）することにより、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴがしきい値Ｔｈを超えないようにすることができる。なお、ＭＣＵ８５は、この報知において、ステップＳ４で算出されたΔＴをディスプレイに表示させてもよい。また、ＭＣＵ８５は、報知後、所定期間が経過するまでに再設定されないとき、ＯＬＥＤ照明装置１０００の駆動を禁止する制御をする。
【０１０８】
実施形態の変形例を説明する。実施形態の場合、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴが、しきい値Ｔｈを超えたとき、ユーザが、定電流値Ｉおよび周波数値ｆの少なくとも一方を再設定する必要がある。変形例は、これを自動化する。図１１は、変形例に係るＭＣＵ８５ａの機能ブロック図である。ＭＣＵ８５ａが図９に示すＭＣＵ８５と異なる点は、値変更部８５６を備えることである。
【０１０９】
値変更部８５６は、判定部８５５によって、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴがしきい値Ｔｈを超えたと判定されたとき、当初の駆動電圧値Ｖ（図１２のステップＳ３で算出された駆動電圧値Ｖ）または当初の周波数値ｆ（図１２のステップＳ１８で算出された周波数値ｆ）を下げる。以下、詳しく説明する。
【０１１０】
値変更部８５６は、周波数値ｆを優先させる周波数優先モードがユーザ操作によって予め選択されているとき、当初の周波数値ｆを変更せずに、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴをしきい値Ｔｈ以下にすることができる値に駆動電圧値Ｖを下げる。例えば、値変更部８５６は、周波数優先モードの下で駆動電圧値Ｖを下げる場合、当初の周波数値ｆを変更せずに、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴをしきい値Ｔｈ以下にできる駆動電圧値Ｖの中で最大値Ｖｍａｘを、新たな駆動電圧値Ｖにする。ユーザは、当初の駆動電圧値Ｖにできるだけ近い値を望むと考えられるからである。この値が、最大値Ｖｍａｘである。ユーザは、最大値Ｖｍａｘを見つける手間を省くことができる。
【０１１１】
第１の算出部８５４は、ユーザ操作で入力された定電流値Ｉを駆動電圧値Ｖに変換する。定電流値Ｉと駆動電圧値Ｖとは、正の相関関係を有する。従って、値変更部８５６が周波数優先モードの下で駆動電圧値Ｖを下げるとは、定電流値Ｉを下げることを意味する。値変更部８５６が、駆動電圧値Ｖの中で最大値Ｖｍａｘを新たな駆動電圧値Ｖにするとは、定電流値Ｉの中で最大値Ｉｍａｘを新たな定電流値Ｉにすることを意味する。次に説明する電圧優先モード（駆動電圧値Ｖを優先させる電圧優先モード）は、定電流値Ｉを優先させる電流優先モードを意味する。
【０１１２】
値変更部８５６は、駆動電圧値Ｖを優先させる電圧優先モード（電流優先モード）がユーザ操作によって予め選択されているとき、当初の駆動電圧値Ｖ（当初の定電流値Ｉ、すなわち、ユーザ操作で入力された定電流値Ｉ）を変更せずに、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴをしきい値Ｔｈ以下にすることができる値に周波数値ｆを下げる。例えば、値変更部８５６は、電圧優先モード（電流優先モード）の下で周波数値ｆを下げる場合、当初の駆動電圧値Ｖ（当初の定電流値Ｉ）を変更せずに、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴをしきい値Ｔｈ以下にできる周波数値ｆの中で最大値ｆｍａｘを、新たな周波数値ｆにする。ユーザは、ユーザ操作で入力された周波数値ｆにできるだけ近い値を望むと考えられるからである。この値が、最大値ｆｍａｘである。ユーザは、最大値ｆｍａｘを見つける手間を省くことができる。
【０１１３】
ＯＬＥＤ１のＩ−Ｖ特性（ＯＬＥＤ１に関する定電流−駆動電圧の特性）において、最大値Ｉｍａｘに対応する駆動電圧値Ｖが、最大値Ｖｍａｘとなる。最大値Ｖｍａｘは、式１としきい値Ｔｈから、以下の式２で示される。
【０１１４】
【数２】
2020071946.tif 000004
【０１１５】
最大値ｆｍａｘは、式１としきい値Ｔｈから、以下の式３で示される。
【０１１６】
【数３】
2020071946.tif 000005
【０１１７】
式２および式３は、式１と一緒に、記憶部８５３に予め記憶されている。
【０１１８】
報知部は、値変更部８５６によって駆動電圧値Ｖ（定電流値Ｉ）または周波数値ｆが下げられたとき、報知する。変形例では、操作パネル８４に備えられるディスプレイが報知部として機能し、ＭＣＵ８５ａは、ディスプレイに所定の表示をさせる。周波数優先モードの場合、例えば、ディスプレイには、「ＯＬＥＤ内の温度上昇が原因でガラス基板が熱割れや疲労する可能性があります。周波数値は変更せずに、温度上昇量を許容値以下にできる定電流値の中で最大値を、定電流値にします。」を示す文字情報が表示される。これにより、ユーザは、周波数値ｆが変更されずに、定電流値Ｉが下げられたことを知ることができる。値変更部８５６が算出するのは、最大値Ｖｍａｘであるが、ユーザは定電流値ＩをＭＣＵ８５ａに入力しているので、ユーザには最大値Ｉｍａｘが知らされる。なお、ユーザ操作で駆動電圧値Ｖが入力される場合、例えば、ディスプレイには、「ＯＬＥＤ内の温度上昇が原因でガラス基板が熱割れや疲労する可能性があります。周波数値は変更せずに、温度上昇量を許容値以下にできる駆動電圧値の中で最大値を、駆動電圧値にします。」を示す文字情報が表示される。
【０１１９】
電圧優先モード（電流優先モード）の場合、例えば、ディスプレイには、「ＯＬＥＤ内の温度上昇が原因でガラス基板が熱割れや疲労する可能性があります。定電流値は変更せずに、温度上昇量を許容値以下にできる周波数値の中で最大値を、周波数値にします。」を示す文字情報が表示される。これにより、ユーザは、定電流値Ｉが変更されずに、周波数値ｆが下げられたことを知ることができる。ユーザは、カメラがシャッタを切る間隔をこの周波数値ｆに設定する。なお、ユーザ操作で駆動電圧値Ｖが入力される場合、例えば、ディスプレイには、「ＯＬＥＤ内の温度上昇が原因でガラス基板が熱割れや疲労する可能性があります。駆動電圧値は変更せずに、温度上昇量を許容値以下にできる周波数値の中で最大値を、周波数値にします。」を示す文字情報が表示される。
【０１２０】
変形例の特徴となる動作を説明する。図１２は、この動作のフローチャートである。図８、図１１および図１２を参照して、記憶部８５３には、式１、式２および式３が予め記憶されている。なお、式１、式２および式３は、ＯＬＥＤ情報に含められていてもよい。ステップＳ１は、図１０に示すステップＳ１と同じである。
【０１２１】
ステップＳ２において、ユーザが、操作パネル８４を操作して、定電流値ＩをＭＣＵ８５ａに入力すると、ＭＣＵ８５ａは、定電流値Ｉを記憶部８５３に記憶させる。これは、図１０に示すステップＳ２と同じである。ユーザは、操作パネル８４を操作して、周波数優先モードまたは電圧優先モード（電流優先モード）をＭＣＵ８５ａに入力すると、ＭＣＵ８５ａは、モードフラグを入力されたモードに設定する（ステップＳ２）。例えば、モードフラグが０のとき、周波数優先モードが選択されたことを示し、モードフラグが１のとき、電圧優先モード（電流優先モード）が選択されたことを示すとする。ユーザが操作パネル８４を操作して、周波数優先モードをＭＣＵ８５ａに入力すると、ＭＣＵ８５ａは、モードフラグを０に設定する。ユーザが操作パネル８４を操作して、電圧優先モード（電流優先モード）をＭＣＵ８５ａに入力すると、ＭＣＵ８５ａは、モードフラグを１に設定する。
【０１２２】
ステップＳ３、ステップＳ１８、ステップＳ４、ステップＳ５およびステップＳ６は、図１０に示すステップＳ３、ステップＳ１８、ステップＳ４、ステップＳ５およびステップＳ６と同じである。
【０１２３】
判定部８５５によって、ΔＴがしきい値Ｔｈを超えたと判定されたとき（ステップＳ５でＹｅｓ）、値変更部８５６は、モードフラグが、周波数優先モードに設定されているのか、電圧優先モード（電流優先モード）に設定されているのかを判断する（ステップＳ１１）。
【０１２４】
モードフラグが周波数優先モードに設定されているとき、値変更部８５６は、最大値Ｖｍａｘを算出する（ステップＳ１２）。詳しく説明する。値変更部８５６は、式２、しきい値Ｔｈ（カソードコンタクト部材４の温度上昇量の許容値）、定数Ｋ、周波数値ｆおよびカソードコンタクト部材４の面積ｓを記憶部８５３から読み出し、しきい値Ｔｈ、定数Ｋ、周波数値ｆおよびカソードコンタクト部材４の面積ｓを、式２に代入し、最大値Ｖｍａｘを算出する。
【０１２５】
ＭＣＵ８５ａは、操作パネル８４のディスプレイを用いてユーザに報知する（ステップＳ１３）。報知には、周波数優先モードの場合の文字情報が用いられる。この文字情報については既に説明されている。
【０１２６】
制御部８５１は、ＯＬＥＤ照明装置１０００の駆動を許可する（ステップＳ１４）。これにより、ＯＬＥＤ駆動装置８００は、ステップＳ１２で算出された最大値Ｖｍａｘと対応する定電流値Ｉ（この定電流値Ｉは、最大値ＶｍａｘがＯＬＥＤ１のＩ−Ｖ曲線を用いて変換された値である）とステップＳ２で入力された周波数値ｆの下で、パルス信号を用いて、ＯＬＥＤ照明装置１０００を駆動することが可能となる。
【０１２７】
モードフラグが電圧優先モード（電流優先モード）に設定されているとき、値変更部８５６は、最大値ｆｍａｘを算出する（ステップＳ１５）。詳しく説明する。値変更部８５６は、式３、しきい値Ｔｈ（カソードコンタクト部材４の温度上昇量の許容値）、定数Ｋおよびカソードコンタクト部材４の面積ｓを記憶部８５３から読み出し、しきい値Ｔｈ、定数Ｋ、カソードコンタクト部材４の面積ｓ、および、ステップＳ３で算出された駆動電圧値Ｖを、式３に代入し、最大値ｆｍａｘを算出する。駆動電圧値Ｖは、ユーザ操作で入力された定電流値Ｉが、ＯＬＥＤ１のＩ−Ｖ特性を用いて、変換された値である。
【０１２８】
ＭＣＵ８５ａは、操作パネル８４のディスプレイを用いてユーザに報知する（ステップＳ１６）。報知には、電流優先モードの場合の文字情報が用いられる。この文字情報については既に説明されている。
【０１２９】
制御部８５１は、ＯＬＥＤ照明装置１０００の駆動を許可する（ステップＳ１７）。これにより、ＯＬＥＤ駆動装置８００は、ステップＳ２で入力された定電流値ＩとステップＳ１５で算出された最大値ｆｍａｘの下で、パルス信号を用いて、ＯＬＥＤ照明装置１０００を駆動することが可能となる。
【０１３０】
変形例は、周波数優先モードまたは電圧優先モード（電流優先モード）を選択することができるが、周波数優先モードのみの態様、または、電圧優先モード（電流優先モード）のみの態様でもよい。これらの態様の場合、ユーザが周波数優先モードまたは電圧優先モード（電流優先モード）を選択する操作が不要となる。
【０１３１】
実施形態および変形例において、ＯＬＥＤ１は、アノード電極１２が透明電極にされ、カソード電極１４が金属電極にされた構造を有する。カソード電極１４が透明電極にされ、アノード電極１２が金属電極にされた構造の場合、アノードコンタクト部材３の温度上昇量ΔＴが問題となる。この場合、第１の算出部８５４は、アノードコンタクト部材３の温度上昇量ΔＴを求める。
【０１３２】
実施形態および変形例では、理論式である式１を用いて、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴを求める。理論式の替わりに、近似式、テーブルを用いても、ΔＴが求められる。
【０１３３】
近似式を用いる場合について簡単に説明する。ＯＬＥＤ駆動装置８００のメーカは、定電流値Ｉと周波数値ｆの組み合わせを変えて、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴを実測し、この結果を用いて、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴを示す近似式を求める。この近似式は、記憶部８５３に予め記憶されていてもよいし、ＯＬＥＤ情報に含められていてもよい。第１の算出部８５４は、記憶部８５３に記憶されている定電流値Ｉおよび周波数値ｆを近似式に代入して、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴを求める。
【０１３４】
テーブルを用いる場合について簡単に説明する。ＯＬＥＤ駆動装置８００のメーカは、近似式の場合と同様に、定電流値Ｉと周波数値ｆの組み合わせを変えて、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴを実測し、この結果を用いて、定電流値Ｉと周波数値ｆの組み合わせと、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴとの対応関係を示すテーブルを作成する。このテーブルは、記憶部８５３に予め記憶されていてもよいし、ＯＬＥＤ情報に含められていてもよい。第１の算出部８５４は、記憶部８５３に記憶されている定電流値Ｉと周波数値ｆの組み合わせと同じ組み合わせをテーブルから探し出し、探し出した組み合わせが示す温度上昇量を、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴと決定する。
【０１３５】
近似式、テーブルのいずれにおいても、ユーザ操作で駆動電圧値Ｖが入力される場合、定電流値Ｉの替わりに駆動電圧値Ｖが用いられる。
【０１３６】
式１が導き出された過程を説明する。図１３は、ＯＬＥＤパネル（アノード電極１２、有機発光層１３およびカソード電極１４で構成される構造体）と、配線基板２と、ＯＬＥＤ駆動装置８００との関係を示す等価回路図である。
【０１３７】
Ｒａ：アノード電極１２の抵抗
Ｃｏ：ＯＬＥＤ１の寄生容量
Ｒｏ：ＯＬＥＤ１のリーク電流が要因となるインピーダンス
Ｒｋ：カソード電極１４の抵抗
Ｒｃａ：アノードコンタクト部材３−１〜３−４の抵抗の合計
Ｒｃｋ：カソードコンタクト部材４−１〜４−４の抵抗の合計
ｒｃｋ：１つのカソードコンタクト部材４の抵抗
Ｒｐａ：配線基板２＋ＯＬＥＤ駆動装置８００のアノード側の配線抵抗
Ｒｐｋ：配線基板２＋ＯＬＥＤ駆動装置８００のカソード側の配線抵抗
ニュートンの冷却則により、カソードコンタクト部材４の温度上昇量ΔＴは、このカソードコンタクト部材４の熱損失電力Ｐ-Ｒｃｋに比例し、このカソードコンタクト部材４の面積ｓに反比例する。温度上昇量ΔＴと熱損失電力Ｐ-Ｒｃｋとカソードコンタクト部材４の面積ｓと熱伝達率ｈとの関係は、下記式で定義される。
【０１３８】
【数４】
2020071946.tif 000006
【０１３９】
熱伝達率ｈは、雰囲気環境（流速、圧力、表面形状）により決まる定数と見なすことができる。自然対流時、熱伝達率ｈは、１〜１０［Ｗ／ｍ・ｍ・ｋ］となる。一方、ＯＬＥＤパネルの充放電電力Ｐｃは、各直列抵抗の抵抗比によって損失するので、Ｒｃｋでの損失は下記式となる。
【０１４０】
【数５】
2020071946.tif 000007
【０１４１】
Ｒａｌｌ：Ｒａ＋Ｒｃａ＋Ｒｐａ＋Ｒｋ＋Ｒｃｋ＋Ｒｐｋ
Ｖ：ＯＬＥＤ１の駆動電圧（この駆動電圧は、定電流値ＩとＯＬＥＤ１のＩ−Ｖ特性とから求められる）
ｆ：周波数値
ε：有機発光層１３の誘電率
Ｓ：有機発光層１３の面積
ｄ１：有機発光層１３の厚み
ρ：カソードコンタクト部材４の電気抵抗率
ｄ２：カソードコンタクト部材４の厚み  
Ｒｓ：アノード（ＩＴＯ）の面抵抗
Ｌ：アノード電極１２（ＩＴＯ）の長さ
Ｗ：アノード電極１２（ＩＴＯ）の幅
アノード電極１２がＩＴＯ電極の場合、ＩＴＯ電極の電気抵抗率は、金属電極の電気抵抗率と比べて、二桁高い。従って、Ｒａｌｌ≒Ｒａ＝Ｒｓ×（Ｌ÷Ｗ）が成立する。
【０１４２】
式５が式４に代入されると、ΔＴは、下記式６で表される。
【０１４３】
【数６】
2020071946.tif 000008
【０１４４】
｛（ε×ρ×Ｒｓ）÷ｈ｝×｛（Ｓ×ｄ２×Ｌ）÷（ｄ１×Ｗ）｝は、ＯＬＥＤパネル（ＯＬＥＤ照明装置１０００）の仕様で決まる。従って、ＯＬＥＤパネルの設計では、定数Ｋと見なすことができる。
【０１４５】
以上より、ΔＴは、式１で示される。
【０１４６】
本発明者は、駆動電圧値Ｖを１２Ｖとし、周波数値ｆを、０Ｈｚ（直流）、６０Ｈｚ、１ｋＨｚ、１０ｋＨｚ、３０ｋＨｚ、５０ｋＨｚ、１００ｋＨｚとして、ΔＴを実測した。アノード電極１２等の条件は、下記表の通りである。
【０１４７】
【表１】
2020071946.tif 000009
【０１４８】
本発明者は、これらの条件の下で、式１を用いて、ΔＴを計算した。ΔＴの実測値、計算値は、下記表の通りである。
【０１４９】
【表２】
2020071946.tif 000010
【０１５０】
周波数値ｆが、１ｋＨｚ、１０ｋＨｚ、３０ｋＨｚ、５０ｋＨｚの場合、ΔＴの計算値は、ΔＴの実測値と近いことが分かった。なお、本発明者は、アノードコンタクト部材３の温度上昇量についても計算したが、温度上昇量が僅かであるので、記載を省略している。
【符号の説明】
【０１５１】
１  ＯＬＥＤ
１１  ガラス基板
１２  アノード電極（第１電極）
１２１（１２１−１〜１２１−４）  アノード取り出し電極
１２２（１２２−１〜１２２−４）  凹部
１３  有機発光層
１４  カソード電極（第２電極）
１４１（１４１−１〜１４１−４）  カソード取り出し電極
１５  発光領域
１６  非発光領域
２  配線基板
２１  基板
２１１  基板の上面
２１２  基板の下面
２２  アノード用配線
２２１  切り欠き部
２３  カソード用配線
２４  ビアホール
３（３−１〜３−４）  アノードコンタクト部材（第１コンタクト部材）
４（４−１〜４−４）  カソードコンタクト部材（第２コンタクト部材）
１０００  ＯＬＥＤ照明装置
８００  ＯＬＥＤ駆動装置
Ｓ  トリガー信号
【図１】
2020071946.tif 000011
【図２】
2020071946.tif 000012
【図３】
2020071946.tif 000013
【図４】
2020071946.tif 000014
【図５】
2020071946.tif 000015
【図６】
2020071946.tif 000016
【図７】
2020071946.tif 000017
【図８】
2020071946.tif 000018
【図９】
2020071946.tif 000019
【図１０】
2020071946.tif 000020
【図１１】
2020071946.tif 000021
【図１２】
2020071946.tif 000022
【図１３】
2020071946.tif 000023