(57)【要約】      （修正有）【課題】被加工物への加工屑の付着を抑制することが可能な被加工物の加工方法を提供する。【解決手段】加工ユニット３０と、被加工物を保持する保持面８ａを備える第１のポーラス部８と被加工物を保持する保持面１０ａを備え第１のポーラス部を囲繞する第２のポーラス部１０と、第１のポーラス部と第２のポーラス部とを仕切る仕切り部１２と、第２のポーラス部を囲繞する枠体６と、を備えるチャックテーブル４とを有する加工装置によって被加工物を加工する加工方法であって、第１のポーラス部の保持面及び第２のポーラス部の保持面に負圧を作用させることにより、被加工物をチャックテーブルによって吸引保持する保持ステップと、被加工物を加工ユニットによって加工する加工ステップと、第１のポーラス部から流体を噴出させ、且つ、第２のポーラス部から流体を噴出させずに、チャックテーブルから被加工物を取り外す取り外しステップとを備える。【選択図】図２
2020093330.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を加工する加工ユニットと、
該被加工物を保持する保持面を備える第１のポーラス部と、該被加工物を保持する保持面を備え該第１のポーラス部を囲繞する第２のポーラス部と、該第１のポーラス部と該第２のポーラス部とを仕切る仕切り部と、該第２のポーラス部を囲繞する枠体と、を備えるチャックテーブルと、
を有する加工装置によって該被加工物を加工する被加工物の加工方法であって、
該第１のポーラス部の保持面の全体を覆うように該被加工物を該チャックテーブル上に配置し、該第１のポーラス部の保持面及び該第２のポーラス部の保持面に負圧を作用させることにより、該被加工物を該チャックテーブルによって吸引保持する保持ステップと、
該チャックテーブルによって保持された該被加工物を該加工ユニットによって加工する加工ステップと、
該第１のポーラス部から流体を噴出させ、且つ、該第２のポーラス部から該流体を噴出させずに、該チャックテーブルから該被加工物を取り外す取り外しステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項２】
該取り外しステップ後に、該第２のポーラス部から該流体を噴出させることによって該第２のポーラス部に吸引された加工屑を該第２のポーラス部から噴出させる噴出ステップを更に備えることを特徴とする請求項１記載の被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工ユニットとチャックテーブルとを有する加工装置によって被加工物を加工する際に用いられる被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスが形成された半導体ウェーハを分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが製造される。また、基板上に実装された複数のデバイスチップを樹脂でなる封止材（モールド樹脂）で被覆して得たパッケージ基板を分割することにより、デバイスチップをそれぞれ備える複数のパッケージデバイスが製造される。このパッケージデバイスは、携帯電話やパーソナルコンピュータに代表される様々な電子機器に内蔵される。
【０００３】
近年、電子機器の小型化、薄型化に伴い、デバイスチップやパッケージデバイスにも薄型化が求められている。そこで、分割前の半導体ウェーハやパッケージ基板を研削して薄化する手法が用いられている。
【０００４】
半導体ウェーハやパッケージ基板等の被加工物を研削する際には、例えば、被加工物を保持するチャックテーブルと、被加工物を研削する研削ユニットとを備える研削装置が用いられる。この研削ユニットには、被加工物を研削するための研削砥石を備えた研削ホイールが装着される。被加工物をチャックテーブルによって吸引保持した状態で、チャックテーブルと研削ホイールとをそれぞれ回転させながら研削砥石を被加工物に接触させることにより、被加工物が研削され、薄化される。
【０００５】
研削加工が完了すると、被加工物はチャックテーブルから取り外される。このとき、チャックテーブルから所定の流体（例えば、水とエアーとが混合された流体）を噴出させると、流体が被加工物のチャックテーブルと対向する面側に作用し、被加工物をチャックテーブルから取り外しやすくなる。
【０００６】
なお、被加工物を研削すると、研削加工によって発生した屑（加工屑）がチャックテーブルによって吸引され、チャックテーブルの内部に蓄積する。そして、研削加工の完了後、被加工物を取り外すためにチャックテーブルから流体を噴出させると、チャックテーブルの内部に蓄積された加工屑が流体とともに噴出され、被加工物に付着してしまうことがある。
【０００７】
そこで、研削加工後には、洗浄装置等を用いて被加工物を洗浄し、被加工物に付着した加工屑を洗い流す作業が行われる。例えば特許文献１には、被加工物（洗浄対象物）の外周縁を支持しつつ、洗浄ローラによって被加工物の下面側を洗浄する洗浄装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１３−２３９４９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記のように、研削装置のチャックテーブルから被加工物を取り外す際にチャックテーブルから流体を噴出させると、被加工物に加工屑が付着する。この加工屑は被加工物に強固に固着するため、研削加工後の被加工物に対して洗浄処理を施しても、被加工物に付着した加工屑が完全には除去されないことが多い。よって、チャックテーブルから流体を噴出させる際には、加工屑の被加工物への付着が極力抑制されることが望まれる。
【００１０】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、被加工物への加工屑の付着を抑制することが可能な被加工物の加工方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様によれば、被加工物を加工する加工ユニットと、該被加工物を保持する保持面を備える第１のポーラス部と、該被加工物を保持する保持面を備え該第１のポーラス部を囲繞する第２のポーラス部と、該第１のポーラス部と該第２のポーラス部とを仕切る仕切り部と、該第２のポーラス部を囲繞する枠体と、を備えるチャックテーブルと、を有する加工装置によって該被加工物を加工する被加工物の加工方法であって、該第１のポーラス部の保持面の全体を覆うように該被加工物を該チャックテーブル上に配置し、該第１のポーラス部の保持面及び該第２のポーラス部の保持面に負圧を作用させることにより、該被加工物を該チャックテーブルによって吸引保持する保持ステップと、該チャックテーブルによって保持された該被加工物を該加工ユニットによって加工する加工ステップと、該第１のポーラス部から流体を噴出させ、且つ、該第２のポーラス部から該流体を噴出させずに、該チャックテーブルから該被加工物を取り外す取り外しステップと、を備える被加工物の加工方法が提供される。
【００１２】
なお、好ましくは、上記の被加工物の加工方法は、該取り外しステップ後に、該第２のポーラス部から該流体を噴出させることによって該第２のポーラス部に吸引された加工屑を該第２のポーラス部から噴出させる噴出ステップを更に備える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様に係る被加工物の加工方法では、第１のポーラス部の保持面及び第２のポーラス部の保持面に負圧を作用させて被加工物を吸引保持した状態で、被加工物を加工ユニットによって加工する。その後、第１のポーラス部から流体を噴出させ、且つ、第２のポーラス部から流体を噴出させずに、チャックテーブルから被加工物を取り外す。
【００１４】
上記の被加工物の加工方法を用いると、被加工物をチャックテーブル上から取り外す際、第２のポーラス部に吸引された加工屑が被加工物に向かって噴出されない。これにより、被加工物への加工屑の付着が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】被加工物を示す斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は加工装置を示す一部断面正面図であり、図２（Ｂ）はチャックテーブルを示す平面図である。
【図３】図３（Ａ）は加工ステップでの加工装置を示す一部断面正面図であり、図３（Ｂ）は加工ステップでの被加工物及びチャックテーブルを拡大して示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は取り外しステップでの加工装置を示す断面図であり、図４（Ｂ）は取り外しステップでの被加工物及びチャックテーブルを拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態を説明する。まず、本実施形態に係る被加工物の加工方法を用いて加工することが可能な被加工物の構成例について説明する。図１は、被加工物１１を示す斜視図である。
【００１７】
被加工物１１は、例えばシリコン等の材料を用いて円盤状に形成され、表面１１ａ及び裏面１１ｂを備える。被加工物１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって複数の領域に区画されており、この複数の領域の表面１１ａ側にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等のデバイス１５が形成されている。
【００１８】
なお、被加工物１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば被加工物１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなるウェーハであってもよいし、ＣＳＰ（Chip Size Package）、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）等のパッケージ基板であってもよい。また、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
【００１９】
被加工物１１を分割予定ライン１３に沿って分割することにより、デバイス１５をそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。被加工物１１の分割には、例えば、円環状の切削ブレードが装着される切削ユニットを備えた加工装置（切削装置）や、被加工物１１にレーザービームを照射するレーザー照射ユニットを備えた加工装置（レーザー加工装置）等が用いられる。
【００２０】
また、分割前の被加工物１１に対しては、デバイスチップの薄型化等を目的として研削加工が施される。この研削加工には、被加工物１１を研削するための加工装置（研削装置）が用いられる。以下では、被加工物１１の裏面１１ｂを研削することによって被加工物１１を薄化する例について説明する。
【００２１】
被加工物１１の裏面１１ｂ側を研削する際は、まず、被加工物１１の表面１１ａ側に円形の保護部材（保護テープ）１７を貼付する。保護部材１７は、樹脂等でなり、被加工物１１と概ね同径に形成されている。保護部材１７が被加工物１１の表面１１ａ側に貼付されると、複数のデバイス１５が保護部材１７によって覆われて保護される。なお、被加工物１１の表面１１ａ側を保護する必要がない場合は、保護部材１７の貼付を省略できる。
【００２２】
次に、被加工物１１を研削する加工ユニット（研削ユニット）を備える加工装置（研削装置）を用いて、被加工物１１を加工する。図２（Ａ）は加工装置２を示す一部断面正面図であり、図２（Ｂ）はチャックテーブル４を示す平面図である。なお、図２（Ａ）では、加工装置２の構成要素の一部をブロックで示している。
【００２３】
加工装置２は、被加工物１１を保持するチャックテーブル４を備える。チャックテーブル４は、被加工物１１の形状に対応して平面視で円形に形成されている。ただし、チャックテーブル４の形状は被加工物１１の形状等に応じて適宜変更される。
【００２４】
チャックテーブル４は、例えばセラミックスや樹脂等を用いて形成された枠体（本体部）６を備える。枠体６の上面６ａ側には、平面視で円形の凹部６ｂが形成されている。この凹部６ｂの内部には、チャックテーブル４の中央側に配置された円盤状の第１のポーラス部８と、チャックテーブル４の外周側に配置され第１のポーラス部８を囲繞する環状の第２のポーラス部１０とが設けられている。すなわち、枠体６は第１のポーラス部８と第２のポーラス部１０とを囲繞している。
【００２５】
第１のポーラス部８と第２のポーラス部１０とはそれぞれ、例えばポーラスセラミックス等でなり、上下に連通するポーラス状に形成されている。第１のポーラス部８の上面は、被加工物１１を保持する円形の保持面８ａを構成し、第２のポーラス部１０の上面は、保持面８ａを囲繞し被加工物１１を保持する環状の保持面１０ａを構成する。枠体６の上面６ａ、第１のポーラス部８の保持面８ａ、及び第２のポーラス部１０の保持面１０ａは概ね同一平面上に配置されており、チャックテーブル４の上面を構成する。
【００２６】
なお、第１のポーラス部８及び第２のポーラス部１０の形状は、被加工物１１の形状等に応じて適宜変更される。ただし、第１のポーラス部８は、保持面８ａの全体を被加工物１１によって覆うことが可能な大きさに形成される。例えば第１のポーラス部８は、その直径が被加工物１１の直径よりも小さくなるように形成される。
【００２７】
また、凹部６ｂの内部には、凹部６ｂの底から上方に突出する環状の仕切り部１２が形成されている。仕切り部１２は、第１のポーラス部８と第２のポーラス部１０との間に設けられ、第１のポーラス部８と第２のポーラス部１０とを仕切っている。すなわち、仕切り部１２は、第１のポーラス部８を囲み、且つ、第２のポーラス部１０によって囲まれるように配置されている。なお、図２（Ａ）では仕切り部１２が枠体６と一体化されているが、仕切り部１２は枠体６と別途形成された後、凹部６ｂの内部に固定されてもよい。
【００２８】
第１のポーラス部８の保持面８ａは、枠体６の内部に形成された吸引路（不図示）を介してバルブ１４と接続されている。また、第２のポーラス部１０の保持面１０ａは、枠体６の内部に形成された吸引路（不図示）を介してバルブ１６と接続されている。バルブ１４とバルブ１６とはそれぞれ、バルブ１８を介してエジェクタ等でなる吸引源２０と接続され、バルブ２２ａ，２２ｂを介して流体を供給する流体供給源２４と接続されている。
【００２９】
流体供給源２４は、バルブ２２ａと接続され水を供給する水供給源２４ａと、バルブ２２ｂと接続されエアーを供給するエアー供給源２４ｂとを備える。バルブ２２ａ，２２ｂを開くと、水供給源２４ａから供給された水とエアー供給源２４ｂから供給されたエアーとが混合され、水とエアーとを含む混合流体が生成される。
【００３０】
また、チャックテーブル４はモータ等の回転駆動源（不図示）と接続されており、この回転駆動源はチャックテーブル４を鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転させる。さらに、チャックテーブル４の下方には移動機構（不図示）が設けられており、この移動機構はチャックテーブル４を水平方向に移動させる。
【００３１】
チャックテーブル４の上方には、被加工物１１に対して研削加工を施す加工ユニット（研削ユニット）３０が配置されている。加工ユニット３０は、昇降機構（不図示）によって支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングにはスピンドル３２が収容されており、スピンドルハウジングから露出したスピンドル３２の下端部に円盤状のマウント３４が固定されている。
【００３２】
マウント３４の下面側には、マウント３４と概ね同径の研削ホイール３６が装着される。研削ホイール３６は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成された円環状のホイール基台３８を備える。また、ホイール基台３８の下面側には、直方体状に形成された複数の研削砥石４０がホイール基台３８の外周に沿って配列されている。
【００３３】
スピンドル３２の上端側（基端側）にはモータ等の回転駆動源（不図示）が接続されており、研削ホイール３６はこの回転駆動源で発生する力によって鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、加工ユニット３０の内部又は近傍には、チャックテーブル４によって保持された被加工物１１及び研削砥石４０に純水等の加工液（研削液）を供給するためのノズル（不図示）が設けられている。
【００３４】
被加工物１１を研削する際は、まず、被加工物１１をチャックテーブル４によって吸引保持する（保持ステップ）。保持ステップでは、被加工物１１の表面１１ａ側（保護部材１７）とチャックテーブル４の上面とが対向するように、被加工物１１をチャックテーブル４上に配置する。
【００３５】
なお、被加工物１１は、第１のポーラス部８の保持面８ａの全体が被加工物１１の表面１１ａ側によって覆われるように配置される。具体的には、被加工物１１の表面１１ａ側に形成された保護部材１７が、第１のポーラス部８の保持面８ａの全体と接触する。
【００３６】
また、第２のポーラス部１０の保持面１０ａも、被加工物１１の表面１１ａ側によって覆われる。ただし、被加工物１１の大きさや形状等によっては、第２のポーラス部１０の保持面１０ａの一部が保護部材１７と接触しない場合がある。
【００３７】
例えば図２（Ａ）に示すように、被加工物１１の直径が第２のポーラス部１０の直径よりも僅かに小さい場合、第２のポーラス部１０の保持面１０ａの一部が露出した状態となる。また、被加工物１１の直径が第２のポーラス部１０の直径以上であっても、例えば被加工物１１の側面が曲面状に形成されていることにより、被加工物１１と第２のポーラス部１０との間に隙間が生じる場合がある。
【００３８】
被加工物１１をチャックテーブル４上に配置した状態で、バルブ１４、バルブ１６、及びバルブ１８を開き、バルブ２２ａ，２２ｂを閉じる。これにより、第１のポーラス部８の保持面８ａと、第２のポーラス部１０の保持面１０ａとに吸引源２０の負圧が作用し、被加工物１１がチャックテーブル４によって吸引保持される。
【００３９】
なお、第１のポーラス部８と第２のポーラス部１０との間には仕切り部１２が設けられており、第１のポーラス部８と第２のポーラス部１０との間での流体の流動は仕切り部１２によって遮断される。そのため、第１のポーラス部８での被加工物１１の吸引と第２のポーラス部１０での被加工物１１を吸引とは、それぞれ独立に制御できる。
【００４０】
図２（Ａ）に示すように、第２のポーラス部１０の保持面１０ａの一部が露出している場合、この露出した領域から吸引源２０の負圧がリークすることがある。ただし、露出した領域が僅かであればリークも小さく、第２のポーラス部１０による被加工物１１の保持に支障は生じない。
【００４１】
次に、チャックテーブル４によって保持された被加工物１１を加工ユニット３０によって加工する（加工ステップ）。本実施形態では、加工ユニット３０によって被加工物１１の裏面１１ｂ側に研削加工を施す。図３（Ａ）は加工ステップでの加工装置２を示す一部断面正面図であり、図３（Ｂ）は加工ステップでの被加工物１１及びチャックテーブル４を拡大して示す断面図である。
【００４２】
加工ステップでは、まず、被加工物１１を保持したチャックテーブル４を加工ユニット３０の下方に移動させる。そして、チャックテーブル４と研削ホイール３６とをそれぞれ回転させて、加工液を被加工物１１の裏面１１ｂ側に向かって供給しながらスピンドル３２を下降させる。このときのスピンドル３２の下降速度は、研削砥石４０が適切な力で被加工物１１の裏面１１ｂ側に押し当てられるように調整される。
【００４３】
研削砥石４０が被加工物１１の裏面１１ｂ側に接触すると、被加工物１１が研削されて薄化される。そして、被加工物１１が所望の厚さになると、被加工物１１の研削加工が完了する。
【００４４】
なお、加工ユニット３０によって被加工物１１を加工すると、チャックテーブル４上で加工屑が発生する。この加工屑は加工液によって洗い流されるが、その一部がチャックテーブル４の外周側に位置する第２のポーラス部１０に吸引されることがある。例えば、図３（Ｂ）に示すように第２のポーラス部１０の保持面１０ａの一部が露出していると、この露出した領域で加工屑５０が吸引され、第２のポーラス部１０の内部に加工屑５０が蓄積される。
【００４５】
次に、チャックテーブル４から被加工物１１を取り外す（取り外しステップ）。図４（Ａ）は取り外しステップでの加工装置２を示す断面図であり、図４（Ｂ）は取り外しステップでの被加工物１１及びチャックテーブル４を拡大して示す断面図である。
【００４６】
チャックテーブル４から被加工物１１を取り外す際は、バルブ１４及びバルブ２２ａ，２２ｂを開き、バルブ１６及びバルブ１８を閉じる。これにより、保持面８ａ及び保持面１０ａに作用していた負圧が解除され、チャックテーブル４による被加工物１１の吸引が解除される。また、水供給源２４ａから供給された水とエアー供給源２４ｂから供給されたエアーとが混合されて流体５２が生成され、第１のポーラス部８に供給される。そして、流体５２は第１のポーラス部８の保持面８ａから上方に向かって噴出する。
【００４７】
なお、第１のポーラス部８と第２のポーラス部１０との間での流体５２の流動は、仕切り部１２によって遮断される。そのため、第１のポーラス部８への流体５２の供給と、第２のポーラス部１０への流体５２の供給とは、それぞれ独立に制御できる。
【００４８】
被加工物１１を取り外す際に第１のポーラス部８に流体５２を供給すると、第１のポーラス部８の内部の真空が解除されるとともに、保持面８ａから噴出した流体５２が被加工物１１の表面１１ａ側（保護部材１７）に吹き付けられる。これにより、被加工物１１の取り外しがアシストされ、被加工物１１をチャックテーブル４上から容易に取り外すことが可能となる。
【００４９】
なお、流体５２が水を含む場合、流体供給源２４から供給された流体５２が第１のポーラス部８の内部で水平方向に広がりやすく、保持面８ａの全体から流体５２が噴出しやすくなる。これにより、被加工物１１の表面１１ａ側の広範囲にわたって流体５２が作用し、被加工物１１が取り外しやすくなる。また、流体５２が水に加えてエアーも含む場合、第１のポーラス部８の保持面８ａと保護部材１７との間に入り込んだ水の表面張力がエアーによって緩和される。これにより、被加工物１１の取り外しがさらに容易になる。
【００５０】
よって、流体５２としては、水とエアーとを含む流体を用いることが特に好ましい。ただし、被加工物１１の取り外しのアシストが可能であれば、流体５２の成分に制限はない。また、流体供給源２４の構成は、流体５２の成分に応じて適宜変更される。
【００５１】
ここで、仮に被加工物１１を取り外す際に第２のポーラス部１０からも流体５２を噴出させると、加工ステップで第２のポーラス部１０に吸引された加工屑５０（図４（Ｂ）参照）が、流体５２とともに被加工物１１に向かって噴出する。そして、加工屑５０は被加工物１１の表面１１ａ側（保護部材１７）に付着するとともに、被加工物１１の側面を伝って裏面１１ｂ側にも付着する。この加工屑５０は被加工物１１に強固に固着するため、その後に被加工物１１に対して洗浄処理を施しても完全には除去されないことが多い。
【００５２】
一方、本実施形態に係る加工方法では、取り外しステップを実施する際にバルブ１６が閉じられており、第２のポーラス部１０からは流体５２が噴出しない。そのため、第２のポーラス部１０の内部に蓄積した加工屑５０が被加工物１１に向かって噴出されず、被加工物１１への加工屑５０の付着が抑制される。
【００５３】
ただし、第２のポーラス部１０の内部に大量の加工屑５０が蓄積すると、被加工物１１をチャックテーブル４によって保持する際、第２のポーラス部１０による被加工物１１の吸引が弱まる恐れがある。そのため、取り外しステップを実施した後に、第２のポーラス部１０に吸引された加工屑５０を噴出させることが好ましい（噴出ステップ）。
【００５４】
具体的には、被加工物１１をチャックテーブル４上から取り外した後、バルブ１６を開き、第２のポーラス部１０に流体５２を供給する。これにより、第２のポーラス部１０に吸引された加工屑５０が、流体５２とともに第２のポーラス部１０の保持面１０ａから噴出され、加工屑５０が第２のポーラス部１０の内部から排出される。このように、噴出ステップを実施することにより、加工屑５０が第２のポーラス部１０の内部に蓄積して被加工物１１の吸引が妨げられることを防止できる。
【００５５】
以上の通り、本実施形態に係る被加工物の加工方法では、第１のポーラス部８の保持面８ａ及び第２のポーラス部１０の保持面１０ａに負圧を作用させて被加工物１１を吸引保持した状態で、被加工物１１を加工ユニット３０によって加工する。その後、第１のポーラス部８から流体５２を噴出させ、且つ、第２のポーラス部１０から流体５２を噴出させずに、チャックテーブル４から被加工物１１を取り外す。
【００５６】
上記の被加工物の加工方法を用いると、被加工物１１をチャックテーブル４上から取り外す際、第２のポーラス部１０に吸引された加工屑５０が被加工物１１に向かって噴出されない。これにより、被加工物１１への加工屑５０の付着が抑制される。
【００５７】
なお、上記では、加工装置２が加工ユニット３０によって被加工物１１を研削する研削装置である場合について説明したが、加工装置２は研削装置に限られない。すなわち、本実施形態に係る被加工物の加工方法は、加工屑が発生し得る他の様々な加工にも適用することができる。
【００５８】
例えば加工装置２は、加工ユニット３０に代えて、被加工物１１を切削するための切削ブレードが装着される加工ユニット（切削ユニット）、被加工物１１を研磨するための研磨パッドが装着される加工ユニット（研磨ユニット）、又はレーザービームの照射によって被加工物１１を加工する加工ユニット（レーザー照射ユニット）を備えていてもよい。この場合、加工装置２はそれぞれ、切削装置、研磨装置、レーザー加工装置として機能する。
【００５９】
切削装置、研磨装置、又はレーザー加工装置を用いて被加工物１１を加工する場合にも、加工屑が発生することがある。しかしながら、本実施形態に係る被加工物の加工方法を適用することにより、被加工物１１への加工屑の付着を抑制できる。
【００６０】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６１】
１１  被加工物
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１３  分割予定ライン（ストリート）
１５  デバイス
１７  保護部材（保護テープ）
２  加工装置
４  チャックテーブル
６  枠体（本体部）
６ａ  上面
６ｂ  凹部
８  第１のポーラス部
８ａ  保持面
１０  第２のポーラス部
１０ａ  保持面
１２  仕切り部
１４  バルブ
１６  バルブ
１８  バルブ
２０  吸引源
２２ａ，２２ｂ  バルブ
２４  流体供給源
２４ａ  水供給源
２４ｂ  エアー供給源
３０  加工ユニット（研削ユニット）
３２  スピンドル
３４  マウント
３６  研削ホイール
３８  ホイール基台
４０  研削砥石
５０  加工屑
５２  流体
【図１】
2020093330.tif 000003
【図２】
2020093330.tif 000004
【図３】
2020093330.tif 000005
【図４】
2020093330.tif 000006