(57)【要約】      （修正有）【課題】光ファイバと光回路基板との軸ずれの少ない実装を容易に行う。【解決手段】通信用の光ファイバ１００が接続される光通信装置１０ａであって、光ファイバ１００に対して信号光を入出力する入出力部と入出力部に対して信号光を送受信する送受信部とを備える光回路基板５と、送受信部を制御する制御回路が組み込まれた電気回路基板２と、光ファイバ１００の位置を固定するベース基材１７とで構成され、光回路基板５とベース基材１７とは、光ファイバ１００の光軸に平行な第１接合層及び第２接合層を介して配設され、第１接合層及び第２接合層は、重畳領域を有して対向する２つの金属パターンを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信用の光ファイバが接続される光通信装置であって、
前記光ファイバに対して信号光を入出力する入出力部と該入出力部に対して信号光を送受信する送受信部とを備える光回路基板と、
前記光ファイバの位置を固定するベース基材とで構成され、
前記光回路基板と前記ベース基材とは、前記光ファイバの光軸に平行な複数の接合層を介して配設され、
前記複数の接合層は、重畳領域を有して対向する２つの金属パターンを備え、
隣接する２つの接合層の金属パターンの内側形状は、前記対向する２つの金属パターンで一致する
ことを特徴とする光通信装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光通信装置であって、
前記隣接する接合層の間隔は、前記光軸の方向に一定である
ことを特徴とする光通信装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の光通信装置であって、
前記複数の接合層は、対向する前記金属パターンの間に組成比連続領域が形成されている
ことを特徴とする光通信装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光通信装置であって、
前記ベース基材に接合する金属パターンは、前記組成比連続領域に連続する部材を溜め込む半田溜が形成されている
ことを特徴とする光通信装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の光通信装置であって、
前記光ファイバと前記入出力部とを光学結合させる光結合素子をさらに備え、
ベース基材は、前記光ファイバを保持するレセプタクルと、前記光結合素子を保持するレンズアダプタと、前記金属パターンを接合するベース部材との連結により構成されている
ことを特徴とする光通信装置。
【請求項６】
請求項５に記載の光通信装置であって、
前記入出力部と前記光ファイバ及び前記光結合素子とが光学結合されるように配置される
ことを特徴とする光通信装置。
【請求項７】
通信用の光ファイバの位置を固定するベース基材に、該光ファイバの信号光を入出力する入出力部を有する光回路基板を搭載する光回路基板搭載方法であって、
前記光回路基板の裏面に、前記光ファイバの光軸に平行な複数の第１金属パターンを形成すると共に、前記ベース基材の上面に前記光軸に平行な複数の第２金属パターンを形成する第１工程と、
前記第１金属パターンと、前記第２金属パターンとを重畳領域を有して対向させる第２工程と、
前記対向したベース基材及び光回路基板を加熱し、前記第１金属パターン及び前記第２金属パターンを溶融する第３工程と、
前記加熱されたベース基材及び光回路基板を冷却する第４工程とを有し、
前記複数の第１金属パターンの内、何れか隣接する金属パターンの形状と、対応する前記第２金属パターンの形状とが一致する
ことを特徴とする光回路基板搭載方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信装置、及び光回路基板搭載方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信用モジュールは、シリコンフォトニクス技術を用いて作製されたＩＣチップ（以下、ＳｉＰチップという。）を用いることが多い。このような光通信用モジュールは、例えば、ＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing）のような多波長を扱うＳＦＰ＋（Small Form-Factor Pluggable Plus）以下程度の小型の装置に使用される。
【０００３】
一般に、光通信用モジュールは、ＴＯＳＡ（Transmitter Optical SubAssembly）、ＲＯＳＡ（Receiver Optical SubAssembly）やＢＯＳＡ（Bi-directional Optical SubAssembly）と呼ばれる光学モジュールを基板に三次元実装するのが一般的である。例えば、特許文献１には、光送受信モジュールと送受信回路とをＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板で接続した光トランシーバが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１７２０３７号公報（図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の光送受信モジュールは、比較的大きなものである。これに対して、ＳｉＰ（Silicon Photonics）チップは、光学部品をモノリシックに作り込んだものであり、非常に小型である。したがって、特許文献１の技術にＳｉＰチップを適用することが考えられる。しかしながら、光軸が光ファイバの同軸中心で固定されるため、ＳｉＰチップ（光回路基板）の位置精度、特に、軸ズレ対策が必要であるという問題点があった。
【０００６】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、光ファイバと光回路基板との軸ずれの少ない実装を容易に行うことができる光通信装置、及び光回路基板搭載方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するために、第１発明は、通信用の光ファイバ（１００）が接続される光通信装置（１０ａ，２０ｂ）であって、前記光ファイバに対して信号光を入出力する入出力部（２１ａ，２２）と該入出力部に対して信号光を送受信する送受信部（２３，４３）とを備える光回路基板（５）と、前記光ファイバの位置を固定するベース基材（１７）とで構成され、前記光回路基板と前記ベース基材とは、前記光ファイバの光軸に平行な複数の接合層（１５ａ，１５ｂ）を介して配設され、前記複数の接合層は、重畳領域を有して対向する２つの金属パターン（１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ）を備え、隣接する２つの接合層の金属パターン（１１ａ，１１ｂ）の内側形状（１１ｃ，１１ｄ）は、前記対向する２つの金属パターンで一致することを特徴とする。なお、括弧内の符号や文字は、実施形態において付した符号等であって、本発明を限定するものではない。
【０００８】
また、第２発明は、通信用の光ファイバ（１００）の位置を固定するベース基材（３，１７）に、該光ファイバの信号光を入出力する入出力部を有する光回路基板（５）を搭載する光回路基板搭載方法であって、
前記光回路基板の裏面に、前記光ファイバの光軸に平行な複数の第１金属パターンを形成すると共に、前記ベース基材の上面に前記光軸に平行な複数の第２金属パターンを形成する第１工程（ＳＰ１）と、前記第１金属パターンと、前記第２金属パターンとを重畳領域を有して対向させる第２工程（ＳＰ２）と、前記対向したベース基材及び光回路基板を加熱し、前記第１金属パターン及び前記第２金属パターンを溶融する第３工程（ＳＰ３）と、前記加熱されたベース基材及び光回路基板を冷却する第４工程（ＳＰ４）とを有し、前記複数の第１金属パターンの内、何れか隣接する金属パターンの形状と、対応する前記第２金属パターンの形状とが一致することを特徴とする。なお、括弧内の符号や文字は、実施形態において付した符号等であって、本発明を限定するものではない。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、光ファイバと光回路基板との軸ずれの少ない実装を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態である光通信装置の内部構造を示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態である光通信装置の内部構造を示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態である光通信装置の内部モジュールの斜視図である。
【図４】本発明の第１実施形態である光通信装置の内部モジュールを分解した分解図である。
【図５】本発明の第１実施形態である光通信装置で使用される光回路基板の表面を示す図である。
【図６】本発明の第１実施形態である光通信装置で使用される光回路基板の裏面を示す図である。
【図７】本発明の第１実施形態である光通信装置で使用されるベース部材の平面図である。
【図８】光回路基板をベース基材に搭載する搭載方法を示す図である。
【図９】本発明の第２実施形態である光通信装置で使用されるベース部材の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態（以下、「実施形態」と称する）につき詳細に説明する。なお、各図は、本発明を十分に理解できる程度に、概略的に示してあるに過ぎない。また、各図において、共通する構成要素や同様な構成要素については、同一の符号を付し、それらの重複する説明を省略する。
【００１２】
（第１実施形態）
（構成の説明）
図１は、本発明の第１実施形態である光通信装置の内部構造を示す平面図であり、図２は、本発明の第１実施形態である光通信装置の内部構造を示す断面図である。
光通信装置１０ａは、通信用の光ファイバ１００を接続するものであり、筐体１の内部に、内部モジュール２０ａを内包する。つまり、光通信装置１０ａは、筐体１と、レセプタクル保持部６と、内部モジュール２０ａと、台座４，１６とを備えて構成される。台座４，１６は、筐体１に取り付けられており、内部モジュール２０ａを支持する。
【００１３】
図３は、本発明の第１実施形態である光通信装置の内部モジュールの斜視図であり、図４は、内部モジュールを分解した分解図である。
内部モジュール２０ａは、電気回路基板２と、ベース部材３と、光回路基板としてのＳｉＰチップ５と、レセプタクル７と、レンズアダプタ９と、光結合素子としてのレンズ８とを備える光通信装置である。ここで、ベース部材３とレセプタクル７とレンズアダプタ９とでベース基材１７を構成する。なお、光ファイバ１００（図１）は、ピグテイル型（同軸型）のもので構わない。
【００１４】
電気回路基板２は、ＳｉＰチップ５とワイヤで接続されるＰＣＢ（Print Circuit Board）である。電気回路基板２は、ＳｉＰチップ５が出力する電気信号の位相を検出してシリアルデジタル信号に変換したり、外部から入力したシリアルデジタル信号をＳｉＰチップ５に出力したりする回路を有している。電気回路基板２は、光ファイバ１００やレンズ８の光軸に平行な縦方向に長く、幅方向に短い略矩形状である。電気回路基板２は、レンズアダプタ９の側に凹部２ａが形成されている。電気回路基板２は、外部装置に接続される端子２ｂが設けられている。
【００１５】
レセプタクル７は、光ファイバ１００のプラグが差し込まれる回転体状の金属部材である。レセプタクル７は、円筒部材７ａの両側面に外径が異なる円筒部材７ｂ，７ｃが同軸状に延在したものである。レンズアダプタ９は、レンズ８が組み込まれている円筒状の金属部材である。レンズ８は、ＳｉＰチップ５の入出力部と光ファイバ１００の入出力端とを空間的に光学結合させるものである。
【００１６】
レンズアダプタ９は、本体部９ａの両側面に円柱状の凹部９ｂ，９ｃが同軸状に形成されている。円筒部材７ｂは、光ファイバ１００のプラグが差し込まれる。円筒部材７ｃは、レンズアダプタ９の凹部９ｃに挿通又は嵌合し、端面７ｄがレンズアダプタ９の凹部端面９ｄと当接する。
【００１７】
ベース部材３は、半田付けによってＳｉＰチップ５を搭載し、電気回路基板２の一部を支持する金属部材である。ベース部材３は、略半円柱状の金属部材であり、レンズアダプタ９の凹部９ｂに挿通又は嵌合する凸部３ｂが形成されている。また、ベース部材３は、上面３ａに半田付けを行うための金属パターン１２ａ，１２ｂ（図６）が形成されている。
【００１８】
ベース部材３の凸部３ｂは、レンズアダプタ９の凹部９ｂに挿通又は嵌合する。また、レセプタクル７の円筒部材７ｃは、レンズアダプタ９の凹部９ｃに挿通又は嵌合する。また、レセプタクル７は、光ファイバ１００のプラグが差し込まれ、レンズアダプタ９は、レンズ８が組み込まれている。また、ベース基材１７は、ベース部材３とレンズアダプタ９とレセプタクル７とで連結されている。このため、ベース部材３又はベース基材１７は、光ファイバ１００及びレンズ８の位置を固定している。
【００１９】
ＳｉＰチップ５は、光ファイバ１００が入出力する光信号を送受信する入出力部、及び送受信部が形成された光回路基板である。ＳｉＰチップ５は、後記する光回路基板搭載方法で、ベース部材３の上面３ａであって、電気回路基板２の凹部２ａに配設される。
【００２０】
図５は、本発明の第１実施形態である光通信装置で使用される光回路基板の表面を示す図である。
光回路基板としてのＳｉＰチップ５は、例えば、一芯双方向通信モジュールの光回路であり、入出力部としてのスポットサイズ変換器２１ａ，２１ｂ及び波長合分波器２２と、送受信部としてのフォトダイオード２３及びレーザダイオード４３と、レーザダイオード４３を駆動制御する駆動制御回路４４と、フォトダイオード２３の出力電流を電圧に変換するトランスインピーダンスアンプ４１と、モニタ用フォトダイオード４２と、複数の電極パッド２６，・・・，２６を備え、これらがＳｉ基板（不図示）の表面に形成されたものである。
【００２１】
スポットサイズ変換器２１ａは、レンズ８（図１，２，３）とシリコン細線導波路２４との間を結合するものである。入出力部としてのスポットサイズ変換器２１ａの光軸は、光ファイバ１００及びレンズ８の光軸と一致している。なお、シリコン細線導波路２４は、コア材をシリコンとし、クラッド材を石英とする光導波路であり、石英光導波路に比べて光の経路を鋭く曲げることができる。
【００２２】
波長合分波器２２は、シリコン細線導波路２４により構成され、波長分割フィルタとして使用される。波長合分波器２２は、スポットサイズ変換器２１ａに入射したレーザ光をフォトダイオード２３に導く。また、波長合分波器２２は、スポットサイズ変換器２１ｂに入射したレーザ光をスポットサイズ変換器２１ａに導く。つまり、スポットサイズ変換器２１ａ及び波長合分波器２２は、信号光を入出力する入出力部として機能する。
【００２３】
レーザダイオード４３は、スポットサイズ変換器２１ｂにレーザ光（信号光）を照射する送信部である。トランスインピーダンスアンプ４１は、フォトダイオード２３が出力する電流信号を電圧信号に変換する。モニタ用フォトダイオード４２は、レーザダイオード４３の発光強度をモニタする。電極パッド２６，・・・，２６は、電気回路基板２と接続するためのパッドである。
【００２４】
ところで、ＳｉＰチップ５は、１本の光ファイバ１００で、双方向通信を行うため、フォトダイオード２３が入射する光の波長と、光ファイバ１００の他端に設けられているレーザダイオードが発光した光の波長とは、異なるように設定されている。
【００２５】
図６は、本発明の第１実施形態である光通信装置で使用される光回路基板の裏面を示す図であり、図７は、本発明の第１実施形態である光通信装置で使用されるベース部材の平面図である。
光回路基板としてのＳｉＰチップ５の裏面には、光軸に平行に２本の金属パターン１１ａ，１１ｂが形成されている。また、ベース部材３の上面３ａにも光軸に平行に金属パターン１２ａ，１２ｂが形成されている。金属パターン１１ａ，１１ｂ及び金属パターン１２ａ，１２ｂは、矩形状であり、光軸方向に平行に長く形成されている。なお、金属パターン１１ａ，１１ｂは、例えば、蒸着による金メッキであり、金属パターン１２ａ，１２ｂは、蒸着による金錫メッキである。また、金錫メッキの組成比は、例えば、Ａｕ７９：Ｓｎ２１が好ましい。金メッキは、通常、数μｍの厚さで形成されるので問題無いが、蒸着の場合は可能な限り厚く（０．８μｍ程度）形成するのがよい。なお、金属パターン１１ａ，１１ｂを蒸着による金錫メッキとし、金属パターン１２ａ，１２ｂを蒸着による金メッキとしても構わない。
【００２６】
金属パターン１１ａと金属パターン１１ｂとの間隔はａであり、金属パターン１２ａの間隔もａである。つまり、金属パターン１１ａと金属パターン１２ｂとの間隔は等しくされている。また、金属パターン１１ａ及び金属パターン１１ｂの幅はｃであり、金属パターン１２ａ及び金属パターン１２ｂの幅はｂである。つまり、金属パターン１１ａ及び金属パターン１１ｂの幅ｃと金属パターン１２ａ及び金属パターン１２ｂの幅ｂとは、同一であってもよく、異なっていてもよい。言い換えれば、金属パターン１１ａと金属パターン１２ａとが光軸に平行に重畳し、金属パターン１１ｂと金属パターン１２ｂとが光軸に平行に重畳すれば構わない。
【００２７】
金属パターン１１ａ及び金属パターン１１ｂの長さＬ１は、ＳｉＰチップ５の光軸方向の長さと同程度である。また、Ｌ１＞＞ａが好ましい。金属パターン１２ａ及び金属パターン１２ｂの長さＬ２は、金属パターン１１ａ及び金属パターン１１ｂの長さＬ１に等しいか、長さＬ１よりも長くする。
【００２８】
また、金属パターン１１ａと金属パターン１１ｂとの内側の形状（１１ｃ，１１ｄ）と、金属パターン１２ａと金属パターン１２ｂとの内側の形状（１２ｃ，１２ｄ）とは、直線でなくても、互いに一致していれば構わない。言い換えれば、金属パターン１１ａと金属パターン１１ｂとの間隔と、金属パターン１２ａと金属パターン１２ｂとの間隔が互いに一致していれば構わない。また、金属パターン１１ａと金属パターン１１ｂとの内側の形状（１１ｃ，１１ｄ）と、金属パターン１２ａと金属パターン１２ｂとの内側の形状（１２ｃ，１２ｄ）との間隔が光軸方向に一定（ａ）であることが好ましい。
【００２９】
（光回路基板搭載方法）
図８は、光回路基板をベース基材に搭載する搭載方法を示す図である。
本実施形態では、光回路基板としてのＳｉＰチップ５を、ベース基材１７の一部であるベース部材３に搭載する搭載方法に特徴があるので、以下、光回路基板搭載方法について説明する。
製造者は、まず、ＳｉＰチップ５の裏面に金錫の、金属パターン（第１金属パターン）１１ａ，１１ｂを蒸着すると共に、ベース部材３の上面３ａに金の金属パターン（第２金属パターン）１２ａ，１２ｂを蒸着する（ＳＰ１）。この蒸着位置は、ＳｉＰチップ５が電気回路基板２の凹部２ａに配置される位置とする。ＳＰ１の後、製造者は、ベース部材３の金属パターン１２ａ，１２ｂと、ＳｉＰチップ５の金属パターン１１ａ，１１ｂとを対向して重ね合わせる（ＳＰ２）。なお、金属パターン１２ａ，１２ｂと金属パターン１１ａ，１１ｂとは、若干、位置ズレていたり、傾斜したりしていても構わない。
【００３０】
ＳＰ２の後、製造者は、ベース部材３及びＳｉＰチップ５をリフローで加熱する（ＳＰ３）。このとき、加熱温度は、例えば、２８０℃であり、リフロー雰囲気は、例えば、窒素水素（４％未満でできるだけ高めがよい）を用いる。これにより、酸化が防止される。なお、コレット等を用いて、ＳｉＰチップ５をベース部材３の上面３ａに押し付けたりしない。
【００３１】
これにより、金属パターン１２ａ，１２ｂと金属パターン１１ａ，１１ｂとの界面で共晶半田が形成される。つまり、組成比Ａｕ７９：Ｓｎ２１の金属パターン１２ａ，１２ｂの溶融物に金属パターン１１ａ，１１ｂの金が加わり、理想的なＡｕ８０：Ｓｎ２０の濡れ性の良い共晶半田が形成される。この共晶半田は、ＡｕとＳｎとの組成比が上下方向に連続的に変化している領域なので、組成比連続領域１４ａ，１４ｂと呼ぶ。
【００３２】
ＳｉＰチップ５は、溶融状態の共晶半田（組成比連続領域１４ａ，１４ｂ）の表面張力と自重とによるセルフアライメント効果で、ベース部材３の金属パターン１２ａ，１２ｂの位置とＳｉＰチップ５の金属パターン１１ａ，１１ｂの位置とが一致するように移動する。
【００３３】
ＳＰ３において、金属パターン１２ａ，１２ｂの位置と金属パターン１１ａ，１１ｂの位置とが一致した後、ベース部材３及びＳｉＰチップ５が冷却される（ＳＰ４）。つまり、溶融状態の組成比連続領域１４ａ，１４ｂが冷却され、固体状態の組成比連続領域１４ｃ，１４ｄが形成される。ここで、金属パターン１１ａと組成比連続領域１４ｃと金属パターン１２ａとで、接合層１５ａと呼び、金属パターン１１ｂと組成比連続領域１４ｄと金属パターン１２ｂとで、接合層１５ｂと呼ぶものとする。
【００３４】
前記したように、内部モジュール２０ａは、ベース部材３が光ファイバ１００及びレンズ８の位置を固定している。また、金属パターン１１ａ，１１ｂの長さＬ１と、金属パターン１１ａと金属パターン１１ｂとの間隔ａとの関係がＬ１＞＞ａにされている。このため、内部モジュール２０ａを作製したときにおいて、ＳｉＰチップ５は、光ファイバ１００及びレンズ８の光軸に対して平行かつ軸線上に自動的に調整されていることになる。
【００３５】
（効果の説明）
以上説明したように、第1実施形態の光通信装置１０ａは、内部モジュール２０ａを構成要素とする。この内部モジュール２０ａは、ベース３の上面３ａに間隔ａの２本の金属パターン１１ａ，１１ｂが形成され、ＳｉＰチップ５の上面３ａに間隔ａの２本のＡｕＳｎの金属パターン１２ａ，１２ｂが形成されている。なお、金属パターン１１ａ，１１ｂは、Ａｕであり、金属パターン１２ａ，１２ｂは、組成比Ａｕ７９：Ｓｎ２１の合金である。
【００３６】
金属パターン１１ａ，１１ｂと金属パターン１２ａ，１２ｂとを重ね合わせた状態で、ベース部材３及びＳｉＰチップ５をリフロー炉で加熱すると、溶融状態の共晶半田（組成比連続領域１４ａ，１４ｂ）が形成される。このとき、金属パターン１２ａ，１２ｂと金属パターン１１ａ，１１ｂとが若干、位置ズレや傾斜があっても、セルフアライメント効果で位置が修正される。
【００３７】
一方、ベース部材３は、光ファイバ１００及びレンズ８の位置を固定している。また、金属パターン１１ａ，１１ｂは、長さＬ１の方が間隔ａよりも非常に長く（Ｌ１＞＞ａ）形成されている。このため、内部モジュール２０ａは、ＳｉＰチップ５の位置が光ファイバ１００及びレンズ８の光軸に対して平行かつ軸線上に配設されたものになる。これにより、ＳｉＰチップ５実装時の調整が不要になり、実装の簡素化や時短の効果も得られる。
【００３８】
なお、表面実装型のレンズアダプタは、比較的大きいので、光軸調整後、ＹＡＧレーザ発振器を用いた溶接固定が必要となる。このため、ある程度の周辺領域と、溶接固定に耐えうる素材を用いなければならない。一方、本実施形態の内部モジュール２０ａでは、レセプタクル７とベース部材３に搭載されたＳｉＰチップ５とをレンズアダプタ９を介して連結している。これにより、内部モジュール２０ａは、小型化及び実装の簡素化が図られている。
【００３９】
（第２実施形態）
図９は、本発明の第２実施形態である光通信装置で使用されるベース部材の平面図である。
前記第１実施形態の内部モジュール２０ａでは、矩形状の金属パターン１２ａ，１２ｂをベース部材３の上面３ａに形成した。本実施形態では、第１実施形態の金属パターン１２ａ，１２ｂと同様の矩形状金属パターンに、複数の楕円形状の半田溜１３ａ，１３ｂを設けた金属パターン１２ｅ，１２ｆを使用する。なお、半田溜１３ａ，１３ｂの形状は、楕円形状や円形でなく、矩形状でも構わない。
【００４０】
第１実施形態では、金錫の蒸着や金めっきを用いて説明したが、一般的には、金錫ペレットを接合部に載置して、金属パターン（この場合、両方金仕上げ）を共晶半田する。この場合、金錫ペレットは、ある程度、大きさや厚みの制限を受ける。そこで、半田溜１３ａ，１３ｂに余分な金錫を流すことにより、適切な金錫厚を確保する。前記第１実施形態に対し、本第２実施形態では、ＳｉＰチップ５の搭載方法の自由度向上を期待することができる。例えば、様々なチップに対応することが可能となる。また、半田溜１３ａ，１３ｂのパターンがＳｉＰチップ５からはみ出て見えるので、ＳｉＰチップ５をベース部材３に載置する目安にすることができる。
【００４１】
（変形例）
本発明は前記した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下のような種々の変形が可能である。
【００４２】
（１）前記各実施形態の金属パターン１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１２ｅ，１２ｆは、光軸方向に平行な矩形状のパターンであったが、光軸方向に垂直なパターンを追加しても構わない。この追加によって、光軸方向に垂直な方向の位置決めだけでなく、光軸方向の位置決めも行うことができる。また、金属パターン１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１２ｅ，１２ｆは、２本だけでなく、３本以上にすることもできる。
【００４３】
（２）前記第１実施形態では、金錫メッキを用い、前記第２実施形態では、金錫ペレットを用いたが、より一般的な錫−鉛の半田ペーストを用いることもできる。
【００４４】
（３）前記各実施形態の金属パターンや接合層は、２本であったが３本以上でも構わない。つまり、隣接する２つの接合層の金属パターンの内側形状（１１ｃ，１１ｄ）は、前記対向する２つの金属パターンで一致すれば構わない。
【符号の説明】
【００４５】
１  筐体
２  電気回路基板
３  ベース部材
５  ＳｉＰチップ（光回路基板）
６  レセプタクル保持部
７  レセプタクル
８  レンズ（光結合素子）
９  レンズアダプタ
１０ａ，１０ｂ  光通信装置
１１ａ，１１ｂ  金属パターン（第１金属パターン）
１２ａ，１２ｂ，１２ｅ，１２ｆ  金属パターン（第２金属パターン）
１３ａ，１３ｂ  半田溜
１４ａ，１４ｂ  組成比連続領域（溶融状態）
１４ｃ，１４ｄ  組成比連続領域（固体状態）
１５ａ，１５ｂ  接合層
１７  ベース基材
２０ａ  内部モジュール（光通信装置）
２１ａ，２１ｂ  スポットサイズ変換器（入出力部）
２４  シリコン細線導波路
１００  光ファイバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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