(57)【要約】【課題】放熱性の優れた構成の回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る回路基板１０は、所定パターンで配置される金属回路部１２と金属回路部１２を接合する樹脂部１４を備えている。金属回路部１２は、半導体素子１６が実装される実装面２０、実装面２０と対向する対向面２２、実装面２０と対向面２２を接続する端面２４を有している。端面２４は、樹脂部１４と接触している。さらに、端面２４は、板厚方向において実装面２０または対向面２２のいずれか一方の主面に近い位置に形成される凸部２６を有している。【選択図】図１
2020136630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装される金属回路板を有する回路基板の製造方法であって、
耐エッチング性を有する保護マスクで前記金属回路板の両主面を被覆するマスキングステップと、
前記保護マスクに対して、所望の回路パターンに対応するパターニング処理を施すことによって、前記保護マスクにおける回路パターンに対応する領域以外を除去し、開口部を形成する第１のパターニングステップと、
前記金属回路板に対してエッチング液を接触させることにより、前記開口部において凹部を形成する第１のエッチングステップと、
前記金属回路板の一方の主面に被覆された前記保護マスクを剥離し、前記保護マスクが剥離された主面に耐エッチング性を有する支持層を形成する支持ステップと、
前記金属回路板をエッチング液に接触させて、前記凹部が前記金属回路板の板厚方向に貫通するようにエッチングする第２のエッチングステップと、
前記保護マスクを前記金属回路板から剥離する剥離ステップと、
を少なくとも含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２のエッチングステップの前に前記保護マスクに対して、前記保護マスクの端部が前記凹部の外縁部よりも平面視外側に位置するようにパターニングを行う第２のパターニングステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属回路板の貫通領域に絶縁性樹脂を充填する充填ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
所定のパターンで配置される金属回路部と、前記金属回路部を接合する絶縁部と、
を備える回路基板であって、
前記金属回路部は、電子部品が実装される実装面および前記実装面と対向する対向面と、前記実装面および前記対向面を接続する端面と、
を有しており、
前記端面は、前記絶縁部と接触しており、かつ、板厚方向において前記実装面または前記対向面のいずれか一方の主面に近い位置に形成される凸部を有していることを特徴とする回路基板。
【請求項５】
所定のパターンで配置される金属回路部と、前記金属回路部を接合する絶縁部と、
を備える回路基板であって、
前記金属回路部は、電子部品が実装される実装面および前記実装面と対向する対向面と、前記実装面および前記対向面を接続する端面と、
を有しており、
前記端面は、前記絶縁部と接触しており、
前記端面と前記実装面または前記対向面の接続部において面取部が形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項６】
前記端面と前記実装面または前記対向面の接続部において面取部が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大電流および高電圧を制御することが可能な半導体装置に用いられる回路基板およびその製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子が実装される回路基板の中でも電力供給のためのパワーモジュール基板は、発熱量が比較的高いため、例えば、ＡｌＮ（窒化アルミ）、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）、Ｓｉ3Ｎ4（窒化ケイ素）等のセラミックス基板が用いられることが多かった。そして、このセラミックス基板の一方または両方の主面に、ロウ材を介して金属回路板を接合する活性金属ロウ付け法が、従来広く採用されてきた。とりわけ、銅回路板は、電気抵抗が少なく電気伝導性に優れ、かつ、安価なことから、注目されてきた。
【０００３】
このようなパワーモジュール基板を製造する際には、ロウ材および金属回路板を所望の形状に加工する作業が行われることがあるが、その作業においてエッチング技術が用いられることがあった。例えば、金属回路板に耐エッチング性のあるレジスト材を所望の形状に塗布した上で、この金属回路板に対してエッチング処理をすることによって、所望の形状を呈する金属回路板が形成されていた。
【０００４】
さらに、従来技術の中には、セラミックス基板の主面に金属回路板が接合された回路基板において、金属回路板は、縦断面形状が台形状の接地導体と、縦断面形状が三角形状でかつ頂部の高さが接地導体の上面よりも低い線路導体とを併設して成る構成を採用するものがあった（例えば、特許文献１参照）。このような構成を採用することにより、線路導体の一部狭ピッチ化、およびそれに伴う小型化を実現でき、安価でかつ小型で、大電流を流す接地導体と小電流を流す線路導体を高密度に混在させること等が可能になるとされていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４４８４６７６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述の構成においても金属回路板はセラミックス基板上に形成されているため、放熱性において問題があった。パワーモジュール基板等の回路基板は、ヒートシンク等の冷却機構とともに配置されるが、セラミックス基板は、金属回路基板よりも熱伝導率が小さいため、冷却機構を用いてもセラミックス基板によって回路基板の放熱性能が低下することがあった。パワーモジュール基板等の発熱量が大きい回路基板は、従来以上に大電力を用いた処理が行われることが予想されており、これまで以上に回路基板に対する放熱性が要求されている。
【０００７】
本発明の目的は、セラミックス基板を使用せずに放熱性を向上させた回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る回路基板の製造方法は、電子部品が実装される金属回路板を有する回路基板に係るものである。回路基板の製造方法は、マスキングステップ、第１のパターニングステップ、第１のエッチングステップ、支持ステップ、第２のエッチングステップおよび剥離ステップを少なくとも含んでいる。マスキングステップは、耐エッチング性を有する保護マスクで金属回路板の両主面を被覆するステップである。なお、保護マスクとしては、レジスト材や保護フィルム等を使用することが可能である。第１のパターニングステップは、保護マスクに対して所望の回路パターンに対応するパターニング処理を施すことによって、保護マスクにおける回路パターンに対応する領域以外を除去し、保護マスクに開口部を形成する工程である。第１のエッチングステップは、金属回路板に対してエッチング液を接触させることにより、開口部において凹部を形成する工程である。支持ステップは、金属回路板の一方の主面に被覆された保護マスクを剥離し、保護マスクが剥離された主面に耐エッチング性を有する支持層を形成する工程である。第２のエッチングステップは、金属回路板にエッチング液を接触させて凹部が金属回路板の板厚方向に貫通するようにエッチングする工程である。剥離ステップは、第２のエッチングステップ後に保護マスクを金属回路板から剥離する工程である。
【０００９】
本発明に係る回路基板に製造方法によると、セラミックス基板を用いることなく金属回路パターンを形成することが可能になる。このような構成を採用することで、回路基板が多層基板となることがないため、ヒートシンク等の冷却機構と金属回路部の間に介在物が存在しない状態で回路基板を配置することが可能になる。このため、回路基板の放熱性が向上し、大電流が印加されたとしても対応することが可能になる。
【００１０】
また、金属回路板の貫通領域に絶縁性樹脂を充填する充填ステップをさらに含むことが好ましい。絶縁性樹脂を充填することにより、セラミックス基板を使用することなく金属回路板が接合される。このため、回路基板の放熱性が向上する。
【００１１】
また、第２のエッチングステップ前に保護マスクに対して、保護マスクの端部が凹部の外縁部よりも平面視外側に位置するようにパターニングを行う第２のパターニングステップをさらに含むことが好ましい。第２のパターニングステップを行った後にエッチング処理を行うことにより、金属回路板の主面と端面との接続部に面取部が形成される。面取部が形成されることにより、貫通領域の体積が大きくなり、スムーズに樹脂を充填することが可能になる。
【００１２】
本発明に係る回路基板は、所定パターンで配置される金属回路部と金属回路部を接合する絶縁部を備えている。金属回路部は、電子部品が実装される実装面、実装面と対向する対向面、実装面と対向面を接続する端面を有している。端面は、絶縁部と接触している。さらに、端面は、板厚方向において実装面または対向面のいずれか一方の主面に近い位置に形成される凸部を有している。
【００１３】
回路基板は、金属回路部の間に絶縁部が設けられる構成にすることにより、セラミックス基板上に回路部を設けた構成よりも放熱性が向上する。さらに、端面に凸部を有することにより絶縁部と金属回路部の密着性が向上する。
【００１４】
また、端面と実装面または対向面の接続部において面取部が形成されていることが好ましい。面取部が形成されることにより、絶縁部を形成する際に、金属回路部の配線パターンが狭い領域においても樹脂部の形成が容易となる。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、放熱性の優れた構成の回路基板を簡易に実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る回路基板およびその使用状態を示す図である。
【図２】回路基板の製造方法の一例を示す図である。
【図３】回路基板をエッチング処理するためのエッチング装置の一例を示す図である。
【図４】回路基板の製造方法の一例を示す図である。
【図５】エッチング処理後の支持フィルムに支持された金属回路部を示す図である。
【図６】本発明の別の実施形態に係る回路基板の製造方法を示す図である。
【図７】回路基板に面取部を形成する方法の一例を示す図である。
【図８】面取部が形成された金属回路部の概略を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
ここから、図面を用いて本発明に係る回路基板の一実施形態を説明する。図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明の一実施形態に係る回路基板１０の概略およびその使用例を示している。回路基板１０は、金属回路部１２および樹脂部１４を備える板状回路基板である。金属回路部１２は、回路パターンに応じて複数の金属回路部１２が離間して設けられており、金属回路部１２の間に樹脂部１４が設けられている。回路基板１０は、図１（Ｃ）に示すように、金属回路部１２に半導体素子１６等の電子部品が実装されるように構成されている。また、回路基板１０を使用する際は、ヒートシンク１８上に載置された状態で使用される。
【００１８】
金属回路部１２は、銅で構成された板状部である。また、金属回路部１２の厚さは、０．５〜４．０ｍｍ程度である。回路基板１０は、複数の金属回路部１２が設けられており、それぞれの形状が異なっている。金属回路部１２は、実装される電子部品や放熱性等の設計に応じて、必要な形状が形成される。
【００１９】
金属回路部１２は、図１（Ｂ）に示すように、実装面２０、対向面２２および端面２４を有している。なお、図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＡ-Ａ断面図である。実装面２０は、図１（Ｃ）に示すように半導体素子１６が実装される主面である。さらに、実装面２０には防錆処理が施されることが好ましい。防錆処理とは、有機溶剤を用いて銅表面に被膜を形成するものであり、銅の変色や酸化を防止するための処理である。対向面２２は、実装面２０と対向する主面であり、本実施形態では、対向面２２がヒートシンク１８に接触するように構成される。
【００２０】
端面２４は、実装面２０および対向面２２を接続する面であり、凸部２６および面取部２８を有している。凸部２６は、端面２４を断面視した際に最も外側に突出した部分である。端面２４は、実装面２０および対向面２２との接続部から凸部２６に向かって外側に傾斜する面を有している。端面２４を構成する傾斜面は、金属回路部１２の内側に向かって凸状に湾曲しており、それぞれの傾斜面は、凸部２６にて接続している。本実施形態では、実装面２０側から延びる傾斜面が対向面２２側から延びる傾斜面よりも長いため、凸部２６が金属回路板１２の板厚方向において、対向面２２に近い位置に形成される。なお、本実施形態では、凸部２６が対向面２２に近い位置に形成されているが、凸部２６は板厚方向において中心部よりも実装面２０に近い位置に設けられていても良い。
【００２１】
面取部２８は、実装面２０と端面２４の接続部に形成された傾斜面である。また、面取部２８は、内側に向かう凸状の湾曲形状を呈している。なお、面取部２８は、全ての端面２４に形成される必要はない。面取部２８が形成されることにより、樹脂部１４を形成する際に、金属回路部１２の隙間に樹脂材を塗布することが容易になる。特に、金属回路部１２が狭ピッチの配線パターンで配置される場合において、樹脂材が金属回路部１２間で詰まるのを防止することが可能になる。
【００２２】
樹脂部１４は、金属回路部１２を周囲に設けられた絶縁部材であり、金属回路部１２を接合するように構成される。樹脂部１４は、端面２４と接触するように設けられており、実装面２０および対向面２２と同一平面となっている。樹脂部１４は、後述するエッチング処理により金属回路部１２を配線パターンに沿って形成した後に、金属回路部１２の間に樹脂材を塗布することによって形成される。また、樹脂部１４は、端面２４が凸部２６および面取部２８を有することにより、金属回路部１２との密着性が向上する。樹脂部１４としては、例えばエキポシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂等の樹脂材を使用することが可能である。
【００２３】
回路基板１０は、金属回路部１２の間に樹脂部１４が設けられており、樹脂部１４によって金属回路部１２が配線パターンに沿って固定されるという構成であるため、セラミックス基板を使用する必要がない。このため、金属回路部１２をヒートシンク１８等の冷却機構に直接載置することが可能になり、回路基板１０の放熱性が向上する。
【００２４】
ここから、図面を用いて回路基板１０の製造方法について説明する。回路基板１０の製造方法は、マスキングステップ、第１のパターニングステップ、第１のエッチングステップ、支持ステップ、第２のエッチングステップ、剥離ステップおよび充填ステップを含む。
【００２５】
マスキングステップは、図２（Ａ）に示すように、金属母材１００の両主面に耐エッチング性を有する保護マスク３０を被覆するステップである。金属母材１００は、金属回路部１２となる銅板である。なお、金属母材１００は、銅板には限定されず、適宜導電性を有する金属部材を使用することができる。
【００２６】
保護マスク３０は、エッチング処理に使用するエッチング液に耐性を有する保護フィルムである。本実施形態において、保護マスク３０として自己粘着型フィルムを使用しているが、接着剤等を使用して金属母材１００に保護フィルムを被覆しても良い。自己粘着性を有するフィルムとして、塩化ビニル樹脂（ＰＶＣ）や、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）や、ポリエチレン樹脂（ＰＥ）等が使用可能である。この実施形態では、アキレス製のアキレスハイタック（軟質塩化ビニル樹脂）を用いている。ただし、保護マスク３０として、スミロン社製のＥ−７５Ｍ（ポリエチレン樹脂）やＶ−３２５（軟質塩化ビニル樹脂）、パナップ製のゲルポリ（ポリオレフィン系樹脂）、龍田化学のＫＴ−Ｖ２９０（ポリエチレン／EVA系樹脂等の自己粘着型耐エッチングフィルムを用いることも可能であり、かつ、ここに列挙しているフィルムに限定されるものではない。また、フィルム以外にも耐エッチング性を有するレジスト材等を使用しても良い。レジスト材は、スリットコータ等の塗布装置を用いて塗布することが可能である。
【００２７】
第１のパターニングステップは、保護マスク３０における回路パターンに対応する領域以外を除去する工程である。パターニング処理の一例としては、レーザを照射することにより保護マスク３０を除去するものが挙げられる。レーザ装置は、パルスレーザを使用することができるが、これには限定されず、金属母材１００に過度にダメージを与えるものでなければ良い。パターニング処理は、ビーム径、出力、波長等を適宜設定して行われる。パターニング処理が行われると、図２（Ｂ）に示すように、保護マスク３０に開口部３２が形成される。開口部３２は、実装面２０および対向面２２にそれぞれ形成される。なお、パターニング処理はレーザ装置を用いたものには限定されない。例えば、フォトリソグラフィを用いたレジスト材のパターニング処理等を適用することも可能である。
【００２８】
第１のエッチングステップは、金属母材１００をエッチング液に接触させることにより、開口部３２が形成された領域をエッチングする工程である。第１のエッチングステップでは、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すエッチング装置５０を用いてエッチング処理が行われる。エッチング装置５０は、搬送ローラ５２で搬送される金属母材１００に対してエッチングチャンバ５４でエッチング液を噴射するように構成される。エッチング装置５０は、複数のエッチングチャンバ５４を有しており、各エッチングチャンバ５４は、搬送方向に沿って連結している。また、エッチング装置５０は、搬送方向においてエッチングチャンバ５４の前段および後段に洗浄部が設けられている。なお、エッチング液としては、塩化第二鉄を主成分とした公知のエッチング液を使用している。
【００２９】
第１のエッチングステップでは、金属母材１００がエッチング装置５０で処理されることによって、開口部３２が形成された領域において凹部３４が形成される。凹部３４は、両主面において、断面視半円状の凹部として形成されるが、エッチング液の組成や噴射圧力等を調整することにより、凹部３４の形状を調整することも可能である。いずれにせよ、第１のエッチングステップでは、開口部３２において金属母材１００の板厚方向において、凹部３４が貫通しないようにエッチング処理を行う必要がある。凹部３４が形成された領域における残し板厚としては、０．０５〜１ｍｍ程度あれば良い。
【００３０】
支持ステップは、第１のエッチングステップの後に、一方の主面に被覆された保護マスク３０を剥離し、保護マスク３０が剥離された主面に支持フィルム３６を貼り付ける工程である。支持フィルム３６は、後述する第２のエッチングステップにおいて、凹部３４が形成された領域が板厚方向に貫通した際に、金属母材１００を支持するように構成される。支持フィルム３６は、金属母材１００の一方の主面の全域に貼り付けられ、第１のエッチングステップにて形成された凹部３４も被覆される。支持フィルム３６は、保護マスク３０と同じものを用いても良いし、保護マスク３０と異なるフィルムを用いても良い。支持フィルム３６の一例としては、半導体用封止テープやダイシングテープ等を使用することができる。なお、支持フィルム３６が耐エッチング性を有していない場合は、保護フィルム等で支持フィルム３６を被覆しても良い。また、フィルム以外にも、シート状支持部材に金属母材１００を貼り付けても良い。支持フィルム３６を貼り付けることにより、凹部３４が板厚方向に貫通した際に、各金属回路部１２が四散することが防止される。
【００３１】
第２のエッチングステップは、支持フィルム３６が貼り付けられた金属母材１００をエッチング液に接触させ、凹部３４を板厚方向において貫通させるようにエッチング処理を行う工程である。第２のエッチングステップも第１のエッチングステップと同様に、エッチング装置５０を用いてエッチング処理が行われる。また、エッチング液も第１のエッチングステップと同じ組成のものを使用することが可能である。
【００３２】
第２のエッチングステップでは、一方の主面側からのみエッチングされるため、板厚方向における中心部よりも支持フィルム３６が貼り付けられた主面に近い位置で凹部３４同士が貫通し、端面２４および凸部２６が形成される（図４（Ａ）参照）。凸部２６は、金属回路部１２の両主面から延びる傾斜面が接続する部分であり、板厚方向の中心部よりも支持フィルム３６が貼り付けられた主面に近い位置に形成される。凹部３４が貫通した直後の端面２４は、凸部２６の突出距離が長いおそれがあるため、図４（Ｂ）に示すように、端面２４が形成された後もエッチング処理を続行し、凸部２６の突出距離を調整しても良い。この場合、凸部２６の先端部が丸みを帯びた形状を呈する。また、端面２４の傾斜面は、金属回路部１２の内側方向に向かって凸状に湾曲する形状を呈する。
【００３３】
剥離ステップは、第２のエッチングステップが完了した金属母材１００から保護マスク３０を剥離するステップである。保護マスク３０は、物理的な力を加えて剥離することが可能である。金属母材１００は第２のエッチング処理にて配線パターンに沿ってエッチングされるため、各金属回路部１２に分断されているが、支持フィルム３６にて支持されているため、金属回路部１２は適切に配置された状態となっている。
【００３４】
剥離ステップの後に、金属回路部１２に対して防錆処理を行う。防錆処理は、金属回路部１２を有機溶剤に浸漬し、変色防止層を形成するための処理である。防錆処理に使用する有機溶剤としては公知の変色防止剤を使用することが可能である。
【００３５】
充填ステップは、第２のエッチングステップにて形成された金属母材１００の貫通領域に絶縁性を有する樹脂剤を充填する工程である。なお、ここでの充填とは、エッチング処理により金属母材を溶解した領域および金属回路部の外周部において回路基板の形成に必要な領域に樹脂材を塗布することである。樹脂材を充填する際は、樹脂剤を熱変形温度以上に加熱した上で、シリンジ等の塗布装置を用いて金属母材１００がエッチングされた領域に樹脂剤を充填する。この際、金属回路部１２は、型枠等で適宜支持されることが好ましい。樹脂材が固化したら、型枠等から取り出し、支持フィルム３６を剥離すれば良い。樹脂材が充填されると、図４（Ｃ）に示すように、樹脂材が金属回路部１２の端面２４と密着し、金属回路部１２が樹脂部１４にて保持されているので、セラミックス基板等を使用することなく、回路基板を製造することが可能になる。
【００３６】
ここから、本発明の別の実施形態を説明する。この実施形態では、第１のエッチングステップと第２のエッチングステップの間に第２のパターニングステップが含まれる。第２のパターニングステップを行うことで、第２のエッチングエッチングステップにおいて、面取部２８を形成することが可能になる。
【００３７】
第２のパターニングステップは、図６（Ａ）に示すように、第１のエッチングステップの後に、一方の主面側の保護フィルム３０の一部を除去する工程である。なお、第２のパターニングステップと支持ステップの順序には特に制限はない。第２のパターニングステップでは、第１のエッチングステップで形成された凹部３４の外縁部よりも保護マスク３０の端部が平面視外側に位置するようにパターニング処理がされる（図６（Ｂ）参照）。パターニング処理は、第１のパターニングステップと同様に、レーザ装置を使用して行うことが可能である。等方性エッチングは、板厚方向だけでなく板厚方向と直交する方向にも進行するため、第１のエッチングステップ後において、凹部３４の外縁部は、保護フィルム３０の下部に位置している（図２（Ｃ）参照）。
【００３８】
なお、第２のパターニングステップにおけるパターニング処理は、凹部３４の全ての領域に対して行う必要はない。第２のパターニングステップは、充填ステップにおける樹脂材の充填を容易にするための面取部２８を形成するための工程であるため、金属回路部１２の距離が近い場合等の回路設計に応じて形成される。また、保護フィルム３０を一旦剥離した後に、新たな保護フィルム３０を貼り付け、新たな保護フィルム３０に対してパターニング処理を行っても良い。
【００３９】
第２のパターニングステップにおいてパターニング処理を行った後は、上述の実施形態と同様に、第２のエッチングステップにてエッチング処理が行われる。第２のエッチング処理が行われると、第２のパターニングステップにおいて露出した金属母材１００の主面の一部がエッチングされる。これにより、図７（Ａ）に示すように、主面と端面との接続部において等方性エッチングが進行し、面取部２８が形成される。面取部２８の寸法は、パターニングやエッチング量に応じて適宜調整することが可能である。また、面取部２８の深さは、金属回路部１２の板厚の１/２以下になるように形成することが好ましい。
【００４０】
なお、本実施形態では、第２のエッチングステップにおいて、図７（Ｃ）に示すように、凸部２６が消失し、端面２４が断面視円弧状となるまでエッチング処理を行っても良い。この場合、金属母材１００をエッチング処理で貫通された後も、エッチング処理を継続すれば良い。エッチング処理を継続すると、凸部２６の突出量が徐々に減少していき、端面２４が断面視円弧状となる。さらにエッチング処理を継続し、最終的に端面２４が金属回路部１２の両主面と略直交する面とすることも可能である。なお、エッチング時間の短縮のため、図７（Ｂ）に示すように、凸部２６が存在する状態でエッチング処理を終了しても良い。端面２４の形状は、エッチング処理によって適宜調整することが可能である。
【００４１】
第２のエッチングステップ後は、充填ステップにて樹脂材が充填される。充填ステップは、上記実施形態と同様にシリンジ等の塗布装置を用いて行われる。端面に面取部２８が形成されていることにより隣接する金属回路部１２の距離が近い場合でも、面取部２８によりスペースが形成されることで、樹脂材が詰まることが抑制される。このため、スムーズに樹脂材を充填することが可能になる。なお、面取部２８は、金属回路部１２の実装面２０または対向面２２のどちらの主面に形成されても良い。なお、面取部２８が形成されることにより、端面２４が断面視円弧状になったとしても、樹脂部１４と金属回路部１２の密着性が低下するおそれは低い。
【００４２】
上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００４３】
１０−回路基板
１２−金属回路部
１４−絶縁部
１６−半導体素子
２０−実装面
２２−対向面
２４−端面
２６−凸部
２８−面取部
５０−エッチング装置
【図１】
2020136630.tif 000003
【図２】
2020136630.tif 000004
【図３】
2020136630.tif 000005
【図４】
2020136630.tif 000006
【図５】
2020136630.tif 000007
【図６】
2020136630.tif 000008
【図７】
2020136630.tif 000009
【図８】
2020136630.tif 000010