(57)【要約】【課題】設計が容易で、温度変化によっても動作範囲が減少せず、小型を維持しつつ大流量化されたダイヤフラムバルブを提供する。【解決手段】バルブボディ２と、ダイヤフラム３と、ダイヤフラム３を弾性変形させる駆動部４とを有するダイヤフラムバルブ１において、  駆動部４は、固定台面部２ａに一端部７ａが当接された第１の圧電アクチュエータ７と、第１の圧電アクチュエータ７に並列して配置されダイヤフラム３に一端部８ａが当接された第２の圧電アクチュエータ８と、第１と第２の圧電アクチュエータ７，８の各他端部７ｂ、８ｂを一体的に保持する保持部材９と、固定台面部２ａに固定されて保持部材９をバルブボディ２に近接又は離間する方向に平行移動可能に保持する固定部材１１と、保持部材９をバルブボディ２方向に付勢する付勢手段１０と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に流体の流路を有し、ダイヤフラム配置部と固定台面部が同一の側に形成されたバルブボディと、前記ダイヤフラム配置部に配置され、弾性変形により前記流路の開閉及び開度の調節が可能なダイヤフラムと、前記固定台面部に取りつけられ、前記ダイヤフラムを弾性変形させる駆動部とを有するダイヤフラムバルブにおいて、
前記駆動部は、前記固定台面部に一端部が当接された第１の圧電アクチュエータと、前記第１の圧電アクチュエータに並列して配置され前記ダイヤフラムに一端部が当接された第２の圧電アクチュエータと、前記第１と第２の圧電アクチュエータの各他端部を一体的に保持する保持部材と、前記固定台面部に固定されて前記保持部材を前記バルブボディに近接又は離間する方向に平行移動可能に保持する固定部材と、前記保持部材を前記バルブボディ方向に付勢する付勢手段とを有する、ダイヤフラムバルブ。
【請求項２】
前記固定部材は、ボールブッシュ又はボール転動式リニアガイド構造を介して前記保持部材を保持している、請求項１に記載のダイヤフラムバルブ。
【請求項３】
前記固定部材は略円筒状であり、前記保持部材は略円板状で、該保持部材の外周面と前記固定部材の内周面との間に配置されたボールブッシュを介して保持されている、請求項２に記載のダイヤフラムバルブ。
【請求項４】
前記固定部材は、前記第１と第２の圧電アクチュエータの配列方向両側に配置された柱状部分とこれらを上端で連結する天井板とからなる略コの字型を成し、該固定部材と前記保持部材の、前記配列方向に直交する方向の寸法が、前記第１と第２の圧電アクチュエータの直径と略同一であり、前記保持部材は、前記固定部材の各柱状部分との間に設けられたボール転動式リニアガイド構造を介して保持されている、請求項２に記載のダイヤフラムバルブ。
【請求項５】
前記第１と第２の圧電アクチュエータのいずれにも印加電圧を加えていないときに、前記流路が半開状態になるように前記ダイヤフラムと前記第２の圧電アクチュエータとの位置関係が調整された、請求項１〜４に記載のダイヤフラムバルブ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のダイヤフラムバルブを有する流量制御装置。
【請求項７】
複数の流体機器が配列された流体制御装置であって、
前記複数の流体機器は、請求項１〜５のいずれかに記載のダイヤフラムバルブ又は請求項６に記載の流量制御装置を含む、流体制御装置。
【請求項８】
密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの制御に請求項１〜５のいずれかに記載のダイヤフラムバルブ又は請求項６に記載の流量制御装置を用いる、半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイヤフラムバルブ、流量制御装置、流体制御装置、及び半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、圧力センサとオリフィスによってガスの流量を測定し、測定された流量値をもとに圧電アクチュエータにより駆動されるダイヤフラムバルブをフィードバック制御することで、支持された流量のガスを流すことができ、かつ、小型化された流量制御装置（マスフローコントローラ）を開示している。このダイヤフラムバルブを駆動するアクチュエータとして用いられる圧電アクチュエータ（ピエゾアクチュエータ）は、高い分解能、高速動作が可能で、摩耗劣化がない、等の利点を有しているが、その一方で、アクチュエータとしての動作量が小さく、それにより、ダイヤフラムバルブの動作範囲や最大流量が制限されてしまうという問題があった。
【０００３】
この問題に対して、軸方向長さの長い圧電アクチュエータを用いたり、２つの圧電アクチュエータを直線的に直列に配置したりして、動作量を増やす方法が考えられるが、そうすると小型化の要求に応えられない。
【０００４】
特許文献２は、小型を維持しつつ動作量を増やすため、２つの圧電アクチュエータを、変位伝達部材（レバー機構）を介して折り返して配置した機構を提案している。この機構では、ダイヤフラム構造体に一端が接続された第２の圧電アクチュエータと、固定台座に一端が接続された第１の圧電アクチュエータとの間に、これらに並列に固定台座から支柱を立設し、その先端部にヒンジ部を介して左右方向に伸びるアーム部を設け、第１の圧電アクチュエータの変位がアーム部を介して第２の圧電アクチュエータ側に伝達され、第２の圧電アクチュエータ自身が発生させる変位と加算されてダイヤフラム構造体に入力されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開番号ＷＯ２０１７／０３３４２３Ａ１
【特許文献２】特開２０１５−２３５８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、引用文献２の機構では、ヒンジ部を曲げ応力が繰り返し加わっても信頼性を確保し、かつヒンジ部の剛性を適切に保つような最適設計が求められ、設計は必ずしも容易ではない。また、この機構では、変位伝達部材の支柱とピエゾスタックとの熱膨張率の差から、温度変化によって動作点が変化して、流量制御に使用できる動作範囲が減少してしまうという問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、上記課題を解決し、設計が容易で、温度変化によっても動作範囲が減少せず、小型を維持しつつ大流量化されたダイヤフラムバルブを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のダイヤフラムバルブは、
内部に流体の流路を有し、ダイヤフラム配置部と固定台面部が同一の側に形成されたバルブボディと、前記ダイヤフラム配置部に配置され、弾性変形により前記流路の開閉及び開度の調節が可能なダイヤフラムと、前記固定台面部に取りつけられ、前記ダイヤフラムを弾性変形させる駆動部とを有するダイヤフラムバルブにおいて、
前記駆動部は、前記固定台面部に一端部が当接された第１の圧電アクチュエータと、前記第１の圧電アクチュエータに並列して配置され前記ダイヤフラムに一端部が当接された第２の圧電アクチュエータと、前記第１と第２の圧電アクチュエータの各他端部を一体的に保持する保持部材と、前記固定台面部に固定されて前記保持部材を前記バルブボディに近接又は離間する方向に平行移動可能に保持する固定部材と、前記保持部材を前記バルブボディ方向に付勢する付勢手段と、を有するものであることを特徴とする。
【０００９】
好適には、前記固定部材は、ボールブッシュ又はボール転動式リニアガイド
を介して前記保持部材を保持している、構成を採用できる。
【００１０】
さらに好適には、前記固定部材は略円筒状であり、前記保持部材は略円板状で、その外周面と前記固定部材の内周面との間に配置されたボールブッシュを介して保持されている、構成を採用できる。
【００１１】
代替的には、前記固定部材は、前記第１と第２の圧電アクチュエータの配列方向両側に配置された柱状部分とこれらを上端で連結する天井板とからなる略コの字型を成し、該固定部材と前記保持部材の、前記配列方向に直交する方向の寸法が、前記第１と第２の圧電アクチュエータの直径と略同一であり、前記保持部材は、前記固定部材の各柱状部分との間に設けられたボール転動式リニアガイド構造を介して保持されている、構成を採用できる。
【００１２】
好適には、前記第１と第２の圧電アクチュエータのいずれにも印加電圧を加えていないときに、前記流路が半開状態になるように前記ダイヤフラムと前記第２の圧電アクチュエータとの位置関係が調整された、構成を採用できる。
【００１３】
本発明の流量制御装置は、上記構成のダイヤフラムバルブを用いたものである。
【００１４】
本発明の流体制御装置は、上流から下流に向かって複数の流体機器が配列された流体制御装置であって、
前記複数の流体機器は、上記構成のダイヤフラムバルブ又は流量制御装置を含むものである。
【００１５】
本発明の半導体製造装置は、密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの制御に上記構成のダイヤフラムバルブ又は流量制御装置を用いる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、固定台面部に一端部が当接された第１の圧電アクチュエータと、ダイヤフラムに一端部が当接された第２の圧電アクチュエータとを並列配置し、これらの各他端部を保持部材に一体的に保持させ、この保持部材を前記バルブボディに近接又は離間する方向に平行移動可能に保持しつつバルブボディ方向に付勢する構成としたので、第１と第２の圧電アクチュエータの変位の差分がダイヤフラムに入力され、単一の圧電アクチュエータの動作量の２倍の動作量の入力が可能になった。これにより、小型を維持しつつ大流量化されたダイヤフラムバルブが実現した。
【００１７】
また、本発明のダイヤフラムバルブでは、第１と第２の圧電アクチュエータの変位の差分がダイヤフラムに入力されるので、温度変化により各圧電アクチュエータの寸法が変化してもその影響を受けず、それによって動作点が変化して実質的な動作範囲が減少する問題が解決した。また、本発明のダイヤフラムバルブは、ヒンジ部を有さないので、設計が容易なダイヤフラムバルブが実現した。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係るダイヤフラムバルブの概略断面図。
【図２】ダイヤフラム部分の弁開時の状態を示す拡大断面図。
【図３】ダイヤフラム部分の弁閉時の状態を示す拡大断面図。
【図４】本発明の一実施形態に係る流量制御装置の概略断面図。
【図５】本発明の一実施形態に係る流体制御装置の概略斜視図。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置のブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１に本発明の一実施形態に係るダイヤフラムバルブ１の概略図を示す。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態のダイヤフラムバルブ１は、バルブボディ２と、ダイヤフラム３と、駆動部４とを含んで構成される。
【００２１】
バルブボディ２は、略ブロック形状を成し、内部に上流側流路５ａと下流側流路５ｂとを有する。図２又は図３に詳細に示すように、上流側流路５ａは、バルブボディ２の上面に形成された浅い円柱状の窪みであるダイヤフラム配置部２ｂの底面の中央部に開口し、この開口の周囲は環状に盛り上がってバルブシート２ｃを形成している。一方、下流側流路５ｂは、ダイヤフラム配置部２ｂの底面の周辺部に開口している。
【００２２】
ダイヤフラム３は、本実施形態では、特殊ステンレス鋼等の金属製薄板やニッケル・コバルト合金薄板の中央部を上方へ膨出させた球殻状の部材で、バルブボディ２上面におけるダイヤフラム配置部２ｂに嵌め込まれてダイヤフラム配置部２ｂを密閉するように配置され、その外周縁部の上に円環状のシール部材６がダイヤフラム配置部２ｂの内周面に嵌合され溶接されることで、流路が気密に密封されている。尚、本実施形態では、ダイヤフラム配置部２ｂにシール部材６を溶接したが、流路を気密に密封可能であれば螺合等、他の手段でも良い。
【００２３】
ダイヤフラム３とバルブシート２ｃとの間には、所定量の隙間があり、上流側流路５ａからこの隙間を通ってダイヤフラム３で封止されたダイヤフラム配置部２ｂに連通し、さらに下流側流路５ｂへ連通する流路が形成されている。ダイヤフラム３が駆動部４により押圧されてバルブシート２ｃに当接することにより、流路５ａと流路５ｂとの連通が遮断され（図３参照）、ダイヤフラム３がバルブシート２ｃから離隔することにより、流路５ａと流路５ｂとが連通する（図２参照）。これにより、流路の開閉及び開度の調節が可能になっている。
【００２４】
駆動部４は、図１に示すように、第１の圧電アクチュエータ７と、第２の圧電アクチュエータ８と、保持部材９と、付勢手段１０と、固定部材１１と、を有する。
【００２５】
第１と第２の圧電アクチュエータ７，８は、それぞれ円筒状のケース７ｃ，８ｃに図示しない積層された圧電素子を内蔵している。ケース７ｃ，８ｃは、ステンレス合金等の金属製で、半球状の先端部７ａ、８ａ側の端面および基端部７ｂ、８ｂ側の端面が閉塞している。ケース７ｃ，８ｃは、積層された圧電素子に電圧を印加して伸長させることで、ケース７ｃ，８ｃの先端部７ａ、８ａ側の端面が弾性変形し、半球状の先端部７ａ、８ａが長手方向において変位する。すなわち、ケース７ｃ，８ｃは、積層された圧電素子に電圧を印可することで、先端部７ａ、８ａから基端部７ｂ、８ｂまでの全長Ｌ１，Ｌ２が伸びる。
【００２６】
第１の圧電アクチュエータ７は、先端部７ａがバルブボディ２の固定台面部２ａに当接するように垂直方向に配置されている。先端部７ａの先端は半球状を成し、本実施形態ではバルブボディ２の上面に形成された円錐状の窪みに落ち込むようになっている。第２の圧電アクチュエータ８は、第１の圧電アクチュエータ７に並列して配置され、先端部８ａがダイヤフラム３の上面に当接するようになっている。
ここで、第１と第２の圧電アクチュエータ７，８のいずれにも印加電圧を加えていないときに、前記流路が半開状態になるようにダイヤフラム３と第２の圧電アクチュエータ８との位置関係が調整されている。
なお、符号７ｄ、８ｄは、第１及び第２の圧電アクチュエータ７，８の配線であり、本実施形態では、保持部材９の孔を通り、固定部材１１の上端部の孔から延出している。
【００２７】
保持部材９は、本実施形態では厚い略円板状の部材で、第１と第２の圧電アクチュエータ７，８の基端部７ｂ、８ｂを、下面に形成した２つの段付き嵌合穴９ａ、９ｂにそれぞれ受け入れてその段差面９ｃ（または、図示しないが、軸方向位置調整機構を設けてその先端）に当接させ、一体的に保持している。但し、圧電アクチュエータ７，８の寿命を維持する観点から、曲げモーメントが加わらないように、基端部７ｂ、８ｂを保持部材に緊結せず、微小な揺動を許容するようにしている。
【００２８】
固定部材１１は、バルブボディ２の固定台面部２ａに固定されて、保持部材９をバルブボディ２に近接又は離間する方向（上下方向）に平行移動可能に保持している。本実施形態では、固定部材１１は略円筒状を成し、第１と第２の圧電アクチュエータ７，８と保持部材９とを収納するとともに、固定部材１１の内周面と略円板状を有する保持部材９の外周面との間に配置されたボールブッシュ１２を介して、保持部材９の上下方向の動きを案内している。これにより、保持部材９を、その振れを防ぎつつ上下方向に変位させることができ、機械的動作精度を維持できる。
【００２９】
付勢手段１０は、保持部材９を介して第１と第２の圧電アクチュエータ７，８をバルブボディ２の方向に付勢するもので、本実施形態では、円筒状の固定部材の上端部に設けられた天井板１１ｂと保持部材９の上面との間に配置されたさらばねを用いている。
【００３０】
次に、このように構成された本実施形態のダイヤフラムバルブ１の動作について、図１を参照して説明する。
【００３１】
まず、第１と第２の圧電アクチュエータ７，８への印加電圧がゼロである初期状態では、第１の圧電アクチュエータ７の長さＬ１は初期長さＬ０であり、保持部材９の位置は初期位置であり、第２の圧電アクチュエータ８の長さＬ２も初期長さＬ０であるため、第２の圧電アクチュエータ８の先端部８ａ先端位置は初期位置になる。この先端部８ａに押圧されたダイヤフラム３の中央部の高さは中間位置になり、図示しないが、ダイヤフラムバルブ１は半開状態になっている。
【００３２】
次いで、第１の圧電アクチュエータ７のみに最大電圧を印加すると、その長さはＬ０＋αとなるので、保持部材９の位置は初期位置より+αだけ上方向の位置になり、第２の圧電アクチュエータ８の長さは初期長さＬ０である。すると、第２の圧電アクチュエータ８の先端部８ａの位置は、第１の圧電アクチュエータ７の長さの変位（＋α）から第２の圧電アクチュエータ８の長さの変位（ゼロ）を引いた量（+α）だけ初期位置より上方向に変位した位置になる。この先端部８ａに押圧されたダイヤフラム３の中央部の高さは上限位置になり、図２に示すように、ダイヤフラムバルブ１は全開状態になる。
【００３３】
一方、第２の圧電アクチュエータ８のみに最大電圧を印加すると、第１の圧電アクチュエータ７の長さＬ１はＬ０であるので、保持部材９の位置は初期位置であり、第２の圧電アクチュエータ８の長さＬ２はＬ０＋αとなる。すると、第２の圧電アクチュエータ８の先端部８ａの位置は、第１の圧電アクチュエータ７の長さの変位（ゼロ）から第２の圧電アクチュエータ８の長さの変位（+α）を引いた量（-α）だけ初期位置より上方向に変位した位置、すなわち、αだけ初期位置より下方向に変位した位置になる。この先端部８ａに押圧されたダイヤフラム３の中央部の高さは下限位置になり、図３に示すように、ダイヤフラムバルブ１は全閉状態になる。
【００３４】
このようにして、本発明のダイヤフラムバルブ１では、ダイヤフラム３を弾性変形させる第２の圧電アクチュエータ８の先端部８ａのストロークが２αになり、単一の圧電アクチュエータを用いた場合のストロークαの２倍のストロークが得られる。これにより、ダイヤフラムバルブが制御できる流量範囲が大きくなり、最大流量を大きくすることが可能になる。
【００３５】
次に本発明のダイヤフラムバルブの他の実施形態を同様に図１を参照して説明する。
前記した実施形態では、略円板状の保持部材９と略円筒状の固定部材１１とを用いたが、本実施形態では、小型化の観点から、保持部材９と固定部材１１の、圧電アクチュエータ７，８の配列方向に直交する方向（図１の紙面に垂直な方向で「幅方向」と呼ぶ）の寸法を、圧電アクチュエータ７，８の直径と同程度まで減少させている。具体的には、固定部材１１を、略円筒状から幅方向両側をカットして開口させ、配列方向両側の柱状部分（１１ａ）とこれらを上端で連結する天井板１１ｂとからなる略コの字型のものとしている。または、固定部材１１を幅方向に開口させなくても、幅方向が十分小さい筒状としてもよい。
【００３６】
これらの場合、保持部材９や付勢手段１０の形状・寸法も、固定部材１１の幅方向寸法に収まるものにする。また、保持部材９の上下方向の動きを案内する手段として、ボールブッシュ１２の代わりに、ボール転動式リニアガイド構造１３を、保持部材９と固定部材の各柱状部分１１ａとの間（すなわち左右２か所）に設けている。このボール転動式リニアガイド構造とは、例えば、対向する両面に同方向に伸びるＶ溝を設け、これらの対向するＶ溝の間に複数の転動ボールを配置したものである。この構造を左右２か所に設けることにより、保持部材９を、振れや回転を抑えつつ上下方向に案内することができる。
【００３７】
このように構成された本実施形態のダイヤフラムバルブの動作も、前記した実施形態の動作と同様である。この構成により、前記した実施形態と同様の効果を得つつ、幅方向の小型化が実現できる。
【００３８】
尚、上記各実施形態では、ダイヤフラム３を第２の圧電アクチュエータ８の先端部８ａで直接押圧しているが、必要に応じて公知の伝達機構を介して押圧する構造としても良い。
【００３９】
次に、本発明の流量制御装置について説明する。
図４は、本発明の一実施形態に係る流量制御装置の概略断面図であり、上記したダイヤフラムバルブ１が組み込まれた圧力式の流量制御装置２０を示す。
図４において、流量制御装置２０の全体を覆うカバーやフィードバック制御用の基板が実際には存在するが、説明の便宜上図示していない。
流量制御装置２０は、上記したダイヤフラムバルブ１の構成要素に加えて、下流側ブロック２５、圧力検出器２２、オリフィス２１、圧力検出器２６、流路５ｃ，２５ａを有する。
【００４０】
バルブボディ２の内部において、ダイヤフラム３の下流側の流路５ｂ内にオリフィス２１（本実施形態では、ガスケット型オリフィス）が設けられている。オリフィス２１の上流側の流路５ｂの途中には、圧力を検出する上流側の圧力検出器２２が流路５ｃを介して設けられている。
下流側ブロック２５は、バルブボディ２にボルトにより連結され、バルブボディ２の下流側の流路５ｂに連通する下流側流路２５ａを有し、下流側流路２５ａ内の圧力を検出する下流側の圧力検出器２６が設けられている。
図示しない制御装置により、各圧力検出器２２、２６の検出値に基づいてダイヤフラムバルブ１が開閉制御される。
【００４１】
バルブボディ２、各圧力検出器２２、２６及び下流側ブロック２５は、圧電アクチュエータ７、８と略同幅に設計されている。
本実施形態において、保持部材９が第１の圧電アクチュエータ７と第２の圧電アクチュエータ８を一体的に保持し、第１の圧電アクチュエータ７と第２の圧電アクチュエータ８の相対位置が変わらないため、アクチュエータの変位量の差分を損失することなくダイヤフラム３に伝達することができる。これにより、微細な流量制御を必要とする流量制御装置の制御精度が向上する。
【００４２】
次に、本発明の流体制御装置について説明する。
図５は、本発明の一実施形態に係る流体制御装置の概略斜視図である。
図５に示す流体制御装置には、幅方向Ｗ１、Ｗ２に沿って配列され長手方向Ｇ１、Ｇ２に延びる金属製のベースプレートＢＳが設けられている。なお、Ｗ１は正面側、Ｗ２は背面側、Ｇ１は上流側、Ｇ２は下流側の方向を示している。ベースプレートＢＳには、複数の流路ブロック９９２を介して各種流体機器９９１Ａ〜９９１Ｅが設置され、複数の流路ブロック９９２には、上流側Ｇ１から下流側Ｇ２に向かって流体が流通する図示しない流路がそれぞれ形成されている。
【００４３】
ここで、「流体機器」とは、流体の流れを制御する流体制御装置に使用される機器であって、流体流路を画定するボディを備え、このボディの表面で開口する少なくとも２つの流路口を有する機器である。具体的には、開閉弁（２方弁）９９１Ａ、レギュレータ９９１Ｂ、プレッシャーゲージ９９１Ｃ、開閉弁（３方弁）９９１Ｄ、マスフローコントローラ９９１Ｅ等が含まれるが、これらに限定されるわけではない。なお、導入管９９３は、上記した図示しない流路の上流側の流路口に接続されている。
【００４４】
本発明は、上記した開閉弁９９１Ａ、９９１Ｄ、レギュレータ９９１Ｂ、マスフローコントローラ９９１Ｅ等の種々のダイヤフラムバルブに適用可能である。
【００４５】
次に、本発明の半導体製造装置について説明する。
図６は、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置のブロック図である。
図６に示す半導体製造装置９８０は、原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  法）による半導体製造プロセスを実行するための装置であり、９８１はプロセスガス供給源、９８２はガスボックス、９８３はタンク、９８４は開閉バルブ、９８５は制御部、９８６は処理チャンバ、９８７は排気ポンプを示している。例えば、ＡＬＤ法等においては、基板に膜を堆積させる処理プロセスに使用する処理ガスをより大きな流量で安定的に供給することが求められている。
ガスボックス９８２は、正確に計量したプロセスガスを処理チャンバ９８６に供給するために、開閉バルブ、レギュレータ、マスフローコントローラ等の各種の流体機器を集積化してボックスに収容した集積化ガスシステム（流体制御装置）である。
タンク９８３は、ガスボックス９８２から供給される処理ガスを一時的に貯留するバッファとして機能する。
開閉バルブ９８４は、上記した変位拡大機構を内蔵したダイヤフラムバルブである。
制御部９８５は、開閉バルブ９８４への操作ガスの供給制御による流量調整制御を実行する。
処理チャンバ９８６は、ＡＬＤ法による基板への膜形成のための密閉処理空間を提供する。
排気ポンプ９８７は、処理チャンバ９８６内を真空引きする。
【００４６】
上記のようなシステム構成によれば、制御部９８５から開閉バルブ９８４に制御指令を送れば、処理ガスの流量制御が可能になる。
【００４７】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されない。当業者であれば、本発明の範囲内で、種々の追加や変更等を行うことができる。例えば、上記適用例では、開閉バルブ９８４をＡＬＤ法による半導体製造プロセスに用いる場合について例示したが、これに限定されるわけではなく、本発明は、例えば原子層エッチング法（ＡＬＥ ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｅｔｃｈｉｎｇ  法）等、精密な流量調整が必要なあらゆる対象に適用可能である。
【００４８】
上記実施形態では、開閉バルブ９８４を流体制御装置としてのガスボックス９８２の外部に配置する構成としたが、開閉バルブ、レギュレータ、マスフローコントローラ等の各種の流体機器を集積化してボックスに収容した流体制御装置に上記実施形態のダイヤフラムバルブを含ませることも可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１        ：ダイヤフラムバルブ
２        ：バルブボディ
２ａ      ：固定台面部
２ｂ      ：ダイヤフラム配置部
２ｃ      ：バルブシート
３        ：ダイヤフラム
４        ：駆動部
５ａ      ：上流側流路
５ｂ      ：下流側流路
５ｃ      ：流路
６        ：シール部材
７        ：第１の圧電アクチュエータ
７ａ      ：先端部
７ｂ      ：基端部
７ｃ      ：ケース
７ｄ      ：配線
８        ：第２の圧電アクチュエータ
８ａ      ：先端部
８ｂ      ：基端部
８ｃ      ：ケース
８ｄ      ：配線
９        ：保持部材
９ａ、９ｂ：段付き嵌合穴
９ｃ      ：段差面
１０      ：付勢手段
１１      ：固定部材
１１ａ    ：円筒壁又は柱状部分
１１ｂ    ：天井板
１２      ：ボールブッシュ
１３      ：ボール転動式リニアガイド構造
２０      ：流量制御装置
２１      ：オリフィス
２２      ：圧力検出器
２５      ：下流側ブロック
２５ａ    ：下流側流路
２６      ：圧力検出器
９８０    ：半導体製造装置
９８１    ：プロセスガス供給源
９８２    ：ガスボックス
９８３    ：タンク
９８４    ：開閉バルブ
９８５    ：制御部
９８６    ：処理チャンバ
９８７    ：排気ポンプ
９９１Ａ〜９９１Ｅ  ：流体機器
９９２    ：流路ブロック
９９３    ：導入管
ＢＳ      ：ベースプレート
ＧＩ、Ｇ２：長手方向
Ｌ０      ：初期長さ
Ｌ１      ：第１の圧電アクチュエータの長さ
Ｌ２      ：第２の圧電アクチュエータの長さ
Ｗ１、Ｗ２：幅方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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