(57)【要約】【課題】搬送ロボットによる基板の搬送の適正化を実現するための技術を提供する。【解決手段】基板を処理する処理室と、基板を所定温度に加熱する加熱部と、処理室と接続された真空搬送室と、前記真空搬送室に設けられ基板を搬送可能な搬送ロボットと、真空搬送室に接続されたロードロック室と、基板の処理内容についての工程情報と工程情報に対応する搬送ロボットの搬送情報とがそれぞれ複数記録された記憶装置と、基板に適用される工程情報に対応する搬送情報に基づいて基板を搬送させるように搬送ロボットを制御する制御部と、を有する技術が提供される。【選択図】図１
2020017645.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室に設けられ、前記基板を所定温度に加熱する加熱部と、
前記処理室と接続された真空搬送室と、
前記真空搬送室に設けられ、前記基板を搬送可能な搬送ロボットと、
前記真空搬送室に接続されたロードロック室と、
前記基板の処理内容についての工程情報と、前記工程情報に対応する前記搬送ロボットの搬送情報とが、それぞれ複数記録された記憶装置と、
前記基板に適用される前記工程情報に対応する前記搬送情報に基づいて当該基板を搬送させるように前記搬送ロボットを制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記搬送情報を基に、前記基板を前記処理室に搬入する際の搬入速度と、前記基板を前記処理室から搬出する際の搬出速度とを設定して、前記搬送ロボットを動作させる
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記記録装置に記録された前記工程情報は、前記基板の処理温度と、前記基板に対する加熱時間とを含み、
前記制御部は、前記処理温度と前記加熱時間との関係を基に、対応する前記搬送情報の選択を行う
請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記真空搬送室で前記基板の温度を測定する温度センサを有し、
前記制御部は、前記工程情報に加えて、前記温度センサによる前記基板の温度測定結果を基に、対応する前記搬送情報の選択を行う
請求項１から３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記搬送ロボットは、前記基板を支持するツイーザを有し、
前記温度センサは、前記基板の温度に加えて、前記ツイーザの温度を測定可能に構成され、
前記制御部は、前記工程情報に加えて、前記温度センサによる前記基板の温度測定結果と前記ツイーザの温度測定結果とのいずれか一方または両方を基に、対応する前記搬送情報の選択を行う
請求項４に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置としては、例えば、基板を処理する処理室に対し搬送ロボットにより基板の搬入または搬出を行うように構成された装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第６２７０９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、搬送ロボットによる基板の搬送の適正化を実現するための技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室に設けられ、前記基板を所定温度に加熱する加熱部と、
前記処理室と接続された真空搬送室と、
前記真空搬送室に設けられ、前記基板を搬送可能な搬送ロボットと、
前記真空搬送室に接続されたロードロック室と、
前記基板の処理内容についての工程情報と、前記工程情報に対応する前記搬送ロボットの搬送情報とが、それぞれ複数記録された記憶装置と、
前記基板に適用される前記工程情報に対応する前記搬送情報に基づいて当該基板を搬送させるように前記搬送ロボットを制御する制御部と、
を有する技術が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本開示に係る技術によれば、搬送ロボットによる基板の搬送の適正化を実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置のシステム全体の横断面の概略図である。
【図２】一実施形態に係る基板処理装置のシステム全体の縦断面の概略図である。
【図３】一実施形態に係るロードロック室の断面図の概略図である。
【図４】一実施形態に係る真空搬送ロボットのツイーザの概略構成図である。
【図５】一実施形態に係るプロセスモジュールにおけるチャンバの概略構成図である。
【図６】一実施形態に係るプロセスモジュールのガス供給系とガス排気系の概略図である。
【図７】一実施形態に係るコントローラの概略構成図である。
【図８】一実施形態に係る基板処理工程の概要のフロー図である。
【図９】一実施形態に係る真空搬送ロボットの第１の制御態様における工程情報と搬送情報の対応関係の例を示す説明図である。
【図１０】一実施形態に係る真空搬送ロボットの第２の制御態様における処理レシピと搬送情報の対応関係の例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜一実施形態＞
以下に、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【０００９】
（１）基板処理装置のシステム全体の構成
まず、一実施形態に係る基板処理装置のシステム全体の構成例について説明する。
図１は、本実施形態に係る基板処理装置のシステム全体の横断面の概略図である。図２は、本実施形態に係る基板処理装置のシステム全体の縦断面の概略図であり、図１のα−α’における縦断面図である。図３は、本実施形態に係るロードロック室の断面図の概略図である。図４は、本実施形態に係る真空搬送ロボットのツイーザの概略構成図である。
【００１０】
図１および図２に示すように、本開示が適用される基板処理装置のシステム全体（以下、単に「基板処理システム」という。）１０００は、基板としてのウエハ２００を処理するもので、ＩＯステージ１１００、大気搬送室１２００、ロードロック室１３００、真空搬送室１４００、プロセスモジュール１１０、コントローラ２６０で主に構成される。
【００１１】
以下、各構成について具体的に説明する。なお、以下の説明において、前後左右の方向は、図中におけるＸ１方向が右、Ｘ２方向が左、Ｙ１方向が前、Ｙ２方向が後とする。
【００１２】
（大気搬送室・ＩＯステージ）
基板処理システム１０００の手前には、ＩＯステージ（ロードポート）１１００が設置されている。ＩＯステージ１１００上には、複数のポッド１００１が搭載されている。ポッド１００１は、シリコン（Ｓｉ）基板等のウエハ２００を搬送するキャリアとして用いられ、未処理のウエハ２００または処理済のウエハ２００が複数枚格納されるように構成されている。
【００１３】
ポッド１００１には、キャップ１１２０が設けられている。キャップ１１２０は、ポッドオープナ（Ｐｏｄ  Ｏｐｅｎｅｒ：ＰＯ）１２１０によって開閉される。ＰＯ１２１０は、ＩＯステージ１１００に載置されたポッド１００１のキャップ１１２０を開閉し、基板出し入れ口を開放・閉鎖することにより、ポッド１００１に対するウエハ２００の出し入れを可能とする。ポッド１００１は、図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、ＩＯステージ１１００に対して、供給および排出される。
【００１４】
ＩＯステージ１１００は、大気搬送室１２００に隣接する。大気搬送室１２００には、ＩＯステージ１１００と異なる面に、後述するロードロック室１３００が連結されている。
【００１５】
大気搬送室１２００内には、ウエハ２００を移載する第１搬送ロボットとしての大気搬送ロボット１２２０が設置されている。大気搬送ロボット１２２０は、図２に示すように、大気搬送室１２００に設置されたエレベータ１２３０によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１２４０によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１６】
大気搬送室１２００の上部には、図２に示すように、クリーンエアを供給するクリーンユニット１２５０が設置されている。また、大気搬送室１２００の左側には、図１に示すように、ウエハ２００に形成されているノッチまたはオリエンテーションフラットを合わせる装置（プリアライナ）１２６０が設置されている。
【００１７】
図１および図２に示すように、大気搬送室１２００の筐体１２７０の前側には、ウエハ２００を大気搬送室１２００に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口１２８０と、ＰＯ１２１０とが設置されている。基板搬入搬出口１２８０を挟んでＰＯ１２１０と反対側、すなわち筐体１２７０の外側には、ＩＯステージ１１００が設置されている。
【００１８】
大気搬送室１２００の筐体１２７０の後ろ側には、ウエハ２００をロードロック室１３００に搬入搬出するための基板搬入出口１２９０が設けられる。基板搬入出口１２９０は、ゲートバルブ１３３０によって解放・閉鎖することにより、ウエハ２００の出し入れを可能とする。
【００１９】
（ロードロック室）
次に、ロードロック（以下「Ｌ／Ｌ」と略す。）室１３００について、図１〜図３を参照して説明する。図３の下側の図は、上側の図のγ―γ´の断面図である。
Ｌ／Ｌ室１３００は、大気搬送室１２００に隣接する。Ｌ／Ｌ室１３００を構成する筐体１３１０が有する面のうち、大気搬送室１２００に隣接する面と異なる面には、後述するように、真空搬送室１４００が配置される。
【００２０】
筐体１３１０の真空搬送室１４００に隣接する面には、基板搬入搬出口１３４０が設けられる。基板搬入出口１３４０は、ゲートバルブ（ＧＶ）１３５０によって解放・閉鎖することで、ウエハ２００の出し入れを可能とする。
【００２１】
さらに、Ｌ／Ｌ室１３００内には、ウエハ２００が載置される支持部１３１１ａ，１３１１ｂ，１３１１ｃ，１３１１ｄが設置されている。なお、支持部１３１１ａ，１３１１ｂは未処理のウエハ２００を支持し、支持部１３１１ｃ，１３１１ｄは処理済のウエハ２００を支持するように構成されている。
【００２２】
また、Ｌ／Ｌ室１３００には、Ｌ／Ｌ室１３００内に冷却ガスとしての不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、Ｌ／Ｌ室１３００内の雰囲気を排気する排気部６０１，６０２と、が設けられている。不活性ガス供給部は、ガス供給管５０１ａ，５０２ａとバルブ５０１ｂ，５０２ｂとＭＦＣ５０１ｃ，５０２ｃを有し、Ｌ／Ｌ室１３００内に供給する冷却ガスの流量を調整可能に構成されている。
【００２３】
また、処理済のウエハ２００を支持する支持部１３１１ｃ，１３１１ｄの下側には、ウエハ２００と対向する冷却部８０１ａ，８０１ｂがそれぞれ設けられている。冷却部８０１ａ，８０１ｂは、冷媒流路８０２ａ，８０２ｂを有しており、その冷媒流路８０２ａ，８０２ｂに対してチラー８０３から冷媒が供給されるように構成されている。ここで、冷媒は、例えば、水（Ｈ２Ｏ）、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）等が用いられる。
【００２４】
（真空搬送室）
図１および図２に示すように、基板処理システム１０００は、負圧下でウエハ２００が搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室（トランスファモジュール、以下「ＴＭ」と略す。）１４００を備えている。ＴＭ１４００を構成する筐体１４１０は、平面視が五角形に形成され、五角形の各辺には、Ｌ／Ｌ室１３００およびウエハ２００を処理するプロセスモジュール１００（１１０ａ〜１１０ｄ）が連結されている。ここでは、ＴＭ１４００を五角形の例を示すが、四角形や六角形等の多角形であってもよい。
【００２５】
ＴＭ１４００を構成する筐体１４１０の側壁のうち、Ｌ／Ｌ室１３００と隣接する側には、基板搬入搬出口１４２０が設けられている。基板搬入出口１４２０は、ＧＶ１３５０によって解放・閉鎖することで、ウエハ２００の出し入れを可能とする。
【００２６】
ＴＭ１４００の略中央部には、負圧下でウエハ２００を移載（搬送）する第２搬送ロボットとしての真空搬送ロボット１７００が、フランジ１４３０を基部として設置されている。真空搬送ロボット１７００については、詳細を後述する。
【００２７】
ＴＭ１４００を構成する筐体１４１０の天井には、筐体１４１０内に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給孔１４６０が設けられる。不活性ガス供給孔１４６０には、不活性ガス供給管１５１０が接続される。不活性ガス供給管１５１０には、上流から順に不活性ガス源１５２０、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５３０、バルブ１５４０が設けられ、筐体１４１０内に供給する不活性ガスの供給量を制御している。
主に、不活性ガス供給管１５１０、ＭＦＣ１５３０、バルブ１５４０で、ＴＭ１４００における不活性ガス供給部１５００が構成される。なお、不活性ガス源１５２０、ガス供給孔１４６０を不活性ガス供給部１５００に含めてもよい。
【００２８】
ＴＭ１４００を構成する筐体１４１０の底壁には、筐体１４１０の雰囲気を排気するための排気孔１４７０が設けられる。排気孔１４７０には、排気管１６１０が接続される。排気管１６１０には、上流から順に圧力制御器であるＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１６２０、ポンプ１６３０が設けられる。
主に、排気管１６１０、ＡＰＣ１６２０でＴＭ１４００におけるガス排気部１６００が構成される。なお、ポンプ１６３０、排気孔１４７０をガス排気部に含めてもよい。
【００２９】
ＴＭ１４００は、不活性ガス供給部１５００、ガス排気部１６００の協働によって、筐体１４１０内の雰囲気が制御される。例えば、筐体１４１０内の圧力が制御される。
【００３０】
（真空搬送ロボット）
ＴＭ１４００に設置された真空搬送ロボット１７００は、二つのアーム１８００，１９００を備える。二つのアーム１８００，１９００のそれぞれは、ウエハ２００が載置されるツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２が設けられ、一つのアームで二つのウエハ２００を同時に搬送可能に構成される。
【００３１】
各ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２のそれぞれには、図４に示すように、ウエハ２００との接触面に、例えばカーボンナノチューブによって構成されたパッド１８０３，１９０３が設けられる。これにより、パッド１８０３，１９０３によるファンデルワールス力を利用して、載置されたウエハ２００に対するアンチスリップ作用が発揮されることになる。なお、パッド１８０３，１９０３の配置位置、配置数等は、特に限定されることはなく、適宜設定されていればよい。
【００３２】
二つのアーム１８００，１９００を備える真空搬送ロボット１７００は、図２に示すように、エレベータ１４５０およびフランジ１４３０によってＴＭ１４００の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。エレベータ１４５０は、真空搬送ロボット１７００の各アーム１８００，１９００をそれぞれ独立して昇降可能なよう構成されている。また、エレベータ１４５０は、真空搬送ロボット１７００の各アーム１８００，１９００の昇降および回転を制御する。これにより、各アーム１８００，１９００は、アーム軸を中心とした回転または延伸を行う。各アーム１８００，１９００が回転または延伸を行うことで、真空搬送ロボット１７００は、詳細を後述するプロセスモジュール１１０（１１０ａ〜１１０ｄ）にウエハ２００を搬送したり、プロセスモジュール１１０（１１０ａ〜１１０ｄ）からウエハ２００を搬出したりすることが可能となる。
【００３３】
（プロセスモジュール）
図１に示すように、ＴＭ１４００を構成する筐体１４１０の側壁のうち、Ｌ／Ｌ室１３００が設置されていない側には、ウエハ２００に所望の処理を行うプロセスモジュール（以下「ＰＭ」と略す。）１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄが連結されている。
【００３４】
ＰＭ１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄのそれぞれには、基板処理装置の要部を構成するチャンバ１００が複数設けられている。具体的には、ＰＭ１１０ａにはチャンバ１００ａ，１００ｂが設けられ、ＰＭ１１０ｂにはチャンバ１００ｃ，１００ｄが設けられ、ＰＭ１１０ｃにはチャンバ１００ｅ，１００ｆが設けられ、ＰＭ１１０ｄにはチャンバ１００ｇ，１００ｈが設けられている。
【００３５】
各チャンバ１００と向かい合うＴＭ１４００の筐体１４１０の側壁のそれぞれには、基板搬入出口１４８０が設けられている。例えば、図２に示すように、チャンバ１００ａと向かい合う側壁には、基板入出口１４８０ａが設けられる。
【００３６】
それぞれの基板搬入出口１４８０には、ゲートバルブ（ＧＶ）１４９０が設けられている。すなわち、ＧＶ１４９０は、図１に示すように、チャンバ１００毎に設けられる。具体的には、チャンバ１００ａとＴＭ１４００との間にはＧＶ１４９０ａが、チャンバ１００ｂとＴＭ１４００との間にはＧＶ１４９０ｂが、チャンバ１００ｃとＴＭ１４００との間にはＧＶ１４９０ｃが、チャンバ１００ｄとＴＭ１４００との間にはＧＶ１４９０ｄが、チャンバ１００ｅとＴＭ１４００との間にはＧＶ１４９０ｅが、チャンバ１００ｆとＴＭ１４００との間にはＧＶ１４９０ｆが、チャンバ１００ｇとＴＭ１４００との間にはＧＶ１４９０ｇが、チャンバ１００ｈとＴＭ１４００との間にはＧＶ１４９０ｈが、それぞれ設けられる。それぞれの基板搬入出口１４８０は、各ＧＶ１４９０によって解放・閉鎖することで、ウエハ２００の出し入れを可能とする。
【００３７】
（温度センサ）
Ｌ／Ｌ室１３００内およびＰＭ１１０の各チャンバ１００内とＧＶ１３５０，１４９０を介して連通するＴＭ１４００内には、各ＧＶ１３５０，１４９０の近傍に、温度センサ７０１ａ，７０１ｂ，７０１ｃ，７０１ｄ，７０１ｅ，７０１ｆ，７０１ｇ，７０１ｈ，７０１ｉ，７０１ｊが設けられている。温度センサは、例えば、放射温度計である。ＴＭ１４００内に温度センサを設けることによって、真空搬送ロボット１７００による搬送中のウエハ２００の温度を測定することが可能となる。また、ウエハ２００のみならず、真空搬送ロボット１７００の各アーム１８００，１９００におけるツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度についても、測定することが可能となる。
【００３８】
（２）基板処理装置におけるチャンバの具体的な構成
次に、一実施形態に係る基板処理装置の一部であるＰＭ１１０におけるチャンバ１００について説明する。なお、チャンバ１００ａからチャンバ１００ｈは同様の構成であるので、以下の説明では、これらをチャンバ１００と総称する。
【００３９】
図５は、本実施形態に係るプロセスモジュールにおけるチャンバの概略構成図である。図６は、本実施形態に係るプロセスモジュールのガス供給系とガス排気系の概略図であり、図１のβ−β’の縦断面図である。
【００４０】
チャンバ１００は、例えば、絶縁膜形成ユニットであり、図５に示すように、枚葉式基板処理装置として構成されている。以下、チャンバ１００の具体的な構成について説明する。
【００４１】
（処理容器）
チャンバ１００は、処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば水平断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）もしくはステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料、または、石英により構成されている。処理容器２０２内には、基板としてのウエハ２００を処理する処理空間（処理室）２０１と、移載空間（移載室）２０３が形成されている。処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には、仕切部２０４が設けられる。上部容器２０２ａに囲まれた空間であって、仕切部２０４よりも上方の空間を処理室２０１と呼ぶ。また、下部容器２０２ｂに囲まれた空間であって、ゲートバルブ１４９０付近を移載室２０３と呼ぶ。
【００４２】
下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９０に隣接した基板搬入出口１４８０が設けられており、基板搬入出口１４８０を介してウエハ２００がＴＭ１４００と移載室２０３との間を移動するようになっている。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。さらに、下部容器２０２ｂは接地されている。
【００４３】
処理室２０１内には、ウエハ２００を支持する基板支持部２１０が設けられている。基板支持部２１０は、ウエハ２００を載置する載置面２１１と、載置面２１１を表面に持つ載置台２１２と、加熱部としてのヒータ２１３と、を主に有する。基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。また、基板載置台２１２には、ウエハ２００や処理室２０１にバイアスを印加するバイアス電極２５６が設けられていてもよい。ここで、ヒータ２１３には、温度測定部４００が接続され、ヒータ２１３の温度情報をコントローラ２６０に送信可能に構成される。また、バイアス電極２５６は、バイアス調整部２５７に接続され、バイアス調整部２５７によって、バイアスが調整可能に構成される。バイアス調整部２５７の設定情報は、コントローラ２６０と送受信可能に構成される。
【００４４】
基板載置台２１２は、シャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、処理容器２０２の底部を貫通しており、さらに処理容器２０２の外部で昇降部２１８に接続されている。昇降部２１８を作動させてシャフト２１７および支持台２１２を昇降させることにより、基板載置台２１２は、載置面２１１上に載置されるウエハ２００を昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２１７下端部の周囲は、ベローズ２１９により覆われており、処理室２０１内が気密に保持されている。
【００４５】
基板載置台２１２は、ウエハ２００の搬送時には、載置面２１１が基板搬入出口１４８０に対向する位置まで下降する（図中破線参照）。基板載置台２１２が下降した位置は、リフトピン２０７の上端が載置面２１１の上面から突出するウエハ移載位置である。つまり、基板載置台２１２がウエハ移載位置に移動すると、リフトピン２０７の上端部が載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７がウエハ２００を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン２０７は、ウエハ２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナ等の材質で形成することが望ましい。
また、基板載置台２１２は、ウエハ２００の処理時には、載置面２１１上のウエハ２００が処理室２０１に面する位置となるまで上昇する（図中実線参照）。基板載置台２１２が上昇した位置は、ウエハ２００に対する処理を行うウエハ処理位置である。
【００４６】
（排気系）
処理室２０１（上部容器２０２ａ）の内壁側面には、処理室２０１の雰囲気を排気する第１排気部としての第１排気口２２１が設けられている。第１排気口２２１には、排気管２２４ａが接続されている。排気管２２４ａには、処理室２０１内を所定の圧力に制御するＡＰＣ等の圧力調整器２２７ａと真空ポンプ２２３が順に直列に接続されている。主に、第１排気口２２１、排気管２２４ａ、圧力調整器２２７ａにより第一の排気系（排気ライン）が構成される。なお、真空ポンプ２２３を第一の排気系の構成としてもよい。
【００４７】
また、移載室２０３の内壁側面には、移載室２０３の雰囲気を排気する第２排気口１４８１が設けられている。第２排気口１４８１には、排気管１４８２が接続されている。排気管１４８２には、圧力調整器２２８が設けられ、移載室２０３内を所定の圧力に排気可能に構成されている。また、移載室２０３を介して処理室２０１内の雰囲気を排気することもできる。また、圧力調整器２２７ａは、圧力情報や弁開度の情報をコントローラ２６０と送受信可能に構成される。また、真空ポンプ２２３は、ポンプのＯＮ／ＯＦＦ情報や負荷情報等をコントローラ２６０に送信可能に構成される。
【００４８】
（ガス分散ユニット）
処理室２０１の上部（上流側）には、ガス分散ユニットとしてのシャワーヘッド２３４が設けられている。シャワーヘッド２３４の上面（天井壁）には、処理室２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２４１が設けられている。ガス供給部であるガス導入口２４１に接続される各ガス供給ユニットの構成については後述する。
【００４９】
ガス分散ユニットとしてのシャワーヘッド２３４は、バッファ室２３２、第１活性化部としての第１電極２４４を有する。第１電極２４４には、ガスをウエハ２００に分散供給する孔２３４ａが複数設けられている。シャワーヘッド２３４は、ガス導入口２４１と処理室２０１との間に設けられている。ガス導入口２４１から導入されるガスは、シャワーヘッド２３４のバッファ室２３２（分散部）に供給され、孔２３４ａを介して処理室２０１に供給される。
【００５０】
なお、第１電極２４４は、導電性の金属で構成され、ガスを励起するための活性化部（励起部）の一部として構成される。第１電極２４４には、電磁波（高周波電力やマイクロ波等）が供給可能に構成されている。また、蓋２３１を導電性部材で構成する際には、蓋２３１と第１電極２４４との間に絶縁ブロック２３３が設けられ、蓋２３１と第１電極部２４４の間を絶縁する構成となる。
【００５１】
バッファ室２３２には、ガスガイド２３５が設けられていてもよい。ガスガイド２３５は、ガス導入孔２４１を中心としてウエハ２００の径方向に向かうにつれ径が広がる円錐形状である。ガスガイド２３５の下端の水平方向の径は、孔２３４ａが設けられる領域の端部よりも更に外周にまで延びて形成される。ガスガイド２３５が設けられていることによって、複数の孔２３４ａのそれぞれに均一にガスを供給することができ、ウエハ２００の面内に供給される活性種の量を均一化させることができる。
【００５２】
（活性化部（プラズマ生成部））
活性化部としての電極２４４には、整合器２５１と高周波電源部２５２が接続され、電磁波（高周波電力やマイクロ波等）が供給可能に構成されている。これにより、処理室２０１内に供給されたガスを活性化させることができる。また、電極２４４は、容量結合型のプラズマを生成可能に構成される。具体的には、電極２４４は、導電性の板状に形成され、上部容器２０２ａに支持されるように構成される。活性化部は、少なくとも電極部２４４、整合器２５１、高周波電源部２５２で構成される。なお、活性化部に、インピーダンス計２５４を含めるように構成してもよい。また、第１電極２４４と高周波電源２５２との間に、インピーダンス計２５４を設けてもよい。インピーダンス計２５４を設けることによって、測定されたインピーダンスに基づいて、整合器２５１、高周波電源２５２をフィードバック制御することができる。また、高周波電源２５２は、電力の設定情報をコントローラ２６０と送受信可能に構成され、整合器２５１は、整合情報（進行波データ、反射波データ）をコントローラ２６０と送受信可能に構成され、インピーダンス計２５４は、インピーダンス情報をコントローラ２６０と送受信可能に構成される。
【００５３】
（ガス供給系）
シャワーヘッド２３４の上面に設けられたガス導入口２４１には、ガス供給管１５０ａが接続されている。ガス供給管１５０ａからは、後述の第１ガス、第２ガス、パージガスが供給される。第１ガスは第１ガス供給部（処理ガス供給部）によって、第２ガスは第２ガス供給部（反応ガス供給部）によって、パージガスは第３ガス供給部（パージガス供給部）によって、それぞれ供給される。
【００５４】
なお、図６に示すように、ガス供給管１５０ａが接続するチャンバ１００ａが設けられたＰＭ１１０ａには、チャンバ１００ａの他にチャンバ１００ｂが設けられている。各チャンバ１００ａ，１００ｂは、間に設けられた隔壁２０４０ａによって、それぞれの雰囲気が混在しないように構成される。そして、チャンバ１００ａのみならず、チャンバ１００ｂにも、第１ガス、第２ガス、パージガスが供給されるようになっている。
このことは、他のＰＭ１１０ｂ、ＰＭ１１０ｃ、ＰＭ１１０ｄにおいても同様の構造である。すなわち、それぞれに設けられたチャンバ１００ａ〜１００ｈにおいても同様の構造である。
そこで、以下の説明では、チャンバ１００ａのガス導入口２４１に接続されるガス供給系について説明し、他のチャンバ１００ｂ〜１００ｈについては説明を省略する。
【００５５】
チャンバ１００ａのガス導入口２４１に接続されるガス供給管１５０ａには、ガス供給管集合部１４０ａが接続されている。そして、ガス供給管集合部１４０ａには、第１ガス（処理ガス）供給管１１３ａ、パージガス供給管１３３ａ、第２ガス（処理ガス）供給管１２３ａが接続されている。
【００５６】
（第１ガス供給部）
第１ガス供給部には、第１ガス供給管１１３ａ、ＭＦＣ１１５ａ、バルブ１１６ａが設けられている。なお、第１ガス供給管１１３ａに接続される第１ガス供給源１１３を第１ガス供給部に含めて構成してもよい。また、処理ガスの原料が液体や固体の場合には、気化器１８０が設けられていてもよい。
【００５７】
（第２ガス供給部）
第２ガス供給部には、第２ガス供給管１２３ａ、ＭＦＣ１２５ａ、バルブ１２６ａが設けられている。なお、第２ガス供給管１２３ａに接続される第２ガス供給源１２３を第２ガス供給部に含めて構成してもよい。
なお、リモートプラズマユニット（ＲＰＵ）１２４を設けて、第２ガスを活性化させるように構成してもよい。
【００５８】
（パージガス供給部）
パージガス供給部には、パージガス供給管１３３ａ、ＭＦＣ１３５ａ、バルブ１３６ａが設けられている。なお、パージガス供給管１３３ａに接続されるパージガス供給源１３３をパージガス供給部に含めて構成してもよい。
【００５９】
（３）基板処理装置におけるコントローラの具体的な構成
次に、一実施形態に係る基板処理装置の一部であるコントローラ２６０について説明する。
図７は、本実施形態に係るコントローラの概略構成図である。
【００６０】
（ハードウエア構成）
コントローラ２６０は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する制御部（制御手段）として機能する。そのために、コントローラ２６０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）２６０ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、内部バス２６０ｅを介して、ＣＰＵ２６０ａとデータ交換可能なように構成されている。
【００６１】
コントローラ２６０には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置２６１、外部記憶装置２６２、送受信部２８５等が接続可能に構成されている。送受信部２８５が接続されることで、コントローラ２６０は、ネットワーク２６３上に存在する上位装置５００とも接続可能である。
【００６２】
記憶装置２６０ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２６０ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラム、詳細を後述する工程情報、同じく詳細を後述する搬送情報等が、読み出し可能に格納されている。
【００６３】
ＲＡＭ２６０ｂは、ＣＰＵ２６０ａによって読み出された制御プログラム、各種情報、各種データ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００６４】
Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、ゲートバルブ１２９０，１３３０，１３５０，１４９０、昇降部２１８、ヒータ２１３、圧力調整器２２７，１６２０、真空ポンプ２２３（２２３ａ，２２３ｂ，２２３ｃ，２２３ｄ），１６３０、整合器２５１、高周波電源部２５２、ＭＦＣ１１５（１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ，１１５ｄ），１２５（１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃ，１２５ｄ），１３５（１３５ａ，１３５ｂ，１３５ｃ，１３５ｄ），１５３０，５０１ｃ，５０２ｃ、バルブ１１６（１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃ，１１６ｄ），１２６（１２６ａ，１２６ｂ，１２６ｃ，１２６ｄ），１３６（１３６ａ，１３６ｂ，１３６ｃ，１３６ｄ），２２８，１５４０，５０２ａ，５０２ｂ、（ＲＰＵ１２４、気化器１８０）、バイアス制御部２５７、真空搬送ロボット１７００、大気搬送ロボット１２２０、チラー８０３等に接続されている。また、インピーダンス計２５４等にも接続されていてもよい。
【００６５】
演算部としてのＣＰＵ２６０ａは、記憶装置２６０ｃからの制御プログラムを読み出して実行するとともに、入出力装置２６１からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２６０ｃから工程情報を読み出し、さらには読み出した工程情報に対応する搬送情報を記憶装置２６０ｃから読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ２６０ａは、読み出した工程情報および搬送情報の内容に沿うように、ゲートバルブ１４９０の開閉動作、昇降部２１８の昇降動作、ヒータ２１３への電力供給動作、圧力調整器２２７，２２８の圧力調整動作、真空ポンプ２２３のオンオフ制御、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５、１４５、１５５，５０１ｃ，５０２ｃでのガス流量制御動作、ＲＰＵ１２４，１４４，１５４のガスの活性化動作、バルブ１１６，１２６，１３６，２３７，１４６，１５６，５０２ａ，５０２ｂでのガスのオンオフ制御、整合器２５１の電力の整合動作、高周波電源部２５２の電力制御、バイアス制御部２５７の制御動作、インピーダンス計２５４が測定した測定データに基づいた整合器２５１の整合動作、高周波電源２５２の電力制御動作、等を制御するように構成されている。
【００６６】
（工程情報）
記憶装置２６０ｃに格納される工程情報は、チャンバ１００ａでのウエハ２００に対する処理内容を規定する情報である。さらに具体的には、工程情報は、少なくとも、基板処理の手順や条件等が記載された処理レシピ（プロセスレシピ）を含む。処理レシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ２６０に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、ウエハ２００に対する処理を行う際の処理温度、加熱時間等を規定するものである。なお、工程情報は、処理レシピの他に、ウエハ２００上に形成する膜の膜種、膜厚、そのウエハ２００を用いて製造するデバイスの生産上の情報等を含むものであってもよい。
【００６７】
記憶装置２６０ｃは、複数の工程情報を記録可能に構成されている。複数の工程情報が記憶装置２６０ｃに記録されている場合、演算部としてのＣＰＵ２６０ａは、入出力装置２６１からの操作コマンドの入力等に応じて、処理対象となるウエハ２００に適用する一つの工程情報を、複数の中から選択的に読み出すことになる。
【００６８】
（搬送情報）
記憶装置２６０ｃに格納される搬送情報は、ＴＭ１４００に設置された真空搬送ロボット１７００の動作条件を規定する情報である。さらに具体的には、搬送情報は、少なくとも、真空搬送ロボット１７００がウエハ２００を搬送する際の搬送速度、加速度、アーム１８００，１９００を旋回させる際の旋回条件等のパラメータが記載された搬送レシピを含む。なお、搬送情報は、搬送レシピに加えて、他の条件を規定する情報を含むものであってもよい。
【００６９】
記憶装置２６０ｃは、複数の搬送情報を記録可能であるとともに、搬送情報と工程情報との対応関係についても記録可能に構成されている。複数の搬送情報が記憶装置２６０ｃに記録されている場合、演算部としてのＣＰＵ２６０ａは、搬送情報と工程情報との対応関係に基づき、読み出した工程情報に対応する一つの搬送情報を、複数の中から選択的に読み出すことになる。
【００７０】
（プログラム）
記憶装置２６０ｃ内に格納される制御プログラム、工程情報および搬送情報は、いずれも、演算部としてのＣＰＵ２６０ａに実行されるプログラムとして機能する。以下、制御プログラム、工程情報および搬送情報等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、制御プログラム単体のみを含む場合、工程情報単体のみを含む場合、搬送情報単体のみを含む場合、または、これらの組合せを含む場合がある。
【００７１】
なお、コントローラ２６０は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２６２を用意し、係る外部記憶装置２６２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ２６０を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置２６２を介して供給する場合に限らない。例えば、送受信部２８５やネットワーク２６３（インターネットや専用回線）等の通信手段を用い、外部記憶装置２６２を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。また、記憶装置２６０ｃや外部記憶装置２６２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２６０ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２６２単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。
【００７２】
（４）半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の概要
次に、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として、ウエハ２００上に絶縁膜を成膜する基板処理工程を例に挙げ、その概要を説明する。なお、ここでは、絶縁膜として、例えば窒化膜としてのシリコン窒化（ＳｉＮ）膜を成膜する場合を例に挙げる。以下に説明する基板処理工程は、上述の基板処理システム１０００、チャンバ１００で行われる。また、以下の説明において、各部の動作はコントローラ２６０により制御される。
【００７３】
図８は、本実施形態に係る基板処理工程の概要のフロー図である。
【００７４】
（設定工程：Ｓ３０１）
基板処理に際しては、先ず、コントローラ２６０において設定工程（Ｓ３０１）を行う。設定工程（Ｓ３０１）では、処理対象となるウエハ２００に適用する工程情報の設定と、その工程情報に対応する搬送情報の設定と、を行う。工程情報の設定は、例えば、入出力装置２６１からの操作コマンドの入力等に応じて、ＣＰＵ２６０ａが記憶装置２６０ｃに記録された工程情報のうちの一つを選択し、選択した工程情報をＲＡＭ２６０ｂに読み込み、Ｉ／Ｏポート２６０ｄを介して各部に動作設定値を設定することで行われる。搬送情報の設定については、詳細を後述する。
【００７５】
（基板搬入・加熱工程：Ｓ３０２）
工程情報および搬送情報の設定後は、基板搬入・加熱工程（Ｓ３０２）において、チャンバ１００へのウエハ２００の搬入を行う。ウエハ２００の搬入は、真空搬送ロボット１７００のアーム１８００を用いて行う。そして、ウエハ２００を搬入したら、真空搬送ロボット１７００を退避させ、ＧＶ１４９０を閉じてチャンバ１００内を密閉する。その後、基板載置台２１２を上昇させて、基板載置面２１１上のウエハ２００をウエハ処理位置に位置させる。その状態で、処理室２０１内が所定の圧力となるように排気系を制御するとともに、ウエハ２００の表面温度が所定の温度となるようにヒータ２１３を制御する。
【００７６】
（基板処理工程：Ｓ３０３）
ウエハ処理位置に位置させたウエハ２００が所定温度となったら、続いて、基板処理工程（Ｓ３０３）を行う。基板処理工程（Ｓ３０３）では、設定工程（Ｓ３０１）で設定した工程情報の処理レシピに応じて、ウエハ２００を所定の温度に加熱した状態で、第一ガス供給部を制御して第一ガスを処理室２０１に供給するとともに、排気系を制御して処理室２０１を排気し、ウエハ２００に処理を行う。なお、このとき、第二ガス供給部を制御して、第二ガスを第一ガスと同時に処理空間に存在させてＣＶＤ処理を行ったり、第一ガスと第二ガスとを交互に供給してサイクリック処理を行ったりしてもよい。また、第二ガスをプラズマ状態として処理する場合は、ＲＰＵ１２４の使用や、電極２４４に高周波電力を供給することで、処理室２０１内にプラズマを生成してもよい。
【００７７】
膜処理方法の一具体例であるサイクリック処理としては、次の方法が考えられる。例えば第一ガスとしてジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２，ｄｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ：ＤＣＳ）ガスを用い、第二ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いた場合が挙げられる。その場合、第一工程ではＤＣＳガスをウエハ２００に供給し、第二工程ではＮＨ３ガスをウエハ２００に供給する。第一工程と第二工程の間には、パージ工程として、Ｎ２ガスを供給するとともに、処理室２０１の雰囲気を排気する。この第一工程、パージ工程、第二工程を複数回行うサイクリック処理を行うことで、ウエハ２００上にシリコン窒化（ＳｉＮ）膜が形成される。
【００７８】
（基板搬入出工程：Ｓ３０４）
ウエハ２００に所定の処理が施された後は、基板搬入出工程（Ｓ３０４）において、チャンバ１００からの処理済みのウエハ２００の搬出を行う。処理済みのウエハ２００の搬出は、真空搬送ロボット１７００のアーム１９００を用いて行う。
【００７９】
このとき、真空搬送ロボット１７００のアーム１８００に未処理のウエハ２００が保持されている場合は、その未処理のウエハ２００のチャンバ１００への搬入を真空搬送ロボット１７００が行う。そして、チャンバ１００内のウエハ２００に対して、基板処理工程（Ｓ３０３）が行われる。なお、アーム１８００に未処理のウエハ２００が保持されていない場合は、処理済みのウエハ２００の搬出のみが行われる。
【００８０】
（判定工程：Ｓ３０５）
基板処理システム１０００では、基板処理工程（Ｓ３０３）および基板搬入出工程（Ｓ３０４）を、未処理のウエハ２００がなくなるまで繰り返し行う。そして、未処理のウエハ２００がなくなると、上述した一連の処理（Ｓ３０１〜Ｓ３０５）を終了する。
【００８１】
（５）真空搬送ロボットの動作制御
次に、上述した一連の処理における真空搬送ロボット１７００の動作制御について説明する。
【００８２】
（動作制御の概要）
既述のように、基板処理工程（Ｓ３０３）では、工程情報の処理レシピに基づいて、ウエハ２００を所定の温度まで加熱して処理する。そのため、処理後のウエハ２００には、加熱による反りが発生することがあり得る。ウエハ２００に発生する反り量は、ウエハ２００に対する処理を行う際の処理温度、加熱時間等の影響を受ける。処理温度、加熱時間等は、工程情報の処理レシピによって規定される。工程情報は、記憶装置２６０ｃに記録された複数の中から選択的に読み出されて、ウエハ２００に対する処理に適用される。したがって、ウエハ２００に発生する反り量は、適用される工程情報の内容次第で異なることがあり得る。
【００８３】
その一方で、真空搬送ロボット１７００におけるツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２には、真空チャックまたはメカニカルチャック等のウエハ固定機能を設けることができない。そのため、ウエハ２００に発生する反り量が大きい場合には、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２との接触面積の減少に伴う摩擦力の低下により、搬送時にウエハ２００の位置ずれが発生してしまうおそれがある。なお、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２にはファンデルワールス力を利用してアンチスリップ作用を発揮するパッド１８０３，１９０３が設けられているが、高温環境下ではファンデルワールス力が低下してしまうため、パッド１８０３，１９０３が設けられていても、ウエハ２００の位置ずれ発生の懸念を完全に解消することはできない。
【００８４】
以上のような状況下において、例えば、真空搬送ロボット１７００がウエハ２００を搬送する際の動作条件（搬送速度や搬送加速度等）について、一つの条件設定しかできないと、ウエハ２００に対する処理内容にかかわらず、自ずと一律に低速の条件で設定せざるを得ない。ウエハ２００の反り量が大きい場合でも、そのウエハ２００の位置ずれ発生を抑制可能にするためである。
【００８５】
しかしながら、真空搬送ロボット１７００の動作条件を一律に低速化してしまうと、ウエハ２００の反りがない場合または反り量が小さい場合（すなわち、ウエハ２００の位置ずれ発生のおそれが低い場合）であっても、そのウエハ２００の搬送を低速の条件で行うことになる。したがって、基板処理システム１０００におけるウエハ２００の搬送効率を向上させることが困難となり、その結果として基板処理システム１０００を用いた半導体装置（半導体デバイス）の製造における生産性低下を招いてしまうおそれがある。
【００８６】
そこで、本実施形態において、真空搬送ロボット１７００の動作を制御するコントローラ２６０は、ウエハ２００に対する処理内容に応じて、そのウエハ２００を搬送する際の真空搬送ロボット１７００の動作条件を変更するように構成されている。さらに具体的には、複数の工程情報および複数の搬送情報を記憶装置２６０ｃに読み出し可能に記録しておき、ウエハ２００の処理に適用される工程情報に対応する搬送情報に基づいてそのウエハ２００を搬送させるようにコントローラ２６０が真空搬送ロボット１７００の動作を制御する。
【００８７】
つまり、本実施形態では、ウエハ２００を処理する際の処理温度、加熱時間等が工程情報の処理レシピ毎に異なるため、真空搬送ロボット１７００の動作条件（搬送速度や搬送加速度等）を規定する搬送情報を、処理対象のウエハ２００に適用される工程情報（特に処理レシピ）に連動させるようにする。このようにすれば、ウエハ２００に対する処理内容に応じて、そのウエハ２００を搬送する際の真空搬送ロボット１７００の動作条件が設定されることになる。したがって、ウエハ２００に発生するであろう反り量を考慮しつつ、真空搬送ロボット１７００の動作条件を可変に設定することが可能となり、真空搬送ロボット１７００の動作条件を一律に設定する場合に比べると、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制し、かつ、ウエハ２００の搬送効率を向上させることが、容易に実現可能となる。
【００８８】
以下、真空搬送ロボット１７００の動作の具体的な制御態様について説明する。
【００８９】
（第１の制御態様）
まず、第１の制御態様について説明する。
図９は、第１の制御態様における工程情報と搬送情報の対応関係の例を示す説明図である。なお、図例では、絶縁膜として例えば酸化膜としてのシリコン酸化（ＳｉＯ）膜を成膜することが、工程情報において規定されている場合を例に挙げている。
【００９０】
例えば、工程情報の処理レシピにおいて、１５０℃の処理温度でＳｉＯ膜を成膜することが規定されており、その処理レシピに基づいてウエハ２００に対する処理を行う場合を考える。その場合、ウエハ２００は、処理前（搬入時）におけるツイーザとの接触面積を「１」とすると、処理後（搬出時）には加熱による反りが生じて接触面積が「０．９８」になってしまう可能性がある。そのため、真空搬送ロボット１７００のウエハ非搭載時の動作速度を「１」とすると、搬入時には動作速度を「０．８」に抑え、さらに搬出時には動作速度を「０．７５」に抑えることが、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上では好ましい。以上のことから、設定工程（Ｓ３０１）において、１５０℃の処理温度でＳｉＯ膜を成膜する工程情報（処理レシピ）が設定された場合には、これに対応する搬送情報として、搬入時には「０．８」の動作速度とする「Ｎｏ．２」の搬送レシピと、搬出時には「０．７５」の動作速度とする「Ｎｏ．３」の搬送レシピとを、それぞれ選択して設定する。このように搬送情報の設定を行うことで、その搬送情報に基づいて動作が制御される真空搬送ロボット１７００は、ウエハ２００の位置ずれを発生させることなく、そのウエハ２００を搬送することができる。
【００９１】
また、例えば、工程情報の処理レシピにおいて、３５０℃の処理温度でＳｉＯ膜を成膜することが規定されており、その処理レシピに基づいてウエハ２００に対する処理を行う場合を考える。その場合、ウエハ２００は、処理前（搬入時）におけるツイーザとの接触面積を「１」とすると、処理後（搬出時）には加熱による反りが生じて接触面積が「０．７」になってしまう可能性がある。そのため、真空搬送ロボット１７００のウエハ非搭載時の動作速度を「１」とすると、搬入時には動作速度を「０．８」に抑え、さらに搬出時には動作速度を「０．６」に抑えることが、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上では好ましい。以上のことから、設定工程（Ｓ３０１）において、３５０℃の処理温度でＳｉＯ膜を成膜する工程情報（処理レシピ）が設定された場合には、これに対応する搬送情報として、搬入時には「０．８」の動作速度とする「Ｎｏ．２」の搬送レシピと、搬出時には「０．６」の動作速度とする「Ｎｏ．４」の搬送レシピとを、それぞれ選択して設定する。このように搬送情報の設定を行うことで、その搬送情報の内容に従って動作が制御される真空搬送ロボット１７００は、ウエハ２００の位置ずれを発生させることなく、そのウエハ２００を搬送することができる。
【００９２】
また、例えば、工程情報の処理レシピにおいて、３５０℃の処理温度で２μｍ厚のＳｉＯ膜を成膜することが規定されており、その処理レシピに基づいてウエハ２００に対する処理を行う場合を考える。その場合、ウエハ２００は、処理前（搬入時）におけるツイーザとの接触面積を「１」とすると、処理後（搬出時）には加熱による反りが生じて接触面積が「０．６」になってしまう可能性がある。そのため、真空搬送ロボット１７００のウエハ非搭載時の動作速度を「１」とすると、搬入時には動作速度を「０．８」に抑え、さらに搬出時には動作速度を「０．５」に抑えることが、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上では好ましい。以上のことから、設定工程（Ｓ３０１）において、３５０℃の処理温度で２μｍ厚のＳｉＯ膜を成膜する工程情報（処理レシピ）が設定された場合には、これに対応する搬送情報として、搬入時には「０．８」の動作速度とする「Ｎｏ．２」の搬送レシピと、搬出時には「０．５」の動作速度とする「Ｎｏ．５」の搬送レシピとを、それぞれ選択して設定する。このように搬送情報の設定を行うことで、その搬送情報の内容に従って動作が制御される真空搬送ロボット１７００は、ウエハ２００の位置ずれを発生させることなく、そのウエハ２００を搬送することができる。
【００９３】
また、例えば、工程情報の処理レシピにおいて、４５０℃の処理温度でＳｉＯ膜を成膜することが規定されており、その処理レシピに基づいてウエハ２００に対する処理を行う場合を考える。その場合、ウエハ２００は、処理前（搬入時）におけるツイーザとの接触面積を「１」とすると、処理後（搬出時）には加熱による反りが生じて接触面積が「０．５」になってしまう可能性がある。そのため、真空搬送ロボット１７００のウエハ非搭載時の動作速度を「１」とすると、搬入時には動作速度を「０．８」に抑え、さらに搬出時には動作速度を「０．４」に抑えることが、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上では好ましい。以上のことから、設定工程（Ｓ３０１）において、４５０℃の処理温度でＳｉＯ膜を成膜する工程情報（処理レシピ）が設定された場合には、これに対応する搬送情報として、搬入時には「０．８」の動作速度とする「Ｎｏ．２」の搬送レシピと、搬出時には「０．４」の動作速度とする「Ｎｏ．６」の搬送レシピとを、それぞれ選択して設定する。このように搬送情報の設定を行うことで、その搬送情報の内容に従って動作が制御される真空搬送ロボット１７００は、ウエハ２００の位置ずれを発生させることなく、そのウエハ２００を搬送することができる。
【００９４】
以上に説明したように、第１の制御態様では、ウエハ２００に対する処理内容を規定する工程情報に応じて、そのウエハ２００を搬送する際の真空搬送ロボット１７００の動作条件を規定する搬送情報が設定される。したがって、ウエハ２００に発生するであろう反り量を考慮しつつ、真空搬送ロボット１７００の動作条件を可変に設定することが可能となる。つまり、ウエハ２００に対する処理内容からウエハ２００に発生するであろう反り量を予め推察しておき、その反り量を考慮した動作条件で真空搬送ロボット１７００を動作させることで、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制するのである。
【００９５】
特に、第１の制御態様では、ウエハ２００に適用される工程情報に対応する搬送情報を基に、そのウエハ２００をチャンバ１００に搬入する際の搬入速度と、そのウエハ２００をチャンバ１００から搬出する際の搬出速度とを設定して、真空搬送ロボット１７００を動作させる。つまり、搬入速度と搬出速度とをそれぞれ個別に設定するようになっている。したがって、搬送時のウエハ２００の位置ずれ防止と、ウエハ２００の搬送効率向上とを、より一層確実なものとすることができる。
【００９６】
具体的には、搬入速度と搬出速度とをそれぞれ個別に設定できれば、搬入速度と搬出速度とを互いに異ならせるように設定することが可能となる。つまり、加熱によりウエハ２００に反りが生じ得る処理後（搬出時）については、処理前（搬入時）に比べて速度を抑えるように設定することが可能となる。このように、搬入速度＞搬出速度とすれば、搬入速度を比較的高速にすることで搬送効率を向上させつつ、搬出速度を比較的低速にすることで反りに起因するウエハ２００の位置ずれ防止が図れるので、ウエハ２００の位置ずれ防止と搬送効率向上との両立をより一層確実なものとすることができる。
【００９７】
さらには、搬入速度と搬出速度とをそれぞれ個別に設定することで、少なくとも搬出速度については工程情報に応じて異ならせるように設定する、といったことが実現可能となる。つまり、ウエハ２００の反り量は工程情報（処理レシピ）の内容次第で異なり得ることから、発生するであろう反り量が小さければ搬出速度を比較的高速に設定し、発生するであろう反り量が大きければ搬出速度を比較的低速に設定することが可能となる。このように、少なくとも搬出速度を工程情報に応じて異ならせれば、小さい反り量のときは搬送効率向上を図りつつ、大きい反り量のときはウエハ２００の位置ずれ防止が図れるので、ウエハ２００の位置ずれ防止と搬送効率向上との両立をより一層確実なものとすることができる。
【００９８】
なお、ここでは、第１の制御態様として、搬入速度と搬出速度と個別に設定する場合を例に挙げたが、これに限定されることはない。つまり、第１の制御態様では、搬入速度と搬出速度と個別に設定する場合の他、搬入速度と搬出速度と一律に搬送速度として設定する場合も含み、いずれの場合であっても真空搬送ロボット１７００の動作条件を工程情報に応じて可変に設定し得るものであればよい。
また、ここでは、搬入速度と搬出速度とをそれぞれ個別に設定する場合に、搬入速度＞搬出速度とすることを例に挙げたが、これに限定されることはなく、例えば搬入速度＜搬出速度とすることも実現可能である。
【００９９】
（第２の制御態様）
次に、第２の制御態様について説明する。ここでは、主に、上述した第１の制御態様との相違点について説明する。
図１０は、第２の制御態様における処理レシピと搬送情報の対応関係の例を示す説明図である。
【０１００】
既述のように、工程情報に含まれる処理レシピは、ウエハ２００に対する処理を行う際の処理温度、加熱時間等を規定する。つまり、工程情報には、ウエハ２００の処理温度と、ウエハ２００に対する加熱時間とを含んでいる。
その一方で、ウエハ２００に発生する反り量の大きさは、ウエハ２００に対する処理を行う際の処理温度と加熱時間に大きく影響される。
そこで、第２の制御態様では、真空搬送ロボット１７００の動作条件の設定にあたり、その設定の基になる搬送情報の選択を、工程情報に含まれる処理温度と加熱時間との関係に基づいて行う。つまり、上述した第１の制御態様では、主にウエハ２００に対する処理温度に応じて搬送情報（搬送レシピ）を選択する場合を例に挙げたが、ここで説明する第２の制御態様では、処理温度と加熱時間との関係に応じて搬送情報（搬送レシピ）を選択する。
【０１０１】
例えば、工程情報の処理レシピにおいて、処理温度を１５０℃とし、加熱時間を「１０（任意単位）」とすることが規定されており、その処理レシピに対応する搬送情報の搬送レシピとして、「Ｎｏ．３」の搬送レシピが規定されている場合を考える。その場合、処理温度を１５０℃、加熱時間を「３０」とする処理をウエハ２００に行っても、「Ｎｏ．３」の搬送レシピを選択して設定することで、そのウエハ２００に発生し得る反り量を考慮した動作速度で、そのウエハ２００が搬送される。
【０１０２】
また、例えば、工程情報の処理レシピにおいて、処理温度を１５０℃とし、加熱時間を比較的長時間の「３０」とすることが規定されている場合を考える。その場合、処理温度が比較的低温（１５０℃）であることから、加熱時間が「１０」から「３０」に延びても、ウエハ２００に発生し得る反り量に大きな変化は生じない。そのため、対応する搬送情報の搬送レシピとして、加熱時間が「１０」の場合と同様に、「Ｎｏ．３」の搬送レシピが規定されているものとする。したがって、処理温度を１５０℃、加熱時間を「３０」とする処理をウエハ２００に行っても、「Ｎｏ．３」の搬送レシピを選択して設定することで、そのウエハ２００に発生し得る反り量を考慮した動作速度で、そのウエハ２００が搬送される。
【０１０３】
また、例えば、工程情報の処理レシピにおいて、処理温度を３５０℃とし、加熱時間を「５」とすることが規定されている場合を考える。その場合、処理温度が比較的高温（３５０℃）であっても、加熱時間が比較的短時間（「５」）であることから、ウエハ２００に大きな反りが発生することはない。そのため、対応する搬送情報の搬送レシピとして、「Ｎｏ．２」の搬送レシピが規定されているものとする。したがって、処理温度を３５０℃、加熱時間を「５」とする処理をウエハ２００に行っても、「Ｎｏ．２」の搬送レシピを選択して設定することで、そのウエハ２００に発生し得る反り量を考慮した動作速度で、そのウエハ２００が搬送される。
【０１０４】
また、例えば、工程情報の処理レシピにおいて、処理温度を３５０℃とし、加熱時間を比較的長時間の「３０」とすることが規定されている場合を考える。その場合、処理温度が比較的高温（３５０℃）であることから、加熱時間が「５」から「３０」に延びると、ウエハ２００に発生し得る反り量が増大してしまう。そのため、対応する搬送情報の搬送レシピとして、「Ｎｏ．４」の搬送レシピが規定されているものとする。したがって、処理温度を３５０℃、加熱時間を「３０」とする処理をウエハ２００に行っても、「Ｎｏ．４」の搬送レシピを選択して設定することで、そのウエハ２００に発生し得る反り量を考慮した動作速度で、そのウエハ２００が搬送される。
【０１０５】
また、例えば、工程情報の処理レシピにおいて、処理温度を４５０℃とし、加熱時間を「５」とすることが規定されている場合を考える。その場合、処理温度がさらに高温（４５０℃）であっても、加熱時間が比較的短時間（「５」）であることから、ウエハ２００に大きな反りが発生することはない。そのため、対応する搬送情報の搬送レシピとして、「Ｎｏ．２」の搬送レシピが規定されているものとする。したがって、処理温度を４５０℃、加熱時間を「５」とする処理をウエハ２００に行っても、「Ｎｏ．２」の搬送レシピを選択して設定することで、そのウエハ２００に発生し得る反り量を考慮した動作速度で、そのウエハ２００が搬送される。
【０１０６】
また、例えば、工程情報の処理レシピにおいて、処理温度を４５０℃とし、加熱時間を比較的長時間の「３０」とすることが規定されている場合を考える。その場合、処理温度がさらに高温（４５０℃）であることから、加熱時間が「５」から「３０」に延びると、ウエハ２００に発生し得る反り量がより一層増大してしまう。そのため、対応する搬送情報の搬送レシピとして、「Ｎｏ．６」の搬送レシピが規定されているものとする。したがって、処理温度を４５０℃、加熱時間を「３０」とする処理をウエハ２００に行っても、「Ｎｏ．６」の搬送レシピを選択して設定することで、そのウエハ２００に発生し得る反り量を考慮した動作速度で、そのウエハ２００が搬送される。
【０１０７】
以上に説明したように、第２の制御態様では、工程情報に含まれる処理温度と加熱時間との関係に基づいて、ウエハ２００を搬送する際の真空搬送ロボット１７００の動作条件を規定する搬送情報（搬送レシピ）が設定される。このように、ウエハ２００に対する処理温度と加熱時間との関係を基にすることで、ウエハ２００に発生するであろう反り量の大きさについて、単に処理温度のみを基にする場合に比べて、より一層精度よく推察することが可能となる。したがって、処理温度と加熱時間との関係に基づいて真空搬送ロボット１７００の動作条件を可変に設定すれば、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１０８】
（第３の制御態様）
次に、第３の制御態様について説明する。ここでは、主に、上述した第１または第２の制御態様との相違点について説明する。
【０１０９】
既述のように、真空搬送ロボット１７００が設置されたＴＭ１４００内には、温度センサ７０１ａ〜７０１ｊが設けられており、搬送中のウエハ２００の温度を測定することが可能である。
そこで、第３の制御態様では、真空搬送ロボット１７００の動作条件の設定にあたり、その設定の基になる搬送情報の選択を、工程情報に加えて、温度センサ７０１ａ〜７０１ｊによるウエハ２００の温度測定結果に基づいて行う。基板処理工程（Ｓ３０３）の終了から基板搬入出工程（Ｓ３０４）の開始までの間に、ウエハ２００の温度低下が生じることが考えられるからである。
【０１１０】
具体的には、まず、第１または第２の制御態様の場合と同様に、工程情報に応じて搬送情報を設定し、その搬送情報に従って真空搬送ロボット１７００を動作させる。そして、温度センサ７０１ａ〜７０１ｊのいずれかを利用して、真空搬送ロボット１７００によって搬送されるウエハ２００についての温度測定結果を取得する。このとき、温度測定結果と工程情報によって規定される処理温度との差が所定の許容範囲内であれば、設定された動作条件のまま、真空搬送ロボット１７００によるウエハ２００の搬送を継続して行う。
【０１１１】
ただし、温度測定結果と処理温度との差が所定の許容範囲内になければ、工程情報から推察し得るウエハ２００の反り量と実際に発生しているウエハ２００の反り量との間に乖離があると考えられることから、真空搬送ロボット１７００の動作条件の設定についての補正を行う。例えば、処理温度よりも許容範囲を超える程度に温度測定結果が低かった場合、実際に発生しているウエハ２００の反り量が想定よりも小さいと考えられることから、より高速の搬送速度を規定する搬送情報を選択し直すように、搬送情報の選択および設定を修正する。どのように搬送情報に選択し直すかについては、予め記憶装置２６０ｃに記録されているテーブル、関係式、その他の対応関係情報に基づいて行えばよい。
【０１１２】
以上に説明したように、第３の制御態様では、工程情報に加えて、温度センサ７０１ａ〜７０１ｊによるウエハ２００の温度測定結果を基に、対応する搬送情報の選択を行う。したがって、実際に発生しているであろうウエハ２００の反り量を考慮した動作条件で真空搬送ロボット１７００を動作させることが可能となり、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１１３】
（第４の制御態様）
次に、第４の制御態様について説明する。ここでは、主に、上述した第３の制御態様との相違点について説明する。
【０１１４】
既述のように、ＴＭ１４００内に設けられた温度センサ７０１ａ〜７０１ｊは、ウエハ２００のみならず、真空搬送ロボット１７００の各アーム１８００，１９００におけるツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度についても、測定することが可能となる。
そこで、第４の制御態様では、真空搬送ロボット１７００の動作条件の設定にあたり、その設定の基になる搬送情報の選択を、工程情報に加えて、温度センサ７０１ａ〜７０１ｊによるウエハ２００の温度測定結果とツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度測定結果とのいずれか一方または両方に基づいて行う。
【０１１５】
例えば、第４の制御態様では、第３の制御態様で説明したウエハ２００の温度測定結果に代えて、温度センサ７０１ａ〜７０１ｊによるツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度測定結果を基に、真空搬送ロボット１７００の動作条件の基になる搬送情報の選択および設定についての補正を行う。ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度は、搬送されるウエハ２００の温度に直接的な影響を及ぼすからである。
【０１１６】
また、例えば、第４の制御態様では、ウエハ２００の温度測定結果とツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度測定結果との両方を取得し、それぞれの関係に基づいて、搬送情報の選択および設定についての補正を行うようにしてもよい。多枚数のウエハ２００を連続処理した場合には、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度が変化（上昇）して高温状態に保たれることが想定されるが、その影響がウエハ２００の温度変化（特に冷却）の度合いにも及ぶと考えられるからである。
【０１１７】
以上に説明したように、第４の制御態様では、工程情報に加えて、温度センサ７０１ａ〜７０１ｊによるウエハ２００の温度測定結果とツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度測定結果とのいずれか一方または両方を基に、対応する搬送情報の選択を行う。したがって、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度がウエハ２００の温度に及ぼす影響を加味しつつ、ウエハ２００の反り量を考慮した動作条件で真空搬送ロボット１７００を動作させることが可能となり、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１１８】
（第５の制御態様）
次に、第５の制御態様について説明する。ここでは、主に、上述した第１〜第４の制御態様との相違点について説明する。
【０１１９】
第１〜第４の制御態様では、いずれの場合も、真空搬送ロボット１７００の動作条件として、その真空搬送ロボット１７００によりウエハ２００を搬送する際の速度を可変に設定する場合を例に挙げている。
これに対して、第５の制御態様では、ウエハ２００の搬送速度に代えて、または搬送速度と併せて、真空搬送ロボット１７００によりウエハ２００を搬送する際の加速度を可変に設定することで、その真空搬送ロボット１７００の動作を制御する。搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生の有無は、真空搬送ロボット１７００を動作させる際の加速度の大きさの影響を受け得るからである。
【０１２０】
具体的には、例えば、ウエハ２００の反り量が大きいことが想定される場合には、真空搬送ロボット１７００を動作させる際の加速度を小さく抑えるようにする。また、例えば、ウエハ２００の反り量が小さいことが想定される場合には、真空搬送ロボット１７００を動作させる際の加速度を大きくして、迅速に所望の搬送速度に到達させるようにする。
【０１２１】
以上に説明したように、第５の制御態様では、真空搬送ロボット１７００の動作条件の基になる搬送情報を選択すると、その選択した搬送情報における加速度パラメータに基づき、真空搬送ロボット１７００を動作させる際の加速度を制御する。したがって、ウエハ２００に発生しているであろう反り量を考慮した加速度で真空搬送ロボット１７００を動作させることが可能となり、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１２２】
（第６の制御態様）
次に、第６の制御態様について説明する。ここでは、主に、上述した第１〜第５の制御態様との相違点について説明する。
【０１２３】
既述のように、真空搬送ロボット１７００は、一つのアームで二つのウエハ２００を同時に搬送可能に構成されている。また、ＴＭ１４００に複数のＰＭ１１０ａ〜１１０ｄが連結されていることから、真空搬送ロボット１７００は、各ＰＭ１１０ａ〜１１０ｄとの間でのウエハ２００の搬入出のための旋回動作を行い得るように構成されている。つまり、真空搬送ロボット１７００は、複数枚のウエハ２００を支持可能に構成されているとともに、ＴＭ１４００内での旋回動作を行い得るように構成されている。そのため、例えば、複数枚のウエハ２００を支持した状態で真空搬送ロボット１７００が旋回動作を行う場合には、その旋回動作の回転中心位置と各ウエハ２００の支持位置とが離れてしまい、その旋回動作による遠心力が各ウエハ２００に作用することで、各ウエハ２００に位置ずれが発生してしまうおそれがある。
【０１２４】
そこで、第６の制御態様では、真空搬送ロボット１７００の動作条件の設定にあたり、その設定の基になる搬送情報の選択を、真空搬送ロボット１７００が支持するウエハ２００の枚数に基づいて行う。なお、ウエハ２００の枚数は、例えば工程情報によって規定されるものとする。
【０１２５】
具体的には、例えば、真空搬送ロボット１７００が支持するウエハ２００の枚数が１枚のみである場合には、ウエハ２００の支持位置を旋回動作の回転中心位置と一致させるようにアーム動作を制御するとともに、これにより遠心力の作用による位置ずれ発生のおそれを軽減できるので、旋回動作を行う際の角速度または各加速度の少なくとも一方を許容される程度に大きくする。一方、例えば、真空搬送ロボット１７００が複数枚のウエハ２００を同時に支持する場合には、各ウエハ２００の支持位置と旋回動作の回転中心位置とを一致させることができないので、旋回動作を行う際の角速度または各加速度の少なくとも一方を小さく抑えるようにする。
【０１２６】
以上に説明したように、第６の制御態様では、真空搬送ロボット１７００が支持するウエハ２００の枚数に応じて、その真空搬送ロボット１７００を動作させる際の旋回条件を変更するように制御する。ここでいう旋回条件には、真空搬送ロボット１７００に旋回動作を行わせる際のアーム動作の内容と、その旋回動作の際の角速度または各加速度の少なくとも一方とが含まれる。このように、真空搬送ロボット１７００の旋回動作を制御すれば、その旋回動作による遠心力の影響を排除し得るようになるので、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１２７】
（第７の制御態様）
次に、第７の制御態様について説明する。ここでは、主に、上述した第１〜第６の制御態様との相違点について説明する。
【０１２８】
第７の制御態様では、コントローラ２６０における演算部としてのＣＰＵ２６０ａが、真空搬送ロボット１７００の稼働情報を抽出する。稼働情報としては、例えば、真空搬送ロボット１７００が搬送したウエハ２００の累積枚数を示す情報、または、単位時間当たりのウエハ２００の搬送枚数を示す情報が挙げられる。ただし、稼働情報は、これらの情報に限定されることはなく、真空搬送ロボット１７００の稼働状況を特定する情報であれば、他の情報であってもよい。
そして、真空搬送ロボット１７００の稼働情報を抽出したら、第７の制御態様では、真空搬送ロボット１７００の動作条件の設定にあたり、その設定の基になる搬送情報の選択を、工程情報に加えて、抽出した稼働情報に基づいて行う。
【０１２９】
具体的には、例えば、１００枚以上のウエハ２００を連続処理（搬送）したことを稼働情報として抽出した場合を考える。その場合、ウエハ２００を連続処理により、真空搬送ロボット１７００のツイーザと各ウエハ２００との熱交換が生じ、これによりツイーザが高温になっていることが推察される。ツイーザが高温であればウエハ２００との間の温度差が小さくなることから、ウエハ２００がツイーザに支持されても、ウエハ２００の反り量増加が抑制される。したがって、ウエハ２００を搬送する際の速度または加速度を大きく設定しても、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制し得るようになる。
【０１３０】
また、例えば、動作開始から１〜２５枚程度のウエハ２００を搬送したことを稼働情報として抽出した場合を考える。その場合、動作開始直後なので、ツイーザは常温に近い状態にあることが推察される。ツイーザが常温であればウエハ２００との間の温度差が大きいことから、ウエハ２００がツイーザに支持されると、それぞれの間の温度差に起因して、ウエハ２００の反りが増大してしまうおそれがある。したがって、ウエハ２００を搬送する際の速度または加速度を小さく設定することで、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制し得るようにする。
【０１３１】
以上に説明したように、第７の制御態様では、真空搬送ロボット１７００の稼働情報を抽出した上で、工程情報に加えて、抽出した稼働情報を基に、対応する搬送情報の選択を行う。したがって、真空搬送ロボット１７００の稼働状況による影響を加味しつつ、ウエハ２００に発生するであろう反り量を考慮した動作条件で真空搬送ロボット１７００を動作させることが可能となり、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１３２】
（第８の制御態様）
次に、第８の制御態様について説明する。ここでは、主に、上述した第１〜第７の制御態様との相違点について説明する。
【０１３３】
第８の制御態様では、温度センサ７０１ａ〜７０１ｊで真空搬送ロボット１７００におけるツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度を測定し、その温度測定結果が所定温度範囲に入ると、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の冷却を行うようにする。
【０１３４】
具体的には、例えば、冷却が必要になったツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２を、Ｌ／Ｌ室１３００のガス供給管５０１ａ，５０２ａに近づけるように、真空搬送ロボット１７００の動作を制御する。そして、ガス供給管５０１ａ，５０２ａから供給される不活性ガスにより、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の冷却を行う。つまり、ガス供給管５０１ａ，５０２ａを有する不活性ガス供給部を、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の冷却を行う冷却部として機能させる。
【０１３５】
また、例えば、冷却が必要になったツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２を、Ｌ／Ｌ室１３００内の冷却部８０１ａ，８０１ｂに近づけるように、真空搬送ロボット１７００の動作を制御してもよい。この場合、冷媒流路８０２ａ，８０２ｂに供給される冷媒により、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の冷却を行うことになる。つまり、Ｌ／Ｌ室１３００内の冷却部８０１ａ，８０１ｂを、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の冷却を行う冷却部として機能させる。
【０１３６】
以上に説明したように、第８の制御態様では、温度センサ７０１ａ〜７０１ｊによるツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度測定結果が所定温度範囲に入ると、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の冷却を行うようにする。このように、必要に応じて冷却を行うことで、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度を適切にコントロールすることが可能となる。
したがって、例えば、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度が高温になり、パッド１８０３，１９０３によるファンデルワールス力が低下してしまう場合であっても、冷却によってファンデルワールス力を回復させることが可能となり、ウエハ２００の位置ずれ発生を抑制できるようになる。
また、例えば、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度をコントロールすることで、ウエハ２００との温度差を所望範囲内に収めることが可能となり、その温度差に起因するウエハ２００の位置ずれ発生を抑制できるようになる。
つまり、必要に応じてツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の冷却を行い得るようにすることで、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１３７】
なお、ここでは、第８の制御態様として、温度センサ７０１ａ〜７０１ｊでツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度を測定する場合を例に挙げたが、必ずしもこれに限定されることはない。例えば、第７の制御態様で説明したように真空搬送ロボット１７００の稼働情報を抽出し、その稼働情報からツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度を推定するようにしても構わない。
【０１３８】
（６）本実施形態の効果
本実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。
【０１３９】
（ａ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、ウエハ２００に適用される工程情報に対応する搬送情報に基づいて、そのウエハ２００を搬送する真空搬送ロボット１７００の動作を制御する。したがって、工程情報の内容から推察されるウエハ２００の反り量を考慮しつつ、真空搬送ロボット１７００の動作条件を可変に設定することが可能となる。つまり、ウエハ２００に発生するであろう反り量を考慮した動作条件で真空搬送ロボット１７００を動作させることで、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制することができ、真空搬送ロボット１７００によるウエハ２００の搬送の適正化が実現されることになる。
【０１４０】
（ｂ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、ウエハ２００に適用される工程情報に対応する搬送情報を基に、そのウエハ２００に対する搬入速度と搬出速度とをそれぞれ個別に設定して、真空搬送ロボット１７００を動作させる。したがって、搬入速度と搬出速度とを互いに異ならせるように設定したり、少なくとも搬出速度については工程情報に応じて異ならせるように設定する、といったことが実現可能となるので、搬送時のウエハ２００の位置ずれ防止と、ウエハ２００の搬送効率向上とを、より一層確実なものとすることができる。
【０１４１】
（ｃ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、工程情報に含まれる処理温度と加熱時間との関係に基づいて、その工程情報に対応する搬送情報の選択および設定を行う。このように、ウエハ２００に対する処理温度と加熱時間との関係を基にすることで、ウエハ２００に発生するであろう反り量の大きさについて、単に処理温度のみを基にする場合に比べて、より一層精度よく推察することが可能となる。したがって、処理温度と加熱時間との関係に基づいて真空搬送ロボット１７００の動作条件を可変に設定すれば、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１４２】
（ｄ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、工程情報に加えて、温度センサ７０１ａ〜７０１ｊによるウエハ２００の温度測定結果を基に、そのウエハ２００を搬送する真空搬送ロボット１７００を動作させるための搬送情報の選択を行う。したがって、実際に発生しているであろうウエハ２００の反り量を考慮した動作条件で真空搬送ロボット１７００を動作させることが可能となり、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１４３】
（ｅ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、工程情報に加えて、温度センサ７０１ａ〜７０１ｊによるウエハ２００の温度測定結果とツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度測定結果とのいずれか一方または両方を基に、そのウエハ２００を搬送する真空搬送ロボット１７００を動作させるための搬送情報の選択を行う。したがって、ツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度がウエハ２００の温度に及ぼす影響を加味しつつ、ウエハ２００の反り量を考慮した動作条件で真空搬送ロボット１７００を動作させることが可能となり、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１４４】
（ｆ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、ウエハ２００の搬送速度に代えて、または搬送速度と併せて、真空搬送ロボット１７００によりウエハ２００を搬送する際の加速度を可変に設定することで、その真空搬送ロボット１７００の動作を制御する。したがって、ウエハ２００に発生しているであろう反り量を考慮した加速度で真空搬送ロボット１７００を動作させることが可能となり、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１４５】
（ｇ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、真空搬送ロボット１７００が支持するウエハ２００の枚数に応じて、その真空搬送ロボット１７００を動作させる際の旋回条件を変更するように制御する。したがって、真空搬送ロボット１７００の旋回動作による遠心力の影響がウエハ２００に及ぶのを排除し得るようになるので、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１４６】
（ｈ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、工程情報に加えて、真空搬送ロボット１７００の稼働情報を基に、その真空搬送ロボット１７００を動作させるための搬送情報の選択を行う。したがって、真空搬送ロボット１７００の稼働状況による影響を加味しつつ、ウエハ２００に発生するであろう反り量を考慮した動作条件で真空搬送ロボット１７００を動作させることが可能となり、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１４７】
（ｉ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、温度センサ７０１ａ〜７０１ｊによるツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の温度測定結果を基に、必要に応じてツイーザ１８０１，１８０２，１９０１，１９０２の冷却を行い得るようにする。したがって、例えば、パッド１８０３，１９０３によるファンデルワールス力の回復や、ウエハ２００との温度差を所望範囲内に収めることが可能となるので、ウエハ２００の搬送効率を向上させつつ、搬送時のウエハ２００の位置ずれ発生を抑制する上で、非常に有効なものとなる。
【０１４８】
＜他の実施形態＞
以上、本開示の一実施形態を具体的に説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１４９】
例えば、上述の実施形態では、第１ガスと第２ガスを交互に供給して成膜する方法について説明したが、他の方法にも適用可能である。例えば、第１ガスと第２ガスの供給タイミングが重なるような方法である。
【０１５０】
また、例えば、上述の実施形態では、２種類のガスを供給して処理する方法について説明したが、１種類のガスを用いた処理であってもよい。
【０１５１】
また、例えば、上述の実施形態では、成膜処理について説明したが、他の処理にも適用可能である。例えば、プラズマを用いた拡散処理、酸化処理、窒化処理、酸窒化処理、還元処理、酸化還元処理、エッチング処理、加熱処理等がある。さらには、例えば、反応ガスのみを用いて、基板表面や基板に形成された膜をプラズマ酸化処理やプラズマ窒化処理する際にも、本開示を適用することができる。また、反応ガスのみを用いたプラズマアニール処理にも適用することができる。これらの処理を第１処理として、その後、上述の第２処理を行わせてもよい。
【０１５２】
また、例えば、上述の実施形態では、半導体装置の製造工程について説明したが、本開示は、半導体装置の製造工程以外にも適用可能である。例えば、液晶デバイスの製造工程、太陽電池の製造工程、発光デバイスの製造工程、ガラス基板の処理工程、セラミック基板の処理工程、導電性基板の処理工程、等の基板処理がある。
【０１５３】
また、例えば、上述の実施形態では、原料ガスとしてシリコン含有ガス、反応ガスとして窒素含有ガスを用いて、シリコン窒化膜を形成する例を示したが、他のガスを用いた成膜にも適用可能である。例えば、酸素含有膜、窒素含有膜、炭素含有膜、ホウ素含有膜、金属含有膜とこれらの元素が複数含有した膜等がある。なお、これらの膜としては、例えば、ＡｌＯ膜、ＺｒＯ膜、ＨｆＯ膜、ＨｆＡｌＯ膜、ＺｒＡｌＯ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣ膜、ＴｉＡｌＣ膜等がある。
【０１５４】
また、例えば、上述の実施形態では、一つの処理室で一枚の基板を処理する装置構成を示したが、これに限らず、複数枚の基板を水平方向または垂直方向に並べた装置であってもよい。
【０１５５】
＜本開示の好ましい態様＞
以下に、本開示の好ましい態様について付記する。
【０１５６】
［付記１］
本開示の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室に設けられ、前記基板を所定温度に加熱する加熱部と、
前記処理室と接続された真空搬送室と、
前記真空搬送室に設けられ、前記基板を搬送可能な搬送ロボットと、
前記真空搬送室に接続されたロードロック室と、
前記基板の処理内容についての工程情報と、前記工程情報に対応する前記搬送ロボットの搬送情報とが、それぞれ複数記録された記憶装置と、
前記基板に適用される前記工程情報に対応する前記搬送情報に基づいて当該基板を搬送させるように前記搬送ロボットを制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
【０１５７】
［付記２］
好ましくは、
前記制御部は、前記搬送情報を基に、前記基板を前記処理室に搬入する際の搬入速度と、前記基板を前記処理室から搬出する際の搬出速度とを設定して、前記搬送ロボットを動作させる
付記１に記載の基板処理装置が提供される。
【０１５８】
［付記３］
好ましくは、
前記制御部は、前記処理室での基板処理前における前記搬入速度と、前記処理室での基板処理後における前記搬出速度とを、互いに異ならせるように設定する
付記２に記載の基板処理装置が提供される。
【０１５９】
[付記４]
好ましくは、
前記制御部は、少なくとも前記搬出速度を、前記基板に適用される前記工程情報に応じて異ならせるように設定する
付記２または３に記載の基板処理装置が提供される。
【０１６０】
[付記５]
好ましくは、
前記記録装置に記録された前記工程情報は、前記基板の処理温度と、前記基板に対する加熱時間とを含み、
前記制御部は、前記処理温度と前記加熱時間との関係を基に、対応する前記搬送情報の選択を行う
付記１から４のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【０１６１】
[付記６]
好ましくは、
前記真空搬送室で前記基板の温度を測定する温度センサを有し、
前記制御部は、前記工程情報に加えて、前記温度センサによる前記基板の温度測定結果を基に、対応する前記搬送情報の選択を行う
付記１から５のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【０１６２】
[付記７]
好ましくは、
前記搬送ロボットは、前記基板を支持するツイーザを有し、
前記温度センサは、前記基板の温度に加えて、前記ツイーザの温度を測定可能に構成され、
前記制御部は、前記工程情報に加えて、前記温度センサによる前記基板の温度測定結果と前記ツイーザの温度測定結果とのいずれか一方または両方を基に、対応する前記搬送情報の選択を行う
付記６に記載の基板処理装置が提供される。
【０１６３】
[付記８]
好ましくは、
前記搬送情報は、加速度パラメータを含み、
前記制御部は、選択した前記搬送情報における前記加速度パラメータに基づき、前記搬送ロボットを動作させる際の加速度を制御する
付記１から７のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【０１６４】
[付記９]
好ましくは、
前記搬送ロボットは、複数枚の前記基板を支持可能に構成され、
前記制御部は、前記搬送ロボットが支持する前記基板の枚数に応じて、当該搬送ロボットを動作させる際の旋回条件を変更するように制御する
付記１から８のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【０１６５】
[付記１０]
好ましくは、
前記制御部は、前記搬送ロボットの稼働情報を抽出し、前記工程情報に加えて、抽出した前記稼働情報を基に、対応する前記搬送情報の選択を行う
付記１から９のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【０１６６】
[付記１１]
好ましくは、
前記温度センサによる前記ツイーザの温度測定結果が所定温度範囲に入ると、前記ツイーザの冷却を行う冷却部を有する
付記７に記載の基板処理装置が提供される。
【０１６７】
[付記１２]
本開示の他の一態様によれば、
基板を処理室で加熱処理する工程と、
前記処理室に接続された真空搬送室内に設けられた搬送ロボットにより、前記処理室と前記真空搬送室に接続されたロードロック室との間で、前記基板を搬送する工程と、
前記基板の処理内容についての工程情報と前記工程情報に対応する前記搬送ロボットの搬送情報とがそれぞれ複数記録された記憶装置から、前記基板に適用される前記工程情報に対応する前記搬送情報を読み出し、読み出した前記搬送情報に基づいて当該基板を搬送させるように前記搬送ロボットを制御する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１６８】
[付記１３]
本開示のさらに他の一態様によれば、
基板を処理室で加熱処理する手順と、
前記処理室に接続された真空搬送室内に設けられた搬送ロボットにより、前記処理室と前記真空搬送室に接続されたロードロック室との間で、前記基板を搬送する手順と、
前記基板の処理内容についての工程情報と前記工程情報に対応する前記搬送ロボットの搬送情報とがそれぞれ複数記録された記憶装置から、前記基板に適用される前記工程情報に対応する前記搬送情報を読み出し、読み出した前記搬送情報に基づいて当該基板を搬送させるように前記搬送ロボットを制御する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
【０１６９】
[付記１４]
本開示のさらに他の一態様によれば、
基板を処理室で加熱処理する手順と、
前記処理室に接続された真空搬送室内に設けられた搬送ロボットにより、前記処理室と前記真空搬送室に接続されたロードロック室との間で、前記基板を搬送する手順と、
前記基板の処理内容についての工程情報と前記工程情報に対応する前記搬送ロボットの搬送情報とがそれぞれ複数記録された記憶装置から、前記基板に適用される前記工程情報に対応する前記搬送情報を読み出し、読み出した前記搬送情報に基づいて当該基板を搬送させるように前記搬送ロボットを制御する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが記録された記録媒体が提供される。
【符号の説明】
【０１７０】
１００，１００ａ〜１００ｈ…チャンバ、１１０，１１０ａ〜１１０ｄ…プロセスモジュール（ＰＭ）、２００…ウエハ（基板）、２０１…処理空間（処理室）、２０２…処理容器、２１２…基板載置台、２１３…ヒータ、２６０…コントローラ、２６０ａ…ＣＰＵ、２６０ｃ…記憶装置、７０１ａ〜７０１ｊ…温度センサ、１０００…基板処理システム、１３００…ロードロック（Ｌ／Ｌ）室、１４００…真空搬送室（ＴＭ）、１７００…真空搬送ロボット、１８００，１９００…アーム、１８０１，１８０２，１９０１，１９０２…ツイーザ
【図１】
2020017645.tif 000003
【図２】
2020017645.tif 000004
【図３】
2020017645.tif 000005
【図４】
2020017645.tif 000006
【図５】
2020017645.tif 000007
【図６】
2020017645.tif 000008
【図７】
2020017645.tif 000009
【図８】
2020017645.tif 000010
【図９】
2020017645.tif 000011
【図１０】
2020017645.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月13日(2019.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室に設けられ、前記基板を所定温度に加熱する加熱部と、
前記処理室と接続された真空搬送室と、
前記真空搬送室に設けられ、前記基板を搬送可能な搬送ロボットと、
前記真空搬送室に接続されたロードロック室と、
前記基板の処理内容についての工程情報と、前記工程情報に対応する前記搬送ロボットの搬送情報とが、それぞれ複数記録された記憶装置と、
前記基板に適用される前記工程情報に対応する前記搬送情報に基づいて当該基板を搬送させるように前記搬送ロボットを制御可能に構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記搬送情報を基に、前記基板を前記処理室に搬入する際の搬入速度と、前記基板を前記処理室から搬出する際の搬出速度とを設定して、前記搬送ロボットを動作させる 
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記処理室での基板処理前における前記搬入速度と、前記処理室での基板処理後における前記搬出速度とを、互いに異ならせるように設定する 
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、少なくとも前記搬出速度を、前記基板に適用される前記工程情報に応じて異ならせるように設定する 
請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記記憶装置に記録された前記工程情報は、前記基板の処理温度と、前記基板に対する加熱時間とを含み、
前記制御部は、前記処理温度と前記加熱時間との関係を基に、対応する前記搬送情報の選択を行う 
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記真空搬送室には前記基板の温度を測定する温度センサを有し、
前記制御部は、前記工程情報と、前記温度センサによる前記基板の温度測定結果の情報を基に、対応する前記搬送情報の選択を行う 
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記搬送ロボットは、前記基板を支持するツイーザを有し、
前記温度センサは、前記基板の温度に加えて、前記ツイーザの温度を測定可能に構成され、
前記制御部は、前記工程情報に加えて、前記温度センサによる前記基板の温度測定結果と前記ツイーザの温度測定結果とのいずれか一方または両方の情報を基に、対応する前記搬送情報の選択を行う 
請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記搬送情報は、加速度パラメータを含み、
前記制御部は、選択した前記搬送情報における前記加速度パラメータに基づき、前記搬送ロボットを動作させる際の加速度を制御する 
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記搬送ロボットは、複数枚の前記基板を支持可能に構成され、
前記制御部は、前記搬送ロボットが支持する前記基板の枚数に応じて、当該搬送ロボットを動作させる際の旋回条件を変更するように制御する 
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記搬送ロボットの稼働情報を抽出し、前記工程情報に加えて、抽出した前記稼働情報を基に、対応する前記搬送情報の選択を行う 
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記温度センサによる前記ツイーザの温度測定結果が所定温度範囲に入ると、前記ツイーザの冷却を行う冷却部を有する 
請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
（ａ）基板を処理室で加熱処理する工程と、
（ｂ）前記処理室に接続された真空搬送室内に設けられた搬送ロボットにより、前記処理室と前記真空搬送室に接続されたロードロック室との間で、前記基板を搬送する工程と、
（ｃ）前記基板の処理内容についての工程情報と前記工程情報に対応する前記搬送ロボットの搬送情報とがそれぞれ複数記録された記憶装置から、前記基板に適用される前記工程情報に対応する前記搬送情報を読み出し、読み出した前記搬送情報に基づいて当該基板を搬送させるように前記搬送ロボットを制御する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
（ａ）基板を処理室で加熱処理させる手順と、
（ｂ）前記処理室に接続された真空搬送室内に設けられた搬送ロボットにより、前記処理室と前記真空搬送室に接続されたロードロック室との間で、前記基板を搬送させる手順と、
（ｃ）前記基板の処理内容についての工程情報と前記工程情報に対応する前記搬送ロボットの搬送情報とがそれぞれ複数記録された記憶装置から、前記基板に適用される前記工程情報に対応する前記搬送情報を読み出し、読み出した前記搬送情報に基づいて当該基板を搬送させるように前記搬送ロボットを制御させる手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが記録された記録媒体。