(57)【要約】【課題】配線基板に備えられるアンテナの送受信品質の向上。【解決手段】実施形態の配線基板１は、アンテナ２を構成する第１放射素子２１を含む第１導体層３１と、第１放射素子２１と共にアンテナ２を構成する第２放射素子２２を含む第２導体層３２と、第１導体層３１と第２導体層３２との間に介在する２以上の層間絶縁層４ａとを備えている。配線基板１は、アンテナ２を含むアンテナ領域Ａと、平面視におけるアンテナ領域Ａの周囲の領域である周辺領域Ｐと、を有し、第１導体層３１及び第２導体層３２は、アンテナ領域Ａにおいて第１間隔、及び、周辺領域Ｐにおいて第２間隔を互いの間に有しており、第１間隔は第２間隔よりも短い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナを構成する第１放射素子を含む第１導体層と、
前記第１放射素子と共に前記アンテナを構成する第２放射素子を含む第２導体層と、
前記第１導体層と前記第２導体層との間に介在する２以上の層間絶縁層と、
を備える配線基板であって、
前記配線基板は、前記アンテナを含むアンテナ領域と、平面視における前記アンテナ領域の周囲の領域である周辺領域と、を有し、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記アンテナ領域において第１間隔、及び、前記周辺領域において第２間隔を互いの間に有しており、
前記第１間隔は前記第２間隔よりも短い。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１放射素子と前記第２放射素子とは、前記アンテナ領域において前記２以上の層間絶縁層を介して対向している。
【請求項３】
請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第２導体層を覆うソルダーレジスト層を備え、
前記ソルダーレジスト層の前記アンテナ領域における厚さは、前記ソルダーレジスト層の前記周辺領域における厚さよりも厚い。
【請求項４】
請求項１記載の配線基板であって、前記第２放射素子は、前記第１放射素子に向って凸となるように湾曲している。
【請求項５】
請求項１記載の配線基板であって、
前記第２放射素子は導電性を有し、
前記第２導体層は、さらに前記第２放射素子の周囲に形成された導体パターンを含み、
前記第２放射素子と前記導体パターンとの前記２以上の層間絶縁層の表面に沿った沿面距離は、平面視において前記沿面距離に対応する距離よりも長い。
【請求項６】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１放射素子は、前記アンテナにおける送受信信号が伝えられるべき給電素子であり、前記第２放射素子は、前記第２放射素子以外の導電体から絶縁されている無給電素子である。
【請求項７】
請求項６記載の配線基板であって、前記配線基板は、互いに同数の導体層を含む２つのビルドアップ層と前記２つのビルドアップ層に挟まれているコア基板とを備える構造を有しており、
前記第１放射素子は前記２つのビルドアップ層の一方に含まれており、
前記２つのビルドアップ層の他方は、前記送受信信号を伝える信号伝送路を含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、一方の表面にアンテナ素子を備えた電子部品モジュールが開示されている。アンテナ素子は、第２の誘電体基板の表面に形成され、第１の誘電体基板に実装された高周波デバイスに伝送線路を介して電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−８６６０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の電子部品モジュールに備えられたアンテナでは、例えば数ＧＨｚ以上の周波数を有する信号が送信及び／又は受信される。アンテナによって送受される高周波信号は、周囲の電磁的環境の変化の影響を受け易い。例えば、配線基板の他の導体パターンとのクロストークなどによって、アンテナによる信号の適切な送受が阻害されることがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、アンテナを構成する第１放射素子を含む第１導体層と、前記第１放射素子と共に前記アンテナを構成する第２放射素子を含む第２導体層と、前記第１導体層と前記第２導体層との間に介在する２以上の層間絶縁層と、を備えている。そして、前記配線基板は、前記アンテナを含むアンテナ領域と、平面視における前記アンテナ領域の周囲の領域である周辺領域と、を有し、前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記アンテナ領域において第１間隔、及び、前記周辺領域において第２間隔を互いの間に有しており、前記第１間隔は前記第２間隔よりも短い。
【０００６】
本発明の実施形態によれば、配線基板のアンテナによって送受される信号を、配線基板のサイズの拡大を抑制しつつ、他の信号による影響を少なくして適切に送信及び／又は受信することができると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【図２】図１に示されるII部の拡大図。
【図３】図１の配線基板におけるアンテナ領域、及び周辺領域の一部の平面図。
【図４】一実施形態の配線基板における周辺領域の他の例を示す平面図。
【図５】一実施形態の配線基板の層間絶縁層の他の例を示す断面図。
【図６Ａ】一実施形態の配線基板の製造における出発基板の一例を示す断面図。
【図６Ｂ】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図６Ｃ】一実施形態の配線基板の製造における第１放射素子の形成の一例を示す断面図。
【図６Ｄ】一実施形態の配線基板の製造における層間絶縁層の形成の一例を示す断面図。
【図６Ｅ】一実施形態の配線基板の製造における第２放射素子の形成の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
つぎに、本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図１に示されるように、配線基板１は、互いに同数の導体層を含んでいる２つのビルドアップ層（第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２）と、第１及び第２のビルドアップ層１１、１２に挟まれているコア基板１０とを含んでいる。第１ビルドアップ層１１は、第１導体層３１、第２導体層３２、及び、第１導体層３１と第２導体層３２との間の２つの導体層３ａを含んでいる。第１ビルドアップ層１１は、アンテナ２を構成する第１放射素子２１及び第２放射素子２２を含んでいる。第２ビルドアップ層１２は、第３導体層３３、及び、第３導体層３３の上方に設けられた３つの導体層３ｂを含んでいる。なお、配線基板１の説明では、配線基板１の厚さ方向においてコア基板１０から遠い側が「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」と称され、コア基板１０に近い側が「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、コア基板１０と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板１０側を向く表面は「下面」とも称される。
【０００９】
第１ビルドアップ層１１は、さらに、第１及び第２の導体層３１、３２、並びに２つの導体層３ａそれぞれの間に介在する３つの層間絶縁層４ａを含んでいる。第１ビルドアップ層１１は、さらに、第１導体層３１に関して層間絶縁層４ａ側と反対側に設けられている第１絶縁層４１を含んでいる。第１絶縁層４１は、コア基板１０と第１導体層３１との間に介在する層間絶縁層である。第２ビルドアップ層１２は、第３導体層３３及び３つの導体層３ｂそれぞれの間に介在する３つの層間絶縁層４ｂ、及び、コア基板１０と第３導体層３３との間に介在する第２絶縁層４２を含んでいる。なお、第１導体層３１と第２導体層３２との間の層間絶縁層４ａの数は３つに限定されず、第１導体層３１と第２導体層３２との間には、２以上の任意の数の層間絶縁層４ａが設けられ得る。第２ビルドアップ層１２にも、３つ以外の任意の数の層間絶縁層４ｂが設けられてもよい。
【００１０】
コア基板１０は、絶縁層（コア層）４０と、絶縁層４０の両面にそれぞれ形成されている導体層３ｃ及び導体層３ｄとを含んでいる。絶縁層４０には、導体層３ｃと導体層３ｄとを接続するスルーホール導体１０ａが形成されている。
【００１１】
各導体層（第１〜第３の導体層３１〜３３及び導体層３ａ〜３ｄ）は、図１において単層構造を有するように示されているが、２つ又は３つなどの複数の層を有し得る。これら各導体層は、例えば、金属箔層、無電解めっき膜層、及び、電解めっき膜層を有し得る。各導体層は、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウムなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。
【００１２】
第１及び第２の絶縁層４１、４２、絶縁層４０、並びに各層間絶縁層４ａ、４ｂは、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。これらの樹脂を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び／又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。
【００１３】
各絶縁層は、それぞれの上面側及び下面側の導体層同士を接続するビア導体５ａ、５ｂを含んでいる。第１絶縁層４１及び絶縁層４ａは、それぞれビア導体５ａを含み、第２絶縁層４２及び絶縁層４ｂは、それぞれビア導体５ｂを含んでいる。ビア導体５ａ、５ｂは、各絶縁層それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成された、所謂フィルドビアである。ビア導体５ａ、５ｂは、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。従ってビア導体５ａ、５ｂは、例えば、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。スルーホール導体１０ａも、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。
【００１４】
図１の例の配線基板１は、さらに、第１ビルドアップ層１１上に形成されているソルダーレジスト層６ａ、及び、第２ビルドアップ層１２上に形成されているソルダーレジスト層６ｂを含んでいる。ソルダーレジスト層６ａ、６ｂは、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。ソルダーレジスト層６ａは第２導体層３２を覆っている。
【００１５】
第２ビルドアップ層１２の最も外側の導体層３ｂは、電子部品（図示せず）がその上に実装されるべき接続パッド３ｂ１を含んでいる。ソルダーレジスト層６ｂは、接続パッド３ｂ１を露出させる開口を有している。
【００１６】
第１導体層３１は、第１放射素子２１を含んでいる。第２導体層３２は、第２放射素子２２を含んでいる。第１放射素子２１は第１導体層３１に形成されている導体パターンによって構成されている。第２放射素子２２は第２導体層３２に形成されている導体パターンによって構成されている。第２放射素子２２はソルダーレジスト層６ａに覆われている。第１放射素子２１と第２放射素子２２との間には層間絶縁層４ａが介在している。第１放射素子２１と第２放射素子２２とは、アンテナ２を構成すべく、層間絶縁層４ａを介して対向している。第１放射素子２１及び第２放射素子２２は、互いに電磁的に結合することによってアンテナ２を構成している。第２導体層３２は、さらに第２放射素子２２の周囲に形成された導体パターン３２ａを含んでいる。導電性を有する第２放射素子２２及び導体パターン３２ａは、層間絶縁層４ａの表面（上面）に沿った沿面距離ＳＤを有している。
【００１７】
第１放射素子２１は、第２放射素子２２を向く表面２１ａに凹み２１ｂを有している。第１絶縁層４１は、第１放射素子２１の下面（第１絶縁層４１側の表面）に接続され、第１放射素子２１と導体層３ｃとを接続するビア導体（第１ビア導体５１）を含んでいる。第１ビア導体５１は、第１絶縁層４１に含まれる１以上のビア導体５ａのうちの１つである。表面２１ａの凹み２１ｂは、第１ビア導体５１上に形成されている。凹み２１ｂによって第１放射素子２１と絶縁層４ａとの接触面積を増加させることができ、両者の密着性を向上させ得ることがある。
【００１８】
第１放射素子２１には、アンテナ２から送信されるべき信号又はアンテナ２によって受信されるべき外来の信号が伝えられる。このように、第１放射素子２１は、アンテナ２において電気信号が供給されるべき、又は、外来電波に基づく電気信号を誘起させるべき給電素子であってもよい。
【００１９】
第２放射素子２２は、第２放射素子２２以外の導電体から絶縁されており、第２放射素子２２には、他の導電体からの通電は行われ得ない。第２放射素子２２は、図１の例のように、アンテナ２の使用時に通電されない無給電素子であってもよい。
【００２０】
図１の例において給電素子である第１放射素子２１は、第１ビルドアップ層１１に含まれており、アンテナ２によって送信されるべき信号は第２ビルドアップ層１２から第１放射素子２１へと伝送される。また、アンテナ２によって受信された信号は、第１放射素子２１から第２ビルドアップ層１２へと伝送される。第２ビルドアップ層１２に含まれる第３導体層３３は、アンテナ２の送受信信号を伝える信号伝送路３３１を含んでいる。信号伝送路３３１は、好ましくは、第２ビルドアップ層１２内の導体層３ｂとの間で、ストリップ線路を構成する。
【００２１】
第２絶縁層４２は、信号伝送路３３１と導体層３ｄとを接続する第２ビア導体５２を含んでいる。第２ビア導体５２は、第２絶縁層４２に含まれる１以上のビア導体５ｂのうちの１つである。第１ビア導体５１と第２ビア導体５２とは、スルーホール導体１０ａを介して電気的に接続されている。その結果、第１放射素子２１と信号伝送路３３１とが電気的に接続されている。信号伝送路３３１と第１放射素子２１との間で、第２ビア導体５２、スルーホール導体１０ａ、及び第１ビア導体５１を介して、例えば高周波信号が双方向に伝送され得る。
【００２２】
図示されていないが、信号伝送路３３１は、第２ビルドアップ層１２内のビア導体５ｂを介して接続パッド３ｂ１に接続されていてもよい。その場合、接続パッド３ｂ１に実装される電子部品（図示せず）で生成される信号が、アンテナ２から送信され得る。また、アンテナ２によって受信された信号が、接続パッド３ｂ１に実装される電子部品に入力され、且つ、この電子部品によって処理され得る。
【００２３】
第１放射素子２１は、第１導体層３１の他の導体パターンと分離されている。すなわち、平面視において第１放射素子２１の周囲には、第１導体層３１において導体パターンの無い領域が設けられている。第２放射素子２２も、第２導体層３２の他の導体パターンと分離されており、平面視において第２導体層３２の第２放射素子２２の周囲には、導体パターンの無い領域が設けられている。なお、「平面視」は、配線基板１を外部から見るときの見方に関し、配線基板１の厚さ方向と平行な視線で配線基板１を見ることを意味している。
【００２４】
図１の例のようにアンテナ２を備える配線基板１は、アンテナ２を含むアンテナ領域Ａと、アンテナ領域Ａの周囲の領域である周辺領域Ｐとを有している。第１放射素子２１と第２放射素子２２とは、アンテナ領域Ａにおいて、層間絶縁層４ａを介して対向している。なお「アンテナ領域Ａ」は、平面視において、第１及び第２の放射素子２１、２２が占める領域と、第１及び第２の導体層３１、３２における第１及び第２の放射素子２１、２２の周囲の離隔領域とによって構成される領域である。「離隔領域」は、第１及び第２の導体層３１、３２における第１及び第２の放射素子２１、２２の周囲の領域であって導体パターンが設けられていない領域である。
【００２５】
図１に示されるように、アンテナ領域Ａでは、３つの層間絶縁層４ａそれぞれの間に２つの導体層３ａの導体パターンは形成されていない。一方、周辺領域Ｐでは、３つの層間絶縁層４ａそれぞれの間に２つの導体層３ａそれぞれに設けられた導体パターンが介在している。そのため、アンテナ領域Ａにおける第１ビルドアップ層１１の厚さは、周辺領域Ｐにおける第１ビルドアップ層１１の厚さよりも薄い。一方、アンテナ領域Ａにおけるソルダーレジスト層６ａの厚さは、周辺領域Ｐにおけるソルダーレジスト層６ａの厚さよりも厚い。
【００２６】
配線基板１では、第１絶縁層４１の上面及び３つの層間絶縁層４ａそれぞれの上面が平坦ではなく、各絶縁層の上面は、アンテナ領域Ａと周辺領域Ｐとの境界部分からアンテナ領域Ａの中央部にかけて、コア基板１０側に向って湾曲している。すなわち、各絶縁層の上面は、アンテナ領域Ａにおいて全体的にコア基板１０に向って凹んでいる。
【００２７】
具体的には、アンテナ領域Ａにおいてコア基板１０の導体層３ｃの大半に導体パターンが設けられていないため、第１絶縁層４１の上面がコア基板１０側に向って湾曲している。第１導体層３１上の層間絶縁層４ａの上面は、（第１導体層３１に第１放射素子２１が設けられているが、）第１絶縁層４１の上面の湾曲の影響を受けて湾曲している。３つの層間絶縁層４ａの他の２つそれぞれの上面は、アンテナ領域Ａにおいて導体層３ａに導体パターンが設けられていないため、第１絶縁層４１の上面よりもさらに湾曲している。すなわち、３つの層間絶縁層４ａそれぞれにおいて湾曲している上面は、コア基板１０から遠いものほど小さな曲率半径を有している。
【００２８】
また、配線基板１では、３つの層間絶縁層４ａの表面（上面）が湾曲しているため、第２放射素子２２は、第１放射素子２１に向って凸となるように湾曲している。また、第１絶縁層４１の上面も湾曲しているので、第１放射素子２１もコア基板１０側に向って湾曲し得る。
【００２９】
図２には、図１のII部の拡大図が示されている。なお、図２では、図２におけるアンテナ領域Ａの左側の部分が省略されている。第１導体層３１及び第２導体層３２は、配線基板１の厚さ方向（以下、「配線基板１の厚さ方向」は単に「Ｚ方向」とも称される）に沿った互いの間の長さである第１間隔Ｌ１をアンテナ領域Ａにおいて有している。さらに、第１導体層３１及び第２導体層３２は、Ｚ方向に沿った互いの間の長さである第２間隔Ｌ２を周辺領域Ｐにおいて有している。
【００３０】
図２に示されるように、第１間隔Ｌ１は、第２間隔Ｌ２よりも短い。換言すると、第１導体層３１及び第２導体層３２それぞれの互いを向く面（対向面）同士の間隔に関して、周辺領域Ｐでの間隔よりもアンテナ領域Ａでの間隔の方が短い。例えば、第１放射素子２１と第２放射素子２２とのＺ方向の間隔は、それぞれ周辺領域Ｐに設けられている第１導体層３１の導体パターン３１ａと第２導体層３２の導体パターン３２ａとのＺ方向の間隔よりも短い。
【００３１】
配線基板１のように、アンテナ２などの無線電波を送受する素子を備える配線基板では、アンテナによって送受信される高周波信号が、例えば配線基板内の他の導体パターンとのクロストークなどによる影響を受け易い。また、他の導体パターンがグランドパターンのように信号が流れない導体パターンであっても、その導体パターンとアンテナとの間の容量結合によって、高周波信号の波形の品質が低下することがある。そのため、配線基板に備えられるアンテナは、周囲の導体パターンから極力遠ざけて配置されることが好ましいことがある。しかし、アンテナと周囲の導体パターンとの距離を長く確保することは、配線基板の平面サイズ（厚さ方向と直交する平面に沿った互いに直交する２方向それぞれにおける長さ）の拡大を招くことがある。
【００３２】
本実施形態では、アンテナ領域Ａにおける第１導体層３１と第２導体層３２との間隔（第１間隔Ｌ１）が、周辺領域Ｐにおけるこれら２つの導体層３１、３２の間隔（第２間隔Ｌ２）よりも短く、すなわち、第１間隔Ｌ１と第２間隔Ｌ２とは互いと異なっている。図２の例において、第２放射素子２２と、周辺領域Ｐ内の導体パターン３２ａとは、同じ第２導体層３２に設けられているにも関わらず、Ｚ方向の位置（第１導体層３１の上面からの距離若しくは高さ）が異なっている。そのため、第２放射素子２２と導体パターン３２ａとの間の沿面距離ＳＤは、平面視において沿面距離ＳＤに対応する距離ＭＤよりも長い。なお、「平面視において沿面距離ＳＤに対応する距離」は、沿面距離ＳＤを互いの間に有する第２放射素子２２及び導体パターン３２ａそれぞれの対向部同士の間の平面視での距離である。
【００３３】
すなわち、本実施形態では、第１導体層３１と第２導体層３２との間隔がアンテナ領域Ａと周辺領域Ｐとの間で違わない場合と比べて、アンテナ２（図２の例では第２放射素子２２）を、周囲の導体パターン（図２の例では導体パターン３２ａ）から幾分遠ざけることができる。例えば、配線基板の平面サイズの拡大を少なくしながら、配線基板に備えられるアンテナへの周囲の導体パターンからの影響を少なくし得ることがある。或いは、アンテナへの周囲の導体パターンからの影響を増加させずに、配線基板の平面サイズを幾分小さくし得ることがある。従って、本実施形態は、アンテナによって送受される信号の適切な送受信、及び／又は、配線基板の小型化に寄与し得ることがある。
【００３４】
第２放射素子２２と周辺領域Ｐの導体パターン（例えば導体パタ―ン３２ａ）との沿面距離ＳＤは、第１間隔Ｌ１と第２間隔Ｌ２との差に依存する。第１間隔Ｌ１と第２間隔Ｌ２との差（Ｌ２−Ｌ１）は第１間隔Ｌ１に応じて変化し、その比率（Ｌ２−Ｌ１）／Ｌ１は、例えば、０．０５以上、０．３０以下である。第１間隔Ｌ１はアンテナ領域Ａにおける第１導体層３１と第２導体層３２との間隔であり、アンテナ領域Ａでは層間絶縁層４ａだけが第１導体層３１と第２導体層３２との間に介在する。従って、層間絶縁層４ａの層数の選択によって沿面距離ＳＤを調整することができる。
【００３５】
図３には、図１の配線基板１におけるアンテナ領域Ａ、及び周辺領域Ｐの一部の平面図が示されている。図１は、図３に示されるＩ−Ｉ線での断面を含む断面図である。なお、図３では、図１のソルダーレジスト層６ａの図示は省略されている。また、明確さのために、第１放射素子２１を示す破線は第２放射素子２２の僅かに内側に描かれている。図３の例において、導体パターン３２ａは、周辺領域Ｐに設けられ、アンテナ領域Ａと周辺領域Ｐとの境界を画定している。また、導体パターン３２ａは、第２放射素子２２の周囲全周に亘って第２放射素子２２を囲んでおり、周辺領域Ｐはアンテナ領域Ａを囲んでいる。なお、図３は、アンテナ領域Ａの一例を示しているに過ぎない。アンテナ領域Ａ及び周辺領域Ｐの形状などは、図３の例に限定されない。
【００３６】
図３の例において、第１放射素子２１の表面の凹み２１ｂは、第１放射素子２１の平面形状における一辺の近傍に設けられている。前述したように、凹み２１ｂは、第１ビア導体５１（図１参照）上に形成されており、第１ビア導体５１を介して、第１放射素子２１に又は第１放射素子２１から送受信信号が伝送される。図３の例のような凹み２１ｂの配置の場合、第１放射素子２１における給電点（第１ビア導体５１）と、この給電点から第１放射素子２１の最遠の縁部との間の距離を長く確保することができる。そうすることによって、アンテナ２の送受信帯域の選択に関して第１放射素子２１が有する面積を有効に利用することができると考えられる。
【００３７】
周辺領域Ｐとアンテナ領域Ａとの境界を画定する導体パターン３２ａは、必ずしも全周に亘ってアンテナ２を囲んでいなくてもよい。アンテナ２の周囲において導体パターン３２ａに不連続部がある場合は、例えば、導体パターン３２ａにおけるアンテナ２に隣接する内縁、及び、その内縁の外挿補間及び／又は内挿補間によって得られる延長線によって周辺領域Ｐとアンテナ領域Ａとの境界が画定され得る。また、配線基板１は、アンテナ２の周囲において周方向の一部の領域にのみ周辺領域Ｐを有していてもよい。例えば図３の例において、配線基板１は、第２放射素子２２の右側、左側、上側、及び下側のいずか１つ乃至３つだけに周辺領域Ｐを有していてもよい。
【００３８】
図４に示される平面図には、配線基板１における周辺領域Ｐの他の例が示されている。図４の例では、第１導体層３１（図１参照）の導体パターン３１ａにおける第１放射素子２１を囲む内縁３１ｂは、導体パターン３２ａにおける第２放射素子２２を囲む内縁３２ｂの外側に位置している。このように、第１導体層３１及び第２導体層３２それぞれにおいてアンテナ２を囲む、導体パターン３１ａの内縁３１ｂと導体パターン３２ａの内縁３２ｂとは、平面視において重なっていなくてもよい。図４の例では、導体パターン３１ａの内縁３１ｂが周辺領域Ｐとアンテナ領域Ａとの境界を画定している。このように、導体パターン３１ａ、３２ａそれぞれの内縁が平面視において重なっていない場合は、導体パターン３１ａ、３２ａそれぞれの内縁のうちアンテナ２から遠い方の内縁によってアンテナ領域Ａが画定される。
【００３９】
また、図４の例では、導体パターン３１ａの内縁３１ｂは、楕円の円周を描いている。従って、アンテナ領域Ａは平面視で楕円の形状を有している。このように、アンテナ領域Ａの平面形状は矩形に限定されず、アンテナ領域Ａは任意の平面形状を有し得る。同様に、導体パターン３２ａの内縁３２ｂも、任意の形状の輪郭を描き得る。また、図４の例と異なり、平面視において、導体パターン３２ａの内縁３２ｂが、導体パターン３１ａの内縁３１ｂの外側に位置していてもよい。
【００４０】
図５には、本実施形態の配線基板の他の例である配線基板１ａの断面図が示されている。図５に例示される配線基板１ａは、図１の配線基板１と同様の構造を有しており、第１導体層３１と第２導体層３２とにおいて、第１間隔Ｌ１は第２間隔Ｌ２よりも短い。しかし、配線基板１ａでは、第１絶縁層４１の上面及び３つの層間絶縁層４ａそれぞれの上面は、アンテナ領域Ａにおいてもコア基板１０に向って湾曲しておらず、その大半が平坦である。コア基板１０上の導体層３ｃによる段差は、第１絶縁層４１によって略吸収され、第１絶縁層４１上の第１導体層３１による段差は、その上の層間絶縁層４ａによって略吸収されている。一方、３つの層間絶縁層４ａのうちの上側の２つの表面には、アンテナ領域Ａと周辺領域Ｐとの境界部分において、導体層３ａの１つ分又は２つ分の厚さに応じた段差が生じている。第１絶縁層４１及び３つの層間絶縁層４ａの形成時における硬化前の樹脂材料の粘度や流動性などによって、図５の例のように平坦な表面をアンテナ領域Ａに有する各絶縁層が形成され得る。
【００４１】
つぎに、図１に示される配線基板１の製造方法の一例が、図６Ａ〜図６Ｅを参照して説明される。
【００４２】
図６Ａに示されるように、コア基板１０を構成する絶縁層４０、及び絶縁層４０の両面に設けられた金属箔３ｅを有する積層板が用意される。例えば、銅からなる金属箔３ｅを有する両面銅張積層板が用意される。
【００４３】
図６Ｂに示されるように、貫通孔１０ｂが、炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成され、例えばセミアディティブ法を用いて、銅箔、銅の無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含んでいて所望の導体パターンを有する導体層３ｃ、３ｄが形成される。また、この無電解めっき膜及び電解めっき膜が貫通孔１０ｂ内に埋め込まれることによってスルーホール導体１０ａが形成される。
【００４４】
図６Ｃに示されるように、第１及び第２の絶縁層４１、４２が形成される。また、第１放射素子２１を含む第１導体層３１が第１絶縁層４１上に形成される。第１導体層３１の形成と共に、信号伝送路３３１を含む第３導体層３３が第２絶縁層４２上に形成される。第１導体層３１の形成において、第１ビア導体５１を含む１以上のビア導体５ａが第１絶縁層４１内に形成される。また、第３導体層３３の形成において、第２絶縁層４２内に第２ビア導体５２を含む１以上のビア導体５ｂが形成される。
【００４５】
第１及び第２の絶縁層４１、４２は、例えば、半硬化状態のエポキシ樹脂及びガラス繊維などの補強材を含むプリプレグ、又は、フィルム状のエポキシ樹脂をコア基板１０の両面に積層し、熱圧着することによって形成される。アンテナ領域Ａにおいて導体層３ｃが導体パターンを有していないので、第１絶縁層４１は、湾曲する表面を有するように形成される。プリプレグの積層の際に、例えば銅からなる金属箔がプリプレグ上に重ねられ、プリプレグと共に圧着されてもよい。その後、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって、ビア導体５ａ、５ｂを形成するための貫通孔５ａ１、５ｂ１が、第１及び第２の絶縁層４１、４２それぞれに形成される。
【００４６】
そして、例えば、セミアディティブ法を用いて、第１放射素子２１及び信号伝送路３３１などの所望の導体パターンを有する第１及び第３の導体層３１、３３、並びに、第１及び第２のビア導体５１、５２などのビア導体５ａ、５ｂが形成される。
【００４７】
第１導体層３１の形成において、第１放射素子２１の上面（第１絶縁層４１と反対方向を向く面）に凹み２１ｂが設けられる。凹み２１ｂは、第１ビア導体５１上に設けられる。凹み２１ｂは、例えば、第１ビア導体５１の形成における電解めっきの条件の最適化などによって形成され得る。例えば、一般的なフィルドビアの形成時にめっき液に適用される添加剤と比較して、貫通孔５ａ１などの穴内の電流量の増加に寄与するブライトナーなどの含有量を削減することによって凹み２１ｂを意図的に設けることができる。
【００４８】
図６Ｄに示されるように、第１導体層３１上に３つの層間絶縁層４ａが形成される。３つの層間絶縁層４ａそれぞれにはビア導体５ａが形成される。また、３つの層間絶縁層４ａそれぞれの間には導体層３ａが形成される。２つの導体層３ａそれぞれは、アンテナ領域Ａに導体パターンを有さないように形成及び／又はパターニングされる。図６Ｄの例では、さらに、第２導体層３２の一部を構成すべき金属箔３２ｃが、３つの層間絶縁層４ａのうちの最上層の層間絶縁層４ａの上に積層されている。第１導体層３１及び２つの導体層３ａがアンテナ領域Ａにおいて導体パターンを有していないので、３つの層間絶縁層４ａは、それぞれ湾曲する表面を有するように形成される。金属箔３２ｃも層間絶縁層４ａの表面に沿って湾曲している。３つの層間絶縁層４ａ及び２つの導体層３ａは、例えばセミアディティブ法を用いる一般的なビルドアップ配線板の製造方法を用いて形成され得る。
【００４９】
第３導体層３３上にも、３つの層間絶縁層４ａ、並びに、２つの導体層３ａ及びビア導体５ａの形成と同様の方法で、３つの層間絶縁層４ｂ、並びに、２つの導体層３ｂ及びビア導体５ｂが形成される。最も上側の層間絶縁層４ｂの上には、最表層の導体層３ｂを構成すべき金属箔３ｂ２が積層される。
【００５０】
その後、例えばセミアディティブ法を用いて金属箔３２ｃ、３ｂ２それぞれの上にめっき膜が形成されることによって、図６Ｅに示されるように、第２導体層３２が形成され、３つの層間絶縁層４ｂの上に最表層の導体層３ｂが形成される。第２導体層３２は、第１放射素子２１と共にアンテナ２を構成する第２放射素子２２を含むように形成及び／又はパターニングされる。最表層の導体層３ｂは、接続パッド３ｂ１を含むように形成及び／又はパターニングされる。これら導体層及び絶縁層の形成の結果、第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２が形成される。
【００５１】
その後、第１ビルドアップ層１１上にソルダーレジスト層６ａが形成され、第２ビルドアップ層１２上にソルダーレジスト層６ｂが形成される。ソルダーレジスト層６ａ、６ｂは、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切なパターンを有するマスクを用いた露光、及び現像とによって形成される。
【００５２】
ソルダーレジスト層６ｂの開口に露出する接続パッド３ｂ１には、必要に応じて、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。以上の工程を経ることによって、図１の例の配線基板１が完成する。
【００５３】
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、第１放射素子２１の表面２１ａの凹み２１ｂは設けられていなくてもよく、凹み２１ｂは平面視で第１放射素子２１の中央部に設けられていてもよい。第１及び第２の放射素子２１、２２並びに信号伝送路３３１は、全て、第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２の一方に形成されていてもよい。また、第１ビア導体５１などの各ビア導体は、コア基板１０側に向って縮径する形状を有していなくてもよい。第２放射素子２２は、ソルダーレジスト層６ａの開口に露出していてもよく、ソルダーレジスト層６ａ、６ｂそのものが設けられなくてもよい。さらに、配線基板１は、必ずしもコア基板１０を有していなくてもよく、ビルドアップ層だけで構成されるコアレスビルドアップ基板であってもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１、１ａ    配線基板
１０    コア基板
１１    第１ビルドアップ層
１２    第２ビルドアップ層
２      アンテナ
２１    第１放射素子
２２    第２放射素子
３１    第１導体層
３２    第２導体層
３２ａ  導体パターン
３３１  信号伝送路
４ａ、４ｂ  層間絶縁層
５１    第１ビア導体
６ａ、６ｂ  ソルダーレジスト層
Ａ      アンテナ領域
Ｌ１    第１導体層と第２導体層との第１間隔
Ｌ２    第１導体層と第２導体層との第２間隔
ＭＤ    平面視において沿面距離ＳＤに対応する距離
Ｐ      周辺領域
ＳＤ    第２放射素子と導体パターンとの層間絶縁層の表面に沿った沿面距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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