(57)【要約】【課題】  温度検出範囲が広い温度検出回路を提案する。【解決手段】  温度検出回路であって、半導体チップに設けられたダイオードを有しているとともに前記ダイオードの温度に応じて出力電圧が変化するセンス回路と、前記出力電圧をＡＤ変換するＡＤ変換回路と、前記センス回路内の電流経路を第１経路と第２経路の間で切り換える切換回路を有している。前記第１経路における第１温度特性と前記第２経路における第２温度特性のそれぞれでは、前記ダイオードの前記温度が高いほど前記出力電圧が低下する。前記第２温度特性では、各温度において、前記第１温度特性よりも前記出力電圧が高い。前記切換回路が、前記ダイオードの前記温度が基準値未満の場合に前記電流経路を前記第１経路に設定し、前記ダイオードの前記温度が前記基準値以上の場合に前記電流経路を前記第２経路に設定する。【選択図】図１
2020060532.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度検出回路であって、
半導体チップに設けられたダイオードを有しているとともに前記ダイオードの温度に応じて出力電圧が変化するセンス回路と、
前記出力電圧をＡＤ変換するＡＤ変換回路と、
前記センス回路内の電流経路を第１経路と第２経路の間で切り換える切換回路、
を有しており、
前記第１経路における前記センス回路の前記出力電圧が、第１温度特性を有しており、
前記第２経路における前記センス回路の前記出力電圧が、第２温度特性を有しており、
前記第１温度特性と前記第２温度特性のそれぞれでは、前記ダイオードの前記温度が高いほど前記出力電圧が低下し、
前記第２温度特性では、各温度において、前記第１温度特性よりも前記出力電圧が高く、
前記切換回路が、前記ダイオードの前記温度が基準値未満の場合に前記電流経路を前記第１経路に設定し、前記ダイオードの前記温度が前記基準値以上の場合に前記電流経路を前記第２経路に設定する、
温度検出回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示の技術は、温度検出回路に関する。
【０００２】
特許文献１には、温度センスダイオードを備える半導体装置が開示されている。温度センスダイオードの順電圧（順方向電圧降下）は、温度が高いほど低下する。したがって、温度センスダイオードの順電圧を検出することで、半導体チップの温度を検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−０６９５６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
温度検出回路においては、温度センスダイオードの順電圧は、ＡＤ変換回路へ入力される。ＡＤ変換回路は、温度センスダイオードの順電圧をデジタル値に変換する。順電圧のデジタル値に基づいて、各種の判定が行われ、半導体装置の制御が行われる。近年では、半導体装置の信頼性の向上により、半導体装置を従来よりも広い温度範囲で使用することが可能となっている。半導体装置を広い温度範囲で使用する場合には、温度センスダイオードの順電圧の変動範囲が広くなる。他方、ＡＤ変換回路は、入力電圧範囲を有しており、入力電圧範囲外の電圧をデジタル値に変換することができない。温度センスダイオードの順電圧の変動範囲が広くなると、温度センスダイオードの順電圧がＡＤ変換回路の入力電圧範囲を外れてしまい、ＡＤ変換回路が順電圧をデジタル値に変換できない場合がある。すなわち、半導体装置を広い温度範囲で使用する場合には、ＡＤ変換回路が順電圧をデジタル値に変換できず、温度を適切に検出できない場合がある。本明細書では、従来よりも温度検出範囲が広い温度検出回路を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書が開示する温度検出回路は、半導体チップに設けられたダイオードを有しているとともに前記ダイオードの温度に応じて出力電圧が変化するセンス回路と、前記出力電圧をＡＤ変換するＡＤ変換回路と、前記センス回路内の電流経路を第１経路と第２経路の間で切り換える切換回路を有している。前記第１経路における前記センス回路の前記出力電圧が、第１温度特性を有している。前記第２経路における前記センス回路の前記出力電圧が、第２温度特性を有している。前記第１温度特性と前記第２温度特性のそれぞれでは、前記ダイオードの前記温度が高いほど前記出力電圧が低下する。前記第２温度特性では、各温度において、前記第１温度特性よりも前記出力電圧が高い。前記切換回路が、前記ダイオードの前記温度が基準値未満の場合に前記電流経路を前記第１経路に設定し、前記ダイオードの前記温度が前記基準値以上の場合に前記電流経路を前記第２経路に設定する。
【０００６】
なお、前記温度検出回路は、前記ダイオードを少なくとも１つ有していればよい。すなわち、前記温度検出回路は、前記ダイオードを１つ有していてもよいし、前記ダイオードを複数有していてもよい。
【０００７】
この温度検出回路では、ダイオードの温度が基準値未満の低温領域では、第１経路に電流を流す。このため、センス回路は、第１温度特性に従って電圧を出力し、その出力電圧をＡＤ変換回路がＡＤ変換する。低温領域では、第１温度特性とＡＤ変換された出力電圧から、ダイオードの温度（すなわち、半導体チップの温度）を特定することができる。第１経路に電流を流している状態において、ダイオードの温度が上昇すると、センス回路の出力電圧が低下する。ダイオードの温度が基準値以上に上昇すると、切換回路が、電流経路を第２経路に切り換える。このため、センス回路は、第２温度特性に従って電圧を出力する。第２温度特性では、各温度において、第１温度特性よりも出力電圧が高い。したがって、第１温度特性から第２温度特性に切り換わると、センス回路の出力電圧が上昇する。このため、センス回路の出力電圧が過度に低下してＡＤ変換回路の入力電圧範囲を下回ることが防止される。センス回路の第２経路に電流が流れることで出力電圧が上昇し、ＡＤ変換回路が高温領域でもＡＤ変換可能となる。高温領域では、第２温度特性とＡＤ変換された出力電圧から、ダイオードの温度を特定することができる。このように、この温度検出回路によれば、広い温度範囲で温度を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施例１の温度検出回路の回路図。
【図２】実施例１のセンス回路の温度特性を示すグラフ。
【図３】変形例の温度検出回路の回路図。
【図４】変形例の温度検出回路の回路図。
【図５】実施例２の温度検出回路の回路図。
【図６】実施例２のセンス回路の温度特性を示すグラフ。
【図７】実施例３の温度検出回路の回路図。
【図８】実施例３のセンス回路の温度特性を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【０００９】
図１に示す実施例１の温度検出回路１０は、半導体チップ１２と、制御回路３０と、マイコン５０を有している。温度検出回路１０は、半導体チップ１２の温度を検出する。
【００１０】
半導体チップ１２は、パワースイッチング素子１４と、センス回路２０を有している。図示していないが、半導体チップ１２は、ＳｉＣ基板と、ＳｉＣ基板の表面に設けられた半導体層（例えば、ポリシリコン層）を有している。パワースイッチング素子１４はＳｉＣ基板内に形成されている。センス回路２０は、ＳｉＣ基板の表面に設けられた半導体層内に形成されている。
【００１１】
パワースイッチング素子１４は、ＭＯＳＦＥＴ（metal oxide semiconductor field effect transistor）とダイオードを備えている。パワースイッチング素子１４は、ＳｉＣ基板により構成されており、広い温度範囲で動作が可能である。パワースイッチング素子１４が動作すると、半導体チップの温度が上昇する。
【００１２】
センス回路２０は、ダイオード２２、スイッチ２４、ダイオード２６、高電位配線２８、及び、低電位配線２９を有している。ダイオード２２、２６は、ｐｎダイオードである。ダイオード２２のアノードは、高電位配線２８に接続されている。ダイオード２２のカソードは、スイッチ２４の共通端子に接続されている。スイッチ２４の一方の切り換え端子は、低電位配線２９に直接接続されている。スイッチ２４の他方の切り換え端子は、ダイオード２６のアノードに接続されている。ダイオード２６のカソードは、低電位配線２９に接続されている。スイッチ２４によって、センス回路２０内の電流経路を、第１経路２０ａ（ダイオード２２とスイッチ２４を通過し、ダイオード２６を通過しない経路）と第２経路２０ｂ（ダイオード２２とスイッチ２４とダイオード２６を通過する経路）の間で切り換えることができる。
【００１３】
制御回路３０は、切換回路３２、定電流回路３４、及び、ＡＤ変換回路３６を有している。
【００１４】
定電流回路３４は、高電位配線２８と低電位配線２９に接続されている。定電流回路３４は、高電位配線２８から低電位配線２９に向かって、センス回路２０に定電流を流す。センス回路２０に定電流が流れることで、センス回路２０で電圧降下が生じる。その結果、高電位配線２８と低電位配線２９の間に、出力電圧Ｖｏｕｔが生じる。
【００１５】
切換回路３２は、高電位配線２８と低電位配線２９に接続されている。切換回路３２は、高電位配線２８と低電位配線２９の間の出力電圧Ｖｏｕｔに基づいて、スイッチ２４に信号Ｖｓｗを送信し、スイッチ２４を切り換える。すなわち、切換回路３２は、出力電圧Ｖｏｕｔに基づいて、センス回路２０の電流経路を、第１経路２０ａと第２経路２０ｂの間で切り換える。また、切換回路３２は、信号ＶｓｗをＡＤ変換回路３６にも送信する。ＡＤ変換回路３６で受信される信号Ｖｓｗは、第１経路２０ａに電流が流れているか、第２経路２０ｂに電流が流れているかを示す。
【００１６】
ＡＤ変換回路３６は、高電位配線２８と低電位配線２９に接続されている。ＡＤ変換回路３６には、センス回路２０の出力電圧Ｖｏｕｔが入力される。ＡＤ変換回路３６は、出力電圧Ｖｏｕｔをデジタル値に変換し、変換したデジタル値をマイコン５０に送信する。また、ＡＤ変換回路３６は、切換回路３２から入力される信号Ｖｓｗも、マイコン５０へ送信する。ＡＤ変換回路３６は、図示しないフォトカプラ等を介して、出力電圧Ｖｏｕｔと信号Ｖｓｗをマイコン５０に送信する。
【００１７】
図２は、センス回路２０の出力電圧Ｖｏｕｔと、半導体チップ１２の温度Ｔ（すなわち、ダイオード２２、２６の温度）との関係を示している。図２のグラフＡは、電流が第１経路２０ａに流れているときの温度特性を示しており、図２のグラフＢは、電流が第２経路２０ｂに流れているときの温度特性を示している。図１に示すように、第１経路２０ａは１つのダイオード２２を通過し、第２経路２０ｂは２つのダイオード２２、２６を通過する。ダイオード２２、２６の温度特性により、グラフＡ、Ｂに示すように、第１経路２０ａと第２経路２０ｂのいずれに電流が流れている場合であっても、温度Ｔが上昇するほど出力電圧Ｖｏｕｔが低下する。また、第２経路２０ｂでは第１経路２０ａよりもダイオードの直列数が多いので、グラフＢでは、各温度においてグラフＡよりも出力電圧Ｖｏｕｔが高い。
【００１８】
図２の入力電圧範囲Ｖｗは、ＡＤ変換回路３６でＡＤ変換可能な電圧の範囲を示している。入力電圧範囲Ｖｗは、上限値Ｖｍａｘと下限値Ｖｍｉｎにより規定されている。ＡＤ変換回路３６は、入力電圧範囲Ｖｗ内の電圧をＡＤ変換することが可能であり、入力電圧範囲Ｖｗ外の電圧をＡＤ変換することはできない。図２のグラフＡでは、温度Ｔが温度Ｔ１であるときに出力電圧Ｖｏｕｔが上限値Ｖｍａｘとなり、温度Ｔが温度Ｔ３であるときに出力電圧Ｖｏｕｔが下限値Ｖｍｉｎとなる。温度Ｔ３は温度Ｔ１よりも高い。グラフＡの場合（すなわち、第１経路２０ａに電流が流れている場合）には、温度Ｔ１と温度Ｔ３の間の温度範囲において、ＡＤ変換回路３６は出力電圧ＶｏｕｔをＡＤ変換することができる。図２のグラフＢでは、温度Ｔが温度Ｔ２であるときに出力電圧Ｖｏｕｔが上限値Ｖｍａｘとなり、温度Ｔが温度Ｔ４であるときに出力電圧Ｖｏｕｔが下限値Ｖｍｉｎとなる。温度Ｔ２は温度Ｔ１よりも高く、温度Ｔ３よりも低い。温度Ｔ４は、温度Ｔ３よりも高い。グラフＢの場合（すなわち、第２経路２０ｂに電流が流れている場合）には、温度Ｔ２と温度Ｔ４の間の温度範囲において、ＡＤ変換回路３６は出力電圧ＶｏｕｔをＡＤ変換することができる。このように、センス回路２０は、第１経路２０ａに電流が流れている状態（グラフＡ）では低温領域で入力電圧範囲Ｖｗ内の出力電圧Ｖｏｕｔを出力可能であり、第２経路２０ｂに電流が流れている状態（グラフＢ）では高温領域で入力電圧範囲Ｖｗ内の出力電圧Ｖｏｕｔを出力可能である。
【００１９】
マイコン５０は、図２に示す温度特性のグラフＡ、Ｂを記憶している。マイコン５０は、ＡＤ変換回路３６から受信した信号Ｖｓｗに基づいて、センス回路２０の電流経路が第１経路２０ａであるか第２経路２０ｂであるかを判定し、電流経路に対応する温度特性のグラフを選択する。すなわち、第１経路２０ａに電流が流れている場合はグラフＡを選択し、第２経路２０ｂに電流が流れている場合はグラフＢを選択する。マイコン５０は、選択したグラフと、ＡＤ変換回路３６から受信した出力電圧Ｖｏｕｔに基づいて、半導体チップ１２の温度Ｔを特定する。マイコン５０は、特定された半導体チップ１２の温度Ｔに基づいて、パワースイッチング素子１４を制御する。例えば、マイコン５０は、半導体チップ１２の温度Ｔが過度に高い場合には、パワースイッチング素子１４の動作を停止させる。
【００２０】
切換回路３２によるスイッチ２４の切換動作について説明する。図２の基準温度Ｔｔｈは、切換回路３２が第１経路２０ａと第２経路２０ｂとを切り換える温度を示している。基準温度Ｔｔｈは、温度Ｔ２と温度Ｔ３の間の温度に設定されている。したがって、基準温度Ｔｔｈでは、グラフＡとグラフＢのいずれでも、入力電圧範囲Ｖｗ内の出力電圧Ｖｏｕｔを出力することができる。基準温度Ｔｔｈでは、グラフＡでは出力電圧Ｖｏｕｔが電圧Ｖ１となり、グラフＢでは出力電圧Ｖｏｕｔが電圧Ｖ１よりも高い電圧Ｖ２となる。切換回路３２は、出力電圧Ｖｏｕｔに基づいて、温度Ｔが基準温度Ｔｔｈ未満であるか否かを判定し、スイッチ２４を制御する。
【００２１】
半導体チップ１２の動作開始時には、切換回路３２は、電流経路を第１経路２０ａに設定し、センス回路２０の温度特性をグラフＡに設定する。切換回路３２は、第１経路２０ａに電流が流れている状態において、出力電圧Ｖｏｕｔが電圧Ｖ１以上である間は、電流経路を第１経路２０ａに維持する。したがって、低温領域（温度Ｔ１と基準温度Ｔｔｈの間の温度範囲）では、グラフＡに従って入力電圧範囲Ｖｗ内の出力電圧Ｖｏｕｔが出力される。このため、ＡＤ変換回路３６は、出力電圧ＶｏｕｔをＡＤ変換することができる。マイコン５０は、出力電圧Ｖｏｕｔと、信号Ｖｓｗ（第１経路２０ａに電流が流れていることを示す信号）と、記憶しているグラフＡに基づいて、半導体チップ１２の温度Ｔを特定する。
【００２２】
第１経路２０ａに電流が流れている状態において、温度Ｔが上昇して基準温度Ｔｔｈを上回ると、出力電圧Ｖｏｕｔが電圧Ｖ１を下回る。切換回路３２は、第１経路２０ａに電流が流れている状態では、出力電圧Ｖｏｕｔが電圧Ｖ１を下回ったときに、スイッチ２４をスイッチさせて電流経路を第１経路２０ａから第２経路２０ｂに切り換える。
【００２３】
切換回路３２は、第２経路２０ｂに電流が流れている状態において、出力電圧Ｖｏｕｔが電圧Ｖ２未満である間は、電流経路を第２経路２０ｂに維持する。したがって、高温領域（基準温度Ｔｔｈと温度Ｔ４の間の温度範囲）では、グラフＢに従って入力電圧範囲Ｖｗ内の出力電圧Ｖｏｕｔが出力される。このため、ＡＤ変換回路３６は、出力電圧ＶｏｕｔをＡＤ変換することができる。マイコン５０は、出力電圧Ｖｏｕｔと、信号Ｖｓｗ（第２経路２０ｂに電流が流れていることを示す信号）と、記憶しているグラフＢに基づいて、半導体チップ１２の温度Ｔを特定する。
【００２４】
第２経路２０ｂに電流が流れている状態において、温度Ｔが低下して基準温度Ｔｔｈを下回ると、出力電圧Ｖｏｕｔが電圧Ｖ２を上回る。切換回路３２は、第２経路２０ｂに電流が流れている状態では、出力電圧Ｖｏｕｔが電圧Ｖ２を上回ったときに、スイッチ２４をスイッチさせて電流経路を第２経路２０ｂから第１経路２０ａに切り換える。このため、上述した低温領域での温度Ｔの検出が行われる。
【００２５】
以上に説明したように、実施例１の温度検出回路１０は、温度Ｔに応じて電流経路を切り換えることで、センス回路２０の温度特性を変化させる。このため、高温領域と低温領域のいずれでも、ＡＤ変換回路３６の入力電圧範囲Ｖｗ内の出力電圧Ｖｏｕｔを出力することができる。このため、温度検出回路１０は、温度Ｔ１から温度Ｔ４までの広い温度範囲で、温度Ｔを検出することができる。また、温度領域毎にＡＤ変換回路を設けることなく、１つのＡＤ変換回路３６によって低温領域と高温領域でＡＤ変換を行うことができるので、温度検出回路１０を小型化することができる。
【００２６】
なお、実施例１は、第１経路２０ａと第２経路２０ｂの間でダイオードの直列数を変更することで、センス回路２０の温度特性を変化させるものである。実施例１の変形例として、図３、図４の構成を採用してもよい。図３の構成では、１つのダイオード１２０を通過する第１経路２０ａと、２つのダイオード１２２、１２４を通過する第２経路２０ｂが、スイッチ２４によって切り換えられる。図４の構成では、スイッチ２４がオンすると、１つのダイオード２２０とスイッチ２４を通過する第１経路２０ａに電流が流れる。スイッチ２４がオフすると、２つのダイオード２２０、２２２を通過する第２経路２０ｂに電流が流れる。図３、４の構成でも、図１と略同じ効果を得ることができる。
【実施例２】
【００２７】
図５は、実施例２の温度検出回路を示している。実施例２では、センス回路２０の構成が実施例１とは異なり、その他の構成は実施例１と等しい。実施例２では、センス回路２０が、ダイオード３２０、スイッチ２４、及び、抵抗３３１、３３２、３３３を有している。抵抗３３１、３３２、３３３は、互いに略等しい電気抵抗を有している。スイッチ２４によって、第１経路２０ａと第２経路２０ｂが切り換えられる。第１経路２０ａでは、電流が、ダイオード３２０と抵抗３３１を通過する。第２経路２０ｂでは、電流が、ダイオード３２０と抵抗３３２、３３３を通過する。
【００２８】
図６は、実施例２の出力電圧Ｖｏｕｔの温度特性を示している。グラフＡは第１経路２０ａに電流が流れているときの温度特性であり、グラフＢは第２経路２０ｂに電流が流れているときの温度特性である。温度Ｔが高いほどダイオード３２０の順電圧が低下するので、グラフＡ、Ｂのいずれでも温度Ｔが高いほど出力電圧Ｖｏｕｔが低下する。また、第２経路２０ｂでは第１経路２０ａよりもダイオード３２０に接続されている抵抗の直列数が多いので、第２経路２０ｂの電気抵抗は第１経路２０ａの電気抵抗よりも高い。したがって、グラフＢでは、各温度においてグラフＡよりも出力電圧Ｖｏｕｔが高い。実施例２でも、切換回路３２は、基準温度Ｔｔｈ（すなわち、電圧Ｖ１、Ｖ２）を基準として、第１経路２０ａと第２経路２０ｂを切り換える。すなわち、低温領域ではグラフＡに従って入力電圧範囲Ｖｗ内の出力電圧Ｖｏｕｔが出力され、高温領域ではグラフＢに従って入力電圧範囲Ｖｗ内の出力電圧Ｖｏｕｔが出力される。したがって、実施例２でも、実施例１と同様に、低温領域と高温領域のいずれでも、ＡＤ変換回路３６が出力電圧ＶｏｕｔをＡＤ変換することができる。
【実施例３】
【００２９】
図７は、実施例３の温度検出回路を示している。実施例３では、センス回路２０の構成が実施例１とは異なり、その他の構成は実施例１と等しい。実施例３では、センス回路２０が、スイッチ２４、及び、ダイオード４２０、４２２を有している。スイッチ２４によって、第１経路２０ａと第２経路２０ｂが切り換えられる。第１経路２０ａでは、電流が、スイッチ２４とダイオード４２０を通過する。第２経路２０ｂでは、電流が、スイッチ２４とダイオード４２２を通過する。第１経路２０ａでは、ダイオード４２０の順電圧がそのまま出力電圧Ｖｏｕｔとして出力される。第２経路２０ｂでは、ダイオード４２２の順電圧がそのまま出力電圧Ｖｏｕｔとして出力される。ダイオード４２０の順電圧とダイオード４２２の順電圧は、互いに異なる温度特性を有している。
【００３０】
図８は、実施例３のセンス回路２０の出力電圧Ｖｏｕｔの温度特性を示している。グラフＡは第１経路２０ａに電流が流れているときの温度特性であり、グラフＢは第２経路２０ｂに電流が流れているときの温度特性である。グラフＡは、ダイオード４２０の順電圧の温度特性と等しく、グラフＢは、ダイオード４２２の順電圧の温度特性と等しい。グラフＡ、Ｂのいずれでも、温度Ｔが高いほど出力電圧Ｖｏｕｔが低下する。また、グラフＢでは、各温度においてグラフＡよりも出力電圧Ｖｏｕｔが高い。これは、ダイオード４２２の順電圧がダイオード４２０の順電圧よりも高いためである。実施例３でも、切換回路３２は、基準温度Ｔｔｈ（すなわち、電圧Ｖ１、Ｖ２）を基準として、第１経路２０ａと第２経路２０ｂを切り換える。すなわち、低温領域ではグラフＡに従って入力電圧範囲Ｖｗ内の出力電圧Ｖｏｕｔが出力され、高温領域ではグラフＢに従って入力電圧範囲Ｖｗ内の出力電圧Ｖｏｕｔが出力される。したがって、実施例３でも、実施例１と同様に、低温領域と高温領域のいずれでも、ＡＤ変換回路３６が出力電圧ＶｏｕｔをＡＤ変換することができる。
【００３１】
以上に説明したように、実施例１〜３のいずれでも、低温領域と高温領域でセンス回路２０の温度特性を変化させることで、広い温度範囲で温度Ｔを測定することができる。また、１つのＡＤ変換回路３６によって、低温領域と高温領域の出力電圧ＶｏｕｔをＡＤ変換することができるので、温度検出回路を小型化することができる。
【００３２】
以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの１つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３３】
１０      ：温度検出回路
１２      ：半導体チップ
１４      ：パワースイッチング素子
２０      ：センス回路
２０ａ    ：第１経路
２０ｂ    ：第２経路
２２      ：ダイオード
２４      ：スイッチ
２６      ：ダイオード
２８      ：高電位配線
２９      ：低電位配線
３０      ：制御回路
３２      ：切換回路
３４      ：定電流回路
３６      ：ＡＤ変換回路
５０      ：マイコン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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