(57)【要約】【課題】低電流密度での純粋円偏光生成及び歩留まりが向上した円偏光発光ダイオードを提供する。【解決手段】ダブルヘテロ構造、前記ダブルヘテロ構造上に配置されたトンネル絶縁膜、及び前記トンネル絶縁膜上に配置された強磁性体電極を有する円偏光発光ダイオードであって、前記トンネル絶縁膜が、砒化アルミニウム層及び前記砒化アルミニウム層上に配置された酸化アルミニウム層を含み、前記ダブルヘテロ構造が、ガリウム、アルミニウム、及びヒ素を含み、且つ前記トンネル絶縁膜の前記砒化アルミニウム層に接する位置に配置された砒化ガリウム層を含む、円偏光発光ダイオード。【選択図】図１
2020136576.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダブルヘテロ構造、前記ダブルヘテロ構造上に配置されたトンネル絶縁膜、及び前記トンネル絶縁膜上に配置された強磁性体電極を有する円偏光発光ダイオードであって、
前記トンネル絶縁膜が、砒化アルミニウム層及び前記砒化アルミニウム層上に配置された酸化アルミニウム層を含み、
前記ダブルヘテロ構造が、ガリウム、アルミニウム、及びヒ素を含み、且つ前記トンネル絶縁膜の前記砒化アルミニウム層に接する位置に配置された砒化ガリウム層を含む、
円偏光発光ダイオード。
【請求項２】
前記砒化アルミニウム層の厚みが、２．０ｎｍ〜２．８ｎｍである、請求項１に記載の円偏光発光ダイオード。
【請求項３】
前記酸化アルミニウム層の厚みが、０．２ｎｍ〜１．０ｎｍである、請求項１または２に記載の円偏光発光ダイオード。
【請求項４】
前記強磁性体電極がＦｅ、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＢ、またはＧａＭｎＡｓである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の円偏光発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、円偏光発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、光の偏光や位相を扱う光学技術の発展は目覚しく、円偏光を直接発光する光源として、半導体ＬＥＤ構造と強磁性体金属とを組み合わせた円偏光発光ダイオードが検討されている。
【０００３】
半導体ＬＥＤ構造と強磁性体金属とを単に直接接合しても、電気伝導度が大きく相違するため、強磁性体中のスピンの揃った電子を効率良く半導体ＬＥＤ構造中に入れることができない。そこで、トンネル伝導を利用して、強磁性体中のスピンの揃った電子を半導体ＬＥＤ構造中に入れることが検討されており、トンネル絶縁膜として、１ｎｍ程度の結晶性に優れた酸化アルミニウムの酸化膜を、半導体ＬＥＤ構造と強磁性体金属との間に配置することにより、室温で純粋な円偏光を生成する発光ダイオード素子が提案されている（非特許文献１）。
【０００４】
酸化アルミニウム層は、半導体ＬＥＤ構造の砒化ガリウム層上に直接アルミニウム層をエピタキシャル成長させ、エピタキシャル成長させたアルミニウム層を自然酸化させることにより形成することができる。格子が揃った結晶化したアルミニウム層を酸化することにより、格子が揃った結晶化した酸化アルミニウム層を得ることができる。このようにして、強磁性体中のスピンの揃った電子を半導体ＬＥＤ構造中に入れることによって、実質的に１００％の円偏光を発光するＬＥＤを作製することができる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】N. Nishizawa, K. Nishibayashi, H. Munekata, Pure circular polarization electroluminescence at room temperature with spin-polarized light-emitting diodes, PNAS 2017, 8, 1783 - 1788.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、純粋円偏光発光時、円偏光発光ダイオード全体に１０Ｖ程度の電圧がかかり、トンネル絶縁膜の酸化アルミニウム層に１０〜２０ＭＶ／ｃｍの電界がかかる。この電界の大きさはサファイアに絶縁破壊が起きる電界強度と同程度であり、トンネル絶縁膜の酸化アルミニウム層の結晶性を高品質にしても、絶縁破壊により発光が消失し得るため、歩留まりが低いという課題があった。
【０００７】
また、円偏光発光ダイオードの発光面となる端面や膜中に漏れ電流が流れて非発光再結合が増加すること、及びトンネル絶縁膜となる酸化膜を自然酸化により形成する際に、トンネル絶縁膜に隣接する半導体層中に酸素が拡散して外部量子効率が低下することにより、純粋円偏光発光を得るために大きな電流密度が必要であった。
【０００８】
そのため、低電流密度での純粋円偏光生成及び歩留まりが向上した円偏光発光ダイオードが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記問題を解決するために、本発明者は鋭意研究を行い、トンネル絶縁膜として、酸化アルミニウム層と半導体ＬＥＤ構造の砒化ガリウム層との間に、絶縁性が高い砒化アルミニウムの半導体層を配置した構造を見出した。図１に、本開示の円偏光発光ダイオードの一例の断面模式図を示す。
【００１０】
本開示は、ダブルヘテロ構造、前記ダブルヘテロ構造上に配置されたトンネル絶縁膜、及び前記トンネル絶縁膜上に配置された強磁性体電極を有する円偏光発光ダイオードであって、
前記トンネル絶縁膜が、砒化アルミニウム層及び前記砒化アルミニウム層上に配置された酸化アルミニウム層を含み、
前記ダブルヘテロ構造が、ガリウム、アルミニウム、及びヒ素を含み、且つ前記トンネル絶縁膜の前記砒化アルミニウム層に接する位置に配置された砒化ガリウム層を含む、
円偏光発光ダイオードを対象とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、低電流密度での純粋円偏光生成及び歩留まりが向上した円偏光発光ダイオードを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本開示の円偏光発光ダイオードの一例の断面模式図である。
【図２】図２は、比較例の円偏光発光ダイオードの断面模式図である。
【図３】図３は、円偏光発光ダイオード素子の長さＬ及び幅Ｗ、強磁性体電極の磁化方向、並びに発光方向を示す斜視図である。
【図４】図４は、本開示の円偏光発光ダイオードで得られたフォトンエネルギーとエレクトロルミネッセンス強度（ＥＬ強度）との関係を表すグラフである。
【図５】図５は、実施例１〜６で作製した円偏光発光ダイオードと、比較例１で作製した円偏光発光ダイオードの、電流密度に対する円偏光度の関係を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本開示は、ダブルヘテロ構造、前記ダブルヘテロ構造上に配置されたトンネル絶縁膜、及び前記トンネル絶縁膜上に配置された強磁性体電極を有する円偏光発光ダイオードであって、前記トンネル絶縁膜が、砒化アルミニウム層及び前記砒化アルミニウム層上に配置された酸化アルミニウム層を含み、前記ダブルヘテロ構造が、ガリウム、アルミニウム、及びヒ素を含み、且つ前記トンネル絶縁膜の前記砒化アルミニウム層に接する位置に配置された砒化ガリウム層を含む、円偏光発光ダイオードを対象とする。
【００１４】
本開示の円偏光発光ダイオードによれば、トンネル絶縁膜中の酸化アルミニウム層の結晶性を向上することができる。
【００１５】
従来、半導体ＬＥＤ構造の砒化ガリウム層上に接して酸化アルミニウム層を形成する場合は、酸素が砒化ガリウム層中に拡散して、砒化ガリウム層の最表面に酸化ヒ素の層が形成されてしまう。この場合、酸化ヒ素と酸化アルミニウムとは結晶構造が大きく相違するので、酸化アルミニウム層の結晶性が低下してしまう。
【００１６】
これに対して、半導体ＬＥＤ構造の砒化ガリウム層上に砒化アルミニウム層を下地に配置する場合は、砒化アルミニウム層上に接してアルミニウム層を形成し、アルミニウム層を酸化して酸化アルミニウムを形成する。このアルミニウム層を酸化する際に、下地の砒化アルミニウム層の表面は酸化して酸化アルミニウムの層が形成される。砒化アルミニウム層の表面が酸化して形成される酸化アルミニウム層と、その上に接して配置される酸化アルミニウム層とは、結晶構造が同じであるので、結晶性が高い酸化アルミニウム層を得ることができる。
【００１７】
また、本開示の円偏光発光ダイオードによれば、絶縁性が高い砒化アルミニウム層をトンネル絶縁膜の下地に配置しているので、膜中及び端面に漏れ電流が流れることを抑制することができる。
【００１８】
さらには、本開示の円偏光発光ダイオードによれば、酸化アルミニウム層と半導体ＬＥＤ構造との間に砒化アルミニウム層を配置した構造を有するため、アルミニウム層を酸化して酸化アルミニウム層を形成する際に、半導体ＬＥＤ構造の半導体層への酸素の拡散を抑制することができる。
【００１９】
このように、本開示の円偏光発光ダイオードによれば、酸化アルミニウム層と半導体ＬＥＤ構造の砒化ガリウム層との間に絶縁性が高い砒化アルミニウム層が配置され、トンネル絶縁膜の酸化アルミニウム層の結晶性が向上し、膜中及び端面への漏れ電流が抑制され、半導体ＬＥＤ構造の半導体層への酸素の拡散が抑制される。これらに効果により従来よりも、トンネル絶縁膜の絶縁破壊が抑制されて大幅に歩留まりが向上し、且つ大幅に小さい電流密度で純粋円偏光発光を得ることができる。
【００２０】
本開示の円偏光発光ダイオードは、好ましくは５０％以上、より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上の円偏光度を示す。本願において、前記好ましい範囲の円偏光度を、純粋円偏光という。円偏光度とは、右回り円偏光及び左回り円偏光のエレクトロルミネッセンス強度の合計に対する右回り円偏光または左回り円偏光のエレクトロルミネッセンス強度が占める割合をいう。
【００２１】
酸化アルミニウムは、ＡｌＯｘで表され、ｘは好ましくは１．０〜１．５である。砒化アルミニウムは、ＡｌＡｓで表される。
【００２２】
本開示の円偏光発光ダイオードは、ダブルヘテロ構造を有する。砒化アルミニウム層及び酸化アルミニウム層を含むトンネル絶縁膜とダブルヘテロ構造との組み合わせにより、高い発光効率を得ることができる。
【００２３】
ダブルヘテロ構造は、砒化ガリウム系のダブルヘテロ構造であり、ガリウム、アルミニウム、及びヒ素を含み、且つトンネル絶縁膜の砒化アルミニウム層に接する位置に配置された砒化ガリウム層を含む。
【００２４】
ダブルヘテロ構造は、図１に例示するｎ型半導体が強磁性体電極側に配置されるＰＩＮ構造、またはＮＩＰ構造であることができる。
【００２５】
ダブルヘテロ構造は、好ましくはＰＩＮ構造である。強磁性体電極からスピンの揃った電子を、ダブルヘテロ構造の半導体ＬＥＤ構造中に入れるため、トンネル絶縁膜の砒化アルミニウム層に接するダブルヘテロ構造の層は、ｎ型半導体であるｎ型砒化ガリウムが好ましい。電子はホールよりも緩和時間が長いので、ダブルヘテロ構造中の発光層まで、電子はスピンが揃ったまま到達することができる。
【００２６】
ダブルヘテロ構造は、より好ましくは、ｐ型砒化アルミニウムガリウム層、ｐ型砒化ガリウム層、ｎ型砒化アルミニウムガリウム層、及びｎ型砒化ガリウム層を含むＰＩＮ構造を有し、ダブルヘテロ構造のｎ型砒化ガリウム層上に接してトンネル絶縁膜の砒化アルミニウム層が配置される。この場合、ｐ型砒化ガリウム層が発光層となる。
【００２７】
ｐ型砒化アルミニウムガリウム層の砒化アルミニウムガリウムは、ｐ−ＡｌaＧａbＡｓで表され、好ましくは、ａは０．１０〜０．４５、ｂは０．５５〜０．９０である。ｐ型砒化アルミニウムガリウム層は、好ましくはＣ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｓｉ、またはそれらの組み合わせがドープされている。ｐ型砒化アルミニウムガリウム層には、好ましくは、１×１０１７〜１×１０１８／ｃｍ3のドーパントがドープされている。
【００２８】
ｐ型砒化ガリウム層の砒化ガリウムは、ｐ−ＧａＡｓで表される。ｐ型砒化ガリウム層は、好ましくはＣ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｓｉ、またはそれらの組み合わせがドープされている。ｐ型砒化ガリウム層には、好ましくは、１×１０１７ 〜１×１０１８／ｃｍ3のドーパントがドープされている。
【００２９】
ｎ型砒化アルミニウムガリウム層の砒化アルミニウムガリウムは、ｎ−ＡｌcＧａdＡｓで表され、好ましくは、ｃは０．１０〜０．４５、及びｄは０．５５〜０．９０である。ｎ型砒化アルミニウムガリウム層は、好ましくはＳｎ、Ｓｉ、Ｔｅ、またはそれらの組み合わせがドープされている。ｎ型砒化アルミニウムガリウム層には、好ましくは、１×１０１6 〜１×１０１８／ｃｍ3のドーパントがドープされている。
【００３０】
ｎ型砒化ガリウム層の砒化ガリウムは、ｎ−ＧａＡｓで表される。ｎ型砒化ガリウム層は、好ましくはＳｎ、Ｓｉ、Ｔｅ、またはそれらの組み合わせがドープされている。ｎ型砒化ガリウム層には、好ましくは、１×１０１8 〜５×１０１9／ｃｍ3のドーパントがドープされている。
【００３１】
ダブルヘテロ構造は、好ましくは拡散防止層を含む。拡散防止層は、例えば、ｐ型砒化ガリウム層とｎ型砒化アルミニウムガリウム層との間に配置され、ドーパントの拡散を防止することができる。拡散防止層は、好ましくはノンドープの砒化アルミニウムガリウム層である。
【００３２】
ノンドープの砒化アルミニウムガリウム層は、好ましくはＡｌeＧａfＡｓで表され、ｅは０．１０〜０．４５、ｆは０．５５〜０．９０である。
【００３３】
ダブルヘテロ構造は、単結晶基板上に形成することができる。単結晶基板として、例えば、図１に例示するような（１００）面を有するｐ型砒化ガリウム基板を用いることができる。
【００３４】
ダブルヘテロ構造は、単結晶基板とクラッド層との間に、バッファ層を含んでもよい。単結晶基板上に、表面が平坦なバッファ層をエピタキシャル成長させ、その上にクラッド層をエピタキシャル成長させることにより、結晶性が良好なクラッド層を形成することができる。単結晶基板とクラッド層との間に配置されるバッファ層として、例えばｐ型砒化ガリウム層を用いることができる。バッファ層としてのｐ型砒化ガリウム層も、好ましくは、ＧａＡｓで表され、上記同様の種類及び量のドーパントがドープされている。
【００３５】
砒化アルミニウム層の厚みは、好ましくは２．０ｎｍ〜２．８ｎｍ、より好ましくは２．０ｎｍ〜２．４ｎｍである。砒化アルミニウム層の厚みは２．２ｎｍ以上であってもよい。砒化アルミニウム層の厚みが前記好ましい範囲内にあることにより、表面がより平坦な砒化アルミニウム層を得ることができ、その上に形成する酸化アルミニウム層の結晶性を向上することができる。
【００３６】
酸化アルミニウム層の厚みは、好ましくは０．２ｎｍ〜１．０ｎｍ、より好ましくは０．６ｎｍ〜１．０ｎｍである。酸化アルミニウム層の厚みは０．８ｎｍ以下であってもよい。酸化アルミニウム層の厚みが前記好ましい範囲内にあることにより、トンネル伝導による半導体層への電子注入効率を向上することができる。
【００３７】
砒化アルミニウム層及び酸化アルミニウム層を含むトンネル絶縁膜の厚みは、好ましくは２．２ｎｍ〜３．０ｎｍである。トンネル絶縁膜の厚みが前記好ましい範囲内にあることにより、より良好に電子をトンネル伝導させることができ、また、トンネル絶縁膜全体に印加される電界が低下するので、トンネル絶縁膜の絶縁破壊がより抑制される。
【００３８】
強磁性体電極は、好ましくはＦｅ、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＢまたはＧａＭｎＡｓで構成される。
【００３９】
本開示の円偏光発光ダイオードは、強磁性体電極の上に、好ましくは強磁性体電極の酸化防止電極を含む。酸化防止電極は、好ましくはＡｕ層及びＴｉ層からなるＡｕ／Ｔｉ電極、Ａｕ層及びＣｒ層からなるＡｕ／Ｃｒ電極、または単層のＡｕ電極である。
【００４０】
単結晶基板は、金属板上に配置することができる。金属板は、好ましくは、Ｃｕ、Ａｌ、またはＡｕで構成され、より好ましくはＣｕで構成される。
【００４１】
単結晶基板と金属板との間に、オーミック接合層を配置することができる。オーミック接合層は、好ましくは、Ｉｎ／Ａｇペースト、ＡｕＺｎ／Ａｇペースト、またはＡｕ／Ａｇペーストで構成され、より好ましくはＩｎ／Ａｇペーストで構成される。
【００４２】
本開示の円偏光ダイオードは、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）を用いて作製することができる。酸化アルミニウムの層は、ＭＢＥで形成したアルミニウム層を酸化することにより形成することができる。アルミニウム層の酸化は、形成する酸化アルミニウム層の結晶性劣化防止のため、好ましくは、室温以下の温度で行う。酸化させる雰囲気は、好ましくは乾燥空気であり、乾燥空気中で自然酸化させて酸化アルミニウム層を形成することができる。自然酸化させる時間は、好ましくは１０時間以上である。１回でアルミニウム層を自然酸化させる場合、自然酸化させる最大厚みは０．７ｎｍである。そのため、０．７ｎｍ超の酸化アルミニウム層を形成する場合は、一旦、０．７ｎｍの酸化アルミニウム層を形成し、酸化アルミニウム層上にアルミニウム層を形成し酸化することができる。
【実施例】
【００４３】
（実施例１）
（円偏光発光層の形成）
Ｃｕ基板上にＩｎ／Ａｇペーストを塗布し、Ｉｎ／Ａｇペースト上にｐ型Ｚｎドープｐ−ＧａＡｓ（１×１０18／ｃｍ3）基板を配置した。電子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）を用い、基板温度５１０℃で、以下の順番で、上記基板上に、図１に断面模式図として示すダブルヘテロ構造の円偏光発光層を形成した：
１．厚さ５００ｎｍのＢｅドープｐ型ＧａＡｓ（１×１０18／ｃｍ3）（バッファ層）；
２．厚さ５００ｎｍのＢｅドープｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ（１×１０18／ｃｍ3）（クラッド層）；
３．厚さ５００ｎｍのＢｅドープｐ−Ｇａ7Ａｓ（１×１０18／ｃｍ3）（発光層）；
４．厚さ１５ｎｍのノンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ（ドーパントの拡散防止層）；
５．厚さ３００ｎｍのＳｉドープｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ（１×１０17／ｃｍ3）（クラッド層）；
６．厚さ１５ｎｍのＳｉドープｎ型ＧａＡｓ（５×１０1８／ｃｍ3）（バッファ層）。
【００４４】
（トンネル絶縁膜の形成）
電子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）を用い、基板温度２５℃で、以下の順番で、ダブルヘテロ構造上に、図１に断面模式図として示すトンネル絶縁膜を形成した：
７．厚さ２．０ｎｍのＡｌＡｓ層を成膜（トンネル絶縁膜）；
８．厚さ０．５６ｎｍのＡｌ層を成膜；
９．乾燥空気中に１０時間暴露することによりＡｌ層を酸化して、厚さ０．７０ｎｍの酸化アルミニウム層を形成（トンネル絶縁膜）；
【００４５】
（磁性金属電極の作製）
形成したトンネル絶縁膜の上に、下記の手順で、強磁性体電極（Ｆｅ）層及びＡｕ／Ｔｉ層（電極層）を、電子線蒸着装置の真空チャンバー内で蒸着した：
１０．フォトリソグラフィー法により幅４０ｎｍのレジストパターンをＧａＡｓ（１１０）方向に平行に形成；
１１．上面に、幅４０μｍ、長さ１ｍｍ、及び厚さ１００ｎｍのＦｅ膜を成膜（強磁性電極）；
１２．Ｆｅ膜上に、幅４０μｍ、長さ１ｍｍ、及び厚さ２０ｎｍのＴｉ膜を成膜（Ｆｅ膜の酸化保護膜）；
１３．Ｔｉ膜上に、幅４０μｍ、長さ１ｍｍ、及び厚さ５０ｎｍのＡｕを成膜（電極）。
【００４６】
図３の矢印で示すように示すように、Ｆｅで構成された強磁性体電極に５ｋＯｅの磁場を印加し、面内方向（発光方向）に磁化させた。
【００４７】
上記のようにして、長さＬが１ｍｍ、幅Ｗが１ｍｍの円偏光発光ダイオード素子を作製した。図１に、実施例１で作製した円偏光発光ダイオード素子の断面模式図を示す。図３に、円偏光発光ダイオード素子の長さＬ及び幅Ｗ、強磁性体電極の磁化方向、並びに発光方向を示す斜視図を示す。
【００４８】
（実施例２〜６）
図３における長さＬ及び幅Ｗを表１に示す組み合わせとして、円偏光発光ダイオードを作製した。その際、強磁性体電極のＦｅは、幅４０ｎｍ及び厚み１００ｍｍを一定とし、長さは、円偏光発光ダイオード素子の長さＬと同じになるようにした。
【００４９】
【表１】
2020136576.tif 000003
【００５０】
（比較例１）
ＡｌＡｓ層を形成せずに、ＧａＡｓ上にＡｌをエピタキシャル成長（０．５６ｎｍ）させて、乾燥大気による自然酸化（０．７０ｎｍ）を行った後、さらにＡｌ成長（０．２４ｎｍ）させて乾燥大気による自然酸化（０．３０ｎｍ）させて、結晶性酸化アルミニウム層（合計１．０ｎｍ）を形成し、長さＬを１．００ｍｍ、幅Ｗを１．８０ｍｍとしたこと以外は、実施例１と同じ方法で、図２に断面模式図として示す円偏光発光ダイオードを作製した。
【００５１】
図４に、本開示の円偏光発光ダイオードで得られたフォトンエネルギーとエレクトロルミネッセンス強度（ＥＬ強度）との関係を表すグラフを示す。λ／４板及び直線偏光子を用いて、右回り円偏光及び左回り円偏光を分けて測定した。ＥＬ強度は、室温において、電流値Ｉ＝４．０ｍＡ、電流密度Ｊ＝１０Ａ／ｃｍ2で測定した。電流密度Ｊは、電流値を、強磁性体電極の面積で除した値である。
【００５２】
図４において、σ＋が右回り円偏光のＥＬ強度を示し、σ−が左回り円偏光のＥＬ強度を示す。ＥＬ強度全体に対する右回り円偏光のＥＬ強度の比率は最大９１．７％であり、実質的に純粋な円偏光発光が得られた。
【００５３】
表３に、実施例１〜６で作製した円偏光発光ダイオードの歩留まりを示す。表４に、比較例１で作製した円偏光発光ダイオードの歩留まりを示す。比較例１で作製した円偏光発光ダイオードの多くは絶縁破壊が発生し、実質的に純粋な円偏光発光を示した割合は５％であった。一方で、実施例１〜６で作製した円偏光発光ダイオードは、実質的に純粋な円偏光発光を示した割合は６７％であり、大幅に歩留まりが向上した。
【００５４】
【表２】
2020136576.tif 000004
【００５５】
【表３】
2020136576.tif 000005
【００５６】
図５に、実施例１〜６で作製した円偏光発光ダイオードと、比較例１で作製した円偏光発光ダイオードの、電流密度に対する円偏光度の関係を表すグラフを示す。実施例１〜６で作製した円偏光発光ダイオードは、比較例１で作製した円偏光発光ダイオードの約１／１０の電流密度で、純粋円偏光発光を示した。
【符号の説明】
【００５７】
１００    円偏光発光ダイオード
１０    強磁性体電極
【図１】
2020136576.tif 000006
【図２】
2020136576.tif 000007
【図３】
2020136576.tif 000008
【図４】
2020136576.tif 000009
【図５】
2020136576.tif 000010