(57)【要約】【課題】アンテナとして具現される導電パターンを含む表示パネルとそれを含む表示装置を提供する。【解決手段】本発明による表示装置は、基板上に配置される複数の発光素子を含む表示層と、前記表示層上に配置されるセンサ電極層を含む表示パネルと、を有し、前記センサ電極層は、前記表示層上に配置される複数のセンサ電極が配置されたセンサ領域と、前記複数のセンサ電極に接続される複数のセンサ配線、前記センサ配線と離隔してアンテナとして用いられる第１導電パターン、及び前記第１導電パターンと重畳する第２導電パターンが配置されたセンサ周辺領域と、を含む。【選択図】  図４
2020201486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置であって、
基板上に配置される複数の発光素子を含む表示層と、
前記表示層上に配置されるセンサ電極層を含む表示パネルと、を有し、
前記センサ電極層は、前記表示層上に配置される複数のセンサ電極が配置されたセンサ領域と、
前記複数のセンサ電極に接続される複数のセンサ配線、前記センサ配線と離隔してアンテナとして用いられる第１導電パターン、及び前記第１導電パターンと重畳する第２導電パターンが配置されたセンサ周辺領域と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１導電パターンは、前記センサ電極と同じ層に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２導電パターンは、前記第１導電パターンと前記表示層との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１導電パターンは、前記センサ領域の第１側のセンサ周辺領域、前記センサ領域の第２側のセンサ周辺領域、前記センサ領域の第３側のセンサ周辺領域に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記基板の一側に配置され、前記センサ配線に接続される複数のセンサパッドと、
前記基板の一側に配置され、前記第１導電パターンに接続される導電パッドと、をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記センサ電極層は、前記基板の第１側に配置され、前記センサ配線と接続される複数のセンサパッドをさらに含み、
前記第１導電パターンは、前記基板の第１側の反対側である第２側と、前記第１側と前記第２側を接続する第３側と、前記第２側と前記第３側とのコーナー部と、に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記基板は、前記センサ周辺領域の一側から延長される第２ベンディング領域と、前記第２ベンディング領域から延長される第２パッド領域と、を含み、
前記第１導電パターンは、前記第２パッド領域に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１導電パターンに接続され、前記第１導電パターンで送信又は受信されるＲＦ信号を処理するＲＦ駆動部をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ＲＦ駆動部は、前記第２パッド領域に配置されることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記基板は、前記センサ周辺領域の他側から延長される第１ベンディング領域と、前記第１ベンディング領域から延長される第１パッド領域と、を含み、
前記表示装置は、前記第１パッド領域に配置される表示駆動部をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記基板は、前記センサ周辺領域の一側から延長される第１ベンディング領域と、前記第１ベンディング領域から延長される第１パッド領域と、を含み、
前記表示装置は、前記第１パッド領域に配置される表示駆動部をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１ベンディング領域と前記第２ベンディング領域との間と、前記第１パッド領域と前記第２パッド領域との間にはギャップが設けられることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記表示パネルの下部に配置されるバッテリをさらに有し、
前記第１導電パターンは、前記バッテリと電気的に接続されることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１導電パターンの厚さは、前記センサ電極それぞれの厚さ及び前記センサ配線それぞれの厚さより厚いことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１導電パターンは、２１５０μｍ以上の厚さを有することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記センサ電極は、第１方向に電気的に接続される複数の感知電極と、
前記第１方向と交差する第２方向に電気的に接続される複数の駆動電極と、
前記駆動電極の内、前記第２方向に隣接する複数の駆動電極間を接続し、前記感知電極及び前記駆動電極とは相違する層に配置される第１接続部と、
前記感知電極の内、前記第１方向に隣接する複数の感知電極間を接続し、前記感知電極及び前記駆動電極と同じ層に配置される第２接続部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１導電パターンは、前記感知電極及び前記駆動電極と同じ層に配置され、
前記第２導電パターンは、前記第１接続部と同じ層に配置されることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１導電パターンは、前記センサ領域の一側のセンサ周辺領域に配置され、
前記センサ電極層は、前記第１導電パターンと前記センサ領域との間に配置される接地配線をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１９】
表示装置であって、
基板上に配置される複数の発光素子を含む表示層と、
前記表示層上に配置されるセンサ電極層を含む表示パネルと、を有し、
前記センサ電極層は、前記表示層上に配置される複数のセンサ電極、及び前記センサ電極と離隔してアンテナとして用いられる複数の第１導電パターンを含むセンサ領域と、
前記センサ電極に接続される複数のセンサ配線を含むセンサ周辺領域と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２０】
前記複数の第１導電パターンは、前記センサ電極と同じ層に配置されることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記複数の第１導電パターンそれぞれは、前記複数のセンサ電極の内の一つのセンサ電極によって囲まれることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記センサ電極は、第１方向に電気的に接続される複数の感知電極と、
前記第１方向と交差する第２方向に電気的に接続される複数の駆動電極と、
前記駆動電極の内、前記第２方向に隣接する駆動電極を接続し、前記感知電極及び前記駆動電極と相違する層に配置される第１接続部と、
前記感知電極の内、前記第１方向に隣接する感知電極を接続し、前記感知電極及び前記駆動電極と同じ層に配置される第２接続部と、を含むことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記第１導電パターンそれぞれは、前記感知電極の内の一つの感知電極又は前記駆動電極の内の一つの駆動電極によって囲まれることを特徴とする請求項２２に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記第１導電パターンの内、第１方向に隣接する第１導電パターンを接続する第３接続部と、
前記第１導電パターンの内、前記第１方向と交差する第２方向に隣接する第１導電パターンを接続する第４接続部と、をさらに有することを特徴とする請求項２２に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記第３接続部は、前記感知電極及び前記駆動電極と同じ層に配置される第１サブ接続部と、
前記第１接続部と同じ層に配置される第２サブ接続部と、を含むことを特徴とする請求項２４に記載の表示装置。
【請求項２６】
前記第４接続部は、前記感知電極及び前記駆動電極と同じ層に配置されることを特徴とする請求項２４に記載の表示装置。
【請求項２７】
前記センサ電極層は、前記第１導電パターンの内の一つの第１導電パターンと前記感知電極の内の一つの感知電極又は前記駆動電極の内の一つの駆動電極との間に配置されるガードパターンをさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の表示装置。
【請求項２８】
前記第１導電パターンは、前記ガードパターンによって囲まれ、前記ガードパターンは、前記感知電極又は前記駆動電極によって囲まれることを特徴とする請求項２７に記載の表示装置。
【請求項２９】
前記ガードパターンは、前記感知電極及び前記駆動電極と同じ層に配置されることを特徴とする請求項２８に記載の表示装置。
【請求項３０】
前記ガードパターンは、前記感知電極及び前記駆動電極と同じ層に配置される第１サブガードパターンと、前記第１接続部と同じ層に配置される第２サブガードパターンと、を含むことを特徴とする請求項２８に記載の表示装置。
【請求項３１】
前記センサ電極は、前記駆動電極と前記感知電極とを離隔し、前記感知電極及び前記駆動電極と同じ層に配置される複数の近接感知電極と、
前記近接感知電極の内、前記第１方向に隣接する近接感知電極を接続する第５接続部と、
前記近接感知電極の内、前記第２方向に隣接する近接感知電極を接続する第６接続部と、をさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の表示装置。
【請求項３２】
前記近接感知電極それぞれは、前記感知電極の内の一つの感知電極又は前記駆動電極の内の一つの駆動電極によって囲まれることを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３３】
前記第５接続部は、前記感知電極及び前記駆動電極と同じ層に配置される第１サブ接続部と、
前記第１接続部と同じ層に配置される第２サブ接続部とを含むことを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３４】
前記第６接続部は、前記感知電極及び前記駆動電極と同じ層に配置されることを特徴とする請求項３３に記載の表示装置。
【請求項３５】
前記第１導電パターンと前記センサ電極は、前記複数の発光素子の発光領域と重畳しないことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項３６】
前記センサ電極は、透明な導電物質を含み、
前記第１導電パターンと前記センサ配線は、不透明な導電物質を含むことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項３７】
前記第１導電パターンは、前記複数の発光素子の発光領域と重畳することを特徴とする請求項３６に記載の表示装置。
【請求項３８】
基板上で互いに離隔して配置される第１電極及び第２電極と、
前記第１電極と接続される第１接触電極と、
前記第２電極と接続される第２接触電極と、
前記第１接触電極と前記第２接触電極との間に配置される発光素子と、
前記基板の厚さ方向で前記発光素子と重畳しないように配置され、アンテナとして用いられる第１導電パターンと、を有することを特徴とする表示パネル。
【請求項３９】
前記第１電極と前記第２電極の一部を覆う第１絶縁膜と、
前記発光素子上に配置される第２絶縁膜と、
前記第１接触電極を覆う第３絶縁膜と、をさらに有し、
前記第１接触電極と前記第２接触電極は、それぞれ第１絶縁膜と前記第２絶縁膜上に配置され、
前記第２接触電極は、前記第３絶縁膜上に配置されることを特徴とする請求項３８に記載の表示パネル。
【請求項４０】
前記第１導電パターンは、前記第２接触電極と同じ層に配置されることを特徴とする請求項３９に記載の表示パネル。
【請求項４１】
前記第１導電パターンは、前記第１接触電極と同じ層に配置されることを特徴とする請求項３９に記載の表示パネル。
【請求項４２】
前記第１導電パターンは、前記第１電極及び前記第２電極と同じ層に配置されることを特徴とする請求項３９に記載の表示パネル。
【請求項４３】
前記第１絶縁膜と前記第１接触電極との間に配置される遮蔽電極をさらに有し、
前記第１導電パターンは、前記遮蔽電極と同じ層に配置されることを特徴とする請求項３９に記載の表示パネル。
【請求項４４】
前記第１電極と前記第２電極の一部を覆う第１絶縁膜と、
前記発光素子上に配置される第２絶縁膜と、
前記第１接触電極と前記第２接触電極とを覆う第３絶縁膜と、をさらに有し、
前記第１接触電極と前記第２接触電極は、それぞれ第１絶縁膜と前記第２絶縁膜上に配置されることを特徴とする請求項３８に記載の表示パネル。
【請求項４５】
前記第１導電パターンは、前記第１接触電極及び前記第２接触電極と同じ層に配置されることを特徴とする請求項４４に記載の表示パネル。
【請求項４６】
前記第２接触電極と前記第３絶縁膜上に配置される封止層をさらに有し、
前記第１導電パターンは、前記封止層上に配置されることを特徴とする請求項３９に記載の表示パネル。
【請求項４７】
前記第１導電パターンと前記封止層との間に配置される第２導電パターンと、
前記第１導電パターンと前記第２導電パターンとの間に配置される第４絶縁膜と、をさらに有することを特徴とする請求項４６に記載の表示パネル。
【請求項４８】
前記第１導電パターンは、前記第１導電パターンを貫くスリット部を含むことを特徴とする請求項４７に記載の表示パネル。
【請求項４９】
基板上に配置され、複数のサブ画素を含む画素部と、
前記画素部の少なくとも一側に配置される透過部と、
前記透過部に配置され、アンテナとして用いられる第１導電パターンと、を有することを特徴とする表示パネル。
【請求項５０】
前記透過部に配置され、前記基板の厚さ方向で前記第１導電パターンと重畳し、接地電圧又は電源電圧が印加される第２導電パターンをさらに有することを特徴とする請求項４９に記載の表示パネル。
【請求項５１】
前記複数のサブ画素それぞれは、前記基板上に配置されるアクティブ層と、前記アクティブ層の少なくとも一部を覆うゲート絶縁膜上に配置されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜上に配置されるソース電極及びドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタと、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆う平坦化膜上に配置される第１電極と、前記第１電極上に配置される発光層と、前記発光層上に配置される第２電極と、を含む発光素子と、を含むことを特徴とする請求項５０に記載の表示パネル。
【請求項５２】
前記第１導電パターンは、前記第１電極と同じ層に配置され、
前記第２導電パターンは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ層に配置されることを特徴とする請求項５１に記載の表示パネル。
【請求項５３】
前記複数のサブ画素それぞれは、前記基板上に配置される第１アクティブ層と、前記第１アクティブ層の少なくとも一部を覆う第１ゲート絶縁膜上に配置される第１ゲート電極と、前記第１ゲート電極を覆う第１層間絶縁膜上に配置される第１ソース電極及び第１ドレイン電極と、を含む第１薄膜トランジスタと、
前記第１層間絶縁膜上に配置される遮光層と、前記遮光層を覆う第２層間絶縁膜上に配置される第２アクティブ層と、前記第２アクティブ層の少なくとも一部を覆う第２ゲート絶縁膜上に配置される第２ゲート電極と、前記第２ゲート電極を覆う第３層間絶縁膜上に配置される第２ソース電極及び第２ドレイン電極と、を含む第２薄膜トランジスタと、
前記第１ソース電極、前記第２ソース電極、前記第１ドレイン電極、及び前記第２ドレイン電極を覆う平坦化膜上に配置される第１電極と、前記第１電極上に配置される発光層と、前記発光層上に配置される第２電極と、を含む発光素子と、を含むことを特徴とする請求項５０に記載の表示パネル。
【請求項５４】
前記第１導電パターンは、前記第１電極と同じ層に配置され、
前記第２導電パターンは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ層に配置されることを特徴とする請求項５３に記載の表示パネル。
【請求項５５】
前記画素部の少なくとも一側以外の他の一側に配置されるミラー部と、
前記ミラー部に配置されるミラーパターンと、をさらに有することを特徴とする請求項  ５１に記載の表示パネル。
【請求項５６】
前記ミラーパターンは、前記第１導電パターンと同じ層に配置されることを特徴とする請求項５５に記載の表示パネル。
【請求項５７】
表示パネルであって、
上面部と、前記上面部の一側から延長される第１側面部と、を含む基板と、
前記基板上に配置され、前記上面部と重畳するメイン表示部を含む表示層と、
前記表示層上に配置され、前記メイン表示部と重畳し、ユーザのタッチを感知するためのセンサ領域に複数のセンサー電極を含むセンサー電極層と、
前記第１側面部に配置され、アンテナとして用いられる第１導電パターンと、を有することを特徴とする表示パネル。
【請求項５８】
前記第１側面部は、第１サブ表示部と第１非表示部と、を含み、
前記センサ領域は、前記第１サブ表示部と重畳し、
前記センサ領域の周辺に配置されるセンサ周辺領域は、前記第１非表示部と重畳し、
前記第１導電パターンは、前記第１非表示部に配置されることを特徴とする請求項５７に記載の表示パネル。
【請求項５９】
前記第１導電パターンは、前記センサ領域のセンサ電極と同じ層に配置されることを特徴とする請求項５７に記載の表示パネル。
【請求項６０】
前記第１側面部は、前記センサ領域の複数のセンサ電極に接続される複数のセンサ配線が配置されるセンサ周辺領域と、
前記第１導電パターンが配置されるアンテナ領域と、を含むことを特徴とする請求項５７に記載の表示パネル。
【請求項６１】
前記基板の第１側面部、前記表示層、及び前記センサ電極層を貫く複数の貫通穴が前記第１側面部に配置されることを特徴とする請求項５７に記載の表示パネル。
【請求項６２】
前記第１側面部の一面に前記表示層が配置され、
前記表示パネルは、前記第１側面部の下に配置され、前記第１導電パターンを含むアンテナモジュールをさらに有することを特徴とする請求項６１に記載の表示パネル。
【請求項６３】
前記基板の前記第１側面部の下に配置される圧力センサをさらに有することを特徴とする請求項５７に記載の表示パネル。
【請求項６４】
第１ベース部材上に配置される駆動電極及び感知電極と、
前記第１ベース部材と対向する第２ベース部材上に配置され、前記駆動電極と前記感知電極に重畳する圧力感知層と、をさらに有することを特徴とする請求項６３に記載の表示パネル。
【請求項６５】
前記圧力感知層は、高分子樹脂と微細金属粒子を含むことを特徴とする請求項６４に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示パネルとそれを含む表示装置に関し、特に、アンテナとして具現される導電パターンを含む表示パネルとそれを含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会が発展するにつれ、映像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形態に増加している。
例えば、表示装置は、スマートフォン、デジタルカメラ、ノートブックコンピュータ、ナビゲーション、及びスマートテレビのように多様な電子機器に適用されている。
表示装置は、無線通信のために無線電磁波を送受信するアンテナを含み得る。
例えば、表示装置は、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ  Ｔｅｒｍ  Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）のような４世代（４Ｇ）移動通信及び５世代（５Ｇ）移動通信だけでなく、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグのような近距離通信をするためのアンテナを含み得る。
【０００３】
したがって、通信技術に応じて送受信する無線電磁波の周波数帯域が多様化し、無線電磁波の周波数帯域に応じてアンテナの形態又は長さが変わり得る。
したがって、表示装置は、無線電磁波の周波数帯域に応じたアンテナが必要であり、近年、これらのアンテナとして具現するための導電パターンを含む表示パネルの研究開発が課題となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２２１３４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来の表示装置における課題に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、アンテナとして具現される導電パターンを含む表示パネルを提供することにあり、また、アンテナとして具現される導電パターンを含む表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、基板上に配置される複数の発光素子を含む表示層と、前記表示層上に配置されるセンサ電極層を含む表示パネルと、を有し、前記センサ電極層は、前記表示層上に配置される複数のセンサ電極が配置されたセンサ領域と、前記複数のセンサ電極に接続される複数のセンサ配線、前記センサ配線と離隔してアンテナとして用いられる第１導電パターン、及び前記第１導電パターンと重畳する第２導電パターンが配置されたセンサ周辺領域と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、基板上に配置される複数の発光素子を含む表示層と、前記表示層上に配置されるセンサ電極層を含む表示パネルと、を有し、前記センサ電極層は、前記表示層上に配置される複数のセンサ電極、及び前記センサ電極と離隔してアンテナとして用いられる複数の第１導電パターンを含むセンサ領域と、前記センサ電極に接続される複数のセンサ配線を含むセンサ周辺領域と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示パネルは、基板上で互いに離隔して配置される第１電極及び第２電極と、前記第１電極と接続される第１接触電極と、前記第２電極と接続される第２接触電極と、前記第１接触電極と前記第２接触電極との間に配置される発光素子と、前記基板の厚さ方向で前記発光素子と重畳しないように配置され、アンテナとして用いられる第１導電パターンと、を有することを特徴とする。
【０００９】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示パネルは、基板上に配置され、複数のサブ画素を含む画素部と、前記画素部の少なくとも一側に配置される透過部と、前記透過部に配置され、アンテナとして用いられる第１導電パターンと、を有することを特徴とする。
【００１０】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示パネルは、上面部と、前記上面部の一側から延長される第１側面部と、を含む基板と、前記基板上に配置され、前記上面部と重畳するメイン表示部を含む表示層と、前記表示層上に配置され、前記メイン表示部と重畳し、ユーザのタッチを感知するためのセンサ領域に複数のセンサー電極を含むセンサー電極層と、前記第１側面部に配置され、アンテナとして用いられる第１導電パターンと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る表示パネルと表示装置によれば、センサ電極層のセンサ周辺領域に配置された第１導電パターンを５Ｇ移動通信のためのパッチアンテナ又は近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
これにより、５Ｇ移動通信において第１導電パターンに送信又は受信される電磁波の波長が短いが、電磁波が表示パネルの金属層を通過する必要はないので、表示装置の上部に安定的に放射することができる。
また、アンテナ領域をパッド領域に配置することによって、アンテナ領域をセンサ周辺領域に配置する時よりアンテナ領域の面積は広くなり。したがって、アンテナ領域の第１導電パターンはより自由に設計することができる。
また、表示パネルの厚さ方向で第１導電パターンと重なり、接地電圧が印加される第２導電パターンを形成することによって、第１導電パターンを用いて５Ｇ移動通信のためのパッチアンテナを具現することができる。
また、表示パネルの厚さ方向で第１導電パターンと重なり、接地電圧が印加される第２導電パターンを形成することによって、第１導電パターンで放射される電磁波によって表示層の発光素子が受ける影響を減らしたり、防止することができる。
また、アンテナを具現するための第１導電パターンと第２導電パターンをセンサ電極層のセンサ電極と同じ層に同じ物質で形成できるので、アンテナ領域の第１導電パターンと第２導電パターンを形成するための別途の工程が必要でない長所がある。
また、発光素子層の第２電極とセンサ電極（駆動電極と感知電極）との間の寄生静電容量を減らすために形成されるダミーパターンの代わりに、アンテナとして用いられる第１導電パターンを形成するので、アンテナ領域の第１導電パターンを形成するための別途の工程が必要でない長所がある。
【００１２】
また、センサ電極（駆動電極又は感知電極）と第１導電パターンとの間にガードパターンが配置されるので、ガードパターンによりセンサ電極（駆動電極又は感知電極）が第１導電パターンの電磁波によって受ける影響を遮断することができる。
また、表示パネルを貫く貫通穴を囲む配線領域の残りの領域に形成された第１導電パターンをアンテナとして用いることができる。
また、アンテナを具現するための第１導電パターンと第２導電パターンを表示層の電極と同じ層に同じ物質で形成できるので、アンテナ領域の第１導電パターンと第２導電パターンを形成するための別途の工程が必要でない長所がある。
また、表示パネルが透過部を含む透明表示パネルとして具現したり、表示パネルの下面に配置されるセンサ装置と重なる場合、表示パネルの透過部に形成された第１導電パターンをアンテナとして用いることができる。
また、表示パネルが上面部と上面部から延長された少なくとも一つの側面部を含む場合、少なくとも一つの側面部に形成された第１導電パターンをアンテナとして用いることができる。
また、少なくとも一つの側面部にセンサ領域が配置されない場合、アンテナ領域の面積は少なくとも一つの側面部にセンサ領域が配置される場合に比べて広く、したがって、アンテナ領域の第１導電パターンはより自由に設計することができる。
また、少なくとも一つの側面部でアンテナ領域の設計面積を広げるために、センサ電極層が配置されず、アンテナ層のみ配置されるので、この場合、少なくとも一つの側面部にはセンサ電極層の代わりにユーザのタッチ入力又はユーザの圧力を感知するための圧力センサを配置することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置を示す概略斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態による表示装置を示す概略分解斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態による表示装置の概略構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の一実施形態による表示パネルを示す概略平面図である。
【図５】図４の表示パネルの一例を示す概略側面図である。
【図６】本発明の一実施形態による表示パネルを示す概略平面図である。
【図７】図６の表示パネルの一例を示す概略側面図である。
【図８】本発明の一実施形態による表示パネルを示す平面図である。
【図９】図８の表示パネルの一例を示す概略側面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による表示パネルを示す概略平面図である。
【図１１】図１０の表示パネルの一例を示す概略側面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による表示パネルを示す概略平面図である。
【図１３】図１２の表示パネルの一例を示す概略側面図である。
【図１４】図１２の表示パネルの表示領域と第２パッド領域の第１アンテナ領域を示す断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態による表示パネルを示す概略平面図である。
【図１６】本発明の一実施形態による表示パネルを示す概略平面図である。
【図１７】本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
【図１８】センサ電極に接続されたセンサ駆動部の一例を示す図である。
【図１９】図１８のセンサ領域を詳細に示す拡大平面図である。
【図２０】図１９のセンサ電極と接続部を詳細に示す拡大平面図である。
【図２１】図２０のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。
【図２２】図１７のアンテナ領域の一例を示す拡大平面図である。
【図２３】図２２のアンテナ領域の第１導電パターンを詳細に示す拡大平面図である。
【図２４】図２３の第１導電パターンの交差部を詳細に示す拡大平面図である。
【図２５】図２４のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図２６】図２４のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図２７】図２４のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図２８】本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
【図２９】本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
【図３０】本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
【図３１】センサ電極に接続されたセンサ駆動部と第１導電パターンに接続されたＲＦ駆動部の一例を示す図である。
【図３２】図３０のセンサ電極と第１導電パターンを詳細に示す拡大平面図である。
【図３３】図３２のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図３４】図３２のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図３５】図３２のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図３６】図３０のセンサ電極と第１導電パターンを詳細に示す拡大平面図である。
【図３７】図３６のＶ−Ｖ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図３８】図３６のＶ−Ｖ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図３９】本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
【図４０】センサ電極に接続されたセンサ駆動部と第１導電パターンに接続されたＲＦ駆動部の一例を示す図である。
【図４１】図３９のセンサ電極と第１導電パターンを詳細に示す拡大平面図である。
【図４２】図４１のＶＩ−ＶＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図４３】センサ電極、ストレインゲージ、及び第１導電パターンの一例を示す図である。
【図４４】図４１の圧力感知部を詳細に示す回路図である。
【図４５】センサ電極、圧力センサ電極、及び第１導電パターンを詳細に示す拡大平面図である。
【図４６】本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
【図４７】図４６のセンサ電極と第１導電パターンを詳細に示す拡大平面図である。
【図４８】図４７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図４９】図４７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図５０】図４７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図５１】本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
【図５２】本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
【図５３】図５２のセンサ電極に接続されたセンサ駆動部と第１導電パターンに接続されたＲＦ駆動部の一例を示す図である。
【図５４】本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
【図５５】本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
【図５６】図５５のセンサ電極と接続部を詳細に示すＡ部の拡大平面図である。
【図５７】図５６のＩＸ−ＩＸ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図５８】図５５の表示パネルの一例を示す概略側面図である。
【図５９】本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
【図６０】図５９の貫通穴、デッドスペース、及び配線領域を示す拡大平面図である。
【図６１】図６０の駆動電極と駆動接続配線の接続部と感知電極と感知接続配線の接続部を示す拡大平面図である。
【図６２】図６１のＸ−Ｘ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図６３】図６１のＸ−Ｘ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図６４】図６１のＸ−Ｘ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図６５】本発明の一実施形態による表示パネルの表示層を示す平面図である。
【図６６】図６５の表示領域の画素の一例を示す平面図である。
【図６７】図６５の表示領域の画素の他の例を示す平面図である。
【図６８】図６６の発光素子を詳細に示す斜視図である。
【図６９】図６６のＸＩＩ−ＸＩＩ’線に沿って切断した一例とＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図７０】図６６のＸＩＩ−ＸＩＩ’線に沿って切断した一例とＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図７１】図６６のＸＩＩ−ＸＩＩ’線に沿って切断した一例とＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’  線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図７２】図６５の表示領域の画素の一例を示す平面図である。
【図７３】図７２のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ’線に沿って切断した一例とＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図７４】図７２のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ’線に沿って切断した一例とＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図７５】図７２のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ’線に沿って切断した一例とＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図７６】図６５の表示領域の画素の一例を示す平面図である。
【図７７】図７６のＸＸ−ＸＸ’線に沿って切断した一例とＸＸＩ−ＸＸＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図７８】図６５の表示領域の画素の一例を示す平面図である。
【図７９】図７８のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図８０】図７８のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
【図８１】図６５の表示領域の画素の一例を示す平面図である。
【図８２】図６５の表示領域の画素配置の一例を示す平面図である。
【図８３】図８２のサブ画素の一例と透過領域の一例を示す断面図である。
【図８４】図８２の透過領域の一例を示す断面図である。
【図８５】図８２の透過領域の一例を示す断面図である。
【図８６】図８２の透過領域の一例を示す断面図である。
【図８７】図８２の透過領域の一例を示す断面図である。
【図８８】図８２の透過領域の一例を示す断面図である。
【図８９】図８２のサブ画素の一例と透過領域の一例を示す断面図である。
【図９０】本発明の一実施形態による表示装置の概略構成を示す分解斜視図である。
【図９１】表示パネルのサブ領域の画素の一例を示す平面図である。
【図９２】表示パネルのサブ領域の画素の一例を示す平面図である。
【図９３】図９２のミラー領域の一例を示す断面図である。
【図９４】本発明の一実施形態による表示パネルを示す斜視図である。
【図９５】本発明の一実施形態による表示パネルを示す展開図である。
【図９６】図９４の表示パネルの一例を示す正面図である。
【図９７】図９４の表示パネルの一例を示す背面図である。
【図９８】図９４の表示パネルの一例を示す一側面図である。
【図９９】図９５の第４側面部の一部を示す断面図である。
【図１００】本発明の一実施形態による表示パネルを示す展開図である。
【図１０１】図１００の表示パネルの一例を示す一側面図である。
【図１０２】図１００の第４側面部の一部を示す断面図である。
【図１０３】図１００の第４側面部の一部を示す断面図である。
【図１０４】本発明の一実施形態による表示パネルを示す展開図である。
【図１０５】本発明の一実施形態による表示パネルを示す展開図である。
【図１０６】図１０５の表示パネルの一例を示す一側面図である。
【図１０７】図１０５の第４側面部の一例を示す断面図である。
【図１０８】本発明の一実施形態による表示パネルを示す展開図である。
【図１０９】本発明の一実施形態による表示パネルを示す展開図である。
【図１１０】本発明の一実施形態による表示パネルを示す展開図である。
【図１１１】本発明の一実施形態による表示パネルの一例を示す断面図である。
【図１１２】図１１１の平面部のセンサ電極層と第１側面部のアンテナ層を示す断面図である。
【図１１３】図１１１の圧力センサの一例を示す断面図である。
【図１１４】図１１１の圧力センサの一例を示す断面図である。
【図１１５】図１１１の圧力センサの一例を示す断面図である。
【図１１６】本発明の一実施形態による表示パネルの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
次に、本発明に係る表示パネルとそれを含む表示装置を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略斜視図であり、図２は、本発明の一実施形態による表示装置を示す概略分解斜視図であり、図３は、本発明の一実施形態による表示装置の概略構成を示すブロック図である。
図１〜図３を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置１０は、動画や静止映像を表示する装置であって、モバイルフォン（ｍｏｂｉｌｅ  ｐｈｏｎｅ）、スマートフォン（ｓｍａｒｔ  ｐｈｏｎｅ）、タブレットＰＣ（ｔａｂｌｅｔ  ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、移動通信端末機、電子手帳、電子本、ＰＭＰ（ｐｏｒｔａｂｌｅ  ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  ｐｌａｙｅｒ）、ナビゲーション、ＵＭＰＣ（Ｕｌｔｒａ  Ｍｏｂｉｌｅ  ＰＣ）などのような携帯用電子機器だけでなく、テレビ、ノートブック、モニター、広告板、モノのインターネット（ｉｎｔｅｒｎｅｔ  ｏｆ  ｔｈｉｎｇ：ＩＯＴ）などの多様な製品の表示画面として使われる。
【００１６】
また、本発明の一実施形態による表示装置１０は、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ  ｗａｔｃｈ）、ウォッチフォン（ｗａｔｃｈ  ｐｈｏｎｅ）、メガネ型ディスプレイ、及びヘッドマウント型ディスプレイ（ｈｅａｄ  ｍｏｕｎｔｅｄ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＨＭＤ）のようなウェアラブル装置（ｗｅａｒａｂｌｅ  ｄｅｖｉｃｅ）に使われる。
また、本発明の一実施形態による表示装置１０は、自動車の計器盤、及び自動車のセンターフェイシア（ｃｅｎｔｅｒ  ｆａｓｃｉａ）又はダッシュボードに配置されたＣＩＤ（Ｃｅｎｔｅｒ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、自動車のサイドミラーに代わるルームミラーディスプレイ（ｒｏｏｍ  ｍｉｒｒｏｒ  ｄｉｓｐｌａｙ）、自動車の後部座席用エンターテインメント、前部座席の背面に配置されるディスプレイとして使われる。
【００１７】
図１及び図２では説明の便宜上、本発明の一実施形態による表示装置１０がスマートフォンに使われる場合を例示した。
本発明の一実施形態による表示装置１０は、カバーウィンドウ１００、表示パネル３００、表示回路ボード３１０、表示駆動部３２０、センサ駆動部３３０、ブラケット（ｂｒａｃｋｅｔ）６００、メイン回路ボード７００、バッテリ７９０、及び下部カバー９００を含む。
【００１８】
本明細書において、「上部」は、表示パネル３００を基準にカバーウィンドウ１００が配置される方向、すなわちＺ軸方向を指し、「下部」は、表示パネル３００を基準にブラケット６００が配置される方向、すなわちＺ軸方向の逆方向を指す。
また、「左」、「右」、「上」、「下」は、表示パネル３００を平面から見たときの方向を指す。
例えば、「左」はＸ軸方向の逆方向、「右」はＸ軸方向、「上」はＺ軸方向、「下」はＺ軸方向の逆方向を示す。
【００１９】
表示装置１０は、平面上から見て長方形形状からなる。
例えば、表示装置１０は、図１のように第１方向（Ｘ軸方向）の短辺と第２方向（Ｙ軸方向）の長辺を有する長方形の平面形状を有し得る。
第１方向（Ｘ軸方向）の短辺と第２方向（Ｙ軸方向）の長辺が接する角は、所定の曲率を有するように丸く形成されたり、直角に形成され得る。
表示装置１０の平面形状は、長方形に限定されず、他の多角形、円形、又は楕円形に形成され得る。
【００２０】
表示装置１０は、第１領域ＤＲＡ１と第１領域ＤＲＡ１の左右側から延長される第２領域ＤＲＡ２を含む。
第１領域ＤＲＡ１は、平坦であるか又は曲面に形成され得る。
第２領域ＤＲＡ２は、平坦に形成されたり、曲面に形成され得る。
第１領域ＤＲＡ１と第２領域ＤＲＡ２がいずれも曲面に形成される場合、第１領域ＤＲＡ１の曲率と第２領域ＤＲＡ２の曲率は、相違し得る。
第１領域ＤＲＡ１が曲面に形成される場合、一定の曲率を有したり、変化する曲率を有し得る。
第２領域ＤＲＡ２が曲面に形成される場合、一定の曲率を有したり、変化する曲率を有し得る。
第１領域ＤＲＡ１と第２領域ＤＲＡ２がいずれも平坦に形成される場合、第１領域ＤＲＡ１と第２領域ＤＲＡ２がなす角度は、鈍角であり得る。
【００２１】
図１では第２領域ＤＲＡ２が第１領域ＤＲＡ１の左右側それぞれから延長された場合を例示したが、これに限定されない。
すなわち、第２領域ＤＲＡ２は、第１領域ＤＲＡ１の左右側のいずれか一つの側でのみ延長され得る。
又は、第２領域ＤＲＡ２は、第１領域ＤＲＡ１の左右側だけでなく上下側の内の少なくともいずれか一つからも延長され得る。
又は、第２領域ＤＲＡ２は、省略することもでき、表示装置１０は第１領域ＤＲＡ１のみを含むこともできる。
【００２２】
カバーウィンドウ１００は、表示パネル３００の上面をカバーするように表示パネル３００の上部に配置される。
これにより、カバーウィンドウ１００は、表示パネル３００の上面を保護する機能を果たすことができる。
カバーウィンドウ１００は、表示パネル３００に対応する透過部ＤＡ１００と表示パネル３００以外の領域に対応する遮光部ＮＤＡ１００を含む。
カバーウィンドウ１００は、第１領域ＤＲＡ１と第２領域ＤＲＡ２に配置される。
透過部ＤＡ１００は、第１領域ＤＲＡ１の一部と第２領域ＤＲＡ２の一部に配置される。
遮光部ＮＤＡ１００は、光を遮光する不透明な物質を含み得る。
遮光部ＮＤＡ１００は、画像を表示しない場合にユーザに表示できるパターンを含み得る。
【００２３】
表示パネル３００は、カバーウィンドウ１００の下部に配置される。
表示パネル３００は、カバーウィンドウ１００の透過部ＤＡ１００に重畳する。
表示パネル３００は、第１領域ＤＲＡ１と第２領域ＤＲＡ２に配置される。
ユーザは、表示パネル３００の映像を第１領域ＤＲＡ１と第２領域ＤＲＡ２で視聴することができる。
表示パネル３００は、発光素子（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔ）を含む発光表示パネルであり得る。
【００２４】
例えば、表示パネル３００は、有機発光層を含む有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）を用いる有機発光表示パネル、及び超小型発光ダイオード（ｍｉｃｒｏ  ＬＥＤ）を用いる超小型発光ダイオード表示パネル、量子ドット発光層を含む量子ドット発光素子（Ｑｕａｎｔｕｍ  ｄｏｔ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を用いる量子ドット発光表示パネル、又は無機半導体を含む無機発光素子を用いる無機発光表示パネルであり得る。
【００２５】
表示パネル３００は、剛性を有するため容易に曲がらないリジッド（ｒｉｇｉｄ）表示パネル、又は柔軟性を有するため、容易に曲げたり、折り畳んだり、丸めたりすることのできるフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）表示パネルであり得る。
例えば、表示パネル３００は、折り畳んだり広げたり（展開したり）することのできるフォルダブル（ｆｏｌｄａｂｌｅ）表示パネル、表示面が曲がったカーブド（ｃｕｒｖｅｄ）表示パネル、表示面以外の領域が曲がったベンデッド（ｂｅｎｄｅｄ）表示パネル、丸めたり広げたり（展開したり）することのできるローラーブル（ｒｏｌｌａｂｌｅ）表示パネル、及び延伸可能なストレッチャブル（ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ）表示パネルであり得る。
【００２６】
表示パネル３００は、透明に具現されて表示パネル３００の下面に配置される事物や背景を表示パネル３００の上面から見ることができる透明表示パネルであり得る。
又は、表示パネル３００は、表示パネル３００の上面の事物又は背景を反射し得る反射型表示パネルであり得る。
表示パネル３００の一側縁には第１フレキシブルフィルム３４０が付着される。
第１フレキシブルフィルム３４０の一側は、異方性導電フィルム（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）を用いて表示パネル３００の一側縁に付着される。
第１フレキシブルフィルム３４０は、曲げられるフレキシブルフィルム（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｆｉｌｍ）であり得る。
【００２７】
表示駆動部３２０は、第１フレキシブルフィルム３４０上に配置される。
表示駆動部３２０は、制御信号と電源電圧の印加を受け、表示パネル３００を駆動するための信号と電圧を生成して出力することができる。
表示駆動部３２０は、集積回路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ：ＩＣ）で形成され得る。
【００２８】
表示回路ボード３１０は、第１フレキシブルフィルム３４０の他側に付着される。
第１フレキシブルフィルム３４０の他側は、異方性導電フィルムを用いて表示回路ボード３１０の上面に付着される。
表示回路ボード３１０は、曲げられるフレキシブル印刷回路ボード（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ：ＦＰＣＢ）、硬くて曲がらないリジッド印刷回路ボード（ｒｉｇｉｄ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ：ＰＣＢ）、又はリジッド印刷回路ボードとフレキシブル印刷回路ボードをすべて含む複合印刷回路ボードであり得る。
【００２９】
表示回路ボード３１０上にはセンサ駆動部３３０が配置される。
センサ駆動部３３０は、集積回路で形成され得る。
センサ駆動部３３０は、表示回路ボード３１０上に付着される。
センサ駆動部３３０は、表示回路ボード３１０を介して表示パネル３００のセンサ電極層のセンサ電極に電気的に接続される。
表示パネル３００のセンサ電極層は、抵抗膜方式、静電容量方式などの様々なタッチ方式の内の少なくとも一つを用いてユーザのタッチ入力を感知する。
【００３０】
例えば、表示パネル３００のセンサ電極層が静電容量方式でユーザのタッチ入力を感知する場合、センサ駆動部３３０はセンサ電極の内、駆動電極に駆動信号を印加し、センサ電極の内、感知電極により駆動電極と感知電極との間の相互静電容量（ｍｕｔｕａｌ  ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、以下「相互容量」という）に充電された電圧を感知することによって、ユーザのタッチ有無を判断する。
ユーザのタッチは、接触タッチと近接タッチを含む。
接触タッチは、ユーザの指又はペンなどの物体がセンサ電極層上に配置されるカバーウィンドウ１００に直接接触することを指す。
近接タッチは、ホバリング（ｈｏｖｅｒｉｎｇ）のようにユーザの指又はペンなどの物体がカバーウィンドウ１００上に近接して離隔する位置することを指す。
センサ駆動部３３０は、感知された電圧に応じてセンサデータをメインプロセッサ７１０に伝送し、メインプロセッサ７１０は、センサデータを分析することによってタッチ入力が発生したタッチ座標を算出することができる。
【００３１】
表示回路ボード３１０上には表示パネル３００の画素Ｐ、スキャン駆動部、及び表示駆動部３２０を駆動するための駆動電圧を供給するための電源供給部がさらに配置される。
又は、電源供給部は、表示駆動部３２０と統合され得、この場合、表示駆動部３２０と電源供給部は一つの集積回路で形成され得る。
【００３２】
表示パネル３００の下部には表示パネル３００を支持するためのブラケット６００が配置される。
ブラケット６００は、プラスチック、金属、又はプラスチックと金属をすべて含み得る。
ブラケット６００にはカメラ装置７３１が挿入される第１カメラ穴ＣＭＨ１、バッテリ７９０が配置されるバッテリ穴ＢＨ、表示回路ボード３１０に接続されたケーブル３１４が通過するケーブル穴ＣＡＨなどが形成され得る。
【００３３】
ブラケット６００の下部にはメイン回路ボード７００とバッテリ７９０が配置される。
メイン回路ボード７００は、印刷回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）又はフレキシブル印刷回路基板であり得る。
メイン回路ボード７００は、メインプロセッサ７１０、カメラ装置７３１、及びメインコネクタ７１１を含み得る。
メインプロセッサ７１０は、集積回路で形成され得る。
カメラ装置７３１は、メイン回路ボード７００の上面と下面のすべてに配置され、メインプロセッサ７１０とメインコネクタ７１１それぞれは、メイン回路ボード７００の上面及び下面の内のいずれか一つの面に配置され得る。
【００３４】
メインプロセッサ７１０は、表示装置１０のすべての機能を制御する。
例えば、メインプロセッサ７１０は、表示パネル３００が映像を表示するようにデジタルビデオデータを表示回路ボード３１０を介して表示駆動部３２０に出力する。
また、メインプロセッサ７１０は、センサ駆動部３３０から感知データの入力を受ける。
メインプロセッサ７１０は、感知データに応じてユーザのタッチ有無を判断し、ユーザの直接タッチ又は近接タッチに対応する動作を実行する。
例えば、メインプロセッサ７１０は、感知データを分析してユーザのタッチ座標を算出した後、ユーザがタッチしたアイコンが指示するアプリケーションを実行したり、動作を行う。
【００３５】
メインプロセッサ７１０は、集積回路からなるアプリケーションプロセッサ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、中央処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｕｎｉｔ）、又はシステムチップ（ｓｙｓｔｅｍ  ｃｈｉｐ）であり得る。
カメラ装置７３１は、カメラモードでイメージセンサによって得られる停止映像又は動画などの画像フレームを処理してメインプロセッサ７１０に出力する。
カメラ装置７３１は、カメラセンサ（例えば、ＣＣＤ、ＣＭＯＳなど）、フォトセンサ（又はイメージセンサ）及びレーザーセンサの内の少なくとも一つを含み得る。
【００３６】
メインコネクタ７１１にはブラケット６００のケーブル穴ＣＡＨを通過したケーブル３１４が接続され、これによりメイン回路ボード７００は表示回路ボード３１０に電気的に接続される。
メイン回路ボード７００は、メインプロセッサ７１０、カメラ装置７３１、及びメインコネクタ７１１以外に、図３に示す無線通信部７２０、入力部７３０の少なくとも一つ、センサ部７４０の少なくとも一つ、出力部７５０の少なくとも一つ、インターフェース部７６０の少なくとも一つ、メモリ７７０、及び電源供給部７８０をさらに含み得る。
【００３７】
無線通信部７２０は、放送受信モジュール７２１、移動通信モジュール７２２、無線インターネットモジュール７２３、近距離通信モジュール７２４、位置情報モジュール７２５の内の少なくとも一つを含み得る。
放送受信モジュール７２１は、放送チャンネルを介して外部の放送管理サーバから放送信号及び／又は放送関連情報を受信する。
放送チャンネルは、衛星チャンネル、地上波チャンネルを含み得る。
【００３８】
移動通信モジュール７２２は、移動通信のための技術標準又は通信方式（例えば、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）、ＣＤＭＡ（Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉ  Ａｃｃｅｓｓ）、ＣＤＭＡ２０００（Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉ  Ａｃｃｅｓｓ  ２０００）、ＥＶ−ＤＯ（Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｖｏｉｃｅ−Ｄａｔａ  Ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ  ｏｒ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｖｏｉｃｅ−Ｄａｔａ  Ｏｎｌｙ）、ＷＣＤＭＡ（登録商標）（Ｗｉｄｅｂａｎｄ  ＣＤＭＡ（登録商標））、ＨＳＤＰＡ（Ｈｉｇｈ  Ｓｐｅｅｄ  Ｄｏｗｎｌｉｎｋ  Ｐａｃｋｅｔ  Ａｃｃｅｓｓ）、ＨＳＵＰＡ（Ｈｉｇｈ  Ｓｐｅｅｄ  Ｕｐｌｉｎｋ  Ｐａｃｋｅｔ  Ａｃｃｅｓｓ）、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ  Ｔｅｒｍ  Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、ＬＴＥ−Ａ（Ｌｏｎｇ  Ｔｅｒｍ  Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ−Ａｄｖａｎｃｅｄ）など）により構築された移動通信網上で基地局、外部の端末、サーバの内の少なくとも一つと無線信号を送受信する。
無線信号は、音声呼信号、画像通話呼信号又は文字／マルチメディアメッセージの送受信による多様な形態のデータを含み得る。
【００３９】
無線インターネットモジュール７２３は、無線インターネット接続のためのモジュールを指す。
無線インターネットモジュール７２３は、無線インターネット技術による通信網で無線信号を送受信するようにする。
無線インターネット技術としては、例えば、ＬＡＮ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  ＬＡＮ）、Ｗｉ−Ｆｉ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ−Ｆｉｄｅｌｉｔｙ）、Ｗｉ−Ｆｉ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ｆｉｄｅｌｉｔｙ）  Ｄｉｒｅｃｔ、ＤＬＮＡ（登録商標）（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｌｉｖｉｎｇ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ａｌｌｉａｎｃｅ）などがある。
【００４０】
近距離通信モジュール７２４は、近距離通信（Ｓｈｏｒｔ  ｒａｎｇｅ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）のためのものとして、ブルートゥース（登録商標）（Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標））、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、赤外線通信（Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｄａｔａ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ；ＩｒＤＡ）、ＵＷＢ（Ｕｌｔｒａ  Ｗｉｄｅｂａｎｄ）、ＺｉｇＢｅｅ、ＮＦＣ（Ｎｅａｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）、Ｗｉ−Ｆｉ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ−Ｆｉｄｅｌｉｔｙ）、Ｗｉ−Ｆｉ  Ｄｉｒｅｃｔ、Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  ＵＳＢ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）技術の内の少なくとも一つを用いて近距離通信を支援することができる。
【００４１】
近距離通信モジュール７２４は、近距離無線通信網（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋｓ）を介して表示装置１０と無線通信システムとの間、表示装置１０と他の電子装置との間、又は表示装置１０と他の電子装置（又は外部サーバ）が位置したネットワークとの間の無線通信を支援する。
近距離無線通信網は、近距離無線個人通信網（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋｓ）であり得る。
他の電子装置は、表示装置１０とデータを相互交換することが可能な（又は連動可能な）ウェアラブルデバイス（ｗｅａｒａｂｌｅ  ｄｅｖｉｃｅ）であり得る。
【００４２】
位置情報モジュール７２５は、表示装置１０の位置（又は現在位置）を取得するためのモジュールとして、その代表的な例としてはＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）モジュール又はＷｉＦｉ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ｆｉｄｅｌｉｔｙ）モジュールがある。
例えば、表示装置１０は、ＧＰＳモジュールを活用すると、ＧＰＳ衛星から送る信号を用いて表示装置１０の位置を取得する。
【００４３】
また、表示装置１０は、Ｗｉ−Ｆｉモジュールを活用すると、Ｗｉ−Ｆｉモジュールと無線信号を送信又は受信する無線ＡＰ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｐｏｉｎｔ）の情報に基づいて表示装置１０の位置を取得し得る。
位置情報モジュール１１５は、表示装置１０の位置（又は現在位置）を取得するために用いられるモジュールであり、表示装置１０の位置を直接的に計算したり取得するモジュールに限定されない。
【００４４】
入力部７３０は、映像信号入力のためのカメラ装置７３１のような映像入力部、音響信号入力のためのマイクロフォン（ｍｉｃｒｏｐｈｏｎｅ、７３２）のような音響入力部、ユーザから情報の入力を受けるための入力装置７３３を含み得る。
カメラ装置７３１は、画像通話モード又は撮影モードでイメージセンサによって得られる静止画像又は動画などの画像フレームを処理する。
処理された画像フレームは、表示パネル３００に表示されたり、メモリ７７０に保存され得る。
マイクロフォン７３２は、外部の音響信号を電気的な音声データに処理する。
処理された音声データは、表示装置１０で実行中の機能（又は実行中のアプリケーション）に応じて多様に活用することができる。
一方、マイクロフォン７３２には外部の音響信号の入力を受ける過程で発生するノイズ（ｎｏｉｓｅ）を除去するための多様なノイズ除去アルゴリズムが具現され得る。
【００４５】
メインプロセッサ７１０は、入力装置７３３を介して入力される情報に対応するように表示装置１０の動作を制御する。
入力装置７３３は、表示装置１０の後面又は側面に位置するボタン、ドームスイッチ（ｄｏｍｅ  ｓｗｉｔｃｈ）、ジョグホイール、ジョグスイッチなどのような機械式（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ）入力手段又はタッチ入力手段を含み得る。
タッチ入力手段は、表示パネル３００のセンサ電極層からなる。
【００４６】
センサ部７４０は、表示装置１０内の情報、表示装置１０を囲む周辺環境情報、及びユーザ情報の内の少なくとも一つをセンシングし、これに対応するセンシング信号を発生する一つ以上のセンサを含む。
メインプロセッサ７１０は、このようなセンシング信号に基づいて表示装置１０の駆動又は動作を制御したり、表示装置１０に設置されたアプリケーションに関連するデータ処理、機能又は動作を行う。
センサ部７４０は、近接センサ（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｓｅｎｓｏｒ）、照度センサ（ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  ｓｅｎｓｏｒ）、加速度センサ（ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ  ｓｅｎｓｏｒ）、磁気センサ（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｓｅｎｓｏｒ）、重力センサ（Ｇ−ｓｅｎｓｏｒ）、ジャイロスコープセンサ（ｇｙｒｏｓｃｏｐｅ  ｓｅｎｓｏｒ）、モーションセンサ（ｍｏｔｉｏｎ  ｓｅｎｓｏｒ）、ＲＧＢセンサ、赤外線センサ（ＩＲセンサ：ｉｎｆｒａｒｅｄ  ｓｅｎｓｏｒ）、指紋認識センサ（ｆｉｎｇｅｒ  ｓｃａｎ  ｓｅｎｓｏｒ）、超音波センサ（ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  ｓｅｎｓｏｒ）、光センサ（ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｅｎｓｏｒ）、バッテリゲージ（ｂａｔｔｅｒｙ  ｇａｕｇｅ）、環境センサ（例えば、気圧計、湿度計、温度計、放射能感知センサ、熱感知センサ、ガス感知センサなど）、化学センサ（例えば、電子鼻、ヘルスケアセンサ、生体認識センサなど）の内の少なくとも一つを含み得る。
【００４７】
近接センサは、所定の検出面に接近する物体、あるいは近辺に存在する物体の有無を電子系の力又は赤外線などを用いて機械的接触をすることなく検出するセンサを指す。
近接センサの例としては、透過型光電センサ、直接反射型光電センサ、ミラー反射型光電センサ、高周波発振型近接センサ、静電容量型近接センサ、磁気型近接センサ、赤外線近接センサなどがある。
近接センサは、近接タッチだけでなく近接タッチ距離、近接タッチ方向、近接タッチ速度、近接タッチ時間、近接タッチ位置、近接タッチ移動状態のような近接タッチパターンを感知することができる。
メインプロセッサ７１０は、近接センサを介して感知された近接タッチ動作及び近接タッチパターンに相応するデータ（又は情報）を処理し、処理されたデータに対応する視覚的な情報を表示パネル３００に表示するように制御する。
【００４８】
超音波センサは、超音波を用いて事物の位置情報を認識する。
メインプロセッサ７１０は、光センサと複数の超音波センサから感知される情報により事物の位置を算出することが可能である。
事物の位置は、光の速度と超音波の速度が異なるので、光が光センサに到達する時間と超音波が超音波センサに到達する時間を用いて算出することができる。
【００４９】
出力部７５０は、視覚、聴覚、又は触覚などと関連する出力を発生させるためのものであり、表示パネル３００、音響出力部７５１、ハプティックモジュール７５２、光出力部７５３の内の少なくとも一つを含み得る。
表示パネル３００は、表示装置１０で処理される情報を表示（出力）する。
例えば、表示パネル３００は、表示装置１０で駆動されるアプリケーションの実行画面情報、又は実行画面情報によるＵＩ（Ｕｓｅｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃ  Ｕｓｅｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）情報を表示する。
表示パネル３００は、画像を表示する表示層とユーザのタッチ入力を感知するセンサ電極層を含む。
これにより、表示パネル３００は、表示装置１０とユーザとの間の入力インターフェースを提供する入力装置７３３の一つとして機能すると同時に、表示装置１０とユーザとの間の出力インターフェースを提供する出力部７５０の一つとして機能することができる。
【００５０】
音響出力部７５１は、呼信号受信、通話モード、又は録音モード、音声認識モード、放送受信モードなどで無線通信部７２０から受信したり、メモリ７７０に保存された音響データを出力したりする。
音響出力部７５１は、表示装置１０で行われる機能（例えば、呼信号受信音、メッセージ受信音など）と関連する音響信号を出力したりもする。
音響出力部７５１は、レシーバ（ｒｅｃｅｉｖｅｒ）とスピーカー（ｓｐｅａｋｅｒ）を含み得る。
レシーバとスピーカーの内、少なくとも一つは表示パネル３００の下部に付着して表示パネル３００を振動して音響を出力する音響発生装置であり得る。
音響発生装置は、電気信号により収縮及び膨張する圧電素子（ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｅｌｅｍｅｎｔ）又は圧電アクチュエータ（ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ａｃｔｕａｔｏｒ）であるか、ボイスコイルを用いて磁力を生成して表示パネル３００を振動させる励振器（Ｅｘｃｉｔｅｒ）であり得る。
【００５１】
ハプティックモジュール（ｈａｐｔｉｃ  ｍｏｄｕｌｅ）７５２は、ユーザが感じられる多様な触覚効果を発生させる。
ハプティックモジュール７５２は、触覚効果としてユーザに振動を提供する。
ハプティックモジュール７５２で発生する振動強度とパターンなどは、ユーザの選択又はメインプロセッサ７１０の設定によって制御される。
例えば、ハプティックモジュール７５２は、互いに異なる振動を合成して出力したり順次出力することもできる。
ハプティックモジュール７５２は、振動の他にも接触した皮膚面に対して垂直運動するピン配列、噴射口や吸入口を介した空気の噴射力や吸入力、皮膚表面に対する触れ、電極（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）の接触、静電気力などの刺激による効果と、吸熱や発熱可能な素子を用いた冷温感再現による効果など多様な触覚効果を発生させることができる。
ハプティックモジュール７５２は、直接的な接触により触覚効果を伝達できるだけでなく、ユーザが指や腕などの筋感覚により触覚効果が感じられるように具現することもできる。
【００５２】
光出力部７５３は、光源の光を用いてイベント発生を知らせるための信号を出力する。
表示装置１０で発生するイベントの例としてはメッセージ受信、呼信号受信、不在着信、アラーム、予定の通知、Ｅメール受信、アプリケーションによる情報受信などがある。
光出力部７５３が出力する信号は、表示装置１０が前面又は後面に単色又は複数色の光を発光することによって具現される。
信号出力は表示装置１０がユーザのイベント確認を感知するによって終了する。
【００５３】
インターフェース部７６０は、表示装置１０に接続される多様な種類の外部機器との通路役割を果たす。
インターフェース部７６０は、有線／無線ヘッドセットポート（ｐｏｒｔ）、外部充電器ポート（ｐｏｒｔ）、有線／無線データポート（ｐｏｒｔ）、メモリカード（ｍｅｍｏｒｙ  ｃａｒｄ）ポート、識別モジュールが備えられた装置を接続するポート（ｐｏｒｔ）、オーディオＩ／Ｏ（Ｉｎｐｕｔ／Ｏｕｔｐｕｔ）ポート（ｐｏｒｔ）、ビデオＩ／Ｏ（Ｉｎｐｕｔ／Ｏｕｔｐｕｔ）ポート（ｐｏｒｔ）、イヤホンポート（ｐｏｒｔ）の内の少なくとも一つを含み得る。
表示装置１０のインターフェース部７６０に外部機器が接続されることに対応して、接続された外部機器と関連する適切な制御を行うことができる。
【００５４】
メモリ７７０は、表示装置１０の多様な機能を支援するデータを保存する。
メモリ７７０は、表示装置１０で駆動される多数のアプリケーション（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｐｒｏｇｒａｍ）、表示装置１０の動作のためのデータ、コマンドを保存する。
多数のアプリケーションの内の少なくとも一部は、無線通信を介して外部サーバからダウンロードされ得る。
メモリ７７０は、メインプロセッサ７１０の動作のためのアプリケーションを保存し、入力／出力されるデータ、例えば、電話帳、メッセージ、静止映像、動画などのようなデータを臨時保存することもできる。
また、メモリ７７０は、ハプティックモジュール７５２に提供される多様なパターンの振動のためのハプティックデータと音響出力部７５１に提供される多様な音響に関する音響データを保存する。
【００５５】
メモリ７７０は、フラッシュメモリ型（ｆｌａｓｈ  ｍｅｍｏｒｙ  ｔｙｐｅ）、ハードディスク型（ｈａｒｄ  ｄｉｓｋ  ｔｙｐｅ）、ＳＳＤ型（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｉｓｋ  ｔｙｐｅ）、ＳＤＤ型（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ  ｔｙｐｅ）、マルチメディアカードマイクロ型（ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  ｃａｒｄ  ｍｉｃｒｏ  ｔｙｐｅ）、カード型メモリ（例えばＳＤ又はＸＤメモリなど）、ＲＡＭ（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（ｓｔａｔｉｃ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｅｒａｓａｂｌｅ  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＯＭ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ）、磁気メモリ、磁気ディスク及び光ディスクの内の少なくとも一つのタイプの記憶媒体を含み得る。
【００５６】
電源供給部７８０は、メインプロセッサ７１０の制御下で、外部の電源、内部の電源の印加を受けて表示装置１０に含まれた各構成要素に電源を供給する。
電源供給部７８０は、バッテリ７９０を含み得る。
また、電源供給部７８０は、接続ポートを備え、接続ポートはバッテリの充電のために電源を供給する外部充電器が電気的に接続されるインターフェース部７６０の一例として構成される。
又は、電源供給部７８０は、接続ポートを用いずに無線方式でバッテリ７９０を充電することもでき得る。
バッテリ７９０は、外部の無線電力伝送装置から磁気誘導現象に基づいた誘導結合（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）方式や電磁気的共振現象に基づいた共振結合（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）方式の一つ以上を用いて電力の伝達を受ける。
バッテリ７９０は、第３方向（Ｚ軸方向）でメイン回路ボード７００と重畳しないように配置される。
バッテリ７９０は、ブラケット６００のバッテリ穴ＢＨに重畳する。
【００５７】
下部カバー９００は、メイン回路ボード７００とバッテリ７９０の下部に配置される。
下部カバー９００は、ブラケット６００と締結されて固定される。
下部カバー９００は、表示装置１０の下面外観を形成する。
下部カバー９００は、プラスチック、金属、又はプラスチックと金属をすべて含み得る。
下部カバー９００にはカメラ装置７３１の下面が露出する第２カメラ穴ＣＭＨ２が形成され得る。
カメラ装置７３１の位置とカメラ装置７３１に対応する第１及び第２カメラ穴（ＣＭＨ１、ＣＭＨ２）の位置は、図１及び図２に示す実施形態に限定されない。
【００５８】
図４は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す平面図であり、図５は、図４の表示パネルの一例を示す側面図である。
図４には第１フレキシブルフィルム３４０が曲がらず広がった表示パネル３００の平面図を示す。
図４及び図５を参照すると、表示パネル３００は、基板ＳＵＢ、表示層ＤＩＳＬ、センサ電極層ＳＥＮＬ、偏光フィルムＰＦ、及びパネル下部カバーＰＢを含む。
【００５９】
基板ＳＵＢは、ガラス、石英、高分子樹脂などの絶縁物質からなる。
基板ＳＵＢは、リジッド（ｒｉｇｉｄ）基板であるか、ベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）、フォールディング（ｆｏｌｄｉｎｇ）、ローリング（ｒｏｌｌｉｎｇ）などが可能なフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板であり得る。
【００６０】
基板ＳＵＢ上には表示層ＤＩＳＬが配置される。
表示層ＤＩＳＬは、画素を含み、画像を表示する層である。
表示層ＤＩＳＬは、薄膜トランジスタが形成される薄膜トランジスタ層、光を発光する発光素子が形成される発光素子層、及び発光素子層を封止するための封止層を含む。
表示層ＤＩＳＬは、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡに区分される。
表示領域ＤＡは、画素が配置されて画像を表示する領域である。
非表示領域ＮＤＡは、画像を表示しない領域である。
非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲むように配置される。
非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの外側から表示パネル３００の縁までの領域である。
表示領域ＤＡには画素だけでなく画素に接続されるスキャン配線、データ配線、電源配線などが配置され得る。
非表示領域ＮＤＡにはスキャン配線にスキャン信号を印加するためのスキャン駆動部、データ配線と表示駆動部３２０を接続するファンアウト配線などが配置され得る。
【００６１】
表示層ＤＩＳＬ上にはセンサ電極層ＳＥＮＬが配置される。
センサ電極層ＳＥＮＬは、センサ電極を含み、ユーザのタッチの有無を感知するための層である。
センサ電極層ＳＥＮＬは、センサ電極の内、駆動電極を接続する接続部が形成される第１層とセンサ電極が形成される第２層を含む。
センサ電極層ＳＥＮＬは、センサ領域ＴＳＡとセンサ周辺領域ＴＰＡを含む。
センサ領域ＴＳＡは、センサ電極が配置されてユーザのタッチ入力を感知する領域である。
センサ周辺領域ＴＰＡは、センサ電極が配置されない領域であり、センサ領域ＴＳＡを囲むように配置される。
センサ周辺領域ＴＰＡは、センサ領域ＴＳＡの外側から表示パネル３００の縁までの領域である。
センサ領域ＴＳＡにはセンサ電極、接続部、及び導電パターンが配置され得る。
センサ周辺領域ＴＰＡにはセンサ電極に接続されるセンサ配線が配置され得る。
センサ電極層ＳＥＮＬのセンサ領域ＴＳＡは、表示層ＤＩＳＬの表示領域ＤＡと重畳する。
センサ電極層ＳＥＮＬのセンサ周辺領域ＴＰＡの大部分は、表示層ＤＩＳＬの非表示領域ＮＤＡと重畳する。
【００６２】
センサ電極層ＳＥＮＬ上には偏光フィルムＰＦが配置される。
偏光フィルムＰＦは、線偏光板とλ／４板（ｑｕａｒｔｅｒ−ｗａｖｅ  ｐｌａｔｅ）のような位相遅延フィルムを含み得る。
位相遅延フィルムは、センサ電極層ＳＥＮＬ上に配置され、線偏光板は、位相遅延フィルム上に配置される。
【００６３】
偏光フィルムＰＦ上にはカバーウィンドウ１００が配置される。
カバーウィンドウ１００は、ＯＣＡ（ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  ｃｌｅａｒ  ａｄｈｅｓｉｖｅ）フィルムのような透明接着部材によって偏光フィルムＰＦ上に付着する。
【００６４】
表示パネル３００の下部にはパネル下部カバーＰＢが配置される。
パネル下部カバーＰＢは、接着部材により表示パネル３００の下面に付着する。
接着部材は、感圧粘着剤（ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ａｄｈｅｓｉｖｅ：ＰＳＡ）であり得る。
パネル下部カバーＰＢは、外部から入射される光を吸収するための光吸収部材、外部からの衝撃を吸収するための緩衝部材、及び表示パネル３００の熱を効率的に放出するための放熱部材の内の少なくとも一つを含み得る。
【００６５】
光吸収部材は、表示パネル３００の下部に配置される。
光吸収部材は、光の透過を阻止して光吸収部材の下部に配置された構成、例えば表示回路ボード３１０などが表示パネル３００の上部で視認されることを防止する。
光吸収部材は、ブラック顔料やブラック染料などのような光吸収物質を含み得る。
【００６６】
緩衝部材は、光吸収部材の下部に配置される。
緩衝部材は、外部衝撃を吸収して表示パネル３００が破損することを防止する。
緩衝部材は、単一層又は複数層からなる。
例えば、緩衝部材は、ポリウレタン（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリプロピレン（ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ポリエチレン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）などのような高分子樹脂で形成されるか、ゴム、ウレタン系物質、又はアクリル系物質を発泡成形したスポンジなど弾性を有する物質を含んでなる。
【００６７】
放熱部材は、緩衝部材の下部に配置される。
放熱部材は、グラファイトや炭素ナノチューブなどを含む第１放熱層と、電磁波を遮蔽し、熱伝導性に優れた銅、ニッケル、フェライト、銀のような金属薄膜で形成された第２放熱層と、を含み得る。
【００６８】
表示パネル３００の一側縁の非表示領域ＮＤＡには第１フレキシブルフィルム３４０が配置される。
例えば、表示パネル３００の下側縁の非表示領域ＮＤＡには第１フレキシブルフィルム３４０が配置される。
第１フレキシブルフィルム３４０は表示パネル３００の下部に曲がり、表示回路ボード３１０はパネル下部カバーＰＢの下面に配置される。
表示回路ボード３１０は、第１接着部材３９１を介してパネル下部カバーＰＢの下面に付着して固定される。
第１接着部材３９１は、感圧接着剤であり得る。
【００６９】
アンテナ領域ＡＰＡは、アンテナとして用いられる第１導電パターンを含む。
アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンは、５Ｇ移動通信のためのパッチアンテナ（ｐａｔｃｈ  ａｎｔｅｎｎａ）として用いられるが、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとしても用いることができる。
アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンは、５Ｇ移動通信のためのパッチアンテナとして用いられる場合、平面上から見て四角形のパッチ（ｐａｔｃｈ）に形成される。
アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンは、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いられる場合、ループ状又はコイル状に形成される。
【００７０】
アンテナ領域ＡＰＡは、センサ領域ＴＳＡの少なくとも３側の外側のセンサ周辺領域に配置される。
アンテナ領域ＡＰＡは、センサ領域ＴＳＡの少なくとも３側を囲むように配置される。
例えば、アンテナ領域ＡＰＡは、センサ領域ＴＳＡの上側、左側、及び右側を囲むように配置される。
又は、センサ領域ＴＳＡの４側の外側のセンサ周辺領域に配置される。
すなわち、アンテナ領域ＡＰＡは、センサ領域ＴＳＡの少なくとも４側を囲むように配置される。
アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンは、表示パネル３００の一側縁で第１フレキシブルフィルム３４０に電気的に接続される。
アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンは、表示パネル３００の一側縁に設けられるセンサパッドに接続され、センサパッドは異方性導電フィルムを介して第１フレキシブルフィルム３４０に接続される。
【００７１】
第２フレキシブルフィルム３６０上にはＲＦ駆動部３５０が配置される（図２参照）。
ＲＦ駆動部３５０は、集積回路で形成され得る。
ＲＦ駆動部３５０は、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンに電気的に接続される。
ＲＦ駆動部３５０は、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンで送信又は受信するＲＦ（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号を処理する。
例えば、ＲＦ駆動部３５０は、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンで受信したＲＦ信号の位相を変化させて振幅を増幅させる。
ＲＦ駆動部３５０は、位相が変化し、振幅が増幅されたＲＦ信号をメイン回路ボード７００の移動通信モジュール７２２、又は近距離通信モジュール７２５に伝送する。
又は、ＲＦ駆動部３５０は、メイン回路ボード７００の移動通信モジュール７２２又は近距離通信モジュール７２５から伝送されたＲＦ信号の位相を変化させて振幅を増幅させることができる。
ＲＦ駆動部３５０は、位相が変化して振幅が増幅されたＲＦ信号をアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンに伝送する。
【００７２】
図４及び図５のように、センサ電極層ＳＥＮＬのセンサ周辺領域ＴＰＡに配置されたアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰを５Ｇ移動通信のためのパッチアンテナ、又は近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
これにより、５Ｇ移動通信で、第１導電パターンで送信又は受信する電磁波の波長が短いけれども、電磁波が表示パネル３００の金属層を通過する必要はないので、表示装置１０の上部に安定的に放射され得る。
【００７３】
図６は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す概略平面図であり、図７は、図６の表示パネルの一例を示す概略側面図である。
図６にはフレキシブルフィルム（３４０、３６０）が曲がらずに広がった（平面状の）表示パネル３００の概略平面図を示す。
図６及び図７の実施形態は、表示パネル３００の他側に第２フレキシブルフィルム３６０がさらに配置される点で図４及び図５の実施形態と相違する。
【００７４】
図６及び図７を参照すると、第１フレキシブルフィルム３４０が表示パネル３００の第１側に配置される場合、アンテナ領域ＡＰＡは表示パネルの第１側の反対側である第２側、第１側と第２側を接続する第３側、及び第２側と第３側のコーナー部に配置される。
例えば、アンテナ領域ＡＰＡは、センサ領域ＴＳＡの上側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡとセンサ領域ＴＳＡの右側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される。
また、アンテナ領域ＡＰＡは、表示パネル３００の上側と右側が接するコーナー部に配置される。
又は、アンテナ領域ＡＰＡは、センサ領域ＴＳＡに配置される。
センサ領域ＴＳＡに配置されたアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは平面上から見るとき複数の折曲部を含むくねくね形状（ジグザク形状）に形成されるが、これに限定されない。
センサ領域ＴＳＡに配置されたアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンは平面上四角形のパッチ（ｐａｔｃｈ）、ループ状、又はコイル状に形成され得る。
【００７５】
アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは、表示パネル３００の他側縁で第２フレキシブルフィルム３６０に電気的に接続される。
アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンは、表示パネル３００の一側縁に設けられるセンサパッドに接続され、センサパッドは異方性導電フィルムを介して第２フレキシブルフィルム３６０に接続される。
第２フレキシブルフィルム３６０上にはＲＦ駆動部３５０が配置される。
ＲＦ駆動部３５０は集積回路で形成され得る。
ＲＦ駆動部３５０は、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰに電気的に接続される。
【００７６】
図６及び図７のように、センサ電極層ＳＥＮＬのセンサ周辺領域ＴＰＡに配置されたアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰを５Ｇ移動通信のためのパッチアンテナ又は近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
この場合、５Ｇ移動通信で、第１導電パターンで送信又は受信する電磁波の波長が短いけれども、電磁波が表示パネル３００の金属層を通過する必要はないので、表示装置１０の上部に安定的に放射され得る。
【００７７】
図８は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す概略平面図であり、図９は図８の表示パネルの一例を示す概略側面図である。
また、図１０も、本発明の一実施形態による表示パネルを示す概略平面図であり、図１１は、図１０の表示パネルの一例を示す概略側面図である。
図８には第１ベンディング領域ＢＡ１と第２ベンディング領域ＢＡ２が曲がらずに広がった（平面状の）表示パネル３００の平面図を示す。
図８及び図９の実施形態は、表示パネル３００の一側の第１ベンディング領域ＢＡ１がベンディングされ、第１パッド領域ＰＤＡ１がパネル下部カバーＰＢの下面上に配置され、表示パネル３００の他側の第２ベンディング領域ＢＡ２がベンディングされ、第２パッド領域ＰＤＡ２がパネル下部カバーＰＢの下面上に配置される点で、図４及び図５の実施形態と相違する。
すなわち、表示パネル３００は、一側と他側が曲がったベンデッド表示パネルである。
【００７８】
図８及び図９を参照すると、第１ベンディング領域ＢＡ１と第１パッド領域ＰＤＡ１は表示パネル３００の一側のセンサ周辺領域ＴＰＡから第２方向（Ｙ軸方向）に突出する。
図８及び図９では第１ベンディング領域ＢＡ１と第１パッド領域ＰＤＡ１の第１方向（Ｘ軸方向）の長さがセンサ領域ＴＳＡの第１方向（Ｘ軸方向）の長さより小さい場合を例示したが、これに限定されない。
表示パネル３００は、第１ベンディング領域ＢＡ１で曲がり、第１パッド領域ＰＤＡ１はパネル下部カバー４００の下面上に配置される。
第１パッド領域ＰＤＡ１は、表示パネル３００の厚さ方向（Ｚ軸方向）でセンサ領域ＴＳＡと重畳する。
第１パッド領域ＰＤＡ１には表示駆動部３２０と表示回路ボード３１０が配置される。
【００７９】
第２ベンディング領域ＢＡ２と第２パッド領域ＰＤＡ２は、表示パネル３００の他側のセンサ周辺領域ＴＰＡから第２方向（Ｙ軸方向）に突出する。
図８及び図９では第２ベンディング領域ＢＡ２と第２パッド領域ＰＤＡ２の第１方向（Ｘ軸方向）の長さがセンサ領域ＴＳＡの第１方向（Ｘ軸方向）の長さより小さい場合を例示したが、これに限定されない。
図８及び図９では表示パネル３００の他側は、表示パネル３００の一側の反対側である場合を例示したが、これに限定されない。
【００８０】
例えば、図１０及び図１１のように表示パネル３００の一側は、表示パネル３００の上側と下側の内のいずれか一つの側であり、表示パネル３００の他側は表示パネル３００の左側と右側の内のいずれか一つの側であり得る。
表示パネル３００は、第２ベンディング領域ＢＡ２で曲がり、第２パッド領域ＰＤＡ２はパネルの下部カバー４００の下面上に配置される。
第２パッド領域ＰＤＡ２は、表示パネル３００の厚さ方向（Ｚ軸方向）でセンサ領域ＴＳＡと重畳する。
第２パッド領域ＰＤＡ２にはアンテナ領域ＡＰＡとＲＦ駆動部３５０が配置される。
アンテナ領域ＡＰＡは、ループ状、コイル状又は四角形のパッチに形成された第１導電パターンを含む。
第２パッド領域ＰＤＡ２がパネル下部カバー４００の下面上に配置されるので、第１導電パターンもパネル下部カバー４００の下面上に配置され得る。
図８及び図９のように、アンテナ領域ＡＰＡが第２パッド領域ＰＤＡ２に配置される場合、センサ周辺領域ＴＰＡに配置されるときよりアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンの設計面積が広くなり得る。
したがって、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰをより自由に設計することができる。
【００８１】
図１２は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す概略平面図であり、図１３は、図１２の表示パネルの一例を示す概略側面図である。
図１２には第１ベンディング領域ＢＡ１と第２ベンディング領域ＢＡ２が曲がらず広がった（平面状の）表示パネル３００の平面図を示す。
図１２及び図１３の実施形態は、表示パネル３００の一側の中央の第１ベンディング領域ＢＡ１がベンディングされ、第１パッド領域ＰＤＡ１がパネル下部カバーＰＢの下面上に配置され、表示パネル３００の一側縁の第２ベンディング領域ＢＡ２がベンディングされ、第２パッド領域ＰＤＡ２がパネル下部カバーＰＢの下面上に配置される点で図４及び図５の実施形態とは相違する。
【００８２】
図１２及び図１３を参照すると、第１ベンディング領域ＢＡ１と第１パッド領域ＰＤＡ１は、表示パネル３００の一側の中央のセンサ周辺領域ＴＰＡから第２方向（Ｙ軸方向）に突出する。
第１ベンディング領域ＢＡ１と第１パッド領域ＰＤＡ１の第１方向（Ｘ軸方向）の長さは、センサ領域ＴＳＡの第１方向（Ｘ軸方向）の長さより小さい。
第２ベンディング領域ＢＡ２は、表示パネル３００の一側の第１縁と第２縁のセンサ周辺領域ＴＰＡから第２方向（Ｙ軸方向）に突出する。
表示パネル３００の一側の第１縁は、表示パネル３００の一側の中央の左側に配置され、表示パネル３００の一側の第２縁は、表示パネルの一側の中央の右側に配置される。
【００８３】
図１２では第２ベンディング領域ＢＡ２が表示パネル３００の一側の第１縁と第２縁のセンサ周辺領域ＴＰＡから突出する場合を例示したが、これに限定されない。
例えば、第２パッド領域ＰＤＡ２は、表示パネル３００の一側の第１縁と第２縁の内、いずれか一つの縁のセンサ周辺領域ＴＰＡから突出し得る。
第１ベンディング領域ＢＡ１と第２ベンディング領域ＢＡ２との間にはギャップが存在する。
第２ベンディング領域ＢＡ２で表示パネル３００が曲がる長さは、第１ベンディング領域ＢＡ１で表示パネル３００が曲がる長さより長いので、図１２のように第２ベンディング領域ＢＡ２の第２方向（Ｙ軸方向）の長さは、第１ベンディング領域ＢＡ１の第２方向（Ｙ軸方向）の長さより長い。
【００８４】
第２パッド領域ＰＤＡ２は、第２ベンディング領域ＢＡ２から延長される。
第１パッド領域ＰＤＡ１と第２パッド領域ＰＤＡ２との間にはギャップが存在する。
第２パッド領域ＰＤＡ２は、第１パッド領域ＰＤＡ１の左側、右側、及び下側を囲むように配置される。
第２パッド領域ＰＤＡ２の第１方向（Ｘ軸方向）の最大長さは、第１パッド領域ＰＤＡ１の第１方向（Ｘ軸方向）の最大長さより長い。
第２パッド領域ＰＤＡ２の第２方向（Ｙ軸方向）の最大長さは、第１パッド領域ＰＤＡ１の第２方向（Ｙ軸方向）の最大長さより長い。
【００８５】
表示パネル３００は、第１ベンディング領域ＢＡ１と第２ベンディング領域ＢＡ２で曲がり、第１パッド領域ＰＤＡ１と第２パッド領域ＰＤＡ２は、パネル下部カバー４００の下面上に配置される。
第１パッド領域ＰＤＡ１と第２パッド領域ＰＤＡ２は、表示パネル３００の厚さ方向（Ｚ軸方向）でセンサ領域ＴＳＡと重畳する。
第１パッド領域ＰＤＡ１には表示駆動部３２０と表示回路ボード３１０が配置される。
第２パッド領域ＰＤＡ２にはアンテナ領域ＡＰＡ、及びＲＦ駆動部３５０が配置される。
図１２及び図１３のように、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンが第２パッド領域ＰＤＡ２に配置される場合、センサ周辺領域ＴＰＡに配置されるときより第１導電パターンの設計面積が広くなる。
【００８６】
一方、第１導電パターンＡＰと第１導電パターンＡＰに接続されるＲＦ駆動部３５０は、無線通信のために移動通信モジュール７２２又は近距離通信モジュール７２５に電気的に接続されたり、無線充電のためにバッテリ７９０に電気的に接続される。
ＲＦ駆動部３５０がバッテリ７９０に電気的に接続される場合、図１２のように第２パッド領域ＰＤＡ２の一側縁にはバッテリ７９０と第２パッド領域ＰＤＡ２を接続する回路ボード３７０が配置される。
回路ボード３７０は、フレキシブル印刷回路基板又はフレキシブル回路基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ：ＦＰＣ）であり得る。
【００８７】
図１４は、図１２の表示パネルの表示領域と第２パッド領域の第１アンテナ領域を示す断面図である。
第１導電パターンＡＰが無線充電に用いられる場合、十分な厚さの確保のために図１４のように６個層（Ｌ１〜Ｌ６）を含む。
例えば、第１層Ｌ１は、表示層ＤＩＳＬのアクティブ層１２１の下に配置される遮光層ＢＭＬと同じ物質で形成され、略２５０μｍの厚さを有する。
第２層Ｌ２は、表示層ＤＩＳＬのゲート電極１２２と同じ物質で形成され、略２５０μｍの厚さを有する。
第３層Ｌ３は、表示層ＤＩＳＬのキャパシタ電極１２５と同じ物質で形成され、略２５０μｍの厚さを有する。
第４層Ｌ４は、表示層ＤＩＳＬのソース電極１２３及びドレイン電極１２４と同じ物質で形成され、略７００μｍの厚さを有する。
第５層Ｌ５は、センサ電極層ＳＥＮＬの第１接続部ＢＥ１と同じ物質で形成され、略２５０μｍの厚さを有する。
第６層Ｌ６は、センサ電極層ＳＥＮＬのセンサ電極ＳＥと同じ物質で形成され、略７００μｍの厚さを有する。
この場合、遮光層ＢＭＬと第１層Ｌ１は省略できるので、第１導電パターンＡＰは少なくとも２１５０μｍ以上の厚さを有し得る。
【００８８】
図１５は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す概略平面図であり、図１６は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す概略平面図である。
図１５と図１６には第１ベンディング領域ＢＡ１が曲がらず広がった（平面上の）表示パネル３００の平面図を示す。
図１５と図１６の実施形態は、表示パネル３００の一側の第１ベンディング領域ＢＡ１がベンディングされ、第１パッド領域ＰＤＡ１がパネル下部カバーＰＢの下面上に配置される点で図４の実施形態とは相違する。
【００８９】
図１５と図１６を参照すると、第１ベンディング領域ＢＡ１と第１パッド領域ＰＤＡ１は、表示パネル３００の一側のセンサ周辺領域ＴＰＡから第２方向（Ｙ軸方向）に突出する。
図１５と図１６では、第１ベンディング領域ＢＡ１と第１パッド領域ＰＤＡ１の第１方向（Ｘ軸方向）の長さがセンサ周辺領域ＴＰＡの第１方向（Ｘ軸方向）の長さと実質的に同一である場合を例示したが、これに限定されない。
表示パネル３００は、第１ベンディング領域ＢＡ１で曲がり、第１パッド領域ＰＤＡ１はパネル下部カバー４００の下面上に配置される。
第１パッド領域ＰＤＡ１は、表示パネル３００の厚さ方向（Ｚ軸方向）でセンサ領域ＴＳＡと重畳する。
第１パッド領域ＰＤＡ１には表示駆動部３２０、表示回路ボード３１０、アンテナ領域ＡＰＡが配置される。
【００９０】
図１５のように表示駆動部３２０が第１パッド領域ＰＤＡ１の一側に配置され、アンテナ領域ＡＰＡが表示駆動部３２０の両側に配置される。
又は、図１６のように表示駆動部３２０が第１パッド領域ＰＤＡ１の中央に配置され、アンテナ領域ＡＰＡは表示駆動部３２０の一側に配置され、アンテナ領域ＡＰＡは表示駆動部３２０の他側に配置される。
図１５及び図１６のように、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンが第１パッド領域ＰＤＡ１に配置される場合、センサ周辺領域ＴＰＡに配置されるときより第１導電パターンの設計面積が広くなる。
【００９１】
図１７は、本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
図１７ではセンサ電極層ＳＥＮＬのセンサ電極（ＴＥ、ＲＥ）が二種類の電極、例えば、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥを含み、駆動電極ＴＥに駆動信号を印加した後、感知電極ＲＥを介して相互容量に充電された電圧を感知する２層（ｔｗｏ  ｌａｙｅｒ）の相互容量方式で駆動されることを中心に説明する。
【００９２】
図１７では、第１導電パターンＡＰを含むアンテナ領域ＡＰＡが図６のようにセンサ領域ＴＳＡの上側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡ、センサ領域ＴＳＡの右側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡ、及び表示パネル３００の上側と右側が接するコーナー部に配置される場合を例示した。
また、図１７では、図６のようにアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰと電気的に接続されるＲＦ駆動部３５０が配置される第２フレキシブルフィルム３６０が表示パネル３００の上側に配置される。
図１７では説明の便宜上、センサ電極（ＴＥ、ＲＥ）、ダミーパターンＤＥ、センサ配線（ＴＬ、ＲＬ）、センサパッド（ＴＰ１、ＴＰ２）、ガード配線（ＧＬ１〜ＧＬ５）、及び接地配線（ＧＲＬ１〜ＧＲＬ３）のみを示した。
【００９３】
図１７を参照すると、センサ電極層ＳＥＮＬは、ユーザのタッチを感知するためのセンサ領域ＴＳＡとセンサ領域ＴＳＡの周辺に配置されるセンサ周辺領域ＴＰＡを含む。
センサ領域ＴＳＡは、表示層ＤＩＳＬの表示領域ＤＡに重畳し、センサ周辺領域ＴＰＡは、表示層ＤＩＳＬの非表示領域ＮＤＡに重畳する。
センサ電極（ＴＥ、ＲＥ）は、第１センサ電極ＴＥと第２センサ電極ＲＥを含む。
図１７に示す実施形態で、第１センサ電極は駆動電極ＴＥであり、第２センサ電極は感知電極ＲＥである場合を中心に説明した。
図１７では、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥそれぞれがひし形の平面形状を有する場合を例示したが、これに限定されない。
【００９４】
複数の感知電極ＲＥは、第１方向（Ｘ軸方向）に配置され、電気的に接続される。
複数の駆動電極ＴＥは、第１方向（Ｘ軸方向）と交差する第２方向（Ｙ軸方向）に配置され、電気的に接続される。
駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは、互いに電気的に分離する。
駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは、互いに離隔して配置される。
駆動電極ＴＥは、第２方向（Ｙ軸方向）に並んで配置される。
感知電極ＲＥと駆動電極ＴＥがそれらの交差領域で電気的に分離するために、第２方向（Ｙ軸方向）に互いに隣接する駆動電極ＴＥは、第１接続部ＢＥ１を介して接続され、第１方向（Ｘ軸方向）に互いに隣接する感知電極ＲＥは、第２接続部ＢＥ２を介して接続される。
【００９５】
ダミーパターンＤＥは、駆動電極ＴＥ及び感知電極ＲＥと電気的に分離している。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥは、互いに離隔して配置される。
ダミーパターンＤＥそれぞれは、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥそれぞれによって囲まれるように配置される。
ダミーパターンＤＥそれぞれは、電気的にフローティングされる。
ダミーパターンＤＥによって、発光素子層ＥＭＬの第２電極と駆動電極ＴＥ又は感知電極ＲＥとの間の寄生静電容量が小さくなる。
寄生静電容量が小さくなる場合、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥとの間の相互容量が充電される充電速度を高められる長所がある。
しかし、ダミーパターンＤＥによって駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥの面積が減ることにより、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥとの間の相互容量が小さくなり、これにより相互容量に充電される電圧がノイズによって容易に影響を受ける可能性がある。
したがって、ダミーパターンＤＥの面積は、寄生静電容量と相互容量を考慮して適宜設定されることが好ましい。
【００９６】
センサ配線（ＴＬ、ＲＬ）は、センサ周辺領域ＴＰＡに配置される。
センサ配線（ＴＬ、ＲＬ）は、感知電極ＲＥに接続される感知配線ＲＬ、及び駆動電極ＴＥに接続される第１駆動配線ＴＬ１と第２駆動配線ＴＬ２を含む。
センサ領域ＴＳＡの一側に配置された感知電極ＲＥは、感知配線ＲＬに接続される。
例えば、図１７のように第１方向（ｘ軸方向）に電気的に接続された感知電極ＲＥの内、右側端に配置された感知電極は感知配線ＲＬに接続される。
感知配線ＲＬは、第２センサパッドＴＰ２に接続される。
したがって、センサ駆動部３３０は、感知電極ＲＥに電気的に接続される。
【００９７】
センサ領域ＴＳＡの一側に配置された駆動電極ＴＥは、第１駆動配線ＴＬ１に接続され、センサ領域ＴＳＡの他側に配置された駆動電極ＴＥは、第２駆動配線ＴＬ２に接続される。
例えば、図１７のように第２方向（Ｙ軸方向）に電気的に接続された駆動電極ＴＥの内、下側端に配置された駆動電極ＴＥは、第１駆動配線ＴＬ１に接続され、上側端に配置された駆動電極ＴＥは、第２駆動配線ＴＬ２に接続される。
第２駆動配線ＴＬ２は、センサ領域ＴＳＡの左側外側を経由してセンサ領域ＴＳＡの上側で駆動電極ＴＥに接続される。
第１駆動配線ＴＬ１と第２駆動配線ＴＬ２は、第１センサパッドＴＰ１に接続される。
したがって、センサ駆動部３３０は、駆動電極ＴＥに電気的に接続される。
【００９８】
第１ガード配線ＧＬ１は、感知配線ＲＬの内、最も外郭に配置された感知配線ＲＬの外側に配置される。
また、第１接地配線ＧＲＬ１は、第１ガード配線ＧＬ１の外側に配置される。
図１７のように、第１ガード配線ＧＬ１は、感知配線ＲＬの内、右側端に配置された感知配線ＲＬの右側に配置され、第１接地配線ＧＲＬ１は、第１ガード配線ＧＬ１の右側に配置される。
第２ガード配線ＧＬ２は、感知配線ＲＬの内、最も内側に配置された感知配線ＲＬと第１駆動配線ＴＬ１の内、右側端に配置された第１駆動配線ＴＬ１との間に配置される。
図１７のように、感知配線ＲＬの内、最も内側に配置された感知配線ＲＬは、感知配線ＲＬの内、左側端に配置された感知配線ＲＬである。
また、第２ガード配線ＧＬ２は、第１駆動配線ＴＬ１の内、右側端に配置された第１駆動配線ＴＬ１と第２接地配線ＧＲＬ２との間に配置される。
【００９９】
第３ガード配線ＧＬ３は、感知配線ＲＬの内、最も内側に配置された感知配線ＲＬと第２接地配線ＧＲＬ２との間に配置される。
第２接地配線ＧＲＬ２は、第１センサパッドＴＰ１の内、最も右側に配置された第１センサパッドＴＰ１と、第２センサパッドＴＰ２の内、最も左側に配置された第２センサパッドＴＰ２に接続される。
第４ガード配線ＧＬ４は、第２駆動配線ＴＬ２の内、最も外郭に配置された第２駆動配線ＴＬ２の外側に配置され得る。
図１７のように、第４ガード配線ＧＬ４は、第２駆動配線ＴＬ２の内、左側端に配置された第２駆動配線ＴＬ２の左側に配置される。
また、第４ガード配線ＧＬ４の外側には第３接地配線ＧＲＬ３が配置される。
図１７のように、第４ガード配線ＧＬ４は、第２駆動配線ＴＬ２の内、左側と、上側端に配置された第２駆動配線ＴＬ２の左側と、上側に配置され、第３接地配線ＧＲＬ３は、第４ガード配線ＧＬ４の左側と上側に配置される。
【０１００】
第５ガード配線ＧＬ５は、第２駆動配線ＴＬ２の内、最も内側に配置された第２駆動配線ＴＬ２の内側に配置される。
図１７のように、第５ガード配線ＧＬ５は、第２駆動配線ＴＬ２の内、右側端に配置された第２駆動配線ＴＬ２と感知電極ＲＥとの間に配置される。
第１接地配線ＧＲＬ１、第２接地配線ＧＲＬ２、及び第３接地配線ＧＲＬ３には接地電圧が印加される。
また、第１ガード配線ＧＬ１、第２ガード配線ＧＬ２、第３ガード配線ＧＬ３、第４ガード配線ＧＬ４、及び第５ガード配線ＧＬ５には接地電圧が印加される。
【０１０１】
図１７のように、第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する駆動電極ＴＥは、互いに電気的に接続され、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する駆動電極ＴＥは、電気的に絶縁される。
また、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する感知電極ＲＥは、互いに電気的に接続され、第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する感知電極ＲＥは、電気的に絶縁される。
したがって、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥの交差点には相互容量が形成される。
また、図１７のように、第１ガード配線ＧＬ１は、最も外郭に配置される感知配線ＲＬと第１接地配線ＧＲＬ１との間に配置されるので、最も外郭に配置される感知配線ＲＬが第１接地配線ＧＲＬ１の電圧変化によって影響を受けることを最小化する役割を果たすことができる。
第２ガード配線ＧＬ２は、最も内側に配置される感知配線ＲＬと最も外郭に配置される第１駆動配線ＴＬ１との間に配置される。
これにより、第２ガード配線ＧＬ２は、最も内側に配置される感知配線ＲＬと最も外郭に配置される第１駆動配線ＴＬ１が電圧変化に応じた影響を受けることを最小化する役割を果たすことができる。
【０１０２】
第３ガード配線ＧＬ３は、最も内側に配置される感知配線ＲＬと第２接地配線ＧＲＬ２との間に配置されるので、最も内側に配置される感知配線ＲＬが第２接地配線ＧＲＬ２の電圧変化によって影響を受けることを最小化する役割を果たすことができる。
第４ガード配線ＧＬ４は、最も外郭に配置される第２駆動配線ＴＬ２と第３接地配線ＧＲＬ３との間に配置されるので、第２駆動配線ＴＬ２が第３接地配線ＧＲＬ３の電圧変化によって影響を受けることを最小化する役割を果たすことができる。
第５ガード配線ＧＬ５は、最も内側に配置される第２駆動配線ＴＬ２とセンサ電極（ＴＥ、ＲＥ）との間に配置されるので、最も内側に配置される第２駆動配線ＴＬ２とセンサ電極（ＴＥ、ＲＥ）が互いに影響を受けることを最小化する役割を果たすことができる。
【０１０３】
アンテナ領域ＡＰＡは、センサ領域ＴＳＡの右側外側に配置されるセンサ周辺領域ＴＰＡとセンサ領域ＴＳＡの上側外側に配置されるセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される。
センサ領域ＴＳＡの右側外側に配置されるセンサ周辺領域ＴＰＡでは下側から上側に行くほど感知配線ＲＬの個数が減る。
したがって、センサ領域ＴＳＡの右側外側に配置されるセンサ周辺領域ＴＰＡには感知配線ＲＬが配置されない空の領域が存在する。
また、センサ領域ＴＳＡの上側外側に配置されるセンサ周辺領域ＴＰＡでは左側から右側に行くほど第２駆動配線ＴＬ２の個数が減る。
したがって、センサ領域ＴＳＡの上側外側に配置されるセンサ周辺領域ＴＰＡには第２駆動配線ＴＬ２が配置されない空の領域が存在する。
【０１０４】
アンテナ領域ＡＰＡは、センサ領域ＴＳＡの右側外側に配置されるセンサ周辺領域ＴＰＡで感知配線ＲＬが配置されない空の領域とセンサ領域ＴＳＡの上側外側に配置されるセンサ周辺領域ＴＰＡで第２駆動配線ＴＬ２が配置されない空の領域に配置される。
これにより、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは、センサ周辺領域ＴＰＡの感知配線ＲＬ及び第２駆動配線ＴＬ２と同じ層に形成される。
すなわち、図１７のように、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰをセンサ周辺領域ＴＰＡでセンサ配線が配置されない領域に配置することによって、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰをセンサ周辺領域ＴＰＡのセンサ配線と同じ層に形成する。
したがって、別途の工程を追加せず、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰを形成し得る。
一方、アンテナ領域ＡＰＡは、第１接地配線ＧＲＬ１と第３接地配線ＧＲＬ３と重畳し得る。
【０１０５】
また、アンテナ領域ＡＰＡと感知配線ＲＬの内、右側端に配置された感知配線ＲＬとの間には第１ガード配線ＧＬ１が配置される。
したがって、第１ガード配線ＧＬ１により、アンテナ領域ＡＰＡで放射される電磁波によって感知配線ＲＬが影響を受けることを減らしたり、防止することができる。
また、アンテナ領域ＡＰＡと上側端に配置された第２駆動配線ＴＬ２との間には第４ガード配線ＧＬ４が配置される。
したがって、第４ガード配線ＧＬ４により、アンテナ領域ＡＰＡで放射される電磁波によって第２駆動配線ＴＬ２が影響を受けることを減らしたり、防止することができる。
一方、図１７ではアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰが四角形のパッチに形成される場合を例示したが、これに限定されない。
第１導電パターンＡＰは、ループ状又はコイル状に形成され得る。
【０１０６】
図１８は、センサ電極に接続されたセンサ駆動部の一例を示す図である。
図１８では説明の便宜上、一つの列に配置され、第２方向（Ｙ軸方向）に電気的に接続された駆動電極ＴＥと一つの行に配置され、第１方向（Ｘ軸方向）に電気的に接続された感知電極ＲＥのみ示した。
図１８を参照すると、センサ駆動部３３０は、駆動信号出力部３３１、第１センサ感知部３３２、及び第１アナログデジタル変換部（ａｎａｌｏｇ  ｔｏ  ｄｉｇｉｔａｌ  ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）３３３を含む。
【０１０７】
駆動信号出力部３３１は、第１駆動配線ＴＬ１を介してタッチ駆動信号ＴＤを駆動電極ＴＥに出力し、第２駆動配線ＴＬ２を介してタッチ駆動信号ＴＤを駆動電極ＴＥに出力する（図１７参照）。
タッチ駆動信号ＴＤは、複数のパルスを含む。
駆動信号出力部３３１は、予め定められた順に駆動配線（ＴＬ１、ＴＬ２）にタッチ駆動信号ＴＤを出力する。
例えば、駆動信号出力部３３１は、図１７のタッチセンサ領域ＴＳＡの左側に配置された駆動電極ＴＥからタッチセンサ領域ＴＳＡの右側に配置された駆動電極ＴＥにタッチ駆動信号ＴＤを順次出力する。
第１センサ感知部３３２は、感知電極ＲＥに電気的に接続された感知配線ＲＬを介して第１相互容量Ｃｍ１に充電された電圧を感知する。
図１８のように駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥとの間に第１相互容量Ｃｍ１が形成される。
【０１０８】
第１センサ感知部３３２は、第１演算増幅器ＯＰ１、第１フィードバックキャパシタＣｆｂ１、及び第１リセットスイッチＲＳＷ１を含む。
第１演算増幅器ＯＰ１は、第１入力端子（−）、第２入力端子（＋）、及び出力端子（ｏｕｔ）を含む。
第１演算増幅器ＯＰ１の第１入力端子（−）は、感知配線ＲＬに接続され、第２入力端子（＋）には初期化電圧ＶＲＥＦが供給され、第１演算増幅器ＯＰ１の出力端子（ｏｕｔ）は、第１蓄積キャパシタに接続される。
第１蓄積キャパシタは、第１演算増幅器ＯＰ１の出力端子（ｏｕｔ）とグラウンドとの間に接続されて第１演算増幅器ＯＰ１の出力電圧Ｖｏｕｔ１を保存する。
第１フィードバックキャパシタＣｆｂ１と第１リセットスイッチＲＳＷ１は、第１演算増幅器ＯＰ１の第１入力端子（−）と出力端子（ｏｕｔ）との間に並列で接続される。
第１リセットスイッチＲＳＷ１は、第１フィードバックキャパシタＣｆｂ１の両端の接続を制御する役割を果たす。
第１リセットスイッチＲＳＷ１がターンオンされて第１フィードバックキャパシタＣｆｂ１の両端が接続される場合、第１フィードバックキャパシタＣｆｂ１はリセットされる。
【０１０９】
第１演算増幅器ＯＰ１の出力電圧Ｖｏｕｔ１は、以下に示す数式１のように定義される。
【数１】
2020201486.tif 000003
【０１１０】
数式１において、「Ｖｏｕｔ１」は第１演算増幅器ＯＰ１の出力電圧、「Ｃｍ１」は第１相互容量、「Ｃｆｂ１」は第１フィードバックキャパシタの容量、「Ｖｔ１」は第１相互容量Ｃｍ１に充電された電圧を示す。
第１アナログデジタル変換部３３３は、第１蓄積キャパシタに保存された出力電圧Ｖｏｕｔ１を第１デジタルデータに変換して出力する。
図１８のように、センサ電極層ＳＥＮＬは第１相互容量Ｃｍ１に充電された電圧を感知することによってユーザのタッチ有無を判断する。
【０１１１】
図１９は、図１７のセンサ領域を詳細に示す拡大平面図である。
図１９では説明の便宜上、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する二つの感知電極ＲＥと第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する二つの駆動電極ＴＥのみ示した。
図１９を参照すると、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥそれぞれは、四角形の平面形状を有し得るが、これに限定されない。
また、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、第１接続部ＢＥ１、及び第２接続部ＢＥ２は、平面上にメッシュ構造又は網構造で形成される。
【０１１２】
複数の感知電極ＲＥは、第１方向（Ｘ軸方向）に配置され、電気的に接続される。
複数の駆動電極ＴＥは、第２方向（Ｙ軸方向）に配置され、電気的に接続される。
ダミーパターンＤＥのそれぞれは、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥそれぞれによって囲まれるように配置される。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥは、互いに電気的に分離する。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥは、互いに離隔して配置される。
感知電極ＲＥと駆動電極ＴＥがそれらの交差領域で電気的に分離するために、第２方向（Ｙ軸方向）に互いに隣接する駆動電極ＴＥは第１接続部ＢＥ１を介して接続され、第１方向（Ｘ軸方向）に互いに隣接する感知電極ＲＥは第２接続部ＢＥ２を介して接続される。
第１接続部ＢＥ１は、駆動電極ＴＥと相違する層に形成され、第１コンタクト穴ＣＮＴ１を介して駆動電極ＴＥと接続される。
例えば、第１接続部ＢＥ１は、図２１に示す第２バッファー膜ＢＦ２上に配置され、駆動電極ＴＥは、図２１に示す第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
【０１１３】
第１接続部ＢＥ１は、少なくとも一回折り曲げられるように形成される。
図１９では第１接続部ＢＥ１が山括弧形状（「＜」又は「＞」）に折り曲げられた場合を例示したが、第１接続部ＢＥ１の形状はこれに限定されない。
また、第２方向（Ｙ軸方向）に互いに隣接する駆動電極ＴＥが複数の第１接続部ＢＥ１によって接続されるので、第１接続部ＢＥ１のうちいずれか一つが断線しても、第２方向（Ｙ軸方向）に互いに隣接する駆動電極ＴＥは安定的に接続される。
図１９では互いに隣接する駆動電極ＴＥが２個の第１接続部ＢＥ１によって接続される場合を例示したが、第１接続部ＢＥ１の個数はこれに限定されない。
第２接続部ＢＥ２は、感知電極ＲＥと同じ層に形成され、感知電極ＲＥから延長される形状を有する。
感知電極ＲＥと第２接続部ＢＥ２は、同じ物質で形成され得る。
例えば、感知電極ＲＥと第２接続部ＢＥ２は、図１９に示す第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
【０１１４】
図１９のように、第２方向（Ｙ軸方向）に互いに隣接する駆動電極ＴＥを接続する第１接続部ＢＥ１は、第２バッファー膜ＢＦ２上に配置され、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、及び第２接続部ＢＥ２は、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
したがって、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥは、それらの交差領域で電気的に分離し、感知電極ＲＥは第１方向（Ｘ軸方向）に電気的に接続され、駆動電極ＴＥは第２方向（Ｙ軸方向）に電気的に接続される。
【０１１５】
図２０は、図１９のセンサ電極と接続部を詳細に示す拡大平面図である。
図２０は、図１９のＡ−１領域の拡大平面図である。
図２０を参照すると、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、第１接続部ＢＥ１、及び第２接続部ＢＥ２は、平面上でメッシュ構造又は網構造で形成される。
ダミーパターンＤＥも平面上でメッシュ構造又は網構造で形成される。
駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥを含むセンサ電極層ＳＥＮＬが図２１のように封止層ＴＦＥＬのすぐ上に形成される場合、発光素子層ＥＭＬの第２電極とセンサ電極層ＳＥＮＬの駆動電極ＴＥ又は感知電極ＲＥとの間の距離が近いので、発光素子層ＥＭＬの第２電極とセンサ電極層ＳＥＮＬの駆動電極ＴＥ又は感知電極ＲＥとの間に寄生静電容量（ｐａｒａｓｉｔｉｃ  ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が大きく形成される可能性がある。
【０１１６】
寄生静電容量は、発光素子層ＥＭＬの第２電極とセンサ電極層ＳＥＮＬの駆動電極ＴＥ又は感知電極ＲＥとの間の重畳する面積に比例するので、寄生静電容量を減らすために駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは、平面上でメッシュ構造又は網構造で形成されることが好ましい。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、第２接続部ＢＥ２は、同じ層に形成されるので、互いに離隔して配置される。
駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥとの間、駆動電極ＴＥと第２接続部ＢＥ２との間、駆動電極ＴＥとダミーパターンＤＥとの間、及び感知電極ＲＥとダミーパターンＤＥとの間にはギャップが存在する。
図２０では説明の便宜上、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥとの間の境界、駆動電極ＴＥと第２接続部ＢＥ２との間の境界、及び感知電極ＲＥと第２接続部ＢＥ２との間の境界を点線で示した。
【０１１７】
第１接続部ＢＥ１は、第１コンタクト穴ＣＮＴ１を介して駆動電極ＴＥに接続される。
第１接続部ＢＥ１の一端は、第１コンタクト穴ＣＮＴ１を介して第２方向（Ｙ軸方向）に互いに隣接する駆動電極ＴＥのいずれか一つの駆動電極ＴＥに接続される。
第１接続部ＢＥ１の他端は、第１コンタクト穴ＣＮＴ１を介して第２方向（Ｙ軸方向）に互いに隣接する駆動電極ＴＥのうち他の駆動電極ＴＥに接続される。
第１接続部ＢＥ１は、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥに重畳する。
又は第１接続部ＢＥ１は、感知電極ＲＥの代わりに第２接続部ＢＥ２と重畳することもできる。
又は、第１接続部ＢＥ１は、感知電極ＲＥと第２接続部ＢＥ２の両方に重畳することもできる。
第１接続部ＢＥ１は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び第２接続部ＢＥ２と相違する層に形成されるので、感知電極ＲＥ及び／又は第２接続部ＢＥ２に重畳しても、感知電極ＲＥ及び／又は第２接続部ＢＥ２に短絡（ｓｈｏｒｔ−ｃｉｒｃｕｉｔｅｄ）しない。
【０１１８】
第２接続部ＢＥ２は、感知電極ＲＥの間に配置される。
第２接続部ＢＥ２は、感知電極ＲＥと同じ層に形成され、感知電極ＲＥそれぞれから延長される。
したがって、第２接続部ＢＥ２は、別途のコンタクト穴なしで感知電極ＲＥに接続される。
【０１１９】
サブ画素（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、第１色を発光する第１サブ画素Ｒ、第２色を発光する第２サブ画素Ｇ、及び第３色を発光する第３サブ画素Ｂを含む。
図２０では第１サブ画素Ｒが第１サブ画素、第２サブ画素Ｇが第２サブ画素、第３サブ画素Ｂが第３サブ画素である場合を例示したが、これに限定されない。
図２０では第１サブ画素Ｒ、第２サブ画素Ｇ、及び第３サブ画素Ｂが四角形の平面形状を有する場合を例示したが、これに限定されない。
例えば、第１サブ画素Ｒ、第２サブ画素Ｇ、及び第３サブ画素Ｂは、四角形以外に他の多角形、円形又は楕円形の平面形状を有し得る。
また、図２０では第３サブ画素Ｂの大きさが最も大きく、第２サブ画素Ｇの大きさが最も小さい場合を例示したが、これに限定されない。
【０１２０】
画素Ｐは、階調を表現できる一つのグループのサブ画素を示す。
図２０では画素Ｐが一つの第１サブ画素Ｒ、二つの第２サブ画素Ｇ、及び一つの第３サブ画素Ｂを含む場合を例示したが、これに限定されない。
例えば、画素Ｐは、一つの第１サブ画素Ｒ、一つの第２サブ画素Ｇ、及び一つの第３サブ画素Ｂを含み得る。
【０１２１】
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、第１接続部ＢＥ１、第２接続部ＢＥ２が、平面上でメッシュ構造又は網構造で形成されるので、サブ画素（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、第１接続部ＢＥ１、第２接続部ＢＥ２と重畳しない。
したがって、サブ画素（Ｒ、Ｇ、Ｂ）から出力された光が駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、第１接続部ＢＥ１、第２接続部ＢＥ２によって遮られることによって、光の輝度が減少することを防止することができる。
【０１２２】
図２１は、図２０のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。
図２１を参照すると、基板ＳＵＢ上には、第１バッファー膜ＢＦ１、薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬ、発光素子層ＥＭＬ、及び封止層ＴＦＥＬを含む表示層ＤＩＳＬが配置される。
【０１２３】
基板ＳＵＢの一面上には第１バッファー膜ＢＦ１が形成される。
第１バッファー膜ＢＦ１は、透湿に脆弱な基板ＳＵＢを介して浸透する水分から薄膜トランジスタ１２０と発光素子層ＥＭＬの有機発光層１７２を保護するために基板ＳＵＢの一面上に形成される。
第１バッファー膜ＢＦ１は、交互に積層された複数の無機膜からなる。
例えば、第１バッファー膜ＢＦ１は、シリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、及びアルミニウムオキシド層の内の一つ以上の無機膜が交互に積層された多重膜で形成され得る。
第１バッファー膜ＢＦ１は省略することができる。
【０１２４】
薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬは、薄膜トランジスタ１２０、ゲート絶縁膜１３０、層間絶縁膜１４０、保護膜１５０、及び平坦化膜１６０を含む。
第１バッファー膜ＢＦ１上には薄膜トランジスタ１２０が形成される。
薄膜トランジスタ１２０は、アクティブ層１２１、ゲート電極１２２、ソース電極１２３、及びドレイン電極１２４を含む。
図２１では薄膜トランジスタ１２０が、ゲート電極１２２がアクティブ層１２１の上部に位置する上部ゲート（トップゲート、ｔｏｐ  ｇａｔｅ）方式で形成された場合を例示したが、これに限定されないことに注意しなければならない。
すなわち、薄膜トランジスタ１２０は、ゲート電極１２２がアクティブ層１２１の下部に位置する下部ゲート（ボトムゲート、ｂｏｔｔｏｍ  ｇａｔｅ）方式又はゲート電極１２２がアクティブ層１２１の上部と下部にすべて位置するダブルゲート（ｄｏｕｂｌｅ  ｇａｔｅ）方式で形成され得る。
【０１２５】
第１バッファー膜ＢＦ１上にはアクティブ層１２１が形成される。
アクティブ層１２１は、多結晶シリコン、単結晶シリコン、低温多結晶シリコン、非晶質シリコン、又は酸化物半導体を含み得る。
例えば、酸化物半導体は、インジウム、亜鉛、ガリウム、スズ、チタニウム、アルミニウム、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、マグネシウム（Ｍｇ）などを含有する二成分系化合物（ＡＢｘ）、三成分系化合物（ＡＢｘＣｙ）、四成分系化合物（ＡＢｘＣｙＤｚ）を含み得る。
例えば、アクティブ層１２１は、ＩＴＺＯ（インジウム、スズ、チタニウムを含む酸化物）やＩＧＺＯ（インジウム、ガリウム、スズを含む酸化物）を含み得る。バッファー膜とアクティブ層１２１との間にはアクティブ層１２１に入射される外部光を遮断するための遮光層が形成され得る。
【０１２６】
アクティブ層１２１上にはゲート絶縁膜１３０が形成される。
ゲート絶縁膜１３０は、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成され得る。
ゲート絶縁膜１３０上にはゲート電極１２２とゲート配線が形成される。
ゲート電極１２２はアクティブ層１２１と重畳する。
ゲート電極１２２とゲート配線は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）の中のいずれか一つ又はそれらの合金からなる単一層又は多重層で形成され得る。
【０１２７】
ゲート電極１２２とゲート配線上には第１層間絶縁膜１４１が形成される。
第１層間絶縁膜１４１は、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成され得る。
第１層間絶縁膜１４１上にはキャパシタ電極１２５が形成される。
キャパシタ電極１２５はゲート電極１２２と重畳する。
キャパシタ電極１２５は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）の中のいずれか一つ又はそれらの合金からなる単一層又は多重層で形成され得る。
【０１２８】
キャパシタ電極１２５上には第２層間絶縁膜１４２が形成される。
第２層間絶縁膜１４２は、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成され得る。
第２層間絶縁膜１４２上にはソース電極１２３とドレイン電極１２４が形成される。
ソース電極１２３とドレイン電極１２４それぞれは、層間絶縁膜１４０を貫くコンタクト穴を介してアクティブ層１２１に接続される。
ソース電極１２３とドレイン電極１２４は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）の中のいずれか一つ又はそれらの合金からなる単一層又は多重層で形成され得る。
【０１２９】
ソース電極１２３とドレイン電極１２４上には薄膜トランジスタ１２０を絶縁するための保護膜１５０が形成される。
保護膜１５０は、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成され得る。
保護膜１５０上には薄膜トランジスタ１２０による段差を平坦化するための平坦化膜１６０が形成される。
平坦化膜１６０は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成され得る。
【０１３０】
薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬ上には発光素子層ＥＭＬが形成される。
発光素子層ＥＭＬは、発光素子１７０と画素定義膜１８０を含む。
発光素子１７０と画素定義膜１８０は平坦化膜１６０上に形成される。
発光素子１７０それぞれは、第１電極１７１、有機発光層１７２、及び第２電極１７３を含む。
図２１では発光素子１７０が有機発光層１７２を含む有機発光ダイオードである場合を中心に説明する。
【０１３１】
第１電極１７１は、平坦化膜１６０上に形成される。
図２１では第１電極１７１が保護膜１５０と平坦化膜１６０を貫くコンタクト穴を介して薄膜トランジスタ１２０のドレイン電極１２４に接続された場合を例示したが、これに限定されない。
第１電極１７１は、保護膜１５０と平坦化膜１６０を貫くコンタクト穴を介して薄膜トランジスタ１２０のソース電極１２３に接続され得る。
有機発光層１７２を基準に第２電極１７３方向に発光する上部発光（ｔｏｐ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）構造において、第１電極１７１は、アルミニウムとチタニウムの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、及びＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）のような反射率が高い金属物質で形成され得る。
ＡＰＣ合金は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び銅（Ｃｕ）の合金である。
【０１３２】
有機発光層１７２を基準に第１電極１７１方向に発光する下部発光（ｂｏｔｔｏｍ）構造において、第１電極１７１は、光を透過させるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ：ＴＣＯ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過金属物質（Ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）で形成され得る。
ここで、第１電極１７１が半透過金属物質で形成される場合、マイクロキャビティ（ｍｉｃｒｏ  ｃａｖｉｔｙ）により出光効率が高くなる。
【０１３３】
画素定義膜１８０は、サブ画素ＰＸを定義する画素定義膜としての役割を果たすために平坦化膜１６０上で第１電極１７１を区切るように形成される。
画素定義膜１８０は、第１電極１７１の縁を覆うように形成される。
画素定義膜１８０は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成され得る。
サブ画素ＰＸそれぞれは、第１電極１７１、有機発光層１７２、及び第２電極１７３が順次積層され、第１電極１７１からの正孔と第２電極１７３からの電子が有機発光層１７２で互いに結合されて発光する領域を示す。
【０１３４】
第１電極１７１と画素定義膜１８０上には有機発光層１７２が形成される。
有機発光層１７２は、有機物質を含んで所定の色を発光する。
例えば、有機発光層１７２は、正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）、有機物質層、及び電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を含む。
この場合、図２０で第１サブ画素Ｒの有機発光層１７２は赤色光を発光し、第２サブ画素Ｇの有機発光層１７２は緑色光を発光し、第３サブ画素Ｂの有機発光層１７２は青色光を発光する。
【０１３５】
又は、サブ画素ＰＸの有機発光層１７２は、一つの層で形成され、白色光、紫外線光、又は青色光を発光し得る。
この場合、図２０で第１サブ画素Ｒは、赤色光を透過させる第１カラーフィルタと重畳し、第２サブ画素Ｇは緑色光を透過させる第２カラーフィルタと重畳し、第３サブ画素Ｂは青色光を透過させる第３カラーフィルタと重畳する。
第１カラーフィルタ、第２カラーフィルタ、及び第３カラーフィルタは、封止層ＴＦＥＬ上に配置される。
【０１３６】
また、図２０で第１サブ画素Ｒは青色光を赤色光に変換する第１波長変換層と重畳し、第２サブ画素Ｇは青色光を緑色光に変換する第２波長変換層と重畳し、第３サブ画素Ｂは青色光をそのまま出力する透水層と重畳する。
第１波長変換層、第２波長変換層、及び第３波長変換層は、封止層ＴＦＥＬ上に配置される。
例えば、第１波長変換層は封止層ＴＦＥＬと第１カラーフィルタとの間に配置され、第２波長変換層は封止層ＴＦＥＬと第２カラーフィルタとの間に配置され、第３波長変換層は封止層ＴＦＥＬと第３カラーフィルタとの間に配置される。
【０１３７】
第２電極１７３は、有機発光層１７２上に形成される。
第２電極１７３は、有機発光層１７２を覆うように形成される。
第２電極１７３は、サブ画素ＰＸに共通して形成される共通層である。
第２電極１７３上にはキャッピング層（ｃａｐｐｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）が形成され得る。
上部発光の構造において、第２電極１７３は、光を透過させるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ：ＴＣＯ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過金属物質（Ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）で形成され得る。
第２電極１７３が半透過金属物質で形成される場合、マイクロキャビティ（ｍｉｃｒｏ  ｃａｖｉｔｙ）により出光効率が高くなる。
下部発光の構造において、第２電極１７３は、アルミニウムとチタニウムの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、及びＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）のような反射率が高い金属物質で形成され得る。
ＡＰＣ合金は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び銅（Ｃｕ）の合金である。
【０１３８】
発光素子層ＥＭＬ上には封止層ＴＦＥＬが形成される。
封止層ＴＦＥＬは第２電極１７３上に配置される。
封止層ＴＦＥＬは、有機発光層１７２と第２電極１７３に酸素又は水分が浸透することを防止するために少なくとも一つの無機膜を含み得る。
また、封止層ＴＦＥＬは、ホコリのような異物から発光素子層ＥＭＬを保護するために少なくとも一つの有機膜を含み得る。
例えば、封止層ＴＦＥＬは、第２電極１７３上に配置された第１無機膜、第１無機膜上に配置された有機膜、有機膜上に配置された第２無機膜を含み得る。
第１無機膜と第２無機膜は、シリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成されるが、これに限定されない。
有機膜は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）などで形成されるが、これに限定されない。
【０１３９】
封止層ＴＦＥＬ上には、センサ電極層ＳＥＮＬが形成される。
センサ電極層ＳＥＮＬは、第２バッファー膜ＢＦ２、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、第２接続部ＢＥ２、第１駆動配線ＴＬ１、第２駆動配線ＴＬ２、感知配線ＲＬ、ガード配線（ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬ４、ＧＬ５）、及び接地配線（ＧＲＬ１、ＧＲＬ２、ＧＲＬ３、ＧＲＬ４）、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１、及び第２センサ絶縁膜ＴＩＮＳ２を含み得る。
図２１ではセンサ電極層ＳＥＮＬの駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、第１接続部ＢＥ１のみを例示した。
【０１４０】
第２バッファー膜ＢＦ２は、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成される。
第２バッファー膜ＢＦ２上には第１接続部ＢＥ１が形成され得る。
第１接続部ＢＥ１は、第３方向（Ｚ軸方向）で画素定義膜１８０と重なるように配置され得る。第１接続部ＢＥ１はアルミニウムとチタニウムの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、及びＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）で形成されるが、これに限定されない。
【０１４１】
第１接続部ＢＥ１上には、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１が形成される。
第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１は、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成され得る。
又は、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成され得る。
【０１４２】
第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上には駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、第２接続部ＢＥ２、第１駆動配線ＴＬ１、第２駆動配線ＴＬ２、感知配線ＲＬ、ガード配線（ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬ４、ＧＬ５）、及び接地配線（ＧＲＬ１、ＧＲＬ２、ＧＲＬ３、ＧＲＬ４）が形成される。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、第２接続部ＢＥ２は、第３方向（Ｚ軸方向）で画素定義膜１８０と重なるように配置され得る。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、第２接続部ＢＥ２、第１駆動配線ＴＬ１、第２駆動配線ＴＬ２、感知配線ＲＬ、ガード配線（ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬ４、ＧＬ５）、及び接地配線（ＧＲＬ１、ＧＲＬ２、ＧＲＬ３、ＧＲＬ４）は、アルミニウムとチタニウムの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、及びＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）で形成されるが、これに限定されない。
第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１には第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１を貫いて第１接続部ＢＥ１を露出する第１コンタクト穴ＣＮＴ１が形成される。
駆動電極ＴＥは第１コンタクト穴ＣＮＴ１を介して第１接続部ＢＥ１に接続される。
【０１４３】
駆動電極ＴＥ上には第２センサ絶縁膜ＴＩＮＳ２が形成される。
第２センサ絶縁膜ＴＩＮＳ２は、センサ電極層ＳＥＮＬの段差を平坦化する役割を果たす。
第２センサ絶縁膜ＴＩＮＳ２は、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成され得る。
又は、第２センサ絶縁膜ＴＩＮＳ２は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成され得る。
【０１４４】
図２１のように、第２方向（Ｙ軸方向）に互いに隣接する駆動電極ＴＥを接続する第１接続部ＢＥ１は第２バッファー膜ＢＦ２上に形成され、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び第２接続部ＢＥ２は第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に形成される。
したがって、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥはそれらの交差領域で電気的に分離し、感知電極ＲＥは第１方向（Ｘ軸方向）に電気的に接続され、駆動電極ＴＥは第２方向（Ｙ軸方向）に電気的に接続される。
【０１４５】
図２２は、図１７のアンテナ領域の一例を示す拡大平面図である。
図２２ではアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰが移動通信のためのパッチアンテナとして形成された場合を例示した。
図２２を参照すると、アンテナ領域ＡＰＡは、複数の第１導電パターン（ＡＰ１〜ＡＰ４）を含む。
図２２ではアンテナ領域ＡＰＡが４個の第１導電パターン（ＡＰ１〜ＡＰ４）を含む場合を例示したが、これに限定されない。
例えば、アンテナ領域ＡＰＡは４個〜１６個の第１導電パターンを含み得る。
【０１４６】
第１導電パターン（ＡＰ１〜ＡＰ４）それぞれは、平面上メッシュ構造又は網構造で形成される。
近年、商用化された５Ｇ移動通信では２８ＧＨｚ又は３９ＧＨｚ程度の周波数を用いるので、５Ｇ移動通信のためには、第１導電パターン（ＡＰ１〜ＡＰ４）それぞれの一方向ＤＲ１の長さ「ａ」は、略２．１７ｍｍであり、他方向ＤＲ２の長さ「ｂ」は、略２．０６ｍｍであり得る。
第１導電パターン（ＡＰ１〜ＡＰ４）それぞれの平面上の面積は、略４〜５ｍｍ２であり得る。
また、一方向ＤＲ１で互いに隣接する第１導電パターンの中心間の距離（ｃ）は、略６ｍｍであり得る。
【０１４７】
第１導電パターン（ＡＰ１〜ＡＰ４）それぞれは、フィード配線（Ｆｅｅｄｉｎｇ  Ｌｉｎｅ：ＦＤＬ）を介してＲＦ駆動部３５０に接続される。
第１導電パターン（ＡＰ１〜ＡＰ４）は、一つのフィード配線ＦＤＬに共通して接続される。
第１導電パターン（ＡＰ１〜ＡＰ４）のいずれか一つの第１導電パターンに接続されたフィード配線ＦＤＬと、第１導電パターン（ＡＰ１〜ＡＰ４）の内の他の第１導電パターンに接続されたフィード配線ＦＤＬは、他のいずれか一つの第１導電パターンとさらに他の第１導電パターンとの間で一つになる。
【０１４８】
ＲＦ駆動部３５０は、フィード配線ＦＤＬを介して第１導電パターン（ＡＰ１〜ＡＰ４）で受信されたＲＦ信号の位相を変化させて振幅を増幅させる。
また、ＲＦ駆動部３５０は、フィード配線ＦＤＬを介して第１導電パターン（ＡＰ１〜ＡＰ４）にＲＦ信号を伝達する。
【０１４９】
図２３は、図２２の第１導電パターンを詳細に示す拡大平面図であり、図２４は、図２３の第１導電パターンの交差部を詳細に示す拡大平面図である。
図２４には一つのひし形の平面を有するメッシュ構造の第１導電パターンＡＰが示されている。
図２３及び図２４を参照すると、第１導電パターンＡＰは、平面上でメッシュ構造又は網構造で形成される。
第１導電パターンＡＰの幅は、略２．５μｍであり、厚さは略２４００Å以下である。
【０１５０】
第１導電パターンＡＰは、ひし形のような四角形パターンが繰り返される平面形状を有する。
このとき、ひし形の一方向ＤＲ１の長さ「ｄは」、他方向ＤＲ２の長さ「ｅ」より短い。
ひし形の一方向ＤＲ１の長さ「ｄ」は。他方向ＤＲ２の長さ「ｅ」の１／２倍であり得る。
例えば、ひし形と定義される第１導電パターンＡＰの一方向ＤＲ１の長さ「ｄ」は、略２６０μｍであり、他方向ＤＲ２の長さ「ｅ」は、略１３０μｍであり得る。
また、一方向ＤＲ１で互いに対向するひし形の頂点それぞれの角度θ１は、他方向ＤＲ２で対向するひし形の頂点それぞれの角度θ２より大きい。
【０１５１】
ひし形の頂点それぞれは、少なくとも二つの辺が交差する交差部である。
交差部でオーバーエッチングによって第１導電パターンＡＰが逆テーパー形状に形成されることを防止するために、交差部にはダミーパターンＤＭが形成される。
一方向ＤＲ１において、ダミーパターンＤＭの最小距離及び最大距離は、他方向ＤＲ２でダミーパターンＤＭの最小距離及び最大距離より短い。
例えば、一方向ＤＲ１において、ダミーパターンＤＭの最小距離は、略９．２５μｍで、最大距離は略１１μｍであり得る。
他方向ＤＲ２において、ダミーパターンＤＭの最小距離は、略１３．５μｍであり、最大距離は、略１５．５μｍであり得る。
【０１５２】
図２５は、図２４のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図２５を参照すると、第１導電パターンＡＰは、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
第１導電パターンＡＰは、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと同じ層に同じ物質で形成される。
また、第１導電パターンＡＰは、第１駆動配線ＴＬ１、第２駆動配線ＴＬ２、感知配線ＲＬ、ガード配線（ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬ４、ＧＬ５）、及び接地配線（ＧＲＬ１、ＧＲＬ２、ＧＲＬ３、ＧＲＬ４）と同じ層に同じ物質で形成される。
【０１５３】
パッチアンテナが電磁波を放射するためには第３方向（Ｚ軸方向）で第１導電パターンＡＰと重畳する第２導電パターンＧＰが必要である。
ただし、第１導電パターンＡＰと第２導電パターンＧＰとの間の第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１が、誘電率が低い物質で形成される場合、第２導電パターンＧＰは省略することができる。
第２導電パターンＧＰは、第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、第１接続部ＢＥ１と同じ層に同じ物質で形成され得る。
また、第１導電パターンＡＰがループ状又はコイル状に形成され、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いられる場合にも、第１導電パターンＡＰと重畳する第２導電パターンＧＰを形成すると、第１導電パターンＡＰで放射される電磁波によって表示層ＤＩＳＬの第１電極１７１と第２電極１７３が影響を受けることを減らしたり、防止することができる。
【０１５４】
図２５のように、第１導電パターンＡＰが第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置され、第２導電パターンＧＰが第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される場合、別途の工程を追加することなく、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンを形成することができる。
一方、第１導電パターンＡＰがアンテナ領域ＡＰＡで第１接地配線ＧＲＬ１及び第３接地配線ＧＲＬ３と重畳する場合、アンテナ領域ＡＰＡに配置される第１接地配線ＧＲＬ１と第３接地配線ＧＲＬ３が第２バッファー膜ＢＦ２上に配置され、アンテナ領域ＡＰＡを除いた他の領域に配置される第１接地配線ＧＲＬ１と第３接地配線ＧＲＬ３は、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、第１接地配線ＧＲＬ１及び第３接地配線ＧＲＬ３の内、少なくとも一つと接続される。
【０１５５】
図２６は、図２４のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図２６を参照すると、第１導電パターンＡＰは、第２センサ絶縁膜ＴＩＮＳ２上に配置される。
第３方向（Ｚ軸方向）で第１導電パターンＡＰと重畳する第２導電パターンＧＰは、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと同じ層に同じ物質で形成される。
また、第２導電パターンＧＰは、第１駆動配線ＴＬ１、第２駆動配線ＴＬ２、感知配線ＲＬ、ガード配線（ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬ４、ＧＬ５）、及び接地配線（ＧＲＬ１、ＧＲＬ２、ＧＲＬ３、ＧＲＬ４）と同じ層に同じ物質で形成される。
一方、第１導電パターンＡＰがアンテナ領域ＡＰＡで第１接地配線ＧＲＬ１及び第３接地配線ＧＲＬ３と重畳する場合、第２導電パターンＧＰは省略することができる。
【０１５６】
図２７は、図２４のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図２７を参照すると、第１導電パターンＡＰは、第１サブ導電パターンＳＡＰ１と第２サブ導電パターンＳＡＰ２を含む。
第１サブ導電パターンＳＡＰ１は、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
第１サブ導電パターンＳＡＰ１は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと同じ層に同じ物質で形成される。
また、第１サブ導電パターンＳＡＰ１は、第１駆動配線ＴＬ１、第２駆動配線ＴＬ２、感知配線ＲＬ、ガード配線（ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬ４、ＧＬ５）、及び接地配線（ＧＲＬ１、ＧＲＬ２、ＧＲＬ３、ＧＲＬ４）と同じ層に同じ物質で形成される。
【０１５７】
第２サブ導電パターンＳＡＰ２は、第２センサ絶縁膜ＴＩＮＳ２上に配置される。
第２サブ導電パターンＳＡＰ２は、第２センサ絶縁膜ＴＩＮＳ２を貫いて第１サブ導電パターンＳＡＰ１を露出する第２コンタクト穴Ｈ２を介して第１サブ導電パターンＳＡＰ１と接続される。
第３方向（Ｚ軸方向）で第１導電パターンＡＰと重なる第２導電パターンＧＰは、第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、第１接続部ＢＥ１と同じ層に同じ物質で形成される。
【０１５８】
一方、第１導電パターンＡＰがアンテナ領域ＡＰＡで第１接地配線ＧＲＬ１及び第３接地配線ＧＲＬ３と重畳する場合、アンテナ領域ＡＰＡに配置される第１接地配線ＧＲＬ１と第３接地配線ＧＲＬ３が第２バッファー膜ＢＦ２上に配置され、アンテナ領域ＡＰＡを除いた他の領域に配置される第１接地配線ＧＲＬ１と第３接地配線ＧＲＬ３は第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、第１接地配線ＧＲＬ１及び第３接地配線ＧＲＬ３の内、少なくとも一つと接続される。
【０１５９】
図２８は、本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
図２８の実施形態は、アンテナ領域ＡＰＡがセンサ領域ＴＳＡの４側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される点で図１７の実施形態とは相違する。
図２８では第１導電パターンＡＰ（図示せず）を含むアンテナ領域ＡＰＡが、図４のようにセンサ領域ＴＳＡの上側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡ、センサ領域ＴＳＡの右側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡ、及び表示パネル３００の上側と右側が接するコーナー部に配置される場合を例示した。
また、図２８では図８のようにアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは、ＲＦ駆動部３５０が配置される表示回路ボード３１０に電気的に接続される。
【０１６０】
図２８を参照すると、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは、センサ領域ＴＳＡの上側、左側、右側、及び下側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される。
又は、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは、センサ領域ＴＳＡの下側を除いた上側、左側、及び右側を囲むように配置される。
又は、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは、センサ領域ＴＳＡの４側を囲むように配置される。
【０１６１】
ただし、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰがセンサ領域ＴＳＡの４側を囲むように配置される場合、センサ領域ＴＳＡの下側で第１駆動配線ＴＬ１、第２駆動配線ＴＬ２、及び感知配線ＲＬと重畳する。
この場合、第１駆動配線ＴＬ１、第２駆動配線ＴＬ２、及び感知配線ＲＬがアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンの電磁波によって影響を受けることを減らすために、第３方向（Ｚ軸方向）で第１導電パターンと第１駆動配線ＴＬ１との間、第１導電パターンと第２駆動配線ＴＬ２との間、及び第１導電パターンと感知配線ＲＬとの間にさらにガード配線が配置される。
【０１６２】
又は、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１接地配線ＧＲＬ１、第３接地配線ＧＲＬ３、第１ガード配線ＧＬ１、及び第４ガード配線ＧＬ４と重なるように配置される。
又は、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１接地配線ＧＲＬ１及び第３接地配線ＧＲＬ３と重畳するように配置される。
【０１６３】
アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは、ＲＦ駆動部３５０が配置される表示回路ボード３１０に電気的に接続されるために、表示パネル３００の一側でセンサパッド（ＴＰ１、ＴＰ２）と隣接するように設けられる導電パッドＣＰを含む。
導電パッドＣＰの内のいずれか一つは、第１センサパッドＴＰ１が配置される第１センサパッド領域ＴＰＡ１の左側外側に配置され、第２センサパッドＴＰ２が配置される第２センサパッド領域ＴＰＡ２の右側外側に配置される。
導電パッドＣＰは、異方性導電フィルムによって表示回路ボード３１０に電気的に接続される。
【０１６４】
アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは、ループ状又はコイル状に形成することができ、この場合、アンテナ領域ＡＰＡの第１アンテナはＲＦＩＤタグ用アンテナとして形成されるので、近距離通信のためのアンテナとして用いることができる。
又は、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは、四角形のパッチに形成することができ、この場合、アンテナ領域ＡＰＡの第１アンテナはパッチアンテナとして形成されるので、移動通信のためのアンテナとして用いることができる。
図２８に示すアンテナ領域ＡＰＡの断面構造は、図２５〜図２７に示すものと実質的に同様であり得る。
【０１６５】
図２９は、本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
図２９の実施形態はアンテナ領域ＡＰＡが表示パネル３００の一側で接地配線の外側に配置される点で図１７の実施形態とは相違する。
図２９を参照すると、表示パネル３００のアンテナ領域ＡＰＡは、表示パネル３００の上側で最も外郭に配置される第３接地配線ＧＲＬ３の外側に配置される。
【０１６６】
この場合、アンテナ領域ＡＰＡがセンサ領域ＴＳＡ及びセンサ周辺領域ＴＰＡと第３方向（Ｚ軸方向）で重畳しないように空間的に完全に分離する。
また、アンテナ領域ＡＰＡとセンサ領域ＴＳＡとの間には第３接地配線ＧＲＬ３が配置される。
したがって、センサ領域ＴＳＡのセンサ電極（ＴＥ，ＲＥ）がアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰの電磁波によって影響を受けることを最小化したり防止することができる。
図２９ではアンテナ領域ＡＰＡが表示パネルの上側縁に配置される場合を例示したが、これに限定されない。
例えば、アンテナ領域ＡＰＡは、表示パネル３００の右側で最も外郭に配置される第１接地配線ＧＲＬ１の外側に配置され得る。
又は、アンテナ領域ＡＰＡは、表示パネル３００の左側で最も外郭に配置される第３接地配線ＧＲＬ３の外側に配置され得る。
【０１６７】
図２９では８個の四角形のパッチに形成された第１導電パターンＡＰを例示したが、第１導電パターンＡＰの個数はこれに限定されない。
また、図２９では図６のようにアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰと電気的に接続されるＲＦ駆動部３５０が配置される第２フレキシブルフィルム３６０が表示パネル３００の上側に配置される。
アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは、四角形のパッチに形成され得、この場合、アンテナ領域ＡＰＡの第１アンテナはパッチアンテナとして形成されるので、移動通信のためのアンテナとして用いることができる。
又は、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰは、ループ状又はコイル状に形成され得、この場合、アンテナ領域ＡＰＡの第１アンテナはＲＦＩＤタグ用アンテナとして形成されるので、近距離通信のためのアンテナとして用いることができる。
図２９に示すアンテナ領域ＡＰＡの断面構造は、図２５〜図２７に示すものと実質的に同様であり得る。
【０１６８】
図３０は、本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図であり、図３１は、センサ電極に接続されたセンサ駆動部と第１導電パターンに接続されたＲＦ駆動部の一例を示す図である。
図３０の実施形態は、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰがセンサ領域ＴＳＡに配置される点で図１７の実施形態とは相違する。
図３０を参照すると、第１導電パターンＡＰは、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと電気的に分離する。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、及び第１導電パターンＡＰは、互いに離隔して配置される。
【０１６９】
感知電極ＲＥの一部は、ダミーパターンＤＥより第１導電パターンＡＰに隣接するように配置され、感知電極ＲＥの残りは、第１導電パターンＡＰよりダミーパターンＤＥに隣接するように配置される。
第１導電パターンＡＰとダミーパターンＤＥそれぞれは、感知電極ＲＥにより囲まれるように配置される。
図３０では第１導電パターンＡＰそれぞれが感知電極ＲＥにより囲まれるように配置される場合を例示したが、これに限定されない。
第１導電パターンＡＰそれぞれは、感知電極ＲＥの代わりに駆動電極ＴＥにより囲まれるように配置され得る。
第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する第１導電パターンＡＰは、第３接続部ＢＥ３を介して接続され得る。
第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する第１導電パターンＡＰは、第４接続部ＢＥ４を介して接続され得る。
【０１７０】
図３０では図６のようにアンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰと電気的に接続されるＲＦ駆動部３５０が配置される第２フレキシブルフィルム３６０が表示パネル３００の上側に配置される。
第１導電パターンＡＰは、センサ周辺領域ＴＰＡのフィード配線ＦＤＬにより導電パッドＣＰに接続され、第２フレキシブルフィルム３６０は、異方性導電フィルムによって導電パッドＣＰに電気的に接続される。
したがって、第１導電パターンＡＰは、図３１のようにＲＦ駆動部３５０に電気的に接続される。
図３０のように、発光素子層ＥＭＬの第２電極と駆動電極ＴＥ又は感知電極ＲＥとの間の寄生静電容量を減らすために形成されるダミーパターンＤＥの代わりに第１導電パターンＡＰを形成する。
したがって、別途の工程を追加することなく、センサ領域ＴＳＡに第１導電パターンＡＰを形成することができる。
【０１７１】
図３２は，図３０のセンサ電極と第１導電パターンを詳細に示す拡大平面図である。
図３２では説明の便宜上、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する二つの感知電極ＲＥと第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する二つの駆動電極ＴＥのみ示した。
図３２の実施形態は、ダミーパターンＤＥの代わりに第１導電パターンＡＰが感知電極ＲＥにより囲まれ、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する第１導電パターンＡＰを接続するための第３接続部ＢＥ３と第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する第１導電パターンＡＰを接続するための第４接続部ＢＥ４がさらに形成される点で図１９の実施形態とは相違する。
【０１７２】
図３２を参照すると、第１導電パターンＡＰそれぞれは、四角形の平面形状を有するが、これに限定されない。
第１導電パターンＡＰ、第３接続部ＢＥ３、及び第４接続部ＢＥ４は、平面上でメッシュ構造又は網構造で形成される。
第１導電パターンＡＰそれぞれは、感知電極ＲＥそれぞれによって囲まれるように配置される。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、及び第１導電パターンＡＰは、互いに電気的に分離する。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、及び第１導電パターンＡＰは、互いに離隔して配置される。
【０１７３】
第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する第１導電パターンＡＰは、第３接続部ＢＥ３を介して接続される。
第３接続部ＢＥ３は、感知電極ＲＥ及び駆動電極ＴＥと電気的に分離するために、第１サブ接続部ＢＥ３１と第２サブ接続部ＢＥ３２を含む。
第１サブ接続部ＢＥ３１は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと同じ層に配置される。
第１サブ接続部ＢＥ３１は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと電気的に分離する。
第１サブ接続部ＢＥ３１は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと互いに離隔して配置される。
【０１７４】
第２サブ接続部ＢＥ３２は、駆動電極ＴＥ及び感知電極ＲＥと相異する層に形成され、第３コンタクト穴ＣＮＴ３を介して第１サブ接続部ＢＥ３１と接続される。
例えば、第１サブ接続部ＢＥ３１は、図２１に示す第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置され、第２サブ接続部ＢＥ３２は、図２１に示す第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
第２サブ接続部ＢＥ３２は、第３方向（Ｚ軸方向）で駆動電極ＴＥ及び感知電極ＲＥと重畳する。
第２サブ接続部ＢＥ３２は、少なくとも一回折り曲げられるように形成される。
図３２では第２サブ接続部ＢＥ３２が山括弧形状（「＜」又は「＞」）のように折り曲げられた場合を例示したが、第２サブ接続部ＢＥ３２の形状はこれに限定されない。
【０１７５】
第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する第１導電パターンＡＰは、第４接続部ＢＥ４を介して接続される。
第４接続部ＢＥ４は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと同じ層に配置される。
第４接続部ＢＥ４は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと電気的に分離する。
第４接続部ＢＥ４は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと互いに離隔して配置される。
図３２のように、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する第１導電パターンＡＰは、第３接続部ＢＥ３を介して接続され、第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する第１導電パターンＡＰは、第４接続部ＢＥ４を介して接続されることによって、第１導電パターンＡＰは、駆動電極ＴＥ及び感知電極ＲＥと電気的に分離する。
【０１７６】
図３３は、図３２のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図３３を参照すると、第１導電パターンＡＰは、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
第１導電パターンＡＰは、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと同じ層に同じ物質で形成される。
また、第１導電パターンＡＰは、第１駆動配線ＴＬ１、第２駆動配線ＴＬ２、感知配線ＲＬ、ガード配線（ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬ４、ＧＬ５）、及び接地配線（ＧＲＬ１、ＧＲＬ２、ＧＲＬ３、ＧＲＬ４）と同じ層に同じ物質で形成される。
【０１７７】
第２導電パターンＧＰは、第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、第１接続部ＢＥ１と同じ層に同じ物質で形成される。
第２導電パターンＧＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１導電パターンＡＰと重畳するように配置される。
第１導電パターンＡＰそれぞれは、ループ状、コイル状又は四角形のパッチに形成され得る。
第１導電パターンＡＰそれぞれがループ状又はコイル状に形成される場合、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
又は、第１導電パターンＡＰそれぞれが四角形のパッチに形成される場合、移動通信のためのパッチアンテナとして用いることができる。
【０１７８】
図３４は、図３２のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図３４を参照すると、第１導電パターンＡＰは、第２センサ絶縁膜ＴＩＮＳ２上に配置される。
駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥが第１導電パターンＡＰの電磁波によって影響を受けることを減らすために、第１導電パターンＡＰと感知電極ＲＥとの間の最小距離と、第１導電パターンＡＰと駆動電極ＴＥとの間の最小距離は２００μｍ以上であり得る。
このために、第２センサ絶縁膜ＴＩＮＳ２の厚さは、２００μｍ以上であり得る。
第２導電パターンＧＰは、第１センサ絶縁膜ＴＮＩＳ１上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと同じ層に同じ物質で形成される。
【０１７９】
また、第２導電パターンＧＰは、第１駆動配線ＴＬ１、第２駆動配線ＴＬ２、感知配線ＲＬ、ガード配線（ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬ４、ＧＬ５）、及び接地配線（ＧＲＬ１、ＧＲＬ２、ＧＲＬ３、ＧＲＬ４）と同じ層に同じ物質で形成される。
第２導電パターンＧＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１導電パターンＡＰと重畳するように配置される。
第１導電パターンＡＰそれぞれは、ループ状、コイル状又は四角形のパッチに形成される。
第１導電パターンＡＰそれぞれがループ状又はコイル状に形成される場合、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
又は、第１導電パターンＡＰそれぞれが四角形のパッチに形成される場合、移動通信のためのパッチアンテナとして用いることができる。
【０１８０】
図３５は、図３２のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図３５の実施形態は、第２導電パターンＧＰが２層で形成される点で図３４の実施形態と相違する。
第２導電パターンＧＰは、第１サブ導電パターンＳＧＰ１と第２サブ導電パターンＳＧＰ２を含む。
第１サブ導電パターンＳＧＰ１は、第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
第１サブ導電パターンＳＧＰ１は、第１接続部ＢＥ１と同じ層に同じ物質で形成される。
第２サブ導電パターンＳＧＰ２は、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
第２サブ導電パターンＳＧＰ２は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと同じ層に同じ物質で形成される。
【０１８１】
また、第２サブ導電パターンＳＧＰ２は、第１駆動配線ＴＬ１、第２駆動配線ＴＬ２、感知配線ＲＬ、ガード配線（ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬ４、ＧＬ５）、及び接地配線（ＧＲＬ１、ＧＲＬ２、ＧＲＬ３、ＧＲＬ４）と同じ層に同じ物質で形成される。
第２サブ導電パターンＳＧＰ２は、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１を貫くコンタクト穴を介して第１サブ導電パターンＳＧＰ１と接続される。
【０１８２】
図３６は、図３０のセンサ電極と第１導電パターンを詳細に示す拡大平面図である。
図３６の実施形態は、感知電極ＲＥと第１導電パターンＡＰとの間にガードパターンＧＡＰがさらに配置される点で図３２の実施形態とは相違する。
図３６を参照すると、ガードパターンＧＡＰは、第１導電パターンＡＰを囲むように配置される。
【０１８３】
ガードパターンＧＡＰは、第３接続部ＢＥ３の第１サブ接続部ＢＥ３１と離隔して配置される。
ガードパターンＧＡＰは、電気的にフローティングされるか、センサ周辺領域ＴＰＡの接地配線（ＧＲＬ１〜ＧＲＬ３）の内の少なくとも一つと接続して接地電圧の印加を受けることができる。
図３６のように、感知電極ＲＥと第１導電パターンＡＰとの間にガードパターンＧＡＰが配置されるので、ガードパターンＧＡＰにより駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥが第１導電パターンＡＰの電磁波によって影響を受けることを遮断することができる。
【０１８４】
図３７は、図３６のＶ−Ｖ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図３７を参照すると、第１導電パターンＡＰとガードパターンＧＡＰは、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
第１導電パターンＡＰとガードパターンＧＡＰは、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと同じ層に同じ物質で形成される。
また、第１導電パターンＡＰは、第１駆動配線ＴＬ１、第２駆動配線ＴＬ２、感知配線ＲＬ、ガード配線（ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬ４、ＧＬ５）、及び接地配線（ＧＲＬ１、ＧＲＬ２、ＧＲＬ３、ＧＲＬ４）と同じ層に同じ物質で形成される。
【０１８５】
第２導電パターンＧＰは、第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、第１接続部ＢＥ１と同じ層に同じ物質で形成される。
第２導電パターンＧＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１導電パターンＡＰと重畳するように配置される。
第１導電パターンＡＰそれぞれは、ループ状、コイル状又は四角形のパッチに形成され得る。
第１導電パターンＡＰそれぞれがループ状又はコイル状に形成される場合、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
又は、第１導電パターンＡＰそれぞれが四角形のパッチに形成される場合、移動通信のためのパッチアンテナとして用いることができる。
【０１８６】
図３８は、図３６のＶ−Ｖ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図３８の実施形態は、ガードパターンＧＡＰそれぞれが第１サブガードパターンＳＧＡＰ１と第２サブガードパターンＳＧＡＰ２を含む点で図３７の実施形態とは相違する。
図３８を参照すると、第１サブガードパターンＳＧＡＰ１は、第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
第１サブガードパターンＳＧＡＰ１は、第１接続部ＢＥ１と同じ層に同じ物質で形成される。
第２サブガードパターンＳＧＡＰ２は、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
第２サブガードパターンＳＧＡＰ２は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥと同じ層に同じ物質で形成される。
【０１８７】
また、第２サブガードパターンＳＧＡＰ２は、第１駆動配線ＴＬ１、第２駆動配線ＴＬ２、感知配線ＲＬ、ガード配線（ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬ４、ＧＬ５）、及び接地配線（ＧＲＬ１、ＧＲＬ２、ＧＲＬ３、ＧＲＬ４）と同じ層に同じ物質で形成される。
第２サブガードパターンＳＧＡＰ２は、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１を貫くコンタクト穴を介して第１サブガードパターンＳＧＡＰ１と接続される。
図３８のように、ガードパターンＧＡＰが第１サブガードパターンＳＧＡＰ１と第２サブガードパターンＳＧＡＰ２の２個層で形成される場合、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥが第１導電パターンＡＰの電磁波によって影響を受けることをさらに効果的に遮断することができる。
【０１８８】
図３９は、本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
図３９の実施形態は、近接センサ電極ＰＥがセンサ領域ＴＳＡに配置される点で図３０の実施形態とは相違する。
図３９を参照すると、近接センサ電極ＰＥは、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、及び第１導電パターンＡＰと電気的に分離する。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、第１導電パターンＡＰ、及び近接センサ電極ＰＥは、互いに離隔して配置される。
【０１８９】
駆動電極ＴＥの一部は、ダミーパターンＤＥより近接センサ電極ＰＥに隣接するように配置され、駆動電極ＴＥの内の残りは、近接センサ電極ＰＥよりダミーパターンＤＥに隣接するように配置される。
近接センサ電極ＰＥとダミーパターンＤＥそれぞれは、駆動電極ＴＥにより囲まれるように配置される。
図３９では第１導電パターンＡＰそれぞれが感知電極ＲＥにより囲まれ、近接センサ電極ＰＥそれぞれが駆動電極ＴＥにより囲まれるように配置される場合を例示したが、これに限定されない。
第１導電パターンＡＰそれぞれは、駆動電極ＴＥにより囲まれるように配置され、近接センサ電極ＰＥそれぞれが感知電極ＲＥにより囲まれるように配置することができる。
【０１９０】
第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する近接センサ電極ＰＥは、第５接続部ＢＥ５を介して接続される。
第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する近接センサ電極ＰＥは、第６接続部ＢＥ６を介して接続される。
近接センサ電極ＰＥは、図３９のようにセンサ周辺領域ＴＰＡの近接センサ配線ＰＬに接続されることによって、図４０のように第２センサ感知部３３４に電気的に接続される。
図３９のように、発光素子層ＥＭＬの第２電極と駆動電極ＴＥ又は感知電極ＲＥとの間の寄生静電容量を減らすために形成されるダミーパターンＤＥの代わりに近接センサ電極ＰＥを形成する。
したがって、別途の工程を追加することなく、センサ領域ＴＳＡに近接センサ電極ＰＥを形成することができる。
【０１９１】
図４０は、センサ電極に接続されたセンサ駆動部と第１導電パターンに接続されたＲＦ駆動部の一例を示す図である。
図４０の実施形態は、センサ駆動部３３０が第２センサ感知部３３４と第２アナログデジタル変換部３３５を含む点で図１８の実施形態とは相違する。
図４０を参照すると、第２センサ感知部３３４は、近接センサ電極ＰＥに電気的に接続された近接センサ配線ＰＬを介して第２相互容量Ｃｍ２に充電された電圧を感知する。
図４０のように駆動電極ＴＥと近接センサ電極ＰＥとの間に第２相互容量Ｃｍ２が形成され得る。
【０１９２】
第２センサ感知部３３４は、第２演算増幅器ＯＰ２、第２フィードバックキャパシタＣｆｂ２、及び第２リセットスイッチＲＳＷ２を含む。
第２センサ感知部３３４の第２演算増幅器ＯＰ２、第２フィードバックキャパシタＣｆｂ２、及び第２リセットスイッチＲＳＷ２は、第１センサ感知部３３２の第１演算増幅器ＯＰ１、第１フィードバックキャパシタＣｆｂ１、及び第１リセットスイッチＲＳＷ１と実質的に同様である。
第２蓄積キャパシタは、第２演算増幅器ＯＰ２の出力端子ｏｕｔとグラウンドとの間に接続されて第２演算増幅器ＯＰ２の出力電圧Ｖｏｕｔ２を保存する。
第２アナログデジタル変換部３３５は、第２蓄積キャパシタに保存された出力電圧を第２デジタルデータに変換して出力する。
図４０のように、センサ電極層ＳＥＮＬは、第２相互容量Ｃｍ２に充電された電圧を感知することによって、物体がセンサ電極層ＳＥＮＬに近接したかを判断する。
【０１９３】
図４１は、図３９のセンサ電極と第１導電パターンを詳細に示す拡大平面図であり、図４２は、図４１のＶＩ−ＶＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図４１では説明の便宜上、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する二つの感知電極ＲＥと第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する二つの駆動電極ＴＥのみ示した。
図４１の実施形態は、近接センサ電極ＰＥが感知電極ＲＥにより囲まれ、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する近接センサ電極ＰＥを接続するための第５接続部ＢＥ５と、第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する近接センサ電極ＰＥを接続するための第６接続部ＢＥ６がさらに形成される点で図３０の実施形態とは相違する。
【０１９４】
図４１を参照すると、近接センサ電極ＰＥそれぞれは、四角形の平面形状を有するが、これに限定されない。
また、近接センサ電極ＰＥ、第５接続部ＢＥ５、及び第６接続部ＢＥ６は、平面上でメッシュ構造又は網構造で形成される。
近接センサ電極ＰＥそれぞれは、駆動電極ＴＥそれぞれによって囲まれるように配置される。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、第１導電パターンＡＰ、及び近接センサ電極ＰＥは、互いに電気的に分離する。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、第１導電パターンＡＰ、及び近接センサ電極ＰＥは、互いに離隔して配置される。
【０１９５】
第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する近接センサ電極ＰＥは、第５接続部ＢＥ５を介して接続される。
近接センサ電極ＰＥと第５接続部ＢＥ５は、図４２のように第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
近接センサ電極ＰＥと第５接続部ＢＥ５は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び第１導電パターンＡＰと同じ層に配置される。
第５接続部ＢＥ５は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び第１導電パターンＡＰと電気的に分離する。
第５接続部ＢＥ５は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び第１導電パターンＡＰと互いに離隔して配置される。
第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する近接センサ電極ＰＥは、第６接続部ＢＥ６を介して接続される。
第６接続部ＢＥ６は、感知電極ＲＥ、駆動電極ＴＥ、及び第１導電パターンＡＰと電気的に分離するために、第１サブ接続部ＢＥ６１と第２サブ接続部ＢＥ６２を含む。
【０１９６】
第１サブ接続部ＢＥ６１は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び第１導電パターンＡＰと同じ層に配置される。
第１サブ接続部ＢＥ６１は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び第１導電パターンＡＰと電気的に分離する。
第１サブ接続部ＢＥ６１は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び第１導電パターンＡＰと互いに離隔して配置される。
第２サブ接続部ＢＥ６２は、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び第１導電パターンＡＰと相異する層に形成され、第４コンタクト穴ＣＮＴ４を介して第１サブ接続部ＢＥ６１と接続される。
例えば、第１サブ接続部ＢＥ６１は、図４２に示す第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置され、第２サブ接続部ＢＥ６２は、図４２に示す第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
第２サブ接続部ＢＥ６２は、第３方向（Ｚ軸方向）で駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び第３接続部ＢＥ３の第１サブ接続部ＢＥ３１と重畳する。
【０１９７】
第２サブ接続部ＢＥ６２は、少なくとも一回折り曲げられるように形成される。
図４１では第２サブ接続部ＢＥ６２が山括弧形状（「＜」又は「＞」）のように折り曲げられた場合を例示したが、第２サブ接続部ＢＥ６２の形状はこれに限定されない。
図４１のように、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する近接センサ電極ＰＥは、第５接続部ＢＥ５を介して接続され、第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する近接センサ電極ＰＥは、第６接続部ＢＥ６を介して接続されることによって、近接センサ電極ＰＥは駆動電極ＴＥ及び感知電極ＲＥと電気的に分離することができる。
【０１９８】
図４３は、センサ電極、ストレインゲージ、及び第１導電パターンの一例を示す図であり、図４４は、図４３の第３センサ感知部を詳細に示す回路図である。
図４３及び図４４の実施形態は、近接センサ電極ＰＥが近接感知の代わりに圧力感知のための圧力センサ電極ＰＲＥとして用いられ、圧力センサ電極ＰＲＥがホイートストンブリッジ回路部ＷＢを含む第３センサ感知部３３６に電気的に接続される点で図４０の実施形態とは相違する。
図４３及び図４４を参照すると、圧力センサ電極ＰＲＥは、一つに接続されてストレインゲージ（ｓｔｒａｉｎ  ｇａｕｇｅ）としての役割を果たすことができる。
【０１９９】
第３センサ感知部３３６は、ホイートストンブリッジ回路部ＷＢを含む。
第３センサ感知部３３６は、ホイートストンブリッジ回路部ＷＢから出力された第１電圧Ｖａを検出するためのアナログ−デジタル転換器及びプロセッサをさらに含む。
ホイートストンブリッジ回路部ＷＢは、第１ノードＮ１、第２ノードＮ２、第１出力ノードＮ３、及び第２出力ノードＮ４を含む。
第１ノードＮ１には駆動電圧Ｖｓが提供され、第２ノードＮ２は接地部ＧＮＤと接続される。
ホイートストンブリッジ回路部ＷＢは、第２ノードＮ２及び第２出力ノードＮ４に接続された第１抵抗ＷＢａ、第１ノードＮ１及び第２出力ノードＮ４に接続された第２抵抗ＷＢｂ、第２ノードＮ２及び第１出力ノードＮ３に接続された第３抵抗ＷＢｃをさらに含む。
第１抵抗ＷＢａの抵抗値Ｒ１、第２抵抗ＷＢｂの抵抗値Ｒ２、第３抵抗ＷＢｃの抵抗値Ｒ３はそれぞれ所定の値を有する。
すなわち、第１抵抗ＷＢａ〜第３抵抗ＷＢｃは、固定抵抗（ｆｉｘｅｄ  ｒｅｓｉｓｔｏｒ）であり得る。
【０２００】
ホイートストンブリッジ回路部ＷＢは、演算増幅器（ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌ  ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）のような増幅回路ＯＰＡ３をさらに含む。
増幅回路ＯＰＡ３は、反転入力端子、非反転入力端子、及び出力端子を含む。
増幅回路ＯＰＡ３を介して第１出力ノードＮ３と第２出力ノードＮ４との間の電気的流れを感知することができる。
すなわち、増幅回路ＯＰＡ３は、検流素子又は電圧測定素子として動作することができる。
第１出力ノードＮ３及び第２出力ノードＮ４のいずれか一つは、増幅回路ＯＰＡ３の入力端子のいずれか一つに電気的に接続され、他の一つは増幅回路ＯＰＡ３の他の入力端子に電気的に接続される。
例えば、第１出力ノードＮ３は、増幅回路ＯＰＡ３の反転入力端子に接続され、第２出力ノードＮ４は増幅回路ＯＰＡ３の非反転入力端子に接続される。
増幅回路ＯＰＡ３の出力端子は、両入力端子に入力された電圧値の差に比例する第１電圧Ｖａを出力する。
【０２０１】
圧力センサ電極ＰＲＥによって形成されるストレインゲージＳＧの一端は、第１ノードＮ１に電気的に接続され、圧力センサ電極ＰＲＥによって形成されるストレインゲージＳＧの他端は第１出力ノードＮ３に接続される。
本実施形態でストレインゲージＳＧ、第１抵抗ＷＢａ、第２抵抗ＷＢｂ、及び第３抵抗ＷＢｃは、互いに接続されてホイートストンブリッジ回路部ＷＢを具現することができる。
圧力が加えられない状態でストレインゲージＳＧの抵抗値Ｒａと第１抵抗ＷＢａの抵抗値Ｒ１の積は第２抵抗ＷＢｂの抵抗値Ｒ２と第３抵抗ＷＢｃの抵抗値Ｒ３の積と実質的に同一である。
第１圧力センサ電極ＰＥ１の抵抗値Ｒａと第１抵抗ＷＢａの抵抗値Ｒ１の積が第２抵抗ＷＢｂの抵抗値Ｒ２と第３抵抗ＷＢｃの抵抗値Ｒ３の積と同じである場合、第１出力ノードＮ３と第２出力ノードＮ４の電圧は互いに同様である。
第１出力ノードＮ３と第２出力ノードＮ４の電圧が互いに同じである場合、第１出力ノードＮ３と第２出力ノードＮ４の電位差は０Ｖであり、増幅回路ＯＰＡ３により出力された第１電圧Ｖａは０Ｖである。
【０２０２】
センサ領域ＴＳＡにユーザの圧力が加えられると、圧力の強度に応じて圧力センサ電極ＰＲＥの形態が変形され、形態変形によってストレインゲージＳＧの抵抗値Ｒａが変化し、これにより、第１出力ノードＮ３と第２出力ノードＮ４との間には電位差が発生する。
第１出力ノードＮ３と第２出力ノードＮ４との間に電位差が発生した場合、増幅回路ＯＰＡ３は、第１電圧Ｖａとして０Ｖでない値を出力する。
したがって、増幅回路ＯＰＡ３から出力される第１電圧Ｖａによりユーザのタッチ圧力を検出することができる。
【０２０３】
図４５は、センサ電極、圧力センサ電極、及び第１導電パターンを詳細に示す拡大平面図である。
図４５では説明の便宜上、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する二つの感知電極ＲＥと第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する二つの駆動電極ＴＥのみ示した。
図４５の実施形態は、近接センサ電極ＰＥの代わりに圧力センサ電極ＰＲＥが形成される点で図４１の実施形態とは相違する。
【０２０４】
図４５を参照すると、圧力センサ電極ＰＲＥが、ストレインゲージＳＧとしての役割を果たすために、圧力センサ電極ＰＲＥそれぞれは複数の折曲部を含むジクザク形状（くねくねした形状）を有する。
例えば、図４５では圧力センサ電極ＰＲＥそれぞれが一方向に延長された後、一方向と交差する他方向に折り曲げられ、一方向の逆方向に延長された後、他方向に折り曲げられる場合を例示したが、これに限定されない。
図４５のように、圧力センサ電極ＰＲＥそれぞれが複数の折曲部を含むジクザク形状を有するので、ユーザのタッチ圧力により圧力センサ電極ＰＲＥの形状が変形され、圧力センサ電極ＰＲＥの抵抗変化に応じてユーザのタッチ圧力の有無を判断する。
【０２０５】
図４６は、本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
図４６ではセンサ電極層ＳＥＮＬのセンサ電極（ＴＥ、ＲＥ）が二種類の電極、例えば駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥを含み、駆動電極ＴＥに駆動信号を印加した後感知電極ＲＥを介して相互容量に充電された電圧を感知する１層（ｏｎｅ  ｌａｙｅｒ）の相互容量方式で駆動する場合を中心に説明する。
図４６では説明の便宜上、センサ電極（ＴＥ、ＲＥ）、ダミーパターンＤＥ、第１導電パターンＡＰ、センサ配線（ＴＬ、ＲＬ）、フィード配線ＦＤＬ、センサパッド（ＴＰ１、ＴＰ２）、及び接地配線（ＧＲＬ１〜ＧＲＬ２）のみ示した。
【０２０６】
図４６を参照すると、奇数列には駆動電極ＴＥが第２方向（Ｙ軸方向）に配置され、偶数列には感知電極ＲＥが第２方向（Ｙ軸方向）に配置される。
駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは、互いに電気的に分離する。
駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは互いに離隔して配置される。
いずれか一つの奇数列に配置される駆動電極ＴＥとまた他の奇数列に配置される駆動電極ＴＥとの間には少なくとも一つの感知電極ＲＥが配置される。
いずれか一つの偶数列に配置される感知電極ＲＥとまた他の偶数列に配置される感知電極ＲＥとの間には少なくとも一つの駆動電極ＴＥが配置される。
感知電極ＲＥそれぞれは、少なくとも一つの感知配線ＲＬに接続される。
奇数行に配置された感知電極ＲＥは、それらの一側に配置された感知配線ＲＬに共通して接続されることに対し、偶数行に配置された感知電極ＲＥはそれらの他側に配置された感知配線ＲＬに共通して接続される。
【０２０７】
駆動電極ＴＥそれぞれは、少なくとも一つの駆動配線ＴＬに接続される。
奇数行に配置された駆動電極ＴＥそれぞれは、その一側に配置された駆動配線ＴＬに接続され、偶数行に配置された駆動電極ＴＥそれぞれは、その他側に配置された駆動配線ＴＬに接続される。
第２方向（Ｙ軸方向）で、駆動電極ＴＥの長さは、感知電極ＲＥの長さより長くてもよい。
例えば、図４６のように第２方向（Ｙ軸方向）で駆動電極ＴＥの長さは、感知電極ＲＥの長さの略２倍であり得る。
一つの駆動電極ＴＥは、第１方向（Ｘ軸方向）で、一つの駆動電極ＴＥと隣接する複数の感知電極ＲＥと重畳し得る。
例えば、図４６のように、一つの駆動電極ＴＥは、第１方向（Ｘ軸方向）で一つの駆動電極ＴＥと隣接する２個の感知電極ＲＥと重畳し得る。
一つの駆動電極ＴＥと第１方向（Ｘ軸方向）で一つの駆動電極ＴＥと隣接する複数の感知電極ＲＥそれぞれとの間には相互容量が形成される。
【０２０８】
ダミーパターンＤＥは、駆動電極ＴＥ及び感知電極ＲＥと電気的に分離する。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及びダミーパターンＤＥは、互いに離隔して配置される。
ダミーパターンＤＥそれぞれは、電気的にフローティングされる。
ダミーパターンＤＥそれぞれは、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥそれぞれによって囲まれるように配置される。
第１導電パターンＡＰは、駆動電極ＴＥ及び感知電極ＲＥと電気的に分離する。
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び第１導電パターンＡＰは、互いに離隔して配置される。
第１導電パターンＡＰそれぞれは、駆動電極ＴＥそれぞれによって囲まれるように配置される。
又は、第１導電パターンＡＰそれぞれは感知電極ＲＥそれぞれによって囲まれるように配置される。
第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する第１導電パターンＡＰは、一つのフィード配線ＦＤＬに接続される。
【０２０９】
センサ配線（ＴＬ、ＲＬ）は、センサ領域ＴＳＡとセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される。
センサ配線（ＴＬ、ＲＬ）は、センサ領域ＴＳＡの一側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される。
センサ配線（ＴＬ、ＲＬ）は、感知電極ＲＥに接続される感知配線ＲＬ、及び駆動電極ＴＥに接続される駆動配線ＴＬを含む。
フィード配線ＦＤＬは、複数の第１導電パターンＡＰと接続される。
フィード配線ＦＤＬは、いずれか一つの列に配置された駆動電極ＴＥの一側に配置される。
フィード配線ＦＤＬそれぞれは、第１センサパッドＴＰ１と第２センサパッドＴＰ２のいずれか一つに接続される。
第１センサパッドＴＰ１と第２センサパッドＴＰ２は、異方性導電フィルムを介して表示回路ボード３１０に接続されるので、第１導電パターンＡＰは表示回路ボード３１０に配置されるＲＦ駆動部３５０に電気的に接続される。
第１導電パターンＡＰは、ＲＦＩＤタグ用アンテナのように近距離通信用アンテナとして用いられるか、移動通信のためのパッチアンテナとして用いることができる。
【０２１０】
第１接地配線ＧＲＬ１と第２接地配線ＧＲＬ２には接地電圧が印加される。
第１接地配線ＧＲＬ１は、センサ領域ＴＳＡの左側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される。
第２接地配線ＧＲＬ２は、センサ領域ＴＳＡの右側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡと上側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される。
【０２１１】
図４７は、図４６のセンサ電極と第１導電パターンを詳細に示す拡大平面図である。
図４７では説明の便宜上、第１導電パターンＡＰを囲む駆動電極ＴＥのみ示した。
図４７を参照すると、駆動電極ＴＥ、第１導電パターンＡＰ、ガードパターンＧＡＰ、フィード配線ＦＤＬ、及び駆動配線ＴＬは、平面上でメッシュ構造又は網構造で形成される。
【０２１２】
駆動電極ＴＥは、中央が空いている四角形の窓枠状に形成される。
駆動電極ＴＥは、中央に形成された空の空間を含む。
駆動電極ＴＥの空の空間には第１導電パターンＡＰが配置される。
第１導電パターンＡＰは、駆動電極ＴＥによって囲まれるように配置される。
図４７では第１導電パターンＡＰが平面上から見るとき長方形形状を有する場合を例示したが、第１導電パターンＡＰの平面形状はこれに限定されない。
駆動電極ＴＥは、空の空間と駆動電極ＴＥの一側外側を接続するオープン領域ＯＡを含む。
このために、フィード配線ＦＤＬは、駆動電極ＴＥのオープン領域ＯＡを介して第１導電パターンＡＰと接続される。
したがって、駆動電極ＴＥは、第１導電パターンＡＰと互いに離隔して配置され、電気的に絶縁される。
【０２１３】
第１導電パターンＡＰと駆動電極ＴＥとの間にはガードパターンＧＡＰが形成される。
ガードパターンＧＡＰは、電気的にフローティングされ、センサ周辺領域ＴＰＡの接地配線（ＧＲＬ１〜ＧＲＬ２）の内の少なくとも一つと接続されて接地電圧の印加を受けることができる。
駆動電極ＴＥと第１導電パターンＡＰとの間にガードパターンＧＡＰが配置されることによって、駆動電極ＴＥが第１導電パターンＡＰの電磁波によって影響を受けることを遮断することができる。
図４７ではフィード配線ＦＤＬが駆動電極ＴＥの一側に配置され、駆動配線ＴＬが駆動電極ＴＥの他側に配置される場合を例示したが、これに限定されない。
フィード配線ＦＤＬと駆動配線ＴＬは、いずれも駆動電極ＴＥの一側に配置されることもできる。
【０２１４】
図４８は、図４７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図４８を参照すると、駆動電極ＴＥ、ガードパターンＧＡＰ、及び第１導電パターンＡＰは、第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
すなわち、第１導電パターンＡＰは、駆動電極ＴＥ及びガードパターンＧＡＰと同じ層に同じ物質で形成される。
また、第１導電パターンＡＰは、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、駆動配線ＴＬ、感知配線ＲＬ、及びフィード配線ＦＤＬと同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、第１導電パターンＡＰとガードパターンＧＡＰは別途の工程を追加することなく形成することができる。
【０２１５】
駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、駆動配線ＴＬ、感知配線ＲＬ、フィード配線ＦＤＬ、ガードパターンＧＡＰ、及び第１導電パターンＡＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で画素定義膜１８０と重畳するように配置される。
したがって、サブ画素ＰＸから出力された光が、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、駆動配線ＴＬ、感知配線ＲＬ、フィード配線ＦＤＬ、ガードパターンＧＡＰ、及び第１導電パターンＡＰにより遮られることによって、光の輝度が減少することを防止することができる。
【０２１６】
図４９は、図４７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図４９の実施形態は、第３方向（Ｚ軸方向）で第１導電パターンＡＰと重なる第２導電パターンＧＰが第２バッファー膜ＢＦ２上に配置され、第１導電パターンＡＰが第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される点で図４８の実施形態とは相違する。
図４９を参照すると、駆動電極ＴＥ、ガードパターンＧＡＰ、及び第２導電パターンＧＰは第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
すなわち、第２導電パターンＧＰは、駆動電極ＴＥ及びガードパターンＧＡＰと同じ層に同じ物質で形成される。
また、第２導電パターンＧＰは、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、駆動配線ＴＬ、感知配線ＲＬ、及びフィード配線ＦＤＬと同じ層に同じ物質で形成される。
【０２１７】
図５０は、図４７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図５０の実施形態は、ガードパターンＧＡＰそれぞれが第１サブガードパターンＳＧＡＰ１と第２サブガードパターンＳＧＡＰ２を含む点で図４９の実施形態とは相違する。
図５０を参照すると、第１サブガードパターンＳＧＡＰ１は、第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
【０２１８】
第１サブガードパターンＳＧＡＰ１は、駆動電極ＴＥと同じ層に同じ物質で形成される。
また、第１サブガードパターンＳＧＡＰ１は、感知電極ＲＥ、ダミーパターンＤＥ、駆動配線ＴＬ、感知配線ＲＬ、フィード配線ＦＤＬ、及び第２導電パターンＧＰと同じ層に同じ物質で形成される。
第２サブガードパターンＳＧＡＰ２は、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
第２サブガードパターンＳＧＡＰ２は、第１導電パターンＡＰと同じ層に同じ物質で形成される。
図５０のように、ガードパターンＧＡＰが第１サブガードパターンＳＧＡＰ１と第２サブガードパターンＳＧＡＰ２の２個層で形成される場合、駆動電極ＴＥが第１導電パターンＡＰの電磁波によって影響を受けることをさらに効果的に遮断することができる。
【０２１９】
図５１は、本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
図５１では、センサ電極層ＳＥＮＬがセンサ電極（ＴＥ、ＲＥ）の二種類の電極、例えば駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥを含み、駆動電極ＴＥに駆動信号を印加した後感知電極ＲＥを介して相互容量の変化量を感知する相互容量方式で駆動される１層（ｏｎｅ  ｌａｙｅｒ）の相互容量方式で駆動される場合を中心に説明する。
図５１の実施形態は、第２方向（Ｙ軸方向）で駆動電極ＴＥの長さは、感知電極ＲＥの長さと実質的に同一ある点で図４６に示す実施形態とは相違する。
【０２２０】
図５１を参照すると、一つの駆動電極ＴＥは、第１方向（Ｘ軸方向）で一つの駆動電極ＴＥと隣接する複数の感知電極ＲＥと重畳する。
第２方向（Ｙ軸方向）で駆動電極ＴＥの長さは、感知電極ＲＥの長さと実質的に同一であるので、一つの駆動電極ＴＥは一つの感知電極ＲＥの１／２と重畳し得る。
一つの駆動電極ＴＥと第１方向（Ｘ軸方向）で一つの駆動電極ＴＥと隣接する複数の感知電極ＲＥそれぞれの間には相互容量が形成され得る。
【０２２１】
図５２は、本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
図５２では、センサ電極層ＳＥＮＬのセンサ電極ＳＥが一種類の電極を含み、センサ電極ＳＥに駆動信号を印加した後センサ電極ＳＥの自己静電容量（ｓｅｌｆ−ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）に充電された電圧を感知する１層（ｏｎｅ  ｌａｙｅｒ）の自己容量方式で駆動される場合を中心に説明する。
図５２では説明の便宜上、センサ電極ＳＥ、ダミーパターンＤＥ、第１導電パターンＡＰ、ダミーパターンＤＥ、センサ配線ＳＥＬ、フィード配線ＦＤＬ、センサパッド（ＴＰ１，ＴＰ２）、及び接地配線（ＧＲＬ１〜ＧＲＬ２）のみ示した。
【０２２２】
図５２を参照すると、センサ電極ＳＥは互いに電気的に分離する。
センサ電極ＳＥは、互いに離隔して配置される。
センサ電極ＳＥそれぞれは、センサ配線ＳＥＬに接続される。
図５２ではセンサ電極ＳＥそれぞれが四角形の平面形状に形成された場合を例示したが、これに限定されない。
センサ電極ＳＥそれぞれは、ダミーパターンＤＥと第１導電パターンＡＰのいずれか一つを囲むように形成される。
ダミーパターンＤＥそれぞれは、センサ電極ＳＥそれぞれによって囲まれるように配置される。
センサ電極ＳＥとダミーパターンＤＥは、互いに電気的に分離する。
センサ電極ＳＥとダミーパターンＤＥは、互いに離隔して配置される。
ダミーパターンＤＥそれぞれは、電気的にフローティングされる。
【０２２３】
第１導電パターンＡＰは、センサ電極ＳＥと電気的に分離する。
センサ電極ＳＥと第１導電パターンＡＰは、互いに離隔して配置される。
第１導電パターンＡＰそれぞれは、センサ電極ＳＥそれぞれによって囲まれるように配置される。
第２方向（Ｙ軸方向）に隣接する第１導電パターンＡＰは、一つのフィード配線ＦＤＬに接続される。
センサ配線ＳＥＬとフィード配線ＦＤＬは、センサ領域ＴＳＡとセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される。
センサ配線ＳＥＬとフィード配線ＦＤＬは、センサ領域ＴＳＡの一側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される。
センサ配線ＳＥＬそれぞれは、センサ電極ＳＥに接続され、フィード配線ＦＤＬそれぞれは、複数の第１導電パターンＡＰに接続される。
センサ配線ＳＥＬそれぞれは、センサ電極ＳＥの一側に配置される。
フィード配線ＦＤＬそれぞれは、センサ電極ＳＥの他側に配置される。
【０２２４】
センサ電極ＳＥ、ダミーパターンＤＥ、第１導電パターンＡＰ、センサ配線ＳＥＬ、及びフィード配線ＦＤＬは、平面上でメッシュ構造又は網構造で形成される。
第１接地配線ＧＲＬ１と第２接地配線ＧＲＬ２には接地電圧が印加される。
第１接地配線ＧＲＬ１は、センサ領域ＴＳＡの左側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される。
第２接地配線ＧＲＬ２は、センサ領域ＴＳＡの右側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡと上側外側のセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される。
一方、センサ電極ＳＥとセンサ配線ＳＥＬの接続及び第１導電パターンＡＰ及びフィード配線ＦＤＬの接続は、図４７に示す駆動電極ＴＥと駆動配線ＴＬの接続及び第１導電パターンＡＰとフィード配線ＦＤＬの接続と実質的に同様である。
また、センサ電極ＳＥと第１導電パターンＡＰの断面構造は、図４８〜図５０に示す駆動電極ＴＥと第１導電パターンＡＰの断面構造と実質的に同様である。
また、センサ電極ＳＥと第１導電パターンＡＰとの間には図４８〜図５０のようにガードパターンＧＡＰが配置される。
【０２２５】
図５３は、図５２のセンサ電極に接続されたセンサ駆動部の一例を示す図である。
図５３では説明の便宜上、一つのセンサ電極ＳＥに接続されたセンサ駆動部３３０を示した。
図５３を参照すると、センサ駆動部３３０は、駆動信号出力部３３１、第１センサ感知部３３２、及び第１アナログデジタル変換部３３３を含む。
【０２２６】
駆動信号出力部３３１は、センサ配線ＳＥＬを介してタッチ駆動信号ＴＤをセンサ電極ＳＥに出力する。
タッチ駆動信号ＴＤは、複数のパルスを含む。
駆動信号出力部３３１は、予め定められた順にセンサ配線ＳＥＬにタッチ駆動信号ＴＤを出力する。
第１センサ感知部３３２は、センサ電極ＳＥに電気的に接続されたセンサ配線ＳＥＬを介して自己静電容量Ｃｓに充電された電圧を感知する。
図５３のようにセンサ電極ＳＥ及びそれと重畳する他電極との間に自己静電容量Ｃｓが形成される。
第１センサ感知部３３２は、第１演算増幅器ＯＰ１、第１フィードバックキャパシタＣｆｂ１、及び第１リセットスイッチＲＳＷ１を含む。
【０２２７】
第１センサ感知部３３２の第１演算増幅器ＯＰ１、第１フィードバックキャパシタＣｆｂ１、及び第１リセットスイッチＲＳＷ１は、図１８を参照して説明した内容と実質的に同一である。
第１蓄積キャパシタは、第１演算増幅器ＯＰ１の出力端子ｏｕｔとグラウンドとの間に接続されて第１演算増幅器ＯＰ１の出力電圧Ｖｏｕｔ１を保存する。
第１アナログデジタル変換部３３３は、第１蓄積キャパシタに保存された出力電圧Ｖｏｕｔ１を第１デジタルデータに変換して出力する。
図５３に示す実施形態によれば、自己静電容量方式ではセンサ電極ＳＥの自己静電容量Ｃｓをタッチ駆動信号ＴＤで充電した後、自己静電容量Ｃｓに充電された電圧を感知することによって、ユーザのタッチ有無を判断する。
【０２２８】
図５４は、本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
図５４ではセンサ電極層ＳＥＮＬのセンサ電極がストレインゲージＳＧの役割を果たす圧力センサ電極ＰＲＥである場合を中心に説明する。
図５４では説明の便宜上、圧力センサ電極ＰＲＥ、圧力感知配線ＰＲＬ、第１導電パターンＡＰ、フィード配線ＦＤＬ、及びセンサパッド（ＴＰ１、ＴＰ２）のみ示した。
【０２２９】
図５４を参照すると、表示パネル３００は、フォールディングラインＦＯＬで折り畳まれるフォルダブル表示パネルである。
図５４では、一つのフォールディングラインＦＯＬを例示したが、これに限定されない。
すなわち、表示パネル３００は、複数のフォールディングラインＦＯＬで折り畳まれることができる。
圧力センサ電極ＰＲＥがストレインゲージＳＧを含む。
ストレインゲージＳＧは、複数の折曲部を含むジグザグ形状を有する。
例えば、図５４では、圧力センサ電極ＰＲＥそれぞれが、第１方向（Ｘ軸方向）に延長した後、第２方向（Ｙ軸方向）に折り曲げられ、第１方向（Ｘ軸方向）の逆方向に延長した後、第２方向（Ｙ軸方向）に折り曲げられる場合を例示したが、これに限定されない。
【０２３０】
圧力センサ電極ＰＲＥは、センサ領域ＴＳＡに配置される。
圧力センサ電極ＰＲＥの一部の圧力センサ電極ＰＲＥは、フォールディングラインＦＯＬに沿って配置される。
一部の圧力センサ電極ＰＲＥは、表示パネル３００がフォールディングラインＦＯＬに沿ってフォールディングされる場合、圧力センサ電極ＰＲＥそれぞれのストレインゲージＳＧの形状が変形する。
したがって、一部の圧力センサ電極ＰＲＥそれぞれのストレインゲージＳＧの抵抗変化に応じて表示パネル３００のフォールディングの有無を判断する。
【０２３１】
圧力センサ電極ＰＲＥの残りの圧力センサ電極ＰＲＥは、フォールディングラインＦＯＬと重ならないように配置される。
ユーザのタッチ圧力に応じて残りの圧力センサ電極ＰＲＥそれぞれのストレインゲージＳＧの形状は変形する。
したがって、残りの圧力センサ電極ＰＲＥそれぞれのストレインゲージＳＧの抵抗変化に応じてユーザのタッチ圧力の有無を判断する。
【０２３２】
圧力センサ電極ＰＲＥそれぞれのストレインゲージＳＧは、圧力感知配線ＰＲＬに接続される。
圧力センサ電極ＰＲＥそれぞれのストレインゲージＳＧの一側は、いずれか一つの圧力感知配線ＰＲＬに接続され、圧力センサ電極ＰＲＥそれぞれのストレインゲージＳＧの他側は、他の圧力感知配線ＰＲＬに接続される。
圧力感知配線ＰＲＬは、センサパッド（ＴＰ１、ＴＰ２）に接続され、これによりセンサ駆動部３３０に電気的に接続される。
センサ駆動部３３０は、図４４のように第３センサ感知部３３６を含み得、第３センサ感知部３３６は、図４４と実質的に同様であり得る。
【０２３３】
第１導電パターンＡＰは、センサ周辺領域ＴＰＡに配置される場合、センサ領域ＴＳＡの少なくとも３側外側のセンサ周辺領域に配置される。
第１導電パターンＡＰは、センサ領域ＴＳＡの少なくとも３側を囲むように配置される。
例えば、第１導電パターンＡＰは、センサ領域ＴＳＡの上側、左側、及び右側を囲むように配置される。
第１導電パターンＡＰは、センサ領域ＴＳＡの下側で導電パッドＣＰに接続される。
第１導電パターンＡＰは、センサ領域ＴＳＡに配置される場合、圧力センサ電極ＰＲＥに重畳しないように配置される。
第１導電パターンＡＰは、センサ周辺領域ＴＰＡに配置されたフィード配線ＦＤＬと接続され、フィード配線ＦＤＬは導電パッドＣＰに接続される。
第１導電パターンＡＰの一端は、センサ領域ＴＳＡの左側外側に配置されたフィード配線ＦＤＬに接続され、第１導電パターンＡＰの他端は、センサ領域ＴＳＡの右側外側に配置されたフィード配線ＦＤＬに接続される。
【０２３４】
導電パッドＣＰは、異方性導電フィルムを介して表示回路ボード３１０に接続される。
したがって、第１導電パターンＡＰは、表示回路ボード３１０上に配置されるＲＦ駆動部３５０に電気的に接続される。
図５４では第１導電パターンＡＰが、ループ状又はコイル状に形成された場合を例示したが、これに限定されない。
第１導電パターンＡＰは、四角形のパッチ形状にも形成され得る。
第１導電パターンＡＰとフィード配線ＦＤＬは、圧力センサ電極ＰＲＥ及び圧力感知配線ＰＲＬと同じ層に配置される。
したがって、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰとフィード配線ＦＤＬを形成することができる。
【０２３５】
図５５は、本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図であり、図５６は、図５５のセンサ電極と接続部を詳細に示すＡ部の拡大平面図であり、図５７は、図５６のＩＸ−ＩＸ’線に沿って切断した一例を示す断面図であり、図５８は、図５５の表示パネルの一例を示す概略側面図である。
図５５〜図５８の実施形態は、センサ電極層ＳＥＮＬのセンサ電極（ＴＥ、ＲＥ）が透明電極で形成される点で図１７の実施形態とは相違する。
図５５〜図５８を参照すると、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び島電極ＴＥＩは光を透過させるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属酸化物（ＴＣＯ）で形成される。
これにより、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び島電極ＴＥＩはサブ画素と重畳してもサブ画素の開口率が低下しない。
第１導電パターンＡＰは、図５６では省略。
【０２３６】
ユーザが表示パネル３００の画像を視聴する時、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥによってモアレ（ｍｏｉｒｅ）現象が発生することを防止するために、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは、図５５のように平面上で凸凹な辺を有する。
このとき、駆動電極ＴＥの一辺の凸部は、駆動電極ＴＥの一辺と隣接する感知電極ＲＥの一辺の凹部と対応する。
駆動電極ＴＥの一辺の凹部は、駆動電極ＴＥの一辺と隣接する感知電極ＲＥの一辺の凸部と対応する。
接続部ＢＥ７それぞれは、駆動電極ＴＥと島電極ＴＥＩを接続する。
接続部ＢＥ７それぞれの一端は、駆動電極ＴＥに接続され、他端は島電極ＴＥＩに接続される。
島電極ＴＥＩは、感知電極ＲＥにより囲まれる。
【０２３７】
図５８に示すように、表示パネル３００の表示層ＤＩＳＬとセンサ電極層ＳＥＮＬとの間に第２基板ＳＵＢ２が追加される。
すなわち、センサ電極層ＳＥＮＬは、第２基板ＳＵＢ２上に配置される。
この場合、接続部ＢＥ７は、図５７のように第２基板ＳＵＢ２上に配置される。
【０２３８】
接続部ＢＥ７は、アルミニウムとチタニウムの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、及びＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）で形成されるが、これに限定されない。
第２基板ＳＵＢ２は、ガラス、石英、高分子樹脂などの絶縁物質からなる。
第２基板ＳＵＢ２は、リジッド（ｒｉｇｉｄ）基板であるか、ベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）、フォールディング（ｆｏｌｄｉｎｇ）、ローリング（ｒｏｌｌｉｎｇ）などが可能なフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板であり得る。
接続部ＢＥ７上には第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１が形成される。
第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１は、無機膜、例えば、シリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成され得る。
【０２３９】
第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上には駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び島電極ＴＥＩが形成される。
駆動電極ＴＥそれぞれは、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１を貫いて接続部ＢＥ７を露出する第５コンタクト穴ＣＮＴ５を介して接続部ＢＥ７と接続される。
島電極ＴＥＩそれぞれは、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１を貫いて接続部ＢＥ７を露出する第５コンタクト穴ＣＮＴ５を介して接続部ＢＥ７と接続される。
これにより、駆動電極ＴＥと島電極ＴＥＩは、接続部ＢＥ７を介して接続される。
したがって、第２方向（Ｙ軸方向）に配置された駆動電極ＴＥは電気的に接続される。
【０２４０】
第１導電パターンＡＰは、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び島電極ＴＥＩと同じ層に同じ物質で形成される。
第１導電パターンＡＰそれぞれは、光を透過させるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属酸化物（ＴＣＯ）で形成される。
したがって、第１導電パターンＡＰそれぞれは、第３方向（Ｚ軸方向）でサブ画素ＰＸ又は画素定義膜１８０と重畳する。
このとき、第１導電パターンＡＰがユーザに視認されることを防止するために第１導電パターンＡＰそれぞれの幅は、２μｍ以下で形成され得る。
図５５〜図５８のように、第１導電パターンＡＰは、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び島電極ＴＥＩのように光を透過させるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属酸化物（ＴＣＯ）で形成される。
したがって、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰを形成することができる。
【０２４１】
図５９は、本発明の一実施形態による表示パネルのセンサ電極層を示す平面図である。
図５９の実施形態は、センサ領域ＴＳＡに貫通穴ＴＨが形成され、第１導電パターンＡＰが貫通穴ＴＨの周辺の配線領域ＬＡに形成されている点で図１５の実施形態とは相違する。
図５９を参照すると、センサ領域ＴＳＡには表示パネル３００を貫く貫通穴ＴＨが形成される。
貫通穴ＴＨには駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥが形成されない。
貫通穴ＴＨは、平面上で円形である場合を例示したが、これに限定されない。
貫通穴ＴＨは、平面上で楕円形又は多角形であり得る。
【０２４２】
デッドスペースＤＳは、貫通穴ＴＨを囲むように配置される。
デッドスペースＤＳには駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥが形成されない。
デッドスペースＤＳは、貫通穴のＴＨ形成時の工程誤差によって貫通穴ＴＨが配線領域ＬＡとセンサ領域ＴＳＡを侵さないための領域である。
デッドスペースＤＳは、平面上で環状に形成されるが、これに限定されない。
すなわち、デッドスペースＤＳは貫通穴ＴＨを囲むので、貫通穴ＴＨの平面形状に従属的である。
【０２４３】
配線領域ＬＡは、デッドスペースＤＳを囲むように配置される。
配線領域ＬＡは、平面上で環状に形成されるが、これに限定されない。
すなわち、配線領域ＬＡは、デッドスペースＤＳを囲むので、貫通穴ＴＨとデッドスペースＤＳの平面形状に従属的である。
配線領域ＬＡには駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥが形成されない。
配線領域ＬＡは、貫通穴ＴＨにより接続が切れた駆動電極ＴＥを接続する駆動接続部と、貫通穴ＴＨにより接続が切れた感知電極ＲＥを接続する感知接続配線を接続する感知接続部が形成される領域を指す。
配線領域ＬＡは、第３方向（Ｚ軸方向）でカバーウィンドウ１００の遮光層と重畳する。
したがって、配線領域ＬＡは、カバーウィンドウ１００の遮光層によって遮られ得る。
【０２４４】
図６０は、図５９の貫通穴、デッドスペース、及び配線領域を示す拡大平面図であり、図６１は、図６０の駆動電極と駆動接続配線の接続部と感知電極と感知接続配線の接続部を示す拡大平面図であり、図６２は、図６１のＸ−Ｘ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図６０〜図６２を参照すると、配線領域ＬＡは、駆動接続部ＴＣＬ、第１感知接続部ＲＣＬ１、第２感知接続部ＲＣＬ２、第１面積補償部ＲＣＰ１、及び第２面積補償部ＲＣＰ２を含む。
【０２４５】
駆動接続部ＴＣＬは、貫通穴ＴＨにより接続が切れた駆動電極ＴＥを接続する。
駆動接続部ＴＣＬは、第１駆動接続部ＴＣＬ１と第２駆動接続部ＴＣＬ２を含む。
第１駆動接続部ＴＣＬ１は、デッドスペースＤＳに隣接する配線領域ＬＡの縁に沿って形成される。
例えば、配線領域ＬＡは、平面上で環状に形成されるので、第１駆動接続部ＴＣＬ１は平面上で円形に形成される。
第２駆動接続部ＴＣＬ２は、第１駆動接続部ＴＣＬ１と駆動電極ＴＥを接続する。
第２駆動接続部ＴＣＬ２の一側は、第１駆動接続部ＴＣＬ１を露出する第６コンタクト穴ＣＮＴ６を介して第１駆動接続部ＴＣＬ１と接続され、他側は駆動電極ＴＥを露出する第６コンタクト穴ＣＮＴ６を介して駆動電極ＴＥに接続される。
【０２４６】
第１駆動接続部ＴＣＬ１は、駆動電極ＴＥと同じ層に同じ物質で形成される。
第２駆動接続部ＴＣＬ２は、第１接続部ＢＥ１と同じ層に同じ物質で形成される。
第１駆動接続部ＴＣＬ１と第２駆動接続部ＴＣＬ２は相異する層に配置される。
例えば、第１駆動接続部ＴＣＬ１は第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置され、第２駆動接続部ＴＣＬ２は第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
第１感知接続部ＲＣＬ１は、貫通穴ＴＨにより接続が切れた感知電極ＲＥを接続する。
第１感知接続部ＲＣＬ１は、駆動電極ＴＥ、第１駆動接続部ＴＣＬ１及び第２駆動接続部ＴＣＬ２と電気的に分離する。
第１感知接続部ＲＣＬ１は、第２駆動接続部ＴＣＬ２と交差する。
第１感知接続部ＲＣＬ１は、感知電極ＲＥと同じ層に同じ物質で形成される。
【０２４７】
第２感知接続部ＲＣＬ２は、貫通穴ＴＨにより接続が切れた他の感知電極ＲＥを接続する。
第２感知接続部ＲＣＬ２は、駆動電極ＴＥ、第１駆動接続部ＴＣＬ１、及び第２駆動接続部ＴＣＬ２と電気的に分離する。
第２感知接続部ＲＣＬ２は、第２駆動接続部ＴＣＬ２と交差する。
第２感知接続部ＲＣＬ２は、感知電極ＲＥと同じ層に同じ物質で形成される。
【０２４８】
ところで、貫通穴ＴＨにより除去された感知電極ＲＥの面積が貫通穴ＴＨにより除去された駆動電極ＴＥの面積より大きいので、貫通穴ＴＨにより除去された感知電極ＲＥの面積を補償する必要がある。
したがって、第１感知接続部ＲＣＬ１の幅と第２感知接続部ＲＣＬ２の幅それぞれは、第１駆動接続部ＴＣＬ１の幅と第２駆動接続部ＴＣＬ２の幅より広くてもよい。
例えば、第１感知接続部ＲＣＬ１は、駆動電極ＴＥと第１駆動接続部ＴＣＬ１との間の領域に形成される。
【０２４９】
第１面積補償部ＲＣＰ１は、貫通穴ＴＨにより除去された感知電極ＲＥの面積を補償する。
第１面積補償部ＲＣＰ１は、駆動電極ＴＥ、第１駆動接続部ＴＣＬ１、及び第２駆動接続部ＴＣＬ２と電気的に分離する。
第１面積補償部ＲＣＰ１は、第２駆動接続部ＴＣＬ２と交差する。
第１面積補償部ＲＣＰ１は、感知電極ＲＥと同じ層に同じ物質で形成される。
第２面積補償部ＲＣＰ２は、貫通穴ＴＨにより除去されたさらに他の感知電極ＲＥの面積を補償する。
第１面積補償部ＲＣＰ１と第２面積補償部ＲＣＰ２は、互いに隣り合って配置される。
第２面積補償部ＲＣＰ２は、駆動電極ＴＥ、第１駆動接続部ＴＣＬ１、及び第２駆動接続部ＴＣＬ２と電気的に分離する。
第２面積補償部ＲＣＰ２は、第２駆動接続部ＴＣＬ２と交差する。
第２面積補償部ＲＣＰ２は、感知電極ＲＥと同じ層に同じ物質で形成される。
【０２５０】
第３面積補償部ＲＣＰ３は、貫通穴ＴＨにより除去されたさらに他の感知電極ＲＥの面積を補償する。
第３面積補償部ＲＣＰ３は、駆動電極ＴＥ、第１駆動接続部ＴＣＬ１、及び第２駆動接続部ＴＣＬ２と電気的に分離する。
第３面積補償部ＲＣＰ３は、第２駆動接続部ＴＣＬ２と交差する。
第３面積補償部ＲＣＰ３は、感知電極ＲＥと同じ層に同じ物質で形成される。
第４面積補償部ＲＣＰ４は、貫通穴ＴＨにより除去されたさらに他の感知電極ＲＥの面積を補償する。
第３面積補償部ＲＣＰ３と第４面積補償部ＲＣＰ４は、互いに隣り合って配置される。
第４面積補償部ＲＣＰ４は、駆動電極ＴＥ、第１駆動接続部ＴＣＬ１、及び第２駆動接続部ＴＣＬ２と電気的に分離する。
第４面積補償部ＲＣＰ４は、第２駆動接続部ＴＣＬ２と交差する。
第４面積補償部ＲＣＰ４は、感知電極ＲＥと同じ層に同じ物質で形成される。
【０２５１】
第１導電パターンＡＰは、配線領域ＬＡで第１感知接続部ＲＣＬ１と第１面積補償部ＲＣＰ１との間、第１感知接続部ＲＣＬ１と第３面積補償部ＲＣＰ３との間、第２感知接続部ＲＣＬ２と第２面積補償部ＲＣＰ２との間、及び第２感知接続部ＲＣＬ２と第４面積補償部ＲＣＰ４との間に配置される。
第１導電パターンＡＰは、一つのフィード配線によって接続される。
又は、第１導電パターンＡＰは、互いに異なるフィード配線に接続される。
第１導電パターンＡＰそれぞれは、ループ状、コイル状又は四角形のパッチに形成され得る。
第１導電パターンＡＰそれぞれが、ループ状又はコイル状に形成される場合、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
第１導電パターンＡＰそれぞれが、図２１のように四角形のパッチに形成される場合、移動通信のためのパッチアンテナとして用いることができる。
【０２５２】
第１導電パターンＡＰは、図６２のように感知電極ＲＥと同じ層に同じ物質で形成される。
第１導電パターンＡＰは、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
第１導電パターンＡＰと重なる第２導電パターンＧＰは、第１接続部ＢＥ１及び第２駆動接続部ＴＣＬ２と同じ層に同じ物質で形成される。
第２導電パターンＧＰは、第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
第１導電パターンＡＰは、感知電極ＲＥと同じ層に同じ物質で形成され、第２導電パターンＧＰは、第１接続部ＢＥ１及び第２駆動接続部ＴＣＬ２と同じ層に同じ物質で形成されるので、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰと第２導電パターンＧＰを形成することができる。
図６０〜図６２のように、貫通穴ＴＨを囲む配線領域ＬＡの残る領域に形成された第１導電パターンＡＰをアンテナとして用いることができる。
【０２５３】
図６３は、図６１のＸ−Ｘ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図６３の実施形態は、感知電極ＲＥと第１導電パターンＡＰとの間にガードパターンＧＡＰがさらに形成された点で図６２の実施形態とは相違する。
図６３を参照すると、ガードパターンＧＡＰは、感知電極ＲＥ及び第１導電パターンＡＰと離隔して配置される。
ガードパターンＧＡＰは、電気的にフローティングされ、接地電圧の印加を受ける。
図６３のように、感知電極ＲＥと第１導電パターンＡＰとの間にガードパターンＧＡＰが配置されるので、ガードパターンＧＡＰにより感知電極ＲＥが第１導電パターンＡＰの電磁波によって影響を受けることを遮断することができる。
【０２５４】
図６４は、図６１のＸ−Ｘ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図６４の実施形態は、ガードパターンＧＡＰそれぞれが第１サブガードパターンＳＧＡＰ１と第２サブガードパターンＳＧＡＰ２を含む点で図６３の実施形態とは相違する。
図６４を参照すると、第１サブガードパターンＳＧＡＰ１は、第１接続部ＢＥ１及び第２導電パターンＧＰと同じ層に同じ物質で形成される。
第１サブガードパターンＳＧＡＰ１は、第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
第２サブガードパターンＳＧＡＰ２は、感知電極ＲＥ及び第１導電パターンＡＰと同じ層に同じ物質で形成される。
第２サブガードパターンＳＧＡＰ２は、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
第２サブガードパターンＳＧＡＰ２は、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１を貫くコンタクト穴を介して第１サブガードパターンＳＧＡＰ１と接続される。
図６４のように、ガードパターンＧＡＰが第１サブガードパターンＳＧＡＰ１と第２サブガードパターンＳＧＡＰ２の２個層で形成される場合、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥが第１導電パターンＡＰの電磁波によって影響を受けることをさらに効果的に遮断することができる。
【０２５５】
図６５は、本発明の一実施形態による表示パネルの表示層を示す平面図である。
図６５では説明の便宜上、表示ユニットＤＵの画素Ｐ、スキャン配線ＳＬ、データ配線ＤＬ、スキャン制御配線ＳＣＬ、ファンアウト配線ＦＬ、スキャン駆動部３８０、表示駆動部３２０、及び表示パッドＤＰのみ示した。
図６５を参照すると、スキャン配線ＳＬ、データ配線ＤＬ、及び画素Ｐは、表示領域ＤＡに配置される。
スキャン配線ＳＬは、第１方向（Ｘ軸方向）に並ぶように形成され、データ配線ＤＬは第１方向（Ｘ軸方向）と交差する第２方向（Ｙ軸方向）で並ぶように形成される。
【０２５６】
サブ画素ＰＸそれぞれは、スキャン配線ＳＬの内の少なくともいずれか一つとデータ配線ＤＬのいずれか一つに接続される。
サブ画素ＰＸそれぞれは、駆動トランジスタと少なくとも一つのスイッチングトランジスタを含む薄膜トランジスタ、発光素子、及びキャパシタを含む。
サブ画素ＰＸそれぞれは、スキャン配線ＳＬからスキャン信号が印加される場合、データ配線ＤＬのデータ電圧の供給を受け、ゲート電極に印加されたデータ電圧に応じて発光素子に駆動電流を供給することによって発光することができる。
【０２５７】
スキャン駆動部３８０は、複数のスキャン制御配線ＳＣＬを介して表示駆動部３２０に接続される。
したがって、スキャン駆動部３８０は、表示駆動部３２０のスキャン制御信号の入力を受ける。
スキャン駆動部３８０は、スキャン制御信号に応じてスキャン信号を生成してスキャン配線ＳＬに供給する。
スキャン駆動部３８０が、表示領域ＤＡの左側外側の非表示領域ＮＤＡに形成された場合を例示したが、これに限定されない。
例えば、スキャン駆動部３８０は、表示領域ＤＡの左側外側と右側外側の非表示領域ＮＤＡに形成され得る。
【０２５８】
表示駆動部３２０は、表示パッドＤＰに接続されてデジタルビデオデータとタイミング信号の入力を受ける。
表示駆動部３２０は、デジタルビデオデータをアナログ正極性／負極性データ電圧に変換してファンアウト配線ＦＬを介してデータ配線ＤＬに供給する。
また、表示駆動部３２０は、複数のスキャン制御配線ＳＣＬを介してスキャン駆動部３８０を制御するためのスキャン制御信号を生成して供給する。
スキャン駆動部３８０のスキャン信号によってデータ電圧が供給される画素Ｐが選ばれ、選ばれた画素Ｐにデータ電圧が供給される。
表示駆動部３２０は、集積回路（ＩＣ）で形成され、ＣＯＧ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）方式、ＣＯＰ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｐｌａｓｔｉｃ）方式、又は超音波接合方式で基板ＳＵＢ上に付着され得るが、これに限定されない。
例えば、表示駆動部３２０は、表示回路ボード３１０上に取り付けることができる。
【０２５９】
表示パネル３００は、図６５のように表示駆動部３２０に電気的に接続される表示パッドＤＰとセンサ配線に電気的に接続されるセンサパッド（ＴＰ１、ＴＰ２）を含む。
表示パッドＤＰが配置される表示パッド領域ＤＰＡは、第１センサパッドＴＰ１が配置される第１センサパッド領域ＴＰＡ１と第２センサパッドＴＰ２が配置される第２センサパッド領域ＴＰＡ２との間に配置される。
図６５のように、表示パッド領域ＤＰＡは、表示パネル３００の一端の中央に配置され、第１センサパッド領域ＴＰＡ１は、表示パネル３００の一端の左側に配置され、第２センサパッド領域ＴＰＡ２は、表示パネル３００の一端の右側に配置される。
【０２６０】
図６６は、図６５の表示領域の画素の一例を示す平面図であり、図６７は、図６５の表示領域の画素の他の例を示す平面図である。
図６６を参照すると、複数の画素ＰＸＧそれぞれは、第１サブ画素ＰＸ１、第２サブ画素ＰＸ２、及び第３サブ画素ＰＸ３を含む。
第１サブ画素ＰＸ１は第１光を発光し、第２サブ画素ＰＸ２は第２光を発光し、第３サブ画素ＰＸ３は第３光を発光する。
第１光は赤色光、第２光は緑色光、第３光は青色光であるが、これに限定されない。
サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）は同じ色の光を発光することもできる。
また、図６６では画素ＰＸが３個のサブ画素を含む場合を例示したが、これに限定されない。
【０２６１】
サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）は、発光領域ＥＭＡと非発光領域を含む。
第１サブ画素ＰＸ１は第１発光領域ＥＭＡ１を含み、第２サブ画素ＰＸ２は第２発光領域ＥＭＡ２を含み、第３サブ画素ＰＸ３は第３発光領域ＥＭＡ２を含む。
発光領域ＥＭＡは、発光素子１７５が配置されて特定波長帯の光が出射される領域として定義される。
発光領域ＥＭＡは、第１導電パターンＡＰにより覆われずに露出した領域である。
非発光領域は、発光領域ＥＭＡ以外の領域として定義される。
非発光領域は、発光素子１７５が配置されず、発光素子１７０から放出された光が到達されず光が出射されない領域である。
【０２６２】
サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）それぞれは、第１電極１７１、第２電極１７３、接触電極１７４、発光素子１７５、第１導電パターンＡＰ、及び第１接続パターンＣＰ１を含む。
第１電極１７１は、サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）ごとに分離した画素電極であり、第２電極１７３は、サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）に共通して接続された共通電極である。
又は第１電極１７１は、発光素子１７５のアノード（Ａｎｏｄｅ）電極であり、他の一つは発光素子１７５のカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）電極であり得る。
第１電極１７１と第２電極１７３は、それぞれ第１方向（Ｘ軸方向）に延長して配置される電極幹部（１７１Ｓ、１７３Ｓ）と電極幹部（１７１Ｓ、１７３Ｓ）で第１方向（Ｘ軸方向）と交差する方向である第２方向（Ｙ軸方向）に延長して分枝される少なくとも一つの電極枝部（１７１Ｂ、１７３Ｂ）を含む。
【０２６３】
第１電極１７１は、第１方向（Ｘ軸方向）に延長して配置される第１電極幹部１７１Ｓと第１電極幹部１７１Ｓで分枝されて第２方向（Ｙ軸方向）に延長して少なくとも一つの第１電極枝部１７１Ｂを含む。
いずれか一つのサブ画素の第１電極幹部１７１Ｓは、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接するサブ画素の第１電極幹部１７１Ｓと電気的に分離する。
いずれか一つのサブ画素の第１電極幹部１７１Ｓは、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接するサブ画素の第１電極幹部１７１Ｓと離隔して配置される。
第１電極幹部１７１Ｓは、第１電極コンタクト穴ＣＮＴＤを介して薄膜トランジスタに接続される。
第１電極枝部１７１Ｂは、第２方向（Ｙ軸方向）で第２電極幹部１７３Ｓと離隔して配置される。
第１電極枝部１７１Ｂは、第１方向（Ｘ軸方向）で第２電極枝部１７３Ｂと離隔して配置される。
【０２６４】
第２電極１７３は、第１方向（Ｘ軸方向）に延長して配置される第２電極幹部１７３Ｓと第２電極幹部１７３Ｓで分枝され、第２方向（Ｙ軸方向）に延長して第２電極枝部１７３Ｂを含む。
いずれか一つのサブ画素の第２電極幹部１７３Ｓは、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接するサブ画素の第２電極幹部１７３Ｓと接続される。
第２電極幹部１７３Ｓは、第１方向（Ｘ軸方向）にサブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）を横切るように配置される。
第２電極枝部１７３Ｂは、第２方向（Ｙ軸方向）で第１電極幹部１７１Ｓと離隔して配置される。
第２電極枝部１７３Ｂは、第１方向（Ｘ軸方向）で第１電極枝部１７１Ｂと離隔して配置される。
第２電極枝部１７３Ｂは、第１方向（Ｘ軸方向）で第１電極枝部１７１Ｂとの間に配置される。
【０２６５】
図６６では第１電極枝部１７１Ｂと第２電極枝部１７３Ｂが第２方向（Ｙ軸方向）に延長した場合を例示したが、これに限定されない。
例えば、第１電極枝部１７１Ｂと第２電極枝部１７３Ｂそれぞれは、部分的に曲がるか、折り曲げられた形状を有することができ、図６７のように、いずれか一つの電極が異なる電極を囲むように配置されることもできる。
図６７では第２電極１７３が円状を有し、第１電極１７１が第２電極１７３を囲むように配置され、第１電極１７１と第２電極１７３との間に環状の穴ＨＯＬが形成され、第２電極１７３が第２電極コンタクト穴ＣＮＴＳを介してカソード電圧の印加を受ける場合を例示した。
すなわち、第１電極１７１と第２電極１７３の少なくとも一部領域が互いに離隔して対向するように配置されることによって、第１電極１７１と第２電極１７３との間に発光素子１７５が配置され得る空間が形成されると、第１電極枝部１７１Ｂと第２電極枝部１７３Ｂそれぞれは、いかなる形状にも形成可能である。
【０２６６】
発光素子１７５は、第１電極１７１と第２電極１７３との間に配置される。
発光素子１７５の一端は、第１電極１７１と電気的に接続され、他端は第２電極１７３と電気的に接続される。
複数の発光素子１７５は、互いに離隔して配置される。
複数の発光素子１７５は、実質的に互いに並行するように整列し得る。
発光素子１７５は、ロッド（ｒｏｄ）、ワイヤ（ｗｉｒｅ）、チューブ（ｔｕｂｅ）などの形状を有し得る。
例えば、発光素子１７５は、後述する図６８のように円筒形又はロッド（ｒｏｄ）形状に形成され得る。
ただし、発光素子１７５の形状はこれに限定されず、発光素子１７５は、立方体、直方体、六角柱型など多角柱の形状を有するか、一方向に延長され、外面が部分的に傾斜した形状を有し得る。
【０２６７】
発光素子１７５の長さ（ｈ）は、１μｍ〜１０μｍ又は２μｍ〜６μｍの範囲を有し得、好ましくは３μｍ〜５μｍの長さを有する。
また、発光素子１７５の直径は、３００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲を有し、発光素子１７５の横縦比（Ａｓｐｅｃｔ  ｒａｔｉｏ）は、１．２〜１００であり得る。
第１サブ画素ＰＸ１の発光素子１７５は、第１光を発光し、第２サブ画素ＰＸ２の発光素子１７５は第２光を発光し、第３サブ画素ＰＸ３の発光素子１７５は第３光を発光する。
第１光は中心波長帯域が６２０ｎｍ〜７５２ｎｍの範囲を有する赤色光であり、第２光は中心波長帯域が４９５ｎｍ〜５７０ｎｍの範囲を有する緑色光であり、第３光は中心波長帯域が４５０ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲を有する青色光である。
又は、第１サブ画素ＰＸ１の発光素子１７５、第２サブ画素ＰＸ２の発光素子１７５、及び第３サブ画素ＰＸ３の発光素子１７５は実質的に同じ色の光を発光し得る。
【０２６８】
接触電極１７４は、第１接触電極１７４ａと第２接触電極１７４ｂを含む。
第１接触電極１７４ａと第２接触電極１７４ｂは、第２方向（Ｙ軸方向）に延長した形状を有する。
第１接触電極１７４ａは、第１電極枝部１７１Ｂ上に配置され、第１電極枝部１７１Ｂに接続される。
第１接触電極１７４ａは、発光素子１７５の一端と接触する。
第１接触電極１７４ａは、第１電極枝部１７１Ｂと発光素子１７５との間に配置される。
これにより、発光素子１７５は、第１接触電極１７４ａを介して第１電極１７１と電気的に接続される。
第２接触電極１７４ｂは、第２電極枝部１７３Ｂ上に配置され、第２電極枝部１７３Ｂに接続される。
第２接触電極１７４ｂは、発光素子１７５の他端と接触する。
第２接触電極１７４ｂは、第２電極枝部１７３Ｂと発光素子１７５との間に配置される。
これにより、発光素子１７５は、第２接触電極１７４ｂを介して第２電極１７３と電気的に接続される。
第１接触電極１７４ａの幅（又は第１方向（Ｘ軸方向）の長さ）は、第１電極枝部１７１Ｂの幅（又は第１方向（Ｘ軸方向）の長さ）より大きく、第２接触電極１７４ｂの幅（又は第１方向（Ｘ軸方向）の長さ）は、第２電極枝部１７３Ｂの幅（又は第１方向（Ｘ軸方向）の長さ）より大きくてもよい。
【０２６９】
外部バンク４３０は、サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）の間に配置される。
外部バンク４３０は、第２方向（Ｙ軸方向）に長く延長される。
サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）それぞれの第１方向（Ｘ軸方向）の長さは、外部バンク４３０の間の距離として定義される。
第１導電パターンＡＰは、発光素子１７５が配置される発光領域ＥＭＡを囲むように配置される。
第１導電パターンＡＰは、発光素子１７５を覆わず露出するように配置される。
第１導電パターンＡＰは、第１接触電極１７４ａと第２接触電極１７４ｂの少なくとも一部を覆わず露出するように配置される。
第１導電パターンＡＰは、第１電極枝部１７１Ｂと第２電極枝部１７３Ｂに重畳する。
【０２７０】
第１サブ画素ＰＸ１、第２サブ画素ＰＸ２、及び第３サブ画素ＰＸ３の第１導電パターンＡＰは、図６６のように一つに接続される。
一つの画素ＰＸは、一つの第１導電パターンＡＰを含む。
いずれか一つの画素ＰＸの第１導電パターンＡＰは、いずれか一つの画素ＰＸと第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する他の画素ＰＸの第１導電パターンＡＰと第１接続パターンＣＰ１を介して接続される。
第１導電パターンＡＰは、第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１を介して第１接続パターンＣＰ１に接続される。
第１導電パターンＡＰは、第１サブ画素ＰＸ１と第２サブ画素ＰＸ２との間の外部バンク４３０と第２サブ画素ＰＸ２と第３サブ画素ＰＸ３との間の外部バンク４３０上に配置される。
第１導電パターンＡＰは、第１サブ画素ＰＸ１と第３サブ画素ＰＸ３との間の外部バンク４３０上には配置されない。
第１接続パターンＣＰ１は、第１サブ画素ＰＸ１と第３サブ画素ＰＸ３との間の外部バンク４３０上に配置される。
【０２７１】
図６６では一つの画素ＰＸは、一つの第１導電パターンＡＰを含む場合を例示したが、これに限定されない。
例えば、複数の画素ＰＸは、一つの第１導電パターンＡＰを含み得る。
この場合、第１導電パターンＡＰは、第１サブ画素ＰＸ１と第３サブ画素ＰＸ３との間の外部バンク４３０上に配置され得る。
又は、サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）それぞれが一つの第１導電パターンＡＰを含み得る。
この場合、第１導電パターンＡＰは、第１サブ画素ＰＸ１と第２サブ画素ＰＸ２との間の外部バンク４３０と第２サブ画素ＰＸ２と第３サブ画素ＰＸ３との間の外部バンク４３０上に配置されない。
第１接続パターンＣＰ１は、第１サブ画素ＰＸ１と第２サブ画素ＰＸ２との間の外部バンク４３０と第２サブ画素ＰＸ２と第３サブ画素ＰＸ３との間の外部バンク４３０上に配置され得る。
【０２７２】
第１導電パターンＡＰは、コンタクト穴を介してフィード配線に接続される。
これにより、第１導電パターンＡＰは、フィード配線を介して表示回路ボード又はフレキシブルフィルムに配置されたＲＦ駆動部に接続される。
したがって、第１導電パターンＡＰは、移動通信のためのパッチアンテナ（ｐａｔｃｈ  ａｎｔｅｎｎａ）として用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０２７３】
図６８は、図６６の発光素子を詳細に示す斜視図である。
図６８を参照すると、発光素子１７５は、第１半導体層１７５ａ、第２半導体層１７５ｂ、活性層１７５ｃ、電極層１７５ｄ、及び絶縁膜１７５ｅを含む。
第１半導体層１７５ａは、第１導電型を有する、例えばｎ型半導体である。
第１半導体層１７５ａは、ｎ型ドーピングされたＡｌＧａＩｎＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、及びＩｎＮの内のいずれか一つ以上であり得る。
例えば、発光素子１７５が青色波長帯の光を放出する場合、第１半導体層１７５ａはＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の化学式を有する半導体材料を含む。
第１半導体層１７５ａは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどのような第１導電型ドーパントがドーピングされる。
例えば、第１半導体層１７５ａは、ｎ型Ｓｉドーピングされたｎ−ＧａＮである。
【０２７４】
第２半導体層１７５ｂは、第２導電型を有する、例えばｐ型半導体であり得、第２半導体層１７５ｂは、ｐ型ドーピングされたｌＧａＩｎＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、及びＩｎＮの内のいずれか一つ以上であり得る。
例えば、発光素子１７５が青色又は緑色波長帯の光を放出する場合、第２半導体層１７５ｂは、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の化学式を有する半導体材料を含む。
第２半導体層１７５ｂは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｅ、Ｂａなどのような第２導電型ドーパントがドーピングされ得る。
例示的な実施形態で、第２半導体層１７５ｂは、ｐ型Ｍｇドーピングされたｐ−ＧａＮである。
【０２７５】
活性層１７５ｃは、第１半導体層１７５ａと第２半導体層１７５ｂとの間に配置される。
活性層１７５ｃは、単一又は多重量子井戸構造の物質を含む。
活性層１７５ｃが多重量子井戸構造の物質を含む場合、量子層（Ｑｕａｎｔｕｍ  ｌａｙｅｒ）と井戸層（Ｗｅｌｌ  ｌａｙｅｒ）が互いに交互に複数積層された構造であり得る。
又は活性層１７５ｃは、バンドギャップ（Ｂａｎｄ  ｇａｐ）エネルギーが大きい種類の半導体物質とバンドギャップエネルギーが小さい半導体物質が互いに交互に積層された構造であり得、発光する光の波長帯に応じて他の３族〜５族半導体物質を含むこともできる。
【０２７６】
活性層１７５ｃは、第１半導体層１７５ａ及び第２半導体層１７５ｂを介して印加される電気信号に応じて電子−正孔ペアの結合によって光を発光する。
活性層１７５ｃが放射する光は、青色波長帯の光に限定されず、赤色、緑色波長帯の光を放射することができる。
例えば、活性層１７５ｃが青色波長帯の光を放射する場合、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮなどの物質を含み得る。
特に、活性層１７５ｃが多重量子井戸構造として量子層と井戸層が交互に積層された構造である場合、量子層は、ＡｌＧａＮ又はＡｌＧａＩｎＮ、井戸層はＧａＮ又はＡｌＩｎＮなどのような物質を含む。
例えば、活性層１７５ｃは、量子層としてＡｌＧａＩｎＮを、井戸層としてＡｌＩｎＮを含んで前述したように、活性層１７５ｃは中心波長帯域が４５０ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲を有する青色（Ｂｌｕｅ）光を放射する。
活性層１７５ｃから放射する光は、発光素子１７５の長さ方向の外部面だけでなく、両側面に放射され得る。
すなわち、活性層１７５ｃから放射する光は、一つの方向に方向性が制限されない。
【０２７７】
電極層１７５ｄは、オーミック（Ｏｈｍｉｃ）接触電極であるか、ショットキー（ｓｃｈｏｔｔｋｙ）接触電極であり得る。
発光素子１７５は、少なくとも一つの電極層１７５ｄを含む。
発光素子１７５が第１電極１７１又は第２電極１７３と電気的に接続されるとき、電極層１７５ｄにより発光素子１７５と第１電極１７１又は第２電極１７３との間の抵抗は減少する。
電極層１７５ｄは、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、及びＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ−Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）の内の少なくともいずれか一つのように導電金属物質を含む。
また、電極層１７５ｄは、ｎ型又はｐ型ドーピングされた半導体物質を含むこともできる。
電極層１７５ｄは、同じ物質を含むか、互いに異なる物質を含むこともでき、これに制限されるものではない。
【０２７８】
絶縁膜１７５ｅは、第１半導体層１７５ａ、第２半導体層１７５ｂ、活性層１７５ｃ、、及び電極層１７５ｄの外面を囲むように配置される。
絶縁膜１７５ｅは、第１半導体層１７５ａ、第２半導体層１７５ｂ、活性層１７５ｃ、及び電極層１７５ｄを保護する役割を果たす。
絶縁膜１７５ｅは、発光素子１７５の長さ方向の両端部を露出するように形成される。
すなわち、第１半導体層１７５ａの一端と電極層１７５ｄの一端は、絶縁膜１７５ｅにより覆われず露出する。
絶縁膜１７５ｅは、活性層１７５ｃを含んで第１半導体層１７５ａの一部、及び第２半導体層１７５ｂの一部の外面のみを覆うか、電極層１７５ｄの一部の外面のみを覆い得る。
絶縁膜１７５ｅは、絶縁特性を有する物質、例えばシリコン酸化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｉｄｅ：ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ：ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化アルミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｎｉｔｒｉｄｅ：ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｏｘｉｄｅ：Ａｌ２Ｏ３）などを含み得る。
活性層１７５ｃが発光素子１７５に電気信号が伝達される第１電極１７１及び第２電極１７３と直接接触する場合、発生し得る電気的短絡を防止することができる。
また、絶縁膜１７５ｅは、活性層１７５ｃを含んで発光素子１７５の外面を保護するので、発光効率の低下を防止することができる。
【０２７９】
図６９は、図６６のＸＩＩ−ＸＩＩ’線に沿って切断した一例とＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図６９を参照すると、表示層ＤＩＳＬは、基板ＳＵＢ上に配置される薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬ、発光素子層ＥＭＬ、及び封止層ＴＦＥＬを含む。
図６９の薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬは、図１９を参照して説明した内容と実質的に同一である。
【０２８０】
発光素子層ＥＭＬは、第１内部バンク４１０、第２内部バンク４２０、第１電極１７１、第２電極１７３、接触電極１７４、発光素子１７５、第１絶縁膜１８１、第２絶縁膜１８２、及び第３絶縁膜１８３を含む。
第１内部バンク４１０、第２内部バンク４２０、及び外部バンク４３０は、平坦化膜１６０上に配置される。
第１内部バンク４１０、第２内部バンク４２０、及び外部バンク４３０は、平坦化膜１６０の上面を基準に突出する。
第１内部バンク４１０、第２内部バンク４２０、及び外部バンク４３０は、台形の断面形状を有し得るが、これに限定されない。
第１内部バンク４１０、第２内部バンク４２０、及び外部バンク４３０は、平坦化膜１６０の上面と接する下面、下面と対向する上面、上面と下面との間の側面を含む。
第１内部バンク４１０の側面、第２内部バンク４２０の側面、及び外部バンク４３０の側面は、傾斜するように形成される。
【０２８１】
第１内部バンク４１０と第２内部バンク４２０は、互いに離隔して配置される。
第１内部バンク４１０と第２内部バンク４２０は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成される。
第１内部バンク４１０上には第１電極枝部１７１Ｂが配置され、第２内部バンク４２０上には第２電極枝部１７３Ｂが配置される。
第１電極枝部１７１Ｂは、第１電極幹部１７１Ｓと接続され、第１電極幹部１７１Ｓは第１電極コンタクト穴ＣＮＴＤで薄膜トランジスタ１２０のドレイン電極１２４と接続される。
したがって、第１電極１７１は、薄膜トランジスタ１２０のドレイン電極１２４から電圧の印加を受ける。
【０２８２】
第１電極１７１と第２電極１７３は、反射率が高い導電物質を含む。
例えば、第１電極１７１と第２電極１７３は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などのような金属を含み得る。
これにより、発光素子１７５から発光した光の内、第１電極１７１と第２電極１７３に進行する光は、第１電極１７１と第２電極１７３により反射して発光素子１７５の上部に進行する。
第１電極１７１と第２電極枝部１７３Ｂ上には第１絶縁膜１８１が配置される。
第１絶縁膜１８１は、第１電極幹部１７１Ｓ、第１内部バンク４１０の側面上に配置された第１電極枝部１７１Ｂ、及び第２内部バンク４２０の側面上に配置された第２電極枝部１７３Ｂを覆うように配置される。
第１内部バンク４１０の上面上に配置された第１電極枝部１７１Ｂと第２内部バンク４２０の上面上に配置された第２電極枝部１７３Ｂは第１絶縁膜１８１により覆われず露出する。
第１絶縁膜１８１は、外部バンク４３０上に配置される。
第１絶縁膜１８１は、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成される。
【０２８３】
発光素子１７５は、第１内部バンク４１０と第２内部バンク４２０との間に配置される第１絶縁膜１８１上に配置される。
発光素子１７５の一端は、第１内部バンク４１０と隣接するように配置され、他端は第２内部バンク４２０と隣接するように配置される。
発光素子１７５上には第２絶縁膜１８２が配置される。
第２絶縁膜１８２は、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成される。
第１接触電極１７４ａは、第１絶縁膜１８１により覆われず露出した第１電極枝部１７１Ｂ上に配置され、発光素子１７５の一端に接触する。
第１接触電極１７４ａは、第２絶縁膜１８２上にも配置される。
【０２８４】
外部バンク４３０を覆う第１絶縁膜１８１上には第１接続パターンＣＰ１が配置される。
第１接続パターンＣＰ１は、第１接触電極１７４ａと同じ層に同じ物質で形成される。
第１接触電極１７４ａと第１接続パターンＣＰ１上には第３絶縁膜１８３が配置される。
第３絶縁膜１８３は、第１接触電極１７４ａと第２接触電極１７４ｂを電気的に分離するために第１接触電極１７４ａを覆うように配置される。
第３絶縁膜１８３は、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成される。
第２接触電極１７４ｂは、第１絶縁膜１８１により覆われず露出した第２電極枝部１７３Ｂ上に配置され、発光素子１７５の他端に接触する。
第２接触電極１７４ｂは、第２絶縁膜１８２と第３絶縁膜１８３上にも配置される。
【０２８５】
第１導電パターンＡＰは、第３絶縁膜１８３上に配置される。
第１導電パターンＡＰは、第２接触電極１７４ｂと同じ層に同じ物質で形成される。
第１導電パターンＡＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１接触電極１７４ａ及び第２接触電極１７４ｂと重畳しない。
第１導電パターンＡＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１電極枝部１７１Ｂと重畳する。
第１導電パターンＡＰは、第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１を介して第１接続パターンＣＰ１に接続される。
第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１は、第３絶縁膜１８３を貫いて第１接続パターンＣＰ１を露出する穴である。
【０２８６】
図６９のように、第１導電パターンＡＰは第２接触電極１７４ｂと同じ層に同じ物質で形成され、第１接続パターンＣＰ１は第１接触電極１７４ａと同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンを形成できるので、第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０２８７】
図７０は、図６９のＸＩＩ−ＸＩＩ’線に沿って切断した一例とＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図７０の実施形態は、第１導電パターンＡＰが第１絶縁膜１８１上に配置され、第１接続パターンＣＰ１が第３絶縁膜１８３上に配置される点で図６９の実施形態とは相違する。
図７０を参照すると、第１導電パターンＡＰは、第１絶縁膜１８１上に配置される。
第１導電パターンＡＰは、第１接触電極１７４ａと同じ層に同じ物質で形成される。
第１導電パターンＡＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１接触電極１７４ａ及び第２接触電極１７４ｂと重畳しない。
第１導電パターンＡＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１電極枝部１７１Ｂと重畳する。
【０２８８】
第１接触電極１７４ａと第１導電パターンＡＰ上には第３絶縁膜１８３が配置される。
外部バンク４３０を覆う第３絶縁膜１８３上には第１接続パターンＣＰ１が配置される。
第１接続パターンＣＰ１は、第２接触電極１７４ｂと同じ層に同じ物質で形成される。
第１接続パターンＣＰ１は、第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１を介して第１導電パターンＡＰに接続される。
第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１は、第３絶縁膜１８３を貫いて第１導電パターンＡＰを露出する穴である。
【０２８９】
図７０のように、第１導電パターンＡＰは、第１接触電極１７４ａと同じ層に同じ物質で形成され、第１接続パターンＣＰ１は第２接触電極１７４ｂと同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰを形成できるので、第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０２９０】
図７１は、図６９のＸＩＩ−ＸＩＩ’線に沿って切断した一例とＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図７１の実施形態は、第１接触電極１７４ａ、第２接触電極１７４ｂ、及び第１導電パターンＡＰが第１絶縁膜１８１上に配置され、第１接続パターンＣＰ１が第１絶縁膜１８１により覆われるように配置される点で図６９の実施形態とは相違する。
図７１を参照すると、第１接続パターンＣＰ１は、外部バンク４３０上に配置される。
第１接続パターンＣＰ１は、第１電極１７１及び第２電極１７３と同じ層に同じ物質で形成される。
第１接続パターンＣＰ１上には第１絶縁膜１８１が配置される。
【０２９１】
第１接触電極１７４ａ、第２接触電極１７４ｂ、及び第１導電パターンＡＰは、第１絶縁膜１８１上に配置される。
第１接触電極１７４ａ、第２接触電極１７４ｂ、及び第１導電パターンＡＰは、第３絶縁膜１８３により覆われる。
第１導電パターンＡＰは、第１接触電極１７４ａ及び第２接触電極１７４ｂと同じ層に同じ物質で形成される。
第１導電パターンＡＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１接触電極１７４ａ及び第２接触電極１７４ｂと重畳しない。
第１導電パターンＡＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１電極枝部１７１Ｂと重畳する。
第１導電パターンＡＰは、第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１を介して第１接続パターンＣＰ１に接続される。
第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１は、第１絶縁膜１８１を貫いて第１接続パターンＣＰ１を露出する穴である。
【０２９２】
図７３のように、第１導電パターンＡＰは、第１接触電極１７４ａ及び第２接触電極１７４ｂと同じ層に同じ物質で形成され、第１接続パターンＣＰ１は、第１電極１７１及び第２電極１７３と同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰを形成できるので、第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０２９３】
図７２は、図６５の表示領域の画素の一例を示す平面図であり、図７３は、図７２のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ’線に沿って切断した一例とＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図７２及び図７３の実施形態は、第１導電パターンＡＰが、第１電極１７１及び第２電極１７３と同じ層に同じ物質で形成され、第１接続パターンＣＰ１が、第１接触電極１７４ａと同じ層に同じ物質で形成される点で図６６及び図６９の実施形態とは相違する。
【０２９４】
図７２及び図７３を参照すると、サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）それぞれは、複数の第１導電パターンＡＰを含み、複数の第１導電パターンＡＰそれぞれは、第１接続パターンＣＰ１を介して接続される。
例えば、サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）それぞれは、図７４のように２個の第１導電パターンＡＰを含む。
第１接続パターンＣＰ１は、サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）それぞれの第１導電パターンＡＰを接続するだけでなく、第１方向（Ｘ軸方向）に隣接するサブ画素（ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３）の第１導電パターンＡＰを接続する。
【０２９５】
第１導電パターンＡＰのいずれか一つの第１導電パターンＡＰは、第１電極枝部１７１Ｂのいずれか一つの第１電極枝部１７１Ｂと外部バンク４３０との間に配置される。
第１導電パターンＡＰの内の他の第１導電パターンＡＰは、第１電極枝部１７１Ｂの内の他の第１電極枝部１７１Ｂと外部バンク４３０との間に配置される。
第１導電パターンＡＰそれぞれは、第１電極枝部１７１Ｂと第２電極幹部１７３Ｓとの間に配置される。
第２電極枝部１７３Ｂは、第１導電パターンＡＰの間に配置される。
第１導電パターンＡＰは、平坦化膜１６０上に配置される。
第１導電パターンＡＰは、第１電極１７１及び第２電極１７３と同じ層に同じ物質で形成される。
第１導電パターンＡＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１電極１７１、第２電極１７３、第１接触電極１７４ａ、及び第２接触電極１７４ｂと重畳しない。
第１導電パターンＡＰ上には第１絶縁膜１８１が配置される。
【０２９６】
外部バンク４３０を覆う第１絶縁膜１８１上には第１接続パターンＣＰ１が配置される。
第１接続パターンＣＰ１は、第１接触電極１７４ａと同じ層に同じ物質で形成される。
第１接触電極１７４ａと第１接続パターンＣＰ１上には第３絶縁膜１８３が配置される。
第１接続パターンＣＰ１は、第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１を介して第１導電パターンＡＰに接続される。
第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１は、第１絶縁膜１８１を貫いて第１接続パターンＣＰ１を露出する穴である。
第１接続パターンＣＰ１は、第２電極枝部１７３Ｂと交差する。
【０２９７】
図７２及び図７３のように、第１導電パターンＡＰは、第１電極１７１及び第２電極１７３と同じ層に同じ物質で形成され、第１接続パターンＣＰ１は、第１接触電極１７４ａと同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰを形成できるので、第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０２９８】
図７４は、図７２のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ’線に沿って切断した一例とＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図７４の実施形態は、第１接続パターンＣＰ１が第３絶縁膜１８３上に配置される点で図７３の実施形態とは相違する。
図７４を参照すると、第１接続パターンＣＰ１は、外部バンク４３０を覆う第３絶縁膜１８３上に配置される。
第１接続パターンＣＰ１は、第２接触電極１７４ｂと同じ層に同じ物質で形成される。
第１接続パターンＣＰ１は、第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１を介して第１導電パターンＡＰに接続される。
第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１は、第１絶縁膜１８１と第３絶縁膜１８３を貫いて第１導電パターンＡＰを露出する穴である。
【０２９９】
図７４のように、第１導電パターンＡＰは、第１電極１７１及び第２電極１７３と同じ層に同じ物質で形成され、第１接続パターンＣＰ１は、第２接触電極１７４ｂと同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰを形成できるので、第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０３００】
図７５は、図７２のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ’線に沿って切断した一例とＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図７５の実施形態は、第１接触電極１７４ａ、第２接触電極１７４ｂ、及び第１接続パターンＣＰ１が、第１絶縁膜１８１上に配置される点で図７３の実施形態とは相違する。
図７５を参照すると、第１接続パターンＣＰ１は、第１接触電極１７４ａ及び第２接触電極１７４ｂと同じ層に同じ物質で形成される。
【０３０１】
第１接触電極１７４ａ、第２接触電極１７４ｂ、及び第１接続パターンＣＰ１は、第３絶縁膜１８３により覆われる。
第１接続パターンＣＰ１は、外部バンク４３０を覆う第１絶縁膜１８１上に配置される。
第１接続パターンＣＰ１は、第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１を介して第１導電パターンＡＰに接続される。
第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１は、第１絶縁膜１８１を貫いて第１導電パターンＡＰを露出する穴である。
【０３０２】
図７５のように、第１導電パターンＡＰは、第１電極１７１及び第２電極１７３と同じ層に同じ物質で形成され、第１接続パターンＣＰ１は、第１接触電極１７４ａ及び第２接触電極１７４ｂと同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰを形成できるので、第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０３０３】
図７６は、図６５の表示領域の画素の一例を示す平面図であり、図７７は、図７６のＸＸ−ＸＸ’線に沿って切断した一例とＸＸＩ−ＸＸＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図７６及び図７７の実施形態は、第１接触電極１７４ａと接触する遮蔽電極１７７を含み、第１導電パターンＡＰが遮蔽電極１７７と同じ物質で形成される点で図６６及び図６９の実施形態とは相違する。
図７６及び図７７を参照すると、遮蔽電極１７７は、第１接触電極１７４ａの一部と重畳する。
第１接触電極１７４ａの一側は、発光素子１７５に接触し、第１接触電極１７４ａの他側は遮蔽電極１７７に接触する。
【０３０４】
遮蔽電極１７７は、第１内部バンク４１０の上面と側面上に配置された第１絶縁膜１８１上に配置される。
遮蔽電極１７７は、第１内部バンク４１０の上面で第１接触電極１７４ａと接触する。
第１接触電極１７４ａは、第１内部バンク４１０の上面で遮蔽電極１７７上に配置される。
遮蔽電極１７７は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）の中のいずれか一つ又はそれらの合金からなる単一層又は多重層で形成され得る。
【０３０５】
第１接触電極１７４ａと遮蔽電極１７７上には第３絶縁膜１８３が配置される。
第１接触電極１７４ａと遮蔽電極１７７は、第３絶縁膜１８３により覆われる。
第１導電パターンＡＰは、発光部（ＥＭＡ１、ＥＭＡ２、ＥＭＡ３）を囲むように配置される。
第１導電パターンＡＰは、遮蔽電極１７７と離隔して配置される。
第１導電パターンＡＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１接触電極１７４ａ、第２接触電極１７４ｂ、及び遮蔽電極１７７と重畳しない。
第１導電パターンＡＰは、遮蔽電極１７７と同じ層に同じ物質で形成される。
第１導電パターンＡＰは、第１絶縁膜１８１上に配置される。
第１導電パターンＡＰ上には第３絶縁膜１８３が配置される。
【０３０６】
外部バンク４３０上には第１接続パターンＣＰ１が配置される。
第１接続パターンＣＰ１は、第１電極１７１及び第２電極１７３と同じ層に同じ物質で形成される。
第１接続パターンＣＰ１上には第１絶縁膜１８１が配置される。
第１接続パターンＣＰ１は、第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１を介して第１導電パターンＡＰに接続される。
第１接続コンタクト穴ＣＮＴＣ１は、第１絶縁膜１８１を貫いて第１接続パターンＣＰ１を露出する穴である。
【０３０７】
図７６及び図７７のように、第１導電パターンＡＰは、遮蔽電極１７７と同じ層に同じ物質で形成され、第１接続パターンＣＰ１は、第１電極１７１及び第２電極１７３と同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰを形成できるので、第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０３０８】
図７８は、図６５の表示領域の画素の一例を示す平面図であり、図７９は、図７８のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図７８及び図７９の実施形態は、第１導電パターンＡＰが、封止層ＴＦＥＬ上に配置される点で図６６及び図６９の実施形態とは相違する。
図７８及び図７９を参照すると、第１導電パターンＡＰは、封止層ＴＦＥＬ上に形成されるので、サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）の発光部（ＥＭＡ１、ＥＭＡ２、ＥＭＡ３）を除いた残り領域と重畳するように配置される。
【０３０９】
第１導電パターンＡＰは、第１電極１７１の第１電極幹部１７１Ｓと第１電極枝部１７１Ｂ、第２電極１７３の第２電極幹部１７３Ｓと第２電極枝部１７３Ｂ、及び外部バンク４３０と重畳する。
第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
第１導電パターンＡＰは、反射率が高い導電物質を含み得る。
例えば、第１導電パターンＡＰは、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などのような金属を含み得る。
これにより、表示パネル３００の上部から入射される光は、第１導電パターンＡＰにより反射して外部に出力され得る。
したがって、表示パネル３００は、表示パネル３００の上面の事物又は背景を反射できる反射型表示パネルであり得る。
【０３１０】
図７８及び図７９のように、第１導電パターンＡＰが封止層ＴＦＥＬ上に配置されるので、第１導電パターンＡＰは、第１電極１７１、第２電極１７３、第１接触電極１７４ａ、及び第２接触電極１７４ｂと２００μｍ以上離隔する。
これにより、第１電極１７１、第２電極１７３、第１接触電極１７４ａ、及び第２接触電極１７４ｂが、第１導電パターンＡＰの電磁波によって影響を受けることを減らすことができる。
【０３１１】
図８０は、図７８のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ’線に沿って切断した一例を示す断面図である。
図８０の実施形態は、第１導電パターンＡＰと重なる第２導電パターンＧＰが追加される点で図７９の実施形態とは相違する。
図８０を参照すると、接地電圧が印加される第２導電パターンＧＰは、封止層ＴＦＥＬ上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）の発光部（ＥＭＡ１、ＥＭＡ２、ＥＭＡ３）を除いた残り領域と重畳するように配置される。
第２導電パターンＧＰは、第１電極１７１の第１電極幹部１７１Ｓと第１電極枝部１７１Ｂ、第２電極１７３の第２電極幹部１７３Ｓと第２電極枝部１７３Ｂ、及び外部バンク４３０と重畳する。
【０３１２】
第２導電パターンＧＰは、導電物質を含み得る。
例えば、第２導電パターンＧＰは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）の中のいずれか一つ又はそれらの合金からなる単一層又は多重層で形成され得る。
又は第２導電パターンＧＰは、反射率が高い導電物質を含み得る。
例えば、第１導電パターンＡＰは、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などのような金属を含み得る。
第２導電パターンＧＰが反射率が高い導電物質を含む場合、第２導電パターンＧＰと第１導電パターンＡＰの二つの反射層を用いて表示パネル３００の上部から入射される光を反射することができる。
【０３１３】
第２導電パターンＧＰ上には第４絶縁膜１８４が配置される。
第４絶縁膜１８４は、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成され得る。
第４絶縁膜１８４上には第１導電パターンＡＰが配置される。
第１導電パターンＡＰは、第３方向（Ｚ軸方向）で第２導電パターンＧＰと重畳するように配置される。
【０３１４】
図８０のように、第２導電パターンＧＰが、封止層ＴＦＥＬ上に配置され、第１導電パターンＡＰが、封止層ＴＦＥＬ上に配置されるので、第１導電パターンＡＰの電磁波が第２導電パターンＧＰにより遮断される。
したがって、第１電極１７１、第２電極１７３、第１接触電極１７４ａ、及び第２接触電極１７４ｂが第１導電パターンＡＰの電磁波によって影響を受けることを減らすことができる。
【０３１５】
図８１は、図６５の表示領域の画素の一例を示す平面図である。
図８１の実施形態は、第１導電パターンＡＰが複数のスリットｓｌｔを含む点で図８０の実施形態とは相違する。
図８１を参照すると、第１導電パターンＡＰの複数のスリットｓｌｔそれぞれは、第２方向（Ｙ軸方向）に対して傾斜するように形成される。
【０３１６】
複数のスリットｓｌｔによって、第１導電パターンＡＰと第１電極１７１との間の重畳する面積と第１導電パターンＡＰと第２電極１７３との間の重畳する面積は減少する。
これにより、第１導電パターンＡＰと第１電極１７１との間の寄生容量と、第１導電パターンＡＰと第２電極１７３との間の寄生容量を減らすことができる。
したがって、第１電極１７１と第２電極１７３が第１導電パターンＡＰの電磁波によって影響を受けることを減らすことができる。
【０３１７】
図８１では複数のスリットｓｌｔが第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する発光部（ＥＭＡ１、ＥＭＡ２、ＥＭＡ３）の間に配置される場合を例示したが、複数のスリットｓｌｔの配置位置はこれに限定されない。
一方、図８０及び図８１で封止層ＴＦＥＬ上には第１導電パターンＡＰの代わりに、第１導電パターンＡＰを含むセンサ電極層ＳＥＮＬが配置され得る。
【０３１８】
図８２は、図６５の表示領域の画素配置の一例を示す平面図である。
図８２を参照すると、表示領域ＤＡは、画素ＰＸ、非発光部ＮＥＡ、及び透過部ＴＡを含む。
画素ＰＸＧそれぞれは、第１サブ画素ＰＸ１、第２サブ画素ＰＸ２、及び第３サブ画素ＰＸ３を含む。
第１サブ画素ＰＸ１、第２サブ画素ＰＸ２、及び第３サブ画素ＰＸ３それぞれは、光を発光する発光素子を含む。
発光素子は、有機発光層を含む有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、超小型発光ダイオード（ｍｉｃｒｏ  ＬＥＤ）、量子ドット発光層を含む量子ドット発光素子（Ｑｕａｎｔｕｍ  ｄｏｔ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、又は無機半導体を含む無機発光ダイオードであり得る。
【０３１９】
第１サブ画素ＰＸ１は第１光を発光し、第２サブ画素ＰＸ２は第２光を発光し、第３サブ画素ＰＸ３は第３光を発光する。
第１光は赤色光、第２光は緑色光、第３光は青色光であり得るが、これに限定されない。
又は、サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）は、同じ色の光を発光することもできる。
サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）それぞれは、第１方向（Ｘ軸方向）の長辺と第２方向（Ｙ軸方向）の短辺を有する長方形形状に形成されるが、これに限定されない。
サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）は、第２方向（Ｙ軸方向）に配列されるが、これに限定されない。
【０３２０】
非発光部ＮＥＡは、サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）それぞれの発光素子を駆動するための配線が配置される領域である。
非発光部ＮＥＡは、サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）を囲むように配置される。
非発光部ＮＥＡは、互いに隣接するサブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）の間に配置される。
非発光部ＮＥＡは、透過部ＴＡとサブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）それぞれとの間に配置される。
非発光部ＮＥＡは、隣接する透過部ＴＡの間に配置される。
【０３２１】
透過部ＴＡは、入射される光をほとんどそのまま通過させる領域である。
透過部ＴＡは、第２方向（Ｙ軸方向）に配列される。
透過部ＴＡによって表示パネル３００の上面で表示パネル３００の下面に位置した事物又は背景を見ることができる。
透過部ＴＡには第１導電パターンＡＰが配置される。
第１導電パターンＡＰは、メッシュ構造又は網構造を有する。
第１導電パターンＡＰがユーザに視認されることを防止するために第１導電パターンＡＰそれぞれの幅は、２μｍ以下で形成され得る。
図８２ではすべての透過部ＴＡに第１導電パターンＡＰが配置される場合を例示したが、これに限定されない。
第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡの一部に形成され、残りには形成されなくてもよい。
【０３２２】
第１導電パターンＡＰは、非発光部ＮＥＡでフィード配線に接続される。
したがって、第１導電パターンＡＰは、フィード配線を介して表示回路ボード３１０又は第１フレキシブルフィルム３４０に配置されたＲＦ駆動部３５０に接続される。
したがって、第１導電パターンＡＰは、移動通信のためのパッチアンテナ（ｐａｔｃｈ  ａｎｔｅｎｎａ）として用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０３２３】
図８２のように、表示パネル３００が透過部ＴＡを含む透明表示パネルとして具現されたり、表示パネル３００の下面に配置されるセンサ装置と重なる透過部ＴＡを含む場合、表示パネル３００の透過部ＴＡに形成された第１導電パターンＡＰをアンテナとして用いることができる。
【０３２４】
図８３は、図８２のサブ画素の一例と透過領域の一例を示す断面図である。
図８３を参照すると、表示層ＤＩＳＬは、基板ＳＵＢ上に配置される薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬ、発光素子層ＥＭＬ、及び封止層ＴＦＥＬを含む。
図８３のサブ画素の薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬ、発光素子層ＥＭＬ、及び封止層ＴＦＥＬは、図２１を参照して説明した内容と実質的に同一である。
【０３２５】
第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡで第１電極１７１と同じ層に同じ物質で配置される。
第１導電パターンＡＰは、平坦化膜１６０上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、透過部ＴＡで第３方向（Ｚ軸方向）に第１導電パターンＡＰと重畳するように配置される。
第２導電パターンＧＰは省略することができる。
第２導電パターンＧＰは、薄膜トランジスタ１２０のソース電極１２３及びドレイン電極１２４と同じ層に同じ物質で配置される。
第２導電パターンＧＰは、第１層間絶縁膜１４１上に配置される。
又は、第２導電パターンＧＰは、薄膜トランジスタ１２０のゲート電極１２２と同じ層に同じ物質で配置される。
第２導電パターンＧＰは、ゲート絶縁膜１３０上に配置される。
【０３２６】
図８３のように、第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡで第１電極１７１と同じ層に同じ物質で形成され、第２導電パターンＧＰは、薄膜トランジスタ１２０のソース電極１２３及びドレイン電極１２４と同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰを形成できるので、第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０３２７】
図８４は、図８２の透過領域の一例を示す断面図である。
図８４を参照すると、第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡで薄膜トランジスタ１２０のソース電極１２３及びドレイン電極１２４と同じ層に同じ物質で配置される。
第１導電パターンＡＰは、第２層間絶縁膜１４２上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、透過部ＴＡで第３方向（Ｚ軸方向）に第１導電パターンＡＰと重なるように配置される。
第２導電パターンＧＰは省略することができる。
第２導電パターンＧＰは、キャパシタ電極１２５と同じ層に同じ物質で配置される。
第２導電パターンＧＰは、第１層間絶縁膜１４１上に配置される。
【０３２８】
図８４のように、第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡで薄膜トランジスタ１２０のソース電極１２３及びドレイン電極１２４と同じ層に同じ物質で形成され、第２導電パターンＧＰは、キャパシタ電極１２５と同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰを形成できるので、第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０３２９】
図８５は、図８２の透過領域の一例を示す断面図である。
図８５を参照すると、第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡでキャパシタ電極１２５と同じ層に同じ物質で配置される。
第１導電パターンＡＰは、第１層間絶縁膜１４１上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、透過部ＴＡで第３方向（Ｚ軸方向）に第１導電パターンＡＰと重畳するように配置される。
第２導電パターンＧＰは省略することができる。
第２導電パターンＧＰは、薄膜トランジスタ１２０のゲート電極１２２と同じ層に同じ物質で配置される。
第２導電パターンＧＰは、ゲート絶縁膜１３０上に配置される。
【０３３０】
図８５のように、第１導電パターンＡＰは透過部ＴＡでキャパシタ電極１２５と同じ層に同じ物質で形成され、第２導電パターンＧＰは薄膜トランジスタ１２０のゲート電極１２２と同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰを形成できるので、第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０３３１】
図８６は、図８２の透過領域の一例を示す断面図である。
図８６を参照すると、第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡで薄膜トランジスタ１２０のゲート電極１２２と同じ層に同じ物質で配置される。
第１導電パターンＡＰは、ゲート絶縁膜１３０上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、透過部ＴＡで第３方向（Ｚ軸方向）に第１導電パターンＡＰと重畳するように配置される。
第２導電パターンＧＰは省略することができる。
第２導電パターンＧＰは、第１遮光層ＢＭＬ１と同じ層に同じ物質で配置される。
第２導電パターンＧＰは、基板ＳＵＢ上に配置され、第２導電パターンＧＰ上には第１バッファー膜ＢＦ１が配置される。
【０３３２】
図８６のように、第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡで薄膜トランジスタ１２０のゲート電極１２２と同じ層に同じ物質で形成され、第２導電パターンＧＰは、第１遮光層ＢＭＬ１と同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０３３３】
図８７は、図８２の透過領域の一例を示す断面図である。
図８７を参照すると、第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡで薄膜トランジスタ１２０のアクティブ層１２１と同じ層に同じ物質で配置される。
この場合、第１導電パターンＡＰは、導体化する。
第１導電パターンＡＰは、第１バッファー膜ＢＦ１上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、透過部ＴＡで第３方向（Ｚ軸方向）に第１導電パターンＡＰと重畳するように配置される。
第２導電パターンＧＰは省略することができる。
第２導電パターンＧＰは、第１遮光層ＢＭＬ１と同じ層に同じ物質で配置される。
第２導電パターンＧＰは、基板ＳＵＢ上に配置され、第２導電パターンＧＰ上には第１バッファー膜ＢＦ１が配置される。
【０３３４】
図８７のように、第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡで薄膜トランジスタ１２０のアクティブ層１２１と同じ層に同じ物質で形成され、第２導電パターンＧＰは第１遮光層ＢＭＬ１と同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０３３５】
図８８は、図８２の透過領域の一例を示す断面図である。
図８８を参照すると、第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡで第１遮光層ＢＭＬ１と同じ層に同じ物質で形成される。
第１導電パターンＡＰは、基板ＳＵＢ上に配置され、第２導電パターンＧＰ上には第１バッファー膜ＢＦ１が配置される。
第２導電パターンＧＰは、透過部ＴＡで第３方向（Ｚ軸方向）に第１導電パターンＡＰと重畳するように配置される。
第２導電パターンＧＰは省略することができる。
第２導電パターンＧＰは、基板ＳＵＢの一面の反対面である他面上に配置され、第２導電パターンＧＰ上には第３バッファー膜ＢＦ３が配置される。
第１導電パターンＡＰは、移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０３３６】
図８９は、図８２のサブ画素の一例と透過領域の一例を示す断面図である。
図８９を参照すると、薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬは、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ  ｓｉｌｉｃｏｎ）からなるアクティブ層１２１ａを含む第１薄膜トランジスタ１２０ａと酸化物半導体からなるアクティブ層１２１ｂを含む第２薄膜トランジスタ１２０ｂを含む。
【０３３７】
第１薄膜トランジスタ１２０ａは、第１アクティブ層１２１ａ、第１ゲート電極１２２ａ、第１ソース電極１２３ａ、及び第１ドレイン電極１２４ａを含む。
第２薄膜トランジスタ１２０ｂは、第２アクティブ層１２１ｂ、第２ゲート電極１２２ｂ、第２ソース電極１２３ｂ、及び第２ドレイン電極１２４ｂを含む。
第１アクティブ層１２１ａは、第１バッファー膜ＢＦ１上に配置される。
第１アクティブ層１２１ａは、多結晶シリコン又は低温多結晶シリコン（ｌｏｗ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｐｏｌｙ  ｓｉｌｉｃｏｎ，ＬＴＰＳ）からなる。
【０３３８】
第１アクティブ層１２１ａ上には第１ゲート絶縁膜１３１が配置される。
第１ゲート絶縁膜１３１は、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成され得る。
第１ゲート電極１２２ａは、第１ゲート絶縁膜１３１上に配置される。
第１ゲート電極１２２ａは、第３方向（Ｚ軸方向）で第１アクティブ層１２１ａと重畳する。
【０３３９】
第１ゲート電極１２２ａ上には第１層間絶縁膜１４１が配置される。
第１層間絶縁膜１４１上には遮光層ＢＭＬが配置される。
遮光層ＢＭＬは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）の中のいずれか一つ又はそれらの合金からなる単一層又は多重層で形成され得る。
遮光層ＢＭＬ上には第２層間絶縁膜１４２が配置される。
【０３４０】
第２層間絶縁膜１４２上には第２アクティブ層１２１ｂが配置される。
第２アクティブ層１２１ｂは、第３方向（Ｚ軸方向）で遮光層ＢＭＬと重畳する。
第２アクティブ層１２１ｂは、酸化物半導体からなる。
第２アクティブ層１２１ｂ上には第２ゲート電極１２２ｂが配置される。
第２ゲート電極１２２ｂは、第３方向（Ｚ軸方向）で第２アクティブ層１２１ｂと重畳する。
第１ゲート電極１２２ａと第２ゲート電極１２２ｂは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）の中のいずれか一つ又はそれらの合金からなる単一層又は多重層で形成され得る。
【０３４１】
第２ゲート電極１２２ｂ上には第３層間絶縁膜１４３が配置される。
第１層間絶縁膜１４１、第２層間絶縁膜１４２、及び第３層間絶縁膜１４３は、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成され得る。
第３層間絶縁膜１４３上には第１ソース電極１２３ａ、第２ソース電極１２３ｂ、第１ドレイン電極１２４ａ、及び第２ドレイン電極１２４ｂが形成される。
第１ソース電極１２３ａと第１ドレイン電極１２４ａは、第１層間絶縁膜１４１、第２層間絶縁膜１４２、及び第３層間絶縁膜１４３を貫くコンタクト穴を介して第１アクティブ層１２１ａに接続される。
第２ソース電極１２３ｂと第２ドレイン電極１２４ｂは、第３層間絶縁膜１４３を貫くコンタクト穴を介して第２アクティブ層１２１ｂに接続される。
【０３４２】
第１ソース電極１２３ａ、第２ソース電極１２３ｂ、第１ドレイン電極１２４ａ、及び第２ドレイン電極１２４ｂは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）の中のいずれか一つ又はそれらの合金からなる単一層又は多重層で形成され得る。
第１ソース電極１２３ａ、第２ソース電極１２３ｂ、第１ドレイン電極１２４ａ、及び第２ドレイン電極１２４ｂ上には第１薄膜トランジスタ１２０ａと第２薄膜トランジスタ１２０ｂによる段差を平坦にするための平坦化膜１６０が形成される。
平坦化膜１６０は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成され得る。
【０３４３】
薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬ上には発光素子層ＥＭＬと封止層ＴＦＥＬが形成される。
発光素子層ＥＭＬと封止層ＴＦＥＬは、図２１を参照して説明した内容と実質的に同一である。
第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡで第１電極１７１と同じ層に同じ物質で配置される。
第１導電パターンＡＰは、平坦化膜１６０上に配置される。
第２導電パターンＧＰは、透過部ＴＡで第３方向（Ｚ軸方向）に第１導電パターンＡＰと重畳するように配置される。
第２導電パターンＧＰは省略することができる。
第２導電パターンＧＰは、第１ソース電極１２３ａ、第２ソース電極１２３ｂ、第１ドレイン電極１２４ａ、及び第２ドレイン電極１２４ｂと同じ層に同じ物質で配置される。
第２導電パターンＧＰは、第３層間絶縁膜１４３上に配置される。
又は、第２導電パターンＧＰは、第２ゲート電極１２２ｂ、第２遮光層ＢＭＬ２、第１ゲート電極１２２ａ、及び第１遮光層ＢＭＬ１の内のいずれか一つと同じ層に同じ物質で配置される。
【０３４４】
又は、第１導電パターンＡＰは、第１ソース電極１２３ａ、第２ソース電極１２３ｂ、第１ドレイン電極１２４ａ、及び第２ドレイン電極１２４ｂと同じ層に同じ物質で配置される。
この場合、第２導電パターンＧＰは、第２ゲート電極１２２ｂ、第２遮光層ＢＭＬ２、第１ゲート電極１２２ａ、及び第１遮光層ＢＭＬ１の内のいずれか一つと同じ層に同じ物質で配置される。
又は、第１導電パターンＡＰは、第２ゲート電極１２２ｂと同じ層に同じ物質で配置される。
この場合、第２導電パターンＧＰは、第２遮光層ＢＭＬ２、第１ゲート電極１２２ａ、及び第１遮光層ＢＭＬ１の内のいずれか一つと同じ層に同じ物質で配置される。
【０３４５】
又は、第１導電パターンＡＰは、遮光層ＢＭＬと同じ層に同じ物質で配置される。
この場合、第２導電パターンＧＰは、第１ゲート電極１２２ａ及び第１遮光層ＢＭＬ１と同じ層に同じ物質で配置される。
又は、第１導電パターンＡＰは、第１ゲート電極１２２ａ及び第１アクティブ層１２１ａと同じ層に同じ物質で配置される。
この場合、第２導電パターンＧＰは、第１遮光層ＢＭＬ１と同じ層に同じ物質で配置される。
【０３４６】
図８９のように、第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡで第１電極１７１と同じ層に同じ物質で形成され、第２導電パターンＧＰは、薄膜トランジスタ１２０のソース電極１２３及びドレイン電極１２４と同じ層に同じ物質で形成される。
したがって、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰを形成できるので、第１導電パターンＡＰを移動通信のためのパッチアンテナとして用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０３４７】
また、図８９のように、薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬは、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ  ｓｉｌｉｃｏｎ）からなるアクティブ層１２１ａを含む第１薄膜トランジスタ１２０ａと酸化物半導体からなるアクティブ層１２１ｂを含む第２薄膜トランジスタ１２０ｂを含む場合、第１薄膜トランジスタ１２０ａと第２薄膜トランジスタ１２０ｂの間隔を狭めることによって、非発光部ＮＥＡを減らし得るので、透過部ＴＡの面積が広くなる。
透過部ＴＡの面積が広くなることによって、第１導電パターンＡＰが配置され得る面積を広くすることができる。
【０３４８】
図９０は、本発明の一実施形態による表示装置の概略構成を示す分解斜視図である。
図９０の実施形態は、表示パネル３００の表示領域ＤＡがメイン領域ＭＡＡとサブ領域ＳＤＡを含む点で図２の実施形態とは相違する。
図９０を参照すると、表示パネル３００は、メイン領域ＭＡＡとサブ領域ＳＤＡを含む。
【０３４９】
メイン領域ＭＡＡは、カバーウィンドウ１００の第１透過部ＤＡ１００と重畳するように配置される。
サブ領域ＳＤＡは、カバーウィンドウ１００の第２透過部ＳＤＡ１００と重畳するように配置される。
サブ領域ＳＤＡは、メイン領域ＭＡＡの一側、例えば図２のように図上で上側に配置されるが、これに限定されない。
例えば、サブ領域ＳＤＡは、メイン領域ＭＡＡにより囲まれるように配置することもでき、表示パネル３００のコーナーに隣接するように配置することもできる。
また、図２では表示パネル３００が一つのサブ領域ＳＤＡを含む場合を例示したが、これに限定されない。
例えば、表示パネル３００は複数のサブ領域ＳＤＡを含み得る。
【０３５０】
ブラケット６００には第３方向（Ｚ軸方向）で表示パネル３００のサブ領域ＳＤＡと重畳するセンサ穴ＳＨが形成される。
センサ穴ＳＨは、第３方向（Ｚ軸方向）でメイン回路ボード７００のセンサ装置（７４１、７４２、７４３、７４４）と重畳する。
したがって、表示パネル３００のサブ領域ＳＤＡは、第３方向（Ｚ軸方向）でメイン回路ボード７００のセンサ装置（７４１、７４２、７４３、７４４）と重畳する。
すなわち、表示パネル３００のサブ領域ＳＤＡは、メイン回路ボード７００のセンサ装置（７４１、７４２、７４３、７４４）上に配置される。
ブラケット６００にはセンサ穴ＳＨが形成しなくてもよく、この場合、ブラケット６００は第３方向（Ｚ軸方向）で表示パネル３００のセンサ領域ＳＤＡと重畳しないように配置される。
【０３５１】
近接センサ７４１、照度センサ７４２、虹彩センサ７４３、及び前面カメラセンサ７４４は、メインプロセッサ７１０の一面上に配置される。
表示パネル３００のサブ領域ＳＤＡは、図９１及び図９２のように透過部ＴＡを含むので、近接センサ７４１は表示装置１０の上面に近接するように配置された物体を検出することができ、照度センサ７４２は表示装置１０の上面に入射される光の明るさを感知することができる。
また、虹彩センサ７４３は表示装置１０の上面上に配置された人の虹彩を撮影することができ、前面カメラセンサ７４４は表示装置１０の上面上に配置された物体を撮影することができる。
表示パネル３００のサブ領域ＳＤＡと重畳して配置されるセンサは、近接センサ７４１、照度センサ７４２、虹彩センサ７４３、及び前面カメラセンサ７４４に限定されない。
近接センサ７４１、照度センサ７４２、虹彩センサ７４３、及び前面カメラセンサ７４４以外の他のセンサ装置が、第３方向（Ｚ軸方向）で表示パネル３００のサブ領域ＳＤＡと重畳して配置され得る。
【０３５２】
図９０のように、センサ装置（７４１、７４２、７４３、７４４）が表示パネル３００のサブ領域ＳＤＡに重畳して配置されるので、カバーウィンドウ１００の遮光部ＮＤＡ１００を減らすことができる。
したがって、表示装置１０のベゼルを最小化することができる。
【０３５３】
図９１は、表示パネルのサブ領域の画素の一例を示す平面図である。
図９１を参照すると、表示領域ＤＡは、画素ＰＸ、非発光部ＮＥＡ、及び透過部ＴＡを含む。
図９１の実施形態は、画素ＰＸそれぞれが４個のサブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４）を含み、透過部ＴＡが複数の画素ＰＸを含むグループの画素ＰＸＧの４側を囲むように配置される点で図８２の実施形態とは相違する。
【０３５４】
画素ＰＸそれぞれは、第１サブ画素ＰＸ１、第２サブ画素ＰＸ２、第３サブ画素ＰＸ３、及び第４サブ画素ＰＸ４を含む。
第１サブ画素ＰＸ１は第１光を発光し、第２サブ画素ＰＸ２と第４サブ画素ＰＸ４は第２光を発光し、第３サブ画素ＰＸ３は第３光を発光する。
第１光は赤色光、第２光は緑色光、第３光は青色光であり得るが、これに限定されない。
又はサブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４）は同じ色の光を発光することもできる。
サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４）それぞれは、第２方向（Ｙ軸方向）の長辺と第１方向（Ｘ軸方向）の短辺を有する長方形形状に形成されるが、これに限定されない。
グループの画素ＰＸＧが４個の画素ＰＸを含む場合を例示したが、これに限定されない。
【０３５５】
グループの画素ＰＸＧの４側には透過部ＴＡが配置される。
第１方向（Ｘ軸方向）に隣接するいずれか一つのグループの画素ＰＸＧとまた他のグループの画素ＰＸＧとの間には透過部ＴＡが配置される。
また、第２方向（Ｙ軸方向）に隣接するいずれか一つのグループの画素ＰＸＧと、また他のグループの画素ＰＸＧとの間には透過部ＴＡが配置される。
透過部ＴＡは、入射される光をほとんどそのまま通過させる領域である。
透過部ＴＡによって表示パネル３００の上面で表示パネル３００の下面に位置した事物又は背景を見ることができる。
【０３５６】
透過部ＴＡには第１導電パターンＡＰが配置される。
第１導電パターンＡＰは、メッシュ構造又は網構造を有する。
第１導電パターンＡＰがユーザに視認されることを防止するために、第１導電パターンＡＰそれぞれの幅は、２μｍ以下で形成され得る。
図９１ではすべての透過部ＴＡに第１導電パターンＡＰが配置される場合を例示したが、これに限定されない。
第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡの一部に形成され、残りには形成されなくてもよい。
第１導電パターンＡＰは、非発光部ＮＥＡでフィード配線に接続される。
したがって、第１導電パターンＡＰは、フィード配線を介して表示回路ボード又はフレキシブルフィルムに配置されたＲＦ駆動部に接続される。
したがって、第１導電パターンＡＰは、移動通信のためのパッチアンテナ（ｐａｔｃｈ  ａｎｔｅｎｎａ）として用いたり、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
【０３５７】
図９２は、表示パネルのサブ領域の画素の一例を示す平面図である。
図９２の実施形態は、表示領域ＤＡがミラー部ＭＡをさらに含む点で図９１の実施形態とは相違する。
図９２を参照すると、ミラー部ＭＡは、表示パネル３００の上部で入射される光を反射する領域である。
ミラー部ＭＡによって、表示パネル３００のサブ領域ＳＤＡは表示パネル３００の上面の事物又は背景を反射することができる。
図９１の透過部ＴＡの一部の透過部ＴＡは、ミラー部ＭＡに代替される。
図９２ではすべての透過部ＴＡに第１導電パターンＡＰが配置される場合を例示したが、これに限定されない。
第１導電パターンＡＰは、透過部ＴＡの一部に形成され、残りには形成されなくてもよい。
【０３５８】
図９３は、図９２のミラー領域の一例を示す断面図である。
図９３に示すように、ミラー部ＭＡにはミラーパターンＭＰが配置される。
ミラーパターンＭＰは、第１電極１７１と同じ層に同じ物質で配置される。
ミラーパターンＭＰは、平坦化膜１６０上に配置される。
ミラーパターンＭＰは、アルミニウムとチタニウムの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、及びＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）のような反射率が高い金属物質で形成され得る。
ＡＰＣ合金は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び銅（Ｃｕ）の合金である。
図９２では第２電極１７３がミラー部ＭＡに配置されない場合を例示したが、これに限定されない。
第２電極１７３は、ミラー部ＭＡに配置され得る。
【０３５９】
図９４は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す斜視図であり、図９５は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す展開図であり、図９６は、図９４の表示パネルの一例を示す正面図であり、図９７は、図９４の表示パネルの一例を示す背面図であり、図９８は、図９４の表示パネルの一例を示す一側面図であり、図９９は、図９５の第４側面部の一部を示す断面図である。
【０３６０】
図９９で、第４側面部ＳＳ４の表示層ＤＩＳＬとセンサ電極層ＳＥＮＬは、図２１を参照して説明した内容と実質的に同一である。
図９９では、センサ電極層ＳＥＮＬが図１７〜図２１又は図５５〜図５８に示す２層（ｔｗｏ  ｌａｙｅｒ）の相互容量方式で駆動する場合を中心に説明したが、これに限定されない。
センサ電極層ＳＥＮＬは、図４６〜図５１に示す１層（ｏｎｅ  ｌａｙｅｒ）の相互容量方式、図５２及び図５３に示す１層（ｏｎｅ  ｌａｙｅｒ）の自己容量方式、図５４に示す１層（ｏｎｅ  ｌａｙｅｒ）のストレインゲージ方式で具現することができる。
【０３６１】
図９４〜図９９を参照すると、表示パネル３００は、上面部ＰＳ、第１側面部ＳＳ１、第２側面部ＳＳ２、第３側面部ＳＳ３、第４側面部ＳＳ４、第１コーナー部ＣＳ１、第２コーナー部ＣＳ２、第３コーナー部ＣＳ３、及び第４コーナー部ＣＳ４を有する基板を含む。
上面部ＰＳは、曲がらず平坦に形成された面である。
上面部ＰＳは、第１方向（Ｘ軸方向）の短辺と第２方向（Ｙ軸方向）の長辺を有する四角形の面である。
上面部ＰＳで短辺と長辺が接するコーナーは所定の曲率を有して曲がるように形成される。
上面部ＰＳは、表示パネル３００の上面である。
【０３６２】
第１側面部ＳＳ１は、上面部ＰＳの第１側から延長する。
第１側面部ＳＳ１は、上面部ＰＳの左側から延長する。
第１側面部ＳＳ１は、第１ベンディング線ＢＬ１で曲がる。
第１ベンディング線ＢＬ１は、上面部ＰＳと第１側面部ＳＳ１の境界である。
第１側面部ＳＳ１は、平面上から見るとき、第３方向（Ｚ軸方向）の短辺と第２方向（Ｙ軸方向）の長辺を有する四角形の面である。
第１側面部ＳＳ１は、表示パネル３００の左側面である。
第２側面部ＳＳ２は、上面部ＰＳの第２側から延長する。
第２側面部ＳＳ２は、上面部ＰＳの下側から延長する。
第２側面部ＳＳ２は、第２ベンディング線ＢＬ２で曲がる。
第２ベンディング線ＢＬ２は、上面部ＰＳと第２側面部ＳＳ２の境界である。
第２側面部ＳＳ２は、平面上から見るとき、第３方向（Ｚ軸方向）の短辺と第１方向（Ｘ軸方向）の長辺を有する四角形の面である。
第２側面部ＳＳ２は、表示パネル３００の下側面である。
【０３６３】
第３側面部ＳＳ３は、上面部ＰＳの第３側から延長する。
第３側面部ＳＳ３は、上面部ＰＳの上側から延長する。
第３側面部ＳＳ３は、第３ベンディング線ＢＬ３で曲がる。
第３ベンディング線ＢＬ３は、上面部ＰＳと第３側面部ＳＳ３の境界である。
第３側面部ＳＳ３は、平面上から見るとき、第３方向（Ｚ軸方向）の短辺と第１方向（Ｘ軸方向）の長辺を有する四角形の面である。
第３側面部ＳＳ３は、表示パネル３００の上側面である。
第４側面部ＳＳ４は、上面部ＰＳの第４側から延長する。
第４側面部ＳＳ４は、上面部ＰＳの右側から延長する。
第４側面部ＳＳ４は、第４ベンディング線ＢＬ４で曲がる。
第４ベンディング線ＢＬ４は、上面部ＰＳと第４側面部ＳＳ４の境界である。
第４側面部ＳＳ４は、平面上から見るとき、第３方向（Ｚ軸方向）の短辺と第２方向（Ｙ軸方向）の長辺を有する四角形の面である。
第４側面部ＳＳ４は、表示パネル３００の右側面である。
【０３６４】
第１コーナー部ＣＳ１は、第１側面部ＳＳ１と第２側面部ＳＳ２との間に配置される。
第１コーナー部ＣＳ１の幅は、第１側面部ＳＳ１の幅と第２側面部ＳＳ２の幅より小さい。
したがって、第１側面部ＳＳ１の一部と第２側面部ＳＳ２の一部との間には空の空間ＥＳが設けられる。
第２コーナー部ＣＳ２は、第１側面部ＳＳ１と第３側面部ＳＳ３との間に配置される。
第２コーナー部ＣＳ２の幅は、第１側面部ＳＳ１の幅と第３側面部ＳＳ３の幅より小さい。
したがって、第１側面部ＳＳ１の一部と第３側面部ＳＳ３の一部との間には空の空間ＥＳが設けられる。
第３コーナー部ＣＳ３は、第２側面部ＳＳ２と第４側面部ＳＳ４との間に配置される。
第３コーナー部ＣＳ３の幅は、第２側面部ＳＳ２の幅と第４側面部ＳＳ４の幅より小さい。
したがって、第２側面部ＳＳ２の一部と第４側面部ＳＳ４の一部との間には空の空間ＥＳが設けられる。
第４コーナー部ＣＳ４は、第３側面部ＳＳ３と第４側面部ＳＳ４との間に配置される。
第４コーナー部ＣＳ４の幅は、第３側面部ＳＳ３の幅と第４側面部ＳＳ４の幅より小さい。
したがって、第３側面部ＳＳ３の一部と第４側面部ＳＳ４の一部との間には空の空間ＥＳが設けられる。
【０３６５】
パッド領域ＰＤＡは、第２側面部ＳＳ２の一側から延長する。
パッド領域ＰＤＡは第５ベンディング線ＢＬ５で曲がる。
第５ベンディング線ＢＬ５は、第２側面部ＳＳ２とパッド領域ＰＤＡの境界である。
パッド領域ＰＤＡは、平面上から見るとき、第２方向（Ｙ軸方向）の短辺と第１方向（Ｘ軸方向）の長辺を有する四角形の面である。
第２側面部ＳＳ２は、表示パネル３００の上面と対向する下面である。
【０３６６】
上面部ＰＳは、メイン映像を表示するメイン表示部ＭＤＡを含む。
上面部ＰＳは、非表示部を含まなくてもよく、これにより上面部ＰＳ全体はメイン表示部ＭＤＡであり得る。
第１側面部ＳＳ１は、第１サブ映像を表示する第１サブ表示部ＳＤＡ１と第１非表示部ＮＤＡ１を含む。
第１非表示部ＮＤＡ１は、図９７のように第１側面部ＳＳ１の上側縁、左側縁、及び下側縁に配置される。
第１サブ表示部ＳＤＡ１は、メイン表示部ＭＤＡの左側から延長する。
第１サブ表示部ＳＤＡ１は、第１側面部ＳＳ１で第１非表示部ＮＤＡ１を除いた領域である。
第２側面部ＳＳ２は、第２サブ映像を表示する第２サブ表示部ＳＤＡ２と第２非表示部ＮＤＡ２を含む。
第２非表示部ＮＤＡ２は、図９７のように第２側面部ＳＳ２の左側縁、下側縁、及び右側縁に配置される。
第２サブ表示部ＳＤＡ２は、メイン表示部ＭＤＡの下側から延長する。
第２サブ表示部ＳＤＡ２は、第２側面部ＳＳ２で第２非表示部ＮＤＡ２を除いた領域である。
【０３６７】
第３側面部ＳＳ３は、第３サブ映像を表示する第３サブ表示部ＳＤＡ３と第３非表示部ＮＤＡ３を含む。
第３非表示部ＮＤＡ３は、図９７のように第３側面部ＳＳ３の左側縁、上側縁、及び右側縁に配置される。
第３サブ表示部ＳＤＡ３は、メイン表示部ＭＤＡの上側から延長する。
第３サブ表示部ＳＤＡ３は、第３側面部ＳＳ３で第３非表示部ＮＤＡ３を除いた領域である。
第４側面部ＳＳ４は、第４サブ映像を表示する第４サブ表示部ＳＤＡ４と第４非表示部ＮＤＡ４を含む。
第４非表示部ＮＤＡ４は、図９７のように第４側面部ＳＳ４の上側縁、右側縁、及び下側縁に配置される。
第４サブ表示部ＳＤＡ４は、メイン表示部ＭＤＡの右側から延長する。
第４サブ表示部ＳＤＡ４は、第４側面部ＳＳ４で第４非表示部ＮＤＡ４を除いた領域である。
【０３６８】
第１コーナー部ＣＳ１、第２コーナー部ＣＳ２、第３コーナー部ＣＳ３、及び第４コーナー部ＣＳ４は、非表示部であるが、これに限定されない。
第１コーナー部ＣＳ１の一部、第２コーナー部ＣＳ２の一部、第３コーナー部ＣＳ３の一部、及び第４コーナー部ＣＳ４の一部は、映像が表示される表示部であり得る。
この場合、第１コーナー部ＣＳ１の一部、第２コーナー部ＣＳ２の一部、第３コーナー部ＣＳ３の一部、及び第４コーナー部ＣＳ４の一部は、メイン表示部ＭＤＡから延長され得る。
【０３６９】
センサ領域ＴＳＡは、センサ電極層ＳＥＮＬでセンサ電極が配置されてユーザのタッチの有無、近接の有無、及びユーザの圧力を感知できる領域である。
センサ領域ＴＳＡは、メイン表示部ＭＤＡ、第１サブ表示部ＳＤＡ１、第２サブ表示部ＳＤＡ２、第３サブ表示部ＳＤＡ３、及び第４サブ表示部ＳＤＡ４と重畳し得る。
センサ領域ＴＳＡは、メイン表示部ＭＤＡ、第１サブ表示部ＳＤＡ１、第２サブ表示部ＳＤＡ２、第３サブ表示部ＳＤＡ３、及び第４サブ表示部ＳＤＡ４を合わせた領域と実質的に同様である。
センサ周辺領域ＴＰＡは、センサ電極が配置されない領域であり、センサ領域ＴＳＡの周辺領域である。
センサ周辺領域ＴＰＡは、第１非表示部ＮＤＡ１、第２非表示部ＮＤＡ２、第３非表示部ＮＤＡ３、第４非表示部ＮＤＡ４、及びパッド領域ＰＤＡと重畳し得る。
センサ周辺領域ＴＰＡは、第１非表示部ＮＤＡ１、第２非表示部ＮＤＡ２、第３非表示部ＮＤＡ３、第４非表示部ＮＤＡ４、及びパッド領域ＰＤＡを合わせた領域と実質的に同様である。
【０３７０】
図９９のように、第４側面部ＳＳ４の第４サブ表示部ＳＤＡ４で、センサ電極ＳＥは画素定義膜１８０と重畳するように配置され、サブ画素ＰＸと重なるように配置されない。
センサ電極ＳＥに接続されるセンサ配線ＳＥＬは、第１距離Ｄ１だけ離隔して配置される。
第１導電パターンＡＰは、センサ配線ＳＥＬより外郭に配置される。
相互容量方式で形成される場合、センサ電極ＳＥは駆動電極と感知電極を含み、センサ配線ＳＥＬは駆動配線と感知配線を含む。
図９９ではセンサ配線ＳＥＮＬが第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ上に配置される単一配線である場合を例示したが、これに限定されない。
例えば、センサ配線ＳＥＮＬは、第２バッファー膜ＢＦ２に配置される第１サブセンサ配線と第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される第２サブセンサ配線を含み得る。
【０３７１】
第２サブセンサ配線は、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１を貫いて第１サブセンサ配線を露出するコンタクト穴を介して第１サブセンサ配線と接続され得る。
一方、第４側面部ＳＳ４の代わりに第１側面部ＳＳ１、第２側面部ＳＳ２、及び第３側面部ＳＳ３が図９９に示す第４側面部ＳＳ４と実質的に同一に形成され得る。
又は第１側面部ＳＳ１、第２側面部ＳＳ２、及び第３側面部ＳＳ３の内の少なくとも一つが図９９に示す第４側面部ＳＳ４と実質的に同一に形成され得る。
【０３７２】
図９５のように、アンテナを具現するための第１導電パターンＡＰが第１〜第４非表示領域（ＮＤＡ１、ＮＤＡ２、ＮＤＡ３、ＮＤＡ４）を含むセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される。
第１導電パターンＡＰは、表示パネル３００の４側面の縁に配置される。
例えば、第１導電パターンＡＰは、パッド領域ＰＤＡ、第２側面部ＳＳ２の第２非表示領域ＮＤＡ２、第１コーナー部ＣＳ１、第１側面部ＳＳ１の第１非表示領域ＮＤＡ１、第２コーナー部ＣＳ２、第３側面部ＳＳ３の第３非表示領域ＮＤＡ３、第４コーナー部ＣＳ４、第４側面部ＳＳ４の第４非表示領域ＮＤＡ４、及び第３コーナー部ＣＳ３に配置される。
第１導電パターンＡＰは、パッド領域ＰＤＡで少なくとも一つの導電パッドＣＰに接続される。
少なくとも一つの導電パッドＣＰは、異方性導電フィルムを介して表示回路ボード３１０に接続される。
図９５では説明の便宜上、センサ電極層ＳＥＮＬのセンサ電極に接続されるセンサパッドと表示パッドは省略した。
【０３７３】
第１導電パターンＡＰが第１〜第４非表示領域（ＮＤＡ１、ＮＤＡ２、ＮＤＡ３、ＮＤＡ４）を含むセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される場合、第１導電パターンＡＰを形成するための空間が足りない。
したがって、第１導電パターンＡＰは、ループ状又はコイル状に形成されることが好ましいが、これに限定されない。
第１導電パターンＡＰは、四角形のパッチに形成することもできる。
図９５ではアンテナを具現するための第１導電パターンＡＰがセンサ周辺領域ＴＰＡに配置される場合を例示したが、これに限定されない。
第１導電パターンＡＰは、図４８〜図５８のようにセンサ領域ＴＳＡに配置することもできる。
【０３７４】
図１００は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す展開図であり、図１０１は、図１００の表示パネルの一例を示す一側面図であり、図１０２は、図１００の第４側面部の一部を示す断面図である。
図１０１〜図１０２の実施形態は、表示パネル３００の一側面部が映像を表示しない点で図９５、図９８、及び図９９の実施形態とは相違する。
図１０１〜図１０２を参照すると、第４側面部ＳＳ４はサブ表示部（ＳＤＡ４）を含まず、第４非表示部ＮＤＡ４のみを含む。
【０３７５】
第４側面部ＳＳ４は、第４サブ表示部ＳＤＡ４を含まないので、映像を表示しない。
また、第４側面部ＳＳ４は、第４サブ表示部ＳＤＡ４を含まないので、センサ領域ＴＳＡは第４側面部ＳＳ４に配置されない。
第４非表示部ＮＤＡ４は、メイン表示部ＭＤＡと重畳するセンサ領域ＴＳＡのセンサ電極に接続されるセンサ配線領域ＴＲＡと第１導電パターンＡＰが形成されるアンテナ領域ＡＰＡを含む。
センサ配線領域ＴＲＡは、上面部ＰＳから延長する。
センサ配線領域ＴＲＡは、上面部の右側に配置される。
相互容量方式で形成される場合、センサ配線領域ＴＲＡに配置されるセンサ配線ＳＥＬは、駆動配線又は感知配線である。
センサ領域ＴＳＡが第４側面部ＳＳ４に配置されない場合、センサ配線領域ＴＲＡとアンテナ領域ＡＰＡは、センサ領域ＴＳＡが第４側面部ＳＳ４に配置される場合に比べて広く形成される。
したがって、センサ配線領域ＴＲＡのセンサ配線ＳＥＬの間の間隔は、第１距離Ｄ１より広い第２距離Ｄ２だけ離隔して配置される。
【０３７６】
アンテナ領域ＡＰＡは、第４側面部ＳＳ４でセンサ配線領域ＴＲＡを除いた領域である。
アンテナ領域ＡＰＡには第１導電パターンＡＰが形成される。
図１０１では第１導電パターンＡＰがループ状又はコイル状に形成された場合を例示した。
ループ状又はコイル状を有する第１導電パターンＡＰは、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
又は、図１０４のように第１導電パターンＡＰは四角形のパッチに形成され得る。
四角形のパッチに形成された第１導電パターンＡＰは移動通信のためのアンテナとして用いることができる。
【０３７７】
第１導電パターンＡＰは、センサ配線領域ＴＲＡのセンサ配線ＳＥＬと同じ層に同じ物質で形成される。
また、第１導電パターンＡＰは、センサ領域ＴＳＡのセンサ電極と同じ層に同じ物質で形成される。
例えば、第１導電パターンＡＰは、図１０２のように第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
【０３７８】
また、図１０３は、図１００の第４側面部の一部を示す断面図である。
図１０３のようにアンテナ領域ＡＰＡには第３方向（Ｚ軸方向）で第１導電パターンＡＰと重なり、接地電圧が印加される第２導電パターンＧＰがさらに形成される。
第２導電パターンＧＰは、第２バッファー膜ＢＦ２上に配置され、第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１により覆われる。
また、図１０３のようにアンテナ領域ＡＰＡには第１導電パターンＡＰとセンサ配線領域ＴＲＡのセンサ配線との間に配置されるガードパターンＧＡＰがさらに形成される。
ガードパターンＧＡＰは、電気的にフローティングされたり、接地電圧の印加を受ける。
ガードパターンＧＡＰは、第１導電パターンＡＰと同じ層に同じ物質で形成される。
又は、ガードパターンＧＡＰは第２導電パターンＧＰと同じ層に同じ物質で形成される第１サブガードパターンと第１導電パターンＡＰと同じ層に同じ物質で形成される第２サブガードパターンを含み得る。
【０３７９】
図１００〜図１０２のように、少なくとも一つの側面部にセンサ領域ＴＳＡが配置されない場合、アンテナ領域の面積は少なくとも一つの側面部にセンサ領域ＴＳＡが配置される場合に比べて広くてもよい。
したがって、アンテナ領域ＡＰＡの第１導電パターンＡＰはより自由に設計することができる。
一方、第４側面部ＳＳ４の代わりに第１側面部ＳＳ１、第２側面部ＳＳ２、及び第３側面部ＳＳ３が図１０１〜図１０４に示す第４側面部ＳＳ４と実質的に同一に形成され得る。
又は、第１側面部ＳＳ１、第２側面部ＳＳ２、及び第３側面部ＳＳ３の内の少なくとも一つが図１０１〜図１０４に示す第４側面部ＳＳ４と実質的に同一に形成され得る。
【０３８０】
図１０５は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す展開図であり、図１０６は、図１０５の表示パネルの一例を示す一側面図であり、図１０７は、図１０５の第４側面部の一例を示す断面図である。
図１０５〜図１０７の実施形態は、アンテナ領域ＡＰＡに基板ＳＵＢと表示層ＤＩＳＬを貫く貫通穴ＴＨ２が形成される点で図１００及び図１０１の実施形態とは相違する。
図１０５〜図１０７を参照すると、基板ＳＵＢの一面には表示層ＤＩＳＬが配置され、基板ＳＵＢの一面の反対面である他面には第１導電パターンを含むアンテナモジュールＡＭＤが配置される。
【０３８１】
５Ｇ移動通信においてアンテナの電磁波の波長が短いので、表示装置１０の上部に放射されるアンテナの電磁波が表示パネル３００の表示層ＤＩＳＬの配線と電極を通過することが難しい。
したがって、表示パネル３００の基板ＳＵＢと表示層ＤＩＳＬに複数の貫通穴ＴＨ２を形成することによって、基板ＳＵＢの下部に配置されたアンテナモジュールＡＭＤで放射されるアンテナの電磁波が基板ＳＵＢの上部に配置された表示層ＤＩＳＬの配線と電極によって妨げを受けることを減らすことができる。
一方、第４側面部ＳＳ４の代わりに第１側面部ＳＳ１、第２側面部ＳＳ２、及び第３側面部ＳＳ３が図１０５〜図１０７に示す第４側面部ＳＳ４と実質的に同一に形成され得る。
又は、第１側面部ＳＳ１、第２側面部ＳＳ２、及び第３側面部ＳＳ３の内の少なくとも一つが図１０５〜図１０７に示す第４側面部ＳＳ４と実質的に同一に形成され得る。
【０３８２】
図１０８は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す展開図である。
図１０８の実施形態は、複数の貫通穴ＴＨ２が形成されたアンテナ領域ＡＰＡが第４側面部ＳＳ４の一部にのみ形成される点で図１０５の実施形態とは相違する。
図１０８を参照すると、アンテナ領域ＡＰＡが５Ｇ移動通信に用いられる第１導電パターンを含む場合、図２０を参照して説明したように２８ＧＨｚ又は３９ＧＨｚ程度の周波数を使用するので、第１導電パターンの面積が大きくない。
したがって、アンテナ領域ＡＰＡは第４側面部ＳＳ４の一部にのみ形成される。
【０３８３】
図１０８では、第４側面部ＳＳ４の上側にはアンテナ領域ＡＰＡが配置され、第４側面部ＳＳ４の下側には第４サブ表示部ＳＤＡ４と第４非表示部ＮＤＡ４が配置される場合を例示したが、第４側面部ＳＳ４でアンテナ領域ＡＰＡの位置、第４サブ表示部ＳＤＡ４の位置、及び第４非表示部ＮＤＡ４の位置は、これに限定されない。
一方、第４側面部ＳＳ４の代わりに第１側面部ＳＳ１、第２側面部ＳＳ２、及び第３側面部ＳＳ３が図１０８に示す第４側面部ＳＳ４と実質的に同一に形成され得る。
又は、第１側面部ＳＳ１、第２側面部ＳＳ２、及び第３側面部ＳＳ３の内の少なくとも一つが図１０８に示す第４側面部ＳＳ４と実質的に同一に形成され得る。
【０３８４】
図１０９は、一実施形態による表示パネルを示す展開図である。
図１０９の実施形態は、表示パネル３００の上面部ＰＳと一側面部のセンサ領域ＴＳＡに貫通穴（ＴＨ１、ＴＨ２）が形成されている点で図９５の実施形態とは相違する。
図１０９を参照すると、第１貫通穴ＴＨ１は表示パネル３００の上面部ＰＳに形成される。
図１０９では表示パネル３００の上面部ＰＳに一つの第１貫通穴ＴＨ１が形成された場合を例示したが、これに限定されない。
表示パネル３００の上面部ＰＳに複数の第１貫通穴ＴＨ１が形成され得る。
図１０９では第１貫通穴ＴＨ１が表示パネル３００の上面部ＰＳの上左側に配置された場合を例示したが、第１貫通穴ＴＨ１の位置はこれに限定されない。
【０３８５】
第２貫通穴ＴＨ２は、表示パネル３００の一側面部に形成される。
例えば、第２貫通穴ＴＨ２は表示パネル３００の第４側面部ＳＳ４に形成される。
図１０９では表示パネル３００の上面部ＰＳに一つの第２貫通穴ＴＨ２が形成された場合を例示したが、これに限定されない。
表示パネル３００の上面部ＰＳに複数の第２貫通穴ＴＨ２が形成され得る。
図１０９では第２貫通穴ＴＨ２が表示パネル３００の上面部ＰＳの上左側に配置された場合を例示したが、第２貫通穴ＴＨ２の位置はこれに限定されない。
図１０９では第２貫通穴ＴＨ２の大きさが第１貫通穴ＴＨ１の大きさより小さい場合を例示したが、第２貫通穴ＴＨ２の大きさはこれに限定されない。
【０３８６】
図１０９では表示パネル３００の上面部ＰＳと一側面部に貫通穴（ＴＨ１、ＴＨ２）が形成された場合を例示したが、これに限定されない。
すなわち、表示パネル３００の上面部ＰＳと４側面部（ＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４）の内の少なくともいずれか一つに少なくとも一つの貫通穴が形成され得る。
表示パネル３００の上面部ＰＳと一側面部に形成された貫通穴（ＴＨ１、ＴＨ２）それぞれの周辺にはデッドスペースと配線領域が配置され得、図６０〜図６４のように配線領域の一部にはアンテナを具現するための第１導電パターンが形成され得る。
【０３８７】
図１１０は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す展開図であり、図１１１は、本発明の一実施形態による表示パネルの一例を示す断面図であり、図１１２は、図１１１の平面部のセンサ電極層と第１側面部のアンテナ層を示す断面図である。
図１１０〜図１１２の実施形態は、第１導電パターンＡＰを含むアンテナ層ＡＰＬが側面部（ＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４）の内の少なくとも一つに形成される点で図９５の実施形態とは相違する。
図１１０〜図１１２を参照すると、第１側面部ＳＳ１の一面上には表示層ＤＩＳＬが配置され、表示層ＤＩＳＬ上には第１導電パターンＡＰを含むアンテナ層ＡＰＬが配置される。
【０３８８】
図１１１ではアンテナ層ＡＰＬが第１側面部ＳＳ１上に配置される場合を例示したが、これに限定されない。
例えば、アンテナ層ＡＰＬは側面部（ＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４）の内の少なくとも一側面部に形成され得る。
第１導電パターンＡＰの面積が大きい場合、側面部（ＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４）の内の複数の側面部に形成され得る。
第１導電パターンＡＰの面積が小さい場合、側面部（ＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４）のいずれか一つの側面部にのみ形成され得る。
また、図１１１ではセンサ電極層ＳＥＮＬは、上面部ＰＳに配置される場合を例示したが、これに限定されない。
例えば、側面部（ＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４）の内のアンテナ層ＡＰＬが配置されない少なくとも一側面部にはセンサ電極層ＳＥＮＬが配置され得る。
図１１１のように、アンテナ層ＡＰＬが配置される側面部にはセンサ電極層ＳＥＮＬが配置されないので、アンテナ層ＡＰＬは側面部でセンサ電極層ＳＥＮＬにこだわらずより自由に設計することができる。
【０３８９】
アンテナ層ＡＰＬは、図１１１のようにセンサ電極層ＳＥＮＬと同じ層である。
アンテナ層ＡＰＬの第１導電パターンＡＰは、センサ電極層ＳＥＮＬのセンサ電極ＳＥと同じ層に同じ物質で形成される。
例えば、アンテナ層ＡＰＬの第１導電パターンＡＰは、図１１２にように第１センサ絶縁膜ＴＩＮＳ１上に配置される。
この場合、第３方向（Ｚ軸方向）で第１導電パターンＡＰと重畳し、接地電圧が印加される第２導電パターンＧＰが第２バッファー膜ＢＦ２上に配置される。
図１１２のように、第１導電パターンＡＰがセンサ電極層ＳＥＮＬのセンサ電極ＳＥと同じ層に同じ物質で形成されるので、別途の工程を追加することなく、第１導電パターンＡＰを形成することができる。
【０３９０】
第１導電パターンＡＰは、ループ状又はコイル状に形成されたり、四角形のパッチに形成され得る。
ループ状又はコイル状を有する第１導電パターンＡＰで具現されるアンテナは、近距離通信のためのＲＦＩＤタグ用アンテナとして用いることができる。
四角形のパッチを有する第１導電パターンＡＰで具現されるアンテナは、移動通信のためのアンテナとして用いることができる。
【０３９１】
アンテナ層ＡＰＬが配置されてセンサ電極層ＳＥＮＬが配置されない側面部にはセンサ電極層ＳＥＮＬに代えてユーザのタッチ入力又はユーザの圧力を感知するための圧力センサＦＯＳが配置される。
圧力センサＦＯＳは、ストレインゲージ方式の圧力センサ、静電容量方式の圧力センサ、Ｇａｐ−Ｃａｐ方式の圧力センサ、又はＱＴＣ（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）のように微細金属粒子を含む圧力感知層を含む圧力センサであり得る。
ストレインゲージを含む圧力センサＦＯＳは、図４３〜図４５、及び図５４を参照して説明した内容と類似する。
Ｇａｐ−Ｃａｐ方式の圧力センサＦＯＳと圧力感知層を含む圧力センサＦＯＳの断面構造は、図１１３を参照して後述する。
【０３９２】
圧力センサＦＯＳは、第１側面部ＳＳ１の一面の反対面である他面上に配置される。
圧力センサＦＯＳは、感圧粘着剤を用いて第１側面部ＳＳ１の他面に付着する。
圧力センサＦＯＳは、表示パネル３００とブラケット６００と間に配置される。
ブラケット６００は、圧力センサＦＯＳを支持する支持部材として役割を果たすことができる。
圧力センサＦＯＳは、感圧粘着剤を用いてブラケット６００に付着する。
【０３９３】
図１１３は、図１１１の圧力センサの一例を示す断面図である。
図１１３では圧力センサＦＯＳが圧力感知層ＰＳＬを含む場合を中心に説明する。
図１１３を参照すると、圧力センサＦＯＳは、第１ベース部材ＢＳ１、第２ベース部材ＢＳ２、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、及び圧力感知層ＰＳＬを含む。
第１ベース部材ＢＳ１と第２ベース部材ＢＳ２は、互いに対向するように配置される。
第１ベース部材ＢＳ１と第２ベース部材ＢＳ２それぞれは、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＴ）フィルム又はポリイミドフィルムからなる。
【０３９４】
駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは、隣接して配置されるが、互いに接続されない。
駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは、互いに並ぶように配置される。
駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは、交互に配置される。
すなわち、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥ、駆動電極ＴＥ、感知電極ＲＥの順に繰り返し配置される。
駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）などの導電性物質を含み得る。
駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは、第１ベース部材ＢＳ１上にスクリーン印刷方式で形成され得る。
【０３９５】
圧力感知層ＰＳＬは、第１ベース部材ＢＳ１と対向する第２ベース部材ＢＳ２の一面上に配置される。
圧力感知層ＰＳＬは、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥに重畳するように配置される。
圧力感知層ＰＳＬは、感圧物質を有する高分子樹脂（ｐｏｌｙｍｅｒ）を含む。
感圧物質は、ニッケル、アルミニウム、チタニウム、スズ、銅などの金属微細粒子（又は金属ナノ粒子）であり得る。
例えば、圧力感知層ＰＳＬは、ＱＴＣ（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）であり得る。
【０３９６】
圧力センサＦＯＳの高さ方向（Ｚ軸方向）で圧力が第２ベース部材ＢＳ２に加えられない場合、圧力感知層ＰＳＬと駆動電極ＴＥとの間と圧力感知層ＰＳＬと感知電極ＲＥとの間にはギャップが存在する。
すなわち、圧力が第２ベース部材ＢＳ２に加えられない場合、圧力感知層ＰＳＬは駆動電極ＴＥ及び感知電極ＲＥと離隔している。
圧力センサＦＯＳの高さ方向（Ｚ軸方向）で圧力が第２ベース部材ＢＳ２に加えられる場合、圧力感知層ＰＳＬが駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥに接触する。
この場合、駆動電極ＴＥの内の少なくともいずれか一つと、感知電極ＲＥの内の少なくともいずれか一つは、圧力感知層ＰＳＬを介して物理的に接続され得、圧力感知層ＰＳＬは電気的な抵抗として作用することができる。
【０３９７】
したがって、圧力センサＦＯＳは、加えられる圧力に応じて圧力感知層ＰＳＬが駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥに接触する面積が変わるので、感知電極ＲＥの抵抗値が変化する。
例えば、圧力センサＦＯＳに加えられる圧力が高まるほど感知電極ＲＥの抵抗価格は低くなる。
圧力感知部は、抵抗値変化に応じて感知電極ＲＥから電流値又は電圧値変化を感知することによって、ユーザが手で押す圧力がどの程度であるかを判断する。
したがって、圧力センサＦＯＳは、ユーザの入力を感知する入力装置として用いることができる。
【０３９８】
圧力センサＦＯＳの第１ベース部材ＢＳ１と第２ベース部材ＢＳ２のいずれか一つは感圧粘着剤を介して基板の第１側面部ＳＳ１の他面に付着し、他の一つは感圧粘着剤を介してブラケット６００に付着する。
又は、圧力センサＦＯＳの第１ベース部材ＢＳ１と第２ベース部材ＢＳ２のいずれか一つは省略することができる。
例えば、圧力センサＦＯＳの第１ベース部材ＢＳ１が省略される場合、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは第１側面部ＳＳ１の一面又は他面上に配置され得る。
すなわち、圧力センサＦＯＳは、表示パネル３００の第１側面部ＳＳ１をベース部材として用いることができる。
このとき、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥが第１側面部ＳＳ１の一面上に配置される場合、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは、表示層ＤＩＳＬの第１遮光層ＢＭＬ１と同じ層に同じ物質で形成され得る。
【０３９９】
又は、圧力センサＦＯＳの第１ベース部材ＢＳ１が省略される場合、駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥは、ブラケット６００上に配置され得る。
すなわち、圧力センサＦＯＳは、ブラケット６００をベース部材として用いることができる。
又は、圧力センサＦＯＳの第２ベース部材ＢＳ２が省略される場合、圧力感知層ＰＳＬは、第１側面部ＳＳ１の他面上に配置され得る。
すなわち、圧力センサＦＯＳは、表示パネル３００の第１側面部ＳＳ１をベース部材として用いることができる。
又は、圧力センサＦＯＳの第２ベース部材ＢＳ２が省略される場合、圧力感知層ＰＳＬは、ブラケット６００上に配置され得る。
すなわち、圧力センサＦＯＳは、ブラケット６００をベース部材として用いることができる。
【０４００】
一方、図１１３で圧力感知層ＰＳＬの代わりに接地電位層が配置され得、この場合、圧力センサＦＯＳは、Ｇａｐ−Ｃａｐ方式でユーザのタッチ圧力を感知することができる。
具体的には、Ｇａｐ−Ｃａｐ方式では、ユーザから印加される圧力に応じて第１ベース部材ＢＳ１と第２ベース部材ＢＳ２が反り、これにより接地電位層と駆動電極ＴＥ又は感知電極ＲＥとの間の距離が減少し得る。
そのために、接地電位層によって駆動電極ＴＥと感知電極ＲＥとの間の静電容量に充電された電圧が減少する。
したがって、Ｇａｐ−Ｃａｐ方式では、静電容量に充電された電圧を感知電極ＲＥを介して受信することによって、ユーザのタッチ圧力を感知することができる。
【０４０１】
Ｇａｐ−Ｃａｐ方式の圧力センサＦＯＳが、図１１１のように４側面（ＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４）に配置される場合、４側面（ＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４）では圧力センサＦＯＳの第１ベース部材ＢＳ１と第２ベース部材ＢＳ２の反る程度が少ない可能性がある。
これにより、Ｇａｐ−Ｃａｐ方式の圧力センサＦＯＳではユーザのタッチ圧力の感知能力を高めるために、第１側面部ＳＳ１に配置される圧力センサＦＯＳは、第１側面部ＳＳ１と対向する第４側面部ＳＳ４に配置される圧力センサＦＯＳと連動して動作することができる。
また、Ｇａｐ−Ｃａｐ方式では第２側面部ＳＳ２に配置される圧力センサＦＯＳは、第２側面部ＳＳ２と対向する第３側面部ＳＳ３に配置される圧力センサＦＯＳと連動して動作することができる。
【０４０２】
図１１４は、図１１１の圧力センサの一例を示す断面図である。
図１１４の実施形態は、アンテナ層ＡＰＬが圧力センサＦＯＳ上に配置される点で図１１３の実施形態とは相違する。
図１１４を参照すると、圧力センサＦＯＳの第２ベース部材ＢＳ２上に第１導電パターンＡＰが形成され、第１導電パターンＡＰ上に保護膜ＰＡＳが形成される。
第１導電パターンＡＰは、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）などの導電性物質を含み得る。
保護膜ＰＡＳは、無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキシド層、チタニウムオキシド層、又はアルミニウムオキシド層で形成され得る。
図１１４のように、アンテナ層ＡＰＬが圧力センサＦＯＳ上に配置されるので、圧力センサＦＯＳは、アンテナ層ＡＰＬが一体化した構造を有し得る。
また、表示層ＤＩＳＬ上に配置されるアンテナ層ＡＰＬは省略することができる。
【０４０３】
図１１５はｍ図１１１の圧力センサの一例を示す断面図である。
図１１５の実施形態は、アンテナ層ＡＰＬが圧力センサＦＯＳの圧力感知層ＰＳＬ上に配置される点で図１１３の実施形態とは相違する。
図１１５を参照すると、圧力センサＦＯＳの第２ベース部材ＢＳ２は省略され、圧力感知層ＰＳＬ上に第１導電パターンＡＰが形成され、第１導電パターンＡＰ上に保護膜ＰＡＳが形成される。
図１１５のように、アンテナ層ＡＰＬが圧力センサＦＯＳの圧力感知層ＰＳＬ上に配置されるので、圧力センサＦＯＳはアンテナ層ＡＰＬが一体化した構造を有し得る。
また、表示層ＤＩＳＬ上に配置されるアンテナ層ＡＰＬは省略することができる。
【０４０４】
図１１６は、本発明の一実施形態による表示パネルの第１側面部の一例を示す断面図である。
図１１６の実施形態は、第１側面部ＳＳ１に圧力センサＦＯＳの代わりに超音波センサＵＳが配置される点で図１１２の実施形態とは相違する。
図１１６を参照すると、超音波センサＵＳは超音波を用いてユーザの指紋を認識する超音波指紋認識センサ又は超音波を用いてユーザの近接の有無を感知する超音波近接センサであり得る。
超音波センサＵＳは、第１側面部ＳＳ１の他面上に配置される。
超音波センサＵＳは、感圧粘着剤を用いて第１側面部ＳＳ１の他面に付着する。
超音波センサＵＳは、基板ＳＵＢの厚さ方向でアンテナ層ＡＰＬの第１導電パターンＡＰと重畳し得る。
図１１６では超音波センサＵＳが第１側面部ＳＳ１に配置される場合を例示したが、これに限定されない。
超音波センサＵＳは上面部ＰＳと第１〜第４側面部（ＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４）の内の少なくとも一つに配置され得る。
【０４０５】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【０４０６】
１０    表示装置
１００    カバーウィンドウ
３００    表示パネル
３１０    表示回路ボード
３１４    ケーブル
３２０    表示駆動部
３３０    センサ駆動部
３４０    第１フレキシブルフィルム
３５０    ＲＦ駆動部
３６０    第２フレキシブルフィルム
３７０    回路ボード
３８０    スキャン駆動部
３９１    第１接着部材
６００    ブラケット
７００    メイン回路ボード
７１０    メインプロセッサ
７１１    メインコネクタ
７３１    カメラ装置
７９０    バッテリ
９００    下部カバー
ＡＰＡ    アンテナ領域
ＡＰ    第１導電パターン
ＢＡ１    第１ベンディング領域
ＢＡ２    第２ベンディング領域
ＢＥ１    第１接続部
ＢＥ２    第２接続部
ＢＨ    バッテリ穴
ＣＡＨ    ケーブル穴
ＣＭＨ１、ＣＭＨ２    （第１、第２）カメラ穴
ＤＡ１００    第１透過部
ＤＥ    ダミーパターン
ＤＩＳＬ    表示層
ＧＰ    第２導電パターン
ＮＤＡ１００    遮光部
ＰＢ    パネル下部カバー
ＰＤＡ    パッド領域
ＰＤＡ１    第１パッド領域
ＰＤＡ２    第２パッド領域
ＰＥ    近接センサ電極
ＰＦ    偏光フィルム
ＲＥ    感知電極
ＳＥ    センサ電極
ＳＥＬ    センサ配線
ＳＥＮＬ    センサ電極層
ＳＵＢ    基板
ＴＥ    駆動電極
ＴＰＡ    センサ周辺領域
ＴＳＡ    センサ領域
【図１】
2020201486.tif 000004
【図２】
2020201486.tif 000005
【図３】
2020201486.tif 000006
【図４】
2020201486.tif 000007
【図５】
2020201486.tif 000008
【図６】
2020201486.tif 000009
【図７】
2020201486.tif 000010
【図８】
2020201486.tif 000011
【図９】
2020201486.tif 000012
【図１０】
2020201486.tif 000013
【図１１】
2020201486.tif 000014
【図１２】
2020201486.tif 000015
【図１３】
2020201486.tif 000016
【図１４】
2020201486.tif 000017
【図１５】
2020201486.tif 000018
【図１６】
2020201486.tif 000019
【図１７】
2020201486.tif 000020
【図１８】
2020201486.tif 000021
【図１９】
2020201486.tif 000022
【図２０】
2020201486.tif 000023
【図２１】
2020201486.tif 000024
【図２２】
2020201486.tif 000025
【図２３】
2020201486.tif 000026
【図２４】
2020201486.tif 000027
【図２５】
2020201486.tif 000028
【図２６】
2020201486.tif 000029
【図２７】
2020201486.tif 000030
【図２８】
2020201486.tif 000031
【図２９】
2020201486.tif 000032
【図３０】
2020201486.tif 000033
【図３１】
2020201486.tif 000034
【図３２】
2020201486.tif 000035
【図３３】
2020201486.tif 000036
【図３４】
2020201486.tif 000037
【図３５】
2020201486.tif 000038
【図３６】
2020201486.tif 000039
【図３７】
2020201486.tif 000040
【図３８】
2020201486.tif 000041
【図３９】
2020201486.tif 000042
【図４０】
2020201486.tif 000043
【図４１】
2020201486.tif 000044
【図４２】
2020201486.tif 000045
【図４３】
2020201486.tif 000046
【図４４】
2020201486.tif 000047
【図４５】
2020201486.tif 000048
【図４６】
2020201486.tif 000049
【図４７】
2020201486.tif 000050
【図４８】
2020201486.tif 000051
【図４９】
2020201486.tif 000052
【図５０】
2020201486.tif 000053
【図５１】
2020201486.tif 000054
【図５２】
2020201486.tif 000055
【図５３】
2020201486.tif 000056
【図５４】
2020201486.tif 000057
【図５５】
2020201486.tif 000058
【図５６】
2020201486.tif 000059
【図５７】
2020201486.tif 000060
【図５８】
2020201486.tif 000061
【図５９】
2020201486.tif 000062
【図６０】
2020201486.tif 000063
【図６１】
2020201486.tif 000064
【図６２】
2020201486.tif 000065
【図６３】
2020201486.tif 000066
【図６４】
2020201486.tif 000067
【図６５】
2020201486.tif 000068
【図６６】
2020201486.tif 000069
【図６７】
2020201486.tif 000070
【図６８】
2020201486.tif 000071
【図６９】
2020201486.tif 000072
【図７０】
2020201486.tif 000073
【図７１】
2020201486.tif 000074
【図７２】
2020201486.tif 000075
【図７３】
2020201486.tif 000076
【図７４】
2020201486.tif 000077
【図７５】
2020201486.tif 000078
【図７６】
2020201486.tif 000079
【図７７】
2020201486.tif 000080
【図７８】
2020201486.tif 000081
【図７９】
2020201486.tif 000082
【図８０】
2020201486.tif 000083
【図８１】
2020201486.tif 000084
【図８２】
2020201486.tif 000085
【図８３】
2020201486.tif 000086
【図８４】
2020201486.tif 000087
【図８５】
2020201486.tif 000088
【図８６】
2020201486.tif 000089
【図８７】
2020201486.tif 000090
【図８８】
2020201486.tif 000091
【図８９】
2020201486.tif 000092
【図９０】
2020201486.tif 000093
【図９１】
2020201486.tif 000094
【図９２】
2020201486.tif 000095
【図９３】
2020201486.tif 000096
【図９４】
2020201486.tif 000097
【図９５】
2020201486.tif 000098
【図９６】
2020201486.tif 000099
【図９７】
2020201486.tif 000100
【図９８】
2020201486.tif 000101
【図９９】
2020201486.tif 000102
【図１００】
2020201486.tif 000103
【図１０１】
2020201486.tif 000104
【図１０２】
2020201486.tif 000105
【図１０３】
2020201486.tif 000106
【図１０４】
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【図１０５】
2020201486.tif 000108
【図１０６】
2020201486.tif 000109
【図１０７】
2020201486.tif 000110
【図１０８】
2020201486.tif 000111
【図１０９】
2020201486.tif 000112
【図１１０】
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【図１１１】
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【図１１２】
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【図１１３】
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【図１１４】
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【図１１５】
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【図１１６】
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