(57)【要約】【課題】配線の信頼性を高めることが可能な電子デバイスを提供する。【解決手段】  素子領域と、前記素子領域を囲む周辺領域とを有する基板と、前記基板上に、無機絶縁膜および有機絶縁膜をこの順に有するとともに、前記周辺領域に前記無機絶縁膜と前記有機絶縁膜とを貫通する溝部を有し、かつ、前記溝部から前記無機絶縁膜の前記溝部に向かう第１端面までの距離と、前記溝部から前記有機絶縁膜の前記溝部に向かう第２端面までの距離とが異なる、積層絶縁膜と、前記積層絶縁膜上に設けられ、前記溝部の内壁面および底面を覆う導電層とを備えた電子デバイス。【選択図】図４
2020136084.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子領域と、前記素子領域を囲む周辺領域とを有する基板と、
前記基板上に、無機絶縁膜および有機絶縁膜をこの順に有するとともに、前記周辺領域に前記無機絶縁膜と前記有機絶縁膜とを貫通する溝部を有し、かつ、前記溝部から前記無機絶縁膜の前記溝部に向かう第１端面までの距離と、前記溝部から前記有機絶縁膜の前記溝部に向かう第２端面までの距離とが異なる、積層絶縁膜と、
前記積層絶縁膜上に設けられ、前記溝部の内壁面および底面を覆う導電層と
を備えた電子デバイス。
【請求項２】
前記溝部から前記無機絶縁膜の前記溝部に向かう第１端面までの距離は、前記溝部から前記有機絶縁膜の前記溝部に向かう第２端面までの距離より大きい
請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記溝部から前記無機絶縁膜の前記溝部に向かう第１端面までの距離は、前記溝部から前記有機絶縁膜の前記溝部に向かう第２端面までの距離より小さい
請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
素子領域と、前記素子領域を囲む周辺領域とを有する基板と、
前記基板上に設けられるとともに、前記周辺領域に貫通溝を有する無機絶縁膜と、
前記貫通溝近傍で前記無機絶縁膜に接するとともに、前記貫通溝の内壁面および底面を覆う導電層と
を備えた電子デバイス。
【請求項５】
前記周辺領域に前記導電層の上層に設けられた上層有機絶縁膜をさらに備えた
請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記素子領域に前記導電層と前記上層有機絶縁膜とが設けられている
請求項５に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記素子領域において、前記導電層および前記上層有機絶縁膜より下層に設けられた下層有機絶縁膜をさらに備えた
請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記周辺領域において、前記上層有機絶縁膜は前記導電層の近傍に設けられている
請求項５に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、基板上に電極を有する電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置では、基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子が設けられている。有機ＥＬ素子は、例えば、薄膜トランジスタを有している（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。また、有機ＥＬ表示装置は、第１電極と第２電極との間に有機層を有している（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１６８６４２号公報
【特許文献２】特開２０１７−１６８３０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような有機ＥＬ表示装置等の電子デバイスでは、配線の信頼性を高めることが望まれている。
【０００５】
したがって、配線の信頼性を高めることが可能な電子デバイスを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術の一実施の形態に係る電子デバイス（１）は、素子領域と、素子領域を囲む周辺領域とを有する基板と、基板上に、無機絶縁膜および有機絶縁膜をこの順に有するとともに、周辺領域に無機絶縁膜と有機絶縁膜とを貫通する溝部を有し、かつ、溝部から無機絶縁膜の溝部に向かう第１端面までの距離と、溝部から有機絶縁膜の溝部に向かう第２端面までの距離とが異なる、積層絶縁膜と、積層絶縁膜上に設けられ、溝部の内壁面および底面を覆う導電層とを備えたものである。
【０００７】
本技術の一実施の形態に係る電子デバイス（１）では、溝部から無機絶縁膜の溝部に向かう第１端面までの距離と溝部から有機絶縁膜の溝部に向かう第２端面までの距離とが異なるように構成されている。これにより、溝部から無機絶縁膜の溝部に向かう第１端面までの距離と溝部から有機絶縁膜の溝部に向かう第２端面までの距離とが同じ場合よりも溝部の内壁面の傾斜が緩やかとなる。
【０００８】
本技術の他の一実施の形態に係る電子デバイス（２）は、素子領域と、素子領域を囲む周辺領域とを有する基板と、基板上に設けられるとともに、周辺領域に貫通溝を有する無機絶縁膜と、貫通溝近傍で無機絶縁膜に接するとともに、貫通溝の内壁面および底面を覆う導電層とを備えたものである。
【０００９】
本技術の他の一実施の形態に係る電子デバイス（２）では、貫通溝近傍で導電層が無機絶縁膜に接し、この導電層が貫通溝の内壁面および底面を覆っている。即ち、貫通溝近傍には、無機絶縁膜上に有機絶縁膜が設けられていないので、有機絶縁膜に起因した導電層への影響が抑えられる。
【発明の効果】
【００１０】
本技術の一実施の形態に係る電子デバイス（１）によれば、溝部の内壁面の傾斜が緩やかとなるようにしたので、内壁面を構成する第２端面（有機絶縁膜の端面）の表面粗さが増大するのを抑制することができ、これによって内壁面を覆う導電層におけるショートの発生を抑制して配線の信頼性を高めることが可能となる。
【００１１】
また、本技術の他の一実施の形態に係る電子デバイス（２）によれば、貫通溝近傍に有機絶縁膜を設けないようにしたので、導電層は、貫通溝で比較的表面粗さの小さい無機絶縁膜の端面を覆うことができる。よって、貫通溝の内壁面を覆う導電層のショートの発生を低減して配線の信頼性を高めることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の概略構成を表す平面模式図である。
【図２】図１に示した表示装置の全体構成を表すブロック図である。
【図３】図２に示した画素の配置を表す模式図である。
【図４】図１に示したＩＶ−ＩＶ’線に沿った断面構成を表す模式図である。
【図５】図４に示した第２溝の断面構成を表す模式図である。
【図６】図４に示した第２溝の構成を表す斜視図である。
【図７】図４に示した表示装置の製造方法を工程順に表す流れ図である。
【図８】比較例に係る表示装置の第２溝の断面構成を表す模式図である。
【図９】変形例１に係る表示装置の第２溝の断面構成を表す模式図である。
【図１０】本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の断面構成を表す模式図である。
【図１１】図１０に示した表示装置の要部の断面構成を表す模式図である。
【図１２】図１０に示した第２溝の断面構成を表す模式図である。
【図１３】変形例２に係る表示装置の断面構成を表す模式図である。
【図１４】図１３に示した表示装置の断面構成を表す模式図である。
【図１５】変形例３に係る表示装置の断面構成を表す模式図である。
【図１６】図１等に示した表示装置の概略構成例を表すブロック図である。
【図１７】本技術の電子デバイスとしての撮像装置の概略構成例を表すブロック図である。
【図１８】図１６に示した表示装置または図１７に示した撮像装置を備えた電子機器への適用例を表すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（第２溝から無機絶縁膜の端面までの距離が溝部から有機絶縁膜の第２端面までの距離より大きい表示装置）
２．変形例１（第２溝から無機絶縁膜の端面までの距離が溝部から有機絶縁膜の第２端面までの距離より小さい例）
３．第２の実施の形態（周辺領域において第２導電層より下層に有機絶縁膜が設けられていない表示装置）
４．変形例２（表示領域および周辺領域において第２導電層より下層に有機絶縁膜が設けられていない例）
５．変形例３（周辺領域において第２導電層より上層の有機絶縁膜が第２導電層の近傍に設けられている例）
６．適用例
【００１４】
＜第１の実施の形態＞
［表示装置１の構成］
図１は、本開示の第１実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の全体構成を模式的に表したものである。表示装置１は、例えば、有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイ等であり、例えばＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色の光が上面側から出射される、上面発光型（トップエミッション型）の表示装置である。この表示装置１は、中央の表示領域１Ｘ（素子領域）と、この表示領域１Ｘの外側の周辺領域１Ｙとを有している。表示領域１Ｘは、例えば四角形状である。周辺領域１Ｙは、この表示領域１Ｘを囲むように枠状に設けられている。
【００１５】
表示装置１は、対向して設けられた第１基板１１と第２基板３１とを有する。第１基板１１に、表示領域１Ｘおよび周辺領域１Ｙが設けられている。周辺領域１Ｙには、表示領域１Ｘから離間した位置に環状の第２溝Ｇ２（後述）が設けられている。第２基板３１は、表示領域１Ｘおよびその外周における周辺領域１Ｙの第２溝Ｇ２までの領域を含んだ領域に設けられている。
【００１６】
図２は、表示領域１Ｘおよび周辺領域１Ｙの機能構成の一例を表している。表示領域１Ｘは、２次元配置された複数の画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂを有している。この表示領域１Ｘには、例えばアクティブマトリクス方式により、外部から入力される映像信号に基づいて画像が表示される。周辺領域１Ｙには、例えば、表示領域１Ｘを駆動するための回路部（走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５）が設けられている。表示領域１Ｘから周辺領域１Ｙにわたって、例えば、画素配列の行方向に沿って延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に沿って延在する複数の信号線ＤＴＬと、行方向に沿って延在する複数の電源線ＤＳＬとが設けられている。各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、走査線ＷＳＬを介して走査線駆動部３に、信号線ＤＴＬを介して信号線駆動部４に、電源線ＤＳＬを介して電源線駆動部５に各々電気的に接続されている。画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、例えばそれぞれがサブピクセルに相当し、これらの画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの組が１つのピクセル（画素Ｐｉｘ）を構成する。
【００１７】
図３は、図２に示した画素Ｐｉｘ（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）の平面構成の一例を表したものである。画素ｐｒ、ｐｇ、ｐｂの各面形状は、例えば矩形状を有し、全体としてストライプ状を成して配置されている。画素ｐｒ、ｐｇ、ｐｂの矩形状の長辺に沿った方向（図３の列方向）では、同じ発光色の画素が並んで配置されている。画素ｐｒは、赤色（Ｒ）の表示を行うものであり、画素ｐｇは、例えば緑色（Ｇ）の表示を行うものであり、画素ｐｂは、例えば青色（Ｂ）の表示を行うものである。これらの画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂはそれぞれ、有機ＥＬ素子２０を含む画素回路ＰＸＬＣを有している（図２）。
【００１８】
以下では、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂのそれぞれを特に区別する必要のない場合には、「画素Ｐ」と称して説明を行う。
【００１９】
画素回路ＰＸＬＣは、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂにおける発光および消光を制御するものであり、例えば有機ＥＬ素子（表示素子）１０と、保持容量Ｃｓと、書き込みトランジスタＷｓＴｒと、駆動トランジスタＤｓＴｒとを含んで構成されている。尚、ここでは、画素回路ＰＸＬＣとして、２Ｔｒ１Ｃの回路構成を例示するが、画素回路ＰＸＬＣの構成はこれに限定されるものではない。画素回路ＰＸＬＣは、この２Ｔｒ１Ｃの回路に対して、更に各種容量やトランジスタ等を付加した回路構成を有していてもよい。
【００２０】
書き込みトランジスタＷｓＴｒは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に対する、映像信号（信号電圧）の印加を制御するものである。具体的には、書き込みトランジスタＷｓＴｒは、走査線ＷＳＬへの印加電圧に応じて信号線ＤＴＬの電圧（信号電圧）をサンプリングすると共に、その信号電圧を駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に書き込むものである。駆動トランジスタＤｓＴｒは、有機ＥＬ素子２０に直列に接続されており、書き込みトランジスタＷｓＴｒによってサンプリングされた信号電圧の大きさに応じて有機ＥＬ素子２０に流れる電流を制御するものである。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型またはｐチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）により形成される。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、また、シングルゲート型であってもよいし、デュアルゲート型であってもよい。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極およびソース電極間に所定の電圧を保持するものである。
【００２１】
書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極は、走査線ＷＳＬに接続されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が信号線ＤＴＬに接続され、他方の電極が駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に接続されている。駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が電源線ＤＳＬに接続され、他方の電極が有機ＥＬ素子２０のアノード（後述の第１電極２１）に接続されている。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極と有機ＥＬ素子２０側の電極との間に挿入されている。
【００２２】
走査線ＷＳＬは、表示領域１Ｘに配置された複数の画素Ｐを行毎に選択するための選択パルスを、各画素Ｐに供給するためのものである。この走査線ＷＳＬは、走査線駆動部３の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極とに接続されている。信号線ＤＴＬは、映像信号に応じた信号パルス（信号電位Ｖsigおよび基準電位Ｖofs）を、各画素Ｐへ供給するためのものである。この信号線ＤＴＬは、信号線駆動部４の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。電源線ＤＳＬは、各画素Ｐに、電力として固定電位（Ｖcc）を供給するためのものである。この電源線ＤＳＬは、電源線駆動部５の出力端（図示せず）と、後述の駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。尚、有機ＥＬ素子２０のカソード（後述の第２電極２４）は、共通電位線（カソード線）に接続されている。
【００２３】
走査線駆動部３は、各走査線ＷＳＬに所定の選択パルスを線順次で出力することにより、例えばアノードリセット、Ｖth補正、信号電位Ｖsigの書き込み、移動度補正および発
光動作等の各動作を、各画素Ｐに所定のタイミングで実行させるものである。信号線駆動部４は、外部から入力されたデジタルの映像信号に対応するアナログの映像信号を生成し、各信号線ＤＴＬに出力するものである。電源線駆動部５は、各電源線ＤＳＬに対して、定電位を出力するものである。これらの走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５は、図示しないタイミング制御部により出力されるタイミング制御信号により、それぞれが連動して動作するように制御される。また、外部から入力されるデジタルの映像信号は、図示しない映像信号受信部により補正された後、信号線駆動部４に入力される。
【００２４】
以下に、表示装置１の具体的な構成を説明する。
【００２５】
図４は、表示装置１の表示領域１Ｘから周辺領域１Ｙにわたる断面構成を模式的に表したものであり、図１に示したＩＶ−ＩＶ’線に沿った断面構成に対応する。表示装置１では、対向する第１基板１１（基板）および第２基板３１の間に複数の有機ＥＬ素子２０が封止されている。第１基板１１上には、第１導電層１２（ゲート電極）、パッシベーション膜１３、第１有機絶縁膜１４、第２導電層１５、および第２有機絶縁膜１６（平坦化膜）がこの順に設けられている。有機ＥＬ素子２０は、第２有機絶縁膜１６上に設けられ、第２有機絶縁膜１６に近い位置から、第１電極２１、有機層２３（機能層）および第２電極２４を有している。隣り合う有機ＥＬ素子２０の間には、素子分離膜２２が設けられている。有機ＥＬ素子２０上には、例えば、保護膜２５が設けられ、この保護膜２５上に充填層３３を介して第２基板３１が貼り合わされている。第２基板３１の周縁にはシール部３４が設けられており、第１基板１１と第２基板３１との間に有機ＥＬ素子２０は封止されている。
【００２６】
第１基板１１は、本開示の「基板」の一具体例である。第１基板１１は、例えばガラス，石英，シリコン，樹脂材料または金属板等により構成されている。樹脂材料としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＩ（ポリイミド），ＰＣ（ポリカーボネート）またはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等が挙げられる。
【００２７】
第１基板１１上の第１導電層１２は、薄膜トランジスタのゲート電極を構成する導電層と同じ層の導電層、または、ゲート電極を構成する導電層である。ゲート電極を構成する導電層である場合、例えば、下層にゲート絶縁膜（不図示）を介して透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Transparent Amorphous Oxide Semiconductor）層等の半導体層（不図示）が設けられ、第１導電層１２がゲート電極である薄膜トランジスタが構成されている。薄膜トランジスタは、表示領域１Ｘでは、画素回路ＰＸＬＣ（図２）を構成する駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒ等のトランジスタであり、画素回路ＰＸＬＣが設けられた駆動回路部を構成する。また、薄膜トランジスタは、周辺領域１Ｙでは、走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５が設けられた周辺回路部を構成する。第１導電層１２には、走査線ＷＳＬ、信号線ＤＴＬおよび電源線ＤＳＬが設けられ、これらが表示領域１Ｘから周辺領域１Ｙに延在している。
【００２８】
第１基板１１と半導体層（不図示）との間に、ＵＣ（Under Coat）膜を設けるようにしてもよい。ＵＣ膜は、第１基板１１から、上層に例えばナトリウムイオン等の物質が移動するのを防ぐためのものであり、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜および酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜等の絶縁材料により構成されている。
【００２９】
第１導電層１２を覆うパッシベーション膜１３は、表示領域１Ｘおよび周辺領域１Ｙにわたって設けられている。パッシベーション膜１３は、本開示の「無機絶縁膜」の一具体例である。パッシベーション膜１３の厚みは、例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍである。パッシベーション膜１３は、ＳｉＯ2膜等の無機絶縁膜により構成されている。パッシベーション膜１３には、ＳｉＮ膜，酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜，酸化チタン（ＴｉＯ2）膜または酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜等を用いるようにしてもよく、これらを積層して用いるようにしてもよい。例えばＡｌ2Ｏ3／ＳｉＯ2／ｎ＋Ａｌ2Ｏ3の積層体を用いることができる。Ａｌ2Ｏ3／ＳｉＯ2／ｎ＋Ａｌ2Ｏ3の各層の膜厚等を調整することで、パッシベーション膜１３より上層（例えば保護膜２５等）から水素が拡散するのを抑制する。これにより、周辺領域１ＹのトランジスタのＶｏｆｆ特性が変動するのを抑制することができる。
【００３０】
第１有機絶縁膜１４は、パッシベーション膜１３を間にして第１導電層１２を覆っている。第１有機絶縁膜１４は、本開示の「有機絶縁膜」の一具体例である。第１有機絶縁膜１４の厚みは、例えば１μｍ〜１０μｍである。第１有機絶縁膜１４には、例えばポリイミド樹脂膜を用いることができる。第１有機絶縁膜１４には、エポキシ樹脂，ノボラック樹脂またはアクリル樹脂等を用いるようにしてもよい。
【００３１】
第１有機絶縁膜１４は、表示領域１Ｘおよび周辺領域１Ｙにわたって設けられている。第１有機絶縁膜１４には、周辺領域１Ｙ内の表示領域１Ｘ周縁近傍に第１溝Ｇ１が設けられている。第１溝Ｇ１の幅（例えば、図４のＸ方向の大きさ）は、１μｍ以上であることが好ましく、例えば１μｍ〜２０００μｍである。第１溝Ｇ１は、例えば、第１有機絶縁膜１４およびパッシベーション膜１３を貫通して第１導電層１２に達している。この第１溝Ｇ１により、第２電極２４が、第３導電層１７（後述）および第２導電層１５を介して第１導電層１２に電気的に接続されている。
【００３２】
また、第１有機絶縁膜１４には、周辺領域１Ｙ内における第１溝１４Ｇよりも外側に第２溝Ｇ２が設けられている。第２溝Ｇ２は、本開示の「溝部」の一具体例である。第２溝Ｇ２の幅は、１μｍ以上であることが好ましく、例えば１μｍ〜２０００μｍである。第２溝Ｇ２は、第１有機絶縁膜１４およびパッシベーション膜１３を貫通している。
【００３３】
第２導電層１５は、第１溝Ｇ１の内壁面および底面と、第２溝Ｇ２の内壁面および底面とを覆い、第１有機絶縁膜１４の上層に形成されている。第２導電層１５は、本開示の「導電層」の一具体例である。第２導電層１５は、表示領域１Ｘおよび周辺領域１Ｙに設けられた薄膜トランジスタのソースドレイン領域に接続する配線と同じ層の導電層、または、ソースドレイン領域に接続する配線を構成する導電層である。本開示においては、第２導電層１５をソースドレイン配線とも称する。第２導電層１５の構成材料としては、例えばチタン（Ｔｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属元素の単体または合金の単層あるいは多層の金属膜、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の光透過性を有する透明導電膜、あるいは、金属膜と透明導電膜との積層膜を用いることができる。
【００３４】
第２有機絶縁膜１６は、第２導電層１５を間にして第１有機絶縁膜１４を覆っている。この第２有機絶縁膜１６は、表示領域１Ｘおよび周辺領域１Ｙにわたって設けられている。第２有機絶縁膜１６には、第１溝Ｇ１および第２溝Ｇ２と同様の位置にそれぞれ貫通溝が設けられて第２導電層１５に達している。第２有機絶縁膜１６には、第１有機絶縁膜１４と同様の膜厚を有する同様の材料の膜を用いることができる。
【００３５】
周辺領域１Ｙに設けられた第１溝Ｇ１は、表示領域１Ｘの周縁に沿って表示領域１Ｘを囲み、この第１溝Ｇ１を第２溝Ｇ２が囲んでいる。第１溝Ｇ１および第２溝Ｇ２は、例えば四角形の平面形状を有している。水分透過率の高い第１有機絶縁膜１４に第１溝Ｇ１および第２溝Ｇ２を設けることにより、第２溝Ｇ２の外側の周辺領域１Ｙから表示領域１Ｘへの第１有機絶縁膜１４に起因した水分の浸入を抑えることができる。第２有機絶縁膜１６についても同様であり、第１溝Ｇ１および第２溝Ｇ２と同様の位置に貫通溝を設けることで表示領域１Ｘへの水分の浸入を抑えることができる。
【００３６】
第２溝Ｇ２よりも外側の周辺領域１Ｙには、パッシベーション膜１３、第１有機絶縁膜１４、および第２有機絶縁膜１６等が除去されて第１導電層１２および第２導電層１５等が露出した端子領域（不図示）が設けられており、外部の配線に接続されている。
【００３７】
第２有機絶縁膜１６上の表示領域１Ｘに、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に有機ＥＬ素子２０が配置されている。有機ＥＬ素子２０の第１電極２１は、第２有機絶縁膜１６上に複数配置されている。これらの複数の第１電極２１は、互いに分離して設けられている。
【００３８】
第１電極２１は、例えばアノードとして機能する反射電極であり、画素Ｐ毎に設けられている。この第１電極２１の構成材料としては、例えばＡｌ，クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）等の金属元素の単体または合金が挙げられる。また、第１電極２１は、これらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、光透過性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層膜を含んでいてもよい。透明導電膜としては、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）を添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ）、およびガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）等が挙げられる。
【００３９】
第１電極２１と同じ層の導電層として、例えば第３導電層１７が設けられている。第３導電層１７は第２有機絶縁膜１６に設けられた貫通溝に埋め込まれた配線として用いられる。
【００４０】
素子分離膜２２は、表示領域１Ｘにおいて、複数の第１電極２１を覆い、各々の第１電極２１の表面から隣り合う第１電極２１の間に設けられている。素子分離膜２２は、各第１電極２１に対向して開口を有している。この開口では、素子分離膜２２から第１電極２１が露出されており、この露出された第１電極２１上に有機層２３が配置される。素子分離膜２２は、各画素Ｐの発光領域を規定すると共に、第１電極２１と第２電極２４との絶縁性を確保するためのものである。素子分離膜２２は、有機層２３がウェットプロセスを用いて成膜される場合には、いわゆる隔壁として機能する。素子分離膜２２は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の感光性樹脂を含んで構成されている。あるいは、これらの樹脂材料に顔料を分散させたものが用いられてもよい。また、素子分離膜２２には、例えば酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコン等の無機材料が用いられても構わない。
【００４１】
有機発光材料を含む有機層２３は、例えば第１電極２１に近い位置から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層をこの順に有している。有機層２３は、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に素子分離膜２２の開口に設けられていてもよく、あるいは、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂに共通に設けられていてもよい。発光層は、例えば、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に、互いに異なる色の発光層を有していてもよい。例えば、画素ｐｒの発光層は赤色を、画素ｐｇの発光層は緑色を、画素ｐｂの発光層は青色を、それぞれ発生させる。あるいは、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ全ての発光層が、互いに同じ色を発生させるものであってもよい。例えば、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ全ての発光層が、白色を発生させる。
【００４２】
正孔注入層は、リークを防止するための層であり、例えばヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）等により構成されている。正孔注入層の厚みは、例えば１ｎｍ〜２０ｎｍである。正孔輸送層は、例えばα−ＮＰＤ〔N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl 〕-4,4'-diamine 〕により構成されている。正孔輸送層の厚みは、例えば１５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００４３】
発光層は、正孔と電子との結合により、所定の色の光を発するように構成されており、例えば、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有している。赤色波長域の光を発する発光層は、例えば、ピロメテンホウ素錯体がドーピングされたルブレンにより構成されている。このとき、ルブレンはホスト材料として用いられている。緑色波長域の光を発する発光層は、例えばＡｌｑ3（トリスキノリノールアルミニウム錯体）により構成されている。青色波長域
の光を発する発光層は、例えば、ジアミノクリセン誘導体がドーピングされたＡＤＮ（９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）により構成されている。このとき、ＡＤＮは、ホスト材料として、正孔輸送層上に例えば厚み２０ｎｍで蒸着され、ジアミノクリセン誘導体は、ドーパント材料として、相対膜厚比で５％ドーピングされる。
【００４４】
電子輸送層は、ＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）により構成されている。電子輸送層の厚みは、例えば１５ｎｍ〜２００ｎｍである。電子注入層は、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）により構成されている。電子注入層の厚みは、例えば１５ｎｍ〜２７０ｎｍである。
【００４５】
第２電極２４は、例えばカソードとして機能するものであり、有機層２３を間にして第１電極２１に対向している。この第２電極２４は、表示領域１Ｘの全面にわたって（全画素Ｐに共通の電極として）設けられている。第２電極２４は、周辺領域１Ｙまで延在しており、遮蔽層２４Ａを構成している。遮蔽層２４Ａは、遮蔽層２４Ａより上層（例えば保護膜２５等）から周辺領域１Ｙのトランジスタへ水素が拡散するのを抑制する。これにより、周辺領域１ＹのトランジスタのＶｏｆｆ特性が変動するのを抑制することができる。第２電極２４は、例えば光透過性の導電材料（透明導電膜）から構成されている。この第２電極２４を構成する透明導電膜は、例えば金属または金属酸化物を含んでいる。具体的には、第２電極２４は、Ａｇ，Ａｌ，ＺｎＯ，酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3），酸化スズ（ＳｎＯ2），Ａｌ2Ｏ3，酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3），ＴｉＯ2，酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、またはＳｉＯ2を含んでいる。第２電極２４は、複数の導電膜の積層構造を有していてもよい。
【００４６】
第２電極２４を覆う保護膜２５は、第２電極２４と同様に、表示領域１Ｘの全面にわたって設けられるとともに、表示領域１Ｘから周辺領域１Ｙに延在している。保護膜２５は、例えば、ＳｉＮ，ＳｉＯ2，ＳｉＯＮ，ＴｉＯ2，またはＡｌ2Ｏ3等により構成されている。この保護膜２５は、有機ＥＬ素子２０への水分の侵入を防ぎ、発光効率等の特性が変化するのを防止する機能を有している。
【００４７】
充填層３３は、保護膜２５と第２基板３１とを貼り合わせると共に、有機ＥＬ素子２０を封止するものである。この充填層３３は、保護膜２５上の一面にわたって設けられている。充填層３３の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂およびノルボルネン系樹脂等が挙げられる。あるいは、これらの樹脂材料に顔料を分散させたものが用いられてもよい。
【００４８】
シール部３４は、充填層３３よりも外側の周辺領域１Ｙに設けられている。このシール部３４は、表示領域１Ｘを囲む環状に設けられており、第２基板３１の周縁に配置されている。シール部３４により、有機ＥＬ素子２０とともに、第１基板１１と第２基板３１との間の各部がこれらの間に封止される。シール部３４は、例えばエポキシ系樹脂およびアクリル系樹脂等の樹脂材料により構成されている。
【００４９】
第２基板３１の、第１基板１１との対向面には、例えばカラーフィルタ層（不図示）が設けられていてもよい。カラーフィルタ層は、例えば、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタを含んでいる。このカラーフィルタ層としては、画素ｐｒの有機ＥＬ素子２０に対向する領域に赤色フィルタが、画素ｐｇの有機ＥＬ素子２０に対向する領域に緑色フィルタが、画素ｐｂの有機ＥＬ素子２０に対向する領域に青色フィルタが、それぞれ設けられている。これらの赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されている。
【００５０】
上記の赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ間の領域（画素間の領域）にブラックマトリクス層を設けるようにしてもよい。このブラックマトリクス層は、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（III）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものが挙げられる。
【００５１】
第２基板３１は、充填層３３と共に有機ＥＬ素子２０を封止するものである。この第２基板３１は、例えば、有機ＥＬ素子２０で発生した光に対して透明なガラスまたはプラスチック等の材料により構成されている。
【００５２】
図５は、図４に示した第２溝Ｇ２近傍の断面構成を拡大して表したものである。第１基板１１の上層に、第１導電層１２、パッシベーション膜１３、第１有機絶縁膜１４、および第２導電層１５が積層されている。図５では、第２導電層１５よりも上の層を省略して表示している。パッシベーション膜１３および第１有機絶縁膜１４を有する積層絶縁膜に、積層絶縁膜を貫通する第２溝Ｇ２が設けられている。第１導電層１２は、第２溝Ｇ２には設けられていない。第２溝領域ＲＧ２は、第２溝Ｇ２がパッシベーション膜１３および第１有機絶縁膜１４を貫通する領域であり、第１基板１１上では第２溝Ｇ２の底面の領域に相当する。ここで、第２溝Ｇ２からパッシベーション膜１３の第２溝Ｇ２に向かう端面のうちの最も第２溝Ｇ２に近い端面を第１端面１３Ｅとし、第２溝Ｇ２から第１有機絶縁膜１４の第２溝に向かう端面のうちの最も第２溝Ｇ２に近い端面を第２端面１４Ｅとする。第２溝Ｇ２からパッシベーション膜１３の第２溝Ｇ２に向かう第１端面１３Ｅまでの距離ｄ１と、第２溝Ｇ２から第１有機絶縁膜１４の第２溝に向かう第２端面１４Ｅまでの距離ｄ２とは異なっている。ここで、上記の距離ｄ１および距離ｄ２としては、同じ高さ（厚み方向の大きさ）に第１端面１３Ｅおよび第２端面１４Ｅが存在する場合には、同じ高さでの第２溝領域ＲＧ２の端からの距離とする。即ち、所定の高さｈにおける第２溝領域ＲＧ２の端から第１端面１３Ｅまでの距離をｄ１とし、第２溝領域ＲＧ２の端から第２端面１４Ｅまでの距離をｄ２とする。高さｈは、第１基板１１の表面から第２端面１４Ｅの上端の範囲で適宜選択できる。第１端面１３Ｅおよび第２端面１４Ｅが同じ高さに存在しない場合には、変形例１において後述するように、第２端面１４Ｅに最も近い位置における第１端面１３Ｅと第２溝領域ＲＧ２の端との距離をｄ１とする。また、第１端面１３Ｅに最も近い位置における第２端面１４Ｅと第２溝領域ＲＧ２の端との距離をｄ２とする。表示装置１においては、第２溝Ｇ２からパッシベーション膜１３の第２溝Ｇ２に向かう第１端面１３Ｅまでの距離ｄ１は、第２溝Ｇ２から第１有機絶縁膜１４の第２溝Ｇ２に向かう第２端面１４Ｅまでの距離ｄ２よりも大きい。第２溝Ｇ２の内壁面ＳＳは、第２端面１４Ｅにより構成されている。第２導電層１５は、第２溝Ｇ２の内壁面ＳＳ（第２端面１４Ｅ）および第２溝Ｇ２の底面（第２溝領域ＲＧ２における第１基板１１の表面）を覆って設けられている。
【００５３】
図６は、図４に示した第２溝Ｇ２近傍に設けられた第２導電層１５の構成を模式的に表す斜視図である。複数の第２導電層１５は、第２溝Ｇ２の内壁面ＳＳおよび底面を覆って第１有機絶縁膜１４上に形成されている。複数の第２導電層１５は、互いに分離して設けられ、電気的に分離されている。ここで、複数の第２導電層１５はそれぞれ、第２溝Ｇ２の延伸方向とは略直交する方向に延伸する所定のパターンで形成されている。
【００５４】
[表示装置１の製造方法]
このような表示装置１は、例えば、図７に示した工程を経て製造される。
【００５５】
表示装置１の製造方法を開始する（ステップＳ２０１）と、まず、第１基板１１上に、第１導電層１２およびパッシベーション膜１３を形成する（ステップＳ２０２）。第１導電層１２の形成は、例えば、第１基板１１上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により導電体を成膜し、所定のパターンに加工して行う。パッシベーション膜１３の形成は、例えば、第１導電層１２を覆うように、ＣＶＤ法等によりＡｌ2Ｏ3／ＳｉＯ2／ｎ＋Ａｌ2Ｏ3の積層体を成膜して行う。次に、第２溝領域ＲＧ２におけるパッシベーション膜１３をパターン除去する。ここでは、第２溝領域ＲＧ２よりも大きめの領域において除去する。
【００５６】
続いて、パッシベーション膜１３を覆って第１有機絶縁膜１４を形成する（ステップＳ２０３）。第１有機絶縁膜１４の形成は、例えばスピンコート法やスリットコート法により成膜し、露光、現像、および焼成処理を施して行う。このとき、第２溝領域ＲＧ２においては第１有機絶縁膜１４が形成されないパターンで第１有機絶縁膜１４を形成する。このようにして、第２溝Ｇ２が形成される。
【００５７】
次に、第１有機絶縁膜１４の上層に第２導電層１５を形成し、さらにその上層に第２有機絶縁膜１６を形成する（ステップＳ２０４）。第２導電層１５の形成は、例えばスパッタリング法等により第２溝Ｇ２の底面およびは内壁面を覆うように導電材料を成膜した後、フォトリソグラフィおよびエッチングによりパターン加工して行う。また、第２有機絶縁膜１６の形成は、例えばスピンコート法やスリットコート法により成膜し、露光、現像、焼成、及びドライエッチング等のエッチング処理を施して行う。
【００５８】
続いて、第１電極２１、素子分離膜２２、有機層２３、および第２電極２４を形成する（ステップＳ２０５）。第１電極２１の形成は、例えば導電材料をスパッタリング法により成膜し、パターニングして形成する。素子分離膜２２の形成は、絶縁性材料を成膜した後、第１電極２１上に開口を有するようにパターン加工して行う。有機層２３の形成は、例えば蒸着法あるいはインクジェット法等の塗布法により行う。有機層２３は、素子分離膜２２の開口だけでなく、素子分離膜２２上に設けてもよい。第２電極２４の形成は、例えば導電材料をスパッタリング法により成膜し、パターニングして形成する。
【００５９】
次に、第１基板１１上の各層を、第２基板３１で封止する（ステップＳ２０６）。具体的には、第１基板１１に保護膜２５を形成し、保護膜２５に充填層３３を間にして第２基板３１を貼り合わせるとともに、第２基板３１の周縁にシール部３４を形成する。以上のようにして、表示装置１を製造し、製造方法が終了する（ステップＳ２０７）。
【００６０】
以上のような工程により、表示装置１が完成する。
【００６１】
［表示装置１の作用、効果］
第１の実施の形態の表示装置１では、第２溝Ｇ２からパッシベーション膜１３の第２溝Ｇ２に向かう第１端面１３Ｅまでの距離ｄ１が、第２溝Ｇ２から第１有機絶縁膜１４の第２溝Ｇ２に向かう第２端面１４Ｅまでの距離ｄ２よりも大きい構成である。これにより、第２溝Ｇ２からパッシベーション膜１３の第２溝Ｇ２に向かう第１端面１３Ｅまでの距離ｄ１と、第２溝Ｇ２から第１有機絶縁膜１４の第２溝Ｇ２に向かう第２端面１４Ｅまでの距離ｄ２とが同じ場合よりも、第２溝Ｇ２の内壁面ＳＳとなる第２端面１４Ｅの傾斜が緩やかとなる。これにより、ドライエッチング処理等において第２端面１４Ｅの表面粗さが増大するのを抑制することができ、これによって第２端面１４Ｅを覆う第２導電層１５におけるショートの発生を抑制することができる。これにより、配線の信頼性を高めることが可能となる。以下、これについて説明する。
【００６２】
図８は、比較例に係る表示装置１Ｒの第２溝の断面構成を模式的に表したものである。第１基板１１１の上層に、第１導電層１１２、パッシベーション膜１１３、第１有機絶縁膜１１４、および第２導電層１１５が積層されている。図８では、第２導電層１１５よりも上の層を省略して表示している。パッシベーション膜１１３および第１有機絶縁膜１１４を有する積層絶縁膜に、積層絶縁膜を貫通する第２溝Ｇ２が設けられている。第１導電層１１２は、第２溝Ｇ２には設けられていない。第２溝領域ＲＧ２は、第２溝Ｇ２がパッシベーション膜１１３および第１有機絶縁膜１１４を貫通する領域であり、第２溝Ｇ２の底面の領域に相当する。ここで、第２溝Ｇ２からパッシベーション膜１１３の第２溝Ｇ２に向かう第１端面１１３Ｅまでの距離と、第２溝Ｇ２から第１有機絶縁膜１１４の第２溝Ｇ２に向かう第２端面１１４Ｅまでの距離とは同じである。第２溝Ｇ２の内壁面ＳＳは、第１端面１１３Ｅと第２端面１１４Ｅとを含む。第２導電層１１５は、第２溝Ｇ２の内壁面ＳＳ（第１端面１１３Ｅおよび第２端面１１４Ｅ）および第２溝Ｇ２の底面（第２溝領域ＲＧ２における第１基板１１１の表面）を覆って設けられている。
【００６３】
表示装置１Ｒでは、第２溝Ｇ２からパッシベーション膜１１３の第２溝Ｇ２に向かう第１端面１１３Ｅまでの距離と、第２溝Ｇ２から第１有機絶縁膜１１４の第２溝Ｇ２に向かう第２端面１１４Ｅまでの距離とが略同じ構成である。第２溝Ｇ２の側壁面は、第１端面１１３Ｅおよび第２端面１１４Ｅから構成されている。第１有機絶縁膜１１４の端面（第２端面１１４Ｅ）は、パッシベーション膜１１３の端面（第１端面１１３Ｅ）に積層した構成である。下層に第１端面１１３Ｅを有するため、第２端面１１４Ｅの傾斜は急峻となる。有機材料より構成された第１有機絶縁膜１１４の第２端面１１４Ｅは、第２端面１１４Ｅの傾斜が大きくなるほど、ドライエッチング処理において第２端面１１４Ｅの表面粗さが増大してしまう。第２端面１１４Ｅの表面粗さが大きい場合、第２端面１１４Ｅを覆って形成される第２導電層１１５も同様に表面粗さが大きい膜となる。表面粗さの大きい第２導電層１１５をパターン加工すると、加工残渣が残りやすくなり、第２導電層１１５間でショートが発生しやすくなってしまう。これにより、配線の信頼性が低下してしまっていた。
【００６４】
一方、第１の実施の形態に係る表示装置１では、上記のように第２溝Ｇ２からパッシベーション膜１３の第２溝Ｇ２に向かう第１端面１３Ｅまでの距離ｄ１が、第２溝Ｇ２から第１有機絶縁膜１４の第２溝Ｇ２に向かう第２端面１４Ｅまでの距離ｄ２よりも大きい。第１端面１３Ｅが第２端面１４Ｅより後退した構成であり、第１端面１３Ｅが内壁面ＳＳでなくなり、第２端面１４Ｅの傾斜が緩やかとなる。これにより、ドライエッチング処理等において第２端面１４Ｅの表面粗さが増大するのを抑制することができ、これによって第２端面１４Ｅを覆う第２導電層１５におけるショートの発生を抑制することができる。これにより、配線の信頼性を高めることが可能となる。
【００６５】
以上のように、表示装置１では、第２溝Ｇ２の内壁面ＳＳを構成する第２端面１４Ｅの傾斜が緩やかとなるようにしたので、第２端面１４Ｅの表面粗さが増大するのを抑制することができ、これによって第２端面１４Ｅを覆う第２導電層１５におけるショートの発生を抑制して、配線の信頼性を高めることが可能となる。
【００６６】
以下、上記第１の実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記第１の実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００６７】
＜変形例１＞
上記の表示装置１においては、第２溝Ｇ２から第１端面１３Ｅまでの距離ｄ１が、第２溝Ｇ２から第２端面１４Ｅまでの距離ｄ２よりも大きい構成であったが、これに限らず、第２溝Ｇ２から第１端面１３Ｅまでの距離ｄ１が、第２溝Ｇ２から第２端面１４Ｅまでの距離ｄ２よりも小さい構成であってもよい。
【００６８】
図９は、変形例１としての表示装置１Ａの第２溝の断面構成を模式的に表したものである。第１基板１１の上層に、第１導電層１２、パッシベーション膜１３、第１有機絶縁膜１４、および第２導電層１５が積層されている。図９は、第２導電層１５よりも上の層を省略して表示している。ここで、第２溝Ｇ２からパッシベーション膜１３の第２溝Ｇ２に向かう端面のうちの最も第２溝Ｇ２に近い端面を第１端面１３Ｅ１とする。また、第２溝Ｇ２から第１有機絶縁膜１４の第２溝に向かう端面のうちの最も第２溝Ｇ２に近い端面を第２端面１４Ｅ１とする。上記の距離ｄ１および距離ｄ２としては、第１端面１３Ｅ１および第２端面１４Ｅ１が同じ高さに存在しない場合には、第２端面１４Ｅ１に最も近い位置における第１端面１３Ｅ１と第２溝領域ＲＧ２の端との距離をｄ１とする。また、第１端面１３Ｅ１に最も近い位置における第２端面１４Ｅ１と第２溝領域ＲＧ２の端との距離をｄ２とする。表示装置１Ａにおいては、第２溝Ｇ２からパッシベーション膜１３の第２溝Ｇ２に向かう第１端面１３Ｅ１までの距離ｄ１は、第２溝Ｇ２から第１有機絶縁膜１４の第２溝Ｇ２に向かう第２端面１４Ｅ１までの距離ｄ２よりも小さい。第２端面１４Ｅ１が第１端面１３Ｅ１から後退した構成である。第２溝Ｇ２の内壁面ＳＳは、第１端面１３Ｅ１および第２端面１４Ｅ１のほかに、パッシベーション膜１３の端面１３Ｅ２，１３Ｅ３，１３Ｅ４を含む。第２溝Ｇ２の内壁面ＳＳの傾斜が全体的に緩やかになり、第２端面１４Ｅ１の傾斜が緩やかとなる。これにより、ドライエッチング処理等において第２端面１４Ｅ１の表面粗さが増大するのを抑制することができ、これによって第２端面１４Ｅ１を覆う第２導電層１５におけるショートの発生を抑制することができる。これにより、配線の信頼性を高めることが可能となる。
【００６９】
表示装置１Ａは、第２溝の内壁面となる第２端面の傾斜が緩やかとなるようにしたので、第２端面の表面粗さが増大するのを抑制することができ、これによって第２端面を覆う第２導電層におけるショートの発生を抑制して、配線の信頼性を高めることが可能となる。
【００７０】
＜第２の実施の形態＞
［表示装置１Ｂの構成］
本開示の他の一実施の形態（第２の実施の形態）に係る表示装置（表示装置１Ｂ）の全体構成については、図１〜図３に示した表示装置１と同様であり、説明を省略する。
【００７１】
図１０は、表示装置１Ｂの表示領域１Ｘから周辺領域１Ｙにわたる断面構成を模式的に表したものである。表示装置１Ｂでは、対向する第１基板１１（基板）および第２基板３１の間に複数の有機ＥＬ素子２０が封止されている。第１基板１１上には、第１導電層１２（ゲート電極）、パッシベーション膜１３、第１有機絶縁膜１４、第２導電層１５（ソースドレイン配線）、および第２有機絶縁膜１６（平坦化膜）がこの順に設けられている。周辺領域１Ｙにおいて、パッシベーション膜１３を貫通する第２溝Ｇ２が設けられており、第２導電層１５は第２溝Ｇ２の内壁面と底面を覆って形成されている。第１基板１１は、本開示の「基板」の一具体例である。パッシベーション膜１３は、本開示の「無機絶縁膜」の一具体例である。第２導電層１５は、本開示の「導電層」の一具体例である。第２溝Ｇ２は、本開示の「貫通溝」の一具体例である。ここで、第１有機絶縁膜１４は、表示領域１Ｘのみに形成されており、周辺領域１Ｙには形成されていない。有機ＥＬ素子２０は、第２有機絶縁膜１６上に設けられ、第２有機絶縁膜１６に近い位置から、第１電極２１、有機層２３（機能層）および第２電極２４を有している。隣り合う有機ＥＬ素子２０の間には、素子分離膜２２が設けられている。有機ＥＬ素子２０上には、例えば、保護膜２５が設けられ、この保護膜２５上に充填層３３を介して第２基板３１が貼り合わされている。第２基板３１の周縁にはシール部３４が設けられており、第１基板１１と第２基板３１との間に有機ＥＬ素子２０は封止されている。第２導電層１５は、第１有機絶縁膜１４の有無に応じて表示領域１Ｘと周辺領域１Ｙとでは高さが異なって形成されている。また、第２有機絶縁膜１６は、周辺領域１Ｙにおいて表示領域１Ｘより厚膜化されており、第２有機絶縁膜１６の表面が表示領域１Ｘと周辺領域１Ｙとで平坦になるように調整されている。上記を除いては、表示装置１と同様の構成である。
【００７２】
図１１は、表示装置１Ｂの断面構成を表す模式図である。表示装置１Ｂは、表示領域１Ｘにおける薄膜トランジスタＴＲ１と、周辺領域１Ｙにおける薄膜トランジスタＴＲ２とを有する。表示領域１Ｘでは、第１基板１１に薄膜の半導体層４０Ａが設けられており、その上層にゲート絶縁膜４０Ｂを介して第１導電層１２が設けられている。このように、薄膜トランジスタＴＲ１が設けられている。半導体層４０Ａおよび第１導電層１２がパッシベーション膜１３で覆われており、その上層に第１有機絶縁膜１４が設けられている。第１有機絶縁膜１４およびパッシベーション膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨが設けられ、薄膜トランジスタのソースドレインに接続するように第２導電層１５が埋め込まれて形成されている。第２導電層１５の上層に全面に第２有機絶縁膜１６が形成されており、その上層に遮蔽層２４Ａが設けられ、その上層に保護膜２５が設けられている。保護膜２５の上層には、充填層３３を介して第２基板３１が貼りあわされているが、図１１では表示を省略している。
【００７３】
周辺領域１Ｙでは、第１基板１１に薄膜の半導体層４０Ａが設けられており、その上層にゲート絶縁膜４０Ｂを介して第１導電層１２が設けられている。このように、薄膜トランジスタＴＲ２が設けられている。半導体層４０Ａおよび第１導電層１２がパッシベーション膜１３で覆われている。パッシベーション膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨが設けられ、薄膜トランジスタのソースドレインに接続するように第２導電層１５が埋め込まれて形成されている。第２導電層１５の上層に全面に第２有機絶縁膜１６が形成されており、その上層に遮蔽層２４Ａが設けられ、その上層に保護膜２５が設けられている。
【００７４】
図１２は、第２の実施の形態としての表示装置１Ｂの第２溝の断面構成を模式的に表したものである。第１基板１１の上層に、第１導電層１２、パッシベーション膜１３、および第２導電層１５が積層されている。図１２は、第２導電層１５よりも上の層を省略して表示している。ここで、第２溝Ｇ２の近傍においてパッシベーション膜１３に接するとともに、第２溝Ｇ２の内壁面および底面を覆うように第２導電層１５が設けられている。第２溝Ｇ２の内壁面ＳＳは、第１端面１３Ｅ５と、パッシベーション膜１３の端面１３Ｅ６，１３Ｅ７とを含む。周辺領域１Ｙにおいて、第２溝Ｇ２近傍で第２導電層１５がパッシベーション膜１３に接し、この第２導電層１５が第２溝Ｇ２の内壁面および底面を覆っている。即ち、第２溝Ｇ２近傍に有機絶縁膜を設けないようにしたので、第２導電層１５は、第２溝Ｇ２で比較的表面粗さの小さい無機絶縁膜（パッシベーション膜１３）の端面を覆うことができる。
【００７５】
［表示装置１Ｂの作用、効果］
第２の実施の形態の表示装置１Ｂでは、周辺領域１Ｙにおいて、第２溝Ｇ２近傍で第２導電層１５がパッシベーション膜１３に接し、この第２導電層１５が第２溝Ｇ２の内壁面および底面を覆っている。即ち、第２溝Ｇ２近傍に有機絶縁膜を設けないようにしたものである。このため、第２導電層１５は、第２溝Ｇ２で比較的表面粗さの小さい無機絶縁膜（パッシベーション膜１３）の端面を覆うことができる。よって、第２溝Ｇ２の内壁面を覆う第２導電層１５のショートの発生を低減して配線の信頼性を高めることが可能となる。
【００７６】
以上のように、表示装置１Ｂでは、周辺領域の第２溝において第２導電層がパッシベーション膜の端面を覆う構成としたので、第２導電層におけるショートの発生を抑制して、配線の信頼性を高めることが可能となる。
【００７７】
＜変形例２＞
上記の表示装置１Ｂにおいては、第１有機絶縁膜１４は、表示領域１Ｘのみに形成されており、周辺領域１Ｙには形成されていない構成であったが、これに限らず、表示領域１Ｘおよび周辺領域１Ｙにおいて第１有機絶縁膜１４が形成されていない構成であってもよい。
【００７８】
図１３は、変形例２としての表示装置１Ｃの表示領域１Ｘから周辺領域１Ｙにわたる断面構成を模式的に表したものである。表示装置１Ｂにおいては表示領域１Ｘにのみ形成されていた第１有機絶縁膜１４は、表示装置１Ｃでは、表示領域１Ｘおよび周辺領域１Ｙの両者において形成されていない。上記を除いては、表示装置１Ｂと同様の構成である。
【００７９】
図１４は、表示装置１Ｃの断面構成を模式的に表したものである。表示装置１Ｃは、表示領域１Ｘにおける薄膜トランジスタＴＲ１と、周辺領域１Ｙにおける薄膜トランジスタＴＲ２とを有する。表示領域１Ｘでは、表示装置１Ｂと同様に、薄膜トランジスタＴＲ１が設けられている。半導体層４０Ａおよび第１導電層１２がパッシベーション膜１３で覆われている。パッシベーション膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨが設けられ、薄膜トランジスタのソースドレインに接続するように第２導電層１５が埋め込まれて形成されている。第２導電層１５の上層に全面に第２有機絶縁膜１６が形成されており、その上層に遮蔽層２４Ａが設けられ、その上層に保護膜２５が設けられている。
【００８０】
周辺領域１Ｙでは、表示装置１Ｂの周辺領域１Ｙの薄膜トランジスタＴＲ２と同様の構成であり、説明を省略する。
【００８１】
表示装置１Ｃでは、第２溝Ｇ２は、図１２に示した表示装置１Ｂと同様の構成を有する。第２導電層１５は、周辺領域１Ｙにおいて、第２溝Ｇ２近傍で第２導電層１５がパッシベーション膜１３に接し、この第２導電層１５が第２溝Ｇ２の内壁面および底面を覆っている。このため、第２導電層１５は、第２溝Ｇ２で比較的表面粗さの小さい無機絶縁膜（パッシベーション膜１３）の端面を覆うことができる。よって、第２溝Ｇ２の内壁面を覆う第２導電層１５のショートの発生を低減して配線の信頼性を高めることが可能となる。
【００８２】
＜変形例３＞
上記の表示装置１Ｃにおいては、表示領域１Ｘおよび周辺領域１Ｙにおいて第１有機絶縁膜１４が形成されていない構成であったが、さらに周辺領域１Ｙにおいて第２有機絶縁膜１６は第２導電層１５の近傍に設けられている構成であってよい。
【００８３】
図１５は、変形例３としての表示装置１Ｄの断面構成を模式的に表したものである。表示装置１Ｄは、表示領域１Ｘにおける薄膜トランジスタＴＲ１と、周辺領域１Ｙにおける薄膜トランジスタＴＲ２とを有する。
【００８４】
表示領域１Ｘでは、表示装置１Ｃの表示領域１Ｘの薄膜トランジスタＴＲ１と同様の構成であり、説明を省略する。
【００８５】
周辺領域１Ｙでは、表示装置１Ｃと同様に、薄膜トランジスタＴＲ２が設けられている。半導体層４０Ａおよび第１導電層１２がパッシベーション膜１３で覆われている。パッシベーション膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨが設けられ、薄膜トランジスタのソースドレインに接続するように第２導電層１５が埋め込まれて形成されている。第２導電層１５の上層に、第２導電層１５の近傍に第２有機絶縁膜１６が形成されている。第２導電層１５の近傍とは、パッシベーション膜１３の表面から露出する第２導電層１５の上面を覆う部分であり、第２導電層１５と第１導電層１２との間、および、第１導電層１２の直上には第２有機絶縁膜１６は設けられていない。その上層に遮蔽層２４Ａが設けられ、その上層に保護膜２５が設けられている。
【００８６】
周辺領域１Ｙでは、表示装置１Ｂの周辺領域１Ｙの薄膜トランジスタＴＲ２と同様の構成であり、説明を省略する。
【００８７】
表示装置１Ｄでは、第２溝Ｇ２は、図１２に示した表示装置１Ｂと同様の構成を有する。表示装置１Ｄでは、第２導電層１５は、周辺領域１Ｙにおいて、第２溝Ｇ２近傍で第２導電層１５がパッシベーション膜１３に接し、この第２導電層１５が第２溝Ｇ２の内壁面および底面を覆っている。このため、第２導電層１５は、第２溝Ｇ２で比較的表面粗さの小さい無機絶縁膜（パッシベーション膜１３）の端面を覆うことができる。よって、第２溝Ｇ２の内壁面を覆う第２導電層１５のショートの発生を低減して配線の信頼性を高めることが可能となる。
【００８８】
表示装置１Ｄでは、周辺領域１Ｙにおいて第２有機絶縁膜１６が全面に形成されていないので、第２有機絶縁膜１６の膜剥がれを抑制できる。また、周辺領域１Ｙにおいて薄膜トランジスタの直上に第２有機絶縁膜１６が設けられていないので、第２有機絶縁膜１６からのアウトガスの影響によるトランジスタの特性変動を抑制できる。さらに、第２有機絶縁膜１６が第１基板１１の主面に対して平行な方向に連続的に設けられていないことから、第２有機絶縁膜１６を通っての水分の進入を抑制することができる。
【００８９】
＜適用例＞
［表示装置１のブロック構成例］
図１６は、上記第１の実施の形態、変形例１、第２の実施の形態および変形例２〜３に係る表示装置１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ（以下代表して表示装置１として示す）の概略構成例を、ブロック図で模式的に表したものである。第１の実施の形態、変形例１、第２の実施の形態、および変形例２〜３を以下では上記実施の形態等という。この表示装置１は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、映像として表示するものであり、前述した有機ＥＬディスプレイの他にも、例えば液晶ディスプレイ等にも適用される。表示装置１は、例えばタイミング制御部４１と、信号処理部４２と、駆動部４３と、表示画素部４４とを備えている。
【００９０】
タイミング制御部４１は、各種のタイミング信号（制御信号）を生成するタイミングジェネレータを有しており、これらの各種のタイミング信号を基に、信号処理部４２等の駆動制御を行うものである。
【００９１】
信号処理部４２は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号に対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号を駆動部４３に出力するものである。
【００９２】
駆動部４３は、例えば走査線駆動回路および信号線駆動回路等を含んで構成され、各種制御線を介して表示画素部４４の各画素を駆動するものである。
【００９３】
表示画素部４４は、例えば有機ＥＬ素子２０または液晶表示素子等の表示素子と、表示素子を画素ごとに駆動するための画素回路とを含んで構成されている。
【００９４】
［撮像装置２のブロック構成例］
上記実施の形態等では、本開示における電子デバイスの具体例として表示装置１を例に挙げて説明したが、本開示における電子デバイスが、表示装置１以外の他の装置（例えば撮像装置等）により構成されていてもよい。
【００９５】
図１７は、電子デバイスとしての撮像装置２の概略構成例を、ブロック図で模式的に表したものである。この撮像装置２は、例えば画像を電気信号として取得する固体撮像装置であり、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）またはＣＭＯＳ（Complementary Metal
Oxide Semiconductor）イメージセンサ等から構成されている。撮像装置２は、例えばタイミング制御部４５と、駆動部４６と、撮像画素部４７と、信号処理部４８とを備えている。
【００９６】
タイミング制御部４５は、各種のタイミング信号（制御信号）を生成するタイミングジェネレータを有しており、これらの各種のタイミング信号を基に、駆動部４６の駆動制御を行うものである。
【００９７】
駆動部４６は、例えば行選択回路、ＡＤ（Analog-to-Digital）変換回路および水平転
送走査回路等を含んで構成され、各種制御線を介して撮像画素部４７の各画素から信号を読み出す駆動を行うものである。
【００９８】
撮像画素部４７は、例えばフォトダイオード等の撮像素子（光電変換素子）と、信号読み出しのための画素回路とを含んで構成されている。なお、このような撮像素子としては、可視光を検出する素子の他、例えば、赤外光や紫外光、放射線（Ｘ線等）等を、直接もしくは間接的に検出する素子であってもよい。
【００９９】
信号処理部４８は、撮像画素部４７から得られた信号に対して様々な信号処理を施すものである。
【０１００】
［電子機器の構成例］
上記の電子デバイス（表示装置１または撮像装置２等）は、様々なタイプの電子機器に適用することが可能である。
【０１０１】
図１８は、図１６に示した表示装置１または図１７に示した撮像装置２を備えた電子機器（電子機器６）への適用例を、ブロック図で表したものである。このような電子機器６としては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、スマートフォン、タブレット型ＰＣ、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。
【０１０２】
電子機器６は、例えば上記した表示装置１または撮像装置２と、インターフェース部６０とを備えている。インターフェース部６０は、外部から各種の信号および電源等が入力される入力部である。このインターフェース部６０は、また、例えばタッチパネル、キーボードまたは操作ボタン等のユーザインターフェースを含んでいてもよい。
【０１０３】
以上、実施の形態を挙げて説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等に記載した各層の材料、厚み、または成膜方法および成膜条件等は列挙したものに限定されるものではなく、他の材料、厚みまたは成膜方法および成膜条件としてもよい。
【０１０４】
また、有機層２３は、少なくとも発光層を含んでいればよく、例えば、有機層２３が発光層のみにより構成されていてもよい。
【０１０５】
更に、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。また、アクティブマトリクス駆動のための画素回路ＰＸＬＣの構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素回路ＰＸＬＣの変更に応じて、走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５の他に、必要な駆動回路を追加してもよい。
【０１０６】
上記実施の形態において説明した効果は一例であり、本開示の効果は、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
【０１０７】
尚、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
素子領域と、前記素子領域を囲む周辺領域とを有する基板と、
前記基板上に、無機絶縁膜および有機絶縁膜をこの順に有するとともに、前記周辺領域に前記無機絶縁膜と前記有機絶縁膜とを貫通する溝部を有し、かつ、前記溝部から前記無機絶縁膜の前記溝部に向かう第１端面までの距離と、前記溝部から前記有機絶縁膜の前記溝部に向かう第２端面までの距離とが異なる、積層絶縁膜と、
前記積層絶縁膜上に設けられ、前記溝部の内壁面および底面を覆う導電層と
を備えた電子デバイス。
（２）
前記溝部から前記無機絶縁膜の前記溝部に向かう第１端面までの距離は、前記溝部から前記有機絶縁膜の前記溝部に向かう第２端面までの距離より大きい
前記（１）に記載の電子デバイス。
（３）
前記溝部から前記無機絶縁膜の前記溝部に向かう第１端面までの距離は、前記溝部から前記有機絶縁膜の前記溝部に向かう第２端面までの距離より小さい
前記（１）に記載の電子デバイス。
（４）
素子領域と、前記素子領域を囲む周辺領域とを有する基板と、
前記基板上に設けられるとともに、前記周辺領域に貫通溝を有する無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上で前記無機絶縁膜に接するとともに、前記貫通溝の内壁面および底面を覆う導電層と
を備えた電子デバイス。
（５）
前記周辺領域に前記導電層の上層に設けられた上層有機絶縁膜をさらに備えた
前記（４）に記載の電子デバイス。
（６）
前記素子領域に前記導電層と前記上層有機絶縁膜とが設けられている
前記（５）に記載の電子デバイス。
（７）
前記素子領域において、前記導電層および前記上層有機絶縁膜より下層に設けられた下層有機絶縁膜をさらに備えた
前記（６）に記載の電子デバイス。
（８）
前記周辺領域において、前記上層有機絶縁膜は前記導電層の近傍に設けられている
前記（５）に記載の電子デバイス。
【符号の説明】
【０１０８】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ…表示装置、１Ｘ…表示領域、１Ｙ…周辺領域、ＤｓＴｒ…駆動トランジスタ、ＷｓＴｒ…書き込みトランジスタ、Ｃｓ…保持容量、１１…第１基板、１２…第１導電層、１３…パッシベーション膜、１３Ｅ…第１端面、１４…第１有機絶縁膜、１４Ｅ…第２端面、ＳＳ…内壁面、１５…第２導電層、１６…第２有機絶縁膜、１７…第３導電層、Ｇ１…第１溝、Ｇ２…第２溝、２０…有機ＥＬ素子、２１…第１電極、２２…素子分離膜、２３…有機層、２４…第２電極、２５…保護膜、３１…第２基板、３３…充填層、３４…シール部、３…走査線駆動部、４…信号線駆動部、５…電源線駆動部、６…電子機器、６０…インターフェース部、Ｐｉｘ，Ｐ，ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ…画素。
【図１】
2020136084.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2020136084.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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