(57)【要約】【課題】高周波に対する接地面を形成する部材におけるインピーダンスを調整する。【解決手段】処理容器と、高周波電流を供給する高周波電源と、前記処理容器に電気的に接続された部材と、を有し、前記部材は、前記部材のインピーダンスを調整するために、前記処理容器内の特定の構成に対応する前記部材の第１の領域の単位体積あたりの表面積が、前記第１の領域以外の領域である前記部材の第２の領域の単位体積あたりの表面積と異なるように構成する、基板処理装置が提供される。【選択図】図２
2020136062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器と、
高周波電源と、
前記処理容器とともに前記高周波電源から出力された高周波に対する接地面を形成する第１の部材と、を有し、
前記第１の部材は、
前記処理容器内の特定の構成に対応する第１の領域の表面積と、前記第１の部材の前記第１の領域以外の領域である第２の領域の表面積とを変化させてインピーダンスを調整するように構成する、基板処理装置。
【請求項２】
前記高周波電源から出力された高周波に対する接地面を形成する第２の部材を有し、
前記第１の部材は、
前記処理容器内の特定の構成に対応する前記第２の部材が円周方向に形成する角度と、前記第２の部材が円周方向に形成する角度以外の角度とに基づき、前記第１の領域の表面積と前記第２の領域の表面積とを変化させて構成する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の部材は、
前記第１の部材の穴の形状又は穴の密度により前記第１の領域の表面積と前記第２の領域の表面積とを変化させて構成する、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１の部材は、バッフル板である、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記バッフル板の前記第１の領域における穴は、前記バッフル板の上面の径よりも前記バッフル板の下面の径が広い、
請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記バッフル板は、コニカル形状である、
請求項４又は５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第２の部材は、シャッターである、
請求項２に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置の処理容器の側壁と載置台との間には、複数の貫通孔を有する環状のバッフル板が設けられている。例えば、特許文献１は、アルミニウムで形成されたバッフル板の母材の表面にアルマイト層を形成し、アルマイト層を介してイットリアの膜を溶射し、これにより、プラズマに晒されるバッフル板の耐電圧を改善することを提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２８３７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、高周波に対する接地面を形成する部材におけるインピーダンスを調整することが可能な基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、処理容器と、高周波電源と、前記処理容器とともに前記高周波電源から出力された高周波に対する接地面を形成する第１の部材と、を有し、前記第１の部材は、前記処理容器内の特定の構成に対応する第１の領域の表面積と、前記第１の部材の前記第１の領域以外の領域である第２の領域の表面積とを変化させてインピーダンスを調整するように構成する、基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、高周波に対する接地面を形成する部材におけるインピーダンスを調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面模式図。
【図２】一実施形態に係るバッフル板、シャッター及びその周囲の一例を示す拡大図。
【図３】一実施形態に係るバッフル板の一例を示す斜視図。
【図４】一実施形態に係るバッフル板に設けられた貫通孔を拡大して示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
［基板処理装置の全体構成］
まず、一実施形態に係る基板処理装置１の構成について、図１を参照して説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の一例を示す断面模式図である。なお、本実施形態では、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）型の基板処理装置１を例に挙げて説明する。
【００１０】
基板処理装置１は、金属製、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼製の円筒型の処理容器１０を有し、その内部は、プラズマエッチングやプラズマＣＶＤ等のプラズマ処理が行われる処理空間Ｕとなっている。処理容器１０は接地されている。
【００１１】
処理容器１０の内部には、ウェハＷを載置する円板状のステージ１１が配設されている。ステージ１１は、基材１１ａと静電チャック２５とを有する。基材１１ａは、例えば、アルミニウムからなり、絶縁性の筒状保持部材１２を介して処理容器１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。
【００１２】
静電チャック２５は、基材１１ａの上に配置される。静電チャック２５は、ウェハＷが載置される円板状の中央部２５ａと、中央部２５ａの外側の環状の周縁部２５ｂとからなる。中央部２５ａの高さは周縁部２５ｂの高さよりも高くなっている。
【００１３】
中央部２５ａは、導電膜からなる電極２５ｃを一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成される。電極２５ｃには直流電源２６がスイッチ２７を介して電気的に接続されている。静電チャック２５は、直流電源２６から電極２５ｃに印加された直流電圧により静電力を発生させ、その静電力によりウェハＷを吸着保持する。周縁部２５ｂの上面には、基板の周囲を環状に囲むエッジリング３０（フォーカスリングともいう。）が載置されている。エッジリング３０は、例えばシリコンから形成されている。
【００１４】
ステージ１１の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室３１が設けられている。この冷媒室３１には、チラーユニット３２から配管３３、３４を介して所定温度の熱媒体、例えば、冷却水が循環供給され、熱媒体の温度によって静電チャック２５上のウェハＷの温度を制御する。
【００１５】
静電チャック２５には、ガス供給ライン３６を介して伝熱ガス供給部３５が接続されている。伝熱ガス供給部３５は、ガス供給ライン３６を用いて、静電チャック２５の中央部２５ａの上面と、ウェハＷの下面とで挟まれる空間に伝熱ガスを供給する。伝熱ガスとしては、熱伝導性を有するガス、例えば、Ｈｅガス等が好適に用いられる。
【００１６】
ステージ１１には、プラズマ生成およびＲＩＥ用の第１高周波電源２１が整合器２１ａを介して電気的に接続されている。第１高周波電源２１は、第１の高周波、例えば、４０ＭＨｚの周波数の電力をステージ１１に印加する。
【００１７】
ステージ１１には、イオン引き込み用の第２高周波電源２２が整合器２２ａを介して電気的に接続されている。第２高周波電源２２は、第１高周波よりも低い第２高周波、例えば、３ＭＨｚの周波数の電力をステージ１１に印加する。
【００１８】
また、処理容器１０の天井部には、ガスシャワーヘッド２４が配設されている。第１の高周波の電力及び／又は第２の高周波の電力が供給されることにより、ガスシャワーヘッド２４（上部電極）とステージ１１（下部電極）との間で高周波電界が生成される。処理ガス供給部４０から出力された所定のガスは、ガスシャワーヘッド２４からシャワー状に供給され、処理空間Ｕにて高周波電界によりプラズマ化する。
【００１９】
処理容器１０の内壁には、デポシールド５２が着脱自在に設けられている。デポシールド５２は、プラズマ処理中に生成される反応生成物が処理容器１０の内壁に付着することを防止する。デポシールド５２は、処理容器１０の内壁及びステージ１１の外周に設けられてもよい。
【００２０】
処理容器１０の内壁とステージ１１との間には、排気路１４が形成されている。排気路１４の上であってウェハＷの下方位置には、コニカル形状（円錐台形状）のバッフル板１５が設けられている。バッフル板１５は、ステージ１１の外周に配置された部材５３に固定されている。バッフル板１５は、ガスの流れを整えるとともに、排気路１４の空間にプラズマが侵入することを抑制する。
【００２１】
処理空間Ｕの一部は、シャッター５１により開閉可能となっている。シャッター５１は、シャッター５１に接続されたリフター５０の駆動により昇降し、処理容器１０に設けられた開口（搬送口１９）を開閉する。
【００２２】
排気路１４の底部には排気口１６が形成されている。排気口１６には、排気管１７を介して排気装置１８が接続されている。排気装置１８は、真空ポンプを有し、処理容器１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。また、排気管１７は可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（automatic pressure control valve）（以下、「ＡＰＣ」という）を有し（図示せず）、ＡＰＣは自動的に処理容器１０内の圧力制御を行う。さらに、処理容器１０の側壁には、ウェハＷの搬送口１９を開閉するゲートバルブ２０が取り付けられている。
【００２３】
ガスシャワーヘッド２４は、絶縁部材４４を介して処理容器１０の天井部に支持されている。ガスシャワーヘッド２４は、電極板３７と、電極板３７を着脱可能に支持する電極支持体３８とを有する。電極板３７は、多数のガス通気孔３７ａを有する。電極支持体３８の内部にはバッファ室３９が設けられている。処理ガス供給部４０は、ガス供給配管４１を介してガス導入口３８ａに接続されている。処理ガス供給部４０から供給されたガスは、バッファ室３９に通され、多数のガス通気孔３７ａから処理容器１０内に供給される。
【００２４】
基板処理装置１の各構成要素は、制御部４３に接続されている。制御部４３は、基板処理装置１の各構成要素を制御する。各構成要素としては、例えば、排気装置１８、第１高周波電源２１、第２高周波電源２２、スイッチ２７、直流電源２６、チラーユニット３２、伝熱ガス供給部３５および処理ガス供給部４０が挙げられる。
【００２５】
制御部４３は、ＣＰＵ４３ａ及びメモリ４３ｂ（記憶装置）を備え、メモリ４３ｂに記憶されたプログラム及び処理レシピを読み出して実行することで、基板処理装置１においてプラズマ処理を制御する。また、制御部４３は、プラズマ処理に応じて、シャッター５１の開閉処理、エッジリング３０を静電吸着するための静電吸着処理及び伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給処理等を制御する。
【００２６】
処理容器１０の周囲には、環状又は同心状に延びる磁石４２が配置されている。基板処理装置１の処理容器１０内では、磁石４２によって一方向に向かう水平磁界が形成される。また、ステージ１１とガスシャワーヘッド２４との間に印加された高周波電力によって鉛直方向のＲＦ電界が形成される。これにより、処理容器１０内において処理ガスを介したマグネトロン放電が行われ、ステージ１１の表面近傍において処理ガスから高密度のプラズマが生成される。
【００２７】
プラズマ処理において、基板処理装置１は、まず、ゲートバルブ２０を開状態にしてウェハＷを搬送口１９から搬入し、ステージ１１上に載置する。排気装置１８は処理容器１０内を排気する。処理ガス供給部４０は処理ガスを処理容器１０内に導入する。伝熱ガス供給部３５は、伝熱ガスをウェハＷの裏面に供給する。第１高周波電源２１がプラズマ生成用の高周波電力をステージ１１に印加すると、処理ガスがプラズマ化し、プラズマ中のラジカルやイオンによってウェハＷの表面に所定のプラズマ処理が行われる。第２高周波電源２２からイオン引き込み用の高周波電力をステージ１１に印加してもよい。
【００２８】
［バッフル板及びシャッターの構成］
次に、バッフル板１５、シャッター５１及びその周囲の構成について、図１及び図２を参照しながら説明する。図２は、一実施形態に係るバッフル板１５、シャッター５１及びその周囲の一例を示す拡大図である。
【００２９】
図１を参照すると、デポシールド５２とステージ１１との間にコニカル形状のバッフル板１５が設けられている。バッフル板１５の上部の開口は、下部の開口よりも大きい。
【００３０】
バッフル板１５の上端の外側には、円周方向の一部の、搬送口１９に対応する位置にシャッター５１が昇降可能に設けられている。シャッター５１が上昇すると、デポシールド５２に当接し、これにより、搬送口１９が閉じられる。バッフル板１５の下端の内側には、ステージ１１の外周に配置された部材５３が設けられている。バッフル板１５は、部材５３を介して処理容器１０の底部に固定されている。バッフル板１５は、処理容器１０とともに第１高周波電源２１及び／又は第２高周波電源２２から出力された高周波に対する接地面を形成する第１の部材の一例である。図２に拡大して示すように、バッフル板１５の上端は金属又は金属にセラミックスを被覆したコンタクト部材５４に接合されている。
【００３１】
バッフル板１５、シャッター５１、デポシールド５２及び部材５３は、アルミニウム等の金属から形成されている。バッフル板１５、シャッター５１、デポシールド５２及び部材５３は、アルミニウム材に、アルミナ、イットリア（Ｙ２Ｏ３）等のセラミックスを被覆したものを用いてもよい。
【００３２】
処理空間Ｕ（図１参照）の一部は、シャッター５１により開閉可能となっている。ウェハＷの搬入及び搬出時、図２（ａ）に示すように、シャッター５１に接続されたリフター５０の駆動によりシャッター５１を下降させてシャッター５１を開ける。この状態でゲートバルブ２０を開き、図示しない搬送アームを搬送口１９から処理容器１０内に差し入れ、ウェハＷを搬入又は搬出する。
【００３３】
プラズマ処理中、図２（ｂ）に示すように、リフター５０の駆動によりシャッター５１をデポシールド５２及びコンタクト部材５４に当接するまで上昇させ、シャッター５１を閉じる。
【００３４】
デポシールド５２は、処理容器１０に接し、処理容器１０とともに第１高周波電源２１及び／又は第２高周波電源２２から出力された高周波に対する接地面を形成する第１の部材の一例である。
【００３５】
シャッター５１は、第１高周波電源２１及び／又は第２高周波電源２２から出力された高周波に対する接地面を形成する第２の部材の一例である。シャッター５１は、処理容器１０とともに第１高周波電源２１及び／又は第２高周波電源２２から出力された高周波に対する接地面を形成する第１の部材として機能してもよい。
【００３６】
なお、シャッター５１、搬送口１９、ゲートバルブ２０、排気路１４、排気口１６又は排気管１７の少なくともいずれかは、処理容器１０内の特定の構成の一例である。
【００３７】
図２（ｂ）に示すように、シャッター５１を閉じると、シャッター５１は、バッフル板１５及びデポシールド５２と接続され、接地面（グランド面）を形成する。すなわち、処理容器１０、デポシールド５２、シャッター５１及びバッフル板１５がグランド電位を持ち、これにより、処理空間Ｕにプラズマを閉じ込めることができる。かかる構成により、処理空間Ｕは、ステージ１１、処理容器１０、ガスシャワーヘッド２４、バッフル板１５、シャッター５１及びデポシールド５２にて形成されたプラズマ生成空間となる。
【００３８】
処理容器１０の底部に設けられた排気口１６が所定位置に偏って配置されると、排気に偏りが生じる。これに対して、バッフル板１５は、貫通孔１５ａ、１５ｂにガスを流すことで円周方向のガスの流れを整え、排気の偏りをなくす機能を有する。また、バッフル板１５は、処理空間Ｕと排気路１４とを仕切り、排気路１４にプラズマが侵入することを抑制する機能を有する。
【００３９】
図３に示すように、バッフル板１５は、バッフル板１５を貫通する複数の貫通孔１５ａ、１５ｂが円周方向に均等に配置されている。複数の貫通孔１５ａ、１５ｂは、バッフル板１５の上面及び下面に対して垂直に貫通する。
【００４０】
本実施形態では、バッフル板１５はコニカル形状であるが、水平方向の環状に形成されてもよい。ただし、バッフル板１５をコニカル形状にすることで、貫通孔１５ａ、１５ｂの数を増やすことができ、上記機能を向上させることができる。また、バッフル板１５の表面積を増やすことができる。
【００４１】
図２（ｂ）に戻り、プラズマ処理中、シャッター５１が閉じると、バッフル板１５、シャッター５１及びデポシールド５２は接続され、グランド電位となり、第１高周波電源２１及び／又は第２高周波電源２２から出力された高周波ＲＦの電流が流れる経路となる。以下、高周波ＲＦの電流が流れる経路を、高周波の伝搬経路（ＲＦ  Ｐａｔｈ）ともいう。
【００４２】
図２（ｂ）の状態では、シャッター５１とデポシールド５２及びシャッター５１とコンタクト部材５４とは当接した状態であり、シャッター５１とデポシールド５２の接触部分、及び、シャッター５１とコンタクト部材５４の接触部分が電気的に不安定になることがあり、高周波ＲＦの電流の流れが悪くなり易い。
【００４３】
図３に示すように、Ｏを中心としてバッフル板１５の円周方向の３６０°の領域のうち、シャッター５１がある領域に対応する８４°の領域を「第１の領域」とし、シャッター５１がない領域に対応する２７６°（＝３６０°−８４°）の領域を「第２の領域」とする。
【００４４】
シャッター５１とデポシールド５２の接触部分、及び、シャッター５１とコンタクト部材５４の接触部分で高周波ＲＦの電流の流れが悪くなると、第１の領域では、第２の領域よりもインピーダンスが高くなる。つまり、第１の領域では、第２の領域よりも第１高周波電源２１及び／又は第２高周波電源２２から出力された高周波ＲＦの電流が流れ難くなる。
【００４５】
このため、ウェハＷにプラズマエッチング処理を行った場合、シャッター５１がある側のホールのＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｔｉｏｎ）と、シャッター５１がない側のホールのＣＤに偏りが生じる。そこで、本実施形態に係るバッフル板１５は、シャッター５１がある側の第１の領域において第２の領域よりも高周波ＲＦの電流を通り易くする構成を有する。これにより、バッフル板１５の第１の領域のインピーダンスと第２の領域のインピーダンスとを円周方向で揃える。これにより、シャッター５１がある側のホールのＣＤと、シャッター５１がない側のホールのＣＤの偏りを解消することができ、プロセス特性及び生産性を向上させることができる。
【００４６】
バッフル板１５が有するインピーダンスを調整する構成について、図３及び図４を参照して説明する。図３に示すように、バッフル板１５のプラズマに暴露される面（上面）において、第１の領域の貫通孔１５ａの直径が、第２の領域の貫通孔１５ｂの直径よりも小さくなるように形成する。図３の「Ａ」の貫通孔１５ａ、１５ｂを拡大し、その断面を示した図４を参照する。バッフル板１５の上面に形成される貫通孔１５ａの開口１５１ａの直径（φ１）は、バッフル板１５の上面に形成される貫通孔１５ｂの開口１５１ｂの直径（φ２．５）の半分以下のサイズに形成されている。ただし、開口１５１ａと開口１５１ｂの大きさの比は、開口１５１ａが開口１５１ｂよりも小さければ、これに限られない、
一方、バッフル板１５の下面に形成される貫通孔１５ａの開口１５２ａの直径（φ２．５）は、バッフル板１５の下面に形成される貫通孔１５ｂの開口１５２ｂの直径（φ２．５）と同じである。また、バッフル板１５の厚さをＨ２とすると、バッフル板１５の上面からＨ１（Ｈ１＜Ｈ２）の距離に段差１５ａ１が設けられている。
【００４７】
かかる構成により、バッフル板１５の第１の領域の上面及び貫通孔１５ａの内壁面のトータルの表面積を、第２の領域の上面及び貫通孔１５ｂの内面のトータルの表面積よりも大きくすることができる。これにより、バッフル板１５の第１の領域のインピーダンスを第２の領域のインピーダンスよりも低くする。
【００４８】
バッフル板１５とシャッター５１とは同じグランド電位である。よって、バッフル板１５の第１の領域の表面積（グランド面積）を第２の領域の表面積（グランド面積）よりも大きくすることで、バッフル板１５の第１の領域のインピーダンスを第２の領域のインピーダンスよりも低くすることができる。これにより、シャッター５１においてインピーダンスが高くなっても、シャッター５１を経由する高周波の伝搬経路と、シャッター５１を経由しない高周波の伝搬経路とを略同一のインピーダンスに調整することができる。これにより、シャッター５１がある側のホールのＣＤと、シャッター５１がない側のホールのＣＤの偏りを解消することができ、プロセス特性及び生産性を向上させることができる。
【００４９】
また、バッフル板１５の第１の領域の貫通孔１５ａに段差１５ａ１を設け、バッフル板１５の下面における開口を広げることで、貫通孔１５ａを通るガスのコンダクタンスを確保することができる。これにより、高周波の伝搬経路のインピーダンス調整と、ガスのコンダクタンスとの両立を図ることができる。
【００５０】
以上に説明したように、本実施形態の基板処理装置１によれば、処理容器１０と、高周波電源２１，２２と、処理容器１０とともに高周波電源２１，２２から出力された高周波に対する接地面を形成する第１の部材と、を有する。第１の部材は、処理容器１０の特定の構成に対応する第１の領域の表面積と、前記第１の領域以外の第２の領域の表面積とを変化させてインピーダンスを調整するように構成されている。これにより、高周波に対する接地面を形成する部材におけるインピーダンスを調整することができる。これにより、第２の部材がある側のホールのＣＤと、第２の部材がない側のホールのＣＤの偏りを解消することができ、プロセス特性及び生産性を向上させることができる。第１の部材は、バッフル板１５、シャッター５１、デポシールド５２のいずれであってもよい。第２の部材は、シャッターであってもよい。
【００５１】
［変形例］
変形例としては、例えば、第１の部材は、処理容器１０の特定の構成に対応する第２の部材が円周方向に形成する角度と、前記第２の部材以外の角度とに基づき、前記第１の領域の表面積と前記第２の領域の表面積とを変化させて構成してもよい。
【００５２】
また、上記実施形態では、第１の部材は、第１の部材の穴の形状により前記第１の領域の表面積と前記第２の領域の表面積とを変化させてインピーダンスを調整したが、これに限られない。例えば、第１の部材は、前記第１の部材の穴の密度により前記第１の領域の表面積と前記第２の領域の表面積とを変化させてインピーダンスを調整してもよい。
【００５３】
また、上記実施形態では、インピーダンスに不均一が生じる処理容器１０の特定の構成として、シャッター５１を挙げて説明したが、インピーダンスに不均一が生じる箇所は１つに限られない。シャッター５１が２つ以上設けられている場合には、２カ所でインピーダンスに不均一が生じる。よって、この場合、２つのシャッターに対応した２カ所の領域である第１の領域の貫通孔１５ａとそれ以外の領域である第２の領域の貫通孔１５ｂとの形状を変えてインピーダンスを調整してもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では、第１の領域の貫通孔１５ａの形状を第２の領域の貫通孔１５ｂの形状と異ならせることで、バッフル板１５の第１の領域の表面積を第２の領域の表面積よりも大きくした。しかしながら、これに限られず、バッフル板１５の第１の領域の表面形状を第２の領域の表面形状と変えることで、第１の領域の表面積を第２の領域の表面積よりも大きくしてもよい。また、バッフル板１５の第１の領域の厚さを第２の領域の厚さと変えることで、第１の領域の表面積を第２の領域の表面積よりも大きくしてもよい。
【００５５】
また、バッフル板１５の第１の領域に酸化イットリウムやアルミナの溶射膜を形成し、表面処理を行うことでインピーダンスを調整してもよい。第１の領域の表面に溶射やその他のコーティング技術を用いて絶縁膜を形成することで、第１の領域のインピーダンスを第２の領域のインピーダンスよりも高くすることができる。これにより、第１の領域の表面積を第２の領域の表面積よりも大きくし過ぎた場合にシャッター５１側の第１の領域のインピーダンスが下がり過ぎた状態を改善し、トータルで概ね同一のインピーダンスに調整することができる。
【００５６】
今回開示された一実施形態に係る基板処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００５７】
本開示の基板処理装置は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition ）装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP),Inductively Coupled Plasma(ICP),Radial Line Slot Antenna, Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR),Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１    基板処理装置
１０  処理容器
１１  ステージ
１４  排気路
１５  バッフル板
１５ａ、１５ｂ  貫通孔
１９  搬送口
２０  ゲートバルブ
２１  第１高周波電源
２２  第２高周波電源
２４  ガスシャワーヘッド
２５  静電チャック
３０  エッジリング
４０  処理ガス供給部
４３  制御部
５１  シャッター
５２  デポシールド
５３  部材
Ｕ    処理空間
【図１】
2020136062.tif 000003
【図２】
2020136062.tif 000004
【図３】
2020136062.tif 000005
【図４】
2020136062.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月17日(2020.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器と、
高周波電流を供給する高周波電源と、
前記処理容器に電気的に接続された部材と、を有し、
前記部材は、
前記部材のインピーダンスを調整するために、前記処理容器内の特定の構成に対応する前記部材の第１の領域の単位体積あたりの表面積が、前記第１の領域以外の領域である前記部材の第２の領域の単位体積あたりの表面積と異なるように構成する、基板処理装置。
【請求項２】
前記部材の第１の領域の単位体積あたりの表面積及び前記部材の第２の領域の単位体積あたりの表面積は、前記特定の構成の中心角と、前記処理容器の中心軸の軸方向から見たときの断面視で前記特定の構成の前記中心角の共役角と、に基づき決定され、
前記中心角は、前記処理容器の中心から前記特定の構成の一端部までの直線と、前記処理容器の中心から前記特定の構成の他端部までの直線と、により形成される、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記部材は、
前記部材の第１の領域に形成された穴の形状を前記部材の第２の領域に形成された穴の形状と異ならせる、又は、前記部材の第１の領域に形成された穴の数を前記部材の第２の領域に形成された穴の数と異ならせることにより、前記部材の第１の領域の単位体積あたりの表面積が、前記部材の第２の領域の単位体積あたりの表面積と異なるように構成する、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記部材は、バッフル板である、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記バッフル板は、前記第１の領域に穴を含み、
前記バッフル板の下面の穴の直径は、前記バッフル板の上面の穴の直径よりも大きい、
請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記バッフル板は、コニカル形状である、
請求項４又は５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記特定の構成は、シャッターである、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記部材は、前記処理容器に電気的に接続されたバッフル板であり、
前記シャッターは、前記シャッターが閉まるとき、前記バッフル板と前記処理容器とに接触し、前記シャッターが開くとき、前記バッフル板の前記第１の領域から離隔するように構成され、
前記バッフル板は、
前記シャッターを介して前記バッフル板の前記第１の領域と前記処理容器とを通る高周波電流の経路のインピーダンスが、前記シャッターを介さずに前記バッフル板の前記第２の領域と前記処理容器とを通る高周波電流の経路のインピーダンスに等しくなるように構成される、
請求項７に記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、処理容器と、高周波電流を供給する高周波電源と、前記処理容器に電気的に接続された部材と、を有し、前記部材は、前記部材のインピーダンスを調整するために、前記処理容器内の特定の構成に対応する前記部材の第１の領域の単位体積あたりの表面積が、前記第１の領域以外の領域である前記部材の第２の領域の単位体積あたりの表面積と異なるように構成する、基板処理装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図３に示すように、点Ｏをバッフル板１５の中心としてバッフル板１５の円周方向の３６０°の領域のうち、シャッター５１を閉じたときにバッフル板１５と接触する領域に対応する８４°の領域を「第１の領域」とし、シャッター５１がない領域に対応する２７６°（＝３６０°−８４°）の領域を「第２の領域」とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
このため、ウェハＷにプラズマエッチング処理を行った場合、シャッター５１がある側のホールのＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｔｉｏｎ）と、シャッター５１がない側のホールのＣＤに偏りが生じる。そこで、本実施形態に係るバッフル板１５は、シャッター５１がある側の第１の領域において第２の領域よりも高周波ＲＦの電流を通り易くする構成を有する。これにより、バッフル板１５の第１の領域のインピーダンスと第２の領域のインピーダンスとを調整する。これにより、シャッター５１がある側のホールのＣＤと、シャッター５１がない側のホールのＣＤの偏りを解消することができ、プロセス特性及び生産性を向上させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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