(57)【要約】【課題】封止性能の低下を防止することを目的とする。【解決手段】表示装置は、表示回路層４６を囲む内側土手層６０と、内側土手層６０を囲む外側土手層６２と、を有する。封止層４８は、第１無機膜５２及び第２無機膜５４と、第１無機膜５２及び第２無機膜５４の間に介在する有機膜５０と、を含む。第１無機膜５２及び第２無機膜５４は、有機膜５０の周囲で相互に接触して有機膜５０を封止する。有機膜５０は、内側土手層６０を超えない位置に周縁を有する。第１無機膜５２及び第２無機膜５４は、内側土手層に載って、外側土手層６２の上に周縁を有する。樹脂層５６は、第１無機膜５２及び第２無機膜５４が内側土手層６０の上に有する部分の全体を覆い、外側土手層６２の上方に非接触で周縁を有する。外側土手層６２は、内側土手層６０と同等又はそれ以上の高さを有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
発光によって画像を表示するために前記基板に積層された表示回路層と、
前記表示回路層を囲む内側土手層と、
前記内側土手層を囲む外側土手層と、
前記表示回路層を覆う封止層と、
前記封止層に積層する樹脂層と、
を有し、
前記封止層は、一対の無機膜と、前記一対の無機膜の間に介在する有機膜と、を含み、前記一対の無機膜は前記有機膜の周囲で相互に接触して前記有機膜を封止し、
前記有機膜は、前記内側土手層を超えない位置に周縁を有し、
前記一対の無機膜は、前記内側土手層に載って、前記外側土手層の上に周縁を有し、
前記樹脂層は、前記一対の無機膜が前記内側土手層の上に有する部分の全体を覆い、前記外側土手層の上方に非接触で周縁を有し、
前記外側土手層は、前記内側土手層と同等又はそれ以上の高さを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記封止層が載る下地面は、前記内側土手層に内側で隣接する内側領域と、前記内側土手層と前記外側土手層の間にある中間領域と、を含み、
前記中間領域の少なくとも一部は、前記内側領域と同等又はそれ以上の高さにあることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
基板と、
発光によって画像を表示するために前記基板に積層された表示回路層と、
前記表示回路層を囲む内側土手層と、
前記内側土手層を囲む外側土手層と、
前記表示回路層を覆う封止層と、
前記封止層に積層する樹脂層と、
を有し、
前記封止層は、一対の無機膜と、前記一対の無機膜の間に介在する有機膜と、を含み、前記一対の無機膜は前記有機膜の周囲で相互に接触して前記有機膜を封止し、
前記有機膜は、前記内側土手層を超えない位置に周縁を有し、
前記一対の無機膜は、前記内側土手層に載って、前記外側土手層の上に周縁を有し、
前記樹脂層は、前記一対の無機膜が前記内側土手層の上に有する部分の全体を覆い、前記外側土手層の上方に非接触で周縁を有し、
前記封止層が載る下地面は、前記内側土手層に内側で隣接する内側領域と、前記内側土手層と前記外側土手層の間にある中間領域と、を含み、
前記中間領域の少なくとも一部は、前記内側領域と同等又はそれ以上の高さにあることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載された表示装置において、
前記中間領域は、高さの異なる部分を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記樹脂層の前記周縁は、前記一対の無機膜の前記周縁から突出していることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記外側土手層の最上層は、前記内側土手層の最上層よりも高く、
前記外側土手層の最上層から二番目の層は、前記内側土手層の最上層よりも低いことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
発光によって画像を表示するための表示回路層と、前記表示回路層を囲む内側土手層と、前記内側土手層を囲む外側土手層と、を有する基板を用意する工程と、
前記表示回路層を覆って、前記内側土手層及び前記外側土手層に載り、前記外側土手層の外側に至るように、第１無機膜を形成する工程と、
前記表示回路層を覆って、前記第１無機膜の上に、前記内側土手層でせき止められるように液状有機材料を設けて、有機膜を形成する工程と、
前記表示回路層を覆って、前記有機膜に載り、前記内側土手層及び前記外側土手層を超えて前記外側土手層の外側で前記第１無機膜に接触して載るように、第２無機膜を形成する工程と、
前記表示回路層を覆って、前記第２無機膜の上に、前記外側土手層でせき止められるように液状樹脂を設けて、樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層をマスクとして、前記第１無機膜及び前記第２無機膜をエッチングする工程と、
を含み、
前記樹脂層は、前記エッチングする工程で削られても前記内側土手層の上方で前記第２無機膜を露出させない程度の厚みを有し、
前記樹脂層を形成する工程で、前記液状樹脂が前記内側土手層の上方で滞留する程度に、前記内側土手層と前記外側土手層との間での前記第２無機膜の高さ及び前記内側土手層の低さの少なく一方を満たすことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載された表示装置の製造方法において、
前記内側土手層は、前記外側土手層を超えない高さを有するように形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載された表示装置の製造方法において、
前記第１無機膜が載る下地面は、前記内側土手層に内側で隣接する内側領域と、前記内側土手層と前記外側土手層の間にある中間領域と、を含み、
前記中間領域の少なくとも一部は、前記内側領域と同等又はそれ以上の高さにあることを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネセンス層などの発光素子層は、吸湿によって劣化するため、大気から遮断するために封止層で覆うことが必要である（引用文献１〜５）。例えば、有機膜を一対の無機膜でサンドイッチした多層構造の封止層を、発光素子層の封止に使用した構造が知られている。封止層の上にはオーバーコート層が設けられる。
【０００３】
封止層の有機膜は、液状樹脂から形成する。液状樹脂の流動は、第１の土手によって止められるようになっている。封止層の一対の無機膜は、第１の土手を超えるように形成される。オーバーコート層を形成するための液状樹脂は、第１の土手の外側にある第２の土手によってせき止められる。オーバーコート層は、第１の土手及び一対の無機膜を覆うように形成し、第１の土手の上方では厚みが薄くなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１５／２２８９２７号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１６／３１５２８４号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１６／３０７９７１号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２０１７／５３９７３号明細書
【特許文献５】特開２０１８−２２３２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一対の無機膜は、広い領域に形成した後、オーバーコート層をエッチングマスクとしてエッチングされる。エッチングプロセスでは、上述したように第１の土手の上方で薄くなったオーバーコート層が削れてしまうことがあり、その下の一対の無機膜も削れると、封止性能が低下する。
【０００６】
本発明は、封止性能の低下を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る表示装置は、基板と、発光によって画像を表示するために前記基板に積層された表示回路層と、前記表示回路層を囲む内側土手層と、前記内側土手層を囲む外側土手層と、前記表示回路層を覆う封止層と、前記封止層に積層する樹脂層と、を有し、前記封止層は、一対の無機膜と、前記一対の無機膜の間に介在する有機膜と、を含み、前記一対の無機膜は前記有機膜の周囲で相互に接触して前記有機膜を封止し、前記有機膜は、前記内側土手層を超えない位置に周縁を有し、前記一対の無機膜は、前記内側土手層に載って、前記外側土手層の上に周縁を有し、前記樹脂層は、前記一対の無機膜が前記内側土手層の上に有する部分の全体を覆い、前記外側土手層の上方に非接触で周縁を有し、前記外側土手層は、前記内側土手層と同等又はそれ以上の高さを有することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、外側土手層は、内側土手層と同等又はそれ以上の高さを有するので、樹脂層が内側土手層の上で薄くならずに封止層を保護する。これにより、封止性能の低下を防止することができる。
【０００９】
本発明に係る表示装置は、基板と、発光によって画像を表示するために前記基板に積層された表示回路層と、前記表示回路層を囲む内側土手層と、前記内側土手層を囲む外側土手層と、前記表示回路層を覆う封止層と、前記封止層に積層する樹脂層と、を有し、前記封止層は、一対の無機膜と、前記一対の無機膜の間に介在する有機膜と、を含み、前記一対の無機膜は前記有機膜の周囲で相互に接触して前記有機膜を封止し、前記有機膜は、前記内側土手層を超えない位置に周縁を有し、前記一対の無機膜は、前記内側土手層に載って、前記外側土手層の上に周縁を有し、前記樹脂層は、前記一対の無機膜が前記内側土手層の上に有する部分の全体を覆い、前記外側土手層の上方に非接触で周縁を有し、前記封止層が載る下地面は、前記内側土手層に内側で隣接する内側領域と、前記内側土手層と前記外側土手層の間にある中間領域と、を含み、前記中間領域の少なくとも一部は、前記内側領域と同等又はそれ以上の高さにあることを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、中間領域の少なくとも一部は、内側領域と同等又はそれ以上の高さにあるので、樹脂層が内側土手層の上で薄くならずに封止層を保護する。これにより、封止性能の低下を防止することができる。
【００１１】
本発明に係る表示装置の製造方法は、発光によって画像を表示するための表示回路層と、前記表示回路層を囲む内側土手層と、前記内側土手層を囲む外側土手層と、を有する基板を用意する工程と、前記表示回路層を覆って、前記内側土手層及び前記外側土手層に載り、前記外側土手層の外側に至るように、第１無機膜を形成する工程と、前記表示回路層を覆って、前記第１無機膜の上に、前記内側土手層でせき止められるように液状有機材料を設けて、有機膜を形成する工程と、前記表示回路層を覆って、前記有機膜に載り、前記内側土手層及び前記外側土手層を超えて前記外側土手層の外側で前記第１無機膜に接触して載るように、第２無機膜を形成する工程と、前記表示回路層を覆って、前記第２無機膜の上に、前記外側土手層でせき止められるように液状樹脂を設けて、樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層をマスクとして、前記第１無機膜及び前記第２無機膜をエッチングする工程と、を含み、前記樹脂層は、前記エッチングする工程で削られても前記内側土手層の上方で前記第２無機膜を露出させない程度の厚みを有し、前記樹脂層を形成する工程で、前記液状樹脂が前記内側土手層の上方で滞留する程度に、前記内側土手層と前記外側土手層との間での前記第２無機膜の高さ及び前記内側土手層の低さの少なく一方を満たすことを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、液状樹脂が内側土手層の上方で滞留する程度に、内側土手層と外側土手層との間での第２無機膜の高さ及び内側土手層の低さの少なく一方を満たすので、樹脂層が内側土手層の上で薄くならずに第２無機膜を保護する。これにより、封止性能の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】表示装置の使用状態を示す概略図である。
【図３】図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。
【図４】図１に示す表示装置のIV−IV線断面図である。
【図５】図１に示す表示装置の回路図である。
【図６】図１に示す表示装置のVI-VI線断面図である。
【図７】図１に示す表示装置のVII-VII線断面図である。
【図８】第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】第１の実施形態の変形例を示す図である。
【図１０】第２の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１１】第２の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。
【図１２】第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１３】第３の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。
【図１４】第４の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１５】第４の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。
【図１６】第５の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１７】第５の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。
【図１８】第６の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１９】第６の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。
【図２０】第７の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図２１】第７の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１５】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１６】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１７】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、実際には、折り曲げて使用するので、図１は、表示装置を折り曲げる前の展開図である。図２は、表示装置の使用状態を示す概略図である。図３は、図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。
【００１８】
表示装置は、ディスプレイＤＳＰを含む。屈曲の内側にはスペーサＳＰが配置されて、ディスプレイＤＳＰの曲がりすぎを防いでいる。ディスプレイＤＳＰは、可撓性を有し、表示領域ＤＡの外側で折り曲げられている。ディスプレイＤＳＰには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップＣＰが搭載されている。ディスプレイＤＳＰには、表示領域ＤＡの外側で、フレキシブルプリント基板ＦＰが接続されている。
【００１９】
表示装置は、例えば、有機エレクトロルミネセンス表示装置である。表示装置は、画像が表示される表示領域ＤＡを有する。表示領域ＤＡでは、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。
【００２０】
図４は、図１に示す表示装置のIV−IV線断面図である。基板１０は、ポリイミドからなる。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いてもよい。
【００２１】
基板１０上に、バリア無機膜１２（アンダーコート層）が積層されている。バリア無機膜１２は、シリコン酸化膜１２ａ、シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃの三層積層構造である。最下層のシリコン酸化膜１２ａは、基板１０との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜１２ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜１２ｃは、シリコン窒化膜１２ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１６側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。
【００２２】
薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて機能膜１４を形成してもよい。機能膜１４は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜１２ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて機能膜１４を島状に形成し、その後シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃを積層することで、バリア無機膜１２に機能膜１４を封入するように形成しているが、この限りではなく、基板１０上にまず機能膜１４を形成し、その後にバリア無機膜１２を形成してもよい。
【００２３】
バリア無機膜１２上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１６は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜１８としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２０は、ＭｏＷから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２０に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１６（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜１８を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。
【００２４】
ゲート電極２０の上に、層間絶縁膜２２（シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜）が積層されている。層間絶縁膜２２の上に、ソース・ドレイン電極２４となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜２２を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。
【００２５】
第２配線層Ｗ２（ソース・ドレイン電極２４）を覆って、層間絶縁膜２２の上にパッシベーション膜２６が形成されている。パッシベーション膜２６の上には平坦化有機膜２８が設けられている。平坦化有機膜２８は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の樹脂が用いられる。
【００２６】
平坦化有機膜２８及びパッシベーション膜２６は、画素コンタクト部３０では除去されて、その上に酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）膜３２が形成されている。酸化インジウムスズ膜３２は、相互に分離された第１透明導電膜３２ａ及び第２透明導電膜３２ｂを含む。平坦化有機膜２８及びパッシベーション膜２６の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３２ａにて被覆される。第１透明導電膜３２ａを被覆するように、平坦化有機膜２８の上にシリコン窒化膜３４が設けられている。シリコン窒化膜３４は、画素コンタクト部３０に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極２４に導通するように画素電極３６が積層されている。画素電極３６は、反射電極として形成され、酸化インジウム亜鉛膜、Ａｇ膜、酸化インジウム亜鉛膜の三層積層構造になっている。ここで、酸化インジウム亜鉛膜に代わって酸化インジウムスズ膜を用いてもよい。画素電極３６は、画素コンタクト部３０から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。
【００２７】
第２透明導電膜３２ｂは、画素コンタクト部３０に隣接して、画素電極３６の下方（さらにシリコン窒化膜３４の下方）に設けられている。第２透明導電膜３２ｂ、シリコン窒化膜３４及び画素電極３６は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。
【００２８】
平坦化有機膜２８の上であって例えば画素コンタクト部３０の上方に、バンク（リブ）と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁有機膜３８が形成されている。絶縁有機膜３８としては平坦化有機膜２８と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁有機膜３８は、画素電極３６の表面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、その上に形成される有機エレクトロルミネセンス層４０のカバレッジ不良を生ずる。
【００２９】
平坦化有機膜２８と絶縁有機膜３８は、両者間にあるシリコン窒化膜３４に設けた開口を通じて接触している。これにより、絶縁有機膜３８の形成後の熱処理等を通じて、平坦化有機膜２８から脱離する水分や脱ガスを、絶縁有機膜３８を通じて引き抜くことができる。
【００３０】
画素電極３６の上に、有機材料からなる有機エレクトロルミネセンス層４０が積層されている。有機エレクトロルミネセンス層４０は、単層であってもよいが、画素電極３６側から順に、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された構造であってもよい。これらの層は、蒸着によって形成してもよいし、溶媒分散の上での塗布によって形成してもよく、画素電極３６（各サブ画素）に対して選択的に形成してもよいし、表示領域ＤＡを覆う全面にベタ形成されてもよい。ベタ形成の場合は、全サブ画素において白色光を得て、カラーフィルタ（図示せず）によって所望の色波長部分を取り出す構成になる。
【００３１】
有機エレクトロルミネセンス層４０の上に、対向電極４２が設けられている。ここでは、トップエミッション構造としているため、対向電極４２は透明である。例えば、Ｍｇ層及びＡｇ層を、有機エレクトロルミネセンス層４０からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。前述の有機エレクトロルミネセンス層４０の形成順序に従うと、画素電極３６が陽極となり、対向電極４２が陰極となる。複数の画素電極３６と、対向電極４２と、複数の画素電極３６のそれぞれの中央部と対向電極４２の間に介在する有機エレクトロルミネセンス層４０と、で発光素子４４が構成される。発光によって画像を表示するため表示回路層４６は、発光素子４４及び薄膜トランジスタＴＲなどの回路素子を含む。
【００３２】
対向電極４２の上に、発光素子４４を覆う封止層４８が形成されている。封止層４８は、先に形成した有機エレクトロルミネセンス層４０を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一としており、高いガスバリア性が要求される。封止層４８は、有機膜５０及びこれを挟む第１無機膜５２及び第２無機膜５４（例えばシリコン窒化膜）の積層構造になっている。封止層４８には、樹脂層５６及び偏光板（例えば円偏光板）が積層されている。
【００３３】
図５は、図１に示す表示装置の回路図である。回路は、走査回路ＧＤに接続される複数の走査線ＧＬと、信号駆動回路ＳＤに接続される複数の信号線ＤＬを有する。図１に示す集積回路チップＣＰ内に信号駆動回路ＳＤが配置されている。隣接する２つの走査線ＧＬと隣接する２つの信号線ＤＬとで囲まれる領域が１つの画素ＰＸである。画素ＰＸは、駆動トランジスタとしての薄膜トランジスタＴＲ及びスイッチとしての薄膜トランジスタＴＲ２と保持容量Ｃｓを含む。走査線ＧＬにゲート電圧が印加されることにより、薄膜トランジスタＴＲ２がＯＮ状態となり、信号線ＤＬから映像信号が供給され、保持容量Ｃｓに電荷が蓄積される。保持容量Ｃｓに電荷が蓄積されることにより、薄膜トランジスタＴＲがＯＮ状態となり、電源線ＰＷＬから発光素子ＯＤに電流が流れる。この電流により発光素子ＯＤが発光する。
【００３４】
図６は、図１に示す表示装置のVI-VI線断面図である。表示装置は、発光によって画像を表示するために基板１０に積層された表示回路層４６（図４）を有する。内側土手層６０が表示回路層４６を囲んでいる。また、外側土手層６２が内側土手層６０を囲む。外側土手層６２は、内側土手層６０と同等又はそれ以上の高さを有する。
【００３５】
外側土手層６２は複数層からなる。複数層は、有機層６４ａ，６４ｂを含む。複数層の最上層は、有機層６４ａであり、図４に示す絶縁有機膜３８と同時に形成される（同層にある）。有機層６４ｂは、図４に示す平坦化有機膜２８と同時に形成される（同層にある）。複数層は、導電層６６ａ〜６６ｄ（金属又は酸化物半導体からなる層）を含む。導電層６６ａ〜６６ｄが積層されることで、外側土手層６２の高さがかさ上げされる。なお、最上層の導電層６６ａは、図４に示す画素電極３６と同時に形成され（同層にあり）、２つの有機層６４ａ，６４ｂの間に介在する。導電層６６ａ〜６６ｄは、複数の無機絶縁膜（例えばゲート絶縁膜１８、層間絶縁膜２２、パッシベーション膜２６）と交互に積層している。
【００３６】
内側土手層６０は複数層からなる。複数層は、有機層６４ａ，６４ｂを含む。複数層の最上層は、有機層６４ａであり、図４に示す絶縁有機膜３８と同時に形成される（同層にある）。有機層６４ｂは、図４に示す平坦化有機膜２８と同時に形成される（同層にある）。複数層は、導電層６６ａ〜６６ｄ（金属又は酸化物半導体からなる層）を含む。導電層６６ａ〜６６ｄが積層されることで、内側土手層６０の高さがかさ上げされる。最上層の導電層６６ａは、図４に示す画素電極３６と同時に形成される（同層にある）が、上から２番目の有機層６４ｂの上に載らないので、内側土手層６０は、外側土手層６２よりも低くなっている。更に有機層６４ａと有機層６４ｂがずれているから内側土手層６０は、外側土手層６２よりも低くなっている。
【００３７】
表示装置は、表示回路層４６を覆う封止層４８を有する。封止層４８は、第１無機膜５２及び第２無機膜５４を含む。第１無機膜５２及び第２無機膜５４の間に有機膜５０が介在する。第１無機膜５２及び第２無機膜５４は有機膜５０の周囲で相互に接触して有機膜５０を封止する。有機膜５０は、内側土手層６０を超えない位置に周縁を有する。第１無機膜５２及び第２無機膜５４は、内側土手層に載って、外側土手層６２の上に周縁を有する。
【００３８】
封止層４８が載る下地面は、内側土手層６０に内側で隣接する内側領域Ｒ１を含む。内側領域Ｒ１の表面は、図４に示す画素電極３６と同層の導電層６６ａからなる。内側領域Ｒ１では、外側土手層６２に含まれる全ての導電層６６ａ〜６６ｄが積層されている。
【００３９】
封止層４８が載る下地面は、内側土手層６０と外側土手層６２の間にある中間領域Ｒ２を含む。中間領域Ｒ２では、内側領域Ｒ１に積層される導電層６６ａ〜６６ｄが積層されない。そのため、中間領域Ｒ２は、内側領域Ｒ１よりも低くなっている。
【００４０】
封止層４８には樹脂層５６が積層している。樹脂層５６は、第１無機膜５２及び第２無機膜５４が内側土手層６０の上に有する部分の全体を覆う。樹脂層５６は、外側土手層６２の上方に非接触で周縁を有する。本実施形態によれば、外側土手層６２は、内側土手層６０と同等又はそれ以上の高さを有するので、樹脂層５６が内側土手層６０の上で薄くならずに封止層４８を保護する。これらにより、封止性能の低下を防止することができる。
【００４１】
図７は、図１に示す表示装置のVII-VII線断面図である。表示領域ＤＡと集積回路チップＣＰ又はフレキシブルプリント基板１０ＦＰとの間の領域でも、外側土手層６２は、導電層６６ａ〜６６ｄを含むことで、内側土手層６０と同等又はそれ以上の高さを有する。その他の詳細は、図６を参照して説明した内容を適用可能である。
【００４２】
［製造方法］
図８は、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。本実施形態では、基板１０に、発光によって画像を表示するための表示回路層４６（図４）と、表示回路層４６を囲む内側土手層６０と、内側土手層６０を囲む外側土手層６２と、を形成する。内側土手層６０は、外側土手層６２を超えない高さを有するように形成する。
【００４３】
表示回路層４６を覆って、内側土手層６０及び外側土手層６２に載り、外側土手層６２の外側に至るように、第１無機膜５２を形成する。表示回路層４６を覆って、第１無機膜５２の上に、内側土手層６０でせき止められるように液状有機材料を設けて、有機膜５０を形成する。表示回路層４６を覆って、有機膜５０に載り、内側土手層６０及び外側土手層６２を超えて外側土手層６２の外側で第１無機膜５２に接触して載るように、第２無機膜５４を形成する。
【００４４】
表示回路層４６を覆って、第２無機膜５４の上に、外側土手層６２でせき止められるように液状樹脂を設けて、樹脂層５６を形成する。樹脂層５６をマスクとして、第１無機膜５２及び第２無機膜５４をエッチングする。エッチング後の形状は図６に示す通りである。
【００４５】
本実施形態では、内側土手層６０は、外側土手層６２を超えない高さになっている。そのため、樹脂層５６を形成する工程で、液状樹脂が内側土手層６０の上方で滞留する。樹脂層５６は、エッチングする工程で削られても内側土手層６０の上方で第２無機膜５４を露出させない程度の厚みを有し、樹脂層５６が内側土手層６０の上で薄くならずに第２無機膜５４を保護する。これにより、封止性能の低下を防止することができる。
【００４６】
［変形例］
図９は、第１の実施形態の変形例を示す図である。本変形例では、樹脂層１５６の周縁は、第１無機膜１５２及び第２無機膜１５４の周縁から突出している。言い換えると、樹脂層１５６の下で、第１無機膜１５２及び第２無機膜１５４が引っ込んでいる。これは、図８を参照して上述した製造プロセスで、第１無機膜１５２及び第２無機膜１５４をエッチングしたときに生じる。
【００４７】
［第２の実施形態］
図１０は、第２の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態では、図６に示す内側土手層６０の一部を構成する最上層である有機層６４ａを無くすことで、内側土手層２６０を低くしている。
【００４８】
図１１は、第２の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。本実施形態では、図７に示す内側土手層６０の一部を構成する最上層である有機層６４ａを無くすことで、内側土手層２６０を低くしている。本実施形態のそれ以外の内容は、第１の実施形態で説明した内容が適用可能である。
【００４９】
［第３の実施形態］
図１２は、第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。図１３は、第３の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。本実施形態では、図６及び図７に示す外側土手層６２にさらに追加層３６８を設けることで、外側土手層３６２を高くしている。外側土手層３６２の最上層（追加層３６８）は、内側土手層３６０の最上層よりも高い。外側土手層３６２の最上層（追加層３６８）から二番目の層は、内側土手層３６０の最上層よりも低い。
【００５０】
本実施形態では、図６及び図７に示す外側土手層６２を高くするための複数の導電層６６ａ〜６６ｄが設けられていないが、それ以外の内容は、第１の実施形態で説明した内容が適用可能である。
【００５１】
［第４の実施形態］
図１４は、第４の実施形態に係る表示装置の断面図である。図１５は、第４の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。本実施形態では、図６及び図７（第１の実施形態）に示す構造に、それぞれ、図１２及び図１３（第３の実施形態）に示す構造と同様に、追加層４６８を設けてある。これにより、外側土手層４６２がさらに高くなっている。それ以外の内容は、第１及び第３の実施形態で説明した内容が該当する。
【００５２】
［第５の実施形態］
図１６は、第５の実施形態に係る表示装置の断面図である。図１７は、第５の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。図１６及び図１７に示す構造は、図６及び図７（第１の実施形態）に示す構造とそれぞれ比較して、中間領域Ｒ２の高さに違いがある。
【００５３】
封止層５４８が載る下地面は、内側土手層５６０に内側で隣接する内側領域Ｒ１を含む。封止層５４８が載る下地面は、内側土手層５６０と外側土手層５６２の間にある中間領域Ｒ２を含む。
【００５４】
中間領域Ｒ２の少なくとも一部（本実施形態では全体）は、内側領域Ｒ１と同等又はそれ以上の高さにある。したがって、樹脂層５５６が内側土手層５６０の上で薄くならずに封止層５４８を保護する。なお、中間領域Ｒ２は、高さの異なる部分を含む。
【００５５】
中間領域Ｒ２は、有機層５６４ｂの一部の表面である。有機層５６４ｂは、図４に示す平坦化有機膜２８と同時に形成される（同層にある）。有機層５６４ｂは、外側土手層５６２を構成する部分を有する。有機膜５５０は、中間領域Ｒ２を構成する部分の少なくとも一部が、外側土手層５６２を構成する部分よりも薄くなっている。
【００５６】
製造プロセスにおいては、第１無機膜５５２が載る下地面は、内側土手層５６０に内側で隣接する内側領域Ｒ１を含む。第１無機膜５５２が載る下地面は、内側土手層５６０と外側土手層５６２の間にある中間領域Ｒ２を含む。中間領域Ｒ２の少なくとも一部は、内側領域Ｒ１と同等又はそれ以上の高さにある。
【００５７】
本実施形態では、中間領域Ｒ２の少なくとも一部は、内側領域Ｒ１と同等又はそれ以上の高さにあるので、内側領域Ｒ１よりも中間領域Ｒ２（内側土手層５６０と外側土手層５６２との間）において、第２無機膜５５４が高くなる。
【００５８】
そのため、樹脂層５５６を形成する工程で、液状樹脂が内側土手層５６０の上方で滞留する。樹脂層５５６は、エッチングする工程で削られても内側土手層５６０の上方で第２無機膜５５４を露出させない程度の厚みを有し、樹脂層５５６が内側土手層５６０の上で薄くならずに第２無機膜５５４を保護する。これにより、封止性能の低下を防止することができる。それ以外の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
【００５９】
［第６の実施形態］
図１８は、第６の実施形態に係る表示装置の断面図である。図１９は、第６の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。図１８及び図１９に示す構造は、図１６及び図１７（第５の実施形態）に示す構造とそれぞれ比較して、中間領域Ｒ２の高さに違いがある。
【００６０】
本実施形態では、中間領域Ｒ２は、内側領域Ｒ１よりも高い部分及び低い部分を含む。内側領域Ｒ１よりも高い部分には、複数の導電層６６６ａ〜６６６ｄ及び複数の無機絶縁膜（例えばゲート絶縁膜１８、層間絶縁膜２２、パッシベーション膜２６）が積層されており、図１９に示すように有機層６６４ｂが積層される部分も含まれる。内側領域Ｒ１よりも低い部分では、複数の導電層６６６ａ〜６６６ｄ及び有機層６６４ｂが完全に除去されている。それ以外の内容は、第１及び第５の実施形態で説明した内容が該当する。
【００６１】
［第７の実施形態］
図２０は、第７の実施形態に係る表示装置の断面図である。図２１は、第７の実施形態に係る表示装置の他の断面図である。図２０及び図２１に示す構造は、図１８及び図１９（第６の実施形態）に示す構造とそれぞれ比較して、中間領域Ｒ２の高さに違いがある。
【００６２】
本実施形態では、中間領域Ｒ２は、全体的に、内側領域Ｒ１よりも高くなっている。中間領域Ｒ２には有機層７６４ｂが積層されている。それ以外の内容は、第１及び第６の実施形態で説明した内容が該当する。
【００６３】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００６４】
１０  基板、１２  バリア無機膜、１２ａ  シリコン酸化膜、１２ｂ  シリコン窒化膜、１２ｃ  シリコン酸化膜、１４  機能膜、１６  半導体層、１８  ゲート絶縁膜、２０  ゲート電極、２２  層間絶縁膜、２４  ソース・ドレイン電極、２６  パッシベーション膜、２８  平坦化有機膜、３０  画素コンタクト部、３２  酸化インジウムスズ膜、３２ａ  第１透明導電膜、３２ｂ  第２透明導電膜、３４  シリコン窒化膜、３６  画素電極、３８  絶縁有機膜、４０  有機エレクトロルミネセンス層、４２  対向電極、４４  発光素子、４６  表示回路層、４８  封止層、５０  有機膜、５２  第１無機膜、５４  第２無機膜、５６  樹脂層、６０  内側土手層、６２  外側土手層、６４ａ  有機層、６４ｂ  有機層、６６ａ  導電層、６６ｂ  導電層、６６ｃ  導電層、６６ｄ  導電層、１５２  第１無機膜、１５４  第２無機膜、１５６  樹脂層、２６０  内側土手層、３６０  内側土手層、３６２  外側土手層、３６８  追加層、４６２  外側土手層、４６８  追加層、５４８  封止層、５５０  有機膜、５５２  第１無機膜、５５４  第２無機膜、５５６  樹脂層、５６０  内側土手層、５６２  外側土手層、５６４ｂ  有機層、６６４ｂ  有機層、６６６ａ  導電層、６６６ｂ  導電層、６６６ｃ  導電層、６６６ｄ  導電層、７６４ｂ  有機層、Ｃａｄ  付加容量、ＣＬ１  第１保持容量線、ＣＬ２  第２保持容量線、ＣＰ  集積回路チップ、Ｃｓ  保持容量、ＤＡ  表示領域、ＤＬ  信号線、ＤＳＰ  ディスプレイ、ＦＰ  フレキシブルプリント基板、ＧＤ  走査回路、ＧＬ  走査線、ＯＤ  発光素子、ＰＷＬ  電源線、ＰＸ  画素、Ｒ１  内側領域、Ｒ２  中間領域、ＳＤ  信号駆動回路、ＳＰ  スペーサ、ＴＲ  薄膜トランジスタ、ＴＲ２  薄膜トランジスタ、Ｗ１  第１配線層、Ｗ２  第２配線層。
【図１】
2020060651.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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