(57)【要約】【課題】  生産性の低下を抑制することができるリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】  基板にパターンを形成するパターン形成処理を行うリソグラフィ装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部をクリーニングするクリーニング処理を行うクリーニング部と、前記パターン形成処理と前記クリーニング処理とを制御する制御部と、を有し、前記制御部は、第１基板に対して行われた第１パターン形成処理に適用された第１処理条件と前記第１パターン形成処理が行われた後に第２基板に対して行われた第２パターン形成処理に適用された第２処理条件とが共通でないと判定した場合に前記クリーニング処理を行い、前記第１処理条件と前記第２処理条件とが共通であると判定した場合に前記クリーニング処理を行わないことを決定する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にパターンを形成するパターン形成処理を行うリソグラフィ装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部をクリーニングするクリーニング処理を行うクリーニング部と、
前記パターン形成処理と前記クリーニング処理とを制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、第１基板に対して行われた第１パターン形成処理に適用された第１処理条件と前記第１パターン形成処理が行われた後に第２基板に対して行われた第２パターン形成処理に適用された第２処理条件とが共通でないと判定した場合に前記クリーニング処理を行い、前記第１処理条件と前記第２処理条件とが共通であると判定した場合に前記クリーニング処理を行わないことを決定することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記基板保持部によって保持された基板の高さを計測する計測部を有し、
前記制御部は、前記計測部により計測された前記第２基板の高さが許容範囲外である場合に前記クリーニング処理を行うか否かを決定することを特徴とする、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第１基板と前記第２基板の共通の位置において前記第１基板の高さ及び前記第２基板の高さのいずれもが前記許容範囲外である場合に前記クリーニング処理を行うか否かを決定することを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１処理条件の予め定められた項目と前記第２処理条件の前記項目とを比較した結果に基づき前記クリーニング処理を行うか否かを決定することを特徴とする、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第２パターン形成処理の後に行われる、第３基板に対して行われる第３パターン形成処理の前に前記クリーニング処理を行うか否かを決定することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記クリーニング処理に関する履歴情報に基づき前記クリーニング処理を行わないことを決定することを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記クリーニング処理に関する履歴情報には、前記クリーニング処理が行われた時刻、前記クリーニング処理が行われた回数、前記クリーニング処理が行われてから前記パターン形成処理が行われた基板の数のうち少なくとも１つが含まれることを特徴とする請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記パターン形成処理が行われている状態で前記計測部により前記基板の高さを計測させることを特徴とする請求項２ないし請求項７のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記リソグラフィ装置は、基板に光を照射することによりパターンを形成する露光装置であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記工程において前記パターンが形成された基板の加工を行う工程と、
を含み、前記加工が行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、ＭＥＭＳ、またはフラットパネルディスプレイなどの物品の製造において、基板上に形成するパターンの微細化が進み、リソグラフィ装置の解像力、重ね合わせ精度、生産性等に関する性能の向上への要求が高まっている。
【０００３】
リソグラフィ装置の一例としての露光装置においては、ウエハステージに対して、レーザ測長器を用いて並進方向の位置を精密に制御する。また、ウエハステージの鉛直方向に関しては、フォーカスセンサにより、ウエハ面と光学系像面との距離及び傾きを計測して、ウエハステージを駆動させる。そして、ウエハステージを駆動させながら同時にウエハ面が像面にならうよう、Ｚ方向（フォーカス）及びチルト方向に逐次駆動制御される。
【０００４】
しかし、基板保持部であるウエハチャック上に異物が付着した状態でウエハを載せ、露光をすると局部的にフォーカス誤差が発生して解像不良となり得る。異物の一例としては、ウエハからレジストが剥離してウエハチャックに付着したものが挙げられる。フォーカス誤差により解像不良が発生すると歩留まりが発生して、生産性が低下する。
【０００５】
このため、ウエハチャック上の異物に関しては、生産を一時停止して、クリーニングユニットによるチャックのクリーニングが行われる。しかし、剥離したレジストなどの粘着性の高い異物はクリーニングでは除去できないことがある。また、クリーニングプレートの反り変形や製造誤差でウエハチャックとの接触が不十分となる場合にも異物が除去できないことがある。このように、異物が除去されないまま生産を続けた場合、しばしばクリーニングのために生産の一時停止が行われ、生産性が低下し得る。
【０００６】
特許文献１に開示されている露光装置は、フォーカスの誤差を検出することによりウエハチャック上に異物が存在するかを判断し、ウエハチャック上に異物が存在すると判断された場合、ウエハチャックのクリーニングを行う。また、特許文献１に開示されている露光装置は、ウエハチャックのクリーニングを行った後に共通の位置に異物が存在すると判定した場合にはクリーニングを行わない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１５−１１５４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１によれば、ウエハチャックのクリーニングを行う必要がない場合であっても、ウエハチャックのクリーニングを少なくとも１回は行う必要がある。また、ウエハ上に形成されたパターンによる段差が存在している場合に、ウエハチャック上に異物が存在すると判断される可能性があった。そこで、生産性の低下を抑制できる技術が望まれていた。
【０００９】
そこで本発明は、生産性の低下を抑制することができるリソグラフィ装置、および物品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基板にパターンを形成するパターン形成処理を行うリソグラフィ装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部をクリーニングするクリーニング処理を行うクリーニング部と、前記パターン形成処理と前記クリーニング処理とを制御する制御部と、を有し、前記制御部は、第１基板に対して行われた第１パターン形成処理に適用された第１処理条件と前記第１パターン形成処理が行われた後に第２基板に対して行われた第２パターン形成処理に適用された第２処理条件とが共通でないと判定した場合に前記クリーニング処理を行い、前記第１処理条件と前記第２処理条件とが共通であると判定した場合に前記クリーニング処理を行わないことを決定する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、生産性の低下を抑制することができるリソグラフィ装置、および物品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】露光装置の構成を示す図である。
【図２】ウエハとウエハチャックの間に存在する異物を示す図である。
【図３】ウエハとウエハチャックの間に存在する異物の位置を示す図である。
【図４】複数のウエハにおけるフォーカス誤差とウエハ上の位置とを表す図である。
【図５】第１実施形態におけるロット処理を示すフローチャートである。
【図６】第１実施形態におけるパターン形成処理を示すフローチャートである。
【図７】第１実施形態における異物の存在を判定する処理を示すフローチャートである。
【図８】第２実施形態におけるロット処理を示すフローチャートである。
【図９】第２実施形態における異物の存在を判定する処理を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施に有利な具体例を示すにすぎない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
【００１４】
＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態における、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置の一例である露光装置１００の構成を示す図である。また、以下では、後述の投影光学系１１０からの光の光軸に平行な方向をＺ軸方向（鉛直方向）とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向（水平方向）およびＹ軸方向（水平方向）とする。また、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。
【００１５】
露光装置１００において、原版ステージ１０９は、レチクルあるいはマスク等の原版１０８を保持する。原版ステージ１０９に保持された原版１０８は、照明光学系１１４によって光源１１５の光を照射される。投影光学系１１０は、原版１０８を透過した光を基板であるウエハ１１１（基板）に照射して、原版１０８に形成されたパターンの像をウエハ１１１に投影する。ウエハ１１１は投影光学系１１０からの光により露光され、ウエハ１１１上にパターンが形成される。
【００１６】
ウエハ１１１はウエハチャック１１２（基板保持部、チャック）によって吸着され保持される。また、ウエハチャック１１２はウエハステージ１１３によって保持される。ウエハステージ１１３はＸ、Ｙ、Ｚ、θＸ、θＹ、θＺの６軸駆動機構を有し、制御部１０１からの指令値に基づいて駆動する。ウエハステージ１１３の位置、姿勢はレーザヘッド１０４、１０５からウエハステージ１１３上のミラー１０６へ照射した光の反射光をレーザ測長器１０３で計測した計測結果を、位置、姿勢を示す値に変換することで求められる。制御部１０１はウエハステージ１１３の位置、姿勢をレーザ測長器１０３から取得し、新たな指令値を生成してフィードバックをかけることでウエハステージ１１３の駆動を制御する。
【００１７】
フォーカスセンサ１０７（計測部）は、ウエハステージ１１３によって保持されたウエハ１１１の高さ（Ｚ軸方向の位置）を計測する。また、フォーカスセンサ１０７は、ウエハ１１１の高さを計測することで異物を検知するための検知部の一例を構成する。フォーカスセンサ１０７は、投影光学系１１０の射出部付近を挟むようにＹ軸方向に設置され、走査露光に追従して規定ピッチで片側からウエハ１１１に斜入射光を照射し、反対側で反射した光を取り込む。次に、取り込んだ光量から画像処理系１０２がＺ変位量に換算し、制御部１０１が領域内の各点Ｚ変位量から近似平面を算出する。そして、制御部１０１は、投影光学系１１０を通して投影された原版１０８の投影像にウエハ１１１の表面を合わせるように、ウエハステージ１１３のＺ、θＸ、θＹの駆動を制御する。
【００１８】
クリーニングユニット１１７（クリーニング部）は、クリーニングプレート１１６を保持して移動する機構を有する。クリーニングプレート１１６はウエハチャック１１２を研磨して異物を除去するための研磨部材を有する。クリーニングユニット１１７は、ウエハステージ１１３に保持されたウエハチャック１１２にクリーニングプレート１１６を接触させた状態で、ウエハステージ１１３又はクリーニングユニット１１７をＸＹ平面方向に駆動させる。これにより、クリーニングユニット１１７は、ウエハチャック１１２上の異物を研磨して除去（クリーニング処理）する。また、クリーニングプレート１１６はウエハチャック１１２上の異物を付着させて除去するための粘着部材を有しても良い。この場合、クリーニングユニット１１７は、ウエハチャック１１２とクリーニングプレート１１６の粘着部材とを接触させて引き離すことで異物をクリーニングプレート１１６の粘着部材に付着させて除去する。
【００１９】
制御部１０１は、露光装置１００の各部を統括的に制御する。制御部１０１は、例えばＣＰＵ１０１ａ、制御プログラムや固定的なデータを保持するＲＯＭ１０１ｂ、ＣＰＵ１０１ａのワークエリア及び一時的なデータを保持するＲＡＭ１０１ｃを含む。また、制御部１０１は、ＲＯＭ１０１ｂ、ＲＡＭ１０１ｃよりも大容量のデータを保存することができる、不図示の磁気記憶装置（ＨＤＤ）（不図示）を含む。また、制御部１０１は、ＣＤ、ＤＶＤ、メモリカードといった外部メディアを装填してデータの読み込みや書き込みを行うドライブ装置を含む。本実施形態において、ＲＯＭ１０１ｂ、ＲＡＭ１０１ｃ、磁気記憶装置、ドライブ装置のうち少なくとも１つを記憶部として、記憶部に制御プログラム、固定的なデータ、ＣＰＵ１０１ａのワークエリア、及び一時的なデータを保持するものとする。また、制御部１０１は、ウエハ１１１へのパターン形成処理及びクリーニングユニット１１７によるウエハチャック１１２へのクリーニング処理を制御する。なお、本実施形態において、パターン形成処理にはフォーカスセンサ１０７を用いた投影光学系のフォーカス制御も含まれる。
【００２０】
図２は、ウエハ１１１とウエハチャック１１２の間に存在する異物を示す図である。ウエハ１１１が搬入された際、ウエハ１１１とウエハチャック１１２の間に異物８０１が挟まる状態になる。ウエハチャック１１２によってウエハ１１１が吸着保持されると、ウエハ１１１は、図２に示されるように、異物８０１によって持ち上がった状態になる。この状態でフォーカスセンサ１０７によりウエハ１１１の高さを計測（フォーカス計測）してウエハステージ１１３の駆動を制御すると、ウエハ１１１の目標位置と計測された位置との誤差（フォーカス誤差）が発生する。一定の大きさ以上の異物８０１が存在する場合、ウエハ１１１の高さが許容範囲外になり、フォーカス誤差が予め定めた閾値を超える（許容範囲外になる）。このフォーカス誤差が許容範囲外になった場合、ＸＹ平面における位置を異物８０１が存在する可能性がある位置とすることができる。また、フォーカスセンサ１０７により計測されたウエハ１１１の高さが許容範囲外になった場合に、ＸＹ平面における位置を異物８０１が存在する可能性がある位置とすることもできる。
【００２１】
図３は、ウエハ１１１とウエハチャック１１２の間に存在する異物の位置を示す図である。図３における横軸及び縦軸はそれぞれ、ウエハ１１１のＸ軸、Ｙ軸を表す。図３において領域８０２はフォーカス誤差が発生したＸＹ平面における位置を含む領域を示している。
【００２２】
図４は、複数のウエハ１１１におけるフォーカス誤差とウエハ１１１上の位置とを表す図である。グラフの横軸はウエハ枚数を表し、縦軸（左）はウエハ１１１のＸ、Ｙ座標を表し、縦軸（右）はフォーカス誤差の大きさを表す。ウエハ１１１とウエハチャック１１２の間に存在する異物８０１の大きさは、フォーカス誤差の絶対値に比例する。図４において、閾値である−１５０［ｎｍ］以下のフォーカス誤差が発生した位置は、ウエハ１１１毎に変化はなく、異なるウエハであっても共通の位置でフォーカス誤差が検出されることを表している。よって、図２に示すように異物８０１はウエハ１１１とウエハチャック１１２の間に存在していると判断し得る。
【００２３】
しかし、ウエハ１１１上に形成されたパターンによる段差が存在している場合、パターンによる段差の高さが異物８０１の存在を判定するための閾値を超えることがある。そして、閾値を超えた高さの段差を含むパターンが共通の位置に形成された、複数のウエハ１１１をフォーカス計測して、共通の位置にフォーカス誤差が検出されると、異物８０１がウエハ１１１とウエハチャック１１２の間に存在していると誤判断され得る。
【００２４】
ここで、通常、共通の処理条件が適用されてパターンを形成する処理が行われる複数のウエハ１１１には、同一のパターンが形成されている。そこで、本実施例に係るリソグラフィ装置は、ウエハ１１１にパターンを形成する処理が行われる際に適用される処理条件に基づき、チャックのクリーニングを実施するかを判定する。
【００２５】
図５は、本実施形態におけるロット処理を示すフローチャートである。ここで、ロットとは複数のウエハ１１１（例えば、２５枚のウエハ１１１）を１つのまとまりとして管理するための単位を表す。また、ロット処理とは、ロットに属する複数のウエハ１１１に対して、パターン形成処理（例えば、フォーカスセンサ１０７を用いた投影光学系のフォーカス制御やウエハ１１１に光を照射する露光など）を行うことを表す。また、ロットに属する複数のウエハに対しては共通の処理条件が適用されてパターン形成処理が行われる。
【００２６】
まず、Ｓ１０１において、制御部１０１は、１つのロットに対してロット処理を行うために露光装置１００の各部を制御する。ここで、図６を用いてＳ１０１のロット処理について詳細に説明する。図６は、本実施形態におけるパターン形成処理を示すフローチャートである。Ｓ２０１において、制御部１０１は、不図示の搬送部にウエハ１１１をウエハチャック１１２に搬入させ、ウエハチャック１１２にウエハ１１１を保持させる。Ｓ２０２において、制御部１０１は、ウエハステージ１１３にウエハ１１１を移動させ、フォーカスセンサ１０７にウエハ１１１上のショット領域における高さを計測させる。ここで、ウエハ１１１に複数のショット領域が配置されたレイアウトの情報が予め記憶部に記憶されており、制御部はレイアウトの情報に基づきショット領域が投影光学系１１０からの光の光軸上に位置するようにウエハステージ１１３を移動させる。また、制御部１０１は、ウエハステージ１１３の移動を制御した時のショット領域の高さを計測して、目標位置と計測された位置との誤差（フォーカス誤差）を取得する。そして、制御部１０１は、取得されたフォーカス誤差に応じて、投影光学系１１０のフォーカスをウエハ１１１上のショット領域に合わせるために、ウエハステージ１１３や投影光学系１１０の制御（フォーカス制御）を行う。
【００２７】
Ｓ２０３において、制御部１０１は、ウエハ１１１上のショット領域に投影光学系１１０からの光を照射させることによりウエハ１１１上のショット領域を露光する。制御部１０１は、所定の露光量でウエハ１１１上のショット領域を露光するために、光源１１５から発振するパルスエネルギー量、発振周波数、減光フィルタ、ウエハステージ１１３の速度などを予め定めた項目を含む処理条件を記憶部から取得する。そして、制御部１０１は取得された処理条件を適用して露光装置１００の各部を制御する。Ｓ２０４において、Ｓ２０３におけるショット領域の露光が完了した後に、制御部１０１は、フォーカスセンサ１０７による計測を終了する。Ｓ２０５において、制御部１０１は、取得したフォーカス誤差と予め定められた閾値と比較することにより、異物の有無、異物の位置の情報を含む異物情報を取得して記憶部に保存する。また、フォーカス誤差と比較する閾値は、処理条件によって変更されても良い。
【００２８】
ここで、処理条件には、前述のパルスエネルギー量等の項目の他に、例えば、ウエハステージ１１３によりウエハ１１１を移動させるときの速度、加速度、経路などを定めた項目が含まれ得る。また、処理条件には、例えば、ウエハステージ１１３によりウエハ１１１を位置決めするときの許容誤差などを定めた項目が含まれ得る。また、処理条件には、例えば、フォーカスセンサ１０７により計測をするときの光の照射時間、照射タイミングなどを定めた項目が含まれ得る。また、処理条件には、例えば、ウエハ１１１を露光するときの原版１０８の識別子、ウエハ１１１上のショット領域のレイアウト、照明モードなど定めた項目が含まれ得る。また、処理条件には、例えば、露光装置１００内の温度や気圧、露光装置１００の機種、制御プログラムのバージョンなどの情報に関する項目が含まれ得る。
【００２９】
Ｓ２０６において、制御部１０１は、ウエハ１１１上の全てのショット領域の露光が終了したかを判定し、ウエハ１１１上の全てのショット領域の露光が終了したと判定した場合はＳ２０７に進む。また、制御部１０１は、ウエハ１１１上の全てのショット領域の露光が終了していないと判定した場合はＳ２０２に処理を戻し、次のショット領域に対する露光処理を行うように制御する。Ｓ２０７において、制御部１０１は、不図示の搬送部にウエハ１１１をウエハチャック１１２から搬出させる。Ｓ２０８において、制御部１０１は、ロットの全てのウエハ１１１の露光が終了したかを判定し、ロットの全てのウエハ１１１の露光が終了したと判定した場合はＳ２０９に進む。また、制御部１０１は、ロットの全てのウエハ１１１の露光が終了していないと判定した場合はＳ２０１に処理を戻し、次のウエハに対する露光を行うように制御する。Ｓ２０９において、制御部１０１は、Ｓ２０５で取得した異物情報に基づいて、異物情報を取得して記憶部に保存する。
【００３０】
ここで、異物情報は、ロットに属する複数のウエハ１１１において共通の位置に存在する異物に関する情報として取得される。また、複数のウエハ１１１とは、ロットに属するすべてのウエハ１１１としても良いし、ロットに属する全てのウエハ１１１の数に対して、予め定めた割合以上の数のウエハ１１１としても良い。また、複数のウエハ１１１において共通の位置に存在する異物とは、ウエハ１１１上の座標系において、複数のウエハ１１１に存在する異物同士の距離が予め定めた閾値以下である異物のことである。また、異物情報には、複数の異物の位置を表す座標値の平均値または中央値を異物の位置として格納しても良いし、複数の異物のうちのいずれか１つの異物の位置として格納しても良い。また、複数のウエハ１１１において共通の位置に存在する異物がない場合は、異物情報には異物がないことを示す情報を格納する。
【００３１】
ここで、図５の説明に戻る。Ｓ１０２において、制御部１０１は、Ｓ１０１で行われたロット処理に関する履歴情報を記憶部に保存する。ここで、ロット処理に関する履歴情報には、ロット処理が実施されたときに適用された処理条件、異物情報が含まれる。また、ロット処理に関する履歴情報には、直前にロット処理を行ったロット（第２ロット）に関する履歴情報だけでなく、第２ロットより前にロット処理を行ったロット（第１ロット）に関する履歴情報も含まれる。また、ロット処理に関する履歴情報には少なくとも１つ以上の第１ロットに関する履歴情報が含まれる。
【００３２】
Ｓ１０３において、制御部１０１は、Ｓ１０２において記憶部に保存したロット処理に関する履歴情報に基づき、ウエハチャック１１２上に異物が存在するかを判定する。ここで、図７を用いてＳ１０３の異物の存在を判定する処理について詳細に説明する。図７は、本実施形態における異物８０１の存在を判定する処理を示すフローチャートである。Ｓ３０１において、制御部１０１は、Ｓ１０２において記憶部に保存されたロット処理に関する履歴情報を取得する。Ｓ３０２において、制御部１０１は、ロットに関する履歴情報に基づき、第１異物情報に含まれる異物の位置と、第２異物情報に含まれる異物の位置とを比較して、共通の位置に存在する異物があるかを判定する。制御部１０１は、共通の位置に存在する異物があると判定した場合はＳ３０３に処理を進め、共通の位置に存在する異物がないと判定した場合はＳ３０５に処理を進める。また、制御部１０１は、第１異物情報に異物がないことを示す情報が格納されていた場合もＳ３０５に処理を進める。
【００３３】
Ｓ３０３において、制御部１０１は、ロットに関する履歴情報に基づき、第２ロットのロット処理において適用された処理条件と、第１ロットのロット処理において適用された処理条件とを比較して、共通の処理条件であるかを判定する。ここで、処理条件を比較する第１ロットは、Ｓ３０２において共通の位置に異物が存在すると判定された異物情報に対応する第１ロットが選択される。制御部１０１は、共通の処理条件でないと判定した場合はＳ３０４に処理を進め、共通の処理条件であると判定した場合はＳ３０５に処理を進める。
【００３４】
ここで、共通の処理条件とは、処理条件に含まれる全ての項目が同一である場合に限られない。例えば、予め定められた処理条件の一部の項目を比較対象として、比較対象とされた処理条件の一部の項目が同一である場合に共通の処理条件であるとしても良い。例えば、ウエハ１１１を露光するときの原版１０８の識別子、ウエハ１１１上のショット領域のレイアウトを比較対象とすることができる。この場合、原版１０８の識別子とレイアウトが同一である場合に共通の処理条件であると判定される。また、処理条件に含まれる全ての項目のうち予め定めた割合以上の数の項目が同一である場合に共通の処理条件であると判定しても良い。例えば、処理条件の全ての項目のうち８割以上の項目が同一である場合に共通の処理条件であると判定される。
【００３５】
Ｓ３０４において、制御部１０１は、ウエハチャック１１２上に異物が存在すると判定する。また、Ｓ３０５において、制御部１０１は、ウエハチャック１１２上に異物が存在しないと判定する。このように、Ｓ３０３において処理条件が共通であるかを判定することにより、ウエハ１１１上のパターンによる段差により、ウエハチャック１１２上に異物が存在しない場合に異物が存在すると間違って判定されることを抑制することができる。
【００３６】
ここで、図５の説明に戻る。Ｓ１０４において、制御部１０１は、ウエハチャック１１２上に異物が存在すると判定した場合はＳ１０５に処理を進め、ウエハチャック１１２上に異物が存在しないと判定した場合はＳ１０６に処理を進める。Ｓ１０５において、制御部１０１は、クリーニングユニット１１７にウエハチャック１１２をクリーニングさせる。Ｓ１０６において、制御部１０１は、全てのロットについて処理が終了したかを判定する。そして、制御部１０１は、Ｓ１０６において全てのロットについて処理が終了していないと判定した場合はＳ１０１に戻り次のロットについてロット処理を行い、Ｓ１０６において全てのロットについてロット処理が終了したと判定した場合は終了する。
【００３７】
以上により、本実施形態に係るリソグラフィ装置によれば、ロット処理において適用された処理条件に基づいて、ウエハチャック上に異物が存在するかを判定してチャックのクリーニングを実施するかを決定するので、生産性の低下を抑制することができる。
【００３８】
＜第２実施形態＞
次に第２実施形態に係るリソグラフィ装置について説明する。なお、ここで言及しない事項は、第１実施形態に従い得る。
【００３９】
本実施形態では、異物の存在を判定する処理において、さらにクリーニング処理が行われた時刻等が記録された履歴情報（クリーニング処理に関する履歴情報）に基づき、ウエハチャック１１２上に異物が存在するかを判定する。図８は、本実施形態におけるロット処理を示すフローチャートである。図５に示されたフローチャートと図８に示された本実施形態におけるフローチャートとの違いは、Ｓ１０４において行われたクリーニング処理に関する履歴情報を保存する点である。Ｓ１０６において、制御部１０１は、Ｓ１０４で行われたクリーニング処理に関する履歴情報を記憶部に保存する。ここで、クリーニング処理に関する履歴情報には、クリーニング処理が行われた回数、及びクリーニング処理が行われた時刻のうち少なくとも１つが含まれる。また、クリーニング処理が行われてからロット処理が行われたロット数、及びクリーニング処理が行われてからロット処理が行われたウエハ数のうち少なくとも１つの情報が含まれても良い。
【００４０】
図９は、本実施形態における異物の存在を判定する処理を示すフローチャートである。図７に示されたフローチャートと図８に示されたフローチャートとの違いは、クリーニング処理に関する履歴情報に基づいてウエハチャック１１２上に異物が存在するかを判定する処理を行う点である。Ｓ３０６において、制御部１０１は、Ｓ１０６において記憶部に保存されたクリーニングに関する情報を取得して、クリーニングが行われたか判定する。制御部１０１は、クリーニングが行われていないと判定した場合はＳ３０５に処理を進め、クリーニングが行われたと判定した場合はウエハチャック１１２上に異物は存在しないとしてＳ３０４に処理を進める。ここで、クリーニングが行われたと判定した場合、クリーニングによって除去できない異物がウエハチャック１１２上に存在している可能性がある。その場合も制御部１０１がウエハチャック１１２上に異物が存在しないと判定することにより、不要なクリーニングを行うことを回避することができる。
【００４１】
また、Ｓ３０６において、制御部１０１は、クリーニングが行われた回数に基づき、クリーニングが行われたかを判定する。また、制御部１０１は、クリーニングが行われた時刻に基づき、最後にクリーニングが行われてから予め定められた一定の時間が経過している場合にはクリーニングが行われていないと判定しても良い。また、制御部１０１は、最後にクリーニングが行われてからロット処理が行われたロット数に基づき、予め定められた一定のロット数以上のロット処理が行われた場合にはクリーニングが行われていないと判定しても良い。
【００４２】
以上により、本実施形態に係るリソグラフィ装置によれば、さらにクリーニング処理に関する履歴情報に基づいて、ウエハチャック上に異物が存在するかを判定してクリーニングを実施するかを決定するので、生産性の低下を抑制することができる。
【００４３】
（物品の製造方法）
本実施例における物品の製造方法は、例えば、デバイス（半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など）などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置ＥＸＰを用いて、感光剤が塗布された基板を露光する（基板にパターンを形成する）工程と、露光された基板を現像する（基板の加工を行う）工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性および生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。リソグラフィ装置の一例として、露光装置について説明したが、これらに限定されるものではない。
【００４５】
リソグラフィ装置の一例として、凹凸パターンを有するモールド（型、テンプレート）を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であっても良い。また、リソグラフィ装置の一例として、凹凸パターンがない平面部を有するモールド（平面テンプレート）を用いて基板上の組成物を平坦化するように成形する平坦化装置であってもよい。また、リソグラフィ装置の一例として、荷電粒子光学系を介して荷電粒子線（電子線やイオンビームなど）で基板に描画を行って、基板にパターン形成を行う描画装置（リソグラフィ装置）などの装置であっても良い。また、感光媒体を基板の表面上に塗布する塗布装置、パターンが転写された基板を現像する現像装置など、デバイス等の物品の製造において、前述のようなインプリント装置等の装置が実施する工程以外の工程を実施する製造装置も含みうる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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