(57)【要約】【課題】高誘電率酸化物絶縁体膜をゲート絶縁層とした高性能な電界効果型トランジスタの提供。【解決手段】  ソース電極、及びドレイン電極と、ゲート電極と、半導体層と、ゲート絶縁層と、を備え、  前記ゲート絶縁層は、Ｚｒ及びＨｆの中から選ばれた１種類以上であるＡ元素と、Ｂｅ及びＭｇの中から選ばれた１種類以上であるＢ元素と、を含む酸化物絶縁体膜である電界効果型トランジスタである。【選択図】図１
2020017553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極、及びドレイン電極と、ゲート電極と、半導体層と、ゲート絶縁層と、を備え、
前記ゲート絶縁層は、Ｚｒ及びＨｆの中から選ばれた１種類以上であるＡ元素と、Ｂｅ及びＭｇの中から選ばれた１種類以上であるＢ元素と、を含む酸化物絶縁体膜であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記半導体層は、酸化物半導体である請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
前記酸化物絶縁体膜は、更にＳｃ、Ｙ、及びＬｎ（ランタノイド）の中から選ばれた１種類以上であるＣ元素を含む請求項１から２のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
前記酸化物絶縁体膜に含まれる金属イオンのｄ軌道の電子配置は、ｄ０又はｄ１０である請求項１から３のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項５】
Ｚｒ及びＨｆの中から選ばれた１種類以上であるＡ元素と、Ｂｅ及びＭｇの中から選ばれた１種類以上であるＢ元素と、を含むことを特徴とする酸化物絶縁体膜。
【請求項６】
更にＳｃ、Ｙ、及びＬｎ（ランタノイド）の中から選ばれた１種類以上であるＣ元素を含む請求項５に記載の酸化物絶縁体膜。
【請求項７】
Ｚｒ及びＨｆの中から選ばれた１種類以上であるＡ元素と、Ｂｅ及びＭｇの中から選ばれた１種類以上であるＢ元素と、を含むことを特徴とする金属酸化物膜形成用塗布液。
【請求項８】
更にＳｃ、Ｙ、及びＬｎ（ランタノイド）の中から選ばれた１種類以上であるＣ元素を含む請求項７に記載の金属酸化物膜形成用塗布液。
【請求項９】
更に溶媒を含む請求項７から８のいずれかに記載の金属酸化物膜形成用塗布液。
【請求項１０】
駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
請求項１から４のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを有し、かつ前記光制御素子を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする表示素子。
【請求項１１】
光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子、エレクトロクロミック素子、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する請求項１０に記載の表示素子。
【請求項１２】
画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の請求項１０から１１のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧を個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタのゲート電圧を前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置とを有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置とを有することを特徴とするシステム。
【請求項１４】
請求項７から９のいずれかに記載の金属酸化物膜形成用塗布液を被塗物に塗布し、乾燥させた後に焼成を行うことを特徴とする酸化物絶縁体膜の製造方法。
【請求項１５】
ソース電極、及びドレイン電極と、ゲート電極と、半導体層と、ゲート絶縁層と、を備える電界効果型トランジスタの製造方法であって、
請求項７から９のいずれかに記載の金属酸化物膜形成用塗布液を塗布して前記ゲート絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属酸化物膜形成用塗布液、酸化物絶縁体膜、電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム、並びに酸化物絶縁体膜、及び電界効果型トランジスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイはアクティブマトリックス薄膜トランジスタ（ＡＭ−ＴＦＴ）をバックプレーンとする液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）又は有機ＥＬディスプレイが主流となっている。ＴＦＴに使用される半導体としては、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）、及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ（ＩＧＺＯ）系の酸化物半導体の３種類に大別できるが、中でも酸化物半導体ＴＦＴ（以下、酸化物ＴＦＴ）に対する期待は大きく、世界中で研究開発が行われている（例えば、非特許文献１参照）。  
【０００３】
一方、ゲート絶縁膜はＴＦＴを構成するキーパーツであるが、工業的には初期から一貫して化学気相蒸着法（ＣＶＤ）で成膜されたＳｉＯ２もしくはＳｉＯＮが利用されている。ゲート絶縁膜としては、前記３種類のすべてのＴＦＴに対し、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）で成膜されたＳｉＯ２もしくはＳｉＯＮが工業的には利用されている。
【０００４】
最近、ディスプレイの大画面化、高解像度化、画素サイズの微細化が進展するに連れて、半導体の移動度とゲート絶縁膜の比誘電率の向上が必要になってきている。
そこで、高誘電率酸化物絶縁体膜を用いた電界効果型トランジスタの提供が求められている。
【０００５】
また、半導体層とゲート絶縁層の形成方法としては、スパッタ法、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、或いは原子層堆積法（ＡＬＤ）などが一般的である。
しかし、これらの真空プロセスは、複雑で高価な装置や原料ガスに対する安全対策等を必要とし、プロセスコストが高いという問題がある。また、原料ガスの制約から酸化物膜の組成及び物性を自由に制御することは困難であった。
【０００６】
そこで近年、簡易で低コスト化が可能な液相法が注目されている。液相法では、金属酸化物膜を、低プロセス温度で簡便かつ大面積に作製できる。
【０００７】
したがって、高誘電率酸化物絶縁体膜を用いた電界効果型トランジスタにおいても、低プロセス温度で簡便かつ大面積に形成することが可能な高誘電率酸化物絶縁体膜を用いた電界効果型トランジスタの提供が求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、高誘電率酸化物絶縁体膜をゲート絶縁層とした高性能な電界効果型トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
本発明の電界効果型トランジスタは、
ソース電極、及びドレイン電極と、ゲート電極と、半導体層と、ゲート絶縁層と、を備え、
前記ゲート絶縁層は、Ｚｒ及びＨｆの中から選ばれた１種類以上であるＡ元素と、Ｂｅ及びＭｇの中から選ばれた１種類以上であるＢ元素と、を含む酸化物絶縁体膜である、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、高誘電率酸化物絶縁体膜をゲート絶縁層とした高性能な電界効果型トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、ボトムゲート／ボトムコンタクトの電界効果型トランジスタの一例を示す概略構成図である。
【図２】図２は、ボトムゲート／トップコンタクトの電界効果型トランジスタの一例を示す概略構成図である。
【図３】図３は、トップゲート／ボトムコンタクトの電界効果型トランジスタの一例を示す概略構成図である。
【図４】図４は、トップゲート／トップコンタクトの電界効果型トランジスタの一例を示す概略構成図である。
【図５】図５は、トップゲート／ＩＬＤの電界効果型トランジスタの一例を示す概略構成図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法の一例を示す図である（その１）。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法の一例を示す図である（その２）。
【図６Ｃ】図６Ｃは、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法の一例を示す図である（その３）。
【図６Ｄ】図６Ｄは、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法の一例を示す図である（その４）。
【図７】図７は、他の実施の形態におけるテレビジョン装置の構成を示すブロック図である。
【図８】図８は、他の実施の形態におけるテレビジョン装置の説明図（１）である。
【図９】図９は、他の実施の形態におけるテレビジョン装置の説明図（２）である。
【図１０】図１０は、他の実施の形態におけるテレビジョン装置の説明図（３）である。
【図１１】図１１は、他の実施の形態における表示素子の説明図である。
【図１２】図１２は、他の実施の形態における有機ＥＬの説明図である。
【図１３】図１３は、他の実施の形態におけるテレビジョン装置の説明図（４）である。
【図１４】図１４は、他の実施の形態における他の表示素子の説明図（１）である。
【図１５】図１５は、他の実施の形態における他の表示素子の説明図（２）である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（金属酸化物膜形成用塗布液）
本発明の金属酸化物膜形成用塗布液は、Ａ元素と、Ｂ元素とを少なくとも含み、好ましくはＣ元素を含み、更に必要に応じて、溶媒などのその他の成分を含む。
前記金属酸化物膜形成用塗布液は、例えば、金属源を少なくとも含み、更に必要に応じて、溶媒などのその他の成分を含む。前記金属源は、前記Ａ元素を含有するＡ元素含有化合物と、前記Ｂ元素を含有するＢ元素含有化合物とを少なくとも含み、好ましくは前記Ｃ元素を含有するＣ元素含有化合物を含み、更に必要に応じて、その他の成分を含む。
【００１３】
前記金属酸化物膜形成用塗布液は、高誘電率酸化物絶縁体膜を低プロセス温度で簡便かつ大面積に形成することが可能な金属酸化物膜形成用塗布液である。
【００１４】
前記金属酸化物膜形成用塗布液は、後述する本発明の酸化物絶縁体膜の作製に好適に用いることができる。
【００１５】
＜Ａ元素＞
前記Ａ元素は、Ｚｒ（ジルコニウム）及びＨｆ（ハフニウム）の中から選ばれた１種類以上である。
【００１６】
＜Ｂ元素＞
前記Ｂ元素は、Ｂｅ（ベリリウム）及びＭｇ（マグネシウム）の中から選ばれた１種類以上である。
【００１７】
＜Ｃ元素＞
前記Ｃ元素は、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｙ（イットリウム）、及びＬｎ（ランタノイド）の中から選ばれた１種類以上である。
Ｌｎ（ランタノイド）としては、例えば、Ｌａ（ランタン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｐｒ（プラセオジム）、Ｎｄ（ネオジム）、Ｐｍ（プロメチウム）、Ｓｍ（サマリウム）、Ｅｕ（ユウロピウム）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｍ（ツリウム）、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｌｕ（ルテチウム）が挙げられる。
【００１８】
＜溶媒＞
前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、有機溶媒、水等が好ましい。
【００１９】
＜＜有機溶媒＞＞
前記有機溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、有機酸、有機酸エステル、芳香族化合物、ジオール、グリコールエーテル、非プロトン性極性溶媒、アルカン化合物、アルケン化合物、エーテル化合物、及びアルコールの少なくともいずれかが好ましい。
【００２０】
−有機酸−
前記有機酸としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、酢酸、乳酸、プロピオン酸、オクチル酸、ネオデカン酸及びそれらの誘導体などが好ましい。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２１】
−有機酸エステル−
前記有機酸エステルとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、酢酸エチル、酢酸プロピル、乳酸メチル、プロピオン酸プロピル、及びそれらの誘導体などが好ましい。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２２】
−芳香族化合物−
前記芳香族化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン及びそれらの誘導体などが好ましい。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２３】
−ジオール−
前記ジオールとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、アルカンジオール、ジアルキレングリコールが好ましい。前記ジオール類の炭素数としては、２〜６が好ましい。前記ジオール類としては、ジエチレングリコール、１，２−エタンジオール、１，２−プロパンジオール、及び１，３−ブタンジオールの少なくともいずれかがより好ましい。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２４】
−グリコールエーテル−
前記グリコールエーテルとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、アルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましい。前記グリコールエーテル類の炭素数としては、３〜８が好ましい。
前記アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール１−モノメチルエーテル、及びプロピレングリコール１−モノブチルエーテルの少なくともいずれかが好ましい。これらのアルキレングリコールモノアルキルエーテルは、沸点が１２０℃〜１８０℃程度で、比較的低い焼成温度と短い焼成時間を可能にする。また、焼成後に炭素及び有機物などの不純物が少ない酸化物膜が得られる。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２５】
−非プロトン性極性溶媒−
前記非プロトン性極性溶媒は、前記金属源をよく溶解し、かつ溶解後の安定性が高いため、前記非プロトン性極性溶媒を前記金属酸化物膜形成用塗布液に用いることにより、均一性が高く、欠陥の少ない金属酸化物膜を得ることができる。
前記非プロトン性極性溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、イソホロン、炭酸プロピレン、テトラヒドロフラン、ジヒドロフラン−２（３Ｈ）−オン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、及びそれらの誘導体などが好ましい。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２６】
−アルカン化合物−
前記アルカン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ノナン、テトラデカン、デカリン、及びそれらの誘導体などが好ましい。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２７】
−アルケン化合物−
前記アルケン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、１−ドデセン、１−テトラデセン、及びそれらの誘導体などが好ましい。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２８】
−エーテル化合物−
前記エーテル化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、テトラヒドロフラン、ポリエチレングリコール、及びそれらの誘導体などが好ましい。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２９】
−アルコール−
前記アルコールとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ｔ−ブタノール及びそれらの誘導体などが好ましい。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３０】
前記金属酸化物膜形成用塗布液は、例えば、溶質としての前記金属源を前記溶媒に溶解している。
【００３１】
＜金属源＞
前記金属源は、無機塩、酸化物、水酸化物、金属錯体、及び有機酸塩の少なくともいずれかである。
前記無機塩としては、例えば、硝酸塩、硫酸塩、塩化物、炭酸塩、酢酸塩、リン酸塩などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記有機酸塩としては、例えば、カルボン酸塩、石炭酸、又はそれらの誘導体などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記カルボン酸塩としては、例えば、脂肪族カルボン酸塩、芳香族カルボン酸塩、ヒドロキシカルボン酸塩、ジカルボン酸塩、トリカルボン酸塩、オキソカルボン酸塩などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３２】
前記溶質としての前記金属源は、前記溶媒中に均一に溶解すればよく、解離してイオンとなっていても構わない。この場合には、前記金属酸化物膜形成用塗布液中の濃度の偏析などが生じにくいため、前記金属酸化物膜形成用塗布液は、長期の使用が可能である。またこの塗布液を用いて作製した薄膜も均一な組成であるためＴＦＴのゲート絶縁層や半導体層などに用いた場合の特性均一性も良好である。
【００３３】
以下、前記金属源について、金属種毎に個別に説明する。
【００３４】
＜＜Ａ元素含有化合物＞＞
前記Ａ元素含有化合物としては、ジルコニウム含有化合物、ハフニウム含有化合物が挙げられる。
【００３５】
−ジルコニウム含有化合物−
前記ジルコニウム含有化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硝酸酸化ジルコニウム二水和物、無水塩化ジルコニウム、塩化ジルコニウム水和物、硫酸酸化ジルコニウム、酢酸ジルコニウム四水和物、酸化ジルコニウム、水酸化ジルコニウム、ジルコニウムアセチルアセトナート、２−エチルヘキサン酸ジルコニウムなどが挙げられる。
これらのジルコニウム含有化合物は、合成したものを用いてもよいし、市販品を用いてもよい。
【００３６】
−ハフニウム含有化合物−
前記ハフニウム含有化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硝酸ハフニウム無水和物、無水塩化ハフニウム、塩化ハフニウムテトラヒドロフラン錯体、硫酸ハフニウム、酢酸ハフニウム、酸化ハフニウム、水酸化ハフニウム、ハフニウムアセチルアセトナート、２−エチルヘキサン酸ハフニウムなどが挙げられる。
これらのハフニウム含有化合物は、合成したものを用いてもよいし、市販品を用いてもよい。
【００３７】
＜＜Ｂ元素含有化合物＞＞
前記Ｂ元素含有化合物としては、ベリリウム含有化合物、マグネシウム含有化合物が挙げられる。
【００３８】
−ベリリウム含有化合物−
前記ベリリウム含有化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硝酸ベリリウム三水和物、塩化ベリリウム四水和物、硫酸ベリリウム四水和物、酢酸ベリリウム、酸化ベリリウム、水酸化ベリリウム、フッ化ベリリウム、塩基性炭酸ベリリウム、ベリリウムアセチルアセトナート、塩基性プロピオン酸ベリリウム、などが挙げられる。
これらのベリリウム含有化合物は、合成したものを用いてもよいし、市販品を用いてもよい。
【００３９】
−マグネシウム含有化合物−
前記マグネシウム含有化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硝酸マグネシウム六水和物、塩化マグネシウム六水和物、酢酸マグネシウム四水和物、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、マグネシウムアセチルアセトナート、プロピオン酸マグネシウム、２−エチルヘキサン酸マグネシウム、安息香酸マグネシウム四水和物、乳酸マグネシウム三水和物、２−エチル酪酸マグネシウム、サリチル酸マグネシウム四水和物、二クエン酸三マグネシウム九水和物、石炭酸マグネシウムなどが挙げられる。
これらのマグネシウム含有化合物は、合成したものを用いてもよいし、市販品を用いてもよい。
【００４０】
＜＜Ｃ元素含有化合物＞＞
前記Ｃ元素含有化合物としては、スカンジウム含有化合物、イットリウム含有化合物、ランタノイド含有化合物が挙げられる。
【００４１】
−スカンジウム含有化合物−
前記スカンジウム含有化合物としては、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硝酸スカンジウム五水和物、塩化スカンジウム六水和物、酢酸スカンジウム水和物、酸化スカンジウム、水酸化スカンジウム、スカンジウムアセチルアセトナート、２−エチルヘキサン酸スカンジウムなどが挙げられる。
これらのスカンジウム含有化合物は、合成したものを用いてもよいし、市販品を用いてもよい。
【００４２】
−イットリウム含有化合物−
前記イットリウム含有化合物としては、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硝酸イットリウム六水和物、塩化イットリウム六水和物、酢酸イットリウム四水和物、酸化イットリウム、水酸化イットリウム、イットリウムアセチルアセトナート、２−エチルヘキサン酸イットリウムなどが挙げられる。
これらのイットリウム含有化合物は、合成したものを用いてもよいし、市販品を用いてもよい。
【００４３】
−ランタノイド含有化合物−
前記ランタノイド含有化合物を代表して、その一例であるランタン含有化合物、セリウム含有化合物、ルテチウム含有化合物を説明する。
【００４４】
−−ランタン含有化合物−−
ランタン（Ｌａ）は、ランタノイド（Ｌｎ）の一例である。
前記ランタン含有化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硝酸ランタン六水和物、塩化ランタン七水和物、燐酸ランタン水和物、酢酸ランタン水和物、酸化ランタン、水酸化ランタン、ランタンアセチルアセトナート、２−エチルヘキサン酸ランタンなどが挙げられる。
これらのランタン含有化合物は、合成したものを用いてもよいし、市販品を用いてもよい。
【００４５】
−−セリウム含有化合物−−
セリウム（Ｃｅ）は、ランタノイド（Ｌｎ）の一例である。
前記セリウム含有化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硝酸セリウム六水和物、塩化セリウム七水和物、酢酸セリウム一水和物、酸化セリウム、水酸化セリウム、セリウムアセチルアセトナート、２−エチルヘキサン酸セリウムなどが挙げられる。
これらのセリウム含有化合物は、合成したものを用いてもよいし、市販品を用いてもよい。
【００４６】
−−ルテチウム含有化合物−−
ルテチウム（Ｌｕ）は、ランタノイド（Ｌｎ）の一例である。
前記ルテチウム含有化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硝酸ルテチウム六水和物、塩化ルテチウム六水和物、酢酸ルテチウム四水和物、酸化ルテチウム、水酸化ルテチウム、ルテチウムアセチルアセトナート、２−エチルヘキサン酸ルテチウムなどが挙げられる。
これらのルテチウム含有化合物は、合成したものを用いてもよいし、市販品を用いてもよい。
【００４７】
同様の説明が、Ｐｒ（プラセオジウム）、Ｇｄ（ガドリニウム）などの他のランタノイドについても当てはまる。
【００４８】
＜金属酸化物膜形成用塗布液の作製方法＞
前記金属酸化物膜形成用塗布液の作製方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属塩ジオール溶液と金属塩グリコールエーテル溶液とをそれぞれ作製し、それらを所望の割合で混合する方法などが挙げられる。
【００４９】
本発明の前記金属酸化物膜形成用塗布液は、金属酸化物膜を作製するための塗布液に適しており、特に、電界効果型トランジスタの活性層（半導体層）、ゲート絶縁層及び層間絶縁層を作製するための塗布液に適している。
なお、本発明において、金属酸化物は、窒素を含んでいてもよい。即ち、前記金属酸化物は、所謂、酸窒化物であってもよい。
【００５０】
（酸化物絶縁体膜）
本発明の酸化物絶縁体膜は、Ａ元素と、Ｂ元素とを少なくとも含み、好ましくはＣ元素を含み、更に必要に応じて、その他の成分を含む。
前記酸化物絶縁体膜は、絶縁性の酸化物である。
前記酸化物は、酸窒化物を含む。
【００５１】
＜Ａ元素＞
前記Ａ元素は、Ｚｒ（ジルコニウム）及びＨｆ（ハフニウム）の中から選ばれた１種類以上である。
【００５２】
＜Ｂ元素＞
前記Ｂ元素は、Ｂｅ（ベリリウム）及びＭｇ（マグネシウム）の中から選ばれた１種類以上である。
【００５３】
＜Ｃ元素＞
前記Ｃ元素は、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｙ（イットリウム）、及びＬｎ（ランタノイド）の中から選ばれた１種類以上である。
Ｌｎ（ランタノイド）としては、例えば、Ｌａ（ランタン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｐｒ（プラセオジム）、Ｎｄ（ネオジム）、Ｐｍ（プロメチウム）、Ｓｍ（サマリウム）、Ｅｕ（ユウロピウム）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｍ（ツリウム）、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｌｕ（ルテチウム）が挙げられる。
【００５４】
前記酸化物絶縁体膜に含まれる金属イオンのｄ軌道の電子配置は、ｄ０又はｄ１０であることが好ましい。電子配置がｄ０又はｄ１０であるｄ軌道は閉殻構造であるため、可視光領域に吸収は存在せず、ワイドバンドギャップになる。
【００５５】
（酸化物絶縁体膜の製造方法）
本発明の酸化物絶縁体膜の製造方法は、本発明の前記金属酸化物膜形成用塗布液を被塗物に塗布し、乾燥させた後に焼成を行うことを含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
【００５６】
前記被塗物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス基材、プラスチック基材などが挙げられる。
また、前記酸化物絶縁体膜を電界効果型トランジスタのゲート絶縁層、層間絶縁層に用いる場合には、前記被塗物としては、例えば、基材、ゲート電極、半導体層などが挙げられる。前記基材の形状、構造、及び大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記基材の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス、プラスチックなどが挙げられる。
【００５７】
前記塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スクリーン印刷法、ロールコート法、ディップコート法、スピンコート法、ダイコート法、インクジェット法、ナノインプリント法などが挙げられる。これらの中でも、スピンコート法及びダイコート法は既存のフォトリソグラフィー技術と組み合わせることが容易である点で好ましい。
【００５８】
前記乾燥は、前記金属酸化物膜形成用塗布液中の揮発成分を除去できる条件であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。なお、前記乾燥において、揮発成分を完全に除去する必要はなく、焼成を阻害しない程度に揮発成分を除去できればよい。
【００５９】
前記焼成の温度としては、前記塗布液に含有する金属元素が酸化物を形成する温度以上で、かつ基材（塗布対象物）の熱変形温度以下であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１５０℃〜６００℃が好ましい。
前記焼成の雰囲気としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸素中や空気中など酸素を含む雰囲気が好ましい。これにより、前記金属源や前記溶媒中に含まれる有機物や陰イオンを酸化、ガス化するなどして、膜中より除去することができる。また、窒素中やアンモニア蒸気中など窒素を含む雰囲気で焼成することにより、膜中に窒素を取り込むことが可能で、酸窒化物膜を形成し、比誘電率、熱膨張係数などの膜物性を制御することができる。
前記焼成の時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００６０】
形成される酸化物絶縁体膜の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、ゲート絶縁層としては１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましく、５０ｎｍ〜２００ｎｍが特に好ましい。
【００６１】
（電界効果型トランジスタ）
本発明の電界効果型トランジスタは、ソース電極、及びドレイン電極と、ゲート電極と、半導体層と、ゲート絶縁層と、を少なくとも備え、更に必要に応じて、基材などのその他の部材を備える。
【００６２】
＜ゲート電極＞
前記ゲート電極としては、例えば、ゲート電圧を印加するための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００６３】
前記ゲート電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、白金、パラジウム、金、銀、銅、亜鉛、アルミニウム、ニッケル、クロム、タンタル、モリブデン、タングステン、チタン等の金属、これらの合金、これら金属の混合物、積層膜などが挙げられる。また、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ガリウム、酸化ニオブ等の導電性酸化物、これらの複合化合物、これらの混合物、積層膜などが挙げられる。
【００６４】
前記ゲート電極の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、４０ｎｍ〜２μｍが好ましく、７０ｎｍ〜１μｍがより好ましい。
【００６５】
＜ソース電極、及びドレイン電極＞
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００６６】
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記ゲート電極の説明において記載した材質と同じ材質が挙げられる。
【００６７】
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、４０ｎｍ〜２μｍが好ましく、７０ｎｍ〜１μｍがより好ましい。
【００６８】
＜半導体層＞
前記半導体層（活性層）は、例えば、前記ソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層である。
【００６９】
前記半導体層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、酸化物半導体、ペンタセン等の有機半導体等が挙げられる。これらの中でも、ゲート絶縁層との界面の安定性の点から、酸化物半導体が好ましい。
【００７０】
前記半導体層は、例えば、ｎ型酸化物半導体から形成することができる。
前記半導体層を構成するｎ型酸化物半導体は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、インジウム（Ｉｎ）、Ｚｎ、スズ（Ｓｎ）、及びＴｉの少なくともいずれかと、アルカリ土類元素、又は希土類元素とを含有することが好ましく、Ｉｎとアルカリ土類元素、又は希土類元素とを含有することがより好ましい。
【００７１】
希土類元素としては、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）が挙げられる。
【００７２】
前記半導体層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍがより好ましい。
【００７３】
＜ゲート絶縁層＞
前記ゲート絶縁層は、酸化物絶縁体膜である。
前記酸化物絶縁体膜は、本発明の前記酸化物絶縁体膜である。即ち、前記酸化物絶縁体膜は、Ａ元素と、Ｂ元素とを少なくとも含み、好ましくはＣ元素を含み、更に必要に応じて、その他の成分を含む。
【００７４】
電界効果型トランジスタのゲート絶縁層としては、高誘電率、高絶縁性、高化学的耐久性などの特性を持つことが好ましい。また、前記高絶縁性を実現する上でワイドバンドギャップ及びアモルファス膜が好ましい。
従来、ＣＭＯＳ分野におけるｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜として、Ｚｒ、Ｈｆ、或いはＬｎを含有するペロブスカイト酸化物に代表される結晶性酸化物が、多数検討されてきた（例えば、Ｇｄ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、ＬａＡｌＯ３、Ｌａ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＳｒＺｒＯ３、ＣａＨｆＯ３、ＬａＳｃＯ３、Ｌａ２Ｚｒ２Ｏ７）（非特許文献：ＩＳＲＮ  Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ．２０１２、（２０１２）３５）。
これらの絶縁膜では比誘電率が１０〜４０程度の非常に高い値が報告されているが、残念ながら実用化に至っていない。
【００７５】
ゲートリークを抑える上で多結晶膜に存在する粒界は不利であり、アモルファス性の高い酸化物が好ましい。このような観点から、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ−（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ２系は、様々な組成のペロブスカイト及び層状ペロブスカイト結晶相が存在し、比較的低温で容易に結晶が析出する。
一方、本発明の前記酸化物絶縁体膜である（Ｂｅ，Ｍｇ）Ｏ−（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ２系の酸化物絶縁体膜では、ペロブスカイト及び層状ペロブスカイト相が存在しないため、アモルファス膜を維持し易い。また、バンドギャップも大きくなり、絶縁性に優れる。
【００７６】
ところで、希土類酸化物（ＲＥ２Ｏ３）及び（Ｚｒ，Ｈｆ）酸化物は、いずれも耐熱性が高く、融点は２０００℃を超えるが、ＲＥ２Ｏ３−（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ２系には、Ｌａ２Ｚｒ２Ｏ７に代表されるパイロクロア結晶相が存在し、比較的低温（例えば、Ｌａ２Ｚｒ２Ｏ７では６５０℃）で結晶相が生成する。
【００７７】
しかし、本発明の前記酸化物絶縁体膜の好適な態様である（Ｂｅ，Ｍｇ）Ｏ−ＲＥ２Ｏ３−（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ２の３成分系にすることによって、アモルファス性を高くし、バンドギャップを拡大し、化学的耐久性を増すことができ、優れた酸化物絶縁体膜を提供することが可能になった。
【００７８】
更にまた、本発明の前記酸化物絶縁体膜に含まれる金属イオンのｄ軌道の電子配置は、ｄ０又はｄ１０であることが好ましい。電子配置がｄ０又はｄ１０であるｄ軌道は閉殻構造であるため、可視光領域に吸収は存在せず、ワイドバンドギャップになる。
【００７９】
前記ゲート絶縁層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１０ｎｍ〜１μｍが好ましく、３０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい
【００８０】
＜基材＞
前記基材の形状、構造、及び大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス基材、プラスチック基材などが挙げられる。
前記ガラス基材の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無アルカリガラス、シリカガラスなどが挙げられる。
前記プラスチック基材の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などが挙げられる。
なお、前記基材としては、表面の清浄化及び密着性向上の点で、酸素プラズマ、ＵＶオゾン、ＵＶ照射洗浄などの前処理が行われることが好ましい。
【００８１】
前記電界効果型トランジスタの構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ボトムゲート／ボトムコンタクト型（図１）、ボトムゲート／トップコンタクト型（図２）、トップゲート／ボトムコンタクト型（図３）、トップゲート／トップコンタクト型（図４）、ＴＧ−ＩＬＤ（トップゲート−層間絶縁層）構造（図５）などが挙げられる。
なお、図１〜図５中、１は基材、２はゲート電極、３はゲート絶縁層、４はソース電極、５はドレイン電極、６は半導体層、７は第１の層間絶縁層、８は第２の層間絶縁層、９は第３の層間絶縁層をそれぞれ表す。
【００８２】
本発明の電界効果型トランジスタは、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ等の画素駆動回路及び論理回路用の電界効果型トランジスタに好適に用いることができる。
【００８３】
（電界効果型トランジスタの製造方法）
本発明の電界効果型トランジスタの製造方法は、本発明の前記金属酸化物膜形成用塗布液を塗布してゲート絶縁層を形成する工程（ゲート絶縁層形成工程）を含み、更に必要に応じて、ゲート電極形成工程、ソース電極及びドレイン電極形成工程、半導体層形成工程などのその他の工程を含む。
【００８４】
＜ゲート絶縁層形成工程＞
前記ゲート絶縁層形成工程としては、本発明の前記金属酸化物膜形成用塗布液を塗布してゲート絶縁層を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、本発明の前記金属酸化物膜形成用塗布液を塗布し、乾燥させた後に焼成を行うことを含む。
前記ゲート絶縁層形成工程を行うことで、本発明の前記酸化物絶縁体膜であるゲート絶縁層が得られる。
【００８５】
前記塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スクリーン印刷法、ロールコート法、ディップコート法、スピンコート法、ダイコート法、インクジェット法、ナノインプリント法などが挙げられる。これらの中でも、スピンコート法及びダイコート法は既存のフォトリソグラフィー技術と組み合わせることが容易である点で好ましい。
【００８６】
前記乾燥は、前記金属酸化物膜形成用塗布液中の揮発成分を除去できる条件であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。なお、前記乾燥において、揮発成分を完全に除去する必要はなく、焼成を阻害しない程度に揮発成分を除去できればよい。
【００８７】
前記焼成の温度としては、前記塗布液に含有する金属元素が酸化物を形成する温度以上で、かつ塗布対象物の熱変形温度以下であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１５０℃〜６００℃が好ましい。
前記焼成の雰囲気としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸素中や空気中など酸素を含む雰囲気が好ましい。これにより、前記金属源や前記溶媒中に含まれる有機物や陰イオンを酸化、ガス化するなどして、膜中より除去することができる。また、窒素中やアンモニア蒸気中など窒素を含む雰囲気で焼成することにより、膜中に窒素を取り込むことが可能で、酸窒化物膜を形成し、比誘電率、熱膨張係数などの膜物性を制御することができる。
前記焼成の時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００８８】
＜ゲート電極形成工程＞
前記ゲート電極形成工程としては、ゲート電極を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする工程、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する工程などが挙げられる。
【００８９】
＜ソース電極及びドレイン電極形成工程＞
前記ソース電極及びドレイン電極形成工程としては、ソース電極及びドレイン電極を離間して形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする工程、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する工程などが挙げられる。
【００９０】
＜半導体層形成工程＞
前記半導体層形成工程としては、半導体層を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする工程、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する工程などが挙げられる。
【００９１】
ここで、ボトムゲート／ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造方法について図６Ａ〜図６Ｄを参照して説明する。
初めに、ガラス基板等からなる基材１上に、スパッタ法等によりアルミニウム等からなる導電体膜を形成し、形成した導電体膜をフォトリソグラフィーによりパターニングすることによりゲート電極２を形成する（図６Ａ）。
次いで、前記ゲート電極２を覆うように前記ゲート電極２及び前記基材１上にゲート絶縁層３を形成する（図６Ｂ）。ゲート絶縁層３は、本発明の前記酸化物絶縁体膜であって、例えば、本発明の前記金属酸化物膜形成用塗布液を塗布し、乾燥させた後に焼成を行うことによって、得られる。
次いで、前記ゲート絶縁層３上にスパッタ法等によりＩＴＯ等からなる導電体膜を形成し、形成した導電体膜をエッチングによりパターニングすることによりソース電極４及びドレイン電極５を形成する（図６Ｃ）。
次いで、前記ソース電極４及び前記ドレイン電極５の間に形成されるチャネル領域を覆うように、前記ゲート絶縁層３上にスパッタ法等により酸化物半導体膜を形成し、形成した酸化物半導体膜をエッチングによりパターニングすることにより、半導体層６を形成する（図６Ｄ）。
以上により、電界効果型トランジスタが製造される。
【００９２】
（表示素子）
本発明の表示素子は、少なくとも、光制御素子と、光制御素子を駆動する駆動回路とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
【００９３】
光制御素子としては、駆動信号に応じて光出力を制御する素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、エレクトロクロミック（ＥＣ）素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子等が挙げられる。
【００９４】
駆動回路としては、実施の形態に係る電界効果型トランジスタを有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００９５】
他の実施の形態に係る表示素子は、実施の形態に係る電界効果型トランジスタを有しているため、ゲート絶縁層１３が良好な絶縁性を維持しており、良好な電気特性を得ることができる。その結果、高品質の表示を行うことが可能となる。
【００９６】
（画像表示装置）
本発明の画像表示装置は、少なくとも、他の実施の形態に係る複数の表示素子と、複数の配線と、表示制御装置とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
【００９７】
複数の表示素子としては、マトリックス状に配置された複数の他の実施の形態に係る表示素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００９８】
複数の配線は、複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧と画像データ信号とを個別に印加可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００９９】
表示制御装置としては、画像データに応じて、各電界効果型トランジスタのゲート電圧と信号電圧とを複数の配線を介して個別に制御可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【０１００】
その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【０１０１】
他の実施の形態に係る画像表示装置は、実施の形態に係る電界効果型トランジスタを備えた表示素子を有しているため、高品質の画像を表示することが可能となる。
【０１０２】
（システム）
本発明のシステムは、少なくとも、他の実施の形態に係る画像表示装置と、画像データ作成装置とを有する。
【０１０３】
画像データ作成装置は、表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、画像データを画像表示装置に出力する。
【０１０４】
システムは、他の実施の形態に係る画像表示装置を備えているため、画像情報を高精細に表示することが可能となる。
【０１０５】
以下、他の実施の形態に係る表示素子、画像表示装置、及びシステムについて、具体的に説明する。
【０１０６】
図７には、他の実施の形態に係るシステムとしてのテレビジョン装置５００の概略構成が示されている。なお、図７における接続線は、代表的な信号や情報の流れを示すものであり、各ブロックの接続関係の全てを表すものではない。
【０１０７】
他の実施の形態に係るテレビジョン装置５００は、主制御装置５０１、チューナ５０３、ＡＤコンバータ（ＡＤＣ）５０４、復調回路５０５、ＴＳ（Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｓｔｒｅａｍ）デコーダ５０６、音声デコーダ５１１、ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）５１２、音声出力回路５１３、スピーカ５１４、映像デコーダ５２１、映像・ＯＳＤ合成回路５２２、映像出力回路５２３、画像表示装置５２４、ＯＳＤ描画回路５２５、メモリ５３１、操作装置５３２、ドライブインターフェース（ドライブＩＦ）５４１、ハードディスク装置５４２、光ディスク装置５４３、ＩＲ受光器５５１、及び通信制御装置５５２等を備えている。
【０１０８】
主制御装置５０１は、テレビジョン装置５００の全体を制御し、ＣＰＵ、フラッシュＲＯＭ、及びＲＡＭ等から構成されている。フラッシュＲＯＭには、ＣＰＵにて解読可能なコードで記述されたプログラム、及びＣＰＵでの処理に用いられる各種データ等が格納されている。又、ＲＡＭは、作業用のメモリである。
【０１０９】
チューナ５０３は、アンテナ６１０で受信された放送波の中から、予め設定されているチャンネルの放送を選局する。ＡＤＣ５０４は、チューナ５０３の出力信号（アナログ情報）をデジタル情報に変換する。復調回路５０５は、ＡＤＣ５０４からのデジタル情報を復調する。
【０１１０】
ＴＳデコーダ５０６は、復調回路５０５の出力信号をＴＳデコードし、音声情報及び映像情報を分離する。音声デコーダ５１１は、ＴＳデコーダ５０６からの音声情報をデコードする。ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）５１２は、音声デコーダ５１１の出力信号をアナログ信号に変換する。
【０１１１】
音声出力回路５１３は、ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）５１２の出力信号をスピーカ５１４に出力する。映像デコーダ５２１は、ＴＳデコーダ５０６からの映像情報をデコードする。映像・ＯＳＤ合成回路５２２は、映像デコーダ５２１の出力信号とＯＳＤ描画回路５２５の出力信号を合成する。
【０１１２】
映像出力回路５２３は、映像・ＯＳＤ合成回路５２２の出力信号を画像表示装置５２４に出力する。ＯＳＤ描画回路５２５は、画像表示装置５２４の画面に文字や図形を表示するためのキャラクタ・ジェネレータを備えており、操作装置５３２やＩＲ受光器５５１からの指示に応じて表示情報が含まれる信号を生成する。
【０１１３】
メモリ５３１には、ＡＶ（Ａｕｄｉｏ−Ｖｉｓｕａｌ）データ等が一時的に蓄積される。操作装置５３２は、例えばコントロールパネル等の入力媒体（図示省略）を備え、ユーザから入力された各種情報を主制御装置５０１に通知する。ドライブＩＦ５４１は、双方向の通信インターフェースであり、一例としてＡＴＡＰＩ（ＡＴ  Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ  Ｐａｃｋｅｔ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）に準拠している。
【０１１４】
ハードディスク装置５４２は、ハードディスクと、このハードディスクを駆動するための駆動装置等から構成されている。駆動装置は、ハードディスクにデータを記録するとともに、ハードディスクに記録されているデータを再生する。光ディスク装置５４３は、光ディスク（例えば、ＤＶＤ）にデータを記録するとともに、光ディスクに記録されているデータを再生する。
【０１１５】
ＩＲ受光器５５１は、リモコン送信機６２０からの光信号を受信し、主制御装置５０１に通知する。通信制御装置５５２は、インターネットとの通信を制御する。インターネットを介して各種情報を取得することができる。
【０１１６】
画像表示装置５２４は、一例として図８に示されるように、表示器７００、及び表示制御装置７８０を有している。表示器７００は、一例として図９に示されるように、複数（ここでは、ｎ×ｍ個）の表示素子７０２がマトリックス状に配置されたディスプレイ７１０を有している。
【０１１７】
又、ディスプレイ７１０は、一例として図１０に示されるように、Ｘ軸方向に沿って等間隔に配置されているｎ本の走査線（Ｘ０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、・・・・・、Ｘｎ−２、Ｘｎ−１）、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置されているｍ本のデータ線（Ｙ０、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、・・・・・、Ｙｍ−１）、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置されているｍ本の電流供給線（Ｙ０ｉ、Ｙ１ｉ、Ｙ２ｉ、Ｙ３ｉ、・・・・・、Ｙｍ−１ｉ）を有している。そして、走査線とデータ線とによって、表示素子７０２を特定することができる。
【０１１８】
各表示素子７０２は、一例として図１１に示されるように、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子７５０と、この有機ＥＬ素子７５０を発光させるためのドライブ回路７２０とを有している。すなわち、ディスプレイ７１０は、いわゆるアクティブマトリックス方式の有機ＥＬディスプレイである。又、ディスプレイ７１０は、カラー対応の３２インチ型のディスプレイである。なお、大きさは、これに限定されるものではない。
【０１１９】
有機ＥＬ素子７５０は、一例として図１２に示されるように、有機ＥＬ薄膜層７４０と、陰極７１２と、陽極７１４とを有している。
【０１２０】
有機ＥＬ素子７５０は、例えば、電界効果型トランジスタの横に配置することができる。この場合、有機ＥＬ素子７５０と電界効果型トランジスタとは、同一の基材上に形成することができる。但し、これに限定されず、例えば、電界効果型トランジスタの上に有機ＥＬ素子７５０が配置されても良い。この場合には、ゲート電極に透明性が要求されるので、ゲート電極には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｇａが添加されたＺｎＯ、Ａｌが添加されたＺｎＯ、Ｓｂが添加されたＳｎＯ２等の導電性を有する透明な酸化物が用いられる。
【０１２１】
有機ＥＬ素子７５０において、陰極７１２には、Ａｌが用いられている。なお、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ａｌ−Ｌｉ合金、ＩＴＯ等を用いても良い。陽極７１４には、ＩＴＯが用いられている。なお、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性を有する酸化物、Ａｇ−Ｎｄ合金等を用いても良い。
【０１２２】
有機ＥＬ薄膜層７４０は、電子輸送層７４２と発光層７４４と正孔輸送層７４６とを有している。そして、電子輸送層７４２に陰極７１２が接続され、正孔輸送層７４６に陽極７１４が接続されている。陽極７１４と陰極７１２との間に所定の電圧を印加すると発光層７４４が発光する。
【０１２３】
又、図１１に示すように、ドライブ回路７２０は、２つの電界効果型トランジスタ８１０及び８２０、コンデンサ８３０を有している。電界効果型トランジスタ８１０は、スイッチ素子として動作する。ゲート電極Ｇは、所定の走査線に接続され、ソース電極Ｓは、所定のデータ線に接続されている。又、ドレイン電極Ｄは、コンデンサ８３０の一方の端子に接続されている。
【０１２４】
コンデンサ８３０は、電界効果型トランジスタ８１０の状態、すなわちデータを記憶しておくためのものである。コンデンサ８３０の他方の端子は、所定の電流供給線に接続されている。
【０１２５】
電界効果型トランジスタ８２０は、有機ＥＬ素子７５０に大きな電流を供給するためのものである。ゲート電極Ｇは、電界効果型トランジスタ８１０のドレイン電極Ｄと接続されている。そして、ドレイン電極Ｄは、有機ＥＬ素子７５０の陽極７１４に接続され、ソース電極Ｓは、所定の電流供給線に接続されている。
【０１２６】
そこで、電界効果型トランジスタ８１０が「オン」状態になると、電界効果型トランジスタ８２０によって、有機ＥＬ素子７５０は駆動される。
【０１２７】
表示制御装置７８０は、一例として図１３に示されるように、画像データ処理回路７８２、走査線駆動回路７８４、及びデータ線駆動回路７８６を有している。
【０１２８】
画像データ処理回路７８２は、映像出力回路５２３の出力信号に基づいて、ディスプレイ７１０における複数の表示素子７０２の輝度を判断する。走査線駆動回路７８４は、画像データ処理回路７８２の指示に応じてｎ本の走査線に個別に電圧を印加する。データ線駆動回路７８６は、画像データ処理回路７８２の指示に応じてｍ本のデータ線に個別に電圧を印加する。
【０１２９】
以上の説明から明らかなように、本実施の形態に係るテレビジョン装置５００では、映像デコーダ５２１と映像・ＯＳＤ合成回路５２２と映像出力回路５２３とＯＳＤ描画回路５２５とによって画像データ作成装置が構成されている。
【０１３０】
又、上記においては、光制御素子が有機ＥＬ素子の場合について説明したが、これに限定されるものではなく、液晶素子、エレクトロクロミック素子、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子であってもよい。
【０１３１】
例えば、光制御素子が液晶素子の場合は、上記ディスプレイ７１０として、液晶ディスプレイ用いる。この場合においては、図１４に示されるように、表示素子７０３における電流供給線は不要となる。
【０１３２】
又、この場合では、一例として図１５に示されるように、ドライブ回路７３０は、図１１に示される電界効果型トランジスタ（８１０、８２０）と同様な１つの電界効果型トランジスタ８４０のみで構成することができる。電界効果型トランジスタ８４０では、ゲート電極Ｇが所定の走査線に接続され、ソース電極Ｓが所定のデータ線に接続されている。又、ドレイン電極Ｄが液晶素子７７０の画素電極、及びコンデンサ７６０に接続されている。なお、図１５における符号７６２、７７２は、夫々コンデンサ７６０、液晶素子７７０の対向電極（コモン電極）である。
【０１３３】
又、上記実施の形態では、システムがテレビジョン装置の場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに画像や情報を表示する装置として上記画像表示装置５２４を備えていれば良い。例えば、コンピュータ（パソコンを含む）と画像表示装置５２４とが接続されたコンピュータシステムであっても良い。
【０１３４】
又、携帯電話、携帯型音楽再生装置、携帯型動画再生装置、電子ＢＯＯＫ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の携帯情報機器、スチルカメラやビデオカメラ等の撮像機器における表示手段に画像表示装置５２４を用いることができる。又、車、航空機、電車、船舶等の移動体システムにおける各種情報の表示手段に画像表示装置５２４を用いることができる。更に、計測装置、分析装置、医療機器、広告媒体における各種情報の表示手段に画像表示装置５２４を用いることができる。
【０１３５】
以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。
【実施例】
【０１３６】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【０１３７】
（実施例１−１）
＜酸化物絶縁体膜形成用塗布液の作製＞
硝酸酸化ジルコニウム二水和物（０．５０ｍｏｌ）と硝酸マグネシウム六水和物（０．５０ｍｏｌ）とを秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル５００ｍＬ、プロピレングリコール１８００ｍＬ、水１２００ｍＬ、及びイソプロパノール１８００ｍＬを加え溶解し、酸化物絶縁体膜形成用塗布液１−１を作製した。
【０１３８】
（実施例１−２〜１−１２）
＜酸化物絶縁体膜形成用塗布液の作製＞
表１−１〜表１−２に示す原料組成で、実施例１−１と同様の方法で、実施例１−２〜１−１２の酸化物絶縁体膜形成用塗布液１−２〜１−１２を作製した。
【０１３９】
（参考例１−１３〜１−１５）
＜酸化物絶縁体膜形成用塗布液の作製＞
表２−１〜表２−２に示す原料組成で、実施例１−１と同様の方法で、参考例１−１３〜１−１５の酸化物絶縁体膜形成用塗布液１−１３〜１−１５を作製した。
【０１４０】
【表１−１】
2020017553.tif 000003
【０１４１】
【表１−２】
2020017553.tif 000004
【０１４２】
【表２−１】
2020017553.tif 000005
【０１４３】
【表２−２】
2020017553.tif 000006
【０１４４】
表１−１、表１−２、表２−１、及び表２−２において、各種原料、溶媒における名称は以下のとおりである。
【０１４５】
＜溶質Ａ＞
ＺｒＯ（ＮＯ３）２・２Ｈ２Ｏ  ：  硝酸酸化ジルコニウム二水和物
ＨｆＣｌ４  ：  塩化ハフニウム
ＺｒＯ（Ｃ８Ｈ１５Ｏ２）２  ：  ビス（２−エチルヘキサン酸）酸化ジルコニウム
ＺｒＣｌ４・８Ｈ２Ｏ  ：  塩化ジルコニウム八水和物
Ｈｆ（ａｃａｃ）４  ：  ハフニウムアセチルアセトナート
Ｈｆ（Ｃ８Ｈ１５Ｏ２）４  ：  テトラ（２−エチルヘキサン酸）ハフニウム
＜溶質Ｂ＞
Ｍｇ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ  ：  硝酸マグネシウム六水和物
ＢｅＳＯ４・４Ｈ２Ｏ  ：  硝酸ベリリウム四水和物
Ｂｅ（ａｃａｃ）２  ：  ベリリウムアセチルアセトナート
ＭｇＣｌ２・６Ｈ２Ｏ  ：  塩化マグネシウム六水和物
Ｍｇ（Ｃ８Ｈ１５Ｏ２）２  ：  ビス（２−エチルヘキサン酸）マグネシウム
ＣａＣｌ２・２Ｈ２Ｏ  ：  塩化カルシウム二水和物
ＢａＣｌ２・２Ｈ２Ｏ  ：  塩化バリウム二水和物
ＳｒＣｌ２・  ：  塩化ストロンチウム
＜溶質Ｃ＞
Ｇｄ（Ｃ８Ｈ１５Ｏ２）３  ：  トリス（２−エチルヘキサン酸）ガドリニウム
ＬａＣｌ３・７Ｈ２Ｏ  ：  塩化ランタン七水和物
Ｙ（Ｃ８Ｈ１５Ｏ２）３  ：  トリス（２−エチルヘキサン酸）イットリウム
Ｌａ（ＮＯ３）３・６Ｈ２Ｏ  ：  硝酸ランタン六水和物
Ｓｃ（ＮＯ３）３・６Ｈ２Ｏ  ：  硝酸スカンジウム六水和物
Ｃｅ（Ｃ８Ｈ１５Ｏ２）３  ：  トリス（２−エチルヘキサン酸）セリウム
ＰｒＣｌ３・７Ｈ２Ｏ  ：  硝酸プラセオジウム七水和物
ＬｕＣｌ３・７Ｈ２Ｏ  ：  硝酸ルテチウム七水和物
＜溶媒Ｄ＞
ＥＧＭＥ  ：  エチレングリコールモノメチルエーテル
ＥＧＩＰＥ  ：  エチレングリコールモノイソプロピルエーテル
＜溶媒Ｅ＞
ＰＧ  ：  プロピレングリコール
ＥＧ  ：  エチレングリコール
ＣＨＢ  ：  シクロヘキシルベンゼン
＜溶媒Ｆ＞
Ｈ２Ｏ  ：  水
＜溶媒Ｇ＞
ＩＰＡ  ：  イソプロパノール
ＥｔＯＨ  ：  エタノール
ＭｅＯＨ  ：  メタノール
【０１４６】
（実施例２−１）
ＵＶオゾン洗浄済みの無アルカリガラス基板上に、スピンコート装置で表１−１及び表１−２中の塗布液１−１を印刷した。印刷は良好であった。その基板を１２０℃に加熱したホットプレート上で１０分間乾燥させた後、大気雰囲気中４００℃で１時間焼成して、透明な酸化物膜を得た。
【０１４７】
（実施例２−２〜２−１２）
実施例２−１と同様の方法で、表１−１及び表１−２中の塗布液１−２〜１−１２をそれぞれ、印刷・乾燥・焼成し、同様の透明な酸化物膜を得た。何れも実施例２−１と同様に良好な印刷特性を示した。
塗布液１−２〜１−１２と、実施例２−２〜２−１２との対応関係は以下のとおりである。
・実施例２−２：塗布液１−２
・実施例２−３：塗布液１−３
・実施例２−４：塗布液１−４
・実施例２−５：塗布液１−５
・実施例２−６：塗布液１−６
・実施例２−７：塗布液１−７
・実施例２−８：塗布液１−８
・実施例２−９：塗布液１−９
・実施例２−１０：塗布液１−１０
・実施例２−１１：塗布液１−１１
・実施例２−１２：塗布液１−１２
【０１４８】
（参考例２−１３〜２−１５）
実施例２−１と同様の方法で、表２−１及び表２−２中の塗布液１−１３〜１−１５をそれぞれ、印刷・乾燥・焼成し、同様の透明な酸化物膜を得た。何れも実施例２−１と同様に良好な印刷特性を示した。
塗布液１−１３〜１−１５と、参考例２−１３〜２−１５との対応関係は以下のとおりである。
・参考例２−１３：塗布液１−１３
・参考例２−１４：塗布液１−１４
・参考例２−１５：塗布液１−１５
【０１４９】
（実施例３−１）
ＵＶオゾン洗浄済みの無アルカリガラス基板上に、下部電極としてＡｌを１００ｎｍマスク蒸着した。その上に、スピンコーティングによりで表１−１及び表１−２中の塗布液１−１を印刷した。製膜性は良好であった。その基板を大気雰囲気中１２０℃、１時間オーブンで乾燥させた後、大気雰囲気中４００℃で１時間焼成して酸化物絶縁体膜を得た。更に、上部電極としてＡｌを１００ｎｍマスク蒸着し、キャパシタ構造を作製した。
【０１５０】
本実施例において作製されたキャパシタにおける比誘電率εは、１００Ｈｚから１ＭＨｚまでの領域において１０．４以上であり、高い比誘電率を有することが確認された。また、誘電損失ｔａｎδの値も１００Ｈｚから１００ｋＨｚまでは、略２％以下と低い値であることが確認された。
【０１５１】
（実施例４−１）
＜電界効果型トランジスタの作製＞
−活性層の形成−
無アルカリガラス基板を、中性洗剤、純水、及びイソプロピルアルコールを用いて超音波洗浄した。この基板を乾燥後、さらにＵＶ−オゾン処理を９０℃で１０分間行った。前記無アルカリガラス基板に、以下の方法で作製したｎ型酸化物半導体膜形成用塗布液をスピンコーターで塗布した。大気雰囲気中１２０℃、１時間オーブンで乾燥させた後、大気雰囲気中４００℃で１時間焼成してｎ型酸化物半導体膜を得た。更にフォトリソグラフィーによって所定の形状の活性層を得た。
【０１５２】
−−ｎ型酸化物半導体膜形成用塗布液−−
塩化マグネシウム六水和物〔Ｍｇ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ〕（０．３ｍｏｌ）と、硝酸インジウム三水和物〔Ｉｎ（ＮＯ３）３・３Ｈ２Ｏ〕（０．６ｍｏｌ）と、塩化スズ五水和物〔ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ〕（０．０１ｍｏｌ）とを秤量し、Ｎ−メチルピロリドン〔ＮＭＰ〕１５００ｍＬ、プロピレングリコール１５００ｍＬ、水１０００ｍＬ、及びメタノール２０００ｍＬを加え溶解し、ｎ型酸化物半導体膜形成用塗布液を作製した。
【０１５３】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
次に、にＤＣマグネトロンスパッタリング法でアルミ合金を１００ｎｍ成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングし、ソース電極、及びドレイン電極を形成した。このとき、ソース及びドレイン電極長で規定されるチャネル幅は３０μｍ、ソース−ドレイン電極間隔で規定されるチャネル長は１０μｍとした。
【０１５４】
−ゲート絶縁層の形成−
次に、塗布液１−１をスピンコート装置で塗布した。
その基板を１２０℃に加熱したホットプレート上で１０分間乾燥させた後、大気雰囲気中４００℃で１時間焼成し、ゲート絶縁層を得た。得られたゲート絶縁層の平均厚みは約１３０ｎｍであった。
【０１５５】
−ゲート電極の形成−
次に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法でＭｏを１００ｎｍ成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングし、ゲート電極を形成した。
【０１５６】
−電極パッドの形成−
次に、フォトリソグラフィー法によりゲート絶縁層にスルーホールをパターニングし、ソース電極、及びドレイン電極の電極パッドを形成した。
最後に大気雰囲気中で２５０℃で１時間アニールした。
以上により、電界効果型トランジスタを作製した。
【０１５７】
（実施例４−２〜４−１２）
実施例４−１において、塗布液１−１を、以下の塗布液に変えた以外は、実施例４−１と同様にして、電界効果型トランジスタを作製した。
・実施例４−２：塗布液１−２
・実施例４−３：塗布液１−３
・実施例４−４：塗布液１−４
・実施例４−５：塗布液１−５
・実施例４−６：塗布液１−６
・実施例４−７：塗布液１−７
・実施例４−８：塗布液１−８
・実施例４−９：塗布液１−９
・実施例４−１０：塗布液１−１０
・実施例４−１１：塗布液１−１１
・実施例４−１２：塗布液１−１２
【０１５８】
（参考例４−１３〜４−１５）
実施例４−１において、塗布液１−１を、以下の塗布液に変えた以外は、実施例４−１と同様にして、電界効果型トランdジスタを作製した。
・参考例４−１３：塗布液１−１３
・参考例４−１４：塗布液１−１４
・参考例４−１５：塗布液１−１５
【０１５９】
本発明の態様は、例えば、以下のとおりである。
＜１＞  ソース電極、及びドレイン電極と、ゲート電極と、半導体層と、ゲート絶縁層と、を備え、
前記ゲート絶縁層は、Ｚｒ及びＨｆの中から選ばれた１種類以上であるＡ元素と、Ｂｅ及びＭｇの中から選ばれた１種類以上であるＢ元素と、を含む酸化物絶縁体膜であることを特徴とする電界効果型トランジスタである。
＜２＞  前記半導体層は、酸化物半導体である前記＜１＞に記載の電界効果型トランジスタである。
＜３＞  前記酸化物絶縁体膜は、更にＳｃ、Ｙ、及びＬｎ（ランタノイド）の中から選ばれた１種類以上であるＣ元素を含む前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
＜４＞  前記酸化物絶縁体膜に含まれる金属イオンのｄ軌道の電子配置は、ｄ０又はｄ１０である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
＜５＞  Ｚｒ及びＨｆの中から選ばれた１種類以上であるＡ元素と、Ｂｅ及びＭｇの中から選ばれた１種類以上であるＢ元素と、を含むことを特徴とする酸化物絶縁体膜。
＜６＞  更にＳｃ、Ｙ、及びＬｎ（ランタノイド）の中から選ばれた１種類以上であるＣ元素を含む前記＜５＞に記載の酸化物絶縁体膜である。
＜７＞  Ｚｒ及びＨｆの中から選ばれた１種類以上であるＡ元素と、Ｂｅ及びＭｇの中から選ばれた１種類以上であるＢ元素と、を含むことを特徴とする金属酸化物膜形成用塗布液である。
＜８＞  更にＳｃ、Ｙ、及びＬｎ（ランタノイド）の中から選ばれた１種類以上であるＣ元素を含む前記＜７＞に記載の金属酸化物膜形成用塗布液である。
＜９＞  更に溶媒を含む前記＜７＞から＜８＞のいずれかに記載の金属酸化物膜形成用塗布液である。
＜１０＞  駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを有し、かつ前記光制御素子を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする表示素子である。
＜１１＞  光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子、エレクトロクロミック素子、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する前記＜１０＞に記載の表示素子である。
＜１２＞  画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の前記＜１０＞から＜１１＞のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧を個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタのゲート電圧を前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置とを有することを特徴とする画像表示装置である。
＜１３＞  前記＜１２＞に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置とを有することを特徴とするシステムである。
＜１４＞  前記＜７＞から＜９＞のいずれかに記載の金属酸化物膜形成用塗布液を被塗物に塗布し、乾燥させた後に焼成を行うことを特徴とする酸化物絶縁体膜の製造方法である。
＜１５＞  ソース電極、及びドレイン電極と、ゲート電極と、半導体層と、ゲート絶縁層と、を備える電界効果型トランジスタの製造方法であって、
前記＜７＞から＜９＞のいずれかに記載の金属酸化物膜形成用塗布液を塗布して前記ゲート絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【符号の説明】
【０１６０】
１    基材
２    ゲート電極
３    ゲート絶縁層
４    ソース電極
５    ドレイン電極
６    半導体層
７    第１の層間絶縁層
８    第２の層間絶縁層
９    第３の層間絶縁層
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０１６１】
【非特許文献１】Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ，  Ｃｈｅｒｉｅ  Ｒ．  Ｋａｇａｎ  （編集），  Ｐａｕｌ  Ａｎｄｒｙ  （編集）  出版社：  ＣＲＣ  Ｐｒｅｓｓ  （２００３／２／２５）
【図１】
2020017553.tif 000007
【図２】
2020017553.tif 000008
【図３】
2020017553.tif 000009
【図４】
2020017553.tif 000010
【図５】
2020017553.tif 000011
【図６Ａ】
2020017553.tif 000012
【図６Ｂ】
2020017553.tif 000013
【図６Ｃ】
2020017553.tif 000014
【図６Ｄ】
2020017553.tif 000015
【図７】
2020017553.tif 000016
【図８】
2020017553.tif 000017
【図９】
2020017553.tif 000018
【図１０】
2020017553.tif 000019
【図１１】
2020017553.tif 000020
【図１２】
2020017553.tif 000021
【図１３】
2020017553.tif 000022
【図１４】
2020017553.tif 000023
【図１５】
2020017553.tif 000024