(57)【要約】【課題】検出用試料を簡便に作製する。【解決手段】電磁波の反射率又は透過率の変化に基づいて被検出物を検出する検出装置に用いられる、電磁波が照射される表面を備えた検出センサである。検出センサの表面には、照射された電磁波に特性変化を及ぼす複数の貫通孔が形成されている。複数の貫通孔の大きさは、表面に添加される被検出物及び夾雑物を含む試料の被検出物よりも小さく、夾雑物よりも大きい。【選択図】図６Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波の反射率又は透過率の変化に基づいて被検出物を検出する検出装置に用いられる、前記電磁波が照射される表面を備えた検出センサであって、
前記検出センサの前記表面には、照射された前記電磁波に特性変化を及ぼす複数の貫通孔が形成されており、
前記複数の貫通孔の大きさは、前記表面に添加される被検出物及び夾雑物を含む試料の前記被検出物よりも小さく、前記夾雑物よりも大きい、検出センサ。
【請求項２】
少なくとも前記表面が導電体からなる、請求項１に記載の検出センサ。
【請求項３】
前記複数の貫通孔間のピッチが、前記検出装置による前記電磁波の検出特性に応じて設定されている、請求項１又は２に記載の検出センサ。
【請求項４】
前記複数の貫通孔は、前記表面上に規則的に配置された円形状又は楕円形状の孔である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検出センサ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の検出センサと、
前記表面上に配置された前記被検出物に電磁波を照射する照射部と、
前記被検出物で反射した前記電磁波の反射波、又は前記被検出物を透過した前記電磁波の透過波を検出する検出器と、
前記検出器で検出した前記電磁波の特性変化に基づいて、前記被検出物中の測定対象物の有無を特定する又は量を測定する制御部と、を具備する、測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、検出センサ、及び測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属微粒子に標的物質を捕捉し、標的物質を光学的に検出する手法が知られている。このような検出における検出用試料の作製では、例えば、金属微粒子と標的物質を含む試料とが混合された後、フィルタリングにより、標的物質が結合した金属微粒子を含む試料が抽出される。抽出された試料が検出センサの表面に添加されることにより、検出用試料が作製される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１５７９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
検出用試料を簡便に作製することができる検出センサ、及び測定装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態は、電磁波の反射率又は透過率の変化に基づいて被検出物を検出する検出装置に用いられる、前記電磁波が照射される表面を備えた検出センサであって、前記検出センサの前記表面には、照射された前記電磁波に特性変化を及ぼす複数の貫通孔が形成されており、前記複数の貫通孔の大きさは、前記表面に添加される被検出物及び夾雑物を含む試料の前記被検出物よりも小さく、前記夾雑物よりも大きい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、実施形態に係る検出センサを含む測定装置の一例を示す図である。
【図２】図２は、検出装置による検出原理を説明する図である。
【図３】図３は、検出装置で検出される電磁波の周波数と透過率との関係の一例を示す図である。
【図４】図４は、被検出物の一例を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、検出センサの断面の一例を示す斜視図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、検出センサの一例を示す上面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、検出センサの一例を示す上面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、試料作製の様子を例示する図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、試料作製の様子を例示する図である。
【図７Ａ】図７Ａは、検出センサの断面の他の例を示す斜視図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、検出センサの他の例を示す上面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、検出センサの他の例を示す上面図である。
【図８】図８は、従来技術における試料作製の様子を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、複数の表現が可能な各要素に、一つ以上の他の表現の例を付すことがある。しかし、これは、他の表現が付されていない要素について異なる表現がされることを否定するものではないし、例示されていない他の表現がされることを制限するものでもない。また、各図面は実施形態を概略的に示すものであり、図面に示される各要素の寸法は、実施形態の説明と異なることがある。
【０００８】
本実施形態に係る検出センサを含む測定装置は、例えば試料中の細菌などの測定対象物を含む被検出物を検出して測定対象物の量を測定する。測定装置は、所定の周波数の電磁波を検出センサに照射し、検出センサを透過した電磁波を検出する。測定装置は、被検出物を添加する前の検出センサの透過率と被検出物を添加した後の検出センサの透過率とを測定する。測定装置は、添加前後の透過率の変化から、測定対象物の有無又は量を測定する。
【０００９】
図１は、測定装置１の一例を示す図である。測定装置１は、検出装置１０と、制御装置２０とを有している。検出装置１０と制御装置２０とは、電気的に接続されている。制御装置２０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）又はＦＰＧＡ（Field programmable Gate Array）などのプロセッサを含む。制御装置２０は、検出装置１０の以下に説明される各部における各種動作の制御及び各種演算を行う。
【００１０】
検出装置１０は、電磁波発生源１１と、検出センサ１２と、センサホルダ１３と、検出器１４と、試料導入部１５と、濾過部１６とを有している。これらは、検出装置１０として１つの筐体内に配置されてよい。
【００１１】
電磁波発生源１１は、検出センサ１２の表面に電磁波を照射する照射部として、制御装置２０からの制御信号に基づいて所定の周波数の電磁波を出力するように構成されている。電磁波発生源１１が出力する電磁波の周波数は、図５Ａ乃至図５Ｃを参照して後述するような検出センサ１２の構造に応じて定まる、検出センサ１２の周波数特性に応じて決定される。出力される電磁波は、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波、電波等であってよい。例えば、電磁波発生源１１は、紫外線、可視光線、赤外線の波長域の範囲の電磁波を発生する光源であってよい。電磁波発生源１１は、例えば、数テラヘルツ程度の周波数の電磁波を照射するテラヘルツ光源であってよい。
【００１２】
検出センサ１２は、被検出物が配置される表面を備えている。検出センサ１２の表面には、検出装置１０による検出時に電磁波発生源１１からの電磁波が照射される。検出センサ１２の構造は、図５Ａ乃至図５Ｃを参照して後述する。検出センサ１２は、センサホルダ１３に配置される。つまり、センサホルダ１３は、検出センサ１２を保持する。
【００１３】
センサホルダ１３は、例えば、図１に示されるＸ、Ｙ及びＺ方向に可動域を有している。センサホルダ１３は、モータ等を含む不図示の駆動部により動作される。センサホルダ１３は、制御装置２０からの制御信号を受けて駆動部が駆動されることにより、例えばＸ、Ｙ及びＺ方向に移動可能である。
【００１４】
センサホルダ１３は、例えばＸ及びＺ方向の移動（ＸＺ平面における回転移動）により、試料導入部１５及び濾過部１６に導かれる。図１には、試料導入部１５と、濾過部１６と、試料導入部１５及び濾過部１６に位置している検出センサ１２及びセンサホルダ１３が破線で示されている。センサホルダ１３（及びこれに保持されている検出センサ１２）は、例えば、図１に実線で示される検出位置と、図１に破線で示される試料導入位置とを移動可能である。検出位置は、検出センサ１２に電磁波を照射することにより被検出物の検出が行われる位置である。試料導入位置は、被検出物を含む検出用試料を検出センサ１２に導入する動作が行われる位置である。
【００１５】
試料導入部１５は、例えば、センサホルダ１３への検出センサ１２の配置、検出センサ１２の取り外し及び交換をするために、検出装置１０の外部にアクセス可能になっている。試料導入部１５における検出センサ１２の配置、取り外し、交換等は、制御装置２０により制御されてよく、手動で行われてもよい。本実施形態では、試料導入部１５は、濾過部１６としての機能も兼ね備えている。濾過部１６は、被検出物及び夾雑物を含む試料のフィルタリング（濾別）が行われるように構成されている。濾過部１６における濾別処理は、制御装置２０により制御されてよく、手動で行われてもよい。
【００１６】
検出器１４は、検出センサ１２を透過した電磁波である透過波を検出する。検出器１４は、電磁波をエネルギーなどとしてその強度を検出する。検出器１４は、検出した電磁波の強度を示す検出信号を制御装置２０に出力するように構成されている。つまり、検出器１４は、電磁波発生源１１から放射された電磁波が検出センサ１２を透過したことによる特性変化（例えば、電磁波の透過率の変化）を検出する。
【００１７】
検出装置１０による検出動作について説明する。  
例えば、検出装置１０において、制御装置２０からの制御信号に基づく不図示の駆動部の動作により、センサホルダ１３が試料導入部１５に移動される。試料導入部１５では、検出センサ１２の表面への検出用試料の導入、センサホルダ１３への検出センサ１２の配置が行われる。
【００１８】
制御装置２０からの制御信号に基づく不図示の駆動部の動作により、センサホルダ１３及びこれに保持されている検出センサ１２が、電磁波発生源１１からの電磁波が検出センサ１２の表面の所望の位置に照射される検出位置に移動される。
【００１９】
電磁波発生源１１は、制御装置２０からの制御信号に基づいて所定の周波数の電磁波Ｌ１を出力する。出力された電磁波Ｌ１は、検出センサ１２の表面上の検出用試料に照射される。照射された電磁波Ｌ１は、検出センサ１２を透過して、透過した電磁波Ｌ２が検出器１４に到達する。検出器１４は、当該透過波の強度を検出して、検出した強度に応じた検出信号を制御装置２０に出力する。
【００２０】
図２は、検出装置１０による検出原理を説明する図である。検出装置１０は、図２の左に示されるように、検出センサ１２に検出用試料を導入していない場合に、検出センサ１２に電磁波Ｌ１を照射して透過波Ｌ２の強度を検出し、検出した強度に応じた検出信号を制御装置２０に出力する。測定装置１は、例えば、この場合に検出された透過波Ｌ２の強度の電磁波Ｌ１の強度に対する比を基準透過率とする。また、検出装置１０は、図２の中央又は右に示されるように、検出センサ１２に検出用試料が導入されている場合に、検出センサ１２に電磁波Ｌ１を照射して透過波Ｌ２の強度を検出し、検出した強度に応じた検出信号を制御装置２０に出力する。
【００２１】
図３に示される例において、電磁波発生源１１が出力する電磁波の周波数を周波数Ｆ１とする。このとき、被検出物が存在しない場合の検出センサ１２の透過率（破線３１で示される）が、第１の透過率Ｔ１として検出器１４での検出信号から取得される。第１の透過率Ｔ１は、上述の基準透過率である。また、被検出物が存在する場合の検出センサ１２の透過率（一点鎖線３２及び実線３３で示される）が、それぞれ、第２の透過率Ｔ２及び第３の透過率Ｔ３として検出器１４での検出信号から取得される。制御装置２０は、検出器１４で検出したこのような透過率の変化の有無に基づいて、被検出物の有無を特定する。また、制御装置２０は、基準透過率に対する透過率の変化量に基づいて、被検出物に含まれる測定対象物の量又は特性を特定する。すなわち、制御装置２０は、検出器１４で検出した電磁波の特性変化（反射率又は透過率の変化）に基づいて、被検出物中の測定対象物の有無を特定する又は量を測定する。
【００２２】
例えば、被検出物の量が多くなることで、基準透過率に対する透過率の変化量は大きくなる。制御装置２０は、当該変化量に基づいて、測定対象物の量を測定する。例えば、図２及び図３の場合には、基準透過率である第１の透過率Ｔ１に対する変化量が第２の透過率Ｔ２よりも第３の透過率Ｔ３について大きいので、測定対象物の量は、図２の右に示される場合において図２の中央に示される場合よりも多いことがわかる。
【００２３】
制御装置２０は、例えば、検出センサ１２に検出用試料を導入していない場合の透過波の検出信号と導入した場合の透過波の検出信号とを比較することにより、検出センサ１２上に被検出物が存在するか否かを判定する。制御装置２０は、比較した２つの検出信号が一致する又は２つの検出信号の差が所定の閾値以下であれば、被検出物がないと判定してよい。制御装置２０は、比較した２つの検出信号の差が所定の閾値よりも大きければ、被検出物を検出したと判定し、さらに、その差に基づいて測定対象物の量を算出してよい。制御装置２０は、例えば、不図示のメモリに予め記憶されている、検出センサ１２についての電磁波の特性変化（周波数特性の変化）と測定対象物の量との関係式から、測定対象物の量を算出する。検出結果及び算出結果は、制御装置２０から表示装置などの外部装置に出力されてよい。
【００２４】
図４は、検出用試料に含まれる被検出物４１の一例を示す図である。被検出物４１は、水等の溶媒中に混合された磁性粒子４２と測定対象物４３とが化学反応等によって結合したものである。すなわち、被検出物４１は、磁性粒子４２と測定対象物４３とからなる。磁性粒子４２は、磁性ビーズ等の磁性体であってよい。測定対象物４３は、例えば細菌である。例えば、磁性粒子４２の表面には、測定対象物４３が特異的に反応する表面修飾が予め施されている。図４では、測定対象物４３に特異的に結合する抗体が磁性粒子４２に固定されている。当該抗体により、磁性粒子４２と測定対象物４３とが結合される。
【００２５】
さて、通常の試料作製では、磁性粒子４２を含む溶液に測定対象物４３を含む試料が混合されることにより被検出物４１が形成された後、少なくとも、１）フィルタリング、２）洗浄、３）分離、４）抽出及び滴下の４工程を必要とする。当該４工程について、図８を参照して説明する。ＡＣＴ１０１からＡＣＴ１０４として以下に説明される４工程は、制御装置２０の制御により測定装置１で行われてよいし、手動で行われてもよい。
【００２６】
ＡＣＴ１０１では、例えばフィルタ１００によるフィルタリングが行われる。フィルタ１００は、多数の孔１０２が設けられた平板状の基材１０１により構成された、一般的な濾材である。孔１０２は、基材１０１を貫く貫通孔である。孔１０２の大きさ、すなわち孔径は、磁性粒子４２と測定対象物４３とからなる被検出物４１は通さないが、測定対象物４３と結合していない磁性粒子４２、すなわち夾雑物は通す大きさである。例えば、制御装置２０が、測定対象物４３が結合した磁性粒子４２と測定対象物４３が結合していない単体の磁性粒子４２とを含む溶液をフィルタ１００に移動させて、フィルタ１００に当該溶液を添加する。これにより、濾別処理が行われる。ＡＣＴ１０１のフィルタリングにより、フィルタ１００の基材１０１上には主に被検出物４１が残る。
【００２７】
ＡＣＴ１０２では、フィルタリング後のフィルタ１００が洗浄される。例えば、制御装置２０が、フィルタリング後のフィルタ１００に緩衝液などの溶液を添加する。当該添加により、フィルタリング後もフィルタ１００に残っている単体の磁性粒子４２が孔１０２を通過し、フィルタ１００が洗浄される。緩衝液に代わって純水等が用いられてもよい。ＡＣＴ１０２の洗浄により、フィルタ１００の基材１０１上には残渣として被検出物４１が残る。
【００２８】
ＡＣＴ１０２の洗浄後、フィルタ１００から被検出物４１が分離される。ＡＣＴ１０３では、被検出物４１が残ったフィルタ１００が溶液１１０に晒されることにより、被検出物４１がフィルタ１００から分離される。例えば、制御装置２０が、被検出物４１が残ったフィルタ１００を溶液１１０中に移動させることにより、被検出物４１がフィルタ１００から分離される。
【００２９】
ＡＣＴ１０３の分離の後、ＡＣＴ１０４では、溶液１１０中から被検出物４１を含む液滴又は所定量の溶液が抽出されて、当該液滴又は所定量の溶液が検出センサ１２上に滴下される。これにより、検出用試料の作製が完了する。
【００３０】
このように、通常の試料作製では、被検出物４１を検出センサ１２に与える際にいくつかの煩雑な工程を必要としている。
【００３１】
本実施形態では、検出センサ１２を上述のフィルタ１００のようにフィルタリングに用いるために、検出センサ１２にフィルタ機能を持たせて試料作製工程を簡略化する。
【００３２】
本実施形態に係る検出センサ１２の構成について、図５Ａ乃至図５Ｃを参照して説明する。本実施形態では、検出センサ１２は、電磁波の特性変化に基づく被検出物の検出機能に加えて、被検出物と夾雑物とを含む溶液を濾別するフィルタ機能を備えている。つまり、本実施形態によれば、通常の試料作製における上述のフィルタ１００を用いたフィルタリングではなく、検出センサ１２を用いたフィルタリングが行われる。当該フィルタリングにより、検出センサ１２の表面上に残渣として被検出物を配置させる。これにより、上述のような分離、抽出及び滴下工程が省略される。
【００３３】
図５Ａは、検出センサ１２の断面の一例を示す斜視図である。図５Ｂ及び図５Ｃは、検出センサ１２の一例を示す上面図である。検出センサ１２は、図８を参照して説明したようなフィルタ１００のフィルタ機能を兼ね備えた、フィルタ兼検出センサである。検出センサ１２は、検出対象物の検出に用いられるだけでなく、濾別のためのフィルタ５０となる。
【００３４】
フィルタ５０は、多数の孔５２が設けられた平板状の基材５１により構成されている。基材５１の少なくとも表面は、導電体により構成されている。導電体は、例えば、金、銀、銅、ニッケル、クロム、ゲルマニウムなどの金属などであってよい。基材５１は、例えば、電磁波に対して変化を生じさせる、表面の導電体薄膜の層と、電磁波に対して変化を生じさせない素材の下層との２層構造であってよい。下層は、例えばポリエチレンなどの有機材料からなる。
【００３５】
孔５２は、基材５１を貫く貫通孔である。孔５２の大きさ、すなわち孔径は、磁性粒子４２と測定対象物４３とが結合した被検出物４１は通過しないが、測定対象物４３と結合していない磁性粒子４２は通過する大きさに設定されている。つまり、検出センサ１２が備える複数の孔５２の大きさは、検出センサ１２の表面に添加される被検出物４１及び夾雑物である単体の磁性粒子４２を含む試料の被検出物４１よりも小さく、磁性粒子４２よりも大きい。検出センサ１２は、フィルタ５０として、孔５２により、被検出物４１及び単体の磁性粒子４２を含む試料から被検出物４１を濾別するように構成されている。
【００３６】
孔５２は、フィルタ５０の表面上に規則的に配置されている。孔５２の横断面は、例えば円形である。孔５２の配置は、図５Ｂに示されるような格子状であってもよいし、図５Ｃに示されるようなジグザグの千鳥状であってもよい。孔５２は、検出センサ１２に照射された電磁波に特性変化を及ぼす部分である。孔５２間のピッチは、検出装置１０による電磁波の検出特性に応じて設定されている。
【００３７】
規則的に配置された複数の孔５２を備える検出センサ１２は、メタマテリアル共振器を形成する。メタマテリアル共振器は、所定の周波数帯の電磁波が照射されたときに、特徴的な透過特性（例えば特異的ピーク）を示す。すなわち、電磁波が照射されたとき、孔５２がある部分は、電気的にＬＣ回路のように振る舞う。このため、このＬＣ回路の共振周波数近傍の周波数において、照射された電磁波は、メタマテリアル共振器と強く相互作用し、吸収される。その結果、メタマテリアル共振器は、図３に示されるように、ＬＣ回路の共振周波数近傍で透過率が低下する周波数特性を示す。
【００３８】
メタマテリアル共振器としての検出センサ１２に被検出物４１が付着したとき、被検出物４１がＬＣ回路の主に容量成分を変化させる。その結果、当該ＬＣ回路の共振周波数が変化する。図３に示されるように、メタマテリアル共振器に被検出物４１があるか否か、またその量に応じて、透過率の周波数特性が変化する。
【００３９】
この周波数特性の変化を利用することで、メタマテリアル共振器は、検出センサ１２として機能する。例えば、検出装置１０の電磁波発生源１１が出力する電磁波の周波数は、ＬＣ回路の共振周波数近傍の周波数に設定される。
【００４０】
図６Ａ及び図６Ｂは、本実施形態における試料作製について説明する図である。なお、図６Ａでは、簡略化のために検出センサ１２（フィルタ５０）の孔５２の図示を省略している。
【００４１】
ＡＣＴ１では、図６Ａ及び図６Ｂの左に示されるように、検出センサ１２を兼ねたフィルタ５０に、測定対象物４３が結合した磁性粒子４２と測定対象物４３が結合していない単体の磁性粒子４２とを含む溶液が添加されて、フィルタリングが行われる。図６Ｂの左に示されるように、単体の磁性粒子４２は孔５２を通過するが、測定対象物４３と結合した磁性粒子４２、つまり被検出物４１は、孔５２を通過しない。ＡＣＴ１のフィルタリングにより、検出センサ１２を兼ねたフィルタ５０の基材５１上には、図６Ａ及び図６Ｂの右に示されるように、残渣として被検出物４１が残る。かくして、検出センサ１２の表面上に被検出物４１が配置される。
【００４２】
なお、ＡＣＴ１のフィルタリングの後、上述のＡＣＴ１０２のような洗浄が行われてよい。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態では、検出センサ１２に濾別したい被検出物を捕捉できる適切なサイズの孔５２を設けることにより、検出センサ１２にフィルタ機能を持たせる。これにより、試料作製工程の簡略化が可能となる。通常の試料作製工程では、検出センサ１２とフィルタ１００とが別体であるためにいくつかの煩雑な工程を必要としていた。これに対して、本実施形態では、検出センサ１２がフィルタ５０としての機能を兼ね備えている、つまり検出センサ１２とフィルタ５０とが一体となっていることにより、検出用試料を簡便に作製することができる検出センサ１２、及び測定装置１を提供することができる。
【００４４】
試料作製の工程数の削減により、作製に要する時間の短縮が見込まれる。
【００４５】
本実施形態では、孔５２の中心間距離、すなわちピッチを調整することで、ピッチに依存した特定周波数で特異的ピークを示す検出センサ１２としても機能するフィルタ５０を提供することができる。
【００４６】
なお、フィルタ５０の孔５２の横断面形状は、円形に限らない。孔５２の大きさは、被検出物４１を通さず、夾雑物を通すサイズであればよい。
【００４７】
図７Ａは、検出センサ１２の断面の他の例を示す斜視図である。図７Ｂ及び図７Ｃは、検出センサ１２の他の例を示す上面図である。フィルタ５０Ａは、多数の孔５２Ａが設けられた平板状の基材５１Ａにより構成されている。孔５２Ａは、基材５１Ａを貫く貫通孔であって、フィルタ５０Ａの表面上に規則的に配置されている。孔５２Ａの横断面は、例えば楕円形である。孔５２Ａの配置は、図７Ｂに示されるような格子状であってもよいし、図７Ｃに示されるようなジグザグの千鳥状であってもよい。孔５２Ａ間のピッチもまた、検出装置１０による電磁波の検出特性に応じて設定されている。
【００４８】
以上の説明では、電磁波の透過率の変化を検出することで被検出物を検出する検出装置１０の構成及び検出原理を説明してきたが、検出装置はこれに限定されない。電磁波の周波数特性の変化を利用して被検出物を検出する装置が利用されてよい。例えば、検出装置として、検出センサの反射特性に基づいて被検出物を検出する検出装置などの他の検出装置が用いられてよい。
【００４９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５０】
１…測定装置、１０…検出装置、１１…電磁波発生源、１２…検出センサ、１３…センサホルダ、１４…検出器、１５…試料導入部、１６…濾過部、２０…制御装置、４１…被検出物、４２…磁性粒子、４３…測定対象物、５０…フィルタ、５１…基材、５２…孔。
【図１】
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【図２】
2020159813.tif 000004
【図３】
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【図４】
2020159813.tif 000006
【図５Ａ】
2020159813.tif 000007
【図５Ｂ】
2020159813.tif 000008
【図５Ｃ】
2020159813.tif 000009
【図６Ａ】
2020159813.tif 000010
【図６Ｂ】
2020159813.tif 000011
【図７Ａ】
2020159813.tif 000012
【図７Ｂ】
2020159813.tif 000013
【図７Ｃ】
2020159813.tif 000014
【図８】
2020159813.tif 000015