(57)【要約】【課題】車両に搭載される直流電源のグランドラインと車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値の低下を検知する漏電検知回路の故障を漏電検知回路自身で判定する。【解決手段】絶縁抵抗Ｒｉと模擬絶縁抵抗Ｒｉ´とが互いに並列接続されていないとき、情報Ｄ１を参照して、検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄに対応する抵抗値を故障判定用抵抗値とし、情報Ｄ１を参照して、故障判定用抵抗値と模擬絶縁抵抗Ｒｉ´の抵抗値との合成抵抗値に対応する波高値を故障判定用波高値とし、絶縁抵抗Ｒｉと模擬絶縁抵抗Ｒｉ´とが互いに並列接続されているとき、検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄが故障判定用波高値と異なる場合、漏電検知回路１が故障していると判定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に搭載される直流電源のグランドラインと前記車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値の低下を検知する漏電検知回路であって、
発振信号を出力する発振回路と、
前記発振回路と前記グランドラインに接続されるカップリングコンデンサとの間に接続される検出抵抗と、
模擬絶縁抵抗と、
前記絶縁抵抗と前記模擬絶縁抵抗とが互いに並列接続されていない第１の状態、及び、前記絶縁抵抗と前記模擬絶縁抵抗とが互いに並列接続されている第２の状態のどちらか一方の状態に切り替えるスイッチと、
前記第１の状態になるように前記スイッチの動作を制御しているとき、前記検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下である場合、前記絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知する検知部と、
当該漏電検知回路が故障していないときの前記絶縁抵抗の抵抗値と前記検出抵抗にかかる電圧の波高値との対応関係を示す情報を記憶する記憶部と、
を備え、
前記検知部は、
前記第１の状態になるように前記スイッチの動作を制御しているとき、前記情報を参照して、前記検出抵抗にかかる電圧の波高値に対応する抵抗値を故障判定用抵抗値とし、
前記情報を参照して、前記故障判定用抵抗値と前記模擬絶縁抵抗の抵抗値との合成抵抗値に対応する波高値を故障判定用波高値とし、
前記第２の状態になるように前記スイッチの動作を制御しているとき、前記検出抵抗にかかる電圧の波高値が前記故障判定用波高値と異なる場合、当該漏電検知回路が故障していると判定する
ことを特徴とする漏電検知回路。
【請求項２】
請求項１に記載の漏電検知回路であって、
前記検知部は、前記絶縁抵抗に並列接続される浮遊容量の容量値を求め、その求めた容量値により前記情報を補正する
ことを特徴とする漏電検知回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、漏電検知回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
漏電検知回路として、車両に搭載される直流電源のグランドラインにカップリングコンデンサを介して検出抵抗を接続するとともに、グランドラインと車両のボディアースとの間に発振信号を出力し、検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であるとき、絶縁抵抗の抵抗値が低下していること、すなわち、漏電が発生していることを検知するものがある。
【０００３】
関連する技術として、例えば、特許文献１がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１５５３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記漏電検知回路は、検出抵抗のインピーダンスが下がるなど漏電検知回路が故障することで検出抵抗にかかる電圧の波高値が、漏電検知回路が故障していない場合に比べて高くなると、実際には漏電が発生しているにもかかわらず、漏電が発生していないと誤検知してしまうおそれがある。そのため、漏電検知回路が故障していることを判定して、ユーザに漏電検知回路の修理を促すことが必要である。
【０００６】
本発明の一側面に係る目的は、車両に搭載される直流電源のグランドラインと車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値の低下を検知する漏電検知回路の故障を漏電検知回路自身で判定することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る一つの形態である漏電検知回路は、車両に搭載される直流電源のグランドラインと車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値の低下を検知する漏電検知回路であって、発振信号を出力する発振回路と、発振回路とグランドラインに接続されるカップリングコンデンサとの間に接続される検出抵抗と、模擬絶縁抵抗と、絶縁抵抗と模擬絶縁抵抗とが互いに並列接続されていない第１の状態、及び、絶縁抵抗と模擬絶縁抵抗とが互いに並列接続されている第２の状態のどちらか一方の状態に切り替えるスイッチと、第１の状態になるようにスイッチの動作を制御しているとき、検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下である場合、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知する検知部と、漏電検知回路が故障していないときの絶縁抵抗の抵抗値と検出抵抗にかかる電圧の波高値との対応関係を示す情報を記憶する記憶部とを備える。
【０００８】
また、検知部は、第１の状態になるようにスイッチの動作を制御しているとき、上記情報を参照して、検出抵抗にかかる電圧の波高値に対応する抵抗値を故障判定用抵抗値とし、上記情報を参照して、故障判定用抵抗値と模擬絶縁抵抗の抵抗値との合成抵抗値に対応する波高値を故障判定用波高値とし、第２の状態になるようにスイッチの動作を制御しているとき、検出抵抗にかかる電圧の波高値が故障判定用波高値と異なる場合、漏電検知回路が故障していると判定する。
【０００９】
漏電検知回路が故障していない場合、絶縁抵抗と模擬絶縁抵抗とが互いに並列接続されているときに検出抵抗にかかる電圧の波高値は、故障判定用波高値と同じになると想定される。そのため、検出抵抗のインピーダンスが下がるなど漏電検知回路が故障している場合、絶縁抵抗と模擬絶縁抵抗とが互いに並列接続されているときに検出抵抗にかかる電圧の波高値は、故障判定用波高値と異なると想定される。
【００１０】
そこで、本発明に係る一つの形態である漏電検知回路では、絶縁抵抗と模擬絶縁抵抗とが互いに並列接続されるようにスイッチの動作を制御しているときに検出抵抗にかかる電圧の波高値が故障判定用波高値と異なる場合、漏電検知回路が故障していると判定する。これにより、漏電検知回路は、自身が故障していると判定することができる。
【００１１】
また、検知部は、絶縁抵抗に並列接続される浮遊容量の容量値を求め、その求めた容量値により上記情報を補正するように構成してもよい。
【００１２】
浮遊容量の容量値が増加すると、検出抵抗にかかる電圧の波高値が低下する。
そこで、本発明に係る一つの形態である漏電検知回路では、浮遊容量の容量値により上記情報を補正する。これにより、浮遊容量の容量値の増加に伴って波高値が低下してしまっても、故障判定用抵抗値や故障判定用波高値を適切に求めていることができるため、漏電検知回路の故障判定精度を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、車両に搭載される直流電源のグランドラインと車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値の低下を検知する漏電検知回路の故障を漏電検知回路自身で判定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態の漏電検知回路の一例を示す図である。
【図２】ローパスフィルタの周波数特性及び記憶部に記憶される情報の一例を示す図である。
【図３】故障検知処理実行時の検知部の動作の一例を示すフローチャートである。
【図４】情報の補正の一例及び故障判定の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下図面に基づいて実施形態について詳細を説明する。
図１は、実施形態の漏電検知回路の一例を示す図である。
【００１６】
直流電源Ｐは、直列接続される複数の電池（例えば、リチウムイオン電池またはニッケル水素電池）により構成される高圧バッテリであって、ハイブリッド車や電気自動車などの車両に搭載され、走行用モータを駆動するインバータ回路などの負荷Ｌｏに電力を供給する。
【００１７】
漏電検知回路１は、直流電源ＰのグランドラインＧＬと車両のボディアースＢＥとの間の絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値の低下を検知する。また、漏電検知回路１は、発振回路２と、検出抵抗Ｒｄと、模擬絶縁抵抗Ｒｉ´と、スイッチＳＷと、記憶部３と、検知部４とを備える。
【００１８】
発振回路２は、ボディアースＢＥに接続され、矩形波などの発振信号ＳをグランドラインＧＬとボディアースＢＥとの間に出力する。なお、発振信号Ｓは、漏電検知用発振信号Ｓ１または浮遊容量検知用発振信号Ｓ２とする。また、漏電検知用発振信号Ｓ１の周波数は、絶縁抵抗Ｒｉ、絶縁抵抗Ｒｉに仮想的に並列接続される浮遊容量Ｃｆ、カップリングコンデンサＣｃ、及び検出抵抗Ｒｄなどにより構成されるローパスフィルタＬＰＦのカットオフ周波数ｆｃより低い周波数とする。また、浮遊容量検知用発振信号Ｓ２の周波数は、ローパスフィルタＬＰＦのカットオフ周波数ｆｃより高い周波数とする。
【００１９】
ここで、図２（ａ）は、ローパスフィルタＬＰＦの周波数特性を示す図である。図２（ａ）に示す２次元座標の横軸は発振信号Ｓの周波数［Ｈｚ］を示し、縦軸は発振信号Ｓの波高値に対する、検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄの比率（検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄ／発振信号Ｓの波高値）、すなわち、ローパスフィルタＬＰＦのゲイン［ｄＢ］を示している。
【００２０】
漏電検知用発振信号Ｓ１の周波数がローパスフィルタＬＰＦのカットオフ周波数ｆｃより低い周波数ｆ１になるように発振回路２の動作が制御される場合、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値ｒｉが低下すると、検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄが低下する。
【００２１】
すなわち、漏電検知回路１が故障していない場合で、かつ、検出抵抗Ｒｄの抵抗値、及びカップリングコンデンサＣｃの容量値がそれぞれ変動しない場合において、漏電検知用発振信号Ｓ１の周波数が周波数ｆ１になるように発振回路２の動作を制御することにより、抵抗値ｒｉと波高値Ｖｄとを一対一で対応付けることができる。
【００２２】
実施形態では、漏電検知回路１が故障していないときの抵抗値ｒｉと波高値Ｖｄとの対応関係を示す情報Ｄ１を、実験またはシミュレーションなどにより求めて記憶部３に記憶させておく。
【００２３】
図２（ｂ）は、情報Ｄ１の一例を示す図である。なお、図２（ａ）に示す２次元座標の横軸は、漏電検知回路１が故障していないときの絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値ｒｉ［ｋΩ］を示し、縦軸は、検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄ［Ｖ］を示している。また、図２（ｂ）に示す実線は、漏電検知回路１が故障していないときの抵抗値ｒｉと波高値Ｖｄとの対応関係を示す情報Ｄ１を示している。
【００２４】
図２（ｂ）に示す情報Ｄ１では、抵抗値ｒｉが小さくなるほど、波高値Ｖｄが小さくなる。言い換えると、抵抗値ｒｉが閾値ｒｉｔｈ以上である場合、波高値Ｖｄが閾値Ｖｄｔｈ１以上になり、抵抗値ｒｉが閾値ｒｉｔｈより小さい場合、波高値Ｖｄが閾値Ｖｄｔｈ１より小さくなる。
【００２５】
また、図２（ａ）に示すように、浮遊容量検知用発振信号Ｓ２の周波数がローパスフィルタＬＰＦのカットオフ周波数ｆｃより高い周波数ｆ２になるように発振回路２の動作が制御される場合、ローパスフィルタＬＰＦを構成する絶縁抵抗Ｒｉ、浮遊容量Ｃｆ、検出抵抗Ｒｄ、及びカップリングコンデンサＣｃの影響を受けてローパスフィルタＬＰＦのゲインが「ゼロ」よりも小さい「Ｇ」に下るため、浮遊容量検知用発振信号Ｓ２の周波数がローパスフィルタＬＰＦのカットオフ周波数ｆｃより高い周波数ｆ１になるように発振回路２の動作が制御される場合に比べて、波高値Ｖｄが低くなる。
【００２６】
また、浮遊容量Ｃｆの容量値ｃｆが増加するほど、カットオフ周波数ｆｃが低下するため、すなわち、図２（ａ）に示すように、浮遊容量Ｃｆの容量値ｃｆが増加すると、ローパスフィルタＬＰＦの周波数特性が実線で示される周波数特性から破線で示される周波数特性に変化するため、浮遊容量検知用発振信号Ｓ２の周波数が周波数ｆ２になるように発振回路２の動作が制御される場合、ローパスフィルタＬＰＦのゲインが「Ｇ」から「Ｇ´」にさらに下がり、波高値Ｖｄがさらに低下する。なお、「Ｇ´」＜「Ｇ」とする。
【００２７】
すなわち、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値ｒｉ、検出抵抗Ｒｄの抵抗値、及びカップリングコンデンサＣｃの容量値がそれぞれ変動しない場合において、浮遊容量検知用発振信号Ｓ２の周波数が周波数ｆ２になるように発振回路２の動作を制御することにより、容量値ｃｆと波高値Ｖｄとを一対一で対応付けることができる。
【００２８】
実施形態では、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値ｒｉ、検出抵抗Ｒｄの抵抗値、及びカップリングコンデンサＣｃの容量値がそれぞれ変動しない場合で、かつ、浮遊容量発振信号Ｓ２の周波数が周波数ｆ２になるように発振回路２の動作を制御している場合において、波高値Ｖｄと容量値ｃｆとの対応関係を示す情報Ｄ２を、実験またはシミュレーションなどにより求めて記憶部３に記憶させておく。
【００２９】
図２（ｃ）は、情報Ｄ２の一例を示す図である。
図２（ｃ）に示す情報Ｄ２では、容量値ｃｆとしての「ｃｆ１」と波高値Ｖｄとしての「Ｖｄ３」とが互いに対応付けられ、容量値ｃｆとしての「ｃｆ２」と波高値Ｖｄとしての「Ｖｄ２」とが互いに対応付けられ、容量値ｃｆとしての「ｃｆ３」と波高値Ｖｄとしての「Ｖｄ１」とが互いに対応付けられている。なお、「ｃｆ１」＜「ｃｆ２」＜「ｃｆ３」、「Ｖｄ１」＜「Ｖｄ２」＜「Ｖｄ３」とする。すなわち、情報Ｄ２では、容量値ｃｆが増加するほど、波高値Ｖｄが低下する。言い換えると、容量値ｃｆが閾値ｃｆｔｈ以下である場合、波高値Ｖｄが閾値Ｖｄｔｈ２以上になり、容量値ｃｆが閾値ｃｆｔｈより大きい場合、波高値Ｖｄが閾値Ｖｄｔｈ２より小さくなる。
【００３０】
また、図１に示す検出抵抗Ｒｄは、グランドラインＧＬに接続されるカップリングコンデンサＣｃと、ボディアースＢＥに接続される発振回路２との間に接続される。
【００３１】
模擬絶縁抵抗Ｒｉ´の一方端はボディアースＢＥに接続され、模擬絶縁抵抗Ｒｉ´の他方端はスイッチＳＷの一方端に接続され、スイッチＳＷの他方端はカップリングコンデンサＣｃと検出抵抗Ｒｄとの接続点に接続されている。
【００３２】
スイッチＳＷは、半導体スイッチまたは電磁式リレーなどにより構成され、検知部４により動作が制御される。また、スイッチＳＷは、カップリングコンデンサＣｃと検出抵抗Ｒｄとの接続点と模擬絶縁抵抗Ｒｉ´とが互いに接続されていない状態、すなわち、絶縁抵抗Ｒｉと模擬絶縁抵抗Ｒｉ´とが互いに並列接続されていない第１の状態、及び、カップリングコンデンサＣｃと検出抵抗Ｒｄとの接続点と模擬絶縁抵抗Ｒｉ´とが互いに接続されている、すなわち、絶縁抵抗Ｒｉと模擬絶縁抵抗Ｒｉ´とが互いに並列接続されている第２の状態のどちらか一方の状態に切り替える。
【００３３】
なお、模擬絶縁抵抗Ｒｉ´の抵抗値は、例えば、スイッチＳＷにより第２の状態に切り替えられているときに検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄが、スイッチＳＷにより第１の状態に切り替えられているときで、かつ、漏電しているときに検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄと同じになるときの模擬絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値とする。
【００３４】
記憶部３は、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）またはＲＯＭ（Read Only Memory）などにより構成され、上記情報Ｄ１、Ｄ２などを記憶する。
【００３５】
検知部４は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、マルチコアＣＰＵ、またはプログラマブルなデバイス（ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）やＰＬＤ（Programmable Logic Device））などにより構成され、カップリングコンデンサＣｃと検出抵抗Ｒｄとの間に接続される。なお、検出抵抗Ｒｄと検知部４との間にローパスフィルタまたはバンドパスフィルタなどを接続してもよい。
【００３６】
また、検知部４は、第１の状態になるようにスイッチＳＷの動作を制御しているときで、かつ、発振回路２から漏電検知用発振信号Ｓ１を出力させているとき、検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄが閾値Ｖｄｔｈ３以下である場合、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値ｒｉが低下していること、すなわち、漏電が発生していることを検知する。なお、閾値Ｖｄｔｈ３は、実験やシミュレーションなどにより求められ記憶部３に記憶されているものとし、例えば、漏電になる直前の波高値Ｖｄとする。
【００３７】
また、検知部４は、故障判定処理を実行することにより、漏電検知回路１が故障しているか否かを判定する。なお、漏電検知回路１の故障とは、カップリングコンデンサＣｃから検知部４までの配線或いは検出抵抗Ｒｄのインピーダンスが通常より高い状態、または、カップリングコンデンサＣｃから検知部４までの配線或いは検出抵抗Ｒｄのインピーダンスが通常よりも低い状態とする。カップリングコンデンサＣｃから検知部４までの配線或いは検出抵抗Ｒｄのインピーダンスが通常より高い状態とは、例えば、カップリングコンデンサＣｃから検知部４までの配線或いは検出抵抗Ｒｄが断線している状態とする。カップリングコンデンサＣｃから検知部４までの配線或いは検出抵抗Ｒｄのインピーダンスが通常よりも低い状態とは、例えば、カップリングコンデンサＣｃから検知部４までの配線或いは検出抵抗Ｒｄの両端が短絡している状態とする。
【００３８】
図３は、故障検知処理実行時の検知部４の動作の一例を示すフローチャートである。
まず、検知部４は、第１の状態になるようにスイッチＳＷの動作を制御する（ステップＳ１）。
【００３９】
次に、検知部４は、現在の浮遊容量Ｃｆの容量値ｃｆを求める（ステップＳ２）。例えば、検知部４は、記憶部３に記憶されている情報Ｄ２を参照し、発振回路２から浮遊容量検知用発振信号Ｓ２を出力させているときに検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄに対応する容量値ｃｆを、現在の浮遊容量Ｃｆの容量値ｃｆとする。
【００４０】
次に、検知部４は、現在の浮遊容量Ｃｆの容量値ｃｆを用いて、情報Ｄ１を補正する（ステップＳ３）。例えば、検知部４は、図４（ａ）に示すように、現在の浮遊容量Ｃｆの容量値ｃｆ（今回の故障判定処理の実行時で求めた容量値ｃｆ）から前回の故障判定処理の実行時で求めた容量値ｃｆを減算した差に応じて、情報Ｄ１に示される各波高値Ｖｄをそれぞれ低下させることにより、情報Ｄ１を情報Ｄ１´に補正する。
【００４１】
次に、図３に示すフローチャートにおいて、検知部４は、故障判定用抵抗値を求める（ステップＳ４）。例えば、検知部４は、第１の状態になるようにスイッチＳＷの動作を制御しているとき、検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄとして波高値Ｖｄ３を取得する。次に、検知部４は、図４（ｂ）に示すように、補正後の情報Ｄ１´を参照して、波高値Ｖｄ３に対応する抵抗値ｒｉ３を故障判定用抵抗値とする。
【００４２】
次に、図３に示すフローチャートにおいて、検知部４は、故障判定用波高値を求める（ステップＳ５）。例えば、検知部４は、図４（ｂ）に示すように、故障判定用抵抗値ｒｉ３と模擬絶縁抵抗Ｒｉ´の抵抗値との合成抵抗値ｒｉ１を求め、補正後の情報Ｄ１´を参照して、合成抵抗値ｒｉ１に対応する波高値Ｖｄ１を故障判定用波高値とする。なお、検知部４は、合成抵抗値＝１／（（１／故障判定用抵抗値）＋（１／模擬絶縁抵抗Ｒｉ´の抵抗値））を計算することにより合成抵抗値を求める。模擬絶縁抵抗Ｒｉ´の抵抗値は、記憶部３に記憶されているものとする。
【００４３】
次に、検知部４は、第２の状態になるようにスイッチＳＷの動作を制御する（ステップＳ６）。
【００４４】
次に、検知部４は、検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄを求める（ステップＳ７）。
【００４５】
次に、検知部４は、ステップＳ７で求めた波高値ＶｄがステップＳ５で求めた故障判定用波高値と異なっているか否かを判断する（ステップＳ８）。例えば、検知部４は、図４（ｂ）に示すように、故障判定用波高値Ｖｄ１に一定値Ｖｄαを加算した結果である閾値Ｖｄｔｈαを求めるとともに、故障判定用波高値Ｖｄ１から一定値Ｖｄβを減算した結果である閾値Ｖｄｔｈβを求める。次に、検知部４は、ステップＳ７で求めた波高値Ｖｄが閾値Ｖｄｔｈαより大きい、または、ステップＳ７で求めた波高値Ｖｄが閾値Ｖｄｔｈβより小さい場合、ステップＳ７で求めた波高値ＶｄがステップＳ５で求めた故障判定用波高値Ｖｄ１と異なっていると判断する。一方、検知部４は、ステップＳ７で求めた波高値Ｖｄが閾値Ｖｄｔｈα以下である場合で、かつ、ステップＳ７で求めた波高値Ｖｄが閾値Ｖｄｔｈβ以上である場合、ステップＳ７で求めた波高値ＶｄがステップＳ５で求めた故障判定用波高値Ｖｄ１と異なっていないと判断する。なお、一定値Ｖｄα及び一定値Ｖｄβは、互いに同じ値でもよいし、互いに異なる値でもよい。また、一定値Ｖｄα及び一定値Ｖｄβは、実験またはシミュレーションなどにより波高値Ｖｄの測定誤差などにより求めて記憶部３に記憶させておく。
【００４６】
次に、図３に示すフローチャートにおいて、検知部４は、ステップＳ７で求めた波高値ＶｄがステップＳ５で求めた故障判定用波高値と異なっている場合（ステップＳ８：Ｙｅｓ）、漏電検知回路１が故障していると判定し（ステップＳ９）、ステップＳ７で求めた波高値ＶｄがステップＳ５で求めた故障判定用波高値と異なっていない場合（ステップＳ８：Ｎｏ）、漏電検知回路１が故障していないと判定する（ステップＳ１０）。
【００４７】
なお、ステップＳ２、Ｓ３を省略してもよい。このように構成する場合、検知部４は、補正していない情報Ｄ１を参照して、故障判定用抵抗値や故障判定用波高値を求める。
【００４８】
漏電検知回路１が故障していない場合、絶縁抵抗Ｒｉと模擬絶縁抵抗Ｒｉ´とが互いに並列接続されているときに検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄは、絶縁抵抗Ｒｉと模擬絶縁抵抗Ｒｉ´とが互いに並列接続されていないときに検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄに対応する抵抗値である故障判定用抵抗値と模擬絶縁抵抗Ｒｉ´の抵抗値との合成抵抗値に対応する波高値である故障判定用波高値と同じになると想定される。そのため、検出抵抗Ｒｄのインピーダンスが下がるなど漏電検知回路１が故障している場合、絶縁抵抗Ｒｉと模擬絶縁抵抗Ｒｉ´とが互いに並列接続されているときに検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄは、故障判定用波高値と異なると想定される。
【００４９】
そこで、実施形態の漏電検知回路１では、絶縁抵抗Ｒｉと模擬絶縁抵抗Ｒｉ´とが互いに並列接続されるようにスイッチＳＷの動作を制御しているときに検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄが故障判定用波高値と異なる場合、漏電検知回路１が故障していると判定する。これにより、実施形態の漏電検知回路１は、自身が故障していると判定することができる。
【００５０】
また、浮遊容量Ｃｆの容量値ｃｆが増加すると、検出抵抗Ｒｄにかかる電圧の波高値Ｖｄが低下する。
【００５１】
そこで、実施形態の漏電検知回路１では、浮遊容量Ｃｆの容量値ｃｆにより情報Ｄ１を補正している。これにより、浮遊容量Ｃｆの容量値ｃｆの増加に伴って波高値Ｖｄが低下してしまっても、故障判定用抵抗値や故障判定用波高値を適切に求めていることができるため、漏電検知回路１の故障判定精度を向上させることができる。
【００５２】
また、本発明は、以上の実施の形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変更が可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１  漏電検知回路
２  発振回路
３  記憶部
４  検知部
Ｐ  直流電源
Ｌｏ  負荷
ＧＬ  グランドライン
ＢＥ  ボディアース
Ｒｉ  絶縁抵抗
Ｃｆ  浮遊容量
Ｃｃ  カップリングコンデンサ
Ｒｄ  検出抵抗
Ｒｉ´  模擬絶縁抵抗
ＳＷ  スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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