(57)【要約】【課題】集積度を向上可能にした磁気記憶素子、および、磁気記憶素子の製造方法を提供する。【解決手段】スピン注入層１３に流す電流による反強磁性層１２でのスピンの反転である書き込みと、反強磁性層１２での異常ホール効果による電気的特性値の検出である読み出しとを可能に構成されて、反強磁性層１２が有するスピンの方向を情報として記憶する磁気記憶素子であって、反強磁性層１２は、六方晶の結晶構造を有したマンガン化合物を含み、反強磁性層１２に対しスピン注入層１３とは反対側に位置して反強磁性層１２に接合された配向規制層１１をさらに備え、配向規制層１１は、反強磁性層１２と配向規制層１１との界面に沿って反強磁性層のａ面もしくはｍ面を優先的に配置する結晶構造を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反強磁性層と、
スピン注入層と、を備え、
前記スピン注入層に流す電流による前記反強磁性層でのスピンの反転である書き込みと、前記反強磁性層での異常ホール効果による電気的特性値の検出である読み出しとを可能に構成されて、前記反強磁性層が有するスピンの方向を情報として記憶する磁気記憶素子であって、
前記反強磁性層は、六方晶の結晶構造を有したマンガン化合物を含み、
前記反強磁性層に対し前記スピン注入層とは反対側に位置して前記反強磁性層に接合された配向規制層をさらに備え、
前記配向規制層は、前記反強磁性層と前記配向規制層との界面に沿って前記反強磁性層のａ面もしくはｍ面を優先的に配置する結晶構造を有する
磁気記憶素子。
【請求項２】
前記反強磁性層は、マンガン三スズから構成され、
前記配向規制層は、六方晶の結晶構造を有したサファイアから構成されて前記界面にｍ面を有する
請求項１に記載の磁気記憶素子。
【請求項３】
前記スピン注入層は、前記反強磁性層と接合した酸化抑制層を備え、
前記酸化抑制層は、ルテニウムから構成される
請求項１または２に記載の磁気記憶素子。
【請求項４】
反強磁性層とスピン注入層とを備えた磁気記憶素子であって、前記スピン注入層に流す電流による前記反強磁性層でのスピンの反転である書き込みと、前記反強磁性層での異常ホール効果による電気的特性値の検出である読み出しとを可能に構成されて、前記反強磁性層が有するスピンの方向を情報として記憶する前記磁気記憶素子の製造方法であって、
前記反強磁性層は、六方晶の結晶構造を有したマンガン化合物を含み、
前記反強磁性層と配向規制層との界面に沿って前記反強磁性層のａ面もしくはm面を優先的に配置する結晶構造を有した前記配向規制層に、スパッタリング法を用いて前記反強磁性層を形成することと、
前記反強磁性層に対し前記配向規制層とは反対側に前記スピン注入層を形成することと、を含む、
磁気記憶素子の製造方法。
【請求項５】
前記反強磁性層は、マンガン三スズから構成され、
前記配向規制層は、六方晶の結晶構造を有したサファイアから構成されて前記界面にｍ面を有する
請求項４に記載の磁気記憶素子の製造方法。
【請求項６】
前記反強磁性層を形成することは、マンガン化合物を主成分とするターゲットをスパッタして前記配向規制層に磁性膜を形成することと、
前記磁性膜を加熱して前記磁性膜の結晶性を高めることと、を含む、
請求項４または５に記載の磁気記憶素子の製造方法。
【請求項７】
前記スピン注入層を形成することは、前記反強磁性層が形成された真空空間で前記反強磁性層に酸化抑制層を積層することを含み、前記酸化抑制層はルテニウムから構成されている、
請求項４から６のいずれか一項に記載の磁気記憶素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁化方向が反転可能な反強磁性層を備えた磁気記憶素子、および、磁気記憶素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁化方向が反転可能な強磁性層を備えた磁気記憶素子として磁気トンネル接合素子が知られている。磁気トンネル接合素子は、強磁性層が備える磁化方向をデータとして記憶する（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２３５９１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方、磁気トンネル接合素子では、強磁性層が生じさせる漏れ磁場が他の磁気トンネル接合素子に影響を及ぼすため、磁気トンネル接合素子の集積化を進めることに限りがある。
【０００５】
本発明の目的は、集積度を向上可能にした磁気記憶素子、および、磁気記憶素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための磁気記憶素子は、反強磁性層と、スピン注入層と、を備え、前記スピン注入層に流す電流による前記反強磁性層でのスピンの反転である書き込みと、前記反強磁性層での異常ホール効果による電気的特性値の検出である読み出しとを可能に構成されて、前記反強磁性層が有するスピンの方向を情報として記憶する磁気記憶素子である。前記反強磁性層は、六方晶の結晶構造を有したマンガン化合物を含み、前記反強磁性層に対し前記スピン注入層とは反対側に位置して前記反強磁性層に接合された配向規制層をさらに備え、前記配向規制層は、前記反強磁性層と前記配向規制層との界面に沿って前記反強磁性層のａ面もしくはｍ面を優先的に配置する結晶構造を有する。
【０００７】
上記課題を解決するための磁気記憶素子の製造方法は、反強磁性層とスピン注入層とを備えた磁気記憶素子であって、前記スピン注入層に流す電流による前記反強磁性層でのスピンの反転である書き込みと、前記反強磁性層での異常ホール効果による電気的特性値の検出である読み出しとを可能に構成されて、前記反強磁性層が有するスピンの方向を情報として記憶する前記磁気記憶素子の製造方法である。前記反強磁性層は、六方晶の結晶構造を有したマンガン化合物を含む。そして、前記反強磁性層と配向規制層との界面に沿って前記反強磁性層のａ面もしくはｍ面を優先的に配置する結晶構造を有した前記配向規制層に、スパッタリング法を用いて前記反強磁性層を形成することと、前記反強磁性層に対し前記配向規制層とは反対側に前記スピン注入層を形成することと、を含む。
【０００８】
スピン注入層によるスピンの反転は、反強磁性層が有するｃ面で効果的に発現する。反強磁性層と接合された配向規制層は、配向規制層と反強磁性層との界面に沿って、すなわち、電流が流れる面に沿って、反強磁性層が有する結晶構造のａ面もしくはｍ面を優先的に配置する。結果として、スピンの方向を記憶する層に反強磁性層が用いられ、それによって、漏れ磁場の発生そのものが抑えられ、かつ、反強磁性層が有するｃ面にスピン注入層からスピンが注入されやすくなる。そして、上記磁気記憶素子であれば、上述した反転を反強磁性層で効果的に実現可能であって、かつ、磁気記憶素子の集積度を向上可能である。
【０００９】
上記磁気記憶素子において、前記反強磁性層は、マンガン三スズから構成され、前記配向規制層は、六方晶の結晶構造を有したサファイアから構成されて前記界面にｍ面を有してもよい。また、上記磁気記憶素子の製造方法において、前記反強磁性層は、マンガン三スズから構成され、前記配向規制層は、六方晶の結晶構造を有したサファイアから構成されて前記界面にｍ面を有してもよい。マンガン三スズが有する結晶構造のａ面での辺の長さは、サファイアが有する結晶構造のｍ面での辺の長さのほぼ整数倍である。そのため、反強磁性層が有する結晶構造のｍ面を界面に沿って並べることが容易に実現可能である。
【００１０】
上記磁気記憶素子において、前記スピン注入層は、前記反強磁性層と接合した酸化抑制層を備え、前記酸化抑制層は、ルテニウムから構成されてもよい。また、上記磁気記憶素子の製造方法において、前記スピン注入層を形成することは、前記反強磁性層が形成された真空空間で前記反強磁性層に酸化抑制層を積層することを含み、前記酸化抑制層はルテニウムから構成されてもよい。これらの構成によれば、反強磁性層が酸化することを酸化抑制層が抑えるため、反強磁性層が有する磁気特性が劣化することが抑制可能である。
【００１１】
上記磁気記憶素子の製造方法において、前記反強磁性層を形成することは、マンガン化合物を主成分とするターゲットをスパッタして前記配向規制層に磁性膜を形成することと、前記磁性膜を加熱して前記磁性膜の結晶性を高めることと、を含む。この磁気記憶素子の製造方法によれば、磁性膜を形成した後の磁性膜に対する加熱によって、反強磁性層が有する結晶性を高められる。そのため、配向規制層が有する配向を、磁性膜の形成のみならず、加熱においても有効に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】磁気記憶素子の一実施形態における素子構造を示す構成図。
【図２】一実施形態における磁気記憶素子の作用を示す作用図。
【図３】一実施形態における磁気記憶素子の作用を示す作用図。
【図４】一実施形態における磁性膜形成装置を示す構成図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
磁気記憶素子、および、磁気記憶素子の製造方法の一実施形態を説明する。まず、磁気記憶素子の一実施形態を説明し、次いで、磁気記憶素子の製造方法の一実施形態を磁性膜形成装置の構成と共に説明する。
【００１４】
［磁気記憶素子］
図１が示すように、磁気記憶素子は、配向規制層１１、反強磁性層１２、および、スピン注入層１３を備える。
【００１５】
反強磁性層１２を構成する材料は、反強磁性を有したマンガン化合物である。反強磁性を有するマンガン化合物は、マンガン三スズ（Ｍｎ３Ｓｎ）、マンガン三ゲルマニウム（Ｍｎ３Ｇｅ）、マンガン三ガリウム（Ｍｎ３Ｇａ）、および、マンガン鉄ゲルマニウム（（Ｍｎ１−ｘＦｅｘ）Ｇｅ）から構成される群から選択されるいずれか１種である。反強磁性層１２は、単結晶体、あるいは、多結晶体である。
【００１６】
マンガン三スズ、マンガン三ゲルマニウム、マンガン三ガリウム、および、マンガン鉄ゲルマニウムが備える結晶構造は、六方晶系である。マンガン原子は、マンガン化合物が有する結晶構造のｃ面［０００１］において、三角形の各頂点に位置する。ｃ面において三角形の各頂点に位置するマンガン原子は、相互に１２０°ずつ傾いたスピンを備えて、相互に傾いた磁気モーメントを有する。
【００１７】
反強磁性層１２の厚さは、スピン注入層１３からスピンが注入可能な大きさであって、注入されたスピンによって磁化方向が反転可能な大きさであり、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。反強磁性層１２の厚さは、配向規制層１１の厚さ、および、スピン注入層１３の厚さよりも十分に薄い。反強磁性層１２の厚さは、反強磁性層１２にスピンが注入される効率が高まる観点から、反強磁性層１２でのスピン拡散長以下であることが好ましい。反強磁性層１２の厚さは、反強磁性層１２を構成する材料がマンガン三スズである場合に、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
反強磁性層１２は、相互に直交するＸ方向とＹ方向とに広がる。反強磁性層１２は、電流源２１と検出部２３とに接続されている。電流源２１は、反強磁性層１２に対しＹ方向に電流を流す。検出部２３は、反強磁性層１２での電気的特性値を検出する。
【００１９】
検出部２３が検出する電気的特性値は、反強磁性層１２で発現する異常ホール効果の大きさに準じた値である。検出部２３が検出する電気的特性値は、電流源２１が電流を流す状態での反強磁性層１２が有するＸ方向での抵抗値、あるいは、反強磁性層１２が有するＸ方向での電圧値である。電流源２１が流す電流は、反強磁性層１２で異常ホール効果を発現させるために用いられる。
【００２０】
配向規制層１１の表面は、配向規制層１１と反強磁性層１２との界面を構成する。配向規制層１１の表面は、反強磁性層１２が配向規制層１１に積層される際に、反強磁性層１２の配向を規制する。
【００２１】
配向規制層１１の表面が有する結晶構造は、反強磁性層１２が有する規制対象面を、配向規制層１１と反強磁性層１２との界面に沿って配置する。反強磁性層１２が有する規制対象面は、反強磁性層１２が有する結晶構造のａ面［１１−２０］もしくはｍ面［１０−１０］である。規制対象面を界面に沿って配置することは、反強磁性層１２が有する結晶構造のｃ面を界面に対して傾け、かつ、反強磁性層１２が有する結晶構造のｃ面を界面に沿って繰り返すことである。
【００２２】
反強磁性層１２が多結晶体である場合に、反強磁性層１２を構成する結晶粒は、第１粒と第２粒とから構成される。反強磁性層１２を構成する第１粒は、規制対象面を界面に沿って配置する。反強磁性層１２を構成する第２粒は、規制対象面以外の面を界面に沿って配置する。規制対象面を界面に沿って優先的に配置することは、反強磁性層１２のなかで、第２粒よりも第１粒が多いこと、あるいは、第２粒よりも第１粒が大きいことである。
【００２３】
反強磁性層１２を構成する材料がマンガン三スズである場合に、配向規制層１１を構成する材料は、例えば、六方晶の結晶構造を有したサファイア（Ａｌ２Ｏ３）を含む。この際、サファイアが有する結晶構造のなかで反強磁性層１２と対向する面は、サファイアが有する結晶構造のｍ面である。
【００２４】
マンガン三スズが有する結晶構造のａ面［１１−２０］において相互に直交する辺の長さは、０．４９ｎｍ、および、０．４５ｎｍである。サファイアが有する結晶構造のｍ面において相互に直交する辺の長さは、０．４８ｎｍ、および、１．２９ｎｍである。すなわち、サファイアが有する結晶構造のｍ面において相互に直交する辺の長さは、マンガン三スズが有する結晶構造のａ面において相互に直交する辺の長さの整数倍とほぼ整合する。そして、反強磁性層１２が配向規制層１１に積層される際に、マンガン化合物が有する結晶構造のａ面を界面に沿って優先的に配置させることが容易となる。
【００２５】
スピン注入層１３は、電流源２２に接続されている。電流源２２は、スピン注入層１３に対しＹ方向、あるいは、−Ｙ方向に電流を流す。スピン注入層１３は、スピン注入層１３に流れる電流の各方向に従って、反強磁性層１２を構成するマンガン化合物に、別々のスピンを注入する。スピン注入層１３を構成する材料は、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、ビスマスアンチモン合金（Ｂｉ１−ｘＳｂｘ）から構成される群から選択されるいずれか１種である。
【００２６】
スピン注入層１３は、反強磁性層１２と接合した酸化抑制層を備えてもよい。酸化抑制層は、酸化源が酸化抑制層を透過することを抑える導電層である。酸化抑制層を構成する材料は、例えば、ルテニウムである。酸化抑制層は、反強磁性層１２の表面全体を覆い、それによって、反強磁性層１２と酸化源とが接触することを抑制する。
【００２７】
図２が示すように、反強磁性層１２が有する結晶構造のｃ面において、三角形の各頂点に位置するマンガン原子１２Ｍは、相互に１２０°ずつ傾いたスピンを備える。図２が示す状態でスピン注入層１３にＹ方向の電流が流れるとき、反転に有効なスピン（−X方向で表記）は反強磁性層１２に注入されず、三角形の各頂点に位置するマンガン原子１２Ｍはスピンの方向を保つ。これに対して、スピン注入層１３に−Ｙ方向の電流が流れるとき、反転に有効なスピン（−X方向で表記）が反強磁性層１２に注入されて、三角形の各頂点に位置するマンガン原子１２Ｍはスピンの方向を反転させる（図３を参照）。
【００２８】
図３が示す状態でスピン注入層１３に−Ｙ方向の電流が流れるとき、反転に有効なスピン（＋X方向で表記）が反強磁性層１２に注入されず、三角形の各頂点に位置するマンガン原子１２Ｍはスピンの方向を保つ。これに対して、スピン注入層１３にＹ方向の電流が流れるとき、反転に有効なスピン（＋X方向で表記）が反強磁性層１２に注入されて、三角形の各頂点に位置するマンガン原子１２Ｍはスピンの方向を反転させる（図２を参照）。このように、反強磁性層１２は、スピン注入層１３に流れる電流の方向に従って、スピンの維持と反転とを行う（書き込みを行う）。磁気素子は、反強磁性層１２が有するスピンの方向を、電気的特性値の大きさとして検出部２３で検出する（読み出しを行う）。
【００２９】
［磁気記憶素子の製造方法］
磁気記憶素子を製造する方法は、配向規制層１１を準備することと、スパッタリング法を用いて配向規制層１１に磁性膜を積層することと、磁性膜を加熱して反強磁性層１２を形成することと、磁性膜に対しスピン注入層１３を積層することと、を含む。
【００３０】
磁性膜を加熱して反強磁性層１２を形成することは、スピン注入層１３を積層する前に行われてもよいし、スピン注入層１３を積層する途中に行われてもよいし、スピン注入層１３を積層した後に行われてもよい。
【００３１】
なお、スピン注入層１３が酸化抑制層を備える場合、磁性膜を加熱して反強磁性層１２を形成することは、スピン注入層１３を積層する途中であって、酸化抑制層が積層された後に行われることが好ましい。この工程順によれば、加熱によって結晶性を促された磁性膜がその後の酸化によって劣化することが抑制される。
【００３２】
また、スピン注入層１３が酸化抑制層を備える場合、磁性膜と酸化抑制層とは、相互に共通する真空系で形成されて、磁性膜を大気に曝すことを要さないことが好ましい。この工程の流れによれば、磁性膜が大気中の酸化源と接触すること、すなわち、磁性膜が大気によって酸化されることが抑制可能である。
【００３３】
以下に、磁性膜と酸化抑制層とを形成する装置の一例を説明する。
図４が示すように、磁性膜を形成する装置は、真空槽３１を備える。真空槽３１は、配向規制層１１を収容する空間を区画する。真空槽３１は、排気部３２とガス供給部３８とに接続されている。排気部３２は、真空槽３１のなかを所定の圧力まで減圧する。ガス供給部３８は、真空槽３１のなかにプロセスガスを供給する。プロセスガスは、例えば、アルゴンなどの希ガスである。
【００３４】
真空槽３１は、第１カソード３３、第２カソード３４、および、ステージ３５を収容する。真空槽３１は、ガス供給部３８に接続されている。第１カソード３３は、反強磁性層１２を形成するためのカソードである。第２カソード３４は、酸化抑制層を形成するためのカソードである。第１カソード３３は、マンガン化合物を主成分とする第１ターゲットを備える。第２カソード３４は、ルテニウムを主成分とする第２ターゲットを備える。第１ターゲット、および、第２ターゲットは、別々の直流電源に接続されている。
【００３５】
ステージ３５は、配向規制層１１を支持する。ステージ３５は、第１ターゲットと第２ターゲットとの間に配向規制層１１を配置する。ステージ３５は、ステージ駆動部３６に接続されている。ステージ駆動部３６は、配向規制層１１が第１ターゲットと対向する状態と、配向規制層１１が第２ターゲットと対向する状態とを、ステージ３５の移動によって切り換える。
【００３６】
ステージ３５は、バイアス電源３７に接続されている。バイアス電源３７は、ステージ３５にバイアス電圧を印加して、配向規制層１１に堆積する磁性膜の一部を物理的に除去する。
【００３７】
磁性膜形成装置が備えるコントローラーは、排気部３２、第１カソード３３、第２カソード３４、ステージ駆動部３６、バイアス電源３７、および、ガス供給部３８の駆動を制御する。
【００３８】
コントローラーは、まず、ステージ３５に配向規制層１１を載置する。次いで、コントローラーは、ガス供給部３８を駆動して所定の流量でプロセスガスを供給する。続いて、コントローラーは、配向規制層１１が第１ターゲットと対向するようにステージ駆動部３６を駆動して、第１カソード３３に電圧を印加すると共に、バイアス電源３７を駆動する。これによって、第１ターゲットがスパッタされて、反強磁性層１２を形成するための磁性膜が、配向規制層１１に堆積する。
【００３９】
なお、コントローラーは、スズ原子やガリウム原子などの蒸発を抑えて、マンガン化合物が化学量論比を保つように、配向規制層１１の温度、および、真空槽３１のなかの圧力を調整する。マンガン化合物がマンガン三スズである場合に、コントローラーは、配向規制層１１の温度を１５０℃以下に調整する。また、コントローラーは、真空槽３１のなかの圧力を０．９Ｐａ以上１．７Ｐａ以下に調整する。
【００４０】
コントローラーは、次いで、磁性膜が第２ターゲットと対向するようにステージ駆動部３６を駆動し、その状態で、第２カソード３４に電圧を印加すると共に、バイアス電源３７を駆動する。これによって、第２ターゲットがスパッタされて、酸化抑制層が磁性膜に堆積する。磁性膜に堆積した酸化抑制層は、真空下において磁性膜を覆い、酸化源が磁性膜に到達することを抑える。
【００４１】
酸化抑制層に覆われた磁性膜は、所定の温度、および、所定の圧力で加熱されて、マンガン化合物が結晶性を高めることを促される。マンガン化合物がマンガン三スズである場合に、上記所定の温度は、２２５℃以上４００℃以下であり、上記所定の圧力は、１×１０−３Ｐａ以上１×１０−２Ｐａ以下である。加熱された磁性膜は、配向規制層１１の表面に沿ってａ面もしくはｍ面を配置させた反強磁性層１２を形成する。
【００４２】
以上、上記一実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
（１）スピン注入層１３によるスピンの反転は、反強磁性層１２が有するｃ面で効果的に発現する。反強磁性層１２と接合された配向規制層１１は、配向規制層１１と反強磁性層１２との界面に沿って、反強磁性層１２が有するａ面もしくはｍ面を優先的に配置する。結果として、スピンの反転が効果的に発現するｃ面をスピン注入層１３に沿って並べることが可能であるから、反強磁性層１２が有するｃ面にスピンが注入されやすい。そのため、反強磁性層１２でのスピンの反転を効果的に実現可能である。
【００４３】
（２）スピンの方向を記憶する層に反強磁性層１２が用いられるから、漏れ磁場の発生そのものが抑えられて、ひいては、磁気記憶素子の集積度を向上可能である。
（３）サファイアから構成される配向規制層１１と、マンガン三スズから構成される反強磁性層１２との界面に、サファイアが有する結晶構造のｍ面が配置可能である。この層構成によれば、マンガン三スズが有するａ面での辺の長さが、サファイアが有するｍ面での辺の長さのほぼ整数倍である。そのため、反強磁性層１２のｃ面を界面に沿って並べることが容易に実現可能であるから、上記（１）（２）に準じた効果を得られやすい。
【００４４】
（４）耐熱性に優れたサファイアが配向規制層１１を構成する場合には、マンガン化合物に施される加熱において、処理の温度範囲を高めることが可能ともなる。結果として、上記（１）に準じた効果を得るための結晶性が反強磁性層１２で得られやすくもなる。
【００４５】
（５）スピン注入層１３が酸化抑制層を備える場合には、反強磁性層１２が酸化することを酸化抑制層が抑えるため、反強磁性層１２が有する磁気特性が劣化することが抑制可能でもある。
【００４６】
（６）反強磁性層１２と酸化抑制層とが共通する真空系で形成される製造方法であれば、上記（５）に準じた効果がさらに高められる。
なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することができる。
【００４７】
・配向規制層１１は、多層構造体に具体化することも可能である。配向規制層１１は、例えば、第１層と第２層とから構成される。第１層は、第２層と接合する面に、反強磁性層１２のａ面もしくはｍ面を優先的に配置するための結晶構造を有する。第２層は、反強磁性層１２と接合する面に、反強磁性層１２のａ面もしくはｍ面を優先的に配置する結晶構造を有し、かつ、第１層の結晶構造と、反強磁性層１２が有する結晶構造のａ面もしくはｍ面との不整合を抑える。
【００４８】
・スピン注入層１３は、多層構造体に具体化することも可能である。スピン注入層１３は、酸化抑制層と注入層とから構成される。酸化抑制層は、反強磁性層１２が酸化することを抑制する。注入層は、酸化抑制層を通して反強磁性層１２にスピンを注入可能にするスピントルクを発現する。
【符号の説明】
【００４９】
１１…配向規制層、１２…反強磁性層、１２Ｍ…マンガン原子、１３…スピン注入層、２１，２２…電流源、２３…検出部、３１…真空槽、３２…排気部、３３…第１カソード、３４…第２カソード、３５…ステージ、３６…ステージ駆動部、３７…バイアス電源、３８…ガス供給部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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