(57)【要約】【課題】永久レジストを用いたコイル部品において、隙間の存在に起因する信頼性の低下を防止する。【解決手段】コイル部品１は、絶縁層Ｄ１上に形成されたコイルパターンＣＰ１と、絶縁層Ｄ１上に形成され、コイルパターンＣＰ１に沿って配置された層内絶縁パターンＲ１と、コイルパターンＣＰ１及び層内絶縁パターンＲ１を覆う絶縁層Ｄ２とを備える。コイルパターンＣＰ１は、シードパターンＳ１とメッキパターンＰ１を含み、シードパターンＳ１の下辺Ｌ１は上辺Ｌ０よりも長い。これによれば、絶縁層Ｄ１と層内絶縁パターンＲ１からなる角部ＣＮにメッキパターンＰ１が到達しやすくなる。これにより、メッキパターンＰ１がマッシュルーム状に成長する場合であっても、隙間の発生を抑制することが可能となる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成され、スパイラル状に巻回されたコイルパターンと、
前記第１の絶縁層上に形成され、前記コイルパターンに沿って配置された層内絶縁パターンと、
前記コイルパターン及び前記層内絶縁パターンを覆う第２の絶縁層と、を備え、
前記コイルパターンは、前記層内絶縁パターン及び第２の絶縁層と接することなく前記第１の絶縁層と接するシードパターンと、前記シードパターンを覆い、前記層内絶縁パターン、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層と接するメッキパターンとを含み、
前記シードパターンの巻回方向に対して垂直な断面は、前記第１の絶縁層と接する下辺と、前記下辺と平行な上辺を有し、
前記下辺は、前記上辺よりも長いことを特徴とするコイル部品。
【請求項２】
前記シードパターンの前記下辺の端部と前記上辺の端部を繋ぐ側辺が傾斜面であることを特徴とする請求項１の記載のコイル部品。
【請求項３】
前記シードパターンの前記下辺と前記側辺の成す角度は、６０°以上、８５°以下であることを特徴とする請求項２に記載のコイル部品。
【請求項４】
前記コイルパターンの幅に対する前記シードパターンの前記下辺の幅の割合は、０．５以上、０．９以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項５】
第１の絶縁層上に金属箔を形成する第１の工程と、
前記金属箔をパターニングすることによって、スパイラル状のシードパターンを形成する第２の工程と、
前記第１の絶縁層上に前記シードパターンに沿った層内絶縁パターンを形成する第３の工程と、
電解メッキによって前記シードパターンを覆うメッキパターンを形成することにより、前記シードパターン及び前記メッキパターンからなるスパイラル状のコイルパターンを形成する第４の工程と、
前記コイルパターン及び前記層内絶縁パターンを覆う第２の絶縁層を形成する第５の工程と、を備え、
前記シードパターンの巻回方向に対して垂直な断面は、前記第１の絶縁層と接する下辺と、前記下辺と平行な上辺を有し、
前記第２の工程においては、前記下辺が前記上辺よりも長くなるよう、前記金属箔をパターニングすることを特徴とするコイル部品の製造方法。
【請求項６】
前記第１の工程をラミネート法により行うことを特徴とする請求項５に記載のコイル部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はコイル部品及びその製造方法に関し、特に、いわゆる永久レジストを用いたコイル部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパイラル状のコイルパターンを有するコイル部品は、通常、スパイラル状に開口されたレジストを基板上に形成し、レジストによって区画された領域内に電解メッキによってコイルパターンを形成した後、レジストを剥離する方法によって作製することが一般的である。しかしながら、この方法でコイル部品を作製すると、電解メッキを行う際の給電膜となるシード層をエッチングにより除去する際、コイルパターンも僅かにエッチングされることから、コイルパターンの断面積が減少するという問題があった。また、レジストを剥離する際にも、前処理としてコイルパターンのエッチングが必要であり、この工程においてもコイルパターンの断面積が減少してしまう。
【０００３】
これに対し、特許文献１に記載されているように、いわゆる永久レジストを用いてスパイラル状のコイルパターンを形成すれば、シード層の除去や、レジストの剥離に伴う前処理が不要であることから、コイルパターンの断面積の減少を防止することが可能となる。
【０００４】
永久レジストを用いてコイルパターンを形成する場合、スパイラル状のシードパターンと、コイルパターンを形成すべき領域を区画する永久レジストをあらかじめ形成しておき、この状態で電解メッキによってシードパターンを成長させることにより、コイルパターンを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−１９９７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、電解メッキによるコイルパターンの成長は、完全に等方的ではなく、マッシュルーム状に成長する傾向があることから、下地の絶縁層と永久レジストからなる角部に隙間が生じる可能性があった。このような隙間は、コイル部品の信頼性に影響を与える可能性があるため、できる限り排除することが望ましい。
【０００７】
したがって、本発明は、永久レジストを用いたコイル部品において、隙間の存在に起因する信頼性の低下を防止することを目的とする。また、本発明は、このようなコイル部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によるコイル部品は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成され、スパイラル状に巻回されたコイルパターンと、第１の絶縁層上に形成され、コイルパターンに沿って配置された層内絶縁パターンと、コイルパターン及び層内絶縁パターンを覆う第２の絶縁層とを備え、コイルパターンは、層内絶縁パターン及び第２の絶縁層と接することなく第１の絶縁層と接するシードパターンと、シードパターンを覆い、層内絶縁パターン、第１の絶縁層及び第２の絶縁層と接するメッキパターンとを含み、シードパターンの巻回方向に対して垂直な断面は、第１の絶縁層と接する下辺と、下辺と平行な上辺を有し、下辺は、上辺よりも長いことを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、シードパターンの下辺が上辺よりも長いことから、第１の絶縁層と層内絶縁パターンからなる角部にメッキパターンが到達しやすくなる。これにより、メッキパターンがマッシュルーム状に成長する場合であっても、隙間の発生を抑制することが可能となる。
【００１０】
本発明において、シードパターンの下辺の端部と上辺の端部を繋ぐ側辺が傾斜面であっても構わない。これによれば、第１の絶縁層と層内絶縁パターンからなる角部にメッキパターンがよりいっそう到達しやすくなる。この場合、シードパターンの下辺と側辺の成す角度は、６０°以上、８５°以下であっても構わない。これによれば、メッキパターンの上面をある程度平坦に保ちつつ、隙間の発生を抑制することが可能となる。
【００１１】
本発明において、コイルパターンの幅に対するシードパターンの下辺の幅の割合は、０．５以上、０．９以下であっても構わない。これによれば、メッキパターンの上面をある程度平坦に保ちつつ、アライメントのずれに起因するシードパターンと層内絶縁パターンの干渉を防止することが可能となる。
【００１２】
本発明によるコイル部品の製造方法は、第１の絶縁層上に金属箔を形成する第１の工程と、金属箔をパターニングすることによって、スパイラル状のシードパターンを形成する第２の工程と、第１の絶縁層上にシードパターンに沿った層内絶縁パターンを形成する第３の工程と、電解メッキによってシードパターンを覆うメッキパターンを形成することにより、シードパターン及びメッキパターンからなるスパイラル状のコイルパターンを形成する第４の工程と、コイルパターン及び層内絶縁パターンを覆う第２の絶縁層を形成する第５の工程とを備え、シードパターンの巻回方向に対して垂直な断面は、第１の絶縁層と接する下辺と、下辺と平行な上辺を有し、第２の工程においては、下辺が上辺よりも長くなるよう、金属箔をパターニングすることを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、シードパターンの下辺が上辺よりも長くなるよう金属箔をパターニングしていることから、第１の絶縁層と層内絶縁パターンからなる角部にメッキパターンが到達しやすくなる。これにより、メッキパターンがマッシュルーム状に成長する場合であっても、隙間の発生を抑制することが可能となる。
【００１４】
本発明においては、第１の工程をラミネート法により行っても構わない。これによれば、比較的厚みの大きい金属箔を形成できることから、第２の工程において、下辺が上辺よりも長くなるよう金属箔をパターニングしやすくなる。
【発明の効果】
【００１５】
このように、本発明によれば、信頼性の高いコイル部品及びその製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品１の構造を説明するための模式的な断面図である。
【図２】図２は、コイル構造体Ｃの一部を拡大した略断面図である。
【図３】図３は、断面が略台形状であるシードパターンＳ１を用いた場合のメッキ成長の様子を説明するための模式図である。
【図４】図４は、断面が略矩形状であるシードパターンＳ１を用いた場合のメッキ成長の様子を説明するための模式図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ変形例によるシードパターンＳ１Ａ〜Ｓ１Ｃの断面形状を示す模式図である。
【図６】図６は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図７】図７は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】図８は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】図９は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１０】図１０は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１１】図１１は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１２】図１２は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１３】図１３は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１４】図１４は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１５】図１５は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１６】図１６は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１７】図１７は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１８】図１８は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１９】図１９は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図２０】図２０は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図２１】図２１は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図２２】図２２は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図２３】図２３は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図２４】図２４は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図２５】図２５は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品１の構造を説明するための模式的な断面図である。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態によるコイル部品１は、第１の絶縁層Ｄ１を介して積層された磁性樹脂層Ｍ１，Ｍ２と、磁性樹脂層Ｍ１に埋め込まれたコイル構造体Ｃ及びバンプ導体Ｂ１，Ｂ２と、第４の絶縁層Ｄ４を介して磁性樹脂層Ｍ１の表面に設けられ、それぞれバンプ導体Ｂ１，Ｂ２に接続された端子電極Ｅ１，Ｅ２を有している。絶縁層Ｄ１，Ｄ４は、非磁性の樹脂材料からなる絶縁体である。これに対し、磁性樹脂層Ｍ１，Ｍ２は、樹脂にフェライトなどの磁性粉を混入した複合材料であり、コイル部品１に電流を流した場合に発生する磁束の磁路として機能する。
【００２０】
コイル構造体Ｃは、下層に位置する第１のコイルパターンＣＰ１と、上層に位置する第２のコイルパターンＣＰ２を含む。コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２は、いずれも例えば銅（Ｃｕ）などの良導体からなる。コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２は、いずれも平面視でスパイラル状に巻回されている。コイルパターンＣＰ１の外周端は、接続パターンＣＰ３及びバンプ導体Ｂ１を介して端子電極Ｅ１に接続され、コイルパターンＣＰ２の外周端は、バンプ導体Ｂ２を介して端子電極Ｅ２に接続されている。そして、コイルパターンＣＰ１の内周端とコイルパターンＣＰ２の内周端は互いに接続されており、これにより一筆書き可能な単一のコイル素子を構成する。
【００２１】
コイルパターンＣＰ１は、シードパターンＳ１とメッキパターンＰ１からなる。同様に、コイルパターンＣＰ２は、シードパターンＳ２とメッキパターンＰ２からなる。コイルパターンＣＰ１の巻回方向に対して垂直な断面において、コイルパターンＣＰ１の各ターンの両側には、永久レジストからなる層内絶縁パターンＲ１が存在する。つまり、層内絶縁パターンＲ１は、コイルパターンＣＰ１の両側面に沿って設けられている。そして、コイルパターンＣＰ１と層内絶縁パターンＲ１を覆うように、第２の絶縁層Ｄ２が設けられており、これによってコイルパターンＣＰ１とコイルパターンＣＰ２が分離されている。同様に、コイルパターンＣＰ２の巻回方向に対して垂直な断面において、コイルパターンＣＰ２の各ターンの両側には、永久レジストからなる層内絶縁パターンＲ２が存在する。つまり、層内絶縁パターンＲ２は、コイルパターンＣＰ２の両側面に沿って設けられている。そして、コイルパターンＣＰ２と層内絶縁パターンＲ２を覆うように、第３の絶縁層Ｄ３が設けられており、これによってコイルパターンＣＰ２と磁性樹脂層Ｍ１が分離されている。
【００２２】
層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２は、例えば、エポキシ樹脂やフェノール樹脂など、フィラーを含まない樹脂材料からなる。これに対し、絶縁層Ｄ２，Ｄ３は、フィラーを含むエポキシなどの樹脂材料からなり、両者は物性が異なる。フィラーはシリカなど熱膨張係数の小さい材料からなり、絶縁層Ｄ２，Ｄ３にこのようなフィラーを混入させることにより、熱膨張係数を下げ、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２の熱膨張係数に近づけている。絶縁層Ｄ１，Ｄ４については、フィラーを含んでいても構わないし、フィラーを含んでいなくても構わない。このように、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２はフィラーを含まない樹脂材料からなるため、銅（Ｃｕ）などからなるコイルパターンＣＰ１，ＣＰ２との熱膨張係数の差が大きい。これに対し、絶縁層Ｄ２，Ｄ３は、フィラーを含む樹脂材料からなるため、銅（Ｃｕ）などからなるコイルパターンＣＰ１，ＣＰ２との熱膨張係数の差が小さい。
【００２３】
図２は、コイル構造体Ｃの一部を拡大した略断面図であり、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２の巻回方向に対して垂直な断面を示している。
【００２４】
図２に示すように、シードパターンＳ１，Ｓ２の断面は略台形状である。つまり、シードパターンＳ１，Ｓ２の断面は、絶縁層Ｄ１と接する下辺Ｌ１と、下辺Ｌ１と平行な上辺Ｌ０と、下辺Ｌ１の端部と上辺Ｌ０の端部を繋ぐ側辺Ｌ２を有しており、上辺Ｌ０の幅Ｗ０よりも下辺Ｌ１の幅Ｗ１の方が長く、これにより側辺Ｌ２が傾斜面となっている。本実施形態においては、シードパターンＳ１，Ｓ２の断面がこのような形状を有していることから、電解メッキによってシードパターンＳ１を成長させると、図３に示すように、メッキパターンＰ１がマッシュルーム状に成長する現象が抑制される。その結果、絶縁層Ｄ１と層内絶縁パターンＲ１からなる角部ＣＮに隙間が生じることなく、メッキパターンＰ１を角部ＣＮに充填させることが可能となる。図示しないが、シードパターンＳ２の成長についても同様であり、メッキパターンＰ２がマッシュルーム状に成長する現象が抑制される。その結果、絶縁層Ｄ２と層内絶縁パターンＲ２からなる角部に隙間を生じさせることなく、メッキパターンＰ２を角部に充填させることが可能となる。
【００２５】
仮に、シードパターンＳ１の断面が矩形である場合、つまり、絶縁層Ｄ１の表面に対してシードパターンＳ１の側辺がほぼ垂直である場合、図４に示すように、メッキパターンＰ１がマッシュルーム状に成長することがあり、この場合、角部ＣＮに隙間が生じる可能性がある。これに対し、本実施形態においてはシードパターンＳ１の断面が略台形状であることから、上述の通り、角部ＣＮに隙間が生じにくくなる。ここで、角部ＣＮに隙間を生じさせない、或いは、隙間を十分に小さくするためには、シードパターンＳ１，Ｓ２の下辺Ｌ１と側辺Ｌ２の成す角度θを８５°以下とすることが好ましい。但し、角度θが小さすぎると、メッキパターンＰ１の表面の平坦性が低くなるおそれがあることから、角度θは６０°以上であることが好ましい。
【００２６】
また、シードパターンＳ１，Ｓ２の下辺Ｌ１の幅をＷ１とし、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２の幅、つまり、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２によって区画された領域の幅をＷ２とした場合、Ｗ１／Ｗ２の値は０．５以上であることが好ましい。Ｗ１／Ｗ２の値を０．５以上とすれば、メッキパターンＰ１，Ｐ２の上面をある程度平坦に保つことが可能となる。但し、Ｗ１／Ｗ２の値が大きすぎると、シードパターンＳ１，Ｓ２と干渉しないよう層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２を形成することが困難となるため、Ｗ１／Ｗ２の値は０．９以下であることが好ましい。
【００２７】
図１〜図３に示す例では、シードパターンＳ１，Ｓ２の断面が略台形状であるが、上辺Ｌ０の幅Ｗ０よりも下辺Ｌ１の幅Ｗ１の方が長い限り、シードパターンＳ１，Ｓ２の断面形状がこれに限定されるものではない。例えば、図５（ａ）に示すシードパターンＳ１Ａのように、下辺Ｌ１に近づくほど、下辺Ｌ１と側辺Ｌ２が成す角度θが小さくなる形状であっても構わないし、逆に、図５（ｂ）に示すシードパターンＳ１Ｂのように、下辺Ｌ１に近づくほど、下辺Ｌ１と側辺Ｌ２が成す角度θが大きくなる形状であっても構わない。これらの場合、下辺Ｌ１の端部Ｌ１ａと上辺Ｌ０の端部Ｌ０ａを繋ぐ仮想線Ｖを想定し、仮想線Ｖと下辺Ｌ１が成す角度をθと定義すればよい。さらに、図５（ｃ）に示すシードパターンＳ１Ｃのように、シードパターンＳ１，Ｓ２の側辺Ｌ２が階段状となっていても構わない。図５（ｃ）に示す例では、下辺Ｌ１側に位置する側辺Ｌ２ａと上辺Ｌ０側に位置する側辺Ｌ２ｂが不連続となっている。この場合、側辺のうち最も下辺Ｌ１に近い部分（図５（ｃ）では側辺Ｌ２ａ）と下辺Ｌ１が成す角度をθと定義すればよい。
【００２８】
次に、本実施形態によるコイル部品１の製造方法について説明する。
【００２９】
図６〜図２５は、本実施形態によるコイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【００３０】
まず、基板１１の表面に銅（Ｃｕ）などの金属箔１２が設けられた支持体１０を用意し（図６）、金属箔１２の表面に絶縁層Ｄ１及びシード層１３を形成する（図７）。絶縁層Ｄ１及びシード層１３の形成は、ラミネート法によって行うことができる。シード層１３の厚みは、スパッタリングなどの薄膜工法によって形成される膜厚よりも十分に厚いことが好ましく、具体的には２μｍ〜５μｍ程度であることが好ましい。次に、シード層１３をパターニングすることによって、スパイラル状のシードパターンＳ１を形成する（図８）。シード層１３のパターニングにおいては、シードパターンＳ１の断面が略台形状となるよう、パターニングの条件を設定することが好ましい。この時、コイルパターンＣＰ１の内径領域となる部分、並びに、コイルパターンＣＰ１の外側領域となる部分にも、シードパターンＳ１ａを残存させる。次に、絶縁層Ｄ１の表面に、シードパターンＳ１に沿った層内絶縁パターンＲ１を形成する（図９）。層内絶縁パターンＲ１は感光性永久レジストからなるコイルパターンＣＰ１のネガパターンであり、したがって、層内絶縁パターンＲ１によって区画された領域もスパイラル状である。
【００３１】
次に、電解メッキによってシードパターンＳ１を成長させることにより、メッキパターンＰ１を形成する（図１０）。これにより、層内絶縁パターンＲ１によって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンＣＰ１が形成される。本実施形態においては、シードパターンＳ１の断面が略台形状であることから、メッキパターンＰ１がマッシュルーム状に成長することによる隙間の発生が抑制される。この時、コイルパターンＣＰ１の内径領域、並びに、コイルパターンＣＰ１の外側領域にも、犠牲パターンＶＰ１が形成される。コイルパターンＣＰ１を形成した後、プラズマ加工を所定時間行うことによって、層内絶縁パターンＲ１の上部をアッシングしても構わない。層内絶縁パターンＲ１の上部をアッシングすれば、コイルパターンＣＰ１の側面のうち少なくとも上部領域が露出し、コイルパターンＣＰ１と層内絶縁パターンＲ１の間に隙間が形成される。さらに、層内絶縁パターンＲ１の上部をアッシングした後、ギ酸などを用いたウェットエッチング又はプラズマ処理等によるドライエッチングによってコイルパターンＣＰ１の露出面を粗面化しても構わない。
【００３２】
次に、絶縁層Ｄ２によってコイルパターンＣＰ１、犠牲パターンＶＰ１及び層内絶縁パターンＲ１を覆い、さらに、絶縁層Ｄ２の表面にシード層１４を形成する（図１１）。シード層１４の厚みは、スパッタリングなどの薄膜工法によって形成される膜厚よりも十分に厚いことが好ましく、具体的には２μｍ〜５μｍ程度であることが好ましい。ここで、層内絶縁パターンＲ１の上部がアッシングされている場合、コイルパターンＣＰ１の上面が絶縁層Ｄ２によって覆われるだけでなく、コイルパターンＣＰ１と層内絶縁パターンＲ１の間の隙間にも絶縁層Ｄ２が入り込む。これによれば、コイルパターンＣＰ１と絶縁層Ｄ２の接触面積が増大することから、熱膨張係数の差に起因する隙間の発生を抑制することができる。この時、絶縁層Ｄ２に含まれるフィラーがコイルパターンＣＰ１と層内絶縁パターンＲ１の間の隙間に入り込むよう、隙間よりも平均粒径の小さいフィラーを用いることが好ましい。また、絶縁層Ｄ２と接するコイルパターンＣＰ１の表面が粗面化されている場合、コイルパターンＣＰ１と絶縁層Ｄ２は、高い密着性が得られる。
【００３３】
次に、シード層１４をパターニングすることによって、絶縁層Ｄ２の一部を露出させる開口部１４ａ〜１４ｃを形成する（図１２）。このうち、開口部１４ａはコイルパターンＣＰ１の外周端と重なる位置に形成され、開口部１４ａはコイルパターンＣＰ１の内周端と重なる位置に形成される。開口部１４ｃは、犠牲パターンＶＰ１と重なる位置に形成される。次に、パターニングされたシード層１４をマスクとして絶縁層Ｄ２をエッチングすることにより、絶縁層Ｄ２に開口部Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃを形成する（図１３）。このうち、開口部Ｄ２ａはコイルパターンＣＰ１の外周端を露出させ、開口部Ｄ２ｂはコイルパターンＣＰ１の内周端を露出させる。開口部Ｄ２ｃは、犠牲パターンＶＰ１を露出させる。
【００３４】
次に、シード層１４をさらにパターニングすることにより、スパイラル状のシードパターンＳ２を形成する（図１４）。シード層１４のパターニングにおいては、シードパターンＳ２の断面が略台形状となるよう、パターニングの条件を設定することが好ましい。次に、絶縁層Ｄ２の表面に、シードパターンＳ２に沿った層内絶縁パターンＲ２を形成する（図１５）。層内絶縁パターンＲ２は感光性永久レジストからなるコイルパターンＣＰ２のネガパターンであり、したがって、層内絶縁パターンＲ２によって区画された領域もスパイラル状である。
【００３５】
次に、電解メッキによってシードパターンＳ２を成長させることにより、メッキパターンＰ２を形成する（図１６）。これにより、層内絶縁パターンＲ２によって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンＣＰ２が形成される。本実施形態においては、シードパターンＳ２の断面が略台形状であることから、メッキパターンＰ２がマッシュルーム状に成長することによる隙間の発生が抑制される。この時、コイルパターンＣＰ１の外周端は開口部Ｄ２ａから露出しているため、コイルパターンＣＰ１の外周端は、コイルパターンＣＰ２と同じ層内に位置する接続パターンＣＰ３に接続される。また、コイルパターンＣＰ１の内周端は開口部Ｄ２ｂから露出しているため、コイルパターンＣＰ１の内周端は、コイルパターンＣＰ２の内周端に形成される。さらに、コイルパターンＣＰ２の内径領域、並びに、コイルパターンＣＰ２の外側領域にも、犠牲パターンＶＰ２が形成される。犠牲パターンＶＰ２は、開口部Ｄ２ｃを介して犠牲パターンＶＰ１に接続される。
【００３６】
コイルパターンＣＰ２を形成した後、プラズマ加工を所定時間行うことによって、層内絶縁パターンＲ２の上部をアッシングしても構わない。層内絶縁パターンＲ２の上部をアッシングすれば、コイルパターンＣＰ２の側面のうち少なくとも上部領域が露出し、コイルパターンＣＰ２と層内絶縁パターンＲ２の間に隙間が形成される。さらに、層内絶縁パターンＲ２の上部をアッシングした後、ギ酸などを用いたウェットエッチング又はプラズマ処理等によるドライエッチングによってコイルパターンＣＰ２の露出面を粗面化しても構わない。
【００３７】
次に、絶縁層Ｄ３によってコイルパターンＣＰ２、犠牲パターンＶＰ２及び層内絶縁パターンＲ２を覆う（図１７）。ここで、層内絶縁パターンＲ２の上部がアッシングされている場合、コイルパターンＣＰ２の上面が絶縁層Ｄ３によって覆われるだけでなく、コイルパターンＣＰ２と層内絶縁パターンＲ２の間の隙間にも絶縁層Ｄ３が入り込む。これによれば、コイルパターンＣＰ２と絶縁層Ｄ３の接触面積が増大することから、熱膨張係数の差に起因する隙間の発生を抑制することができる。この時、絶縁層Ｄ３に含まれるフィラーがコイルパターンＣＰ２と層内絶縁パターンＲ２の間の隙間に入り込むよう、隙間よりも平均粒径の小さいフィラーを用いることが好ましい。また、絶縁層Ｄ３と接するコイルパターンＣＰ２の表面が粗面化されている場合、コイルパターンＣＰ２と絶縁層Ｄ３は、高い密着性が得られる。
【００３８】
次に、絶縁層Ｄ３をエッチングすることにより、絶縁層Ｄ３に開口部Ｄ３ｃを形成する（図１８）。開口部Ｄ３ｃは、犠牲パターンＶＰ２を露出させる。この状態で、ウェットエッチングを行うことにより、犠牲パターンＶＰ１，ＶＰ２を除去する（図１９）。コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２及び接続パターンＣＰ３については、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２及び絶縁層Ｄ１〜Ｄ３で覆われているため、エッチングされることはない。これにより、絶縁層Ｄ１上にはコイル構造体Ｃのみが残存した状態となる。
【００３９】
次に、絶縁層Ｄ３をさらにエッチングすることにより、絶縁層Ｄ３に開口部Ｄ３ａ，Ｄ３ｂを形成する（図２０）。このうち、開口部Ｄ３ａは接続パターンＣＰ３を露出させ、開口部Ｄ３ｂはコイルパターンＣＰ２の外周端を露出させる。次に、絶縁層Ｄ３の表面にバンプ導体Ｂ１，Ｂ２を形成する（図２１）。このうち、バンプ導体Ｂ１は開口部Ｄ３ａを介して接続パターンＣＰ３に接続され、バンプ導体Ｂ２は開口部Ｄ３ｂを介してコイルパターンＣＰ２の外周端に接続される。
【００４０】
次に、コイル構造体Ｃ及びバンプ導体Ｂ１，Ｂ２を埋め込むように磁性樹脂層Ｍ１を形成した後（図２２）、磁性樹脂層Ｍ１の上面を研磨することによってバンプ導体Ｂ１，Ｂ２を露出させる（図２３）。次に、支持体１０を剥離した後、絶縁層Ｄ１の下面に磁性樹脂層Ｍ２を形成する（図２４）。次に、磁性樹脂層Ｍ１の上面に絶縁層Ｄ４を形成した後、絶縁層Ｄ４をエッチングすることにより、絶縁層Ｄ４に開口部Ｄ４ａ，Ｄ４ｂを形成する（図２５）。開口部Ｄ４ａはバンプ導体Ｂ１を露出させ、開口部Ｄ４ｂはバンプ導体Ｂ２を露出させる。
【００４１】
そして、開口部Ｄ４ａ，Ｄ４ｂを介してそれぞれバンプ導体Ｂ１，Ｂ２に接続された端子電極Ｅ１，Ｅ２を形成すれば、図１に示したコイル部品１が完成する。
【００４２】
このように、本実施形態においては、シードパターンＳ１，Ｓ２の断面が略台形状となるようパターニングしていることから、メッキパターンＰ１，Ｐ２がマッシュルーム状に成長することによる隙間の発生を抑制することが可能となる。
【００４３】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００４４】
例えば、図２０に示す工程で犠牲パターンＶＰ１，ＶＰ２を除去した後、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２の内径領域に露出する絶縁層Ｄ１を削除しても構わない。これによれば、磁性樹脂層Ｍ１と磁性樹脂層Ｍ２が一体的となることから、コイル部品のインダクタを高めることが可能となる。
【００４５】
また、本発明によるコイル部品は、回路基板に表面実装されるタイプの部品である必要はなく、回路基板に内蔵されるタイプの部品であっても構わない。
【符号の説明】
【００４６】
１    コイル部品
１０    支持体
１１    基板
１２    金属箔
１３，１４    シード層
１４ａ〜１４ｃ    開口部
Ｂ１，Ｂ２    バンプ導体
Ｃ    コイル構造体
ＣＮ    角部
ＣＰ１    第１のコイルパターン
ＣＰ２    第２のコイルパターン
ＣＰ３    接続パターン
Ｄ１〜Ｄ４    絶縁層
Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃ    開口部
Ｄ３ａ〜Ｄ３ｃ    開口部
Ｄ４ａ，Ｄ４ｂ    開口部
Ｅ１，Ｅ２    端子電極
Ｌ０    上辺
Ｌ０ａ    上辺の端部
Ｌ１    下辺
Ｌ１ａ    下辺の端部
Ｌ２，Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ    側辺
Ｍ１，Ｍ２    磁性樹脂層
Ｐ１，Ｐ２    メッキパターン
Ｒ１，Ｒ２    層内絶縁パターン
Ｒ２    層内絶縁パターン
Ｓ１，Ｓ１ａ、Ｓ１Ａ〜Ｓ１Ｃ，Ｓ２    シードパターン
Ｖ    仮想線
ＶＰ１，ＶＰ２    犠牲パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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