(57)【要約】【課題】容易な工程で形成可能であり、かつ小型で測定精度の高いレンズ付きの光デバイスを得る。【解決手段】光デバイスは、光電変換素子がマトリクス状に配列された光電変換チップと、光電変換チップを露出させるように光電変換チップの側面を覆う第一封止部材と、を有するセンサブロックと、レンズと、レンズの一方の面及び他方の面を露出させるようにレンズの側面を覆う第二封止部材と、を有するレンズブロックと、を備えている。レンズブロックは、レンズの一方の面と第二封止部材とで凹部が形成され、凹部の底面の少なくとも一部はレンズの一方の面で形成され、凹部の側壁は第二封止部材で形成されており、凹部が第一封止部材から露出する光電変換チップを覆うように配置されている。【選択図】図１
2020060551.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子が１素子又はマトリクス状に配列された光電変換チップと、前記光電変換チップを露出させるように前記光電変換チップの側面を覆う第一封止部材と、を有する光電変換ブロックと、
レンズと、前記レンズの一方の面及び他方の面を露出させるように前記レンズの側面を覆う第二封止部材と、を有するレンズブロックと、
を備え、
前記レンズブロックは、前記レンズの前記一方の面と前記第二封止部材とで形成された凹部を有し、前記凹部の底面の少なくとも一部は前記レンズの一方の面で形成され、前記凹部の側壁は前記第二封止部材で形成されており、前記凹部が前記第一封止部材から露出する前記光電変換チップを覆うように配置されている
光デバイス。
【請求項２】
前記凹部の底面は円形状であり、
前記凹部の底面の全面は、前記レンズの一方の面で形成されている
請求項１に記載の光デバイス。
【請求項３】
前記底面の全面は、前記レンズの一方の面で形成され、
前記第二封止部材のうち前記凹部の側方に配置された側壁部の内壁は、前記レンズの近傍で、前記凹部に対して断面視で曲線状に突出または窪んでいる
請求項２に記載の光デバイス。
【請求項４】
前記側壁部の前記光電変換ブロックと対向する面と前記側壁部の内壁とが、曲面によって連続的に形成されている
請求項３に記載の光デバイス。
【請求項５】
前記凹部の底面は円形状又は矩形状であり、
前記レンズは矩形状であり、
前記凹部の底面は、前記レンズの一方の面と、前記第二封止部材とで形成されている
請求項１に記載の光デバイス。
【請求項６】
矩形状の前記レンズは、平面視において前記凹部の底面の外周と所定の距離を置いて配置されている
請求項５に記載の光デバイス。
【請求項７】
前記第二封止部材は、前記レンズの前記一方の面の周囲に溝部を有している
請求項５又は６に記載の光デバイス。
【請求項８】
前記側壁部の前記内壁は、前記凹部の開口面の面積が前記凹部の底面の面積よりも大きくなるように、前記底面に対して傾斜している
請求項１から７のいずれか１項に記載の光デバイス。
【請求項９】
前記レンズブロックは、開口を有する枠部材を備え、
前記レンズが前記開口内に配置された状態で、前記レンズの側面及び前記枠部材が前記第二封止部で覆われている
請求項１から８のいずれか１項に記載の光デバイス。
【請求項１０】
前記光電変換ブロックと前記レンズブロックとを接続する接続部材を備え、
前記接続部材は、前記光電変換ブロックの前記光電変換チップが露出する領域の外側に設けられる
請求項１から９のいずれか１項に記載の光デバイス。
【請求項１１】
前記接続部材は、前記光電変換ブロックの前記レンズブロックとの対向面の一部に、該対向面の周方向の一部に設けられ、空隙を形成した状態で前記光電変換ブロックと前記レンズブロックとが接続されている
請求項１０に記載の光デバイス。
【請求項１２】
前記光電変換ブロックは、一部が前記第一封止部から露出する複数の外部端子を有している
請求項１から１１のいずれか１項に記載の光デバイス。
【請求項１３】
前記光電変換チップは、複数の前記光電変換素子の端子を兼用する端子部を有しており、
前記端子部は、前記外部端子のいずれかと電気的に接続されている
請求項１２に記載の光デバイス。
【請求項１４】
前記レンズは、フレネルレンズ又はバイナリーレンズである
請求項１から１３のいずれか１項に記載の光デバイス。
【請求項１５】
前記光電変換ブロックは、前記光電変換チップと電気的に接続されたＩＣチップを備え、
前記ＩＣチップは、前記第一封止部で覆われている
請求項１から１４のいずれか１項に記載の光デバイス。
【請求項１６】
前記光電変換ブロックは、前記光電変換ブロックの前記レンズブロックとは反対側の面に形成された再配線層を有し、
前記ＩＣチップは、前記光電変換チップと再配線層で電気的に接続され、
前記ＩＣチップは、前記第一封止部で、前記ＩＣチップの側面又は側面と上面とが覆われている
請求項１５に記載の光デバイス。
【請求項１７】
ＩＣチップと、
前記ＩＣチップの側面又は側面と上面とを覆って封止する第三封止部材と、
側面が前記第三封止部材に覆われて封止され、前記ＩＣチップと電気的に接続された導体と、を有するＩＣブロックを備え、
前記導体は、前記光電変換ブロック側の面において露出しており、前記光電変換ブロックと電気的に接続されている
請求項１から１４のいずれか１項に記載の光デバイス。
【請求項１８】
前記光電変換ブロックは、前記光電変換チップと電気的に接続され、前記ＩＣブロック側の面に露出する接続端子を有しており、
前記接続端子は、前記ＩＣブロックの前記導体と電気的に接続されている
請求項１７に記載の光デバイス。
【請求項１９】
前記ＩＣブロックは、前記ＩＣチップの前記センサブロックと反対側の面に形成された再配線層を有し、
前記導体は、前記第三封止部材を前記センサブロック側か前記センサブロックと反対側の面に貫通して前記再配線層と電気的に接続されている
請求項１７又は１８に記載の光デバイス。
【請求項２０】
前記光電変換素子は、受光素子又は発光素子である
請求項１から１９のいずれか１項に記載の光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば赤外線デバイス等の光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、レンズで光を光電変換素子に集光して、光の検出を行うセンサが提案されている。例えば、物体が発生する赤外線によって物体の温度を検出する赤外線センサにおいて、レンズで赤外線を赤外線素子に集光することで、センサから離れた位置の物体の温度を検出することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−０４９０７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したようなデバイスでは、レンズ及びレンズを支持するレンズホルダをシリコンを切削して形成している。しかしながら、レンズホルダをシリコンで形成すると、レンズ以外の部分（すなわち、レンズホルダ）を透過した赤外光が赤外線センサ素子に入射し、測定誤差が生じる原因となる場合がある。このため、レンズホルダの内壁を赤外光を透過しない金属等によって保護しており、レンズ形成工程が煩雑となる。
【０００５】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、容易な工程で形成可能であり、かつ小型で、測定精度の高いレンズ付きの光デバイスを得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る光デバイスは、光電変換素子が一素子又は、マトリクス状に配列された光電変換チップと、光電変換チップを露出させるように光電変換チップの側面を覆う第一封止部材と、を有するセンサブロックと、レンズと、レンズの一方の面及び他方の面を露出させるようにレンズの側面を覆う第二封止部材と、を有するレンズブロックと、を備え、レンズブロックは、レンズの一方の面と第二封止部材とで形成された凹部を有し、凹部の底面の少なくとも一部はレンズの一方の面で形成され、凹部の側壁は第二封止部材で形成されており、凹部が第一封止部材から露出する光電変換チップを覆うように配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一態様によれば、薄型でありつつ特性変動を抑制した光デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第一実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。
【図２】本発明の第一実施形態に係る光デバイスに用いるレンズブロックの一構成例を示す概略図である。
【図３】本発明の第一実施形態に係る光デバイスに用いるレンズの一構成例を示す概略図である。
【図４】本発明の第一実施形態に係る光デバイスの製造工程を説明する工程断面図である。
【図５】本発明の第一実施形態に係る光デバイスの製造工程を説明する工程断面図である。
【図６】本発明の第一実施形態に係る光デバイスに用いるレンズブロックの他の構成例を示す概略図である。
【図７】本発明の第一実施形態に係る光デバイスに用いるレンズブロックの他の構成例を示す概略図である。
【図８】本発明の第一実施形態に係る光デバイスに用いるレンズブロックの他の構成例を示す概略図である。
【図９】本発明の第一実施形態に係る光デバイスに用いるレンズブロックの他の構成例を示す概略図である。
【図１０】本発明の第一実施形態に係る光デバイスに用いるレンズブロックの他の構成例を示す概略図である。
【図１１】本発明の第一実施形態に係る光デバイスに用いるレンズブロックの他の構成例を示す概略図である。
【図１２】本発明の第二実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。
【図１３】本発明の第三実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。
【図１４】本発明の第四実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
以下、図面を参照して本発明の各実施形態について説明する。
【００１０】
１．第一実施形態以下、第一実施形態に係る光デバイスについて、図１〜９を参照して説明する。第一実施形態に係る光デバイスは、例えば、赤外線等の光を検出することによって人の存在を検知する人感センサとして用いられる。
【００１１】
（光デバイスの構成）
図１（Ａ）〜図１（Ｄ）は、第一実施形態に係るレンズブロック１０及びセンサブロック５０を備える光デバイス１００の構成を説明するための図である。図１（Ａ）は光デバイス１００の一構成例を示す平面図、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）でＩＢ−ＩＢ線で示す光デバイス１００の一構成例を示す断面図である。また、図１（Ｃ）は、光デバイス１００の一構成例を示す底面図であり、図１（Ｄ）は、図１（Ｃ）に示す底面から見たセンサブロック５０の各部の配置及び構成を示す概略図である。
【００１２】
図２は、図１（Ｂ）等に示す光デバイス１００のレンズブロック１０を説明するための図であり、図２（Ａ）はレンズブロック１０の一構成例を示す平面図、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）でＩＩＢ−ＩＩＢで示すレンズブロック１０の一構成例を示す断面図である。本実施形態では、光デバイス１００が図示しない回路基板と接続される面（外部接続端子が設けられる面）を底面とし、外部接続端子が形成される面とは反対側の光が入射する面（レンズブロック１０側の面）を上面として説明する。
【００１３】
図１（Ａ）〜図１（Ｄ）に示すように、光デバイス１００は、レンズ２０を有するレンズブロック１０と、光電変換チップ６０を有するセンサブロック５０と、レンズブロック１０及びセンサブロック５０を接続する接続部材１とを備えている。光デバイス１００は、光入射面となるセンサブロック５０の一方の面（図１（Ｂ）中のセンサブロック５０の上面）５０ａ側に、レンズブロック１０が配置されている。光デバイス１００では、光がレンズブロック１０中のレンズ２０を介してセンサブロック５０の光電変換チップ６０に入射し、センサブロック５０で光が検出される。
以下、レンズブロック１０、センサブロック５０及び接続部材１についてそれぞれ説明する。
【００１４】
（レンズブロック）
図２に示すように、レンズブロック１０は、レンズ２０と、レンズ２０の側面２０ｃを覆う封止部３０とを有している。封止部３０は、レンズブロック１０の凹部１２の側方に配置された側壁部として機能する。また、レンズブロック１０は、図１（Ａ）に示すような、貫通した開口ｈ１を有するフレーム材４０を有している。レンズ２０は、フレーム材４０の開口ｈ１内に配置された状態で側面が封止部３０に覆われている。レンズブロック１０では、レンズ２０と封止部３０とにより、凹部１２が形成されている。
【００１５】
（レンズ）
図３（Ａ）〜図３（Ｃ）を用いて、レンズ２０について説明する。図３（Ａ）は、レンズ２０の一例であるフレネルレンズの平面図（レンズ面を示す図）、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示すフレネルレンズの断面を示す断面図である。また、図３（Ｃ）は、レンズ２０の一例であるバイナリーレンズの断面を示す断面図である。レンズ２０は、例えばシリコンやゲルマニウムで形成されたレンズであり、球面レンズ、非球面レンズ、フレネルレンズ又はバイナリーレンズ等である。なかでも、レンズ２０は、光デバイス１００の薄型化のために、バイナリーレンズであることが好ましく、レンズが形成された反対の面は、平面であることが好ましい。
【００１６】
レンズ２０のレンズ面は、光の入射面となるレンズ２０の一方の面（図２ではレンズ２０の上面）２０ａ側に形成される。レンズ２０は、レンズ面の断面形状が、例えばブレーズド回折格子の鋸歯状断面形状である一般的なフレネルレンズ（図３（Ｂ））であっても良く、ブレーズド回折格子の鋸歯状断面形状が量子化された形状であるバイナリーレンズ
（図３（Ｃ））であってもよい。バイナリーレンズにおける「ブレーズド回折格子の鋸歯状断面形状を量子化した形状」とは、ブレーズド回折格子の鋸歯状断面形状が、レンズ断面において複数のレベルに近似された階段形状をいい、例えば、鋸歯の斜面一つが複数段
（例えば４段）の階段形状とされていることをいう。
【００１７】
また、光の出射面となるレンズ２０の他方の面（図２ではレンズ２０の下面）２０ｂは、平面となるように形成される。レンズ２０の下面２０ｂは、例えば、バックグラインド（ＢＧ）又はポリッシングによりレンズ２０の厚みを調整しつつ平滑化される。
なお、レンズ２０は、レンズ２０の上面が平面であり、レンズ２０の下面にレンズ面が形成された構成であってもよい。
【００１８】
（封止部）
図２（Ｂ）に示すように、封止部３０（第二封止部材の一例）は、レンズ２０の側方から、センサブロック５０方向に延びるように形成されている。封止部３０は、樹脂材料で構成されており、光の入射面となるレンズ２０の上面２０ａ及び光の出射面となるレンズ２０の下面２０ｂが封止部３０から露出するようにレンズ２０の側面２０ｃを覆っている。図２（Ｂ）に示す例では、封止部３０がレンズ２０の側面２０ｃとともに下面２０ｂの外縁部を覆っており、レンズ２０の下面２０ｂの中央部分に光の出射面が形成されている。レンズ２０の上面２０ａの全面は、封止部３０から露出している。このため、レンズ２０の上面２０ａの全面が、光の入射面を構成している。
【００１９】
封止部３０は、上述したように、レンズブロック１０の凹部１２の側方に配置された側壁部として機能する。封止部３０を構成する樹脂材料は、光の一例である赤外線を通さない材料であってよい。このため、封止部３０により、レンズブロック１０のレンズ２０に入射する光の視野角を制限することができる。また、レンズブロック１０のレンズ２０以外の部分から凹部１２内に赤外線が入射することを防止できる。更に、封止部３０は、金型を用いて成型されているので、光電変換チップ６０からレンズ２０までの焦点距離を正確に形成できる。また、凹部１２の側壁部として機能する封止部３０の一部分を所定の高さで形成することができるため、レンズ２０が光電変換チップ６０に対して斜めに配置されることがない。このため、センサブロック５０の光電変換チップ６０における赤外線の測定精度を向上させることができる。さらに、封止部３０の下面は、センサブロック５０との接続面となる。センサブロック５０との接続面が樹脂材料によって形成されていることにより、センサブロック５０の上面５０ａに対して、接続部材１を介して配置しやすくなる。
【００２０】
（凹部）
レンズブロック１０では、レンズ２０の光出射面となる下面２０ｂと封止部３０の内壁３２とにより凹部１２が形成されている。凹部１２は、光デバイス１００の焦点距離に対応する深さで形成される。なお、光デバイス１００が人感センサとして用いられるレンズブロック１０付きの赤外線センサである場合、凹部１２の深さは例えば１ｍｍ以上とされる。凹部１２の底面１２ａの少なくとも一部は、レンズ２０の光出射面となる下面２０ｂで形成され、凹部１２の側壁１２ｂは、封止部３０の内側側面である内壁３２で形成されている。本実施形態では、凹部１２の底面１２ａの全面が、レンズ２０の下面２０ｂで形成されている場合の一例を示している。第一実施形態において、凹部１２の底面１２ａは、レンズ２０のうち赤外線等の光を透過させて実質的にレンズ２０として機能する領域の形状を示している。レンズブロック１０は、凹部１２がセンサブロック５０の封止部９０から露出する光電変換チップ６０を覆うように配置されている。レンズブロック１０と、センサブロック５０とは、接着剤等で構成された接続部材１により接続されている。
【００２１】
凹部１２の側壁１２ｂは、凹部１２の底面１２ａ（レンズ２０の下面２０ｂ）から開口面に向かって凹部１２の径が徐々に大きくなるように、底面１２ａに対して傾斜している。すなわち、封止部３０の内壁３２は、凹部１２の開口面の面積が凹部１２の底面１２ａの面積よりも大きくなるように、底面１２ａに対して傾斜して形成されている。これにより、凹部１２の側壁１２ｂが底面１２ａに対して垂直な場合と比べて、レンズ２０の下面２０ｂから凹部１２内に入射した赤外線が反射して、センサブロック５０の光電変換チップ６０に入射するのを防ぐことができる。
【００２２】
（フレーム材）
フレーム材４０は、レンズ２０を配置するための開口ｈ１を有する枠部材である。フレーム材４０は、レンズ２０を取り囲む環状部４２と、環状部４２からレンズブロック１０の側面に向かって伸びる接続部４４とを備えている。接続部４４は、上面側の一部がハーフエッチングされており、環状部４２と比較して厚みが薄く形成されている。環状部４２は、レンズ２０を取り囲む形状であればよく、環形状のフレームの一部が除去された形状であってもよい。
【００２３】
フレーム材４０は、レンズブロック１０の上面１０ａ及び側面１０ｂにおいて、フレーム材４０の一部が封止部３０から露出している。すなわち、封止部３０は、フレーム材４０の環状部４２の側壁面（内壁面及び外壁面）及び底面と、接続部４４とを封止している。フレーム材４０は、放射率が小さい部材であることが好ましく、例えば、放射率が０．３以下の部材であることが好ましい。放射率が小さい部材としては例えば、金属が挙げられ、具体的には、銅、銀、金、白金、ニッケル、パラジウムなどが挙げられる。
【００２４】
フレーム材４０が放射率の小さい部材である場合、センサブロック５０が視野角内の赤外線量を精度よく定量することが可能になる。これは、フレーム材４０の環状部４２の主面（上面）が、レンズブロック１０の光入射面となる上面１０ａ側に向いて配置されているためである。これにより、測定対象物からレンズブロック１０の外表面に向けて出力された赤外線が、放射率の小さいフレーム材４０によって反射され、レンズブロック１０に吸収されないため、レンズブロック１０の温度変化（温度上昇）が抑制される。光電変換チップ６０を構成する光電変換素子の一例である量子型赤外線センサ素子は、外部から入力される赤外線エネルギーと、量子型赤外線センサ素子自身が出力する赤外線エネルギーの差分に応じた信号を出力する。この外部から入力される赤外線エネルギーの発生源は、レンズブロック１０の外側である外部視野と、レンズブロック１０の凹部１２の側壁１２ｂ（内部視野）となる。上述のとおり、フレーム材４０を設けることにより、レンズブロック１０の温度変化が抑制されるので、内部視野から量子型赤外線センサ素子に入力される赤外線量の変動が小さくなる。
【００２５】
（センサブロック）
図１（Ｂ）に示すように、センサブロック５０は、光電変換チップ６０と、光電変換チップ６０の周囲に配置された複数の外部接続端子７０、光電変換チップ６０と外部接続端子７０とを電気的に接続する導体８０、及び光電変換チップ６０の受光面６０ａを露出させるように、光電変換チップ６０の側面及び下面（光電変換素子６２の半導体層が形成された面）を覆う封止部９０とを備えている。図１（Ｃ）、図１（Ｄ）では、複数の外部接続端子７０として、１６個の外部接続端子７０ａ〜７０ｐを示している。以下、図１（Ｂ）〜図１（Ｄ）を参照して、センサブロック５０について説明する。なお、図１（Ｄ）は、図１（Ｃ）に示すセンサブロック５０を底面（図１（Ｄ）の下側）から見た場合のセンサブロック５０の各部の構成を示す概略図であり、説明を容易にするために、封止部９０がない状態のセンサブロック５０の底面図を示している。
【００２６】
（光電変換チップ）
光電変換チップ６０は、例えば、光電変換素子６２が１つ以上配置されたアレイセンサである。アレイセンサに対してレンズブロック１０を配置することにより、より長距離の領域の赤外線を発する物体の検出ができ、さらに、アレイセンサの視野角に入った赤外線を発する物体の上下左右の動きを細かく検出することができる。本実施形態の光電変換チップ６０は、図１（Ｄ）に示すように、１６個の光電変換素子６２が、縦４個×横４個で並べられて配置されている。また、光電変換チップ６０は、１６個の光電変換素子６２の出力端子である複数の端子６４を備えている。図１（Ｄ）は、封止部９０を省略して示したセンサブロック５０の底面図である。
【００２７】
光電変換素子６２は、赤外線等の特定波長の光を透過する半導体基板と、半導体基板の裏面側に形成された受光部と、を備えている。半導体基板としては、例えばＧａＡｓ基板が用いられる。また、ＧａＡｓ基板の他に、例えば、Ｓｉ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、Ｇｅなどの半導体基板、若しくは、ＧａＮ、ＡｌＮ、サファイヤ基板、ガラス基板などの基板が用いられてもよい。光電変換素子６２は、光透過性を有する半導体基板がセンサブロック５０のレンズブロック１０側でセンサブロック５０から露出するように配置されている。これにより、光電変換チップ６０に入射した赤外線等の特定波長の光は、光電変換素子６２の半導体基板の上面（受光面６０ａ）から裏面（不図示）に透過して、半導体基板裏面に形成された受光部で受光される。光電変換素子６２は、入射した光（赤外光）に応じた信号を出力するものである。信号の取り出し方としては電流出力でもよいし、電圧出力であってもよい。
【００２８】
光電変換素子６２には、視野角内の温度の絶対量に応じた信号を出力するものと、視野角内の温度の変化量に応じた信号を出力するものが存在する。前者の例としては量子型赤外線センサ素子などが挙げられ、後者の例としては焦電型赤外線センサ素子などが挙げられる。視野角内の温度の絶対量に応じた信号を出力する赤外線受光素子の方が、視野角内の温度の変化量に応じた信号を出力する赤外線受光素子に比べて、より多くの情報を出力するため、視野角内の温度の絶対量に応じた信号を出力する赤外線受光素子が好適に用いられている。量子型赤外線センサ素子の具体的な構成としては、ＰＮまたはＰＩＮ接合を有する半導体積層部を有するものが挙げられる。ＰＮまたはＰＩＮ接合を有する半導体積層部の具体例としては、インジウムおよびアンチモンを含む化合物半導体層を用いるものなどが挙げられる。冷却機構なく室温動作可能なものとする観点から、半導体積層部の一部にバンドギャップの大きいバリア層を設けることが好ましい。バンドギャップの大きいバリア層の一例としては、ＡｌＩｎＳｂが挙げられる。
【００２９】
上述したように、複数の光電変換素子は、それぞれ、第一導電型及び第二導電型（Ｐ型又はＮ型）の半導体層が積層された半導体積層部を備えている。このため、光電変換素子６２は、入射した光に応じた信号を取り出すために、第一導電型及び第二導電型の端子を備えている。すなわち、一つの光電変換素子６２に対して、二つの端子が必要となる。例えば、光電変換チップ６０は、１６個の光電変換素子６２を有しており、１６個の第一導電型の端子と１６個の第二導電型の端子の合計３２個の端子６４が必要となる。一方、光電変換チップ６０は、１６個の光電変換素子６２のそれぞれから信号を取り出すための端子の一部（例えば第二導電型の端子）を共通化させることにより、本来必要な端子よりも少ない数の端子６４を備える構成にしてもよい。例えば、上述した１６個の光電変換素子６２と接続される１６個の第二導電型の端子を１つの端子に共通化させることができる。この場合、第一導電型の端子１６個及び第二導電型の端子１個の合計１７個の端子６４を設けることができる。図１（Ｄ）に示すように、本実施形態の光電変換チップ６０は、信号強さが落ちるデメリットがあるが、更に端子数を減らすことを目的として、１６個の光電変換素子６２と接続される端子を共通化させて８個の端子６４を備える例を示している。光電変換チップ６０では、一方向に並ぶ４個の光電変換素子６２の第一導電型の端子それぞれを共通化させて一端子とし、第二導電型の端子それぞれを共通化させて一端子としている。同様にして、４個の光電変換素子６２の群毎に一つの第一導電型の端子と一つの第二導電型の端子を設ける。これにより、光電変換チップ６０では、４個の光電変換素子６２の群を４列備えていることから、第一導電型の端子及び第二導電型の端子を４個ずつ、合計８個の端子６４が設けられている。すなわち、端子６４のそれぞれは、複数の光電変換素子６２の端子を兼用している。
端子は、金属製のワイヤ等で形成された導体８０により、外部接続端子とそれぞれ電気的に接続されている。
【００３０】
（外部接続端子）
外部接続端子７０は、図示しない回路基板等との電気的接続を図るために、一部が封止部９０から露出して配置されている。本実施形態では、図１（Ｃ）に示すように、外部接続端子７０として１６個の外部接続端子７０ａ〜７０ｐが、矩形状のセンサブロック５０の各辺に４個ずつ並べられて、光電変換チップ６０を取り囲むように配置されている。外部接続端子７０は、例えば銅（Ｃｕ）により形成されており、外面にニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）及び金（Ａｕ）のめっきを順に施した積層めっきやすず（Ｓｎ）めっきが施されていることが好ましい。
【００３１】
図１（Ｃ）に示すように、外部接続端子７０は、センサブロック５０底面の外周近傍において封止部９０から露出している。また、図１（Ｄ）に示すように、外部接続端子７０は、センサブロック５０の底面側の一部（光電変換チップ６０に近い部分）がハーフエッチングされ、厚みが薄く形成されている。図１（Ｄ）中、外部接続端子７０のハーフエッチング部を斜線で示す。導体８０は、外部接続端子７０のハーフエッチング部に接続されている。本実施形態のセンサブロック５０では、８個の端子６４と接続された８本の導体８０が、８個の外部接続端子７０（７０ｃ〜７０ｊ）に接続された例を示している。すなわち、センサブロック５０において実質的に外部接続用の端子として機能する端子は、外部接続端子７０ｃ〜７０ｊとなる。
【００３２】
（封止部）
封止部９０（第一封止部材の一例）は、光電変換チップ６０を露出させるように光電変換チップ６０の側面を覆っている。封止部９０は、樹脂材料で構成されており、光電変換チップ６０の受光面６０ａを露出させるように、光電変換チップ６０の側面を覆っている。なお、封止部９０は、半導体基板を介して受光部に赤外線等の光が入射できるように形成されていれば良く、光電変換チップ６０のどの面を覆っているかは特に制限されない。例えば、封止部９０は、光電変換チップ６０の側面の一部を覆っていなくてもよい。
【００３３】
封止部９０としては、量産性、機械強度等の観点から、樹脂材料を用いることが好ましい。封止部９０は、例えば一般的な半導体デバイスで使われるエポキシ樹脂等の樹脂材料で形成される。また、封止部９０を構成する材料は、エポキシ樹脂等の樹脂材料の他にフィラーや不可避的に混在する不純物などを含んでいてもよい。フィラーとしては、シリカやアルミナ等が好適に用いられる。フィラーの混合量は、封止部９０を構成する材料中、５０体積％以上９９体積％以下であることが好ましく、７０体積％以上９９体積％以下であることがより好ましく、８５体積％以上９９体積％以下であることがさらに好ましい。
【００３４】
（接続部材）
接続部材１は、例えば熱硬化型樹脂等の樹脂材料で構成されており、センサブロック５０とレンズブロック１０とを接続する。接続部材１は、例えばセンサブロック５０の光電変換チップ６０が露出する領域の外側に設けられる。これにより、接続部材１は、レンズブロック１０の凹部１２が光電変換チップ６０を覆うようにしてセンサブロック５０とレンズブロック１０とを接続することができる。
【００３５】
図１（Ｂ）に示すように接続部材１は、センサブロック５０の上面５０ａ（レンズブロック１０との対向面）の一部に、対向面の周方向の一部に設けられ、センサブロック５０とレンズブロック１０との間に空隙を形成した状態で、センサブロック５０とレンズブロック１０とが接続されていてもよい。光デバイス１００が高温環境下に晒された場合、センサブロック５０とレンズブロック１０とで区画された凹部１２内の空気が膨張する。センサブロック５０とレンズブロック１０との間に空隙が形成されることで、膨張した空気が凹部１２から空隙を介して排出されるため好ましい。特に、接続部材１として熱硬化型樹脂を用いた場合には、接続部材１の硬化時にセンサブロック５０とレンズブロック１０とが非常に高温な環境下に晒されるため、センサブロック５０とレンズブロック１０との間に空隙が形成されることがより好ましい。
【００３６】
（光デバイスの製造方法）
以下、本実施形態に係る光デバイス１００の製造方法を図４（Ａ）から図４（Ｆ）及び図５（Ａ）から図５（Ｆ）の工程断面図を用いて説明する。図４（Ａ）から図４（Ｆ）は、レンズブロック１０の形成工程を示している。また、図５（Ａ）から図５（Ｆ）は、センサブロック５０の形成する工程を示している。図４（Ａ）から図４（Ｆ）、図５（Ａ）から図５（Ｆ）では、図１（Ｂ）に示した断面に沿って、各工程を説明する。
【００３７】
（レンズブロックの製造方法）
図４（Ａ）に示すように、まず始めに、耐熱性の粘着シート１１０を用意し、この粘着シート１１０の粘着層にリードフレーム１４０の表面１４０ａを貼り付ける。リードフレーム１４０は、後に切断されて複数のフレーム材４０となる。図４（Ｂ）に示すように、リードフレーム１４０の開口ｈ１内にレンズ２０を配置して、光入射面となるレンズ２０の上面２０ａを粘着シート１１０の粘着層に貼り付ける。
【００３８】
次に、図４（Ｃ）に示すように、リードフレーム１４０の表面１４０ａ側に下金型１２０を配置すると共に、リードフレーム１４０の裏面１４０ｂ側に上金型１３０を配置する。そして、下金型１２０と上金型１３０とによりレンズ２０を挟み込み、下金型１２０と上金型１３０とに挟まれた空間にサイドから溶融したエポキシ樹脂等の樹脂材料を注入し、充填後、硬化する。これにより、封止部３０を形成する。図４（Ｃ）に示すように、例えば上金型１３０の下側の面は断面視で凹凸形状となっており、凸部１３０ａがフッ素樹脂等で構成された樹脂シート１５０を介してレンズ２０と対向している。この凸部１３０ａによって、図４（Ｄ）に示すように、レンズブロック１０に凹部１２が形成される。
【００３９】
図４（Ｄ）に示すように、レンズ２０及びリードフレーム１４０を封止した封止部３０を、下金型１２０及び上金型１３０間から取り出す。リードフレーム１４０の表面１４０ａ側から粘着シート１１０を除去する。粘着シート１１０の除去後、必要に応じてポストキュアを施す。
【００４０】
図４（Ｅ）に示すように、封止部３０の裏面側にダイシングテープ１６０を貼り付け、ダイシング装置によりダイシングして個片化する。以上により、図４（Ｆ）に示すように、封止部３０及びリードフレーム１４０が個々のセンサブロックに切り離されて、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すレンズブロック１０が完成する。
【００４１】
（センサブロックの製造方法）
図５（Ａ）に示すように、まず始めに、耐熱性の粘着シート１８０を用意する。次に、この粘着シート１８０の粘着層に、Ｎｉ、Ｐｄ及びＡｕを順に外装めっきした銅製のリードフレーム１７０の表面１７０ａを貼り付ける。なお、粘着シート１８０としては、粘着シート１１０と同様のテープを用いることができる。
【００４２】
次に、図５（Ｂ）に示すように、リードフレーム１７０が有する貫通した開口ｈ２内に複数の光電変換素子６２がマトリクス状に配置された光電変換チップ６０を配置する。このとき、光電変換チップ６０の受光面６０ａを粘着シート１８０の粘着層に貼り付ける。次に、図５（Ｃ）に示すように、光電変換チップ６０とリードフレーム１７０との間をそれぞれ導体８０を用いて接続する。
【００４３】
次に、図５（Ｄ）に示すように、リードフレーム１７０の表面１７０ａ側に下金型１９０を配置すると共に、リードフレーム１７０の裏面１７０ｂ側に上金型２００を配置する。そして、下金型１９０と上金型２００とによりリードフレーム１７０を挟み込み、下金型１９０と上金型２００とに挟まれた空間内にサイドから溶融したエポキシ樹脂等を注入し、充填する。これにより、封止部９０を形成する。なお、封止部９０の材料としては、レンズブロック１０の封止部３０と同様の材料を用いることができる。
【００４４】
次に、下金型１９０及び上金型２００をそれぞれ移動させて、図５（Ｅ）に示すように、封止部９０が形成されたリードフレーム１７０を両金型間から取り出す。そして、リードフレーム１７０の表面１７０ａ側から粘着シート１８０を除去する。粘着シート１８０の除去後、封止部９０をより硬化させるためのポストキュアを施す。その後、封止部９０及びリードフレーム１７０を図示しないダイシングテープに貼り付け、ダイシング装置によりダイシングして個片化する。以上により、図５（Ｆ）に示すように、封止部９０及びリードフレーム１７０が個々のセンサブロックに切り離されて、図１（Ｂ）等に示したセンサブロック５０が完成する。
【００４５】
（レンズブロック及びセンサブロックの接続方法）
レンズブロック１０とセンサブロック５０とは以下のようにして接続される。まず、センサブロック５０の上面５０ａに、例えば接着剤である熱硬化型樹脂を塗布する。接着剤を塗布する領域は光電変換チップ６０以外の領域であればよく、例えばセンサブロック５０の光電変換チップ６０が露出する領域の外側に設けられる。接着剤が塗布されたセンサブロック５０の上面５０ａに、レンズブロック１０の裏面側（凹部５０形成側）を接触させる。このあと、例えば熱処理を施して接着剤を硬化させる。
以上により、レンズブロック１０とセンサブロック５０とを接続して、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）に示す光デバイス１００が完成する。
【００４６】
（第一実施形態の効果）
（１）本実施形態の光デバイス１００では、レンズブロック１０を、一方の面がレンズ面として加工された板状のレンズ２０と、レンズ２０の側面２０ｃを覆う樹脂製の封止部３０とで構成している。このため、レンズ２０の形成が容易である。このため、光電変換チップ６０と一定の焦点距離（例えば１ｍｍ以上）の深さを有する凹部１２の形成が容易に精度良くできる。また、凹部１２形成時に、シリコン等を切削加工する必要がなく、材料を有効に利用することができる。
【００４７】
（２）本実施形態の光デバイス１００では、樹脂成形により成型された封止部３０によって、レンズブロック１０の凹部１２の側壁１２ｂを構成することができる。封止部３０を金型を用いて成型することにより、光電変換チップ６０からレンズ２０までの焦点距離を正確に形成することができる。また、凹部１２の側壁部として機能する封止部３０の一部分を所定の高さで形成することができるため、レンズ２０が光電変換チップ６０に対して斜めに配置されることがない。
【００４８】
（３）本実施形態の光デバイス１００では、放射率の小さい材料からなるフレーム材４０を備えていても良い。この場合、測定対象物からレンズブロック１０の外表面に向けて出力された赤外線が、放射率の小さいフレーム材４０によって反射され、レンズブロック１０の温度変化（温度上昇）が抑制される。このため、センサブロック５０がレンズブロック１０の温度変化に伴う赤外線量の変動を検出することを防止し、視野角内の赤外線量を精度よく定量することが可能になる。
【００４９】
（変形例）
（１）本実施形態では、レンズブロック１０の凹部１２の底面１２ａの形状が円形状、すなわち凹部１２の形状が円錐台形状である場合について説明したが、凹部１２の形状はこれに限られない。例えば、レンズブロック１０の凹部１２の底面の形状が四角錐台形状であり、凹部１２の形状が四角錐台形状となっていても良い。凹部１２の形状を四角錐台形状に形成する場合には、封止部３０を形成する際に、光出射面となるレンズ２０の下面２０ｂに樹脂材料が滲んだり、図４（Ｃ）に示す樹脂シート１５０が上金型１３０の凸部１３０ａの角部で破れやすくなる場合がある。このため、凹部１２の形状を四角錐台形状に形成する場合には、封止部３０を、内壁３２の斜面の広がりが大きい形状、例えば、凹部１２の底面１２ａと側壁１２ｂとのなす角度が１２０°以上等に形成することがより好ましい。
【００５０】
（２）本実施形態では、レンズブロック１０の凹部１２の底面１２ａの形状が円形状であり、底面１２ａの全面がレンズ２０の下面２０ｂで形成される場合について説明したが、レンズブロック１０の構成はこれに限られない。例えば、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示すように、レンズブロック２１０の凹部２１２の底面２１２ａよりも外形が小さい矩形状のレンズ２２０を用い、円形状の底面２１２ａの一部が矩形状のレンズ２２０で形成され、円形状の底面２１２ａの残りの部分が封止部２３０で形成されていてもよい。なお、図６（Ａ）はレンズブロック２１０の平面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＶＩＢ断面を示す断面図であり、図６（Ｃ）は、レンズブロック２１０の底面図である。この場合、矩形状のレンズ２２０は、平面視において底面２１２ａの外周と所定の距離を置いて配置されていることが好ましい。凹部２１２の底面２１２ａの外周とレンズ２２０の角部とが接している場合、封止部２３０の形成時に溶融した樹脂がレンズ２２０の下面２２０ｂに滲みやすくなる。レンズ２２０を、底面２１２ａの外周と所定の距離を置いて配置することで、上述した樹脂滲みを抑制し、赤外光等の光の出射面の面積が小さくなり受光効率が低下する事を防止することができる。
【００５１】
（３）図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示すレンズブロック２１０では、凹部２１２の底面２１２ａの形状が円形状であったが、図７に示すように、レンズブロック３１０の凹部３１２の底面３１２ａの形状が矩形状であっても良い。この場合、矩形状の底面３１２ａの一部が矩形状のレンズ３２０で形成され、底面３１２ａの残りの部分が封止部３３０で形成される。矩形状のレンズ３２０は、図６に示すレンズブロック２１０と同様に、平面視において底面３１２ａの外周と所定の距離を置いて配置されていることが好ましい。なお、図７は、レンズブロック３１０の底面図である。
【００５２】
（４）図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示すレンズブロック２１０では、凹部２１２の底面２１２ａ側において、レンズ２２０と封止部２３０とが同一平面上に（すなわちレンズ２２０の表面と封止部２３０の表面とが面一で）形成されていたが、このような構成に限られない。例えば、図８に示すレンズブロック４１０のように、凹部４１２の底面４１２ａの一部がレンズ４２０で形成され、底面４１２ａの残りの部分が封止部４３０で形成されており、かつ封止部４３０は、レンズ４２０の下面４２０ｂの周囲に溝部４３２を有していても良い。なお、図８は、レンズブロック４１０の断面図である。さらに、図９に示すレンズブロック４１０のように、凹部４１２の底面４１２ａの一部がレンズ４２０で形成され、底面４１２ａの残りの部分が封止部４３０で形成されており、底面４１２ａの残りの部分の封止部４３０全体が溝部４３２となっていてもよい。この様な構成にすることで、さらに樹脂滲みを抑制し、レンズ４２０側面からの光の透過を防ぎ、レンズ４２０側面を封止部４３０でより強固に保持することが可能となる。なお、図９は、レンズブロック４１０の他の構成例を示す断面図である。図９では、図８と共通の部分には同一の符号を用いて説明している。
【００５３】
封止部４３０を形成する際に、例えば図４（Ｃ）に示すような樹脂シート１５０が上金型１３０の凸部１３０ａでレンズ４２０に押し当てられた場合、レンズ４２０の近傍（レンズ４２０の周囲の底面１２ａや、底面１２ａから側壁１２ｂの半分以下の高さの側壁１２ｂの領域）の樹脂シート１５０が変形する場合がある。具体的には、凸部１３０ａが、平面視で凸部１３０ａよりも外形の小さいレンズ４２０に押し当てられた場合、樹脂シート１５０のうち、凸部１３０ａとレンズ４２０とに挟まれた部分は大きく圧縮される。また、樹脂シート１５０のうち、レンズ４２０の外周部分は、レンズ４２０による樹脂シート１５０への押圧がないため、凸部１３０ａとレンズ４２０とに挟まれた部分と比較して下金型１２０方向に厚みを持った形状となる。このため、その状態で樹脂成形を行うことにより、封止部４３０は、レンズ４２０の下面４２０ｂの周囲に、樹脂シート１５０の形状に沿った溝部４３２が形成される。このようなレンズブロック４１０では、レンズ４２０と上金型１３０との密着度が高く、また、レンズ４２０の周囲で樹脂シート１５０が厚くなるため、レンズ４２０と上金型１３０との間に溶融樹脂が滲みにくくなる。このため、レンズ４２０の下面４２０ｂが樹脂で覆われず、レンズ４２０に入射した光の出射が遮られることを抑制することができる。
【００５４】
（５）本実施形態では、図２（Ｂ）に示すように、レンズブロック１０の凹部１２の底面１２ａの全面がレンズ２０で形成されている。また、凹部１２の側壁１２ｂは、凹部１２の底面１２ａ（レンズ２０の下面２０ｂ）から開口面に向かって凹部１２の径が徐々に大きくなるように、底面１２ａに対して傾斜している。すなわち、図２（Ｂ）に示すように、封止部３０の内壁３２の壁面は、断面視において、直線形状を有している。しかしながら、封止部３０の内壁３２の形状はこのような形状に限られない。
例えば図１０（Ａ）に示すように、レンズブロック５１０の封止部５３０の内壁５３２は、レンズ５２０の近傍で、凹部５１２に対して断面視で曲線状に突出する突出部５３２ａを有していても良い。また、図１１（Ａ）に示すように、内壁５３２は、レンズ５２０の近傍で、凹部５１２に対して断面視で曲線状に窪んだ凹部５３２ｂを有していてもよい。ここで、「断面視で曲線状」とは、内壁５３２のレンズ５２０近傍からセンサブロック５０側端部にかけて内壁５３２が曲面となっていることをいう。突出部５３２ａ又は凹部５３２ｂは、後述するように、封止部５３０形成時の樹脂シート１５０の変形に応じた形状に形成される。また、封止部５３０のセンサブロック５０と対向する面５３４と内壁５３２とが、曲面５３６によって連続的に形成されていてもよい。ここで、図１０（Ａ）は、内壁５３２のレンズ５２０の近傍において突出部５３２ａを備えるレンズブロック５１０を示す。また、図１１（Ａ）は、内壁５３２のレンズ５２０の近傍において凹部５３２ｂを備えるレンズブロック５１０を示す。
【００５５】
図１０（Ｂ）は、封止部５３０を形成する際の工程を示す。図１０（Ｂ）に示すように、樹脂シート１５０が上金型１３０の凸部１３０ａでレンズ５２０に押し当てられ、レンズ５２０近傍の樹脂シート１５０が変形する場合がある。具体的には、図１０（Ｂ）に示すように、凸部１３０ａが、平面視で凸部１３０ａよりも外形の大きいレンズ５２０に押し当てられた場合、樹脂シート１５０のうち、凸部１３０ａとレンズ５２０とに挟まれた部分は大きく圧縮される。また、凸部１３０ａの外周部分では、樹脂シート１５０がレンズ５２０に沿うように変形する。このため、その状態で樹脂成形を行うことにより、封止部５３０は、内壁５３２のレンズ５２０の近傍に、凹部５１２に対して断面視で曲線状に突出する突出部５３２ａを有する形状に形成される。
【００５６】
また、封止部５３０を形成する際に、例えば図１１（Ｂ）に示すように、樹脂シート１５０が上金型１３０の凸部１３０ａの根本部分において、曲率を持った形状で上金型１３０に沿う場合がある。このため、樹脂シート１５０を用いて封止部５３０を形成した場合には、図１１（Ｂ）に示すように、内壁５３２の凸部１３０ａの根本部分に対向する部分は、樹脂シート１５０の形状に沿った曲線状に形成される。このようなレンズブロック５１０では、製造過程においてレンズ５２０と上金型１３０との密着度が高いと、レンズ５２０と上金型１３０との間に溶融樹脂が滲みにくくなる。レンズ５２０と上金型１３０との密着度を高めると、レンズブロック５１０には曲線状の変形である凹部５３２ｂが生じる。このため、凹部５３２ｂを備えるレンズブロック５１０は、レンズ５２０の下面５２０ｂが溶融樹脂で覆われておらず、レンズ５２０に入射した光の出射が遮られることを抑制することができる。
【００５７】
（６）本実施形態では、赤外光等の光を受光する赤外線センサとしての光デバイスについて説明したが、光デバイスはこのような構成に限られない。例えば、光デバイスは、光電変換チップが赤外光等の光を発光する発光素子を有しており、光電変換ブロックの発光素子を覆うようにレンズブロックが接続された赤外線発光デバイスであっても良い。
【００５８】
２．第二実施形態以下、本発明の第二実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図１〜図５を参照しつつ、図１２（Ａ）〜図１２（Ｄ）を用いて、第二実施形態に係る光デバイス６００の構成を説明する。図１２（Ａ）は、光デバイス６００の一構成例を示す平面図、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）でＸＢ−ＸＢ線で示す光デバイス６００の一構成例を示す断面図である。また、図１２（Ｃ）は、光デバイス６００の一構成例を示す底面図であり、図１２（Ｄ）は、底面から見たセンサブロック６５０の各部の配置及び構成を示す概略図である。
【００５９】
（光デバイスの構成）
光デバイス６００は、図１２（Ａ）〜図１２（Ｄ）に示すように、レンズブロック１０と、センサブロック６５０と、センサブロック６５０と電気的に接続されたＩＣブロック６１０とを備える。光デバイス６００は、レンズブロック１０と、センサブロック６５０と、ＩＣブロック６１０とが積層されて配置されている。レンズブロック１０とセンサブロック６５０とは、例えば熱硬化型樹脂等からなる接続部材１により接続される。また、センサブロック６５０とＩＣブロック６１０とは、導電ペースト２により接続される。センサブロック６５０とＩＣブロック６１０とは、電気的にも接続される。光デバイス６００では、センサブロック６５０が光電変換チップ６０に入射した光（赤外光）に応じた信号を出力し、ＩＣブロック６１０においてセンサブロック６５０から出力された信号を信号処理する。ＩＣブロック６１０で処理された信号は、ＩＣブロック６１０と接続された図示しない回路基板に対して出力される。
以下、光デバイス６００を構成する各部について説明する。
【００６０】
（レンズブロック）
レンズブロック１０は、第一実施形態に係る光デバイス１００のレンズブロック１０と同様の構成であるため、説明を省略する。
【００６１】
（センサブロック）
センサブロック６５０は、光電変換チップ６０と、光電変換チップ６０の周囲に配置された複数の接続端子６７０、光電変換チップ６０と接続端子６７０とを電気的に接続する導体８０、及び光電変換チップ６０の受光面６０ａを露出させるように、光電変換チップ６０の側面及び底面を覆う封止部９０とを備えている。センサブロック６５０は、外部接続端子７０に代えてＩＣブロック６１０と接続可能な形状を有する接続端子６７０を有している以外は、一実施形態に係る光デバイス１００のセンサブロック５０と同様の構成である。このため、接続端子６７０以外の各部については説明を省略する。
【００６２】
接続端子６７０は、ＩＣブロック６１０との電気的接続を図るために、センサブロック６５０の少なくともＩＣブロック６１０側の面において封止部９０から露出して配置されている。本実施形態では、図１２（Ｄ）に示すように、接続端子６７０として１６個の接続端子６７０ａ〜６７０ｐが、矩形状のセンサブロック６５０の各辺に４個ずつ並べられて、光電変換チップ６０を取り囲むように配置されている。図１２（Ｄ）は、封止部９０を省略して示したセンサブロック６５０の底面図である。接続端子６７０は、例えば銅（Ｃｕ）により形成されており、外面にニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）及び金（Ａｕ）のめっきを順に施した積層めっきやスズ（Ｓｎ）めっきが施されていることが好ましい。
【００６３】
図１２（Ｄ）に示すように、接続端子６７０は、センサブロック６５０底面の外周近傍において封止部９０から露出している。また、接続端子６７０は、センサブロック６５０の底面側の一部がハーフエッチングされ、厚みが薄く形成されている。図１２（Ｄ）中、接続端子６７０のハーフエッチング部を斜線で示す。導体８０は、外部接続端子６７０のハーフエッチング部のうち光電変換チップ６０に近い部分に接続されている。本実施形態のセンサブロック６５０では、光電変換チップ６０の８個の端子６４と接続された８本の導体８０が、８個の外部接続端子６７０（６７０ｃ〜６７０ｊ）に接続された例を示している。すなわち、センサブロック６５０において実質的に外部接続用の端子として機能する端子は、外部接続端子６７０ｃ〜６７０ｊとなる。なお、図１２（Ｄ）では、接続端子６７０の光電変換チップ６０に近い部分及びセンサブロック６５０の側面に近い部分にハーフエッチング部が形成されているが、ハーフエッチング部の形成領域はこれに限られない。センサブロック６５０から露出する接続端子６７０の非エッチング部は、ＩＣブロックの接続ビア６４０と対向する位置に形成されていればよい。
【００６４】
（ＩＣブロック）
ＩＣブロック６１０は、チップ状の信号処理ＩＣ６２０と、信号処理ＩＣ６２０と電気的に接続された再配線層６３０と、センサブロック６５０と信号処理ＩＣ６２０とを電気的に接続する接続ビア６４０とを備えている。また、ＩＣブロック６１０は、信号処理ＩＣ６２０、再配線層６３０の一方の面及び接続ビア６４０の側面を封止する封止部６６０と、再配線層６３０と電気的に接続された外部接続端子６８０とを備えている。
【００６５】
（信号処理ＩＣ）
信号処理ＩＣ６２０は、上面及び側面が封止部６６０で覆われており、底面が再配線層６３０と接している。信号処理ＩＣ６２０は、再配線層６３０及び接続ビア６４０を介してセンサブロック６５０と電気的に接続されており、センサブロック６５０の光電変換チップ６０からの電流又は電圧等の信号を検出する検出回路や、当該信号を処理する信号処理回路等の回路を含む。また、信号処理ＩＣ６２０は、再配線層６３０と電気的に接続されており、処理された信号を再配線層６３０、外部接続端子６８０を介して図示しない回路基板に出力する。
【００６６】
（再配線層）
再配線層６３０は、信号処理ＩＣ６２０及び封止部６６０の下側の面に形成されている。再配線層６３０は、一層又は複数層の絶縁層と、信号処理ＩＣ６２０と電気的に接続され、絶縁層上又は複数層の絶縁層間に設けられた再配線と、再配線と電気的に接続され外部接続端子６８０を設けるためのパッド（図示せず）とを備えている。再配線層６３０は、一般的な工程で形成され、再配線により、接続ビア６４０と信号処理ＩＣ６２０、及び信号処理ＩＣ６２０と外部接続端子６８０が接続されていればどのような構成でもよい。
【００６７】
絶縁層は、反りが小さく、再配線との接合性に優れ、耐熱性の高い材料により形成され、具体的にはポリイミド等の樹脂材料により形成される。再配線は、例えば下地層及び導体層を有している。下地層は、例えば無電解めっき又はスパッタリングにより形成される。下地層は、例えば銅（Ｃｕ）により形成される。導体層は、下地層を電極として電気めっきにより形成する。導体層は、例えば銅（Ｃｕ）により形成される。
パッドは、外部接続端子６８０を再配線と接続するために設けられ、例えばＮｉ層とＡｕ層との積層膜により形成されている。
【００６８】
（封止部）
封止部６６０は、樹脂材料で構成されており、信号処理ＩＣ６２０の上面及び側面を覆っている。また、封止部６６０が信号処理ＩＣ６２０の上面及び側面を覆うことにより、信号処理ＩＣ６２０の下面が再配線層６３０に対して露出する。また、信号処理ＩＣ６２０の上面側の樹脂を研磨によって削り、信号処理ＩＣ６２０の上面を露出させてもよい。信号処理ＩＣ６２０の上面を露出させることで、信号処理ＩＣ６２０が封止部６６０の樹脂材料の応力の影響を受けにくい構造にすることができる。
封止部６６０は、封止部９０と同様の材料により形成される。
【００６９】
（接続ビア）
図１２（Ｂ）に示すように、接続ビア６４０は、封止部６６０を貫通する貫通孔６６２内に、例えば銅（Ｃｕ）等の導体を埋め込んで形成されたスルーモールドビア（ＴＭＶ：Through Mold Via）である。接続ビア６４０は、センサブロック６５０の接続端子６７０の非エッチング部と対向する位置に形成される。接続ビア６４０は、下面に再配線層６３０を形成後の封止部６６０に、封止部６６０の上面から再配線層６３０と対向する封止部６６０の下面まで貫通する貫通孔６６２を設け、貫通孔６６２内に電気めっき等により銅（Ｃｕ）充填層を形成することにより形成される。
【００７０】
（外部接続端子）
外部接続端子６８０は、再配線層６３０のパッドと接しており、信号処理ＩＣ６２０と電気的に接続されている。外部接続端子６８０は、例えば、はんだボールである。光デバイス６００を図示しない回路基板に実装する際には、外部接続端子６８０のそれぞれが回路基板の所定位置に接するように配置する。このあと、リフローにより外部接続端子６８０を加熱後冷却することにより、光デバイス６００と回路基板とをはんだ付けする。
【００７１】
（第二実施形態の効果）
第二実施形態に係る光デバイス６００では、第一実施形態における効果（１）（２）に加えて、以下の効果を有する。
（１）本実施形態の光デバイス６００では、レンズブロック１０、センサブロック６５０及びＩＣブロック６１０が積層されている。このため、検出回路や、信号処理回路等の回路を備えるＩＣブロック６１０を有していながら小型な光デバイス６００を得ることができる。
【００７２】
３．第三実施形態以下、本発明の第三実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図１〜図５、図１２（Ａ）〜図１２（Ｄ）を参照しつつ、図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）を用いて、第三実施形態に係る光デバイス７００の構成を説明する。図１３（Ａ）は、光デバイス７００の一構成例を示す平面図、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）でＸＩＢ−ＸＩＢ線で示す光デバイス７００の一構成例を示す断面図である。また、図１３（Ｃ）は、光デバイス７００の一構成例を示す底面図であり、図１３（Ｄ）は、底面から見たセンサブロック７５０の各部の配置及び構成を示す概略図であり、再配線層７３０の再配線７３１と、再配線層７３０を透過した状態のセンサブロック７５０の底面を示している。
【００７３】
（光デバイスの構成）
光デバイス７００は、図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）に示すように、レンズブロック１０と、光電変換チップ６０及び信号処理ＩＣ６２０を有するセンサブロック７５０とを備える。光デバイス７００は、レンズブロック１０と、センサブロック７５０とが積層されて配置されている。レンズブロック１０とセンサブロック７５０とは、例えば熱硬化型樹脂等からなる接続部材１により接続される。光デバイス７００では、センサブロック７５０の光電変換チップ６０に入射した光（赤外光）に応じた信号を信号処理ＩＣ６２０に出力し、信号処理ＩＣ６２０において光電変換チップ６０から出力された信号を信号処理する。信号処理ＩＣ６２０で処理された信号は、信号処理ＩＣ６２０と電気的に接続された図示しない回路基板に対して出力される。すなわち、光デバイス７００は、第一実施形態のセンサブロック５０に代えてセンサブロック７５０を備える点で相違する。このため、センサブロック７５０以外の構成については説明を省略する。
【００７４】
（センサブロック）
センサブロック７５０は、光電変換チップ６０と、信号処理ＩＣ６２０と、信号処理ＩＣ６２０と電気的に接続された再配線層７３０とを備えている。また、センサブロック７５０は、光電変換チップ６０、信号処理ＩＣ６２０及び再配線層７３０の一方の面を封止する封止部７６０と、信号処理ＩＣ６２０と電気的に接続された外部接続端子６８０とを備えている。すなわち、センサブロック７５０は、第二実施形態のＩＣブロック６１０が、さらに光電変換チップ６０を備え、且つ接続ビア６４０を除去した構成である。
【００７５】
（光電変換チップ）
光電変換チップ６０は、第一実施形態に係る光デバイス１００のセンサブロック５０が有する光電変換チップ６０と同様の構成であるため、説明を省略する。
【００７６】
（信号処理ＩＣ）
信号処理ＩＣ６２０は、第二実施形態の光デバイス６００のＩＣブロック６１０が有する信号処理ＩＣ６２０と同様の構成であるため、説明を省略する。
【００７７】
（再配線層）
再配線層７３０は、第二実施形態の光デバイス６００のＩＣブロック６１０が有する再配線層６３０とほぼ同様の構成である。図１３（Ｄ）に示すように、再配線層７３０は、再配線７３１が、接続ビア６４０と信号処理ＩＣ６２０とを電気的に接続する代わりに光電変換チップ６０と信号処理ＩＣ６２０とを電気的に接続する点で再配線層６３０と相違する。
【００７８】
（封止部）
封止部７６０は、樹脂材料で構成されており、光電変換チップ６０の側面、並びに信号処理ＩＣ６２０の上面及び側面を覆っている。また、封止部７６０が光電変換チップ６０の側面を覆うことにより、光電変換チップ６０の下面が再配線層７３０に対して露出する。また、封止部７６０は、光電変換チップ６０と同様に、信号処理ＩＣ６２０の上面を露出させてもよい。信号処理ＩＣ６２０の上面を露出させることで、信号処理ＩＣ６２０が封止部７６０の樹脂材料の応力の影響を受けにくい構造にすることができる。
封止部７６０は、封止部９０と同様の材料により形成される。
【００７９】
（第三実施形態の効果）
第三実施形態に係る光デバイス７００では、第一実施形態における効果（１）（２）に加えて、以下の効果を有する。
（１）本実施形態の光デバイス７００では、レンズブロック１０と、光電変換チップ６０及び信号処理ＩＣ６２０を有するセンサブロック７５０とが積層されている。このため、検出回路や、信号処理回路等の回路を備える信号処理ＩＣ６２０を有していながら薄型な光デバイス７００を得ることができる。
【００８０】
４．第四実施形態以下、本発明の第四実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図１〜図５、図１２〜図１２（Ｄ）、図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）を参照しつつ、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）を用いて、第四実施形態に係る光デバイス８００の構成を説明する。図１４（Ａ）は、光デバイス８００の一構成例を示す平面図、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）でＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線で示す光デバイス８００の一構成例を示す断面図である。また、図１４（Ｃ）は、光デバイス８００の一構成例を示す底面図であり、図１４（Ｄ）は、図１４（Ａ）でＸＩＩＤ−ＸＩＩＤ線で示す光デバイス８００の一構成例を示す断面図である。
【００８１】
（光デバイスの構成）
光デバイス８００は、図１４（Ａ）〜図１４（Ｄ）に示すように、レンズブロック１０と、光電変換チップ８６０及び信号処理ＩＣ６２０を有するセンサブロック８５０とを備える。光デバイス８００は、レンズブロック１０と、センサブロック８５０とが積層されて配置されている。レンズブロック１０とセンサブロック８５０とは、例えば熱硬化型樹脂等からなる接続部材１により接続される。光デバイス８００では、センサブロック８５０の光電変換チップ８６０に入射した光（赤外光）に応じた信号を信号処理ＩＣ６２０に出力し、信号処理ＩＣ６２０において光電変換チップ８６０から出力された信号を信号処理する。信号処理ＩＣ６２０で処理された信号は、信号処理ＩＣ６２０と電気的に接続された図示しない回路基板に対して出力される。すなわち、光デバイス８００は、第一実施形態のセンサブロック５０に代えてセンサブロック８５０を備える点で相違する。このため、センサブロック８５０以外の構成については説明を省略する。
【００８２】
（センサブロック）
センサブロック８５０は、光電変換チップ８６０と、光電変換チップ８６０と電気的に接続され、リードフレーム８３０上に配置された信号処理ＩＣ６２０とを備える。また、センサブロック８５０は、光電変換チップ８６０、信号処理ＩＣ６２０及びリードフレーム８３０の一部を封止する封止部８９０を備えている。すなわち、センサブロック８５０は、第一実施形態のセンサブロック５０が、さらに信号処理ＩＣ６２０を備え、外部接続端子７０の代わりに、外部接続端子を含むリードフレーム８３０を備えた構成である。
【００８３】
（光電変換チップ）
光電変換チップ８６０は、例えば複数の赤外線受光素子である光電変換素子８６２が平面視で、１素子又は、マトリクス状に配列されたアレイセンサである。本実施形態の光電変換チップ８６０は、図１４（Ｃ）に示すように、９個の光電変換素子８６２が、縦３個×横３個で並べられて配置された例を示している。また、光電変換チップ８６０は、光電変換素子８６２の出力端子である複数の端子８６４を備えている。図１４（ｃ）に示すように、本実施形態の光電変換チップ８６０は、６個の端子８６４を備えている。端子８６４は、導体８０により信号処理ＩＣ６２０と電気的に接続されている。
【００８４】
（信号処理ＩＣ）
信号処理ＩＣ６２０は、光電変換チップ８６０と導体８０により接続されている以外は第二実施形態の光デバイス６００のＩＣブロック６１０が有する信号処理ＩＣ６２０と同様の構成であるため、説明を省略する。
【００８５】
（リードフレーム）
リードフレーム８３０は、例えば銅（Ｃｕ）により形成されており、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）及び金（Ａｕ）のめっきを順に施した積層めっきを形成することにより形成されている。図１４（Ｃ）に示すように、リードフレーム８３０は、貫通した開口ｈ３及びダイパッド８３２を有している。ダイパッド８３２は、フォトリソグラフィ技術により、その一部がダイパッド８３２の下面８３２ｂ側からハーフエッチングされて形成されている。ダイパッド８３２の下面８３２ｂには、信号処理ＩＣ６２０が取り付けられる。リードフレーム８３０の開口ｈ３内には、光電変換チップ８６０が配置されている。また、リードフレーム８３０は、複数の外部接続端子８３４を備えている。本実施形態では、ダイパッド８３２と離間して設けられた８つの外部接続端子８３４（８３４ａ〜８３４ｈ）を備えた例を示している。
【００８６】
リードフレーム８３０の外部接続端子８３４は、ハーフエッチング部と非エッチング部とを備えている。ハーフエッチング部は、外部接続端子８３４の下面８３４ｉからハーフエッチングされて形成されており、信号処理ＩＣ６２０と接続された導体８０が接続されている。外部接続端子８３４の非エッチング部は、センサブロック８５０の下面８５０ｂから露出しており、図示しない回路基板と接続される。また、図１４（Ｄ）に示すように、リードフレーム８３０は、外部接続端子８３４以外の部分においても、センサブロック８５０の下面８５０ｂから露出する非エッチング部８３６を有している。非エッチング部８３６は、信号処理ＩＣ６２０を載置するダイパッド８３２と繋がって、形成されている。非エッチング部８３６は、表面実装により、はんだによって図示しない回路基板と接続されることにより、信号処理ＩＣ６２０で発生した熱を回路基板に放熱する機能を有する。
【００８７】
（第四実施形態の効果）
第四実施形態に係る光デバイス８００では、第一実施形態における効果（１）（２）に加えて、以下の効果を有する。
（１）本実施形態の光デバイス８００では、レンズブロック１０と、光電変換チップ６０及び信号処理ＩＣ６２０を有するセンサブロック８５０とが積層されている。このため、検出回路や、信号処理回路等の回路を備える信号処理ＩＣ６２０を有していながら薄型な光デバイス８００を得ることができる。
（２）また、本実施形態の光デバイス８００では、信号処理ＩＣ６２０が銅（Ｃｕ）等で形成されたリードフレーム８３０上に配置されている。このため、リードフレーム８３０を介して信号処理ＩＣ６２０で発生した熱を放熱することができる。
【００８８】
本発明の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、本発明が目的とするものと均等な効果をもたらす全ての実施形態をも含む。さらに、本発明の範囲は、請求項により画される発明の特徴の組み合わせに限定されるものではなく、全ての開示されたそれぞれの特徴のうち特定の特徴のあらゆる所望する組み合わせによって画されうる。
【符号の説明】
【００８９】
１  接続部材
２  導電ペースト
１０，２１０，３１０，４１０，５１０  レンズブロック
１２，２１２，３１２，５１２  凹部
２０，２２０，３２０，４２０，５２０  レンズ
３０，９０，２３０，３３０，４３０，５３０，６６０，７６０，８９０  封止部
３２  内壁
４０  フレーム材
４２  環状部
４４  接続部
５０，６５０，７５０，８５０  センサブロック
６０，８６０  光電変換チップ
６０ａ  受光面
６２，８６２  光電変換素子
６４，８６４  端子
７０，７０ａ〜７０ｐ，２７０，６８０，８３４，８３４ａ〜８３４ｈ  外部接続端子
８０  導体
１００，６００，７００，８００  光デバイス
３３２，４３２  溝部
６１０  ＩＣブロック
６３０，７３０  再配線層
６４０  接続ビア
６６２  貫通孔
６７０，６７０ａ〜６７０ｐ  接続端子
８３０  リードフレーム
８３２  ダイパッド
８３６  非エッチング部
【図１】
2020060551.tif 000003
【図２】
2020060551.tif 000004
【図３】
2020060551.tif 000005
【図４】
2020060551.tif 000006
【図５】
2020060551.tif 000007
【図６】
2020060551.tif 000008
【図７】
2020060551.tif 000009
【図８】
2020060551.tif 000010
【図９】
2020060551.tif 000011
【図１０】
2020060551.tif 000012
【図１１】
2020060551.tif 000013
【図１２】
2020060551.tif 000014
【図１３】
2020060551.tif 000015
【図１４】
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