(57)【要約】【課題】記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気ヘッドは、磁極と、第１シールドと、磁性層と、第１導電層と、第２導電層と、を含む。前記磁性層は、前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられる。前記第１導電層は、前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。前記第１導電層から前記磁性層への方向は、前記磁極から前記第１シールドへの第１方向と交差する。前記第２導電層は、前記第１導電層と第１シールドとの間の第１位置、及び、前記磁極と前記第１導電層との間の第２位置のいずれかに設けられる。前記第２導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。【選択図】図１
2020042877.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁極と、
第１シールドと、
前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられた磁性層と、
前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられＣｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１導電層であって、前記第１導電層から前記磁性層への方向は、前記磁極から前記第１シールドへの第１方向と交差する前記第１導電層と、
前記第１導電層と第１シールドとの間の第１位置、及び、前記磁極と前記第１導電層との間の第２位置のいずれかに設けられＴａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第２導電層と、
を備えた磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１導電層から前記第２導電層へ電流が流れる、請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記磁極と前記磁性層との間に設けられた非磁性の第３導電層と、
前記磁性層と前記第１シールドとの間の設けられた非磁性の第４導電層と、
をさらに備え、
前記第２導電層は、前記第１位置に設けられ、
前記第３導電層は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第３導電層は、前記磁極及び前記磁性層と接し、
前記第４導電層は、前記磁性層及び前記第１シールドと接した、請求項３記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
第１絶縁層をさらに備え、
前記第１導電層は、第１部分及び第２部分を含み、
前記第１絶縁層は、前記磁極と前記第２部分との間に設けられ、
前記第１部分は、前記第１方向と交差する方向において、前記第１絶縁層と前記第３導電層との間に設けられた、請求項３または４に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
第２絶縁層をさらに備え、
前記第２導電層は、第３部分及び第４部分を含み、
前記第２絶縁層は、前記第１シールドと前記第４部分との間に設けられ、
前記第３部分は、前記第１方向と交差する前記方向において、前記第２絶縁層と前記第４導電層との間に設けられた、請求項３〜５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記磁性層と前記第１シールドとの間に設けられた非磁性の第３導電層と、
前記磁極と前記磁性層との間の設けられた非磁性の第４導電層と、
をさらに備え、
前記第２導電層は、前記第２位置に設けられ、
前記第３導電層は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記第３導電層は、前記磁性層及び前記第１シールドと接し、
前記第４導電層は、前記磁極と前記磁性層と接した、請求項７記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
第１絶縁層をさらに備え、
前記第１導電層は、第１部分及び第２部分を含み、
前記第１絶縁層は、前記第１シールドと前記第２部分との間に設けられ、
前記第１部分は、前記第１方向と交差する方向において、前記第１絶縁層と前記第３導電層との間に設けられた、請求項７または８に記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】
第２絶縁層をさらに備え、
前記第２導電層は、第３部分及び第４部分を含み、
前記第２絶縁層は、前記磁極と前記第４部分との間に設けられ、
前記第３部分は、前記第１方向と交差する前記方向において、前記第２絶縁層と前記第４導電層との間に設けられた、請求項７〜９のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドにより情報が記録される磁気記録媒体と、
前記磁極と前記第１シールドとの間に電流を供給可能な第１電気回路と、
を備えた磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記憶媒体に情報が記録される。磁気ヘッド及び磁気記録再生装置において、記録密度の向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１３０６７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、磁気ヘッドは、磁極と、第１シールドと、磁性層と、第１導電層と、第２導電層と、を含む。前記磁性層は、前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられる。前記第１導電層は、前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。前記第１導電層から前記磁性層への方向は、前記磁極から前記第１シールドへの第１方向と交差する。前記第２導電層は、前記第１導電層と第１シールドとの間の第１位置、及び、前記磁極と前記第１導電層との間の第２位置のいずれかに設けられる。前記第２導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式的断面図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
【図５】図５は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
【図６】図６は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
【図９】図９（ａ）〜図９（ｄ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的平面である。
【図１０】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。
【図１１】図１１は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
【図１２】図１２は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。
【図１３】図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。  
図１（ｂ）は、図１（ａ）の一部の拡大図である。
【０００９】
図１（ａ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１０は、磁極３０、第１シールド３１、磁性層２５、第１導電層２１及び第２導電層２２を含む。この例では、第２シールド３２及びコイル３０ｃがさらに設けられている。
【００１０】
第１シールド３１と第２シールド３２との間に、磁極３０が位置する。例えば、コイル３０ｃの少なくとも一部は、磁極３０と第１シールド３１との間に位置する。この例では、コイル３０ｃの一部は、磁極３０と第２シールド３２との間に位置する。
【００１１】
コイル３０ｃに記録用電気回路（第２電気回路３０Ｄ）が電気的に接続される。記録用電気回路からコイル３０ｃに記録電流が供給される。磁極３０から記録電流に応じた磁界（記録磁界）が生じる。記録磁界が磁気記録媒体８０に加わり、磁気記録媒体８０に情報が記録される。このように、記録用電気回路（第２電気回路３０Ｄ）は、記録される情報に対応した電流（記録電流）をコイル３０ｃに供給可能である。
【００１２】
図１（ｂ）に示すように、磁性層２５は、磁極３０と第１シールド３１との間に設けられる。第１導電層２１は、磁極３０と第１シールド３１との間に設けられる。
【００１３】
この例では、第２導電層２２は、第１導電層２１と第１シールド３１との間に設けられる。後述するように、第１導電層２１及び第２導電層２２の位置が、互いに入れ替わっても良い。第２導電層２２は、第１導電層２１と第１シールド３１との間の第１位置、及び、磁極３０と第１導電層２１との間の第２位置のいずれかに設けられる。図１（ｂ）の例では、第２導電層２２は、第１位置に設けられている。
【００１４】
磁極３０から第１シールド３１への方向を第１方向Ｄ１とする。第１導電層２１から磁性層２５への方向は、第１方向Ｄ１と交差する。
【００１５】
この例では、第１方向Ｄ１と交差するこの方向において、第２導電層２２は、第１シールド３１の一部（凸部）と重なっている。後述するように、第１方向Ｄ１と交差するこの方向において、第２導電層２２は、磁性層２５と重なっても良い。
【００１６】
第１導電層２１は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【００１７】
第２導電層２２は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【００１８】
１つの例において、第１導電層２１はＣｕを含み、第２導電層２２はＴａを含む。
【００１９】
第１導電層２１及び第２導電層２２は、非磁性である。第１導電層２１は、例えは、電子のスピン偏極を維持する。第２導電層２２は、例えは、電子のスピン偏極を緩和する。
【００２０】
例えば、第１導電層２１は、磁性層２５と接する。例えば、第２導電層２２は、第１導電層２１と接する。
【００２１】
第１導電層２１の第１方向Ｄ１に沿う厚さｔ２１（長さ）は、例えば、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。第２導電層２２の第１方向Ｄ１に沿う厚さｔ２２（長さ）は、例えば、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
【００２２】
図１（ｂ）に示す例では、厚さｔ２１は、厚さｔ２２よりも厚い。
【００２３】
第１導電層２１は、磁性層２５の側面２５ｓに対向する。第１導電層２１と、磁性層２５の側面２５ｓと、の間に磁気的な作用が生じる。磁気的な作用は、例えばスピンの蓄積に基づくトルクである。例えば、磁性層２５の側面２５ｓを比較的大きくすることで、磁気的な作用が生じやすくなる。磁気的な作用の例については、後述する。
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、磁性層２５は、磁極３０の側の第１面２５ａを含む。側面２５ｓのサイズは、第１面２５ａのサイズと比較的近い値を有しても良い。例えば、磁性層２５の第１方向Ｄ１に沿う厚さｔ２５は、第１面２５ａに沿う１つの方向における第１面２５ａの長さ（例えば、図１（ｂ）に示す長さＬ２５）の０．２倍以上５倍以下でも良い。厚さｔ２５は、側面２５ｓの長さの１つに対応する。長さＬ２５は、例えば、第１方向Ｄ１に対して垂直な任意の方向に沿う長さで良い。
【００２５】
図１（ａ）に示すように、例えば、磁極３０、第１シールド３１、第２シールド３２、コイル３０ｃ、磁性層２５、第１導電層２１及び第２導電層２２の周りに、絶縁部３０ｉが設けられる。図１（ｂ）においては、絶縁部３０ｉは、省略されている。
【００２６】
磁極３０は、例えば、主磁極である。磁極３０の端部３０ｅに、磁極面３０Ｆが設けられる。磁極面３０Ｆは、例えば、磁気ヘッド１１０のＡＢＳ（Air Bearing Surface）に沿う。磁極面３０Ｆが、磁気記録媒体８０に対向する。
【００２７】
磁極面３０Ｆに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００２８】
Ｚ軸方向は、例えば、ハイト方向である。Ｘ軸方向は、例えば、ダウントラック方向である。Ｙ軸方向は、クロストラック方向である。
【００２９】
例えば、磁極面３０Ｆの近傍において、磁極３０は、Ｘ軸方向に沿って、第１シールド３１から離れる。例えば、磁極面３０Ｆの近傍において、第２シールド３２は、Ｘ軸方向に沿って磁極３０から離れる。Ｘ軸方向に実質的に沿って、磁気ヘッド１１０と磁気記録媒体８０とが、相対的に移動する。これにより、磁気記録媒体８０の任意の位置に、情報が記録される。
【００３０】
第１シールド３１は、例えば、「trailing shield」に対応する。第２シールド３２は、例えば、「leading shield」に対応する。第１シールド３１は、例えば、補助磁極である。第１シールド３１は、磁極３０とともに、磁気コアを形成可能である。例えば、サイドシールド（図示しない）などの追加のシールドが設けられても良い。
【００３１】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す例においては、第１方向Ｄ１は、Ｘ−Ｙ平面に対して傾斜している。
【００３２】
図１（ｂ）に示すように、第１電流Ｉ１が、第１導電層２１及び第２導電層２２に流れる。図１（ｂ）に示す例においては、第１電流Ｉ１は、磁極３０から第１シールド３１への向き（第１導電層２１から第２導電層２２への向き）を有する。後述するように、別の例において第１電流Ｉ１の向きは、第１シールド３１から磁極３０への向きを有しても良い。
【００３３】
例えば、第１導電層２１は、磁極３０と電気的に接続されても良い。第２導電層２２は、第１シールド３１と電気的に接続されても良い。この場合、磁極３０及び第１シールド３１を介して、上記の第１電流Ｉ１が供給されても良い。
【００３４】
図１（ａ）に示すように、第１配線Ｗ１及び第２配線Ｗ２が設けられても良い。第１配線Ｗ１は、磁極３０と電気的に接続される。第２配線Ｗ２は、第１シールド３１と電気的に接続される。第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２が設けられても良い。第１端子Ｔ１は、第１配線Ｗ１を介して、磁極３０と電気的に接続される。第２端子Ｔ２は、第２配線Ｗ２を介して第１シールド３１と電気的に接続される。
【００３５】
上記の第１電流Ｉ１は、例えば、第１電気回路２０Ｄ（図１（ａ）参照）から供給される。例えば、第１端子Ｔ１、第１配線Ｗ１、第２配線Ｗ２及び第２端子Ｔ２を介して、第１電気回路２０Ｄから第１電流Ｉ１が、磁極３０及び第１シールド３１に供給可能である。
【００３６】
実施形態においては、第１導電層２１及び第２導電層２２に第１電流Ｉ１が流れることで、例えば、第１導電層２１と磁極３０との界面、及び、第２導電層２２と第１シールド３１との界面において、スピンの蓄積が生じる。このスピンが、磁性層２５に伝達（例えば拡散）され、磁性層２５の磁化の向きを、磁極３０から出る磁界に対して反転させることができる。スピンは、磁性層２５の側面２５ｓを介して作用する。
【００３７】
図２は、第１実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式的断面図である。  
図２においては、磁極３０、第１シールド３１及び磁性層２５が描かれており、他の部材（第１導電層２１及び第２導電層２２など）は、省略されている。
【００３８】
磁性層２５は、磁化２５Ｍを有する。磁極３０から磁界Ｈ２（記録磁界）が生じる。磁界Ｈ２の少なくとも一部が記録磁界となる。もし、磁性層２５の磁化２５Ｍが、上記のように反転していない場合は、磁界Ｈ２は磁性層２５に入る。一方、図２に示すように、第１導電層２１及び第２導電層２２に電流が供給されて、磁性層２５にスピンが拡散し、磁性層２５の磁化２５Ｍの向きが磁界Ｈ２に対して反転すると、磁化２５Ｍは、磁性層２５に向かい難くなる。これにより、磁界Ｈ２は、磁気記録媒体８０に向かうようになる。磁界Ｈ２の多くが、記録磁界として磁気記録媒体８０を通過して、第１シールド３１に入る。このため、多くの磁界Ｈ２（記録磁界）は、磁気記録媒体８０に印加され易い。ライトギャップを小さくしたときにおいても、磁界Ｈ２は、磁気記録媒体８０に効果的に印加される。
【００３９】
実施形態においては、ライトギャップを小さくしたときにおいても、磁極３０から出た磁界Ｈ２が、磁性層２５を介して直接的に第１シールド３１に向かうことが抑制される。その結果、磁極３０から出た磁界Ｈ２の多くが磁気記録媒体８０に向かい、記録磁界が効果的に磁気記録媒体８０に加わる。これにより、記録密度の向上が可能になる。
【００４０】
磁性層２５の磁化２５Ｍは、第１電流Ｉ１の向きが所定の向きであるときに反転する。反転するための第１電流Ｉ１の向きは、第１導電層２１及び第２導電層２２の材料による。例えば、第１導電層２１が、スピン偏極を維持する材料を含み、第２導電層２２が、電子のスピン偏極を緩和する材料を含む場合に、第１導電層２１から第２導電層２２への第１電流Ｉ１が流れたときに、磁性層２５の磁化２５Ｍが反転する。このような材料の１つの例が、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕなどに対応する。別の材料の例が、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄなどに対応する。
【００４１】
上記のように、磁性層２５の磁化２５Ｍは、第１電流Ｉ１により反転する。磁極３０、磁性層２５及び第１シールド３１が積層されているため、磁性層２５の磁化２５Ｍの反転により、これらの積層構造において、電気抵抗が変化しても良い。
【００４２】
例えば、磁性層２５は、磁極３０及び第１シールド３１と電気的に接続されている場合について、以下となる。コイル３０ｃに記録電流が流れ、磁極３０から第１シールド３１への電流が流れたときの電気抵抗は、コイル３０ｃに記録電流が流れ第１シールド３１から磁極３０への電流が流れたときの電気抵抗とは異なっても良い。電気抵抗の差により、磁化２５Ｍの反転の有無に関する情報が得られても良い。例えば、コイル３０ｃに記録電流が流れ、磁極３０から第１シールド３１への第１電流Ｉ１が流れたときの電気抵抗は、コイル３０ｃに記録電流が流れ第１シールド３１と磁極３０との間に第１電流よりも小さい電流が流れたときの電気抵抗とは異なっても良い。
【００４３】
以下、実施形態に係る種々の磁気ヘッドの例について説明する。以下においては、磁気ヘッド１１０と異なる構成について説明する。
【００４４】
図３は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。  
図３に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１１おいては、第２導電層２２は、磁極３０と磁性層２５との間（第２位置）に設けられている。この場合も、第１電流Ｉ１は、第１導電層２１から第２導電層２２への向きを有する。第１電流Ｉ１は、第１シールド３１から磁極３０への向きを有する。このような第１電流Ｉ１が流れたときに、磁性層２５の磁化２５Ｍが、磁極３０からの磁界Ｈ２（図２参照）に対して反転する。この場合も、記録磁界が効果的に磁気記録媒体８０に加わる。これにより、記録密度の向上が可能になる。
【００４５】
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。  
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、磁気記憶装置ヘッド１１０ａ及び１１１ａにおいては、第１方向Ｄ１と交差する方向において、第２導電層２２は、磁性層２５と重なる。磁気記憶装置ヘッド１１０ａ及び１１１ａにおけるこれ以外の構成は、磁気記憶装置ヘッド１１０及び１１１の構成とそれぞれ同じである。磁気記憶装置ヘッド１１０ａ及び１１１ａにおいても、記録磁界が効果的に磁気記録媒体８０に加わる。これにより、記録密度の向上が可能になる。
【００４６】
図５は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。  
図５に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１２０は、磁極３０、第１シールド３１、磁性層２５、第１導電層２１及び第２導電層２２に加えて、第３導電層２３及び第４導電層２４をさらに含む。
【００４７】
この例では、第２導電層２２は、第１位置に設けられている。
【００４８】
第３導電層２３は、磁極３０と磁性層２５との間に設けられる。第４導電層２４は、磁性層２５と第１シールド３１との間に設けられる。第３導電層２３及び第４導電層２４は、非磁性である。
【００４９】
第３導電層２３は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４導電層２４は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。例えば、第３導電層２３は、第１導電層２１に含まれる材料と同じ材料を含んでも良い。例えば、第４導電層２４は、第２導電層２２に含まれる材料と同じ材料を含んでも良い。
【００５０】
第１電流Ｉ１は、第１導電層２１から第２導電層２２への向きを有している。第１電流Ｉ１は、第３導電層２３から第４導電層２４への向きを有している。
【００５１】
このような第１電流Ｉ１により、第３導電層２３及び第４導電層２４からの作用により、磁性層２５の磁化２５Ｍが、磁極３０から磁界Ｈ２に対して、より反転し易くなる。
【００５２】
記録磁界がより効果的に磁気記録媒体８０に加わる。記録密度の向上が可能になる。
【００５３】
磁気ヘッド１２０の例において、例えば、第３導電層２３は、磁極３０及び磁性層２５と接する。第４導電層２４は、磁性層２５及び第１シールド３１と接する。
【００５４】
図６は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。  
図６に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１２１も、磁極３０、第１シールド３１、磁性層２５、第１導電層２１及び第２導電層２２に加えて、第３導電層２３及び第４導電層２４をさらに含む。
【００５５】
この例では、第２導電層２２は、第２位置に設けられている。
【００５６】
第３導電層２３は、磁性層２５と第１シールド３１との間に設けられる。第４導電層２４は、磁極３０と磁性層２５との間に設けられる。第３導電層２３及び第４導電層２４は、非磁性である。
【００５７】
第３導電層２３は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４導電層２４は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【００５８】
この場合も、第１電流Ｉ１は、第１導電層２１から第２導電層２２への向きを有している。第１電流Ｉ１は、第３導電層２３から第４導電層２４への向きを有している。
【００５９】
このような第１電流Ｉ１により、第３導電層２３及び第４導電層２４からの作用により、磁性層２５の磁化２５Ｍが、磁極３０から磁界Ｈ２に対して、より反転し易くなる。
【００６０】
例えば、第３導電層２３は、磁性層２５及び第１シールド３１と接する。第４導電層２４は、磁極３０と磁性層２５と接する。
【００６１】
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。  
図７（ａ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１３０において、磁気ヘッド１２０の構成において、第１絶縁層４１及び第２絶縁層４２がさらに設けられる。
【００６２】
第１導電層２１は、第１部分ｐ１及び第２部分ｐ２を含む。第１絶縁層４１は、磁極３０と第２部分ｐ２との間に設けられる。第１部分ｐ１は、第１方向Ｄ１と交差する方向において、第１絶縁層４１と第３導電層２３との間に設けられる。
【００６３】
第２導電層２２は、第３部分ｐ３及び第４部分ｐ４を含む。第２絶縁層４２は、第１シールド３１と第４部分ｐ４との間に設けられる。第３部分ｐ３は、第１方向Ｄ１と交差する方向において、第２絶縁層４２と第４導電層２４との間に設けられる。
【００６４】
第１絶縁層４１及び第２絶縁層４２は、例えば、電流制限層（電流狭窄層）として機能する。これらの絶縁層を設けることにより、第１電流Ｉ１が効率的に、磁性層２５に近い第１部分ｐ１及び第３部分ｐ３に流れる。例えば、磁性層２５の磁化２５Ｍが効率的に反転できる。
【００６５】
図７（ｂ）に示す磁気ヘッド１３０ａにように、第１絶縁層４１が設けられ、第２絶縁層４２が省略されても良い。図７（ｃ）に示す磁気ヘッド１３０ｂにように、第２絶縁層４２が設けられ、第１絶縁層４１が省略されても良い。
【００６６】
図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。  
図８（ａ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１３１においては、磁気ヘッド１２１の構成において、第１絶縁層４１及び第２絶縁層４２がさらに設けられる。
【００６７】
第１導電層２１は、第１部分ｐ１及び第２部分ｐ２を含む。第１絶縁層４１は、第２部分ｐ２と第１シールド３１との間に設けられる。第１部分ｐ１は、第１方向Ｄ１と交差する方向において、第１絶縁層４１と第３導電層２３との間に設けられる。
【００６８】
第２導電層２２は、第３部分ｐ３及び第４部分ｐ４を含む。第２絶縁層４２は、磁極３０と第４部分ｐ４との間に設けられる。第３部分ｐ３は、第１方向Ｄ１と交差する方向において、第２絶縁層４２と第４導電層２４との間に設けられる。
【００６９】
この場合も、第１絶縁層４１及び第２絶縁層４２は、例えば、電流制限層として機能する。第１電流Ｉ１が効率的に、磁性層２５に近い第１部分ｐ１及び第３部分ｐ３に流れる。例えば、磁性層２５の磁化２５Ｍが効率的に反転できる。
【００７０】
図８（ｂ）に示す磁気ヘッド１３１ａにように、第１絶縁層４１が設けられ、第２絶縁層４２が省略されても良い。図８（ｃ）に示す磁気ヘッド１３１ｂにように、第２絶縁層４２が設けられ、第１絶縁層４１が省略されても良い。
【００７１】
図９（ａ）〜図９（ｄ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的平面である。  
これらの図は、例えば、図１（ａ）に示す矢印ＡＡ（磁極面３０ＦまたはＡＢＳ）からみた磁気ヘッドの平面図である。これらの図において、第２シールド３２、及び、絶縁部分は省略されている。
【００７２】
図９（ａ）〜図９（ｄ）に示すように、磁気記憶装置ヘッド１４０〜１４３においては、第１導電層２１から磁性層２５に向かう方向は、磁極３０から第１シールド３１への方向と交差する。この例では、第１導電層２１から磁性層２５に向かう方向は、Ｙ軸方向に沿う。第１導電層２１から磁性層２５に向かう方向は、クロストラック方向に沿う。
【００７３】
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、磁気ヘッド１４０及び１４１においては、第１導電層２１の一部から第３導電層２３に向かう方向は、Ｙ軸方向に沿う。第２導電層２２から第４導電層２４に向かう方向は、Ｙ軸方向に沿う。第１導電層２１から第２導電層２２への向きを有する電流が供給される。
【００７４】
図９（ｃ）及び図９（ｄ）に示すように、磁気ヘッド１４２及び１４３においては、第１導電層２１から磁性層２５に向かう方向はＹ軸方向に沿い、第２導電層２２から磁性層２５に向かう方向は、Ｙ軸方向に沿う。第１導電層２１から第２導電層２２への向きを有する電流が供給される。
【００７５】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。  
図１０（ａ）は、第１導電層２１、磁性層２５及び第２導電層２２における磁気的作用の例を示している。図１０（ｂ）は、第３導電層２３、磁性層２５及び第４導電層２４における磁気的作用の例を示している。
【００７６】
図１０（ａ）に示すように、磁極３０と第１シールド３１との間に、第１導電層２１、第２導電層２２及び磁性層２５が設けられる。
【００７７】
磁極３０のコイル３０ｃに、第２電気回路３０Ｄ（図１（ａ）参照）から、記録電流が供給される。これにより、磁極３０からギャップ磁界Ｈｇ１が発生する。ギャップ磁界Ｈｇ１は、第１導電層２１、第２導電層２２及び磁性層２５に印加される。
【００７８】
例えば、磁極３０の磁化３０Ｍおよび第１シールド３１の磁化３１Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１と略平行である。電流Ｉｃ（第１電流Ｉ１に対応）が流れる前の状態において、磁性層２５の磁化２５Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１と略平行である。
【００７９】
第１電気回路２０Ｄから電流Ｉｃ（第１電流Ｉ１に対応）が供給される。この場合は、電流Ｉｃは、例えば、第１導電層２１から第２導電層２２へ流れる。このとき、電子流Ｊｅが流れる。電子流Ｊｅは、第２導電層２２から第１導電層２１へ流れる。
【００８０】
電子流Ｊｅにより、第２導電層２２と第１シールド３１との間の界面において、スピントルク３１ｓｐが生じる。このスピントルク３１ｓｐは、例えば、透過型である。一方、電子流Ｊｅにより、第１導電層２１と磁極３０との間の界面において、スピントルク３０ｓｐが生じる。スピントルク３０ｓｐは、例えば、反射型である。第１導電層２１と第２導電層２２の材料の違いのため、スピントルク３０ｓｐは、スピントルク３１ｓｐよりも大きい。これらのスピントルクが、拡散により、磁性層２５に流入し、磁性層２５の磁化２５Ｍが変化する。磁化２５Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１に対して逆向きの成分を有するようになる。
【００８１】
図１０（ｂ）に示すように、磁極３０と第１シールド３１との間に、第３導電層２３、磁性層２５及び第４導電層２４が設けられる。
【００８２】
磁極３０のコイル３０ｃに、第２電気回路３０Ｄ（図１（ａ）参照）から、記録電流が供給される。これにより、磁極３０からギャップ磁界Ｈｇ１が発生する。ギャップ磁界Ｈｇ１は、第３導電層２３、磁性層２５及び第４導電層２４に印加される。
【００８３】
例えば、磁極３０の磁化３０Ｍおよび第１シールド３１の磁化３１Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１と略平行である。電流Ｉｃ（第１電流Ｉ１に対応）が流れる前の状態において、磁性層２５の磁化２５Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１と略平行である。
【００８４】
第１電気回路２０Ｄから電流Ｉｃ（第１電流Ｉ１に対応）が供給される。この場合は、電流Ｉｃは、例えば、第４導電層２４から第３導電層２３へ流れる。このとき、電子流Ｊｅが流れる。電子流Ｊｅは、第３導電層２３から第４導電層２４へ流れる。
【００８５】
電子流Ｊｅにより、第３導電層２３と磁性層２５との間の界面において、スピントルク２３ｓｐが生じる。このスピントルク２３ｓｐは、例えば、透過型である。一方、電子流Ｊｅにより、磁性層２５と第４導電層２４との間の界面において、スピントルク２４ｓｐが生じる。スピントルク２４ｓｐは、例えば、反射型である。これらのスピントルクにより、磁性層２５の磁化２５Ｍは反転する。反転した磁化２５Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１に対して逆向きの成分を有するようになる。
【００８６】
電流Ｉｃは、例えば、第３導電層２３から第４導電層２４に向かって流れても良い。このとき、図１０（ｂ）に示すスピントルク２３ｓｐの向き及びスピントルク２４ｓｐの向きが反転する。このとき、スピントルク２３ｓｐは反射型であり、スピントルク２４ｓｐは透過型である。
【００８７】
例えば、スピントルク２３ｓｐ及びスピントルク２４ｓｐを適切に制御することで磁性層２５の磁化２５Ｍを反転しやすくなる。
【００８８】
例えば、第４導電層２４は、Ｉｒを含んでも良い。このとき、第４導電層２４の厚さ（第１方向Ｄ１に沿う長さ）は、例えば、０．３ｎｍ以上０．８ｎｍ以下である。このとき、反強磁性結合が生じやすい。例えば、図１（ｂ）の例においては、磁性層２５と第１シールド３１とが反強磁性結合する。磁化２５Ｍは、磁極３０からの磁界Ｈ２に対して反転し易くなる。
【００８９】
（第２実施形態）
第２実施形態は、磁気記憶装置に係る。本実施形態に係る磁気記憶装置は、磁気ヘッドと、磁気記録媒体８０（例えば、後述する記録用媒体ディスク１８０）と、第１電気回路２０Ｄ（図１（ａ）参照）と、を含む。磁気記録媒体には、磁気ヘッド（磁極３０）により情報が記録される。第２実施形態における磁気ヘッドとして、第１実施形態に係る任意磁気ヘッド（磁気ヘッド１１０、１１０ａ、１１１、１１１ａ、１２０、１２１、１３０、１３０ａ、１３０ｂ、１３１、１３１ａ、１３１ｂなど）及びその変形の磁気ヘッドが用いられる。以下では、磁気ヘッド１１０が用いられる場合について説明する。
【００９０】
既に説明したように、第１電気回路２０Ｄは、磁極３０と第１シールド３１との間に第１電流Ｉ１を供給可能である。実施形態に係る磁気記憶装置は、第２電気回路３０Ｄ（図１（ａ）参照）をさらに含んでも良い。既に説明したように、第２電気回路３０Ｄは、磁気記録媒体８０に記録される情報に対応した電流（記録電流）をコイル３０ｃに供給可能である。
【００９１】
磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体８０に瓦書き記録を行っても良い。記録密度をさらに向上できる。
【００９２】
以下、本実施形態に係る磁気記録再生装置の例について説明する。  
図１１は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。  
図１１は、ヘッドスライダを例示している。  
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ２Ｏ３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
【００９３】
ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
【００９４】
図１２は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。  
図１２に示すように、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに設けられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録再生装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録再生装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。
【００９５】
ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
【００９６】
記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。
【００９７】
サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。
【００９８】
アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。
【００９９】
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。  
図１３（ａ）は、磁気記録再生装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。図１３（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。
【０１００】
図１３（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。
【０１０１】
図１３（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。
【０１０２】
サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
【０１０３】
実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。
【０１０４】
サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えばスピントルク発振子用などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。
【０１０５】
磁気記録再生装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。
【０１０６】
本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。
【０１０７】
例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。
【０１０８】
本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリと、磁気ヘッドアセンブリに設けられた磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う信号処理部と、を備える。
【０１０９】
実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。  
（構成１）  
磁極と、
第１シールドと、
前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられた磁性層と、
前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられＣｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１導電層であって、前記第１導電層から前記磁性層への方向は、前記磁極から前記第１シールドへの第１方向と交差する前記第１導電層と、
前記第１導電層と第１シールドとの間の第１位置、及び、前記磁極と前記第１導電層との間の第２位置のいずれかに設けられＴａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第２導電層と、
を備えた磁気ヘッド。
【０１１０】
（構成２）  
前記第１導電層は、前記磁性層と接した、構成１記載の磁気ヘッド。
【０１１１】
（構成３）  
前記第２導電層は、前記第１導電層と接した、構成１または２に記載の磁気ヘッド。
【０１１２】
（構成４）  
前記第１導電層から前記第２導電層へ電流が流れる、構成１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１１３】
（構成５）  
前記磁極と電気的に接続された第１配線と、
前記第１シールドと電気的に接続された第２配線と、
をさらに備えた、構成１〜５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１１４】
（構成６）  
前記第１導電層及び前記第２導電層は、前記磁極と前記第１シールドと電気的に接続された、構成１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１１５】
（構成７）
前記第２導電層は、前記第１位置に設けられ、
前記磁極から前記第１シールドへの向きの電流が前記第１導電層、磁性層及び前記第２導電層を流れる、構成６記載の磁気ヘッド。
【０１１６】
（構成８）  
前記第２導電層は、前記第２位置に設けられ、
前記第１シールドから前記磁極への向きの電流が前記第１導電層、磁性層及び前記第２導電層を流れる、構成６記載の磁気ヘッド。
【０１１７】
（構成９）  
前記磁極と前記磁性層との間に設けられた非磁性の第３導電層と、
前記磁性層と前記第１シールドとの間の設けられた非磁性の第４導電層と、
をさらに備え、
前記第２導電層は、前記第１位置に設けられ、
前記第３導電層は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１〜６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１１８】
（構成１０）  
前記第３導電層は、前記磁極及び前記磁性層と接し、
前記第４導電層は、前記磁性層及び前記第１シールドと接した、構成９記載の磁気ヘッド。
【０１１９】
（構成１１）  
第１絶縁層をさらに備え、
前記第１導電層は、第１部分及び第２部分を含み、
前記第１絶縁層は、前記磁極と前記第２部分との間に設けられ、
前記第１部分は、前記第１方向と交差する方向において、前記第１絶縁層と前記第３導電層との間に設けられた、構成９または１０に記載の磁気ヘッド。
【０１２０】
（構成１２）  
第２絶縁層をさらに備え、
前記第２導電層は、第３部分及び第４部分を含み、
前記第２絶縁層は、前記第１シールドと前記第４部分との間に設けられ、
前記第３部分は、前記第１方向と交差する前記方向において、前記第２絶縁層と前記第４導電層との間に設けられた、構成９〜１１のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１２１】
（構成１３）  
前記磁性層と前記第１シールドとの間に設けられた非磁性の第３導電層と、
前記磁極と前記磁性層との間の設けられた非磁性の第４導電層と、
をさらに備え、
前記第２導電層は、前記第２位置に設けられ、
前記第３導電層は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１〜６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１２２】
（構成１４）  
前記第３導電層は、前記磁性層及び前記第１シールドと接し、
前記第４導電層は、前記磁極と前記磁性層と接した、構成１３記載の磁気ヘッド。
【０１２３】
（構成１５）  
第１絶縁層をさらに備え、
前記第１導電層は、第１部分及び第２部分を含み、
前記第１絶縁層は、前記第１シールドと前記第２部分との間に設けられ、
前記第１部分は、前記第１方向と交差する方向において、前記第１絶縁層と前記第３導電層との間に設けられた、構成１３または１４に記載の磁気ヘッド。
【０１２４】
（構成１６）  
第２絶縁層をさらに備え、
前記第２導電層は、第３部分及び第４部分を含み、
前記第２絶縁層は、前記磁極と前記第４部分との間に設けられ、
前記第３部分は、前記第１方向と交差する前記方向において、前記第２絶縁層と前記第４導電層との間に設けられた、構成１３〜１５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１２５】
（構成１７）  
前記第４導電層は、Ｉｒを含み、前記第４導電層の前記第１方向に沿う厚さは、０．３ｎｍ以上０．８ｎｍ以下である、構成９〜１６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１２６】
（構成１８）
構成１〜１７のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドにより情報が記録される磁気記録媒体と、
前記磁極と前記第１シールドとの間に電流を供給可能な第１電気回路と、
を備えた磁気記録再生装置。
【０１２７】
（構成１９）  
前記磁気ヘッドは、前記磁気記録媒体に瓦書き記録を行う、構成１８記載の磁気記録再生装置。
【０１２８】
（構成２０）  
第２電気回路をさらに備え、
前記磁気ヘッドは、コイルをさらに含み、
前記コイルの少なくとも一部は、前記磁極と前記第１シールドとの間に位置し、
前記第２電気回路は、前記情報に対応した電流を前記コイルに供給可能である、構成１８または１９記載の磁気記録再生装置。
【０１２９】
実施形態によれば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置が提供できる。
【０１３０】
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【０１３１】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気ヘッドに含まれる磁極、第１シールド、磁性層、導電層、絶縁層及び配線などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【０１３２】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１３３】
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気ヘッド及び磁気記録再生装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１３４】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１３５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１３６】
２０Ｄ…第１電気回路、  ２１〜２４…第１〜第４導電層、  ２３ｓｐ、２４ｓｐ…スピントルク、  ２５…磁性層、  ２５Ｍ…磁化、  ２５ａ…第１面、  ２５ｓ…側面、  ３０…磁極、  ３０Ｄ…第２電気回路、  ３０Ｆ…磁極面、  ３０Ｍ…磁化、  ３０ｃ…コイル、  ３０ｅ…端部、  ３０ｉ…絶縁部、  ３０ｓｐ、３１ｓｐ…スピントルク、  ３１…第１シールド、  ３１Ｍ…磁化、  ３２…第２シールド、  ４１、４２…第１、第２絶縁層、  ８０…磁気記録媒体、  ８０ｃ…中心、  ８５…媒体移動方向、  １１０、１１０ａ、１１１、１１１ａ、１２０、１２１、１３０、１３０ａ、１３０ｂ、１３１、１３１ａ、１３１ｂ、１４０〜１４３…磁気ヘッド、  １５０…磁気記録再生装置、  １５４…サスペンション、  １５５…アーム、  １５６…ボイスコイルモータ、  １５７…軸受部、  １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、  １５９…ヘッドスライダ、  １５９Ａ…空気流入側、  １５９Ｂ…空気流出側、  １６０…ヘッドスタックアセンブリ、  １６１…支持フレーム、  １６２…コイル、  １８０…記録用媒体ディスク、  １８０Ｍ…スピンドルモータ、  １８１…記録媒体、  １９０…信号処理部、  ＡＡ、ＡＲ…矢印、  Ｄ１…第１方向、  Ｈ２…磁界、  Ｈｇ１…ギャップ磁界、  Ｉ１…第１電流、  Ｉｃ…電流、  Ｊｅ…電子流、  Ｌ２５…長さ、  Ｔ１、Ｔ２…第１、第２端子、  Ｗ１、Ｗ２…第１、第２配線、  ｉ１、ｉ２…第１、第２電流、  ｐ１〜ｐ４…第１〜第４部分、  ｔ２１、ｔ２２、ｔ２５…厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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