(57)【要約】【課題】後付けされたサイドマージン部の欠陥を防止することが可能なサイドマージン部を備えた積層セラミック電子部品等を提供する【解決手段】本発明の一形態に係る積層セラミック電子部品は、セラミック積層体と、サイドマージン部と、を具備する。上記セラミック積層体は、第１方向に積層された複数の内部電極と、上記複数の内部電極の上記第１方向と直交する第２方向の端部が配置され上記第２方向に向いた側面と、を有し、上記側面が上記第２方向に起伏する起伏部を含む。上記サイドマージン部は、上記側面を上記第２方向から覆うシート状に構成される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に積層された複数の内部電極と、前記複数の内部電極の前記第１方向と直交する第２方向の端部が配置され前記第２方向に向いた側面と、を有し、前記側面が前記第２方向に起伏する起伏部を含む、セラミック積層体と、
前記側面を前記第２方向から覆うシート状のサイドマージン部と、
を具備する積層セラミック電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載の積層セラミック電子部品であって、
前記起伏部は、前記第２方向外方に突出する凸部又は前記第２方向内方に陥凹する凹部の少なくとも一方を含み、
前記凸部又は前記凹部は、前記第２方向の最外方に位置する頂部と、前記第２方向の最内方に位置する底部と、前記頂部と前記底部との間を接続する傾斜面と、を含む
積層セラミック電子部品。
【請求項３】
請求項２に記載の積層セラミック電子部品であって、
前記頂部と前記底部との間の前記第２方向における寸法である起伏高さ寸法は、２μｍ以上５μｍ以下である
積層セラミック電子部品。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の積層セラミック電子部品であって、
前記頂部と前記底部との間の前記第１方向における寸法である起伏幅寸法は、２０μｍ以上４００μｍ以下である
積層セラミック電子部品。
【請求項５】
第１方向に積層された複数の内部電極と、前記複数の内部電極の前記第１方向と直交する第２方向の端部が配置され前記第２方向に向いた側面と、を有し、前記側面が前記第２方向に起伏する起伏部を含む、セラミック積層チップを作製し、
前記側面をセラミックシートに押圧して貼り付けることで、サイドマージン部を形成する
積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記側面で前記セラミックシートを打ち抜くことで、前記側面に前記サイドマージン部を形成する
積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
第１方向に積層された複数の内部電極と、
前記複数の内部電極の前記第１方向と直交する第２方向の端部が配置され前記第２方向に向いた側面と、
を具備し、
前記側面が前記第２方向に起伏する起伏部を含む
積層セラミック電子部品製造用のセラミック積層チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サイドマージン部を備えた積層セラミック電子部品、その製造方法、及び積層セラミック電子部品製造用のセラミック積層チップに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品の製造方法において、内部電極の交差面積を増加させる観点等から、内部電極とセラミックグリーンシートからなる未焼成の積層体を作製した後、内部電極の周囲を保護するサイドマージン部を設ける技術が知られている。例えば特許文献１には、内部電極を側面に露出させた状態のグリーンチップの側面に側面用セラミックグリーンシートを貼り付け、この側面で側面用セラミックグリーンシートを打ち抜くことで、生のセラミック保護層を形成する、積層セラミック電子部品の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２０９５３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、グリーンチップの側面を側面用セラミックグリーンシートに押し付ける際、側面用セラミックシートに対して垂直でない方向に力が付加されることがある。これにより、グリーンチップの側面に対して側面用セラミックシートが面内方向にずれながら貼り付けられ、側面が露出する等の欠陥が生じることがある。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、後付けされたサイドマージン部の欠陥を防止することが可能なサイドマージン部を備えた積層セラミック電子部品、その製造方法、及び積層セラミック電子部品製造用のセラミック積層チップを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る積層セラミック電子部品は、セラミック積層体と、サイドマージン部と、を具備する。
上記セラミック積層体は、第１方向に積層された複数の内部電極と、上記複数の内部電極の上記第１方向と直交する第２方向の端部が配置され上記第２方向に向いた側面と、を有し、上記側面が上記第２方向に起伏する起伏部を含む。
上記サイドマージン部は、上記側面を上記第２方向から覆うシート状に構成される。
【０００７】
この構成では、第２方向に起伏する起伏部を含む側面にシート状のサイドマージン部が形成される。起伏部では、第２方向と異なる方向に直交する傾斜面が形成される。このため、当該傾斜面において側面とサイドマージン部とが第２方向以外の方向にも接合する。したがって、サイドマージン部とセラミック積層体との密着性を高め、側面に対するサイドマージン部の位置ずれや剥がれ等の、サイドマージン部の欠陥を防止することが可能となる。
【０００８】
具体的に、上記起伏部は、上記第２方向外方に突出する凸部又は上記第２方向内方に陥凹する凹部の少なくとも一方を含み、
上記凸部又は上記凹部は、上記第２方向の最外方に位置する頂部と、上記第２方向の最内方に位置する底部と、上記頂部と上記底部との間を接続する傾斜面と、を含んでいてもよい。
【０００９】
例えば、上記頂部と上記底部との間の上記第２方向における寸法である起伏高さ寸法は、２μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
これにより、サイドマージン部の側面に対する位置ずれや密着不良をより効果的に防止することができるとともに、内部電極間の交差面積を十分に確保することができる。
【００１０】
例えば、上記頂部と上記底部との間の上記第１方向における寸法である起伏幅寸法は、２０μｍ以上４００μｍ以下であってもよい。
これにより、サイドマージン部の側面に対する位置ずれや密着不良をより効果的に防止することができる。
【００１１】
本発明の他の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、第１方向に積層された複数の内部電極と、上記複数の内部電極の上記第１方向と直交する第２方向の端部が配置され上記第２方向に向いた側面と、を有し、上記側面が上記第２方向に起伏する起伏部を含む、セラミック積層チップを作製する工程を含む。
上記側面をセラミックシートに押圧して貼り付けることで、サイドマージン部が形成される。
【００１２】
セラミックシートの貼り付け時に、セラミックシートの厚み方向と押圧方向とが完全に一致しない場合は、セラミックシートの面内方向にも押圧に伴う分力が作用する。上記セラミック積層チップの側面が起伏部を含むことにより、この分力を打ち消す方向の抗力が作用するため、押圧時に側面がセラミックシートの面内方向に移動することを防止できる。したがって、側面に対するサイドマージン部の位置ずれや密着不良等が防止される。
【００１３】
例えば、上記側面で上記セラミックシートを打ち抜くことで、上記側面に上記サイドマージン部を形成することができる。
【００１４】
本発明のさらに他の形態に係るセラミック積層チップは、積層セラミック電子部品製造用のセラミック積層チップであって、第１方向に積層された複数の内部電極と、側面と、を具備する。
上記側面は、上記複数の内部電極の上記第１方向と直交する第２方向の端部が配置され、上記第２方向に向いている。
上記側面は、上記第２方向に起伏する起伏部を含む。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、本発明によれば、後付けされたサイドマージン部の欠陥を防止することが可能なサイドマージン部を備えた積層セラミック電子部品、その製造方法、及び積層セラミック電子部品製造用のセラミック積層チップを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの斜視図である。
【図２】上記積層セラミックコンデンサのＡ−Ａ'線に沿った断面図である。
【図３】上記積層セラミックコンデンサのＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。
【図４】図３の一部を拡大した断面図である。
【図５】上記積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。
【図６】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。
【図７】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。
【図８】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。
【図９】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。
【図１０】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。
【図１１】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。
【図１２】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。
【図１３】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。
【図１４】本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【図１５】図１４の一部を拡大した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
図面には、適宜相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は全図において共通である。
【００１８】
＜第１実施形態＞
［積層セラミックコンデンサ１０の構成］
図１〜３は、本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を示す図である。図１は、積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。図３は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。
【００１９】
積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック素体１１と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５と、を備える。セラミック素体１１は、典型的には、Ｚ軸方向を向いた２つの主面と、Ｘ軸方向を向いた２つの端面と、Ｙ軸方向を向いた２つの側面と、を有する。例えば、セラミック素体１１の各面を接続する稜部は丸みを帯びている。
【００２０】
外部電極１４，１５は、セラミック素体１１の端面を覆い、セラミック素体１１を挟んでＸ軸方向に対向している。外部電極１４，１５は、セラミック素体１１の端面から主面及び側面に延出している。これにより、外部電極１４，１５では、Ｘ−Ｚ平面に平行な断面、及びＸ−Ｙ平面に平行な断面がいずれもＵ字状となっている。なお、外部電極１４，１５の形状は、図１に示すものに限定されない。
【００２１】
外部電極１４，１５は、電気の良導体により形成されている。外部電極１４，１５を形成する電気の良導体としては、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを主成分とする金属又は合金が挙げられる。
【００２２】
セラミック素体１１は、セラミック積層体（積層体）１６と、サイドマージン部１７と、を有する。積層体１６は、Ｘ軸方向を向いた２つの端面１６ａと、Ｙ軸方向を向いた２つの側面１６ｂと、Ｚ軸方向を向いた２つの主面１６ｃと、を有する。サイドマージン部１７は、積層体１６の２つの側面１６ｂをそれぞれ被覆している。
【００２３】
積層体１６は、容量形成部１８と、容量形成部１８のＺ軸方向両側にそれぞれ設けられたカバー部１９と、を有する。容量形成部１８は、Ｚ軸方向にセラミック層を介して積層された第１内部電極１２及び第２内部電極１３を有する。
【００２４】
内部電極１２，１３は、それぞれ、Ｘ−Ｙ平面に沿って延びるシート状に構成される。第１内部電極１２は、一方の端面１６ａまでＸ軸方向に延び、第１外部電極１４に接続される。第２内部電極１３は、他方の端面１６ａまでＸ軸方向に延び、第２外部電極１５に接続される。これにより、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間に電圧が印加されると、第１内部電極１２と第２内部電極１３との間のセラミック層に電圧が加わり、容量形成部１８に当該電圧に応じた電荷が蓄えられる。
【００２５】
内部電極１２，１３は、電気の良導体により形成されている。内部電極１２，１３を形成する電気の良導体としては、典型的にはニッケル（Ｎｉ）が挙げられ、この他にも銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを主成分とする金属又は合金が挙げられる。
【００２６】
セラミック素体１１では、内部電極１２，１３間の各セラミック層の容量を大きくするため、高誘電率の誘電体セラミックスが用いられる。高誘電率の誘電体セラミックスとしては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）に代表される、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むペロブスカイト構造の材料が挙げられる。
【００２７】
なお、セラミック層は、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）系、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ３）系、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）系、チタン酸ジルコン酸カルシウム（Ｃａ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）系、ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ３）系、酸化チタン（ＴｉＯ２）系などで構成してもよい。
【００２８】
カバー部１９は、絶縁性セラミックスで形成されるが、例えばセラミック素体１１で用いられた誘電体セラミックスを含んでいてもよい。これにより、カバー部１９と容量形成部１８との間に発生し得る内部応力が抑制される。
【００２９】
内部電極１２，１３は、容量形成部１８のＹ軸方向の全幅にわたって形成され、Ｙ軸方向における端部１２ｂ，１３ｂが積層体１６の両側面１６ｂに配置されている。両側面１６ｂには、内部電極１２，１３間及びこれらと外部との間の絶縁性を確保する等の観点から、サイドマージン部１７が設けられている。
【００３０】
サイドマージン部１７は、側面１６ｂをＹ軸方向から覆い、Ｘ−Ｚ平面に沿って延びるシート状に構成される。サイドマージン部１７は、絶縁性セラミックスで形成されるが、内部応力抑制等の観点から、カバー部１９と同様に積層体１６で用いられた誘電体セラミックスで形成されてもよい。
【００３１】
［セラミック積層体１６の側面１６ｂの構成］
図３に示すように、サイドマージン部１７が形成される側面１６ｂは、本実施形態において、Ｙ軸方向に起伏する起伏部２０を含む。
【００３２】
起伏部２０は、Ｙ軸方向外方に突出する凸部２１又はＹ軸方向内方に陥凹する凹部２２の少なくとも一方を含む。例えば、積層セラミックコンデンサ１０において、図３の紙面向かって左側の起伏部２０は凸部２１を有し、図３の紙面向かって右側の起伏部２０は凹部２２を有する。
【００３３】
図４は、図３の側面１６ｂ付近を拡大して示す拡大断面図であり、Ａは凸部２１を有する起伏部２０を示し、Ｂは凹部２２を有する起伏部２０を示す。
【００３４】
図４Ａに示すように、凸部２１は、Ｙ軸方向の最外方に位置する頂部２１ａと、Ｙ軸方向の最内方に位置する底部２１ｂと、頂部２１ａと底部２１ｂの間を接続する傾斜面２１ｃと、を含む。凸部２１は、例えば、Ｘ軸方向に延在している。
【００３５】
凸部２１における頂部２１ａは、Ｙ軸方向に凸状に形成される。頂部２１ａは、例えば、Ｘ軸方向に延在する線状又は帯状に構成される。
凸部２１における底部２１ｂは、凸部２１の周縁に位置し、傾斜面２１ｃの外縁に位置する。底部２１ｂは、例えば、側面１６ｂの略平坦な部分と傾斜面２１ｃとの境界部を構成している。
傾斜面２１ｃは、Ｙ軸方向と鋭角をなして交差する。傾斜面２１ｃは、例えば、頂部２１ａに沿ってＸ軸方向に延在する帯状に構成される。
【００３６】
図４Ｂに示すように、凹部２２は、Ｙ軸方向の最外方に位置する頂部２２ａと、Ｙ軸方向の最内方に位置する底部２２ｂと、頂部２２ａと底部２２ｂの間を接続する傾斜面２２ｃと、を含む。凹部２２は、凸部２１に対応する形状で陥凹していてもよく、例えばＸ軸方向に延在している。
【００３７】
凹部２２における底部２２ｂは、Ｙ軸方向に凹状に形成される。底部２２ｂは、例えば、Ｘ軸方向に延在する線状又は帯状に構成される。
凹部２２における頂部２２ａは、凹部２２の周縁に位置し、傾斜面２２ｃの外縁に位置する。頂部２２ａは、例えば、側面１６ｂの略平坦な部分と傾斜面２２ｃとの境界部を構成している。
傾斜面２２ｃは、Ｙ軸方向と鋭角をなして交差する。傾斜面２２ｃは、例えば、底部２２ｂに沿ってＸ軸方向に延在する帯状に構成される。
【００３８】
側面１６ｂが起伏部２０を有することで、サイドマージン部１７と側面１６ｂとが複数の方向において接合する。これにより、サイドマージン部１７と側面１６ｂとの接合界面に応力が付加された場合でも、サイドマージン部１７の側面１６ｂに対する密着性を確保することができる。したがって、サイドマージン部１７の剥がれ等の欠陥を防止することができる。
【００３９】
凸部２１において、頂部２１ａと底部２１ｂとのＹ軸方向における寸法を、起伏高さ寸法ｕＴと定義する。起伏高さ寸法ｕＴは、例えば、頂部２１ａをＺ軸方向に切断するＹ軸方向に直交する断面において、頂部２１ａと底部２１ｂとの間のＹ軸方向における寸法として測定される。凸部２１（頂部２１ａ）がＸ軸方向に延在して形成される場合、当該断面は、積層体１６をＸ軸方向に略２等分する位置における断面とすることができる。
【００４０】
同様に、凹部２２において、頂部２２ａと底部２２ｂとのＹ軸方向における寸法を、起伏高さ寸法ｕＴと定義する。起伏高さ寸法ｕＴは、例えば、底部２２ｂをＺ軸方向に切断するＹ軸方向に直交する断面において、頂部２２ａと底部２２ｂとの間のＹ軸方向における寸法として測定される。凹部２２（底部２２ｂ）がＸ軸方向に延在して形成される場合、当該断面は、積層体１６をＸ軸方向に略２等分する位置における断面とすることができる。
【００４１】
本実施形態において、起伏高さ寸法ｕＴは、２μｍ以上５μｍ以下である。起伏高さ寸法ｕＴが２μｍ以上であることにより、サイドマージン部１７の欠陥防止効果を十分発揮させることができる。起伏高さ寸法ｕＴが５μｍ以下であることにより、起伏の度合いを適度に抑え、内部電極１２，１３間の交差面積を十分に確保することができる。
【００４２】
また、凸部２１において、頂部２１ａと底部２１ｂとの間のＺ軸方向における寸法を、起伏幅寸法ｕＷと定義する。起伏幅寸法ｕＷも、起伏高さ寸法ｕＴと同様に、頂部２１ａを切断するＹ軸方向に直交する断面において、頂部２１ａと底部２１ｂとの間のＺ軸方向における寸法として測定される。
【００４３】
凹部２２においても、頂部２２ａと底部２２ｂとの間のＺ軸方向における寸法を、起伏幅寸法ｕＷと定義する。起伏幅寸法ｕＷも、起伏高さ寸法ｕＴと同様に、底部２２ｂを切断するＹ軸方向に直交する断面において、頂部２２ａと底部２２ｂとの間のＺ軸方向における寸法として測定される。
【００４４】
本実施形態において、起伏幅寸法ｕＷは、２０μｍ以上４００μｍ以下である。起伏幅寸法ｕＷを２０μｍ以上とすることで、起伏部２０の幅を十分に確保し、起伏部２０とサイドマージン部１７との密着性を十分に確保することができる。起伏幅寸法ｕＷを４００μｍ以下とすることで、起伏部２０によるサイドマージン部１７の欠陥防止効果をより確実に発揮させることができる。
【００４５】
また以下に示すように、起伏部２０により、サイドマージン部１７の形成過程で生じ得る、側面１６ｂに対する位置ずれ等の欠陥も防止することができる。
【００４６】
［積層セラミックコンデンサ１０の製造方法］
図５は、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を示すフローチャートである。図６〜１３は積層セラミックコンデンサ１０の製造過程を模式的に示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について、図５に沿って、図６〜１３を適宜参照しながら説明する。
【００４７】
（ステップＳ０１：セラミック積層シート１０４の作製）
ステップＳ０１では、容量形成部１８を形成するための第１セラミックシート１０１及び第２セラミックシート１０２と、カバー部１９を形成するための第３セラミックシート１０３と、を積層して、セラミック積層シート（積層シート）１０４を作製する。
【００４８】
図６に示すセラミックシート１０１，１０２，１０３は、誘電体セラミックスを主成分とする未焼成の誘電体グリーンシートとして構成される。第１セラミックシート１０１には、第１内部電極１２に対応する未焼成の第１内部電極１１２が形成される。第２セラミックシート１０２には、第２内部電極１３に対応する未焼成の第２内部電極１１３が形成される。第３セラミックシート１０３には、内部電極が形成されていない。
【００４９】
各内部電極１１２，１１３は、Ｘ軸方向に平行な切断線Ｌｘを横切り、かつＹ軸方向に平行な切断線Ｌｙに沿って延びる複数の帯状の電極パターンを有する。これらの内部電極１１２，１１３は、印刷法等により、導電性ペーストをセラミックシート１０１，１０２に塗布することで形成される。
【００５０】
セラミックシート１０１，１０２は、図６に示すように、Ｚ軸方向に交互に積層される。セラミックシート１０１，１０２の積層体は、容量形成部１８に対応する。セラミックシート１０３は、セラミックシート１０１，１０２の積層体のＺ軸方向上下面に積層される。セラミックシート１０３の積層体は、カバー部１９に対応する。
なお、セラミックシート１０１，１０２，１０３の積層枚数等は、適宜調整可能である。
【００５１】
セラミックシート１０１，１０２，１０３の積層体をＺ軸方向から圧着することで、内部電極１１２，１１３が積層された積層体シート１０４が作製される。
【００５２】
（ステップＳ０２：セラミック積層チップ１１６の作製）
ステップＳ０２では、ステップＳ０１で得られた積層シート１０４を切断して、セラミック積層チップ（積層チップ）１１６を作製する。本実施形態では、ステップＳ０２において積層シート１０４を押し切りにより切断する。
【００５３】
図７〜９は、本ステップを説明するための積層シート１０４の断面図である。
図７に示すように、積層シート１０４は、保持部材Ｃに貼り付けられた状態で、切断線Ｌｘ，Ｌｙに沿って切断刃Ｂにより切断される。図７において、切断刃Ｂの刃先は、積層シート１０４とＺ軸方向に対向した状態で配置される。
【００５４】
保持部材Ｃは、例えば、基材Ｃ１と、粘着層Ｃ２と、を有し、Ｚ軸方向（厚み方向）に弾性変形可能なシート状に構成される。基材Ｃ１は、例えば塩化ビニル、ポリプロピレン等の樹脂材料、布、不織布等で構成される。粘着層Ｃ２は、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤等で構成される。
【００５５】
次に、図８に示すように、切断刃Ｂが保持部材Ｃに到達するまで切断刃ＢをＺ軸方向下方に移動させて、積層シート１０４を切断する。このとき、保持部材Ｃには切断刃Ｂを貫通させず、保持部材Ｃが切断されないようにする。
【００５６】
切断刃ＢのＺ軸方向下方への移動に伴い、積層シート１０４を介して保持部材Ｃの粘着層Ｃ２がＺ軸方向下方に押圧される。これにより、粘着層Ｃ２がＺ軸方向下方に沈むように変形する。粘着層Ｃ２の変形に伴い、積層シート１０４もＺ軸方向下方に局所的に撓むように変形する。
【００５７】
粘着層Ｃ２は、切断刃Ｂの刃先及び両刃面からの応力によって、不安定に沈み込み、両刃面を挟んで非対称な形状に変形する。これにより、積層シート１０４も切断刃Ｂの両側で非対称な形状に変形し、内部電極１１２，１１３に対して切断刃Ｂの刃先が斜めに接触する箇所が生じる。切断刃Ｂの刃先がＺ軸方向下方に進むに従い、切断刃Ｂによって積層シート１０４に作用する応力の向きが変化し、刃先と内部電極１１２，１１３との接触角度が連続的に変化する。
【００５８】
これにより、図９に示すように、切断面として、起伏部１２０を含む側面１１６ｂが形成される。
【００５９】
各切断線Ｌｘ，Ｌｙに沿って積層シート１０４を切断することで、図１０の断面図に示すように、Ｚ軸方向に積層された内部電極１１２，１１３と、Ｙ軸方向に向いた側面１１６ｂとを備えた未焼成の積層チップ１１６が形成される。側面１１６ｂには、内部電極１１２，１１３の端部１１２ｂ，１１３ｂが配置され、起伏部１２０が形成されている。
【００６０】
起伏部１２０は、本実施形態において、Ｙ軸方向外方に突出する凸部１２１又はＹ軸方向内方に陥凹する凹部１２２を有する。起伏部１２０のＹ軸方向における起伏高さ寸法及びＺ軸方向における起伏幅寸法は、粘着層Ｃ２の厚みや、粘着層Ｃ２の粘着強度等の物性によって調整される。
【００６１】
（ステップＳ０３：サイドマージン部形成）
ステップＳ０３では、ステップＳ０２で得られた積層チップ１１６の側面１１６ｂに、未焼成のサイドマージン部１１７を形成する。
【００６２】
サイドマージン部１１７は、サイドマージン部形成用のセラミックシート１１７ｓを側面１１６ｂに貼り付けることで形成される。セラミックシート１１７ｓは、ステップＳ０１で用いられるセラミックシート１０１，１０２，１０３と同様に、未焼成の誘電体グリーンシートとして構成される。図１１〜１３を参照し、サイドマージン部１１７の形成方法の一例を説明する。
【００６３】
図１１に示すように、まず、一方の側面１１６ｂがセラミックシート１１７ｓと対向するように、積層チップ１１６が配置される。他方の側面１１６ｂは、例えばテープＴによって支持されている。セラミックシート１１７ｓは、Ｙ軸方向（厚み方向）に弾性変形可能な弾性部材Ｓ上に配置されている。
【００６４】
次に、図１２に示すように、側面１１６ｂをセラミックシート１１７ｓに対して強く押圧する。積層チップ１１６は、セラミックシート１１７ｓとともに弾性部材Ｓに局所的に深く沈み込む。このとき、側面１１６ｂの外縁に沿ってセラミックシート１１７ｓにせん断力が作用し、このせん断力がセラミックシート１１７ｓのせん断強さ以上になると、セラミックシート１１７ｓが打ち抜かれる。
【００６５】
これにより、図１３に示すように、積層チップ１１６とともに沈み込んだセラミックシート１１７ｓの一部が切り離され、サイドマージン部１１７が形成される。
【００６６】
他方の側面１１６ｂについても、側面１１６ｂでセラミックシート１１７ｓを打ち抜くことで、サイドマージン部１１７を形成する。これにより、未焼成のセラミック素体が作製される。
【００６７】
（ステップＳ０４：焼成）
ステップＳ０４では、ステップＳ０３で得られたセラミック素体を焼成することにより、図１〜３に示す積層セラミックコンデンサ１０のセラミック素体１１を作製する。ステップＳ０４における焼成温度は、セラミック素体１１１の焼結温度に基づいて決定することができる。また、焼成は、例えば、還元雰囲気下、又は低酸素分圧雰囲気下において行うことができる。
【００６８】
（ステップＳ０５：外部電極形成）
ステップＳ０５では、ステップＳ０４で得られたセラミック素体１１のＸ軸方向両端部に外部電極１４，１５を形成する。一例として、まず、導電性ペーストをセラミック素体１１のＸ軸方向両端部に塗布し、この導電性ペーストを焼き付けて下地膜を形成する。次に、下地膜が形成されたセラミック素体１１をメッキ液に浸漬させて電解メッキを行うことで、１又は複数のメッキ膜を形成する。
これにより、図１〜３に示すような積層セラミックコンデンサ１０が形成される。
【００６９】
なお、上記のステップＳ０５における処理の一部を、ステップＳ０４の前に行ってもよい。例えば、ステップＳ０４の前に未焼成のセラミック素体１１１のＸ軸方向両端面に未焼成の電極材料を塗布し、ステップＳ０４において、未焼成のセラミック素体を焼成すると同時に、未焼成の電極材料を焼き付けて外部電極１４，１５の下地層を形成してもよい。また、脱バインダ処理したセラミック素体に未焼成の電極材料を塗布して、これらを同時に焼成してもよい。
【００７０】
ステップＳ０３のサイドマージン部１１７形成工程において、積層チップ１１６の側面１１６ｂは、セラミックシート１１７ｓの表面に対して平行な状態からわずかに傾いた状態で配置されることがある。この場合、側面１１６ｂによる押圧時に、セラミックシート１１７ｓの厚み方向のみならず、セラミックシート１１７ｓの表面に平行な方向にも分力が作用する。
【００７１】
仮に側面１１６ｂが平坦である場合、上記分力の作用により、側面１１６ｂがセラミックシート１１７ｓの厚み方向に押圧されながらセラミックシート１１７ｓの表面上を移動する。これにより、セラミックシート１１７ｓにおいて、側面１１６ｂの外縁からずれた位置にせん断力が作用して、当該位置でセラミックシート１１７ｓが切り離される。したがって、サイドマージン部１１７が側面１１６ｂに対してずれた状態で貼り付けられ、側面１１６ｂの一部の露出や、サイドマージン部１１７の密着不良等の欠陥が発生し得る。
【００７２】
本実施形態では、側面１１６ｂが、凸部１２１又は凹部１２２を含む起伏部１２０を有する。これにより、押圧時に仮にセラミックシート１１７ｓの表面に沿った分力が作用した場合でも、起伏部１２０において当該分力を打ち消す方向の抗力が作用する。したがって、押圧時に側面１１６ｂがセラミックシート１１７ｓの面内で移動することを防止できる。
【００７３】
このように、起伏部１２０により、サイドマージン部１１７の側面１１６ｂに対する位置ずれを防止でき、側面１１６ｂの露出や、サイドマージン部１１７の密着不良等の欠陥を防止できる。
【００７４】
起伏部１２０は、焼成後に、上述の起伏高さ寸法ｕＴが例えば２μｍ以上５μｍ以下となるように形成される。また、起伏部１２０は、焼成後に、上述の起伏幅寸法ｕＷが例えば２０μｍ以上４００μｍ以下となるように形成される。これにより、以下に示すように、サイドマージン部１７の欠陥の発生をより確実に防止することができる。
【００７５】
本実施形態の実施例として、積層体１６の側面１６ｂに異なる形状の起伏部２０を有する積層セラミックコンデンサ１０のサンプルを作製し、サイドマージン部１７の欠陥の発生率を調べた。各サンプルにおいて、Ｘ軸方向における寸法は１．０ｍｍ、Ｙ軸方向及びＺ軸方向における寸法は０．５ｍｍとした。
【００７６】
起伏部２０の形状は、各積層セラミックコンデンサ１０をＸ軸方向に略２等分する位置において切断した、Ｘ軸方向に直交する断面において測定した。各サンプルにおける起伏高さ寸法ｕＴは、１μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍであった。各サンプルにおける起伏幅寸法ｕＷは、１５μｍ、２０μｍ、１００μｍ、３００μｍ、４００μｍ、５００μｍであった。また、比較例として、実施例の各サンプルと同一のサイズを有しているが、起伏高さ寸法ｕＴが０μｍであり、起伏部を有さない積層セラミックコンデンサも作製した。
【００７７】
作製後の積層セラミックコンデンサ１０のサンプルを目視により検査し、サイドマージン部１７の位置ずれがあった場合、又はサイドマージン部１７の剥がれ等の密着不良があった場合に、欠陥が発生していると認定した。同一形状の起伏部２０を有する１００個のサンプル中における、上記欠陥の発生数の割合を、サイドマージン部１７の欠陥の発生率として算出した。結果を表１に示す。
【００７８】
【表１】
2020136589.tif 000003
【００７９】
起伏部２０を有さない比較例のサンプルの欠陥発生率は、表１に示してはいないが、１０％であった。一方で、表１に示すように、起伏高さ寸法ｕＴが１μｍ以上５μｍ以下のサンプルでは、いずれも欠陥発生率が５％以下であった。この結果から、側面１６ｂに起伏部２０を形成することで、サイドマージン部１７の位置ずれや密着不良を抑制できることが確認された。
【００８０】
なお、起伏高さ寸法ｕＴが５μｍ以下であれば、内部電極１２，１３間の交差面積の減少に伴う容量の低下についても問題がない範囲であった。
【００８１】
特に、起伏高さ寸法ｕＴが２μｍ以上５μｍ以下のサンプルでは、起伏幅寸法ｕＷを２０μｍ以上４００μｍ以下に調整することで、欠陥の発生率を０％とすることができた。この結果から、起伏高さ寸法ｕＴを２μｍ以上５μｍ以下とすることで、起伏部２０の傾斜面２１ｃ，２２ｃをＹ軸方向に対して十分に傾斜させ、サイドマージン部１７のずれ抑制効果を高められることが確認された。
【００８２】
また、起伏幅寸法ｕＷを２０μｍ以上とすることで、起伏部２０の凸部２１及び凹部２２のＺ軸方向における幅を十分に確保し、サイドマージン部１７の密着不良を効果的に防止できることが確認された。また、起伏幅寸法ｕＷを４００μｍ以下とすることで、傾斜面２１ｃ，２２ｃを十分に傾斜させ、サイドマージン部１７のずれ抑制効果を高められることが確認された。
【００８３】
＜第２実施形態＞
図１４は、本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０の断面図であり、図３に対応する断面を示す。図１５は、図１４の一方の側面１６ｂ付近を示す拡大断面図である。
本実施形態において、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、第１実施形態と異なる部分について主に説明する。
【００８４】
これらの図に示すように、積層セラミックコンデンサ１０の積層体１６の側面１６ｂは、凸部２１及び凹部２２の双方を有する起伏部２０を含む。凸部２１及び凹部２２は、Ｚ軸方向に並んで配置され、連続的に形成される。
【００８５】
凸部２１は、Ｙ軸方向外方に突出する領域であり、凹部２２は、Ｙ軸方向内方に陥凹する領域である。本実施形態の起伏部２０において、凸部２１及び凹部２２は、一部の領域を共有している。図１５に示す例では、凸部２１の頂部２１ａと凹部２２の頂部２２ａが同一の部分を示し、凸部２１の底部２１ｂと凹部２２の底部２２ｂとが同一の部分を示す。また、これらを接続する傾斜面２１ｃ、２２ｃも、同一の部分を示す。
【００８６】
本実施形態でも、頂部２１ａ，２２ａと底部２１ｂ，２２ｂとのＹ軸方向における寸法を、起伏高さ寸法ｕＴと定義する。また、頂部２１ａ，２２ａと底部２１ｂ，２２ｂとのＺ軸方向における寸法を、起伏幅寸法ｕＷと定義する。起伏高さ寸法ｕＴは、２μｍ以上５μｍ以下であると良く、起伏幅寸法ｕＷは、２０μｍ以上４００μｍ以下であると良い。
【００８７】
起伏部２０が複数の凸部２１又は複数の凹部２２を有する場合は、起伏高さ寸法ｕＴは、頂部２１ａ，２２ａと底部２１ｂ，２２ｂとの間のＹ軸方向における寸法のうち、最も大きい寸法と定義される。この場合の起伏幅寸法ｕＷは、起伏高さ寸法ｕＴを測定した頂部２１ａ，２２ａ及び底部２１ｂ，２２ｂ間のＺ軸方向における寸法と定義される。
【００８８】
本実施形態においても、起伏部２０により、側面１１６ｂでセラミックシート１１７ｓを押圧した際のセラミックシート１１７ｓの平面方向のずれを防止することができる。これにより、サイドマージン部１７の側面１６ｂに対する位置ずれや、密着不良等の欠陥を防止することができる。
【００８９】
凸部２１及び凹部２２の双方を有する起伏部２０は、第１実施形態と同様に、積層シート１０４の押し切り時に、積層シート１０４を配置する粘着層Ｃ２の厚みや粘性等の物性を調整することにより、形成することができる。この他、本実施形態の起伏部２０は、例えばダイサ等の回転刃で積層シート１０４を切断する際に、回転刃の回転速度を周期的に変化させることによっても形成することができる。
【００９０】
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００９１】
上述の実施形態において、セラミックシート１１７ｓが貼り付けられるセラミック積層チップは未焼成であると説明したが、本発明のセラミック積層チップは、焼成されたセラミック積層体であってもよい。この場合、例えば、焼成されたセラミック積層チップ（セラミック積層体）に、未焼成のセラミックシート１１７ｓが貼り付けられた後、再度焼成されることで、セラミック素体が形成される。
【００９２】
サイドマージン部１１７の貼り付け方法は、側面１１６ｂによってセラミックシート１１７ｓを打ち抜く方法に限定されない。例えば、側面１１６ｂと同様の形状に切断されたセラミックシートを側面１１６ｂに押圧して貼り付けることによって形成されてもよい。この場合にも、側面１１６ｂが起伏部１２０を有することで、押圧時に側面１１６ｂに対するセラミックシートの位置ずれが生じることを防止でき、サイドマージン部１７の欠陥を防止できる。
【００９３】
起伏部２０の形状は、凸部２１又は凹部２２がＸ軸方向に延在する構成に限定されない。例えば、凸状の頂部又は凹状の底部が、スポット状に突出又は陥凹した形状でもよい。この場合の起伏高さ寸法及び起伏幅寸法は、凸状の頂部又は凹状の底部を通って切断されたＸ軸方向に直交する断面において、測定することができる。
【００９４】
また、上記実施形態では、積層セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、本発明は、相互に対を成す内部電極が交互に配置される積層セラミック電子部品全般に適用可能である。このような積層セラミック電子部品としては、例えば、圧電素子などが挙げられる。
【符号の説明】
【００９５】
１０…積層セラミックコンデンサ
１２，１３…内部電極
１４，１５…外部電極
１６…セラミック積層チップ（積層チップ）
１７…サイドマージン部
１８…容量形成部
１９…カバー部
２０…起伏部
２１…凸部
２２…凹部
２１ａ，２２ａ…頂部
２１ｂ，２２ｂ…底部
２１ｃ，２２ｃ…傾斜面
１０４…積層シート
１１２，１１３…未焼成の内部電極
１１６…未焼成のセラミック積層チップ（積層チップ）
１１７…未焼成のサイドマージン部
１１７ｓ…セラミックシート
【図１】
2020136589.tif 000004
【図２】
2020136589.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2020136589.tif 000009
【図７】
2020136589.tif 000010
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2020136589.tif 000013
【図１１】
2020136589.tif 000014
【図１２】
2020136589.tif 000015
【図１３】
2020136589.tif 000016
【図１４】
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【図１５】
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