(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳミラーの偏向角の検出確度を高める検査システム、検査方法及びプログラムを提供する。【解決手段】本発明の検査システム１は、ＭＥＭＳミラー１０を所定位置に保持する台座２と、所定位置に保持されたＭＥＭＳミラー１０に対してレーザ光を照射する照射部３と、台座２と照射部３との間に設けられ、ＭＥＭＳミラー１０により反射された反射レーザ光を受光して受光位置ｘを検出するＰＳＤ５と、受光位置の位置誤差を補正するための補正値Δを記録する記録部９３４と、ＰＳＤ５により検出された受光位置ｘと記録部９３４に記録された補正値Δと基づいて、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θを算出する偏向角算出部９３３ａと、を備える。【選択図】図１
2020159819.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳミラーを検査する検査システムであって、
前記ＭＥＭＳミラーを所定位置に保持する台座と、
前記所定位置に保持された前記ＭＥＭＳミラーに対してレーザ光を照射する照射部と、
前記ＭＥＭＳミラーにより反射された反射レーザ光を受光して受光位置を検出する検出器と、
受光位置の位置誤差を補正するための補正値を記録する記録手段と、
前記検出器により検出された受光位置と前記記録手段に記録された補正値とに基づいて、前記ＭＥＭＳミラーの偏向角を算出する算出手段と、を備える、
検査システム。
【請求項２】
請求項１に記載の検査システムであって、
前記補正値は、ゴニオステージにより傾斜回転させた、前記所定位置に保持された基準ミラーの傾斜角から変換された前記検出器の理論受光位置と、前記検出器が前記基準ミラーにより反射された反射レーザ光を受光して検出した検出受光位置とに基づいて、算出される、
検査システム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の検査システムであって、
前記照射部からのレーザ光の光路上に設けられるビーム分割手段と、
前記ビーム分割手段により分割された分割レーザ光の光パワーを検出する光パワーモニタと、を備え、
前記検出器は、前記ＭＥＭＳミラーにより反射された反射レーザ光の光パワーをさらに検出し、
前記算出手段は、前記光パワーモニタにより検出された分割レーザ光の光パワーと前記検出器により検出された反射レーザ光の光パワーとに基づいて、前記ＭＥＭＳミラーの反射率ｒ２を算出する、
検査システム。
【請求項４】
請求項３に記載の検査システムであって、
前記ビーム分割手段及び前記光パワーモニタは、前記検出器よりも前記照射部側に設けられる、
検査システム。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の検査システムであって、
前記検出器は、前記照射部からのレーザ光の光路に対して対称に設けられる一対の二軸ＰＳＤからなる、
検査システム。
【請求項６】
請求項５に記載の検査システムであって、
一対の前記二軸ＰＳＤ間の間隔が変化するように一対の前記二軸ＰＳＤをそれぞれ移動させる一対の移動手段を備える、
検査システム。
【請求項７】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の検査システムであって、
前記検出器は、
前記照射部からのレーザ光の光路を挟んで第１軸方向に延在するように設けられる一対の第１一軸ＰＳＤと、
前記照射部からのレーザ光の光路を挟んで前記第１軸方向と直交する第２軸方向に延在するように設けられる一対の第２一軸ＰＳＤと、を有する、
検査システム。
【請求項８】
請求項７に記載の検査システムであって、
一対の前記第１一軸ＰＳＤ間の間隔が変化するように一対の前記第１一軸ＰＳＤをそれぞれ第１軸方向に移動させる一対の第１移動手段と、
一対の前記第２一軸ＰＳＤ間の間隔が変化するように一対の前記第２一軸ＰＳＤをそれぞれ第２軸方向に移動させる一対の第２移動手段と、を備える、
検査システム。
【請求項９】
ＭＥＭＳミラーを検査する検査方法であって、
前記ＭＥＭＳミラーに対してレーザ光を照射する照射ステップと、
前記ＭＥＭＳミラーにより反射された反射レーザ光の受光位置を検出器を用いて検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより検出された受光位置と受光位置の位置誤差を補正するための補正値とに基づいて、前記ＭＥＭＳミラーの偏向角を算出する算出ステップと、を含む、
検査方法。
【請求項１０】
ＭＥＭＳミラーを検査するコンピュータに、
前記ＭＥＭＳミラーにより反射された反射レーザ光を受光する検出器の受光位置を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにより取得された検出器の受光位置及び受光位置の位置誤差を補正するための補正値に基づいて、前記ＭＥＭＳミラーの偏向角を算出する算出ステップと、を実行させる、
プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査システム、検査方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）ミラーに対してレーザ光を照射する照射部と、ＭＥＭＳミラーにより反射された反射レーザ光の重心の位置を検出するＰＳＤ（Position Sensitive Detector）と、を備える検査システムが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１７３５５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の検査システムでは、ＰＳＤのような検出器を用いてＭＥＭＳミラーにより反射された反射レーザ光の反射範囲（偏向角）を検出することができるものの、検出器の位置検出誤差又は検出器の取付誤差により検出された偏向角については確度が低いという問題点があった。
【０００５】
本発明は、これらの問題点に着目してなされたものであり、ＭＥＭＳミラーの偏向角の検出確度を高める検査システム、検査方法及びプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のある一つの態様によれば、ＭＥＭＳミラーを検査する検査システムであって、前記ＭＥＭＳミラーを所定位置に保持する台座と、前記所定位置に保持された前記ＭＥＭＳミラーに対してレーザ光を照射する照射部と、前記ＭＥＭＳミラーにより反射された反射レーザ光を受光して受光位置を検出する検出器と、受光位置の位置誤差を補正するための補正値を記録する記録手段と、前記検出器により検出された受光位置と前記記録手段に記録された補正値とに基づいて、前記ＭＥＭＳミラーの偏向角を算出する算出手段と、を備える、検査システムが提供される。
【０００７】
本発明のある他の態様によれば、ＭＥＭＳミラーを検査する検査方法であって、前記ＭＥＭＳミラーに対してレーザ光を照射する照射ステップと、前記ＭＥＭＳミラーにより反射された反射レーザ光の受光位置を検出器を用いて検出する検出ステップと、前記検出ステップにより検出された受光位置と受光位置の位置誤差を補正するための補正値とに基づいて、前記ＭＥＭＳミラーの偏向角を算出する算出ステップと、を含む、検査方法が提供される。
【０００８】
本発明のあるその他の態様によれば、ＭＥＭＳミラーを検査するコンピュータに、前記ＭＥＭＳミラーにより反射された反射レーザ光を受光する検出器の受光位置を取得する取得ステップと、前記取得ステップにより取得された検出器の受光位置と受光位置の位置誤差を補正するための補正値とに基づいて、前記ＭＥＭＳミラーの偏向角を算出する算出ステップと、を実行させる、プログラムが提供される。
【発明の効果】
【０００９】
これらによれば、ＭＥＭＳミラーの偏向角の検出確度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施形態に係る検査システムの概略平面図である。
【図２】図２は、検査システムの構成ブロック図である。
【図３】図３は、ＰＳＤの概略正面図である。
【図４】図４は、ＭＥＭＳミラーの代わりに基準ミラーを用いる検査システムの概略平面図である。
【図５】図５は、補正値を求めるためのテーブルを示す図である。
【図６】図６は、ＭＥＭＳミラーの偏向角を求める処理を示すフローチャートである。
【図７】図７は、ＭＥＭＳミラーの反射率を求める処理を示すフローチャートである。
【図８】図８は、変形例に係る検査システムの概略平面図である。
【図９】図９は、変形例の検出器の概略正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら本実施形態について説明する。本明細書においては、全体を通じて、同一の要素には同一の符号を付する。
【００１２】
（検査システム）
まず、図１から図３を参照しながら本実施形態に係る検査システム１について説明する。
【００１３】
図１は、本実施形態に係る検査システム１の概略平面図である。図２は、検査システム１の構成ブロック図である。図３は、ＰＳＤの正面図である。図中において、互いに直交する第１軸方向、第２軸方向及び第３軸方向を、それぞれＹ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向とする。また、図３において、光路Ｏから二軸ＰＳＤ５ａに向かうＹ軸方向の一方を＋Ｙ軸方向とし、その反対方向であるＹ軸方向の他方を−Ｙ軸方向とする。
【００１４】
図１に示すように、本実施形態に係る検査システム１は、ＭＥＭＳミラー１０を検査する装置である。具体的には、検査システム１は、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θ及び反射率ｒ２を検査する装置である。検査システム１は、例えば、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θ及び反射率ｒ２に加え、その他のパラメータを検査する装置であってもよい。
【００１５】
ＭＥＭＳミラー１０は、プリンタヘッド、及びプロジェクタ等に用いられる光学機器である。具体的には、ＭＥＭＳミラー１０は、互いに直交するＹ軸方向及びＺ軸方向にレーザ光等を反射する二軸ＭＥＭＳミラーである。
【００１６】
検査システム１は、台座２、照射部３、照射部位置調整ステージ４、検出器５、移動手段６、ビーム分割手段としてのビームスプリッタ７及び光パワーモニタ８と、これらを収納するハウジング１１と、を備える。また、図２に示すように、検査システム１は、検査装置９をさらに備える。
【００１７】
台座２は、被検査対象となるＭＥＭＳミラー１０を所定位置に保持する固定具である。台座２は、ハウジング１１のＸ軸方向の一方側に配置される。
【００１８】
照射部３は、台座２により所定位置に保持されたＭＥＭＳミラー１０に対してレーザ光を照射する。照射部３は、照射部位置調整ステージ４に着脱可能に設けられる。照射部３及び照射部位置調整ステージ４は、ハウジング１１のＸ軸方向の他方側に配置される。
【００１９】
照射部位置調整ステージ４は、照射部３の位置を調整する位置調整部である。具体的には、照射部位置調整ステージ４は、照射部３のＹ軸方向及びＺ軸方向の二軸位置を調整する。照射部位置調整ステージ４は、これに限定されるものではなく、例えば、照射部３のＹ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向の三軸位置を調整する調整部であってもよいし、照射部３のＹ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向のうちのいずれか１つの一軸位置を調整する調整部であってもよい。
【００２０】
検出器５は、ＰＳＤからなる。具体的には、図１及び図３に示すように、検出器５は、照射部３からＭＥＭＳミラー１０に照射されるレーザ光の光路Ｏに対して左右対称に設けられる一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂからなる。一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂは、正面視において、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に延在する矩形状をなす。このため、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂを用いて、ＭＥＭＳミラー１０のＹ軸方向の偏向角θのみならず、ＭＥＭＳミラー１０のＺ軸方向の偏向角θをも検出することができる。
【００２１】
二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂの各々は、ＭＥＭＳミラー１０により反射された反射レーザ光（スポット）の光量の重心の位置を検出することができる光位置センサである。つまり、二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂは、ＭＥＭＳミラー１０により反射された反射レーザを受光し、その受光位置ｘ及び光パワーＰ２を検出してこれらの情報を検査装置９に出力する。なお、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂは、一例として台座２と照射部３との間に設けられる。
【００２２】
本実施形態では、検出器５は、ＰＳＤから構成されているが、これに限定されるものではなく、例えば、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ、フォトダイオードアレイ等から構成されてもよい。
【００２３】
移動手段６は、照射部３からＭＥＭＳミラー１０に照射されるレーザ光の光路Ｏに対して左右対称に設けられる一対のＰＳＤ位置調整ステージ６ａ，６ｂからなる。一対のＰＳＤ位置調整ステージ６ａ，６ｂは、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂ間の間隔が変化するように一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂをそれぞれＹ軸方向に移動させる位置調整部である。
【００２４】
具体的には、一方のＰＳＤ位置調整ステージ６ａは一方の二軸ＰＳＤ５ａを所定速度により＋Ｙ軸方向に移動させるとともに、他方のＰＳＤ位置調整ステージ６ｂは一方のＰＳＤ位置調整ステージ６ａに同期して他方の二軸ＰＳＤ５ｂを所定速度により−Ｙ軸方向に移動させる。これにより、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂ間の間隔が広がる。
【００２５】
同様に、一方のＰＳＤ位置調整ステージ６ａは一方の二軸ＰＳＤ５ａを所定速度により−Ｙ軸方向に移動させるとともに、他方のＰＳＤ位置調整ステージ６ｂは一方のＰＳＤ位置調整ステージ６ａに同期して他方の二軸ＰＳＤ５ｂを所定速度により＋Ｙ軸方向に移動させる。これにより、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂ間の間隔が狭まる。
【００２６】
これにより、一対のＰＳＤ位置調整ステージ６ａ，６ｂは、偏向角θ（種類）が異なるＭＥＭＳミラー１０に応じて、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂ間の間隔が変化するように一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂをそれぞれＹ軸方向に移動させることができる。その結果、ＭＥＭＳミラー１０のＹ軸方向の偏向角θを検出可能な範囲が広がる。
【００２７】
本実施形態では、検査システム１は、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂを移動させる移動手段６を備えているが、これに限定されるものではなく、例えば、移動手段６を省略してもよい。この場合、検査システム１全体の構造の簡素化が図られる。
【００２８】
ビームスプリッタ７は、照射部３からＭＥＭＳミラー１０に照射されるレーザ光を分割するための光学部品である。このため、ビームスプリッタ７は、照射部３からＭＥＭＳミラー１０に照射されるレーザ光の光路Ｏ上に設けられる。そして、ビームスプリッタ７は、照射部３からＭＥＭＳミラー１０に照射されるレーザ光を分割し、屈折分割されたレーザ光を光パワーモニタ８に導く。
【００２９】
光パワーモニタ８は、ビームスプリッタ７により分割された分割レーザ光の光パワーＲp２を検出するセンサである。光パワーモニタ８は、ビームスプリッタ７により分割された分割レーザ光を受光し、その光パワーＲp２を検出して分割レーザ光の光パワーＲp２を示す分割パワー情報を検査装置９に出力する。
【００３０】
ビームスプリッタ７及び光パワーモニタ８は、ＰＳＤ５よりも照射部３側に移動不能に設けられる。これにより、ビームスプリッタ７による分割レーザ光とＭＥＭＳミラー１０による反射レーザ光との干渉を回避することができる。その結果、両レーザ光の干渉によるＭＥＭＳミラー１０の検査確度の低下を回避することができる。
【００３１】
図２に示すように、検査装置９は、各種入力操作を行う入力操作部９１と、各種検査結果等を表示させる表示部９２と、各種処理の制御を行う制御部９３と、を有する。なお、検査装置９は、ハウジング１１と一体に設けられてもよいし、ハウジング１１と別体に設けられてもよい。
【００３２】
入力操作部９１は、検査装置９に対して様々な入力操作を行う操作子である。具体的には、入力操作部９１は、照射部３のオンオフの操作、照射部３の位置調整、及び二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂの位置調整の操作内容を示す入力操作情報を制御部９３に出力する。なお、入力操作部９１は、操作ボタン、キーボード、タッチパネル又はこれらの組み合わせによって実現される。
【００３３】
表示部９２は、制御部９３から出力された各種検査結果又は入力操作部９１に対する入力操作に関する情報を表示させるモニタである。各種検査結果は、例えば、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θ及びＭＥＭＳミラー１０の反射率ｒ２を含む。表示部９２は、液晶表示部から構成されてもよいし、ＯＬＥＤ表示部から構成されてもよい。
【００３４】
制御部９３は、コンピュータとしてのＣＰＵから構成される。制御部９３は、反射光情報取得部９３１、分割光情報取得部９３２、動作制御部９３３、記録手段としての記録部９３４及び算出手段としての算出部９３５を有する。
【００３５】
反射光情報取得部９３１は、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂから出力された反射レーザ光の受光位置ｘ及び光パワーＰ２を示す反射情報を取得し、この反射情報を算出部９３５に出力する。一方、分割光情報取得部９３２は、光パワーモニタ８から出力された分割光の光パワーＲp２を示す分割パワー情報を取得し、その情報を算出部９３５に出力する。
【００３６】
動作制御部９３３は、入力操作部９１から出力された操作内容を示す入力操作情報を制御情報に変換する。そして、動作制御部９３３は、変換された照射部３のオンオフの操作に関する制御情報を照射部３に、照射部３の位置調整に関する制御情報を照射部位置調整ステージ４に、二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂの位置調整に関する制御情報をＰＳＤ位置調整ステージ６ａ，６ｂに出力する。また、動作制御部９３３は、これらの制御情報を記録部９３４にも出力する。
【００３７】
そして、照射部３、照射部位置調整ステージ４及びＰＳＤ位置調整ステージ６ａ，６ｂは、動作制御部９３３から出力された制御情報に基づいて動作する。
【００３８】
記録部９３４は、二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂの受光位置ｘの位置誤差を補正するための補正値Δ及びＸ軸方向におけるＭＥＭＳミラー１０から二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂまでの寸法ｗ（以下、単に寸法ｗと称する。図１参照）を記録するコンピュータ読取可能な記録媒体である。補正値Δ及び寸法ｗは、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θの算出に用いられる。なお、寸法ｗは、ＭＥＭＳミラー１０のＹ軸方向の中心点から一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂ間に位置する中心点までの距離である。
【００３９】
記録部９３４は、補正値Δに加え、後述する基準ミラー１２（図４参照）の反射率ｒ１、基準ミラー１２により反射された反射レーザ光の光パワーＰ１、基準ミラー１２の検出時にビームスプリッタ７により分割された分割レーザ光の光パワーＲp１をも記録している。これらのパラメータ（ｒ１、Ｐ１、Ｒp１）は、ＭＥＭＳミラー１０の反射率ｒ２の算出に用いられる。
【００４０】
記録部９３４は、記録した上記パラメータ（Δ、ｗ、ｒ１、Ｐ１、Ｒp１）を算出部９３５に出力する。また、記録部９３４は、制御部９３の算出部９３５において実行される処理プログラム及びアルゴリズムプログラムを記録するものであってもよい。本実施形態では、記録部９３４は、検査装置９に内蔵されているが、これに限定されるものではなく、例えば、検査装置９に接続される外付けの記録部であってもよい。
【００４１】
算出部９３５は、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θを算出する偏向角算出部９３５ａと、ＭＥＭＳミラー１０の反射率ｒ２を算出する反射率算出部９３５ｂと、補正値Δを算出する補正値算出部９３５ｃと、を有する。
【００４２】
偏向角算出部９３５ａは、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂにより検出された受光位置ｘ及び記録部９３４に記録された補正値Δに基づいて、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θを算出する。
【００４３】
具体的には、偏向角算出部９３５ａは、次式（１）に示すように、反射光情報取得部９３１から出力された反射レーザ光の受光位置ｘを示す位置情報と、記録部９３４から出力された補正値Δ及び寸法ｗとに基づいて、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θを算出し、その偏向角θを表示部９２に出力する。
【００４４】
【数１】
2020159819.tif 000003
【００４５】
反射率算出部９３５ｂは、光パワーモニタ８により検出された分割レーザ光の光パワーＲp２及び一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂにより検出された反射レーザ光の光パワーＰ２に基づいて、ＭＥＭＳミラーの反射率ｒ２を算出する。
【００４６】
具体的には、反射率算出部９３５ｂは、次式（２）に従って、ＭＥＭＳミラー１０の反射率ｒ２を算出し、その反射率ｒ２を表示部９２に出力する。ただし、αは、次式（３）に示すように、レーザ光の光パワードリフトを補正する係数である。
【００４７】
【数２】
2020159819.tif 000004
【００４８】
【数３】
2020159819.tif 000005
【００４９】
ここで、光パワーＰ２は、反射光情報取得部９３１から出力された反射パワー情報に示される反射レーザ光の光パワーである。光パワーＲp２は、分割光情報取得部９３２から出力された分割パワー情報に示される分割レーザ光の光パワーである。反射率ｒ１は、記録部９３４から出力された基準ミラー１２の反射率である。光パワーＰ１は、記録部９３４から出力された基準ミラー１２の検出時の反射レーザ光の光パワーである。光パワーＲp１は、記録部９３４から出力された基準ミラー１２の検出時の分割レーザ光の光パワーである。
【００５０】
補正値算出部９３５ｃは、受光位置の位置誤差を補正するための補正値Δを算出し、その補正値Δを記録部９３４に出力する。補正値算出部９３５ｃは、角度受光位置変換部９３５ｄ及び補正値取得部９３５ｅを有する。なお、角度受光位置変換部９３５ｄ及び補正値取得部９３５ｅの構成については、下記の「補正値を求める処理」で説明する。
【００５１】
（補正値を求める処理）
次に、図４及び図５を参照しながら補正値Δを求める処理について説明する。
【００５２】
図４は、ＭＥＭＳミラーの代わりに基準ミラー１２を用いる検査システム１の概略平面図である。図５は、補正値Δを求めるためのテーブルを示す図である。
【００５３】
図４に示すように、ＭＥＭＳミラー１０の代わりに基準ミラー１２を所定位置に保持する。具体的には、基準ミラー１２は、ミラー固定治具１３を介してゴニオステージ１４に設けられる。基準ミラー１２は、ＭＥＭＳミラー１０と同一形状に形成され、その反射率ｒ１が、あらかじめ記録部９３４に記録される。ゴニオステージ１４は、所定位置に保持された基準ミラー１２の傾斜角βを調整する角度調整装置である。
【００５４】
補正値Δは、理論受光位置ｙと検出受光位置ｚとに基づいて、算出される。理論受光位置ｙは、ゴニオステージ１４により傾斜回転させた、所定位置に保持された基準ミラー１２の傾斜角βから変換された二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂの受光位置である。検出受光位置ｚは、二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂが基準ミラー１２により反射された反射レーザ光を受光して検出した受光位置である。
【００５５】
具体的には、補正値Δを求めるために、基準ミラー１２をゴニオステージ１４により所定角度（例えば、５ｄｅｇ）毎に傾斜させて、照射部３により所定位置に保持された基準ミラー１２に対してレーザ光を照射する。そして、二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂは、図５に示されるように、基準ミラー１２の各傾斜角β（２５ｄｅｇ、２０ｄｅｇ、・・・、−２０ｄｅｇ、−２５ｄｅｇ）において、図５に示される各検出受光位置ｚ（ｚ１、ｚ２、・・・、ｚ９、ｚ１０）を検出する。
【００５６】
角度受光位置変換部９３５ｄは、次式（４）に示すように、ゴニオステージ１４から出力された各傾斜角β（２５ｄｅｇ、２０ｄｅｇ、・・・、−２０ｄｅｇ、−２５ｄｅｇ）を、図５に示される各理論受光位置ｙ（ｙ１、ｙ２、・・・、ｙ９、ｙ１０）に変換する。そして、角度受光位置変換部９３５ｄは、変換された各理論受光位置ｙ（ｙ１、ｙ２、・・・、ｙ９、ｙ１０）を補正値取得部９３５ｅに出力する。
【００５７】
【数４】
2020159819.tif 000006
【００５８】
補正値取得部９３５ｅは、角度受光位置変換部９３５ｄから出力された各理論受光位置ｙ（ｙ１、ｙ２、・・・、ｙ９、ｙ１０）と二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂから検出された各検出受光位置ｚ（ｚ１、ｚ２、・・・、ｚ９、ｚ１０）とに基づいて、補正値Δを取得する。
【００５９】
一例として、補正値取得部９３５ｅは、＋側の各傾斜角βに対応する各理論受光位置ｙ（ｙ１、ｙ２、ｙ３、ｙ４、ｙ５）から二軸ＰＳＤ５ａにより検出された各検出受光位置ｚ（ｚ１、ｚ２、ｚ３．ｚ４、ｚ５）を差し引くことにより、図５に示される二軸ＰＳＤ５ａの各補正値（Δ１、Δ２、Δ３、Δ４、Δ５）を取得する。そして、補正値取得部９３５ｅは、二軸ＰＳＤ５ａの各補正値（Δ１、Δ２、Δ３、Δ４、Δ５）の平均値を二軸ＰＳＤ５ａの補正値Δとして算出し、二軸ＰＳＤ５ａの補正値Δを記録部９３４に出力する。
【００６０】
また、補正値取得部９３５ｅは、−側の各傾斜角βに対応する各理論受光位置ｙ（ｙ６、ｙ７、ｙ８、ｙ９、ｙ１０）から二軸ＰＳＤ５ｂにより検出された各検出受光位置ｚ（ｚ６、ｚ７、ｚ８．ｚ９、ｚ１０）を差し引くことにより、図５に示される二軸ＰＳＤ５ｂの各補正値（Δ６、Δ７、Δ８、Δ９、Δ１０）を取得する。そして、補正値取得部９３５ｅは、二軸ＰＳＤ５ｂの各補正値（Δ６、Δ７、Δ８、Δ９、Δ１０）の平均値を二軸ＰＳＤ５ｂの補正値Δとして算出し、二軸ＰＳＤ５ｂの補正値Δを記録部９３４に出力する。
【００６１】
なお、上述の複数の傾斜角βのうちから選択されたいずれか一つ（例えば、２５ｄｅｇ）において、記録部９３４に記録された光パワーＰ１及び光パワーＲp１は、それぞれ二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂ及びパワーモニタ８により検出される。
【００６２】
（ＭＥＭＳミラーの偏向角を求める処理）
次に、図６を参照しながらＭＥＭＳミラー１０の偏向角θを求める処理について説明する。
【００６３】
図６は、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θを求める処理を示すフローチャートである。
【００６４】
まず、照射部３は、台座２により所定位置に保持されたＭＥＭＳミラー１０に対してレーザ光を照射する。そして、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂがＭＥＭＳミラー１０により反射された反射レーザ光を受光したとき、制御部９３は、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θを求める処理を開始させ、ステップＳ１に進む。
【００６５】
図６に示すステップＳ１において、反射光情報取得部９３１は、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂにより検出された反射レーザ光の受光位置ｘを示す位置情報を取得し、その位置情報を算出部９３５の偏向角算出部９３５ａに出力し、ステップＳ２に進む。
【００６６】
次に、ステップＳ２において、偏向角算出部９３５ａは、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂにより検出された受光位置ｘと記録部９３４に記録された補正値Δとに基づいて、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角を算出する。
【００６７】
具体的には、ステップＳ２において、偏向角算出部９３５ａは、反射レーザ光の受光位置ｘに対して記録部９３４に記録された補正値Δを付加する。これにより、高確度の受光位置を得ることができる。続いて、偏向角算出部９３５ａは、上述の式（１）に従って、記録部９３４に記録された寸法ｗを用いて高確度の受光位置を偏向角に変換する。これにより、ＭＥＭＳミラー１０のＹ軸方向及びＺ軸方向の偏向角θを算出することができる。そして、ステップＳ２においてＭＥＭＳミラー１０の偏向角θが算出されると、本処理を終了させる。
【００６８】
（ＭＥＭＳミラーの反射率を求める処理）
次に、図７を参照しながらＭＥＭＳミラー１０の反射率ｒ２を求める処理について説明する。
【００６９】
図７は、ＭＥＭＳミラー１０の反射率ｒ２を求める処理を示すフローチャートである。
【００７０】
まず、照射部３は、台座２により所定位置に保持されたＭＥＭＳミラー１０に対してレーザ光を照射する。そして、光パワーモニタ８がビームスプリッタ７により分割された分割レーザ光を受光する。そして、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂがＭＥＭＳミラー１０により反射された反射レーザ光を受光したとき、制御部９３は、ＭＥＭＳミラー１０の反射率ｒ２を求める処理を開始させ、ステップＳ１１に進む。
【００７１】
図７に示すステップＳ１１において、反射光情報取得部９３１は、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂにより検出された反射レーザ光の光パワーＰ２を示す反射パワー情報を取得し、その情報を算出部９３５の反射率算出部９３５ｂに出力し、ステップＳ１２に進む。
【００７２】
次に、ステップＳ１２において、分割光情報取得部９３２は、光パワーモニタ８により検出された分割レーザ光の光パワーＲp２を示す分割パワー情報を取得し、その情報を算出部９３５の反射率算出部９３５ｂに出力し、ステップＳ１３に進む。なお、ステップＳ１１とステップＳ１２との順次は、入れ替えられてもよい。
【００７３】
次に、ステップＳ１３において、反射率算出部９３５ｂは、分割パワー情報に示される光パワーＲp２と反射パワー情報に示される光パワーＰ２とに基づいて、ＭＥＭＳミラーの反射率ｒ２を算出する。
【００７４】
具体的には、ステップＳ１３において、反射率算出部９３５ｂは、上述の式（２）に従って、分割パワー情報に示される光パワーＲp２と、反射パワー情報に示される光パワーＰ２と、記録部９３４に記録された基準ミラー１２の反射率ｒ１、反射レーザ光の光パワーＰ１（基準ミラー１２の検出時）及び分割レーザ光の光パワーＲp１（基準ミラー１２の検出時）と、を用いてＭＥＭＳミラーの反射率ｒ２を算出する。そして、そして、ステップＳ１３において、ＭＥＭＳミラー１０の反射率ｒ２が算出されると、本処理を終了させる。
【００７５】
次に、本実施形態による作用効果について説明する。
【００７６】
以上述べたように、本実施形態に係る検査システム１は、ＭＥＭＳミラー１０を検査する検査システムであって、ＭＥＭＳミラー１０を所定位置に保持する台座２と、所定位置に保持されたＭＥＭＳミラー１０に対してレーザ光を照射する照射部３と、ＭＥＭＳミラー１０により反射された反射レーザ光を受光して受光位置ｘを検出するＰＳＤ５と、受光位置の位置誤差を補正するための補正値Δを記録する記録部９３４と、ＰＳＤ５により検出された受光位置ｘと記録部９３４に記録された補正値Δとに基づいて、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θを算出する偏向角算出部９３３ａと、を備える。
【００７７】
本実施形態に係る検査方法は、ＭＥＭＳミラーを検査する検査方法であって、ＭＥＭＳミラー１０に対してレーザ光を照射する照射ステップと、ＭＥＭＳミラー１０により反射された反射レーザ光の受光位置ｘをＰＳＤ５を用いて検出する検出ステップと、検出ステップにより検出された受光位置ｘと受光位置の位置誤差を補正するための補正値Δとに基づいて、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θを算出する算出ステップと、を含む。
【００７８】
本実施形態に係るプログラムは、ＭＥＭＳミラーを検査する制御部９３に、ＭＥＭＳミラー１０により反射された反射レーザ光を受光するＰＳＤ５の受光位置ｘを取得する取得ステップと、取得ステップにより取得されたＰＳＤ５の受光位置ｘと受光位置の位置誤差を補正するための補正値Δとに基づいて、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θを算出する算出ステップと、を実行させる。
【００７９】
これらによれば、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θは、検出又は取得された受光位置ｘのみならず、受光位置の位置誤差を補正するための補正値Δを用いて算出されるので、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θの検出確度を高めることができる。
【００８０】
また、本実施形態では、補正値Δは、ゴニオステージ１４により傾斜回転させた、所定位置に保持された基準ミラー１２の傾斜角βから変換されたＰＳＤ５の理論受光位置ｙと、ＰＳＤ５が基準ミラー１２により反射された反射レーザ光を受光して検出した検出受光位置ｚとに基づいて、算出される。
【００８１】
これによれば、傾斜角βが得られる基準ミラー１２を用いるだけで、ＭＥＭＳミラー１０の偏向角θの検出確度を高めるための補正値Δを容易に得ることができる。
【００８２】
また、本実施形態では、検査システム１は、照射部３からのレーザ光の光路上に設けられるビームスプリッタ７と、ビームスプリッタ７により分割された分割レーザ光の光パワーＲp２を検出する光パワーモニタ８と、を備える。さらに、ＰＳＤ５は、ＭＥＭＳミラー１０により反射された反射レーザ光の光パワーＰ２をさらに検出する。そして、反射率ｒ２算出部９３３ｂは、光パワーモニタ８により検出された分割レーザ光の光パワーＲp２及びＰＳＤ５により検出された反射レーザ光の光パワーＰ２に基づいて、ＭＥＭＳミラー１０の反射率ｒ２を算出する。
【００８３】
これによれば、ビームスプリッタ７は、照射部３からのレーザ光を分割し、分割された分割レーザ光を光パワーモニタ８に導くことができる。そして、光パワーモニタ８は、照射部３からビームスプリッタ７を介して導かれた分割レーザ光の光パワーＲp２を検出することができる。
【００８４】
さらに、ＭＥＭＳミラー１０の反射率ｒ２は、光パワーモニタ８により検出された分割レーザ光の光パワーＲp２及びＰＳＤ５により検出された反射レーザ光の光パワーＰ２を用いて算出されるので、ＭＥＭＳミラー１０の大きさによらず、ＭＥＭＳミラー１０の反射率ｒ２を精度よく算出することができる。また、ＭＥＭＳミラー１０の反射率ｒ２を算出するのに、光パワーモニタ８等を動作させる必要がないため、検査システム１全体の構造の簡素化及び検査の高速化が図られる。
【００８５】
また、本実施形態では、ビームスプリッタ７及び光パワーモニタ８は、ＰＳＤ５よりも照射部３側に設けられる。
【００８６】
これによれば、ビームスプリッタ７及び光パワーモニタ８を、ＰＳＤ５よりもＭＥＭＳミラー１０側に設けることなく、ＰＳＤ５よりも照射部３側に設けることで、ビームスプリッタ７による分割レーザ光とＭＥＭＳミラー１０による反射レーザ光との干渉を回避することができる。その結果、両レーザ光の干渉によるＭＥＭＳミラー１０の検査確度の低下を回避することができる。
【００８７】
また、本実施形態では、ＰＳＤ５は、照射部３からのレーザ光の光路に対して対称に設けられる一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂからなる。
【００８８】
これによれば、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂをＰＳＤとして用いることで、ＭＥＭＳミラー１０のＹ軸方向及びＺ軸方向の偏向角θを求めることができる。
【００８９】
また、本実施形態では、検査システム１は、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂ間の間隔が変化するように一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂをそれぞれ移動させる一対のＰＳＤ位置調整ステージ６ａ，６ｂを備える。
【００９０】
これによれば、一対のＰＳＤ位置調整ステージ６ａ，６ｂは、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂをそれぞれＹ軸方向に移動させることで、一対のＰＳＤ５ａ，５ｂのＹ軸方向の位置を自由に調整することができる。また、一対のＰＳＤ位置調整ステージ６ａ，６ｂは、偏向角（種類）が異なるＭＥＭＳミラー１０に応じて、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂ間の間隔が変化するように一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂをそれぞれＹ軸方向に移動させることができる。その結果、ＭＥＭＳミラー１０のＹ軸方向の偏向角θを検出可能な範囲が広がる。
【００９１】
以上、本実施形態について説明したが、上記実施形態は、本発明の適用例の一部を示したに過ぎず、本発明の技術的範囲を上記実施形態の具体的構成に限定する趣旨ではない。
【００９２】
（変形例）
次に、図８及び図９を参照しながら変形例に係る検査システム１について説明する。なお、本変形例では、上述した実施形態と同様の点については、説明を省略し、上述した実施形態と主に異なる点について説明する。
【００９３】
図８は、変形例に係る検査システム１００の概略平面図である。図９は、変形例の検出器５の概略正面図である。
【００９４】
上述した実施形態では、検出器５は、照射部３からのレーザ光の光路に対して対称に設けられる一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂからなっている。しかしながら、検出器５は、これに限定されるものではなく、図８及び図９に示すように、例えば、一対の第１一軸ＰＳＤ５ｃ，５ｄ及び一対の第２一軸ＰＳＤ５ｅ，５ｆを有してもよい。
【００９５】
この場合、一対の第１一軸ＰＳＤ５ｃ，５ｄは、照射部３からのレーザ光の光路を挟んでＹ軸方向に延在するように設けられる。一方、一対の第２一軸ＰＳＤ５ｅ，５ｆは、照射部３からのレーザ光の光路を挟んでＺ軸方向に延在するように設けられる。
【００９６】
これによれば、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂのＺ軸方向における寸法と一対の第２一軸ＰＳＤ５ｅ，５ｆのＺ軸方向における寸法とが同じである場合、一対の第２一軸ＰＳＤ５ｅ，５ｆを用いる検査システム１００は、一対の二軸ＰＳＤ５ａ，５ｂを用いる検査システム１に比べ、ＭＥＭＳミラー１０のＺ軸方向の偏向角θを検出可能な範囲が広がる。
【００９７】
また、本変形例では、検査システム１００は、一対の第１移動手段としての一対の第１ＰＳＤ位置調整ステージ６ｃ，６ｄ及び一対の第２移動手段としての一対の第２ＰＳＤ位置調整ステージ６ｅ，６ｆをさらに備える。
【００９８】
一対の第１ＰＳＤ位置調整ステージ６ｃ，６ｄは、一対の第１一軸ＰＳＤ５ｃ，５ｄ間の間隔が変化するように一対の第１一軸ＰＳＤ５ｃ，５ｄをそれぞれＹ軸方向に移動させる。一対の第２ＰＳＤ位置調整ステージ６ｅ，６ｆは、一対の第２一軸ＰＳＤ５ｅ，５ｆ間の間隔が変化するように一対の第２一軸ＰＳＤ５ｅ，５ｆをそれぞれＺ軸方向に移動させる。
【００９９】
これによれば、一対の第１ＰＳＤ位置調整ステージ６ｃ，６ｄは、一対の第１一軸ＰＳＤ５ｃ，５ｄをそれぞれＹ軸方向に移動させることで、一対の第１一軸ＰＳＤ５ｃ，５ｄのＹ軸方向の位置を自由に調整することができる。また、一対の第１ＰＳＤ位置調整ステージ６ｃ，６ｄは、偏向角（種類）が異なるＭＥＭＳミラー１０に応じて、一対の第１一軸ＰＳＤ５ｃ，５ｄ間の間隔が変化するように一対の第１一軸ＰＳＤ５ｃ，５ｄをそれぞれＹ軸方向に移動させることができる。その結果、ＭＥＭＳミラー１０のＹ軸方向の偏向角θを検出可能な範囲が広がる。
【０１００】
また、一対の第２ＰＳＤ位置調整ステージ６ｅ，６ｆは、一対の第２一軸ＰＳＤ５ｅ，５ｆをそれぞれＺ軸方向に移動させることで、一対の第２一軸ＰＳＤ５ｅ，５ｆのＺ軸方向の位置を自由に調整することができる。また、一対の第２ＰＳＤ位置調整ステージ６ｅ，６ｆは、偏向角（種類）が異なるＭＥＭＳミラー１０に応じて、一対の第２一軸ＰＳＤ５ｅ，５ｆ間の間隔が変化するように一対の第２一軸ＰＳＤ５ｅ，５ｆをそれぞれＺ軸方向に移動させることができる。その結果、ＭＥＭＳミラー１０のＺ軸方向の偏向角θを検出可能な範囲が広がる。
【０１０１】
以上のことから、一対の第１ＰＳＤ位置調整ステージ６ｃ，６ｄ及び一対の第２ＰＳＤ位置調整ステージ６ｅ、６ｆを備える検査システム１００によれば、ＭＥＭＳミラー１０のＹ軸方向及びＺ軸方向の両方における偏向角θを検出可能な範囲を広げることができる。
【０１０２】
本変形例では、検査システム１００は、一対の第１ＰＳＤ位置調整ステージ６ｃ，６ｄ及び一対の第２ＰＳＤ位置調整ステージ６ｅ，６ｆを備えているが、これに限定されるものではなく、例えば、一対の第１ＰＳＤ位置調整ステージ６ｃ，６ｄ及び一対の第２ＰＳＤ位置調整ステージ６ｅ，６ｆを省略してもよい。この場合、検査システム１００全体の構造の簡素化が図られる。
【符号の説明】
【０１０３】
１  検査システム
２  台座
３  照射部
５  検出器
５ａ  二軸ＰＳＤ
５ｂ  二軸ＰＳＤ
５ｃ  第１一軸ＰＳＤ
５ｄ  第１一軸ＰＳＤ
５ｅ  第２一軸ＰＳＤ
５ｆ  第２一軸ＰＳＤ
６  移動手段
６ａ  位置調整ステージ
６ｂ  位置調整ステージ
６ｃ  第１位置調整ステージ
６ｄ  第１位置調整ステージ
６ｅ  第２位置調整ステージ
６ｆ  第２位置調整ステージ
７  ビーム分割手段
８  光パワーモニタ
１０  ＭＥＭＳミラー
１２  基準ミラー
１４  ゴニオステージ
９３３ａ  偏向角算出部
９３３ｂ  反射率ｒ２算出部
９３４  記録部
【図１】
2020159819.tif 000007
【図２】
2020159819.tif 000008
【図３】
2020159819.tif 000009
【図４】
2020159819.tif 000010
【図５】
2020159819.tif 000011
【図６】
2020159819.tif 000012
【図７】
2020159819.tif 000013
【図８】
2020159819.tif 000014
【図９】
2020159819.tif 000015