(57)【要約】【課題】セリウム化合物の除去性に優れる洗浄液を提供する。【解決手段】酸化剤、必要に応じて、ｐＨ調整剤、キレート剤を含む、セリウム化合物除去用洗浄液。前記洗浄液を用いてセリウム化合物を除去する、洗浄方法。前記洗浄液を用いてセリウム化合物を除去する工程を含む、半導体ウェハの製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の成分（Ａ）を含む、セリウム化合物除去用洗浄液。
成分（Ａ）：酸化剤
【請求項２】
成分（Ａ）が、過酸化水素、硝酸及び硝酸塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、請求項１に記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
【請求項３】
更に、以下の成分（Ｂ）を含む、請求項１又は２に記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
成分（Ｂ）：ｐＨ調整剤
【請求項４】
成分（Ｂ）が、第４級アンモニウム水酸化物及びアルカノールアミン化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、請求項３に記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
【請求項５】
更に、以下の成分（Ｃ）を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
成分（Ｃ）：キレート剤
【請求項６】
更に、以下の成分（Ｄ）を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
成分（Ｄ）：水
【請求項７】
ｐＨが、２〜１２である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
【請求項８】
化学的機械的研磨後洗浄に用いる、請求項１〜７のいずれか１項に記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
【請求項９】
セリウム化合物の除去に用いる、請求項１〜８のいずれか１項に記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
【請求項１０】
二酸化ケイ素が露出している面の洗浄に用いる、請求項１〜９のいずれか１項に記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の洗浄液を用いてセリウム化合物を除去する、洗浄方法。
【請求項１２】
半導体ウェハ上のセリウム化合物を除去する、請求項１１に記載の洗浄方法。
【請求項１３】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の洗浄液を用いてセリウム化合物を除去する工程を含む、半導体ウェハの製造方法。
【請求項１４】
更に、セリウム化合物を含む研磨剤を用いて化学的機械的研磨を行う工程を含む、請求項１３に記載の半導体ウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セリウム化合物除去用洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハは、シリコン基板の上に、配線となる金属膜や層間絶縁膜の堆積層を形成した後に、研磨微粒子を含む水系スラリーからなる研磨剤を使用する化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ。以下、「ＣＭＰ」と略す場合がある。）工程によって表面の平坦化処理を行い、平坦になった面の上に新たな層を積み重ねていくことで製造される。半導体ウェハの微細加工は、各層において精度の高い平坦性が必要であり、ＣＭＰによる平坦化処理の重要性は非常に高い。
【０００３】
半導体デバイス製造工程では、トランジスタ等の素子を電気的に分離するために、従来のＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）に代わり、より微細化に適したＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）による素子分離構造が用いられている。また、配線層の間には、ＩＬＤ（Ｉｎｔｅｒ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）が用いられている。ＳＴＩ及びＩＬＤは、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）等を原料として二酸化ケイ素を製膜し、ＣＭＰ工程で平坦化を行うことにより作られる。
【０００４】
ＣＭＰ工程後の半導体ウェハの表面には、ＣＭＰ工程で用いられた研磨剤の研磨微粒子やスラリー中に含まれる有機化合物由来の有機残渣等が多量に存在することから、これらを除去するため、ＣＭＰ工程後の半導体ウェハは、洗浄工程に供される。
【０００５】
近年、二酸化ケイ素のＣＭＰ工程では、研磨速度を速くするため、酸化セリウム等のセリウム系の研磨微粒子が用いられているが、セリウム系の研磨微粒子は、ＣＭＰ工程中に二酸化ケイ素の表面と結合を形成するため、洗浄工程において除去が困難である。そのため、従来は、希釈フッ化水素酸や硫酸過水等の強力な薬品を用いて洗浄が行われていたが、安全性や廃液処理等の問題から、希釈フッ化水素酸や硫酸過水に代わる洗浄液として、様々な洗浄液が提案されている。例えば、特許文献１には、還元剤を含む洗浄液が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１８／１３６５１１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＣＭＰ工程中、セリウム化合物と二酸化ケイ素とで結合が形成されるが、その結合は、３価のセリウムが寄与していると考えられている。特許文献１で開示されている洗浄液は、還元剤を含むため、この３価のセリウムによる結合が残り、セリウム化合物の除去性が不十分であった。
【０００８】
また、希釈アンモニア水のようなアルカリ性洗浄剤を用いることも考えられる。希釈アンモニア水のようなアルカリ性洗浄剤を用いることで、水溶液中でセリウム化合物も半導体ウェハ表面も負に帯電し、セリウム化合物を含む微粒子と半導体ウェハ表面の間に静電的な斥力が働くため、セリウム化合物を含む微粒子の半導体ウェハ表面への再付着は抑制することができるものの、セリウム化合物と二酸化ケイ素との結合を切る能力が低く、セリウム化合物の除去性が不十分であった。
【０００９】
本発明は、このような課題を鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、セリウム化合物の除去性に優れる洗浄液を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
従前、様々な成分を含む洗浄液が検討されていたが、本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、後述する成分（Ａ）を含む洗浄液を見出し、この洗浄液が、セリウム化合物の除去性に優れることを見出した。
【００１１】
即ち、本発明の要旨は、以下の通りである。
［１］以下の成分（Ａ）を含む、セリウム化合物除去用洗浄液。
成分（Ａ）：酸化剤
［２］成分（Ａ）が、過酸化水素、硝酸及び硝酸塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、［１］に記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
［３］更に、以下の成分（Ｂ）を含む、［１］又は［２］に記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
成分（Ｂ）：ｐＨ調整剤
［４］成分（Ｂ）が、第４級アンモニウム水酸化物及びアルカノールアミン化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、［３］に記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
［５］更に、以下の成分（Ｃ）を含む、［１］〜［４］のいずれかに記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
成分（Ｃ）：キレート剤
［６］更に、以下の成分（Ｄ）を含む、［１］〜［５］のいずれかに記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
成分（Ｄ）：水
［７］ｐＨが、２〜１２である、［１］〜［６］のいずれかに記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
［８］化学的機械的研磨後洗浄に用いる、［１］〜［７］のいずれかに記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
［９］セリウム化合物の除去に用いる、［１］〜［８］のいずれかに記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
［１０］二酸化ケイ素が露出している面の洗浄に用いる、［１］〜［９］のいずれかに記載のセリウム化合物除去用洗浄液。
［１１］［１］〜［１０］のいずれかに記載の洗浄液を用いてセリウム化合物を除去する、洗浄方法。
［１２］半導体ウェハ上のセリウム化合物を除去する、［１１］に記載の洗浄方法。
［１３］［１］〜［１０］のいずれかに記載の洗浄液を用いてセリウム化合物を除去する工程を含む、半導体ウェハの製造方法。
［１４］更に、セリウム化合物を含む研磨剤を用いて化学的機械的研磨を行う工程を含む、［１３］に記載の半導体ウェハの製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の洗浄液は、セリウム化合物の除去性に優れる。
また、本発明の洗浄方法は、セリウム化合物の除去性に優れる。
更に、本発明の半導体ウェハの製造方法は、セリウム化合物の除去性に優れる洗浄工程を含むため、半導体デバイスの動作不良を抑制することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に本発明について詳述するが、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更して実施することができる。尚、本明細書において「〜」という表現を用いる場合、その前後の数値又は物性値を含む表現として用いるものとする。
【００１４】
（洗浄液）
本発明の洗浄液は、以下の成分（Ａ）を含む。
成分（Ａ）：酸化剤
【００１５】
（成分（Ａ））
成分（Ａ）は、酸化剤である。
本発明の洗浄液は、成分（Ａ）を含むことで、セリウムイオンに選択的に作用し、二酸化ケイ素にダメージを与えることなくセリウム化合物と二酸化ケイ素との結合を切ることができ、セリウム化合物の除去性と二酸化ケイ素の低ダメージ性に優れる。
【００１６】
成分（Ａ）としては、例えば、過酸化水素、オゾン、硝酸、亜硝酸、過硫酸、重クロム酸、過マンガン酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸及びそれらの塩等が挙げられる。これらの成分（Ａ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの成分（Ａ）の中でも、酸化力に優れることから、過酸化水素、硝酸、硝酸塩、過硫酸が好ましく、過酸化水素、硝酸、硝酸塩がより好ましい。
【００１７】
（成分（Ｂ））
本発明の洗浄液は、洗浄液のｐＨを調整することができることから、成分（Ａ）以外に、以下の成分（Ｂ）を含むことが好ましい。
成分（Ｂ）：ｐＨ調整剤
【００１８】
成分（Ｂ）としては、例えば、酸、アルカリ等が挙げられる。成分（Ｂ）の中でも、ゼータ電位を調整し、成分（Ａ）の効果を十分に発揮させることができることから、アルカリが好ましく、成分（Ｂ）自体が洗浄後の半導体ウェハ上に残存することを抑制することができることから、第４級アンモニウム水酸化物、アルカノールアミン化合物がより好ましい。
【００１９】
酸としては、例えば、無機酸、有機酸等が挙げられる。これらの酸は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの酸の中でも、金属不純物が少ないことから、無機酸、有機酸が好ましく、有機酸がより好ましい。
【００２０】
無機酸としては、例えば、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等が挙げられる。これらの無機酸は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの無機酸の中でも、揮発性が低いことから、硫酸、リン酸が好ましく、硫酸がより好ましい。
【００２１】
有機酸としては、例えば、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、ホスホン酸基を有する有機化合物等が挙げられる。これらの有機酸は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの有機酸の中でも、キレート力に優れることから、アミノ基を有する有機化合物、カルボキシル基を有する有機化合物が好ましく、カルボキシル基を有する有機化合物がより好ましい。
【００２２】
アルカリとしては、例えば、無機アルカリ、有機アルカリ等が挙げられる。これらのアルカリは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのアルカリの中でも、アルカリ自体の製造が容易であることから、無機アルカリ、有機アルカリが好ましく、金属成分を含まないことから、アンモニア、第４級アンモニウム水酸化物、アルカノールアミン化合物がより好ましく、第４級アンモニウム水酸化物、アルカノールアミン化合物が更に好ましく、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、エタノールアミン、プロパノールアミン、イソプロパノールアミンが特に好ましい。
【００２３】
（成分（Ｃ））
本発明の洗浄液は、セリウム化合物と二酸化ケイ素との結合を切ることができ、セリウム化合物の除去性に優れることから、成分（Ａ）以外に、以下の成分（Ｃ）を含むことが好ましい。
成分（Ｃ）：キレート剤
【００２４】
成分（Ｃ）は、金属イオンと配位できる化合物であればよいが、配位力に優れることから、アミノ基を有するキレート剤、カルボキシル基を有するキレート剤、ホスホン酸基を有するキレート剤、硫黄原子を有するキレート剤が好ましく、アミノ基を有するキレート剤、カルボキシル基を有するキレート剤、ホスホン酸基を有するキレート剤がより好ましく、アミノ基を有するキレート剤、カルボキシル基を有するキレート剤が更に好ましく、アミノ基とカルボキシル基の両者を有するキレート剤が特に好ましい。
【００２５】
アミノ基とカルボキシル基の両者を有するキレート剤としては、例えば、グリシン、セリン、アスパラギン酸、ヒスチジンなどのアミノ酸類及びそれらの誘導体；ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラアミン六酢酸等のアミノポリカルボン酸及びそれらの誘導体等が挙げられる。これらのアミノ基とカルボキシル基の両者を有するキレート剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのアミノ基とカルボキシル基の両者を有するキレート剤の中でも、セリウムへの配位力に優れることから、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラアミン六酢酸が好ましく、ジエチレントリアミン五酢酸がより好ましい。
【００２６】
アミノ基を有するキレート剤としては、例えば、エチレンジアミン、ジアミノプロパン、ジアミノブタン等のジアミン類及びそれらの誘導体；多官能アミン類及びそれらの誘導体等が挙げられる。これらのアミノ基を有するキレート剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２７】
カルボキシル基を有するキレート剤としては、例えば、酢酸等のモノカルボン酸類及びそれらの誘導体；シュウ酸、酒石酸、リンゴ酸等のジカルボン酸類及びそれらの誘導体；クエン酸等のトリカルボン酸類及びそれらの誘導体等が挙げられる。これらのカルボキシル基を有するキレート剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２８】
ホスホン酸基を有するキレート剤としては、例えば、エチドロン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）及びそれらの誘導体等が挙げられる。これらのホスホン酸基を有するキレート剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのホスホスホン酸基を有するキレート剤の中でも、セリウムへの配位力に優れることから、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）の誘導体が好ましく、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）がより好ましい。
【００２９】
硫黄原子を有するキレート剤としては、例えば、システイン、メタンチオール、エタンチオール、チオフェノール、グルタチオン等のチオール類及びそれらの誘導体；メチオニン、ジメチルスルフィド等のチオエーテル類及びそれらの誘導体等が挙げられる。これらの硫黄原子を有するキレート剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３０】
（成分（Ｄ））
本発明の洗浄液は、微粒子除去性に優れることから、成分（Ａ）以外に、以下の成分（Ｄ）を含むことが好ましい。
成分（Ｄ）：水
【００３１】
本発明の洗浄液は、本発明の効果を損なわない範囲で、成分（Ａ）〜成分（Ｄ）以外の他の成分を含んでもよい。
【００３２】
他の成分としては、例えば、界面活性剤、エッチング抑制剤等が挙げられる。
【００３３】
（洗浄液の物性）
洗浄液のｐＨは、１〜１３が好ましく、２〜１２がより好ましい。ｐＨが１以上であると、洗浄液の取り扱い性に優れる。また、ｐＨが１３以下であると、半導体ウェハのダメージを抑制することができる。
【００３４】
洗浄液の酸化還元電位は、３価のセリウムを４価に酸化することができることから、０ｍＶ〜４００ｍＶが好ましく、５０ｍＶ〜４００ｍＶがより好ましい。
【００３５】
（成分の質量比）
本発明の洗浄液が成分（Ｂ）を含む場合、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（成分（Ａ）の質量／成分（Ｂ）の質量）は、０．１〜６０が好ましく、０．２〜１０がより好ましい。成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比が０．１以上であると、セリウム化合物の除去性に優れる。また、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比が６０以下であると、洗浄液のｐＨを容易に調整することができる。
【００３６】
本発明の洗浄液が成分（Ｃ）を含む場合、成分（Ｃ）に対する成分（Ａ）の質量比（成分（Ａ）の質量／成分（Ｃ）の質量）は、１〜２００が好ましく、５〜１５０がより好ましい。成分（Ｃ）に対する成分（Ａ）の質量比が１以上であると、セリウム化合物の除去性に優れる。また、成分（Ｃ）に対する成分（Ａ）の質量比が２００以下であると、セリウム化合物の除去性に優れる。
【００３７】
本発明の洗浄液が成分（Ｂ）及び成分（Ｃ）を含む場合、成分（Ｂ）に対する成分（Ｃ）の質量比（成分（Ｃ）の質量／成分（Ｂ）の質量）は、０．０１〜５が好ましく、０．０５〜１がより好ましい。成分（Ｂ）に対する成分（Ｃ）の質量比が０．０１以上であると、セリウム化合物の除去性に優れる。また、成分（Ｂ）に対する成分（Ｃ）の質量比が５以下であると、洗浄液のｐＨを容易に調整することができる。
【００３８】
（洗浄液中の含有率）
成分（Ａ）の含有率は、洗浄液１００質量％中、０．００１質量％〜１０質量％が好ましく、０．００５質量％〜７質量％がより好ましく、０．０１質量％〜５質量％が更に好ましい。成分（Ａ）の含有率が０．００１質量％以上であると、セリウム化合物の除去性に優れる。また、成分（Ａ）の含有率が１０質量％以下であると、洗浄液の安定性に優れ、洗浄液の製造コストを抑制することができる。
【００３９】
本発明の洗浄液が成分（Ｂ）を含む場合、成分（Ｂ）の含有率は、洗浄液１００質量％中、０．００１質量％〜３０質量％が好ましく、０．００５質量％〜２０質量％がより好ましく、０．０１質量％〜１５質量％が更に好ましい。成分（Ｂ）の含有率が０．００１質量％以上であると、洗浄液のｐＨを容易に調整することができる。また、成分（Ｂ）の含有率が１０質量％以下であると、本発明の効果を損なうことなく、ｐＨを調整することができる。
【００４０】
本発明の洗浄液が成分（Ｃ）を含む場合、成分（Ｃ）の含有率は、洗浄液１００質量％中、０．０００５質量％〜３０質量％が好ましく、０．００１質量％〜２０質量％がより好ましく、０．００２質量％〜１５質量％が更に好ましい。成分（Ｃ）の含有率が０．０００５質量％以上であると、セリウム化合物の除去性に優れる。また、成分（Ｃ）の含有率が３０質量％以下であると、成分（Ｃ）を成分（Ｄ）に溶解させることができ、洗浄液の製造コストを抑制することができる。
【００４１】
本発明の洗浄液が他の成分を含む場合、他の成分の含有率は、洗浄液１００質量％中、２０質量％以下が好ましく、０質量％〜１０質量％がより好ましく、０質量％〜５質量％が更に好ましい。他の成分の含有率が２０質量％以下であると、本発明の効果を損なうことなく、他の成分の効果を付与することができる。
【００４２】
本発明の洗浄液が成分（Ｄ）を含む場合、成分（Ｄ）の含有率は、成分（Ｄ）以外の成分（成分（Ａ）〜成分（Ｃ）及び他の成分）の残部とすることが好ましい。
【００４３】
（洗浄液の製造方法）
本発明の洗浄液の製造方法は、特に限定されず、成分（Ａ）、並びに、必要に応じて、成分（Ｂ）〜成分（Ｄ）及び他の成分を混合することで製造することができる。
混合の順番は、特に限定されず、一度にすべての成分を混合してもよく、一部の成分を予め混合した後に残りの成分を混合してもよい。
【００４４】
本発明の洗浄液の製造方法は、洗浄に適した含有率になるように、各成分を配合してもよいが、輸送や保管等のコストを抑制することができることから、成分（Ｄ）以外の各成分を高含有率で含む洗浄液を調製した後、洗浄前に成分（Ｄ）で希釈して洗浄液を調製してもよい。
希釈する倍率は、洗浄対象に応じて適宜設定できるが、３０倍〜１５０倍が好ましく、４０倍〜１２０倍がより好ましい。
【００４５】
（洗浄対象）
本発明の洗浄液の洗浄対象としては、例えば、半導体ウェハ、ガラス、金属、セラミックス、樹脂、磁性体、超伝導体等が挙げられる。これらの洗浄対象の中でも、本発明の効果が顕著に優れることから、二酸化ケイ素が露出している面を有するものが好ましく、二酸化ケイ素が露出している面を有する半導体ウェハがより好ましい。
【００４６】
二酸化ケイ素が露出している面を有する半導体ウェハの表面は、二酸化ケイ素以外に、窒化ケイ素や金属が共存してもよい。
【００４７】
（洗浄工程種類）
本発明の洗浄液は、セリウム化合物の除去性に優れることから、化学的機械的研磨後洗浄に好適に用いることができる。
【００４８】
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程とは、半導体ウェハの表面を機械的に加工し、平坦化するプロセスのことをいう。通常、ＣＭＰ工程では、専用の装置を用い、半導体ウェハの裏面をプラテンと呼ばれる治具に吸着させ、半導体ウェハの表面を研磨パッドに押し付け、研磨パッド上に研磨粒子を含む研磨剤を垂れ流し、半導体ウェハの表面を研磨する。
【００４９】
（ＣＭＰ）
ＣＭＰは、研磨剤を用いて、被研磨体を研磨パッドに擦り付けて、研磨が行われる。
研磨剤は、水に不要で被研磨体を研磨できるものであれば特に限定されないが、本発明の洗浄液の効果を十分に発揮させることができることから、セリウム化合物の研磨微粒子が好ましい。
研磨微粒子は、セリウム化合物の研磨微粒子以外に、コロイダルシリカ（ＳｉＯ２）やフュームドシリカ（ＳｉＯ２）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が共存してもよい。
【００５０】
セリウム化合物としては、例えば、酸化セリウム、水酸化セリウム等が挙げられる。これらのセリウム化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのセリウム化合物の中でも、研磨速度、低スクラッチ性に優れることから、酸化セリウム、水酸化セリウムが好ましく、酸化セリウムがより好ましい。
【００５１】
研磨剤には、研磨微粒子以外にも、酸化剤、分散剤等の添加剤が含まれることがある。特に、金属が露出している面を有する半導体ウェハにおけるＣＭＰでは、金属が腐食しやすいため、防食剤が含まれることが多い。
【００５２】
本発明の洗浄液は、このようなセリウム化合物の研磨微粒子を含む研磨剤で研磨した後の二酸化ケイ素が露出している面を有する半導体ウェハに適用すると、セリウム化合物に由来した半導体ウェハの汚染を極めて効果的に除去することができる。
【００５３】
（洗浄条件）
洗浄対象への洗浄は、本発明の洗浄液を洗浄対象に直接接触させる方法が好ましい。
本発明の洗浄液を洗浄対象に直接接触させる方法としては、例えば、洗浄槽に本発明の洗浄液を満たして洗浄対象を浸漬させるディップ式；ノズルから洗浄対象の上に本発明の洗浄液を流しながら洗浄対象を高速回転させるスピン式；洗浄対象に本発明の洗浄液を噴霧して洗浄するスプレー式等が挙げられる。これらの方法の中でも、短時間でより効率的な汚染除去ができることから、スピン式、スプレー式が好ましい。
【００５４】
このような洗浄を行うための装置としては、例えば、カセットに収容された複数枚の洗浄対象を同時に洗浄するバッチ式洗浄装置、１個の洗浄対象をホルダーに装着して洗浄する枚葉式洗浄装置等が挙げられる。これらの装置の中でも、洗浄時間の短縮、本発明の洗浄液の使用の削減ができることから、枚葉式洗浄装置が好ましい。
【００５５】
洗浄対象への洗浄方法は、洗浄対象に付着した微粒子による汚染の除去性が更に向上し、洗浄時間の短縮ができることから、物理力による洗浄が好ましく、洗浄ブラシを用いるスクラブ洗浄、周波数０．５メガヘルツ以上の超音波洗浄がより好ましく、ＣＭＰ後の洗浄により好適であることから、樹脂製ブラシを用いるスクラブ洗浄が更に好ましい。
樹脂製ブラシの材質は、特に限定されないが、樹脂製ブラシ自体の製造が容易であることから、ポリビニルアルコール、ポリビニルホルマールが好ましい
【００５６】
洗浄温度は、室温でもよく、半導体ウェハの性能を損なわない範囲で３０〜７０℃に加温してもよい。
【００５７】
（洗浄方法）
本発明の洗浄方法は、本発明の洗浄液を用いて半導体ウェハを洗浄する方法であり、前述した通りである。
【００５８】
（半導体ウェハの製造方法）
本発明の半導体ウェハの製造方法は、本発明の洗浄液を用いて半導体ウェハを洗浄する工程を含む方法であり、前述した通りである。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例を用いて本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【００６０】
（原料）
成分（Ａ−１）：過酸化水素（富士フィルム和光純薬株式会社製）
成分（Ｂ−１）：テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（東京化成工業株式会社製）
成分（Ｃ−１）：ジエチレントリアミン五酢酸（東京化成工業株式会社製）
成分（Ｄ−１）：水
【００６１】
（ｐＨ測定、酸化還元電位測定）
実施例１〜２及び比較例１で得られた洗浄液を、マグネティックスターラーを用いて撹拌しながら、ｐＨ計（機種名「Ｄ−７４」、株式会社堀場製作所製）により、ｐＨ及び酸化還元電位を測定した。
【００６２】
（酸化セリウム残留量測定）
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用いてプラズマＣＶＤ法により二酸化ケイ素膜を成膜したシリコン基板を３０ｍｍ×３０ｍｍに切断した。次いで、酸化セリウムを含む研磨剤（粒子径が２００ｎｍ以下の酸化セリウム微粒子の水分散液）と研磨パッド（商品名「ＩＣ１０００」、ニッタ・ハース株式会社製）とを用いて、シリコン基板を１分間化学的機械的研磨（ＣＭＰ）した。次いで、シリコン基板を実施例１〜２及び比較例１で得られた洗浄液中に入れ、１０分間超音波洗浄した。次いで、水で濯ぎ、乾燥させ、蛍光Ｘ線分析装置（機種名「ＺＳＸ１００ｅ」、株式会社リガク製）を用いて、シリコン基板の表面に残留した酸化セリウムの量（μｇ／ｃｍ２）を測定した。
【００６３】
［実施例１］
洗浄液１００質量％中、成分（Ａ−１）が０．１０質量％、成分（Ｂ−１）が０．１８質量％、成分（Ｄ−１）が残部となるよう、各成分を混合し、洗浄液を得た。
得られた洗浄液の評価結果を、表１に示す。
【００６４】
［実施例２、比較例１］
表１に示す原料の種類・含有率とした以外は、実施例１と同様に操作を行い、洗浄液を得た。
得られた洗浄液の評価結果を、表１に示す。
【００６５】
【表１】
2020136444.tif 000002
【００６６】
表１から分かるように、成分（Ａ）を含む実施例で得られた洗浄液は、酸化セリウムの残留量を抑制することができた。
一方、比較例１で得られた洗浄液は、成分（Ａ）を含まなかったため、酸化セリウムの残留量を抑制することができなかった。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明の洗浄液は、セリウム化合物の除去性に優れることから、化学的機械的研磨後洗浄に好適に用いることができる。