(57)【要約】【課題】セラミックス基板と回路パターンを有する回路層とを備え、前記回路層において狭ピッチ化した回路パターンを寸法精度良く形成することが可能な絶縁回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板の一方の面に形成された金属部材層に回路パターンを形成する回路パターン形成工程Ｓ０２を有し、回路パターン形成工程Ｓ０２は、前記金属部材層の一方の面の全体にエッチングレジスト膜を成膜するレジスト膜形成工程Ｓ２１と、前記エッチングレジスト膜を形成した前記金属部材層に対してレーザ光を照射して前記エッチングレジスト膜と前記金属部材層の厚さ方向の一部を除去して回路パターンを形成するレーザ加工工程Ｓ２２と、残存した前記金属部材層をエッチングして除去するエッチング工程Ｓ２３と、残存した前記エッチングレジスト膜を除去するレジスト膜除去工程Ｓ２４と、を備えている。【選択図】図３
2020136638.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に形成された回路パターンを有する回路層と、を備えた絶縁回路基板の製造方法であって、
前記セラミックス基板の一方の面に金属部材層を形成する金属部材層形成工程と、この金属部材層に回路パターンを形成して回路層とする回路パターン形成工程と、を有し、
前記回路パターン形成工程は、前記金属部材層の一方の面の全体にエッチングレジスト膜を成膜するレジスト膜形成工程と、前記エッチングレジスト膜を形成した前記金属部材層に対してレーザ光を照射して前記エッチングレジスト膜と前記金属部材層の厚さ方向の一部を除去して回路パターンを形成するレーザ加工工程と、残存した前記金属部材層をエッチングして除去するエッチング工程と、前記エッチングレジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、を備えていることを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記回路層がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の絶縁回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記回路パターンのパターン間隔が６０μｍ以下とされていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の絶縁回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記回路層の厚さが２０ｍｍ以上６００ｍｍ以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の絶縁回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記エッチング工程において除去する前記金属部材層の厚さが５μｍ以上１０μｍ以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の絶縁回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に形成された回路パターンを有する回路層と、を備えた絶縁回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤモジュール、パワーモジュール及び熱電モジュール等においては、絶縁層の一方の面に導電材料からなる回路層を形成した絶縁回路基板に、ＬＥＤ素子、パワー半導体素子及び熱電素子等の電子部品が接合された構造とされている。
例えば、特許文献１には、ひとつのＬＥＤ素子がセラミックス層上に配置されてチップサイズにパッケージされたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が、絶縁回路基板上にはんだ接合された構造のＬＥＤモジュールが開示されている。
【０００３】
上述の絶縁回路基板においては、絶縁層の一方の面に導電性の優れた金属板を接合して回路層としたものが提案されている。また、絶縁層の他方の面に、放熱性に優れた金属板を接合して金属層を形成したものが提案されている。
そして、絶縁回路基板の他方の面側にヒートシンクが接合され、半導体素子等の電子部品から絶縁回路基板に伝達された熱を、ヒートシンクを介して外部へ放散する構成とされている。
回路層を構成する金属としては、例えば、アルミニウム又はアルミニウム合金、銅又は銅合金、鉄又は鉄合金等が挙げられる。特に、アルミニウム又はアルミニウム合金は、導電性に優れ、かつ、軽量であることから、回路層を構成する金属材料として広く使用されている。
【０００４】
ここで、上述の絶縁回路基板においては、回路層には、所定の回路パターンが形成されている。この回路パターンを形成する方法として、通常、エッチング液を用いたウェットエッチング法が広く実施されている。
このウェットエッチング法においては、絶縁層の一方の面に接合された金属板の表面にエッチングレジスト膜をパターン状に形成した後、エッチング液によってレジスト膜が形成されていない領域の金属板を溶解し、その後、レジスト膜を除去することにより、回路パターンを形成する手法であるサブトラクティブ法を用いた構成とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１８−１３７３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述のＬＥＤモジュールにおいては、様々な形状の発光パターンを形成するために、上述のようにチップサイズにパッケージされたＣＳＰやパッケージ化しないＬＥＤ素子（ベアチップ）が、絶縁回路基板上にパターン状に配設された構造のものが提案されている。このようなＬＥＤモジュールにおいては、光量を確保するために、ＣＳＰやベアチップの集積密度を高くする必要があり、回路パターンを狭ピッチ化することが求められている。なお、パワーモジュール及び熱電モジュール等の各種モジュールにおいても、電子部品の高集積密度化が要求されている。
【０００７】
ここで、上述のサブトラクティブ法を用いたウェットエッチング法においては、金属板を溶解する際に、金属板の厚さ方向でエッチング状態が変化してサイドエッチングが生じるため、フォトレジスト法等を用いて狭ピッチ化した回路パターンに対応したレジスト膜を形成しても、狭ピッチの回路パターンを寸法精度良く形成することは困難であった。
特に、アルミニウム又はアルミニウム合金は反応性が高いため、ウェットエッチング法ではサイドエッチングが大きくなる傾向にあり、精度良く回路パターンを形成することが非常に困難であった。
このように、サブトラクティブ法を用いたウェットエッチング法では、例えばパターン間隔が１００μｍ未満の狭ピッチの回路パターンを寸法精度良く形成することができなかった。
【０００８】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、セラミックス基板と回路パターンを有する回路層とを備え、前記回路層において狭ピッチ化した回路パターンを寸法精度良く形成することが可能な絶縁回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の絶縁回路基板の製造方法は、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に形成された回路パターンを有する回路層と、を備えた絶縁回路基板の製造方法であって、前記セラミックス基板の一方の面に金属部材層を形成する金属部材層形成工程と、この金属部材層に回路パターンを形成して回路層とする回路パターン形成工程と、を有し、前記回路パターン形成工程は、前記金属部材層の一方の面の全体にエッチングレジスト膜を成膜するレジスト膜形成工程と、前記エッチングレジスト膜を形成した前記金属部材層に対してレーザ光を照射して前記エッチングレジスト膜と前記金属部材層の厚さ方向の一部を除去して回路パターンを形成するレーザ加工工程と、残存した前記金属部材層をエッチングして除去するエッチング工程と、前記エッチングレジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、を備えていることを特徴としている。
【００１０】
この構成の絶縁回路基板の製造方法によれば、回路パターン形成工程が、金属部材層の一方の面の全体にエッチングレジスト膜を成膜するレジスト膜形成工程と、前記エッチングレジスト膜を形成した前記金属部材層に対してレーザ光を照射して前記エッチングレジスト膜と前記金属部材層の厚さ方向の一部を除去して回路パターンを形成するレーザ加工工程と、を備えているので、レーザ加工工程において、エッチングレジスト膜及び金属部材層の厚さ方向の一部を、回路パターン状に寸法精度良く形成することが可能となる。
また、レーザ加工工程において、金属部材層の厚さ方向の一部を除去しているので、セラミックス基板自体にはレーザ光が照射されておらず、レーザ光によるセラミックス基板の劣化を抑制することができる。
さらに、エッチング工程では、レーザ加工工程で残存した金属部材層の一部を除去するため、エッチング時間を短縮することができ、サイドエッチングの発生を抑制することができる。
よって、狭ピッチ化した回路パターンが寸法精度良く形成された回路層を得ることができる。
【００１１】
ここで、本発明の絶縁回路基板の製造方法においては、前記回路層がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていてもよい。
この場合、回路層がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成された場合であっても、狭ピッチ化した回路パターンを寸法精度良く形成することが可能となる。
【００１２】
また、本発明の絶縁回路基板の製造方法においては、前記回路パターンのうち最も狭いパターン間隔が６０μｍ以下とされていてもよい。
この場合、最も狭いパターン間隔が６０μｍ以下と狭ピッチ化した回路パターンであっても、寸法精度良く形成することが可能となる。また、電子部品の高集積密度化を図ることが可能な絶縁回路基板を製造することができる。
【００１３】
さらに、本発明の絶縁回路基板の製造方法においては、前記回路層の厚さが２０μｍ以上６００μｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、回路層の厚さが２０μｍ以上とされているので、回路層における導電性を確保することができる。一方、回路層の厚さが６００μｍ以下とされているので、効率良く回路パターンを形成することが可能となる。
【００１４】
また、本発明の絶縁回路基板の製造方法においては、前記エッチング工程において除去する前記金属部材層の厚さが５μｍ以上１０μｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、前記エッチング工程において除去する前記金属部材層の厚さが５μｍ以上とされているので、レーザ加工工程において、レーザ光によってセラミックス基板が劣化することを確実に抑制することができる。一方、前記エッチング工程において除去する前記金属部材層の厚さが１０μｍ以下とされているので、エッチング工程においてサイドエッチングを十分に抑制することができ、さらに寸法精度良く回路パターンを形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、セラミックス基板と回路パターンを有する回路層とを備え、前記回路層において狭ピッチ化した回路パターンを寸法精度良く形成することが可能な絶縁回路基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態である絶縁回路基板の製造方法によって製造された絶縁回路基板を用いたＬＥＤモジュールの断面説明図である。
【図２】本発明の実施形態である絶縁回路基板の製造方法によって製造された絶縁回路基板の断面説明図である。
【図３】本発明の実施形態である絶縁回路基板の製造方法を示すフロー図である。
【図４】本発明の実施形態である絶縁回路基板の製造方法を示す説明図である。
【図５】本発明の実施形態である絶縁回路基板の製造方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施形態である絶縁回路基板の製造方法について、添付した図面を参照して説明する。
図１に、本発明の一実施形態である絶縁回路基板１０を備えたＬＥＤモジュール１を示す。
このＬＥＤモジュール１は、絶縁回路基板１０と、この絶縁回路基板１０の一方側（図１において上側）の面にはんだ層２を介して接合されたＣＳＰ３と、絶縁回路基板１０の他方側（図１において下側）に配置されたヒートシンク３０と、を備えている。
【００１８】
ＣＳＰ３は、一つのＬＥＤ素子をセラミックス層上に配置してチップサイズにパッケージしたものである。ＬＥＤ素子は、半導体材料で構成されており、電気エネルギーを光に変換する光電変換素子である。なお、ＬＥＤ素子の光変換効率は２０〜３０％程度であり、残りの７０〜８０％のエネルギーは熱となる。このため、ＬＥＤ素子を備えたＣＳＰ３からの熱を効率良く放熱する必要がある。
本実施形態であるＬＥＤモジュール１においては、様々な形状の発光パターンを形成するために、複数のＣＳＰ３が絶縁回路基板１０上にパターン状に配設された構造とされている。
【００１９】
ヒートシンク３０は、前述の絶縁回路基板１０を冷却するためのものであり、本実施形態においては、熱伝導性が良好な材質で構成された放熱板とされている。本実施形態においては、ヒートシンク３０は、銅又は銅合金で構成されており、具体的には、無酸素銅で構成されている。
このヒートシンク３０は、本実施形態においては、絶縁回路基板１０の金属層１３と固相拡散接合されている。
【００２０】
本実施形態に係る絶縁回路基板１０は、図１及び図２に示すように、セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面（図１及び図２において上面）に配設された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面（図１及び図２において下面）に配設された金属層１３と、を備えている。
【００２１】
セラミックス基板１１は、絶縁性の高い窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等で構成されており、本実施形態では、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で構成されている。
ここで、セラミックス基板１１の厚さは、０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の範囲内に設定されている。
【００２２】
回路層１２は、セラミックス基板１１の一方の面（図１及び図２において上面）に形成されており、導電性に優れた金属で構成されている。本実施形態においては、回路層１２は、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、具体的には、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（４Ｎアルミニウム）で構成されている。
また、本実施形態においては、回路層１２の厚さが、２０μｍ以上６００μｍ以下の範囲内に設定されている。
【００２３】
金属層１３は、セラミックス基板１１の他方の面（図１及び図２において下面）に形成されており、導電性に優れた金属で構成されている。本実施形態においては、金属層１３は、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、具体的には、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（４Ｎアルミニウム）で構成されている。
本実施形態においては、金属層１３の厚さが、２０μｍ以上６００μｍ以下の範囲内に設定されている。
【００２４】
そして、本実施形態においては、回路層１２には、所定の回路パターンが形成されている。
ここで、本実施形態であるＬＥＤモジュール１においては、光量を確保するためにＣＳＰ３が高集積密度で配設されており、回路層１２には、狭ピッチの回路パターンが形成されている。具体的には、回路パターンのうち最も狭いパターン間隔Ｐが６０μｍ以下とされている。
【００２５】
次に、上述した本実施形態である絶縁回路基板１０の製造方法について、図３から図５を参照して説明する。
【００２６】
（金属部材層及び金属層形成工程Ｓ０１）
まず、図４に示すように、セラミックス基板１１の一方の面に、回路層１２（金属部材層１７）となるアルミニウム板２２を、Ａｌ−Ｓｉ系のろう材箔２４を介して積層するとともに、セラミックス基板１１の他方の面に、金属層１３となるアルミニウム板２３を、Ａｌ−Ｓｉ系のろう材箔２５を介して積層する。
なお、本実施形態では、アルミニウム板２２，２３として、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（４Ｎアルミニウム）の圧延板を用いた。また、Ａｌ−Ｓｉ系のろう材箔２４，２５として、厚さ１０μｍのＡｌ−８ｍａｓｓ％Ｓｉ合金箔を用いた。
【００２７】
そして、積層方向に加圧（圧力０．１ＭＰａ以上３．５ＭＰａ以下）した状態で真空加熱炉内に配置し加熱して、アルミニウム板２２とセラミックス基板１１を接合して金属部材層１７を形成する。また、セラミックス基板１１とアルミニウム板２３を接合して金属層１３を形成する。
ここで、真空加熱炉内の圧力は１０−６Ｐａ以上１０−３Ｐａ以下の範囲内、加熱温度は６００℃以上６５０℃以下の範囲内、加熱温度での保持時間は１５分以上１８０分以下の範囲内に設定されることが好ましい。
【００２８】
（回路パターン形成工程Ｓ０２）
次に、セラミックス基板１１の一方の面に形成された金属部材層１７に回路パターンを形成し、回路層１２を形成する。
この回路パターン形成工程Ｓ０２においては、図３に示すように、レジスト膜形成工程Ｓ２１と、レーザ加工工程Ｓ２２と、エッチング工程Ｓ２３と、レジスト膜除去工程Ｓ２４と、を備えている。
【００２９】
レジスト膜形成工程Ｓ２１においては、図４に示すように、金属部材層１７の一方の面（図４において上面）の全体にエッチングレジスト膜３１を成膜する。エッチングレジスト剤を金属部材層１７の一方の面に塗布し、これを加熱乾燥させて硬化させることで、エッチングレジスト膜３１が成膜される。なお、エッチングレジスト膜３１を形成するエッチングレジスト剤としては、例えば、太陽インキ製造株式会社製Ｘ−８７等を用いることができる。
【００３０】
レーザ加工工程Ｓ２２においては、図５に示すように、エッチングレジスト膜３１及び金属部材層１７に対してレーザ光３２を照射し、エッチングレジスト膜３１と金属部材層１７の厚さ方向の一部を除去して回路パターンを形成する。これにより、エッチングレジスト膜３１が回路パターン状に配設されることになる。
【００３１】
このレーザ加工工程Ｓ２２においては、金属部材層１７の厚さ方向の一部のみを除去しており、金属部材層１７を残存させていることから、セラミックス基板１１に対してレーザ光３２は照射されない。
ここで、レーザ加工工程Ｓ２２においては、金属部材層１７の残存厚さｔが５μｍ以上１０μｍ以下の範囲内となるように、あるいは、金属部材層１７の全厚の１％以上５０％以下の範囲内となるように、レーザ加工時の条件を設定することが好ましい。
なお、レーザ加工工程Ｓ２２においては、ＹＡＧレーザ等の固体レーザを用いることが好ましい。
【００３２】
エッチング工程Ｓ２３においては、図５に示すように、レーザ加工工程Ｓ２２において残存した金属部材層１７を、エッチング液３３を用いたウェットエッチングによって除去する。このとき、エッチングレジスト膜３１は、回路パターン状に配設されているので、エッチングレジスト膜３１が残存した領域の金属部材層１７はエッチング液３３によって除去されない。
ここで、エッチング液３３としては、金属部材層１７がアルミニウムで構成されていることから、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）の水溶液を用いることができる。
【００３３】
レジスト膜除去工程Ｓ２４においては、レジスト除去液を用いて、エッチング工程Ｓ２３後に残存したエッチングレジスト膜３１を除去する。用いるレジスト除去液は、エッチングレジスト膜３１に応じて選択することになり、本実施形態では、アルカリ性の溶液を用いることができる。
【００３４】
上述の回路パターン形成工程Ｓ０２により、金属部材層１７の一部が回路パターン状に除去され、回路パターンを有する回路層１２が形成されることになる。
そして、以上のような工程により、本実施形態である絶縁回路基板１０が製造される。
【００３５】
（ヒートシンク接合工程Ｓ０３）
次に、絶縁回路基板１０の金属層１３とヒートシンク３０とを接合する。本実施形態では、金属層１３がアルミニウム又はアルミニウム合金（４Ｎアルミニウム）で構成されており、ヒートシンク３０が銅又は銅合金（無酸素銅）で構成されていることから、金属層１３とヒートシンク３０とを固相拡散接合によって接合する。
金属層１３の他方側にヒートシンク３０を積層し、金属層１３とヒートシンク３０に対して積層方向に加圧（圧力０．３ＭＰａ以上３．５ＭＰａ以下）した状態で、アルミニウムと銅との共晶温度未満で保持することにより、金属層１３とヒートシンク３０を固相拡散接合する。
【００３６】
（ＣＳＰ接合工程Ｓ０４）
次に、絶縁回路基板１０の回路層１２の上に、はんだ材を介してＣＳＰ３を積層し、回路層１２とＣＳＰ３とをはんだ付けする。
以上のような工程により、本実施形態であるＬＥＤモジュール１が製造される。
【００３７】
以上のような構成とされた本実施形態の絶縁回路基板１０の製造方法によれば、回路パターン形成工程Ｓ０２が、金属部材層１７の一方の面の全体にエッチングレジスト膜３１を成膜するレジスト膜形成工程Ｓ２１と、エッチングレジスト膜３１を形成した金属部材層１７に対してレーザ光を照射し、エッチングレジスト膜３１と金属部材層１７の厚さ方向の一部を除去して回路パターンを形成するレーザ加工工程Ｓ２２と、を備えているので、レーザ加工工程Ｓ２２において、エッチングレジスト膜３１及び金属部材層１７の厚さ方向の一部を、回路パターン状に寸法精度良く形成することが可能となる。
【００３８】
そして、レーザ加工工程Ｓ２２において、金属部材層１７の厚さ方向の一部を除去しており、レーザ光によって除去された領域においても金属部材層１７が残存することになりで、セラミックス基板１１自体にレーザ光が照射されることがなく、レーザ光によるセラミックス基板１１の劣化を抑制することができる。
また、エッチング工程Ｓ２３では、レーザ加工工程Ｓ２２で残存した金属部材層１７を除去するため、エッチングにより溶解させる金属量が減るので、エッチング時間を短縮することができ、サイドエッチングの発生を抑制することができる。
よって、狭ピッチ化した回路パターンを寸法精度良く形成することが可能となる。
【００３９】
さらに、本実施形態では、回路層１２がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、具体的には４Ｎアルミニウムで構成されているので、回路層における導電性を十分に確保することができる。また、上述の回路パターン形成工程Ｓ０２によって回路パターンを形成しているので、反応性が高くサイドエッチングが生じやすいアルミニウムで構成された回路層１２であっても、狭ピッチ化した回路パターンを寸法精度良く形成することが可能となる。
【００４０】
また、本実施形態では、上述の回路パターン形成工程Ｓ０２によって回路パターンを形成しているので、最も狭いパターン間隔Ｐが６０μｍ以下の狭ピッチ化した回路パターンであっても、寸法精度良く形成することが可能となる。また、ＣＳＰ３の高集積密度化を図ることが可能な絶縁回路基板１０を得ることができる。
【００４１】
さらに、本実施形態では、回路層１２の厚さが２０μｍ以上とされているので、回路層１２における導電性を確保することができる。一方、回路層１２の厚さが６００μｍ以下とされているので、効率良く回路パターンを形成することが可能となる。
【００４２】
また、本実施形態では、エッチング工程Ｓ２３において除去する金属部材層１７の厚さｔが５μｍ以上とされているので、レーザ加工工程Ｓ２２において、レーザ光３２がセラミックス基板１１に照射されることを抑制でき、レーザ光３２によってセラミックス基板１１が劣化することを確実に抑制することができる。一方、エッチング工程Ｓ２３において除去する金属部材層１７の厚さｔが１０μｍ以下とされているので、エッチング工程Ｓ２３においてサイドエッチングを十分に抑制することができる。
【００４３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、セラミックス基板が窒化アルミニウムで構成されたものとして説明したが、これに限定されることはなく、その他のセラミックス材料で構成されたものであってもよい。
【００４４】
また、本実施形態では、回路層及び金属層が純度９９．９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（４Ｎアルミニウム）で構成されたものとして説明したが、これに限定されることはなく、他のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていてもよい。例えば、純度９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（２Ｎアルミニウム）、Ａ３００３やＡ６０６３等のアルミニウム合金を用いることができる。さらに、無酸素銅などの純銅又は銅合金、鉄又は鉄合金等の他の金属材料で構成されたものであってもよい。
【００４５】
また、本実施形態では、セラミックス基板とアルミニウム板をＡｌ−Ｓｉ系ろう材を用いて接合するものとして説明したが、接合方法に特に限定はなく、他のろう材を用いてもよいし、固相拡散接合、過渡液相接合法（ＴＬＰ）等の他の接合方法を適用してもよい。
さらに、本実施形態では、図１に示すヒートシンク３０を備えたものとして説明したが、これに限定されることはなく、ヒートシンクの構造に特に制限はない。
また、金属層とヒートシンクとを固相拡散接合するものとして説明したが、接合方法に限定はなく、グリースを介してネジ留めしてもよいし、はんだ付け等を適用してもよい。
【００４６】
さらに、本実施形態では、ヒートシンク３０は、銅又は銅合金で構成されており、具体的には、無酸素銅で構成されているとしたが、タフピッチ銅などを用いてもよいし、銅合金とすることもできる。また、ヒートシンク３０をアルミニウム又はアルミニウム合金で構成することもできる。例えば、４Ｎアルミニウム、２Ｎアルミニウム等の純アルミニウムのほか、Ａ３００３、Ａ６０６３、ＡＤＣ１２等のアルミニウム合金を用いることもできる。
【００４７】
さらに、本実施形態では、絶縁回路基板の回路層にＬＥＤ素子を備えたＣＳＰ３を搭載してＬＥＤモジュールを構成するものとして説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁回路基板にパワー半導体素子を搭載してパワーモジュールを構成してもよいし、絶縁回路基板の回路層に熱電変換素子を搭載して熱電モジュールを構成してもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１  ＬＥＤモジュール
３  ＣＳＰ
１０  絶縁回路基板
１１  セラミックス基板
１２  回路層
１３  金属層
１７  金属部材層
【図１】
2020136638.tif 000003
【図２】
2020136638.tif 000004
【図３】
2020136638.tif 000005
【図４】
2020136638.tif 000006
【図５】
2020136638.tif 000007