(57)【要約】      （修正有）【課題】軽薄短小化が可能なコイル部品を提供する。【解決手段】コイル部品は、本体１００と、本体に埋設され、第１及び第２引出部を含むコイル部２００と、本体の一面側のそれぞれの角に形成され、内壁と底面に第１及び第２引出部のそれぞれを露出するリセスと、リセスに互いに離隔配置され、第１及び第２引出部と連結される第１及び第２外部電極３００、４００と、リセスに配置され、且つ第１及び第２外部電極と離隔した第３外部電極５００と、本体の両側面の少なくとも一部と本体の他面に配置され、第３外部電極と連結される連結電極６００と、連結電極をカバーし、且つ連結電極の少なくとも一部を露出させる開口部が形成された外部絶縁層７００と、外部絶縁層と開口部に形成され、連結電極と連結される遮蔽層８１０と、を含む。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに向かい合う一面と他面、それぞれ前記一面と他面とを連結し、互いに向かい合う両端面、及びそれぞれ前記両端面を連結し、互いに向かい合う両側面を有する本体と、
前記本体に埋設され、第１及び第２引出部を含むコイル部と、
前記本体の一面側のそれぞれの角に形成され、内壁と底面に前記第１及び第２引出部のそれぞれを露出するリセスと、
前記リセスに互いに離隔配置され、前記第１及び第２引出部と連結される第１及び第２外部電極と、
前記リセスに配置され、且つ前記第１及び第２外部電極と離隔した第３外部電極と、
前記本体の両側面の少なくとも一部と前記本体の他面に配置され、前記第３外部電極と連結される連結電極と、
前記連結電極をカバーし、且つ前記連結電極の少なくとも一部を露出させる開口部が形成された外部絶縁層と、
前記外部絶縁層と前記開口部に形成され、前記連結電極と連結される遮蔽層と、を含む、コイル部品。
【請求項２】
前記第１〜第３外部電極はそれぞれ、
前記リセスの底面と前記リセスの内壁に配置された連結部と、
前記連結部と連結され、前記本体の一面に配置されたパッド部と、を含む、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項３】
前記第１〜第３外部電極はそれぞれ、
前記リセスの底面、前記リセスの内壁、及び前記本体の一面に沿って一体に形成される、請求項２に記載のコイル部品。
【請求項４】
前記外部絶縁層は、
前記本体の他面、両側面、及び両端面上にそれぞれ配置され、前記連結部をカバーするように前記リセスの底面と内壁上に延長配置される、請求項２または３に記載のコイル部品。
【請求項５】
前記リセスに露出した前記第１及び第２引出部のそれぞれの一面の表面粗さは、
前記第１及び第２引出部のそれぞれの一面を除いた前記第１及び第２引出部の表面の表面粗さよりも高い、請求項１から４のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項６】
前記遮蔽層をカバーするカバー層をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項７】
前記遮蔽層は、導電体及び磁性体の少なくとも一つを含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項８】
前記遮蔽層は、
導電体を含み、前記外部絶縁層と前記開口部に配置された第１遮蔽層と、
磁性体を含み、前記第１遮蔽層に配置された第２遮蔽層と、を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項９】
前記開口部は、前記連結電極のうち前記本体の他面に配置された領域を露出させる、請求項１から８のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項１０】
前記遮蔽層は、
前記本体の他面上に配置されたキャップ部と、
前記キャップ部と連結され、それぞれ前記本体の両端面と両側面上にそれぞれ配置される側壁部と、を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項１１】
前記キャップ部の厚さは、前記側壁部の厚さよりも厚い、請求項１０に記載のコイル部品。
【請求項１２】
前記本体に埋設される内部絶縁層をさらに含み、
前記第１及び第２引出部は、前記本体の一面と向かい合う前記内部絶縁層の一面に互いに離隔配置される、請求項１から１１のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項１３】
前記コイル部は、
前記内部絶縁層の一面に配置され、前記第１引出部と接触し、且つ前記第２引出部と離隔した第１コイルパターンと、
前記内部絶縁層の一面と向かい合う前記内部絶縁層の他面に配置された第２コイルパターンと、
前記第１コイルパターンと前記第２コイルパターンとを連結するように前記内部絶縁層を貫通するビアと、をさらに含む、請求項１２に記載のコイル部品。
【請求項１４】
前記コイル部は、
前記内部絶縁層の他面に互いに離隔配置された第１及び第２補助引出部をさらに含み、
前記第１補助引出部は、前記第２コイルパターン及び前記第２補助引出部のそれぞれから離隔し、
前記第２補助引出部は、前記第２コイルパターンと接触する、請求項１３に記載のコイル部品。
【請求項１５】
前記コイル部は、
前記第１及び第２引出部と前記第１及び第２補助引出部のそれぞれから延長され、それぞれ前記本体の両端面に露出した結合強化部をさらに含む、請求項１４に記載のコイル部品。
【請求項１６】
前記結合強化部の厚さは、前記第１及び第２引出部と前記第１及び第２補助引出部のそれぞれの厚さよりも薄い、請求項１５に記載のコイル部品。
【請求項１７】
互いに向かい合う一面と他面、及びそれぞれ前記一面と他面とを連結する複数の壁面を有する本体と、
前記本体に埋設されたコイル部と、
前記本体の一面側の角に沿って形成され、内壁と底面に前記コイル部の両端部を露出させるリセスと、
前記本体の一面に互いに離隔配置され、前記コイル部の両端部と連結されるように前記リセスに延長された第１及び第２外部電極と、
前記第１及び第２外部電極と離隔配置され、前記本体の一面及び前記リセスに配置された第３外部電極と、
前記本体の複数の壁面の少なくとも一部に配置され、前記第３外部電極と連結される連結電極と、
前記本体の他面、前記本体の複数の壁面のそれぞれ、及び前記リセス上に配置され、前記連結電極の少なくとも一部を露出させる開口部が形成された外部絶縁層と、
前記外部絶縁層と前記開口部に配置され、前記連結電極と連結される遮蔽層と、を含む、コイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はコイル部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
コイル部品の一つであるインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗（Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）及びキャパシタ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）と共に電子機器に用いられる代表的な受動電子部品である。
【０００３】
電子機器が次第に高性能化し、小さくなるにつれて、電子機器に用いられる電子部品はその数が増加し、小型化している。
【０００４】
上述の理由により、電子部品のＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）のようなノイズ発生源を除去することに対する要求がますます増加している。
【０００５】
現在の一般的なＥＭＩシールド技術では、電子部品を基板に実装した後、シールド缶（Ｓｈｉｅｌｄ  Ｃａｎ）で電子部品と基板を同時に囲んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３１０８６３号公報（２００５年１１月０４日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、軽薄短小化が可能なコイル部品を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、下面電極構造を容易に形成することができるコイル部品を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、漏洩磁束を低減する遮蔽構造を容易に形成することができるコイル部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面によると、互いに向かい合う一面と他面、それぞれ上記一面と他面とを連結し、互いに向かい合う両端面、及びそれぞれ上記両端面を連結し、互いに向かい合う両側面を有する本体と、上記本体に埋設され、第１及び第２引出部を含むコイル部と、上記本体の一面側のそれぞれの角に形成され、内壁と底面に上記第１及び第２引出部のそれぞれを露出するリセスと、上記リセスに互いに離隔配置され、上記第１及び第２引出部と連結される第１及び第２外部電極と、上記リセスに配置され、且つ上記第１及び第２外部電極と離隔した第３外部電極と、上記本体の両側面の少なくとも一部と上記本体の他面に配置され、上記第３外部電極と連結される連結電極と、上記連結電極をカバーし、且つ上記連結電極の少なくとも一部を露出させる開口部が形成された外部絶縁層と、上記外部絶縁層と上記開口部に形成され、上記連結電極と連結される遮蔽層と、を含む、コイル部品が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、コイル部品のサイズを低減することができる。
【００１２】
また、本発明によると、下面電極構造を容易に形成することができる。
【００１３】
なお、本発明によると、遮蔽構造を容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態によるコイル部品を概略的に示す図である。
【図２】図１を下部側から見た図である。
【図３】図１において一部構成を除いた様子を示す図である。
【図４】図３において一部構成をさらに除いた様子を示す図である。
【図５】図４において一部構成をさらに除いた様子を示す図である。
【図６】図５において一部構成をさらに除いた様子を下部側から見た図である。
【図７】本発明の第１実施形態によるコイル部品の一部構成を分解した様子を示す図である。
【図８】コイル部を分解した様子を示す図である。
【図９】図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面を示す図である。
【図１０】図１のＩＩ−ＩＩ'線に沿った断面を示す図である。
【図１１】本発明の第２実施形態によるコイル部品を概略的に示す図である。
【図１２】図１１のＩＩＩ−ＩＩＩ'線に沿った断面を示す図である。
【図１３】図１１のＩＶ−ＩＶ'線に沿った断面を示す図である。
【図１４】本発明の第３実施形態によるコイル部品を概略的に示す図である。
【図１５】図１４において一部構成を除いた様子を示す図である。
【図１６】図１５において一部構成をさらに除いた様子を下部側から見た図である。
【図１７】図１４のＶ−Ｖ'線に沿った断面を示す図である。
【図１８】本発明の第４の実施形態によるコイル部品の断面を示す図であり、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本願で用いられた用語は、ただ特定の実施形態を説明するために用いられたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は文脈上明確に異なる意味でない限り、複数の表現を含む。本願において、「含む」又は「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものなどの存在又は付加可能性を予め排除するものではないことを理解しなくてはならない。また、明細書の全般にわたって、「上に」とは、対象部分の上又は下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準にして上側に位置することを意味するものではない。
【００１６】
また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。
【００１７】
図面に示されている各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意に示したものであり、本発明は、必ずしも図示のものに限定されない。
【００１８】
図面において、Ｌ方向は第１方向又は長さ方向、Ｗ方向は第２方向又は幅方向、Ｔ方向は第３方向又は厚さ方向と定義することができる。
【００１９】
以下、本発明の実施形態によるコイル部品を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するにあたって、同一又は対応する構成要素は、同一の図面番号を付与し、これに対して重複する説明は省略する。
【００２０】
電子機器には、様々な種類の電子部品が用いられる。このような電子部品の間にはノイズ除去などのために、様々な種類のコイル部品が適切に用いられることができる。
【００２１】
即ち、電子機器においてコイル部品は、パワーインダクタ（Ｐｏｗｅｒ  Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）、高周波インダクタ（ＨＦ  Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）、通常のビーズ（Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｂｅａｄ）、高周波用ビーズ（ＧＨｚ  Ｂｅａｄ）、コモンモードフィルタ（Ｃｏｍｍｏｎ  Ｍｏｄｅ  Ｆｉｌｔｅｒ）などに用いられることができる。
【００２２】
第１実施形態
図１は本発明の第１実施形態によるコイル部品を概略的に示す図である。図２は図１を下部側から見た図である。図３は図１において一部構成を除いた様子を示す図である。図４は図３において一部構成をさらに除いた様子を示す図である。
【００２３】
図５は図４において一部構成をさらに除いた様子を示す図である。図６は図５において一部構成をさらに除いた様子を下部側から見た図である。図７は本発明の第１実施形態によるコイル部品の一部構成を分解した様子を示す図である。図８はコイル部を分解した様子を示す図である。図９は図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面を示す図である。図１０は図１のＩＩ−ＩＩ'線に沿った断面を示す図である。
【００２４】
具体的に、図３は図１において遮蔽層とカバー層を除いた様子を示している。図４は図３において外部絶縁層を除いた様子を示している。図５は図４において連結電極を除いた様子を示している。図６は図５において外部電極を除いた様子を示している。
【００２５】
図１〜図１０を参照すると、本発明の一実施形態によるコイル部品１０００は、本体１００、リセスＲ、コイル部２００、外部電極３００、４００、５００、連結電極６００、外部絶縁層７００、及び遮蔽層８１０を含み、カバー層９００及び内部絶縁層ＩＬをさらに含むことができる。
【００２６】
本体１００は、本実施形態によるコイル部品１０００の外観をなし、内部にはコイル部２００が埋設される。
【００２７】
本体１００は、全体的に六面体状に形成されることができる。
【００２８】
本体１００は、図１〜図５を基準に、長さ方向Ｌに互いに向かい合う第１面１０１及び第２面１０２、幅方向Ｗに互いに向かい合う第３面１０３及び第４面１０４、厚さ方向Ｔに互いに向かい合う第５面１０５及び第６面１０６を含む。本体１００の第１〜第４面１０１、１０２、１０３、１０４はそれぞれ、本体１００の第５面１０５と第６面１０６とを連結する本体１００の壁面に該当する。以下、本体の両端面は、本体の第１面１０１及び第２面１０２を意味し、本体の両側面は、本体の第３面１０３及び第４面１０４を意味することができる。
【００２９】
本体１００は、例示的に、後述する外部電極３００、４００、５００、外部絶縁層７００、遮蔽層８１０、及びカバー層９００が形成された本実施形態によるコイル部品１０００が、２．０ｍｍの長さ、１．２ｍｍの幅、及び０．６５ｍｍの厚さを有するように形成されることができるが、これに制限されるものではない。
【００３０】
本体１００は、磁性物質と樹脂を含むことができる。具体的に、本体１００は、樹脂及び樹脂に分散された磁性物質を含む磁性複合シートを一層以上積層して形成されることができる。但し、本体１００は、磁性物質が樹脂に分散された構造以外に、他の構造を有することもできる。例えば、本体１００は、フェライトのような磁性物質からなることもできる。
【００３１】
磁性物質は、フェライト又は金属磁性粉末であることができる。
【００３２】
フェライト粉末は、例えば、Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｚｎ系、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などのスピネル型フェライト、Ｂａ−Ｚｎ系、Ｂａ−Ｍｇ系、Ｂａ−Ｎｉ系、Ｂａ−Ｃｏ系、Ｂａ−Ｎｉ−Ｃｏ系などの六方晶型フェライト類、Ｙ系などのガーネット型フェライト、及びＬｉ系フェライトの少なくとも一つ以上であることができる。
【００３３】
金属磁性粉末は、鉄（Ｆｅ）、シリコン（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、銅（Ｃｕ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。例えば、金属磁性粉末は、純鉄粉末、Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｎｂ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末の少なくとも一つ以上であることができる。
【００３４】
金属磁性粉末は、非晶質又は結晶質であることができる。例えば、金属磁性粉末は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系非晶質合金粉末であることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。
【００３５】
フェライト及び金属磁性粉末はそれぞれ、平均直径が約０．１μｍ〜３０μｍであることができるが、これに制限されるものではない。
【００３６】
本体１００は、樹脂に分散された２種類以上の磁性物質を含むことができる。ここで、磁性物質が異なる種類とは、樹脂に分散された磁性物質が平均直径、組成、結晶性、及び形状のいずれか一つによって互いに区別されることを意味する。
【００３７】
樹脂は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）などを単独又は混合して含むことができるが、これに限定されるものではない。
【００３８】
本体１００は、後述するコイル部２００を貫通するコア１１０を含む。コア１１０は、磁性複合シートがコイル部２００の貫通孔に充填されることにより形成されることができるが、これに制限されるものではない。
【００３９】
リセスＲは、本体１００の第６面１０６側から本体１００の第１〜第４面１０１、１０２、１０３、１０４を囲むように形成される。即ち、リセスＲは、本体１００の第１〜第４面１０１、１０２、１０３、１０４のそれぞれと本体１００の第６面とが形成する角領域全体に沿って形成される。リセスＲは、本体１００の第５面１０５まで延長されない。即ち、リセスＲは、本体１００の厚さ方向に本体１００を貫通しない。
【００４０】
リセスＲは、１次コイルバーにおいて一面側の各本体１００間の境界線（ダイシングライン又はシンギュレーションライン）に先ダイシング（ｐｒｅ−ｄｉｃｉｎｇ）を行うことにより形成されることができる。先ダイシングに用いられる先ダイシングチップ（ｐｒｅ−ｄｉｃｉｎｇ  ｔｉｐ）の幅は、１次コイルバーのダイシングラインよりも広い。ここで、１次コイルバーは、本体１００の長さ方向と幅方向に沿って複数の本体１００が互いに連結されている状態を意味する。かかる先ダイシング（ｐｒｅ−ｄｉｃｉｎｇ）の際、その深さは、後述する引出部２３１、２３２のそれぞれの一部が本体１００の一部と共に除去されるように調節される。即ち、引出部２３１、２３２がリセスＲの底面と内壁に露出するように深さが調節される。
【００４１】
一方、リセスＲの内壁とリセスＲの底面も本体１００の表面を構成する。但し、本明細書では説明の便宜のために、リセスＲの内壁及びリセスＲの底面を本体１００の表面と区別する。
【００４２】
内部絶縁層ＩＬは本体１００に埋設される。内部絶縁層ＩＬは、後述するコイル部２００を支持する構成である。
【００４３】
内部絶縁層ＩＬは、エポキシ樹脂のような熱硬化性絶縁樹脂、ポリイミドのような熱可塑性絶縁樹脂、又は感光性絶縁樹脂を含む絶縁材料で形成されるか、又はかかる絶縁樹脂にガラス繊維又は無機フィラーのような補強材が含浸された絶縁材料で形成されることができる。例えば、内部絶縁層ＩＬはプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）、ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）樹脂、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ  Ｉｍａｇａｂｌｅ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などの絶縁材料で形成されることができるが、これに制限されるものではない。
【００４４】
無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、タルク、泥、雲母粉、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、及びジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）からなる群から選択された少なくとも一つ以上が用いられることができる。
【００４５】
内部絶縁層ＩＬが補強材を含む絶縁材料で形成される場合、内部絶縁層ＩＬは、より優れた剛性を提供することができる。内部絶縁層ＩＬがガラス繊維を含まない絶縁材料で形成される場合、内部絶縁層ＩＬは、コイル部２００の全厚を薄型化するのに有利である。内部絶縁層ＩＬが感光性絶縁樹脂を含む絶縁材料で形成される場合、コイル部２００を形成するための工程数が減少して生産費の節減に有利であり、微細なビアを形成することができる。
【００４６】
コイル部２００は本体１００に埋設され、コイル部品の特性を発現する。例えば、本実施形態のコイル部品１０００がパワーインダクタとして活用される場合、コイル部２００は、電気エネルギーを磁場の形態として貯蔵して出力電圧を維持することにより、電子機器の電源を安定させる役割を果たすことができる。
【００４７】
コイル部２００は、コイルパターン２１１、２１２、引出部２３１、２３２、補助引出部２４１、２４２、及びビア２２１、２２２、２２３を含む。
【００４８】
具体的に、図９及び図１０を基準に、本体１００の第６面１０６と向かい合う内部絶縁層ＩＬの下面に第１コイルパターン２１１、第１引出部２３１、及び第２引出部２３２が配置され、内部絶縁層ＩＬの下面と向かい合う内部絶縁層ＩＬの上面に第２コイルパターン２１２、第１補助引出部２４１、及び第２補助引出部２４２が配置される。
【００４９】
図８〜図１０を参照すると、内部絶縁層ＩＬの下面において第１コイルパターン２１１は、第１引出部２３１と接触して連結され、第１コイルパターン２１１及び第１引出部２３１は、第２引出部２３２と離隔する。また、内部絶縁層ＩＬの上面において第２コイルパターン２１２は、第２補助引出部２４２と接触して連結され、第２コイルパターン２１２及び第２補助引出部２４２は、第１補助引出部２４１と離隔する。また、第１ビア２２１は、内部絶縁層ＩＬを貫通して第１コイルパターン２１１と第２コイルパターン２１２にそれぞれ接触し、第２ビア２２２は、内部絶縁層ＩＬを貫通して第１引出部２３１と第１補助引出部２４１にそれぞれ接触し、第３ビア２２３は、内部絶縁層ＩＬを貫通して第２引出部２３２と第２補助引出部２４２にそれぞれ接触する。これにより、コイル部２００は、全体的に一つのコイルとしての機能を果たすことができる。
【００５０】
第１コイルパターン２１１と第２コイルパターン２１２はそれぞれ、コア１１０を軸に少なくとも一つのターン（ｔｕｒｎ）を形成した平面螺旋状であることができる。例えば、第１コイルパターン２１１は、内部絶縁層ＩＬの下面でコア１１０を軸に少なくとも一つのターン（ｔｕｒｎ）を形成することができる。
【００５１】
引出部２３１、２３２はそれぞれ、リセスＲの底面と内壁に露出する。リセスＲの形成工程では、本体１００の一部と共に引出部２３１、２３２のそれぞれの一部も除去される。即ち、リセスＲは、第１引出部２３１と第２引出部２３２にそれぞれ延長形成される。これにより、リセスＲの底面と内壁に露出した引出部２３１、２３２には、後述する第１及び第２外部電極３００、４００が形成されて、コイル部２００と第１及び第２外部電極３００、４００とが連結される。
【００５２】
リセスＲの内壁と底面に露出した引出部２３１、２３２の一面は、引出部２３１、２３２の他の表面よりも表面粗さが高くてもよい。例えば、引出部２３１、２３２がめっきで形成され、リセスＲが上述の先ダイシング（ｐｒｅ−ｄｉｃｉｎｇ）で形成される場合、引出部２３１、２３２の一部はダイシングチップによって除去される。これにより、リセスＲの内壁と底面に露出した引出部２３１、２３２の一面は、ダイシングチップの研磨のため引出部２３１、２３２の残りの表面に比べて表面粗さが高く形成される。後述のように、外部電極３００、４００は薄膜で形成されるため、本体１００との結合力が弱いが、外部電極３００、４００は、表面粗さが相対的に高い引出部２３１、２３２の一面と接触連結されるため、外部電極３００、４００と引出部２３１、２３２の間の結合力が向上することができる。
【００５３】
本実施形態の場合、引出部２３１、２３２と補助引出部２４１、２４２はそれぞれ、本体１００の両端面１０１、１０２に露出する。即ち、第１引出部２３１は、本体１００の第１面１０１に露出し、第２引出部２３２は、本体１００の第２面１０２に露出する。また、第１補助引出部２４１は、本体１００の第１面１０１に露出し、第２補助引出部２４２は、本体１００の第２面１０２に露出する。これにより、第１引出部２３１は、リセスＲの内壁、リセスＲの底面、及び本体１００の第１面１０１に連続的に露出し、第２引出部２３２は、第２リセスＲの内壁、第２リセスＲの底面、及び本体１００の第２面１０２に連続的に露出する。
【００５４】
コイルパターン２１１、２１２、ビア２２１、２２２、２２３、引出部２３１、２３２、及び補助引出部２４１、２４２の少なくとも一つは、少なくとも一つ以上の導電層を含むことができる。
【００５５】
例えば、第２コイルパターン２１２、ビア２２１、２２２、２２３、及び補助引出部２４１、２４２を内部絶縁層ＩＬの他面側にめっきで形成する場合、第２コイルパターン２１２、ビア２２１、２２２、２２３、及び補助引出部２４１、２４２はそれぞれ、無電解めっき層などのシード層と電解めっき層を含むことができる。ここで、電解めっき層は、単層構造であってもよく、多層構造であってもよい。多層構造の電解めっき層は、いずれかの一つの電解めっき層を他の一つの電解めっき層がカバーするコンフォーマル（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）な膜構造で形成されることもでき、いずれか一つの電解めっき層の一面にのみ他の一つの電解めっき層が積層された形状に形成されることもできる。第２コイルパターン２１２のシード層、ビア２２１、２２２、２２３のシード層、及び補助引出部２４１、２４２のシード層は、一体に形成されて相互間に境界が形成されないが、これに制限されるものではない。第２コイルパターン２１２の電解めっき層、ビア２２１、２２２、２２３の電解めっき層、及び補助引出部２４１、２４２の電解めっき層は、一体に形成されて相互間に境界が形成されないが、これに制限されるものではない。
【００５６】
他の例として、図９及び図１０の方向を基準に、内部絶縁層ＩＬの下面側に配置された第１コイルパターン２１１及び引出部２３１、２３２と、内部絶縁層ＩＬの上面側に配置された第２コイルパターン２１２及び補助引出部２４１、２４２とを互いに別に形成した後、内部絶縁層ＩＬに一括積層してコイル部２００を形成する場合、ビア２２１、２２２、２２３は、高融点金属層と、高融点金属層の溶融点よりも低い溶融点を有する低融点金属層とを含むことができる。ここで、低融点金属層は、鉛（Ｐｂ）、及び／又は錫（Ｓｎ）を含む半田で形成されることができる。低融点金属層は、一括積層時の圧力及び温度によって少なくとも一部が溶融して、低融点金属層と第２コイルパターン２１２の間の境界には、金属間化合物層（Ｉｎｔｅｒ  Ｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ  Ｌａｙｅｒ、ＩＭＣ  Ｌａｙｅｒ）が形成されることができる。
【００５７】
コイルパターン２１１、２１２、引出部２３１、２３２、及び補助引出部２４１、２４２は、例えば、図９及び図１０に示されているように、内部絶縁層ＩＬの下面及び上面にそれぞれ突出形成されることができる。他の例として、第１コイルパターン２１１と引出部２３１、２３２は、内部絶縁層ＩＬの下面に突出形成され、第２コイルパターン２１２と補助引出部２４１、２４２は、内部絶縁層ＩＬの上面に埋め込まれて、上面が内部絶縁層ＩＬの上面に露出することができる。この場合、第２コイルパターン２１２の上面及び／又は補助引出部２４１、２４２の上面には凹部が形成され、内部絶縁層ＩＬの上面と第２コイルパターン２１２の上面及び／又は補助引出部２４１、２４２の上面は、同一平面上に位置しない。他の例として、第２コイルパターン２１２と補助引出部２４１、２４２は、内部絶縁層ＩＬの上面に突出形成され、第１コイルパターン２１１と引出部２３１、２３２は、内部絶縁層ＩＬの下面に埋め込まれて、下面が内部絶縁層ＩＬの下面に露出することができる。この場合、第１コイルパターン２１１の下面及び／又は引出部２３１、２３２の下面には凹部が形成され、内部絶縁層ＩＬの下面と第１コイルパターン２１１の下面及び／又は引出部２３１、２３２の下面は、同一平面上に位置しない。
【００５８】
コイルパターン２１１、２１２、引出部２３１、２３２、補助引出部２４１、２４２、及びビア２２１、２２２、２２３はそれぞれ、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質で形成されることができるが、これに限定されるものではない。
【００５９】
一方、図８を参照すると、第１補助引出部２４１は、コイル部２００における残りの構成間の電気的連結とは無関係であるため、本実施形態では省略されることができる。但し、本体１００の第５面１０５と第６面１０６を区別する工程を省略するために、第１補助引出部２４１を形成することが好ましい。
【００６０】
外部電極３００、４００、５００はそれぞれ、リセスＲに配置された連結部３１０、４１０、５１０、及び本体１００の第６面１０６に配置されたパッド部３２０、４２０、５２０を含む。外部電極３００、４００、５００は互いに離隔配置される。第１外部電極３００と第２外部電極４００は、コイル部２００によって電気的に連結されるが、本体１００とリセスＲ上では互いに離隔配置される。第３外部電極５００は、第１及び第２外部電極３００、４００のそれぞれと離隔配置されて電気的に連結されない。
【００６１】
具体的に、第１外部電極３００は、リセスＲの内壁及び底面のうち第１引出部２３１が露出した領域に配置されて第１引出部２３１と接触連結される第１連結部３１０と、第１連結部３１０から本体１００の第６面１０６に延長された第１パッド部３２０とを含む。第２外部電極４００は、リセスＲの内壁及び底面のうち第２引出部２３２が露出した領域に配置されて第２引出部２３２と接触連結される第２連結部４１０と、第２連結部４１０から本体１００の第６面１０６に延長された第２パッド部４２０とを含む。第３外部電極５００は、リセスＲの内壁及び底面のうち引出部２３１、２３２が露出しない領域に配置された第３連結部５１０と、第３連結部５１０から本体１００の第６面１０６に延長された第３パッド部５２０とを含む。
【００６２】
外部電極３００、４００、５００はそれぞれ、リセスＲの底面、リセスＲの内壁、及び本体１００の第６面１０６に沿って形成される。即ち、外部電極３００、４００、５００はそれぞれ、コンフォーマル（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）な膜の形態で形成される。外部電極３００、４００、５００はそれぞれ、リセスＲの底面、リセスＲの内壁、及び本体１００の第６面１０６で一体に形成されることができる。即ち、連結部３１０、４１０、５１０とパッド部３２０、４２０、５２０は、同一工程で共に形成されて互いに一体に形成されることができる。外部電極３００、４００、５００は、スパッタリング工程のような薄膜工程で形成されることができる。
【００６３】
外部電極３００、４００、５００は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質で形成されることができるが、これに限定されるものではない。外部電極３００、４００、５００は、単層又は複数層の構造で形成されることができる。例えば、外部電極３００、４００、５００はそれぞれ、パッド部３２０、４２０、５２０上にそれぞれめっきで形成されためっき層をさらに含むことができる。ここで、めっき層は、複数の層であってもよく、単層であってもよい。
【００６４】
第１及び第２外部電極３００、４００はそれぞれ、信号電極であることができ、第３外部電極５００は、接地電極であることができる。即ち、本実施形態によるコイル部品がプリント回路基板に実装された場合、第３外部電極５００は、プリント回路基板などのグランドと電気的に連結されることができる。したがって、第３外部電極５００は、後述する遮蔽層８１０に累積された電気エネルギーをプリント回路基板などに伝達することができる。
【００６５】
連結電極６００は、本体１００の第３及び第４面１０３、１０４の少なくとも一部と本体１００の第５面１０５に配置され、第３外部電極５００と連結される。
【００６６】
本実施形態の場合、連結電極６００は、本体１００の第３〜第５面１０３、１０４、１０５全体に形成される。連結電極６００は、本体１００の第３及び第４面１０３、１０４にそれぞれ形成された部分が第３外部電極５００の第３連結部５１０と接触連結される。連結電極６００は、外部電極３００、４００、５００間の電気的短絡（ｓｈｏｒｔ）を防止するために、本体１００の第１及び第２面１０１、１０２と本体１００の第６面に形成されない。
【００６７】
連結電極６００は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質で形成されることができるが、これに限定されるものではない。連結電極６００は、単層又は複数層の構造で形成されることができる。連結電極６００は、スパッタリング工程のような薄膜工程で形成されることができる。
【００６８】
例えば、連結電極６００は、１次コイルバーを１次ダイシングして形成された複数の２次コイルバーに連結電極形成用金属層を形成した後、２次コイルバーを２次ダイシングすることによって形成されることができる。２次コイルバーは、１次コイルバーにおいて本体１００の長さ方向と平行な複数の境界線に沿って１次コイルバーを貫通する１次ダイシングを行うことにより形成されることができる。即ち、いずれか一つの２次コイルバーにおいては、幅方向には一つの本体１００のみが存在し、長さ方向には複数の本体１００がそれぞれの長さ方向に沿って連結されている。これにより、２次コイルバーを幅方向に２次ダイシングすると、それぞれの本体１００に個別化される。連結電極６００は、個別化された本体１００において本体１００の第３〜第５面１０３、１０４、１０５にのみ配置され、本体１００の第１及び第２面１０１、１０２には配置されない。一方、上述の例において、１次ダイシングの際に用いられる１次ダイシングチップと、２次ダイシングの際に用いられる２次ダイシングチップはそれぞれ、上述の先ダイシングチップの幅よりも狭い。
【００６９】
外部絶縁層７００は、連結電極６００をカバーする。外部絶縁層７００には、連結電極６００の少なくとも一部を露出させる開口部Ｏが形成される。
【００７０】
外部絶縁層７００は、ポリスチレン系、酢酸ビニル系、ポリエステル系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリアミド系、ゴム系、アクリル系などの熱可塑性樹脂、フェノール系、エポキシ系、ウレタン系、メラミン系、アルキド系などの熱硬化性樹脂、感光性樹脂、パリレン、ＳｉＯｘ、又はＳｉＮｘを含むことができる。
【００７１】
外部絶縁層７００は、液状の絶縁樹脂を本体１００の表面上に塗布するか、又はドライフィルム（ＤＦ）のような絶縁フィルムを本体１００の表面上に積層するか、又は気相蒸着などの薄膜工程で絶縁物質を本体１００の表面と連結部３１０、４１０上に形成することにより形成されることができる。絶縁フィルムの場合、感光性絶縁樹脂を含まないＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）又はポリイミドフィルムなどを用いてもよい。
【００７２】
本実施形態の場合、外部絶縁層７００は、連結電極６００をカバーするように本体１００の第１〜第５面１０１、１０２、１０３、１０４、１０５上に配置され、リセスＲの底面及びリセスＲの内壁上に延長配置される。その結果、外部絶縁層７００は、連結電極６００、本体１００の第１及び第２面１０１、１０２、及び外部電極３００、４００、５００の連結部３１０、４１０、５１０に接触してこれらをカバーする。
【００７３】
外部絶縁層７００は、１０ｎｍ〜１００μｍの厚さ範囲で形成されることができる。外部絶縁層７００の厚さが１０ｎｍ未満の場合には、Ｑ特性（Ｑ  ｆａｃｔｏｒ）などコイル部品の特性が低下することがあり、外部絶縁層７００の厚さが１００μｍを超える場合には、コイル部品の総長さ、幅、及び厚さが増加して薄型化に不利である。
【００７４】
開口部Ｏは、連結電極６００の少なくとも一部を露出させるように外部絶縁層７００に形成される。後述する遮蔽層８１０は、外部絶縁層７００に形成されるが、外部絶縁層７００の開口部Ｏを介して連結電極６００と接触し、結果的に第３外部電極５００と連結される。
【００７５】
本実施形態の場合、開口部Ｏは、連結電極６００のうち本体１００の第５面１０５に配置された領域を露出させる。したがって、連結電極６００と遮蔽層８１０は、本体１００の第５面１０５側で互いに接触連結される。開口部Ｏが本体１００の第５面１０５側に形成されるため、本体１００の第６面１０６側が下部に向かうように配置されて行われる外部絶縁層形成工程、開口部形成工程、及び後続工程（遮蔽層形成工程及びカバー層形成工程）が本体１００の方向切換なしに行われることができる。これにより、後続工程で本体１００の方向を識別する過程を省略することができる。
【００７６】
図３及び図７には、開口部Ｏが四角形に形成されている様子が示されているが、これは例示的なものに過ぎず、開口部Ｏは、円形、楕円形、及び四角形以外の多角形などに様々に変形されることができる。
【００７７】
遮蔽層８１０は、本体１００の第５面１０５上に配置されたキャップ部８１５と、本体１００の第１〜第４面１０１、１０２、１０３、１０４上にそれぞれ配置された第１〜第４側壁部８１１、８１２、８１３、８１４を含む。遮蔽層８１０は、本体１００の第６面１０６を除いた本体１００の表面上に配置され、本発明によるコイル部品１０００の漏洩磁束を低減させることができる。
【００７８】
本実施形態の場合、キャップ部８１５は、連結電極６００及び外部絶縁層７００に沿ってコンフォーマル（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）な膜で形成される。このことから、キャップ部８１５には、開口部Ｏに対応する溝が形成されていると見なすことができる。
【００７９】
第１〜第４側壁部８１１、８１２、８１３、８１４は、それぞれの一端がキャップ部８１５と連結され、それぞれの他端がリセスＲの底面及び内壁に延長されない。第１〜第４側壁部８１１、８１２、８１３、８１４をスパッタリングで形成する場合、スパッタリングの低い段差被覆性（ｓｔｅｐ  ｃｏｖｅｒａｇｅ）のため、第１〜第４側壁部８１１、８１２、８１３、８１４のそれぞれの他端がリセスＲの底面と内壁上に延長形成されないが、これに制限されるものではない。他の例として、第１〜第４側壁部８１１、８１２、８１３、８１４のそれぞれの他端がリセスＲの底面と内壁上に延長されるように形成した後、リセスＲの底面と内壁上に形成された第１〜第４側壁部８１１、８１２、８１３、８１４のそれぞれの部分を除去することもできる。第１〜第４側壁部８１１、８１２、８１３、８１４のそれぞれの他端はリセスＲの底面と内壁に配置されないため、遮蔽層８１０と第１及び第２外部電極３００、４００の間の電気的短絡（ｓｈｏｒｔ）を防止することができる。
【００８０】
キャップ部８１５と側壁部８１１、８１２、８１３、８１４は、一体に形成されることができる。即ち、キャップ部８１５と側壁部８１１、８１２、８１３、８１４は、同一の工程で形成されて相互間に境界が形成されない。例えば、キャップ部８１５と側壁部８１１、８１２、８１３、８１４は、外部絶縁層７００が形成された本体１００の第１〜第５面１０１、１０２、１０３、１０４、１０５にスパッタリングのような気相蒸着で遮蔽層８１０を形成することで一体に形成されることができる。スパッタリングで遮蔽層８１０を形成するにあたって、スパッタリングの低い段差被覆性（ｓｔｅｐ  ｃｏｖｅｒａｇｅ）のため、リセスＲの底面と内壁には遮蔽層８１０が形成されない。
【００８１】
遮蔽層８１０は、導電体及び磁性体の少なくとも一つを含むことができる。例えば、導電体は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含む金属又は合金であることができ、Ｆｅ−Ｓｉ又はＦｅ−Ｎｉであることができる。また、遮蔽層７１０は、フェライト、パーマロイ、非晶質リボンからなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。
【００８２】
遮蔽層８１０は、互いに分離された２以上の微細構造を含むことができる。例えば、キャップ部８１５と側壁部８１１、８１２、８１３、８１４をそれぞれ、複数個の小片に分離形成された非晶質リボンシートで形成する場合、キャップ部８１５と側壁部８１１、８１２、８１３、８１４はそれぞれ、互いに分離された複数の微細構造を含むことができる。
【００８３】
遮蔽層８１０は、１０ｎｍ〜１００μｍの厚さで形成されることができる。遮蔽層８１０の厚さが１０ｎｍ未満の場合は、ＥＭＩシールド効果が殆どなく、遮蔽層８１０の厚さが１００μｍを超える場合は、コイル部品の総長さ、幅、及び厚さが増加するため、薄型化に不利である。
【００８４】
カバー層９００は、遮蔽層８１０をカバーするように遮蔽層８１０に配置されて外部絶縁層７００と接触する。即ち、カバー層９００は、外部絶縁層７００と共に遮蔽層８１０を内部に埋設する。したがって、カバー層９００は、外部絶縁層７００と同様に、本体１００の第１〜第５面１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、リセスＲの内壁、及び底面上に配置される。カバー層９００は、遮蔽層８１０が外部の他の電子部品と電気的に連結されることを防止する。
【００８５】
カバー層９００は、ポリスチレン系、酢酸ビニル系、ポリエステル系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリアミド系、ゴム系、アクリル系などの熱可塑性樹脂、フェノール系、エポキシ系、ウレタン系、メラミン系、アルキド系などの熱硬化性樹脂、感光性絶縁樹脂、パリレン、ＳｉＯｘ、又はＳｉＮｘの少なくとも一つを含むことができる。
【００８６】
カバー層９００は、遮蔽層８１０が形成された本体１００にドライフィルム（ＤＦ）のようなカバーフィルムを積層して形成されることができる。又は、カバー層９００は、遮蔽層８１０が形成された本体１００に絶縁物質を化学気相蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）などの気相蒸着で形成することにより形成されることができる。
【００８７】
カバー層９００は、１０ｎｍ〜１００μｍの厚さ範囲で形成されることができる。カバー層９００の厚さが１０ｎｍ未満の場合には、絶縁特性が弱くて遮蔽層８１０と外部の他の電子部品の間に電気的短絡（Ｓｈｏｒｔ）が発生することがあり、カバー層９００の厚さが１００μｍを超える場合には、コイル部品の総長さ、幅、及び厚さが増加して薄型化に不利である。
【００８８】
外部絶縁層７００、遮蔽層８１０、及びカバー層９００の厚さの和は、３０ｎｍ超過１００μｍ以下であることができる。外部絶縁層７００、遮蔽層８１０、及びカバー層９００の厚さの和が３０ｎｍ未満の場合は、電気的短絡（Ｓｈｏｒｔ）の問題、Ｑ特性（Ｑ  ｆａｃｔｏｒ）のようなコイル部品の特性低下の問題などが発生することがあり、外部絶縁層７００、遮蔽層８１０、及びカバー層９００の厚さの和が１００μｍを超える場合には、コイル部品の総長さ、幅、及び厚さが増加して薄型化に不利である。
【００８９】
一方、図示してはいないが、本実施形態では、引出部２３１、２３２、コイルパターン２１１、２１２、内部絶縁層ＩＬ、及び補助引出部２４１、２４２の表面に沿って形成された絶縁膜をさらにを含むことができる。絶縁膜は、引出部２３１、２３２、コイルパターン２１１、２１２、及び補助引出部２４１、２４２を保護し、本体１００から絶縁させるためのものであって、パリレンなどの公知の絶縁物質を含むことができる。絶縁膜に含まれる絶縁物質は、どのようなものであっても使用可能であり、特別な制限はない。絶縁膜は、気相蒸着などの方法で形成されることができるが、これに制限されるものではなく、絶縁フィルムを内部絶縁層ＩＬの両面に積層することによって形成されることもできる。
【００９０】
また、本実施形態の場合、上述の外部絶縁層７００と区別され、本体１００の第１〜第６面１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６の少なくとも一つに接触形成される追加絶縁層をさらに含むことができる。例えば、追加絶縁層が本体１００の第６面１０６に形成される場合、外部電極３００、４００、５００のパッド部３２０、４２０、５２０は、リセスＲの内壁に配置された連結部３１０、４１０、５１０から追加絶縁層の側面を経て追加絶縁層の下面上に延長される。追加絶縁層は、ポリスチレン系、酢酸ビニル系、ポリエステル系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリアミド系、ゴム系、アクリル系などの熱可塑性樹脂、フェノール系、エポキシ系、ウレタン系、メラミン系、アルキド系などの熱硬化性樹脂、感光性樹脂、パリレン、ＳｉＯｘ、又はＳｉＮｘを含むことができる。
【００９１】
本発明の外部絶縁層７００及びカバー層９００は、コイル部品自体に配置されるものであるため、コイル部品をプリント回路基板に実装する段階においてコイル部品とプリント回路基板をモールディングするモールディング材とは区別される。例えば、本発明の外部絶縁層７００及びカバー層９００は、モールディング材とは異なり、プリント回路基板と接触しない。また、外部絶縁層７００及びカバー層９００は、モールディング材とは異なり、プリント回路基板によって支持又は固定されるものではない。また、コイル部品とプリント回路基板とを連結する半田ボールなどの連結部材を囲むモールディング材とは異なり、本発明の外部絶縁層７００及びカバー層９００は、連結部材を囲む形態で形成されない。また、本発明の外部絶縁層７００及びカバー層９００は、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などを加熱してプリント回路基板上に流動させ、硬化させて形成するモールディング材ではないため、モールディング材を形成する際に発生するボイド及びモールディング材とプリント回路基板との間の熱膨張係数の差によってプリント回路基板に発生する反りなどを考慮する必要がない。
【００９２】
また、本発明の遮蔽層８１０は、コイル部品自体に配置されるものであるため、コイル部品をプリント回路基板に実装した後、ＥＭＩなどの遮蔽のためにプリント回路基板に結合されるシールド缶と区別される。例えば、本発明の遮蔽層８１０は、コイル部品自体に形成されるため、コイル部品が半田などによってプリント回路基板と結合されると、遮蔽層７１０も自然にプリント回路基板に固定されることができるが、シールド缶の場合は、コイル部品と別にプリント回路基板に固定しなければならない。
【００９３】
上記のことから、本実施形態によるコイル部品１０００は、部品自体に遮蔽層８１０を形成することにより、コイル部品で発生する漏洩磁束をより効率的に遮断することができる。即ち、電子機器が薄型化し、高性能化するにつれて、電子機器に含まれる電子部品の総数及び隣接する電子部品間の距離が減少するが、各コイル部品自体を遮蔽することにより、各コイル部品で発生する漏洩磁束をより効率的に遮断して、電子機器の薄型化及び高性能化により有利となる。さらに、本実施形態によるコイル部品１０００は、シールド缶を用いる場合と比較して、遮蔽領域内の実効磁性体の量が増加するため、コイル部品の特性を向上させることができる。
【００９４】
また、本実施形態によるコイル部品１０００は、コイル部品のサイズを実質的に維持しながらも、下部電極構造を容易に実現することができる。即ち、従来とは異なり、外部電極３００、４００、５００が本体１００の両端面１０１、１０２又は両側面１０３、１０４に配置されないため、連結電極６００、外部絶縁層７００、遮蔽層８１０、及びカバー層９００によるコイル部品１０００の長さ及び幅の増加をある程度緩和することができる。また、外部電極３００、４００、５００が相対的に薄く形成されるため、コイル部品１０００の全厚さを薄く形成することができる。
【００９５】
さらに、本実施形態の場合、リセスＲによって第１及び第２外部電極３００、４００と引出部２３１、２３２の間の接触面積が増加して部品信頼性を向上させることができる。また、リセスＲに露出した引出部２３１、２３２の一面の表面粗さが相対的に高いため、引出部２３１、２３２と第１及び第２外部電極３００、４００の間の結合力が向上することができる。
【００９６】
第２実施形態
図１１は本発明の第２実施形態によるコイル部品を概略的に示す図である。図１２は図１１のＩＩＩ−ＩＩＩ'線に沿った断面を示す図である。図１３は図１１のＩＶ−ＩＶ'線に沿った断面を示す図である。
【００９７】
図１〜図１３を参照すると、本実施形態によるコイル部品２０００は、本発明の第１実施形態によるコイル部品１０００と比較して、遮蔽層８１０、８２０が異なる。したがって、本実施形態を説明するにあたっては、第１実施形態と異なる遮蔽層８１０、８２０についてのみ説明する。本実施形態の残りの構成は、本発明の第１実施形態における説明がそのまま適用されることができる。
【００９８】
図１１〜図１３を参照すると、本実施形態における遮蔽層８１０、８２０は、第１遮蔽層８１０と第２遮蔽層８２０を含む。第１遮蔽層８１０は導電体を含み、外部絶縁層７００と開口部Ｏに配置される。第２遮蔽層８２０は磁性体を含み、第１遮蔽層８１０に配置される。即ち、本実施形態の場合、遮蔽層８１０、８２０は複数の層で形成されることができる。
【００９９】
第２遮蔽層８２０は、第１遮蔽層８１０に接触されるため、第２遮蔽層に蓄積された電気エネルギーは、第１遮蔽層８１０、連結電極６００、及び第３外部電極５００を介してプリント回路基板などのグランドに排出されることができる。
【０１００】
一方、図１２及び図１３には、磁性体を含む第２遮蔽層８２０が、導電体を含む第１遮蔽層８１０の外側に配置されることが示されているが、これは例示的なものに過ぎない。即ち、図１２及び図１３とは異なり、磁性体を含む遮蔽層が、導電体を含む遮蔽層の内側に配置されることもできる。
【０１０１】
本実施形態の場合、導電体を含む第１遮蔽層８１０による反射遮蔽効果と、磁性体を含む第２遮蔽層８２０による吸収遮蔽効果をすべて有することができる。即ち、１ＭＨｚ以下の低周波数帯域では、第２遮蔽層８２０で漏洩磁束を吸収遮蔽し、１ＭＨｚを超える高周波帯域では、第１遮蔽層８１０で漏洩磁束を反射遮蔽することができる。したがって、本実施形態によるコイル部品２０００は、相対的に広い周波数帯域で漏洩磁束を遮蔽することができる。
【０１０２】
第３実施形態
図１４は本発明の第３実施形態によるコイル部品を概略的に示す図である。図１５は図１４において一部構成を除いた様子を示す図である。図１６は図１５において一部構成をさらに除いた様子を下部側から見た図である。図１７は図１４のＶ−Ｖ'線に沿った断面を示す図である。
【０１０３】
具体的に、図１５には、図１４においてカバー層、遮蔽層、絶縁層、及び連結電極を除いた様子が示されている。図１６には、図１５において外部電極を除いた様子が示されている。
【０１０４】
図１〜図１７を参照すると、本実施形態によるコイル部品３０００は、本発明の第１及び第２実施形態によるコイル部品１０００、２０００と比較して、コイル部２００が異なる。したがって、本実施形態を説明するにあたっては、第１及び第２実施形態と異なるコイル部２００についてのみ説明する。本実施形態の残りの構成は、本発明の第１実施形態又は第２実施形態における説明がそのまま適用されることができる。
【０１０５】
本実施形態に適用されるコイル部２００は、引出部２３１、２３２及び補助引出部２４１、２４２からそれぞれ延長されて、それぞれ本体１００の第１及び第２面１０１、１０２に露出した結合強化部２５１、２５２、２５３、２５４をさらに含む。具体的に、コイル部２００は、第１引出部２３１から延長されて本体１００の第１面１０１に露出した第１結合強化部２５１、第２引出部２３２から延長されて本体１００の第２面１０２に露出した第２結合強化部２５２、第１補助引出部２４１から延長されて本体１００の第１面１０１に露出した第３結合強化部２５３、及び第２補助引出部２４２から延長されて本体１００の第２面１０２に露出した第４結合強化部２５４をさらに含むことができる。本実施形態の場合、第１実施形態とは異なり、引出部２３１、２３２及び補助引出部２４１、２４２が本体１００の第１及び第２面１０１、１０２に露出せず、引出部２３１、２３２及び補助引出部２４１、２４２から本体１００の両端面１０１、１０２に延長された結合強化部２５１、２５２、２５３、２５４が本体１００の両端面１０１、１０２に露出する。
【０１０６】
結合強化部２５１、２５２、２５３、２５４の幅は、引出部２３１、２３２及び補助引出部２４１、２４２の幅よりも小さくてもよく、又は結合強化部２５１、２５２、２５３、２５４の厚さが引出部２３１、２３２及び補助引出部２４１、２４２の厚さよりも薄くてもよい。即ち、結合強化部２５１、２５２、２５３、２５４は、コイル部２００の端部側の体積を減少させて、本体１００の第１及び第２面１０１、１０２に露出するコイル部２００の面積を最小化することができる。
【０１０７】
これにより、本実施形態によるコイル部品３０００は、コイル部２００の端部側と本体１００の間の結合力を向上させることができる。即ち、コイル部２００のうち引出部２３１、２３２及び補助引出部２４１、２４２の体積よりも小さい体積の結合強化部２５１、２５２、２５３、２５４を本体１００の最外側に配置することにより、本体１００の最外側の体積を向上させることができる。
【０１０８】
また、本実施形態によるコイル部品３０００は、磁性体の有効体積を向上させることにより、部品特性が低下することを防止することができる。
【０１０９】
また、本実施形態によるコイル部品３０００は、本体１００の両端面１０１、１０２に露出するコイル部２００の面積を減少させて、電気的短絡を防止することができる。
【０１１０】
一方、本実施形態の場合、結合強化部２５１、２５２、２５３、２５４は、引出部２３１、２３２及び補助引出部２４１、２４２に複数形成されることができる。具体的に、第１引出部２３１から延長されて本体１００の第１面１０１に露出した第１結合強化部２５１、第２引出部２３２から延長されて本体１００の第２面１０２に露出した第２結合強化部２５２、第１補助引出部２４１から延長されて本体１００の第１面１０１に露出した第３結合強化部２５３、及び第２補助引出部２４２から延長されて本体１００の第２面１０２に露出した第４結合強化部２５４の少なくとも一つは、複数形成されることができる。
【０１１１】
これにより、本実施形態によるコイル部品４０００は、コイル部２００と本体１００の間の接触面積が増加して、相互間の結合力が増加することができる。
【０１１２】
第４実施形態
図１８は本発明の第４実施形態によるコイル部品の断面を示す図であり、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。
【０１１３】
図１〜図１８を参照すると、本実施形態によるコイル部品４０００は、本発明の第１〜第３実施形態によるコイル部品１０００、２０００、３０００と比較して、キャップ部８１５と側壁部８１１、８１２、８１３、８１４が異なる。したがって、本実施形態を説明するにあたっては、本発明の第１〜第３実施形態と異なるキャップ部８１５と側壁部８１１、８１２、８１３、８１４についてのみ説明する。本実施形態の残りの構成は、本発明の第１〜第３実施形態における説明がそのまま適用されることができる。
【０１１４】
図１８を参照すると、キャップ部８１５の厚さＴ１は、側壁部８１１、８１２、８１３、８１４の厚さＴ２よりも厚くてもよい。
【０１１５】
コイル部２００の各コイルパターン２１１、２１２は、内部絶縁層ＩＬの両面においてそれぞれ内部絶縁層ＩＬの中央から内部絶縁層ＩＬの外側に複数のターンを形成し、各コイルパターン２１１、２１２は、本体１００の厚さ方向Ｔに積層されてビア２２１によって連結される。その結果、本体１００の厚さ方向Ｔに発生する磁束が、その他の方向で発生する磁束よりも大きい。
【０１１６】
したがって、本体１００の厚さ方向Ｔに垂直な本体１００の第５面に配置されたキャップ部８１５の厚さを、本体１００の壁面に配置された側壁部８１１、８１２、８１３、８１４の厚さよりも厚く形成することにより、漏洩磁束をより効率的に低減させることができる。
【０１１７】
例えば、絶縁フィルム及び遮蔽フィルムを含む遮蔽シートで本体１００の第１〜第５の面に遮蔽層を一時的に形成し、本体１００の第５面上にのみ遮蔽物質を追加形成することにより、キャップ部８１５の厚さを側壁部８１１、８１２、８１３、８１４の厚さよりも厚く形成することができる。他の例として、本体１００の第５面がターゲットに向かい合うように本体１００を配置した後、遮蔽層８１０を形成するためのスパッタリングを行うことにより、キャップ部８１５の厚さを側壁部８１１、８１２、８１３、８１４の厚さよりも厚く形成することができる。但し、上述の例によって本実施形態の範囲が制限されるものではない。
【０１１８】
これにより、本実施形態によるコイル部品４０００は、コイル部２００が形成する磁束の方向を考慮して、効率的に漏洩磁束を低減させることができる。
【０１１９】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、又は削除などにより本発明を多様に修正及び変更させることができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるといえる。
【符号の説明】
【０１２０】
１００  本体
１１０  コア
２００  コイル部
２１１、２１２  コイルパターン
２２１、２２２、２２３  ビア
２３１、２３２  引出部
２４１、２４２  補助引出部
２５１、２５２、２５３、２５４  結合強化部
３００、４００、５００  外部電極
３１０、４１０、５１０  連結部
３２０、４２０、５２０  パッド部
６００  連結電極
７００  外部絶縁層
８１０、８２０  遮蔽層
８１５  キャップ部
８１１、８１２、８１３、８１４  側壁部
９００  カバー層
ＩＬ  内部絶縁層
Ｏ  開口部
Ｒ  リセス
１０００、２０００、３０００、４０００  コイル部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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