(57)【要約】【課題】点灯検査において異常画素が検出されたときに、表示素子における異常副画素に対応する主欠陥を特定する作業を効率的に行う。【解決手段】基板１００ｘと、基板１００ｘの上面に配された平坦化層１１８と、平坦化層１１８の上面に行列状に配された複数の画素電極１１９と、平坦化層１１８の上面を画素電極１１９毎に区画するバンク１２２と、画素電極１１９の上方であって、副画素１００ｓｅとなるべき区画に、それぞれ配された第１色発光層１２３Ｒ、第２色発光層１２３Ｇ、及び第３色発光層１２３Ｂと、それらの上方に配された対向電極１２５とを備え、少なくとも基板１００ｘ、平坦化層１１８、画素電極１１９、バンク１２２の何れかは、バンク１２２の上方からの基板１００ｘの平面視において、第１色副画素、第２色副画素、第３色副画素の何れかを他と識別する副画素色識別手段１１９ｍを有している。【選択図】図１
2020042955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１色副画素、第２色副画素、第３色副画素を含む画素が行列状に複数配された表示パネルであって、
基板と、
前記基板の上面に配された平坦化層と、
前記平坦化層の上面に行列状に配された複数の画素電極と、
前記平坦化層の上面を前記画素電極毎に区画するバンクと、
前記画素電極の上方であって、第１色副画素、第２色副画素、第３色副画素となるべき区画に、それぞれ配された第１色発光層、第２色発光層、及び第３色発光層と、
前記第１色発光層、前記第２色発光層、及び前記第３色発光層の上方に配された対向電極とを備え、
少なくとも前記基板、前記平坦化層、前記画素電極、前記バンクの何れかは、前記バンクの上方からの前記基板の平面視において、前記第１色副画素、前記第２色副画素、前記第３色副画素の何れかを他と識別する副画素色識別手段を有している
表示パネル。
【請求項２】
前記副画素色識別手段は、第１色副画素、第２色副画素、及び第３色副画素の何れかにあり、他の副画素にある画素電極とは形状が異なる画素電極である
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記副画素色識別手段は、第１色副画素、第２色副画素、及び第３色副画素の何れかを区画し、他の副画素とは形状が異なるバンクの部分である
請求項１又は２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記バンクの部分は、行方向に隣接する前記画素電極の間隙に列方向に延伸して配された列バンクの一部分である
請求項３に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記バンクの部分は、列方向に隣接する前記画素電極の間隙に行方向に延伸して配された行バンクの一部分である
請求項３に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記副画素色識別手段は、第１色副画素、第２色副画素、及び第３色副画素の何れかにあり、他の副画素とは、少なくとも形状、位置又は大きさの何れかが異なる平坦化層の部分である
請求項１〜３の何れか１項に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記平坦化層の部分は、前記基板に配されたＴＦＴと前記画素電極とを接続する電極が配される前記平坦化層に開設されたコンタクトホールである
請求項６に記載の表示パネル。
【請求項８】
請求項１から７の何れか１項に記載の表示パネルの検査方法であって、
前記基板、前記平坦化層、前記画素電極、及び前記バンクを上方から平面視した統合検査画像を取得する工程と、
前記表示パネルを点灯させて異常画素を検出する工程と、
前記異常画素の位置、前記異常画素における異常副画素色を特定する工程と、
前記統合検査画像に写された前記異常画素の像に含まれる膜欠陥像から、異常副画素内に存在する主欠陥像を特定する工程を有し、
前記主欠陥像を特定する工程では、前記異常副画素色の情報に基づき、前記統合検査画像に写された前記副画素色識別手段の像を指標として、前記主欠陥像と前記主欠陥像以外の前記膜欠陥像とを識別する
表示パネルの検査方法。
【請求項９】
さらに、前記基板を上方から平面視した第１の中間検査画像を取得する工程と、
前記基板及び前記平坦化層を上方から平面視した第２の中間検査画像を取得する工程と、
前記基板、前記平坦化層及び前記画素電極を上方から平面視した第３の中間検査画像を取得する工程と、
前記第１の中間検査画像、前記第２の中間検査画像及び前記第３の中間検査画像における、前記統合検査画像において特定された前記主欠陥像と位置及び形状が等価な像の存否を調査することにより、主欠陥が前記基板、前記平坦化層、前記画素電極及び前記バンクの何れに存在するかを識別する工程を有する
請求項８に記載の表示パネルの検査方法。
【請求項１０】
第１色副画素、第２色副画素、第３色副画素を含む画素が行列状に複数配された表示パネルの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板の上面に平坦化層を、前記平坦化層の上面に行列状に複数の画素電極を、前記平坦化層の上面を前記画素電極毎に区画するバンクを、少なくとも前記基板、前記平坦化層、前記画素電極、前記バンクの何れかは、前記バンクの上方からの前記基板の平面視において、前記第１色副画素、前記第２色副画素、前記第３色副画素の何れかを他と識別する副画素色識別手段を有するように形成する工程と、
前記基板、前記平坦化層、前記画素電極、及び前記バンクを上方から平面視した統合検査画像を撮像する工程と、
前記画素電極の上方であって、第１色副画素、第２色副画素、第３色副画素となるべき区画に、それぞれに第１色発光層、第２色発光層、及び第３色発光層とを形成する工程と、
前記第１色発光層、前記第２色発光層、及び前記第３色発光層の上方に対向電極を形成する工程と、
前記表示パネルを点灯させて異常画素を検出する工程とを有する
表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記異常画素を検出する工程において、前記異常画素が検出された場合には、
前記異常画素の位置、前記異常画素における異常副画素色を特定する工程と、
前記統合検査画像に写された前記異常画素の像に含まれる膜欠陥像から、異常副画素内に存在する主欠陥像を特定する工程を有し、
前記膜欠陥像を特定する工程では、前記異常副画素色の情報に基づき、前記統合検査画像に写された前記副画素色識別手段の像を指標として、前記主欠陥像と前記主欠陥像以外の前記膜欠陥像とを識別する
請求項１０に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
さらに、前記基板を準備した後、前記平坦化層を形成する前に、前記基板を上方から平面視した第１の中間検査画像を撮像する工程と、
前記平坦化層を形成した後、前記画素電極を形成する前に、前記基板、及び前記平坦化層を上方から平面視した第２の中間検査画像を撮像する工程と、
前記画素電極を形成した後、前記バンクを形成する前に、前記基板、前記平坦化層、及び前記画素電極を上方から平面視した第３の中間検査画像を撮像する工程と、
前記第１の中間検査画像、前記第２の中間検査画像及び前記第３の中間検査画像における、前記統合検査画像において特定された前記主欠陥像と位置及び形状が等価な像の存否を調査することにより、主欠陥が前記基板、前記平坦化層、前記画素電極及び前記バンクの何れに存在するかを識別する工程を有する
請求項１１に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記バンクを形成する工程は、前記画素電極の列方向の間に行方向に延伸した複数の行バンクを形成する工程と、前記画素電極の行方向の間に列方向に延伸した複数の列バンクを形成する工程とを含み、
前記バンクの部分は、前記列バンクの一部分又は前記行バンクの一部分の何れか又は両方である
請求項１０から１２の何れか１項に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記画素電極を形成する工程は、
前記平坦化層の上面にレジストを塗布した後パターニングする工程と、
その後、エッチングにより画素電極を形成する工程とを含み、
前記第２の中間検査画像を取得する工程は、
前記パターニングする工程の後に、前記基板を上方から平面視した画像を取得する工程と、
前記エッチングにより画素電極を形成した後に、前記基板を上方から平面視した画像を取得する工程とを含む
請求項１０から１３の何れか１項に記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示パネルに関し、特に、各画素を構成する有機ＥＬ表示素子内に設けられたＲＧＢ副画素の識別手段に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。
【０００３】
カラー表示用の有機ＥＬ表示パネルにおいては、このような有機ＥＬ表示素子が、ＲＧＢ各色の副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が合わさってカラー表示における画素単位が形成されている。
トップエミッション型の有機ＥＬ素子では、基板上に光反射性材料からなる画素電極（反射電極）、有機層（発光層を含む）、及び光透光性材料からなる対向電極が順に設けられた素子構造を有し、素子を構成する層の何れかに製造時の欠陥が生じることにより、輝点、消点、混色当の画素欠陥が生じる場合がある。一般に、表示パネルの製造では、表示画素の欠陥が検出されたときに、表示画素の欠陥がＲＧＢのどの色に対応しているかの識別が行われる。例えば、特許文献１では、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）のゲートバスラインに画素識別機能部を設け、液晶表示する以前の段階で欠陥がＲＧＢそれぞれのどの色に対応しているかを識別可能な液晶表示装置が開示されている。また、特許文献２には、液晶層とＴＦＴを覆う基板部材に画素の位置や表示色を識別する識別手段を設けた液晶表示装置が開示されており、カラーフィルタやドライバを実装しない状態で画素の表示色を特定できるので表示色毎に定められる修正基準に基づいて欠陥画素のＴＦＴ素子の欠陥修正を行えることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２８７３００号公報
【特許文献２】特開平９−１０１５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、有機ＥＬ表示パネルの製造では、完成した表示パネルの点灯検査において表示画素の異常が検出されたときに、工程の歩留りを改善するために、基板、平坦化層、画素電極、バンク等、表示素子の構成中において、その要因となる膜欠陥を特定してすることが行われる。そのため、完成検査において異常画素が検出されたときに、量産工程において、異常画素に対応する膜欠陥を効率よく特定することが必要であった。
【０００６】
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、点灯検査において異常画素が検出されたときに、表示素子における異常副画素に対応する主欠陥を特定する作業を効率的に行うための表示パネルを提供し、当該表示パネルを用いた検査方法及び表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、第１色副画素、第２色副画素、第３色副画素を含む画素が行列状に複数配された表示パネルであって、基板と、前記基板の上面に配された平坦化層と、前記平坦化層の上面に行列状に配された複数の画素電極と、前記平坦化層の上面を前記画素電極毎に区画するバンクと、前記画素電極の上方であって、第１色副画素、第２色副画素、第３色副画素となるべき区画に、それぞれ配された第１色発光層、第２色発光層、及び第３色発光層と、前記第１色発光層、前記第２色発光層、及び前記第３色発光層の上方に配された対向電極とを備え、少なくとも前記基板、前記平坦化層、前記画素電極、前記バンクの何れかは、前記バンクの上方からの前記基板の平面視において、前記第１色副画素、前記第２色副画素、前記第３色副画素の何れかを他と識別する副画素色識別手段を有していることを特徴とする。
【０００８】
また、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの検査方法は、前記基板、前記平坦化層、前記画素電極、及び前記バンクを上方から平面視した統合検査画像を取得する工程と、前記表示パネルを点灯させて異常画素を検出する工程と、前記異常画素の位置、前記異常画素における異常副画素色を特定する工程と、前記統合検査画像に写された前記異常画素の像に含まれる膜欠陥像から、異常副画素内に存在する主欠陥像を特定する工程を有し、前記膜欠陥像を特定する工程では、前記異常副画素色の情報に基づき、前記統合検査画像に写された前記副画素色識別手段の像を指標として、前記主欠陥像と前記主欠陥像以外の前記膜欠陥像とを識別することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の一態様に係る表示パネル、表示パネルの製造方法によると、点灯検査において異常画素が検出されたときに、表示素子における異常副画素に対応する主欠陥を特定する作業を効率的に行うことができる表示パネルを提供するとともに、本開示の一態様に係る表示パネルの検査方法により効率的な検査を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の一部を拡大した模式平面図である。
【図２】図１におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。
【図３】有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図９】膜欠陥の検出に用いる検査装置の一例を示す概略構成図である。
【図１０】有機ＥＬ表示パネル１０の検査工程のフローチャートである。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、点灯検査の概要を模式的に示す図である。
【図１２】（ａ）は実施の形態、（ｂ）は比較例における、統合検査画像の概要を模式的に示す図である。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）は、中間検査画像の概要を模式的に示す図である。
【図１４】異物の階層の検出する方法を模式的に示す図である。
【図１５】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路構成を示す模式ブロック図である。
【図１６】有機ＥＬ表示装置に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。
【図１７】変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａの一部を拡大した模式平面図である。
【図１８】変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂの一部を拡大した模式平面図である。
【図１９】変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｃの一部を拡大した模式平面図である。
【図２０】変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｄの一部を拡大した模式平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の実施の形態に係る表示パネルは、第１色副画素、第２色副画素、第３色副画素を含む画素が行列状に複数配された表示パネルであって、基板と、前記基板の上面に配された平坦化層と、前記平坦化層の上面に行列状に配された複数の画素電極と、
前記平坦化層の上面を前記画素電極毎に区画するバンクと、前記画素電極の上方であって、第１色副画素、第２色副画素、第３色副画素となるべき区画に、それぞれ配された第１色発光層、第２色発光層、及び第３色発光層と、前記第１色発光層、前記第２色発光層、及び前記第３色発光層の上方に配された対向電極とを備え、少なくとも前記基板、前記平坦化層、前記画素電極、前記バンクの何れかは、前記バンクの上方からの前記基板の平面視において、前記第１色副画素、前記第２色副画素、前記第３色副画素の何れかを他と識別する副画素色識別手段を有していることを特徴とする。
【００１２】
係る構成により、点灯検査において異常画素が検出されたときに、有機ＥＬ表示素子における異常副画素に対応する主欠陥を特定する作業を効率的に行うことができる表示パネルを提供できる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記副画素色識別手段は、第１色副画素、第２色副画素、及び第３色副画素の何れかにあり、他の副画素にある画素電極とは形状が異なる画素電極である構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記副画素色識別手段は、第１色副画素、第２色副画素、及び第３色副画素の何れかを区画し、他の副画素とは形状が異なるバンクの部分である構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記バンクの部分は、行方向に隣接する前記画素電極の間隙に列方向に延伸して配された列バンクの一部分である構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記バンクの部分は、列方向に隣接する前記画素電極の間隙に行方向に延伸して配された行バンクの一部分である構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記副画素色識別手段は、第１色副画素、第２色副画素、及び第３色副画素の何れかにあり、他の副画素とは、少なくとも形状、位置又は大きさの何れかが異なる平坦化層の部分である構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記平坦化層の部分は、前記基板に配されたＴＦＴと前記画素電極とを接続する電極が配される前記平坦化層に開設されたコンタクトホールである構成としてもよい。
【００１３】
係る構成により、有機ＥＬ表示素子における異常副画素に対応する主欠陥を特定する作業を効率的に行うことができる表示パネルを具体的に実現できる。
本開示の実施の形態に係る表示パネルの検査方法は、上記の何れか１項に記載の表示パネルの検査方法であって、前記基板、前記平坦化層、前記画素電極、及び前記バンクを上方から平面視した統合検査画像を取得する工程と、前記表示パネルを点灯させて異常画素を検出する工程と、前記異常画素の位置、前記異常画素における異常副画素色を特定する工程と、前記統合検査画像に写された前記異常画素の像に含まれる膜欠陥像から、異常副画素内に存在する主欠陥像を特定する工程を有し、前記主欠陥像を特定する工程では、前記異常副画素色の情報に基づき、前記統合検査画像に写された前記副画素色識別手段の像を指標として、前記主欠陥像と前記主欠陥像以外の前記膜欠陥像とを識別することを特徴とする。
【００１４】
係る構成により、表示パネルの点灯検査において異常画素が検出されたときに、点灯検査の結果である異常副画素色の情報に基づき、統合検査画像に写された副画素色識別手段の像を指標として、膜欠陥像から主欠陥像と主欠陥像以外の膜欠陥像とを瞬時に識別することができ、統合検査画像に写された異常画素の像に含まれる複数の膜欠陥像から、異常副画素内に存在する主欠陥像とその位置を容易に特定することができる。
【００１５】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、さらに、前記基板を上方から平面視した第１の中間検査画像を取得する工程と、前記基板及び前記平坦化層を上方から平面視した第２の中間検査画像を取得する工程と、前記基板、前記平坦化層及び前記画素電極を上方から平面視した第３の中間検査画像を取得する工程と、前記第１の中間検査画像、前記第２の中間検査画像及び前記第３の中間検査画像における、前記統合検査画像において特定された前記主欠陥像と位置及び形状が等価な像の存否を調査することにより、主欠陥が前記基板、前記平坦化層、前記画素電極及び前記バンクの何れに存在するかを識別する工程を有する構成としてもよい。
【００１６】
係る構成により、統合検査画像において主欠陥像のＸ，Ｙ方向の位置が特定されたときに、主欠陥を構成する異物が基板、平坦化層、画素電極、行バンク及び列バンクの何れの階層に存在するかを容易に識別することができる。
本開示の実施の形態に係る表示パネルの製造方法は、第１色副画素、第２色副画素、第３色副画素を含む画素が行列状に複数配された表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板の上面に平坦化層を、前記平坦化層の上面に行列状に複数の画素電極を、前記平坦化層の上面を前記画素電極毎に区画するバンクを、少なくとも前記基板、前記平坦化層、前記画素電極、前記バンクの何れかは、前記バンクの上方からの前記基板の平面視において、前記第１色副画素、前記第２色副画素、前記第３色副画素の何れかを他と識別する副画素色識別手段を有するように形成する工程と、前記基板、前記平坦化層、前記画素電極、及び前記バンクを上方から平面視した統合検査画像を撮像する工程と、前記画素電極の上方であって、第１色副画素、第２色副画素、第３色副画素となるべき区画に、それぞれに第１色発光層、第２色発光層、及び第３色発光層とを形成する工程と、前記第１色発光層、前記第２色発光層、及び前記第３色発光層の上方に対向電極を形成する工程と、前記表示パネルを点灯させて異常画素を検出する工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
係る構成により、点灯検査において異常画素が検出されたときに、有機ＥＬ表示素子における異常副画素に対応する主欠陥を特定する作業を効率的に行うことができる表示パネルを製造することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記異常画素を検出する工程において、前記異常画素が検出された場合には、前記異常画素の位置、前記異常画素における異常副画素色を特定する工程と、前記統合検査画像に写された前記異常画素の像に含まれる膜欠陥像から、異常副画素内に存在する主欠陥像を特定する工程を有し、前記膜欠陥像を特定する工程では、前記異常副画素色の情報に基づき、前記統合検査画像に写された前記副画素色識別手段の像を指標として、前記主欠陥像と前記主欠陥像以外の前記膜欠陥像とを識別する構成としてもよい。
【００１８】
係る構成により、表示パネルの製造工程において、点灯検査において異常画素が検出されたときに、点灯検査の結果である異常副画素色の情報に基づき、統合検査画像に写された副画素色識別手段の像を指標として、膜欠陥像から主欠陥像と主欠陥像以外の膜欠陥像とを瞬時に識別することができ、統合検査画像に写された異常画素の像に含まれる複数の膜欠陥像から、異常副画素内に存在する主欠陥像とその位置を容易に特定することができ、表示パネルの品質向上を図ることができる。
【００１９】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、さらに、前記基板を準備した後、前記平坦化層を形成する前に、前記基板を上方から平面視した第１の中間検査画像を撮像する工程と、前記平坦化層を形成した後、前記画素電極を形成する前に、前記基板、及び前記平坦化層を上方から平面視した第２の中間検査画像を撮像する工程と、前記画素電極を形成した後、前記バンクを形成する前に、前記基板、前記平坦化層、及び前記画素電極を上方から平面視した第３の中間検査画像を撮像する工程と、前記第１の中間検査画像、前記第２の中間検査画像及び前記第３の中間検査画像における、前記統合検査画像において特定された前記主欠陥像と位置及び形状が等価な像の存否を調査することにより、主欠陥が前記基板、前記平坦化層、前記画素電極及び前記バンクの何れに存在するかを識別する工程を有する構成としてもよい。
【００２０】
係る構成により、表示パネルの製造工程において、統合検査画像において主欠陥像の面内の位置が特定されたときに、主欠陥を構成する異物が基板、平坦化層、画素電極、行バンク及び列バンクの何れの階層に存在するかを容易に識別することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記バンクを形成する工程は、前記画素電極の列方向の間に行方向に延伸した複数の行バンクを形成する工程と、前記画素電極の行方向の間に列方向に延伸した複数の列バンクを形成する工程とを含み、前記バンクの部分は、前記列バンクの一部分又は前記行バンクの一部分の何れか又は両方である構成としてもよい。
【００２１】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記画素電極を形成する工程は、  前記平坦化層の上面にレジストを塗布した後パターニングする工程と、その後、エッチングにより画素電極を形成する工程とを含み、前記第２の中間検査画像を取得する工程は、前記パターニングする工程の後に、前記基板を上方から平面視した画像を取得する工程と、前記エッチングにより画素電極を形成した後に、前記基板を上方から平面視した画像を取得する工程とを含む構成としてもよい。
【００２２】
≪実施の形態１≫
＜有機ＥＬ表示パネル１０の全体構成＞
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０（以後「表示パネル１０」とする）について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。図１は、表示パネル１０の一部を拡大した模式平面図であり、後述する発光層１２３、電子輸送層１２４、対向電極１２５、封止層１２６、前面板１３１を取り除いた状態を示した図である。
【００２３】
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が配された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素１００ｅを構成する複数の有機ＥＬ素子１００がマトリックス状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。図１におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、表示パネル１０の行方向、列方向、厚み方向とする。
【００２４】
図１に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク１２２Ｙと行バンク１２２Ｘ（総称して「バンク１２２」とする）とが配された区画領域１０ｅから構成されている。表示パネル１０の区画領域１０ｅ（以後、「領域１０ｅ」とする）には、有機ＥＬ素子１００に対応する画素１００ｅが行列状に配され、各画素１００ｅには、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（区別しない場合は「１００ａ」とする）の３種類の自己発光領域１００ａが形成され、行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する３つの副画素１００ｓｅから画素１００ｅが構成される。
【００２５】
また、図１に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態でマトリックス状に配されている。画素電極１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなり、自己発光領域１００ａＲ、Ｇ、Ｂに対応する。
画素電極１１９には、行方向に並んだ３つの副画素１００ｓｅの何れかの副画素を他の副画素と識別する副画素色識別手段１１９ｍが設けられている。副画素色識別手段１１９ｍは、バンク１２２の上方から基板１００ｘを平面視したとき視認でき、かつ、発光に影響を与えない位置に存在するよう配置される。
【００２６】
本実施の形態では、副画素色識別手段１１９ｍは、赤色副画素の画素電極１１９の行バンク１２２Ｘ下方にあるコーナ付近に半円形状の開口部のパターンを設けた構成であり、これにより、赤色副画素の画素電極１１９の形状を、緑色副画素及び青色副画素の画素電極の形状と識別することができる。
ここで、平面視したとき視認できるとは、上方に積層された部材を通して副画素色識別手段１１９ｍを透視できる場合を含むものである。
【００２７】
表示パネル１０の検査に用いる統合検査画像は、バンク１２２の上方からバンク１２２形成後の基板１００ｘを平面視した状態で撮像された画像であり、統合検査画像には、基板１００ｘ、平坦化層１１８、画素電極１１９、行バンク１２２及び列バンク１２２Ｙのそれぞれの階層の像が所定の透過率で透視されて重畳されている。したがって、副画素色識別手段１１９ｍは、バンク１２２の上方から基板１００ｘを平面視したとき視認できる位置に配置することにより、統合検査画像を用いた検査において、例えば、赤色副画素の画素電極１１９の形状を、緑色副画素及び青色副画素の画素電極の形状と識別することができる。
【００２８】
なお、副画素色識別手段１１９ｍは、画素電極１１９以外に、基板１００ｘ、平坦化層１１８、バンク１２２に設けられていてもよい。
表示パネル１０では、バンク１２２の形状は、いわゆるライン状のバンク形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が列方向（図１のＹ方向）に延伸する列バンク１２２Ｙが複数行方向に並設されている。
【００２９】
一方、列方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が行方向（図１のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設されており、行バンク１２２Ｘが形成される領域は、発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ1とを接続する接続凹部１１９ｃ（コンタクトホール１１８ａ）が設けられている。
【００３０】
隣り合う列バンク１２２Ｙ間を間隙１２２ｚと定義し、自己発光領域１００ａＲに対応する間隙を赤色間隙１２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する間隙を緑色間隙１２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する間隙を青色間隙１２２ｚＢ（区別しない場合は「間隙１２２ｚ」）とする。
＜表示パネル１０の各部構成＞
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成について、図２を用いて説明する。図２は、図１におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。画素１００ｅに対応する有機ＥＬ素子１００は、副画素１００ｓｅに対応する各色有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂからなる。
【００３１】
図２に示すように、表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部、前面板１３１が積層されている。有機ＥＬ素子部は、その主な構成として、平坦化層１１８、画素電極１１９、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、バンク１２２、有機発光層１２３、電子輸送層１２４、対向電極１２５、封止層１２６の各層から構成される。
【００３２】
（基板１００ｘ）
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成されたＴＦＴ層（不図示）とを有する。
基材は、表示パネル１０の支持部材であり平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド材料、アルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。
【００３３】
ＴＦＴ層は、基材の表面に副画素毎に設けられており、各々には薄膜トランジスタ素子を含む副画素回路が形成されている。ＴＦＴ層は、基材上面に形成された電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。
（有機ＥＬ素子部）
［平坦化層１１８］
基材上及びＴＦＴ層の上面には平坦化層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８は、ＴＦＴ層と画素電極１１９との間の電気的絶縁性を確保すると共に、ＴＦＴ層の上面に段差が存在してもそれを平坦化して、画素電極１１９を形成する下地面への影響を抑える機能を持つ。平坦化層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂等の有機絶縁材料、ＳｉＯ（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料を用いることができる。平坦化層１１８には、画素電極１１９と対応するＴＦＴの副画素回路のソースＳ1とを接続するためにのコンタクトホール１１８ａが開設されている。
【００３４】
［画素電極１１９］
基板１００ｘにおける領域１０ｅの上面に位置する平坦化層１１８上には、副画素１００ｓｅに対応して画素電極１１９が設けられている。
画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。表示パネル１０はトップエミッション型であり光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めるため光反射性導電材料からなる。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）等からなる。
【００３５】
画素電極１１９の形状は、例えば、概矩形形状をした平板状である。平坦化層１１８のコンタクトホール１１８ａ上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部（不図示）が形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ1 に接続される配線とが接続される。
なお、画素電極１１９の表面にさらに公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。
【００３６】
［ホール注入層１２０］
画素電極１１９及上には、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。
【００３７】
［バンク１２２］
画素電極１１９、ホール注入層１２０の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク１２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがあり（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク１２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」と称する）、行バンク１２２Ｘと列バンク１２２Ｙは格子状に形成されている。
列バンク１２２Ｙ同士の間には、列バンク１２２Ｙによって区画された間隙１２２ｚ（１２２ｚＧ、１２２ｚＧ、１２２ｚＢ）が形成され、各間隙１２２ｚの底部には、複数の画素電極１１９がＹ方向に列設され、その上に機能層としてのホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、有機発光層１２３、電子輸送層１２４が形成されている。列バンク１２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク１２２Ｙは、発光層１２３をウェット法で形成するときに、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて塗布されたインクがあふれ出ないようにする構造物としても機能する。また、列バンク１２２Ｙは、行方向の基部により行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
【００３８】
行バンク１２２Ｘは、各間隙１２２ｚにおいてＹ方向に隣接する画素電極１１９と画素電極１１９との間に形成され、Ｙ方向に隣接する副画素１００ｓｅどうしを区画している。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク１２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各々が列バンク１２２Ｙの上面よりも低い位置に上面を有する。
【００３９】
バンク１２２は、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）、あるいは、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料からなる。
［ホール輸送層１２１］
間隙１２２ｚＲ、１２２ｚＧ、１２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ(poly(9、9-di-n-octylfluorene-alt-(1、4-phenylene-((4-sec-butylphenyl)imino)-1、4-phenylene))などを用いることができる。
ＲＧＢの各副画素に形成されるホール輸送層１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂは、ＲＧＢの各副画素によって膜厚が異なって形成されている（区別しない場合は「ホール輸送層１２１」とする）。
【００４０】
［発光層１２３］
ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。列バンク１２２Ｙにより規定された間隙１２２ｚＲ、間隙１２２ｚＧ、間隙１２２ｚＢ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。赤色間隙１２２ｚＲ、緑色間隙１２２ｚＧ、青色間隙１２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。
【００４１】
各色の副画素１００ｓｅにおいて、画素電極１１９と対向電極１２５との間に各色の発光層１２３が存在し、発光層１２３からの光を共振させて対向電極１２５側から出射させる光共振器構造が形成されている。すなわち、それぞれの発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂから発された光が画素電極１１９にて反射されて対向電極１２５を通して上方に出射される反射光と、発光層Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂから発された光が対向電極１２５を通して上方に出射される直接光とが干渉して強め合う構造を有する。そのため、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂそれぞれから出射させる光の波長に応じて、発光層１２３上面と画素電極１１９上面との間の光学距離が設定され、各色に対応する光成分が強め合うように、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ、ホール輸送層１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂの膜圧が、ＲＧＢの各副画素によって異なって形成されている。
【００４２】
発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分が自己発光領域１００ａとなり、行バンク１２２Ｘの側面及び上面の上方にある部分は非自己発光領域となる。
【００４３】
なお、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。
表示パネル１０では、発光層１２３の材料には、湿式印刷法を用い成膜できる発光性の有機材料を用いる。具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００４４】
［電子輸送層１２４］
列バンク１２２Ｙ及び列バンク１２２Ｙにより規定された間隙１２２ｚ内の発光層１２３上を被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４は、対向電極１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。表示パネル１０では、少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。
【００４５】
電子輸送層１２４に用いる電子輸送性が高い有機材料として、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。また、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。
【００４６】
［対向電極１２５］
電子輸送層１２４上に、対向電極１２５が形成されている。対向電極１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作る。対向電極１２５は、発光層１２３へキャリアを供給し、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。表示パネル１０では、対向電極１２５は各発光層１２３に共通の電極となっている。対向電極１２５は、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用い形成される。また、金属層に加え、あるいは単独で酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）など光透過性を有する導電材料が用いてもよい。
【００４７】
［封止層１２６］
対向電極１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３、電子輸送層１２４、対向電極１２５が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、対向電極１２５の上面を覆うように設けられている。また、トップエミッション型の場合においては、ディスプレイとして良好な光取り出し性を確保するために高い透光性を有する、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性無機材料を用い形成される。また、透光性無機材料の層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００４８】
［接合層１２７］
封止層１２６の上方には、上部基板１３０の下側の主面にカラーフィルタ層１３２が形成された前面板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘと前面板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなり、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
【００４９】
（前面板１３１の各部構成）
［上部基板１３０］
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１３２が形成された前面板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、トップエミッション型ではめ、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
【００５０】
［カラーフィルタ層１３２］
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１３２が形成されている。カラーフィルタ層１３２は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙１２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙１２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙１２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１３２としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
【００５１】
［遮光層１３３］
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１３３が形成されている。遮光層１３３は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。例えば、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料の黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。
【００５２】
＜表示パネル１０の製造方法＞
表示パネル１０の製造方法について、図３〜８を用いて説明する。図３は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。図３〜８における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【００５３】
［基板１００ｘの準備］
複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する（図３におけるステップＳ１、図４（ａ））。
さらに、平坦化層１１８を形成する前に、基板１００ｘを上方から平面視した中間検査画像１を撮像する（図３におけるステップＳ２）。図９は、膜欠陥の検出に用いる検査装置の一例を示す概略構成図である。この撮像においては、ベース２０１上に、上記の基板１００ｘを載置するテーブル２０２と、撮像素子２１１が取り付けられたヘッド部２１０とを有している。そして、テーブル２０２は、コントローラ２３０のＣＰＵ２３１の指示に基づいてＹ方向に移動でき、ヘッド部２１０は、ＣＰＵ２３１の指示によって、Ｘ方向及びＺ方向に移動できるようになっている。従って、ヘッド部２１０に取り付けられている撮像素子２１１は、ＣＰＵ２３１の指示によって、テーブル２０２上に載置された基板１００ｘの上方で、基板１００ｘに対して、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に相対移動しながら、撮像素子２１１を基板１００ｘ表面に近接させた状態においてＸ方向、Ｙ方向における各位置で取得した画像データをコントローラ２３０に出力して記憶部２３２に保存する。あるいは、基板１００ｘの一辺（例えばＸ方向）同じ長さのアレイ状の撮像素子を、アレイと垂直な方向（Ｙ方向）に相対移動させて基板１００ｘ表面のスキャン画像を取得する構成としてもよい。
【００５４】
なお、基板１００ｘにおける膜欠陥の検出は、基板１００ｘに形成したＴＦＴの表面画像を撮影した中間検査画像１に基づき目視で行う。中間検査画像１のパターン検査によって行ってもよい。
［平坦化層１１８の形成］
基板１００ｘを被覆するように、上述の平坦化層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１１８を形成する（図３：ステップＳ３、図４（ｂ））。具体的には、一定の流動性を有する樹脂材料を、例えば、ダイコート法により、基板１００ｘ１の上面に沿って、ＴＦＴ層による基板１００ｘ１上の凹凸を埋めるように塗布する。
【００５５】
平坦化層１１８における、ＴＦＴ素子の例えばソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホール（不図示）を形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するようにパターニングなどを用いて形成される。
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が平坦化層１１８上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウエットエッチング法を用いてパターニングすればよい。
【００５６】
次に、平坦化層１１８を形成した後、画素電極１１９を形成する前に、基板１００ｘ、及び平坦化層１１８を上方から平面視した中間検査画像２を撮像する（図３におけるステップＳ４）。撮像の方法はステップＳ２と同じである。
［画素電極１１９、ホール注入層１２０の形成］
次に、画素電極１１９、ホール注入層１２０の形成を行う（図３：ステップＳ５）。
【００５７】
先ず、平坦化層１１８を形成した後、平坦化層１１８の表面にドライエッチング処理を行い成膜前洗浄を行う。
次に、平坦化層１１８の表面に成膜前洗浄を行った後、画素電極１１９を形成するための画素電極用の金属膜１１９ｘをスパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法により平坦化層１１８の表面に成膜する。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により成膜する。
【００５８】
さらに、金属膜１１９Ｘの表面に成膜前洗浄を行った後、引き続き真空雰囲気下でホール注入層１２０を形成するためのホール注入層１２０用の金属膜１２０’を気相成長法により金属膜１１９ｘの表面に成膜する（図４（ｄ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により成膜する。
その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する（図５（ａ））。次に、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。
【００５９】
その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、金属膜１２０’にドライエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０を形成する。
続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ及びホール注入層１２０を介して、金属膜１１９ｘにウエットエッチング処理を施ししてパターニングを行い、画素電極１１９を形成する。
【００６０】
最後に、フォトレジスト層ＦＲを剥離して、同一形状にパターニングされた画素電極１１９及びホール注入層１２０の積層体を形成する（図５（ｂ））。
次に、画素電極１１９及びホール注入層１２０を形成した後、バンク１２２を形成する前に、基板１００ｘ、平坦化層１１８、及び画素電極１１９を上方から平面視した中間検査画像３ををステップＳ２と同様な方法で撮像する（図３におけるステップＳ６）。
【００６１】
［バンク１２２の形成］
ホール注入層１２０のホール注入層１２０を形成した後、ホール注入層１２０を覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず、ホール注入層１２０上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２Ｘの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘを形成する（図３：ステップＳ７、図５（ｃ））。パターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程をすることによりなされる。
【００６２】
次に、基板１００ｘ、平坦化層１１８、画素電極１１９、ホール注入層１２０及び行バンク１２２Ｘを上方から平面視した中間検査画像４をステップＳ２と同様な方法で撮像する（図３におけるステップＳ８）。
次に、列バンク１２２Ｙの形成工程では、ホール注入層１２０上及び行バンク１２２Ｘ上に、スピンコート法などを用い、列バンク１２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することにより、樹脂膜をパターニングして間隙１２２ｚを開設して列バンク１２２Ｙを形成する（図３：ステップＳ９、図５（ｃ））。このとき、行バンク１２２Ｘ、列バンク１２２Ｙに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層１２０として完成する。
【００６３】
次に、基板１００ｘ、平坦化層１１８、画素電極１１９、ホール注入層１２０、行バンク１２２Ｘ、及び列バンク１２２Ｙを上方から平面視した統合検査画像をステップＳ２と同様な方法で撮像する（図３におけるステップＳ１０）。
［有機機能層の形成］
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク１２２Ｙにより規定される間隙１２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０上に対して、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する。
【００６４】
ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク１２２Ｙにより規定される間隙１２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる、あるいは、焼成することによりなされる（図３：ステップＳ１１、図５（ｄ））。
発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク１２２Ｙにより規定される間隙１２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる図３：ステップＳ１２、図６（ａ））。
【００６５】
具体的には、基板１００ｘは、列バンク１２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の動作テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数のノズル孔がライン状に配置されたインクジェットヘッド３０１をＸ方向に基板１００ｘに対し相対的に移動しながら、各ノズル孔から列バンク１２２Ｙ同士の間隙１２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクの液滴１８を着弾させることによって行う。この工程では、副画素形成領域となる間隙１２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。基板１００ｘに対して赤色、緑色、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。
【００６６】
なお、ホール注入層１２０のホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は上記の方法には限定されず、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布してもよい。
なお、ホール輸送層１２１を形成する前に、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを間隙１２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去、あるいは焼成してもよい。
【００６７】
［電子輸送層１２４の形成］
発光層１２３を形成した後、表示パネル１０の発光エリア（表示領域）全面にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図３：ステップＳ１３、図６（ｂ））。真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層１２３に損傷を与えないためと、高真空化で行う真空蒸着法は成膜対象の分子が基板に向かって垂直方向に直進的に成膜される。電子輸送層１２４は、発光層１２３の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより成膜する。あるいは、有機材料と金属材料との共蒸着法により成膜する。なお、電子輸送層１２４の膜厚は、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。
【００６８】
［対向電極１２５の形成］
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極１２５を形成する（図３：ステップＳ１４、図６（ｃ））。対向電極１２５は、金属、金属酸化物を主成分とする膜を、電子輸送層１２４を被覆するように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する。
【００６９】
［封止層１２６の形成］
対向電極１２５Ｂを被覆するように、封止層１２６を形成する（図３：ステップＳ１５、図６（ｄ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
［前面板１３１の形成］
前面板１３１の製造工程では、透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、黒色顔料を添加してなる遮光層の材料（１３３Ｘ）を透明な上部基板１３０に塗布する（図７（ａ））。遮光層の材料の膜１３３´の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、紫外線照射を行う（図７（ｂ））。パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１３３を除去して現像しキュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光層１３３が完成する（図７（ｃ））。次に、遮光層１３３を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１３２（例えば、Ｇ）の材料１３２Ｇを塗布し（図７（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し紫外線照射を行う（図７（ｅ））。その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト１３２Ｇを除去して現像すると、カラーフィルタ層１３２Ｇが形成される（図７（ｆ））。この工程を各色のカラーフィルタ材料について繰り返すことで、カラーフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｂを形成する（図７（ｇ））。以上で前面板１３１が形成される（図３：ステップＳ１６）。
【００７０】
［前面板１３１と背面パネルとの貼り合わせ］
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図８（ａ））。
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルと前面板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図３：ステップＳ１７、図８（ｂ））。
【００７１】
＜表示パネル１０の検査方法＞
表示パネル１０の検査方法について、図１０〜１４を用いて説明する。図１０は、有機ＥＬ表示パネル１０の検査工程のフローチャートである。
（点灯検査の結果と統合検査画像による検査）
まず、完成した表示パネル１０の点灯検査を行う（ステップＳ２１）。
【００７２】
図１１（ａ）〜（ｃ）は、点灯検査の概要を模式的に示す図である。点灯検査では、表示パネル１０を白色点灯させて異常画素をの有無を検出する（ステップＳ２２）。異常画素の検出は、表示パネル１０を白色点灯させたときの表示画像をカメラ等の撮像手段により撮像し、取得した検査画像をパターン認識するなどの方法により行う。具体的には、図１１（ａ）に示すように、白色点灯させたテストパターン上に黒点（低輝度点）が存在する場合には、異常画素と判断される。
【００７３】
異常画素の態様として、主に「滅点」と「混色」が存在する。滅点とは副画素１００ｓｅを構成する発光素子１００Ｒ、Ｇ、Ｂの何れは複数において、発光層１２３が発光しない現象を指す。また、混色とは、副画素１００ｓｅ間において発光層１２３が本来の色と異なる色に発光する場合を指す。例えば、形成された列バンク１２２Ｙに決壊部分がある場合、隣接する副画素１００ｓｅの間隙１２２ｚに塗布された異色のインクが決壊部分を通して互いに漏洩し、隣接する副画素１００ｓｅにおいて本来の色と異なる色の発光が生じる。あるいは、列バンク１２２Ｙ上に異物があると、列バンク１２２Ｙを挟んで隣接する間隙１２２ｚにインクを塗布してドーム状に盛ったインク層が形成されると、インク層が異物に接触して、異物を挟んで隣接する副画素１００ｓｅにおいて発光色の異なるインク（例えば赤色インクと緑色インク）が混ざり合い混色領域が発生する場合がある。
【００７４】
点灯検査では、滅点と混色の何れの場合においても、白色点灯させたテストパターン上においては、異常が生じた副画素の大きさの黒点（周囲よりも輝度が低い点）として認識される。
ステップＳ２２において、異常画素が検出された場合には、異常画素の位置と異常画素における異常副画素色を特定する（ステップＳ２３）。異常画素の位置は、検査画像における黒点の座標として検出される。異常画素における異常副画素色は、図１１（ｂ）に示すように、異常画素内の黒点の位置により、異常画素内のＲＧＢの副画素中、黒点化している異常副画素色（Ｇ）を特定する。そして、図１１（ｃ）に示すように、点灯検査の結果として、異常画素の位置と異常画素における異常副画素色が出力される。
【００７５】
次に、点灯検査の結果と統合検査画像とを照合する（ステップＳ２４）。ここでは、点灯検査の結果である、異常画素の位置と異常画素における異常副画素色との情報に基づき、統合検査画像に写された異常画素を含む部分の像を抽出して目視検査する。
この検査は、各階層の像が重畳され１枚の画像として統合された統合検査画像を用いて行う。すなわち、統合検査画像は、バンク１２２の上方からバンク１２２形成後の基板１００ｘを平面視した状態で撮像された画像であり、統合検査画像には、基板１００ｘ、平坦化層１１８、画素電極１１９、行バンク１２２及び列バンク１２２Ｙのそれぞれの階層の像が所定の透過率で透視されて重畳されている。
【００７６】
したがって、点灯検査の結果として、異常画素の位置と異常画素における異常副画素色が判明し、統合検査画像と照合することにより、基板１００ｘ、平坦化層１１８、画素電極１１９、行バンク１２２及び列バンク１２２Ｙの何れかの階層にあり異常副画素の要因となる主欠陥を特定することができる。
次に、ステップＳ２５において、統合検査画像に写された異常画素の像に含まれる膜欠陥像から、異常副画素内に存在する主欠陥像を目視により特定して、同時に主欠陥像の位置（Ｘ，Ｙ）を特定する。このとき、検査者は、点灯検査の結果である異常副画素色の情報に基づき、統合検査画像に写された副画素色識別手段の像を指標として、主欠陥像と主欠陥像以外の膜欠陥像とを識別する。
【００７７】
図１２は、統合検査画像の概要であり、（ａ）は実施の形態、（ｂ）は比較例における状態を模式的に示す図である。ステップＳ２５の検査において、図１２（ｂ）に示すように、比較例に係る表示パネルでは副画素色識別手段を備えないために、検査者は、統合検査画像に写された副画素の像の副画素色が判然としないため、点灯検査の結果である異常副画素色（Ｒ）の情報に基づいても、統合検査画像に写された膜欠陥像１、２のうち何れの膜欠陥像が異常副画素色（Ｒ）に対応する主欠陥像であるかを瞬時に識別することが難しい。
【００７８】
これに対し、図１２（ａ）に示すように、実施の形態に係る表示パネル１０では、副画素色識別手段１１９ｍを備えているので、検査者は、点灯検査の結果である異常副画素色（Ｒ）の情報に基づき、統合検査画像に写された副画素色識別手段１１９ｍの像を指標として、膜欠陥像１、２から主欠陥像と主欠陥像以外の膜欠陥像とを容易に瞬時に識別することができる。その結果、効率的に、統合検査画像に写された異常画素の像に含まれる複数の膜欠陥像から、異常副画素内に存在する主欠陥像を目視により特定して、同時に主欠陥像の位置（Ｘ，Ｙ）を特定することができる。
【００７９】
（統合検査画像と中間検査画像による検査）
以降のステップは、ステップＳ２、Ｓ４、Ｓ６及びＳ８において撮像した中間検査画像１、２、３及び４における、統合検査画像において特定された主欠陥像と位置及び形状が等価な像の存否を調査する工程である。これより、主欠陥が基板１００ｘ、平坦化層１１８、画素電極１１９、行バンク１２２及び列バンク１２２Ｙの何れの階層に存在するかを識別する。
【００８０】
具体的には、先ず、ステップＳ２６において、統合検査画像と中間検査画像４とを照合して、中間検査画像４における、統合検査画像において特定された主欠陥像と位置及び形状が等価な像の存否を調査する（ステップＳ２７）。そして、中間検査画像４に統合検査画像における主欠陥像と等価な像が存在しない場合には、列バンク１２２Ｙに主欠陥が存在すると認定し（ステップＳ２８）、存在する場合には、統合検査画像と中間検査画像３とを照合する（ステップＳ２９）。
【００８１】
次に、ステップＳ３０において、中間検査画像３に統合検査画像における主欠陥像と位置及び形状が等価な像が存在するか否かを判定し、存在しない場合には行バンク１２２Ｘに主欠陥が存在すると認定し（ステップＳ３１）、存在する場合には、統合検査画像と中間検査画像２とを照合する（ステップＳ３２）。
さらに、ステップＳ３３において、中間検査画像２に統合検査画像における主欠陥像と位置及び形状が等価な像が存在するか否かを判定し、存在しない場合には画素電極１１９に主欠陥が存在すると認定し（ステップＳ３４）、存在する場合には、統合検査画像と中間検査画像１とを照合する（ステップＳ３５）。
【００８２】
最後に、ステップＳ３６において、中間検査画像１に統合検査画像における主欠陥像と位置及び形状が等価な像が存在するか否かを判定し、存在しない場合には平坦化層１１８に主欠陥が存在すると認定し（ステップＳ３７）、存在する場合には、基板１００ｘに主欠陥が存在すると認定する（ステップＳ３８）。
以上により、主欠陥像が存在する階層（Ｚ）を特定して（ステップＳ３９）、表示パネル１０の検査を終了する。
【００８３】
図１３は、中間検査画像の概要を模式的に示す図であり、（ａ）は中間検査画像４、（ｂ）は中間検査画像３、（ｃ）は中間検査画像２、（ｄ）は中間検査画像１を表す。図１３に示す例では、主欠陥像１は中間検査画像４、３、２に存在し、中間検査画像１に存在しない。したがって、主欠陥は平坦化層１１８の階層に存在すると認定される。また、参考として、膜欠陥像２は中間検査画像４、３に存在し、中間検査画像２、１に存在しない。したがって、主欠陥は画素電極１１９の階層に存在すると認定することができる。
【００８４】
図１４は、異物の階層の検出する方法を模式的に示す図であり、（ａ）は、欠陥を構成する異物ＦＲ１が列バンク１２２Ｙ上に存在している場合の表示パネル１０の一部部の上面図と側面図、（ｂ）は、異物ＦＲ２が列バンク１２２Ｙの下方であって行バンク１２２Ｘ上に存在している場合の同様の上面図と側面図である。
統合検査画像は、バンク１２２の上方からバンク１２２形成後の基板１００ｘを平面視した状態で撮像された画像であり、統合検査画像には、基板１００ｘ、平坦化層１１８、画素電極１１９、行バンク１２２及び列バンク１２２Ｙのそれぞれの階層の像が所定の透過率で透視されて重畳されている。したがって、統合検査画像を検査するだけでは、図１４（ａ）（ｂ）の上面図のように、列バンク１２２Ｙ上に存在している異物ＦＲ１と、列バンク１２２Ｙと行バンク１２２Ｘとの間に存在している異物ＦＲ２とを識別することができない。
【００８５】
しかしながら、表示パネル１０の各階層を段階的に積層する製造工程の各段階（ステップＳ２、Ｓ４、Ｓ６及びＳ８）において撮像された中間検査画像１、２、３及び４において、統合検査画像において特定された主欠陥像と位置及び形状が等価な像の存否を調査することによって、主欠陥を構成する異物が基板１００ｘ、平坦化層１１８、画素電極１１９、行バンク１２２及び列バンク１２２Ｙの何れの階層に存在するかを容易に識別することができる。
【００８６】
＜まとめ＞
以上のとおり、本開示の実施の形態に係る表示パネル１０は、第１色副画素１００ｓｅ（Ｒ）、第２色副画素１００ｓｅ（Ｇ）、第３色副画素１００ｓｅ（Ｂ）を含む画素１００ｅが行列状に複数配された表示パネル１０であって、基板１００ｘと、基板１００ｘの上面に配された平坦化層１１８と、平坦化層１１８の上面に行列状に配された複数の画素電極１１９と、平坦化層１１８の上面を画素電極１１９毎に区画するバンク１２２と、画素電極１１９の上方であって、第１色副画素１００ｓｅ（Ｒ）、第２色副画素１００ｓｅ（Ｇ）、第３色副画素１００ｓｅ（Ｂ）となるべき区画に、それぞれ配された第１色発光層１２３Ｒ、第２色発光層１２３Ｇ、及び第３色発光層１２３Ｂと、第１色発光層１２３Ｒ、第２色発光層１２３Ｇ、及び第３色発光層１２３Ｂの上方に配された対向電極１２５とを備え、少なくとも基板１００ｘ、平坦化層１１８、画素電極１１９、バンク１２２の何れかは、バンク１２２の上方からの基板１００ｘの平面視において、第１色副画素１００ｓｅ（Ｒ）、第２色副画素１００ｓｅ（Ｇ）、第３色副画素１００ｓｅ（Ｂ）の何れかの副画素を他の副画素と識別する副画素色識別手段１１９ｍを有していることを特徴とする。
【００８７】
係る構成により、点灯検査において異常画素が検出されたときに、有機ＥＬ表示素子における異常副画素に対応する主欠陥を特定する作業を効率的に行うことができる表示パネル１０を提供できる。
また、本開示の実施の形態に係る表示パネルの検査方法は、基板１００ｘ、平坦化層１１８、画素電極１１９、及びバンク１２２を上方から平面視した統合検査画像を取得する工程と、表示パネルを白色点灯させて異常画素を検出する工程と、異常画素の位置、異常画素における異常副画素色を特定する工程と、統合検査画像に写された異常画素の像に含まれる膜欠陥像から、異常副画素内に存在する主欠陥像を特定する工程を有し、主欠陥像を特定する工程では、異常副画素色の情報に基づき、統合検査画像に写された副画素色識別手段の像を指標として、主欠陥像と主欠陥像以外の膜欠陥像とを識別することを特徴とする。
【００８８】
係る構成により、表示パネルの点灯検査において異常画素が検出されたときに、点灯検査の結果である異常副画素色の情報に基づき、統合検査画像に写された副画素色識別手段１１９ｍの像を指標として、膜欠陥像から主欠陥像と主欠陥像以外の膜欠陥像とを容易に瞬時に識別することができる。その結果、統合検査画像に写された異常画素の像に含まれる複数の膜欠陥像から、異常副画素内に存在する主欠陥像を目視により効率的に特定して、同時に主欠陥像の位置を特定することができる。
【００８９】
さらに、基板１００ｘを上方から平面視した第１の中間検査画像を取得する工程と、基板１００ｘ及び平坦化層１１８を上方から平面視した第２の中間検査画像を取得する工程と、基板１００ｘ、平坦化層１１８及び画素電極１１９を上方から平面視した第３の中間検査画像を取得する工程と、第１の中間検査画像、第２の中間検査画像及び第３の中間検査画像における、統合検査画像において特定された主欠陥像と位置及び形状が等価な像の存否を調査することにより、主欠陥が基板１００ｘ、平坦化層１１８、画素電極１１９及びバンク１２２の何れに存在するかを識別する工程を有することを特徴とする。
【００９０】
係る構成により、統合検査画像において主欠陥像のＸ，Ｙ方向の位置が特定されたときに、主欠陥を構成する異物が基板１００ｘ、平坦化層１１８、画素電極１１９、行バンク１２２及び列バンク１２２Ｙの何れの階層に存在するかを容易に識別することができる。
＜表示装置１の回路構成＞
以下では、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」と称する）の回路構成について、図１５を用い説明する。
【００９１】
図１５に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
【００９２】
＜表示パネル１０の回路構成＞
表示パネル１０においては、複数の画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各画素１００ｅは、３個の各色有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｇ、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について説明する。図１６は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する各色有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｇにおける回路構成を示す回路図である。
【００９３】
図１６に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ１は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ２は、スイッチングトランジスタである。
スイッチングトランジスタＴｒ２のゲートＧ２は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ２のドレインＤ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートＧ１に接続されている。
【００９４】
駆動トランジスタＴｒ１のドレインＤ１は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ１は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ２のドレインＤ２及び駆動トランジスタＴｒ１のゲートＧ１と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
【００９５】
表示パネル１０においては、各副画素１００ｓｅのゲートＧ２からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ２からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
【００９６】
＜変形例＞
実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。
【００９７】
変形例に係る表示パネル１０Ａについて説明する。実施の形態に係る表示パネル１０では、副画素色識別手段１１９ｍは、赤色副画素、緑色副画素、及び青色副画素の何れかの画素電極の形状であって、他の副画素にある画素電極の形状と異なるものとした構成としている。しかしながら、副画素色識別手段１１９ｍは、バンク１２２の上方から基板１００ｘを平面視したとき視認でき、かつ、発光に影響を与えない位置に存在していればよく、画素電極１１９以外に、基板１００ｘ、平坦化層１１８、バンク１２２に設けられていてもよい。
【００９８】
図１７、１８、１９、２０は、それぞれ、変形例１、２、３、４に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄを図１のＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。例えば、変形例１では、図１７に示すように、副画素色識別手段１１９Ａｍ（１１８Ａｍ）は、行バンク１２２Ｘ下方にある赤色副画素、緑色副画素、及び青色副画素の何れかの平坦化層１１８（及び画素電極１１９）に開設されたコンタクトホール１１８ａ（及び画素電極の接続凹部１１９ｃ）の位置であって、他の副画素にあるホールの位置と異なるものであってもよい。
【００９９】
また、変形例２では、図１８に示すように、副画素色識別手段１１９Ｂｍ（１１８Ｂｍ）は、行バンク１２２Ｘ下方にあるコンタクトホール１１８ａ（及び画素電極の接続凹部１１９ｃ）の形状であって、他の副画素にあるホールの形状と異なるものであってもよい。
また、変形例３では、図１９に示すように、副画素色識別手段１２２ＸＣｍは、赤色副画素、緑色副画素、及び青色副画素の何れかにおける行バンク１２２ＸＣの形状であって、他の副画素における行バンクの形状と異なるものであってもよい。
【０１００】
また、変形例４では、図２０に示すように、副画素色識別手段１２２ＹＤｍは、行バンク１２２Ｘ上方にある赤色副画素、緑色副画素、及び青色副画素の何れかにおける列バンク１２２ＹＤの形状であって、他の副画素における列バンクの形状と異なるであってもよい。
係る構成により、副画素色識別手段１１９ｍは、発光に影響を与えることなく、バンク１２２の上方から基板１００ｘを平面視したとき視認でき、赤色副画素、緑色副画素、及び青色副画素の何れかを、他の副画素と容易に識別することができる。これより、表示パネルの点灯検査において異常画素が検出されたときに、有機ＥＬ表示素子における異常副画素に対応する主欠陥を特定する作業を効率的に行うことができる。
【０１０１】
＜その他の変形例＞
実施の形態１に係る表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク１２２Ｙ間の間隙１２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。
【０１０２】
実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
【０１０３】
また、上記実施の形態では、画素電極１１９と対向電極１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と対向電極１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【０１０４】
また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
【０１０５】
上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に共通電極、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
【０１０６】
また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
【０１０７】
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。
実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【０１０８】
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【０１０９】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１１１】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  有機ＥＬ表示パネル
１０ｅ  区画領域（表示用領域）
１００  有機ＥＬ素子
１００ｅ  画素
１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｇ  各色有機ＥＬ素子
１００ｓｅ  副画素
１００ａ  自己発光領域
１００ｂ  非自己発光領域
１００ｘ  基板（ＴＦＴ基板）
１１８  平坦化層
１１９  画素電極（反射電極）
１２０  ホール注入層
１２１  ホール輸送層
１２２  バンク
１２２Ｘ  行バンク（行絶縁層）
１２２Ｙ  列バンク（列絶縁層）
１２２ｚ（１２２ｚＲ、１２２ｚＧ、１２２ｚＢ）  間隙
１２３（１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ）  発光層
１２４  電子輸送層
１２５  対向電極
１２６  封止層
１２７  接合層
１３０  上部基板
１３１  前面板
１３２  カラーフィルタ層
１３３  遮光層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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