(57)【要約】【課題】インプリント処理が正常に行われたかの判定の精度の点で有利な検査方法を提供する。【解決手段】検査方法は、予備的なインプリント処理を行う第１工程と、第１工程の後、検査対象のインプリント処理を行う第２工程と、第２工程の実行中に検査対象のインプリント処理によって発生するアコースティックエミッション波を検出し、該検出されたアコースティックエミッション波に基づいて、検査対象のインプリント処理が正常に行われたかを判定する第３工程とを有し、第１工程では、第２工程における検査対象のインプリント処理のときよりも型に強い負荷がかかるように予備的なインプリント処理を行い、第３工程では、予備的なインプリント処理において強い負荷がかかった型を用いて検査対象のインプリント処理を行ったときに検出されたアコースティックエミッション波に基づいて、検査対象のインプリント処理が正常に行われたかどうかを判定する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板の上のインプリント材のパターンを形成するインプリント処理が正常に行われたかどうかを検査する検査方法であって、
予備的なインプリント処理を行う第１工程と、
前記第１工程の後、検査対象のインプリント処理を行う第２工程と、
前記第２工程の実行中に前記検査対象のインプリント処理によって発生するアコースティックエミッション波を検出し、該検出されたアコースティックエミッション波に基づいて、前記検査対象のインプリント処理が正常に行われたかどうかを判定する第３工程と、
を有し、
前記第１工程では、前記第２工程における前記検査対象のインプリント処理のときよりも前記型に強い負荷がかかるように前記予備的なインプリント処理を行い、
前記第３工程では、前記予備的なインプリント処理において前記強い負荷がかかった前記型を用いて前記検査対象のインプリント処理を行ったときに検出されたアコースティックエミッション波に基づいて、前記検査対象のインプリント処理が正常に行われたかどうかを判定する
ことを特徴とする検査方法。
【請求項２】
前記第１工程では、前記第３工程において前記アコースティックエミッション波に関するカイザー効果が得られるように、前記第２工程における前記検査対象のインプリント処理のときよりも前記型に強い負荷をかけて前記予備的なインプリント処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の検査方法。
【請求項３】
前記インプリント処理は、
押圧部材を用いて前記型の側面を押圧して前記型の形状を補正する補正工程と、
前記型と前記基板の上の前記インプリント材とを接触させる接触工程と、
前記インプリント材と前記型とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させる硬化工程と、
前記硬化したインプリント材から前記型を引き離す離型工程と、
を含み、
前記第１工程は、前記検査対象のインプリント処理のときよりも前記押圧部材による前記型の側面への押圧力を高めた状態で前記予備的なインプリント処理を実行する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の検査方法。
【請求項４】
前記予備的なインプリント処理の前記離型工程においては、前記インプリント材から前記型を引き離す速度を、前記検査対象のインプリント処理のときよりも増加させることを特徴とする請求項３に記載の検査方法。
【請求項５】
前記予備的なインプリント処理においては、前記検査対象のインプリント処理のときよりも、前記硬化したインプリント材から前記型を引き離すのに要する力の低いインプリント材を使用することを特徴とする請求項３に記載の検査方法。
【請求項６】
前記第１工程は、
前記予備的なインプリント処理の後、前記予備的なインプリント処理のときよりも前記型にかかる負荷が弱くなる条件でリファレンス生成用のインプリント処理を実行する工程と、
前記リファレンス生成用のインプリント処理によって発生するアコースティックエミッション波を検出する工程と、
前記検出されたアコースティックエミッション波に基づいてリファレンスを生成し記憶する工程と、
を更に有し、
前記第３工程は、前記第２工程で行われた前記検査対象のインプリント処理で検出されたアコースティックエミッション波のデータと前記リファレンスとの比較に基づいて、前記検査対象のインプリント処理が正常に行われたかを判定する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項７】
前記第３工程は、前記第２工程で行われた前記検査対象のインプリント処理で検出されたアコースティックエミッション波のデータと前記リファレンスとの差分が許容値を超えた場合に、前記検査対象のインプリント処理を異常と判定することを特徴とする請求項６に記載の検査方法。
【請求項８】
前記第３工程は、前記第２工程で行われた前記検査対象のインプリント処理で検出されたアコースティックエミッション波のデータと前記リファレンスとの差分が許容値を超えた場合に、前記型の破損に伴う前記検査対象のインプリント処理の異常と判定することを特徴とする請求項７に記載の検査方法。
【請求項９】
前記比較は、前記検出されたアコースティックエミッション波の代表値により行われることを特徴とする請求項６に記載の検査方法。
【請求項１０】
前記比較は、前記検出されたアコースティックエミッション波の所定時間ごとの代表値の平均値により行われることを特徴とする請求項９に記載の検査方法。
【請求項１１】
前記比較は、前記検出されたアコースティックエミッション波をフィルタリングして得たデータにより行われることを特徴とする請求項６に記載の検査方法。
【請求項１２】
前記比較は、前記検出されたアコースティックエミッション波の周波数領域表現のデータにより行われることを特徴とする請求項６に記載の検査方法。
【請求項１３】
前記型の破損に伴う前記検査対象のインプリント処理の異常と判定した後、前記型を交換することを特徴とする請求項８に記載の検査方法。
【請求項１４】
型を用いて基板の上のインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持部と、
アコースティックエミッション波を検出する検出部と、
を有し、
前記パターンを形成するためのインプリント処理の前に、該インプリント処理のときよりも前記型に強い負荷がかかるように予備的なインプリント処理を実行し、
前記予備的なインプリント処理の後、前記パターンを形成するためのインプリント処理を実行し、
前記予備的なインプリント処理において前記強い負荷がかかった前記型を用いた前記パターンを形成するためのインプリント処理の実行中に前記検出部により検出されたアコースティックエミッション波に基づいて、該インプリント処理が正常に行われたかを判定する、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成する工程と、
前記工程において前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を含み、前記処理が行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント処理が正常に行われたかを検査する検査方法、インプリント装置、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント装置は、基板の上のインプリント材と型（モールド、テンプレート）とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を剥離することによって基板上にインプリント材のパターンを形成する。インプリント装置で使用される型は、型とインプリント材とを接触させる接触工程と、硬化したインプリント材から型を引き離す離型工程において物理的な力を受ける。そのため、接触工程と離型工程が繰り返されることにより、型のパターン部が損傷する可能性がある。また、装置内を浮遊しているパーティクルが型とインプリント材との間に巻き込まれ、インプリント時に噛み込むことで型のパターン部が損傷する可能性がある。損傷した型でインプリント処理を続けると、不良ショットが増加し、歩留りが低下する。よって、インプリント処理が正常に行われたかを正確に判定する方法が必要である。
【０００３】
特許文献１には、離型時のテンプレートの剥離に要する負荷またはテンプレートの剥離に要する時間を測定し、その測定値に基づいてテンプレートの交換の要否を判定することが記載されている。また、特許文献２には、アコースティックエミッション波形を受信するセンサを型の近傍に配置し、事前に取得した基準波形とインプリント工程時に生じたアコースティックエミッション波形とを比較してインプリント工程の異常判定を行うことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許５２９５８７０号公報
【特許文献２】特開２０１７−０２８１７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、アコースティックエミッションは、摩擦を生じる駆動機構や、力が加わるあらゆる部材から生じうるため、それらの複合的なアコースティックエミッションを用いて行われる異常判定は、精度の低いものであった。
【０００６】
本発明は、例えば、インプリント処理が正常に行われたかの判定の精度の点で有利な検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によれば、型を用いて基板の上のインプリント材のパターンを形成するインプリント処理が正常に行われたかどうかを検査する検査方法であって、予備的なインプリント処理を行う第１工程と、前記第１工程の後、検査対象のインプリント処理を行う第２工程と、前記第２工程の実行中に前記検査対象のインプリント処理によって発生するアコースティックエミッション波を検出し、該検出されたアコースティックエミッション波に基づいて、前記検査対象のインプリント処理が正常に行われたかどうかを判定する第３工程とを有し、前記第１工程では、前記第２工程における前記検査対象のインプリント処理のときよりも前記型に強い負荷がかかるように前記予備的なインプリント処理を行い、前記第３工程では、前記予備的なインプリント処理において前記強い負荷がかかった前記型を用いて前記検査対象のインプリント処理を行ったときに検出されたアコースティックエミッション波に基づいて、前記検査対象のインプリント処理が正常に行われたかどうかを判定することを特徴とする検査方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、インプリント処理が正常に行われたかの判定の精度の点で有利な検査方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。
【図２】実施形態における補正部の構成を示す図。
【図３】インプリント処理の流れを示すフローチャート。
【図４】インプリント装置において型と基板上のインプリント材とが接触した状態を示す図。
【図５】インプリント処理が正常に行われたかを検査する検査方法のフローチャート。
【図６】予備的なインプリント処理に関する詳細例を示すフローチャート。
【図７】アコースティックエミッション波のカイザー効果を説明する図。
【図８】検査対象のインプリント処理で検出されたアコースティックエミッション波のデータとリファレンスとの比較を説明する図。
【図９】検査対象のインプリント処理で検出されたアコースティックエミッション波のデータとリファレンスとの比較を説明する図。
【図１０】実施形態における物品製造方法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎないものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
【００１１】
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給b部により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。
【００１２】
図１は、本実施形態におけるインプリント装置１００の構成を示す図である。なお、本実施形態では、図１に示すように、基板１の表面に沿う平面内で互いに直交する方向をＸ軸およびＹ軸とし、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な方向（例えば基板上のインプリント材に対して照射する紫外線の光軸に平行な方向）をＺ軸としている。インプリント装置１００は、基板１を保持して移動するステージ１０（基板保持部）と、基板１に対してインプリント材を供給するインプリント材供給部２０と、型２を保持して移動する型保持部３０とを備える。ステージ１０には、位置合わせのための不図示の光学マークが形成されている。インプリント材は、不図示のタンクから配管を介してインプリント材供給部２０に供給され、また、インプリント材供給部２０から吐出されなかったインプリント材は配管を介してタンクに回収される。硬化部４０は、インプリント材を硬化させるための光（紫外線）を、型２を介して基板１上のインプリント材に照射する。
【００１３】
インプリント装置１００は、型保持部３０で保持された型の形状を補正する補正部３１を備える。図２に、補正部３１の構成例を示す。補正部３１は、型２の側面を押圧する複数の押圧部材３１ａ〜３１ｐを有する。複数の押圧部材３１ａ〜３１ｐは、型２を挟んでそれぞれ対向するように配置されている。補正部３１は、これらの押圧部材を駆動して型２の側面を押圧することにより、型２のパターン部の形状が目標形状になるように補正する。
【００１４】
本実施形態において、インプリント装置１００は、例えば型保持部３０に配置され、アコースティックエミッション波を検出する検出部５０を備える。アコースティックエミッション（以下、「ＡＥ」と略称）とは、材料が変形、破壊するときに、材料が内部に蓄えていたひずみエネルギーを弾性波として放出する現象をいう。ＡＥ波は、基板１、型２、ステージ１０、型保持部３０、補正部３１、さらにはインプリント材から生じうる。検出部５０は、圧電素子を含むＡＥセンサでありうる。
【００１５】
制御部６０は、インプリント装置１００の各部の動作を統括的に制御する。制御部６０は、例えばＣＰＵおよびメモリを含むコンピュータにより構成され、インプリント装置１００の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムに従って各構成要素の制御を実行する。また、制御部６０は、検出部５０で検出されたデータを処理する処理部としても機能する。判定部７０は、制御部６０によるデータ処理の結果に基づいてインプリント処理が正常に行われたか判定の判定を行う。なお、判定部７０の機能は制御部６０に含まれる構成であってもよい。
【００１６】
本実施形態におけるインプリント装置１００の構成は概ね以上のとおりである。図３のフローチャートを参照しながら、インプリント装置１００によるインプリント処理を説明する。Ｓ１で、制御部６０は、吐出パターンに従って、インプリント材供給部２０の直下でステージ１０を往復駆動させながらインプリント材供給部２０に基板１上のショット領域にインプリント材を吐出させる。その後、制御部６０は、ステージ１０を型保持部３０の直下に移動させる。ステージ１０が型保持部３０の直下に移動したら、Ｓ２で、補正部３１は型２が所定の形状となるように型２を補正する。Ｓ３で、制御部６０は、型保持部３０を制御して、型２を基板１上のインプリント材と接触させる。図４に、インプリント装置１００において、型保持部３０が下降して型２と基板１上のインプリント材とが接触した状態を示す。この型２と基板１上のインプリント材とが接触した状態で、次のＳ４が行われる。Ｓ４では、制御部６０は、硬化部４０は紫外線を照射することによりインプリント材を硬化させる。硬化部４０からの紫外線は、型２を透過して基板上のインプリント材に照射され、これによりインプリント材が硬化する。Ｓ５で、制御部６０は、型保持部３０を制御して、基板１の上で硬化したインプリント材から型２を引き離す離型動作を行う。以上が、基板に形成されている複数のショット領域のうちの１つのショット領域に対するインプリント処理の内容である。インプリント装置１００は、この一連のインプリント処理をショット毎に繰り返し行う。
【００１７】
以下では、インプリント処理が正常に行われたかを検査する検査方法について説明する。ＡＥ波は、型、基板、インプリント材、型保持部、駆動機構などインプリント処理に関わる全ての構成物から大小問わず生じうる。これらが入り混じったＡＥ波では、正常／異常の判定の精度が劣る。本実施形態では、ＡＥ波のカイザー効果を利用する。カイザー効果とは、先行して対象物に荷重をかけておき、その後、除荷してから、再度対象物に負荷をかけた場合、対象物が正常であれば荷重が先行荷重に至るではＡＥ波はほとんど検出されない現象をいう。本実施形態では、このカイザー効果の成立をねらって、パターンを形成するためのインプリント処理（通常のインプリント処理）の前に、該通常のインプリント処理のときよりも型２に強い負荷がかかるような予備的なインプリント処理を実行する。その後、通常のインプリントを実行する。先行する予備的なインプリント処理によって予め型２に通常より大きな負荷がかけられているため、通常のインプリント処理においては、正常であればＡＥ波は消失しておりほとんど検出されないことになる。このときＡＥ波が検出されれば、異常と判断することができる。
【００１８】
以下、図５のフローチャートを参照しながら、インプリント処理が正常に行われたかを検査する検査方法について説明する。Ｓ１００で、インプリント装置１００は、型２を型保持部３０に搬入する。次にＳ１０２で、インプリント装置１００は、基板１をステージ１０に搬入する。Ｓ１００とＳ１０２とは順序が逆でもよい。
【００１９】
Ｓ１０４で、制御部６０は、予備的なインプリント処理を行う（第１工程）。第１工程の後、Ｓ１０６で、制御部６０は、検査対象のインプリント処理を基板上の１つのショット領域に行う（第２工程）。この第２工程の実行中、Ｓ１０８で、検出部５０は、検査対象のインプリント処理によって発生したＡＥ波を検出する。制御部６０は、検出されたＡＥ波を処理して判定部７０に送り、判定部７０は、検査対象のインプリント処理が正常に行われたかを判定する判定処理を行う（第３工程）。上記のＳ１０４では、Ｓ１０６における検査対象のインプリント処理のときよりも型に強い負荷がかかるように予備的なインプリント処理を行う。なお、Ｓ１０４の詳細な例については後述する。
【００２０】
検査対象のインプリント処理が正常に行われたと判定された場合（Ｓ１１０でＹＥＳ）、処理はＳ１０６に戻り、次のショット領域に対して処理を繰り返す。検査対象のインプリント処理を異常と判定された場合（Ｓ１１０でＮＯ）、Ｓ１１２で、制御部６０は終了処理を実施する。終了処理は、例えば、基板上に未硬化状態のインプリント材がある場合にはそれらを硬化部４０により硬化させてから基板を装置外に搬出する処理を含みうる。その後、Ｓ１１４で、型２が搬出される。型が新しいものに交換されたら、再びＳ１００に戻って処理を繰り返すことができる。
【００２１】
図６は、第１工程に係るＳ１０４の詳細例を示すフローチャートである。Ｓ２０１で、制御部６０は、Ｓ１０６における検査対象のインプリント処理（通常のインプリント処理）のときよりも型に強い負荷がかかるように予備的なインプリント処理を行う。例えば、制御部６０は、補正部３１を制御して、複数の押圧部材３１ａ〜３１ｐそれぞれの押圧力を通常のインプリント処理時に発生する押圧力よりも大きくする。
【００２２】
図７は、Ｓ２０１において押圧部材３１ａを駆動したことにより押圧部材３１ａから放出されるＡＥ波の強度と応力の関係を時系列で示す。図７の下図に示されるように、押圧部材３１ａに加わる応力が増え続けると、図７の上図に示されるように、押圧部材３１ａからＡＥ波は出続ける。しかし、その後、押圧部材３１ａに加わる応力が減少に転じると、押圧部材３１ａからはＡＥ波はほとんど放出されなくなる（カイザー効果）。以後、F１を超える応力が押圧部材３１ａに加わらない限り、押圧部材３１ａからＡＥ波は生じない。同様のことが押圧部材３１ｂ〜３１ｐにも該当する。
【００２３】
また、Ｓ２０１の予備的なインプリント処理の離型工程（Ｓ５）においては、硬化したインプリント材２１から型２を引き離す力（離型力）を、検査対象のインプリント処理における離型力よりも大きくする。具体的には例えば、型保持部３０の＋Ｚ方向の駆動速度を、通常のインプリント処理における駆動速度よりも増加させる。あるいは、Ｓ２０１の予備的なインプリント処理の離型工程（Ｓ５）においては、検査対象のインプリント処理のときよりも、硬化したインプリント材２１から型２を引き離すのに要する力の低いインプリント材を使用してもよい。以上のようにして、Ｓ２０１では、制御部６０は、ＡＥ波に関するカイザー効果が得られるように、Ｓ１０６における検査対象のインプリント処理のときよりも型に強い負荷がかかるように予備的なインプリント処理を行う。
【００２４】
予備的なインプリント処理の後、Ｓ２０２で、制御部６０は、予備的なインプリント処理のときよりも型２にかかる負荷が弱くなる条件でリファレンス生成用のインプリント処理を実行する。このリファレンス生成用のインプリント処理は、通常のインプリント処理と同じ条件で行うようにしてもよい。また、リファレンス生成用のインプリント処理は、基板１の複数のショット領域のそれぞれに対して実施してもよい。基板１は、通常のインプリント処理で用いられる基板を用いてもよいし、リファレンス生成用のインプリント処理専用の基板を用いてもよい。
【００２５】
リファレンス生成用のインプリント処理において、型２とインプリント材とが分離されることによってＡＥ波が発生する。なお、正常な状態であれば、Ｓ２０１の予備的なインプリント処理によってカイザー効果が得られているから、基板１、型２、ステージ１０、型保持部３０、補正部３１からのＡＥ波はほとんど生じることはない。Ｓ２０３で、検出部５０は、リファレンス生成用のインプリント処理時に発生するＡＥ波を検出し、検出したＡＥ波のデータを制御部６０に引き渡す。Ｓ２０４で、制御部６０は、検出部５０から受け取ったデータを処理してリファレンスを生成し記憶する。
【００２６】
予備的なインプリント処理を含む第１工程が図６のフローチャートに従って上記のように行われた場合、Ｓ１０８の判定処理（第３工程）は次のよう行う。すなわち、Ｓ１０８では、検査対象のインプリント処理で検出されたＡＥ波のデータとリファレンスとの比較に基づいて、検査対象のインプリント処理が正常に行われたかが判定される。
【００２７】
図８は、Ｓ２０４で取得したリファレンスとしての基準ＡＥ波と、正常にインプリント処理が行われた際の受信ＡＥ波と、両者の波形の差分を示す図である。正常にインプリント処理が実施された場合、インプリント処理で得られた受信ＡＥ波の強度と基準ＡＥ波の強度との差分は、図８の判定１のような波形となる。判定部７０は、この差分が許容値内である場合、検査対象のインプリント処理は正常に行われたと判定する。
【００２８】
例えばインプリント処理において型２に破損が生じた場合、インプリント処理で得られた受信ＡＥ波の強度と基準ＡＥ波の強度との差分は、図９の判定２のような波形となりうる。判定部７０は、この差分が許容値を超えた場合、検査対象のインプリント処理を異常と判定する。この場合、受信ＡＥ波には、インプリント材から生じたＡＥ波とは別の、型の破損によるＡＥ波も含まれていると判断され、判定部７０は、型の破損に伴うインプリント処理の異常と判定する。インプリント処理が異常、つまり、型２が破損していると判定された場合には、型２を交換する。例えば、破損した型２を型保持部３０から取り外して、破損していない新しい型を型保持部３０に取り付ける。
【００２９】
上記のように、Ｓ１０８では、検査対象のインプリント処理で検出されたＡＥ波のデータとリファレンスとの比較が行われる。この比較は、ＡＥ波の生データをそのまま用いて行われうるが、検出されたアコースティックエミッション波の音圧レベル値等の代表値により行われてもよい。また、そのような代表値を所定時間ごとに求め、それら所定時間ごとの代表値の平均値により行われてもよい。
【００３０】
また、ＡＥ波には、インプリント処理の正常／異常の判定には不要な周波数成分が含まれうる。その場合には、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタなどを用いて不要な周波数成分を抑圧するフィルタリングを施した後のデータを用いてもよい。また、ＡＥ波をＦＦＴなどにより周波数領域表現のデータに変換し、検査対象のインプリント処理で検出されたＡＥ波のデータとリファレンスとの比較は、この周波数領域表現のデータにより行われてもよい。
【００３１】
上記の実施形態では、検出部５０が例えば型保持部３０に配置されるとしたが、この検出部５０を複数用意し、型保持部３０をはじめ、ＡＥ波が発生しうる各部に配置してもよい。この場合、検出部５０それぞれからのＡＥ波の到達時間差を求め、その時間差に基づいて、ＡＥ波の発生箇所を特定することができる。
【００３２】
＜物品製造方法の実施形態＞
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００３３】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００３４】
次に、図１０を参照して、物品製造方法について説明する。工程ＳＡでは、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００３５】
工程ＳＢでは、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。工程ＳＣでは、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００３６】
工程ＳＤでは、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００３７】
工程ＳＥでは、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。工程ＳＦでは、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００３８】
＜他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１００：インプリント装置、１：基板、２：型、１０：ステージ、２０：インプリント材供給部、３０：型保持部、３１：補正部、４０：硬化部、５０：検出部、６０：制御部、７０：判定部
【図１】
2020017597.tif 000003
【図２】
2020017597.tif 000004
【図３】
2020017597.tif 000005
【図４】
2020017597.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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