(57)【要約】【課題】光通信チップの導波路と光ファイバとを、隙間なく直線状に接続する。【解決手段】光通信チップＣでは、光導波路８が、割断面８４を含む第二の側面８３に露出する。このため、光導波路８に接続されるコネクタ９１が、割断面８４に接着される。割断面８４は、改質層の断面よりも、高い平滑性を有する。このため、光通信チップＣの割断面８４にコネクタ９１を接着することにより、光通信チップＣに、コネクタ９１を密着させて接着できる。そのため、コネクタ９１に取り付けられた光ファイバ９３と光導波路８とを、実質的に直線状に接続することができる。さらに、光ファイバ９３と光導波路８との間に隙間が発生することを抑制することができる。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の分割予定ラインによって格子状に区画された領域に、光データ通信をするための光を通す直線状の光導波路を有する光通信デバイスが形成されたウェーハに、該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、該ウェーハの内部に該レーザー光線を集光させた集光点を位置づけて該集光点で改質層を形成し、該改質層を起点に該分割予定ラインに沿って該ウェーハを個々の光通信チップに分割する、ウェーハの分割方法であって、
該分割予定ラインは、該光導波路の延在方向に対して平行な第一の分割予定ラインと、該光導波路の延在方向に対して直交する第二の分割予定ラインとで構成され、
該ウェーハの裏面全面に粘着テープを貼着するテープ貼着工程と、
該ウェーハを該粘着テープを介して保持テーブルの保持面で保持する保持工程と、
該第一の分割予定ラインに沿って、直線状の第一の改質層を形成する第一の改質層形成工程と、
該ウェーハの裏面近くの深さ位置で該第二の分割予定ラインに沿って、直線状の第二の改質層を形成する第二の改質層形成工程と、
該ウェーハの表面近くの深さ位置で該第二の分割予定ラインに沿って、該光導波路にかかる部分に形成されない破線状の第三の改質層を形成する第三の改質層形成工程と、
該第一の改質層と該第二の改質層と該第三の改質層とに外力を付与して、各改質層を起点に該ウェーハを分割することによって、該光導波路の端面が４つの側面のうちの１つの面に露出した光通信チップを取得する分割工程と、
を備えた、ウェーハの分割方法。
【請求項２】
該テープ貼着工程では、該ウェーハを収容する開口を有するリングフレームに、該開口を塞ぐように該粘着テープを貼着し、該開口の該粘着テープに該ウェーハを貼着することによって、該粘着テープを介して該リングフレームが該ウェーハを支持したワークセットを形成し、
該分割工程では、該ウェーハに貼着した該粘着テープを、該ウェーハの径方向に拡張することによって、該第一の改質層と該第二の改質層と該第三の改質層とに外力を付与して該ウェーハを分割する、
請求項１記載のウェーハの分割方法。
【請求項３】
該ウェーハの該表面には、該表面を保護する保護テープが貼着されていて、
該保持工程では、吸引源に連通された該保持面が、該保護テープを保持し、該保護テープを介して該ウェーハを保持し、
該第一の改質層形成工程、該第二の改質層形成工程および該第三の改質層形成工程では、該レーザー光線を、該粘着テープ側から該ウェーハに照射し、該粘着テープを透過して該ウェーハの内部に位置づけられた該レーザー光線の該集光点で該改質層を形成し、
該第三の改質層形成工程の後に該第二の改質層形成工程を実施し、
該分割工程までに該ウェーハの表裏を反転させ該ウェーハの該表面を上にする反転工程と、該保護テープを剥離する剥離工程とをさらに含む、
請求項１記載のウェーハの分割方法。
【請求項４】
該保持工程では、該ウェーハを保持する該保持テーブルの該保持面に多孔質シートを載置し、該保持面を吸引源に連通させ、吸引力が該多孔質シートを通って該ウェーハの該表面に作用することにより、該ウェーハを該保持面が保持し、
該第一の改質層形成工程、該第二の改質層形成工程および該第三の改質層形成工程では、該レーザー光線を、該粘着テープ側から該ウェーハに照射し、該粘着テープを透過して該ウェーハの内部に位置づけられた該レーザー光線の該集光点で該改質層を形成し、
該第三の改質層形成工程の後に該第二の改質層形成工程を実施し、
該分割工程までに該ウェーハの表裏を反転させ該ウェーハの該表面を上にする反転工程をさらに含む、
請求項１記載のウェーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
データ伝送量の増大により、光通信が求められている。光通信するためのデバイスとして、シリコンフォトニクスがある（たとえば特許文献１参照）。シリコンフォトニクスの製造では、ウェーハの分割予定ラインによって区画された領域に、光通信用のデバイスが形成される。そして、分割予定ラインに沿って、ウェーハの内部に改質層が形成された後、改質層を起点にウェーハが分割されて、チップが形成される。分割されたチップの側面には、光導波路の端が露出している。この光導波路の端に光ファイバーが接続されて、光通信が行われる。
【０００３】
また、シリコンフォトニクスでは、光ファイバーをチップに固定するために、コネクタが設けられる。コネクタは、チップに接着材で接着され、光ファイバー端とチップの光導波路の端とを連結する（たとえば特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１４６００２号公報
【特許文献２】特開２０１６−１５６８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
コネクタが傾いてチップに接着されていると、光導波路の端面とコネクタに挿入された光ファイバーの端面との間に隙間ができやすいとともに、光導波路と光ファイバーとが直線状に接続されにくくなる。このため、光通信不良が発生する可能性がある。
【０００６】
本発明の目的は、コネクタに挿入された光ファイバーの端と、光導波路の端との間に隙間ができることを抑制するとともに、光導波路と光ファイバーとが直線状に接続されるように、チップの側面にコネクタを接着することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明にかかるウェーハの分割方法（本分割方法）は、表面の分割予定ラインによって格子状に区画された領域に、光データ通信をするための光を通す直線状の光導波路を有する光通信デバイスが形成されたウェーハに、該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、該ウェーハの内部に該レーザー光線を集光させた集光点を位置づけて該集光点で改質層を形成し、該改質層を起点に該分割予定ラインに沿って該ウェーハを個々の光通信チップに分割する、ウェーハの分割方法であって、該分割予定ラインは、該光導波路の延在方向に対して平行な第一の分割予定ラインと、該光導波路の延在方向に対して直交する第二の分割予定ラインとで構成され、該ウェーハの裏面全面に粘着テープを貼着するテープ貼着工程と、該ウェーハを該粘着テープを介して保持テーブルの保持面で保持する保持工程と、該第一の分割予定ラインに沿って、直線状の第一の改質層を形成する第一の改質層形成工程と、該ウェーハの裏面近くの深さ位置で該第二の分割予定ラインに沿って、直線状の第二の改質層を形成する第二の改質層形成工程と、該ウェーハの表面近くの深さ位置で該第二の分割予定ラインに沿って、該光導波路にかかる部分に形成されない破線状の第三の改質層を形成する第三の改質層形成工程と、該第一の改質層と該第二の改質層と該第三の改質層とに外力を付与して、各改質層を起点に該ウェーハを分割することによって、該光導波路の端面が４つの側面のうちの１つの面に露出した光通信チップを取得する分割工程と、を備えている。
【０００８】
本分割方法のテープ貼着工程では、該ウェーハを収容する開口を有するリングフレームに、該開口を塞ぐように該粘着テープを貼着し、該開口の該粘着テープに該ウェーハを貼着することによって、該粘着テープを介して該リングフレームが該ウェーハを支持したワークセットを形成してもよく、該分割工程では、該ウェーハに貼着した該粘着テープを、該ウェーハの径方向に拡張することによって、該第一の改質層と該第二の改質層と該第三の改質層とに外力を付与して該ウェーハを分割してもよい。
【０００９】
本分割方法では、該ウェーハの該表面には、該表面を保護する保護テープが貼着されていてもよく、該保持工程では、吸引源に連通された該保持面が、該保護テープを保持し、該保護テープを介して該ウェーハを保持してもよく、該第一の改質層形成工程、該第二の改質層形成工程および該第三の改質層形成工程では、該レーザー光線を、該粘着テープ側から該ウェーハに照射し、該粘着テープを透過して該ウェーハの内部に位置づけられた該レーザー光線の該集光点で該改質層を形成し該第三の改質層形成工程の後に該第二の改質層形成工程を実施してもよく、該分割工程までに該ウェーハの表裏を反転させ該ウェーハの該表面を上にする反転工程と、該保護テープを剥離する剥離工程とをさらに含んでもよい。
【００１０】
本分割方法の保持工程では、該ウェーハを保持する該保持テーブルの該保持面に多孔質シートを載置し、該保持面を吸引源に連通させ、吸引力が該多孔質シートを通って該ウェーハの該表面に作用することにより、該ウェーハを該保持面が保持してもよく、該第一の改質層形成工程、該第二の改質層形成工程および該第三の改質層形成工程では、該レーザー光線を、該粘着テープ側から該ウェーハに照射し、該粘着テープを透過して該ウェーハの内部に位置づけられた該レーザー光線の該集光点で該改質層を形成し該第三の改質層形成工程の後に該第二の改質層形成工程を実施してもよく、該分割工程までに該ウェーハの表裏を反転させ該ウェーハの該表面を上にする反転工程をさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本分割方法では、第一の分割予定ラインに沿って、直線状の第一の改質層が形成されている。一方、第二の分割予定ラインに沿って、ウェーハの裏面側（裏面近くの深さ位置）に、直線状の第二の改質層が形成されている。さらに、この第二の分割予定ライン沿いには、ウェーハの表面側（表面近くの深さ位置）に、第三の改質層が形成されている。第二の分割予定ラインは、光導波路の延在方向に直交している。このため、第二の改質層および第三の改質層も、光導波路と直交するように形成される。
光導波路を含む光通信デバイスは、ウェーハの表面に形成されている。したがって、光導波路は、ウェーハの表面付近で、ウェーハの表面側に延びる第三の改質層と交叉する。また、本分割方法では、第三の改質層は、光導波路にかかる部分には形成されていない。すなわち、第三の改質層は、ウェーハの表面側で、光導波路にかかる部分をまたぐように、全体として破線状に形成されている。なお、光導波路にかかる部分は、たとえば、光導波路に近い部分、あるいは、光導波路に隣接している部分である。
【００１２】
ウェーハは、第一の改質層、第二の改質層および第三の改質層に外力が付与されることにより、これらの改質層を起点に、複数の光通信チップに分割される。ここで、ウェーハの光導波路にかかる部分に、第三の改質層は形成されていない。このため、光導波路は、分割によって、改質層ではない部分の断面である割断面を含む光通信チップの側面（光通信チップにおける４つの側面のうちの１つの面）に露出する。
このように、本分割方法では、光導波路が、割断面を含む光通信チップの側面に露出する。このため、光通信チップの光導波路に接続されるコネクタが、割断面に接着されることになる。すなわち、本分割方法では、コネクタを接着する光通信チップの側面を、割断面にする事ができる。
【００１３】
ここで、割断面は、改質層の断面よりも、高い平滑性を有する。このため、割断面にコネクタを接着することにより、光通信チップの側面に、コネクタを密着させて接着できる。そのため、コネクタに取り付けられた光ファイバーと光導波路とを、実質的に直線状に接続することができる。さらに、光ファイバーと光導波路との間に隙間が発生することを抑制することができる。したがって、光通信不良の発生を抑制することが可能となる。
【００１４】
また、リングフレームを用いてウェーハおよび粘着テープを含むワークセットを形成することにより、ウェーハの取り扱いを容易にすることができる。また、粘着テープをウェーハの径方向に拡張することにより、改質層に対して簡単に外力を付与することができる。このため、分割予定ラインに沿ってウェーハを容易に分割することができる。
【００１５】
さらに、保護テープあるいは多孔質シートを用いることにより、ウェーハを、表面側から保持テーブルで保持することが可能となる。これにより、ウェーハの裏面側からのレーザー光線の照射による改質層形成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第一実施形態にかかるウェーハを示す斜視図である。
【図２】図１に示したウェーハに備えられる光通信デバイスの概略構成を示す斜視図である。
【図３】図１に示したウェーハ、粘着テープおよびリングフレームを含むワークセットを示す説明図である。
【図４】第一実施形態にかかるレーザー加工装置の概略構成を示す斜視図である。
【図５】図４に示したレーザー加工装置の加工ヘッドの構成を示す概略図である。
【図６】保持テーブルに載置されているウェーハを示す説明図である。
【図７】第一実施形態にかかる分割方法（第一分割方法）における第二の改質層形成工程を示す説明図である。
【図８】第一分割方法における第三の改質層形成工程を示す説明図である。
【図９】第一〜第三の改質層形成工程の実施後におけるウェーハの部分断面図である。
【図１０】ウェーハ分割装置にセットされたウェーハを示す説明図である。
【図１１】ウェーハ分割装置によってチップに分割されたウェーハを示す説明図である。
【図１２】第一分割方法における分割工程によって得られた光通信チップに、コネクタおよび光ファイバーを取り付ける接着工程を示す説明図である。
【図１３】コネクタおよび光ファイバーが取り付けられた光通信チップを示す説明図である。
【図１４】第二の実施形態にかかる分割方法（第二分割方法）におけるテープ貼着工程を示す説明図である。
【図１５】第二分割方法における第一の改質層形成工程を示す説明図である。
【図１６】第二分割方法における第三の改質層形成工程を示す説明図である。
【図１７】第二分割方法における第二の改質層形成工程を示す説明図である。
【図１８】第二分割方法における反転工程を示す説明図である。
【図１９】第二分割方法における剥離工程を示す説明図である。
【図２０】第三の実施形態にかかる分割方法（第三分割方法）における剥離工程を示す説明図である。
【図２１】第三分割方法における第一の改質層形成工程を示す説明図である。
【図２２】第三分割方法における第三の改質層形成工程を示す説明図である。
【図２３】第三分割方法における第二の改質層形成工程を示す説明図である。
【図２４】第三分割方法における反転工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
〔実施形態１〕
本発明の第一実施形態にかかるウェーハの分割方法（第一分割方法）を、図面を用いて詳細に説明する。まず、第一実施形態にかかるウェーハついて、簡単に説明する。
【００１８】
図１に示すように、第一実施形態にかかるウェーハ１は、たとえば、円板状のシリコン基板である。ウェーハ１の表面２ａには、デバイス領域５が形成されている。デバイス領域５では、格子状の分割予定ライン３によって区画された領域のそれぞれに、光通信デバイス４が形成されている。ウェーハ１の裏面２ｂは、光通信デバイス４を有しておらず、研削砥石などによって研削される。
【００１９】
図２に示すように、光通信デバイス４は、光信号の経路である光導波路８、光導波路８を介して光信号を送受信する光回路７、および、光回路７を制御する制御回路６を有している。光導波路８は、光通信すなわち光データ通信を実施するための光信号の経路であり、直線状に形成されている。すなわち、光導波路８は、光通信デバイス４と外部との間で送受信される光信号の伝達経路となる。
制御回路６は、たとえば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）であり、光回路７との間で電気信号を送受信する。光回路７は、たとえば、光源、光変調器、合波器、光検出器および分波器を備えている（全て図示せず）。光回路７は、たとえば、制御回路６からの電気信号を光信号に変換し、光導波路８を介して外部に送信する。さらに、光回路７は、たとえば、光導波路８を介して外部から受信した光信号を電気信号に変換し、制御回路６に伝達する。
【００２０】
第一分割方法では、ウェーハ１は、分割予定ライン３に沿って分割される。これにより、ウェーハ１が、それぞれ１個の光通信デバイス４を含む複数の光通信チップに分割される。そして、図１および図２に示すように、分割予定ライン３は、光導波路８の延在方向に対して平行な第一の分割予定ライン３ａ、および、光導波路の延在方向に対して直交する第二の分割予定ライン３ｂを含む。
【００２１】
（１）テープ貼着工程
第一分割方法では、まず、テープ貼着工程が実施される。テープ貼着工程では、ウェーハ１の裏面２ｂの全面に、粘着テープを貼着する。図３に示すように、環状のリングフレームＦに張られた粘着テープＳに、ウェーハ１の裏面２ｂが貼着されることにより、ウェーハ１がリングフレームＦに保持される。
【００２２】
リングフレームＦは、ウェーハ１を収容する部材であり、開口Ｆ１を有している。テープ貼着工程では、リングフレームＦの開口Ｆ１を塞ぐように、リングフレームＦに、粘着テープＳが貼着される。この粘着テープＳにウェーハ１の裏面２ｂを貼着することによって、粘着テープＳを介して、リングフレームＦがウェーハ１を支持あるいは保持する。これにより、リングフレームＦ、粘着テープＳおよびウェーハ１を含むワークセットＷが形成される。
【００２３】
（２）保持工程および改質層形成工程
次に、レーザー加工装置を用いて、ウェーハ１を保持テーブルによって保持する保持工程、および、保持されたウェーハ１に改質層を形成する改質層形成工程が実施される。まず、これらの工程において用いられるレーザー加工装置の構成について説明する。
【００２４】
図４に示すように、レーザー加工装置１０は、直方体状の基台１１、基台１１の一端に立設された立壁部１３、および、レーザー加工装置１０の各部材を制御する制御手段５１を備えている。
【００２５】
基台１１の上面には、保持テーブル４３を移動させる保持テーブル移動機構１４が設けられている。保持テーブル移動機構１４は、保持テーブル４３を、Ｘ軸方向に加工送りするとともに、Ｙ軸方向に割り出し送りする。保持テーブル移動機構１４は、保持テーブル４３を備えた保持テーブル部４０、保持テーブル４３を割り出し送り方向に移動する割り出し送り部２０、および、保持テーブル４３を加工送り方向に移動する加工送り部３０を備えている。
【００２６】
割り出し送り部２０は、Ｙ軸方向に延びる一対のガイドレール２３、ガイドレール２３に載置されたＹ軸テーブル２４、ガイドレール２３と平行に延びるボールネジ２５、および、ボールネジ２５を回転させる駆動モータ２６を含んでいる。
一対のガイドレール２３は、Ｙ軸方向に平行に、基台１１の上面に配置されている。Ｙ軸テーブル２４は、一対のガイドレール２３上に、これらのガイドレール２３に沿ってスライド可能に設置されている。Ｙ軸テーブル２４上には、加工送り部３０および保持テーブル部４０が載置されている。
【００２７】
ボールネジ２５は、Ｙ軸テーブル２４の下面側に設けられたナット部（図示せず）に螺合されている。駆動モータ２６は、ボールネジ２５の一端部に連結されており、ボールネジ２５を回転駆動する。ボールネジ２５が回転駆動されることで、Ｙ軸テーブル２４、加工送り部３０および保持テーブル部４０が、ガイドレール２３に沿って、割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に移動する。
【００２８】
加工送り部３０は、Ｘ軸方向に延びる一対のガイドレール３１、ガイドレール３１上に載置されたＸ軸テーブル３２、ガイドレール３１と平行に延びるボールネジ３３、および、ボールネジ３３を回転させる駆動モータ３５を備えている。一対のガイドレール３１は、Ｘ軸方向に平行に、Ｙ軸テーブル２４の上面に配置されている。Ｘ軸テーブル３２は、一対のガイドレール３１上に、これらのガイドレール３１に沿ってスライド可能に設置されている。Ｘ軸テーブル３２上には、保持テーブル部４０が載置されている。
【００２９】
ボールネジ３３は、Ｘ軸テーブル３２の下面側に設けられたナット部（図示せず）に螺合されている。駆動モータ３５は、ボールネジ３３の一端部に連結されており、ボールネジ３３を回転駆動する。ボールネジ３３が回転駆動されることで、Ｘ軸テーブル３２および保持テーブル部４０が、ガイドレール３１に沿って、加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動する。
【００３０】
保持テーブル部４０は、ウェーハ１を保持する保持テーブル４３、保持テーブル４３の周囲に設けられたクランプ部４５、および、保持テーブル４３を支持するθテーブル４７を有している。θテーブル４７は、Ｘ軸テーブル３２の上面に、ＸＹ平面内で回転可能に設けられている。保持テーブル４３は、ウェーハ１を吸着保持するための部材である。保持テーブル４３は、円板状に形成されており、θテーブル４７上に設けられている。
【００３１】
保持テーブル４３の上面には、ポーラスセラミックス材を含む保持面が形成されている。この保持面は、吸引源（図示せず）に連通されている。保持テーブル４３の周囲には、支持アームを含む４つのクランプ部４５が設けられている。４つのクランプ部４５は、エアアクチュエータ（図示せず）により駆動されることで、保持テーブル４３に保持されているウェーハ１の周囲のリングフレームＦを、四方から挟持固定する。
【００３２】
レーザー加工装置１０の立壁部１３は、保持テーブル移動機構１４の後方に立設されている。立壁部１３の前面に、ウェーハ１をレーザー加工するためのレーザー加工ユニット１２が設けられている。レーザー加工ユニット１２は、ウェーハ１にレーザー光線を照射する加工ヘッド１８、および、加工ヘッド１８を支持するアーム部１７を有している。アーム部１７は、立壁部１３から、保持テーブル移動機構１４の方向に突出している。加工ヘッド１８は、保持テーブル移動機構１４の保持テーブル４３に対向するように、アーム部１７の先端に支持されている。
【００３３】
アーム部１７及び加工ヘッド１８内には、レーザー加工ユニット１２の光学系が設けられている。図５に示すように、加工ヘッド１８は、固体レーザー光源である発振部５３、および、発振部５３の下方に設けられた集光レンズ５４を備えている。加工ヘッド１８は、発振部５３から出力されたレーザー光線Ｌを、集光レンズ５４によって集光し、保持テーブル４３上に保持されたウェーハ１に照射する。これにより、ウェーハ１がレーザー加工される。
【００３４】
加工ヘッド１８から出射されるレーザー光線Ｌは、パルスレーザー光線であり、ウェーハ１に対して透過性を有するような波長を有している。この波長は、たとえば、約１３００ｎｍ（たとえば１３４２ｎｍ）であってもよい。このレーザー光線Ｌを集光させることによって得られる集光点Ｐは、光学系によって、ウェーハ１の内部における任意の位置に配置されることが可能である。
【００３５】
加工ヘッド１８からのレーザー光線Ｌの照射により、ウェーハ１の内部に、レーザー光線Ｌの集光点Ｐが位置づけられる。この集光点Ｐが、ウェーハ１の内部で相対的に移動することによって、ウェーハ１内に、分割起点となる改質層が形成される。
【００３６】
すなわち、ウェーハ１の材料は、レーザー光線Ｌの照射によって改質される。ウェーハ１におけるレーザー光線Ｌの照射部分（集光点Ｐの通過部分）は、改質されて、密度、屈折率、および機械的強度等の物理的特性が他の部分と異なる改質層となり、他の部分よりも弱い強度を有する。改質層は、たとえば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、および、これらが混在する領域を含む。改質層は、このような領域を含むため、他の部分に比べて割れやすい。第一分割方法では、この改質層を分割予定ライン３に沿って形成し、ウェーハ１を分割予定ライン３に沿って分割することによって、複数の光通信チップを得る。
【００３７】
なお、加工ヘッド１８の発振部５３がＯＮのとき（改質層を形成するとき）のレーザー光線Ｌの出力は、たとえば１．２ｋＷであり、ＯＦＦのとき（改質層を形成しないとき）の出力は、たとえば０〜０．１ｋｗの範囲にある。また、レーザー光線Ｌの繰り返し周波数は、たとえば９０ｋＨｚである。さらに、ウェーハ１に対する集光点Ｐの相対的な移動速度である加工送り速度は、加工ヘッド１８の種類によって異なり、たとえば、３４０ｍｍ／ｓ、あるいは、５００〜７００ｍｍ／ｓの範囲である。
【００３８】
制御手段５１は、レーザー加工装置１０の各構成要素を統括制御する。制御手段５１は各種の処理を実行するプロセッサを備えている。制御手段５１には、各種検出器（図示せず）からの検出結果が入力される。制御手段５１は、駆動モータ２６、駆動モータ３５、θテーブル４７および加工ヘッド１８等に制御信号を出力する。
【００３９】
次に、このレーザー加工装置１０を用いた第一分割方法の保持工程について説明する。まず、ウェーハ１を含むワークセットＷを、レーザー加工装置１０の保持テーブル移動機構１４における保持テーブル４３に載置する。これに応じて、制御手段５１は、図６に示すように、吸引源を制御して、保持テーブル４３に、ワークセットＷのウェーハ１の裏面２ｂを、粘着テープＳを介して吸着保持させる。さらに、制御手段５１は、クランプ部４５のエアアクチュエータを制御して、保持テーブル４３に保持されているウェーハ１の周囲のリングフレームＦを、４つのクランプ部４５によって四方から挟持固定する。これにて、保持テーブル４３によって、粘着テープＳを介してウェーハ１が保持され、保持工程が完了する。
【００４０】
次に、改質層形成工程について説明する。改質層形成工程は、第一の分割予定ライン３ａに関する第一の改質層形成工程と、第二の分割予定ライン３ｂに関する第二の改質層形成工程および第三の改質層形成工程とを含んでいる。
なお、第一〜第三の改質層形成工程では、レーザー光線Ｌの波長、出力および繰り返し周波数、および、加工送り速度を、実質的に等しくすることができる。すなわち、第一の改質層形成工程、第二の改質層形成工程および第三の改質層形成工程では、実質的に同じレーザー光線Ｌを用いて、改質層を形成することができる。
【００４１】
第一の改質層形成工程では、第一の分割予定ライン３ａ（図１参照）に沿って、直線状の第一の改質層を形成する。すなわち、レーザー光線Ｌを、ウェーハ１の表面２ａの上方から、第一の分割予定ライン３ａに照射する。この際、レーザー光線Ｌの集光点Ｐ（図５参照）が、ウェーハ１の内部における所定の深さ位置に配される。このレーザー光線Ｌの集光点Ｐを、第一の分割予定ライン３ａに沿って移動させる。これにより、直線状の第一の改質層を形成する。
【００４２】
より詳細には、第一の改質層形成工程の開始時では、ウェーハ１は、図３に示す保持テーブル部４０の保持テーブル４３に保持されている。このウェーハ１の第一の分割予定ライン３ａがＸ軸方向に平行となるように、制御手段５１が、保持テーブル部４０におけるθテーブル４７の回転位置を制御する。
【００４３】
さらに、制御手段５１は、加工ヘッド１８からのレーザー光線Ｌの集光点Ｐの、ＸＹ平面内での位置を調整する。すなわち、制御手段５１は、割り出し送り部２０および加工送り部３０を制御して、１本の第一の分割予定ライン３ａにおける端部に、加工ヘッド１８からのレーザー光線Ｌの集光点Ｐが位置するように、加工ヘッド１８と保持テーブル４３とのＸＹ平面内での相対位置を調整する。
【００４４】
次に、制御手段（出力制御部）５１は、レーザー光線Ｌの集光点ＰのＺ軸方向での位置である深さ位置を調整する。すなわち、制御手段５１は、レーザー光線Ｌの集光点Ｐが、ウェーハ１の内部における所定の深さ位置に配されるように、加工ヘッド１８の光学系（集光レンズ５４等）を調整する。
【００４５】
この状態で、制御手段５１は、加工送り部３０を制御して、加工ヘッド１８が、第一の分割予定ライン３ａに沿って、レーザー光線Ｌを照射しながら、ウェーハ１に対して相対的に移動するように、ウェーハ１を保持している保持テーブル４３を、Ｘ軸テーブル３２とともに移動させる。すなわち、制御手段５１は、第一の分割予定ライン３ａを、レーザー光線Ｌによって走査する。これによって、第一の分割予定ライン３ａに沿って、直線状の第一の改質層が形成される。そして、制御手段５１は、１本の第一の分割予定ライン３ａを、レーザー光線Ｌの集光点Ｐの深さ位置を変えながら、たとえば４回（２往復）にわたって走査する。その結果、図９に示すように、第一の分割予定ライン３ａに、４本の第一の改質層６１が形成される。
このようにして、制御手段５１は、ウェーハ１における全ての第一の分割予定ライン３ａに、４本の第一の改質層６１を形成する。これにより、第一の改質層形成工程が完了する。
【００４６】
第二の改質層形成工程では、ウェーハ１の裏面２ｂ近くの深さ位置で、第二の分割予定ライン３ｂ（図１参照）に沿って、直線状の第二の改質層を形成する。すなわち、レーザー光線Ｌを、ウェーハ１の表面２ａの上方から、第二の分割予定ライン３ｂに照射する。この際、図７に示すように、レーザー光線Ｌの集光点Ｐが、ウェーハ１の裏面２ｂ近くの深さ位置に配される。このレーザー光線Ｌの集光点Ｐを、第二の分割予定ライン３ｂに沿って移動する。これにより、直線状の第二の改質層６２を形成する。
【００４７】
より詳細には、まず、ウェーハ１の第二の分割予定ライン３ｂがＸ軸方向に平行となるように、制御手段５１が、保持テーブル部４０におけるθテーブル４７の回転位置を制御する。
さらに、制御手段５１は、割り出し送り部２０および加工送り部３０を制御して、１本の第二の分割予定ライン３ｂにおける端部に、加工ヘッド１８からのレーザー光線Ｌの集光点Ｐが位置するように、加工ヘッド１８と保持テーブル４３とのＸＹ平面内での相対位置を調整する。
【００４８】
次に、制御手段５１は、発振部５３から出力されるレーザー光線Ｌの集光点Ｐが、ウェーハ１の内部における裏面２ｂ近くの深さ位置に配されるように、加工ヘッド１８の光学系を調整する。この状態で、制御手段５１は、加工送り部３０を制御して、加工ヘッド１８が、第二の分割予定ライン３ｂに沿って、レーザー光線Ｌを照射しながら、ウェーハ１に対して相対的に移動するように、保持テーブル４３を移動させる。すなわち、制御手段５１は、第二の分割予定ライン３ｂを、レーザー光線Ｌによって走査する。これによって、第二の分割予定ライン３ｂに沿って、直線状の第二の改質層６２が形成される。そして、制御手段５１は、レーザー光線Ｌの集光点Ｐの深さ位置を、裏面２ｂの近傍において僅かに変えながら、１本の第二の分割予定ライン３ｂを、たとえば２回（１往復）にわたって走査する。その結果、図９に示すように、ウェーハ１の裏面２ｂの近傍に、第二の分割予定ライン３ｂごとに、２本の第二の改質層６２が形成される。
このようにして、制御手段５１は、ウェーハ１における全ての第二の分割予定ライン３ｂに、２本の第二の改質層６２を形成する。これにより、第二の改質層形成工程が完了する。
【００４９】
第三の改質層形成工程では、ウェーハ１の表面２ａ近くの深さ位置で第二の分割予定ライン３ｂに沿って、光導波路８にかかる部分に形成されない破線状の第三の改質層を形成する。すなわち、この工程では、第二の分割予定ライン３ｂに沿ったウェーハ１の表面２ａ近くの深さ位置であっても、光導波路８にかかる部分には、第三の改質層が形成されない。
【００５０】
この工程では、レーザー光線Ｌをウェーハ１の表面２ａの上方から、第二の分割予定ライン３ｂに照射する。この際、図８に示すように、ウェーハ１の集光点Ｐが、第二の改質層６２よりもウェーハ１の表面２ａ近くの深さ位置に位置づけられる。このレーザー光線Ｌの集光点Ｐを、第二の分割予定ライン３ｂに沿って移動する。さらに、第二の分割予定ライン３ｂの光導波路８にかかる部分では、レーザー光線Ｌの出力をＯＦＦにする。これにより、破線状の第三の改質層６３を形成する。
【００５１】
より詳細には、第二の改質層形成工程の後、制御手段５１は、割り出し送り部２０および加工送り部３０を制御して、１本の第二の分割予定ライン３ｂにおける端部に、加工ヘッド１８からのレーザー光線Ｌの集光点Ｐが位置するように、加工ヘッド１８と保持テーブル４３との相対位置を調整する。
【００５２】
次に、制御手段５１は、図８に示すように、発振部５３から出力されるレーザー光線Ｌの集光点Ｐが、第二の改質層６２よりもウェーハ１の表面２ａに近い深さ位置に配されるように、加工ヘッド１８の光学系を調整する。この状態で、制御手段５１は、加工送り部３０を制御して、加工ヘッド１８が、第二の分割予定ライン３ｂに沿って、レーザー光線Ｌを照射しながら、ウェーハ１に対して相対的に移動するように、保持テーブル４３を移動させる。すなわち、制御手段５１は、第二の分割予定ライン３ｂを、レーザー光線Ｌによって走査する。
【００５３】
なお、図９に示すように、第二の分割予定ライン３ｂは、光通信デバイス４の光導波路８を横切るように延びている。そして、第三の改質層形成工程では、制御手段５１は、レーザー光線Ｌによる第二の分割予定ライン３ｂの走査中、光導波路８の形成位置の近傍（光導波路８にかかる部分）に集光点Ｐが達したときに、加工ヘッド１８によるレーザー光線Ｌの出力をＯＦＦとし、第三の改質層６３の形成を中断する。さらに、制御手段５１は、光導波路８の形成位置の近傍から集光点Ｐが脱したときに、加工ヘッド１８によるレーザー光線Ｌの出力をＯＮとし、第三の改質層６３の形成を再開する。
【００５４】
これによって、第二の分割予定ライン３ｂに沿って、全体として破線状の第三の改質層６３が形成される。そして、制御手段５１は、レーザー光線Ｌの集光点Ｐの深さ位置を、表面２ａの近傍において僅かに変えながら、１本の第二の分割予定ライン３ｂを、たとえば２回（１往復）にわたって走査する。その結果、図９に示すように、ウェーハ１の表面２ａの近傍に、第二の分割予定ライン３ｂに、２本の第三の改質層６３が形成される。
このようにして、制御手段５１は、ウェーハ１における全ての第二の分割予定ライン３ｂに、２本の第三の改質層６３を形成する。これにより、第三の改質層形成工程が完了する。
【００５５】
以上により、第一の改質層形成工程、第二の改質層形成工程および第三の改質層形成工程が完了する。その結果、図９に示すように、第一の分割予定ライン３ａに沿って４本の第一の改質層６１が形成され、第二の分割予定ライン３ｂに沿って、２本の第二の改質層６２および２本の第三の改質層６３が形成される。第三の改質層形成工程では、光導波路８の形成位置の近傍に集光点Ｐが達したときに、レーザー光線Ｌの出力をＯＦＦとされている。このため、図９に示すように、第三の改質層６３の形成位置に、改質層の形成されていない未処理部分６４が設けられている。このため、第三の改質層６３が、破線状に、不連続的に形成されている。
【００５６】
（３）分割工程
次に、エキスパンド装置を用いて、ウェーハ１を複数の光通信チップに分割する分割工程について説明する。分割工程では、第一の改質層６１、第二の改質層６２および第三の改質層６３に外力を付与して、各改質層を起点にウェーハ１を分割する。これにより、複数の光通信チップを取得する。光通信チップでは、４つの側面のうちの１つの面に、光導波路８の端面が露出する。
【００５７】
特に、第一分割方法における分割工程では、ウェーハ１に貼着されている粘着テープＳを、ウェーハ１の径方向に拡張することによって、第一の改質層６１、第二の改質層６２および第三の改質層６３に外力を付与して、ウェーハ１を分割する。
【００５８】
まず、分割工程において用いられるエキスパンド装置７０の構成について説明する。図１０に示すように、エキスパンド装置７０は、ワークセットＷを載置するための拡張ドラム７１、拡張ドラム７１の周囲に設けられたフレーム保持部材７３、および、フレーム保持部材７３の下方に設けられたエアシリンダ７９を備えている。
【００５９】
拡張ドラム７１は、ウェーハ１を含むワークセットＷが載置される台である。拡張ドラム７１は、その内周側に、多孔質部材によって形成された吸引テーブル（図示せず）を備えている。吸引テーブルは、ワークセットＷにおける粘着テープＳを介して、ウェーハ１を吸引保持する。
【００６０】
フレーム保持部材７３は、拡張ドラム７１に載置されているワークセットＷの外縁を挟むことによって、ウェーハ１を保持する。これにより、ワークセットＷが、エキスパンド装置７０に固定される。フレーム保持部材７３は、粘着テープＳが載置される載置面７４、および、載置面７４の上部に配されたクランプ７５を備えている。載置面７４には、ウェーハ１に粘着されている粘着テープＳの外縁が載置される。クランプ７５は、粘着テープＳを介してウェーハ１を保持しているリングフレームＦの外縁を、上側から押さえる。エアシリンダ７９は、フレーム保持部材７３のＺ方向での位置である高さ位置を調整する。フレーム保持部材７３の高さ位置は、フレーム保持部材７３の拡張ドラム７１に対する相対位置である。
【００６１】
次に、このエキスパンド装置７０を用いた分割工程について説明する。まず、ウェーハ１を含むワークセットＷが、レーザー加工装置１０のＸ軸テーブル３２（図８参照）から取り外されて、図１０に示すエキスパンド装置７０にセットされる。
【００６２】
具体的には、図１０に示すように、粘着テープＳの外縁を、フレーム保持部材７３の載置面７４上に載置する。さらに、クランプ７５によって、リングフレームＦを上側から押さえる。これにより、ウェーハ１を含むワークセットＷの外縁（粘着テープＳの外縁）が、載置面７４とクランプ７５とによって挟まれる。これにより、ワークセットＷが、エキスパンド装置７０に固定される。また、このとき、フレーム保持部材７３の載置面７４が、拡張ドラム７１の上端と略同一の高さとなるように、エアシリンダ７９によって、フレーム保持部材７３の高さ位置を調整する。このときのフレーム保持部材７３の高さ位置を、基準位置とする。
【００６３】
次いで、エアシリンダ７９によって、フレーム保持部材７３を、図１１に示すように、基準位置よりも低い拡張位置に下降する（矢印Ｄ参照）。これにより、フレーム保持部材７３の載置面７４上に挟持されているワークセットＷの外縁も下降する。このため、リングフレームＦに装着された粘着テープＳは、拡張ドラム７１の上端縁に当接して、主に半径方向に拡張される。
【００６４】
その結果、粘着テープＳに貼着されているウェーハ１には、放射状に引張力が作用する。ここで、第一の分割予定ライン３ａに沿って形成された第一の改質層６１と、第二の分割予定ライン３ｂに沿って形成された第二の改質層６２および第三の改質層６３とは、比較的に弱い強度を有する。したがって、ウェーハ１に放射状に引張力が作用すると、改質層６１〜６３が分割基点となって、ウェーハ１が、第一の分割予定ライン３ａおよび第二の分割予定ライン３ｂに沿って、それぞれが光通信デバイス４を有する複数の光通信チップＣに分割される。
【００６５】
図１２に示すように、光通信チップＣは、一対の第一の側面８１と一対の第二の側面８３との、４つの側面を有している。第一の側面８１は、第一の改質層６１が形成されていた面である。第二の側面８３は、第二の改質層６２および第三の改質層６３が形成されていた面である。第二の側面８３は、割断面８４を含んでいる。この割断面８４は、改質層の形成されていない未処理部分６４に応じた断面である。そして、この割断面８４に、光通信デバイス４の光導波路８の端面が露出している。
【００６６】
（４）コネクタ接着工程
次に、分割工程によって得られた光通信チップに、コネクタおよび光ファイバーを取り付けるコネクタ接着工程について説明する。
【００６７】
図１２に示す割断面８４は、コネクタ９１を接着するための部分である。コネクタ接着工程では、割断面８４に、接着剤Ｇを用いて、コネクタ９１を接着する。さらに、コネクタ９１に、光ファイバー９３を取り付ける。これにより、図１３に示すように、コネクタ９１および光ファイバー９３を備えた光通信チップＣを得ることができる。
【００６８】
以上のように、第一分割方法では、第一の分割予定ライン３ａに沿って、直線状の第一の改質層６１が形成されている。一方、第二の分割予定ライン３ｂに沿って、ウェーハ１の裏面２ｂ側（裏面２ｂ近くの深さ位置）に、直線状の第二の改質層６２が形成されている。さらに、この第二の分割予定ライン３ｂ沿いには、ウェーハ１の表面２ａ側（表面２ａ近くの深さ位置）に、第三の改質層６３が形成されている。第二の分割予定ライン３ｂは、光導波路８の延在方向に直交している。このため、第二の改質層６２および第三の改質層６３も、光導波路８と直交するように形成される。
【００６９】
光導波路８を含む光通信デバイス４は、ウェーハ１の表面２ａに形成されている。したがって、光導波路８は、ウェーハ１の表面２ａ付近で、ウェーハ１の表面２ａ側に延びる第三の改質層６３と交叉する。また、第一分割方法では、第三の改質層６３は、光導波路８にかかる部分には形成されていない。すなわち、第三の改質層６３は、ウェーハ１の表面２ａ側で、光導波路８にかかる部分をまたぐように、全体として破線状に形成されている。なお、光導波路８にかかる部分は、たとえば、光導波路８に近い部分、あるいは、光導波路８に隣接している部分である。
【００７０】
ウェーハ１は、第一の改質層６１、第二の改質層６２および第三の改質層６３に外力が付与されることにより、これらの改質層６１〜６３を起点に、複数の光通信チップＣに分割される。ここで、ウェーハ１の光導波路８にかかる部分に、第三の改質層６３は形成されていない。このため、光導波路８は、分割によって、改質層ではない部分の断面である割断面８４を含む光通信チップＣの側面（光通信チップＣにおける４つの側面のうちの１つの面）６３に露出する。
【００７１】
このように、第一分割方法では、光導波路８が、割断面８４を含む光通信チップＣの側面に露出する。このため、光通信チップＣの光導波路８に接続されるコネクタ９１が、割断面８４に接着されることになる。すなわち、第一分割方法では、コネクタ９１を接着する光通信チップＣの側面を、割断面８４にすることができる。
【００７２】
ここで、割断面８４は、改質層の断面よりも、高い平滑性を有する。このため、割断面８４にコネクタ９１を接着することにより、光通信チップＣの第二の側面８３に、コネクタ９１を密着させて接着できる。そのため、コネクタ９１に取り付けられた光ファイバー９３と光導波路８とを、実質的に直線状に接続することができる。さらに、光ファイバー９３と光導波路８との間に隙間が発生することを抑制することができる。したがって、光通信不良の発生を抑制することが可能となる。
【００７３】
また、第一分割方法では、ウェーハ１の裏面２ｂ側では、第二の分割予定ライン３ｂに沿って、直線状の第二の改質層６２が形成される。すなわち、図９に示すように、未処理部分６４の裏面２ｂ側に、第二の改質層６２が形成されている。これにより、第二の分割予定ライン３ｂに沿った分割の際に、未処理部分６４に応じた割断面８４に応力が集中することを抑制することができる。その結果、割断面８４に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。
また、第一分割方法では、リングフレームＦを用いて、ウェーハ１および粘着テープＳを含むワークセットＷを形成している。これにより、ウェーハ１の取り扱いを容易にすることができる。また、粘着テープＳをウェーハ１の径方向に拡張することにより、改質層６１〜６３に対して簡単に外力を付与することができる。このため、分割予定ライン３に沿ってウェーハ１を容易に分割することができる。
【００７４】
〔実施形態２〕
本発明の第二の実施形態にかかるウェーハの分割方法（第二分割方法）ついて説明する。第一分割方法では、保持工程および改質層形成工程の際に、ウェーハ１の裏面２ｂ側がレーザー加工装置１０の保持テーブル４３に載置され、表面２ａ側からレーザー光線Ｌが照射される（図７参照）。これに対し、第二分割方法では、ウェーハ１の表面２ａ側がレーザー加工装置１０の保持テーブル４３に載置され、裏面２ｂ側からレーザー光線Ｌが照射される。以下に、第二分割方法を、第一分割方法と異なる点を中心に説明する。
【００７５】
第二分割方法では、まず、図１４に示すように、ウェーハ１の表面２ａに、表面２ａを保護するための保護テープＴが貼着される。その後、保持工程が実施される。
第二分割方法の保持工程等では、第一分割方法と同様に、レーザー加工装置１０が用いられる（図４参照）。第二分割方法において使用されるレーザー加工装置１０では、保持テーブル部４０が、図１４に示すように、粘着テープを貼着するための粘着テープローラ４８、および、ワークセットＷのリングフレームＦを支持するリング状のフレーム保持部４９をさらに備えている。
【００７６】
（１）保持工程
第二分割方法の保持工程では、図１４に示すように、レーザー加工装置１０の保持テーブル４３に保護テープ（ＢＧテープ）Ｔが対向するように、ウェーハ１を保持テーブル４３に載置する。さらに、フレーム保持部４９に、リングフレームＦを載置する。
これに応じて、制御手段５１の制御により、図１４に示すように、保持テーブル４３の保持面が、保護テープＴを保持し、保護テープＴを介してウェーハ１の表面２ａを吸着保持する。これにて、保持工程が終了する。
【００７７】
（２）テープ貼着工程
次に、テープ貼着工程が実施される。第二分割方法の貼着工程では、図１４に示すように、保持テーブル４３に保持されているウェーハ１、および、フレーム保持部４９に保持されているリングフレームＦに対して、粘着テープＳが貼着される。粘着テープＳは、レーザー光線Ｌを透過する材料からなる。
粘着テープＳの貼着では、ウェーハ１の裏面２ｂおよびリングフレームＦに粘着テープＳが載置され、粘着テープローラ４８が、粘着テープＳを、上方から、ウェーハ１の裏面２ｂおよびリングフレームＦに押し付ける。これにより、粘着テープローラ４８が、ウェーハ１の裏面２ｂおよびリングフレームＦに貼着される。
【００７８】
（３）改質層形成工程
次に、改質層形成工程が実施される。第二分割方法における第一の改質層形成工程では、図１５に示すように、レーザー光線Ｌを、粘着テープＳ側からウェーハ１に照射する。このレーザー光線Ｌの集光点Ｐで、第一の分割予定ライン３ａに沿って、第一の改質層６１を形成する。他の点については、第一分割方法における第一の改質層形成工程と同様である。これにより、ウェーハ１における全ての第一の分割予定ライン３ａに、たとえば４本の第一の改質層６１が形成される。
【００７９】
第二分割方法では、第一の改質層形成工程の後、第一の改質層形成工程と同様のレーザー光線Ｌを用いて、第三の改質層形成工程が実施される。第二分割方法における第三の改質層形成工程では、図１６に示すように、レーザー光線Ｌを、粘着テープＳ側からウェーハ１に照射する。このレーザー光線Ｌの集光点Ｐで、第二の分割予定ライン３ｂに沿って、第三の改質層６３を形成する。他の点については、第一分割方法における第三の改質層形成工程と同様である。これにより、ウェーハ１における全ての第二の分割予定ライン３ｂに、たとえば２本の、破線状の第三の改質層６３が形成される。第一分割方法と同様に、光導波路８にかかる部分には、第三の改質層６３は形成されない。
【００８０】
次に、第一および第三の改質層形成工程と同様のレーザー光線Ｌを用いて、第二の改質層形成工程が実施される。第二分割方法における第二の改質層形成工程では、図１７に示すように、レーザー光線Ｌを、粘着テープＳ側からウェーハ１に照射する。このレーザー光線Ｌの集光点Ｐで、第二の分割予定ライン３ｂに沿って、第二の改質層６２を形成する。他の点については、第一分割方法における第二の改質層形成工程と同様である。これにより、ウェーハ１における全ての第二の分割予定ライン３ｂに、たとえば２本の、直線状の第二の改質層６２が形成される。
【００８１】
（４）反転工程、保護テープ剥離工程、分割工程およびコネクタ接着工程
改質層形成工程後、ウェーハ１が保持テーブル４３から取り外される。そして、反転工程が実施される。すなわち、図１８に示すように、反転装置１００を用いて、リングフレームＦを把持し、ウェーハ１を、粘着テープＳ、保護テープＴおよびリングフレームＦとともに反転する。その結果、ウェーハ１の表裏が逆向きにされる。
【００８２】
その後、図１９に示すように、剥離工程が実施される。すなわち、剥離装置１０１を用いて保護テープＴを把持し、ウェーハ１の表面２ａから、保護テープＴを剥離する。なお、反転工程および剥離工程は、改質層形成工程の後、分割工程が実施されるまでに行われる。次に、第一分割方法と同様に、分割工程およびコネクタ接着工程が実施される。これにより、第二分割方法が完了し、図１３に示すような光通信チップＣを得ることができる。
【００８３】
このように、第二分割方法では、保護テープＴを用いることにより、ウェーハ１を、表面２ａ側から保持テーブル４３で保持することが可能となる。これにより、ウェーハ１の裏面２ｂ側からのレーザー光線Ｌの照射による改質層形成が可能となる。
【００８４】
〔実施形態３〕
本発明の第三の実施形態にかかるウェーハの分割方法（第三分割方法）ついて説明する。第二分割方法では、改質層形成工程の際に、ウェーハ１が、保護テープＴを介して保持テーブル４３に吸着保持されている。これに対し、第三分割方法では、改質層形成工程の際、保持テーブル４３の保持面に、多孔質シートＭが載置されている。そして、この多孔質シートＭを介して、ウェーハ１が保持テーブル４３に保持されている。以下に、第三分割方法を、第二分割方法と異なる点を中心に説明する。
【００８５】
（１）テープ貼着工程および剥離工程
第三分割方法では、第二分割方法と同様のテープ貼着工程が実施される。すなわち、図１４に示すように、ウェーハ１の表面２ａに保護テープＴが貼着され、ウェーハ１が、保護テープＴを介して、レーザー加工装置１０（図４参照）の保持テーブル４３に載置される。その後、保持テーブル４３に保持されているウェーハ１、および、フレーム保持部４９に保持されているリングフレームＦに対して、粘着テープローラ４８により、粘着テープＳが貼着される。
【００８６】
テープ貼着工程の後、ウェーハ１を、保持テーブル４３から取り外す。次に、剥離工程が実施される。すなわち、図２０に示すように、剥離装置１０１を用いて保護テープＴを把持し、ウェーハ１の表面２ａから、保護テープＴを剥離する。
【００８７】
（２）保持工程
次に、保持工程が実施される。第三分割方法の保持工程では、図２１に示すように、レーザー加工装置１０（図４参照）の保持テーブル４３の保持面に、ポーラスセラミックス材を含む多孔質シートＭが載置されている。この多孔質シートＭに、ウェーハ１を、ウェーハ１の表面２ａが多孔質シートＭに対向するように載置する。これに応じて、制御手段５１の制御により吸引源が駆動され、吸引源の吸引力が多孔質シートＭを通ってウェーハ１の表面２ａに作用する。これにより、保持テーブル４３が、多孔質シートＭを介して、ウェーハ１を吸着保持する。
【００８８】
（３）改質層形成工程
次に、改質層形成工程が実施される。第三分割方法における改質層形成工程は、ウェーハ１が、保護テープＴに代えて多孔質シートＭを介して保持テーブル４３に保持されている点を除いて、第二分割方法における改質層形成工程と同様である。
【００８９】
すなわち、第三分割方法における第一〜第三の改質層形成工程では、図２１〜図２３に示すように、レーザー光線Ｌを、粘着テープＳ側からウェーハ１に照射する。このレーザー光線Ｌの集光点Ｐで、第一の改質層６１、第三の改質層６３および第二の改質層６２を、この順で形成する。これにより、たとえば、ウェーハ１の全ての第一の分割予定ライン３ａに、４本の直線状の第一の改質層６１が形成され、ウェーハ１の全ての第二の分割予定ライン３ｂに、２本の破線状の第三の改質層６３および２本の直線状の第二の改質層６２が形成される。第一および第二分割方法と同様に、光導波路８にかかる部分には、第三の改質層６３は形成されない。
【００９０】
（４）反転工程、分割工程およびコネクタ接着工程
改質層形成工程の後、ウェーハ１が保持テーブル４３から取り外される。そして、反転工程が実施される。すなわち、図２４に示すように、反転装置１００を用いて、リングフレームＦを把持し、ウェーハ１を、粘着テープＳ、保護テープＴおよびリングフレームＦとともに反転する。その結果、ウェーハ１の表裏が逆向きにされる。反転工程は、改質層形成工程の後、分割工程が実施されるまでに行われる。次に、第一および第二分割方法と同様に、分割工程およびコネクタ接着工程が実施される。これにより、第三分割方法が完了し、図１３に示すような光通信チップＣを得ることができる。
【００９１】
このように、第三分割方法では、保護テープＴを用いなくとも、多孔質シートＭを利用することにより、ウェーハ１を、表面２ａ側から保持テーブル４３で保持することが可能となる。これにより、ウェーハ１の裏面２ｂ側からのレーザー光線Ｌの照射による改質層形成が可能となる。
【符号の説明】
【００９２】
Ｗ：ワークセット、Ｆ：リングフレーム、Ｓ：粘着テープ、Ｔ：保護テープ、
Ｍ：多孔質シート、
１：ウェーハ、２ａ：表面、２ｂ：裏面、
３：分割予定ライン、３ａ：第一の分割予定ライン、３ｂ：第二の分割予定ライン、
４：光通信デバイス、６：制御回路、７：光回路、８：光導波路、６１：第一の改質層、６２：第二の改質層、６３：第三の改質層、
Ｃ：光通信チップ、８１：第一の側面、８３：第二の側面、８４：割断面、
９１：コネクタ、９３：光ファイバー、
１０：レーザー加工装置、１１：基台、１２：レーザー加工ユニット、１３：立壁部、
１４：保持テーブル移動機構、１８：加工ヘッド、
２０：割り出し送り部、３０：加工送り部、
４０：保持テーブル部、４３：保持テーブル、４７：θテーブル、
５１：制御手段、５３：発振部、５４：集光レンズ、
７０：エキスパンド装置、７１：拡張ドラム、７３：フレーム保持部材、７４：載置面、７５：クランプ、７９：エアシリンダ、
１００：反転装置、１０１：剥離装置
【図１】
2020017592.tif 000003
【図２】
2020017592.tif 000004
【図３】
2020017592.tif 000005
【図４】
2020017592.tif 000006
【図５】
2020017592.tif 000007
【図６】
2020017592.tif 000008
【図７】
2020017592.tif 000009
【図８】
2020017592.tif 000010
【図９】
2020017592.tif 000011
【図１０】
2020017592.tif 000012
【図１１】
2020017592.tif 000013
【図１２】
2020017592.tif 000014
【図１３】
2020017592.tif 000015
【図１４】
2020017592.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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