(57)【要約】【課題】エレクトロルミネセンス表示装置において、エレクトロルミネセンス素子の使用に伴う経時劣化の進行程度の面内の差異を緩和すること。【解決手段】基板上に、ホスト材料にドーパントを添加したエレクトロルミネセント材料からなる発光層を有する複数の画素と、隣接する前記画素を隔てるバンクであって、ブリーチング処理がなされたバンクと、を有し、前記基板の面内において、前記発光層のドーパントの濃度に分布があり、前記バンクに対しなされたブリーチング処理の強度に分布がある、エレクトロルミネセンス表示装置。【選択図】図６
2020136299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ホスト材料にドーパントを添加したエレクトロルミネセント材料からなる発光層を有する複数の画素と、隣接する前記画素を隔てるバンクであって、ブリーチング処理がなされたバンクと、を有し、
前記基板の面内において、前記発光層のドーパントの濃度に分布があり、前記バンクに対しなされたブリーチング処理の強度に分布がある、
エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
前記ドーパントの濃度分布と、前記ブリーチング処理の強度分布に相関がある、
請求項１に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
前記ドーパントの濃度分布と、前記ブリーチング処理の強度分布の相関は、正の相関である、
請求項２に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
基板上に、ホスト材料にドーパントを添加したエレクトロルミネセント材料からなる発光層を有する複数の画素と、隣接する前記画素を隔てるバンクと、を有し、
前記基板の面内において、前記発光層のドーパントの濃度に分布があり、前記バンクの内部又は表面に残留するフォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度に分布がある、
エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５】
前記ドーパントの濃度分布と、前記バンクの内部又は表面に残留するフォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度分布に相関がある、
請求項４に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６】
前記ドーパントの濃度分布と、前記バンクの内部又は表面に残留するフォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度分布の相関は、負の相関である、
請求項５に記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項７】
基板上に、画素を隔てるバンクをフォトリソグラフィーにより形成するステップと、
前記基板上に、ホスト材料にドーパントを添加したエレクトロルミネセンス材料からなる発光層を蒸着により形成するステップと、
前記発光層のドーパント濃度の面内分布又は、前記発光層の経時劣化の程度の面内分布に応じて、前記バンクを面内において不均一にブリーチングするステップと、
を含むエレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記発光層のドーパント濃度の面内分布又は、前記発光層の経時劣化の程度の面内分布を測定するステップを含む、
請求項７に記載のエレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンス表示装置及びエレクトロルミネセンス表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ホスト（主材料）と、少なくとも２種類のドーパント（副材料）とを含む発光層を有するＥＬ素子を含み、前記少なくとも２種類のドーパントは、前記ホストに対してそれぞれ異なる濃度分布を有するＥＬ表示装置が記載されている。同文献には、発光層に添加されるドーパントの濃度分布が変化すると、発光層としての寿命や発光効率に影響がでることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１５７７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
エレクトロルミネセンス表示装置において、発光層に用いられる材料は待機中の水分や酸素などに対する感受性が高く、劣化しやすいため、発光層の製膜には真空蒸着が多く用いられている。しかしながら、真空蒸着は、対象となる基板のサイズが大きくなると、面内で均一に製膜することは難しく、不均一性が生じる。
【０００５】
発光層の材料には、主材料となるホストに対し、所望の発光色を実現するためドーパントを添加したものが用いられる。ここで、出願人らは、ドーパントの濃度がエレクトロルミネセンス素子の寿命に大きな影響を持つことを実験的に見出した。すなわち、ドーパントの濃度が高いほど、エレクトロルミネセンス素子の寿命が短く、使用に伴う経時劣化が進行しやすい。
【０００６】
ドーパントの濃度が、エレクトロルミネセンス表示装置の面内において均一であれば、同表示装置を構成するすべてのエレクトロルミネセンス素子が均等に劣化することとなり、全体として輝度・コントラストの低下は生じるものの、実用上さほど問題とはならない。しかしながら、前述したようにドーパントの濃度には不均一性が存在するため、使用に伴ってエレクトロルミネセンス表示装置の面内における劣化の進行の程度が異なることとなる。この劣化は輝度・コントラストの面内のむらとして視認され、いわゆる焼き付きとして認識されてしまい、早期に実用上支障をきたすこととなりかねない。
【０００７】
本発明は、かかる事情に即してなされたものであり、エレクトロルミネセンス表示装置において、エレクトロルミネセンス素子の使用に伴う経時劣化の進行程度の面内の差異を緩和することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決すべく本出願において開示される発明は種々の側面を有しており、それ
ら側面の代表的なものの概要は以下の通りである。
【０００９】
（１）基板上に、ホスト材料にドーパントを添加したエレクトロルミネセント材料からなる発光層を有する複数の画素と、隣接する前記画素を隔てるバンクであって、ブリーチング処理がなされたバンクと、を有し、前記基板の面内において、前記発光層のドーパントの濃度に分布があり、前記バンクに対しなされたブリーチング処理の強度に分布がある、エレクトロルミネセンス表示装置。
【００１０】
（２）（１）において、前記ドーパントの濃度分布と、前記ブリーチング処理の強度分布に相関がある、エレクトロルミネセンス表示装置。
【００１１】
（３）（２）において、前記ドーパントの濃度分布と、前記ブリーチング処理の強度分布の相関は、正の相関である、エレクトロルミネセンス表示装置。
【００１２】
（４）基板上に、ホスト材料にドーパントを添加したエレクトロルミネセント材料からなる発光層を有する複数の画素と、隣接する前記画素を隔てるバンクと、を有し、前記基板の面内において、前記発光層のドーパントの濃度に分布があり、前記バンクの内部又は表面に残留するフォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度に分布がある、エレクトロルミネセンス表示装置。
【００１３】
（５）（４）において、前記ドーパントの濃度分布と、前記バンクの内部又は表面に残留するフォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度分布に相関がある、エレクトロルミネセンス表示装置。
【００１４】
（６）（５）において、前記ドーパントの濃度分布と、前記バンクの内部又は表面に残留するフォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度分布の相関は、負の相関である、エレクトロルミネセンス表示装置。
【００１５】
（７）基板上に、画素を隔てるバンクをフォトリソグラフィーにより形成するステップと、前記基板上に、ホスト材料にドーパントを添加したエレクトロルミネセンス材料からなる発光層を蒸着により形成するステップと、前記発光層のドーパント濃度の面内分布又は、前記発光層の経時劣化の程度の面内分布に応じて、前記バンクを面内において不均一にブリーチングするステップと、を含むエレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【００１６】
（８）（７）において、前記発光層のドーパント濃度の面内分布又は、前記発光層の経時劣化の程度の面内分布を測定するステップを含む、エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】トップエミッション型のエレクトロルミネセンス表示装置の代表的な構造を説明する部分断面模式図である。
【図２】バンクを形成するプロセスを説明する図である。
【図３】ブリーチング処理を行ったサンプルと、ブリーチング処理を行わなかったサンプルの点灯時間に対する輝度の変化の測定結果を示すグラフである。
【図４】発光層中のドーパント濃度を違えたサンプルの点灯時間に対する輝度の変化の測定結果を示すグラフである。
【図５】エレクトロルミネセンス表示装置に生じる面内のドーパント濃度の分布の例を示すグラフである。
【図６】図５で示したドーパント濃度分布に対し、ブリーチング処理の強度の分布を重ねて示したグラフである。
【図７】部分的に開口したマスクを用いたブリーチング処理を説明する図である。
【図８】ブリーチング処理強度の際によるバンクの断面形状の変化を説明する図である。
【図９】フォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度をドーパント濃度に対して示したグラフの例である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００は、その製造工程及び、その製造工程によって生じる材料特性の分布に特徴がある。そのため、まず、実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００の代表的な構造及びその製造方法を以下説明する。
【００１９】
図１は、トップエミッション型のエレクトロルミネセンス表示装置１００の代表的な構造を説明する部分断面模式図である。なお、ここでは、エレクトロルミネセンス表示装置１００として、トップエミッション型のものを例示しているが、これをボトムエミッション型あるいはその他の形式のものとしても差し支えない。
【００２０】
エレクトロルミネセンス表示装置１００は、基板１、基板１上に形成された回路層２、画素ごとに形成された画素電極３、画素を隔てるバンク４、画素電極３とバンク４上にまたがって形成される正孔輸送層５、画素ごとに独立して形成される発光層６、発光層６を覆う電子輸送層７、共通電極８と封止層９、封止基板１０をこの順に積層した構造となっている。封止基板１０は形成されなくてもよく、またはタッチセンサ等の機能性層であってもよい。
【００２１】
基板１は、絶縁性の基板であり、その材質には特段の限定はない。代表的にはガラスが用いられるが、セラミックスやその他樹脂基板であってよい。また、剛性基板であっても、柔軟で可撓性を有する材質であっても差し支えなく、光線に対して透過性を有していても、有していなくともよい。
【００２２】
回路層２は、エレクトロルミネセンス表示装置１００の各画素の画素電極３に個別に電荷を供給し、また遮断するための電子回路が形成されている層であり、複数の絶縁層と配線、薄膜トランジスタなどを含む。回路層２の構造自体は、種々のものが良く知られており、その詳細は本発明の趣旨と技術的に重要な関係がないため、本明細書では省略する。
【００２３】
画素電極３は、回路層より電荷の供給を受け、画素を構成するエレクトロルミネセンス素子に伝達する電極である。画素電極３の材質・構造に特段の限定はない。本実施形態では、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）層上に、銀、アルミ又は銀・マグネシウム合金等による金属層を積層し、さらにＩＴＯ層を積層した３層構造となっている。また、本実施形態では画素電極３には正電荷が供給されるものとして設計されているが、これを逆にして負電荷が供給されるようにすることもできる。その場合、後述する正電荷輸送層５と負電荷輸送層７は、その配置を逆にする。
【００２４】
バンク４は、画素分離膜あるいは画素分離層とも称され、画素間を隔てる絶縁層であって、格子状の平面形状を呈する。図１に示すように、その断面においては、両端が画素電極３の周縁に重なり合うように、隣接する画素電極３の間に配置され、その端部はテーパ状の傾斜面となっていてもよい。バンク４の材質は、ＳｉＯ、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の無機材料や、適宜の樹脂であってよい。
【００２５】
正電荷輸送層５は、画素電極３に供給された正電荷を発光層６へと輸送する層であり、ここでは、正電荷のキャリアは正孔である。正電荷輸送層５は単層である必要はなく、好ましくは、画素電極５側から、正孔注入層、正孔輸送層及び電子ブロック層をこの順に積層したものである。また、図１では、正電荷輸送層５は各画素に共通に設けられるものとして示されているが、画素ごとに独立して分離するように形成してもよいし、正電荷輸送層５を構成する複数の層の一部について、画素ごとに独立して分離するように形成してもよい。正電荷輸送層５の構成及び、正電荷輸送層５を構成する各層の材料は、種々のものが良く知られているため、本明細書ではその詳細な説明は省略する。
【００２６】
発光層６は、ホスト材料に各種のドーパントを添加することにより、発光層６内で所望の色の発光が生じるよう調整された層である。発光させたい色により添加すべきドーパントの種類及び濃度は異なるため、エレクトロルミネセンス表示装置１００が、例えばＲＧＢ又はＲＧＢＹなど、画素ごとに発光色が異なる場合は、画素の発光色毎に異なるドーパントが添加される。エレクトロルミネセンス表示装置１００が単色、例えば白色に発光するものである場合、発光層６の材質はエレクトロルミネセンス表示装置１００の面内で同一であって良い。この場合、発光層６は、必ずしも、図１に示したように画素ごとに独立して分離するように形成される必要はなく、複数の画素にまたがって共通で形成されてもよい。
【００２７】
負電荷輸送層７は、共通電極８から負電荷を発光層６へと輸送する層であり、ここでは負電荷のキャリアは電子である。負電荷輸送層５もまた単層である必要はなく、好ましくは、共通電極８側から、電子注入層、電子輸送層及び正孔ブロック層をこの順に積層したものである。負電荷輸送層７は、図１では各画素に共通に設けられるものとして示されているが、これを画素ごとに独立して分離するように形成してもよく、また負電荷輸送層７を構成する複数の層の一部について、画素ごとに独立して分離するように形成してもよい。負電荷輸送層７の構成及び、負電荷輸送層７を構成する各層の材料についても、種々のものが良く知られているため、本明細書ではその詳細な説明は省略する。
【００２８】
共通電極８は、各画素に共通に設けられる透明導電性薄膜であり、ＩＴＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）又はＩＧＺＯ（酸化インジウムガリウム亜鉛）などの公知の透明薄膜電極材料により形成される。共通電極８は、外部回路に接続され、接地あるいは所定の電圧に保たれる。
【００２９】
封止層９は正電荷輸送層５、発光層６、負電荷輸送層７を含むエレクトロルミネセンス素子を外界から遮断し保護するものであり、適宜の透明材料からなる。透明材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の無機材料や、アクリル、エポキシなどの樹脂あるいはこれらの組み合わせであってよい。
【００３０】
封止基板１０は、透明の基板であり、ガラスや適宜の透明樹脂が用いられる。エレクトロルミネセンス表示装置１００が全体として可撓制を有するものである場合、すなわち、基板１が可撓制を有するものである場合には、封止基板１０もまた可撓性のあるものとするとよい。また、発光層６が個別に複数の発光色を持たない場合等、必要に応じて、封止基板１０の下面（封止層９側の面）には、カラーフィルターを設けてもよい。
【００３１】
かかるエレクトロルミネセンス表示装置１００において、いずれかの画素を発光させる場合には、発光させたい画素電極３に所定の正電圧を印可する。それにより、図１中矢印Ｈで示すように、画素電極３から、正電荷輸送層５を経て発光層６に正孔が移動する。同時に、矢印Ｅで示すように、共通電極８から、負電荷輸送層７を経て発光層６に電子が移動し、発光層６中で正孔と電子とが結合することにより、発光層６の材料に応じた色の発光が生じる。
【００３２】
続いて、エレクトロルミネセンス表示装置１００の製造方法の概要を説明する。
【００３３】
まず、基板１上に回路層２を形成する。回路層２の形成は、一般的なフォトリソグラフィーによる工程を複数回繰り返すことによりなされ、その手法は種々のものが良く知られているため、本明細書ではその詳細な説明は割愛する。
【００３４】
続いて、回路層２上に画素電極３を形成する。この形成もまた、一般的なフォトリソグラフィーによる方法であってよい。
【００３５】
さらに、画素電極３を区分するように、バンク４を形成する。このバンク４の形成もまた、一般的なフォトリソグラフィーの手法によるものであるが、その詳細を図２を参照して詳細に説明する。
【００３６】
まず、回路層２及び画素電極３上の全体にまたがるように、バンク４の材料となるバンク材料層４０と、その上に、フォトレジスト層４１を形成する（図２（ａ））。フォトレジスト層４１を適宜のパターンで感光させ感光部、又は非感光部を剥離することによりマスクパターンを形成し（図２（ｂ））、その下のバンク材料層４０をエッチングすることによりバンク４を形成する（図２（ｃ））。そして、フォトレジスト層４１を剥離する（図２（ｄ））。
【００３７】
この状態では、フォトレジスト層４１の剥離が完全でないか、もしくはその一部がバンク４内部に侵入することにより、バンク４の表面又は内部には、フォトレジスト材料が残留している。そして、出願人らは、このバンク４の表面又は内部に残留するフォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の残留濃度と、エレクトロルミネセンス素子の寿命との間に負の相関があることを見出した。すなわち、バンク４の表面又は内部に残留するフォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の残留濃度が高いほど、エレクトロルミネセンス素子の経時劣化の進行が早く、短寿命となるのである。
【００３８】
かかるフォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質に起因するエレクトロルミネセンス素子の経時劣化を抑制するため、バンク４にブリーチングと称する処理を行う（図２（ｅ））。このブリーチングは、フォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質を分解し、その残留濃度を低下させる処理であって、本実施形態では、紫外線照射である。図２（ｅ）中、ＵＶとして示した矢印が照射される紫外線を、Ｒとして示した波矢印が、分解され散逸するフォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質を示している。
【００３９】
図３は、ブリーチング処理を行ったサンプルと、ブリーチング処理を行わなかったサンプルの点灯時間に対する輝度の変化の測定結果を示すグラフである。同グラフの横軸は作成したエレクトロルミネセンス素子の点灯時間（ａｒｂ．  ｕｎｉｔ）、縦軸は、製造直後の発光輝度を１とした相対輝度である。グラフより明らかなように、ブリーチング処理を行わなかったサンプルの方が輝度の低下が早く、短寿命であり、ブリーチング処理を行ったサンプルは輝度の低下が遅く、長寿命であることがわかる。
【００４０】
なお、本明細書において、エレクトロルミネセンス素子の寿命とは、製造直後の発光輝度に対して、ある特定の輝度まで輝度が低下するまでの素子の累積点灯時間を意味している。寿命を定める輝度は製品の用途等に応じて適宜定めてよく、例えば、製造直後の発光輝度に対して７０％のように定めてよい。寿命を特定する際の輝度の測定にあたり、エレクトロルミネセンス素子に印可する電圧値は一定の値を定めておく。
【００４１】
図１に戻り、画素電極３及びバンク４上に、正電荷輸送層５、発光層６、負電荷輸送層７及び共通電極８をこの順に積層し形成する。各層の作成は蒸着によりなされ、蒸着の方法はスパッタリングやイオンプレーティング等のＰＶＤ、各種ＣＶＤなど任意の方法を適宜用いてよい。また、必要に応じてマスクを使用してパターニングしてよい。
【００４２】
発光層６の形成の際には、製膜材料のソースとしてホスト材料と、ドーパントの２種を用意しておき、同時製膜するか、あるいはホスト材料の製膜後にドーパントを付着させるとよい。
【００４３】
最後に、封止層９を形成し、封止基板１０を貼り合わせ、必要な配線等を行うことにより、エレクトロルミネセンス表示装置１００が得られる。
【００４４】
図４は、発光層６中のドーパント濃度を違えたサンプルの点灯時間に対する輝度の変化の測定結果を示すグラフである。同グラフの横軸は作成したエレクトロルミネセンス素子の点灯時間（ａｒｂ．  ｕｎｉｔ）、縦軸は、製造直後の発光輝度を１とした相対輝度である。グラフより明らかなように、ドーパントの濃度が高いサンプルの方が輝度の低下が早く、短寿命であり、ドーパント濃度が低いサンプルは輝度の低下が遅く、長寿命であることがわかる。
【００４５】
もちろん、発光層６中のドーパント濃度はエレクトロルミネセンス素子の寿命のみを考慮して定められるのではなく、発光色として必要とされる色が得られるように設計されるべきものであり、理想的には、エレクトロルミネセンス表示装置１００の全面にわたり、設計値通り均一に分布していることが最も好ましい。
【００４６】
しかしながら、蒸着のプロセスでは、特に対象となる基板が大きくなればなるほど、基板の全面にわたり均等に製膜することは困難であり、その製造装置や、ロット固有のむらが発生する。このことは、発光層６中のドーパント濃度がエレクトロルミネセンス表示装置１００の全面にわたり均等ではなく、そのエレクトロルミネセンス素子の寿命に部分的なばらつきが生じることを意味している。
【００４７】
図５は、エレクトロルミネセンス表示装置１００に生じる面内のドーパント濃度の分布の例を示すグラフである。図の横軸は、全体として矩形のエレクトロルミネセンス表示装置１００の短軸方向の位置を示しており、長軸についての測定位置は、エレクトロルミネセンス表示装置１００のほぼ中央である。
【００４８】
同グラフより明らかなように、点線で示したドーパント濃度の設計値に対し、エレクトロルミネセンス表示装置１００の面内中央部とその付近はほぼ設計値通りかやや低い濃度となっているのに対し、エレクトロルミネセンス表示装置１００の周辺部では設計値より高い濃度を示している。したがって、このようなエレクトロルミネセンス表示装置１００では、特段の対策を行わないと、経時劣化により、画面の周辺部が中央部に対して暗くなり、均一な画像表示が得られなくなることが予想される。
【００４９】
もちろん、ここで示したドーパント濃度の分布は一例であり、製造装置や使用するマスク、材料などの諸条件、製品のロットによっても異なり、必ずしもエレクトロルミネセンス表示装置１００の周辺部のドーパント濃度が中央部よりも高くなるわけではない。このようなドーパント濃度は、作成したサンプルを測定して直接得るか、後述するように、製造した製品の点灯試験を行い、経時劣化の程度（すなわち、輝度の変化）を測定することにより間接的に得ることができる。
【００５０】
本実施形態では、発光層７まで形成したエレクトロルミネセンス表示装置１００のサンプル上の各測定点を、ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線回折）、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析）、ＧＣＭＳ（ガスクロマトグラフ質量分析）等の公知の手法を用いて直接測定し、得られた元素分布からドーパント濃度を換算して算出している。あるいは、完成したエレクトロルミネセンス表示装置１００のサンプルを連続点灯し、各測定点における輝度の低下の程度から、図４に示した輝度の低下とドーパント濃度との関係に基づいて、ドーパント濃度を換算して得るようにしてもよい。こちらの手法は、測定が容易であるものの、エレクトロルミネセンス素子が測定可能な程度に劣化するまで連続点灯させる必要があるため、測定結果を得るまでに時間がかかる。
【００５１】
そして、得られたドーパント濃度分布に基づいて、図２（ｅ）で示したブリーチングの強度をエレクトロルミネセンス表示装置１００の面内で変える。すなわち、バンク４に対しなされるブリーチング処理の強度分布が、発光層７のドーパントの濃度分布に対して相関があるものとなるよう、面内において不均一にブリーチングする。より具体的には、発光層７のドーパントの濃度が高い部分についてはブリーチング処理の強度を強いものとし、発光層７のドーパントの濃度が低い部分についてはブリーチング処理の強度を低いものとする。すなわち、ドーパントの濃度分布と、前記ブリーチング処理の強度分布の相関を正の相関とする。
【００５２】
このようにする理由は、フォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質に起因する寿命への影響を考えると、ブリーチング処理の強度が高い領域では、フォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の分解がより進み、エレクトロルミネセンス素子の寿命が長くなる一方、ブリーチング処理の強度が低い領域では、フォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質が残留するため、エレクトロルミネセンス素子の寿命が短いと考えられる。そこでこの事実を利用すれば、ブリーチング処理の強度によるエレクトロルミネセンス素子の寿命に対する影響の分布を、ドーパントの濃度分布によるエレクトロルミネセンス素子の寿命に対する影響の分布と逆になるようにすることで、エレクトロルミネセンス表示装置１００の面内における、エレクトロルミネセンス素子の寿命の不均一性を低減できるからである。
【００５３】
図６は、図５で示したドーパント濃度分布に対し、ブリーチング処理の強度（本実施形態では、単位面積当たりの紫外線照射エネルギー）の分布を重ねて示したグラフである。グラフ中実線がドーパント濃度分布、破線がブリーチング処理強度分布を示している。
【００５４】
同グラフに示したように、ブリーチング処理強度分布は、必ずしも連続的に変化するものではなく、段階的に変化するものであってもよい。同グラフに示した例では、ブリーチング処理強度を３段階に変化させており、エレクトロルミネセンス表示装置１００の周辺部のドーパント濃度が最も高い領域ａではブリーチング強度ももっとも高く、その内側のドーパント濃度が最もやや高い領域ｂではブリーチング強度は中間的な値とし、中央部のーパント濃度がやや低い領域ｃではブリーチング強度を弱くしている。もちろん、このブリーチング強度のプロファイルは一例であり、これを２段階としたり、４段階以上としても差し支えない。あるいは、ブリーチング処理強度分布を、連続的に変化させてもよい。
【００５５】
ブリーチング処理の強度をエレクトロルミネセンス表示装置１００の面内において変化させる方法は、種々のものが想定され、特に限定されるものではないが、例えば、ハーフトーンマスクを用いて、ブリーチング処理の際の紫外線の透過量を制御する方法が挙げられる。図６に即して説明すれば、グラフ中の領域ａではハーフトーンのマスクの開口率を高くし（例えば９０％）、領域ｂではマスクの開口率を中間的な値とし（例えば７０％）、領域ｃではマスクの開口率を低い値とする（例えば５０％）ことにより、同図に示したブリーチング強度のプロファイルは容易に得られる。ハーフトーンマスクの開口率の設計により、ブリーチング処理の強度を何段階に変化させ、又は連続的に変化させるかを決定することができる。
【００５６】
あるいは、部分的に開口したマスクをエレクトロルミネセンス表示装置１００の面内について移動させて、領域ごとにブリーチング強度を変えることにより、任意のプロファイルを得ることもできる。図７は、かかる処理を説明する図である。１１は、ブリーチング処理時に用いる矩形のマスクの平面形状であり、そのほぼ中央部には同じく矩形の開口１２が設けられている。また、その下にはエレクトロルミネセンス表示装置１００の基板１の平面形状を示している。そして、破線で示すように、基板１は縦４、横４の１６の領域に区画されており、各々の区画の大きさおよび形状は、マスク１１の開口１２にほぼ等しい。
【００５７】
マスク１１を用いて基板１にブリーチング処理を行うには、まず、マスク１１の開口１２を基板１の任意の領域（例えば、左上の領域）に位置合わせして、紫外線照射を所定の時間行う。続けて、マスク１１の開口１２の位置を点線で区切られた次の領域（例えば、左上から一つ右の領域）に位置合わせし、再び紫外線照射を所定の時間行う。この紫外線照射の時間を基板１の領域ごとに違えることで、基板１上に所望の強度プロファイルとなるブリーチング処理を施すことができる。
【００５８】
あるいは、図７に示したと同様のマスク１１を用い、マスク１１を移動させながら、基板１の全面を走査するように紫外線照射してもよい。この時、マスク１１の移動速度を任意に変化させることで、所望の強度プロファイルとなるブリーチング処理が実現される。
【００５９】
バンク４に対するブリーチング処理の強度が異なると、バンク４自体の形状が、ブリーチング処理の強度に応じた影響を受ける場合があり、そのようなバンク４の形状を測定することにより、バンク４に施されたブリーチング処理の強度の変化を推定することができる。
【００６０】
図８は、ブリーチング処理強度の際によるバンク４の断面形状の変化を説明する図である。同図（ａ）は、相対的なブリーチング処理の強度が高い場合、（ｂ）は、相対的なブリーチング処理の強度が中程度である場合、（ｃ）は、相対的なブリーチング処理の強度が低い場合を示している。
【００６１】
バンク４の材質やその他の条件にもよるが、代表的には、図８に示すように、ブリーチング処理の強度が高いほど、バンク４の端部のテーパ角θ（基板１表面に対する斜面の角度）が大きくなる。すなわち、（ａ）の場合をθａ、（ｂ）の場合をθｂ、（ｃ）の場合をθｃとすると、θａ＞θｂ＞θｃの関係が成り立ち、このようなバンク４の端部のテーパ角θをエレクトロルミネセンス表示装置１００の面内の複数個所で測定することで、ブリーチング処理強度の相対分布を推定することができる。
【００６２】
あるいは、同じく図８に示すように、ブリーチング処理の強度が高いほど、バンク４の端部が後退し、開口部が拡大する。すなわち、各画素の中心（図８中、一点鎖線で示した）からバンク４の端部までの距離ｄは、ブリーチング処理の強度が高いほど大きくなる。すなわち、（ａ）の場合をｄａ、（ｂ）の場合をｄｂ、（ｃ）の場合をｄｃとすると、ｄａ＞ｄｂ＞ｄｃの関係が成り立ち、各画素の中心からバンク４の端部までの距離ｄをエレクトロルミネセンス表示装置１００の面内の複数個所で測定することでも、ブリーチング処理強度の相対分布を推定することができる。
【００６３】
ブリーチング処理によって、バンク４にどのような形状の変化がどの程度生じるかは、ブリーチング処理の種類やバンク４の材質に応じて異なり、一概に特定することはできない。したがって、バンク４の材質及びブリーチング処理を特定した上で、実際にバンク４にどのような辺がブリーチング処理によりもたらされるかは、実験的に特定されることとなる。
【００６４】
また、重要であるのは、バンク４の表面又はその内部に残留するフォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度であるから、これを直接測定してもよい。図９は、ブリーチングの強度を面内で変えた場合のエレクトロルミネセンス表示装置１００における、フォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度をドーパント濃度に対して示したグラフの例である。
【００６５】
同図中破線で示すように、ドーパント濃度の高い領域（図中（ａ））ほど、フォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度は低く、ドーパント濃度の低い領域（図中（ｃ））ほど、フォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度は高くなり、ドーパント濃度が中間的である領域（図中（ｂ））では、フォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度もまた中間的な値を示す。すなわち、エレクトロルミネセンス表示装置１００の面内におけるドーパントの濃度分布と、バンク４の内部又は表面に残留するフォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度分布とは、負の相関を持つことになる。
【００６６】
バンク４の内部又は表面に残留するフォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度の測定は、ドーパントの濃度と同様にして、バンク４まで形成したエレクトロルミネセンス表示装置１００のサンプル上の各測定点を、ＥＤＸ、ＳＩＭＳ、ＧＣＭＳ等の公知の手法を用いて直接測定し、得られた元素分布から換算して算出してよい。一般に、フォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質は有機化合物であるから、例えば炭素濃度に注目することにより、フォトレジスト材料又はフォトレジスト材料由来物質の濃度を推定することができる。測定の可否や、測定の精度は、使用するバンク４の材質やフォトレジスト材料に依存するため、測定や換算の手法を一概に特定することはできず、それらは条件に応じて都度設定することになる。
【００６７】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【００６８】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６９】
１  基板、２  回路層、３  画素電極、４  バンク、５  正電荷注入層、６  発光層、７  負電荷注入層、８  共通電極、９  封止層、１０  封止基板、１１  マスク、１２  開口、４０  バンク材料層、４１  フォトレジスト層、１００  エレクトロルミネセンス表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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