(57)【要約】      （修正有）【課題】吐出効率のよい液体吐出ヘッドおよび液体吐出ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】発熱抵抗素子１０６の表面に対する反対側の面である裏面と接する第１配線１０５ａ，ｂと、温度検知素子と接続された第２配線１０５ｃ、ｄとを備えた液体吐出ヘッドであって、第１配線と第２配線とは、絶縁層１０１の表面に設けられた凹部に配され、直交する方向における位置が同じとする、すなわち、発熱抵抗素子の下部における同一層に、給電配線１０５ａ、ｂ、ｃ、ｄを設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体の表面の側に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の表面に接して設けられ、液体を吐出するための熱エネルギを発生するエネルギ発生素子と、
前記絶縁層の内部に設けられ、前記基体の表面に直交する方向から見て前記エネルギ発生素子と少なくとも一部が重複して設けられた温度検知素子と、
前記エネルギ発生素子の表面を覆う保護層と、
前記エネルギ発生素子の前記表面に対する反対側の面である裏面と接する第１配線と、
前記温度検知素子と接続された第２配線と、を備えた液体吐出ヘッドであって、
前記第１配線と前記第２配線とは、前記絶縁層の前記表面に設けられた凹部に配され、前記直交する方向における位置が同じであることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項２】
前記第１配線の表面と前記絶縁層の前記表面とは平坦面を構成しており、前記平坦面と前記エネルギ発生素子の前記裏面とが接していることを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項３】
前記第１配線と前記第２配線とは、前記エネルギ発生素子と前記温度検知素子との間の前記絶縁層に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項４】
前記温度検知素子と、前記第２配線とは、接続部材を介して接続されていることを特徴とする請求項３に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項５】
前記温度検知素子は、前記直交する方向において前記第２配線の領域内に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項６】
前記温度検知素子と前記第２配線とは、直接接続されていることを特徴とする請求項５に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項７】
前記エネルギ発生素子を駆動する駆動回路または前記エネルギ発生素子の駆動を制御する制御回路と接続される中間配線を備えていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項８】
前記中間配線は、前記第１配線および前記第２配線と、ビアを介して接続されており、前記ビアは、前記第１配線および前記第２配線と同種の金属で形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項９】
前記第１配線と前記第２配線とは、前記絶縁層に埋め込まれていることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１０】
前記保護層は３００ｎｍ以下の厚さであることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１１】
前記エネルギ発生素子は、タンタルもしくはタングステンを含むことを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１２】
前記保護層の少なくとも一部を覆う層であり、金属が単層又は積層で形成されている耐キャビテーション層を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１３】
絶縁層の内部に温度検知素子を形成する温度検知素子形成工程と、
前記絶縁層の表面に凹部を形成し、第１配線と、前記温度検知素子と接続される第２配線と、を前記凹部に形成する配線形成工程と、
前記第１配線の表面および前記絶縁層の前記表面と接するように、液体を吐出するための熱エネルギを発生するエネルギ発生素子を形成するエネルギ発生素子形成工程と、
前記エネルギ発生素子の表面を覆う保護層を形成する保護層形成工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記第２配線と前記温度検知素子との接続は、セルフアラインにより行われることを特徴とする請求項１３に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
基体と、
前記基体の表面の側に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の表面に接して設けられ、液体を吐出するための熱エネルギを発生するエネルギ発生素子と、
前記絶縁層の内部に設けられ、前記基体の表面に直交する方向から見て前記エネルギ発生素子と少なくとも一部が重複して設けられた温度検知素子と、
前記エネルギ発生素子の表面を覆う保護層と、
前記エネルギ発生素子の前記表面に対する反対側の面である裏面と接する第１配線と、
前記温度検知素子と接続された第２配線と、を備えた液体吐出ヘッドを用いることが可能な液体吐出装置であって、
前記第１配線と前記第２配線とは、前記絶縁層の前記表面に設けられた凹部に配され、前記直交する方向における位置が同じであることを特徴とする液体吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発熱抵抗素子の作用で液体を吐出する液体吐出ヘッド、液体吐出ヘッドの製造方法および液体吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、発熱抵抗素子（記録素子）の下にＳｉＯ等の層間絶縁膜を介して温度検知素子が設けられた構成の記録素子ヘッドで、発熱抵抗素子の上部にパッシベーション膜や耐キャビテーション膜が形成された構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＷＯ２０１０／１４６６５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の構成では、温度検知素子と接続される配線および記録素子と接続される配線により、発熱抵抗素子の上部には２段の段差が形成される。一般的な半導体プロセスにおいて配線の段差を絶縁物で十分にカバーするためには、配線の段差と同等の絶縁物の厚さが必要である。
【０００５】
特許文献１のように発熱抵抗素子の上部に段差が形成されている場合、パッシベーション膜や耐キャビテーション膜は、形成された段差と同じ厚さで形成しなければ、十分に発熱抵抗素子の表面を保護することができない。その場合、膜厚は段差分と同等の膜厚となり厚くなることから、発熱抵抗素子の発する熱エネルギを効率的にインク等の液滴に伝えることができなくなり、吐出効率が悪くなるという課題がある。
【０００６】
よって本発明は、吐出効率のよい液体吐出ヘッド、液体吐出ヘッドの製造方法および液体吐出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そのため本発明の液体吐出ヘッドは、基体と、前記基体の表面の側に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の表面に接して設けられ、液体を吐出するための熱エネルギを発生するエネルギ発生素子と、前記絶縁層の内部に設けられ、前記基体の表面に直交する方向から見て前記エネルギ発生素子と少なくとも一部が重複して設けられた温度検知素子と、前記エネルギ発生素子の表面を覆う保護層と、前記エネルギ発生素子の前記表面に対する反対側の面である裏面と接する第１配線と、前記温度検知素子と接続された第２配線と、を備えた液体吐出ヘッドであって、前記第１配線と前記第２配線とは、前記絶縁層の前記表面に設けられた凹部に配され、前記直交する方向における位置が同じであることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、吐出効率のよい液体吐出ヘッド、液体吐出ヘッドの製造方法および液体吐出装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】液体吐出ヘッドの一部を模式的に示す平面図および断面図である。
【図２】液体吐出ヘッドの一部を模式的に示す平面図および断面図である。
【図３】液体吐出ヘッドの一部を模式的に示す平面図および断面図である。
【図４】液体吐出ヘッドの製造方法を示す断面模式図である。
【図５】液体吐出ヘッドの製造方法を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１の実施形態）
以下、図面を参照して本発明の第１の実施形態について説明する。なお、以下の説明および図面において、複数の図面を相互に参照することができる。また、同一あるいは類似の構成については共通の符号を付しており、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。また、特に説明がない限り、「上」とは液体吐出ヘッドにおける液体吐出方向を意味し、「下」とはその反対方向を意味する。また、液体吐出ヘッドやこれを構成する構成物に関し、「上面」や「表面」とは液体吐出ヘッドにおける液体を吐出する側の面を意味する。
【００１１】
図１は、本実施形態における液体吐出ヘッドの一部を模式的に示す平面図および断面図である。図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩｂ−Ｉｂにおける断面図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＩｃ−Ｉｃにおける断面図である。液体吐出ヘッドは、例えば単結晶シリコンからなる基板１００（基体）を用いて形成されている。基板１００の上に絶縁層１０１が配置されており、絶縁層１０１は、例えば酸化珪素の無機質材料で形成され、電気絶縁性を備えている。基板１００には不図示の駆動回路や制御回路が形成されており、絶縁層１０１には基板１００に形成された回路と接続する接続線が設けられている。
【００１２】
絶縁層１０１の上面には、給電配線１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄが埋め込まれて配置されており、給電配線１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄと絶縁層１０１との間には、バリアメタル１０４が配置されている。すなわち、給電配線１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄは絶縁層１０１に設けられた凹部の中に配されている。給電配線１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄは、例えばアルミニウムや銅を主成分とする金属材料により形成されている。給電配線１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄと絶縁層１０１の上面とは、平坦化処理がなされており平面（平坦面）を形成している。この平坦化処理は、例えばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学機械研磨）により行われる。
【００１３】
絶縁層１０１の上面には、給電配線１０５ａ、１０５ｂの両方と電気的に接続されるように発熱抵抗素子（エネルギ発生素子）１０６が形成されている。発熱抵抗素子１０６の表面に対する反対側の面である裏面は、給電配線１０５ａ、１０５ｂの上面と絶縁層１０１の上面と接するように設けられている。発熱抵抗素子１０６の下部には、給電配線１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄが設けられており、発熱抵抗素子１０６は、給電配線１０５ａと給電配線１０５ｂとの間で抵抗素子として機能する。発熱抵抗素子１０６は、例えば、窒化タンタルシリコン、窒化タングステンシリコン等の抵抗材料により形成されている。絶縁層１０１の上面であり、給電配線１０５ｃ、１０５ｄとの上には、発熱抵抗素子１０６と同じ材料で同層の、発熱抵抗素子１０６をエッチングする際に給電配線１０５ｃ、１０５ｄを保護するキャップ層１０７ａ、１０７ｂを配置することが好ましい。またキャップ層１０７ａ、１０７ｂは、給電配線１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄが銅を主成分とする金属材料により形成されている場合、バリアメタル１０４と合わせて銅の拡散を防止することができる。
【００１４】
発熱抵抗素子１０６、キャップ層１０７ａ、１０７ｂ上に保護層１０８が配置されている。保護層１０８は、例えば窒化珪素を含む無機材料で形成され、電気絶縁性を備えている。保護層１０８の上で、発熱抵抗素子１０６の発熱部の上部には耐キャビテーション層１０９が配置されている。
【００１５】
発熱抵抗素子１０６の下の絶縁層１０１の内部には、温度検知素子１０２が設けられており、絶縁層１０１を介して発熱抵抗素子１０６の温度（耐キャビテーション層１０９の表面温度）を検知することができる。シリコン基板１００の表面に直交する方向から見て、温度検知素子１０２は発熱抵抗素子１０６と少なくとも一部が重複して設けられている。温度検知素子１０２は、プラグ（接続部材）１０３を介して給電配線１０５ｃ、１０５ｄと電気的に接続されており、給電配線１０５ｃと給電配線１０５ｄとの間で温度検知センサとして機能する。液体吐出ヘッドには複数の発熱抵抗素子１０６、複数の温度検知素子１０２が備えられている。
【００１６】
給電配線１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄは、例えば１０００ｎｍの厚みで形成されている。発熱抵抗素子１０６は、例えば１０〜５０ｎｍの厚みで形成されている。温度検知素子１０２は、例えばチタン、シリコン、窒化タンタルシリコン、窒化タングステンシリコンなど抵抗温度係数の大きい材料や合金が単層又は積層で形成されている。温度検知素子１０２は、例えば１０〜５０ｎｍの厚みで形成されている。耐キャビテーション層１０９は、例えばタンタルやイリジウムなどを含む耐熱性に優れた高融点金属が単層又は積層で形成されている。耐キャビテーション層１０９は、例えば３０〜２５０ｎｍの厚みで形成されている。保護層１０８は、例えば５０〜２００ｎｍ（３００ｎｍ以下）の厚みで形成されており、発熱抵抗素子１０６および給電配線１０５ａ、１０５ｂと耐キャビテーション層１０９とを絶縁している。
【００１７】
本実施形態において、発熱抵抗素子１０６と温度検知素子１０２とは、同層の給電配線に接続されている。すなわち、発熱抵抗素子１０６と温度検知素子１０２とは、シリコン基板１００の表面に直交する方向における位置が同じである給電配線に接続されている。また給電配線は、発熱抵抗素子１０６と温度検知素子１０２との間で、絶縁層１０１に対して埋め込まれた配線であるため、温度検知素子１０２の下に配線は存在せず、配線による段差が生じることが無い。また、発熱抵抗素子１０６の上にも配線は存在せず、保護層１０８が形成される発熱抵抗素子１０６の上面には、配線による段差が生じることが無い。本発明は段差が生じない構成であるため、従来と比較して保護層１０８の膜厚を薄くすることができ、発熱抵抗素子１０６が発生する熱エネルギを効率的にインク等の液滴に伝えることができる。
【００１８】
なお、本発明は、液体吐出ヘッドとして説明したが、この液体吐出ヘッドを用いることができる液体吐出装置に適用してもよい。
【００１９】
このように、発熱抵抗素子１０６の下方における同一層に、給電配線１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄを設ける。これによって、吐出効率のよい液体吐出ヘッドおよび液体吐出ヘッドの製造方法を実現することができる。
【００２０】
（第２の実施形態）
以下、図面を参照して本発明の第２の実施形態を説明する。なお、本実施形態の基本的な構成は第１の実施形態と同様であるため、以下では特徴的な構成についてのみ説明する。
【００２１】
図２は、本実施形態における液体吐出ヘッドの一部を模式的に示す平面図および断面図である。図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＩＩｂ−ＩＩｂにおける断面図である。本実施形態では、発熱抵抗素子と温度検知素子との距離を短くするとともに、製造工程を簡略化する形態の一例を説明する。
【００２２】
温度検知素子２０２は、バリアメタル２０４を介して給電配線２０５ｃ、２０５ｄと電気的に接続されており、給電配線２０５ｃと給電配線２０５ｄとの間で温度検知センサとして機能する。本実施形態の温度検知素子２０２は、第１の実施形態よりも発熱抵抗素子１０６との距離が近い位置に設けられている。温度検知素子２０２は、厚さ方向における給電配線２０５ｃ、２０５ｄの領域内の位置で、給電配線２０５ｃ、２０５ｄと直接接続で電気的に接続しており、第１の実施形態で用いたコンタクトプラグのような特別な接続線を用いていない。そのため、コンタクトプラグを形成する必要がなく、配線を個別に形成するシングルダマシンエッチング法を用いることで形成することができる。温度検知素子２０２との接続で、コンタクトプラグを形成する必要がないため、製造工程を簡略化することができる。
【００２３】
また、本実施形態では、発熱抵抗素子１０６と温度検知素子２０２との距離が短いことから、温度検知素子２０２は、発熱抵抗素子１０６の温度情報を高感度で取得することができる。また、温度検知素子２０２と、発熱抵抗素子１０６上に位置し、液体に接する熱作用部の表面（本実施形態では耐キャビテーション層１０９の表面）との距離を短くすることができ、熱作用部表面における温度情報を高感度で取得することができる。
【００２４】
なお、駆動回路や制御回路との接続に関する説明は省略する。
【００２５】
（第３の実施形態）
以下、図面を参照して本発明の第３の実施形態を説明する。なお、本実施形態の基本的な構成は第１の実施形態と同様であるため、以下では特徴的な構成についてのみ説明する。
【００２６】
図３は、本実施形態における液体吐出ヘッドの一部を模式的に示す平面図および断面図である。図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂにおける断面図である。本実施形態では、製造工程を更に簡略化する形態の一例を説明する。
【００２７】
基板１００上には、第１絶縁層３０１が配置されている。第１絶縁層３０１は、例えば酸化珪素の無機質材料で形成され、電気絶縁性を備えている。基板１００には不図示の駆動回路や制御回路が形成されており、第１絶縁層３０１には基板１００に形成された回路の接続線が設けられている。第１絶縁層３０１上に中間配線３１０ａ、３１０ｂが配置されている。中間配線３１０ａ、３１０ｂは、例えばアルミニウムを主成分とする金属材料により形成されている。中間配線３１０ａ、３１０ｂは、不図示の駆動回路や制御回路と接続されている。中間配線３１０ａ、３１０ｂ上に第２絶縁層３１１、第３絶縁層３１２、第４絶縁層３１３が配置されている。第２絶縁層３１１、第４絶縁層３１３は例えば酸化珪素の無機質材料で形成され、第３絶縁層３１２は、例えば窒化珪素、炭化珪素の無機質材料で形成され、いずれも電気絶縁性を備えている。
【００２８】
第２絶縁層３１１、第３絶縁層３１２、第４絶縁層３１３内に給電配線３０５ａ、３０５ｂ、３０５ｃ、３０５ｄが配置されている。第４絶縁層３１３内に給電配線３０５ａ、３０５ｂ、３０５ｃ、３０５ｄと中間配線３１０ａ、３１０ｂを電気的に接続するビア３１４が配置されている。給電配線３０５ａ、３０５ｂ、３０５ｃ、３０５ｄとビア３１４とは同一材料で形成されており、例えば銅を主成分とする金属材料により形成されている。給電配線３０５ａ、３０５ｂ、３０５ｃ、３０５ｄ、ビア３１４と第２絶縁層３１１、第３絶縁層３１２、第４絶縁層３１３の間にはバリアメタル３０４が配置されている。
【００２９】
発熱抵抗素子１０６の下には第４絶縁層３１３を介して温度検知素子３０２が配置されている。温度検知素子３０２は、例えばチタン、タングステン、シリコン、窒化タンタルシリコンなど抵抗温度係数の大きい材料や合金が単層又は積層で形成されている。温度検知素子３０２は、例えば１０〜５０ｎｍの厚みで形成されている。温度検知素子３０２はバリアメタル３０４を介して給電配線３０５ｃ、３０５ｄと電気的に接続されており、給電配線３０５ｃと給電配線３０５ｄとの間で温度検知センサとして機能する。
【００３０】
本実施形態において、温度検知素子１０２は、厚さ方向における給電配線３０５ｃ、３０５ｄの領域内の位置で電気的に接続しており、第１の実施形態で用いたコンタクトプラグのような特別な接続線を用いていない。更に給電配線３０５ａ、３０５ｂ、３０５ｃ、３０５ｄと中間配線３１０ａ、３１０ｂは給電配線３０５ａ、３０５ｂ、３０５ｃ、３０５ｄと同一材料のビア３１４で電気的に接続している。
【００３１】
図４（ａ）〜（ｄ）および図５（ｅ）〜（ｈ）は、図３に示した液体吐出ヘッドの製造方法を示す断面模式図である。以下、図４（ａ）〜（ｄ）および図５（ｅ）〜（ｈ）を参照して液体吐出ヘッドの製造方法を工程順に説明する。
【００３２】
先ず、図４（ａ）に示すとおり、単結晶シリコンからなる基板１００上にＣＶＤ法により酸化珪素の第１絶縁層３０１を成膜する。第１絶縁層３０１上にアルミニウムを主成分とする金属材料をスパッタリング法により成膜し、パターニングすることで中間配線３１０ａ、３１０ｂを形成する。その後、図４（ｂ）のように、中間配線３１０ａ、３１０ｂ上にＣＶＤ法により酸化珪素を成膜し、ＣＭＰにより平坦化することで、第２絶縁層３１１を形成する。第２絶縁層３１１上にＣＶＤ法により窒化珪素の第３絶縁層３１２を成膜する。第３絶縁層３１２上にＣＶＤ法により酸化珪素の調整絶縁層３１５を成膜する。その後、窒化タンタルシリコンなど抵抗温度係数の大きい材料をスパッタリング法により成膜し、パターニングすることで温度検知素子３０２を形成（温度検知素子形成工程）する。
【００３３】
調整絶縁層３１５は、最終的に発熱抵抗素子と温度検知素子との距離を調整する役目のためのもので不要となることもある。例えば、発熱抵抗素子と温度検知素子との距離が給電配線の厚さとほぼ等しく設計される場合は、調整絶縁層３１５は不要となる。更には第３絶縁層３１２の代わりに温度検知素子３０２を用いることも可能で、その場合は第３絶縁層３１２も不要となる。
【００３４】
その後、図４（ｃ）に示すように、温度検知素子３０２上にＣＶＤ法により酸化珪素を成膜し、ＣＭＰにより平坦化することで、第４絶縁層３１３を形成する。温度検知素子３０２の厚さは１０〜５０ｎｍの厚みのため、必ずしもＣＭＰを行う必要はない。
【００３５】
そして、図４（ｄ）に示すように、第４絶縁層３１３の上に第１フォトレジスト３１６をパターニングして、第３絶縁層３１２をストップ材として第４絶縁層３１３をエッチングしビア３１７を形成する。
【００３６】
次に、図５（ｅ）に示すように第４絶縁層３１３の上の第１フォトレジスト３１６を除去して第２フォトレジスト３１８をパターニングして、第３絶縁層３１２、温度検知素子３０２をストップ材として第４絶縁層３１３をエッチングしトレンチ３１９を形成する。また中間配線３１０ａ、３１０ｂまで第２絶縁層３１１をエッチングしてビア３２０を形成する。これはビアと配線になる溝形成を連続的に行い、銅の埋め込みも同時に行うビアファーストのデュアルダマシンエッチング法を用いることで形成することができる。デュアルダマシンエッチング法を用いることにより、配線とビアとを同種の金属で同時に形成することができる。このように、温度検知素子１０２と給電配線３０５ｃ、３０５ｄとの接続でコンタクトプラグのような特別な接続線を用いず、更に中間配線との接続で、デュアルダマシンエッチング法を用いることにより製造工程を更に簡略化することができる。
【００３７】
ここで、エッチングの際に温度検知素子３０２は、ストップ材として必ずしも機能しなくてもよい。温度検知素子３０２の側壁がトレンチ３１９に接していれば十分である。
【００３８】
その後、図５（ｆ）のように、第２フォトレジスト３１８を除去し、バリアメタル３０４と銅のシード層をスパッタリング法で成膜し、銅をめっきする。続いて余分な銅をＣＭＰにより除去して、給電配線３０５ａ、３０５ｂ、３０５ｃ、３０５ｄ、ビア３１４を形成（配線形成工程）する。給電配線３０５ａ、３０５ｂ、３０５ｃ、３０５ｄと第４絶縁層３１３の上面はＣＭＰにより平坦化されている。これにより給電配線３０５ａと中間配線３１０ａ、給電配線３０５ｂと中間配線３１０ｂ、温度検知素子３０２と給電配線３０５ｃ、３０５ｄは電気的に接続される。また温度検知素子３０２と給電配線３０５ｃ、３０５ｄの接続はプラグのような特別な接続線を用いておらず、図５（ｅ）に示したとおりセルフアラインコンタクトで形成される。
【００３９】
その後、図５（ｇ）に示すように給電配線３０５ａ、３０５ｂ、３０５ｃ、３０５ｄ上にスパッタリング法により窒化タンタルシリコン膜を成膜しパターニングする。これによって発熱抵抗素子１０６およびキャップ層１０７ａ、１０７ｂを形成（エネルギ発生素子形成工程）する。これにより発熱抵抗素子１０６は給電配線３０５ａ、３０５ｂと電気的に接続される。
【００４０】
そして、図５（ｈ）に示すように、発熱抵抗素子１０６上にＣＶＤ法により窒化珪素を成膜し、保護層１０８を形成（保護層形成工程）する。給電配線３０５ａ、３０５ｂ、３０５ｃ、３０５ｄが銅を主成分とする金属の場合は、保護層１０８と発熱抵抗素子１０６、キャップ層１０７ａ、１０７ｂを合わせて拡散防止膜として機能する。次に保護層１０８上にスパッタリング法によりタンタルを成膜し、パターニングすることで耐キャビテーション層１０９を形成する。このような工程を経て、本実施形態の液体吐出ヘッドは製造される。
【符号の説明】
【００４１】
１００  基板
１０１  絶縁層
１０２  温度検知素子
１０５ａ  給電配線
１０５ｂ  給電配線
１０５ｃ  給電配線
１０５ｄ  給電配線
１０６  発熱抵抗素子
１０８  保護層
２０２  温度検知素子
【図１】
2020062827.tif 000003
【図２】
2020062827.tif 000004
【図３】
2020062827.tif 000005
【図４】
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【図５】
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