(57)【要約】【課題】表示装置において、消費電力を低減することを目的の一とする。【解決手段】表示装置の一態様は、紙の書籍のように表示パネルをめくる機能を有し、表示パネルをめくっている時に画素を駆動させるものである。特に、画素が配置された表示パネルと、表示パネルの支持部を有し、当該支持部を支点として表示パネルをめくる前後において、表示パネルをめくっている時に画素の駆動を行い、表示パネルをめくった後に画素の駆動を停止することを特徴としている。【選択図】図１
2020201503.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の筐体と、第２の筐体と、表示パネルと、を有し、
前記第１の筐体と前記第２の筐体とは、支持部を中心に開閉する機能を有し、
前記表示パネルは、前記第１の筐体と前記第２の筐体が閉じたときに、前記第１の筐体と前記第２の筐体の間に収まるように配置され、
前記表示パネルは、前記第１の筐体と前記第２の筐体が閉じたときに、表示を停止させる表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野は、表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置として、表示パネルが書籍状に綴られた電子書籍の開発が進められてい
る（例えば、特許文献１）。このような表示装置は、紙の書籍のように、表示パネルをめ
くって画面を見ることができるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１７５７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
表示装置において、消費電力を低減することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
開示する表示装置は、表示パネルをめくる機能を有し、表示パネルをめくっている時に
画素を駆動させるものである。以下に、本発明の一態様を示す。
【０００６】
本発明の一態様は、ビデオ信号を保持可能なメモリ性を有する画素が配置された表示パ
ネルと、表示パネルの一端を自由端として、表示パネルの他の一端を回動可能に担持する
支持部と、表示パネルが回動している時に検出信号を出力するセンサと、検出信号が出力
されている時に表示パネルにビデオ信号を入力して画素を駆動し、検出信号が出力されて
いない時に画素の駆動を停止する駆動回路とを有する表示装置である。本明細書において
、回動とは、紙の書籍のように表示パネルをめくる動作を指す。
【発明の効果】
【０００７】
表示装置において、画素の駆動時間を短縮することで、消費電力を低減することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】表示装置の構成の一例を示す図。
【図２】表示装置の構成の一例を示す図。
【図３】タイミングチャート。
【図４】タイミングチャート。
【図５】タイミングチャート。
【図６】タイミングチャート。
【図７】タイミングチャート。
【図８】表示装置の構成の一例を示す図。
【図９】表示装置の構成の一例を示す図。
【図１０】タイミングチャート。
【図１１】表示装置の構成の一例を示す図。
【図１２】表示装置の構成の一例を示す図。
【図１３】トランジスタの一例を示す図。
【図１４】トランジスタの一例を示す図。
【図１５】トランジスタの特性を示す図。
【図１６】表示装置の構成の一例を示す図。
【図１７】表示装置の構成の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の実施の形態
は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することな
くその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従っ
て、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の
形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符
号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１０】
（実施の形態１）
本実施の形態では表示装置及びその駆動方法の一例について説明する。
【００１１】
図１は、表示装置の一例である。
【００１２】
表示装置は、複数の表示パネル１００１と、複数の表示パネル１００１の支持部１００
２とを有する。表示パネル１００１は、片面又は両面に表示画面１００３を有する。支持
部１００２は、表示パネル１００１の一端を自由端として、前記表示パネル１００１の他
の一端を回動可能に担持している。すなわち、表示装置は、支持部１００２を支点として
、紙の書籍のようにページ（表示パネル１００１）をめくって見ることができる。また、
表示パネル１００１は一つでもよい。なお、表示パネル１００１は、可撓性を有していて
もよい。その場合、紙と似たような感覚で使用できる。
【００１３】
図２は、あるページの表示パネルの一例を示す。表示パネルは、画素部１００、信号線
駆動回路２００、走査線駆動回路３００、コントローラ４００、コントローラ５００を有
する。
【００１４】
画素部１００は、複数の画素１０１を有する。複数の画素１０１は、各々、配線Ｓ（１
）〜Ｓ（ｘ）のいずれか一（ｘは自然数）、配線Ｇ（１）〜Ｇ（ｙ）のいずれか一（ｙは
自然数）、配線１１１及び配線１１２と接続される。なお、本明細書において、接続とは
、電気的な接続を意味しており、電流、電圧又は電位が、供給可能、或いは伝送可能な状
態に相当する。
【００１５】
信号線駆動回路２００は、配線Ｓ（１）〜Ｓ（ｘ）に、ビデオ信号を出力するタイミン
グを制御する機能を有する。ビデオ信号は、各画素１０１に書き込まれる。そして、ビデ
オ信号は、各画素１０１の階調や状態などを制御する。
【００１６】
走査線駆動回路３００は、配線Ｇ（１）〜Ｇ（ｙ）に、ゲート信号を出力するタイミン
グを制御する機能を有する。こうして、配線Ｇ（１）〜Ｇ（ｙ）のいずれかが選択される
。選択された行に属する画素１０１に、ビデオ信号を書き込むことができる。
【００１７】
コントローラ４００は、信号線駆動回路２００及び走査線駆動回路３００が動作するタ
イミングを制御する。そのために、コントローラ４００は、信号線駆動回路２００及び走
査線駆動回路３００に、電圧や制御信号などを出力する。
【００１８】
コントローラ５００は、配線１１１及び配線１１２の電位を制御する。
【００１９】
なお、コントローラ４００及びコントローラ５００は、各表示パネルで共有することが
できる。また、コントローラ４００及びコントローラ５００を、図１の支持部１００２内
に搭載することで、表示装置の小型化が実現できる。
【００２０】
そして、本実施の形態の表示装置は、表示パネルを回動している時にビデオ信号を出力
して画素を駆動し、表示パネルを回動していない時に画素の駆動を停止する機能を有して
いる。すなわち、表示パネルをめくる前後において、めくっている時に画素を駆動し、め
くった後に画素の駆動を停止する。このように画素の駆動時間を短縮することで、表示装
置の消費電力を低減することができる。以下に、表示パネルの駆動方法の具体例を説明す
る。
【００２１】
図３は、表示パネルのタイミングチャートの一例である。該タイミングチャートは、期
間Ｔａと期間Ｔｂとを有する。
【００２２】
期間Ｔａは、ページをめくっている時の期間であり、画素１０１にビデオ信号が書き込
まれる。そして、画素１０１の階調が制御される。したがって、書き込み期間とも呼ぶ。
【００２３】
期間Ｔｂは、ページをめくる前とめくった後の期間であり、画素１０１の階調が保持さ
れる。したがって、保持期間とも呼ぶ。
【００２４】
次に、期間Ｔａにおける表示パネルの動作について説明する。
【００２５】
図４は、期間Ｔａのタイミングチャートの一例である。走査線駆動回路３００には、コ
ントローラ４００から、スタートパルスＧＳＰ、クロック信号ＧＣＫ、クロック信号ＧＣ
ＫＢなどが入力される。
【００２６】
スタートパルスＧＳＰがＨレベルになると、走査線駆動回路３００の出力信号ＧＯＵＴ
（１）〜ＧＯＵＴ（ｙ）は、順にＨレベルになる。こうして、走査線駆動回路３００は、
配線Ｇ（１）〜Ｇ（ｙ）を順に選択する。そして、選択された配線と接続される画素１０
１には、各々、信号線駆動回路２００から配線Ｓ（１）〜Ｓ（ｘ）を介して、ビデオ信号
が入力される。
【００２７】
以上のように、期間Ｔａにおいて、複数の画素１０１の各々にビデオ信号が入力され、
階調が制御される。
【００２８】
次に、期間Ｔｂにおける表示パネルの動作について説明する。
【００２９】
図５は、期間Ｔｂのタイミングチャートの一例である。期間Ｔｂでは、画素１０１には
ビデオ信号を書き込まないため、画素１０１の駆動を停止することが可能である。すなわ
ち、画素１０１に接続する配線Ｇ（１）〜Ｇ（ｙ）を選択する必要がない。
【００３０】
配線Ｇ（１）〜Ｇ（ｙ）を非選択にする手段としては、例えば、走査線駆動回路３００
を制御して、信号を出力しないこと、又はＬレベルの信号を出力することが挙げられる。
なお、図５では、スタートパルスＧＳＰをＬレベルとすることで、配線Ｇ（１）〜Ｇ（ｙ
）を非選択とし、画素の駆動を停止している。このように、画素の駆動時間を短縮するこ
とで、消費電力を低減できる。
【００３１】
図６は、期間Ｔｂのタイミングチャートの他の一例である。図６では、スタートパルス
ＧＳＰだけでなく、クロック信号ＧＣＫ及びクロック信号ＧＣＫＢも、Ｌレベルとするこ
とで、画素の駆動を停止している。消費電力は、図５の駆動方法よりさらに低減される。
【００３２】
なお、図６において、走査線駆動回路３００に供給される電圧も、Ｌレベルと同じ値に
することが可能である。こうして、トランジスタのバイアス電圧をおおむねゼロにするこ
とができるので、トランジスタの劣化を抑制することができる。
【００３３】
図７は、期間Ｔｂのタイミングチャートの他の一例である。図７に示すタイミングチャ
ートでは、コントローラ４００の動作を停止している。そのため、スタートパルスＧＳＰ
、クロック信号ＧＣＫ及びクロック信号ＧＣＫＢが出力されず、画素の駆動が停止する。
消費電力は、図６の駆動方法よりさらに低減される。
【００３４】
図８は、コントローラ４００の構成の一例である。コントローラ４００は、電源回路８
０１、タイミングジェネレータ８０２、スイッチ素子８０３、及びスイッチ素子８０４を
有する。コントローラ４００は、電源回路８０１及びタイミングジェネレータ８０２から
走査線駆動回路３００への出力を制御する。例えば、期間Ｔａでは、スイッチ素子８０３
をオン状態とし、スイッチ素子８０４をオフ状態とすることで、電源回路８０１からＨレ
ベルの信号（ＶＨ）又はＬレベルの信号（ＶＬ）を出力するタイミングを制御する。期間
Ｔｂでは、スイッチ素子８０３をオフ状態とし、スイッチ素子８０４をオン状態とするこ
とで、電源回路８０１からＬレベルの信号（ＶＬ）を出力する。
【００３５】
図９は、配線Ｇ（１）〜Ｇ（ｙ）及び走査線駆動回路３００の構成の一例である。配線
Ｇ（１）〜Ｇ（ｙ）と走査線駆動回路との間にスイッチ素子９０１が設けられている。ス
イッチ素子９０１は、走査線駆動回路３００からの配線Ｇ（１）〜Ｇ（ｙ）への信号の出
力を制御する。例えば、期間Ｔａでは、スイッチ素子９０１をオン状態とする。期間Ｔｂ
では、スイッチ素子９０１をオフ状態とする。
【００３６】
図８又は図９のような構成により、画素の駆動を制御することができる。ただし、これ
らに限定されず様々な構成を適用することができる。
【００３７】
なお、上記で示した画素の駆動方法は、表示パネルをめくる前後だけでなく、他の用途
にも用いることができる。例えば、表示装置は表示パネルに表示された画像を加工する機
能を有しており、加工を行う前後において、加工を行っている時に画素を駆動し、加工を
行った後は画素の駆動を停止してもよい。なお、加工の例として、画像の拡大、縮小、又
は変形等が挙げられる。このような、画素の駆動の制御により消費電力を低減できる。
【００３８】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【００３９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、表示パネルの駆動方法の一例について説明する。
【００４０】
図１０は、表示パネルのタイミングチャートの一例である。
【００４１】
図３と同様に、期間Ｔａがページをめくっている時の期間であり、期間Ｔｂがページを
めくる前とめくった後の期間である。
【００４２】
図３と異なる点は、期間Ｔａについて、期間Ｔａ（１）〜Ｔａ（ｎ）（ｎは自然数）と
いう複数の期間を有することである。そして、期間Ｔａ（１）〜Ｔａ（ｎ）の各々におい
て、画素１０１にビデオ信号が書き込まれる。
【００４３】
図１０の期間Ｔａ（１）〜Ｔａ（ｎ）の各々において、図４の期間Ｔａと同様に画素１
０１にビデオ信号が入力される。つまり、期間Ｔａにおいて、画素１０１には、ビデオ信
号がｎ回入力される。ｎ回の入力により、画素の初期化や階調の制御等が行われる。
【００４４】
なお、複数の期間Ｔａ（１）〜Ｔａ（ｎ）のうち最後の期間Ｔａ（ｎ）において、画素
１０１内の表示素子が無電界状態になるように制御することが好ましい。そうすることで
、期間Ｔｂにおいて階調を保持しやすくなる。無電界状態にする手段としては、配線１１
１の電位（コモン電位Ｖｃｏｍとも呼ぶ）とおおむね等しい値のビデオ信号を書き込むこ
とが挙げられる。
【００４５】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【００４６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、表示パネルの画素の具体的な構成及びその駆動方法の一例を示す。
【００４７】
図１１に、ｉ（ｉは１〜ｙのいずれか一）行目、ｊ（ｊは１〜ｘのいずれか一）列目に
属する画素１０１の一例を示す。図１１に示す画素は、トランジスタ１０２、表示素子１
０３及び容量素子１０４を有する。トランジスタ１０２は、表示素子１０３へのビデオ信
号の供給を制御するスイッチ素子として機能する。
【００４８】
トランジスタ１０２のソース又はドレインの一方は、配線Ｓ（ｊ）と接続される。トラ
ンジスタ１０２のソース又はドレインの他方は、容量素子１０４の一方の電極及び表示素
子１０３の一方の電極５００１（画素電極ともいう）と接続される。トランジスタ１０２
のゲートは、配線Ｇ（ｉ）と接続される。容量素子１０４の他方の電極は、配線１１２と
接続される。表示素子１０３の他方の電極５００２（コモン電極、共通電極、対向電極、
カソード電極ともいう）は、配線１１１と接続される。
【００４９】
画素１０１は、メモリ性を有することが好ましい。そのため、表示素子１０３は、メモ
リ性を有することが好ましい。表示素子１０３の駆動方式としては、マイクロカプセル型
電気泳動方式、マイクロカップ型電気泳動方式、水平移動型電気泳動方式、垂直移動型電
気泳動方式、ツイストボール方式、粉体移動方式、電子粉流体方式、コレステリック液晶
素子、カイラルネマチック液晶、反強誘電性液晶、高分子分散型液晶、帯電トナー、エレ
クトロウェッティング方式、エレクトロクロミズム方式、又はエレクトロデポジション方
式などがある。以下にそれらの一例を説明する。
【００５０】
トランジスタ１０２は、様々な形態を適用することができる。例えば、シリコン又は酸
化物半導体等を用いて形成することができる。特に、メモリ性を有する表示素子では、駆
動電圧が大きいため、アモルファルシリコン又は酸化物半導体等を用いて形成することが
好ましい。
【００５１】
図１２は、表示素子１０３として、マイクロカプセル型電気泳動方式を用いた場合の画
素の断面図である。
【００５２】
電極５００１と電極５００２との間に、複数のマイクロカプセル５００３が配置されて
いる。複数のマイクロカプセル５００３は、樹脂５００４により固定されている。樹脂５
００４は、バインダとしての機能を有する。
【００５３】
樹脂５００４は、透光性を有するとよい。樹脂５００４の代わりに、空気又は不活性ガ
スなどの気体を充填してもよい。その場合、電極５００１と電極５００２との一方又は両
方に、粘着剤又は接着剤等含む層を形成して、マイクロカプセル５００３を固定するとよ
い。
【００５４】
マイクロカプセル５００３は、膜５０１１と、液体５０１２と、粒子５０１３と、粒子
５０１４とを有する。液体５０１２と、粒子５０１３と、粒子５０１４とは、膜５０１１
の中に封入されている。膜５０１１は、透光性を有する。
【００５５】
液体５０１２は、分散液としての機能を有する。液体５０１２により、粒子５０１３及
び粒子５０１４を膜５０１１内に分散させることができる。なお、液体５０１２は、透光
性を有し、無着色であるとよい。
【００５６】
粒子５０１３と粒子５０１４とは、互いに異なる色とする。例えば、一方は黒色であり
、他方は白色であるとよい。なお、粒子５０１３と粒子５０１４とは、互いの電荷密度が
異なるように、帯電されているとする。例えば、一方は正に帯電され、他方は負に帯電さ
れるとよい。これにより、電極５００１と電極５００２との間に電位差が生じると、粒子
５０１３と粒子５０１４とは、電界方向に応じて移動する。こうして、表示素子１０３の
反射率が変化することにより、階調を制御することができる。
【００５７】
なお、マイクロカプセル５００３の構造は、上記に限定されない。例えば、液体５０１
２は、着色していてもよい。また、粒子の色は、白色及び黒色だけでなく、赤色、緑色、
青色、シアン、マゼンダ、イエローエメラルドグリーン、朱色などの中から選択すること
が可能である。また、粒子の色の種類は、１種類であっても、３種類以上であってもよい
。
【００５８】
次に、本実施の形態の画素の動作について説明する。以下は、マイクロカプセル型電気
泳動方式以外の表示素子についても適用可能である。
【００５９】
表示素子１０３の階調は、表示素子１０３に印加される電圧（電極５００１と電極５０
０２との間の電位差）によって制御される。電極５００１の電位は、配線Ｓ（ｊ）から供
給されるビデオ信号によって制御される。なお、ビデオ信号は、トランジスタ１０２がオ
ンのとき、配線Ｓ（ｊ）から電極５００１に供給される。また、電極５００２の電位は、
配線１１１から供給される電圧によって制御される。
【００６０】
なお、電極５００１と電極５００２との間に電位差が生じないような駆動をすることで
、両電極間が無電界状態となり、表示素子１０３の階調を保持することができる。
【００６１】
図１１において、図３（又は図１０）の駆動方法を用いる場合、期間Ｔａ（ページをめ
くっている時）では、配線Ｇ（ｉ）をＨレベルにするため、トランジスタ１０２がオンに
なる。これにより、配線Ｓ（ｊ）から電極５００１に、トランジスタ１０２を介してビデ
オ信号が供給される。その際、容量素子１０４は、電極５００１と電極５００２との間の
電位差を保持する。
【００６２】
期間Ｔｂ（ページをめくる前とめくった後）では、配線Ｇ（ｉ）を非選択とする（画素
１０１の駆動を停止する）ため、トランジスタ１０２がオフになる。これにより、電極５
００１は浮遊状態になる。その際、容量素子１０４は、期間Ｔａにおける電極５００１と
電極５００２との間の電位差を保持している。そのため、トランジスタがオフであっても
、表示素子１０３にビデオ信号に基づく電圧が印加される。したがって、表示素子１０３
の階調は保持される。
【００６３】
以上のように、画素１０１の駆動時間を短縮することで、消費電力を低減することがで
きる。
【００６４】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【００６５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、図１１のトランジスタ１０２を、酸化物半導体を用いて形成する例
を説明する。
【００６６】
トランジスタ１０２に酸化物半導体を用いることで、トランジスタ１０２のオフ状態で
のリーク電流（オフ電流）を低減することができる。
【００６７】
トランジスタ１０２のオフ電流を低減することで、期間Ｔｂにおいて表示素子１０３の
電極５００１の電荷がトランジスタ１０２からリークすることを防止できる。すなわち、
表示素子の階調を保持する機能を高めることができる。したがって、上記のメモリ性を有
する表示素子を用いる効果と相俟って、画素の表示品質を向上することができる。
【００６８】
また、トランジスタ１０２のオフ電流を低減することで、メモリ性を有さない表示素子
を用いた場合でも、階調を保持することが可能となる。すなわち、オフ電流が低減された
トランジスタを用いることで、画素はメモリ性を有する。メモリ性を有さない表示素子と
しては、ネマティック液晶又はスメクティック液晶等が挙げられる。
【００６９】
以下に、酸化物半導体を用いたトランジスタの構造及び作製方法について、具体例を示
す。
【００７０】
図１３は、トランジスタの断面図である。トランジスタ２０００は、絶縁物２００１上
に形成されたボトムゲート型の逆スタガ構造の薄膜トランジスタであり、ゲート電極２０
０２、ゲート絶縁膜２００３、半導体膜２００４、電極２００５、電極２００６を有する
。また、トランジスタ２０００上に絶縁膜２００７を有する。電極２００５及び電極２０
０６は、一方がソース電極であり、他方がドレイン電極である。
【００７１】
まず、トランジスタ２０００のオフ電流を大きくする要因として、半導体膜２００４に
用いる酸化物半導体中に水素等（例えば水素、水、又は水酸基）の不純物が含まれている
ことが挙げられる。水素等は、酸化物半導体中でキャリアの供与体（ドナー）になる可能
性があり、オフ状態においても電流を発生させる要因となる。すなわち、酸化物半導体中
に水素等が多量に含まれていると、酸化物半導体がＮ型化されてしまう。
【００７２】
そこで、以下で示す作製方法は、酸化物半導体中の水素等を極力低減し、且つ、構成元
素である酸素の濃度を高くすることで、酸化物半導体を高純度化するものである。高純度
化された酸化物半導体は、真性又は実質的に真性な半導体であり、オフ電流を低減するこ
とができる。
【００７３】
ゲート絶縁膜２００３上に、酸化物半導体膜をスパッタリング法により形成する。
【００７４】
酸化物半導体膜のターゲットとしては、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物のターゲッ
トを用いることができる。例えば、組成比として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１
：１：１、すなわち、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：０．５のターゲットを用いることがで
きる。また、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、又はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２の組成
比を有するターゲットを用いることもできる。また、ＳｉＯ２を２重量％以上１０重量％
以下含むターゲットを用いることもできる。
【００７５】
なお、酸化物半導体膜の成膜の際は、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰
囲気下、または希ガス及び酸素混合雰囲気下とすればよい。ここで、酸化物半導体膜を成
膜する際に用いるスパッタガスは、水素等の不純物の濃度がｐｐｍレベル、好ましくはｐ
ｐｂレベルまで除去された高純度ガスを用いる。
【００７６】
酸化物半導体膜は、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッ
タガスを導入して成膜する。処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポン
プを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメー
ションポンプを用いることが好ましい。
【００７７】
酸化物半導体膜の膜厚は、２ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすればよく、好ましくは５ｎｍ
以上３０ｎｍ以下とする。そして、酸化物半導体膜にエッチング等を行い、所望の形状に
加工（パターニング）して半導体膜２００４とする。
【００７８】
以上では、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを用いる例を示したが、その他
にも、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ、Ｓ
ｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ、
Ｉｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、又はＺｎ−Ｏなどを用いることができる。また、上記酸化物半導体
膜はＳｉを含んでいてもよい。また、これらの酸化物半導体膜は、非晶質であってもよい
し、結晶質であってもよい。または、非単結晶であってもよいし、単結晶であってもよい
。
【００７９】
また、酸化物半導体膜として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を
用いることもできる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一または
複数の金属元素である。例えば、Ｍとして、Ｇａ、Ｇａ及びＡｌ、Ｇａ及びＭｎ、または
Ｇａ及びＣｏが挙げられる。
【００８０】
次に、酸化物半導体膜（半導体膜２００４）に第１の加熱処理を行う。第１の加熱処理
の温度は、４００℃以上７５０℃以下、好ましくは４００℃以上とし、基板の歪み点未満
とする。
【００８１】
第１の加熱処理によって酸化物半導体膜（半導体膜２００４）から水素等の不純物の除
去（脱水素化処理）を行うことができる。これらが酸化物半導体膜に含まれると、ドナー
となりトランジスタのオフ電流を増大させるため、第１の加熱処理による脱水素化処理は
極めて有効である。
【００８２】
なお、第１の加熱処理は、電気炉を用いることができる。また、抵抗発熱体などの発熱
体からの熱伝導または熱輻射によって加熱してもよい。その場合、例えばＧＲＴＡ（Ｇａ
ｓ  Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ  Ｒａｐｉ
ｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａ
ｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。
【００８３】
ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カ
ーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光
（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置である。
【００８４】
ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体としては、不活
性ガス（代表的には、アルゴン等の希ガス）または窒素ガスを用いることができる。ＧＲ
ＴＡ装置を用いることで、短時間で高温の加熱処理が可能となるため、特に有効である。
【００８５】
また、第１の加熱処理は、酸化物半導体膜のパターニングを行う前に行ってもよいし、
電極２００５及び電極２００６を形成した後行ってもよいし、絶縁膜２００７を形成した
後に行ってもよい。ただ、電極２００５及び電極２００６が第１の加熱処理によってダメ
ージを受けることを避けるため、これらの電極を形成する前に行うことが好ましい。
【００８６】
ここで、第１の加熱処理において、酸化物半導体に酸素欠損が生じてしまうおそれがあ
る。そのため、第１の加熱処理の後に、酸化物半導体に酸素の導入（加酸化処理）を行い
、構成元素である酸素の高純度化を行うことが好ましい。
【００８７】
加酸化処理の具体例としては、第１の加熱処理の後連続して、窒素又は酸素を含む雰囲
気（たとえば、窒素：酸素の体積比＝４：１）中、又は酸素雰囲気中において、第２の加
熱処理を行う方法が挙げられる。また、酸素雰囲気下でのプラズマ処理を行う方法を用い
ることもできる。これにより酸化物半導体膜中の酸素濃度を向上させ、高純度化すること
ができる。第２の加熱処理の温度は、２００℃以上４００℃以下、好ましくは２５０℃以
上３５０℃以下とする。
【００８８】
また、加酸化処理の別の例としては、半導体膜２００４上に接して酸化珪素膜等の酸化
絶縁膜（絶縁膜２００７）を形成し、第３の加熱処理を行う。この絶縁膜２００７中の酸
素が半導体膜２００４に移動し、酸化物半導体の酸素濃度を向上させ、高純度化すること
ができる。第３の加熱処理の温度は、２００℃以上４００℃以下、好ましくは２５０℃以
上３５０℃以下とする。なお、トップゲート型とした場合においても、半導体膜２００４
上部に接するゲート絶縁膜を、酸化珪素膜等で形成し、同様の加熱処理を行うことで、酸
化物半導体を高純度化することができる。
【００８９】
以上のように、第１の加熱処理により脱水素化処理を行った後、第２の加熱処理又は第
３の加熱処理により加酸化処理を行うことで、酸化物半導体膜を高純度化することが可能
である。高純度化することで、酸化物半導体を真性又は実質的に真性とすることができ、
トランジスタ２０００のオフ電流を低減することができる。
【００９０】
なお、絶縁物２００１は、絶縁性を有する基板でもよく、所望の基板上に酸化珪素膜、
窒化珪素膜等を用いて、単層又は積層で形成した膜でもよい。プラズマＣＶＤ法、スパッ
タリング法を用いて形成すればよい。ポリイミド等の樹脂膜を塗布法等により形成した膜
でもよい。基板を樹脂で形成することで、可撓性を有する表示パネルとすることができる
。
【００９１】
また、ゲート電極２００２は、絶縁物２００１上に、モリブデン、チタン、クロム、タ
ンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料、又は
これらを主成分とする合金材料を用いて、単層又は積層で形成する。スパッタリング法又
は真空蒸着法を用いて形成すればよい。
【００９２】
また、ゲート絶縁膜２００３は、酸化珪素膜又は窒化珪素膜等を用いて、単層又は積層
で形成する。プラズマＣＶＤ又はスパッタリング法を用いて形成すればよい。
【００９３】
また、電極２００５及び電極２００６は、ゲート絶縁膜２００３及び半導体膜２００４
上に、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、イッ
トリウムなどの金属、これらを主成分とする合金材料、又は酸化インジウム等の導電性を
有する金属酸化物等を用いて、単層又は積層で形成する。スパッタリング法又は真空蒸着
法を用いて形成すればよい。電極２００５及び電極２００６は、ゲート電極２００２と重
なって形成されることが好ましい。このようにすることで、トランジスタ１０２の電流駆
動能力を向上させることができる。特に、高純度化された酸化物半導体（真性又は実質的
に真性な酸化物半導体）を用いた場合に有効である。
【００９４】
以下に、高純度化された酸化物半導体、及びそれを用いたトランジスタについて、詳細
に説明する。
【００９５】
高純度化された酸化物半導体の一例としては、キャリア濃度が１×１０１４／ｃｍ３未
満、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満
、または６．０×１０１０／ｃｍ３未満である酸化物半導体が挙げられる。
【００９６】
高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタは、シリコンを用いた半導体を有す
るトランジスタ等に比較して、オフ電流が非常に小さいという特徴を有している。
【００９７】
トランジスタのオフ電流特性について、評価用素子（ＴＥＧとも呼ぶ）を用いて測定し
た結果を以下に示す。なお、ここでは、ｎチャネル型のトランジスタであるものとして説
明する。
【００９８】
ＴＥＧには、Ｌ／Ｗ＝３μｍ／５０μｍ（膜厚ｄ：３０ｎｍ）のトランジスタを２００
個並列に接続して作製されたＬ／Ｗ＝３μｍ／１００００μｍのトランジスタを設けた。
その初期特性を図１５に示す。ここでは、ＶＧを−２０Ｖ〜＋５Ｖまでの範囲で示してい
る。トランジスタの初期特性を測定するため、基板温度を室温とし、ソース−ドレイン間
電圧（以下、ドレイン電圧またはＶＤという）を１０Ｖとし、ソース−ゲート間電圧（以
下、ゲート電圧またはＶＧという）を−２０Ｖ〜＋２０Ｖまで変化させたときのソース−
ドレイン電流（以下、ドレイン電流またはＩＤという）の変化特性、すなわちＶＧ−ＩＤ
特性を測定した。
【００９９】
図１５に示すように、チャネル幅Ｗが１００００μｍのトランジスタは、ＶＤが１Ｖ及
び１０Ｖのいずれにおいても、オフ電流は１×１０−１３Ａ以下となっており、測定機（
半導体パラメータ・アナライザ、Ａｇｉｌｅｎｔ  ４１５６Ｃ；Ａｇｉｌｅｎｔ社製）の
分解能（１００ｆＡ）以下となっている。このオフ電流値は、チャネル幅１μｍに換算す
ると、１０ａＡ／μｍに相当し、画素に適用した場合には実質的にゼロであると見なせる
。
【０１００】
なお、本明細書においてオフ電流とは、ｎチャネル型のトランジスタでしきい値Ｖｔｈ
が正である場合、室温において−２０Ｖ以上−５Ｖ以下の範囲の任意のゲート電圧を印加
したときにトランジスタのソース−ドレイン間を流れる電流のことを指す。なお、室温は
、１５度以上２５度以下とする。本明細書に開示する酸化物半導体を用いたトランジスタ
は、室温において、単位チャネル幅（Ｗ）あたりの電流値が１００ａＡ／μｍ以下、好ま
しくは１ａＡ／μｍ以下、さらに好ましくは１０ｚＡ／μｍ以下である。
【０１０１】
また、図１１の画素１０１において、トランジスタ１０２のオフ電流を低減することで
、表示素子１０３の階調を保持する機能が高まるため、容量素子１０４を設けない構成と
することも可能である。容量素子１０４を設けないことで、画素１０１の開口率を向上さ
せることができる。
【０１０２】
また、高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタは温度特性が良好である。代
表的には、−２５℃から１５０℃までの温度範囲におけるトランジスタの電流電圧特性に
おいて、オン電流、オフ電流、電界効果移動度、Ｓ値、及びしきい値電圧の変動がほとん
どなく、温度による電流電圧特性の劣化がほとんど見られない。また、高純度化された酸
化物半導体は光照射による劣化が少ないため、表示装置のように光を利用する装置では、
特に信頼性を高めることができる。
【０１０３】
なお、本実施の形態では、トランジスタがボトムゲート型である例を示したが、図１４
のようにトップゲート型のトランジスタ３０００としてもよい。トランジスタ３０００は
、半導体膜３００４、電極３００５、電極３００６、ゲート絶縁膜３００３、及びゲート
電極３００２を有する。電極３００５及び電極３００６は、一方がソース電極であり、他
方がドレイン電極である。
【０１０４】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１０５】
（実施の形態５）
本実施の形態では、表示パネルがめくられたことを検知する構成について、一例を示す
。
【０１０６】
図１６の表示装置は、表示パネル１００１、支持部１００２、又は筐体１００４にセン
サが設けられている。センサを設けることで、表示パネルがめくられたことを自動的に検
知することができる。
【０１０７】
例えば、表示パネル１００１に、フォトセンサ１０１０を設ける構成が挙げられる。フ
ォトセンサ１０１０は、表示パネル１００１がめくられた際に入射される光を検出し、め
くられたことを検知することができる。
【０１０８】
また、支持部１００２に、圧力センサ１０１１を設けてもよい。圧力センサ１０１１は
、表示パネル１００１がめくられた際に生じる圧力を検出し、めくられたことを検知する
ことができる。
【０１０９】
また、図１７は、図１６の表示装置を上部から見た断面図である。ここで、表示パネル
１００１は磁気センサ１０１２を有しており、筐体１００４は磁石１０１３を有している
。磁気センサ１０１２は、表示パネル１００１が矢印の向きにめくられた際に、磁石１０
１３から生じる磁気エネルギーの変化を検出して、めくられたことを検知することができ
る。なお、磁気センサ１０１２と磁石１０１３との位置は逆にしてもよい。複数の表示パ
ネルを有する場合、各々の表示パネルに磁気センサ１０１２又は磁石１０１３を設けるこ
とで、表示パネルがめくられた際の磁気エネルギーの変化を検出することができる。
【０１１０】
なお、図１７において、磁気センサ１０１２及び磁石１０１３の代わりに、２つ電極の
電極を設けても良い。２つの電極の接触により生じる電流を検出することで、めくられた
ことを検知することができる。また、２つの電極の接近により生じる静電エネルギーの変
化を検出してもよい。
【０１１１】
また、上記以外に、めくられた際の加速度を検出するセンサ（加速度センサ）、めくら
れた角度を検出するセンサ（角度センサ）等を設けてもよい。これらのセンサからの検出
信号がコントローラ４００（図２参照）に出力される。そして、走査線駆動回路３００は
、センサからの検出信号が出力されている時に画素の駆動を行い、検出信号が出力されて
いない時に画素の動作を停止する。画素の駆動時間を短縮することで、表示装置の消費電
力を低減することができる。
【０１１２】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０１１３】
１００  画素部
１０１  画素
１０２  トランジスタ
１０３  表示素子
１０４  容量素子
１１１  配線
１１２  配線
２００  信号線駆動回路
３００  走査線駆動回路
４００  コントローラ
５００  コントローラ
８０１  電源回路
８０２  タイミングジェネレータ
８０３  スイッチ素子
８０４  スイッチ素子
９０１  スイッチ素子
１００１  表示パネル
１００２  支持部
１００３  表示画面
１００４  筐体
１０１０  フォトセンサ
１０１１  圧力センサ
１０１２  磁気センサ
１０１３  磁石
２０００  トランジスタ
２００１  絶縁物
２００２  ゲート電極
２００３  ゲート絶縁膜
２００４  半導体膜
２００５  電極
２００６  電極
２００７  絶縁膜
３０００  トランジスタ
３００２  ゲート電極
３００３  ゲート絶縁膜
３００４  半導体膜
３００５  電極
３００６  電極
５００１  電極
５００２  電極
５００３  マイクロカプセル
５００４  樹脂
５０１１  膜
５０１２  液体
５０１３  粒子
５０１４  粒子
【図１】
2020201503.tif 000003
【図２】
2020201503.tif 000004
【図３】
2020201503.tif 000005
【図４】
2020201503.tif 000006
【図５】
2020201503.tif 000007
【図６】
2020201503.tif 000008
【図７】
2020201503.tif 000009
【図８】
2020201503.tif 000010
【図９】
2020201503.tif 000011
【図１０】
2020201503.tif 000012
【図１１】
2020201503.tif 000013
【図１２】
2020201503.tif 000014
【図１３】
2020201503.tif 000015
【図１４】
2020201503.tif 000016
【図１５】
2020201503.tif 000017
【図１６】
2020201503.tif 000018
【図１７】
2020201503.tif 000019