(57)【要約】【課題】被加工物の金属薄膜の一部が所定厚さ除去されるタイミングを正確且つ容易に検出できるエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】第１の導電層が設けられた被加工物の第１の導電層の一部をエッチングにより所定厚さ除去するエッチング方法であって、基材と、基材上に設けられた所定厚さに対応する厚さを有する第２の導電層と、第２の導電層にそれぞれ接続された一対の導線部と、を有する試験片を準備する準備ステップと、一対の導線部の間に位置する第２の導電層の一部をエッチングにより所定厚さ除去すると共に、被加工物の第１の導電層の一部を除去するエッチングステップと、一対の導線部間の電気抵抗に基づいて、第２の導電層の一部が除去されたタイミングを第１の導電層が所定厚さ除去されたタイミングとして検知する検知ステップと、を備えるエッチング方法を提供する。【選択図】図４
2020136332.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層が設けられた被加工物の該第１の導電層の一部をエッチングにより所定厚さ除去するエッチング方法であって、
基材と、該基材上に設けられた該所定厚さに対応する厚さを有する第２の導電層と、互いに離れた態様で該第２の導電層にそれぞれ接続された一対の導線部と、を有する試験片を準備する準備ステップと、
該一対の導線部の間に位置する該第２の導電層の一部をエッチングにより該所定厚さ除去すると共に、該被加工物の該第１の導電層の一部を除去するエッチングステップと、
該一対の導線部間の電気抵抗に基づいて、該第２の導電層の一部が除去されたタイミングを該被加工物の該第１の導電層が該所定厚さ除去されたタイミングとして検知する検知ステップと、を備えることを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
該エッチングステップでは、該被加工物と該試験片とを、エッチング液に浸漬することを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】
該エッチングステップでは、該被加工物と該試験片とを、該エッチング液が所定の深さまで満たされた１つの容器の該エッチング液に浸漬することを特徴とする請求項２に記載のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物の導電層の一部をエッチングにより所定厚さ除去する場合に、導電層が所定厚さ除去されたタイミングを検知可能なエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置等の一部を構成する基板等の被加工物には、微細配線パターンが設けられている。この微細配線パターンは、例えば、被加工物の一面側に金属薄膜を形成した後、この金属薄膜をエッチングにより部分的に除去することにより形成される。金属薄膜のエッチングの手法としては、ウェットエッチングが広く利用されている。
【０００３】
ウェットエッチングにより金属薄膜の一部を所定厚さ除去するためには、例えば、所定のパターン形状を有しフォトレジストから成るマスク層を金属薄膜上に形成した上で、被加工物をエッチング液に浸漬する。例えば、金や金合金から成る金属薄膜をウェットエッチングで処理するためには、ヨウ素等を含むエッチング液が使用される（特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、エッチング液に浸漬された金属薄膜を所定厚さ除去するために、金属薄膜の下地層にエッチングストッパ層を形成する場合がある。この場合、エッチング液がエッチングストッパ層に達するまで、金属薄膜は主としてその厚さ方向で除去される。しかし、エッチングストッパ層を形成する分だけ製造コストが増加するという問題がある。
【０００５】
そこで、エッチング液に浸漬された金属薄膜を所定厚さ除去するために、エッチングストッパ層を用いずに、所定厚さの金属薄膜が形成された被加工物をエッチング液に浸漬する時間を管理する場合がある。具体的には、まず、金属薄膜に作用するエッチング液のエッチングレートに基づいて、金属薄膜を所定厚さ除去するのに必要な加工時間を見積もる。
【０００６】
そして、被加工物をエッチング液に浸漬し、上述の加工時間経過時に、被加工物をエッチング液から取り出す。しかし、金属薄膜のエッチングは、必ずしも見積もった加工時間内に完了するわけではない。そこで、見積もった加工時間よりも長い時間、被加工物をエッチング液に浸漬することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２２４１１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、ウェットエッチングでは等方的に金属薄膜のエッチングが進行するので、見積もった加工時間よりも長い時間、被加工物をエッチング液に浸漬すると、マスク層の端部領域の下部に位置する金属薄膜がマスク層の端部よりも内側に向かって除去される、いわゆるアンダーカットが生じる。
【０００９】
過度なアンダーカットを防ぐために、見積もった加工時間の経過前に被加工物をエッチング液から取り出して金属薄膜の厚さ方向の除去量を確認することが考えられるが、除去量が足りない場合には、再度、被加工物をエッチング液に浸漬する必要がある。それゆえ、過度なアンダーカットを防ぎつつ、エッチング終了のタイミングを時間で管理する場合には、複数回の浸漬及び取り出しを要するので手間がかかる。
【００１０】
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、被加工物の金属薄膜の一部が所定厚さ除去されるタイミングを正確且つ容易に検出できるエッチング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様によれば、第１の導電層が設けられた被加工物の該第１の導電層の一部をエッチングにより所定厚さ除去するエッチング方法であって、基材と、該基材上に設けられた該所定厚さに対応する厚さを有する第２の導電層と、互いに離れた態様で該第２の導電層にそれぞれ接続された一対の導線部と、を有する試験片を準備する準備ステップと、該一対の導線部の間に位置する該第２の導電層の一部をエッチングにより該所定厚さ除去すると共に、該被加工物の該第１の導電層の一部を除去するエッチングステップと、該一対の導線部間の電気抵抗に基づいて、該第２の導電層の一部が除去されたタイミングを該被加工物の該第１の導電層が該所定厚さ除去されたタイミングとして検知する検知ステップと、を備えるエッチング方法が提供される。
【００１２】
好ましくは、該エッチングステップでは、該被加工物と該試験片とを、エッチング液に浸漬する。
【００１３】
また、好ましくは、該エッチングステップでは、該被加工物と該試験片とを、該エッチング液が所定の深さまで満たされた１つの容器の該エッチング液に浸漬する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様に係る準備ステップでは、エッチングにより被加工物の第１の導電層を所定厚さ除去するために、この所定厚さに対応する厚さを有する第２の導電層を備える試験片を準備する。そして、エッチングステップでは、一対の導線部の間に位置する第２の導電層の一部を所定厚さ除去すると共に、被加工物の第１の導電層の少なくとも一部を所定厚さ除去する。このとき、一対の導線部の間に位置する第２の導電層の一部と第１の導電層の一部とは、同じ所定厚さだけ除去される。
【００１５】
一対の導線部は、互いに離れた態様で第２の導電層にそれぞれ接続されており、一対の導線部間に位置する第２の導電層により、短絡経路が形成されている。しかし、一対の導線部の間に位置する短絡経路が無くなるまで第２の導電層が除去されると、一対の導線部間の電気抵抗が急激に増加する。それゆえ、一対の導線部間の電気抵抗に基づいて、被加工物の第１の導電層が所定厚さ除去されたタイミングを検知できる。従って、試験片を利用することで、被加工物をエッチング液から取り出すタイミングを正確且つ容易に検出できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（Ａ）は、被加工物の断面図であり、図１（Ｂ）は、領域Ａの拡大図である。
【図２】図２（Ａ）は、第１実施形態に係る基材等の斜視図であり、図２（Ｂ）は、第１実施形態に係る基材等の一部断面側面図である。
【図３】図３（Ａ）は、第１実施形態に係る試験片の斜視図であり、図３（Ｂ）は、第１実施形態に係る試験片の一部断面側面図である。
【図４】エッチングステップを示す一部断面側面図である。
【図５】図５（Ａ）は、浸漬時間に対する抵抗値の変化の例を示すグラフであり、図５（Ｂ）は、エッチング終了時の被加工物の一部の断面図である。
【図６】第１実施形態のエッチング方法のフロー図である。
【図７】図７（Ａ）は、第２実施形態に係る試験片の斜視図であり、図７（Ｂ）は、第２実施形態に係る試験片の一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、被加工物１について説明する。図１（Ａ）は、被加工物１の断面図であり、図１（Ｂ）は、領域Ａの拡大図である。
【００１８】
被加工物１は、厚さ６００μｍから７００μｍの円盤状のウェーハ２を有する。なお、ウェーハ２の形状は、円盤状に限定されず、矩形状であってもよい。また、ウェーハ２は、シリコン（Ｓｉ）で形成されている。
【００１９】
但し、ウェーハ２は、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、タンタル酸リチウム（ＬＴ）、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、各種ガラス等の材料で形成されてもよい。各種ガラスは、例えば、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダ石灰ガラス、無アルカリガラスを含む。
【００２０】
ウェーハ２の一面には、例えば厚さ数ｎｍの酸化膜４が形成されている。酸化膜４は、例えば、酸化シリコン膜である。ウェーハ２と酸化膜４との接合界面とは反対側には、金（Ａｕ）又は金合金から成る導電層（第１の導電層）５が形成される。
【００２１】
導電層５は、酸化膜４に接する態様で酸化膜４の表面全体を覆う。導電層５は、所定の厚さ（例えば、１０ｎｍの厚さ）を有し、酸化膜４によりウェーハ２から電気的に絶縁されている。
【００２２】
導電層５は、後述するエッチングステップで所定の形状にパターニングされ、ウェーハ２に形成される配線層の一部として機能し得る。導電層５をパターニングするために、酸化膜４と導電層５との接合界面とは反対側に位置する導電層５の表面には、リソグラフィー技術等により所定の形状に加工されたフォトレジスト材料から成るマスク層６が形成されている。マスク層６の開口領域では、導電層５が露出している。
【００２３】
次に、被加工物１と共にエッチング処理が施される試験片１１について説明する。試験片１１は、基材１２を有する。図２（Ａ）は、第１実施形態に係る基材１２等の斜視図であり、図２（Ｂ）は、第１実施形態に係る基材１２等の一部断面側面図である。
【００２４】
基材１２は、例えば、ウェーハ２の材料と同じ材料で形成される。また、基材１２は、ウェーハ２の厚さに対応する厚さ（例えば、ウェーハ２と同じ厚さ）を有する。基材１２は長方形、正方形等の矩形状の基板である。
【００２５】
一例において、基材１２の表面の一辺は数ｃｍであり、基材１２の厚さは表面の各一辺よりも十分に小さい。例えば、基材１２の大きさは、縦が数ｃｍ（例えば、１ｃｍから３ｃｍ）、横が数ｃｍ（例えば、１ｃｍから３ｃｍ）、厚さが６００μｍから７００μｍである。なお、基材１２は、ウェーハ２と同じ材料及び同じ厚さで形成されることが好ましいが、ウェーハ２とは異なる材料及び異なる厚さで形成されてもよい。
【００２６】
図２（Ｂ）に示す様に、基材１２の一面には、例えば、被加工物１の酸化膜４と同じ厚さの酸化膜（例えば、酸化シリコン膜）１４が形成されている。酸化膜１４は、例えば、後述する導電層１５（図３（Ａ）及び図３（Ｂ）参照）を基材１２から電気的に絶縁する目的で設けられている。
【００２７】
基材１２及び酸化膜１４の接触界面とは反対側の酸化膜１４の表面には、一対の配線１６が設けられる。一対の配線１６の一端側は、基材１２を上面視した場合に基材１２の縦又は横方向の一辺に沿って一直線状となる様に、酸化膜１４の表面に配置されている。
【００２８】
各配線１６は、銅（Ｃｕ）等の金属製の導線部１６ａを有する。なお、導線部１６ａの材料は、銅に限定されず、後述するエッチング液に対して耐性を有する他の金属で形成されてもよい。導線部１６ａは、樹脂等の絶縁材料で形成された被覆部１６ｂに覆われているが、導線部１６ａの一端側は、被覆部１６ｂから露出している。
【００２９】
一対の導線部１６ａの各露出部分は、互いに離れて向かい合う態様で配置されている。一対の導線部１６ａの各露出部分は、ポリイミドテープ、セロハンテープ等の粘着性を有する樹脂製のテープの小片（即ち、テープ片１６ｃ）により、酸化膜１４の表面に固定されている。
【００３０】
より具体的には、被覆部１６ｂから露出した導線部１６ａのうち、導線部１６ａの先端部と被覆部１６ｂ近傍の根元部との間の一部が、テープ片１６ｃにより覆われて、酸化膜１４の表面に固定されている。なお、導線部１６ａの先端部及び根元部は、テープ片１６ｃにより覆われていないが、根元部はテープ片１６ｃにより覆われてもよい。
【００３１】
導線部１６ａの他端側には、金属製の端子部１６ｄが接続されている。端子部１６ｄは、例えばいわゆる丸型端子であり、本体が銅材料で形成され本体の表面が錫（Ｓｎ）でめっきされている。但し、端子部１６ｄの材料、形状等はこの例に限定されない。
【００３２】
酸化膜１４、導線部１６ａ及びテープ片１６ｃ上には、一対の導線部１６ａ間に位置する酸化膜１４と導線部１６ａの先端部とに少なくとも接する様に、導電層（第２の導電層）１５が形成される。これにより、基材１２、酸化膜１４、一対の配線１６及び導電層１５を有する試験片１７が形成される。
【００３３】
図３（Ａ）は、第１実施形態に係る試験片１７の斜視図であり、図３（Ｂ）は、第１実施形態に係る試験片１７の一部断面側面図である。導電層１５は、例えば、スパッタリング装置等の金属製膜装置（不図示）を用いて形成される。導電層１５は、被加工物１の導電層５と同じ材料で形成される。例えば、導電層１５は、金（Ａｕ）又は金合金で形成される。
【００３４】
導電層１５の厚さは、被加工物１の導電層５の所定厚さに対応する様に調整される。導電層１５の厚さが導電層５の所定厚さに対応するとは、例えば、導電層１５及び導電層５が同じ厚さを有することを意味するが、導電層１５及び導電層５の厚さは完全に同じでなくてもよい。
【００３５】
例えば、金属製膜装置の１つの成膜チャンバを用いて、導電層１５及び導電層５を同じ成膜条件で共に形成する場合に、導電層１５と導電層５とは対応する厚さを有すると見なしてよい。また、金属製膜装置を用いて導電層１５及び導電層５を個別に形成した場合であっても、１つの成膜チャンバを用いて同じ成膜条件で形成した場合と同程度の厚さの差異であれば、導電層１５と導電層５とは対応する厚さを有すると見なしてよい。
【００３６】
一対の導線部１６ａの各々は、酸化膜１４と導電層１５との間に挟まれる態様で、導電層１５に接続される。例えば、一方の導線部１６ａの先端部と、他方の導線部１６ａの先端部との間に位置する導電層１５は、一対の導線部１６ａを短絡する短絡経路１６ｅを構成する。
【００３７】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に破線で示す様に、試験片１７の端子部１６ｄには、接続線１８を介して抵抗測定器２０が電気的に接続される。抵抗測定器２０は、例えば、一対の導線部１６ａ間の抵抗値を測定するために用いられる。なお、接続線１８及び抵抗測定器２０は、試験片１７の一部ではない。
【００３８】
次に、図４、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図６を用いて、被加工物１のエッチング方法について説明する。なお、図６は、第１実施形態のエッチング方法のフロー図である。第１実施形態では、まず、被加工物１の導電層５に対応する厚さの導電層１５を有する試験片１７を準備する（準備ステップ（Ｓ１０））。
【００３９】
準備ステップ（Ｓ１０）の後に、試験片１７及び被加工物１をエッチング液３２に浸漬して、導電層１５及び導電層５に対してエッチング処理を施す（エッチングステップ（Ｓ２０））。図４は、エッチングステップ（Ｓ２０）を示す一部断面側面図である。
【００４０】
エッチングステップ（Ｓ２０）では、まず、１つの試験片１７及び１つの被加工物１を共に収容可能な程度の大きさ及び深さを有する容器３０を準備する。次に、エッチング液３２を、容器３０に注ぎ、所定の深さまで容器３０をエッチング液３２で満たす。
【００４１】
なお、エッチング液３２は、ヨウ素と、ヨウ化カリウムと、アルコールとを含む、ヨウ素系のエッチング液である。例えば、エッチング液３２は、１００ｍｌ当たり３ｇのヨウ素と、２ｇのヨウ化カリウムと、７０体積％のエタノールとを含む。ヨウ素系のエッチング液３２は、中性であるので、強酸性の王水や、強アルカリ性であり毒性のあるシアン化ナトリウム水溶液に比べて取り扱いが容易である。
【００４２】
次に、接続線１８を介して抵抗測定器２０が端子部１６ｄに接続された状態の試験片１７と、被加工物１とを、エッチング液３２に同時に浸漬する。エッチング液３２の温度は、例えば常温である。
【００４３】
なお、試験片１７及び被加工物１を１つの容器３０中のエッチング液３２に浸漬することで、試験片１７及び被加工物１を別々の容器中のエッチング液３２に浸漬する場合に比べて、より正確に同一のエッチング条件で試験片１７及び被加工物１を加工できる。
【００４４】
エッチングステップ（Ｓ２０）では、抵抗測定器２０で試験片１７の電気抵抗を測定しながら、導電層１５及び導電層５とエッチング液３２との腐食反応プロセスを進行させる。図５（Ａ）は、浸漬時間に対する抵抗値の変化の例を示すグラフである。
【００４５】
腐食反応プロセスの開始直後は導電層１５が十分に残存しているので、抵抗測定器２０により測定される抵抗値は、比較的低い抵抗値Ｒ１を示す。抵抗値Ｒ１は、配線１６の抵抗値、短絡経路１６ｅの抵抗値、導電層１５と導線部１６ａとの接触抵抗値、及び、接続線１８の抵抗値の和であり、例えば、約１Ωである。
【００４６】
浸漬時間が経過するにつれて、一対の導線部１６ａの間に位置する導電層１５の厚さが薄くなり、抵抗値は急激に増加する。そして、所定時間Ｔ経過時に酸化膜１４に達するまで導電層１５が除去されると、短絡経路１６ｅが無くなるので、抵抗値は、最大値（抵抗値Ｒ２）まで上昇して一定となる。抵抗値Ｒ２は、例えば約２０Ωである。
【００４７】
例えば、オペレーターが、エッチングステップ（Ｓ２０）中に抵抗測定器２０の抵抗値を監視することで、変化する一対の導線部１６ａ間の電気抵抗に基づいて、抵抗値がＲ２となったタイミング（即ち、時間Ｔ）を検知する（検知ステップ（Ｓ３０））。所定時間Ｔは、例えば１分である。なお、酸化膜１４を設けることにより、酸化膜１４を設けない場合に比べて抵抗値Ｒ２が高くなるので、抵抗値Ｒ２と抵抗値Ｒ１との差（即ち、抵抗値の変化）がより顕著になる。
【００４８】
試験片１７の導電層１５及び被加工物１の導電層５は、エッチング液３２により腐食され、同じ厚さ除去される。一対の導線部１６ａ間の抵抗値がＲ２となったタイミング（即ち、図５（Ａ）の時間Ｔ）までに、導電層１５は、その全体が所定厚さ除去され、導電層５も、マスク層６に覆われていない部分が導電層１５の厚さと同じ所定厚さ除去され、配線パターンが形成される。
【００４９】
それゆえ、導電層１５の一部が除去されたタイミングで導電層５が所定厚さ除去されたタイミングを検知できる。そして、時間Ｔ経過時に、例えばオペレーターが、被加工物１をエッチング液３２から取り出す（取り出しステップ（Ｓ４０））。被加工物１をエッチング液３２から取り出すことにより、導電層５とエッチング液３２との腐食反応プロセスは停止され、導電層５のエッチングは終了する。
【００５０】
図５（Ｂ）は、エッチング終了時の被加工物１の一部の断面図である。マスク層６に覆われていない導電層５の一部の領域は、所定厚さ（即ち、導電層５の厚さ）除去されて、下地の酸化膜４が露出する。
【００５１】
本実施形態では、一対の導線部１６ａ間における電気抵抗に基づいて、被加工物１の導電層５が所定厚さ除去されたタイミングを検知する。それゆえ、被加工物１をエッチング液３２から取り出すタイミングを正確且つ容易に検出できる。
【００５２】
なお、必須ではないが、エッチングステップ（Ｓ２０）中にエッチング液３２の撹拌、容器３０の揺動、容器３０の加熱等を行ってもよい。これにより、攪拌、揺動、加熱等を行わない場合に比べて、エッチング液３２と導電層１５及び導電層５との腐食反応を促進でき、抵抗値Ｒ２となるのに要する所定時間Ｔをより短縮できる。
【００５３】
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態では、試験片１７の構造が第１実施形態と異なる。図７（Ａ）は、第２実施形態に係る試験片１７の斜視図であり、図７（Ｂ）は、第２実施形態に係る試験片１７の一部断面側面図である。なお、図７（Ｂ）では、導線部１６ａ及び被覆部１６ｂの位置を示すために、テープ片１６ｃのハッチングを省略している。
【００５４】
第２実施形態の準備ステップ（Ｓ１０）では、まず、一対の導線部１６ａの露出部分を酸化膜１４に固定する前に、上述の金属製膜装置（不図示）を用いて酸化膜１４に接する様に導電層１５を形成する。その後、導電層１５と酸化膜１４との接合界面とは反対側に位置する導電層１５の表面に接する様に、一対の導線部１６ａを一直線状に配置する。
【００５５】
そして、樹脂製のテープ片１６ｃの粘着層側を、導電層１５の表面及び導線部１６ａに貼り付ける。このとき、基材１２の四側面のうち、一対の導線部１６ａの各露出部分の配置方向と平行な両側面にも、各テープ片１６ｃを貼り付けることが好ましい。これにより、配線１６を導電層１５から剥離する様な引っ張り応力を配線１６が受けても、導線部１６ａが導電層１５から剥離され難くなる。
【００５６】
一対の配線１６がテープ片１６ｃを介して導電層１５に固定された試験片１７を準備した後、エッチングステップ（Ｓ２０）を行う。エッチングステップ（Ｓ２０）では、試験片１７及び被加工物１を容器３０中のエッチング液３２に浸漬する。
【００５７】
これにより、試験片１７では、一対の導線部１６ａの間に位置しテープ片１６ｃに覆われていない導電層１５（即ち、導電層１５の一部）が徐々に除去される。また、被加工物１では、マスク層６に覆われていない導電層５の一部も徐々に除去される。
【００５８】
第２実施形態でも、エッチングステップ（Ｓ２０）中に検知ステップ（Ｓ３０）を行う。そして、一対の導線部１６ａ間の抵抗値がＲ２となった時間Ｔで、被加工物１をエッチング液３２から取り出す（取り出しステップ（Ｓ４０））。
【００５９】
これにより、被加工物１の導電層５のエッチングは終了する。試験片１７では、テープ片１６ｃに覆われていない導電層１５の一部は所定厚さ除去される。また、マスク層６に覆われていない導電層５の一部も所定厚さ除去され、導電層５には配線パターンが形成される。
【００６０】
上述の様に、一対の導線部１６ａ間における電気抵抗に基づいて、被加工物１の導電層５が所定厚さ除去されたタイミングを検知することで、被加工物１をエッチング液３２から取り出すタイミングを正確且つ容易に検出できる。
【００６１】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、時間Ｔ（及び時間Ｔに対応する抵抗値Ｒ２）は、導電層５及び導電層１５の材料及び厚さ、エッチング液３２の種類等に応じて適宜変更してよい。
【００６２】
また、被加工物１の導電層５（第１の導電層）と試験片１７の導電層１５（第２の導電層）とは、同じ厚さでなくてもよい。例えば、導電層５（第１の導電層）を導電層１５（第２の導電層）よりも厚く形成しておき、導電層１５がエッチングにより所定厚さ除去されたタイミングで、導電層５がエッチングにより同じ所定厚さ除去されたタイミングを検知してもよい。
【００６３】
なお、エッチングは、ウェットエッチングに限らず、ドライエッチングであってもよい。ドライエッチングの一例として、平行平板型エッチング装置（不図示）を用いてプラズマエッチングを行う場合、平行平板型エッチング装置のエッチングチャンバー（不図示）内に、被加工物１と共に試験片１７を配置する。この場合、端子部１６ｄ、接続線１８及び抵抗測定器２０は、エッチングチャンバーの外に配置される。
【００６４】
そして、エッチングチャンバー内にエッチング用のガスを導入すると共に、平行平板電極に所定の電力を投入して、平行平板電極間にラジカルやイオンを発生させる。発生したラジカルやイオンにより、試験片１７では、導電層１５の少なくとも一部が徐々に除去され、被加工物１では、マスク層６に覆われていない導電層５の一部が徐々に除去される。
【００６５】
そして、一対の導線部１６ａ間の抵抗値がＲ２となった時間Ｔ（検知ステップ（Ｓ３０））で、オペレーターの指示により、エッチング用のガスの導入と、平行平板電極への電力の投入とを停止する。その後、被加工物１及び試験片１７をエッチングチャンバーから取り出す（取り出しステップ（Ｓ４０））。
【００６６】
なお、一対の導線部１６ａ間の電気抵抗の監視やエッチングの終了は、必ずしもオペレーターが行わなくてもよい。例えば、制御部（不図示）（例えば、ＣＰＵ及びメモリ等を有するコンピューター）が一対の導線部１６ａ間の電気抵抗を監視してもよい。また、電気抵抗が抵抗値Ｒ２となった時間Ｔで、制御部が搬送装置（不図示）の動作を制御することにより被加工物１をエッチング液３２から取り出してもよく、制御部がエッチングチャンバー内へのラジカルやイオンの導入を停止させてもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１  被加工物
２  ウェーハ
４  酸化膜
５  導電層（第１の導電層）
６  マスク層
１２  基材
１４  酸化膜
１５  導電層（第２の導電層）
１６  配線
１６ａ  導線部
１６ｂ  被覆部
１６ｃ  テープ片
１６ｄ  端子部
１６ｅ  短絡経路
１７  試験片
１８  接続線
２０  抵抗測定器
３０  容器
３２  エッチング液
Ａ  領域
【図１】
2020136332.tif 000003
【図２】
2020136332.tif 000004
【図３】
2020136332.tif 000005
【図４】
2020136332.tif 000006
【図５】
2020136332.tif 000007
【図６】
2020136332.tif 000008
【図７】
2020136332.tif 000009