(57)【要約】【課題】生産性を維持しながら露光ムラの低減する技術を提供する。【解決手段】マスクのパターンを基板に投影する投影光学系を含み、前記基板を走査露光する露光装置における露光方法は、走査露光中に発生する前記投影光学系の光学特性の変動の情報を取得する工程と、前記変動によって生じる露光ムラを低減するように前記基板上の１点あたりの露光時間の目標値である目標露光時間を決定する工程と、前記基板上の１点あたりの露光時間が前記決定された目標露光時間になるように露光条件を調整する工程と、前記調整された露光条件に従い前記基板の走査露光を行う工程とを有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクのパターンを基板に投影する投影光学系を含み、前記基板を走査露光する露光装置における露光方法であって、
走査露光中に発生する前記投影光学系の光学特性の変動の情報を取得する工程と、
前記変動によって生じる露光ムラを低減するように前記基板上の１点あたりの露光時間の目標値である目標露光時間を決定する工程と、
前記基板上の１点あたりの露光時間が前記決定された目標露光時間になるように露光条件を調整する工程と、
前記調整された露光条件に従い前記基板の走査露光を行う工程と、
を有することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記目標露光時間は、前記基板に転写されたパターンの位置の偏差のばらつきが許容値を下回るように決定されることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記目標露光時間は、前記ばらつきが前記許容値を下回る時間の範囲のうち最小の時間に決定されることを特徴とする請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記目標露光時間は、前記基板上に転写されたパターンの線幅の偏差のばらつきが許容値を下回るように決定されることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項５】
前記目標露光時間は、前記ばらつきが前記許容値を下回る時間の範囲のうち最小の時間に決定されることを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
前記目標露光時間は、前記変動の周期の整数倍となる値に決定されることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項７】
前記変動は、前記投影光学系における光学部品の振動、もしくは、前記マスクを保持するマスクステージと前記基板を保持する基板ステージとの間の同期制御誤差による振動、またはその両方を計測することにより求められることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項８】
前記変動は、前記走査露光が行われた基板に転写された光学像を撮像し、該撮像により得られた画像を処理することにより求められることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項９】
前記露光条件の調整は、露光光の照度、走査速度、光源の光を整形するスリットの走査方向の幅のうち少なくとも２つを調整することにより行われることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項１０】
基板の走査露光を行う露光装置であって、
マスクのパターンを前記基板に投影する投影光学系と、
前記走査露光を制御する制御部とを有し、
前記制御部は、
走査露光中に発生する前記投影光学系の光学特性の変動の情報を取得し、
前記変動によって生じる露光ムラを低減するように前記基板上の１点あたりの露光時間の目標値である目標露光時間を決定し、
前記基板上の１点あたりの露光時間が前記決定された目標露光時間になるように露光条件を調整する
ことを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の露光方法に従い基板を露光する工程と、
前記工程で前記露光された基板を現像する工程と、
を含み、前記現像された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法、露光装置、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルや有機ＥＬパネル等のディスプレイは、フォトリソグラフィ技術を用いてガラス基板上に透明薄膜電極を所望の形状にパターニングすることによって製作される。フォトリソグラフィ工程では、予めパターンが描画されているマスク（又はレチクル）上に露光光を照射し、投影光学系を介してマスク上のパターンをフォトレジストが塗布されたガラス基板等の基板上に投影する露光装置が用いられる。また、ディスプレイの製造では、大画面露光に適したミラー・プロジェクション方式による露光装置がしばしば用いられる。
【０００３】
近年ではスマートフォンやタブレット向けのディスプレイには高精細化が求められており、それに伴い露光装置には従来よりも高い解像力性能や高い生産性（高スループット）が求められている。露光装置では、露光しようとする回路パターンが描かれたマスクをマスクステージ上に載置し、マスクに照明光が照射される。走査露光装置の場合、マスクステージと、被露光対象である基板が載置された基板ステージとを同時に走査しながら露光が行われる。走査露光装置において高い生産性を確保するためには、マスクステージと基板ステージは高速に動作させながら露光を行うことが必要である。このとき、マスクステージや基板ステージの駆動が振動源となり、この振動は露光装置本体の構造体や投影光学系内に配置された光学部品に伝わる。このような振動は、露光されたレジストパターンの形状を周期的に変動させ、基板上に露光ムラを生じさせる。露光ムラとは、露光が終了した基板上に見られる、基板上を反射もしくは透過した光の強度のムラをいう。露光ムラは、露光されたレジストパターンのプロファイル（レジストの幅、テーパー角、露光後のレジスト高さなど）のばらつきやパターンが形成される位置の変動に起因して見られる現象である。露光ムラが目立つパネルは品質上好ましくないため、パネル製造時には露光ムラが極力発生しないように振動を抑制するための注意が必要となる。
【０００４】
特開２０１５−８７５１４号公報（特許文献１）は、装置内に蓄積した過去のデータを用いて露光結果に露光ムラが発生しているかを検知する機能を有する露光装置を開示している。これによれば、装置が露光ムラを発生させやすい状態になったことを検知し、露光ムラの発生要因となる項目の診断結果が閾値を超えた場合に装置の稼働が中止される。これにより、不良品を大量に生産してしまうことが抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−８７５１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、パネルの高精細化に伴い、露光パターンはますます微細になっており、露光ムラの発生要因の閾値も非常に厳しいレベルになってきている。そのため比較的小さい振動が装置内で発生しても露光ムラが発生しやすく、装置の稼働停止が頻繁に発生し、それにより生産性が低下してしまう。
【０００７】
本発明は、例えば、生産性を維持しながら露光ムラの低減する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によれば、マスクのパターンを基板に投影する投影光学系を含み、前記基板を走査露光する露光装置における露光方法であって、走査露光中に発生する前記投影光学系の光学特性の変動の情報を取得する工程と、前記変動によって生じる露光ムラを低減するように前記基板上の１点あたりの露光時間の目標値である目標露光時間を決定する工程と、前記基板上の１点あたりの露光時間が前記決定された目標露光時間になるように露光条件を調整する工程と、前記調整された露光条件に従い前記基板の走査露光を行う工程とを有することを特徴とする露光方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、生産性を維持しながら露光ムラの低減する技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態における露光装置の構成を示す図。
【図２】基板面での像の振動の例を示す図。
【図３】図２で示される振動が露光パターンの位置偏差に及ぼす影響を示す図。
【図４】図２で示される振動が露光パターンの線幅に及ぼす影響を示す図。
【図５】スリットの開口部の形状の例を示す図。
【図６】基板の１点あたりの露光時間と露光パターンの位置偏差のばらつきとの関係を示す図。
【図７】振動による影響を受けた露光結果の一例を示す図。
【図８】実施形態における露光方法を示すフローチャート。
【図９】実施形態における露光装置の調整処理を示すフローチャート。
【図１０】実施形態における露光方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎないものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
【００１２】
＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態における露光装置の構成を示す図である。本明細書では、水平面をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。一般には、基板Ｐはその表面が水平面（ＸＹ平面）と平行になるように基板ステージ４０１の上に置かれる。よって以下では、基板Ｐの表面に沿う平面内で互いに直交する方向をＸ軸およびＹ軸とし、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な方向をＺ軸とする。
【００１３】
照明光学系１は、光源１０１、ＮＤフィルタ１０２、オプティカルインテグレータ１０３、絞り１０４、コンデンサレンズ１０５、スリット１０６、レンズ１０７、ミラー１０８、レンズ１０９を含む。光源１０１は、高圧水銀ランプ等の紫外線の光を発する。ＮＤフィルタ１０２は、所定の透過率を有し、光源１０１から発せられた光の強度を調整する。オプティカルインテグレータ１０３は、例えばフライアイレンズで構成される。フライアイレンズは、複数の微小レンズの集合からなり、その光射出面近傍に複数の２次光源が形成される。絞り１０４は、オプティカルインテグレータ１０３により形成された２次光源の集合の総体的な形状を決定するための絞りである。２次光源の集合の総体的な形状は照明形状と呼ばれる。コンデンサレンズ１０５は、オプティカルインテグレータ１０３からの光でスリット１０６をケーラー照明している。スリット１０６は、光源からの光を整形する。スリット１０６の開口部は、マスキングブレードによってマスク上を照射する形状に形成されている。スリット１０６を通過した光はレンズ１０７、ミラー１０８、レンズ１０９を介しマスクＭを照射する。
【００１４】
マスクステージ２０１はマスクＭを保持して、Ｙ軸方向に移動可能である。レーザ干渉計２０２は、マスクステージ２０１の位置を計測する。
【００１５】
投影光学系３は、マスクＭ上に描画されたパターンを、感光材が塗布された基板Ｐ上に投影する。一例において、投影光学系３は、オフナー（Ｏｆｆｎｅｒ）型光学系でありうる。オフナー光学系の場合、良好な像領域を確保するためにマスクＭには円弧形状の光が照射される。そのためにスリット１０６の光透過部（開口部）の形状、基板Ｐへ到達する露光光の照射形状も円弧形状となっている。マスクＭを透過した光は、台形ミラー３０１、凹面ミラー３０２、凸面ミラー３０３、凹面ミラー３０２、台形ミラー３０１の順に反射した後に基板Ｐに到達する。これにより、マスクＭ上のパターンが基板Ｐ上に転写される。
【００１６】
本実施形態において、凹面ミラー３０２には、振動を計測するための加速度計３０４が取り付けられている。また、凸面ミラー３０３にも、振動を計測するための加速度計３０５が取り付けられている。加速度計３０４および３０５はそれぞれ、凹面ミラー３０２および凸面ミラー３０３の姿勢変化を計測する。加速度計３０４および３０５により凹面ミラー３０２および凸面ミラー３０３の姿勢変化量が計測されると、基板面におけるマスクパターンの像の変位量が算出されうる。加速度計３０４および３０５からの変位情報を演算することにより、投影光学系３全体からの振動による像の振動量を得ることができる。本実施形態では加速度計３０４および３０５はそれぞれ、凹面ミラー３０２および凸面ミラー３０３に取り付けられているが、その他の光学部品に加速度計を設置してもよい。
【００１７】
基板ステージ４０１は、基板Ｐを保持し、少なくともＸ方向およびＹ方向に移動可能である。基板ステージ４０１が基板Ｐを保持してマスクステージ２０１と同期してＹ方向に駆動することにより、基板Ｐの走査露光が行われうる。基板Ｐ上に複数のパネルを露光する場合には、Ｘ方向およびＹ方向に基板ステージ４０１をずらしながら露光が行われる。レーザ干渉計４０２は、基板ステージ４０１の位置を計測する。
【００１８】
レーザ干渉計２０２および４０２、加速度計３０４および３０５から出力された計測結果は、露光装置全体の動作の制御を行う制御部５に送られる。制御部５は、例えば、ＣＰＵおよびメモリを含むコンピュータで構成され、走査露光を制御する。制御部５は、マスクステージ２０１と基板ステージ４０１との相対位置の計測結果を用いて、基板Ｐ上におけるマスクパターンの像の位置の偏差の時間変化を算出することができる。この位置の偏差は時間と共に変化しており、基板Ｐ上の１点の位置から見ると、その位置に露光されるパターンの光学像が走査露光中に振動して観測される。制御部５は、この光学像の振動の周期を算出する。また、制御部５は、加速度計３０４および３０５の計測結果を用いて、凹面ミラー３０２および凸面ミラー３０３の振動周期を算出する。凹面ミラー３０２および凸面ミラー３０３の振動も基板Ｐ上の１点の位置における光学像の時間的な振動に寄与する。ユーザは、操作部６を介して、露光装置の各種パラメータの設定を行うことができる。露光装置の振動は製造時等に予め計測され、装置の立ち上げ後に操作部６を介して入力することも可能である。入力されたパラメータの値は制御部５に送信され、露光装置内の各部を調整することができる。
【００１９】
制御部５は、入力された情報に基づいて基板Ｐの１点の位置における光学像の振動の周期を求めることができる。また、制御部５は、光学像の振動の影響を受けにくい条件で露光するために、マスクステージ２０１および基板ステージ４０１の走査速度、光源１０１、ＮＤフィルタ１０２、スリット１０６を適切な状態に設定することができる。
【００２０】
次に、基板Ｐ上の１点の位置における光学像の振動が露光パターンに与える影響について、簡単なモデルを用いて説明する。以下では、基板面での像の振動のことを像振動という。
【００２１】
図２は、像振動のモデルの一例を示す図である。図２において、横軸は時間を示し、縦軸は基板上のある１点で観察された像の位置の偏差を示している。この像振動は、投影光学系３を構成する光学部品の振動、もしくは、マスクステージ２０１と基板ステージ４０１との間の同期制御誤差による振動と、またはその両方を計測することにより求められる。図２では、像振動は、周期Ｔ、振幅Ａの単振動としている。この像振動が露光パターンに与える影響をリソグラフィシミュレーションにより算出した。このときの条件は、周期Ｔ＝５０ｍｓｅｃ、振幅Ａ＝０．３μｍとし、露光されるパターンの線幅は２．５μｍに設定した。なお、図２では、像振動の周期は５周期分のデータを示している。
【００２２】
図３は、図２の像振動を入力した場合の露光パターンが形成される位置の偏差を、リソグラフィシミュレーションを用いて計算した結果を示している。横軸は、像振動５周期分の時間を示している。露光の際、基板上の１点を露光するために、ある有限の時間の幅が必要になる。その時間の幅を、像振動の周期Ｔに対し、（１／２）×Ｔ（点線）、（２／２）×Ｔ（１点鎖点）、（３／２）×Ｔ（２点鎖点）、（４／２）×Ｔ（実線）と変化させている。グラフは、その時間に露光されるパターンの位置偏差を示している。仮に走査露光の際に図２で示される像振動があった場合、この像振動のプロファイルに沿って露光パターンの位置の偏差が推移することになる。１点あたりの露光時間が（１／２）×Ｔと（３／２）×Ｔの結果は、図２の像振動の周期と同じ周期で露光パターンの位置が変動している。一方、１点あたりの露光時間が（２／２）×Ｔと（４／２）×Ｔの結果は、露光パターンの位置は変化せず（偏差０）、像振動があっても露光パターンの位置は不変となった。図３においては、（２／２）×Ｔと（４／２）×Ｔの結果は、パターン位置の偏差が０を保ったままであるから、グラフは偏差０の直線で示されており、偏差が上下する波形としては表れていない。
【００２３】
図４は、リソグラフィシミュレーションを用いて図２の像振動を入力した場合の露光パターンの線幅の変化を計算した結果である。図３と同様、横軸は像振動５周期分の時間を示しており、１点あたりの露光時間の幅を４水準振ってある。１点あたりの露光時間が（１／２）×Ｔと（３／２）×Ｔの結果は、図２の像振動の周期の半分の周期で露光パターンの線幅の値が変動し、１点あたりの露光時間が（２／２）×Ｔと（４／２）×Ｔの結果は、露光パターンの線幅は不変となった。図４のグラフでは、（２／２）×Ｔと（４／２）×Ｔの結果はパターン線幅が２．５μｍを保ったまま不変で、全く同一の結果となっている。
【００２４】
図３および図４に示した結果から、基板位置に形成されているマスクパターンの光学像が振動していても、基板上の１点を露光する時間の長さが像振動の周期Ｔの整数倍の時は、露光パターンの位置や線幅は不変となることが分かった。複数の振動モードが合成された振動でも、その振動の周期の整数倍の時間で露光すれば、本実施形態の結果と同様に露光パターンのプロファイルの変動は発生しない。また、これらの振動源はそれぞれ固有振動数を持っているため、露光ムラの原因となる振動の周波数はこれらの固有振動数からそれぞれ計算された周期の最小公倍数の値を周期とすればよい。
【００２５】
投影光学系がオフナー型の場合、上に述べたようにスリット１０６の形状は円弧状となる。これはマスクＭ上の像を基板Ｐ上に結像させる際、良好な結像領域が円弧状となるためで、この良好な領域を用いて露光を行う。図５に、スリット１０６の開口部（光照射領域）の例を示す。図５に示されるように、スリット１０６は、走査露光方向に対して円弧状の開口部を有する。ここで、走査露光方向に関するスリット１０６の開口幅をＷ、基板上の１点あたりの露光時間をｔとすると、基板ステージ４０１の走査速度Ｖは、次式で表される。
【００２６】
Ｖ＝Ｗ／ｔ        （式１）
なお、スリット１０６の像は、スリット１０６と同じ倍率でマスクＭの位置に形成される。実施形態では、式１で表される時間ｔが像振動の周期Ｔの整数倍と同じ時間になるように、走査速度Ｖもしくはスリットの開口幅Ｗまたはその両方が調整される。
【００２７】
また、図３および図４の結果から、基板上の１点あたりの露光時間が長くなるにつれて露光パターンの位置の偏差のばらつきおよび線幅の偏差のばらつきは振動しながら減衰していくことが分かる。図６はこの現象を示した図であり、横軸に基板上の１点あたりの露光時間、縦軸にパターン位置偏差のばらつきをとったものである。図中、破線で示される許容値Ｓは、露光ムラの見えやすさについて許容できるものとして定められた閾値を示している。この許容値は、実験により求めてもよいし、別の物理量に基づいて設定してもよい。上記ばらつきがこの許容値を下回るように、言い換えると、ばらつきが許容範囲内に収まるように、基板上の１点あたりの露光時間である目標露光時間が決定される。ここで、例えば、上記ばらつきが許容値を下回る時間の範囲のうち最小の時間を目標露光時間として決定すれば、露光装置は生産性を維持したままデバイスを生産することが可能となる。
【００２８】
なお、図６では、縦軸にパターン位置偏差のばらつきをとり、これに基づいて基板上の１点あたりの露光時間の許容値を確定した。しかし、パターン位置偏差のばらつきの代わりにパターンの線幅の偏差のばらつきを用いてもよいし、または、それらの両方を用いてもよい。
【００２９】
像変動は、走査露光が行われた基板に転写された光学像を撮像し、該撮像により得られた画像を処理することによって求めてもよい。以下、図７を参照して説明する。図７は、レジストなどの感光材を塗布した基板Ｐ上の一点鎖線で囲まれた領域を一回の走査露光で露光した結果の模式図である。光学像の周期的変動をもたらす振動が露光結果に影響を及ぼす場合、破線で示すような円弧状の濃淡の縞模様の露光ムラが観察される。例えば、制御部５は、撮像により得られた露光結果の画像を処理して、この縞模様のピッチＤを計測し、ピッチＤに基づいて、振動の周期Ｔを決定することができる。基板ステージの走査速度をＶとすると、振動の周期Ｔは次式で表される。
【００３０】
Ｔ＝Ｄ／Ｖ        （式２）
このようにして求められた振動の周期Ｔは、操作部６における不図示の表示部等に表示されてもよい。
【００３１】
露光装置は、例えば、振動の周期Ｔに応じて露光条件の調整を行うことができる。露光条件の調整は例えば、露光光の照度、マスクステージ２０１及び基板ステージ４０１の走査速度、走査方向に関するスリット１０６の幅のうち少なくとも２つを調整することにより行われうる。また、露光光の照度の調整は、光源１０１の出力、およびＮＤフィルタ１０２の透過率の少なくともいずれか１つによって行われうる。
【００３２】
図８を参照して、本実施形態における露光方法を説明する。Ｓ２１で、制御部５は、走査露光中に発生する投影光学系の光学特性の変動の情報を取得する。本実施形態では、制御部５は、レーザ干渉計２０２および４０２、加速度計３０４および３０５からの出力等、各要因からの振動の情報を取得する。Ｓ２２で、制御部５は、取得した各要因からの振動情報に基づいて各要因からの像振動の周期を計算する。Ｓ２３で、制御部５は、各振動を合成した結果の周期Ｔを決定する。Ｓ２４で、制御部５は、露光条件を決定し、必要に応じてその調整を実施する。Ｓ２４においては、像振動によって生じる露光ムラを低減するように基板上の１点あたりの露光時間の目標値である目標露光時間が決定される。そして、基板上の１点あたりの露光時間が目標露光時間になるように露光条件が調整される。この調整が完了した後、Ｓ２５で、Ｓ２４で調整された露光条件に従い走査露光が行われ、所定の枚数の基板の露光が完了すると露光処理は終了となる。
【００３３】
図９に、Ｓ２４における露光条件の決定および調整処理の詳細を示す。Ｓ１１で、制御部５は、Ｓ２３で決定された像振動の周期Ｔに基づいて、目標露光時間を決定し、基板上の１点あたりの露光時間が目標露光時間になるように露光条件を調整する。具体例として、制御部５は、マスクステージ２０１および基板ステージ４０１の走査速度と走査露光方向に関するスリット１０６の幅を決定する。Ｓ１２で、制御部５は、現状の照度が許容範囲内か否かを判定する。照度が許容範囲内である場合はこの調整処理を終了する。照度が許容範囲から外れている場合は、Ｓ１３に進み、制御部５は、ＮＤフィルタ１０２による照度の調整が必要か否かを判定する。調整が必要な場合はＳ１４にてＮＤフィルタ１０２の調整が実施される。ＮＤフィルタ１０２の調整が必要ではない場合はＳ１６に進む。Ｓ１４でＮＤフィルタ１０２の調整が終了した後、Ｓ１５で、制御部５は現状の照度が許容範囲内か否かを判定する。照度が許容範囲内に入っていれば、調整は終了する。照度が許容範囲内に入っていない場合はＳ１６に進む。Ｓ１６では、光源の出力が調整される。光源の出力の調整は、例えば光源に入力する電圧を調整することにより行われうる。この調整によって照度は許容範囲内に入り、露光装置の調整は完了する。
【００３４】
図１０は、露光した基板を用いて露光装置を調整し露光する方法を示すフローチャートである。Ｓ３１で、図７で説明したように、制御部５は、露光した結果から露光ムラのピッチＤを計測し、その結果に基づいて振動の周期を決定する。Ｓ３２で、図８のＳ２４と同様に、露光条件を決定し、調整を行う。これらの調整が完了した後、Ｓ３３で露光が開始され、所定の枚数の基板の露光が完了すると露光処理は終了となる。
【００３５】
＜物品製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【符号の説明】
【００３６】
１：照明光学系、３：投影光学系、５：制御部、６：操作部、３０４，３０５：加速度計、４０１：基板ステージ、４０２：レーザ干渉計、Ｍ：マスク、Ｐ：基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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