(57)【要約】【課題】封止樹脂体とリードフレームとの密着性を確保するとともに、接合材による濡れ性を確保することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１リードフレーム３に、第１接合材２１を介して半導体素子４を接合し、第１リードフレーム３の表面を粗化処理する。第２リードフレーム７に、第２接合材２２を介して金属ブロック６を接合し、第２リードフレーム７の表面を粗化処理する。第１および第２リードフレーム３、７の間に、第１リードフレーム３の側から第２リードフレーム７の側に、半導体素子４および金属ブロック６が順に配置されるように、半導体素子４と、金属ブロック６とを、第３接合材２３を介して接合する。第１および第２リードフレーム３，７の粗化した表面と、半導体素子４と、金属ブロック６とを覆うように、封止樹脂体５を成形する。【選択図】図３
2020017582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２リードフレームの間に、前記第１リードフレームの側から前記第２リードフレームの側に向かって、半導体素子および金属ブロックが順に配置された装置本体と、前記第１および第２リードフレームの間において、前記半導体素子と、前記金属ブロックとを封止する封止樹脂体と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記第１リードフレームに、第１接合材を介して前記半導体素子を接合し、前記半導体素子が接合された側の前記第１リードフレームの表面を粗化処理する第１接合粗化工程と、
前記第２リードフレームに、第２接合材を介して金属ブロックを接合し、前記金属ブロックが接合された側の前記第２リードフレームの表面を粗化処理する第２接合粗化工程と、
前記第１および第２リードフレームの間に、前記第１リードフレームの側から前記第２リードフレームの側に、前記半導体素子および前記金属ブロックが順に配置されるように、前記半導体素子と、前記金属ブロックとを、第３接合材を介して接合し、前記装置本体を製造する本体製造工程と、
前記第１および第２リードフレームの表面のうち、少なくとも粗化処理した表面と、前記半導体素子と、前記金属ブロックと、を覆うように、前記封止樹脂体を成形する成形工程と、 
を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等の半導体素子と、これを挟むように配置された第１および第２リードフレームと、第１および第２リードフレームと半導体素子とを覆う封止樹脂体と、を少なくとも備えた半導体装置が知られている。この半導体装置では、半導体装置の高さを調整するために、半導体素子と第２リードフレームとの間に金属ブロックが配置される場合がある。
【０００３】
このような半導体装置を製造する方法として、たとえば、特許文献１には、以下に示す製造方法が提案されている。この製造方法では、まず、第１リードフレームに、接合材を介して半導体素子を接合し、次に、半導体素子に、接合材を介して金属ブロックを接合し、さらに、金属ブロックに、接合材を介して第２リードフレームを接合している。このような一連の接合により、半導体装置の装置本体を製造することができる。
【０００４】
装置本体の製造後には、第１および第２リードフレームの間において、半導体素子と、金属ブロックとを封止するように、封止樹脂体を成形する。この際、封止樹脂体は、第１および第２リードフレームの対向する表面に対して、より高い密着力を要する。このため、たとえば、少なくとも半導体が接合された第１リードフレームの表面および第２リードフレームの表面に対して、表面粗さを大きくする粗化処理が施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２４３８９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に示すような粗化処理を、第１リードフレームの表面全体に施してしまうと、半導体素子が接合される箇所において、第１リードフレームに対する接合材の濡れ性が低下してしまう。同様に、第２リードフレームの表面全体に、上述した粗化処理を施してしまうと、金属ブロックが接合される箇所において、第２リードフレームに対する接合材の濡れ性が低下してしまう。
【０００７】
そこで、たとえば、第１リードフレームおよび第２リードフレームの表面のうち、これらの接合材が配置される表面が粗化されないように、粗化処理前に、これらの表面にマスキングを施すことも考えられる。しかしながら、このようなマスキングを適切な位置に施す作業は、煩雑である。これに加えて、マスキングにより、粗化されない領域をある程度確保する必要があり、これにより、第１および第２リードフレームのサイズが大きくなり、その結果、半導体装置のサイズが大きくなってしまう。
【０００８】
このような点を鑑みると、たとえば、第１リードフレームに、半導体素子、金属ブロックを順次接合後、これらを接合した接合体に粗化処理を施すと、第１リードフレームに対する接合材の濡れ性の低下に影響はない。しかしながら、接合体の一部となった金属ブロックと、接合材で第２リードフレームとを接合する際には、第２リードフレームの表面を粗化するので、接合材の濡れ性の低下を抑えることは難しい。
【０００９】
そこで、たとえば、金属ブロックに、第２リードフレームを接合する前に、後述する図４（ｂ）に示すように、第２リードフレームの表面に予め接合材を配置し、この状態で、図４（ｄ）に示すように、第２リードフレームの粗化処理を行えば、配置した接合材に、マスキング材の役割を担わせることもできる。しかしながら、粗化処理により、接合材に異物が付着したり、接合材の表面が酸化したりすることもあり、このような接合材では、金属ブロックに対して濡れ性が低下してしまう。
【００１０】
本発明は、このような点を鑑みてなされたものであり、本発明として、封止樹脂体とリードフレームとの密着性を確保するとともに、接合材による濡れ性を確保することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を鑑みて、本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１および第２リードフレームの間に、前記第１リードフレームの側から前記第２リードフレームの側に向かって、半導体素子および金属ブロックが順に配置された装置本体と、前記第１および第２リードフレームの間において、前記半導体素子と、前記金属ブロックとを封止する封止樹脂体と、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記第１リードフレームに、第１接合材を介して前記半導体素子を接合し、前記半導体素子が接合された側の前記第１リードフレームの表面を粗化処理する第１接合粗化工程と、前記第２リードフレームに、第２接合材を介して金属ブロックを接合し、前記金属ブロックが接合された側の前記第２リードフレームの表面を粗化処理する第２接合粗化工程と、前記第１および第２リードフレームの間に、前記第１リードフレームの側から前記第２リードフレームの側に、前記半導体素子および前記金属ブロックが順に配置されるように、前記半導体素子と、前記金属ブロックとを、第３接合材を介して接合し、前記装置本体を製造する本体製造工程と、前記第１および第２リードフレームの表面のうち、少なくとも粗化処理した表面と、前記半導体素子と、前記金属ブロックと、を覆うように、前記封止樹脂体を成形する成形工程と、を少なくとも含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、第１接合粗化工程において、第１リードフレームに半導体素子を接合後、第１リードフレームの表面を粗化処理するため、粗化処理による影響を受けずに第１リードフレームに対する第１接合材の濡れ性を確保することができる。
【００１３】
同様に、第２接合粗化工程において、第２リードフレームに金属ブロックを接合後、第２リードフレームの表面を粗化処理するため、粗化処理による影響を受けずに第２リードフレームに対する第２接合材の濡れ性を確保することができる。なお、本発明では、第１接合粗化工程と第２接合粗化工程の順序は特に問わず、たとえば、同時に行ってもよい。
【００１４】
最後に、第１および第２接合粗化工程後の半導体素子と、金属ブロックとを、第３接合材を介して接合するため、第３接合材は、粗化処理による影響を受けないことから、半導体素子と金属ブロックとに対する第３接合材の濡れ性を確保することができる。
【００１５】
このように、本発明によれば、封止樹脂体とリードフレームとの密着性を確保するとともに、接合材による濡れ性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態に係る半導体装置の模式的断面図である。
【図２】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程を説明するフロー図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、図２に示す本実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式的概念図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、比較となる半導体装置の製造方法を説明するための模式的概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、図１〜３を参照しながら本発明に係る実施形態について説明する。まず、図１を参照して、本実施形態に係る半導体装置１の概略的な構成を説明し、次いで、図２および３を参照して、本実施形態の半導体装置１の製造方法を説明する。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る半導体装置１の模式的断面図である。本実施形態に係る半導体装置１は、両面冷却型半導体装置として利用されるものである。本実施形態の半導体装置１は、装置本体１ａと、封止樹脂体５と、を少なくとも備えている。
【００１９】
装置本体１ａは、第１および第２リードフレーム３、７、半導体素子４、および金属ブロック６を備えている。装置本体１ａは、第１および第２リードフレーム３、７の間には、第１リードフレーム３の側から第２リードフレーム７の側に向かって、半導体素子４および金属ブロック６が順に配置された構造である。
【００２０】
封止樹脂体５は、第１および第２リードフレーム３、７の間において、半導体素子４と、金属ブロック６とを封止している。第１および第２リードフレーム３、７は、それぞれ半導体素子４のコレクタ側およびエミッタ側に配置されている。
【００２１】
なお、本明細書において「リードフレーム」とは、文字通りのリードフレームのほか、ダイパッド、回路基板や応力緩和基板等の基板、純Ａｌからなる基板とＡｌＮ（窒化アルミニウム）からなる基板とを配置してなるＤＢＡ（絶縁基板）、ヒートシンクなども包含されるものである。
【００２２】
本実施形態の半導体装置１では、半導体素子４の一方の面に、第１接合材（第１はんだ層）２１を介して第１リードフレーム３が接合されている。一方、半導体素子４の他方の面に、第３接合材（第３はんだ層）２３を介して金属ブロック６が接合されている。金属ブロック６の、第３接合材２３が接合された面とは反対の面に、第２接合材２２（第２はんだ層）を介して、第２リードフレーム７が接合されている。なお、本明細書では、第１〜３接合材は、接合前に塗布されるはんだ材も、接合された状態のはんだ層も、第１〜第３接合材と称し、同じ符号を付している。
【００２３】
さらに、本実施形態の半導体装置１は、Ａｌ、Ｃｕ、またはＡｕ製のワイヤ８と、Ｃｕ製の金属端子９と、を備えている。半導体素子４は、ワイヤ８を介して金属端子９に接続されている。
【００２４】
封止樹脂体５は、第１リードフレーム３と第２リードフレーム７との間に形成され、半導体素子４、金属ブロック６、および第１〜３接合材２１〜２３の周りを覆っている。なお、本実施形態では、装置本体１ａと封止樹脂体５との間に、密着性を高めるプライマ層を設けてもよい。なお、第１リードフレーム３と第２リードフレーム７とが対向している面とは反対の面は、それぞれ、封止樹脂体５から露出している。
【００２５】
第１および第２リードフレーム３、７は、アルミニウム、銅、またはこれらの合金からなるフレーム本体と、第１および第２リードフレーム３、７の少なくとも側面および半導体素子４が搭載された面に、形成されためっき層とを備えている。めっき層は、Ｎｉめっき層であってもよく、Ｎｉめっき層の表面にさらにＡｕめっき層が形成されためっき層であってもよい。本実施形態では、一例として、第１および第２リードフレーム３、７は、銅製のフレーム本体と、その表面に形成されたＮｉめっき層とにより構成されている。
【００２６】
第１〜３接合材２１〜２３は、Ｐｂ系はんだ、Ｐｂフリーはんだのいずれであってもよいが、Ｐｂフリーはんだであることが好ましい。このようなＰｂフリーはんだとしては、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、または、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだなどを挙げることができる。
【００２７】
また、第３接合材２３の接合時に第１および第２接合材２１、２２の溶融を防止するために、第３接合材２３の融点は第１および第２接合材２１、２２の融点より低い方が好ましい。本実施形態では、一例として、第１および第２接合材２１、２２として、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉはんだ（融点２３０℃）を使用し、第３接合材２３として、Ｓｎ−Ｚｎはんだ（融点２００℃）を使用する。
【００２８】
半導体素子４としては、Ｓｉ素子またはＳｉＣ素子を挙げることができる。金属ブロック６は、半導体装置１の高さを調整するものであり、材料としては、たとえば、Ｃｕなどを挙げることができる。
【００２９】
封止樹脂体５は、第１および第２リードフレーム３、７と、半導体素子４と、金属ブロック６とを封止するとともに、第１〜３接合材２１〜２３を封止するものである。封止樹脂体５の材料としてはエポキシ系熱硬化性樹脂を挙げることができる。エポキシ系熱硬化性樹脂の中には、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、または酸化マグネシウム等の無機フィラーが含有されていてもよい。
【００３０】
以下に、半導体装置１の製造方法を、図２に示す各工程に沿って説明する。図２は、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法の工程を説明するフロー図である。図３（ａ）〜（ｆ）は、図２に示す本実施形態の半導体装置１の製造方法を説明するための模式的概念図である。
【００３１】
なお、以下に説明する第１接合工程Ｓ２１および第１粗化工程Ｓ２２が第１接合粗化工程に対応し、第２接合工程Ｓ２３および第２粗化工程が第２接合粗化工程に対応する。
【００３２】
＜第１接合工程Ｓ２１＞
本実施形態の半導体装置１の製造方法では、まず、第１接合工程Ｓ２１を行う。この工程では、図３（ａ）に示すように、第１リードフレーム３に、第１接合材２１を介して半導体素子４を接合する。 
【００３３】
具体的には、たとえば、銅製のフレーム本体と、その表面に形成されたＮｉめっき層とにより構成された第１リードフレーム３を準備する。準備した第１リードフレーム３の所定の位置に第１接合材２１（たとえば、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉはんだ）を介して半導体素子４（たとえば、Ｓｉ素子）を配置する。
【００３４】
次いで、これらを所定の熱履歴で加熱し、リフローはんだ付けによりこれらを接合する。これにより、第１リードフレーム３に、第１接合材２１を介して半導体素子４を接合することができる。
【００３５】
＜第１粗化工程Ｓ２２＞
次いで、第１粗化工程Ｓ２２を行う。この工程では、図３（ｃ）に示すように、半導体素子４が第１リードフレーム３に接合された状態で、半導体素子４が接合された側の第１リードフレーム３の表面を粗化処理する。
【００３６】
具体的には、レーザ照射装置６１を用いて、たとえば、レーザ出力２０Ｗ（パワー設定条件８０％）で、半導体素子４が接合された側の第１リードフレーム３の表面にレーザ光Ｌを照射する。 
【００３７】
これにより、半導体素子４が接合された側の第１リードフレーム３の表面に、第１リードフレーム３の粗化領域３ａを形成することができる。形成された粗化領域３ａによるアンカー効果により、後述する成形工程Ｓ２６で成形された封止樹脂体５と第１リードフレーム３との密着性を高めることができる。
【００３８】
なお、レーザによる表面の粗化処理を、第１接合材２１のフィレット部の表面に対して、さらに行って、第１接合材２１の粗化領域２１ａを形成してもよい。これにより、第１接合材２１と封止樹脂体５との密着性を高めることができる。
【００３９】
このようにして、第１粗化工程Ｓ２２で得られた接合体は、第１リードフレーム３に半導体素子４を接合後、第１リードフレーム３の表面が粗化処理される。このため、粗化処理による影響を受けずに第１リードフレーム３に対する第１接合材２１の濡れ性を確保することができる。このような接合体は、後述する本体製造工程Ｓ２５において、装置本体１ａの一部となる。なお、本実施形態では、粗化領域が選択し易いレーザ光による粗化処理を行ったが、たとえば、ショットブラストにより、粗化処理を行ってもよい。
【００４０】
＜第２接合工程Ｓ２３＞
一方、第１接合工程Ｓ２１と同様に、第２接合工程Ｓ２３を行う。この工程では、図３（ｂ）に示すように、第２リードフレーム７に、第２接合材２２を介して金属ブロック６を接合する。具体的には、第１リードフレーム３と同様の第２リードフレーム７を準備する。準備した第２リードフレーム７の所定の位置に第２接合材２２（たとえば、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉはんだ）を介して、銅製の金属ブロック６を配置する。
【００４１】
次いで、第１接合工程Ｓ２１と同様に、これらを所定の熱履歴で加熱し、リフローはんだ付けによりこれらを接合する。これにより、第２リードフレーム７に、第２接合材２２を介して金属ブロック６を接合することができる。
【００４２】
＜第２粗化工程Ｓ２４＞
次いで、第２粗化工程Ｓ２４を行う。この工程では、図３（ｄ）に示すように、金属ブロック６が第２リードフレーム７に接合された状態で、金属ブロック６が接合された側の第２リードフレーム７の表面を粗化処理する。
【００４３】
具体的には、第１粗化工程Ｓ２２と同様に、レーザ照射装置６１を用いて、上述した条件で、レーザ光Ｌを金属ブロック６が接合された側の第２リードフレーム７の表面に照射する。
【００４４】
これにより、金属ブロック６が接合された側の第２リードフレーム７の表面に、第２リードフレーム７の粗化領域７ａを形成することができる。形成された粗化領域７ａによるアンカー効果により、後述する成形工程Ｓ２６で成形された封止樹脂体５と第２リードフレーム７との密着性を高めることができる。
【００４５】
なお、レーザ光Ｌによる表面の粗化処理を、第２接合材２２のフィレット部の表面に対して、さらに行い、第２接合材２２の粗化領域２２ａを形成してもよい。これにより、第２接合材２２と封止樹脂体５との密着性を高めることができる。
【００４６】
このようにして、第２粗化工程Ｓ２４で得られた接合体は、第２リードフレーム７に金属ブロック６を接合後、第２リードフレーム７の表面が粗化される。このため、粗化処理による影響を受けずに第２リードフレーム７に対する第２接合材２２の濡れ性を確保することができる。このような接合体は、上述の第１粗化工程Ｓ２２で得られた接合体とともに、次の本体製造工程Ｓ２５で、装置本体１ａの一部となる。
【００４７】
＜本体製造工程Ｓ２５＞
次いで、本体製造工程Ｓ２５を行う。この工程では、図３（ｅ）に示すように、第１および第２リードフレーム３、７の間に、第１リードフレーム３の側から第２リードフレーム７の側に、半導体素子４および金属ブロック６が順に配置されるようにする。この配置状態で、半導体素子４と、金属ブロック６とを、第３接合材２３を介して接合して、装置本体１ａを製造する。
【００４８】
具体的には、まず、第１粗化工程Ｓ２２で得られた接合体に備えられた半導体素子４と金属端子９とをたとえばアルミ製のワイヤ８を介して接続する。これらの接続には、超音波を利用する。
【００４９】
次いで、第１リードフレーム３が接合された側とは、反対の半導体素子４の表面に、第３接合材（たとえば、Ｓｎ−Ｚｎはんだ）２３を介して、第２粗化工程Ｓ２４で得られた接合体の金属ブロック６を配置する。
【００５０】
次いで、これらを所定の熱履歴で加熱し、リフローはんだ付けによりこれらを接合する。ここで、第３接合材２３の融点は、第１および第２接合材２１、２２の融点より低いことが好ましい。これにより、第１および第２接合材２１、２２の融点より低い温度で、はんだ付けができるため、第３接合材２３の接合時に、第１および第２接合材２１、２２の溶融を防止することができる。
【００５１】
＜成形工程Ｓ２６＞
次いで、成形工程Ｓ２６を行う。この工程では、図３（ｆ）に示すように、第１および第２リードフレーム３、７の表面のうち、少なくとも粗化処理した表面と、半導体素子４と、金属ブロック６とを覆うように、封止樹脂体５を成形する。
【００５２】
具体的には、第１リードフレーム３の粗化領域３ａと、第２リードフレーム７の粗化領域７ａとを覆うとともに、半導体素子４と、金属ブロック６と、第１〜３接合材２１〜２３の表面を覆うように、封止樹脂体５を成形する。封止樹脂体５を成形する際には、エポキシ樹脂など未硬化の熱硬化性樹脂をトランスファー成形し、これを所定の条件で硬化させる。これにより、第１および第２リードフレーム３、７の間において、半導体素子４と、金属ブロック６とを封止することができる。
【００５３】
なお、本実施形態では、第１および第２接合工程Ｓ２１、Ｓ２３、および本体製造工程Ｓ２５において、リフローはんだ付けにより、接合を実施したが、たとえば、個別に溶融したはんだで接合してもよい。
【００５４】
さらに、本実施形態では、第１接合工程Ｓ２１後に、第１粗化工程Ｓ２２を行い、第２接合工程Ｓ２３後に、第２粗化工程Ｓ２４を行うのであれば、これらの工程の順序は、特に限定されるものではない。たとえば、第１接合工程Ｓ２１と第２接合工程Ｓ２３とを同時に行い、その後、第１粗化工程Ｓ２２と第２粗化工程Ｓ２４とを同時に行ってもよい。
【００５５】
ここで、図４を用いて、比較となる半導体装置１の製造方法について説明する。図４（ａ）〜（ｆ）は、比較となる半導体装置１の製造方法を説明するための模式的概念図である。なお、本実施形態と同じ部材および部分に関しては、同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００５６】
比較となる半導体装置１の製造方法では、図４（ａ）に示すように、第１リードフレーム３に、第１接合材２１、半導体素子４、第３接合材２３、金属ブロック６、第２接合材２２をこの順に配置し、これらを接合する。この接合状態で、図４（ｃ）に示すように、ブラスト粒子７１を投射して、ショットブラストによる表面の粗化処理を行う。
【００５７】
一方、図４（ｂ）に示すように、第２リードフレーム７には、第２接合材２２を配置し、これらを接合する。この接合状態で、図４（ｄ）に示すように、上述したショットブラストによる表面の粗化処理を行う。
【００５８】
次いで、比較となる半導体装置１の製造方法の場合には、図４（ｅ）に示すように、金属ブロック６上に配置された第２接合材２２（図４（ｃ））に、第２リードフレーム７上に配置された第２接合材２２（図４（ｄ））が接触するように、第２リードフレーム７を配置する。この配置状態で、これらをリフローはんだ付けにより接合して、装置本体１ａを製造する。
【００５９】
次いで、図４（ｆ）に示すように、第１および第２リードフレーム３、７の間において、半導体素子４と、金属ブロック６とを封止する封止樹脂体５を成形する。このようにして、製造された比較となる半導体装置１は、第１および第２リードフレーム３、７の表面が粗化しているため、第１および第２リードフレーム３、７と、封止樹脂体５との密着性を確保することができる。
【００６０】
ここで、ショットブラストでは、レーザ照射の場合とは異なり、粒子を選択的に投射できないため、被処理物の全表面が粗化される。結果として、図４（ｃ）に示すように、図４（ｃ）に示す接合体にはその表面全体に粗化領域Ｘが形成される。また、図４（ｄ）に示すように、図４（ｂ）に示す第２接合材２２が配置された第２リードフレーム７にもその表面全体に粗化領域Ｙが形成される。
【００６１】
また、比較となる半導体装置１の製造方法の場合には、ブラスト処理時に、第１および第２リードフレーム３、７の金属粉が、それぞれ、金属ブロック６および第２リードフレーム７上に配置された第２接合材２２に付着してしまう。ショットブラストの代わりに、レーザ光Ｌで、第１および第２リードフレーム３、７の表面の粗化処理を行ったとしても、第１およびリードフレーム３、７のスパッタが、それぞれ金属ブロック６および第２リードフレーム７上に配置された第２接合材２２に付着してしまう。
【００６２】
なお、異物の付着を防止するために、第２リードフレーム７上に第２接合材２２を配置せずに、マスキングにより、第２リードフレーム７の表面を粗化処理する場合には、粗化されない領域をある程度確保する必要がある。そのため、第２リードフレーム７のサイズが大きくなる結果、半導体装置１のサイズが大きくなってしまう。
【００６３】
このように、比較となる半導体装置１の製造方法の場合には、金属ブロック６および第２リードフレーム７上に配置された第２接合材２２には、粗化処理により異物が付着してしまう。そのため、金属ブロック６と第２リードフレーム７とを接合する際（図４（ｅ））に、異物が付着した第２接合材２２が溶融すると、金属ブロック６および第２リードフレーム７に対する第２接合材２２の濡れ性が低下すると考えられる。
【００６４】
それに対して、本実施形態では、第２リードフレーム７の表面の粗化処理を、第２リードフレーム７に第２接合材２２を介して金属ブロック６が配置された状態で行う（図３（ｄ））。これにより、金属ブロック６に接合する第２接合材２２の面は、金属ブロック６に覆われるため、このような面に、レーザ光Ｌによる第２リードフレーム７のスパッタが付着することがない。よって、本実施形態では、第２リードフレーム７だけでなく、金属ブロック６に対する第２接合材２２の濡れ性も確保することができる。
【００６５】
また、本実施形態では、第１接合工程Ｓ２１および第１粗化工程Ｓ２２後の半導体素子４と、第２接合工程Ｓ２３および第２粗化工程Ｓ２４後の金属ブロック６とを、第３接合材２３を介して接合する。本実施形態の第３接合材２３は、粗化処理による影響を受けないため、半導体素子４および金属ブロック６に対する第３接合材２３の濡れ性を確保することができる。
【００６６】
以上、本発明の一実施形態について詳述したが、本発明は、前記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。
【符号の説明】
【００６７】
１：半導体装置、１ａ：装置本体、３：第１リードフレーム、４：半導体素子、５：封止樹脂体、６：金属ブロック、７：第２リードフレーム、８：ワイヤ、９：金属端子、２１：第１接合材、２２：第２接合材、２３：第３接合材、Ｓ２１：第１接合工程（第１接合粗化工程）、Ｓ２２：第１粗化工程（第１接合粗化工程）、Ｓ２３：第２接合工程（第２接合粗化工程）、Ｓ２４：第２粗化工程（第２接合粗化工程）、Ｓ２５：本体製造工程、Ｓ２６：成形工程、Ｌ：レーザ光
【図１】
2020017582.tif 000003
【図２】
2020017582.tif 000004
【図３】
2020017582.tif 000005
【図４】
2020017582.tif 000006