(57)【要約】【課題】電磁波遮蔽性および半田耐熱性の両方に優れた電磁波シールドフィルムと、その電磁波シールドフィルムを備えた回路基板を提供する。【解決手段】絶縁樹脂層（１０）と、前記絶縁樹脂層に隣接するシールド層（２０）と、前記シールド層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層（２６）と、を備えた電磁波シールドフィルムであって、前記シールド層は、複数の厚さ１μｍ以下の金属層と、前記複数の金属層の間に介在する非金属層と、を備える、電磁波シールドフィルム（１）。【選択図】図１
2020136437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接するシールド層と、前記シールド層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層と、を備えた電磁波シールドフィルムであって、
前記シールド層は、複数の厚さ１μｍ以下の金属層と、前記複数の金属層の間に介在する非金属層と、を備える、電磁波シールドフィルム。
【請求項２】
前記非金属層が、絶縁樹脂からなる絶縁層であるか、或いは、導電性粒子又は導電性ポリマーを含む導電層である、請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項３】
前記複数の金属層のうち少なくとも１層が、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ及びＮｉから選択される１種以上の金属からなる金属層である、請求項１又は２に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項４】
前記複数の金属層のうち少なくとも１層が、物理蒸着層である、請求項１〜３の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項５】
前記非金属層の厚みが０．０１μｍ以上５μｍ以下である、請求項１〜４の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項６】
基板の少なくとも一方の面に回路が設けられた回路基板本体と、
前記一方の面に隣接する絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルムの前記回路基板本体とは反対側に隣接する請求項１〜５のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムと、を備え、
前記電磁波シールドフィルムにおける前記導電性接着剤層が、前記絶縁フィルムに接着している、回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波シールドフィルム、及び回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板から発生する電磁波ノイズや外部からの電磁波ノイズを遮蔽するために、絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層に隣接する導電層とからなる電磁波シールドフィルムを、絶縁フィルム（カバーレイフィルム）を介してプリント配線板の表面に設けることがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−１７７９４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の電磁波シールドフィルムにおいて、電磁波遮蔽性を高めるために金属層を厚くすると、電磁波シールドフィルムを備えた回路基板に電子部品を実装する際の耐熱性（半田耐熱性）が低下する問題がある。逆に、電磁波シールドフィルムの金属層の厚さを薄くすると半田耐熱性は向上するが、電磁波遮蔽性が低下する問題がある。
【０００５】
本発明は、電磁波遮蔽性および半田耐熱性の両方に優れた電磁波シールドフィルムと、その電磁波シールドフィルムを備えた回路基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］  絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接するシールド層と、前記シールド層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層と、を備えた電磁波シールドフィルムであって、前記シールド層は、複数の厚さ１μｍ以下の金属層と、前記複数の金属層の間に介在する非金属層と、を備える、電磁波シールドフィルム。
［２］  前記非金属層が、絶縁樹脂からなる絶縁層であるか、或いは、導電性粒子又は導電性ポリマーを含む導電層である、［１］に記載の電磁波シールドフィルム。
［３］  前記複数の金属層のうち少なくとも１層が、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ及びＮｉから選択される１種以上の金属からなる金属層である、［１］又は［２］に記載の電磁波シールドフィルム。
［４］  前記複数の金属層のうち少なくとも１層が、物理蒸着層である、［１］〜［３］の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
［５］  前記非金属層の厚みが０．０１μｍ以上５μｍ以下である、［１］〜［４］の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
［６］  基板の少なくとも一方の面に回路が設けられた回路基板本体と、前記一方の面に隣接する絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの前記回路基板本体とは反対側に隣接する［１］〜［５］のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムと、を備え、前記電磁波シールドフィルムにおける前記導電性接着剤層が、前記絶縁フィルムに接着している、回路基板。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の電磁波シールドフィルム及び回路基板は、電磁波遮蔽性および半田耐熱性の両方に優れる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の電磁波シールドフィルムの第一実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の電磁波シールドフィルムの第二実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の電磁波シールドフィルムの第三実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の回路基板の実施形態の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の回路基板の製造工程の一例を示す断面図である。
【図６】ＫＥＣ法の測定システムの概略図である。
【図７】ＫＥＣ法の測定冶具の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下の用語の定義は、本明細書及び特許請求の範囲にわたって適用される。
「等方導電性接着剤層」とは、厚さ方向および面方向に導電性を有する導電性接着剤層を意味する。
「異方導電性接着剤層」とは、厚さ方向に導電性を有し、面方向に導電性を有しない導電性接着剤層を意味する。
「面方向に導電性を有しない導電性接着剤層」とは、表面抵抗が１×１０４Ω／ｓｑ．以上である導電性接着剤層を意味する。
導電性粒子の平均粒子径は、粒子の顕微鏡像から３０個の粒子を無作為に選び、それぞれの粒子について、最小径および最大径を測定し、最小径と最大径との中央値を一粒子の粒子径とし、測定した３０個の粒子の粒子径を算術平均して得た値である。
導電性粒子の１０％圧縮強度は、微小圧縮試験機を用いた測定結果から、下記式（α）によって求める。
Ｃ（ｘ）＝２．４８Ｐ／πｄ２  ・・・（α）
ただし、Ｃ（ｘ）は１０％圧縮強度（ＭＰａ）であり、Ｐは粒子径の１０％変位時の試験力（Ｎ）であり、ｄは粒子径（ｍｍ）である。
フィルム（キャリアフィルム、保護フィルム等）、電磁波シールドフィルムの各層の厚さは、デジタル測長機（ミツトヨ社製、ライトマチックＶＬ−５０−Ｂ）を用いて無作為に選ばれた５箇所の厚さを測定し、平均した値である。
金属層の厚さは、渦電流式膜厚計を用いて無作為に選ばれた５箇所の厚さを測定し、平均した値である。
貯蔵弾性率は、測定対象に与えた応力と検出したひずみから算出され、温度または時間の関数として出力する動的粘弾性測定装置を用いて、粘弾性特性の一つとして測定される。
表面抵抗は、１０６Ω／□未満の場合は、低抵抗抵抗率計（例えば、三菱ケミカル社製、ロレスタＧＰ、ＡＳＰプローブ）を用い、四端子法（ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４：１９９４およびＪＩＳ  Ｒ  １６３７：１９９８に準拠する方法）で測定される表面抵抗率であり、１０６Ω／□以上の場合は、高抵抗抵抗率計（例えば、三菱ケミカル社製、ハイレスタＵＰ、ＵＲＳプローブ）を用い、二重リング法（ＪＩＳ  Ｋ  ６９１１：２００６に準拠する方法）で測定される表面抵抗率である。
図１〜図７における寸法比は、説明の便宜上、実際のものとは異なったものである。
【００１０】
≪電磁波シールドフィルム≫
本発明の第一態様は、絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接するシールド層と、前記シールド層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層と、を備えた電磁波シールドフィルムである。前記シールド層は、複数の厚さ１μｍ以下の金属層と、前記複数の金属層の間に介在する非金属層と、を備える。
【００１１】
図１は、第一実施形態の電磁波シールドフィルム１を示す断面図である。
第一実施形態の電磁波シールドフィルム１は、絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０に隣接するシールド層２０とを備えている。
シールド層２０は、複数の厚さ１μｍ以下の金属層として、第一金属層２１、第二金属層２３、第三金属層２５を有し、これら複数の金属層の間に介在する非金属層として、第一非金属層２２、第二非金属層２４を有する。
導電性接着剤層２６は、シールド層２０の絶縁樹脂層１０とは反対側に設けられ、第三金属層２５に接している。
また、保護フィルム４０が導電性接着剤層２６の第三金属層２５と反対の面に貼付されている。
【００１２】
＜絶縁樹脂層＞
絶縁樹脂層１０は、シールド層２０の保護層として機能する。
絶縁樹脂層１０としては、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜（塗布膜）；熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜；熱可塑性樹脂を含む塗料を塗布し、乾燥させて形成された塗膜；熱可塑性樹脂を含む組成物を溶融成形したフィルムからなる層等が挙げられる。はんだリフロー工程に供される際の耐熱性（半田耐熱性）の点から、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜、または熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜が好ましい。
絶縁樹脂層１０がシールド層２０に対して塗布することにより形成された塗布膜であると、絶縁樹脂層１０のシールド層２０に対する接着性が向上するので好ましい。
【００１３】
光硬化性樹脂としては、（メタ）アクリロイル基を有する化合物等が挙げられる。
光ラジカル重合開始剤としては、光硬化性樹脂の種類に応じた公知の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、アミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂、合成ゴム、紫外線硬化アクリレート樹脂等が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、耐熱性に優れる点から、アミド樹脂、エポキシ樹脂が好ましい。
硬化剤としては、熱硬化性樹脂の種類に応じた公知の硬化剤が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンサルホン、ポリフェニレンサルフィド、ポリフェニレンサルフィドサルホン、ポリフェニレンサルフィドケトン等が挙げられる。
【００１４】
絶縁樹脂層１０は、回路基板の回路を隠蔽したり、電磁波シールドフィルム付き回路基板に意匠性を付与したりするために、着色剤（顔料、染料等）およびフィラーのいずれか一方または両方を含んでいてもよい。
着色剤およびフィラーのいずれか一方または両方としては、耐候性、耐熱性、隠蔽性の点から、顔料またはフィラーが好ましく、回路の隠蔽性、意匠性の点から、黒色顔料、または黒色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
絶縁樹脂層１０は、難燃剤を含んでいてもよい。絶縁樹脂層１０は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。
【００１５】
絶縁樹脂層１０の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０６Ω／□以上が好ましい。絶縁樹脂層１０の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω／□以下が好ましい。
絶縁樹脂層１０の厚さは、０．１μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上２０μｍ以下がより好ましい。絶縁樹脂層１０の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、絶縁樹脂層１０が保護層としての機能を十分に発揮できる。絶縁樹脂層１０の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。
【００１６】
＜シールド層＞
シールド層２０は、第一金属層２１、第一非金属層２２、第二金属層２３、第二非金属層２４、第三金属層２５の順に積層された積層体である。第一金属層２１の第一非金属層２２と反対の面には絶縁樹脂層１０が接して積層されている。
【００１７】
（金属層）
シールド層２０が有する金属層の数は、本実施形態で例示した３層に制限されず、２層以上であればよく、例えば、２〜１０層が好ましく、２〜６層がより好ましく、２〜４層がより好ましい。複数の金属層を有することにより、１層の金属層を備える場合よりも電磁波の反射界面が多くなり、各金属層の厚みが薄いにも関わらず、電磁波遮蔽性が優れる。
【００１８】
シールド層２０が有する金属層の厚さは、全て１μｍ以下であり、厚さの下限は特に制限されず、例えば、それぞれ独立に、０．０１μｍ以上１μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以上０．６μｍ以下がより好ましく、０．１μｍ以上０．４μｍ以下がさらに好ましい。各金属層の厚さは同じでもよいし、異なっていてもよい。
各金属層の厚さが上記範囲の上限値以下であると、各金属層におけるガス透過性が高まり、はんだリフロー処理時に発生したガス（例えば、導電性接着剤層２６から発生したガス）が透過し易くなるので、ガスの滞留による層間剥離や膨れを防止することができる。
各金属層の厚さが上記範囲の下限値以上であると、各金属層の界面における電磁波遮蔽性が向上する。
【００１９】
シールド層２０が有する複数の金属層の合計の厚さは、例えば、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以上２μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下が最も好ましい。
前記合計の厚さが上記範囲の下限値以上であると、シールド層２０におけるガス透過性が高まり、はんだリフロー処理時に発生したガス（例えば、導電性接着剤層から発生したガス）が透過し易くなるので、ガスの滞留による層間剥離や膨れを防止することができる。
前記合計の厚さが上記範囲の上限値以下であると、電磁波シールドフィルムを薄型化することができる。
【００２０】
前記金属層は、金属の薄膜であり、面方向に広がるように形成されていることから、面方向に導電性を有し、電磁波をシールドする層として機能する。
【００２１】
前記金属層としては、物理蒸着（真空蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着、電子ビーム蒸着等）又は化学蒸着によって形成された蒸着膜、めっきによって形成されためっき膜、金属箔等が挙げられる。面方向の導電性に優れる点では、前記金属層は、蒸着膜、めっき膜が好ましい。前記金属層を薄くでき、かつ厚さが薄くても面方向の導電性に優れ、ドライプロセスにて簡便に形成できる点では、前記金属層は蒸着膜であることがより好ましく、物理蒸着による蒸着膜であることがさらに好ましい。物理蒸着膜は、ガス透過性を高める目的で金属層の密度を低くすることが容易である点も好ましい。
【００２２】
金属層を構成する金属としては、例えば、銀、銅、アルミニウム、ニッケル及び金から選択される１種以上が挙げられ、電気伝導度の点からは、銀又は銅が好ましい。
金属層のなかでも、電磁波遮蔽性が高く、しかもガス透過性に優れる金属層を容易に形成しやすいことから、物理蒸着層が好ましく、銀蒸着層又は銅蒸着層がより好ましい。
【００２３】
金属層の表面抵抗は、０．００１Ω以上１Ω以下が好ましく、０．００１Ω以上０．５Ω以下がより好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、金属層を十分に薄くできる。前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールド層として十分に機能できる。
【００２４】
シールド層２０を構成する各金属層の厚さ、構成材料、物性等は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００２５】
（非金属層）
シールド層２０において、各金属層の間には非金属層が必ず介在している。換言すれば、非金属層が介在せずに一纏まりの金属層が多層化している場合（例えば、金属層Ａの上に金属層Ｂが蒸着等により積層されている場合）、この一纏まりの金属層は１層の金属層であるとみなす。
【００２６】
本実施形態において、シールド層２０の一方の表面は第一金属層２１によって形成され、シールド層２０の他方の面は第三金属層２５によって形成されている。シールド層２０はこの例に制限されず、絶縁樹脂層１０と第一金属層２１の間に、図示しない非金属層が設けられていてもよく、第三金属層２５と導電性接着剤層２６の間に、図示しない非金属層が設けられていてもよい。
【００２７】
シールド層２０の金属層は金属のみからなる層である。これに対して、各金属層の間に介在する非金属層は、金属のみからなる層ではなく、少なくとも樹脂を含む層である。非金属層としては、例えば、絶縁樹脂（電気的に絶縁性である樹脂）からなる絶縁層、導電性粒子又は導電性ポリマーを含む導電層が挙げられる。
【００２８】
非金属層の厚みは、０．０１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、１μｍ以上４μｍ以下がより好ましく、２μｍ以上３μｍ以下がさらに好ましい。
非金属層の厚みが上記範囲の下限値以上であると、隣接する金属層に対する接着力が高まり、上記範囲の上限値以下であると、非金属層におけるガス透過性が高まり、結果として半田耐熱性が向上するので好ましい。
【００２９】
前記絶縁層を構成する絶縁樹脂としては、例えば、公知の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、耐熱性の点から、熱硬化性樹脂が好ましい。非金属層を構成する熱硬化性樹脂は、未硬化状態、Ｂステージ化された状態、及び硬化された状態のうち、何れの状態であってもよい。
前記絶縁層は、必要に応じて絶縁樹脂以外の他の成分を含んでいてもよい。
【００３０】
前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、ウレタン樹脂、縮合硬化型シリコーン、付加硬化型シリコーン、熱硬化性アクリル樹脂等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れる点から、エポキシ樹脂が好ましい。
前記絶縁樹脂には、熱硬化性樹脂の硬化剤が含まれていてもよい。硬化剤としては、例えば、イソシアネート基を２つ以上有するイソシアネート化合物、エポキシ基を２つ以上有するエポキシ化合物等が挙げられ、熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜選択される。
【００３１】
前記熱可塑性樹脂としては、例えば、熱可塑性アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、クロロプレン、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体またはその水素添加物、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体またはその水素添加物等が挙げられる。
【００３２】
前記導電層に含まれる樹脂としては、例えば、上述の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、耐熱性の点から、熱硬化性樹脂が好ましい。また、前記導電層に導電性を付与する点で、導電性ポリマーも好適である。
【００３３】
前記導電層が導電性粒子及び絶縁樹脂を含む場合、当該導電性接着剤層の好ましい実施形態として、後述する導電性接着剤層として例示する、異方導電性接着剤層、等方導電性接着剤層が挙げられる。
以下、前記導電層の特に好ましい実施形態を例示する。
【００３４】
前記導電層に含まれる前記導電性粒子の平均粒子径は、０．２μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上８μｍ以下がより好ましく、０．８μｍ以上５μｍ以下がさらに好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、前記導電層の厚さを維持することができる。前記範囲の上限値以下であれば、金属層間の接着強度を高めることができる。
【００３５】
前記導電層における前記導電性粒子の割合は、前記導電層の１００体積％のうち、１体積％以上３０体積％以下が好ましく、２体積％以上１５体積％以下がより好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、導電層の導電性が良好になる。前記範囲の上限値以下であれば、導電層の接着性が良好になる。また、電磁波シールドフィルム１の可とう性が良好になる。
【００３６】
前記導電性粒子を含む前記導電性の厚さは、０．２μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上８μｍ以下がより好ましく、０．８μｍ以上５μｍ以下がさらに好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、金属層間の接着強度を高めることができる。前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くすることができる。また、電磁波シールドフィルム１の可とう性が良好になる。
【００３７】
前記導電層が導電性ポリマーを含む場合、前記導電層には導電性ポリマー以外の樹脂が含まれてもよいし、含まれなくてもよい。導電性ポリマー以外の樹脂として、前記熱硬化性樹脂、前記熱可塑性樹脂が挙げられる。前記導電層には、導電性ポリマーに加えて前記導電性粒子が含まれていてもよい。
【００３８】
前記導電性ポリマーとしては、例えば、公知のπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体が挙げられる。
【００３９】
π共役系導電性高分子としては、主鎖がπ共役系で構成されている有機高分子であれば特に制限されず、例えば、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン系導電性高分子、ポリアセチレン系導電性高分子、ポリフェニレン系導電性高分子、ポリフェニレンビニレン系導電性高分子、ポリアニリン系導電性高分子、ポリアセン系導電性高分子、ポリチオフェンビニレン系導電性高分子、及びこれらの共重合体等が挙げられる。空気中での安定性の点からは、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン系導電性高分子及びポリアニリン系導電性高分子が好ましく、ポリチオフェン系導電性高分子がより好ましい。
【００４０】
ポリチオフェン系導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−エチルチオフェン）、ポリ（３−プロピルチオフェン）、ポリ（３−ブチルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−ヘプチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（３−デシルチオフェン）、ポリ（３−ドデシルチオフェン）、ポリ（３−オクタデシルチオフェン）、ポリ（３−ブロモチオフェン）、ポリ（３−クロロチオフェン）、ポリ（３−ヨードチオフェン）、ポリ（３−シアノチオフェン）、ポリ（３−フェニルチオフェン）、ポリ（３，４−ジメチルチオフェン）、ポリ（３，４−ジブチルチオフェン）、ポリ（３−ヒドロキシチオフェン）、ポリ（３−メトキシチオフェン）、ポリ（３−エトキシチオフェン）、ポリ（３−ブトキシチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルオキシチオフェン）、ポリ（３−ヘプチルオキシチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）、ポリ（３−デシルオキシチオフェン）、ポリ（３−ドデシルオキシチオフェン）、ポリ（３−オクタデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジヒドロキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジメトキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジエトキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジプロポキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジブトキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジヘキシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジヘプチルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジオクチルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ジドデシルオキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−プロピレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ブチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−メトキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−エトキシチオフェン）、ポリ（３−カルボキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシエチルチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシブチルチオフェン）が挙げられる。
【００４１】
ポリピロール系導電性高分子としては、例えば、ポリピロール、ポリ（Ｎ−メチルピロール）、ポリ（３−メチルピロール）、ポリ（３−エチルピロール）、ポリ（３−ｎ−プロピルピロール）、ポリ（３−ブチルピロール）、ポリ（３−オクチルピロール）、ポリ（３−デシルピロール）、ポリ（３−ドデシルピロール）、ポリ（３，４−ジメチルピロール）、ポリ（３，４−ジブチルピロール）、ポリ（３−カルボキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシエチルピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシブチルピロール）、ポリ（３−ヒドロキシピロール）、ポリ（３−メトキシピロール）、ポリ（３−エトキシピロール）、ポリ（３−ブトキシピロール）、ポリ（３−ヘキシルオキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−ヘキシルオキシピロール）が挙げられる。
【００４２】
ポリアニリン系導電性高分子としては、例えば、ポリアニリン、ポリ（２−メチルアニリン）、ポリ（３−イソブチルアニリン）、ポリ（２−アニリンスルホン酸）、ポリ（３−アニリンスルホン酸）が挙げられる。
以上で例示したπ共役系導電性高分子の中でも、導電性、耐熱性の点から、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。
π共役系導電性高分子は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４３】
ポリアニオンとは、アニオン基を有するモノマー単位を、分子内に２つ以上有する重合体である。このポリアニオンのアニオン基は、π共役系導電性高分子に対するドーパントとして機能して、π共役系導電性高分子の導電性を向上させることができる。
ポリアニオンのアニオン基は、スルホン酸基またはカルボキシ基であることが好ましい。
ポリアニオンの具体例としては、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エステルのエステル部位にスルホン酸基が結合したもの、ポリメタクリル酸エステルのエステル部位にスルホン酸基が結合したもの（例えば、ポリスルホエチルメタクリレート、ポリ（４−スルホブチルメタクリレート）、ポリメタクリルオキシベンゼンスルホン酸）、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）、ポリイソプレンスルホン酸等のスルホン酸基を有する高分子や、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチルプロパンカルボン酸）、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等のカルボン酸基を有する高分子が挙げられる。これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。
これらのポリアニオンのなかでも、導電性をより高くできることから、スルホン酸基を有する高分子が好ましく、ポリスチレンスルホン酸がより好ましい。
ポリアニオンは１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
ポリアニオンの質量平均分子量は２万以上１００万以下であることが好ましく、１０万以上５０万以下であることがより好ましい。
本明細書における質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定し、標準物質をポリスチレンとして求めた値である。
【００４４】
導電性複合体中の、ポリアニオンの含有割合は、π共役系導電性高分子１００質量部に対して、１質量部以上１０００質量部以下の範囲であることが好ましく、１０質量部以上７００質量部以下の範囲であることがより好ましく、１００質量部以上５００質量部以下の範囲であることがさらに好ましい。ポリアニオンの含有割合が前記下限値以上であると、π共役系導電性高分子へのドーピング効果が強くなる傾向にあり、充分な導電性が得られ易く、さらに導電性高分子分散液における導電性複合体の分散性が高くなる。また、ポリアニオンの含有量が前記上限値以下であると、π共役系導電性高分子の相対的な含有量が多くなり、充分な導電性が得られ易い。
【００４５】
ポリアニオンがπ共役系導電性高分子に配位してドープすることによって導電性複合体が形成される。導電性複合体の導電性及び分散性の向上の観点から、全てのアニオン基がπ共役系導電性高分子にドープするよりも、ドープに寄与しない余剰のアニオン基を有することが好ましい。
【００４６】
余剰のアニオン基の少なくとも一部に、アミン化合物及びエポキシ化合物の少なくとも一方が反応して、配位又は結合していることが好ましい。つまり、前記ポリアニオンは、自身が有するアニオン基の一部にアミン化合物又はエポキシ化合物が反応した生成物であることが好ましい。前記ポリアニオンの余剰のアニオン基にアミン化合物及びエポキシ化合物の少なくとも一方が配位又は結合すれば、導電性複合体を疎水化することができる。
【００４７】
前記アミン化合物は、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンよりなる群から選ばれる少なくとも１種である。アミン化合物は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
第一級アミンとしては、例えば、アニリン、トルイジン、ベンジルアミン、エタノールアミン等が挙げられる。
第二級アミンとしては、例えば、ジエタノールアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、ジナフチルアミン等が挙げられる。
第三級アミンとしては、例えば、トリエタノールアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリオクチルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、トリナフチルアミン等が挙げられる。
前記アミン化合物のうち、導電性複合体を容易に疎水化できることから、第三級アミンが好ましく、トリブチルアミン及びトリオクチルアミンの少なくとも一方がより好ましい。
【００４８】
前記エポキシ化合物としては、１分子中にエポキシ基を１つ以上有する化合物が挙げられる。前記エポキシ化合物は、前記ポリアニオンの余剰のアニオン基と反応して、疎水性置換基を形成すると考えられる。例えばアニオン基がスルホン酸基の場合は、スルホン酸エステルを形成すると考えられる。
【００４９】
前記導電層が導電性ポリマーを含む場合、当該導電層は、導電性ポリマーを含む導電性高分子含有液を塗工し、乾燥させることによって、形成することができる。
【００５０】
前記導電性ポリマーを含む前記導電層にはさらに添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、導電性向上剤、バインダー成分、界面活性剤、無機導電剤、消泡剤、カップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、導電性粒子などが挙げられる。
【００５１】
導電性向上剤としては、アクリル化合物、窒素含有芳香族性環式化合物、２個以上のヒドロキシル基を有する化合物、２個以上のカルボキシル基を有する化合物、１個以上のヒドロキシル基および１個以上のカルボキシ基を有する化合物、アミド基を有する化合物、イミド基を有する化合物、ラクタム化合物、グリシジル基を有する化合物、水溶性有機溶剤からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物が挙げられる。
これら化合物の具体例は、例えば、特開２０１０−８７４０１号公報に記載されている。
【００５２】
バインダー成分としては、π共役系導電性高分子及びポリアニオン以外の重合体又は重合体を形成する化合物が使用される。具体的なバインダー成分としては、樹脂、熱硬化性化合物、活性エネルギー線硬化性化合物が挙げられる。導電性高分子含有液に熱硬化性化合物が含有される場合には、熱重合開始剤も含有されることが好ましく、活性エネルギー線硬化性化合物が含有される場合には、光重合開始剤も含有されることが好ましい。
バインダー成分として使用できる樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、酢酸ビニル樹脂等が挙げられる。
熱硬化性化合物及び活性エネルギー線硬化性化合物としては、ビニル基を有する化合物、エポキシ基を有する化合物、オキセタン基を有する化合物等が挙げられる。これらは、モノマーでもよいし、オリゴマーでもよい。
【００５３】
界面活性剤としては、ノニオン系、アニオン系、カチオン系の界面活性剤が挙げられるが、保存安定性の面からノニオン系が好ましい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのポリマー系界面活性剤を添加してもよい。
無機導電剤としては、金属イオン類、導電性カーボン等が挙げられる。金属イオンは、金属塩を水に溶解させることにより生成させることができる。
消泡剤としては、シリコーン樹脂、ポリジメチルシロキサン、シリコーンオイル等が挙げられる。
カップリング剤としては、ビニル基、アミノ基、エポキシ基等を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、糖類等が挙げられる。
紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、オキサニリド系紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤等が挙げられる。
【００５４】
前記導電性ポリマーを含む前記導電層の総質量に対する前記導電性ポリマーの含有量は特に制限されず、例えば、５質量％以上４０質量％以下が好ましく、１０質量％以上３０質量％以下がより好ましく、１５質量％以上２５質量％以下がさらに好ましい。
【００５５】
前記導電性ポリマーを含む前記導電層の厚さは、０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上８μｍ以下がより好ましく、０．８μｍ以上５μｍ以下がさらに好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、金属層間の接着を強めるとともに、金属層間の電気的な接続性を向上できる。前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム２の可とう性を高め、厚さを薄くすることができる。
【００５６】
シールド層２０を構成する非金属層が複数である場合、各非金属層の厚さ、構成材料、物性等は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００５７】
＜導電性接着剤層＞
電磁波シールドフィルム１は、シールド層２０における第三金属層２５の第二非金属層２４と反対の面に接して積層された、導電性接着剤層２６を備える。
導電性接着剤層２６は、電磁波シールドフィルム１における必須の層であり、シールド層２０における非金属層として任意に設けられる導電性接着剤層とは区別される。
導電性接着剤層２６は、図２に示すような異方導電性接着剤層であってもよいし、図３に示すような等方導電性接着剤層であってもよい。
【００５８】
（異方導電性接着剤層）
異方導電性接着剤層は、厚さ方向に導電性を有し、面方向には導電性を有さず、かつ、接着性を有する。
異方導電性接着剤層は、導電性接着剤層を容易に薄くでき、後述する導電性粒子の量を少なくでき、その結果、電磁波シールドフィルムを薄くでき、電磁波シールドフィルムの可とう性が高くなる利点を有する。
【００５９】
異方導電性接着剤層としては、硬化後に耐熱性を発揮できる点から、熱硬化性の導電性接着剤層が好ましい。熱硬化性の異方導電性接着剤層は、未硬化の状態であってもよく、Ｂステージ化された状態であってもよい。
熱硬化性の異方導電性接着剤層は、例えば、図２に示すように、熱硬化性接着剤２６ａと導電性粒子２６ｂとを含む。熱硬化性の異方導電性接着剤層２６は、必要に応じて難燃剤を含んでいてもよい。
【００６０】
熱硬化性接着剤２６ａとしては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂、合成ゴム、紫外線硬化アクリレート樹脂等が挙げられる。耐熱性に優れる点から、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分（カルボキシ変性ニトリルゴム、アクリルゴム等）、粘着付与剤等を含んでいてもよい。
熱硬化性接着剤２６ａは、異方導電性接着剤層２６の強度を高め、打ち抜き特性を向上させるために、セルロース樹脂、ミクロフィブリル（ガラス繊維等）を含んでいてもよい。熱硬化性接着剤２６ａは、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて他の成分（硬化剤等）を含んでいてもよい。
【００６１】
導電性粒子２６ｂとしては、金属（銀、白金、金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウム、ハンダ等）の粒子、黒鉛粉、焼成カーボン粒子、めっきされた焼成カーボン粒子等が挙げられる。導電性粒子２６ｂとしては、異方導電性接着剤層２６がさらに適度の硬さを有するようになり、熱プレスの際の異方導電性接着剤層２６における圧力損失をさらに低減できる点からは、金属粒子が好ましく、銅粒子がより好ましい。
【００６２】
導電性粒子２６ｂの１０％圧縮強度は、３０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下が好ましく、５０ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下がより好ましく、７０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下がさらに好ましい。導電性粒子２６ｂの１０％圧縮強度が前記範囲の下限値以上であれば、熱プレスの際に金属薄膜層にかけられた圧力を大きく損失することなく、異方導電性接着剤層２６が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。導電性粒子２６ｂの１０％圧縮強度が前記範囲の上限値以下であれば、金属薄膜層との接触がよくなり、電気的接続が確実になる。
【００６３】
異方導電性接着剤層２６における導電性粒子２６ｂの平均粒子径は、０．２μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上８μｍ以下がより好ましい。導電性粒子２６ｂの平均粒子径が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２６の厚さを確保することができ、十分な接着強度を得ることができる。導電性粒子２６ｂの平均粒子径が前記範囲の上限値以下であれば、異方導電性接着剤層２６の流動性を確保でき、後述するように異方導電性接着剤層２６を絶縁フィルムの貫通孔に押し込んだ際に絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。
【００６４】
異方導電性接着剤層２６における導電性粒子２６ｂの割合は、異方導電性接着剤層２６の１００体積％のうち、１体積％以上３０体積％以下が好ましく、２体積％以上１５体積％以下がより好ましい。導電性粒子２６ｂの割合が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２６の導電性が良好になる。導電性粒子２６ｂの割合が前記範囲の上限値以下であれば、異方導電性接着剤層２６の接着性、流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）が良好になる。また、電磁波シールドフィルム１の可とう性が良好なる。
【００６５】
異方導電性接着剤層２６の１８０℃における貯蔵弾性率は、１×１０３Ｐａ以上５×１０７Ｐａ以下が好ましく、５×１０３Ｐａ以上１×１０７Ｐａ以下がより好ましい。異方導電性接着剤層２６の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２６がさらに適度な硬さを有するようになり、熱プレスの際の異方導電性接着剤層２６における圧力損失を低減できる。その結果、異方導電性接着剤層２６とプリント配線板のプリント回路とが十分に接着され、異方導電性接着剤層２６が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。異方導電性接着剤層２６の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１の可とう性がよくなる。その結果、電磁波シールドフィルム１が絶縁フィルムの貫通孔内に沈み込みやすくなり、異方導電性接着剤層２６が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。
【００６６】
異方導電性接着剤層２６の表面抵抗は、１×１０４Ω／ｓｑ．以上１×１０１６Ω／ｓｑ．以下が好ましく、１×１０６Ω／ｓｑ．以上１×１０１４Ω／ｓｑ．以下がより好ましい。異方導電性接着剤層２６の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子２６ｂの含有量が低く抑えられる。異方導電性接着剤層２６の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、実用上、異方性に問題がない。
【００６７】
異方導電性接着剤層２６の厚さは、０．２μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上８μｍ以下がより好ましい。異方導電性接着剤層２６の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２６の流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。異方導電性接着剤層２６の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルムを薄くできる。また、電磁波シールドフィルムの可とう性が良好になる。
【００６８】
（等方導電性接着剤層）
等方導電性接着剤層は、厚さ方向および面方向に導電性を有し、かつ、接着性を有する。
等方導電性接着剤層は、電磁波シールドフィルムの電磁波遮蔽性をより高くできる利点を有する。
【００６９】
等方導電性接着剤層としては、硬化後に耐熱性を発揮できる点から、熱硬化性の導電性接着剤層が好ましい。熱硬化性の等方導電性接着剤層は、未硬化の状態であってもよく、Ｂステージ化された状態であってもよい。
熱硬化性の等方導電性接着剤層は、例えば、図３に示すように、熱硬化性接着剤２６ａと導電性粒子２６ｃとを含む。熱硬化性の等方導電性接着剤層２６は、必要に応じて難燃剤を含んでいてもよい。
等方導電性接着剤層２６に含まれる熱硬化性接着剤２６ａの成分および導電性粒子２６ｃの材質は、異方導電性接着剤層２６に含まれる熱硬化性接着剤２６ａの成分および導電性粒子２６ｃの材質と同様である。
【００７０】
等方導電性接着剤層２６における導電性粒子２６ｃの平均粒子径は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以上１μｍ以下がより好ましい。導電性粒子２６ｃの平均粒子径が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子２６ｃの接触点数が増えることになり、３次元方向の導通性を安定的に高めることができる。導電性粒子２６ｃの平均粒子径が前記範囲の上限値以下であれば、等方導電性接着剤層２６の流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。
【００７１】
等方導電性接着剤層２６における導電性粒子２６ｃの割合は、等方導電性接着剤層２６の１００体積％のうち、５０体積％以上８０体積％以下が好ましく、６０体積％以上７０体積％以下がより好ましい。導電性粒子２６ｃの割合が前記範囲の下限値以上であれば、等方導電性接着剤層２６の導電性が良好になる。導電性粒子２６ｃの割合が前記範囲の上限値以下であれば、等方導電性接着剤層２６の接着性、流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）が良好になる。また、電磁波シールドフィルム１の可とう性がよくなる。
【００７２】
等方導電性接着剤層２６の１８０℃における貯蔵弾性率は、１×１０３Ｐａ以上５×１０７Ｐａ以下が好ましく、５×１０３Ｐａ以上１×１０７Ｐａ以下がより好ましい。前記範囲が好ましい理由は、異方導電性接着剤層２６と同様である。
【００７３】
等方導電性接着剤層２６の表面抵抗は、０．０５Ω／ｓｑ．以上２．０Ω／ｓｑ．以下が好ましく、０．１Ω／ｓｑ．以上１．０Ω／ｓｑ．以下がより好ましい。等方導電性接着剤層２６の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子２６ｃの含有量が低く抑えられ、導電性接着剤の粘度が高くなりすぎず、塗布性がさらに良好となる。また、等方導電性接着剤層２６の流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）をさらに確保できる。等方導電性接着剤層２６の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、等方導電性接着剤層２６の全面が均一な導電性を有するものとなる。
【００７４】
等方導電性接着剤層２６の厚さは、０．２μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上８μｍ以下がより好ましい。等方導電性接着剤層２６の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、等方導電性接着剤層２６の導電性が良好になり、電磁波シールド層として十分に機能できる。また、等方導電性接着剤層２６の流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができ、耐折性も確保でき繰り返し折り曲げても等方導電性接着剤層２６が断裂することはない。等方導電性接着剤層２６の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルムを薄くできる。また、電磁波シールドフィルムの可とう性が良好になる。
【００７５】
＜キャリアフィルム＞
電磁波シールドフィルム１において、絶縁樹脂層１０のシールド層２０と反対の面には、キャリアフィルムが設けられていてもよい（不図示）。
キャリアフィルムは、絶縁樹脂層１０及びシールド層２０を補強及び保護する支持体であり、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性を良好にする。特に、絶縁樹脂層１０として、薄いフィルム、具体的には厚さ１μｍ以上１０μｍ以下のフィルムを用いた場合には、キャリアフィルムを有することによって、絶縁樹脂層１０の破断を防ぐことができる。
キャリアフィルムは、電磁波シールドフィルム１をプリント配線板等に貼り付けた後には、絶縁樹脂層１０から剥離される。
【００７６】
本実施形態において使用されるキャリアフィルムは、キャリアフィルム本体と、キャリアフィルム本体の絶縁樹脂層１０側の表面に設けられた粘着剤層とを有する。
【００７７】
キャリアフィルム本体の樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート（以下、「ＰＥＴ」ということもある。）、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリアセテート、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、合成ゴム、液晶ポリマー等が挙げられる。樹脂材料としては、電磁波シールドフィルム１を製造する際の耐熱性（寸法安定性）及び価格の点から、ＰＥＴが好ましい。
【００７８】
キャリアフィルム本体は、着色剤（顔料、染料等）及びフィラーのいずれか一方又は両方を含んでいてもよい。
着色剤及びフィラーのいずれか一方又は両方としては、絶縁樹脂層１０と明確に区別でき、熱プレスした後にキャリアフィルムの剥がし残しに気が付きやすい点から、絶縁樹脂層１０とは異なる色のものが好ましく、白色顔料、フィラー、又は白色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
【００７９】
キャリアフィルム本体の１８０℃における貯蔵弾性率は、８×１０７Ｐａ以上５×１０９Ｐａが好ましく、１×１０８Ｐａ以上８×１０８Ｐａがより好ましい。キャリアフィルム本体の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の下限値以上であれば、キャリアフィルムが適度の硬さを有するようになり、熱プレスの際のキャリアフィルムにおける圧力損失を低減できる。キャリアフィルム本体の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の上限値以下であれば、キャリアフィルムの柔軟性が良好となる。
【００８０】
キャリアフィルム本体の厚さは、３μｍ以上７５μｍ以下が好ましく、１２μｍ以上５０μｍ以下がより好ましい。キャリアフィルム本体の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性が良好となる。キャリアフィルム本体の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、プリント配線板５０に電磁波シールドフィルム１を熱プレスする際に導電性接着剤層に熱が伝わりやすい。
【００８１】
粘着剤層は、例えば、キャリアフィルム本体の表面に粘着剤を含む粘着剤組成物を塗布して形成される。キャリアフィルムが粘着剤層を有することによって、電磁波シールドフィルム１を取り扱う際に、キャリアフィルムが絶縁樹脂層１０から意図せずに剥離することが抑えられる。結果、キャリアフィルムが保護フィルムとしての役割を十分に果たすことができる。
【００８２】
粘着剤は、熱プレス前にはキャリアフィルムが絶縁樹脂層１０から容易に剥離することなく、熱プレス後にはキャリアフィルムを絶縁樹脂層１０から剥離できる程度の適度な粘着性を粘着剤層に付与するものであることが好ましい。
粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。
粘着剤のガラス転移温度は、−１００℃以上６０℃以下が好ましく、−６０℃以上４０℃以下がより好ましい。
【００８３】
キャリアフィルムの厚さは、２５μｍ以上１２５μｍ以下が好ましく、３８μｍ以上１００μｍ以下がより好ましい。キャリアフィルムの厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性が良好となる。キャリアフィルムの厚さが前記範囲の上限値以下であれば、プリント配線板に電磁波シールドフィルム１を熱プレスする際に導電性接着剤層２６に熱が伝わりやすい。
【００８４】
（保護フィルム）
保護フィルム４０は、導電性接着剤層２６を保護するものであり、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性を良好にする。保護フィルム４０は、電磁波シールドフィルム１をプリント配線板等に貼り付ける前に、導電性接着剤層２６から剥離される。
【００８５】
保護フィルム４０は、例えば、保護フィルム本体４２と、保護フィルム本体４２の導電性接着剤層２６側の表面に設けられた粘着剤層４１とを有する。
【００８６】
保護フィルム本体４２の樹脂材料としては、キャリアフィルム本体の樹脂材料と同様なものが挙げられる。
保護フィルム本体４２は、着色剤、フィラー等を含んでいてもよい。
保護フィルム本体４２の厚さは、５μｍ以上５００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上１５０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以上１００μｍ以下がさらに好ましい。
【００８７】
粘着剤層４１は、保護フィルム本体４２の表面を粘着剤で処理して形成される。保護フィルム４０が粘着剤層４１を有することによって、保護フィルム４０を導電性接着剤層２６から剥離する際に、保護フィルム４０を剥離しやすく、導電性接着剤層２６が破断しにくくなる。
粘着剤としては、公知の粘着剤を用いればよい。
【００８８】
粘着剤層４１の厚さは、０．０５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上２０μｍ以下がより好ましい。粘着剤層４１の厚さが前記範囲内であれば、保護フィルム４０をさらに剥離しやすくなる。
【００８９】
＜電磁波シールドフィルムの厚さ＞
電磁波シールドフィルム１の厚さ（キャリアフィルム及び保護フィルム４０を除く）は、３μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下がより好ましい。
前記厚さが前記範囲の下限値以上であれば、キャリアフィルムや保護フィルム４０を剥離する際に破断しにくい。前記厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルムを取り付けた回路基板を薄くできる。
【００９０】
（作用効果）
以上説明した電磁波シールドフィルム１にあっては、シールド層２０における金属層が複数であることにより、１層の金属層を備える場合よりも電磁波の反射界面が多くなり、各金属層の厚みが１μｍ以下という薄さにも関わらず、電磁波遮蔽性が優れる。
さらに、シールド層２０が有する各金属層の厚みが１μｍ以下であることにより、各金属層のガス透過性が良好であり、はんだリフロー処理等の加熱によって導電性接着剤層２６等から発生したガスが透過し易くなるので、金属層間にガスが滞留することが少なく、層間剥離や膨れを防止することができる。
このように、本発明の電磁波シールドフィルムは、電磁波遮蔽性および半田耐熱性の両方に優れる。
【００９１】
（他の実施形態）
本発明の電磁波シールドフィルムは、図示例だけに限定されない。
電磁波シールドフィルムの絶縁樹脂層１０を保護するために、絶縁樹脂層１０の表面にキャリアフィルムを設けてもよい。キャリアフィルムは、キャリアフィルム本体が自己粘着性を有するフィルムである場合には、粘着剤層を有しなくてもよい。キャリアフィルムは、粘着剤層の代わりに離型剤層を有していてもよい。
電磁波シールドフィルムの導電性接着剤層２６の表面を保護する必要性が少ない場合には、保護フィルム４０を省略してもよい。保護フィルム４０は、保護フィルム本体４２のみで十分な粘着性を有する場合は、粘着剤層４１を有しなくてもよい。
【００９２】
＜電磁波シールドフィルムの製造方法＞
本発明の電磁波シールドフィルムは、積層フィルムを形成する公知方法を適用することにより製造することができる。容易に歩留まり良く均質な電磁波シールドフィルムを製造する観点から、例えば、次の好適な製造方法が挙げられる。
【００９３】
以下、図１の電磁波シールドフィルム１を製造方法の一例を示す。
第一金属層２１として、市販の金属薄膜を適用することができる。例えば、基材フィルムの一方の面に蒸着された金属蒸着膜が挙げられる。この金属蒸着膜の基材フィルムと反対の面に、絶縁樹脂層１０を形成する樹脂組成物を塗工し、乾燥して硬化させることにより、絶縁樹脂層１０／第一金属層２１／基材フィルムの順に積層された積層体Ａが得られる。必要に応じて、絶縁樹脂層１０の第一金属層２１と反対の面にキャリアフィルムを貼付した後、基材フィルムを剥離することにより、キャリアフィルム／絶縁樹脂層１０／第一金属層２１の順に積層された積層体Ｂが得られる。
積層体Ｂの第一金属層２１の絶縁樹脂層１０と反対の面に、第一非金属層２２、第二金属層２３、第二非金属層２４、第三金属層２５を順次積層することにより、キャリアフィルム／絶縁樹脂層１０／第一金属層２１／第一非金属層２２／第二金属層２３／第二非金属層２４／第三金属層２５の順に積層された積層体Ｃが得られる。各金属層は公知の金属薄膜の形成方法により形成することができ、簡便に膜厚を調整できることから物理蒸着法が好適である。各非金属層は基本的に樹脂を含む層であるから、公知の樹脂層の形成方法、例えば樹脂組成物を塗工し、乾燥して硬化させることにより、形成することができる。積層体Ｃにおいて交互に積層された金属層及び非金属層の数を増減させることにより、所望の層数のシールド層２０を形成することができる。
積層体Ｃの第三金属層２５の第二非金属層２４と反対の面に、導電性接着剤層２６を形成し、さらに保護フィルム４０を貼付することにより、目的の電磁波シールドフィルム１が得られる。導電性接着剤層２６を構成する異方導電性接着剤層または等方導電性接着剤層は、例えば、前述の特許文献１等を参照して、公知方法により形成することができる。
【００９４】
以上で説明した電磁波シールドフィルム１の製造方法の他に、次の製造方法も挙げられる。
まず、キャリアフィルムの粘着剤層の表面に、絶縁樹脂層１０を形成し、絶縁樹脂層１０のキャリアフィルムとは反対側の面に、第一金属層２１／第一非金属層２２／第二金属層２３／第二非金属層２４／第三金属層２５の順に積層した、第１の積層体を得る。次に、保護フィルム４０の粘着剤層４１の表面に、導電性接着剤層２６を積層し、第２の積層体を得る。続いて、第１の積層体の第三金属層２５の第二非金属層２４と反対の面に、第２の積層体の導電性接着剤層２６を接して貼り付けることにより、電磁波シールドフィルム１が得られる。
【００９５】
以上で説明した電磁波シールドフィルム１の製造方法の他に、次の製造方法も挙げられる。
キャリアフィルムの表面に、絶縁樹脂層１０を形成し、絶縁樹脂層１０のキャリアフィルムとは反対側の面に、第一金属層２１／第一非金属層２２／第二金属層２３／第二非金属層２４／第三金属層２５の順にシールド層２０を積層し、さらに第三金属層２５に接するように導電性接着剤層２６を積層した後、保護フィルム４０を貼り付けることにより、電磁波シールドフィルム１が得られる。
【００９６】
（作用効果）
以上説明した電磁波シールドフィルムの製造方法にあっては、複数の薄い金属層を有する電磁波シールドフィルムを容易に製造できる。
【００９７】
＜回路基板＞
本発明の第二態様は、基板の少なくとも一方の面に回路が設けられた回路基板本体と、前記一方の面に隣接する絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの前記回路基板本体とは反対側に隣接する第一態様の電磁波シールドフィルムと、を備えた回路基板である。前記回路基板において、前記電磁波シールドフィルムにおける前記シールド層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層が、前記絶縁フィルムに接着している。
【００９８】
図４は、本態様の回路基板の一実施形態を示す断面図である。
回路基板４は、回路基板本体の一例であるフレキシブルプリント配線板５０と、電磁波シールドフィルム３とを備える。
フレキシブルプリント配線板５０は、ベースフィルム５２の少なくとも片面にプリント回路５４が設けられたものである。
絶縁フィルム６０は、フレキシブルプリント配線板５０のプリント回路５４が設けられた側の表面に設けられる。
電磁波シールドフィルム３の導電性接着剤層２６は、絶縁フィルム６０の表面に接着され、かつ硬化されている。また、導電性接着剤層２６は、絶縁フィルム６０に形成された貫通孔（図示略）を通ってプリント回路５４に電気的に接続されている。
電磁波シールドフィルム付きプリント配線板４においては、キャリアフィルムおよび離型フィルムは、電磁波シールドフィルム３から剥離されている。
【００９９】
貫通孔のある部分を除くプリント回路５４（信号回路、グランド回路、グランド層等）の近傍には、電磁波シールドフィルム３のシールド層２０が、絶縁フィルム６０および導電性接着剤層２６を介して離間して対向配置される。
貫通孔のある部分を除くプリント回路５４とシールド層２０との離間距離は、絶縁フィルム６０の厚さと導電性接着剤層２６の厚さの総和とほぼ等しい。離間距離は、３０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、６０μｍ以上２００μｍ以下がより好ましい。離間距離が３０μｍより小さいと、信号回路のインピーダンスが低くなるため、１００Ω等の特性インピーダンスを有するためには、信号回路の線幅を小さくしなければならず、線幅のバラツキが特性インピーダンスのバラツキとなって、インピーダンスのミスマッチによる反射共鳴ノイズが電気信号に乗りやすくなる。離間距離が２００μｍより大きいと、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２が厚くなり、可とう性が不足する。
【０１００】
（回路基板本体）
回路基板本体の一例であるフレキシブルプリント配線板５０は、銅張積層板の銅箔を公知のエッチング法により所望のパターンに加工してプリント回路５４としたものである。
銅張積層板としては、ベースフィルム５２の片面または両面に接着剤層（図示略）を介して銅箔を貼り付けたもの；銅箔の表面にベースフィルム５２を形成する樹脂溶液等をキャストしたもの等が挙げられる。
接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。
接着剤層の厚さは、０．５μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。
【０１０１】
ベースフィルム５２としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
ベースフィルム５２の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０６Ω／ｓｑ．以上が好ましい。ベースフィルム５２の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω／ｓｑ．以下が好ましい。
ベースフィルム５２の厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、屈曲性の点から、６μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。
【０１０２】
プリント回路５４を構成する銅箔としては、圧延銅箔、電解銅箔等が挙げられ、屈曲性の点から、圧延銅箔が好ましい。プリント回路５４は、信号回路、グランド回路、グランド層等として使用される。
銅箔の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１８μｍ以上３５μｍ以下がより好ましい。
プリント回路５４の長さ方向の端部（端子）は、ハンダ接続、コネクター接続、部品搭載等のため、絶縁フィルム６０や電磁波シールドフィルム１に覆われず、露出している。
【０１０３】
（絶縁フィルム）
絶縁フィルム６０（カバーレイフィルム）は、絶縁フィルム本体（図示略）の片面に、接着剤の塗布、接着剤シートの貼り付け等によって接着剤層（図示略）を形成したものである。
絶縁フィルム本体の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０６Ω／ｓｑ．以上が好ましい。絶縁フィルム本体の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω／ｓｑ．以下が好ましい。
絶縁フィルム本体としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
絶縁フィルム本体の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、可とう性の点から、３μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。
接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン等が挙げられる。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分（カルボキシ変性ニトリルゴム等）を含んでいてもよい。
接着剤層の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以上６０μｍ以下がより好ましい。
【０１０４】
絶縁フィルム６０に形成される貫通孔の開口部の形状は、特に限定されない。貫通孔の開口部の形状としては、円形、楕円形、四角形等が挙げられる。
【０１０５】
（電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造方法）
電磁波シールドフィルム付きプリント配線板４は、例えば、下記の工程（ｇ）〜（ｊ）を有する方法によって製造できる（図５参照）。
工程（ｇ）：フレキシブルプリント配線板５０のプリント回路５４が設けられた側の表面に、プリント回路５４に対応する位置に貫通孔６２が形成された絶縁フィルム６０を設け、絶縁フィルム付きプリント配線板を得る工程。
工程（ｈ）：工程（ｇ）の後、絶縁フィルム付きプリント配線板と、保護フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム２とを、絶縁フィルム６０の表面に導電性接着剤層２６が接触するように重ね、これらを圧着する工程。
工程（ｉ）：工程（ｈ）の後、キャリアフィルム３０が不要になった際にキャリアフィルム３０を剥離する工程。
工程（ｊ）：必要に応じて、工程（ｇ）と工程（ｈ）との間、または工程（ｉ）の後に導電性接着剤層２６を本硬化させる工程。
以下、各工程について、図５を参照しながら詳細に説明する。図５において、第二非金属層２４及び第三金属層２５は図示を省略している。
【０１０６】
工程（ｇ）：
工程（ｇ）は、フレキシブルプリント配線板５０に絶縁フィルム６０を積層して、絶縁フィルム付きプリント配線板を得る工程である。
具体的には、まず、フレキシブルプリント配線板５０に、プリント回路５４に対応する位置に貫通孔６２が形成された絶縁フィルム６０を重ねる。次いで、フレキシブルプリント配線板５０の表面に絶縁フィルム６０の接着剤層（図示略）を接着し、接着剤層を硬化させることによって、絶縁フィルム付きプリント配線板を得る。フレキシブルプリント配線板５０の表面に絶縁フィルム６０の接着剤層を仮接着し、工程（ｊ）にて接着剤層を本硬化させてもよい。
接着剤層の接着および硬化は、例えば、プレス機（図示略）等による熱プレスによって行う。
【０１０７】
工程（ｈ）：
工程（ｈ）は、絶縁フィルム付きプリント配線板に電磁波シールドフィルム２を圧着する工程である。
具体的には、絶縁フィルム付きプリント配線板に、保護フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム２を重ね、熱プレス等により圧着する。これにより、絶縁フィルム６０の表面に導電性接着剤層２６を接着するとともに、導電性接着剤層２６を貫通孔６２内に押し込み、貫通孔６２内を埋めてプリント回路５４に電気的に接続する。これにより、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板を得る。
【０１０８】
導電性接着剤層２６の接着および硬化は、例えば、プレス機（図示略）等による熱プレスによって行う。
熱プレスの時間は、２０秒以上６０分以下が好ましく、３０秒以上３０分以下がより好ましい。熱プレスの時間が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム６０の表面に導電性接着剤層２６を容易に接着できる。熱プレスの時間が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造時間を短縮できる。
【０１０９】
熱プレスの温度（プレス機の熱盤の温度）は、１４０℃以上１９０℃以下が好ましく、１５０℃以上１７５℃以下がより好ましい。熱プレスの温度が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム６０の表面に導電性接着剤層２６を容易に接着できる。また、熱プレスの時間を短縮できる。熱プレスの温度が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム２、フレキシブルプリント配線板５０等の劣化等を容易に抑えることができる。
【０１１０】
熱プレスの圧力は、０．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下が好ましく、１ＭＰａ以上１６ＭＰａ以下がより好ましい。熱プレスの圧力が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム６０の表面に導電性接着剤層２６が容易に接着される。また、熱プレスの時間を短縮できる。熱プレスの圧力が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム２、フレキシブルプリント配線板５０等の破損等を抑えることができる。
【０１１１】
工程（ｉ）：
工程（ｉ）は、キャリアフィルム３０を剥離する工程である。
具体的には、キャリアフィルムが不要になった際に、絶縁樹脂層１０からキャリアフィルム３０を剥離する。
【０１１２】
工程（ｊ）：
工程（ｊ）は、導電性接着剤層２６を本硬化させる工程である。
工程（ｈ）における熱プレスの時間が２０秒以上１０分以下の短時間である場合、工程（ｈ）と工程（ｉ）との間、または工程（ｉ）の後に導電性接着剤層２６の本硬化を行うことが好ましい。シールド層２０に熱硬化性樹脂が含まれる場合には、導電性接着剤層２６の本硬化とともに、シールド層２０を構成する熱硬化性樹脂の本硬化を行うことができる。
導電性接着剤層２６の本硬化は、例えば、オーブン等の加熱装置を用いて行う。
加熱時間は、１５分以上１２０分以下であり、３０分以上６０分以下がより好ましい。
加熱時間が前記範囲の下限値以上であれば、導電性接着剤層２６を十分に硬化できる。加熱時間が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造時間を短縮できる。
加熱温度（オーブン中の雰囲気温度）は、１２０℃以上１８０℃以下が好ましく、１２０℃以上１５０℃以下がより好ましい。加熱温度が前記範囲の下限値以上であれば、加熱時間を短縮できる。加熱温度が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム２、フレキシブルプリント配線板５０等の劣化等を抑えることができる。
【０１１３】
（作用効果）
以上説明した電磁波シールドフィルム付きプリント配線板にあっては、電磁波シールドフィルム２がシールド層２０を有するため、電磁波シールドフィルム２において電磁波遮蔽性及び半田耐熱性に優れる。
【０１１４】
（他の実施形態）
本態様の回路基板は、基板の少なくとも片面に回路が設けられた回路基板本体と、回路基板本体の回路が設けられた側の面に隣接する絶縁フィルムと、絶縁フィルムの回路基板本体とは反対側に隣接し、導電性接着剤層が絶縁フィルムに接する本発明の第一態様の電磁波シールドフィルムとを有するものであればよく、図示例の実施形態に限定されない。
例えば、例示したフレキシブルプリント配線板５０は、裏面側にグランド層を有するものであってもよい。また、フレキシブルプリント配線板５０は、両面にプリント回路５４を有し、両面に絶縁フィルム６０および電磁波シールドフィルムが貼り付けられたものであってもよい。
また、フレキシブルプリント配線板５０の代わりに、柔軟性のないリジッドプリント基板を用いてもよい。
【実施例】
【０１１５】
＜材料＞
以下、図１〜３に例示した電磁波シールドフィルムの符号を用いて説明する。
キャリアフィルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡製、ＣＮ１００、厚み５０μｍ）を用意した。
絶縁樹脂層１０の形成用塗料として、（メタ）アクリロイル基を有する化合物の溶液（亜細亜工業社製、ＥＸＣＥＬＡＴＥ  ＲＵＡ−０５４、アクリルポリマーアクリレート、固形分：７３質量％、溶剤：酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン）の１００ｇに、光ラジカル重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、イルガキュア（登録商標）１８４）の１．７１ｇ、黒色染料（オリエント化学工業社製、ＯＲＩＰＡＣＳ（登録商標）Ｂ−２０、アゾ化合物クロム錯体）を添加したものを用意した。
非金属層２２，２４を構成する「絶縁層」の形成用塗料として、熱硬化性接着剤（エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−４８１６）の１００質量部と硬化剤（味の素ファインテクノ社製、ＰＮ−２３）の２０質量部とを混合してなる潜在硬化性エポキシ樹脂）と、溶剤（メチルエチルケトン）の２００質量部と、を混合した塗料を用意した。
非金属層２２，２４を構成する「導電性接着剤層」の形成用塗料として、熱硬化性接着剤（エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−４８１６）の１００質量部と硬化剤（味の素ファインテクノ社製、ＰＮ−２３）の２０質量部とを混合してなる潜在硬化性エポキシ樹脂）と、導電性粒子（平均粒子径５μｍの銅粒子）の４０質量部と、溶剤（メチルエチルケトン）の２００質量部と、を混合した塗料を用意した。
導電性接着剤層２６の形成用塗料として、熱硬化性接着剤（エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−４８１６）の１００質量部と硬化剤（味の素ファインテクノ社製、ＰＮ−２３）の２０質量部とを混合してなる潜在硬化性エポキシ樹脂）と、導電性粒子（平均粒子径５μｍの銅粒子）の４０質量部と、溶剤（メチルエチルケトン）の２００質量部と、を混合した塗料を用意した。
保護フィルム４０として、粘着フィルム（パナック社製、パナプロテクト（登録商標）ＥＴ、粘着力：０．０８Ｎ／ｃｍ、ＰＥＴフィルム厚さ：５０μｍ）を用意した。
回路基板として厚さ５０μｍのポリイミドフィルム上に厚さ１５μｍのエポキシ系接着剤を介して厚さ１８μｍの銅箔をラミネートし、更に厚さ１５μｍのエポキシ系接着剤を介して厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（絶縁フィルム）を形成した回路基板（信越化学工業製）を用意した。
【０１１６】
［実施例１］
キャリアフィルムの表面に、絶縁樹脂層１０の形成用塗工液を＃４のバーコーターを用いて塗布した。塗膜を１００℃で１分間乾燥した後、４００ｍＪの紫外線を照射して、絶縁樹脂層１０（厚さ：１０μｍ、表面抵抗：１．０×１０１２Ω／□以上）を設けた。
次いで、絶縁樹脂層１０の表面に電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第一金属層２１である銅蒸着膜（厚み：０．１μｍ）を形成した。
次いで、銅蒸着膜の絶縁樹脂層１０と反対側の面に、前記「絶縁層」の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてＢステージ化することによって、第一非金属層２２である絶縁層（厚み：２μｍ）を形成した。
続いて、第一非金属層２２である絶縁層の銅蒸着膜と反対の面に、電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第二金属層２３である銅蒸着膜（厚み：０．１μｍ）を形成した。
最後に、第二金属層２３である銅蒸着膜の第一非金属層２２と反対の面に、前記導電性接着剤層２６の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてＢステージ化することによって、異方導電性接着剤層（厚み：４．５μｍ、銅粒子：１８．３体積％、表面抵抗：１０−１Ω／ｓｑ．）を形成した。
異方導電性接着剤層の表面に保護フィルムを貼り付けて、図２に示すような電磁波シールドフィルム２を得た。
【０１１７】
前記回路基板の絶縁フィルムに、保護フィルムを剥離した電磁波シールドフィルムを重ね、前記回路基板の絶縁フィルムに異方導電性接着剤層が接した状態で、ホットプレス装置（折原製作所社製、Ｇ−１２）を用い、熱盤温度：１７０℃、圧力：１５ＭＰａで１２０秒間熱プレスした。これにより、回路基板の絶縁フィルムの表面に異方導電性接着剤層を仮接着した、電磁波シールドフィルム付き回路基板を得た。
電磁波シールドフィルム付き絶縁フィルムを、高温恒温器（楠本化成社製、ＨＴ２１０）に入れて、温度：１５０℃で１時間加熱することによって、電磁波シールドフィルム中の異方導電性接着剤層を本硬化させた。
電磁波シールドフィルム付き回路基板を所定のサイズにカットして測定試料を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表１に示す。
【０１１８】
［実施例２］
第一非金属層２２である絶縁層の厚みを５μｍとし、第二金属層２３である銅蒸着膜の厚みを１μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールドフィルム付き回路基板を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表１に示す。
【０１１９】
［実施例３］
キャリアフィルムの表面に、絶縁樹脂層１０の形成用塗工液を＃４のバーコーターを用いて塗布した。塗膜を１００℃で１分間乾燥した後、４００ｍＪの紫外線を照射して、絶縁樹脂層１０（厚さ：１０μｍ、表面抵抗：１．０×１０１２Ω／□以上）を設けた。
次いで、絶縁樹脂層１０の表面に電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第一金属層２１である銅蒸着膜（厚み：０．１μｍ）を形成した。
次に、銅蒸着膜の絶縁樹脂層１０と反対側の面に、前記「絶縁層」の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてＢステージ化することによって、第一非金属層２２である絶縁層（厚み：２μｍ）を形成した。
次に、第一非金属層２２である絶縁層の銅蒸着膜と反対の面に、電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第二金属層２３である銅蒸着膜（厚み：０．１μｍ）を形成した。
次に、第二金属層２３である銅蒸着膜の第一非金属層２と反対の面に、前記「絶縁層」の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてＢステージ化することによって、第二非金属層２４である絶縁層（厚み：２μｍ）を形成した。
続いて、第二非金属層２４である絶縁層の銅蒸着膜と反対の面に、電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第三金属層２５である銅蒸着膜（厚み：０．１μｍ）を形成した。
最後に、第三金属層２５である銅蒸着膜の第二非金属層２４と反対の面に、前記導電性接着剤層２６の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてＢステージ化することによって、異方導電性接着剤層（厚み：４．５μｍ、銅粒子：１８．３体積％、表面抵抗：１０−１Ω／ｓｑ．）を形成した。
異方導電性接着剤層の表面に保護フィルムを貼り付けて、図２に示すような電磁波シールドフィルム２を得た。
得られた電磁波シールドフィルム２の異方導電性接着剤層に、実施例１と同様にして回路基板を接着し、電磁波シールドフィルム付き回路基板を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表１に示す。
【０１２０】
［実施例４］
第一金属層２１である銅蒸着膜の厚みを０．３μｍとし、第一非金属層２２である絶縁層の厚みを１μｍとし、第二金属層２３である銅蒸着膜の厚みを０．７μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールドフィルム付き回路基板を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表１に示す。
【０１２１】
［実施例５］
キャリアフィルムの表面に、絶縁樹脂層１０の形成用塗工液を＃４のバーコーターを用いて塗布した。塗膜を１００℃で１分間乾燥した後、４００ｍＪの紫外線を照射して、絶縁樹脂層１０（厚さ：１０μｍ、表面抵抗：１．０×１０１２Ω／□以上）を設けた。
次いで、絶縁樹脂層１０の表面に電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第一金属層２１である銅蒸着膜（厚み：０．１μｍ）を形成した。
次いで、銅蒸着膜の絶縁樹脂層１０と反対側の面に、前記「導電性接着剤層」の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてＢステージ化することによって、第一非金属層２２である異方導電性接着剤層（厚み：３μｍ、銅粒子：１８．３体積％）を形成した。
続いて、第一非金属層２２である絶縁層の銅蒸着膜と反対の面に、電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第二金属層２３である銅蒸着膜（厚み：０．８μｍ）を形成した。
最後に、第二金属層２３である銅蒸着膜の第一非金属層２２と反対の面に、前記導電性接着剤層２６の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてＢステージ化することによって、異方導電性接着剤層（厚み：４．５μｍ、銅粒子：１８．３体積％、表面抵抗：１０−１Ω／ｓｑ．）を形成した。
異方導電性接着剤層の表面に保護フィルムを貼り付けて、図２に示すような電磁波シールドフィルム２を得た。
得られた電磁波シールドフィルム２の異方導電性接着剤層に、実施例１と同様にして回路基板を接着し、電磁波シールドフィルム付き回路基板を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表１に示す。
【０１２２】
［比較例１］
基材フィルム付き銅箔（三井金属鉱山社製、銅箔厚み：５μｍ）を用意し、銅箔の前記基材フィルムと反対の面に、前記導電性接着剤層２６の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてＢステージ化することによって、異方導電性接着剤層（厚み：４．５μｍ、銅粒子：１８．３体積％、表面抵抗：１０−１Ω／ｓｑ．）を形成した。
異方導電性接着剤層の表面に保護フィルムを貼り付けて、比較例１の電磁波シールドフィルムとした。
前記回路基板の絶縁フィルムに、基材フィルム及び保護フィルムを剥離した電磁波シールドフィルムを重ね、前記回路基板の絶縁フィルムに異方導電性接着剤層が接した状態で、ホットプレス装置（折原製作所社製、Ｇ−１２）を用い、熱盤温度：１７０℃、圧力：１５ＭＰａで１２０秒間熱プレスした。これにより、回路基板の表面に異方導電性接着剤層を仮接着した、電磁波シールドフィルム付き回路基板を得た。
電磁波シールドフィルム付き回路基板を、高温恒温器（楠本化成社製、ＨＴ２１０）に入れて、温度：１５０℃で１時間加熱することによって、電磁波シールドフィルム中の異方導電性接着剤層を本硬化させた。
電磁波シールドフィルム付き回路基板を所定のサイズにカットして測定試料を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表１に示す。
【０１２３】
［比較例２］
第一非金属層２２と第二金属層２３を設けなかったこと以外は実施例１と同様にして、比較例２の電磁波シールドフィルム付き回路基板を得た。
比較例２の電磁波シールドフィルム付き回路基板を所定のサイズにカットして測定試料を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表１に示す。
【０１２４】
＜評価＞
各例の電磁波シールドフィルム付き回路基板について、下記の方法により、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。
【０１２５】
（電磁波遮蔽性）
図６に示すＫＥＣ法の測定システム（テクノサイエンスジャパン社製、ＫＥＣ法シールド特性測定システム）および図７に示すＫＥＣ法の測定冶具を用い、測定試料（たて×よこ＝１０ｃｍ×１１ｃｍ）の電磁波遮蔽性を評価した。ＫＥＣ法は関西電子工業振興センターで開発された公知方法である。
図７に示すように、ＫＥＣ法冶具１０４は送信用冶具（送信アンテナ１０７を備える側）と、受信用冶具（受信アンテナ１０９を備える側）とに分かれており、その間に測定試料１０８を入れるようになっている。ＫＥＣ法では、ＫＥＣ法冶具を用いて、受信側でどれだけ信号が減衰するかを評価する方法である。
まず、図６に示すように、信号発生器１０２から出力した信号を、アッテネータ１０３を通して、ＫＥＣ法冶具１０４の送信アンテナ１０７に入力した。受信側では、受信アンテナ１０９に到達した信号をプリアンプ１０５で増幅してから、スペクトラムアナライザ１０６により信号レベルを測定した。以上の操作をパソコン１０１で制御した。
以下の評価基準で、測定試料の電磁波遮蔽性を評価した。
◎：１ＧＨｚ時の電波減衰量が７０ｄＢ以上。
○：１ＧＨｚ時の電波減衰量が６０ｄＢ以上７０ｄＢ未満。
×：１ＧＨｚ時の電波減衰量が６０ｄＢ未満。
【０１２６】
（半田耐熱性）
ＪＩＳ  Ｃ  ６４８１に準拠して、２５ｍｍ各の測定試料を２２℃、９０％ＲＨの雰囲気下で２４時間調湿した後、２６０℃半田浴上に３０秒間浮かべ、各例で作製した電磁波シールドフィルム付き回路基板において、各層間の剥がれと膨れの発生を下記の基準にて評価した。
〇：剥がれや膨れの発生が全くない。
×：剥がれや膨れが発生した。
【０１２７】
【表１】
2020136437.tif 000003
【０１２８】
＜評価結果の考察＞
実施例１〜５の電磁波シールドフィルムは、複数の金属層を有するので、１層の金属層を備える場合よりも電磁波の反射界面が多くなっており、各金属層の厚みが薄いにも関わらず、電磁波遮蔽性が優れる。また、各金属層の厚みが１μｍ以下であることにより、導電性接着剤層から発生したガスが各金属層間で滞留することがなく、膨れが防止されているので、半田耐熱性も優れている。
実施例１と比べて、実施例２〜５は、各金属層の合計の厚み（総厚み）が厚くなっていることにより、実施例１よりも優れた電磁波遮蔽性を示している。
比較例１の電磁波シールドフィルムは、実施例１〜５に比べて格段に厚いので、優れた電磁波遮蔽性を示すが、半田耐熱性試験結果が悪いことから、回路基板に貼付された後で電子部品を実装する際のはんだリフロー処理によって劣化し、絶縁フィルムに対する接着性が損なわれることが明らかである。
比較例２の電磁波シールドフィルムは、実施例１〜５に比べて金属層の総厚みが薄く、電磁波の反射界面も少ないので、電磁波遮蔽性が劣っている。
【０１２９】
以上から、複数の金属層を有するシールド層を備えた本発明にかかる電磁波シールドフィルムにあっては、１層の金属層を有する従来の電磁波シールドフィルムが両立し得なかった、電磁波遮蔽性および半田耐熱性の両方に優れることが明らかである。
【符号の説明】
【０１３０】
１  電磁波シールドフィルム
２  電磁波シールドフィルム
３  電磁波シールドフィルム
４  回路基板
１０  絶縁樹脂層
２０  シールド層
２１、２３、２５  金属層
２２、２４  非金属層
２６  導電性接着剤層
４０  保護フィルム
４１  粘着剤層
４２  保護フィルム本体
５０  フレキシブルプリント配線板
５２  ベースフィルム
５４  プリント回路
６０  絶縁フィルム
６２  貫通孔
１００  ＫＥＣ法の測定システム
１０１  パソコン
１０２  信号発生器
１０３  アッテネータ
１０４  ＫＥＣ法冶具
１０５  プリアンプ
１０６  スペクトラムアナライザ
１０７  送信アンテナ
１０８  測定試料
１０９  受信アンテナ
【図１】
2020136437.tif 000004
【図２】
2020136437.tif 000005
【図３】
2020136437.tif 000006
【図４】
2020136437.tif 000007
【図５】
2020136437.tif 000008
【図６】
2020136437.tif 000009
【図７】
2020136437.tif 000010