(57)【要約】【課題】配線基板の信号伝送特性及び信頼性の向上。【解決手段】実施形態の配線基板は、アンテナ２を構成する第１放射素子２１を含む導体層３１と、第１放射素子２１と共にアンテナ２を構成すべく第１放射素子２１と対向する第２放射素子２２と、第１放射素子２１と第２放射素子２２との間に介在する１又は複数の層間絶縁層４ａと、導体層３１に関して１又は複数の層間絶縁層４ａ側と反対側に設けられている第１絶縁層４１と、を備えている。第１絶縁層４１は、第１放射素子２１に接続されているビア導体５１を含み、第１放射素子２１は、第２放射素子２２を向く表面２１ａにおけるビア導体５１上に凹み２１ｂを有している。【選択図】図１
2020136483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナを構成する第１放射素子を含む導体層と、
前記第１放射素子と共に前記アンテナを構成すべく前記第１放射素子と対向する第２放射素子と、
前記第１放射素子と前記第２放射素子との間に介在する１又は複数の層間絶縁層と、
前記導体層に関して前記１又は複数の層間絶縁層側と反対側に設けられている第１絶縁層と、
を備える配線基板であって、
前記第１絶縁層は、前記第１放射素子に接続されているビア導体を含み、
前記第１放射素子は、前記第２放射素子を向く表面における前記ビア導体上に凹みを有している。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、前記第２放射素子は前記凹みを覆っている。
【請求項３】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１放射素子の前記表面において、前記凹みの中心は、前記配線基板の厚さ方向に沿う前記ビア導体の中心軸と略一致している。
【請求項４】
請求項１記載の配線基板であって、前記凹みの内壁は、前記第１絶縁層側に向かうほど前記凹みの中心に向かうように傾いている。
【請求項５】
請求項１記載の配線基板であって、前記凹みの開口部の内径（Ｒ１）と、前記第１絶縁層と前記第１導体層との界面における前記ビア導体の外径（Ｒ２）との比率（Ｒ１／Ｒ２）は、０．１以上、０．８以下である。
【請求項６】
請求項１記載の配線基板であって、前記凹みの底面は前記第１絶縁層側に向かって湾曲している。
【請求項７】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１放射素子は、前記アンテナにおける送受信信号が伝えられるべき給電素子であり、前記第２放射素子は、前記第２放射素子以外の導電体から絶縁されている無給電素子である。
【請求項８】
請求項７記載の配線基板であって、前記配線基板は、互いに同数の導体層を含む２つのビルドアップ層と前記２つのビルドアップ層に挟まれているコア基板とを備える構造を有しており、
前記第１放射素子は前記２つのビルドアップ層の一方に含まれており、
前記２つのビルドアップ層の他方は、前記送受信信号を伝える信号伝送路を含んでいる。
【請求項９】
アンテナを構成すべき第１放射素子を含む導体層を第１絶縁層上に形成することと、
前記導体層上に絶縁性材料を積層することによって１又は複数の層間絶縁層を形成することと、
前記１又は複数の層間絶縁層上に前記第１放射素子に重なるように導電膜を形成することによって前記第１放射素子と共に前記アンテナを構成すべき第２放射素子を設けることと、を含む配線基板の製造方法であって、
前記導体層を形成することは、前記第１絶縁層内に前記第１放射素子と一体的にビア導体を形成することと、前記第１放射素子における前記第２放射素子を向く表面の前記ビア導体上に凹みを設けることとを含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、一方の表面にアンテナ素子を備えた電子部品モジュールが開示されている。アンテナ素子は、導波路及びスルーホールからなる伝送線路を介して、アンテナ素子が形成された表面とは反対の表面上に実装された高周波デバイスに電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−８６６０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の電子部品モジュールのようなアンテナを備えた電子部品を構成する配線基板では、例えば数ＧＨｚ以上の周波数を有する信号が伝送される。高周波信号の伝送においては、伝送路の特性に応じた高周波信号の反射や減衰などが生じ、アンテナと、配線基板に実装されるデバイスとの間の正常な高周波信号の伝送が阻害されることがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、アンテナを構成する第１放射素子を含む導体層と、前記第１放射素子と共に前記アンテナを構成すべく前記第１放射素子と対向する第２放射素子と、前記第１放射素子と前記第２放射素子との間に介在する１又は複数の層間絶縁層と、前記導体層に関して前記１又は複数の層間絶縁層側と反対側に設けられている第１絶縁層と、を備えている。そして、前記第１絶縁層は、前記第１放射素子に接続されているビア導体を含み、前記第１放射素子は、前記第２放射素子を向く表面における前記ビア導体上に凹みを有している。
【０００６】
本発明の配線基板の製造方法は、アンテナを構成すべき第１放射素子を含む導体層を第１絶縁層上に形成することと、前記導体層上に絶縁性材料を積層することによって１又は複数の層間絶縁層を形成することと、前記１又は複数の層間絶縁層上に前記第１放射素子に重なるように導電膜を形成することによって前記第１放射素子と共に前記アンテナを構成すべき第２放射素子を設けることと、を含んでいる。そして、前記導体層を形成することは、前記第１絶縁層内に前記第１放射素子と一体的にビア導体を形成することと、前記第１放射素子における前記第２放射素子を向く表面の前記ビア導体上に凹みを設けることとを含んでいる。
【０００７】
本発明の実施形態によれば、配線基板における配線と絶縁層との剥離を抑制しつつ、高周波信号を適切に伝送することができると考えられる。また、そのように良好な信頼性及び伝送特性を有する配線基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【図２】図１の配線基板におけるアンテナ領域の平面図。
【図３】図１の配線基板における第１放射素子の凹みの拡大図。
【図４】一実施形態の配線基板における第１放射素子の凹みの他の例を示す断面図。
【図５Ａ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における出発基板の一例を示す断面図。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における工程の一例を示す断面図。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における第１放射素子の形成の一例を示す断面図。
【図５Ｄ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における第２放射素子の形成の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
つぎに、本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図１に示されるように、配線基板１は、アンテナ２を構成する第１放射素子２１及び第２放射素子２２を含んでいる。配線基板１は、互いに同数の導体層を含んでいる２つのビルドアップ層（第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２）と、第１及び第２のビルドアップ層１１、１２に挟まれているコア基板１０とを備える構造を有している。第１ビルドアップ層１１は、第１導体層３１、第２導体層３２、及び、第１導体層３１と第２導体層３２との間の２つの導体層３ａを含んでいる。第２ビルドアップ層１２は、第３導体層３３、及び、第３導体層３３の上方に設けられた３つの導体層３ｂを含んでいる。なお、配線基板１の説明では、配線基板１の厚さ方向においてコア基板１０から遠い側が「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」と称され、コア基板１０に近い側が「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、コア基板１０と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板１０側を向く表面は「下面」とも称される。
【００１０】
第１ビルドアップ層１１は、第１及び第２の導体層３１、３２、並びに２つの導体層３ａそれぞれの間に介在する３つの層間絶縁層４ａを含んでいる。第１ビルドアップ層１１は、さらに、第１導体層３１に関して層間絶縁層４ａ側と反対側に設けられている第１絶縁層４１を含んでいる。第１絶縁層４１は、コア基板１０と第１導体層３１との間に介在する層間絶縁層である。第２ビルドアップ層１２は、第３導体層３３及び３つの導体層３ｂそれぞれの間に介在する３つの層間絶縁層４ｂ、及び、コア基板１０と第３導体層３３との間に介在する第２絶縁層４２を含んでいる。なお、第１導体層３１と第２導体層３２との間の層間絶縁層４ａの数は３つに限定されず、これら２つの導体層の間には、１又は複数の任意の数の層間絶縁層４ａが設けられ得る。第２ビルドアップ層１２にも、３つ以外の任意の数の層間絶縁層４ｂが設けられてもよい。
【００１１】
コア基板１０は、絶縁層（コア層）４０と、絶縁層４０の両面にそれぞれ形成されている導体層３ｃ及び導体層３ｄとを含んでいる。絶縁層４０には、導体層３ｃと導体層３ｄとを接続するスルーホール導体１０ａが形成されている。
【００１２】
各導体層（第１〜第３の導体層３１〜３３、及び、導体層３ａ〜３ｄ）は、図１において単層構造を有するように示されているが、２つ又は３つなどの複数の層を有し得る。これら各導体層は、例えば、金属箔層、無電解めっき膜層、及び、電解めっき膜層を有し得る。各導体層は、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウムなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。
【００１３】
第１及び第２の絶縁層４１、４２、絶縁層４０、並びに各層間絶縁層４ａ、４ｂは、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。これらの樹脂を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び／又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。
【００１４】
各絶縁層は、それぞれの上面側及び下面側の導体層同士を接続するビア導体５ａ、５ｂを含んでいる。第１絶縁層４１及び絶縁層４ａは、それぞれビア導体５ａを含み、第２絶縁層４２及び絶縁層４ｂは、それぞれビア導体５ｂを含んでいる。ビア導体５ａ、５ｂは、各絶縁層それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成された、所謂フィルドビアである。ビア導体５ａ、５ｂは、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。従ってビア導体５ａ、５ｂは、例えば、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。スルーホール導体１０ａも、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。
【００１５】
図１の例の配線基板１は、さらに、第１ビルドアップ層１１上に形成されているソルダーレジスト層６ａ、及び、第２ビルドアップ層１２上に形成されているソルダーレジスト層６ｂを含んでいる。ソルダーレジスト層６ａ、６ｂは、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。ソルダーレジスト層６ａは、第２放射素子２２を覆っている。
【００１６】
第２ビルドアップ層１２の最も外側の導体層３ｂは、電子部品（図示せず）がその上に実装されるべき接続パッド３ｂ１を含んでいる。ソルダーレジスト層６ｂは、接続パッド３ｂ１を露出させる開口を有している。
【００１７】
第１導体層３１は、第１放射素子２１を含んでいる。第２導体層３２は、第２放射素子２２を含んでいる。第１放射素子２１は第１導体層３１に形成された導体パターンによって構成されている。第２放射素子２２は第２導体層３２に形成された導体パターンによって構成されている。第１放射素子２１と第２放射素子２２との間には層間絶縁層４ａが介在している。第１放射素子２１と第２放射素子２２とは、アンテナ２を構成すべく、層間絶縁層４ａを介して対向している。第１放射素子２１及び第２放射素子２２は、互いに電磁的に結合することによってアンテナ２を構成し得る。
【００１８】
第１放射素子２１は、第２放射素子２２を向く表面２１ａに凹み２１ｂを有している。第１絶縁層４１は、第１放射素子２１の下面（第１絶縁層４１側の表面）に接続され、第１放射素子２１と導体層３ｃとを接続するビア導体（第１ビア導体）５１を含んでいる。第１ビア導体５１は、第１絶縁層４１に含まれる１以上のビア導体５ａのうちの１つである。表面２１ａの凹み２１ｂは、第１ビア導体５１上に形成されている。
【００１９】
アンテナ２を備える配線基板１の内部では、例えば数ＧＨｚ以上の周波数を有する高周波信号が伝送され得る。高周波信号の伝送では、伝送路の適否によって正常な伝送性が阻害されることがある。例えば伝送路の表面の凹凸などに起因して反射及び／又は振幅の減衰などが生じ得る。良好な伝送信号品質（シグナルインテグリティ）を維持しながら高周波信号の伝送を実現するには、伝送路を構成する配線パターンの表面粗さも、より滑らかなものが好ましいと考えられる。
【００２０】
一方、このような高周波信号の伝送の観点から配線パターン（導体層）の表面粗さが小さい場合、この導体層と、この導体層に接している絶縁層との接触面積が減少するため、導体層と絶縁層との密着性の低下が懸念される。しかし、本実施形態の配線基板１では、アンテナ２を構成する第１放射素子２１が、表面２１ａに凹み２１ｂを有しているため、絶縁層４ａとの接触面積を増加させることができる。従って、絶縁層４ａと第１放射素子２１との密着性を向上させ得ることがある。なお、第１放射素子２１の表面２１ａの凹み２１ｂは、図１（及び後に参照される図２）の例では１つだけ設けられているが、凹み２１ｂは、表面２１ａ上に複数形成されていてもよい。
【００２１】
第１放射素子２１には、アンテナ２から送信されるべき信号又はアンテナ２によって受信されるべき外来の信号が伝えられる。このように、第１放射素子２１は、アンテナ２において電気信号が供給されるべき、又は、外来電波に基づく電気信号を誘起させるべき給電素子であってもよい。
【００２２】
図１の例において第２放射素子２２は、第２放射素子２２以外の導電体から絶縁されており、第２放射素子２２には、他の導電体からの通電は行われ得ない。第２放射素子２２は、図１の例のように、アンテナ２の使用時に通電されない無給電素子であってもよい。
【００２３】
図１の例において給電素子である第１放射素子２１は、第１ビルドアップ層１１に含まれており、アンテナ２によって送信されるべき信号は第２ビルドアップ層１２から第１放射素子２１へと伝送される。また、アンテナ２によって受信された信号は、第１放射素子２１から第２ビルドアップ層１２へと伝送される。第２ビルドアップ層１２に含まれる第３導体層３３は、アンテナ２の送受信信号を伝える信号伝送路３３１を含んでいる。信号伝送路３３１は、好ましくは、第２ビルドアップ層１２内の導体層３ｂとの間で、ストリップ線路を構成する。
【００２４】
第２絶縁層４２は、信号伝送路３３１と導体層３ｄとを接続する第２ビア導体５２を含んでいる。第２ビア導体５２は、第２絶縁層４２に含まれる１以上のビア導体５ｂのうちの１つである。第１ビア導体５１と第２ビア導体５２とは、スルーホール導体１０ａを介して電気的に接続されている。その結果、第１放射素子２１と信号伝送路３３１とが電気的に接続されている。信号伝送路３３１と第１放射素子２１との間で、第２ビア導体５２、スルーホール導体１０ａ、及び第１ビア導体５１を介して、例えば高周波信号が双方向に伝送され得る。
【００２５】
図示されていないが、信号伝送路３３１は、第２ビルドアップ層１２内のビア導体５ｂを介して接続パッド３ｂ１に接続されていてもよい。その場合、接続パッド３ｂ１に実装される電子部品（図示せず）で生成される信号が、アンテナ２から送信され得る。また、アンテナ２によって受信された信号が、接続パッド３ｂ１に実装される電子部品に入力され、且つ、この電子部品によって処理され得る。
【００２６】
図１の例において第１放射素子２１と第２放射素子２２との間には、２つの導体層３ａに含まれる導体パターンは形成されていない。また、第１放射素子２１は、第１導体層３１の他の導体パターンと分離されている。すなわち、平面視において第１放射素子２１の周囲には、第１導体層３１において導体パターンの無い領域が設けられている。第２放射素子２２も、第２導体層３２の他の導体パターンと分離されており、平面視において第２導体層３２の第２放射素子２２の周囲には、導体パターンの無い領域が設けられている。なお、「平面視」は、配線基板１を外部から見るときの見方に関し、配線基板１の厚さ方向と平行な視線で配線基板１を見ることを意味している。
【００２７】
２つの導体層３ａにおいても、第１及び第２の放射素子２１、２２の周囲と重なる部分には導体パターンは形成されていない。そのため、アンテナ領域Ａにおける第１導体層３１（第１放射素子２１）と第２導体層３２（第２放射素子２２）との間隔は、アンテナ領域Ａの周囲の領域である周辺領域Ｐにおける第１導体層３１と第２導体層３２との間隔よりも狭い。なお「アンテナ領域Ａ」は、平面視において、第１及び第２の放射素子２１、２２が占める領域と、第１及び第２の導体層３１、３２における第１及び第２の放射素子２１、２２の周囲の領域であって導体パターンが設けられていない領域とを含む領域である。
【００２８】
また、図１の例において、第２放射素子２２の厚さは、第２導体層３２の他の導体パターンの厚さよりも厚い。そのため、アンテナ領域Ａと周辺領域Ｐとの間に生じている第２導体層３２の表面における段差は、層間絶縁層４ａの表面における段差よりも小さい。
【００２９】
図２には、図１の配線基板１におけるアンテナ領域Ａの平面図が示されている。図１は、図２に示されるＩ−Ｉ線での断面を含む断面図である。なお、図２では、図１のソルダーレジスト層６ａの図示は省略されている。図２において、第２放射素子２２の周囲の第２導体層３２（図１参照）には、第２放射素子２２と離間して導体パターン３２ａが形成されている。導体パターン３２ａは、第２放射素子２２の周囲全周に亘って第２放射素子２２を囲んでいる。導体パターン３２ａは、図２の例においてアンテナ領域Ａと周辺領域Ｐとの境界を画定し、周辺領域Ｐに属している。
【００３０】
図２に示されるように、第２放射素子２２は、第１放射素子２１の表面の凹み２１ｂを覆っている。図２では、明確さのために、第１放射素子２１を示す破線は第２放射素子２２の僅かに内側に描かれている。第１ビア導体５１、及び第１放射素子２１の表面の凹み２１ｂは、平面視において第２放射素子２２の一辺の近傍に設けられており、互いの中心が略一致している。なお、図２はアンテナ領域Ａの一例を示しているに過ぎない。周辺領域Ｐを構成する導体パターン３２ａの形状なども、図２の例に限定されない。例えば、第１ビア導体５１、及び第１放射素子２１の凹み２１ｂは、第２放射素子２２に覆われていなくてもよい。
【００３１】
前述したように、第１ビア導体５１を介して、第１放射素子２１に又は第１放射素子２１から送受信信号が伝送される。図２の例では、第１ビア導体５１は、第１放射素子２１の平面形状における一辺の近傍に設けられている。そのため、第１放射素子２１における給電点（第１ビア導体５１）と、この給電点から第１放射素子２１の最遠の縁部との間の距離を長く確保することができる。そうすることによって、アンテナ２の送受信帯域の選択に関して第１放射素子２１が有する面積を有効に利用することができると考えられる。
【００３２】
図３には、図１に例示される第１放射素子２１の凹み２１ｂの拡大図が示されている。図３の例では、第１放射素子２１の凹み２１ｂの底面は第１絶縁層４１側に向かって湾曲している。また、第１放射素子２１の表面２１ａにおいて、凹み２１ｂの中心Ｃ１は、配線基板１の厚さ方向Ｚに沿う第１ビア導体５１の中心軸Ｃ２と略一致している。
【００３３】
図３の例において、凹み２１ｂの開口部の内径Ｒ１は、第１絶縁層４１と第１導体層３１との界面における第１ビア導体５１の外径Ｒ２よりも小さい。凹み２１ｂの内径Ｒ１と第１ビア導体５１の外径Ｒ２との比率（Ｒ１／Ｒ２）は、例えば、０．１以上、０．８以下である。
【００３４】
第１放射素子２１が表面２１ａに凹み２１ｂを有し、しかも凹み２１ｂの底面が前述したように第１絶縁層４１側に向かって湾曲しているため、第１ビア導体５１と第１放射素子２１との結合箇所における信号伝送路の断面積すなわち電気抵抗の変化が幾分緩やかになることがある。従って、信号伝送路の特性インピーダンスの急激な変化が幾分軽減されることがある。すなわち、高周波信号の伝送における反射が抑制され、伝送信号品質の改善に寄与し得ることがある。
【００３５】
凹み２１ｂの深さＤは、例えば、１μｍ以上、５μｍ以下である。或いは、凹み２１ｂの深さＤは導体層３ｃ上の第１絶縁層４１の厚さＴと相関してもよく、凹み２１ｂの深さＤは第１絶縁層４１の厚さＴの１％以上、５％以下である。
【００３６】
図４には、配線基板１における第１放射素子２１の凹み２１ｂの他の例が示されている。図４の例において凹み２１ｂの内壁は、第１絶縁層４１側に向かうほど凹み２１ｂの中心に向かうように、配線基板１の厚さ方向Ｚに対して傾いている。第１ビア導体５１の側壁も、第１導体層３１と反対側の導体層３ｃ側に向かうほど第１ビア導体５１の中心に向かうように、配線基板１の厚さ方向Ｚに対して傾いている。図３の例では、厚さ方向Ｚに対する凹み２１ｂの内壁の傾きは、厚さ方向Ｚに対する第１ビア導体５１の側壁の傾きと略同じである。図４の例においても、第１放射素子２１（第１導体層３１）と絶縁層４ａとの接触面積が増加し得る。また、第１ビア導体５１と第１放射素子２１との結合箇所における信号伝送路の特性インピーダンスの急激な変化が幾分軽減され、伝送信号品質が改善されることがあると考えられる。
【００３７】
図３及び図４は、配線基板１の厚さ方向Ｚに沿った断面における凹み２１ｂの形状の単なる例示に過ぎない。凹み２１ｂの断面形状は、図３及び図４に示される形状に限定されず、任意の形状であってよい。例えば、凹み２１ｂは、第１ビア導体５１の側壁と略同じ又は異なる傾きを有する内壁を有し、凹み２１ｂの最深部において面では無く頂角を有する略円錐状又は角錐状の形状を有していてもよい。
【００３８】
第１ビア導体５１は、所謂フィルドビアではなく、第１絶縁層４１に設けられた貫通孔の内壁の表面上にのみ膜状に導体が形成されている、所謂コンフォーマルビアであってもよい。その場合、第１ビア導体５１の形成のために設けられた貫通孔において導体が埋め込まれていない部分が、第１放射素子２１の凹み２１ｂとなり得る。また、第１ビア導体５１は、第１絶縁層４１が含む他のビア導体５ａ（図１参照）のビア径よりも大きなビア径を有していてもよい。第１放射素子２１の凹み２１ｂの形成が容易になることがある。
【００３９】
つぎに、図１に示される配線基板１を例に、一実施形態の配線基板の製造方法が、図５Ａ〜図５Ｄを参照して以下に説明される。
【００４０】
図５Ａに示されるように、コア基板１０を構成する絶縁層４０、及び絶縁層４０の両面に設けられた金属箔３ｅを有する積層板が用意される。例えば、銅からなる金属箔３ｅを有する両面銅張積層板が用意される。
【００４１】
図５Ｂに示されるように、貫通孔１０ｂが、炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成され、例えばセミアディティブ法を用いて、銅箔、銅の無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含んでいて所望の導体パターンを有する導体層３ｃ、３ｄが形成される。また、この無電解めっき膜及び電解めっき膜が貫通孔１０ｂ内に埋め込まれることによってスルーホール導体１０ａが形成される。
【００４２】
図５Ｃに示されるように、第１及び第２の絶縁層４１、４２が形成される。また、アンテナを構成すべき第１放射素子２１を含む導体層（第１導体層３１）が第１絶縁層４１上に形成される。第１導体層３１の形成と共に、信号伝送路３３１を含む第３導体層３３が第２絶縁層４２上に形成される。第１導体層３１の形成において、第１ビア導体５１を含む１以上のビア導体５ａが第１絶縁層４１内に形成される。第１ビア導体５１は第１放射素子２１と一体的に形成される。また、第３導体層３３の形成において、第２絶縁層４２内に第２ビア導体５２を含む１以上のビア導体５ｂが形成される。
【００４３】
第１及び第２の絶縁層４１、４２は、例えば、半硬化状態のエポキシ樹脂及びガラス繊維などの補強材を含むプリプレグ、又は、フィルム状のエポキシ樹脂をコア基板１０の両面に積層し、熱圧着することによって形成される。プリプレグの積層の際に、例えば銅からなる金属箔がプリプレグ上に重ねられ、プリプレグと共に圧着されてもよい。その後、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって、ビア導体５ａ、５ｂを形成するための貫通孔５ａ１、５ｂ１が、第１及び第２の絶縁層４１、４２それぞれに形成される。
【００４４】
そして、例えば、セミアディティブ法を用いて、第１放射素子２１及び信号伝送路３３１などの所望の導体パターンを有する第１及び第２の導体層３１、３２、並びに、第１及び第２のビア導体５１、５２などのビア導体５ａ、５ｂが形成される。
【００４５】
本実施形態の配線基板の製造方法では、上述した第１導体層３１の形成において、第１放射素子２１の上面（第１絶縁層４１と反対方向を向く面であって、後工程で形成される第２放射素子２２を向く表面２１ａ）に凹み２１ｂが設けられる。凹み２１ｂは、第１ビア導体５１上に設けられる。
【００４６】
凹み２１ｂは、例えば、第１ビア導体５１の形成において、電解めっきに用いる電流の印加条件の最適化、及びめっき液に添加する添加剤を調整することによって形成され得る。例えば、一般的なフィルドビアの形成時に適用される添加剤と比較して、貫通孔５ａ１などの穴内の電流量の増加に寄与するブライトナーなどの含有量が削減される。また、第１放射素子２１の面積を、電気的特性の許容範囲内でなるべく大きくすることによって、第１ビア導体５１が形成される貫通孔５ａ１内における電解めっき時の電流密度を減少させることができる。このような調整によって凹み２１ｂを意図的に設けることができる。
【００４７】
図５Ｄに示されるように、第１導体層３１上に１又は複数の層間絶縁層４ａが形成される。図５Ｄの例では、３つの層間絶縁層４ａが形成される。層間絶縁層４ａは、例えば、第１絶縁層４１の形成と同様に、プリプレグ又はフィルム状樹脂などの絶縁性材料の積層及び熱圧着によって形成される。各層間絶縁層４ａにはビア導体５ａが形成され、各層間絶縁層４ａの間には導体層３ａが形成される。そして、層間絶縁層４ａの上に、第２導体層３２が形成される。第２導体層３２は、第１放射素子２１に重なる導体パターン（導電膜）を含むように形成及び／又はパターニングされ、その結果、この導電膜からなり、第１放射素子２１と共にアンテナ２を構成する第２放射素子２２が設けられる。これら導体層及び絶縁層の形成の結果、第１ビルドアップ層１１が形成される。
【００４８】
１又は複数の層間絶縁層４ａ、導体層３ａ、及び第２導体層３２は、例えばセミアディティブ法を用いる一般的なビルドアップ配線板の製造方法を用いて形成され得る。また第３導体層３３上にも、第１ビルドアップ層１１の形成と同様の方法で、層間絶縁層４ｂ、及び導体層３ｂ並びにビア導体５ｂが形成され、その結果、第２ビルドアップ層１２が形成される。
【００４９】
その後、第１ビルドアップ層１１上にソルダーレジスト層６ａが形成され、第２ビルドアップ層１２上にソルダーレジスト層６ｂが形成される。ソルダーレジスト層６ａ、６ｂは、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切なパターンを有するマスクを用いた露光、及び現像とによって形成される。
【００５０】
ソルダーレジスト層６ｂの開口に露出する接続パッド３ｂ１には、必要に応じて、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。以上の工程を経ることによって、図１の例の配線基板１が完成する。
【００５１】
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、層間絶縁層４ａの表面及び第２導体層３２の表面は、アンテナ領域Ａと周辺領域Ｐとの境界部に段差を有していなくてもよい。第２放射素子２２の厚さと、第２導体層３２に含まれる他の導体パターンの厚さとは、略同じであってもよい。第１放射素子２１の表面２１ａの凹み２１ｂは、平面視で第１放射素子２１の縁部ではなく中央部に設けられていてもよい。第１及び第２の放射素子２１、２２並びに信号伝送路３３１は、全て、第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２の一方に形成されていてもよい。また、第１ビア導体５１などの各ビア導体は、コア基板１０側に向って縮径する形状を有していなくてもよい。第２放射素子２２は、ソルダーレジスト層６ａの開口に露出していてもよく、ソルダーレジスト層６ａ、６ｂそのものが設けられなくてもよい。さらに、配線基板１は、必ずしもコア基板１０を有していなくてもよく、ビルドアップ層だけで構成されるコアレスビルドアップ基板であってもよい。
【００５２】
実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して先に説明された方法に限定されない。たとえば、コア基板１０は、サブトラクティブ法を用いて形成されてもよい。第１及び第２のビルドアップ層１１、１２内の各導体層は、フルアディティブ法を用いて形成されてもよい。先に説明された製造方法の条件や順序などは適宜変更され得る。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１      配線基板
１０    コア基板
１１    第１ビルドアップ層
１２    第２ビルドアップ層
２      アンテナ
２１    第１放射素子
２１ａ  第１放射素子の表面
２１ｂ  凹み
２２    第２放射素子
３１    第１導体層
３２    第２導体層
３３１  信号伝送路
４１    第１絶縁層
４ａ、４ｂ  層間絶縁層
５１    第１ビア導体
６ａ、６ｂ  ソルダーレジスト層
Ｃ１    凹みの中心
Ｃ２    第１ビア導体の中心軸
Ｒ１    凹みの開口部における内径
Ｒ２    第１ビア導体の外径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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