(57)【要約】【課題】磁性モールド樹脂でモールドされることを前提に設計されたコイル部品を有する電子回路モジュールを提供する。【解決手段】回路基板１０の実装面１１に搭載されたコイル部品２０と、コイル部品２０を埋め込む磁性モールド樹脂４０とを備える。コイル部品２０は、コイルパターンＣ１，Ｃ２及びこれを埋め込む磁性素体２１と、端子電極Ｅ１，Ｅ２とを有する。コイルパターンＣ１，Ｃ２と端子面２１ａの間における磁性素体２１の厚みＴ２は、コイルパターンＣ１，Ｃ２と裏面２１ｂの間における磁性素体２１の厚みＴ１よりも厚い。これによれば、端子面側の磁性素体によって形成される磁路と、裏面側の磁性素体及びこれを覆う磁性モールド樹脂によって形成される磁路のバランスを取ることが可能となる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
前記回路基板の実装面に搭載されたコイル部品と、
前記コイル部品を埋め込むよう前記回路基板の前記実装面を覆う磁性モールド樹脂と、を備え、
前記コイル部品は、コイルパターンと、前記コイルパターンを埋め込む磁性素体と、前記コイルパターンに接続された端子電極とを有し、
前記磁性素体は、前記端子電極が露出し、前記回路基板の前記実装面と向かい合う端子面と、前記端子面の反対側に位置する裏面とを有し、
前記コイルパターンと前記端子面の間における前記磁性素体の厚みは、前記コイルパターンと前記裏面の間における前記磁性素体の厚みよりも厚いことを特徴とする電子回路モジュール。
【請求項２】
前記磁性素体は、前記磁性モールド樹脂よりも透磁率が高いことを特徴とする請求項１に記載の電子回路モジュール。
【請求項３】
前記磁性素体の前記端子面と前記回路基板の前記実装面との間における前記磁性モールド樹脂の厚みは、前記磁性素体の前記裏面と前記磁性モールド樹脂の上面との間における前記磁性モールド樹脂の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子回路モジュール。
【請求項４】
前記コイルパターンは、前記磁性素体の前記裏面から露出していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子回路モジュール。
【請求項５】
前記コイル部品は、前記磁性素体の前記裏面を覆う非磁性の絶縁層をさらに有しており、これにより、前記絶縁層と前記磁性モールド樹脂が接していることを特徴とする請求項４に記載の電子回路モジュール。
【請求項６】
前記コイルパターンと前記磁性モールド樹脂が接していることを特徴とする請求項４に記載の電子回路モジュール。
【請求項７】
前記磁性素体は、互いに透磁率の異なる複数の部分を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子回路モジュールに関し、特に、コイル部品が実装された電子回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォンなどの電子機器においては、電源モジュールやＲＦモジュールなど、所定の機能を実現するために必要な複数の電子部品をモジュール化した電子回路モジュールが広く利用されている。例えば、特許文献１に記載された電子回路モジュールは、磁性モールド樹脂を用いることによって、磁気シールド特性が高められている。
【０００３】
電子回路モジュールに搭載される電子部品としては、プロセッサやメモリなどの半導体ＩＣや、コイル部品やキャパシタ部品などの能動素子が挙げられる。一例として、特許文献２には、コイルパターンを磁性素体で埋め込んだタイプのコイル部品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−１８８６４７号公報
【特許文献２】特開２０１７−１９９７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、一般的なコイル部品の設計においては、単体の状態における各種特性が仕様を満たすよう設計される。このため、磁性モールド樹脂を用いた特殊な電子回路モジュールにコイル部品を搭載すると、得られる磁気特性が設計時の磁気特性とは相違し、場合によっては、想定よりも早く磁気飽和を起こす可能性があった。
【０００６】
したがって、本発明は、磁性モールド樹脂でモールドされることを前提に設計されたコイル部品を有する電子回路モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による電子回路モジュールは、回路基板と、回路基板の実装面に搭載されたコイル部品と、コイル部品を埋め込むよう回路基板の実装面を覆う磁性モールド樹脂とを備え、コイル部品は、コイルパターンと、コイルパターンを埋め込む磁性素体と、コイルパターンに接続された端子電極とを有し、磁性素体は、端子電極が露出し、回路基板の実装面と向かい合う端子面と、端子面の反対側に位置する裏面とを有し、コイルパターンと端子面の間における磁性素体の厚みは、コイルパターンと裏面の間における磁性素体の厚みよりも厚いことを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、裏面側における磁性素体の厚みが相対的に薄いことから、端子面側の磁性素体によって形成される磁路と、裏面側の磁性素体及びこれを覆う磁性モールド樹脂によって形成される磁路のバランスを取ることが可能となる。
【０００９】
本発明において、磁性素体は磁性モールド樹脂よりも透磁率が高くても構わない。これによれば、コイル部品を低背化しても、端子面側の磁性素体によって形成される磁路の透磁率を十分に確保することが可能となる。
【００１０】
本発明において、磁性素体の端子面と回路基板の実装面との間における磁性モールド樹脂の厚みは、磁性素体の裏面と磁性モールド樹脂の上面との間における磁性モールド樹脂の厚みよりも薄くても構わない。これによれば、端子面側の磁性素体及びこれを覆う磁性モールド樹脂によって形成される磁路と、裏面側の磁性素体及びこれを覆う磁性モールド樹脂によって形成される磁路のバランスを取ることが可能となる。
【００１１】
本発明において、コイルパターンは、磁性素体の裏面から露出していても構わない。これによれば、コイル部品をより低背化することが可能となる。この場合、コイル部品は、磁性素体の裏面を覆う非磁性の絶縁層をさらに有しており、これにより、絶縁層と磁性モールド樹脂が接していても構わない。或いは、コイルパターンと磁性モールド樹脂が接していても構わない。いずれの場合も、コイルパターンが磁性素体の裏面から露出しているにもかかわらず、磁性素体の裏面側における磁路を磁性モールド樹脂によって確保することが可能となる。
【００１２】
本発明において、磁性素体は互いに透磁率の異なる複数の部分を有していても構わない。これによれば、コイルパターンの上下に形成される磁路のバランスを調整することが可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
このように、本発明においては、磁性モールド樹脂でモールドされることを前提に設計されたコイル部品を用いていることから、低背化を実現しつつ、設計通りの磁気特性を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施形態による電子回路モジュール１の構成を示す模式的な断面図である。
【図２】図２は、コイル部品２０の外観を示す略斜視図である。
【図３】図３は、コイル部品２０の外観を示す略分解斜視図である。
【図４】図４は、磁性素体２１の内部に形成される複数の導体層のパターン形状の一例を示す展開図である。
【図５】図５は、コイル部品２０の模式的なｘｚ断面図である。
【図６】図６は、第１の変形例によるコイル部品２０Ａの模式的なｘｚ断面図である。
【図７】図７は、第２の変形例によるコイル部品２０Ｂの模式的なｘｚ断面図である。
【図８】図８は、第３の変形例によるコイル部品２０Ｃの模式的なｘｚ断面図である。
【図９】図９は、第４の変形例によるコイル部品２０Ｄの模式的なｘｚ断面図である。
【図１０】図１０は、第５の変形例によるコイル部品２０Ｅの模式的なｘｚ断面図である。
【図１１】図１１は、第６の変形例によるコイル部品２０Ｆの模式的なｘｚ断面図である。
【図１２】図１２（ａ）は第１のシミュレーションモデルを示す図であり、図１２（ｂ）は第２のシミュレーションモデルを示す図である。
【図１３】図１３は、第１のシミュレーションモデルにおいてＴ１＝Ｔ２に設定した場合の磁界分布を示すシミュレーション結果である。
【図１４】図１４は、第２のシミュレーションモデルにおいてＴ１＝Ｔ２に設定した場合の磁界分布を示すシミュレーション結果である。
【図１５】図１５は、第２のシミュレーションモデルにおいてＴ１＝０に設定した場合の磁界分布を示すシミュレーション結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明の好ましい実施形態による電子回路モジュール１の構成を示す模式的な断面図である。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態による電子回路モジュール１は、回路基板１０と、回路基板１０に搭載されたコイル部品２０及び半導体チップ３０を含む複数の電子部品と、コイル部品２０及び半導体チップ３０を埋め込むよう回路基板１０の実装面１１を覆う磁性モールド樹脂４０とを備えている。図１には、コイル部品２０及び半導体チップ３０からなる２つの電子部品のみを図示しているが、実際にはより多くの電子部品が実装面１１上に搭載されていても構わない。
【００１８】
回路基板１０は多層配線構造を有しており、その実装面１１には複数のランドパターン１３が設けられ、実装面１１とは反対側に位置する裏面１２には複数の外部端子１４が設けられている。また、回路基板１０の内部には複数の内部配線１５が設けられている。そして、ランドパターン１３は、内部配線１５を介して外部端子１４に接続される。実使用時においては、電子回路モジュール１が図示しないマザーボードなどに実装され、マザーボード上のランドパターンと電子回路モジュール１の外部端子１４が電気的に接続される。
【００１９】
コイル部品２０は、一対の端子電極Ｅ１，Ｅ２を有している。端子電極Ｅ１，Ｅ２は、ハンダ１６を介して、それぞれ対応するランドパターン１３に接続される。半導体チップ３０の図示しない端子電極についても、ハンダ１６を介して、それぞれ対応するランドパターン１３に接続される。
【００２０】
磁性モールド樹脂４０は、コイル部品２０及び半導体チップ３０を埋め込むよう回路基板１０の実装面１１を覆って設けられている。磁性モールド樹脂４０は、バインダーである樹脂材料と磁性フィラーが混合されてなる複合磁性封止材料であり、モールド部材であるとともに、磁気シールドとしても機能する。磁性モールド樹脂４０を構成する樹脂材料としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、イミド樹脂などを用いることができる。磁性モールド樹脂４０を構成する磁性フィラーとしては、フェライトやパーマロイなどの高透磁率材料を用いることができる。磁性フィラーが高い導電性を有している場合には、その表面を絶縁コートすることにより磁性モールド樹脂４０の絶縁性を確保することができる。また、磁性フィラーとは別に、非磁性のフィラーを磁性モールド樹脂４０に添加することによって、熱膨張係数などの物性を調整しても構わない。
【００２１】
図２及び図３は、それぞれコイル部品２０の外観を示す略斜視図及び略分解斜視図である。
【００２２】
図２及び図３に示すように、本実施形態において使用するコイル部品２０は、略直方体形状の磁性素体２１を有しており、磁性素体２１の一方のｘｙ面である端子面２１ａに２つの端子電極Ｅ１，Ｅ２が形成されている。端子面２１ａは、コイル部品２０の作製時において上面側に位置するが、コイル部品２０を回路基板１０に搭載する際には、回路基板１０の実装面１１と向かい合う。その他の面には端子電極は露出していない。
【００２３】
図３に示すように、端子電極Ｅ１，Ｅ２の下部には、それぞれバンプ導体Ｂ１，Ｂ２が設けられている。バンプ導体Ｂ１，Ｂ２は、磁性素体２１の内部に埋め込まれるコイルの一端及び他端にそれぞれ接続される。これにより、端子電極Ｅ１，Ｅ２は、バンプ導体Ｂ１，Ｂ２を介して、磁性素体２１の内部に形成されるコイルの一端及び他端に接続されることになる。端子電極Ｅ１，Ｅ２はバンプ導体Ｂ１，Ｂ２よりも面積が大きく、略矩形状を有している。これに対し、バンプ導体Ｂ１，Ｂ２の平面形状は略三角形である。
【００２４】
図４は、磁性素体２１の内部に形成される複数の導体層のパターン形状の一例を示す展開図である。
【００２５】
図４に示すように、磁性素体２１の内部には、導体層Ｌ１，Ｌ２からなる２層の導体層が形成されている。このうち、導体層Ｌ１は下層に位置する導体層であり、コイル部品２０の作製時においては最初に形成される導体層である。また、導体層Ｌ２は上層に位置する導体層であり、コイル部品２０の作製時においては最後に形成される導体層である。
【００２６】
導体層Ｌ１，Ｌ２は、いずれもコイルパターンとコイルパターンの外側に位置する接続パターンを有している。まず、下層に位置する導体層Ｌ１は、コイルパターンＣ１と接続パターンＰ１１，Ｐ１２を有しており、コイルパターンＣ１の外周端が接続パターンＰ１１に接続されている。接続パターンＰ１２はコイルパターンＣ１から分離されている。上層に位置する導体層Ｌ２は、コイルパターンＣ２と接続パターンＰ２１，Ｐ２２を有しており、コイルパターンＣ２の外周端が接続パターンＰ２２に接続されている。接続パターンＰ２１は、導体層Ｌ２内においてコイルパターンＣ２から分離されている。
【００２７】
コイルパターンＣ１の内周端は、ビア導体Ｖ１を介してコイルパターンＣ２の内周端に接続される。これにより、コイルパターンＣ１，Ｃ２は直列に接続され、１つのコイルを構成する。そして、コイルの一端、つまりコイルパターンＣ１の外周端は、接続パターンＰ１１及びビア導体Ｖ２を介して接続パターンＰ２１に接続される。そして、接続パターンＰ２１はバンプ導体Ｂ１を介して端子電極Ｅ１に接続され、接続パターンＰ２２はバンプ導体Ｂ２を介して端子電極Ｅ２に接続される。
【００２８】
図５は、コイル部品２０の模式的なｘｚ断面図である。
【００２９】
図５に示すように、本実施形態において使用するコイル部品２０は、コイルパターンＣ１，Ｃ２が磁性素体２１の内部でオフセットして配置されている。具体的には、端子面２１ａの反対側に位置する磁性素体２１の裏面２１ｂとコイルパターンＣ１の積層方向（ｚ方向）における距離をＴ１とし、端子面２１ａとコイルパターンＣ２の積層方向における距離をＴ２とした場合、Ｔ１＜Ｔ２である。換言すれば、コイルパターンＣ２と端子面２１ａの間における磁性素体２１の厚みは、コイルパターンＣ１と裏面２１ｂの間における磁性素体２１の厚みよりも厚い。
【００３０】
磁性素体２１の材料としては、磁性モールド樹脂４０よりも透磁率が高い材料を用いることが好ましい。これは次の理由による。つまり、磁性モールド樹脂４０については、ランドパターン１３やハンダ１６と接触する可能性があることから十分な絶縁性を確保する必要があり、これを実現するためには透磁率をある程度犠牲にしなければならないのに対し、コイルパターンＣ１，Ｃ２は図示しない層間絶縁膜や永久レジストなどによって覆われるため、より高い透磁率を持つ材料を選択できるからである。
【００３１】
このような構成を有するコイル部品２０を回路基板１０の実装面１１に搭載し、磁性モールド樹脂４０でモールドすると、図１に示すように、磁性素体２１の厚みは、実装面１１側において厚く、磁性モールド樹脂４０の上面４１側において薄くなる。図１に示す例では、磁性素体２１の端子面２１ａと回路基板１０の実装面１１との間における磁性モールド樹脂４０の厚みをＴ３とし、磁性素体２１の裏面２１ｂと磁性モールド樹脂４０の上面４１との間における磁性モールド樹脂４０の厚みをＴ４とした場合、Ｔ３＜Ｔ４である。
【００３２】
したがって、コイルパターンＣ１，Ｃ２から見て実装面１１側には、厚さＴ２の磁性素体２１と厚さＴ３の磁性モールド樹脂４０が存在し、コイルパターンＣ１，Ｃ２から見て実装面１１とは反対側には、厚さＴ１の磁性素体２１と厚さＴ４の磁性モールド樹脂４０が存在することになる。これにより、コイルパターンＣ１，Ｃ２の上下に形成される磁路のバランスが確保されることから、特定の部分に磁束が集中することによる磁気飽和が生じにくくなる。つまり、仮に、磁性素体２１の厚みがＴ１＝Ｔ２である場合、コイル部品２０単体の状態では、コイルパターンＣ１，Ｃ２の上下に形成される磁路のバランスが確保されるものの、磁性モールド樹脂４０によってモールドされ、且つ、磁性モールド樹脂４０の厚みがＴ３＜Ｔ４であると、コイルパターンＣ１，Ｃ２と実装面１１の間に存在する磁性素体２１又は磁性モールド樹脂４０が容易に磁気飽和を起こしてしまう。これに対し、本実施形態においては、Ｔ１＜Ｔ２となるよう、コイルパターンＣ１，Ｃ２のｚ方向位置をオフセットさせていることから、磁性モールド樹脂４０でモールドした状態において、コイルパターンＣ１，Ｃ２の上下に形成される磁路のバランスを確保することが可能となる。
【００３３】
このように、本実施形態において使用するコイル部品２０は、磁性モールド樹脂４０でモールドされることを前提に設計されていることから、図１に示す電子回路モジュール１に使用することにより、高い磁気特性を得ることが可能となる。
【００３４】
図６は、第１の変形例によるコイル部品２０Ａの模式的なｘｚ断面図である。
【００３５】
図６に示すように、第１の変形例によるコイル部品２０Ａは、コイルパターンＣ１の下部が磁性素体２１と接しておらず、その代わりに、コイルパターンＣ１の下部に非磁性の絶縁層２３を介して別の磁性素体２２が設けられている点において、上述したコイル部品２０と相違している。第１の変形例によるコイル部品２０Ａが例示するように、コイルパターンＣ１，Ｃ２が２つの磁性素体２１，２２によって埋め込まれていても構わないし、２つの磁性素体２１，２２の間に磁気ギャップとなる絶縁層２３が介在していても構わない。本例の場合、厚さＴ１は磁性素体２２の厚みによって定義される。
【００３６】
図７は、第２の変形例によるコイル部品２０Ｂの模式的なｘｚ断面図である。
【００３７】
図７に示すように、第２の変形例によるコイル部品２０Ｂは、磁性素体２２が削除されている点において、上述したコイル部品２０Ａと相違している。第２の変形例によるコイル部品２０Ｂが例示するように、コイルパターンＣ１が磁性素体２１の裏面２１ｂから露出していても構わない。これによれば、コイル部品２０Ｂをより低背化することが可能となる。本例の場合、厚さＴ１はゼロである。本例においては、磁性素体２１の裏面２１ｂが絶縁層２３で覆われているため、コイルパターンＣ１が外部に露出することがない。第２の変形例によるコイル部品２０Ｂを磁性モールド樹脂４０に埋め込むと、絶縁層２３と磁性モールド樹脂４０が接することになる。
【００３８】
図８は、第３の変形例によるコイル部品２０Ｃの模式的なｘｚ断面図である。
【００３９】
図８に示すように、第３の変形例によるコイル部品２０Ｃは、絶縁層２３が削除されている点において、上述したコイル部品２０Ｂと相違している。第３の変形例によるコイル部品２０Ｃが例示するように、コイルパターンＣ１が外部に露出していても構わない。これによれば、コイル部品２０Ｃをより低背化することが可能となる。本例の場合も、厚さＴ１はゼロである。第３の変形例によるコイル部品２０Ｃを磁性モールド樹脂４０に埋め込むと、コイルパターンＣ１と磁性モールド樹脂４０が接することになる。この場合であっても、磁性モールド樹脂４０が十分な絶縁性を有していれば、ショート不良などが生じることはない。
【００４０】
図９は、第４の変形例によるコイル部品２０Ｄの模式的なｘｚ断面図である。
【００４１】
図９に示すように、第４の変形例によるコイル部品２０Ｄは、磁性素体２１と磁性素体２２が互いに異なる材料からなり、磁性素体２２の透磁率よりも磁性素体２１の透磁率の方が高い点において、上述したコイル部品２０Ａと相違している。これによれば、磁性モールド樹脂４０の厚みＴ３とＴ４の差が大きい場合であっても、コイルパターンＣ１，Ｃ２の上下に形成される磁路のバランスを確保することが可能となる。第４の変形例によるコイル部品２０Ｄが例示するように、コイルパターンを埋め込む磁性素体は、互いに透磁率の異なる複数の部分を有していても構わない。
【００４２】
図１０は、第５の変形例によるコイル部品２０Ｅの模式的なｘｚ断面図である。
【００４３】
図１０に示すように、第５の変形例によるコイル部品２０Ｅは、コイルパターンＣ１，Ｃ２の内径領域及び外側領域に磁性素体２４が設けられ、磁性素体２２，２４の透磁率よりも磁性素体２１の透磁率の方が高い点において、上述したコイル部品２０Ｄと相違している。これによれば、磁性モールド樹脂４０の厚みＴ３とＴ４の差がより大きい場合であっても、コイルパターンＣ１，Ｃ２の上下に形成される磁路のバランスを確保することが可能となる。
【００４４】
図１１は、第６の変形例によるコイル部品２０Ｆの模式的なｘｚ断面図である。
【００４５】
図１１に示すように、第６の変形例によるコイル部品２０Ｆは、絶縁層２３が削除されているとともに、磁性素体２４の透磁率よりも磁性素体２１，２２の透磁率の方が高い点において、上述したコイル部品２０Ｅと相違している。第６の変形例によるコイル部品２０Ｆが例示するように、コイルパターンＣ１，Ｃ２の上下に位置する磁性素体２１，２２の材料として透磁率の高い材料を用い、コイルパターンＣ１，Ｃ２の内径領域及び外側領域に位置する磁性素体２４の材料として透磁率の低い材料を用いても構わない。
【００４６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【実施例】
【００４７】
まず、単体のコイル部品２０の一部を模した図１２（ａ）に示す第１のシミュレーションモデルを想定し、磁界分布をシミュレーションした。磁性素体２１の透磁率はμ＝３０である。また、各要素のサイズは、図１２（ａ）に示すとおりである。
【００４８】
図１３は、第１のシミュレーションモデルにおいてＴ１＝Ｔ２に設定した場合の磁界分布を示すシミュレーション結果である。
【００４９】
図１３に示すように、単体のコイル部品２０の一部を模した第１のシミュレーションモデルにおいては、コイルパターンＣ１，Ｃ２の上下において磁束が集中したが、コイルパターンＣ１，Ｃ２の上下における磁束密度は互いに同じであった。
【００５０】
次に、コイル部品２０を磁性モールド樹脂４０でモールドした状態の一部を模した図１２（ｂ）に示す第２のシミュレーションモデルを想定し、磁界分布をシミュレーションした。磁性モールド樹脂４０の透磁率はμ＝２０、磁性素体２１の透磁率はμ＝３０である。また、各要素のサイズは、図１２（ｂ）に示すとおりである。
【００５１】
図１４は、第２のシミュレーションモデルにおいてＴ１＝Ｔ２に設定した場合の磁界分布を示すシミュレーション結果であり、図１５は、第２のシミュレーションモデルにおいてＴ１＝０に設定した場合の磁界分布を示すシミュレーション結果である。
【００５２】
図１４及び図１５に示すように、第２のシミュレーションモデルにおいては、コイル部品２０の上部が磁性モールド樹脂４０で覆われているため、コイルパターンＣ１，Ｃ２の上部における磁路が拡大される。これにより、第１のシミュレーションモデルと比べてインダクタンスが増加する。しかしながら、図１４に示すように、第２のシミュレーションモデルにおいてＴ１＝Ｔ２に設定すると、上部における磁路の拡大に伴って増加した磁束がコイルパターンＣ１，Ｃ２の下部に集中し、この部分における磁束密度が単体の状態よりも高くなってしまう。具体的には、第２のシミュレーションモデルにおいてＴ１＝Ｔ２に設定した場合、第１のシミュレーションモデルにおいてＴ１＝Ｔ２に設定した場合と比べて、最大磁束密度は１．３８５倍に増加した。
【００５３】
これに対し、第２のシミュレーションモデルにおいてＴ１＝０に設定すると、その分、磁性素体２１の厚さＴ２が大きくなることから、コイルパターンＣ１，Ｃ２の下部における磁束の集中が緩和される。具体的には、第２のシミュレーションモデルにおいてＴ１＝０に設定した場合、第１のシミュレーションモデルにおいてＴ１＝Ｔ２に設定した場合と比べて、最大磁束密度は０．８５６倍に減少した。つまり、インダクタンスが増加すると同時に最大磁束密度が緩和され、磁気飽和が生じにくくなることが分かった。
【符号の説明】
【００５４】
１    電子回路モジュール
１０    回路基板
１１    実装面
１２    裏面
１３    ランドパターン
１４    外部端子
１５    内部配線
１６    ハンダ
２０，２０Ａ〜２０Ｃ    コイル部品
２１，２２，２４    磁性素体
２１ａ    端子面
２１ｂ    裏面
２３    絶縁層
３０    半導体チップ
４０    磁性モールド樹脂
４１    上面
Ｂ１，Ｂ２    バンプ導体
Ｃ１，Ｃ２    コイルパターン
Ｅ１，Ｅ２    端子電極
Ｌ１，Ｌ２    導体層
Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２    接続パターン
Ｖ１，Ｖ２    ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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