(57)【要約】【課題】永久レジストを用いたコイル部品において、隙間の存在に起因する信頼性の低下を防止する。【解決手段】コイル部品１は、絶縁層Ｄ１上に形成され、スパイラル状に巻回されたコイルパターンＣＰ１と、絶縁層Ｄ１上に形成され、コイルパターンＣＰ１に沿って配置された層内絶縁パターンＲ１と、コイルパターンＣＰ１及び層内絶縁パターンＲ１を覆い、層内絶縁パターンＲ１とは物性の異なる絶縁層Ｄ２とを備え、絶縁層Ｄ２の一部は、コイルパターンＣＰ１と層内絶縁パターンＲ１の間に位置する。これによれば、永久レジストからなる層内絶縁パターンＲ１とコイルパターンＣＰ１の間に、層内絶縁パターンＲ１とは物性の異なる絶縁層Ｄ２が介在していることから、層内絶縁パターンＲ１とコイルパターンＣＰ１の密着性が低い場合であっても、隙間の発生を抑制することが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成され、スパイラル状に巻回されたコイルパターンと、
前記第１の絶縁層上に形成され、前記コイルパターンに沿って配置された層内絶縁パターンと、
前記コイルパターン及び前記層内絶縁パターンを覆い、前記層内絶縁パターンとは物性の異なる第２の絶縁層と、を備え、
前記第２の絶縁層の一部は、前記コイルパターンと前記層内絶縁パターンの間に位置することを特徴とするコイル部品。
【請求項２】
前記コイルパターンの側面は、下部領域が前記層内絶縁パターンと接し、上部領域が前記第２の絶縁層と接していることを特徴とする請求項１に記載のコイル部品。
【請求項３】
前記上部領域は、前記下部領域と比べて粗面であることを特徴とする請求項２に記載のコイル部品。
【請求項４】
前記コイルパターンよりも前記層内絶縁パターンの方が前記第１の絶縁層を基準とした高さが低いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項５】
前記層内絶縁パターンよりも前記第２の絶縁層の方が前記コイルパターンの熱膨張係数に近いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項６】
前記第２の絶縁層は、前記コイルパターンと前記層内絶縁パターンの間隔よりも平均粒径の小さいフィラーが含まれていることを特徴とする請求項５に記載のコイル部品。
【請求項７】
第１の絶縁層上にスパイラル状のシードパターンを形成する第１の工程と、
前記第１の絶縁層上に前記シードパターンに沿った層内絶縁パターンを形成する第２の工程と、
電解メッキによって前記シードパターンを成長させることにより、前記層内絶縁パターンによって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンを形成する第３の工程と、
前記層内絶縁パターンの一部を除去することにより、前記コイルパターンと前記層内絶縁パターンの間に隙間を形成する第４の工程と、
前記層内絶縁パターンとは物性の異なる第２の絶縁層によって前記コイルパターン及び前記層内絶縁パターンを覆うことにより、前記隙間を埋める第５の工程と、を備えることを特徴とするコイル部品の製造方法。
【請求項８】
前記第４の工程をプラズマ加工、ブラスト加工又はレーザー加工によって行うことを特徴とする請求項７に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項９】
前記第３の工程を行った後、前記第４の工程を行う前の段階では、前記コイルパターンよりも前記層内絶縁パターンの方が前記第１の絶縁層を基準とした高さが高く、
前記第４の工程を行った後の段階では、前記コイルパターンよりも前記層内絶縁パターンの方が前記第１の絶縁層を基準とした高さが低いことを特徴とする請求項７又は８に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の絶縁層にはフィラーが含まれており、前記第５の工程においては、前記フィラーを前記隙間に入れることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項１１】
前記第４の工程を行った後、前記第５の工程を行う前に、前記コイルパターンの露出面を粗面化する工程をさらに備えることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項に記載のコイル部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はコイル部品及びその製造方法に関し、特に、いわゆる永久レジストを用いたコイル部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパイラル状のコイルパターンを有するコイル部品は、通常、スパイラル状に開口されたレジストを基板上に形成し、レジストによって区画された領域内に電解メッキによってコイルパターンを形成した後、レジストを剥離する方法によって作製することが一般的である。しかしながら、この方法でコイル部品を作製すると、電解メッキを行う際の給電膜となるシード層をエッチングにより除去する際、コイルパターンも僅かにエッチングされることから、コイルパターンの断面積が減少するという問題があった。また、レジストを剥離する際にも、前処理としてコイルパターンのエッチングが必要であり、この工程においてもコイルパターンの断面積が減少してしまう。
【０００３】
これに対し、特許文献１に記載されているように、いわゆる永久レジストを用いてスパイラル状のコイルパターンを形成すれば、シード層の除去や、レジストの剥離に伴う前処理が不要であることから、コイルパターンの断面積の減少を防止することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−１９９７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、永久レジストは金属からなるコイルパターンとの密着性が低いことが多く、これに起因して、永久レジストとコイルパターンの間に隙間が生じるケースがあった。このような隙間は、コイル部品の信頼性に影響を与える可能性があるため、できる限り排除することが望ましい。
【０００６】
したがって、本発明は、永久レジストを用いたコイル部品において、隙間の存在に起因する信頼性の低下を防止することを目的とする。また、本発明は、このようなコイル部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によるコイル部品は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成され、スパイラル状に巻回されたコイルパターンと、第１の絶縁層上に形成され、コイルパターンに沿って配置された層内絶縁パターンと、コイルパターン及び層内絶縁パターンを覆い、層内絶縁パターンとは物性の異なる第２の絶縁層とを備え、第２の絶縁層の一部は、コイルパターンと層内絶縁パターンの間に位置することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、永久レジストからなる層内絶縁パターンとコイルパターンの間に、層内絶縁パターンとは物性の異なる第２の絶縁層が介在していることから、層内絶縁パターンとコイルパターンの密着性が低い場合であっても、隙間の発生を抑制することが可能となる。
【０００９】
本発明において、コイルパターンの側面は、下部領域が層内絶縁パターンと接し、上部領域が第２の絶縁層と接していても構わない。これによれば、上部領域における隙間の発生を抑制することが可能となる。この場合、上部領域は、下部領域と比べて粗面であっても構わない。これによれば、上部領域と第２の絶縁層の密着性をより高めることが可能となる。
【００１０】
本発明において、コイルパターンよりも層内絶縁パターンの方が第１の絶縁層を基準とした高さが低くても構わない。これによれば、第２の絶縁層上に別のコイルパターンを形成しやすくなる。
【００１１】
本発明において、層内絶縁パターンよりも第２の絶縁層の方がコイルパターンの熱膨張係数に近くても構わない。これによれば、熱膨張係数の差に起因する隙間の発生を抑制することが可能となる。この場合、第２の絶縁層は、コイルパターンと層内絶縁パターンの間隔よりも平均粒径の小さいフィラーが含まれていても構わない。これによれば、層内絶縁パターンとコイルパターンの間にフィラーを充填することが可能となる。
【００１２】
本発明によるコイル部品の製造方法は、第１の絶縁層上にスパイラル状のシードパターンを形成する第１の工程と、第１の絶縁層上にシードパターンに沿った層内絶縁パターンを形成する第２の工程と、電解メッキによってシードパターンを成長させることにより、層内絶縁パターンによって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンを形成する第３の工程と、層内絶縁パターンの一部を除去することにより、コイルパターンと層内絶縁パターンの間に隙間を形成する第４の工程と、層内絶縁パターンとは物性の異なる第２の絶縁層によってコイルパターン及び層内絶縁パターンを覆うことにより、隙間を埋める第５の工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、永久レジストからなる層内絶縁パターンの一部を除去していることから、コイルパターンと層内絶縁パターンの間に隙間を形成することができる。これにより、この隙間に層内絶縁パターンとは物性の異なる第２の絶縁層が充填されることから、層内絶縁パターンとコイルパターンの密着性が低い場合であっても、隙間の発生を抑制することが可能となる。
【００１４】
本発明において、第４の工程は、プラズマ加工、ブラスト加工又はレーザー加工によって行っても構わない。これによれば、層内絶縁パターンの高さを減少させることができるとともに、層内絶縁パターンの上部の幅を細くすることが可能となる。
【００１５】
本発明において、第３の工程を行った後、第４の工程を行う前の段階では、コイルパターンよりも層内絶縁パターンの方が第１の絶縁層を基準とした高さが高く、第４の工程を行った後の段階では、コイルパターンよりも層内絶縁パターンの方が第１の絶縁層を基準とした高さが低くても構わない。これによれば、第２の絶縁層上に別のコイルパターンを形成しやすくなる。
【００１６】
本発明において、第２の絶縁層にはフィラーが含まれており、第５の工程においては、フィラーを隙間に入れても構わない。これによれば、隙間に充填された第２の絶縁層の熱膨張係数をコイルパターンの熱膨張係数に近づけることが可能となる。
【００１７】
本発明によるコイル部品の製造方法は、第４の工程を行った後、第５の工程を行う前に、コイルパターンの露出面を粗面化する工程をさらに備えるものであっても構わない。これによれば、コイルパターンと第２の絶縁層の密着性をより高めることが可能となる。
【発明の効果】
【００１８】
このように、本発明によれば、信頼性の高いコイル部品及びその製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品１の構造を説明するための模式的な断面図である。
【図２】図２は、コイル構造体Ｃの一部を拡大した略断面図である。
【図３】図３は、変形例によるコイル構造体Ｃの一部を拡大した略断面図である。
【図４】図４は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図５】図５は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】図６は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図７】図７は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】図８は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】図９は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１０】図１０は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１１】図１１は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１２】図１２は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１３】図１３は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１４】図１４は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１５】図１５は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１６】図１６は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１７】図１７は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１８】図１８は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１９】図１９は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図２０】図２０は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図２１】図２１は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図２２】図２２は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図２３】図２３は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図２４】図２４は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【図２５】図２５は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品１の構造を説明するための模式的な断面図である。
【００２２】
図１に示すように、本実施形態によるコイル部品１は、第１の絶縁層Ｄ１を介して積層された磁性樹脂層Ｍ１，Ｍ２と、磁性樹脂層Ｍ１に埋め込まれたコイル構造体Ｃ及びバンプ導体Ｂ１，Ｂ２と、第４の絶縁層Ｄ４を介して磁性樹脂層Ｍ１の表面に設けられ、それぞれバンプ導体Ｂ１，Ｂ２に接続された端子電極Ｅ１，Ｅ２を有している。絶縁層Ｄ１，Ｄ４は、非磁性の樹脂材料からなる絶縁体である。これに対し、磁性樹脂層Ｍ１，Ｍ２は、樹脂にフェライトなどの磁性粉を混入した複合材料であり、コイル部品１に電流を流した場合に発生する磁束の磁路として機能する。
【００２３】
コイル構造体Ｃは、下層に位置する第１のコイルパターンＣＰ１と、上層に位置する第２のコイルパターンＣＰ２を含む。コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２は、いずれも例えば銅（Ｃｕ）などの良導体からなる。コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２は、いずれも平面視でスパイラル状に巻回されている。コイルパターンＣＰ１の外周端は、接続パターンＣＰ３及びバンプ導体Ｂ１を介して端子電極Ｅ１に接続され、コイルパターンＣＰ２の外周端は、バンプ導体Ｂ２を介して端子電極Ｅ２に接続されている。そして、コイルパターンＣＰ１の内周端とコイルパターンＣＰ２の内周端は互いに接続されており、これにより一筆書き可能な単一のコイル素子を構成する。
【００２４】
コイルパターンＣＰ１は、シードパターンＳ１とメッキパターンＰ１からなる。同様に、コイルパターンＣＰ２は、シードパターンＳ２とメッキパターンＰ２からなる。コイルパターンＣＰ１の巻回方向に対して垂直な断面において、コイルパターンＣＰ１の各ターンの両側には、永久レジストからなる層内絶縁パターンＲ１が存在する。つまり、層内絶縁パターンＲ１は、コイルパターンＣＰ１の両側面に沿って設けられている。そして、コイルパターンＣＰ１と層内絶縁パターンＲ１を覆うように、第２の絶縁層Ｄ２が設けられており、これによってコイルパターンＣＰ１とコイルパターンＣＰ２が分離されている。同様に、コイルパターンＣＰ２の巻回方向に対して垂直な断面において、コイルパターンＣＰ２の各ターンの両側には、永久レジストからなる層内絶縁パターンＲ２が存在する。つまり、層内絶縁パターンＲ２は、コイルパターンＣＰ２の両側面に沿って設けられている。そして、コイルパターンＣＰ２と層内絶縁パターンＲ２を覆うように、第３の絶縁層Ｄ３が設けられており、これによってコイルパターンＣＰ２と磁性樹脂層Ｍ１が分離されている。
【００２５】
層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２は、例えば、エポキシ樹脂やフェノール樹脂など、フィラーを含まない樹脂材料からなる。これに対し、絶縁層Ｄ２，Ｄ３は、フィラーを含むエポキシなどの樹脂材料からなり、両者は物性が異なる。フィラーはシリカなど熱膨張係数の小さい材料からなり、絶縁層Ｄ２，Ｄ３にこのようなフィラーを混入させることにより、熱膨張係数を下げ、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２の熱膨張係数に近づけている。絶縁層Ｄ１，Ｄ４については、フィラーを含んでいても構わないし、フィラーを含んでいなくても構わない。このように、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２はフィラーを含まない樹脂材料からなるため、銅（Ｃｕ）などからなるコイルパターンＣＰ１，ＣＰ２との熱膨張係数の差が大きい。これに対し、絶縁層Ｄ２，Ｄ３は、フィラーを含む樹脂材料からなるため、銅（Ｃｕ）などからなるコイルパターンＣＰ１，ＣＰ２との熱膨張係数の差が小さい。
【００２６】
図２は、コイル構造体Ｃの一部を拡大した略断面図であり、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２の巻回方向に対して垂直な断面を示している。
【００２７】
図２に示すように、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２は、下端部の幅Ｗ１よりも上端部の幅Ｗ２の方が細い断面形状を有している。つまり、Ｗ１＞Ｗ２である。また、幅の太い層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２の下部は、隣接するコイルパターンＣＰ１，ＣＰ２と接触している一方、幅の細い層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２の上部は、隣接するコイルパターンＣＰ１，ＣＰ２と接触しておらず、両者間には隙間が存在している。コイルパターンＣＰ１と層内絶縁パターンＲ１によって形成される隙間には、第２の絶縁層Ｄ２が充填され、コイルパターンＣＰ２と層内絶縁パターンＲ２によって形成される隙間には、第３の絶縁層Ｄ３が充填されている。この隙間は、絶縁層Ｄ２，Ｄ３に含まれるフィラーよりも大きいことが好ましい。これによれば、隙間にフィラーが入り込むことから、この部分における熱膨張係数が低減される。したがって、絶縁層Ｄ２，Ｄ３に混入するフィラーとしては、平均粒径が上記の隙間よりも小さいフィラーを選択することが好ましい。
【００２８】
また、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２の側面のうち、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２と接触する下部領域の長さＡ１よりも、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２と接触することなく第２又は第３の絶縁層Ｄ２，Ｄ３と接触する上部領域の長さＡ２の方が大きい。つまり、Ａ１＜Ａ２である。さらに、第１の絶縁層Ｄ１を基準としたコイルパターンＣＰ１の高さＨ１は、層内絶縁パターンＲ１の高さＨ２よりも高い。つまり、Ｈ１＞Ｈ２である。第２の絶縁層Ｄ２を基準としたコイルパターンＣＰ２の高さについても、層内絶縁パターンＲ２の高さよりも高い。また、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２の表面のうち、絶縁層Ｄ２，Ｄ３と接する上部領域は、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２と接する下部領域と比べて粗面であっても構わない。
【００２９】
このような構成により、永久レジストを用いた一般的なコイル部品のように、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２が垂直である場合と比べ、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２と層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２の接触面積が減少し、その分、絶縁層Ｄ２，Ｄ３との接触面積が増加する。その結果、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２と層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２の密着性が低い場合であっても、これに起因する隙間の発生を抑制することができる。一方、絶縁層Ｄ２，Ｄ３にはフィラーが含まれており、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２との熱膨張係数の差が小さいことから、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２と絶縁層Ｄ２，Ｄ３の密着性は十分に確保される。特に、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２の上部領域が粗面化されている場合、絶縁層Ｄ２，Ｄ３との密着性はより高められる。また、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２の高さよりも層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２の高さが低いことから、絶縁層Ｄ２，Ｄ３の平坦性も高められる。
【００３０】
層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２をこのような形状に加工する方法としては、プラズマ加工によって層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２をアッシングする方法が挙げられる。プラズマ加工によってアッシングすれば、プラズマに晒される上部領域から層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２が削られることから、図２に示す形状を得ることが可能となる。一例として、マイクロ波プラズマ装置を用い、パワーを９００Ｗ、基板ステージ温度を１５０℃、チャンバー内の圧力を２ｔｏｒｒに設定し、０２ガスを２０００ｓｃｃｍ、ＣＦ４ガスを７５ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを１２５ｓｃｃｍでチャンバー内に導入することにより、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２をアッシングすることができる。
【００３１】
プラズマ加工後における層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２の形状は、プラズマ加工を行う時間によって調整することができ、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２の高さがコイルパターンＣＰ１，ＣＰ２よりも低くなるまでプラズマ加工を行うことが好ましい。上記の条件においては、約１０分程度行うことが好ましい。但し、プラズマ加工を長時間行うと、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２の下部領域まで削られ、図３に示すように、絶縁層Ｄ１，Ｄ２が露出する。この場合、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２と層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２はほぼ接触しない状態となるため、隙間の発生はほとんど生じなくなる。但し、絶縁層Ｄ１，Ｄ２が露出した状態でプラズマ加工を継続すると、絶縁層Ｄ１，Ｄ２にダメージが加わるため、図２に示すように、絶縁層Ｄ１，Ｄ２が露出しない範囲でプラズマ加工を行うことが好ましい。
【００３２】
但し、本発明において、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２をプラズマ加工することは必須でなく、他の方法、例えばブラスト加工やレーザー加工によって層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２を図２又は図３に示す形状に加工しても構わない。
【００３３】
次に、本実施形態によるコイル部品１の製造方法について説明する。
【００３４】
図４〜図２５は、本実施形態によるコイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。
【００３５】
まず、基板１１の表面に銅（Ｃｕ）などの金属箔１２が設けられた支持体１０を用意し（図４）、金属箔１２の表面に絶縁層Ｄ１及びシード層１３を形成する（図５）。絶縁層Ｄ１及びシード層１３の形成は、ラミネート法によって行うことができる。次に、シード層１３をパターニングすることによって、スパイラル状のシードパターンＳ１を形成する（図６）。この時、コイルパターンＣＰ１の内径領域となる部分、並びに、コイルパターンＣＰ１の外側領域となる部分にも、シードパターンＳ１ａを残存させる。次に、絶縁層Ｄ１の表面に、シードパターンＳ１に沿った層内絶縁パターンＲ１を形成する（図７）。層内絶縁パターンＲ１は感光性永久レジストからなるコイルパターンＣＰ１のネガパターンであり、したがって、層内絶縁パターンＲ１によって区画された領域もスパイラル状である。
【００３６】
次に、電解メッキによってシードパターンＳ１を成長させることにより、メッキパターンＰ１を形成する（図８）。これにより、層内絶縁パターンＲ１によって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンＣＰ１が形成される。この時、コイルパターンＣＰ１の内径領域、並びに、コイルパターンＣＰ１の外側領域にも、犠牲パターンＶＰ１が形成される。この段階では、絶縁層Ｄ１を基準とした高さは、コイルパターンＣＰ１よりも層内絶縁パターンＲ１の方が高い。次に、プラズマ加工を所定時間行うことによって、層内絶縁パターンＲ１をアッシングする（図９）。これにより、層内絶縁パターンＲ１の形状は、図２又は図３に示す形状となる。つまり、コイルパターンＣＰ１の側面のうち少なくとも上部領域が露出し、コイルパターンＣＰ１と層内絶縁パターンＲ１の間に隙間が形成される。また、絶縁層Ｄ１を基準とした高さは、コイルパターンＣＰ１よりも層内絶縁パターンＲ１の方が低くなる。この状態で、ギ酸などを用いたウェットエッチング又はプラズマ処理等によるドライエッチングによってコイルパターンＣＰ１の露出面を粗面化する。
【００３７】
次に、絶縁層Ｄ２によってコイルパターンＣＰ１、犠牲パターンＶＰ１及び層内絶縁パターンＲ１を覆い、さらに、絶縁層Ｄ２の表面にシード層１４を形成する（図１０）。これにより、コイルパターンＣＰ１の上面が絶縁層Ｄ２によって覆われるだけでなく、コイルパターンＣＰ１と層内絶縁パターンＲ１の間の隙間にも絶縁層Ｄ２が入り込む。この時、絶縁層Ｄ２に含まれるフィラーがコイルパターンＣＰ１と層内絶縁パターンＲ１の間の隙間に入り込むよう、隙間よりも平均粒径の小さいフィラーを用いることが好ましい。また、絶縁層Ｄ２と接するコイルパターンＣＰ１の表面は粗面化されているため、コイルパターンＣＰ１と絶縁層Ｄ２は、高い密着性が得られる。シード層１４の形成は、ラミネート法によって行うことができる。
【００３８】
次に、シード層１４をパターニングすることによって、絶縁層Ｄ２の一部を露出させる開口部１４ａ〜１４ｃを形成する（図１１）。このうち、開口部１４ａはコイルパターンＣＰ１の外周端と重なる位置に形成され、開口部１４ａはコイルパターンＣＰ１の内周端と重なる位置に形成される。開口部１４ｃは、犠牲パターンＶＰ１と重なる位置に形成される。次に、パターニングされたシード層１４をマスクとして絶縁層Ｄ２をエッチングすることにより、絶縁層Ｄ２に開口部Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃを形成する（図１２）。このうち、開口部Ｄ２ａはコイルパターンＣＰ１の外周端を露出させ、開口部Ｄ２ｂはコイルパターンＣＰ１の内周端を露出させる。開口部Ｄ２ｃは、犠牲パターンＶＰ１を露出させる。
【００３９】
次に、シード層１４をさらにパターニングすることにより、スパイラル状のシードパターンＳ２を形成する（図１３）。次に、絶縁層Ｄ２の表面に、シードパターンＳ２に沿った層内絶縁パターンＲ２を形成する（図１４）。層内絶縁パターンＲ２は感光性永久レジストからなるコイルパターンＣＰ２のネガパターンであり、したがって、層内絶縁パターンＲ２によって区画された領域もスパイラル状である。
【００４０】
次に、電解メッキによってシードパターンＳ２を成長させることにより、メッキパターンＰ２を形成する（図１５）。これにより、層内絶縁パターンＲ２によって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンＣＰ２が形成される。この時、コイルパターンＣＰ１の外周端は開口部Ｄ２ａから露出しているため、コイルパターンＣＰ１の外周端は、コイルパターンＣＰ２と同じ層内に位置する接続パターンＣＰ３に接続される。また、コイルパターンＣＰ１の内周端は開口部Ｄ２ｂから露出しているため、コイルパターンＣＰ１の内周端は、コイルパターンＣＰ２の内周端に形成される。さらに、コイルパターンＣＰ２の内径領域、並びに、コイルパターンＣＰ２の外側領域にも、犠牲パターンＶＰ２が形成される。犠牲パターンＶＰ２は、開口部Ｄ２ｃを介して犠牲パターンＶＰ１に接続される。この段階では、絶縁層Ｄ２を基準とした高さは、コイルパターンＣＰ２よりも層内絶縁パターンＲ２の方が高い。
【００４１】
次に、プラズマ加工を所定時間行うことによって、層内絶縁パターンＲ２をアッシングする（図１６）。これにより、層内絶縁パターンＲ２の形状は、図２又は図３に示す形状となる。つまり、コイルパターンＣＰ２の側面のうち少なくとも上部領域が露出し、コイルパターンＣＰ２と層内絶縁パターンＲ２の間に隙間が形成される。また、絶縁層Ｄ２を基準とした高さは、コイルパターンＣＰ２よりも層内絶縁パターンＲ２の方が低くなる。この状態で、ギ酸などを用いたウェットエッチング又はプラズマ処理等によるドライエッチングによってコイルパターンＣＰ２の露出面を粗面化する。
【００４２】
次に、絶縁層Ｄ３によってコイルパターンＣＰ２、犠牲パターンＶＰ２及び層内絶縁パターンＲ２を覆う（図１７）。これにより、コイルパターンＣＰ２の上面が絶縁層Ｄ３によって覆われるだけでなく、コイルパターンＣＰ２と層内絶縁パターンＲ２の間の隙間にも絶縁層Ｄ３が入り込む。この時、絶縁層Ｄ３に含まれるフィラーがコイルパターンＣＰ２と層内絶縁パターンＲ２の間の隙間に入り込むよう、隙間よりも平均粒径の小さいフィラーを用いることが好ましい。また、絶縁層Ｄ３と接するコイルパターンＣＰ２の表面は粗面化されているため、コイルパターンＣＰ２と絶縁層Ｄ３は、高い密着性が得られる。
【００４３】
次に、絶縁層Ｄ３をエッチングすることにより、絶縁層Ｄ３に開口部Ｄ３ｃを形成する（図１８）。開口部Ｄ３ｃは、犠牲パターンＶＰ２を露出させる。この状態で、ウェットエッチングを行うことにより、犠牲パターンＶＰ１，ＶＰ２を除去する（図１９）。コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２及び接続パターンＣＰ３については、層内絶縁パターンＲ１，Ｒ２及び絶縁層Ｄ１〜Ｄ３で覆われているため、エッチングされることはない。これにより、絶縁層Ｄ１上にはコイル構造体Ｃのみが残存した状態となる。
【００４４】
次に、絶縁層Ｄ３をさらにエッチングすることにより、絶縁層Ｄ３に開口部Ｄ３ａ，Ｄ３ｂを形成する（図２０）。このうち、開口部Ｄ３ａは接続パターンＣＰ３を露出させ、開口部Ｄ３ｂはコイルパターンＣＰ２の外周端を露出させる。次に、絶縁層Ｄ３の表面にバンプ導体Ｂ１，Ｂ２を形成する（図２１）。このうち、バンプ導体Ｂ１は開口部Ｄ３ａを介して接続パターンＣＰ３に接続され、バンプ導体Ｂ２は開口部Ｄ３ｂを介してコイルパターンＣＰ２の外周端に接続される。
【００４５】
次に、コイル構造体Ｃ及びバンプ導体Ｂ１，Ｂ２を埋め込むように磁性樹脂層Ｍ１を形成した後（図２２）、磁性樹脂層Ｍ１の上面を研磨することによってバンプ導体Ｂ１，Ｂ２を露出させる（図２３）。次に、支持体１０を剥離した後、絶縁層Ｄ１の下面に磁性樹脂層Ｍ２を形成する（図２４）。次に、磁性樹脂層Ｍ１の上面に絶縁層Ｄ４を形成した後、絶縁層Ｄ４をエッチングすることにより、絶縁層Ｄ４に開口部Ｄ４ａ，Ｄ４ｂを形成する（図２５）。開口部Ｄ４ａはバンプ導体Ｂ１を露出させ、開口部Ｄ４ｂはバンプ導体Ｂ２を露出させる。
【００４６】
そして、開口部Ｄ４ａ，Ｄ４ｂを介してそれぞれバンプ導体Ｂ１，Ｂ２に接続された端子電極Ｅ１，Ｅ２を形成すれば、図１に示したコイル部品１が完成する。
【００４７】
このように、本実施形態においては、コイルパターンＣＰ１を形成した後、絶縁層Ｄ２を形成する前に層内絶縁パターンＲ１をアッシングしている。同様に、コイルパターンＣＰ２を形成した後、絶縁層Ｄ３を形成する前に層内絶縁パターンＲ２をアッシングしている。これにより、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２の側面の上部領域が露出することから、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２と絶縁層Ｄ２，Ｄ３の接触面積を増大させることが可能となる。
【００４８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００４９】
例えば、図１９に示す工程で犠牲パターンＶＰ１，ＶＰ２を除去した後、コイルパターンＣＰ１，ＣＰ２の内径領域に露出する絶縁層Ｄ１を削除しても構わない。これによれば、磁性樹脂層Ｍ１と磁性樹脂層Ｍ２が一体的となることから、コイル部品のインダクタを高めることが可能となる。
【００５０】
また、本発明によるコイル部品は、回路基板に表面実装されるタイプの部品である必要はなく、回路基板に内蔵されるタイプの部品であっても構わない。
【符号の説明】
【００５１】
１    コイル部品
１０    支持体
１１    基板
１２    金属箔
１３，１４    シード層
１４ａ〜１４ｃ    開口部
Ｂ１，Ｂ２    バンプ導体
Ｃ    コイル構造体
ＣＰ１    第１のコイルパターン
ＣＰ２    第２のコイルパターン
ＣＰ３    接続パターン
Ｄ１〜Ｄ４    絶縁層
Ｄ２ａ〜Ｄ２ｃ    開口部
Ｄ３ａ〜Ｄ３ｃ    開口部
Ｄ４ａ，Ｄ４ｂ    開口部
Ｅ１，Ｅ２    端子電極
Ｍ１，Ｍ２    磁性樹脂層
Ｐ１，Ｐ２    メッキパターン
Ｒ１，Ｒ２    層内絶縁パターン
Ｓ１，Ｓ１ａ，Ｓ２    シードパターン
ＶＰ１，ＶＰ２    犠牲パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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