(57)【要約】【課題】測定範囲を広げる構成でありながら、測定精度の劣化を防止する。【解決手段】本実施形態のＳＡＷセンサは、ＳＡＷデバイス１１と、ＳＡＷデバイス１１と通信可能に接続されＳＡＷデバイス１１で検出されたＳＡＷの検出信号の位相を検出するセンシング装置１２とを備え、前記センシング装置１２は、第１信号をＳＡＷデバイス１１に入力して得られるＳＡＷの第１検出信号の位相と、第１信号と周波数が異なる第２信号をＳＡＷデバイス１１に入力して得られるＳＡＷの第２検出信号の位相の差である２周波差分の特性に基づいて、検出信号の位相の折り返し回数を求め、折り返しの補正を行う折り返し補正部３６を有するように構成されたものである。【選択図】図１
2020034433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＡＷデバイス（１１）と、
前記ＳＡＷデバイスと通信可能に接続され、ＳＡＷデバイスで検出されたＳＡＷの検出信号の位相を検出するセンシング装置（１２）とを備え、
前記センシング装置は、第１信号を前記ＳＡＷデバイスに入力して得られるＳＡＷの第１検出信号の位相と、第１信号と周波数が異なる第２信号を前記ＳＡＷデバイスに入力して得られるＳＡＷの第２検出信号の位相の差である２周波差分の特性に基づいて、検出信号の位相の折り返し回数を求め、折り返しの補正を行う折り返し補正部（３６）を有するように構成されたＳＡＷセンサ。
【請求項２】
前記第１検出信号と前記第２検出信号の電圧振幅比を用いて位相誤差を直接補正する位相誤差補正部（４０）を備えた請求項１記載のＳＡＷセンサ。
【請求項３】
前記第１検出信号と前記第２検出信号の電圧振幅比を用いて位相誤差を含んだ周波数比率を求める周波数比率計算部（５０）を備えた請求項１記載のＳＡＷセンサ。
【請求項４】
前記第１検出信号と、前記第２検出信号と、第１信号及び第２信号と周波数が異なる第３信号を前記ＳＡＷデバイスに入力して得られるＳＡＷの第３検出信号の電圧振幅比を用いて、位相誤差を含んだ周波数比率を求める周波数比率計算部（５０）を備えた請求項１記載のＳＡＷセンサ。
【請求項５】
前記ＳＡＷデバイスは、２つの反射器（５６、５７、６１、６２）を備えるように構成された請求項１から４のいずれか一項記載のＳＡＷセンサ。
【請求項６】
前記ＳＡＷデバイスは、位相検出用の反射器（６６）と、振幅検出用の反射器（６７）とを備え、
前記振幅検出用の反射器は、電極の本数を調整されるように構成された請求項２から４のいずれか一項記載のＳＡＷセンサ。
【請求項７】
前記ＳＡＷデバイスは、櫛形電極（７２、７３）と、位相検出用の反射器と、振幅検出用の反射器とを備え、
前記櫛形電極は、電極の対数を調整されるように構成された請求項２から４のいずれか一項記載のＳＡＷセンサ。
【請求項８】
前記ＳＡＷデバイスは、位相検出用の反射器と、振幅検出用の反射器（８０）とを備え、
前記振幅検出用の反射器は、電極のライン幅とスペース幅を調整されるように構成された請求項２から４のいずれか一項記載のＳＡＷセンサ。
【請求項９】
前記ＳＡＷデバイスは、位相検出用の反射器と、振幅検出用の反射器が、櫛形電極の両側に配置されるように構成された請求項６または８記載のＳＡＷセンサ。
【請求項１０】
前記ＳＡＷデバイスは、位相検出用の反射器（８２）と、振幅検出用の反射器（８３）が、櫛形電極（８１）の片側に配置されるように構成された請求項６または８記載のＳＡＷセンサ。
【請求項１１】
前記ＳＡＷデバイスは、前記反射器として、ＯＰＥＮ型の反射器（８４）を用いるように構成された請求項１から１０のいずれか一項記載のＳＡＷセンサ。
【請求項１２】
前記ＳＡＷデバイスは、前記反射器として、ＳＨＯＲＴ型の反射器（８５）を用いるように構成された請求項１から１０のいずれか一項記載のＳＡＷセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷデバイスを用いたＳＡＷセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
無線、およびセンシング部無給電のセンサとして、表面弾性波（即ち、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave））遅延素子を用いて物理量を検出する位相検出型センサ、即ち、ＳＡＷセンサが知られている。ＳＡＷ遅延素子、即ち、ＳＡＷデバイスの物理量例えば温度、圧力、応力等が変化すると、ＳＡＷデバイスの伝搬路が伸び縮みしたり、伝搬方向のＳＡＷの音速が変化したりし、ＳＡＷデバイスからの反射信号、即ち、受信信号の位相が変化する。ＳＡＷセンサは、受信信号の位相を同期検波回路により検出して物理量に変換する。この構成の場合、受信信号の位相が、−１８０°から+１８０°の範囲を越えると、折り返しが発生するため、測定可能な物理量範囲は大幅に制限されるという問題があった。
【０００３】
これに対して、特許文献１に記載されているように、ＳＡＷデバイスの構成を変えずに、２つの周波数の受信信号の差分を取ることにより、疑似的に検出感度を落とし、測定範囲を広げるという装置が考えられている。しかし、この装置の場合、感度を落としているので、測定精度が劣化するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−０２０８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、測定範囲を広げる構成でありながら、測定精度の劣化を防止することができるＳＡＷセンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の発明は、ＳＡＷデバイス１１と、前記ＳＡＷデバイスと通信可能に接続され、ＳＡＷデバイスで検出されたＳＡＷの検出信号の位相を検出するセンシング装置１２とを備えたＳＡＷセンサである。センシング装置１２は、第１信号をＳＡＷデバイス１１に入力して得られるＳＡＷの第１検出信号の位相と、第１信号と周波数が異なる第２信号をＳＡＷデバイス１１に入力して得られるＳＡＷの第２検出信号の位相の差である２周波差分の特性に基づいて、検出信号の位相の折り返し回数を求め、折り返しの補正を行う折り返し補正部３６を有するように構成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態を示すもので、ＳＡＷセンサの電気的構成を示す図
【図２】検出信号の物理量と位相回転との関係を示す図
【図３】周波数と物理量の位相回転感度との関係を示す図
【図４】２つの周波数の信号の物理量と位相回転との関係を示す図
【図５】２周波差分について飛び値補正前の物理量と位相回転との関係を示す図
【図６】２周波差分について飛び値補正後の物理量と位相回転との関係を示す図
【図７】位相誤差が小さい場合の周波数比率倍した２周波差分について飛び値補正後の物理量と位相回転との関係を示す図
【図８】位相誤差が小さい場合の折り返し回数の物理量特性を示す図
【図９】折り返し補正したｆ１の特性を示す図
【図１０】位相の折り返し補正制御のフローチャート
【図１１】誤差が大きい場合の折り返し回数の物理量特性を示す図
【図１２】挿入ロスの周波数特性を示す図
【図１３】電圧振幅比の周波数特性を示す図
【図１４】第２実施形態を示すもので、実測した周波数比率倍した２周波差分、および折り返し補正したｆ１の物理量特性を示す図
【図１５】位相誤差の物理量特性を示す図
【図１６】物理量の電圧振幅比特性を示す図
【図１７】周波数比率倍した２周波差分の物理量特性（補正前後）を示す図
【図１８】ＳＡＷセンサの電気的構成を示す図
【図１９】位相誤差計算部のブロック図
【図２０】位相の折り返し補正制御のフローチャート
【図２１】位相誤差算出制御のフローチャート
【図２２】第３実施形態を示すもので、周波数比率の物理量特性を示す図
【図２３】回転位相の物理量特性を示す図
【図２４】位相誤差の物理量特性を示す図
【図２５】ＳＡＷセンサの電気的構成を示す図
【図２６】周波数比率計算部のブロック図
【図２７】位相の折り返し補正制御のフローチャート
【図２８】周波数比率算出制御のフローチャート
【図２９】第４実施形態を示すもので、挿入ロスの周波数特性を示す図
【図３０】電圧振幅比の周波数特性を示す図
【図３１】第５実施形態を示すもので、ＳＡＷデバイスの構造を示す図（その１）
【図３２】ＳＡＷデバイスの構造を示す図（その２）
【図３３】挿入ロスの周波数特性を示す図
【図３４】第６実施形態を示すもので、ＳＡＷデバイスの構造を示す図
【図３５】挿入ロスの周波数特性を示す図
【図３６】第７実施形態を示すもので、ＳＡＷデバイスの構造を示す図
【図３７】挿入ロスの周波数特性を示す図
【図３８】第８実施形態を示すもので、ＳＡＷデバイスの構造を示す図
【図３９】挿入ロスの周波数特性を示す図
【図４０】第９実施形態を示すもので、ＳＡＷデバイスの構造を示す図
【図４１】第１０実施形態を示すもので、ＯＰＥＮ型反射器の構造を示す図
【図４２】ＳＨＯＲＴ型反射器の構造を示す図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態について、図１ないし図１３を参照して説明する。最初に、図１を参照して、本実施形態に係る表面弾性波遅延素子、即ち、ＳＡＷデバイスを用いた位相検出型センサである例えばＳＡＷセンサ１０の概略構成について説明する。
【０００９】
本実施形態のＳＡＷセンサ１０は、ＳＡＷデバイス１１と、ＳＡＷデバイス１１と例えば通信可能に接続され、ＳＡＷデバイス１１で検出されるＳＡＷの検出信号の位相、即ち、位相角を検出するセンシング装置１２とを有する。ＳＡＷデバイス１１とセンシング装置１２との間は、例えば無線で通信されるように構成されている。
【００１０】
ＳＡＷデバイス１１は、例えば反射型であり、圧電体基板１３に、バースト信号の入力によりＳＡＷを生じさせる櫛形電極（以下、ＩＤＴと示す）１５と、ＳＡＷを反射する反射器１６とを設けて構成されている。圧電体基板１３は、例えばニオブ酸リチウムからなる。
【００１１】
また、ＩＤＴ１５は、例えばアルミニウムからなる。ＩＤＴ１５は、一例として、複数例えば数十本の櫛の歯を有する２つの電極が対となって構成されている。対となった２つの電極のうち、１つの電極は接地されており、他の１つの電極はアンテナ１７に接続されている。
【００１２】
反射器１６は、例えばＯＰＥＮ型反射器で構成されており、ＩＤＴ１５と同一の材料であるアルミニウムからなり、ＳＡＷの進行方向と垂直な方向に延びた複数例えば数十本の電極が並設されて構成されている。センシング装置１２の信号源からＩＤＴ１５に所定周波数の信号例えばバースト信号が入力されると、圧電体基板１３にＳＡＷが発生し、ＩＤＴ１５から反射器１６に向かって進行していく。そして、ＳＡＷは、反射器１６により反射され、ＩＤＴ１５に戻ることによって、検出信号として検出される。
【００１３】
センシング装置１２は、信号源２０と、送信時と受信時の接続を切り替える切替スイッチ２１と、入力された信号を進相あるいは遅相させる位相器２２と、切替スイッチ２１からの受信信号を入力して同期検波を行なう同期検波回路２３と、位相・物理量を計算する位相物理量計算回路２４とを備えている。
【００１４】
信号源２０は、複数の周波数のバースト信号を出力する機能を有し、信号源２０からの信号は、ＲＦ信号とＬＯ信号に分岐される。切替スイッチ２１は、スイッチ２１ａと、切替接点ｃ−ａ及びｃ−ｂとを有し、送信時には、スイッチ２１ａがオンされ、且つ、切替接点ｃ−ａ間がオンされ、受信時（即ち、図１の状態）には、スイッチ２１ａがオフされ、且つ、切替接点ｃ−ｂ間がオンされる。
【００１５】
切替スイッチ２１が送信時の接続状態に切り替えられたときに、信号源２０からのＲＦ信号が、切替スイッチ２１、アンテナ２５及びアンテナ１７を介してＳＡＷデバイス１１に入力される。ＳＡＷデバイス１１においては、ＩＤＴ１５により上記入力されたＲＦ信号、即ち、電気信号が機械振動に変換され、ＳＡＷが発生する。ＳＡＷは、ＳＡＷデバイス１１の伝搬路を進行し、反射器１６で反射され、再度ＩＤＴ１５により電気信号、即ち、検出信号に変換される。そして、ＳＡＷデバイス１１からの検出信号、即ち、受信信号は、切替スイッチ２１が受信時の接続状態に切り替えられたときに、アンテナ１７及びアンテナ２５、切替スイッチ２１を介して同期検波回路２３に入力される。
位相器２２は、ＬＯ信号を入力し、ＬＯ信号と、例えば９０°進相させたＬＯ信号とを出力する。
【００１６】
同期検波回路２３は、ＳＡＷデバイス１１からの検出信号を上記ＬＯ信号と同期検波してＩ信号及びＱ信号に変換する機能を有する。同期検波回路２３は、２個のミキサー２７、２８、２個のアンプ２９、３０、２個のローパスフィルタ３１、３２を備えている。同期検波回路２３の構成及び機能は、特許文献１に記載されているものとほぼ同じである。尚、特許文献１に記載されているものには、アンプが備えられていない。位相器２２からのＬＯ信号は、一方のミキサー２７に与えられ、位相器２２からの９０°進相させたＬＯ信号は、他方のミキサー２８に与えられている。
【００１７】
同期検波回路２３からのＩ信号及びＱ信号は、位相物理量計算回路２４に出力される。位相物理量計算回路２４は、例えばＦＰＧＡで構成されており、位相計算部３５と、折り返し補正部３６と、物理量計算部３７とを有する。位相計算部３５は、同期検波回路２３からのＩ信号及びＱ信号を入力して、位相情報に変換する。折り返し補正部３６は、位相計算部３５からの位相情報を入力し、検出信号の位相の折り返し回数を求め、折り返しの補正を行なう。物理量計算部３７は、折り返し補正部３６からの補正された位相情報を入力し、位相情報に基づいて物理量を計算する。
【００１８】
ＳＡＷデバイス１１に作用する物理量、例えば温度、圧力、応力等が変化すると、ＳＡＷの音速や伝搬長が変化する。ＳＡＷの音速や伝搬路長が変化すると、送信から受信までの遅延時間が変化するため、位相変化として検出できる。位相検出方法は、その位相を同期検波回路２３により検出し、位相物理量計算回路２４により物理量に変換する検出方法である。しかし、図２に示すように、位相は、−１８０から+１８０°の範囲しか持たないため、その範囲を越えてしまうと、３６０°折り返してしまうため、例えば点ｐ１と点ｐ２は位相では区別することができず、正しく物理量を求められないという課題がある。
【００１９】
上記折り返しによる物理量の検出範囲の制限に対する解決策の１つが、特許文献１に記載されており、これについて説明する。図３に示すように、物理量変化に対する位相回転感度は、周波数に比例する。よって、図４に示すように、周波数の異なる信号ｆ１、ｆ２を用いることにより、傾きの異なる２つの位相の物理量特性を得ることができる。図４において、特性ｒ１は信号ｆ１の物理量特性を示し、特性ｒ２は信号ｆ２の物理量特性を示す。
【００２０】
そして、図５に示すように、２つ周波数信号ｆ１、ｆ２の位相の物理量特性の差分、即ち、２周波差分を取ることにより、傾きの差に応じた感度の低い特性を得ることができる。図５において、特性ｒ３は２周波差分（ｆ２−ｆ１）の物理量特性を示す。尚、２周波差分の物理量特性には、飛び値が存在するが、閾値などを設けることにより容易に補正可能である。例えば、図５において、２つの横方向に延びる破線は、飛び値判定用閾値を示す。飛び値補正後の物理量特性ｒ４を、図６に示す。
【００２１】
このとき、２周波差分の特性ｒ４の傾きは、信号ｆ１の特性ｒ１の傾きの（ｆ２−ｆ１）／ｆ１倍である。よって、２つ周波数信号ｆ１、ｆ２の周波数差が小さいほど、低感度化することができ、物理量の測定範囲を広げることができる。しかし、低感度化すると、物理量の検出精度が落ちるため、検出範囲を広くすることと、検出精度を高くすることとの両立が困難であるという課題がある。
【００２２】
これに対して、本実施形態においては、２周波差分の物理量特性と、１つの周波数の検出信号の位相、即ち、１周波の物理量特性を用いて、位相検出の広検出範囲化及び検出の高精度化を両立させる方法を提供する。まず、２周波差分の物理量特性を用いて信号ｆ1の特性の折り返し回数を求める。ここでは、位相誤差が小さい場合を考える。
【００２３】
理想的には、２周波差分の特性の傾きは、１周波の特性の傾きの（ｆ２−ｆ１）／ｆ１倍であるので、２周波差分の特性に、（ｆ２−ｆ１）／ｆ１の逆数ｆ１／（ｆ２−ｆ１）、即ち、周波数比率を掛けると、（ｆ２−ｆ１）×周波数比率の特性の傾きは、信号ｆ１の特性の傾きと一致する。図７に示すように、（ｆ２−ｆ１）×周波数比率の特性ｒ５の傾きは、信号ｆ１の特性ｒ１の傾きと一致する。尚、特性ｒ５を中心線とする帯状領域は、特性ｒ５の位相誤差を示す。
【００２４】
この結果、測定したい物理量範囲において、ｆ１の特性ｒ１と同じ傾きで折り返しの無い特性ｒ５が得られる。このとき、２周波差分の特性の位相誤差も周波数比率倍される。上記特性ｒ５からｆ１の特性ｒ１を引き、更に３６０で割る計算を行なうと、計算結果は、折り返し回数に近い値となる。この計算結果の特性ｒ６を、図８に示す。計算結果、即ち、折り返し回数の特性ｒ６には、位相誤差に起因した折り返し回数誤差、即ち、帯状領域が含まれている。このため、最も近い整数値に丸め込むことにより、上記誤差の影響を除外する。
【００２５】
次に、誤差の影響を除外した折り返し回数の特性ｒ６に、３６０を乗算して、ｆ１の特性ｒ１を加算することにより、計算結果は、ｆ１の特性の折り返し補正を行った特性となる。この折り返し補正をしたｆ１の特性ｒ７を、図９に示す。この折り返しの無いｆ１の特性ｒ７を用いることにより、広検出範囲化及び検出の高精度化を両立させたＳＡＷセンサ１０を実現することができる。尚、ｆ２の特性ｒ２の折り返し回数を算出したい場合には、周波数比率として、ｆ２／（ｆ２−ｆ１）を用いて上記したｆ１とほぼ同様にして計算すれば良い。
【００２６】
本実施形態において、位相物理量計算回路２４の折り返し補正部３６は、上記した２周波差分の特性から１周波例えば信号ｆ１の特性の折り返し回数を算出する計算制御を実行する。図１０のフローチャートは、折り返し補正部３６の上記計算制御の内容を示す。まず、図１０のステップＳ１０では、信号ｆ２の位相から信号ｆ１の位相を減算する。
【００２７】
そして、ステップＳ２０へ進み、減算結果が予め設定した閾値内に収まっているか否かを判断する。ここで、減算結果が閾値内に収まっていないときには（ＮＯ）、ステップＳ３０へ進み、減算結果に―３６０または３６０を加算することにより、計算結果が閾値内に収まるようにする。また、上記ステップＳ２０において、減算結果が閾値内に収まっているときには（ＹＥＳ）、ステップＳ４０へ進む。
【００２８】
ステップＳ４０においては、ステップＳ２０の計算結果またはステップＳ３０の計算結果に、周波数比率ｆ１／（ｆ２−ｆ１）を乗算する。続いて、ステップＳ５０へ進み、ステップＳ４０の乗算結果から{（ｆ２−ｆ１の初期位相）×（周波数比率）−（ｆ１の初期位相）}を減算する。この後、ステップＳ６０では、ステップＳ５０の減算結果からｆ１の位相を減算する。
【００２９】
そして、ステップＳ７０では、ステップＳ６０の計算結果を３６０で除算する。次いで、ステップＳ８０へ進み、最も近い整数値に丸め込む。更に、ステップＳ９０へ進み、ステップＳの丸め込み結果に３６０を乗算する。この後、ステップＳ１００へ進み、ステップＳ９０の乗算結果に、信号ｆ１の位相を加算する。これにより、本計算制御、即ち、折り返し補正制御を終了する。
【００３０】
さて、これまでの説明においては、位相誤差（例えば信号ノイズ、製造バラツキ、温度勾配、ＩＱ円歪等）が無視できるほど小さい場合を考えていたが、位相誤差が大きく無視できない場合がある。具体的には、周波数比率を乗算した２周波差分の特性の位相誤差が±１８０°以上である場合には、折り返し回数誤差は±０．５（即ち、±１８０÷３６０）以上となる。このため、折り返し回数を、最も近い整数値に丸め込む際に判定を誤ってしまうことがある。図８は、位相誤差が小さい場合の折り返し回数の物理量特性を示す。図１１は、位相誤差が大きい場合の折り返し回数の物理量特性、即ち、折り返し回数誤差が±０．５以上のものを示す。図１１においては、矢印の先端で示す部分が、折り返し回数の丸め込み判定が不可となる。
【００３１】
例えば、２つの周波数がＵＨＦ帯の９１６．８ＭＨｚ、９２３．４ＭＨｚだとすると、周波数比率は約１４０である。このとき、許容できる２周波差分の特性の位相誤差は±1.3°（即ち、±１８０÷１４０）以下である。位相誤差の許容値を大きくするためにはｆ１／（ｆ２−ｆ１）を小さくする、即ち、２つの周波数の差を拡げる必要がある。しかし、ＵＨＦ帯などにおいては、使用できる周波数帯が決まっていることから、２周波差分の特性の位相誤差を許容値以下に収めることが不可能な場合がある。
【００３２】
そこで、位相誤差を許容値以下に収めるように補正する方法について考察する。位相誤差に再現性がある場合、物理量から位相誤差を推定して補正することができる。その際、位相以外の情報を用いて補正を行う。ここでは、反射信号の電圧振幅から物理量を求める方法を提案する。
【００３３】
図１２に示すように、ＳＡＷデバイス１１は、挿入ロスの周波数特性にピークを持つ。尚、本実施形態の説明において、挿入ロスの周波数特性を示す全ての図は、縦軸の最大値が０ｄＢであり、下に行くほど負の絶対値が増大する。上記ピークは、物理量が変化すると形を保ったまま周波数軸上をシフトする。挿入ロスも変化する場合もある。且つ、２つの周波数の信号の電圧振幅比は、図１３に示すように、ピークを持つ範囲において周波数に対し単調増加または減少する。尚、上記電圧振幅比は、挿入ロスに変換すると傾きに相当する（図１２参照）。よって、物理量は、電圧振幅比から一意に求めることができる。この物理量の値は、ＳＡＷデバイス１１以外の部品において挿入ロスの変動（例えばアンテナ間距離変動など）が起きても、周波数特性がフラットであれば、ピークの形が保たれるため、ほとんど変化しない。
【００３４】
また、ピークの形は、ＳＡＷデバイス１１の設計値に依存するため、急峻な特性になるように設計すれば、物理量変化に対する感度を向上させることができる。よって、これらの情報を利用することにより、位相誤差の補正が可能となる。この方法は、電圧振幅比からのみ物理量を得るのではなく、あくまで位相誤差を補正するために利用する。尚、ホワイトノイズなどの再現性のない誤差は補正できない。
【００３５】
（第２実施形態）
図１４ないし図２１は、第２実施形態を示すものである。尚、第１実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第２実施形態のＳＡＷ無線センサは、２つの異なる周波数の信号ｆ１、ｆ２の電圧振幅比から位相誤差を推定して折り返し判定を行う機能を備えている。
【００３６】
まず、電圧振幅比を用いた位相誤差の補正方法について、実験結果を用いて説明する。２周波差分の特性には、再現性のある位相誤差が重畳している。図１４に示すように、物理量が変化したときの信号ｆ１の位相は、線形に増加または減少するが、周波数比率を乗算した２周波差分の特性は、増幅された位相誤差が重畳しているため、ギザギザした特性を持つ。図１４において、実線ｃ１は信号ｆ１の位相（これは折り返し補正済みである）を示し、実線ｃ２は周波数比率を乗算した２周波差分の物理量特性を示す。尚、物理量が変化したときの信号ｆ１の位相は、線形だけでなく、２次特性の場合もある。
【００３７】
これら２つの特性の差分を取ると、位相誤差が得られるが、図１５に示すように、位相誤差は±１５０°ほどあるため、折り返し回数の丸め込み判定が不安定となる。即ち、位相誤差±１５０°の場合、判定可能であるが、ホワイトノイズ等の他に重畳してくる誤差の大きさによっては、判定不可になったり、判定可能になったりして不安定になる。そこで、２つの周波数の信号ｆ１、ｆ２の電圧振幅比を測定し、図１６に示した物理量の電圧振幅比特性ｄ１から物理量を求める。そして、求めた物理量の値と、図１５の位相誤差の物理量特性ｅ１を用いることにより、位相誤差が得られ、位相誤差を補正することができる。
【００３８】
図１７において、実線ｃ１は信号ｆ１の物理量特性を示し、実線ｃ２は補正前の周波数比率を乗算した２周波差分の物理量特性を示し、実線ｃ３は補正後の周波数比率を乗算した２周波差分の物理量特性の特性を示す。この図１７に示すように、実線ｃ１と実線ｃ３は、ほぼ重なっている。即ち、補正済みの周波数比率を乗算した２周波差分の特性ｃ３は、ｆ１の特性ｃ１と非常に近い特性を持っていることから、折り返し回数を正確に求めることができる。尚、図１５と図１６を用いて、位相誤差の電圧振幅比特性を作成して、折り返し回数を直接求められるように構成してもよい。
【００３９】
次に、第２実施形態の具体的構成について、図１８ないし図２１を参照して説明する。図１８に示すように、位相物理量計算回路２４は、位相計算部３５、折り返し補正部３６、物理量計算部３７の他に、電圧振幅比を用いて位相誤差を計算する位相誤差計算部４０を備えている。位相誤差計算部４０は、同期検波回路２３からのＩ信号とＱ信号を入力し、位相誤差信号を折り返し補正部３６に出力する。位相誤差計算部４０は、位相誤差補正部としての機能を有する。
【００４０】
図１９に示すように、位相誤差計算部４０は、第１振幅計算部４１と、第２振幅計算部４２と、振幅比計算部４３と、位相誤差算出部４４とを備えている。第１振幅計算部４１は、Ｉ信号とＱ信号からｆ１の検出信号の電圧振幅Ｖ１を計算する。第２振幅計算部４２は、Ｉ信号とＱ信号からｆ２の検出信号の電圧振幅Ｖ２を計算する。振幅比計算部４３は、Ｖ２／Ｖ１またはＶ１／Ｖ２の計算結果を電圧振幅比Ｖ２１とする。位相誤差算出部４４は、電圧振幅比Ｖ２１に基づいて位相誤差を求める。
【００４１】
図２０のフローチャートは、第２実施形態の折り返し補正部３６の計算制御の内容を示す。第１実施形態の折り返し補正部３６の計算制御（図１０参照）と異なる点は、ステップＳ５０とステップＳ６０の間にステップＳ５５を実行するように構成した。即ち、ステップＳ５０を実行した後、ステップＳ５５へ進み、ステップＳ５０の減算結果から位相誤差計算部４０により算出した位相誤差を減算する。この後、ステップＳ６０からステップＳ１００までの処理は、第１実施形態と同様にして実行する。
【００４２】
図２１のフローチャートは、位相誤差計算部４０の計算制御の内容を示す。まず、図２１のステップＳ２１０においては、信号ｆ１のＩ信号とＱ信号のそれぞれの電圧（Ｉ１，Ｑ１）からｆ１の反射信号の電圧振幅Ｖ１を計算する（即ち、第１振幅計算部４１の機能）。Ｖ１の計算式は、ステップＳ２１０内に示す。
【００４３】
続いて、ステップＳ２２０へ進み、信号ｆ２のＩ信号とＱ信号のそれぞれの電圧（Ｉ２，Ｑ２）からｆ２の反射信号の電圧振幅Ｖ２を計算する（即ち、第２振幅計算部４２の機能）。Ｖ２の計算式は、ステップＳ２２０内に示す。
【００４４】
次いで、ステップＳ２３０へ進み、電圧振幅比Ｖ２１＝Ｖ２／Ｖ１またはＶ２１＝Ｖ１／Ｖ２を計算する（即ち、振幅比計算部４３の機能）。そして、ステップＳ２４０へ進み、上記計算した電圧振幅比Ｖ２１に基づいて位相誤差を求める（即ち、位相誤差算出部４４の機能）。
【００４５】
尚、上述した以外の第２実施形態の構成は、第１実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第２実施形態においても、第１実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第２実施形態によれば、２つの異なる周波数の信号ｆ１、ｆ２の電圧振幅比から位相誤差を推定して折り返し判定を行う機能を備えたので、位相誤差が大きく無視できない場合においても、折り返し回数の丸め込み判定を正確に行なうことができ、検出精度を向上させることができる。
【００４６】
（第３実施形態）
図２２ないし図２８は、第３実施形態を示すものである。尚、第１実施形態または第２実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第２実施形態では、位相誤差の物理量特性および物理量の電圧振幅比特性を用いて位相誤差を補正した。これに対して、第３実施形態では、位相誤差を含んだ周波数比率の物理量特性を用いて位相誤差を補正するように構成した。
【００４７】
図２２において、実線ｇ１は、周波数比率の物理量特性を示し、実線ｇ２は、２周波差分の特性がｆ１の特性に完璧に合うように計算した周波数比率（即ち、誤差込みの周波数比率）の物理量特性を示す。この場合、２周波差分の特性に、各物理量での周波数比率（即ち、誤差込みの周波数比率）を乗算することにより、ｆ１の特性に完璧に合わせることができる。
【００４８】
よって、図１６の特性から得た物理量に対応する周波数比率（即ち、誤差込みの周波数比率）を、図２２から求める。そして、２周波差分の特性に上記求めた周波数比率を乗算することにより、ｆ１に非常に近い特性を得ることができる。図２３において、実線ｃ１は信号ｆ１の物理量特性を示し、実線ｃ２は（ｆ２−ｆ１）×周波数比率の物理量特性を示し、実線ｃ４は（ｆ２−ｆ１）×電圧振幅比から求めた周波数比率（即ち、誤差込みの周波数比率）の物理量特性を示す。この図２３に示すように、実線ｃ１と実線ｃ４は、ほぼ重なっている。即ち、２周波差分の特性に各物理量での周波数比率（即ち、誤差込みの周波数比率）を乗算することにより、ｆ１の特性に完璧に合わせることができる。
【００４９】
これにより、図２４に示すように、小さい位相誤差を実現することができ、折り返し回数を正確に求めることができ、検出精度を高めることができる。図２４において、ｅ１は補正前の位相誤差の物理量特性を示し、ｅ２は、補正後の位相誤差の物理量特性を示す。尚、図１６及び図２２を用いて周波数比率（即ち、誤差込みの周波数比率）の電圧振幅比特性を作成し、直接求められるように構成してもよい。
【００５０】
次に、第３実施形態の具体的構成について、図２５ないし図２８を参照して説明する。図２５に示すように、位相物理量計算回路２４は、位相計算部３５、折り返し補正部３６、物理量計算部３７の他に、電圧振幅比を用いて周波数比率（即ち、誤差込みの周波数比率）を計算する周波数比率計算部５０を備えている。周波数比率計算部５０は、同期検波回路２３からのＩ信号とＱ信号を入力し、誤差込みの周波数比率信号を折り返し補正部３６に出力する。
【００５１】
図２６に示すように、周波数比率計算部５０は、第１振幅計算部４１と、第２振幅計算部４２と、振幅比計算部４３と、周波数比率演算部５１とを備えている。第１振幅計算部４１は、Ｉ信号とＱ信号からｆ１の反射信号の電圧振幅Ｖ１を計算する。第２振幅計算部４２は、Ｉ信号とＱ信号からｆ２の反射信号の電圧振幅Ｖ２を計算する。振幅比計算部４３は、Ｖ２／Ｖ１またはＶ１／Ｖ２の計算結果を電圧振幅比Ｖ２１とする。周波数比率演算部５１は、電圧振幅比Ｖ２１に基づいて誤差込みの周波数比率を求める。
【００５２】
図２７のフローチャートは、第３実施形態の折り返し補正部３６の計算制御の内容を示す。第１実施形態の折り返し補正部３６の計算制御（図１０参照）と異なる点は、ステップＳ４０に代えてステップＳ４０５を実行するように構成した。即ち、ステップＳ３０を実行した後、ステップＳ４０５へ進み、ステップＳ３０の計算結果に、誤さ込みの周波数比率を乗算する。この後、ステップＳ５０からステップＳ１００までの処理は、第１実施形態と同様にして実行する。
【００５３】
図２８のフローチャートは、周波数比率計算部５０の計算制御の内容を示す。まず、図２８のステップＳ２１０においては、信号ｆ１のＩ信号とＱ信号のそれぞれの電圧（Ｉ１，Ｑ１）からｆ１の反射信号の電圧振幅Ｖ１を計算する。Ｖ１の計算式は、ステップＳ２１０内に示す。
【００５４】
続いて、ステップＳ２２０へ進み、信号ｆ２のＩ信号とＱ信号のそれぞれの電圧（Ｉ２，Ｑ２）からｆ２の反射信号の電圧振幅Ｖ２を計算する。Ｖ２の計算式は、ステップＳ２２０内に示す。
【００５５】
次いで、ステップＳ２３０へ進み、電圧振幅比Ｖ２１＝Ｖ２／Ｖ１またはＶ２１＝Ｖ１／Ｖ２を計算する。そして、ステップＳ２４０５へ進み、上記計算した電圧振幅比Ｖ２１に基づいて誤差込みの周波数比率を求める（即ち、周波数比率演算部５１の機能）。
【００５６】
尚、上述した以外の第３実施形態の構成は、第１実施形態または第２実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第３実施形態においても、第１実施形態または第２実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第３実施形態によれば、２つの異なる周波数の信号ｆ１、ｆ２の電圧振幅比から誤差込みの周波数比率を求め、折り返し判定を行う機能を備えたので、位相誤差が大きく無視できない場合においても、折り返し回数の丸め込み判定を正確に行なうことができ、検出精度を向上させることができる。
【００５７】
（第４実施形態）
図２９及び図３０は、第４実施形態を示すものである。尚、第２実施形態または第３実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第４実施形態では、３つの異なる周波数の信号の電圧振幅比を用いて折り返し判定を行うように構成した。
【００５８】
ＳＡＷデバイス１１の挿入ロスの周波数特性が、図２９に示すような特性の曲線ｈ１であったとする。この特性ｈ１においては、ｆ１とｆ２の信号の電圧振幅比Ｖ２１の増減が周波数によって変化する。そのため、図３０に示すように、同じ電圧振幅比を持つ３つの領域、即ち、領域（１）、領域（２）、領域（３）が存在し、正しい領域を特定しなければ物理量を誤ってしまう。図３０における曲線ｉ１が電圧振幅比Ｖ２１の特性を示す。
【００５９】
第４実施形態においては、異なる周波数ｆ３を加えて３つの領域の中のいずれであるかの特定を行う。まず、３つの周波数の信号から２つの電圧振幅比Ｖ３１（即ち、Ｖ３／Ｖ１またはＶ１／Ｖ３）、Ｖ２３（即ち、Ｖ２／Ｖ３またはＶ３／Ｖ２）をそれぞれ求める。そして、これらの差分（Ｖ２３−Ｖ３１）の符号から領域の特定を行う。図３０において、曲線ｉ２が電圧振幅比Ｖ３１の特性を示し、曲線ｉ３が電圧振幅比Ｖ２３の特性を示し、曲線ｉ４が電圧振幅比の差分（Ｖ２３−Ｖ３１）の特性を示す。
【００６０】
図３０に示すように、差分（Ｖ２３−Ｖ３１）の符号が例えば正であった場合、領域（２）であると特定できる。また、領域（１）、領域（３）においては、差分（Ｖ２３−Ｖ３１）がどちらも負であるが、物理量差が大きいので、２周波差分の特性を用いて領域を特定することができる。尚、ｆ３の周波数は、ｆ２とｆ１の中間付近の値が望ましい。そして、領域を特定し、電圧振幅比より物理量を推定した後は、第２実施形態または第３実施形態のうちの適切な方の制御を実行するように構成されている。
【００６１】
（第５実施形態）
図３１ないし図３３は、第５実施形態を示すものである。尚、第１実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第５実施形態では、電圧振幅比を用いた位相誤差補正方法で用いるＳＡＷデバイスにおいて、位相検出用の反射器と振幅検出用の反射器を共用するように構成した。
【００６２】
図３１に示すＳＡＷデバイス５５は、２つの反射器５６、５７を有し、これら２つの反射器５６、５７をＩＤＴ１５の例えば右側に配設した。２つの反射器５６、５７は、伝搬路長が異なり、反射波が時間分離されるように配置されている。反射器５６の伝搬路長の方が、反射器５７の伝搬路長よりも短い。これら２つの反射器５６、５７からの信号の位相の差分を取ることにより、アンテナでの位相回転をキャンセルすることができる。
【００６３】
図３１に示すＳＡＷデバイス５５においては、２つの反射器５６、５７で伝搬路を一部共通化させているので、圧電体基板１３の温度勾配の影響を抑制することができる。一方、上記ＳＡＷデバイス５５においては、ＩＤＴ１５が双方向性を持つ構成であるから、反射器５６、５７が無い方向、即ち、図３１中の左方に出力されたＳＡＷのエネルギーは例えば３ｄＢの損失となる。
【００６４】
次に、図３２に示すＳＡＷデバイス６０は、２つの反射器６１、６２を有し、これら２つの反射器６１、６２をＩＤＴ１５の両側に配設した。２つの反射器６１、６２は、伝搬路長が異なり、反射波が時間分離されるように配置されている。反射器６１の伝搬路長の方が、反射器６２の伝搬路長よりも長い。このＳＡＷデバイス６０は、ＳＡＷのエネルギーを損失なく利用できるが、２つの反射器６１、６２の伝搬路を共通化していないため、圧電体基板１３の温度勾配などによる誤差が発生するおそれがある。
【００６５】
これら２つのＳＡＷデバイス５５、６０においては、位相情報は２つの反射器５６、５７、６１、６２からの信号に基づいて得ることができ、また、振幅情報は２つの反射器５６、５７、６１、６２のうちのいずれか一方の反射器からの信号に基づいて得ることができる。ＳＡＷデバイス５５、６０においては、ＩＤＴ１５と反射器５６、５７、６１、６２の膜厚、配線のＬ／Ｓ、即ち、電極のラインとスペースの幅は、同じである。このため、ＳＡＷデバイス５５、６０の挿入ロスの周波数特性は、位相検出用と振幅検出用で共通である。図３３おいて、曲線ｈ２は、位相検出用と振幅検出用の共通の挿入ロスの周波数特性を示す。即ち、位相検出用の挿入ロスの周波数特性と、振幅検出用の挿入ロスの周波数特性が重なっている状態を示す。
【００６６】
また、図３１において、ＳＡＷデバイス５５の圧電体基板１３の左右の端面１３ａの位置は、端面１３ａからのＳＡＷの反射波が反射器５６、５７からの反射波と干渉しない位置に配置されていることが望ましい。また、端面処理ができる場合には、チップサイズが小さくなるように、端面１３ａを極力ＩＤＴ１５または反射器５６、５７に近い位置に配置するように構成することが望ましい。尚、２つの反射器５６、５７、６１、６２を有するＳＡＷデバイス５５、６０の場合には、それぞれの周波数に対し２つずつ反射信号の位相が得られる。それぞれの周波数において、２つの反射器５６、５７、６１、６２からの信号の位相の差分を取った後は、第１実施形態、第２実施形態または第３実施形態のうちのいずれかの制御を実行するようになっている。
【００６７】
上述した以外の第５実施形態の構成は、第１実施形態の構成、第２実施形態または第３実施形態と同じ構成となっている。従って、第２実施形態においても、第１実施形態、第２実施形態または第３実施形態とほほ同じ作用効果を得ることができる。
【００６８】
（第６実施形態）
図３４及び図３５は、第６実施形態を示すものである。尚、第１実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第６実施形態では、電圧振幅比を用いた位相誤差補正方法で用いるＳＡＷデバイスにおいて、位相検出用の反射器と振幅検出用の反射器を分離するように構成した。
【００６９】
第５実施形態のＳＡＷデバイス５５、６０は、位相検出用の反射器と振幅検出用の反射器が共用のため、挿入ロスの周波数特性が同じである。位相検出用は、広いダイナミックレンジを確保するために、高帯域である必要がある。一方、振幅検出用は、検出精度を高めるために、ピークの形が急峻である必要がある。位相検出用と振幅検出用素子を共通化させる構成の場合、トレードオフで用いなければならないため、システムの特性の最大化ができない場合がある。
【００７０】
この対策として、第６実施形態では、反射器を１つ追加し、位相検出用の反射器と振幅検出用の反射器を分離させた。具体的には、図３４に示すように、ＳＡＷデバイス６５は、位相検出用の反射器６６と、振幅検出用の反射器６７とを有し、これら２つの反射器６６、６７をＩＤＴ１５の両側に配設した。位相検出用の反射器６６と、振幅検出用の反射器６７は、伝搬路長が異なる。この構成の場合、位相検出用の反射器６６の伝搬路長の方が、振幅検出用の反射器６７よりも長くなるように構成されている。
【００７１】
また、振幅検出用の反射器６７は、位相検出用の反射器６６よりも電極の本数、即ち、反射基本数を多くするように構成した。尚、位相検出用の反射器６６は、第４実施形態の反射器５６、５７と同様な構成の反射器６８、６９を有している。
【００７２】
上述した以外の第６実施形態の構成は、第１実施形態と同じ構成となっている。従って、第６実施形態においても、第１実施形態とほほ同じ作用効果を得ることができる。特に、第６実施形態においては、位相検出用の反射器６６と振幅検出用の反射器６７をＩＤＴ１５の両側に配設し、位相検出用の反射器６６の伝搬路長と振幅検出用の反射器６７の伝搬路長が異なるように構成し、位相検出用の反射器６６と振幅検出用の反射器６７とを時間分離させるように構成した。この構成によれば、ＳＡＷデバイスの片側に反射器を配設することでＳＡＷデバイスの損失となっていたＳＡＷのエネルギーを有効に活用することができる。
【００７３】
また、第６実施形態では、振幅検出用の反射器６７は、位相検出用の反射器６６よりも電極の本数を多くした。これにより、図３５に示すように、振幅検出用の挿入ロスの周波数特性は、位相検出用の挿入ロスの周波数特性よりも急峻な挿入ロスの周波数特性を得ることができる。図３５において、曲線ｈ３は位相検出用の挿入ロスの周波数特性を示し、曲線ｈ４は振幅検出用の挿入ロスの周波数特性を示す。尚、ＩＤＴ１５と各反射器６６、６７においては、電極膜厚および電極のＬ／Ｓは同じに設定されている。
【００７４】
また、振幅検出用の反射器６７の伝搬路長は、反射波が干渉し合わなければ位相検出用の反射器６６の伝搬路長よりも長くても良いし、また、短くても良い。但し、位相検出用の反射器６６は、伝搬路長が長いほど、ＳＡＷデバイスの物理量感度が向上するため、振幅検出用の反射器６７の伝搬路長は短く構成した方が望ましい。
【００７５】
（第７実施形態）
図３６及び図３７は、第７実施形態を示すものである。尚、第６実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第６実施形態では、振幅検出用の反射器６７は、位相検出用の反射器６６よりも電極の本数を多くして、振幅検出用の挿入ロスの周波数特性を急峻にした。これに対して、第７実施形態では、ＩＤＴの電極の対数を調整することにより、振幅検出用の挿入ロスの周波数特性を急峻にするように構成した。
【００７６】
第７実施形態では、図３６に示すように、ＳＡＷデバイス７０のＩＤＴ７１は、位相検出用と振幅検出用を分離しており、位相検出用のＩＤＴ７２と、振幅検出用のＩＤＴ７３を有する。位相検出用のＩＤＴ７２と、位相検出用の反射器６６とから位相検出用のＳＡＷデバイス７４が構成されている。また、振幅検出用のＩＤＴ７３と、振幅検出用の反射器７５とから振幅検出用のＳＡＷデバイス７６が構成されている。
【００７７】
振幅検出用のＩＤＴ７３は、位相検出用のＩＤＴ７２よりも電極の対数を多くした。これにより、図３７に示すように、振幅検出用の挿入ロスの周波数特性は、位相検出用の挿入ロスの周波数特性よりも急峻な挿入ロスの周波数特性を得ることができる。図３７において、曲線ｈ５は位相検出用の挿入ロスの周波数特性を示し、曲線ｈ６は振幅検出用の挿入ロスの周波数特性を示す。尚、ＩＤＴ７１、７２、７３と各反射器６６、７５においては、電極膜厚および電極のＬ／Ｓは同じに設定されている。
【００７８】
上述した以外の第７実施形態の構成は、第６実施形態と同じ構成となっている。従って、第７実施形態においても、第６実施形態とほほ同じ作用効果を得ることができる。
【００７９】
（第８実施形態）
図３８及び図３９は、第８実施形態を示すものである。尚、第６実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第６実施形態では、振幅検出用の反射器６７は、位相検出用の反射器６６よりも電極の本数を多くして、振幅検出用の挿入ロスの周波数特性を急峻にするように構成した。これに対して、第８実施形態では、振幅検出用の反射器の電極のＬ／Ｓ、即ち、電極のラインとスペースの幅を、ＩＤＴや位相検出用の反射器６６のＬ／Ｓと変える、即ち、ずらすことで、振幅検出用の挿入ロスの周波数特性を急峻にした。
【００８０】
具体的には、図３８に示すように、振幅検出用の反射器８０の電極のＬ／Ｓ、即ち、電極のラインとスペースの幅を、ＩＤＴ１５や反射器６６のＬ／Ｓと変える、例えば、振幅検出用の反射器８０の電極のラインとスペースの幅を、ＩＤＴ１５や反射器６６の電極のラインとスペースの幅よりも広くするように構成した。これにより、図３９に示すように、振幅検出用の挿入ロスの周波数特性は、位相検出用の挿入ロスの周波数特性よりも急峻な挿入ロスの周波数特性を得ることができる。図３９において、曲線ｈ７は位相検出用の挿入ロスの周波数特性を示し、曲線ｈ８は振幅検出用の挿入ロスの周波数特性を示す。尚、位相検出用の反射器６６の電極のラインとスペースの幅は、ＩＤＴ１５の電極のラインとスペースの幅と同じに設定されている。また、電極膜厚は、ＩＤＴ１５、反射器６６、反射器８０全て同じに設定されている。
【００８１】
上述した以外の第８実施形態の構成は、第６実施形態と同じ構成となっている。従って、第８実施形態においても、第６実施形態とほほ同じ作用効果を得ることができる。特に、第８実施形態によれば、反射器８０の反射基本数を増やす必要が無いので、反射波の励振が収まるまでの時間が短くなり、伝搬路長を短くすることができる。よって、ＳＡＷデバイスのチップサイズを小さくすることができる。
【００８２】
（第９実施形態）
図４０は、第９実施形態を示すものである。尚、第６実施形態または第８実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第６実施形態または第８実施形態では、位相検出用の反射器と振幅検出用の反射器を、ＩＤＴの両側に配置するように構成したが、第９実施形態では、位相検出用の反射器と振幅検出用の反射器を、ＩＤＴの片側に配置するように構成した。
【００８３】
具体的には、図４０に示すように、ＩＤＴ８１の片側例えば右側に、位相検出用の反射器８２と、振幅検出用の反射器８３を配置した。この場合、振幅検出用の反射器８３の伝搬路長を、位相検出用の反射器８２の伝搬路長よりも短くするように構成した。
【００８４】
上述した以外の第９実施形態の構成は、第６実施形態または第８実施形態と同じ構成となっている。従って、第９実施形態においても、第６実施形態または第８実施形態とほほ同じ作用効果を得ることができる。
【００８５】
（第１０実施形態）
図４１及び図４２は、第１０実施形態を示すものである。ＳＡＷデバイスの反射器としては、図４１に示すＯＰＥＮ型の反射器８４と、図４２に示すＳＨＯＲＴ型の反射器８５とがある。ＯＰＥＮ型の反射器８４とＳＨＯＲＴ型の反射器８５は、反射特性が異なる。反射器は、圧電材料や電極材料の物性、ＳＡＷデバイスの設計などによって適切な型が異なる。上述した第１実施形態ないし第９実施形態においては、ＯＰＥＮ型の反射器８４を用いるように構成したが、ＳＨＯＲＴ型の反射器８５を用いるように構成しても良い。即ち、ＳＡＷデバイスの特性として、最大限の特性が得られる構成となれば、ＯＰＥＮ型の反射器８４またはＳＨＯＲＴ型の反射器８５のいずれを使用しても良い。
【００８６】
本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
【符号の説明】
【００８７】
図面中、１０はＳＡＷ無線センサ、１１はＳＡＷデバイス、１２はセンシング装置、１５は櫛形電極、１６は反射器、２１は切替スイッチ、２３は同期検波回路、２４は位相物理量計算回路、３５は位相計算部、３６は折り返し補正部、３７は物理量計算部、４０は位相誤差計算部、４１は第１振幅計算部、４２は第２振幅計算部、４３は振幅比計算部、４４は位相誤差算出部、５０は周波数比率計算部、５１は周波数比率演算部、５５はＳＡＷデバイス、５６、５７は反射器、６０はＳＡＷデバイス、６１、６２は反射器、６５はＳＡＷデバイス、６６は反射器、６７は反射器、６８は反射器、６９は反射器、７０はＳＡＷデバイス、７１はＩＤＴ、７２はＩＤＴ、７３はＩＤＴ、７４はＳＡＷデバイス、７５は反射器、７６はＳＡＷデバイス、８０は反射器、８１はＬＤＴ、８２は反射器、８３は反射器、８４は反射器、８５は反射器である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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