(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の配線間の電気的なショートを抑制できる表示装置を提供する。【解決手段】基板において、第１の端子配線１１１より基板と反対側の層に形成され、第１の端子配線１１１と接続される第１の端子１０９Ａと、基板において、第２の端子配線１１２より基板と反対側の層に形成され、第２の端子配線１１２と接続される第２の端子１０９Ｂとを備え、第１の端子１０９Ａと第２の端子１０９Ｂはそれぞれ、導電部材に対して形成されたコンタクトホール１１５と導電膜とを有し、第１の端子１０９Ａと第２の端子１０９Ｂとは、表示領域の外側に配置され、第１の端子配線１１１と第２の端子配線１１２との並び方向に沿って、第１の端子配線１１１及び第２の端子配線１１２の延在方向において異なる位置に配置され、基板と第１の端子との間には複数の層が形成され、基板と第１の端子との間の積層距離と、基板と第２の端子との間の積層距離とは同一である。【選択図】図１Ｂ
2020201439.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の信号線と複数の画素が形成された表示領域とを有する表示装置であって、
基板と、
前記基板に形成され、前記複数の信号線の何れかに信号を供給する第１の端子配線と、
前記基板に形成され、前記複数の信号線の何れかに信号を供給する第２の端子配線と、
前記基板において、前記第１の端子配線より前記基板と反対側の層に形成され、前記第１の端子配線と接続される第１の端子と、
前記基板において、前記第２の端子配線より前記基板と反対側の層に形成され、前記第２の端子配線と接続される第２の端子と、
を備え、
前記第１の端子と前記第２の端子はそれぞれ、導電部材に対して形成されたコンタクトホールと導電膜とを有し、
前記第１の端子と前記第２の端子とは、前記表示領域の外側に配置され、前記第１の端子配線と前記第２の端子配線との並び方向に沿って、前記第１の端子配線及び前記第２の端子配線の延在方向において異なる位置に配置され、
前記基板と前記第１の端子との間には複数の層が形成されており、
前記基板と前記第２の端子との間には複数の層が形成されており、
前記第１の端子配線と前記第２の端子配線とは、前記基板上の異なる層に形成され、
前記基板と前記第１の端子との間の積層距離と、前記基板と前記第２の端子との間の積層距離とは、同一である、
表示装置。
【請求項２】
前記基板と前記第１の端子との間の層数と、前記基板と前記第２の端子との間の層数とは、同じである、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記導電部材は、第１の導電物であり、
前記第１の端子は、前記第１の端子配線に対して前記基板と反対側に前記第１の導電物を介して形成された第１のコンタクトホールと、前記第１のコンタクトホールを被って前記第１の導電物を介して前記第１の端子配線に接続された第１の導電膜と、を有し、
前記第１の端子配線と前記第１の導電物との間には、第１の絶縁層が形成され、
前記第１の導電物と前記第１の導電膜との間には、第２の絶縁層が形成された、
請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記導電部材は、第１の導電物であり、
前記第１の端子は、第１部分と、前記第１部分に対して前記第１の端子配線の延在方向に隣接する第２部分と、を含み、
前記第１の端子は、
前記第１部分において前記第１の端子配線に対して前記基板と反対側に前記第１の導電物を介して形成された第１のコンタクトホールと、
前記第２部分において前記第１の端子配線に対して前記基板と反対側に第１の絶縁層及び前記第１の導電物を介して形成された第２のコンタクトホールと、
前記第１のコンタクトホール及び前記第２のコンタクトホールを被って、且つ、前記第１部分においては前記第１の導電物を介して前記第１の端子配線に接続され、前記第２部分においては前記第１の導電物に接続された第１の導電膜と、
を有し、
前記第１の端子配線と前記第１の導電物との間には、前記第１の絶縁層が形成され、
前記第１の導電物と前記第１の導電膜との間には、第２の絶縁層が形成された、
請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記導電部材は、前記第１の端子配線及び第１の導電物であり、
前記第１の端子は、第１部分と、前記第１部分に対して前記第１の端子配線の延在方向に隣接する第２部分と、を含み、
前記第１の端子は、
前記第１部分において前記第１の端子配線に対して前記基板と反対側に形成された第１のコンタクトホールと、
前記第２部分において前記第１の端子配線に対して前記基板と反対側に第１の絶縁層及び前記第１の導電物を介して形成された第２のコンタクトホールと、
前記第１のコンタクトホール及び前記第２のコンタクトホールを被って、且つ、前記第１部分においては前記第１の端子配線に接続され、前記第２部分においては前記第１の導電物に接続された第１の導電膜と、
を有し、
前記第２部分において、前記第１の導電物と前記第１の導電膜との間には、第２の絶縁層が形成され、
前記第１部分において、前記第１の端子配線と前記第１の導電膜との間には、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層が形成された、
請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記導電部材は、前記第２の端子配線であり、
前記第２の端子は、前記第２の端子配線に対して前記基板と反対側に形成された第３のコンタクトホールと、前記第３のコンタクトホールを被って前記第２の端子配線に接続された第２の導電膜と、を有し、
前記第２の端子配線と前記第２の導電膜との間には、前記第２の絶縁層が形成され、
前記第２の端子配線に対して前記基板側に第２の導電物又は絶縁物が形成され、
前記第２の端子配線と前記第２の導電物又は前記絶縁物との間に、前記第１の絶縁層が形成される、
請求項３〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の端子は、２以上の前記第１のコンタクトホールを有する、
請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１の端子は、前記第１部分では２以上の前記第１のコンタクトホールを有し、前記第２部分では２以上の前記第２のコンタクトホールを有し、
請求項４又は５又に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２の端子は、２以上の前記第３のコンタクトホールを有する、
請求項６又に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２の導電物又は前記絶縁物の膜厚は、前記第１の端子配線と同じ膜厚である、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第２の導電物又は前記絶縁物の材料は、前記第１の端子配線と同じ材料である、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２の導電物又は前記絶縁物の材料は、前記第１の絶縁層と同じ材料である、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１の端子配線及び前記第２の端子配線の材料は、同じ材料で形成された、
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１の端子配線及び前記第２の端子配線の材料は、アルミニウム又は銅である、
請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１の端子及び前記第２の端子は、前記信号線への信号を供給するドライバＩＣのバンプに電気的に接続される、
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記複数の信号線は、複数のゲート線と、前記複数のゲート線に交差する複数のソース線と、を含む、
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記表示装置は、車両に搭載された、
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、複数の信号線と複数の画素が形成された表示領域とを有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マトリックス型の液晶表示装置が知られている。マトリックス型の液晶表示装置は、複数の配線と、配線に信号を供給する複数の端子と、端子に接続される半導体チップと、を備える。複数の配線と複数の端子と半導体チップとの位置関係として、例えば特許文献１に示されるような位置関係が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２０７９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
複数の画素に信号を供給する複数の配線間の電気的なショートを加味すると、マトリックス型の液晶表示装置の構成には改善の余地がある。
【０００５】
本開示は、複数の画素に信号を供給する複数の配線間の電気的なショートを抑制できる表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様は、複数の信号線と複数の画素が形成された表示領域とを有する表示装置であって、基板と、前記基板に形成され、前記複数の信号線の何れかに信号を供給する第１の端子配線と、前記基板に形成され、前記複数の信号線の何れかに信号を供給する第２の端子配線と、前記基板において、前記第１の端子配線より前記基板と反対側の層に形成され、前記第１の端子配線と接続される第１の端子と、前記基板において、前記第２の端子配線より前記基板と反対側の層に形成され、前記第２の端子配線と接続される第２の端子と、を備え、前記第１の端子と前記第２の端子はそれぞれ、導電部材に対して形成されたコンタクトホールと導電膜とを有し、前記第１の端子と前記第２の端子とは、前記表示領域の外側に配置され、前記第１の端子配線と前記第２の端子配線との並び方向に沿って、前記第１の端子配線及び前記第２の端子配線の延在方向において異なる位置に配置され、前記基板と前記第１の端子との間には複数の層が形成されており、前記基板と前記第２の端子との間には複数の層が形成されており、前記第１の端子配線と前記第２の端子配線とは、前記基板上の異なる層に形成され、前記基板と前記第１の端子との間の積層距離と、前記基板と前記第２の端子との間の積層距離とは、同一である、表示装置である。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、複数の画素に信号を供給する複数の配線間の電気的なショートを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】実施形態における表示装置の構成例を示す図
【図１Ｂ】図１Ａの部分ＡにおけるＴＦＴ基板を構成の概要を説明するための図
【図２】図１Ａの部分ＡのＡ−Ａ’断面図
【図３Ａ】ＴＦＴ基板の第１構成例を示す平面図
【図３Ｂ】図３ＡのＡ−Ａ’断面図
【図３Ｃ】図３ＡのＢ−Ｂ’断面図
【図４Ａ】ＴＦＴ基板の第１構成例において発生した腐食生成物を透視して示す平面図
【図４Ｂ】図４ＡのＡ−Ａ’断面図
【図４Ｃ】比較例におけるＴＦＴ基板において発生した腐食生成物を透視して示す平面図
【図４Ｄ】図４ＣのＡ−Ａ’断面図
【図５Ａ】ＴＦＴ基板の第２構成例を示す平面図
【図５Ｂ】図５ＡのＡ−Ａ’断面図
【図５Ｃ】図５ＡのＢ−Ｂ’断面図
【図６Ａ】ＴＦＴ基板の第３構成例を示す平面図
【図６Ｂ】図６ＡのＡ−Ａ’断面図
【図６Ｃ】図６ＡのＢ−Ｂ’断面図
【図７Ａ】ＴＦＴ基板の第４構成例を示す平面図
【図７Ｂ】図７ＡのＡ−Ａ’断面図
【図７Ｃ】図７ＡのＢ−Ｂ’断面図
【図８Ａ】ＴＦＴ基板の第５構成例を示す平面図
【図８Ｂ】図８ＡのＡ−Ａ’断面図
【図８Ｃ】図８ＡのＢ−Ｂ’断面図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、適宜図面を参照しながら、本開示に係る表示装置を具体的に開示した実施形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。なお、添付図面及び以下の説明は、当業者が本開示を十分に理解するために提供されるのであって、これらにより特許請求の範囲に記載の主題を限定することは意図されていない。
【００１０】
（本開示の一形態を得るに至った経緯）
液晶表示装置は、画素電極及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin-Film-Transistor）等がマトリックス状に形成されたＴＦＴ基板に、画素電極と対応する箇所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が設置され、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持されて構成される。液晶表示装置は、液晶の分子によって光の透過率を画素毎に制御することによって、画像を形成する。
【００１１】
ＴＦＴ基板には、第１方向に延在し第１方向と垂直な第２方向に配列された複数の映像信号線と、第２方向に延在し第１方向に配列された複数の走査信号線と、が形成される。映像信号線と走査信号線とで囲まれた表示領域に、画素が形成される。画素は、画素電極と、スイッチング素子であるＴＦＴと、から構成される。
【００１２】
ＴＦＴ基板の表示領域の外側の周囲には、複数の端子が形成される。複数の端子は、
端子に接続される配線（端子配線）を介して映像信号線に信号（映像信号）を供給するための端子、端子配線を介して走査信号線に信号（走査信号）を供給するための端子、を含む。これらの端子には、半導体チップのバンプが接続される。また、端子配線は、メタル配線で形成され、多数設けられる。
【００１３】
メタル配線は、メタル配線自体は腐食し易いが、絶縁層で覆われることで腐食し難い状態を維持できる。しかし、端子を形成するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とメタル配線との電気的接続を確保するために絶縁層にコンタクトホールを設けると、絶縁層の一部が削られ、コンタクトホールを起点としてメタル配線の位置から腐食し易くなる。腐食すると、例えばメタル配線の一部が溶け出した腐食生成物が生成される。
【００１４】
複数のメタル配線同士がＴＦＴ基板において同層に形成されると、複数のメタル配線同士の距離（隣接配線間距離）が短い場合、いずれかのメタル配線で生じた腐食生成物によって、隣接するメタル配線との間で電気的なショート（短絡）が発生し易くなり、線欠陥が発生し易くなる。近年、隣接配線間距離は、高精細化に伴って画素数が増加し、画素へ信号を供給するメタル配線の数も増加しているため、短くなる傾向にあり、隣接配線間で一層ショートし易くなっている。
【００１５】
以下の実施形態では、複数の画素に信号を供給する複数の配線間の電気的なショートを抑制できる表示装置について説明する。
【００１６】
図１Ａは、実施形態における表示装置１００の構成例を示す図である。図１Ｂは、図１Ａの部分ＡにおけるＴＦＴ基板の構成の概要を説明するための図である。図２は、図１ＡのドライバＩＣ１０５の周辺の部分ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【００１７】
本実施形態では、説明を簡単にするために、以下のようにｘ方向、ｙ方向、ｚ方向を定義する。ｘ方向は、後述するメタル配線の延在方向と垂直な方向である。ｙ方向は、メタル配線の延在方向である。ｚ方向は、ＴＦＴ基板における各層の積層方向である。
【００１８】
表示装置１００は、マトリックス型ディスプレイであり、アクティブ型でもパッシブ型でもよい。表示装置１００は、液晶ディスプレイでも、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）ディスプレイでもよい。表示装置１００は、任意の位置に配置され、例えば車両内に配置される。車両は様々な環境（例えば高温、高湿の環境下）に配置され得るので、車両内に表示装置１００が設置されると、車両の環境によってはメタル配線の腐食が進み易くなる。
【００１９】
表示装置１００は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）１０２、ソースＩＣ１０４、ゲートＩＣ１０６、第１ガラス基板１０８、遮光機能を有するブラックマトリクス１３０、及び第２ガラス基板１３２を含む構成である。この構成は一例であり、これらの構成の一部が省略されたり、他の構成が追加されたりしてもよい。表示装置１００を第２ガラス基板１３２側から見ると、およそ第１ガラス基板１０８と第２ガラス基板１３２との２つの基板が対向する範囲が、表示領域Ｄ１となる。表示領域Ｄ１では、バックライト光源、偏光板、第１ガラス基板１０８、ＴＦＴ、画素電極、液晶、対向電極、カラーフィルタ、第２ガラス基板１３２、偏光板、等を備え、その他の構成となっていてもよい。表示領域Ｄ１では、複数の信号線が交差して配置され、複数の画素が形成されている。複数の信号線は、映像信号線としての複数のソース線（不図示）と走査信号線としての複数のゲート線（不図示）とを含む。ソース線とゲート線とは例えば垂直に交差する。画素は、例えば画素電極とＴＦＴにより形成される。
【００２０】
表示装置１００では、第１ガラス基板１０８に、表示装置１００を構成する各部品が実装される。ＦＰＣ１０２は、外部からの電源信号や各種信号（例えば画像を表示するためのソースやゲートに供給される映像信号や走査信号）を伝送可能である。ＦＰＣ１０２は、例えばソースＩＣ１０４と対向して配置され、第１ガラス基板１０８の端部に配置されてよい。ソースＩＣ１０４は、メタル配線（端子配線の一例）を介してソース線に映像信号を供給し、ＴＦＴのソースを駆動する。ゲートＩＣ１０６は、メタル配線（端子配線の一例）を介してゲート線に走査信号を供給し、ＴＦＴのゲートを駆動する。ソースＩＣ１０４とゲートＩＣ１０６を総称して、ドライバＩＣ１０５とも称する。なお、ゲートＩＣ１０６は、ブラックマトリクス１３０内に配置されてもよい。なお、メタル配線は、後述するように、第１メタル配線と第２メタル配線とを含む。
【００２１】
ドライバＩＣ１０５（例えばソースＩＣ１０４、ゲートＩＣ１０６）は、表示領域Ｄ１の外側に配置される。ドライバＩＣ１０５の周辺部分では、ＴＦＴ基板１０７と、導電粒子１２０を含有する異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）１１８と、バンプ１２２を有するドライバＩＣ１０５と、が積層される。例えば、接着剤としてのＡＣＦ１１８を加熱して圧着して硬化させ、ＡＣＦ１１８を介してドライバＩＣ１０５とＴＦＴ基板１０７とを接着する。
【００２２】
なお、表示領域Ｄ１の所定方向（例えば図１の横方向）の長さは、ドライバＩＣ１０５の所定方向の長さより長い。そのため、各ドライバＩＣ１０５に電気的に接続されるメタル配線は、所定方向に拡がるように配置される箇所があり、表示領域Ｄ１内の全体において信号線と電気的に接続される。
【００２３】
図２に示すように、ＴＦＴ基板１０７は、視聴者側と反対側から順に、第１ガラス基板１０８、第１メタル配線１１１（図２では不図示、図３Ａ等参照）、第１絶縁層１１０、第２メタル配線１１２、第２絶縁層１１４、ＩＴＯ１１６、等が積層されて形成される。ＩＴＯ１１６の少なくとも一部は、ドライバＩＣ１０５やＦＰＣ１０２との接続のための端子１０９（実装パッド）を構成する。ＴＦＴ基板１０７に形成された端子１０９は、ドライバＩＣ１０５のバンプ１２２との間で、ＡＣＦ１１８を介して電気的に接続（導通）される。後述するように、本実施形態では、ＴＦＴ基板１０７の構成例（ＴＦＴ基板１０７における各部の積層例）として、様々なバリエーションが想定される。なお、ＴＦＴ基板１０７の積層方向において、説明のために、第１ガラス基板１０８側を「下」（ｚ方向負側）、ＩＴＯ１１６側を「上」（ｚ方向正側）とも称する。
【００２４】
導電粒子１２０は、ＡＣＦ１１８内に分散されて含有される。導電粒子１２０は、例えば樹脂の周りに金属膜（例えばニッケル、金）がコーディングされて形成される。導電粒子１２０は、容易に潰れるように構成されていてよい。導電粒子１２０の大きさは、例えば３．５μｍ程度でよい。導電粒子１２０が圧力により潰されると、２／３程度の大きさとなる。例えば、端子１０９の設計に合わせて、導電粒子１２０の具体的な材料やサイズが選択される。
【００２５】
ＡＣＦ１１８が配置される層は、ＩＴＯ１１６及びバンプ１２２が存在する箇所では、ＩＴＯ１１６及びバンプ１２２が不在である箇所と比較して、層の厚さが小さくなる。よって、ＩＴＯ１１６とバンプ１２２との間では、導電粒子１２０が圧力により潰され易い。ＩＴＯ１１６とバンプ１２２との間の距離によって、導電粒子１２０の潰れ具合が異なる。導電粒子１２０の潰れ具合によって、導電粒子１２０とＩＴＯ１１６又はバンプ１２２との接触面積や密着度が変わるので、ＩＴＯ１１６及びバンプ１２２を介した導通性能が変化し、電気的特性に影響し得る。
【００２６】
なお、ＩＴＯ１１６及びバンプ１２２の間では、導電粒子１２０が潰れた状態で、ＡＣＦ１１８を熱硬化させる。これにより、ＩＴＯ１１６とバンプ１２２とが電気的に接合される。
【００２７】
図１Ｂでは、ドライバＩＣ１０５の周辺の部分Ａ、つまり端子１０９付近のＴＦＴ基板１０７の構成例が示されている。なお、ここでは、ソースＩＣ１０４の周辺部分について例示しているが、ゲートＩＣ１０６の周辺部分についても同様である。
【００２８】
メタル配線とＩＴＯ１１６との電気的接続を得るために、メタル配線とＩＴＯ１１６との間に位置する絶縁膜（絶縁層）に、貫通孔としてのコンタクトホール１１５が設けられる。コンタクトホール１１５は、絶縁層の一部が除去されることで形成される。コンタクトホール１１５には、ＩＴＯ１１６の一部が配置される。よって、ＩＴＯ１１６は、絶縁膜の上部に位置する部分と、絶縁膜に設けられたコンタクトホール１１５に位置する部分と、を含み、凸凹形状を有する。ＡＣＦ１１８の導電粒子１２０の大部分は、ＩＴＯ１１６の凸部分と接し、凹部分とは接しない。なお、ＩＴＯ１１６の凹部分に至る粒子も存在し得る。この場合、導電粒子の潰れ方が、凹部分に位置する導電粒子１２０の量や凹部分の大きさによって変化することがあり、導電粒子の抵抗値が変化し得る。
【００２９】
メタル配線は、表示領域Ｄ１内の信号線に接続されるため、表示領域Ｄ１に向かって延びている。ソースＩＣ１０４に接続される端子１０９（例えば第１端子１０９Ａ，第２端子１０９Ｂ）のＩＴＯ１１６（例えばＩＴＯ１１６Ａ，１１６Ｂ）に接続されるメタル配線（例えば第１メタル配線１１１、第２メタル配線１１２）は、ソース線に接続される。ソースＩＣ１０４に接続される端子１０９は、ソース端子となる。ゲートＩＣ１０６に接続される端子１０９（例えば第１端子１０９Ａ，第２端子１０９Ｂ）のＩＴＯ１１６（例えばＩＴＯ１１６Ａ，１１６Ｂ）に接続されるメタル配線（例えば第１メタル配線１１１、第２メタル配線１１２）は、ゲート線に接続される。ゲートＩＣ１０６に接続される端子１０９は、ゲート端子となる。
【００３０】
端子１０９は、複数（例えば２つ）のグループに分類される。例えば第１グループの端子を第１端子１０９Ａとし、第２グループの端子を第２端子１０９Ｂとする。各グループの端子（例えば第１端子１０９Ａ，第２端子１０９Ｂ）は、ｘ方向に沿って、ｙ方向において、ずれを持って配置される。図２では、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとが交互にｙ方向において異なる２つの位置に配置されている。第１端子１０９Ａには、第１メタル配線１１１が電気的に接続される。第２端子１０９Ｂには、第２メタル配線１１２が電気的に接続される。なお、グループの数は３つ以上であってもよい。この場合、複数の端子１０９が、ｘ方向に沿って、順番に反復してｙ方向において異なる３つ以上の位置に配置されてよい。
【００３１】
次に、ＴＦＴ基板１０７の様々な構成例について説明する。ここでは、ＴＦＴ基板１０７の第１構成例〜第５構成例について説明する。ＴＦＴ基板１０７の各構成例は、例えば図１ＡのドライバＩＣ１０５の周辺の部分Ａの様子を示し、つまり表示領域Ｄ１外における構成例を示している。
【００３２】
ＴＦＴ基板１０７では、第１ガラス基板１０８の上に複数の層が積層される。第１ガラス基板１０８上の各層は、例えばフォトリソグラフィによって形成される。層毎に、フォトリソグラフィにおけるパターン形成やエッチング等が行われ、メタル配線、絶縁層、ＩＴＯ等の各部が形成される。各層（階層）の厚さ（ｚ方向長さ）（膜厚）は、ＴＦＴ基板１０７内でほぼ均一であり、同じ層に形成される各部では、第１ガラス基板１０８からの距離が同じになる。なお、膜厚は、フォトリソグラフィの前の成膜工程で決定され得る。
【００３３】
（ＴＦＴ基板の第１構成例）
図３Ａは、ＴＦＴ基板１０７Ａの第１構成例（ＴＦＴ基板１０７Ａ）を示す平面図である。図３Ｂは、図３ＡのＡ−Ａ’断面図である。図３Ｃは、３ＡのＢ−Ｂ’断面図である。なお、図３Ａでは、図１Ｂにおいて説明した事項と同様の事項については、その説明を省略又は簡略化する。なお、図３Ａにおいて、第１ガラス基板１０８の記載は省略されている。
【００３４】
図３Ａに示すように、ＴＦＴ基板１０７Ａは、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとを含む。第１端子１０９Ａは、ｙ方向に沿って第１部分Ｐ１１及び第２部分Ｐ１２を含む。第１端子１０９Ａの第１部分Ｐ１１は、ＩＴＯ１１６Ａの一部とコンタクトホール１１５（１１５Ａ）とを含む。第１端子１０９Ａの第２部分Ｐ１２は、ＩＴＯ１１６Ａの他部とコンタクトホール１１５（１１５Ｂ）とを含む。第２端子１０９Ｂは、ＩＴＯ１１６Ｂとコンタクトホール１１５（１１５Ａ）とを含む。
【００３５】
第１端子１０９Ａの第１部分Ｐ１１は、コンタクトホール１１５Ａを介して第２メタル配線１１２Ａと対向する。ここでのコンタクトホール１１５Ａは、１つ以上存在し、例えば３つ設けられる。第１端子１０９Ａの第２部分Ｐ１２は、コンタクトホール１１５Ｂを介して第１メタル配線１１１と対向する。ここでのコンタクトホール１１５Ｂは、１つ以上存在し、例えば２つ設けられる。第１メタル配線１１１は、表示領域Ｄ１に向かって延びる。なお、コンタクトホール１１５の数は任意である。
【００３６】
第２端子１０９Ｂは、コンタクトホール１１５Ａを介して第２メタル配線１１２と対向する。ここでのコンタクトホール１１５Ａは、１つ以上存在し、例えば５つ設けられる。第２メタル配線１１２は、表示領域Ｄ１に向かって延びる。
【００３７】
図３Ｂに示すように、第１端子１０９Ａの第１部分Ｐ１１に対応するＩＴＯ１１６Ａの第１部分は、第２絶縁層１１４に所定の間隔で設けられたコンタクトホール１１５Ａの形状に合わせて、ＩＴＯ１１６Ａの凹凸が形成されている。ＩＴＯ１１６Ａの第１部分は第２メタル配線１１２Ａと接し、電気的に接続される。ＩＴＯ１１６Ａの第１部分に対向するＴＦＴ基板１０７Ａの範囲では、ｚ方向の下側から順に、第１ガラス基板１０８、第１絶縁層１１０、第２メタル配線１１２Ａ、第２絶縁層１１４、及びＩＴＯ１１６Ａの順に積層されている。
【００３８】
また、第１端子１０９Ａの第２部分Ｐ１２に対応するＩＴＯ１１６Ａの第２部分は、第１絶縁層１１０及び第２絶縁層１１４に所定の間隔で設けられたコンタクトホール１１５Ｂの形状に合わせて、ＩＴＯ１１６Ａの凹凸が形成されている。このようにコンタクトホール１１５Ｂは、２つの層を貫通する貫通孔であるので、１つの層を貫通する貫通孔としてのコンタクトホール１１５Ａよりも大きい。よって、ＩＴＯ１１６Ａの第２部分の凹凸（例えば凹）は、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分の凹凸（例えば凹）よりも大きく（例えば深く）形成される。ＩＴＯ１１６Ａの第２部分は第１メタル配線１１１と接し、電気的に接続される。第１端子１０９Ａの第２部分に対向するＴＦＴ基板１０７Ａの範囲では、ｚ方向の下側から順に、第１ガラス基板１０８、第１メタル配線１１１、第１絶縁層１１０、第２絶縁層１１４、及びＩＴＯ１１６Ａの順に積層されている。
【００３９】
図３Ｃに示すように、第２端子１０９Ｂに対応するＩＴＯ１１６Ｂは、第２絶縁層１１４に所定の間隔で設けられたコンタクトホール１１５Ａの形状に合わせて、ＩＴＯ１１６Ｂの凹凸が形成されている。ＩＴＯ１１６Ｂに対応するコンタクトホール１１５Ａの凹凸の大きさは、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分に対応するコンタクトホール１１５Ａの凹凸の大きさと同じである。ＩＴＯ１１６Ｂは、第２メタル配線１１２と接し、電気的に接続される。第２端子１０９Ｂに対向するＴＦＴ基板１０７Ａの範囲では、ｚ方向の下側から順に、第１ガラス基板１０８、第１絶縁層１１０、第２メタル配線１１２、第２絶縁層１１４、及びＩＴＯ１１６Ｂの順に積層されている。
【００４０】
よって、第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２とは、ＴＦＴ基板１０７において異なる層に配置される。
【００４１】
また、図３Ａに示すように、第１メタル配線１１１及び第２メタル配線１１２は、第１端子１０９Ａにｚ方向で対向する部分の幅（ｘ方向の長さ）と、端子１０９にｚ方向で対向しない部分の幅と、を比較すると、第１端子１０９Ａにｚ方向で対向する部分の幅が太く（長く）されている。第１メタル配線１１１の第１端子１０９Ａとの非対向部分におけるｘ方向の長さｗ１（線幅）は、例えば数μｍ程度である。第１メタル配線１１１の第１端子１０９Ａとの対向部分におけるｘ方向の長さｗ２（線幅）は、第１端子１０９Ａのｘ方向の長さとほぼ等しく、例えば数μｍの２〜３倍程度である。端子１０９のｙ方向の長さｗ３は、例えば１００μｍ程度である。隣接するメタル配線である第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２との間隔ｗ４（線間）は、例えば５０μｍ以下であり、例えば数μｍ程度である。第１メタル配線１１１及び第２メタル配線１１２の線幅や線間のサイズは、同じでも異なってもよい。第１端子１０９Ａ及び第２端子１０９Ｂのｘ方向、ｙ方向、及びｚ方向のサイズは、同じでも異なってもよい。また、異なる層のメタル配線は、膜厚（ｚ方向のサイズ（厚み））を同等としてよい（例えば０．２μ〜０．３μｍ）。異なる層のメタル配線は、少なくとも、膜厚差がＡＣＦ１１８内の導電粒子１２０の弾性変形量より小さくことで、異なる層のメタル配線同士で腐食生成物１２４がｚ方向において到達することを抑制できる。また、第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２との膜厚が同じである場合、ドライバＩＣ１０５とＴＦＴ基板１０７との電気的な接続安定性が向上する。
【００４２】
第１メタル配線１１１及び第２メタル配線１１２は、任意の導電性材料で形成されてよく、銅、アルミニウム、モリブデン、等である。なお、銅やアルミニウムは、低抵抗の配線であるが腐食しやすい。第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２とは、同じ材料で形成されても異なる材料で形成されてもよい。なお、第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２とで材料が異なると、配線抵抗が異なり、配線の線径を調整する必要があるので、材料が同じであることが好ましい。また、第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２との材料が同じであると、膜厚が同じになり易く、ドライバＩＣ１０５とＴＦＴ基板１０７との電気的な接続安定性が一層向上する。
【００４３】
第１絶縁層１１０及びが第２絶縁層１１４は、任意の絶縁性材料で形成されてよく、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、等である。第１絶縁層１１０と第２絶縁層１１４とは、同じ材料で形成されても異なる材料で形成されてもよい。第１絶縁層１１０及び第２絶縁層１１４のｘ方向、ｙ方向、及びｚ方向のサイズ（例えば層の厚さ、膜厚）は、同じでも異なってもよい（例えば０．２μ〜０．３μｍ）。なお、第１絶縁層１１０及び第２絶縁層１１４の膜厚が同じであると、異なる層に配置される第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２とをｚ方向に安定して離間でき、腐食生成物が隣接するメタル配線へ到達することを抑制し易くなる。
【００４４】
上述した各メタル配線の材料やサイズ、各絶縁層を形成する材料やサイズ、等は、他の構成例においても共通に適用されてよい。
【００４５】
また、第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ａの第一部分の上端までの長さＬ１１と、第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ａの第二部分の上端までの長さＬ１２と、第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ｂの上端までの長さＬ１３とは、同じ長さである。第１構成例では、異なる層に位置する第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２とがｚ方向において重なり合わずに、Ｌ１１〜Ｌ１３の長さが同じ長さとされており、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとのｚ方向位置が揃っている。具体的には、第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ａの上端までの長さ及びＩＴＯ１１６Ｂの上端までの長さは、いずれも４層分の厚さに相当する長さとなる。なお、ＴＦＴ基板１０７Ａにおける各層の厚さは、同じ厚さでよい。
【００４６】
なお、ＩＴＯ１１６Ａに対向する第２メタル配線１１２Ａは、単に、長さＬ１１，Ｌ１２を合わせるために挿入されている。そのため、第２メタル配線１１２Ａは、長さＬ１１，Ｌ１２を合わせることができれば、第２メタル配線１１２Ａ以外の導電物（例えば第１メタル配線、その他の導電物）でも絶縁物（例えば第１絶縁層１１０、第２絶縁層１１４、その他の絶縁物）でもよい。
【００４７】
図４Ａは、ＴＦＴ基板１０７Ａの第１構成例において発生した腐食生成物１２４を透視して示す平面図である。図４Ｂは、図４ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【００４８】
図４Ａに示すように、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとは、ｘ方向（第１メタル配線及び第２メタル配線の並び方向）に沿って、ｙ方向（第１メタル配線及び第２メタル配線の延在方向）において交互に異なる位置に配置（つまり千鳥配置）される。このことは、他のＴＦＴ基板１０７の構成例でも同様である。よって、ｘ方向において隣り合う２つの第１端子１０９Ａの間の距離は、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとがｙ方向において同じ位置に配置されると仮定した場合の隣り合う第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとの間の距離と比較すると、長い。よって、例えば第２メタル配線１１２Ａに腐食生成物１２４が発生した場合でも、腐食生成物１２４が隣の第１端子１０９Ａの第２メタル配線１１２Ａに到達し難く、隣り合う第２メタル配線１１２Ａの間で電気的なショートが発生し難い。
【００４９】
また、隣り合う第２端子１０９Ｂの間の距離は、隣り合う第１端子１０９Ａの間の距離と同じ距離である。隣り合う第２端子１０９Ｂの間には、第１端子１０９Ａに接続された第１メタル配線１１１がｙ方向に沿って延びている。よって、ｚ方向において第２端子１０９Ｂと対向する第２メタル配線１１２と、ｘ方向においてこの第２メタル配線１１２と隣り合う第１メタル配線１１１と、の距離は、比較的短い。そのため、第２メタル配線１１２で発生した腐食生成物１２４は、ｘ方向において第１メタル配線１１１に対応する位置に到達し易い。
【００５０】
ここで、第１メタル配線１１１は、第１ガラス基板１０８と第１絶縁層１１０との間に配置される。第２メタル配線１１２は、第１絶縁層１１０と第２絶縁層１１４との間に配置される。よって、図４Ｂに示すように、第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２とは、ＴＦＴ基板１０７Ａにおいて配置される層が異なり、第１ガラス基板１０８からの距離が異なる。また、腐食生成物１２４は、隣接する層（ここでは第１絶縁層１１０及び第２絶縁層１１４）の界面に沿って延びる。したがって、第２メタル配線１１２で発生した腐食生成物１２４は、第１メタル配線１１１には到達せず、電気的なショートは抑制される。なお、コンタクトホールに対向する第１メタル配線や第２メタル配線は、腐食生成物１２４の元となり得る導電部材の一例となる。
【００５１】
図４Ｃは、比較例におけるＴＦＴ基板１０７Ｘにおいて発生した腐食生成物１２４Ｘを透視して示す平面図である。図４Ｄは、図４ＣのＡ−Ａ’断面図である。なお、この比較例に係る構成では、本実施形態中の部材と同一の部材については末尾に「Ｘ」を付加して示す。ＴＦＴ基板１０７Ａの第１構成例と比較例のＴＦＴ基板１０７Ｘの構成との差異は、第１端子１０９ＡＸがｚ方向において第１メタル配線１１１Ｘと対向するが、第２メタル配線１１２Ａに相当するような第２メタル配線とは対向していないこと、また、第１メタル配線１１１Ｘと第２メタル配線１１２Ｘとが同一の層に配置されることである。
【００５２】
図４Ｃに示すように、第１端子１０９ＡＸと第２端子１０９ＢＸとは、ｘ方向に沿って、ｙ方向において交互に異なる位置に配置（つまり千鳥配置）される。よって、ｘ方向において隣り合う２つの第１端子１０９ＡＸの間の距離は、第１端子１０９ＡＸと第２端子１０９ＢＸとがｙ方向において同じ位置に配置されると仮定した場合の隣り合う第１端子１０９ＡＸと第２端子１０９ＢＸとの間の距離と比較すると、長い。よって、例えば第１メタル配線１１１Ｘに腐食生成物１２４Ｘが発生した場合でも、腐食生成物１２４Ｘが隣の第１端子１０９ＡＸの第１メタル配線１１１Ｘに到達し難く、隣り合う第２メタル配線１１２Ｘの間で電気的なショートが発生し難い。
【００５３】
また、隣り合う第２端子１０９ＢＸの間の距離は、隣り合う第１端子１０９ＡＸの間の距離と同じ距離である。隣り合う第２端子１０９Ｂの間には、第１端子１０９ＡＸに接続された第１メタル配線１１１Ｘがｙ方向に沿って延びている。よって、ｚ方向において第２端子１０９ＢＸと対向する第２メタル配線１１２Ｘと、ｘ方向においてこの第２メタル配線１１２Ｘと隣り合う第１メタル配線１１１Ｘと、の距離は、比較的短い。そのため、第２メタル配線１１２Ｘで発生した腐食生成物１２４Ｘは、ｘ方向において第１メタル配線１１１Ｘに到達し易い。
【００５４】
ここで、第１メタル配線１１１Ｘと第２メタル配線１１２Ｘとは、ガラス基板１０８Ｘ上で同一の層に配置される。また、腐食生成物１２４Ｘは、隣接する層（ここでは第１絶縁層１１０Ｘ及び第２絶縁層１１４Ｘ）の界面に沿って延びる。したがって、第２メタル配線１１２Ｘで発生した腐食生成物１２４Ｘは、第１メタル配線１１１Ｘには到達し、電気的なショートが発生し易い。
【００５５】
これに対し、本実施形態では、ＴＦＴ基板１０７Ａの第１構成例によれば、第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２とを異なる層に配置することで、隣接する配線パターンのｘ方向の距離を確保せずに、電気的ショートを抑制できる。また、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとを千鳥配置とすることで、同層の配線間距離を拡大できる。よって、表示装置１００がより高精細化しても電気的ショートを抑制できる。
【００５６】
また、長さＬ１１，Ｌ１２，Ｌ１３を揃えることで、ｙ方向におけるメタル配線の位置毎にＩＴＯ１１６のｚ方向位置が異なり、ＩＴＯ１１６の凸部において段差ができることを抑制でき、導電粒子１２０の圧着状態を均一にできる。よって、均一な電気的特性が得られ、電気的な接続安定性を向上できる。
【００５７】
（ＴＦＴ基板の第２構成例）
図５Ａは、ＴＦＴ基板１０７の第２構成例（ＴＦＴ基板１０７Ｂ）を示す平面図である。図５Ｂは、図５ＡのＡ−Ａ’断面図である。図５Ｃは、図５ＡのＢ−Ｂ’断面図である。なお、第２構成例において、前述した第１構成例と同様の構成については、その説明を省略又は簡略化する。なお、図５Ａにおいて、第１ガラス基板１０８の記載は省略されている。
【００５８】
図５Ａに示すように、ＴＦＴ基板１０７Ｂは、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとを含む。第１端子１０９Ａは、ＩＴＯ１１６Ａ及びコンタクトホール１１５（１１５Ｃ）を含む。第２端子１０９Ｂは、ＩＴＯ１１６Ｂ及びコンタクトホール１１５（１１５Ｃ）を含む。
【００５９】
ＩＴＯ１１６Ａは、コンタクトホール１１５Ｃを介して第２メタル配線１１２Ｂと対向する。ここでのコンタクトホール１１５Ｃは、１つ以上存在し、例えば５つ設けられる。第２メタル配線１１２Ｂは、第２メタル配線１１２Ｂのｘ方向の長さに合わせて、ＩＴＯ１１６Ａに対向して配置される。第２メタル配線１１２Ｂは、ｚ方向におけるＩＴＯ１１６Ａと反対側では、第１メタル配線１１１と対向する。第１メタル配線１１１は、表示領域Ｄ１に向かって延びる。
【００６０】
ＩＴＯ１１６Ｂは、コンタクトホール１１５（１１５Ｃ）を介して第２メタル配線１１２と対向する。ここでのコンタクトホール１１５Ｃは、１つ以上存在し、例えば５つ設けられる。第２メタル配線１１２は、表示領域Ｄ１に向かって延びる。また、第２メタル配線１１２は、ｚ方向におけるＩＴＯ１１６Ｃと反対側では、第１メタル配線１１１Ａと対向する。第１メタル配線１１１Ａは、第１メタル配線１１１と同じ線幅であってよく、第１メタル配線１１１と同じ材料で形成されてよい。
【００６１】
第１メタル配線１１１は第１の端子配線の一例である。第２メタル配線１１２は第２の端子配線の一例である。第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２とは、異なる層に形成されている。
【００６２】
図５Ｂに示すように、ＩＴＯ１１６Ａは、第２絶縁層１１４に所定の間隔で設けられたコンタクトホール１１５Ｃ（第１のコンタクトホールの一例）の形状に合わせて、ＩＴＯ１１６Ａの凹凸が形成されている。ＩＴＯ１１６Ａは、第２メタル配線１１２Ｂと接し、電気的に接続される。第２メタル配線１１２Ｂは、第２絶縁層１１４と同様に第１絶縁層１１０に所定の間隔で設けられたコンタクトホール１１５Ｃに対応するコンタクトホールの形状に合わせて、第２メタル配線１１２Ｂの凹凸が形成されている。第２メタル配線１１２Ｂは第１メタル配線１１１と接し、電気的に接続される。つまり、ＩＴＯ１１６Ａと第２メタル配線１１２Ｂとは、ｙ方向の対応する位置において凹凸を有し、ＩＴＯ１１６Ａと第１メタル配線１１１とが第２メタル配線１１２Ｂを介して導通される。言い換えると、第１端子１０９Ａは、第１メタル配線１１１の上に第２メタル配線１１２Ｂ（第１の導電物の一例）を介して形成されたコンタクトホール１１５Ｃと、コンタクトホール１１５Ｃを被って第２メタル配線１１２Ｂを介して第１メタル配線１１１に接続されたＩＴＯ１１６Ａ（第１の導電膜の一例）と、を有する。第１端子１０９Ａに対向するＴＦＴ基板１０７Ｂの範囲では、ｚ方向の下側から順に、第１ガラス基板１０８、第１メタル配線１１１、第１絶縁層１１０、第２メタル配線１１２Ｂ、第２絶縁層１１４、及びＩＴＯ１１６Ａの順に積層されている。また、コンタクトホール１１５Ｃは、２層分を貫通する貫通孔であるので、コンタクトホール１１５Ｂと同程度の大きさであり、コンタクトホール１１５Ａより大きい。
【００６３】
図５Ｃに示すように、ＩＴＯ１１６Ｂは、第２絶縁層１１４に所定の間隔で設けられたコンタクトホール１１５Ｃの形状に合わせて、ＩＴＯ１１６Ｂの凹凸が形成されている。ＩＴＯ１１６Ｂは、第２メタル配線１１２と接し、電気的に接続される。図５Ｃでは、第２メタル配線１１２は、第２絶縁層１１４と同様に第１絶縁層１１０に所定の間隔で設けられたコンタクトホール１１５Ｃに対応するコンタクトホールの形状に合わせて、第２メタル配線１１２の凹凸が形成されている。第２メタル配線１１２は、第１メタル配線１１１Ａと接する。つまり、ＩＴＯ１１６Ｂと第２メタル配線１１２とは、ｙ方向の対応する位置において凹凸を有する。言い換えると、第２端子１０９Ｂは、第２メタル配線１１２に対して第１ガラス基板１０８と反対側（ｚ方向正側）に形成されたコンタクトホール１１５Ｃと、コンタクトホール１１５Ｃを被って第２メタル配線１１２に接続されたＩＴＯ１１６Ｂ（第２の導電膜の一例）と、を有する。第２端子１０９Ｂに対向するＴＦＴ基板１０７Ｂの範囲では、ｚ方向の下側から順に、第１ガラス基板１０８、第１メタル配線１１１Ａ、第１絶縁層１１０、第２メタル配線１１２、第２絶縁層１１４、及びＩＴＯ１１６Ｂの順に積層されている。また、図５Ｃのコンタクトホール１１５Ｃは、図５Ｂのコンタクトホール１１５Ｃと同程度の大きさである。
【００６４】
また、第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ａの上端までの長さＬ２１と、第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ｂの上端までの長さＬ２２とは、同じ長さである。第２構成例では、異なる層に配置される第１メタル配線及び第２メタル配線が、第１端子１０９Ａ及び第２端子１０９Ｂに対応するｙ方向の位置において、いずれも存在しており、Ｌ２１，Ｌ２２の長さが同じ長さとされており、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとの高さ（ｚ方向位置）が揃っている。具体的には、第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６の上端までの長さは、いずれも５層分の厚さに相当する長さとなる。よって、第１ガラス基板１０８と第１端子１０９Ａとの間の層数と第１ガラス基板１０８と第２端子１０９Ｂとの間の層数とが同じである。なお、ＴＦＴ基板１０７Ｂにおける各層の厚さは、同じ厚さでよい。
【００６５】
つまり、第１ガラス基板１０８と第１端子１０９Ａ（ＩＴＯ１１６Ａ）との積層距離と、第１ガラス基板１０８と第２端子１０９Ｂ（ＩＴＯ１１６Ｂ）との積層距離とが、同一である。第１ガラス基板１０８と第１端子１０９Ａ（ＩＴＯ１１６Ａ）との積層距離は、例えば、第１ガラス基板１０８の表面（上面）と第１端子１０９ＡのＩＴＯ１１６Ａの主面（導電粒子１２０と接する側の面)との距離でよい。この積層距離は、第１ガラス基板１０８と第１端子１０９Ａとの間に形成された複数の層の厚みでもよい。また、第１ガラス基板１０８と第２端子１０９Ｂ（ＩＴＯ１１６Ｂ）との積層距離は、例えば、第１ガラス基板１０８の表面（上面）と第２端子１０９ＢのＩＴＯ１１６Ｂの主面（導電粒子１２０と接する側の面)との距離でよい。この積層距離は、第１ガラス基板１０８と第２端子１０９Ｂとの間に形成された複数の層の厚みでもよい。
【００６６】
また、第１ガラス基板１０８と第１端子１０９Ａ（ＩＴＯ１１６Ａ）との積層距離とが、第１ガラス基板１０８と第２端子１０９Ｂ（ＩＴＯ１１６Ｂ）との積層距離とが、同一であるとは、厳密に同一の数値であることに限定されない。例えば、０．１μｍ程度の差も同一に含まれる。また、例えば、積層距離の１０パーセント程度の差も同一に含まれる。この差は、例えば、表示装置１００を製造する工程（例えば成膜工程やエッチング工程）で発生する膜厚誤差に起因し得る。
【００６７】
また、図５Ｂ及び図５Ｃに示すように、ＴＦＴ基板１０７Ｂにおける第１端子１０９Ａ付近の層構成と第２端子１０９Ｂ付近の層構成とは、同様の構成となる。よって、長さＬ２１，Ｌ２２の長さを一層揃えやすくなる。また、第１端子１０９Ａ及び第２端子１０９Ｂは、いずれも同じ深さを有するコンタクトホール１１５Ｃを有するので、ＡＣＦ１１８内の導電粒子１２０の圧着状態が同様となり、一層電気的な接続安定性を確保し易くなる。
【００６８】
なお、ＩＴＯ１１６Ａに対向する第２メタル配線１１２Ｂは、単に、長さＬ２１，Ｌ２２と、の長さを合わせ、ＩＴＯ１１６Ａと第１メタル配線１１１とを電気的に接続するために挿入されている。そのため、第２メタル配線１１２Ｂは、距離Ｌ２１，Ｌ２２を合わせ、導電性を有するものであれば、第２メタル配線１１２Ｂ以外の導電物でもよい。例えば、第２メタル配線１１２Ｂを第２メタル配線１１２と同じ膜厚や材料とすることで、Ｌ２１，Ｌ２１を同じ高さに揃えやすくなる。
【００６９】
また、ＩＴＯ１１６Ｂに対向する第１メタル配線１１１Ａは、単に、長さＬ２１，Ｌ２２を合わせるために挿入されている。そのため、第１メタル配線１１１Ａは、長さＬ２１，Ｌ２２を合わせることができれば、第１メタル配線１１１Ａ以外の導電物（第２の導電物の一例）でも絶縁物でもよい。例えば、第１メタル配線１１１Ａのような導電物とする場合、第１メタル配線１１１Ａ等をプリント形成可能であり、製造が容易である。また、例えば、第１メタル配線１１１Ａを第１メタル配線１１１と同じ膜厚や材料とすることで、Ｌ２１，Ｌ２１を同じ高さに揃えやすくなる。また、第１メタル配線１１１Ａの代わりに第１絶縁層１１０を配置してもよく、この場合、周囲に配置される第１絶縁層１１０と同じ材料で形成されるので、形成が容易であり、高さ調整を加味してこれらの第１絶縁層１１０を一体で形成することもできる。
【００７０】
第１メタル配線１１１及び第２メタル配線１１２が同じ材料で形成されてよい。この場合、第１メタル配線１１１及び第２メタル配線１１２の膜厚を揃え易くなり、第１端子１０９Ａ及び第２端子１０９Ｂで同様の導通性能とすることができる。また、この同じ材料は、アルミ又は銅でよい。このように各メタル配線が腐食し易い材料で形成されても、第１メタル配線１１１及び第２メタル配線１１２が配置される層を変えたり高さを揃えることで、腐食生成物１２４を介した電気的なショートが発生することを抑制でき、接続安定性を確保できる。
【００７１】
このように、ＴＦＴ基板１０７Ｂの第２構成例によれば、第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２とを異なる層に配置することで、隣接する配線パターンのｘ方向の距離を確保せずに、電気的ショートを抑制できる。また、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとを千鳥配置とすることで、同層の配線間距離を拡大できる。よって、表示装置１００がより高精細化しても電気的ショートを抑制できる。
【００７２】
また、長さＬ２１，Ｌ２２を揃えることで、ｙ方向におけるメタル配線の位置毎にＩＴＯ１１６のｚ方向位置が異なり、ＩＴＯ１１６の凸部において段差ができることを抑制でき、導電粒子１２０の圧着状態を均一にできる。よって、均一な電気的特性が得られ、ドライバＩＣ１０５との電気的な接続安定性を向上できる。
【００７３】
また、ＡＣＦ１１８の導電粒子１２０がコンタクトホール１１５内にある場合、コンタクトホール１１５の深さによって、変形量が異なるため、接続抵抗が変化し得る。これに対し、第２構成例では、第１端子１０９Ａ及び第２端子１０９Ｂのそれぞれにおいてコンタクトホール１１５Ｃ，１１５Ａの深さで統一されている。よって、端子１０９毎に、導電粒子１２０の変形量や接続抵抗が安定し、電気的接続の安定性を確保できる。
【００７４】
また、複数の端子１０９のそれぞれにおいて複数のコンタクトホール１１５Ａ，１１５Ｃが形成されることで、各端子１０９に凹凸が所定間隔で形成される。これにより、コンタクトホール１１５Ａ，１１５Ｃが端子１０９において１つの場合と比較すると、導電粒子１２０が所定間隔の端子１０９の凸部分に安定して当接できる。よって、端子１０９と導電粒子１２０との接触面積を増やして導電性を安定して確保でできる。
【００７５】
（ＴＦＴ基板の第３構成例）
図６Ａは、ＴＦＴ基板１０７の第３構成例（ＴＦＴ基板１０７Ｃ）を示す平面図である。図６Ｂは、図６ＡのＡ−Ａ’断面図である。図６Ｃは、図６ＡのＢ−Ｂ’断面図である。なお、第３構成例において、前述した第１構成例又は第２構成例と同様の構成については、その説明を省略又は簡略化する。なお、図６Ａにおいて、第１ガラス基板１０８の記載は省略されている。
【００７６】
図６Ａに示すように、第１端子１０９Ａは、ｙ方向に沿って第１部分Ｐ２１と第２部分Ｐ２２とを含む。第１端子１０９Ａの第１部分Ｐ２１は、ＩＴＯ１１６Ａの一部とコンタクトホール１１５（１１５Ｄ）を含む。第１端子１０９Ａの第２部分Ｐ２２は、ＩＴＯ１１６Ａの他部とコンタクトホール１１５Ａとを含む。第２端子１０９Ｂやｙ方向において第２端子１０９Ｂに対応する部分の構成のうち、図５Ａ及び図５Ｃ等に示した第２構成例と同様である部分については、その説明を省略又は簡略化する。
【００７７】
第１端子１０９Ａの第１部分Ｐ２１に対応するＩＴＯ１１６Ａの第１部分は、コンタクトホール１１５Ｄを介して第１メタル配線１１１と対向する。ここでのコンタクトホール１１５Ｄは、１つ以上存在し、例えば２つ設けられる。第１端子１０９Ａの第２部分Ｐ２２に対応するＩＴＯ１１６Ａの第２部分は、コンタクトホール１１５Ａを介して第２メタル配線１１２Ａと対向する。ここでのコンタクトホール１１５Ａは、１つ以上存在し、例えば５つ設けられる。第１メタル配線１１１は、表示領域Ｄ１に向かって延びる。
【００７８】
ＩＴＯ１１６Ｂは、コンタクトホール１１５（１１５Ａ）を介して第２メタル配線１１２と対向する。ここでのコンタクトホール１１５Ａは、１つ以上存在し、例えば５つ設けられる。
【００７９】
図６Ｂに示すように、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分は、第１絶縁層１１０及び第２絶縁層１１４に所定の間隔で設けられたコンタクトホール１１５Ｄの形状に合わせて、ＩＴＯ１１６Ａの凹凸が形成されている。このようにコンタクトホール１１５Ｄは、２つの層を貫通する貫通孔であるので、１つの層を貫通する貫通孔としてのコンタクトホール１１５Ａよりも大きい。よって、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分の凹凸（例えば凹）は、ＩＴＯ１１６Ａの第２部分の凹凸（例えば凹）よりも大きく（例えば深く）形成される。ＩＴＯ１１６Ａの第１部分は第１メタル配線１１１と接し、電気的に接続される。また、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分は、第２メタル配線１１２と対向していない。ＩＴＯ１１６Ａの第１部分に対向するＴＦＴ基板１０７Ｃの範囲では、ｚ方向の下側から順に、第１ガラス基板１０８、第１メタル配線１１１、第１絶縁層１１０、第２絶縁層１１４、及びＩＴＯ１１６Ａの順に積層されている。なお、コンタクトホール１１５Ｄの数は２つでなくてもよく、ＩＴＯ１１６Ａ上の導電粒子１２０の接触抵抗が所定基準を満たせばよい。
【００８０】
また、ＩＴＯ１１６Ａの第２部分は、第２絶縁層１１４に所定の間隔で設けられたコンタクトホール１１５Ａの形状に合わせて、ＩＴＯ１１６Ａの凹凸が形成されている。ＩＴＯ１１６Ａの第２部分は第２メタル配線１１２Ａと接し、電気的に接続される。第１端子１０９Ａの第２部分に対向するＴＦＴ基板１０７Ｃの範囲では、ｚ方向の下側から順に、第１ガラス基板１０８、第１メタル配線１１１、第１絶縁層１１０、第２メタル配線１１２Ａ、第２絶縁層１１４、及びＩＴＯ１１６Ａの順に積層されている。
【００８１】
言い換えると、第１端子１０９Ａは、第１部分Ｐ２１において第１メタル配線１１１に対して第１ガラス基板１０８と反対側に形成されたコンタクトホール１１５Ｄ（１）を有する。第１端子１０９Ａは、第２部分Ｐ２２において第１メタル配線１１１に対して第１ガラス基板１０８と反対側に第１絶縁層１１０及び第２メタル配線１１２Ａ（第１の導電物の一例）を介して形成されたコンタクトホール１１５Ａ（第２のコンタクトホールの一例）を有する。第１端子１０９Ａは、コンタクトホール１１５Ａ，１１１５Ｄを被って、且つ、第１部分Ｐ２１では第１メタル配線１１１に接続され、第２部分Ｐ２２では前記第２メタル配線１１２Ａに接続されたＩＴＯ１１６Ａ（第１の導電膜の一例）を有する。
【００８２】
したがって、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分では、ＴＦＴ基板１０７Ｃは第１ガラス基板１０８の上部で４層に積層され、ＩＴＯ１１６Ａの第２部分では、ＴＦＴ基板１０７Ｃは第１ガラス基板１０８の上部で５層に積層される。よって、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分におけるｚ方向の位置は、第２部分におけるｚ方向の位置と１層分異なり、つまり１層分低い。よって、ＩＴＯ１１６Ａに当接するＡＣＦ１１８の導電粒子１２０は、第２部分と当接し、第１部分とは当接しない。よって、ＩＴＯ１１６Ａの第２部分はドライバＩＣ１０５との電気的接続に寄与し、第１部分はドライバＩＣ１０５との電気的接続に寄与しない。
【００８３】
図６Ｃに示すように、ＩＴＯ１１６Ｂは、第２絶縁層１１４に所定の間隔で設けられたコンタクトホール１１５Ａ（第３のコンタクトホールの一例）の形状に合わせて、ＩＴＯ１１６Ｂの凹凸が形成されている。ＩＴＯ１１６Ｂに対応するコンタクトホール１１５Ａの凹凸の大きさは、図６ＢにおけるＩＴＯ１１６Ａの第２部分におけるコンタクトホール１１５Ａの凹凸の大きさと同じである。ＩＴＯ１１６Ｂは、第２メタル配線１１２と接し、電気的に接続される。言い換えると、第２端子１０９Ｂは、第２メタル配線１１２に対して第１ガラス基板１０８と反対側（ｚ方向正側）に形成されたコンタクトホール１１５Ａと、コンタクトホール１１５Ａを被って第２メタル配線１１２に接続されたＩＴＯ１１６Ｂ（第２の導電膜の一例）と、を有する。第２メタル配線１１２は、図６Ｃが示す断面において直線的に配置される。また、第２端子１０９Ｂに対応するＴＦＴ基板１０７Ｂの範囲では、第１ガラス基板１０８と第１絶縁層１１０との間に、第１メタル配線１１１Ａが配置されている。よって、第２端子１０９Ｂに対向するＴＦＴ基板１０７Ｂの範囲では、ｚ方向の下側から順に、第１ガラス基板１０８、第１メタル配線１１１Ａ、第１絶縁層１１０、第２メタル配線１１２、第２絶縁層１１４、及びＩＴＯ１１６Ｂの順に積層されている。
【００８４】
また、第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ａの第２部分の上端までの長さＬ２１は、第２構成例における第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ａの上端までの長さＬ２１と同じである。よって、長さＬ２１，Ｌ２２の長さが同じ長さとされており、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとの高さ（ｚ方向位置）が揃っている。具体的には、第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ａの第２部分の上端及びＩＴＯ１１６Ｂの上端までの長さは、いずれも５層分の厚さに相当する長さとなる。なお、ＴＦＴ基板１０７Ｃにおける各層の厚さは、同じ厚さでよい。
【００８５】
また、図６Ｂ及び図６Ｃに示すように、ＴＦＴ基板１０７Ｃにおける第１端子１０９Ａの第２部分Ｐ２２付近の層構成と第２端子１０９Ｂ付近の層構成とは、同様の構成となる。よって、長さＬ２１，Ｌ２２の長さを一層揃えやすくなる。また、第１端子１０９Ａの第２部分Ｐ２２及び第２端子１０９Ｂは、いずれも同じ深さを有するコンタクトホール１１５Ａを有するので、ＡＣＦ１１８内の導電粒子１２０の圧着状態が同様となり、一層電気的な接続安定性を確保し易くなる。
【００８６】
ＩＴＯ１１６Ａに対向する第２メタル配線１１２Ａは、単に、長さＬ２１，Ｌ２２を合わせるために挿入されている。そのため、第２メタル配線１１２Ａは、長さＬ２１，Ｌ２２を合わせることができれば、第２メタル配線１１２Ａ以外の導電物でも絶縁物でもよい。
【００８７】
このように、ＴＦＴ基板１０７Ｃの第３構成例によれば、第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２とを異なる層に配置することで、隣接する配線パターンのｘ方向の距離を確保せずに、電気的ショートを抑制できる。また、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとを千鳥配置とすることで、同層の配線間距離を拡大できる。よって、表示装置１００がより高精細化しても電気的ショートを抑制できる。
【００８８】
また、長さＬ２１，Ｌ２２を揃えることで、ｙ方向におけるメタル配線の位置毎にＩＴＯ１１６のｚ方向位置が異なり、ＩＴＯ１１６の凸部において段差ができることを抑制でき、導電粒子１２０の圧着状態を均一にできる。よって、均一な電気的特性が得られ、ドライバＩＣ１０５との電気的な接続安定性を向上できる。
【００８９】
また、ＩＴＯ１１６Ａにおける電気的接続に寄与しない第１部分を除くと、ＩＴＯ１１６Ａの第２部分及びＩＴＯ１１６Ｂでは、いずれもコンタクトホール１１５Ａが形成されている。よって、いずれの端子１０９においても導電粒子１２０の変形量が同じであり、接続抵抗が安定し、電気的接続の安定性を同様に確保できる。
【００９０】
（ＴＦＴ基板の第４構成例）
図７Ａは、ＴＦＴ基板１０７の第４構成例（ＴＦＴ基板１０７Ｄ）を示す平面図である。図７Ｂは、図７ＡのＡ−Ａ’断面図である。図７Ｃは、図７ＡのＢ−Ｂ’断面図である。なお、第４構成例において、前述した第１構成例〜第３構成例のいずれかと同様の構成については、その説明を省略又は簡略化する。なお、図７Ａにおいて、第１ガラス基板１０８の記載は省略されている。
【００９１】
図７Ａに示すように、第１端子１０９Ａは、ｙ方向に沿って第１部分Ｐ３１と第２部分Ｐ３２とを含む。第１端子１０９Ａの第１部分Ｐ３１は、ＩＴＯ１１６Ａの一部とコンタクトホール１１５（１１５Ｃ）を含む。第１端子１０９Ａの第２部分Ｐ３２は、ＩＴＯ１１６Ａの他部とコンタクトホール１１５Ａとを含む。第２端子１０９Ｂやｙ方向において第２端子１０９Ｂに対応する部分の構成は、図６Ａ及び図６Ｃ等に示した第３構成例と同様であるので、その説明を省略又は簡略化する。
【００９２】
第１端子１０９Ａの第１部分Ｐ３１に対応するＩＴＯ１１６Ａの第１部分は、コンタクトホール１１５Ｃ及び第２メタル配線１１２Ｂを介して、第１メタル配線１１１と対向する。ここでのコンタクトホール１１５Ｃは、１つ以上存在し、例えば２つ設けられる。第１端子１０９Ａの第１部分Ｐ３１に対応するＴＦＴ基板１０７Ｄの範囲の構成は、第２構成例と同様である。
【００９３】
第１端子１０９Ａの第２部分Ｐ２２に対応するＩＴＯ１１６Ａの第２部分は、コンタクトホール１１５Ａを介して第２メタル配線１１２Ａと対向する。ここでのコンタクトホール１１５Ａは、１つ以上存在し、例えば３つ設けられる。第１メタル配線１１１は、表示領域Ｄ１に向かって延びる。第１端子１０９Ａの第２部分Ｐ３２に対応するＴＦＴ基板１０７Ｄの範囲の構成は、第３構成例における第１端子１０９Ａの第２部分Ｐ２２に対応するＴＦＴ基板１０７Ｃの範囲の構成と同様である。
【００９４】
図７Ｂに示すように、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分は、第２絶縁層１１４に所定の間隔で設けられたコンタクトホール１１５Ｃの形状に合わせて、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分の凹凸が形成されている。ＩＴＯ１１６Ａの第１部分は、第２メタル配線１１２Ｂと接し、電気的に接続される。第２メタル配線１１２Ｂは、第２絶縁層１１４と同様に第１絶縁層１１０に所定の間隔で設けられたコンタクトホール１１５Ｃに対応するコンタクトホールの形状に合わせて、第２メタル配線１１２Ｂの凹凸が形成されている。第２メタル配線１１２Ｂは第１メタル配線１１１と接し、電気的に接続される。つまり、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分と第２メタル配線１１２Ｂとはｙ方向の対応する位置において凹凸を有し、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分と第１メタル配線１１１とが第２メタル配線１１２Ｂを介して導通される。第１端子１０９Ａに対向するＴＦＴ基板１０７Ｄの範囲では、ｚ方向の下側から順に、第１ガラス基板１０８、第１メタル配線１１１、第１絶縁層１１０、第２メタル配線１１２Ｂ、第２絶縁層１１４、及びＩＴＯ１１６Ａの順に積層されている。また、コンタクトホール１１５Ｃは、２層分を貫通する貫通孔であるので、コンタクトホール１１５Ａより大きい。
【００９５】
また、ＩＴＯ１１６Ａの第２部分は、第２絶縁層１１４に所定の間隔で設けられたコンタクトホール１１５Ａの形状に合わせて、ＩＴＯ１１６Ａの凹凸が形成されている。ＩＴＯ１１６Ａの第２部分は第２メタル配線１１２Ａと接し、電気的に接続される。第１端子１０９Ａの第２部分に対向するＴＦＴ基板１０７Ｄの範囲では、ｚ方向の下側から順に、第１ガラス基板１０８、第１メタル配線１１１、第１絶縁層１１０、第２メタル配線１１２Ａ、第２絶縁層１１４、及びＩＴＯ１１６Ａの順に積層されている。
【００９６】
言い換えると、第１端子１０９Ａは、第１部分Ｐ１において第１メタル配線１１１に対して第１ガラス基板１０８と反対側に第２メタル配線１１２Ｂ（第１の導電物の一例）を介して形成されたコンタクトホール１１５Ｃ（第１のコンタクトホールの一例）を有する。第１端子１０９Ａは、第２部分Ｐ３２において第１メタル配線１１１に対して第１ガラス基板１０８と反対側に第１絶縁層１１０及び第２メタル配線１１２Ａ（第１の導電物の一例）を介して形成されたコンタクトホール１１５Ａ（第２のコンタクトホールの一例）を有する。第１端子１０９Ａは、コンタクトホール１１５Ａ，１１５Ｃを被って、且つ、第１部分Ｐ３１では第２メタル配線１１２Ｂを介して第１メタル配線１１１に接続され、第２部分Ｐ３２では第２メタル配線１１２Ａ（第１の導電物の一例）に接続されたＩＴＯ１１６Ａと、を有する。
【００９７】
したがって、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分及び第２の部分ともに、ＴＦＴ基板１０７Ｄは第１ガラス基板１０８の上部で５層に積層される。よって、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分におけるｚ方向の位置と、第２部分におけるｚ方向の位置とが同じになる。よって、ＩＴＯ１１６Ａに当接するＡＣＦ１１８の導電粒子１２０は、第１部分及び第２部分ともにと当接する。よって、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分及び第２部分ともに、ドライバＩＣ１０５との電気的接続に均等に寄与し、ドライバＩＣ１０５とＴＦＴ基板１０７Ｄとの接続安定性を向上できる。
【００９８】
また、第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ａの第１部分及び第２部分の上端までの長さＬ２１は、第２構成例における第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ａの上端までの長さＬ２１と同じである。よって、長さＬ２１，Ｌ２２の長さが同じ長さとされており、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとの高さ（ｚ方向位置）が揃っている。具体的には、第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ａの第１部分及び第２部分の上端並びにＩＴＯ１１６Ｂの上端までの長さは、いずれも５層分の厚さに相当する長さとなる。なお、ＴＦＴ基板１０７Ｄにおける各層の厚さは、同じ厚さでよい。
【００９９】
なお、ＩＴＯ１１６Ａの第１部分に対向する第２メタル配線１１２Ｂは、単に、長さＬ２１，Ｌ２２と、の長さを合わせ、ＩＴＯ１１６Ａと第１メタル配線１１１とを電気的に接続するために挿入されている。そのため、第２メタル配線１１２Ｂは、距離Ｌ２１，Ｌ２２を合わせ、導電性を有するものであれば、第２メタル配線１１２Ｂ以外の導電物でもよい。また、ＩＴＯ１１６Ａの第２部分に対向する第２メタル配線１１２Ａは、単に、長さＬ２１，Ｌ２２を合わせ、第２メタル配線１１２Ｂに電気的に接続するために挿入されている。そのため、第２メタル配線１１２Ａは、長さＬ２１，Ｌ２２を合わせ、第２メタル配線１１２Ｂに電気的に接続できれば、第２メタル配線１１２Ａ以外の導電物でもよい。なお、第２メタル配線１１２Ａと第２メタル配線１１２Ａに連続する第２メタル配線１１２Ａとは、一体に形成されても別体に形成されてもよい。
【０１００】
このように、ＴＦＴ基板１０７Ｄの第４構成例によれば、第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２とを異なる層に配置することで、隣接する配線パターンのｘ方向の距離を確保せずに、電気的ショートを抑制できる。また、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとを千鳥配置とすることで、同層の配線間距離を拡大できる。よって、表示装置１００がより高精細化しても電気的ショートを抑制できる。
【０１０１】
また、長さＬ２１，Ｌ２２を揃えることで、ｙ方向におけるメタル配線の位置毎にＩＴＯ１１６のｚ方向位置が異なり、ＩＴＯ１１６の凸部において段差ができることを抑制でき、導電粒子１２０の圧着状態を均一にできる。よって、均一な電気的特性が得られ、ドライバＩＣ１０５との電気的な接続安定性を向上できる。
【０１０２】
また、複数の端子１０９及び端子１０９の部分において複数のコンタクトホール１１５Ａ，１１５Ｄが形成されることで、各端子１０９に凹凸が所定間隔で形成される。これにより、コンタクトホール１１５Ａ，１１５Ｄが端子１０９の各部分において１つの場合と比較すると、導電粒子１２０が所定間隔の端子１０９の凸部分に安定して当接できる。よって、端子１０９と導電粒子１２０との接触面積を増やして導電性を安定して確保でできる。
【０１０３】
（ＴＦＴ基板の第５構成例）
図８Ａは、ＴＦＴ基板１０７の第５構成例（ＴＦＴ基板１０７Ｅ）を示す平面図である。図８Ｂは、図８ＡのＡ−Ａ’断面図である。図８Ｃは、図８ＡのＢ−Ｂ’断面図である。なお、第５構成例において、前述した第１構成例〜第４構成例のいずれかと同様の構成については、その説明を省略又は簡略化する。なお、図８Ａにおいて、第１ガラス基板１０８の記載は省略されている。
【０１０４】
図８Ａに示すように、第１端子１０９Ａは、ＩＴＯ１１６Ａとコンタクトホール１１５（１１５Ａ）を含む。第２端子１０９Ｂやｙ方向において第２端子１０９Ｂに対応する部分の構成は、図６Ａ及び図６Ｃ等に示した第３構成例、図７Ａ及び図７Ｃ等に示した第４構成例と同様であるので、その説明を省略又は簡略化する。
【０１０５】
第５構成例は、第４構成例とほぼ同じである。第５構成例において、第４構成例との差異は、第４構成例における第１端子１０９Ａの第１部分が不在であり、凹凸形状の第２メタル配線１１２Ｂに対応して、凹凸形状の第２絶縁層１１４Ａが第２メタル配線１１２Ｂを被っていることである。第５構成例のＩＴＯ１１６Ａは、第４構成例のＩＴＯ１１６Ａの第２部分に相当する。ＩＴＯ１１６Ａの凹部分が第２メタル配線１１２Ａに電気的に接続する。第２メタル配線１１２Ａは、第２メタル配線１１２Ｂの凹部分を介して、第１メタル配線１１１に電気的に接続する。
【０１０６】
第１端子１０９Ａは、ＩＴＯ１１６Ａ及びコンタクトホール１１５Ａを有する。ＩＴＯ１１６Ａは、凹部分が第２メタル配線１１２Ａと対向する。ここでのコンタクトホール１１５Ａは、１つ以上存在し、例えば５つ設けられる。第１端子１０９Ａに対向する対向部分Ｐ４１におけるＴＦＴ基板１０７Ｅの範囲では、ｚ方向の下側から順に、第１ガラス基板１０８、第１メタル配線１１１、第１絶縁層１１０、第２メタル配線１１２Ａ、第２絶縁層１１４、及びＩＴＯ１１６Ａの順に積層されている。一方、第１端子１０９Ａに対向しない非対向部分Ｐ４２（ｙ方向負側、図８Ａ及び図８Ｂの紙面上側）におけるＴＦＴ基板１０７Ｅの範囲では、ｚ方向の下側から順に、第１ガラス基板１０８、第１メタル配線１１１、第１絶縁層１１０、第２メタル配線１１２Ｂ、及び第２絶縁層１１４の順に積層されている。
【０１０７】
したがって、ＩＴＯ１１６Ａの非対向部分Ｐ４２では、ＴＦＴ基板１０７Ｅは４層に積層され、ＩＴＯ１１６Ａの対向部分Ｐ４１では、ＴＦＴ基板１０７Ｅは５層に積層される。よって、ＩＴＯ１１６Ａの非対向部分Ｐ４２における第２絶縁層１１４Ａのｚ方向の位置は、ＩＴＯ１１６Ａの対向部分Ｐ４１におけるＩＴＯ１１６Ａのｚ方向の位置と１層分異なり、つまり１層分低い。よって、ＩＴＯ１１６Ａに当接するＡＣＦ１１８の導電粒子１２０は、ＩＴＯ１１６Ａの非対向部分Ｐ４２における第２絶縁層１１４Ａとは当接しない。よって、ＩＴＯ１１６ＡはドライバＩＣ１０５との電気的接続に寄与し、第２絶縁層１１４ＡはドライバＩＣ１０５との電気的接続に寄与しない。
【０１０８】
また、第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ａの上端までの長さＬ２１は、第２構成例における第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ａの上端までの長さＬ２１と同じである。よって、長さＬ２１，Ｌ２２の長さが同じ長さとされており、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとの高さ（ｚ方向位置）が揃っている。具体的には、第１ガラス基板１０８の上端からＩＴＯ１１６Ａの上端及びＩＴＯ１１６Ｂの上端までの長さは、いずれも５層分の厚さに相当する長さとなる。なお、ＴＦＴ基板１０７Ｅにおける各層の厚さは、同じ厚さでよい。
【０１０９】
このように、ＴＦＴ基板１０７Ｅの第５構成例によれば、第１メタル配線１１１と第２メタル配線１１２とを異なる層に配置することで、隣接する配線パターンのｘ方向の距離を確保せずに、電気的ショートを抑制できる。また、第１端子１０９Ａと第２端子１０９Ｂとを千鳥配置とすることで、同層の配線間距離を拡大できる。よって、表示装置１００がより高精細化しても電気的ショートを抑制できる。
【０１１０】
また、長さＬ２１，Ｌ２２を揃えることで、ｙ方向におけるメタル配線の位置毎にＩＴＯ１１６のｚ方向位置が異なり、ＩＴＯ１１６の凸部において段差ができることを抑制でき、導電粒子１２０の圧着状態を均一にできる。よって、均一な電気的特性が得られ、ドライバＩＣ１０５との電気的な接続安定性を向上できる。
【０１１１】
（効果等）
通常のＴＶ受像機のように、室内に表示装置１００が設置される場合、腐食は進みにくい。一方、表示装置１００が車両に搭載されると、移動範囲が大きくなり、高温多湿の場所に移動することもあり得るし、結露が発生することもあり得る。よって、電気的な信頼性条件を確保することが一層困難になる。
【０１１２】
このような条件下でも、本実施形態によれば、表示装置１００は、第１メタル配線１１１及び第２メタル配線１１２を異なる層に配置したり、複数の端子１０９でＴＦＴ基板１０７におけるＩＴＯ１１６のｚ方向位置を揃えたりすることで、導電粒子１２０を含むＡＣＦ１１８の抵抗値がｘｙ方向において安定し、ドライバＩＣ１０５やＦＰＣ１０２とＴＦＴ基板１０７との電気的な接続安定性を確保できる。また、各メタル配線を同一材料としたり膜厚を合わせたりすると、導通性能が一層安定する。
【０１１３】
また、第１端子１０９Ａ及び第２端子１０９Ｂが、信号線への信号を供給するドライバＩＣ１０５のバンプ１２２に電気的に接続されることで、ドライバＩＣ１０５との間で電気的接続を実現でき、ドライバＩＣ１０５を介して外部から信号を取得でき、例えば表示領域Ｄ１内の各画素へ送出できる。
【０１１４】
また、腐食生成物１２４が隣接するメタル配線等で結合し電気的特性が変化することで、接続安定性が低下し得る。この場合、腐食し難い金属（例えば合金やチタン）を配線層や導電層に用いることが、接続安定性を確保するために根本的な対策となりえる。しかし、腐食し難い抵抗の高い金属では、配線を伝送される信号の伝送性能が低下し得る。第１メタル配線１１１及び第２メタル配線１１２として低抵抗な金属（例えば銅、アルミニウム）を用いることで、各メタル配線や各信号線を介した信号の伝達性能を向上できる。このことは、例えば表示装置１００の表示領域Ｄ１の大型化により配線が長くなる場合に、有益である。
【０１１５】
また、メタル配線として銅やアルミを元々使用して表示装置の製造を行っていた場合、メタル配線の材料を腐食し難い材料に変更することは、例えば製造ラインの設備を変更する必要があり、非常に負担が大きくなる。これに対し、本実施形態の表示装置１００によれば、腐食し易いメタル配線を用いる場合でも、メタル配線の設計を工夫することで、上記のような設備変更の負担を低減できる。
【０１１６】
以上、図面を参照しながら各種の実施形態について説明したが、本開示はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、各実施形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。
【０１１７】
上記実施形態では、ＴＦＴ基板１０７では、メタル配線として第１メタル配線と第２メタル配線とが存在することを例示したが、その他の配線が存在してもよい。この場合、３つ以上のメタル配線が３層以上の異なる層に配置されてもよい。
【０１１８】
上記実施形態では、ＡＣＦ１８０の導電粒子２００と対向するＴＦＴ基板１０７の再表面がＩＴＯ１１６であることを例示したが、透明な導電層に限られなく、透光性を有しない導電層であってもよい。端子１０９は、表示領域Ｄ１の外側に配置されるためである。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本開示は、複数の画素に信号を供給する複数の配線間の電気的なショートを抑制できる表示装置等に有用である。
【符号の説明】
【０１２０】
１００  表示装置
１０２  ＦＰＣ
１０４  ソースＩＣ
１０５  ドライバＩＣ
１０６  ゲートＩＣ
１０７，１０７Ａ，１０７Ｂ，１０７Ｃ，１０７Ｄ，１０７Ｅ  ＴＦＴ基板
１０８  第１ガラス基板
１０９  端子
１０９Ａ  第１端子
１０９Ｂ  第２端子
１１０  第１絶縁層
１１１，１１１Ａ  第１メタル配線
１１２，１１２Ａ，１１２Ｂ  第２メタル配線
１１４，１１４Ａ  第２絶縁層
１１５，１１５Ａ，１１５Ｂ，１１５Ｃ，１１５Ｄ  コンタクトホール
１１６，１１６Ａ，１１６Ｂ  ＩＴＯ
１１８  ＡＣＦ
１２０  導電粒子
１２２  バンプ
１２４  腐食生成物
１３０  ブラックマトリクス
１３２  第２ガラス基板
Ｄ１  表示領域
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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