(57)【要約】【課題】配線材料、絶縁膜材料及びバリアメタル材料を高速で研磨するとともに、被研磨面における研磨傷の発生を低減すること。【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の一態様は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）有機酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも１種と、（Ｃ）アミノ置換シラン及びその縮合体よりなる群から選択される少なくとも１種と、を含有し、ｐＨが７以上１４以下である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）シリカ粒子と、
（Ｂ）有機酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも１種と、
（Ｃ）アミノ置換シラン及びその縮合体よりなる群から選択される少なくとも１種と、を含有し、ｐＨが７以上１４以下である、化学機械研磨用水系分散体。
【請求項２】
前記（Ｃ）成分の含有量をＷＣ（質量％）、前記（Ａ）成分の含有量をＷＡ（質量％）としたときに、これらの比ＷＣ／ＷＡが０．０１以上１以下である、請求項１に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項３】
前記（Ｃ）成分の含有量をＷＣ（質量％）、前記（Ａ）成分の含有量をＷＡ（質量％）としたときに、これらの比ＷＣ／ＷＡが０．０３以上０．５以下である、請求項１に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項４】
前記（Ｃ）成分が、アミノプロピルトリアルコキシシランを含有する、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項５】
化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、前記（Ａ）成分の含有量が０．０５質量％以上１０質量％以下である、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項６】
化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、前記（Ｂ）成分の含有量が０．００１質量％以上２質量％以下である、請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項７】
化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、前記（Ｃ）成分の含有量が０．００５質量％以上１０質量％以下である、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項８】
（Ｄ）酸化剤をさらに含有する、請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項９】
化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、前記（Ｄ）成分の含有量が０．００１質量％以上３質量％以下である、請求項８に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１０】
窒化ケイ素、二酸化ケイ素、アモルファスシリコン、タングステン、銅、コバルト、チタン、ルテニウム、窒化チタン、及び窒化タンタルよりなる群から選択される２種以上を含む基板研磨用である、請求項１ないし請求項９のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項１１】
（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）有機酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも１種と、（Ｃ）アミノ置換シラン及びその縮合体よりなる群から選択される少なくとも１種とを、前記（Ｃ）成分の含有量をＷＣ（質量％）、前記（Ａ）成分の含有量をＷＡ（質量％）としたときに、これらの比ＷＣ／ＷＡが０．０１以上１以下となるように水に加えて水系分散体を得る第１の工程と、
前記第１の工程後に、前記水系分散体に（Ｄ）酸化剤をさらに加える第２の工程と、
を含む、化学機械研磨用水系分散体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学機械研磨用水系分散体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）は、半導体装置の製造における平坦化技術などで急速な普及を見せてきた。このＣＭＰは、被研磨体を研磨パッドに圧着し、研磨パッド上に化学機械研磨用水系分散体を供給しながら被研磨体と研磨パッドとを相互に摺動させて、被研磨体を化学的かつ機械的に研磨する技術である。
【０００３】
近年、半導体装置の高精細化に伴い、半導体装置内に形成される配線及びプラグ等からなる配線層の微細化が進んでいる。これに伴い、配線層をＣＭＰにより平坦化する手法が用いられている。半導体装置における基板には、絶縁膜材料、配線材料、該配線材料の無機材料膜への拡散を防止するためのバリアメタル材料等が含まれている。ここで、絶縁膜材料としては例えば二酸化ケイ素が、配線材料としては例えば銅やタングステンが、バリアメタル材料としては例えば窒化タンタルや窒化チタンが主に使用されている。
【０００４】
一方、基板の多層配線化に伴う信号遅延を抑制するために、絶縁膜材料として低誘電率絶縁膜（ｌｏｗ−ｋ）が利用されている。低誘電率絶縁膜は、従来の二酸化ケイ素膜よりも柔らかくて脆いという性質があるため、従来の化学機械研磨用水系分散体では研磨除去が難しいという問題がある。このような低誘電率絶縁膜用の化学機械研磨用組成物としては、例えば、シリカ粒子、カチオン性化合物、カルボン酸、酸化剤、水等を含み、ｐＨが１〜６に調整された化学機械研磨組成物が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２０１２−５０３３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載された化学機械研磨組成物は、酸性領域に調整された溶液中にシリカ粒子及びカチオン性化合物が存在するため、シリカ粒子のゼータ電位が大きな値となる結果、低誘電率絶縁膜の高速研磨に寄与することができたものと推測される。しかしながら、化学機械研磨組成物のｐＨは、研磨対象となる配線材料、絶縁膜材料及びバリアメタル材料等の表面状態に影響を及ぼしやすいため、被研磨対象の表面状態を考慮したＣＭＰにおいてこれらの材料の高速研磨及び研磨傷が低減された良好な状態の被研磨面を得るためには未だ改良の余地があった。
【０００７】
そこで、本発明に係る幾つかの態様は、配線材料、絶縁膜材料及びバリアメタル材料を高速で研磨することができるとともに、被研磨面における研磨傷の発生を低減できる化学機械研磨用水系分散体を提供する。また、本発明に係る幾つかの態様は、前記化学機械研磨用水系分散体の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下のいずれかの態様として実現することができる。
【０００９】
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の一態様は、
（Ａ）シリカ粒子と、
（Ｂ）有機酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも１種と、
（Ｃ）アミノ置換シラン及びその縮合体よりなる群から選択される少なくとも１種と、を含有し、ｐＨが７以上１４以下である。
【００１０】
前記化学機械研磨用水系分散体の一態様において、
前記（Ｃ）成分の含有量をＷＣ（質量％）、前記（Ａ）成分の含有量をＷＡ（質量％）としたときに、これらの比ＷＣ／ＷＡが０．０１以上１以下であることができる。
【００１１】
前記化学機械研磨用水系分散体の一態様において、
前記（Ｃ）成分の含有量をＷＣ（質量％）、前記（Ａ）成分の含有量をＷＡ（質量％）としたときに、これらの比ＷＣ／ＷＡが０．０３以上０．５以下であることができる。
【００１２】
前記化学機械研磨用水系分散体のいずれかの態様において、
前記（Ｃ）成分が、アミノプロピルトリアルコキシシランを含有することができる。
【００１３】
前記化学機械研磨用水系分散体のいずれかの態様において、
化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、前記（Ａ）成分の含有量が０．０５質量％以上１０質量％以下であることができる。
【００１４】
前記化学機械研磨用水系分散体のいずれかの態様において、
化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、前記（Ｂ）成分の含有量が０．００１質量％以上２質量％以下であることができる。
【００１５】
前記化学機械研磨用水系分散体のいずれかの態様において、
化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、前記（Ｃ）成分の含有量が０．００５質量％以上１０質量％以下であることができる。
【００１６】
前記化学機械研磨用水系分散体のいずれかの態様において、
（Ｄ）酸化剤をさらに含有することができる。
【００１７】
前記化学機械研磨用水系分散体のいずれかの態様において、
化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、前記（Ｄ）成分の含有量が０．００１質量％以上３質量％以下であることができる。
【００１８】
前記いずれかの態様の化学機械研磨用水系分散体は、
窒化ケイ素、二酸化ケイ素、アモルファスシリコン、タングステン、銅、コバルト、チタン、ルテニウム、窒化チタン、及び窒化タンタルよりなる群から選択される２種以上を含む基板研磨用であることができる。
【００１９】
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の製造方法の一態様において、
（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）有機酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも１種と、（Ｃ）アミノ置換シラン及びその縮合体よりなる群から選択される少なくとも１種とを、前記（Ｃ）成分の含有量をＷＣ（質量％）、前記（Ａ）成分の含有量をＷＡ（質量％）としたときに、これらの比ＷＣ／ＷＡが０．０１以上１以下となるように水に加えて水系分散体を得る第１の工程と、
前記第１の工程後に、前記水系分散体に（Ｄ）酸化剤をさらに加える第２の工程と、
を含む。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体によれば、配線材料、絶縁膜材料及びバリアメタル材料を高速で研磨することができる。さらに、本発明に化学機械研磨用水系分散体によれば、シリカ粒子の分散性及び分散安定性を向上できるので、被研磨面における研磨傷の発生を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】化学機械研磨装置を模式的に示した斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、下記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も含む。
【００２３】
本明細書において、「〜」を用いて記載された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味である。
【００２４】
「配線材料」とは、アルミニウム、銅、コバルト、チタン、ルテニウム、タングステン等の導電体金属材料のことをいう。「絶縁膜材料」とは、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、アモルファスシリコン等の材料のことをいう。「バリアメタル材料」とは、窒化タンタル、窒化チタン等の配線の信頼性を向上させる目的で配線材料と積層させて用いられる材料のことをいう。
【００２５】
１．化学機械研磨用水系分散体
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）シリカ粒子（「（Ａ）成分」ともいう。）と、（Ｂ）有機酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも１種（「（Ｂ）成分」ともいう。）と、（Ｃ）アミノ置換シラン及びその縮合体よりなる群から選択される少なくとも１種（「（Ｃ）成分」ともいう。）と、を含有し、ｐＨが７以上１４以下である。以下、本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体に含まれる各成分について詳細に説明する。
【００２６】
１．１．（Ａ）シリカ粒子
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）シリカ粒子を含有する。（Ａ）シリカ粒子は、配線材料、絶縁膜材料及びバリアメタル膜材料を機械的に研磨し、これらの材料に対する研磨速度を向上させる機能を有する。（Ａ）シリカ粒子は、化学機械研磨用水系分散体中において、後述する（Ｃ）成分と相互作用することで、分散性や分散安定性が良好となる。その結果、被研磨面での研磨傷の発生を低減することができる。
【００２７】
（Ａ）シリカ粒子としては、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等が挙げられるが、コロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカとしては、例えば特開２００３−１０９９２１号公報等に記載される方法で製造されたものを使用することができる。
【００２８】
（Ａ）シリカ粒子の平均粒子径については特に限定されないが、その下限は、好ましくは５ｎｍであり、より好ましくは１０ｎｍであり、特に好ましくは１５ｎｍであり、その上限は、好ましくは３００ｎｍであり、より好ましくは１５０ｎｍであり、特に好ましくは１００ｎｍである。（Ａ）シリカ粒子の平均粒子径が前記範囲にあると、配線材料、絶縁膜材料及びバリアメタル材料の研磨速度を向上させながら、被研磨面における研磨傷の発生を低減できる場合がある。前記範囲の中でも、（Ａ）シリカ粒子の平均粒子径が上限の１５０ｎｍ以下であると、配線材料、絶縁膜材料及びバリアメタル材料の研磨速度をより向上できる場合がある。また、（Ａ）シリカ粒子の平均粒子径が下限の１０ｎｍ以上で
あると、被研磨面における研磨傷の発生をより低減できる場合がある。
【００２９】
（Ａ）シリカ粒子の平均粒子径は、動的光散乱法を測定原理とする粒度分布測定装置で測定することにより求めることができる。動的光散乱法による粒子径測定装置としては、堀場製作所社製の動的光散乱式粒径分布測定装置「ＬＢ−５５０」、ベックマン・コールター社製のナノ粒子アナライザー「ＤｅｌｓａＮａｎｏＳ」、Ｍａｌｖｅｒｎ社製の「Ｚｅｔａｓｉｚｅｒｎａｎｏｚｓ」等が挙げられる。なお、動的光散乱法を用いて測定した平均粒子径は、一次粒子が複数個凝集して形成された二次粒子の平均粒子径を表している。
【００３０】
（Ａ）シリカ粒子の含有量の下限値は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、０．０５質量％が好ましく、０．１質量％がより好ましく、０．３質量％が特に好ましい。（Ａ）シリカ粒子の含有量が前記下限値以上であると、配線材料、絶縁膜材料及びバリアメタル材料を研磨するのに十分な研磨速度が得られる場合がある。一方、（Ａ）シリカ粒子の含有量の上限値は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、１０質量％が好ましく、５質量％がより好ましく、３質量％が特に好ましい。（Ａ）シリカ粒子の含有量が前記上限値以下であると、貯蔵安定性が良好となりやすく、被研磨面における良好な平坦性や研磨傷の低減を実現できる場合がある。
【００３１】
１．２．（Ｂ）有機酸及びその塩
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ｂ）有機酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも１種を含有する。本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体が（Ｂ）成分を含有することにより、（Ｂ）成分が被研磨面に配位して研磨速度を向上させるとともに、研磨中における金属塩の析出を抑制することができる。また、（Ｂ）成分が被研磨面に配位することで、被研磨面のエッチング及び腐食によるダメージを低減できる場合がある。
【００３２】
（Ｂ）成分としては、配線材料の元素からなるイオン又は原子に対して配位能力を有する有機酸及びその塩であることが好ましい。このような（Ｂ）成分としては、一分子内にヒドロキシル基を０〜１個及びカルボキシル基を１〜２個有する有機酸がより好ましく、一分子内にヒドロキシル基を０〜１個及びカルボキシル基を１〜２個有し、かつ、第一酸解離定数ｐＫａが１．５〜４．５である有機酸が特に好ましい。このような（Ｂ）成分であれば、配線材料等の表面に配位する能力が高いので、配線材料等に対する研磨速度を向上させることができる。また、このような（Ｂ）成分は、配線材料等の研磨により発生する金属イオンを安定化し、金属塩の析出を抑制することができるので、被研磨面の表面荒れを抑制しながら高度な平坦性が得られるとともに、配線材料等の研磨傷の発生を低減することができる。
【００３３】
（Ｂ）成分のうち、有機酸の具体例としては、乳酸、酒石酸、フマル酸、グリコール酸、フタル酸、マレイン酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸、クエン酸、リンゴ酸、マロン酸、グルタル酸、コハク酸、安息香酸、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、キノリン酸、キナルジン酸、アミド硫酸；グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、リシン、アルギニン、トリプトファン、芳香族アミノ酸、及び複素環型アミノ酸等のアミノ酸が挙げられる。これらの中でも、マレイン酸、コハク酸、乳酸、マロン酸、ｐ−ヒドロキシ安息香酸及びグリコール酸が好ましく、マレイン酸及びマロン酸がより好ましい。（Ｂ）成分は、１種単独で用いてもよいし、任意の割合で２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３４】
（Ｂ）成分のうち、有機酸塩の具体例としては、上記例示した有機酸の塩であってもよく、化学機械研磨用水系分散体中で別途添加した塩基と反応して上記有機酸の塩を形成してもよい。このような塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジ
ウム、水酸化セシウム等のアルカリ金属の水酸化物、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、コリン等の有機アルカリ化合物、及びアンモニア等が挙げられる。
【００３５】
（Ｂ）成分の含有量の下限値は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、０．００１質量％が好ましく、０．０１質量％がより好ましく、０．１質量％が特に好ましい。一方、（Ｂ）成分の含有量の上限値は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、２質量％が好ましく、１質量％がより好ましく、０．５質量％が特に好ましい。（Ｂ）成分の含有量が前記範囲にあると、配線材料、絶縁膜材料又はバリアメタル材料を研磨するのに十分な研磨速度が得られ、金属塩の析出が抑制されることで被研磨面の研磨傷の発生を低減できる場合がある。
【００３６】
１．３．アミノ置換シラン及びその縮合体
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ｃ）アミノ置換シラン及びその縮合体からなる群より選択される少なくとも１種を含有する。本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体が（Ｃ）成分を含有すると、（Ａ）シリカ粒子と（Ｃ）成分とが相互作用することにより、（Ａ）シリカ粒子の表面電位を正とすることができる。そして、ｐＨが７〜１４の領域では、配線材料、絶縁膜材料又はバリアメタル材料等の被研磨面が負に帯電するため、正に帯電した（Ａ）シリカ粒子が被研磨面と接触しやすくなり、これらの材料に対する研磨速度を向上させることができる。さらに、（Ａ）シリカ粒子と相互作用していない（Ｃ）成分は、（Ｃ）成分同士で縮合体を形成するものと推測される。この縮合体は、大きな正電荷を有していると推測されるため、正に帯電した（Ａ）シリカ粒子の分散性及び分散安定性の向上に寄与する。その結果、被研磨面での研磨傷の発生を効果的に低減することができると考えられる。
【００３７】
（Ｃ）成分の具体例としては、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジプロポキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジイソプロポキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリプロポキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリイソプロポキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノイソブチルジメチルメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノイソブチルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−１１−アミノウンデシルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルシラントリオール、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、（アミノエチルアミノエチル）フェニルトリメトキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェニルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェニルトリプロポキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェニルトリイソプロポキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェニルトリメトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェニルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェニルトリプロポキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェニルトリイソプロポキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルメチルジメトキシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−Ｎ−γ−（Ｎ−ビニルベンジル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ジ（ビニルベンジル）アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ジ（ビニルベンジル）アミノエチル）−Ｎ−γ−（Ｎ−ビニルベンジル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、メチルベンジルア
ミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジメチルベンジルアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ベンジルアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ベンジルアミノエチルアミノプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−（Ｎ−フェニル）アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、（アミノエチルアミノエチル）フェネチルトリメトキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェネチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェネチルトリプロポキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェネチルトリイソプロポキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリプロポキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリイソプロポキシシラン、Ｎ−［２−［３−（トリメトキシシリル）プロピルアミノ］エチル］エチレンジアミン、Ｎ−［２−［３−（トリエトキシシリル）プロピルアミノ］エチル］エチレンジアミン、Ｎ−［２−［３−（トリプロポキシシリル）プロピルアミノ］エチル］エチレンジアミン、及びＮ−［２−［３−（トリイソプロポキシシリル）プロピルアミノ］エチル］エチレンジアミンが挙げられる。これらの中でも、配線材料等の研磨速度を向上させるとともに、被研磨面における研磨傷の発生を特に抑制するためには、アミノプロピルトリアルコキシシラン類であることが好ましく、上記類の中でも、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン及び３−アミノプロピルトリエトキシシランが好ましく、３−アミノプロピルトリエトキシシランがより好ましい。（Ｃ）成分は、１種単独で用いてもよいし、任意の割合で２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３８】
（Ｃ）成分の含有量の下限値は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、０．００５質量％が好ましく、０．０１質量％がより好ましく、０．０３質量％が特に好ましい。（Ｃ）成分の含有量が前記下限値以上であると、（Ａ）シリカ粒子との相互作用が生じやすくなり、被研磨面の研磨速度をより向上できる場合がある。一方、（Ｃ）成分の含有量の上限値は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、１０質量％が好ましく、５質量％がより好ましく、１質量％が特に好ましい。（Ｃ）成分の含有量が前記上限値以下であると、研磨特性の低下が生じ難くなる場合がある。
【００３９】
また、本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体において、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対する（Ｃ）成分の含有量をＷＣ（質量％）、（Ａ）成分の含有量をＷＡ（質量％）としたときに、これらの比ＷＣ／ＷＡが、０．０１以上１以下であることが好ましく、０．０３以上０．５以下であることがより好ましく、０．０５以上０．３以下であることが特に好ましい。比ＷＣ／ＷＡが前記範囲であると、（Ａ）成分と（Ｃ）成分との相互作用が生じやすくなり、被研磨面の研磨速度をより向上できる場合がある。また、大きな正電荷を有する（Ｃ）成分同士の縮合体が形成されやすくなると推測され、この縮合体によって正に帯電した（Ａ）シリカ粒子の分散性及び分散安定性をより向上できる場合がある。
【００４０】
１．４．（Ｄ）酸化剤
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ｄ）酸化剤（以下、「（Ｄ）成分」ともいう。）を含有してもよい。本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体が（Ｄ）成分を含有することにより、被研磨面を酸化して研磨液成分との錯化反応を促して該被研磨面に脆弱な改質層を作り出すことができるため、研磨速度がより向上する場合がある。
【００４１】
（Ｄ）成分としては、例えば、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過酸化水素、硝酸第二鉄、硝酸二アンモニウムセリウム、次亜塩素酸カリウム、オゾン、過ヨウ素酸カリウム、過酢酸等が挙げられる。これらの（Ｄ）成分のうち、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸カリウム及び過酸化水素が好ましく、過酸化水素がより好ましい。これらの（Ｄ）成
分は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４２】
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体が（Ｄ）成分を含有する場合、（Ｄ）成分の含有量の下限値は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、０．００１質量％が好ましく、０．００５質量％がより好ましく、０．０１質量％が特に好ましい。一方、（Ｄ）成分の含有量の上限値は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、５質量％が好ましく、３質量％がより好ましく、１．５質量％が特に好ましい。（Ｄ）成分の含有量が前記範囲にあると、配線材料、絶縁膜材料又はバリアメタル材料の研磨速度がより向上する場合がある。なお、（Ｄ）成分を前記範囲で含有する場合、配線材料等の金属を含む被研磨面の表面に酸化膜が形成されることがあるため、（Ｄ）成分はＣＭＰの研磨工程を行う直前に添加されることが好ましい。
【００４３】
１．５．その他の成分
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、主要な液状媒体である水の他に、必要に応じて、界面活性剤、含窒素複素環化合物、水溶性高分子、ｐＨ調整剤等を含有してもよい。
【００４４】
＜水＞
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、主要な液状媒体として水を含有する。水としては、特に制限されるものではないが、純水が好ましい。水は、上述した化学機械研磨用水系分散体の構成材料の残部として配合されていればよく、水の含有量については特に制限はない。
【００４５】
＜界面活性剤＞
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤を含有することにより、化学機械研磨用水系分散体に適度な粘性を付与できる場合がある。
【００４６】
界面活性剤としては、特に制限されず、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤等が挙げられる。アニオン性界面活性剤としては、例えば、脂肪酸石鹸、アルキルエーテルカルボン酸塩等のカルボン酸塩；アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩等のスルホン酸塩；高級アルコール硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩等の硫酸塩；パーフルオロアルキル化合物等の含フッ素系界面活性剤等が挙げられる。カチオン性界面活性剤としては、例えば、脂肪族アミン塩及び脂肪族アンモニウム塩などが挙げられる。非イオン性界面活性剤としては、例えば、アセチレングリコール、アセチレングリコールエチレンオキサイド付加物、アセチレンアルコール等の三重結合を有する非イオン性界面活性剤；ポリエチレングリコール型界面活性剤等が挙げられる。これらの界面活性剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４７】
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、好ましくは０．００１〜５質量％であり、より好ましくは０．００１〜３質量％であり、特に好ましくは０．０１〜１質量％である。
【００４８】
＜含窒素複素環化合物＞
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、含窒素複素環化合物を含有してもよい。含窒素複素環化合物を含有することにより、配線材料の過剰なエッチングを抑制し、かつ、研磨後の表面荒れを防ぐことができる場合がある。
【００４９】
本明細書において「含窒素複素環化合物」とは、少なくとも１個の窒素原子を有する複素五員環及び複素六員環から選択される少なくとも１種の複素環を含む有機化合物のことをいう。前記複素環としては、ピロール構造、イミダゾール構造、トリアゾール構造等の複素五員環；ピリジン構造、ピリミジン構造、ピリダジン構造、ピラジン構造等の複素六員環が挙げられる。これらの複素環は縮合環を形成していてもよい。具体的には、インドール構造、イソインドール構造、ベンゾイミダゾール構造、ベンゾトリアゾール構造、キノリン構造、イソキノリン構造、キナゾリン構造、シンノリン構造、フタラジン構造、キノキサリン構造、アクリジン構造等が挙げられる。このような構造を有する複素環化合物のうち、ピリジン構造、キノリン構造、ベンゾイミダゾール構造またはベンゾトリアゾール構造を有する複素環化合物が好ましい。
【００５０】
含窒素複素環化合物の具体例としては、アジリジン、ピリジン、ピリミジン、ピロリジン、ピペリジン、ピラジン、トリアジン、ピロール、イミダゾール、インドール、キノリン、イソキノリン、ベンゾイソキノリン、プリン、プテリジン、トリアゾール、トリアゾリジン、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール等が挙げられ、さらに、これらの骨格を有する誘導体が挙げられる。これらの中でも、ベンゾトリアゾール、トリアゾール、イミダゾール及びカルボキシベンゾトリアゾールが好ましい。これらの含窒素複素環化合物は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５１】
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体が含窒素複素環化合物を含有する場合、含窒素複素環化合物の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、好ましくは０．０５〜２質量％であり、より好ましくは０．１〜１質量％であり、特に好ましくは０．２〜０．６質量％である。
【００５２】
＜水溶性高分子＞
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、水溶性高分子を含有してもよい。水溶性高分子を含有することにより、配線材料等の被研磨面に吸着して研磨摩擦を低減できる場合がある。水溶性高分子としては、ポリカルボン酸が好ましく、ポリアクリル酸、ポリマレイン酸、及びこれらの共重合体がより好ましい。これらの水溶性高分子は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５３】
水溶性高分子の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１，０００以上１，０００，０００以下であり、より好ましくは３，０００以上８００，０００以下である。水溶性高分子の重量平均分子量が前記範囲にあると、配線材料等の被研磨面に吸着しやすくなり、研磨摩擦をより低減できる場合がある。その結果、被研磨面における研磨傷の発生をより効果的に低減することができる場合がある。なお、本明細書中における「重量平均分子量（Ｍｗ）」とは、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によって測定されたポリエチレングリコール換算の重量平均分子量のことを指す。
【００５４】
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体が水溶性高分子を含有する場合、水溶性高分子の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、０．０１〜１質量％が好ましく、０．０３〜０．５質量％がより好ましい。
【００５５】
なお、水溶性高分子の含有量は、水溶性高分子の重量平均分子量（Ｍｗ）にも依存するが、化学機械研磨用水系分散体の粘度が１０ｍＰａ・ｓ未満となるように調整することが好ましい。化学機械研磨用水系分散体の粘度が１０ｍＰａ・ｓ未満であると、配線材料等を高速で研磨しやすく、粘度が適正であるため研磨布上に安定して化学機械研磨用水系分散体を供給することができる。
【００５６】
＜ｐＨ調整剤＞
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、ｐＨを７以上１４以下に調整するために、ｐＨ調整剤を含有してもよい。ｐＨ調整剤としては、水酸化カリウム、エチレンジアミン、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、アンモニア等の塩基が挙げられ、これらの１種以上を用いることができる。
【００５７】
１．６．ｐＨ
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体のｐＨ値は７以上１４以下であり、８以上１２以下であることが好ましく、８．５以上１１．５以下であることがより好ましい。ｐＨ値が前記範囲であると、被研磨面に用いられる材料の表面電位が負に帯電しやすくなる。一方、前記のように、本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体に用いる（Ａ）成分は、（Ｃ）成分との相互作用により正に帯電する。そのため化学機械研磨用水系分散体のｐＨ値を前記範囲に調整することにより、被研磨面と（Ａ）成分とが接触しやすくなるために研磨速度がより向上する。
【００５８】
ここで、化学機械研磨用水系分散体のｐＨが前記範囲である場合において、表面電位が負に帯電しやすい材料としては、タングステン、銅、コバルト、チタン、ルテニウム等の配線材料；窒化ケイ素、二酸化ケイ素、アモルファスシリコン等の絶縁膜材料；窒化チタン、窒化タンタル等のバリアメタル材料が挙げられる。本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、これらの材料のうち２種以上の材料を有する被研磨面を研磨する際にそれらの材料を効率的に研磨することができ、被研磨面の研磨速度をより向上させることができる。
【００５９】
なお、本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体のｐＨは、例えば、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分、及びｐＨ調整剤等の添加量を適宜増減することにより調整することができる。
【００６０】
本発明において、ｐＨとは、水素イオン指数のことを指し、その値は、２５℃、１気圧の条件下で市販のｐＨメーター（例えば、株式会社堀場製作所製、卓上型ｐＨメーター）を用いて、測定することができる。
【００６１】
１．７．用途
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、ｐＨを７以上１４以下とすることにより、被研磨面に存在する配線材料、絶縁膜材料、及びバリアメタル材料の表面電位を負に帯電させ、正に帯電させた（Ａ）シリカ粒子を砥粒として使用することによって被研磨面を高速に研磨できる点に特徴の一つがある。したがって、本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、半導体製造材料の中でも、前記ｐＨ領域において特に負に帯電しやすい、タングステン、銅、コバルト、チタン、ルテニウム等の配線材料；窒化ケイ素、二酸化ケイ素、アモルファスシリコン等の絶縁膜材料；窒化チタン、窒化タンタル等のバリアメタル材料のいずれか１種以上の材料を有する被研磨面を化学機械研磨するための研磨材料として好適である。
【００６２】
上述の化学機械研磨には、例えば図１に示すような研磨装置１００を用いることができる。図１は、研磨装置１００を模式的に示した斜視図である。上述の化学機械研磨では、スラリー供給ノズル４２からスラリー（化学機械研磨用水系分散体）４４を供給し、かつ研磨布４６が貼付されたターンテーブル４８を回転させながら、基板５０を保持したキャリアーヘッド５２を当接させることにより行う。なお、図１には、水供給ノズル５４およびドレッサー５６も併せて示してある。
【００６３】
キャリアーヘッド５２の研磨荷重は、０．７〜７０ｐｓｉの範囲内で選択することがで
き、好ましくは１．５〜３５ｐｓｉである。また、ターンテーブル４８及びキャリアーヘッド５２の回転数は１０〜４００ｒｐｍの範囲内で適宜選択することができ、好ましくは３０〜１５０ｒｐｍである。スラリー供給ノズル４２から供給されるスラリー（化学機械研磨用水系分散体）４４の流量は、１０〜１，０００ｍＬ／分の範囲内で選択することができ、好ましくは５０〜４００ｍＬ／分である。
【００６４】
市販の研磨装置としては、例えば、荏原製作所社製、型式「ＥＰＯ−１１２」、「ＥＰＯ−２２２」；ラップマスターＳＦＴ社製、型式「ＬＧＰ−５１０」、「ＬＧＰ−５５２」；アプライドマテリアル社製、型式「Ｍｉｒｒａ」、「Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ」；Ｇ＆Ｐ
ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ社製、型式「ＰＯＬＩ−４００Ｌ」；ＡＭＡＴ社製、型式「Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ  ＬＫ」；ＦＩＬＴＥＣ社製、型式「ＦＬＴｅｃ−１５」等が挙げられる。
【００６５】
２．化学機械研磨用水系分散体の製造方法
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体の製造方法は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）有機酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも１種と、（Ｃ）アミノ置換シラン及びその縮合体よりなる群から選択される少なくとも１種とを、前記（Ｃ）成分の含有量をＷＣ（質量％）、前記（Ａ）成分の含有量をＷＡ（質量％）としたときに、これらの比ＷＣ／ＷＡが０．０１以上１以下となるように水に加えて水系分散体を得る第１の工程と、前記第１の工程後に、前記水系分散体に（Ｄ）酸化剤をさらに加える第２の工程と、を含む。
【００６６】
第１の工程では、水等の液状媒体に前述した（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分を溶解または分散させることにより水系分散体を調製する。溶解または分散させる方法は、特に制限されず、均一に溶解または分散できればどのような方法を適用してもよい。また、前述した各成分の混合順序や混合方法についても特に制限されない。
【００６７】
第１の工程においては、得られた水系分散体のｐＨが７〜１４の範囲にない場合やｐＨが７〜１４の範囲にあってもさらにｐＨを調整したい場合には、ｐＨ調整剤を添加して水系分散体のｐＨを調整してもよい。
【００６８】
第２の工程では、得られた水系分散体に（Ｄ）成分をさらに加えて、化学機械研磨用水系分散体を調製する。（Ｄ）成分は、不安定で酸素を放出しやすく、強力な酸化力を持つヒドロキシラジカルを発生しやすいため、第２の工程は化学機械研磨を実施する直前に行うことが好ましい。
【００６９】
また、このようにして得られた化学機械研磨用水系分散体は、濃縮タイプの原液として調製し、使用時に水等の液状媒体で希釈して使用することもできる。
【００７０】
３．実施例
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、本実施例における「部」及び「％」は、特に断らない限り質量基準である。
【００７１】
３．１．実施例１
３．１．１．化学機械研磨用水系分散体の調製
水に、マロン酸を０．２質量部、平均粒子径が７５ｎｍのシリカ粒子Ａ１を０．５質量部、及び所定量の水酸化カリウムを容量１リットルのポリエチレン製瓶に投入し、３−アミノプロピルトリエトキシシランを０．０５質量部添加して十分に攪拌し、ｐＨを９．２とした。その後、酸化剤として過酸化水素水を１．０質量部となるように添加して攪拌す
ることにより、実施例１で使用する化学機械研磨用水系分散体を得た。なお、シリカ粒子の平均粒子径については、堀場製作所製の動的光散乱式粒径分布測定装置「ＬＢ−５５０」を用いて測定した。
【００７２】
３．１．２．評価方法
（１）研磨速度の評価
上記で調製した化学機械研磨用水系分散体を用いて、樹脂基板上に配線パターンの無いタングステン基板、二酸化ケイ素基板、窒化チタン基板、窒化タンタル基板をそれぞれ３ｃｍ×３ｃｍに切断した試験片を被研磨体として、下記の研磨条件で１分間の化学機械研磨試験を行った。評価基準は以下の通りである。その結果を表１に併せて示す。
（評価基準）
・タングステン研磨速度５０Å／分以上、二酸化ケイ素研磨速度１５０Å／分以上、窒化チタン研磨速度５００Å／分以上の条件を１つ以上満たさない場合を「×」
・タングステン研磨速度５０Å／分以上、二酸化ケイ素研磨速度１５０Å／分以上、窒化チタン研磨速度５００Å／分以上の条件をすべて満たす場合を「△」
・タングステン研磨速度１００Å／分以上、二酸化ケイ素研磨速度１５０Å／分以上、窒化チタン研磨速度１０００Å／分以上の条件をすべて満たす場合を「○」
・タングステン研磨速度１００Å／分以上、二酸化ケイ素研磨速度１５０Å／分以上、窒化チタン研磨速度１５００Å／分以上の条件をすべて満たす場合を「◎」
なお、評価結果が「◎」の場合は、「○」及び「△」の条件も満たすことになるが、「◎」を優先するものとする。同様に、評価結果が「○」の場合は、「△」の条件も満たすことになるが、「○」を優先するものとする。
【００７３】
＜研磨条件＞
・研磨装置：ＦＩＬＴＥＣ社製、型式「ＦＬＴｅｃ−１５」
・研磨パッド：Ｆｕｊｉｂｏ製、「Ｈ６００」
・化学機械研磨用水系分散体供給速度：１００ｍＬ／分
・定盤回転数：１００ｒｐｍ
・ヘッド回転数：９０ｒｐｍ
・ヘッド押し付け圧：３．８ｐｓｉ
・二酸化ケイ素膜厚評価装置：ＦＩＬＭＥＴＲＩＣＳ社製、型式「Ｆ２０−ＨＳ」
・タングステン、窒化チタン、窒化タンタル抵抗率評価装置：エヌピイエス社製  ＭＯＤＥＬ  Σ―５
・タングステン、窒化チタン、窒化タンタルの研磨速度（Å／分）＝（（（各基板固有の体積抵抗率／研磨前の各基板抵抗値）−（各基板固有の体積抵抗率／研磨後の各基板抵抗値）））／研磨時間（秒））×６０
・二酸化ケイ素の研磨速度（Å／分）＝（（研磨前の二酸化ケイ素基板膜厚−研磨後の二酸化ケイ素基板膜厚）／研磨時間（秒））×６０
【００７４】
（２）研磨傷の評価
上記の研磨速度の評価で化学機械研磨試験を行ったタングステン基板の表面を、レーザー顕微鏡（オリンパス社製、型式「ＯＬＳ４０００」）を用いて観察した。評価基準は以下の通りである。評価結果を表１に示す。
（評価基準）
・傷がない場合を「○」
・傷が一部に存在する場合を「△」
・全面に傷が存在する場合を「×」
と表１中に表記した。
【００７５】
（３）分散性の評価
上記で得られた化学機械研磨用水系分散体をスチロール棒瓶に２０ｍＬ採取して５時間静置した。５時間後の上澄み液高さを全液量の高さで割った値（この値を「上澄み割合」という。）を分散性の指標とした。評価基準は以下の通りである。評価結果を表１に示す。
（評価基準）
・上澄み割合が０．００以上０．３０未満の場合は分散性が良好であるため「○」
・上澄み割合が０．３０以上０．８０未満の場合は分散性の点で使用上問題がないため「△」
・上澄み割合が０．８０以上の場合は分散性が不良であるため「×」
と表１中に表記した。
【００７６】
３．２．実施例２〜８及び比較例１〜４
下表１又は下表２に記載のように各成分の種類及び含有量を変更した以外は、実施例１と同様にして化学機械研磨用水系分散体を調製し、実施例１と同様にして各評価試験を行った。
【００７７】
３．３．評価結果
下表１及び下表２に、各実施例及び各比較例の化学機械研磨用水系分散体の組成並びに各評価結果を示す。
【００７８】
【表１】
2020017556.tif 000002
【００７９】
【表２】
2020017556.tif 000003
【００８０】
表１及び表２中の各成分は、それぞれ下記の商品又は試薬を用いた。
＜砥粒＞
・シリカ粒子Ａ１：扶桑化学工業社製、コロイダルシリカ、平均粒子径７５ｎｍ
・シリカ粒子Ａ２：扶桑化学工業社製、コロイダルシリカ、平均粒子径４０ｎｍ
・アルミナ粒子：Ｓａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．社製  品番「７９９２アルミナ」
＜有機酸＞
・マロン酸：扶桑化学工業社製、商品名「マロン酸」
・マレイン酸：十全化学社製、商品名「マレイン酸」
＜アミノ置換シラン＞
・３−アミノプロピルトリエトキシシラン：東京化成工業社製、商品名「３−アミノプロピルトリエトキシシラン」
・Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン：東京化成工業社製、商品名「３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン」
＜酸化剤＞
・過酸化水素：富士フイルム和光純薬株式会社製、商品名「過酸化水素水（３０％）」
＜その他の添加剤＞
・水酸化カリウム：関東化学社製、ｐＨ調整剤
【００８１】
実施例１〜８の化学機械研磨用水系分散体によれば、タングステン基板、二酸化ケイ素基板、窒化チタン基板、窒化タンタル基板のいずれも高速で研磨することができ、かつ、（Ａ）シリカ粒子の分散性が良好となることで、被研磨面の研磨傷の発生を低減できることがわかった。
【００８２】
比較例１の化学機械研磨用水系分散体は（Ｃ）アミノ置換シランを含有しないため、（Ａ）シリカ粒子が正に帯電せずに負に帯電しており、（Ａ）シリカ粒子が負に帯電した各種基板の表面に接触し難い状態であったために高速で研磨することができなかった。
【００８３】
比較例２の化学機械研磨用水系分散体では、ｐＨが２．０であることにより各種基板の表面が負に帯電せず、正に帯電した（Ａ）シリカ粒子と接触し難い状態であったために高速で研磨することができなかった。
【００８４】
比較例３及び比較例４の化学機械研磨用水系分散体では、（Ｃ）アミノ置換シランがアルミナと相互作用しないので斥力が発生せずに分散性が不良となり、特に二酸化ケイ素基板を高速で研磨することができず、このアルミナによって被研磨面に研磨傷が多数発生した。
【００８５】
以上の結果から、本発明に係る化学機械研磨用水系分散体によれば、配線材料、絶縁膜材料、及びバリアメタル膜材料を高速研磨できるとともに、被研磨面における研磨傷の発生を低減できることがわかった。
【００８６】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【００８７】
４２…スラリー供給ノズル、４４…スラリー（化学機械研磨用水系分散体）、４６…研磨布、４８…ターンテーブル、５０…基板、５２…キャリアーヘッド、５４…水供給ノズル、５６…ドレッサー、１００…研磨装置
【図１】
2020017556.tif 000004