(57)【要約】【課題】基板処理装置について、高いスループットが得られると共に、基板の搬送経路の設定の自由度を高くする技術を提供すること【解決手段】複数の基板が収容される収容容器が載置される容器載置部と、前記基板を各々処理する複数の基板処理部と、移動自在な基台と、当該基台を前後に独立して移動自在に設けられると共に、前記基板の左右の縁部が開放されるように当該基板の左右の中央部寄りの位置を下方から各々支持し、前記収容容器に前記基板を揃って受け渡すために共に前進する第１の基板保持部及び第２の基板保持部と、を備える第１の基板搬送機構と、前記各基板処理部に前記基板を受け渡すために前記基板が各々載置され、前記第１の基板保持部及び第２の基板保持部が個別に前記基台を前進して前記基板が受け渡される、互いに積層された複数の第１の基板載置部と、を備える基板処理装置を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板が収容される収容容器が載置される容器載置部と、
前記基板を各々処理する複数の基板処理部と、
移動自在な基台と、当該基台を前後に独立して移動自在に設けられると共に、前記基板の左右の縁部が開放されるように当該基板の左右の中央部寄りの位置を下方から各々支持し、前記収容容器に前記基板を揃って受け渡すために共に前進する第１の基板保持部及び第２の基板保持部と、を備える第１の基板搬送機構と、
前記各基板処理部に前記基板を受け渡すために前記基板が各々載置され、前記第１の基板保持部及び第２の基板保持部が個別に前記基台を前進して前記基板が受け渡される、互いに積層された複数の第１の基板載置部と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記基板処理部と、当該基板処理部と前記第１の基板載置部との間で前記基板を搬送する第２の搬送機構と、を各々備えた複数の単位ブロックが、互いに積層されて設けられ、
前記第１の基板載置部は、前記単位ブロック毎に設けられる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２の基板搬送機構は、前記基板を側方から囲む囲み部と、この囲み部の内周縁に設けられて前記基板の下面を支持する爪部と、により構成される第３の基板保持部を備える請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１の基板搬送機構及び前記第２の基板搬送機構のうち、第２の基板搬送機構のみにより前記基板が受け渡され、前記第１の基板載置部に対して縦方向に並んで設けられる第２の基板載置部を備える請求項２または３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２の基板載置部は、前記基板の温度を調整する温度調整部である請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の基板搬送機構は、
前記第１の基板保持部及び／または前記第２の基板保持部に保持された前記基板の位置を検出するための検出部を備える請求項１ないし５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記検出部は、
前記基板の周縁部に投光する投光部と、前記投光部により投光されて当該基板の側方を通過する光を受光する受光部と、により構成され、
前記受光部から出力される検出信号に基づいて前記基板の周端の位置を検出する検出機構が設けられる請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１の基板保持部及び前記第２の基板保持部が前記基板を保持しているときの前記検出部による検出結果に応じて、前記各基板を当該第１の基板保持部及び前記第２の基板保持部により保持し直すために前記基板が仮置きされると共に、仮置きされた当該基板の位置が調整される位置調整部が設けられる請求項６または７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記位置調整部は、前記第１の基板載置部に対して縦方向に並んで設けられる請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
制御信号を出力する制御部が設けられ、
当該制御部は、前記前記第１の基板保持部または前記第２の基板保持部が前記基板を保持しているときの前記検出部による検出結果に応じて、前記第１の基板載置部に対する前記基板が受け渡される位置が調整されるように前記制御信号を出力する請求項６ないし９のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記収容容器から前記第１の基板搬送機構が受け取った前記複数の基板を、複数の前記第１の基板載置部に連続して搬送するように制御信号を出力する請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記制御部は、
前記第１の基板搬送機構が、複数の前記第１の基板載置部から連続して前記基板を受け取り、受け取った各基板を前記収容容器に搬送するように制御信号を出力する請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記基板処理部と、前記基板が搬送される搬送路とを備えた複数の単位ブロックが、互いに積層されて設けられ、
前記第１の基板載置部は、前記単位ブロック毎に設けられ、
前記制御部は、
前記第１の基板搬送機構が一の単位ブロックに対応する複数の前記第１の基板載置部から連続して前記基板を受け取り、他の単位ブロックに対応する複数の前記第１の基板載置部へ連続して当該基板を搬送するように制御信号を出力する請求項１ないし１２の一つに記載の基板処理装置。
【請求項１４】
複数の基板が収容される収容容器を容器載置部に載置する工程と、
複数の基板処理部により前記基板を各々処理する工程と、
第１の基板搬送機構を構成する基台を移動させる工程と、
前記第１の搬送機構を構成し、前記基台を前後に独立して移動自在に設けられる第１の基板保持部及び第２の基板保持部を、前記基板の左右の縁部が開放されるように当該基板の左右の中央部寄りの位置を下方から各々支持する工程と、
前記第１の基板保持部及び第２の基板保持部を、前記収容容器に前記基板を揃って受け渡すために共に前進させる工程と、
互いに積層された複数の第１の基板載置部に基板を各々載置する工程と、
前記複数の第１の基板載置部に載置された基板を、前記複数の基板処理部に各々受け渡す工程と、
前記第１の基板保持部及び第２の基板保持部を個別に前記基台を前進させて、前記複数の第１の基板載置部に前記基板を受け渡す工程と、
を備える基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に、液処理や加熱処理などの各種の処理が行われる。ウエハにそのような各処理を行う基板処理装置としては、基板を処理する各種の処理モジュールが設けられる処理ブロックと、当該処理ブロックと複数枚のウエハを格納するキャリアとの間でウエハを搬送する搬送機構と、を備える構成とされる場合が有る。
【０００３】
特許文献１、２では、そのような基板処理装置について示されている。この特許文献1の基板処理装置は、各々処理モジュールを備えると共に上記の処理ブロックを構成する複数の単位ブロックと、各単位ブロックに対してウエハの搬入出を各々行うための複数の搬入出用のモジュールとを備える。そして、この基板処理装置における搬送機構は互いに形状が異なる２つの基板保持部を備えており、一方の基板保持部を用いてキャリアと搬入出用のモジュールとの間でウエハが搬送され、他方の基板保持部を用いて搬入出用のモジュール間でウエハが搬送される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−６９９１６号公報
【特許文献２】特開２０１３−６９９１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は、基板処理装置について、高いスループットが得られると共に、基板の搬送経路の設定の自由度を高くする技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の基板処理装置は、複数の基板が収容される収容容器が載置される容器載置部と、
前記基板を各々処理する複数の基板処理部と、
移動自在な基台と、当該基台を前後に独立して移動自在に設けられると共に、前記基板の左右の縁部が開放されるように当該基板の左右の中央部寄りの位置を下方から各々支持し、前記収容容器に前記基板を揃って受け渡すために共に前進する第１の基板保持部及び第２の基板保持部と、を備える第１の基板搬送機構と、
前記各基板処理部に前記基板を受け渡すために前記基板が各々載置され、前記第１の基板保持部及び第２の基板保持部が個別に前記基台を前進して前記基板が受け渡される、互いに積層された複数の第１の基板載置部と、
を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、基板処理装置について、高いスループットが得られると共に、基板の搬送経路の設定の自由度を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本開示の第１の実施形態である塗布装置の横断平面図である。
【図２】前記塗布装置の縦断側面図である。
【図３】前記塗布装置を構成するキャリアブロックの正面図である。
【図４】前記キャリアブロックに設けられる搬送機構の側面図である。
【図５】前記搬送機構の斜視図である。
【図６】前記搬送機構及び塗布装置に設けられる受け渡しモジュールの平面図である。
【図７】前記キャリアブロックに搬送される搬送容器の縦断正面図である。
【図８】前記受け渡しモジュールの斜視図である。
【図９】前記塗布装置に設けられる温度調整モジュールの斜視図である。
【図１０】前記塗布装置に設けられる位置調整モジュールの斜視図である。
【図１１】前記ウエハの中心位置の検出手法を説明するための説明図である。
【図１２】塗布装置におけるウエハの搬送経路を示す説明図である。
【図１３】前記キャリアブロックにおけるウエハの搬送経路を示す説明図である。
【図１４】前記キャリアブロックにおけるウエハの搬送工程を示す工程図である。
【図１５】前記キャリアブロックにおけるウエハの搬送工程を示す工程図である。
【図１６】前記キャリアブロックにおけるウエハの搬送工程を示す工程図である。
【図１７】前記キャリアブロックにおけるウエハの搬送工程を示す工程図である。
【図１８】前記キャリアブロックにおけるウエハの搬送工程を示す工程図である。
【図１９】前記キャリアブロックにおけるウエハの搬送工程を示す工程図である。
【図２０】前記キャリアブロックにおけるウエハの搬送工程を示す工程図である。
【図２１】前記キャリアブロックにおけるウエハの搬送工程を示す工程図である。
【図２２】前記キャリアブロックにおけるウエハの搬送工程を示す工程図である。
【図２３】前記キャリアブロックにおけるウエハの搬送工程を示す工程図である。
【図２４】前記キャリアブロックにおけるウエハの搬送工程を示す工程図である。
【図２５】前記キャリアブロックにおけるウエハの搬送工程を示す工程図である。
【図２６】前記第３の実施形態に係る塗布装置の概略図である。
【図２７】前記第３の塗布装置の搬送経路を示す説明図である。
【図２８】前記第５実施形態に係る塗布、現像装置の横断平面図である。
【図２９】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図３０】前記受け渡しモジュールの他の構成例を示す斜視図である。
【図３１】搬送機構の他の構成例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（第１の実施形態）
本開示の基板処理装置の第１の実施形態である塗布装置１について、図１の横断平面図及び図２の縦断側面図を参照しながら説明する。塗布装置１は、キャリアブロックＤ１と、処理ブロックＤ２とを横方向に接続して構成されている。説明の便宜上、キャリアブロックＤ１と処理ブロックＤ２との接続方向をＸ方向とし、接続方向に直交する横方向をＹ方向とする。キャリアブロックＤ１については、塗布装置１に対してウエハＷを搬入出するために、収容容器１０が載置される。収容容器１０は、例えばＦＯＵＰ（Front-Opening United Pod）と呼ばれる、２５枚のウエハＷを格納して搬送するためのキャリアである。処理ブロックＤ２は、キャリアブロックＤ１から搬入されたウエハＷを処理する。
【００１０】
上記の処理ブロックＤ２の構成を説明する。処理ブロックＤ２は、互いに積層されると共に区画された６つの単位ブロックＥ１〜Ｅ６が、番号順に下から積層されて構成されている。第１の実施形態では、単位ブロックＥ１〜Ｅ６は、ウエハＷの表面にレジスト膜を各々成膜できるように、互いに同様に構成されている。単位ブロックＥ１〜Ｅ６のうち、代表して図１に示す単位ブロックＥ１について説明する。単位ブロックＥ１には、Ｙ方向の中心部においてＸ方向に沿って伸びる搬送路１１が形成されている。キャリアブロックＤ１側からＸ方向に見て、搬送路１１の右側にはレジスト膜形成モジュール１２が、搬送路１１の左側には加熱モジュール１３が夫々設けられている。
【００１１】
レジスト膜形成モジュール１２は４つ設けられ、搬送路１１の伸長方向に沿って配設されている。レジスト膜形成モジュール１２は、スピンコーティングによりウエハＷの表面全体にレジストを塗布し、レジスト膜を形成する。加熱モジュール１３は例えば２つ上下に積層されて積層体をなし、この積層体が例えば６つ、搬送路１１に沿って配設されている。加熱モジュール１３は熱板を備えており、レジスト膜が形成されたウエハＷは当該熱板に載置されて加熱される。
【００１２】
搬送路１１には、搬送機構Ｆ１が設けられている。搬送機構Ｆ１は前後動自在、昇降自在、且つ垂直軸周りに回動自在な基台１４を備えている。基台１４上には、当該基台１４上における前進位置と後退位置との間を、互いに独立して進退自在な２つの保持部１５が上下に設けられている。ウエハＷをモジュールに受け渡すために基台１４が昇降する場合に第３の基板保持部である保持部１５は前進位置に位置し、そのようにウエハＷを受け渡す場合を除いて保持部１５は後退位置に位置する。保持部１５は、ウエハＷを側方から囲む囲み部１６を備えている。保持部１５の進退方向を前後方向とすると、当該保持部１５は、ウエハＷの左側から後方を介して右側に沿うことで、平面視概ねＵ字状に形成されている。囲み部１６の内周縁には、ウエハＷの下面の周縁部を支持することでウエハＷを保持する４つの爪部１７が、当該囲み部１６の周方向に間隔を空けて設けられている。
【００１３】
単位ブロックＥ２〜Ｅ６に設けられる搬送機構Ｆ１に相当する搬送機構を、搬送機構Ｆ２〜Ｆ６とする。第２の基板搬送機構である搬送機構Ｆ１〜Ｆ６は、互いに独立して各単位ブロックに設けられている基板処理部である処理モジュール間においてウエハＷを搬送する。なお、ウエハＷが載置される場所をモジュールとし、ウエハＷに処理を行うモジュールを処理モジュールとする。上記のレジスト膜形成モジュール１２及び加熱モジュール１３は、処理モジュールである。
【００１４】
続いて、図３も参照して、キャリアブロックＤ１について説明する。キャリアブロックＤ１は角型の筐体２０を備えている。筐体２０のＸ方向に向かう側面を正面とすると、当該正面には、ロードポートを構成するウエハＷの搬送口２１Ａ〜２１Ｄが、マトリクス状に配置されて開口している。正面視、左側に配置される搬送口を２１Ａ、２１Ｂとし、右側に配置される搬送口を２１Ｃ、２１Ｄとし、上方側に配置された搬送口を２１Ａ、２１Ｃ、下方側に配置された搬送口を２１Ｂ、２１Ｄとする。搬送口２１Ａ〜２１Ｄは、各々開閉部２２により開閉自在である。また、搬送口２１Ａ〜２１Ｄの前方側には搬送口２１Ａ〜２１Ｄに各々対応する位置に、容器載置部２３Ａ〜２３Ｄが設けられており、当該容器載置部２３Ａ〜２３Ｄには搬送口２１Ａ〜２１Ｄに夫々臨むように、収容容器１０が載置される。説明の便宜上、収容容器１０について、載置されている載置台と同じ英字を付して示す場合が有る。つまり、収容容器１０Ａ〜１０Ｄとして示す場合が有る。
【００１５】
なお、キャリアブロックＤ１の前方には、収容容器１０が載置される棚と、上記の各容器載置部２３（２３Ａ〜２３Ｄ）と当該棚との間で収容容器１０を受け渡す収容容器１０の搬送機構とが設けられるが、図示は省略している。上記の棚には、例えば塗布装置１が設置される工場内の搬送機構によって、収容容器１０が搬入出される
【００１６】
キャリアブロックＤ１の筐体２０内における左右の中央部には、上下に延びるタワーＴ１が設けられており、上記の単位ブロックＥ（Ｅ１〜Ｅ６）の搬送機構Ｆ（Ｆ１〜Ｆ６）がアクセスできるように、タワーＴ１は、処理ブロックＤ２の各搬送路１１に臨む。タワーＴ１は、多数のモジュールが互いに積層されて構成されている。つまり、各モジュールが縦方向に並んで設けられており、このモジュールとしては、温度調整モジュールＳＣＰＬ、受け渡しモジュールＴＲＳ及び位置調整モジュールＴＨＳが含まれる。
【００１７】
第１の基板載置部である受け渡しモジュールＴＲＳについては複数設けられ、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６に対してウエハＷを搬入出できるように、単位ブロックＥ１〜Ｅ６に各々対応する高さに配置されている。即ち、搬送機構Ｆ１〜Ｆ６が各々ウエハＷを受け渡せるように、受け渡しモジュールＴＲＳが、単位ブロック毎に設けられている。各受け渡しモジュールＴＲＳについて、対応する高さの単位ブロックＥ１〜Ｅ６と同じ数字を付し、ＴＲＳ１〜ＴＲＳ６として示している。この例では、１つの単位ブロックに対応する高さに２つの受け渡しモジュールＴＲＳが設けられている。この２つの受け渡しモジュールについて、一方のＴＲＳが単位ブロックＥへの搬入用の受け渡しモジュール、他方のＴＲＳが単位ブロックＥからの搬出用の受け渡しモジュールである。
【００１８】
第２の基板載置部である温度調整モジュールＳＣＰＬは、載置されたウエハＷの温度を調整するモジュールである。温度調整部である当該温度調整モジュールＳＣＰＬは、受け渡しモジュールＴＲＳと同様に単位ブロックＥ１〜Ｅ６に各々対応する高さに設けられており、対応する高さの単位ブロックＥ１〜Ｅ６と同じ数字を付し、ＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ６として示している。位置調整部である位置調整モジュールＴＨＳについては、載置されたウエハＷの位置を調整するモジュールであり、例えば複数設けられている。これらの受け渡しモジュールＴＲＳ、温度調整モジュールＳＣＰＬ、位置調整モジュールＴＨＳの各構成については、後に詳しく説明する
【００１９】
正面側からＸ方向に見て、タワーＴ１の左側、右側には搬送機構３１、３２が夫々設けられている。図４は搬送機構３１、３２の側面図である。搬送機構３１、３２は、各々第１の基板搬送機構を構成し、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳと収容容器１０との間でウエハＷを受け渡す。より詳しく述べると、搬送機構３１は、収容容器１０Ａ、１０Ｂにアクセス可能であり、当該収容容器１０Ａ、１０ＢからウエハＷを取り出して、タワーＴ１の搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳに搬送する。搬送機構３２は収容容器１０Ｃ、１０Ｄにアクセス可能であり、タワーＴ１の搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳからウエハＷを取り出して、当該収容容器１０Ｃ、１０Ｄに搬送する。
【００２０】
搬送機構３１、３２は、互いに同様に構成されており、代表して搬送機構３１について、図５の斜視図及び図６の平面図も参照して説明する。搬送機構３１は、枠体３３、昇降部３４、基台３５、保持部３６、保持部３７、検出部４を備えている。枠体３３は縦長で起立した角枠であり、当該枠体３３内を昇降部３４が垂直に昇降自在に構成される。基台３５は昇降部３４上に、垂直軸周りに回動自在に設けられている。基台３５上には、ウエハＷを各々保持する保持部が上下に設けられており、下側の保持部、上側の保持部を夫々保持部３６、保持部３７とする。図示の便宜上、図５では保持部３７を、基台３５から離して示している。
【００２１】
保持部３６、保持部３７は夫々第１の基板保持部、第２の基板保持部をなす。保持部３６、３７は、基台３５上における前進位置と後退位置との間を、互いに独立して進退する。ウエハＷを収容容器１０またはモジュールに受け渡すために基台３５が昇降するときに保持部３６、３７は前進位置に位置し、そのような場合を除いて保持部３６、３７は後退位置に位置する。図６では、保持部３６が後退位置、保持部３７が前進位置に夫々位置する状態を示している。
【００２２】
保持部３６、３７は、基部３８と、当該基部３８が二股に分かれて進行方向へ延び出して形成された２つの先端部３９と、を備えており、互いに同様の細長且つ平板型のフォーク形状をなしている。基部３８の前端側及び先端部３９にウエハＷが下方から支持されることで、当該ウエハＷが保持される。そのようにウエハＷが支持されるにあたり、保持部３６、３７の進退方向を前後方向とすると、保持部３６、３７はウエハＷの左右の縁部よりも中央寄りの位置に重なり、ウエハＷの左右の縁部は保持部３６、３７の外側へと突出している。つまり、保持部３６、３７はウエハＷを左右から囲まず、且つウエハＷの左右の縁部に重ならないようにウエハＷを保持し、従って保持されるウエハＷの左右の縁部は開放された状態となる。
【００２３】
図７は、収容容器１０の縦断正面図であり、図中２４は収容容器１０内におけるウエハＷの支持部であり、ウエハＷの左右の縁部を各々支持するように、多段に設けられている。従って、各支持部２４の上側がウエハＷの収納領域（スロット）である。上記のように搬送機構３１の保持部３６、３７が構成されることで、保持部３６、３７は共に収容容器１０内に進入し、上下に連続する２つのスロットに対してウエハＷを揃って受け渡すことができる。
【００２４】
図４〜図６に戻って、搬送機構３１の説明を続ける。基台３５には、検出部４が設けられている。検出部４は４つの光センサ４０により構成されており、支持部４３により、光センサ４０は基台３５に支持され、基台３５と共に移動する。なお、この支持部４３については、図の煩雑化を避けるために図４及び図６では省略している。光センサ４０は、一組の投光部４１と受光部４２とにより構成されている。投光部４１、受光部４２は互いに上下に重なって設けられ、例えば投光部４１は上側に、受光部４２は下側に夫々配置されている。同じ組をなす投光部４１及び受光部４２は、後退位置に位置する保持部３６、保持部３７に各々保持されるウエハＷの周縁部を上下に挟むように設けられており、各組は、当該ウエハＷの周方向に間隔を空けて設けられている。また、受光部４２は、保持部３６及び保持部３７に保持されるウエハＷの中心側から外周側へ向かうように直線状に配置された多数の受光素子により構成されている。
【００２５】
ウエハＷを保持した保持部３６、３７が後退位置に位置する状態で、投光部４１は下方へ光を照射する。後退位置の保持部３６及び／または保持部３７に保持されるウエハＷの周縁部により、投光部４１から投光された光について一部は遮られ、他の一部はウエハＷの側方を通過して受光部４２に照射される。従って、ウエハＷの周端位置に応じて、受光部４２において光が照射される領域の大きさ、即ち光を受光する受光素子の数が変化する。受光部４２は、光が照射される領域の大きさに応じた検出信号を、後述の制御部１００に送信する。検出機構をなす制御部１００により、当該検出信号に基づいて当該ウエハＷの各周端位置が検出され、さらに当該各周端位置に基づいて、ウエハＷの中心位置が検出される。
【００２６】
続いて、受け渡しモジュールＴＲＳ１について、その平面を示した上記の図６と斜視図である図８とを参照して、より詳しく説明する。受け渡しモジュールＴＲＳ１には、既述のように単位ブロックＥ１の搬送機構Ｆ１がアクセスする他、搬送機構３１、３２が各々アクセスして、ウエハＷを受け渡すことができる。図中５１はタワーＴ１にて平板５２を支持するための支持部であり、この支持部５１から２枚の平板５２が重なって伸び出すことで、互いに積層された２つの受け渡しモジュールＴＲＳ１が形成されている。つまり、２つの平板５２により、受け渡しモジュールＴＲＳ１が各々構成されている。伸び出した各平板５２の先端部には垂直な３本のピン５３が設けられ、当該ピン５３上にウエハＷが水平に載置される。ピン５３は、搬送機構３１、３２の保持部３６、３７及び搬送機構Ｆ１の保持部１５がウエハＷを受け渡すために昇降する際に、これらの保持部３６、３７、１５に干渉しないように配置されている。なお、図６は、そのようにウエハＷを受け渡すために昇降する際の保持部３７、保持部１５を示している。
【００２７】
代表して受け渡しモジュールＴＲＳ１の構成を説明したが、受け渡しモジュールＴＲＳ２〜ＴＲＳ６についても受け渡しモジュールＴＲＳ１と同様に構成されている。従って、受け渡しモジュールＴＲＳ２〜ＴＲＳ６を介して、搬送機構３１、３２と、搬送機構Ｆ２〜Ｆ６との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００２８】
続いて、図９に示す温度調整モジュールＳＣＰＬ１について説明する。温度調整モジュールＳＣＰＬ１は、互いに重なった複数の円形のプレート５４を備え、各プレート５４上にウエハＷを載置することができる。温度調整モジュールＳＣＰＬ１には、チラーによって温度調整された冷媒が供給される図示しない流路が形成されており、当該冷媒によってプレート５４は温度調整され、プレート５４に載置されたウエハＷについても温度調整される。プレート５４には、搬送機構Ｆ１の保持部１５の爪部１７に対応する切り欠きが設けられており、当該保持部１５の昇降により、プレート５４にウエハＷが受け渡される。
【００２９】
温度調整モジュールＳＣＰＬ２〜ＳＣＰＬ６についても温度調整モジュールＳＣＰＬ１と同様の構成である。このような構成により、温度調整モジュールＳＣＰＬ（ＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ６）については、搬送機構３１、３２と、搬送機構Ｆ（Ｆ１〜Ｆ６）とのうち、搬送機構ＦのみがウエハＷを受け渡し可能である。この第１の実施形態において、各温度調整モジュールＳＣＰＬには、レジスト膜形成前のウエハＷが搬送されて、温度調整される。
【００３０】
次に位置調整モジュールＴＨＳについて、図１０を参照して説明する。この位置調整モジュールＴＨＳには、搬送機構３１、３２によりウエハＷが受け渡される。位置調整モジュールＴＨＳは４つの位置規制部５５を備えており、位置規制部５５は平面視マトリクス状に配置されている。位置規制部５５は下方に向かうにつれて拡径された円形に構成されており、その側面が傾斜面５６を形成している。４つの位置規制部５５に囲まれる領域が、ウエハＷの載置領域５７である。搬送機構３１、３２の保持部３６、３７の昇降により、ウエハＷは載置領域５７に搬送され、当該ウエハＷの周端が各位置規制部５５の傾斜面５６に支持される。支持されたウエハＷの周端は、重力により傾斜面５６を滑り、下降する。従って、位置調整モジュールＴＨＳにおいては、ウエハＷが載置される位置が自動で調整される。
【００３１】
搬送機構３１または３２は、この位置調整モジュールＴＨＳにウエハＷを一旦載置した後で、保持部３６または３７により当該ウエハＷを受け取り、既述の検出部４を用いたウエハＷの中心位置の検出が行われる。保持部３６または３７におけるウエハＷの中心位置が許容範囲から外れている場合、このウエハＷを再度、位置調整モジュールＴＨＳに載置する。載置されたウエハＷは位置調整されるため、検出されたウエハＷの中心位置に基づいて、基台３５の向き及び保持部３６または３７の前進位置が調整されてウエハＷが受け取られることで、保持部３６または３７における当該ウエハＷの中心位置が所望の位置とされる。つまり、位置調整モジュールＴＨＳは、保持されるウエハＷの位置が適切となるように当該ウエハＷの持ち直し（保持のし直し）を行うために、ウエハＷを仮置するモジュールである。
【００３２】
また、図１に示すように塗布装置１は、制御部１００を備えている。この制御部１００はコンピュータにより構成されており、プログラム、メモリ、ＣＰＵを備えている。プログラムには、塗布装置１における一連の動作を実施することができるようにステップ群が組み込まれており、当該プログラムによって制御部１００は塗布装置１の各部に制御信号を出力し、当該各部の動作が制御される。それにより、後述のウエハＷの搬送及びウエハＷの処理が行われる。上記のプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、ＤＶＤなどの記憶媒体に格納されて、制御部１００にインストールされる。
【００３３】
また、上記のプログラムは、搬送機構３１、３２の各々について、保持部３６、３７の両方がウエハＷを保持しているときに、各光センサ４０から受信する検出信号に基づき、ウエハＷの保持位置が異常であるか否かの判定を行うことができるように構成されている。各光センサ４０により、ウエハＷの周端位置が所定の範囲内に検出された場合は、ウエハＷの保持位置は正常であるとする。一方、４つの光センサ４０のうちのいずれかでウエハＷを検出できない場合、４つの光センサ４０のうちのいずれかで検出されたウエハＷの周端位置が異常の場合、あるいは後述の仮想のウエハＷの中心位置が異常の場合は、保持位置が異常であるとする。
【００３４】
上記の仮想のウエハＷの中心位置に基づいた異常の判定について、ＸＹ座標を表した図１１を参照して説明しておく。なお、この座標におけるＸ方向、Ｙ方向は、塗布装置１の説明で用いたＸ方向、Ｙ方向とは必ずしも一致しない。図１１では点線、鎖線で、保持部３６、３７が夫々保持したウエハＷを示している。４つの光センサ４０によりウエハＷの周端位置を取得する。そして、隣接する２つの光センサ４０により検出されるウエハＷの周端位置を、１つのウエハＷ（仮想ウエハＷ１とし、図中実線で示している）の周端位置であるものとする。この仮想ウエハＷ１の周端位置と、既知のデータであるウエハＷの直径と、に基づいて、仮想ウエハＷ１の中心位置を算出する。図１１では、当該中心位置をＸＹ座標の原点として例示している。隣接する光センサ４０の組み合わせの数（＝４）だけ、仮想ウエハＷ１の中心位置を算出し、いずれかの中心位置が異常である場合に、実際のウエハＷの中心位置も異常であるものとする。
【００３５】
上記のプログラムは、保持部３６、３７の両方がウエハＷを保持していて、上記のようにウエハＷの保持位置が異常であると判定した場合に、既述の位置調整モジュールＴＨＳを用いたウエハＷの持ち直しを行えるように構成されている。さらに、当該プログラムは、保持部３６、３７のいずれか一方がウエハＷを保持しているときに検出されるウエハＷの周端位置から、当該ウエハＷの中心位置を算出する。そしてプログラムは、この中心位置がウエハＷの搬送先のモジュールにおける所定の位置に位置するように、ウエハＷを保持する保持部の前進量及び基台３５の向きが調整されるように構成されている。つまり、検出されたウエハＷの中心位置に基づいて、搬送先のモジュールにおけるウエハＷの位置が補正される。
【００３６】
図１２は、この塗布装置１におけるウエハＷの搬送経路を矢印により示している。収容容器１０Ａ、１０Ｂから搬出されたウエハＷは、搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳ（ＴＲＳ１〜ＴＲＳ６）に搬送された後、単位ブロックＥ（Ｅ１〜Ｅ６）の搬送機構Ｆ（Ｆ１〜Ｆ６）により搬送される。搬送機構Ｆ（Ｆ１〜Ｆ６）は、温度調整モジュールＳＣＰＬ（ＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ６）→レジスト膜形成モジュール１２→加熱モジュール１３→搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳ（ＴＲＳ１〜ＴＲＳ６）の順でウエハＷを搬送する。そして、搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳ１〜ＴＲＳ６からウエハＷは、収容容器１０Ｃ、１０Ｄに搬送される。
【００３７】
図１３は、搬送機構３１、３２によるウエハＷの搬送経路を夫々示している。搬送機構３１は、収容容器１０Ａまたは１０Ｂから２枚のウエハＷを揃って受け取り、一の単位ブロックＥに対応する搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳ、他の単位ブロックＥに対応する搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳに、ウエハＷを１枚ずつ連続して搬送する。つまり、２つの搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳに対して個別にウエハＷが搬送される。搬送機構３１は、この一連の搬送を１つのサイクルとして、当該サイクルを繰り返す。
【００３８】
一方、搬送機構３２は、一の単位ブロックＥに対応する搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳ、他の単位ブロックＥに対応する搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳから、連続してウエハＷを１枚ずつ受け取る。つまり、２つの搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳから個別にウエハＷを受け取る。その後、搬送機構３２は、受け取った計２枚のウエハＷを、収容容器１０Ｃまたは１０Ｄに揃って搬送する。搬送機構３２は、この一連の搬送を１つのサイクルとして、当該サイクルを繰り返す。なお、連続してウエハＷを受け取るとは、他のモジュール及び収容容器１０に途中でアクセスせずにウエハＷを受け取ることである。同様に、連続してウエハＷを搬送するとは、他のモジュール及び収容容器１０に途中でアクセスせずにウエハＷを搬送することである。
【００３９】
以下、図１４〜図２５を参照し、上記の搬送機構３１、３２によるウエハＷの搬送を、収容容器１０Ａと、収容容器１０Ｃと、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２との間におけるウエハＷの搬送を例に挙げて、さらに詳しく説明する。搬送機構３１の基台３５が、収容容器１０Ａの手前に移動する。そして、保持部３６、３７が前進位置へと共に前進して収容容器１０Ａ内に進入し（図１４、図１５）、基台３５が上昇して保持部３６、３７がウエハＷを受け取る。その後、保持部３６、３７が後退位置へ共に移動すると、光センサ４０から光が照射されて、ウエハＷの周端位置が検出される（図１６）。この周端位置から、既述のようにウエハＷの保持位置について異常の有無が判定される。この判定を第１の異常判定とする。
【００４０】
上記の第１の異常判定において異常無しとされた場合、基台３５が搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳ１の手前に移動し、光センサ４０から光が照射され、ウエハＷの周端位置が検出される（図１７）。この周端位置から、ウエハＷの保持位置について異常の有無が判定される。この判定を第２の異常判定とする。第２の異常判定において異常無しとされた場合は、保持部３６、３７のうち保持部３６のみが前進位置に移動した後に基台３５が下降し、ウエハＷが受け渡しモジュールＴＲＳ１に受け渡される（図１８）。続いて、基台３５が搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳ２の手前に移動し、光センサ４０から光が照射され、ウエハＷの周端位置が検出される（図１９）。そして、保持部３６、３７のうち、保持部３７のみが前進位置へ移動する。既述したように、ウエハＷの周端位置に基づいて、この前進量が調整されると共に、基台３５が回動してその向きが調整される。そして、基台３５が下降し、ウエハＷは受け渡しモジュールＴＲＳ２の所定の位置に載置され（図２０）、保持部３７が後退位置に移動する（図２１）。
【００４１】
このように搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２に受け渡された各ウエハＷは、既述のように単位ブロックＥ１、Ｅ２に取込まれて処理され、搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２に搬送される。そして、搬送機構３２の基台３５が搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳ１の手前に移動し、保持部３６、３７のうち保持部３６のみが前進位置に移動し、基台３５が上昇して当該保持部３６がウエハＷを受け取り（図２２）、後退位置へ移動する。続いて、当該搬送機構３２の基台３５が受け渡しモジュールＴＲＳ２の手前に移動し、保持部３６、３７のうち保持部３７のみが前進位置に移動し、基台３５が上昇して当該保持部３６がウエハＷを受け取り（図２３）、後退位置へ移動する。
【００４２】
その後、基台３５が収容容器１０Ｃの手前に移動し、光センサ４０から光が照射され、ウエハＷの周端位置が検出される（図２４）。この周端位置から、ウエハＷの保持位置について異常の有無が判定される。この判定を第３の異常判定とする。第３の異常判定において異常無しとされた場合は、保持部３６、３７が前進位置に共に移動し（図２５）、基台３５が下降して、２枚のウエハＷが収容容器１０Ｃに揃って受け渡された後、保持部３６、３７が共に後退する。
【００４３】
搬送機構３１の保持部３６、３７がウエハＷを保持した状態で行われる上記の第１の異常判定、第２の異常判定において、ウエハＷの保持位置が異常と判定された場合、搬送機構３１は位置調整モジュールＴＨＳに移動し、既述したように保持部３６、３７における所定の位置に各ウエハＷの中心が位置するように１枚ずつウエハＷを持ち直す。なお、この持ち直しの過程で、保持部３６、３７が共にウエハＷを保持した状態で光センサ４０から投光していずれか一方のウエハＷの周端位置を検出する場合には、例えば他方のウエハＷを保持する保持部は前進位置に移動し、２枚のウエハＷに光が照射されることを防ぐ。保持部３６、３７がウエハＷを持ち直した後は、図１３で説明した経路に沿ったウエハＷの搬送が続行される。また、搬送機構３２の保持部３６、３７がウエハＷを保持した状態で行われる上記の第３の異常判定において、ウエハＷの保持位置が異常と判定された場合についても同様に、ウエハＷの持ち直しが行われ、持ち直し後はウエハＷの搬送が続行される。
【００４４】
収容容器１０Ａ内のウエハＷが順次搬出され、残りが１枚となったときには、搬送機構３１の保持部３６、３７のうちの一方のみがウエハＷを受け取り、受け渡しモジュールＴＲＳ１またはＴＲＳ２に搬送する。同様に収容容器１０Ｃの空いたスロットが１つとなったときには、搬送機構３２の保持部３６、３７の一方のみが、受け渡しモジュールＴＲＳからウエハＷを受け取り、当該ウエハＷを収容容器１０Ｃの上記の空いたスロットに搬送する。なお、収容容器１０Ａ、１０Ｃ及び受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２に対するウエハＷの受け渡しについて説明したが、収容容器１０Ｂ、１０Ｄに対するウエハＷの受け渡しは、収容容器１０Ａ、１０Ｃに対するウエハＷの受け渡しと同様に行われる。そして、単位ブロックＥ１、Ｅ２以外の他の単位ブロックに対するウエハＷの受け渡しは、単位ブロックＥ１、Ｅ２に対するウエハＷの受け渡しと同様に行われる。
【００４５】
この塗布装置１によれば、キャリアブロックＤ１に設けられた搬送機構３１、３２は、各々保持部３６、３７を備え、これらの保持部３６、３７は各々収容容器１０にアクセス可能な形状とされている。そして、収容容器１０に対しては保持部３６、３７が揃って２枚のウエハＷを受け渡し、単位ブロックＥの搬入出用モジュールとなる受け渡しモジュールＴＲＳに対しては、保持部３６、３７が個別に１枚ずつウエハＷを受け渡す。このような構成により、収容容器１０と受け渡しモジュールＴＲＳとの間で２枚のウエハＷが共に搬送されるため、キャリアブロックＤ１においてウエハＷ１枚あたりの搬送時間を短縮化することができる。その結果として、スループットの向上を図ることができる。
【００４６】
ところで上記の塗布装置１の構成では、２つの単位ブロックＥに各々対応する受け渡しモジュールＴＲＳと、収容容器１０との間で２枚のウエハＷを搬送している。しかし、１つの単位ブロックに対応する搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳと、搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳとを２つずつ設けたとする。そして、２枚のウエハＷを共に同じ単位ブロックに対応する搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳに搬送したり、２枚のウエハＷを同じ単位ブロックに対応する搬出用の受け渡しモジュールから受け取ってもよい。そのように装置構成の変更に起因して搬送経路の変更を行う場合も、搬送機構３１、３２は１枚ずつウエハＷを受け渡しモジュールＴＲＳに受け渡すため、特段の設計変更を行う必要が無い。つまり、各受け渡しモジュールＴＲＳに保持部３６、３７が個別にウエハＷを受け渡すために、搬送経路の設定の自由度が高いという利点が有る。
【００４７】
ところで上記のように、搬送機構３１が保持していた２枚のウエハＷのうちの２枚目のウエハＷを受け渡しモジュールＴＲＳに搬送するにあたっては、光センサ４０により、当該ウエハＷの中心位置が検出される。そして、当該中心位置に基づいて、受け渡しモジュールＴＲＳにおけるウエハＷの載置位置の調整が行われる。即ち、受け渡しモジュールＴＲＳに１枚ずつウエハＷを搬送しているため、検出部４による検出結果を利用して、２枚目のウエハＷについては、受け渡しモジュールＴＲＳにおける所望の位置に正確性高くウエハＷを搬送することができる。従って、２枚のウエハＷを揃って受け渡しモジュールＴＲＳに搬送する場合に比べて、搬送位置の不具合に起因してウエハＷの処理に異常が発生することを、より確実に抑制することができる利点が有る。ただし、既述のように搬送機構３１が２枚のウエハＷが保持しているときに、既述のように第１の異常判定及び第２の異常判定が行われるので、この２枚目のウエハＷの載置位置の調整を行わなくてもよい。
【００４８】
また、タワーＴ１に設けられた温度調整モジュールＳＣＰＬに対しては、搬送機構３１、３２がアクセスせず、搬送機構Ｆ１〜Ｆ６が専らアクセスする。従って、搬送機構３１、３２の負荷を抑え、より確実にスループットの向上を図ることができる。
【００４９】
なお、保持部３６、３７が揃って収容容器１０に対してウエハＷを受け渡すとは、保持部３６、３７が共に収容容器１０に進入している間に、収容容器１０と保持部３６、３７との間でウエハＷの受け渡しが行われることである。つまり、基台３５が昇降して各々前進位置に位置する保持部３６、３７と収容容器１０との間でウエハＷが受け渡されるにあたり、保持部にウエハＷが支持されるタイミング及び保持部からウエハＷが離れるタイミングについては、保持部３６と保持部３７との間で同時であってもよいし、ずれていてもよい。さらに、保持部３６、３７が共に収容容器１０に対して前進するとは、ある期間を見たときに保持部３６、３７の両方が収容容器１０に対して同時に前進することである。即ち、保持部３６、３７間で収容容器１０に対して前進開始するタイミングが同時であってもよいし、ずれていてもよい。同様に、前進終了するタイミングも同時で有ってもよいし、ずれていてもよい。
【００５０】
また、上記の搬送例では２枚のウエハＷを保持したときの保持位置が異常と判定される場合についてのみ位置調整モジュールＴＨＳを用いた持ち直しが行われるように示したが、それには限られない。例えば、保持部３７のみがウエハＷを保持するときに、取得されるウエハＷの周端位置及び周端位置から得られる中心位置について異常の有無の判定を行い、異常であると判定された場合には、この持ち直しを行い、持ち直し後に搬送を続行してもよい。
【００５１】
（第２の実施形態）
各単位ブロックＥで行う液処理としては、レジスト膜の形成に限られない。単位ブロックＥの他の構成例について説明する。例えば各単位ブロックＥ１〜Ｅ６において、レジスト膜形成モジュール１２の代わりに現像モジュールを設ける。当該現像モジュールは、ウエハＷに現像液を供給し、当該ウエハＷの表面に形成された露光済みのレジスト膜を現像する。そして各搬送機構ＦがウエハＷを、加熱モジュール１３→温度調整モジュールＳＣＰＬ→現像モジュールの順で搬送するようにしてもよい。この加熱モジュール１３は、第１の実施形態とは異なり、ポストエクスポージャベークを行うために用いられる。このような点を除き、この第２の実施形態の基板処理装置は、第１の実施形態の装置と同様の構成である。即ち、この第２の実施形態では、基板処理装置は現像装置として構成されている。そのように現像装置として構成した場合も、塗布装置１と同様にウエハＷが搬送され、塗布装置１で説明した効果と同様の効果が得られる
【００５２】
（第３の実施形態）
続いて第２の実施形態の塗布装置５について、図２６を参照しながら塗布装置１との差異点を中心に説明する。塗布装置５は、ウエハＷに反射防止膜、レジスト膜、保護膜を順番に、これらの各膜が互いに積層されるように形成する。保護膜は、液浸露光時におけるレジスト膜の保護用である。
【００５３】
単位ブロックＥ１、Ｅ２においては、レジスト膜形成モジュール１２の代わりに、液処理モジュールとして反射防止膜形成モジュール１８が設けられる。反射防止膜形成モジュール１８は、反射防止膜形成用の薬液をウエハＷにスピンコーティングして反射防止膜を形成する。単位ブロックＥ１、Ｅ２の搬送機構Ｆ１、Ｆ２は、搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２→温度調整モジュールＳＣＰＬ１、ＳＣＰＬ２→反射防止膜形成モジュール１８→加熱モジュール１３→搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２の順にウエハＷを搬送する。
【００５４】
単位ブロックＥ３、Ｅ４は、塗布装置１の単位ブロックＥ３、Ｅ４と同様である。また、単位ブロックＥ５、Ｅ６においては、レジスト膜形成モジュール１２の代わりに、液処理モジュールとして保護膜形成モジュール１９が設けられる。保護膜形成モジュール１９は、保護膜形成用の薬液をウエハＷにスピンコーティングして、保護膜を形成する。単位ブロックＥ５、Ｅ６の搬送機構Ｆ５、Ｆ６は、搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６→温度調整モジュールＳＣＰＬ５、ＳＣＰＬ６→保護膜形成モジュール１９→加熱モジュール１３→搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６の順にウエハＷを搬送する。なお単位ブロックＥ１〜Ｅ６間では、液処理モジュール及び加熱モジュールは互いに同様のレイアウトで配置されている。
【００５５】
図２６において実線の矢印、鎖線の矢印は、搬送機構３１によって行われる搬送経路、搬送機構３２によって行われる搬送経路を夫々示している。また図２７は、図１３と同様に搬送機構３１、３２によるウエハＷの搬送経路を夫々示している。搬送機構３１は、収容容器１０Ａまたは１０ＢからウエハＷを取り出し、搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２に搬送する。続いて、搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２から連続してウエハＷを受け取り、搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳ３、ＴＲＳ４へ連続してウエハＷを搬送する。このような搬送サイクルを繰り返し行う。なお、この第３の実施形態において、単位ブロックＥ１、Ｅ２が一の単位ブロック、単位ブロックＥ３、Ｅ４が他の単位ブロックに相当する。そして、一の単位ブロックに対応する受け渡しモジュールＴＲＳから他の単位ブロックに対応する受け渡しモジュールＴＲＳへ、連続してウエハＷの搬送が行われることになる。
【００５６】
搬送機構３２は、搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６から連続してウエハＷを受け取り、収容容器１０Ｃまたは１０ＤへウエハＷを搬送する。そして、搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳ３、ＴＲＳ４から連続してウエハＷを受け取り、搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６へ連続してウエハＷを搬送する。このような搬送サイクルを繰り返し行う。
【００５７】
このように塗布装置５における搬送機構３１、３２は、収容容器１０と受け渡しモジュールＴＲＳとの間の搬送の他に、互いに異なる単位ブロックＥに対応する受け渡しモジュールＴＲＳ間の搬送も行う。そして、塗布装置５においても、塗布装置１と同様に搬送機構３１、３２における保持部３６、３７が共に前進して収容容器１０にウエハＷを揃って受け渡し、受け渡しモジュールＴＲＳにウエハＷを受け渡すときには、保持部３６、３７が個別にウエハＷを受け渡す。従って、この塗布装置５においても、塗布装置１と同様の効果が得られる。
【００５８】
（第４の実施形態）
続いて、第４の実施形態の基板処理装置について、第３の実施形態の塗布装置５との差異点を中心に説明する。単位ブロックＥ２〜Ｅ４は、塗布装置５における単位ブロックＥ１、Ｅ２と同様に構成されており、反射防止膜をウエハＷに各々形成する。また、単位ブロックＥ５、Ｅ６は、第２の実施形態における単位ブロックＥと同様に構成されており、ウエハＷに各々現像を行う。単位ブロックＥ１については、例えば液処理モジュール及び加熱モジュールが設けられず、他の単位ブロックＥにおいて加熱モジュールが設けられる位置に撮像モジュールが設けられる。撮像モジュールは例えば、ウエハＷを載置するステージと、ステージ上のウエハＷの表面を撮像するカメラとを備える。カメラは制御部１００に取得した画像を送信し、制御部１００がウエハＷの表面における異常の有無を判定する検査を行う。
【００５９】
説明の便宜上、３つの異なる収容容器１０を第１〜第３の収容容器１０とする。例えば第１の収容容器１０から搬出されたウエハＷは、単位ブロックＥ２〜Ｅ４に搬送されて反射防止膜が形成され、第２の収容容器１０から搬出されたウエハＷは、単位ブロックＥ５、Ｅ６に搬送されて現像処理が行われる。第３の収容容器１０から搬出されたウエハＷは、単位ブロックＥ１に搬送されて撮像されて検査が行われる。各収容容器１０と単位ブロックＥ１〜Ｅ６との間のウエハＷの受け渡しは、第１の実施形態で説明したように行われる。
【００６０】
なお、第３の実施形態で例示したように、第４の実施形態においても単位ブロックＥ間でウエハＷを受け渡してもよい。つまり、この第４の実施形態において、単位ブロックＥ２〜Ｅ４または単位ブロックＥ５、Ｅ６で処理され、搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳ２〜ＴＲＳ５に搬送されたウエハＷを、搬送機構３１または３２により、搬入用の受け渡しモジュールＴＲＳ１に搬送してもよい。そして、撮像後、搬出用の受け渡しモジュールＴＲＳ１に搬送されたウエハＷを搬送機構３１または３２により、収容容器１０に戻してもよい。
【００６１】
この第４の実施形態として示すように、処理モジュールにおけるウエハＷの処理としては液処理や加熱処理に限られず、撮像も含まれる。また、第１〜第４の実施形態で示されるように、処理ブロックＤ２を構成する複数の単位ブロックＥとしては、ウエハＷに同種の処理を行うものであってもよいし、互いに異なる処理を行うものであってもよい。
【００６２】
（第５の実施形態）
続いて、第５の実施形態である塗布、現像装置６について、図２８の平面図、図２９の縦断側面図を参照しながら、塗布装置５との差異点を中心に説明する。塗布、現像装置６は、キャリアブロックＤ１、処理ブロックＤ２、インターフェイスブロックＤ３が、この順にＸ方向に接続されている。インターフェイスブロックＤ３において、処理ブロックＤ２が接続される側とは逆側に、露光機Ｄ４が接続されている。
【００６３】
この塗布、現像装置６の処理ブロックＤ２は、単位ブロックＥ１〜Ｅ５により構成されており、単位ブロックＥ１〜Ｅ３は互いに同様に構成され、単位ブロックＥ４、Ｅ５が互いに構成されている。塗布、現像装置６の単位ブロックＥ１〜Ｅ３は、塗布装置１の単位ブロックＥ１〜Ｅ３と略同様に構成されているが、差異点として、レジスト膜形成モジュール１２の他に、反射防止膜形成モジュール１８が設けられている。また、塗布、現像装置６の単位ブロックＥ４、Ｅ５は、第２の実施形態における単位ブロックＥ４、Ｅ５と同様に構成されており、ウエハＷに現像処理を行う。
【００６４】
次に、インターフェイスブロックＤ３について説明する。インターフェイスブロックＤ３は、単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨がるように上下に伸びるタワーＴ２〜Ｔ４を備えている。このタワーＴ２は、多数の受け渡しモジュールＴＲＳが積層されて構成されている。タワーＴ３、Ｔ４は、タワーＴ２をＹ方向に挟むように設けられている。タワーＴ３、Ｔ４には、各種のモジュールが含まれるが、図示及び説明を省略する。また、インターフェイスブロックＤ３は、各タワーＴ２〜Ｔ４に対してウエハＷを搬送する搬送機構６１〜６３を備えている。搬送機構６１は、タワーＴ２及びタワーＴ３に対してウエハＷの受け渡しを行う。搬送機構６２は、タワーＴ２及びタワーＴ４に対してウエハＷの受け渡しを行う。搬送機構６３は、タワーＴ２と露光機Ｄ４との間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００６５】
塗布、現像装置６におけるウエハＷの搬送経路について説明する。収容容器１０Ａ、１０Ｂから搬出されたウエハＷは、搬送機構３１により受け渡しモジュールＴＲＳ１〜ＴＲＳ３へ搬送される。そして、ウエハＷは、搬送機構Ｆ１〜Ｆ３により、温度調整モジュールＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３→反射防止膜形成モジュール１８→加熱モジュール１３→温度調整モジュールＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ３→レジスト膜形成モジュール１２→加熱モジュール１３の順で搬送される。それにより、ウエハＷに反射防止膜、レジスト膜が順に形成された後、タワーＴ２において単位ブロックＥ１〜Ｅ３に対応する高さの受け渡しモジュールＴＲＳに搬送される。そして、搬送機構６１によりタワーＴ２、Ｔ３間を搬送された後、搬送機構６３により、露光機Ｄ４へ搬送されて露光される。
【００６６】
然る後、ウエハＷは、搬送機構６３により、露光機Ｄ４からタワーＴ２に搬送され、タワーＴ２、Ｔ４間を搬送された後、タワーＴ２において単位ブロックＥ４、Ｅ５に対応する高さの受け渡しモジュールＴＲＳに搬送される。そして、第２の実施形態で説明したように、単位ブロックＥ４、Ｅ５を搬送されて、ＰＥＢ、現像処理を順次受けた後、受け渡しモジュールＴＲＳ４、ＴＲＳ５に搬送され、搬送機構３２により受け渡しモジュールＴＲＳ４、ＴＲＳ５から収容容器１０Ｃ、１０Ｄに搬送される。
【００６７】
上記の収容容器１０と受け渡しモジュールＴＲＳ１〜ＴＲＳ５との間の搬送は、第１の実施形態と同様に行われる。即ち、搬送機構３１、３２は、収容容器１０にはウエハＷを２枚揃って受け渡し、各受け渡しモジュールＴＲＳには１枚ずつ個別にウエハＷを受け渡す。従って、塗布、現像装置６についても、塗布装置１と同様の効果が得られる。
【００６８】
なお、塗布、現像装置６及び各塗布装置の処理ブロックＤ２において、実際には液処理モジュール及び加熱モジュールの他にも各種のモジュールが設けられているが、説明の煩雑化を防ぐために省略している。また、処理ブロックＤ２としては、各単位ブロックに分割されていない、即ち上下に分割されていない構成であってもよい。さらに、処理モジュールについても既述した処理は一例である。既述した例の他には、例えば絶縁膜を形成するための薬液を塗布する塗布モジュールや、薬液（洗浄液）を供給してウエハＷを洗浄する洗浄モジュールや、複数のウエハＷを互いに貼り合わせる接着剤を塗布する塗布モジュールを処理モジュールとして設けてもよい
【００６９】
さらに、タワーＴ１に設けられる受け渡しモジュールＴＲＳについては、搬送機構３１、３２と搬送機構Ｆとが各々ウエハＷを受け渡すことができればよいため、上記の構成例に限られない。図３０は、受け渡しモジュールＴＲＳの他の構成例を示している。この受け渡しモジュールＴＲＳは、支持部５１に接続された円形のプレート７１を備えている。円形のプレート７１は上下に複数積層されて設けられ、各々が受け渡しモジュールＴＲＳを構成する。
【００７０】
プレート７１の周縁部には、温度調整モジュールＳＣＰＬを構成するプレート７１と同様に、搬送機構Ｆの爪部１７に対応する切り欠き７２が設けられており、当該切り欠き７２を介して、搬送機構Ｆはプレート７１にウエハＷを受け渡すことができる。また、プレート７１の表面には、搬送機構３１、３２の保持部３６、３７の形状に対応する溝７３が形成されており、ウエハＷは溝７３の外側に支持される。溝７３は、プレート７１の外側に開放されており、保持部３６、３７はプレート７１の外側と溝７３内とを移動可能であることにより、当該プレート７１に対してウエハＷの受け渡しを行える
【００７１】
また、上記の保持部３６、３７についても、既述の形状に限られない。具体的には、例えば先端が二股に分かれていない舌状に形成されていてもよい。その場合は、受け渡しモジュールＴＲＳについては、ピン５３が保持部３６、３７に干渉しないように、互いの距離を比較的大きく離して配置すればよい。
【００７２】
なお、位置調整モジュールＴＨＳについては、キャリアブロックＤ１内において、搬送機構３１、３２が各々アクセス可能な位置に配置すればよく、上記の配置例には限られない。ただし、上記のようにタワーＴ１に配置されることで、キャリアブロックＤ１の占有床面積が増加することが抑制される。また、既述の例では搬送機構３１を収容容器１０からウエハＷを搬出するために、搬送機構３２を収容容器１０へのウエハＷを搬入するために夫々用いているが、このように搬送機構３１、３２の役割を分けて用いることには限られない。例えば搬送機構３１、３２が収容容器１０Ａ、１０Ｃから夫々ウエハＷを搬出し、搬送機構３１、３２が収容容器１０Ｂ、１０Ｄへ夫々ウエハＷを搬入するように運用してもよい。
【００７３】
ところで、図３１には、搬送機構３１の他の構成例を示している。既述した例との差異点として、下側の保持部３６については４つ、互いに重なって設けられている。つまり上側の保持部３７と合わせて、５つの保持部が基台３５に設けられている。既述した例と同様に保持部３６、３７は互いに独立して基台３５上を進退可能である。そして、４つの保持部３６は例えば基部側が互いに接続されており、基台３５上を揃って進退する。なお、図示を省略しているが、この４つの保持部３６が設けられる基台３５には、保持部３６が１つのみ設けられる既述の例と同様に、光センサ４０が設けられている。
【００７４】
搬送容器１０にウエハＷを受け渡すときには、４つの保持部３６及び保持部３７が揃って基台３５上を進退し、５枚のウエハＷが一括して受け渡される。そして、受け渡しモジュールＴＲＳに対しては、保持部３７と４つの保持部３６との間で個別の進退動作が行われることでウエハＷが受け渡される。４つの保持部４６が４枚のウエハＷを４つの受け渡しモジュールＴＲＳに一括で受け渡してもよいし、複数回に分けて受け渡しを行ってもよい。つまり１回の進退で１〜３枚のウエハＷを受け渡しモジュールＴＲＳに受け渡すようにしてもよい。また、既述した例と同様、受け渡しモジュールＴＲＳ、搬送容器１０に対して各々ウエハＷを受け渡すときに、光センサ４０を用いたウエハＷの保持位置についての異常の有無の判定が行われる。この判定で、複数の保持部３６がウエハＷを保持しているときにウエハＷの保持位置について異常であると判定された場合は、保持部３６により保持されている各ウエハＷについて、既述した持ち直しが行われる。従って４つの保持部３６がウエハＷを保持しているときに保持位置が異常と判定された場合、４枚のウエハＷの持ち直しが行われる。
【００７５】
なお、搬送機構３２についても同様に複数の保持部３６を備えるようにしてもよい。また、各搬送機構３１、３２における上側の保持部３７についても保持部３６と同様に複数設けて、これらの保持部３６が揃って基台３５を進退するように構成してもよい。即ち、第１の基板保持部、第２の基板保持部は各々１枚のみ基板を保持するように構成することに限られず、複数枚の基板を保持するように構成することができる。
【００７６】
なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００７７】
ＴＲＳ            受け渡しモジュール
Ｗ                ウエハ
１０              収容容器
１２              レジスト膜形成モジュール
２３              載置台
３１、３２        搬送機構
３６、３７        保持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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