(57)【要約】【課題】ウェーハなどの基板に傷を付けることなく、基板を低ランニングコストで研磨することができる研磨装置を提供する。【解決手段】研磨装置は、基板Ｗの裏側面を保持する保持面１１ａを有する基板保持ステージ１１と、基板Ｗの表側面に液体を供給する液体供給ノズル２７と、砥粒を有する研磨テープ６１を保持する研磨ヘッド５０と、研磨ヘッド５０に荷重を付与し、研磨ヘッド５０が研磨テープ６１を基板Ｗの表側面に押し付けることを可能とするアクチュエータ５７と、研磨テープ６１の研磨面が摺接される慣らし用定盤８１と、研磨ヘッド５０を基板保持ステージ１１と慣らし用定盤８１との間で移動させる研磨ヘッド移動機構５９を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の裏側面を保持する保持面を有する基板保持ステージと、
前記基板保持ステージを回転させるステージモータと、
前記基板の表側面に液体を供給する液体供給ノズルと、
砥粒を有する研磨テープを保持する研磨ヘッドと、
前記研磨ヘッドに荷重を付与し、前記研磨ヘッドが前記研磨テープを前記基板の表側面に押し付けることを可能とするアクチュエータと、
前記研磨テープの研磨面が摺接される慣らし用定盤と、
前記研磨ヘッドを前記基板保持ステージと前記慣らし用定盤との間で移動させる研磨ヘッド移動機構を備えたことを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記慣らし用定盤は、前記研磨テープの研磨面が摺接される平坦な上面を有していることを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
前記慣らし用定盤は、ダミーウェーハであることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨装置。
【請求項４】
前記ダミーウェーハは、ベアシリコンウェーハ、または表面が絶縁膜から構成されたウェーハであることを特徴とする請求項３に記載の研磨装置。
【請求項５】
前記慣らし用定盤は、石英板であることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨装置。
【請求項６】
前記慣らし用定盤を着脱可能に保持する定盤保持部材をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の研磨装置。
【請求項７】
前記定盤保持部材は、前記慣らし用定盤を保持するクランプを備えていることを特徴とする請求項６に記載の研磨装置。
【請求項８】
前記定盤保持部材は、その表面に形成された少なくとも１つの真空吸引孔を有することを特徴とする請求項６に記載の研磨装置。
【請求項９】
前記研磨テープは、基材テープと、研磨層と、前記基材テープと前記研磨層との間にある弾性層とを備え、
前記研磨層は、前記砥粒と、前記砥粒を保持する水溶性バインダとを含み、
前記砥粒の直径は、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の研磨装置。
【請求項１０】
前記水溶性バインダは、ポリビニル系樹脂またはポリエステル系樹脂であることを特徴とする請求項９に記載の研磨装置。
【請求項１１】
前記弾性層は、発泡ポリウレタンから構成されていることを特徴とする請求項９または１０に記載の研磨装置。
【請求項１２】
前記砥粒は、シリカ砥粒、セリア砥粒、またはアルミナ砥粒のいずれかであることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の研磨装置。
【請求項１３】
研磨テープの研磨面を慣らし用定盤に摺接させて、前記研磨面の慣らしを行い、
基板の裏側面を基板保持ステージで保持しながら、前記基板を回転させ、
前記回転する基板の表側面に液体を供給しながら、研磨ヘッドで前記研磨テープの研磨面を前記基板の表側面に押し付けて該表側面を研磨することを特徴とする研磨方法。
【請求項１４】
前記研磨テープは、基材テープと、研磨層と、前記基材テープと前記研磨層との間にある弾性層とを備え、
前記研磨層は、砥粒と、前記砥粒を保持する水溶性バインダとを含み、
前記砥粒の直径は、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１３に記載の研磨方法。
【請求項１５】
前記水溶性バインダは、ポリビニル系樹脂またはポリエステル系樹脂であることを特徴とする請求項１４に記載の研磨方法。
【請求項１６】
前記弾性層は、発泡ポリウレタンから構成されていることを特徴とする請求項１４または１５に記載の研磨方法。
【請求項１７】
前記砥粒は、シリカ砥粒、セリア砥粒、またはアルミナ砥粒のいずれかであることを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の研磨方法。
【請求項１８】
基板のデバイスが形成される前の面を研磨するための研磨テープであって、
基材テープと、
研磨層と、
前記基材テープと前記研磨層との間にある弾性層とを備え、
前記研磨層は、砥粒と、前記砥粒を保持する水溶性バインダとを含み、
前記砥粒の直径は、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする研磨テープ。
【請求項１９】
前記水溶性バインダは、ポリビニル系樹脂またはポリエステル系樹脂であることを特徴とする請求項１８に記載の研磨テープ。
【請求項２０】
前記弾性層は、発泡ポリウレタンから構成されていることを特徴とする請求項１８または１９に記載の研磨テープ。
【請求項２１】
前記砥粒は、シリカ砥粒、セリア砥粒、またはアルミナ砥粒のいずれかであることを特徴とする請求項１８乃至２０のいずれか一項に記載の研磨テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハなどの基板を研磨する研磨装置および研磨方法に関し、特に配線パターンが形成される前の面を研磨テープで研磨するための研磨装置および研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＮＩＬ(ナノインプリントリソグラフィ)においては、テンプレートから回路パターンが直接ウェーハに転写される。ウェーハ表面上にパーティクルなどの微小突起物があると、回路パターンの転写時にテンプレートが破損することがある。そこで、高価なテンプレートの寿命を延ばすために、転写前のウェーハから微小突起物を除去することが求められている。ウェーハ表面に存在する微小突起物には、ウェーハ表面に付着したパーティクルのみならず、膜中に埋め込まれた異物が含まれる。特に、このような異物は、スポンジスクラバーのようなクリーニング機構では除去することが難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１５０１７８号公報
【特許文献２】特開２０１５−０１２２００号公報
【特許文献３】特開２０１６−０５８７２４号公報
【特許文献４】特開２００２−３４３７５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、ウェーハ表面から微小突起物を除去するために、化学機械研磨（ＣＭＰ）装置を用いることが考えられる。ＣＭＰ装置は、研磨テーブル上の研磨パッドにスラリーを供給しながら、ウェーハを研磨パッドに摺接させることによって、スラリーの化学成分による化学作用とスラリーに含まれる砥粒の機械作用によりウェーハの表面を研磨する。このようなＣＭＰ装置によれば、ウェーハの表面に傷を付けることなく、ウェーハ表面から微小突起物を除去することができる。
【０００５】
しかしながら、ＣＭＰ装置は、ウェーハの倍以上の直径を持つ研磨テーブルを備えた大きな装置であり、広い設置スペースを必要とする。加えて、ＣＭＰ装置は、スラリーおよび研磨パッドなどの消耗品を必要とし、消耗品のコストが高い。さらに、ウェーハ表面の汚染を防止するために、研磨されたウェーハ表面を十分に洗浄してスラリーをウェーハから除去する必要がある。
【０００６】
そこで、本発明は、ウェーハなどの基板に傷を付けることなく、基板を低ランニングコストで研磨することができる研磨装置および研磨方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、基板の裏側面を保持する保持面を有する基板保持ステージと、前記基板保持ステージを回転させるステージモータと、前記基板の表側面に液体を供給する液体供給ノズルと、砥粒を有する研磨テープを保持する研磨ヘッドと、前記研磨ヘッドに荷重を付与し、前記研磨ヘッドが前記研磨テープを前記基板の表側面に押し付けることを可能とするアクチュエータと、前記研磨テープの研磨面が摺接される慣らし用定盤と、前記研磨ヘッドを前記基板保持ステージと前記慣らし用定盤との間で移動させる研磨ヘッド移動機構を備えたことを特徴とする研磨装置である。
【０００８】
本発明の好ましい態様は、前記慣らし用定盤は、前記研磨テープの研磨面が摺接される平坦な上面を有していることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記慣らし用定盤は、ダミーウェーハであることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記ダミーウェーハは、ベアシリコンウェーハ、または表面が絶縁膜から構成されたウェーハであることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記慣らし用定盤は、石英板であることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記慣らし用定盤を着脱可能に保持する定盤保持部材をさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記定盤保持部材は、前記慣らし用定盤を保持するクランプを備えていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記定盤保持部材は、その表面に形成された少なくとも１つの真空吸引孔を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の好ましい態様は、前記研磨テープは、基材テープと、研磨層と、前記基材テープと前記研磨層との間にある弾性層とを備え、前記研磨層は、前記砥粒と、前記砥粒を保持する水溶性バインダとを含み、前記砥粒の直径は、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記水溶性バインダは、ポリビニル系樹脂またはポリエステル系樹脂であることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記弾性層は、発泡ポリウレタンから構成されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記砥粒は、シリカ砥粒、セリア砥粒、またはアルミナ砥粒のいずれかであることを特徴とする。
【００１０】
本発明の一態様は、研磨テープの研磨面を慣らし用定盤に摺接させて、前記研磨面の慣らしを行い、基板の裏側面を基板保持ステージで保持しながら、前記基板を回転させ、前記回転する基板の表側面に液体を供給しながら、研磨ヘッドで前記研磨テープの研磨面を前記基板の表側面に押し付けて該表側面を研磨することを特徴とする研磨方法である。
【００１１】
本発明の一態様は、基板のデバイスが形成される前の面を研磨するための研磨テープであって、基材テープと、研磨層と、前記基材テープと前記研磨層との間にある弾性層とを備え、前記研磨層は、砥粒と、前記砥粒を保持する水溶性バインダとを含み、前記砥粒の直径は、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、砥粒を有する研磨テープを用いることにより、スラリーおよび研磨パッドが不要となるので、低ランニングコストで基板の表側面を研磨することができる。さらに、基板の研磨前に研磨テープの研磨面の慣らしを行うことで、研磨面から粗大砥粒および汚染物質を予め除去することができる。したがって、研磨テープは、基板の表側面に傷を付けることなく、基板の表側面を研磨して、基板から微小突起物を除去することができる。
また、細かい砥粒および弾性層を有する研磨テープを用いた研磨により、基板の表側面に傷を付けることなく、基板の表側面を研磨して、基板から微小突起物を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】研磨装置の一実施形態を示す模式図である。
【図２】基板の表側面の外周部と中央部との間を揺動する研磨ヘッドを示す図である。
【図３】真空吸着ステージの外側にある退避位置まで移動された研磨ヘッドを示す図である。
【図４】リフトピンが上昇位置にあり、研磨ヘッドが上記退避位置にある状態を示す図である。
【図５】定盤保持部材の一実施形態を示す上面図である。
【図６】定盤保持部材の他の実施形態を示す断面図である。
【図７】真空吸着ステージおよびリフトピンを示す上面図である。
【図８】研磨ヘッドおよび揺動アームの詳細な構成を示す図である。
【図９】研磨ヘッドを下から見た図である。
【図１０】テープカートリッジを示す断面図である。
【図１１】研磨テープを示す模式図である。
【図１２】上述した研磨装置の動作の一実施形態を示すフローチャートである。
【図１３】上述した研磨装置を備えた基板処理システムの一実施形態を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、研磨装置の一実施形態を示す模式図である。図１に示すように、研磨装置１は、ウェーハなどの基板Ｗの裏側面を保持し、基板Ｗの軸心を中心に回転させる基板回転機構１０と、この基板回転機構１０に保持された基板Ｗの表側面を研磨するための複数の研磨テープ６１を保持する研磨ヘッド５０と、基板Ｗの表側面に液体を供給する液体供給ノズル２７と、基板Ｗを持ち上げるリフト機構３０を備えている。研磨ヘッド５０は、基板回転機構１０に保持されている基板Ｗの上側に配置されている。液体供給ノズル２７から供給される液体は、砥粒を含まない液体であり、例えば、純水またはアルカリ水である。
【００１５】
研磨装置１は、隔壁６と換気機構８を備えている。隔壁６の内部空間は処理室７を構成している。基板回転機構１０、研磨ヘッド５０、液体供給ノズル２７、リフト機構３０は処理室７内に配置されている。隔壁６には図示しない扉が設けられており、この扉を通じて基板Ｗを処理室７内に搬入し、かつ処理室７から搬出することが可能となっている。隔壁６の上部には、クリーンエア取入口６ａが形成されており、隔壁６の下部には排気ダクト９が形成されている。換気機構８は隔壁６の上面に設置されている。この換気機構８は、ファン８Ａと、このファン８Ａから送られた空気中のパーティクルや粉塵を除去するフィルター８Ｂとを備えている。換気機構８は、清浄な空気をクリーンエア取入口６ａを通じて処理室７に送り込み、処理室７内の気体を排気ダクト９から排出させる。処理室７内には清浄な空気のダウンフローが形成される。以下に説明する基板Ｗの研磨は、この処理室７内で実施され、研磨中に発生する屑、パーティクル、ミストなどの装置外への拡散が防止されている。したがって、一連の研磨処理が終わった後の基板Ｗ上に、こうした粒子が意図せず付着してしまうことをより有効に防止できる。
【００１６】
基板Ｗの表側面は、配線パターンが形成される前の面であり、より具体的には、研磨装置１による基板Ｗの研磨後にナノインプリントなどにより配線パターンが形成される面である。配線パターンが形成される前の面の例としては、レジストを塗布する前の面が挙げられる。基板Ｗの裏側面は配線パターンが形成されない面である。配線パターンが形成されない面の例としては、シリコン面が挙げられる。
【００１７】
基板回転機構１０は、基板Ｗの裏側面を保持する基板保持ステージとして、基板Ｗの裏側面を真空吸引により保持する真空吸着ステージ１１を備えている。さらに、基板回転機構１０は、真空吸着ステージ１１を回転させるステージモータ１２と、真空吸着ステージ１１に接続されたロータリージョイント１５と、ロータリージョイント１５に接続された真空ライン１７を備えている。本実施形態では、ステージモータ１２は中空モータであり、真空吸着ステージ１１の軸部１１ｂはステージモータ１２内を延びてロータリージョイント１５に接続されている。一実施形態では、ステージモータ１２は、真空吸着ステージ１１の軸部１１ｂの側方に配置され、ベルトなどの動力伝達機構により真空吸着ステージ１１の軸部１１ｂに連結されてもよい。
【００１８】
真空吸着ステージ１１は、基板Ｗの裏側面を保持する保持面１１ａと、保持面１１ａ内で開口する複数の吸引孔２０と、これら吸引孔２０に連通する内部チャンバ２１とを備えている。内部チャンバ２１は上記ロータリージョイント１５に連通している。真空ライン１７は、ロータリージョイント１５および内部チャンバ２１を通じて吸引孔２０に連通している。真空ライン１７が吸引孔２０内に真空（負圧）を形成すると、基板Ｗの裏側面は保持面１１ａに吸着される。保持面１１ａは、基板Ｗと実質的に同じ大きさを有している。本実施形態では、基板Ｗおよび保持面１１ａは円形であり、保持面１１ａは、基板Ｗと実質的に同じ直径を有している。よって、基板Ｗの裏側面の全体は、保持面１１ａによって支持される。
【００１９】
基板Ｗは、真空吸着ステージ１１によって水平に保持され、ステージモータ１２によって真空吸着ステージ１１の軸心（基板Ｗの軸心に一致する）を中心に回転される。液体供給ノズル２７は真空吸着ステージ１１の上方に配置されている。この液体供給ノズル２７は、図示しない液体供給源に接続されており、基板Ｗの表側面に液体（例えば純水、またはアルカリ水）を供給するように構成されている。液体供給ノズル２７は、真空吸着ステージ１１の保持面１１ａと略平行であり、かつ研磨ヘッド５０に保持された研磨テープ６１を向いて配置されている。液体供給ノズル２７は、保持面１１ａと略平行とみなせる程度に傾いてもよい。例えば、真空吸着ステージ１１の保持面１１ａに対する液体供給ノズル２７の角度は、１〜１５度の範囲内である。液体は、研磨テープ６１と基板Ｗの表側面との接触点に向かって基板Ｗの表側面と略平行に噴射される。
【００２０】
上記の構成とすることで、基板Ｗの外周縁に向かう液体の流れを基板Ｗ上により効果的に形成して、遊離している粒子を液体によって基板Ｗから洗い流せるため、基板Ｗ上に微小な異物が残存しないようにすることができる。ナノインプリント工程の転写工程にこの基板を用いても、テンプレート側に悪影響を与えたりすることを防止できる。
【００２１】
「略平行」には、１度以上〜１５度未満の傾斜をつけた場合を含む。液体の噴流の方向が基板Ｗの表側面と完全に平行であると液体が基板Ｗにきちんと着水しない可能性がありえる。その一方で、液体の噴流の方向と基板Ｗの表側面との角度が大きすぎると、基板Ｗの外周縁に向かう液体の流れを基板Ｗ上に形成することがあまり期待できない。また、１度以上〜１５度未満の傾斜角度の範囲内で、液体供給ノズル２７を基板Ｗに対して上下に搖動させることで、洗浄効果を高めるようにしてもよい。
【００２２】
一実施形態では、液体供給ノズル２７から噴射される液体の流速は、１ｍ／秒〜１０ｍ／秒の範囲内である。液体の流速が１０ｍ／秒よりも高いと、基板Ｗに傷がつく、あるいは基板Ｗが破損するおそれがあり、さらに液体が跳ね返って研磨屑が基板Ｗに再付着するおそれもある。一方で、液体の流速が１ｍ／秒よりも低いと、研磨屑を基板Ｗから十分に除去することができない可能性がありうる。本実施形態によれば、適切な流速かつ適切な角度で液体の噴流が基板Ｗに到達するので、液体で研磨屑を流し去ることができ、残留した研磨屑による基板Ｗの傷を防ぐことができる。
【００２３】
液体供給ノズル２７から噴射される液体の着水する領域を、研磨ヘッド５０の上流側の回転する基板Ｗ上の領域にすると、より洗浄効果が期待できる。また、より洗浄効果を高めるため、液体供給ノズル２７を基板Ｗに対して左右に揺動させるようにしてもよい。
【００２４】
研磨ヘッド５０は、真空吸着ステージ１１の保持面１１ａの上方に配置されている。本実施形態では、真空吸着ステージ１１の保持面１１ａは円形であり、研磨ヘッド５０の横幅は、真空吸着ステージ１１の保持面１１ａおよび基板Ｗの直径よりも小さい。一実施形態では、研磨ヘッド５０の横幅は、真空吸着ステージ１１の保持面１１ａの直径の半分である。
【００２５】
研磨ヘッド５０は研磨ヘッドシャフト５１に連結されている。この研磨ヘッドシャフト５１は揺動アーム５３の一端に連結されており、揺動アーム５３の他端は揺動軸５４に固定されている。揺動軸５４は軸回転機構５５に連結されている。軸回転機構５５は、モータ、プーリ、ベルトなどから構成することができる。本実施形態では、軸回転機構５５および揺動軸５４は、研磨ヘッド５０を真空吸着ステージ１１の保持面１１ａと平行な方向に移動させる研磨ヘッド移動機構５９を構成する。揺動軸５４には、揺動軸５４、研磨ヘッドシャフト５１、および研磨ヘッド５０を昇降させる研磨ヘッド昇降機構５６が連結されている。研磨ヘッド昇降機構５６としては、エアシリンダ、またはサーボモータとボールねじとの組み合わせなどが使用される。
【００２６】
研磨ヘッド移動機構５９は、基板Ｗの研磨中に、研磨ヘッド５０を基板Ｗの表側面の外周部と中央部との間を揺動させるように構成されている。具体的には、軸回転機構５５が揺動軸５４を時計回りおよび反時計回りに所定の角度だけ回転させると、図２に示すように、研磨ヘッド５０は基板Ｗの表側面の外周部と中央部との間を揺動する。さらに、図３に示すように、軸回転機構５５が揺動軸５４を回転させると、研磨ヘッド５０は、真空吸着ステージ１１の外側にある退避位置まで移動される。退避位置には、研磨テープ６１の慣らしに使用される慣らし用定盤８１と、慣らし用定盤８１を保持する定盤保持部材８５が配置されている。
【００２７】
図１に示すように、慣らし用定盤８１は、真空吸着ステージ１１の側方に配置されている。この慣らし用定盤８１は、平坦な上面８１ａを有している。研磨テープ６１の研磨面は慣らし用定盤８１の上面８１ａに摺接され、これにより研磨テープ６１の研磨面の慣らしが行われる。慣らし用定盤８１は、定盤保持部材８５に着脱可能に取り付けられている。研磨ヘッド移動機構５９は、研磨テープ６１を保持した研磨ヘッド５０を真空吸着ステージ１１と慣らし用定盤８１との間で移動させることが可能に構成されている。つまり、研磨テープ６１の慣らしを行うときは、研磨ヘッド移動機構５９は研磨ヘッド５０を慣らし用定盤８１に移動し、基板Ｗを研磨するときは、研磨ヘッド移動機構５９は研磨ヘッド５０を真空吸着ステージ１１に移動する。
【００２８】
慣らし用定盤８１の上面８１ａは、砥粒を有さない硬質な平坦面である。例えば、慣らし用定盤８１は、ダミーウェーハ、石英板などである。ダミーウェーハは、研磨装置１で研磨するために研磨装置１にセットされる基板とは異なり、通常、製品として使用されないウェーハである。例えば、ダミーウェーハは、ベアシリコンウェーハ、表面が絶縁膜（例えばＴＥＯＳ膜）から構成されたウェーハである。
【００２９】
慣らし用定盤８１の上方には、洗浄水（例えば純水）を慣らし用定盤８１の上面８１ａに供給する洗浄水供給ノズル８３が配置されている。研磨テープ６１の慣らしは、洗浄水供給ノズル８３から洗浄水を慣らし用定盤８１の上面８１ａに供給しながら、かつ研磨ヘッド５０を回転させながら、研磨テープ６１の研磨面を慣らし用定盤８１の上面８１ａに摺接させることにより行われる。
【００３０】
研磨テープ６１の慣らしは、基板Ｗの研磨前に実行される。理由は次の通りである。新品の研磨テープ６１の研磨面には、粗大砥粒および汚染物質が存在していることがある。このため、新品の研磨テープ６１で基板Ｗの表側面を研磨すると、基板Ｗの表側面に傷が付いてしまうおそれがある。そこで、粗大砥粒および汚染物質を研磨テープ６１から除去するために、基板Ｗの研磨前に研磨テープ６１の研磨面を洗浄水の存在下で慣らし用定盤８１に摺接させる。このような研磨テープ６１の慣らしにより、研磨テープ６１が基板Ｗの表側面に傷を付けてしまうことを防止できる。
【００３１】
定盤保持部材８５は、慣らし用定盤８１を保持し、かつ解放することが可能に構成されている。図５は、定盤保持部材８５の一実施形態を示す上面図である。この実施形態では、定盤保持部材８５は、ダミーウェーハからなる慣らし用定盤８１の周縁部を保持する複数のクランプ８６および位置決め部材８７を有する。位置決め部材８７は、ダミーウェーハからなる慣らし用定盤８１の周縁部に形成されているノッチまたはオリエンテーションフラットなどの切り欠き８１ｂに係合可能な形状を有する。このようなクランプ８６および位置決め部材８７は、慣らし用定盤８１が回転することを許容せず、かつ慣らし用定盤８１の位置を固定することができる。
【００３２】
図６は、定盤保持部材８５の他の実施形態を示す断面図である。この実施形態では、定盤保持部材８５は、その上面に形成された複数の真空吸引孔８８を有する。真空吸引孔８８は真空ライン８９に接続されている。真空吸引孔８８内に真空が形成されると、ダミーウェーハなどの慣らし用定盤８１は定盤保持部材８５の上面に保持される。真空吸引孔８８を大気開放すると、慣らし用定盤８１を定盤保持部材８５から取り外すことができる。真空吸引孔８８は１つであってもよい。
【００３３】
図１に戻り、リフト機構３０は、基板Ｗの縁部を支持する複数のリフトピン３１と、これらリフトピン３１を互いに連結するブリッジ３２と、ブリッジ３２に連結された昇降機３３とを備えている。本実施形態では、４本のリフトピン３１が配置され、昇降機３３にはエアシリンダが使用されている。昇降機３３は、ブリッジ３２およびリフトピン３１を、真空吸着ステージ１１に対して相対的に上昇および下降させることが可能に構成されている。より具体的には、昇降機３３は、リフトピン３１の上端が真空吸着ステージ１１の保持面１１ａよりも高い上昇位置と、リフトピン３１の上端が真空吸着ステージ１１の保持面１１ａよりも低い下降位置との間で、リフトピン３１を上下動させる。図１は、リフトピン３１が下降位置にあり、かつ研磨ヘッド５０が基板Ｗ上にある状態を示し、図４は、リフトピン３１が上昇位置にあり、かつ研磨ヘッド５０が上記退避位置にある状態を示している。退避位置には、上述した慣らし用定盤８１および定盤保持部材８５が配置されている。液体供給ノズル２７も、図１に示す液体供給位置と、図４に示す退避位置との間で移動可能となっている。
【００３４】
図７は、真空吸着ステージ１１およびリフトピン３１を示す上面図である。図７に示すように、真空吸着ステージ１１の外周部には、リフトピン３１が通過可能な窪み３６が形成されている。本実施形態では、窪み３６は、リフトピン３１の外周面に沿った半円形状の水平断面を有している。基板Ｗは、研磨ヘッド５０が退避位置にあり、かつリフトピン３１が上昇位置にあるときに、搬送ロボット（後述する）によってリフトピン３１上に置かれる。リフトピン３１が真空吸着ステージ１１の保持面１１ａよりも下方に下降すると、基板Ｗは保持面１１ａ上に置かれる。さらに、研磨後、基板Ｗはリフトピン３１によって保持面１１ａから持ち上げられる。基板Ｗは、研磨ヘッド５０が退避位置にあり、かつリフトピン３１が上昇位置にあるときに、搬送ロボットによってリフトピン３１から取り除かれる。
【００３５】
図８は、研磨ヘッド５０および揺動アーム５３の詳細な構成を示す図である。研磨ヘッドシャフト５１は、研磨ヘッド５０をその軸心ＣＬを中心として回転させる研磨ヘッド回転機構５８に連結されている。軸心ＣＬは、真空吸着ステージ１１の保持面１１ａおよび基板Ｗの研磨される表側面に対して垂直である。研磨ヘッド回転機構５８は揺動アーム５３内に配置されている。この研磨ヘッド回転機構５８は、研磨ヘッドシャフト５１に取り付けられたプーリｐ１と、揺動アーム５３に設けられたヘッドモータＭ１と、ヘッドモータＭ１の回転軸に固定されたプーリｐ２と、プーリｐ１，ｐ２に掛け渡されたベルトｂ１とを備えている。ヘッドモータＭ１の回転は、プーリｐ１，ｐ２およびベルトｂ１により研磨ヘッドシャフト５１に伝達され、研磨ヘッドシャフト５１とともに研磨ヘッド５０が回転する。
【００３６】
研磨ヘッドシャフト５１の上端にはエアシリンダ５７が連結されている。このエアシリンダ５７は、研磨ヘッド５０に下向きの荷重を付与するように構成されたアクチュエータである。研磨ヘッドシャフト５１には縦方向に延びる溝（図示せず）が形成されており、プーリｐ１は研磨ヘッドシャフト５１の溝に係合する複数の負荷伝達ボール（図示せず）を備えている。これら溝と負荷伝達ボールとによりボールスプライン軸受が構成されている。すなわち、プーリｐ１は、研磨ヘッドシャフト５１の縦方向の移動を許容しつつ、研磨ヘッドシャフト５１にトルクを伝達することが可能となっている。
【００３７】
研磨ヘッド５０には、基板Ｗの表側面を研磨するための複数の研磨テープ６１が着脱可能に取り付けられている。複数の研磨テープ６１は、軸心ＣＬの周りに等間隔で配置されている。エアシリンダ５７は、研磨ヘッド５０に下向きの荷重を付与し、研磨ヘッド５０は、軸心ＣＬを中心に回転しながら、研磨テープ６１の研磨面を基板Ｗの表側面に対して押し付けることができる。
【００３８】
基板Ｗの研磨は次のようにして行われる。基板Ｗを保持した真空吸着ステージ１１を回転させながら、基板Ｗの表側面と、研磨ヘッド５０に保持されている研磨テープ６１との接触点に液体供給ノズル２７から液体が噴射される。研磨ヘッド５０および研磨テープ６１は軸心ＣＬを中心に研磨ヘッド回転機構５８によって回転させられながら、研磨テープ６１の研磨面は研磨ヘッド５０によって基板Ｗの表側面に押し付けられる。研磨ヘッド５０の回転方向は、真空吸着ステージ１１の回転方向と同じであってもよく、または反対であってもよい。研磨テープ６１の研磨面は、液体の存在下で基板Ｗの表側面に摺接され、これにより基板Ｗの表側面を研磨する。基板Ｗの研磨中は、研磨ヘッド５０はその軸心ＣＬを中心に回転しながら、かつ研磨テープ６１を基板Ｗの表側面に押し付けながら、図２に示すように、研磨ヘッド５０は基板Ｗの表側面の外周部と中央部との間を揺動する。
【００３９】
図２に示すように、研磨ヘッド５０が基板Ｗの表側面の外周部にあるとき、研磨テープ６１の一部は、基板Ｗから外側にはみ出している。したがって、研磨テープ６１は、基板Ｗの表側面の全体を研磨することができる。研磨ヘッド５０の横幅が、真空吸着ステージ１１の保持面１１ａの半径よりも大きく、保持面１１ａの直径よりも小さい場合は、基板Ｗの研磨中に研磨ヘッド５０を揺動させなくてもよい。研磨テープ６１を用いた基板Ｗの研磨は、基板Ｗの表側面を削り取ることにより、基板Ｗの表側面から微小突起物を除去し、および／または基板Ｗの表側面を構成する材料の少なくとも一部を除去する処理である。
【００４０】
基板Ｗの研磨中に研磨ヘッド５０から研磨テープ６１を通じて基板Ｗに与えられる力は、真空吸着ステージ１１の保持面１１ａによって支持される。真空吸着ステージ１１の保持面１１ａは、基板Ｗと実質的に同じ大きさを有しているので、基板Ｗの裏側面の全体は保持面１１ａによって支持される。よって、研磨ヘッド５０が研磨テープ６１を基板Ｗに押し付けているとき、基板Ｗは撓まない。
【００４１】
研磨ヘッド５０は基板Ｗよりも小さいので、研磨テープ６１は基板Ｗの表側面を局所的に研磨することも可能である。研磨ヘッド５０を揺動させる場合においては、研磨ヘッド５０の移動速度および／または回転速度を、基板Ｗの表側面上に予め定義された区間ごとに、予め設定してもよい。例えば、基板Ｗの外周部での研磨量を増やすために、基板Ｗの外周部上での区間では、研磨ヘッド５０の移動速度を下げる、および／または研磨ヘッド５０の回転速度を上げるようにしてもよい。このように、基板Ｗの研磨中に、研磨ヘッド５０の移動速度および／または回転速度を変えることによって、所望の膜厚プロファイルを作ることができる。
【００４２】
図９は、研磨ヘッド５０を下から見た図である。研磨ヘッド５０には、複数の（図９では３つの）テープカートリッジ６０が着脱可能に取り付けられている。各テープカートリッジ６０は研磨テープ６１を有している。これらのテープカートリッジ６０は、研磨ヘッド５０の内部に設置されている。
【００４３】
図１０は、テープカートリッジ６０を示す断面図である。図１０に示すように、テープカートリッジ６０は、研磨テープ６１と、この研磨テープ６１の裏側を支持する支持部材６２と、この支持部材６２を真空吸着ステージ１１の保持面１１ａに向かって付勢する付勢機構６３と、研磨テープ６１を繰り出すテープ繰り出しリール６４と、研磨に使用された研磨テープ６１を巻き取るテープ巻き取りリール６５とを備えている。図１０に示す実施形態では、付勢機構６３としてばねが使用されている。研磨テープ６１は、テープ繰り出しリール６４から、支持部材６２を経由して、テープ巻き取りリール６５に送られる。複数の支持部材６２は、研磨ヘッド５０の半径方向に延びており、かつ研磨ヘッド５０の軸心ＣＬ（図１参照）の周りに等間隔に配置されている。各研磨テープ６１の基板接触面も、研磨ヘッド５０の半径方向に延びている。
【００４４】
テープ巻き取りリール６５は、図８および図９に示すテープ巻き取り軸６７の一端に連結されている。テープ巻き取り軸６７の他端には、かさ歯車６９が固定されている。複数のテープカートリッジ６０に連結されたこれらのかさ歯車６９は、送りモータＭ２に連結されたかさ歯車７０と噛み合っている。テープカートリッジ６０のテープ巻き取りリール６５は、送りモータＭ２により駆動されて研磨テープ６１を巻き取るようになっている。送りモータＭ２、かさ歯車６９，７０、およびテープ巻き取り軸６７は、研磨テープ６１をテープ繰り出しリール６４からテープ巻き取りリール６５に送るテープ送り機構を構成する。テープ送り機構は、研磨テープ６１をその長手方向に所定の速度で送ることが可能である。
【００４５】
図１１は、研磨テープ６１を示す模式図である。研磨テープ６１は、基材テープ４０と、研磨層４１と、基材テープ４０と研磨層４１との間にある弾性層４２を有する。研磨テープ６１の厚さは、５０μｍ〜３００μｍであり、好ましくは５０μｍ〜１００μｍである。弾性層４２は研磨層４１よりも厚い。基材テープ４０はＰＥＴ（Polyethylene  terephthalate）から構成されている。弾性層４２は、発泡ポリウレタンなどの弾性材料から構成されている。研磨層４１は、砥粒４５と、砥粒４５を保持する水溶性バインダ４６とを有する。水溶性バインダ４６は、ポリビニルアルコールなどのポリビニル系樹脂、またはポリエステル系樹脂から構成されている。研磨層４１の露出面は、基板Ｗを研磨するための研磨面を構成する。
【００４６】
研磨テープ６１は、１０ｍｍ〜６０ｍｍの幅を有し、２０ｍ〜１００ｍの長さを有する。砥粒４５の直径は５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内である。本実施形態では、砥粒４５は、シリカ（ＳｉＯ２）からなるシリカ砥粒である。シリカ砥粒は、基板Ｗの面に傷を生じさせにくいという利点がある。このような研磨テープ６１を使用することで、基板Ｗに存在している微小突起物、特に基板Ｗの表面に食い込んだパーティクルを除去することができる。一実施形態では、砥粒４５は、セリア（ＣｅＯ２）からなるセリア砥粒、またはアルミナ（ＡｌＯ３）からなるアルミナ砥粒であってもよい。
【００４７】
基板Ｗの研磨中は、上述したように液体供給ノズル２７から液体が基板Ｗの表側面に供給される。液体は研磨テープ６１に接触し、研磨テープ６１の研磨層４１を構成する水溶性バインダ４６を溶解させる。水溶性バインダ４６に保持されていた砥粒４５は、研磨テープ６１から遊離し、液体中に懸濁する。液体中の砥粒４５は基板Ｗの表側面に接触し、微小突起物を基板Ｗの表側面から除去する。砥粒４５は研磨テープ６１から遊離し、水溶性バインダ４６には保持されていないので、砥粒４５は基板Ｗの表側面にスクラッチを形成することなく、微小突起物を基板Ｗの表側面から除去することができる。しかも、砥粒４５の直径は５ｎｍ〜２０ｎｍであるので、基板Ｗの表側面にスクラッチを形成することを確実に防止することができる。さらに、弾性層４２は、砥粒４５および研磨屑が基板Ｗの表側面に接触するときの衝撃を緩和することができ、スクラッチの形成を防止することができる。
【００４８】
さらに、本実施形態によれば、基板Ｗの研磨前に、上述した慣らし用定盤８１を用いた研磨テープ６１の研磨面の慣らしが行われる。研磨テープ６１の慣らしも、研磨テープ６１の研磨面に洗浄液を供給しながら行われる。研磨テープ６１の水溶性バインダ４６は溶解し、慣らし用定盤８１と研磨テープ６１との接触により、研磨テープ６１の研磨面から粗大砥粒および汚染物質が除去される。したがって、基板Ｗの表側面でのスクラッチの形成をさらに確実に防止することができる。
【００４９】
慣らしが行われた研磨テープ６１の研磨面は、そのまま基板Ｗの研磨に使用される。すなわち、基板Ｗの研磨中は、研磨テープ６１は送られず、慣らし用定盤８１に摺接された研磨テープ６１の研磨面が基板Ｗの表側面に押し付けられる。基板Ｗの研磨が終了した後に研磨テープ６１は所定の長さだけテープ繰り出しリール６４からテープ巻き取りリール６５に送られる。その後、次の基板が研磨される前に、研磨テープ６１の新たな研磨面の慣らしが同じように行われる。
【００５０】
本実施形態では研磨テープ６１の慣らし中は、研磨テープ６１は送らないが、研磨テープ６１の慣らし中に研磨テープ６１をテープ繰り出しリール６４からテープ巻き取りリール６５に送ってもよい。研磨テープ６１の慣らし中に研磨テープ６１を送る場合は、研磨テープ６１の慣らし終了後であって、基板Ｗの研磨が始まる前に、研磨テープ６１を巻き戻し、基板Ｗの研磨中は研磨テープ６１を送りながら、慣らしが行われた研磨面を基板Ｗの表側面に接触させる。
【００５１】
図１２は、上述した研磨装置１の動作の一実施形態を示すフローチャートである。ステップ１では、研磨ヘッド移動機構５９は研磨ヘッド５０を慣らし用定盤８１に移動させる。ステップ２では、洗浄水供給ノズル８３から洗浄水を慣らし用定盤８１の上面８１ａに供給しながら、かつ研磨ヘッド５０を回転させながら、エアシリンダ５７は研磨ヘッド５０に下向きの荷重を付与し、研磨テープ６１の研磨面を予め設定された時間だけ慣らし用定盤８１の上面８１ａに押し付ける。研磨テープ６１の研磨面は、研磨テープ６１と慣らし用定盤８１との間に洗浄液が存在した状態で、慣らし用定盤８１の上面８１ａに摺接し、これにより研磨テープ６１の研磨面の慣らしが行われる。上記予め設定された時間が経過したとき、研磨ヘッド昇降機構５６は、研磨ヘッド５０を上昇させ、研磨テープ６１を慣らし用定盤８１から離間させる。次いで、研磨ヘッド５０の回転および洗浄水の供給が停止される。
【００５２】
ステップ３では、リフトピン３１が昇降機３３により上昇され、研磨される基板Ｗは搬送ロボット（後述する）によりリフトピン３１上に置かれる。このとき、研磨ヘッド５０は慣らし用定盤８１の上方の退避位置にある。ステップ４では、リフトピン３１は基板Ｗとともに下降し、基板Ｗは真空吸着ステージ１１の保持面１１ａ上に置かれる。リフトピン３１は保持面１１ａよりも下方に下降される。ステップ５では、真空ライン１７により真空吸着ステージ１１の吸引孔２０に真空（負圧）が形成される。基板Ｗの裏側面は、負圧によって真空吸着ステージ１１の保持面１１ａ上に保持される。ステップ６では、研磨ヘッド移動機構５９は研磨ヘッド５０を退避位置から基板Ｗの上方位置まで移動させる。
【００５３】
ステップ７では、真空吸着ステージ１１および研磨ヘッド５０がそれぞれの軸心を中心に回転される。研磨ヘッド５０の回転方向は、真空吸着ステージ１１の回転方向と同じであってもよく、または反対であってもよい。基板Ｗは真空吸着ステージ１１とともに回転される。液体は液体供給ノズル２７から、回転する基板Ｗの表側面に供給される。ステップ８では、研磨ヘッド昇降機構５６は、研磨ヘッド５０を下降させ、次いでエアシリンダ５７は、研磨ヘッド５０に下向きの荷重を付与する。研磨ヘッド５０は、その軸心ＣＬを中心に回転しながら、複数の研磨テープ６１の研磨面を基板Ｗの表側面に対して押し付ける。さらに、研磨ヘッド５０は基板Ｗの表側面の外周部と中央部との間を該表側面と平行に揺動する。研磨テープ６１の研磨面は、液体の存在下で基板Ｗの表側面に摺接され、これにより基板Ｗの表側面を研磨する。基板Ｗの表側面に押し付けられる研磨テープ６１の研磨面は、上記ステップ２において慣らし用定盤８１の上面８１ａに摺接された研磨面である。
【００５４】
ステップ９では、予め設定された研磨時間が経過した後、研磨ヘッド５０は研磨ヘッド昇降機構５６により上昇される。研磨テープ６１は基板Ｗから離間され、基板Ｗの研磨が終了される。さらに、研磨ヘッド５０の回転、真空吸着ステージ１１および基板Ｗの回転、および液体の供給が停止される。その後、研磨ヘッド５０は退避位置に移動される。ステップ１０では、基板Ｗの真空吸着が解除され、次いで、リフトピン３１が上昇され、研磨された基板Ｗはリフトピン３１によって真空吸着ステージ１１の保持面１１ａから持ち上げられる。ステップ１１では、搬送ロボットにより基板Ｗはリフトピン３１から取り去られ、搬送ロボットにより次工程に搬送される。
【００５５】
本実施形態によれば、砥粒を有する複数の研磨テープ６１を用いることにより、スラリーおよび研磨パッドが不要となるので、低ランニングコストで基板Ｗの表側面を研磨することができる。基板Ｗの裏側面には配線パターンは形成されないので、真空吸着ステージ１１を用いて基板Ｗの裏側面を保持することができる。基板Ｗを流体の静圧により支持する機構は不要であり、研磨装置１の低コストが実現できる。真空吸着ステージ１１の保持面１１ａは、基板Ｗとほぼ同じ大きさとすることが可能であるので、研磨装置１全体をコンパクトにすることができる。さらに、基板Ｗの直径よりも小さな幅の研磨ヘッド５０を用いることで高効率のよい基板Ｗの研磨が可能である。
【００５６】
上述した実施形態によれば、研磨ヘッド５０は、複数の研磨テープ６１を備えており、これら研磨テープ６１を軸心ＣＬの周りで回転させながら、基板Ｗの表側面を研磨する。研磨ヘッド５０は複数の研磨テープ６１を備えているので、基板Ｗ上に多くの微小突起物が存在していても、回転する複数の研磨テープ６１によりこれら微小突起物を効率的に除去することができる。さらに、複数の研磨テープ６１は、基板Ｗの表側面に垂直な軸心ＣＬの周りを回転するので、研磨ヘッド５０は基板Ｗの表側面の全体から微小突起物を除去することができる。
【００５７】
上述した実施形態によれば、基板Ｗの研磨中は、水溶性バインダ４６が溶解し、砥粒４５は研磨テープ６１から遊離する。さらに、砥粒４５の直径は５ｎｍ〜２０ｎｍであるので、基板Ｗの表側面にスクラッチを形成することを確実に防止することができる。さらに、弾性層４２は、砥粒４５および研磨屑が基板Ｗの表側面に接触するときの衝撃を緩和することができる。
【００５８】
上述した実施形態によれば、基板Ｗの研磨前に、上述した慣らし用定盤８１を用いた研磨テープ６１の研磨面の慣らしが行われ、研磨テープ６１の研磨面から粗大砥粒および汚染物質が除去される。したがって、基板Ｗの表側面でのスクラッチの形成をさらに確実に防止することができる。
【００５９】
図１３は、上述した研磨装置１を備えた基板処理システムの一実施形態を示す上面図である。この基板処理システムは、複数の基板を連続的に処理（すなわち、研磨、洗浄、および乾燥）することができる複合型処理システムである。図１３に示すように、基板処理システムは、多数の基板を収容する基板カセット（ウェーハカセット）が載置される４つのフロントロード部１２１を備えたロードアンロード部１２０を有している。フロントロード部１２１には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard  Manufacturing  Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front  Opening  Unified  Pod）を搭載することができるようになっている。ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
【００６０】
ロードアンロード部１２０には、フロントロード部１２１の配列方向に沿って移動可能な第１の搬送ロボット（ローダー）１２３が設置されている。第１の搬送ロボット１２３は各フロントロード部１２１に搭載された基板カセットにアクセスして、基板を基板カセットから取り出すことができるようになっている。
【００６１】
基板処理システムは、さらに、上述した複数の研磨装置１と、研磨装置１の近傍に配置された第２の搬送ロボット１２６と、基板が一時的に置かれる第１の基板ステーション１３１および第２の基板ステーション１３２を備えている。この実施形態では、２台の研磨装置１が隣り合わせに設けられている。一実施形態では、１台の研磨装置１，または３台以上の研磨装置１を設けてもよい。
【００６２】
基板処理システムは、さらに、研磨装置１で研磨された基板を洗浄する洗浄ユニット１３４と、洗浄された基板を乾燥させる乾燥ユニット１３５と、基板を第２の基板ステーション１３２から洗浄ユニット１３４に搬送する第３の搬送ロボット１３７と、基板を洗浄ユニット１３４から乾燥ユニット１３５に搬送する第４の搬送ロボット１３８と、基板処理システム全体の動作を制御する動作制御部１３３とを備えている。研磨装置１の上述した研磨テープ６１の慣らし、および基板Ｗの表側面の研磨を含む動作は、動作制御部１３３によって制御される。
【００６３】
本実施形態では、洗浄ユニット１３４は、２つのロールスポンジを回転させながら基板の表側面および裏側面に接触させるロールスポンジタイプの洗浄機である。乾燥ユニット１３５は、ＩＰＡ蒸気（イソプロピルアルコールとＮ２ガスとの混合気体）と、純水をそれぞれのノズルから基板の表側面に供給しながら、これらノズルを基板の表側面に沿って移動させるように構成されている。
【００６４】
基板処理システムの動作は次の通りである。第１の搬送ロボット１２３は、基板を基板カセットから取り出し、第１の基板ステーション１３１の上に置く。第２の搬送ロボット１２６は、基板を第１の基板ステーション１３１から取り上げ、２台の研磨装置１のいずれかに基板を搬入する。
【００６５】
研磨装置１は、上述した動作シーケンスに従って、研磨テープの慣らし、および基板の表側面の研磨を実行する。必要に応じて、研磨された基板を他方の研磨装置１でさらに研磨してもよい。この場合も、基板の研磨前に研磨テープの慣らしが行われる。第２の搬送ロボット１２６は、研磨された基板を研磨装置１から第２の基板ステーション１３２に搬送する。第３の搬送ロボット１３７は、基板を第２の基板ステーション１３２から洗浄ユニット１３４に搬送する。洗浄ユニット１３４は、液体を基板に供給しながら、ロールスポンジを基板の両面に擦り付けて基板を洗浄する。
【００６６】
第４の搬送ロボット１３８は、洗浄された基板を洗浄ユニット１３４から乾燥ユニット１３５に搬送する。乾燥ユニット１３５は、移動するノズルからＩＰＡ蒸気と純水を基板に供給することにより、基板を乾燥する。第１の搬送ロボット１２３は、乾燥された基板を乾燥ユニット１３５から取り出し、基板カセットに戻す。このようにして、基板の研磨、洗浄、および乾燥が実行される。
【００６７】
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
【符号の説明】
【００６８】
１      研磨装置
６      隔壁
８      換気機構
１０      基板回転機構
１１      真空吸着ステージ
１１ａ    保持面
１２      ステージモータ
１５      ロータリージョイント
１７      真空ライン
２０      吸引孔
２１      内部チャンバ
２７      液体供給ノズル
３０      リフト機構
３１      リフトピン
３２      ブリッジ
３３      昇降機
３６      窪み
４０      基材テープ
４１      研磨層
４２      弾性層
４５      砥粒
４６      水溶性バインダ
５０      研磨ヘッド
５１      研磨ヘッドシャフト
５３      揺動アーム
５４      揺動軸
５５      軸回転機構
５６      研磨ヘッド昇降機構
５７      エアシリンダ
５８      研磨ヘッド回転機構
５９      研磨ヘッド移動機構
６０      テープカートリッジ
６１      研磨テープ
６２      支持部材
６３      付勢機構
６４      テープ繰り出しリール
６５      テープ巻き取りリール
６９      かさ歯車
７０      かさ歯車
８１      慣らし用定盤
８３      洗浄水供給ノズル
８５      定盤保持部材
８６      クランプ
８７      位置決め部材
８８      真空吸引孔
８９      真空ライン
１２０    ロードアンロード部
１２１    フロントロード部
１２３    第１の搬送ロボット
１２６    第２の搬送ロボット
１３１    第１の基板ステーション
１３２    第２の基板ステーション
１３３    動作制御部
１３４    洗浄ユニット
１３５    乾燥ユニット
１３７    第３の搬送ロボット
１３８    第４の搬送ロボット
Ｗ        基板
ＣＬ      軸心
ｐ１      プーリ
ｐ２      プーリ
ｂ１      ベルト
Ｍ１      ヘッドモータ
Ｍ２      送りモータ
【図１】
2020028927.tif 000003
【図２】
2020028927.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020028927.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2020028927.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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