(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁ゲートとして用いられて信頼性の高い、欠陥の少ない良質な絶縁膜を成膜する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】電極構造体を有する半導体装置の製造方法であって、半導体層上に絶縁膜を成膜する絶縁膜成膜工程と、絶縁膜上に電極を形成する電極形成工程と、を有している。絶縁膜成膜工程は、水プラズマを用いてＯＨラジカルを生成し、これを酸化剤として用いて絶縁膜を成膜するステップ、を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極構造体を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体層上に絶縁膜を成膜する絶縁膜成膜工程と、
前記絶縁膜上に電極を形成する電極形成工程と、を有しており、
前記絶縁膜成膜工程は、
水プラズマを酸化剤として用いて前記絶縁膜を成膜するステップ、を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記水プラズマを酸化剤として用いて前記絶縁膜を成膜するステップでは、窒素を含む前記水プラズマが酸化剤として用いられる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記水プラズマを酸化剤として用いて前記絶縁膜を成膜するステップでは、原子堆積法が用いられる、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜成膜工程は、
前記水プラズマを用いて前記絶縁膜を成膜するステップよりも前に、前記半導体層の表面上に水蒸気又はオゾンを用いて前記絶縁膜を成膜するステップ、をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜が、金属酸化物である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属酸化物が、酸化アルミニウムである、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体層が、窒化物半導体層である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁膜と前記電極が、絶縁ゲートを構成する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
電極構造体を有する半導体装置であって、
半導体層と、
前記半導体層上に設けられる絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられる電極と、を備えており、
前記絶縁膜は、金属酸化物であり、
前記絶縁膜中に前記金属酸化物の金属と結合していない窒素が含まれている、半導体装置。
【請求項１０】
前記金属酸化物が、酸化アルミニウムである、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体層が、窒化物半導体層である、請求項９又は１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記絶縁膜と前記電極が、絶縁ゲートを構成する、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、電極構造体を有する半導体装置及び電極構造体を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、半導体層上に絶縁膜と電極が順に積層した電極構造体を備えていることが多い。このような電極構造体は、各種の半導体装置に採用されており、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）及びＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等のパワーデバイスの絶縁ゲートに採用されている。特許文献１は、絶縁ゲートのゲート絶縁膜の膜質を向上させるために、酸素プラズマ又はオゾンを酸化剤として用いてゲート絶縁膜を成膜する技術を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１８８８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
信頼性の高い絶縁膜を得るために、欠陥の少ない良質な絶縁膜を成膜する技術が必要とされている。本願明細書は、欠陥の少ない良質な絶縁膜を成膜する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書が開示する電極構造体を有する半導体装置の製造方法は、半導体層上に絶縁膜を成膜する絶縁膜成膜工程と、前記絶縁膜上に電極を形成する電極形成工程と、を有することができる。前記絶縁膜成膜工程は、水プラズマを酸化剤として用いて前記絶縁膜を成膜するステップ、を含む。前記電極構造体は、様々な用途で用いられ、例えば絶縁ゲート又はキャパシタとして用いられる。前記電極構造体が絶縁ゲートとして用いられる場合、前記半導体装置の種類は、特に限定されるものではないが、例えばＭＯＳＦＥＴ及びＩＧＢＴが例示される。前記半導体層の材料は特に限定されるものではないが、例えば窒化物半導体層であってもよい。前記絶縁膜の材料は、特に限定されるものではないが、例えば絶縁性の金属酸化物であってもよい。金属酸化物としては、例えば酸化アルミニウムが例示される。前記水プラズマを酸化剤として用いて前記絶縁膜を成膜するステップは、様々な種類の堆積法を用いることができ、例えば原子堆積法が用いられてもよい。上記製造方法では、水プラズマを酸化剤として用いて前記絶縁膜を成膜する。水プラズマを酸化剤として用いると、ヒドロキシルラジカル（以下、「ＯＨラジカル」という）が生成される。ＯＨラジカルは、酸素プラズマ又はオゾンよりも強い酸化力を有している。このため、水プラズマを酸化剤として用いると、酸化力の強いＯＨラジカルによって原料を酸化することができることから、欠陥の少ない良質な絶縁膜が成膜される。
【０００６】
前記水プラズマを酸化剤として用いて前記絶縁膜を成膜するステップでは、窒素を含む前記水プラズマが酸化剤として用いられてもよい。窒素を含む水プラズマを酸化剤として用いると、ＯＨラジカルが効率的に生成される。このため、成膜される前記絶縁膜は、より欠陥の少ない良質なものとなり得る。
【０００７】
前記絶縁膜成膜工程は、前記水プラズマを用いて前記絶縁膜を成膜するステップよりも前に、前記半導体層の表面上に水蒸気又はオゾンを用いて前記絶縁膜を成膜するステップ、をさらに含んでいてもよい。前記半導体層の表面上に水蒸気又はオゾンを用いて前記絶縁膜を成膜することで、前記半導体層の表面にプラズマダメージを与えることが抑えられる。
【０００８】
本明細書が開示する電極構造体を有する半導体装置は、半導体層と、前記半導体層上に設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられる電極と、を備えることができる。前記絶縁膜の材料は、金属酸化物である。金属酸化物としては、例えば酸化アルミニウムが例示される。前記絶縁膜中に前記金属酸化物の金属と結合していない窒素が含まれている。前記電極構造体は、様々な用途で用いられ、例えば絶縁ゲート又はキャパシタとして用いられる。前記電極構造体が絶縁ゲートとして用いられる場合、前記半導体装置の種類は、特に限定されるものではないが、例えばＭＯＳＦＥＴ及びＩＧＢＴが例示される。前記半導体層の材料は特に限定されるものではないが、例えば窒化物半導体層であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
【図２】変形例の半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
【図３】酸化アルミニウム／ＧａＮ界面の界面トラップ密度分布を示す。
【図４】半導体装置の絶縁ゲートを製造するためのフロー図を示す。
【図５】ＭＯＳキャパシタの構成を表す断面図を示す。
【図６】ＭＯＳキャパシタのリーク特性を示す。
【図７】酸化アルミニウムの昇温脱離ガスを分析した結果を示す。
【図８】Ｘ線光電子分光法で測定された酸化アルミニウム中のＡｌ−Ｏ結合、Ａｌ−ＯＨ結合、Ａｌ−Ｎ結合の存在比を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、横型のＭＯＳＦＥＴと称される種類の半導体装置を例示し、本願明細書が開示する技術について説明する。しかしながら、本願明細書が開示する技術は、横型のＭＯＳＦＥＴのみに有用なものではなく、電極構造体を有する様々な種類の半導体装置に有用である。本明細書が開示する電極構造体は、キャパシタとして用いられてもよい。また、以下の例では、電極構造体としてプレーナ型の絶縁ゲートを例示するが、この例に代えて、電極構造体は、トレンチ型又は他の形態のタイプの絶縁ゲートであってもよい。
【００１１】
図１に、半導体装置１の要部断面図を模式的に示す。半導体装置１は、半導体基板１０、窒化物半導体層２０、ソース電極３２、ドレイン電極３４及び絶縁ゲート４０を備えている。
【００１２】
半導体基板１０は、窒化物半導体層２０の下地基板であり、窒化物半導体層２０が結晶成長可能な組成の材料で構成されている。半導体基板１０は、例えばＧａＮ基板、シリコン基板、サファイア基板又は炭化珪素基板である。
【００１３】
窒化物半導体層２０は、半導体基板１０の表面上に設けられている。窒化物半導体層２０は、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）である。窒化物半導体層２０は、ｐ型のボディ領域２２、ｎ型のソース領域２４及びｎ型のドレイン領域２６を有している。
【００１４】
ボディ領域２２は、ソース領域２４とドレイン領域２６を隔てるように設けられている。ソース領域２４は、ボディ領域２２上に設けられており、窒化物半導体層２０の表層部の一部に設けられており、窒化物半導体層２０の表面に露出している。ソース領域２４は、窒化物半導体層２０の表面上の一部に設けられているソース電極３２にオーミック接触している。ドレイン領域２６は、ボディ領域２２上に設けられており、窒化物半導体層２０の表層部の一部に設けられており、窒化物半導体層２０の表面に露出している。ドレイン領域２６は、窒化物半導体層２０の表面上の一部に設けられているドレイン電極３４にオーミック接触している。このように、ボディ領域２２の一部は、ソース領域２４とドレイン領域２６の間に配置されており、窒化物半導体層２０の表面に露出している。なお、ボディ領域２２は、ｐ型に代えてｉ型であってもよい。
【００１５】
絶縁ゲート４０は、ソース領域２４とドレイン領域２６の間に位置するボディ領域２２に対向するように、窒化物半導体層２０の表面上に設けられており、ゲート絶縁膜４２及びゲート電極４４を有している。ゲート絶縁膜４２は、窒化物半導体層２０の表面に接しており、窒化物半導体層２０とゲート電極４４の間に配置されている。ゲート絶縁膜４２の厚みは、例えば５〜２００ｎｍである。ゲート電極４４は、ゲート絶縁膜４２を介してソース領域２４とドレイン領域２６の間に位置するボディ領域２２に対向している。ゲート電極４４は、例えばアルミニウムである。
【００１６】
ゲート絶縁膜４２は、窒素を含む水プラズマを酸化剤として用いて、原料である有機金属化合物を酸化して成膜された金属酸化物である。具体的には、有機金属化合物にトリメチルアルミニウムが用いられている。したがって、ゲート絶縁膜４２は、酸化アルミニウムである。表１に、酸化剤の酸化還元電位の大きさを示す。表中「＊」はラジカルを示す。
【００１７】
【表１】
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【００１８】
表１に示すように、ＯＨラジカルは、過酸化水素、オゾン及び酸素ラジカルよりも高い酸化還元電位を有しており、最も強い酸化力を有している。窒素を含む水プラズマは、効率的にＯＨラジカルを生成することができる。このため、窒素を含む水プラズマを酸化剤として用いると、生成されたＯＨラジカルが原料である有機金属化合物を強い酸化力で酸化することができる。これにより、ゲート絶縁膜４２内に原料由来の不純物が残存すること及びゲート絶縁膜４２内に酸素欠損等に起因した欠陥が形成されること、が抑えられ、良質なゲート絶縁膜４２が成膜される。
【００１９】
次に、半導体装置１の動作を説明する。ゲート電極４４にオン電圧が印加されると、ゲート絶縁膜４２の下方のボディ領域２２に反転層が形成される。これにより、ソース電極３２に接続するソース領域２４とドレイン電極３４に接続するドレイン領域２６が反転層を介して接続され、ソース電極３２とドレイン電極３４が導通する。上記したように、半導体装置１では、ゲート絶縁膜４２内に形成される欠陥量が抑えられているので、このような欠陥に起因した絶縁ゲート４０の絶縁破壊及び絶縁ゲート４０中の電荷変動が抑えられる。したがって、半導体装置１は、高い信頼性を有することができる。
【００２０】
図２に、変形例の半導体装置２の要部断面図を模式的に示す。半導体装置２は、ゲート絶縁膜４２が第１ゲート絶縁膜４２ａ及び第２ゲート絶縁膜４２ｂを有していることを特徴としている。
【００２１】
第１ゲート絶縁膜４２ａと第２ゲート絶縁膜４２ｂは、窒化物半導体層２０の表面上にこの順で積層されている。第１ゲート絶縁膜４２ａは、窒化物半導体層２０側に配置されており、窒化物半導体層２０の表面上に設けられており、窒化物半導体層２０と第２ゲート絶縁膜４２ｂの間に設けられている。第２ゲート絶縁膜４２ｂは、ゲート電極４４側に配置されており、第１ゲート絶縁膜４２ａとゲート電極４４の間に設けられている。
【００２２】
第１ゲート絶縁膜４２ａは、ＯＨラジカルよりも酸化力の弱い酸化剤を用いて原料である有機金属化合物を酸化して成膜された金属酸化物である。具体的には、有機金属化合物にトリメチルアルミニウムが用いられており、酸化剤に水蒸気又はオゾンが用いられている。したがって、ゲート絶縁膜４２は、酸化アルミニウムである。第１ゲート絶縁膜４２ａの厚みは、例えば１〜５０ｎｍである。
【００２３】
第２ゲート絶縁膜４２ｂは、窒素を含む水プラズマを酸化剤として成膜された金属酸化物である。即ち、第２ゲート絶縁膜４２ｂは、ＯＨラジカルを酸化剤として成膜されている。具体的には、有機金属化合物にトリメチルアルミニウムが用いられている。したがって、第２ゲート絶縁膜４２ｂは、第１ゲート絶縁膜４２ａと同様に、酸化アルミニウムである。第２ゲート絶縁膜４２ｂの厚みは、第１ゲート絶縁膜４２ａの厚みよりも厚く、例えば４〜２００ｎｍである。
【００２４】
図３に、窒化ガリウム（ＧａＮ）の窒化物半導体層の表面上に酸化アルミニウムを成膜したときの、酸化アルミニウム／ＧａＮ界面の界面トラップ密度（Ｄｉｔ）をＨｉｇｈ−Ｌｏｗ法により評価した結果を示す。白丸は窒素を含む水プラズマを酸化剤として用いて酸化アルミニウムを成膜した場合（「窒素＋水プラズマ」として示す）の界面トラップ密度（Ｄｉｔ）の分布を示しており、黒丸はオゾンを酸化剤として用いて第１ゲート絶縁膜である酸化アルミニウムを成膜後、窒素を含む水プラズマを酸化剤として用いて第２ゲート絶縁膜である酸化アルミニウムを成膜した場合（「オゾン／窒素＋水プラズマ」として示す）の界面トラップ密度（Ｄｉｔ）の分布を示している。横軸の（Ｅｃ−Ｅ）は、伝導帯端からの相対的エネルギー差である。
【００２５】
図３に示されるように、オゾンを酸化剤として成膜した第１ゲート絶縁膜と窒素を含む水プラズマを酸化剤として成膜した第２ゲート絶縁膜を積層させた場合の界面トラップ密度は、窒素を含む水プラズマを酸化剤として成膜した場合の界面トラップ密度よりも低い。これは、窒化物半導体層の表面に対して窒素を含む水プラズマを酸化剤として酸化アルミニウムを成膜した場合には窒化物半導体層の表面にプラズマダメージが加えられるのに対し、窒化物半導体層の表面に対してオゾンを酸化剤として酸化アルミニウムを成膜した場合には窒化物半導体層の表面にプラズマダメージが加えられないからだと考えられる。
【００２６】
図２に示すように、半導体装置２では、窒化物半導体層２０の表面と接する部分のゲート絶縁膜４２として、水蒸気又はオゾンを用いて成膜された第１ゲート絶縁膜４２ａが設けられている。このため、窒化物半導体層２０の表面にプラズマダメージが加えられておらず、窒化物半導体層２０と第１ゲート絶縁膜４２ａの界面の界面トラップ密度は低い。界面トラップ密度が大きいと、チャネル電子移動度の低下、ヒステリシスの増加、ゲート閾値電圧の変動が大きくなることが懸念される。したがって、半導体装置２の絶縁ゲート４０は、第１ゲート絶縁膜４２ａが設けられていることにより、界面トラップ密度が低く抑えられていることから、高いチャネル電子移動度、ヒステリシスの低減、ゲート閾値電圧の変動が小さいという特徴を有することができる。さらに、半導体装置２の絶縁ゲート４０は、窒素を含む水プラズマを酸化剤として成膜された第２ゲート絶縁膜４２ｂを有している。このため、半導体装置２は、高い信頼性という特徴も有することができる。
【００２７】
次に、図４を参照し、半導体装置２の絶縁ゲート４０の製造方法について説明する。なお、半導体装置２の製造方法において、絶縁ゲート４０の製造工程以外の工程については、従来公知の工程を採用することができる。このため、以下では、半導体装置２の絶縁ゲート４０の製造方法についてのみを説明し、その他の工程についての説明は省略する。
【００２８】
まず、図４に示されるように、窒化物半導体層２０の表面に対してＲＣＡ洗浄を行う（Ｓ１工程）。
【００２９】
次に、原子層堆積法（ＡＬＤ法）を利用して、窒化物半導体層２０の表面上に第１ゲート絶縁膜４２ａを成膜する（Ｓ２工程）。原料にはトリメチルアルミニウムが用いられる。酸化剤には水蒸気又はオゾンが用いられる。成膜温度は約３００℃である。
【００３０】
次に、原子堆積法（ＡＬＤ法）を利用して、第１ゲート絶縁膜４２ａの表面上に第２ゲート絶縁膜４２ｂを成膜する（Ｓ３工程）。原料にはトリメチルアルミニウムが用いられる。酸化剤には窒素を含む水プラズマが用いられる。成膜温度は約３００℃である。窒素と水の供給時間は約０．５秒であり、ＲＦ印加電力が約４００Ｗ、ＲＦ印加時間が約０．５秒である。
【００３１】
次に、第２ゲート絶縁膜４２ｂの表面上にゲート電極４４を形成する（Ｓ４工程）。こられの工程を経て、絶縁ゲート４０が形成される。なお、Ｓ３工程とＳ４工程の間に、必要に応じて熱処理工程が実施されてもよい。熱処理条件は、例えば窒素雰囲気下で６００℃、５分である。
【実施例１】
【００３２】
（ＭＯＳキャパシタによるアルミナ層の膜質評価）
図５に、縦型のＭＯＳキャパシタの構成を示す。このＭＯＳキャパシタは、アルミニウム層５１、チタン層５２、ｎ型のＧａＮ自立基板５３、ｎ型のＧａＮ層５４、アルミナ層５５及び電極層５６がこの順で積層して構成されている。
【００３３】
アルミニウム層５１とチタン層５２は、ＧａＮ自立基板５３の裏面上に形成されており、ソース電極として用いられる。アルミニウム層５１の厚みは、約２００ｎｍである。チタン層５２の厚みは、約２０ｎｍである。
【００３４】
ＧａＮ層５４は、エピタキシャル成長技術を利用して、ＧａＮ自立基板５３の表面上に成膜されている。ＧａＮ層５４は、ｎ型不純物としてシリコンを含んでおり、その不純物濃度が約５×１０16ｃｍ-3である。
【００３５】
アルミナ層５５は、ＧａＮ層５４の表面上に設けられており、原子層堆積法（ＡＬＤ法）を利用して成膜された酸化アルミニウムである。原料にはトリメチルアルミニウムが用いられる。酸化剤には窒素を含む水プラズマが用いられる。成膜温度は約３００℃である。窒素と水の供給時間は約０．５秒であり、ＲＦ印加電力が約４００Ｗ、ＲＦ印加時間が約０．５秒である。アルミナ層５５の厚みは、約２０ｎｍである。
【００３６】
電極層５６は、アルミナ層５５の表面上に設けられている。電極層５６の厚みは、約２００ｎｍである。
【００３７】
図６に、ＭＯＳキャパシタのアルミニウム層５１と電極層５６の間に電圧を加えたときにアルミニウム層５１と電極層５６の間を流れるリーク電流を測定した結果を示す。図６の横軸はアルミナ層５５に加わる電界強度であり、図６の縦軸はアルミナ層５５を流れるリーク電流の電流密度である。ここで、図６の「窒素＋水プラズマ」が図５に示すＭＯＳキャパシタの結果である。図６の「理論値」とは、図５に示すＭＯＳキャパシタのアルミナ層５５に代えて、欠陥を含まない良質な酸化アルミニウム層が設けられていると仮定したときの結果である。図６の「オゾン」とは、図５に示すＭＯＳキャパシタのアルミナ層５５に代えて、オゾンを酸化剤として用いて成膜された酸化アルミニウム層が設けられている場合の結果である。
【００３８】
図６に示されるように、「窒素＋水プラズマ」のリーク電流は、電界強度が３〜３．７ＭＶ／ｃｍの範囲において、「理論値」のリーク電流に一致した。一方、「オゾン」のリーク電流は、「理論値」のリーク電流に一致しない。一致しない理由は、酸化アルミニウム層内の欠陥に電子が捕獲されることが原因だと考えられる。即ち、「オゾン」の例では、酸化アルミニウム層内に多量の欠陥が存在していると推察される。このような多量の欠陥は、酸化アルミニウム層の絶縁破壊の原因となる。また、このような多量の欠陥は、膜中の電荷変動を引き起こし、ＭＯＳキャパシタが絶縁ゲートとして用いられた場合にゲート閾値電圧の変動を起こす。一方、「窒素＋水プラズマ」のリーク電流は「理論値」のリーク電流に一致することから、アルミナ層５５内にこのような欠陥が少ないと考えられる。このように、「窒素＋水プラズマ」の例は、絶縁破壊が抑えられて高い信頼性を有するとともに、安定した電気的特性を有することが確認された。
【００３９】
（酸化アルミニウム層内の窒素の評価）
図７に、ＧａＮ基板上に成膜した酸化アルミニウム層を昇温したときに酸化アルミニウム層から脱離するガスを分析した結果を示す。図７の横軸は温度であり、図７の縦軸は脱離するガス量である。ここで、「窒素＋水プラズマ」が、窒素を含む水プラズマを酸化剤として用いて、原子堆積法によって成膜した酸化アルミニウム層の結果である。「オゾン」は、オゾンを酸化剤として用いて、原子堆積法によって成膜した酸化アルミニウム層の結果である。「ＧａＮ基板」は、酸化アルミニウム層が何ら成膜されていないＧａＮ基板の結果である。
【００４０】
温度が８００℃よりも高い範囲で脱離するガスは、主として窒素である。図７に示されるように、「窒素＋水プラズマ」の酸化アルミニウム層から脱離する窒素は、「オゾン」の酸化アルミニウム層から脱離する窒素よりも多い。このことから、「窒素＋水プラズマ」の酸化アルミニウム層には、多量の窒素が含まれていることが確認された。
【００４１】
図８は、Ｘ線光電子分光法を利用して、「窒素＋水プラズマ」の酸化アルミニウム層内のＡｌ−Ｏ結合、Ａｌ−ＯＨ結合及びＡｌ−Ｎ結合の存在比を測定した結果である。図８に示されるように、「窒素＋水プラズマ」の酸化アルミニウム層内には、Ａｌ−Ｎ結合が存在しないことが確認された。即ち、「窒素＋水プラズマ」の酸化アルミニウム層内に含まれる多量の窒素は、アルミニウムと結合していない状態で酸化アルミニウム層内に存在していることが確認された。換言すると、アルミニウムと結合していない状態の多量の窒素を含む酸化アルミニウム層は、窒素を含む水プラズマを酸化剤として用いて、原子堆積法によって成膜されたことを示し得る。
【００４２】
以上、本明細書に開示の技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００４３】
１，２：半導体装置
１０：半導体基板
２０：窒化物半導体層
２２：ボディ領域
２４：ソース領域
２６：ドレイン領域
３２：ソース電極
３４：ドレイン電極
４０：絶縁ゲート
４２：ゲート絶縁膜
４２ａ：第１ゲート絶縁膜
４２ｂ：第２ゲート絶縁膜
４４：ゲート電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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