(57)【要約】【課題】プラズマの密度分布を制御することによって、ＣＤバラつきを抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置において、プラズマ生成手段が、マイクロ波を発振する複数のマイクロ波源１０１、２０１と、一つの前記マイクロ波源１０１が接続される円形導波管１０４と、その他の前記マイクロ波源２０１に接続される励振線２０５と、前記円形導波管１０４および前記励振線２０５が接続される円筒状の空洞共振器１０６とを備え、前記空洞共振器１０６にマイクロ波導入窓１０７を介して接続される真空処理室１１０内に形成される、低次モードの電界と高次モードの電界との分布を調整可能である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料がプラズマ処理される真空処理室と、プラズマを生成するためのマイクロ波の高周波電力を導波管を介して供給する第１の高周波電源と、前記導波管を介して伝送されたマイクロ波の電磁界分布を所定の分布に調整し前記真空処理室の上方に配置された空洞共振部と、前記試料が載置される試料台とを備えるプラズマ処理装置において、
前記空洞共振部に配置された励振線をさらに備える
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記励振線は、前記第１の高周波電源と異なる第２の高周波電源によりマイクロ波の高周波電力を供給される
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記導波管を介して伝送されたマイクロ波により形成された電界と前記励振線によって励振されたマイクロ波により形成された電界との合成比率が所定の比率となるように前記第１の高周波電源および前記第２の高周波電源を制御する制御部をさらに備える
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
前記励振線は、前記空洞共振部の上面または側面に配置されている
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマ処理装置において、
前記励振線の個数は、複数であり、
前記励振線は、前記空洞共振部の中心軸に対して対称に配置されている
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
前記励振線により励振される電界モードは、ＴＭモードまたはＴＥモードである
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造のエッチング工程に、プラズマ発生装置が用いられてきた。このプラズマ発生装置によれば、真空容器である処理室内に反応性ガスを導入した状態で、高周波電力（以下、ソース電力）を印加することでプラズマを生成し、下部電極に置かれた被処理材（例えばシリコンウェハ）をエッチングすることができる。
【０００３】
前記下部電極におけるバイアス電力を印加することで、エッチング速度、エッチング形状を制御可能である。半導体デバイス性能を決めるもっとも重要なパラメータは、例えばゲート電極の幅や配線の幅といったＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）と呼ばれる、そのデバイス形状の代表寸法である。
【０００４】
ゲート加工の例では、ゲート長と呼ばれるゲート構造の幅が、半導体デバイスのスイッチング特性に直接影響するため、これを設計寸法通りに加工することが重要である。ＣＤ制御の例として、同一直線パターン内のＣＤバラつき、チップ内の回路パターン粗密差による形状バラつき、ウェハ面内のＣＤバラつき等が引き起こされる場合があり、これらのＣＤバラつきを抑制し、高い製品歩留まりを達成することが要求される。ＣＤバラつきは、処理時におけるウェハ温度、イオンエネルギー、反応副生成物の量、イオン・ラジカル量によって変動する。ＣＤバラつきを抑制するために、例えば特許文献１、２に開示された技術が知られている。
【０００５】
特許文献１には、処理室に設けられた複数の導入口から導入する処理ガスの組成および／または流量を調節する技術が開示されている。更に、特許文献２には、対称的な、電気的な、熱的な、及びガス流のコンダクタンスを可能にするチャンバ設計を提供する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−５６９１４号公報
【特許文献２】特開２０１３−１７９０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、半導体製造のエッチング工程では、様々な材料からなる積層膜が表面に成膜されたシリコンウェハを、真空処理室内に導入された反応性ガスに高周波を印可することで生成されたプラズマに曝し、積層膜最上部のマスク層に露光・現像された回路パターンを下層に転写させることが行われる。このパターン転写後のＣＤを、設計要求値通りに加工することが必要である。そこで、別な視点からウェハ面内のＣＤバラつきを抑制するために、例えばウェハ温度制御、プラズマ分布制御技術等も用いられてきた。
【０００８】
真空処理室内のプラズマ空間分布やガス流れが真空処理室内の径方向または周方向に対して必ずしも均一でない場合があり、イオンやラジカルの衝突頻度や、ガス分子の滞在時間等がシリコンウェハ上で均一でないことによって、ＣＤバラつきが引き起こされるという問題があった。具体的な例では、ウェハの外周部においてイオン・ラジカルの消費とそれに伴う反応生成物の放出量がウェハ最外端を境界に変化することや、プラズマ分布の不均一性が生じることや、ガス流速分布に従ってラジカルや反応生成物の空間分布が不均一となることなどが原因となり、ＣＤバラつきが生じる結果を招く。
【０００９】
本発明は、上記従来技術の課題に鑑みてなされたものであり、プラズマの密度分布を制御することによって、ＣＤバラつきを抑えることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、代表的な本発明のプラズマ処理装置の一つは、試料がプラズマ処理される真空処理室と、プラズマを生成するためのマイクロ波の高周波電力を導波管を介して供給する第１の高周波電源と、前記導波管を介して伝送されたマイクロ波の電磁界分布を所定の分布に調整し前記真空処理室の上方に配置された空洞共振部と、前記試料が載置される試料台とを備えるプラズマ処理装置において、
前記空洞共振部に配置された励振線をさらに備えることにより達成される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、プラズマの密度分布を制御することによって、ＣＤバラつきを抑えることができるプラズマ処理装置を提供することができる。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明におけるプラズマエッチング装置の構成図である。
【図２】第一の実施形態に係る高次モードで励振可能なプラズマエッチング装置の構成図である。
【図３】マイクロ波の低次モードと高次モードの合成による電界分布の例を示す図である。
【図４】マイクロ波電力の時間変化を示す図である。
【図５】第二の実施形態に係る高次モードで励振可能なプラズマエッチング装置の構成図である。
【図６】第三の実施形態に係る高次モードで励振可能なプラズマエッチング装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本明細書中、「異なるモード」とは、モードの種類（ＴＭモード、ＴＥモード）が異なること、およびモードの次数が異なることの両方である。
【００１４】
以下、本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。図１は本実施形態のプラズマ処理装置（プラズマエッチング装置）に係る真空処理室周りの構成の概略を示す縦断面図である。
【００１５】
プラズマソース用である第１の高周波電源、例えばマイクロ波源１０１は、自動整合機１０５を含む方形導波管１０２を介して方形円形導波管変換機１０３に接続され、方形円形導波管変換機１０３は円形導波管１０４に接続されている。自動整合機１０５は、反射波を自動的に抑制する機能を有する。マイクロ波源１０１としては例えば、発振周波数２．４５ＧＨｚのマグネトロンを用いることができる。
【００１６】
円形導波管１０４は、空洞共振器（空洞共振部ともいう）１０６に接続されている。空洞共振器１０６は、マイクロ波電磁界分布をプラズマ処理に適した分布に調整する機能を持つ。方形導波管１０２から空洞共振器１０６までをマイクロ波導入経路とする。
【００１７】
空洞共振器１０６の下部には、マイクロ波導入窓１０７、シャワープレート（ガス供給部）１０８が配置され、上部をマイクロ波導入窓により気密に封止された真空容器１０９の内部に真空処理室１１０構成されている。マイクロ波源１０１から発振されて上記のマイクロ波導入経路を介して真空処理室１１０に伝播されたマイクロ波と、ソレノイドコイル１１１によって形成される静磁場との相互作用によるＥＣＲ共鳴によって、真空処理室１１０内に反応性ガスによるプラズマが生成される。マイクロ波導入窓１０７、シャワープレート１０８の材料としては石英を用いることが望ましい。ソレノイドコイル１１１が磁場形成手段を構成する。
【００１８】
ＥＣＲ共鳴とは、ソレノイドコイル１１１が生成する磁界の磁力線に沿って電子が回転しながら移動するところに、その回転の周期に対応した周波数のマイクロ波がプラズマに入射することで電子が選択的に加熱される現象のことであり、これによりプラズマを効果的に加熱できる。このような静磁界を用いる他の利点は、静磁界の分布を変化させることでＥＣＲ共鳴が発生する位置を制御することが出来、プラズマ発生領域を制御することができることである。
【００１９】
さらにプラズマは磁力線に対して垂直な方向に拡散が抑制されることが知られており、この特性を利用してプラズマの拡散を制御し、プラズマの損失を低減することができる。これらの効果により、プラズマの分布を制御することができ、従ってプラズマ処理の均一性を高めることができる。また電磁石に通電する電流を変えることで、静磁界の分布を制御することができる。
【００２０】
不図示のガス源から供給される反応性ガスは、ガス制御装置内でその流量を制御され、試料台である下部電極１１２に対向する面に配置されたシャワープレート１０８を介して、真空処理室１１０内に供給される。真空処理室１１０内に供給されたガスは、ターボ分子ポンプ（以下ＴＭＰ）１１３により排気される。ＴＭＰ１１３の上流部に配置された排気コンダクタンス調整弁１１４は、圧力計１１５の測定値が所望の値となるようにフィードバック制御され、その開度が調整される。
【００２１】
試料、例えばシリコンウェハ（以下、単にウェハと記す）は、静電吸着により下部電極１１２に吸着保持可能である。さらに、下部電極１１２にＲＦ電源１１６より、プラズマソース用電源の周波数より低い、例えば周波数４００ｋＨｚのＲＦ（Radio Frequency）波を、整合器１１７を介して印加することにより処理性能の制御や、処理速度の向上が可能である。
【００２２】
分光器１１８は、光ファイバ１１９によって真空処理室１１０に接続され、真空処理室１１０内に生成されたプラズマの発光を分光し、波長毎の強度を検知可能である。また分光器１１８は制御コンピュータ（不図示）に接続され、この制御コンピュータは分光器１１８が検出したプラズマ発光の変化の特徴を抽出して、エッチングの終点を判定し処理を終了させる機能を持つ。
【００２３】
真空処理室１１０、下部電極１１２、ＴＭＰ１１３はそれぞれ略円筒形であり、その円筒の軸を同一とする。下部電極１１２は真空処理室１１０に、不図示の梁等によって支持されている。
【００２４】
以上の構成は全て制御部である制御コンピュータＰＲＯＣ（図２参照）に接続され、適切なシーケンスで動作するよう、そのタイミング、動作量をコントロールされる。動作シーケンスの詳細パラメータはレシピと呼ばれ、予め設定されたレシピに基づいた動作がなされる。
【００２５】
（第一の実施形態）
第一の実施形態では、マイクロ波電界分布制御機能を有したプラズマエッチング装置の例を説明する。図２は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置の断面図である。本実施形態に係るプラズマエッチング装置は、既に説明した図１に示した構成に加え、第一のマイクロ波源１０１に加えて、第二のマイクロ波源２０１と、第二の自動整合器２０２と、分岐導波管２０３と、同軸ケーブル２０４と、励振線２０５とを有している。すでに説明した図１に示された構成と同一の機能を有する部分については、同一の符号を付して説明を省略する（以下の実施形態で同じ）。第二のマイクロ波源２０１が、励振線に高周波電力を供給する第２の高周波電源を構成する。
【００２６】
第二のマイクロ波源２０１から発振されたマイクロ波は、自動整合器２０２において反射波を抑制され、分岐導波管２０３において六分岐される。分岐されたマイクロ波は、導波管−同軸変換器を介して接続された同軸ケーブル２０４を介して、空洞共振器１０６内に配置された六本の励振線２０５に伝送され、空洞共振器１０６内に放射される。なお、図２中では同軸ケーブルは二本のみ明示され、それ以外の分岐導波管出口からは鎖線が図示されているが、それら鎖線で示された同軸ケーブルの先にも同様に励振線が接続されている。
【００２７】
分岐導波管２０３は、分岐後のそれぞれのマイクロ波の振幅と位相が同一となるようにその形状を調整されている。そして、六本の同軸ケーブルの長さを同一にすることで、六本の励振線２０５から空洞共振器１０６内に放射されるマイクロ波を、互いに同一振幅且つ同位相とすることが可能となる。マイクロ波伝送効率を最大化するため、同軸ケーブルと励振線のインピーダンスとは同一になるよう調整されている。
【００２８】
六本の励振線２０５は、円筒形の空洞共振器１０６内の上面（天井面）から下方に、空洞共振器１０６の中心軸と平行に且つ前記中心軸に対し軸対称に配置されている。また、励振線２０５から放射されるマイクロ波は、各々の励振線２０５の周囲を取り囲む磁場と、励振線２０５に沿った方向に振動する電場とを形成させ、空洞共振器１０６と真空処理室１１０より構成される円筒導波管内にＴＭモードを励振可能としている。
【００２９】
本実施形態においては、６本の励振線２０５を、空洞共振器１０６の側壁付近に軸対称に配置した。空洞共振器１０６内に発生する定在波の腹は、励振線２０５の直下と、周方向に隣り合う励振線２０５の間に各６個（合計１２個）存在可能となる。かかる場合、ＴＭ６１モードの電場が形成される。このようにＴＭモードの最大電界となる位置が明確に固定されるため、空洞共振器に接続された円形導波管１０４の有無に関わらず、ＴＭ６１モードで安定して励振可能となっている。
【００３０】
壁面での反射による擾乱を抑制し、所望のモードを得るため、励振線２０５を配置する位置は、空洞共振器１０６の側壁から１／４波長の距離とするのがよく、具体的にはその距離を２０〜４０ｍｍとするのがよい。
【００３１】
本実施形態における真空処理室１１０内のマイクロ波電界分布の計算結果を、図３に示す。図３は、真空処理室１１０内における、マイクロ波導入窓１０７と平行且つ前記導入窓から２００ｍｍ下側の平面内での電界分布であって、円形導波管１０４から導入されたマイクロ波電力Ｐ１と、励振線２０５から導入されたマイクロ波電力Ｐ２の比を変えた場合の計算結果である。
【００３２】
励振線２０５のみからマイクロ波を導入した場合、すなわちＰ１：Ｐ２＝０：１００の場合、ＴＭ６１モード（高次モード）のみが現れ、処理室外壁に沿って強い電界分布が現れている。一方で、円形導波管１０４のみからマイクロ波を導入した場合、すなわちＰ１：Ｐ２＝１００：０の場合は、円形導波管１０４内を伝播するマイクロ波のＴＥ１１モード（低次モード）を基本とした電界分布を示し、これは励振線を持たない装置(図１）におけるマイクロ波分布と同等である。
【００３３】
さらにマイクロ波源１０１と、マイクロ波源２０１とを駆動制御する制御部である制御コンピュータＰＲＯＣを介してＰ１：Ｐ２の比を変えた場合は、そのマイクロ波電力比に応じて、ＴＥ１１モードとＴＭ６１モードとが線形結合された電界分布が現れ、電界分布が制御可能なことがわかる。つまり、マイクロ波電力Ｐ１、Ｐ２の割合を変えることで、低次モードの電界分布と高次モードの電界分布とを、所望の比率で形成することができる。これによって真空処理室１１０内の電界分布を凸型から凹型まで任意に制御可能となり、その結果、プラズマが分布する径方向分布を容易に調整することができる。
【００３４】
本実施形態では励振線２０５の本数を６本としたが、それより少なくても、または多くてもよい。例えば定在波の腹の数が２×ｎ個となるＴＭｎ１モードを励振するには、励振線２０５の本数をｎ本とし、それに従い、同軸ケーブル２０４の本数と分岐導波管２０３の分岐数をそれぞれｎとすれば良い。つまり、ｎの数がモードの次数に対応するため、ｎが小さければ低次モード、ｎが大きくなれば高次モードとなる。
【００３５】
励振線２０５の数を少なくすると周方向の電界強度振幅が大きくなり、励振線数を多くすると、電界強度の強い領域が空洞共振器１０６の側壁付近に局在し、中央部のプラズマ密度が必要以上に小さくなったり、真空処理室１１０外壁へのダメージの懸念があるため、励振線２０５の本数は６〜１０本が望ましい。
【００３６】
（第二の実施形態）
第二の実施形態を、図４を用いて説明する。第二の実施形態が第一の実施形態と異なるのは、円形導波管１０４から導入されるマイクロ波のＴＥ１１モードと、６本の励振線２０５によるマイクロ波のＴＭ６１モードとを、同時に真空処理室１１０内に合成する代わりに、ＴＥ１１モードとＴＭ６１モードとを交互に導入し、時間平均的に合成することである。このような制御は制御コンピュータにより行える。
【００３７】
図中、グラフ４０１は、円形導波管１０４から導入されるマイクロ波電力の時間変化を示し、グラフ４０２は、６本の励振線２０５から導入されるマイクロ波電力の総和の時間変化を示す。図４に示される通り、グラフ４０１、４０２で示されるものは、同じ周波数で、異なる位相とＤｕｔｙ比を持つパルス波であり、マイクロ波電力の供給と供給停止とを周期的に繰り返すことを示している。
【００３８】
このパルスのそれぞれの周波数は、プラズマの寿命に鑑み１０Ｈｚ以上、かつ１０ｋＨｚ以下の範囲程度が好適である。図４に示した例では、グラフ４０１のＤｕｔｙ比をＡ％、グラフ４０２のＤｕｔｙ比をＢ％として、Ａ＋Ｂ＝１００％となるように図示したが、Ａ＋Ｂ＜１００％、すなわち、マイクロ波電力が供給されない時間が存在するような場合や、Ａ＋Ｂ＞１００％、すなわち、グラフ４０１とグラフ４０２とがオーバーラップする時間が存在するような場合があってもよい。
【００３９】
上記のように、周期的に交互にＴＥ１１モードとＴＭ６１モードとを励起させることで、前記の周波数ではパルスがＯＦＦになる時間中にプラズマは消失するため、ＴＥ１１モードによる凸型の密度分布をもつプラズマと、ＴＭ６１モードによる凹型の密度分布を持つプラズマが互いに干渉することなく交互に生成され、エッチング分布をそれぞれのＤｕｔｙ比によって容易に調整可能となる。
以上の実施形態によれば、中央で強い電界強度分布を持つ低次モードに加え、真空処理室１１０の円筒外壁付近で強い電界強度分布を持つ高次モードを同時に励振する、あるいは時間的に分離された二つのモードを繰り返し交互に励振し、時間平均的に合成することによって、プラズマの密度分布を制御することを可能とすることができる。
【００４０】
（第三の実施形態）
第三の実施形態について、図５を用いて説明する。本実施形態では、第一の実施形態で示したように一つのマイクロ波源２０１から発振されたマイクロ波を６分岐する代わりに、６台のマイクロ波源（第２の高周波電源）５０１を用いた点が異なる。なお、図５及び後述する図６で、制御コンピュータは省略している。
【００４１】
マイクロ波源５０１は、各々が同軸ケーブル２０４を介して励振線２０５に接続されている。マイクロ波源５０１は、それぞれコントローラ５０２に接続されており、コントローラ５０２からの信号を基に、同一の位相で駆動される。これによって、空洞共振器１０６内で複数の励振線２０５から発信されたマイクロ波同士の不要な干渉を抑制し、所望するモードの定在波を得ることができる。
【００４２】
複数搭載されるマイクロ波源５０１は、その出力の合計が、第一の実施形態で示したマイクロ波源２０１の出力に相当すればよく、励振線２０５を６本用いる場合において、各々６分の１の出力があればよい。より具体的には各々１００Ｗ〜３００Ｗ程度の出力のマイクロ波源５０１を用いればよい。マイクロ波源５０１には、マグネトロンを用いる以外に、発振器および増幅器を固体素子で構成されたマイクロ波源を用いてもよい。それらのマイクロ波源は周波数特性が良好であることが知られており、これを用いることで定在波モードの制御性が向上可能である。
【００４３】
（第四の実施形態）
第四の実施形態について、図６を用いて説明する。本実施形態では、前記実施形態にて高次のＴＭモードを励起することを目的としていたのに対し、高次のＴＥモードを励起するための励振線配置を有することを特徴としている。
【００４４】
本実施形態では、励振線６０１は空洞共振器１０６の円筒側壁（側面）に垂直に設置される。その結果、励振線６０１は、空洞共振器１０６の中心軸に垂直な面内かつ前記中心軸を通る直線上に配置されることになる。励振線６０１は、第一の実施形態と同様に本数は例えば６本であり、それぞれに同振幅且つ同位相のマイクロ波が供給される構成となっている。
【００４５】
励振線６０１から発振されるマイクロ波は、第一の実施形態と同様、励振線６０１と平行な向きの電場を形成し、ＴＥモードを励起する。励振線を６本配置したことで、最大電界強度となる位置が励振線６０１の挿入位置と隣り合う励振線の中間とに決まり、ＴＥ６１モードが安定的に励振可能である。励振線６０１と空洞共振器１０６上面からの距離は、壁面からの反射による影響を抑制するため、１／４波長程度とするのがよく、約３０ｍｍまたは２０〜４０ｍｍの中から選ぶとよい。
【００４６】
図６中では、マイクロ波源を第一の実施形態と同一としているが、第三の実施形態のように複数のマイクロ波源を用いてもよい。
【００４７】
また、円形導波管１０４から伝播されるＴＥ１１モードとの合成は、第一の実施形態と同様に電力比によって行うのでもよく、第二の実施形態と同様に時間比で行うのでもよい。
【００４８】
以上の実施形態において，マイクロ波ＥＣＲ放電を利用したエッチング装置を例に説明したが、その他のマイクロ波プラズマ処理装置、例えばプラズマＣＶＤ装置またはプラズマＰＶＤ装置についても同様の作用効果がある。また、以上の実施形態においては、周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波の場合について述べたが、ＥＣＲ放電の場合であればより低い周波数、または高い周波数であっても同様の作用効果がある。
【００４９】
なお、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施の形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施の形態における構成の一部を他の実施の形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施の形態の構成に他の実施の形態の構成を加えることも可能である。また、各実施の形態における構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることも可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１０１  マイクロ波源、
１０２  方形導波管、
１０３  方形円形導波管変換機、
１０４  円形導波管、
１０５  自動整合機、
１０６  空洞共振器、
１０７  マイクロ波導入窓、
１０８  シャワープレート、
１０９  真空容器、
１１０  真空処理室、
１１１  ソレノイドコイル、
１１２  下部電極、
１１３  ターボ分子ポンプ、
１１４  排気コンダクタンス制御弁、
１１５  圧力計、
１１６  ＲＦ電源、
１１７  整合器、
１１８  分光器、
１１９  光ファイバ、
２０１  第２のマイクロ波源、
２０２  第２の自動整合器、
２０３  分岐導波管、
２０４  同軸ケーブル、
２０５  励振線、
４０１  円形導波管から導入されるマイクロ波電力のグラフ、
４０２  励振線から導入されるマイクロ波電力のグラフ、
５０１  第２のマイクロ波源、
５０２  マイクロ波源コントローラ、
６０１  励振線
【図１】
2020004672.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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