(57)【要約】【課題】絶縁信頼性に優れ、反りの発生が抑制され、線熱膨張係数が低い樹脂組成物；それを用いた樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージの提供。【解決手段】（ａ）エラストマー、（ｂ１）芳香族構造を有する液状エポキシ樹脂、（ｂ２）芳香族構造を有する固体状エポキシ樹脂、及び（ｃ）無機充填材を含有する樹脂組成物であって、（ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、５０質量％〜９５質量％であり、樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が１８ＧＰａ以下であり、該硬化物の２３℃における測定周波数５．８ＧＨｚの比誘電率が３．５以下であり、かつ該硬化物の２３℃における測定周波数１ＧＨｚの比誘電率との差が０．３以下である樹脂組成物等に関する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）エラストマー、（ｂ１）芳香族構造を有する液状エポキシ樹脂、（ｂ２）芳香族構造を有する固体状エポキシ樹脂、及び（ｃ）無機充填材を含有する樹脂組成物であって、
（ａ）成分の含有量が、（ｃ）成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、３０質量％〜８５質量％であり、
（ａ）成分が、ブタジエン構造単位、ポリシロキサン構造単位、（メタ）アクリレート構造単位、アルキレン構造単位、アルキレンオキシ構造単位、イソプレン構造単位、イソブチレン構造単位、及びポリカーボネート構造単位から選択される１種以上の構造単位を有し、
（ａ）成分が、ガラス転移温度が２５℃以下の樹脂、及び２５℃で液状である樹脂から選択される１種以上であるか、または、
（ａ）成分が、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）が１,０００〜１,０００,０００であり、
（ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、５０質量％〜９５質量％であり、
樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物の２３℃における測定周波数５．８ＧＨｚの誘電正接が０．０１以下であり、かつ該硬化物の２３℃における測定周波数１ＧＨｚの誘電正接との差が０．００２以下である、樹脂組成物。
【請求項２】
（ａ）成分が、（ｂ１）成分及び（ｂ２）成分と反応し得る官能基を有する、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
（ａ）成分が、フェノール性水酸基を有する、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
さらに（ｄ）硬化剤を含み、該硬化剤が、フェノール系硬化剤、及び活性エステル硬化剤から選択される１種以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
【請求項７】
半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、請求項６に記載の樹脂シート。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
【請求項９】
請求項８に記載の回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージ。
【請求項１０】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物、または請求項６又は７に記載の樹脂シートにより封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、樹脂組成物を使用した、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォン、タブレット型デバイスといった小型の高機能電子機器の需要が増大しており、それに伴い、これら小型の電子機器に用いられる半導体パッケージ用絶縁材料（絶縁層）も更なる高機能化が求められている。
【０００３】
このような絶縁層は、樹脂組成物を硬化して形成されるもの等が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−８２５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、より小型の半導体パッケージの製造が求められており、半導体パッケージに用いる絶縁層はより薄い層とすることが求められる。このため、絶縁信頼性に優れ、反りの発生が抑制され、線熱膨張係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ：ＣＴＥ、熱膨張率ということがある）が低いことが求められている。
【０００６】
しかしながら、絶縁信頼性、反り量、及びＣＴＥは、特に絶縁層の厚さが薄い時には、トレードオフの関係となり、同時に十分な性能を発揮する樹脂組成物の設計は種々検討されているが、継続して解決すべき課題であった。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、絶縁信頼性に優れ、反りの発生が抑制され、線熱膨張係数が低い絶縁層が得られる樹脂組成物；それを用いた樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、（ａ）エラストマー、（ｂ１）芳香族構造を有する液状エポキシ樹脂、（ｂ２）芳香族構造を有する固体状エポキシ樹脂、及び所定量の（ｃ）無機充填材を含有させ、さらに１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が１８ＧＰａ以下、該硬化物の２３℃における測定周波数５．８ＧＨｚの比誘電率が３．５以下、かつ該硬化物の２３℃における測定周波数１ＧＨｚの比誘電率との差が０．３以下との要件を満たすことで、絶縁信頼性に優れ、反りの発生が抑制され、線熱膨張係数が低い絶縁層が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］  （ａ）エラストマー、（ｂ１）芳香族構造を有する液状エポキシ樹脂、（ｂ２）芳香族構造を有する固体状エポキシ樹脂、及び（ｃ）無機充填材を含有する樹脂組成物であって、
（ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、５０質量％〜９５質量％であり、
樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が１８ＧＰａ以下であり、
該硬化物の２３℃における測定周波数５．８ＧＨｚの比誘電率が３．５以下であり、かつ該硬化物の２３℃における測定周波数１ＧＨｚの比誘電率との差が０．３以下である、樹脂組成物。
［２］  樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物の２３℃における測定周波数５．８ＧＨｚの誘電正接が０．０１以下であり、かつ該硬化物の２３℃における測定周波数１ＧＨｚの誘電正接との差が０．００２以下である、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］  （ａ）成分の含有量が、（ｃ）成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、３０質量％〜８５質量％である、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］  （ａ）成分が、ブタジエン構造単位、ポリシロキサン構造単位、（メタ）アクリレート構造単位、アルキレン構造単位、アルキレンオキシ構造単位、イソプレン構造単位、イソブチレン構造単位、及びポリカーボネート構造単位から選択される１種以上の構造単位を有する、［１］〜［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［５］  （ａ）成分が、ガラス転移温度が２５℃以下の樹脂、及び２５℃で液状である樹脂から選択される１種以上である、［１］〜［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］  （ａ）成分が、（ｂ１）成分及び（ｂ２）成分と反応し得る官能基を有する、［１］〜［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］  （ａ）成分が、フェノール性水酸基を有する、［１］〜［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［８］  さらに（ｄ）硬化剤を含み、該硬化剤が、フェノール系硬化剤、及び活性エステル硬化剤から選択される１種以上である、［１］〜［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［９］  半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、［１］〜［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］  支持体と、該支持体上に設けられた、［１］〜［９］のいずれかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
［１１］  半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、［１０］に記載の樹脂シート。
［１２］  ［１］〜［９］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
［１３］  ［１２］に記載の回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージ。
［１４］  ［１］〜［９］のいずれかに記載の樹脂組成物、または［１０］に記載の樹脂シートにより封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、絶縁信頼性に優れ、反りの発生が抑制され、線熱膨張係数が低い絶縁層が得られる樹脂組成物；それを用いた樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の回路基板の製造方法において、工程（３）が絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程である場合の一例を示した概略断面図である。
【図２】図２は、本発明の回路基板の製造方法において、工程（３）が絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程である場合の一例を示した概略断面図である。
【図３】図３は、本発明の半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）の一例を示した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の樹脂組成物、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージについて詳細に説明する。
【００１３】
［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（ａ）エラストマー、（ｂ１）芳香族構造を有する液状エポキシ樹脂、（ｂ２）芳香族構造を有する固体状エポキシ樹脂、及び（ｃ）無機充填材を含有する樹脂組成物であって、（ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、５０質量％〜９５質量％であり、樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が１８ＧＰａ以下であり、該硬化物の２３℃における測定周波数５．８ＧＨｚの比誘電率が３．５以下であり、かつ該硬化物の２３℃における測定周波数１ＧＨｚの比誘電率との差が０．３以下である。
【００１４】
（ａ）成分、（ｂ１）成分、（ｂ２）成分、及び所定量の（ｃ）成分を樹脂組成物に含有させ、さらにその硬化物の弾性率及び比誘電率が所定の範囲内とすることで、絶縁信頼性に優れ、反りの発生を抑制し、線熱膨張係数が低い絶縁層を得ることが可能となる。樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（ｄ）硬化剤、（ｅ）硬化促進剤、および（ｆ）難燃剤を含み得る。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
【００１５】
＜（ａ）エラストマー＞
樹脂組成物は（ａ）エラストマーを含む。本発明においてエラストマーとは、柔軟性を有する樹脂を意味し、特に限定されないが、例えば分子内に、ブタジエン構造単位、ポリシロキサン構造単位、（メタ）アクリレート構造単位、アルキレン構造単位、アルキレンオキシ構造単位、イソプレン構造単位、イソブチレン構造単位、及びポリカーボネート構造単位から選択される１種以上の構造を有することで柔軟性を示す樹脂が挙げられる。（ａ）成分のような柔軟な樹脂を含むことで、絶縁信頼性に優れ、反りの発生を抑制し、線熱膨張係数が低い絶縁層を得ることができる。なお、「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレート及びアクリレートを指す。
【００１６】
より具体的には、（ａ）成分は、ポリブタジエン及び水添ポリブタジエン等のブタジエン構造単位、シリコーンゴム等のポリシロキサン構造単位、（メタ）アクリレート構造単位、アルキレン構造単位（好ましくは炭素原子数２〜１５、より好ましくは炭素原子数３〜１０、さらに好ましくは炭素原子数５〜６）、アルキレンオキシ構造単位（（好ましくは炭素原子数２〜１５、より好ましくは炭素原子数３〜１０、さらに好ましくは炭素原子数５〜６）、イソプレン構造単位、イソブチレン構造単位、及びポリカーボネート構造単位から選択される１種または２種以上の構造単位を有することが好ましく、ブタジエン構造単位、ポリシロキサン構造単位、（メタ）アクリレート構造単位、イソプレン構造単位、イソブチレン構造単位、またはポリカーボネート構造単位から選択される１種または２種以上の構造単位を有することが好ましく、ブタジエン構造単位、及び（メタ）アクリレート構造単位から選択される１以上の構造単位を有することがより好ましい。
【００１７】
（ａ）成分は柔軟性を示すために高分子量であることが好ましく、数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１,０００〜１,０００,０００、より好ましくは５,０００〜９,００,０００である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００１８】
（ａ）成分は柔軟性を示すために、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下の樹脂、及び２５℃で液状である樹脂から選択される１種以上の樹脂が好ましい。
【００１９】
ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下である樹脂のガラス転移温度は、好ましくは２０℃以下、より好ましくは１５℃以下である。ガラス転移温度の下限は特に限定されないが、通常−１５℃以上とし得る。また、２５℃で液状である樹脂としては、好ましくは２０℃以下で液状である樹脂、より好ましくは１５℃以下で液状である樹脂である。
【００２０】
（ａ）成分としては、柔軟な樹脂であれば特に限定されないが、後述する（ｂ１）成分及び（ｂ２）成分（（ｂ１）成分及び（ｂ２）成分をまとめて「（ｂ）成分」ということがある。）と反応し得る官能基を有することが好ましい。なお、（ｂ）成分と反応し得る官能基としては、加熱によって現れる官能基も含めるものとする。
【００２１】
好適な一実施形態において、（ｂ）成分と反応し得る官能基は、ヒドロキシ基（より好ましくはフェノール性水酸基）、カルボキシ基、酸無水物基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基である。中でも、当該官能基としては、ヒドロキシ基、酸無水物基、エポキシ基、イソシアネート基が好ましく、ヒドロキシ基、酸無水物基、エポキシ基がより好ましい。ただし、官能基としてエポキシ基を含む場合、（ａ）成分は芳香族構造を有さない。
【００２２】
（ａ）成分の好適な一実施形態は、ブタジエン樹脂である。ブタジエン樹脂としては２５℃で液状またはガラス転移温度が２５℃以下のブタジエン樹脂が好ましく、水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂（例えば水素化ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂）、ヒドロキシ基含有ブタジエン樹脂（より好ましくはフェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂）、カルボキシ基含有ブタジエン樹脂、酸無水物基含有ブタジエン樹脂、エポキシ基含有ブタジエン樹脂、イソシアネート基含有ブタジエン樹脂及びウレタン基含有ブタジエン樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂がより好ましい。ここで、「ブタジエン樹脂」とは、ブタジエン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてブタジエン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。ブタジエン構造は一部または全てが水素添加されていてもよい。ここで、「水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂」とは、ポリブタジエン骨格の少なくとも一部が水素化された樹脂をいい、必ずしもポリブタジエン骨格が完全に水素化された樹脂である必要はない。
【００２３】
ブタジエン樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１,０００〜１００，０００、より好ましくは５,０００〜５０，０００、より好ましくは７,５００〜３０，０００、さらに好ましくは１０，０００〜１５，０００である。である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００２４】
ブタジエン樹脂が官能基を有する場合の官能基当量は、好ましくは１００〜１００００、より好ましくは２００〜５０００である。なお、官能基当量とは、１グラム当量の官能基を含む樹脂のグラム数である。例えば、エポキシ基当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができる。水酸基当量はＪＩＳ  Ｋ１５５７−１に従って測定した水酸基価でＫＯＨの分子量を割ることで算出することができる。
【００２５】
ブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ  ６５７」（エポキシ基含有ポリブタジエン）、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ  １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＪＰ−１００」、「ＪＰ−２００」（エポキシ化ポリブタジエン）、「ＧＱ−１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ−１０００」、「Ｇ−２０００」、「Ｇ−３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ−１０００」、「ＧＩ−２０００」、「ＧＩ−３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ダイセル社製の「ＰＢ３６００」、「ＰＢ４７００」（ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、「エポフレンドＡ１００５」、「エポフレンドＡ１０１０」、「エポフレンドＡ１０２０」（スチレンとブタジエンとスチレンブロック共重合体のエポキシ化物）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ−０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、「Ｒ−４５ＥＰＴ」（ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、等が挙げられる。
【００２６】
また（ａ）成分の他の好適な一実施形態として、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号に記載のポリイミド）を使用することもできる。該ポリイミド樹脂のブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００２７】
（ａ）成分の他の好適な一実施形態は、アクリル樹脂である。アクリル樹脂としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下のアクリル樹脂が好ましく、ヒドロキシ基含有アクリル樹脂（より好ましくはフェノール性水酸基含有アクリル樹脂）、カルボキシ基含有アクリル樹脂、酸無水物基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、イソシアネート基含有アクリル樹脂及びウレタン基含有アクリル樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂がより好ましい。ここで、「アクリル樹脂」とは、（メタ）アクリレート構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂において（メタ）アクリレート構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００２８】
アクリル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１０，０００〜１，０００，０００、より好ましくは３０，０００〜９００，０００である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００２９】
アクリル樹脂が官能基を有する場合の官能基当量は、好ましくは１０００〜５００００、より好ましくは２５００〜３００００である。
【００３０】
アクリル樹脂の具体例としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン「ＳＧ−７０Ｌ」、「ＳＧ−７０８−６」、「ＷＳ−０２３」、「ＳＧ−７００ＡＳ」、「ＳＧ−２８０ＴＥＡ」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、酸価５〜３４ｍｇＫＯＨ/ｇ、重量平均分子量４０万〜９０万、Ｔｇ−３０〜５℃）、「ＳＧ−８０Ｈ」、「ＳＧ−８０Ｈ-３」、「ＳＧ−Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、エポキシ当量４７６１〜１４２８５ｇ／ｅｑ、重量平均分子量３５万〜８５万、Ｔｇ１１〜１２℃）、「ＳＧ−６００ＴＥＡ」、「ＳＧ−７９０」（ヒドロキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、水酸基価２０〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量５０万〜１２０万、Ｔｇ−３７〜−３２℃）、根上工業社製の「ＭＥ−２０００」、「Ｗ−１１６．３」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「Ｗ−１９７Ｃ」（水酸基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「ＫＧ−２５」、「ＫＧ−３０００」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）等が挙げられる。
【００３１】
また、（ａ）成分の好適な一実施形態は、カーボネート樹脂である。カーボネート樹脂としてはガラス転移温度が２５℃以下のカーボネート樹脂が好ましく、ヒドロキシ基含有カーボネート樹脂（より好ましくはフェノール性水酸基含有カーボネート樹脂）、カルボキシ基含有カーボネート樹脂、酸無水物基含有カーボネート樹脂、エポキシ基含有カーボネート樹脂、イソシアネート基含有カーボネート樹脂及びウレタン基含有カーボネート樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂が好ましい。ここで、「カーボネート樹脂」とは、カーボネート構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてカーボネート構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００３２】
カーボネート樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）、及び官能基当量はブタジエン樹脂と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【００３３】
カーボネート樹脂の具体例としては、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ−１０９０」、「Ｃ−２０９０」、「Ｃ−３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。
【００３４】
またヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（ＰＣＴ／ＪＰ２０１６／０５３６０９）を使用することもできる。該ポリイミド樹脂のカーボネート構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、ＰＣＴ／ＪＰ２０１６／０５３６０９の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００３５】
また、さらなる（ａ）成分の好適な一実施形態は、ポリシロキサン樹脂、アルキレン樹脂、アルキレンオキシ樹脂、例えば、三菱化学社製の「ＹＸ−７１８０」（エーテル結合を有するアルキレン構造を含有する樹脂）、イソプレン樹脂、イソブチレン樹脂である。
【００３６】
ポリシロキサン樹脂の具体例としては信越シリコーン社製の「ＳＭＰ−２００６」、「ＳＭＰ−２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ−５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサン、四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号）等が挙げられる。アルキレン樹脂の具体例としては旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ−１０００」、「ＰＴＸＧ−１８００」等が挙げられる。イソプレン樹脂の具体例としてはクラレ社製の「ＫＬ−６１０」、「ＫＬ６１３」等が挙げられる。イソブチレン樹脂の具体例としてはカネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ−０７３Ｔ」（スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ−０４２Ｄ」（スチレン−イソブチレンジブロック共重合体）等が挙げられる。
【００３７】
またさらなる（ａ）成分の好適な実施形態として、アクリルゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴムなどのゴム弾性を示す樹脂に化学的架橋処理を施し、有機溶剤に不溶かつ不融とした樹脂の微粒子体が挙げられ、具体的には、ＸＥＲ−９１（日本合成ゴム社製）、スタフィロイドＡＣ３３５５、ＡＣ３８１６、ＡＣ３８３２、ＡＣ４０３０、ＡＣ３３６４、ＩＭ１０１（以上、ガンツ化成社製）、パラロイドＥＸＬ２６５５、ＥＸＬ２６０２（以上、呉羽化学工業社製）等が挙げられる。ポリアミド微粒子の具体例としてはとしては、ナイロンのような脂肪族ポリアミド、さらには、ポリアミドイミド等柔軟な骨格であればどのようなものでも良く、具体的には、ＶＥＳＴＯＳＩＮＴ  ２０７０（ダイセルヒュルス社製）や、ＳＰ５００（東レ社製）等が挙げられる。
【００３８】
樹脂組成物中の（ａ）成分の含有量は、柔軟性付与の観点から（ｃ）成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは８５質量％以下、より好ましくは８０質量％以下、さらに好ましくは７５質量％以下、さらにより好ましくは７３質量％以下である。また、下限は、好ましくは３０質量％以上、より好ましくは３５質量％以上、さらに好ましくは４５質量％以上、さらにより好ましくは５５質量％以上である。
【００３９】
＜（ｂ１）芳香族構造を有する液状エポキシ樹脂、及び（ｂ２）芳香族構造を有する固体状エポキシ樹脂＞
樹脂組成物は、（ｂ１）芳香族構造を有する液状エポキシ樹脂、及び（ｂ２）芳香族構造を有する固体状エポキシ樹脂を含む。（ｂ１）芳香族構造を有する液状エポキシ樹脂（以下、単に「液状エポキシ樹脂」ということがある。）は、温度２０℃で液状の、芳香族構造を有するエポキシ樹脂のことをいい、１分子中に２個以上のエポキシ基を有することが好ましい。また、（ｂ２）芳香族構造を有する固体状エポキシ樹脂（以下、単に「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）は、温度２０℃で固体状の、芳香族構造を有するエポキシ樹脂のことをいい、１分子中に３個以上のエポキシ基を有することが好ましい。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。本発明では、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、（ａ）成分の相溶性が向上し、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。
【００４０】
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルエステル型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するエステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、芳香族構造を有するシクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂及び芳香族構造を有するブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂がさらに好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０６」、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（アミノフェノール型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、新日鐵化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４１】
樹脂組成物中の液状エポキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、（ａ）成分の相溶性を向上させる観点から、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは２．５質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは１５質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。
【００４２】
液状エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、樹脂組成物の硬化物の架橋密度が十分となり、硬化物を絶縁層として使用する際、表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、液状エポキシ樹脂のエポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【００４３】
液状エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、液状エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００４４】
固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がより好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がさらに好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」、「ＨＰ−７２００Ｌ」、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＨＰ−７２００ＨＨＨ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、「１５７Ｓ７０」（ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４５】
樹脂組成物中の固体状エポキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、樹脂組成物の粘度を調整する観点から、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。
【００４６】
固体状エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、固体状エポキシ樹脂のエポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【００４７】
固体状エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、固体状エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００４８】
液状エポキシ樹脂の含有量をＢ１（質量％）、固体状エポキシ樹脂の含有量をＢ２（質量％）としたとき、溶融粘度を調整する観点から、Ｂ１＞Ｂ２の関係を満たすことが好ましい。また、Ｂ１及びＢ２の差（Ｂ１−Ｂ２）は、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上、０．５質量％以上、又は１質量％以上である。差（Ｂ１−Ｂ２）の上限は特に限定されないが、通常、１０質量％以下、５質量％以下等とし得る。
【００４９】
液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比（固体状エポキシ樹脂／液状エポキシ樹脂）は、質量比で、０．０１〜１の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、ｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記ｉ）〜ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（固体状エポキシ樹脂／液状エポキシ樹脂）は、質量比で、０．０５〜０．８の範囲がより好ましく、０．１〜０．５の範囲がさらに好ましい。
【００５０】
＜（ｃ）無機充填材＞
樹脂組成物は（ｃ）無機充填材を含む。無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５１】
無機充填材の平均粒径は、回路埋め込み性を向上させ、表面粗度の低い絶縁層を得る観点から、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以下、さらに好ましくは２．２μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下である。該平均粒径の下限は、特に限定されないが、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．１μｍ以上である。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、アドマテックス社製「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」、電気化学工業社製「ＵＦＰ−３０」、トクヤマ社製「シルフィルＮＳＳ−３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−５Ｎ」、アドマテックス社製「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ−Ｃ６」、「ＳＯ−Ｃ４」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」等が挙げられる。
【００５２】
無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」等を使用することができる。
【００５３】
無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）等が挙げられる。
【００５４】
表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度やシート形態での溶融粘度の上昇を防止する観点から、１ｍｇ／ｍ２以下が好ましく、０.８ｍｇ／ｍ２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２以下が更に好ましい。
【００５５】
無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。
【００５６】
樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、比誘電率が低く熱膨張率が低い絶縁層を得る観点から、５０質量％〜９５質量％である。好ましくは５５質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは６５質量％以上である。上限は、絶縁層の機械強度、特に伸びの観点から、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８５質量％以下、さらに好ましくは８０質量％以下である。
【００５７】
＜（ｄ）硬化剤＞
樹脂組成物は（ｄ）硬化剤を含み得る。硬化剤としては、（ｂ）成分等の樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。（ｄ）成分は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましく、フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましい。
【００５８】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、配線層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び配線層との密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。
【００５９】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」、「ＫＡ−１１６３」、「ＫＡ−１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ−６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ−６１１５Ｈ」等が挙げられる。
【００６０】
配線層との密着性に優れる絶縁層を得る観点から、活性エステル系硬化剤も好ましい。活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【００６１】
具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。
【００６２】
活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱化学社製）等が挙げられる。
【００６３】
ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。
【００６４】
シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。
【００６５】
カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「Ｖ−０３」、「Ｖ−０７」等が挙げられる。
【００６６】
樹脂組成物が（ｄ）成分を含有する場合、樹脂組成物中の硬化剤の含有量は特に限定されないが、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。また、下限は特に制限はないが１質量％以上が好ましい。
【００６７】
＜（ｅ）硬化促進剤＞
樹脂組成物は、（ｅ）硬化促進剤を含み得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６８】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。
【００６９】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。
【００７０】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。
【００７１】
イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。
【００７２】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。
【００７３】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
【００７４】
樹脂組成物が（ｅ）成分を含有する場合、樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は特に限定されないが、（ｂ）成分と（ｄ）硬化剤の不揮発成分合計量を１００質量％としたとき、０．０１質量％〜３質量％が好ましい。
【００７５】
＜（ｆ）難燃剤＞
樹脂組成物は、（ｆ）難燃剤を含み得る。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００７６】
難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「ＨＣＡ−ＨＱ」等が挙げられる。
【００７７】
樹脂組成物が難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は特に限定されないが、好ましくは０．５質量％〜２０質量％、より好ましくは０．５質量％〜１５質量％、さらに好ましくは０．５質量％〜１０質量％がさらに好ましい。
【００７８】
＜（ｇ）任意の添加剤＞
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【００７９】
＜樹脂組成物の物性＞
本発明の樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物は、２３℃における弾性率が１８ＧＰａ以下であり、１５ＧＰａ以下であることが好ましく、１３ＧＰａ以下、１１ＧＰａ以下、又は１０ＧＰａ以下であることがより好ましい。下限については特に限定されないが、例えば、０．０１ＧＰａ以上、０．５ＧＰａ以上、１ＧＰａ以上等とし得る。弾性率を１８ＧＰａ以下とすることで硬化物の反りの発生を抑制することができる。上記弾性率は、後述する＜弾性率の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００８０】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物は、２３℃における測定周波数５．８ＧＨｚの比誘電率が３．５以下であり、３．４以下であることが好ましく、３．３以下であることがさらに好ましい。下限については特に限定されないが、例えば、１以上、１．１以上、１．２以上等とし得る。上記範囲内とすることでＣＴＥが低下するとともに反り量の発生を抑制することができる。上記比誘電率は、後述する＜比誘電率、誘電正接の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００８１】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物は、２３℃における測定周波数１ＧＨｚの比誘電率が３．６以下であることが好ましく、３．５以下であることがより好ましく、３．４以下であることがさらに好ましい。下限については特に限定されないが、例えば、１以上、１．１以上、１．２以上等とし得る。上記範囲内とすることでＣＴＥが低下するとともに反り量の発生を抑制することができる。上記比誘電率は、後述する＜比誘電率、誘電正接の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００８２】
また、本発明の樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物の２３℃における測定周波数５．８ＧＨｚの比誘電率と、該硬化物の２３℃における測定周波数１ＧＨｚの比誘電率との差は０．３以下であり、０．２５以下であることが好ましく、０．２３以下であることがより好ましく、０．２以下であることがさらに好ましく、０．１５以下、０．１以下、０．０５以下、０．００５以下、又は０．００２以下であることがよりさらに好ましい。下限については特に限定されないが、例えば、０以上、０．００１以上等とし得る。上記範囲内とすることで、絶縁信頼性に優れ、反りを抑制し、さらにＣＴＥを低い絶縁層を得ることができる。上記比誘電率の差は、後述する＜比誘電率、誘電正接の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００８３】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物は、２３℃における測定周波数５．８ＧＨｚの誘電正接が０．０１以下であることが好ましく、０．００９以下であることがより好ましく、０．００８以下であることがさらに好ましい。下限については特に限定されないが、例えば、０、０．０００１以上等とし得る。上記範囲内とすることでインサーションロスを低く抑えることが可能な絶縁層をもたらすことができる。上記誘電正接は、後述する＜比誘電率、誘電正接の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００８４】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物は、２３℃における測定周波数１ＧＨｚの誘電正接が０．０１以下であることが好ましく、０．００９以下であることがより好ましく、０．００８以下であることがさらに好ましい。下限については特に限定されないが、例えば、０、０．０００１以上等とし得る。上記範囲内とすることでインサーションロスを低く抑えることが可能な絶縁層をもたらすことができる。上記誘電正接は、後述する＜比誘電率、誘電正接の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００８５】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物の２３℃における測定周波数５．８ＧＨｚの誘電正接と、該硬化物の２３℃における測定周波数１ＧＨｚの誘電正接との差は０．００２以下であることが好ましく、０．００１以下であることがより好ましく、０．０００５以下であることがさらに好ましい。下限については特に限定されないが、例えば、０以上等とし得る。上記範囲内とすることで、インサーションロスを低く抑えることが可能な絶縁層をもたらすことができる。上記誘電正接の差は、後述する＜比誘電率、誘電正接の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００８６】
本発明の樹脂組成物を１００℃で３０分、さらに１８０℃で３０分熱硬化させた硬化物は、反りの発生が抑制されるという特性を示す。反りの大きさは、好ましくは２ｃｍ未満、さらに好ましくは１．５ｃｍ以下、より好ましくは１ｃｍ以下である。反りの測定は、後述する＜反り量の評価＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００８７】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物は、１３０℃、８５％相対湿度、３．３Ｖ直流電圧印加の条件で２００時間湿中の絶縁抵抗値（湿中絶縁信頼性）が良好な結果をもたらすという特性を示す。上記抵抗値は、好ましくは１０８Ω以上、より好ましくは１０９Ω以上、さらに好ましくは１０１０Ω以上である。湿中絶縁信頼性の測定は、後述する＜湿中絶縁信頼性の評価＞に記載の方法に従って測定することができる。
【００８８】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で１時間熱硬化させた硬化物の線熱膨張係数（ＣＴＥ）は、反りを抑制する観点から、好ましくは２０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは１５ｐｐｍ／℃以下、さらに好ましくは１０ｐｐｍ／℃以下である。下限については特に限定されないが、１ｐｐｍ／℃以上等とし得る。線熱膨張係数は、後述する＜線熱膨張係数（ＣＴＥ）の測定＞の手順に従って測定することができる。
【００８９】
本発明の樹脂組成物は、絶縁信頼性に優れ、反りの発生が抑制され、線熱膨張係数が低い絶縁層をもたらすことができ、また、（ｂ１）及び（ｂ２）成分を含むことから（ａ）成分の相溶性が良好である。したがって本発明の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物）、回路基板（プリント配線板を含む）の絶縁層を形成するための樹脂組成物（回路基板の絶縁層用樹脂組成物）として好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するための樹脂組成物（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用樹脂組成物）としてさらに好適に使用することができる。
また、半導体チップを封止するための樹脂組成物（半導体チップ封止用樹脂組成物）、半導体チップに配線を形成するための樹脂組成物（半導体チップ配線形成用樹脂組成物）としても好適に使用することができる。
【００９０】
［樹脂シート］
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含んでなり、樹脂組成物層が本発明の樹脂組成物からなる。
【００９１】
樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、８０μｍ以下、６０μｍ以下、５０μｍ以下又は４０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上等とし得る。
【００９２】
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
【００９３】
支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
【００９４】
支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。
【００９５】
支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。
【００９６】
また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ社製「ルミラーＴ６０」帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。
【００９７】
支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【００９８】
樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。
【００９９】
有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１００】
乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。
【０１０１】
樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
【０１０２】
本発明の樹脂シートの代わりに、シート状繊維基材に本発明の樹脂組成物を含浸させて形成されたプリプレグを用いてもよい。
【０１０３】
プリプレグに用いるシート状繊維基材は特に限定されず、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用基材として常用されているものを用いることができる。薄型化の観点から、シート状繊維基材の厚さは、好ましくは９００μｍ以下であり、より好ましくは８００μｍ以下、さらに好ましくは７００μｍ以下、さらにより好ましくは６００μｍ以下である。シート状繊維基材の厚さの下限は特に限定されないが、通常、１μｍ以上、１．５μｍ以上、２μｍ以上等とし得る。
【０１０４】
プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。
【０１０５】
プリプレグの厚さは、上述の樹脂シートにおける樹脂組成物層と同様の範囲とし得る。
【０１０６】
本発明の樹脂シートは、半導体チップパッケージの製造において絶縁層を形成するため（半導体チップパッケージの絶縁用樹脂シート）に好適に使用することができる。
例えば、本発明の樹脂シートは、回路基板の絶縁層を形成するため（回路基板の絶縁層用樹脂シート）に好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するため（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用）にさらに好適に使用することができる。このような基板を使ったパッケージの例としては、ＦＣ−ＣＳＰ、ＭＩＳ−ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ−ＢＧＡパッケージが挙げられる。
また本発明の樹脂シートは、半導体チップを封止するため（半導体チップ封止用樹脂シート）、または半導体チップに配線を形成するため（半導体チップ配線形成用樹脂シート）に好適に使用することができ、例えばＦａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＰＬＰ等に好適に使用することができる。また、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦ（Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｕｎｄｅｒ  Ｆｉｌｌｉｎｇ）材料等にも好適に使用することができる。
本発明の樹脂シートはまた、高い絶縁信頼性が要求される他の広範な用途、例えば、プリント配線板等の回路基板の絶縁層を形成するために好適に使用することができる。
【０１０７】
［回路基板］
本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
本発明の回路基板の製造方法は、図１及び図２に一例を示すように、
（１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
（２）本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
（３）配線層を層間接続する工程を含む。また、回路基板の製造方法は、（４）基材を除去する工程、を含んでいてもよい。
【０１０８】
工程（３）は、配線層を層間接続することができれば特に限定されないが、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程、及び絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程の少なくともいずれかの工程であることが好ましい。
【０１０９】
＜工程（１）＞
工程（１）は、基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程である。図１（Ａ）及び図２（Ａ）に一例を示すように、配線層付き基材１０は、基材１１の両面に基材１１の一部である第１金属層１２、第２金属層１３をそれぞれ有し、第２金属層１３の基材１１側の面とは反対側の面に配線層１４を有する。詳細は、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層し、フォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像しパターンドライフィルムを形成する。現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法により配線層を形成した後、パターンドライフィルムを剥離する。なお、図１及び図２では、第１金属層１２、第２金属層１３を有する態様となっているが、第１金属層１２、第２金属層１３は有していなくてもよい。
【０１１０】
基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられ、基板表面に銅箔等の金属層が形成されていてもよい。また、図１（Ａ）、図２（Ａ）に示すように、表面に剥離可能な第１金属層１２及び第２金属層１３（例えば、三井金属社製のキャリア銅箔付極薄銅箔、商品名「Ｍｉｃｒｏ  Ｔｈｉｎ」）等の金属層が形成されていてもよい。
【０１１１】
ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムである限り特に限定されず、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等のドライフィルムを用いることができる。ドライフィルムは市販品を用いてもよい。
【０１１２】
基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する工程（２）の樹脂シートを配線層に埋め込まれるように積層させる際の条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１１３】
ドライフィルムを基材上に積層後、ドライフィルムに対して所望のパターンを形成するためにフォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像を行う。
【０１１４】
配線層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、配線層の全体にわたって同一である必要はない。配線層の最小ピッチは、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。
【０１１５】
ドライフィルムのパターンを形成後、配線層を形成し、ドライフィルムを剥離する。ここで、配線層の形成は、所望のパターンを形成したドライフィルムをめっきマスクとして使用し、めっき法により実施することができる。
【０１１６】
配線層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、配線層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。配線層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成されたものが挙げられる。中でも、配線層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。
【０１１７】
配線層の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは３μｍ〜３５μｍ、より好ましくは５μｍ〜３０μｍ、さらに好ましくは１０〜２０μｍ、又は１５μｍである。工程（３）において絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合は、層間接続する配線と、接続しない配線の厚みは異なっていることが好ましい。配線層の厚みは、前述のパターン形成を繰り返すことで調整することができる。各配線層のうち、最も厚みがある配線層（導電性ピラー）の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは１００μｍ以下２μｍ以上である。また層間接続する配線は凸型となっていてもよい。
【０１１８】
配線層を形成後、ドライフィルムを剥離する。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。必要に応じて、不要な配線パターンをエッチング等により除去して、所望の配線パターンを形成することもできる。形成する配線層のピッチについては、先述のとおりである。
【０１１９】
＜工程（２）＞
工程（２）は、本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程である。図１（Ｂ）に一例を示すように、前述の工程（１）で得られた配線層付き基材の配線層１４が、樹脂シート２０の樹脂組成物層２１に埋め込まれるように積層させ、樹脂シート２０の樹脂組成物層２１を熱硬化させ絶縁層（図１（Ｃ）又は図２（Ｂ）の符号２１’）を形成する。樹脂シート２０は、樹脂組成物層２１と、支持体２２との順で積層されてなる。
【０１２０】
配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを配線層に加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを配線層に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、配線層の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。
【０１２１】
配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。
【０１２２】
積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。
【０１２３】
樹脂組成物層を、配線層が埋め込まれるように配線層付き基材上に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は１２０℃〜２４０℃の範囲、硬化時間は５分間〜１２０分間の範囲とすることができる。樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。
【０１２４】
樹脂シートの支持体は、配線層付き基材上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、図２（Ｂ）に一例を示すように、配線層付き基材上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。また、後述する粗化処理工程の前に、支持体を剥離してもよい。
【０１２５】
＜工程（３）＞
工程（３）は、配線層を層間接続する工程である。詳細は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程である（図１（Ｃ）、（Ｄ）参照）。または絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程である（図２（Ｃ）参照）。
【０１２６】
絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程を採用する場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。このレーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。詳細は、図１（Ｃ）に一例を示すように、工程（３）は、支持体２２の面側からレーザー照射を行って、支持体２２、絶縁層２１’を貫通して配線層１４を露出させるビアホール３１を形成する。
【０１２７】
レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。
【０１２８】
ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。
【０１２９】
ビアホール形成後、ビアホール内のスミア除去工程である、いわゆるデスミア工程を行なってもよい。後述する導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、例えば湿式のデスミア処理を行ってもよく、導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、例えばプラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。また、デスミア工程は粗化処理工程を兼ねていてもよい。
【０１３０】
導体層を形成する前に、ビアホール及び絶縁層に対して粗化処理を行ってもよい。粗化処理は通常行われる公知の手順、条件を採用することができる。乾式の粗化処理の例としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式の粗化処理の例としては膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理及び中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。
【０１３１】
ビアホールを形成後、図１（Ｄ）に一例を示すように、導体層４０を形成する。導体層を構成する導体材料は特に限定されず、導体層は、めっき、スパッタ、蒸着等従来公知の任意好適な方法により形成することができ、めっきにより形成することが好ましい。好適な一実施形態は、例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法等の従来公知の技術により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。
【０１３２】
詳細は、絶縁層の表面に、無電解めっきによりめっきシード層４１を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層４２を形成する。その際、電解めっき層４２の形成とともに、ビアホール３１を電解めっきにより埋め込んでフィルドビア６１を形成してもよい。電解めっき層４２を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層４０を形成することができる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。
【０１３３】
導体層は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。また導体層は、電極パッドのみから構成されていてもよい。
【０１３４】
また、導体層は、めっきシード層形成後、マスクパターンを用いずに電解めっき層及びフィルドビアを形成し、その後、エッチングによるパターニングを行うことにより形成してもよい。
【０１３５】
絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合、絶縁層の研磨方法又は研削方法としては、配線層を露出させることができ、研磨又は研削面が水平であれば特に限定されず、従来公知の研磨方法又は研削方法を適用することができ、例えば、化学機械研磨装置による化学機械研磨方法、バフ等の機械研磨方法、砥石回転による平面研削方法等が挙げられる。絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程と同様に、スミア除去工程、粗化処理を行う工程を行ってもよく、導体層を形成してもよい。また、図２（Ｃ）に一例を示すように、全ての配線層１４を露出させる必要はなく、配線層１４の一部を露出させてもよい。
【０１３６】
＜工程（４）＞
回路基板の製造方法は、工程（１）〜（３）以外に工程（４）を含んでいてもよい。工程（４）は、図１（Ｅ）、図２（Ｄ）に一例を示すように基材を除去し、本発明の回路基板１を形成する工程である。基材の除去方法は特に限定されない。好適な一実施形態は、第１及び第２金属層の界面で回路基板から基材を剥離し、第２金属層を例えば塩化銅水溶液などでエッチング除去する。必要に応じて、導体層を保護フィルムで保護した状態で基材を剥離してもよい。
【０１３７】
［半導体チップパッケージ］
本発明の半導体チップパッケージの第１の態様は、上記本発明の回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージである。上記本発明の回路基板に、半導体チップを接合することにより半導体チップパッケージを製造することができる。
【０１３８】
半導体チップの端子電極が回路基板の回路配線と導体接続する限り、接合条件は特に限定されず、半導体チップのフリップチップ実装において使用される公知の条件を使用してよい。また、半導体チップと回路基板間に絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。
【０１３９】
好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板に圧着する。圧着条件としては、例えば、圧着温度は１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃〜２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃〜１８０℃の範囲）、圧着時間は１秒間〜６０秒間の範囲（好ましくは５秒間〜３０秒間）とすることができる。
【０１４０】
また、他の好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板にリフローして接合する。リフロー条件としては、例えば、１２０℃〜３００℃の範囲とすることができる。
【０１４１】
半導体チップを回路基板に接合した後、例えば、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填することで半導体チップパッケージを得ることも可能である。モールドアンダーフィル材で充填する方法は公知の方法で実施することができる。本発明の樹脂組成物または樹脂シートはモールドアンダーフィル材としても使用することができる。
【０１４２】
本発明の半導体チップパッケージの第２の態様は、例えば、図３に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）１００は、封止層１２０を、本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。半導体チップパッケージ１００は、半導体チップ１１０、半導体チップ１１０の周囲を覆うように形成された封止層１２０、半導体チップ１１０の封止層に覆われている側とは反対側の面に再配線形成層（絶縁層）１３０、導体層（再配線層）１４０、ソルダーレジスト層１５０、及びバンプ１６０を備える。このような半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程、及び
（Ｇ）導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程、を含む。また、半導体チップパッケージの製造方法は、（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程を含み得る。
【０１４３】
＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムの積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１４４】
基材に使用する材料は特に限定されない。基材としては、シリコンウェハー；ガラスウェハー；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板（例えばＦＲ−４基板）；ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）からなる基板などが挙げられる。
【０１４５】
仮固定フィルムは、後述する工程（Ｄ）において半導体チップから剥離することができるとともに、半導体チップを仮固定することができれば材料は特に限定されない。仮固定フィルムは市販品を用いることができる。市販品としては、日東電工社製のリヴァアルファ等が挙げられる。
【０１４６】
＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の公知の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて仮固定することができる。
【０１４７】
＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）は、発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程である。工程（Ｃ）では、本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層し、熱硬化させて封止層を形成することが好ましい。
【０１４８】
半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを半導体チップに加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを半導体チップに加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、半導体チップの表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。
【０１４９】
また、半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してもよい。真空ラミネート法における積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１５０】
樹脂シートの支持体は、半導体チップ上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、半導体チップ上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。
【０１５１】
樹脂組成物の塗布条件としては、本発明の樹脂シートにおける樹脂組成物層を形成する際の塗布条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１５２】
＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離する方法は、仮固定フィルムの材質等に応じて適宜変更することができ、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法、及び基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法等が挙げられる。
【０１５３】
仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃〜２５０℃で１秒間〜９０秒間又は５分間〜１５分間である。また、基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ２〜１０００ｍＪ／ｃｍ２である。
【０１５４】
＜工程（Ｅ）＞
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程である。
【０１５５】
再配線形成層（絶縁層）を形成する材料は、再配線形成層（絶縁層）形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。
【０１５６】
再配線形成層（絶縁層）を形成後、半導体チップと後述する導体層を層間接続するために、再配線形成層（絶縁層）にビアホールを形成してもよい。
【０１５７】
ビアホールを形成するにあたって、再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が感光性樹脂である場合、まず、再配線形成層（絶縁層）の表面にマスクパターンを通して活性エネルギー線を照射し、照射部の最配線層を光硬化させる。
【０１５８】
活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量、照射時間は、感光性樹脂に応じて適宜変更することができる。露光方法としては、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させて露光する接触露光法と、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法のいずれを用いてもよい。
【０１５９】
次に、再配線形成層（絶縁層）を現像し、未露光部を除去することで、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれも好適である。ウェット現像で用いる現像液は公知の現像液を用いることができる。
【０１６０】
現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。
【０１６１】
再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が熱硬化性樹脂である場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。レーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。
【０１６２】
レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。
【０１６３】
ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。ビアホールのトップ径（再配線形成層（絶縁層）表面の開口の直径）は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。下限は特に限定されないが、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上、さらに好ましくは２０μｍ以上である。
【０１６４】
＜工程（Ｆ）＞
工程（Ｆ）は、再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程である。再配線形成層（絶縁層）上に導体層を形成する方法は、回路基板の製造方法における工程（３）の絶縁層にビアホールを形成した後の導体層を形成する方法と同様であり、好ましい範囲も同様である。なお、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、導体層（再配線層）及び再配線形成層（絶縁層）を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。
【０１６５】
＜工程（Ｇ）＞
工程（Ｇ）は、導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。
【０１６６】
ソルダーレジスト層を形成する材料は、ソルダーレジスト層形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。
【０１６７】
また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなど公知の方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は工程（Ｅ）と同様に行うことができる。
【０１６８】
＜工程（Ｈ）＞
半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）〜（Ｇ）以外に工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。
【０１６９】
半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。
【０１７０】
本発明の半導体チップパッケージの第３の態様は、例えば、図３に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）における再配線形成層（絶縁層）１３０、ソルダーレジスト層１５０を本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。
【０１７１】
［半導体装置］
本発明の半導体チップパッケージを実装することとなる半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。
【実施例】
【０１７２】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。
【０１７３】
（評価用硬化物の作製）
離型剤処理されたＰＥＴフィルム（リンテック社製「５０１０１０」、厚み３８μｍ、２４０ｍｍ角）の離型剤未処理面に、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（松下電工社製「Ｒ５７１５ＥＳ」、厚み０．７ｍｍ、２５５ｍｍ角）を重ね四辺をポリイミド接着テープ（幅１０ｍｍ）で固定した（以下、「固定ＰＥＴフィルム」）。
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスをアルキド樹脂系離型剤（リンテック社製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ社製「ルミラーＲ８０」、厚み３８μｍ、軟化点１３０℃、以下「離型ＰＥＴ」）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。各樹脂シート（厚み４０μｍ、２００ｍｍ角）を、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製２ステージビルドアップラミネーター、ＣＶＰ７００）を用いて、樹脂組成物層が固定ＰＥＴフィルムの離型剤処理面と接するように、中央にラミネート処理し、樹脂シートを得た。ラミネート処理は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１００℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。
【０１７４】
次いで、１００℃の温度条件で、１００℃のオーブンに投入後３０分間、次いで１７５℃の温度条件で、１７５℃のオーブンに移し替えた後３０分間、熱硬化させた。その後、基板を室温雰囲気下に取り出し、支持体付き樹脂シートから離型ＰＥＴを剥離した後、さらに１９０℃のオーブンに投入後９０分間の硬化条件で熱硬化させた。
【０１７５】
熱硬化後、ポリイミド接着テープを剥がし、硬化物をガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板から取り外し、更にＰＥＴフィルム（リンテック社製「５０１０１０」）も剥離して、シート状の硬化物を得た。得られた硬化物を「評価用硬化物」と称する。
【０１７６】
＜線熱膨張係数（ＣＴＥ）の測定＞
評価用硬化物を幅５ｍｍ、長さ１５ｍｍの試験片に切断し、熱機械分析装置（リガク社製「Ｔｈｅｒｍｏ  Ｐｌｕｓ  ＴＭＡ８３１０」）を用いて、引張加重法にて熱機械分析を行った。詳細には、試験片を前記熱機械分析装置に装着した後、荷重１ｇ、昇温速度５℃／分の測定条件にて連続して２回測定した。そして２回の測定において、２５℃から１５０℃までの範囲における平面方向の線熱膨張係数（ｐｐｍ／℃）を算出した。
【０１７７】
＜弾性率の測定＞
評価用硬化物をダンベル状１号形に切り出し、試験片を得た。該試験片を、オリエンテック社製引張試験機「ＲＴＣ−１２５０Ａ」を用いて引張強度測定を行い、２３℃における弾性率を求めた。測定は、ＪＩＳ  Ｋ７１２７に準拠して実施した。
【０１７８】
＜比誘電率、誘電正接の測定＞
実施例及び比較例において得られた樹脂ワニスを、離型処理されたＰＥＴフィルム（リンテック社製、「ＰＥＴ５０１０１０」）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍとなるようにダイコーターにて均一に塗布し、８０〜１１０℃（平均９５℃）で６分間乾燥した。その後、１８０℃で１時間熱処理し、支持体から剥離することで硬化物フィルムを得た。該硬化物フィルムを長さ８０ｍｍ、幅２ｍｍに切り出し評価サンプルとした。この評価サンプルについてアジレントテクノロジーズ（Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）社製のＨＰ８３６２Ｂ装置を用い空洞共振摂動法により、測定温度２３℃にて、測定周波数１ＧＨｚもしくは５．８ＧＨｚの比誘電率、並びに誘電正接を測定した。２つ試験片について測定を行い、平均値を算出した。また、測定周波数１ＧＨｚの比誘電率（平均値）と、測定周波数５．８ＧＨｚの比誘電率（平均値）との差を求め、測定周波数１ＧＨｚの誘電正接（平均値）と、測定周波数５．８ＧＨｚの誘電正接（平均値）との差を求めた。
【０１７９】
＜湿中絶縁信頼性の評価＞
（評価用基板の調製）
（１）内層回路基板の下地処理
内層回路基板として、１ｍｍ角格子の配線パターン（残銅率が７０％）にて形成された回路導体（銅）を両面に有するガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板の厚さ０．３ｍｍ、Ｐａｎａｓｏｎｉｃ社製「Ｒ１５１５Ｆ」）を用意した。該内層回路基板の両面を、メック社製「ＣＺ８１００」に浸漬して銅表面の粗化処理（銅エッチング量０．７μｍ）を行った。
【０１８０】
（２）樹脂シートのラミネート
実施例及び比較例で作製した各樹脂ワニスをアルキド樹脂系離型剤（リンテック社製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ社製「ルミラーＲ８０」、厚み３８μｍ、軟化点１３０℃、以下「離型ＰＥＴ」）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが３５μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。作製した樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製、２ステージビルドアップラミネーター、ＣＶＰ７００）を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接するように、内層回路基板の両面にラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、１２０℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。次いで、１２０℃、圧力０．５ＭＰａにて６０秒間熱プレスを行った。
【０１８１】
（３）樹脂組成物層の熱硬化
樹脂シートがラミネートされた内層回路基板を、１００℃の温度条件で、１００℃のオーブンに投入後３０分間、次いで１７５℃の温度条件で、１７５℃のオーブンに移し替えた後３０分間、熱硬化して絶縁層を形成した。
【０１８２】
（４）ビアホールの形成
絶縁層及び支持体の上方から、三菱電機社製ＣＯ２レーザー加工機「６０５ＧＴＷＩＩＩ（−Ｐ）」を使用して、支持体の上方からレーザーを照射して、格子パターンの導体上の絶縁層にトップ径（７０μｍ）のビアホールを形成した。レーザーの照射条件は、マスク径が２．５ｍｍであり、パルス幅が１６μｓであり、エネルギーが０．３９ｍＪ／ショットであり、ショット数が２であり、バーストモード（１０ｋＨｚ）で行った。
【０１８３】
（５）粗化処理を行う工程
ビアホールが設けられた回路基板から支持体を剥離し、デスミア処理を行った。なお、デスミア処理としては、下記の湿式デスミア処理を実施した。
【０１８４】
湿式デスミア処理：膨潤液（アトテックジャパン社製「スウェリングディップ・セキュリガントＰ」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び水酸化ナトリウムの水溶液）に６０℃で５分間、次いで酸化剤溶液（アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、過マンガン酸カリウム濃度約６％、水酸化ナトリウム濃度約４％の水溶液）に８０℃で１０分間、最後に中和液（アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」、硫酸水溶液）に４０℃で５分間、浸漬した後、８０℃で１５分間乾燥した。
【０１８５】
（６）導体層を形成する工程
（６−１）無電解めっき工程
上記回路基板の表面に導体層を形成するため、下記１〜６の工程を含むめっき工程（アトテックジャパン社製の薬液を使用した銅めっき工程）を行って導体層を形成した。
【０１８６】
１．アルカリクリーニング（ビアホールが設けられた絶縁層の表面の洗浄と電荷調整）
Ｃｌｅａｎｉｎｇ  Ｃｌｅａｎｅｒ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  ９０２（商品名）を用いて６０℃で５分間洗浄した。
２．ソフトエッチング（ビアホール内の洗浄）
硫酸酸性ペルオキソ二硫酸ナトリウム水溶液を用いて、３０℃で１分間処理した。
３．プレディップ（Ｐｄ付与のための絶縁層の表面の電荷の調整）
Ｐｒｅ．  Ｄｉｐ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  Ｂ（商品名）を用い、室温で１分間処理した。
４．アクティヴェーター付与（絶縁層の表面へのＰｄの付与）
Ａｃｔｉｖａｔｏｒ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  ８３４（商品名）を用い、３５℃で５分間処理した。
５．還元（絶縁層に付与されたＰｄを還元）
Ｒｅｄｕｃｅｒ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  ＷＡ（商品名）とＲｅｄｕｃｅｒ  Ａｃｃｅｒａｌａｔｏｒ  ８１０  ｍｏｄ．（商品名）との混合液を用い、３０℃で５分間処理した。
６．無電解銅めっき工程（Ｃｕを絶縁層の表面（Ｐｄ表面）に析出）
Ｂａｓｉｃ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ  ＭＳＫ−ＤＫ（商品名）と、Ｃｏｐｐｅｒ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ  ＭＳＫ（商品名）と、Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ  Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ  ＭＳＫ−ＤＫ（商品名）と、Ｒｅｄｕｃｅｒ  Ｃｕ（商品名）との混合液を用いて、３５℃で２０分間処理した。形成された無電解銅めっき層の厚さは０．８μｍであった。
【０１８７】
（６−２）電解めっき工程
次いで、アトテックジャパン社製の薬液を使用して、ビアホール内に銅が充填される条件で電解銅めっき工程を行った。その後に、エッチングによるパターニングのためのレジストパターンとして、ビアホールに導通された直径１ｍｍのランドパターン及び、下層導体とは接続されていない直径１０ｍｍの円形導体パターンを用いて絶縁層の表面に１０μｍの厚さでランド及び導体パターンを有する導体層を形成した。次に、アニール処理を１９０℃にて９０分間行った。この基板を評価用基板Ａとした。
【０１８８】
（導体層間の絶縁層の厚みの測定）
評価用基板ＡをＦＩＢ−ＳＥＭ複合装置（ＳＩＩナノテクノロジー社製「ＳＭＩ３０５０ＳＥ」）を用いて、断面観察を行った。詳細には、導体層の表面に垂直な方向における断面をＦＩＢ（集束イオンビーム）により削り出し、断面ＳＥＭ画像から、導体層間の絶縁層厚を測定した。各サンプルにつき、無作為に選んだ５箇所の断面ＳＥＭ画像を観察し、その平均値を導体層間の絶縁層の厚みとした。
【０１８９】
（絶縁層の湿中絶縁信頼性の評価）
上記において得られた評価用基板Ａの直径１０ｍｍの円形導体側を＋電極とし、直径１ｍｍのランドと接続された内層回路基板の格子導体（銅）側を−電極として、高度加速寿命試験装置（平山製作所社製「ＰＣ４２２−Ｒ８Ｄ」）を使用し、１３０℃、８５％相対湿度、３．３Ｖ直流電圧印加の条件で２００時間湿中の絶縁抵抗値を、エレクトロケミカルマイグレーションテスター（ＩＭＶＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ社製「ＭＩＧ８６００Ｂ」）にて測定した。この測定を６回行い、６点の試験ピース全てにおいてその湿中抵抗値が１０８Ω以上の場合を「○」、１つでも１０８Ω未満の場合は「×」とした。
【０１９０】
＜反り量の評価＞
実施例及び比較例で作製した樹脂シートをガラス布基材ＢＴレジン両面銅張積層板（銅箔の厚み１８μｍ、基板厚み０．１５ｍｍ、三菱ガス化学社製「ＨＬ８３２ＮＳＦ  ＬＣＡ」、大きさ１５ｃｍ×１８ｃｍ）の片面にバッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）にてラミネートし、ＰＥＴフィルムを除去した後、１００℃３０分、さらに１８０℃３０分熱硬化させ平面に置き反り量を確認した。４つ角それぞれの反り量の平均値が１ｃｍ未満を「○」、１〜２ｃｍを「△」、２ｃｍ以上を「×」とした。
【０１９１】
［合成例１］
＜エラストマーＡの製造＞
反応容器に２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（Ｇ−３０００、日本曹達社製、数平均分子量＝３０００、ヒドロキシ基当量＝１８００ｇ／ｅｑ．）６９ｇと、イプゾール１５０（芳香族炭化水素系混合溶媒：出光石油化学社製）４０ｇ、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇを混合し均一に溶解させた。均一になったところで５０℃に昇温し、更に撹拌しながら、イソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製、ＩＰＤＩ、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）８ｇを添加し約３時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにクレゾールノボラック樹脂（ＫＡ−１１６０、ＤＩＣ社製、水酸基当量＝１１７ｇ／ｅｑ．）２３ｇと、エチルジグリコールアセテート（ダイセル社製）６０ｇを添加し、攪拌しながら８０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ−ＩＲより２２５０ｃｍ−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから１００メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有するエラストマーＡ（不揮発分５０質量％）を得た。数平均分子量は５５００であった。
【０１９２】
［合成例２］
＜エラストマーＢの製造＞
撹拌装置、温度計及びコンデンサーをつけたフラスコに、溶剤としてエチルジグリコールアセテートを２９２．０９ｇ、ソルベッソ１５０（芳香族系溶剤、エクソンモービル社製）を２９２．０９ｇ仕込み、ジフェニルメタンジイソシアネートを１００．１ｇ（０．４モル）とポリブタジエンジオール（水酸基価５２．６ＫＯＨ−ｍｇ／ｇ、分子量２１３３）４２６．６ｇ（０．２モル）を仕込んで７０℃で４時間反応を行った。ついでノニルフェノールノボラック樹脂（水酸基当量２２９．４ｇ／ｅｑ、平均４．２７官能、平均計算分子量９７９．５ｇ／モル）１９５．９ｇ（０．２モル）とエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート４１．０ｇ（０．１モル）とを仕込んで、２時間かけて１５０℃に昇温し、１２時間反応させた。
【０１９３】
反応後は透明な茶色の液体となり、不揮発分５５％で粘度１４Ｐａ・ｓ（２５℃）のポリイミド樹脂溶液を得た。得られたポリイミド樹脂の溶液をＫＢｒ板に塗装し、溶剤成分を揮発させた試料の赤外吸収スペクトルを測定した結果、イソシアネート基の特性吸収である２２７０ｃｍ−１が完全に消滅していて、７２５ｃｍ−１と１７８０ｃｍ−１と１７２０ｃｍ−１とにイミド環の吸収が確認された。また１５４０ｃｍ−１にウレタン結合の吸収が確認された。また、イミド化の進行に伴う炭酸ガスの発生量は、フラスコ仕込み重量の変化で追跡し８．８ｇ（０．２モル）であった。エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテートの酸無水物の官能基当量は０．２モルであり、炭酸ガスの発生量も０．２モルであり、酸無水物が全てイミド形成に使用され、カルボン酸無水物は存在していないと結論される。これによりイソシアネート基の内、０．２モル分がイミド結合に変換され、残りのイソシアネート基はポリブタジエンジオールの水酸基及びノニルフェノールノボラック樹脂中のフェノール性水酸基と共にウレタン結合を形成し、これにより樹脂にフェノールノボラック樹脂のフェノール性水酸基を有し、一部のフェノール性水酸基がウレタン結合で変性されたポリイミドウレタン樹脂が得られたと結論される。
【０１９４】
［実施例１］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）３０部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｈ」、エポキシ当量：２８８ｇ／ｅｑ）８部、アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）５部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、エラストマーＡ（固形分５０％、数平均分子量：５５００）３００部、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ−１１６３」、フェノール性水酸基当量：１１８ｇ／ｅｑ）１２部、ＳＯ−Ｃ４（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径１μｍ））７４０部、およびメチルエチルケトン３５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０１９５】
［実施例２］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）３０部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｈ」、エポキシ当量：２８８ｇ／ｅｑ）８部、アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）５部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、エラストマーＢ  ２７２部、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ−１１６３」、フェノール性水酸基当量：１１８ｇ／ｅｑ）１２部、ＳＯ−Ｃ４（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径１μｍ））９５０部、およびメチルエチルケトン４５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０１９６】
［実施例３］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）３０部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｈ」、エポキシ当量：２８８ｇ／ｅｑ）８部、アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）５部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、エラストマーＢ  ２７２部、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ−１１６３」、フェノール性水酸基当量：１１８ｇ／ｅｑ）１２部、ＳＯ−Ｃ４（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径１μｍ））１０７０部、およびメチルエチルケトン５０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０１９７】
［比較例１］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）４０部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｈ」、エポキシ当量：２８８ｇ／ｅｑ）６１部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ４７１０」、エポキシ当量１６０〜１８０ｇ／ｅｑ）２０部、アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）１３部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、ポリエステル樹脂（ユニチカ社製、「ＵＥ３４００」）４０部、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ−１１６３」、フェノール性水酸基当量：１１８ｇ／ｅｑ）３０部、ＳＯ−Ｃ４（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径１μｍ））９５０部、およびメチルエチルケトン４０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０１９８】
［比較例２］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）４０部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｈ」、エポキシ当量：２８８ｇ／ｅｑ）６１部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ４７１０」、エポキシ当量１６０〜１８０ｇ／ｅｑ）２０部、アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）１３部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、ポリエステル樹脂（ユニチカ社製、「ＵＥ３４００」）４０部、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ−１１６３」、フェノール性水酸基当量：１１８ｇ／ｅｑ）３０部、ＳＯ−Ｃ４（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径１μｍ））２００部、およびメチルエチルケトン３０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０１９９】
［比較例３］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）３１部、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂（三菱化学社製「１５７Ｓ７０」、エポキシ当量：２００〜２２０ｇ／ｅｑ）２３部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ４７１０」、エポキシ当量１６０〜１８０ｇ／ｅｑ）２０部、ポリエステル樹脂（ユニチカ社製、「ＵＥ３４００」）４部、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ−１１６３」、フェノール性水酸基当量：１１８ｇ／ｅｑ）２４部、ＳＯ−Ｃ４（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径１μｍ））６４０部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、およびメチルエチルケトン３０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０２００】
下記表中の略語等は以下のとおりである。
ＵＥ３４００：ポリエステル樹脂、ユニチカ社製
ＺＸ１０５９：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ、新日鉄住金化学社製
６３０ＬＳＤ：アミノフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ、三菱化学社製
ＮＣ３０００Ｈ：ビフェニル型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２８８ｇ／ｅｑ、日本化薬社製
ＨＰ４７１０：ナフタレン型エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製、エポキシ当量１６０〜１８０ｇ／ｅｑ
１５７Ｓ７０：ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、三菱化学社製、エポキシ当量：２００〜２２０ｇ／ｅｑ
ＳＯ−Ｃ４：アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径１μｍ）
ＫＡ−１１６３：クレゾールノボラック樹脂、フェノール性水酸基当量：１１８ｇ／ｅｑ、ＤＩＣ社製
１Ｂ２ＰＺ：１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、四国化成社製
（ｃ）成分の含有量：樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたときの含有量（質量％）を表す。
（ａ）成分の含有量：（ｃ）成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたときの含有量（質量％）を表す。
【０２０１】
【表１】
2020172653.tif 000002
【０２０２】
［作製例１］
＜Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ用樹脂シートの作製＞
ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが２００μｍとなるように、実施例１記載の樹脂ワニスをダイコーターにて塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。
【０２０３】
図３に示すＦａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰの封止層を、上記樹脂シートを用いて作製したところ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰとして十分な性能を有していることがわかった。
【符号の説明】
【０２０４】
１      回路基板
１０    配線層付き基材
１１    基材（コア基板）
１２    第１金属層
１３    第２金属層
１４    配線層（埋め込み型配線層）
２０    樹脂シート
２１    樹脂組成物層
２１’  絶縁層
２２    支持体
３１    ビアホール
４０    導体層
４１    めっきシード層
４２    電解めっき層
６１    フィルドビア
１００  半導体チップパッケージ
１１０  半導体チップ
１２０  封止層
１３０  再配線形成層（絶縁層）
１４０  導体層（再配線層）
１５０  ソルダーレジスト層
１６０  バンプ
【図１】
2020172653.tif 000003
【図２】
2020172653.tif 000004
【図３】
2020172653.tif 000005