(57)【要約】【課題】  基板上の組成物を平坦化するのに有利な技術を提供する。【解決手段】  基板の中心位置を含む第１領域と第１領域より外側の第２領域の上に組成物の複数の液滴を配置する液滴供給部と、組成物と型を接触させて組成物を平坦化させてから組成物と型を離す機構とを有し、第２領域上において組成物の液滴を積み重ねることによって第１領域に配置される組成物よりも厚くなるように第２領域上に組成物を配置し、第１領域上の組成物及び第２領域上において積み重ねて配置された組成物と型を接触させて、第１領域上の組成物を平坦化させてから第１領域及び第２領域上の組成物と型を離す。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上の組成物を平坦化する平坦化装置において、
前記基板の中心位置を含む第１領域と前記第１領域より外側の第２領域の上に組成物の複数の液滴を配置する液滴供給部と、
前記液滴供給部により配置された組成物と型を接触させて組成物を平坦化させてから組成物と型を離す機構と、を有し、
前記液滴供給部は、前記第２領域上において組成物の液滴を積み重ねることによって前記第１領域に配置される組成物よりも厚くなるように前記第２領域上に組成物を配置し、
前記機構は、前記第１領域上の組成物及び前記第２領域上において積み重ねて配置された組成物と型を接触させて、前記第１領域上の組成物を平坦化させてから、前記第１領域及び前記第２領域上の組成物と型を離す、ことを特徴とする平坦化装置。
【請求項２】
前記第１領域上の組成物を平坦化させる際に、前記第２領域上の組成物によって型が上方向に曲がった状態で前記第１領域の組成物に接触させることを特徴とする請求項１に記載の平坦化装置。
【請求項３】
組成物と型を離す際に、前記第２領域上の組成物から型を離した後に、前記第１領域上の組成物から型を離すことを特徴とする請求項１又は２に記載の平坦化装置。
【請求項４】
前記液滴供給部は、前記第２領域上で、複数回走査又は所定の位置で連続して、組成物の液滴を配置することによって前記第２領域上に組成物の液滴を積み重ねることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の平坦化装置。
【請求項５】
前記第２領域は、前記基板の外周から所定の幅を有する領域であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の平坦化装置。
【請求項６】
前記所定の幅は３ｍｍ以内の幅であることを特徴とする請求項５に記載の平坦化装置。
【請求項７】
前記第１領域は既にパターンが形成されている領域であり、前記第２領域はパターンが形成されていない領域であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の平坦化装置。
【請求項８】
前記液滴供給部は、基板全面上に組成物を配置し、
前記機構は、基板全面上の組成物と型を接触させて、前記第１領域の組成物を平坦化させてから、前記基板全面上の組成物と型を離すことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の平坦化装置。
【請求項９】
基板上に組成物を滴下するための液滴配置パターンのデータを作成する処理部を有し、
前記処理部は、前記基板に形成されたパターンに基づいて前記第１領域及び前記第２領域における前記液滴配置パターンのデータを作成し、
前記液滴供給部は、作成された前記液滴配置パターンのデータに基づいて前記基板上に組成物の液滴を配置することを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の平坦化装置。
【請求項１０】
前記第２領域上の組成物と型を離した後、前記第２領域上の組成物を除去することを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の平坦化装置。
【請求項１１】
型を用いて基板上の組成物を平坦化する平坦化方法において、
前記基板の中心位置を含む第１領域と前記第１領域より外側の第２領域の上に組成物の複数の液滴を配置する第１工程と、
配置された組成物と型を接触させて組成物を平坦化させてから組成物と型を離す第２工程と、を有し、
前記第１工程において、前記第２領域上において組成物の液滴を積み重ねることによって前記第１領域に配置される組成物よりも厚くなるように前記第２領域上に組成物を配置し、
前記第２工程において、前記第１領域上の組成物及び前記第２領域上において積み重ねて配置された組成物と型とを接触させて、前記第１領域上の組成物を平坦化させてから、前記第１領域及び前記第２領域上の組成物と型とを離す、ことを特徴とする平坦化方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の平坦化方法を用いて基板の組成物を平坦化する工程と、
平坦化された組成物を有する基板を処理する工程と、
処理された基板から物品を得ることを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１３】
型を用いて基板上の組成物を平坦化する平坦化装置において基板上に組成物を滴下するための液滴配置パターンのデータ、を作成する作成方法において、
前記基板の中心位置を含む第１領域上に組成物を配置するための第１の液滴配置パターンのデータを作成する工程と、
前記第１領域より外側の第２領域上に組成物を配置するための第２の液滴配置パターンのデータを作成する工程と、を有し、
前記第２の液滴配置パターンを、前記第２領域上において組成物の液滴を積み重ねることによって前記第１領域に配置される組成物よりも厚くなるように作成する、ことを特徴とする作成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平坦化装置、平坦化方法、物品製造方法及び液滴配置パターンデータの作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加えて、基板上の未硬化の組成物を型で成形して硬化させ、基板上に組成物のパターンを形成する微細加工技術が注目されている。かかる技術は、インプリント技術と呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細なパターンを形成することができる。
【０００３】
インプリント技術の１つとして、例えば、光硬化法がある。光硬化法を採用したインプリント装置は、基板上のショット領域に供給された光硬化性の組成物を型で成形し、光を照射して組成物を硬化させ、硬化した組成物から型を引き離すことで、基板上にパターンを形成する。
【０００４】
また、近年では、基板上の組成物を平坦化する技術が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１に開示された技術は、基板の段差に基づいて組成物を滴下し、滴下した組成物に型の平面を接触させた状態で組成物を硬化することで平坦化の精度向上を図るものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２０１１−５２９６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来の平坦化装置では、インプリント装置に比べて大きな面積で基板上の組成物と型を接触させてから離すために離型力が大きくなってしまう。離型力が大きくなると離型動作自体を正常に行うことができなかったり、基板上の組成物が正常に平坦化されなかったりする。
【０００７】
そこで、本発明は、基板上の組成物を平坦化するのに有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の一側面としての平坦化装置は、型を用いて基板上の組成物を平坦化する平坦化装置において、前記基板の中心位置を含む第１領域と前記第１領域より外側の第２領域の上に組成物の複数の液滴を配置する液滴供給部と、前記液滴供給部により配置された組成物と型を接触させて組成物を平坦化させてから組成物と型を離す機構と、を有し、前記液滴供給部は、前記第２領域上において組成物の液滴を積み重ねることによって前記第１領域に配置される組成物よりも厚くなるように前記第２領域上に組成物を配置し、前記機構は、前記第１領域上の組成物及び前記第２領域上において積み重ねて配置された組成物と型を接触させて、前記第１領域上の組成物を平坦化させてから、前記第１領域及び前記第２領域上の組成物と型を離す、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板上の組成物を平坦化するのに有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】平坦化装置の構成を示す概略図である。
【図２】平坦化処理の概要を説明するための図である。
【図３】組成物が配置された基板の断面図である。
【図４】平坦化処理時の型と基板を接触させたときの断面図である。
【図５】平坦化装置における平坦化処理を説明するためのフローチャートである。
【図６】平坦化処理後の断面図である。
【図７】液滴配置パターンを作成する方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、平坦化装置１００の構成を示す概略図である。平坦化装置１００は、型１１（モールド、テンプレート）を用いて基板１上の組成物を成形する成形装置で具現化され、本実施形態では、基板上の組成物を平坦化する。平坦化装置１００は、基板上の組成物と型とを接触させた状態で組成物を硬化させ、硬化した組成物と型を引き離すことで基板上に組成物の大局的又は局所的な平坦面を形成する。
【００１３】
基板は、シリコンウエハが代表的な基材であるが、これに限定されるものではない。基板１は、アルミニウム、チタン−タングステン合金、アルミニウム−ケイ素合金、アルミニウム−銅−ケイ素合金、酸化ケイ素、チッ化ケイ素等の半導体デバイス用基板として知られているものの中からも任意に選択することができる。なお、基板１には、シランカップリング処理、シラザン処理、有機薄膜の成膜、等の表面処理により密着層を形成し、硬化性組成物との密着性を向上させた基板を用いてもよい。なお、基板１は、典型的には、直径３００ｍｍの円形であるが、これに限定されるものではない。
【００１４】
型１１としては、光照射工程を考慮して光透過性の材料で構成された型を用いるとよい。型１１を構成する材料の材質としては、具体的には、ガラス、石英、ＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が好ましい。なお、型１１は、３００ｍｍよりも大きく、５００ｍｍよりも小さい直径の円形が好ましいが、これに限られない。また、型１１の厚さは、好適には、０．２５ｍｍ以上２ｍｍ未満であるが、これに限られない。
【００１５】
組成物としては、光照射工程を考慮してＵＶ硬化性液体を用いるとよい。典型的にはアクリレートやメタクリレートのようなモノマーを用いてもよい。
【００１６】
平坦化装置１００は、図１に示すように、チャック２、基板ステージ３、ベース定盤４、支柱５、天板６、ガイドバープレート７、ガイドバー８、型駆動部９、支柱１０、型チャック１２、ヘッド１３と、アライメント棚１４を有する。また、平坦化装置１００は、液滴供給部２０、オフアクシスアライメント（ＯＡ）スコープ２１、基板搬送部２２、アライメントスコープ２３、光源２４、ステージ駆動部３１、型搬送部３２、洗浄部３３と、制御部２００を有する。チャック２及び基板ステージ３は、基板１を保持する基板保持部を構成し、型チャック１２及びヘッド１３は、型１１を保持する型保持部を構成する。ここでは、水平面をＸＹ平面とし、鉛直方向をＺ軸方向とするようにＸＹＺ座標系が定義されている。
【００１７】
図１を参照するに、基板１は、搬送ハンドなどを含む基板搬送部２２によって、平坦化装置１００の外部やウエハが格納された格納箱から搬入され、チャック２に保持される。基板ステージ３は、ベース定盤４に支持され、チャック２に保持された基板１を所定の位置に位置決めするために、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に駆動される。ステージ駆動部３１は、例えば、リニアモータやエアシリンダなどを含み、基板ステージ３を少なくともＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動する（移動させる）が、基板ステージ３を２軸以上の方向（例えば、６軸方向）に駆動する機能を有していてもよい。また、ステージ駆動部３１は、回転機構を含み、チャック２又は基板ステージ３をＺ軸方向に平行な軸周りに回転駆動する（回転させる）。
【００１８】
型１１は、搬送ハンドなどを含む型搬送部３２によって、平坦化装置１００の外部や型が格納された格納箱から搬入され、型チャック１２に保持される。型１１は、例えば、円形又は四角形の外形を有し、下面に平面部１１ａを含む。平面部１１ａは、基板上の組成物に接触して基板１の表面形状に倣うような剛性を有する。平面部１１ａは、基板１と同じ大きさ、又は、基板１よりも大きい大きさを有する。型チャック１２は、ヘッド１３に支持され、型１１のＺ軸周りの傾きを補正する機能を有する。型チャック１２及びヘッド１３のそれぞれは、光源２４からコリメータレンズを介して照射される光（紫外線）を通過させる開口を含む。また、型チャック１２又はヘッド１３には、基板上の組成物に対する型１１の押し付け力（押印力）を計測するためのロードセルが配置されている。
【００１９】
ベース定盤４には、天板６を支持する支柱５が配置されている。ガイドバー８は、天板６を貫通し、一端がガイドバープレート７に固定され、他端がヘッド１３に固定される。型駆動部９は、ガイドバー８を介して、ヘッド１３をＺ軸方向に駆動して、型チャック１２に保持された型１１を基板上の組成物に接触させたり、基板上の組成物から引き離したりする機構である。また、型駆動部９は、ヘッド１３をＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動する（移動させる）機能、及び、型チャック１２又はヘッド１３をＺ軸方向に平行な軸周りに回転駆動する機能を有する。
【００２０】
アライメント棚１４は、支柱１０を介して天板６に懸架される。アライメント棚１４には、ガイドバー８が貫通している。また、アライメント棚１４には、例えば、斜入射像ずれ方式を用いて、チャック２に保持された基板１の高さ（平坦度）を計測するための高さ計測系（不図示）が配置されている。
【００２１】
ＯＡスコープ２１は、アライメント棚１４に支持される。ＯＡスコープ２１は、基板１の複数のショット領域に設けられたアライメントマークを検出し、複数のショット領域のそれぞれの位置を決定するグローバルアライメント処理に用いられる。
【００２２】
アライメントスコープ２３は、基板ステージ３に設けられた基準マークと、型１１に設けられたアライメントマークとを観察するための光学系及び撮像系を含む。但し、型１１にアライメントマークが設けられていない場合には、アライメントスコープ２３がなくてもよい。アライメントスコープ２３は、基板ステージ３に設けられた基準マークと、型１１に設けられたアライメントマークとの相対的な位置を計測し、その位置ずれを補正するアライメントに用いられる。アライメントスコープ２３によって型１１と基板ステージ３との位置関係を求め、ＯＡスコープ２１によって基板ステージ３と基板１との位置関係を求めることで、型１１と基板１との相対的なアライメントを行うことができる。
【００２３】
液滴供給部２０は、基板１に未硬化（液状）の組成物を吐出する吐出口（ノズル）を含むディスペンサで構成され、基板上に組成物の液滴を滴下して配置（供給）する。液滴供給部２０は、例えば、ピエゾジェット方式やマイクロソレノイド方式などを採用し、基板上に微小な容積の液滴状の組成物を供給することができる。また、液滴供給部２０における吐出口の数は、限定されるものではなく、１つ（シングルノズル）であってもよいし、１００を超えてもよい。即ち、リニアノズルアレイでもよいし、複数のリニアノズルアレイを組み合わせてもよい。
【００２４】
洗浄部３３は、型１１が型チャック１２に保持された状態で、型１１を洗浄する（クリーニングする）。洗浄部３３は、基板上の硬化した組成物から型１１を引き離すことによって、型１１、特に、平面部１１ａに付着した組成物を除去する。洗浄部３３は、例えば、型１１に付着した組成物を拭き取ってもよいし、ＵＶ照射、ウェット洗浄、プラズマ洗浄などを用いて型１１に付着した組成物を除去してもよい。
【００２５】
制御部２００は、ＣＰＵや他のプロセッサ、ＦＰＧＡなどの処理部や、メモリなどの記憶部を含み、平坦化装置１００の全体を制御する。制御部２００は、平坦化装置１００の各部を統括的に制御して平坦化処理を行う処理部として機能する。ここで、平坦化処理とは、型１１の平面部１１ａを基板上の組成物に接触させて平面部１１ａを基板１の表面形状に倣わせることで組成物を平坦化する処理である。なお、平坦化処理は、一般的には、ロット単位で、即ち、同一のロットに含まれる複数の基板のそれぞれに対して行われる。
【００２６】
次に、図２（ａ）乃至図２（ｃ）を参照して、平坦化処理について概要を説明する。本実施形態では、基板全面上の組成物と型を接触させて、組成物を平坦化させる処理について説明するが、基板の一部の領域上の組成物と型を接触させて、組成物を平坦化させてもよい。
【００２７】
まず、図２（ａ）に示すように、下地パターンが形成されている基板１に対して、液滴供給部２０から組成物ＩＭの複数の液滴を滴下する。図２（ａ）は、基板上に組成物ＩＭを供給し、型１１を接触させる前の状態を示している。次いで、図２（ｂ）に示すように、基板上の組成物ＩＭと型１１の平面部１１ａとを接触させる。図２（ｂ）は、型１１の平面部１１ａが基板上の組成物ＩＭにすべて接触し、型１１の平面部１１ａが基板１の表面形状に倣った状態を示している。そして、図２（ｂ）に示す状態で、光源２４から、型１１を介して、基板上の組成物ＩＭに光を照射して組成物ＩＭを硬化させる。次に、図２（ｃ）に示すように、基板上の硬化した組成物ＩＭから型１１を引き離す。これにより、基板１の全面で均一な厚みの組成物ＩＭの平坦化層を形成することができる。図２（ｃ）は、基板上に組成物ＩＭの平坦化層が形成された状態を示している。
【００２８】
このような平坦化処理を行う際、大面積の型１１と基板１全面の組成物とを接触させてから、当該全面において引きはがすことは困難である。接触面積が大きければ大きいほど引きはがすのに要する力（離型力）大きくなる。離型力が大きくなると離型動作自体を正常に行うことができなかったり、基板上の組成物が正常に平坦化されなかったりする。
【００２９】
このような問題を解決するために、本実施形態では、基板１の外周領域に組成物ＩＭを多数滴下し、組成物ＩＭの分布で基板の内側領域に対して高さの高低差を作り、型と組成物が接触する時に型１１又は基板１が反った状態になるようにする。基板１の外周領域において反った状態だと型と組成物の剥離が開始される離型開始点となり、容易に離型しやすくする。一度、型１１と基板１の剥離が開始されれば、十分な時間だけ処理すれば離型は完了し、所望の厚さ、平坦さを有する組成物ＩＭが得られる。
【００３０】
図３に示すように、液滴供給部２０は、基板の外形の中心位置Ｃを含む第１領域１ａと、第１領域１ａより外側の第２領域１ｂの上に組成物ＩＭの複数の液滴を配置する。組成物ＩＭを滴下する際に基板１の外周領域に多く滴下するようにする。具体的には、第２領域１ｂ上において組成物の液滴を積み重ねることによって第１領域１ａに配置される組成物よりも厚くなるように第２領域１ｂ上に組成物を配置する。図３には、第２領域１ｂ上に組成物を積み重ねた様子（堆積状態）を示す。液滴供給部２０は、第２領域１ｂ上で、複数回走査、又は、第２領域１ｂの上の所定の位置で連続して、組成物ＩＭの液滴を配置することによって第２領域１ｂ上に組成物の液滴を積み重ねる。
【００３１】
基板１の第１領域１ａ上に液滴を滴下する場合、第１領域１ａ部の下地のパターン密度（粗密）と、組成物ＩＭが型によって平坦化されたときの平坦化層の最終的な厚さを計算して、全体の滴下量と滴下位置が求められる。また、本実施形態では、基板１の第２領域１ｂの基板最外周端から２ｍｍ以内、または３ｍｍ以内の幅に滴下量を多くして、第１領域１ａの滴下量の数倍以上となるように滴下する。
【００３２】
次に、平坦化装置に用いられる、基板上に組成物を滴下するための液滴配置パターンのデータを、作成する方法について、図７を用いて説明する。図７は、液滴配置パターンのデータの作成方法のフローチャートである。液滴配置パターンのデータは、予め外部のコンピュータ（情報処理装置）又は平坦化装置１００の制御部（情報処理装置）が作成する。外部のコンピュータが液滴配置パターンのデータを作成した場合は、平坦化装置１００の制御部が外部のコンピュータから液滴配置パターンのデータを取得する。情報処理装置は、基板の中心位置を含む第１領域１ａ上に、液滴供給部２０によって組成物を滴下するための第１の液滴配置パターンのデータを作成する。第１の液滴配置パターンは、第１領域１ａ部の下地のパターンの密度（粗密）やピッチ、幅などと、組成物ＩＭが型によって平坦化されたときの平坦化層の最終的な厚さに基づいて求められる。
【００３３】
また、液滴供給部２０によって第２領域１ｂ上に組成物を滴下するための第２の液滴配置パターンのデータを作成する。第２の液滴配置パターンは、第２領域１ｂ上において組成物の液滴を積み重ねることによって第１領域１ａに配置される組成物よりも厚くなるように作成される。具体的には、図３に示すように、第２領域１ｂ上で組成物の液滴を隙間なく配置するような液滴配置パターンを作成する。また、第２領域１ｂ上に組成物の液滴を積み重ねるために複数回走査するときの液滴パターンも作成する。また、第２領域１ｂの上の所定の位置で連続して組成物ＩＭの液滴を吐出するような、第２の液滴配置パターンを作成してもよい。
【００３４】
また、第２の液滴配置パターンは、第１の液滴配置パターンに基づいて作成してもよい。具体的には、第１の液滴配置パターンに基づいて滴下された第１領域１ａ上の組成物と型を接触させたときの第１領域１ａ上の組成物の厚さを求める。そして、第２の液滴配置パターンに基づいて滴下された第２領域１ｂ上の組成物と型を接触させたときに第２領域１ｂにおける組成物の厚さが、求めた第１領域１ａ上の組成物の厚さよりも厚くなるように第２の液滴配置パターンを作成してもよい。
【００３５】
次に、平坦化装置１００の型や基板の駆動機構を用いて、第１領域１ａ上の組成物及び第２領域１ｂ上において積み重ねて配置された組成物と型を接触させて、第１領域１ａ上の組成物を平坦化させてから、第１領域１ａ及び第２領域１ｂ上の組成物と型を離す。
【００３６】
図４は、図３の組成物ＩＭを滴下した後に、型１１と基板１を全面接触させた状態を表す断面図である。基板１外周の組成物ＩＭの滴下量が多い為、基板１外周において、型１１と基板１が平行状態にならず、型１１が反っている状態となる。型と基板上の組成物が接触したとき、基板１外周部の組成物ＩＭの厚さは、第１領域１ａにおける組成物ＩＭの厚さの数倍以上、例えば１ｕｍ以上となるようにする。この状態で離型することにより、型１１が反っているので、離型開始点が簡単に作られる。更に、基板１外周部に組成物ＩＭが多数滴下されている為、組成物の中に存在する離型材が型１１の表面に多く付着する。そのため、第２領域１ｂにおける組成物と型とを離すときのエネルギーは、第１領域１ａの組成物から離型するときや、第２領域１ｂにも第１領域１ａと同じ厚さで組成物を滴下したとき、よりも離型エネルギーが小さくなり、更に離型しやすくなる。
【００３７】
図５を参照して、平坦化装置１００における平坦化処理について説明する。平坦化処理は、上述したように、制御部２００が平坦化装置１００の各部を統括的に制御することで行われる。
【００３８】
Ｓ６０２では、型搬送部３２によって、平坦化装置１００に型１１を搬入し、型１１を型チャック１２に保持させる。Ｓ６０４では、平坦化処理に関する設定情報を取得する。平坦化処理に関する設定情報は、基板１の第１領域１ａに既に形成された下地のパターンの密度（周期や幅など）の情報を含む。また、組成物ＩＭの最終厚さ（硬化時の厚さ）、最外周部（第２領域１ｂ）の最大厚さ、最外周部の組成物が厚くなっている幅、次の平坦化時に最外周部の組成物の最大厚さをどの程度増やすか、などを含みうる。
【００３９】
Ｓ６０６では、基板搬送部２２によって、同一のロットに含まれる複数の基板のうち、処理対象の基板１を平坦化装置１００に搬入し、基板１をチャック２に保持させる。Ｓ６０８では、Ｓ６０６で搬入された基板１に対して、図２（ａ）乃至図２（ｃ）を参照して説明したような平坦化処理を行う。ただし、本実施形態では、第２領域１ｂ上に組成物が積み重ねて配置されているので、型と組成物の接触時は図４に示すように型が外周において上方向に向いた状態となる。つまり、Ｓ６０８では、第１領域１ａと第２領域１ｂの上に組成物の複数の液滴を配置する第１工程と、組成物と型を接触させて組成物を平坦化させてから組成物と型を離す第２工程と、により、型を用いて基板上の組成物を平坦化する。第１工程において、第２領域上において組成物の液滴を積み重ねることによって第１領域に配置される組成物よりも厚くなるように第２領域上に組成物を配置する。第２工程において、第１領域上の組成物及び第２領域上において積み重ねて配置された組成物と型とを接触させて、型を介して硬化光を照射して組成物を硬化させる。そして、第１領域上の組成物を平坦化させてから、第１領域及び第２領域上の組成物と型とを離す。
【００４０】
Ｓ６１０では、基板搬送部２２によって、平坦化処理が行われた基板１をチャック２から搬出する。Ｓ６１２では、同一のロットに含まれる全ての基板に対して平坦化処理を行ったかどうかを判定する。同一のロットに含まれる全ての基板に対して平坦化処理を行っていない場合には、次の処理対象の基板１をチャック２に配置するために、Ｓ６０６に移行する。一方、同一のロットに含まれる全ての基板に対して平坦化処理を行っている場合には、Ｓ６１４に移行する。
【００４１】
Ｓ６１４では、洗浄部３３によって、型チャック１２に保持されている型１１を洗浄する。即ち、型１１の平面部１１ａに付着した組成物を除去する。Ｓ６１６では、型搬送部３２によって、平坦化装置１００から、洗浄された型１１を搬出する。
【００４２】
更に、本実施形態では離型後に型１１と基板１側に以下の特別な処理を行うことができる。基板１側には基板１最外周部に多数の組成物ＩＭを滴下するので、離型後に型１１に組成物ＩＭが付着する可能性が高い。したがって、次の基板１の平坦化処理時は、基板１最外周の組成物ＩＭの滴下量を増やして、既に型に付着している付着物が平坦化処理を阻害しないようにする。つまり、前の基板に対して液滴供給部２０が吐出して第２領域１ｂに配置した液滴の数よりも、当該液滴の数多くする。
【００４３】
離型後の基板１側には、基板１外周部には数ｕｍ以上の固化した組成物ＩＭが残っている。図６（ａ）は離型後の基板１上の組成物ＩＭを示す図である。基板１の第２領域１ｂの組成物ＩＭは第１領域１ａ部のＩＭより厚い形状になる為、基板１の第２領域１ｂに組成物ＩＭを滴下した時、又は、型と組成物を接触させたときに、基板１の外周端部に組成物ＩＭのはみ出し（染み出し）４００が発生している可能性がある。
【００４４】
そこで、本実施形態では、平坦化装置１００内、または塗布装置でＥＢＲ（Ｅｄｇｅ  Ｂｅａｄ  Ｒｅｍｏｖａｌ）処理を行う。ＥＢＲとは、フォトリソグラフィープロセスのレジスト塗布工程で行う周知の工程であり、基板へのレジスト（組成物）の塗布後の基板に対して、基板外周部の薬液（組成物）を除去するために、リンス液を用いて基板外周部のみの組成物を剥離する工程である。図６（ｂ）は、平坦化装置１００、または、塗布装置などの外部装置内のＥＢＲ処理時の基板１上の組成物を表す図である。リンスノズル５００で、リンス液５０１を用いて、基板１外周部の厚い組成物ＩＭをリンスし、除去する。
【００４５】
図６（ｃ）は、ＥＢＲ後の基板１上の組成物ＩＭである。基板１外周部の厚い組成物ＩＭはほぼ除去された状態である。除去後の組成物の形状は、通常の生産で使用されているフォトリソグラフィーのＥＢＲと同等の形状となる。本実施形態では、基板１外周部にある組成物ＩＭが多数滴下された部分のみを剥離し、基板が次の工程に搬送される。
【００４６】
なお、本実施形態では、同一のロットに含まれる全ての基板１に対する平坦化処理が終了し、平坦化装置１００から型１１を搬出する前に型１１を洗浄しているが、これに限定されるものではない。例えば、同一のロットに含まれる全ての基板１に対して平坦化処理が終了していなくても、型１１を洗浄するようにしてもよい。また、型１１の平面部１１ａにおける組成物の付着状態を検出する検出部を平坦化装置１００が備えている場合には、検出部の検出結果に応じて、型１１を洗浄するようにしてもよい。
【００４７】
本実施形態では平坦化装置について記載しているが、パターンが形成された型を用いて基板全面を一括してインプリントする一括インプリントにも適用しうる。また、光硬化方式について記載しているが、熱硬化方式にも適用しうる。
【００４８】
（物品製造方法）
次に、前述の平坦化装置又は平坦化方法を利用した物品（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子、カラーフィルタ、ＭＥＭＳ等）の製造方法を説明する。当該製造方法は、前述の平坦化装置を使用して、基板（ウェハ、ガラス基板等）に配置された組成物と型を接触させて平坦化させ、組成物を硬化させて組成物と型を離す工程とを含む。そして、平坦化された組成物を有する基板に対して、リソグラフィ装置を用いてパターンを形成するなどの処理を行う工程と、処理された基板を他の周知の加工工程で処理することにより、物品が製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。
【００４９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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