(57)【要約】      （修正有）【課題】通常モードまたは保安モードを選択駆動させても解像度が減少せず、維持することができる表示装置を提供する。【解決手段】第１サブ画素ＲＰ１、ＲＰ２、第２サブ画素ＧＰ１、ＧＰ２および第３サブ画素ＢＰ１、ＢＰ２を備えた基板１００、基板上に設けられた下部電極３１０、下部電極上に設けられた発光層３２０、および発光層上に設けられた上部電極３３０を含み、第１サブ画素、第２サブ画素および第３サブ画素それぞれは、第１視野角を有する第１モード画素ＲＰ１、ＧＰ１、ＢＰ１および第１視野角よりも狭い第２視野角を有する第２モード画素ＲＰ２、ＧＰ２、ＢＰ２を含む表示装置。【選択図】図２
2020004723.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１サブ画素、第２サブ画素および第３サブ画素を備えた基板、
前記基板上に設けられた下部電極、
前記下部電極上に設けられた発光層、および
前記発光層上に設けられた上部電極を含み、
前記第１サブ画素、前記第２サブ画素および前記第３サブ画素それぞれは、第１視野角を有する第１モード画素および前記第１視野角よりも狭い第２視野角を有する第２モード画素を含む表示装置。
【請求項２】
前記下部電極が、前記第１モード画素に設けられた第１下部電極および前記第２モード画素に設けられた第２下部電極を含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１下部電極および前記第２下部電極が、互いに異なる層に形成される請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１モード画素に設けられ、前記発光層よりも屈折率が小さい低屈折構造物をさらに含み、
前記第１下部電極が前記低屈折構造物上に形成され、前記第２下部電極は前記低屈折構造物の両側に形成される請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記低屈折構造物が、第１幅を有する第１低屈折構造物、および前記第１低屈折構造物上に前記第１幅よりも広い第２幅を有する第２低屈折構造物を含み、
前記第１下部電極は、前記第２低屈折構造物上に設けられ、前記第２下部電極は、前記第１低屈折構造物の両側で離隔して設けられる請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１下部電極の端および前記第２低屈折構造物の側壁を覆いながら前記第１下部電極の一部を露出させる第１絶縁膜をさらに含む請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１下部電極および前記低屈折構造物間に設けられた第１ブラックマトリックスをさらに含む請求項４に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１下部電極および前記第２下部電極が、同時に形成される請求項３に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２下部電極が、前記第１下部電極よりも幅が狭い請求項２に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２下部電極の端を覆いながら前記第２下部電極の一部を露出させる第２絶縁膜をさらに含む請求項２に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記発光層が、前記第１下部電極上に設けられた第１発光層および前記第２下部電極上に設けられた第２発光層を含む請求項２に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１発光層および前記第２発光層が、互いに異なる層に形成される請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１モード画素に設けられ前記発光層よりも屈折率が小さい低屈折構造物をさらに含み、
前記第１発光層は、前記低屈折構造物上に設けられた前記第１下部電極上に形成され、前記第２発光層は、前記低屈折構造物の両側に設けられた前記第２下部電極上に形成される請求項１２記載の表示装置。
【請求項１４】
前記低屈折構造物が、第１幅を有する第１低屈折構造物、および前記第１低屈折構造物上に前記第１幅よりも広い第２幅を有する第２低屈折構造物を含み、
前記第１発光層は、前記第２低屈折構造物上に設けられた前記第１下部電極上に形成され、前記第２発光層は、前記第１低屈折構造物の側で、離隔して設けられた前記第２下部電極上に形成される請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第２発光層および前記第１低屈折構造物間に設けられたエアギャップ（ａｉｒ−ｇａｐ）をさらに含む請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記発光層が、前記第２低屈折構造物の側壁に形成された第３発光層をさらに含む請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第３発光層が、前記第１発光層および前記第２発光層よりも厚さが薄い請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１発光層および前記第２発光層が、同時に形成される請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記上部電極が、前記第１発光層上に設けられた第１上部電極および前記第２発光層上に設けられた第２上部電極を含む請求項１１に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第１上部電極および前記第２上部電極が、同時に形成される請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記上部電極が、前記第１上部電極から前記第２上部電極まで延長されて前記第１上部電極および前記第２上部電極を接続させる第３上部電極をさらに含む請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記第１モード画素を駆動させるための第１トランジスタ、および
前記第２モード画素を駆動させるための第２トランジスタをさらに含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタが、互いに異なる層に設けられる請求項２２に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記上部電極を覆うように形成された第１無機膜、および
前記第１無機膜上で前記第１サブ画素、前記第２サブ画素および前記第３サブ画素間の境界領域に設けられた第２ブラックマトリックスをさらに含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記第２ブラックマトリックスが、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素および前記第３サブ画素それぞれで、前記第１モード画素および前記第２モード画素間の境界領域に、さらに設けられる請求項２４に記載の表示装置。
【請求項２６】
前記発光層が、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素および前記第３サブ画素に共通に形成される白色発光層である請求項１に記載の表示装置。
【請求項２７】
前記上部電極上に配置されたカラーフィルターをさらに含む請求項２６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、映像を表示する表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会が発展するにつれて、映像を表示するための表示装置への要求が様々な形で高まっている。これにより、最近では液晶表示装置（LCD、Liquid Crystal Display）、プラズマ表示装置（PDP、Plasma Display Panel）、量子ドット発光表示装置（QLED：Quantum dot Light Emitting Display）、有機発光表示装置（OLED、Organic Light Emitting Display）など複数の表示装置が活用されている。
【０００３】
表示装置の中で、有機発光表示装置は自己発光型であって、液晶表示装置（LCD）に比べて視野角、コントラスト比などに優れており、別途のバックライトを必要としないので軽量薄型が可能であり、消費電力において有利であるという長所がある。また、有機発光表示装置は、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度が速く、特に製造コストが安価な長所がある。
【０００４】
最近では、表示装置に表示される映像情報を介して第3者に情報が流出することが問題となっている。これを解決するために、表示装置の前面に位置し、特定の人だけに映像情報を提供するための保安フィルムが開発されている。
【０００５】
使用者は、保安フィルムを表示装置に付着させることで、周辺の第3者が表示装置に表示される映像情報を見ることができないようにする。また、使用者は、保安フィルムを表示装置から脱着することで、周辺の第3者に表示装置に表示される映像情報を示すことができる。使用者は、このような保安フィルムを別々に保管および管理しなければならないという煩わしさがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、保安モードと通常モードを選択的に変更することができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施例に係る表示装置は、第1サブ画素、第2サブ画素および第3サブ画素を備えた基板、基板上に設けられた下部電極、下部電極上に設けられた発光層、および発光層上に設けられた上部電極を含む。第1サブ画素、第2サブ画素および第3サブ画素それぞれは、第1視野角を有する第1モード画素および前記第1視野角よりも狭い第2視野角を有する第2モード画素を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、別途の保安フィルムを貼ることなく、使用者の選択によって通常モードまたは保安モードで映像を表示することができる。
【０００９】
また、本発明は、一つのサブ画素に第1モード画素および第2モード画素の両方が含まれているので、通常モードまたは保安モードで駆動しても駆動するサブ画素の総数は同じである。これにより、本発明の一実施例に係る表示装置は、通常モードまたは保安モードを選択駆動させても解像度が減少せず、維持することができる。
【００１０】
また、本発明は、低屈折構造物を用いて、第1モード画素の第1発光素子と第2モード画素の第2発光素子を段差を有するように形成することができる。このような本発明は、第1発光素子を上部に配置して、広い視野角の映像を表示することができ、第2発光素子を下部に配置して、狭い視野角の映像を表示することができる。
【００１１】
また、本発明は、第1発光素子および第2発光素子を上下部構造に配置することにより、第1発光素子および第2発光素子間の間隔を短くすることができる。これにより、本発明の一実施例に係る表示装置は、開口率を向上させることができる。
【００１２】
また、本発明は、アンダーカット構造の低屈折構造物を用いて、別途のパターン工程なしに第1発光素子の第1下部電極および第2発光素子の第2下部電極を同時に形成することができる。
【００１３】
また、本発明は、アンダーカット構造を有する低屈折構造物を用いて、別途のパターン工程なしに第1発光素子の第1発光層および第2発光素子の第2発光層を同時に形成することができる。これにより、本発明の一実施例に係る表示装置は、製造工程が単純で、製造コストを削減することができる。
【００１４】
上述した本出願の効果に加えて、本出願の他の特徴および利点は、以下に記述の内容および、そのような記述と説明から、本出願が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解され得るであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施例に係る表示装置のサブ画素を概略的に示す平面図である。
【図２】図１のI-Iの第1例を示す断面図である。
【図３】図１のI-Iの第2例を示す断面図である。
【図４】図１のI-Iの第3例を示す断面図である。
【図５】サブ画素の配置構造の一例を概略的に示す平面図である。
【図６】サブ画素の配置構造の他の例を概略的に示す平面図である。
【図７】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図８Ａ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８Ｂ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８Ｃ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８Ｄ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８Ｅ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８Ｆ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８Ｇ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８Ｈ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８Ｉ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８Ｊ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８Ｋ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８Ｌ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は添付の図と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されているものであり、本発明は、請求項の範疇によって定義されるだけである。
【００１７】
本発明の実施例を説明するための図で開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものなので、本発明は、図に示された事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本発明を説明するにおいて、関連する公知技術に対する詳細な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。本明細書で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合は、「〜だけ」が使用されていない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数表現の場合に特に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を含む。
【００１８】
構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
【００１９】
位置関係の説明である場合には、例えば、「〜の上に」、「〜の上部に」、「〜の下部に」、「〜の隣に」など2つの部分の位置関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に1つ以上の他の部分が位置することもできる。
【００２０】
時間の関係についての説明である場合には、例えば、「〜の後」、「〜に続いて」、「〜次の」、「〜前に」などで時間的前後関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、連続していない場合も含むことができる。
【００２１】
第1、第2などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、ただ一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下に記載されている第1構成要素は、本発明の技術的思想内で第2構成要素であることもある。
【００２２】
本発明のいくつかの実施例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施例が互いに独立して実施可能であり得、関連の関係で一緒に実施することもできる。
【００２３】
以下、図を参照して、本発明の好ましい実施例について詳細に説明することにする。
【００２４】
図１は、本発明の一実施例に係る表示装置のサブ画素を概略的に示す平面図であり、図２は、図１のI-Iの第1例を示す断面図である。
【００２５】
図１および図２を参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置は、基板１００、回路素子層２００、下部電極３１０、発光層３２０、上部電極３３０、低屈折構造物３４０、第1絶縁膜３５２、第2絶縁膜３５４、封止層３６０、第1ブラックマトリックス（BM1）、第2ブラックマトリックス（BM2）およびカラーフィルタ４００を含む。
【００２６】
基板１００は、プラスチックフィルム（plastic film）、ガラス基板（glass substrate）、または半導体工程を用いて形成されたシリコンウエハ基板であり得る。基板１００は、透明な物質からなり得、不透明な物質からもなり得る。
【００２７】
本発明の一実施例に係る表示装置は、発光した光が上部に向かって放出されるいわゆる上部発光（Top emisison）方式で形成され得る。これにより、基板１００の材料としては、透明な物質だけでなく、不透明な物質も用いることができる。
【００２８】
基板１００上には、第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）が備えられ得る。第1サブ画素（RP）は、赤色（R）の光を放出し、第2サブ画素（GP）は、緑色（G）の光を放出し、第3サブ画素（BP）は、青色（B）の光を放出するように具備することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。他の実施例において、基板１００上に白色光を放出する第4サブ画素をさらに備えることもできる。また、それぞれのサブ画素（RP、GP、BP）の配列順序は多様に変更することができる。
【００２９】
以下では、説明の便宜上、第1サブ画素（RP）は赤色（R）光を放出し、第2サブ画素（GP）は緑色（G）光を放出し、第3サブ画素（BP）は青色（B）光を放出することに仮定して説明する。
【００３０】
第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）のそれぞれは、第1視野角を有する第1モード画素（RP1、GP1、BP1）および第1視野角よりも狭い第2視野角を有する第2モード画素（RP2、GP2、BP2）を含む。第1モード画素（RP1、GP1、BP1）は、通常モードで駆動して、第1視野角を有する映像を表示する。第2モード画素（RP2、GP2、BP2）は、保安モードで駆動して、第1視野角よりも狭い第2視野角を有する映像を表示する。
【００３１】
第2モード画素（RP2、GP2、BP2）は、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）よりも狭い視野角を有する。これにより、第2モード画素（RP2、GP2、BP2）は、第1方向（X軸方向）の幅（W2）が第1モード画素（RP1、GP1、BP1）の幅（W1）よりも小さく形成することができる。
【００３２】
回路素子層２００は、基板１００上に形成される。回路素子層２００は、ゲートライン、データラインおよびトランジスタ２１０、２２０を含むことができる。ゲートラインとデータラインは互いに交差するように配置することができる。ゲートラインはゲート駆動部に接続してゲート信号が供給される。データラインは、データ駆動部に接続してデータ電圧が供給される。
【００３３】
複数のトランジスタは、回路素子層２００内にサブ画素（RP、GP、BP）ごとに配置される。また、サブ画素（RP、GP、BP）のそれぞれに配置されたトランジスタは、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）を駆動させるための第1トランジスタ２１０および第2モード画素（RP2、GP2、BP2）を駆動させるための第2トランジスタ２２０を含む。
【００３４】
一例による一つの第1サブ画素（RP）には、2個のトランジスタ２１０、２２０を配置することができる。詳細には、第1サブ画素（RP）には、第1モード画素（RP1）を駆動させるための第1トランジスタ２１０および第2モード画素（RP2）を駆動させるための第2トランジスタ２２０を配置することができる。ここで、第1トランジスタ２１０は、第1コンタクトホール（CH1）を介して第1下部電極３１０aに接続して赤色光を発光させるための駆動電圧を印加することができる。第2トランジスタ２２０は、第2コンタクトホール（CH2）を介して第2下部電極３１０bに接続して赤色光を発光させるための駆動電圧を印加することができる。
【００３５】
一例による一つの第2サブ画素（GP）には、2個のトランジスタ２１０、２２０を配置することができる。詳細には、第2サブ画素（GP）には、第1モード画素（GP1）を駆動させるための第1トランジスタ２１０および第2モード画素（GP2）を駆動させるための第2トランジスタ２２０を配置することができる。ここで、第1トランジスタ２１０は、第1コンタクトホール（CH1）を介して第1下部電極３１０aに接続して緑色光を発光させるための駆動電圧を印加することができる。第2トランジスタ２２０は、第2コンタクトホール（CH2）を介して第2下部電極３１０bに接続して緑色光を発光させるための駆動電圧を印加することができる。
【００３６】
一例による一つの第3サブ画素（BP）には、2個のトランジスタ２１０、２２０を配置することができる。詳細には、第3サブ画素（BP）には、第1モード画素（BP1）を駆動させるための第1トランジスタ２１０および第2モード画素（BP2）を駆動させるための第2トランジスタ２２０を配置することができる。ここで、第1トランジスタ２１０は、第1コンタクトホール（CH1）を介して第1下部電極３１０aに接続して青色光を発光させるための駆動電圧を印加することができる。第2トランジスタ２２０は、第2コンタクトホール（CH2）を介して第2下部電極３１０bに接続して青色光を発光させるための駆動電圧を印加することができる。
【００３７】
第1トランジスタ２１０および第2トランジスタ２２０は、異なる層に形成することができる。図２に示すように、第2トランジスタ２２０は、基板１００との距離が第1トランジスタ２１０よりも小さいことがあり得るが、必ずしもこれに限定されない。一例として、第2トランジスタ２２０を、基板１００上に形成した後、第1トランジスタ２１０を形成することができる。
【００３８】
他の例として、第2トランジスタ２２０は、基板１００との距離が第1トランジスタ２１０よりも大きいことがあり得る。一例として、第1トランジスタ２１０を、基板１００上に形成した後、第2トランジスタ２２０を形成することができる。
【００３９】
また他の例として、第1トランジスタ２１０および第2トランジスタ２２０は、同一層に形成することができる。
【００４０】
超高解像度を実現するために、サブ画素（RP、GP、BP）の大きさは小さくなり、サブ画素（RP、GP、BP）間の間隔も減少し得る。このような場合、表示装置は、第1トランジスタ２１０および第2トランジスタ２２０間に漏洩（leakage）が発生し得る。本発明の一実施例に係る表示装置は、第1トランジスタ２１０および第2トランジスタ２２０を互いに別の層に形成することにより、第1トランジスタ２１０および第2トランジスタ２２０間に漏洩（leakage）が発生することを防止することができる。
【００４１】
回路素子層２００には、上面を覆うエッチング防止層２３０をさらに形成することができる。エッチング防止層２３０は、回路素子層２００が形成された後の工程でエッチング液によってゲートライン、データラインおよびトランジスタ２１０、２２０が損傷することを防止する。
【００４２】
低屈折構造物３４０は、回路素子層２００上に形成される。低屈折構造物３４０は、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）に配置され、第2モード画素（RP2、GP2、BP2）には配置されない。
【００４３】
低屈折構造物３４０は、第1幅（W3）を有する第1低屈折構造物３４２および第1幅（W3）よりも広い第2幅（W4）を有する第2低屈折構造物３４４を含む。第1低屈折構造物３４２は、回路素子層２００上に第1幅（W3）を有するように形成される。第2低屈折構造物３４４は、第1低屈折構造物３４２上に第2幅（W4）を有するように形成される。第2低屈折構造物３４４の第2幅（W4）が第1低屈折構造物３４２の第1幅（W3）よりも小さいので、低屈折構造物３４０は、アンダーカット（UNDER CUT）構造を有するようになる。
【００４４】
このような第1低屈折構造物３４２および第2低屈折構造物３４４は、発光層３２０よりも小さい屈折率、例えば、1.7よりも小さい屈折率を有する絶縁物質からなり得る。第1低屈折構造物３４２および第2低屈折構造物３４４のそれぞれは、無機膜、例えば、シリコン酸化膜（SiOx）またはシリコン酸化窒化膜（SiON）のいずれか1つで形成することができるが、必ずしもこれに限定されない。
【００４５】
下部電極３１０は、回路素子層２００および低屈折構造物３４０上に形成される。下部電極３１０は、サブ画素（RP、GP、BP）別に形成され、表示装置の陽極（Anode）として機能することができる。本発明の一実施例に係る下部電極３１０は、別途のマスクを使用せずに、複数のサブ画素（RP、GP、BP）に一括して蒸着することができる。ここで、下部電極３１０は、低屈折構造物３４０によって自己整列（self-align）し、サブ画素（RP、GP、BP）別に形成することができる。
【００４６】
また、サブ画素（RP、GP、BP）のそれぞれに形成された下部電極３１０は、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）に配置された第1下部電極３１０aおよび第2モード画素（RP2、GP2、BP2）に配置された第2下部電極３１０bを含む。
【００４７】
第1下部電極３１０aおよび第2下部電極３１０bは、互いに異なる層に形成され、それぞれ第1トランジスタ２１０および第2トランジスタ２２０に接続する。
【００４８】
より詳細には、第1下部電極３１０aは、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）に形成された第2低屈折構造物３４４上に設けられ、第2低屈折構造物３４４および第1低屈折構造物３４２を貫通する第1コンタクトホール（CH1）を介して第1トランジスタ２１０と接続する。
【００４９】
第2下部電極３１０bは、低屈折構造物３４０が形成されない第2モード画素（RP2、GP2、BP2）に設けられ、第2コンタクトホール（CH2）を介して第2トランジスタ２２０と接続する。ここで、第2下部電極３１０bは、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）に形成された第1低屈折構造物３４２の側から離隔して設けられる。
【００５０】
本発明の一実施例に係る表示装置は、上部発光方式で形成することができる。したがって、第1下部電極３１０aおよび第2下部電極３１０bは、発光層３２０で発光した光を上部に向かって反射させるための反射物質を含んで成り得る。この場合には、第1下部電極３１０aおよび第2下部電極３１０bのそれぞれは、透明な導電物質と反射物質の積層構造、一例として、アルミニウム、チタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとITOの積層構造（ITO/Al/ITO）、APC合金、およびAPC合金とITOの積層構造（ITO/APC/ITO）のような反射率の高い金属物質を含んで形成することができる。APC合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pb）、および銅（Cu）の合金である。
【００５１】
第1下部電極３１０aおよび第2下部電極３１０bは、同時に形成することができる。本発明の一実施例に係る表示装置は、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）に低屈折構造物３４０を形成する。ここで、低屈折構造物３４０は、下部に配置された第1低屈折構造物３４２が上部に配置された第2低屈折構造物３４４よりも幅が小さく形成されてアンダーカット構造を有するようになる。このような低屈折構造物３４０が形成された基板１００上に下部電極３１０を形成する物質を蒸着すると、低屈折構造物３４０上に第1下部電極３１０aが形成され、低屈折構造物３４０が形成されない回路素子層２００上には第2下部電極３１０bが形成される。ここで、第1下部電極３１０aおよび第2下部電極３１０bは、互いに離隔して形成されるため、電気的に接続しない。
【００５２】
本発明の一実施例に係る表示装置は、アンダーカット構造を有する低屈折構造物３４０を用いて、別途のパターン工程なしに、第1下部電極３１０aおよび第2下部電極３１０bを自己整列（self-align）させながら同時に形成することができる。これにより、本発明の一実施例に係る表示装置は、製造工程が単純で、製造コストを削減することができる。
【００５３】
第1絶縁膜３５２は、第1下部電極３１０aの両端を覆いながら、第1下部電極３１０aの一部を露出させるように形成することができる。第1絶縁膜３５２は、第1下部電極３１０aの両端に電流が集中して発光効率が低下することを防止することができる。
【００５４】
また、第1絶縁膜３５２は、第1下部電極３１０aの両端だけでなく、第2低屈折構造物３４４の側壁にも形成することができる。第1絶縁膜３５２は、第2発光層３２０bから発光した光が低屈折構造物３４４の側壁に向かって入射すると、入射した光を反射させて、カラーフィルタ４００に送ることができる。
【００５５】
このような第1絶縁膜３５２は、発光層３２０よりも小さい屈折率、例えば、1.7よりも小さい屈折率を有する絶縁物質からなり得る。第1絶縁膜３５２は、無機膜、例えば、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン酸化窒化膜（SiON）、またはそれらの多重膜で形成することができるが、必ずしもこれに限定されない。
【００５６】
第2絶縁膜３５４は、第2下部電極３１０bの両端を覆いながら、第2下部電極３１０bの一部を露出させるように形成することができる。第2絶縁膜３５４は、第2下部電極３１０bの両端に電流が集中して発光効率が低下することを防止することができる。このような第2絶縁膜３５４は、無機膜、例えば、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン酸化窒化膜（SiON）、またはそれらの多重膜で形成することができるが、必ずしもこれに限定されない。第1絶縁膜３５２および第2絶縁膜３５４は、同時に形成することができる。
【００５７】
第1ブラックマトリックス（BM1）は、第1下部電極３１０aと低屈折構造物３４０との間に形成することができる。第1ブラックマトリックス（BM1）は、第2発光層３２０bから発光した光が第1下部電極３１０aに向かって入射すると、入射した光を吸収して、第1方向（X軸方向）に伝達することを防止することができる。第1ブラックマトリックス（BM1）は、ブラック顔料を含む有機膜で形成することができるが、これに限定されない。
【００５８】
発光層３２０は、下部電極３１０上に形成される。発光層３２０は、正孔輸送層（hole transporting layer）、発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。この場合、下部電極３１０と上部電極３３０に電圧が印加されると正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動することになり、発光層で互いに結合して発光することになる。
【００５９】
発光層３２０は、白色光を発光する白色発光層であり得る。この場合、発光層３２０は、サブ画素（RP、GP、BP）に共通して形成される共通層であり得る。
【００６０】
発光層３２０が白色発光層である場合には、2スタック（stack）以上のタンデム構造で形成することができる。スタックはそれぞれ、正孔輸送層（hole transporting layer）、少なくとも一つの発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。
【００６１】
また、スタックの間には、電荷発生層が形成され得る。電荷発生層は、下部スタックと隣接して位置するn型電荷発生層とn型電荷発生層上に形成されて上部スタックと隣接して位置するp型電荷発生層を含むことができる。n型電荷発生層は、下部スタックに電子（electron）を注入し、p型電荷発生層は、上部スタックに正孔（hole）を注入する。n型電荷発生層は、Li、Na、K、またはCsなどのアルカリ金属、またはMg、Sr、Ba、またはRaなどのアルカリ土類金属でドープされた有機層からなり得る。p型電荷発生層は、正孔輸送能力を有する有機物質にドーパントをドーピングして形成することができる。
【００６２】
このような発光層３２０は、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）に配置された第1発光層３２０aおよび第2モード画素（RP2、GP2、BP2）に配置された第2発光層３２０bを含む。
【００６３】
第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bは、異なる層に形成され、駆動モードに応じて発光する。
【００６４】
より詳細には、第1発光層３２０aは、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）に形成された第1下部電極３１０a上に設けられる。駆動モードが通常モードのとき、第1発光層３２０aは、第1下部電極３１０aおよび第1上部電極３３０aに電圧が印加されて発光することになる。
【００６５】
第2発光層３２０bは、第2モード画素（RP2、GP2、BP2）に形成された第2下部電極３１０b上に設けられる。駆動モードが保安モードのとき、第2発光層３２０bは、第2下部電極３１０bおよび第2上部電極３３０bに電圧が印加されて発光することになる。
【００６６】
第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bは、同時に形成することができる。本発明の一実施例に係る表示装置は、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）に低屈折構造物３４０を形成する。ここで、低屈折構造物３４０は、下部に配置された第1低屈折構造物３４２が上部に配置された第2低屈折構造物３４４よりも幅が小さく形成されてアンダーカット構造を有するようになる。このような低屈折構造物３４０が形成された基板１００上に発光層３２０を形成する物質を蒸着すると、低屈折構造物３４０上に配置された第1下部電極３１０a上に第1発光層３２０aが形成され、低屈折構造物３４０が形成されない回路素子層２００上に配置された第2下部電極３１０b上には、第2発光層３２０bが形成される。ここで、第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bは、互いに離隔して形成することができる。
【００６７】
発光層３２０が共通層として白色光を発光する白色発光層であり得る。発光層３２０が白色発光層である場合には、2スタック（stack）以上のタンデム構造で形成することができる。このような白色発光層は、第1スタックと第2スタックの間に設けられた電荷発生層（Charge generation layer;CGL）によって隣接するサブ画素間で電荷が移動して漏洩電流が発生する可能性がある。
【００６８】
本発明の一実施例に係る表示装置は、発光層３２０を白色発光層で形成しても、第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bが互いに離隔して形成されているので、第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０b間に電荷が移動することができない。これにより、本発明の一実施例に係る表示装置は、第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bの間に漏洩電流が発生しない。
【００６９】
また、本発明の一実施例に係る表示装置は、一つのサブ画素の第1発光層３２０aと、他のサブ画素の第2発光層３２０bが互いに離隔形成されているので、サブ画素（RP、GP、BP）間に電荷が移動することができない。これにより、本発明の一実施例に係る表示装置は、サブ画素（RP、GP、BP）間に漏洩電流が発生しない。
【００７０】
これにより、本発明の一実施例に係る表示装置は、駆動モード間の干渉なしに駆動することができる。第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bが分離されていなければ、表示装置は、通常モードで駆動時、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）はもちろん、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）と隣接する第2モード画素（RP2、GP2、BP2）の端の領域でも発光が起こり得る。また、表示装置は、保安モードで駆動時、第2モード画素（RP2、GP2、BP2）はもちろん、第2モード画素（RP2、GP2、BP2）と隣接する第1モード画素（RP1、GP1、BP1）の端の領域でも発光が起こり得る。本発明の一実施例に係る表示装置は、第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bが分離されるように形成することにより、駆動モード間の干渉なしに駆動することができる。
【００７１】
また、本発明の一実施例に係る表示装置は、アンダーカット構造を有する低屈折構造物３４０を用いて、別途のパターン工程なしに、第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bを自己整列（self-align）させながら、同時に形成することができる。これにより、本発明の一実施例に係る表示装置は、製造工程が単純で、製造コストを削減することができる。
【００７２】
上部電極３３０は、発光層３２０上に形成される。上部電極３３０は、サブ画素（RP、GP、BP）に共通して形成される共通層であり得、表示装置の陰極（Cathode）として機能することができる。
【００７３】
また、上部電極３３０は、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）に配置された第1上部電極３３０a、第2モード画素（RP2、GP2、BP2）に配置された第2上部電極３３０b、および第1上部電極３３０aと第2上部電極３３０bを接続させる第3上部電極３３０cを含む。つまり、上部電極３３０は、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）、第2モード画素（RP2、GP2、BP2）および、それらの間の境界領域にも形成される。
【００７４】
本発明の一実施例に係る表示装置は、上部発光方式で形成され得る。したがって、第1上部電極３３０a、第2上部電極３３０b、および第3上部電極３３０cは、発光層３２０で発光した光を上部に向かって透過させるために透明な導電物質を含んで形成することができる。また、第1上部電極３３０a、第2上部電極３３０b、および第3上部電極３３０cは、半透明導電性物質を含んで形成することにより、マイクロキャビティ（Micro Cavity）効果を得ることができるようにすることができる。このような第1上部電極３３０a、第2上部電極３３０b、および第3上部電極３３０cは、ITO、IZOのような透明な金属物質（TCO,Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成することができる。
【００７５】
封止層３６０は、上部電極３３０上に形成される。封止層３６０は、上部電極３３０を覆うように形成され、発光層３２０と上部電極３３０に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。このため、封止層３６０は、少なくとも一つの無機膜と、少なくとも一つの有機膜を含むことができる。詳細には、封止層３６０は、第1無機膜３６２および、有機膜３６４を含むことができる。
【００７６】
第1無機膜３６２は、第1上部電極３３０a、第2上部電極３３０b、および第3上部電極３３０cを覆うように形成される。第1無機膜３６２は、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成することができる。第1無機膜３６２は、CVD（Chemical Vapor Deposition）法またはALD（Atomic Layer Deposition）法で蒸着することができるが、これらに限定されるものではない。
【００７７】
有機膜３６４は、第1無機膜３６２上に形成され、異物（particles）が第1無機膜３６２を貫通して発光層３２０と上部電極３３０に投入されることを防止することができる。また、有機膜３６４は、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）および第2モード画素（RP2、GP2、BP2）間の段差を埋めて平坦化することができる。有機膜３６４は、発光層３２０よりも大きい屈折率、例えば、1.7よりも大きな屈折率を有する有機絶縁物質からなり得る。
【００７８】
図に示していないが、封止層３６０は、有機膜３６４上に形成された第2無機膜（未図示）をさらに含むことができる。
【００７９】
第2ブラックマトリックス（BM2）は、第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）間の境界領域に形成される。第2ブラックマトリックス（BM2）は、第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）間に混色が発生するのを防止することができる。
【００８０】
また、第2ブラックマトリックス（BM2）は、第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）それぞれで、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）と第2モード画素（RP2、GP2、BP2）間の境界領域に形成される。第2ブラックマトリックス（BM2）は、保安モードで駆動時、第2モード画素（RP2、GP2、BP2）の視野角が広くなることを防止することができる。
【００８１】
図２は、第2ブラックマトリックス（BM2）が第1モード画素（RP1、GP1、BP1）と第2モード画素（RP2、GP2、BP2）間の境界領域にも形成される例を示しているが、必ずしもこれに限定されない。他の一実施例において、第2ブラックマトリックス（BM2）は、図４に示すように、第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）間の境界領域にのみ形成することもできる。
【００８２】
また、図２は、第2ブラックマトリックス（BM2）が封止層３６０を構成する第1無機膜３６２と有機膜３６４間に形成される例を示しているが、必ずしもこれに限定されない。他の一実施例において、第2ブラックマトリックス（BM2）は、封止層３６０とカラーフィルタ４００との間に形成することもできる。
【００８３】
このような第2ブラックマトリックス（BM2）は、ブラック顔料を含む有機膜で形成することができるが、これに限定されない。
【００８４】
カラーフィルタ４００は、封止層３６０上に形成することができる。カラーフィルタ４００は、第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）それぞれに対応するように配置される。例えば、赤色カラーフィルタ（RF）は、第1サブ画素（RP）に対応するように配置され、緑色カラーフィルタ（GF）は、第2サブ画素（GP）に対応するように配置され、青色カラーフィルタ（BF）第3サブ画素（BP）に対応するように配置することができる。
【００８５】
一方、図２では、カラーフィルタ４００が、有機膜３６４によって平坦化された表面上に配置される例を示しているが、これに限定されない。他の一実施例に係る表示装置は、有機膜３６４を省略することもできる。ここで、カラーフィルタ４００は、第1無機膜３６２上に配置され、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）および第2モード画素（RP2、GP2、BP2）間に段差に沿って形成することができる。
【００８６】
図に示してはいないが、カラーフィルタ４００上に保護フィルムを追加で設けることができる。
【００８７】
本発明の一実施例に係る表示装置は、サブ画素（RP、GP、BP）それぞれに第1視野角を有する第1モード画素（RP1、GP1、BP1）および第1視野角よりも狭い第2視野角を有する第2モード画素（RP2、GP2、BP2）を含むことを特徴とする。
【００８８】
これにより、本発明の一実施例に係る表示装置は、別途の保安フィルムを貼ることなく、使用者の選択によって通常モードまたは保安モードで映像を表示することができる。
【００８９】
また、本発明の一実施例に係る表示装置は、一つのサブ画素に第1モード画素および第2モード画素の両方を含んでいるので、通常モードまたは保安モードで駆動しても駆動するサブ画素の全体数は同一である。これにより、本発明の一実施例に係る表示装置は、通常モードまたは保安モードを選択して駆動しても解像度が減少せずに維持することができる。
【００９０】
また、本発明の一実施例に係る表示装置は、低屈折構造物３４０を用いて、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）の第1発光素子と第2モード画素（RP2、GP2 、BP2）の第2発光素子の間に段差を有するように形成することを特徴とする。
【００９１】
本発明は、低屈折構造物３４０上に第1下部電極３１０a、第1発光層３２０a、第1上部電極３３０aを積層して第1発光素子を形成する。そして、本発明は、低屈折構造物３４０が形成されない回路素子層２００上に第2下部電極３１０b、第2発光層３２０b、第2上部電極３３０bを積層して第2発光素子を形成する。このように形成された第1発光素子および第2発光素子は、段差を有する。そして、第1発光素子は、上部に配置されて広い視野角の映像を表示し、第2発光素子は下部に配置されて狭い視野角の映像を表示する。
【００９２】
本発明の一実施例に係る表示装置は、第1発光素子および第2発光素子を上下部構造に配置することにより、第1発光素子および第2発光素子間の間隔を減らすことができる。これにより、本発明の一実施例に係る表示装置は、開口率を向上させることができる。
【００９３】
また、本発明の一実施例に係る表示装置は、アンダーカット構造を有する低屈折構造物３４０を用いて、別途のパターン工程なしに第1発光素子の第1下部電極３１０aおよび第2発光素子の第2下部電極３１０bを同時に形成することができる。
【００９４】
また、本発明の一実施例に係る表示装置は、アンダーカット構造を有する低屈折構造物３４０を用いて、別途のパターン工程なしに第1発光素子の第1発光層３２０aおよび第2発光素子の第2発光層３２０bを同時に形成することができる。これにより、本発明の一実施例に係る表示装置は、製造工程が単純で、製造コストを削減することができる。
【００９５】
また、本発明の一実施例に係る表示装置は、前述したように、アンダーカット構造を有する低屈折構造物３４０を用いて、第1発光素子の第1発光層３２０aおよび第2発光素子の第2発光層３２０bを形成する。ここで、第2発光層３２０bの両側には、図２に示すように、エアギャップ（Air Gap,AG）が形成される。エアギャップ（AG）は、第2発光層３２０bより屈折率が小さいので、本発明の一実施例に係る表示装置は、第2発光層３２０bで両側に発光した光が、エアギャップ（AG）と第2発光層３２０bの界面で反射して前方にガイドされ得る。
【００９６】
また、本発明の一実施例に係る表示装置は、低屈折構造物３４０と、第1下部電極３１０aとの間に第1ブラックマトリックス（BM1）を配置する。これにより、本発明の一実施例に係る表示装置は、第2発光層３２０bから発光した光が第1方向（X軸方向）に伝達されることを防止することができる。
【００９７】
また、本発明の一実施例に係る表示装置は、低屈折構造物３４０の側壁に発光層３２０よりも小さい屈折率を有する第1絶縁膜３５２を形成することにより、第2発光層３２０bで発光した光を低屈折構造物３４４の側壁に反射させて前方にガイドすることができる。
【００９８】
図３は、図１のI-Iの第2例を示す断面図である。
【００９９】
図３を参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置は、基板１００、回路素子層２００、下部電極３１０、発光層３２０、上部電極３３０、低屈折構造物３４０、第1絶縁膜３５２、第2絶縁膜３５４、封止層３６０、第1ブラックマトリックス（BM1）、第2ブラックマトリックス（BM2）およびカラーフィルタ４００を含む。
【０１００】
図３に示した基板１００、回路素子層２００、下部電極３１０、上部電極３３０、低屈折構造物３４０、第1絶縁膜３５２、第2絶縁膜３５４、封止層３６０、第1ブラックマトリックス（BM1）、第2ブラックマトリックス（BM2）およびカラーフィルタ４００は、図２に示した構成と実質的に同一である。そこで、同一の構成に対する詳細な説明は省略する。
【０１０１】
図３に示した発光層３２０は、下部電極３１０上に形成される。発光層３２０は、白色光を発光する白色発光層であり得る。この場合、発光層３２０は、サブ画素（RP、GP、BP）に共通して形成される共通層であり得る。
【０１０２】
発光層３２０は、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）に配置された第1発光層３２０aおよび第2モード画素（RP2、GP2、BP2）に配置された第2発光層３２０bを含む。
【０１０３】
第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bは、互いに異なる位置に形成され、駆動モードによって発光する。
【０１０４】
より詳細には、第1発光層３２０aは、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）に形成された第1下部電極３１０a上に設けられる。駆動モードが通常モードの時、第1発光層３２０aは、第1下部電極３１０aおよび第1上部電極３３０aに電圧が印加されて発光することになる。
【０１０５】
第2発光層３２０bは、第2モード画素（RP2、GP2、BP2）に形成された第2下部電極３１０b上に設けられる。駆動モードが保安モードの時、第2発光層３２０bは、第2下部電極３１０bおよび第2上部電極３３０bに電圧が印加されて発光することになる。
【０１０６】
第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bは、同時に形成することができる。本発明の一実施例に係る表示装置は、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）に低屈折構造物３４０を形成する。ここで、低屈折構造物３４０は、下部に配置された第1低屈折構造物３４２が上部に配置された第2低屈折構造物３４４よりも幅を小さく形成する。これにより、低屈折構造物３４０は、第2低屈折構造物３４４の下面の一部が第1低屈折構造物３４２と重畳し、第2低屈折構造物３４４の下面の残りが第1低屈折構造物３４２と重畳しないで露出したアンダーカット構造を有するようになる。このような低屈折構造物３４０が形成された基板１００上に発光層３２０を形成する物質を蒸着すると、低屈折構造物３４０上に配置された第1下部電極３１０a上には第1発光層３２０aが形成され、低屈折構造物３４０が形成されない回路素子層２００上に配置された第2下部電極３１０b上には、第2発光層３２０bが形成される。
【０１０７】
ここで、低屈折構造物３４０が形成された基板１００上に蒸着する発光層３２０の厚さは、上部電極３３０が短絡しないように選択することができる。
【０１０８】
発光層３２０の厚さを薄く形成すると、第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bは、互いに分離されて駆動モード間の干渉なしに駆動が可能であるという長所がある。しかし、第2低屈折構造物３４４と第2発光層３２０b間の離隔距離が大きくなるので、第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０b上に蒸着される上部電極３３０の短絡が起こり得る。
【０１０９】
上部電極３３０が短絡することを防止するために、第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bは、適正な厚さを有するように形成することができる。発光層３２０は、図３に示すように、製造工程の誤差により、第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０b以外に、第2低屈折構造物３４４の両側に第3発光層３２０cがさらに形成され得る。
【０１１０】
ここで、第3発光層３２０cの厚さ（W7）は、第1発光層３２０aの厚さ（W5）および第2発光層３２０bの厚さ（W6）より薄く形成される。本発明の一実施例に係る表示装置は、第3発光層３２０cの厚さ（W7）が第1発光層３２０aの厚さ（W5）および第2発光層３２０bの厚さ（W6）より薄く形成されるので、第3発光層３２０cの抵抗が高くなる。これにより、本発明は、第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bが、互いに影響を受けることを最小限に抑えることができる。また、本発明は、発光層３２０を介して漏洩電流により隣接するサブ画素が影響を受けることを最小限に抑えることができる。
【０１１１】
図５は、サブ画素の配置構造の一例を概略的に示す平面図であり、図６は、サブ画素の配置構造の他の例を概略的に示す平面図である。
【０１１２】
画素は、第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）を含む。第1サブ画素（RP）は、赤色（R）光を放出し、第2サブ画素（GP）は、緑色（G）光を放出し、第3サブ画素（BP）は、青色（B）光を放出するように設けることができる。
【０１１３】
第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）のそれぞれは、図５に示すように、第1方向（X軸方向）に、他の色の光を放出するサブ画素が配置され、第2方向（Y軸方向）に同じ色の光を放出するサブ画素を配置することができる。
【０１１４】
または、第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）のそれぞれは、図６に示すように、第1方向（X軸方向）に、他の色の光を放出するサブ画素を配置し、第2方向（Y軸方向）にも、他の色の光を放出するサブ画素を配置することができる。
【０１１５】
一方、第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）のそれぞれは、第1視野角を有する第1モード画素（RP1、GP1、BP1）および第1視野角より小さな第2視野角を有する第2モード画素（RP2、GP2、BP2）を含む。第1モード画素（RP1、GP1、BP1）は、通常モードで駆動して、第1視野角を有する映像を表示する。第2モード画素（RP2、GP2、BP2）は、保安モードで駆動して、第1視野角よりも狭い第2視野角を有する映像を表示する。
【０１１６】
第1モード画素（RP1、GP1、BP1）のそれぞれは、図５および図６に示すように、第1方向（X軸方向）に第2モード画素（RP2、GP2、BP2）が配置され、第2方向（Y軸方向）にも第2モード画素（RP2、GP2、BP2）を配置することができる。
【０１１７】
すなわち、本発明の一実施例に係る表示装置は、第1方向（X軸方向）に沿って、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）と第2モード画素（RP2、GP2、BP2）が交互に配置され、第2方向（Y軸方向）に沿って、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）と第2モード画素（RP2、GP2、BP2）を交互に配置することができる。
【０１１８】
図７は、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。図８A〜図８Ｌは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【０１１９】
まず、基板１００上に回路素子層２００を形成する（S701）。
【０１２０】
より詳細には、図８Ａに示すように、基板１００上に第2トランジスタ２２０を形成する。そして、第2トランジスタ２２０が形成された基板１００上に第1トランジスタ２１０を形成する。
【０１２１】
そして、図８Ｂに示すように、第1トランジスタ２１０および第2トランジスタ２２０上にエッチング防止層２３０を形成し、第2トランジスタ２２０の一部を露出させる第2コンタクトホール（CH2）を形成する。
【０１２２】
その後、回路素子層２００上に低屈折構造物３４０を形成する（S702）。
【０１２３】
より詳細には、図８Ｃに示すように、回路素子層２００上に第1低屈折構造物３４２をなす第1低屈折物質を形成し、第1低屈折物質の上に第2低屈折構造物３４４をなす第2低屈折物質を形成する。そして、第2低屈折物質の上に第1ブラックマトリックス（BM1）をなす物質を形成する。
【０１２４】
第1低屈折物質と第2低屈折物質のそれぞれは無機膜、例えば、シリコン酸化膜（SiOx）またはシリコン酸化窒化膜（SiON）のいずれか1つで形成することができるが、必ずしもこれに限定されない。
【０１２５】
ここで、第1低屈折物質と第2低屈折物質は、エッチング抵抗性が異なる物質であり得る。第1低屈折物質は、同じエッチング液に対して第2低屈折物質よりもエッチング速度が速いことがあり得る。
【０１２６】
そして、図８Ｄに示すように、第1低屈折物質および第2低屈折物質を第2モード画素（RP2、GP2、BP2）から除去してパターンを形成し、第1低屈折物質および第2低屈折物質を貫通して第1トランジスタ２１０の一部を露出させる第1コンタクトホール（CH1）を形成する。
【０１２７】
そして、図８Ｅに示すように、パターン形成された第1低屈折物質および第2低屈折物質を湿式エッチングして第1低屈折構造物３４２および第2低屈折構造物３４４を形成する。ここで、第1低屈折構造物３４２は、第1低屈折物質が同じエッチング液に対して第2低屈折物質よりもエッチング速度が速いため、第2低屈折構造物３４４よりも小さい幅を有するように形成される。これにより、アンダーカット構造を有する低屈折構造物３４０が形成される。
【０１２８】
次に、低屈折構造物３４０および回路素子層２００上に下部電極３１０、発光層３２０および上部電極３３０を形成する（S703）。
【０１２９】
より詳細には、図８Ｆに示すように低屈折構造物３４０および回路素子層２００が形成された基板１００上に下部電極３１０を蒸着する。下部電極３１０は、透明な導電物質と反射物質の積層構造、一例として、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとITOの積層構造（ITO/Al/ITO）、APC合金、およびAPC合金とITOの積層構造（ITO/APC/ITO）のような反射率の高い金属物質を含んで形成することができる。APC合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pb）、および銅（Cu）の合金である。
【０１３０】
ここで、低屈折構造物３４０上には第1下部電極３１０aが形成され、低屈折構造物３４０が形成されずに露出した回路素子層２００上には第2下部電極３１０bが形成される。
【０１３１】
このように、本発明の一実施例に係る表示装置は、低屈折構造物３４０を用いて、別途のパターン工程なしに、第1下部電極３１０aおよび第2下部電極３１０bを同時に形成することができる。
【０１３２】
そして、図８Ｇに示すように下部電極３１０上に第1絶縁膜３５２および第2絶縁膜３５４を形成する。詳細には、下部電極３１０上に絶縁物質を形成する。絶縁物質は、無機膜、例えば、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン酸化窒化膜（SiON）、またはそれらの多重膜で形成することができるが、必ずしもこれに限定されない。そして、第1下部電極３１０aの両端および第2低屈折構造物３４４の側壁を覆いながら、第1下部電極３１０aの一部を露出させるようにパターンして、第1絶縁膜３５２を形成する。また、第2下部電極３１０bの両端を覆いながら、第2下部電極３１０bの一部を露出させるようにパターンして、第2絶縁膜３５４を形成する。
【０１３３】
そして、図８Ｈのように下部電極３１０上に発光層３２０を形成する。発光層３２０は、蒸着工程または溶液工程で形成することができる。発光層３２０が蒸着工程で形成される場合には、蒸発蒸着法（Evaporation）を用いて形成することができる。
【０１３４】
発光層３２０は、白色光を発光する白色発光層であり得る。この場合、発光層３２０は、サブ画素（RP、GP、BP）に共通して形成される共通層であり得る。
【０１３５】
発光層３２０が白色発光層である場合、2スタック（stack）以上のタンデム構造で形成することができる。スタックのそれぞれは、正孔輸送層（hole transporting layer）、少なくとも一つの発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。
【０１３６】
また、スタック間には、電荷発生層を形成することができる。電荷発生層は、下部スタックと隣接して位置するn型電荷発生層とn型電荷発生層上に形成されて上部スタックと隣接して位置するp型電荷発生層を含むことができる。n型電荷発生層は、下部スタックに電子（electron）を注入し、p型電荷発生層は、上部スタックに正孔（hole）を注入する。n型電荷発生層は、Li、Na、K、またはCsなどのアルカリ金属、またはMg、Sr、Ba、またはRaのようなアルカリ土類金属でドープされた有機層からなり得る。p型電荷発生層は、正孔輸送能力を有する有機物質にドーパントをドーピングして形成することができる。
【０１３７】
ここで、第1下部電極３１０a上には第1発光層３２０aが形成され、第2下部電極３１０b上には第2発光層３２０bが形成される。
【０１３８】
このように、本発明の一実施例に係る表示装置は、低屈折構造物３４０を用いて、別途のパターン工程なしに、第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０bを自己整列（self-align ）させながら、同時に形成することができる。
【０１３９】
そして、図８Ｈのように発光層３２０上に上部電極３３０を形成する。上部電極３３０は、ITO、IZOのような透明な金属物質（TCO,Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成することができる。
【０１４０】
上部電極３３０は、スパッタリング法（sputtering）のような物理的な気相蒸着法（physics vapor deposition）で形成することができる。スパッタリング法のような物理的な気相蒸着法で形成された膜は、ステップカバレッジ（step coverage）特性が優れている。
【０１４１】
上部電極３３０は、第1発光層３２０aおよび第2発光層３２０b上にはもちろん、第2低屈折構造物３４４の側壁上にも形成することができる。すなわち、第1発光層３２０a上には第1上部電極３３０aが形成され、第2発光層３２０b上には第2上部電極３３０bが形成され、第1上部電極３３０aと第2上部電極３３０bを接続させる第3上部電極３３０cが形成される。
【０１４２】
次に、上部電極３３０上に封止層３６０および第2ブラックマトリックス（BM2）を形成する（S704）。
【０１４３】
より詳細には、図８Ｉに示すように、上部電極３３０上に封止層３６０を構成する第1無機膜３６２が形成される。ここで、第1無機膜３６２は、第1上部電極３３０a、第2上部電極３３０b、および第3上部電極３３０cを覆うように形成され、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成することができる。第1無機膜３６２は、CVD（Chemical Vapor Deposition）法またはALD（Atomic Layer Deposition）法で蒸着することができるが、これらに限定されるものではない。
【０１４４】
そして、図８Ｊに示すように、第1無機膜３６２上に第2ブラックマトリックス（BM2）が形成される。第2ブラックマトリックス（BM2）は、第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）間の境界領域に形成される。また、第2ブラックマトリックス（BM2）は、第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）それぞれで、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）と第2モード画素（RP2、GP2、BP2）との間の境界領域に形成される。第2ブラックマトリックス（BM2）は、ブラック顔料を含む有機膜で形成することができるが、これに限定されない。
【０１４５】
そして、図８Ｋに示すように、第1無機膜３６２上に有機膜３６４が形成される。有機膜３６４は、第1モード画素（RP1、GP1、BP1）の第1発光素子および第2モード画素（RP2、GP2、BP2）の第2発光素子間の段差を埋めて平坦化させることができる。
【０１４６】
次に、封止層３６０および第2ブラックマトリックス（BM2）上にカラーフィルタ４００を形成する（S705）。
【０１４７】
詳細には、図８Ｌのように封止層３６０および第2ブラックマトリックス（BM2）上にカラーフィルタ４００が形成される。カラーフィルタ４００は、第1サブ画素（RP）、第2サブ画素（GP）および第3サブ画素（BP）それぞれに対応するように配置される。例えば、赤色カラーフィルタ（RF）は、第1サブ画素（RP）に対応するように配置され、緑色カラーフィルタ（GF）は、第2サブ画素（GP）に対応するように配置され、青色カラーフィルタ（BF）は、第3サブ画素（BP）に対応するように配置することができる。図に示していないが、カラーフィルタ４００上に封止フィルムを付着することができる。
【０１４８】
以上、添付した図を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例で限定されるわけではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施することができる。したがって、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈されなければならず、その同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【符号の説明】
【０１４９】
１００：基板
２００：回路素子層
３１０：下部電極
３２０：発光層
３３０：上部電極
３４０：低屈折構造物
３５２：第１絶縁膜
３５４：第２絶縁膜
３６０：封止層
４００：カラーフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図８Ｇ】
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【図８Ｈ】
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【図８Ｉ】
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【図８Ｊ】
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【図８Ｋ】
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【図８Ｌ】
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