(57)【要約】      （修正有）【課題】磁石の回転中心とホール素子の中心とがずれていても正確な角度を検知することが可能な非接触角度センサを提供する。【解決手段】円柱状の磁石１６は、被測定体１７により回転され、Ｓ極とＮ極を含む。基板１２は、磁石１６が貫通される。ホール素子１４は、基板１２の磁石１６の中心からずれた位置に配置される。演算部は、磁石１６の中心とホール素子１４の中心が一致するように、ホール素子１４の磁石１６からのオフセットを較正する。【選択図】図２
2020153813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定体により回転され、Ｓ極とＮ極を含む円柱状の磁石と、
前記磁石が貫通された基板と、
前記基板の前記磁石の中心からずれた位置に配置されたホール素子と、
前記磁石の中心と前記ホール素子の中心が一致するように、前記ホール素子の前記磁石からのオフセットを較正する演算部と、
を具備することを特徴とする非接触角度センサ。
【請求項２】
前記演算部は、初期情報としての前記オフセットが較正された前記磁石の位置情報と、前記ホール素子により検出された前記磁石の位置情報とが不一致である場合、検出された前記磁石の位置情報を補正することを特徴とする請求項１記載の非接触角度センサ。
【請求項３】
前記演算部は、初期情報としての前記オフセットが較正された前記磁石の位置情報と、前記ホール素子により検出された前記磁石の位置情報とが一致した場合、検出された前記磁石の位置情報から角度を演算することを特徴とする請求項１記載の非接触角度センサ。
【請求項４】
前記磁石は、前記Ｓ極と前記Ｎ極が半円柱状に着磁されることを特徴とする請求項１記載の非接触角度センサ。
【請求項５】
前記被測定体に接続され、前記基板を貫通し、前記磁石を保持する軸部をさらに具備することを特徴とする請求項４記載の非接触角度センサ。
【請求項６】
初期情報としての前記オフセットが較正された前記磁石の位置情報が格納された不揮発性メモリをさらに具備することを特徴とする請求項２又は３に記載の非接触角度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、非接触で回転角度を測定する所謂ポテンショメータとしての非接触角度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
非接触角度センサは、永久磁石（以下、磁石と言う）と磁気抵抗素子（以下、ホール素子と称す）とを具備し、ホール素子により永久磁石の回転角度を検出する（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特公平７−８５４４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の非接触角度センサは、回転体に設けられた磁石とホール素子の位置関係を正しく設定する必要がある。具体的には、磁石とホール素子とを正確に対向させなければ回転角度を正確に検出できない。このため、磁石の回転中心とホール素子の中心とを正確に一致させる必要がある。
【０００５】
本実施形態は、磁石の回転中心とホール素子の中心とがずれていても正確な角度を検知することが可能な非接触角度センサを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態の非接触角度センサは、被測定体により回転され、Ｓ極とＮ極を含む円柱状の磁石と、前記磁石が貫通された基板と、前記基板の前記磁石の中心からずれた位置に配置されたホール素子と、前記磁石の中心と前記ホール素子の中心が一致するように、前記ホール素子の前記磁石からのオフセットを較正する演算部と、を具備する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態に係る非接触角度センサを示す平面図。
【図２】図１のII-II線に沿った断面図。
【図３】本実施形態に係る非接触角度センサを分解して示す斜視図。
【図４】本実施形態に係る非接触角度センサの回路構成の一例を示すブロック図。
【図５】本実施形態に係る非接触角度センサの較正動作の一例を示すフローチャート。
【図６】本実施形態に係るホール素子と磁石の位置関係の一例を示す図。
【図７】図６に対応する較正動作の一例を示す図。
【図８】図６に対応する較正動作の他の例を示す図。
【図９】本実施形態に係るホール素子と磁石の位置関係の他の例を示す図。
【図１０】図９に対応する較正動作の一例を示す図。
【図１１】図９に対応する較正動作の他の例を示す図。
【図１２】本実施形態に係る非接触角度センサの角度検出動作の一例を示すフローチャート。
【図１３】角度検出時における補正動作の一例を示す図。
【図１４】角度検出時における補正動作の他の例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。図面において、同一部分には同一符号を付している。
【０００９】
（装置構成）
図１乃至図３は、本実施形態に係る非接触角度センサ１０を示している。円筒状の本体１１の内部には基板１２、及び基板１２を覆うカバー１３が設けられている。基板１２の例えば表面には、ホール素子１４や、ホール素子１４の出力信号を処理する後述する回路が設けられている。
【００１０】
図２に示すように、本体１１の内部、且つ中央部には、基板１２、及びカバー１３を貫通する軸受部１１ａが設けられている。軸受部１１a内には、回転体１５の軸部１５aが回転可能に挿入される。回転体１５には、被測定体１７が連結され、回転体１５は、被測定体１７とともに回転される。
【００１１】
回転体１５の軸部１５ａの内部には、円柱状の磁石１６が挿入され、磁石１６は、例えば図示せぬ接着剤により軸部１５ａ内に固定される。
【００１２】
図３に示すように、磁石１６は、Ｎ極とＳ極が例えば半円柱状に着磁されている。しかし、磁極形状は、半円柱状に限らず、複数のＮ極とＳ極を含む場合、扇型でもよい。軸部１５ａ内に設けられた磁石１６は、基板１２を貫通している。基板１２に設けられたホール素子１４は、磁石１６から一定の距離離れており、ホール素子１４は、磁石１６の側面において、磁束密度を検知する。
【００１３】
（回路構成）
図４は、本実施形態に係る非接触角度センサ１０の回路構成の一例を示しており、この回路構成に限定されるものではない。
【００１４】
ホール素子１４は、例えばＳからＮに変化する磁界、及びＮからＳに変化する磁界に対してそれぞれ信号を出力する両極検知タイプのホール素子である。しかし、これに限定されるものではない。ホール素子１４は、マルチプレクサ（ＭＵＸ）２１を介して差動増幅器２２に接続される。マルチプレクサ２１は、例えばホール素子１４の駆動電流や、ホール素子１４の出力電圧を切り替える。差動増幅器２２は、ホール素子１４の出力電圧を増幅する。
【００１５】
差動増幅器２２の出力電圧は、アナログデジタル変換器（ＡＤＣ）２３によりデジタル信号に変換され、信号処理部としてのデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）２４に供給される。
【００１６】
ＤＳＰ２４は、演算部としての例えばマイクロプロセッサ２５、不揮発性メモリとしてのＲＯＭ（Read Only Memory）２６、電気的に書き換えが可能な不揮発性メモリとしてのＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable ROM）２７、及び揮発性メモリとしてのＲＡＭ（Random Access Memory）２８を含んでいる。
【００１７】
ＲＯＭ２６は、ＤＳＰ２４の動作を制御するための後述するプログラム（ファームウェア）などを記憶する。
【００１８】
マイクロプロセッサ２５は、ＲＯＭ２６に記憶されたプログラムに従って、ＡＤＣ２３から供給されるデジタル信号を処理する。具体的には、マイクロプロセッサ２５は、後述するように、非接触角度センサ１０の初期設定動作としての較正動作や、磁石の位置を補正する補正動作や、回転角度の演算を実行し、測定された回転角度のデジタル信号を出力する。
【００１９】
ＥＥＰＲＯＭ２７は、ホール素子１４の後述する中心位置の情報や、磁石の回転に対応する理想的な磁束密度の情報（理想曲線と称す）などを記憶する。
【００２０】
ＲＡＭ２８は、マイクロプロセッサ２５の動作に必要な情報を一時的に記憶する。  
出力部２９は、例えば出力トランジスタなどを含み、ＤＳＰ２４（マイクロプロセッサ２５）から供給されるデジタル信号を複数ビットのデジタル角度信号として出力する。
【００２１】
ここで、情報とは、マイクロプロセッサ２５により処理されるデジタル信号を意味する。
【００２２】
（ＤＳＰ２４の動作）
図１乃至図３に示すように、ホール素子１４は、磁石１６の側面から離れた位置に配置されており、ホール素子１４の中心と磁石１６の中心（円柱状の磁石１６の軸心）は、一致していない。ホール素子１４の中心位置と磁石１６の中心位置とのずれは、角度誤差の原因となる。このため、本実施形態に係る非接触角度センサ１０は、初期設定において、ホール素子１４の中心位置と磁石１６の中心位置とのずれが較正される。
【００２３】
（較正動作）
図５乃至図１１を参照して、ＤＳＰ２４によるホール素子１４と磁石１６との位置ずれを較正する較正動作について説明する。
【００２４】
非接触角度センサ１０の製造時、ホール素子１４の中心位置（Ｘａ１、Ｙａ１）と、ホール素子１４の中心位置と磁石１６の中心位置とが一致していると仮定した場合の理想的な磁場角度と磁束密度との関係を示す２つの曲線（Ｘ軸理想曲線、Ｙ軸理想曲線）を示す情報と、が初期値としてＥＥＰＲＯＭ２７に格納される。
【００２５】
具体的には、図６に示すホール素子１４の中心位置（Ｘａ１、Ｙａ１）と、磁石１６の中心位置がホール素子１４の中心位置（Ｘａ１、Ｙａ１）とが一致していると仮定した場合におけるＸ軸理想曲線、及びＹ軸理想曲線の情報がＥＥＰＲＯＭ２７に格納されている。
【００２６】
図６に示す例は、本実施形態を模式的に示しており、磁石１６の中心は、ホール素子１４の中心位置（Ｘａ１、Ｙａ１）から予め定められた位置（Ｘａ２、Ｙａ２）に配置されている。また、磁石１６は、磁石１６の中心に対して均等にＮ極とＳ極が着磁された場合を示している。
【００２７】
本実施形態は、ホール素子１４の中心位置（Ｘａ１、Ｙａ１）と、磁石１６の中心（Ｘａ２、Ｙａ２）が一致しておらず、離れている。このため、この状態で、磁石１６を回転してホール素子１４により検知された角度は、オフセットを有している。
【００２８】
そこで、本実施形態では、先ず、オフセットが較正されて除去される。
図７に示すＸ軸理想曲線は、ホール素子１４の中心と磁石１６の中心が一致した状態で、磁石１６を１回転させたときのホール素子１４の出力電圧に対応する曲線である。Ｘ軸理想曲線は、磁石１６のＮ極を基準とするホール素子１４の出力電圧であり、ホール素子１４に対するＮ極の磁束密度の変化を示している。尚、図７では、説明の便宜上、磁場距離に対する磁束密度の変化として示している。
【００２９】
図８に示すＹ軸理想曲線は、Ｘ軸理想曲線と同様に、ホール素子１４の中心と磁石１６の中心が一致した状態で、磁石１６を１回転させたときのホール素子１４の出力電圧に対応する曲線である。Ｙ軸理想曲線は、磁石１６のＳ極を基準とするホール素子１４の出力電圧であり、ホール素子１４に対するＳ極の磁束密度の変化を示している。尚、図８では説明の便宜上、磁場距離に対する磁束密度の変化として示している。
【００３０】
図５は、ＤＳＰ２４の較正動作を示している。  
先ず、ホール素子１４の中心位置を示す情報Ｘａ１がＥＥＰＲＯＭ２７から読み出され（Ｓ１１）、Ｘ軸理想曲線の情報がＥＥＰＲＯＭ２７から読み出される（Ｓ１２）。これら読み出された情報は、ＲＡＭ２８に格納される。
【００３１】
次いで、Ｘ軸（磁石１６のＮ極）の磁束密度が測定されて、Ｘ軸初期実測曲線の情報が求められ、このＸ軸初期実測曲線の情報が例えばＥＥＰＲＯＭ２７に格納される（Ｓ１３）。具体的には、磁石１６を例えば手動にて１回転させ、ホール素子１４により磁石１６のＮ極の磁束密度の変化が測定される。
【００３２】
ホール素子１４と磁石１６が、図６に示すような位置関係にある場合、図７に示すように、Ｘ軸初期実測曲線は、Ｘ軸理想曲線から、磁場距離Ｘａ２だけ離れている。このため、Ｘ軸初期実測曲線の情報とＸ軸理想曲線の情報とから磁石１６の実際の中心位置Ｘａ２を計算することができる。具体的には、Ｘａ２−Ｘａ１により、中心位置Ｘａ２を求めることができる。この計算された磁石１６の実際の中心位置の情報Ｘａ２は、例えばＥＥＰＲＯＭ２７に格納される（Ｓ１４）。
【００３３】
さらに、Ｘ軸初期実測曲線の情報より、Ｎ極の初期最大磁束密度が測定され、この測定された情報はＥＥＰＲＯＭ２７に格納される（Ｓ１５）。
【００３４】
次に、Ｎ極の測定された初期最大磁束密度と、Ｘ軸理想曲線の最大磁束密度（以下、Ｎ極の理想の最大磁束密度と称す）とが比較される（Ｓ１６）。
【００３５】
ホール素子１４と磁石１６が図６に示すような位置にあり、理想的な磁石の着磁と磁石１６の着磁が等しい場合、図７に示すように、Ｎ極の測定された初期最大磁束密度（N-Bmax-measured）と、Ｎ極の理想の最大磁束密度（N-Bmax-ideal）とが等しい。
【００３６】
また、図９に示すように、磁石１６の中心が初期位置Ｘａ２から、Ｘｂ１だけずれている場合、図１０に示すように、Ｎ極の測定された初期最大磁束密度（N-Bmax-measured）と、Ｎ極の理想の最大磁束密度（N-Bmax-ideal）とが異なる。このように、測定された初期最大磁束密度と理想の最大磁束密度とが異なる場合（Ｓ１６、ＮＯ）、Ｘ軸の補正値Ｘｂ１が計算される（Ｓ１７）。
【００３７】
Ｘ軸の補正値Ｘｂ１、すなわち、磁石１６の初期位置Ｘａ２からのオフセット量（Ｎoffset）の補正値Ｘｂ１は、次式（１）により求められる。
【００３８】
Ｎoffset＝Ｎ極の測定された初期最大磁束密度−Ｎ極の理想の最大磁束密度
Ｘｂ１＝３√Ｎoffset  （３√は、立方根を示す）          …（１）
式（１）により求められたＸ軸の補正値Ｘｂ１を用いて、磁石１６のＸ軸の測定位置が補正され、補正値Ｘｃ１が、次式（２）により求められる。
【００３９】
Ｘｃ１＝Ｘａ２＋Ｘｂ１      …（２）
上記求められた補正位置Ｘｃ１は、磁石１６のＸ軸の実際の位置として、例えばＥＥＰＲＯＭ２７に格納される。具体的には、ＥＥＰＲＯＭ２７に格納されたＸａ２がＸｃ１により上書きされる。
【００４０】
一方、Ｓ１６において、測定された初期最大磁束密度と理想の最大磁束密度とが一致している場合（Ｓ１６、ＹＥＳ）、ホール素子１４の中心位置を示す情報Ｙａ１がＥＥＰＲＯＭ２７から読み出され（Ｓ１９）、Ｙ軸理想曲線の情報がＥＥＰＲＯＭ２７から読み出される（Ｓ２０）。これら読み出された情報はＲＡＭ２８に格納される（Ｓ２０）。
【００４１】
次いで、Ｙ軸（磁石１６のＳ極）の磁束密度を測定し、Ｙ軸初期実測曲線の情報を求め、このＹ軸実測曲線の情報をＥＥＰＲＯＭ２７に格納する（Ｓ２１）。具体的には、磁石１６を例えば手動にて１回転させ、ホール素子１４により磁石１６のＳ極磁束密度の変化が測定される。
【００４２】
尚、Ｙ軸初期実測曲線は、Ｘ軸初期実測曲線と同時に取得することができる。このため、Ｙ軸初期実測曲線を取得するための磁石１６の回転は、省略することが可能である。
【００４３】
ホール素子１４と磁石１６が図６に示すような位置にある場合、図８に示すように、Ｙ軸初期実測曲線は、Ｙ軸理想曲線から、磁場距離Ｙａ２だけ離れている。このため、Ｙ軸初期実測曲線の情報とＹ軸理想曲線の情報とから磁石１６の実際の中心位置Ｙａ２を計算することができる。具体的には、Ｙａ２−Ｙａ１により、中心位置Ｙａ２を求めることができる。この計算された磁石１６の実際の中心位置の情報Ｙａ２は、例えばＥＥＰＲＯＭ２７に格納される（Ｓ２２）。
【００４４】
さらに、Ｙ軸初期実測曲線の情報より、Ｓ極の初期最大磁束密度が測定され、この測定された情報はＥＥＰＲＯＭ２７に格納される（Ｓ２３）。
【００４５】
次に、Ｓ極の測定された初期最大磁束密度と、Ｙ軸理想曲線の最大磁束密度（以下、Ｓ極の理想の最大磁束密度と称す）とが比較される（Ｓ２４）。
【００４６】
ホール素子１４と磁石１６が図６に示すような位置にある場合、図８に示すように、Ｓ極の測定された初期最大磁束密度（S-Bmax-measured）と、Ｓ極の理想の最大磁束密度（S-Bmax-ideal）とが等しい。
【００４７】
また、図９に示すように、磁石１６の中心が初期位置Ｙａ２からＹｂ１だけずれている場合、図１１に示すように、Ｓ極の測定された初期最大磁束密度（S-Bmax-measured）と、Ｓ極の理想の最大磁束密度（S-Bmax-ideal）とが異なる。このように、測定された初期最大磁束密度と理想の最大磁束密度とが異なる場合（Ｓ２４、ＮＯ）、Ｙ軸の補正値Ｙｂ１が計算される（Ｓ２５）。
【００４８】
Ｙ軸の補正値Ｙｂ１、すなわち、磁石１６の初期位置Ｙａ２からのオフセット量（Ｓoffset）の補正値Ｙｂ１は、次式（４）により求められる。
【００４９】
Ｙｂ１＝Ｓ極の測定された初期最大磁束密度−Ｓ極の理想の最大磁束密度
＝３√Ｓoffset            …（４）
式（４）により求められたＹ軸の補正値Ｙｂ１を用いて、磁石１６のＹ軸の測定位置が補正され、補正位置Ｙｃ１が、次式（５）により求められる。
【００５０】
Ｙｃ１＝Ｙａ２＋Ｙｂ１      …（５）
上記求められた補正位置Ｙｃ１は、磁石１６のＹ軸の実際の位置として、例えばＥＥＰＲＯＭ２７に格納される。具体的には、ＥＥＰＲＯＭ２７に格納されたＹａ２がＹｃ１により上書きされる。
【００５１】
上記較正動作は、例えば製品の出荷時に実行される。しかし、出荷後、時間が経過した後、行ってもよい。これにより、磁石１６の経年変化を較正することができ、正確な回転角を検出することが可能である。
【００５２】
（角度測定）
図１２を参照して、回転体１５に接続された被測定体１７の角度を測定する場合について説明する。
【００５３】
上記のようにホール素子１４と磁石１６の位置関係を較正した状態において、被測定体１７が回転されると、被測定体１７ともに回転体１５が回転される。回転体１５に設けられた磁石１６の磁束密度の変化がホール素子１４により検出される。ホール素子１４の出力信号は、ＤＳＰ２４に供給される。ＤＳＰ２４は、Ｎ極の磁束密度の変化からＸ軸実測曲線を測定し、例えばＲＡＭ２８に格納する（Ｓ３１）。
【００５４】
次に、ＲＡＭ２８に格納されたＸ軸実測曲線と、ＥＥＰＲＯＭ２７に格納されたＸ軸初期実測曲線が比較され、これらが一致しているかどうかが判定される。さらに、ＲＡＭ２８に格納されたＸ軸実測曲線の中心位置Ｘａ３と、Ｘ軸初期実測曲線の中心位置Ｘａ２が一致しているかどうかが判定される。具体的には、図１３に示すように、Ｘａ２−Ｘａ３＝０かどうかが判定される。さらに、ＲＡＭ２８に格納されたＸ軸実測曲線のＮ極の最大磁束密度と、ＥＥＰＲＯＭ２７に格納されたＮ極の初期最大磁束密度とが比較される（Ｓ３２）。
【００５５】
この結果、これらが不一致である場合（Ｓ３２、ＮＯ）、図１３に示すように、Ｘ軸実測曲線がＸ軸初期実測曲線に一致するように補正される。すなわち、上記Ｓ１７、Ｓ１８と同様の動作が行われ、実測値が補正される（Ｓ３３）。
【００５６】
Ｓ３１、Ｓ３２、Ｓ３３の動作が繰り返され、Ｓ３２において、全て一致しているものと判断された場合（Ｓ３２、ＹＥＳ）、実測値Ｘａ３がＲＡＭ３８に格納される（Ｓ３４）。
【００５７】
次いで、実測されたホール素子１４の出力信号に基づき、ＤＳＰ２４により、Ｙ軸実測曲線が測定され、例えばＲＡＭ２８に格納される（Ｓ３５）。具体的には、Ｘ軸実測曲線と同時に測定されたＹ軸実測曲線がＲＡＭ２８に格納される。
【００５８】
次に、ＲＡＭ２８に格納されたＹ軸実測曲線と、ＥＥＰＲＯＭ２７に格納されたＹ軸初期実測曲線とが比較され、これらが一致しているかどうかが判定される。また、ＲＡＭ２８に格納されたＹ軸実測曲線の中心位置Ｙａ３と、Ｙ軸初期実測曲線の中心位置Ｙａ２が一致しているかどうかが判定される。具体的には、図１４に示すように、Ｙａ２−Ｙａ３＝０かどうかが判定される。さらに、ＲＡＭ２８に格納されたＹ軸実測曲線のＳ極の最大磁束密度と、ＥＥＰＲＯＭ２７に格納されたＳ極の初期最大磁束密度とが比較される（Ｓ３６）。
【００５９】
この結果、これらが不一致である場合（Ｓ３６、ＮＯ）、図１４に示すように、Ｙ軸実測曲線がＹ軸初期実測曲線に一致するように補正される。すなわち、上記Ｓ２５、Ｓ２６と同様の動作が行われ、実測値が補正される（Ｓ３７）。
【００６０】
Ｓ３５、Ｓ３６、Ｓ３７の動作が繰り返され、Ｓ３６において、これらが全て一致していると判断された場合（Ｓ３６、ＹＥＳ）、実測値Ｙａ３がＲＡＭ３８に格納される（Ｓ３８）。
【００６１】
次いで、ＲＡＭ２８に格納された実測値Ｘａ３、Ｙａ３に基づき、角度Ａｎｇ（Ａ）が次式（６）により計算される（Ｓ３９）。
【００６２】
Ａｎｇ（Ａ）＝ｔａｎ−１（Ｘａ３／Ｙａ３）      …（６）
上記計算された角度Ａｎｇ（Ａ）は、ＲＡＭ２８に格納される（Ｓ４０）。
【００６３】
この後、ＲＡＭ２８に格納された角度Ａｎｇ（Ａ）は、出力部２９に供給され、測定値として出力される。
【００６４】
（実施形態の効果）
上記実施形態によれば、ホール素子１４の中心位置を示す情報（Ｘａ１、Ｙａ１）と、磁石１６の中心位置がホール素子１４の中心位置と一致した状態を仮定したＮ極のＸ軸理想曲線と、Ｓ極のＹ軸理想曲線を示す情報を予めＥＥＰＲＯＭ２７に格納し、初期動作において、予め設定された磁石１６の中心位置を示す情報（Ｘａ２、Ｙａ２）と、ホール素子１４の中心位置を示す情報（Ｘａ１、Ｙａ１）とが一致するように較正している。このため、磁石１６とホール素子１４を対向して配置する必要がなく、ホール素子１４を磁石１６の軸心から離れた位置に配置しても磁石１６の回転角度を正確に検出することができる。
【００６５】
また、被測定体１７の回転角度の測定において、測定されたＸ軸実測曲線、Ｘａ２、Ｘ極の最大磁束密度の各パラメータが、ＥＥＰＲＯＭ２７に格納されたこれらに対応する各パラメータと不一致である場合、測定された各パラメータとＥＥＰＲＯＭ２７に格納されたこれらに対応する各パラメータとが一致するように補正され、Ｙ軸に関しても、Ｘ軸と同様に補正されている。このため、磁石１６が初期状態から経年変化した場合においても、被測定体１７の回転角度を正確に測定することができる。
【００６６】
さらに、本実施形態によれば、初期設定において、較正動作を行っている。このため、磁石１６のＮ極とＳ極が均等に着磁されておらず、Ｎ極とＳ極の着磁の中心が磁石１６の中心とずれている場合においても、磁石１６の回転角度を正確に検出することができる。したがって、磁石１６の製造を容易化することができる。
【００６７】
しかも、ホール素子１４の中心位置と磁石１６の着磁の中心位置とがずれた状態で配置することができるため、磁石１６の軸方向の長さを短くすることにより、ホール素子１４と磁石１６とを対向して配置する場合に比べて、非接触角度センサの厚みを薄くすることが可能である。
【００６８】
さらに、本実施形態によれば、ホール素子１４に対して、磁石１６が軸方向にずれた場合においても、角度の検出誤差が抑制される。このため、軸部１５ａに対する磁石１６の組み立て作業が簡単であり、製造を容易化することが可能である。
【００６９】
その他、本発明は上記各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００７０】
１０…非接触角度センサ、１１…本体、１２…基板、１４…ホール素子、１５…回転体、１５ａ…軸部、１６…磁石、１７…被測定体、２４…デジタル信号プロセッサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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