(57)【要約】【課題】配線基板の製造プロセス中の反りを抑制し、狭ピッチの端子電極と微細配線を備える、大型で低コストな配線基板と、その製造方法を提供すること。【解決手段】ビルドアップ配線層からなる第二配線基板と、第二配線基板に接合された第一配線基板と、を備え、第二配線基板と第一配線基板とはそれぞれ表面から突出した端子（突起電極）を介して電気的に接合され、第一配線基板及び第二配線基板の隙間に絶縁樹脂が充填され、第一配線基板は、順に第一最外層、配線層、第二最外層から成り、第一最外層、第二最外層の少なくとも一方に補強材を含む配線基板とし、四角形状の支持基板上に、順に剥離層、及び第一配線基板を形成し、第一配線基板を第二配線基板に接合した後、支持基板を剥離する配線基板の製造方法とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を実装するための配線基板であって、
ビルドアップ配線層からなる第二配線基板と、前記第二配線基板に接合された第一配線基板と、を備え、
前記第二配線基板と前記第一配線基板とはそれぞれ表面から突出した端子（突起電極）を介して電気的に接合され、
前記第一配線基板及び前記第二配線基板の隙間に絶縁樹脂が充填され、
前記第一配線基板は、順に第一最外層、配線層、第二最外層から成り、
前記第一最外層、前記第二最外層の少なくとも一方に補強材を含む、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
四角形状の支持基板上に、順に剥離層、及び前記第一配線基板を形成し、
前記第一配線基板を前記第二配線基板に接合した後、前記支持基板を剥離する、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記支持基板の厚みが前記第一配線基板の厚みの１０倍以上であり、かつ０．１ｍｍ〜２．０ｍｍである、
ことを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記支持基板の材質はガラスであり、前記支持基板を通して前記剥離層にレーザーを照射することにより、前記第一配線基板から前記支持基板を剥離する工程を含む、
ことを特徴とする請求項２、または３に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や通信端末に代表される電子機器の高機能化、高性能化はめざましく、これら電子機器には、半導体チップが配線基板に実装された半導体パッケージが広く使用されている。半導体チップを配線基板に実装する形態として、従来から用いられてきたリードフレームやピン、ワイヤを用いたものから、最近では半導体チップを直接配線基板に表面実装するフリップチップ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ−Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ、ＦＣ−ＢＧＡ）方式のパッケージの採用が進んでいる。
【０００３】
一般のＦＣ−ＢＧＡ配線基板は、図６にその概略を示すように、配線層５１を多層化したビルドアップ配線構造となっている。ＦＣ−ＢＧＡ配線基板５０は、厚めのコア層５７の表裏にコア層５７よりは薄い配線層５１（絶縁樹脂５３／配線パターン５２）を複数積み重ね、上下の配線パターン５２間を導通ビア５６で接続し、アレイ配置された半導体チップ側の第一の端子電極５４と、マザーボード側の第二の端子電極間５５との導通をとったものである。
【０００４】
近年の半導体チップの高集積化に伴いＦＣ−ＢＧＡ配線基板も半導体チップを実装する端子電極の狭ピッチ化、配線パターンの微細化が求められている。このため、シリコン上に配線を形成してチップ実装用の基板（シリコンインターポーザ）とし、ＦＣ−ＢＧＡ配線基板に実装する方式が特許文献１に開示されている。
【０００５】
一方で、ＣＰＵ、ＧＰＵ、メモリといった複数の半導体チップを同じ配線基板上に実装する製品が開発され、こうした製品には従来よりも大面積の配線基板が求められている。大面積の配線基板を製造するために、特許文献１のシリコンインターポーザ方式のように半導体チップ製造プロセスを採用すると、配線基板製品形状は四角であるので、円形状であるシリコンウエハに面付けすることは効率が悪くコストが嵩む。また配線基板に複数の半導体チップを実装するためには、実装工程時の熱処理による反り挙動を抑えることが課題となる。
【０００６】
反り抑制の課題として特許文献２には、ＦＣ−ＢＧＡ配線基板のコア層、及びその両面の絶縁樹脂として、補強材入りの絶縁樹脂を積層して配線基板の剛性を高め、かつ狭ピッチの端子電極が必要な半導体チップを実装する側（インターポーザ側）のビルドアップ配線層にのみ特に微細な配線（微細配線）を有する配線層を複数層形成する技術が提案されている。
【０００７】
しかしながら、特許文献２の構造には以下のような問題点がある。すなわち、インターポーザ側に複数層の絶縁樹脂層を形成するため、絶縁樹脂の硬化収縮により製造プロセス中に基板が反る。また、コア層の両面のビルドアップ配線層に用いられる補強材入り絶縁樹脂はビア穴の加工が困難であるため、ビアの狭ピッチ化が妨げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−２８０４９０号公報
【特許文献２】特開２０１５−１２２３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであって、配線基板の製造プロセス中の反りを抑制し、狭ピッチの端子電極と微細配線を備える、大型で低コストな配線基板と、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明の配線基板は以下の特徴を備える。
【００１１】
本発明の一態様に係る配線基板は、ビルドアップ配線層からなる第二配線基板と、第二配線基板に接合された第一配線基板と、を備え、第二配線基板と第一配線基板とはそれぞれ表面から突出した端子（突起電極）を介して電気的に接合され、第一配線基板及び第二配線基板の隙間に絶縁樹脂が充填され、第一配線基板は、順に第一最外層、配線層、第二最外層から成り、第一最外層、第二最外層の少なくとも一方に補強材を含む、ことを特徴とする。
【００１２】
本発明の別の態様に係る配線基板の製造方法は、前記本発明の一態様に係る配線基板の製造方法であって、四角形状の支持基板上に、順に剥離層、及び第一配線基板を形成し、第一配線基板を第二配線基板に接合した後、支持基板を剥離する、ことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の別の態様に係る配線基板の製造方法は、支持基板の厚みが第一配線基板の厚みの１０倍以上であり、かつ０．１ｍｍ〜２．０ｍｍであることが好ましい。
【００１４】
さらに、本発明の別の態様に係る配線基板の製造方法は、支持基板の材質はガラスであり、支持基板を通して剥離層にレーザーを照射することにより、第一配線基板から支持基板を剥離する工程を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の配線基板及び配線基板の製造方法によれば、配線基板の製造プロセス中の反りが抑制され、近年必要とされる狭ピッチの端子電極と微細配線を備える、大型で低コストな配線基板と、その製造方法が得られる。すなわち、充分な厚みの支持基板と、剛性の高い配線基板となり、製造プロセスに適合した水準の反り量で製造することができる。また、四角形状の支持基板を採用することにより面付け効率が高くなりコストが抑えられる。さらに別の観点では、良品と選別された第二配線基板に個片化した良品の第一配線基板を接合することにより、収率の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る、（ａ）第二配線基板に第一配線基板が接合された配線基板、（ｂ）前記第一配線基板をより詳しく示す、いずれも模式断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る、配線基板の製造方法のうち、第一配線基板の製造工程までの主要部を工程順に示す模式断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る、配線基板の製造方法のうち、図２の製造工程に続く製造工程の主要部を工程順に示す模式断面図である。
【図４】図３の製造工程に続く製造工程の主要部を工程順に示す模式断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る、配線基板の製造方法のうち、配線基板の製品面付け効率を説明するための模式平面図である。
【図６】一般のＦＣ−ＢＧＡ配線基板の構造を例示する模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の好適な一実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。但し、以
下に説明する各図においてそれぞれ同じものについては同一符号を付す。また各図面は発明の効果を理解しやすくするため適宜省略及び誇張してある。さらに本実施形態は本発明の技術的思想を説明するために例示するものであり、各部の材料、形状、配置、寸法等のパラメータを下記のものに限定するものではない。各パラメータは請求項の規定の範囲内で変更できる。
【００１８】
［本発明の配線基板］
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係り、第二配線基板２０に第一配線基板１０が接合された配線基板１００の模式断面図である。配線基板１００は、ビルドアップ配線層からなる第二配線基板２０と、第二配線基板２０に接合された第一配線基板１０と、を備え、第二配線基板２０と第一配線基板１０とはそれぞれ表面から突出した端子（突起電極、本例ではんだバンプ６）を介して電気的に接合され、かつ、第一配線基板１０及び第二配線基板２０の隙間に絶縁樹脂（絶縁性の接着部材、具体的にはアンダーフィル９）が充填されている。第一配線基板１０の上面（第二配線基板２０とは逆側の面）には半導体チップ（不図示）を実装するための接続パッド７が形成されている。突起電極は、はんだバンプ以外に、Ｃｕポスト（Ｃｕピラー）、または金バンプ等であってもよい。
【００１９】
図１（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、第一配線基板１０のみを、より詳しく示す模式断面図である。第一配線基板１０は、配線基板１００のインターポーザに相当する部分であり、順に第一最外層３、配線層４、第二最外層５から成り、第一最外層３、第二最外層５の少なくとも一方に補強材を含んでいる。配線層４は、必要な層数（図では３層）からなる配線層であり、絶縁樹脂４ａと配線パターン８ａ、８ｂ、・・・により構成されている。第一最外層３には前記の接続パッド７が形成され、第二最外層５には、第二配線基板２０とはんだバンプ６を介して接合するためのパッド表面処理層７ａが形成されている。
【００２０】
本発明の配線基板１００は、従来通りの配線ルール・材料を用いたＦＣ−ＢＧＡ配線基板である第二配線基板２０に加えて、第一配線基板１０を備え、第一配線基板１０は第一最外層３、配線層４、第二最外層５から成るので、第一配線基板１０の第一最外層３に形成される接続パッド７のピッチを、従来のように配線基板に半導体チップを直接実装する場合の配線ピッチよりも狭くすることができる。それとともに、第一配線基板１０の配線層４では、半導体チップを直接実装する従来の配線基板よりも微細な配線を使用することができる。すなわち、第一配線基板１０の第一最外層３に狭ピッチの端子電極を形成し、配線層４に微細な配線パターンを形成することで、端子電極の狭ピッチ化と微細配線化に対応することができる。
【００２１】
また、第一最外層３、第二最外層５の少なくとも一方に補強材を含むので、従来のＦＣ−ＢＧＡ配線基板よりも剛性の高い配線基板となり、製造プロセス中の反りが抑えられる。
【００２２】
［本発明の配線基板の製造方法］
図２は、本発明の一実施形態に係る、配線基板の製造方法のうち、第一配線基板の製造工程までの主要部を工程順に示す模式断面図である。尚、図２は、図１、図３、図４の第二配線基板と接合前後の図とは上下反転している。
【００２３】
まず、図２（ａ）に示すように、支持体１の上に剥離層２を形成する。支持基板１には、ガラス基板を用いることができる。ガラス基板は表面が平坦であり、狭ピッチな端子電極や微細配線を形成するために好適である。また、ガラス基板はＣＴＥ（熱膨張係数）が小さい、すなわち熱プロセス中の伸縮が小さいため、後述の第二配線基板との接合の際に好適である。プロセス中の反りを抑制するため、支持基板１としてのガラス基板の厚みは５００μｍ以上であることが望ましい。実用的には０．５ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲内でよい。
【００２４】
剥離層２は、光の照射により分解可能な樹脂を含んでいる。本実施形態における光はレーザー光であるので、剥離層２に含まれる樹脂として、レーザー光が照射されることによって熱分解可能な樹脂が用いられる。剥離層２に含まれる樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂のうちの１種またはこれらの樹脂の２種類以上が混合された樹脂等が用いられる。剥離層２の厚さは、例えば０．１μｍ〜１０μｍである。
【００２５】
次に、図２（ｂ）に示すように、第一最外層３、必要な層数（図では３層）の配線層４、第二最外層５を順に形成し、第一配線基板１０を作製する。第一配線基板１０の厚みは５０〜１００μｍであるので、支持基板１の厚みは第一配線基板１０の厚みの１０倍以上であるものが望ましい。本発明の実施形態によれば、充分に厚い支持基板１上に比較的薄い第一配線基板１０を形成することにより、製造プロセス中の反りが抑えられる。
【００２６】
第一最外層３、第二最外層５で用いる樹脂としては、感光性の熱硬化性絶縁樹脂を用いる。例えばエポキシ系、シアネート系、ポリイミド系樹脂のいずれかを用いることができる。熱硬化性絶縁樹脂は、例えばシリカフィラーが含むが、アルミナ等の無機フィラーを使用してもよい。第一最外層３、第二最外層５の少なくとも一方に含む補強材としては、ガラスクロスが好適であるが、この他に耐熱性・機械強度に優れたカーボンファイバー、液晶ポリマー繊維等であってもよい。
【００２７】
接続パッド７を有する第一最外層３の形成は、例えば、まず剥離層２上に銅箔（不図示）を形成し、該銅箔上に第一最外層３を構成する感光性絶縁樹脂を塗工、露光、現像し、開口部を形成した後、ベークを実施する。次に該開口部に、銅箔をシード層として電解めっきを行うことにより接続パッド７を形成する。尚、剥離層２の上には、紫外線で硬化する接着剤を塗布して接着層（不図示）を形成してもよい。
【００２８】
接続パッド７の構造は、第一配線基板１０を第二配線基板２０と接合した後、支持基板１や剥離層２を除去し、図１（ａ）のように、接続パッド７を露出させたときに、接続パッド７の表面が、例えばＡｕとなるように銅箔側からＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕとめっき層を形成する。このとき、ＡｕへのＣｕ拡散を防止するため、銅箔とＡｕとの間に薄いＮｉ層を形成してからＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕのめっきを行う。
【００２９】
次に、配線層４中の配線パターン８ａ、８ｂ、・・・の形成は、例えば以下のように行う。第一配線基板１０の配線層４に用いられる絶縁樹脂４ａは感光性エポキシ系樹脂を使用することが好ましいが、ポリイミド系樹脂であってもよい。まず、第一最外層３上に感光性エポキシ系樹脂等の絶縁樹脂をスピンコート法等により塗布する。感光性エポキシ系樹脂は比較的低温で硬化することができ、この後のビア穴を形成した後のキュア（硬化）による収縮が少なく好ましい。
【００３０】
次に、第一最外層３上に導通ビア４ｂの穴形状を形成する。本実施形態では絶縁樹脂４ａに感光性エポキシ系樹脂を使用しており、露光、及び現像を行うことにより導通ビア４ｂの穴形状を形成することができる。非感光のポリイミド系樹脂を使用する場合、レーザー光照射によって導通ビア４ｂの穴形状を形成しても良い。
【００３１】
次に、アッシング等で残渣を除去した後、例えばＴｉとＣｕを連続でスパッタし、電解銅めっきのシード層を形成する。このシード層の上に導通ビア４ｂ、及び微細配線パターンを形成するが、Ｔｉは下層の絶縁樹脂との密着性を向上することができ、めっき後のパ
ターン剥がれ、倒れを防止する効果を有する。その他、チタン−タングステン（ＴｉＷ）とＣｕのスパッタ連続処理等にてシード層を形成しても良い。
【００３２】
次に、レジストパターンを形成し、その開口部、及び上記導通ビア４ｂの穴形状内に電解銅めっきにて、導通ビア４ｂと配線パターンを形成する。さらに、レジストパターンを除去した後、配線パターンをマスクとして、シード層としたスパッタＣｕとスパッタＴｉとをエッチングする。
【００３３】
以上説明した導通ビアと配線パターン形成工程を、積み重ねる配線層数に合わせて繰り返し、配線層４を形成する。
【００３４】
続いて、第二最外層５にバンプ形成を行うために、まず、配線層４を覆うように、第二最外層５となる感光性絶縁樹脂を塗工、露光、現像し、接続端子部を開口させた後、ベークを実施する。この開口部に銅の酸化を抑制し、はんだの濡れ性を高めるためニッケル・パラジウム・金めっきやＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ  Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）を施し、パッド表面処理層７ａを形成する。
【００３５】
その後、前記開口部に、はんだペーストを印刷、またははんだボールを振り込み、リフローすることにより、図２（ｃ）に示すように、第二最外層５にはんだバンプ６が形成される。また、バンプははんだだけではなく銅ピラーや銅コアボールを含んでもよい。
【００３６】
図３は、本発明の一実施形態に係る、配線基板の製造方法のうち、図２の製造工程に続く製造工程の主要部を工程順に示す模式断面図であり、図４は、図３の製造工程に続く製造工程の主要部を工程順に示す模式断面図である。
【００３７】
支持基板１と剥離層２が付いた第一配線基板１０を個片化し、図３に示すように近接させ、別に製造した第二配線基板２０に接合する。接合は、第一配線基板１０、第二配線基板２０それぞれの対応する位置にはんだバンプ６が接触するよう位置合わせを行い、仮圧着し、リフローし、アンダーフィル９により樹脂封止を行う。個片化にはダイシング、スクライビング、レーザー加工などの工法が採用できる。
【００３８】
アンダーフィル９は、第二配線基板２０と第一配線基板１０とを固定、及び封止するために用いられる絶縁性の接着剤である。アンダーフィル９としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂のうちの１種またはこれらの樹脂の２種類以上が混合された樹脂に、フィラーとしてシリカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、または酸化亜鉛等を加えた材料を用いることができる。
【００３９】
続いて図４に示すように、支持基板１を剥離層２から除去する。除去の方法は、ガラスの支持基板１越しにレーザー光１５を適宜走査しながら照射して、第一配線基板１０からガラス基板１を剥離層２とともに除去する。このとき、接続パッド７の形成時にシード層として用いた銅箔（不図示）をともに除去することが望ましい。
【００４０】
あるいは、支持基板１と剥離層２の界面から支持基板１のみを除去した後、粘着テープ等の粘着性の部材により、剥離層２（または剥離層２と不図示の接着層）及び銅箔を剥離してもよい。すなわち、粘着テープ等を支持基板１が接着されていた領域の少なくとも一部に貼り付け、粘着テープ等を剥がすことにより、第一配線基板１上に残存する剥離層や接着層、銅箔を除去する。
【００４１】
銅箔をともに剥離しない場合は、銅箔と既述の薄いＮｉ層とをエッチングし、表面にＡ
ｕが露出した、半導体チップを実装する接続パッド７を露出させる。このようにして本発明の配線基板１００が完成する。
【００４２】
図５は、本発明の一実施形態に係る、配線基板の製造方法のうち、配線基板の製品面付け効率を説明するための模式平面図である。本発明の製造方法では、支持基板（基板サイズα）は円形状基板３０ではなく、四角形状基板４０を用いるので、一般に四角形状をしている配線基板（製品サイズβ）を効率良く面付けすることができる。また支持基板１にはガラス基板を用いることができるので、半導体素子製造プロセスよりも安価な配線基板製造プロセスを活用できるため、低コストで配線基板を製造することができる。
【００４３】
さらには、以下のような効果がある。第一配線基板にあたる配線層をビルドアップ基板上に直接形成する従来の工法では、不良品のビルドアップ基板の上にも配線層を作り込んでしまうことがあるのに対し、本発明では、第二配線基板はすでに良品と選別されたビルドアップ基板を用い、これに第一配線基板を接合することにより、高収率で配線基板を生産することができる。また、１００μｍ以下と薄い第一配線基板を単体で第二配線基板に接合することは通常困難であるが、本発明の配線基板の製造方法では、厚みのある支持基板が付いたまま接合するので従来の半導体製品の実装と同じ技術を活用することができ、かつ、支持基板は後で取り除くためシリコンインターポーザよりも全体として薄い配線基板が実現できる。
【００４４】
＜比較例＞
第一配線基板の厚みに対して１０倍を超えない厚み、すなわち第一配線基板５０μｍ厚に対して０．３ｍｍ厚のガラス基板上で第一配線基板の製造を行ったところ、絶縁樹脂の硬化収縮や配線層形成時の応力により、ガラス基板が、第一配線基板側が内側になる形状に湾曲してしまい、配線形成のための製造プロセスに供することができなくなった。また、ガラス基板の割れによる不具合の割合も高くなった。
【００４５】
＜その他の実施形態＞
以上説明した本発明の実施形態は単なる例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。従って本発明は、その要旨を逸脱しない範囲での改変が可能である。例えば支持基板はガラス基板でなく別のレーザー透過性に優れた材料でもよいし、剥離層にレーザー照射以外の方法で剥離できる材料を採用し、支持基板として金属のような不透明な基板を使用してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、マザーボードと半導体チップの間に、インターポーザを介在させる配線基板を備える半導体装置に利用可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１・・・・支持基板
２・・・・剥離層
３・・・・第一最外層
４・・・・配線層
４ａ・・・絶縁樹脂
４ｂ・・・導通ビア
５・・・・第二最外層
６・・・・はんだバンプ
７・・・・接続パッド
７ａ・・・パッド表面処理層
８ａ、８ｂ、８ｃ・・・・配線パターン
９・・・・アンダーフィル
１５・・・レーザー光
１００・・配線基板
１０・・・第一配線基板
２０・・・第二配線基板
３０・・・円形状基板
４０・・・四角形状基板
α・・・・基板サイズ
β・・・・製品サイズ
５０・・・一般のＦＣ−ＢＧＡ配線基板
５１・・・配線層
５２・・・配線パターン
５３・・・絶縁樹脂
５４・・・第一の端子電極
５５・・・第二の端子電極
５６・・・導通ビア
５７・・・コア層
５８・・・スル−ホール
５９・・・スルーホールめっき
【図１】
2020004926.tif 000003
【図２】
2020004926.tif 000004
【図３】
2020004926.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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