(57)【要約】【課題】保磁力に優れた熱アシスト磁気記録媒体を提供する。【解決手段】熱アシスト磁気記録媒体１００Ａは、基板１と、下地層２Ａと、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層３をこの順で有する。下地層２Ａは、第一の下地層５を含む。第一の下地層５は、酸化マグネシウムと、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、窒化バナジウムおよび炭化バナジウムからなる群より選択される一種以上の化合物とを含み、上記化合物の含有量が４５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％の範囲内である。【選択図】図１
2020004467.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層をこの順で有し、
前記下地層は、第一の下地層を含み、
前記第一の下地層は、酸化マグネシウムと、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、窒化バナジウムおよび炭化バナジウムからなる群より選択される一種以上の化合物とを含み、該化合物の総含有量が４５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％の範囲内であることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第一の下地層は、前記磁性層と接触していることを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項３】
前記下地層は、第二の下地層をさらに含み、
前記第二の下地層は、酸化マグネシウムを含み、前記基板と前記第一の下地層との間に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
録媒体。
【請求項４】
前記下地層は、第二の下地層をさらに含み、
前記第二の下地層は、ＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質を含み、前記第一の下地層と前記磁性層との間に形成されており、前記第一の下地層と接触していることを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近接場光等を磁気記録媒体に照射して表面を局所的に加熱し、磁気記録媒体の保磁力を低下させて書き込む熱アシスト記録方式は、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２程度の面記録密度を実現することが可能な次世代記録方式として注目されている。熱アシスト記録方式を用いると、室温における保磁力が数十ｋＯｅである磁気記録媒体に対して、磁気ヘッドの記録磁界により、容易に書き込むことができる。このため、結晶磁気異方性定数Ｋｕが１０６Ｊ／ｍ３台である高Ｋｕ材料を磁性層に用いることができ、その結果、磁性層の熱安定性を維持したまま、磁性粒子の粒径を６ｎｍ以下まで微細化することができる。高Ｋｕ材料としては、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ合金（Ｋｕ〜７×１０６Ｊ／ｍ３）や、ＣｏＰｔ合金（Ｋｕ〜５×１０６Ｊ／ｍ３）等が知られている。
【０００３】
熱アシスト磁気記録媒体の面記録密度を向上させるためには、磁性層の結晶配向性を向上させ、磁性粒子を微細化し、磁性粒子間の交換結合を低減することで、熱アシスト磁気記録媒体の保磁力を向上させる必要がある。
【０００４】
Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ合金を磁性層に用いる場合、磁性層の結晶配向性を向上させるためには、磁性層は（００１）配向している必要がある。このため、下地層には、（１００）配向しているＭｇＯを用いることが望ましい。ここで、ＭｇＯの（１００）面は、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ合金の（００１）面と格子整合する。
【０００５】
また、磁性粒子を微細化し、磁性粒子間の交換結合を低減させるために、ＭｇＯを主成分とし、かつ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯから選択される少なくとも一種類の酸化物を含有する下地層を形成することが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１６５２３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、熱アシスト磁気記録媒体の面記録密度をさらに向上させること、即ち、熱アシスト磁気記録媒体の保磁力をさらに向上させることが望まれている。
【０００８】
本発明の一態様は、保磁力に優れた熱アシスト磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）基板と、下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層をこの順で有し、前記下地層は、第一の下地層を含み、前記第一の下地層は、酸化マグネシウムと、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、窒化バナジウムおよび炭化バナジウムからなる群より選択される一種以上の化合物とを含み、該化合物の総含有量が４５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％の範囲内であることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
（２）前記第一の下地層は、前記磁性層と接触していることを特徴とする（１）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（３）前記下地層は、第二の下地層をさらに含み、前記第二の下地層は、酸化マグネシウムを含み、前記基板と前記第一の下地層との間に形成されていることを特徴とする（１）または（２）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
録媒体。
（４）前記下地層は、第三の下地層をさらに含み、前記第三の下地層は、ＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質を含み、前記第一の下地層と前記磁性層との間に形成されており、前記第一の下地層と接触していることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（５）（１）〜（４）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様によれば、保磁力に優れた熱アシスト磁気記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体の層構成の一例を示す断面図である。
【図２】本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体の層構成の他の例を示す断面図である。
【図３】本実施形態の磁気記憶装置の一例を示す傾視図である。
【図４】図３の磁気ヘッドの一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上、特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が同一であるとは限らない。
【００１３】
［熱アシスト磁気記録媒体］
図１に、本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体の層構成の一例を示す。
【００１４】
熱アシスト磁気記録媒体１００Ａは、基板１と、下地層２Ａと、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層３をこの順で有する。ここで、下地層２Ａは、第二の下地層４および第一の下地層５がこの順で積層されている。また、第一の下地層５は、酸化マグネシウムと、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、窒化バナジウムおよび炭化バナジウムからなる群より選択される一種以上の化合物とを含み、上記化合物の総含有量が４５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％の範囲内である。さらに、第二の下地層４は、酸化マグネシウムを含む。
【００１５】
熱アシスト磁気記録媒体１００Ａは、以上のような構造を有することで、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層３の（００１）配向性が向上する。また、熱アシスト磁気記録媒体１００Ａは、磁性層３に含まれる磁性粒子が微細化され、磁性粒子間の交換結合が低減する。その結果、熱アシスト磁気記録媒体１００Ａの保磁力が向上する。
【００１６】
ここで、酸化マグネシウムを含む第二の下地層４は、（１００）配向しているため、ＮａＣｌ型構造を有する酸化マグネシウムを含む第一の下地層５を（１００）配向させる。その結果、第一の下地層５の（１００）面は、Ｌ１０型結晶構造を有する磁性層３の（００１）面と格子整合し、磁性層３の（００１）配向性が向上する。
【００１７】
一方、第一の下地層５に含まれる前述した化合物は、第一の下地層５に含まれる酸化マグネシウム粒子を微細化する。そして、一つの酸化マグネシウム結晶粒の上に、磁性層３を構成する一つの磁性結晶粒が成長する"Ｏｎｅ  ｂｙ  ｏｎｅ成長"が促進される。これにより、磁性層３の（００１）配向性が向上する。また、磁性層３に含まれる磁性粒子を微細化すると共に、磁性粒子間の分離が促進され、磁性粒子間の交換結合を低減することができる。
【００１８】
ここで、上記"Ｏｎｅ  ｂｙ  ｏｎｅ成長"が促進されることから、第一の下地層５は、磁性層３と接触していることが好ましいが、第一の下地層５は、磁性層３と接触していなくてもよい。
【００１９】
なお、上記化合物の代わりに、金属状態のバナジウム、亜鉛、スズを用いると、磁性粒子と接触したときに、金属状態のバナジウム、亜鉛、スズの少なくとも一部が磁性粒子内に拡散して、磁性粒子の磁性が低下する。
【００２０】
第一の下地層５中の上記化合物の含有量は、４５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％の範囲内であるが、４５ｍｏｌ％〜５５ｍｏｌ％の範囲内であることが好ましい。第一の下地層５中の上記化合物の含有量が４５ｍｏｌ％未満であると、第一の下地層５に含まれる酸化マグネシウム粒子を十分に微細化することができず、７０ｍｏｌ％を超えると、第一の下地層５に含まれる酸化マグネシウム粒子の粒径の分散が増大し、第一の下地層５の（１００）配向性が低下する。
【００２１】
第一の下地層５中の酸化マグネシウムの含有量は、３０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、４５ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。第一の下地層５中の酸化マグネシウムの含有量が３０ｍｏｌ％以上であると、第一の下地層５の（１００）配向性が向上する。
【００２２】
第一の下地層５の厚さは、０．２ｎｍ〜２ｎｍの範囲内であることが好ましく、０．５ｎｍ〜１．５ｎｍの範囲内であることがより好ましい。第一の下地層５の厚さが０．２ｎｍ以上であると、第一の下地層５に含まれる酸化マグネシウム粒子をさらに微細化することができ、２ｎｍ以下であると、熱アシスト磁気記録媒体１００Ａに書き込む際の放熱性がさらに向上する。
【００２３】
第二の下地層４中の酸化マグネシウムの含有量は、５０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、７０ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。第二の下地層４中の酸化マグネシウムの含有量が５０ｍｏｌ％以上であると、第二の下地層４の（１００）配向性が向上する。
【００２４】
磁性層３に含まれるＬ１０構造を有する合金は、ＦｅＰｔ磁性合金またはＣｏＰｔ磁性合金であることが好ましい。
【００２５】
磁性層３は、磁性粒子の粒界偏析材料を含むことが好ましい。これにより、磁性層３は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子が、粒界偏析材料によって分断されているグラニュラー構造となる。
【００２６】
磁性粒子の粒界偏析材料としては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、酸化マンガン（ＭｎＯ）、一酸化チタン（ＴｉＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物や、炭素（Ｃ）、炭化バナジウム（ＶＣ）等の炭化物、窒化バナジウム（ＶＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等の窒化物等が挙げられ、二種以上を併用してもよい。
【００２７】
熱アシスト磁気記録媒体１００Ａは、磁性層３上に、保護層が形成されていることが好ましい。
【００２８】
保護層の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、炭化水素からなる原料ガスを高周波プラズマで分解して成膜するＲＦ−ＣＶＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、フィラメントから放出された電子で原料ガスをイオン化して成膜するＩＢＤ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原料ガスを用いずに、固体炭素ターゲットを用いて成膜するＦＣＶＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ  Ｃａｔｈｏｄｉｃ  Ｖａｃｕｕｍ  Ａｒｃ）法等が挙げられる。
【００２９】
保護層の厚さは、１ｎｍ以上６ｎｍ以下であることが好ましい。保護層の厚さが１ｎｍ以上であると、磁気ヘッドの浮上特性が良好となり、６ｎｍ以下であると、磁気スペーシングが小さくなり、熱アシスト磁気記録媒体１００ＡのＳＮＲが向上する。
【００３０】
熱アシスト磁気記録媒体１００Ａは、保護層上に、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を含む潤滑剤層がさらに形成されていてもよい。
【００３１】
図２に、本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体の層構成の他の例を示す。
【００３２】
熱アシスト磁気記録媒体１００Ｂは、下地層２Ａの代わりに、下地層２Ｂが形成されている以外は、熱アシスト磁気記録媒体１００Ａと同一の構成である。
【００３３】
なお、熱アシスト記録媒体１００Ｂにおいて、熱アシスト記録媒体１００Ａと同一の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００３４】
下地層２Ｂは、第二の下地層４が形成されておらず、第一の下地層５と磁性層３との間に、第二の下地層６が形成されている以外は、下地層２Ａと同一の構成である。
【００３５】
第二の下地層６は、ＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質を含む。
【００３６】
ここで、ＮａＣｌ型構造を有する酸化マグネシウムを含む第一の下地層５は、（１００）配向しているため、ＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質を含む第二の下地層６を（１００）配向させる。その結果、第二の下地層６の（１００）面は、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層３の（００１）面と格子整合し、磁性層３の（００１）配向性が向上する。
【００３７】
一方、第一の下地層５に含まれる前述した化合物は、第一の下地層５に含まれる酸化マグネシウム粒子を微細化する。そして、一つの酸化マグネシウム結晶粒の上に、第二の下地層６を構成する一つのＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質の結晶粒子がヘテロエピタキシャル成長する"Ｏｎｅ  ｂｙ  ｏｎｅ成長"が促進される。また、一つのＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質の結晶粒子の上に、磁性層３を構成する一つの磁性結晶粒が成長する"Ｏｎｅ  ｂｙ  ｏｎｅ成長"が促進される。これにより、磁性層３の（００１）配向性が向上する。また、磁性層３に含まれる磁性粒子を微細化すると共に、磁性粒子間の分離が促進され、磁性粒子間の交換結合を低減することができる。
【００３８】
第二の下地層６に含まれるＢＣＣ構造を有する物質としては、Ｃｒ、Ｃｒ−Ｍｎ合金、Ｃｒ−Ｍｏ合金、Ｃｒ−Ｗ合金、Ｃｒ−Ｖ合金、Ｃｒ−Ｔｉ合金、Ｃｒ−Ｒｕ合金等が挙げられる。
【００３９】
第二の下地層６に含まれるＢ２構造を有する物質としては、Ｒｕ−Ａｌ合金、Ｎｉ−Ａｌ合金等が挙げられる。
【００４０】
第二の下地層６中のＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質の含有量は、６０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、８０ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。第二の下地層６中のＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質の含有量が６０ｍｏｌ％以上であると、第二の下地層６の（１００）配向性が向上する。
【００４１】
［磁気記憶装置］
本実施形態の磁気記憶装置は、本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体を有していれば、特に限定されない。
【００４２】
本実施形態の磁気記憶装置は、例えば、熱アシスト磁気記録媒体を回転させるための磁気記録媒体駆動部と、先端部に近接場光発生素子が設けられている磁気ヘッドと、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部と、記録再生信号処理系を有する。
【００４３】
また、磁気ヘッドは、例えば、熱アシスト磁気記録媒体を加熱するためのレーザー光発生部と、レーザー光発生部から発生したレーザー光を近接場光発生素子まで導く導波路を有する。
【００４４】
図３に、本実施形態の磁気記憶装置の一例を示す。
【００４５】
図３の磁気記憶装置は、熱アシスト磁気記録媒体１００（１００Ａまたは１００Ｂ）と、熱アシスト磁気記録媒体１００を回転させるための磁気記録媒体駆動部１０１と、磁気ヘッド１０２と、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部１０３と、記録再生信号処理系１０４を有する。
【００４６】
図４に、磁気ヘッド１０２の一例を示す。
【００４７】
磁気ヘッド１０２は、記録ヘッド２０８と、再生ヘッド２１１を有する。
【００４８】
記録ヘッド２０８は、主磁極２０１と、補助磁極２０２と、磁界を発生させるコイル２０３と、レーザー光発生部としての、レーザーダイオード（ＬＤ）２０４と、ＬＤ２０４から発生したレーザー光２０５を近接場光発生素子２０６まで伝送する導波路２０７を有する。
【００４９】
再生ヘッド２１１は、シールド２０９で挟まれている再生素子２１０を有する。
【実施例】
【００５０】
以下、本発明の実施例を説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で、適宜変更して実施することができる。
【００５１】
（実施例１〜６、比較例１〜３）
耐熱ガラス基板上に、厚さ５０ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉ合金層（下地層）を形成し、２５０℃まで加熱した後、厚さ１０ｎｍのＣｒ層（下地層）を形成した。その後、厚さ１ｎｍのＭｏ層（下地層）と、厚さ１ｎｍのＭｇＯ層（第二の下地層）と、厚さ０．３ｎｍの第一の下地層をこの順で形成し、５２０℃まで加熱した。その後、厚さ３ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ｍｏｌ％Ｃ層（磁性層）と、厚さ３ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ｍｏｌ％ＳｉＯ２層（磁性層）をこの順で形成し、熱アシスト磁気記録媒体を得た。
【００５２】
ここで、第一の下地層を構成する材料は、表１に示す通りである。
【００５３】
例えば、ＭｇＯ−５０ｍｏｌ％ＺｎＯ２は、ＭｇＯの含有量が５０ｍｏｌ％であり、ＺｎＯ２の含有量が５０ｍｏｌ％であることを意味する。
【００５４】
（ＭｇＯ粒子の平均粒径＜Ｄ＞、平均粒径で規格化した粒径の分散σ／＜Ｄ＞）
ＴＥＭを用いて、第一の下地層に含まれるＭｇＯ粒子の＜Ｄ＞、σ／＜Ｄ＞を測定した。
【００５５】
（磁性粒子の（００１）配向性Δθ５０）
Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＸＲＤ）装置（Ｐｈｉｌｉｐｓ社製）を用いて、磁性層に含まれる磁性粒子のΔθ５０を測定した。
【００５６】
（熱アシスト磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ）
Ｋｅｒｒ磁気測定装置（ネオアーク社製）を用いて、熱アシスト磁気記録媒体のＨｃを測定した。
【００５７】
表１に、ＭｇＯ粒子の＜Ｄ＞、σ／＜Ｄ＞、磁性粒子のΔθ５０、熱アシスト磁気記録媒体のＨｃの測定結果を示す。なお、磁性粒子のΔθ５０は、値が小さい程、（００１）配向性が高い。
【００５８】
【表１】
2020004467.tif 000003
表１から、実施例１〜６の熱アシスト磁気記録媒体は、Ｈｃが高いことがわかる。
【００５９】
これに対して、比較例１の熱アシスト記録媒体は、第一の下地層がＶ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＶＮまたはＶＣを含まないため、ＭｇＯ粒子の＜Ｄ＞および磁性粒子のθ５０が大きく、Ｈｃが小さい。
【００６０】
比較例２の熱アシスト記録媒体は、第一の下地層中のＺｎＯの含有量が７５ｍｏｌ％であるため、ＭｇＯ粒子のσ／＜Ｄ＞および磁性粒子のθ５０が大きく、Ｈｃが小さい。
【００６１】
比較例３の熱アシスト記録媒体は、第一の下地層中のＺｎＯの含有量が３０ｍｏｌ％であるため、ＭｇＯ粒子が存在しなかった。このため、磁性粒子のθ５０およびＨｃの測定を省略した。
【００６２】
（実施例７〜１２、比較例４〜６）
耐熱ガラス基板上に、厚さ５０ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉ合金層（下地層）と、厚さ２５ｎｍのＣｏ−２０ａｔ％Ｔａ−５ａｔ％Ｂ合金層（軟磁性下地層）と、厚さ０．３ｎｍの第一の下地層をこの順で形成した後、２５０℃まで加熱した。その後、厚さ１０ｎｍのＣｒ層（第二の下地層）と、厚さ１ｎｍのＭｏ層（下地層）と、厚さ１ｎｍのＭｇＯ層（下地層）を形成した後、５２０℃まで加熱した。その後、厚さ３ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ｍｏｌ％Ｃ層（磁性層）と、厚さ３ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ｍｏｌ％ＳｉＯ２層（磁性層）を形成し、熱アシスト磁気記録媒体を得た。
【００６３】
（Ｃｒの（２００）配向性Δθ５０）
Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＸＲＤ）装置（Ｐｈｉｌｉｐｓ社製）を用いて、第二の下地層に含まれるＣｒのΔθ５０を測定した。
【００６４】
表２に、ＭｇＯ粒子の＜Ｄ＞、σ／＜Ｄ＞、Ｃｒ、磁性粒子のΔθ５０、熱アシスト磁気記録媒体のＨｃの測定結果を示す。なお、ＣｒのΔθ５０は、値が小さい程、（２００）配向性が高い。
【００６５】
【表２】
2020004467.tif 000004
表２から、実施例７〜１２の熱アシスト磁気記録媒体は、Ｈｃが高いことがわかる。
【００６６】
これに対して、比較例４の熱アシスト記録媒体は、第一の下地層がＶ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＶＮまたはＶＣを含まないため、ＭｇＯ粒子の＜Ｄ＞およびＣｒ、磁性粒子のθ５０が大きく、Ｈｃが小さい。
【００６７】
比較例５の熱アシスト記録媒体は、第一の下地層中のＺｎＯの含有量が７５ｍｏｌ％であるため、ＭｇＯ粒子のσ／＜Ｄ＞およびＣｒ、磁性粒子のθ５０が大きく、Ｈｃが小さい。
【００６８】
比較例６の熱アシスト記録媒体は、第一の下地層中のＺｎＯの含有量が３０ｍｏｌ％であるため、ＭｇＯ粒子が存在しなかった。このため、Ｃｒ、磁性粒子のθ５０およびＨｃの測定を省略した。
【符号の説明】
【００６９】
１    基板
２Ａ、２Ｂ    下地層
３    磁性層
４    第二の下地層
５    第一の下地層
６    第二の下地層
１００Ａ、１００Ｂ、１００    磁気記録媒体
１０１    磁気記録媒体駆動部
１０２    磁気ヘッド
１０３    磁気ヘッド駆動部
１０４    記録再生信号処理系
２０１    主磁極
２０２    補助磁極
２０３    コイル
２０４    レーザーダイオード（ＬＤ）
２０５    レーザー光
２０６    近接場光発生素子
２０７    導波路
２０８    記録ヘッド
２０９    シールド
２１０    再生素子
２１１    再生ヘッド
【図１】
2020004467.tif 000005
【図２】
2020004467.tif 000006
【図３】
2020004467.tif 000007
【図４】
2020004467.tif 000008