(57)【要約】【課題】線形性を改善するためのバイアス回路及び電力増幅装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態によるバイアス回路は、基準電流を生成する電流源と、第１制御信号に応答して、初期起動区間ではオフ状態となり、上記初期起動区間より後の正常駆動区間ではオン状態となって、上記基準電流の一部である第１電流の入力を受ける温度補償部と、上記初期起動区間では、上記基準電流に基づいてウォーミングアップ電流を生成し、上記正常駆動区間では、オン状態の上記温度補償部によって上記基準電流より小さい第２電流に基づいてバイアス電流を生成するバイアス出力部と、を含む。【選択図】図１
2020028104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準電流を生成する電流源と、
第１制御信号に応答して、初期起動区間ではオフ状態となり、前記初期起動区間より後の正常駆動区間ではオン状態となって、前記基準電流の一部である第１電流の入力を受ける温度補償部と、
前記初期起動区間では、前記基準電流に基づいてウォーミングアップ電流を生成し、前記正常駆動区間では、オン状態の前記温度補償部によって前記基準電流より小さい第２電流に基づいてバイアス電流を生成するバイアス出力部と、を含むバイアス回路。
【請求項２】
前記温度補償部は、
前記電流源の出力端である第１ノードと第１接地端との間に接続された温度補償回路と、
前記第１ノードと前記温度補償回路との間に接続されており、前記第１制御信号に応答して、前記初期起動区間ではオフ状態となり、前記正常駆動区間ではオン状態となる第１スイッチと、を含む、請求項１に記載のバイアス回路。
【請求項３】
前記温度補償部は、
前記電流源の出力端である第１ノードと第１接地端との間に接続された温度補償回路と、
前記温度補償回路と第１接地端との間に接続されており、前記第１制御信号に応答して、前記初期起動区間ではオフ状態となり、前記正常駆動区間ではオン状態となる第１スイッチと、を含む、請求項１に記載のバイアス回路。
【請求項４】
前記バイアス出力部は、
前記第１ノードと電力増幅回路との間に接続されたバイアス出力回路と、
前記第１ノードと前記バイアス出力回路との間に接続されており、第２制御信号に応答して、前記初期起動区間及び前記正常駆動区間でオン状態となる第２スイッチと、を含む、請求項２に記載のバイアス回路。
【請求項５】
前記バイアス出力部は、
前記第１ノードと電力増幅回路との間に接続されたバイアス出力回路と、
前記バイアス出力回路と電力増幅回路との間に接続されており、第２制御信号に応答して、初期起動区間及び前記正常駆動区間でオン状態となる第２スイッチと、を含む、請求項３に記載のバイアス回路。
【請求項６】
前記温度補償回路は、
前記第１スイッチと前記第１接地端との間に直列に接続された複数のダイオード接続トランジスター（Ｄｉｏｄｅ−ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む、請求項２に記載のバイアス回路。
【請求項７】
前記温度補償回路は、
前記第１スイッチと前記第１接地端との間に直列に接続された複数のダイオードを含む、請求項２に記載のバイアス回路。
【請求項８】
前記バイアス出力回路は、
前記第２スイッチに接続されたベースと、動作電圧端子に接続されたコレクターと、前記電力増幅回路に接続されたエミッターと、を含み、前記第２スイッチを介して入力される電流を増幅して前記ウォーミングアップ電流または前記バイアス電流を生成し、前記電力増幅回路の入力ノードに出力するバイアストランジスターを含む、請求項４に記載のバイアス回路。
【請求項９】
前記第１電流は、前記正常駆動区間で前記温度補償回路に入力される電流であって、前記バイアス出力回路に入力される前記第２電流より大きい、請求項４に記載のバイアス回路。
【請求項１０】
初期起動区間ではウォーミングアップ電流を生成し、前記初期起動区間より後の正常駆動区間ではバイアス電流を生成するバイアス回路と、
前記ウォーミングアップ電流の入力を受けてウォームアップされ、前記バイアス電流の入力を受けて駆動される電力増幅回路と、を含む電力増幅装置であって、
前記バイアス回路は、
基準電流を生成する電流源と、
前記初期起動区間ではオフ状態となり、前記正常駆動区間ではオン状態となる温度補償部と、
前記初期起動区間では前記基準電流に基づいて前記ウォーミングアップ電流を生成し、前記正常駆動区間では前記基準電流より小さい電流に基づいて前記バイアス電流を生成するバイアス出力部と、を含む、電力増幅装置。
【請求項１１】
前記温度補償部は、
前記電流源の出力端である第１ノードと第１接地端との間に接続された温度補償回路と、
前記第１ノードと前記温度補償回路との間に接続されており、第１制御信号に応答して、前記初期起動区間ではオフ状態となり、前記正常駆動区間ではオン状態となる第１スイッチと、を含む、請求項１０に記載の電力増幅装置。
【請求項１２】
前記温度補償部は、
前記電流源の出力端である第１ノードと第１接地端との間に接続された温度補償回路と、
前記温度補償回路と第１接地端との間に接続されており、第１制御信号に応答して、前記初期起動区間ではオフ状態となり、前記正常駆動区間ではオン状態となる第１スイッチと、を含む、請求項１０に記載の電力増幅装置。
【請求項１３】
前記バイアス出力部は、
前記第１ノードと電力増幅回路との間に接続されたバイアス出力回路と、
前記第１ノードと前記バイアス出力回路との間に接続されており、第２制御信号に応答して、前記初期起動区間及び前記正常駆動区間でオン状態となる第２スイッチと、を含む、請求項１１に記載の電力増幅装置。
【請求項１４】
前記バイアス出力部は、
前記第１ノードと電力増幅回路との間に接続されたバイアス出力回路と、
前記バイアス出力回路と電力増幅回路との間に接続されており、第２制御信号に応答して、前記初期起動区間及び前記正常駆動区間でオン状態となる第２スイッチと、を含む、請求項１２に記載の電力増幅装置。
【請求項１５】
前記温度補償回路は、
前記第１スイッチと前記第１接地端との間に直列に接続された複数のダイオード接続トランジスター（Ｄｉｏｄｅ−ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む、請求項１１に記載の電力増幅装置。
【請求項１６】
前記温度補償回路は、
前記第１スイッチと前記第１接地端との間に直列に接続された複数のダイオードを含む、請求項１１に記載の電力増幅装置。
【請求項１７】
前記バイアス出力回路は、
前記第２スイッチに接続されたベースと、動作電圧端子に接続されたコレクターと、前記電力増幅回路に接続されたエミッターと、を含み、前記第２スイッチを介して入力される電流を増幅して前記ウォーミングアップ電流または前記バイアス電流を生成し、前記電力増幅回路の入力ノードに出力するバイアストランジスターを含む、請求項１３に記載の電力増幅装置。
【請求項１８】
システムイネーブルに基づいて予め設定された前記初期起動区間でスイッチングオンレベルを有する前記第１制御信号を出力し、
前記初期起動区間ではスイッチングオフレベルを含み、前記正常駆動区間ではスイッチングオンレベルを含む前記第２制御信号を生成する制御回路をさらに含む、請求項１４に記載の電力増幅装置。
【請求項１９】
前記制御回路は、
前記システムイネーブルに基づいて第２制御電圧を出力するバッファーと、
定電流を生成する定電流源と、
前記定電流に基づいて電荷を充電して充電電圧を出力するキャパシター回路と、
前記充電電圧と基準電圧を比較し、その比較結果によるレベルを含む前記第１制御信号を出力する比較器と、を含む、請求項１８に記載の電力増幅装置。
【請求項２０】
前記制御回路は、
第１定電流を生成する第１定電流源と、
第２定電流を生成する第２定電流源と、
前記第１定電流に基づいて電荷を充電して第１充電電圧を出力する第１キャパシター回路と、
前記第２定電流に基づいて電荷を充電して第２充電電圧を出力する第２キャパシター回路と、
前記第１充電電圧と第１基準電圧を比較し、その比較結果によるレベルを含む信号により前記第１及び第２定電流源の出力遮断及び放電を制御する放電制御回路と、
前記放電制御回路の制御に応答して前記第１キャパシター回路及び第２キャパシター回路のそれぞれの放電を行う放電回路と、
前記第１充電電圧と第２基準電圧を比較し、その比較結果によるレベルを含む前記第１制御信号を出力する比較回路と、
前記第２充電電圧と第２基準電圧を比較し、その比較結果によるレベルを含む前記第２制御信号を出力する比較回路と、を含む、請求項１８に記載の電力増幅装置。
【請求項２１】
前記第１定電流は、前記正常駆動区間で前記温度補償回路に入力される電流であって、前記バイアス出力回路に入力される前記第２定電流より大きい、請求項２０に記載の電力増幅装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、線形性を改善するためのバイアス回路及び電力増幅装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、無線通信方式としては、時分割複信（ＴＤＤ；ｔｉｍｅ  ｄｉｖｉｓｉｏｎ  ｄｕｐｌｅｘｉｎｇ）方式と周波数分割複信（ＦＤＤ；ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｄｉｖｉｓｉｏｎ  ｄｕｐｌｅｘｉｎｇ）方式がある。２つの方式は、両方とも限定された周波数バンド内でより多くの使用者と通信するための方法であって、時分割複信方式は、同一周波数で通信する時間を一定間隔で分割して多くの使用者と通信する方法であり、周波数分割複信方式は、使用者毎に周波数を異なって割り当てて通信する方法である。
【０００３】
通常、時分割複信方式は、同一周波数で通信する時間を一定間隔で分割して多くの使用者と通信する方法であって、１つの周波数を用いて、通信する時間を区分して通信するため、通信過程で送信と受信が繰り返し転換される動作を行うようになる。
【０００４】
したがって、時分割複信方式の通信では、送信機と受信機の迅速な応答速度が重要な性能要因となり、送信機及び受信機に含まれる増幅回路にも、迅速な応答速度が求められる。
【０００５】
ところが、既存の送信機の応答速度を改善するためには、送信機の電力増幅器（Ｐｏｗｅｒ  ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）の応答速度をより改善する必要性がある。特に、電力増幅器が、起動時点において短時間で正常状態に迅速に到達する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】ＵＳ２０１３−００３４１４４（２０１３．０２．０７）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一実施形態は、初期起動区間（ＰＴ１）では、温度補償を行わずに相対的に大きいウォーミングアップ（Ｗａｒｍｉｎｇ−ｕｐ）電流を用いて迅速に正常駆動状態に到達することができ、これより後の正常駆動区間（ＰＴ２）では、温度補償を行いながら上記ウォーミングアップ電流よりも小さい電流を用いてバイアス電流を生成して正常動作を行う、線形性を改善するためのバイアス回路及び電力増幅装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によると、基準電流を生成する電流源と、第１制御信号に応答して、初期起動区間ではオフ状態となり、上記初期起動区間より後の正常駆動区間ではオン状態となって、上記基準電流の一部である第１電流の入力を受ける温度補償部と、上記初期起動区間では、上記基準電流に基づいてウォーミングアップ電流を生成し、上記正常駆動区間では、オン状態の上記温度補償部によって上記基準電流より小さい第２電流に基づいてバイアス電流を生成するバイアス出力部と、を含むバイアス回路が提案される。
【０００９】
上記温度補償部は、上記電流源の出力端である第１ノードと第１接地端との間に接続された温度補償回路と、上記第１ノードと上記温度補償回路との間に接続されており、上記第１制御信号に応答して、上記初期起動区間ではオフ状態となり、上記正常駆動区間ではオン状態となる第１スイッチと、を含むことができる。
【００１０】
上記温度補償部は、上記電流源の出力端である第１ノードと第１接地端との間に接続された温度補償回路と、上記温度補償回路と第１接地端との間に接続されており、上記第１制御信号に応答して、上記初期起動区間ではオフ状態となり、上記正常駆動区間ではオン状態となる第１スイッチと、を含むことができる。
【００１１】
上記バイアス出力部は、上記第１ノードと電力増幅回路との間に接続されたバイアス出力回路と、上記第１ノードと上記バイアス出力回路との間に接続されており、第２制御信号に応答して、上記初期起動区間及び上記正常駆動区間でオン状態となる第２スイッチと、を含むことができる。
【００１２】
上記バイアス出力部は、上記第１ノードと電力増幅回路との間に接続されたバイアス出力回路と、上記バイアス出力回路と電力増幅回路との間に接続されており、上記第２制御信号に応答して、初期起動区間及び上記正常駆動区間でオン状態となる第２スイッチと、を含むことができる。
【００１３】
上記温度補償回路は、上記第１スイッチと上記第１接地端との間に直列に接続された複数のダイオード接続トランジスター（Ｄｉｏｄｅ−ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含むことができる。
【００１４】
上記温度補償回路は、上記第１スイッチと上記第１接地端との間に直列に接続された複数のダイオードを含むことができる。
【００１５】
上記バイアス出力回路は、上記第２スイッチに接続されたベースと、動作電圧端子に接続されたコレクターと、上記電力増幅回路に接続されたエミッターと、を含み、上記第２スイッチを介して入力される電流を増幅して上記ウォーミングアップ電流または上記バイアス電流を生成し、上記電力増幅回路の入力ノードに出力するバイアストランジスターを含むことができる。
【００１６】
上記第１電流は、上記正常駆動区間で上記温度補償回路に入力される電流であって、上記バイアス出力回路に入力される上記第２電流より大きいことができる。
【００１７】
また、本発明の他の一実施形態によると、初期起動区間ではウォーミングアップ電流を生成し、上記初期起動区間より後の正常駆動区間ではバイアス電流を生成するバイアス回路と、上記ウォーミングアップ電流の入力を受けてウォームアップされ、上記バイアス電流の入力を受けて駆動される電力増幅回路と、を含む電力増幅装置であって、上記バイアス回路は、基準電流を生成する電流源と、上記初期起動区間ではオフ状態となり、上記正常駆動区間ではオン状態となる温度補償部と、上記初期起動区間では上記基準電流に基づいて上記ウォーミングアップ電流を生成し、上記正常駆動区間では上記基準電流より小さい電流に基づいて上記バイアス電流を生成するバイアス出力部と、を含む電力増幅装置が提案される。
【００１８】
上記温度補償部は、上記電流源の出力端である第１ノードと第１接地端との間に接続された温度補償回路と、上記第１ノードと上記温度補償回路との間に接続されており、上記第１制御信号に応答して、上記初期起動区間ではオフ状態となり、上記正常駆動区間ではオン状態となる第１スイッチと、を含むことができる。
【００１９】
上記温度補償部は、上記電流源の出力端である第１ノードと第１接地端との間に接続された温度補償回路と、上記温度補償回路と第１接地端との間に接続されており、上記第１制御信号に応答して、上記初期起動区間ではオフ状態となり、上記正常駆動区間ではオン状態となる第１スイッチと、を含むことができる。
【００２０】
上記バイアス出力部は、上記第１ノードと電力増幅回路との間に接続されたバイアス出力回路と、上記第１ノードと上記バイアス出力回路との間に接続されており、第２制御信号に応答して、上記初期起動区間及び上記正常駆動区間でオン状態となる第２スイッチと、を含むことができる。
【００２１】
上記バイアス出力部は、上記第１ノードと電力増幅回路との間に接続されたバイアス出力回路と、上記バイアス出力回路と電力増幅回路との間に接続されており、第２制御信号に応答して、上記初期起動区間及び上記正常駆動区間でオン状態となる第２スイッチと、を含むことができる。
【００２２】
上記温度補償回路は、上記第１スイッチと上記第１接地端との間に直列に接続された複数のダイオード接続トランジスター（Ｄｉｏｄｅ−ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含むことができる。
【００２３】
上記温度補償回路は、上記第１スイッチと上記第１接地端との間に直列に接続された複数のダイオードを含むことができる。
【００２４】
上記バイアス出力回路は、上記第２スイッチに接続されたベースと、動作電圧端子に接続されたコレクターと、上記電力増幅回路に接続されたエミッターと、を含み、上記第２スイッチを介して入力される電流を増幅して上記ウォーミングアップ電流または上記バイアス電流を生成し、上記電力増幅回路の入力ノードに出力するバイアストランジスターを含むことができる。
【００２５】
上記電力増幅装置は、システムイネーブルに基づいて予め設定された上記初期起動区間でスイッチングオンレベルを有する上記第１制御信号を出力し、上記初期起動区間ではスイッチングオフレベルを含み、上記正常駆動区間ではスイッチングオンレベルを含む上記第２制御信号を生成する制御回路をさらに含むことができる。
【００２６】
上記制御回路は、上記システムイネーブルに基づいて上記第２制御電圧を出力するバッファーと、定電流を生成する定電流源と、上記定電流に基づいて電荷を充電して充電電圧を出力するキャパシター回路と、上記充電電圧と基準電圧を比較し、その比較結果によるレベルを含む上記第１制御信号を出力する比較器と、を含むことができる。
【００２７】
上記制御回路は、第１定電流を生成する第１定電流源と、第２定電流を生成する第２定電流源と、上記第１定電流に基づいて電荷を充電して第１充電電圧を出力する第１キャパシター回路と、上記第２定電流に基づいて電荷を充電して第２充電電圧を出力する第２キャパシター回路と、上記第１充電電圧と第１基準電圧を比較し、その比較結果によるレベルを含む信号により上記第１及び第２定電流源の出力遮断及び放電を制御する放電制御回路と、上記放電制御回路の制御に応答して上記第１キャパシター回路及び第２キャパシター回路のそれぞれの放電を行う放電回路と、上記第１充電電圧と第２基準電圧を比較し、その比較結果によるレベルを含む上記第１制御信号を出力する比較回路と、上記第２充電電圧と第２基準電圧を比較し、その比較結果によるレベルを含む上記第２制御信号を出力する比較回路と、を含むことができる。
【００２８】
上記第１定電流は、上記正常駆動区間で上記温度補償回路に入力される電流であって、上記バイアス出力回路に入力される上記第２定電流より大きいことができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の一実施形態よると、初期起動区間（ＰＴ１）では、温度補償を行わずに相対的に大きいウォーミングアップ電流を用いて迅速に正常駆動状態に到達することができ、これより後の正常駆動区間（ＰＴ２）では、温度補償を行いながら上記ウォーミングアップ電流よりも小さい電流を用いてバイアス電流を生成して正常動作を行うことができるため、線形性を改善することができる効果がある。
【００３０】
また、１つのシングル電流源を用いて、１つのシングル基準電流の分岐経路をスイッチングする方式により、初期起動区間で大きいウォーミングアップ電流を用いて迅速に正常駆動区間に到達するようにすることで、バイアス回路が簡単であり、且つウォームアップ（ｗａｒｍ−ｕｐ）する時間を正確に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態によるバイアス回路及び電力増幅装置の構成例示図である。
【図２】本発明の一実施形態によるバイアス回路及び電力増幅装置の構成例示図である。
【図３】本発明の一実施形態によるバイアス回路の一例示図である。
【図４】本発明の一実施形態によるバイアス回路の一例示図である。
【図５】本発明の一実施形態によるバイアス回路の一例示図である。
【図６】本発明の一実施形態によるバイアス回路の一例示図である。
【図７】本発明の一実施形態による温度補償部及びバイアス出力部の一例示図である。
【図８】本発明の一実施形態による温度補償部及びバイアス出力部の一例示図である。
【図９】本発明の一実施形態による制御回路の一例示図である。
【図１０】図９の制御回路の主要信号のタイミングチャートの例示図である。
【図１１】図９の制御回路の一例示図である。
【図１２】図１１の制御回路の主要信号及び動作タイミングチャートの例示図である。
【図１３】図９の制御回路の一例示図である。
【図１４】図１３の制御回路の主要信号及び動作タイミングチャートの例示図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本発明は、以下で説明される実施形態に限定されず、本発明の思想及び範囲を外れることなく多様に変更可能であることを理解すべきである。
【００３３】
また、本発明の各実施形態において、１つの例として説明される構造、形状、及び数値は、本発明の技術的事項の理解のための例に過ぎないため、これに限定されるものではなく、本発明の思想及び範囲を外れることなく多様に変更可能であることを理解すべきである。本発明の実施形態は、互いに組み合わされて様々な新しい実施形態を成すことができる。
【００３４】
そして、本発明で参照された図面において、本発明の全体的な内容に基づき、実質的に同一の構成と機能を有する構成要素には、同一の符号を用いる。
【００３５】
以下では、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できるように、本発明の実施形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００３６】
図１は本発明の一実施形態によるバイアス回路及び電力増幅装置の構成例示図であり、図２は本発明の一実施形態によるバイアス回路及び電力増幅装置の構成例示図である。
【００３７】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による電力増幅装置は、バイアス回路１００と、電力増幅回路２００と、を含む。
【００３８】
上記バイアス回路１００は、初期起動区間ＰＴ１では、バイアス電流Ｉｂｉａｓより大きいウォーミングアップ電流Ｉｗｐを生成し、上記初期起動区間ＰＴ１より後の正常駆動区間ＰＴ２では、上記ウォーミングアップ電流Ｉｗｐより小さいバイアス電流Ｉｂｉａｓを生成することができる。
【００３９】
上記電力増幅回路２００は、上記初期起動区間ＰＴ１で上記ウォーミングアップ電流Ｉｗｐの入力を受けてウォームアップされ、上記正常駆動区間ＰＴ２で上記バイアス電流Ｉｂｉａｓの入力を受けて駆動されることができる。
【００４０】
一例として、上記バイアス回路１００は、電流源１１０と、温度補償部１２０と、バイアス出力部１３０と、を含むことができる。
【００４１】
上記電流源１１０は、基準電流Ｉｒｅｆを生成することができる。
【００４２】
上記温度補償部１２０は、上記初期起動区間ＰＴ１ではオフ状態となり、上記正常駆動区間ＰＴ２ではオン状態となって、上記基準電流Ｉｒｅｆの一部の第１電流の入力を受けることができる。一例として、上記温度補償部１２０は、第１制御信号ＳＣ１に応答して、初期起動区間ＰＴ１ではオフ状態となり、上記初期起動区間ＰＴ１より後の正常駆動区間ＰＴ２ではオン状態となって、上記基準電流Ｉｒｅｆの一部である第１電流Ｉ１の入力を受けることができる。
【００４３】
上記バイアス出力部１３０は、上記初期起動区間ＰＴ１では、上記基準電流Ｉｒｅｆに基づいて上記ウォーミングアップ電流Ｉｗｐを生成し、上記正常駆動区間ＰＴ２では、上記基準電流Ｉｒｅｆより小さいベース電流Ｉｂ、すなわち、基準電流Ｉｒｅｆより上記第１電流Ｉ１の分だけ小さい第２電流Ｉ２に基づいて上記バイアス電流Ｉｂｉａｓを生成することができる。例えば、上記バイアス出力部１３０は上記電流源１１０からベース電流Ｉｂの入力を受け、上記ベース電流Ｉｂは基準電流Ｉｒｅｆまたは第２電流Ｉ２になることができる。
【００４４】
図２を参照すると、上記電力増幅装置は、制御回路３００をさらに含むことができる。上記制御回路３００は、システムイネーブルに基づいて予め設定された上記初期起動区間ＰＴ１でスイッチングオンレベルを有する上記第１制御信号ＳＣ１を出力する。また、上記制御回路３００は、上記初期起動区間ＰＴ１ではスイッチングオフレベルを含み、上記正常駆動区間ＰＴ２ではスイッチングオンレベルを含む上記第２制御信号ＳＣ２を生成することができる。
【００４５】
一例として、上記第１電流Ｉ１は、上記正常駆動区間ＰＴ２で温度補償回路１２１に入力される電流であって、バイアス出力回路１３１に入力される上記第２電流Ｉ２より大きいことができる。
【００４６】
例えば、上記バイアス出力部１３０の電流増幅率が１００、基準電流Ｉｒｅｆが１００μＡ、第１電流Ｉ１が８０μＡ、第２電流Ｉ２が２０μＡである場合、上記ウォーミングアップ電流Ｉｗｐは上記基準電流Ｉｒｅｆ（１００μＡ）の１００倍である１０ｍＡになることができ、上記バイアス電流Ｉｂｉａｓは第２電流Ｉ２（２０μＡ）の１００倍である２００μＡになることができる。
【００４７】
例えば、上記温度補償部１２０は上記第１制御信号ＳＣ１に応じて動作することができ、上記バイアス出力部１３０は上記第２制御信号ＳＣ２に応じて動作することができる。図１及び図２は本発明を説明するための実施形態に過ぎず、これに限定されるものではない。これについては図５から図８を参照して説明する。
【００４８】
本発明の各図面において、同一の符号及び同一の機能の構成要素についての不要な重複説明はできるだけ省略し、各図面において異なる点を中心に説明する。
【００４９】
図３は本発明の一実施形態によるバイアス回路の一例示図であり、図４は本発明の一実施形態によるバイアス回路の一例示図である。
【００５０】
図３及び図４を参照して、本発明のバイアス回路１００の温度補償部１２０の実施形態を説明する。
【００５１】
図３及び図４を参照すると、上記温度補償部１２０は、温度補償回路１２１と、第１スイッチ１２２と、を含むことができる。
【００５２】
図３を参照すると、上記温度補償回路１２１は、上記電流源１１０の出力端である第１ノードＮ１と第１接地端ＧＮＤ１との間に接続されることができる。
【００５３】
上記第１スイッチ１２２は、上記第１ノードＮ１と上記温度補償回路１２１との間に接続されており、上記第１制御信号ＳＣ１に応答して、上記初期起動区間ＰＴ１ではオフ状態となって上記温度補償回路１２１への電流供給を遮断し、上記正常駆動区間ＰＴ２ではオン状態となって上記温度補償回路１２１への電流供給を許容する。
【００５４】
これにより、上記温度補償回路１２１は、上記第１スイッチ１２２がオフ状態である場合には、電流が供給されないため動作せず、第１スイッチ１２２がオン状態である場合には、上記基準電流Ｉｒｅｆから第１電流Ｉ１が供給されて正常動作を行うことができる。
【００５５】
図４を参照すると、上記温度補償回路１２１は、上記電流源１１０の出力端である第１ノードＮ１と第１接地端ＧＮＤ１との間に接続されることができる。
【００５６】
上記第１スイッチ１２２は、上記温度補償回路１２１と第１接地端ＧＮＤ１との間に接続されており、上記第１制御信号ＳＣ１に応答して、上記初期起動区間ＰＴ１ではオフ状態となって上記温度補償回路１２１への電流供給を遮断し、上記正常駆動区間ＰＴ２ではオン状態となって上記温度補償回路１２１への電流供給を許容する。
【００５７】
これにより、上記温度補償回路１２１は、上記第１スイッチ１２２がオフ状態である場合には、電流が供給されないため動作せず、第１スイッチ１２２がオン状態である場合には、上記基準電流Ｉｒｅｆから第１電流Ｉ１が供給されて正常動作を行うことができる。
【００５８】
図３及び図４を参照すると、一例として、上記第１スイッチ１２２は、上記第１制御信号ＳＣ１に応答してスイッチングオンまたはスイッチングオフ動作することができるＭＯＳトランジスターなどの少なくとも１つのスイッチング素子を含むことができる。
【００５９】
図５は本発明の一実施形態によるバイアス回路の一例示図であり、図６は本発明の一実施形態によるバイアス回路の一例示図である。
【００６０】
図５及び図６を参照して、本発明のバイアス回路１００のバイアス出力部１３０の実施形態を説明する。
【００６１】
上記バイアス出力部１３０は、バイアス出力回路１３１と、第２スイッチ１３２と、を含むことができる。
【００６２】
図５を参照すると、上記バイアス出力回路１３１は、上記第１ノードＮ１と電力増幅回路２００との間に接続されることができる。
【００６３】
上記第２スイッチ１３２は、上記第１ノードＮ１と上記バイアス出力回路１３１との間に接続されており、第２制御信号ＳＣ２に応答して、上記初期起動区間ＰＴ１及び上記正常駆動区間ＰＴ２でオン状態となることができる。
【００６４】
これにより、上記バイアス出力部１３０は、上記第２スイッチ１３２がオフ状態である場合には動作オフ状態となり、上記第２スイッチ１３２がオン状態である場合には、上記基準電流Ｉｒｅｆまたは第２電流Ｉ２に基づいて、ウォーミングアップ電流Ｉｗｐまたはバイアス電流Ｉｂｉａｓを生成することができる。
【００６５】
図６を参照すると、上記バイアス出力回路１３１は、上記第１ノードＮ１と電力増幅回路２００との間に接続されることができる。
【００６６】
上記第２スイッチ１３２は、上記バイアス出力回路１３１と電力増幅回路２００との間に接続されており、上記第２制御信号ＳＣ２に応答して、初期起動区間ＰＴ１及び上記正常駆動区間ＰＴ２でオン状態となることができる。
【００６７】
これにより、上記バイアス出力部１３０は、上記第２スイッチ１３２がオフ状態である場合には動作オフ状態となり、上記第２スイッチ１３２がオン状態である場合には、上記基準電流Ｉｒｅｆまたは第２電流Ｉ２に基づいて、ウォーミングアップ電流Ｉｗｐまたはバイアス電流Ｉｂｉａｓを生成することができる。
【００６８】
図５及び図６を参照すると、一例として、上記第２スイッチ１３２は、上記第２制御信号ＳＣ２に応答してスイッチングオンまたはスイッチングオフ動作することができるＭＯＳトランジスターなどの少なくとも１つのスイッチング素子を含むことができる。
【００６９】
図３及び図６に示した例示は、本発明の実施形態を説明するためのものであって、これに限定されるものではない。
【００７０】
図７は本発明の一実施形態による温度補償部及びバイアス出力部の一例示図である。
【００７１】
図７を参照すると、上記温度補償回路１２１は、上記第１スイッチ１２２と上記第１接地端ＧＮＤ１との間に直列に接続された複数のダイオード接続トランジスター（ｄｉｏｄｅ−ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ＤＴ１、ＤＴ２を含むことができる。
【００７２】
図８は本発明の一実施形態による温度補償部及びバイアス出力部の一例示図である。
【００７３】
図８を参照すると、上記温度補償回路１２１は、上記第１スイッチ１２２と上記第１接地端ＧＮＤ１との間に直列に接続された複数のダイオードＤ１、Ｄ２を含むことができる。
【００７４】
図７及び図８を参照すると、上記バイアス出力回路１３１はバイアストランジスターＱ３１を含むことができる。上記バイアストランジスターＱ３１は、上記第２スイッチ１３２に接続されたベースと、動作電圧Ｖｂａｔ端子に抵抗Ｒ３１を介して接続されたコレクターと、上記電力増幅回路２００に抵抗Ｒ３２を介して接続されたエミッターと、を含むことができる。
【００７５】
上記バイアストランジスターＱ３１は、上記第２スイッチ１３２を介して入力される電流を増幅し、増幅された電流を上記電力増幅回路２００に出力することができる。
【００７６】
一例として、上記バイアストランジスターＱ３１は、上記第２スイッチ１３２を介して初期起動区間ＰＴ１で入力される基準電流Ｉｒｅｆまたは上記正常駆動区間ＰＴ２で入力される第２電流Ｉ２を増幅し、初期起動区間ＰＴ１では上記ウォーミングアップ電流Ｉｗｐ、または上記正常駆動区間ＰＴ２では上記バイアス電流Ｉｂｉａｓを生成して上記電力増幅回路２００の入力ノードＮＩに出力することができる。一例として、上記バイアストランジスターＱ３１のベースと接地との間には、上記バイアストランジスターＱ３１の安定した動作のためにキャパシターＣ３１が接続されることができる。
【００７７】
上記電力増幅回路２００は増幅トランジスターＱＡを含むことができる。上記増幅トランジスターＱＡは、第１ブロッキングキャパシターＣＢ１を介して入力端ＩＮに接続されたベースと、動作電圧Ｖｃｃ端子にコイルＬ１を介して接続され、第２ブロッキングキャパシターＣＢ２を介して出力端ＯＵＴに接続されたコレクターと、接地に接続されたエミッターと、を含む。
【００７８】
一例として、初期起動区間ＰＴ１で、上記増幅トランジスターＱＡは上記ウォーミングアップ電流Ｉｗｐの入力をベースを介して受けてウォームアップされることができる。
【００７９】
次に、上記正常駆動区間ＰＴ２で、上記増幅トランジスターＱＡは、上記バイアス電流Ｉｂｉａｓの入力をベースを介して受け、また、入力端ＩＮを介して入力される信号を第１ブロッキングキャパシターＣＢ１を経てベースに受けて、上記バイアス電流Ｉｂｉａｓ及び信号を増幅し、増幅信号を上記第２ブロッキングキャパシターＣＢ２を経て出力端ＯＵＴを介して出力することができる。
【００８０】
一方、上記複数のダイオード接続トランジスターＤＴ１、ＤＴ２の個数は、バイアス出力回路１３１のバイアストランジスターＱ３１及び電力増幅回路２００の増幅トランジスターＱＡの温度による変化を補償するように決定されることができる。また、上記複数のダイオードＤ１、Ｄ２の個数は、バイアス出力回路１３１のバイアストランジスターＱ３１及び電力増幅回路２００の増幅トランジスターＱＡの温度による変化を補償するように決定されることができる。
【００８１】
一方、バイアストランジスターＱ３１及び増幅トランジスターＱＡのそれぞれは温度によって特性が変動されるが、これに対して、上記複数のダイオード接続トランジスターＤＴ１、ＤＴ２及び上記複数のダイオードＤ１、Ｄ２も、温度によって、上記バイアストランジスターＱ３１及び増幅トランジスターＱＡの特性変動方向と同一の方向にその特性が変動されるため、温度補償回路１２１によって電力増幅装置の温度補償が行われることができる。
【００８２】
図９は本発明の一実施形態による制御回路の一例示図である。
【００８３】
図９を参照すると、上記制御回路３００は、システムイネーブルＳｅｎに基づいて予め設定された上記初期起動区間ＰＴ１でスイッチングオンレベルを有する上記第１制御信号ＳＣ１を生成して出力することができる。
【００８４】
また、上記制御回路３００は、上記初期起動区間ＰＴ１ではスイッチングオフレベルを含み、上記正常駆動区間ＰＴ２ではスイッチングオンレベルを含む上記第２制御信号ＳＣ２をさらに生成して出力することができる。
【００８５】
図１０は図９の制御回路の主要信号のタイミングチャートの例示図である。
【００８６】
図１０を参照すると、Ｓｅｎは上記制御回路３００に入力されるシステムイネーブル信号であり、一例として、システムイネーブル信号Ｓｅｎは、システムがイネーブルされるとローレベルからハイレベルに遷移され、システムがディセーブルされるとハイレベルからローレベルに遷移されることができる。
【００８７】
ＳＣ２は上記制御回路３００から出力される第２制御信号であり、上記システムイネーブル信号Ｓｅｎの上昇エッジ及び下降エッジのそれぞれに同期して上昇遷移Ｔ１及び下降遷移Ｔ３されることができる。
【００８８】
ＳＣ１は上記制御回路３００から出力される第１制御信号であり、上記システムイネーブル信号Ｓｅｎの上昇エッジからローレベルを維持し、予め設定された初期起動区間ＰＴ１より後からはローレベルからハイレベルに遷移され（Ｔ２）、システムがディセーブルされる直前まで引き続きハイレベルを維持し（Ｔ３）、システムがディセーブルされると（Ｔ３）、ハイレベルからローレベルに遷移されることができる。
【００８９】
図１１は図９の制御回路の一例示図であり、図１２は図１１の制御回路の主要信号及び動作タイミングチャートの例示図である。
【００９０】
図１１及び図１２を参照すると、上記制御回路３００は、バッファー３１１と、定電流源３２１と、キャパシター回路３３１と、比較器３４１と、を含むことができる。
【００９１】
上記バッファー３１１は、上記システムイネーブルＳｅｎに基づいて第２制御電圧ＳＣ２を出力することができる。
【００９２】
上記定電流源３２１は定電流Ｉｒｅｆ２を生成することができる。一例として、上記定電流Ｉｒｅｆ２は、外部制御によって可変設定されることができる。
【００９３】
上記キャパシター回路３３１は、上記定電流Ｉｒｅｆ２に基づいて電荷を充電して充電電圧Ｖｘを出力することができる。
【００９４】
上記比較器３４１は、上記充電電圧Ｖｘと基準電圧ＶＲＥＦを比較し、その比較結果によるレベルを含む上記第１制御信号ＳＣ１を出力することができる。一例として、上記基準電圧ＶＲＥＦは、外部制御によって可変設定されることができる。
【００９５】
一例として、上記比較器３４１は、上記充電電圧Ｖｘが基準電圧ＶＲＥＦより低いと、ローレベルを含む第１制御信号ＳＣ１を出力し、上記充電電圧Ｖｘが基準電圧ＶＲＥＦより高いと、ハイレベルを含む第１制御信号ＳＣ１を出力することができる。
【００９６】
これにより、図１１に示された制御回路３００は、ウォームアップ（ｗａｒｍ−ｕｐ）する時間を正確に制御することができるのに対し、キャパシター回路３３１のキャパシターの工程偏差と比較器３４１のオフセット工程偏差は、正確なタイミング（ｔｉｍｉｎｇ）の提供において欠点となり得る。かかる欠点を解決するために、図１３の制御回路を用いることができる。
【００９７】
図１３は図９の制御回路の一例示図であり、図１４は図１３の制御回路の主要信号及び動作タイミングチャートの例示図である。
【００９８】
図１３を参照すると、上記制御回路３００は、第１定電流源３２１−１と、第２定電流源３２１−２と、第１キャパシター回路３３１−１と、第２キャパシター回路３３１−２と、放電制御回路３５０と、放電回路３６０と、第１比較回路３４１−１と、第２比較回路３４１−２と、を含むことができる。
【００９９】
上記第１定電流源３２１−１は、Ｑ信号に応答してスイッチングオン状態またはオフ状態となり、オン状態で第１定電流ＩＲＥＦ１を生成して出力することができる。
【０１００】
上記第２定電流源３２１−２は、上記Ｑ信号に応答してスイッチングオン状態またはオフ状態となり、オン状態で第２定電流ＩＲＥＦ２を生成して出力することができる。
【０１０１】
一例として、上記第１定電流ＩＲＥＦ１は、第２定電流ＩＲＥＦ２より大きい電流であることができる。したがって、上記第１キャパシター回路３３１−１の第１充電電圧Ｖｘの勾配が、第１キャパシター回路３３１−１の第２充電電圧Ｖｙの勾配より大きいことができる。
【０１０２】
上記第１キャパシター回路３３１−１は、並列に接続された第１キャパシターＣ１及び第１スイッチ素子Ｍ１を含むことができ、上記第１キャパシターＣ１は、上記第１定電流ＩＲＥＦ１に基づいて電荷を充電して第１充電電圧Ｖｘを出力することができる。上記第１スイッチ素子Ｍ１は、反転イネーブル信号Ｓｅｎ＿Ｂに応答して、システムイネーブル状態ではオフ状態、システムディセーブル状態ではオン状態となって、上記第１キャパシターＣ１に充電された第１充電電圧Ｖｘを放電することができる。
【０１０３】
上記第２キャパシター回路３３１−２は、並列に接続された第２キャパシターＣ２及び第２スイッチ素子Ｍ２を含むことができ、上記第２キャパシターＣ２は、上記第２定電流ＩＲＥＦ２に基づいて電荷を充電して第２充電電圧Ｖｙを出力することができる。上記第２スイッチ素子Ｍ２は、反転イネーブル信号Ｓｅｎ＿Ｂに応答して、システムイネーブル状態ではオフ状態、システムディセーブル状態ではオン状態となって、上記第２キャパシターＣ２に充電された第２充電電圧Ｖｙを放電することができる。
【０１０４】
上記放電制御回路３５０は、上記第１充電電圧Ｖｘと第１基準電圧ＶＲＥＦ１を比較し、その比較結果によるレベルを含むＱ信号により上記第１及び第２定電流源３２１−１、３２１−２の出力遮断及び放電を制御することができる。一例として、上記放電制御回路３５０は、比較器３５１及びラッチ３５２を含むことができる。上記比較器３５１は、上記第１充電電圧Ｖｘと第１基準電圧ＶＲＥＦ１を比較し、第１充電電圧Ｖｘが第１基準電圧ＶＲＥＦ１より低いと、ローレベルを有する信号をラッチ３５２に出力し、第１充電電圧Ｖｘが第１基準電圧ＶＲＥＦ１より高いと、ハイレベルを有する信号をラッチ３５２のクロック端子に出力する。上記ラッチ３５２は、クロック端子に入力される信号がローレベルであると、ローレベルであるＱ１信号及びハイレベルであるＱ２信号を出力し、クロック端子に入力される信号がハイレベルであると、ハイレベルであるＱ１信号及びローレベルであるＱ２信号を出力する。
【０１０５】
上記放電回路３６０は、上記放電制御回路３５０の制御に応答して、上記第１キャパシター回路３３１−１及び第２キャパシター回路３３１−２のそれぞれの放電を行うことができる。一例として、上記放電回路３６０は、第１キャパシター回路３３１−１の第１充電電圧Ｖｘを放電するために、Ｑ１信号に応答して第３電流ＩＲＥＦ３を接地に流し、第２キャパシター回路３３１−２の第２充電電圧Ｖｙを放電するために、Ｑ１信号に応答して第４電流ＩＲＥＦ４を接地に流す。
【０１０６】
例えば、上記Ｑ２信号がハイレベルである場合には、第１キャパシター回路３３１−１及び第２キャパシター回路３３１−２における充電動作が行われ、上記Ｑ１信号がハイレベルである場合には、オン状態となる放電回路３６０によって第１キャパシター回路３３１−１及び第２キャパシター回路３３１−２における放電動作が行われる。
【０１０７】
上記第２比較回路３４１−２は、上記第２充電電圧Ｖｙと第２基準電圧ＶＲＥＦ２を比較し、その比較結果によるレベルを含む上記第２制御信号ＳＣ２を出力することができる。
【０１０８】
一例として、上記第２比較回路３４１−２は、第２比較器ＣＯＭ２と、第２アンドゲートＡＮＤ２と、を含むことができる。上記第２比較器ＣＯＭ２は、上記第２充電電圧Ｖｙと第２基準電圧ＶＲＥＦ２を比較し、上記第２充電電圧Ｖｙが第２基準電圧ＶＲＥＦ２より高いとローレベルを含み、上記第２充電電圧Ｖｙが第２基準電圧ＶＲＥＦ２より低いとハイレベルを含む信号を上記第２アンドゲートＡＮＤ２に出力する。
【０１０９】
上記第２アンドゲートＡＮＤ２は、Ｑ１信号と上記第２比較器ＣＯＭ２の出力信号を論理積し、２つの信号が両方ともハイレベルである場合に、ハイレベルを有する上記第２制御信号ＳＣ２を出力することができる。
【０１１０】
上記第１比較回路３４１−１は、上記第１充電電圧Ｖｘと第２基準電圧ＶＲＥＦ２を比較し、その比較結果によるレベルを含む上記第１制御信号ＳＣ１を出力することができる。
【０１１１】
一例として、上記第１比較回路３４１−１は、第１比較器ＣＯＭ１と、第１アンドゲートＡＮＤ１と、を含むことができる。上記第１比較器ＣＯＭ１は、上記第１充電電圧Ｖｘと第２基準電圧ＶＲＥＦ２を比較し、上記第１充電電圧Ｖｘが第２基準電圧ＶＲＥＦ２より高いとローレベルを含み、上記第１充電電圧Ｖｘが第２基準電圧ＶＲＥＦ２より低いとハイレベルを含む信号を上記第１アンドゲートＡＮＤ１に出力する。
【０１１２】
上記第１アンドゲートＡＮＤ１は、Ｑ１信号と上記第１比較器ＣＯＭ１の出力信号を論理積し、２つの信号が両方ともハイレベルである場合に、ハイレベルを有する上記第１制御信号ＳＣ１を出力することができる。
【０１１３】
図１４及び図１３を参照すると、上記第１キャパシター回路３３１−１の第１キャパシターＣ１と上記第２キャパシター回路３３１−２の第２キャパシターＣ２が同一のキャパシタンスを有し、上記第１定電流ＩＲＥＦ１が第２定電流ＩＲＥＦ２のｎ倍大きい電流（ＩＲＥＦ１＝ｎｘＩＲＥＦ２）であると、第１充電電圧Ｖｘは第２充電電圧Ｖｙより速く増加する。
【０１１４】
イネーブル信号Ｓｅｎがハイ遷移される時点Ｔ０で充電される第１充電電圧Ｖｘまたは第２充電電圧Ｖｙが第１基準電圧ＶＲＥＦ１に到達すると（Ｔ１）、Ｑ２信号はオフレベルの信号になり、Ｑ１信号はオンレベルの信号となって、第１キャパシターＣ１及び第２キャパシターＣ２に充電された電荷が一定の速度で放電される。
【０１１５】
このような放電により、第１充電電圧Ｖｘまたは第２充電電圧Ｖｙのそれぞれが第２基準電圧ＶＲＥＦ２と同一になる時点Ｔ２、Ｔ３で、第１制御信号ＳＣ１及び第２制御信号ＳＣ２のそれぞれが上昇レベルに遷移されるようになる。すなわち、第２充電電圧Ｖｙが第２基準電圧ＶＲＥＦ２と同一になる時点Ｔ２で第２制御信号ＳＣ２がオンレベルとなり、第１充電電圧Ｖｘが第２基準電圧ＶＲＥＦ２と同一になる時点Ｔ３で第１制御信号ＳＣ１がオンレベルとなる。結局、上記第２制御信号ＳＣ２がオンレベルとなる時点Ｔ２と、第１制御信号ＳＣ１がオンレベルとなる時点Ｔ３との間の時間に、電力増幅装置がウォームアップ（ｗａｒｍ−ｕｐ）される。
【０１１６】
また、工程偏差によって第１キャパシターＣ１及び第２キャパシターＣ２が変わっても、第１キャパシターＣ１と第２キャパシターＣ２との割合（Ｃ１／Ｃ２）の変化量は非常に小さいため、キャパシターの工程偏差及び比較器のオフセットによってＴ１、Ｔ２、Ｔ３時点は変わり得るが、Ｔ３−Ｔ２の時間（初期起動区間ＰＴ１に相当する）は殆ど変化しない。これにより、ＰＶＴ（Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）に対してより安定した初期起動区間ＰＴ１に相当する時間を得ることができる。
【０１１７】
一方、図１４において、第１基準電圧ＶＲＥＦ１及び第２基準電圧ＶＲＥＦ２を調節することで、その時間を必要なだけ調節することができるが、第１基準電圧ＶＲＥＦ１及び第２基準電圧ＶＲＥＦ２のそれぞれは動作電圧Ｖｃｃの関数であることができる。例えば、動作電圧Ｖｃｃが高いと、第１基準電圧ＶＲＥＦ１を低く設定して時間を減らすことで、初期起動区間ＰＴ１に相当するウォームアップの程度（ＶｃｃｘＩｗｐｘ時間）を一定に調節することができる。
【０１１８】
また、図１４において、第１〜第４基準電流ＩＲＥＦ１、ＩＲＥＦ２、ＩＲＥＦ３、ＩＲＥＦ４も調節することで、その時間を必要なだけ調節することができる。一例として、第３基準電流ＩＲＥＦ３を第４基準電流ＩＲＥＦ４の１／４に設定すると、第１充電電圧Ｖｘは、第２充電電圧Ｖｙに対して４倍ゆっくり減少することから、初期起動区間ＰＴ１（Ｔ３−Ｔ２）を４倍増加させることができる。
【０１１９】
図１４において、Ｓｅｎはシステムイネーブル信号であり、一例として、受信（ＲＸ）モードから送信（ＴＸ）モードへの変更時に、ローレベルからハイレベルに遷移されることができる。Ｔ０はイネーブル時点、Ｔ１は上記放電制御回路３５０のＱ１信号によって決定される放電時点、Ｔ２は第２比較回路３４１−２の出力信号によって決定される第２制御信号ＳＣ２の上昇時点であり、Ｔ３は第１比較回路３４１−１の出力信号によって決定される第１制御信号ＳＣ１の上昇時点、Ｔ４は信号が入力される時点である。
【０１２０】
一方、本発明の一実施形態による電力増幅装置の制御回路は、プロセッサー（例えば、中央処理装置（ＣＰＵ）、グラフィック処理処置（ＧＰＵ）、マイクロプロセッサー、特定用途向け集積回路（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ、ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙｓ、ＦＰＧＡ）など）、メモリー（例えば、揮発性メモリー（例えば、ＲＡＭなど）、不揮発性メモリー（例えば、ＲＯＭ、フラッシュメモリーなど））、入力デバイス（例えば、キーボード、マウス、ペン、音声入力デバイス、タッチ入力デバイス、赤外線カメラ、ビデオ入力デバイスなど）、出力デバイス（例えば、ディスプレイ、スピーカー、プリンターなど）、通信接続装置（例えば、モデム、ネットワークインタフェースカード（ＮＩＣ）、統合ネットワークインタフェース、無線周波数送信機／受信機、赤外線ポート、ＵＳＢ接続装置など）が互いに相互接続（例えば、周辺構成要素相互接続（ＰＣＩ）、ＵＳＢ、ファームウェア（ＩＥＥＥ  １３９４）、光学的バス構造、ネットワークなど）されたコンピューティング環境により実現されることができる。
【０１２１】
上記コンピューティング環境は、パーソナルコンピューター、サーバコンピューター、ハンドヘルドまたはラップトップデバイス、モバイルデバイス（モバイルフォン、ＰＤＡ、メディアプレーヤーなど）、マルチプロセッサーシステム、消費者電子機器、ミニコンピューター、メインフレームコンピューター、任意の上述のシステムまたはデバイスを含む分散コンピューティング環境などにより実現されることができるが、これに限定されない。
【０１２２】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【０１２３】
１００  バイアス回路
１１０  電流源
１２０  温度補償部
１２１  温度補償回路
１２２  第１スイッチ
１３０  バイアス出力部
１３１  バイアス出力回路
１３２  第２スイッチ
２００  電力増幅回路
３１１  バッファー
３２１  定電流源
３３１  キャパシター回路
３４１  比較器
３２１−１  第１定電流源
３２１−２  第２定電流源
３３１−１  第１キャパシター回路
３３１−２  第２キャパシター回路
３５０  放電制御回路
３６０  放電回路
３４１−１  比較回路
３４１−２  比較回路
【図１】
2020028104.tif 000003
【図２】
2020028104.tif 000004
【図３】
2020028104.tif 000005
【図４】
2020028104.tif 000006
【図５】
2020028104.tif 000007
【図６】
2020028104.tif 000008
【図７】
2020028104.tif 000009
【図８】
2020028104.tif 000010
【図９】
2020028104.tif 000011
【図１０】
2020028104.tif 000012
【図１１】
2020028104.tif 000013
【図１２】
2020028104.tif 000014
【図１３】
2020028104.tif 000015
【図１４】
2020028104.tif 000016