(57)【要約】【課題】本発明は、エレクトロルミネッセンス素子において、特に量子ドット発光素子においても、発光寿命を向上させることが可能な高分子材料を提供する。【解決手段】本発明は、特定構造の構成単位の交互共重合体のセグメントを含み、ガラス転移温度が５０℃以上２５０℃以下である高分子材料に関する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される構成単位の交互共重合体のセグメントを含み、ガラス転移温度が５０℃以上２５０℃以下である、高分子材料。
【化１】
2020200397.tif 000109
（式（１）中、Ｘは、下記式（２−Ａ）〜下記式（２−Ｄ）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であり、Ｙは、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基である。）
【化２】
2020200397.tif 000110
（式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中、Ａｒ１は、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の３価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の３価の芳香族複素環基であり、
Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基であり、
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基であり、
Ｚ１〜Ｚ８は、それぞれ独立して、窒素原子又は−ＣＨ＝であり、
＊は、主鎖を形成する結合部位であり、
式（２−Ｂ）〜式（２−Ｄ）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基であり、
この際、Ｒ１及びＲ２は、互いに結合して環を形成してもよく、
ａは、１以上４以下の整数であり、
ｂは、１以上３以下の整数である。）
【請求項２】
前記式（１）において、Ｘが下記式（２−Ｅ）〜下記式（２−Ｉ）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項１に記載の高分子材料。
【化３】
2020200397.tif 000111
（式（２−Ｅ）〜式（２−Ｈ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１、Ｒ２、ａ、ｂ、及び＊は、前記式（２−Ａ）〜前記式（２−Ｄ）と同義である。）
【請求項３】
前記式（１）において、Ｘが下記式（２−Ｉ）〜（２−Ｌ）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項２に記載の高分子材料。
【化４】
2020200397.tif 000112
（式（２−Ｉ）〜式（２−Ｌ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１、Ｒ２、ａ、ｂ、及び＊は、前記式（２−Ａ）〜前記式（２−Ｄ）と同義である。）
【請求項４】
前記式（１）において、Ｘが下記式（２−１）〜（２−６）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項２に記載の高分子材料。
【化５】
2020200397.tif 000113
（式（２−１）〜式（２−６）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｌ１、Ｌ２、及びＲ１は、前記式（２―Ａ）〜前記式（２−Ｄ）と同義である。）
【請求項５】
前記Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも一方は、置換された環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基であり、
前記Ａｒ２及び前記Ａｒ３における、前記１価の芳香族炭化水素基、又は前記１価の芳香族複素環基を置換する置換基の少なくとも１つは、炭素数１０以上６０以下のアルキル基である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の高分子材料。
【請求項６】
前記Ｙは、置換された環形成炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基であり、前記２価の芳香族炭化水素基、又は前記２価の芳香族複素環基を置換する置換基の少なくとも１つは、炭素数１４以上６０以下のアルキル基である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の高分子材料。
【請求項７】
前記式（１）において、前記Ｙが下記式（２−７）〜下記式（２−２３）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の高分子材料。
【化６】
2020200397.tif 000114
（式（２−７）〜式（２−２３）中、Ａは、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、又は炭素数１以上６０以下のアルキル基であり、
Ｑは、それぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−ＣＲ７Ｒ８−、−ＳｉＲ７Ｒ８−（ただし、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基、置換若しくは非置換のアリール基又は置換若しくは非置換のヘテロアリール基である）であり、
Ｚは、それぞれ独立して、−ＣＲ９＝、−Ｎ＝、−ＳｉＲ９＝（ただし、Ｒ９は、水素原子、重水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基、置換若しくは非置換のアリール基又は置換若しくは非置換のヘテロアリール基であり、
＊は、主鎖を形成する結合部位である。）
【請求項８】
前記式（１）において、Ｙが前記式（２−７）、前記式（２−８）、前記式（２−１０）、前記式（２−１１）、前記式（２−１５）〜前記式（２−２０）、前記式（２−２２）及び前記式（２−２３）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であり、
この際、前記Ａの少なくとも１つは、炭素数１４以上６０以下のアルキル基である、請求項７に記載の高分子材料。
【請求項９】
下記式（３）で表される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の高分子材料。
【化７】
2020200397.tif 000115
（式（３）中、Ｅは、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基であり、
ｍは２以上の整数であり、複数のＸ及びＹは、それぞれ独立して、同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の高分子材料を含む、エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の高分子材料と、溶媒又は分散媒とを含む、液状組成物。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の高分子材料を含む、薄膜。
【請求項１３】
一対の電極と、
前記一対の電極間に配置されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の高分子材料を含む１層以上の有機層と、を備える、エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】
前記有機層のうち、少なくとも１層は、塗布法により形成されている、請求項１３に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
量子ドットを含む層をさらに備え、
前記量子ドットは、無機ナノ粒子である、請求項１３又は１４に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子材料、エレクトロルミネッセンス素子用材料、液状組成物、薄膜及びエレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、広い色域に対応したディスプレイの開発が活発になっており、かようなデバイスとして、エレクトロルミネッセンス素子が期待されている。例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）では、その発光層の材料開発により色域の改善を試みている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、有機ＥＬ素子の発光層を構成する有機発光材料である、蛍光発光材料や燐光発光材料では、シャープな発光スペクトルを得ることが原理上難しい。
【０００４】
シャープな発光スペクトルを有する材料として、量子ドットが知られており、量子ドットを発光層に用いたエレクトロルミネッセンス素子である、量子ドット発光素子が開発されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１４／０４２２６５号
【特許文献２】特開２０１０−１９９０６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、量子ドット発光素子は、発光寿命を向上させることが求められている。
【０００７】
量子ドット発光素子の発光寿命を改善するためには、キャリアバランスを調整することが重要となる。
【０００８】
ここで、有機ＥＬ素子は、一般に、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料がそれぞれ有機物であるため、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料は、エネルギー準位間のエネルギー差が小さいため、発光層に電荷を注入する際の障壁が小さい。
【０００９】
これに対して、量子ドットは、一般に、価電子帯（Ｖａｌｅｎｃｅ  ｂａｎｄ、以下、ＶＢという）が深く、有機層である正孔輸送層から正孔を注入する際の障壁が大きいことが、発光寿命が低下する原因の一つであると考えられる。
【００１０】
本発明の一態様は、上記を鑑み、エレクトロルミネッセンス素子において、特に量子ドット発光素子においても、発光寿命を向上させることが可能な高分子材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、下記式（１）で表される構成単位の交互共重合体のセグメントを含み、ガラス転移温度が５０℃以上２５０℃以下である高分子材料に関する。
【００１２】
【化１】
2020200397.tif 000002
【００１３】
（式（１）中、Ｘは、下記式（２−Ａ）〜下記式（２−Ｄ）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であり、Ｙは、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基である）。
【００１４】
【化２】
2020200397.tif 000003
【００１５】
（式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中、Ａｒ１は、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の３価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の３価の芳香族複素環基であり、
Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基であり、
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基であり、
Ｚ１〜Ｚ８は、それぞれ独立して、窒素原子又は−ＣＨ＝であり、
＊は、主鎖を形成する結合部位であり、
式（２−Ｂ）〜式（２−Ｄ）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基であり、
この際、Ｒ１及びＲ２は、互いに結合して環を形成してもよく、
ａは、１以上４以下の整数であり、
ｂは、１以上３以下の整数である）。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一態様によれば、エレクトロルミネッセンス素子において、特に量子ドット発光素子においても、発光寿命を向上させることが可能な高分子材料が提供されうる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態に係る量子ドット発光素子の一例を示す模式図である。
【図２】実施例２８の量子ドットの構造を示す断面図である。
【図３】実施例２８の量子ドットのフォトルミネッセンススペクトルである。
【図４】比較例２の量子ドット発光素子Ｃ１のエネルギーダイアグラムである。
【図５】実施例２８の量子ドット発光素子１０１のエネルギーダイアグラムである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではない。
【００１９】
［高分子材料］
本実施形態に係る高分子材料は、下記式（１）で表される構成単位の交互共重合体のセグメントを含む。
【００２０】
【化３】
2020200397.tif 000004
【００２１】
（式（１）中、Ｘは、下記式（２−Ａ）〜下記式（２−Ｄ）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であり、Ｙは、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基である）。
【００２２】
【化４】
2020200397.tif 000005
【００２３】
（式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中、Ａｒ１は、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の３価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の３価の芳香族複素環基であり、
Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基であり、
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基であり、
＊は、主鎖を形成する結合部位であり、
Ｚ１〜Ｚ８は、それぞれ独立して、窒素原子又は−ＣＨ＝であり、
式（２−Ｂ）〜式（２−Ｄ）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基であり、
この際、Ｒ１及びＲ２は、互いに結合して環を形成してもよく、
ａは、１以上４以下の整数であり、
ｂは、１以上３以下の整数である）。
【００２４】
本実施形態に係る高分子材料は、１種以上の式（１）で表される構成単位を含み、１種以上の他の構成単位をさらに含んでいてもよい。ここで、本実施形態に係る高分子材料は、Ｘ及びＹが交互に結合している交互共重合体のセグメントを含むため、製造の再現性が高い。また、本実施形態に係る高分子材料は、Ｘ及びＹの局在がないことから、薄膜として用いた場合に均質な特性が得られる。
【００２５】
［Ｘ］
本実施形態に係る高分子材料は、構成単位として、１種のＸを含んでいてもよいし、２種以上のＸを含んでいてもよい。
【００２６】
本実施形態に係る高分子材料は、Ｘがアミノ基で置換された窒素含有芳香族複素環（例えば、カルバゾール骨格）を含むため、正孔輸送性を向上させることができる。
【００２７】
また、本実施形態に係る高分子材料は、Ｘが主鎖に芳香族基（Ａｒ１）、側鎖に窒素含有芳香族複素環及び窒素含有芳香族複素環に結合するアミノ基（Ｎ（Ａｒ２）（Ａｒ３））を含む。このため、本実施形態に係る高分子材料は、ＨＯＭＯ準位が深くなり、その結果、エレクトロルミネッセンス素子において、特に量子ドット発光素子において、発光寿命を向上させることができる。また、高い発光効率、低い駆動電圧を達成することができる。
【００２８】
式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中、Ａｒ１は、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の３価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の３価の芳香族複素環基である。
【００２９】
ここで、芳香族炭化水素基は、１個以上の芳香族炭化水素環を含む芳香族炭化水素化合物由来の基である。ここで、芳香族炭化水素基が２個以上の芳香族炭化水素環を含む場合、２個以上の芳香族炭化水素環は互いに縮合していてもよい。また、芳香族炭化水素基は、１個以上の置換基で置換されていてもよい。
【００３０】
芳香族炭化水素化合物としては、特に限定されないが、ベンゼン、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アントラセン、アズレン、ヘプタレン、アセナフタレン、フェナレン、フルオレン、フェナントレン、ビフェニル、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン、テトラフェン、ヘキサフェン、ヘキサセン、ルビセン、トリナフチレン、ヘプタフェン、ピラントレン等を挙げることができる。
【００３１】
また、芳香族複素環基は、１個以上のヘテロ原子（例えば、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（Ｏ）、リン原子（Ｐ）、硫黄原子（Ｓ））を有し、残りの環形成原子が炭素原子（Ｃ）である１以上の芳香族複素環を含む芳香族複素環化合物由来の基である。また、芳香族複素環基が２個以上の芳香族複素環を含む場合、２個以上の芳香族複素環は互いに縮合していてもよい。また、芳香族複素環基は、１個以上の置換基で置換されていてもよい。
【００３２】
芳香族複素環化合物としては、特に限定されないが、ピラゾリン、イミダゾリン、オキサゾリン、チアゾリン、トリアゾリン、テトラゾリン、オキサジアゾリン、ピリジン、ピリダジニン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾリン、アザカルバゾリン、インドリン、キノリニン、イソキノリン、ベンゾイミダゾリン、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン、フラン、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、アザジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、アザジベンゾチオフェン等を挙げることができる。
【００３３】
Ａｒ１における３価の芳香族炭化水素基としては、上記芳香族炭化水素化合物の水素原子のうち、任意の３個の水素原子を除いた基が挙げられる。また、３価の芳香族複素環基としては、上記芳香族複素環化合物の水素原子のうち、任意の３個の水素原子を除いた基が挙げられる。
【００３４】
これらのうち、ＨＯＭＯ準位を調整する観点から、Ａｒ１は、以下に示す基であることが好ましい。
【００３５】
【化５】
2020200397.tif 000006
【００３６】
（上記式中、＊は、主鎖を形成する結合部位である）。
【００３７】
３価の芳香族炭化水素基又は３価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基としては、特に限定されないが、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基等を挙げることができ、二種以上を併用してもよい。
【００３８】
ここで、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００３９】
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチル−１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−メチル−１−イソプロピルブチル基、２−メチル−１−イソプロピル基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、イソデシル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基、ｎ−ヘンエイコシル基、ｎ−ドコシル基、ｎ−トリコシル基、ｎ−テトラコシル基等が挙げられる。
【００４０】
アルキル基は、炭素数１以上２４以下の直鎖又は分岐状のアルキル基であることが好ましく、炭素数１以上８以下の直鎖又は分岐状のアルキル基であることがより好ましい。
【００４１】
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３−エチルペンチルオキシ基等が挙げられる。
【００４２】
アルコキシ基は、炭素数１以上２４以下の直鎖又は分岐状のアルコキシ基であることが好ましく、炭素数１以上８以下の直鎖又は分岐状のアルコキシ基であることがより好ましい。
【００４３】
３価の芳香族炭化水素基（又は３価の芳香族複素環基）に導入されてもよい芳香族複素環基（又は芳香族炭化水素基）としては、例えば、上記芳香族複素環（又は芳香族炭化水素）から任意の１個の水素原子を除いた基等が挙げられる。
【００４４】
これらの中でも、Ａｒ１は、非置換の３価の芳香族炭化水素基又は３価の芳香族複素環基であることが好ましく、非置換の３価の芳香族炭化水素基であることがより好ましい。そして、下記式（ＡＡ）または下記式（ＡＢ）で表される基であることがさらに好ましく、下記式（ＡＡ）で表される基であることが特に好ましい。
【００４５】
【化６】
2020200397.tif 000007
【００４６】
（上記式中、＊は、主鎖を形成する結合部位である）。
【００４７】
式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）において、Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基である。
【００４８】
ここで、１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基は、３価の芳香族炭化水素基及び３価の芳香族複素環基を１価とする以外は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中のＡｒ１と同様であるため、ここでは、説明を省略する。また、１価の芳香族炭化水素基又は１価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中のＡｒ１における置換基と同様であるため、ここでは、説明を省略する。
【００４９】
本実施形態に係る高分子材料のＨＯＭＯ準位、正孔輸送性、正孔注入性を高くする観点から、１価の芳香族炭化水素基は、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、ターフェニル基、トリル基、ｔ−ブチルフェニル基、又は（フェニルプロピル）フェニル基であることが好ましく、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、アントリル基、ターフェニル基、又はトリル基であることがより好ましく、ビフェニル基、フルオレニル基であることがさらに好ましい。
【００５０】
また、本実施形態に係る高分子材料のＨＯＭＯ準位、正孔輸送性、正孔注入性を高くする観点から、１価の芳香族複素環基は、ピリジル基、ビピリジル基、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、ピリミジル基、インドリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、キノリル基、キノキサニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、チオフェニル基、イソチオフェニル基、又はジベンゾチオフェニル基であることが好ましく、ピリジル基、ピロリル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、又はビピリジル基であることがより好ましい。
【００５１】
１価の芳香族炭化水素基又は１価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基としては、特に限定されないが、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基等を挙げることができ、二種以上を併用してもよい。
【００５２】
また、本実施形態に係る高分子材料のＨＯＭＯ準位、正孔輸送性、正孔注入性、溶解性、塗布性を高くし、発光寿命を向上させる観点から、１価の芳香族炭化水素基又は１価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、炭素数１以上６０以下のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換基で置換されているアミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換基で置換されたカルボキシル基、シアノ基、又はニトロ基であることが好ましい。
【００５３】
これらの中でも、高分子材料のＨＯＭＯ準位、正孔輸送性、正孔注入性、溶解性、塗布性を高くする観点から、炭素数１以上８以下のアルキル基がより好ましく、炭素数１以上３以下のアルキル基がさらに好ましい。また、発光寿命をより向上させる観点から、炭素数１０以上６０以下のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１２以上６０以下のアルキル基であることがさらに好ましい。
【００５４】
ここで、１価の芳香族炭化水素基、又は１価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基であるアルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよいが、直鎖状又は分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましい。
【００５５】
これら置換基の作用から、本実施形態に係る高分子材料は、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも一方は、置換された環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基であることが好ましい。また、Ａｒ２及びＡｒ３は、共に、置換された、又は非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基であって、これらの少なくとも一方は、置換された環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基であることがより好ましい。また、Ａｒ２及びＡｒ３における、１価の芳香族炭化水素基、又は１価の芳香族複素環基を置換する置換基の少なくとも１つは、炭素数１０以上６０以下のアルキル基であることが好ましい。また、これらの中でも、炭素数１２以上６０以下のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１２以上２０以下のアルキル基であることがさらに好ましい。
【００５６】
以上から、Ａｒ２及びＡｒ３の好ましい組み合わせの例としては、これらの少なくとも一方は、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された、又は非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基であり、他方は、炭素数１２以上６０以下のアルキル基で置換された、環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基であるものが挙げられる。
【００５７】
Ａｒ２及びＡｒ３の具体例を以下に示す。
【００５８】
【化７】
2020200397.tif 000008
【００５９】
【化８】
2020200397.tif 000009
【００６０】
【化９】
2020200397.tif 000010
【００６１】
（上記式中、Ｒ６は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数１以上６０以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基である。＊は、結合部位である。Ａｌｋｙｌは、アルキル基で置換されていることを意味する。各ｐは、それぞれ独立して、１以上４以下の整数である。ｑは、１以上５以下の整数である）。
【００６２】
そして、Ａｒ２及びＡｒ３の具体例としては、高分子材料のＨＯＭＯ準位、正孔輸送性、正孔注入性、溶解性、塗布性を高くし、発光寿命を向上させる観点から、下記式で表される基であることが好ましい。
【００６３】
【化１０】
2020200397.tif 000011
【００６４】
（上記式中、Ａｌｋｙｌは、アルキル基で置換されていることを意味する）。
【００６５】
なお、上記Ａｒ２及びＡｒ３の具体例におけるＡｌｋｙｌの好ましい例は、上記Ａｒ２及びＡｒ３が置換された１価の芳香族炭化水素基、又は置換された１価の芳香族複素環基である場合の置換基であるアルキル基の説明と同様である。
【００６６】
式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）において、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基である。
【００６７】
ここで、２価の芳香族炭化水素基及び２価の芳香族複素環基は、３価の芳香族炭化水素基及び３価の芳香族複素環基を２価とする以外は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中のＡｒ１と同様であるため、ここでは、説明を省略する。また、２価の芳香族炭化水素基又は２価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中のＡｒ１における置換基と同様であるため、ここでは、説明を省略する。
【００６８】
本実施形態に係る高分子材料のＨＯＭＯ準位、正孔輸送性、正孔注入性を高くし、発光寿命を向上させる観点から、２価の芳香族炭化水素基は、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ナフタセニレン基、ピレニレン基、ターフェニレン基、トリレン基、ｔ−ブチルフェニレン基、又は（フェニルプロピル）フェニレン基であることが好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ターフェニレン基、又はトリレン基であることがより好ましい。
【００６９】
また、本実施形態に係る高分子材料のＨＯＭＯ準位、正孔輸送性、正孔注入性を高くする観点から、２価の芳香族複素環基は、ピリジンジイル基、ビピリジンジイル基、ピロリンジイル基、ピラジンジイル基、ピリジニル基、ピリミジンジイル基、インドリンジイル基、フランジイル基、ベンゾフランジイル基、ジベンゾフランジイル基、キノリンジイル基、キノキサリンジイル基、カルバゾールジイル基、フェナントリジンジイル基、アクリジンジイル基、フェナジンジイル基、フェノチアジンジイル基、フェノキサジンジイル基、オキサゾールジイル基、オキサジアゾールジイル基、フラザンジイル基、チオフェンジイル基、チオフェニル基、イソチオフェンジイル基、又はジベンゾチオフェンジイル基であることが好ましく、ピリジンジイル基、ピロリンジイル基、カルバゾールジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェンジイル基、又はビピリジンジイル基であることがより好ましい。
【００７０】
また、本実施形態に係る高分子材料のＨＯＭＯ準位、正孔輸送性、正孔注入性、溶解性、塗布性を高くし、発光寿命を向上させる観点から、２価の芳香族炭化水素基又は２価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、炭素数１以上５０以下のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換基で置換されているアミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換基で置換されているカルボキシル基、シアノ基、又はニトロ基であることが好ましく、炭素数１以上５０以下のアルキル基であることがより好ましい。
【００７１】
これらのうち、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立して、単結合、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ナフタセニレン基、ピレニレン基、ターフェニレン基、トリレン基、ｔ−ブチルフェニレン基、又は（フェニルプロピル）フェニレン基であることが好ましい。これらの中でも、単結合、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、又はフルオレニレン基であることがより好ましく、単結合またはフェニレン基であることがさらに好ましい。そして、Ｌ１が単結合であり、Ｌ２がフェニレン基であることが特に好ましい。
【００７２】
式（２−Ｂ）〜式（２−Ｄ）において、Ｒ１及びＲ２は、Ｚ１〜Ｚ８が−ＣＨ＝である場合における、当該水素原子（Ｈ）を置換する置換基である。ただし、式（２−Ａ）のように、Ｒ１及びＲ２の存在は必須とはされない。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基である。ここで、Ｒ１及びＲ２は、互いに結合して環を形成してもよい。なお、Ｒ１及びＲ２は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、ａが２以上４以下である場合、複数のＲ１は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。同様にして、ｂが２又は３である場合、複数のＲ２は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００７３】
ここで、炭素数１以上２０以下のアルキル基としては、特に限定されないが、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチル−１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−メチル−１−イソプロピルブチル基、２−メチル−１−イソプロピル基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、イソデシル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エイコシル基等が挙げられる。
【００７４】
炭素数１以上２０以下のアルキル基は、炭素数１以上２０以下の直鎖又は分岐状のアルキル基であることが好ましく、炭素数１以上８以下の直鎖又は分岐状のアルキル基であることがより好ましい。
【００７５】
炭素数１以上２０以下のアルコキシ基としては、特に限定されないが、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、イソペントキシ基、ｔｅｒｔ−ペントキシ基、ネオペントキシ基、１，２−ジメチルプロポキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルブトキシ基、１−イソプロピルプロポキシ基、１，２−ジメチルブトキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、１，４−ジメチルペンチルオキシ基、３−エチルペンチルオキシ基、２−メチル−１−イソプロピルプロポキシ基、１−エチル−３−メチルブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３−メチル−１−イソプロピルブトキシ基、２−メチル−１−イソプロポキシ基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロポキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、１−メチルデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−エイコシルオキシ基等が挙げられる。
【００７６】
炭素数１以上２０以下のアルコキシ基は、炭素数１以上２０以下の直鎖又は分岐状のアルコキシ基であることが好ましく、炭素数１以上８以下の直鎖又は分岐状のアルコキシ基であることがより好ましい。
【００７７】
ここで、環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基及び環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基は、３価の芳香族炭化水素基及び３価の芳香族複素環基を１価とする以外は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中のＡｒ１と同様であるため、ここでは、説明を省略する。また、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中のＡｒ１における置換基と同様であるため、ここでは、説明を省略する。
【００７８】
これらのうち、Ｒ１及びＲ２は、フェニル基又はフルオレニル基であることが好ましい。
【００７９】
ａは、式（２−Ｂ）〜式（２−Ｄ）中のＲ１が側鎖に位置する窒素含有芳香族複素環に結合する数であるが、１以上４以下の整数であり、好ましくは１以上２以下の整数であり、より好ましくは１である。
【００８０】
ｂは、式（２−Ｂ）〜式（２−Ｄ）中のＲ２が側鎖に位置する窒素含有芳香族複素環に結合する数であるが、１以上３以下の整数であり、好ましくは１以上２以下の整数であり、より好ましくは１である。
【００８１】
式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）で表される基の中でも、式（２−Ａ）、式（２−Ｃ）又は式（２−Ｄ）で表される基が好ましく、式（２−Ａ）又は式（２−Ｄ）で表される基がより好ましく、式（２−Ａ）で表される基がさらに好ましい。
【００８２】
式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）において、窒素含有芳香族複素環を構成するＺ１〜Ｚ８は、それぞれ独立して、窒素原子又は−ＣＨ＝である。
【００８３】
窒素含有芳香族複素環は、窒素含有芳香族複素環を構成するＺ１〜Ｚ８が−ＣＨ＝である構造、すなわち、以下に示す構造であることが好ましい。
【００８４】
【化１１】
2020200397.tif 000012
【００８５】
（上記式中、＊は、結合部位である）。
【００８６】
また、窒素含有芳香族複素環は、以下に示す構造であることがより好ましい。
【００８７】
【化１２】
2020200397.tif 000013
【００８８】
（上記式中、＊は、結合部位である）。
【００８９】
これより、本実施形態において、Ｘは、ＨＯＭＯ準位及び正孔輸送能をさらに向上させる観点、駆動電圧をさらに低下させる観点並びに発光寿命をより向上させる観点から、下記式（２−Ｅ）〜式（２−Ｈ）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。また、これらの中でも、特に発光寿命をより向上させる観点から、Ｘは、下記式（２−Ｉ）〜下記式（２−Ｌ）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましい。この際、Ｒ１及びＲ２は、互いに結合せず環を形成しないことが好ましい。ここで、上記式（１）で表される構成単位の交互共重合体のセグメントに含まれる複数のＸは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００９０】
【化１３】
2020200397.tif 000014
【００９１】
（式（２−Ｅ）〜式（２−Ｈ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１、Ｒ２、ａ、ｂ、及び＊は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）と同義である）。
【００９２】
【化１４】
2020200397.tif 000015
【００９３】
（式（２−Ｉ）〜式（２−Ｌ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１、Ｒ２、ａ、ｂ、及び＊は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）と同義である）。
【００９４】
また、これらの中でも、ＨＯＭＯ準位及び正孔輸送能をさらに向上させる観点、駆動電圧をさらに低下させる観点並びに発光寿命をより向上させる観点から、Ｘは、下記式（２−１）〜（２−６）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましい。ここで、上記式（１）で表される構成単位の交互共重合体のセグメントに含まれる複数のＸは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００９５】
【化１５】
2020200397.tif 000016
【００９６】
（式（２−１）〜式（２−６）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１、及び＊は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）と同義である）。
【００９７】
Ｘの具体例を以下に示す。
【００９８】
【化１６】
2020200397.tif 000017
【００９９】
【化１７】
2020200397.tif 000018
【０１００】
【化１８】
2020200397.tif 000019
【０１０１】
【化１９】
2020200397.tif 000020
【０１０２】
【化２０】
2020200397.tif 000021
【０１０３】
【化２１】
2020200397.tif 000022
【０１０４】
【化２２】
2020200397.tif 000023
【０１０５】
【化２３】
2020200397.tif 000024
【０１０６】
【化２４】
2020200397.tif 000025
【０１０７】
【化２５】
2020200397.tif 000026
【０１０８】
【化２６】
2020200397.tif 000027
【０１０９】
【化２７】
2020200397.tif 000028
【０１１０】
【化２８】
2020200397.tif 000029
【０１１１】
【化２９】
2020200397.tif 000030
【０１１２】
【化３０】
2020200397.tif 000031
【０１１３】
【化３１】
2020200397.tif 000032
【０１１４】
（上記式中、＊は、主鎖を形成する結合部位であり、Ａｌｋｙｌは、アルキル基で置換されていることを意味する）。
【０１１５】
これらの中でも、Ｘの具体例としては、高分子材料のＨＯＭＯ準位、正孔輸送性、正孔注入性、溶解性、塗布性を高くし、発光寿命を向上させる観点から、下記式（Ｘ−１）〜下記式（Ｘ−１１）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。また、Ｘの具体例としては、下記式（Ｘ−１）、下記式（Ｘ−４）及び下記式（Ｘ−７）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましい。ここで、上記式（１）で表される構成単位の交互共重合体のセグメントに含まれる複数のＸは、同一であってもよいし、異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
【０１１６】
【化３２】
2020200397.tif 000033
【０１１７】
なお、上記のＸの具体例におけるＡｌｋｙｌの好ましい例は、上記Ａｒ２及びＡｒ３における、１価の芳香族炭化水素基、又は１価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基としてのアルキル基の説明と同様である。
【０１１８】
［Ｙ］
本実施形態に係る高分子材料は、構成単位として、１種のＹを含んでいてもよいし、２種以上のＹを含んでいてもよい。
【０１１９】
本実施形態に係る高分子材料は、構成単位として、Ｙを含むため、溶解性に優れる。このため、本実施形態に係る高分子材料を用いると、塗布法によって、薄膜を容易に成膜することができる。
【０１２０】
式（１）において、Ｙは、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基である。ここで、「芳香族炭化水素基」は、少なくとも１つの芳香族炭化水素環を含む基を意図するが、芳香族炭化水素環のみから構成される基であることが好ましい。また、Ｙとしての「芳香族複素環基」は、少なくとも１つの芳香族複素環基を含む基を意図するが、芳香族複素環のみから構成される基であるか、又は芳香族炭化水素環及び芳香族複素環から構成される基であることが好ましい。そして、Ｙとしての芳香族複素環基は、芳香族複素環のみから構成される基であることがより好ましい。
【０１２１】
ここで、２価の芳香族炭化水素基の代表的な構造例は、３価の芳香族炭化水素基を２価とする以外は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中のＡｒ１と同様であるため、ここでは、説明を省略する。また、２価の芳香族複素環基の代表的な構造例は、３価の芳香族複素環基を２価とする以外は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中のＡｒ１と同様であるため、ここでは、説明を省略する。
【０１２２】
これらのうち、高分子材料の溶解性を向上させる観点から、Ｙは、フェニレン基、フルオレンジイル基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ナフタセニレン基、ピレニレン基、ターフェニレン基、トリレン基、ｔ−ブチルフェニレン基、又は（フェニルプロピル）フェニレン基、チエニレン基であることが好ましく、フェニレン基、フルオレンジイル基又はターフェニレン基であることがより好ましい。
【０１２３】
また、２価の芳香族炭化水素基又は２価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中のＡｒ１における置換基と同様であるため、ここでは、説明を省略する。
【０１２４】
これらのうち、本実施形態に係る高分子材料の溶解性を向上させる観点及び発光寿命を向上させる観点から、２価の芳香族炭化水素基、又は２価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、炭素数１以上６０以下のアルキル基であることが好ましい。これらの中でも、溶解性をより向上させる観点から、炭素数１以上１２以下のアルキル基であることがより好ましく、炭素数３以上１０以下のアルキル基であることがさらに好ましく、炭素数６以上８以下のアルキル基であることが特に好ましい。また、これらの中でも、発光寿命をより向上させる観点から、炭素数１４以上６０以下のアルキル基であることが好ましく、炭素数１４以上４０以下であることが好ましく、炭素数１４以上３０以下であることがさらに好ましい。上記から、Ｙは、置換された環形成炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基であり、前記２価の芳香族炭化水素基、又は前記２価の芳香族複素環基を置換する置換基の少なくとも１つは、炭素数１４以上６０以下のアルキル基であることが好ましい。そして、Ｙにおける、２価の芳香族炭化水素基、又は２価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基としてのアルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよいが、直鎖状又は分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましい。
【０１２５】
Ｙは、ＨＯＭＯ準位を調整する観点から、下記式（２−７）〜下記式（２−２３）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。ここで、上記式（１）で表される構成単位の交互共重合体のセグメントに含まれる複数のＹは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【０１２６】
【化３３】
2020200397.tif 000034
【０１２７】
（式（２−７）〜式（２−２３）中、Ａは、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、炭素数１以上６０以下のアルキル基、又は水素原子であり、
Ｑは、それぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−ＣＲ７Ｒ８−、−ＳｉＲ７Ｒ８−（ただし、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基、置換若しくは非置換のアリール基又は置換若しくは非置換のヘテロアリール基である）であり、
Ｚは、それぞれ独立して、−ＣＲ９＝、−Ｎ＝、−ＳｉＲ９＝（ただし、Ｒ９は、水素原子、重水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基、置換若しくは非置換のアリール基又は置換若しくは非置換のヘテロアリール基であり、
＊は、主鎖を形成する結合部位である）。
【０１２８】
これらの中でも、高分子材料は、前記式（１）において、Ｙが式（２−７）、式（２−８）、式（２−１０）、式（２−１１）、式（２−１５）〜式（２−２０）、式（２−２２）及び式（２−２３）で表される基からなる群から選択される少なくとも１種であり、この際、Ａの少なくとも１つは、炭素数１４以上６０以下のアルキル基であることが好ましい。
【０１２９】
Ｙの具体例を以下に示す。
【０１３０】
【化３４】
2020200397.tif 000035
【０１３１】
（上記式中、＊は、主鎖を形成する結合部位であり、Ａｌｋｙｌは、アルキル基で置換されていることを意味する。また、ｒは、１以上４以下の整数であり、ｓは、１以上５以下の整数である）。
【０１３２】
これらの中でも、Ｙの具体例としては、発光寿命を向上させる観点から、下記式（Ｙ−１）〜下記式（Ｙ−９）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。また、Ｙの具体例としては、下記式（Ｙ−１）、下記式（Ｙ−２）、下記式（Ｙ―４）及び下記式（Ｙ−６）〜下記式（Ｙ−８）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましい。ここで、上記式（１）で表される構成単位の交互共重合体のセグメントに含まれる複数のＹは、同一であってもよいし、異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
【０１３３】
【化３５】
2020200397.tif 000036
【０１３４】
なお、上記Ｙの具体例におけるＡｌｋｙｌの好ましい例は、上記Ｙが置換された２価の芳香族炭化水素基、又は置換された２価の芳香族複素環基である場合の置換基であるアルキル基の説明と同様である。
【０１３５】
以下に、発光寿命を向上させる観点から、特に好ましい高分子材料の構造を説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１３６】
特に好ましい高分子材料は、上記式（１）で表される構成単位の交互共重合体のセグメントを含む、ガラス転移温度が５０℃以上２５０℃以下である高分子材料であって、
上記式（１）中、
Ｘは、上記式（２−Ａ）〜上記式（２−Ｄ）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であり、上記式（２−Ａ）〜上記式（２−Ｄ）中のＡｒ２及びＡｒ３における、１価の芳香族炭化水素基若しくは１価の芳香族複素環基を置換する置換基の少なくとも１つがアルキル基である場合、前記アルキル基の炭素数は１以上８以下であり、Ｙは、置換された環形成炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、若しくは置換された環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基であり、前記Ｙにおける前記２価の芳香族炭化水素基若しくは前記２価の芳香族複素環基を置換する置換基の少なくとも１つが炭素数は１４以上６０以下のアルキル基であるか、又は、
Ｘは、上記式（２−Ｅ）〜上記式（２−Ｈ）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であり、上記式（２−Ｅ）〜上記式（２−Ｈ）中のＡｒ２及びＡｒ３の少なくとも一方は、置換された１価の芳香族炭化水素基、若しくは置換された１価の芳香族複素環基であり、前記Ａｒ２及び前記Ａｒ３における前記１価の芳香族炭化水素基若しくは前記１価の芳香族複素環基を置換する置換基の少なくとも１つは、炭素数１０以上６０以下のアルキル基である。
【０１３７】
高分子材料は、前記式（１）で表される構成単位の交互共重合体のセグメントを含み、前記Ｘが前記具体例で挙げた基からなる群から選択される少なくとも１種であり、前記Ｙが前記具体例で挙げた基からなる群から選択される少なくとも１種であり、前記Ｘが有するＡｌｋｙｌの少なくとも１つが炭素数１０以上６０以下のアルキル基であるか、又は前記Ｙが有するＡｌｋｙｌの少なくとも１つが炭素数１４以上６０以下のアルキル基であることが好ましい。ここで、前記Ｘは、上記式（Ｘ−１）〜上記式（Ｘ−１１）で表される基からなる群から選択される少なくとも１種からなる群から選択されることがより好ましく、上記式（Ｘ−１）、上記式（Ｘ−４）及び上記式（Ｘ−７）で表される基からなる群から選択される少なくとも１種であることがさらに好ましい。また、前記Ｙは、上記式（Ｙ−１）〜上記式（Ｙ−９）からなる群から選択される少なくとも１種であることがより好ましく、上記式（Ｙ−１）、上記式（Ｙ−２）、上記式（Ｙ―４）及び上記式（Ｙ−６）〜上記式（Ｙ−８）で表される基からなる群より選択されることがさらに好ましい。これより、高分子材料は、前記式（１）で表される構成単位の交互共重合体のセグメントを含み、前記Ｘが上記式（Ｘ−１）〜上記式（Ｘ−１１）からなる群から選択される少なくとも１種であり、前記Ｙが上記式（Ｙ−１）〜上記式（Ｙ−９）からなる群から選択される少なくとも１種であり、前記Ｘが有するＡｌｋｙｌの少なくとも１つが炭素数１０以上６０以下のアルキル基であるか、又は前記Ｙが有するＡｌｋｙｌの少なくとも１つが炭素数１４以上６０以下のアルキル基であることがよりさらに好ましい。そして、高分子材料は、前記Ｘが上記式（Ｘ−１）、上記式（Ｘ−４）及び上記式（Ｘ−７）で表される基からなる群から選択される少なくとも１種であり、前記Ｙは、上記式（Ｙ−１）、上記式（Ｙ−２）、上記式（Ｙ―４）及び上記式（Ｙ−６）〜上記式（Ｙ−８）で表される基からなる群より選択される少なくとも１種であり、前記Ｘが有するＡｌｋｙｌの少なくとも１つが炭素数１０以上６０以下のアルキル基であるか、又は前記Ｙが有するＡｌｋｙｌの少なくとも１つが炭素数１４以上６０以下のアルキル基であることが特に好ましい。
【０１３８】
すなわち、好ましいＸと、Ｙとの具体的な組み合わせ（［Ｘ，Ｙ］）は、以下のものであって、前記Ｘが有するＡｌｋｙｌの少なくとも１つが炭素数１０以上６０以下のアルキル基であるか、又は前記Ｙが有するＡｌｋｙｌの少なくとも１つが炭素数１４以上６０以下のアルキル基である。
【０１３９】
［Ｘ−１、Ｙ−１］、［Ｘ−１、Ｙ−２］、［Ｘ−１、Ｙ−３］、［Ｘ−１、Ｙ−４］、［Ｘ−１、Ｙ−５］、［Ｘ−１、Ｙ−６］、［Ｘ−１、Ｙ−７］、［Ｘ−１、Ｙ−８］、［Ｘ−１、Ｙ−９］、［Ｘ−２、Ｙ−１］、［Ｘ−２、Ｙ−２］、［Ｘ−２、Ｙ−３］、［Ｘ−２、Ｙ−４］、［Ｘ−２、Ｙ−５］、［Ｘ−２、Ｙ−６］、［Ｘ−２、Ｙ−７］、［Ｘ−２、Ｙ−８］、［Ｘ−２、Ｙ−９］、［Ｘ−３、Ｙ−１］、［Ｘ−３、Ｙ−２］、［Ｘ−３、Ｙ−３］、［Ｘ−３、Ｙ−４］、［Ｘ−３、Ｙ−５］、［Ｘ−３、Ｙ−６］、［Ｘ−３、Ｙ−７］、［Ｘ−３、Ｙ−８］、［Ｘ−３、Ｙ−９］、［Ｘ−４、Ｙ−１］、［Ｘ−４、Ｙ−２］、［Ｘ−４、Ｙ−３］、［Ｘ−４、Ｙ−４］、［Ｘ−４、Ｙ−５］、［Ｘ−４、Ｙ−６］、［Ｘ−４、Ｙ−７］、［Ｘ−４、Ｙ−８］、［Ｘ−４、Ｙ−９］、［Ｘ−５、Ｙ−１］、［Ｘ−５、Ｙ−２］、［Ｘ−５、Ｙ−３］、［Ｘ−５、Ｙ−４］、［Ｘ−５、Ｙ−５］、［Ｘ−５、Ｙ−６］、［Ｘ−５、Ｙ−７］、［Ｘ−５、Ｙ−８］、［Ｘ−５、Ｙ−９］、［Ｘ−６、Ｙ−１］、［Ｘ−６、Ｙ−２］、［Ｘ−６、Ｙ−３］、［Ｘ−６、Ｙ−４］、［Ｘ−６、Ｙ−５］、［Ｘ−６、Ｙ−６］、［Ｘ−６、Ｙ−７］、［Ｘ−６、Ｙ−８］、［Ｘ−６、Ｙ−９］、［Ｘ−７、Ｙ−１］、［Ｘ−７、Ｙ−２］、［Ｘ−７、Ｙ−３］、［Ｘ−７、Ｙ−４］、［Ｘ−７、Ｙ−５］、［Ｘ−７、Ｙ−６］、［Ｘ−７、Ｙ−７］、［Ｘ−７、Ｙ−８］、［Ｘ−７、Ｙ−９］、［Ｘ−８、Ｙ−１］、［Ｘ−８、Ｙ−２］、［Ｘ−８、Ｙ−３］、［Ｘ−８、Ｙ−４］、［Ｘ−８、Ｙ−５］、［Ｘ−８、Ｙ−６］、［Ｘ−８、Ｙ−７］、［Ｘ−８、Ｙ−８］、［Ｘ−８、Ｙ−９］、［Ｘ−９、Ｙ−１］、［Ｘ−９、Ｙ−２］、［Ｘ−９、Ｙ−３］、［Ｘ−９、Ｙ−４］、［Ｘ−９、Ｙ−５］、［Ｘ−９、Ｙ−６］、［Ｘ−９、Ｙ−７］、［Ｘ−９、Ｙ−８］、［Ｘ−９、Ｙ−９］、［Ｘ−１０、Ｙ−１］、［Ｘ−１０、Ｙ−２］、［Ｘ−１０、Ｙ−３］、［Ｘ−１０、Ｙ−４］、［Ｘ−１０、Ｙ−５］、［Ｘ−１０、Ｙ−６］、［Ｘ−１０、Ｙ−７］、［Ｘ−１０、Ｙ−８］、［Ｘ−１０、Ｙ−９］、［Ｘ−１１、Ｙ−１］、［Ｘ−１１、Ｙ−２］、［Ｘ−１１、Ｙ−３］、［Ｘ−１１、Ｙ−４］、［Ｘ−１１、Ｙ−５］、［Ｘ−１１、Ｙ−６］、［Ｘ−１１、Ｙ−７］、［Ｘ−１１、Ｙ−８］、［Ｘ−１１、Ｙ−９］。
【０１４０】
本実施形態に係る高分子材料のより詳細は具体例としては、下記の交互共重合体のセグメントを含むものが挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１４１】
【化３６】
2020200397.tif 000037
【０１４２】
【化３７】
2020200397.tif 000038
【０１４３】
【化３８】
2020200397.tif 000039
【０１４４】
【化３９】
2020200397.tif 000040
【０１４５】
【化４０】
2020200397.tif 000041
【０１４６】
【化４１】
2020200397.tif 000042
【０１４７】
【化４２】
2020200397.tif 000043
【０１４８】
【化４３】
2020200397.tif 000044
【０１４９】
本実施形態に係る高分子材料は、下記式（３）で表されることが好ましい。これにより、量子ドット発光素子の発光寿命がより長くなる。
【０１５０】
【化４４】
2020200397.tif 000045
【０１５１】
（式（３）中、Ｅは、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基であり、
ｍは２以上の整数であり、複数のＸ及びＹは、それぞれ独立して、同一であってもよいし、異なっていてもよい）。
【０１５２】
ここで、１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基は、３価の芳香族炭化水素基及び３価の芳香族複素環基を２価とする以外は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中のＡｒ１と同様であるため、ここでは、説明を省略する。また、１価の芳香族炭化水素基又は１価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、式（２−Ａ）〜式（２−Ｄ）中のＡｒ１における置換基と同様であるため、ここでは、説明を省略する。
【０１５３】
上記式（３）におけるＥ（末端基）の具体例を以下に示す。
【０１５４】
【化４５】
2020200397.tif 000046
【０１５５】
（上記式中、＊は、結合部位である）。
【０１５６】
本実施形態に係る高分子材料は、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子用材料として用いることができるが、量子ドットを含むＥＬ素子用の正孔輸送材料として用いることが特に有効である。
【０１５７】
［高分子材料のガラス転移温度（Ｔｇ）］
本実施形態に係る高分子材料のガラス転移温度は、５０℃以上２５０℃以下である。ガラス転移温度が５０℃未満であると、薄膜を乾燥させる加熱温度で膜のひび割れが発生して、十分な発光特性を得ることができない。また、ガラス転移温度が２５０℃を超えると、正孔輸送材料の性能を引き出すためのプロセス温度が高温となり、素子への熱負荷がかかるため、十分な素子寿命を得ることができない。
【０１５８】
高分子材料のガラス転移温度の下限は、５０℃以上であれば特に制限されないが、１００℃以上であることが好ましく、１３０℃以上であることがより好ましい。また、高分子材料のガラス転移温度の下限は、２５０℃以下であれば特に制限されないが、２４０℃以下であることが好ましく、２３０℃以下であることがさらに好ましい。ガラス転移温度は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）（セイコーインスツル社製、商品名：ＤＳＣ６０００）を用いて測定することができる。なお、測定方法の詳細は実施例に記載する。
【０１５９】
［高分子材料のＨＯＭＯ準位（ｅＶ）］
本実施形態に係る高分子材料のＨＯＭＯ準位の絶対値は、特に制限されないが、発光寿命をより向上させる観点から、５．５ｅＶ以上６．０ｅＶ以下であることが好ましい。また、５．５ｅＶ以上５．９ｅＶ以下であることがさらに好ましい。なお、ＨＯＭＯ準位は、通常、負の数値である。高分子材料のＨＯＭＯ準位は、大気中光電子分光装置（理研計器株式会社製、ＡＣ−３）を用いて測定することができる。なお、測定方法の詳細は実施例に記載する。
【０１６０】
［高分子材料の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）］
本実施形態に係る高分子材料の数平均分子量（Ｍｎ）は、２，０００以上１，０００，０００以下であることが好ましく、３，０００以上５００，０００以下であることがより好ましい。これにより、高分子材料を含む薄膜（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な厚さの薄膜を形成することが可能である。
【０１６１】
また、本実施形態に係る高分子材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は、４，０００以上であることが好ましく、５，０００以上であることがより好ましい。これにより、高分子材料を含む薄膜（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な厚さの薄膜を形成することが可能である。
【０１６２】
ここで、数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に限定されず、公知の方法を用いて、又は、公知の方法を適宜修正して測定することができる。本明細書では、数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、以下の方法により測定される値を採用する。
【０１６３】
高分子材料の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレンを標準物質として用いて、ＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー：Ｓｉｚｅ  Ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）により、以下の条件で測定する。
【０１６４】
分析装置（ＧＰＣ）：島津製作所製、Ｐｒｏｍｉｎｅｎｃｅ
カラム：ポリマーラボラトリーズ製、ＰＬｇｅｌ  ＭＩＸＥＤ−Ｂ
カラム温度：４０℃
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
試料溶液の注入量：２０μＬ（濃度：約０．０５質量％）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
検出器（ＵＶ−ＶＩＳ検出器）：島津製作所製、ＳＰＤ−１０ＡＶ
標準試料：ポリスチレン
［高分子材料の合成方法］
本実施形態に係る高分子材料は、公知の有機合成反応を適宜組み合わせて合成することが可能である。本実施形態に係る高分子材料の具体的な合成方法は、後述する実施例を参照した当業者であれば、容易に理解することが可能である。具体的には、本実施形態に係る高分子材料は、下記式（４）で示される単量体（α−１）〜単量体（α−４）からなる群から選択される１種以上の単量体である単量体（α）及び下記式（５）で示される１種以上の単量体（β）を、モル比１：１で共重合することにより合成することができる。なお、単量体（α）及び（β）は、公知の有機合成反応を適宜組み合わせて合成することができる。また、単量体（α）及び（β）は、公知の分析方法（例えば、ＮＭＲ、ＬＣ−ＭＳ）を用いて、同定することができる。
【０１６５】
【化４６】
2020200397.tif 000047
【０１６６】
【化４７】
2020200397.tif 000048
【０１６７】
（上記式（４）及び（５）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、Ｚ６、Ｚ７、Ｚ８、ａ、及びｂは、前記式（２−Ａ）〜前記式（２−Ｄ）と同様である。また、Ａｒ４は、前記式（１）におけるＹと同様である。そして、Ｗ１〜Ｗ４は、それぞれ独立して、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、特に臭素原子）又は以下に示す基である）。
【０１６８】
【化４８】
2020200397.tif 000049
【０１６９】
上記式中、ＲＡ〜ＲＤは、それぞれ独立して、炭素数１以上３以下のアルキル基である。
【０１７０】
［ＥＬ素子用材料、ＥＬ素子］
本実施形態に係るＥＬ素子用材料は、本実施形態に係る高分子材料を含む。
【０１７１】
本実施形態に係るＥＬ素子は、一対の電極と、一対の電極間に配置されている、本実施形態に係る高分子材料を含む１層以上の有機層とを備える。このとき、ＥＬ素子は、量子ドットを含む層をさらに備えることが好ましい。さらに、ＥＬ素子は、１層以上の有機層のうち、少なくとも１層が、塗布法により形成されていることが好ましい。
【０１７２】
ＥＬ素子としては、例えば、量子ドット発光素子、有機ＥＬ素子、有機無機ペロブスカイト発光素子等が挙げられる。
【０１７３】
［液状組成物、薄膜］
本実施形態に係る液状組成物は、本実施形態に係る高分子材料と、溶媒又は分散媒とを含む。また、本実施形態に係る薄膜は、本実施形態に係る高分子材料を含む。
【０１７４】
本実施形態に係る高分子材料は、溶解性に優れるため、塗布法（ウェットプロセス）によりＥＬ素子（特に、薄膜）を製造する際に、特に好適に用いることができる。
【０１７５】
本実施形態に係る高分子材料は、電荷移動度に優れるため、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等の有機層を形成する際に、用いることができる。このとき、本実施形態に係る高分子材料は、正孔輸送性の観点から、正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成する際に、好適に用いることができ、正孔輸送層を形成する際に、特に好適に用いることができる。
【０１７６】
［エレクトロルミネッセンス素子］
本実施形態は、上記高分子材料を含む、エレクトロルミネッセンス素子に関する。ここで、本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子は、一対の電極と、一対の電極間に配置されている、上記高分子材料を含む１層以上の有機層と、を備えることが好ましい。また、本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子では、特に制限されないが、前述のように上記高分子材料は溶解性に優れることから、当該有機層のうち、少なくとも１層は、塗布法により形成されていることが好ましい。そして、本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子は、特に制限されないが、発光寿命をより向上させる観点から、量子ドットを含む層をさらに備え、当該量子ドットは、無機ナノ粒子であることが好ましい。
【０１７７】
次に、本実施形態に係るＥＬ素子の一例として、量子ドット発光素子を説明する。
【０１７８】
［量子ドット発光素子］
図１に、本実施形態に係る量子ドット発光素子の一例を示す。
【０１７９】
量子ドット発光素子１００は、発光層１５０を必須として有する。例えば、基板１１０上に、第１電極１２０と、発光層１５０と、第２電極１８０とが順次配置されてなる。
また、例えば、基板１１０上に、第１電極１２０と、正孔注入層１３０と、正孔輸送層１４０と、発光層１５０と、電子輸送層１６０と、第２電極１８０とが順次配置されてなる。そして、例えば、基板１１０上に、第１電極１２０と、正孔注入層１３０と、正孔輸送層１４０と、発光層１５０と、電子輸送層１６０と、電子注入層１７０と、第２電極１８０とが順次配置されてなる。
【０１８０】
ここで、本実施形態に係る高分子材料は、例えば、第１電極１２０と第２電極１８０との間に配置されている、１層以上の有機層中に含まれる。具体的には、本実施形態に係る高分子材料は、正孔注入材料、正孔輸送材料、又は発光材料として、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、又は発光層１５０に含まれることが好ましい。また、本実施形態に係る高分子材料は、正孔注入材料又は正孔輸送材料として、正孔注入層１３０又は正孔輸送層１４０に含まれることがより好ましい。さらに、本実施形態に係る高分子材料は、正孔輸送材料として、正孔輸送層１４０に含まれることが特に好ましい。
【０１８１】
また、本実施形態に係る高分子材料を含む有機層は、塗布法（溶液塗布法）によって形成される。
【０１８２】
塗布法（溶液塗布法）としては、特に限定されないが、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコード法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を挙げることができる。
【０１８３】
なお、溶液塗布法に使用する溶媒は、本実施形態に係る高分子材料を溶解させることが可能であれば、特に限定されないが、トルエン、キシレン、ジエチルエーテル、クロロホルム、酢酸エチル、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、アセトン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アニソール、ヘキサメチルリン酸トリアミド、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ジオキサン、シクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等を挙げることができる。
【０１８４】
ここで、塗布容易性を考慮すると、溶液中の高分子材料の濃度は、０．１質量％以上１０質量％以下程度であることが好ましく、０．５質量％以上５質量％以下程度であることがより好ましい。
【０１８５】
なお、本実施形態に係る高分子材料を含む有機層以外の層の成膜方法としては、特に限定されないが、真空蒸着法、溶液塗布法等を挙げることができる。
【０１８６】
基板１１０としては、特に限定されず、一般的なＥＬ素子で使用される基板を使用することができ、ガラス基板、シリコン基板等の半導体基板、透明なプラスチック基板等を挙げることができる。
【０１８７】
第１電極１２０は、陽極であり、金属、合金、導電性化合物等の材料のうち、仕事関数が大きい材料を用いて、形成することができる。第１電極１２０は、酸化インジウムスズ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２：ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明導電材料を成膜することによって、透過型電極として、形成することができる。また、第１電極１２０は、上記透過型電極に対して、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の反射材料を成膜することによって、反射型電極として、形成することができる。
【０１８８】
正孔注入層１３０は、第１電極１２０からの正孔の注入を容易にする層である。
【０１８９】
正孔注入層１３０の厚さは、約１０ｎｍ以上約１０００ｎｍ以下であることが好ましく、約１０ｎｍ以上約１００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【０１９０】
正孔注入層１３０は、公知の正孔注入材料を用いて、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法等により形成することができる。
【０１９１】
正孔注入材料としては、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−［４−（フェニル−ｍ−トリル−アミノ）−フェニル］−ビフェニル−４，４’−ジアミン、銅フタロシアニン、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、４，４’，４”−トリス（ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／１０−カンファースルホン酸等を挙げることができる。
【０１９２】
正孔輸送層１４０は、正孔を輸送する機能を備える層である。
【０１９３】
正孔輸送層１４０の厚さは、約１０ｎｍ以上約１５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１９４】
正孔輸送層１４０は、本実施形態に係る高分子材料を用いて、溶液塗布法により形成されていることが好ましい。これにより、量子ドット発光素子１００の発光効率を向上させることが可能な高分子材料を効率的に大面積で成膜することができる。
【０１９５】
ただし、量子ドット発光素子１００を構成する他の有機層が本実施形態に係る高分子材料を含む場合、正孔輸送層１４０は、公知の正孔輸送材料を用いて形成されてもよい。
【０１９６】
正孔輸送材料としては、例えば、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン等を挙げることができる。
【０１９７】
発光層１５０は、蛍光、燐光等の光を発する層である。
【０１９８】
発光層１５０の厚さは、約１０ｎｍ以上約６０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１９９】
発光層１５０は、多数の量子ドットが一層で配列されていてもよいし、複数層で配列されていてもよい。ここで、量子ドットは、量子拘束効果を有する無機ナノ粒子である。無機ナノ粒子の直径は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下程度である。
【０２００】
発光層１５０に配列される量子ドットは、ウェット化学法、有機金属化学蒸着法、分子線エピタキシー法等により合成することができる。
【０２０１】
ウェット化学法は、有機溶媒中に前駆体物質を入れて、粒子を成長させる方法である。このとき、有機溶媒が自然に量子ドット結晶の表面に配位されて、分散剤の役割をして、結晶の成長を調節する。このため、ウェット化学法は、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法等の気相蒸着法よりも、容易かつ低コストで、粒子の成長を制御することができる。このとき、量子ドットのサイズを調節することによって、エネルギーバンドギャップを調節することができ、その結果、発光層１５０で多様な波長帯の光を発することができる。したがって、複数の異なるサイズの量子ドットを使用することにより、複数波長の光を発するディスプレイを作製することが可能になる。量子ドットのサイズは、カラーディスプレイを構成するために、赤色光、緑色光及び青色光を発することができるように、適宜選択することができる。また、量子ドットのサイズは、多様なカラー光が白色光を出射するように組み合わせることができる。
【０２０２】
量子ドットを構成する材料としては、特に限定されないが、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素又は化合物からなる群から選択される半導体物質を使用することができ、二種以上を併用してもよい。
【０２０３】
ＩＩ−ＶＩ族化合物としては、例えば、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ等の二元素化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ等の三元素化合物；ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ等の四元素化合物を挙げることができる。
【０２０４】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物としては、例えば、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ等の二元素化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ等の三元素化合物；ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ等の四元素化合物を挙げることができる。
【０２０５】
ＩＶ−ＶＩ族化合物としては、例えば、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ等の二元素化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ等の三元素化合物；ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ等の四元素化合物を挙げることができる。
【０２０６】
ＩＶ族元素又は化合物としては、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ等の一元素化合物；ＳｉＣ、ＳｉＧｅ等の二元素化合物を挙げることができる。
【０２０７】
量子ドットは、均質な構造を有していてもよいし、コア・シェル構造を有していてもよい。
【０２０８】
コア・シェル構造は、異なる物質を含むことができ、コアとシェルを構成する材料は、異なる半導体物質である。ただし、シェルを構成する半導体物質は、コアを構成する半導体物質よりも、エネルギーバンドギャップが大きい。
【０２０９】
例えば、コア（ＣｄＳｅ）・シェル（ＺｎＳ）構造を有する量子ドットを作製する場合を説明する。まず、有機溶媒（分散剤）としての、ＴＯＰＯ（ｔｒｉｏｃｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ）に、（ＣＨ３）２Ｃｄ（ｄｉｍｅｔｈｙｌｃａｄｍｉｕｍ）、ＴＯＰＳｅ（ｔｒｉｏｃｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ  ｓｅｌｅｎｉｄｅ）等のコア（ＣｄＳｅ）の前駆体物質を注入して結晶を成長させ、コアを生成させる。このとき、結晶が一定のサイズに成長するように、高温で一定時間維持した後、シェル（ＺｎＳ）の前駆体物質を注入して、コアの表面にシェルを形成する。これによって、ＴＯＰＯでキャッピングされたＣｄＳｅ／ＺｎＳの量子ドットを作製することができる。
【０２１０】
また、コア・シェル構造の量子ドットとしては、例えば、ＩｎＰをコアとする、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳの３層構造の量子ドット等が挙げられる。
【０２１１】
電子輸送層１６０は、電子を輸送する機能を備える層である。
【０２１２】
電子輸送層１６０の厚さは、約１５ｎｍ以上約５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２１３】
電子輸送層１６０は、公知の電子輸送材料を用いて、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法等により形成することができる。
【０２１４】
電子輸送材料としては、例えば、ＺｎＭｇＯ、（８−キノリノラト）リチウム、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム、含窒素芳香族複素環を有する化合物等を挙げることができる。
【０２１５】
含窒素芳香族複素環を有する化合物の具体例としては、１，３，５−トリ［（３−ピリジル）−フェン−３−イル］ベンゼン等のピリジン環を含む化合物、２，４，６−トリス（３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル）−１，３，５−トリアジン等のトリアジン環を含む化合物、２−（４−（Ｎ−フェニルベンゾイニダゾリル−１−イル−フェニル）−９，１０−ジナフチルアントラセン等のイミダゾール環を含む化合物等を挙げることができる。
【０２１６】
電子注入層１７０は、第２電極１８０からの電子の注入を容易にする機能を備える層である。
【０２１７】
電子注入層１７０の厚さは、約０．３ｎｍ以上約９ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２１８】
電子注入層１７０は、公知の電子注入材料を用いて、真空蒸着法等により形成することができる。
【０２１９】
電子注入材料としては、例えば、（８−キノリノラト）リチウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等のリチウム化合物、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化バリウム（ＢａＯ）等を挙げることができる。
【０２２０】
第２電極１８０は、陰極であり、金属、合金、又は導電性化合物等のうち、仕事関数が小さいものを用いて、形成することができる。第２電極１８０は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）等の金属、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）等の合金を用いて、反射型電極として、形成することができる。また、第２電極１８０は、上記金属を用いて、厚さ２０ｎｍ以下の透過型電極として、形成することができる。さらに、第２電極１８０は、酸化インジウムスズ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等の透明導電材料を用いて、透過型電極として、形成することができる。
【０２２１】
なお、本実施形態に係るＥＬ素子の積層構造は、量子ドット発光素子１００の積層構造に限定されない。本実施形態に係るＥＬ素子は、他の公知の積層構造が形成されていてもよい。例えば、量子ドット発光素子１００において、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、電子輸送層１６０及び電子注入層１７０のうちの１層以上が省略されていてもよい。また、量子ドット発光素子１００において、他の層をさらに備えていてもよい。また、量子ドット発光素子１００において、各層は、複数層の積層構造で形成されていてもよい。
【０２２２】
例えば、量子ドット発光素子１００は、励起子又は正孔が電子輸送層１６０に拡散することを防止するために、正孔輸送層１４０と発光層１５０との間に正孔阻止層をさらに備えていてもよい。
【０２２３】
正孔阻止層は、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等を用いて、形成することができる。
【実施例】
【０２２４】
以下に、本発明の実施例を説明する。ただし、本発明の技術的範囲は、以下の実施例のみに限定されるものではない。なお、以下の実施例において、特に記載しない限り、各操作は、室温（２５℃）で実施した。また、特に記載しない限り、％及び部は、それぞれ、質量％及び質量部を意味する。
【０２２５】
＜高分子材料（高分子化合物）の合成＞
［実施例１］
（化合物ＲＭ１−１の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ１−１を合成した。
【０２２６】
【化４９】
2020200397.tif 000050
【０２２７】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、２−アミノ−Ｎ−［（１，１’−ビフェニル）−４−イル］−Ｎ−（４−ブロモフェニル）−９，９−ジメチルフルオレン（１５．００ｇ、２９．０４ｍｍｏｌ）、３−（４，４，５，５，−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）カルバゾール（７．６６ｇ、２６．１４ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド（０．４１ｇ、０．５８ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（７．７０ｇ、７２．６１ｍｍｏｌ）、ジオキサン（２９０ｍｌ）、水（１４５ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を８５℃で４時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物ＲＭ１−１（１２．７ｇ）を得た。
【０２２８】
（化合物ＲＭ１−２の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ１−２を合成した。
【０２２９】
【化５０】
2020200397.tif 000051
【０２３０】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物ＲＭ１−１（７．００ｇ、１１．６ｍｍｏｌ）、１，３−ジブロモ−５−ヨードベンゼン（４．６２ｇ、１２．７７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（０．１１ｇ、０．５８ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン（０．２９ｇ、２．５５ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．２３ｇ、２３．２３ｍｍｏｌ）、ジオキサン（３５ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を９０℃で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物ＲＭ１−２（６ｇ）を得た。
【０２３１】
（化合物ＲＭ１−３の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ１−３を合成した。
【０２３２】
【化５１】
2020200397.tif 000052
【０２３３】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物ＲＭ１−２（４．００ｇ、４．７８ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（３．６４ｇ、１４．３４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（２．８２ｇ、２８．６９ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（０．１１ｇ、０．１３ｍｍｏｌ）ジオキサン（５０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を９０℃で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物ＲＭ１−３（３ｇ）を得た。
【０２３４】
（高分子化合物Ａ−１の合成）
続いて、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼン（０．８６９ｇ）、ＲＭ１−３（２．００ｇ）、酢酸パラジウム（４．８ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４５．４ｍｇ）、トルエン（５５ｍＬ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６．３３ｇ）を加え、６時間還流した。次に、得られた混合液に、フェニルボロン酸（０．０２３ｇ）、酢酸パラジウム（４．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６．３３ｇ）を加え、３時間加熱還流した。その後、得られた混合液から水層を除き、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（５．０ｇ）、及び、イオン交換水（５０ｍＬ）を加え８５℃で３時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液と、水とで洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、及び乾燥し高分子化合物Ａ−１を得た（０．５０ｇ）。得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝６，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．７７であった。
【０２３５】
高分子化合物Ａ−１は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２３６】
【化５２】
2020200397.tif 000053
【０２３７】
［実施例２］
（高分子化合物Ａ−２の合成）
実施例１において、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼンの代わりに、１，３−ジブロモベンゼンを用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−２を得た（０．６０ｇ）。
【０２３８】
得られた高分子化合物の数平均分子量（Ｍｎ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝１６，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８であった。
【０２３９】
高分子化合物Ａ−２は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２４０】
【化５３】
2020200397.tif 000054
【０２４１】
［実施例３］
（高分子化合物Ａ−３の合成）
実施例１において、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼンの代わりに、２，５−ジブロモ−３−ドデシルチオフェンを用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−３を得た（０．４５ｇ）。
【０２４２】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝８，５００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．４８であった。
【０２４３】
高分子化合物Ａ−３は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２４４】
【化５４】
2020200397.tif 000055
【０２４５】
［実施例４］
（高分子化合物Ａ−４の合成）
実施例１において、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼンの代わりに、２，５−ジブロモ−３、４−エチレンジオキシチオフェンを用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−４を得た（０．４２ｇ）。
【０２４６】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝６，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．４であった。
【０２４７】
高分子化合物Ａ−４は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２４８】
【化５５】
2020200397.tif 000056
【０２４９】
［実施例５］
（Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ−２の合成）
下記反応式に従って、Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ−２を合成した。
【０２５０】
【化５６】
2020200397.tif 000057
【０２５１】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、３−ビフェニルボロン酸（１０．０ｇ、５０．５ｍｍｏｌ）、１，３−ジブロモ−５−ヨードベンゼン（１８．３ｇ、５０．５ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド（０.２４８ｇ、０.３５３ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（２．２４ｇ、２１．１ｍｍｏｌ）、ジオキサン（４０ｍｌ）、水（２０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を８５℃で４時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ−２（１２．７ｇ）を得た。
【０２５２】
（高分子化合物Ａ−５の合成）
続いて、実施例１において、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼンの代わりに、Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ−２を用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−５を得た（０．７７ｇ）。
【０２５３】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝５，５００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．４２であった。
【０２５４】
高分子化合物Ａ−５は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２５５】
【化５７】
2020200397.tif 000058
【０２５６】
［実施例６］
（高分子化合物Ａ−６の合成）
実施例１において、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼンの代わりに、２，７−ジブロモ−９，９−ジフェニルフルオレンを用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−６を得た（０．１９ｇ）。
【０２５７】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝１０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．７２であった。
【０２５８】
高分子化合物Ａ−６は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２５９】
【化５８】
2020200397.tif 000059
【０２６０】
［実施例７］
（Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ−１の合成）
下記反応式に従って、Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ−１を合成した。
【０２６１】
【化５９】
2020200397.tif 000060
【０２６２】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、カルバゾール（１５．０ｇ、８９．７ｍｍｏｌ）、１，４−ジブロモ−２−フルオロベンゼン（２５．１ｇ、９８．７ｍｍｏｌ）、水素化ナトリウム（２．０５ｇ、８５．２ｍｍｏｌ）、ＮＭＰ（１０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を１２０℃で２時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、水５０ｍＬとトルエン５０ｍＬを加え、有機層を洗浄した。これを３回繰り返したのち、有機層に硫酸マグネシウムを加え、濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ−１（２１．５ｇ）を得た。
【０２６３】
（高分子化合物Ａ−７の合成）
続いて、実施例１において、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼンの代わりに、Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ−１を用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−７を得た（１．００ｇ）。
【０２６４】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝６，７００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５４であった。
【０２６５】
高分子化合物Ａ−７は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２６６】
【化６０】
2020200397.tif 000061
【０２６７】
［実施例８］
（高分子化合物Ａ−８の合成）
実施例１において、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼンの代わりに、下記化合物を、ＲＭ１−３の代わりにＲＭ１−２を用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−８を得た（１．２０ｇ）。
【０２６８】
【化６１】
2020200397.tif 000062
【０２６９】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝１３６，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝３．２０であった。
【０２７０】
高分子化合物Ａ−８は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２７１】
【化６２】
2020200397.tif 000063
【０２７２】
［実施例９］
（高分子化合物Ａ−９の合成）
実施例１において、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼンの代わりに、２，７−ジブロモナフタレンを用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−９を得た（０．７８ｇ）。
【０２７３】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝２０，１００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９３であった。
【０２７４】
高分子化合物Ａ−９は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２７５】
【化６３】
2020200397.tif 000064
【０２７６】
［実施例１０］
（高分子化合物Ａ−１０の合成）
実施例１において、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼンの代わりに、下記化合物を用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−１０を得た（０．３５ｇ）。
【０２７７】
【化６４】
2020200397.tif 000065
【０２７８】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝１５，４００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．７７であった。
【０２７９】
高分子化合物Ａ−１０は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２８０】
【化６５】
2020200397.tif 000066
【０２８１】
［実施例１１］
（Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ−３の合成）
下記反応式に従って、Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ−３を合成した。
【０２８２】
【化６６】
2020200397.tif 000067
【０２８３】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、２−（（１，１’−３’１−ターフェニルボロン３−イル）４，４，５，５−テトラメチル１，３，２−ジオキサボラン）（７．００ｇ、１９．６ｍｍｏｌ）、１−ヨード−３，５−ジブロモベンゼン（７．１１ｇ、１９．６ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（０．１３８ｇ、０．１９６ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（６．２５ｇ、５８．９ｍｍｏｌ）、ジオキサン（７０ｍｌ）、水（４０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を８５℃で４時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ−３（５．８０ｇ）を得た。
【０２８４】
（高分子化合物Ａ−１１の合成）
続いて、実施例１において、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼンの代わりに、Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ−３を用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−１１を得た（０．３８ｇ）。
【０２８５】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝１０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５７であった。
【０２８６】
高分子化合物Ａ−１１は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２８７】
【化６７】
2020200397.tif 000068
【０２８８】
［実施例１２］
（高分子化合物Ａ−１２の合成）
実施例１において、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼンの代わりに、１，３−ジブロモ−５−へキシルベンゼンを用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−１２を得た（０．４０ｇ）。
【０２８９】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝２２，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３４であった。
【０２９０】
高分子化合物Ａ−１２は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２９１】
【化６８】
2020200397.tif 000069
【０２９２】
［実施例１３］
（高分子化合物Ａ−１３の合成）
実施例１において、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼンの代わりに、１，３−ジブロモ−５−オクチルベンゼンを用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−１３を得た（０．４５ｇ）。
【０２９３】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝２３，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．６７であった。
【０２９４】
高分子化合物Ａ−１３は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２９５】
【化６９】
2020200397.tif 000070
【０２９６】
［実施例１４］
（高分子化合物Ａ−１４の合成）
実施例１において、１，３−ジブロモ−５−テトラデシルベンゼンの代わりに、１，４−ジブロモ−２，５−ジドデシルベンゼンを用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−１４を得た（０．８２ｇ）。
【０２９７】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝１９，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．６５であった。
【０２９８】
高分子化合物Ａ−１４は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０２９９】
【化７０】
2020200397.tif 000071
【０３００】
［実施例１５］
（化合物ＲＭ１５−１の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ１５−１を合成した。
【０３０１】
【化７１】
2020200397.tif 000072
【０３０２】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、３−ブロモ−６−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（１０．０ｇ、３１．０ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（１０．２ｇ、４０．３ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１９．７ｇ、１８６ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（０．２１８ｇ、０．３１０ｍｍｏｌ）ＤＭＦ（３０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を９０℃で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、トルエン２００ｍＬを加えたのち、さらに水３００ｍＬを加え、有機層を洗浄した。これを３回繰り返したのち、有機層に硫酸マグネシウムを加え、濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物ＲＭ１５−１（１０．２ｇ）を得た。
【０３０３】
（化合物ＲＭ１５−２の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ１５−２を合成した。
【０３０４】
【化７２】
2020200397.tif 000073
【０３０５】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、２−アミノ−Ｎ−［（１，１’−ビフェニル）−４−イル］−Ｎ−（４−ブロモフェニル）−９，９−ジメチルフルオレン（１３．００ｇ、２５．２ｍｍｏｌ）、化合物ＲＭ１５−１（９．７６ｇ、２６．４ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド（０．１７７ｇ、０．２５２ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（８．００ｇ、７５．５ｍｍｏｌ）、ジオキサン（１００ｍｌ）、水（８０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を８５℃で４時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物ＲＭ１５−２（１２．７ｇ）を得た。
【０３０６】
（ＲＭ１５−３の合成）
下記反応式に従って、ＲＭ１５−３を合成した。
【０３０７】
【化７３】
2020200397.tif 000074
【０３０８】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物ＲＭ１５−２（４．７０ｇ、６．９２ｍｍｏｌ）、１，３−ジブロモ−５−フルオロベンゼン（１．９３ｇ、７．６１ｍｍｏｌ）、水素化ナトリウム（０．３３ｇ、１３．８ｍｍｏｌ）、ＮＭＰ（５ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を１２０℃で２時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、水５０ｍＬとトルエン５０ｍＬを加え、有機層を洗浄した。これを３回繰り返したのち、有機層に硫酸マグネシウムを加え、濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、ＲＭ１５−３（４．１９ｇ）を得た。
【０３０９】
（高分子化合物Ａ−１５の合成）
続いて、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、２，２’−（２，５−ｄｉｈｅｘｙｌ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓ［４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ（０．６４４ｇ）、ＲＭ１５−３（１．５００ｇ）、酢酸パラジウム（３．７ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２９．０ｍｇ）、トルエン（３０ｍＬ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（４．８４ｇ）を加え、６時間還流した。次に、得られた混合液に、フェニルボロン酸（０．１００ｇ）、酢酸パラジウム（３．０ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２８．０ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（４．８４ｇ）を加え、３時間加熱還流した。その後、得られた混合液から水層を除き、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（５．００ｇ）、及び、イオン交換水（４５ｍＬ）を加え８５℃で３時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液と、水とで洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した個体をろ別、及び乾燥し高分子化合物Ａ−１５を得た（０．５５ｇ）。
【０３１０】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝１２，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８５であった。
【０３１１】
高分子化合物Ａ−１５は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３１２】
【化７４】
2020200397.tif 000075
【０３１３】
［実施例１６］
（高分子化合物Ａ−１６の合成）
実施例１５において、２，２’−（２，５−ｄｉｈｅｘｙｌ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓ［４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅの代わりに、２，２’−（９，９−ｄｉｏｃｔｙｌ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎｅ−２，７−ｄｉｙｌ）ｂｉｓ（４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ）を用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−１６を得た（０．８２ｇ）。
【０３１４】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝１１，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５２であった。
【０３１５】
高分子化合物Ａ−１６は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３１６】
【化７５】
2020200397.tif 000076
【０３１７】
［実施例１７］
（化合物ＲＭ１７−１の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ１７−１を合成した。
【０３１８】
【化７６】
2020200397.tif 000077
【０３１９】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、１-ブロモ−４−ドデシルベンゼン（５０．０ｇ、１５４ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（４６．８ｇ、１８４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（４５．３ｇ、４６１ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（３．３７ｇ、４．６１ｍｍｏｌ）ＤＭＦ（２３０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を９０℃で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、トルエン２００ｍＬを加えたのち、さらに水３００ｍＬを加え、有機層を洗浄した。これを３回繰り返したのち、有機層に硫酸マグネシウムを加え、濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物ＲＭ１７−１（４５．９ｇ）を得た。
【０３２０】
（化合物ＲＭ１７−２の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ１７−２を合成した。
【０３２１】
【化７７】
2020200397.tif 000078
【０３２２】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物ＲＭ１７−１（４０．０ｇ、１０７ｍｍｏｌ）、１−ヨード−４−ブロモベンゼン（３３．４ｇ、１１８ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（１．５７ｇ、２．１５ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（３４．２ｇ、３２２ｍｍｏｌ）、ジオキサン（２００ｍｌ）、水（１６０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を８５℃で３時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物ＲＭ１７−２（３０．３ｇ）を得た。
【０３２３】
（化合物ＲＭ１７−３の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ１７−３を合成した。
【０３２４】
【化７８】
2020200397.tif 000079
【０３２５】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、９−９ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（１５．０ｇ、７１．７ｍｍｏｌ）、化合物ＲＭ１７−２（２８．２ｇ、７０．２ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（１．０５ｇ、１．４３ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２０．０ｇ、２１５ｍｍｏｌ）、及びトルエン（１５０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を８５℃で３時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物ＲＭ１７−３（２２．７ｇ）を得た。
【０３２６】
（化合物ＲＭ１７−４の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ１７−４を合成した。
【０３２７】
【化７９】
2020200397.tif 000080
【０３２８】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物ＲＭ１７−３（２２．０ｇ、４１．５ｍｍｏｌ）、１−ヨード−４−ブロモベンゼン（１２．９ｇ、４５．７ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド（０．６６８ｇ、０．９１４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１２．０ｇ、１２５ｍｍｏｌ）、及びトルエン（１５０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を８５℃で４時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物ＲＭ１７−４（２０．６ｇ）を得た。
【０３２９】
（化合物ＲＭ１７−５の合成）
下記反応式に従って、化合物１７−５を合成した。
【０３３０】
【化８０】
2020200397.tif 000081
【０３３１】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物ＲＭ１７−４（２０．０ｇ、２９．０４ｍｍｏｌ）、３−（４，４，５，５，−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）カルバゾール（８．９９ｇ、３０．７ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド（０．４３１ｇ、０．６１３ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（９．２８ｇ、８７．６１ｍｍｏｌ）、ジオキサン（２６０ｍｌ）、及び水（１１０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を８５℃で４時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物ＲＭ１７−５（１５．５ｇ）を得た。
【０３３２】
（化合物ＲＭ１７−６の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ１７−６を合成した。
【０３３３】
【化８１】
2020200397.tif 000082
【０３３４】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物ＲＭ１７−５（１２．０ｇ、１５．６ｍｍｏｌ）、１，３−ジブロモ−５−ヨードベンゼン（６．１９ｇ、１７．１ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（０．１６３ｇ、０．８５６ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン（０．３５５ｇ、３．１１ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．９９ｇ、３１．１ｍｍｏｌ）、及びジオキサン（７０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を９０℃で９時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物ＲＭ１７−６（１１．８ｇ）を得た。
【０３３５】
（高分子化合物Ａ−１７の合成）
続いて、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、２，２’−（２，５−ｄｉｈｅｘｙｌ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓ［４，４，５,５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１,３,２−Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ（０．９９２ｇ）、ＲＭ１７−６（２．０００ｇ）、酢酸パラジウム（４．５ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（３５．１ｍｇ）、トルエン（５０ｍＬ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５．８６ｇ）を加え、６時間還流した。次に、得られた混合液に、フェニルボロン酸（０．１ｇ）、酢酸パラジウム（４．５ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（３５．１ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５．８６ｇ）を加え、３時間加熱還流した。その後、得られた混合液から水層を除き、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（５．００ｇ）、及び、イオン交換水（４５ｍＬ）を加え８５℃で３時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液と、水とで洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した個体をろ別、及び乾燥し高分子化合物Ａ−１７を得た（０．３２ｇ）。
【０３３６】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝３８，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３５であった。
【０３３７】
高分子化合物Ａ−１７は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３３８】
【化８２】
2020200397.tif 000083
【０３３９】
［実施例１８］
（高分子化合物Ａ−１８の合成）
実施例１７の高分子化合物Ａ−１７の合成において、２,２’−（２,５−ｄｉｈｅｘｙｌ−１,４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓ［４,４,５,５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１,３,２−Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅの代わりに、２，２’−（９，９−ｄｉｏｃｔｙｌ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎｅ−２，７−ｄｉｙｌ）ｂｉｓ（４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ）を用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−１８を得た（０．９６ｇ）。
【０３４０】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝４６，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１２であった。
【０３４１】
高分子化合物Ａ−１８は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３４２】
【化８３】
2020200397.tif 000084
【０３４３】
［実施例１９］
（化合物ＲＭ１９−１の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ１９−１を合成した。
【０３４４】
【化８４】
2020200397.tif 000085
【０３４５】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物ＲＭ１７−６（４．００ｇ、３．９８ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（３．０３ｇ、１１．９ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（２．３４ｇ、２３．９ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウムジクロロロメタン（９１．０ｍｇ、０.１１１ｍｍｏｌ）、及びジオキサン（５０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を９０℃で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物ＲＭ１９−１（３．６２ｇ）を得た。
【０３４６】
（高分子化合物Ａ−１９の合成）
続いて、実施例１７の高分子化合物Ａ−１７の合成において、ＲＭ１７−６の代わりにＲＭ１９−１を、２，２’−（２，５−ｄｉｈｅｘｙｌ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓ［４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅの代わりに、１，３−ｄｉｂｒｏｍｏ−５−ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅを用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−１９を得た（０．３８ｇ）。
【０３４７】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝１７，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５６であった。
【０３４８】
高分子化合物Ａ−１９は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３４９】
【化８５】
2020200397.tif 000086
【０３５０】
［実施例２０］
（化合物ＲＭ２０−１の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ２０−１を合成した。
【０３５１】
【化８６】
2020200397.tif 000087
【０３５２】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、２−ヨードフルオレン（５０．０ｇ、１７１．１ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム（３６．２ｇ、３７７．６ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド（２６３ｍｌ）、及び純水（３３ｍｌ）を加え、０℃に冷却した。１−ブロモドデカン（１０８．８ｇ、４３６．５ｍｍｏｌ）を滴下したのち、室温下で混合物を撹拌した。反応終了後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラムにて精製し、化合物ＲＭ２０−１を得た（１００．５ｇ）（収率９３％）。
【０３５３】
（化合物ＲＭ２０−２の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ２０−２を合成した。
【０３５４】
【化８７】
2020200397.tif 000088
【０３５５】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物ＲＭ２０−１（１１３．５ｇ、１８０．４ｍｍｏｌ）、Ｎ−（４−ブロモフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン（４５．０ｇ、１３８．８ｍｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリドジクロロメタン付加物（２．２７ｇ、２．７８ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（２６．７ｇ、２７８ｍｍｏｌ）、及びトルエン（４６３ｍｌ）を加え、９０℃にて５時間、混合物を撹拌した。反応終了後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラムにて精製し、化合物ＲＭ２０−２を得た（１０６．５ｇ）（収率９３％）。
【０３５６】
（化合物ＲＭ−３の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ２０−３を合成した。
【０３５７】
【化８８】
2020200397.tif 000089
【０３５８】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物ＲＭ２０−２（５５．０ｇ、６６．７ｍｍｏｌ）、３−（４，４，４，５，５−テトラメチル―１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９Ｈ−カルバゾール（１９．６ｇ、６６．７ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）（０．９４ｇ、１．３１ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１７．６ｇ、１６６ｍｍｏｌ）、１，４−ジオキサン（３６０ｍｌ）、及び純水（１８０ｍｌ）を加え、９０℃にて７時間、混合物を撹拌した。反応終了後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラムにて精製し、化合物ＲＭ２０−３を得た（３７．０ｇ）（収率６１％）。
【０３５９】
（化合物ＲＭ２０−４の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ２０−４を合成した。
【０３６０】
【化８９】
2020200397.tif 000090
【０３６１】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応器中に、化合物ＲＭ２０−３（２２．０ｇ、２４．１ｍｍｏｌ）、１，３−ジブロモ−５−ヨードベンゼン（９．６１ｇ、２６．６ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（０．２３ｇ、１．２１ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン（０．５５ｇ、４．８３ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（４．６４ｇ、４８．３ｍｍｏｌ）、及び脱水１，４−ジオキサン（１２０ｍｌ）を加え、９０℃にて７時間、混合物を撹拌した。反応終了後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラムにて精製し、化合物ＲＭ２０−４を得た（１８．３ｇ）（収率６６％）。
【０３６２】
（高分子化合物Ａ−２０の合成）
続いて、実施例１７の高分子化合物Ａ−１７の合成において、化合物ＲＭ１７−６の代わりに、化合物ＲＭ２０−４を用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−２０を得た（１．３ｇ）。
【０３６３】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝２５,０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５５であった。
【０３６４】
高分子化合物Ａ−２０は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３６５】
【化９０】
2020200397.tif 000091
【０３６６】
［実施例２１］
（化合物ＲＭ２１−１の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ２１−１を合成した。
【０３６７】
【化９１】
2020200397.tif 000092
【０３６８】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、上記化合物ＲＭ２０−４（２．０ｇ、１．７５ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（１．３３ｇ、５．２４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１．０３ｇ、１０．５ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（０．０４３ｇ、０．０５ｍｍｏｌ）、及びジオキサン（１７ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を還流下で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、トルエン／アセトニトリルより再結晶精製し、化合物ＲＭ２１−１（１．８ｇ）を得た（収率：８３％）。
【０３６９】
（高分子化合物Ａ−２１の合成）
続いて、実施例２０の高分子化合物Ａ−２０の合成において、２，２’−（２，５−ｄｉｈｅｘｙｌ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓ［４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅの代わりに、１，３−ジブロモ−５−ドデシルベンゼンを、化合物ＲＭ２０−４の代わりに、化合物ＲＭ２１−１を用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−２１を得た（１．３ｇ）。
【０３７０】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝６，５００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３３であった。
【０３７１】
高分子化合物Ａ−２１は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３７２】
【化９２】
2020200397.tif 000093
【０３７３】
［実施例２２］
（高分子化合物Ａ−２２の合成）
実施例２０の高分子化合物Ａ−２０の合成において、２，２’−（２，５−ｄｉｈｅｘｙｌ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓ［４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ―１,３，２−Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅの代わりに、１，３−ジブロモベンゼンを、化合物ＲＭ２０−４の代わりに、化合物ＲＭ２１−１を用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−２２を得た（１．３ｇ）。
【０３７４】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝８，２００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．６４であった。
【０３７５】
高分子化合物Ａ−２２は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３７６】
【化９３】
2020200397.tif 000094
【０３７７】
［実施例２３］
（高分子化合物Ａ−２３の合成）
実施例２０の高分子化合物Ａ−２０の合成において、２，２’−（２，５−ｄｉｈｅｘｙｌ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓ［４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅの代わりに、１，３−ジブロモ−５−ヘキシルベンゼンを、化合物ＲＭ２０−４の代わりに、化合物ＲＭ２１−１を用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−２３を得た（１．３ｇ）。
【０３７８】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝６，９００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．６６であった。
【０３７９】
高分子化合物Ａ−２３は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３８０】
【化９４】
2020200397.tif 000095
【０３８１】
［実施例２４］
（化合物ＲＭ２４−１の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ２４−１を合成した。
【０３８２】
【化９５】
2020200397.tif 000096
【０３８３】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、２−アミノ−Ｎ−［（１，１’−ビフェニル）−４−イル］−Ｎ−（４−ブロモフェニル）−９，９−ジメチルフルオレン（１０．０ｇ、１９．３６ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコレートジボロン）（７．３８ｇ、２９．０４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（５．７０ｇ、５８．０９ｍｍｏｌ）、及び脱水１，４−ジオキサン１９５ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、ビス［（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン］ジクロロ パラジウム（０．２２ｇ、０．２７ｍｍｏｌ）を加えて３時間加熱還流撹拌した。反応終了後、室温に冷却し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣に対してメタノールを装入して洗浄を行い、９．１ｇの固体（化合物ＲＭ２４−１）を得た（収率７９％)。
【０３８４】
（化合物ＲＭ２４−２の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ２４−２を合成した。
【０３８５】
【化９６】
2020200397.tif 000097
【０３８６】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、上記化合物ＲＭ２４−１（４．０ｇ、７．１ｍｍｏｌ）、２-ブロモカルバゾール（１．６ｇ、６．５ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド（０．０２５ｇ、０．０３６ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（０．７５ｇ、７．１ｍｍｏｌ）、トルエン（４０ｍｌ）、及び水（２０ｍｌ）を加え、８５℃にて４時間、混合物を撹拌した。反応終了後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラムにて精製し、化合物ＲＭ２４−２を得た（５．４ｇ）（収率６７％）。
【０３８７】
（化合物ＲＭ２４−３の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ２４−３を合成した。
【０３８８】
【化９７】
2020200397.tif 000098
【０３８９】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、上記化合物ＲＭ２４−２（８．５ｇ、１４．１ｍｍｏｌ）、１，３−ジブロモ−５−ヨードベンゼン（６．１ｇ、１６．９ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（０．１３ｇ、０．７０ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン（０．３２ｇ、２．８２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．７１ｇ、２８．２ｍｍｏｌ）、及び脱水１，４−ジオキサン（５０ｍｌ）を加え、９０℃にて７時間、混合物を撹拌した。反応終了後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラムにて精製し、化合物ＲＭ２４−３を得た（６．６ｇ）（収率５６％）。
【０３９０】
（高分子化合物Ａ−２４の合成）
続いて、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物ＲＭ２４−３（１．３７ｇ）、２，２’−（２，５−ｄｉｈｅｘｙｌ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓ［４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１,３,２−Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ（０．８１６ｇ）、酢酸パラジウム（７．８ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（３３．８ｍｇ）、トルエン（２２ｍＬ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（８．３９ｇ）を加え、８時間還流した。次に、得られた混合液に、フェニルボロン酸（１３４ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（５１．６ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（８．３９ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、得られた混合液から水層を除き、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（１１．０ｇ）、及び、イオン交換水（８８ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水と、３質量％酢酸水溶液と、再度の水とで洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した個体をろ別、及び乾燥し高分子化合物Ａ−２４を得た（１．１８ｇ）。
【０３９１】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝１９，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５７であった。
【０３９２】
高分子化合物Ａ−２４は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３９３】
【化９８】
2020200397.tif 000099
【０３９４】
［実施例２５］
（高分子化合物Ａ−２５の合成）
実施例２４の高分子化合物Ａ−２４の合成において、２，２’−（２，５−ｄｉｈｅｘｙｌ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓ［４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１,３,２−Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅの代わりに、２，７−Ｂｉｓ（４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１,３,２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎ−２−ｙｌ）−９,９−ｄｉ−Ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅを用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−２４を得た（１．１８ｇ）。
【０３９５】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝４１，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８５であった。
【０３９６】
高分子化合物Ａ−２５は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３９７】
【化９９】
2020200397.tif 000100
【０３９８】
［実施例２６］
（高分子化合物Ａ−２６の合成）
実施例２４の高分子化合物Ａ−２４の合成において、２，２’−（２，５−ｄｉｈｅｘｙｌ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓ［４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１,３,２−Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅの代わりに、下記化合物を用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−２６を得た（０．８８ｇ）。
【０３９９】
【化１００】
2020200397.tif 000101
【０４００】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝８７，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝３．２１であった。
【０４０１】
高分子化合物Ａ−２６は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０４０２】
【化１０１】
2020200397.tif 000102
【０４０３】
［実施例２７］
（化合物ＲＭ２７−１の合成）
下記反応式に従って、化合物ＲＭ２７−１を合成した。
【０４０４】
【化１０２】
2020200397.tif 000103
【０４０５】
詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に化合物ＲＭ２４−３（５．０ｇ、５．９８ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（６．１ｇ、２３．９ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（３．５ｇ、３５．８ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（０．２２ｇ、０．３ｍｍｏｌ）ジオキサン（５０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を還流下で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物ＲＭ２７−１（４．４ｇ）を得た（収率：７９％）。
【０４０６】
（高分子化合物Ａ−２７の合成）
続いて、実施例２４の高分子化合物Ａ−２４の合成において、化合物ＲＭ２４−３の代わりに化合物ＲＭ２７−１を、２，２’−（２，５−ｄｉｈｅｘｙｌ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｂｉｓ［４，４，５,５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１,３,２−Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅの代わりに、１，３−ジブロモ−５−ドデシルベンゼンを用いた以外は同様の重合を行い、高分子化合物Ａ−２７を得た（１．１９ｇ）。
【０４０７】
得られた高分子化合物の数平均分子量及び分散度をＳＥＣで見積もったところ、Ｍｎ＝４，４１０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．７５であった。
【０４０８】
高分子化合物Ａ−２７は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びＸの構成単位：Ｙの構成単位＝１：１のモル比率を有し、Ｘの構成単位と、Ｙの構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０４０９】
【化１０３】
2020200397.tif 000104
【０４１０】
次に、実施例１〜８の高分子材料Ａ−１〜Ａ−２７及び下記構成単位を有するポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−（４，４’−（Ｎ−（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｒｐ．製）（比較例１の高分子材料）のＨＯＭＯ準位及びガラス転移温度を測定した。
【０４１１】
【化１０４】
2020200397.tif 000105
【０４１２】
（ＨＯＭＯ準位の測定方法）
濃度が１質量％となるように、各高分子材料をキシレンに溶解させ、塗布液を調製した。
【０４１３】
ＵＶ洗浄したＩＴＯ付きガラス基板上に、上記で調製した塗布液を用い、回転数２０００ｒｐｍの条件で、スピンコート法により成膜した後、ホットプレート上で、１５０℃、３０分の条件で乾燥させ、測定用のサンプルを作製した。
【０４１４】
大気中光電子分光装置（理研計器株式会社製、ＡＣ−３）を用いて、サンプルのＨＯＭＯ準位を測定した。このとき、測定結果から、立ち上がりの接線交点を算出し、ＨＯＭＯ準位とした。
【０４１５】
なお、ＨＯＭＯ準位は、通常、負の数値である。
【０４１６】
（ＬＵＭＯ準位の測定方法）
濃度が３．２質量％となるように、各高分子材料をトルエンに溶解させ、塗布液を調製した。
【０４１７】
ＵＶ洗浄したＩＴＯ付きガラス基板上に、上記で調製した塗布液を用い、回転数１６００ｒｐｍの条件で、スピンコート法により成膜した後、ホットプレート上で、２５０℃、６０分の条件で乾燥させ、測定用のサンプルを作製した。このとき、成膜された膜の膜厚は、約７０ｎｍであった。得られたサンプルを７７Ｋ（−１９６℃）まで冷却して、フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを測定した。ＰＬスペクトルの最も短波長側のピーク値から、ＬＵＭＯ準位［ｅＶ］を算出した。
【０４１８】
（ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定方法）
各高分子材料を、示差走査熱量計（ＤＳＣ）（セイコーインスツル社製、商品名：ＤＳＣ６０００）を用いて、昇温速度１０℃／分で３００℃まで昇温して１０分間保持したサンプルを、降温速度１０℃／分で２５℃まで冷却して１０分間保持した後、昇温速度１０℃／分で３００℃まで昇温して測定を行った。測定終了後は１０℃／分で室温（２５℃）まで冷却した。
【０４１９】
表１に、高分子材料のＨＯＭＯ準位及びガラス転移温度（Ｔｇ）を示す。
【０４２０】
【表１】
2020200397.tif 000106
【０４２１】
表１の結果から、実施例１〜２７の高分子材料Ａ−１〜Ａ−２７は、従来使用されている比較例１の高分子材料（ＴＦＢ）と比較して、ＨＯＭＯ準位が若干深いことがわかる。
【０４２２】
＜実施例２８〜３０、比較例２：エレクトロルミネッセンス素子の作製及び評価１＞
［量子ドット発光素子の作製］
第１電極（陽極）として、ストライプ（ｓｔｒｉｐｅ）状の酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が膜厚１５０ｎｍにて成膜されたＩＴＯ付きガラス基板を、中性洗剤、脱イオン水、水及びイソプロピルアルコールを用いて順次洗浄した後、ＵＶ−オゾン処理を実施した。次に、ＩＴＯ付きガラス基板上に、ポリ（チエノ［３，４−ｂ］チオフェン）（ｐｏｌｙ（ｔｈｉｅｎｏ［３，４−ｂ］ｔｈｉｏｐｅｎｅ）：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ製）を、スピンコート法により塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔注入層がＩＴＯ付きガラス基板上に形成された。
【０４２３】
次に、実施例１で合成した高分子材料Ａ−１（正孔輸送材料）をキシレン（溶媒）に濃度１．０質量％となるよう溶解し、正孔輸送層形成用塗布液を調製した。そして、正孔注入層上に、正孔輸送層形成用塗布液を、スピンコート法により塗布した後、１５０℃で１時間熱処理して、正孔輸送層を形成した。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔輸送層が正孔注入層上に形成された。
【０４２４】
正孔輸送層上に、正孔輸送層を溶解させないｎ−オクタン中に、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ（コア／シェル／シェル）の量子ドット（図２参照）を、１．０質量％となるように分散させた分散液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの量子ドット発光層が正孔輸送層上に形成された。なお、量子ドットの分散液に紫外線を照射することにより発せられる光は、中心波長が６２７ｎｍ、半値幅が３４ｎｍであった（図３参照）。
【０４２５】
量子ドット発光層を完全に乾燥させた後、エタノール中に、ＺｎＭｇＯを１．５質量％となるように分散させ、電子輸送層形成用分散液を調製した。この分散液を、乾燥膜厚が６０ｎｍになるようにスピンコート法により上記量子ドット発光層上に塗布した後、乾燥させた。その結果、乾燥膜厚６０ｎｍの電子輸送層が量子ドット発光層上に形成された。
【０４２６】
真空蒸着装置を用いて、電子輸送層上に、アルミニウム（Ａｌ）を蒸着させた。その結果、厚さ１００ｎｍの第２電極（陰極）が電子輸送層上に形成され、実施例２８の量子ドット発光素子１０１を得た。
【０４２７】
また、高分子材料Ａ−１の代わりに、実施例２及び１３の高分子材料Ａ−２及びＡ−１３を用いて、正孔輸送層を形成した以外は、実施例２８と同様にして、実施例２９及び３０の量子ドット発光素子１０２及び１１３を得た。
【０４２８】
さらに、高分子材料Ａ−１の代わりに、比較例１の高分子材料（ＴＦＢ）を用いて、正孔輸送層を形成した以外は、実施例２８と同様にして、比較例２の量子ドット発光素子Ｃ１を得た。
【０４２９】
図４、５に、比較例２、実施例２８の量子ドット発光素子のエネルギーダイアグラムを示す。
【０４３０】
なお、実施例２９及び３０の量子ドット発光素子のエネルギーダイアグラムは、それぞれ、図５に示される実施例２８の量子ドット発光素子のエネルギーダイアグラムの関係と同様の関係を示す。
【０４３１】
［量子ドット発光素子の評価］
次に、実施例２８〜３０の量子ドット発光素子１０１、１０２及び１１３、比較例２の量子ドット発光素子Ｃ１について、駆動電圧、量子効率、並びに輝度測定装置で測定した初期輝度、及び輝度の値が徐々に低下して初期輝度の５０％になるまでの時間である「ＬＴ５０（ｈ）」を評価した。
【０４３２】
（量子ドット発光素子の評価方法）
直流定電圧電源（ＫＥＹＥＮＣＥ製、ソースメータ（ｓｏｕｒｃｅ  ｍｅｔｅｒ））を用いて、各量子ドット発光素子に対して、電圧を印加すると、一定の電圧で電流が流れ始め、量子ドット発光素子が発光した。このとき、電流密度が５ｍＡ／ｃｍ２における電圧を駆動電圧（Ｖｏｐ）［Ｖ］とした。また、徐々に電流を増加させ、輝度が１００ｎｉｔ（ｃｄ／ｍ２）になったところで電流を一定にし、放置した。この時、測定した分光放射輝度スペクトルから、ランバーシアン放射をしたと仮定して、輝度１００ｎｉｔにおける外部量子効率（ＥＱＥ）を算出し、発光効率を評価した。また、輝度は、輝度測定装置はＴｏｐｃｏｍ社製ＳＲ−３を用いて測定した。
【０４３３】
下記表２に、量子ドット発光素子の駆動電圧［Ｖ］量子効率［％］及びＬＴ５０（ｈ）の評価結果を示す。なお、ＬＴ５０（ｈ）は、比較例２の量子ドット発光素子Ｃ１の測定値を１００としたときの相対値である。
【０４３４】
【表２】
2020200397.tif 000107
【０４３５】
＜実施例３１〜３４：エレクトロルミネッセンス素子の作製及び評価２＞
［量子ドット発光素子の作製］
実施例２８の量子ドット発光素子１０１の作製において、正孔輸送材料を高分子材料Ａ−１の代わりに、実施例２４〜２７の高分子材料Ａ−２４〜Ａ−２７用いて、正孔輸送層を形成した以外は同様にして、実施例３１〜３４の量子ドット発光素子をそれぞれ作製した。
【０４３６】
なお、実施例３１〜３４の量子ドット発光素子のエネルギーダイアグラムは、それぞれ、図５に示される実施例２８の量子ドット発光素子のエネルギーダイアグラムの関係と同様の関係を示す。
【０４３７】
［量子ドット発光素子の評価］
次に、実施例３１〜３４の量子ドット発光素子１２４〜１２７について、輝度測定装置で測定した初期輝度、及び輝度の値が徐々に低下し、初期輝度の５０％になるまでの時間である「ＬＴ５０（ｈ）」を評価した。なお、「ＬＴ５０（ｈ）」の評価方法は実施例２８〜３０の量子ドット発光素子１０１、１０２及び１１３並びに比較例１の量子ドット発光素子Ｃ２の評価と同様の方法で行った。
【０４３８】
表２に、量子ドット発光素子のＬＴ５０（ｈ）の評価結果を示す。なお、ＬＴ５０（ｈ）は、上記比較例２の量子ドット発光素子Ｃ１の測定値を１００としたときの相対値である。
【０４３９】
【表３】
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【０４４０】
表２及び３から、実施例２８〜３４の量子ドット発光素子は、正孔輸送材料として、本実施形態に係る高分子材料の具体例としての、高分子材料Ａ−１、Ａ−２、Ａ−１３及びＡ−２４〜Ａ−２７が用いられているため、初期輝度の５０％になるまでの時間が非常に長く、寿命が著しく長いことがわかる。
【０４４１】
これに対して、比較例２の量子ドット発光素子は、正孔輸送材料として、ＴＦＢが用いられているため、初期輝度の５０％になるまでの時間が短く、寿命が短い。
【０４４２】
これらの差異が生じる理由は、表１等からわかるように、高分子材料Ａ−１、Ａ−２、Ａ−１３及びＡ−２４〜Ａ−２７のＨＯＭＯ準位が、ＴＦＢのＨＯＭＯ準位よりも、量子ドットの価電子帯にわずかに近いため、正孔輸送層から量子ドットに正孔を注入する際の障壁が小さくなっているためであると考えられる。
【符号の説明】
【０４４３】
１００    量子ドット発光素子
１１０    基板
１２０    第１電極
１３０    正孔注入層
１４０    正孔輸送層
１５０    発光層
１６０    電子輸送層
１７０    電子注入層
１８０    第２電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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