(57)【要約】【課題】シリコン窒化系膜を形成した表示装置において、円偏光板の劣化を防止する。【解決手段】表示装置１Ａは、基板１００の上で複数の画素ごとに設けられた複数の薄膜トランジスタ１２を覆う絶縁シリコン窒化系膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、複数の自発光素子を覆う封止シリコン窒化系膜４１，４３を含む。また、表示装置１Ａは、封止シリコン窒化系膜４１，４３と円偏光板７０との間に配置され、絶縁シリコン窒化系膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの全域と封止シリコン窒化系膜４１，４３の全域とを覆う光透過性を有する導電膜５０を有する。【選択図】  図２
2020112645.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上で複数の画素ごとに設けられた複数の薄膜トランジスタを覆う絶縁シリコン窒化系膜と、
前記複数の画素ごとに設けられ、前記絶縁シリコン窒化系膜の上で前記複数の薄膜トランジスタとそれぞれ電気的に接続する複数の自発光素子層と、
前記複数の自発光素子の上に配置され、前記複数の自発光素子を覆う封止シリコン窒化系膜と、
円偏光板と、
前記封止シリコン窒化系膜と前記円偏光板との間に配置され、前記絶縁シリコン窒化系膜の全域と前記封止シリコン窒化系膜の全域とを覆う光透過性を有する導電膜と、を有する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置において、
前記絶縁シリコン窒化系膜の端部は、前記封止シリコン窒化系膜の端部よりも外側に配置されており、
前記導電膜の端部は、前記絶縁シリコン窒化系膜の端部よりも外側に配置されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の表示装置において、
前記円偏光板と接着し光透過性を有する粘着層と、
前記絶縁シリコン窒化系膜の端部を覆い、前記封止シリコン窒化系膜の端部と接している有機膜と、を更に有し、
前記有機膜の端部は、前記絶縁シリコン窒化系膜の端部よりも外側に配置されており、
前記導電膜の端部は、前記有機膜の端部よりも外側に配置されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の表示装置において、
前記円偏光板と接着し光透過性を有する粘着層と、
前記導電膜の端部を覆う有機膜と、を更に有し、
前記導電膜は、外側且つ下方へ伸びている傾斜面を有し、
前記有機膜は、前記導電膜の前記傾斜面と前記基板の端部との間に形成されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項３に記載の表示装置において、
平面視で前記複数の画素が形成されている表示領域と、
前記表示領域から離れた位置で前記基板が湾曲可能に形成される湾曲領域と、
前記有機膜と同相に形成され、前記湾曲領域を覆う第２有機層と、を更に有し
前記有機膜は、前記第２有機膜から離れた位置に形成されており、
前記導電膜は、有機膜と前記第２有機膜との間を覆っている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１つに記載の表示装置において、
前記絶縁シリコン窒化系膜と前記導電膜との間に配置され、前記導電膜の全域を覆う無機絶縁膜を更に有する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の表示装置において、
前記導電膜と前記円偏光板との間に配置されるタッチセンサ用配線と、
前記導電膜と前記タッチセンサ用配線との間に配置され、前記導電膜の全域を覆う第２無機絶縁膜と、を更に有する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の表示装置において、
前記導電膜の端部において、前記無機絶縁膜は、前記第２無機絶縁膜と接している
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置では、外からの光が表示装置の内部で反射すること（外光反射）を抑制するために、円偏光板を設けることがある。下記特許文献１では、円偏光板として、位相差板（１／４λ板４３２）と、直線偏光板４３４とによって構成されている。円偏光板は、表示領域の自発光素子に水分が浸透するのを防止するために設けられる無機の封止膜２６６、及び、複数の画素ごとに配置される複数の薄膜トランジスタを覆う絶縁膜である層間膜２４３の上方に形成されており、表示領域２０６の全域を覆っている。また、下記引用文献２では、偏光板としての層８００が無機材料を含む保護層１０３、ゲート絶縁膜２０５、及び中間絶縁膜２０６を覆っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−０７２４５１号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１６／２５４４７９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者らは、表示装置において自発光素子を覆う無機の封止膜や、複数の薄膜トランジスタを覆う絶縁膜の材料として、光透過性に優れたシリコン窒化系の材料（シリコン窒化物：ＳｉＮ、シリコン酸窒化物：ＳｉＯＮ、シリコン炭窒化物：ＳｉＣＮ、又はシリコンナイトライド：Ｓｉ３Ｎ４など）を用いることを検討している。しかし、表示装置にシリコン窒化系の材料から成る膜（以下では、シリコン窒化系膜と称する）を用いた場合、高温高湿環境下（例えば、気温６０℃、湿度９０％）において円偏光板の機能が劣化し、外光反射の抑制が十分に行われなくなるという問題が起きている。
【０００５】
上記の問題は、（１）高温高湿環境下でシリコン窒化系膜からアルカリイオン（アンモニアイオン等）が発生し、（２）アルカリイオンが絶縁層などを介して円偏光板に伝わり、（３）アルカリイオンが円偏光板に含まれる直線偏光板の構成要素（ヨウ素等）を分解することで起こると考えられる。なお、アルカリイオンは、シリコン窒化系膜の形成に用いられ、膜内に残留するアンモニアが水と反応することで発生すると考えられる。
【０００６】
例えば、上記特許文献１では、シリコン窒化系の材料で形成される封止膜２６６及び層間膜２４３から流れ出したアルカリイオンが保護層４２６等を介して円偏光板に到達し、円偏光板の機能を劣化させる恐れがある。また、上記特許文献２では、シリコン窒化系の材料で形成される保護層１０３、ゲート絶縁膜２０５、及び中間絶縁膜２０６の端部からアルカリイオンが流れ出す恐れがある。偏光板としての層８００の端部はシリコン窒化系の材料で形成される各層の端部よりも内側に位置しているが、シリコン窒化系の材料で形成される各層から流出したアルカリイオンが層８００に到達し、円偏光板の機能を劣化させる恐れがある。
【０００７】
本発明の目的の一つは、シリコン窒化系膜を形成した表示装置において、円偏光板の劣化を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る表示装置は、基板と、前記基板の上で複数の画素ごとに設けられた複数の薄膜トランジスタを覆う絶縁シリコン窒化系膜と、前記複数の画素ごとに設けられ、前記絶縁シリコン窒化系膜の上で前記複数の薄膜トランジスタとそれぞれ電気的に接続する複数の自発光素子層と、前記複数の自発光素子の上に配置され、前記複数の自発光素子を覆う封止シリコン窒化系膜と、円偏光板と、前記封止シリコン窒化系膜と前記円偏光板との間に配置され、前記絶縁シリコン窒化系膜の全域と前記封止シリコン窒化系膜の全域とを覆う光透過性を有する導電膜と、を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線における表示装置の模式的な断面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における表示装置の模式的な断面図である。
【図４】図１のＶＩ−ＶＩ線における表示装置の模式的な断面図である。
【図５】湾曲させた表示装置の模式的な断面図である。
【図６】第２の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における表示装置の模式的な断面図である。
【図８】第３の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。
【図９】図９のＩＸ−ＩＸ線における表示装置の模式的な断面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線における表示装置の模式的な断面図である。
【図１１】第４の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。
【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線における表示装置の模式的な断面図である。
【図１３】図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における表示装置の模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の各実施形態について、図面に基づいて説明する。なお、本開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状などについて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１１】
［第１の実施形態］
始めに、図１乃至図５に基づいて、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係る表示装置１Ａの模式的な平面図であり、図２乃至図５は、表示装置１Ａの模式的な断面図である。図２は表示領域２及び額縁領域３での断面を示しており、図１で横方向に伸びるＩＩ−ＩＩ線における断面を示している。図３は表示領域２での断面を示しており、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線で囲われた部分の拡大図である。図４は額縁領域３、湾曲領域４、及び取付領域５での断面を示しており、図１で縦方向に伸びるＶＩ−ＶＩ線における断面を示している。図５は額縁領域３、湾曲領域４、及び取付領域５での断面を示しており、図１で縦方向に伸びるＶＩ−ＶＩ線における断面を示している。図５は、表示装置１Ａを湾曲させた場合の断面を示している。
【００１２】
図１に示すように、表示装置１Ａには、基板１００の上に、画像を表示するための領域である表示領域２と、表示領域２の外側の領域である額縁領域３と、額縁領域３の外側で基板１００を湾曲可能に形成される湾曲領域４と、第１回路基板２１０（例えば、フレキシブルプリント回路基板：ＦＰＣ）が取り付けられる取付領域５とが形成されている。湾曲領域４は、額縁領域３を挟んで表示領域２から離れた位置に形成されている。また、取付領域５は、湾曲領域４を挟んで表示領域２の反対側（図１において、基板１００の下端）に形成されている。
【００１３】
第１回路基板２１０の下には、例えばフレキシブルプリント回路基板である第２回路基板２２０が取り付けられている。第２回路基板２２０は、例えば基板１００が取り付けられる第１回路基板２１０の端部とは反対側の端部に取り付けられている。また、第１回路基板２１０の上には、制御用の駆動ＩＣ２３０が実装されている。駆動ＩＣ２３０は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）などの方式により第１回路基板２１０に実装されてよい。
【００１４】
図４に示すように、第２回路基板２２０は端子２４１を介して第１回路基板２１０に電気的に接続している。また、制御用の駆動ＩＣ２３０は端子２４２を介して第１回路基板２１０に電気的に接続している。制御用の駆動ＩＣ２３０は端子２４２及び第１回路基板２１０を介して基板１００に含まれている制御用配線１５に電気的に接続している。駆動ＩＣ２３０が制御用配線１５に画像信号を出力することで、表示領域２に画像が表示される。
【００１５】
図２に示すように、基板１００には、表示領域２における画像の表示を実現するための複数の膜が層状に形成されている。基板１００は、ポリイミドなどの可撓性を有する絶縁材料からなり、表示領域２、額縁領域３、湾曲領域４、及び取付領域５の全域に亘って形成されている。
【００１６】
基板１００の下には、粘着性を有する下部粘着層１１０によって補強フィルム１２０が貼り付けられている。補強フィルム１２０は、例えば、樹脂やガラスなどの硬質な材料により形成されてよい。なお、表示装置１Ａを背後からの光を透過する透明ディスプレイとして構成する場合、基板１００、下部粘着層１１０、及び補強フィルム１２０は、光透過性を有する材料（透明または半透明の材料）により形成されてよい。
【００１７】
基板１００の上には、回路層１０と、平坦化膜２０と、封止層４０と、光透過性を有する導電膜５０と、第１上部粘着層６０と、円偏光板７０と、第２上部粘着層１３０と、タッチパネル１４０と、カバー部材１５０が形成されている。また、図３に示すように、平坦化膜２０と封止層４０との間には、表示領域２において複数の画素の光を出射する機能層３０が形成されている。
【００１８】
図３に示すように、回路層１０は、絶縁層１１と、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２とを含んで形成されている。複数の薄膜トランジスタ１２は、表示領域２において画像を構成する複数の画素とそれぞれ対応する位置に配置されており、半導体１２ａと、ソース電極１２ｂと、ドレイン電極１２ｃと、ゲート電極１２ｄとによって構成されている。ソース電極１２ｂ、ドレイン電極１２ｃ、及びゲート電極１２ｄは、半導体１２ａの上方に形成されている。ソース電極１２ｂ及びドレイン電極１２ｃは絶縁膜１１ｃ，１１ｂを貫通して半導体１２ａと電気的に接続しており、ゲート電極１２ｄはゲート絶縁膜としての絶縁膜１１ｂを介して半導体１２ａの上方に位置している。
【００１９】
絶縁層１１は、基板１００の上で複数の画素ごとに設けられた複数の薄膜トランジスタ１２を覆っている。絶縁層１１は、基板１００の上に複数の絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃを積層することで形成されている。絶縁膜（アンダーコート膜）１１ａは、基板１００と半導体１２ａとの間に位置し、半導体１２ａに対する水分の浸入を防止している。絶縁膜１１ｂは、半導体１２ａと、ソース電極１２ｂ、ドレイン電極１２ｃ、及びゲート電極１２ｄとの間に形成されている。絶縁膜１１ｃは、半導体１２ａと、ソース電極１２ｂ、ドレイン電極１２ｃ、及びゲート電極１２ｄとの間に形成されている。絶縁膜１１ｃは、ゲート電極１２ｄを覆い、ソース電極１２ｂの頂部とドレイン電極１２ｃの頂部とを露出している。
【００２０】
絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン炭窒化物（ＳｉＣＮ）、又はシリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）などのシリコン窒化系の材料により形成されている。このように、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃを光透過性に優れた絶縁シリコン窒化系膜として形成することで、透明ディスプレイとして構成された表示装置１Ａの背後からの光を、より鮮明に透過させることができる。なお、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、シリコン酸化物（ＳｉＯ）やＴＥＯＳ等のシリコン酸化系の材料により形成されてもよい。
【００２１】
図２及び図３に示すように、回路層１０の上には平坦化膜２０が形成されている。平坦化膜２０は、樹脂などの有機の絶縁材料により形成されてよい。表示装置１Ａを透明ディスプレイとして構成する場合、平坦化膜２０は、光透過性を有する材料により形成されてよい。例えば、平坦化膜２０を熱や紫外線によって硬化する液状の樹脂材料で形成することで、平坦化膜２０の平坦性を確保することができる。
【００２２】
平坦化膜２０は、表示領域２において複数の薄膜トランジスタ１２を覆うように形成されている。また、各薄膜トランジスタ１２のソース電極１２ｂと対応する位置には、コンタクトホールＣＨ１が形成されている。なお、コンタクトホールＣＨ１は、ドレイン電極１２ｃと対応する位置に形成されてもよい。
【００２３】
図３に示すように、機能層３０には、複数の下部電極３１と、発光層３２と、上部電極３３とが形成されている。下部電極３１は、金属（例えば、銀（Ａｇ））などの光を反射する材料を含んでもよい。また、表示装置１Ａを透明ディスプレイとして構成する場合、下部電極３１は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料により形成されてよい。
【００２４】
複数の下部電極３１は、複数の画素ごとに設けられている。下部電極３１は、平坦化膜２０に形成されたコンタクトホールＣＨ１を介して薄膜トランジスタ１２と電気的に接続している。本実施形態では、下部電極３１は陽極（アノード）として構成され、薄膜トランジスタ１２のソース電極１２ｂにより高電位が入力される。なお、下部電極３１は陰極（カソード）として構成されてもよい。この場合、下部電極３１はドレイン電極１２ｃと接続し、低電位が入力される。
【００２５】
複数の下部電極３１の間には、樹脂などの有機の絶縁材料からなるバンク２４が形成されている。表示装置１Ａを透明ディスプレイとして構成する場合、バンク２４は、光透過性を有する材料により形成されてよい。バンク２４は、複数の画素の外周を囲うように配置されている。より具体的には、バンク２４は、複数の画素と対応する位置にそれぞれ配置される複数の下部電極３１の周囲を覆い、下部電極３１の端部に載るように設けられている。このようにバンク２４が配置されることで、下部電極３１の縁で発光層３２が途切れることを防ぎ、下部電極３１と、上部電極３３とが短絡することを防止している。
【００２６】
下部電極３１及びバンク２４の上には、発光層３２が積層されている。発光層３２は、表示領域２の全域に形成され、下部電極３１及びバンク２４に載るように設けられている。発光層３２は、ホール注入／輸送膜３２ａと、有機発光膜３２ｂと、電子注入／輸送膜３２ｃを含んでいる。なお、下部電極３１は陰極（カソード）として構成される場合、図２に示した３２ａが電子注入／輸送膜として形成され、３２ｃがホール注入／輸送膜として形成される。
【００２７】
発光層３２の上には、上部電極３３が積層されている。上部電極３３は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの光透過性を有する酸化物導電材料、又は薄膜のマグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）等の金属材料により形成されてよい。上部電極３３は、全ての画素で共通する電極として構成されており、表示領域２及び額縁領域３の一部分に亘って配置され、発光層３２の全域を覆うように設けられている。
【００２８】
表示領域２に含まれる複数の画素のそれぞれに対応する光は、薄膜トランジスタ１２を介して、下部電極３１、発光層３２、及び上部電極３３のそれぞれに電流が流れることで、２つのバンク２４の間に形成されるバンク開口ＯＰから出射される。ここで、有機発光膜３２ｂが、複数の画素毎に予め定められた色（例えば、赤色、緑色、青色の３色や、これに白色を加えた４色）で塗り分けられることで、発光層３２は画素の色に応じた光を出射する。即ち、複数の薄膜トランジスタ１２とそれぞれ電気的に接続し、複数の画素の光を出射する複数の自発光素子は、複数の下部電極３１と、これらを覆う発光層３２及び上部電極３３とによって構成されている。
【００２９】
図２に示すように、額縁領域３において、回路層１０の上には、平坦化膜２０の外側を囲う中間有機膜２５と、その外側を囲う外側有機膜２７とが形成されている。中間有機膜２５と外側有機膜２７は、平坦化膜２０と同じ有機の絶縁材料（例えば、樹脂）により形成されてよい。また、額縁領域３における中間有機膜２５の上には、樹脂などの有機の絶縁材料からなる中間追加有機膜２６が積層されている。
【００３０】
図２及び図３に示すように、上部電極３３の上には、発光層３２や各種電極に対する水分の侵入を防止するための封止層４０が積層されている。封止層４０は、複数の下部電極３１、発光層３２、及び、上部電極３３により構成される複数の自発光素子の上に配置され、複数の自発光素子を覆っている。
【００３１】
封止層４０は、第１の無機封止膜４１と、第２の無機封止膜４３と、第１の無機封止膜４１と第２の無機封止膜４３との間に配置されている有機封止膜４２とにより構成されている。
【００３２】
有機封止膜４２は、樹脂などの光透過性を有する有機材料により形成されている。有機封止膜４２は、平坦化膜２０の外側を囲う中間有機膜２５により構成される枠の内側に、熱や紫外線で硬化する液状の有機材料を流し込むことで形成される。ここで、中間有機膜２５に中間追加有機膜２６が積層することで、中間有機膜２５の実質的な高さを上げている。これにより、有機封止膜４２を構成する液状の有機材料があふれ出ることを、中間追加有機膜２６が形成されていない場合に比べてより確実に防止することができる。
【００３３】
第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、水分や酸素の遮断効果の高く、光透過性に優れたシリコン窒化系の材料（例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン炭窒化物（ＳｉＣＮ）、又はシリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４））により形成されている。このように、第１及び第２の無機封止膜４１，４３を光透過性に優れた封止シリコン窒化系膜として形成することで、消費電力を抑えながら、各画素の輝度を向上させることができる。
【００３４】
第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、表示領域２に形成されている複数の自発光素子と、額縁領域３に形成される中間有機膜２５と、外側有機膜２７とを連続的に覆っている。また、第２の無機封止膜４３は、第１の無機封止膜４１の全域を覆っている。第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、中間有機膜２５によって構成される枠の内側で有機封止膜４２の全域を覆うとともに、中間有機膜２５と外側有機膜２７との間で互いに接している。このように、第１及び第２の無機封止膜４１，４３が有機封止膜４２や複数の自発光素子層を覆うことで、有機封止膜４２や複数の自発光素子層に水分が侵入することを防止している。
【００３５】
図２に示すように、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の端部は、外側有機膜２７の上に配置されている。別の言い方をすると、外側有機膜２７の端部は、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の端部よりも外側に配置されている。
【００３６】
封止層４０（第２の無機封止膜４３）の上には、有機保護膜４５が形成されている。有機保護膜４５は、樹脂などの光透過性を有する有機材料により形成されている。有機保護膜４５は、中間有機膜２５の外側を囲う外側有機膜２７によって構成される枠の内側に、熱や紫外線などにより硬化する液状の有機材料を流し込むことで形成される。
【００３７】
第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、基板１００の端部でシリコン窒化系膜をエッチングにより除去することで形成されてよい。ここで、有機保護膜４５は、第１及び第２の無機封止膜４１，４３がエッチング液やエッチング雰囲気下に曝されることを防ぐマスクとして設けられてよい。この場合、第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、有機保護膜４５が形成されていない箇所で除去されることで形成されるため、有機保護膜４５の端部の位置は、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の端部の位置と一致する。
【００３８】
なお、有機保護膜４５は、塵などの不純物により後述する導電膜５０が途切れることを防ぐために設けられてもよい。この場合、有機保護膜４５の端部の位置は、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の端部の位置と一致しなくてもよい。
【００３９】
第２の無機封止膜４３と、後述する円偏光板７０との間には、光透過性を有する導電膜５０が形成されている。導電膜５０は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）により形成されてよい。導電膜５０は、シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び第１及び第２の無機封止膜４１，４３から発生したアルカリイオンの侵入を防ぐためのものである。
【００４０】
導電膜５０は、回路層１０、外側有機膜２７、及び第１及び第２の無機封止膜４１，４３の上に配置されている。平面的に見て、導電膜５０は、回路層１０に含まれる絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの全域と、外側有機膜２７の全域と、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の全域とを連続的に覆っている。また、図２及び図３に示すように、回路層１０に含まれる絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部は、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の端部よりも外側（図２において左側）に配置されており、導電膜５０の端部は、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部よりも外側に配置されている。このため、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、有機の絶縁材料により形成される第１上部粘着層６０には接していない。
【００４１】
また、導電膜５０は、基板１００の端部には形成されていない。これは、表示装置１Ａの製造工程で、複数の表示領域２を含む一枚の積層構造体としての基板１００がレーザーの熱やカッターの応力等により切断されるためである。即ち、導電膜５０にレーザーの熱やカッターの応力等による罅が生じないようにするため、導電膜５０を基板１００の端部から離れた位置に形成している。
【００４２】
導電膜５０の上には粘着性を有する第１上部粘着層６０が敷かれ、この上に円偏光板７０が粘着されている。また、円偏光板７０の上には第２上部粘着層１３０が敷かれ、その上にタッチパネル１４０とカバー部材１５０とが粘着されている。第１及び第２の上部粘着層６０，１３０は、光透過性を有する有機の絶縁材料により形成されてよい。また、タッチパネル１４０は、静電容量方式のタッチパネルとしてよく、カバー部材１５０は、樹脂やガラスなどの光透過性を有する硬質な材料により形成されてよい。
【００４３】
円偏光板７０は、表示領域２における外光反射を抑制するためのものであり、位相差板７１と、その上に配置される直線偏光板（偏光子）７２とを含んで構成されている。位相差板７１は、例えば、１／４λ板として構成されてよい。表示装置１Ａの外から入射された光は、（１）直線偏光板７２を透過して第１の直線偏光となり、（２）位相差板７１を通過して所定方向（例えば、右回り）に回転する円偏光となり、（３）表示装置１Ａの内部で反射すると逆方向（例えば、左回り）に回転する円偏光となり、（４）再度位相差板７１を透過することで第２の直線偏光となる。ここで、第２の直線偏光の偏光面は、第１の直線偏向の偏光面に対して直交するため、表示装置１Ａの内部で反射した光は、直線偏光板７２を透過することができない。このように位相差板７１と直線偏光板７２との双方が正しく機能することで、円偏光板７０は、表示装置１Ａにおける外光反射を抑制することができる。
【００４４】
先述したように、回路層１０に含まれる絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ（図３を参照）と、封止層４０に含まれる第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、シリコン窒化系の材料により形成される。ここで、表示装置１Ａを高温高湿環境に置いた場合、（１）シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び第１及び第２の無機封止膜４１，４３からアルカリイオンが発生し、（２）アルカリイオンが第１上部粘着層６０を介して円偏光板７０に伝わり、（３）円偏光板７０に到達したアルカリイオンが直線偏光板７２の構成要素を分解することが懸念される。これにより、直線偏光板７２の機能が劣化し、円偏光板７０による外光反射の抑制を十分に行えなくなることが懸念される。
【００４５】
そこで、第１の実施形態に係る表示装置１Ａでは、アルカリイオンが円偏光板７０に伝わることを防ぐために、円偏光板７０と、シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び第１及び第２の無機封止膜４１，４３との間に光透過性を有する導電膜５０を設けている。
【００４６】
導電膜５０は、シリコン窒化系膜から発生したアルカリイオンの侵入を防ぐ機能を有している。このため、導電膜５０がシリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの全域と第１及び第２の無機封止膜４１，４３の全域、およびその外側とを覆うことで、シリコン窒化系膜から発生したアルカリイオンが円偏光板７０に到達することを防止できる。即ち、シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び第１及び第２の無機封止膜４１，４３が形成された表示装置１Ａにおいて、円偏光板７０の劣化を防止することができる。
【００４７】
図４に示すように、表示装置１Ａにおいて縦方向に伸びる断面では、中間有機膜２５の外側を囲う外側有機膜２７は、額縁領域３、湾曲領域４、及び取付領域５に亘って形成されている。額縁領域３では、外側有機膜２７の上に、外側追加有機膜２８が形成されている。外側追加有機膜２８は、樹脂などの有機の絶縁材料により形成されてよい。なお、外側追加有機膜２８は、中間追加有機膜２６と同層に形成されていてもよく、中間追加有機膜２６と同じの材料で形成されていてもよい。先述したとおり、有機保護膜４５は、外側有機膜２７によって構成される枠の内側に液状の有機材料を流し込むことで形成される。ここで、外側有機膜２７に外側追加有機膜２８が積層することで、外側有機膜２７の実質的な高さを上げている。このようにすることで、有機保護膜４５を構成する液状の有機材料があふれ出ることを防止することができる。なお、導電膜５０は、外側追加有機膜２８の全域を覆うように形成されてよい。
【００４８】
湾曲領域４では、回路層１０から薄膜トランジスタ１２と電気的に接続する制御用配線１５が伸びており、外側有機膜２７は、湾曲領域４において制御用配線１５を覆っている。また、表示装置１Ａが湾曲領域４において湾曲可能にするため、湾曲領域４には硬質な補強フィルム１２０、及びこれを接着するための下部粘着層１１０は形成されていない。また、導電膜５０も湾曲領域４には形成されていない。また、湾曲領域４において、外側有機膜２７の上には樹脂などの有機の絶縁材料からなる調整用絶縁膜８０が載っている。調整用絶縁膜８０は、絶縁膜全体における制御用配線１５の位置を調整するためのものである。曲げ応力の中立面に制御用配線１５を近づけることで、基板１００の曲げにより制御用配線１５に発生する引張り応力（または、圧縮応力）をゼロに近づけることができる。
【００４９】
図５に示すように、表示装置１Ａは、湾曲領域４において湾曲することができる。即ち、図１及び図４では表示装置１Ａが展開された状態（湾曲されていない状態）を示している。
【００５０】
図５に示すように、表示装置１Ａが湾曲領域４において湾曲されている場合、表示装置１Ａの湾曲をガイドするためのスペーサ３００が設けられてもよい。スペーサ６は、額縁領域３に貼られる補強フィルム１２０と取付領域５に貼られる補強フィルム１２０との間に挟まれるとともに、湾曲領域４における基板１００の裏面に接触している。スペーサ３００によって表示装置１Ａを所定の曲率で湾曲させることができ、湾曲領域４における過度の湾曲を抑制することができる。
【００５１】
取付領域５では、外側有機膜２７と同層に導電部１６が形成されている。導電部１６は、金属などの導電材料によって形成され、回路層１０に含まれる制御用配線１５と、第１回路基板２１０の上に実装された駆動ＩＣ２３０とを電気的に接続している。また、取付領域５では、外側有機膜２７Ｂは駆動ＩＣ２３０の上面の少なくとも一部分を覆っている。
【００５２】
図４及び図５に示した例において、湾曲領域４の付近では、回路層１０に含まれる絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部は外側有機膜２７と接し、外側有機膜２７は調整用絶縁膜８０と接し、調整用絶縁膜８０は円偏光板７０と接している。絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃから発生したアルカリイオンが、外側有機膜２７及び調整用絶縁膜８０を介して円偏光板７０に到達する可能性がある。しかし、平面的に見て、導電膜５０は、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの全域を覆い、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃよりも外側に伸びている。このため、アルカリイオンが円偏光板７０に到達するまでの経路の距離を、導電膜５０が形成されていない場合に比べて長くすることができ、アルカリイオンが円偏光板７０に到達することを防止することができる。
【００５３】
［第２の実施形態］
次に、図６及び図７に基づいて、本発明の第２の実施形態について説明する。図６は、第２の実施形態に係る表示装置１Ｂの模式的な平面図であり、図７は、表示装置１Ｂの模式的な断面図である。図７は表示領域２及び額縁領域３での断面を示しており、図６で横方向に伸びるＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面を示している。
【００５４】
図７に示すように、表示装置１Ｂには、第１の実施形態に係る外側有機膜２７の代わりに、外側有機膜２７Ｂが形成されている。外側有機膜２７Ｂは、樹脂などの有機の絶縁材料によって形成され、中間有機膜２５の外側を枠状に囲うとともに、回路層１０の端部（より具体的には、絶縁シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ（図３を参照）の端部）を覆っている。外側有機膜２７Ｂは、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ（図３を参照）の端部と接している。また、外側有機膜２７Ｂの端部は、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部よりも外側に配置されている。なお、外側有機膜２７Ｂは、中間有機膜２５と同層に形成されていてもよく、中間有機膜２５と同じの材料で形成されていてもよい。
【００５５】
表示装置１Ｂに形成される導電膜５０は、回路層１０に含まれる絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの全域と、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の全域とともに、外側有機膜２７Ｂの全域を覆っている。導電膜５０の端部は、外側有機膜２７Ｂの端部よりも外側に配置されている。
【００５６】
表示装置１Ｂでは、第１の実施形態に係る表示装置１Ａと同様に、光透過性を有する第１上部粘着層６０によって円偏光板７０が接着される。円偏光板７０は、第１上部粘着層６０の上に円偏光板７０を置いた後、円偏光板７０の上面をローラーなどで押圧することによって基板１００の上に貼り付けられる。ここで、仮に外側有機膜２７Ｂが形成されていない場合、基板１００の上面と絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部とにより段差が形成されており、この段差に起因した気泡が第１上部粘着層６０内に発生することが懸念される。第１上部粘着層６０に気泡が入り込むことで、第１上部粘着層６０の粘着力が弱まり、円偏光板７０が剥がれやすくなってしまうことが懸念される。
【００５７】
なお、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの上には導電膜５０が形成されているが、導電膜５０は均一な厚みで形成されるため、導電膜５０は基板１００の上面と絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部と段差を埋めるものにはならない。このため、外側有機膜２７Ｂが形成されずに導電膜５０のみが形成されている場合には、依然として第１上部粘着層６０内での気泡の発生が懸念される。
【００５８】
さらに、外側有機膜２７Ｂが形成されていない場合、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部で導電膜５０が途切れることも懸念される。このように導電膜５０が途切れた場合、シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃで発生したアルカリイオンが第１上部粘着層６０を介して円偏光板７０に到達し、円偏光板７０の機能が劣化することが懸念される。
【００５９】
そこで、第２の実施形態に係る表示装置１Ｂでは、外側有機膜２７Ｂが回路層１０に含まれる絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部を覆っている。即ち、外側有機膜２７Ｂは、基板１００の上面と絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部との段差を埋めるように形成されている。このようにすることで、表示装置１Ｂの端部で第１上部粘着層６０が載る部分の角度が絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部の角度よりもなだらかになり、第１上部粘着層６０内での気泡の発生を防ぐことができる。即ち、気泡によって円偏光板７０が剥がれやすくなることを防止することができる。
【００６０】
さらに、外側有機膜２７Ｂを形成することで、導電膜５０が載る部分の角度をなだらかにすることができる。これにより、導電膜５０が絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部で途切れることを防ぎ、円偏光板７０の機能が劣化することをより確実に防止することができる。
【００６１】
なお、表示装置１Ｂにおいて縦方向に伸びる断面では、外側有機膜２７Ｂは、額縁領域３、湾曲領域４、及び取付領域５に亘って形成されている。この縦方向の断面における外側有機膜２７Ｂの配置位置は、図４に示した外側有機膜２７の配置位置と同様であるため、図示は省略する。
【００６２】
以上のように、第２の実施形態に係る表示装置１Ｂでも、シリコン窒化系膜で発生したアルカリイオンに起因する円偏光板７０の劣化を防止することができる。また、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部を覆う外側有機膜２７Ｂを形成することにより、第１上部粘着層６０内に気泡が発生することを防止するとともに、基板１００の上面と絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの段差によって導電膜５０が途切れることを防止し、円偏光板７０の劣化をより確実に防止することができる。
【００６３】
［第３の実施形態］
次に、図８乃至図１０に基づいて、本発明の第３の実施形態について説明する。図８は、第３の実施形態に係る表示装置１Ｃの模式的な平面図であり、図９及び図１０は、表示装置１Ｃの模式的な断面図である。図９は表示領域２及び額縁領域３での断面を示しており、図８で横方向に伸びるＩＸ−ＩＸ線における断面を示している。図１０は額縁領域３、湾曲領域４、及び取付領域５での断面を示しており、図８で縦方向に伸びるＸ−Ｘ線における断面を示している。
【００６４】
図９に示すように、表示装置１Ｃには、導電膜５０の端部と接し、導電膜５０の端部を覆う補充有機膜２９が形成されている。補充有機膜２９は、基板１００の端部において、基板１００の上面と導電膜５０との段差を埋めるように形成される。より具体的には、導電膜５０には、外側且つ下方へ伸びている傾斜面５０ａが形成されており、補充有機膜２９は、導電膜５０の傾斜面５０ａ（例えば、有機保護膜４５の端部）と基板１００の端部との間に形成されている。なお、補充有機膜２９は、表示領域２の外側の額縁領域３に形成されるため、光透過性を有さない材料（不透明な材料）によって形成されてもよい。
【００６５】
図１０に示すように、湾曲領域４と接する額縁領域３にも、補充有機膜２９が形成される。補充有機膜２９は、外側追加有機膜２８の全域を覆うように形成され、湾曲領域４に形成されないように膜厚が調整される。なお、補充有機膜２９は、インクジェット法などにより形成されてよい。
【００６６】
表示装置１Ｃにおいても、表示装置１Ｂと同様に、光透過性を有する第１上部粘着層６０の上に円偏光板７０を敷き、これをローラーなどで押圧することで貼り付けている。ここで、第１上部粘着層６０を形成する前に予め補充有機膜２９を形成しておくことで、円偏光板７０を貼り付ける事前に、基板１００の上面と導電膜５０との段差（基板１００の上面と絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃとの段差）を埋めている。即ち、円偏光板７０を貼り付ける際にローラーなどが乗り上げる段差を緩和するために、導電膜５０の傾斜面５０ａと基板１００との端部の間を補充有機膜２９で覆っている。このようにすることで、円偏光板７０の貼り付け時に、段差によって第１上部粘着層６０の内部で気泡が発生することを防ぎ、気泡によって円偏光板７０が剥がれやすくなることを防止することができる。
【００６７】
［第４の実施形態］
次に、図１１乃至図１３に基づいて、本発明の第４の実施形態について説明する。図１１は、第３の実施形態に係る表示装置１Ｄの模式的な平面図である。図１２及び図１３は、表示装置１Ｄの模式的な断面図であり、額縁領域３及び湾曲領域４での断面を示している。図１２は、図１１で縦方向に伸びるＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面を示しており、図１３は、図１１で同じく縦方向に伸びるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における断面を示している。
【００６８】
図１２及び図１３に示すように、表示装置１Ｄには、第２の実施形態に係る表示装置１Ｂと同様に、回路層１０の端部（より具体的には、絶縁シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ（図３を参照）の端部）を覆う第１の外側有機膜２７ａが形成されており、この第１の外側有機膜２７ａの外側に、第２の外側有機膜２７ｂが形成されている。第２の外側有機膜２７ｂは、第１の外側有機膜２７ａと同相に形成されており、湾曲領域４を覆っている。第２の外側有機膜２７ｂは、第１の外側有機膜２７ａと同じ有機の絶縁材料（例えば、樹脂）により形成されてよい。
【００６９】
ここで、第１の外側有機膜２７ａと第２の外側有機膜２７ｂとの間には、スリット２７ｃが形成されている。第１の外側有機膜２７ａは、スリット２７ｃを介して第２有機膜２７ｂから離れた位置に形成されている。ここで、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃと第１及び第２の無機封止膜４１，４３とを覆う導電膜５０は、第１の外側有機膜２７ａと第２の外側有機膜２７ｂとの間のスリット２７ｃをも覆っており、第２の外側有機膜２７ｂの端部に到達している。また、導電膜５０には、スリット２７ｃと対応するように凹んだ形状の凹部５０ｂが形成されている。
【００７０】
導電膜５０の下側と上側には、第１の無機絶縁膜５１と、第２の無機絶縁膜５２がそれぞれ形成されている。第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２は、光透過性を有する無機材料により形成される。第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２は、シリコン窒化系膜から発生したアルカリイオンを通しにくい材料で形成されることが望ましい。第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ）により形成されてよい。
【００７１】
図１３に示すように、第１の無機絶縁膜５１は、導電膜５０と第１及び第２の外側有機膜２７ａ，２７ｂとの間（導電膜５０と絶縁シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃとの間）に形成され、導電膜５０の下側で導電膜５０の全域を覆っている。また、第１の無機絶縁膜５１は、スリット２７ｃに形成される導電膜５０の凹部５０ｂと、回路層１０から伸びる制御用配線１５との間にも形成されている。このように第１の無機絶縁膜５１が導電膜５０の下側の全域を覆うことで、導電膜５０と、この下層に形成される導電層（例えば、制御用配線１５）との間の短絡をスリット２７ｃの箇所でも防止することができる。
【００７２】
また、図１２に示すように、導電膜５０と円偏光板７０（第１上部粘着層６０）との間には、タッチセンサ用配線９０が形成されている。第４の実施形態に係る表示装置１Ｄには、図２等に示したタッチパネル１４０に代えて、図示しないタッチセンサが配置されており、タッチセンサ用配線９０は、このタッチセンサと電気的に接続する。タッチセンサは、例えば、投影型静電容量方式のタッチセンサであり、表示領域２に対するユーザの指などの接近・接触の有無、及びその位置を検知する。
【００７３】
なお、タッチセンサ用配線９０は、導電膜５０と同様に、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃと第１及び第２の無機封止膜４１，４３との上に配置される導電部材である。しかし、タッチセンサ用配線９０は、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの全域と、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の全域とを覆っていない点で、導電膜５０とは異なる。
【００７４】
ここで、第２の無機絶縁膜５２は、導電膜５０とタッチセンサ用配線９０との間に配置され、導電膜５０の上側で導電膜５０の全域を覆っている。このように第２の無機絶縁膜５２が導電膜５０の上側の全域を覆うことで、導電膜５０と、この上層に形成される導電層（例えば、タッチセンサ用配線９０）との間の短絡を防止することができる。
【００７５】
また、第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２は、導電膜５０の端部において互いに接している。このように、第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２が導電膜５０の端部を覆うことで、導電膜５０が他の導電層に接触することで生じる短絡を、より確実に防止することができる。なお、タッチセンサ用配線９０は、第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２を貫通する孔であるコンタクトホールＣＨ２を介して第２の外側有機膜２７ｂに到達している。コンタクトホールＣＨ２は、導電膜５０の端部から外側に離れた位置に形成されている。第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２が互いに接する箇所を設けることで、コンタクトホールＣＨ２内の導電物であるタッチセンサ用配線９０と、導電膜５０とが短絡することを防ぐことができる。
【００７６】
以上のように、第４の実施形態に係る表示装置１Ｄでは、導電膜５０と第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２が第１及び第２の外側有機膜２７ａと第２の外側有機膜２７ｂとの間（スリット２７ｃ）を覆っている。このようにすることで、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部から発生したアルカリイオンが円偏光板７０に侵入することをより広範囲で防ぎ、円偏光板７０の劣化をより確実に防止することができる。特にスリット２７ｃの領域をアルカリイオンが通ることを防げる。また、第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２が導電膜５０の全域を覆うことで、導電膜５０と他の導電層との短絡を防止することができる。
【符号の説明】
【００７７】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ  表示装置、１００  基板、２  表示領域、３  額縁領域、４  湾曲領域、５  取付領域、１０  回路層、１１  絶縁層、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ  絶縁膜、１２  薄膜トランジスタ、１２ａ  半導体、１２ｂ  ソース電極、１２ｃ  ドレイン電極、１２ｄ  ゲート電極、１５  制御用配線、１６  導電部、２０  平坦化膜、２４  バンク、２５  中間有機膜、２６  中間追加有機膜、２７，２７Ｂ，２７ａ，２７ｂ  外側有機膜、２７ｃ  スリット、２８  外側追加有機膜、２９  補充有機膜、３０  機能層、３１  下部電極、３２  発光層、３２ａ  ホール注入／輸送膜、３２ｂ  有機発光膜、３２ｃ  電子注入／輸送膜、３３  上部電極、４０  封止層、４１  第１の無機封止膜、４２  有機封止膜、４３  第２の無機封止膜、４５  有機保護膜、５０  導電膜、５０ａ  傾斜面、５０ｂ  凹部、５１  第１の無機絶縁膜、５２  第２の無機絶縁膜、６０  第１上部粘着層、７０  円偏光板、７１  位相差板、７２  直線偏光板、８０  調整用絶縁膜、９０  タッチセンサ用配線、１１０  下部粘着層、１２０  補強フィルム、１３０  第２上部粘着層、１４０  タッチパネル、１５０  カバー部材、２１０  第１回路基板、２２０  第２回路基板、２３０  駆動ＩＣ、２４１，２４２  端子、ＣＨ１，ＣＨ２  コンタクトホール、ＯＰ  バンク開口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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