(57)【要約】【課題】Ｑ値を向上できるインダクタ部品を提供する。【解決手段】インダクタ部品は、複数の絶縁層を積層して構成される素体と、素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルとを備える。絶縁層は、母材と結晶を含み、母材および結晶のそれぞれの屈折率は、３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の少なくとも一つの波長に対して、１．８以下である。コイルは、平面に沿って巻回されたコイル配線を含み、コイル配線は、１層のコイル導体層または互いに面接触して積層された複数のコイル導体層から構成され、コイル導体層のアスペクト比は、１．０以上である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層を積層して構成される素体と、
前記素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルと
を備え、
前記絶縁層は、母材と結晶を含み、前記母材および前記結晶のそれぞれの屈折率は、３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の少なくとも一つの波長に対して、１．８以下であり、
前記コイルは、平面に沿って巻回されたコイル配線を含み、前記コイル配線は、１層のコイル導体層または互いに面接触して積層された複数のコイル導体層から構成され、前記コイル導体層のアスペクト比は、１．０以上である、インダクタ部品。
【請求項２】
前記コイル導体層のアスペクト比は、１．０以上２．０未満である、請求項１に記載のインダクタ部品。
【請求項３】
前記コイル配線は、互いに面接触して積層された複数のコイル導体層から構成される、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
【請求項４】
前記コイル配線のアスペクト比は、１．０以上８．０未満である、請求項３に記載のインダクタ部品。
【請求項５】
前記コイル配線のアスペクト比は、１．５以上６．０未満である、請求項４に記載のインダクタ部品。
【請求項６】
前記コイル配線の幅は、２０μｍ以上である、請求項３から５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
【請求項７】
前記コイル導体層の断面は、Ｔ字状であり、前記コイル配線の断面は、Ｔ字状を積層した形状である、請求項３から６の何れか一つに記載のインダクタ部品。
【請求項８】
前記コイル配線の最大幅と最小幅の差の、前記コイル配線の最大幅に対する割合は、２０％以下である、請求項７に記載のインダクタ部品。
【請求項９】
前記コイル導体層は、胴部と、前記胴部の幅よりも広い幅を有する頭部とから構成され、前記胴部の最大幅と最小幅の差の、前記胴部の最大幅に対する割合は、１０％以下である、請求項８に記載のインダクタ部品。
【請求項１０】
前記母材は、Ｓｉを含み、非晶質である、請求項１から９の何れか一つに記載のインダクタ部品。
【請求項１１】
前記結晶は、クオーツである、請求項１から１０の何れか一つに記載のインダクタ部品。
【請求項１２】
前記母材は、Ｂ，Ｓｉ，Ｏ，Ｋを主成分とする非晶質ガラスである、請求項１から１１の何れか一つに記載のインダクタ部品。
【請求項１３】
前記素体の断面において、前記母材と前記結晶の面積比は、７５：２５から５０：５０の範囲内である、請求項１から１２の何れか一つに記載のインダクタ部品。
【請求項１４】
前記素体は、前記絶縁層の積層方向の外側にマーク層を含み、
前記マーク層は、Ｓｉを含み非晶質であるマーク層中母材と、マーク層中結晶とを含み、
前記マーク層中結晶は、金属酸化物を含み、前記金属酸化物の屈折率は、４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の少なくとも一つの波長に対して、１．７以上３．０以下であり、かつ、前記金属酸化物の吸収係数は、２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の少なくとも一つの波長に対して、０．３以上であり、
前記マーク層中母材の屈折率は、４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の少なくとも一つの波長に対して、１．４以上１．６以下である、請求項１から１３の何れか一つに記載のインダクタ部品。
【請求項１５】
前記マーク層中結晶が含む金属酸化物は、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｃｅを含む、請求項１４に記載のインダクタ部品。
【請求項１６】
前記マーク層中結晶は、顔料を含む、請求項１４または１５に記載のインダクタ部品。
【請求項１７】
前記マーク層中結晶は、Ｃｏを含むスピネル型結晶構造を持つ金属酸化物を含む、請求項１４から１６の何れか一つに記載のインダクタ部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、インダクタ部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、インダクタ部品としては、特開２０１４−１０７５１３号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このインダクタ部品は、実装面を含む部品本体と、実装面に形成された外部電極とを有する。部品本体は、複数の絶縁層からなる素体と、素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルとを有する。
【０００３】
コイルは、絶縁層上に形成されたコイル配線と、絶縁層を貫通し複数のコイル配線を電気的に直列に接続するビア配線とからなる。コイルの軸は、実装面に対して略平行である。ビア配線は、実装面から最も遠い辺にのみ形成されている。
【０００４】
これにより、外部電極とビア配線との距離を大きくして、外部電極とコイル導体との間の浮遊容量を小さくすることができ、Ｑ特性の向上を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１０７５１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記従来のインダクタ部品では、Ｑ値の向上は未だ不十分であり、特に、高周波でのＱ値の向上には改善の余地があった。
【０００７】
そこで、本開示の課題は、Ｑ値を向上できるインダクタ部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
複数の絶縁層を積層して構成される素体と、
前記素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルと
を備え、
前記絶縁層は、母材と結晶を含み、前記母材および前記結晶のそれぞれの屈折率は、３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の少なくとも一つの波長に対して、１．８以下であり、
前記コイルは、平面に沿って巻回されたコイル配線を含み、前記コイル配線は、１層のコイル導体層または互いに面接触して積層された複数のコイル導体層から構成され、前記コイル導体層のアスペクト比は、１．０以上である。
【０００９】
ここで、母材は、例えば、非晶質の無機材料または非晶質の有機材料である。また、コイル導体層のアスペクト比とは、（コイル導体層のコイル軸方向の厚み）／（コイル導体層の幅）である。なお、コイルの軸方向とは、コイルが巻き回された螺旋の中心軸に平行な方向を指す。また、コイル導体層の幅とは、コイル導体層の延伸方向に直交する断面におけるコイルの軸方向と直交する方向の幅を指す。
【００１０】
本開示のインダクタ部品によれば、Ｑ値を高くできる。
【００１１】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル導体層のアスペクト比は、１．０以上２．０未満である。
【００１２】
前記実施形態によれば、Ｑ値を高くできる。
【００１３】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル配線は、互いに面接触して積層された複数のコイル導体層から構成される。
【００１４】
前記実施形態によれば、アスペクト比が高く、かつ、矩形度が高いコイル配線を形成することができる。
【００１５】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル配線のアスペクト比は、１．０以上８．０未満である。
【００１６】
前記実施形態によれば、Ｑ値を高くできる。
【００１７】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル配線のアスペクト比は、１．５以上６．０未満である。
【００１８】
前記実施形態によれば、Ｑ値をより高くできる。
【００１９】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル配線の幅は、２０μｍ以上である。
【００２０】
前記実施形態によれば、高アスペクト配線を安定して形成できる。
【００２１】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル導体層の断面は、Ｔ字状であり、前記コイル配線の断面は、Ｔ字状を積層した形状である。
【００２２】
前記実施形態によれば、アスペクト比の高いコイル配線を安定して形成できる。
【００２３】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル配線の最大幅と最小幅の差の、前記コイル配線の最大幅に対する割合は、２０％以下である。
【００２４】
前記実施形態によれば、Ｑ値を高くできる。
【００２５】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル導体層は、胴部と、前記胴部の幅よりも広い幅を有する頭部とから構成され、前記胴部の最大幅と最小幅の差の、前記胴部の最大幅に対する割合は、１０％以下である。
【００２６】
前記実施形態によれば、Ｑ値を高くできる。
【００２７】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記母材は、Ｓｉを含み、非晶質である。
【００２８】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記結晶は、クオーツである。
【００２９】
前記実施形態によれば、結晶の屈折率を小さくすることができる。
【００３０】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記母材は、Ｂ，Ｓｉ，Ｏ，Ｋを主成分とする非晶質ガラスである。
【００３１】
前記実施形態によれば、十分な機械強度と絶縁信頼性を有する素体を得ることができる。
【００３２】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記素体の断面において、前記母材と前記結晶の面積比は、７５：２５から５０：５０の範囲内である。
【００３３】
前記実施形態によれば、十分な緻密化と機械強度を有する素体を得ることができる。
【００３４】
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記素体は、前記絶縁層の積層方向の外側にマーク層を含み、
前記マーク層は、Ｓｉを含み非晶質であるマーク層中母材と、マーク層中結晶とを含み、
前記マーク層中結晶は、金属酸化物を含み、前記金属酸化物の屈折率は、４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の少なくとも一つの波長に対して、１．７以上３．０以下であり、かつ、前記金属酸化物の吸収係数は、２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の少なくとも一つの波長に対して、０．３以上であり、
前記マーク層中母材の屈折率は、４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の少なくとも一つの波長に対して、１．４以上１．６以下である。
【００３５】
前記実施形態によれば、Ｑ値を高くできる。
【００３６】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記マーク層中結晶が含む金属酸化物は、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｃｅを含む。
【００３７】
前記実施形態によれば、所望の光吸収特性を得ることができる。
【００３８】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記マーク層中結晶は、顔料を含む。
【００３９】
前記実施形態によれば、マーク層に視認性（識別性）を持たせることができ、実装機などでの横転不良の検出性を向上できる。
【００４０】
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記マーク層中結晶は、Ｃｏを含むスピネル型結晶構造を持つ金属酸化物を含む。
【００４１】
前記実施形態によれば、マーク層に視認性（識別性）を持たせることができ、実装機などでの横転不良の検出性を向上できる。
【発明の効果】
【００４２】
本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、Ｑ値を高くできる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明のインダクタ部品の第１実施形態を示す透視斜視図である。
【図２】インダクタ部品の分解斜視図である。
【図３】インダクタ部品の断面図である。
【図４】コイル導体層の断面図である。
【図５Ａ】インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。
【図５Ｂ】インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。
【図５Ｃ】インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。
【図５Ｄ】インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。
【図５Ｅ】インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。
【図５Ｆ】インダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。
【図６】インダクタ部品の第２実施形態のコイル配線を示す模式断面図である。
【図７Ａ】高アスペクト比のコイル配線を感光性ペースト工法により１段形成する場合を説明する説明図である。
【図７Ｂ】高アスペクト比のコイル配線をセミアディティブ工法により１段形成する場合を説明する説明図である。
【図８】コイル配線のアスペクト比とインダクタ部品のＱ値との関係を示すグラフである。
【図９】インダクタ部品の第３実施形態のコイル配線を示す模式断面図である。
【図１０Ａ】コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅よりも大きくした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。
【図１０Ｂ】コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅よりも大きくした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。
【図１０Ｃ】コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅よりも大きくした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。
【図１０Ｄ】コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅よりも大きくした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。
【図１１Ａ】コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅と同じにした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。
【図１１Ｂ】コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅と同じにした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。
【図１１Ｃ】コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅と同じにした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。
【図１１Ｄ】コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅と同じにした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、本開示の一態様を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００４５】
（第１実施形態）
図１は、インダクタ部品の第１実施形態を示す透視斜視図である。図２は、インダクタ部品の分解斜視図である。図３は、インダクタ部品の断面図である。図１と図２と図３に示すように、インダクタ部品１は、素体１０と、素体１０の内部に設けられた螺旋状のコイル２０と、素体１０に設けられコイル２０に電気的に接続された第１外部電極３０および第２外部電極４０とを有する。図１では、素体１０は、構造を容易に理解できるよう、透明に描かれている。図３は、図１のIII−III断面である。
【００４６】
インダクタ部品１は、第１、第２外部電極３０，４０を介して、図示しない回路基板の配線に電気的に接続される。インダクタ部品１は、例えば、高周波回路のインピーダンス整合用コイル（マッチングコイル）として用いられ、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジカメ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクス、医療用・産業用機械などの電子機器に用いられる。ただし、インダクタ部品１の用途はこれに限られず、例えば、同調回路、フィルタ回路や整流平滑回路などにも用いることもできる。
【００４７】
素体１０は、略直方体状に形成されている。素体１０の表面は、第１端面１５と、第１端面１５に対向する第２端面１６と、第１端面１５と第２端面１６の間に接続された底面１７と、底面１７に対向する天面１８とを有する。なお、図示するように、Ｘ方向は、第１端面１５および第２端面１６に直交する方向であり、Ｙ方向は、第１、第２端面１５，１６および底面１７に平行な方向であり、Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向に直交する方向であり、底面１７に直交する方向である。
【００４８】
素体１０は、複数の絶縁層１１を積層して構成される。絶縁層１１の積層方向は、素体１０の第１、第２端面１５，１６および底面１７に、平行な方向（Ｙ方向）である。すなわち、絶縁層１１は、ＸＺ平面に広がった層状である。本願における「平行」とは、厳密な平行関係に限定されず、現実的なばらつきの範囲を考慮し、実質的な平行関係も含む。なお、素体１０は、焼成などによって、複数の絶縁層１１同士の界面が明確となっていない場合がある。
【００４９】
絶縁層１１は、母材と結晶を含み、母材および結晶のそれぞれの屈折率は、３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の少なくとも一つの波長に対して、１．８以下である。母材および結晶のそれぞれの屈折率の計測方法としては、母材および結晶のそれぞれにおいて、組成分析と結晶構造解析から求めればよい。
【００５０】
結晶は、絶縁性を有し、例えば、クオーツ（結晶石英）である。クオーツの結晶化度は、特に限定されない。母材は、絶縁性を有する固体である。母材は、例えば、Ｓｉを含み、非晶質であり、好ましくは、Ｂ，Ｓｉ，Ｏ，Ｋを主成分とするホウケイ酸ガラスなどである。なお、ガラスとしては、ホウケイ酸ガラス以外に、例えば、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、ＣａＯ、ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、および／またはＡｌ２Ｏ３などを含むガラス、例えば、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｋ２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−ＣａＯ系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−ＣａＯ−ＺｎＯ系ガラス、またはＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系ガラスであってもよい。これらのガラス成分が、２種以上組み合わせたものでもよい。また、母材は、ガラスでなくてもよく、他の無機材料であってもよいし、樹脂などの有機材料であってもよく、この場合も非晶質であることが好ましい。さらに、上記無機材料と有機材料とが組み合わされたものであってもよい。
【００５１】
第１外部電極３０および第２外部電極４０は、例えば、ＡｇまたはＣｕなどの導電性材料、及び、ガラス粒子から構成される。第１外部電極３０は、第１端面１５と底面１７に渡って設けられたＬ字形状である。第２外部電極４０は、第２端面１６と底面１７に渡って設けられたＬ字形状である。
【００５２】
コイル２０は、例えば、第１、第２外部電極３０，４０と同様の導電性材料及びガラス粒子から構成される。コイル２０は、絶縁層１１の積層方向に沿って、螺旋状に巻き回されている。コイル２０の第１端は、第１外部電極３０に接続され、コイル２０の第２端は、第２外部電極４０に接続されている。なお、本実施形態では、コイル２０と第１、第２外部電極３０，４０とは一体化されており、明確な境界は存在しないが、これに限られず、コイルと外部電極とが異種材料や異種工法で形成されることにより、境界が存在していても良い。
【００５３】
コイル２０は、軸方向からみて、略長円形に形成されているが、この形状に限定されない。コイル２０の形状は、例えば、円形、楕円形、長方形、その他の多角形などであってもよい。コイル２０の軸方向とは、コイル２０が巻き回された螺旋の中心軸に平行な方向を指す。コイル２０の軸方向と絶縁層１１の積層方向とは、同一方向を指す。
【００５４】
コイル２０は、平面に沿って巻回されたコイル配線２１を含む。複数のコイル配線２１は、軸方向に沿って積層されている。コイル配線２１は、軸方向に直交する絶縁層１１の主面（ＸＺ平面）上に巻回されて形成される。積層方向に隣り合うコイル配線２１は、絶縁層１１を厚み方向（Ｙ方向）に貫通するビア配線２６を介して、電気的に直列に接続される。このように、複数のコイル配線２１は、互いに電気的に直列に接続されながら、螺旋を構成している。具体的には、コイル２０は、互いに電気的に直列に接続され、巻回数が１周未満の複数のコイル配線２１が積層された構成を有し、コイル２０はヘリカル形状である。コイル配線２１は、１層のコイル導体層２５から構成される。
【００５５】
図４に示すように、コイル導体層２５のアスペクト比は、１．０以上である。コイル導体層２５のアスペクト比とは、（コイル導体層２５の軸方向の厚みｔ）／（コイル導体層２５の幅ｗ）である。コイル導体層２５の幅ｗとは、コイル導体層２５の延伸方向に直交する断面におけるコイル２０の軸方向と直交する方向の幅を指す。コイル導体層２５の厚みｔは、例えば５０μｍであり、コイル導体層２５の幅ｗは、例えば２５μｍである。
【００５６】
図４では、コイル導体層２５の断面は矩形状であるが、実際のコイル導体層２５では矩形状とならない場合がある。この場合であっても、コイル導体層２５のアスペクト比は、コイル導体層２５の断面積とコイル導体層２５の軸方向の最大厚みとから算出することができる。具体的には、上記厚みｔは、コイル導体層２５の軸方向の最大厚みとし、上記幅ｗは、コイル導体層２５の断面積をコイル導体層２５の最大厚みで割った値とすればよい。これにより、コイル導体層２５の内面や外面に凹凸が形成されていても、アスペクト比を容易に求めることができる。このように、コイル導体層２５の断面形状は、矩形に限らず、楕円形や多角形、これらを凹凸させた形状なども含む。
【００５７】
次に、前記インダクタ部品１の製造方法について説明する。
【００５８】
まず、ネガ型の感光性の絶縁ペーストと導電ペーストとを準備する。絶縁ペーストは、クオーツからなるフィラー材（結晶の一例）と非晶質ガラスからなるガラス材（母材の一例）とこれらを含有する溶媒としての樹脂材とを含む。
【００５９】
図５Ａに示すように、図示しないキャリアフィルムなどの基材上に絶縁ペーストを塗布して外側絶縁層１１ａを形成する。外側絶縁層１１ａに絶縁ペーストを塗布して第１絶縁層１１ｂを形成する。絶縁ペーストは、例えば、スクリーン印刷により塗布される。なお、外側絶縁層１１ａを形成する前に、図２の仮想線に示すマーク層１２を形成してもよい。マーク層１２は、例えば、絶縁ペーストにフィラーを混ぜて着色したものである。
【００６０】
図５Ｂに示すように、第１絶縁層１１ｂの第１部分１１１（二点鎖線に示される）をマスク１１０により遮光した状態で、第１絶縁層１１ｂを露光する。なお、露光する際の光源としては、水銀灯（ｇ線、ｉ線）、ＬＥＤ、エキシマレーザー、ＥＵＶ光源、Ｘ線、電子線などであってよく、波長が短く直進性が高い光源であることが好ましい。図５Ｃに示すように、第１絶縁層１１ｂの第１部分１１１を現像により除去して、第１部分１１１に対応する位置に溝１１２を形成する。
【００６１】
図５Ｄに示すように、溝１１２内に導電ペーストを塗布して、図５Ｅに示すように、溝１１２内にコイル導体層２５を形成する。具体的に述べると、図５Ｄに示すように、第１絶縁層１１ｂ上および溝１１２内に感光性の導電ペーストをスクリーン印刷により塗布する。このとき、コイル導体層２５の上部の幅を、コイル導体層２５の溝１１２内の幅よりも、大きく形成する。そして、溝１１２内の導電ペーストにマスク１１０を介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等の現像液で現像して、コイル導体層２５の未露光部分２５０を除去する。これにより、図５Ｅに示すように、コイル導体層２５は、溝１１２内に形成される。
【００６２】
図５Ｆに示すように、第１絶縁層１１ｂ上およびコイル導体層２５上に絶縁ペーストを塗布して、第２絶縁層１１ｃを形成する。以上の工程を複数繰り返して、積層体を形成する。なお、全ての絶縁層を形成した後、図２の仮想線に示すマーク層１２を形成し、積層体を形成してもよい。その後、焼成を行い、インダクタ部品１を製造する。
【００６３】
前記インダクタ部品１によれば、コイル導体層２５のアスペクト比が１．０以上であるので、コイル導体層２５のアスペクト比を大きくできて、コイル配線２１の内面の面積（これは高周波信号に対するコイル２０の表皮面積に相当する）の増加による高周波での電気抵抗の低減効果を得ることができる。
【００６４】
また、母材および結晶のそれぞれの屈折率は、波長が３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の何れかであるとき、１．８以下であるので、第１絶縁層１１ｂに露光により溝１１２を形成する際、露光に用いる光が第１絶縁層１１ｂ内で散乱することを防止できる。これにより、第１絶縁層１１ｂ内のより深い部分まで光を照射することができて、コイル導体層２５のアスペクト比を大きくできる。また、露光時の光散乱によるコイル導体層２５の断面の矩形度の悪化を防止できて、表皮面積の縮小による損失増加を防止することができる。
【００６５】
したがって、高周波での表皮効果による抵抗損失を低減することで、Ｑ値を高くできる。
【００６６】
好ましくは、コイル導体層２５のアスペクト比は、１．０以上２．０未満である。したがって、コイル導体層２５のアスペクト比を、露光時に十分な硬化深度が得られる２．０までの範囲に限定することで、硬化深度の不足によるコイル導体層２５の断面の矩形度の悪化を防止できる。これにより、表皮面積の縮小による損失増加を防止することができて、Ｑ値を高くできる。
【００６７】
好ましくは、素体１０の断面において、母材と結晶の面積比は、７５：２５から５０：５０の範囲内である。母材と結晶の面積比を求める方法としては、素体１０のＹ方向の中央位置におけるＸＺ断面の中心部分において、５０μｍ×１００μｍの領域をＳＥＭ画像にて計測する。
【００６８】
このように、結晶の面積比を２５％以上とすることでマイクロクラックなどの進展を抑止し、十分な機械強度が得られる。また、結晶の面積比を５０％以下とすることで、母材の量を確保でき、軟化母材の不足による緻密化不足を防止し、十分な緻密化を得られる。したがって、十分な緻密化と機械強度を有する素体を得ることができる。
【００６９】
好ましくは、図２の仮想線に示すように、素体１０は、絶縁層１１の積層方向の外側にマーク層１２を含む。マーク層１２は、Ｓｉを含み、非晶質であるマーク層中母材とマーク層中結晶とを含む。マーク層中結晶は、金属酸化物を含み、金属酸化物の屈折率は、４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の少なくとも一つの波長に対して、１．７以上３．０以下であり、かつ、金属酸化物の吸収係数は、２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の少なくとも一つの波長に対して、０．３以上である。マーク層中母材の屈折率は、４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の少なくとも一つの波長に対して、１．４以上１．６以下である。
【００７０】
このように、金属酸化物の屈性率を１．７以上３．０以下とすることで、遮蔽性を得つつ、容量成分増加によるＱ値の低下を防ぐことが出来る。金属酸化物の吸収係数を０．３以上とすることで、散乱断面積が大きく、散乱による露光形状悪化（太り）が生じ易い低波長の紫外線をカットすることで、高い解像性を得ることが出来る。また、マーク層１２と絶縁層１１との間で母材を共用可能とでき、結晶を添加するだけでマーク層１２を形成できる。
【００７１】
好ましくは、マーク層中結晶が含む金属酸化物は、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｃｅを含む。これによれば、所望の光吸収特性を得ることができる。
【００７２】
好ましくは、マーク層１２のマーク層中結晶は、顔料を含む。このように、顔料を添加することで、マーク層１２を着色できる。したがって、マーク層１２に視認性（識別性）を持たせることができ、実装機などでの横転不良の検出性を向上できる。
【００７３】
好ましくは、マーク層１２のマーク層中結晶は、Ｃｏを含むスピネル型結晶構造を持つ金属酸化物を含む。したがって、マーク層に視認性（識別性）を持たせることができ、実装機などでの横転不良の検出性を向上できる。
【００７４】
（第２実施形態）
図６は、インダクタ部品の第２実施形態を示す断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、コイル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。
【００７５】
第１実施形態のコイル配線２１は、図３と図４に示すように、単層から構成されているが、第２実施形態のコイル配線２１Ａは、図６に示すように、互いに面接触して積層された３層のコイル導体層２５ａ，２５ｂ，２５ｃから構成されている。なお、コイル配線２１Ａは、２層または４層以上のコイル導体層から構成されていてもよい。
【００７６】
具体的に述べると、コイル配線２１Ａは、多段形成される。例えば、第１絶縁層１１ａに第１溝を形成し、この第１溝に第１コイル導体層２５ａを埋め込む。その後、第１絶縁層１１ａ上に第２絶縁層１１ｂを形成し、第２絶縁層１１ｂに第２溝を形成し、この第２溝に第２コイル導体層２５ｂを埋め込む。その後、第２絶縁層１１ｂ上に第３絶縁層１１ｃを形成し、第３絶縁層１１ｃに第３溝を形成し、この第３溝に第３コイル導体層２５ｃを埋め込み、そして、第３絶縁層１１ｃ上に第４絶縁層１１ｄを形成する。これにより、第１〜第３コイル導体層２５ａ〜２５ｃは、互いに面接触するように積層されて、コイル配線２１Ａを構成する。第１〜第４絶縁層１１ａ〜１１ｄは、積層されて素体１０の一部を構成し、コイル配線２１Ａを覆う。なお、コイル導体層２５ａ〜２５ｃは、感光性導電ペーストを塗布した後に、必要な部分を光硬化させパターニングする感光性ペースト工法により形成することができる。なお、感光性導電ペーストを塗布する際は、材料使用率の向上のため、スクリーン印刷で塗布することが好ましい。この他にも、コイル導体層２５ａ〜２５ｃは、導電ペーストをスクリーン印刷などで塗布した後に焼成して形成してもよいし、めっき工法やスパッタリング法などによって形成してもよい。
【００７７】
したがって、本実施形態の構成であれば、アスペクト比の高いコイル配線を形成することがプロセス的に困難な場合でも、複数のコイル導体層２５ａ〜２５ｃを積層してコイル配線２１Ａを構成することで、アスペクト比が高く、かつ、矩形度が高いコイル配線２１Ａを形成することができる。つまり、高アスペクト化のためにコイル導体層の１層あたりの厚みを厚くする必要がなくなるため、感光性ペーストやフォトレジストの硬化深度不足などによる断面形状の歪が低減でき、プロセスの制約を超えたアスペクト比のコイル配線を形成することができる。
【００７８】
これに対して、図７Ａは、高アスペクト比のコイル配線１２１を、例えば感光性ペースト工法により１段形成する場合のコイル配線１２１の形状を示している。感光性ペースト工法では、絶縁層１１１上に感光性導電ペーストを塗布し、その後、該ペーストのうち、コイル配線１２１を形成する部分に露光を行い、未露光部分を除去した後、焼結を経てコイル配線１２１が形成される。しかし、アスペクト比が高い場合、露光時に感光性導電ペーストの底部側を十分に光硬化させることができず、焼結時に底部の収縮率が上部側よりも大きくなるため、コイル配線１２１の底部側で上部側よりも配線幅が小さくなり、形状がいびつになる。
【００７９】
また、図７Ｂは、高アスペクト比のコイル配線１２１を、例えばセミアディティブ工法により１段形成する場合のコイル配線１２１の形状を示している。セミアディティブ工法では、絶縁層１１１上にシード層（介在層）１３１を無電解めっきで形成し、シード層１３１上に感光性レジスト１３２を形成し、コイル配線１２１を形成する部分の感光性レジスト１３２をフォトリソグラフィにより除去した上で、該除去した部分にコイル配線１２１をシード層１３１を用いた電解めっきで形成する。しかし、アスペクト比が高い場合、感光性レジスト１３２のフォトリソグラフィ時に感光性レジスト１３２の底部側を十分に光硬化させることができず、エッチング時に底部側が必要以上に除去されるため、コイル配線１２１の底部側で上部側よりも配線幅が大きくなり、形状がいびつになる。
【００８０】
なお、このようなコイル配線の形状の問題は、スクリーン印刷や他のめっき工法、スパッタリング法などでも本質的には発生するものであり、それぞれのプロセスには形状の安定したコイル配線を形成するためにはアスペクト比の制約が存在する。
【００８１】
一方、本実施形態のコイル配線２１Ａは多段形成されるので、絶縁層１１ａ〜１１ｃの溝において光硬化深度の影響が無い深さの範囲内で、コイル導体層２５ａ〜２５ｃを形成するため、コイル導体層２５ａ〜２５ｃは矩形状になる。これにより、高周波での電流密度分布が安定する。
【００８２】
また、本実施形態では、コイル配線２１Ａを感光性ペースト工法の底部の未露光部がなくなるため、焼成時の収縮量の差による焼成後の空隙が発生し難くなる。
【００８３】
なお、本実施形態の構成であれば、面接触するコイル導体層２５ａ，２５ｂ，２５ｃ同士の間、およびコイル導体層２５ａ，２５ｂ，２５ｃと素体１０との間に、図７Ｂのシード層１３１のような介在層が存在していない。したがって、コイル配線のうち、無電解めっきで形成された部分（シード層１３１）、電解めっきで形成された部分のようなプロセスの違いや、コイル配線１２１と絶縁層１１１との材料の違いなどに起因するコイル配線１２１の密着強度の低下が発生しない。これにより、多段に形成されたコイル導体層２５ａ〜２５ｃの間の密着強度の低下を防止でき、さらに、コイル導体層２５ａ〜２５ｃと素体１０の間の密着強度の低下を防止できる。
【００８４】
図６に示すように、コイル配線２１Ａのアスペクト比は１．０以上８．０未満である。アスペクト比とは、（コイル配線２１Ａの厚みＴ）／（コイル配線２１Ａの配線幅Ｗ）である。図６ではコイル配線２１Ａの断面は矩形状であるが、実際のコイル配線２１Ａでは矩形状とならない場合がある。この場合であっても、コイル配線２１Ａのアスペクト比は、コイル配線２１Ａの断面積とコイル配線２１Ａの軸方向の最大厚みとから算出することができる。具体的には、上記厚みＴは、コイル配線２１Ａの軸方向の最大厚みとし、上記配線幅Ｗは、コイル配線２１Ａの断面積をコイル配線２１Ａの最大厚みで割った値とすればよい。これにより、コイル配線２１Ａの内面や外面に凹凸が形成されていても、アスペクト比を容易に求めることができる。
【００８５】
コイル配線２１Ａのアスペクト比が１．０以上であることにより、コイル配線２１Ａの内面の面積（これは高周波信号に対するコイル２０の表皮面積に相当する）の増加による高周波での電気抵抗の低減効果を得つつ、該アスペクト比が８．０未満であることにより、コイル配線２１Ａの断面積の減少による電気抵抗増加効果を抑制できる。これにより、Ｌ値に対するＱ値の取得効率が高く、結果的にＱ値を向上できる。以下、これを詳細に説明する。
【００８６】
図８に、コイル配線のアスペクト比とインダクタ部品のＱ値との関係を示す。図８のグラフの横軸は、コイル配線のアスペクト比を示し、縦軸は、インダクタ部品のＱ値を示す。図８のグラフは、シミュレーションにおいて、コイル配線のアスペクト比を変化させたときに、得られたインダクタ部品のＱ値を示している。なお、シミュレーションにおいては、インダクタ部品のＬ値及びコイルの外径を一定にした上でアスペクト比を変化させている。つまり、同一のアスペクト比となるコイル配線の厚みと配線幅との組み合わせは無数に存在するが、その中で、所定のＬ値及び外径となる、コイル配線の厚み（コイルの軸方向の長さ）、配線幅（コイル内径）を設定している。なお、図８のグラフは、インダクタ部品について、チップサイズが０４０２サイズ（実装面が０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）であり、Ｌ値が１．５ｎＨであり、インダクタ部品への入力信号の信号周波数が１ＧＨｚであるときの状態を示す。また、コイルの外径とは、コイルを軸方向から見たときに、外周面２０ａに囲まれる面積から求められる値であり、当該面積を円周率で割った値の平方根（理論半径）の２倍である。
【００８７】
図８に示すように、インダクタ部品のＱ値は、アスペクト比に対して上に凸の曲線状となっており、アスペクト比が１．０以上８．０未満であるとき、高いＱ値を得られることが分かる。また、アスペクト比が１．５以上６．０未満であるときは、さらに高いＱ値を得られることが分かる。
【００８８】
つまり、本願発明者は、鋭意検討の結果、図８に示すアスペクト比とＱ値の関係を導き、アスペクト比とＱ値のグラフがピーク値を有することを見出した。この原因として、アスペクト比が０からピーク値までの間では、コイルの表皮面積の増加による高周波での電気抵抗の低減効果が支配的であり、Ｑ値が増加する。一方、アスペクト比がピーク値を超える範囲では、コイル配線の断面積の低減によるコイル配線の電気抵抗の上昇効果が支配的となり、Ｑ値が低減する。これに対して、従来例（特開２０１４−１０７５１３号公報）では、アスペクト比は、１．０よりも小さく、図８から、Ｑ値が非常に低いことがわかる。
【００８９】
図６に示すように、コイル配線２１Ａの幅Ｗは、好ましくは、２０μｍ以上である。つまり、絶縁層１１ａ，１１ｂ，１１ｃの溝幅が、２０μｍ以上であるので、コイル配線２１Ａの材料となる導電ペーストを溝に充填する際に、気泡のかみ込みなく充填することができる。したがって、高アスペクト配線２１Ａを安定して形成できる。
【００９０】
（第３実施形態）
図９は、インダクタ部品の第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態は、第２実施形態とは、コイル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。
【００９１】
第２実施形態のコイル配線２１Ａは、図６に示すように、断面矩形状のコイル導体層２５ａ，２５ｂ，２５ｃから構成されているが、第３実施形態のコイル配線２１Ｂは、図９に示すように、断面Ｔ字状のコイル導体層２５ａ，２５ｂ，２５ｃから構成され、コイル配線２１Ｂの断面は、Ｔ字状を積層した形状である。
【００９２】
このとき、コイル配線２１Ｂの断面はＴ字状であるが、コイル配線２１Ｂのアスペクト比は、コイル配線２１Ｂの断面積とコイル配線２１Ｂの軸方向の最大厚みとから算出することができる。具体的には、アスペクト比は、（コイル配線２１Ｂの厚みＴ）／（コイル配線２１Ｂの配線幅Ｗ）であるが、上記厚みＴは、コイル配線２１Ｂの軸方向の最大厚みとし、上記配線幅Ｗは、コイル配線２１Ｂの断面積をコイル配線２１Ｂの最大厚みで割った値とすればよい。これにより、アスペクト比を求めることができる。
【００９３】
図９に示すように、コイル導体層２５ａ，２５ｂ，２５ｃは、それぞれ、胴部２５１と胴部２５１に接続された頭部２５２とを含む。頭部２５２は、胴部２５１の積層方向の上側に位置する。頭部２５２の幅ｗ２は、胴部２５１の幅ｗ１よりも広い。頭部２５２の厚みｔ２は、胴部２５１の厚みｔ１よりも薄い。頭部２５２の厚みｔ２は、好ましくは、全体の厚みの３０％以下である。
【００９４】
コイル配線２１Ｂの最大幅と最小幅の差の、コイル配線２１Ｂの最大幅に対する割合は、好ましくは、２０％以下である。つまり、コイル配線２１Ｂの最大幅は、頭部２５２の幅ｗ２であり、コイル配線２１Ｂの最小幅は、胴部２５１の幅ｗ１である。（ｗ２−ｗ１）／ｗ２は、２０％以下となる。これによれば、コイル配線２１Ｂの断面の矩形度を高めることで、高周波での表皮面積を拡大し、損失を低減できて、Ｑ値を高くできる。
【００９５】
胴部２５１の最大幅と最小幅の差の、胴部２５１の最大幅に対する割合は、好ましくは、１０％以下である。つまり、胴部２５１の断面は、完全な矩形状とならず、楕円形や多角形、これらを凹凸させた形状なども含む。このため、胴部２５１は、最大幅と最小幅を含む。これによれば、コイル配線２１Ｂの断面の矩形度を高めることで、高周波での表皮面積を拡大し、損失を低減できて、Ｑ値を高くできる。このとき、頭部２５２の最大幅と胴部２５１の最小幅の差の、胴部２５１の最大幅に対する割合は、１０％よりも大きい。
【００９６】
以下、コイル配線の横断面に相当する図１０Ａ〜図１０Ｄを用いて具体的に述べる。図１０Ａに示すように、第１絶縁層１１ａに、フォトリソグラフィ工程などにより、第１溝１１０ａを形成する。なお、図１０Ａでは、第１溝１１０ａの深さは第１絶縁層１１ａの厚みより小さいが、これは例えばハーフトーンマスクを用いたフォトリソグラフィ法や、第１絶縁層１１ａを２層で形成するなど、公知の方法で実現可能である。また、第１溝１１０ａは第１絶縁層１１ａを貫通する深さで形成してもよい。次に、図１０Ｂに示すように、第１絶縁層１１ａ上および第１溝１１０ａ内に感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、感光性導電ペースト層を形成する。さらに、感光性導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等の現像液で現像する。これにより、第１コイル導体層２５ａは、第１絶縁層１１ａ上および第１溝１１０ａ内に形成される。このとき、フォトマスクのパターン設計により、第１コイル導体層２５ａの配線幅ｇを、第１溝１１０ａの幅ｆよりも、大きく形成する。
【００９７】
その後、図１０Ｃに示すように、第１絶縁層１１ａ上に第２絶縁層１１ｂを形成する。そして、第２絶縁層１１ｂに、フォトリソグラフィ工程などにより、第２溝１１０ｂを形成する。このとき、フォトリソグラフィ工程におけるマスクのアライメントずれなどにより、第２溝１１０ｂの位置が、仮想線に示す正しい位置からずれて形成されるとする。
【００９８】
その後、図１０Ｄに示すように、第２絶縁層１１ｂ上および第２溝１１０ｂ内に感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、感光性導電ペースト層を形成する。さらに、感光性導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等の現像液で現像する。これにより、第２コイル導体層２５ｂは、第２絶縁層１１ｂ上および第２溝１１０ｂ内に形成される。このとき、第２溝１１０ｂの位置がずれて形成されていても、第２コイル導体層２５ｂの配線幅ｇは、第２溝１１０ｂの幅ｆよりも、大きいので、第２溝１１０ｂ内には、第２コイル導体層２５ｂが充填される。
【００９９】
これに対して、絶縁層に形成する溝の幅ｆとコイル導体層の配線幅ｇを同一幅で形成する場合、つまり、第１、第２溝１１０ａ，１１０ｂの幅ｆをコイル導体層２１０ａ，２１０ｂの配線幅ｇと同じにする場合を、同じくコイル配線の横断面に相当する図１１Ａ〜図１１Ｄを用いて説明する。まず、図１１Ａに示すように、第１絶縁層１１ａに第１溝１１０ａを形成し、第１溝１１０ａ内に感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、感光性導電ペースト層を形成する。さらに、感光性導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等の現像液で現像する。このように、第１溝１１０ａの形成位置と、第１コイル導体層の形成位置が一致する場合は、第１コイル導体層２１０ａは、第１溝１１０ａ内に形成される。
【０１００】
その後、図１１Ｂに示すように、第１絶縁層１１ａ上に第２絶縁層１１ｂを形成する。そして、第２絶縁層１１ｂに、フォトリソグラフィ工程などにより、第２溝１１０ｂを形成する。このとき、フォトリソグラフィ工程におけるマスクのアライメントずれなどにより、第２溝１１０ｂの位置が、仮想線に示す正しい位置からずれて形成されるとする。
【０１０１】
その後、図１１Ｃに示すように、第２絶縁層１１ｂ上および第２溝１１０ｂ内に感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、感光性導電ペースト層を形成する。さらに、感光性導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等の現像液で現像して、第２コイル導体層２１０ｂを形成する。このとき、第２溝１１０ｂの位置がずれて形成されていると、第２溝１１０ｂの幅ｆは、第２コイル導体層２１０ｂの幅ｇと同じであるので、第２溝１１０ｂ内には、感光性導電ペースト層が充填されない。つまり、第２溝１１０ｂが、スクリーン印刷による塗布位置とずれるため、第２コイル導体層２１０ｂとなるべき感光性導電ペースト層と第２溝１１０ｂとの間に隙間が形成されてしまう。この結果、感光性導電ペースト層のフォトリソグラフィ工程において、第２溝１１０ｂの隙間から現像液が進入してしまう。感光性導電ペースト層の下層側は上層側に比べて光硬化が進んでおらず、現像液によって除去される可能性があり、この場合、図１１Ｄに示すように、第２コイル導体層２１０ｂが、第２溝１１０ｂから剥がれるおそれがある。
【０１０２】
なお、図１１Ｂのように第２溝１１０ｂの形成位置がずれた場合、第２コイル導体層２１０ｂの形成時に、感光性導電ペーストのスクリーン印刷の塗布形状にマージンを持たせることによって、感光性導電ペースト層を第２溝１１０ｂに充填することは可能である。しかし、この場合であっても、フォトリソグラフィ工程における感光性導電ペーストの露光位置と、第２溝１１０ｂの形成位置がずれるため、第２溝１１０ｂに充填された感光性導電ペースト層の一部は光硬化せず、現像によって除去され、第２溝１１０ｂに隙間ができる。よって、現像液によって、図１１Ｄに示すように、第２コイル導体層２１０ｂが、第２溝１１０ｂから剥がれるおそれがある。
【０１０３】
さらに、上記では、第２溝１１０ｂの形成位置がずれる場合を説明したが、第２溝１１０ｂの形成位置がずれない場合であっても、第２コイル導体層２１０ｂの形成時に、スクリーン印刷のマスクずれや、フォトリソグラフィ工程のフォトマスクのずれにより、同様の問題は発生するおそれがある。したがって、コイル配線２１Ｂの横断面は、Ｔ字状を積層した形状であることがよく、アスペクト比の高いコイル配線２１Ｂを安定して形成できる。
【０１０４】
なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第３実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。
【０１０５】
前記第１から前記第３実施形態では、絶縁層の母材として、フェライトなどを主成分とするセラミック材料や、ポリイミドなどを主成分とする樹脂材料などから構成してもよい。
【０１０６】
前記第１実施形態では、コイル配線を１層の矩形状のコイル導体層から構成しているが、１層の（第２実施形態の）Ｔ字状のコイル導体層から構成してもよい。
【０１０７】
（実施例）
以下、インダクタ部品の製造方法の一例を説明する。
【０１０８】
クオーツをフィラーとして含み、硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布することを繰り返して、絶縁層を形成する。この絶縁層は、コイルの軸方向の一方の外側に位置する外層用絶縁層である。
【０１０９】
感光性導電ペースト層を塗布形成して、フォトリソグラフィ工程により、コイル導体層及び外部電極導体層を形成する。具体的には、Ａｇを金属主成分とする感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、感光性導電ペースト層を形成する。さらに、感光性導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、コイル導体層及び外部電極導体層が絶縁層上に形成される。この時、フォトマスクに所望のコイルパターンを描くことができる。
【０１１０】
フォトリソグラフィ工程により、開口及びビアホールが設けられた絶縁層を形成する。具体的には、感光性絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布して絶縁層上に形成する。さらに、感光性絶縁層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。
【０１１１】
フォトリソグラフィ工程により、コイル導体層及び外部電極導体層を形成する。具体的には、Ａｇを金属主成分とする感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、感光性導電ペースト層を形成する。さらに、感光性導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、外部電極導体層間を接続する導体層は開口内に形成され、ビアホール導体はビアホール内に形成され、コイル導体層は絶縁層上及び開口内に形成される。
【０１１２】
上記工程を繰り返すことにより、絶縁層上及び内部にコイル導体層及び外部電極導体層が形成される。
【０１１３】
絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布することを繰り返して、絶縁層を形成する。この絶縁層は、コイルの軸方向の他方の外側に位置する外層用絶縁層である。
【０１１４】
以上の工程を経て、マザー積層体を得る。なお、一方の外層用絶縁層を形成する前、および、他方の外層用絶縁層を形成した後に、図２の仮想線に示すマーク層１２を形成してもよい。
【０１１５】
ダイシング等によりマザー積層体を複数の未焼成の積層体にカットする。マザー積層体のカット工程では、カットにより形成されるカット面において外部電極を積層体から露出させる。
【０１１６】
未焼成の積層体を所定条件で焼成し、積層体を得る。積層体に対してバレル加工を施す。外部電極が積層体から露出している部分に、２μｍ〜１０μｍの厚さを有するＮｉめっき及び２μｍ〜１０μｍの厚さを有するＳｎめっきを施す。以上の工程を経て、０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．２ｍｍのインダクタ部品が完成する。
【０１１７】
なお、導体パターンの形成工法は、上記に限定されるものではなく、例えば、導体パターン形状に開口したスクリーン版による導体ペーストの印刷積層工法でも良いし、スパッタ法や蒸着法、箔の圧着等により形成した導体膜をエッチングによりパターン形成する方法であっても良いし、セミアディティブ法のようにネガパターンを形成してめっき膜により導体パターンを形成した後、不要部を除去する方法であっても良い。さらに、導体パターンを多段形成することにより高アスペクトすることで、高周波での抵抗による損失を低減することができる。より具体的には、上記導体パターンの形成を繰り返すプロセスであっても良いし、セミアディティブプロセスで形成した配線を繰り返し重ねるプロセスであっても良いし、積み重ねの一部をセミアディティブプロセスで形成し、その他はめっき成長させた膜をエッチングで形成するプロセスであっても良いし、セミアディティブプロセスで形成した配線をさらにめっきで成長させ高アスペクト化するプロセスを組み合わせても良い。
【０１１８】
また、導体材料は上記のようなＡｇペーストに限定されるものではなく、スパッタ法や蒸着法、箔の圧着、めっき等により形成されるＡｇ，Ｃｕ，Ａｕといった良導体のものであれば良い。
【０１１９】
また、絶縁層ならびに開口、ビアホールの形成方法は上記に限定されるものではなく、絶縁材料シートの圧着やスピンコート、スプレー塗布後、レーザーやドリル加工によって開口される方法でも良い。
【０１２０】
また、絶縁材料は上記のようなガラス、セラミックス材料に限定されるものではなく、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリマー樹脂のような有機材料でも良いし、ガラスエポキシ樹脂のような複合材料でも良いが、誘電率、誘電損失の小さいものが望ましい。
【０１２１】
また、インダクタ部品のサイズは上記に限定されるものではない。
【０１２２】
また、外部電極の形成方法について、カットにより露出させた外部導体にめっき加工を施す方法に限定されるものではなく、カット後にさらに導体ペーストのディップやスパッタ法等によって外部電極を形成し、その上にめっき加工を施す方法でもよい。
【符号の説明】
【０１２３】
１  インダクタ部品
１０  素体
１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ  絶縁層
１２  マーク層
２０  コイル
２１，２１Ａ，２１Ｂ  コイル配線
２５，２５ａ，２５ｂ，２５ｃ  コイル導体層
２６  ビア配線
３０  第１外部電極
４０  第２外部電極
２５１  胴部
２５２  頭部
ｔ  コイル導体層の厚み
ｗ  コイル導体層の幅
Ｔ  コイル配線の厚み
Ｗ  コイル配線の幅
【図１】
2020013952.tif 000003
【図２】
2020013952.tif 000004
【図３】
2020013952.tif 000005
【図４】
2020013952.tif 000006
【図５Ａ】
2020013952.tif 000007
【図５Ｂ】
2020013952.tif 000008
【図５Ｃ】
2020013952.tif 000009
【図５Ｄ】
2020013952.tif 000010
【図５Ｅ】
2020013952.tif 000011
【図５Ｆ】
2020013952.tif 000012
【図６】
2020013952.tif 000013
【図７Ａ】
2020013952.tif 000014
【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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