(57)【要約】【課題】シールドケース等によって電子素子全体を囲むことで不要輻射ノイズを遮蔽する場合、プリント回路板の部品点数が増加する、プリント回路板が大型化する等の問題があった。【解決手段】本発明のプリント回路板の一つの態様は、第１の側を向く実装面を有するプリント配線板と、実装面に設けられた電子素子と、電子素子に対して第１の側に配置され、電子素子に対して熱的に接続された放熱部材と、電子素子と放熱部材との間に配置された熱伝導部材と、を備え、熱伝導部材は、磁性体を含む高比透磁率部と、高比透磁率部の比誘電率よりも小さい比誘電率を有する低比誘電率部と、を有することを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の側を向く実装面を有するプリント配線板と、
前記実装面に設けられた電子素子と、
前記電子素子に対して前記第１の側に配置され、前記電子素子に対して熱的に接続された放熱部材と、
前記電子素子と前記放熱部材との間に配置された熱伝導部材と、
を備え、
前記熱伝導部材は、
磁性体を含む高比透磁率部と、
前記高比透磁率部の比誘電率よりも小さい比誘電率を有する低比誘電率部と、
を有することを特徴とするプリント回路板。
【請求項２】
前記低比誘電率部の比誘電率は、８．０以下である、請求項１に記載のプリント回路板。
【請求項３】
第１の側を向く実装面を有するプリント配線板と、
前記実装面に設けられた電子素子と、
前記電子素子に対して前記第１の側に配置され、前記電子素子に対して熱的に接続された放熱部材と、
前記電子素子と前記放熱部材との間に配置された熱伝導部材と、
を備え、
前記熱伝導部材は、
磁性体を含む高比透磁率部と、
比誘電率が８．０以下である低比誘電率部と、
を有することを特徴とするプリント回路板。
【請求項４】
前記低比誘電率部は、前記熱伝導部材が有する前記第１の側を向く第１面と前記第１の側に対して逆側の第２の側を向く第２面とのうち、少なくとも前記第２面において、前記高比透磁率部を一周に亘って囲み、
前記高比透磁率部は、前記実装面に垂直な所定方向に沿った平面視において、前記電子素子に対して少なくとも一部が重なっている、請求項１から３のいずれか一項に記載のプリント回路板。
【請求項５】
前記低比誘電率部は、前記高比透磁率部を囲む枠状であり、前記熱伝導部材の前記第１面および前記第２面において、前記高比透磁率部を一周に亘って囲んでいる、請求項４に記載のプリント回路板。
【請求項６】
前記低比誘電率部は、前記所定方向において前記高比透磁率部と前記放熱部材との間に位置する部分を有する、請求項４に記載のプリント回路板。
【請求項７】
前記熱伝導部材の前記第２面における前記高比透磁率部が設けられた領域は、前記所定方向に沿った平面視において、前記電子素子よりも大きく、前記電子素子の全体と重なっている、請求項４から６のいずれか一項に記載のプリント回路板。
【請求項８】
前記熱伝導部材の前記第２面における前記高比透磁率部が設けられた領域は、前記所定方向に沿った平面視において、前記電子素子よりも小さく、全体が前記電子素子と重なっており、
前記熱伝導部材の前記第２面における前記低比誘電率部が設けられた領域は、前記所定方向に沿った平面視において、内周縁部が前記電子素子と重なっている、請求項４から６のいずれか一項に記載のプリント回路板。
【請求項９】
前記熱伝導部材は、前記実装面に垂直な所定方向に沿った平面視において、前記電子素子よりも大きく、前記電子素子の全体と重なっている、請求項１から８のいずれか一項に記載のプリント回路板。
【請求項１０】
前記高比透磁率部は、前記実装面に垂直な所定方向と直交する第１方向に延び、前記所定方向および前記第１方向の両方と直交する第２方向に沿って複数設けられ、
前記低比誘電率部は、前記第１方向に延び、前記第２方向に沿って複数設けられ、
前記複数の高比透磁率部と前記複数の低比誘電率部とは、前記第２方向に沿って交互に並んで配置されている、請求項１から３のいずれか一項に記載のプリント回路板。
【請求項１１】
前記高比透磁率部は、前記実装面に垂直な所定方向に沿った平面視において、渦巻状に延びている、請求項１から３のいずれか一項に記載のプリント回路板。
【請求項１２】
前記低比誘電率部は、前記実装面に垂直な所定方向に沿った平面視において、格子状であり、
前記高比透磁率部は、格子状の前記低比誘電率部の隙間ごとに設けられている、請求項１から３のいずれか一項に記載のプリント回路板。
【請求項１３】
前記熱伝導部材は、シート状である、請求項１から１２のいずれか一項に記載のプリント回路板。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載のプリント回路板を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
磁性体を含む高比透磁率部と、
前記高比透磁率部の比誘電率よりも小さい比誘電率を有する低比誘電率部と、
を備えることを特徴とする熱伝導シート。
【請求項１６】
磁性体を含む高比透磁率部と、
比誘電率が８．０以下である低比誘電率部と、
を備えることを特徴とする熱伝導シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路板、電子機器、および熱伝導シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１に示すように、プリント基板に設けられたＩＣに対して放熱用金属板が取り付けられた電子機器ユニットが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１７９２１号公報
【特許文献２】特開平７−１４９５０号公報
【特許文献３】特開平１１−３０７９７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような電子機器ユニット（プリント回路板）において、放熱用金属板（放熱部材）とＩＣ（電子素子）との間に、例えば、特許文献２に示すような放熱シート等の熱伝導部材を設ける場合がある。しかし、このような熱伝導部材を設けると、ＩＣを不要輻射源として電子機器ユニットから放出される不要輻射ノイズ（電磁ノイズ）が増大する問題があった。この問題に対して、例えば、特許文献３に示すように、シールドケースによってＩＣ全体を囲むことで、不要輻射ノイズを遮蔽することが考えられる。しかし、この場合には、電子機器ユニットの部品点数が増加する、電子機器ユニットが大型化する等の問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプリント回路板の一つの態様は、第１の側を向く実装面を有するプリント配線板と、前記実装面に設けられた電子素子と、前記電子素子に対して前記第１の側に配置され、前記電子素子に対して熱的に接続された放熱部材と、前記電子素子と前記放熱部材との間に配置された熱伝導部材と、を備え、前記熱伝導部材は、磁性体を含む高比透磁率部と、前記高比透磁率部の比誘電率よりも小さい比誘電率を有する低比誘電率部と、を有することを特徴とする。
【０００６】
前記低比誘電率部の比誘電率は、８．０以下である構成としてもよい。
【０００７】
本発明のプリント回路板の一つの態様は、第１の側を向く実装面を有するプリント配線板と、前記実装面に設けられた電子素子と、前記電子素子に対して前記第１の側に配置され、前記電子素子に対して熱的に接続された放熱部材と、前記電子素子と前記放熱部材との間に配置された熱伝導部材と、を備え、前記熱伝導部材は、磁性体を含む高比透磁率部と、比誘電率が８．０以下である低比誘電率部と、を有することを特徴とする。
【０００８】
前記低比誘電率部は、前記熱伝導部材が有する前記第１の側を向く第１面と前記第１の側に対して逆側の第２の側を向く第２面とのうち、少なくとも前記第２面において、前記高比透磁率部を一周に亘って囲み、前記高比透磁率部は、前記実装面に垂直な所定方向に沿った平面視において、前記電子素子に対して少なくとも一部が重なっている構成としてもよい。
【０００９】
前記低比誘電率部は、前記高比透磁率部を囲む枠状であり、前記熱伝導部材の前記第１面および前記第２面において、前記高比透磁率部を一周に亘って囲んでいる構成としてもよい。
【００１０】
前記低比誘電率部は、前記所定方向において前記高比透磁率部と前記放熱部材との間に位置する部分を有する構成としてもよい。
【００１１】
前記熱伝導部材の前記第２面における前記高比透磁率部が設けられた領域は、前記所定方向に沿った平面視において、前記電子素子よりも大きく、前記電子素子の全体と重なっている構成としてもよい。
【００１２】
前記熱伝導部材の前記第２面における前記高比透磁率部が設けられた領域は、前記所定方向に沿った平面視において、前記電子素子よりも小さく、全体が前記電子素子と重なっており、前記熱伝導部材の前記第２面における前記低比誘電率部が設けられた領域は、前記所定方向に沿った平面視において、内周縁部が前記電子素子と重なっている構成としてもよい。
【００１３】
前記熱伝導部材は、前記実装面に垂直な所定方向に沿った平面視において、前記電子素子よりも大きく、前記電子素子の全体と重なっている構成としてもよい。
【００１４】
前記高比透磁率部は、前記実装面に垂直な所定方向と直交する第１方向に延び、前記所定方向および前記第１方向の両方と直交する第２方向に沿って複数設けられ、前記低比誘電率部は、前記第１方向に延び、前記第２方向に沿って複数設けられ、前記複数の高比透磁率部と前記複数の低比誘電率部とは、前記第２方向に沿って交互に並んで配置されている構成としてもよい。
【００１５】
前記高比透磁率部は、前記実装面に垂直な所定方向に沿った平面視において、渦巻状に延びている構成としてもよい。
【００１６】
前記低比誘電率部は、前記実装面に垂直な所定方向に沿った平面視において、格子状であり、前記高比透磁率部は、格子状の前記低比誘電率部の隙間ごとに設けられている構成としてもよい。
【００１７】
前記熱伝導部材は、シート状である構成としてもよい。
【００１８】
本発明の電子機器の一つの態様は、上記のプリント回路板を備えることを特徴とする。
【００１９】
本発明の熱伝導シートの一つの態様は、磁性体を含む高比透磁率部と、前記高比透磁率部の比誘電率よりも小さい比誘電率を有する低比誘電率部と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
本発明の熱伝導シートの一つの態様は、磁性体を含む高比透磁率部と、比誘電率が８．０以下である低比誘電率部と、を備えることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１実施形態のプロジェクターを示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態のプリント回路板を示す断面図である。
【図３】第１実施形態の熱伝導部材を下側から見た平面図である。
【図４】第２実施形態のプリント回路板を示す断面図である。
【図５】第３実施形態のプリント回路板を示す断面図である。
【図６】第３実施形態の熱伝導部材を下側から見た平面図である。
【図７】第４実施形態から第６実施形態のプリント回路板を示す断面図である。
【図８】第４実施形態の熱伝導部材を下側から見た平面図である。
【図９】第５実施形態の熱伝導部材を下側から見た平面図である。
【図１０】第６実施形態の熱伝導部材を下側から見た平面図である。
【図１１】各サンプルにおける不要輻射ノイズのうち水平偏波の測定結果を示すグラフである。
【図１２】各サンプルにおける不要輻射ノイズのうち垂直偏波の測定結果を示すグラフである。
【図１３】比較形態のプリント回路板を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係るプリント回路板、およびプリント回路板を備える電子機器について説明する。以下の実施形態では、電子機器としてプロジェクターを例に挙げて説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
【００２３】
＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態のプロジェクター（電子機器）１を示す概略構成図である。
本実施形態のプロジェクター１は、スクリーンＳＣＲ上にカラー画像を投射する投射型画像表示装置である。図１に示すように、プロジェクター１は、光源装置２と、均一照明光学系４０と、色分離光学系３と、光変調装置４Ｒと、光変調装置４Ｇと、光変調装置４Ｂと、合成光学系５と、投射光学装置６と、制御装置５０と、を備えている。光源装置２は、照明光ＷＬを均一照明光学系４０に向けて射出する。
【００２４】
均一照明光学系４０は、インテグレーター光学系３１と、偏光変換素子３２と、重畳光学系３３と、を備えている。インテグレーター光学系３１は、第１レンズアレイ３１ａと、第２レンズアレイ３１ｂと、を備えている。均一照明光学系４０は、光源装置２から射出された照明光ＷＬの強度分布を、被照明領域である光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、および光変調装置４Ｂのそれぞれにおいて均一化する。均一照明光学系４０から射出された照明光ＷＬは、色分離光学系３へ入射する。
【００２５】
色分離光学系３は、白色の照明光ＷＬを赤色光ＬＲと緑色光ＬＧと青色光ＬＢとに分離する。色分離光学系３は、第１ダイクロイックミラー７ａと、第２ダイクロイックミラー７ｂと、第１反射ミラー８ａと、第２反射ミラー８ｂと、第３反射ミラー８ｃと、第１リレーレンズ９ａと、第２リレーレンズ９ｂと、を備えている。
【００２６】
第１ダイクロイックミラー７ａは、光源装置２からの照明光ＷＬを赤色光ＬＲと、その他の光（緑色光ＬＧおよび青色光ＬＢ）とに分離する。第１ダイクロイックミラー７ａは、分離された赤色光ＬＲを透過させると共に、その他の光（緑色光ＬＧおよび青色光ＬＢ）を反射する。一方、第２ダイクロイックミラー７ｂは、その他の光を緑色光ＬＧと青色光ＬＢとに分離する。第２ダイクロイックミラー７ｂは、分離された緑色光ＬＧを反射し、青色光ＬＢを透過させる。
【００２７】
第１反射ミラー８ａは、赤色光ＬＲの光路中に配置され、第１ダイクロイックミラー７ａを透過した赤色光ＬＲを光変調装置４Ｒに向けて反射する。一方、第２反射ミラー８ｂおよび第３反射ミラー８ｃは、青色光ＬＢの光路中に配置され、第２ダイクロイックミラー７ｂを透過した青色光ＬＢを光変調装置４Ｂに向けて反射する。また、緑色光ＬＧは、第２ダイクロイックミラー７ｂによって光変調装置４Ｇに向けて反射される。
【００２８】
第１リレーレンズ９ａおよび第２リレーレンズ９ｂは、青色光ＬＢの光路中における第２ダイクロイックミラー７ｂの光射出側に配置されている。第１リレーレンズ９ａおよび第２リレーレンズ９ｂは、青色光ＬＢの光路長が赤色光ＬＲの光路長および緑色光ＬＧの光路長よりも長いことに起因した青色光ＬＢの照明分布の違いを修正する。
【００２９】
光変調装置４Ｒは、赤色光ＬＲを画像情報に応じて変調し、赤色光ＬＲに対応した画像光を形成する。光変調装置４Ｇは、緑色光ＬＧを画像情報に応じて変調し、緑色光ＬＧに対応した画像光を形成する。光変調装置４Ｂは、青色光ＬＢを画像情報に応じて変調し、青色光ＬＢに対応した画像光を形成する。
【００３０】
光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、および光変調装置４Ｂには、例えば透過型の液晶パネルが用いられている。また、液晶パネルの入射側および射出側には、偏光板（図示せず）がそれぞれ配置され、特定の方向の直線偏光のみを通過させる構成となっている。
【００３１】
光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、および光変調装置４Ｂの入射側には、それぞれフィールドレンズ１０Ｒ、フィールドレンズ１０Ｇ、フィールドレンズ１０Ｂが配置されている。フィールドレンズ１０Ｒ、フィールドレンズ１０Ｇ、およびフィールドレンズ１０Ｂは、それぞれの光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、光変調装置４Ｂに入射する赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧ、青色光ＬＢの主光線を平行化する。
【００３２】
合成光学系５は、光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、および光変調装置４Ｂから射出された画像光が入射することにより、赤色光ＬＲ，緑色光ＬＧ，青色光ＬＢに対応した画像光を合成し、合成された画像光を投射光学装置６に向けて射出する。合成光学系５には、例えばクロスダイクロイックプリズムが用いられる。
【００３３】
投射光学装置６は、複数の投射レンズから構成されている。投射光学装置６は、合成光学系５により合成された画像光をスクリーンＳＣＲに向けて拡大投射する。これにより、スクリーンＳＣＲ上に画像が表示される。
【００３４】
次に、制御装置５０について説明する。
以下の説明においては、適宜図に示すＺ軸方向を上下方向（所定方向）として、各部の相対位置関係等を説明する。Ｚ軸方向のうち正の側（＋Ｚ側）を上側（第１の側）と呼び、Ｚ軸方向のうち負の側（−Ｚ側）を下側（第２の側）と呼ぶ。また、上下方向と直交する方向を水平方向と呼ぶ。
なお、上下方向、水平方向、上側および下側は、単に各部の相対位置関係等を説明するための名称であり、実際の配置関係等は、これらの名称で示す配置関係等と異なっていてもよい。
【００３５】
図２は、制御装置５０におけるプリント回路板５１を示す断面図である。図３は、制御装置５０における熱伝導部材５４を下側から見た平面図である。なお、図２における熱伝導部材５４の断面図は、図３におけるＩＩ−ＩＩ断面図である。
制御装置５０は、光源装置２を含むプロジェクター１の各部を制御するメインボードである。図２に示すように、制御装置５０は、プリント回路板５１を備えている。プリント回路板５１は、プリント配線板５２と、電子素子５３と、放熱部材５７と、熱伝導部材（熱伝導シート）５４と、を備えている。
【００３６】
プリント配線板５２は、板面が上下方向を向く板状である。プリント配線板５２は、図示を省略するが、例えば紙フェノール、ガラス・エポキシ等の材料からなる基材の少なくとも１つの面に銅箔からなる配線パターンが設けられた構成を有する。プリント配線板５２としては、片面プリント配線板、両面プリント配線板、多層プリント配線板のいずれかが用いられてもよい。また、プリント配線板５２としては、可撓性を持たないリジッドプリント配線板が用いられてもよいし、可撓性を有するフレキシブルプリント配線板が用いられてもよい。本実施形態においてプリント配線板５２は、配線パターンが設けられた実装面５２ａを有する。実装面５２ａは、プリント配線板５２の板面のうち上側を向く面である。本実施形態において実装面５２ａは、上下方向と直交している。すなわち、上下方向は、実装面５２ａに垂直な所定方向である。
【００３７】
電子素子５３は、プリント配線板５２の実装面５２ａに設けられている。電子素子５３は、例えば、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）等のＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）である。図示は省略するが、電子素子５３は、シリコンからなる半導体チップと、半導体チップを覆うパッケージと、パッケージの下面に設けられた複数の端子と、を備えている。電子素子５３は、複数の端子を介してプリント配線板５２の実装面５２ａに設けられた配線パターンと電気的に接続されている。また、詳細は後述するが、電子素子５３は、発熱源および不要輻射源となる。本実施形態において電子素子５３は、例えば、略直方体状である。図３に示すように、電子素子５３は、上下方向に沿った平面視において、例えば、正方形状である。
【００３８】
放熱部材５７は、図２に示すように、電子素子５３に対して上側に配置されている。放熱部材５７は、熱伝導部材５４を介して電子素子５３に取り付けられている。本実施形態において放熱部材５７は、板面が上下方向を向く板状である。放熱部材５７の板面は、例えば、上下方向と直交する。放熱部材５７は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３および熱伝導部材５４よりも大きく、電子素子５３の全体および熱伝導部材５４の全体と重なっている。
【００３９】
放熱部材５７は、例えば、アルミニウム、銅等の比較的熱伝導率の高い金属からなる平板で構成されている。放熱部材５７は、電子素子５３に対して熱的に接続されている。
なお、本明細書において「ある対象同士が熱的に接続されている」とは、ある対象同士が直接的または間接的に連結されており、ある対象同士の間で熱の移動が生じる状態であればよい。本実施形態では、放熱部材５７が熱伝導部材５４を介して間接的に電子素子５３に連結されており、電子素子５３の熱が熱伝導部材５４を介して放熱部材５７へと移動する。
【００４０】
熱伝導部材５４は、電子素子５３から放熱部材５７へと熱を伝達させる部材である。熱伝導部材５４は、誘電体である。熱伝導部材５４は、上下方向において電子素子５３と放熱部材５７との間に配置されている。本実施形態において熱伝導部材５４は、上下方向と直交する水平方向に拡がるシート状である。すなわち、本実施形態において熱伝導部材５４は、熱伝導シートである。熱伝導部材５４は、シート面として、上側を向く上面（第１面）５４ｂと、上面５４ｂの逆側の面であり、下側を向く下面（第２面）５４ａと、を有する。本実施形態において熱伝導部材５４の下面５４ａおよび熱伝導部材５４の上面５４ｂは、上下方向に垂直である。
【００４１】
熱伝導部材５４の下面５４ａは、電子素子５３の上面に貼り合わされている。熱伝導部材５４の上面５４ｂは、放熱部材５７の下面に貼り合わされている。熱伝導部材５４と電子素子５３とを貼り合わせる方法、および熱伝導部材５４と放熱部材５７とを貼り合わせる方法は、特に限定されない。熱伝導部材５４と電子素子５３とは、例えば、接着剤等によって貼り合わされている。同様に、熱伝導部材５４と放熱部材５７とは、例えば、接着剤等によって貼り合わされている。なお、熱伝導部材５４の母材が接着性を有する物質であり、熱伝導部材５４と電子素子５３とは、接着剤等なしに直接貼り合わされていてもよい。また、同様に、熱伝導部材５４と放熱部材５７とは、接着剤等なしに直接貼り合わされていてもよい。
【００４２】
熱伝導部材５４は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも大きく、電子素子５３の全体と重なっている。熱伝導部材５４は、高比透磁率部（第１部分）５６と、低比誘電率部（第２部分）５５と、を有している。
【００４３】
高比透磁率部５６は、磁性体を含む部分である。高比透磁率部５６の比透磁率μは、１．０よりも大きい。高比透磁率部５６の比透磁率μは、例えば、３．０以上、１５．０以下程度である。図示は省略するが、高比透磁率部５６は、母材中に複数の磁性体を含んだ構成を有する。母材としては、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等が用いられる。複数の磁性体のそれぞれは、例えば、針状、棒状、板状等の形状を有する小片であり、長手方向を有する。磁性体としては、例えば、酸化鉄を主成分とするフェライト等の軟磁性材料が用いられる。母材中に含まれる磁性体の量を多くする程、高比透磁率部５６の比透磁率μは、大きくなる。高比透磁率部５６の比誘電率εは、低比誘電率部５５の比誘電率εよりも大きい。
【００４４】
なお、本明細書における比誘電率εは、温度２５℃かつ相対湿度３０％の条件下で、キーサイト・テクノロジー株式会社製のＥ４９９１Ａ  ＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザを用いて計測した周波数１ＧＨｚにおける値である。また、本明細書における比透磁率μは、温度２５℃かつ相対湿度３０％の条件下で、キーサイト・テクノロジー株式会社製のＥ４９９１Ａ  ＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザを用いて計測した周波数１ＧＨｚにおける値である。
【００４５】
高比透磁率部５６の熱伝導率は、電子素子５３から放熱部材５７へと好適に熱を移動可能な程度に大きく、例えば、０．５以上、２０．０以下程度である。高比透磁率部５６の熱伝導率は、例えば、低比誘電率部５５の熱伝導率よりも大きい。本実施形態において電子素子５３の熱は、高比透磁率部５６を通って放熱部材５７へと伝達される。
【００４６】
本実施形態において高比透磁率部５６は、熱伝導部材５４の中央部分である。本実施形態において高比透磁率部５６は、熱伝導部材５４を単独で見たときに、上下方向両側の面が熱伝導部材５４の外部に露出している。高比透磁率部５６の下面５６ａは、熱伝導部材５４の下面５４ａの一部を構成している。高比透磁率部５６の上面５６ｂは、熱伝導部材５４の上面５４ｂの一部を構成している。高比透磁率部５６は、図３に示すように、上下方向に沿った平面視において、例えば、正方形状である。
【００４７】
高比透磁率部５６は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも大きく、電子素子５３の全体と重なっている。本実施形態では、高比透磁率部５６の下面５６ａおよび上面５６ｂは、上下方向に沿った平面視において、共に電子素子５３よりも大きく、電子素子５３の全体と重なっている。すなわち、熱伝導部材５４の下面５４ａにおける高比透磁率部５６が設けられた領域、および熱伝導部材５４の上面５４ｂにおける高比透磁率部５６が設けられた領域は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも大きく、電子素子５３の全体と重なっている。高比透磁率部５６の外縁は、図３に示すように、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３の外縁よりも外側に離れた位置に配置されており、電子素子５３の外縁を囲んでいる。図２に示すように、高比透磁率部５６の下面５６ａは、電子素子５３の上面に貼り合わされている。高比透磁率部５６の上面５６ｂは、放熱部材５７の下面に貼り合わされている。
【００４８】
低比誘電率部５５は、比誘電率εが比較的小さい部分である。低比誘電率部５５の比誘電率εは、高比透磁率部５６の比誘電率εよりも小さい。低比誘電率部５５の比誘電率εは、８．０以下である。低比誘電率部５５の比誘電率εは、例えば、４．０以下程度が好ましい。これは、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをより低減できるためである。低比誘電率部５５は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等で構成されている。低比誘電率部５５は、磁性体を含んでおらず、非磁性の部分である。非磁性である低比誘電率部５５の比透磁率μは、略１．０である。低比誘電率部５５の熱伝導率は、特に限定されない。
【００４９】
本実施形態において低比誘電率部５５は、図２および図３に示すように、高比透磁率部５６を囲む枠状であり、熱伝導部材５４が有する複数の面のうち上下方向における両側の面（下面５４ａおよび上面５４ｂ）において、高比透磁率部５６を一周に亘って囲んでいる。低比誘電率部５５は、例えば、正方形枠状である。本実施形態の低比誘電率部５５は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも外側に離れて配置されている。低比誘電率部５５は、高比透磁率部５６の内側に嵌め合わされている。低比誘電率部５５の内縁は、高比透磁率部５６の外縁と接触して配置されている。低比誘電率部５５と高比透磁率部５６とは、例えば、接着剤等を用いて接合されてもよい。本実施形態では、低比誘電率部５５の上下方向の寸法は、例えば、高比透磁率部５６の上下方向の寸法と同じである。
【００５０】
図２に示すように、低比誘電率部５５の下面５５ａは、熱伝導部材５４の下面５４ａの一部を構成している。低比誘電率部５５の下面５５ａは、高比透磁率部５６の下面５６ａと滑らかに繋がっている。本実施形態において熱伝導部材５４の下面５４ａは、低比誘電率部５５の下面５５ａと高比透磁率部５６の下面５６ａとから構成されている。低比誘電率部５５の下面５５ａは、プリント配線板５２の実装面５２ａの上側に位置し、実装面５２ａと間隔を空けて対向して配置されている。
【００５１】
低比誘電率部５５の上面５５ｂは、熱伝導部材５４の上面５４ｂの一部を構成している。低比誘電率部５５の上面５５ｂは、高比透磁率部５６の上面５６ｂと滑らかに繋がっている。本実施形態において熱伝導部材５４の上面５４ｂは、低比誘電率部５５の上面５５ｂと高比透磁率部５６の上面５６ｂとから構成されている。低比誘電率部５５の上面５５ｂは、放熱部材５７の下面と貼り合わされている。
【００５２】
以下、本実施形態のプリント回路板５１の作用および効果について説明する。
図１３は、比較形態のプリント回路板６５１を示す断面図である。
図１３に示すように、比較形態のプリント回路板６５１は、上述した本実施形態のプリント回路板５１に対して、熱伝導部材５４の代わりに熱伝導部材６５４を備えている点が異なる。熱伝導部材６５４は、全体に亘って同様の性質を有する。熱伝導部材６５４の比誘電率εは、８．０よりも大きい。熱伝導部材６５４の比誘電率εは、例えば、１０．０以上である。熱伝導部材６５４の熱伝導率は、例えば、低比誘電率部５５の熱伝導率と同程度である。熱伝導部材６５４は、磁性体を含んでいない非磁性部材である。熱伝導部材６５４は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３と同様の形状および同様の大きさであり、全体が電子素子５３と互いに重なり合っている。
【００５３】
プリント回路板６５１からは、電子素子５３を不要輻射源とする不要輻射ノイズ（電磁ノイズ）が放出される。不要輻射ノイズは、電磁波である。プリント回路板６５１から放出される不要輻射ノイズは、熱伝導部材６５４が設けられることにより大きくなる。この原理は、以下の通りである。
【００５４】
熱伝導部材６５４は誘電体であるため、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズの電界によって、熱伝導部材６５４には誘電分極が生じる。誘電分極が生じると熱伝導部材６５４が図１３に仮想的に示すようなコンデンサーＣＳとして機能し、電子素子５３と放熱部材５７との間に電圧が誘起される。このような現象を静電結合と呼ぶ。静電結合が生じることで、電子素子５３と放熱部材５７との間に変位電流が流れる。なお、以下の説明においては、不要輻射ノイズによって静電結合が生じることを、不要輻射ノイズが結合すると表現する。
【００５５】
電子素子５３から放出された不要輻射ノイズが放熱部材５７に結合することによって、放熱部材５７は共振し、不要輻射ノイズを増幅して放出するアンテナとして機能する。以上のような原理により、熱伝導部材６５４が設けられることで、プリント回路板２５１から放出される不要輻射ノイズが大きくなる。アンテナとして機能する放熱部材５７から放出される不要輻射ノイズは、放熱部材５７から上方に放出される不要輻射ノイズＮＶである。
【００５６】
ここで、熱伝導部材６５４の比誘電率εが大きいほど、仮想的なコンデンサーＣＳの静電容量が大きくなり、静電結合によって誘起される電圧が大きくなる。すなわち、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズが放熱部材５７に結合しやすくなる。これにより、電子素子５３と放熱部材５７との間に流れる変位電流が大きくなり、放熱部材５７から放出される不要輻射ノイズＮＶがより大きくなる。したがって、熱伝導部材６５４の比誘電率εが大きいほど、プリント回路板６５１から放出される不要輻射ノイズが大きくなる。
【００５７】
なお、熱伝導部材６５４を設けることによってプリント回路板６５１から放出される不要輻射ノイズが大きくなる現象自体は、従来から知られていたものの、上述した原理については、本発明者らが新たに得た知見である。
【００５８】
プリント回路板６５１から放出される不要輻射ノイズは、上述した放熱部材５７から放出される不要輻射ノイズＮＶ以外の不要輻射ノイズも含む。具体的には、プリント回路板６５１から放出される不要輻射ノイズは、プリント配線板５２と放熱部材５７との間から上下方向と直交する水平方向に放出される不要輻射ノイズＮＨを含む。不要輻射ノイズＮＨが放出される原理は以下の通りである。
【００５９】
プリント配線板５２と放熱部材５７との間の空気も誘電体であるため、電子素子５３からの不要輻射ノイズの電界によって誘電分極し、図１３に仮想的に示すコンデンサーＣＡとして機能する。なお、コンデンサーＣＡの静電容量は、コンデンサーＣＳの静電容量よりも小さい。空気のコンデンサーＣＡと熱伝導部材６５４のコンデンサーＣＳとプリント配線板５２と電子素子５３と放熱部材５７とによって構成される回路によって、放熱部材５７とプリント配線板５２との間に流れる変位電流が生じる。この変位電流に起因して、誘電体共振が生じて、プリント配線板５２と放熱部材５７との間から水平方向に不要輻射ノイズＮＨが放出される。
【００６０】
以上のように、プリント回路板６５１から放出される不要輻射ノイズは、上方に向けて放出される不要輻射ノイズＮＶと、水平方向に向けて放出される不要輻射ノイズＮＨと、を含む。
【００６１】
本実施形態によれば、熱伝導部材５４は、比誘電率εが高比透磁率部５６よりも小さい低比誘電率部５５を有している。そのため、低比誘電率部５５の比誘電率εを比較的小さくしやすく、低比誘電率部５５がコンデンサーＣＳとして機能する際に、コンデンサーＣＳの静電容量を小さくできる。これにより、電子素子５３から放出された不要輻射ノイズが熱伝導部材５４を介して放熱部材５７に結合しにくくなる。したがって、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズが放熱部材５７によって増幅されることを抑制でき、放熱部材５７から放射される不要輻射ノイズＮＶを小さくできる。その結果、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズ全体を小さくできる。
【００６２】
ここで、上述したように、熱伝導部材５４の比誘電率εが不要輻射ノイズの増大に関係していたことは、本発明者らによって新たに得られた知見である。本実施形態のプリント回路板５１は、この新たな知見に基づいて、放出される不要輻射ノイズを小さくすることを実現できるプリント回路板である。
【００６３】
また、本実施形態によれば、熱伝導部材５４は、磁性体を含む高比透磁率部５６を有している。磁性体を含むことにより、高比透磁率部５６の比透磁率μは、１．０よりも大きくなる。比透磁率μが１．０よりも大きい部材には、磁束が通りやすいため、内部に磁界が生じやすい。そのため、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズの磁界が引き寄せられて、高比透磁率部５６内を不要輻射ノイズが通りやすい。不要輻射ノイズが高比透磁率部５６内を通ると、高比透磁率部５６内に磁束および電流が生じて熱となり、磁気損失が生じる。これにより、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズのエネルギーが低下し、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをさらに小さくできる。このように、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズのエネルギーを低減できることで、プリント回路板５１から水平方向に放出される不要輻射ノイズＮＨも小さくできる。
【００６４】
以上により、本実施形態によれば、低比誘電率部５５と高比透磁率部５６とが設けられることで、熱伝導部材５４によってプリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズを好適に小さくできる。そのため、放熱部材５７および熱伝導部材５４を設けて電子素子５３の放熱性を向上させた場合であっても、シールドケース等の遮蔽部材を設けることなく、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズを抑制できる。これにより、不要輻射ノイズを抑制しつつ、プリント回路板５１が大型化することを抑制できる。したがって、プリント回路板５１が搭載されるプロジェクター１の信頼性を向上させつつ、プロジェクター１が大型化することを抑制できる。
【００６５】
また、シールドケース等の遮蔽部材を追加で設ける必要がないため、プリント回路板５１の部品点数が増加することを抑制できる。これにより、プリント回路板５１を組み立てる工数およびコストを低減できる。したがって、プロジェクター１の製造コストを低減できる。また、シールドケース等の遮蔽部材によって電子素子５３の放熱性が低下することも抑制できる。
【００６６】
また、低比誘電率部５５は、周波数が比較的低い不要輻射ノイズと放熱部材５７との結合を特に抑制しやすい。一方で、低比誘電率部５５は、周波数が比較的高い不要輻射ノイズについては、周波数が比較的低い不要輻射ノイズに比べて放熱部材５７との結合を生じさせやすい。すなわち、低比誘電率部５５によっては、周波数が比較的低い不要輻射ノイズに比べて、周波数が比較的高い不要輻射ノイズを低減しにくい。
【００６７】
一方、高比透磁率部５６は、特に周波数が高い不要輻射ノイズのエネルギーを損失させやすい。そのため、特に周波数が比較的高い不要輻射ノイズを低減できる。したがって、低比誘電率部５５と高比透磁率部５６とを組み合わせることで、比較的低い周波数の不要輻射ノイズと比較的高い周波数の不要輻射ノイズとの両方を低減することができる。
【００６８】
ここで、本実施形態のプロジェクター１のような映像機器においては、プリント回路板５１から、比較的低い周波数の不要輻射ノイズと比較的高い周波数の不要輻射ノイズとの両方が放出されやすい。そのため、比較的低い周波数の不要輻射ノイズと比較的高い周波数の不要輻射ノイズとの両方を低減できる効果は、プリント回路板５１が映像機器に搭載される際に、より有用に得られる。
なお、比較的低い周波数とは、例えば、１ＧＨｚよりも小さい周波数である。比較的高い周波数とは、例えば、１ＧＨｚ以上の周波数である。
【００６９】
図２では、上述した不要輻射ノイズの抑制効果を、矢印を用いて視覚的に示している。白抜きの矢印ＥＦは、不要輻射ノイズの電界としての挙動を示している。黒い矢印ＭＦは、不要輻射ノイズの磁界としての挙動を示している。なお、各矢印ＥＦ，ＭＦは、あくまで不要輻射ノイズの抑制効果を視覚的に説明するために仮想的に示しているものである。
【００７０】
図２において矢印ＥＦで示すように、電界としての不要輻射ノイズは、高比透磁率部５６を避けるような挙動を示し、例えば、電子素子５３の側面から放出される。低比誘電率部５５は、電子素子５３の側面から放出された不要輻射ノイズが、放熱部材５７と結合することを抑制している。
【００７１】
また、電子素子５３からに放出される不要輻射ノイズは、矢印ＭＦで示すように、磁界としては高比透磁率部５６に引き寄せられるような挙動を示す。そのため、電子素子５３から高比透磁率部５６側（上側）に放出された不要輻射ノイズは、高比透磁率部５６内を通る。これにより、高比透磁率部５６において磁気損失が生じる。
【００７２】
本実施形態によれば、高比透磁率部５６は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３に対して少なくとも一部が重なっている。そのため、電子素子５３の少なくとも一部の直上には高比透磁率部５６が位置し、高比透磁率部５６と電子素子５３とが連結されている。ここで、電子素子５３から放熱部材５７へと結合する不要輻射ノイズは、電子素子５３と熱伝導部材５４との連結部を通って放熱部材５７へと結合する不要輻射ノイズが多い。そのため、熱伝導部材５４における電子素子５３と連結される部分の少なくとも一部を高比透磁率部５６とすることで、高比透磁率部５６内の磁気損失によって、より好適に不要輻射ノイズのエネルギーを低減でき、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。
【００７３】
また、低比誘電率部５５内を上下方向に通過しようとする不要輻射ノイズを、低比誘電率部５５の内側の高比透磁率部５６に引き寄せることができる。これにより、不要輻射ノイズのエネルギーをより好適に低減でき、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。
【００７４】
また、本実施形態によれば、低比誘電率部５５は、熱伝導部材５４が有する上面５４ｂと下面５４ａとのうち、少なくとも熱伝導部材５４の下面５４ａにおいて、高比透磁率部５６を一周に亘って囲んでいる。そのため、図２において矢印ＥＦで示すように、電子素子５３の側面の全周から水平方向に放出される不要輻射ノイズが放熱部材５７へと結合することを、低比誘電率部５５によって好適に抑制することができる。これにより、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。
【００７５】
また、本実施形態によれば、低比誘電率部５５の比誘電率εは、８．０以下である。そのため、低比誘電率部５５の比誘電率εを好適に小さくすることができる。これにより、不要輻射ノイズが放熱部材５７に結合することをより好適に抑制できる。したがって、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。
【００７６】
また、本実施形態によれば、低比誘電率部５５は、高比透磁率部５６を囲む枠状であり、熱伝導部材５４の上面５４ｂおよび下面５４ａにおいて、高比透磁率部５６を一周に亘って囲んでいる。そのため、高比透磁率部５６と枠状の低比誘電率部５５とを、同じ厚さで別々に製造した後に、高比透磁率部５６を低比誘電率部５５の内側に嵌め合わせることで、熱伝導部材５４を製造することができる。そのため、熱伝導部材５４の製造を容易にできる。
【００７７】
また、本実施形態によれば、熱伝導部材５４の下面５４ａにおける高比透磁率部５６が設けられた領域は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも大きく、電子素子５３の全体と重なっている。これにより、電子素子５３の全体において直上に高比透磁率部５６が位置し、熱伝導部材５４における電子素子５３と連結された部分は、すべて高比透磁率部５６となる。したがって、電子素子５３から上側に放出される不要輻射ノイズを好適に高比透磁率部５６に通すことができ、好適に磁気損失を生じさせることができる。これにより、より好適に不要輻射ノイズのエネルギーを低減でき、プリント回路板５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。
【００７８】
また、本実施形態によれば、熱伝導部材５４は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも大きく、電子素子５３の全体と重なっている。そのため、電子素子５３から放出される不要輻射ノイズの多くを熱伝導部材５４によって抑制しやすい。
【００７９】
また、本実施形態によれば、熱伝導部材５４は、シート状の熱伝導シートである。そのため、電子素子５３の形状に合わせて、熱伝導部材５４を電子素子５３の上面を貼り付けやすい。また、放熱部材５７の形状に合わせて、熱伝導部材５４を放熱部材５７の下面に貼り付けやすい。これにより、電子素子５３と放熱部材５７とを熱伝導部材５４を介して密着させることができ、電子素子５３の放熱性を好適に向上できる。
【００８０】
＜第２実施形態＞
本実施形態は、第１実施形態に対して、熱伝導部材が異なる。なお、上述した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付す等により説明を省略する場合がある。
【００８１】
図４は、本実施形態のプリント回路板１５１を示す断面図である。
本実施形態のプリント回路板１５１は、図４に示すように、プリント配線板５２と、電子素子５３と、放熱部材５７と、熱伝導部材（熱伝導シート）１５４と、を備えている。
【００８２】
熱伝導部材１５４は、高比透磁率部（第１部分）５６と、低比誘電率部（第２部分）１５５と、を有している。
低比誘電率部１５５の下面１５５ａの中央部には、上側に窪む凹部１５５ｅが形成されている。図示は省略するが、凹部１５５ｅは、上下方向に沿った平面視において、正方形状である。凹部１５５ｅには、高比透磁率部５６が嵌め合わされている。高比透磁率部５６の外縁は、凹部１５５ｅの内縁と接触して配置されている。低比誘電率部１５５と高比透磁率部５６とは、例えば、接着剤等により接合されていてもよい。凹部１５５ｅが形成されていることで、低比誘電率部１５５には、高比透磁率部５６を囲む枠状の枠部１５５ｃと、上下方向において高比透磁率部５６と放熱部材５７との間に位置する介在部１５５ｄと、が形成されている。
【００８３】
枠部１５５ｃは、第１実施形態の低比誘電率部５５と同様の形状である。
介在部１５５ｄは、凹部１５５ｅの底部である。介在部１５５ｄの下面は、高比透磁率部５６の上面と接触している。介在部１５５ｄの上面は、放熱部材５７の下面に貼り合わされている。介在部１５５ｄは、水平方向に拡がる板状である。
【００８４】
本実施形態において低比誘電率部１５５は、熱伝導部材１５４の下面（第２面）１５４ａにおいて、高比透磁率部５６を一周に亘って囲んでいる。熱伝導部材１５４の下面１５４ａは、低比誘電率部１５５の下面１５５ａと高比透磁率部５６の下面５６ａとによって構成されている。熱伝導部材１５４の下面１５４ａにおける低比誘電率部１５５と高比透磁率部５６との分布は、第１実施形態の熱伝導部材５４の下面５４ａにおける低比誘電率部５５と高比透磁率部５６との分布と同様である。一方、本実施形態において熱伝導部材１５４の上面（第１面）１５４ｂは、低比誘電率部１５５の上面１５５ｂのみで構成されている。本実施形態において低比誘電率部１５５の上下方向の寸法は、高比透磁率部５６の上下方向の寸法よりも大きい。
【００８５】
本実施形態において低比誘電率部１５５の熱伝導率は、電子素子５３から放熱部材５７へと好適に熱を移動可能な程度に大きく、例えば、０．５以上、２０．０以下程度である。本実施形態において電子素子５３の熱は、高比透磁率部５６および低比誘電率部１５５を通って放熱部材５７へと伝達される。
【００８６】
低比誘電率部１５５のその他の構成は、第１実施形態の低比誘電率部５５のその他の構成と同様である。プリント回路板１５１のその他の構成は、第１実施形態のプリント回路板５１のその他の構成と同様である。
【００８７】
本実施形態によれば、低比誘電率部１５５は、上下方向において高比透磁率部５６と放熱部材５７との間に位置する部分として介在部１５５ｄを有している。そのため、高比透磁率部５６を上下方向に通過して放熱部材５７に結合しようとする不要輻射ノイズを、介在部１５５ｄによって遮ることができる。したがって、プリント回路板１５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に低減できる。
【００８８】
＜第３実施形態＞
本実施形態は、第１実施形態に対して、上下方向に沿った平面視における高比透磁率部の大きさ、および低比誘電率部の大きさが異なる。なお、上述した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付す等により説明を省略する場合がある。
【００８９】
図５は、本実施形態のプリント回路板２５１を示す断面図である。図６は、本実施形態の熱伝導部材２５４を下側から見た平面図である。図５では、図２と同様に、不要輻射ノイズの抑制効果を、矢印ＥＦ，ＭＦを用いて視覚的かつ仮想的に示している。なお、図５における熱伝導部材２５４の断面図は、図６におけるＶ−Ｖ断面図である。
本実施形態のプリント回路板２５１は、図５に示すように、プリント配線板５２と、電子素子５３と、放熱部材５７と、熱伝導部材（熱伝導シート）２５４と、を備えている。
【００９０】
熱伝導部材２５４は、高比透磁率部（第１部分）２５６と、低比誘電率部（第２部分）２５５と、を有している。本実施形態において熱伝導部材２５４の下面（第２面）２５４ａは、高比透磁率部２５６の下面２５６ａと低比誘電率部２５５の下面２５５ａとから構成されている。本実施形態において熱伝導部材２５４の上面（第１面）２５４ｂは、高比透磁率部２５６の上面２５６ｂと低比誘電率部２５５の上面２５５ｂとから構成されている。
【００９１】
高比透磁率部２５６は、図５および図６に示すように、第１実施形態の高比透磁率部５６に比べて、熱伝導部材２５４において占める割合が小さい。図６に示すように、熱伝導部材２５４の下面２５４ａにおける高比透磁率部２５６が設けられた領域は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも小さく、全体が電子素子５３と重なっている。高比透磁率部２５６の外縁は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３の外縁よりも内側に離れた位置に配置されており、電子素子５３の外縁によって囲まれている。
【００９２】
低比誘電率部２５５は、図５および図６に示すように、第１実施形態の低比誘電率部５５に比べて、熱伝導部材２５４において占める割合が大きい。図６に示すように、熱伝導部材２５４の下面２５４ａにおける低比誘電率部２５５が設けられた領域は、上下方向に沿った平面視において、内周縁部が電子素子５３と重なっている。同様に、熱伝導部材２５４の上面２５４ｂにおける低比誘電率部２５５が設けられた領域についても、上下方向に沿った平面視において、内周縁部が電子素子５３と重なっている。低比誘電率部２５５の外縁は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３の外縁よりも外側に離れた位置に配置されており、電子素子５３を囲んでいる。低比誘電率部２５５の下面２５５ａの内周縁部は、図５に示すように、電子素子５３の上面の外周縁部に貼り合わされている。
【００９３】
本実施形態において低比誘電率部２５５の熱伝導率は、電子素子５３から放熱部材５７へと好適に熱を移動可能な程度に大きいことが好ましい。これは、低比誘電率部２５５の内周縁部を介して電子素子５３の熱を放熱部材５７へと伝達させやすくできるためである。低比誘電率部２５５の熱伝導率は、例えば、０．５以上、２０．０以下程度である。
【００９４】
高比透磁率部２５６のその他の構成は、第１実施形態の高比透磁率部５６のその他の構成と同様である。低比誘電率部２５５のその他の構成は、第１実施形態の低比誘電率部５５のその他の構成と同様である。プリント回路板２５１のその他の構成は、第１実施形態のプリント回路板５１のその他の構成と同様である。
【００９５】
本実施形態によれば、熱伝導部材２５４の下面２５４ａにおける低比誘電率部２５５が設けられた領域は、上下方向に沿った平面視において、内周縁部が電子素子５３と重なっている。そのため、図５に示すように、電子素子５３の直上には低比誘電率部２５５の内周縁部が位置し、低比誘電率部２５５と電子素子５３とが連結されている。これにより、電子素子５３から直上に放出されて放熱部材５７に結合しようとする不要輻射ノイズを低比誘電率部２５５の内周縁部によって抑制できる。したがって、低比誘電率部２５５によって、より好適に不要輻射ノイズが放熱部材５７に結合することを抑制でき、プリント回路板２５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。
【００９６】
なお、図５では、不要輻射ノイズの抑制効果を分かりやすく示すために、電子素子５３から放熱部材５７側（上側）に放出された不要輻射ノイズが低比誘電率部２５５によって遮られているように示しているが、実際には、低比誘電率部２５５が存在するために、電子素子５３から放熱部材５７側（上側）に放出される不要輻射ノイズ自体が低減する。
【００９７】
また、本実施形態によれば、電子素子５３から上側に放出されて低比誘電率部２５５を上下方向に通過しようとする不要輻射ノイズがあっても、矢印ＭＦで示すように、低比誘電率部２５５の内側の高比透磁率部２５６に不要輻射ノイズを引き寄せることができる。これにより、不要輻射ノイズのエネルギーをより好適に低減でき、プリント回路板２５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。
【００９８】
＜第４実施形態＞
本実施形態は、第１実施形態に対して、熱伝導部材の構成が異なる。なお、上述した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付す等により説明を省略する場合がある。
【００９９】
図７は、本実施形態のプリント回路板３５１を示す断面図である。図８は、本実施形態の熱伝導部材３５４を下側から見た平面図である。なお、図７における熱伝導部材３５４の断面図は、図８におけるＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。
本実施形態のプリント回路板３５１は、図７に示すように、プリント配線板５２と、電子素子５３と、放熱部材５７と、熱伝導部材（熱伝導シート）３５４と、を備えている。
【０１００】
熱伝導部材３５４は、高比透磁率部（第１部分）３５６と、低比誘電率部（第２部分）３５５と、を有している。
本実施形態において高比透磁率部３５６と低比誘電率部３５５とは、図７および図８に示すように、上下方向と直交する第１方向に延び、上下方向および第１方向の両方と直交する第２方向に沿って複数ずつ設けられている。第１方向は、水平方向の一方向であり、図７および図８においてＸ軸で示す方向である。第２方向は、水平方向の他の一方向であり、図７および図８においてＹ軸で示す方向である。第１方向は、例えば、上下方向における平面視において、正方形状の熱伝導部材３５４の各辺のうち互いに直交する一対の辺の一方の辺と平行な方向であり、第２方向は、他方の辺と平行な方向である。
【０１０１】
なお、以下の各実施形態においては、本実施形態と同様に、各図にＸ軸およびＹ軸を示し、Ｘ軸方向と平行な方向を第１方向と呼び、Ｙ軸方向と平行な方向を第２方向と呼ぶ。
【０１０２】
複数の高比透磁率部３５６と複数の低比誘電率部３５５とは、第２方向（Ｙ軸方向）に沿って交互に並んで配置されている。高比透磁率部３５６および低比誘電率部３５５は、図８に示すように、上下方向に沿って視て、第１方向（Ｘ軸方向）に長い細長の長方形状である。第２方向に隣り合う高比透磁率部３５６と低比誘電率部３５５とは、互いに接触して配置されている。
【０１０３】
各高比透磁率部３５６は、上下方向、第１方向（Ｘ軸方向）、および第２方向（Ｙ軸方向）のそれぞれにおいて、例えば、互いに同じ寸法を有している。各低比誘電率部３５５は、上下方向、第１方向（Ｘ軸方向）、および第２方向（Ｙ軸方向）のそれぞれにおいて、例えば、互いに同じ寸法を有している。高比透磁率部３５６と低比誘電率部３５５とは、上下方向、第１方向（Ｘ軸方向）、および第２方向（Ｙ軸方向）のそれぞれにおいて、例えば、互いに同じ寸法を有している。すなわち、高比透磁率部３５６の大きさおよび形状は、例えば、低比誘電率部３５５の大きさおよび形状と同じである。
【０１０４】
高比透磁率部３５６の数および低比誘電率部３５５の数は、特に限定されない。図７および図８では、高比透磁率部３５６は、例えば、４つ設けられ、低比誘電率部３５５は、例えば、３つ設けられている。複数の高比透磁率部３５６のうち第２方向（Ｙ軸方向）の両端に位置する２つの高比透磁率部３５６は、熱伝導部材３５４の第２方向の両端部である。当該２つの高比透磁率部３５６は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３よりも外側に位置している。その他の高比透磁率部３５６は、上下方向に沿った平面視において、第１方向（Ｘ軸方向）の両端部を除いて、電子素子５３と重なっている。複数の低比誘電率部３５５は、上下方向に沿った平面視において、第１方向（Ｘ軸方向）の両端部を除いて、電子素子５３と重なっている。
【０１０５】
図７に示すように、本実施形態において熱伝導部材３５４の下面は、複数の高比透磁率部３５６の各下面と複数の低比誘電率部３５５の各下面とから構成されている。本実施形態において熱伝導部材３５４の上面は、複数の高比透磁率部３５６の各上面と複数の低比誘電率部３５５の各上面とから構成されている。本実施形態において低比誘電率部３５５の熱伝導率は、第３実施形態と同様に、電子素子５３から放熱部材５７へと好適に熱を移動可能な程度に大きいことが好ましい。
【０１０６】
高比透磁率部３５６のその他の構成は、第１実施形態の高比透磁率部５６のその他の構成と同様である。低比誘電率部３５５のその他の構成は、第１実施形態の低比誘電率部５５のその他の構成と同様である。プリント回路板３５１のその他の構成は、第１実施形態のプリント回路板５１のその他の構成と同様である。
【０１０７】
本実施形態によれば、高比透磁率部３５６が上下方向と直交する第１方向に延びている。そのため、高比透磁率部３５６内において磁束および電流が流れる経路を長くできる。これにより、高比透磁率部３５６内で磁気損失を好適に生じさせて不要輻射ノイズのエネルギーを好適に低減できる。したがって、プリント回路板３５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。
【０１０８】
また、本実施形態によれば、高比透磁率部３５６と低比誘電率部３５５とが、上下方向および第１方向の両方と直交する第２方向に沿って交互に並んで配置されている。そのため、低比誘電率部３５５を上下方向に通過しようとする不要輻射ノイズを、低比誘電率部３５５の第２方向両側に隣り合う２つの高比透磁率部３５６に引き寄せることができる。これにより、不要輻射ノイズのエネルギーをより好適に低減でき、プリント回路板３５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。
【０１０９】
＜第５実施形態＞
本実施形態は、第１実施形態に対して、熱伝導部材の構成が異なる。なお、上述した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付す等により説明を省略する場合がある。
【０１１０】
上述した第４実施形態において説明した図７は、本実施形態におけるプリント回路板４５１を示す断面図でもある。図９は、本実施形態の熱伝導部材４５４を下側から見た平面図である。なお、図７における熱伝導部材４５４の断面図は、図９におけるＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。
本実施形態のプリント回路板４５１は、図７に示すように、プリント配線板５２と、電子素子５３と、放熱部材５７と、熱伝導部材（熱伝導シート）４５４と、を備えている。
【０１１１】
熱伝導部材４５４は、高比透磁率部（第１部分）４５６と、低比誘電率部（第２部分）４５５と、を有している。
高比透磁率部４５６は、図９に示すように、上下方向に沿った平面視において、渦巻状に延びている。本実施形態において高比透磁率部４５６は、上下方向に沿った平面視において、正方形状の熱伝導部材４５４の１つの角部から第１方向（Ｘ軸方向）と第２方向（Ｙ軸方向）とに交互に直線状に延びて、角張った渦巻状に延びている。高比透磁率部４５６の一巻きは、略正方形状である。本実施形態において高比透磁率部４５６は、例えば、二巻きの渦巻状である。
【０１１２】
高比透磁率部４５６の最外周の一巻きは、熱伝導部材４５４の外縁部の一部である。なお、熱伝導部材４５４の外縁部の残りの一部は、低比誘電率部４５５である。高比透磁率部４５６の最外周の一巻きは、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３の外側に位置している。高比透磁率部４５６の最外周の一巻きよりも内側に位置する一巻きは、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３と重なっている。
【０１１３】
低比誘電率部４５５は、渦巻状に延びる高比透磁率部４５６の一巻き同士の間を埋めるようにして設けられている。そのため、本実施形態では、低比誘電率部４５５も、上下方向に沿った平面視において、熱伝導部材４５４の外縁部から角張った渦巻状に延びている。低比誘電率部４５５は、上下方向に沿った平面視において、熱伝導部材４５４の外縁部に位置する部分を除いて、電子素子５３と重なっている。本実施形態において低比誘電率部４５５の熱伝導率は、第３実施形態と同様に、電子素子５３から放熱部材５７へと好適に熱を移動可能な程度に大きいことが好ましい。
【０１１４】
本実施形態において、高比透磁率部４５６と低比誘電率部４５５とは、第１方向（Ｘ軸方向）に沿って見て、少なくとも一部同士が重なり合っている。高比透磁率部４５６と低比誘電率部４５５とは、第２方向（Ｙ軸方向）に沿って見て、少なくとも一部同士が重なり合っている。
【０１１５】
高比透磁率部４５６のその他の構成は、第１実施形態の高比透磁率部５６のその他の構成と同様である。低比誘電率部４５５のその他の構成は、第１実施形態の低比誘電率部５５のその他の構成と同様である。プリント回路板４５１のその他の構成は、第１実施形態のプリント回路板５１のその他の構成と同様である。
【０１１６】
本実施形態によれば、高比透磁率部４５６が、上下方向に沿った平面視において、渦巻状に延びている。そのため、渦巻状に沿って、高比透磁率部４５６内において磁束および電流が流れる経路を長くできる。これにより、高比透磁率部４５６内において磁気損失を好適に生じさせて不要輻射ノイズのエネルギーを好適に低減できる。したがって、プリント回路板４５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。
【０１１７】
また、本実施形態によれば、低比誘電率部４５５は、渦巻状に延びる高比透磁率部４５６の一巻き同士の間を埋めるようにして設けられている。そのため、低比誘電率部４５５を上下方向に通過しようとする不要輻射ノイズを、低比誘電率部４５５の両側に隣り合う２つの高比透磁率部４５６に引き寄せることができる。これにより、不要輻射ノイズのエネルギーをより好適に低減でき、プリント回路板４５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。
【０１１８】
＜第６実施形態＞
本実施形態は、第１実施形態に対して、熱伝導部材の構成が異なる。なお、上述した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付す等により説明を省略する場合がある。
【０１１９】
上述した第４実施形態において説明した図７は、本実施形態におけるプリント回路板５５１を示す断面図でもある。図１０は、本実施形態の熱伝導部材５５４を下側から見た平面図である。なお、図７における熱伝導部材５５４の断面図は、図１０におけるＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。
本実施形態のプリント回路板５５１は、図７に示すように、プリント配線板５２と、電子素子５３と、放熱部材５７と、熱伝導部材（熱伝導シート）５５４と、を備えている。
【０１２０】
熱伝導部材５５４は、低比誘電率部（第２部分）５５５と、高比透磁率部（第１部分）５５６と、を有している。
低比誘電率部５５５は、上下方向に沿った平面視において、格子状である。低比誘電率部５５５は、第１方向（Ｘ軸方向）に延びる複数の第１延伸部５５５ｃと、第２方向（Ｙ軸方向）に延びる複数の第２延伸部５５５ｄと、を有している。
【０１２１】
複数の第１延伸部５５５ｃは、第２方向（Ｙ軸方向）に沿って間隔を空けて並んで配置されている。第１延伸部５５５ｃの数は、特に限定されない。第１延伸部５５５ｃは、例えば、３つ設けられている。
複数の第２延伸部５５５ｄは、第１方向（Ｘ軸方向）に沿って間隔を空けて並んで配置されている。第２延伸部５５５ｄの数は、特に限定されない。第２延伸部５５５ｄは、例えば、４つ設けられている。
【０１２２】
複数の第１延伸部５５５ｃと複数の第２延伸部５５５ｄとは、互いに直交して格子状に配置されている。
低比誘電率部５５５は、上下方向に沿った平面視において、熱伝導部材５５４の外縁部に位置する部分を除いて、電子素子５３と重なっている。本実施形態において低比誘電率部５５５の熱伝導率は、第３実施形態と同様に、電子素子５３から放熱部材５７へと好適に熱を移動可能な程度に大きいことが好ましい。
【０１２３】
高比透磁率部５５６は、格子状の低比誘電率部５５５の隙間ごとに設けられている。より詳細には、高比透磁率部５５６は、第２方向（Ｙ軸方向）に隣り合う第１延伸部５５５ｃと第１方向（Ｘ軸方向）に隣り合う第２延伸部５５５ｄとによって囲まれた隙間ごとに設けられている。また、高比透磁率部５５６は、第１方向（Ｘ軸方向）に隣り合う第２延伸部５５５ｄの第２方向一方側（＋Ｙ側）の端部同士に挟まれた隙間、および第１方向に隣り合う第２延伸部５５５ｄの第２方向他方側（−Ｙ側）の端部同士に挟まれた隙間ごとに設けられている。
【０１２４】
第２方向（Ｙ軸方向）に隣り合う第１延伸部５５５ｃと第１方向（Ｘ軸方向）に隣り合う第２延伸部５５５ｄとによって囲まれた隙間に配置された高比透磁率部５５６は、上下方向に沿った平面視において、電子素子５３と重なっている。高比透磁率部５５６は、上下方向に沿った平面視において、正方形状である。高比透磁率部５５６は、隣り合う低比誘電率部５５５の部分と接触している。高比透磁率部５５６の数は、特に限定されない。高比透磁率部５５６は、例えば、１２個設けられている。
【０１２５】
本実施形態において、低比誘電率部５５５と高比透磁率部５５６とは、第１方向（Ｘ軸方向）に沿って見て、少なくとも一部同士が重なり合っている。低比誘電率部５５５と高比透磁率部５５６とは、第２方向（Ｙ軸方向）に沿って見て、少なくとも一部同士が重なり合っている。
【０１２６】
低比誘電率部５５５のその他の構成は、第１実施形態の低比誘電率部５５のその他の構成と同様である。高比透磁率部５５６のその他の構成は、第１実施形態の高比透磁率部５６のその他の構成と同様である。プリント回路板５５１のその他の構成は、第１実施形態のプリント回路板５１のその他の構成と同様である。
【０１２７】
本実施形態によれば、低比誘電率部５５５は、上下方向に沿った平面視において、格子状である。そのため、電子素子５３の直上に位置する低比誘電率部５５５の割合を大きくできる。これにより、電子素子５３と連結される低比誘電率部５５５の割合を大きくでき、低比誘電率部５５５によって、より好適に不要輻射ノイズが放熱部材５７に結合することを抑制できる。したがって、プリント回路板５５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。
【０１２８】
また、本実施形態によれば、高比透磁率部５５６は、格子状の低比誘電率部５５５の隙間ごとに設けられている。そのため、低比誘電率部５５５のうち高比透磁率部５５６を囲む部分を上下方向に通過しようとする不要輻射ノイズを、高比透磁率部５５６に引き寄せることができる。これにより、不要輻射ノイズのエネルギーをより好適に低減でき、プリント回路板５５１から放出される不要輻射ノイズをより好適に小さくできる。
【０１２９】
なお、上述した各実施形態においては、下記の構成を採用することもできる。
低比誘電率部（第２部分）の比誘電率εは、高比透磁率部（第１部分）の比誘電率εよりも小さいか、または８．０以下であるかのいずれか一方であってもよい。すなわち、低比誘電率部の比誘電率εは、高比透磁率部の比誘電率εよりも小さければ、８．０より大きくてもよい。また、低比誘電率部の比誘電率εは、８．０以下であれば、高比透磁率部の比誘電率ε以上であってもよい。低比誘電率部の材質は、上述した比誘電率εの関係を満たし、かつ、熱伝導性を有するならば、特に限定されない。低比誘電率部は、磁性体を含んでいてもよい。低比誘電率部の比透磁率μは、特に限定されない。高比透磁率部の材質は、磁性体を含んでいるならば、特に限定されない。
【０１３０】
低比誘電率部の熱伝導率および高比透磁率部の熱伝導率は、熱伝導部材によって電子素子から放熱部材へと好適に熱を移動可能であるならば、特に限定されない。例えば、上述した実施形態のうち、低比誘電率部と高比透磁率部との両方が電子素子の上面に連結される第３実施形態から第６実施形態においては、低比誘電率部が十分に大きい熱伝導率を有し熱伝導部材がその機能を果たせるならば、高比透磁率部の熱伝導率は特に限定されず、比較的小さくてもよい。
【０１３１】
低比誘電率部の形状および高比透磁率部の形状は、特に限定されない。例えば、第１実施形態および第２実施形態のそれぞれにおいて、低比誘電率部（第２部分）と高比透磁率部（第１部分）とが互いに入れ替わった構成であってもよい。すなわち、例えば、高比透磁率部は、少なくとも熱伝導部材の下面において、低比誘電率部を一周に亘って囲み、低比誘電率部は、上下方向に沿った平面視において、電子素子に対して少なくとも一部が重なっている構成であってもよい。この場合において、熱伝導部材の下面における低比誘電率部が設けられた領域は、上下方向に沿った平面視において、電子素子よりも大きく、電子素子の全体と重なっていてもよい。また、高比透磁率部は、低比誘電率部を囲む枠状であり、熱伝導部材の上下方向の両側の面（下面および上面）において、低比誘電率部を一周に亘って囲んでいる構成であってもよい。また、高比透磁率部は、上下方向において低比誘電率部と放熱部材との間に位置する部分を有していてもよい。
【０１３２】
また、例えば、第３実施形態において、低比誘電率部２５５は、第２実施形態における低比誘電率部１５５と同様に、高比透磁率部２５６と放熱部材５７との間に位置する部分を有していてもよい。
また、例えば、第５実施形態において、高比透磁率部４５６は、上下方向に沿った平面視において、丸みを帯びた渦巻状であってもよい。また、低比誘電率部４５５は、上下方向に沿った平面視において、渦巻状でなくてもよい。
また、例えば、第６実施形態において、高比透磁率部５５６は、上下方向に沿った平面視において、円形状であってもよい。
また、第３実施形態から第６実施形態のそれぞれにおいて、低比誘電率部と高比透磁率部とが互いに入れ替わった構成であってもよい。
【０１３３】
熱伝導部材は、低比誘電率部および高比透磁率部以外の部分を有していてもよい。熱伝導部材は、例えば、低比誘電率部と高比透磁率部との間に、低比誘電率部および高比透磁率部のいずれとも異なる性質を有する部分を有していてもよい。熱伝導部材は、上下方向に沿った平面視において、電子素子より小さくてもよいし、電子素子の一部のみと重なっていてもよい。熱伝導部材は、シート状でなくてもよい。
【０１３４】
電子素子は、プリント配線板の実装面に設けられる素子であれば、特に限定されない。電子素子は、例えば、ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のトランジスタ等であってもよい。放熱部材は、電子素子に熱的に接続されて、電子素子の放熱を行えるならば、特に限定されない。放熱部材は、例えば放熱用のフィンを備えたヒートシンクであってもよい。
【０１３５】
また、上記の第１実施形態において、透過型のプロジェクターに本発明を適用した場合の例について説明したが、本発明は、反射型のプロジェクターにも適用することも可能である。ここで、「透過型」とは、液晶パネル等を含む液晶ライトバルブが光を透過するタイプであることを意味する。「反射型」とは、液晶ライトバルブが光を反射するタイプであることを意味する。なお、光変調装置は、液晶パネル等に限られず、例えばマイクロミラーを用いた光変調装置であってもよい。
【０１３６】
また、上記の第１実施形態において、３つの光変調装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを用いたプロジェクター１の例を挙げたが、本発明は、１つの光変調装置のみを用いたプロジェクター、４つ以上の光変調装置を用いたプロジェクターにも適用可能である。
また、プリント回路板が搭載される電子機器は、プロジェクターに限られず、他の電子機器であってもよい。
また、本明細書において説明した各構成は、相互に矛盾しない範囲内において、適宜組み合わせることができる。
【実施例】
【０１３７】
比誘電率εが異なる複数のサンプルを熱伝導部材として、プリント回路板から放出される不要輻射ノイズの測定を行った。サンプルは、サンプルＳＡ〜ＳＨの８つ用意した。各サンプルＳＡ〜ＳＨは、それぞれ全体に亘って一様な性質を有する熱伝導部材とした。サンプルＳＡ，ＳＥの母材は、アクリル樹脂とした。サンプルＳＢ，ＳＣ，ＳＤ，ＳＦ，ＳＧ，ＳＨは、母材としてのアクリル樹脂にフェライトが混合された構成とした。
【０１３８】
サンプルＳＡの比誘電率εは、２．１とした。サンプルＳＢの比誘電率εは、４．８とした。サンプルＳＣの比誘電率εは、５．４とした。サンプルＳＤの比誘電率εは、５．９とした。サンプルＳＥの比誘電率εは、６．１とした。サンプルＳＦの比誘電率εは、６．４とした。サンプルＳＧの比誘電率εは、８．０とした。サンプルＳＨの比誘電率εは、１０．８とした。サンプルＳＡ，ＳＥは、非磁性とし、比透磁率μは、略１．０とした。サンプルＳＢ，ＳＣの比透磁率μは、２．３とした。サンプルＳＤの比透磁率μは、２．４とした。サンプルＳＦの比透磁率μは、２．８とした。サンプルＳＧの比透磁率μは、１５とした。サンプルＳＨの比透磁率μは、４．９とした。
各サンプルＳＡ〜ＳＨが設けられるプリント回路板において、プリント配線板は、多層プリント配線板とし、電子素子は、ＬＳＩとした。放熱部材は、アルミニウム製の放熱板とした。
【０１３９】
各サンプルＳＡ〜ＳＨが設けられたプリント回路板のそれぞれにおいて、ＬＳＩを作動させて、８００ＭＨｚの周波数を有する不要輻射ノイズの測定を行った。不要輻射ノイズの測定は、水平偏波と垂直偏波とのそれぞれについて行った。
【０１４０】
不要輻射ノイズの測定は、国際無線障害特別委員会（ＣＩＳＰＲ）が定める国際規格に基づいて、電界強度測定システムが備えられた電波暗室で行った。測定は、サンプルＳＡ〜ＳＨごとに、８００ＭＨｚの不要輻射ノイズにおける水平偏波と垂直偏波とのそれぞれについて行った。測定結果を図１１および図１２に示す。図１１は、不要輻射ノイズのうち水平偏波の測定結果を示すグラフである。図１２は、不要輻射ノイズのうち垂直偏波の測定結果を示すグラフである。図１１および図１２において、横軸は、比誘電率εであり、縦軸は、不要輻射ノイズの相対ノイズレベル［ｄＢ］である。相対ノイズレベル［ｄＢ］は、サンプルＳＨのノイズレベルを基準とした場合の相対的なノイズレベルである。
【０１４１】
図１１および図１２に示すように、比誘電率εが８．０以下となるサンプルＳＡ〜ＳＧでは、比誘電率εが８．０よりも大きいサンプルＳＨに比べて、大きくノイズレベルを低減できることが確かめられた。サンプルＳＡ〜ＳＧにおけるノイズレベルは、サンプルＳＨのノイズレベルよりも３．０ｄＢ以上小さい。比誘電率εが２．１〜８．０までの範囲内にあるサンプルＳＡ〜ＳＧにおけるノイズレベルの分布範囲の幅が、略１．０ｄＢ程度であることに鑑みれば、比誘電率εが１０．８から８．０となった際に３．０ｄＢ以上ノイズレベルが小さくなることは、ノイズレベル低減効果が顕著に大きいといえる。
【０１４２】
また、国際無線障害特別委員会（ＣＩＳＰＲ）の規格における「国際無線障害特別委員会（ＣＩＳＰＲ）の諸規格について」のうち「無線周波妨害波及びイミュニティ測定装置の技術的条件第１部−第１編：無線周波妨害波及びイミュニティの測定装置−測定用受信機−」では、放射妨害波測定に用いられるアンテナは、測定の正確さが±３ｄＢより良いことと規定されている。そのため、３．０ｄＢ以上ノイズレベルを低減できるということは、測定誤差の許容値を超えてノイズレベルを低減できるということであり、有効なノイズレベル低減効果が得られるということである。
【０１４３】
以上のことから、比誘電率εを８．０以下にすることにより、ノイズ抑制効果をより好適に得られることが確かめられた。
なお、上述したように１ＧＨｚよりも低い不要輻射ノイズの抑制に対しては、比透磁率μを大きくすることは、比較的寄与が小さい。そして、上記のサンプルＳＡ〜ＳＨにおいて測定した不要輻射ノイズの周波数は、８００ＭＨｚである。そのため、上記のサンプルＳＡ〜ＳＨの比較において、サンプルＳＡ〜ＳＨの比透磁率μの数値範囲程度であれば、サンプルＳＡ〜ＳＨの比透磁率μが異なることによる影響については十分に無視できる程度である。すなわち、仮にサンプルＳＡ〜ＳＨの比誘電率εを変えずに、比透磁率μを互いに同じ値とした場合であっても、上述した結果と同様の傾向を示す結果を得ることができる。
【符号の説明】
【０１４４】
１…プロジェクター（電子機器）、５１，１５１，２５１，３５１，４５１，５５１…プリント回路板、５２…プリント配線板、５２ａ…実装面、５３…電子素子、５４，１５４，２５４，３５４，４５４，５５４…熱伝導部材（熱伝導シート）、５４ａ，１５４ａ，２５４ａ…下面（第２面）、５４ｂ，１５４ｂ，２５４ｂ…上面（第１面）、５５，２５５，３５５，４５５，５５５…低比誘電率部、５６，２５６，３５６，４５６，５５６…高比透磁率部、５７…放熱部材、ε…比誘電率
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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