(57)【要約】【課題】撮像フレームの形成中に、画素を構成するＳＰＡＤの個数やサンプリング周波数を変更することを可能にする。【解決手段】距離測定装置は、対象エリアに対して光を出射する発光部と、前記対象エリアにおける観測光を受光し、電気信号を出力する複数の受光素子を含む受光部と、所定の測距条件に従い、前記複数の受光素子によって形成される撮像フレームにおいて、画素を構成する前記複数の受光素子のうちの幾つかの受光素子群により受光された前記観測光に含まれる、前記発光部から出射された前記光が照射された物体からの反射光に応じた電気信号に基づいて、前記物体までの距離を算出するための測距処理を行う測距処理部と、前記所定の測距条件を制御する制御部とを備える。前記制御部は、現在の前記撮像フレームが形成されている間に、前記所定の測距条件を変更する。【選択図】図１
2020112443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象エリアに対して光を出射する発光部と、
前記対象エリアにおける観測光を受光し、電気信号を出力する複数の受光素子を含む受光部と、
所定の測距条件に従い、前記複数の受光素子によって形成される撮像フレームにおいて、画素を構成する前記複数の受光素子のうちの幾つかの受光素子群により受光された前記観測光に含まれる、前記発光部から出射された前記光が照射された物体からの反射光に応じた電気信号に基づいて、前記物体までの距離を算出するための測距処理を行う測距処理部と、
前記所定の測距条件を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、現在の前記撮像フレームが形成されている間に、前記所定の測距条件を変更する、
距離測定装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記発光部により光が出射されていないときに、前記複数の受光素子のうちの幾つかの受光素子群が環境光を受光するように制御を行い、
前記測距処理部は、前記環境光に基づいてノイズ量を算出し、
前記制御部は、算出された前記ノイズ量に基づいて、前記所定の測距条件を変更する、
請求項１に記載の距離測定装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記ノイズ量が所定の閾値を超える場合に、前記画素を構成する前記受光素子群の個数が多くなるように、前記所定の測距条件を変更する、請求項２に記載の距離測定装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記測距処理部により算出された前記距離に基づいて、前記所定の測距条件を変更する、
請求項１に記載の距離測定装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記撮像フレームにおける第１のラインにおける前記複数の受光素子のうちの幾つかの受光素子群による受光により算出された前記距離に基づいて、前記第１のラインに続く第２のラインに対する前記所定の測距条件を変更するか否かを判定する、
請求項４に記載の距離測定装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第１のラインにおける前記算出された距離の平均値に基づいて、前記第２のラインに対する前記所定の測距条件を変更するか否かを判定する、
請求項５に記載の距離測定装置。
【請求項７】
前記制御部は、過去の前記撮像フレームにおける前記測距処理部により算出された前記距離に基づいて、前記所定の測距条件を変更する、
請求項４に記載の距離測定装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記算出された距離が近いほど、前記画素を構成する前記受光素子群の個数が多くなるように、前記所定の測距条件を変更する、請求項４に記載の距離測定装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記算出された距離が近いほど、前記電気信号をサンプリングするためのサンプリング周波数が高くなるように、前記所定の測距条件を変更する、
請求項４に記載の距離測定装置。
【請求項１０】
前記測距処理部は、
前記所定の測距条件に従った、前記複数の受光素子のうちの幾つかの受光素子群により構成される前記画素ごとに出力される前記電気信号を、所定のサンプリング周波数でサンプリングして、サンプリング値を出力するサンプリング回路と、
前記光の出射及び前記受光が行われることにより得られる複数の前記サンプリング値に基づいて、時間区間ごとの前記反射光の強さを示すヒストグラムを作成するヒストグラム作成部と、
前記ヒストグラムにおけるピーク値を検出し、検出した前記ピーク値から前記距離を算出する距離演算部と、を備える、
請求項１に記載の距離測定装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記ヒストグラム作成部によりヒストグラムが作成されるごとに、前記所定の測距条件を変更するか否かを判定する、
請求項１０に記載の距離測定装置。
【請求項１２】
前記距離測定装置は、前記所定の測距条件を示す複数のパラメータセットを保持するレジスタを含むシステム・オン・チップ（ＳｏＣ）として構成される、
請求項１に記載の距離測定装置。
【請求項１３】
通信インタフェースをさらに備え、
前記測距処理部は、前記通信インタフェースを介して、前記撮像フレームに対する前記画素ごとの前記算出された距離に関するデータを出力する、
請求項１２に記載の距離測定装置。
【請求項１４】
前記制御部は、前記ＳｏＣの外部と前記通信インタフェースを介して通信することなく、前記レジスタに保持される前記複数のパラメータセットのいずれかを選択することにより、前記所定の測距条件を変更する、
請求項１３に記載の距離測定装置。
【請求項１５】
発光部から対象エリアに対して光を出射することと、
複数の受光素子を含む受光部により前記対象エリアにおける観測光を受光し、電気信号を出力することと、
前記複数の受光素子によって形成される撮像フレームにおいて、画素を構成する前記複数の受光素子のうちの幾つかの受光素子群により受光された前記観測光に含まれる、前記発光部から出射された前記光の照射による物体からの反射光に応じた電気信号に基づいて、所定の測距条件に従い、前記物体までの距離を算出するための測距処理を行うことと、
前記物体までの距離が所定の測距条件で算出されるように、現在の前記撮像フレームが形成されている間に、所定の測距条件を変更するように制御することと、を含む、
距離測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、距離測定装置及び距離測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
物体（対象物）までの距離をＴｏＦ（Time of Flight）に基づいて計測する距離測定装置（測距センサと称されることもある。）が知られている。ＴＯＦには、直接ＴＯＦ（ｄＴＯＦ）と間接ＴＯＦ（ｉＴＯＦ）とがある。直接ＴｏＦは、発光素子からパルス光を発射し、単一のパルス光が照射された物体からの反射光をＳＰＡＤ（Single Photon Avalanche Diode）と呼ばれる受光素子で受けてフォトンを検出し、これにより発生したキャリアを、アバランシ増倍を用いて電気信号に変換し、これをＴＤＣ（Time to Digital Converter）に入力することで反射光の到来時刻を計測し、物体までの距離を算出する技術である。
【０００３】
ＳＰＡＤを用いた距離測定装置は、一般には、単一のパルス光に対して、画素を構成する幾つかのＳＰＡＤによる反応をサンプリング周波数に従って分割された時間ごとに加算したヒストグラムを作成し、そこからピーク値に対応する時刻を採用することにより、距離を算出している。直接ＴＯＦでは、単一のパルス光の発光に対する反射光（フォトン）をＳＰＡＤにより検出するため、物体までの距離や環境光（外乱光）の影響により、フォトンが到来するかしないかは確率的な事象である。したがって、典型的には、ＳＰＡＤを用いた距離測定装置は、所定単位時間内における複数回（例えば数回〜数千回）の発光によるＳＰＡＤの反応を時間ごとに累積したヒストグラムを作成することで、測距精度を高めている。このような距離測定装置は、ライン状に配置された画素列ごとにフォトンを読み出すことにより、画素ごとに距離情報を持った撮像フレーム（距離画像）をリアルタイムに得ることができる。
【０００４】
下記特許文献１は、外乱光が多く且つ変動する環境であっても不要な測定を減少させるために、繰り返し観測された受光量に基づいて作成したヒストグラムについて、その信頼度を算出し、算出したヒストグラムの信頼度が閾値以上である場合に、ヒストグラムの作成を停止させる技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−０９１３７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＳＰＡＤアレイを用いた距離測定装置において、外乱光等のノイズの影響を減らすためには、画素を構成するＳＰＡＤの個数を増やす（解像度を下げる）必要があり、また、測距精度を上げるためには、時分割のためのサンプリング周波数を上げる必要がある。
【０００７】
しかしながら、従前の距離測定装置は、その動作中に、とりわけ、撮像フレームの形成中に、画素を構成するＳＰＡＤの個数やサンプリング周波数を変更することを何ら考慮するものではなかった。
【０００８】
上記事情に鑑み、本開示では、撮像フレームの形成中に、画素を構成するＳＰＡＤの個数やサンプリング周波数を変更することを可能にする技術が提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記事情に鑑み、本技術は、以下に示す発明特定事項乃至は技術的特徴を含み構成され得る。
【００１０】
すなわち、ある側面（aspect）に従う本技術は、距離測定装置に向けられる。前記距離測定装置は、対象エリアに対して光を出射する発光部と、前記対象エリアにおける観測光を受光し、電気信号を出力する複数の受光素子を含む受光部と、所定の測距条件に従い、前記複数の受光素子によって形成される撮像フレームにおいて、画素を構成する前記複数の受光素子のうちの幾つかの受光素子群により受光された前記観測光に含まれる、前記発光部から出射された前記光が照射された物体からの反射光に応じた電気信号に基づいて、前記物体までの距離を算出するための測距処理を行う測距処理部と、前記所定の測距条件を制御する制御部とを備える。前記制御部は、現在の前記撮像フレームが形成されている間に、前記所定の測距条件を変更し得る。
【００１１】
また、他の側面に従う本技術は、距離測定方法に向けられる。前記方法は、発光部から対象エリアに対して光を出射することと、複数の受光素子を含む受光部により前記対象エリアにおける観測光を受光し、電気信号を出力することと、前記複数の受光素子によって形成される撮像フレームにおいて、画素を構成する前記複数の受光素子のうちの幾つかの受光素子群により受光された前記観測光に含まれる、前記発光部から出射された前記光の照射による物体からの反射光に応じた電気信号に基づいて、所定の測距条件に従い、前記物体までの距離を算出するための測距処理を行うことと、前記物体までの距離が所定の測距精度で算出されるように、現在の前記撮像フレームが形成されている間に、所定の測距条件を制御することと、を含む。
【００１２】
なお、本明細書等において、部ないしは手段とは、単に物理的機構を意味するものではなく、その機構が有する機能をソフトウェアによって実現する場合も含む。また、１つの部ないしは手段が有する機能が２つ以上の物理的機構により実現されても、２つ以上の部ないしは手段の機能が１つの物理的機構により実現されてもよい。
【００１３】
本技術の他の技術的特徴、目的、及び作用効果ないしは利点は、添付した図面を参照して説明される以下の実施形態により明らかにされる。なお、本明細書に記載された作用効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、ここに記載されていない他の作用効果もあり得る。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本技術の一実施形態における距離測定装置の構成の一例を示すブロックダイアグラムである。
【図２】本技術における撮像フレームとこれを構成する画素を説明するための図である。
【図３】本技術の一実施形態における距離測定装置におけるサンプリング回路の構成を説明するための図である。
【図４】本技術の一実施形態における距離測定装置により作成されるヒストグラムを説明するための図である。
【図５】本技術の一実施形態における距離測定装置により得られる測距データの一例を示す図である。
【図６】本技術の一実施形態における距離測定装置の測距条件の一例を示す図である。
【図７】本技術の一実施形態における距離測定装置による測距条件の変更処理を説明するためのフローチャートである。
【図８】本技術の一実施形態における距離測定装置による撮像フレームの形成中の測距条件の変更を説明するための図である。
【図９】本技術の一実施形態における距離測定装置における測距条件の切り替え例を説明するためのタイミングチャートである。
【図１０】本技術の一実施形態における距離測定装置の構成の一例を示すブロックダイアグラムである。
【図１１】本技術の一実施形態における距離測定装置による撮像フレームの形成中の測距条件の変更を説明するための図である。
【図１２】本技術の一実施形態における距離測定装置の構成の一例を示すブロックダイアグラムである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本開示に係る技術の実施の形態を説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、あくまでも例示であり、以下に明示しない種々の変形や技術の適用を排除する意図はない。本技術は、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形（例えば各実施形態を組み合わせる等）して実施することができる。また、以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付して表している。図面は模式的なものであり、必ずしも実際の寸法や比率等とは一致しない。図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることがある。
【００１６】
［第１の実施形態］
図１は、本技術の一実施形態における距離測定装置１の構成の一例を示すブロックダイアグラムである。距離測定装置１は、発光素子からパルス光を発射し、パルス光が照射された物体ＯＢＪからの反射光をＳＰＡＤ（Single Photon Avalanche Diode）と呼ばれる受光素子で受けることにより得られる電気信号に基づいて、物体ＯＢＪ（対象物ないしは被写体）までの距離を測定するいわゆるＴＯＦ測距センサである。
【００１７】
同図に示すように、距離測定装置１は、例えば、制御部１０と、発光部２０と、発光タイミング調整部３０と、受光部４０と、測距処理部５０といったコンポーネントを備える。これらのコンポーネントは、例えば、ＣＭＯＳ  ＬＳＩのようなシステム・オン・チップ（ＳｏＣ）として一体的に構成され得るが、例えば、発光部２０や受光部４０といった幾つかのコンポーネントが別体のＬＳＩとして構成されても良い。距離測定装置１は、図示しない動作クロックに従って動作する。距離測定装置１はまた、測距処理部５０により算出された距離に係るデータ（測距データ）を外部に出力するための通信インタフェース部（通信ＩＦ部）６０を含む。図示されていないが、距離測定装置１は、通信インタフェース部６０を介して、外部に配置されたホストＩＣとの通信可能に構成されている。なお、距離測定装置１は、距離の算出を補間するために、ＣＭＯＳイメージセンサ（図示せず）を含み構成されても良い。
【００１８】
制御部１０は、距離測定装置１の動作を統括的に制御するコンポーネントである。典型的には、制御部１０は、マイクロプロセッサを含み構成される。制御部１０は、後述するように、例えば、レジスタ部１６に記憶された測距条件を変更ないしは調整することにより、他のコンポーネント、とりわけ、発光タイミング調整部３０、受光部４０、及び測距処理部５０の動作をそれぞれ制御する。測距条件は、測距精度を規定するための各種のパラメータの組み合わせからなる。本開示では、制御部１０は、測距条件を変更するか否かを判定する判定部１２と、判定部１２による判定の結果に従って、測距条件を変更するための動作を行う変更部１４とを含む。判定部１２は、後述するように、例えば、外乱光や算出された距離に基づいて、測距条件を変更するか否かを判定する。また、変更部１４は、後述するように、例えば、レジスタ部１６のレジスタを切り替えることによって、測距条件を変更する。或いは、変更部１４は、レジスタ部１６のレジスタの内容を動的に書き換えることによって、測距条件を変更しても良い。
【００１９】
レジスタ部１６は、複数の測距条件のそれぞれを保持する複数のレジスタから構成される。複数のレジスタのそれぞれは、例えば、レジスタ番号によって識別される。図中、レジスタ部１６は、制御部１０の外部に配置されているが、制御部１０の内部、例えばマイクロプロセッサ内部に配置されるものであっても良い。測距条件は、例えば、ＳＰＡＤ数、サンプリング周波数、及びＳＰＡＤ駆動電圧等をそれぞれ示すパラメータの組み合わせからなる（図４参照）。本開示では、このようなパラメータの組み合わせをパラメータセットと称する。複数のレジスタのそれぞれは、異なるパラメータセットからなる測距条件を保持する。
【００２０】
レジスタ部１６に保持された測距条件（パラメータセット）は、発光タイミング調整部３０、受光部４０及び測距処理部５０により参照される。言い換えれば、発光タイミング調整部３０、受光部４０及び測距処理部５０のそれぞれは、レジスタ番号で指定される特定のレジスタに保持された測距条件に従って動作するように構成されている。
【００２１】
発光部２０は、対象エリアに対して、ＴＯＦ測距のためのレーザパルス光（以下「パルス光」という。）を発光ないしは出射する光源を含み構成される。このような測距に用いるためのパルス光は、アクティブ光と称されることもある。光源は、例えば、端面発光型半導体レーザであっても良いし、面発光型半導体レーザであっても良い。典型的には、発光部２０の光源は、対象エリア全体に向けて光を空間的に発光し得る。本開示では、発光部２０は、ＬＳＩチップの外に設けられているが、これに限られるものではない。
【００２２】
発光タイミング調整部３０は、発光部２０の発光タイミングを調整する回路である。例えば、発光タイミング調整部３０は、レジスタ部１６に保持された測距条件に従って、後述する受光部４０からのラインごとの読み出しタイミングに同期するようにトリガパルスを出力し、パルス光の光源を駆動する。パルス光は、典型的には、数〜数十ｎｓのパルス幅を有し得る。
【００２３】
受光部４０は、対象エリアから入射する光に反応して、電気信号パルスを出力するセンサである。入射光（観測光）は、測距に対して外乱光として作用する環境光及び発光部２０により出射されたパルス光が照射した物体ＯＢＪからの反射光を含む。図示されていないが、典型的には、受光部４０の受光面の前方には、光を効率よく受光することができるように、レンズ等の光学素子が設けられる。
【００２４】
本開示において、受光部４０は、２次元アレイ状に配置された複数の受光素子（ＳＰＡＤ）を含み構成されたＣＭＯＳイメージセンサである。すなわち、各ＳＰＡＤは、飛来した光（フォトン）を検出し、これにより発生したキャリアを、アバランシ増倍を用いて電気信号パルスに変換する。本開示では、例えば、制御部１０の制御の下、レジスタ部１６に保持された測距条件に従って、特定のＳＰＡＤ群（例えば撮像フレームにおける１ライン方向のＳＰＡＤ群）が有効化され、これによって、電気信号パルスが読み出される。また、１フレーム時間において順次に各ラインのＳＰＡＤ群が有効化され、有効化されたＳＰＡＤ群のそれぞれから出力される電気信号パルスによって、対象エリアに対する１撮像フレームが形成される。
【００２５】
図２は、本開示における撮像フレームとこれを構成する画素を説明するための図である。すなわち、本開示において、隣接する幾つかのＳＰＡＤの集合体（ＳＰＡＤ群）を画素Ｐと称している。例えば、画素Ｐは、隣接する２×３、３×３、３×６、３×９、６×３、６×６、９×９といった任意の数の配列（アレイパターン）からなるＳＰＡＤの集合体により構成されるが、これらの数に限定されない。また、本開示では、画素Ｐを構成するＳＰＡＤの集合体をＳＰＡＤサブアレイ（又は単にサブアレイ）と称するものとする。
【００２６】
１つの画素Ｐのサイズは、ＳＰＡＤサブアレイのサイズ、すなわち、ＳＰＡＤ数に依存する。一方、撮像フレームは、受光部４０の例えば有効な全てのＳＰＡＤにより構成され、そのサイズは一定であることから、画素Ｐのサイズが大きくなれば（それを構成するＳＰＡＤ数が多くなれば）、撮像フレームに対する画素数は少なくなる、すなわち、解像度が低くなる。一方、画素Ｐのサイズが小さくなれば（それを構成するＳＰＡＤ数が少なくなれば）、撮像フレームに対する画素数は多くなる、すなわち、解像度が高くなる。また、画素Ｐを構成するＳＰＡＤ数は、検出し得るフォトンの数に比例する。したがって、画素Ｐを構成するＳＰＡＤ数が多いほど（解像度が低いほど）、ＳＮ比が上がることから、測距時のノイズの影響を受けにくくなる。
【００２７】
測距に用いられる画素Ｐを構成するＳＰＡＤ数、すなわち、解像度は、例えば、レジスタ部１６に保持された測距条件のパラメータによって決定される。制御部１０は、例えば撮像フレームの形成中に、必要に応じて解像度を変更するために、測距条件を変更し得る。測距条件の変更は、例えば、特定の測距条件を保持する、レジスタ部１６の一つを選択することにより行われる。
【００２８】
なお、本開示では、ライン単位（すなわち、図中、横方向又は縦方向の画素列）で、そのＳＰＡＤ群が選択的に有効化され、電気信号パルスが読み出される。後述するように、１撮像フレームにおいて、画素Ｐのサイズが変更され得るので、電気信号パルスを出力するライン幅（有効化されるＳＰＡＤの縦方向の数）は可変に制御される。
【００２９】
図１に戻り、測距処理部５０は、発光部２０により出射したパルス光と受光部４０により受光した観測光とに基づいて、物体ＯＢＪまでの距離を算出するコンポーネントである。測距処理部５０は、典型的には、信号処理プロセッサにより構成される。本開示では、測距処理部５０は、サンプリング回路５２と、ヒストグラム作成部５４と、距離演算部５６とを含み構成されている。
【００３０】
サンプリング回路５２は、パルス光の出射に応答して特定のＳＰＡＤ群から出力される電気信号パルスを所定のサンプリング周波数でサンプリングするコンポーネントである。後述するように、サンプリング回路５２は、例えば、有効化されたＳＰＡＤ群のそれぞれから出力される電気信号パルスの値に従って、Ｈｉｇｈ又はＬｏｗの値（サンプリング値）を出力し、さらに、レジスタ部１６が示す測距条件に従った画素ＰのＳＰＡＤ群に対応するサンプリング値を加算する。画素Ｐごとのサンプリング値の合計値は、ヒストグラム作成部５４に出力される。
【００３１】
ヒストグラム作成部５４は、サンプリング回路５２により出力される、サンプリング時間（ビン）ごとのサンプリング値の合計値（すなわち、画素Ｐに対応するＳＰＡＤ群から出力されるフォトンの合計値）に基づいて、図４に示すようなヒストグラムを作成するコンポーネントである。ヒストグラムは、例えば、図示しないメモリ上に、ある種のデータ構造ないしはテーブルとして保持される。ヒストグラムは、撮像フレームにおける読み出しラインごとに発光されるパルス光に基づいて、ＳＰＡＤサブアレイの数に対応する数だけ作成される。ビンのサイズは、サンプリング周波数に従った読み出し時間に対応する。ヒストグラム作成部５４により作成されたヒストグラムは、距離演算部５６により参照される。
【００３２】
距離演算部５６は、作成された各ヒストグラムを参照して、ヒストグラム中のピーク値を検出し、ピーク値に対応する時間（すなわち到来時間）から距離を算出するコンポーネントである。すなわち、出射されたパルス光が物体ＯＢＪに照射したときの反射光が受光されたとすれば、該時間は、物体ＯＢＪまでの往復時間であるから、これにｃ／２（ｃは光速）を乗算することにより、画素Ｐごとに物体ＯＢＪまでの距離を算出することができる。したがって、撮像フレームを構成する全ての画素Ｐに対して算出された距離により、距離画像を得ることができる。距離演算部５６は、各撮像フレームにおける画素Ｐごとに算出した距離に係るデータ（測距データ）を、制御部１０及び通信インタフェース部６０に順次に出力する。
【００３３】
通信インタフェース部６０は、算出された測距データを外部のホストＩＣに出力するためのインタフェース回路である。例えば、通信インタフェース部６０は、ＭＩＰＩ（Mobile Industry Processor Interface）に準拠したインタフェース回路であるが、これに限られない。例えば、ＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）やＬＶＤＳ、ＳＬＶＳ−ＥＣ等であっても良いし、これらのインタフェース回路のうちの幾つかを実装していても良い。
【００３４】
図３は、本技術の一実施形態における距離測定装置１におけるサンプリング回路の構成を説明するための図である。同図に示すように、サンプリング回路５２は、例えば、複数のサンプラー５２２と加算回路５２４とを含む。
【００３５】
複数のサンプラー５２２のそれぞれは、対応するＳＰＡＤから出力される電気信号パルスの値に従ったサンプリング値を出力する。サンプラー５２２は、例えば、ライン単位の複数のＳＰＡＤにそれぞれ対応するように設けられる。すなわち、測距時に、レジスタ部１６の所定のレジスタが示す測距条件に従って所定の読み出しラインのＳＰＡＤ群が有効化され、これにより、電気信号パルスが出力されると、複数のサンプラー５２２のそれぞれは、該電気信号パルスの値に従ったサンプリング値（Ｈｉｇｈ又はＬｏｗのいずれかの値）を加算回路５２４に出力する。
【００３６】
加算回路５２４は、サンプラー５２２から出力される、測距条件に従った画素ＰのＳＰＡＤ群に対応するサンプリング値を加算する。例えば、画素Ｐが６×６のＳＰＡＤ群から構成される場合、加算回路５２４は、これらのＳＰＡＤ群に対応するサンプラー５２２から出力されるサンプリング値を加算した合計値を算出する。加算回路５２４により得られた加算値は、ヒストグラム作成部５４に出力される。
【００３７】
図４は、本技術の一実施形態における距離測定装置１により作成されるヒストグラムを説明するための図である。同図に示すヒストグラムにおいて、横軸は、経過時間を示し、サンプリング周期に従ってビンが構成されている。また、横軸は、サンプリング周期ごとに出力された電気信号パルスのサンプリング値の合計値、すなわち、フォトンの合計値を示す。また、同図では、サンプリング周期１ｎｓ（サンプリング周波数１ＧＨｚ）及びサンプリング周期０．５ｎｓ（サンプリング周波数２ＧＨｚ）に対応するビンの例が示されている。また、後述するように、本例のヒストグラムは、外乱光に起因するノイズの量に応じて較正されている。
【００３８】
図５は、本技術の一実施形態における距離測定装置１により得られる測距データの一例を示す図である。同図に示すように、測距データは、例えば、１撮像フレームごとのデータシーケンスとして構成される。このようなデータシーケンスは、例えば、フレーム開始コード５１０と、画素Ｐごとの測距データ５２０と、フレーム終了コード５３０とを含み構成される。画素Ｐごとの測距データ５２０に付された番号は、ラスタスキャンに従った画素Ｐの番号を示す。
【００３９】
なお、本開示では、測距処理部５０は、距離演算部５６で算出された測距データを、通信インタフェース部６０を介して、外部に出力するように構成されたが、これに限られない。例えば、他の実施形態で示されるように、距離測定装置１は、測距処理部５０のデータ出力モードとして、測距データを出力するモードに加えて、ヒストグラムにおけるピーク値周辺のデータに関するエコーデータを出力するモードや、ヒストグラムを構成するデータを出力するモードを有し、いずれかの出力モードに従って動作するように構成されても良い。
【００４０】
図６は、本技術の一実施形態における距離測定装置１の測距条件の一例を示す図である。上述したように、複数の測距条件は、それぞれ、レジスタ部１６の複数のレジスタに保持される。同図に示すように、測距条件は、例えば、ＳＰＡＤ数に関するパラメータ、サンプリング周波数に関するパラメータ、及び駆動電圧に関するパラメータの組み合わせからなるパラメータセットである。例えば、レジスタ番号“１”のレジスタは、標準測距精度の測距条件として、ＳＰＡＤ数“３６”（６×６個）、駆動電圧“３”（Ｖ）、及びサンプリング周波数“２”（ＧＨｚ）のパラメータセットを保持する。本例では、レジスタ番号が小さいレジスタほど、解像度が低いパラメータセットの測距条件を保持しているが、これに限られるものではない。レジスタ部１６を参照すべき各コンポーネントは、制御部１０によって指定されるレジスタ番号に従って有効なレジスタを参照する。
【００４１】
なお、本例では、５種類の測距条件が示されたが、これに限られず、例えば、標準測距精度と低測距精度又は高測距精度というように、２種類の測距条件のみであっても良い。
【００４２】
図７は、本技術の一実施形態における距離測定装置１による測距条件の変更処理を説明するためのフローチャートである。同図に示す処理は、距離測定装置１による測距処理の間、実行される。或いは、距離測定装置１は、通常モードと測距条件可変モードとを有し、測距条件可変モードにおいて、かかる処理を実行するように構成されても良い。距離測定装置１は、動作を開始すると、レジスタ部１６の指定されたレジスタに保持された測距条件に従い、測距を開始する。初期状態では、レジスタは、例えば、デフォルトの測距条件を保持するレジスタ（例えばレジスタ番号“３”）が指定される。本例では、測距条件は、以下で明らかにされるように、例えば、スキャン方向における１ラインごとに、選択され得る。
【００４３】
すなわち、同図に示すように、距離測定装置１は、測距処理を開始すると、まず、撮像フレーム中の読み出しラインを選択する（Ｓ７０１）。例えば、測距処理の開始直後であれば、撮像フレーム中の最下行のラインが選択される。
【００４４】
続いて、距離測定装置１は、測距時の外乱光によるノイズの影響を除去するため、外乱光を計測する（Ｓ７０２）。外乱光の計測は、測距と同様の処理により行われるが、発光部２０による光の出射がない点で、これと異なる。より具体的には、制御部１０は、発光部２０を駆動することなく、受光部４０のみを駆動するように制御し、これにより、受光部４０は、現在の測距条件に従った、読み出しラインにおけるＳＰＡＤ群から電気信号パルスを出力する。測距処理部５０は、出力された電気信号パルスに基づいて、所定のサンプリング周波数に従ってサンプリング値を決定し、画素Ｐごとにサンプリング値を合算した値をヒストグラムの各ビンの初期値に設定する。これにより、ヒストグラムは、外乱光の影響に応じて較正される。続いて、測距処理部５０は、これらの初期値の中からピーク値を検出し、制御部１０に出力する。ここでいうピーク値は、計測した外乱光の強さ（ノイズ量）を示す。このように、外乱光の計測は、新たなコンポーネントを必要とすることなく、単に、発光部２０を駆動させないことで行うことができる。
【００４５】
続いて、制御部１０は、測距処理部５０から該ピーク値を受けると、外乱光が測距に与える影響が大きいか否かを判定するため、該ピーク値を所定の閾値と比較する（Ｓ７０３）。制御部１０は、該ピーク値が所定の閾値を超えていると判定する場合（Ｓ７０３のＹｅｓ）、解像度を下げるよう、測距条件を設定する（Ｓ７０４）。すなわち、ピーク値が所定の閾値を超えている場合、外乱光の影響を相対的に低減させるために、制御部１０は、高い解像度（解像度の上限）として設定された測距条件を保持するレジスタに切り替える（例えばレジスタ番号“５”）。このように、距離測定装置１は、外乱光に起因するノイズ量に基づいて、測距条件を変更し得る。この場合、制御部１０は、解像度が上がりすぎないように上限を設定しても良い。これにより、距離測定装置１は、実際の測距処理に入る。なお、本例では、外乱光の強さが所定の閾値以下である場合、測距条件はそのままであるとしたが、これに限られず、例えば、低い解像度の測距条件に変更するようにしても良い。
【００４６】
続く測距処理では、距離測定装置１は、発光部２０及び受光部４０を駆動して、選択中の読み出しラインにおける画素Ｐに対する測距を行う（Ｓ７０５）。これにより、受光部４０は、現在の測距条件に従ったＳＰＡＤ群から電気信号パルスを測距処理部５０に出力する。
【００４７】
続いて、測距処理部５０は、該電気信号パルスを所定のサンプリング周波数に従ってサンプリングしながらサンプリング値を決定し、現在の測距条件に従った画素Ｐごとのサンプリング値を加算して、その値をヒストグラムにおける対応するビンの値に設定することにより、ヒストグラムを作成する（Ｓ７０６）。上述したように、ヒストグラムは、サンプリング周波数に従った時間ごとのビンに分割されている。測距処理部５０は、次に、作成されたヒストグラムにおけるピーク値を検出し、該ピーク値に対応する時間から距離を算出する（Ｓ７０７）。測距処理部５０は、算出した距離に関するデータ（測距データ）を、通信インタフェース部６０を介して外部に出力するとともに、制御部１０の判定部１２に出力する。
【００４８】
制御部１０は、測距処理部５０から測距データを受け取ると、該測距データに基づいて、最適な測距条件を保持するレジスタを選択する（Ｓ７０８）。より具体的には、制御部１０は、測距データを所定の閾値と比較して、物体ＯＢＪまでの距離が近いか否かを判定し、該判定の結果に応じて、次の測距のための測距条件を変更する。所定の閾値は、例えば、第１の閾値及び第２の閾値（但し、第１の閾値＜第２の閾値）が用意されている。
【００４９】
例えば、制御部１０は、測距データが第１の閾値よりも小さいと判定する場合（すなわち、物体ＯＢＪが近い場合）、サンプリング周波数を上げるよう、及び／又は解像度を下げるよう、測距条件を変更する。すなわち、制御部１０は、高いサンプリング周波数が設定された測距条件を保持するレジスタに切り替える（例えばレジスタ番号“２”）。これは、物体ＯＢＪまでの距離が近いため、より高い測距精度の距離を取得するためである。
【００５０】
これに対して、制御部１０は、測距データが第２の閾値よりも大きいと判定する場合（すなわち、物体ＯＢＪが遠い場合）、サンプリング周波数を下げるよう、及び／又は解像度を上げるよう、測距条件を変更する。すなわち、制御部１０は、低いサンプリング周波数として設定された測距条件を保持するレジスタに切り替える。これは、物体ＯＢＪまでの距離が遠いため、より低い測距精度の測距を許容するためである。なお、既に、低いサンプリング周波数の測距条件のレジスタが選択されている場合には、レジスタの変更は行われない。また、本例では、制御部１０は、測距データが第１の閾値以上であり、かつ、第２の閾値以下であると判定する場合、物体ＯＢＪまでの距離は近くもなく遠くもないため、現在の測距条件のまま変更しない。また、所定の閾値として、第１の閾値及び第２の閾値が用意されているが、これに限られず、測定条件の種類に応じて、より多くの閾値が用意されても良い。
【００５１】
なお、距離測定装置１は、測距条件の選択にあたって、例えば、読み出しラインにおける特定の画素Ｐのピーク値を用いても良いし、或いは、複数の画素Ｐのピーク値の平均値を用いても良い。
【００５２】
そして、距離測定装置１は、次の読み出しラインの測距を行うため、Ｓ７０１の処理に戻る。なお、距離測定装置１は、１撮像フレーム分の測距処理が終わると、撮像フレームの最初の読み出しラインに戻って、これを選択する。このように、距離測定装置１は、次のラインの測距条件を、隣接するライン及び／又は周辺の画素Ｐによる測距の結果に従って変更することができる。
【００５３】
このようにして、距離測定装置１は、動作中、測距条件に従って測距を行い、図８に示すように、先に測距がなされた隣接するラインの画素Ｐによる物体ＯＢＪまでの距離に応じて、測距条件を適宜に変更することができる。とりわけ、測距の結果、物体ＯＢＪまでの距離が近い場合、より高い測距精度での測距が可能になるよう測距条件が変更される。これにより、例えば、車両前方のシーンにおいて、近くの障害物（例えば他の車両）については、より高い測距精度での測距により、衝突等の回避をより正確に行えるようになる。一方、測距の結果、物体ＯＢＪまでの距離が遠い場合、より低い測距精度の測距を許容するよう測距条件が変更される。これにより、例えば、車両前方のシーンにおいて、近くに障害物（例えば他の車両）がない場合、より低い測距精度での測距を許容することで、ＳＰＡＤの駆動電圧やプロセッサによる演算負荷を下げ、消費電力を抑えることができるようになる。
【００５４】
なお、本開示において、撮像フレームの測距にあたり、最初に、外乱光を計測する例を示したが、これに限られるものではなく、外乱光の計測を省略しても良い。或いは、例えば、数撮像フレームごとに、その最初に、外乱光を計測するものであっても良い。このようにすることで、消費電力をさらに抑えることができるようになる。
【００５５】
［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実施形態の変形であり、１撮像フレームにおいて、予め定められた測距パターンに従って、測距条件（パラメータセット）を順次に切り替える距離測定装置１が開示される。
【００５６】
図９は、本技術の一実施形態における距離測定装置１における測距パターンの例を説明するためのタイミングチャートである。同図には、１撮像フレームに対する動作時間における測距パターン（１）〜（４）が示されている。
【００５７】
同図に示すように、例えば、測距パターン（１）は、測距条件Ａ〜Ｄが順番に繰り返されるパターンである。測距条件Ａ〜Ｄのそれぞれは、例えば数１０ｎｓごとに切り替えられる。このような切り替えは、例えば、レジスタ番号の切り替えパターンに従って行われ得る。測距パターン（２）は、測距条件Ａ及びＢからなるパターンである。測距パターン（３）は、測距条件Ａ〜Ｃが順番に繰り返されるパターンであり、測距条件Ｂについては、ある程度長い時間設定される。測距パターン（４）は、測距条件Ａ〜Ｃからなる。
【００５８】
例えば、測距パターン（４）に関して、高い測距精度として設定された測距条件Ａは、物体ＯＢＪが近い距離に存在し得る撮像フレーム中の下方領域に対して用いられるように選択される。また、中程度の測距精度として設定された測距条件Ｂは、撮像フレーム中の下方領域に対して用いられるように選択される。さらに、低い測距精度として設定され測距条件Ｃは、撮像フレーム中の下方領域に対して用いられるように選択される。このような測距パターンによれば、物体ＯＢＪまでの距離に応じた撮像フレームにおける領域ごとに、最適な測距条件を選択的かつ高速に切り替えることができるようになる。このように、従来は、外部のホストＩＣ等により切り替えていたため、数ｍｓのオーダーを要するところ、本技術によれば、測距条件の切り替えのパターンを予め用意しておくことで、短い時間で測距条件を切り替えることができることができるようになる。
【００５９】
なお、本実施形態においては、距離測定装置１は、一旦、所定の測距パターンを選択し、それに従って測距処理を行っている間、読み出しラインごとの測距に基づいて、測距条件の変更を行う必要はなく、例えば、数撮像フレームごとに測距パターンの変更が判定され、又は、外部からの指示により測距パターンが変更されるように構成されても良い。
【００６０】
［第３の実施形態］
次に、第３の実施形態について説明する。本実施形態では、測距処理部５０により算出された測距データを受信した外部のホストＩＣを用いて、測距条件を変更すること可能とする距離測定装置１が開示される。ここで、外部のホストＩＣとは、上記実施形態で説明されたＳｏＣとしての距離測定装置１の外部に設けられるという意味で用いられている。
【００６１】
図１０は、本技術の一実施形態における距離測定装置１の構成の一例を示すブロックダイアグラムである。同図に示すように、本実施形態の距離測定装置１は、ホストＩＣ７０が、測距処理部５０から通信インタフェース部６０を介して受信した測距データに基づいて、測距条件を変更すべきか否かを判定するように構成されている点で、上記実施形態において図示したものと異なっている。なお、図１０中、既に図示したコンポーネントと同一の機能ないしは構成のコンポーネントについては、同一の符号を付し、適宜、その説明を省略する。
【００６２】
同図に示すように、本例では、図１に示した判定部１２が、距離測定装置１内の制御部１０に設けられる代わりに、ホストＩＣ７０に設けられている。ただし、これは、制御部１０に判定部１２を設ける構成を排除することを意味していない。図示していないが、ホストＩＣ７０は、対応する通信インタフェース部を含み構成される。ホストＩＣ７０の判定部７２は、上記実施形態と同様に、測距処理部５０から通信インタフェース部６０を介して測距データを受信すると、該測距データが示す距離に基づいて、測距条件を変更すべきか否かを判定する。判定部７２は、該判定の結果を、通信インタフェース部６０を介して、制御部１０に送信する。制御部１０は、受信した判定の結果を変更部１４に引き渡し、変更部１４は、該判定の結果に従って、レジスタ部１６のレジスタを切り替える。
【００６３】
一例として、ホストＩＣ７０は、１撮像フレーム分の測距データを保持し得るフレームバッファ（図示せず）を備え得る。ホストＩＣ８０の判定部８２は、フレームバッファを参照し、次の撮像フレームにおける読み出しラインごとにどの測距条件に変更するかを判定する。
【００６４】
このようにして、本実施形態によっても、上記実施形態と同様の作用効果ないしは利点を奏し得る。また、本実施形態によれば、ホストＩＣ７０の判定部７２が、図１１に示すように、過去の撮像フレームにおける同じ位置の画素Ｐの測距データに基づいて、測距条件を変更すべきか否かを判定するので、現在の撮像フレームの形成中に、該判定の結果に応じて、現在の測距条件を変更することができるようになる。
【００６５】
なお、本実施形態では、外部のホストＩＣ７０が判定部７２を備える構成が説明されたが、これに限られず、ＳｏＣ内の制御部１０もまた、判定部１２を備えていてもよい。例えば、距離測定装置１は、ＳｏＣ内に設けられた判定部１２により判定処理を行う第１のモードと、外部のホストＩＣ８０に設けられた判定部８２により判定処理を行う第２のモードとを備え、いずれかのモードに選択的に切り替えて動作するように構成されても良い。
【００６６】
［第４の実施形態］
次に、第４の実施形態について説明する。本実施形態では、外部のホストＩＣが、上述した測距処理部５０に代わって、測距処理を行う距離測定装置が開示される。
【００６７】
図１２は、本技術の一実施形態における距離測定装置の構成の一例を示すブロックダイアグラムである。同図に示すように、本実施形態の距離測定装置１’では、ホストＩＣ７０が、判定部７２と、センサ側チップの測距処理部５０と同等の機能を有する測距処理部７４とを備える点で、上記実施形態において図示したものと異なっている。図中、制御部１０には、判定部１２が明示されていないが、第１の実施形態等と同様に、制御部１０に判定部１２が設ける構成であっても良い。なお、同図中、既に図示したコンポーネントと同一の機能ないしは構成のコンポーネントについては、同一の符号を付し、適宜、その説明を省略する。
【００６８】
距離測定装置１’は、典型的には、複数のデータ出力モードで動作するように構成される。例えば、距離測定装置１は、サンプリング回路５２が画素Ｐごとのエコーデータ（時系列のサンプリング値の合計値）をホストＩＣ７０に出力するモード、ヒストグラム作成部５４がヒストグラムデータをホストＩＣ７０に出力するモード、及び距離演算部５６が測距データをホストＩＣ７０に出力するモードを有する。
【００６９】
センサ側チップ上の測距処理部５０は、制御部１０の制御の下、いずれかのデータ出力モードにおいて動作し、所定のデータを、通信インタフェース部６０を介して、ホストＩＣ７０に出力する。
【００７０】
ホストＩＣ７０は、測距処理部５０から送信されるデータに基づいて、そのデータ種別に応じた処理を行って、測距データを算出し、これを判定部７２に出力する。例えば、測距処理部７４は、受信したエコーデータに基づいてヒストグラムを作成し、該作成したヒストグラムからピーク値を決定し、測距データを算出する。或いは、測距処理部７４は、受信したデータがヒストグラムデータである場合には、そのヒストグラムからピーク値を決定し、測距データを算出する。
【００７１】
このように、本実施形態によっても、上記の実施形態と同様の作用効果ないしは利点を奏し得る。とりわけ、高いパフォーマンスが要求される測距処理をホストＩＣ７０が担う一方、レジスタの切り替えは制御部１０において行われるので、測距条件を柔軟かつ高速に変更することができるようになる。
【００７２】
上記各実施形態は、本技術を説明するための例示であり、本技術をこれらの実施形態にのみ限定する趣旨ではない。本技術は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな形態で実施することができる。
【００７３】
例えば、本明細書に開示される方法においては、その結果に矛盾が生じない限り、ステップ、動作又は機能を並行して又は異なる順に実施しても良い。説明されたステップ、動作及び機能は、単なる例として提供されており、ステップ、動作及び機能のうちの幾つかは、技術の要旨を逸脱しない範囲で、省略でき、また、互いに結合させることで一つのものとしてもよく、また、他のステップ、動作又は機能を追加してもよい。
【００７４】
また、本明細書では、さまざまな実施形態が開示されているが、一の実施形態における特定のフィーチャ（技術的事項）を、適宜改良しながら、他の実施形態に追加し、又は該他の実施形態における特定のフィーチャと置換することができ、そのような形態も本技術の要旨に含まれる。
【００７５】
例えば、上記実施形態では、レジスタ部１６のレジスタを選択的に切り替えることにより、予めパラメータセットとして定められた測定条件を変更する態様が説明されたが、これに限られない。例えば、距離測定装置１は、制御部１０の変更部１４が、算出された距離に応じて、動的にパラメータセットを生成し、生成したパラメータセットで参照されるレジスタの内容を書き換えるように構成されても良い。
【００７６】
なお、本技術は、以下のような構成も採用することができる。
（１）
対象エリアに対して光を出射する発光部と、
前記対象エリアにおける観測光を受光し、電気信号を出力する複数の受光素子を含む受光部と、
所定の測距条件に従い、前記複数の受光素子によって形成される撮像フレームにおいて、画素を構成する前記複数の受光素子のうちの幾つかの受光素子群により受光された前記観測光に含まれる、前記発光部から出射された前記光が照射された物体からの反射光に応じた電気信号に基づいて、前記物体までの距離を算出するための測距処理を行う測距処理部と、
前記所定の測距条件を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、現在の前記撮像フレームが形成されている間に、前記所定の測距条件を変更する、
距離測定装置。
（２）
前記制御部は、前記発光部により光が出射される前に前記複数の受光素子のうちの幾つかの受光素子群が環境光を受光するように制御を行い、
前記測距処理部は、前記環境光に基づいてノイズ量を算出し、
前記制御部は、算出された前記ノイズ量に基づいて、前記所定の測距条件を変更する、
（１）に記載の距離測定装置。
（３）
前記制御部は、前記ノイズ量が所定の閾値を超える場合に、前記画素を構成する前記受光素子群の個数が多くなるように、前記所定の測距条件を変更する、（１）又は（２）に記載の距離測定装置。
（４）
前記制御部は、前記測距処理部により算出された前記距離に基づいて、前記所定の測距条件を変更する、（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の距離測定装置。
（５）
前記制御部は、前記撮像フレームにおける第１のラインにおける前記複数の受光素子のうちの幾つかの受光素子群による受光により算出された前記距離に基づいて、前記第１のラインに続く第２のラインに対する前記所定の測距条件を変更するか否かを判定する、
（１）乃至（４）のいずれかに記載の距離測定装置。
（６）
前記制御部は、前記第１のラインにおける前記算出された距離の平均値に基づいて、前記第２のラインに対する前記所定の測距条件を変更するか否かを判定する、（１）乃至（５）のいずれか１つに記載の距離測定装置。
（７）
前記制御部は、過去の前記撮像フレームにおける前記測距処理部により算出された前記距離に基づいて、前記所定の測距条件を変更する、（１）乃至（６）のいずれか１つに記載の距離測定装置。
（８）
前記制御部は、前記算出された距離が近いほど、前記画素を構成する前記受光素子群の個数が多くなるように、前記所定の測距条件を変更する、（１）乃至（７）のいずれか１つに記載の距離測定装置。
（９）
前記制御部は、前記算出された距離が近いほど、前記電気信号をサンプリングするためのサンプリング周波数が高くなるように、前記所定の測距条件を変更する、
（１）乃至（８）のいずれか１つに記載の距離測定装置。
（１０）
前記測距処理部は、
前記所定の測距条件に従った、前記複数の受光素子のうちの幾つかの受光素子群により構成される前記画素ごとに出力される前記電気信号を、所定のサンプリング周波数でサンプリングして、サンプリング値を出力するサンプリング回路と、
前記光の出射及び前記受光が行われることにより得られる複数の前記サンプリング値に基づいて、時間区間ごとの前記反射光の強さを示すヒストグラムを作成するヒストグラム作成部と、
前記ヒストグラムにおけるピーク値を検出し、検出した前記ピーク値から前記距離を算出する距離演算部と、を備える、
（１）乃至（９）のいずれか１つに記載の距離測定装置。
（１１）
前記制御部は、前記ヒストグラム作成部によりヒストグラムが作成されるごとに、前記所定の測距条件を変更するか否かを判定する、（１０）に記載の距離測定装置。
（１２）
前記距離測定装置は、前記所定の測距条件を示す複数のパラメータセットを保持するレジスタを含むシステム・オン・チップ（ＳｏＣ）として構成される、（１）乃至（１１）のいずれか１つに記載の距離測定装置。
（１３）
通信インタフェースをさらに備え、
前記測距処理部は、前記通信インタフェースを介して、前記撮像フレームに対する前記画素ごとの前記算出された距離に関するデータを出力する、
（１）乃至（１２）のいずれか１つに記載の距離測定装置。
（１４）
前記制御部は、前記ＳｏＣの外部と前記通信インタフェースを介して通信することなく、前記レジスタに保持される前記複数のパラメータセットのいずれかを選択することにより、前記所定の測距条件を変更する、（１）乃至（１３）のいずれか１つに記載の距離測定装置。
（１５）
発光部から対象エリアに対して光を出射することと、
複数の受光素子を含む受光部により前記対象エリアにおける観測光を受光し、電気信号を出力することと、
前記複数の受光素子によって形成される撮像フレームにおいて、画素を構成する前記複数の受光素子のうちの幾つかの受光素子群により受光された前記観測光に含まれる、前記発光部から出射された前記光の照射による物体からの反射光に応じた電気信号に基づいて、所定の測距条件に従い、前記物体までの距離を算出するための測距処理を行うことと、
前記物体までの距離が所定の測距条件で算出されるように、現在の前記撮像フレームが形成されている間に、所定の測距条件を変更するように制御することと、を含む、
距離測定方法。
【符号の説明】
【００７７】
１…距離測定装置
１０…制御部
１２…判定部
１４…変更部
１６…レジスタ部
２０…発光部
３０…発光タイミング調整部
４０…受光部
５０…測距処理部
５２…サンプリング回路
５４…ヒストグラム作成部
５６…距離演算部
６０…通信インタフェース部
７０…ホストＩＣ
７２…判定部
７４…測距処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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