(57)【要約】【課題】電子機器内に不揮発性メモリが仮に１つしか接続されていないプロセッサが存在する場合であっても、その電子機器内部の仕組みのみで、データを失うことを避けつつ不揮発性メモリを交換することが可能な電子機器を提供する。【解決手段】この電子機器１０Ａは、不揮発性メモリ（ＳＳＤ１３）、揮発性メモリ（ＤＤＲ１２）、プロセッサ（ＡＳＳＰ１１）、電源１６、およびシーケンサ（ＡＳＩＣ１４）を備えている。電源１６は、ＤＤＲ１２に電力を供給したままＳＳＤ１３への電力供給の遮断が可能な電源である。ＡＳＩＣ１４は、ＡＳＳＰ１１に、ＳＳＤ１３に記憶されている退避データをＤＤＲ１２に書き込ませた後、ＳＳＤ１３への電力供給を遮断させる退避動作と、ＳＳＤ１３への電力供給を再開した後、退避データをＳＳＤ１３に書き戻す書戻し動作とを実行させる。【選択図】図１
2020112962.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリ、
揮発性メモリ、
前記不揮発性メモリおよび前記揮発性メモリをアクセスするプロセッサ、
前記揮発性メモリに電力を供給したまま前記不揮発性メモリへの電力供給の遮断が可能な電源、および
前記プロセッサに、前記不揮発性メモリに記憶されているデータの少なくとも一部からなる退避データを前記揮発性メモリに書き込ませた後、前記電源に、該揮発性メモリに電力を供給したまま該不揮発性メモリへの電力供給を遮断させる退避動作と、
前記不揮発性メモリへの電力供給を再開した後、前記プロセッサに、前記退避動作において前記揮発性メモリに書き込ませた前記退避データを前記不揮発性メモリに書き戻す書戻し動作と
を実行させるシーケンサを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記揮発性メモリがセルフリフレッシュモード機能付きの揮発性メモリであり、
前記シーケンサが、
前記退避動作においてさらに、前記プロセッサに前記揮発性メモリをセルフリフレッシュモードに移行させて、該プロセッサをリセット状態に移行させ、
前記書戻し動作においてさらに、前記プロセッサのリセット状態を解除して、該プロセッサに前記揮発性メモリのセルフリフレッシュモードを解除させることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記揮発性メモリがセルフリフレッシュモード機能付きの揮発性メモリであり、
前記電源が、前記揮発性メモリに電力を供給したまま、互いに独立しての前記不揮発性メモリへの電力供給の遮断および前記プロセッサへの電力供給の遮断が可能な電源であって、
前記シーケンサが、
前記退避動作においてさらに、前記プロセッサに前記揮発性メモリをセルフリフレッシュモードに移行させて、前記電源に該プロセッサへの電力供給を遮断させ、
前記書戻し動作においてさらに、前記電源に前記プロセッサへの電力供給を再開させて、該プロセッサに前記揮発性メモリのセルフリフレッシュモードを解除させることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
前記不揮発性メモリの寿命が近付いたことを予測する寿命予測手段を備え、
前記シーケンサは、前記寿命予測手段からの通知を受けて前記退避動作を実行することを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記寿命予測手段が、前記不揮発性メモリへのアクセスの失敗の率あるいは回数に基づいて、該不揮発性メモリの寿命が近付いたことを予測することを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【請求項６】
前記シーケンサは、前記退避動作実行の後における、前記不揮発性メモリを交換したことの通知を受けて、前記書戻し動作を実行することを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記不揮発性メモリの搭載の着脱を検出するセンサを備え、
前記シーケンサは、前記センサによる、前記退避動作実行の後における、前記不揮発性メモリが取り外されて再装着されたことの検出を前記通知として受けて、前記書戻し動作を実行することを特徴とする請求項６に記載の電子機器。
【請求項８】
ユーザからの、前記不揮発性メモリの交換が完了したことの操作を受けるユーザインタフェースを備え、
前記シーケンサは、前記ユーザインタフェースが受けた、前記不揮発性メモリの交換が完了したことのユーザによる操作を前記通知として受けて、前記書戻し動作を実行することを特徴とする請求項６に記載の電子機器。
【請求項９】
前記退避動作が完了したことをユーザに通知するユーザインタフェースを備えたことを特徴とする請求項１から８のうちいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記不揮発性メモリが、前記プロセッサによるアクセスが可能な、当該電子機器に常時搭載された唯一の不揮発性メモリであることを特徴とする請求項１から９のうちのいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１１】
当該電子機器が、少なくとも、プリント機能、コピー機能、およびスキャナの機能を有する複合機であることを特徴とする請求項１から１０のうちのいずれか１項に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの電子機器では、コストダウン等の観点から、できるだけ少ない部品点数で同等の機能を達成することが求められている。ここでは、そのような電子機器の１つとして複合機を例に挙げて説明する。ここでは、プリンタとしての機能、コピー機としての機能、およびスキャナとしての機能を兼ね備えた装置を複合機と呼んでいる。複合機にはさらにファクシミリ送受信機能やその他の機能が含まれていてもよい。
【０００３】
複合機では、現在一般的には、１枚の基板や１台の電子機器等からなる１つのシステムに、ｅＭＭＣ（ｅｍｂｅｄｄｅｄ  Ｍｕｌｔｉ  Ｍｅｄｉａ  Ｃａｒｄ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）といった不揮発性メモリが複数個接続された構成となっている。近年、コストダウン等の観点から、これら複数の不揮発性メモリに分かれている機能を１つの不揮発性メモリに集約して、１つのシステムに１つの不揮発性メモリのみが接続された構成とすることが要望されている。
【０００４】
不揮発性メモリが１つのみ接続されている場合、メンテナンス上の問題が生じる。すなわち、不揮発性メモリの寿命が近付いてきてその不揮発性メモリを交換する必要に迫られたときに、その不揮発性メモリに記憶されている重要なデータを一時的に退避しておく必要があるが、どこに退避しておくかが問題となる。すなわち、１つのシステムに対し複数の不揮発性メモリが存在するときは、今回交換しようとしている不揮発性メモリ内のデータを別の不揮発性メモリに退避しておいて電源を落とし、交換対象の不揮発性メモリを交換することができる。しかしながら、そのシステムに、交換しようとしている不揮発性メモリ以外の不揮発性メモリが接続されていない場合、その不揮発性メモリの交換のために電源をオフにするとデータが失われることになりかねない。
【０００５】
また、そのシステムに、交換しようとしている不揮発性メモリ以外の不揮発性メモリが接続されていない場合に、例えばＵＳＢメモリ等の不揮発性の外部メモリを用意してデータをその外部メモリに退避しておくことが考えられる。しかしながら、その場合、外部メモリを接続する設備を用意しておく必要があることや、データを外部に退避すると紛失や書き戻しの際に誤って別の外部メモリのデータを書き戻してしまうおそれがあり、外部メモリへのデータの退避は好ましくない。
【０００６】
ここで、特許文献１には、揮発性メモリのバックアップとして、その揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに保存しておくことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２０１８−５０８８７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のような課題は、複合機に限られず、不揮発性メモリが１つのみ接続されているプロセッサが搭載されている電子機器に共通した課題である。
【０００９】
本発明は、交換対象の不揮発性メモリ以外の不揮発性メモリを使用することなく、データを失わずに不揮発性メモリを交換することが可能な電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１は、
不揮発性メモリ、
揮発性メモリ、
前記不揮発性メモリおよび前記揮発性メモリをアクセスするプロセッサ、
前記揮発性メモリに電力を供給したまま前記不揮発性メモリへの電力供給の遮断が可能な電源、および
前記プロセッサに、前記不揮発性メモリに記憶されているデータの少なくとも一部からなる退避データを前記揮発性メモリに書き込ませた後、前記電源に、該揮発性メモリに電力を供給したまま該不揮発性メモリへの電力供給を遮断させる退避動作と、
前記不揮発性メモリへの電力供給を再開した後、前記プロセッサに、前記退避動作において前記揮発性メモリに書き込ませた前記退避データを前記不揮発性メモリに書き戻す書戻し動作と
を実行させるシーケンサを備えたことを特徴とする電子機器である。
【００１１】
請求項２は、
前記揮発性メモリがセルフリフレッシュモード機能付きの揮発性メモリであり、
前記シーケンサが、
前記退避動作においてさらに、前記プロセッサに前記揮発性メモリをセルフリフレッシュモードに移行させて、該プロセッサをリセット状態に移行させ、
前記書戻し動作においてさらに、前記プロセッサのリセット状態を解除して、該プロセッサに前記揮発性メモリのセルフリフレッシュモードを解除させることを特徴とする請求項１に記載の電子機器である。
【００１２】
請求項３は、
前記揮発性メモリがセルフリフレッシュモード機能付きの揮発性メモリであり、
前記電源が、前記揮発性メモリに電力を供給したまま、互いに独立しての前記不揮発性メモリへの電力供給の遮断および前記プロセッサへの電力供給の遮断が可能な電源であって、
前記シーケンサが、
前記退避動作においてさらに、前記プロセッサに前記揮発性メモリをセルフリフレッシュモードに移行させて、前記電源に該プロセッサへの電力供給を遮断させ、
前記書戻し動作においてさらに、前記電源に前記プロセッサへの電力供給を再開させて、該プロセッサに前記揮発性メモリのセルフリフレッシュモードを解除させることを特徴とする請求項１に記載の電子機器である。
【００１３】
請求項４は、
前記不揮発性メモリの寿命が近付いたことを予測する寿命予測手段を備え、
前記シーケンサは、前記寿命予測手段からの通知を受けて前記退避動作を実行することを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の電子機器である。
【００１４】
請求項５は、前記寿命予測手段が、前記不揮発性メモリへのアクセスの失敗の率あるいは回数に基づいて、該不揮発性メモリの寿命が近付いたことを予測することを特徴とする請求項４に記載の電子機器である。
【００１５】
請求項６は、前記シーケンサは、前記退避動作実行の後における、前記不揮発性メモリを交換したことの通知を受けて、前記書戻し動作を実行することを特徴とする請求項１から３もうちのいずれか１項に記載の電子機器である。
【００１６】
請求項７は、
前記不揮発性メモリの搭載の着脱を検出するセンサを備え、
前記シーケンサは、前記センサによる、前記退避動作実行の後における、前記不揮発性メモリが取り外されて再装着されたことの検出を前記通知として受けて、前記書戻し動作を実行することを特徴とする請求項６に記載の電子機器である。
【００１７】
請求項８は、
ユーザからの、前記不揮発性メモリの交換が完了したことの操作を受けるユーザインタフェースを備え、
前記シーケンサは、前記ユーザインタフェースが受けた、前記不揮発性メモリの交換が完了したことのユーザによる操作を前記通知として受けて、前記書戻し動作を実行することを特徴とする請求項６に記載の電子機器である。
【００１８】
請求項９は、前記退避動作が完了したことをユーザに通知するユーザインタフェースを備えたことを特徴とする請求項１から８のうちいずれか１項に記載の電子機器である。
【００１９】
請求項１０は、前記不揮発性メモリが、前記プロセッサによるアクセスが可能な、当該電子機器に常時搭載された唯一の不揮発性メモリであることを特徴とする請求項１から９のうちのいずれか１項に記載の電子機器である。
【００２０】
請求項１１は、当該電子機器が、少なくとも、プリント機能、コピー機能、およびスキャナの機能を有する複合機であることを特徴とする請求項１から１０のうちのいずれか１項に記載の電子機器である。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１の電子機器によれば、交換対象の不揮発性メモリ以外の不揮発性メモリを使用することなく、不揮発性メモリを交換することができる。
【００２２】
請求項２の電子機器によれば、プロセッサをリセットする必要のあるシステムであっても、不揮発性メモリの交換が可能である。
【００２３】
請求項３の電子機器によれば、プロセッサへの電力供給を一旦遮断する必要のあるシステムであっても、不揮発性メモリの交換が可能である。
【００２４】
請求項４の電子機器によれば、寿命予測手段を備えていない場合と比べ、的確な時期に不揮発性メモリを交換することができる。
【００２５】
請求項５の電子機器によれば、稼働時間に基づいて寿命を予測する場合と比べ、寿命を的確に予測することができる。
【００２６】
請求項６の電子機器によれば、退避動作実行完了からの経過時間に基づいて書戻し動作を実行する場合と比べ、書戻し動作の失敗が低減する。
【００２７】
請求項７の電子機器によれば、不揮発性メモリの交換の完了をユーザが通知するシステムと比べ、書戻し動作開始までの時間が短縮される。
【００２８】
請求項８の電子機器によれば、書戻し動作がユーザからの通知なしに開始されるシステムと比べ、ユーザが確実に交換したことのユーザの納得の上で書戻し動作が行われる。
【００２９】
請求項９の電子機器によれば、退避動作の完了の通知のないシステムと比べ、退避動作完了前に交換作業を開始してしまうという失敗が低減する。
【００３０】
請求項１０の電子機器によれば、プロセッサによるアクセスが可能な不揮発性メモリが複数搭載されている電子機器と比べ、不揮発性メモリの交換に際し有効に機能する。
【００３１】
また、本発明は、請求項１１の複合機にも好適に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１実施形態の電子機器の主要部を示したブロック図である。
【図２】ＳＳＤ交換時のユーザインタフェースの画面を示した図である。
【図３】図２の画面上で「ＯＫ」ボタンが押されたときに実行されるフローチャートを示した図である。
【図４】ＳＳＤ交換後のユーザインタフェースの画面を示した図である。
【図５】図４の画面上で「ＯＫ」ボタンが押されたときに実行されるフローチャートを示した図である。
【図６】本発明の第２実施形態の電子機器の主要部を示したブロック図である。
【図７】アクセス成否のモニタと寿命が近づいたことが予測された時の処理のフローチャートの前半部分を示した図である。
【図８】図７のステップＳ３３でユーザインタフェース上に表示される画面を示した図である。
【図９】図７のステップＳ３６でユーザインタフェース上に表示される画面を示した図である。
【図１０】アクセス成否のモニタと寿命が近づいたことが予測された時の処理のフローチャートの後半部分を示した図である。
【図１１】図１０のステップＳ４３でユーザインタフェース上に表示される画面を示した図である。
【図１２】図１０のステップＳ４５でユーザインタフェース上に表示される画面を示した図である。
【図１３】本発明の第３実施形態の電子機器の主要部を示したブロック図である。
【図１４】本発明の第４実施形態の電子機器の主要部を示したブロック図である。
【図１５】図１４に示す第４実施形態の電子機器１０Ｄにおける退避動作のフローチャートを示した図である。
【図１６】図１４に示す第４実施形態の電子機器１０Ｄにおける書戻し動作のフローチャートを示した図である。
【図１７】本発明の第５実施形態の電子機器の主要部を示したブロック図である。
【図１８】図１７に示す第５実施形態の電子機器１０Ｅにおける退避動作のフローチャートを示した図である。
【図１９】図１７に示す第５実施形態の電子機器１０Ｅにおける書戻し動作のフローチャートを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００３４】
図１は、本発明の第１実施形態の電子機器の主要部を示したブロック図である。この電子機器は、例えば、少なくとも、プリント機能、コピー機能、およびスキャナの機能を有する複合機である。ただし、ここでは複合機全体の図示および説明は省略し、この主要部を指して電子機器と称する。後述する第２実施形態以降の各実施形態についても同様である。
【００３５】
この電子機器１０は、ＡＳＳＰ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｐｒｏｄｕｃｅ）１１と、ＤＤＲ（Ｄｏｕｂｌｅ−Ｄａｔａ−Ｒａｔｅ  ＳＤＲＡＭ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ  Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ））１２と、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）１３と、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）１４とを備えている。
【００３６】
ＡＳＳＰ１１は、特定用途向けに開発されたプロセッサであり、本発明にいうプロセッサの一例に相当する。ＤＤＲ１２は揮発性メモリの一種であり、本発明にいう揮発性メモリの一例に相当する。また、ＳＳＤ１３は、不揮発性メモリの一種であり、本発明にいう不揮発性メモリの一例に相当する。さらに、ＡＳＩＣ１４は、特定用途向けに開発された集積回路である。このＡＳＩＣ１４は、本発明にいうシーケンサの一例に相当する。このＡＳＩＣ１４には、以下に説明する電源１６による、各部への電力の投入および遮断を制御する電源制御回路１４１が含まれている。
【００３７】
また、この電子機器１０は、ユーザインタフェース１５を備えている。このユーザインタフェース１５は、ユーザに向けての情報提示やユーザによる指示操作を受け付ける役割を担っていて、タッチパネル式の表示画面やその他の押釦等で構成されている。
【００３８】
また、この電子機器１０は、電源１６を備えている。この電源１６は、ＡＳＩＣ１４内の電源制御回路１４１による制御を受けて、ここに示した各部へ電力を供給する。ここで、この電源１６は、ＳＳＤ１３については、ほかの各部とは独立に、電力の投入および遮断が可能な構成となっている。
【００３９】
この構成の電子機器１０Ａにおいて、ＳＳＤ１３を交換することを考える。この電子機器１３には、１個のＳＳＤ１３以外の不揮発性メモリは搭載されていない。そこで、ここでは、ＳＳＤ１３に記憶されているデータを、揮発性メモリであるＤＤＲ１２に一旦退避させる。
【００４０】
この第１実施形態の電子機器１０Ａの場合、ＳＳＤ１３の交換の時期は、ユーザが判断する。ユーザによる判断基準としては、例えば、この電子機器１０Ａを長期間使用してきて、そろそろ交換しておいた方が安全と判断すること、或いは、最近、この電子機器１０Ａの動作が遅く、ＳＳＤ１３のアクセスにエラーが多いのではないかと推測すること、などが挙げられる。
【００４１】
図２は、ＳＳＤ交換時のユーザインタフェースの画面を示した図である。
【００４２】
ユーザが、ＳＳＤ１３を交換しようとしたときは、ユーザインタフェース１５を操作して、メニュー画面からこの図２に示す画面２１を選択する。この図２に示す画面２１は、ユーザからの、電子機器１０Ａへの、ＳＳＤ１３を交換する意思を伝える画面である。この画面２１上の「ＯＫ」ボタンを押すと、電子機器１０Ａにその意思が伝えられる。
【００４３】
図３は、図２の画面上で「ＯＫ」ボタンが押されたときに実行されるフローチャートを示した図である。
【００４４】
図２の画面上で「ＯＫ」ボタンが押されると、ＡＳＩＣ１４がＡＳＳＰ１１および電源１６を制御することで、この図３に示す動作が実行される。
【００４５】
ここでは先ず、ＡＳＩＣ１４は、ＡＳＳＰ１１に指示して、ＳＳＤ１３に記憶されているデータの少なくとも一部からなる、交換後のＳＳＤ１３に書き込んでこの電子機器１０Ａによる処理を復元させるのに必要な退避データをＤＤＲ１２に書き込ませる（ステップＳ１１）。そして、その書き込むが終了した後、ＡＳＩＣ１４の電源制御回路１４１は、電源１６に指示してＳＳＤ１３への電力供給を遮断させる（ステップＳ１２）。この時、ＤＤＲ１２等への電力供給は、そのまま維持させておく。この図３で示した処理は、本発明にいう「退避動作」の一例に相当する。
【００４６】
この退避動作の後、ユーザにより、ＳＳＤ１３が新たなＳＳＤ１３に交換される。
【００４７】
図４は、ＳＳＤ交換後のユーザインタフェースの画面を示した図である。
【００４８】
ユーザは、ＳＳＤ１３の交換が終了すると、再びユーザインタフェース１５を操作して、メニュー画面からこの図４に示す画面２２を選択する。この図４に示す画面２２は、ユーザからの、電子機器１０Ａへの、ＳＳＤ１３の交換が完了したことを伝える画面である。この画面２２上の「ＯＫ」ボタンを押すと、電子機器１０Ａに、ＳＳＤ１３の交換が完了したことが伝えられる。
【００４９】
図５は、図４の画面上で「ＯＫ」ボタンが押されたときに実行されるフローチャートを示した図である。
【００５０】
図４の画面上で「ＯＫ」ボタンが押されると、ＡＳＩＣ１４がＡＳＳＰ１１および電源１６を制御することで、この図５に示す動作が実行される。
【００５１】
ここでは先ず、ＡＳＩＣ１４の電源制御回路１４１が電源１６に指示して、ＳＳＤ１３への電力供給を再開させる（ステップＳ２１）。
【００５２】
そして、ＳＳＤ１３への電力供給が安定するまでの時間が経過した後、ＡＳＩＣ１４経由でＳＳＤ１３に初期化を指示し（ステップＳ２２）、ＳＳＤ１３はその指示を受けて自分自身の初期化を実行する。
【００５３】
そしてさらに、その初期化が終了した後、ＡＳＩＣ１４は、ＡＳＳＰ１１に指示して、ＤＤＲ１２に退避しておいたデータをＳＳＤ１３に書き戻させる（ステップＳ２３）。この図５に示した処理は、本発明にいう「書戻し動作」の一例に相当する。
【００５４】
この第１実施形態の電子機器１０Ａの場合、上記の通り、図３に示した退避動作および図５に示した書戻し動作によりＳＳＤ１３の交換および交換後の立ち上げが完了する。
【００５５】
図６は、本発明の第２実施形態の電子機器の主要部を示したブロック図である。この第２実施形態の電子機器１０Ｂの構成要素のうち、図１に示した第１実施形態の電子機器１０Aと共通の構成要素については、図１において付した符号と同一の符号を付して示し、相違点について説明する。後述する第３実施形態以降の各実施形態についても同様である。
【００５６】
この図６に示す第２実施形態の電子機器１０ＢのＡＳＩＣ１４には、寿命予測回路１４２が含まれている。この図６に表現されているレベルでは、それ以外の点は、図１に示した第１実施形態の電子機器１０Ａと同様である。この図６には表れていない相違点については、図７以降の図を参照しながら説明する。
【００５７】
寿命予測回路１４２は、ＳＳＤ１３へのアクセスの成功、失敗の情報をＡＳＳＰ１１から受け取り、アクセスの失敗の率あるいは回数に基づいて、ＳＳＤ１３の寿命が近付いたことを予測する回路である。この寿命予測回路１４２は、本発明にいう寿命予測手段の一例に相当する。なお、この寿命予測をＡＳＳＰ１１で行って、ＳＳＤ１３の寿命が近付いたことをＡＳＩＣ１４に通知する構成としてもよい。
【００５８】
この寿命予測回路１４２では、ＳＳＤ１３の寿命が近付いたことを、一例として、直近の単位時間あたりに何回のアクセスエラーがあったかで判定している。あるいは、直近の単位時間のアクセス回数に対する、その直近の単位時間のアクセスエラーの比率で判定してもよい。あるいは、アクセスエラーの、この電子機器１０Ｂの稼働開始からの累積回数で判定してもよい。この寿命予測回路１４２は、ＳＳＤ１３の寿命が近付いたかどうかを、この電子機器１０Ｂが稼働している間モニタし続ける。
【００５９】
図７は、アクセス成否のモニタと寿命が近づいたことが予測された時の処理のフローチャートの前半部分を示した図である。
【００６０】
この電子機器１０Ｂでは、稼働中常に、ＳＳＤ１３のアクセスの成否がモニタされ（ステップＳ３１）、直近の単位時間当たりのアクセスエラーの回数が予め定められた閾値に達したか否かが判定される（ステップＳ３２）。
【００６１】
直近の単位時間当たりのアクセスエラーの回数が閾値に達すると、ＳＳＤ１３の交換を促す画面がユーザインタフェース１５上に表示される（ステップＳ３３）。
【００６２】
図８は、図７のステップＳ３３でユーザインタフェース上に表示される画面を示した図である。
【００６３】
この図８に示す画面２３上には、「ＳＳＤの寿命が近づいてきました。交換しますか？」のメッセージと、「はい」、「後で」のボタンが表示されている。
【００６４】
この画面２３上で「後で」のボタンが押されると（ステップＳ３４）、ステップＳ３１におけるモニタで得られているアクセスエラーの回数がリセットされて（ステップＳ３５）、ステップＳ３１のモニタに戻る。このステップＳ３１に戻った後は、アクセスエラーの回数のカウントが新たに開始される。アクセスエラーは時折発生するだけなので、この後しばらくは発生が収まる可能性もあるからである。なお、アクセスエラーの累積回数で判定するときは、ステップＳ３５においてアクセスエラーの回数をリセットする代わりに、閾値が変更されることになる。
【００６５】
図８に示した画面２３上の「はい」ボタンが押されると（ステップＳ３４）、待機を要請する画面が表示される（ステップＳ３６）。
【００６６】
図９は、図７のステップＳ３６でユーザインタフェース上に表示される画面を示した図である。
【００６７】
この図９に示す画面２４上には、待機を要請する「しばらくお待ちください。」のメッセージが表示されている。
【００６８】
図１０は、アクセス成否のモニタと寿命が近づいたことが予測された時の処理のフローチャートの後半部分を示した図である。
【００６９】
図７のステップＳ３６でユーザインタフェース上に図９に示す画面２４を表示した後、図１０のステップＳ４１，Ｓ４２からなる退避動作が行われる。ステップＳ４１，Ｓ４２の退避動作は図３を参照して説明した退避動作と同一であり、ここでの重複説明は省略する。
【００７０】
ステップＳ４１，Ｓ４２の退避動作の後、ユーザインタフェース１５上に交換を促す画面が表示される（ステップＳ４３）。
【００７１】
図１１は、図１０のステップＳ４３でユーザインタフェース上に表示される画面を示した図である。
【００７２】
この図１１に示す画面２５上には、「ＳＳＤを交換してください。」のメッセージと、「はい」ボタンが表示されている。この、ＳＳＤの交換を促すメッセージを表示する機能を持たないと、退避動作完了前に交換作業を開始してしまうという失敗が発生するおそれがあるが、これを表示することで、ＳＳＤ１３の交換を開始しても大丈夫だという安心をユーザに与えることができる。
【００７３】
この画面２５上の「はい」ボタンを押すと、電子機器１０ＡにＳＳＤを交換しようとするユーザの意思が伝えられる。
【００７４】
この画面２５上の「はい」ボタンが押されると（ステップＳ４４）、次に、ユーザインタフェース１５上に、ＳＳＤ１３の交換完了を問い合せる画面が表示される（ステップＳ４５）。
【００７５】
図１２は、図１０のステップＳ４５でユーザインタフェース上に表示される画面を示した図である。
【００７６】
この画面２６上には、「ＳＳＤの交換が完了しましたか？」の問合せと、「はい」ボタンが表示されている。
【００７７】
この画面２６上の「はい」ボタンが押されると、電子機器１０Ｂでは、ＳＳＤ１３の交換が完了したことが認識される。
【００７８】
ＳＳＤ１３の交換が完了したことが認識されると（ステップＳ４６）、ステップＳ４７〜Ｓ４９からなる書戻し動作が実行される。ステップＳ４７〜Ｓ４９の書戻し動作は、図５を参照して説明した書戻し動作と同一であり、説明は省略する。仮に、退避動作完了からの経過時間に基づき、ある時間が経過したことをもってＳＳＤ１３の交換が完了したとみなすと、ＳＳＤ１３の交換に手間取っていた場合にデータの書き戻しに失敗するおそれがある。これに対し、ここでは、画面２６を表示して「はい」ボタンが押されるまで書き戻しを待つことによって、ＳＳＤ１３の交換が完了したことについてユーザが納得した上での確実な書き戻しが行われる。
【００７９】
図６〜図１０を参照して説明した第２実施形態の電子機器１０Ｂによれば、ユーザは、ＳＳＤ１３の交換の時期が到来したことを電子機器１０Ｂが教えくれたときにＳＳＤ１３を交換すればよく、ＳＳＤ１３の交換の時期を普段は気にせずに済む。また、ここでは、アクセスエラーの頻度あるいは回数で寿命を予測していることから、単なる稼働時間に基づいて寿命を予測する場合と比べ、寿命が正確に予測される。
【００８０】
図１３は、本発明の第３実施形態の電子機器の主要部を示したブロック図である。
【００８１】
この電子機器１０Ｃは、図６に示した電子機器１０Ｂと比べ、さらに着脱検出センサ１７が追加されている。この着脱検出センサ１７はＳＳＤ１３が取り外されたこと、および装着されたことを検出するセンサである。この着脱検出センサ１７は、検出の原理を問うものではなく、例えば機械的なスイッチを用いたセンサでもよく、光電スイッチを用いたセンサでもよく、その他、どのような原理のセンサでもよい。ただし、ＳＳＤ１３への電力供給が途切れている間におけるＳＳＤ１３の着脱が検出される必要がある。
【００８２】
この図１３に示す第３実施形態の電子機器１０Ｃの、ＳＳＤ１３の交換に伴う処理を、第２実施形態における処理を表した図７および図１０を参照して説明する。
【００８３】
図７に示した前半の処理は、この第３実施形態でもそのまま採用される。
【００８４】
一方、図１３に示した第３実施形態の電子機器１０Ｃの場合、図１０に示した後半の処理に関しては、ステップＳ４５およびステップＳ４６が不要となる。
【００８５】
ステップＳ４３において図１１に示したＳＳＤ１３の交換を促す画面２５が表示されて、その画面２５上の「はい」ボタンが押される。すると着脱検出センサ１７のモニタが開始される。そして、ＳＳＤ１３の取り外しが検出され、交換に必要な最低限の時間、安定的に取り外されたままであって、その後、ＳＳＤ１３の装着が検出されて、その装着がしばらく安定的に検出され続けると、図１０のステップＳ４７以降の書戻し動作が行われる。
【００８６】
この第３実施形態によれば、ＳＳＤ１３の交換の完了をユーザが通知する第２実施形態と比べ、ユーザの操作を待つ必要がなく、書戻し動作開始までの時間が短縮される。
【００８７】
図１４は、本発明の第４実施形態の電子機器の主要部を示したブロック図である。
【００８８】
この図１４に示す第４実施形態の電子機器１０Ｄは、この図１４に表現されているレベルのブロック図としては、図１に示した第１実施形態の電子機器１０Ａと同一である。ただし、この電子機器１０ＤにおけるＡＳＳＰ１１は、ＳＳＤ１３の個体認識機能を有し、したがって、この電子機器１０Ｄの場合、交換後のＳＳＤ１３の個体を特定するＩＤの認識のためにＡＳＳＰ１１をリセットする必要がある。
【００８９】
図１５は、図１４に示す第４実施形態の電子機器１０Ｄにおける退避動作のフローチャートを示した図である。
【００９０】
この図１５に示す退避動作は、図３に示した第１実施形態における退避動作と同様、図２に示したＳＳＤ１３の交換時の画面２１において、ユーザにより「ＯＫ」ボタンが押されたことをもって開始される。
【００９１】
図１５のステップＳ５１およびステップＳ５２は、図３に示した第１実施形態の退避動作におけるステップＳ１１およびステップＳ１２とそれぞれ同一であり、ここでの重複説明は省略する。
【００９２】
この図１５に示す第４実施形態の退避動作の場合さらに、ＡＳＩＣ１４は、ＡＳＳＰ１１に、ＤＤＲ１２をセルフリフレッシュモードに移行させるように指示する（ステップＳ５３）。すると、ＡＳＳＰ１１は、セルフリフレッシュモードに移行するようにＤＤＲ１２に指示し、ＤＤＲ１２がセルフリフレッシュモードに移行する。ここで、ＤＤＲ１２は、記憶しているデータの保持のために、リフレッシュと呼ばれる、定期的なデータの書き換え動作が必要である。このリフレッシュの動作は、通常はＡＳＳＰ１１の指示で、ＡＳＳＰ１１がＤＤＲ１２をアクセスする合間を狙って行われるが、ＤＤＲ１２には、ＡＳＳＰ１１からのセルフリフレッシュモードへの移行の指示を受けて、自分でリフレッシュ動作を繰り返す機能も備わっている。この、ＤＤＲ１２がリフレッシュ動作を自分で繰り返し行うモードをセルフリフレッシュモードという。ただし、このセルフリフレッシュモードでは、データの内容を保持しておくことはできるものの、セルフリフレッシュモードにある間は、ＤＤＲ１２へのアクセスは行われない。
【００９３】
図１５に示す第４実施形態の退避動作では、ＤＤＲ１２をセルフリフレッシュモードに移行させた後さらに、ＡＳＩＣ１４は、ＡＳＳＰ１１をリセット状態に移行させ（ステップＳ５４）、これにより、この第４実施形態の退避動作を完了させる。
【００９４】
図１６は、図１４に示す第４実施形態の電子機器１０Ｄにおける書戻し動作のフローチャートを示した図である。
【００９５】
この図１６に示す書戻し動作は、図３に示した第１実施形態における書戻し動作と同様、図４に示したＳＳＤ１３の交換後の画面２２において、ユーザにより「ＯＫ」ボタンが押されたことをもって開始される。
【００９６】
この図１６に示す第４実施形態における書戻し動作では、先ず、ＡＳＳＰ１１のリセットが解除される（ステップＳ６１）。これにより、ＡＳＳＰ１１は、通常の動作が可能となる。
【００９７】
次いで、ＡＳＩＣ１４は、ＡＳＳＰ１１に、ＤＤＲ１２のセルフリフレッシュモードを解除するように指示する（ステップＳ６２）。すると、ＡＳＳＰ１１は、セルフリフレッシュモードの解除をＤＤＲ１２に指示し、ＤＤＲ１２のセルフリフレッシュモードが解除される。その後の、ステップＳ６３〜Ｓ６５は、図５に示した、第１実施形態における書戻し動作と同一であり、ここでの重複説明は省略する。ただし、ここでは、ＳＳＤ１３の初期化（ステップＳ６４）のタイミングで、ＡＳＳＰ１１によりＳＳＤ１３のＩＤが認識される。
【００９８】
この第４実施形態に示すように、ＡＳＳＰ１１をリセットする必要のあるシステムであっても、ＳＳＤ１３の交換が可能である。
【００９９】
図１７は、本発明の第５実施形態の電子機器の主要部を示したブロック図である。
【０１００】
この第５実施形態の電子機器１０Ｅを構成しているＡＳＳＰ１１は、その電源をオフにすることでリセットされるタイプのＡＳＳＰである。そこで、この第５実施形態の電子機器１０Ｅでは、電源１６は、これまでの各実施形態と同様にＳＳＤ１３単独への電力供給の遮断が可能であるほか、これまでの各実施形態とは異なり、ＡＳＳＰ１１に関しても、それ単独への電力供給の遮断が可能な電源としている。
【０１０１】
図１８は、図１７に示す第５実施形態の電子機器１０Ｅにおける退避動作のフローチャートを示した図である。
【０１０２】
この図１８に示す退避動作は、図３に示した第１実施形態における退避動作と同様、図２に示したＳＳＤ１３の交換時の画面２１において、ユーザにより「ＯＫ」ボタンが押されたことをもって開始される。
【０１０３】
図１８のステップＳ７１〜Ｓ７３は、図１５に示した第４実施形態の退避動作におけるステップＳ５１〜Ｓ５３とそれぞれ同一であり、ここでの重複説明は省略する。
【０１０４】
この図１８に示す第５実施形態の退避動作の場合さらに、ＡＳＩＣ１４の電源制御回路１４１が、電源１６に、ＡＳＳＰ１１への電力供給を停止するように指示し（ステップＳ７４）、電源１６は、ＡＳＳＰ１１への電力供給を停止する。
【０１０５】
図１９は、図１７に示す第５実施形態の電子機器１０Ｅにおける書戻し動作のフローチャートを示した図である。
【０１０６】
この図１９に示す書戻し動作は、図１６に示した第４実施形態における書戻し動作と同様、図４に示したＳＳＤ１３の交換後の画面２２において、ユーザにより「ＯＫ」ボタンが押されたことをもって開始される。
【０１０７】
この図１９に示す第５実施形態における書戻し動作では、先ず、ＡＳＩＣ１４の電源制御回路１４１が、電源１６に、ＡＳＳＰ１１への電力供給を再開するように指示し（ステップＳ８１）、電源１６は、その指示を受けてＡＳＳＰ１１への電力供給を再開する。その後のステップＳ８２〜Ｓ８５は、図１６に示した、第４実施形態におけるステップＳ６２〜Ｓ６５と同一であり、ここでの重複説明は省略する。第４実施形態と同様、この第５実施形態においても、ＳＳＤ１３の初期化（ステップＳ８４）のタイミングで、ＡＳＳＰ１１によりＳＳＤ１３のＩＤが認識される。
【０１０８】
この第５実施形態に示すように、ＡＳＳＰ１１への電力供給を遮断する必要のあるシステムであっても、ＳＳＤ１３の交換が可能である。
【０１０９】
なお、第４実施形態および第５実施形態の場合、基本形態のみを示したが、図６に示した第２実施形態と同様に、寿命予測回路１４２を備えた構成としてもよく、また、図１３に示した第３実施形態と同様に、着脱検出センサ１７を備えた構成としてもよい。
【０１１０】
また、以上の第１〜第５実施形態では、本発明にいう不揮発性メモリの一例としてＳＳＤを採用した電子機器について説明したが、本発明は、ＳＳＤには限られず、例えば、ｅＭＭＣやＨＤＤ等、他の種類の不揮発性メモリが搭載された電子機器の場合にも同様に適用することができる。
【０１１１】
また、以上の第１〜第５実施形態では、本発明にいう不揮発性メモリの一例としてＤＤＲを採用した電子機器について説明したが、本発明にいう揮発性メモリは、ＤＤＲに限られず、どのような揮発性メモリであってもよい。
【０１１２】
さらに、以上の第１〜第５実施形態では、不揮発性メモリを１つだけ備えた電子機器について説明したが、本発明は、複数の不揮発性メモリが搭載されている場合であっても適用可能である。例えば、不揮発性メモリが複数搭載されている場合であっても、搭載されている不揮発明メモリのうちの交換しようとしている不揮発明メモリ以外の不揮発明メモリがほとんど満杯の状態にあって、交換しようとしている不揮発明メモリのデータの退避もための空き容量がない場合などに有効である。
【０１１３】
また、ここでは、電子機器の一例として複合機を例に挙げたが、本発明は、複合機には限られず、電子機器一般に広く適用することができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ  電子機器
１１    ＡＳＳＰ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｐｒｉｄｕｃｅ）
１２    ＤＤＲ（Ｄｏｕｂｌｅ−Ｄａｔａ−Ｒａｔｅ  ＳＤＲＡＭ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ  Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ））
１３    ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）
１４    ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）
１４１  電源制御回路
１４２  寿命予測回路
１５    ユーザインタフェース
１６    電源
１７    着脱検出センサ
【図１】
2020112962.tif 000003
【図２】
2020112962.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2020112962.tif 000010
【図９】
2020112962.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2020112962.tif 000019
【図１８】
2020112962.tif 000020
【図１９】
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