(57)【要約】【課題】管が傾くことを抑制することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１００は、基板保持部３と、流体供給部８０とを備える。基板保持部３は、基板Ｗを保持して回転する。流体供給部８０は、基板Ｗに第１流体と第２流体とを供給する。第１流体の温度は、第２流体の温度よりも高い。流体供給部８０は、管８１と、第１配管８２と、第２配管８３とを有する。管８１には、基板保持部３の回転軸線ＡＸ１が通る。第１配管８２には、第１流体が流れる。第１配管８２は、管８１を通る。第２配管８３には、第２流体が流れる。第２配管８３は、管８１を通る。管８１の長手方向Ｄ３の温度分布が不均等になるように、または、管８１の周方向Ｄ４に沿った温度分布が回転対称になるように、第１配管８２と第２配管８３とが延びている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して回転する基板保持部と、
前記基板に第１流体と第２流体とを供給する流体供給部と
を備え、
前記第１流体の温度は、前記第２流体の温度よりも高く、
前記流体供給部は、
前記基板保持部の回転軸線が通る管と、
前記第１流体が流れ、前記管を通る第１配管と、
前記第２流体が流れ、前記管を通る第２配管と
を有し、
前記管の長手方向の温度分布が不均等になるように、または、前記管の周方向に沿った温度分布が回転対称になるように、前記第１配管と前記第２配管とが延びている、基板処理装置。
【請求項２】
前記第１配管と前記第２配管とは互いに交差している、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１配管と前記第２配管とは互いにねじれている、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１配管は、前記第１流体が流出する第１流出口を有し、
前記第２配管は、前記第２流体が流出する第２流出口を有し、
前記第１流出口の近傍および前記第２流出口の近傍において、前記第１配管と前記第２配管とは互いに交差している、または、前記第１配管と前記第２配管とは互いにねじれている、請求項２または請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１配管は複数であり、
前記第２配管は複数であり、
前記第１配管と前記第２配管とは、前記管の周方向に沿って交互に配置されている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記回転軸線に対して前記第１配管と前記第２配管との配置は、回転対称である、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記流体供給部は、１以上の第３配管をさらに有し、
前記管の長手方向の温度分布が不均等になるように、または、前記管の周方向に沿った温度分布が回転対称になるように、前記第１配管と前記第２配管と前記第３配管とが延びている、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１流体は、加熱された硫酸過酸化水素水混合液を含む、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記流体供給部は、
前記第１配管に接続し、前記回転軸線に直交する第１方向に沿って延び、前記第１流体を吐出する第１ノズルと、
前記第２配管に接続し、前記第１方向と逆向きの第２方向に沿って延びる第２ノズルと
をさらに有し、
前記第１流体はスチームであり、
前記第２流体は前記基板を処理する処理液である、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の裏面に処理液を供給する基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１）。特許文献１に記載の基板処理装置は、処理液供給柱を備える。処理液供給柱は、基板温調液通路と、ガス通路とを有する。処理液供給柱内を、基板温調液通路とガス通路とは、平行に延びている。基板温調液通路には、温水が流れる。ガス通路には、窒素が流れる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２１９７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の基板処理装置では、基板温調液通路には高温の流体が流れ、ガス通路には低温の流体が流れる。したがって、特許文献１に記載の基板処理装置では、基板温調液通路と、ガス通路とに流れる流体の温度差によって、管（処理液供給柱）が傾く可能性がある。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は管が傾くことを抑制することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る基板処理装置は、基板保持部と、流体供給部とを備える。前記基板保持部は、基板を保持して回転する。前記流体供給部は、前記基板に第１流体と第２流体とを供給する。前記第１流体の温度は、前記第２流体の温度よりも高い。前記流体供給部は、管と、第１配管と、第２配管とを有する。前記管には、前記基板保持部の回転軸線が通る。前記第１配管には、前記第１流体が流れる。前記第１配管は、前記管を通る。前記第２配管には、前記第２流体が流れる。前記第２配管は、前記管を通る。前記管の長手方向の温度分布が不均等になるように、または、前記管の周方向に沿った温度分布が回転対称になるように、前記第１配管と前記第２配管とが延びている。
【０００７】
ある実施形態において、前記第１配管と前記第２配管とは互いに交差している。
【０００８】
ある実施形態において、前記第１配管と前記第２配管とは互いにねじれている。
【０００９】
ある実施形態において、前記第１配管は、前記第１流体が流出する第１流出口を有する。前記第２配管は、前記第２流体が流出する第２流出口を有する。前記第１流出口の近傍および前記第２流出口の近傍において、前記第１配管と前記第２配管とは互いに交差している、または、前記第１配管と前記第２配管とは互いにねじれている。
【００１０】
ある実施形態において、前記第１配管は複数である。前記第２配管は複数である。前記第１配管と前記第２配管とは、前記管の周方向に沿って交互に配置されている。
【００１１】
ある実施形態において、前記回転軸線に対して前記第１配管と前記第２配管との配置は、回転対称である。
【００１２】
ある実施形態において、前記流体供給部は、１以上の第３配管をさらに有する。前記管の長手方向の温度分布が不均等になるように、または、前記管の周方向に沿った温度分布が回転対称になるように、前記第１配管と前記第２配管と前記第３配管とが延びている。
【００１３】
ある実施形態において、前記第１流体は、加熱された硫酸過酸化水素水混合液を含む。
【００１４】
ある実施形態において、前記流体供給部は、第１ノズルと、第２ノズルとをさらに有する。前記第１ノズルは、前記第１配管に接続する。前記第１ノズルは、前記回転軸線に直交する第１方向に沿って延びる。前記第１ノズルは、前記第１流体を吐出する。前記第２ノズルは、前記第２配管に接続する。前記第２ノズルは、前記第１方向と逆向きの第２方向に沿って延びる。前記第１流体はスチームである。前記第２流体は前記基板を処理する処理液である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る基板処理装置によれば、管が傾くことを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】基板処理装置を示す図である。
【図２】第１ノズルと第２ノズルとを示す模式的な斜視図である。
【図３】第１ノズルと第２ノズルとを示す平面図である。
【図４】（ａ）は、一般的な基板処理装置が備える流体供給部を示す模式的な断面図である。（ｂ）は、流体供給部の近傍を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、一般的な基板処理装置が備える流体供給部を示す模式的な断面図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、一般的な基板処理装置が備える流体供給部を示す模式的な断面図である。
【図７】流体供給部の一例を示す模式的な断面図である。
【図８】流体供給部の別の一例を示す模式的な断面図である。
【図９】流体供給部の別の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
【００１８】
図１〜図３を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置１００を説明する。まず、図１を参照して基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、基板Ｗを処理液によって処理する。具体的には、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。基板Ｗは略円板状である。
【００１９】
基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、または、太陽電池用基板である。
【００２０】
基板処理装置１００は、チャンバー１と、スピンチャック３と、スピンモーター５と、周縁処理部５０と、表面保護部６０と、カップ１３と、流体供給部８０とを備える。スピンチャック３は、「基板保持部」の一例に相当する。
【００２１】
チャンバー１は略箱形状を有する。チャンバー１は、スピンチャック３、スピンモーター５、周縁処理部５０の一部、表面保護部６０の一部、カップ１３および流体供給部８０の一部を収容する。
【００２２】
スピンチャック３は、基板Ｗを保持して回転する。具体的には、スピンチャック３は、チャンバー１内で基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線ＡＸ１の回りに基板Ｗを回転させる。
【００２３】
スピンチャック３は、複数のチャック部材９０と、スピンベース９２とを含む。複数のチャック部材９０はスピンベース９２に設置される。複数のチャック部材９０は、回転軸線ＡＸ１の回りの周方向に沿って等間隔で配置される。複数のチャック部材９０は、処理液によって処理される基板Ｗを保持する。具体的には、複数のチャック部材９０は、基板Ｗの周縁を水平な姿勢で保持する。
【００２４】
スピンベース９２は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材９０を支持する。
【００２５】
スピンモーター５は、スピンベース９２を回転軸線ＡＸ１の回りに回転させる。したがって、スピンベース９２は回転軸線ＡＸ１の回りに回転する。その結果、複数のチャック部材９０に保持された基板Ｗが回転軸線ＡＸ１の回りに回転する。
【００２６】
周縁処理部５０は、ヘッド５１と、供給配管５２と、供給配管５３と、ノズル５４と、ノズル５５と、ノズル移動部５６とを有する。周縁処理部５０は、基板Ｗの周縁を処理する。周縁処理部５０は、例えば、基板Ｗの周縁に対して、エッチング処理を行う。基板Ｗの周縁は、例えば、基板Ｗの端縁から０〜３ｍｍまでの領域を示す。
【００２７】
供給配管５２は、ヘッド５１を介してノズル５４に接続される。供給配管５２はノズル５４に処理液を供給する。処理液は薬液およびリンス液である。
【００２８】
ノズル５４は、複数のチャック部材９０によって保持された基板Ｗに処理液を吐出する。具体的には、ノズル９は、基板Ｗの回転中に基板Ｗの周縁に向けて処理液を吐出する。
【００２９】
例えば、基板処理装置１００が基板Ｗに対してレジスト除去処理を実行する場合は、処理液は硫酸過酸化水素水混合液（ｓｕｌｆｕｒｉｃ  ａｃｉｄ／ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｅｒｏｘｉｄｅ  ｍｉｘｔｕｒｅ：ＳＰＭ）を含む。レジスト除去処理を実行する場合は、基板Ｗは、レジストが形成された半導体ウエハである。レジスト除去処理とは、半導体ウエハの表面から、レジストを除去する処理のことである。ＳＰＭを含む処理液は、高温で使用される処理液の一例である。例えば、ＳＰＭの温度は２００℃である。
【００３０】
供給配管５３は、ヘッド５１を介してノズル５５に接続される。供給配管５３はノズル５５にガスを供給する。ガスは、例えば、不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素である。
【００３１】
ノズル移動部５６は、回動軸線ＡＸ２の回りに回動して、処理位置と待機位置との間で、ヘッド５１を水平に移動させる。処理位置は、基板Ｗの周縁の上方の位置を示す。待機位置は、スピンチャック３およびカップ１３よりも外側の位置を示す。
【００３２】
カップ１３は略筒形状を有する。カップ１３は、基板Ｗから排出された処理液を受け止める。
【００３３】
表面保護部６０は、供給配管６１と、ノズル６２と、ノズル移動部６３とを有する。表面保護部６０は、基板Ｗの中央付近に対して、ガス（カバーガス）を供給して、デバイス領域を、基板Ｗの周縁に供給された処理液の雰囲気等から保護する。デバイス領域は、デバイスパターンが形成される領域を示す。
【００３４】
供給配管６１は、ノズル６２に接続される。供給配管６１はノズル６２にガスを供給する。ガスは、例えば、不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素である。
【００３５】
ノズル移動部６３は、回動軸線ＡＸ３の回りに回動して、処理位置と待機位置との間で、ノズル６２を水平に移動させる。処理位置は、基板Ｗの中央付近の位置を示す。待機位置は、スピンチャック３およびカップ１３よりも外側の位置を示す。
【００３６】
流体供給部８０は、管８１と、第１配管８２と、第２配管８３と、第１ノズル８４と、第２ノズル８５とを有する。流体供給部８０は、基板Ｗに第１流体と第２流体とを供給する。詳しくは、流体供給部８０は、基板Ｗの裏面に第１流体と第２流体とを供給する。流体供給部８０は、第１流体と第２流体とを同時に基板Ｗに供給してもよい。あるいは、流体供給部８０は、第１流体と第２流体とを別のタイミングで基板Ｗに供給してもよい。
【００３７】
第１流体の温度は、第２流体の温度よりも高い。第１流体は、例えば、スチーム（水蒸気）である。スチームの温度は、例えば、１４０℃〜１５０℃である。また、第１流体は、加熱された硫酸過酸化水素水混合液でもよい。加熱された硫酸過酸化水素水混合液の温度は、例えば、１５０℃〜１８０℃である。
【００３８】
第２流体は、例えば、基板Ｗを処理する処理液である。処理液は、薬液およびリンス液である。処理液は、例えば、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ；ＤＩＷ）である。
【００３９】
管８１は、円筒状である。管８１は、例えば、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）樹脂である。管８１は、スピンチャック３の回転軸線ＡＸ１が通る。
【００４０】
第１配管８２は、円筒状である。第１配管８２は、例えば、ＰＣＴＦＥ樹脂である。第１配管８２には、第１流体が流れる。第１配管８２は、管８１を通る。
【００４１】
第２配管８３は、円筒状である。第２配管８３は、例えば、ＰＣＴＦＥ樹脂である。第２配管８３には、第２流体が流れる。第２配管８３は、管８１を通る。
【００４２】
管８１の径は、第１配管８２の径および第２配管８３の径よりも大きい。第１配管８２の径は、第２配管８３の径と同じである。なお、第１配管８２の径は、第２配管８３の径とは異なっていてもよい。第１配管８２と第２配管８３とは、管８１の内部に配置されている。
【００４３】
第１ノズル８４は、第１配管８２に接続する。第１ノズル８４は、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第１方向Ｄ１は、回転軸線ＡＸ１に直交する。第１ノズル８４は、第１流体を吐出する。詳しくは、第１ノズル８４は、基板Ｗの裏面に第１流体を吐出する。
【００４４】
第２ノズル８５は、第２配管８３に接続する。第２ノズル８５は、第２方向Ｄ２に沿って延びる。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１と逆向きである。第２ノズル８５は、第２流体を吐出する。詳しくは、第２ノズル８５は、基板Ｗの裏面に第２流体を吐出する。
【００４５】
図２および図３を参照して、第１ノズル８４および第２ノズル８５についてさらに説明する。図２は、第１ノズル８４と第２ノズル８５とを示す模式的な斜視図である。図２において、基板Ｗは、二点鎖線で示している。図３は、第１ノズル８４と第２ノズル８５とを示す平面図である。
【００４６】
図２に示すように、６つのチャック部材９０は、基板Ｗの周縁を水平な姿勢で保持している。第１ノズル８４および第２ノズル８５は、スピンベース９２と基板Ｗの隙間に位置する。スピンベース９２と基板Ｗとの隙間は、例えば、１０．５ｍｍ〜１１．０ｍｍである。第１ノズル８４の厚さおよび第２ノズル８５の厚さは、例えば、６ｍｍである。
【００４７】
本実施形態において、第１ノズル８４と第２ノズル８５とは、一体成形されている。なお、第１ノズル８４と第２ノズル８５とは、一体成形ではなく、別部材であってもよい。第１ノズル８４は、上方（基板Ｗ側）から見て扇形の形状を有している。第２ノズル８５は、上方から見て長尺状の形状を有している。
【００４８】
図３に示すように、第１ノズル８４は、第１流路８４１と、第２流路８４２と、吐出口８４３とを有する。第１流路８４１の一端は、第１配管８２に接続されている。第２流路８４２は、第１流路８４１から分岐している流路である。吐出口８４３は、第２流路８４２に設けられている。吐出口８４３は、基板Ｗの裏面に向けて第１流体を吐出する。
【００４９】
第２ノズル８５は、基板Ｗの裏面に向けて第２流体を吐出する。
【００５０】
本発明の基板処理装置１００の理解を容易するために、図４（ａ）および図４（ｂ）を参照して、一般的な基板処理装置について説明する。図４（ａ）は、一般的な基板処理装置が備える流体供給部３８０を示す模式的な断面図である。図４（ｂ）は、流体供給部３８０の近傍を示す断面図である。
【００５１】
図４（ａ）に示すように、流体供給部３８０は、管３８１と、第１配管３８２と、第２配管３８３と、第１ノズル３８４と、第２ノズル３８５とを有する。流体供給部３８０と、管３８１と、第１配管３８２と、第２配管３８３と、第１ノズル３８４と、第２ノズル３８５とは、それぞれ、図１に示す流体供給部８０と、管８１と、第１配管８２と、第２配管８３と、第１ノズル８４と、第２ノズル８５とに対応する。
【００５２】
第１配管３８２は、Ｚ軸方向に沿って延びている。第２配管３８３は、Ｚ軸方向に沿って延びている。第１配管３８２と第２配管３８３とは、平行に延びている。すなわち、第１配管３８２と第２配管３８３とは、互いに交差していない。
【００５３】
第１配管３８２には、第１流体が流れる。第２配管３８３には、第２流体が流れる。第１流体の温度は、第２流体の温度よりも高い。したがって、外周面３８１ａと外周面３８１ｂとで、温度差が生じる。外周面３８１ａは、第１配管３８２から近い側の管３８１の外周面を示す。外周面３８１ｂは、第２配管３８３から近い側の管３８１の外周面を示す。外周面３８１ａと外周面３８１ｂとで、温度差が生じることによって、図４（ｂ）に示すように、外周面３８１ａがＺ軸方向に膨張し管３８１が傾く。したがって、第１ノズル３８４の先端が上方に傾き、基板Ｗと接触する可能性がある。また、第２ノズル３８５の先端が下方に傾き、スピンベース３９２と接触する可能性がある。
【００５４】
図５（ａ）〜図５（ｃ）、図６（ａ）および図６（ｂ）を参照して、管３８１の変形のメカニズムについてさらに説明する。図５および図６は、一般的な基板処理装置が備える流体供給部３８０を示す模式的な断面図である。なお、図５（ａ）〜図５（ｃ）、図６（ａ）および図６（ｂ）において、第１配管３８２と第２配管３８３とは省略している。
【００５５】
図５（ａ）は、第１流体を吐出する前の状態を示す。図５（ａ）に示すように、第１流体が流れる前は、管３８１は傾いていない。
【００５６】
図５（ｂ）は、第１流体の吐出直後の状態を示す。図５（ｂ）に示すように、第１流体の吐出直後は、第１ノズル３８４および第２ノズル３８５共に垂れ下がる。
【００５７】
図５（ｃ）は、第１流体の吐出中の状態を示す。第１ノズル３８４および第２ノズル３８５の倒れに加えて、図４（ｂ）を参照して説明したように、管３８１が傾くことによって、第１ノズル３８４の先端が持ち上がる。
【００５８】
図６（ａ）は、第１流体の吐出が完了後の状態を示す。第１ノズル３８４および第２ノズル３８５の垂れ下がりは元に戻る。一方、管３８１はスピンベース３９２に囲まれているため、熱が放出しにくい。したがって、管３８１の傾きの戻りが遅いため、第１ノズル３８４の先端が上方に傾く。すなわち、第１ノズル３８４の先端が基板Ｗ側に傾く。したがって、第１ノズル３８４の先端が基板Ｗに接触する可能性がある。また、第２ノズル３８５の先端が下方に傾き、スピンベース３９２と接触する可能性がある。
【００５９】
図４〜図６を参照して説明したように、一般的な基板処理装置では、管３８１に温度差が生じる。したがって、管３８１が傾く可能性がある。その結果、第１ノズル３８４の先端が上方に傾き、基板Ｗと接触する可能性がある。また、第２ノズル３８５の先端が下方に傾き、スピンベース３９２と接触する可能性がある。
【００６０】
図７を参照して、本発明の基板処理装置１００が備える流体供給部８０についてさらに説明する。図７は、流体供給部８０の一例を示す模式的な断面図である。図７において、長手方向Ｄ３は、管８１の長手方向を示す。
【００６１】
図７に示すように、第１配管８２と第２配管８３とは、互いに交差している。第１配管８２と第２配管８３とは接触していてもよいし、立体交差していてもよい。ここでは、第１配管８２と第２配管８３とは、互いにねじれている。詳しくは、第１配管８２と第２配管８３とは、互いに、螺旋状にねじれている。例えば、第１配管８２と第２配管８３との前後関係が入れ替わるように、第１配管８２と第２配管８３とは配置されている。
【００６２】
管８１の長手方向Ｄ３の温度分布が不均等になるように、第１配管８２と第２配管８３とが延びている。詳しくは、管８１の外周面８１ａにおいて、第１配管８２が通る部分と、第２配管８３が通る部分とが交互に現れる。すなわち、高温の第１流体が流れる部分と、低温の第２流体が流れる部分とが交互に現れる。同様に、管８１の外周面８１ｂにおいて、第１配管８２が通る部分と、第２配管８３が通る部分とが交互に現れる。すなわち、高温の第１流体が流れる部分と、低温の第２流体が流れる部分とが交互に現れる。したがって、外周面８１ａと外周面８１ｂとで、温度差が生じることを抑制することができる。その結果、管８１が傾くことを抑制することができる。
【００６３】
第１配管８２は、第１流出口８２１を有する。第１流出口８２１は、第１流体が流出する。第２配管８３は、第２流出口８３１を有する。第２流出口８３１は、第２流体が流出する。第１流出口８２１の近傍および第２流出口８３１の近傍において、第１配管８２と第２配管８３とは互いに交差している。ここでは第１配管８２と第２配管８３とは互いにねじれている。
【００６４】
図７に示した流体供給部８０において、第１配管８２と第２配管８３とはねじれていたが、第１配管８２と第２配管８３とはねじれていなくてもよい。
【００６５】
図８を参照して、流体供給部８０の別の一例について説明する。図８は、流体供給部８０の別の一例を示す模式的な断面図である。図８において、長手方向Ｄ３は、管８１の長手方向を示す。
【００６６】
図８に示すように、第１配管８２と第２配管８３とはねじれずに、交差している。ここでは、第１配管８２と第２配管８３とは、立体交差している。すなわち、ここでは、第１配管８２と第２配管８３との前後関係が入れ替わらずに、第１配管８２と第２配管８３とは配置されている。
【００６７】
図７に示した流体供給部８０と同様に、管８１の長手方向Ｄ３の温度分布が不均等になるように、第１配管８２と第２配管８３とが延びている。詳しくは、管８１の外周面８１ａにおいて、第１配管８２が通る部分と、第２配管８３が通る部分とが交互に現れる。すなわち、高温の第１流体が流れる部分と、低温の第２流体が流れる部分とが交互に現れる。同様に、管８１の外周面８１ｂにおいて、第１配管８２が通る部分と、第２配管８３が通る部分とが交互に現れる。すなわち、高温の第１流体が流れる部分と、低温の第２流体が流れる部分とが交互に現れる。したがって、外周面８１ａと外周面８１ｂとで、温度差が生じることを抑制することができる。その結果、管８１が傾くことを抑制することができる。
【００６８】
以上、図１〜図８を参照して説明したように、管８１の長手方向Ｄ３の温度分布が不均等になるように、第１配管８２と第２配管８３とが延びている。したがって、外周面８１ａと外周面８１ｂとで、温度差が生じることを抑制することができる。その結果、管８１が傾くことを抑制することができる。
【００６９】
また、第１配管８２と第２配管８３とは互いに交差している。したがって、高温の第１流体が流れる部分と、低温の第２流体が流れる部分とが交互に現れる。したがって、外周面８１ａと外周面８１ｂとで、温度差が生じることを抑制することができる。その結果、管８１が傾くことを抑制することができる。
【００７０】
また、第１配管８２と第２配管８３とは互いにねじれている。したがって、高温の第１流体が流れる部分と、低温の第２流体が流れる部分とが交互に現れる。したがって、外周面８１ａと外周面８１ｂとで、温度差が生じることを抑制することができる。その結果、管８１が傾くことを抑制することができる。
【００７１】
また、第１流出口８２１の近傍および第２流出口８３１の近傍において、第１配管８２と第２配管８３とは互いに交差している、または、第１配管８２と第２配管８３とは互いにねじれている。したがって、管８１が傾きやすい箇所において、外周面８１ａと外周面８１ｂとで、温度差が生じることを抑制することができる。その結果、管８１が傾くことを抑制することができる。
【００７２】
図９を参照して、流体供給部８０の別の一例について説明する。図９は、流体供給部８０の別の一例を示す断面図である。図９は、流体供給部８０のＺ軸方向からみた断面図を示す。図９において、周方向Ｄ４は、管８１の周方向を示す。
【００７３】
図９に示すように、第１配管８２は複数である。ここでは、第１配管８２は２つである。第２配管８３は複数である。ここでは、第２配管８３は２つである。なお、第１配管８２の数と、第２配管８３の数は、２つに限られず、３つ以上であってもよい。
【００７４】
管８１の周方向Ｄ４に沿った温度分布が回転対称になるように、第１配管８２と第２配管８３とが延びている。ここでは、第１配管８２と第２配管８３とは、管８１の周方向Ｄ４に沿って交互に配置されている。したがって、管８１の温度差が生じることを抑制することができる。その結果、管８１が傾くことを抑制することができる。第１配管８２と第２配管８３とは、周方向Ｄ４に沿って、等間隔になるように配置されている。
【００７５】
また、回転軸線ＡＸ１に対して第１配管８２と第２配管８３との配置は、回転対称である。したがって、管８１の温度差が生じることを抑制することができる。その結果、管８１が傾くことを抑制することができる。
【００７６】
以上、図面（図１〜図９）を参照しながら本発明の実施形態を説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である（例えば、下記に示す（１）〜（２））。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数等は、図面作成の都合上から実際とは異なる。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質や形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００７７】
（１）流体供給部８０は、第１ノズル８４および第２ノズル８５を有していたが、本発明はこれに限定されない。例えば、流体供給部８０は、第１ノズル８４および第２ノズル８５を有していなくてもよい。この場合、第１流体は、第１配管８２の第１流出口８２１から基板Ｗの裏面に向けて直接吐出される。また、第２流体は、第２配管８３の第２流出口８３１から基板Ｗの裏面に向けて直接吐出される。この場合、例えば、第１流体および第２流体は、上方または斜め上方に吐出される。流体供給部８０は、第１ノズル８４および第２ノズル８５を有していない場合においても、管８１の温度差が生じることを抑制することによって、管８１が傾くことを抑制することができる。その結果、基板Ｗの所望の位置に第１流体および第２流体を吐出することができる。
【００７８】
（２）流体供給部８０は、第１配管８２および第２配管８３を有していたが、本発明はこれに限定されない。例えば、流体供給部８０は、第１配管８２および第２配管８３に加えて、さらに１以上の第３配管をさらに有していてもよい。第３配管には、第３流体が流れる。管８１の長手方向Ｄ３の温度分布が不均等になるように、または、管８１の周方向Ｄ４に沿った温度分布が回転対称になるように、第１配管８２と第２配管８３と第３配管とは延びている。したがって、管８１の温度差が生じることを抑制することができる。その結果、管８１が傾くことを抑制することができる。
【符号の説明】
【００７９】
３        スピンチャック（基板保持部）
８０      流体供給部
８１      管
８２      第１配管
８３      第２配管
８４      第１ノズル
８５      第２ノズル
１００    基板処理装置
８２１    第１流出口
８３１    第２流出口
ＡＸ１    回転軸線
Ｄ１      第１方向
Ｄ２      第２方向
Ｄ３      長手方向
Ｄ４      周方向
Ｗ        基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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