(57)【要約】【課題】導電片と半導体素子とを接続する接続部材における発熱を抑え、斯かる接続部材での発熱による不具合の発生を未然に防止できる回路基板を提供する。【解決手段】ＦＥＴ１３の端子と接続する複数のバスバー１１１，１１２が一平面に設けられており、バスバー同士間に介在する第１絶縁領域１１４を備える電力回路３０であって、ＦＥＴ１３が固定されたバスバー１１１と、第１接続部１５にてバスバー１１２と接続し、ＦＥＴ１３のソース端子１３２をバスバー１１２と通電させる通電シート１４と、通電シート１４内に設けられ、ソース端子１３２とバスバー１１２とを通電させる第２接続部１４３とを備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の端子と接続する複数の導電片が一平面に設けられており、前記導電片同士間に介在する絶縁領域を備える回路基板であって、
前記半導体素子が固定された第１導電片と、
第１接続部にて第２導電片と接続し、前記半導体素子の一端子を前記第２導電片と通電させる通電シートと、
前記通電シート内に設けられ、前記一端子と前記第２導電片とを通電させる第２接続部とを備える回路基板。
【請求項２】
前記通電シートは、
前記一端子と前記第２導電片とを通電させる通電部と、
前記通電部を少なくとも前記第１導電片から絶縁させる絶縁シートとを有し、
前記第２接続部は、
内側から前記通電部が露出するように形成された凹部と、
前記凹部内に設けられ、前記通電部と前記第２導電片とを通電させる内側導電部とを有する請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第２接続部は前記絶縁領域付近に設けられている請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記内側導電部は、前記凹部の内側面に形成された環部である請求項２に記載の回路基板。
【請求項５】
前記内側導電部は、前記通電部及び前記第２導電片に溶着された半田である請求項２に記載の回路基板。
【請求項６】
前記通電部は板形状をなす請求項４又は５に記載の回路基板。
【請求項７】
前記通電シートはＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）である請求項１から６の何れか一つに記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、比較的小さな電流を導通させる回路を構成する導電パターンが形成された基板に対して、比較的大きな電流を導通させるための回路を構成する導電部材（バスバー等とも称される）が固定された回路基板が一般的に知られている。
【０００３】
一方、特許文献１には、一対のバスバーと、一対のバスバー上に実装されたパワー半導体と、パワー半導体を制御する制御部を実装する制御基板と、一対のバスバーの上面に配設されてパワー半導体の制御端子と制御基板とを電気的に接続するＦＰＣとを有する電気接続箱が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−２２０２７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したような回路基板においては、大きな電流を導通させることから導電部材に加え、斯かる導電部材と電子部品とを接続する接続部材においても大量の熱を発する。このように発生した熱は斯かる接続部材の断線などの熱的弊害を起こすのみではなく、周囲の電子部品等が二次的熱的弊害を被る恐れもある。
【０００６】
しかしながら、特許文献１の電気接続箱においては、このような問題については工夫されていない。
【０００７】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、導電片と半導体素子とを接続する接続部材における発熱を抑え、斯かる接続部材での発熱による不具合の発生を未然に防止できる回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様に係る回路基板は、半導体素子の端子と接続する複数の導電片が一平面に設けられており、前記導電片同士間に介在する絶縁領域を備える回路基板であって、前記半導体素子が固定された第１導電片と、第１接続部にて第２導電片と接続し、前記半導体素子の一端子を前記第２導電片と通電させる通電シートと、前記通電シート内に設けられ、前記一端子と前記第２導電片とを通電させる第２接続部とを備える。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の一態様によれば、導電片と半導体素子とを接続する接続部材における発熱を抑え、斯かる接続部材での発熱による不具合の発生を未然に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係る電気装置の正面図である。
【図２】本実施形態に係る電気装置の基板構造体の分解図である。
【図３】本実施形態に係る電気装置の基板構造体を上方から見た平面図である。
【図４】図３におけるＦＥＴの付近を拡大して示す拡大図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線による縦断面図である。
【図６】本実施形態に係る電力回路におけるＦＥＴの付近を拡大して示す拡大図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線による縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［本発明の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列挙して説明する。また、以下に記載する実施形態の少なくとも一部を任意に組み合わせてもよい。
【００１２】
（１）本開示の一態様に係る回路基板は、半導体素子の端子と接続する複数の導電片が一平面に設けられており、前記導電片同士間に介在する絶縁領域を備える回路基板であって、前記半導体素子が固定された第１導電片と、第１接続部にて第２導電片と接続し、前記半導体素子の一端子を前記第２導電片と通電させる通電シートと、前記通電シート内に設けられ、前記一端子と前記第２導電片とを通電させる第２接続部とを備える。
【００１３】
本態様にあっては、通電シートは第１接続部に加え、第２接続部でも第２導電片と接続している。
従って、半導体素子の一端子と第２導電片との間における電流の経路を拡大させ、前記一端子と第２導電片との通電を確実にできる。
【００１４】
（２）本開示の一態様に係る回路基板は、前記通電シートは、前記一端子と前記第２導電片とを通電させる通電部と、前記通電部を少なくとも前記第１導電片から絶縁させる絶縁シートとを有し、前記第２接続部は、内側から前記通電部が露出するように形成された凹部と、前記凹部内に設けられ、前記通電部と前記第２導電片とを通電させる内側導電部とを有する。
【００１５】
本態様にあっては、第２接続部では凹部内の内側導電部を介して通電部が第２導電片と接続している。
従って、第１接続部に加え、第２接続部においても、半導体素子の一端子と第２導電片との電気的接続ができ、前記一端子と第２導電片との通電を確実にできる。
【００１６】
（３）本開示の一態様に係る回路基板は、前記第２接続部は前記絶縁領域付近に設けられている。
【００１７】
本態様にあっては、第２接続部が絶縁領域付近に設けられているので、半導体素子の一端子と第２導電片との間の電流の経路である通電シートの長さを最大限に短縮でき、通電シートでの抵抗を低減できる。
【００１８】
（４）本開示の一態様に係る回路基板は、前記内側導電部は、前記凹部の内側面に形成された環部である。
【００１９】
本態様にあっては、第２接続部では環部である内側導電部を介して通電部が第２導電片と電気的に接続している。
従って、通電シート（通電部）で発生する熱が、第２接続部（内側導電部）を介して第２導電片に伝導され、通電シートでの発熱による不具合を未然に防止できる。また、内側導電部が環部であるので、空気による空冷を期待できる。
【００２０】
（５）本開示の一態様に係る回路基板は、前記内側導電部は、前記通電部及び前記第２導電片に溶着された半田である。
【００２１】
本態様にあっては、第２接続部では半田の塊である内側導電部を介して通電部が第２導電片と電気的に接続している。
従って、通電シート（通電部）で発生する熱が、第２接続部（内側導電部）を介して第２導電片に伝導され、通電シートでの発熱による不具合を未然に防止できる。また、内側導電部と第２導電片との接続面積を増やし、熱の伝達及び電流の流れを増加させる。
【００２２】
（６）本開示の一態様に係る回路基板は、前記通電部は板形状をなす。
【００２３】
本態様にあっては、前記通電部は板形状をなすので、抵抗を減らし、通電シート（通電部）における発熱を抑えることができる。
【００２４】
（７）本開示の一態様に係る回路基板は、前記通電シートはＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）である。
【００２５】
本態様にあっては、通電シートとしてＦＰＣを用いる。従って、回路基板の製造工程を簡素化できる。
【００２６】
[本発明の実施形態の詳細]
本発明をその実施形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。本開示の実施形態に係る回路基板を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００２７】
以下においては、本実施形態に係る回路基板を備えた電気装置を例に挙げて説明する。（実施形態１）
図１は、本実施形態に係る電気装置１の正面図である。
電気装置１は、車両が備えるバッテリなどの電源と、ランプ、ワイパ等の車載電装品又はモータなどからなる負荷との間の電力供給経路に配される電気接続箱を構成する。電気装置１は、例えばＤＣ−ＤＣコンバータ、インバータなどの半導体素子として用いられる。
【００２８】
電気装置１は、基板構造体１０と、基板構造体１０を支持する支持部材２０とを備える。図２は、本実施形態に係る電気装置１の基板構造体１０の分解図である。
本実施形態では、便宜上、図１及び図２に示す前後、左右、上下の各方向により、電気装置１の「前」、「後」、「左」、「右」、「上」、「下」を定義する。以下では、このように定義される前後、左右、上下の各方向を用いて説明する。
【００２９】
基板構造体１０は、電力回路を構成するバスバー及びバスバーに実装される半導体素子等を有する電力回路３０（回路基板）と、電力回路３０のオン／オフ等を制御する制御回路１２とを備える。半導体素子は、電気装置１の用途に応じて適宜実装され、例えばＦＥＴ（Field Effect Transistor）などのスイッチング素子、抵抗、コイル、コンデンサ等を含む。
【００３０】
支持部材２０は、上面に基板構造体１０を支持する支持面２１１を有する基部２１と、支持面２１１とは反対側の面（下面２１２）に設けられた放熱部２２と、放熱部２２を挟んで基部２１の左右両端に設けられた複数の脚部（図示せず）とを備える。支持部材２０が備える基部２１、放熱部２２、及び前記脚部は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料を用いたダイキャストにより一体的に成形される。
【００３１】
基部２１は、適宜の厚みを有する矩形状の平板部材である。基部２１の支持面２１１には、接着、ネジ止め、ハンダ付け等の公知の方法にて、基板構造体１０が固定される。
【００３２】
放熱部２２は、基部２１の下面２１２から下方に向けて突出した複数の放熱フィン２２１を備え、基板構造体１０から発せられる熱を外部へ放熱する。複数の放熱フィン２２１は、左右方向に延びると共に、前後方向に間隔を隔てて並設されている。 
【００３３】
図３は、本実施形態に係る電気装置１の基板構造体１０を上方から見た平面図である。図３においては、説明の便宜上、制御回路１２を除去した状態での基板構造体１０を示している。
【００３４】
基板構造体１０は、電力回路３０と、電力回路３０にオン／オフ信号を与える制御回路が実装された制御回路１２と、電力回路３０及び制御回路１２を収容する収容部１１とを備える。制御回路１２及び電力回路３０は夫々分離して設けられている。
【００３５】
電力回路３０は、バスバー１１１，１１２（導電片）と、制御回路１２からの制御信号が入力され、入力された制御信号に基づき通電／非通電を切り替える半導体スイッチング素子１３（半導体素子）とを少なくとも備える。
【００３６】
電力回路３０は、バスバー１１１，１１２が同一平面に設けられており、回路パターン等を有する基板部１１３がバスバー１１１，１１２と同一平面に更に設けられている。バスバー１１１及びバスバー１１２の間には第１絶縁領域１１４が介在しており、バスバー１１２及び基板部１１３の間には第２絶縁領域１１５が介在している。
【００３７】
バスバー１１１は矩形の板状をなしており、バスバー１１１の隣り合う２つの辺付近にバスバー１１２が設けられている。バスバー１１１と同様、バスバー１１２も板状をなしている。バスバー１１２は基板部１１３とバスバー１１１との間に介在している。バスバー１１１及びバスバー１１２は、銅又は銅合金等の金属材料により形成された導電性板部材である。
【００３８】
第１絶縁領域１１４及び第２絶縁領域１１５は、例えばフェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂材料を用いたインサート成形により製造される。第１絶縁領域１１４及び第２絶縁領域１１５は、例えば、収容部１１と一体形成されても良い。
【００３９】
半導体スイッチング素子１３は、例えばＦＥＴ（より具体的には面実装タイプのパワーＭＯＳＦＥＴ）であり、バスバー１１１又はバスバー１１２の上に配置される。即ち、本実施形態に係る電力回路３０においては、半導体スイッチング素子１３（以下、ＦＥＴ１３と称する）がバスバー１１１及びバスバー１１２に跨るように配置されず、バスバー１１１又はバスバー１１２の何れかに固定される。本実施形態においては、説明の便宜上、ＦＥＴ１３がバスバー１１１に固定されている場合を例として説明する。
【００４０】
また、バスバー１１１，１１２の上側にはＦＥＴ１３の他に、ツェナーダイオード等の半導体素子が実装されてもよい。
なお、図３の例では、説明の便宜上、ＦＥＴ１３を１つだけ実装した構成について示したが、これに限定されるものでなく、複数のＦＥＴ１３が実装されても良いことは言うまでもない。
【００４１】
図４は、図３におけるＦＥＴ１３の付近を拡大して示す拡大図であり、図５は、図４のＶ−Ｖ線による縦断面図である。
ＦＥＴ１３は、素子本体１３４と、素子本体１３４を挟んで相互反対側に４つのドレイン端子１３１及び３つのソース端子１３２を有する。例えば、素子本体１３４の一側面側にドレイン端子１３１が設けられ、前記一側面と対向する側面側にソース端子１３２が設けられている。また、ＦＥＴ１３はゲート端子１３５を有し、例えばゲート端子１３５はソース端子１３２の付近に設けられている。しかし、ゲート端子１３５の位置はこれに限定されるものではない。
【００４２】
本実施形態においては、ＦＥＴ１３がバスバー１１１に固定され、ソース端子１３２が通電シート１４を介してバスバー１１２と電気的に接続する場合を例に説明するが、これに限定されるものでない。ＦＥＴ１３がバスバー１１２に固定され、ドレイン端子１３１が通電シート１４を介してバスバー１１１と電気的に接続する構成であっても良い。
【００４３】
ドレイン端子１３１、ソース端子１３２及びゲート端子１３５は、素子本体１３４から外側に向けて直線状に延設されている。ドレイン端子１３１、ソース端子１３２及びゲート端子１３５は屈曲部を有しておらず、延設先までの長さを抑え、電力回路３０のコンパクト化を図っている。
【００４４】
ＦＥＴ１３は半田付けによってバスバー１１１に固定されている。即ち、ＦＥＴ１３の底面とバスバー１１１との間には半田固定部１３３が介在している。半田固定部１３３は、ＦＥＴ１３の底面の少なくとも一部をバスバー１１１に半田付けしている。
ＦＥＴ１３のドレイン端子１３１は半田固定部１３３に半田接続され、半田固定部１３３を介してバスバー１１１と電気的に接続している。即ち、ドレイン端子１３１は直接的にバスバー１１１と電気的接続している。
【００４５】
一方、ＦＥＴ１３のソース端子１３２は、通電シート１４を介して、第１絶縁領域１１４を挟んで隔てられたバスバー１１２と電気的に接続されている。即ち、通電シート１４は、第１絶縁領域１１４を跨るように、バスバー１１１，１１２上に設けられている。
通電シート１４はソース端子１３２とバスバー１１２とを電気的に接続させる、線状の通電部１４１（図４中、破線にて表示）と、通電部１４１をバスバー１１１から絶縁させる絶縁部１４２（絶縁シート）とを有する。通電部１４１の一端はソース端子１３２に半田接続されており、通電部１４１の他端はバスバー１１２に半田接続されている。即ち、通電シート１４の他端は第１接続部１５を介してバスバー１１２と電気的に接続している。
【００４６】
例えば、通電部１４１は銅箔からなり、絶縁部１４２はシート状の樹脂からなっており、絶縁部１４２の内部に通電部１４１が埋設されている。通電シート１４は、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）であっても良い。
また、これに限るものではなく、通電部１４１が絶縁部１４２上に貼り付けられても良い。
【００４７】
通電シート１４は、第１接続部１５に加え、ソース端子１３２とバスバー１１２と電気的に接続させる第２接続部１４３を通電部１４１毎に設けている。第２接続部１４３は通電シート１４内に、かつ、通電シート１４の厚み方向において、通電部１４１と整合する位置に設けられている。
【００４８】
第２接続部１４３は、通電シート１４の厚み方向において、通電シート１４のバスバー１１１，１１２側の表面から、少なくとも通電部１４１の一部までの深さを有する凹部１４３Ａを有する。即ち、凹部１４３Ａは通電部１４１を含む絶縁部１４２の一部を取り除くように形成されているので、凹部１４３Ａの内側から通電部１４１が露出されている。凹部１４３Ａは、例えば、通電シート１４を厚み方向に貫通する貫通孔であっても良い。本実施形態においては、凹部１４３Ａが円形の貫通孔である場合を例に説明する。
【００４９】
第２接続部１４３は、凹部１４３Ａ内に設けられ、通電部１４１とバスバー１１２とを通電させる内側導電部１４３Ｂを有する。例えば、内側導電部１４３Ｂは、凹部１４３Ａの内側面に形成された環部である。
詳しくは、内側導電部１４３Ｂは、凹部１４３Ａの内側面に沿ってメッキ処理された導電物層であっても良く、凹部１４３Ａの内径と同一の外径を有して凹部１４３Ａに内嵌された円筒状の導電体であっても良い。
本実施形態においては、内側導電部１４３Ｂが円筒状である場合を例に説明するが、これに限定されるものでなく、四角筒状であっても良い。
【００５０】
このように、通電部１４１が凹部１４３Ａの内側から露出されており、凹部１４３Ａの内側面には環部の内側導電部１４３Ｂが設けられているので、通電部１４１とバスバー１１２とは内側導電部１４３Ｂを介して通電される。
【００５１】
第２接続部１４３は、図４に示すように、第１絶縁領域１１４の付近に設けられている。便宜上、図４においては、後述する遠方接続シート１６によって隠された第１絶縁領域１１４を一点鎖線にて表している。例えば、第２接続部１４３は、その直径の３０％程度を第１絶縁領域１１４から離れて設けられる。
【００５２】
また、ＦＥＴ１３のゲート端子１３５は、遠方接続シート１６を介して、バスバー１１２より遠方の基板部１１３と電気的に接続されている。遠方接続シート１６は、バスバー１１１，１１２上に設けられ、バスバー１１１からバスバー１１２に亘って基板部１１３まで延びている。
【００５３】
遠方接続シート１６はゲート端子１３５と基板部１１３とを電気的に接続させる通電線１６１と、通電線１６１をバスバー１１１，１１２から絶縁させる絶縁シート１６２とを有する。
通電線１６１の一端はゲート端子１３５に半田接続されており、通電線１６１の他端は基板部１１３の回路パターン（図示せず）に半田接続されている。通電線１６１は銅線又は銅箔からなり、絶縁シート１６２は樹脂からなる。絶縁シート１６２は、通電線１６１に沿って、バスバー１１１，１１２上に貼り付けられている。また、絶縁シート１６２は、通電線１６１の付近に加え、ＦＥＴ１３の付近を含むバスバー１１１，１１２の所定範囲を覆っている。
【００５４】
基板部１１３は、例えば絶縁基板を有し、斯かる絶縁基板の上面には、抵抗、コイル、コンデンサ、ダイオード等の半導体素子を備えた制御回路（図示せず）が実装されると共に、これらの半導体素子を電気的に接続する回路パターンが形成されても良い。
【００５５】
上述のように、本実施形態に係る電力回路３０においては、ソース端子１３２とバスバー１１２とが通電シート１４によって電気的に接続されており、通電シート１４は第１接続部１５に加え、第２接続部１４３でもバスバー１１２と接続している。
従って、ソース端子１３２とバスバー１１２との間における電流の経路を拡大させており、ソース端子１３２とバスバー１１２との通電を確実にしている。
【００５６】
また、第２接続部１４３が、バスバー１１２における第１絶縁領域１１４の付近に設けられているので、ソース端子１３２とバスバー１１２との間における電流経路の長さを極力短縮させることができる。従って、抵抗を減らし、通電シート１４における発熱を抑えることができる。
【００５７】
なお、通電部１４１とバスバー１１２とが第２接続部１４３（内側導電部１４３Ｂ）を介して互いに接触している。よって、通電シート１４（通電部１４１）で発生する熱が、第２接続部１４３（内側導電部１４３Ｂ）を介してバスバー１１２に伝導される。従って、通電シート１４での発熱による不具合を未然に防止でき、かつ、通電シート１４の熱をバスバー１１２に分散させ、放熱の効率を高めることができる。
【００５８】
（実施形態２）
図６は、本実施形態に係る電力回路３０におけるＦＥＴ１３の付近を拡大して示す拡大図であり、図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線による縦断面図である。
ＦＥＴ１３はバスバー１１１に固定され、ソース端子１３２が通電シート１４を介してバスバー１１２と電気的に接続している。
【００５９】
ＦＥＴ１３は半田付けによってバスバー１１１に固定されている。即ち、ＦＥＴ１３の底面とバスバー１１１との間には半田固定部１３３が介在している。ドレイン端子１３１は直接的にバスバー１１１と電気的接続している。
【００６０】
一方、ＦＥＴ１３のソース端子１３２は、通電シート１４を介して、バスバー１１２と電気的に接続されている。即ち、通電シート１４は、第１絶縁領域１１４を跨るように、バスバー１１１，１１２上に設けられている。
通電シート１４はソース端子１３２とバスバー１１２とを電気的に接続させる通電部１４１Ａ（図６中、破線にて表示）と、通電部１４１をバスバー１１１から絶縁させる絶縁部１４２（絶縁シート）とを有する。通電部１４１の一端はソース端子１３２に半田接続されており、通電部１４１の他端は第１接続部１５を介してバスバー１１２に半田接続されている。
【００６１】
例えば、通電部１４１Ａは銅箔からなり、矩形の板状をなす。また、絶縁部１４２はシート状の樹脂からなっている。絶縁部１４２は、通電部１４１Ａとバスバー１１１，１１２との間に介在しており、通電部１４１Ａは絶縁部１４２より小さい面積を有する。通電シート１４は、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）であっても良い。
【００６２】
通電シート１４は、第１接続部１５に加え、ソース端子１３２とバスバー１１２と電気的に接続させる３つの第２接続部１４４を更に有する。第２接続部１４４は通電シート１４内に、かつ、通電シート１４の厚み方向において、通電部１４１Ａと整合する位置に設けられている。
【００６３】
第２接続部１４４は、通電シート１４の厚み方向において、通電シート１４のバスバー１１１，１１２側の表面から、少なくとも通電部１４１Ａの一部までの深さを有する凹部１４４Ａを有する。即ち、凹部１４４Ａは通電部１４１Ａを含む絶縁部１４２の一部を取り除くように形成されているので、凹部１４４Ａの内側から通電部１４１Ａが露出されている。凹部１４４Ａは、例えば、通電シート１４を厚み方向に貫通する貫通孔であっても良い。本実施形態においては、凹部１４４Ａが円形の貫通孔である場合を例に説明する。
【００６４】
第２接続部１４４は、凹部１４４Ａ内に設けられ、通電部１４１Ａとバスバー１１２とを通電させる内側導電部１４４Ｂを有する。例えば、内側導電部１４４Ｂは、凹部１４４Ａの内側面に形成された半田である。
具体的に、内側導電部１４４Ｂは、半田付けによって通電部１４１Ａ及びバスバー１１２に溶着された半田の塊であり、凹部１４４Ａに倣う形状を有する。即ち、内側導電部１４４Ｂは、凹部１４４Ａの内径と同じ寸法の外径を有する円柱状を有し、凹部１４４Ａに内嵌されている。
【００６５】
このように、通電部１４１Ａが凹部１４４Ａの内側から露出されており、凹部１４４Ａの内側には半田の塊である内側導電部１４４Ｂが内嵌されているので、通電部１４１Ａとバスバー１１２とは内側導電部１４４Ｂを介して通電される。
【００６６】
第２接続部１４４は、図６に示すように、第１絶縁領域１１４の付近に設けられている。便宜上、図６においては、遠方接続シート１６によって隠された第１絶縁領域１１４を一点鎖線にて表している。
【００６７】
また、ＦＥＴ１３のゲート端子１３５は、遠方接続シート１６を介して、バスバー１１２より遠方の基板部１１３と電気的に接続されている。基板部１１３は、例えば絶縁基板を有し、斯かる絶縁基板の上面には、抵抗、コイル、コンデンサ、ダイオード等の半導体素子を備えた制御回路（図示せず）が実装される。
遠方接続シート１６及び基板部１１３は、実施形態１と同じ構成を有しており、詳しい説明を省略する。
【００６８】
上述のように、本実施形態に係る電力回路３０においては、ソース端子１３２とバスバー１１２とが通電シート１４によって電気的に接続されており、通電シート１４は第１接続部１５に加え、第２接続部１４４でもバスバー１１２と接続している。
従って、ソース端子１３２とバスバー１１２との間における電流の経路を拡大させており、ソース端子１３２とバスバー１１２との通電を確実にしている。
【００６９】
また、第２接続部１４４が、バスバー１１２における第１絶縁領域１１４の付近に設けられているので、ソース端子１３２とバスバー１１２との間における電流経路の長さを極力短縮させることができる。従って、抵抗を減らし、通電シート１４における発熱を抑えることができる。
【００７０】
また、通電部１４１Ａが板状をなすので、ソース端子１３２とバスバー１１２との間における通電の際、抵抗を減らせることができ、通電シート１４における発熱を抑えることができる。
【００７１】
また、通電部１４１Ａが板状をなすので空気に触れる面積が増えており、空冷によって通電シート１４における発熱を抑えることができる。
【００７２】
なお、通電部１４１Ａとバスバー１１２とが第２接続部１４４（内側導電部１４４Ｂ）を介して互いに接触している。よって、通電シート１４（通電部１４１Ａ）で発生する熱が、第２接続部１４４（内側導電部１４４Ｂ）を介してバスバー１１２に伝導される。従って、通電シート１４での発熱による不具合を未然に防止でき、かつ、通電シート１４の熱をバスバー１１２に分散させ、放熱の効率を高めることができる。
【００７３】
以上においては、通電シート１４に３つの第２接続部１４４が設けられた場合を例に挙げて説明したが、これに限定されるものでない。第２接続部１４４の数を３つ以上に増やしてもよく、この場合は上述の効果を高めることができる。
【００７４】
実施形態１及び実施形態２においては、ＦＥＴ１３がバスバー１１１に固定されており、ＦＥＴ１３のドレイン端子１３１がバスバー１１１と直接接続され、ＦＥＴ１３のソース端子１３２が通電シート１４を介してバスバー１１２と接続する場合を例に挙げて説明した。しかし、本実施形態はこれに限るものでない。ＦＥＴ１３がバスバー１１２に固定されており、ＦＥＴ１３のソース端子１３２がバスバー１１２と直接接続され、ＦＥＴ１３のドレイン端子１３１が通電シート１４を介してバスバー１１１と接続する構成であっても良い。
【００７５】
また、実施形態１の第２接続部１４３（内側導電部１４３Ｂ）を、実施形態２の通電シート１４に適用しても良く、実施形態２の第２接続部１４４（内側導電部１４４Ｂ）を、実施形態１の通電シート１４に適用しても良い。
【００７６】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００７７】
１０  基板構造体
１３  ＦＥＴ
１４  通電シート
１５  第１接続部
１８  上側半導体素子
３０  電力回路
１１１  バスバー（第１導電片、第２導電片）
１１２  バスバー（第２導電片、第１導電片）
１１４  第１絶縁領域
１３１  ドレイン端子
１３２  ソース端子
１３４  素子本体
１３５  ゲート端子
１４１，１４１Ａ  通電部
１４２  絶縁部
１４３，１４４  第２接続部
１４３Ａ，１４４Ａ  凹部
１４３Ｂ，１４４Ｂ  内側導電部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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