(57)【要約】      （修正有）【課題】ＬＥＤの輝度の向上を図れるＬＥＤウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】ＬＥＤの加工方法は、サファイア基板の上面に分割予定ラインによって区画された領域にＬＥＤが複数形成されたＬＥＤウエーハを加工するＬＥＤウエーハの加工方法であって、切り刃の先端部がＶ形状に形成されたＶ形状切削ブレード７１、７２、７３を準備するＶ形状切削ブレード準備工程と、Ｖ形状切削ブレード７１、７２、７３が回転可能に装着された切削手段と裏面１０ｂが露出したＬＥＤウエーハ１０が保持された保持手段５２とを相対的に加工送りして、ＬＥＤウエーハの裏面１０ｂの分割予定ラインに対応する位置に面取り部１０２を形成する面取り加工を施す面取り工程と、から少なくとも構成される。【選択図】図６
2020013962.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイア基板の上面に分割予定ラインによって区画された領域にＬＥＤが複数形成されたＬＥＤウエーハを加工するＬＥＤウエーハの加工方法であって、
切り刃の先端部がＶ形状に形成されたＶ形状切削ブレードを準備するＶ形状切削ブレード準備工程と、
該Ｖ形状切削ブレードが回転可能に装着された切削手段と裏面が露出したＬＥＤウエーハが保持された保持手段とを相対的に加工送りして、ＬＥＤウエーハの裏面の分割予定ラインに対応する位置に面取り部を形成する面取り加工を施す面取り工程と、
から少なくとも構成されるＬＥＤウエーハの加工方法。
【請求項２】
該Ｖ形状切削ブレード準備工程において、切り刃の先端部がなす角度が異なる複数のＶ形状切削ブレードを準備し、該面取り工程において、該複数のＶ形状切削ブレードにより多面的に面取り加工を施す請求項１に記載のＬＥＤウエーハの加工方法。
【請求項３】
該Ｖ形状切削ブレード準備工程において準備されるＶ形状切削ブレードは３種類であり、該Ｖ形状切削ブレードの切り刃の先端部がなす角度は、それぞれ、１１０°〜１３０°、８０°〜１００°、及び５０°〜７０°の３種類である請求項２に記載のＬＥＤウエーハの加工方法。
【請求項４】
該Ｖ形状切削ブレードは、ダイヤモンド砥粒を含んで構成され、該ダイヤモンド砥粒の粒径は、＃１８００〜＃２２００である、請求項１乃至３のいずれかに記載されたＬＥＤウエーハの加工方法。
【請求項５】
該面取り工程において、該Ｖ形状切削ブレード毎に切り込み深さを段階的に深くして、複数回に渡り同じ分割予定ラインに対応する位置に沿って面取り工程を実施する請求項２乃至４のいずれかに記載のＬＥＤウエーハの加工方法。
【請求項６】
該面取り工程において段階的に深くする際の切り込み深さは、０．０４ｍｍ〜０．０６ｍｍである請求項５に記載のＬＥＤウエーハの加工方法。
【請求項７】
該面取り工程の前、又は後に、ＬＥＤウエーハの分割予定ラインに沿って分割の起点を形成する加工を施す分割起点形成工程を含む、請求項１乃至６のいずれかに記載のＬＥＤウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サファイア基板の上面にＬＥＤが複数形成されたＬＥＤウエーハを加工するＬＥＤウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
サファイア基板の上面に分割予定ラインによって区画された領域にＬＥＤが複数形成されたＬＥＤウエーハは、レーザー加工装置を利用して個々のＬＥＤチップに分割され、携帯電話、照明機器等の電気機器に利用される。
【０００３】
一般的にサファイアは硬度が高く、切削ブレードを使用する切削装置では時間が掛かり、効率よくＬＥＤウエーハを分割して個々に分割されたＬＥＤチップを生産することが困難であることから、レーザー加工装置を用いてＬＥＤチップに分割する方法が実施されている。
【０００４】
サファイア基板の加工を実現するレーザー加工装置としては、サファイアに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射して分割予定ラインにアブレーション加工を施し、分割溝を形成するタイプのもの（例えば、特許文献１を参照。）と、サファイアに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射して分割予定ラインの内部に分割起点となる改質層を形成し、外力を付与することにより分割するタイプのもの（例えば、特許文献２を参照。）と、が存在し、ウエーハを個々のＬＥＤチップに分割することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特許第３４０８８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記したレーザー加工装置によれば、切削ブレードを用いる加工に比べ、サファイア基板からなるＬＥＤウエーハを効率よく個々のＬＥＤチップに分割することは可能である。しかし、分割されたＬＥＤチップの分割面（側面）がレーザー光線の照射によって変質し、この変質した側面がＬＥＤチップの輝度を低下させることが問題となっている。
【０００７】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ＬＥＤの輝度の向上を図れるＬＥＤウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、サファイア基板の上面に分割予定ラインによって区画された領域にＬＥＤが複数形成されたＬＥＤウエーハを加工するＬＥＤウエーハの加工方法であって、切り刃の先端部がＶ形状に形成されたＶ形状切削ブレードを準備するＶ形状切削ブレード準備工程と、該Ｖ形状切削ブレードが回転可能に装着された切削手段と裏面が露出したＬＥＤウエーハが保持された保持手段とを相対的に加工送りして、ＬＥＤウエーハの裏面の分割予定ラインに対応する位置に面取り部を形成する面取り加工を施す面取り工程と、から少なくとも構成されるＬＥＤウエーハの加工方法が提供される。
【０００９】
好ましくは、該Ｖ形状切削ブレード準備工程において、切り刃の先端部がなす角度が異なる複数のＶ形状切削ブレードを準備し、該面取り工程において、該複数のＶ形状切削ブレードにより多面的に面取り加工を実施する。また、該Ｖ形状切削ブレード準備工程において準備されるＶ形状切削ブレードは３種類であり、該Ｖ形状切削ブレードの切り刃の先端部がなす角度は、それぞれ、１１０°〜１３０°、８０°〜１００°、及び５０°〜７０°の３種類とすることができる。そして、該Ｖ形状切削ブレードは、ダイヤモンド砥粒を含んで構成され、該ダイヤモンド砥粒の粒径は、＃１８００〜＃２２００であることが好ましい。
【００１０】
また、より好ましくは、該面取り工程において、該Ｖ形状切削ブレード毎に切り込み深さを段階的に深くして、複数回に渡り同じ分割予定ラインに対応する位置に沿って面取り工程を実施することができ、該面取り工程において段階的に深くする際の切り込み深さは、０．０４ｍｍ〜０．０６ｍｍであることが好ましく、該面取り工程の前、又は後に、ＬＥＤウエーハの分割予定ラインに沿って分割の起点を形成する加工を施す分割起点形成工程を含むこととしてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のＬＥＤウエーハの加工方法は、サファイア基板の上面に分割予定ラインによって区画された領域にＬＥＤが複数形成されたＬＥＤウエーハを加工するＬＥＤウエーハの加工方法であって、切り刃の先端部がＶ形状に形成されたＶ形状切削ブレードを準備するＶ形状切削ブレード準備工程と、該Ｖ形状切削ブレードが回転可能に装着された切削手段と裏面が露出したＬＥＤウエーハが保持された保持手段とを相対的に加工送りして、ＬＥＤウエーハの裏面の分割予定ラインに対応する位置に面取り部を形成する面取り加工を施す面取り工程と、から少なくとも構成されていることから、ＬＥＤチップの裏面に面取り加工が施されて、輝度の向上を図ることができる。さらに、Ｖ形状切削ブレード準備工程において、切り刃の先端部がなす角度が異なる複数のＶ形状切削ブレードを準備し、複数のＶ形状切削ブレードにより、多面的に面取り加工を施すことによって、個々に分割されるＬＥＤチップの裏面に擬似的な曲面となる面取り部を形成し、さらに輝度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】支持基板にＬＥＤウエーハを支持させて一体化ユニットを構成する態様を示す斜視図である。
【図２】図１に示す一体化ユニットをレーザー加工装置の保持テーブルに保持する態様を示す斜視図である。
【図３】（ａ）図１に示すＬＥＤウエーハに対して、分割起点形成工程を実施する態様を示す斜視図、（ｂ）ＬＥＤウエーハに形成された分割起点を示すＬＥＤウエーハの一部拡大側面図、（ｃ）分割起点形成工程を経て分割起点が形成されたＬＥＤウエーハの斜視図、（ｄ）分割起点形成後に個々のＬＥＤチップに分割した場合のＬＥＤウエーハの一部拡大側面図である。
【図４】Ｖ形状切削ブレード準備工程、及びＶ形状切削ブレードを回転スピンドルに装着する態様を示す斜視図である。
【図５】分割起点が形成されたＬＥＤウエーハを切削装置の保持テーブルに保持させる態様を示す斜視図である。
【図６】面取り工程の実施態様を説明するための斜視図である。
【図７】（ａ）第一のＶ形状切削ブレードによって面取りされたＬＥＤウエーハの一部拡大側面図、（ｂ）第一のＶ形状切削ブレードに加え、第二のＶ形状切削ブレードによって面取りされたＬＥＤウエーハの一部拡大側面図、（ｃ）第一のＶ形状切削ブレード、第二のＶ形状切削ブレードに加え、第三のＶ形状切削ブレードによって面取りされたＬＥＤウエーハの一部拡大側面図である。
【図８】ＬＥＤウエーハを、ダイシングテープを介してフレームに保持させる態様を示す斜視図である。
【図９】分割装置によってＬＥＤウエーハを個々のＬＥＤチップに分割し、ピックアップ手段によってピックアップする態様を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係るＬＥＤウエーハの加工方法ついて、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。
【００１４】
まず、本実施形態のＬＥＤウエーハの加工方法を実施するに際し、図１に示すように、被加工物となるＬＥＤウエーハ１０を用意する。ＬＥＤウエーハ１０は、厚さが０．４５ｍｍのサファイア基板の上面に、分割予定ライン１２によって区画された領域にＬＥＤ１４が複数形成されている。ＬＥＤウエーハ１０の外周には、結晶方位を示す水平部、所謂オリエンテーションフラット１６が形成されている。ＬＥＤ１４が形成された側が表面１０ａであり、反対側が裏面１０ｂである。
【００１５】
上記したＬＥＤウエーハ１０を用意したならば、図１に示すように、ＬＥＤウエーハ１０よりも僅かに大きい円板形状の支持基板２０を用意する。支持基板２０は、所定の剛性を有する基板であり、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）から形成される。そして、図に示すように、ＬＥＤウエーハ１０の表面１０ａ側を支持基板２０の上面２０ａに向けて、中心を一致させて貼着し一体化ユニット３０とする。支持基板２０に対してＬＥＤウエーハ１０を貼着する際には、ＬＥＤウエーハ１０の表面１０ｂにワックス等を塗布して密着強度を高める。
【００１６】
（分割起点形成工程）
ＬＥＤウエーハ１０と支持基板２０を合わせて一体化ユニット３０を形成したならば、分割予定ラインに沿って分割起点を形成するための分割起点形成工程を実施する。分割起点形成工程を実施すべく、一体化ユニット３０を、図２に示すレーザー加工装置４０（一部のみを示している。）に搬送し、レーザー加工装置４０の保持テーブル４２の吸着チャック４２ａ上に支持基板２０側を下にして載置する。吸着チャック４２ａは、支持基板２０よりも僅かに小さい寸法形状で形成されており、保持テーブル４２に接続された図示しない吸引手段を作動して一体化ユニット３０を吸引保持する。
【００１７】
レーザー加工装置４０は、図３に示すように、レーザー光線照射手段４４（一部のみ示している。）を備えており、図示しないレーザー発振器から発振されたサファイア基板に対して吸収性を有する波長（２６６ｎｍ）のレーザー光線ＬＢを、レーザー光線照射手段４４に配設された集光レンズ４６によって集光し、保持テーブル４２に吸引保持されたＬＥＤウエーハ１０に対して照射することができる。
【００１８】
一体化ユニット３０を保持テーブル４２に吸引保持したならば、図示しない撮像カメラ等を含むアライメント手段を用いて、保持テーブル４２に吸引保持されたＬＥＤウエーハ１０の裏面１０ｂの分割予定ライン１２に対応する位置と、レーザー光線照射手段４４によるレーザー光線ＬＢの照射位置との位置合わせ（アライメント）を行う。
【００１９】
上記したアライメントを終えたならば、所定の分割予定ライン１２上の加工開始位置となる端部上方にレーザー光線照射手段４４を位置付け、レーザー光線ＬＢの集光点位置をＬＥＤウエーハ１０の分割予定ライン１２に対応する裏面１０ｂに位置付ける。レーザー光線ＬＢの集光点位置を分割予定ライン１２に対応する裏面１０ｂに位置付けたならば、図３に示すように、保持テーブル４２を矢印Ｘで示す方向に、例えば９０ｍｍ／秒の速度で加工送りして分割予定ライン１２に対応する裏面１０ｂに沿ってアブレーション加工を実施して、図３（ｂ）に示すようなレーザー加工溝からなる分割起点１００を形成する。所定の分割予定ライン１２に対応する裏面１０ｂ上に分割起点１００を形成したならば、既に分割起点１００を形成した分割予定ライン１２に隣接し、まだ分割起点１００が形成されていない分割予定ライン１２に対応した位置にレーザー光線照射手段４４を割り出し送りして、同様のレーザー加工を実施して、分割起点１００を形成する。このようにして、所定の方向に沿う分割予定ライン１２の全てに対応した位置に分割起点１００を形成したならば、保持テーブル４２を９０°回転して、先に分割起点１００を形成した分割予定ライン１２に直交する未加工の分割予定ライン１２に対応する位置に対しても同様のレーザー加工を行い、図３（ｃ）に示すように、全ての分割予定ライン１２に対応する裏面１０ｂに対して分割起点１００を形成する。以上により、分割起点形成工程が完了する。
【００２０】
上記した分割起点形成工程におけるレーザー加工条件は、例えば、次のように設定される。
波長                        ：２６６ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数              ：５０ｋＨｚ
パルス幅                    ：１０ｎｓ
平均出力                    ：１Ｗ
集光スポット径              ：φ１０μｍ
加工送り速度                ：９０ｍｍ／秒
【００２１】
上記した分割起点形成工程を実施したならば、切り刃の先端部がＶ形状に形成されたＶ形状切削ブレードを準備するＶ形状切削ブレード準備工程と、ＬＥＤウエーハ１０の裏面１０ｂの分割予定ライン１２に沿って切削加工を実施して面取り部を形成する面取り工程を実施する。以下に、図４〜図７を参照しながら、Ｖ字形状切削ブレード準備工程、及び面取り工程について説明する。
【００２２】
（Ｖ形状切削ブレード準備工程）
図４に示すように、Ｖ形状切削ブレード準備工程は、ダイヤモンド砥粒をメタルボンド等により固定して形成された切り刃がＶ形状に形成されたＶ形状切削ブレードを準備する工程である。より具体的には、後述する切削装置５０に配設されたスピンドルユニット６０の回転スピンドル６４の先端部に装着可能で、所定の厚み（例えば、３ｍｍ）があり、粒径が＃１８００〜＃２２００、より好ましくは粒径が＃２０００のダイヤモンド砥粒を含んで構成される直径が６０ｍｍの切り刃を有するＶ形状切削ブレードを準備する工程である。本実施形態では、先端部のＶ形状の角度が１２０°の第一のＶ形状切り刃７１ａを有する第一のＶ形状切削ブレード７１と、先端部のＶ形状の角度が９０°の第二のＶ形状切り刃７２ａを有する第二のＶ形状切削ブレード７２と、先端部のＶ形状の角度が６０°の第三のＶ形状切り刃７３ａを有する第三のＶ形状切削ブレード７３と、を準備することで完了する。なお、各Ｖ形状切削ブレードは、図４に示すように、回転スピンドル６４の先端部に、固定ナット６６を螺合することによって固定され、後述する面取り加工を施すための切削手段を構成する。
【００２３】
本実施形態では、上記した分割起点形成工程を実施した後に、ＬＥＤウエーハ１０の裏面１０ｂの分割予定ライン１２に沿って形成された分割起点１００に沿って面取り部１０２を形成する面取り工程を実施する。以下に面取り工程について説明する。
【００２４】
（面取り工程）
面取り工程を実施するに際し、図５に示すように、一体化ユニット３０を、面取り工程を実施する切削装置５０に搬送し、支持基板２０側を切削装置５０の保持テーブル５２の吸着チャック５２ａに向け、ＬＥＤウエーハ１０の裏面１０ｂが上方に露出した状態で載置して吸引保持する。切削装置５０には、図６に示すように、スピンドルユニット６０が配設されており、切削装置５０の回転スピンドル６４の先端部には、先端部が１２０°の角度に設定された第一のＶ形状切り刃７１ａを有する第一のＶ形状切削ブレード７１が装着される。第一のＶ形状切削ブレード７１を回転スピンドル６４に装着したならば、切削装置５０の図示しない撮像カメラ等を含むアライメント手段を用いて、保持テーブル５２に保持されたＬＥＤウエーハ１０の裏面１０ｂに形成された分割起点１００と、第一のＶ形状切削ブレード７１との位置合わせ（アライメント）を行う。
【００２５】
上記アライメントを実施したならば、図示しない回転駆動機構により、回転スピンドル６４を、例えば、３０，０００ｒｐｍの回転速度で回転させると共に、ＬＥＤウエーハ１０の裏面１０ｂに形成された分割起点１００の加工開始位置となる端部の上方に、第一のＶ形状切削ブレード７１を位置付け、所定の切り込み深さ（例えば、裏面１０ｂから０．０５ｍｍ）になるように下降させる。第一のＶ形状切削ブレード７１を下降させたならば、保持テーブル５２を矢印Ｘで示す方向に５ｍｍ／秒の速度で加工送りし、分割起点１００に沿って面取り部１０２を形成する切削加工を実施する。これにより、図７（ａ）に示すように、裏面１０ｂ側の分割起点１００に沿った両側角部に、面取り部１０２を構成する第一の面取り部１０２ａが１２０°の角度で形成される。所定の分割予定ライン１２に対して第一の面取り部１０２ａを形成したならば、第一の面取り部１０２ａが形成された分割起点１００に隣接し、まだ第一の面取り部１０２ａが形成されていない隣接する分割起点１００上に割り出し送りして、同様の切削加工を実施して、第一の面取り部１０２ａを形成する。このようにして、所定の方向に沿う分割起点１００の全てに対応して第一の面取り部１０２ａを形成したならば、保持テーブル５２を９０°回転して、先に第一の面取り部１０２ａを形成した分割起点１００に直交する未加工の分割起点１００に対しても同様の切削加工を行い、全ての分割起点１００に対して、０．０５ｍｍの深さで、且つ１２０°の角度をなす第一の面取り部１０２ａを形成する。
【００２６】
上記したように、ＬＥＤウエーハ１０の裏面１０ｂの全ての分割起点１００に沿って、図７（ａ）に示す第一の面取り部１０２ａを形成したならば、回転スピンドル６４を一旦停止して、スピンドルユニット６０を上昇させ、第一のＶ形状切削ブレード７１を回転スピンドル６４から取り外し、先端部の角度が９０°に設定された第二のＶ形状切り刃７２ａを有する第二のＶ形状切削ブレード７２を回転スピンドル６４に装着する。第二のＶ形状切削ブレード７２を装着したならば、切り込み深さを第一の面取り部１０２ａを形成した際の切り込み深さ０．０５ｍｍから更に０．０５ｍｍ、すなわち裏面１０ｂから０．１ｍｍの深さに下降させ、それ以外は、上記した第一の面取り部１０２ａを形成した切削加工と同条件の切削加工を実施する。これにより、図７（ｂ）に示すように、第一の面取り部１０２ａを形成した分割起点１００に沿って、第二の面取り部１０２ｂを形成する。図７（ｂ）から理解されるように、先端部の角度が９０°に設定された第二のＶ形状切り刃７２ａを使用し、第一の面取り部１０２ａを形成した切削加工のときよりも、０．０５ｍｍだけ切り込み深さを深く設定して切削加工することから、第一の面取り部１０２ａの下方側（分割起点１００の中心側）に、第二の面取り部１０２ｂが形成される。
【００２７】
第二の面取り部１０２ｂを形成したならば、回転スピンドル６４を再度停止して、スピンドルユニット６０を上昇させ、第二のＶ形状切削ブレード７２を回転スピンドル６４から取り外し、先端部の角度が６０°に設定された第三のＶ形状切り刃７３ａを有する第三のＶ形状切削ブレード７３を回転スピンドル６４に装着する。第三のＶ形状切削ブレード７３を装着したならば、切り込み深さを第二の面取り部１０２ｂを形成した際の切り込み深さ０．１ｍｍから更に０．０５ｍｍ下降させ（合計０．１５ｍｍ）、それ以外は、上記した第一の面取り部１０２ａ、及び第二の面取り部１０２ｂを形成した際と同条件の切削加工を実施する。これにより、図７（ｃ）に示すように、分割起点１００に沿って形成される面取り部１０２に、第三の面取り部１０２ｃを形成する。図７（ｃ）から理解されるように、先端部の角度が６０°に設定された第三のＶ形状切り刃７３ａを使用し、第二の面取り部１０２ｂを形成した切削加工のときよりも、さらに０．０５ｍｍだけ切り込み深さを深くして切削加工することから、第二の面取り部１０２ｂの下方側に、第三の面取り部１０２ｃが形成される。
【００２８】
上記したように、面取り部１０２を形成するために、切り込み深さを段階的に深く設定し、複数回に渡り同じ分割予定ライン１２に対応する位置に沿って面取り加工を実施することから、面取り部１０２は、第一の面取り部１０２ａ、第二の面取り部１０２ｂ、及び第三の面取り部１０２ｃによって多面的に形成され、擬似的な曲面となる。本実施形態では、面取り部１０２を形成したことにより、レーザー加工溝からなる分割起点１００が消失するが、面取り部１０２の、特に鋭角を形成する第三の面取り部１０２ｃが新たな分割起点１００を構成することになる。以上により、面取り工程が完了する。なお、本実施形態では、第一の切り刃７１ａ、第二の切り刃７２ａ、及び第三の切り刃７３ａの先端部の角度を、１２０°、９０°、及び６０°で設定したが、本発明は、この角度に限定されず、面取り部１０２の仕上がり形状を考慮して、例えば、それぞれ、１１０°〜１３０°、８０°〜１００°、及び５０°〜７０°の中から選択した角度で、各切り刃の先端部の角度を設定してもよい。また、当該面取り工程において段階的に切り込み深さを深くする際の寸法は、上記した０．０５ｍｍに限定されず適宜調整されてよいが、好ましくは０．０４ｍｍ〜０．０６ｍｍから選択される。なお、Ｖ形状切削ブレード準備工程は、必ずしも面取り工程の直前に実施する必要はなく、面取り工程の前であればいずれのタイミングでもよく、例えば、分割起点形成工程の前であってもよい。
【００２９】
（分割工程）
上記した面取り工程を実施したならば、必要に応じて分割工程を実施する。分割工程を実施するに際し、図８に示すように、分割起点１００に沿って面取り部１０２が形成されたＬＥＤウエーハ１０を収容する開口部を有するフレームＦの開口部に、ＬＥＤウエーハ１０を収容し、ＬＥＤウエーハ１０の裏面１０ｂとフレームＦとにダイシングテープＴを貼着し一体化する。さらに、フレームＦにダイシングテープＴを介して支持されたＬＥＤウエーハ１０の表面１０ａから、支持部材２０を剥離する。上記したように、分割起点１００（面取り部１０２）は、ＬＥＤウエーハ１０の裏面１０ｂ側に形成されるものであることから、表面１０ａ側には分割起点１００は表出せず、表面１０ａ側からは、透過した分割起点１００(図中点線で示す。）を確認することができる。
【００３０】
ＬＥＤウエーハ１０を、ダイシングテープＴを介してフレームＦに保持させたならば、ウエーハ１０を支持するダイシングテープＴを拡張し、ダイシングテープＴからＬＥＤチップ１４’を分割する分割工程を実施する。以下に、図９を参照しながら具体的に説明する。
【００３１】
フレームＦにダイシングテープＴを介してＬＥＤウエーハ１０を支持したならば、図９に示す分割装置８０に搬送する。分割装置８０は、昇降可能に構成されたフレーム保持部材８１と、その上面部にフレームＦを載置してフレームＦを保持するクランプ８２と、クランプ８２により保持されたフレームＦに装着されたウエーハ１０を拡張するための少なくとも上方が開口した円筒形状からなる拡張ドラム８３と、拡張ドラム８３を囲むように設置された複数のエアシリンダ８４ａ及びエアシリンダ８４ａから延びるピストンロッド８４ｂから構成される支持手段８４と、ピックアップコレット８５と、を備えている。ピックアップコレット８５には図示しない吸引手段が接続されている。
【００３２】
拡張ドラム８３は、フレームＦの内径よりも小さく、フレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着されるＬＥＤウエーハ１０の外径よりも大きく設定されている。ここで、図９に示すように、分割装置８０は、フレーム保持部材８１と、拡張ドラム８３の上面部が略同一の高さになる位置（点線で示す）と、支持手段８４の作用によりフレーム保持部材８１が下降させられ、拡張ドラム８３の上端部が、フレーム保持部材８１の上端部よりも相対的に高くなる位置（実線で示す）と、にすることができる。
【００３３】
フレーム保持部材８１を下降させて、拡張ドラム８３の上端を、点線で示す位置から、実線で示す高い位置になるように相対的に変化させると、フレームＦに装着されたダイシングテープＴは拡張ドラム８３の上端縁によって拡張させられる。ここで、ＬＥＤウエーハ１０は、分割起点形成工程において分割予定ライン１２に沿って分割起点１００が形成され、さらに分割起点１００に沿って面取り工程が施されていることにより、ダイシングテープＴが拡張されてＬＥＤウエーハ１０に放射状に引張力（外力）が作用し、ＬＥＤウエーハ１０が分割予定ライン１２に沿って分割され、ＬＥＤチップ１４’どうしの間隔が広げられて個々に分割され、分割工程が完了する。
【００３４】
上記した分割工程により、隣接するＬＥＤチップ１４’どうしの間隔が広げられたならば、ピックアップコレット８５を作動させて、間隔が広げられた状態のＬＥＤチップ１４’を先端部で吸着して、ダイシングテープＴ上からピックアップする。ダイシングテープＴからピックアップされたＬＥＤチップ１４’は、次工程に搬送されるか、又は、図示しない収容ケースに収容される（ピックアップ工程）。以上により、本実施形態における分割工程、及びピックアップ工程が完了し、本実施形態のＬＥＤウエーハの加工が完了する。なお、上記の説明において参照した本実施形態を示す各図の寸法、及び角度は、説明の都合上適宜調整されており、実際の寸法比、及び角度を示すものではない。
【００３５】
本実施形態によって形成されたＬＥＤチップ１４’は、裏面１０ｂ側の角部に面取り部１０２が形成されることから、個々に分割されたＬＥＤ１４の輝度の向上させることができる。また、面取り部１０２は、粒径の小さい＃１８００〜＃２２００のダイヤモンド砥粒で構成された切削ブレードで研磨され、さらに、複数のＶ形状切削ブレードを用いて面取り加工が多面的に施されることにより擬似的な曲面となり、輝度をさらに向上させることができる。
【００３６】
本発明によれば、上記した実施形態に限定されず、種々の変形例が提供される。例えば、上記実施形態では、用意した複数の切削ブレードを付け替えることにより、同一の切削装置５０によって面取り工程を実施したが、複数のＶ形状切削ブレード毎に切削装置を用意し、所定の角度のＶ形状切削ブレードによる面取り工程が終了したＬＥＤウエーハ１０を、角度が異なる次のＶ形状切削ブレードが装着された別の切削装置に搬送して次の面取り加工を実施するようにしてもよい。
【００３７】
上記実施形態では、分割起点形成工程において、ＬＥＤウエーハ１０の裏面１０ｂの分割予定ライン１２に対応する位置に、サファイア基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢを照射して、分割予定ライン１２に対応する位置に沿ってアブレーション加工を施してレーザー加工溝からなる分割起点１００を形成したが、本発明はこれに限定されない。例えば、サファイア基板に対して透過性を有する波長（５３２ｎｍ）のパルスレーザー光線ＬＢの集光点をＬＥＤウエーハ１０の内部に位置付けて照射して、分割予定ライン１２に対応する位置の内部に改質層を形成して、改質層からなる分割起点を形成し、その後、この分割起点に対応する位置に面取り加工を施す面取り工程を実施してもよい。改質層からなる分割起点を形成しておくことで、上記した分割工程と同様に、分割装置８０によって、ＬＥＤウエーハ１０に対して放射状に引張力を付与することで個々のＬＥＤチップ１４’に分割することができる。ただし、分割起点形成工程をアブレーション加工によって実施した場合、分割工程によって分割されたＬＥＤチップ１４’の側面は、劈開面によって構成されるため、改質層を形成した場合と比して、輝度が優れたＬＥＤチップ１４’となることが期待できる。なお、分割起点形成工程は、ＬＥＤウエーハ１０の表面１０ａ側からも実施することができる。よって、分割起点形成工程をＬＥＤウエーハ１０の表面１０ａ側から実施する場合は、面取り工程を先に実施し、その後、ＬＥＤウエーハ１０の表面１０ａ側からレーザー光線を照射して分割起点となるレーザー加工溝や改質層を形成し、その後分割工程を実施するようにすることもできる。さらに、上記した実施形態では、面取り工程を実施した後にＬＥＤウエーハ１０を個々のＬＥＤチップ１４’に分割しているが、本発明はこれに限定されず、分割起点形成工程を実施した後、外力を付与する等して、図３（ｄ）に示すように、分割起点１００からクラック１０２を生じさせてＬＥＤウエーハ１０を個々のデバイスチップ１４’に分割した後、上記した面取り工程を実施してもよい。
【００３８】
上記実施形態では、Ｖ形状切削ブレードとして、Ｖ形状の角度が１２０°である第一のＶ形状切削ブレード７１、Ｖ形状の角度が９０°である第二のＶ形状切削ブレード７２、Ｖ形状の角度が６０°である第三のＶ形状切削ブレード７３の３種類を用意して面取り工程を実施したが、本初発明はこれに限定されず、例えば、Ｖ形状の角度がいずれかの角度に設定された１種類のＶ形状切削ブレードによって面取り工程を実施してもよいし、２種のＶ形状切削ブレード、さらには、３種よりも多くの種類のＶ形状切削ブレードを用いて面取り加工を実施してもよい。複数のＶ形状切削ブレードを用意して面取り加工を実施する際は、用意するＶ形状切削ブレードの数に合わせて、Ｖ形状切削ブレードの切り刃の角度を適宜調整してよい。このように、Ｖ形状の角度が異なるＶ形状切削ブレードを複数用意して面取り工程を実施することで、面取り部１０２を多面的に構成し、擬似的な曲線とすることができ、個々に分割されるＬＥＤチップ１４’の輝度向上に寄与する。
【００３９】
上記実施形態における面取り工程時の回転スピンドルの回転速度、段階的に実施される切削加工の切り込み深さの寸法、加工送り速度等の加工条件は、上記実施形態に限定されず、適宜調整されても良いことはいうまでもない。
【符号の説明】
【００４０】
１０：ＬＥＤウエーハ
１２：分割予定ライン
１４：ＬＥＤ
１４’：ＬＥＤチップ
１６：オリエンテーションフラット
２０：支持基板
３０：一体化ユニット
４０：レーザー装置
４２：保持テーブル
４４：レーザー光線照射手段
５０：切削装置
６０：スピンドルユニット
６２：スピンドルハウジング
６４：回転スピンドル
６６：固定ナット
７１：第一のＶ形状切削ブレード
７１ａ：第一の切り刃
７２：第二のＶ形状切削ブレード
７２ａ：第二の切り刃
７３：第三のＶ形状切削ブレード
７３ａ：第三の切り刃
８０：分割装置
８５：ピックアップコレット
１００：分割起点
１０２：面取り部
１０２ａ：第一の面取り部
１０２ｂ：第二の面取り部
１０２ｃ：第三の面取り部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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