(57)【要約】【課題】ディスプレイとタッチセンシングとの間の相互悪影響を減らし、又は除去すること。【解決手段】本発明の実施例は、タッチディスプレイ装置、タッチ回路及び駆動方法に関し、より詳しくは、ディスプレイの駆動時に用いられる各サブピクセル内の発光エレメントの共通電極を通じてタッチ回路の一つの入力端にノイズ電圧が流入されても、タッチ回路の他の入力端を共通電極と電気的に連結することで、ノイズ電圧の流入による影響を除去し、又は低減させてタッチセンシング性能を向上させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージをディスプレイするためのアクティブ領域と、前記アクティブ領域の外郭に位置するノンアクティブ領域と、を含み、基板上に配置される多数のデータライン、多数のゲートライン、多数のタッチ電極及び多数のタッチルーティング配線を含むディスプレイパネル、及び
前記多数のタッチ電極のうち一つ以上をセンシングするタッチ回路を含み、
前記ディスプレイパネルは、
ピクセル電極、発光層及び共通電極を含む発光エレメントと、前記発光エレメントを駆動する駆動トランジスタを含む多数のサブピクセルと、
前記共通電極上に配置された封止層と、を含み、
前記多数のタッチ電極は、前記封止層上に配置され、
前記多数のタッチルーティング配線は、前記封止層の傾斜面に沿って配置され、前記ノンアクティブ領域に配置された多数のタッチパッドと電気的に連結され、
前記タッチ回路は、基準電圧が入力される第１入力端と、前記多数のタッチ電極のうちセンシング対象タッチ電極と連結される第２入力端と、出力電圧が出力される出力端と、を有する演算増幅器を含み、
前記共通電極に印加される共通電圧と前記演算増幅器の前記第１入力端に入力される前記基準電圧は、互いに同期化されることを特徴とする、タッチディスプレイ装置。
【請求項２】
前記共通電極に印加される共通電圧と前記演算増幅器の前記第１入力端に入力される前記基準電圧は、電圧が可変する変調信号であり、互いに対応する周波数と位相を有することを特徴とする、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項３】
前記共通電極に印加される共通電圧と前記演算増幅器の前記第１入力端に入力される前記基準電圧は、ＤＣ電圧で同期化されることを特徴とする、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項４】
前記演算増幅器の前記第１入力端は、前記共通電極に直接連結されるか、同期化配線を通じて前記共通電極に電気的に連結されることを特徴とする、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項５】
前記共通電極に前記共通電圧を供給する共通電圧ソースと、前記演算増幅器の前記第１入力端に前記基準電圧を供給する基準電圧ソースと、を含むことを特徴とする、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項６】
前記共通電極及び前記演算増幅器の前記第１入力端と共通で連結される電圧ソースを含むことを特徴とする、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項７】
前記タッチディスプレイ装置の動作モードがペンセンシングモードである場合、前記タッチ回路は、前記センシング対象タッチ電極を通じてペンに出力されたペン信号を検出し、前記基準電圧及び前記共通電圧は、互いに対応する周波数と位相を有する変調信号であることを特徴とする、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項８】
前記駆動トランジスタに印加される駆動電圧は、前記基準電圧及び前記共通電圧と対応する周波数及び対応する位相を有する変調信号であることを特徴とする、請求項７に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項９】
前記ペン信号は、前記基準電圧及び前記共通電圧と逆位相であることを特徴とする、請求項７に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記ペン信号は、前記基準電圧及び前記共通電圧と正位相であることを特徴とする、請求項７に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記多数のタッチ電極は、駆動信号が印加される第１タッチ電極と、センシング信号を検出するための第２タッチ電極と、に分類され、
前記タッチディスプレイ装置の動作モードがフィンガーセンシングモードである場合、前記タッチ回路は、前記第１タッチ電極のうち一つ以上の第１タッチ電極に前記駆動信号を印加し、前記第２タッチ電極のうち前記センシング対象タッチ電極に該当する第２タッチ電極と電気的に連結された前記演算増幅器の前記第２入力端を通じて前記センシング信号を検出し、
前記基準電圧及び前記共通電圧は、ＤＣ電圧であることを特徴とする、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記駆動トランジスタに印加される駆動電圧は、ＤＣ電圧であることを特徴とする、請求項１１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記駆動信号は、所定の周波数を有する変調信号であることを特徴とする、請求項１１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記タッチディスプレイ装置の動作モードがフィンガーセンシングモードである場合、前記タッチ回路は、前記多数のタッチ電極のうち前記センシング対象タッチ電極に駆動信号を印加し、前記駆動信号が印加された前記センシング対象タッチ電極と電気的に連結された前記演算増幅器の前記第２入力端を通じてセンシング信号を検出し、
前記基準電圧及び前記共通電圧は、互いに対応する周波数と位相を有する変調信号であることを特徴とする、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記駆動トランジスタに印加される駆動電圧は、前記基準電圧及び前記共通電圧と対応する周波数を有する変調信号であることを特徴とする、請求項１４に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記多数のデータラインは、前記共通電極と重畳され、前記多数のタッチ電極は、前記共通電極と重畳されることを特徴とする、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記ディスプレイパネルは、前記ノンアクティブ領域に配置され、前記タッチパッドと前記アクティブ領域との間に配置される一つ以上のダムをさらに含み、前記一つ以上のダムは、前記タッチパッドよりも高く形成されており、
前記多数のタッチルーティング配線のうち一つ以上のタッチルーティング配線は、前記封止層の傾斜面に沿って下り、前記一つ以上のダムを経て前記タッチパッドと電気的に連結されることを特徴とする、請求項１６に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記共通電極は、前記アクティブ領域内の前記多数のタッチ電極と電気的に絶縁され、前記多数のタッチ電極と電気的に連結される前記タッチ回路と電気的に連結されることを特徴とする、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記演算増幅器の前記第１入力端と前記第２入力端の極性は、反対であることを特徴とする、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記多数のタッチ電極は、それぞれオープン領域を含むメッシュタイプであり、
前記オープン領域は、前記サブピクセルの発光領域と位置的に対応され、
前記多数のタッチ電極のうち前記少なくとも二つのタッチ電極は、前記少なくとも二つのタッチ電極と異なるレベルの層に形成された連結ラインにより連結され、
前記多数のタッチルーティング配線のうち少なくとも一つのタッチルーティング配線は、第１層と第２層を含むマルチプル層（ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ｌａｙｅｒｓ）を含み、
前記第１層は、前記連結ラインと同じレベルの層であり、
前記第２層は、前記多数のタッチ電極と同じレベルの層であることを特徴とする、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項２１】
多数のデータライン及び多数のゲートラインが配置され、多数のサブピクセルが配列され、多数のタッチ電極が配置されたディスプレイパネル、及び
前記多数のタッチ電極のうち一つ以上をセンシングするタッチ回路を含み、
前記多数のサブピクセルは、それぞれピクセル電極、発光層及び共通電極を含む発光エレメントと、前記発光エレメントを駆動する駆動トランジスタと、を含み、
前記タッチ回路は、基準電圧が入力される第１入力端と、センシング対象タッチ電極と連結される第２入力端と、出力電圧が出力される出力端と、を有する演算増幅器を含み、
前記演算増幅器の前記第１入力端は、前記発光エレメントの前記共通電極と電気的に連結されることを特徴とする、タッチディスプレイ装置。
【請求項２２】
前記ディスプレイパネルは、多数のタッチルーティング配線、イメージをディスプレイするためのアクティブ領域、前記アクティブ領域の外郭に位置するノンアクティブ領域及び前記共通電極上に配置された封止層をさらに含み、
前記多数のタッチ電極は、前記封止層上に配置され、前記多数のタッチルーティング配線は、前記封止層の傾斜面に沿って下り、前記一つ以上のダムを経てタッチパッドと電気的に連結されることを特徴とする、請求項２１に記載のタッチディスプレイ装置。
【請求項２３】
タッチディスプレイ装置の駆動方法において、
ディスプレイパネルに配置された多数のタッチ電極のうちセンシング対象タッチ電極からセンシング信号を検出するステップ、及び
前記センシング信号に基づいてフィンガータッチ又はペンタッチをセンシングするステップを含み、
前記ディスプレイパネルに配置された多数のサブピクセルは、それぞれピクセル電極、発光層及び共通電極を含む発光エレメントと、前記発光エレメントを駆動するトランジスタと、を含み、
前記センシング対象タッチ電極からセンシング信号がタッチ回路に入力されるとき、前記タッチ回路に基準電圧が入力され、前記基準電圧は、前記共通電極に印加される共通電圧と同期化されることを特徴とする、タッチディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項２４】
前記ディスプレイパネルは、多数のタッチルーティング配線、イメージをディスプレイするためのアクティブ領域、前記アクティブ領域の外郭に位置するノンアクティブ領域及び前記共通電極上に配置された封止層をさらに含み、
前記多数のタッチ電極は、前記封止層上に配置され、前記多数のタッチルーティング配線は、前記封止層の傾斜面に沿って下り、一つ以上のダムを経てタッチパッドと電気的に連結されることを特徴とする、請求項２３に記載のタッチディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項２５】
前記共通電極に印加される共通電圧と演算増幅器の第１入力端に入力される前記基準電圧は、電圧が可変する変調信号であり、互いに対応する周波数と位相を有することを特徴とする、請求項２３に記載のタッチディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項２６】
前記共通電極に印加される共通電圧と前記演算増幅器の前記第１入力端に入力される前記基準電圧は、ＤＣ電圧であることを特徴とする、請求項２３に記載のタッチディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項２７】
ディスプレイパネルに配置された多数のタッチ電極のうちセンシング対象タッチ電極と電気的に連結された演算増幅器、
前記演算増幅器の出力端と電気的に連結された積分器、及び
前記積分器から出力された積分値をデジタル値に変換するアナログデジタルコンバータを含み、
前記演算増幅器は、基準電圧が入力される第１入力端と、前記センシング対象タッチ電極と連結される第２入力端と、出力電圧が出力される出力端と、を含み、
前記演算増幅器の前記第１入力端に入力される前記基準電圧は、前記ディスプレイパネルに印加される共通電圧と同期化され、
前記共通電圧は、前記ディスプレイパネルに配列された各サブピクセル内の発光エレメントに含まれるピクセル電極、発光層及び共通電極のうち前記共通電極に印加される電圧であることを特徴とする、タッチ回路。
【請求項２８】
前記演算増幅器の前記第１入力端は、前記共通電極に電気的に連結されることを特徴とする、請求項２７に記載のタッチ回路。
【請求項２９】
前記多数のタッチ電極は、前記ディスプレイパネルの封止層上に配置され、多数のタッチルーティング配線は、前記封止層の傾斜面に沿って下り、一つ以上のダムを経てタッチパッドと電気的に連結されることを特徴とする、請求項２７に記載のタッチ回路。
【請求項３０】
多数のサブピクセル及び多数のタッチ電極を含み、前記多数のサブピクセルは、それぞれピクセル電極、発光層及び共通電極を含む発光エレメントと、前記発光エレメントを駆動する駆動トランジスタを含むディスプレイパネル、及び
前記多数のタッチ電極のうち少なくとも一つをセンシングするためのタッチ回路を含み、
前記タッチ回路は、基準電圧が入力される第１入力端と、前記多数のタッチ電極のうちセンシング対象タッチ電極と連結される第２入力端と、出力電圧が出力される出力端と、を有する演算増幅器を含み、
前記共通電極に印加される共通電圧と前記演算増幅器の前記第１入力端に入力される前記基準電圧は、同一な周波数と同一な位相を有することを特徴とする、タッチディスプレイ装置。
【請求項３１】
前記ディスプレイパネルは、多数のタッチルーティング配線、イメージをディスプレイするためのアクティブ領域、前記アクティブ領域の外郭に位置するノンアクティブ領域及び前記共通電極上に配置された封止層をさらに含み、
前記多数のタッチ電極は、前記封止層上に配置され、前記多数のタッチルーティング配線は、前記封止層の傾斜面に沿って下り、前記一つ以上のダムを経てタッチパッドと電気的に連結されることを特徴とする、請求項３０に記載のタッチディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチディスプレイ装置、タッチ回路及びタッチディスプレイ装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチディスプレイ装置は、映像やイメージを表示するディスプレイ機能以外に、ユーザが手軽く情報あるいは命令を直観的で且つ便利に入力できるようにするタッチ基盤の入力機能を提供することができる。タッチディスプレイ装置は、タッチ基盤の入力機能を提供するために、ユーザのタッチ有無を把握してタッチ座標を正確にセンシングするべきである。
【０００３】
タッチディスプレイ装置は、各種ディスプレイ駆動電極（例：データライン、ゲートライン、ピクセル電極、共通電極など）を駆動させてディスプレイを行い、タッチセンサーに該当するタッチ電極をセンシングしてタッチをセンシングすることができる。
【０００４】
このように、タッチディスプレイ装置は、ディスプレイ駆動とタッチ駆動（タッチ電極の駆動）の相互間の影響により、ディスプレイ性能が低下されるかタッチセンシング性能が低下される問題点が発生できる。また、タッチディスプレイ装置は、複雑な電極及び配線構造を有しているので、多様な寄生キャパシタンス及びノイズが発生してタッチセンシング性能やディスプレイ性能が落ちる問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような背景から、本発明の実施例は、ディスプレイとタッチセンシングとの間の相互悪影響を減らし、又は除去することで、ディスプレイ性能及びタッチセンシング性能を向上させ得るタッチディスプレイ装置、タッチ回路及び駆動方法を提供することができる。
【０００６】
本発明の実施例は、タッチ電極やタッチ回路にノイズが流入されても、高い信号対雑音比（ＳＮＲ：Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）が得られるようにしてタッチセンシングの正確度を向上させるタッチディスプレイ装置、タッチ回路及び駆動方法を提供することができる。
【０００７】
本発明の実施例は、タッチ電極やタッチ回路にノイズが流入されても、ペンをセンシングするとき、高い信号対雑音比が得られるようにしてペンセンシングの正確度を向上させるタッチディスプレイ装置、タッチ回路及び駆動方法を提供することができる。
【０００８】
本発明の実施例は、ディスプレイの駆動時に用いられる各サブピクセル内の発光エレメントの共通電極を通じてタッチ回路の一つの入力端にノイズ電圧が流入されても、タッチ回路の他の入力端の電圧を制御することで、ノイズ電圧の流入による影響を除去することができるタッチディスプレイ装置、タッチ回路及び駆動方法を提供することができる。
【０００９】
本発明の実施例は、ディスプレイの駆動時に用いられる各サブピクセル内の発光エレメントの共通電極を通じてタッチ回路の一つの入力端にノイズ電圧が流入されても、タッチ回路の他の入力端を共通電極と電気的に連結することで、ノイズ電圧の流入による影響を除去することができるタッチディスプレイ装置、タッチ回路及び駆動方法を提供することができる。
【００１０】
本発明の実施例は、ディスプレイの駆動時に用いられる各サブピクセル内の発光エレメントの共通電極に印加される共通電圧と、タッチ回路の基準電圧と、を互いに同期化させることで、ノイズに強いタッチディスプレイ装置、タッチ回路及び駆動方法を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一つの側面で、本発明の実施例は、イメージをディスプレイするためのアクティブ領域と、アクティブ領域の外郭に位置するノンアクティブ領域と、を含み、基板上に配置される多数のデータライン、多数のゲートライン、多数のタッチ電極及び多数のタッチルーティング配線を含むディスプレイパネルと、多数のタッチ電極のうち一つ以上をセンシングするタッチ回路と、を含むタッチディスプレイ装置を提供することができる。
【００１２】
ディスプレイパネルは、ピクセル電極、発光層及び共通電極を含む発光エレメントと、発光エレメントを駆動する駆動トランジスタを含む多数のサブピクセルと、を含むことができ、共通電極上に配置された封止層を含むことができる。
【００１３】
多数のタッチ電極は、封止層上に配置され得る。
【００１４】
多数のタッチルーティング配線は、前記封止層の傾斜面に沿って配置され、ノンアクティブ領域に配置された多数のタッチパッドと電気的に連結され得る。
【００１５】
タッチ回路は、基準電圧が入力される第１入力端と、多数のタッチ電極のうちセンシング対象タッチ電極と連結される第２入力端と、出力電圧が出力される出力端と、を有する演算増幅器を含むことができる。
【００１６】
共通電極に印加される共通電圧と演算増幅器の第１入力端に入力される基準電圧は、互いに同期化され得る。
【００１７】
共通電極に印加される共通電圧と演算増幅器の第１入力端に入力される基準電圧は、電圧が可変される変調信号であり、互いに対応する周波数と位相を有することができる。
【００１８】
共通電極に印加される共通電圧と演算増幅器の第１入力端に入力される基準電圧は、ＤＣ電圧で同期化され得る。
【００１９】
演算増幅器の第１入力端は、共通電極に直接連結されるか、同期化配線を通じて共通電極に電気的に連結され得る。
【００２０】
共通電極に共通電圧を供給する共通電圧ソースと、演算増幅器の第１入力端に基準電圧を供給する基準電圧ソースと、を含むことができる。
【００２１】
共通電極及び演算増幅器の第１入力端と共通で連結される電圧ソースを含むことができる。
【００２２】
タッチディスプレイ装置の動作モードがペンセンシングモードである場合、タッチ回路は、センシング対象タッチ電極を通じてペンに出力されたペン信号を検出することができる。基準電圧及び共通電圧は、互いに対応する周波数と位相を有する変調信号であってもよい。
【００２３】
駆動トランジスタに印加される駆動電圧は、基準電圧及び共通電圧と対応する周波数及び対応する位相を有する変調信号であってもよい。
【００２４】
ペン信号は、基準電圧及び共通電圧と逆位相であってもよい。
【００２５】
または、ペン信号は、基準電圧及び共通電圧と正位相であってもよい。
【００２６】
多数のタッチ電極は、駆動信号が印加される第１タッチ電極とセンシング信号を検出するための第２タッチ電極に分類され得る。タッチディスプレイ装置の動作モードがフィンガーセンシングモードである場合、タッチ回路は、第１タッチ電極のうち一つ以上の第１タッチ電極に駆動信号を印加し、第２タッチ電極のうちセンシング対象タッチ電極に該当する第２タッチ電極と電気的に連結された演算増幅器の第２入力端を通じてセンシング信号を検出することができる。基準電圧及び共通電圧は、ＤＣ電圧であってもよい。
【００２７】
駆動トランジスタに印加される駆動電圧は、ＤＣ電圧であってもよい。
【００２８】
駆動信号は、所定の周波数を有する変調信号であってもよい。
【００２９】
タッチディスプレイ装置の動作モードがフィンガーセンシングモードである場合、タッチ回路は、多数のタッチ電極のうちセンシング対象タッチ電極に駆動信号を印加し、駆動信号が印加されたセンシング対象タッチ電極と電気的に連結された演算増幅器の第２入力端を通じてセンシング信号を検出することができる。基準電圧及び共通電圧は、互いに対応する周波数と位相を有する変調信号であってもよい。
【００３０】
駆動トランジスタに印加される駆動電圧は、基準電圧及び共通電圧と対応する周波数を有する変調信号であってもよい。
【００３１】
多数のデータラインは、共通電極と重畳され得る。多数のタッチ電極は、共通電極と重畳され得る。
【００３２】
ディスプレイパネルは、ノンアクティブ領域に配置され、タッチパッドとアクティブ領域との間に配置される一つ以上のダムをさらに含むことができる。一つ以上のダムは、タッチパッドよりもさらに高く形成されていてもよい。
【００３３】
多数のタッチルーティング配線のうち一つ以上のタッチルーティング配線は、封止層の傾斜面に沿って下がり、一つ以上のダムを経てタッチパッドと電気的に連結され得る。
【００３４】
共通電極は、アクティブ領域内の多数のタッチ電極と電気的に絶縁され得る。共通電極は、多数のタッチ電極と電気的に連結されるタッチ回路と電気的に連結され得る。
【００３５】
演算増幅器の第１入力端と第２入力端の極性は、反対であってもよい。
【００３６】
多数のタッチ電極は、それぞれオープン領域を含むメッシュタイプであってもよい。オープン領域は、サブピクセルの発光領域と位置的に対応できる。
【００３７】
多数のタッチ電極のうち少なくとも二つのタッチ電極は、少なくとも二つのタッチ電極と異なるレベルの層に形成された連結ラインにより連結され得る。多数のタッチルーティング配線のうち少なくとも一つのタッチルーティング配線は、第１層と第２層を含むマルチプル層（ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ｌａｙｅｒｓ）を含むことができる。第１層は、連結ラインと同じレベルの層であり、第２層は、多数のタッチ電極と同じレベルの層であってもよい。
【００３８】
他の側面で、本発明の実施例は、多数のデータライン及び多数のゲートラインが配置され、多数のサブピクセルが配列され、多数のタッチ電極が配置されたディスプレイパネルと、多数のタッチ電極のうち一つ以上をセンシングするタッチ回路を含むタッチディスプレイ装置を提供することができる。
【００３９】
多数のサブピクセルは、それぞれピクセル電極、発光層及び共通電極を含む発光エレメントと、発光エレメントを駆動する駆動トランジスタと、を含むことができる。
【００４０】
タッチ回路は、基準電圧が入力される第１入力端と、センシング対象タッチ電極と連結される第２入力端と、出力電圧が出力される出力端と、を有する演算増幅器を含むことができる。
【００４１】
演算増幅器の第１入力端は、発光エレメントの共通電極と電気的に連結され得る。
【００４２】
ディスプレイパネルは、多数のタッチルーティング配線、イメージをディスプレイするためのアクティブ領域、アクティブ領域の外郭に位置するノンアクティブ領域及び共通電極上に配置された封止層をさらに含むことができる。
【００４３】
多数のタッチ電極は、封止層上に配置され得る。多数のタッチルーティング配線は、封止層の傾斜面に沿って下がり、一つ以上のダムを経てタッチパッドと電気的に連結され得る。
【００４４】
また他の側面で、本発明の実施例は、ディスプレイパネルに配置された多数のタッチ電極のうちセンシング対象タッチ電極からセンシング信号を検出するステップと、センシング信号に基づいてフィンガータッチ又はペンタッチをセンシングするステップと、を含むタッチディスプレイ装置の駆動方法を提供することができる。
【００４５】
ディスプレイパネルに配置された多数のサブピクセルは、それぞれピクセル電極、発光層及び共通電極を含む発光エレメントと、発光エレメントを駆動するトランジスタと、を含むことができる。
【００４６】
センシング対象タッチ電極からセンシング信号がタッチ回路に入力されるとき、タッチ回路に基準電圧が入力され、基準電圧は、共通電極に印加される共通電圧と同期化され得る。
【００４７】
ディスプレイパネルは、多数のタッチルーティング配線、イメージをディスプレイするためのアクティブ領域、アクティブ領域の外郭に位置するノンアクティブ領域及び共通電極上に配置された封止層をさらに含むことができる。
【００４８】
多数のタッチ電極は、封止層上に配置され得る。多数のタッチルーティング配線は、封止層の傾斜面に沿って下がり、一つ以上のダムを経てタッチパッドと電気的に連結され得る。
【００４９】
共通電極に印加される共通電圧と演算増幅器の第１入力端に入力される基準電圧は、電圧が可変される変調信号であり、互いに対応する周波数と位相を有することができる。
【００５０】
共通電極に印加される共通電圧と演算増幅器の第１入力端に入力される基準電圧は、ＤＣ電圧であってもよい。
【００５１】
また他の側面で、本発明の実施例は、ディスプレイパネルに配置された多数のタッチ電極のうちセンシング対象タッチ電極と電気的に連結された演算増幅器と、演算増幅器の出力端と電気的に連結された積分器と、積分器から出力された積分値をデジタル値に変換するアナログデジタルコンバータと、を含むタッチディスプレイ装置を提供することができる。
【００５２】
演算増幅器は、基準電圧が入力される第１入力端と、センシング対象タッチ電極と連結される第２入力端と、出力電圧が出力される出力端と、を含むことができる。
【００５３】
演算増幅器の第１入力端に入力される基準電圧は、ディスプレイパネルに印加される共通電圧と同期化され得る。
【００５４】
共通電圧は、ディスプレイパネルに配列された各サブピクセル内の発光エレメントに含まれるピクセル電極、発光層及び共通電極のうち共通電極に印加される電圧であってもよい。
【００５５】
演算増幅器の第１入力端は、共通電極に電気的に連結され得る。
【００５６】
多数のタッチ電極は、ディスプレイパネルの封止層上に配置され得る。多数のタッチルーティング配線は、封止層の傾斜面に沿って下がり、一つ以上のダムを経てタッチパッドと電気的に連結され得る。
【００５７】
また他の側面で、本発明の実施例は、多数のサブピクセル及び多数のタッチ電極を含み、多数のサブピクセルは、それぞれピクセル電極、発光層及び共通電極を含む発光エレメントと、発光エレメントを駆動する駆動トランジスタを含むディスプレイパネルと、多数のタッチ電極のうち少なくとも一つをセンシングするためのタッチ回路と、を含むタッチディスプレイ装置を提供することができる。
【００５８】
タッチ回路は、基準電圧が入力される第１入力端と、多数のタッチ電極のうちセンシング対象タッチ電極と連結される第２入力端と、出力電圧が出力される出力端と、を有する演算増幅器を含むことができる。
【００５９】
共通電極に印加される共通電圧と演算増幅器の第１入力端に入力される基準電圧は、同一な周波数と同一な位相を有することができる。
【００６０】
ディスプレイパネルは、多数のタッチルーティング配線、イメージをディスプレイするためのアクティブ領域、アクティブ領域の外郭に位置するノンアクティブ領域及び共通電極上に配置された封止層をさらに含むことができる。
【００６１】
多数のタッチ電極は、封止層上に配置され得る。多数のタッチルーティング配線は、封止層の傾斜面に沿って下がり、一つ以上のダムを経てタッチパッドと電気的に連結され得る。
【発明の効果】
【００６２】
以上で上述した本発明の実施例は、ディスプレイとタッチセンシングとの間の相互悪影響を減らし、又は除去することで、ディスプレイ性能及びタッチセンシング性能を向上させることができる。
【００６３】
本発明の実施例は、タッチ電極やタッチ回路にノイズが流入されても、高い信号対雑音比が得られるようにしてタッチセンシングの正確度を向上させることができる。
【００６４】
本発明の実施例は、タッチ電極やタッチ回路にノイズが流入されても、ペンをセンシングするとき、高い信号対雑音比が得られるようにしてペンセンシングの正確度を向上させることができる。
【００６５】
本発明の実施例は、ディスプレイの駆動時に用いられる各サブピクセル内の発光エレメントの共通電極を通じてタッチ回路の一つの入力端にノイズ電圧が流入されても、タッチ回路の他の入力端の電圧を制御することで、ノイズ電圧の流入による影響を除去するか低減して、タッチセンシングの性能を向上させることができる。
【００６６】
本発明の実施例は、ディスプレイの駆動時に用いられる各サブピクセル内の発光エレメントの共通電極を通じてタッチ回路の一つの入力端にノイズ電圧が流入されても、タッチ回路の他の入力端を共通電極と電気的に連結することで、ノイズ電圧の流入による影響を除去するか低減して、タッチセンシングの性能を向上させることができる。
【００６７】
本発明の実施例は、ディスプレイの駆動時に用いられる各サブピクセル内の発光エレメントの共通電極に印加される共通電圧とタッチ回路の基準電圧を互いに同期化させることで、ノイズ電圧の流入による影響を除去するか低減して、タッチセンシングの性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】図１は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置のシステム構成図である。
【図２】図２は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置のディスプレイパネルを概略的に示した図である。
【図３】図３は、本発明の実施例によるディスプレイパネルにタッチパネルが内蔵される構造を例示的に示した図である。
【図４】図４は、本発明の実施例によるディスプレイパネルに配置されたタッチ電極のタイプを例示的に示した第１図である。
【図５】図５は、本発明の実施例によるディスプレイパネルに配置されたタッチ電極のタイプを例示的に示した第２図である。
【図６】図６は、図５のメッシュタイプのタッチ電極を例示的に示した図である。
【図７】図７は、本発明の実施例によるディスプレイパネルでのタッチセンサー構造の例示図である。
【図８】図８は、本発明の実施例によるディスプレイパネルでのタッチセンサー構造の他の例示図である。
【図９】図９は、本発明の実施例によるディスプレイパネルの部分的な断面図であって、図８のＸ−Ｘ’に沿って切断した断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施例によるディスプレイパネルにカラーフィルターが含まれた場合の断面構造を例示的に示した第１図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施例によるディスプレイパネルにカラーフィルターが含まれた場合の断面構造を例示的に示した第２図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施例によるタッチシステムの概略的な構成図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施例によるタッチシステムのタッチ回路内の第１タッチ回路及び第２タッチ回路を示した図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施例によるタッチシステムのタッチ回路内の第１タッチ回路に含まれる第１センシング駆動ユニットの例示図である。
【図１５】図１５は、本発明の実施例によるタッチシステムのタッチ回路内の第２タッチ回路に含まれる第２センシング駆動ユニットの例示図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置の動作モードを示した図である。
【図１７】図１７は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置のセンシング動作と関連された回路を示した図である。
【図１８】図１８は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置の主要信号を示した図である。
【図１９】図１９は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、センシング動作と関連して発生する各種キャパシタンスを示した図である。
【図２０】図２０は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置の主要信号を示した他の図である。
【図２１】図２１は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、共通電極を通じてノイズ電圧が流入される現象を示した図である。
【図２２】図２２は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、共通電極を通じて流入されたノイズ電圧によるタッチ感度低下現象を示したグラフである。
【図２３】図２３は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、共通電極を通じて流入されるノイズによる影響を低減するための技法が適用された回路を示した第１図である。
【図２４】図２４は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、共通電極を通じて流入されるノイズによる影響を低減するための技法が適用された回路を示した第２図である。
【図２５】図２５は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置にノイズ影響低減技法が適用された場合の主要信号を示した図である。
【図２６】図２６は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置にノイズ影響低減技法が適用された場合のノイズ低減効果を示した図である。
【図２７】図２７は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置にノイズ影響低減技法が適用された場合のノイズ低減効果を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【図２８】図２８は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、フィンガーセンシングとペンセンシングの多様なタイミングを示した図である。
【図２９】図２９は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、ペンをセンシングするためのペンとタッチ回路の間の両方向通信を示した第１図である。
【図３０】図３０は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、ペンをセンシングするためのペンとタッチ回路の間の両方向通信を示した第２図である。
【図３１】図３１は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置にノイズ影響低減技法が適用された場合、ペンセンシングモード時の主要信号を示した図である。
【図３２】図３２は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置にノイズ影響低減技法が適用された場合、相互キャパシタンス基盤のフィンガーセンシングモード時の主要信号を示した図である。
【図３３】図３３は、本発明の実施例によるタッチシステムのタッチ回路内の第１タッチ回路に含まれる第１センシング駆動ユニットの他の例示図である。
【図３４】図３４は、本発明の実施例によるタッチシステムのタッチ回路内の第２タッチ回路に含まれる第２センシング駆動ユニットの他の例示図である。
【図３５】図３５は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置にノイズ影響低減技法が適用された場合、セルフキャパシタンス基盤のフィンガーセンシングモード時の主要信号を示した図である。
【図３６】図３６は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置の駆動方法に対するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００６９】
以下、本発明の一部の実施例を例示的な図面を参照して詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付加するに当たって、同一な構成要素に対しては、たとえ他の図面上に表示されてもできる限り同一な符号を有することができる。また、本発明を説明するに当たって、関連した公知構成又は機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合には、その詳細な説明は省略する。
【００７０】
また、本発明の構成要素を説明するに当たって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を用いることができる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものであり、その用語により該当構成要素の本質、順番、順序又は個数などが限定されない。ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」又は「接続」されると記載された場合、その構成要素は、その他の構成要素に直接的に連結、又は接続できるが、各構成要素の間に更に他の構成要素が「介在」されるか、各構成要素が他の構成要素を通じて「連結」、「結合」又は「接続」されることもできると理解されるべきである。
【００７１】
図１は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置のシステム構成図である。
【００７２】
図１を参照すると、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、映像のディスプレイのための機能とタッチのセンシングのための機能を全て提供することができる。
【００７３】
映像ディスプレイ機能を提供するために、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、多数のデータライン及び多数のゲートラインが配置され、多数のデータライン及び多数のゲートラインによって定義された多数のサブピクセルが配列されたディスプレイパネルＤＩＳＰと、多数のデータラインを駆動するデータ駆動回路ＤＤＣと、多数のゲートラインを駆動するゲート駆動回路ＧＤＣと、データ駆動回路ＤＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣの動作を制御するディスプレイコントローラＤＣＴＲなどを含むことができる。
【００７４】
データ駆動回路ＤＤＣ、ゲート駆動回路ＧＤＣ及びディスプレイコントローラＤＣＴＲは、それぞれ一つ以上の個別部品に具現され得る。場合に応じて、データ駆動回路ＤＤＣ、ゲート駆動回路ＧＤＣ及びディスプレイコントローラＤＣＴＲのうち二つ以上は一つの部品に統合されて具現されてもよい。例えば、データ駆動回路ＤＤＣとディスプレイコントローラＤＣＴＲは、一つの集積回路チップ（ＩＣ  Ｃｈｉｐ）に具現され得る。
【００７５】
タッチセンシング機能を提供するために、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、多数のタッチ電極を含むタッチパネルＴＳＰと、タッチパネルＴＳＰに駆動信号を供給してタッチパネルＴＳＰからセンシング信号を検出し、検出されたセンシング信号に基づいてタッチパネルＴＳでのユーザのタッチ有無又はタッチ位置（タッチ座標）をセンシングするタッチセンシング回路ＴＳＣと、を含むことができる。
【００７６】
タッチセンシング回路ＴＳＣは、一つの例示で、タッチパネルＴＳＰに駆動信号を供給してタッチパネルＴＳＰからセンシング信号を検出するタッチ回路ＴＣと、タッチ回路ＴＣにより検出されたセンシング信号に基づいてタッチパネルＴＳＰでのユーザのタッチ有無及び／又はタッチ位置をセンシングするタッチコントローラＴＣＴＲなどを含むことができる。
【００７７】
タッチ回路ＴＣは、タッチパネルＴＳＰに駆動信号を供給する第１回路部とタッチパネルＴＳＰからセンシング信号を検出する第２回路部と、を含むことができる。
【００７８】
タッチ回路ＴＣ及びタッチコントローラＴＣＴＲは、別途の部品に具現されるか、場合に応じて、一つの部品に統合されて具現され得る。
【００７９】
一方、データ駆動回路ＤＤＣ、ゲート駆動回路ＧＤＣ及びタッチ回路ＴＣは、それぞれ一つ以上の集積回路に具現され得、ディスプレイパネルＤＩＳＰとの電気的な連結観点から、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）タイプ、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）タイプ又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）タイプなどに具現され得、ゲート駆動回路ＧＤＣは、ＧＩＰ（Ｇａｔｅ  Ｉｎ  Ｐａｎｅｌ）タイプでも具現され得る。
【００８０】
一方、ディスプレイの駆動のための回路構成（ＤＤＣ、ＧＤＣ、ＤＣＴＲ）とタッチのセンシングのための回路構成（ＴＣ、ＴＣＴＲ）は、それぞれ一つ以上の個別部品に具現され得る。場合に応じて、ディスプレイの駆動のための回路構成（ＤＤＣ、ＧＤＣ、ＤＣＴＲ）のうち一つ以上とタッチのセンシングのための回路構成（ＴＣ、ＴＣＴＲ）のうち一つ以上は、機能的に統合されて一つ以上の部品に具現され得る。例えば、データ駆動回路ＤＤＣとタッチ回路ＴＣは、一つ又は二つ以上の集積回路チップに統合具現され得る。データ駆動回路ＤＤＣとタッチ回路ＴＣが二つ以上の集積回路チップに統合具現される場合、二つ以上の集積回路チップは、それぞれデータ駆動機能とタッチ駆動機能を有することができる。
【００８１】
一方、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、有機発光ディスプレイ装置、液晶ディスプレイ装置などの多様なタイプであってもよい。下では、説明の便宜のために、タッチディスプレイ装置が有機発光ディスプレイ装置である場合を例示して説明する。すなわち、ディスプレイパネルＤＩＳＰは、有機発光ディスプレイパネル、液晶ディスプレイパネルなどの多様なタイプであってもよいが、以下では、説明の便宜のためにディスプレイパネルＤＩＳＰが有機発光ディスプレイパネルである場合を例示して説明する。
【００８２】
また、後述するが、タッチパネルＴＳＰは、駆動信号が印加されるかセンシング信号が検出される多数のタッチ電極と、このような多数のタッチ電極をタッチ回路ＴＣと連結するための多数のタッチルーティング配線などを含むことができる。
【００８３】
タッチパネルＴＳＰは、ディスプレイパネルＤＩＳＰの外部に存在してもよい。すなわち、タッチパネルＴＳＰとディスプレイパネルＤＩＳＰは、別に製作されて結合され得る。このようなタッチパネルＴＳＰを外装タイプ又はアドオン（Ａｄｄ−ｏｎ）タイプと言う。
【００８４】
それと異なり、タッチパネルＴＳＰは、ディスプレイパネルＤＩＳＰの内部に内蔵してもよい。すなわち、ディスプレイパネルＤＩＳＰを製作するとき、タッチパネルＴＳＰを構成する多数のタッチ電極と多数のタッチルーティング配線などのタッチセンサー構造は、ディスプレイの駆動のための電極及び信号ラインと共に形成され得る。このようなタッチパネルＴＳＰを内蔵タイプと言う。下では、説明の便宜のために、タッチパネルＴＳＰが内蔵タイプである場合を例示して説明する。
【００８５】
図２は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置のディスプレイパネルＤＩＳＰを概略的に示した図である。
【００８６】
図２を参照すると、ディスプレイパネルＤＩＳＰは、映像が表示されるアクティブ領域ＡＡと、アクティブ領域ＡＡの外郭の境界ラインＢＬの外郭領域であるノンアクティブ領域ＮＡと、を含むことができる。
【００８７】
ディスプレイパネルＤＩＳＰのアクティブ領域ＡＡには、映像のディスプレイのための多数のサブピクセルが配列され、ディスプレイの駆動のための各種電極や信号ラインが配置される。
【００８８】
また、ディスプレイパネルＤＩＳＰのアクティブ領域ＡＡには、タッチのセンシングのための多数のタッチ電極とそれらと電気的に連結された多数のタッチルーティング配線などが配置され得る。これによって、アクティブ領域ＡＡは、タッチのセンシングが可能なタッチセンシング領域とも言える。
【００８９】
ディスプレイパネルＤＩＳＰのノンアクティブ領域ＮＡには、アクティブ領域ＡＡに配置された各種信号ラインが延長されたリンクライン又はアクティブ領域ＡＡに配置された各種信号ラインと電気的に連結されたリンクラインと、このリンクラインに電気的に連結されたパッドが配置され得る。ノンアクティブ領域ＮＡに配置されたパッドは、ディスプレイ駆動回路（ＤＤＣ、ＧＤＣなど）がボンディングされるか電気的に連結され得る。
【００９０】
また、ディスプレイパネルＤＩＳＰのノンアクティブ領域ＮＡには、アクティブ領域ＡＡに配置された多数のタッチルーティング配線が延長されたリンクライン又はアクティブ領域ＡＡに配置された多数のタッチルーティング配線と電気的に連結されたリンクラインと、このリンクラインに電気的に連結されたパッドが配置され得る。ノンアクティブ領域ＮＡに配置されたパッドは、タッチ回路ＴＣがボンディングされるか電気的に連結され得る。
【００９１】
ノンアクティブ領域ＮＡには、アクティブ領域ＡＡに配置された多数のタッチ電極のうち最外郭タッチ電極の一部が拡張された部分が存在してもよく、アクティブ領域ＡＡに配置された多数のタッチ電極と同一な物質の一つ以上の電極（タッチ電極）がさらに配置されてもよい。すなわち、ディスプレイパネルＤＩＳＰに配置された多数のタッチ電極は、アクティブ領域ＡＡ内に全て存在するか、ディスプレイパネルＤＩＳＰに配置された多数のタッチ電極のうち一部（例：最外郭タッチ電極）は、ノンアクティブ領域ＮＡに存在するか、ディスプレイパネルＤＩＳＰに配置された多数のタッチ電極のうち一部（例：最外郭タッチ電極）は、アクティブ領域ＡＡとノンアクティブ領域ＮＡにわたって存在してもよい。
【００９２】
一方、図２を参照すると、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置のディスプレイパネルＤＩＳＰは、アクティブ領域ＡＡ内のある層（Ｌａｙｅｒ、例：有機発光ディスプレイパネルでの封止層）が崩れることを防止するためのダムＤＡＭが配置されるダム領域ＤＡを含むことができる。
【００９３】
ダム領域ＤＡは、アクティブ領域ＡＡとノンアクティブ領域ＮＡの境界地点やアクティブ領域ＡＡの外郭領域であるノンアクティブ領域ＮＡのいずれか一つの地点などに位置することができる。
【００９４】
ダム領域ＤＡに配置されるダムは、アクティブ領域ＡＡの全ての方向を取り囲みながら配置されるか、アクティブ領域ＡＡの一つ又は二つ以上の一部分（例：崩れやすい層がある部分）の外郭にのみ配置されてもよい。
【００９５】
ダム領域ＤＡに配置されるダムは、全て連結される一つのパターンであってもよく、断絶された二つ以上のパターンからなってもよい。また、ダム領域ＤＡは、１次ダムのみが配置されてもよく、２個のダム（１次ダム、２次ダム）が配置されてもよく、３個以上のダムが配置されてもよい。
【００９６】
ダム領域ＤＡで、いずれか一つの方向では１次ダムのみが存在し、他の一つの方向では１次ダムと２次ダムが全て存在してもよい。
【００９７】
図３は、本発明の実施例によるディスプレイパネルＤＩＳＰにタッチパネルＴＳＰが内蔵される構造を例示的に示した図である。
【００９８】
図３を参照すると、ディスプレイパネルＤＩＳＰのアクティブ領域ＡＡには、基板ＳＵＢ上に多数のサブピクセルＳＰが配列される。
【００９９】
各サブピクセルＳＰは、発光エレメントＥＤと、発光エレメントＥＤを駆動するための第１トランジスタＴ１と、第１トランジスタＴ１の第１ノードＮ１にデータ電圧Ｖｄａｔａを伝達するための第２トランジスタＴ２と、一つのフレームの間一定電圧を維持するためのストレージキャパシタＣｓｔなどを含むことができる。
【０１００】
第１トランジスタＴ１は、データ電圧が印加される第１ノードＮ１、発光エレメントＥＤと電気的に連結される第２ノードＮ２及び駆動電圧ラインＤＶＬから駆動電圧ＶＤＤが印加される第３ノードＮ３を含むことができる。第１ノードＮ１は、ゲートノードであり、第２ノードＮ２は、ソースノード又はドレインノードであってもよく、第３ノードＮ３は、ドレインノード又はソースノードであってもよい。このような第１トランジスタＴ１は、発光エレメントＥＤを駆動する駆動トランジスタとも言う。
【０１０１】
発光エレメントＥＤは、第１電極（例：アノード電極）、発光層及び第２電極（例：カソード電極）を含むことができる。第１電極は、第１トランジスタＴ１の第２ノードＮ２と電気的に連結され、第２電極は、基底電圧ＶＳＳが印加され得る。
【０１０２】
下では、発光エレメントＥＤの第１電極をピクセル電極（各サブピクセルに個別的に存在する電極）とも言い、発光エレメントＥＤの第２電極を共通電極（全てのサブピクセルに共通で存在する電極、一つの板電極であってもよく、多数個に分割された電極であってもよい）とも言う。そして、共通電極に印加される基底電圧ＶＳＳを共通電圧とも言う。
【０１０３】
このような発光エレメントＥＤで発光層は、有機物を含む有機発光層であってもよい。この場合、発光エレメントＥＤは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）であってもよい。
【０１０４】
第２トランジスタＴ２は、ゲートラインＧＬを通じて印加されるスキャン信号ＳＣＡＮによってオン−オフが制御され、第１トランジスタＴ１の第１ノードＮ１とデータラインＤＬの間に電気的に連結され得る。このような第２トランジスタＴ２は、スイッチングトランジスタとも言う。
【０１０５】
第２トランジスタＴ２は、スキャン信号ＳＣＡＮによってターンオンされると、データラインＤＬから供給されたデータ電圧Ｖｄａｔａを第１トランジスタＴ１の第１ノードＮ１に伝達する。
【０１０６】
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１トランジスタＴ１の第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の間に電気的に連結され得る。
【０１０７】
各サブピクセルＳＰは、図３に示したように、２個のトランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）と１個のキャパシタＣｓｔを含む２Ｔ１Ｃの構造を有することができ、場合に応じて、１個以上のトランジスタをさらに含むか、１個以上のキャパシタをさらに含んでいてもよい。
【０１０８】
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１トランジスタＴ１の第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の間に存在できる内部キャパシタ（Ｉｎｔｅｒｎａｌ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）である寄生キャパシタ（例：Ｃｇｓ、Ｃｇｄ）ではなく、第１トランジスタＴ１の外部に意図的に設計した外部キャパシタ（Ｅｘｔｅｒｎａｌ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）であってもよい。
【０１０９】
第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２は、それぞれｎタイプトランジスタであるかｐタイプトランジスタであってもよい。
【０１１０】
一方、上述したように、ディスプレイパネルＤＩＳＰには、発光エレメントＥＤ、２個以上のトランジスタＴ１、Ｔ２及び１個以上のキャパシタＣｓｔなどの回路素子が配置される。このような回路素子（特に、発光エレメントＥＤ）は、外部の水分や酸素などに脆弱であるため、外部の水分や酸素が回路素子（特に、発光エレメントＥＤ）に浸透することを防止するための封止層ＥＮＣＡＰがディスプレイパネルＤＩＳＰに配置され得る。
【０１１１】
このような封止層ＥＮＣＡＰは、一つの層になってもよく、多数の層になってもよい。
【０１１２】
例えば、封止層ＥＮＣＡＰが多数の層からなった場合、封止層ＥＮＣＡＰは、一つ以上の無機封止層と一つ以上の有機封止層を含むことができる。具体的な例として、封止層ＥＮＣＡＰは、第１無機封止層、有機封止層及び第２無機封止層を含んで構成され得る。ここで、有機封止層は、第１無機封止層と第２無機封止層の間に位置することができる。
【０１１３】
第１無機封止層は、発光エレメントＥＤと最も隣接するように第２電極（例：カソード電極）上に形成され得る。このような第１無機封止層は、一つの例示で、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などのような低温蒸着が可能な無機絶縁材質に形成され得る。これによって、第１無機封止層が低温雰囲気で蒸着されるので、第１無機封止層の蒸着工程時の高温雰囲気に脆弱な発光層（有機発光層）が損傷されることを防止することができる。
【０１１４】
有機封止層は、第１無機封止層より小さい面積に形成され得、第１無機封止層の両端を露出させるように形成され得る。このような有機封止層は、タッチディスプレイ装置の曲がりによる各層の間の応力を緩和させる緩衝役目をし、平坦化性能を強化することができる。この有機封止層は、一つの例示で、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリエチレン又はシリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）などのような有機絶縁材質に形成され得る。
【０１１５】
第２無機封止層は、有機封止層上に有機封止層及び第１無機封止層のそれぞれの上部面及び側面を覆うように形成され得る。これによって、第２無機封止層は、外部の水分や酸素が第１無機封止層及び有機封止層に浸透することを最小化するか遮断することができる。このような第２無機封止層は、一つの例示で、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などのような無機絶縁材質に形成され得る。
【０１１６】
一方、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、タッチパネルＴＳＰが封止層ＥＮＣＡＰ上に形成され得る。
【０１１７】
すなわち、タッチディスプレイ装置で、タッチパネルＴＳＰを成す多数のタッチ電極ＴＥなどのタッチセンサー構造は、封止層ＥＮＣＡＰ上に配置され得る。
【０１１８】
タッチをセンシングするとき、タッチ電極ＴＥには、駆動信号又はセンシング信号が印加され得る。したがって、タッチをセンシングするとき、封止層ＥＮＣＡＰを間に置いて配置されるタッチ電極ＴＥとカソード電極との間には、電位差が形成されて不必要な規制キャパシタンスが形成され得る。このような寄生キャパシタンスは、タッチ感度を低下させるので、寄生キャパシタンスを低下させるために、タッチ電極ＴＥとカソード電極との間の距離は、パネルの厚さ、パネルの製作工程及びディスプレイ性能などを考慮して一定値（例：５μｍ）以上になるように設計され得る。これのために、一つの例示で、封止層ＥＮＣＡＰの厚さは、最小５μｍ以上に設計され得る。
【０１１９】
図４及び図５は、本発明の実施例によるディスプレイパネルＤＩＳＰに配置されたタッチ電極ＴＥのタイプを例示的に示した図である。
【０１２０】
図４に示したように、ディスプレイパネルＤＩＳＰに配置された各タッチ電極ＴＥは、開口部がない板状の電極メタルであってもよい。この場合、各タッチ電極ＴＥは、透明電極であってもよい。すなわち、各タッチ電極ＴＥは、下に配置された多数のサブピクセルＳＰから発光した光が上側に透過できるように透明電極物質になっていてもよい。
【０１２１】
それとは異なり、図５に示したように、ディスプレイパネルＤＩＳＰに配置された各タッチ電極ＴＥは、メッシュ（Ｍｅｓｈ）タイプでパターニングされて二つ以上の開口部ＯＡを有する電極メタルＥＭであってもよい。
【０１２２】
電極メタルＥＭは、実質的なタッチ電極ＴＥに該当する部分であって、駆動信号が印加されるか、センシング信号が感知される部分である。
【０１２３】
図５に示したように、各タッチ電極ＴＥがメッシュタイプでパターニングされた電極メタルＥＭである場合、タッチ電極ＴＥの領域には二つ以上の開口部ＯＡが存在できる。
【０１２４】
各タッチ電極ＴＥに存在する二つ以上の開口部ＯＡは、それぞれ一つ以上のサブピクセルＳＰの発光領域と対応できる。すなわち、多数の開口部ＯＡは、下に配置された多数のサブピクセルＳＰから発行した光が上側に通過する経路になる。下では、説明の便宜のために、各タッチ電極ＴＥがメッシュタイプの電極メタルＥＭである場合を例示して説明する。
【０１２５】
各タッチ電極ＴＥに該当する電極メタルＥＭは、二つ以上のサブピクセルＳＰの発光領域ではない領域に配置されるバンク上に位置することができる。
【０１２６】
一方、多数個のタッチ電極ＴＥを形成する方法として、電極メタルＥＭをメッシュタイプで広く形成した後、電極メタルＥＭを決まったパターンでカッティングして電極メタルＥＭを電気的に分離させて多数個のタッチ電極ＴＥを作ることができる。
【０１２７】
タッチ電極ＴＥの外郭線の形状は、図４及び図５のように、ダイヤモンド状、菱形などの四角形であってもよく、三角形、五角形又は六角形などの多様な形状であってもよい。
【０１２８】
図６は、図５のメッシュタイプのタッチ電極ＴＥを例示的に示した図である。
【０１２９】
図６を参照すると、各タッチ電極ＴＥの領域には、メッシュタイプの電極メタルＥＭと切られている一つ以上のダミーメタルＤＭが存在できる。
【０１３０】
電極メタルＥＭは、実質的なタッチ電極ＴＥに該当する部分であって、駆動信号（フィンガーセンシング又はペンセンシングのための駆動信号）が印加されるかセンシング信号（フィンガーセンシング又はペンセンシングのためのセンシング信号）が感知（検出）される部分であるが、ダミーメタルＤＭは、タッチ電極ＴＥの領域内に存在するが駆動信号が印加されないでセンシング信号も感知されない部分である。すなわち、ダミーメタルＤＭは、電気的にフローティング（Ｆｌｏａｔｉｎｇ）されたメタルであってもよい。
【０１３１】
したがって、電極メタルＥＭは、タッチ回路ＴＣと電気的に連結され得るが、ダミーメタルＤＭは、タッチ回路ＴＣと電気的に連結されない。
【０１３２】
全てのタッチ電極ＴＥのそれぞれの領域中には、一つ以上のダミーメタルＤＭが電極メタルＥＭと切れた状態で存在できる。
【０１３３】
それと異なり、全てのタッチ電極ＴＥのうち一部の各タッチ電極ＴＥの領域中にのみ一つ以上のダミーメタルＤＭが電極メタルＥＭと切れた状態で存在してもよい。すなわち、一部のタッチ電極ＴＥの領域内にはダミーメタルＤＭが存在しないこともある。
【０１３４】
一方、ダミーメタルＤＭの役目と関連して、図５に示したように、タッチ電極ＴＥの領域内に一つ以上のダミーメタルＤＭが存在せずに電極メタルＥＭのみメッシュタイプで存在する場合、画面上に電極メタルＥＭの輪郭が見える視認性イシューが発生できる。
【０１３５】
これに比べて、図６に示したように、タッチ電極ＴＥの領域内に一つ以上のダミーメタルＤＭが存在する場合、画面上に電極メタルＥＭの輪郭が見える視認性イシューが防止され得る。
【０１３６】
また、各タッチ電極ＴＥ別に、ダミーメタルＤＭの存在有無又は個数（ダミーメタルの割合）を調節することで、各タッチ電極ＴＥ別にキャパシタンスのサイズを調節してタッチ感度を向上させてもよい。
【０１３７】
一方、１個のタッチ電極ＴＥの領域内に形成された電極メタルＥＭで一部地点をカッティングすることで、カッティングされた電極メタルＥＭがダミーメタルＤＭに形成され得る。すなわち、電極メタルＥＭとダミーメタルＤＭは、同一な層に形成された同一な物質であってもよい。
【０１３８】
一方、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、タッチ電極ＴＥに形成されるキャパシタンス（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）に基盤してタッチをセンシングすることができる。
【０１３９】
本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、キャパシタンス基盤のタッチセンシング方式であって、相互キャパシタンス（Ｍｕｔｕａｌ−ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）基盤のタッチセンシング方式でタッチをセンシングしてもよく、セルフキャパシタンス（Ｓｅｌｆ−ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）基盤のタッチセンシング方式でタッチをセンシングしてもよい。
【０１４０】
相互キャパシタンス（Ｍｕｔｕａｌ−ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）基盤のタッチセンシング方式の場合、多数のタッチ電極ＴＥは、駆動信号が印加される駆動タッチ電極（送信タッチ電極）と、センシング信号が検出されて駆動タッチ電極とキャパシタンスを形成するセンシングタッチ電極（受信タッチ電極）と、に分類され得る。
【０１４１】
このような相互キャパシタンス基盤のタッチセンシング方式の場合、タッチセンシング回路ＴＳＣは、フィンガー２０、ペン１０などのポインタの有無による駆動タッチ電極とセンシングタッチ電極との間のキャパシタンス（相互キャパシタンス）の変化に基づいてタッチ有無及び／又はタッチ座標などをセンシングする。
【０１４２】
セルフキャパシタンス（Ｓｅｌｆ−ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）基盤のタッチセンシング方式の場合、各タッチ電極ＴＥは、駆動タッチ電極とセンシングタッチ電極の役目を全て有する。すなわち、タッチセンシング回路ＴＳＣは、一つ以上のタッチ電極ＴＥに駆動信号を印加し、駆動信号が印加されたタッチ電極ＴＥを通じてセンシング信号を検出し、検出されたセンシング信号に基づいてフィンガー２０、ペン１０などのポインタとタッチ電極ＴＥとの間のキャパシタンスの変化を把握してタッチ有無及び／又はタッチ座標などをセンシングする。セルフ−キャパシタンス基盤のタッチセンシング方式では、駆動タッチ電極とセンシングタッチ電極の区分がない。
【０１４３】
このように、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、相互キャパシタンス基盤のタッチセンシング方式でタッチをセンシングしてもよく、セルフキャパシタンス基盤のタッチセンシング方式でタッチをセンシングしてもよい。ただし、下では、説明の便宜のために、タッチディスプレイ装置は、相互キャパシタンス基盤のタッチセンシングを行い、それのためのタッチセンサー構造を有する場合を例示して説明する。
【０１４４】
図７は、本発明の実施例によるディスプレイパネルＤＩＳＰでのタッチセンサー構造の例示図である。
【０１４５】
図７を参照すると、相互キャパシタンス基盤のタッチセンシングのためのタッチセンサー構造は、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥを含むことができる。ここで、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、封止層ＥＮＣＡＰ上に位置する。
【０１４６】
多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、それぞれ第１方向に配置され、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、それぞれ第１方向と異なる第２方向に配置され得る。
【０１４７】
本明細書で、第１方向及び第２方向は、相対的に相違である方向であってもよく、一つの例示で、第１方向は、ｘ軸方向（横長方向）であり、第２方向は、ｙ軸方向（縦長方向）であってもよい。それと反対に、第１方向は、ｙ軸方向であり、第２方向は、ｘ軸方向であってもよい。また、第１方向及び第２方向は、互いに直交してもよいが、直交しなくてもよい。また、本明細書で、行と列は、相対的なものであって、観点に応じて行と列は変わることができる。
【０１４８】
多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、それぞれ１個のバー（Ｂａｒ）形態の電極であってもよい。多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、それぞれ１個のバー（Ｂａｒ）形態の電極であってもよい。
【０１４９】
例えば、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、駆動信号が印加される駆動タッチ電極であり、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、信号検出（信号センシング）のためのセンシングタッチ電極であってもよい。
【０１５０】
それと反対に、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、信号検出のためのセンシングタッチ電極であり、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、駆動信号が印加される駆動タッチ電極であってもよい。
【０１５１】
また、場合に応じて、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、駆動信号が印加されて信号も検出されるタッチ電極であり、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、駆動信号が印加されて信号も検出されるタッチ電極であってもよい。
【０１５２】
タッチのセンシングのためのタッチセンサーメタルは、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥ以外にも、多数のタッチ電極（ＴＸ−ＴＥ、ＲＸ−ＴＥ）とタッチ回路ＴＣとの間の電気的な連結のための多数のタッチルーティング配線ＴＬを含むことができる。
【０１５３】
多数のタッチルーティング配線ＴＬは、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥにそれぞれ連結される一つ以上の第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬと、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥにそれぞれ連結される一つ以上の第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬと、を含むことができる。
【０１５４】
図８は、本発明の実施例によるディスプレイパネルＤＩＳＰでのタッチセンサー構造の他の例示図である。
【０１５５】
図８を参照すると、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、それぞれ同一な行（又は列）に配置される複数の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥと、これらを電気的に連結する一つ以上の第１連結配線ＴＸ−ＣＬと、を含むことができる。ここで、隣接した２個の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥを連結する第１連結配線ＴＸ−ＣＬは、隣接した２個の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥと一体化されたメタルであってもよく（図８の例示）、コンタクトホールを通じて隣接した２個の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥと連結されるメタルであってもよい。
【０１５６】
多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、それぞれ同一な列（又は行）に配置される複数の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥと、これらを電気的に連結する一つ以上の第２連結配線ＲＸ−ＣＬと、を含むことができる。ここで、隣接した２個の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥを連結する第２連結配線ＲＸ−ＣＬは、隣接した２個の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥと一体化されたメタルであってもよく、コンタクトホールを通じて隣接した２個の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥと連結されるメタルであってもよい（図８の例示）。
【０１５７】
第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥが交差する領域（タッチ電極ライン交差領域）では、第１連結配線ＴＸ−ＣＬと第２連結配線ＲＸ−ＣＬが交差され得る。
【０１５８】
この場合、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥが交差する領域（タッチ電極ライン交差領域）では、第１連結配線ＴＸ−ＣＬと第２連結配線ＲＸ−ＣＬが交差され得る。
【０１５９】
このように、タッチ電極ライン交差領域で、第１連結配線ＴＸ−ＣＬと第２連結配線ＲＸ−ＣＬが交差する場合、第１連結配線ＴＸ−ＣＬと第２連結配線ＲＸ−ＣＬは、相違である層に位置しなければならない。
【０１６０】
したがって、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥが交差するように配置するためには、多数の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥ、多数の第１連結配線ＴＸ−ＣＬ、多数の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥ、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥ、多数の第２連結配線ＲＸ−ＣＬは、二つ以上の層に位置することができる。
【０１６１】
一方、ディスプレイパネルＤＩＳＰのノンアクティブ領域ＮＡには、多数のタッチルーティング配線（ＴＸ−ＴＬ、ＲＸ−ＴＬ）に電気的に連結される多数のタッチパッド（ＴＸ−ＴＰ、ＲＸ−ＴＰ）が配置され得る。
【０１６２】
図８を参照すると、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、それぞれ一つ以上の第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬを通じて該当第１タッチパッドＴＸ−ＴＰと電気的に連結される。すなわち、一つの第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥに含まれた複数の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥのうち最外郭に配置された第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥは、第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬを通じて該当第１タッチパッドＴＸ−ＴＰと電気的に連結される。
【０１６３】
多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、それぞれ一つ以上の第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬを通じて該当第２タッチパッドＲＸ−ＴＰと電気的に連結される。すなわち、一つの第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに含まれた複数の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥのうち最外郭に配置された第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥは、第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬを通じて該当第２タッチパッドＲＸ−ＴＰと電気的に連結される。
【０１６４】
一方、図８に示したように、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥ及び多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、封止層ＥＮＣＡＰ上に配置され得る。すなわち、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥを構成する多数の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥと多数の第１連結配線ＴＸ−ＣＬは、封止層ＥＮＣＡＰ上に配置され得る。多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥを構成する多数の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥと多数の第２連結配線ＲＸ−ＣＬは、封止層ＥＮＣＡＰ上に配置され得る。
【０１６５】
一方、図８に示したように、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥに電気的に連結された多数の第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬは、それぞれ封止層ＥＮＣＡＰ上に配置されると共に封止層ＥＮＣＡＰがない部分まで延長されて多数の第１タッチパッドＴＸ−ＴＰと電気的に連結され得る。多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに電気的に連結された多数の第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬは、それぞれ封止層ＥＮＣＡＰ上に配置されると共に封止層ＥＮＣＡＰがない部分まで延長されて多数の第２タッチパッドＲＸ−ＴＰと電気的に連結され得る。ここで、封止層ＥＮＣＡＰは、アクティブ領域ＡＡ内に位置することができ、場合に応じて、ノンアクティブ領域ＮＡまでも拡張され得る。
【０１６６】
一方、上述したように、アクティブ領域ＡＡ内のある層（Ｌａｙｅｒ、例：有機発光ディスプレイパネルでの封止層）が崩れることを防止するために、アクティブ領域ＡＡとノンアクティブ領域ＮＡの境界領域又はアクティブ領域ＡＡの外郭領域であるノンアクティブ領域ＮＡにダム領域ＤＡが存在できる。
【０１６７】
図８に示したように、一つの例示で、ダム領域ＤＡには、１次ダムＤＡＭ１と２次ダムＤＡＭ２が配置され得る。ここで、２次ダムＤＡＭ２は、１次ダムＤＡＭ１よりさらに外郭に位置することができる。
【０１６８】
図８の例示とは異なり、ダム領域ＤＡに１次ダムＤＡＭ１のみ位置してもよく、場合に応じて、ダム領域ＤＡに１次ダムＤＡＭ１と２次ダムＤＡＭ２だけでなく、１個以上の追加的なダムがさらに配置されてもよい。
【０１６９】
一方、図８を参照すると、封止層ＥＮＣＡＰが１次ダムＤＡＭ１の側面に位置するか、封止層ＥＮＣＡＰが１次ダムＤＡＭ１の側面はもちろん上部にも位置することができる。
【０１７０】
図９は、本発明の実施例によるディスプレイパネルＤＩＳＰの部分的な断面図であって、図８のＸ−Ｘ’に沿って切断した断面図である。ただし、図９では、タッチ電極ＴＥが板状に示されており、これは例示に過ぎず、メッシュタイプになっていてもよい。
【０１７１】
アクティブ領域ＡＡ内の各サブピクセルＳＰでの駆動トランジスタである第１トランジスタＴ１は、基板ＳＵＢ上に配置される。
【０１７２】
第１トランジスタＴ１は、ゲート電極に該当する第１ノード電極ＮＥ１、ソース電極又はドレイン電極に該当する第２ノード電極ＮＥ２、ドレイン電極又はソース電極に該当する第３ノード電極ＮＥ３及び半導体層ＳＥＭＩなどを含む。
【０１７３】
第１ノード電極ＮＥ１と半導体層ＳＥＭＩは、ゲート絶縁膜ＧＩを間に置いて重畳され得る。第２ノード電極ＮＥ２は、絶縁層ＩＮＳ上に形成されて半導体層ＳＥＭＩの一側と接触し、第３ノード電極ＮＥ３は、絶縁層ＩＮＳ上に形成されて半導体層ＳＥＭＩの他側と接触することができる。
【０１７４】
発光エレメントＥＤは、アノード電極（又はカソード電極）に該当する第１電極Ｅ１と、第１電極Ｅ１上に形成される発光層ＥＬと、発光層ＥＬ上に形成されたカソード電極（又はアノード電極）に該当する第２電極Ｅ２などを含むことができる。
【０１７５】
発光エレメントＥＤの第１電極Ｅ１をピクセル電極とも言い、発光エレメントＥＤの第２電極Ｅ２を共通電極とも言う。そして、共通電極に印加される基底電圧ＶＳＳを共通電圧とも言う。
【０１７６】
第１電極Ｅ１は、平坦化膜ＰＬＮを貫通する画素コンタクトホールを通じて露出された第１トランジスタＴ１の第２ノード電極ＮＥ２と電気的に接続される。
【０１７７】
発光層ＥＬは、バンクＢＡＮＫにより用意された発光領域の第１電極Ｅ１上に形成される。発光層ＥＬは、第１電極Ｅ１上に正孔関連層、発光層、電子関連層の順に又は逆順に積層されて形成される。第２電極Ｅ２は、発光層ＥＬを間に置いて第１電極Ｅ１と対向するように形成される。
【０１７８】
封止層ＥＮＣＡＰは、外部の水分や酸素に脆弱な発光エレメントＥＤに外部の水分や酸素が浸透することを遮断する。
【０１７９】
このような封止層ＥＮＣＡＰは、一つの層になっていてもよいが、図９に示したように、多数の層（ＰＡＳ１、ＰＣＬ，ＰＡＳ２）になっていてもよい。
【０１８０】
例えば、封止層ＥＮＣＡＰが多数の層（ＰＡＳ１、ＰＣＬ，ＰＡＳ２）からなった場合、封止層ＥＮＣＡＰは、一つ以上の無機封止層（ＰＡＳ１、ＰＡＳ２）と一つ以上の有機封止層ＰＣＬを含むことができる。具体的な例として、封止層ＥＮＣＡＰは、第１無機封止層ＰＡＳ１、有機封止層ＰＣＬ及び第２無機封止層ＰＡＳ２が順に積層された構造になっていてもよい。
【０１８１】
ここで、有機封止層ＰＣＬは、少なくとも一つの有機封止層又は少なくとも一つの無機封止層をさらに含んでいてもよい。
【０１８２】
第１無機封止層ＰＡＳ１は、発光素子ＥＤと最も隣接するようにカソード電極に該当する第２電極Ｅ２が形成された基板ＳＵＢ上に形成される。このような第１無機封止層ＰＡＳ１は、一つの例示で、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などのような低温蒸着が可能な無機絶縁材質に形成され得る。第１無機封止層ＰＡＳ１が低温雰囲気で蒸着されるので、第１無機封止層ＰＡＳ１は、蒸着工程時の高温雰囲気に脆弱な有機物を含む発光層ＥＬが損傷されることを防止することができる。
【０１８３】
有機封止層ＰＣＬは、第１無機封止層ＰＡＳ１より小さい面積に形成され得、この場合、有機封止層ＰＣＬは、第１無機封止層ＰＡＳ１の両先端を露出させるように形成され得る。有機封止層ＰＣＬは、有機発光ディスプレイ装置であるタッチディスプレイ装置の曲がりによる各層の間の応力を緩和させる緩衝役目をし、平坦化性能を強化する役目をすることができる。有機封止層ＰＣＬは、一つの例示で、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリエチレン又はシリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）のような有機絶縁材質に形成され得る。
【０１８４】
一方、有機封止層ＰＣＬがインクジェット方式を通じて形成される場合、ノンアクティブ領域ＮＡ及びアクティブ領域ＡＡの境界領域やノンアクティブ領域ＮＡ内の一部領域に該当するダム領域ＤＡに一つ又は二つ以上のダムＤＡＭが形成され得る。
【０１８５】
例えば、図９に示したように、ダム領域ＤＡは、ノンアクティブ領域ＮＡで多数の第１タッチパッドＴＸ−ＴＰ及び多数の第２タッチパッドＲＸ−ＴＰが形成されたパッド領域とアクティブ領域ＡＡの間に位置し、このようなダム領域ＤＡには、アクティブ領域ＡＡと隣接した１次ダムＤＡＭ１とパッド領域に隣接した２次ダムＤＡＭ２が存在できる。
【０１８６】
ダム領域ＤＡに配置される一つ以上のダムＤＡＭは、液状の有機封止層ＰＣＬがアクティブ領域ＡＡに滴下されるとき、液状の有機封止層ＰＣＬがノンアクティブ領域ＮＡの方向で崩れてパッド領域を侵犯することを防止することができる。
【０１８７】
このような効果は、図９に示したように、１次ダムＤＡＭ１及び２次ダムＤＡＭ２が具備される場合に一層大きくなり得る。
【０１８８】
１次ダムＤＡＭ１及び／又は２次ダムＤＡＭ２は、単層又は多層構造に形成され得る。例えば、１次ダムＤＡＭ１及び／又は２次ダムＤＡＭ２は、バンクＢＡＮＫ及びスペーサ（図示せず）などのうち少なくともいずれか一つと同一材質で同時に形成され得る。この場合、マスク追加工程及び費用の上昇なしにダム構造を形成することができる。
【０１８９】
また、１次ダムＤＡＭ１及び／又は２次ダムＤＡＭ２は、図９に示したように、第１無機封止層ＰＡＳ１及び／又は第２無機封止層ＰＡＳ２がバンクＢＡＮＫ上に積層された構造になっていてもよい。
【０１９０】
また、有機物を含む有機封止層ＰＣＬは、図９に示したように、１次ダムＤＡＭ１の内側面にのみ位置することができる。
【０１９１】
それとは異なり、有機物を含む有機封止層ＰＣＬは、１次ダムＤＡＭ１及び２次ダムＤＡＭ２のうち少なくとも１次ダムＤＡＭ１の上部にも位置することができる。
【０１９２】
第２無機封止層ＰＡＳ２は、有機封止層ＰＣＬが形成された基板ＳＵＢ上に有機封止層ＰＣＬ及び第１無機封止層ＰＡＳ１のそれぞれの上部面及び側面を覆うように形成され得る。第２無機封止層ＰＡＳ２は、外部の水分や酸素が第１無機封止層ＰＡＳ１及び有機封止層ＰＣＬに浸透することを最小化するか遮断する。このような第２無機封止層ＰＡＳ２は、一つの例示で、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などのような無機絶縁材質に形成される。
【０１９３】
このような封止層ＥＮＣＡＰ上には、タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦが配置され得る。タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦは、第１、第２タッチ電極ＴＸ−ＴＥ、ＲＸ−ＴＥ及び第１、第２連結配線ＴＸ−ＣＬ、ＲＸ−ＣＬを含むタッチセンサーメタルと、発光素子ＥＤの第２電極Ｅ２との間に位置することができる。
【０１９４】
タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦは、タッチセンサーメタルと、発光素子ＥＤの第２電極Ｅ２との間の離隔距離が既に決まった最小離隔距離（例：５μｍ）を維持するように設計され得る。これによって、タッチセンサーメタルと、発光素子ＥＤの第２電極Ｅ２との間に形成される寄生キャパシタンスを減らすか防止することができ、これを通じて、寄生キャパシタンスによるタッチ感度の低下を防止することができる。
【０１９５】
このようなタッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦなしに、封止層ＥＮＣＡＰ上に第１、第２タッチ電極ＴＸ−ＴＥ、ＲＸ−ＴＥ及び第１、第２連結配線ＴＸ−ＣＬ、ＲＸ−ＣＬを含むタッチセンサーメタルが配置されてもよい。
【０１９６】
また、タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦは、タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦ上に配置されるタッチセンサーメタルの製造工程時に用いられる薬液（現像液又は蝕刻液など）又は外部からの水分などが有機物を含む発光層ＥＬに浸透することを遮断することができる。これによって、タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦは、薬液又は水分に脆弱な発光層ＥＬの損傷を防止することができる。
【０１９７】
タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦは、高温に脆弱な有機物を含む発光層ＥＬの損傷を防止するために、一定温度（例：１００℃）以下の低温で形成が可能であり、１〜３の低誘電率を有する有機絶縁材質に形成される。例えば、タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦは、アクリル系列、エポキシ系列又はシロキサン（Ｓｉｌｏｘａｎ）系列の材質に形成され得る。有機絶縁材質で平坦化性能を有するタッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦは、有機発光ディスプレイ装置の曲がりによる封止層ＥＮＣＡＰ内の各封止層（ＰＡＳ１、ＰＣＬ、ＰＡＳ２）の損傷及びタッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦ上に形成されるタッチセンサーメタルの破れ現象を防止することができる。
【０１９８】
相互キャパシタンス基盤のタッチセンサー構造によると、タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦ上に第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥ及び第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥが配置され、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥ及び第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、交差するように配置され得る。
【０１９９】
第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、多数の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥと、多数の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥの間を電気的に連結する多数の第２連結配線ＲＸ−ＣＬと、を含むことができる。
【０２００】
図９に示したように、多数の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥと多数の第２連結配線ＲＸ−ＣＬは、タッチ絶縁膜ＩＬＤを間に置いて相違である層に位置することができる。
【０２０１】
多数の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥは、ｙ軸方向に沿って一定な間隔で離隔され得る。このような多数の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥは、それぞれ第２連結配線ＲＸ−ＣＬを通じてｙ軸方向に隣接した他の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥと電気的に連結され得る。
【０２０２】
第２連結配線ＲＸ−ＣＬは、タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦ上に形成され、タッチ絶縁膜ＩＬＤを貫通するタッチコンタクトホールを通じて露出されてｙ軸方向に隣接した２個の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥと電気的に接続され得る。
【０２０３】
第２連結配線ＲＸ−ＣＬは、バンクＢＡＮＫと重畳するように配置され得る。これによって、第２連結配線ＲＸ−ＣＬにより開口率が低下されることを防止することができる。
【０２０４】
第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、多数の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥと、多数の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥの間を電気的に連結する多数の第１連結配線ＴＸ−ＣＬと、を含むことができる。多数の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥと多数の第１連結配線ＴＸ−ＣＬは、タッチ絶縁膜ＩＬＤを間に置いて相違である層に位置することができる。
【０２０５】
多数の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥは、タッチ絶縁膜ＩＬＤ上でｘ軸方向に沿って一定な間隔で離隔され得る。このような多数の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥは、それぞれ第１連結配線ＴＸ−ＣＬを通じてｘ軸方向に隣接した他の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥと電気的に連結され得る。
【０２０６】
第１連結配線ＴＸ−ＣＬは、第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥと同一平面上に配置されて別のコンタクトホールなしにｘ軸方向で隣接した２個の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥと電気的に接続されるか、ｘ軸方向に隣接した第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥと一体されていてもよい。
【０２０７】
第１連結配線ＴＸ−ＣＬは、バンクＢＡＮＫと重畳するように配置され得る。これによって、第１連結配線ＴＸ−ＣＬによって開口率が低下されることを防止することができる。
【０２０８】
一方、第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬ及び第２タッチパッドＲＸ−ＴＰを通じてタッチ回路ＴＣと電気的に連結され得る。これと同様に、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬ及び第１タッチパッドＴＸ−ＴＰを通じてタッチ回路ＴＣと電気的に連結され得る。
【０２０９】
第１タッチパッドＴＸ−ＴＰ及び第２タッチパッドＲＸ−ＴＰを覆うパッドカバー電極がさらに配置されていてもよい。
【０２１０】
第１タッチパッドＴＸ−ＴＰは、第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬと別に形成されてもよく、第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬが延長されて形成されてもよい。第２タッチパッドＲＸ−ＴＰは、第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬと別に形成されてもよく、第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬが延長されて形成されてもよい。
【０２１１】
第１タッチパッドＴＸ−ＴＰが、第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬが延長されて形成され、第２タッチパッドＲＸ−ＴＰが、第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬが延長されて形成された場合、第１タッチパッドＴＸ−ＴＰ、第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬ、第２タッチパッドＲＸ−ＴＰ及び第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬは、同一な第１導電物質で構成され得る。ここで、第１導電物質は、一つの例示で、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏのような耐食性及び耐酸性が強くて伝導性が良い金属を用いて単層又は多層構造に形成され得る。
【０２１２】
例えば、第１導電物質からなった第１タッチパッドＴＸ−ＴＰ、第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬ、第２タッチパッドＲＸ−ＴＰ及び第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬは、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ又はＭｏ／Ａｌ／Ｍｏのように積層された３層構造に形成され得る。
【０２１３】
第１タッチパッドＴＸ−ＴＰ及び第２タッチパッドＲＸ−ＴＰを覆うことができるパッドカバー電極は、第１及び第２タッチ電極ＴＸ−ＴＥ、ＲＸ−ＴＥと同一材質で第２導電物質に構成され得る。ここで、第２導電物質は、耐食性及び耐酸性が強いＩＴＯ又はＩＺＯのような透明導電物質に形成され得る。このようなパッドカバー電極は、タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦにより露出されるように形成することで、タッチ回路ＴＣとポンディングされるか又はタッチ回路ＴＣが実装された回路フィルムとポンディングされ得る。
【０２１４】
ここで、タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦは、タッチセンサーメタルを覆うように形成されてタッチセンサーメタルが外部の水分などにより腐食されることを防止することができる。一つの例示、タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦは、有機絶縁材質に形成されるか、円偏光板又はエポキシ又はアクリル材質のフィルム形態に形成され得る。このようなタッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦが封止層ＥＮＣＡＰ上に位置しないこともある。すなわち、タッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦは、必須的な構成ではないこともある。
【０２１５】
第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬは、タッチルーティング配線コンタクトホールを通じて第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥと電気的に連結されるか、第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥと一体になっていてもよい。
【０２１６】
このような第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬは、ノンアクティブ領域ＮＡまで伸長されて封止層ＥＮＣＡＰの上部及び側面とダムＤＡＭの上部及び側面を経てノンアクティブ領域ＮＡに位置する第２タッチパッドＲＸ−ＴＰと電気的に連結され得る。これによって、第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬは、第２タッチパッドＲＸ−ＴＰを通じてタッチ回路ＴＣと電気的に連結され得る。
【０２１７】
第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬは、第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥでのセンシング信号をタッチ回路ＴＣに伝達するか、タッチ回路ＴＣから駆動信号の供給を受けて第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥに伝達することができる。
【０２１８】
第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬは、タッチルーティング配線コンタクトホールを通じて第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥと電気的に連結されるか、第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥと一体になっていてもよい。
【０２１９】
このような第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬは、ノンアクティブ領域ＮＡまで伸長されて封止層ＥＮＣＡＰの上部及び側面とダムＤＡＭの上部及び側面を経てノンアクティブ領域ＮＡに位置する第２タッチパッドＲＸ−ＴＰと電気的に連結され得る。これによって、第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬは、第１タッチパッドＴＸ−ＴＰを通じてタッチ回路ＴＣと電気的に連結され得る。
【０２２０】
第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬは、タッチ回路ＴＣから駆動信号の供給を受けて第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥに伝達するか、第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥでのセンシング信号をタッチ回路ＴＣに伝達することができる。
【０２２１】
第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬ及び第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬの配置は、パネル設計事項によって多様に変更可能である。
【０２２２】
第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥ及び第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥ上にタッチ保護膜ＰＡＣが配置され得る。このようなタッチ保護膜ＰＡＣは、ダムＤＡＭの前又は後まで拡張されて第１タッチルーティング配線ＴＸ−ＴＬ及び第２タッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬ上にも配置され得る。
【０２２３】
一方、図９の断面図は、概念的に構造を示したものであって、見る方向や位置などによって各パターン（各種層や各種電極）の位置、厚さ又は幅が変わることができ、各種パターンの連結構造も変更されることができ、図示された多くの層以外にも追加的な層がさらに存在してもよく、図示された多くの層のうち一部は省略されるか統合されていてもよい。例えば、バンクＢＡＮＫの幅は、図面に比べて狭いものであってもよく、ダムＤＡＭの高さも図面より低いか高いものであってもよい。
【０２２４】
図８に示したように、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥがそれぞれ複数の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥが電気的に連結されて構成され、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥがそれぞれ複数の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥが電気的に連結されて構成される場合、下では、複数の第１分割タッチ電極ＴＸ−ＰＴＥをそれぞれ第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥ又はタッチ電極ＴＥとも言う。複数の第２分割タッチ電極ＲＸ−ＰＴＥをそれぞれ第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥ又はタッチ電極ＴＥとも言う。
【０２２５】
図９を参照すると、ディスプレイパネルＤＩＳＰは、ノンアクティブ領域ＮＡに配置され、タッチパッド（ＴＸ−ＴＰ、ＲＸ−ＴＰ）とアクティブ領域ＡＡとの間に配置される一つ以上のダム（ＤＡＭ１、ＤＡＭ２）をさらに含むことができる。一つ以上のダム（ＤＡＭ１、ＤＡＭ２）は、タッチパッド（ＴＸ−ＴＰ、ＲＸ−ＴＰ）よりさらに高く形成されていてもよい。
【０２２６】
図９を参照すると、多数のタッチルーティング配線（ＴＸ−ＴＬ、ＲＸ−ＴＬ）のうち一つ以上のタッチルーティング配線ＲＸ−ＴＬは、封止層ＥＮＣＡＰの傾斜面に沿って下り、一つ以上のダム（ＤＡＭ１、ＤＡＭ２）を経てタッチパッドＲＸ−ＴＰと電気的に連結され得る。
【０２２７】
図９を参照すると、多数のタッチ電極ＴＥのうち少なくとも二つのタッチ電極ＲＸ−ＰＴＥは、少なくとも二つのタッチ電極ＲＸ−ＰＴＥと異なるレベルの層に形成された連結ラインＲＸ−ＣＬにより連結され得る。多数のタッチルーティング配線のうち少なくとも一つのタッチルーティング配線は、第１層と第２層を含むマルチプル層（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ｌａｙｅｒｓ）を含むことができる。第１層は、連結ラインと同じレベルの層であり、第２層は、多数のタッチ電極と同じレベルの層であってもよい。
【０２２８】
図１０及び図１１は、本発明の実施例によるディスプレイパネルＤＩＳＰにカラーフィルターＣＦが含まれた場合の断面構造を例示的に示した図である。
【０２２９】
図１０及び図１１を参照すると、タッチパネルＴＳＰがディスプレイパネルＤＩＳＰに内蔵され、ディスプレイパネルＤＩＳＰが有機発光ディスプレイパネルに具現される場合、タッチパネルＴＳＰは、ディスプレイパネルＤＩＳＰ内の封止層ＥＮＣＡＰ上に位置することができる。言い換えると、多数のタッチ電極ＴＥ、多数のタッチルーティング配線ＴＬなどのタッチセンサーメタル（Ｔｏｕｃｈ  Ｓｅｎｓｏｒ  Ｍｅｔａｌ）は、ディスプレイパネルＤＩＳＰ内の封止層ＥＮＣＡＰ上に位置することができる。
【０２３０】
上述したように、封止層ＥＮＣＡＰ上にタッチ電極ＴＥを形成することで、ディスプレイ性能及びディスプレイ関連層の形成に大きい影響を与えずにタッチ電極ＴＥを形成することができる。
【０２３１】
一方、図１０及び図１１を参照すると、封止層ＥＮＣＡＰの下に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のカソード電極である第２電極Ｅ２が位置することができる。
【０２３２】
封止層ＥＮＣＡＰの厚さＴは、一つの例示、５μｍ以上であってもよい。
【０２３３】
上述したように、封止層ＥＮＣＡＰの厚さを５μｍ上に設計することで、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の第２電極Ｅ２とタッチ電極ＴＥとの間に形成される寄生キャパシタンスを減らすことができる。これによって、寄生キャパシタンスによるタッチ感度の低下を防止することができる。
【０２３４】
上述したように、多数のタッチ電極ＴＥは、それぞれ電極メタルＥＭが二つ以上の開口部ＯＡがあるメッシュ形態でパターニングされており、二つ以上の開口部ＯＡは、それぞれ垂直方向から見ると、一つ以上のサブピクセル又はその発光領域と対応することができる。
【０２３５】
上述したように、平面から見るとき、タッチ電極ＴＥの領域内に存在する二つ以上の開口部ＯＡのそれぞれの位置に一つ以上のサブピクセルの発光領域が対応して存在するように、タッチ電極ＴＥの電極メタルＥＭがパターニングされることで、ディスプレイパネルＤＩＳＰの発光効果を高めることができる。
【０２３６】
図１０及び図１１に示したように、ディスプレイパネルＤＩＳＰには、ブラックマトリックスＢＭが配置され得、カラーフィルターＣＦがさらに配置され得る。
【０２３７】
ブラックマトリックスＢＭの位置は、タッチ電極ＴＥの電極メタルＥＭの位置と対応できる。
【０２３８】
多数のカラーフィルターＣＦの位置は、多数のタッチ電極ＴＥ又は多数のタッチ電極ＴＥを成す電極メタルＥＭの位置と対応する。
【０２３９】
上述したように、多数のオープン領域ＯＡの位置に対応する位置に多数のカラーフィルターＣＦが位置することで、ディスプレイパネルＤＩＳＰの発光性能を高めることができる。
【０２４０】
多数のカラーフィルターＣＦと多数のタッチ電極ＴＥとの間の垂直位置関係を説明すると、次の通りである。
【０２４１】
図１０に示したように、多数のカラーフィルターＣＦとブラックマトリックスＢＭは、多数のタッチ電極ＴＥ上に位置することができる。
【０２４２】
この場合、多数のカラーフィルターＣＦとブラックマトリックスＢＭは、多数のタッチ電極ＴＥ上に配置されたオーバーコート層ＯＣ上に位置することができる。ここで、オーバーコート層ＯＣは、図９のタッチ保護膜ＰＡＣと同一な層であってもよく、異なる層であってもよい。
【０２４３】
図１１に示したように、多数のカラーフィルターＣＦとブラックマトリックスＢＭは、多数のタッチ電極ＴＥの下部に位置することができる。
【０２４４】
この場合、多数のタッチ電極ＴＥは、多数のカラーフィルターＣＦとブラックマトリックスＢＭ上のオーバーコート層ＯＣ上に位置することができる。ここで、オーバーコート層ＯＣは、図９のタッチバッファー膜Ｔ−ＢＵＦ又はタッチ絶縁膜ＩＬＤと同一な層であってもよく、異なる層であってもよい。
【０２４５】
図１２は、本発明の実施例によるタッチシステムの概略的な構成図である。
【０２４６】
図１２を参照すると、本発明の実施例によるタッチシステムは、タッチパネルＴＳＰと、タッチパネルＴＳＰを駆動してセンシングするタッチ回路ＴＣと、タッチ回路ＴＣがタッチパネルＴＳＰをセンシングした結果を用いてタッチをセンシングするタッチコントローラＴＣＴＲなどを含むことができる。
【０２４７】
図１２を参照すると、タッチパネルＴＳＰには、多数のタッチ電極（ＴＸ−ＴＥ、ＲＸ−ＴＥ）が配置され得る。多数のタッチ電極（ＴＸ−ＴＥ、ＲＸ−ＴＥ）は、フィンガータッチ及び／又はペンタッチをセンシングするための一種のセンサーに該当する。
【０２４８】
図１２を参照すると、多数のタッチ電極（ＴＸ−ＴＥ、ＲＸ−ＴＥ）は、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥを含むことができる。
【０２４９】
図１２を参照すると、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、それぞれ第１方向に配置され、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、それぞれ第２方向に配置されてもよく、それと反対であってもよい。
【０２５０】
図１２を参照すると、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、それぞれ図７のように、バー形態の電極であるか、図８のように、多数個に分割された電極の集合体であってもよい。同様に、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、それぞれ図７のように、バー形態の電極であるか、図８のように、多数個に分割された電極の集合体であってもよい。
【０２５１】
図１２を参照すると、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、それぞれ第１方向に配置され、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、それぞれ第２方向に配置されてもよく、それと反対であってもよい。
【０２５２】
第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥ及び第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、相違である層に位置してもよく、同一な層に位置してもよい。
【０２５３】
第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥ及び第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、オープン領域がない板状の電極であるか、オープン領域があるメッシュ状の電極であってもよい。ここで、一つのタッチ電極内に存在するオープン領域は、それぞれ一つ以上のサブピクセル又はその発光領域と位置的に対応することができる。
【０２５４】
タッチ回路ＴＣは、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと電気的に連結された第１タッチ回路ＴＣ１と、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥと電気的に連結された第２タッチ回路ＴＣ２などを含むことができる。
【０２５５】
多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、駆動タッチ電極であり、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、センシングタッチ電極であってもよい。反対に、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、センシングタッチ電極であり、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、駆動タッチ電極であってもよい。また、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、駆動タッチ電極とセンシングタッチ電極の役目を同時に行い、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、駆動タッチ電極とセンシングタッチ電極の役目を同時に行うことができる。
【０２５６】
以下で、説明の便宜のために、図１３〜図１５では、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥが駆動タッチ電極であり、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥがセンシングタッチ電極である場合を仮定して説明する。
【０２５７】
図１３は、本発明の実施例によるタッチシステムのタッチ回路ＴＣ内の第１タッチ回路ＴＣ１及び第２タッチ回路ＴＣ２を示した図である。
【０２５８】
図１３を参照すると、タッチ回路ＴＣは、多数の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと電気的に連結された第１タッチ回路ＴＣ１と、多数の第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥと電気的に連結された第２タッチ回路ＴＣ２などを含むことができる。
【０２５９】
本発明の実施例によるタッチシステムは、相互キャパシタンスに基盤してタッチ（フィンガータッチ、ペンタッチ）をセンシングしてもよく、セルフキャパシタンスに基盤してタッチ（フィンガータッチ、ペンタッチ）をセンシングしてもよく、相互キャパシタンス及びセルフキャパシタンスの両方に基盤してタッチをセンシングしてもよい。
【０２６０】
もし、本発明の実施例によるタッチシステムが相互キャパシタンスに基盤してタッチをセンシングする場合、第１タッチ回路ＴＣ１及び第２タッチ回路ＴＣ２のうち一つは駆動回路であり、残り一つはセンシング回路であってもよい。
【０２６１】
これによって、本発明の実施例によるタッチシステムは、多様な動作ケースと多様なセンシングモードを提供することができる。下で、５種のケースを説明する。
【０２６２】
Ｃａｓｅ  １は、相互キャパシタンスのセンシングモードで動作する場合であって、第１タッチ回路ＴＣ１が相互キャパシタンスのセンシングのための駆動回路で動作し、第２タッチ回路ＴＣ２が相互キャパシタンスのセンシングのためのセンシング回路で動作する場合である。
【０２６３】
この場合、第１タッチ回路ＴＣ１は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部を駆動することができる。第２タッチ回路ＴＣ２は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部をセンシングすることができる。
【０２６４】
すなわち、第１タッチ回路ＴＣ１は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部に駆動信号を同時に又は順次に供給することができる。第２タッチ回路ＴＣ２は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部からセンシング信号を同時に又は順次に検出することができる。
【０２６５】
ここで、センシング信号は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）がそれぞれ多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）と形成する相互キャパシタンス（Ｍｕｔｕａｌ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を反映する信号であってもよい。
【０２６６】
Ｃａｓｅ  ２は、相互キャパシタンスのセンシングモードで動作する場合であって、第１タッチ回路ＴＣ１が相互キャパシタンスのセンシングのためのセンシング回路で動作し、第２タッチ回路ＴＣ２が相互キャパシタンスのセンシングのための駆動回路で動作する場合である。
【０２６７】
第２タッチ回路ＴＣ２は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部を駆動することができる。第１タッチ回路ＴＣ１は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部をセンシングすることができる。
【０２６８】
すなわち、第２タッチ回路ＴＣ２は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部に駆動信号を同時に又は順次に供給することができる。第１タッチ回路ＴＣ１は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部からセンシング信号を同時に又は順次に検出することができる。
【０２６９】
ここで、センシング信号は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）がそれぞれ多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）と形成する相互キャパシタンス（Ｍｕｔｕａｌ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を反映する信号であってもよい。
【０２７０】
Ｃａｓｅ  ３は、混合センシングモード（相互キャパシタンスのセンシングモード、セルフキャパシタンスのセンシングモード）で動作する場合であって、第１タッチ回路ＴＣ１が相互キャパシタンスのセンシングのための駆動回路で動作し、第２タッチ回路ＴＣ２が相互キャパシタンスのセンシングのためのセンシング回路で動作する場合であり、第２タッチ回路ＴＣ２は、セルフキャパシタンスのセンシングのための駆動回路及びセンシング回路で動作する場合である。
【０２７１】
この場合、第１タッチ回路ＴＣ１は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部を駆動することができる。第２タッチ回路ＴＣ２は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部を駆動してセンシングすることができる。
【０２７２】
すなわち、第１タッチ回路ＴＣ１は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部に駆動信号（相互キャパシタンスをセンシングするための駆動信号）を同時に又は順次に供給することができる。第２タッチ回路ＴＣ２は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部に駆動信号（セルフキャパシタンスをセンシングするための駆動信号）を同時に又は順次に供給することができる。
【０２７３】
第２タッチ回路ＴＣ２は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部からセンシング信号を同時に又は順次に検出することができる。
【０２７４】
ここで、センシング信号は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）がそれぞれ多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）と形成する相互キャパシタンス（Ｍｕｔｕａｌ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）と、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）にそれぞれ形成されたセルフキャパシタンス（Ｓｅｌｆ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を全て反映する信号であってもよい。
【０２７５】
Ｃａｓｅ  ４は、混合センシングモード（相互キャパシタンスのセンシングモード、セルキャパシタンスのセンシングモード）で動作する場合でああって、第２タッチ回路ＴＣ２が相互キャパシタンスのセンシングのための駆動回路で動作し、第１タッチ回路ＴＣ１が相互キャパシタンスのセンシングのためのセンシング回路で動作する場合であり、第１タッチ回路ＴＣ１は、セルフキャパシタンスのセンシングのための駆動回路及びセンシング回路で動作する場合である。
【０２７６】
この場合、第２タッチ回路ＴＣ２は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部を駆動することができる。第１タッチ回路ＴＣ１は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部を駆動してセンシングすることができる。
【０２７７】
すなわち、第２タッチ回路ＴＣ２は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部に駆動信号（相互キャパシタンスをセンシングするための駆動信号）を同時に又は順次に供給することができる。第１タッチ回路ＴＣ１は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部に駆動信号（セルフキャパシタンスをセンシングするための駆動信号）を同時に又は順次に供給することができる。
【０２７８】
第１タッチ回路ＴＣ１は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部からセンシング信号を同時に又は順次に検出することができる。
【０２７９】
ここで、センシング信号は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）がそれぞれ多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）と形成する相互キャパシタンス（Ｍｕｔｕａｌ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）と、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）にそれぞれ形成されたセルフキャパシタンス（Ｓｅｌｆ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を全て反映する信号であってもよい。
【０２８０】
Ｃａｓｅ  ５は、セルフキャパシタンスのセンシングモードで動作する場合であって、第１タッチ回路ＴＣ１がセルフキャパシタンスのセンシングのための駆動回路とセンシング回路で動作し、第２タッチ回路ＴＣ２もセルフキャパシタンスのセンシングのための駆動回路とセンシング回路で動作する場合である。
【０２８１】
第１タッチ回路ＴＣ１は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部に駆動信号を供給して多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部からセンシング信号を同時に又は順次に検出することができる。
【０２８２】
ここで、センシング信号は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）のそれぞれのセルフキャパシタンス（Ｓｅｌｆ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を反映する信号であってもよい。
【０２８３】
これと同様に、第２タッチ回路ＴＣ２は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部に駆動信号を供給して多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）の全体又は一部からセンシング信号を同時に又は順次に検出することができる。
【０２８４】
ここで、センシング信号は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）のそれぞれのセルフキャパシタンス（Ｓｅｌｆ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を反映する信号であってもよい。
【０２８５】
図１３を参照すると、第１タッチ回路ＴＣ１は、多数の第１タッチ電極（ＴＸ−ＴＥ（１）、ＴＸ−ＴＥ（２）、ＴＸ−ＴＥ（３）、ＴＸ−ＴＥ（４）、・・・）と電気的に連結された多数の第１センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｄを含むことができる。第２タッチ回路ＴＣ２は、多数の第２タッチ電極（ＲＸ−ＴＥ（１）、ＲＸ−ＴＥ（２）、ＲＸ−ＴＥ（３）、ＲＸ−ＴＥ（４）、・・・）と電気的に連結された多数の第２センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｓを含むことができる。
【０２８６】
本発明の実施例によるタッチシステムが５種のケースのうちどのケースで動作するかによって第１センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｄ及び第２センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｓのそれぞれの動作が変わることができる。
【０２８７】
また、本発明の実施例によるタッチシステムが５種のケースのうちどのケースで動作が可能であるかによって、第１センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｄ及び第２センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｓのそれぞれの内部構成が変わることができる。
【０２８８】
下では、説明の便宜のために、５種のケースのうちＣａｓｅ  １を主として説明する。
【０２８９】
図１４は、本発明の実施例によるタッチシステムのタッチ回路ＴＣ内の第１タッチ回路ＴＣ１に含まれた第１センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｄの例示図である。
【０２９０】
図１４を参照すると、第１タッチ回路ＴＣ１に含まれた多数の第１センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｄは、それぞれ第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥに駆動信号を出力する駆動増幅器ＤＲ−ＡＭＰを含むことができる。
【０２９１】
駆動増幅器ＤＲ−ＡＭＰは、駆動信号ＶＴＸが入力される入力端ｍｉと、増幅された駆動信号ＶＴＸが出力される出力端ｍｏと、を含むことができる。
【０２９２】
このような駆動増幅器ＤＲ−ＡＭＰは、大きい振幅の駆動信号ＶＴＸを出力することができ、これを通じて、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥに対する一層効果的な駆動が可能になる。
【０２９３】
図１５は、本発明の実施例によるタッチシステムのタッチ回路ＴＣ内の第２タッチ回路ＴＣ２に含まれた第２センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｓの例示図である。
【０２９４】
第２タッチ回路ＴＣ２に含まれた多数の第２センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｓは、それぞれ第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥと電気的に連結される演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰと、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの出力端Ｎｏと電気的に連結された積分器ＩＮＴＧなどを含むことができる。積分器ＩＮＴＧの出力端は、アナログデジタルコンバータＡＤＣと連結され得る。
【０２９５】
演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰは、基準電圧ＶＲＥＦの入力を受ける第１入力端Ｎｉ１と、対応する第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥと電気的に連結される第２入力端Ｎｉ２と、出力信号を出力する出力端Ｎｏと、を含むことができる。演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１と第２入力端Ｎｉ２の極性は、反対であってもよい。
【０２９６】
演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２と出力端Ｎｏとの間には、フィードバックキャパシタＣｆｂが連結され得る。演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２と出力端Ｎｏとの間には、抵抗などがさらに連結され得る。
【０２９７】
演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰとフィードバックキャパシタＣｆｂを含んで電荷増幅器又は前置増幅器とも言う。
【０２９８】
図１６は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置の動作モードを示した図である。
【０２９９】
図１６を参照すると、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置の動作モードは、ディスプレイモード、フィンガーセンシングモード及びペンセンシングモードを含むことができる。
【０３００】
ディスプレイモード、フィンガーセンシングモード及びペンセンシングモードは、相違である時間帯に進行され得る。それと異なり、ディスプレイモード、フィンガーセンシングモード及びペンセンシングモードは、独立的に進行されて、同時に進行されるか、相違である時間帯に進行されてもよい。
【０３０１】
例えば、ディスプレイモードが進行される間（すなわち、映像がディスプレイされる間）、フィンガーセンシングモード及び／又はペンセンシングモードが進行され得る。
【０３０２】
図１７は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置のセンシング動作と関連した回路を示した図であり、図１８は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、センシング動作時に用いられるか関連された主要信号（ＶＲＥＦ、ＶＴＸ、ＶＰＥＮなど）を示した図である。
【０３０３】
図１７を参照すると、タッチ回路ＴＣの演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰで、第１入力端Ｎｉ１は、基準電圧ＶＲＥＦが入力され、第２入力端Ｎｉ２は、センシングタッチ電極である第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥが電気的に連結され得る。演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰで、出力電圧Ｖｏｕｔが出力される出力端Ｎｏと第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥが電気的に連結された第２入力端Ｎｉ２との間には、フィードバックキャパシタＣｆｂが電気的に連結され得る。
【０３０４】
図１７を参照すると、駆動信号ソースＳＣＲ＿ＴＸで生成された駆動信号ＶＴＸが駆動増幅器ＤＲ−ＡＭＰを通じて増幅されて第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥに印加され、ペン１０から出力されたペン信号ＶＰＥＮが第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに印加され得る。このとき、ディスプレイパネルＤＩＳＰには、各種キャパシタンス（Ｃｍ、Ｃｐ＿ＴＸ、Ｃｐ＿ＲＸ、Ｃｐｅｎ）が形成され得る。
【０３０５】
駆動タッチ電極である第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥとセンシングタッチ電極である第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥとの間には、相互キャパシタンスＣｍが形成され得る。このような相互キャパシタンスＣｍは、フィンガーセンシングのためのものであって、フィンガーの位置によってそのサイズが変わることができる。
【０３０６】
ペン信号ＶＰＥＮが出力されたペン１０のペン先とセンシングタッチ電極である第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥとの間には、ペンのセンシングのために感知されるペンキャパシタンスＣｐｅｎが形成され得る。
【０３０７】
一方、図１７を参照すると、ディスプレイパネルＤＩＳＰに配置されてディスプレイの駆動のために必要な共通電極Ｅ２と駆動タッチ電極である第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥとの間には、寄生キャパシタンスＣｐ＿ＴＸが形成され得る。
【０３０８】
ディスプレイパネルＤＩＳＰに配置されてディスプレイの駆動のために必要な共通電極Ｅ２とセンシングタッチ電極である第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥとの間には、寄生キャパシタンスＣｐ＿ＲＸが形成され得る。
【０３０９】
動作モードによって、駆動信号ＶＴＸは、ＤＣ電圧であってもよく、変調信号であってもよい。例えば、ペンセンシングモードの場合、駆動信号ＶＴＸは、ＤＣ電圧であってもよく、フィンガーセンシングモードの場合、駆動信号ＶＴＸは、電圧が可変される変調信号（ＡＣ信号）であってもよい。
【０３１０】
図１８を参照すると、ペンセンシングモードの場合、ペン１０から出力されるペン信号ＶＰＥＮは、電圧が可変される信号であってもよい。この場合、ペン信号ＶＰＥＮの信号波形は、正弦波であってもよく、それだけではなく、球形波又は三角波などであってもよい。
【０３１１】
ペン信号ＶＰＥＮは、ある期間の間には、電圧がハイレベルとローレベルとの間で規則的にスイングする信号であってもよい。すなわち、ペン信号ＶＰＥＮは、一定な周波数を有する信号であってもよい。
【０３１２】
他の期間の間には、ペン信号ＶＰＥＮは、電圧がハイレベルとローレベルとの間で非規則的にスイングする信号であってもよい。すなわち、ペン信号ＶＰＥＮは、一定な周波数を有しない信号であってもよい。
【０３１３】
ペンセンシングモードの場合、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１に印加される基準電圧ＶＲＥＦと、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥに印加される駆動信号ＶＴＸは、ＤＣ電圧であってもよい。
【０３１４】
図１９は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、センシング動作と関連して発生する各種キャパシタンス（Ｃａｉｒ、Ｃｐｅｎ、Ｃｐ＿ＴＸ、Ｃｐ＿ＲＸ、ＣＤＣ）を示した図である。
【０３１５】
ディスプレイパネルＤＩＳＰで、封止層ＥＮＣＡＰは、ピクセル電極Ｅ１、発光層ＥＬ及び共通電極Ｅ２を含む発光エレメントＥＤ上に配置され得る。タッチパネルＴＳＰを成す第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥ及び第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、封止層ＥＮＣＡＰ上に位置することができる。多数のデータラインＤＬ、多数のゲートラインＧＬ及び駆動トランジスタＴ１などは、封止層ＥＮＣＡＰの下に位置することができる。
【０３１６】
図１９を参照すると、データラインＤＬ上に共通電極Ｅ２が配置され、共通電極Ｅ２上に第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥ及び第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥが配置され、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥ及び第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥ上にカバーガラスＣ／Ｇが位置することができる。
【０３１７】
このようなステック構造で、ペン１０のペン先がカバーガラスＣ／Ｇに接触してペンタッチが発生する場合、ペン１０と第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥとの間にペンキャパシタンスＣｐｅｎが形成され得る。
【０３１８】
もし、ペン１０のペン先がカバーガラスＣ／Ｇに接触しないでカバーガラスＣ／Ｇと一定な距離（例：１０ｍｍ程度）離れて、ホバー（Ｈｏｖｅｒ）タイプのペンタッチが発生する場合、ペン１０と第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥとの間に、エアキャパシタンスＣａｉｒとペンキャパシタンスＣｐｅｎに分けられて形成され得る。すなわち、ペン１０とカバーガラスＣ／Ｇとの間にエアキャパシタンスＣａｉｒが形成され、カバーガラスＣ／Ｇと第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥとの間にペンキャパシタンスＣｐｅｎが形成され得る。
【０３１９】
上述したように、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと共通電極Ｅ２との間に寄生キャパシタンスＣｐ＿ＴＸが形成され、第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥと共通電極Ｅ２との間に寄生キャパシタンスＣｐ＿ＲＸが形成され得る。
【０３２０】
一方、データ電圧Ｖｄａｔａが印加されるデータラインＤＬと共通電圧ＶＳＳが印加される共通電極Ｅ２との間に、寄生キャパシタンスＣＤＣが形成され得る。
【０３２１】
図１９を参照すると、本来データ電圧Ｖｄａｔａは、映像の表示のために電圧レベルが変動される映像信号である。データラインＤＬは、データ電圧Ｖｄａｔａの印加によって電圧変動が発生できる。
【０３２２】
データラインＤＬでの電圧変動は、寄生キャパシタンスＣＤＣを通じてデータラインＤＬとカップリングされた共通電極Ｅ２での電圧状態を変化させ得る。
【０３２３】
より具体的に、データ電圧Ｖｄａｔａの電圧レベルが変わるタイミングに、寄生キャパシタンスＣＤＣを通じてデータラインＤＬとカップリングされた共通電極Ｅ２は、データ電圧Ｖｄａｔａの電圧レベルの変化によるピーク電圧が発生できる。
【０３２４】
すなわち、共通電極Ｅ２は、印加されたＤＣ電圧形態の共通電圧ＶＳＳが一定に維持されるものではなく、データラインＤＬの電圧変動によってピーク電圧が発生できる。
【０３２５】
上述したように、データラインＤＬでの電圧変動によって、寄生キャパシタンスＣＤＣを通じてデータラインＤＬとカップリングされた共通電極Ｅ２での所望しない電圧状態の変化は、ディスプレイは勿論、タッチセンシング（ペンセンシング、タッチセンシング）に悪影響を及ぼすノイズであってもよい。すなわち、共通電極Ｅ２から発生するピーク電圧は、ディスプレイ性能及びタッチ性能を落とすことができるノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅに該当する。
【０３２６】
図２０は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、センシング動作時に用いられるか関連された主要信号（ＶＲＥＦ、ＶＴＸ、ＶＰＥＮ、ＶＳＳ）を示した図である。
【０３２７】
図２０を参照すると、図１８でも言及したように、ペン１０から出力されるペン信号ＶＰＥＮは、電圧が可変する信号（正弦波、球形波など）などであってもよい。演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１に印加される基準電圧ＶＲＥＦと、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥに印加される駆動信号ＶＴＸは、ＤＣ電圧であってもよい。
【０３２８】
図２０を参照すると、共通電極Ｅ２に印加される共通電圧ＶＳＳは、ＤＣ電圧であってもよく、場合によっては、電圧レベルが可変する信号であってもよい。
【０３２９】
図２１は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、共通電極Ｅ２を通じてノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅが流入される現象を示した図であり、図２２は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、共通電極Ｅ２を通じて流入されたノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅによるタッチ感度の低下現象を示したグラフである。
【０３３０】
図２１を参照すると、ペン１０に出力されたペン信号ＶＰＥＮは、第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに印加される。第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに印加されたペン信号ＶＰＥＮは、第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥと連結された演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２に入力される。
【０３３１】
演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２に入力されたペン信号ＶＰＥＮによってフィードバックキャパシタＣｆｂが充電され、これによって、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの出力端Ｎｏに出力電圧Ｖｏｕｔが出力される。
【０３３２】
このような出力電圧Ｖｏｕｔは、積分器ＩＮＴＧに入力される。積分器ＩＮＴＧから出力される積分値は、アナログデジタルコンバータＡＤＣに入力される。アナログデジタルコンバータＡＤＣは、入力された積分値をデジタル値に該当するセンシング値に変換する。タッチコントローラＴＣＴＲは、センシング値に基づいてペンのセンシングを行うことができ、その結果、ペン１０の有無、位置、チルト、筆圧又は各種付加情報などを認識することができる。
【０３３３】
一方、図２１を参照すると、データラインＤＬでの電圧変動によって、寄生キャパシタンスＣＤＣを通じてデータラインＤＬとカップリングされた共通電極Ｅ２でノイズが発生し、発生されたノイズに該当するノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅは、寄生キャパシタンスＣｐ＿ＲＸを通じて共通電極Ｅ２とカップリングされた第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥにも流入され得る。
【０３３４】
第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに流入されたノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅは、第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥと電気的に連結されたタッチ回路ＴＣにも流入され得る。すなわち、第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに流入されたノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅは、第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥと電気的に連結された演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２に流入され得る。
【０３３５】
これによって、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２には、第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに印加されたペン信号ＶＰＥＮに、第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに流入されたノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅが合されて入力され得る。
【０３３６】
このような現象によって、図２２を参照すると、積分器ＩＮＴＧの積分（Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）実行結果による積分値は、ペン信号ＶＰＥＮにノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅが合された信号の積分値に該当する。これにより、ペンセンシング（Ｐｅｎ  Ｓｅｎｓｉｎｇ）の性能が落ちるしかない。
【０３３７】
図２１及び図２２は、ペンセンシングを基準として説明したが、フィンガーセンシング時にも同一な現象が発生できる。
【０３３８】
言い換えると、フィンガーセンシングのとき、フィンガーの有無によって変化する第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥとの間の相互キャパシタンスＣｍにより第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥから発生した信号は、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２に入力される。
【０３３９】
これと共に、共通電極Ｅ２から発生して共通電極Ｅ２とカップリングされた第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに流入されたノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅは、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２に流入され得る。すなわち、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２には、相互キャパシタンスＣｍと対応してフィンガーセンシングのために必要な信号と、共通電極Ｅ２から第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに流入されたノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅとが全て入力され得る。したがって、フィンガーセンシング（Ｆｉｎｇｅｒ  Ｓｅｎｓｉｎｇ）の性能が落ちるしかない。
【０３４０】
図２３及び図２４は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、共通電極Ｅ２を通じて流入されるノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅによる影響を低減させるための技法（ノイズ影響低減技法）が適用された回路を示した図である。
【０３４１】
図１５を参照して上述したように、タッチ回路ＴＣは、ディスプレイパネルＤＩＳＰに配置された多数のタッチ電極ＴＥのうちセンシング対象タッチ電極ＴＥと電気的に連結された演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰと、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの出力端Ｎｏと電気的に連結された積分器ＩＮＴＧと、積分器ＩＮＴＧから出力された積分値をデジタル値に変換するアナログデジタルコンバータＡＤＣなどを含むことができる。
【０３４２】
図２３を参照すると、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰは、基準電圧ＶＲＥＦが入力される第１入力端Ｎｉ１と、センシング対象タッチ電極ＴＸ−ＴＥと連結される第２入力端Ｎｉ２と、出力電圧Ｖｏｕｔが出力される出力端Ｎｏと、を含むことができる。
【０３４３】
図２３を参照すると、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、共通電極Ｅ２を通じて流入されるノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅの影響を低減するために、共通電極Ｅ２に印加される共通電圧ＶＳＳと演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１に入力される基準電圧ＶＲＥＦは、互いに同期化され得る。
【０３４４】
図２３を参照すると、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、共通電極Ｅ２を通じて流入されるノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅの影響を低減するために、共通電圧ＶＳＳが印加された共通電極Ｅ２と、基準電圧ＶＲＥＦが印加される演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１は、電気的に連結され得る。
【０３４５】
これのために、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１は、共通電極Ｅ２に直接連結されるか、同期化配線ＳＹＮＬを通じて共通電極Ｅ２に電気的に連結され得る。
【０３４６】
同期化配線ＳＹＮＬは、ディスプレイパネルＤＩＳＰに電気的に連結された印刷回路と、ディスプレイパネルＤＩＳＰと、タッチ回路ＴＣのうち少なくとも一つに配置され得る。
【０３４７】
図２４を参照すると、同期化配線ＳＹＮＬは、配線抵抗Ｒ１を有することができる。配線抵抗Ｒ１は、同期化配線ＳＹＮＬが有する抵抗成分であってもよく、意図的に設計されて連結された抵抗素子であってもよい。
【０３４８】
図２４を参照すると、共通電圧ＶＳＳは、ディスプレイパネルＤＩＳＰに配列された各サブピクセルＳＰ内の発光エレメントＥＤに含まれるピクセル電極Ｅ１、発光層ＥＬ及び共通電極Ｅ２のうち共通電極Ｅ２に印加される電圧である。
【０３４９】
演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１と共通電極Ｅ２を電気的に連結する同期化配線ＳＹＮＬと同様に、共通電極Ｅ２にも抵抗成分Ｒ２が存在できる。
【０３５０】
図２４を参照すると、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、共通電極Ｅ２に共通電圧ＶＳＳを供給する共通電圧ソースＳＲＣ＿ＶＳＳと、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１に基準電圧ＶＲＥＦを供給する基準電圧ソースＳＲＣ＿ＶＲＥＦと、を含むことができる。
【０３５１】
共通電圧ＶＳＳと基準電圧ＶＲＥＦとの間の同期化のために、共通電圧ソースＳＲＣ＿ＶＳＳの出力端と基準電圧ソースＳＲＣ＿ＶＲＥＦの出力端は、同期化配線ＳＹＮＬにより連結され得る。
【０３５２】
共通電圧ソースＳＲＣ＿ＶＳＳと基準電圧ソースＳＲＣ＿ＶＲＥＦのうち１個のみを用いてもよい。例えば、基準電圧ソースＳＲＣ＿ＶＲＥＦなしに、共通電圧ソースＳＲＣ＿ＶＳＳのみを用いて基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳを供給することができる。共通電圧ソースＳＲＣ＿ＶＳＳなしに、基準電圧ソースＳＲＣ＿ＶＲＥＦのみを用いて基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳを供給することができる。
【０３５３】
すなわち、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、共通電極Ｅ２及び演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１と共通で連結される電圧ソースを含むことができる。
【０３５４】
図２４を参照すると、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、駆動トランジスタである第１トランジスタＴ１のドレインノード又はソースノードに印加される駆動電圧ＶＤＤを供給するピクセル駆動電圧ソースＳＲＣ＿ＶＤＤを含むことができる。
【０３５５】
共通電極Ｅ２は、アクティブ領域ＡＡ内の多数のタッチ電極ＴＥと電気的に絶縁され得る。
【０３５６】
共通電極Ｅ２は、タッチ回路ＴＣ内の演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１と電気的に連結され得る。これによって、共通電極Ｅ２は、多数のタッチ電極ＴＥと電気的に連結されるタッチ回路ＴＣと電気的に連結され得る。
【０３５７】
図２５は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置にノイズ影響低減技法が適用された場合、主要信号（ＶＳＳ、ＶＲＥＦ、ＶＴＸ、ＶＰＥＮ）を示した図であり、図２６は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置にノイズ影響低減技法が適用された場合、ノイズ低減効果を示した図であり、図２７は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置にノイズ影響低減技法が適用された場合、ノイズ低減効果を説明するためのシミュレーション結果のグラフである。
【０３５８】
図２５を参照すると、共通電極Ｅ２に印加される共通電圧ＶＳＳと演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１に入力される基準電圧ＶＲＥＦは、互いに同期化される信号である。
【０３５９】
共通電圧ＶＳＳと基準電圧ＶＲＥＦは、電圧が可変する変調信号であってもよく、ＤＣ電圧であってもよい。例えば、ペンセンシングモード期間の間、共通電圧ＶＳＳと基準電圧ＶＲＥＦは、電圧が可変する変調信号であってもよい。相互キャパシタンス基盤のフィンガーセンシングモード期間の間、共通電圧ＶＳＳと基準電圧ＶＲＥＦは、ＤＣ電圧であってもよい。
【０３６０】
図２５のように、ノイズの影響を低減のために、共通電圧ＶＳＳと基準電圧ＶＲＥＦは、互いに対応する周波数と位相を有することで同期化された変調信号であってもよい。
【０３６１】
共通電圧ＶＳＳの振幅と基準電圧ＶＲＥＦの振幅は、互いに同一であってもよい。場合に応じて、共通電圧ＶＳＳの振幅と基準電圧ＶＲＥＦの振幅は、抵抗Ｒ１、Ｒ２により互いに変わることができる。
【０３６２】
一方、ペン信号ＶＰＥＮは、共通電圧ＶＳＳ及び基準電圧ＶＲＥＦと同一な位相を有する正位相信号であってもよい。それと異なり、ペン信号ＶＰＥＮは、共通電圧ＶＳＳ及び基準電圧ＶＲＥＦと相違である位相を有する逆位相信号であってもよい。このようなペン信号ＶＰＥＮは、ペン１０の位置及び／又はチルトをセンシングするために必要なペン信号であってもよい。
【０３６３】
図２３を参照すると、上述したノイズ影響低減技法によると、ノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅは、共通電極Ｅ２とカップリングされた第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥを通じて演算増幅器の第２入力端Ｎｉ２に入力されるだけでなく（ＰＡＴＨ１）、共通電圧ＶＳＳと基準電圧ＶＲＥＦの同期化によって演算増幅器の第１入力端Ｎｉ１にも入力され得る（ＰＡＴＨ２）。すなわち、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２には、ペン信号ＶＰＥＮとノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅが入力され、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１には、基準電圧ＶＲＥＦとノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅが入力される。
【０３６４】
したがって、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１と第２入力端Ｎｉ２との間の電圧差では、ノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅが除去されるか小さくなることができる。したがって、第１入力端Ｎｉ１と第２入力端Ｎｉ２との間の電圧差によって決定される演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの出力電圧Ｖｏｕｔは、ノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅが除去されるか減少された電圧になり得る。
【０３６５】
したがって、図２６に示したように、積分器ＩＮＴＧから出力される積分値は、ノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅに該当する成分が小さくなるか除去されて、ペン信号ＶＰＥＮによって絶対的に決まる積分値であってもよい。これによって、ノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅによる影響が減るか除去されて、タッチセンシング性能が大きく向上され得る。
【０３６６】
図２７のシミュレーション結果を参照すると、ノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅの電圧レベルは、基準電圧ＶＲＥＦと類似になり得る。すなわち、ノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅは、基準電圧ＶＲＥＦである正弦波（Ｓｉｎｅ  Ｗａｖｅ）に同位相で収斂されるので、ノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅの電圧レベルは、ますます０に近くなり得る。
【０３６７】
演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２に入力された信号（ＶＰＥＮ＋Ｖｎｏｉｓｅ）は、基準電圧ＶＲＥＦである正弦波（Ｓｉｎｅ  Ｗａｖｅ）に逆位相で遠くなるので、ますます増幅され得る。これによって、ノイズ影響低減技法を用いると、ＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）が大きくなり得る。また、ノイズがディスプレイ画質に及ぼす影響も除去できる。
【０３６８】
図２８は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、フィンガーセンシング（Ｆ／Ｓ：Ｆｉｎｇｅｒ  Ｓｅｎｓｉｎｇ）とペンセンシング（Ｐ／Ｓ：Ｐｅｎ  Ｓｅｎｓｉｎｇ）の多様なタイミングを示した図である。
【０３６９】
本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、フィンガーセンシングＦ／ＳとペンセンシングＰ／Ｓを多様なタイミングで進行することができる。
【０３７０】
例えば、ｉ番目のフレームでのように、一つのフレーム間、フィンガーセンシングＦ／Ｓ及びペンセンシングＰ／Ｓなしにディスプレイのためのディスプレイ駆動のみが進行されてもよい。
【０３７１】
また、ｊ番目のフレームでのように、一つのフレーム間、フィンガーセンシングＦ／Ｓが一つのフレーム時間内に必要な一部時間区間の間のみ進行されてもよい。また、一つのフレーム間、ペンセンシングＰ／Ｓが一つのフレーム時間内に必要な一部時間区間の間のみ進行されてもよい。また、一つのフレーム間、フィンガーセンシングＦ／Ｓ及びペンセンシングＰ／Ｓが一つのフレーム時間内に重畳しない一部時間区間で進行されてもよい。
【０３７２】
また、ｋ番目のフレームでのように、一つのフレーム間、フィンガーセンシングＦ／Ｓ及びペンセンシングＰ／Ｓが重畳された時間区間の間進行されてもよい。この場合、フィンガーセンシングＦ／Ｓ及びペンセンシングｐ／Ｓのそれぞれのセンシング結果は、タッチコントローラＴＣＴＲなどにより決まったアルゴリズムやセンシング位置による信号分析を通じて区分され得る。
【０３７３】
このような例示だけではなく、ディスプレイとタッチセンシング（フィンガーセンシング及び／又はペンセンシング）は、時間的に分離されるか独立的に多様なタイミングに進行され得る。
【０３７４】
図２９及び図３０は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置で、ペンのセンシングのためにペン１０とタッチ回路ＴＣとの間の両方向通信を示した図である。
【０３７５】
図２９を参照すると、本発明の実施例によるタッチシステムは、ディスプレイパネルＤＩＳＰ及びタッチセンシング回路ＴＳＣを含むタッチディスプレイ装置と、タッチディスプレイ装置と連動する一つ以上のペン１０と、を含むことができる。
【０３７６】
タッチセンシング回路ＴＳＣは、ディスプレイパネルＤＩＳＰに配置された多数のタッチ電極ＴＥと電気的に連結されたタッチ回路ＴＣと、タッチ回路ＴＣの動作を制御するか、タッチ回路ＴＣから受信されたセンシングデータに基づいてフィンガータッチの有無や座標を算出するか、ペンタッチの有無、座標、傾き、筆圧、又は各種情報を認識するタッチコントローラＴＣＴＲと、を含むことができる。
【０３７７】
本発明の実施例によるタッチシステムは、ディスプレイパネルＤＩＳＰに接触するか近接しているペン１０をセンシングするために、タッチ回路ＴＣとペン１０との間の両方向通信を提供することができる。
【０３７８】
ディスプレイパネルＤＩＳＰは、タッチ回路ＴＣとペン１０との間の両方向通信のための伝送媒体になり得る。すなわち、ディスプレイパネルＤＩＳＰに配置されたタッチ電極ＴＥは、タッチ回路ＴＣとペン１０との間の両方向通信のための伝送媒体の役目をすることができる。
【０３７９】
タッチ回路ＴＣとペン１０との間の両方向通信は、タッチ回路ＴＣがディスプレイパネルＤＩＳＰを通じてペン１０に信号を伝送するアップリンク通信（Ｕｐｌｉｎｋ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）と、ペン１０がディスプレイパネルＤＩＳＰを通じてタッチ回路ＴＣに信号を伝送するダウンリンク通信（Ｄｏｗｎｌｉｎｋ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）と、を含むことができる。
【０３８０】
タッチ回路ＴＣがディスプレイパネルＤＩＳＰを通じてペン１０に伝送する信号をアップリンク信号（Ｕｐｌｉｎｋ  ｓｉｇｎａｌ）とも言う。ペン１０がディスプレイパネルＤＩＳＰを通じてタッチ回路ＴＣに伝送する信号をダウンリンク信号（Ｄｏｗｎｌｉｎｋ  ｓｉｇｎａｌ）とも言う。
【０３８１】
ペンのセンシングのためのタッチ駆動時、タッチ回路ＴＣは、ディスプレイパネルＤＩＳＰに配置された多数のタッチ電極ＴＥの全体又は一部にアップリンク信号を供給することができる。
【０３８２】
これによって、ディスプレイパネルＤＩＳＰに接触するか隣接したペン１０は、自分のペン先を通じてディスプレイパネルＤＩＳＰに含まれた一つ以上のタッチ電極ＴＥに印加されたアップリンク信号を受信することができる。
【０３８３】
ペン１０は、アップリンク信号に回答して、タッチ回路ＴＣがペン１０の位置、ペン１０のチルト（傾き）又はペン１０の各種付加情報などをセンシングするようにダウンリンク信号（以下、ペン信号とも言う）を出力することができる（放射できる）。
【０３８４】
ペン１０から出力されたダウンリンク信号は、ディスプレイパネルＤＩＳＰに配置された一つ以上のタッチ電極ＴＥに印加され得る。
【０３８５】
タッチ回路ＴＣは、ペン１０から出力されて一つ以上のタッチ電極ＴＥに印加されたダウンリンク信号を受信することができる。タッチコントローラＴＣＴＲは、タッチ回路ＴＣにより受信されたダウンリンク信号に基づいてペン１０の存在有無を認識し、ペン１０の位置、チルト又は各種ペン付加情報などを認識することができる。
【０３８６】
タッチ回路ＴＣは、マルチフレクサー回路、多数のアナログフロントエンド（ＡＦＥ）及びアナログデジタルコンバータＡＤＣなどを含むことができる。各アナログフロントエンド（ＡＦＥ）は、タッチ電極ＴＥと電気的に連結される演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰと、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの出力値を積分して積分値を出力する積分器ＩＮＴＧなどを含むことができる。
【０３８７】
場合に応じて、タッチ回路ＴＣは、各種電圧及び信号の供給又は生成などを担当するタッチパワー回路を含むことができる。
【０３８８】
図３０を参照すると、例えば、アップリンク信号は、ビーコン信号（ＢＣＯＮ：Ｂｅａｃｏｎ  ｓｉｇｎａｌ）を含むことができる。ビーコン信号ＢＣＯＮは、ペンのセンシングのためにタッチディスプレイ装置がペン１０の駆動を制御するか、ペンのセンシングのために必要な各種情報をペン１０に知らせるための信号であってもよい。ビーコン信号ＢＣＯＮに含まれる情報は、ペンのセンシングのための情報である。下で、説明の便宜のために、ビーコン信号ＢＣＯＮに含まれる情報は、ペン駆動制御情報とも言う。
【０３８９】
例えば、ビーコン信号ＢＣＯＮに含まれたペン駆動制御情報は、パネル情報（例：パネル状態情報、パネル識別情報、インセルタイプなどのパネルタイプ情報など）、パネル駆動モード情報（例：ペン検索モード、ペンモードなどのモード識別情報）、ダウンリンク信号の特性情報（例：周波数、パルス個数など）、ペンのセンシングのための駆動タイミング関連情報、マルチフレクサー駆動情報、パワーモード情報（例：消費電力の低減のためにパネル及びペンが駆動しない駆動タイミング情報など）などのうち一つ以上を含むことができ、ディスプレイパネルＤＩＳＰ及びペン１０との間の駆動同期化のための情報をさらに含んでいてもよい。
【０３９０】
例えば、ビーコン信号ＢＣＯＮは、情報伝達機能を有する信号であるため、ペン駆動制御情報が多数のパルスで表現されたパルス変調信号であってもよい。この場合、ビーコン信号ＢＣＯＮに含まれた多数のパルスのパルス幅は、互いに一定しない場合もある。
【０３９１】
一方、図３０を参照すると、アップリンク信号は、ピング信号（ＰＩＮＧ：ＰｉｎｇＳｉｇｎａｌ）をさらに含むことができる。ピング信号ＰＩＮＧは、ダウンリンク信号の同期化のための制御信号であってもよい。
【０３９２】
例えば、ペンは、ピング信号ＰＩＮＧの最後のパルスを認識した時点又はそれからあらかじめ決まった一定時間が経過した後、ダウンリンク信号を出力することができる。
【０３９３】
ピング信号ＰＩＮＧは、一つのパルスになっているか、二つ以上のパルスを含むことができる。ピング信号ＰＩＮＧが二つ以上のパルスを含む場合、ピング信号ＰＩＮＧは、同期化機能を有する信号であり、情報伝達機能を有する信号ではないので、パルスのパルス幅が一定なパルス変調信号であってもよい。すなわち、ピング信号ＰＩＮＧは、ハイレベルとローレベルとの間を規則的にスイングする信号であってもよい。
【０３９４】
ピング信号ＰＩＮＧの同期化機能は、ビーコン信号ＢＣＯＮにより提供され得る。
【０３９５】
図３０を参照すると、ペン１０は、アップリンク信号（ＢＣＯＮ、ＰＩＮＧ）を受信した以後、アップリンク信号に回答してダウンリンク信号に該当するペン信号（Ｐｅｎ  ｓｉｇｎａｌ）を出力することができる。
【０３９６】
ダウンリンク信号に該当するペン信号（Ｐｅｎ  ｓｉｇｎａｌ）は、タッチ回路ＴＣがペンの位置及び／又はチルト（傾き）をセンシングできるようにするペン位置センシング信号ＰＯＳと、タッチ回路ＴＣがペンの圧力（筆圧）や各種ペン付加情報などをセンシングできるようにするペンデータ信号ＰＤＡＴＡなどを含むことができる。
【０３９７】
ここで、ペン付加情報は、一つの例示で、筆圧、ペンＩＤ、ボタン情報、バッテリー情報、情報エラーチェック及び訂正のための情報などのうち一つ以上を含むことができる。
【０３９８】
ペン１０がペン位置センシング信号ＰＯＳ及びペンデータ信号ＰＤＡＴＡなどのペン信号を出力する期間の間には、タッチ回路ＴＣは、ＤＣ電圧をタッチ電極ＴＥに供給することができる。
【０３９９】
図３０では、アップリンク信号及びダウンリンク信号が球形波であることで図示されたが、これは、実施例に過ぎず、正弦波であってもよい。
【０４００】
図３１は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置にノイズ影響低減技法が適用された場合、ペンセンシングモード時の主要信号（ＶＲＥＦ、ＶＳＳ、ＶＤＤ、ＶＴＸ）を示した図である。
【０４０１】
図３１を参照すると、タッチディスプレイ装置の動作モードがペンセンシングモードである場合、タッチ回路ＴＣは、センシング対象タッチ電極に該当する第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥを通じてペン１０に出力されたダウンリンク信号であるペン信号ＶＰＥＮを検出することができる。
【０４０２】
タッチディスプレイ装置の動作モードがペンセンシングモードである場合、共通電極Ｅ２に印加される共通電圧ＶＳＳと演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１に入力される基準電圧ＶＲＥＦは、ＡＣ信号（変調信号）形態で同期化され得る。
【０４０３】
基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳは、対応する周波数と対応する位相を有する変調信号であってもよい。基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳは、球形波、正弦波、三角波などの多様な信号波形を有することができる。
【０４０４】
基準電圧ＶＲＥＦは、所定の中心電圧で所定の振幅（ＡＭＰ＿ＶＲＥＦ）を有してスイングする変調信号であってもよい。共通電圧ＶＳＳは、所定の中心電圧で所定の振幅（ＡＭＰ＿ＶＳＳ）を有してスイングする変調信号であってもよい。
【０４０５】
例えば、基準電圧ＶＲＥＦの中心電圧と共通電圧ＶＳＳの中心電圧は、０［Ｖ］以下の電圧として同一であってもよい。基準電圧ＶＲＥＦの振幅ＡＭＰ＿ＶＲＥＦと共通電圧ＶＳＳの振幅ＡＭＰ＿ＶＳＳは、互いに対応するか多少異なっていてもよいが、約数百［ｍＶ］程度になり得る。
【０４０６】
駆動トランジスタＴ１に印加される駆動電圧ＶＤＤは、所定の中心電圧で所定の振幅（ＡＭＰ＿ＶＤＤ）を有してスイングする変調信号であってもよい。駆動電圧ＶＤＤは、球形波、正弦波、三角波などの多様な信号波形を有することができる。
【０４０７】
このような駆動電圧ＶＤＤは、基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳと対応する周波数及び位相を有する変調信号であってもよい。
【０４０８】
例えば、駆動電圧ＶＤＤは、８［Ｖ］以上の中心電圧で基準電圧ＶＲＥＦの振幅ＡＭＰ＿ＶＲＥＦ又は共通電圧ＶＳＳの振幅ＡＭＰ＿ＶＳＳと対応する振幅ＡＭＰ＿ＶＤＤでスイングする変調信号であってもよい。
【０４０９】
ペン１０の位置及び／又はチルトなどをセンシングするためのペン信号ＶＰＥＮは、基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳと周波数が同一であってもよい。
【０４１０】
このようなペン信号ＶＰＥＮは、基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳと位相が同一であってもよい。すなわち、ペン信号ＶＰＥＮは、基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳと正位相関係であってもよい。
【０４１１】
または、ペン信号ＶＰＥＮは、基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳと位相が異なっていてもよい。すなわち、ペン信号ＶＰＥＮは、基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳと逆位相関係であってもよい。
【０４１２】
ペン信号ＶＰＥＮの振幅ＡＭＰ＿ＶＰＥＮは、基準電圧ＶＲＥＦ、共通電圧ＶＳＳ及び駆動電圧ＶＤＤの振幅（ＡＭＰ＿ＶＲＥＦ、ＡＭＰ＿ＶＳＳ、ＡＭＰ＿ＶＤＤ）と対応することができる。
【０４１３】
それとは異なり、ペン信号ＶＰＥＮの振幅ＡＭＰ＿ＶＰＥＮは、基準電圧ＶＲＥＦ、共通電圧ＶＳＳ及び駆動電圧ＶＤＤの振幅（ＡＭＰ＿ＶＲＥＦ、ＡＭＰ＿ＶＳＳ、ＡＭＰ＿ＶＤＤ）より大きくてもよい。これを通じて、ペンセンシングの性能が向上され得る。
【０４１４】
例えば、ペン信号ＶＰＥＮの振幅ＡＭＰ＿ＶＰＥＮは、１０〜２０［Ｖ］であってもよい。
【０４１５】
一方、図３１を参照すると、タッチディスプレイ装置の動作モードがペンセンシングモードである場合、センシング対象タッチ電極に該当する第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥには、変調信号タイプのペン信号ＶＰＥＮが印加されるが、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥは、フローティングされるかＤＣ電圧が印加されるかグラウンド電圧（ＧＮＤ、０「Ｖ」又はその辺りの電圧)が印加され得る。
【０４１６】
本明細書で、変調信号は、電圧レベルが変わる信号であって、周波数、周期、振幅又は位相を有することができ、球形波、正弦波又は三角波などの多様な形態であってもよい。このような変調信号は、パルス信号又はＡＣ信号とも言える。
【０４１７】
本明細書で、変調信号の振幅は、変調信号が有するハイレベル電圧とローレベル電圧の間の電圧差を意味する。
【０４１８】
変調信号は、周波数が一定であってもよく、変わってもよい。
【０４１９】
図３２は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置にノイズ影響低減技法が適用された場合、相互キャパシタンス基盤のフィンガーセンシングモード時の主要信号を示した図である。
【０４２０】
タッチディスプレイ装置の動作モードが相互キャパシタンス基盤のフィンガーセンシングモードである場合、多数のタッチ電極ＴＥは、駆動信号ＶＴＸが印加される第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥとセンシング信号を検出するための第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥとに分類され得る。
【０４２１】
タッチディスプレイ装置の動作モードが相互キャパシタンス基盤のフィンガーセンシングモードである場合、タッチ回路ＴＣは、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥとの間に形成される相互キャパシタンスＣｍの変化に対応するセンシング信号を第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥから検出することができる。
【０４２２】
タッチディスプレイ装置の動作モードが相互キャパシタンス基盤のフィンガーセンシングモードである場合、共通電極Ｅ２に印加される共通電圧ＶＳＳと演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１に入力される基準電圧ＶＲＥＦは、ＤＣ電圧で同期化され得る。
【０４２３】
言い換えると、タッチディスプレイ装置の動作モードがフィンガーセンシングモードである場合、タッチ回路ＴＣは、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥのうち一つ以上の第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥに駆動信号ＶＴＸを印加し、第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥのうちセンシング対象タッチ電極に該当する第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥと電気的に連結された演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２を通じてセンシング信号を検出することができる。
【０４２４】
タッチディスプレイ装置の動作モードがフィンガーセンシングモードである場合、基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳは、ＤＣ電圧であってもよい。
【０４２５】
例えば、基準電圧ＶＲＥＦに該当する一定電圧値ＤＣ＿ＶＲＥＦと、共通電圧ＶＳＳに該当する一定電圧値ＤＣ＿ＶＳＳは、約０［Ｖ］以下の電圧であってもよく、互いに同一であるか多少の差があってもよい。
【０４２６】
相互キャパシタンスＣｍに基盤してフィンガーセンシングを行うために、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥに印加される駆動信号ＶＴＸは、所定の振幅（ＡＭＰ＿ＶＴＸ）を有する変調信号であってもよい。
【０４２７】
このような駆動信号ＶＴＸは、０［Ｖ］などのグラウンド電圧ＧＮＤをローレベル電圧として所定の振幅（ＡＭＰ＿ＶＴＸ）ほどスイングする信号であってもよい。
【０４２８】
例えば、駆動信号ＶＴＸは、０［Ｖ］、約２〜８［Ｖ］の間でスイングすることができる。すなわち、駆動信号ＶＴＸのハイレベル電圧は、約２〜８［Ｖ］であり、駆動信号ＶＴＸのローレベル電圧は、０［Ｖ］であり、駆動信号ＶＴＸの振幅ＡＭＰ＿ＶＤＤは、約２〜８［Ｖ］程度である。
【０４２９】
駆動トランジスタＴ１に印加される駆動電圧ＶＤＤは、ＤＣ電圧であってもよい。
【０４３０】
例えば、駆動電圧ＶＤＤに該当する一定電圧値（ＤＣ＿ＶＤＤ）は、約８［Ｖ］又はその辺りの電圧であってもよい。
【０４３１】
図３３は、本発明の実施例によるタッチシステムのタッチ回路ＴＣ内の第１タッチ回路ＴＣ１に含まれる第１センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｄの他の例示図である。
【０４３２】
図３４は、本発明の実施例によるタッチシステムのタッチ回路ＴＣ内の第２タッチ回路ＴＣ２に含まれる第２センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｓの他の例示図である。
【０４３３】
図１３に示したように、第１タッチ回路ＴＣ１は、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥに電気的に連結された第１センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｄを含むことができる。第２タッチ回路ＴＣ２は、第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに電気的に連結された第２センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｓを含むことができる。
【０４３４】
図３３を参照すると、第１タッチ回路ＴＣ１内の各第１センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｄは、相互キャパシタンス基盤のフィンガーセンシングを行うために変調信号（ＡＣ信号）形態の駆動信号ＶＴＸを第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥに供給するか、ペンセンシングを行うためにＤＣ信号形態の駆動信号ＶＴＸを第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥに供給するために、駆動増幅器ＤＲ−ＡＭＰを含むことができる。
【０４３５】
また、第１タッチ回路ＴＣ１内の各第１センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｄは、駆動増幅器ＤＲ−ＡＭＰだけでなく、セルフキャパシタンス基盤のフィンガーセンシング（又はペンセンシング）を行うために演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰをさらに含むことができる。
【０４３６】
駆動増幅器ＤＲ−ＡＭＰは、駆動信号ＶＴＸの入力を受ける駆動入力端Ｍｉと、駆動信号ＶＴＸを増幅して出力する駆動出力端Ｍｏと、を有することができる。ここで、駆動入力端Ｍｉに入力された駆動信号ＶＴＸは、相互キャパシタンス基盤のフィンガーセンシングのための駆動信号であるか、ペンセンシングを行うためにＤＣ信号形態の駆動信号であってもよい。
【０４３７】
演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰは、基準電圧ＶＲＥＦの入力を受ける第１入力端Ｎｉ１と、対応する駆動増幅器ＤＲ−ＡＭＰの駆動出力端Ｍｏと電気的に連結される第２入力端Ｎｉ２と、出力電圧が出力される出力端Ｎｏと、を含むことができる。
【０４３８】
演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２と出力端Ｎｏとの間には、フィードバックキャパシタＣｆｂが電気的に連結され得る。
【０４３９】
演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１に入力された基準電圧ＶＲＥＦは、ＤＣ電圧又はＡＣ信号（変調信号、例：正弦波信号又は球形波信号）であってもよい。ＤＣ電圧は、相互キャパシタンスのための基準電圧であり、ＡＣ信号（変調信号）は、セルフキャパシタンス基盤のフィンガーセンシング（又はペンセンシング）のための駆動信号であってもよい。
【０４４０】
このような演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰは、相互キャパシタンス基盤のフィンガーセンシングを行うとき、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥでセンシング信号を検出するために用いられ得る。
【０４４１】
図３３を参照すると、第１センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｄに含まれた演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰは、第１センシング活性化信号ＥＮＤ−１によって動作が活性化され得る。第１センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｄに含まれた駆動増幅器ＤＲ−ＡＭＰは、第１駆動活性化信号ＥＮＤ−２によって動作が活性化され得る。
【０４４２】
図３４を参照すると、第２タッチ回路ＴＣ２内の各第２センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｓは、相互キャパシタンス基盤のフィンガーセンシングを行うとき、第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥからセンシング信号を検出するための演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰを含むことができる。
【０４４３】
図３４を参照すると、第２タッチ回路ＴＣ２内の各第２センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｓは、演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰ以外に、第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに駆動信号ＶＴＸを供給するための駆動増幅器ＤＲ−ＡＭＰをさらに含むことができる。
【０４４４】
駆動増幅器ＤＲ−ＡＭＰは、駆動信号ＶＴＸの入力を受ける駆動入力端Ｍｉと、駆動信号ＶＴＸを増幅して出力する駆動出力端Ｍｏと、を有することができる。ここで、駆動入力端Ｍｉに入力された駆動信号ＶＴＸは、相互キャパシタンスのセンシングのための駆動信号であってもよい。
【０４４５】
演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰは、基準電圧ＶＲＥＦの入力を受ける第１入力端Ｎｉ１と、対応する駆動増幅器ＤＲ−ＡＭＰの駆動出力端Ｍｏと電気的に連結される第２入力端Ｎｉ２と、対応するアナログデジタルコンバータＡＤＣと電気的に連結される出力端Ｎｏと、を含むことができる。
【０４４６】
演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２と出力端Ｎｏとの間には、フィードバックキャパシタＣｆｂが電気的に連結され得る。
【０４４７】
演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１に入力された基準電圧ＶＲＥＦは、ＤＣ電圧又はＡＣ信号（変調信号、例:：正弦波信号又は球形波信号）であってもよい。基準電圧ＶＲＥＦがＤＣ電圧である場合、相互キャパシタンスのセンシングのための基準電圧であり、基準電圧ＶＲＥＦがＡＣ信号（変調信号、例：正弦波信号又は球形波信号）である場合、セルフキャパシタンスのセンシングのための駆動信号であってもよい。
【０４４８】
図３４を参照すると、第２センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｓに含まれた演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰは、第２センシング活性化信号ＥＮＳ−１によって動作が活性化され得る。第２センシング駆動ユニットＳＤＵ＿Ｓに含まれた駆動増幅器ＤＲ−ＡＭＰは、第２駆動活性化信号ＥＮＳ−２によって動作が活性化され得る。
【０４４９】
図３５は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置にノイズ影響低減技法が適用された場合、セルフキャパシタンス基盤のフィンガーセンシングモード時の主要信号（ＶＲＥＦ、ＶＳＳ、ＶＤＤ）を示した図である。
【０４５０】
タッチディスプレイ装置の動作モードがセルフキャパシタンス基盤のフィンガーセンシングモードである場合、配置の観点から、多数のタッチ電極ＴＥは、互いに交差する第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥに分類され得るが、第１タッチ電極ＴＸ−ＴＥと第２タッチ電極ＲＸ−ＴＥは、機能及び役目において同一であってもよい。
【０４５１】
タッチディスプレイ装置の動作モードがセルフキャパシタンス基盤のフィンガーセンシングモードである場合、タッチ回路ＴＣは、多数のタッチ電極ＴＥのうちセンシング対象タッチ電極ＴＥに駆動信号ＶＴＸを印加して、駆動信号ＶＴＸが印加されたセンシング対象タッチ電極ＴＥと電気的に連結された演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第２入力端Ｎｉ２を通じてセンシング信号を検出することができる。
【０４５２】
タッチディスプイー装置の動作モードがセルフキャパシタンス基盤のフィンガーセンシングモードである場合、ノイズ影響の低減のために、基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳは、対応する周波数を有する変調信号であってもよい。
【０４５３】
駆動トランジスタＴ１に印加される駆動電圧ＶＤＤは、基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳと対応する周波数を有する変調信号であってもよい。
【０４５４】
例えば、基準電圧ＶＲＥＦ、共通電圧ＶＳＳ及び駆動電圧ＶＤＤの周波数は、全て同一であってもよく、位相も同一であってもよい。基準電圧ＶＲＥＦの振幅ＡＭＰ＿ＶＲＥＦ、共通電圧ＶＳＳの振幅ＡＭＰ＿ＶＳＳ及び駆動電圧ＶＤＤの振幅ＡＭＰ＿ＶＤＤは、全て同一であってもよい。基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳのそれぞれの中心電圧は、同一であってもよい。駆動電圧ＶＤＤの中心電圧は、基準電圧ＶＲＥＦ及び共通電圧ＶＳＳの中心電圧より高いことがある。
【０４５５】
図３６は、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置の駆動方法に対するフローチャートである。
【０４５６】
図３６を参照すると、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置の駆動方法は、タッチセンシング回路ＴＳＣがディスプレイパネルＤＩＳＰに配置された多数のタッチ電極ＴＥのうちセンシング対象タッチ電極ＲＸ−ＴＥからセンシング信号を検出するステップ（Ｓ３６１０）と、タッチセンシング回路ＴＳＣが検出されたセンシング信号に基づいてフィンガータッチ又はペンタッチをセンシングするステップ（Ｓ３６２０)などを含むことができる。
【０４５７】
ディスプレイパネルＤＩＳＰに配置された多数のサブピクセルＳＰは、それぞれピクセル電極Ｅ１、発光層ＥＬ及び共通電極Ｅ２を含む発光エレメントＥＤと、発光エレメントＥＤを駆動する駆動トランジスタＴ１と、を含むことができる。
【０４５８】
ステップＳ３６１０で、タッチセンシング回路ＴＳＣは、センシング対象タッチ電極ＲＸ−ＴＥからセンシング信号が入力されるとき、基準電圧ＶＲＥＦが入力される。
【０４５９】
基準電圧ＶＲＥＦは、共通電極Ｅ２に印加される共通電圧ＶＳＳと同期化され得る。
【０４６０】
共通電極Ｅ２に印加される共通電圧ＶＳＳと演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１に入力される基準電圧ＶＲＥＦは、電圧が可変する変調信号であり、互いに対応する周波数と位相を有することで同期化され得る。
【０４６１】
共通電極Ｅ２に印加される共通電圧ＶＳＳと演算増幅器ＯＰ−ＡＭＰの第１入力端Ｎｉ１に入力される基準電圧ＶＲＥＦは、ＤＣ電圧で同期化され得る。
【０４６２】
以上で上述した本発明の実施例は、ディスプレイとタッチセンシングとの間の相互悪影響を減らすか除去することで、ディスプレイ性能及びタッチセンシング性能を向上させることできる。
【０４６３】
本発明の実施例は、タッチ電極ＴＥやタッチ回路ＴＣにノイズが流入されても、高い信号対雑音比が得られるようにしてタッチセンシングの正確度を向上させることができる。
【０４６４】
本発明の実施例は、タッチ電極ＴＥやタッチ回路ＴＣにノイズが流入されても、ペンセンシングのときに高い信号対雑音比が得られるようにしてペンセンシング正確度を向上させることができる。
【０４６５】
本発明の実施例は、ディスプレイの駆動時に用いられる各サブピクセル内の発光エレメントＥＤの共通電極Ｅ２を通じてタッチ回路ＴＣの一つの入力端Ｎｉ２にノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅが流入されても、タッチ回路ＴＣの他の入力端Ｎｉ１の電圧制御を通じてノイズ電圧流入による影響を除去するか低減させてタッチセンシング性能を向上させることができる。
【０４６６】
本発明の実施例は、ディスプレイの駆動時に用いられる各サブピクセル内の発光エレメントＥＤの共通電極Ｅ２を通じてタッチ回路ＴＣの一つの入力端Ｎｉ２にノイズ電圧Ｖｎｏｉｓｅが流入されても、タッチ回路ＴＣの他の入力端Ｎｉ１を共通電極Ｅ２と電気的に連結することで、ノイズ電圧流入による影響を除去するか低減させてタッチセンシング性能を向上させることができる。
【０４６７】
本発明の実施例は、ディスプレイの駆動時に用いられる各サブピクセル内の発光エレメントＥＤの共通電極Ｅ２に印加される共通電圧ＶＳＳとタッチ回路の基準電圧ＶＲＥＦを互いに同期化させることで、ノイズ電圧流入による影響を除去するか低減させてタッチセンシング性能を向上させることができる。
【０４６８】
以上の説明及び添付された図面は、本発明の技術思想を例示的に示すことに過ぎないものであって、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で構成の結合、分離、置換及び変更などの多様な修正及び変形が可能である。したがって、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものでなく、説明するためのものであるので、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。本発明の保護範囲は、下の請求範囲によって解釈されなければならず、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものとして解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０４６９】
１０  ペン
ＡＡ  アクティブ領域
ＮＡ  ノンアクティブ領域
ＤＬ  データライン
ＧＬ  ゲートライン
ＴＥ  タッチ電極
ＴＬ  タッチルーティング配線
ＤＩＳＰ  ディスプレイパネル
ＴＣ  タッチ回路
Ｅ１  ピクセル電極
ＥＬ  発光層
Ｅ２  共通電極
ＥＤ  発光エレメント
Ｔ１  駆動トランジスタ
ＳＰ  サブピクセル
ＥＮＣＡＰ  封止層
ＴＸ−ＴＰ，ＲＸ−ＴＰ  タッチパッド
Ｎｉ１  第１入力端
Ｎｉ２  第２入力端
Ｎｏ  出力端
ＯＰ−ＡＭＰ  演算増幅器
【図１】
2020013576.tif 000003
【図２】
2020013576.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2020013576.tif 000007
【図６】
2020013576.tif 000008
【図７】
2020013576.tif 000009
【図８】
2020013576.tif 000010
【図９】
2020013576.tif 000011
【図１０】
2020013576.tif 000012
【図１１】
2020013576.tif 000013
【図１２】
2020013576.tif 000014
【図１３】
2020013576.tif 000015
【図１４】
2020013576.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
2020013576.tif 000018
【図１７】
2020013576.tif 000019
【図１８】
2020013576.tif 000020
【図１９】
2020013576.tif 000021
【図２０】
2020013576.tif 000022
【図２１】
2020013576.tif 000023
【図２２】
2020013576.tif 000024
【図２３】
2020013576.tif 000025
【図２４】
2020013576.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
2020013576.tif 000028
【図２７】
2020013576.tif 000029
【図２８】
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【図２９】
2020013576.tif 000031
【図３０】
2020013576.tif 000032
【図３１】
2020013576.tif 000033
【図３２】
2020013576.tif 000034
【図３３】
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【図３４】
2020013576.tif 000036
【図３５】
2020013576.tif 000037
【図３６】
2020013576.tif 000038