(57)【要約】【課題】絶縁膜の剥離を抑制することが可能な面発光レーザの製造方法を提供する。【解決手段】下部反射鏡層、活性層、および上部反射鏡層が形成され、ガリウムおよび砒素を含む基板を準備する工程と、メサを形成する工程と、前記メサを形成する工程の後、前記上部反射鏡層の一部を酸化することで電流狭窄層を形成する工程と、前記下部反射鏡層、前記活性層および前記上部反射鏡層を、塩素を含むガスによりエッチングすることで前記基板を露出させる工程と、前記基板を露出させる工程の後、前記基板を洗浄する工程と、前記洗浄する工程の後、前記基板を熱処理する第１熱処理工程と、前記エッチングにより露出する面を覆う絶縁膜を形成する工程と、電極を形成する工程と、前記電極の形成後に前記基板を熱処理する第２熱処理工程と、を有し、前記第１熱処理工程における温度は、前記電流狭窄層を形成する工程における温度よりも低い面発光レーザの製造方法。【選択図】  図４
2020068310.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体多層膜を含む下部反射鏡層、活性層、および半導体多層膜を含む上部反射鏡層が順に形成され、ガリウムおよび砒素を含む基板を準備する工程と、
前記下部反射鏡層、前記活性層および前記上部反射鏡層をエッチングすることでメサを形成する工程と、
前記メサを形成する工程の後、前記上部反射鏡層の一部を酸化することで電流狭窄層を形成する工程と、
前記下部反射鏡層、前記活性層および前記上部反射鏡層を、塩素を含むガスによりエッチングすることで前記基板を露出させる工程と、
前記基板を露出させる工程の後、前記基板を洗浄する工程と、
前記洗浄する工程の後、前記基板を熱処理する第１熱処理工程と、
前記第１熱処理工程の後に、前記基板のうち前記エッチングにより露出する面を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記下部反射鏡層および前記上部反射鏡層の上に電極を形成する工程と、
前記電極の形成後に前記基板を熱処理する第２熱処理工程と、を有し、
前記第１熱処理工程における温度は、前記電流狭窄層を形成する工程における温度よりも低い面発光レーザの製造方法。
【請求項２】
前記第１熱処理工程における温度は２５０℃以上、３５０℃以下である請求項１に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項３】
前記第１熱処理工程において前記基板を減圧雰囲気に配置する請求項１または２に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項４】
前記第１熱処理工程は３０分以上、１時間以下の間行われる請求項１から３のいずれか一項に記載の面発光レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は面発光レーザの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、垂直共振型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）が開示されている。ＶＣＳＥＬでは、寄生容量の低減のために、半導体層にイオンを注入することで高抵抗領域を形成することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１５／０３３６４９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ウェハに形成した面発光レーザの素子間を分離するため半導体層にエッチングを行い、その後に絶縁膜を設ける。しかしエッチング後の面から絶縁膜が剥がれることがある。そこで、絶縁膜の剥離を抑制することが可能な面発光レーザの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る面発光レーザの製造方法は、半導体多層膜を含む下部反射鏡層、活性層、および半導体多層膜を含む上部反射鏡層が順に形成され、ガリウムおよび砒素を含む基板を準備する工程と、前記下部反射鏡層、前記活性層および前記上部反射鏡層をエッチングすることでメサを形成する工程と、前記メサを形成する工程の後、前記上部反射鏡層の一部を酸化することで電流狭窄層を形成する工程と、前記下部反射鏡層、前記活性層および前記上部反射鏡層を、塩素を含むガスによりエッチングすることで前記基板を露出させる工程と、前記基板を露出させる工程の後、前記基板を洗浄する工程と、前記洗浄する工程の後、前記基板を熱処理する第１熱処理工程と、前記第１熱処理工程の後に、前記基板のうち前記エッチングにより露出する面を覆う絶縁膜を形成する工程と、前記下部反射鏡層および前記上部反射鏡層の上に電極を形成する工程と、前記電極の形成後に前記基板を熱処理する第２熱処理工程と、を有し、前記第１熱処理工程における温度は、前記電流狭窄層を形成する工程における温度よりも低いものである。
【発明の効果】
【０００６】
上記発明によれば、絶縁膜の剥離を抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（ａ）は実施例１に係る面発光レーザを例示する平面図であり、図１（ｂ）は面発光レーザを例示する断面図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は溝付近の模式図である。
【図７】図７はＸＰＳ分析の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[本願発明の実施形態の説明]
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
【０００９】
本願発明の一形態は、（１）半導体多層膜を含む下部反射鏡層、活性層、および半導体多層膜を含む上部反射鏡層が順に形成され、ガリウムおよび砒素を含む基板を準備する工程と、前記下部反射鏡層、前記活性層および前記上部反射鏡層をエッチングすることでメサを形成する工程と、前記メサを形成する工程の後、前記上部反射鏡層の一部を酸化することで電流狭窄層を形成する工程と、前記下部反射鏡層、前記活性層および前記上部反射鏡層を、塩素を含むガスによりエッチングすることで前記基板を露出させる工程と、前記基板を露出させる工程の後、前記基板を洗浄する工程と、前記洗浄する工程の後、前記基板を熱処理する第１熱処理工程と、前記第１熱処理工程の後に、前記基板のうち前記エッチングにより露出する面を覆う絶縁膜を形成する工程と、前記下部反射鏡層および前記上部反射鏡層の上に電極を形成する工程と、前記電極の形成後に前記基板を熱処理する第２熱処理工程と、を有し、前記第１熱処理工程における温度は、前記電流狭窄層を形成する工程における温度よりも低い面発光レーザの製造方法である。エッチング後の洗浄において塩素を含むガスを除去する。この際、エッチング後の基板の表面に砒素酸化物（Ａｓ２Ｏ３）が発生する。第１熱処理工程によりＡｓ２Ｏ３を除去した後、絶縁膜の形成および第２熱処理工程を行う。このためＡｓ２Ｏ３の溶解および昇華などによる絶縁膜の剥離を抑制することができる。
（２）前記第１熱処理工程における温度は２５０℃以上、３５０℃以下でもよい。Ａｓ２Ｏ３を除去することができ、かつ電流狭窄層の損傷を抑制することができる。
（３）前記第１熱処理工程において前記基板を減圧雰囲気に配置してもよい。これによりＡｓ２Ｏ３をより効果的に除去することができる。
（４）前記第１熱処理工程は３０分以上、１時間以下の間行われてもよい。これによりＡｓ２Ｏ３をより効果的に除去することができる。
【００１０】
［本願発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【実施例１】
【００１１】
（面発光レーザ）
図１（ａ）は実施例１に係る面発光レーザ１００を例示する平面図であり、図１（ｂ）は面発光レーザ１００を例示する断面図である。
【００１２】
図１（ａ）に示すように、面発光レーザ１００の外周部には素子分離のための溝１１が設けられている。溝１１に囲まれた部分にメサ１９、パッド２５および２７が位置する。メサ１９の周囲に溝１３が設けられている。メサ１９の上に電極２６が設けられ、溝１３に電極２８が設けられている。パッド２５は電極２６に電気的に接続され、パッド２７は電極２８に電気的に接続されている。
【００１３】
図１（ｂ）に示すように、面発光レーザ１００は基板１０、下部反射鏡（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）層１２、活性層１４、上部反射鏡層１６、絶縁膜１８、電極２６および２８を備えるＶＣＳＥＬである。
【００１４】
基板１０は例えば半絶縁性のガリウム砒素（ＧａＡｓ）で形成された半導体基板である。基板１０の上に下部反射鏡層１２、活性層１４、上部反射鏡層１６が順に積層され、これらの半導体層はメサ１９を形成する。
【００１５】
下部反射鏡層１２は例えばｎ型のＡｌ０．１６Ｇａ０．８４ＡｓとＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓとを光学膜厚λ／４ずつ交互に積層した半導体多層膜であり、ＡｌＧａＡｓのコンタクト層を含む。なおλは光の波長である。下部反射鏡層１２には例えばシリコン（Ｓｉ）がドーピングされている。また下部反射鏡層１２は電極２６に接触するコンタクト層を含む。
【００１６】
活性層１４は例えばＡｌＧａＡｓおよびＡｌＩｎＧａＡｓで形成され、量子井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）構造を有し、光学利得を有する。活性層１４と下部反射鏡層１２との間、および活性層と上部反射鏡層１６との間には不図示のクラッド層が介在する。
【００１７】
上部反射鏡層１６は例えばｐ型のＡｌ０．１６Ｇａ０．８４ＡｓとＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓとを光学膜厚λ／４ずつ交互に積層した半導体多層膜であり、ＡｌＧａＡｓのコンタクト層を含む。上部反射鏡層１６には例えば炭素（Ｃ）がドーピングされている。また下部反射鏡層１２は電極２８に接触するコンタクト層を含む。
【００１８】
基板１０、下部反射鏡層１２、活性層１４、上部反射鏡層１６は上記以外の化合物半導体で形成されてもよい。例えば基板１０はＧａＡｓ以外に、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦０．２）などでもよく、ＧａとＡｓを含むものである。
【００１９】
上部反射鏡層１６の一部を選択的に酸化させることで電流狭窄層２２が形成される。電流狭窄層２２は上部反射鏡層１６の周縁部に形成され、上部反射鏡層１６の中央部には形成されない。電流狭窄層２２は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含み、絶縁性であり、酸化されない部分よりも電流が流れにくい。したがって上部反射鏡層１６の中央側である未酸化部分が電流経路となり、効率的な電流注入が可能となる。
【００２０】
電流狭窄層２２よりも外側であって、メサ１９の周縁部には高抵抗領域２０が形成されている。高抵抗領域２０は上部反射鏡層１６、活性層１４および下部反射鏡層１２の上側の一部にわたっており、後述のようにイオン注入で形成される。溝１３は高抵抗領域２０を厚さ方向に貫通し、下部反射鏡層１２に達し、メサ１９を囲む。溝１１は溝１３および高抵抗領域２０よりも外側に位置し、これらを囲み、厚さ方向において基板１０に達する。
【００２１】
絶縁膜１８は例えば厚さ４０ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜であり、溝１１の底面、高抵抗領域２の表面およびメサ１９の表面を覆う。絶縁膜１８の上に例えばＳｉＮ、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）の膜を設けてもよい。絶縁膜１８は活性層１４が出射する光を反射する反射膜として機能し、厚さおよび屈折率は反射率が高まるように定める。絶縁膜１８には開口部が設けられ、電極２６および２８が設けられる。
【００２２】
電極２６は、例えば金ゲルマニウム（ＡｕＧｅ）とニッケル（Ｎｉ）との積層構造を有するｎ型電極であり、溝１３に設けられ、下部反射鏡層１２の表面に接触する。電極２８は、例えばチタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）およびＡｕの積層構造を有するｐ型電極であり、メサ１９の上に設けられ、上部反射鏡層１６の表面に接触する。電極２６および２８は、それぞれ下部反射鏡層１２および上部反射鏡層１６とオーミック接触が可能な金属で形成されればよい。
【００２３】
（製造方法）
次に面発光レーザ１００の製造方法を説明する。図２（ａ）から図５（ｂ）は面発光レーザ１００の製造方法を例示する断面図である。図６（ａ）および図６（ｂ）は溝１１付近の模式図である。
【００２４】
図２（ａ）に示すように、例えば有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法または分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）法などにより基板１０上に下部反射鏡層１２、活性層１４および上部反射鏡層１６を順にエピタキシャル成長する。下部反射鏡層１２は電流狭窄層２２形成のためのＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０．９≦ｘ≦１．０）を含む。例えばプラズマＣＶＤ法などで上部反射鏡層１６の表面に絶縁膜１８を形成する。
【００２５】
図２（ｂ）に示すように、フォトレジスト３０のレジストパターニング後、イオン注入を行うことで高抵抗領域２０を形成する。具体的には、例えば厚さ１０μｍ以上、１５μｍ以下のフォトレジスト３０をスピン塗布する。フォトレジスト３０の一部をマスクで覆い、露光装置を用いて例えば波長３６５ｎｍの紫外線（ＵＶ：Ultraviolet）を照射する。フォトレジスト３０のうち露光した部分を水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）などのアルカリ溶液で溶解し、フォトレジスト３０のうちマスクで覆われた部分を残存させる。例えばプロトン（Ｈ＋）などのイオンを注入することで高抵抗領域２０を形成する。
【００２６】
ウェハのうちフォトレジスト３０で覆われた部分にはプロトンは注入されず、フォトレジスト３０から露出する部分にプロトンが注入される。プロトンの注入深さは例えば５μｍであり、上部反射鏡層１６、活性層１４および下部反射鏡層１２の上側一部にかけて高抵抗領域２０が形成される。イオン注入後、有機溶媒および酸素プラズマなどによるアッシングを行い、フォトレジスト３０を除去する。
【００２７】
図３（ａ）に示すように、例えば誘電結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）装置を用いて高抵抗領域２０のドライエッチングを行い、メサ１９を形成する。このとき高抵抗領域２０には下部反射鏡層１２まで達する溝１３が形成され、エッチングしない部分は不図示のフォトレジストで保護する。エッチングガスとして例えばＢＣｌ３ガス、またはＢＣｌ３とＣｌ２との混合ガスを用いる。エッチング条件の例を以下に示す。
ＢＣｌ３／Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ
（またはＢＣｌ３／Ｃｌ２／Ａｒ＝２０ｓｃｃｍ／１０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ）
ＩＣＰパワー：５０Ｗ〜１０００Ｗ
バイアスパワー：５０Ｗ〜５００Ｗ
ウェハの温度：２５℃以下
【００２８】
図３（ｂ）に示すように、例えば水蒸気雰囲気中で４００℃程度に加熱することで、上部反射鏡層１６の一部を端部側から酸化し、電流狭窄層２２を形成する。電流狭窄層２２が所定の幅に達し、電流狭窄層２２の間に所定の幅の未酸化部分が残るように加熱時間を定める。
【００２９】
図４（ａ）に示すように、高抵抗領域２０、下部反射鏡層１２および基板１０の一部をドライエッチングすることで溝１１を形成する。このときメサ１９および溝１３などエッチングしない部分は不図示のフォトレジストで覆う。エッチングガスとして例えばＢＣｌ３ガス、またはＢＣｌ３とＣｌ２との混合ガスを用いる。エッチングの条件を以下に示す。
ＢＣｌ３／Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ
（またはＢＣｌ３／Ｃｌ２／Ａｒ＝２０ｓｃｃｍ／１０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ）
ＩＣＰパワー：５０Ｗ〜１０００Ｗ
バイアスパワー：５０Ｗ〜５００Ｗ
ウェハの温度：２５℃以下
【００３０】
溝１１は、例えば７μｍの深さを有し、高抵抗領域２０および下部反射鏡層１２を貫通する。溝１１により、複数の面発光レーザ１００間が電気的に分離される。エッチングにより露出する基板１０の面が溝１１の底面となる。
【００３１】
ＩＣＰ−ＲＩＥなどエッチング用の装置からウェハを取り出すと、基板１０の表面に残留するＣｌが大気中の水分と反応し塩化水素を生成し、塩化水素により半導体が腐食する恐れがある。そこで、エッチング後、純水などによる洗浄を行い、Ｃｌを除去する。このとき、図６（ａ）に示すように、ＧａおよびＡｓが酸化することで、溝１１の底面に白丸で示す酸化物Ｇａ２Ｏ３および黒丸で示す酸化物Ａｓ２Ｏ３が形成される。
【００３２】
図４（ｂ）に示すように、洗浄後のウェハをチャンバ３２に入れ、熱処理を行う（第１熱処理工程）。チャンバ３２は例えばＣＶＤ装置のチャンバなどであり、原料を投入せずに温度および圧力を設定することで熱処理を実行する。熱処理の条件は例えば以下のものである。
温度：２５０℃以上、３５０℃以下
時間：３０分以上、６０分以下
圧力：１Ｐａ以上、１００Ｐａ以下
雰囲気：窒素（Ｎ２）またはアルゴン（Ａｒ）
【００３３】
熱処理によりウェハ表面から酸化物Ａｓ２Ｏ３を除去することができる。ＧａＡｓおよびＧａ２Ｏ３の融点は１０００℃以上であるため、熱処理の影響は小さい。一方、Ａｓ２Ｏ３の融点はＧａ２Ｏ３より低く３１２．２℃である。このためＡｓ２Ｏ３の融点は熱処理により溶解および昇華などの状態変化を起こし、図６（ｂ）に示すように基板１０の表面から脱離する。１〜１００Ｐａの減圧雰囲気中で熱処理することで、Ａｓ２Ｏ３の脱離は促進される。なお、酸化層である電流狭窄層２２への損傷を抑制するため、熱処理温度の上限を例えば３５０℃とする。Ｇａ２Ｏ３の融点は１０００℃程度であるため、脱離しにくい。
【００３４】
図５（ａ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法などによりウェハを覆う絶縁膜１８を形成する。Ａｓ２Ｏ３は熱処理で脱離しているため、基板１０と絶縁膜１８との界面に取り込まれにくい。
【００３５】
図５（ｂ）に示すように、絶縁膜１８の一部を開口し、レジストパターニングおよび真空蒸着法により下部反射鏡層１２の表面に電極２６を形成し、上部反射鏡層１６の表面に電極２８を形成する。電極の形成後に例えば４００℃程度の温度で１分間の熱処理を行うことで、電極と半導体との間でオーミック接触をとる（第２熱処理工程）。メッキ処理などにより、電極２６および２８に接続する配線などを形成してもよい。
【００３６】
バックグラインダーまたはラッピング装置などを用いて基板１０の裏面を研磨し、ウェハを厚さ１００μｍ〜２００μｍ程度まで薄くする。ダイサーでウェハを切断し、チップ状の面発光レーザ１００を形成する。
【００３７】
（比較例）
比較例では溝１１形成までは実施例１と同じ工程を行い、図４（ｂ）の熱処理を実施せずに、図５（ａ）以降の工程を行う。比較例によれば溝１１において絶縁膜１８の剥離が発生する。一方、高抵抗領域２０の表面および溝１３では剥離が起こりにくい。剥離の原因を調査するため、比較例で製造したサンプルにＸ線光電子分光（ＸＰＳ）分析を行った。サンプルの材料などは実施例１と同じであり、図４（ｂ）の熱処理は行っていない。
【００３８】
図７はＸＰＳ分析の結果を示す図である。横軸はエネルギー、縦軸は強度（count/second）である。点線は高抵抗領域２０の表面の分析結果、破線は溝１３の底面の分析結果、実線は溝１１の底面の分析結果を表す。図７の４５ｅＶ付近がＡｓ２Ｏ３であり、４２ｅＶ付近はＧａＡｓである。いずれの部分でもＧａＡｓは検出されている。Ａｓ２Ｏ３の強度は溝１３の底面、高抵抗領域２０、溝１１の底面の順に大きくなる。
【００３９】
このことから、溝１１における剥離の原因はＡｓ２Ｏ３と考えられる。ＢＣｌ３ガスなどＣｌ系のガスを用いてＡｌＧａＡｓおよびＧａＡｓなど化合物半導体をドライエッチングで溝１１を形成し、エッチング後にＣｌ成分を除去するため洗浄する。このときＧａおよびＡｓの酸化物が形成され、図７の実線に示すように溝１１において酸化物Ａｓ２Ｏ３が検出される。Ａｓ２Ｏ３がオーミック接触形成時の熱処理などで４００℃程度に加熱されることで溶解および昇華などの状態変化を起こし、膨張する。このため絶縁膜１８に浮きが生じ、絶縁膜１８が剥離してしまう。
【００４０】
一方、高抵抗領域２０の表面はエッチングされないため、洗浄に伴う酸化物も発生しにくい。また、溝１３はエッチングで形成されるため、洗浄により酸化物が形成される。しかし図３（ｂ）に示すように、溝１３の形成後、例えば４００℃程度に加熱することで電流狭窄層２２の形成を行う。このとき融点が４００℃以下のＡｓ２Ｏ３は離脱する。したがって図７の破線および点線は実線よりも低いＡｓ２Ｏ３の強度を示しており、溝１１に比べて絶縁膜１８の剥離が発生しにくい。以上のように、溝１１に多く残留する酸化物Ａｓ２Ｏ３が剥離の原因と考えられる。
【００４１】
実施例１によれば、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、ドライエッチングにより基板１０に達する溝１１を形成し、洗浄した後、熱処理を行う。熱処理より基板１０の表面から酸化物Ａｓ２Ｏ３が離脱する。その後、絶縁膜１８を形成し、電極２６および２８のオーミック接触形成の熱処理を行う。熱処理により酸化物Ａｓ２Ｏ３が除去され、絶縁膜１８の下にＡｓ２Ｏ３が残留しにくい。このため、電極形成後の熱処理などにおいてＡｓ２Ｏ３が状態変化することによる絶縁膜１８の剥離が抑制される。
【００４２】
熱処理の温度は電流狭窄層２２の形成における温度よりも低い。このため熱処理において電流狭窄層２２への損傷が抑制される。例えば電流狭窄層２２を４００℃程度で形成し、熱処理における温度を２５０℃以上、３５０℃以下とすることが好ましい。例えば３５０℃まで加熱することでＡｓの７４％が脱離する。なお、Ｇａ２Ｏ３の融点は１０００℃程度と高いため、電極形成後の熱処理でも状態変化しにくく、剥離の原因とはなりにくい。したがって図６（ｂ）に示すようにＧａ２Ｏ３は残留してもよい。また、溝１１形成後の熱処理においてＧａ２Ｏ３の融点付近まで加熱しなくてよい。
【００４３】
図４（ｂ）に示す熱処理は例えば１Ｐａ〜１００Ｐａ程度の減圧雰囲気中で行うことが好ましい。大気圧中に比較してＡｓ２Ｏ３をより効果的に除去することができる。また、Ｎ２またはＡｒなどの不活性ガス雰囲気中で熱処理することで、電流狭窄層２２への影響を抑制することができる。酸化物を充分に除去するためには、熱処理の時間は例えば３０分以上、１時間以下とする。
【００４４】
メサ１９の形成および電流狭窄層２２の形成は連続して実施し、これらの間に熱処理など別の工程を行わないことが好ましい。例えばメサ１９が大気暴露または加熱などされると、電流狭窄層２２となるＡｌ２Ｏ３が意図したように形成されにくい。したがって、メサ１９の形成および電流狭窄層２２の形成を連続して行い、それらの後に熱処理することが好ましい。
【００４５】
溝１１の形成後、電流狭窄層２２の形成を行うことで、電流狭窄層２２の形成における加熱でエッチング面からＡｓ２Ｏ３を除去することができる。しかし溝１１は例えば７μｍの深さを有するため、メサ１９形成のためのレジストパターニングの精度が低下し、寸法ばらつきが生じる恐れがある。したがって、メサ１９の形成および電流狭窄層２２の形成後に熱処理を行うことが好ましい。
【００４６】
基板１０、下部反射鏡層１２、活性層１４および上部反射鏡層１６は上記以外の化合物半導体で形成されてもよい。基板１０は例えばＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓなどＧａおよびＡｓを含む化合物半導体基板とする。
【符号の説明】
【００４７】
１０                    基板
１１、１３              溝
１２                    下部反射鏡層
１４                    活性層
１６                    上部反射鏡層
１８                    絶縁膜
１９                    メサ
２０                    高抵抗領域
２５、２７              パッド
２６、２８              電極
３０                    フォトレジスト
３２                    チャンバ
１００                  面発光レーザ
【図１】
2020068310.tif 000003
【図２】
2020068310.tif 000004
【図３】
2020068310.tif 000005
【図４】
2020068310.tif 000006
【図５】
2020068310.tif 000007
【図６】
2020068310.tif 000008
【図７】
2020068310.tif 000009