(57)【要約】【課題】現像液の裏面への回り込みを抑制する。【解決手段】例示的実施形態に係る基板処理装置は、基板を処理する基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、基板保持部に保持された前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、基板保持部に保持された基板の裏面に対向する位置に環状に設けられ、基板より小さい径を有するリング部材と、処理液供給部による処理液の供給の前に、基板の裏面のうち、基板保持部に保持された状態でリング部材に対向する位置よりも外周側の少なくとも一部に、接触角を大きくした改質領域を形成する改質処理部と、を有する。【選択図】図５
2020013932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の裏面に対向する位置に環状に設けられ、前記基板より小さい径を有するリング部材と、
前記処理液供給部による処理液の供給の前に、前記基板の裏面のうち、前記基板保持部に保持された状態で前記リング部材に対向する位置よりも外周側となる領域の少なくとも一部に、接触角を大きくした改質領域を形成する改質処理部と、
を有する、基板処理装置。
【請求項２】
前記改質領域は、前記基板の外周端に沿った環状に形成される、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板の反りに係る情報を取得する反り情報取得部をさらに有し、
前記改質処理部は、前記反り情報取得部により取得された情報に基づいて、前記改質領域の大きさを決定する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記リング部材は、前記反り情報取得部により取得された情報に基づいて、昇降可能である、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記改質処理部は、改質剤を前記基板に対して付着させることで改質領域を形成する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記改質剤は、カチオン系界面活性剤である、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の裏面のうち、前記基板を保持する基板保持部に保持された際に前記基板より小さい径を有するリング部材に対向する位置よりも外周側となる領域の少なくとも一部に、接触角を大きくした改質領域を形成する改質処理工程と、
前記基板保持部に保持された前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給工程と、
を有する、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、レジスト膜を現像する際にウエハ上に供給される現像液がウエハの裏面に回り込む可能性がある。このような事象を防ぐために、特許文献１では、上端がナイフエッジ状に形成された筒体（リング部材）をウエハ裏面に配置して、現像液の回り込みを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−２４９５５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ウエハの形状によっては、現像液の回り込みの抑制に対してさらなる改善が望まれる場合がある。
【０００５】
本開示の例示的実施形態は、基板の裏面への処理液の回り込みを抑制することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一つの例示的実施形態に係る基板処理装置は、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板保持部に保持された前記基板の裏面に対向する位置に環状に設けられ、前記基板より小さい径を有するリング部材と、前記処理液供給部による処理液の供給の前に、前記基板の裏面のうち、前記基板保持部に保持された状態で前記リング部材に対向する位置よりも外周側の少なくとも一部に、接触角を大きくした改質領域を形成する改質処理部と、を有する。
【発明の効果】
【０００７】
一つの例示的実施形態によれば、基板の裏面への処理液の回り込みを抑制することが可能な基板処理装置および基板処理方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムを示す斜視図である。
【図２】図２は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムの内部構成を示す模式図である。
【図３】図３は、基板処理システムの主要部を示すブロック図である。
【図４】図４は、制御装置のハードウェア構成を示す概略図である。
【図５】図５は、一つの例示的実施形態に係る現像ユニットの概略構成を示す縦断面図である。
【図６】図６は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法を説明するフロー図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｆ）は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法の各工程を模式的に示した説明図である。
【図８】図８（ａ）、図８（ｂ）は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法でのリング部材の動作を示す説明図である。
【図９】図９は、図８に示す基板処理方法におけるウエハの一端を拡大した説明図である。
【図１０】図１０は、図８に示す基板処理方法におけるウエハの一端を拡大した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
【００１０】
一つの例示的実施形態において、基板処理装置は、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板保持部に保持された前記基板の裏面に対向する位置に環状に設けられ、前記基板より小さい径を有するリング部材と、前記処理液供給部による処理液の供給の前に、前記基板の裏面のうち、前記基板保持部に保持された状態で前記リング部材に対向する位置よりも外周側の少なくとも一部に、接触角を大きくした改質領域を形成する改質処理部と、を有する。
【００１１】
上記の基板処理装置では、改質処理部により基板の裏面のうち基板保持部に保持された状態で前記リング部材に対向する位置よりも外周側の少なくとも一部に改質処理が行われる。この結果、基板法面に接触角が大きくなるように改質された改質領域が設けられる。この改質領域が設けられることで、基板の裏面に回り込んだ処理液は、改質領域において基板からの落下が促進される。そのため、改質領域よりも内側に処理液が回り込むことを防ぐことができることから、基板の裏面へ処理液が回り込むことを抑制することが可能となる。
【００１２】
別の例示的実施形態において、前記改質領域は、前記基板の外周端に沿った環状に形成される。
【００１３】
改質領域が基板の外周端に沿った環状に形成されることで、基板の裏面への処理液の回り込みがさらに効果的に抑制される。
【００１４】
別の例示的実施形態において、前記基板の反りに係る情報を取得する反り情報取得部をさらに有し、前記改質処理部は、前記反り情報取得部により取得された情報に基づいて、前記改質領域の大きさを決定する。
【００１５】
反り情報取得部において基板の反りに係る情報を取得し、当該情報に基づいて改質処理部において改質領域の大きさを決定する構成とすることで、基板の形状に応じて改質領域の大きさを決定することができるため、基板の形状に応じて裏面への処理液の回り込みを効果的に抑制することができる。
【００１６】
別の例示的実施形態において、前記リング部材は、前記反り情報取得部により取得された情報に基づいて、昇降可能である。
【００１７】
反り情報取得部により取得された情報に基づいて、リング部材が昇降可能であることにより、例えば、基板に反りが発生している場合には基板の反りに対応させてリング部材を昇降させることができるため、基板の形状によらず裏面への処理液の回り込みを効果的に抑制することができる。
【００１８】
別の例示的実施形態において、前記改質処理部は、改質剤を前記基板に対して付着させることで改質領域を形成する。
【００１９】
改質処理部が改質剤を基板に対して付着させることで改質領域を形成する構成とすることで、改質領域の形成を容易に行うことができる。
【００２０】
別の例示的実施形態において、前記改質剤は、カチオン系界面活性剤である。
【００２１】
改質剤としてカチオン系界面活性剤を用いることで、改質領域の形成時に副生成物が発生することを防ぐことができる。したがって、改質領域の形成時に発生する副生成物の影響等を考慮する必要がなくなり、改質処理を行う場所を柔軟に選択することができる。
【００２２】
一つの例示的実施形態において、基板処理方法は、基板を処理する基板処理方法であって、前記基板の裏面のうち、前記基板を保持する基板保持部に保持された際に前記基板より小さい径を有するリング部材に対向する位置よりも外周側となる領域の少なくとも一部に、接触角を大きくした改質領域を形成する改質処理工程と、前記基板保持部に保持された前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給工程と、を有する。
【００２３】
上記の基板処理方法では、改質処理工程において、基板の裏面のうち基板保持部に保持された状態でリング部材に対向する位置よりも外周側となる領域の少なくとも一部に改質処理が行われる。この結果、基板法面に接触角が大きくなるように改質された改質領域が設けられる。この改質領域が設けられることで、基板の裏面に回り込んだ処理液は、改質領域において基板からの落下が促進される。そのため、改質領域よりも内側に処理液が回り込むことを防ぐことができることから、基板の裏面へ処理液が回り込むことを抑制することが可能となる。
【００２４】
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２５】
［基板処理システム］
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、および当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウエハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウエハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウエハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
【００２６】
［基板処理装置］
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１および図２に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００とを備える。
【００２７】
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウエハＷの導入および塗布・現像装置２内からのウエハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウエハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウエハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣからウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。
【００２８】
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３は、それぞれ、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。
【００２９】
処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２によりウエハＷの表面上の下層膜、および、下層膜上の中間膜を形成する。処理モジュール１１の液処理ユニットＵ１は、下層膜および中間膜を形成するための処理液をウエハＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜および中間膜の形成に伴う各種熱処理を行う。下層膜としては、例えば、反射防止（ＳｉＡＲＣ）膜が挙げられる。また、中間膜としては、例えば、ＳＯＣ（Spin  On  Carbon）膜、金属を含有するハードマスク（メタルハードマスク）が挙げられる。
【００３０】
処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２により中間膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を中間膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させてレジスト膜Ｒとするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre  Applied  Bake）が挙げられる。
【００３１】
処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００３２】
処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３と、熱処理ユニットＵ４と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３および熱処理ユニットＵ４により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。現像ユニットＵ３は、露光済みのウエハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ４は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post  Exposure  Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post  Bake）等が挙げられる。
【００３３】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。
【００３４】
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００３５】
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウエハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウエハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウエハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
【００３６】
制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のウエハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウエハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３７】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウエハＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１、および、熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このウエハＷの表面上に下層膜を形成し、さらに、下層膜上に中間膜を形成するように、液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜および中間膜が形成されたウエハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウエハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３８】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウエハＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このウエハＷの表面に対してレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウエハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウエハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３９】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウエハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このウエハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウエハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。
【００４０】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたウエハＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように受け渡しアームＡ８を制御する。
【００４１】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウエハＷのレジスト膜に現像処理を施すように現像ユニットＵ３および熱処理ユニットＵ４を制御する。その後制御装置１００は、ウエハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウエハＷをキャリアＣ内に戻すように昇降アームＡ７および受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
【００４２】
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、熱処理ユニットＵ２又は熱処理ユニットＵ４と、これを制御可能な制御装置１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
【００４３】
［制御装置］
制御装置１００は、図３に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、制御装置１００の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、制御装置１００を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application  Specific  Integrated  Circuit）により実現されるものであってもよい。
【００４４】
読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取る。記録媒体ＲＭは、基板処理システム１の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。
【００４５】
記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶する。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、ウエハＷを処理する際の各種データ（いわゆる処理レシピ）、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶する。
【００４６】
処理部Ｍ３は、各種データを処理する。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、液処理ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２、現像ユニットＵ３、および、熱処理ユニットＵ４を動作させるための動作信号を生成する。
【００４７】
指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を各種装置に送信する。
【００４８】
制御装置１００のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図４に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理手順を露光・現像装置２に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスクおよび光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラムおよびプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、基板処理システム１の各部との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。
【００４９】
制御装置１００は、上記の構成により、基板処理システム１に含まれる液処理ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２、現像ユニットＵ３、および、熱処理ユニットＵ４等を制御する。また、制御装置１００は、図３において図示しない他のユニットの制御も同時に行う。なお、上記の制御装置１００の構成は一例であって、上記に限定されるものではない。
【００５０】
［現像ユニットの構成］
次に、上述した現像ユニットＵ３の構成について説明する。図５は、現像ユニットＵ３の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
【００５１】
現像ユニットＵ３には、図５に示すようにウエハＷを保持する基板保持部としてのスピンチャック３００が設けられている。スピンチャック３００は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウエハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウエハＷをスピンチャック３００上に吸着保持できる。
【００５２】
スピンチャック３００は、シャフト３０１を介して、スピンチャック３００の下方に設けられた駆動部３０２に接続されている。この駆動部３０２により、スピンチャック３００は所定の速度に回転でき、さらにスピンチャック３００は昇降自在になっている。
【００５３】
スピンチャック３００に保持されたウエハＷの裏面側には、ウエハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン３１０が、例えば３本設けられている。昇降ピン３１０は、昇降部３１１によって昇降自在になっている。
【００５４】
スピンチャック３００の上方には、ウエハＷの表面に処理液としての現像液を供給する処理液供給部としての現像液ノズル３２０が設けられている。現像液ノズル３２０には、現像液供給源３２１に連通する供給管３２２が接続されている。現像液供給源３２１内には、現像液が貯留されている。
【００５５】
現像液ノズル３２０は、水平方向に延伸する長尺状のスリットノズルである。現像液ノズル３２０の下端面には、例えばウエハＷの径よりも長く形成されたスリット状の吐出口３２０ａが形成されている。
【００５６】
現像液ノズル３２０は、アーム（図示せず）を介して駆動部（図示せず）に接続されている。駆動部の駆動により、アームは水平方向に移動可能であり、現像液ノズル３２０をウエハＷの表面上で移動させることができる。また、駆動部の駆動により、アームは昇降自在であり、現像液ノズル３２０の高さを調節できる。
【００５７】
スピンチャック３００の上方には、図５に示すようにウエハＷの表面に現像液のリンス液を供給するリンス液ノズル３３０が設けられている。リンス液ノズル３３０には、リンス液供給源３３１に連通する供給管３３２が接続されている。リンス液供給源３３１内には、例えば純水（ＤＩＷ）などのリンス液が貯留されている。
【００５８】
リンス液ノズル３３０は、アーム（図示せず）を介して駆動部（図示せず）に接続されている。駆動部の駆動により、アームは水平方向に移動可能であり、リンス液ノズル３３０をウエハＷの表面上で移動させることができる。また、駆動部の駆動により、アームは昇降自在であり、リンス液ノズル３３０の高さを調節できる。
【００５９】
スピンチャック３００に保持されたウエハＷの外縁部上方には、図４に示すようにウエハＷの反りを計測する反り計測部３４０（反り情報取得部）が設けられている。反り計測部３４０では、ウエハＷの反りに係る情報として、反りの大きさを計測し、その計測結果を取得している。反り計測部３４０には、例えばレーザ変位計が用いられる。反り計測部３４０は、スピンチャック３００に保持されたウエハＷを３６０度回転させ、ウエハＷの外縁部全周の高さ方向の変位を測定する。また、反りのない平坦なウエハＷをスピンチャック３００で保持した状態の、当該ウエハの高さ方向の基準値を予め把握しておく。そして、反り計測部３４０で測定されたウエハＷの外縁部の変位と、基準値との差から、ウエハＷの反り量を計測する。反り計測部３４０で計測されたウエハＷの反りに係る情報（反り情報）は、上述した制御装置１００に出力される。
【００６０】
スピンチャック３００の下方には、ウエハＷの裏面の外周部にリンス液を噴射するリンス液供給部としてのバックリンスノズル３５０が複数設けられている。バックリンスノズル３５０は、リンス液供給源３５１に連通する供給管３５２が接続されている。リンス液供給源３５１内には、例えば純水（ＤＩＷ）などのリンス液が貯留されている。なお、リンス液供給源３５１は上述したリンス液供給源３３１と共通に設けられていてもよい。
【００６１】
また、スピンチャック３００の下方には、ウエハＷの裏面の外周部に表面改質用の改質液を噴射する改質処理部としての改質液ノズル３６０が複数設けられている。本実施形態では、表面改質を行うための改質剤として改質液が用いられる場合について説明する。改質液ノズル３６０は、改質液供給源３６１に連通する供給管３６２が接続されている。改質液供給源３６１内には、ウエハＷの裏面の接触角が大きくなるように変化させるための改質液が貯留されている。
【００６２】
改質液は、ウエハＷの裏面のうち外周の特定領域の接触角を大きくするための液体である。改質液としては、カチオン系界面活性剤を用いることができる。カチオン系界面活性剤としては、例えば、ステアルトリモニウムクロリドを用いることができるが、これに限定されるものではない。ウエハＷの裏面は、シリコン酸化膜（シリコン熱酸化膜：ＳｉＯ２）により覆われている。したがって、シリコン酸化膜に対して付着可能であって、且つ、その表面の接触角をシリコン酸化膜よりも大きくすることができ、且つ、改質時に副生成物が発生しない材料であれば、改質液に使用することができる。また、改質液による改質（接触角の変化）は、現像処理が行われている間に限った一時的なものであってもよく、改質液がウエハＷの裏面に付着している状態において、接触角が大きくできればよい。改質液の噴霧により改質領域が形成される。改質領域の大きさの決定、および、改質液の噴霧は、制御装置１００により制御される。すなわち、制御装置１００は、改質処理部の一部として機能する。改質液によるウエハＷの裏面の改質については後述する。
【００６３】
図５に戻り、スピンチャック３００の側方には、スピンチャック３００に保持されたウエハＷを取り囲むようにカップ体３７０が設けられている。カップ体３７０は、外カップ３７１および内カップ３７２を備えている。外カップ３７１は上部側が四角形状であり、下部側が円筒状を有している。外カップ３７１の下部側には段部３７１ａが設けられており、この段部３７１ａには、外カップ３７１を昇降させるための昇降部３７３が接続されている。内カップ３７２は円筒状を有し、その上部側が内側に傾斜している。内カップ３７２は、外カップ３７１の上昇時に、その下端面が段部３７１ａと当接することによって上方へ押し上げられる。この結果、ウエハＷから現像液を除去する際には、カップ体３７０（外カップ３７１及び内カップ３７２）を上昇させて、ウエハＷから飛散する液を受け止めることができる。
【００６４】
カップ体３７０の下方には、カップ体３７０で回収された液体を回収し、排出するための液受け部３７６が設けられている。液受け部３７６の底面には液受け部３７６内の気体及び液体を排出する排出管３７７が接続され、排出管３７７の下流側に設けられた気液分離器（図示せず）を介して気液分離が行われる。気液分離後の排液は（図示せず）の排液タンクに回収される。
【００６５】
スピンチャック３００の下方には、円形板３８０が設けられており、円形板３８０の外側には断面形状が山型の環状のガイド部材３８１が設けられている。ガイド部材３８１は、ウエハＷよりこぼれ落ちた現像液やリンス液を、円形板３８０の外側に設けられた液受け部３７６へとガイドする。
【００６６】
ガイド部材３８１の頂部には、環状のリング部材３８２が設けられている。リング部材３８２は、ウエハＷより小さい径を有しており、ウエハＷの裏面外縁部側に設けられている。具体的には、リング部材３８２は、ウエハＷの外側面から例えば６５ｍｍの位置に配置されている。リング部材３８２は、ウエハＷの裏面に対向する上端部がナイフエッジ形状を有しており、いわゆるナイフエッジリングを構成している。また、リング部材３８２の上面３８２ａは平坦面となっている。
【００６７】
ガイド部材３８１とリング部材３８２には、昇降部３８３が接続されている。この昇降部３８３により、リング部材３８２は昇降自在であり、ウエハＷの裏面に対して近接、離間自在に構成されている。昇降部３８３は、ガイド部材３８１とリング部材３８２を昇降できるものであれば特に限定されるものではないが、例えば圧電素子やモータなどのアクチュエータが用いられる。
【００６８】
なお、例えばリング部材３８２がガイド部材３８１とは別に設けられている場合には、昇降部３８３はリング部材３８２のみを昇降させるようにしてもよい。
【００６９】
リング部材３８２は、現像液ノズル３２０からウエハＷの表面に供給された現像液が、当該表面から裏面に回り込むのを抑制するために用いられる。具体的には、現像時において、昇降部３８３によりリング部材３８２をウエハＷの裏面に近接して配置し、ウエハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａを所定距離にする。そうすると、ウエハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａの間で現像液による液シールが形成され、これによりウエハＷの裏面に対してさらに回り込もうとする現像液を受け止め、吸収することができる。なお、この液シールを適切に形成するため、上述したように上面３８２ａは平坦面とすることができる。
【００７０】
現像時におけるリング部材３８２の位置（上下方向の位置：すなわち、リング部材３８２とウエハＷとの距離）は、制御装置１００で制御される。制御装置１００では、反り計測部３４０で計測されたウエハＷの反り情報に基づいて、ウエハＷの反り状態にかかわらず、ウエハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が常に所定距離になるように、リング部材３８２の位置を制御する。例えば制御装置１００では、反りのない平坦なウエハＷに対するリング部材３８２の基準位置を予め把握しておく。そして、ウエハＷの反り情報、すなわち反り量を、リング部材３８２の基準位置からの差分として用いて、リング部材３８２の位置を算出する。
【００７１】
なお、ウエハＷの裏面に対する現像液の回り込みやすさは、現像液の種類、ウエハＷの裏面の表面状態などにより変化する。したがって、現像液の種類やウエハＷの裏面の表面状態などにかかる固定条件について、予め制御装置１００に設定登録をすることにより考慮されるようにする構成としてもよい。
【００７２】
なお、リング部材３８２の昇降は行わない構成としてもよい。すなわち、昇降部３８３を備えておらず、リング部材３８２（およびガイド部材３８１）の位置は固定されていてもよい。
【００７３】
［現像ユニットによる基板処理方法］
次に、以上のように構成された現像ユニットＵ３を用いて行われる基板処理方法について説明する。図６は、現像ユニットＵ３による基板処理の手順を説明するフロー図である。また、図７は、現像ユニットＵ３による基板処理の手順を模式的に説明する図である。
【００７４】
図６に示すように、基板処理方法には、ウエハＷの反りの計測（Ｓ０１）、改質処理領域の設定（Ｓ０２）、改質処理（Ｓ０３：改質処理工程）、および、現像処理（Ｓ０４：処理液供給工程）、が含まれる。
【００７５】
まず、露光・現像装置２の搬送アームＡ３によってウエハＷが処理モジュール１４の現像ユニットＵ３に搬入される。搬入されたウエハＷは、搬送アームＡ３から予め昇降して待機していた昇降ピン３１０に受け渡される。続いて、昇降ピン３１０が下降し、ウエハＷはスピンチャック３００に保持される。
【００７６】
この状態で、図７（ａ）に示すようにスピンチャック３００に保持されたウエハＷを３６０度回転させ、反り計測部３４０によってウエハＷの外縁部全周の変位を測定して、ウエハＷの反りを計測する（Ｓ０１）。反り計測部３４０で計測されたウエハＷの反り情報は、制御装置１００に出力される。
【００７７】
なお、本実施形態では、反り計測部３４０による反り計測は、ウエハＷ毎に枚葉に行われる。但し、反り計測のタイミングはこれに限定されず、例えばロット毎にしてもよく、かかる場合ロットの先頭のウエハＷに対して反りが計測される。あるいは、ウエハ処理の処理レシピが変わる毎に、ウエハＷの反りを計測してもよい。
【００７８】
制御装置１００では、ウエハＷの反り情報に基づいて、ウエハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ１になるリング部材３８２の位置を算出する。算出されたリング部材３８２の位置に基づいて、昇降部３８３が昇降し、リング部材３８２が当該位置に配置される。すなわち、図８（ａ）に示すようにウエハＷが凹型に反っている場合（ウエハＷの外縁部が上方に反っている場合）、昇降部３８３によってリング部材３８２を上昇させる。一方、図８（ｂ）に示すようにウエハＷが凸型に反っている場合（ウエハＷの外縁部が下方に反っている場合）、昇降部３８３によってリング部材３８２を下降させる。なお、本実施形態では、距離Ｈ１は例えば１．０ｍｍ±０．２ｍｍである。また、リング部材３８２の移動は、後述の改質対象領域（改質領域）の決定（Ｓ０２）および改質処理（Ｓ０３）の後に行ってもよい。
【００７９】
なお、例えばウエハＷの反りが全周において均一でない場合には、最も反りが小さかった箇所におけるウエハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ１になるように、リング部材３８２の位置を制御する構成とすることができる。このような場合としては、ウエハＷの外縁部の反り量が周方向に不均一であり、外縁位置によって反り具合が変わる場合が挙げられる。なお、本実施形態では、最小の距離Ｈ１は例えば１．０ｍｍ±０．２ｍｍである。
【００８０】
次に、制御装置１００において、ウエハＷの反り情報に基づいて、改質対象領域を決定する（Ｓ０２）。改質対象領域とは、ウエハＷの裏面のうち、改質液の噴霧により接触角を大きく変化させる領域であり、すなわち、改質領域に対応する。改質対象領域の接触角を大きくし、ウエハＷ裏面の疎水化を促進することで、改質処理後の改質領域での現像液（またはリンス液）の落下を促進する。
【００８１】
改質対象領域について、図９を参照しながら説明する。改質液による改質の対象となる領域は、ウエハＷの裏面のうち外周領域である。特に、ウエハＷをスピンチャック３００に保持した状態においてリング部材３８２よりも外側に配置される領域が改質対象領域となる。図９は、ウエハＷのうち、外周となる領域の一部を拡大しているが、改質対象領域は、領域Ｐ１、領域Ｐ２、および領域Ｐ３のうち、少なくとも領域Ｐ１を含む。領域Ｐ１〜Ｐ３はいずれもウエハＷの中心を軸とした環状の領域であり、ウエハＷの内周側から領域Ｐ３、領域Ｐ１および領域Ｐ１の順に連続している。領域Ｐ１〜Ｐ３のうち、必ず改質対象領域となる領域は領域Ｐ１である。また、領域Ｐ２，Ｐ３は、いずれも、必要に応じて改質対象領域となる領域である。
【００８２】
領域Ｐ１と領域Ｐ２との境界Ｂ１、すなわち、領域Ｐ１の外側端部は、ウエハＷの外周端Ｂ１１と、リング部材３８２の上面３８２ａ（の中央）と対向する位置Ｂ１２との間の中央よりも外周側に設けられる。また、領域Ｐ１と領域Ｐ２との境界Ｂ２、すなわち、領域Ｐ１の内側端部は、ウエハＷの外周端Ｂ１１と、リング部材３８２の上面３８２ａ（の中央）と対向する位置Ｂ１２との間を結ぶ長さに対して、リング部材３８２の上面３８２ａと対向する位置Ｂ１２から１％〜３０％の位置に設けられる。このようにして設定された領域Ｐ１の外側端部と内側端部との間が改質対象領域となる。
【００８３】
領域Ｐ２，Ｐ３に対応する領域、すなわち、領域Ｐ１の外周側および内周側は、いずれも、必要に応じて改質対象領域とすることができる領域である。ウエハＷの裏面のうちリング部材８２１の上面８３２ａに対応する位置Ｂ１２よりも外側には現像液（またはリンス液）が回り込む可能性がある。これに対して、位置Ｂ１２よりも内側には、リング部材３８２により現像液（またはリンス液）が回り込む可能性は低いと考えられる。したがって、ウエハＷの裏面のうち位置Ｂ１２よりも内側よりも内側は改質対象領域にしない構成とすることで、改質にかかるコストを抑制しながら改質による効果を十分に得ることができる。領域Ｐ２，Ｐ３を改質対象領域とするか否かは、例えば、ウエハＷの種類または処理液（現像液Ｄ等）の種類等に基づいて変更してもよいし、ウエハＷの形状に基づいて変更してもよい。
【００８４】
改質対象領域は、ウエハＷの形状のうち、その反りに基づいて変更してもよい。例えば、図８（ａ）に示すように、ウエハＷが凹型に反っている場合（ウエハＷの外縁部が上方に反っている場合）、現像液（またはリンス液）のウエハＷ裏面への回り込みが大きく（回り込み量が多く）なると考えられる。したがって、改質対象領域を広く設けて、現像液（またはリンス液）の付着の低減効果を高める構成とすることができる。一方、図８（ｂ）に示すように、ウエハＷが凸型に反っている場合（ウエハＷの外縁部が下方に反っている場合）、現像液（またはリンス液）のウエハＷ裏面への回り込みが小さく（回り込み量が少なく）なると考えられる。したがって、改質対象領域を狭く設けた場合でも、現像液（またはリンス液）の付着の低減効果を十分発揮できるため、改質対象領域を狭くする構成とすることが考えられる。
【００８５】
改質対象領域の大きさを設定した後、図７（ｂ）に示すように、スピンチャック３００によるウエハＷの回転を継続した状態で、改質液ノズル３６０から改質対象領域として設定された領域に対して改質液Ｒ１を噴霧し、改質処理を実施する（Ｓ０３）。スピンチャック３００によるウエハＷの回転を継続することで、過剰に噴霧された改質液Ｒ１は適切に除去される。また、改質処理の際に加熱・乾燥等の処理が必要な場合には、改質液Ｒ１を噴霧後、適切に処理を行う。改質処理を行うことで、改質対象領域であった領域は、接触角が変化した改質領域Ｐ１０（図１０参照）となる。改質領域Ｐ１０は、ウエハＷの裏面の外周側（リング部材３８２よりも外側）に形成された外周端に沿った環状の領域となる。すなわち、ウエハＷをスピンチャック３００において保持した際に、ウエハＷの外周端とリング部材３８２に対向する位置Ｂ１２との間に改質領域Ｐ１０が設けられる。なお、改質領域Ｐ１０は円環状となっていてもよい。
【００８６】
なお、改質領域Ｐ１０におけるウエハＷ裏面（の表面）の接触角が５０°以上であると、現像液（またはリンス液）の付着を防ぐ効果が高められる。したがって、改質領域Ｐ１０における接触角を上記の範囲とすることが好ましい。なお、少なくとも改質領域Ｐ１０における接触角が、改質処理を行っていない場合のウエハＷ表面の接触角よりも大きくすることで、現像液（またはリンス液）の付着を防ぐ効果が得られる。
【００８７】
その後、現像処理（Ｓ０４）を実施する。具体的な手順は以下の通りである。
【００８８】
まず、現像液ノズル３２０をウエハＷの外縁部（一端部）の上方まで移動させた後、現像液ノズル３２０の吐出口３２０ａから表面張力によって現像液Ｄを露出させる。その後、現像液ノズル３２０を下降させて現像液ＤをウエハＷの表面に接触させた状態で、現像液ノズル３２０をウエハＷの径方向に移動させ、図７（ｃ）に示すように、現像液ノズル３２０をウエハＷの外縁部（他端部）まで移動させる。これにより、現像液ノズル３２０によって、ウエハＷの表面全体に現像液Ｄが供給され、パドルが形成される。この現像液Ｄのパドルによって、ウエハＷ上のレジスト膜が現像される。
【００８９】
このように現像液Ｄを用いて現像処理を行う際、図１０に示すようにウエハＷの表面に供給された現像液Ｄは、ウエハＷの外縁部を介して裏面に回り込んでしまう。そして、現像液Ｄが後述の裏面洗浄における洗浄範囲外、すなわちウエハＷの裏面の内側まで回り込んでしまうと、ウエハＷの裏面の汚染の原因となってしまう。
【００９０】
この点、本実施形態では、ウエハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ１に維持されているため、現像液ＤはウエハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間に受けとめられ、液シール（液膜）Ｄｓを形成する。この液シールＤｓにより、ウエハＷの裏面に現像液Ｄが回り込むことを抑制することができる。
【００９１】
また、リング部材３８２の上面３８２ａは平坦面を形成しているため、液シールＤｓの幅が広くなり、液シールＤｓによる回り込み防止効果を向上させることができる。
【００９２】
また、本実施形態では、反り計測部３４０で計測されたウエハＷの反り情報に基づいてリング部材３８２の位置が調節されているため、例えウエハＷに反りが生じていた場合でも、現像液ＤのウエハＷの裏面側への回り込みを適切に抑制することができる。
【００９３】
また、本実施形態では、ウエハＷの裏面のうち、リング部材３８２の上面３８２ａとの対向位置よりも外側（図９に示す位置Ｂ１２よりも外側）に改質領域Ｐ１０（図１０参照）が設けられている。改質領域Ｐ１０では、その他の領域と比較して表面の接触角が大きくされているため、改質領域Ｐ１０を伝う現像液Ｄが下方に落下しやすくなる。すなわち、現像液ＤがウエハＷの裏面に付着した状態を防ぐことができる。また、改質領域Ｐ１０は、リング部材３８２の上面３８２ａとの対向位置よりも外側に設けられている。そのため、リング部材３８２にまで到達する現像液Ｄを減らすことができ、大量の現像液Ｄがリング部材３８２へ到達して液シールＤｓによる回り込み防止効果が低減することを防ぐことができる。
【００９４】
次に、現像液Ｄによる現像が終了すると、現像液ノズル３２０を移動させた待機部３２７に移動させた後、図７（ｄ）に示すようにリンス液ノズル３３０をウエハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック３００によってウエハＷを回転させながら、リンス液ノズル３３０からウエハＷの表面にリンス液Ｒ２を供給する。供給されたリンス液Ｒ２は遠心力によりウエハＷの表面全面に拡散されて、当該表面が洗浄される。
【００９５】
このようにリンス液Ｒ２を用いて洗浄処理を行う際にも、ウエハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間は距離Ｈ１に維持されており、現像液Ｄの液シールＤｓが形成されている。この液シールＤｓにより、これにより、ウエハＷの表面に供給されたリンス液Ｒ２が裏面に回り込むことを抑制することができる。同様に、改質領域Ｐ１０においてリンス液Ｒ２の落下が促進されるので、リンス液Ｒ２の回り込みをさらに抑制することができる。
【００９６】
所定時間経過後、図７（ｅ）に示すようにスピンチャック３００によるウエハＷの回転を継続し、またリンス液ノズル３３０からのリンス液Ｒ２の供給を継続したままの状態で、リンス液Ｒ３によるウエハＷの裏面の洗浄を開始する。リンス液Ｒ３は、バックリンスノズル３５０より供給される。
【００９７】
ウエハＷの裏面洗浄に際しては、まず、図１０に示すようにウエハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ２になるように、昇降部３８３によりリング部材３８２を下降させる。本実施形態では、距離Ｈ２は、例えば距離Ｈ１における高さ位置から１．０ｍｍ程度下降した位置である。続いて、バックリンスノズル３５０からウエハＷの裏面の外周部にリンス液Ｒ３を噴射する。
【００９８】
このようにウエハＷの裏面にリンス液Ｒ３を噴射する前に、リング部材３８２を所定位置まで下降させているので、リンス液Ｒ３がリング部材３８２に干渉して残存することを抑制することができる。そして、このようにリング部材３８２にリンス液Ｒ３が残存しないので、ウエハＷの裏面に液滴が付着するのを抑制することができ、液滴に起因するウエハＷの表面欠陥を抑制することができる。
【００９９】
リンス液Ｒ２によるウエハＷの表面洗浄とリンス液Ｒ３によるウエハＷの裏面洗浄が十分に行われた後、図７（ｆ）に示すようにリンス液ノズル３３０からのリンス液Ｒ２の供給を停止するとともに、バックリンスノズル３５０からのリンス液Ｒ３の供給を停止する。そして、スピンチャック３００によってウエハＷの回転を継続し、ウエハＷの表面に供給されたリンス液Ｒ２を振り切って除去し、当該表面を乾燥させる。
【０１００】
その後、リンス液ノズル３３０を移動させ、ウエハ搬送装置７０の搬送アーム７０ａによってウエハＷが現像ユニットＵ３から搬出される。こうして、一連のウエハＷに対する現像処理が終了する。
【０１０１】
以上のように、本実施形態で説明した基板処理装置（現像ユニットＵ３を含む塗布・現像装置２）および基板処理方法によれば、改質処理部としての改質液ノズル３６０を用いて噴霧される改質液Ｒ１によって、ウエハＷ裏面の改質処理（Ｓ０３）が行われる。この結果、ウエハＷの裏面のうち、リング部材８３２を対向する位置よりも外側の外周領域の一部について、接触角が大きくなるように改質された改質領域Ｐ１０が設けられる。ウエハＷの外周領域に外周端に沿った環状の改質領域Ｐ１０が設けられることで、ウエハＷの裏面に回り込んだ現像液Ｄまたはリンス液Ｒ２が改質領域Ｐ１０においてウエハＷからの落下が促進される。そのため、改質領域Ｐ１０よりも内側に現像液Ｄが回り込むことを防ぐことができる。従来の基板処理装置においても、改質領域Ｐ１０よりも内側にリング部材３８２が設けられる。そのため、リング部材３８２を用いて形成される現像液Ｄの液シールＤｓにより、現像液Ｄまたはリンス液Ｒ２が裏面に回り込むことが抑制されていた。しかしながら、回り込む現像液Ｄの量が多い場合には、液シールＤｓを用いた回り込みの抑制が十分になる可能性も考えられる。本実施形態に係る基板処理装置では、リング部材３８２に対向する位置よりも外側に改質領域Ｐ１０が設けられることで、改質領域Ｐ１０においても過剰な現像液Ｄまたはリンス液の回り込みをさらに抑制することができる。
【０１０２】
また、上記の基板処理装置および基板処理方法では、反り情報取得部として機能する反り計測部３４０で計測されたウエハＷの反りに係る情報に基づいて、改質対象領域（改質領域Ｐ１０となる領域）を設定することができる。このような構成とすることで、ウエハＷの反りの有無およびその大きさに応じて現像液Ｄまたはリンス液Ｒ２の回り込みを適切に抑制することができる。また、現像液Ｄまたはリンス液Ｒ２の回り込みが少なくなるような状況の場合（ウエハＷが凸型に反っている場合など）には改質対象領域を狭くすることも可能となり、コストの増大等を防ぐことができる。
【０１０３】
また、上記の基板処理装置および基板処理方法では、現像液Ｄによる現像中、反り計測部３４０で計測されたウエハＷの反り情報に基づいて、ウエハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ１になるようにリング部材３８２の位置が調節されている。したがって、例えウエハＷに反りが生じていた場合でも、現像液ＤのウエハＷの裏面側への回り込みを適切に抑制することができる。
【０１０４】
さらに、リンス液Ｒ２による裏面洗浄中、ウエハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ２になるようにリング部材３８２を下降させる。そのため、リンス液Ｒ２がリング部材３８２に干渉して残存することを抑制することができる。なお、ウエハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの間が距離Ｈ１であっても、その距離Ｈ１は適切であるため、裏面洗浄終了後に、リング部材３８２にリンス液Ｒ２が残存するのを抑えることができる。ただし、本実施形態のようにリング部材３８２を下降させることで、リンス液Ｒ２がリング部材３８２に残存するのをより確実に抑制することができる。
【０１０５】
［変形例］
次に、変形例に係る基板処理装置および基板処理方法について説明する。
【０１０６】
改質処理は、改質液ノズル３６０を用いた改質液の噴霧とは異なる方法で行ってもよい。改質液をウエハＷの裏面に対して付着させることで改質処理を行う場合、改質液の噴霧に代えて、改質液の塗布により改質液を付着させてもよい。また、改質を行う材料が液剤とは性質の異なる材料であってもよい。改質を行う材料の特性に応じて、改質処理部の配置および構成を変更することができる。
【０１０７】
上記実施形態では、現像ユニットＵ３において、ウエハＷの裏面の改質領域の形成と、現像処理と、を行う場合について説明した。しかしながら、改質領域の形成は現像ユニットＵ３とは異なるユニットを用いて行ってもよい。ウエハＷの裏面における改質対象領域の設定、および、設定領域に対する改質処理を行うこと場所は、現像処理を行う場所とは異なる場所とすることができる。
【０１０８】
改質処理を行う場所が現像ユニットＵ３とは異なる場所である場合、改質に使用する材料を変更することができる。上記実施形態では、ウエハＷの裏面のうち外周の特定領域の接触角を大きくするための改質剤としてカチオン系界面活性剤が好適に用いられる場合について説明した。これは、改質剤がカチオン系界面活性剤であると、改質剤がウエハＷに付着してウエハＷの表面改質を行う（接触角を大きくさせる）場合に、副生成物を発生しないまたは発生しても周囲の部品等に影響を与えないことに由来する。現像ユニットＵ３において改質処理を行う場合、副生成物が現像液Ｄによる現像等に影響する可能性が考えられる。一方、現像ユニットＵ３とは異なる場所で改質処理を行う場合、改質処理に伴って副生成物が反応しても問題が無い環境であれば、カチオン系界面活性剤とは異なる材料を改質剤として使用することができる。現像ユニットＵ３とは異なる場所で改質処理を行う場合に使用可能な改質剤としては、例えば、シランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、トリメチルシリルジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリメチルシリルジエチルアミン（ＴＭＳＤＥＡ）、ジメチル（ジメチルアミノ）シラン（ＤＭＳＤＭＡ）、１，１，３，３−テトラメチルジシラン（ＴＭＤＳ）、ポリシラザン希釈液、シロキサンが挙げられるが、これらに限定されない。このように、シランカップリング剤を利用してウエハＷの裏面の表面改質を行なって接触角を大きくすることで、現像液Ｄ（またはリンス液Ｒ２）の裏面への回り込みを抑制する構成としてもよい。
【０１０９】
また、上記実施形態では、改質領域Ｐ１０が外周端に沿った環状である場合について説明したが、改質領域Ｐ１０の形状は適宜変更することができる。例えば、改質領域Ｐ１０は、ウエハＷの外周に沿って破線状に形成されていてもよい。改質領域Ｐ１０が破線状に形成されている場合でも、改質領域Ｐ１０を通過するように移動した現像液Ｄ（またはリンス液Ｒ２）については接触角の変化により落下が促進されるため、裏面への回り込みが抑制される。このように、改質領域Ｐ１０が環状に形成されていない場合でも、リング部材３８２よりも外側の少なくとも一部が改質されることで、現像液Ｄ（またはリンス液Ｒ２）の回り込みを抑制することが可能である。ただし、改質領域Ｐ１０が環状である場合、現像液Ｄ（またはリンス液Ｒ２）の回り込みを効果的に抑制することができる。
【０１１０】
また、現像ユニットＵ３の装置構成についても適宜変更することができる。例えば、現像ユニットＵ３では、リング部材３８２にエアガスを噴射する、ガス供給部としてのガスノズルがさらに設けられていてもよい。ガスノズルは、例えばリング部材３８２の内側において、ガイド部材３８１上に環状に設けることができる。ガスノズルには、全周に亘ってガス噴出口が形成され、リング部材３８２の全周にエアガスを噴射できる構成とすることができる。この場合、例えば、リンス液Ｒ２によるウエハＷの裏面洗浄の終了後に、リング部材３８２に残存するリンス液Ｒ２の液滴をエアガスにより除去することができる。したがって、リング部材３８２への液滴の残存をより確実に抑制することができる。なお、ガスノズルを用いたエアガスの噴射は、例えば、上述の現像液Ｄの液シールＤｓを除去するために行われてもよい。
【０１１１】
上記実施形態では、レーザ変位計である反り計測部３４０によってウエハＷの反りを計測し、これを反りに係る情報として取得していたが、ウエハＷの反りの測定方法はこれ限定されない。例えば反り情報取得部に対応する反り計測部３４０としてカメラを用い、ウエハＷの外縁部を撮像して、撮像画像からウエハＷの反り量を算出してもよい。また、反り計測部３４０として、例えば静電容量センサまたは超音波センサが用いられる。この場合、反り計測部３４０は、スピンチャック３００に保持されたウエハＷの外縁部下方に設けられていてもよい。また、反り計測部３４０は、現像ユニットＵ３の外部に設けられていてもよい。このように、反り情報取得部により取得する反りに係る情報の取得方法に応じて、反り情報取得部の配置は適宜変更することができる。また、反り情報取得部は、改質領域Ｐ１０の大きさ、または、ウエハＷの裏面とリング部材３８２の上面３８２ａとの距離を調整するために必要な反りに係る情報を取得できればよい。したがって、反り情報取得部は、反りの大きさを直接計測する方法とは異なる方法で反りに係る情報を取得してもよい。また、反り情報取得部によるウエハＷの反り計測を行うタイミングについても適宜変更することができる。
【０１１２】
上記実施形態の現像ユニットＵ３には、リング部材３８２が１重に設けられている場合について説明したが、リング部材３８２が同心状に複数設けられていてもよい。また、複数のリング部材３８２はそれぞれ独立して昇降自在に構成され、個別に高さ調整が可能であってもよい。
【０１１３】
上記実施形態の現像ユニットＵ３では、スリットノズルである現像液ノズル３２０を用いて、ウエハＷを回転させずにウエハＷの表面に現像液Ｄの液パドルを形成する、所謂静止現像を行っていたが、回転現像を行ってもよい。回転現像では、例えばスピンチャック３００によってウエハＷを回転させながら、ウエハＷの中心部に現像液Ｄを供給し、遠心力により現像液ＤをウエハＷの表面全面に拡散させて現像を行う。このような回転現像においても、本開示の構成を適用することで、上述した効果を享受することができる。
【０１１４】
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１１５】
１…基板処理システム、２…塗布・現像装置（基板処理装置）、１１〜１４…処理モジュール、１００…制御装置、３００…スピンチャック、３２０…現像液ノズル、３３０…リンス液ノズル、３４０…反り計測部、３５０…バックリンスノズル、３６０…改質液ノズル、３８１…ガイド部材、３８２…リング部材、３８３…昇降部、Ｄ…現像液、Ｒ１…改質液、Ｒ２，Ｒ３…リンス液、Ｗ…ウエハ（基板）、Ｕ３…現像ユニット。
【図１】
2020013932.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2020013932.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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