(57)【要約】【課題】本明細書は、ボンディングワイヤが他の導体と短絡することを防止しつつ、薄型化した半導体装置を提供する。【解決手段】本明細書が開示する半導体装置は、半導体素子と、ボンディングワイヤと、絶縁基板を備えている。ボンディングワイヤは、半導体素子の主面にある第１電極に接続されている。絶縁基板は主面及びボンディングワイヤと対向している。半導体素子の主面と対向する絶縁基板の面に所定の厚みの導体パターンが形成されているとともに導体パターンが半導体素子の主面にある第２電極と接続されている。絶縁基板のボンディングワイヤと対向する領域は絶縁基板が露出し、ボンディングワイヤの位置を規制するワイヤガイド部が設けられている。この規制により、絶縁基板と半導体素子の間の距離を短くしても、ボンディングワイヤが他の導体と短絡しない。即ち、ボンディングワイヤが他の導体と短絡することを防止しつつ、薄型化を図れる。【選択図】図１
2020013833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に第１電極と第２電極を備えている半導体素子と、
前記第１電極に接続されているボンディングワイヤと、
前記主面及び前記ボンディングワイヤと対向しており、前記主面と対向する面に所定の厚みの導体パターンが形成されているとともに前記導体パターンが前記第２電極と接続されている絶縁基板と、
を備えており、
前記絶縁基板の前記ボンディングワイヤと対向する領域は絶縁基板が露出しており、
前記領域に、前記ボンディングワイヤの位置を規制するワイヤガイド部が設けられている、半導体装置。
【請求項２】
複数の前記ボンディングワイヤの夫々が複数の前記第１電極の夫々に接続されており、
前記ワイヤガイド部は、隣り合う前記ボンディングワイヤを隔てる壁、あるいは、夫々のボンディングワイヤが係止される溝である、請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、半導体素子が配線基板に取り付けられている半導体装置が開示されている。半導体素子は、その主面に第１電極と第２電極を備えている。ここで、半導体素子の主面とは、扁平な半導体素子の幅広面を意味する。第１電極は、ゲート電極や、センスエミッタ電極などの小電流用の電極である。第２電極は、コレクタ電極あるいはエミッタ電極などの主電極である。第１電極にはボンディングワイヤが接続されている。第２電極には銅ブロックを介して配線基板が接続されている。配線基板はボンディングワイヤにも対向している。銅ブロックは、半導体素子と配線基板の間にボンディングワイヤが他の導体と短絡しないための空間を確保するために備えられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３１１９０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体装置が搭載される電子機器において小型化、特に薄型化が進んでいる。そのため、半導体装置についても、薄型化が要求される。特許文献１の半導体装置では、半導体素子と配線基板の間の空間を狭めることができれば薄型化が図れる。しかしながら、半導体基板と配線基板の間の空間を狭めると、ボンディングワイヤが他の導体と短絡し易くなってしまう。本明細書は、ボンディングワイヤが他の導体と短絡することを防止しつつ、薄型化した半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書が開示する半導体装置は、半導体素子と、ボンディングワイヤと、絶縁基板を備えている。半導体素子の主面には、第１電極と第２電極が設けられている。第１電極は典型的には、ゲート電極など、小電流の制御電極である。第２電極は、コレクタ電極など、大電流が流れる主電極である。ボンディングワイヤは、第１電極に接続されている。絶縁基板は主面及びボンディングワイヤと対向している。半導体素子の主面と対向する絶縁基板の面に所定の厚みの導体パターンが形成されているとともに導体パターンが第２電極と接続されている。絶縁基板のボンディングワイヤと対向する領域は絶縁基板が露出しており、その領域に、ボンディングワイヤの位置を規制するワイヤガイド部が設けられている。
【０００６】
本明細書が開示する半導体装置では、半導体素子と絶縁基板の間の距離が、最も小さい場合で導体パターンの厚み程度しかない。従って半導体装置を薄型化できる。一方、そのような狭い空間では、ボンディングワイヤが絶縁基板と接触する可能性がある。絶縁基板に接触したボンディングワイヤは、絶縁基板に押されて位置が変わり、他の導体と接触するおそれがある。しかし、本明細書が開示する半導体装置では、ワイヤガイド部がボンディングワイヤの位置を規制するので、絶縁基板と半導体素子の間の距離を短くしても、ボンディングワイヤが他の導体と短絡してしまうことが防げる。即ち、本明細書が開示する半導体装置は、ボンディングワイヤが他の導体と短絡することを防止しつつ、薄型化を図れる。他の導体の一例は、隣り合う別のボンディングワイヤであり、ワイヤガイド部の一例は、隣り合うボンディングワイヤを隔てる壁、あるいは、夫々のボンディングワイヤが係止される溝である。
【０００７】
本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施例の半導体装置の平面図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】ワイヤガイド部の変更例における図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図５】図４におけるＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図面を参照して、実施例の半導体装置１０について説明する。以下に説明するように、本実施例の半導体装置１０は、両面冷却構造を有する半導体装置である。本実施例の半導体装置１０は、例えば電気自動車、ハイブリッド車、燃料電池車といった電動自動車において、コンバータやインバータといった電力変換回路に用いることができる。但し、半導体装置１０の用途は特に限定されない。半導体装置１０は、様々な装置や回路に広く採用することができる。
【００１０】
図１、図２、図３を用いて、半導体装置１０を構成する部品について説明する。半導体装置１０は、前側半導体素子２０ａと後側半導体素子２０ｂと、上側絶縁基板１２と、下側絶縁基板３２と、樹脂パッケージ１１と、銅スペーサ１７と、を備えている。前側半導体素子２０ａと後側半導体素子２０ｂは、上側絶縁基板１２と下側絶縁基板３２により上下方向から挟み込まれており、その全体が樹脂パッケージ１１の内部に封止されている。前側半導体素子２０ａ及び後側半導体素子２０ｂは、電力回路用のいわゆるパワー半導体素子である。前側半導体素子２０ａは、制御パッド（以下、第１電極２１ａとする。）と、コレクタ電極（以下、第２電極２３ａとする。）と、エミッタ電極（以下、第３電極２４ａとする。）と、を有している。第１電極２１ａ及び第２電極２３ａは前側半導体素子２０ａの一方の主面（第１主面）に位置しており、第３電極２４ａは前側半導体素子２０ａの他方の主面（第２主面）に位置している。また、後側半導体素子２０ｂも、前側半導体素子２０ａ同様に、第１電極２１ｂと第２電極２３ｂ及び第３電極２４ｂを有している。第１電極２１ｂ及び第２電極２３ｂは後側半導体素子２０ｂの一方の主面（第１主面）に位置しており、第３電極２４ｂは後側半導体素子２０ｂの他方の主面（第２主面）に位置する。なお、図１は、図中の座標系の＋Ｚ方向から半導体装置１０を平面視した図であるが、理解を助けるため、半導体素子２０ａ、２０ｂ等を封止しているパッケージ１１は仮想線で示してある。また、図１では、半導体素子２０ａ、２０ｂよりも手前に位置する絶縁基板１２も仮想線で示し、絶縁基板１２の一方の面に設けられている上側主面導体パターン２５ａ、２５ｂ（詳しくは後述）をグレーで示している。絶縁基板１２の他方の面に設けられている上側裏面導体パターン３５ａ、３５ｂ（詳しくは後述）は図示を省略してある。
【００１１】
上側絶縁基板１２及び下側絶縁基板３２は、いわゆるＤＢＣ（Direct Bonding Copper）基板である。上側絶縁基板１２は、前側半導体素子２０ａと後側半導体素子２０ｂの主面及びボンディングワイヤ２６ａ、２６ｂ（後述）に対向する面（以下、下面とする。）に上側主面導体パターン２５ａ、２５ｂが形成されている。上側主面導体パターン２５ａ、２５ｂは、上側絶縁基板１２の下面にて離間しており、互いに絶縁されている。図３に示すように、上側絶縁基板１２は、上側主面導体パターン２５ａ、２５ｂの反対側の面にも上側裏面パターン３５ａ、３５ｂが形成されている。上側主面導体パターン３５ａ、３５ｂは、上側絶縁基板１２の上面にて離間しており、互いに絶縁されている。上側主面導体パターン２５ａ、２５ｂと、上側裏面パターン３５ａ、３５ｂは上側絶縁基板１２によって互いに絶縁されている。
【００１２】
また、下側絶縁基板３２は、前側半導体素子２０ａと後側半導体素子２０ｂの第２主面に対向する面に下側主面導体パターン４５ａ、４５ｂが形成されている。図３に示すように、下側絶縁基板３２は、さらに下側主面導体パターン４５ａ、４５ｂの反対側の面にも下側裏面導体パターン５５ａ、５５ｂが形成されている。下側主面導体パターン４５ａ、４５ｂは互いに絶縁されており、下側裏面導体パターン５５ａ、５５ｂも互いに絶縁されている。下側主面導体パターン４５ａ、４５ｂと、下側裏面導体パターン５５ａ、５５ｂは、下側絶縁基板１２によって互いに絶縁されている。
【００１３】
半導体装置１０は、さらに外部接続端子として複数の電力用端子１４、１５、１６と、複数の制御端子１８、１９を備えている。複数の電力用端子１４、１５、１６と、複数の制御端子１８、１９は、いずれも、半導体素子２０ａ、２０ｂを別のデバイスと電気的に接続する外部接続端子である。それらの外部接続端子は、樹脂パッケージ１１の内部から外部にわたって延びている。
【００１４】
半導体装置１０を構成する部品の接続構造について説明する。半導体装置１０は、４本のボンディングワイヤ２６ａを用いて、前側半導体素子２０ａの４個の第１電極２１ａと、４本の制御端子１８とを接続している。また、前側半導体素子２０ａの第２電極２３ａに接続されている上側主面導体パターン２５ａが、電力用端子１４に接続している。さらに、下側絶縁基板３２の下側主面導体パターン４５ａが、前側半導体素子２０ａの第３電極２３ａに接続されている。下側主面導体パターン４５ａは、半導体装置１０の中央部まで延長されている。この下側主面導体パターン４５ａが銅スペーサ１７に接続し、さらに銅スペーサ１７が上側絶縁基板１２の上側主面導体パターン２５ｂと接続している。即ち、前側半導体素子２０ａと後側半導体素子２０ｂは、銅スペーサ１７を介して直列に接続されている。また、前側半導体素子２０ａと同様に、後側半導体素子２０ｂの第２電極２３ｂと上側主面導体パターン２５ｂが接続されており、上側主面導体パターン２５ｂと電力用端子１６が接続されている。さらに、半導体装置１０は、４本のボンディングワイヤ２６ｂを用いて、前側半導体素子２０ｂの４個の第１電極２１ｂと４本の制御端子１９とを接続している。後側半導体素子２０ｂの第３電極２３ｂに接続されている下側主面導体パターン４５ｂが電力用端子１５と接続している。
【００１５】
図２を用いて、半導体装置１０を構成する部品の接合構造を説明する。図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線に沿った断面である。先に述べたように、前側半導体素子２０ａが上側絶縁基板１２と下側絶縁基板３２によって挟み込まれている。上側絶縁基板１２の上側主面導体パターン２５ａが前側半導体素子２０ａの第２電極２３ａと接合されている。この接合には、はんだ付けが採用されており、前側半導体素子２０ａと上側主面導体パターン２５ａとの間に、はんだ層２７が形成されている。また、下側絶縁基板３２の下側主面導体パターン４５ａが、前側半導体素子２０ａの第３電極２４ａと接合されている。この接合もはんだ付けが採用されており、前側半導体素子２０ａと下側主面導体パターン４５ａとの間に、はんだ層２８が形成されている。上側絶縁基板１２の上側主面導体パターン２５ａと電力用端子１４が接合されている。この接合にもはんだ付けが採用されており、上側主面導体パターン２５ａと電力用端子１４との間に、はんだ層２９が形成されている。そして、全体を樹脂パッケージ１１により封止している。なお、後側半導体素子２０ｂについても、同様の接合方法が採用されている。
【００１６】
上側絶縁基板１２の上側裏面導体パターン３５ａは、樹脂パッケージ１１の上面１１ａに露出している。これにより、上側絶縁基板１２の上側裏面導体パターン３５ａは、半導体装置１０の電気回路の一部を構成するだけでなく、前側半導体素子２０ａ等の熱を外部に放出する放熱板としても機能している。同様に、下側絶縁基板３２の下側裏面導体パターン５５ａは、樹脂パッケージ１１の下面１１ｂに露出している。これにより、下側絶縁基板３２の下側裏面導体パターン５５ａについても、半導体装置１０の電気回路の一部を構成するだけでなく、前側半導体素子２０ａ等の熱を外部に放出する放熱板としても機能している。また、図３に示す通り、樹脂パッケージ１１の上下の両面１１ａ、１１ｂに上側絶縁基板１２の上側裏面導体パターン３５ｂ、下側絶縁基板３２の下側裏面導体パターン５５ｂが露出している。これにより、上側絶縁基板１２の上側裏面導体パターン３５ｂ、下側絶縁基板３２の下側裏面導体パターン５５ｂについても、半導体装置１０の電気回路の一部を構成するだけでなく、後側半導体素子２０ｂ等の熱を外部に放出する放熱板としても機能している。このような構造をとることにより、本実施例の半導体装置１０は、樹脂パッケージ１１の上面１１ａと下面１１ｂに、例えば冷却器を当接させることで、発熱体である前側半導体素子２０ａ、後側半導体素子２０ｂを樹脂パッケージ１１の上下面両側から冷却することができる。即ち、半導体装置１０は、両面冷却構造を有している。
【００１７】
本実施例における前側半導体素子２０ａと後側半導体素子２０ｂは、縦型の半導体素子である。また、互いに同種の半導体素子であり、詳しくはＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）とダイオードとを内蔵するＲＣ−ＩＧＢＴ（Reverse Conducting IGBT）素子である。
【００１８】
先に述べたように、本実施例における上側絶縁基板１２は、ＤＢＣ基板である。上側絶縁基板１２は、例えば酸化アルミニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム等といったセラミックで構成されており、上側主面導体パターン２５ａ、２５ｂと、上側裏面導体パターン３５ａ、３５ｂのそれぞれは、銅で構成されている。但し、上側絶縁基板１２はＤＢＣ基板に限定されない。上側絶縁基板１２については、セラミックに限定されず、他の絶縁体で構成されてもよい。上側主面導体パターン２５ａ、２５ｂと上側裏面導体パターン３５ａ、３５ｂについては、銅に限定されず、他の導電体で構成されてもよい。そして、上側絶縁基板１２における上側主面導体パターン２５ａ、２５ｂと上側裏面導体パターン３５ａ、３５ｂの接合構造についても、特に限定されない。
【００１９】
上側絶縁基板１２同様、本実施例における下側絶縁基板３２も、ＤＢＣ基板である。下側絶縁基板３２は、例えば酸化アルミニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム等といったセラミックで構成されており、下側主面導体パターン４５ａ、４５ｂと下側裏面導体パターン５５ａ、５５ｂのそれぞれは、銅で構成されている。但し、下側絶縁基板３２はＤＢＣ基板に限定されない。下側絶縁基板３２については、セラミックに限定されず、他の絶縁体で構成されてもよい。下側主面導体パターン４５ａ、４５ｂと下側裏面導体パターン５５ａ、５５ｂについては、銅に限定されず、他の導電体で構成されてもよい。そして、下側絶縁基板３２における下側主面導体パターン４５ａ、４５ｂと、下側裏面導体パターン５５ａ、５５ｂの接合構造についても、特に限定されない。
【００２０】
また、実施例における樹脂パッケージ１１は、エポキシ樹脂で構成されているが、特に限定されず、他の熱硬化性樹脂を用いてもよい。さらに、複数の電力用端子１４、１５、１６及び複数の制御端子１８、１９は、銅で構成されているが、その他の金属材料を用いることができる。また、本実施例における銅スペーサ１７は、銅−モリブデン合金によって構成されている。但し、銅スペーサ１７についても、銅−モリブデン合金に限定されず、例えば純銅又はその他の銅合金といった他の導体で構成されてもよい。ボンディングワイヤ２６ａ、２６ｂは、実施例においては金のワイヤにて構成されているが、特に限定されず、他の金属（アルミニウム、銅など）を用いてもよい。
【００２１】
本実施例の半導体装置１０は、ボンディングワイヤ２６ａ、２６ｂの位置を規制するワイヤガイド部１２ａ、１２ｂを備えている。ワイヤガイド部１２ａ、１２ｂは、複数のボンディングワイヤ２６ａ、２６ｂの夫々が他の導体と短絡することを防止する。以下、ワイヤガイド部１２ａ、１２ｂについて説明する。
【００２２】
図２、図３に示す通り、ワイヤガイド部１２ａは、上側絶縁基板１２の下面に設けられている複数の凸条である。上側絶縁基板１２の下面のボンディングワイヤ２６ａと対向する領域は導体パターンが設けられておらず絶縁基板が露出しており、ワイヤガイド部１２ａはその領域に設けられている。夫々の凸条は夫々のボンディングワイヤ２６ａに対して概ね平行に延びている。さらに、ワイヤガイド部１２ａの高さは、ボンディングワイヤ２６ａの直径と概ね同じである。隣接する凸条の間に、１本のボンディングワイヤ２６ａが通っている。従って、ワイヤガイド部１２ａは、ボンディングワイヤ２６ａの位置を規制することができる。
【００２３】
ここで、ボンディングワイヤ２６ａの湾曲形状について説明する。ボンディングワイヤ２６ａは、ワイヤボンディングにより前側半導体素子２０ａの第１電極２１ａと制御端子１８に接合されている。ここで、ワイヤボンディングとは、半導体装置で一般的に用いられているワイヤ接合方法である。ワイヤボンディング工程においてワイヤが切断しないように、ボンディングワイヤ２６ａの長さは、第１電極２１ａと制御端子１８の間の距離よりも少し長くなっている。それゆえ、ボンディングワイヤ１６ａは、第１電極２１ａと制御端子１８の間でループを描く。隣接したボンディングワイヤと接触しないように、それぞれのボンディングワイヤ２６ａは、ワイヤボンディング工程において上側絶縁基板１２に近づく方向に湾曲させられる。
【００２４】
半導体装置１０の小型化薄型化を図ろうとすると、ボンディングワイヤ２６ａが上側絶縁基板１２に近づくとともに、隣接するボンディングワイヤ２６ａの間隔が狭くなる。そうすると、ボンディングワイヤ２６ａが上側絶縁基板１２に設けられた導体パターンや隣のボンディングワイヤと接触する短絡するおそれが生じる。そこで、実施例の半導体装置１０では、上側絶縁基板１２の露出領域にワイヤガイド部１２ａを設けてボンディングワイヤ２６ａの位置を規制することでその短絡を防いでいる。
【００２５】
図２に示す通り、前側半導体素子２０ａと上側絶縁基板１２の間の距離は、上側主面導体パターン２５ａの厚みに等しい。上側主面導体パターン２５ａの厚みはそれほど大きくなく、例えば、０．３ｍｍである。それゆえ、組立工程においてボンディングワイヤ２６ａが接合された前側半導体素子２０ａに上側絶縁基板１２を取り付ける際、上側絶縁基板１２がボンディングワイヤ２６ａに接触することがある。上側絶縁基板１２に押されたボンディングワイヤ２６ａは、隣接するボンディングワイヤ２６ａに近づく方向に動こうとするが、凸条（ワイヤガイド部１２ａ）がボンディングワイヤ２６ａの位置を規制するので、ボンディングワイヤ２６ａの位置は初期位置から大きくずれることがない。即ち、ワイヤガイド部１２ａによって、ボンディングワイヤ２６ａが隣のボンディングワイヤと短絡することが防止される。
【００２６】
また、ボンディングワイヤ２６ａの周辺には樹脂（樹脂パッケージ１１）が充填される。製造工程の途中で充填される樹脂の圧力によりボンディングワイヤ２６ａが変形し、他の導体と短絡したまま樹脂パッケージ１１が形成されてしまうと、短絡を解消することができなくなる。そのような半導体装置は不良品として廃棄扱いとなる。ワイヤガイド部１２ａによってボンディングワイヤ２６ａの位置を規制することで、ボンディングワイヤ２６ａの変形を防ぎ、短絡することを防止する。その結果、半導体装置１０の製造の歩留りが向上する。
【００２７】
このように、本明細書が開示する半導体装置１０では、ワイヤガイド部１２ａがボンディングワイヤ２６ａの位置を規制する。従って上側絶縁基板１２と前側半導体素子２０ａの間の距離を短くしても、ボンディングワイヤ２６ａが他の導体と短絡してしまうことが防げる。即ち、本明細書が開示する半導体装置１０は、ボンディングワイヤ２６ａが他の導体と短絡することを防止しつつ、薄型化を図ることができる。なお、ワイヤガイド部１２ｂも、後側半導体素子２０ｂの第１電極２１ｂに接続されているボンディングワイヤ２６ｂの位置を同様に規制する。
【００２８】
図４、図５を用いて、ワイヤガイド部の変形例を説明する。ワイヤガイド部は、先に述べたような凸条ではなく、図４、図５に示すような溝とすることもできる。以下、ワイヤガイド部の変形例であるワイヤガイド部１２ｃ、１２ｄについて説明する。図４に示す通り、ワイヤガイド部１２ｃは、複数の溝であり、夫々の溝は対応する夫々のボンディングワイヤ２６ａに沿って延びている。溝の深さは、ボンディングワイヤ２６ａの直径と概ね同じである。夫々の溝に、１本のボンディングワイヤ２６ａが通っている。別言すれば、ワイヤガイド部１２ｃは、ボンディングワイヤ２６ａを係止している。溝形状のワイヤガイド部１２ｃも、先に述べたワイヤガイド部１２ａと同様に、ボンディングワイヤ２６ａの位置を規制することができる。従って上側絶縁基板１２と前側半導体素子２０ａの間の距離を短くしても、ボンディングワイヤ２６ａが他の導体と短絡してしまうことが防げる。ワイヤガイド部１２ｄも、後側半導体素子２０ｂの第１電極２１ｂに接続されているボンディングワイヤ２６ｂの位置を同様に規制する。
【００２９】
実施例で説明した技術に関する留意点を述べる。図３及び図５は、ボンディングワイヤ２６ａの位置を規制するワイヤガイド部の断面形状を示しているが、ワイヤガイド部の断面形状は、図３及び図５に開示する形状に限定されない。ワイヤガイド部は、例えば半円形状の断面を有する凸条あるいは溝であってもよい。また、ワイヤガイド部１２ａの凸条又は溝における角部は、面取りされていてもよい。
【００３０】
また、本実施例における半導体装置１０においては、ワイヤガイド部は上側絶縁基板により構成される。しかし、上述したようなボンディングワイヤ２６ａの位置を規制するワイヤガイド部の形状を別部品で成形し、上側絶縁基板に取り付けることにより、ワイヤガイド部とすることもできる。
【００３１】
本実施例における半導体装置１０において、前側半導体素子２０ａ、後側半導体素子２０ｂと２つの半導体素子が設けられている。また、ボンディングワイヤ２６ａ、２６ｂは夫々４本設けてあり、制御端子１８及び１９も夫々４本の設定があるが、これらの数や具体的な構成は特に限定されない。また、本実施例における半導体装置１０は、上述した通り、両面冷却構造を有しているが、本明細書に開示する技術は、両面冷却構造を有する半導体装置に限定されない。さらに、本明細書に開示する技術は、実施例における半導体素子、即ち、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子に限定されない。
【００３２】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３３】
１０：半導体装置
１１：樹脂パッケージ
１１ａ：樹脂パッケージ上面
１１ｂ：樹脂パッケージ下面
１２：上側絶縁基板
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ：ワイヤガイド部
１４、１５、１６：電力用端子
１７：銅スペーサ
１８、１９：制御端子
２０ａ、２０ｂ：半導体素子
２１ａ、２１ｂ：制御パッド（第１電極）
２３ａ、２３ｂ：コレクタ電極（第２電極）
２４ａ、２４ｂ：エミッタ電極（第３電極）
２５ａ、２５ｂ：上側主面導体パターン
２６ａ、２６ｂ：ボンディングワイヤ
２７、２８、２９：はんだ層
３２：下側絶縁基板
３５ａ、３５ｂ：上側裏面導体パターン
４５ａ、４５ｂ：下側主面導体パターン
５５ａ、５５ｂ：下側裏面導体パターン
【図１】
2020013833.tif 000003
【図２】
2020013833.tif 000004
【図３】
2020013833.tif 000005
【図４】
2020013833.tif 000006
【図５】
2020013833.tif 000007