(57)【要約】【課題】吸着ムラを低減することが可能であるとともに、長期間使用することが可能な吸着機構、切断装置および切断品の製造方法を提供する。【解決手段】吸着機構（１００）は、チャンバ（３４）と、チャンバ（３４）内のジグ（３３）と、ジグ（３３）上の吸着部（３１）とを備えている。ジグ（３３）はメタルフォームを備える。切断装置（Ｂ）は、吸着機構（１００）を備える。切断品の製造方法は、切断装置（Ｂ）により切断対象物（５）を切断する工程と、切断する工程において切断された切断対象物（５）を吸着機構（１００）により吸着して搬送する工程とを備える。【選択図】図３
2020068294.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
前記チャンバ内のジグと、
前記ジグ上の吸着部と、を備え、
前記ジグは、メタルフォームを備える、吸着機構。
【請求項２】
前記メタルフォームは、ニッケルを主成分として含有する、請求項１に記載の吸着機構。
【請求項３】
前記メタルフォームは、クロム、アルミニウム、または前記クロムと前記アルミニウムとの両方を含有する、請求項１または請求項２に記載の吸着機構。
【請求項４】
前記メタルフォームの気孔率は、９０％以上である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の吸着機構。
【請求項５】
前記メタルフォームの気孔率は、９８％以下である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の吸着機構。
【請求項６】
前記メタルフォームのセルサイズは、１０００μｍ以上である、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の吸着機構。
【請求項７】
前記メタルフォームのセルサイズは、３０００μｍ以上である、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の吸着機構。
【請求項８】
前記メタルフォームのセルサイズは、６０００μｍ以下である、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の吸着機構。
【請求項９】
前記メタルフォームは、三次元網目構造の骨格を備え、
前記骨格は、複数のストラットを備え、前記複数のストラットの間に気孔が位置する、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の吸着機構。
【請求項１０】
前記複数のストラットの外表面上にはコーティング層が位置し、
前記コーティング層は、耐サビ性能を備える、請求項９に記載の吸着機構。
【請求項１１】
前記コーティング層は、フッ素系樹脂を含有する、請求項１０に記載の吸着機構。
【請求項１２】
前記複数のストラットの少なくとも１つは、中空構造を備える、請求項９〜請求項１１のいずれか１項に記載の吸着機構。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の吸着機構を備える、切断装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の切断装置により切断対象物を切断する工程と、
前記切断する工程において切断された前記切断対象物を前記吸着機構により吸着して搬送する工程と、を備える、切断品の製造方法。
【請求項１５】
前記切断対象物は、支持部材と、前記支持部材の少なくとも一部上の封止樹脂と、を備える、請求項１４に記載の切断品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、吸着機構、切断装置および切断品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば特許文献１には、切断ブレードとともに用いるための、および半導体ウエハを保持するための切断チャックが記載されている。特許文献１に記載の切断チャックは、アルミナ等のセラミックから形成された多孔質層と、多孔質層上の表面層とを備えており、表面層において半導体ウエハを吸着する（特許文献１の図５等）。
【０００３】
特許文献１に記載の切断チャックは、多孔質層の下方に配置されたポンプが、表面層の内部に設けられた真空通路および多孔質層の多孔を通して吸引することによって表面層上の半導体ウエハを吸着する。特許文献１に記載の切断チャックは、半導体ウエハをダイシングして分割し、分割後の半導体ウエハがピックアップされるまで吸着を保持する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５９５３５９０号明細書
【特許文献２】特表２００６−５２２２１５号公報
【特許文献３】特表２００７−５０２３６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の切断チャックを半導体パッケージの吸着に用いた場合には、セラミックから形成された多孔質層が高い気孔率を有さず、吸着力が局所的に低下して、吸着ムラが生じることがあった。切断チャックに吸着ムラが生じた場合には、半導体パッケージ基板の切断後の半導体パッケージが切断チャックから飛散することがあった。
【０００６】
その一方で、特許文献１に記載の切断チャックの多孔質層に高い気孔率を有するセラミックを用いた場合には、多孔質層が脆くなって所定の強度を確保することができず、長期間使用できないことがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ここで開示された実施形態によれば、チャンバと、チャンバ内のジグと、ジグ上の吸着部とを備え、ジグはメタルフォーム（Ｍｅｔａｌ  Ｆｏａｍ）を備える吸着機構を提供することができる。
【０００８】
ここで開示された実施形態によれば、上記の吸着機構を備える切断装置を提供することができる。
【０００９】
ここで開示された実施形態によれば、上記の切断装置により切断対象物を切断する工程と、切断する工程において切断された切断対象物を上記の吸着機構により吸着して搬送する工程とを備える切断品の製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００１０】
ここで開示された実施形態によれば、吸着ムラを低減することが可能であり、長期間使用することが可能な吸着機構、切断装置および切断品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態の電子部品製造装置の模式的な平面図である。
【図２】実施形態の電子部品製造装置の切断対象物の一例として用いられる半導体パッケージ基板の一例の模式的な断面図である。
【図３】実施形態の電子部品製造装置のカットテーブルに用いられる吸着機構の一例の模式的な断面図である。
【図４】実施形態の吸着機構のジグに用いられるメタルフォームの一例の写真である。
【図５】図４に示されるメタルフォームの拡大写真である。
【図６】メタルフォームの他の一例の拡大写真である。
【図７】メタルフォームの他の一例の拡大写真である。
【図８】（ａ）はメタルフォームの拡大写真であり、（ｂ）は（ａ）の拡大写真に示されるメタルフォームのセルを平面化したモデルの一例の模式的な平面図である。
【図９】セルサイズが約３０００μｍのメタルフォームの一例の写真である。
【図１０】セルサイズが約６０００μｍのメタルフォームの一例の写真である。
【図１１】吸着機構のジグとして長期間使用した後の表面の平坦度の測定に用いられたメタルフォームの領域を図解する模式的な平面図である。
【図１２】吸着機構のジグとして長期間使用した後のメタルフォームの表面の平坦度を測定した結果である。
【図１３】吸着機構のジグとして長期間使用した後のメタルフォームの表面の平坦度を測定した結果である。
【図１４】半導体パッケージ基板を切断する工程の一例を図解する模式的な断面図である。
【図１５】半導体パッケージ基板を切断する工程の一例を図解する模式的な断面図である。
【図１６】実施形態の吸着機構の変形例の模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施形態について説明する。なお、実施形態の説明に用いられる図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００１３】
図１に、実施形態の電子部品製造装置の模式的な平面図を示す。図１に示す実施形態の電子部品製造装置は、基板供給装置Ａと、切断装置Ｂと、洗浄装置Ｃと、搬送装置Ｄとを備えている。
【００１４】
図１に示すように、基板供給装置Ａは、実施形態の切断対象物の一例である半導体パッケージ基板５を装填するためのインマガジン１と、インマガジン１から取り出された半導体パッケージ基板５を載置するための基板供給テーブル７と、半導体パッケージ基板５を保持して切断装置Ｂに供給するためのストリップレールローダ６と、ストリップレールローダ６が切断装置Ｂまで移動するためのストリップレール６ａと、を備えている。
【００１５】
基板供給装置Ａは、たとえば以下のように動作する。まず、インマガジン１に装填されている半導体パッケージ基板５を基板供給テーブル７上に載置する。次に、半導体パッケージ基板５のＺ軸方向上方に位置するストリップレールローダ６が供給テーブル７上の半導体パッケージ基板５を保持する。次に、ストリップレールローダ６は半導体パッケージ基板５を保持した状態でＸ軸方向にストリップレール６ａに沿って切断装置Ｂまで移動する。その後、ストリップレールローダ６は、Ｚ軸方向下方の切断装置Ｂのカットテーブル８上に半導体パッケージ基板５を載置する。これにより、基板供給装置Ａの動作が完了する。
【００１６】
図２に、実施形態の電子部品製造装置の切断対象物として用いられる半導体パッケージ基板５の一例の模式的な断面図を示す。図２に示すように、半導体パッケージ基板５は、たとえば、支持部材３と、支持部材３の少なくとも一部上の封止樹脂４と、を備える。支持部材３は、たとえば、半導体チップまたは薄膜などを支持する部材であって、リードフレーム、サブストレート、インターポーザ、半導体基板（Ｓｉウェハ等）、金属基板、ガラス基板、セラミック基板、樹脂基板、または配線基板を含み、配線が施されていてもよく、配線が施されていなくてもよい。封止樹脂４は、支持部材３に支持された半導体チップまたは薄膜などの少なくとも一面を封止する樹脂である。なお、本実施形態においては切断対象物として半導体パッケージ基板５を用いる場合について説明するが、切断対象物は半導体パッケージ基板５に限定されない。
【００１７】
図１に示すように、切断装置Ｂは、切断前の半導体パッケージ基板５または切断後の半導体パッケージ５ａを載置するためのカットテーブル８と、カットテーブル８を回転させるための回転機構８ａと、カットテーブル８および回転機構８ａを移動させるための移動機構（図示せず）と、半導体パッケージ基板５を切断するためのブレード（図示せず）を有するスピンドル９と、半導体パッケージ５ａの基材３側に洗浄水を噴霧するための洗浄水噴霧部材１１と、半導体パッケージ５ａの基材３側に噴霧された洗浄水を乾燥するためのエア噴射部材１２とを備えている。
【００１８】
図３に、実施形態の電子部品製造装置のカットテーブル８に用いられる吸着機構の一例の模式的な断面図を示す。図３に示すように、吸着機構１００は、チャンバ３４と、チャンバ３４内のジグ３３と、ジグ３３上の吸着部３１と、ジグ３３の下方の流路３５と、吸着部３１の吸着力を発揮させるために流路３５を通して真空引き等のガスの吸引をするための真空ポンプ等の吸引機構３６と、を備えている。
【００１９】
本実施形態において、チャンバ３４は、外壁３４ａと、底面３４ｂとを備えている。外壁３４ａは、ジグ３３が載置される内部空間の側方を取り囲むように位置している。底面３４ｂは、ジグ３３を介して吸着部３１と向かい合うように位置しており、底面３４ｂの外縁は外壁３４ａと連結している。なお、チャンバ３４の構成は、ジグ３３を支持することが可能であり、吸引機構３６の吸引によりジグ３３を介して吸着部３１に吸着力を生じさせることが可能な構成であれば特に限定されない。
【００２０】
本実施形態において、吸着部３１は、メタルプレート等の基材部３１ａと、基材部３１ａ上のラバー等の吸着パッド部３１ｂとを備えている。基材部３１ａと吸着パッド部３１ｂとは、たとえば一体化されること等により結合されていてもよい。吸着部３１には、基材部３１ａおよび吸着パッド部３１ｂのそれぞれの一部を鉛直方向に貫通する吸着孔３８が設けられており、吸着パッド部３１ｂには半導体パッケージ基板５の切断箇所に対応する位置に溝部３９が設けられている。なお、吸着部３１の構成も、ジグ３３により支持されることが可能であり、吸引機構３６の吸引によりジグ３３を介して吸着力を生じることが可能な構成であれば特に限定されない。
【００２１】
本実施形態において、ジグ３３は、メタルフォームを備えている。ジグ３３は、外壁３４ａおよび底面３４ｂで取り囲まれたチャンバ３４の内部空間で吸着部３１の吸着パッド部３１ｂとは反対側に位置している。
【００２２】
図４に、実施形態の吸着機構のジグ３３に用いられるメタルフォームの一例の写真を示す。図５に、図４に示されるメタルフォームの拡大写真を示す。図５に例示されるようにメタルフォームは、三次元網目構造の骨格を備え、骨格は複数のストラット４１を備えている。複数のストラット４１の間には気孔４２が位置している。複数のストラット４１のそれぞれは、金属を含有する材料から構成され得る。
【００２３】
図６および図７に、メタルフォームの他の一例の拡大写真を示す。図６および図７に例示されるように、メタルフォームの複数のストラット４１の少なくとも１つは中空構造４３を備えている。また、図６および図７に示される例においては、ストラット４１の外表面上にはコーティング層４４が位置している。コーティング層４４は、メタルフォームに耐サビ性能を備えさせるために、たとえばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素系樹脂を含有していてもよい。ここで、フッ素系樹脂としては、ＰＴＦＥに限定されず、メタルフォームに耐サビ性能を与えるフッ素を含む樹脂を用いることができる。なお、「耐サビ性能」とは、ストラット４１の外表面の腐食を抑制可能な性能を意味する。
【００２４】
メタルフォームは、たとえばニッケルを主成分として含有していてもよい。なお、「ニッケルを主成分として含有する」とは、メタルフォームの５０原子％以上を構成する金属原子がニッケルであることを意味する。ニッケルがメタルフォームの５０原子％以上を構成する金属原子であることは、たとえば二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によって確認することができる。
【００２５】
メタルフォームは、たとえば、クロム、アルミニウム、またはクロムとアルミニウムとの両方を含有していてもよい。また、メタルフォームは、ニッケルと、クロムと、アルミニウムとの合金を含有していてもよい。また、メタルフォームは、非鉄金属を含有していてもよく、鉄を含有していてもよい。なお、メタルフォーム中のクロム、アルミニウムまたは鉄等の金属原子の存在も、たとえばＳＩＭＳによって確認することができる。
【００２６】
メタルフォームの気孔率は、９０％以上であってもよい。メタルフォームの気孔率が９０％以上である場合には、吸引機構３６によって吸引されるガスがジグ３３を透過しやすくなって、吸着部３１の吸着力が向上する傾向にある。
【００２７】
メタルフォームの気孔率は、９８％以下であってもよい。メタルフォームの気孔率が９８％以下である場合には、吸着部３１を支持するジグ３３がより高強度となり、ジグ３３をより長期間使用することが可能となる傾向にある。
【００２８】
メタルフォームの気孔率は、以下のようにして求めることができる。まず、メタルフォームの重量および体積をそれぞれ測定する。次に、測定されたメタルフォームの重量の測定値（重量測定値［ｇ］）および体積の測定値（体積測定値［ｃｍ3］）から、メタルフォームの測定密度［ｇ／ｃｍ3］を以下の式（Ｉ）により求める。
【００２９】
測定密度［ｇ／ｃｍ3］＝（重量測定値［ｇ］）／（体積測定値［ｃｍ3］）  …（Ｉ）
【００３０】
次に、メタルフォームを構成する金属の理論密度（メタルフォームが気孔４２を全く有しないと仮定したときの密度）［ｇ／ｃｍ3］を求める。
【００３１】
最後に、上記の式（Ｉ）で求めた測定密度［ｇ／ｃｍ3］と理論密度［ｇ／ｃｍ3］とを用いて以下の式（ＩＩ）によりメタルフォームの気孔率［％］を求める。
【００３２】
メタルフォームの気孔率［％］＝１００×［１−｛（測定密度［ｇ／ｃｍ3］）／（理論密度［ｇ／ｃｍ3］）｝］  …（ＩＩ）
【００３３】
たとえば、メタルフォームの上記の測定密度が０．３３［ｇ／ｃｍ3］であり、理論密度が８．４［ｇ／ｃｍ3］である場合のメタルフォームの気孔率［％］は、上記の式（ＩＩ）により、１００×｛１−（０．３３／８．４）｝≒９６［％］となる。
【００３４】
上記で求められるメタルフォームの気孔率は、複数のストラット４１の少なくとも一部が中空構造を有している場合のメタルフォームの気孔率にも適用することができる。また、上記で求められるメタルフォームの気孔率は、ストラット４１の外表面上のコーティング層４４の存在を考慮していないが、ストラット４１の外表面上にコーティング層４４が存在している場合のメタルフォームの気孔率も上記で求められるメタルフォームの気孔率とほとんど差がないと考えられる。
【００３５】
メタルフォームのセルサイズは、１０００μｍ以上であってもよく、３０００μｍ以上であってもよい。メタルフォームのセルサイズが１０００μｍ以上または３０００μｍ以上である場合には、吸着部３１を支持するジグ３３がより高強度となり、ジグ３３をより長期間使用することが可能となる傾向にある。
【００３６】
メタルフォームのセルサイズは、６０００μｍ以下であってもよい。メタルフォームのセルサイズが６０００μｍ以下である場合には、吸引機構３６によって吸引されるガスがジグ３３を透過しやすくなって、吸着部３１の吸着力が向上するとともに、吸着部３１を支持するジグ３３がより高強度となり、ジグ３３をより長期間使用することが可能となる傾向にある。
【００３７】
メタルフォームのセルサイズは、以下のようにして求めることができる。まず、図８（ａ）に示されるようなメタルフォームの拡大写真を取得する。次に、図８（ｂ）に示すように、図８（ａ）の拡大写真からメタルフォームのセル５１を平面化したモデルを作製する。
【００３８】
次に、図８（ｂ）に示されるように、平面化されたモデルのセル５１の外縁は１０角形を構成しており、セル５１の外縁の１０角形上の任意の２点を結ぶ線分のうち最も長い線分ＡＡ’の長さａと、線分ＡＡ’に直交する線分ＢＢ’の長さｂとを測定する。
【００３９】
最後に、以下の式（ＩＩＩ）のように、上記のようにして測定された線分ＡＡ’の長さａ［μｍ］と線分ＢＢ’の長さｂ［μｍ］との積の平方根を求めることによって、メタルフォームのセルサイズ［μｍ］を求めることができる。
【００４０】
メタルフォームのセルサイズ［μｍ］＝（ａ×ｂ）1/2  …（ＩＩＩ）
【００４１】
なお、メタルフォームの三次元網目構造の骨格は、１２面体のセル５１を１つの構成単位としている。１つのセル５１は３０本のストラット４１によって構成されている。これらのストラット４１のうち５本のストラット４１が５角形を形成することによって１つの気孔４２が形成され、１つのセル５１に１２個の気孔４２が存在する。
【００４２】
図９に、セルサイズが約３０００μｍのメタルフォームの一例の写真を示す。図１０に、セルサイズが約６０００μｍのメタルフォームの一例の写真を示す。
【００４３】
メタルフォームは、たとえば、特許文献２（特表２００６−５２２２１５号公報）または特許文献３（特表２００７−５０２３６８号公報）に記載されている方法で製造することができる。また、メタルフォームとしては、たとえば、ＡＬＡｎｔｕｍ社製のメタルフォームを用いることもできる。
【００４４】
上述したメタルフォームのセルサイズ［μｍ］、厚み［ｍｍ］、およびコーティング層の有無のパラメータを変更して作製した長さ５０ｍｍ×幅５０ｍｍの正方形の表面を有するニッケルとクロムとアルミニウムとの合金のメタルフォームのサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．６のそれぞれについて圧縮強度［ＭＰａ］を測定した。その結果を以下の表１に示す。なお、圧縮強度の測定には、韓国のDaekyung Tech社製の万能材料試験機（UTM:Universal Testing Machine）を用いた。
【００４５】
【表１】
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【００４６】
表１に示すように、サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．６のメタルフォームの圧縮強度は０．２４〜１．０５ＭＰａの範囲内であって、高い圧縮強度を有することが確認された。セルサイズが１０００μｍのメタルフォームは勿論のこと、セルサイズが６０００μｍといったガス透過性が良好なメタルフォームにおいても、同程度のガス透過性を有するセラミックと比べて圧縮強度が高いと考えられる。したがって、ジグ３３にメタルフォームを用いた実施形態の吸着機構１００は、ジグ３３にセラミックを用いた場合と比べて、長期間使用可能であると考えられる。
【００４７】
また、図１１の模式的平面図に示すように、メタルフォームを縦方向に１２領域に分けるとともに横方向に６領域に分けて、そのメタルフォームをジグ３３として用いた吸着機構１００を長期間使用した後のメタルフォームの表面のそれぞれの領域の平坦度を測定した。その結果を図１２および図１３に示す。なお、図１２の「領域」の欄の上方向に存在する１〜１２の数値は、図１１に示すメタルフォームの縦方向の１２領域を意味している。また、図１２の「領域」の欄の右方向に存在する１〜６の数値は、図１１に示すメタルフォームの横方向の６領域を意味している。図１２の「領域」の欄の上方向および右方向以外の数値は、縦方向の領域１と横方向の領域１とが交差する領域の表面の位置を高さ０としたときに、それと比べてどれだけ高いまたは低いかがプラスマイナスの増減［μｍ］で表わされており、「＋」が高さ０よりも高いことを意味し、「−」が高さ０よりも低いことを意味している。図１３は図１２の高低差の数値を図示したものである。
【００４８】
図１２および図１３に示すように、長期間使用後のメタルフォームの表面においては、縦方向の領域１０と横方向の領域４とが交差する領域の表面の高さが最も高く（＋１２μｍ）、縦方向の領域８と横方向の領域２とが交差する領域の表面の高さが最も低く（−２７μｍ）なっており、最大で３９μｍの高低差に留まることが確認された。この高低差の値は、メタルフォームの代わりに同程度のガス透過性を有するセラミックを同期間用いた場合と比べて、大幅に低減できていると考えられる。
【００４９】
メタルフォームの表面の平坦度については、次のように考察される。メタルフォームは金属製の三次元網目構造の骨格を備えるので、いずれの方向からの荷重に対しても、ほぼ均等に優れた強度を有する。したがって、メタルフォームを用いることにより、通常の使用に対して良好な平坦度を維持できると考えられる。さらに、脆いセラミック製であれば荷重が掛かると容易に破損して平坦度が低下するが、メタルフォームは金属製なのでこのような平坦度の低下が容易に起こることはない。
【００５０】
上述したメタルフォームを図３に示されるジグ３３として用いた実施形態の吸着機構１００を備えたカットテーブル８を有する切断装置Ｂは、たとえば以下のように動作する。まず、図１に示すように、切断前の半導体パッケージ基板５が載置されたカットテーブル８を図示しない移動機構によってＹ軸方向に移動させる。
【００５１】
次に、半導体パッケージ基板５が載置されたカットテーブル８をスピンドル９までＸ軸方向に移動させる。次に、半導体パッケージ基板５の切断方向と一致するように回転機構８ａによってカットテーブル８を回転させる。
【００５２】
次に、図１４の模式的断面図に示すように、半導体パッケージ基板５の上方にスピンドル９に取り付けられたブレード３０を位置させる。次に、吸引機構３６が、流路３５、ジグ３３および吸着孔３８を介して、吸着パッド部３１ｂ上の半導体パッケージ基板５を吸引して半導体パッケージ基板５を吸着パッド部３１ｂに吸着させた状態で、スピンドル９によってブレード３０を回転させながら、ブレード３０をカットテーブル８上の半導体パッケージ基板５に接触させて切断する。これにより、図１５の模式的断面図に示すように半導体パッケージ基板５が切断されて個片化した複数の半導体パッケージ５ａが得られる。なお、ブレード３０による半導体パッケージ基板５の切断箇所は、吸着パッド部３１ｂの溝部３９の上方の箇所に相当する。
【００５３】
次に、図１に示すように、カットテーブル８上の個片化された半導体パッケージ５ａの支持部材３側に洗浄水噴霧部材１１によって洗浄水を噴霧する。次に、半導体パッケージ５ａの支持部材３側に噴霧された洗浄水をエア噴射部材１２からエアを噴射することによって吹き飛ばし、半導体パッケージ５ａを乾燥させる。その後、カットテーブル８上の半導体パッケージ５ａを洗浄装置Ｃまで移動させる。これにより、切断装置Ｂの動作が完了する。
【００５４】
洗浄装置Ｃは、半導体パッケージ５ａを保持するためのパッケージアンローダ１３と、半導体パッケージ５ａの封止樹脂４側を洗浄するためのモールドクリーナ１６と、半導体パッケージ５ａの封止樹脂４側を乾燥するためのエア噴射部材１７とを備えている。
【００５５】
洗浄装置Ｃは、たとえば以下のように動作する。まず、パッケージアンローダ１３が半導体パッケージ５ａを保持してカットテーブル８からＺ軸方向上方に引き上げる。次に、パッケージアンローダ１３が半導体パッケージ５ａをＸ軸方向に移動させてモールドクリーナ１６およびエア噴射部材１７のＺ軸方向上方まで移動させる。その後、モールドクリーナ１６が半導体パッケージ５ａの封止樹脂４側を洗浄するとともに、エア噴射部材１７がエアを噴射することによって半導体パッケージ５ａの封止樹脂４側を乾燥する。これにより、洗浄装置Ｃの動作が完了する。
【００５６】
搬送装置Ｄは、半導体パッケージ５ａを保持して反転させるためのフリッパ１４と、フリッパ１４により反転させた半導体パッケージ５ａを載置するためのインデックステーブル１５と、インデックステーブル１５を移動させるための移動機構（図示せず）とを備えている。インデックステーブル１５から移動機構を用いて、たとえば、トレイ等の主要部材に収容することができ、この際に良品と不良品とを区別して別々の収容部材に収容することもできる。
【００５７】
実施形態の電子部品製造装置の切断装置Ｂは、たとえば図３に示されるようなジグ３３にメタルフォームを用いた実施形態の吸着機構１００を備えたカットテーブル８を用いている。そのため、実施形態の電子部品製造装置においては、従来のセラミックから形成された多孔質層を用いた特許文献１に記載の切断チャックをカットテーブル８に用いた場合と比べて、カットテーブル８の吸着ムラを低減することが可能になるとともに、吸着機構１００を長期間使用することも可能となる。また、カットテーブル８の吸着ムラを低減することによって、カットテーブル８からの半導体パッケージ５ａの飛散を抑制することが可能となる。さらに、吸着機構１００を長期間使用した場合でも、ジグ３３の表面の平坦度を高く保持することも可能となる。
【００５８】
図１６に、実施形態の吸着機構１００の変形例の模式的な断面図を示す。図１６に示される実施形態の吸着機構１００の変形例は、ジグ３３と、チャンバ３４の底面３４ｂとの間に支持部６１を備えていることを特徴としている。この場合にも、従来のセラミックから形成された多孔質層を用いた特許文献１に記載の切断チャックをカットテーブル８に用いた場合と比べて、カットテーブル８の吸着ムラを低減することが可能になるとともに、吸着機構１００を長期間使用することも可能となる。また、カットテーブル８の吸着ムラを低減することによって、カットテーブル８からの半導体パッケージ５ａの飛散も抑制することも可能となる。さらに、吸着機構１００を長期間使用した場合でも、ジグ３３の表面の平坦度を高く保持することも可能となる。
【００５９】
なお、上記においては、ジグ３３にメタルフォームを用いた実施形態の吸着機構１００を切断装置Ｂのカットテーブル８に用いた場合について説明したが、実施形態の吸着機構１００は、カットテーブル８以外にも、パッケージアンローダ１３、フリッパ１４またはインデックステーブル１５の少なくとも１つにも用いることができる。この場合にも、従来のセラミックから形成された多孔質層を用いた特許文献１に記載の切断チャックを用いた場合と比べて、吸着ムラを抑制することができるとともに、長期間使用が可能となる。
【００６０】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６１】
１  インマガジン、３  支持部材、４  封止樹脂、５  半導体パッケージ基板、５ａ  半導体パッケージ、６  ストリップレールローダ、６ａ  ストリップレール、７  基板供給テーブル、８  カットテーブル、８ａ  回転機構、９  スピンドル、１１  洗浄水噴霧部材、１２  エア噴射部材、１３  パッケージアンローダ、１４  フリッパ、１５  インデックステーブル、１６  モールドクリーナ、１７  エア噴射部材、３０  ブレード、３１  吸着部、３１ａ  基材部、３１ｂ  吸着パッド部、３３  ジグ、３４  チャンバ、３４ａ  外壁、３４ｂ  底面、３５  流路、３６  吸引機構、３８  吸着孔、３９  溝部、４１  ストラット、４２  気孔、４３  中空構造、４４  コーティング層、５１  セル、６１  支持部、１００  吸着機構。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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