(57)【要約】      （修正有）【課題】信号損失を低減するプリント回路基板を提供する。【解決手段】プリント回路基板は、熱硬化性の第１樹脂層１１０と、第１樹脂層上に積層される熱可塑性の第２樹脂層１２０と、第１樹脂層及び第２樹脂層を一括貫通するビアＶ１と、を含む。第１樹脂層と第２樹脂層との界面は、粗度面Ａを含む。【選択図】図２
2020013977.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性の第１樹脂層と、
前記第１樹脂層上に積層される熱可塑性の第２樹脂層と、
前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を一括貫通するビアと、を含み、
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との界面は、粗度面を含むプリント回路基板。
【請求項２】
前記粗度面の粗度は、前記第２樹脂層の上面の粗度より大きい請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記第１樹脂層の下面に埋め込まれた第１回路と、
前記第２樹脂層の上面に突出して形成された第２回路と、をさらに含み、
前記ビアは、前記第１回路と前記第２回路とを電気的に接続する請求項１または２に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記ビアの溶融点は、前記第１回路の溶融点より低い請求項３に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記粗度面には、回路が形成されない請求項１から４のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記粗度面は、尖った形状の凹凸を含む請求項１から５のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記粗度面は、下側に行くほど横断面積が大きくなる形状の凹凸を含む請求項１から６のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
前記粗度面は、曲面を有する凹凸を含む請求項１から６のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項９】
前記粗度面は、縦断面が四角形状の凹凸を含む請求項１から６のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項１０】
前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層のそれぞれの誘電正接は、０．００２以下である請求項１から９のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項１１】
熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とが交互に繰り返し積層されて形成される積層体と、
隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するビアと、を含み、
前記隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との界面は、粗度面を含むプリント回路基板。
【請求項１２】
前記粗度面は、前記ビアの側面に接する請求項１１に記載のプリント回路基板。
【請求項１３】
前記ビアの前記熱硬化性樹脂層を貫通する部分の横断面積は、前記ビアの前記熱可塑性樹脂層を貫通する部分の横断面積より小さい請求項１１または１２に記載のプリント回路基板。
【請求項１４】
前記ビアが一括貫通した前記隣り合っている熱硬化性樹脂層及び熱可塑性樹脂層において、前記熱可塑性樹脂層の一面に形成される回路をさらに含む請求項１１から１３のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項１５】
前記粗度面の粗度は、前記熱可塑性樹脂層の一面の粗度より大きい請求項１４に記載のプリント回路基板。
【請求項１６】
前記粗度面には回路が形成されない請求項１４または１５に記載のプリント回路基板。
【請求項１７】
前記ビアの溶融点は、前記回路の溶融点より低い請求項１４から１６のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項１８】
前記粗度面は、尖った形状の凹凸を含む請求項１１から１７のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項１９】
前記粗度面は、下側に行くほど横断面積が大きくなる形状の凹凸を含む請求項１１から１７のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項２０】
前記粗度面は、曲面を有する凹凸を含む請求項１１から１７のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項２１】
前記粗度面は、縦断面が四角形状の凹凸を含む請求項１１から１７のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項２２】
前記熱硬化性樹脂層及び前記熱可塑性樹脂層のそれぞれの誘電正接は、０．００２以下である請求項１１から２１のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
各国では全世界的に５Ｇの商用化のための技術開発に力を注いでいる。５Ｇ時代の１０ＧＨｚ以上の周波数帯域においての円滑な信号伝送のためには、従来存在する材料及び構造では対応しにくい場合がある。このため、受信された高周波信号を損失なくメインボードまで伝送するための新しい材料及び構造開発が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１１−０００２１１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、信号損失が低減されるプリント回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面によれば、熱硬化性の第１樹脂層と、上記第１樹脂層上に積層される熱可塑性の第２樹脂層と、上記第１樹脂層及び上記第２樹脂層を一括貫通するビアと、を含み、上記第１樹脂層と上記第２樹脂層との界面が粗度面を含むプリント回路基板が提供される。
【０００６】
本発明の他の側面によれば、熱硬化性樹脂層及び熱可塑性樹脂層が交互に繰り返し積層されて形成される積層体と、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するビアと、上記隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との界面が粗度面を含むプリント回路基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施例に係るプリント回路基板を適用できる端末機を示す図である。
【図２】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図３】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図４】本発明の実施例に係るプリント回路基板の様々な粗度面を示す図である。
【図５】本発明の実施例に係るプリント回路基板の様々な粗度面を示す図である。
【図６】本発明の実施例に係るプリント回路基板の様々な粗度面を示す図である。
【図７】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図８】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図９】本発明の実施例に係るプリント回路基板を製造する方法を示す図である。
【図１０】本発明の実施例に係るプリント回路基板の粗度面を形成する様々な方法を示す図である。
【図１１】本発明の実施例に係るプリント回路基板の粗度面を形成する様々な方法を示す図である。
【図１２】本発明の実施例に係るプリント回路基板の粗度面を形成する様々な方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。
【０００９】
また、以下で使用する「第１」、「第２」等の用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が第１、第２等の用語により限定されることはない。
【００１０】
また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用される。
【００１１】
図１は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を適用できる端末機を示す図である。
【００１２】
図１を参照すると、電子機器端末機１にはメインボード２が装着されており、メインボード２には、ＲＦ処理部（ＲＦモジュール）ＲＦ１、ＲＦ２、ＩＦ処理部（ＩＦチップ）ＩＦ、ベースバンドチップＢＢ等が実装できる。ＲＦ処理部ＲＦ１、ＲＦ２は、アンテナを介して受信される信号を減殺するためにＩＦ処理部ＩＦに信号を送信する。または、ＲＦ処理部ＲＦ１、ＲＦ２は、アンテナを介して信号を送信するために、ＩＦ処理部ＩＦで増幅された信号を受信する。ここで、ＲＦ処理部ＲＦ１、ＲＦ２とＩＦ処理部ＩＦとの交わす信号は１０ＧＨｚ以上の高周波であり得る。
【００１３】
図２及び図３は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を含むプリント回路基板を示す図である。本発明の実施例に係るプリント回路基板（図１の１０及び１０'）は、高周波信号を伝達することができ、メインボード（図１の２）上のＲＦ処理部（図１のＲＦ１及びＲＦ２）とＩＦ処理部（図１のＩＦ）とを接続することができる。
【００１４】
図２を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０及びビアＶ１を含み、第１回路２１０、第２回路２２０をさらに含むことができる。
【００１５】
第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０は上下に積層される。例えば、第２樹脂層１２０は、第１樹脂層１１０の上に積層されることができる。
【００１６】
第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とは、互いに異なる物性を有する。第１樹脂層１１０は、熱硬化性であり、第２樹脂層１２０は、熱可塑性である。
【００１７】
熱硬化性の第１樹脂層１１０としては、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｅｔｈｅｒ）系樹脂、変性ポリイミド（ＰＩ）樹脂、変性エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）系樹脂等を用いることができる。
【００１８】
第１樹脂層１１０の樹脂の種類、樹脂に含有されるフィラーの種類、フィラーの含量等に応じて第１樹脂層１１０の誘電正接（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ  ｆａｃｔｏｒ、Ｄｆ）を調整できる。ここで、誘電正接は、誘電損失に関連する数値であって、誘電損失は、樹脂層（誘電体）に交流性電界が形成されたときに発生する損失電力を意味する。誘電正接は、誘電損失に比例し、誘電正接が小さいほど誘電損失は小さい。低誘電損失の特性を有する第１樹脂層１１０は、高周波信号伝達において損失低減の側面から有利である。
【００１９】
第１樹脂層１１０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下であることができる。また、第１樹脂層１１０の誘電定数（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ、Ｄｋ）は、３．５以下であることができる。
【００２０】
一方、第１樹脂層１１０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。また、第１樹脂層１１０のモジュラス（ｍｏｄｕｌｕｓ）は、１０Ｇｐａ以下であることができる。
【００２１】
熱可塑性の第２樹脂層１２０としては、液晶ポリマー（ＬＣＰ；Ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＳ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｓｕｌｆｉｄｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｅｔｈｅｒ）、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。
【００２２】
第２樹脂層１２０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下であることができる。また、第２樹脂層１２０の誘電定数は、３．５以下であることができる。
【００２３】
一方、第２樹脂層１２０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。第２樹脂層１２０の厚さは、第１樹脂層１１０の厚さと実質的に同一であることができるが、これに制限されない。また、第２樹脂層１２０のＣＴＥは、１８ｐｐｍ／℃以下であり、溶融点は、２６０℃以上であることができる。
【００２４】
第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面は、粗度面Ａを含む。粗度面は、ＣＺ処理等の粗化処理により凹凸を有する面を意味する。第１樹脂層１１０上に第２樹脂層１２０が積層された場合、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面は、第１樹脂層１１０の上面となる同時に第２樹脂層１２０の下面となる。第１樹脂層１１０の上面（第２樹脂層１２０の下面）は凹凸を有する。この凹凸により第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とは互いの密着力を確保することができる。
【００２５】
粗度面Ａの粗度Ｒａは、０．１以上５以下であることができ、粗度Ｒｚは、２０以下であることができる。
【００２６】
図３を参照すると、第２樹脂層１２０の上面は、粗度（Ａ'参照）を有することができ、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面の粗度面Ａの粗度は、第２樹脂層１２０の上面の粗度より大きいことが可能である。第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面の粗度面Ａは、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との密着力のために比較的大きい粗度を有することができる。第２樹脂層１２０の上面は、回路（第２回路２２０）との密着力のために粗度が設けられるが、回路を介して伝達される信号の損失低減のために比較的小さい粗度を有することができる。第２樹脂層１２０の上面の粗度Ｒａは、０．３以下であることができ、好ましくは０．１以下であることができる。
【００２７】
図２に示すように、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面の粗度面Ａの凹凸は、尖った形状を有することができる。この場合、凹凸の縦断面は、三角形形状を有することができる。
【００２８】
図４から図６は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面の様々な粗度面Ａを示す図である。
【００２９】
図４を参照すると、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面の粗度面Ａの凹凸は、下側（または上側）に行くほど横断面積が大きくなる形状を有することができる。この凹凸の縦断面は、台形形状を有することができる。
【００３０】
図５を参照すると、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面の粗度面Ａの凹凸は、曲面を有することができる。この場合、凹凸の縦断面は、半円形状を有することができる。
【００３１】
図６を参照すると、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面の粗度面Ａの凹凸は、四角形状の縦断面を有することができる。
【００３２】
一方、本発明の実施例に係るプリント回路基板の第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面の粗度面Ａは、上述の形状以外に様々な形状を有することができる。
【００３３】
再び図２を参照すると、ビアＶ１は、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通する。このため、ビアＶ１の側面は、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面に接し、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面の粗度面Ａに接することができる。
【００３４】
ビアＶ１は、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通するビアホール内に伝導性物質を充填することで形成できる。ビアＶ１は、メッキビアであることができ、メッキビアとは、伝導性物質がメッキにより充填されたものを意味する。メッキビアであるビアＶ１は、銅（Ｃｕ）を主成分とすることができる。
【００３５】
一方、ビアＶ１は、伝導性ペーストが充填された後に溶融及び冷却されたものであることができる（図８参照）。ここで、伝導性ペーストとしては、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属を含有するペースト、金属を含有せずに伝導性高分子で構成されたペースト等を用いることができる。
【００３６】
ビアＶ１が伝導性ペーストを充填することにより形成される場合、ビアの溶融点は、後述する回路の溶融点よりも小さいことが可能である。
【００３７】
ビアＶ１の第１樹脂層１１０を貫通する部分の横断面積は、ビアＶ１の第２樹脂層１２０を貫通する部分の横断面積より小さいことが可能である。ビアＶ１の横断面積は、ビアＶ１の下面から上面に行くほど大きくなることができる。
【００３８】
回路は、電気信号を伝達する導体線であって、金属からなることができる。回路をなす金属には銅（Ｃｕ）等が挙げられる。回路は高周波信号を伝達することができ、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０が低誘電損失の特性を有する場合は、回路が高周波信号を伝達するとき、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０による信号損失を低減できる。回路は、第１回路２１０及び第２回路２２０を含むことができる。
【００３９】
第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下面に形成される回路であり、第２回路２２０は、第２樹脂層１２０の上面に形成される回路である。第１回路２１０と第２回路２２０とは、ビアＶ１を介して電気的に接続することができる。
【００４０】
具体的に、第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下面に埋め込まれる。すなわち、第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下面からは露出できるが、第１樹脂層１１０の下面を除いた残りの面は第１樹脂層１１０と接触する。
【００４１】
また、第２回路２２０は、第２樹脂層１２０の上面に突出して形成される。すなわち、第２回路２２０は、第２樹脂層１２０の上面に接し、外側に突出する。
【００４２】
ビアＶ１は、第１回路２１０の上面及び第２回路２２０の下面と接触することができる。  さらに、第１回路２１０は、端部に第１パッドを含み、第２回路２２０は、端部に第２パッドを含み、ビアＶ１は、第１パッドと第２パッドとの間に介在され、第１パッド及び第２パッドのそれぞれと接触できる。
【００４３】
第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面には回路が形成されないことが可能である。
【００４４】
一方、図３に示すように、第２樹脂層１２０の上面に粗度（Ａ'参照）が形成される場合、第２回路２２０と第２樹脂層１２０との界面にも粗度が形成される。
【００４５】
図７は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を含むプリント回路基板を示す図である。
【００４６】
図７を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とが交互に繰り返し積層されて形成される積層体と、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するビアと、を含む。
【００４７】
本発明の実施例に係るプリント回路基板は、熱硬化性の第１樹脂層１１０、熱可塑性の第２樹脂層１２０、熱硬化性の第３樹脂層１３０及び熱可塑性の第４樹脂層１４０が順に積層された積層体を含むことができる。一方、第１樹脂層１１０の下には熱可塑性樹脂層がさらに積層され、第４樹脂層１４０の上には熱硬化性樹脂層がさらに積層されることができる。
【００４８】
熱硬化性の第１樹脂層１１０としては、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｅｔｈｅｒ）系樹脂、変性ポリイミド（ＰＩ）樹脂、変性エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）系樹脂等を用いることができる。
【００４９】
第１樹脂層１１０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下であることができる。また、第１樹脂層１１０の誘電定数（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ、Ｄｋ）は、３．５以下であることができる。
【００５０】
一方、第１樹脂層１１０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。また、第１樹脂層１１０のモジュラス（ｍｏｄｕｌｕｓ）は、１０Ｇｐａ以下であることができる。
【００５１】
熱可塑性の第２樹脂層１２０としては、液晶ポリマー（ＬＣＰ；Ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＳ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｓｕｌｆｉｄｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｅｔｈｅｒ）、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。
【００５２】
第２樹脂層１２０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下であることができる。また、第２樹脂層１２０の誘電定数は、３．５以下であることができる。
【００５３】
一方、第２樹脂層１２０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。第２樹脂層１２０の厚さは、第１樹脂層１１０の厚さと実質的に同一であることができるが、これに制限されない。第２樹脂層１２０のＣＴＥは、１８ｐｐｍ／℃以下であり、溶融点は、２６０℃以上であることができる。
【００５４】
熱硬化性の第３樹脂層１３０としては、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｅｔｈｅｒ）系樹脂、変性ポリイミド（ＰＩ）樹脂、変性エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）系樹脂等を用いることができる。
【００５５】
第３樹脂層１３０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下であることができる。また、第３樹脂層１３０の誘電定数（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ、Ｄｋ）は、３．５以下であることができる。
【００５６】
一方、第３樹脂層１３０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。また、第３樹脂層１３０のモジュラス（ｍｏｄｕｌｕｓ）は、１０Ｇｐａ以下であることができる。
【００５７】
第３樹脂層１３０は、第１樹脂層１１０と同一であることができる。
【００５８】
熱可塑性の第４樹脂層１４０としては、液晶ポリマー（ＬＣＰ；Ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＳ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｓｕｌｆｉｄｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｅｔｈｅｒ）、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。
【００５９】
第４樹脂層１４０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下であることができる。また、第４樹脂層１４０の誘電定数は、３．５以下であることができる。
【００６０】
一方、第４樹脂層１４０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。第４樹脂層１４０の厚さは、第３樹脂層１３０の厚さと実質的に同一であることができるが、これに制限されない。また、第４樹脂層１４０のＣＴＥは、１８ｐｐｍ／℃以下であり、溶融点は、２６０℃以上であることができる。
【００６１】
第４樹脂層１４０は、第２樹脂層１２０と同一であることができる。
【００６２】
第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面は、粗度面Ａを含む。粗度面Ａの凹凸によると、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とは互いに密着力を有することができる。粗度面Ａの粗度Ｒａは、０．１以上５以下であることができ、粗度Ｒｚは、２０以下であることができる。
【００６３】
第３樹脂層１３０と第４樹脂層１４０との界面は、粗度面Ｂを含む。粗度面Ｂの凹凸によると、第３樹脂層１３０と第４樹脂層１４０とは互いに密着力を有することができる。粗度面Ｂの粗度Ｒａは、０．１以上５以下であることができ、粗度Ｒｚは、２０以下であることができる。粗度面Ｂの粗度は、粗度面Ａの粗度と同一であることができる。
【００６４】
第２樹脂層１２０と第３樹脂層１３０との界面（Ａ'参照）にも粗度を形成できるが、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面の粗度面Ａの粗度より小さい。また、第２樹脂層１２０と第３樹脂層１３０との界面の粗度（Ａ'参照）は、第３樹脂層１３０と第４樹脂層１４０との界面の粗度面Ｂの粗度より小さい。第２樹脂層１２０と第３樹脂層１３０との界面の粗度Ｒａは、０．３以下であることができ、好ましくは０．１以下であることができる。
【００６５】
これによると、積層体の隣り合っている樹脂層間の界面において、高粗度及び低粗度（または無粗度）が交互に繰り返される。
【００６６】
第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面、また第３樹脂層１３０と第４樹脂層１４０との界面の粗度面Ａ、Ｂの凹凸は、尖った形状を有するか、曲面を有するか、縦断面が台形形状を有するか、または縦断面が四角形形状を有することができる。
【００６７】
本発明の実施例に係るプリント回路基板のビアは、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通する。ビアは、第１ビアＶ１、第２ビアＶ２等を含むことができる。
【００６８】
第１ビアＶ１は、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通する。これにより、第１ビアＶ１の側面は、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面に接し、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面の粗度面Ａに接することができる。
【００６９】
第１ビアＶ１は、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とを一括貫通する第１ビアホール内に伝導性物質を充填することで形成できる。第１ビアＶ１は、メッキビアであることができ、メッキビアである第１ビアＶ１は、銅（Ｃｕ）を主成分とすることができる。
【００７０】
一方、第１ビアＶ１は、伝導性ペーストが充填された後に溶融及び冷却されたものであることができる（図８参照）。伝導性ペーストは、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属を含有するペースト、金属を含有せずに伝導性高分子で構成されたペースト等であることができる。
【００７１】
第１ビアＶ１が伝導性ペーストを充填することで形成される場合、第１ビアＶ１の溶融点は、回路の溶融点よりも小さいことが可能である。
【００７２】
第２ビアＶ２は、第３樹脂層１３０及び第４樹脂層１４０を一括貫通する。これにより、第２ビアＶ２の側面は、第３樹脂層１３０と第４樹脂層１４０との界面に接し、第３樹脂層１３０と第４樹脂層１４０との界面の粗度面Ｂに接することができる。
【００７３】
第２ビアＶ２は、第３樹脂層１３０及び第４樹脂層１４０を一括貫通する第２ビアホール内に伝導性物質を充填することで形成できる。第２ビアＶ２は、メッキビアであることができ、メッキビアである第２ビアＶ２は、銅（Ｃｕ）を主成分とすることができる。
【００７４】
一方、第２ビアＶ２は、伝導性ペーストが充填された後に溶融及び冷却されたものであることができる（図８参照）。また、伝導性ペーストは、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属を含有するペースト、金属を含有せずに伝導性高分子で構成されたペースト等であることができる。
【００７５】
第２ビアＶ２が伝導性ペーストを充填することで形成される場合、第２ビアＶ２の溶融点は、回路の溶融点よりも小さいことが可能である。
【００７６】
ビアは、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通したり、第３樹脂層１３０及び第４樹脂層１４０を一括貫通したりするが、第２樹脂層１２０及び第３樹脂層１３０を一括貫通しない。
【００７７】
この場合、ビアの横断面積がビアの下面から上面に行くほど大きくなると、ビアの熱硬化性樹脂層を貫通する部分の横断面積は、ビアの熱可塑性樹脂層を貫通する部分の横断面積より小さいことが可能である。
【００７８】
すなわち、第１ビアＶ１の第１樹脂層１１０を貫通する部分の横断面積は、第１ビアＶ１の第２樹脂層１２０を貫通する部分の横断面積より小さい。第１ビアＶ１の横断面積は、第１ビアＶ１の下面から上面に行くほど大きくなることができる。
【００７９】
また、第２ビアＶ２の第３樹脂層１３０を貫通する部分の横断面積は、第２ビアＶ２の第４樹脂層１４０を貫通する部分の横断面積より小さいことが可能である。第２ビアＶ２の横断面積は、第２ビアＶ２の下面から上面に行くほど大きくなることができる。
【００８０】
本発明の実施例に係るプリント回路基板の回路は、ビアが一括貫通した熱硬化性樹脂層及び熱可塑性樹脂層（隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層）において、上記熱可塑性樹脂層の一面に形成される。回路が形成される熱可塑性樹脂層の一面は、粗度面の形成された界面の反対側に位置する。回路は、ビアが一括貫通した熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との界面には形成されない。
【００８１】
一面に回路が形成された熱可塑性樹脂層の上記一面には、粗度があり得る。すなわち、回路と熱可塑性樹脂層との界面に粗度を形成できる。熱可塑性樹脂層の回路が形成された一面の粗度は、ビアが一括貫通した熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との界面の粗度より小さい。
【００８２】
回路は、第１回路２１０、第２回路２２０、及び第３回路２３０等を含む。
【００８３】
第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下面に形成される回路である。第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下に積層された熱可塑性樹脂層（図示せず）の上面に形成され、第１樹脂層１１０に埋め込まれる。
【００８４】
第２回路２２０は、第２樹脂層１２０の上面に形成され、第３樹脂層１３０に埋め込まれる回路である。
【００８５】
第３回路２３０は、第４樹脂層１４０の上面に形成され、第４樹脂層１４０の上に積層された熱硬化性樹脂層（図示せず）に埋め込まれる。
【００８６】
第１回路２１０と第２回路２２０とは第１ビアＶ１を介して電気的に接続され、第２回路２２０と第３回路２３０とは第２ビアＶ２を介して電気的に接続されることができる。
【００８７】
第１ビアＶ１は、第１回路２１０の上面及び第２回路２２０の下面と接触することができる。さらに、第１回路２１０は、端部に第１パッドを含み、第２回路２２０は、端部に第２パッドを含み、第１ビアＶ１は、第１パッドと第２パッドとの間に介在され、第１パッド及び第２パッドのそれぞれと接触することができる。
【００８８】
第２ビアＶ２は、第２回路２２０の上面及び第３回路２３０の下面と接触することができる。さらに、第２回路２２０は、端部に第２パッドを含み、第３回路２３０は、端部に第３パッドを含み、第２ビアＶ２は、第２パッドと第３パッドとの間に介在され、第２パッド及び第３パッドのそれぞれと接触することができる。
【００８９】
一面に第２回路２２０が形成された熱可塑性の第２樹脂層１２０の上記一面には、粗度（Ａ'参照）があり得る。すなわち、第２回路２２０と熱可塑性の第２樹脂層１２０との界面に粗度を形成できる。第２樹脂層１２０の第２回路２２０が形成された一面の粗度（Ａ'参照）は、第１ビアＶ１が一括貫通した熱硬化性の第１樹脂層１１０と熱可塑性の第２樹脂層１２０との界面の粗度面Ａの粗度より小さい。
【００９０】
一面に第３回路２３０が形成された熱可塑性の第４樹脂層１４０の上記一面には、粗度（Ｂ'参照）があり得る。すなわち、第３回路２３０と熱可塑性の第４樹脂層１４０との界面に粗度を形成できる。第４樹脂層１４０の第３回路２３０が形成された一面の粗度（Ｂ'参照）は、第２ビアＶ２が一括貫通した熱硬化性の第３樹脂層１３０と熱可塑性の第４樹脂層１４０との界面の粗度面Ｂの粗度より小さい。
【００９１】
一方、回路は、積層体の最外層に形成される最外層回路を含み、最外層回路のうちの最上部回路は、積層体の最上層に位置する熱可塑性樹脂層の上面に外側に突出して形成される。また、最外層回路のうちの最下部回路は、積層体の最下層に位置する熱硬化性樹脂層の下面に埋め込まれる。
【００９２】
積層体の両面には、最外層回路をカバーし、保護するカバー層をさらに形成することができ、このカバー層は、軟性のカバーレイ（ｃｏｖｅｒｌａｙ）であり得る。軟性のカバーレイは、積層体の両面全体に形成できる。この場合、プリント回路基板は、軟性基板であることができる。
【００９３】
また、軟性のカバーレイの一面に硬性の絶縁層を積層でき、硬性の絶縁層は、積層体の両面全体に形成された軟性のカバーレイの一部に積層できる。この場合、硬性の絶縁層が積層された部分は、リジッド部となり、カバーレイのみ積層され、硬性の絶縁層が積層されない部分は、フレキシブル部となって、プリント回路基板は、硬軟性基板となることができる。一方、硬性の絶縁層上には、ＳＵＳ等の剛性の大きい材質からなった補強板を結合できる。
【００９４】
図９は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を製造する方法を示す図である。
【００９５】
図９の（ａ）を参照すると、シード金属層を備えたディタッチコアＤが設けられる。
【００９６】
図９の（ｂ）を参照すると、シード金属層上に第１回路２１０が形成される。
【００９７】
図９の（ｃ）を参照すると、シード金属層上に第１回路２１０をカバーする熱硬化性の第１樹脂層１１０が積層される。
【００９８】
図９の（ｄ）を参照すると、熱硬化性の第１樹脂層１１０上に熱可塑性の第２樹脂層１２０を積層する。熱可塑性の第２樹脂層１２０は、上部に銅層等の金属層Ｍを備えることができる。この金属層Ｍは、シード層の役割をすることができる。
【００９９】
図９の（ｅ）を参照すると、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通するビアホールＶＨが形成される。ビアホールＶＨは、レーザードリル等により形成可能である。    ビアホールＶＨは、第１回路２１０を露出させる。
【０１００】
図９の（ｆ）を参照すると、ビアホールＶＨの内部及び金属層Ｍ上にメッキ層が選択的に形成され、不要な金属層が除去されることにより、ビア及び第２回路２２０が形成される。図９の（ｆ）以後に、ディタッチコアＤが除去される。
【０１０１】
一方、図９の（ｄ）において、第２樹脂層１２０の第１樹脂層１１０と向かい合う面に粗度が形成される。すなわち、第２樹脂層１２０の上部面には金属層Ｍが備えられ、第２樹脂層１２０の下部面には粗度が形成される。第２樹脂層１２０が第１樹脂層１１０に積層されるとき、第２樹脂層１２０の下部面の粗度により、第２樹脂層１２０が第１樹脂層１１０に積層された後、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面に粗度面（図２のＡ）が形成される。
【０１０２】
図１０から図１２は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の粗度面を形成する様々な方法を示す図である。すなわち、図１０から図１２は、上記図９の（ｄ）で積層される第２樹脂層１２０の下部面の粗度を形成する様々な方法を示す図である。
【０１０３】
図１０を参照すると、図１０の（ａ）に示すように、第２樹脂層１２０の上面には低粗度（粗度Ｒａが０．３以下）が形成された金属層Ｍが付着され、第２樹脂層１２０の下面には高粗度（粗度Ｒａが５以下）が形成された第２の金属層（Ｍ'）が付着される。第２樹脂層１２０は、完全硬化状態ではなく、金属層Ｍ、Ｍ'の粗度により第２樹脂層１２０にも粗度が形成される。図１０の（ｂ）に示すように、第２樹脂層１２０の下面に付着された第２の金属層Ｍ'をエッチングで除去すると、第２樹脂層１２０の下面に粗度が形成される。
【０１０４】
図１１を参照すると、一面に低粗度金属層Ｍが付着された第２樹脂層１２０の他面にブラスト（ｂｌａｓｔ）処理をする（図１１の（ａ）参照）ことにより、第２樹脂層１２０の他面に粗度が形成される（図１１の（ｂ）参照）。ブラスト（ＢＬ）は、乾式または湿式であることができる。ブラスト処理に使用される研磨剤は、ブラスト処理後に第２樹脂層１２０の他面に残存することがあり、上記研磨剤を除去する水洗い過程または薬品処理過程で第２樹脂層１２０の他面に微細粗度がさらに形成されることがある。特に、薬品処理に使用される薬品はアルカリ性であることができる。
【０１０５】
図１２を参照すると、一面に低粗度金属層Ｍが付着された第２樹脂層１２０の他面にバフィング（ｂｕｆｆｉｎｇ）処理をする（図１２の（ａ）参照）ことにより第２樹脂層１２０の他面に粗度が形成される（図１２の（ｂ）参照）。バフィング処理には、バフィングロール（ｒｏｌｌ）Ｒを用いることができ、ロールの材質、バフィングの条件等に応じて粗度の大きさや形状を調整することができる。
【０１０６】
以上では、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載された本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加等により本発明を様々に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。
【符号の説明】
【０１０７】
１１０    第１樹脂層
１２０    第２樹脂層
１３０    第３樹脂層
１４０    第４樹脂層
Ｖ１      第１ビア
Ｖ２      第２ビア
２１０    第１回路
２２０    第２回路
２３０    第３回路
【図１】
2020013977.tif 000003
【図２】
2020013977.tif 000004
【図３】
2020013977.tif 000005
【図４】
2020013977.tif 000006
【図５】
2020013977.tif 000007
【図６】
2020013977.tif 000008
【図７】
2020013977.tif 000009
【図８】
2020013977.tif 000010
【図９】
2020013977.tif 000011
【図１０】
2020013977.tif 000012
【図１１】
2020013977.tif 000013
【図１２】
2020013977.tif 000014