(57)【要約】【課題】優れた表示品質を示す表示装置を提供することを課題の一つとする。【解決手段】表示装置は、第１の副画素と第２の副画素とを備える少なくとも一つの画素、および隔壁を有する。第１の副画素は、第１の画素電極、対向電極、および第１の画素電極と対向電極に挟まれる第１の発光層を有する。第２の副画素は、第２の画素電極、対向電極、および第２の画素電極と対向電極に挟まれる第２の発光層を有する。隔壁は、第１の画素電極の一部と第２の画素電極の一部を覆い、第１の画素電極と第２の画素電極とそれぞれ重なる第１の開口と第２の開口を備える。第１の発光層は熱活性化遅延蛍光を示す第１の発光材料を含む。第１の開口の面積に対する外周長の比は、第２の開口の面積に対する外周長の比よりも大きい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素電極と、対向電極と、前記第１の画素電極と前記対向電極に挟まれる第１の発光層とを有する第１の副画素、および、第２の画素電極と、前記対向電極と、前記第２の画素電極と前記対向電極に挟まれる第２の発光層とを有する第２の副画素を備える少なくとも一つの画素、および
前記第１の画素電極の一部と前記第２の画素電極の一部を覆い、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極とそれぞれ重なる第１の開口と第２の開口を備える隔壁を有し、
前記第１の発光層は、熱活性化遅延蛍光を示す第１の発光材料を含み、
前記第１の開口の面積に対する外周長の比は、前記第２の開口の面積に対する外周長の比よりも大きい表示装置。
【請求項２】
前記第１の開口の前記面積は、前記第２の開口の前記面積と同一である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の発光材料の最低三重項励起状態と最低一重項励起状態のエネルギー差は、０ｍｅＶよりも大きく、５００ｍｅＶ以下である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２の発光層は蛍光材料を含み、
前記蛍光材料の最低三重項励起状態と最低一重項励起状態のエネルギー差は１ｅＶ以上２ｅＶ以下である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２の発光層は燐光材料を含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記画素は、第３の画素電極と、前記対向電極と、前記第３の画素電極と前記対向電極に挟まれる第３の発光層とを有する第３の副画素をさらに備え、
前記隔壁は、前記第３の画素電極の一部を覆い、前記第３の画素電極と重なる第３の開口を有し、
前記第１の開口の前記面積に対する前記外周長の前記比は、前記第３の開口の面積に対する外周長の比よりも大きい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第３の発光層は蛍光材料を含み、
前記蛍光材料の最低三重項励起状態と最低一重項励起状態のエネルギー差は１ｅＶ以上２ｅＶ以下である、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第３の発光層は燐光材料を含む、請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１の開口の前記面積は、前記第３の開口の前記面積と同一である、請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１の画素電極の前記隔壁に覆われる面積に対する前記第１の開口の前記面積の比は、前記第２の画素電極の前記隔壁に覆われる面積に対する前記第２の開口の前記面積よりも大きい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１の画素電極の前記隔壁に覆われる面積に対する前記第１の開口の前記面積の比は、前記第３の画素電極の前記隔壁に覆われる面積に対する前記第３の開口の前記面積よりも大きい、請求項６に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１の発光層は、前記第１の発光材料の最低一重項励起状態よりも低い準位を有する最低一重項励起状態を有する蛍光材料をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記少なくとも一つの画素は、ｎ行ｍ列のマトリクス状に配置される複数の画素である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１の開口は、長方形、Ｌ字型、楕円形、Ｓ字型、Ｕ字型、あるいはＺ字型の形状を有する、請求項６に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記少なくとも一つの画素において、前記第１の副画素は、前記第２の副画素と前記第３の副画素に挟まれる、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記少なくとも一つの画素において、前記第２の副画素と前記第３の副画素は、前記第１の副画素に対して同一の側に配置される、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記少なくとも一つの画素において、前記第２の副画素と前記第３の副画素は、前記第１の副画素に部分的に囲まれる、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記少なくとも一つの画素において、前記第２の副画素は、前記第１の副画素と前記第３の副画素に挟まれる、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記少なくとも一つの画素において、前記第２の副画素と前記第３の副画素は、前記第１の副画素が囲む領域の外に配置される、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第２の開口と前記第３の開口は、正方形、長方形、あるいは円弧状の形状を有する、請求項１４に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態の一つは、表示装置に関する。例えば本発明の実施形態の一つは、熱活性化遅延蛍光材料を含む発光素子を画素内に有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、有機化合物の電界発光を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）表示装置が挙げられる。有機ＥＬ表示装置は、それぞれ電界発光素子（以下、発光素子）が設けられた複数の画素を基板上に有しており、発光素子は一対の電極（画素電極、対向電極）、およびこれらに挟持される電界発光層（以下、ＥＬ層）を含む。一対の電極間に電流を供給することでこれらの電極からＥＬ層へキャリア（ホール、電子）が注入され、ホールと電子はＥＬ層内で再結合して励起状態を与える。励起状態が基底状態に緩和する過程のエネルギーが発光として取り出されることよって表示装置としての機能が発現される。
【０００３】
ホールと電子の再結合では、スピン統計則に従い、３：１の比で最低三重項励起状態（Ｔ1）と最低一重項励起状態（Ｓ1）が生じる。ＥＬ層内で発光材料として機能する材料が蛍光材料である場合、通常Ｔ1は発光に寄与しないため、内部ＥＬ量子効率は最大でも２５％となる。しかしながら、Ｔ1準位とＳ1準位のエネルギー差が室温の熱エネルギー程度である材料を用いる場合、Ｔ1からＳ1への逆項間交差が生じるため、Ｔ1の励起エネルギーを発光に利用することができ、その結果、２５％を超える内部ＥＬ量子効率を得ることができる。このような材料は遅延蛍光を示すため熱活性化遅延蛍光材料（以下、ＴＡＤＦ材料とも記す）と呼ばれ、例えば特許文献１に記載されているように、ＴＡＤＦ材料を発光素子に利用することで高効率な発光素子を作製することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１１６９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態の一つは、優れた表示品質を示す表示装置を提供することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、第１の副画素と第２の副画素とを備える少なくとも一つの画素、および隔壁を有する。第１の副画素は、第１の画素電極、対向電極、および第１の画素電極と対向電極に挟まれる第１の発光層を有する。第２の副画素は、第２の画素電極、対向電極、および第２の画素電極と対向電極に挟まれる第２の発光層を有する。隔壁は、第１の画素電極の一部と第２の画素電極の一部を覆い、第１の画素電極と第２の画素電極とそれぞれ重なる第１の開口と第２の開口を備える。第１の発光層は熱活性化遅延蛍光を示す第１の発光材料を含む。第１の開口の面積に対する外周長の比は、第２の開口の面積に対する外周長の比よりも大きい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態の一つである表示装置の上面模式図。
【図２】本発明の実施形態の一つである表示装置の画素、および副画素の上面模式図。
【図３】本発明の実施形態の一つである表示装置の副画素に設けられる画素回路の等価回路。
【図４】本発明の実施形態の一つである表示装置の断面模式図。
【図５】本発明の実施形態の一つである表示装置の副画素からの熱放射を説明する上面模式図と断面模式図。
【図６】本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の上面模式図とその断面模式図。
【図７】本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の上面模式図。
【図８】本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の上面模式図。
【図９】本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の上面模式図。
【図１０】本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の上面模式図。
【図１１】本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の上面模式図。
【図１２】本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の上面模式図。
【図１３】本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の上面模式図。
【図１４】本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の上面模式図。
【図１５】本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の上面模式図。
【図１６】本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の上面模式図。
【図１７】発光過程を説明する模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【０００９】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１０】
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１１】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１２】
本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出するという」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。
【００１３】
本明細書および図面において、同一、あるいは類似する複数の構成を総じて表記する際には同一の符号を用い、これら複数の構成のそれぞれを区別して表記する際には、さらにハイフンと自然数を用いる。
【００１４】
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の実施形態の一つに係る表示装置１００の構造を説明する。
【００１５】
１．全体構造
表示装置１００の模式的上面図を図１に示す。表示装置１００は基板１０２を有し、その上にパターニングされた種々の絶縁膜、半導体膜、導電膜を有する。これらの絶縁膜、半導体膜、導電膜により、少なくとも一つの画素１０４や画素１０４を駆動するための駆動回路（走査線側駆動回路１０８、信号線側駆動回路１１０）が形成される。画素１０４は、ｎ行ｍ列のマトリクス状に複数配置されて表示領域１０６が定義される。後述するように、各画素１０４には複数の副画素１２０が設けられ、各副画素１２０に表示素子として発光素子１３０が配置される。
【００１６】
走査線側駆動回路１０８や信号線側駆動回路１１０は、表示領域１０６の外（周辺領域、あるいは額縁領域と呼ばれる）に配置される。表示領域１０６や走査線側駆動回路１０８、信号線側駆動回路１１０からパターニングされた導電膜で形成される種々の配線１１２が基板１０２の一辺へ延び、配線１１２は基板１０２の端部付近で露出されて端子（図示しない）を形成する。端子はフレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ）１１４と電気的に接続される。ここで示した例では、ＦＰＣ１１４上に、半導体基板上に形成された集積回路を有する駆動ＩＣ１１６がさらに搭載される。駆動ＩＣ１１６、ＦＰＣ１１４を介して外部回路（図示しない）から映像信号や電源が供給され、映像信号や電源は配線１１２を通して表示領域１０６、走査線側駆動回路１０８、信号線側駆動回路１１０へ与えられる。駆動回路や駆動ＩＣ１１６の態様については図１に示したそれに限られず、例えば駆動ＩＣ１１６は基板１０２上に実装されてもよいし、信号線側駆動回路１１０の機能が駆動ＩＣ１１６に統合されていてもよい。
【００１７】
２．画素と副画素
図２（Ａ）に一つの画素１０４の上面模式図を示す。ここでは、後述する発光素子１３０の詳細な構造は省かれており、発光素子１３０が備える画素電極１３２とその配置が示されている。本明細書と請求項では、副画素とは色情報を与える最小単位であり、発光素子とそれを駆動するための回路を含む画素回路が備えられた領域である。画素とは、複数の副画素からの発光を組み合わせることで白色が得られる副画素群のうち、最も少ない副画素を有する群である。ただし、一つの画素には白色を与える発光素子を有する副画素がさらに含まれていてもよい。図２（Ａ）に示された例では、互いに異なる色を与える三つの副画素（第１の副画素１２０−１、第２の副画素１２０−２、第３の副画素１２０−３）が一つの画素１０４に備えられた態様が示されている。以下、第１の副画素１２０−１が最も短波長の発光色を与え、第３の副画素が最も長波長の発光色を与える態様を用いて説明する。また、第１の副画素１２０−１、第２の副画素１２０−２、第３の副画素１２０−３に設けられる発光素子をそれぞれ第１の発光素子１３０−１、第２の発光素子１３０−２、第３の発光素子１３０−３と記す。
【００１８】
２−１．画素回路
一つの副画素１２０に設けられる画素回路の一例を等価回路として図３に示す。ここで示した例では、画素回路は発光素子１３０に加え、駆動トランジスタ１５０、発光制御トランジスタ１５８、補正トランジスタ１５６、初期化トランジスタ１５２、書込トランジスタ１５４、保持容量１６４、付加容量１６２を有している。高電位電源線１７０には高電位ＰＶＤＤが与えられ、この電位が電流供給線１７２を介して各副画素１２０に供給される。低電位電源線１７４には低電位ＰＶＳＳが与えられる。
【００１９】
駆動トランジスタ１５０の一方の端子は発光制御トランジスタ１５８と補正トランジスタ１５６を介して高電位電源線１７０と電気的に接続され、他方の端子は発光素子１３０と電気的に接続される。駆動トランジスタ１５０のゲートは、初期化トランジスタ１５２を介して第１の信号線１７６と電気的に接続されるとともに、書込トランジスタ１５４を介して第２の信号線１７８と電気的に接続される。第１の信号線１７６には初期化信号Ｖｉｎｉが与えられ、第２の信号線１７８には映像信号Ｖｓｉｇが与えられる。書込トランジスタ１５４は、そのゲートに接続される書込制御走査線１８０に与えられる走査信号ＳＧによって動作が制御される。初期化トランジスタ１５２のゲートは、初期化制御信号ＩＧが与えられる初期化制御走査線１８２と接続され、初期化制御信号ＩＧにより動作が制御される。
【００２０】
補正トランジスタ１５６と発光制御トランジスタ１５８のゲートにはそれぞれ、補正制御信号ＣＧが印加される補正制御走査線１８４、発光制御信号ＢＧが印加される発光制御走査線１８８が接続される。駆動トランジスタ１５０の一方の端子には、補正トランジスタ１５６を介し、リセット制御線１８６が接続される。リセット制御線１８６は、走査線側駆動回路１０８に設けられるリセットトランジスタ１６０と接続される。リセットトランジスタ１６０はリセット制御信号ＲＧによって制御され、これによりリセット信号線１９０に与えられるリセット電位Ｖｒｓｔを補正トランジスタ１５６を介して駆動トランジスタ１５０の一方の端子に印加することができる。
【００２１】
駆動トランジスタ１５０の他方の端子とゲートとの間には、保持容量１６４が設けられる。付加容量１６２の一方の端子は駆動トランジスタ１５０の他方の端子に接続され、他方の端子が低電位電源線１７４に接続される。付加容量１６２は、他方の端子が高電位電源線１７０に接続されるように設けてもよい。
【００２２】
信号線側駆動回路１１０、もしくは駆動ＩＣ１１６は、初期化信号Ｖｉｎｉと映像信号Ｖｓｉｇを出力する。一方、走査線側駆動回路１０８は、走査信号ＳＧ、初期化制御信号ＩＧ、補正制御信号ＣＧ、発光制御信号ＢＧ、リセット制御信号ＲＧを出力する。表示装置１００の画素回路の構成は図３の等価回路で示した構成に限られず、任意の構成を有する回路を適用することができる。
【００２３】
２−２．断面構造
画素１０４の構造を図４に示した断面模式図を用いて説明する。図４は、二つの副画素（第１の副画素１２０−１と第２の副画素１２０−２）と第３の副画素１２０−３の一部の断面模式図であり、各副画素１２０に含まれる画素回路のうち、駆動トランジスタ１５０、保持容量１６４、付加容量１６２、発光素子１３０の断面構造が示されている。
【００２４】
画素回路に含まれる各素子はアンダーコート２００を介し、基板１０２上に設けられる。基板１０２はガラスや石英、あるいはプラスチックを含むことができる。プラスチックとしては、ポリイミドやポリアミド、ポリエステル、ポリカルボナートなどの高分子が挙げられ、中でも耐熱性の高いポリイミドが好ましい。プラスチックを用いることで基板１０２に可撓性を付与することができる。可撓性を有する１０２を用いることで表示装置１００を折り曲げる、あるいは折りたたむことができ、種々の三次元構造を有する表示装置を提供することが可能となる。
【００２５】
駆動トランジスタ１５０は、半導体膜２０２、ゲート絶縁膜２０４、ゲート電極２０６、ドレイン電極２１２、ソース電極２１４を含む。ゲート電極２０６は、ゲート絶縁膜２０４を介して半導体膜２０２の少なくとも一部と交差するように配置され、半導体膜２０２とゲート電極２０６が重なる領域にチャネル領域２０２ａが形成される。半導体膜２０２はさらに、チャネル領域２０２ａを挟持する低濃度不純物領域２０２ｂ、およびチャネル領域２０２ａと低濃度不純物領域２０２ｂを挟持する高濃度不純物領域２０２ｃを有する。
【００２６】
ゲート絶縁膜２０４を介し、ゲート電極２０６と同一の層に存在する容量電極２０８が高濃度不純物領域２０２ｃと重なるように設けられる。ゲート電極２０６、容量電極２０８の上には層間絶縁膜２１０が配置される。層間絶縁膜２１０とゲート絶縁膜２０４には、高濃度不純物領域２０２ｃに達する開口が形成され、この開口を覆うようにドレイン電極２１２、ソース電極２１４が配置される。ソース電極２１４の一部は、層間絶縁膜２１０を介して高濃度不純物領域２０２ｃの一部と容量電極２０８と重なり、高濃度不純物領域２０２ｃの一部、ゲート絶縁膜２０４、容量電極２０８、層間絶縁膜２１０、およびソース電極２１４の一部によって保持容量１６４が形成される。
【００２７】
駆動トランジスタ１５０や保持容量１６４の上にはさらに平坦化膜２１６が設けられる。平坦化膜２１６は、ソース電極２１４に達する開口を有し、この開口と平坦化膜２１６の上面の一部を覆う接続電極２１８がソース電極２１４と接するように形成される。平坦化膜２１６上にはさらに付加容量電極２２０が設けられる。接続電極２１８と付加容量電極２２０を覆うように付加容量絶縁膜２２２が配置される。付加容量絶縁膜２２２は、平坦化膜２１６の開口では接続電極２１８の一部を覆わず、接続電極２１８の上面を露出する。これにより、接続電極２１８を介し、その上に設けられる画素電極１３２とソース電極２１４間の電気的接続が可能となる。付加容量絶縁膜２２２には、その上に設けられる隔壁１４２と平坦化膜２１６の接触を許容するための開口２２４を設けてもよい。開口２２４を通して平坦化膜２１６中の不純物を除去することができ、これによって発光素子１３０の信頼性を向上させることができる。なお、接続電極２１８や開口２２４の形成は任意である。
【００２８】
付加容量絶縁膜２２２上には、接続電極２１８と付加容量電極２２０を覆うように、画素電極１３２が設けられる。付加容量絶縁膜２２２は付加容量電極２２０と画素電極１３２によって挟持され、この構造によって付加容量１６２が構築される。画素電極１３２は、付加容量１６２と発光素子１３０によって共有される。
【００２９】
画素電極１３２の上には、画素電極１３２の端部を覆う隔壁１４２が備えられる。画素電極１３２の一部は、隔壁１４２に設けられる開口１４４から露出する。画素電極１３２と隔壁１４２を覆うようにＥＬ層１３３、およびその上の対向電極１４０が設けられる。ＥＬ層１３３の構成は任意に選択することができ、電荷注入層、電荷輸送層、発光層、電荷ブロッキング層、励起子ブロッキング層などの各種機能層を適宜組み合わせてＥＬ層１３３が構成される。また、一つの層が複数の機能層の機能を有していてもよい。図４では見やすさを考慮し、ＥＬ層１３３としてホール注入・輸送層１３４、発光層１３６、電子注入・輸送層１３８が代表的な機能層として示されている。なお、本発明に係る実施形態では、独立した発光層を設けず、電荷輸送層が発光層としての機能を有する場合、その電荷輸送層のうち発光層としての機能を示す領域を発光層として定義する。
【００３０】
ここで、各画素１０４において発光層１３６の材料や構造は副画素１２０間で異なり、少なくとも発光層１３６中で発光を担う発光材料が副画素１２０間で異なる。発光材料については後述する。以下、第１の発光素子１３０−１、第２の発光素子１３０−２、第３の発光素子１３０−３に含まれる発光層１３６をそれぞれ第１の発光層１３６−１、第２の発光層１３６−２、第３の発光層１３６−３と記す。また、第１の副画素１２０−１、第２の副画素１２０−２、第３の副画素１２０−３における開口１４４をそれぞれ第１の開口１４４−１、第２の開口１４４−２、第３の開口１４４−３と記す（図２（Ａ）参照）。
【００３１】
各副画素１２０では、画素電極１３２、ＥＬ層１３３、および対向電極１４０によって発光素子１３０が形成される。画素電極１３２は隔壁１４２によって隣接する発光素子１３０間で絶縁され、それぞれ独立に電位が与えられる。ＥＬ層１３３は画素電極１３２と隔壁１４２上に、これらに接するように設けられる（図４参照）。ＥＬ層１３３が画素電極１３２と接することでキャリア（例えばホール）がＥＬ層１３３に注入される。一方、対向電極１４０はＥＬ層１３３と接するように、複数の副画素１２０にわたって設けられる。換言すると、対向電極１４０は隣接する副画素１２０や発光素子１３０に共有される。対向電極１４０からキャリア（例えば電子）がＥＬ層１３３に注入され、ＥＬ層１３３内において画素電極１３２から注入されたキャリアと再結合し、発光層１３６内に含まれる発光材料の励起状態が形成される。この励起状態が基底状態に緩和する過程で発光が得られる。したがって、画素電極１３２とＥＬ層１３３が接する領域、すなわち、隔壁１４２の開口１４４が副画素１２０、および発光素子１３０の発光領域であり、図２（Ａ）においてハッチングが施された領域に相当する。一方、図２（Ａ）では、画素電極１３２が開口１４４と重ならない領域、すなわち、画素電極１３２が隔壁１４２に覆われている領域が描かれている。以下、この領域を被覆領域１４８と呼ぶ。
【００３２】
表示装置１００はさらに、対向電極１４０上のキャップ層２３０やパッシベーション膜２４０を有してもよい（図４）。キャップ層２３０は発光素子１３０から取り出される光を光学調整する機能を有する。パッシベーション膜２４０は外部から不純物が発光素子１３０へ侵入することを防ぐために設けられる。パッシベーション膜２４０の構造も任意に選択することができ、例えば図４に示すように、第１の無機膜２４２、有機膜２４４、第２の無機膜２４６を含む三層構造を採用することができる。第１の無機膜２４２や第２の無機膜２４６は無機化合物を含み、無機化合物としては酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などのケイ素含有無機化合物が例示される。有機膜２４４はアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの高分子を含むことができる。
【００３３】
２−３．発光材料
各画素１０４では、複数の副画素１２０のそれぞれに発光素子１３０が設けられ、また、発光素子１３０の発光層１３６に含まれる発光材料は、発光素子１３０間で異なる。また、これらの発光素子１３０のうち少なくとも一つは、発光層１３６内にＴＡＤＦ材料を発光材料として有する。各画素１０４では、ＴＡＤＦ材料を有する発光素子１３０はどの副画素１２０に含まれてもよいが、特に最も短波長の発光を与える副画素（ここでは第１の副画素１２０−１）に設けられる第１の発光素子１３０−１の第１の発光層１３６−１内にＴＡＤＦ材料を用いることが好ましい。これは、青色発光素子のように短波長の発光を与える発光素子では、蛍光材料を用いる方が色純度の良い発光が得られるためである。以下、第１の発光素子１３０−１にＴＡＤＦ材料が含まれる態様に基づいて説明を続ける。
【００３４】
第１の発光層１３６−１には、熱活性化遅延蛍光を示さない発光材料（以下、単に蛍光材料と記す）がさらに含まれていてもよい。この場合、蛍光材料は、ＴＡＤＦ材料のＳ1準位よりも低いＳ1準位を有する材料から選択することができる。
【００３５】
第２の発光層１３６−２、第３の発光層１３６−３内の発光材料は任意に選択することができ、ＴＡＤＦ材料のみならず、熱活性化遅延蛍光を示さない発光材料（以下、単に蛍光材料と記す）、あるいは燐光材料を用いることができる。本実施形態で述べる例では、第２の発光層１３６−２、第３の発光層１３６−３内の発光材料は、第１の発光層１３６−１に含まれるＴＡＤＦ材料の発光波長よりも長い発光波長を示すように選択される。例えば、青色に発光するＴＡＤＦ材料が第１の発光層１３６−１に含まれ、緑色に発光する蛍光材料、もしくは燐光材料が第２の発光層１３６−２内にまれ、赤色に発光する燐光材料が第３の発光層１３６−３に含まれるように画素１０４を構成することができる。
【００３６】
ここで、本明細書と請求項では、ＴＡＤＦ材料とは、Ｔ1とＳ1のエネルギー差が例えば０ｅＶよりも大きく、５００ｍｅＶ以下である材料を指す。一方、蛍光材料とは、Ｔ1とＳ1のエネルギー差が例えば５００ｍｅＶよりも大きく２ｅＶ以下の材料を指す。燐光材料とは、室温でＴ1から基底状態Ｓ0へ緩和する際に可視光領域に発光を与える材料である。また、青色、赤色、緑色の発光とは、それぞれ発光ピークが４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下、５００ｎｍより長く６００ｎｍ以下、６００ｎｍより長く７８０ｎｍ以下の範囲に位置する発光である。
【００３７】
２−４．副画素の形状
図２（Ａ）に示すように、各画素１０４において、ＴＡＤＦ材料を含む第１の発光素子１３０−１が形成される第１の副画素１２０−１の発光領域は、それ以外の副画素１２０の発光領域と形状が異なる。すなわち、第１の開口１４４−１の平面形状（以下、単に形状）は、第２の開口１４４−２や第３の開口１４４−３の形状と異なる。第２の開口１４４−２と第３の開口１４４−３の形状は互いに同一でもよく、異なってもよい。また、各画素１０４において、開口１４４の面積は副画素１２０間で同一でも良く、互いに異なってもよい。後者の場合、例えば第１の開口１４４−１の面積が最も大きく、第２の開口１４４−２と第３の開口１４４−３の面積が同一、あるいは実質的に同一でも良い。実質的に同一である場合には、一方の開口１４４の面積に対し、他方の開口１４４の面積が９５％から１０５％であってもよい。あるいは第２の開口１４４−２の面積は第３の開口１４４−３の面積よりも大きくても小さくてもよい。
【００３８】
さらに、第１の開口１４４−１の面積に対する外周長の比（第１の比）は、第２の開口１４４−２の面積に対する外周長の比（第２の比）や第３の開口１４４−３の面積に対する外周長の比（第３の比）と比較して大きい。第２の比と第３の比は互いに同一でも異なってもよい。このような態様は、例えば開口１４４が長方形であり、第１の開口１４４−１の長さと幅をそれぞれＬ1、Ｗ1、第２の開口１４４−２の長さと幅をそれぞれＬ2、Ｗ2とした場合（図２（Ｂ）、図２（Ｃ）参照）、Ｌ1に対するＷ1がＬ2に対するＷ2よりも小さくなるように隔壁１４２を形成することで得ることができる。同様に、第３の開口１４４−３の長さと幅をそれぞれＬ3、Ｗ3とした場合、Ｌ1に対するＷ1がＬ3に対するＷ3よりも小さくなるように隔壁１４２を形成することで上記態様を得ることができる。
【００３９】
換言すると、第１の開口１４４−１を他の開口１４４と比較して細長くすることで、上記態様を実現することができる。より具体的には、発光領域（すなわち開口１４４）の外周の法線のうち、発光領域と交差する部分が最も長い法線（以下、法線Ｎl）が発光領域と重なる部分の長さをＬmax、発光領域と交差する部分が最も短い法線（以下、法線Ｎs）が発光領域と重なる部分の長さをＬminとすると（図２（Ａ）、図２（Ｂ）参照）、各画素１０４において、Ｌminに対するＬmaxの比がＴＡＤＦ材料を含む第１の副画素１２０−１が最大となるように各副画素１２０を構成すればよい。
【００４０】
開口１４４の面積に対する外周長の比が最も大きい副画素にＴＡＤＦ材料を含む発光素子を形成することで、高い効率を示す発光素子が得られるのみならず、優れた表示品質を示す表示装置を提供することができる。この理由を以下に示す。
【００４１】
上述したようにＴＡＤＦとは、Ｔ1とＳ1の間の小さなエネルギー差に起因して前者から後者への逆項間交差が起こるために生じる現象である（図１７参照）。この逆項間交差は室温程度の熱エネルギーによっても生じるため、表示装置を駆動することで発光素子や画素回路などが発熱して発光素子の温度が上昇した場合、Ｔ1とＳ1の平衡がシフトし、Ｔ1とＳ1の分布が変化する。より具体的には、温度の上昇に伴ってＳ1からＴ1への逆項間交差が促進され、Ｔ1からの非輻射失活の確率が減少し、Ｓ1からの輻射失活の確率が増大し、その結果、発光効率が増大する。
【００４２】
これに対し蛍光材料や燐光材料は、通常Ｔ1とＳ1の間に十分に大きなエネルギー差を有しているため、これらを含む発光素子の発光効率に対する温度の影響は、ＴＡＤＦ材料を含む発光素子のそれと比較して小さい。このため、温度が上昇すると、ＴＡＤＦ材料を含む発光素子の輝度は、ＴＡＤＦ材料を含まない他の発光素子と比較して大幅に輝度が増大する。その結果、表示装置の温度上昇によって、複数の副画素の色バランスが変化して画素の発光色度が変化し、表示装置の色純度や色域の低下を招く。
【００４３】
ここで、発光素子からの熱放射について第１の発光素子１３０−１を用いて考察する。図５（Ａ）から図５（Ｃ）には第１の発光素子１３０−１から熱が伝導する空間１４６が示されており、それぞれ第１の発光素子１３０−１の上面、図２（Ｂ）の鎖線Ａ−Ａ´、Ｂ−Ｂ´に沿った断面に相当する。発光素子１３０から熱が伝導する距離をａとし、熱は等方的に伝導すると仮定した場合、第１の発光素子１３０−１からの熱は、第１の開口１４４−１を底面、高さをａとする二つの直方体に相当する空間（空間１４６−１）へ伝導するとともに、半径ａの半円をその中心が第１の開口１４４−１の外周に沿うように移動するときの軌跡が作り出す空間（空間１４６−２、１４６−３、１４６−４）へ伝導する。
【００４４】
第１の開口１４４−１が図２（Ａ）に示すような長方形、あるいは実質的に長方形である場合には、空間１４６−２は、半径ａの半円を底面、第１の開口１４４−１の長さＬ1を高さとする一対の半円柱の空間であり、空間１４６−３は、半径ａの半円を底面、第１の開口１４４−１の幅Ｗ1を高さとする一対の半円柱の空間である。一方、空間１４６−４は、それぞれ半径ａの球を四等分して得られる空間である。空間１４６−１の総体積Ｖ1は２ａＬ1Ｗ1となり、空間１４６−２、１４６−３の総体積Ｖ2、Ｖ3はそれぞれπａ2Ｌ1、πａ2Ｗ1となる。空間１４６−４の総体積Ｖ4は半径ａの球の体積であるため、４／３πａ3となる。
【００４５】
すなわち、第１の発光素子１３０−１からの熱は、以下の式で表される体積Ｖの空間へ伝導する。以下、この空間を熱伝導空間と呼ぶ。
【００４６】
【数１】
2020013695.tif 000003
【００４７】
一方、第１の開口１４４−１の面積をＳとすると、Ｓ＝Ｌ1Ｗ1であるので、熱伝導空間の体積Ｖは以下のように表される。
【００４８】
【数２】
2020013695.tif 000004
【００４９】
したがって、第１の開口１４４−１の面積Ｓが一定の場合、第１の開口１４４−１の互いに対向する長辺に沿った端部から熱が第１の開口１４４−１の内側へ伝導する一対の空間１４６−２が互いに接しない条件下、すなわち、Ｗ1が２ａよりも大きいという条件下、Ｌ1の増大（すなわち、Ｗ1の減少）に伴って熱伝導空間の体積Ｖが増大し、より効果的に第１の発光素子１３０−１からの熱を放出することが可能となる。
【００５０】
以上のことを考慮すると、開口１４４がより細長い形状を有するように隔壁１４２をパターニングすることで、より効果的に発光素子１３０からの熱を放出することができ、表示品質の低下を防ぎ、高品質の表示が可能な表示装置を提供することが可能となる。したがって、本実施形態のように、第１の開口１４４−１の面積に対する外周長の比である第１の比を他の開口１４４のそれ（第２の比、第３の比）と比較して大きくすることで表示装置の発熱による色純度や色域の低下、およびそれに起因する表示品質の低下を防ぐことができる。
【００５１】
上述したように、発光素子１３０は画素電極１３２、ＥＬ層１３３、および対向電極１４０によって構成される。ここでＥＬ層１３３と画素電極１３２に焦点を当てると、ＥＬ層１３３は通常有機化合物で形成されるのに対し、画素電極１３２はアルミニウムや銀などの金属、あるいはインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物によって形成される。このような金属や導電性酸化物と比較し、有機化合物の熱伝導率は極めて小さいため、画素電極１３２がより大きく発光素子１３０の放熱に寄与すると考えられる。発光素子１３０の発熱は発光領域、すなわち、隔壁１４２の開口１４４内で生じる。このことを考えると、画素電極１３２の発光に寄与しない部分、すなわち被覆領域１４８に対する開口１４４の面積を大きくすることで、より効果的に放熱が可能になるものと考えられる。
【００５２】
具体的には図６に示すように、ＴＡＤＦ材料を含む第１の発光素子１３０−１が設けられる第１の副画素１２０−１における被覆領域（第１の被覆領域）１４８−１の面積に対する第１の開口１４４−１の面積（ハッチングされた領域）の比が、他の副画素のそれと比較して大きくなるように画素電極１３２と開口１４４を形成することで効果的な放熱が可能となり、表示品質の高い表示装置を提供することが可能となる。
【００５３】
２−５．副画素の配置
図７（Ａ）、図７（Ｂ）に複数の画素１０４の配置例を模式的に示す。上述したように、画素１０４はｎ行ｍ列のマトリクス状に配置されるが、画素１０４の形状や各画素１０４における副画素１２０の配置は任意に設計することができる。例えば図７（Ａ）に示すように、各画素１０４内において、第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３を第１の副画素１２０−１に関して同一の側に配置してもよい。第１の副画素１２０−１が長方形の場合、各画素１０４内において第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３は第１の副画素１２０−１の一つの長辺側に配置され、列方向で重なってもよい。
【００５４】
あるいは図７（Ｂ）に示すように、第１の副画素１２０−１が第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３によって挟まれるように画素１０４を構成してもよい。この場合、一つの副画素（例えば第２の副画素１２０−２や第３の副画素１２０−３）は、行方向に隣接する画素１０４と列方向で重なる。例えば第１行第１列の画素１０４の第２の副画素１２０−２は、第１行第２列の画素１０４と列方向で重なる。同様に、第１行第２列の画素１０４の第３の副画素１２０−３は、第１行第１列の画素１０４と列方向で重なる。
【００５５】
図７（Ａ）、図７（Ｂ）で示した副画素１２０の配置では、同一の画素１０４に含まれる副画素１２０は、同一の配線（走査線）に接続されていてもよい。例えば、同一の画素１０４に含まれるすべての副画素１２０は、同一の書込制御走査線１８０（図３参照）に接続されていてもよい。同様に、同一の画素１０４に含まれるすべての副画素１２０は、同一の初期化制御走査線１８２、同一の補正制御走査線１８４、同一のリセット制御線１８６、あるいは同一の発光制御走査線１８８と接続されていてもよい。
【００５６】
上述したように、本実施形態の表示装置１００では、各画素１０４において、ＴＡＤＦ材料を含む発光素子１３０の発光領域（すなわち、第１の開口１４４−１）は、蛍光材料や燐光材料を含む発光素子１３０のそれ（すなわち、第２の開口１４４−２、第３の開口１４４−３）と比較すると、面積に対する外周長の比が大きい。このため、表示装置１００の駆動による発熱や外部環境の温度変化による影響を大幅に低減することができ、その結果、各画素１０４は優れた色純度の発光を与えることができる。したがって、本実施形態を適用することにより、広い色域と高い表示品質を示す表示装置を提供することができる。
【００５７】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で示した副画素１２０の配置、およびその発光領域の形状が異なる実施形態について説明する。第１実施形態で述べた内容と同一、あるいは類似する構成に関しては説明を割愛することがある。
【００５８】
ＴＡＤＦ材料を含む発光素子１３０が設けられる第１の副画素１２０−１の発光領域（第１の開口１４４−１）は、第１実施形態で述べたように必ずしも列方向に平行に延伸する形状でなくてもよく、列方向や行方向から傾いた方向に延伸する形状を有していてもよい。具体的には図８（Ａ）に示すように、第１の副画素１２０−１の発光領域の法線Ｎlは列方向や行方向から傾いてもよい。ここで示した例では、第１の副画素１２０−１は第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３に挟まれる。
【００５９】
第１の副画素１２０−１の発光領域の形状は正方形や長方形などの四角形に限られず、多角形でも良い。また、法線Ｎlに直交する直線が発光領域と重なる部分の長さを発光領域の幅とすると、幅は一定でなくてもよく、位置によって異なってもよい。例えば図８（Ｂ）に示すように、法線Ｎlが延伸する方向において幅が変化し、かつ、その変化は一つ、あるいは複数の極大値を有していてもよい。
【００６０】
なお、発光領域や開口１４４の角は厳密には湾曲している場合があるが、本発明の実施形態では、これらの外周が有する複数の直線部をそれぞれ延長した仮想の直線が多角形を形成する場合、これらの形状は多角形であると定義する。
【００６１】
第１の副画素１２０−１の発光領域が多角形の形状を有する場合、例えば図９（Ａ）に示すように第１の副画素１２０−１の発光領域は一つの屈曲部を有するＬ字状の形状を有してもよい。この場合、法線Ｎlは、発光領域の外周の法線のうち、発光領域と交差する部分が二番目に長い法線（以下、法線Ｎl2）と副画素１２０内で交差する。第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３は、法線Ｎl、あるいは法線Ｎl2と平行に配置すればよい。また、第３の副画素１２０−３は第１の副画素１２０−１と第２の副画素１２０−２に挟まれるように配置してもよく、図示しないが、第１の副画素１２０−１が第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３に挟まれるように、あるいは第２の副画素１２０−２が第１の副画素１２０−１と第３の副画素１２０−３に挟まれるように配置してもよい。
【００６２】
あるいは、第１の副画素１２０−１の発光領域は複数の屈曲部を有してもよい。例えば図９（Ｂ）に示すように、第１の副画素１２０−１の発光領域は、二つの屈曲部を有するＺ字形状、あるいはクランク形状を有することができる。第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３は、第１の副画素１２０−１を挟むように配置することができる。
【００６３】
第１の副画素１２０−１の発光領域がＬ字形状を有する場合の画素１０４の配置例を図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示す。図１０（Ａ）に示すように、第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３が、第１の副画素１２０−１に関して同一の側に配置されるよう、画素１０４を構成することができる。
【００６４】
あるいは図１０（Ｂ）に示すように、一つの画素１０４内の第２の副画素１２０−２、あるいは第３の副画素１２０−３のいずれかが、列方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１と行方向で重なり、他方が行方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１と列方向で重なるように各画素１０４内の副画素１２０を配置してもよい。ここで示した例では、例えば第１行第２列の画素１０４の第２の副画素１２０−２は、列方向に隣接する第２行第２列の画素１０４の第１の副画素１２０−１と行方向で重なる。一方、第１行第２列の画素１０４の第３の副画素１２０−３は、行方向に隣接する第１行第１列の画素１０４の第１の副画素１２０−１と列方向で重なる。
【００６５】
第１実施形態で述べたように、図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）で示した副画素１２０の配置においても、同一の画素１０４に含まれるすべての副画素１２０は、同一の書込制御走査線１８０、同一の初期化制御走査線１８２、同一の補正制御走査線１８４、同一のリセット制御線１８６、あるいは同一の発光制御走査線１８８と接続されていてもよい。
【００６６】
本発明のいずれの本実施形態においても、第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３の発光領域の形状は任意に選択することができる。図８（Ａ）から図９（Ｂ）に示すように、これらの副画素１２０の発光領域の形状は正方形や長方形の多角形でもよく、図示しないが円形や楕円形、あるいは円弧状の形状でもよい。あるいは後述するように、第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３の発光領域の外周は、直線部と曲線部の両者によって構成されていてもよい。いずれの場合でも、第１の比は、第２の比や第３の比と比較して大きい。したがって、第１実施形態と同様、本実施形態を適用することによって優れた色純度の発光を与える画素１０４を形成することができ、これにより、広い色域と高い表示品質を示す表示装置が提供される。
【００６７】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態で示した副画素１２０の配置、およびその発光領域の形状が異なる実施形態について説明する。第１、第２実施形態で述べた内容と同一、あるいは類似する構成に関しては説明を割愛することがある。
【００６８】
第１、第２実施形態で示した第１の副画素１２０−１の発光領域の外周は実質的に直線部によって構成され、曲線部が存在しない、あるいは曲線部の割合が直線部の割合よりも低い。これに対して本実施形態における第１の副画素１２０−１の発光領域は、その外周の曲線部の全長が直線部の全長よりも長い点で第１、第２実施形態で示した第１の副画素１２０−１のそれと異なる。
【００６９】
具体的には、第１の副画素１２０−１の発光領域は湾曲し、例えば図１１に示すようにＳ字状の形状を有することができる。この場合、外周の曲線部の法線が発光領域と重なる部分を幅Ｗ3とすると、幅Ｗ3は一定、あるいは実質的に一定でもよい。また、第１の副画素１２０−１の発光領域の外周は、二つのＳ字状の曲線部と二つの直線部を含んでもよい。この場合、二つの曲線部は一つの直線部を介して連結され、二つの直線部は一つの曲線部を介して連結される。第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３は、第１の副画素１２０−１を挟むように配置することができる。
【００７０】
第１の副画素１２０−１の発光領域がこのような形状を有する場合、図１２（Ａ）に示すように、一つの画素１０４に含まれる第１の副画素１２０−１が、列方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１と列方向で重なり、行方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１とは列方向では重ならず、行方向において重なるように画素１０４を配置することができる。あるいは図１２（Ｂ）に示すように、一つの画素１０４に含まれる第１の副画素１２０−１が、列方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１と列方向で重なり、かつ、行方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１と行方向と列方向で重なるように画素１０４を配置してもよい。後者の場合、図１２（Ｂ）に示すように行方向に隣接する二つの画素１０４の第１の副画素１２０−１の直線部が互いに列方向で重なってもよい。
【００７１】
あるは図１３（Ａ）に示すように、第１の副画素１２０−１の発光領域はＵ字状の形状を有することができる。この場合においても、幅Ｗ3は一定、あるいは実質的に一定でもよく、第１の副画素１２０−１の発光領域の外周は、二つのＵ字状の曲線部と二つの直線部を含んでもよい。この場合、二つの曲線部は一つの直線部を介して連結され、二つの直線部は一つの曲線部を介して連結される。
【００７２】
第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３は、第１の副画素１２０−１を挟むように、第１の副画素１２０−１が囲む領域の外に配置してもよく（図１３（Ａ））、あるいは図１３（Ｂ）に示すように、第１の副画素１２０−１に部分的に囲まれるように第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３を配置してもよい。後者の場合、第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３は、これらの全て、あるいは一部がＵ字形状の内部に位置する。図１３（Ｃ）に示すように、第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３のいずれか一方が、Ｕ字形状の開口により近くなるように画素１０４を構成してもよい。
【００７３】
図１３（Ｃ）に示した副画素１２０を採用する場合の画素１０４の配置例を図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）に示す。図１４（Ａ）の配置例では、第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３は、第１の副画素１２０−１に関し、同一の側に位置している。また、一つの画素１０４の第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３は、行方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１と行方向で重なり、かつ、列方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１と列方向で重なる。
【００７４】
一方、図１４（Ｂ）の配置例では、各画素１０４において第１の副画素１２０−１は第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３に挟まれるように配置される。また、一つの画素１０４の第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３の一方は、列方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１と列方向で重なるが、行方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１とは行方向では重ならない。これに対し、第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３の他方は、行方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１と行方向で重なり、かつ、列方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１と列方向で重なる。
【００７５】
図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）で示した副画素１２０の配置においても、同一の画素１０４に含まれるすべての副画素１２０は、同一の書込制御走査線１８０、同一の初期化制御走査線１８２、同一の補正制御走査線１８４、同一のリセット制御線１８６、あるいは同一の発光制御走査線１８８と接続されていてもよい。
【００７６】
あるいは図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）に示すように、第１の副画素１２０−１の発光領域は、その外周が曲線部からなり、直線部を実質的に持たない形状（例えば楕円形）でも良い。この場合でも、各画素１０４において、Ｌminに対するＬmaxの比が第１の副画素１２０−１において最大となるように画素電極１３２や隔壁１４２が形成される。上述したように、第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３の発光領域の形状は任意に選択することができ、図１５（Ａ）に示すように外周が曲線部からなる形状でもよく、図１５（Ｂ）に示すように四角形でもよく、あるいは、図１３（Ａ）から図１３（Ｃ）に示すように直線部と曲線部の両者によって構成されていてもよい。
【００７７】
図１５（Ａ）や図１５（Ｂ）に示した副画素１２０を採用する場合の画素１０４の配置例を図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）に示す。図１６（Ａ）の配置例では、一つの画素１０４の第２の副画素１２０−２は、行方向に隣接する画素１０４の第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３と行方向で重なり、列方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１や第２の副画素１２０−２と重なる。同様に、一つの画素１０４の第３の副画素１２０−３は、行方向に隣接する画素１０４の第２の副画素１２０−２と第３の副画素１２０−３と行方向で重なり、列方向に隣接する画素１０４の第１の副画素１２０−１や第３の副画素１２０−３と重なる。一方、図１６（Ｂ）の配置例では、一つの画素１０４の第２の副画素１２０−２は、行方向に隣接する副画素１２０の第３の副画素１２０−３とは行方向で重ならず、列方向に隣接する副画素１２０の第３の副画素１２０−３と行方向で重なる。例えば第２行第２列の画素１０４の第２の副画素１２０−２は、行方向に隣接する第２行第１列の画素１０４の第３の副画素１２０−３とは行方向で重ならず、列方向に隣接する第１行第２列の副画素１２０の第３の副画素１２０−３と行方向で重なる。同様に、一つの画素１０４の第３の副画素１２０−３は、行方向に隣接する第２の副画素１２０−２と行方向では重ならず、列方向に隣接する画素１０４の第２の副画素１２０−２と行方向で重なる。
【００７８】
本実施形態で述べた画素１０４においても、第１の比は、第２の比や第３の比と比較して大きくなるように各副画素１２０が構成される。したがって、高い効率を示す発光素子が得られるのみならず、広い色域と高い表示品質を示す表示装置を提供することができる。
【００７９】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００８０】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【００８１】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００８２】
１００：表示装置、１０２：基板、１０４：画素、１０６：表示領域、１０８：走査線側駆動回路、１１０：信号線側駆動回路、１１２：配線、１１４：ＦＰＣ、１１６：駆動ＩＣ、１２０：副画素、１２０−１：第１の副画素、１２０−２：第２の副画素、１２０−３：第３の副画素、１３０：発光素子、１３０−１：第１の発光素子、１３０−２：第２の発光素子、１３０−３：第３の発光素子、１３２：画素電極、１３３：層、１３４：ホール注入・輸送層、１３６：発光層、１３６−１：第１の発光層、１３６−２：第２の発光層、１３６−３：第３の発光層、１３８：電子注入・輸送層、１４０：対向電極、１４２：隔壁、１４４：開口、１４４−１：第１の開口、１４４−２：第２の開口、１４４−３：第３の開口、１４８：被覆領域、１５０：駆動トランジスタ、１５２：初期化トランジスタ、１５４：書込トランジスタ、１５６：補正トランジスタ、１５８：発光制御トランジスタ、１６０：リセットトランジスタ、１６２：付加容量、１６４：保持容量、１７０：高電位電源線、１７２：電流供給線、１７４：低電位電源線、１７６：第１の信号線、１７８：第２の信号線、１８０：書込制御走査線、１８２：初期化制御走査線、１８４：補正制御走査線、１８６：リセット制御線、１８８：発光制御走査線、１９０：リセット信号線、２００：アンダーコート、２０２：半導体膜、２０２ａ：チャネル領域、２０２ｂ：低濃度不純物領域、２０２ｃ：高濃度不純物領域、２０４：ゲート絶縁膜、２０６：ゲート電極、２０８：容量電極、２１０：層間絶縁膜、２１２：ドレイン電極、２１４：ソース電極、２１６：平坦化膜、２１８：接続電極、２２０：付加容量電極、２２２：付加容量絶縁膜、２２４：開口、２３０：キャップ層、２４０：パッシベーション膜、２４２：第１の無機膜、２４４：有機膜、２４６：第２の無機膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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