(57)【要約】【課題】  基板電極への高周波印加において摺動稼動部と開口部を有する高周波シールド構造を持つスパッタリング装置を提供すること。【解決手段】  スパッタリング装置は、成膜室と、カソードと、基板電極と、基板電極に電気的に接続され、成膜室の外側から基板電極に高周波電力を伝達する第１給電棒と、第１給電棒に高周波電力を伝達する高周波伝達経路と、高周波伝達経路を収容し、高周波伝達経路からの電磁波の漏洩を防止する第１シールドボックスと、第１給電棒を外側から囲む筒状の部材であって、第１給電棒と電気的に絶縁された状態で第１給電棒に固定されたシールド部材と、シールド部材および第１給電棒を第１シールドボックスに対して上下に一体的に摺動させるように駆動する第１駆動源と、を備え、第１シールドボックスにおいて、シールド部材を摺動可能に通す開口部を設けている。【選択図】  図２Ａ
2020204059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部を真空状態にして基板にスパッタ処理を行う成膜室と、
前記成膜室に配置され、スパッタ処理時に外部電源から電力が伝達されるカソードと、
前記成膜室に配置され、前記基板にバイアス電圧を印加する基板電極と、
前記基板電極に電気的に接続され、前記成膜室の外側から前記基板電極に高周波電力を伝達する第１給電棒と、
前記第１給電棒に高周波電力を伝達する高周波伝達経路と、
前記高周波伝達経路を収容し、前記高周波伝達経路からの電磁波の漏洩を防止する第１シールドボックスと、
前記第１給電棒を外側から囲む筒状の部材であって、前記第１給電棒と電気的に絶縁された状態で前記第１給電棒に固定されたシールド部材と、
前記シールド部材および前記第１給電棒を前記第１シールドボックスに対して上下に一体的に摺動させるように駆動する第１駆動源と、を備え、
前記第１シールドボックスにおいて、前記シールド部材を摺動可能に通す開口部を設けた、スパッタリング装置。
【請求項２】
前記第１駆動源は、前記シールド部材に固定されたスライドプレートを有し、
前記スライドプレートは、前記第１給電棒を外側から囲んで固定する絶縁シャフトを備える、請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
前記スライドプレートと前記成膜室の間にはベローズが設けられている、請求項２に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記高周波伝達経路と外部の高周波電源とのインピーダンス整合を行うマッチングボックスをさらに備える、請求項１から３のいずれか１つに記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
前記高周波伝達経路は、
前記マッチングボックスから高周波電力が供給される出力板と、
前記出力板と前記第１給電棒に接続されて、前記第１給電棒の位置に追従して形状変化可能な給電板と、を有する、請求項４に記載のスパッタリング装置。
【請求項６】
前記第１シールドボックスは、
前記開口部に取付けられ、前記シールド部材を囲むフランジと、
前記フランジの内溝に取り付けられ、前記シールド部材と密着して前記第１シールドボックスと前記シールド部材の導通を確保するコイルスプリング型導電性リングと、を有する、請求項１から５のいずれか１つに記載のスパッタリング装置。
【請求項７】
前記フランジの前記内溝の幅は、前記コイルスプリング型導電性リングのコイル径に対して隙間が０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍになるように設定される、請求項６に記載のスパッタリング装置。
【請求項８】
前記第１給電棒の上端を収容するとともに前記シールド部材が取り付けられ、内部からの電磁波の漏洩を防止する第２シールドボックスと、
前記第２シールドボックスの内部で前記第１給電棒に電気的に接続されており、前記基板電極の下面に接続されるように延びる第２給電棒と、
前記第２給電棒を回転させることで前記基板電極を回転させる第２駆動源と、を有し、
前記第１駆動源は、前記シールド部材が取り付けられた前記第２シールドボックスを上下に移動させることで、前記シールド部材と前記第１給電棒とを一体的に移動させる、請求項１から７のいずれか１つに記載のスパッタリング装置。
【請求項９】
前記第２シールドボックスと前記成膜室の間には、前記第２給電棒を取り囲む磁性流体シールが設けられている、請求項８に記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理によりターゲットの表面から蒸発させたスパッタ粒子を基板に堆積させて成膜を行うスパッタリング装置に関するものである。より詳細には、高周波電源と高周波整合器（マッチングボックス）を用いて電力を供給し、基板電極やカソードに高周波を印加させるスパッタリング装置の高周波印加機構に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のスパッタリング装置の高周波印加機構の用途としては、カソードに高周波を印加することで、直流ではターゲット表面に正の電荷が生じて放電が持続しない絶縁材料をスパッタし、成膜するものがある。また、成膜材料の元になるターゲットの交換や、着膜による成膜室内の清掃により、定期的なメンテナンスが必要になるので、カソードと高周波の伝達経路を切り離せるように、高周波印加機構に摺動稼動部が存在する。（例えば、特許文献１参照）
【０００３】
図５Ａ及び図５Ｂは、特許文献１に記載された従来の高周波印加機構及びスパッタリング装置を示す。図５Ａに示す従来のスパッタリング装置は、成膜室１と、高周波電源からの電力伝達部２および高周波出力端３を覆う第１シールドボックス４と、第１シールドボックス４に取付けられるマッチングボックス５と、成膜室１に着脱可能な状態で取付けられるカソード６および高周波入力端７を覆う第２シールドボックス８と、カソード６および第２シールドボックス８を成膜室１から分離させる駆動源９と、絶縁体を介して高周波出力端３が固定されるシールド１０と、高周波出力端３およびシールド１０を高周波入力端７に接続する方向に摺動稼動させる加圧源１１と、シールド１０の端面に取付けられる導電性弾性部材１２ａと、第１シールドボックス４とシールド１０の間に設けられる導電性弾性部材１２ｂとを備える。
【０００４】
シールド１０は第１シールドボックス４の中を摺動稼動するため、第１シールドボックス４には開口部が設けられるが、シールド１０に導電性弾性部材１２ｂが密着することで導通は確保される。量産時は高周波出力端３と高周波入力端７が接続され、高周波電力がカソード６に伝達するが、導電性弾性部材１２ａが第２シールドボックス８の端面に押し付けられ密着することで、装置外部への電磁波の漏洩を遮断することができる。
【０００５】
メンテナンス時は、カソード６から電力伝達部２およびマッチングボックス５が切り離された状態になる。さらに、駆動源９によりカソード６及び第２シールドボックス８を成膜室１から取り外すことで、メンテナンス作業が可能になる。
【０００６】
一方で、基板電極に高周波を印加し、基板にバイアス電圧をかけながらスパッタ成膜することで、凹凸が形成された基板表面に対する被膜率を向上させる成膜方法も存在する。被膜率はバイアス電圧の増加に伴い上昇していくが、オーバーハングと称される突起物が形成されてしまうことがある。この現象はターゲットと基板の相対位置を調整することである程度抑制できるので、基板電極の高周波印加機構には相対位置調整用の摺動稼動部が設けられる。カソードと同様に、高周波伝達部から装置外部への電磁波の漏洩を防止するために、摺動稼動部と開口部とを備えるシールド構造が必要になる。（例えば先行文献２参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０-２２９５２９
【特許文献２】特開２００４-１０７６８８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
基板電極への高周波印加において、量産時は各基板の成膜毎にターゲットと基板の相対位置を調整するので、処理毎に高周波印加機構が摺動稼動する状態になる。そのため、カソードの高周波印加機構と同様に、導電性弾性部材を摺動稼動部と開口部の導通に用いた場合、摺動稼動頻度が極端に高くなる影響で磨耗が顕著になってしまう。結果として、摺動稼動部と開口部に接触不良箇所及び隙間が生じてシールド性能の低下を招いてしまい、電磁波が漏洩する。電磁波は装置周辺の電子機器類に対してノイズ源として作用するので、装置の誤動作や故障等の不具合が発生するという課題を有する。このように、電磁波の漏洩を精度良く防止することに関して未だ改善の余地があるといえる。
【０００９】
そこで本発明は、前記の課題を解決するものであり、電磁波の漏洩を精度良く防止することができるスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のスパッタリング装置は、内部を真空状態にして基板にスパッタ処理を行う成膜室と、前記成膜室に配置され、スパッタ処理時に外部電源から電力が伝達されるカソードと、前記成膜室に配置され、前記基板にバイアス電圧を印加する基板電極と、前記基板電極に電気的に接続され、前記成膜室の外側から前記基板電極に高周波電力を伝達する第１給電棒と、前記第１給電棒に高周波電力を伝達する高周波伝達経路と、前記高周波伝達経路を収容し、前記高周波伝達経路からの電磁波の漏洩を防止する第１シールドボックスと、前記第１給電棒を外側から囲む筒状の部材であって、前記第１給電棒と電気的に絶縁された状態で前記第１給電棒に固定されたシールド部材と、前記シールド部材および前記第１給電棒を前記第１シールドボックスに対して上下に一体的に摺動させるように駆動する第１駆動源と、を備え、前記第１シールドボックスにおいて、前記シールド部材を摺動可能に通す開口部を設けている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のスパッタリング装置によれば、電磁波の漏洩を精度良く防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１におけるスパッタリング装置を示す図
【図２Ａ】本発明の実施の形態１における高周波印加機構（電力遮断時）を示す図
【図２Ｂ】本発明の実施の形態１における高周波印加機構（摺動稼動時・電力伝達時）を示す図
【図３Ａ】本発明の実施の形態１における摺動部と開口部のシールド構造を示す図
【図３Ｂ】本発明の実施の形態１における摺動部と開口部のシールド構造を示す図
【図３Ｃ】本発明の実施の形態１における摺動部と開口部のシールド構造を示す図
【図４Ａ】本発明の実施の形態２における高周波印加機構（電力遮断時）を示す図
【図４Ｂ】本発明の実施の形態２における高周波印加機構（摺動稼動時・電力伝達時）を示す図
【図５Ａ】従来の高周波印加機構及びスパッタリング装置（電力遮断時）を示す図
【図５Ｂ】従来の高周波印加機構及びスパッタリング装置（摺動稼動時・電力伝達時）を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
（実施の形態１）
図１に本発明の実施の形態１におけるスパッタリング装置１００を示す。
【００１５】
スパッタリング装置１００は、成膜室１０と、カソード２０と、マッチングボックス３０と、シールドボックス（第１シールドボックス）４０と、基板電極５０と、駆動源６０とを備える。
【００１６】
成膜室１０は、内部を真空状態にしてスパッタ処理を行う部材である。カソード２０は、スパッタ処理時に外部電源から電力が伝達される部材である。マッチングボックス３０は、成膜室１０の下部に配置され、外部の高周波電源と高周波伝達経路１０２のインピーダンス整合を行う部材である。シールドボックス４０は、高周波伝達経路１０２からの電磁波漏洩を遮断する部材である。基板電極５０は、基板にバイアス電圧を印加する部材である。駆動源６０は、基板電極５０の位置を変化させる部材である。
【００１７】
成膜材料等の要因によってカソード２０への供給電力が直流か交流（高周波）で分かれ、電力伝達構造と印加機構が異なる。基板電極５０の位置変化を実現するために、シールドボックス４０には、開口部１０４と、開口部１０４の中を摺動するシールド部材４４とが設けられる。
【００１８】
図２Ａ及び図２Ｂに本発明の実施の形態１における高周波印加機構を示す。
【００１９】
シールドボックス４０には、出力板４１と、給電板４２と、給電棒（第１給電棒）４３と、シールド部材４４と、フランジ４５と、コイルスプリング型導電性リング４６とが設けられている。
【００２０】
出力板４１は、マッチングボックス３０から高周波電力が供給される部材である。給電板４２は、出力板４１と給電棒４３を接続し、変形可能なシート形状の部材である。出力板４１および給電板４２は高周波伝達経路１０２を構成する。
【００２１】
給電棒４３は、高周波伝達経路１０２から伝達される高周波電力を基板電極５０に伝達する棒状の部材である。シールド部材４４は、給電棒４３を間隔を空けて囲むように設けられる筒状の部材であり、シールドボックス４０の開口部１０４の中を摺動稼働する。フランジ４５は、シールドボックス４０の開口部１０４に取付けられ、コイルスプリング型導電性リング４６を収容する部材である。コイルスプリング型導電性リング４６は、シールド部材４４に密着することで、シールド部材４４とシールドボックス４０の間から電磁波が漏洩することを防止する部材である。
【００２２】
駆動源（第１駆動源）６０は、台形ネジ６１と、スライドプレート６２と、絶縁シャフト６３と、ベローズ６４とを有する。
【００２３】
台形ネジ６１は、駆動源６０の回転動力をスライドプレート６２に伝達部材である。スライドプレート６２は、台形ネジ６１と接続して、駆動源６０の回転運動を直進運動に変換する部材である。絶縁シャフト６３は、スライドプレート６２の内側に配置された状態で給電棒４３と接触し、給電棒４３を非導通状態（電気的な絶縁状態）でスライドプレート６２に固定する部材である。ベローズ６４は、成膜室１０とスライドプレート６２の間に設けられた蛇腹状の部材である。ベローズ６４は、給電棒４３を間隔を空けて囲むように設けられており、給電棒４３を真空中の成膜室１０に直進導入させる。
【００２４】
シールド部材４４はスライドプレート６２に取付けられるため、スライドプレート６２の昇降時はシールド部材４４と給電棒４３が一体になって上下動する。基板電極５０は給電棒４３と接続されているため、スライドプレート６２の位置変化により基板電極５０の位置を変化することが可能になる。高周波印加時は、コイルスプリング型導電性リング４６がシールド部材４４に密着し、フランジ４５及びシールドボックス４０と導通するため、高周波電力伝達時の開口部１０４の電磁波漏洩を遮断する。真空側の電力伝達部についても、成膜室１０の内部は真空状態にするため密閉空間になっており、ベローズ６４及びスライドプレート６２と導通しているため、シールド性は確保される。
【００２５】
真空下では圧力差によってベローズ６４が変形するため、台形ネジ６１及びシールド部材４４が大きく偏心し、破損する場合もある。このため、スライドプレート６２と成膜室１０に支持用のシャフトを追加し、摺動稼動部の剛性及び軸ずれを確保しても良い。
【００２６】
駆動源６０の回転伝達に台形ネジ６１を使用しているが、代わりに、ボールねじを用いても良い。ボールねじを用いることにより、面間の摩擦部分による機械的損失やバックラッシによる影響を失くし、基板電極５０の位置精度を向上させることができる。
【００２７】
真空への直進導入にベローズ６４を用いたが、Ｏリングをシャフトの円周に密着させる直進導入構造でも良い。その場合、シャフトが摺動稼動するため、成膜室１０に開口部が設けられる。シールドボックス４０と同様に、当該開口部にフランジ４５及びコイルスプリング型導電性リング４６を設置し、成膜室１０とシャフトの間の導通を確保してもよい。
【００２８】
絶縁シャフト６３に関して、シールド部材４４、ベローズ６４および成膜室１０と、給電棒４３との隙間が適切に確保できないと、接触による短絡もしくは異常放電が発生してしまう。その場合は、絶縁シャフト６３のシャフト長を長くして、導通を確実に防止する構造にしても良い。
【００２９】
図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃに、本発明の実施の形態１における摺動稼動部であるシールド部材４４と開口部１０４のシールド構造の構成を示す。
【００３０】
本実施の形態１のシールド構造は、シールドボックス４０の開口部１０４において内側を溝加工した部分にフランジ４５が取付けられ、フランジ４５の内溝にコイルスプリング型導電性リング４６が設置される。摺動稼動するシールド部材４４に対して、コイルスプリング型導電性リング４６はバネ張力により巻き数のピッチ毎で点接触の状態でシールド部材４４と密着し、シールドボックス４０とシールド部材４４の導通を確保する。
【００３１】
コイルスプリング型導電性リング４６は鉄やステンレス等の金属製である。コイルスプリング型導電性リング４６は、シールド部材４４の摺動稼動時の摺動抵抗や、取付け及び加工誤差によるシールド部材４４の偏心に対しても、バネ張力が一定になるように変形する斜め巻き構造を持つ。斜め巻き構造は、シールド部材４４の摺動稼動方向に対して摺動抵抗が斜め向きに働く。その結果、シールド部材４４の摺導稼動時には回転方向にも作用が働くため、コイルスプリング型導電性リング４６がシールド部材４４と接触する箇所が摺動稼働距離に応じて変化する。すなわち、シールド部材４４とコイルスプリング型導電性リング４６の接触面において特定の箇所での摺動は発生しない。
【００３２】
フランジ４５は、内溝の幅がコイル径に対して隙間が０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍになるように加工される。隙間を０．２ｍｍ以下とすることで、シールド部材４４の摺動稼動時にコイルスプリング型導電性リング４６にねじれが発生することを抑制することができ、コイルスプリング型導電性リング４６の塑性変形及び破損を抑制することができる。また、隙間を０．０５ｍｍ以上とすることで、コイルスプリング型導電性リング４６がフランジ４５の内溝に圧入される構造において、シールド部材４４の摺動抵抗が発生すると、コイルスプリング型導電性リング４６が変形することができ、バネ張力を保つことができる。
【００３３】
上記の構成により、シールド部材４４とコイルスプリング型導電性リング４６の間で磨耗による接触不良及び隙間の発生を防止できる。また、位置が変化する基板電極５０に高周波を印加する時に、開口部１０４におけるシールドボックス４０とシールド部材４４との間において高周波伝達経路１０２からの電磁波の漏洩を完全に遮断する構成になる。上記構成によると、摺動稼動するシールド部材４４とコイルスプリング型導電性リング４６の間で、低磨耗性及び長寿命化と、安定したシール性を実現することができる。
【００３４】
上述した実施の形態１のスパッタリング装置１００は、成膜室１０と、カソード２０と、基板電極５０と、第１給電棒４３と、高周波伝達経路１０２と、第１シールドボックス４０と、シールド部材４４と、第１駆動源６０と、を備える。成膜室１０は、内部を真空状態にして基板にスパッタ処理を行う部材である。カソード２０は、成膜室１０に配置され、スパッタ処理時に外部電源から電力が伝達される部材である。基板電極５０は、成膜室１０に配置され、基板にバイアス電圧を印加する部材である。第１給電棒４３は、基板電極５０に電気的に接続され、成膜室１０の外側から基板電極５０に高周波電力を伝達する部材である。高周波伝達経路１０２は、第１給電棒４３に高周波電力を伝達する部材である。第１シールドボックス４０は、高周波伝達経路１０２を収容し、高周波伝達経路１０２からの電磁波の漏洩を防止する部材である。シールド部材４４は、第１給電棒４３を外側から囲む筒状の部材であって、第１給電棒４３と電気的に絶縁された状態で第１給電棒４３に固定されている。第１駆動源６０は、シールド部材４４および第１給電棒４３を第１シールドボックス４０に対して上下に一体的に摺動させるように駆動する。第１シールドボックス４０において、シールド部材４４を摺動可能に通す開口部１０４を設けている。
【００３５】
このような構成によれば、基板電極５０への高周波印加において、摺動部であるシールド部材４４と開口部１０４を有する高周波シールド構造を有することができ、電磁波の漏洩を精度良く防止することができる。
【００３６】
また実施の形態１のスパッタリング装置１００によれば、第１駆動源６０は、シールド部材４４に固定されたスライドプレート６２を有する。スライドプレート６２は、第１給電棒４３を外側から囲んで固定する絶縁シャフト６３を備える。このような構成によれば、スライドプレート６２を用いることで、シールド部材４４と第１給電棒４３を簡単な構成で駆動することができる。
【００３７】
また実施の形態１のスパッタリング装置１００によれば、スライドプレート６２と成膜室１０の間にはベローズ６４が設けられている。このような構成によれば、ベローズ６４を設けることで、電磁波の漏洩を抑制しながらシールド部材４４と第１給電棒４３の摺動を行うことができる。
【００３８】
また実施の形態１のスパッタリング装置１００は、高周波伝達経路１０２と外部の高周波電源とのインピーダンス整合を行うマッチングボックス３０をさらに備える。このような構成によれば、高周波電力をより効率的に伝達することができる。
【００３９】
また実施の形態１のスパッタリング装置１００によれば、高周波伝達経路１０２は、出力板４１と、給電板４２と、を有する。出力板４１は、マッチングボックス３０から高周波電力が供給される部材である。給電板４２は、出力板４１と第１給電棒４３に接続されて、第１給電棒４３の位置に追従して形状変化可能な部材である。このような構成によれば、高周波電力をより効率的に伝達することができる。
【００４０】
また実施の形態１のスパッタリング装置１００によれば、第１シールドボックス４０は、フランジ４５と、コイルスプリング型導電性リング４６とを有する。フランジ４５は、開口部１０４に取付けられ、シールド部材４４を囲む部材である。コイルスプリング型導電性リング４６は、フランジ４５の内溝に取り付けられ、シールド部材４４と密着して第１シールドボックス４０とシールド部材４４の導通を確保する部材である。このような構成によれば、コイルスプリング型導電性リング４６を用いて開口部１０４を封止することにより、低摩耗性および長寿命化を実現することができ、さらにシール性を安定化させることができる。
【００４１】
また実施の形態１のスパッタリング装置１００によれば、フランジ４５の内溝の幅は、コイルスプリング型導電性リング４６のコイル径に対して隙間が０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下になるように設定される。このような構成によれば、コイルスプリング型導電性リング４６の破損を抑制し、品質の劣化を抑制することができる。
【００４２】
（実施の形態２）
図４Ａ、図４Ｂに本発明の実施の形態２における高周波印加機構およびスパッタリング装置２００を示す。
【００４３】
図４Ａ、図４Ｂに示すように、スパッタリング装置２００は、実施の形態１と同じ構成に加えて、第２シールドボックス６０１と、第２駆動源６０２と、主軸ギヤ６０３と、受動軸ギヤ６０４と、第２給電棒６０５と、磁性流体シール６０６と、絶縁シャフト６０７と、絶縁フランジ６０８と、第２出力板６０９と、軸受け６１０とを備える。
【００４４】
第２シールドボックス６０１は、駆動源６０及び台形ネジ６１に接続される部材である。第２駆動源６０２は、第２シールドボックス６０１に固定される部材である。主軸ギヤ６０３は、第２駆動源６０２の主軸に取付く部材である。受動軸ギヤ６０４は、主軸ギヤ６０３からの回転を伝達する部材である。第２給電棒６０５は、基板電極５０と接続する部材である。磁性流体シール６０６は、第２シールドボックス６０１とベローズ６４に連結して軸回転駆動と真空シールを両立させる部材である。絶縁シャフト６０７は、第２給電棒６０５を非導通で磁性流体シール６０６に固定する部材である。絶縁フランジ６０８は、給電棒４３を第２シールドボックス６０１に非導通で固定する部材である。第２出力板６０９は、給電棒４３からの高周波電力が供給される部材である。軸受け６１０は、第２給電棒６０５の回転支持と第２出力板６０９からの高周波電力を伝達する部材である。
【００４５】
受動軸ギヤ６０４が絶縁シャフト６０７に取付くため、第２駆動源６０２の動作時は絶縁シャフト６０７と第２給電棒６０５が一体になって主軸ギヤ６０３から回転が伝達される。これにより、基板電極５０が回転する回転直進導入を持った高周波印加機構を構成することができる。
【００４６】
上述したように、実施の形態２のスパッタリング装置は、第２シールドボックス６０１と、第２駆動源６０２と、を有する。第２シールドボックス６０１は、第１給電棒４３の上端を収容するとともにシールド部材４４が取り付けられ、内部からの電磁波の漏洩を防止する部材である。第２給電棒６０５は、第２シールドボックス６０１の内部で第１給電棒４３に電気的に接続されており、基板電極５０の下面に接続されるように延びる部材である。第２駆動源６０２は、第２給電棒６０５を回転させることで基板電極５０を回転させる部材である。このような構成において、第１駆動源６０は、シールド部材４４が取り付けられた第２シールドボックス６０１を上下に移動させることで、シールド部材４４と第１給電棒４３とを一体的に移動させる。
【００４７】
このような構成によれば、基板電極５０を上下させる機能に加えて回転させる機能を発揮することができる。
【００４８】
また実施の形態２のスパッタリング装置によれば、第２シールドボックス６０１と成膜室１０の間には、第２給電棒６０５を取り囲む磁性流体シール６０６が設けられている。このような構成によれば、回転駆動と真空シールを両立させることができる。
【００４９】
なお、実施の形態２では、磁性流体による液体の真空シール及び回転伝達構造を用いたが、非接触式の磁気継手を用いた隔壁回転伝達の構造でも良い。
【００５０】
また実施の形態２では、ギヤの伝達によって第２給電棒６０５及び絶縁シャフト６０７を回転させる構造としたが、このような場合に限らない。絶縁部材を介して第２駆動源６０２と第２給電棒６０５を接続し、直接回転を伝達させる構造でも良い。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の高周波印加機構及びスパッタリング装置は真空中の基板に高周波を印加する構造のため、エッチング装置等のプラズマ処理装置にも適用できる。
【符号の説明】
【００５２】
１０  成膜室
２０  カソード
３０  マッチングボックス
４０  シールドボックス（第１シールドボックス）
４１  出力板
４２  給電板
４３  給電棒（第１給電棒）
４４  シールド部材
４５  フランジ
４６  コイルスプリング型導電性リング
５０  基板電極
６０  駆動源（第１駆動源）
６１  台形ネジ
６２  スライドプレート
６３  絶縁シャフト
６４  ベローズ
１００  スパッタリング装置
１０２  高周波伝達経路
１０４  開口部
２００  スパッタリング装置
６０１  第２シールドボックス
６０２  第２駆動源
６０３  主軸ギヤ
６０４  受動軸ギヤ
６０５  第２給電棒
６０６  磁性流体シール
６０７  絶縁シャフト
６０８  絶縁フランジ
６０９  第２出力板
６１０  軸受け
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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