(57)【要約】      （修正有）【課題】微細ピッチの回路を含むプリント回路基板を提供する。【解決手段】プリント回路基板は、第１絶縁層１１０と、前記第１絶縁層上に積層された軟性素材の第２絶縁層１２０と、第１絶縁層１１０の下面に形成され、第１絶縁層１１０に埋め込まれた第１回路２１０と、第２絶縁層１２０の下面に形成され、第１絶縁層１１０に埋め込まれた第２回路２２０と、第２絶縁層１２０の上面に形成された第３回路２３０と、を含む。第２回路２２０のピッチ（ｐｉｔｃｈ）は、第１回路２１０のピッチより小さい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に積層された軟性素材の第２絶縁層と、
前記第１絶縁層の下面に形成され、前記第１絶縁層に埋め込まれた第１回路と、
前記第２絶縁層の下面に形成され、前記第１絶縁層に埋め込まれた第２回路と、
前記第２絶縁層の上面に形成された第３回路と、を含み、
前記第２回路のピッチ（ｐｉｔｃｈ）は、前記第１回路のピッチより小さいプリント回路基板。
【請求項２】
前記第３回路のピッチは、前記第１回路のピッチより小さい請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記第３回路は、前記第２絶縁層の上面から外側に突出した請求項１又は２に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記第１絶縁層は、硬性素材で形成された請求項１〜３の何れか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記第１絶縁層を貫通して前記第１回路と前記第２回路とを電気的に接続させる第１ビアと、
前記第２絶縁層を貫通して前記第２回路と前記第３回路とを電気的に接続させる第２ビアと、をさらに含む請求項１〜４の何れか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記第１ビアの溶融点は、前記第１回路の溶融点より低い請求項５に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記第１ビアの溶融点は、前記第２ビアの溶融点より低い請求項５又は６に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
前記第１ビアの下面に第１パッドが結合し、
前記第２ビアの下面に第２パッドが結合し、
前記第２ビアの上面に第３パッドが結合し、
前記第１パッド及び前記第２パッドは、前記第１絶縁層の内部に埋め込まれ、
前記第３パッドは、前記第２ビアの上面から外側に突出する請求項５〜７の何れか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項９】
前記第１パッド及び前記第３パッドに接続部材がそれぞれ結合する請求項８に記載のプリント回路基板。
【請求項１０】
前記第１絶縁層の下面及び前記第２絶縁層の上面にそれぞれ積層されるソルダーレジスト層をさらに含む請求項１〜９の何れか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項１１】
前記第１絶縁層の下面に積層された絶縁材をさらに含み、
前記第１回路は、前記絶縁材の上面に位置する請求項１〜１０の何れか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項１２】
前記絶縁材の内部には補強材が含まれる請求項１１に記載のプリント回路基板。
【請求項１３】
前記絶縁材の下面に積層された硬性素材の第３絶縁層と、
前記第３絶縁層の下面に積層された軟性素材の第４絶縁層と、をさらに含む請求項１１又は１２に記載のプリント回路基板。
【請求項１４】
前記第３絶縁層に埋め込まれるように前記絶縁材の下面に形成される第４回路と、
前記第３絶縁層に埋め込まれるように前記第４絶縁層の一面に形成される第５回路と、をさらに含み、
前記第５回路のピッチは、前記第４回路のピッチより小さい請求項１３に記載のプリント回路基板。
【請求項１５】
前記第５回路とは反対側に位置するように、前記第４絶縁層の他面に外側に突出して形成される第６回路をさらに含み、
前記第６回路のピッチは、前記第４回路のピッチより小さい請求項１４に記載のプリント回路基板。
【請求項１６】
前記第１回路と前記第４回路とを電気的に接続するために前記絶縁材を貫通する貫通ビアをさらに含む請求項１４又は１５に記載のプリント回路基板。
【請求項１７】
前記第２絶縁層の上面及び前記第４絶縁層の下面にそれぞれ積層されるソルダーレジスト層をさらに含む請求項１３〜１６の何れか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項１８】
前記第１絶縁層及び第２絶縁層を一括貫通し、前記第１回路に電気的に接続されるビアをさらに含む請求項１１〜１７の何れか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項１９】
前記ビアの溶融点は、前記第１回路の溶融点より小さい請求項１８に記載のプリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
パッケージ用プリント回路基板において薄い厚さ、小さいサイズを有することが要求されており、プリント回路基板に形成される配線も微細ピッチを有することが要求されている。基板の厚さは、コアレス（ｃｏｒｅｌｅｓｓ）工法等を用いたり、薄い資材等を用いたりすることで小さく制御可能である。また配線の幅や間隔（ｓｐａｃｅ）は、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）やＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）工法等により微細ピッチ（ｐｉｔｃｈ）を有するように制御可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】韓国登録特許第１０−１５９３２８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、微細ピッチの回路を含むプリント回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面によれば、第１絶縁層と、上記第１絶縁層上に積層された軟性素材の第２絶縁層と、上記第１絶縁層の下面に形成され、上記第１絶縁層に埋め込まれた第１回路と、上記第２絶縁層の下面に形成され、上記第１絶縁層に埋め込まれた第２回路と、上記第２絶縁層の上面に形成された第３回路と、を含み、上記第２回路のピッチ（ｐｉｔｃｈ）が上記第１回路のピッチより小さいプリント回路基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図２】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図３】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図４】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図５】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図６】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図７】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図８】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。
【０００８】
また、以下で使用する「第１」、「第２」等の用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が第１、第２等の用語により限定されることはない。
【０００９】
また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用される。
【００１０】
図１は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【００１１】
図１を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、第１回路２１０、第２回路２２０、及び第３回路２３０を含む。
【００１２】
第１絶縁層１１０は、絶縁性を有する層であって、絶縁物質を主な材料とする。第１絶縁層１１０は、屈曲性の低い硬性素材（硬質材料）で形成することができる。例えば、硬性素材としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ＢＴ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂には、例えば、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、環型脂肪族系エポキシ樹脂、シリコン系エポキシ樹脂、窒素系エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００１３】
第１絶縁層１１０は、ガラスクロス（ｇｌａｓｓ  ｃｌｏｔｈ）等の繊維補強材が含有されたプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ；ＰＰＧ）で形成できる。また、第１絶縁層１１０は、シリカ等の無機フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）が含有されたビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  ｆｉｌｍ）で形成できる。このようなビルドアップフィルムとしては、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）等を用いることができる。
【００１４】
第２絶縁層１２０は、絶縁性を有する層であって、絶縁物質を主な材料とする。第２絶縁層１２０は、第１絶縁層１１０上に積層される。この場合、第１絶縁層１１０と第２絶縁層１２０とは互いに接触する。
【００１５】
第２絶縁層１２０は、屈曲性の高い軟性素材（軟質材料）で形成することができる。軟性素材としては、ポリイミド（ＰＩ）、液晶ポリマー（ＬＰＣ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）等を用いることができる。
【００１６】
第１回路２１０、第２回路２２０、及び第３回路２３０は、電気信号を伝達する役割を担い、電気伝導特性を考慮して銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属またはこれらの合金からなることができる。
【００１７】
第１回路２１０、第２回路２２０及び第３回路２３０はそれぞれ導体線からなることができ、上記導体線は、複数であることができる。
【００１８】
第１回路２１０は、第１絶縁層１１０の下面に形成され、第１絶縁層１１０に埋め込まれる回路である。第１回路２１０は、第１絶縁層１１０に埋め込まれるので、第１回路２１０の下面（図１では下側に位置する面）を除いた残りの面は、第１絶縁層１１０と接触する。一方、第１回路２１０の下面は、第１絶縁層１１０の下面よりも第１絶縁層１１０の内側に位置することができる。
【００１９】
第２回路２２０は、第２絶縁層１２０の下面に形成され、第１絶縁層１１０に埋め込まれる回路である。第２回路２２０の上面（図１では上側に位置する面）は、第２絶縁層１２０の下面と接触し、第２回路２２０の上面を除いた残りの面は、第１絶縁層１１０と接触する。
【００２０】
第３回路２３０は、第２絶縁層１２０の上面に形成される回路である。第３回路２３０は、第２絶縁層１２０の上面と接触し、第２絶縁層１２０の上面から外側に突出する。
【００２１】
第２回路２２０のピッチ（ｐｉｔｃｈ）は、第１回路２１０のピッチより小さい。また、第２回路２２０の幅は、第１回路２１０の幅よりも小さく、第２回路２２０の間隔は、第１回路２１０の間隔よりも狭く形成されることができる。
【００２２】
ここで、「回路のピッチ」とは、回路をなす導体線間の中心間距離を意味することができる。また「回路の幅」とは、回路をなす導体線の幅を意味し、「回路の間隔」とは、回路をなす導体線間の離隔距離（互いに向い合う内側部間の距離）（ｓｐａｃｅ）を意味する。
【００２３】
また、第３回路２３０のピッチは、第１回路２１０のピッチより小さいことが可能である。そして、第３回路２３０の幅は、第１回路２１０の幅よりも小さく、第３回路２３０の間隔は、第１回路２１０の間隔よりも狭く形成されることができる。
【００２４】
例えば、第２回路２２０及び第３回路２３０のピッチは、約２０μｍであり、第１回路２１０のピッチはそれよりも大きく形成されることができる。
【００２５】
すなわち、第２回路２２０及び第３回路２３０は、第１回路２１０に比べて高密度で形成されることができる。また、第２回路２２０及び第３回路２３０は、第１回路２１０に比べて微細に形成されることができる。
【００２６】
図１を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、第１ビア３１０及び第２ビア３２０をさらに含むことができる。
【００２７】
第１ビア３１０は第１絶縁層１１０を貫通し、第１回路２１０と第２回路２２０とを電気的に接続する伝導性構造体である。また、第２ビア３２０は、第２絶縁層１２０を貫通し、第２回路２２０と第３回路２３０とを電気的に接続する伝導性構造体である。
【００２８】
第１ビア３１０の溶融点は、第１回路２１０の溶融点より低いことが可能である。第１ビア３１０は、伝導性ペースト（ｐａｓｔｅ）で形成することができる。ここで伝導性ペーストは、金属を含有するペースト、または金属成分のない伝導性高分子で構成されたペーストを用いることができる。前者の伝導性ペーストに含有される金属としては、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）のうちの１種以上を用いることができる。例えば、第１回路２１０が銅を主成分とし、第１ビア３１０が錫を主成分とすることができる。このような伝導性ペーストは、ビアホール内に充填された後にリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）処理または加熱／冷却工程を経て金属化が行われ、第１ビア３１０となる。
【００２９】
第１ビア３１０の横断面積は、第１絶縁層１１０の下面から上面に行くほど大きくなることができる。この場合、第１ビア３１０の縦断面は逆台形の形状を有することができる。
【００３０】
第１回路２１０は、第１パッド４１０を含むことができ、第１パッド４１０は、第１回路２１０と同様に、第１絶縁層１１０の下面に第１絶縁層１１０へ埋め込まれるように形成されることができる。第１パッド４１０は、第１回路２１０をなす導体線の端部に形成されることができる。第１パッド４１０の厚さは、第１回路２１０の厚さと実質的に同一であり、第１パッド４１０の幅は、第１回路２１０の幅よりも大きく形成することができ、第１パッド４１０の横断面は円形に近い形状を有することができる。
【００３１】
第１ビア３１０は、第１パッド４１０と接触することができる。特に、第１ビア３１０の下面は、第１パッド４１０の上面と接触することができる。
【００３２】
第２ビア３２０の溶融点は、第１ビア３１０の溶融点よりも高いことが可能である。例えば、第２ビア３２０は、銅を主成分とし、第１ビア３１０は、錫を主成分とすることができる。また第２ビア３２０は、メッキで形成されたメッキビアであることができる。
【００３３】
第２ビア３２０は、第２絶縁層１２０の上面から下面まで貫通することができる。第２ビア３２０の横断面積は、第２絶縁層１２０の上面から下面に行くほど小さくなってから再び大きくなることができるが、これに限定されない。
【００３４】
第２回路２２０は、第２パッド４２０を含むことができ、第２パッド４２０は、第２回路２２０と同様に、第２絶縁層１２０の下面に第１絶縁層１１０へ埋め込まれるように形成されることができる。第２パッド４２０は、第２回路２２０をなす導体線の端部に形成されることができる。第２パッド４２０の厚さは、第２回路２２０の厚さと実質的に同一であり、第２パッド４２０の幅は、第２回路２２０の幅よりも大きいことが可能であり、第２パッド４２０の横断面は、円形に近い形状を有することができる。
【００３５】
第１ビア３１０は、第２パッド４２０と接触することができる。第１ビア３１０の上面は、第２パッド４２０の下面と接触することができる。また、第２ビア３２０は、第２パッド４２０と接触することができる。第２ビア３２０の下面は、第２パッド４２０の上面と接触することができる。
【００３６】
第３回路２３０は、第３パッド４３０を含むことができ、第３パッド４３０は、第３回路２３０と同様に、第２絶縁層１２０の上面に外側に突出するように形成されることができる。第３パッド４３０は第３回路２３０をなす導体線の端部に形成されることができる。  第３パッド４３０の厚さは、第３回路２３０の厚さと実質的に同一であり、第３パッド４３０の幅は、第３回路２３０の幅よりも大きく形成されることができ、第３パッド４３０の横断面は、円形に近い形状を有することができる。
【００３７】
第２ビア３２０は、第３パッド４３０と接触することができる。第２ビア３２０の上面は、第３パッド４３０の下面と接触することができる。
【００３８】
例えば、電気信号は、「第１回路２１０−第１パッド４１０−第１ビア３１０−第２パッド４２０−第２回路２２０」、または「第１回路２１０−第１パッド４１０−第１ビア３１０−第２パッド４２０−第２ビア３２０−第３パッド４３０−第３回路２３０」等の経路に沿って伝達されることができる。
【００３９】
一方、第１パッド４１０及び第３パッド４３０には接続部材５００が結合できる。接続部材５００としては、ソルダーバンプ（ｓｏｌｄｅｒ  ｂｕｍｐ）またはソルダーボール（ｓｏｌｄｅｒ  ｂａｌｌ）を用いることができる。この接続部材５００は、プリント回路基板と電子素子（または外部基板）とを電気的に接続し、物理的に接合させる役割を担う。すなわち、プリント回路基板は、接続部材５００を媒介にして電子素子（または外部基板）と互いに結合する。
【００４０】
例えば、プリント回路基板の上側に位置した接続部材５００（第３パッド４３０に結合した接続部材５００）には電子素子が結合し、プリント回路基板の下側に位置した接続部材５００（第１パッド４１０に結合した接続部材５００）には外部基板が結合することができる。この場合、電気信号は、「外部基板−接続部材５００−第１パッド４１０−第１ビア３１０−第２パッド４２０−第２ビア３２０−第３パッド４３０−接続部材５００−電子素子」等の経路に沿って伝達されることができる。
【００４１】
第１絶縁層１１０の下面及び第２絶縁層１２０の上面にはそれぞれソルダーレジスト層６００を積層できる。ソルダーレジスト層６００は、第１回路２１０及び第３回路２３０を保護することができる。一方、ソルダーレジスト層６００には、第１パッド４１０及び第３パッド４３０の一部を露出する開口（ビアホール）を形成でき、上記開口内に接続部材５００が結合できる。
【００４２】
図２は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【００４３】
図２を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、絶縁材１００、第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、第３絶縁層１３０、第４絶縁層１４０、第１回路２１０、第２回路２２０、第３回路２３０、第４回路２４０、第５回路２５０、第６回路２６０を含む。
【００４４】
絶縁材１００は、プリント回路基板のコア（ｃｏｒｅ）となる部分であって、プリント回路基板を支持する部分である。絶縁材１００は、エポキシ樹脂等の絶縁素材で構成されることができ、内部に補強材１００ａを含有することができる。補強材１００ａは、ガラスクロス（ｇｌａｓｓ  ｃｌｏｔｈ）等の繊維補強材であることができる。絶縁材１００は、銅張積層板（ＣＣＬ）において銅箔を除いた残りの部分であり得る。
【００４５】
絶縁材１００の一面には第１絶縁層１１０を積層できる。絶縁材１００の上面に第１絶縁層１１０を積層できる。この場合、第１絶縁層１１０の下面と絶縁材１００とが接触することができる。また、第１絶縁層１１０の上には第２絶縁層１２０を積層できる。
【００４６】
一方、絶縁材１００の他面には第３絶縁層１３０を積層できる。この場合、第３絶縁層１３０の上面と絶縁材１００とが接触することができる。また、第３絶縁層１３０の下には第４絶縁層１４０を積層できる。
【００４７】
第１絶縁層１１０と第３絶縁層１３０とが実質的に同一であり、第２絶縁層１２０と第４絶縁層１４０とが実質的に同一であって、プリント回路基板は、絶縁材１００を基準にして対称をなすことができる。
【００４８】
しかし、この構造に限定されず、絶縁材１００の上方に第１絶縁層１１０及び第２絶縁層１２０が積層され、絶縁材１００の下方に第３絶縁層１３０のみ積層されて、プリント回路基板が絶縁材１００を基準にして非対称になることもできる。また、絶縁材１００の上方に第１絶縁層１１０及び第２絶縁層１２０が積層され、絶縁材１００の下方に第３絶縁層１３０及び第４絶縁層１４０が積層されても、第１絶縁層１１０と第３絶縁層１３０とが（素材や厚さ等の部分）実質的に同一ではないこともあり、第２絶縁層１２０と第４絶縁層１４０とが（素材や厚さ等の部分）実質的に同一ではないこともある。
【００４９】
以下では、第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、第３絶縁層１３０、及び第４絶縁層１４０についてさらに説明する。但し、第１絶縁層１１０及び第２絶縁層１２０については、図１を参照して上述したので、省略する。
【００５０】
第３絶縁層１３０は、絶縁性を有する層であって、絶縁物質を主な材料とする。第３絶縁層１３０は、屈曲性の低い硬性素材（硬質材料）により形成されることができる。例えば、硬性素材としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ＢＴ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、環型脂肪族系エポキシ樹脂、シリコン系エポキシ樹脂、窒素系エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂を用いることができるが、これらに限定されない。
【００５１】
第３絶縁層１３０は、ガラスクロス（ｇｌａｓｓ  ｃｌｏｔｈ）等の繊維補強材が含有されたプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇと、ＰＰＧ）で形成されることができる。また、第３絶縁層１３０は、シリカ等の無機フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）が含有されたビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  ｆｉｌｍ）で形成されることができる。このビルドアップフィルムとしては、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）等を用いることができる。
【００５２】
第４絶縁層１４０は、絶縁性を有する層であって絶縁物質を主な材料とする。第４絶縁層１４０は、屈曲性の高い軟性素材（軟質材料）で形成することができる。軟性素材としては、ポリイミド（ＰＩ）、液晶ポリマー（ＬＰＣ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）等を用いることができる。
【００５３】
第１回路２１０、第２回路２２０、第３回路２３０、第４回路２４０、第５回路２５０、及び第６回路２６０は、電気信号を伝達する役割を担い、電気伝導特性を考慮して銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属またはこれらの合金からなることができる。
【００５４】
第１回路２１０、第２回路２２０、第３回路２３０、第４回路２４０、第５回路２５０、及び第６回路２６０はそれぞれ導体線からなることができ、上記導体線は、複数であることができる。
【００５５】
第１回路２１０は、第１絶縁層１１０の下面に形成され、第１絶縁層１１０に埋め込まれる回路である。第１回路２１０が第１絶縁層１１０に埋め込まれるので、第１回路２１０の下面（図２では下側に位置する面）を除いた残りの面は、第１絶縁層１１０と接触する。
【００５６】
また、第１回路２１０は、絶縁材１００の一面（上面）に形成される。
【００５７】
第２回路２２０は、第２絶縁層１２０の下面に形成され、第１絶縁層１１０に埋め込まれる回路である。第２回路２２０の上面（図２では上側に位置する面）は、第２絶縁層１２０の下面と接触し、第２回路２２０の上面を除いた残りの面は、第１絶縁層１１０と接触する。
【００５８】
第３回路２３０は、第２絶縁層１２０の上面に形成される回路である。第３回路２３０は、第２絶縁層１２０の上面と接触し、第２絶縁層１２０の上面から外側に突出する。
【００５９】
第２回路２２０のピッチ（ｐｉｔｃｈ）は、第１回路２１０のピッチより小さい。また、第２回路２２０の幅は、第１回路２１０の幅よりも小さく、第２回路２２０の間隔は、第１回路２１０の間隔よりも狭く形成可能である。
【００６０】
また、第３回路２３０のピッチは、第１回路２１０のピッチより小さいことが可能である。そして、第３回路２３０の幅は、第１回路２１０の幅よりも小さく、第３回路２３０の間隔は、第１回路２１０の間隔よりも狭く形成可能である。
【００６１】
例えば、第２回路２２０及び第３回路２３０のピッチは、約２０μｍであり、第１回路２１０のピッチはそれよりも大きいことが可能である。
【００６２】
すなわち、第２回路２２０及び第３回路２３０は、第１回路２１０に比べて高密度に形成できる。また、第２回路２２０及び第３回路２３０は、第１回路２１０に比べて微細に形成できる。
【００６３】
第４回路２４０は、絶縁材１００の他面（下面）に形成され、第３絶縁層１３０に埋め込まれる回路である。第４回路２４０は、第３絶縁層１３０に埋め込まれるので、第４回路２４０の上面（図２では上側に位置する面）を除いた残りの面は、第３絶縁層１３０と接触する。
【００６４】
第５回路２５０は、第３絶縁層１３０の下面に形成され、第３絶縁層１３０に埋め込まれる回路である。第５回路２５０の下面（図２では下側に位置する面）を除いた残りの面は第３絶縁層１３０と接触する。第５回路２５０は、第４絶縁層１４０の一面（上面）に位置する。
【００６５】
第６回路２６０は、第４絶縁層１４０の他面（下面）に形成される回路である。第６回路２６０は、第４絶縁層１４０の下面と接触し、第４絶縁層１４０の他面（下面）から外側に突出する。
【００６６】
第５回路２５０のピッチ（ｐｉｔｃｈ）は、第４回路２４０のピッチより小さい。また、第５回路２５０の幅は第４回路２４０の幅より小さく、第５回路２５０の間隔は第４回路２４０の間隔より狭く形成できる。
【００６７】
また、第６回路２６０のピッチは、第４回路２４０のピッチよりも小さく形成できる。また、第６回路２６０の幅は第４回路２４０の幅よりも小さく、第６回路２６０の間隔は、第４回路２４０の間隔よりも狭く形成できる。
【００６８】
例えば、第５回路２５０及び第６回路２６０のピッチは、約２０μｍであり、第４回路２４０のピッチはそれよりも大きいことが可能である。
【００６９】
すなわち、第５回路２５０及び第６回路２６０は、第４回路２４０に比べて高密度に形成できる。また、第５回路２５０及び第６回路２６０は、第４回路２４０に比べて微細に形成できる。
【００７０】
第１回路２１０と第４回路２４０とが互いに対称であり、第２回路２２０と第５回路２５０とが互いに対称であり、第３回路２３０と第６回路２６０とが互いに対称であることができる。
【００７１】
図２を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、貫通ビア１００ｂ、第１ビア３１０、第２ビア３２０、第３ビア３３０、及び第４ビア３４０をさらに含むことができる。
【００７２】
貫通ビア１００ｂは、絶縁材１００を貫通して第１回路２１０と第４回路２４０とを電気的に接続する。貫通ビア１００ｂは、メッキビアであることができ、第１回路２１０と同じ金属で形成できる。貫通ビア１００ｂは、絶縁材１００の一面から他面まで貫通することができ、貫通ビア１００ｂの横断面積は、絶縁材１００の一面から他面に行くほど小さくなってから再び大きくなることができる。貫通ビア１００ｂの上面は、第１回路２１０の第１パッド４１０と接触し、貫通ビア１００ｂの下面は、第４回路２４０の第４パッド４４０と接触することができる。
【００７３】
第１ビア３１０は、第１絶縁層１１０を貫通して第１回路２１０と第２回路２２０とを電気的に接続する伝導性構造体である。また、第２ビア３２０は、第２絶縁層１２０を貫通して第２回路２２０と第３回路２３０とを電気的に接続する伝導性構造体である。
【００７４】
第１ビア３１０の溶融点は、第１回路２１０の溶融点より低いことが可能である。第１ビア３１０は、伝導性ペースト（ｐａｓｔｅ）で形成できる。ここで、伝導性ペーストとは、金属を含有するペースト、または金属成分のない伝導性高分子で構成されたペーストであることができる。前者の伝導性ペーストに含有される金属は、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）のうちの１種以上であることができる。例えば、第１回路２１０が銅を主成分とし、第１ビア３１０が錫を主成分とすることができる。この伝導性ペーストは、ビアホール内に充填された後にリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）処理または加熱／冷却工程を経て金属化が行われ、第１ビア３１０となることができる。
【００７５】
第１ビア３１０の横断面積は、第１絶縁層１１０の下面から上面に行くほど大きくなることができる。この場合、第１ビア３１０の縦断面は、逆台形の形状を有することができる。
【００７６】
第１回路２１０は、第１パッド４１０を含むことができ、第１パッド４１０は、第１回路２１０と同様に、第１絶縁層１１０の下面に第１絶縁層１１０へ埋め込まれるように形成できる。第１パッド４１０は、第１回路２１０をなす導体線の端部に形成できる。第１パッド４１０の厚さは、第１回路２１０の厚さと実質的に同一であり、第１パッド４１０の幅は、第１回路２１０の幅よりも大きいことが可能であり、第１パッド４１０の横断面は、円形に近い形状を有することができる。
【００７７】
第１ビア３１０は、第１パッド４１０と接触することができる。特に、第１ビア３１０の下面は第１パッド４１０の上面と接触することができる。また、上述したように、第１パッド４１０は貫通ビア１００ｂと接触することができる。
【００７８】
第２ビア３２０の溶融点は、第１ビア３１０の溶融点よりも高いことが可能である。例えば、第２ビア３２０は銅を主成分とし、第１ビア３１０は錫を主成分とすることができる。また第２ビア３２０は、メッキで形成されたメッキビアであることができる。
【００７９】
第２ビア３２０は、第２絶縁層１２０の上面から下面まで貫通することができる。第２ビア３２０の横断面積は、第２絶縁層１２０の上面から下面に行くほど小さくなってから再び大きくなることができるが、これに限定されない。
【００８０】
第２回路２２０は、第２パッド４２０を含むことができ、第２パッド４２０は、第２回路２２０と同様に、第２絶縁層１２０の下面に第１絶縁層１１０へ埋め込まれるように形成できる。第２パッド４２０は、第２回路２２０をなす導体線の端部に形成できる。第２パッド４２０の厚さは、第２回路２２０の厚さと実質的に同一であり、第２パッド４２０の幅は、第２回路２２０の幅よりも大きいことが可能であり、第２パッド４２０の横断面は円形に近い形状を有することができる。
【００８１】
第１ビア３１０は、第２パッド４２０と接触することができる。第１ビア３１０の上面は、第２パッド４２０の下面と接触することができる。また、第２ビア３２０は、第２パッド４２０と接触することができる。第２ビア３２０の下面は、第２パッド４２０の上面と接触することができる。
【００８２】
第３回路２３０は、第３パッド４３０を含むことができ、第３パッド４３０は、第３回路２３０と同様に、第２絶縁層１２０の上面に外側に突出して形成できる。第３パッド４３０は、第３回路２３０をなす導体線の端部に形成できる。第３パッド４３０の厚さは、第３回路２３０の厚さと実質的に同一であり、第３パッド４３０の幅は、第３回路２３０の幅より大きいことが可能であり、第３パッド４３０の横断面は円形に近い形状を有することができる。
【００８３】
第２ビア３２０は、第３パッド４３０と接触することができる。第２ビア３２０の上面は、第３パッド４３０の下面と接触することができる。
【００８４】
第３ビア３３０は、第３絶縁層１３０を貫通して第４回路２４０と第５回路２５０とを電気的に接続する伝導性構造体である。また、第４ビア３４０は、第４絶縁層１４０を貫通して第５回路２５０と第６回路２６０とを電気的に接続する伝導性構造体である。
【００８５】
第３ビア３３０の溶融点は、第４回路２４０の溶融点より低いことが可能である。第３ビア３３０は、伝導性ペースト（ｐａｓｔｅ）で形成することができる。ここで、伝導性ペーストは、金属を含有するペースト、または金属成分のない伝導性高分子で構成されたペーストであることができる。前者の伝導性ペーストに含有される金属は、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）のうちの１種以上であることができる。例えば、第４回路２４０が銅を主成分とし、第３ビア３３０が錫を主成分とすることができる。この伝導性ペーストは、ビアホール内に充填された後にリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）処理または加熱／冷却工程を経て金属化が行われ、第３ビア３３０となることができる。
【００８６】
第３ビア３３０の横断面積は、第３絶縁層１３０の上面から下面に行くほど大きくなることができる。この場合、第３ビア３３０の縦断面は、逆台形の形状を有することができる。  
【００８７】
第４回路２４０は、第４パッド４４０を含むことができ、第４パッド４４０は、第４回路２４０と同様に、絶縁材１００の下面に第３絶縁層１３０へ埋め込まれるように形成できる。第４パッド４４０は、第４回路２４０をなす導体線の端部に形成できる。第４パッド４４０の厚さは、第４回路２４０の厚さと実質的に同一であり、第４パッド４４０の幅は、第４回路２４０の幅よりも大きいことが可能であり、第４パッド４４０の横断面は、円形に近い形状を有することができる。
【００８８】
第３ビア３３０は、第４パッド４４０と接触することができる。特に、第３ビア３３０の上面は、第４パッド４４０の下面と接触することができる。また、上述したように、第４パッド４４０は貫通ビア１００ｂと接触することができる。
【００８９】
第４ビア３４０の溶融点は、第３ビア３３０の溶融点よりも高いことが可能である。例えば、第４ビア３４０は銅を主成分とし、第３ビア３３０は錫を主成分とすることができる。また第４ビア３４０はメッキで形成されたメッキビアであることができる。
【００９０】
第４ビア３４０は、第４絶縁層１４０の上面から下面まで貫通することができる。第４ビア３４０の横断面積は、第４絶縁層１４０の上面から下面に行くほど小さくなってから再び大きくなることができるが、これに限定されない。
【００９１】
第５回路２５０は、第５パッド４５０を含むことができ、第５パッド４５０は、第５回路２５０と同様に、第３絶縁層１３０の下面に第３絶縁層１３０へ埋め込まれるように形成できる。第５パッド４５０は、第５回路２５０をなす導体線の端部に形成できる。第５パッド４５０の厚さは、第５回路２５０の厚さと実質的に同一であり、第５パッド４５０の幅は、第５回路２５０の幅よりも大きいことが可能であり、第５パッド４５０の横断面は、円形に近い形状を有することができる。
【００９２】
第３ビア３３０は、第５パッド４５０と接触することができる。第３ビア３３０の下面は、第５パッド４５０の上面と接触することができる。また、第４ビア３４０は、第５パッド４５０と接触することができる。第４ビア３４０の上面は、第５パッド４５０の下面と接触することができる。
【００９３】
第６回路２６０は、第６パッド４６０を含むことができ、第６パッド４６０は、第６回路２６０と同様に、第４絶縁層１４０の下面に外側に突出するように形成できる。第６パッド４６０は、第６回路２６０をなす導体線の端部に形成できる。第６パッド４６０の厚さは、第６回路２６０の厚さと実質的に同一であり、第６パッド４６０の幅は、第６回路２６０の幅よりも大きいことが可能であり、第６パッド４６０の横断面は、円形に近い形状を有することができる。
【００９４】
第４ビア３４０は、第６パッド４６０と接触することができる。第４ビア３４０の下面は、第６パッド４６０の上面と接触することができる。
【００９５】
例えば、電気信号は、「第６回路２６０−第６パッド４６０−第４ビア３４０−第５パッド４５０−第３ビア３３０−第４パッド４４０−貫通ビア１００ｂ−第１パッド４１０−第１ビア３１０−第２パッド４２０−第２ビア３２０−第３パッド４３０−第３回路２３０」等の経路に沿って伝達されることができる。
【００９６】
一方、第３パッド４３０及び第６パッド４６０には接続部材５００を結合することができる。接続部材５００は、ソルダーバンプ（ｓｏｌｄｅｒ  ｂｕｍｐ）またはソルダーボール（ｓｏｌｄｅｒ  ｂａｌｌ）であることができる。この接続部材５００は、プリント回路基板と電子素子（または外部基板）とを電気的に接続し、物理的に接合させる役割を担う。すなわち、プリント回路基板は、接続部材５００を媒介にして電子素子（または外部基板）と互いに結合する。
【００９７】
例えば、プリント回路基板の上側に位置した接続部材５００（第３パッド４３０に結合した接続部材５００）には電子素子が結合し、プリント回路基板の下側に位置した接続部材５００（第６パッド４６０に結合した接続部材５００）には外部基板が結合できる。この場合、電気信号は、「外部基板−接続部材５００−第６パッド４６０−第４ビア３４０−第５パッド４５０−第３ビア３３０−第４パッド４４０−貫通ビア１００ｂ−第１パッド４１０−第１ビア３１０−第２パッド４２０−第２ビア３２０−第３パッド４３０−接続部材５００−電子素子」等の経路に沿って伝達されることができる。
【００９８】
第４絶縁層１４０の下面及び第２絶縁層１２０の上面にはそれぞれソルダーレジスト層６００が積層されることができる。ソルダーレジスト層６００は、第６回路２６０及び第３回路２３０を保護することができる。一方、ソルダーレジスト層６００には第６パッド４６０及び第３パッド４３０の一部を露出させる開口（ビアホール）を形成でき、上記開口内に接続部材５００が結合できる。
【００９９】
図３は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【０１００】
図３を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、絶縁材１００、第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、第３絶縁層１３０、第４絶縁層１４０、第１回路２１０、第２回路２２０、第３回路２３０、第４回路２４０、第５回路２５０、第６回路２６０を含み、貫通ビア１００ｂ及び一体型ビア３５０、３６０をさらに含むことができる。
【０１０１】
絶縁材１００、第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、第３絶縁層１３０、第４絶縁層１４０、第１回路２１０、第２回路２２０、第３回路２３０、第４回路２４０、第５回路２５０、第６回路２６０及び貫通ビア１００ｂについての説明は上述した内容と同一であるので、省略する。
【０１０２】
一体型ビア３５０は、第１回路２１０に電気的に接続され、第１絶縁層１１０と第２絶縁層１２０とを一括貫通するビアである。また、一体型ビア３６０は、第４回路２４０と電気的に接続され、第３絶縁層１３０と第４絶縁層１４０とを一括貫通するビアである。
【０１０３】
一体型ビア３５０、３６０の溶融点は、第１回路２１０（または第４回路２４０）の溶融点より低いことが可能である。一体型ビア３５０、３６０は、伝導性ペースト（ｐａｓｔｅ）で形成可能である。ここで、伝導性ペーストは、金属を含有するペースト、または金属成分のない伝導性高分子で構成されたペーストであることができる。前者の伝導性ペーストに含有される金属は、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）のうちの１種以上であることができる。例えば、第１回路２１０が銅を主成分とし、一体型ビア３５０、３６０が錫を主成分とすることができる。この伝導性ペーストは、ビアホール内に充填された後にリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）処理または加熱／冷却工程を経て金属化が行われ、一体型ビア３５０、３６０となることができる。
【０１０４】
一体型ビア３５０は、上述の図１及び図２を参照して説明した内容において、第１ビア３１０及び第２ビア３２０がパッドなしで一体に形成されるもののことである。また、一体型ビア３６０は、第３ビア３３０及び第４ビア３４０がパッドなしで一体に形成されるもののことである。
【０１０５】
一体型ビア３５０、３６０は、ソルダーレジスト層６００の開口まで延長できる。また一体型ビア３５０、３６０は、パッドなしで接続部材５００と直接接合することができる。
【０１０６】
図４及び図５は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【０１０７】
図４は、第２絶縁層１２０に第２回路２２０、第３回路２３０、及び第２ビア３２０を形成する工程を示した図であり、図５は、図４で製造されたもの（以下、単位基板と言う）を用いてプリント回路基板を製造する工程を示した図である。
【０１０８】
図４の（ａ）を参照すると、第２絶縁層１２０の両面に金属層Ｍ１の積層された基材にビアホールＶＨ１が形成される。
【０１０９】
第２絶縁層１２０は、上述したように、ＰＩ等の軟性素材で形成されることができる。その他に第２絶縁層１２０についての説明は上述したので、省略する。金属層Ｍ１は、第２回路２２０及び第３回路２３０と同じ金属からなることができる。金属層Ｍ１は、シード層の役割をすることができる。
【０１１０】
ビアホールＶＨ１は、金属層Ｍ１と第２絶縁層１２０とをすべて貫通する。ビアホールＶＨ１は、レーザードリル等により形成可能であり、必要によって金属層Ｍ１の一部をエッチング等により除去した後に第２絶縁層１２０をレーザードリルで穿孔することができる。レーザードリルとしては、ＣＯ２レーザーを用いることができる。
【０１１１】
ビアホールＶＨ１の横断面積は、第２絶縁層１２０の一面から他面に行くほど小さくなってから再び大きくなることができる。特に、レーザードリルによりビアホールが形成される場合、レーザーが照射される面でのホールの横断面積が最も大きいことができる。第２絶縁層１２０は、一面及び他面すべてにレーザーが照射されることにより、図４の（ａ）に示すようなビアホールＶＨ１の形状を形成できる。しかし、この形状に限定されない。図４の（ａ）に示されたものとは異なって、ビアホールの横断面積は、第２絶縁層１２０の一面から他面に行くほど、一定であるか、漸次小さくなるか、または漸次大きくなることができる。
【０１１２】
図４の（ｂ）を参照すると、ビアホールＶＨ１の内部にメッキ層が形成される。メッキ層は、ビアホールＶＨ１の内部にのみ形成されるか、ビアホールＶＨ１の内部だけではなく金属層Ｍ１の表面にも形成されることができる。メッキ層は、金属層Ｍ１と同じ金属からなることができる。メッキ層と金属層Ｍ１との間に境界が生じることもあるが、図面には表示していない。
【０１１３】
図４の（ｃ）を参照すると、第２絶縁層１２０の両面に回路が形成される。第２絶縁層１２０の一面（下面）には第２回路２２０が形成され、第２絶縁層１２０の他面（上面）には第３回路２３０が形成される。一方、第２回路２２０とともに第２パッド４２０も形成され、第３回路２３０とともに第３パッド４３０も形成される。
【０１１４】
第２回路２２０及び第３回路２３０は、ロールツーロール（ｒｏｌｌ  ｔｏ  ｒｏｌｌ）  設備を用いてサブトラクティブ（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法またはテンティング（ｔｅｎｔｉｎｇ）法により形成可能である。ビアホールＶＨ１の内部にのみメッキ層が形成される場合、金属層Ｍ１がエッチングされ、第２回路２２０及び第３回路２３０が形成される。ビアホールＶＨ１の内部及び金属層Ｍ１の表面にメッキ層が形成される場合、金属層Ｍ１及びメッキ層がともにエッチングされ、第２回路２２０及び第３回路２３０が形成される。
【０１１５】
このサブトラクティブ法またはテンティング法により回路を形成する場合、回路は微細ピッチを有することができ、形成費用を低減できる。一方、この方法により回路が形成される場合、回路の側面は傾斜面を有することができ、回路の横断面積は外側に行くほど小さくなることができる。
【０１１６】
図５の（ａ）を参照すると、第１回路２１０が形成される。第１回路２１０は、サブトラクティブ（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法、テンティング（ｔｅｎｔｉｎｇ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）法、またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）法により形成可能である。
【０１１７】
具体的には、ディタッチコア（ｄｅｔａｃｈ  ｃｏｒｅ）（またはキャリア（ｃａｒｒｉｅｒ））Ｄが設けられ、ディタッチコアＤの一面に第１回路２１０が形成される。
【０１１８】
ディタッチコアＤは、最終的に分離可能な（ｄｅｔａｃｈａｂｌｅ）基材であって、絶縁材質層の両面に金属層が形成されたものを用いることができる。また、金属層は、キャリア金属層及びシード金属層Ｓを含むことができ、絶縁材質層にキャリア金属層が積層され、キャリア金属層にシード金属層Ｓが積層されることができる。キャリア金属層の厚さは、シード金属層Ｓの厚さより小さいことが可能である。図５の（ａ）にはキャリア金属層は図示せず、シード金属層Ｓのみが図示されている。
【０１１９】
一方、ディタッチコアを用いる方式は、二つのプリント回路基板を同時に製造できるという利点がある。すなわち、図５の（ａ）に示すように、ディタッチコアＤの一面だけではなく他面にも第１回路２１０のような回路をともに形成することができる。この場合、キャリア金属層とシード金属層ＳはディタッチコアＤの両面に積層される。
【０１２０】
第１回路２１０は、サブトラクティブ（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法またはテンティング（ｔｅｎｔｉｎｇ）法による場合、シード金属層Ｓにメッキ層が形成され、エッチングレジストパターンに対応してメッキ層を選択的にエッチングすることにより形成できる。また、第１回路２１０は、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）による場合、メッキレジストのパターンに対応してシード金属層Ｓ上に選択的にメッキすることにより形成できる。
【０１２１】
第１パッド４１０も第１回路２１０と同じ方法によりともに形成することができる。
【０１２２】
図５の（ｂ）を参照すると、第１絶縁層１１０がディタッチコアＤに積層される。第１絶縁層１１０は、第１回路２１０をカバーする。第１絶縁層１１０は、ディタッチコアＤの一面に積層可能であり、ディタッチコアＤの他面にも第１絶縁層１１０のような絶縁層を積層できる。
【０１２３】
第１絶縁層１１０にはビアホールＶＨ２が形成され、第１パッド４１０の一部を露出させる。ビアホールＶＨ２は、レーザードリルにより形成可能である。レーザードリルとしては、ＣＯ２レーザーを用いることができる。ビアホールＶＨ２の横断面積は、外側から内側に行くほど小さくなることができる。
【０１２４】
図５の（ｃ）を参照すると、ビアホールＶＨ２内に伝導性ペーストＰが充填される。伝導性ペーストＰは、ビアホールＶＨ２内にスクィージング（ｓｑｕｅｅｚｉｎｇ）等の方法により形成される。この伝導性ペーストＰの溶融点は、第１回路２１０の溶融点より低いことが可能である。
【０１２５】
図５の（ｄ）を参照すると、図４の工程により製造された単位基板が第１絶縁層１１０上に積層される。単位基板の第２パッド４２０は、伝導性ペーストＰの上面に位置することができる。
【０１２６】
単位基板は、高温の環境下で第１絶縁層１１０上に加圧積層できるが、伝導性ペーストＰの溶融点以上、第１回路２１０の溶融点未満で加圧することができる。この場合、第１回路２１０、第２回路２２０は、溶融せず、伝導性ペーストＰのみ溶融され、伝導性ペーストＰは冷却時に硬化して第１ビア３１０となる。一連の工程において伝導性ペーストＰは、第１回路２１０と第２回路２２０との接着剤としての役割をする。
【０１２７】
また、図５の（ｄ）工程を経るうちに、第２回路２２０及び第２パッド４２０は第１絶縁層１１０内に埋め込まれる。これのために、図５の（ｄ）工程が始まる時に第１絶縁層１１０は、Ｂ−ｓｔａｇｅ状態であり得る。
【０１２８】
図５の（ｅ）を参照すると、ディタッチコアＤが除去される。ディタッチコアＤが除去される時には、先ずシード金属層Ｓを除いた残りの部分が除去され、その後に、シード金属層Ｓをエッチングにより除去することができる。すなわち、キャリア金属層とシード金属層Ｓとが互いに分離され、プリント回路基板となる部分にシード金属層Ｓが残存し、シード金属層Ｓを別の工程（エッチング）により除去することができる。このとき、シード金属層Ｓのエッチングにより第１回路２１０の下面（ディタッチコア側の面）の一部がエッチングされ得る。
【０１２９】
図５の（ｆ）を参照すると、第１絶縁層１１０及び第２絶縁層１２０のそれぞれにソルダーレジスト層６００が積層され、ソルダーレジスト層６００にビアホールＶＨ３が形成される。ビアホールＶＨ３は、露光及び現像を含むリソグラフィ工程により形成可能である。ビアホールＶＨ３は、第１パッド４１０の一部及び第３パッド４３０の一部を露出することができる。
【０１３０】
図５の（ｇ）を参照すると、ビアホールＶＨ３内にソルダーバンプ、ソルダーボール等の接続部材５００が結合し、接続部材５００は、第１パッド４１０及び第３パッド４３０と接合することができる。
【０１３１】
図６は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。図６は、図４の工程により製造された単位基板を用いるまた他の方式である。
【０１３２】
図６の（ａ）を参照すると、金属層Ｍ２が両面に積層された絶縁材１００が設けられ（ここで、金属層が両面に積層された絶縁材としては両面ＣＣＬを用いることができる）、絶縁材１００にビアホールＶＨ４が形成される。ビアホールＶＨ４は、レーザードリル等により形成可能である。
【０１３３】
図６の（ｂ）を参照すると、ビアホールＶＨ４の内部に貫通ビア１００ｂが形成される。また、絶縁材１００の表面に第１回路２１０、第４回路２４０が形成される。第１回路２１０及び第４回路２４０とともに第１パッド４１０、第４パッド４４０も形成される。
【０１３４】
図６の（ｃ）を参照すると、第１絶縁層１１０及び第３絶縁層１３０が絶縁材１００に積層され、第１絶縁層１１０にビアホールＶＨ５が形成され、第３絶縁層１３０にビアホールＶＨ５'が形成される。
【０１３５】
図６の（ｄ）を参照すると、ビアホールＶＨ５内に伝導性ペーストＰが充填され、ビアホールＶＨ５'内に伝導性ペーストＰ'が充填される。伝導性ペーストＰ、Ｐ'は、スクィージング（ｓｑｕｅｅｚｉｎｇ）等の方法により形成される。この伝導性ペーストＰ、Ｐ'の溶融点は、第１回路２１０（第４回路２４０）の溶融点より低いことが可能である。
【０１３６】
図６の（ｅ）を参照すると、第１絶縁層１１０及び第３絶縁層１３０のそれぞれに単位基板が積層される。単位基板は、上述したように、図４の工程により製造可能である。第１絶縁層１１０には、第２絶縁層１２０を含む単位基板が積層され、第３絶縁層１３０には、第４絶縁層１４０を含む単位基板が積層されることができる。単位基板の積層時、第２パッド４２０は伝導性ペーストＰに対応し、第５パッド４５０は伝導性ペーストＰ'に対応する。
【０１３７】
単位基板は、高温の環境下で第１絶縁層１１０及び第３絶縁層１３０にそれぞれ加圧積層できるが、伝導性ペーストＰ、Ｐ'の溶融点以上、第１回路２１０（第４回路２４０）の溶融点未満で加圧することができる。この場合、第１回路２１０（第４回路２４０）は溶融せず、伝導性ペーストＰ、Ｐ'のみ溶融されて、伝導性ペーストＰは冷却時に硬化して第１ビア３１０となり、伝導性ペーストＰ'は冷却時に硬化して第３ビア３３０となる。
【０１３８】
また、第２回路２２０は、第１絶縁層１１０内に埋め込まれ、第５回路２５０は、第３絶縁層１３０内に埋め込まれる。
【０１３９】
図６の（ｆ）を参照すると、第２絶縁層１２０及び第４絶縁層１４０のそれぞれにソルダーレジスト層６００が積層され、ソルダーレジスト層６００にビアホールＶＨ６が形成される。ビアホールＶＨ６は、露光及び現像を含むリソグラフィ工程により形成できる。ビアホールＶＨ６は、第３パッド４３０の一部及び第６パッド４６０の一部を露出することができる。
【０１４０】
図６の（ｇ）を参照すると、ビアホールＶＨ６内に、ソルダーバンプ、ソルダーボール等の接続部材５００が結合し、接続部材５００は、第３パッド４３０及び第６パッド４６０に接合することができる。接続部材５００は、ソルダー物質がビアホールＶＨ６内に挿入された後にリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）を経て形成されることができる。
【０１４１】
図７及び図８は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【０１４２】
図７は、図４に示されたものとは異なる形態の単位基板を形成する工程を示した図であり、図８は、図７から製造された単位基板を用いてプリント回路基板を製造する工程を示した図である。
【０１４３】
図７を参照すると、第２絶縁層１２０に第２回路２２０及び第３回路２３０を形成し、ビアホールＶＨ７を形成する。この工程でビアホールＶＨ７内にはビアが充填されない。
【０１４４】
図８の（ａ）は、図６の（ａ）と同じであり、図８の（ｂ）は、図６の（ｂ）と同じである。
【０１４５】
図８の（ｃ）及び図８の（ｄ）を参照すると、第１絶縁層１１０及び第３絶縁層１３０が絶縁材１００の両面にそれぞれ積層され、第１絶縁層１１０にビアホールＶＨ５が形成され、第３絶縁層１３０にビアホールＶＨ５'が形成される。第１絶縁層１１０及び第３絶縁層１３０は金属層Ｍ３を含む資材であって、絶縁材１００に積層された後、ビアホールの形成後に金属層Ｍ３をエッチング等の方法により除去できる。
【０１４６】
図８の（ｅ）を参照すると、第１絶縁層１１０及び第３絶縁層１３０のそれぞれに単位基板が積層される。このとき、第２絶縁層１２０に形成されたビアホールＶＨ７は第１絶縁層１１０に形成されたビアホールＶＨ５に対応し、第４絶縁層１４０に形成されたビアホールＶＨ７'は第３絶縁層１３０に形成されたビアホールＶＨ５'に対応する。
【０１４７】
図８の（ｆ）を参照すると、第２絶縁層１２０及び第４絶縁層１４０にソルダーレジスト層６００が形成され、ソルダーレジスト層６００に第１パッド４１０及び第４パッド４４０を露出させる開口が形成された後に、ビアホールＶＨ５、ビアホールＶＨ７及びソルダーレジスト層６００の開口内に、一括して伝導性ペーストが充填される。また、ビアホールＶＨ５'、ビアホールＶＨ７'、及びソルダーレジスト層６００の開口内に一括して伝導性ペーストが充填される。このように一括して充填された伝導性ペーストは、溶融後に冷却して一体型ビア３５０、３６０となる。
【０１４８】
図８の（ｇ）を参照すると、一体型ビア３５０、３６０にソルダーバンプ、ソルダーボール等の接続部材５００が結合する。
【０１４９】
以上では、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載された本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加等により本発明を様々に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。
【符号の説明】
【０１５０】
１００    絶縁材
１００ａ  補強材
１００ｂ  貫通ビア
１１０    第１絶縁層
１２０    第２絶縁層
１３０    第３絶縁層
１４０    第４絶縁層
２１０    第１回路
２２０    第２回路
２３０    第３回路
２４０    第４回路
２５０    第５回路
２６０    第６回路
３１０    第１ビア
３２０    第２ビア
３３０    第３ビア
３４０    第４ビア
３５０、３６０    一体型ビア
４１０    第１パッド
４２０    第２パッド
４３０    第３パッド
４４０    第４パッド
４５０    第５パッド
４６０    第６パッド
５００    接続部材
６００    ソルダーレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020013980.tif 000009
【図８】
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