(57)【要約】【課題】折り畳まれる部分の最外郭面と外部のフィルムとの間の接着力を向上させた表示装置を提供する。【解決手段】本発明の表示装置は、表示パネルと、ウィンドウ部材と、機能層と、を備える。表示パネルはベンディング軸を基準に折り畳まれる。ウィンドウ部材は表示パネルの上に配置されて透明な物質を含む。機能層は、ウィンドウ部材の上に配置されて疎水性物質を含み、ベンディング軸に対応する開口部が定義される。【選択図】図９
2020112798.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ベンディング軸を基準に折り畳まれる表示パネルと、
前記表示パネルの上に配置されて透明な物質を含むウィンドウ部材と、
前記ウィンドウ部材の上に配置されて疎水性物質を含み、前記第１ベンディング軸に対応する第１開口部が定義される機能層と、を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記疎水性物質は、フッ素系化合物であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記機能層と前記ウィンドウ部材との間に配置されてポリイミドを含むハードコート層を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示パネルが前記第１ベンディング軸を基準に第１曲率半径Ｒ１で折り畳まれる場合、前記第１開口部の幅ＷＤ１は、以下の数式１の範囲を満足することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【数１】
2020112798.tif 000008
【請求項５】
前記表示パネルは、前記第１ベンディング軸から離隔された第２ベンディング軸を基準に折り畳まれ、
前記機能層に前記第２ベンディング軸に対応する第２開口部が定義されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記表示パネルが前記第１ベンディング軸を基準に第１曲率半径Ｒ１で折り畳まれ、前記第２ベンディング軸を基準に第２曲率半径Ｒ２で折り畳まれる場合、前記第１開口部の第１幅ＷＤ１は、以下の数式１の範囲を満足し、前記第２開口部の第２幅ＷＤ２は、以下の数式２の範囲を満足することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【数１】
2020112798.tif 000009
【数２】
2020112798.tif 000010
【請求項７】
前記第２曲率半径Ｒ２は、前記第１曲率半径Ｒ１よりも大きく、
前記第２幅ＷＤ２は、前記第１幅ＷＤ１よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示パネルは、有機発光素子を含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
前記表示パネルと前記ウィンドウ部材との間に配置されて外部から印加されるタッチイベントを感知する入力感知回路を更に含み、
前記機能層は、前記タッチイベントを感知するためのタッチ面を提供することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示パネルの下部に配置されて所定の弾性を有する衝撃吸収部材を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、折り畳み可能な表示装置に関し、より詳しくは、最外郭に指紋防止層が配置されたフォルダブル表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、表示画面に多様なイメージを表示してユーザに情報を提供する。一般に、表示装置は割り当てられた画面内で情報を表示する。最近、折り畳み可能なフレキシブル表示パネルを含むフレキシブル表示装置が開発されている。フレキシブル表示装置は、リジッド表示装置とは異なって、折り畳まれるか又は曲げられる。形状が多様に変更され得るフレキシブル表示装置は、従来の外面サイズに拘らず携帯することができ、ユーザの便宜性を向上させる。
【０００３】
ユーザは、携帯用表示装置を使用しながら、表示面を保護するために追加の保護フィルムを取り付けることがある。
表示装置の折り畳み部分には繰り返しストレスが加えられ、追加に取り付けられた保護フィルムのうち、折り畳み部分に対応する部分が表示装置の表面から剥離する問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−６７４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、折り畳まれる部分の最外郭面と外部のフィルムとの間の接着力を向上させた表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による表示装置は、表示パネルと、ウィンドウ部材と、機能層と、を備える。前記表示パネルは、第１ベンディング軸を基準に折り畳まれる。前記ウィンドウ部材は、前記表示パネルの上に配置されて透明な物質を含む。前記機能層は、前記ウィンドウ部材の上に配置されて疎水性物質を含み、前記第１ベンディング軸に対応する第１開口部が定義される。
【０００７】
前記疎水性物質は、フッ素系化合物であり得る。
前記表示装置は、前記機能層と前記ウィンドウ部材との間に配置されてポリイミドを含むハードコート層を更に含み得る。
前記表示パネルが前記第１ベンディング軸を基準に第１曲率半径Ｒ１で折り畳まれる場合、前記第１開口部の幅ＷＤ１は、以下の数式１の範囲を満足し得る。
【数１】
2020112798.tif 000003
前記表示パネルは、前記第１ベンディング軸から離隔された第２ベンディング軸を基準に折り畳まれ、前記機能層に前記第２ベンディング軸に対応する第２開口部が定義され得る。
前記表示パネルが前記第１ベンディング軸を基準に第１曲率半径Ｒ１で折り畳まれ、前記第２ベンディング軸を基準に第２曲率半径Ｒ２で折り畳まれる場合、前記第１開口部の第１幅ＷＤ１は、以下の数式１の範囲を満足し、前記第２開口部の第２幅ＷＤ２は、以下の数式２の範囲を満足し得る。
【数１】
2020112798.tif 000004
【数２】
2020112798.tif 000005
前記第２曲率半径Ｒ２は、前記第１曲率半径Ｒ１よりも大きく、前記第２幅ＷＤ２は、前記第１幅ＷＤ１よりも大きくあり得る。
前記表示パネルは、有機発光素子を含み得る。
前記表示装置は、前記表示パネルと前記ウィンドウ部材との間に配置されて外部から印加されるタッチイベントを感知する入力感知回路を更に含み、前記機能層は、前記タッチイベントを感知するためのタッチ面を提供し得る。
前記表示装置は、前記表示パネルの下部に配置されて所定の弾性を有する衝撃吸収部材を更に含み得る。
【０００８】
一実施形態による表示装置は、表示パネルと、ウィンドウ部材と、機能層と、を
備える。前記表示パネルは、第１表示領域と、前記第１表示領域の一側から延長される第２表示領域と、前記第１表示領域の他側から延長される第３表示領域と、を含み、前記第１表示領域と前記第２表示領域との間に定義される第１ベンディング軸、及び前記第１表示領域と前記第３表示領域との間に配置される第２ベンディング軸を基準に折り畳まれる。
【０００９】
前記ウィンドウ部材は、前記表示パネルの上に配置されて透明な物質を含み得る。
前記機能層は、前記ウィンドウ部材の上に配置されて疎水性物質を含み、前記第１表示領域に重畳する第１部分、前記第２表示領域に重畳する第２部分、及び前記第３表示領域に重畳する第３部分を含み、前記第１ベンディング軸及び前記第２ベンディング軸には重畳しない。
前記表示装置は、前記表示パネルと前記ウィンドウ部材との間に配置されて外部の物質の接触を感知する入力感知回路を更に含む。前記機能層は、前記外部の物質が接触されるタッチ面を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、ユーザによって追加的にウィンドウの上面に取り付けられた保護フィルムとフォルダブル（折り畳み可能な）表示装置のベンディング軸部分との間に発生する剥離現象を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置の斜視図である。
【図２Ａ】図１に示した表示装置を折り畳んだ様子の第１例を示す図である。
【図２Ｂ】図１に示した表示装置を折り畳んだ様子の第２例を示す図である。
【図２Ｃ】図１に示した表示装置を折り畳んだ様子の第３例を示す図である。
【図２Ｄ】図１に示した表示装置を折り畳んだ様子の第４例を示す図である。
【図２Ｅ】図１に示した表示装置を折り畳んだ様子の第５例を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【図４Ａ】図３に示した表示モジュールの一例の断面図である。
【図４Ｂ】図３に示した表示モジュールの他の例の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による表示モパネルの平面図である。
【図６】本発明の一実施形態による画素の等価回路図である。
【図７】図６の画素に印加される発光制御信号及びスキャン信号を例示的に示す図である。
【図８】本発明の一実施形態による画素の一部分の断面図である。
【図９】図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面のうちの一部を例示的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１３】
図面において、構成要素の割合及び寸法は、技術的内容の効果的な説明のために誇張される。「及び／又は」は、関連する構成が定義する一つ以上の組み合わせを全て含む。
【００１４】
「含む」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないものと理解すべきである。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態による表示装置ＤＤの斜視図である。図１に示したように、イメージＩＭが表示される表示面ＤＳは、第１方向軸ＤＲ１と第２方向軸ＤＲ２とが定義する面に平行する。表示面ＤＳの法線方向、即ち表示装置ＤＤの厚さ方向は第３方向軸ＤＲ３が示す。各部材の前面（又は上面）と背面（又は下面）とは、第３方向軸ＤＲ３によって区分される。しかし、第１〜第３方向軸（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）が示す方向は、相対的な概念であり、他の方向に変換され得る。以下、第１〜第３方向は第１〜第３方向軸（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）がそれぞれ示す方向で同じ図面符号を参照する。
【００１６】
本発明の一実施形態による表示装置ＤＤは、フォルダブル（折り畳み可能な）表示装置である。本発明による表示装置ＤＤは、テレビ、モニタなどのような大型電子装置をはじめ、携帯電話、タブレット、カーナビゲーション、ゲーム機、スマートウォッチなどのような中小型電子装置にも使用される。
【００１７】
図１に示したように、表示装置ＤＤの表示面ＤＳは複数個の領域を含む。表示装置ＤＤは、イメージＩＭが表示される表示領域ＤＤ−ＤＡと表示領域ＤＤ−ＤＡに隣接する非表示領域ＤＤ−ＮＤＡとを含む。非表示領域ＤＤ−ＮＤＡは、イメージＩＭが表示されない領域である。図１には、イメージＩＭの一例としてアプリケーションアイコン及び時計ウィンドウを示している。表示領域ＤＤ−ＤＡは矩形状である。非表示領域ＤＤ−ＮＤＡは表示領域ＤＤ−ＤＡを囲む。但し、これに限らず、表示領域ＤＤ−ＤＡの形状及び非表示領域ＤＤ−ＮＤＡの形状は相対的にデザインされ得る。
【００１８】
表示領域ＤＤ−ＤＡは、第１表示領域ＤＡ１、第２表示領域ＤＡ２、及び第３表示領域ＤＡ３を含む。
【００１９】
第１表示領域ＤＡ１は、第２表示領域ＤＡ２と第３表示領域ＤＡ３との間に配置される。第２表示領域ＤＡ２は第１表示領域ＤＡ１の一側から延長され、第３表示領域ＤＡ３は第１表示領域ＤＡ１の他側から延長される。
【００２０】
第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２との間には第１ベンディング軸ＢＸ１が定義される。第１表示領域ＤＡ１と第３表示領域ＤＡ３との間には第２ベンディング軸ＢＸ２が定義される。第１ベンディング軸ＢＸ１と第２ベンディング軸ＢＸ２とは互いに離隔される。
【００２１】
図１には、例示的に２つのベンディング軸（ＢＸ１、ＢＸ２）を示しているが、これに限らずベンディング軸の個数は必要によって変更され得る。
【００２２】
表示装置ＤＤは筐体ＨＳを含む。筐体ＨＳは、表示装置ＤＤの外郭に配置され、内部に部品を収容する。
【００２３】
図２Ａ〜図２Ｅは、それぞれ図１に示した表示装置ＤＤを折り畳んだ様子を例示的に示す図である。
【００２４】
図２Ａを参照すると、表示装置ＤＤは第１ベンディング軸ＢＸ１を基準に内側に折り畳まれる。本実施形態において、表示装置ＤＤは、第１ベンディング軸ＢＸ１を基準にすると内側にのみ折り畳まれ、外側には折り畳まれない。
【００２５】
本明細書内において、内側への折り畳みは表示装置ＤＤ−ＤＡが互いに向かい合うように折り畳まれることであり、外側への折り畳みは表示装置ＤＤ−ＤＡが互いに向かい合わないように折り畳まれることを意味する。
【００２６】
図２Ｂを参照すると、表示装置ＤＤは第２ベンディング軸ＢＸ２を基準に内側に折り畳まれる。図２Ｃを参照すると、表示装置は第２ベンディング軸ＢＸ２を基準に外側に折り畳まれる。即ち、表示装置ＤＤは第２ベンディング軸ＢＸ２を基準にすると内側への折り畳み及び外側への折り畳みの両方が可能になる。
【００２７】
図２Ｄは、表示装置ＤＤが、第１ベンディング軸ＢＸ１を基準に内側に折り畳まれ、第２ベンディング軸ＢＸ２を基準に内側に折り畳まれることを例示的に示している。
【００２８】
図２Ｅは、表示装置ＤＤが、第１ベンディング軸ＢＸ１を基準に内側に折り畳まれ、第２ベンディング軸ＢＸ２を基準に外側に折り畳まれることを例示的に示している。
【００２９】
図２Ｄ及び図２Ｅを参照すると、表示装置ＤＤが第１ベンディング軸ＢＸ１を基準にベンディングされる際の曲率半径Ｒ１（以下、第１曲率半径）は、表示装置ＤＤが第２ベンディング軸ＢＸ２を基準にベンディングされる際の曲率半径Ｒ２（以下、第２曲率半径）よりも小さい。
【００３０】
本実施形態において、表示装置ＤＤは、第１ベンディング軸ＢＸ１を基準にすると内側にのみ折り畳まれるが、第２ベンディング軸ＢＸ２を基準にすると内側への折り畳み及び外側への折り畳みの両方が可能なため、表示装置ＤＤにおいて、第２ベンディング軸ＢＸ２に対応する部分が第１ベンディング軸ＢＸ１に対応する部分よりも多くのストレスを受ける可能性がある。従って、第２曲率半径Ｒ２を第１曲率半径Ｒ１よりも大きくして、表示装置ＤＤにおいて、第２ベンディング軸ＢＸ２に対応する部分に加えられるストレスを減少させることができる。
【００３１】
図２Ａ〜図２Ｅは表示装置ＤＤの折り畳み方法を例示的に示しているが、折り畳み方法はこれらに限らない。
【００３２】
図３は、本発明の一実施形態による表示装置ＤＤの断面図であり、図４Ａ及び図４Ｂは、図３に示した表示モジュール（ＤＭ、ＤＭ−１）の断面図である。図３は、第２方向軸ＤＲ２と第３方向軸ＤＲ３とが定義する断面を示している。
【００３３】
表示装置ＤＤは、表示モジュールＤＭ、複数の機能層（ＦＣ１〜ＦＣ４）、ベースフィルムＢＦ、衝撃吸収部材ＣＳＨ、支持部材ＰＴ、及び複数の接着部材（ＡＤ１〜ＡＤ５）を含む。
【００３４】
本発明の一実施形態において、接着部材（ＡＤ１〜ＡＤ５）のそれぞれは感圧接着剤（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ａｄｈｅｓｉｖｅ：ＰＳＡ）である。
【００３５】
機能層（ＦＣ１〜ＦＣ４）は表示モジュールＤＭの上部に配置される。
【００３６】
第１機能層ＦＣ１は、第１接着部材ＡＤ１によって表示モジュールＤＭに接着される。第２機能層ＦＣ２は、第２接着部材ＡＤ２によって第１機能層ＦＣ１に接着される。第３機能層ＦＣ３は、第３接着部材ＡＤ３によって第２機能層ＦＣ２に接着される。
【００３７】
第４機能層ＦＣ４は、第３機能層ＦＣ３の上に直接配置される。この場合、第４機能層ＦＣ４は、第３機能層ＦＣ３にコーティングされる方式で形成される。但し、これに限らず、第４機能層ＦＣ４は接着部材によって第３機能層ＦＣ３に接着され得る。
【００３８】
第１〜第３機能層（ＦＣ１〜ＦＣ３）のそれぞれは高分子物質を含む。第１〜第３機能層（ＦＣ１〜ＦＣ３）のそれぞれはフィルム状である。第１〜第３機能層（ＦＣ１〜ＦＣ３）のそれぞれのモジュラスは２Ｇｐａ以上１００Ｇｐａ以下である。
【００３９】
第１〜第３機能層（ＦＣ１〜ＦＣ３）のそれぞれの厚さは３５μｍ以上６０μｍ以下である。第１〜第３機能層（ＦＣ１〜ＦＣ３）のそれぞれの厚さが３５μｍよりも小さい場合は本来目的とした機能を遂行する能力が低下し、６０μｍよりも大きい場合は表示装置ＤＤの柔軟性が減少する虞がある。
【００４０】
本発明の一実施形態において、第１機能層ＦＣ１は入射する光を偏光させる偏光機能層である。
【００４１】
第２機能層ＦＣ２は、外部から印加される衝撃を吸収する衝撃吸収機能層である。
【００４２】
第３機能層ＦＣ３は、透明な物質を含むウィンドウ部材である。本発明の一実施形態において、第３機能層ＦＣ３はガラスを含む。本発明の他の実施形態において、第３機能層ＦＣ３は合成樹脂を含む。
【００４３】
第４機能層ＦＣ４は、第３機能層ＦＣ３の上に配置され、表示装置ＤＤの最外郭面を提供する。第４機能層ＦＣ４は、ユーザの指紋によるムラを防止する指紋防止機能層である。第４機能層ＦＣ４に関しては、図９で詳細に説明する。
【００４４】
ベースフィルムＢＦ、衝撃吸収部材ＣＳＨ、及び支持部材ＰＴは、表示モジュールＤＭの下部に配置される。
【００４５】
ベースフィルムＢＦは表示モジュールＤＭに直接接着される。本発明の一実施形態において、ベースフィルムＢＦは複数の層からなる。
【００４６】
衝撃吸収部材ＣＳＨは、第４接着部材ＡＤ４によってベースフィルムＢＦに接着される。衝撃吸収部材ＣＳＨは高分子物質（Ｐｏｌｙｍｅｒ）を含む。衝撃吸収部材ＣＳＨは、外部から印加される衝撃を吸収するための層である。
【００４７】
支持部材ＰＴは、第５接着部材ＡＤ５によって衝撃吸収部材ＣＳＨに接着される。支持部材ＰＴは表示モジュールＤＭを支持する。支持部材ＰＴは、表示モジュールＤＭを折り畳むか又は曲げるためのヒンジ（図示せず）を含む。支持部材ＰＴはリジッド（ｒｉｇｉｄ）な性質を有する。本発明の他の実施形態において、支持部材ＰＴは省略される。
【００４８】
図４Ａを参照すると、表示モジュールＤＭは表示パネルＤＰ及び入力感知回路ＩＳＣを含む。入力感知回路ＩＳＣは、外部から印加されるタッチイベント及び／又は圧力を感知する。詳しくは、入力感知回路ＩＳＣは、第４機能層ＦＣ４に接触するユーザの指又は外部の物体によるタッチ及び／又は圧力を感知する。第４機能層ＦＣ４はユーザにタッチ面を提供する。
【００４９】
入力感知回路ＩＳＣは、表示パネルＤＰの薄膜封止層（図示せず）の上に直接配置される。ここで、直接配置されるとは、別途の接着部材なしに入力感知回路ＩＳＣが表示パネルＤＰの上に配置されることを意味する。
【００５０】
図４Ｂを参照すると、表示モジュールＤＭ−１は、表示パネルＤＰ、入力感知回路ＩＳＣ、及び第６接着部材ＡＤ６を含む。表示パネルＤＰと入力感知回路ＩＳＣとは第６接着部材ＡＤ６によって接着される。
【００５１】
図５は、本発明の一実施形態による表示パネルＤＰの平面図である。
【００５２】
表示パネルＤＰは、平面上において表示領域ＤＰ−ＤＡ及び非表示領域ＤＰ−ＮＤＡを含む。本実施形態において、非表示領域ＤＰ−ＮＤＡは表示領域ＤＰ−ＤＡの枠に沿って定義される。表示パネルＤＰの表示領域ＤＰ−ＤＡ及び非表示領域ＤＰ−ＮＤＡは、図１に示した表示装置ＤＤの表示領域ＤＤ−ＤＡ及び非表示領域ＤＤ−ＮＤＡにそれぞれ対応する。
【００５３】
表示パネルＤＰは、走査駆動部１００、データ駆動部２００、複数個のスキャンラインＳＬ、複数個の発光制御ラインＥＣＬ、複数個のデータラインＤＬ、複数個の電源ラインＰＬ、及び複数個の画素ＰＸ（以下、画素）を含む。画素ＰＸは表示領域ＤＰ−ＤＡに配置される。画素ＰＸのそれぞれは、有機発光素子ＯＬＥＤ（図６参照）及びそれに連結される画素回路ＣＣ（図６参照）を含む。
【００５４】
走査駆動部１００は、スキャン駆動部及び発光制御駆動部を含む。
【００５５】
スキャン駆動部は、スキャン信号を生成し、生成されたスキャン信号をスキャンラインＳＬに順次に出力する。発光制御駆動部は、発光制御信号を生成し、生成された発光制御信号を発光制御ラインＥＣＬに出力する。
【００５６】
本発明の他の実施形態において、走査駆動部１００内でスキャン駆動部及び発光制御駆動部が区分されずに一つの回路からなる。
【００５７】
走査駆動部１００は、画素ＰＸの駆動回路と同じ工程、例えばＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）工程又はＬＴＰＯ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ）工程を介して形成された複数個の薄膜トランジスタを含む。
【００５８】
データ駆動部２００はデータ信号をデータラインＤＬに出力する。データ信号は、映像データの階調値に対応するアナログ電圧である。
【００５９】
本発明の一実施形態において、データ駆動部２００は表示パネルＤＰに直接的に実装される。但し、これに限らず、本発明の他の実施形態において、データ駆動部２００はプリント回路基板（図示せず）に実装され、プリント回路基板（図示せず）がデータラインＤＬの一端に配置されるパッドに連結される。
【００６０】
スキャン配線ＳＬは、第２方向ＤＲ２に延長され、第２方向ＤＲ２に交差する第１方向ＤＲ１に並べられる。本発明の実施形態において、第２方向ＤＲ２と第１方向ＤＲ１とは直行するが、これに限らない。
【００６１】
発光制御ラインＥＣＬは、第２方向ＤＲ２に延長され、第１方向ＤＲ１に並べられる。即ち、発光制御ラインＥＣＬのそれぞれは、スキャンラインＳＬのうちの対応するスキャンラインに並んで配列される。
【００６２】
データラインＤＬは、第１方向ＤＲ１に延長され、第１方向ＤＲ１に交差する第２方向ＤＲ２に並べられる。データラインＤＬはデータ信号を対応する画素ＰＸに提供する。
【００６３】
電源ラインＰＬは、第１方向ＤＲ１に延長され、第２方向ＤＲ２に並べられる。電源ラインＰＬは、第１電源ＥＬＶＤＤを対応する画素ＰＸに提供する。
【００６４】
複数個の画素ＰＸのそれぞれは、スキャンラインＳＬのうちの対応するスキャンライン、発光制御ラインＥＣＬのうちの対応する発光制御ライン、データラインＤＬのうちの対応するデータライン、及び電源ラインＰＬに対応する電源ラインに接続される。
【００６５】
表示パネルＤＰの非表示領域ＤＰ−ＮＤＡはベンディング領域ＢＡを含む。表示パネルＤＰがベンディング領域ＢＡを基準に折り畳まれる場合、第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２によって定義される平面上において、非表示領域ＤＰ−ＮＤＡの面積が小さくなってベゼルが細い表示装置ＤＤを提供する。即ち、図１において、非表示領域ＤＤ−ＮＤＡの面積が小さい表示装置ＤＤを提供する。
【００６６】
図６は、本発明の一実施形態による画素ＰＸの等価回路図であり、図７は、図６の画素ＰＸに印加される発光制御信号Ｅｉ及びスキャン信号（Ｓｉ−１、Ｓｉ、Ｓｉ＋１）を例示的に示す図である。図６には、ｉ番目のスキャンラインＳＬｉ及びｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉに連結される画素ＰＸを例示的に示している。
【００６７】
画素ＰＸは、有機発光素子ＯＬＥＤ及び画素回路ＣＣを含む。画素回路ＣＣは、複数のトランジスタ（Ｔ１〜Ｔ７）及びキャパシタＣＰを含む。画素回路ＣＣは、データ信号に対応して有機発光素子ＯＬＥＤに流れる電流量を制御する。
【００６８】
有機発光素子ＯＬＥＤは、画素回路ＣＣから提供される電流量に対応して所定の輝度で発光する。そのために、第１電源ＥＬＶＤＤのレベルは第２電源ＥＬＶＳＳのレベルよりも高く設定される。
【００６９】
複数のトランジスタ（Ｔ１〜Ｔ７）は、それぞれ入力電極（又は、ソース電極）、出力電極（又は、ドレイン電極）、及び制御電極（又は、ゲート電極）を含む。本明細書において、便宜上、入力電極及び出力電極のうちのいずれか一つは第１電極と称され、他の一つは第２電極と称される。
【００７０】
第１トランジスタＴ１の第１電極は第５トランジスタＴ５を経由して第１電源ＥＬＶＤＤに接続され、第２電極は第６トランジスタＴ６を経由して有機発光素子ＯＬＥＤのアノード電極に接続される。第１トランジスタＴ１は、本明細書内でドライビングトランジスタと称される。
【００７１】
第１トランジスタＴ１は、制御電極に印加される電圧に対応して有機発光素子ＯＬＥＤに流れる電流量を制御する。
【００７２】
第２トランジスタＴ２は、データラインＤＬと第１トランジスタＴ１の第１電極との間に接続される。そして、第２トランジスタＴ２の制御電極はｉ番目のスキャンラインＳＬｉに接続される。第２トランジスタＴ２は、ｉ番目のスキャンラインＳＬｉにｉ番目のスキャン信号Ｓｉが提供されるとターンオンされて、データラインＤＬと第１トランジスタＴ１の第１電極とを電気的に接続する。
【００７３】
第３トランジスタＴ３は、第１トランジスタＴ１の第２電極と制御電極との間に接続される。第３トランジスタＴ３の制御電極はｉ番目のスキャンラインＳＬｉに接続される。第３トランジスタＴ３は、ｉ番目のスキャンラインＳＬｉにｉ番目のスキャン信号Ｓｉが提供されるとターンオンされて、第１トランジスタＴ１の第２電極と制御電極とを電気的に接続する。従って、第３トランジスタＴ３がターンオンされると、第１トランジスタＴ１はダイオードの形に接続される。
【００７４】
第４トランジスタＴ４は、ノードＮＤと初期化電源生成部（図示せず）との間に接続される。そして、第４トランジスタＴ４の制御電極はｉ−１番目のスキャンラインＳＬｉ−１に接続される。第４トランジスタＴ４は、ｉ−１番目のスキャンラインＳＬｉ−１にｉ−１番目のスキャン信号Ｓｉ−１が提供されるとターンオンされて、ノードＮＤに初期化電圧Ｖｉｎｔを提供する。
【００７５】
第５トランジスタＴ５は、電源ラインＰＬと第１トランジスタＴ１の第１電極との間に接続される。第５トランジスタＴ５の制御電極はｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉに接続される。
【００７６】
第６トランジスタＴ６は、第１トランジスタＴ１の第２電極と有機発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間に接続される。そして、第６トランジスタＴ６の制御電極はｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉに接続される。
【００７７】
第７トランジスタＴ７は、初期化電源生成部（図示せず）と有機発光素子ＯＬＥＤのアノード電極との間に接続される。そして、第７トランジスタＴ７の制御電極はｉ＋１番目のスキャンラインＳＬｉ＋１に接続される。このような第７トランジスタＴ７は、ｉ＋１番目のスキャンラインＳＬｉ＋１にｉ＋１番目のスキャン信号Ｓｉ＋１が提供されるとターンオンされて、初期化電圧Ｖｉｎｔを有機発光素子ＯＬＥＤのアノード電極に提供する。
【００７８】
第７トランジスタＴ７は、画素ＰＸのブラック表現能力を向上させる。詳しくは、第７トランジスタＴ７がターンオンされると、有機発光素子ＯＬＥＤの寄生キャパシタ（図示せず）が放電される。すると、ブラック輝度を具現する際に第１トランジスタＴ１からの漏洩電流によって有機発光素子ＯＬＥＤが発光しなくなり、それによってブラック表現能力が向上する。
【００７９】
加えて、図６では、第７トランジスタＴ７の制御電極がｉ＋１番目のスキャンラインＳＬｉ＋１に接続されるものと示しているが、本発明はこれに限らない。本発明の他の実施形態において、第７トランジスタＴ７の制御電極は、ｉ番目のスキャンラインＳＬｉ又はｉ−１番目のスキャンラインＳＬｉ−１に接続される。
【００８０】
図６ではＰＭＯＳを基準に示しているが、これに限らない。本発明の他の実施形態において、画素ＰＸはＮＭＯＳからなる。本発明の更に他の実施形態において、画素ＰＸはＮＭＯＳとＰＭＯＳとの組み合わせからなる。
【００８１】
キャパシタＣＰは、電源ラインＰＬとノードＮＤとの間に配置される。キャパシタＣＰは、データ信号に対応する電圧を貯蔵する。キャパシタＣＰに貯蔵された電圧に応じて、第５トランジスタＴ５及び第６トランジスタＴ６がターオンされる際に第１トランジスタＴ１に流れる電流量が決定される。
【００８２】
本発明において、画素ＰＸの構造は図６に示した構造に限らない。本発明の他の実施形態において、画素ＰＸは有機発光素子ＯＬＥＤを発光するための多様な形態に具現される。
【００８３】
図７を参照すると、発光制御信号Ｅｉは、ハイレベルＥ−ＨＩＧＨ又はローレベルＥ−ＬＯＷを有する。スキャン信号（ＳＬｉ−１、ＳＬｉ、ＳＬｉ＋１）は、それぞれハイレベルＳ−ＨＩＧＨ又はローレベルＳ−ＬＯＷを有する。
【００８４】
発光制御信号ＥｉがハイレベルＥ−ＨＩＧＨを有する場合、第５トランジスタＴ５及び第６トランジスタＴ６がターンオフされる。第５トランジスタＴ５がターンオフされると、電源ラインＰＬと第１トランジスタＴ１の第１電極とが電気的に遮断される。第６トランジスタＴ６がターンオフされると、第１トランジスタＴ１の第２電極と有機発光素子ＯＬＥＤのアノード電極とが電気的に遮断される。従って、ｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉにハイレベルＥ−ＨＩＧＨを有する発光制御信号Ｅｉが提供される期間中、有機発光素子ＯＬＥＤは発光しない。
【００８５】
次に、ｉ−１番目のスキャンラインＳＬｉ−１に提供されるｉ−１番目のスキャン信号Ｓｉ−１がローレベルＳ−ＬＯＷを有する場合、第４トランジスタＴ４がターンオンされる。第４トランジスタＴ４がターンオンされると、初期化電圧ＶｉｎｔがノードＮＤに提供される。
【００８６】
ｉ番目のスキャンラインＳＬｉに提供されるｉ番目のスキャン信号ＳｉがローレベルＳ−ＬＯＷを有する場合、第２トランジスタＴ２及び第３トランジスタＴ３がターンオンされる。
【００８７】
第２トランジスタＴ２がターンオフされると、データ信号が第１トランジスタＴ１の第１電極に提供される。この際、ノードＮＤが初期化電圧Ｖｉｎｔに初期化されているため、第１トランジスタＴ１がターンオンされる。第１トランジスタＴ１がターンオンされると、データ信号に対応する電圧がノードＮＤに提供される。この際、キャパシタＣＰはデータ信号に対応する電圧を貯蔵する。
【００８８】
ｉ＋１番目のスキャンラインＳＬｉ＋１に提供されるｉ＋１番目のスキャン信号Ｓｉ＋１がローレベルＳ−ＬＯＷを有する場合、第７トランジスタＴ７がターンオンされる。
【００８９】
第７トランジスタＴ７がターンオンされると、初期化電圧Ｖｉｎｔが有機発光素子ＯＬＥＤのアノード電極に提供されて有機発光素子ＯＬＥＤの寄生キャパシタが放電される。
【００９０】
発光制御ラインＥＣＬｉに提供される発光制御信号ＥｉがローレベルＥ−ＬＯＷを有する場合、第５トランジスタＴ５及び第６トランジスタＴ６がターンオンされる。第５トランジスタＴ５がターオンされると、第１電源ＥＶＬＤＤが第１トランジスタＴ１の第１電極に提供される。第６トランジスタＴ６がターンオンされると、第１トランジスタＴ１の第２電極と有機発光素子ＯＬＥＤのアノード電極が電気的に接続される。すると、有機発光素子ＯＬＥＤは提供される電流量に対応して所定輝度の光を生成する。
【００９１】
図８は、本発明の一実施形態による画素ＰＸ（図６参照）の一部分の断面図である。図８では、第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２を例外的に示しているが、第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２の構造はこれに限らない。図８では、第１トランジスタＴ１の第２電極ＥＤ２が画素ＰＸのアノード電極ＡＥに直接コンタクトするように示しているが、これは断面上の形状であるためこのように示されているのであって、実際には図６に示したように、第１トランジスタＴ１は第６トランジスタＴ６を経由して画素ＰＸのアノード電極ＡＥに連結される。但し、これに限らず、本発明の他の実施形態において、第１トランジスタＴ１の第２電極ＥＤ２は画素ＰＸのアノード電極ＡＥに直接コンタクトする。
【００９２】
表示パネルＤＰ（図５参照）は、ベース層ＢＬ、回路層ＣＬ、発光素子層ＥＬＬ、及び封止層ＴＦＥを含む。
【００９３】
回路層ＣＬは、バッファ層ＢＦＬ、ゲート絶縁層（ＧＩ１、ＧＩ２）、層間絶縁層ＩＬＤ、回路絶縁層ＶＩＡ、及びトランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）を含む。
【００９４】
発光素子層ＥＬＬは、有機発光素子ＯＬＥＤ及び画素定義膜ＰＤＬを含む。
【００９５】
封止層ＴＦＥは、発光素子層ＥＬＬを密封し、外部の酸素又は水分から発光素子層ＥＬＬを保護する。
【００９６】
ベース層ＢＬの一面の上にバッファ層ＢＦＬが配置される。
【００９７】
バッファ層ＢＦＬは、製造工程中においてベース層ＢＬに存在する不純物が画素ＰＸに流入することを防止する。特に、不純物が画素ＰＸを構成するトランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）のアクティブ部ＡＣＬに拡散することを防止する。
【００９８】
不純物は外部から流入するか、或いはベース層ＢＬが熱分解されることで発生する。不純物は、ベース層ＢＬから排出されたガス又はナトリウムである。また、バッファ層ＢＦＬは外部から画素ＰＸに流入する水分を遮断する。
【００９９】
バッファ層ＢＦＬの上にトランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）のそれぞれを構成するアクティブ部ＡＣＬが配置される。アクティブ部ＡＣＬのそれぞれは、ポリシリコン又はアモルファスシリコンを含む。その他、アクティブ部ＡＣＬは金属酸化物半導体を含む。
【０１００】
アクティブ部ＡＣＬは、電子又は正孔が移動する通路の役割をするチャネル領域と、チャネル領域を挟んで配置される第１イオンドーピング領域及び第２イオンドーピング領域とを含む。
【０１０１】
バッファ層ＢＦＬの上にアクティブ部ＡＣＬをカバーする第１ゲート絶縁層ＧＩ１が配置される。第１ゲート絶縁層ＧＩ１は有機膜及び／又は無機膜を含む。第１ゲート絶縁層ＧＩ１は複数個の無機薄膜を含む。複数個の無機薄膜は、シリコンナイトライド層及びシリコンオキシド層を含む。
【０１０２】
第１ゲート絶縁層ＧＩ１の上にトランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）のそれぞれを構成する制御電極ＧＥ１が配置される。第１トランジスタＴ１の制御電極ＧＥ１は、キャパシタＣＰを構成する２つの電極のうちのいずれか一つである。第１ゲート絶縁層ＧＩ１の上に、スキャンラインＳＬ（図５参照）、及び発光制御ラインＥＣＬ（図５参照）のうちの少なくとも一部分が配置される。
【０１０３】
第１ゲート絶縁層ＧＩ１の上に制御電極ＧＥ１をカバーする第２ゲート絶縁層ＧＩ２が配置される。第２ゲート絶縁層ＧＩ２は有機膜及び／又は無機膜を含む。第２ゲート絶縁層ＧＩ２は複数個の無機薄膜を含む。複数個の無機薄膜は、シリコンナイトライド層及びシリコンオキシド層を含む。
【０１０４】
第２ゲート絶縁層ＧＩ２の上に、キャパシタＣＰ（図６参照）を構成する２つの電極のうちの他の一つの電極ＧＥ２が配置される。即ち、第１ゲート絶縁層ＧＩ１の上に配置される電極ＧＥ１と第２ゲート絶縁層ＧＩ２の上に配置される電極ＧＥ２が重畳して、図６に示したキャパシタＣＰを形成する。但し、キャパシタＣＰを構成する電極が配置される構造はこれに限らない。
【０１０５】
第２ゲート絶縁層ＧＩ２の上に電極ＧＥ２をカバーする層間絶縁層ＩＬＤが配置される。層間絶縁層ＩＬＤは有機膜及び／又は無機膜を含む。層間絶縁層ＩＬＤは複数個の無機薄膜を含む。複数個の無機薄膜は、シリコンナイトライド層及びシリコンオキシド層を含む。
【０１０６】
層間絶縁層ＩＬＤの上に、データラインＤＬ（図５参照）及び電源ラインＰＬ（図５参照）の少なくとも一部分が配置される。層間絶縁層ＩＬＤの上に、トランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）のそれぞれの第１電極ＥＤ１及び第２電極ＥＤ２が配置される。
【０１０７】
第１電極ＥＤ１及び第２電極ＥＤ２は、それぞれゲート絶縁層（ＧＩ１、ＧＩ２）、及び層間絶縁層ＩＬＤを貫通する貫通孔を介して対応するアクティブ部ＡＣＬに連結される。
【０１０８】
層間絶縁層ＩＬＤの上に、第１電極ＥＤ１及び第２電極ＥＤ２をカバーする回路絶縁層ＶＩＡが配置される。回路絶縁層ＶＩＡは有機膜及び／又は無機膜を含む。回路絶縁層ＶＩＡは平坦面を提供する。
【０１０９】
回路絶縁層ＶＩＡの上に、画素定義膜ＰＤＬ及び有機発光素子ＯＬＥＤが配置される。
【０１１０】
有機発光素子ＯＬＥＤは、アノード電極ＡＥ、正孔制御層ＨＬ、発光層ＥＭＬ、電子制御層ＥＬ、及びカソード電極ＣＥを含む。
【０１１１】
図９は、図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面のうちの一部を例示的に示す図である。
【０１１２】
図９を参照すると、第４機能層ＦＣ４はハードコート層ＨＣ及び指紋防止層ＡＦを含む。
【０１１３】
ハードコート層ＨＣは、第３機能層ＦＣ３の表面に配置され、第３機能層ＦＣ３の表面を保護する。ハードコート層ＨＣは第３機能層ＦＣ３の上にコーティングされる方式で形成される。
【０１１４】
本発明の一実施形態において、ハードコート層ＨＣはポリイミドを含むが、これに限らない。ハードコート層ＨＣに含まれる物質は、第３機能層ＦＣ３の表面を保護し得る程度の十分な硬度を有するものであればよい。
【０１１５】
本発明の他の実施形態において、第４機能層ＦＣ４のうちのハードコート層ＨＣは省略される。例えば、第３機能層ＦＣ３がガラスを含む場合は第３機能層ＦＣ３の表面は既に十分な硬度を有するため、ハードコート層ＨＣが省略されても構わない。
【０１１６】
指紋防止層ＡＦは、ハードコート層ＨＣ又は第３機能層ＦＣ３の上にコーティングされる方式で形成されるが、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する。但し、指紋防止層ＡＦの厚さはこれに限らず、必要によって変更され得る。
【０１１７】
指紋防止層ＡＦは、表示装置ＤＤの最外郭面を提供し、疎水性物質を含む。
【０１１８】
指紋防止層ＡＦがない場合、第３機能層ＦＣ３及びハードコート層ＨＣが親水性物質を含むため、ユーザの指紋によるムラが表示装置ＤＤの表面に生じてしまう。従って、疎水性物質を含む指紋防止層ＡＦを表示装置ＤＤの最外郭に配置することで、ユーザの指紋によるムラが表示装置ＤＤの表面に発生することを防止することができる。
【０１１９】
詳しくは、疎水性物質はフッ素系（ｆｌｕｏｒｉｎｅ）化合物を含むが、これに限らない。
【０１２０】
指紋防止層ＡＦには、第１ベンディング軸ＢＸ１に対応する第１開口部ＯＰ１、及び第２ベンディング軸ＢＸ２に対応する第２開口部ＯＰ２が定義される。第１開口部ＯＰ１及び第２開口部ＯＰ２を基準に、指紋防止層ＡＦは、第１部分ＡＦ１、第２部分ＡＦ２、及び第３部分ＡＦ３に区分される。
【０１２１】
第１部分ＡＦ１は第１表示領域ＤＡ１（図１参照）に重畳し、第２部分ＡＦ２は第２表示領域ＤＡ２（図１参照）に重畳し、第３部分ＡＦ３は第３表示領域ＤＡ３（図１参照）に重畳する。
【０１２２】
第１開口部ＯＰ１の幅ＷＤ１（以下、第１幅）は、第１部分ＡＦ１と第２部分ＡＦ２との間の離隔距離に対応する。第２開口部ＯＰ２の幅（以下、第２幅ＷＤ２）は、第１部分ＡＦ１と第３部分ＡＦ３との間の離隔距離に対応する。
【０１２３】
第１幅ＷＤ１は、下記数式１を満足する範囲である。
【０１２４】
【数１ａ】
2020112798.tif 000006
【０１２５】
数式１を参照すると、第１幅ＷＤ１は、第１曲率半径Ｒ１によって形成される円の周縁の長さの半分よりも４ｍｍ以上８ｍｍ以下である。
【０１２６】
第１幅ＷＤ１がπ×Ｒ１＋４ｍｍ未満である場合、第１部分ＡＦ１又は第２部分ＡＦ２のうちの少なくとも一部分が折り畳まれる過程で加えられるストレスによって剥離する虞がある。また、第１幅ＷＤ１がπ×Ｒ１＋８ｍｍを超過すると、指紋によるムラが表示装置ＤＤの外面に発生する虞がある。
【０１２７】
第２幅ＷＤ２は、下記数式２を満足する範囲である。
【０１２８】
【数２ａ】
2020112798.tif 000007
【０１２９】
数式２を参照すると、第２幅ＷＤ２は、第２曲率半径Ｒ２によって形成される円の周縁の長さの半分よりも４ｍｍ以上８ｍｍ以下である。
【０１３０】
第２幅ＷＤ２がπ×Ｒ１＋４ｍｍ未満である場合、第１部分ＡＦ１又は第３部分ＡＦ３のうちの少なくとも一部分が折り畳まれる過程で加えられるストレスによって剥離する虞がある。また、第２幅ＷＤ２がπ×Ｒ１＋８ｍｍを超過すると、指紋によるムラが表示装置ＤＤの外面に発生する虞がある。
【０１３１】
本発明の一実施形態において、第２曲率半径Ｒ２が第１曲率半径Ｒ１よりも大きいため、第２幅ＷＤ２は第１幅ＷＤ１よりも大きいことが好ましい。
【０１３２】
図９に示したように、ベンディング軸（ＢＸ１、ＢＸ２）に対応する部分には疎水性を有する指紋防止層ＡＦを形成しないことで、第１開口部ＯＰ１及び第２開口部ＯＰ２によって露出する部分と、ユーザが追加に取り付ける保護フィルム（図示せず）との間の接着力を向上させることができる。
【０１３３】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【０１３４】
１００    走査駆動部
２００    データ駆動部
ＡＣＬ    アクティブ部
ＡＤ１〜ＡＤ６    第１〜第６接着部材
ＡＥ    アノード電極
ＡＦ    指紋防止層
ＡＦ１〜ＡＦ３    指紋防止層の第１〜第３部分
ＢＡ    ベンディング領域
ＢＦ    ベースフィルム
ＢＦＬ    バッファ層
ＢＬ    ベース層
ＢＸ１、ＢＸ２    ベンディング軸
ＣＣ    画素回路
ＣＥ    カソード電極
ＣＬ    回路層
ＣＰ    キャパシタ
ＣＳＨ    衝撃吸収部材
ＤＡ１〜ＤＡ３    第１〜第３表示領域
ＤＤ    表示装置
ＤＤ−ＤＡ、ＤＰ−ＤＡ    表示領域
ＤＤ−ＮＤＡ、ＤＰ−ＮＤＡ    非表示領域
ＤＬ    データライン
ＤＭ、ＤＭ−１    表示モジュール
ＤＰ    表示パネル
ＤＳ    表示面
ＥＣＬ、ＥＣＬｉ    発光制御ライン
ＥＤ１、ＥＤ２    第１、第２電極
Ｅｉ    発光制御信号
ＥＬ    電子制御層
ＥＬＬ    発光素子層
ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳ    第１、第２電源
ＥＭＬ    発光層
ＦＣ１〜ＦＣ４    第１〜第４機能層
ＧＥ１    制御電極
ＧＥ２    電極
ＧＩ１、ＧＩ２    第１、第２ゲート絶縁層
ＨＣ    ハードコート層
ＨＬ    正孔制御層
ＨＳ    筐体
ＩＬＤ    層間絶縁層
ＩＭ    イメージ
ＩＳＣ    入力感知回路
ＮＤ    ノード
ＯＬＥＤ    有機発光素子
ＯＰ１、ＯＰ２    第１、第２開口部
ＰＤＬ    画素定義膜
ＰＦ    保護フィルム
ＰＬ    電源ライン
ＰＴ    支持部材
ＰＸ    画素
Ｒ１、Ｒ２  第１、第２曲率半径
Ｓｉ−１、Ｓｉ、Ｓｉ＋１    スキャン信号
ＳＬ、ＳＬｉ−１、ＳＬｉ、ＳＬｉ＋１    スキャンライン
Ｔ１〜Ｔ７    第１〜第７トランジスタ
ＴＦＥ    封止層
Ｖｉｎｔ    初期化電圧
ＶＩＡ    回路絶縁層
ＷＤ１、ＷＤ２    第１、第２幅
【図１】
2020112798.tif 000011
【図２Ａ】
2020112798.tif 000012
【図２Ｂ】
2020112798.tif 000013
【図２Ｃ】
2020112798.tif 000014
【図２Ｄ】
2020112798.tif 000015
【図２Ｅ】
2020112798.tif 000016
【図３】
2020112798.tif 000017
【図４Ａ】
2020112798.tif 000018
【図４Ｂ】
2020112798.tif 000019
【図５】
2020112798.tif 000020
【図６】
2020112798.tif 000021
【図７】
2020112798.tif 000022
【図８】
2020112798.tif 000023
【図９】
2020112798.tif 000024