(57)【要約】【課題】隣の画素へのリーク電流の発生を防止する構造を有効的に活用することを目的とする。【解決手段】表示装置は、複数の画素電極３８及び多機能電極６２に積層するエレクトロルミネセンス層４２と、エレクトロルミネセンス層４２に積層する共通電極５０と、を有する。エレクトロルミネセンス層４２は、複数の画素電極３８及び多機能電極６２に連続的に重なって接触する下部共通層４４と、下部共通層４４の上で複数の画素電極３８にそれぞれ対応して相互に分離された複数の発光層４６と、を含む。多機能電極６２は、複数の画素電極３８の隣り合う一対の間をそれぞれが通る複数の部分を含み、画像表示期間では複数の画素電極３８よりも共通電極５０に近い電位に設定される。多機能電極６２の少なくとも一部は、タッチセンシング期間では送信電極群及び受信電極群の少なくとも一方の電極群として機能する。【選択図】図２
2020068074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、
多機能電極と、
前記複数の画素電極及び前記多機能電極に積層するエレクトロルミネセンス層と、
前記エレクトロルミネセンス層に積層する共通電極と、
を有し、
前記エレクトロルミネセンス層は、前記複数の画素電極及び前記多機能電極に連続的に重なって接触する下部共通層と、前記下部共通層の上で前記複数の画素電極にそれぞれ対応して相互に分離された複数の発光層と、を含み、
前記多機能電極は、前記複数の画素電極の隣り合う一対の間をそれぞれが通る複数の部分を含み、画像表示期間では前記複数の画素電極よりも前記共通電極に近い電位に設定され、
前記多機能電極の少なくとも一部は、タッチセンシング期間では送信電極群及び受信電極群の少なくとも一方の電極群として機能することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記多機能電極は、前記複数の画素電極と同層にあることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記多機能電極は、前記送信電極群及び前記受信電極群の一方の電極群として機能する複数の第１電極と、前記送信電極群及び前記受信電極群の他方の電極群として機能する複数の第２電極と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載された表示装置において、
前記複数の第１電極は、第１方向にそれぞれ延び、前記第１方向に交差する第２方向に隣同士が並び、
前記複数の第２電極は、前記複数の第１電極との重複を避けて断続的に前記第２方向にそれぞれ延び、前記第１方向に隣同士が並び、
前記多機能電極とは異なる層にあって、前記第２方向に断続する前記複数の第２電極のそれぞれを前記第２方向に接続するジャンパ配線をさらに有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の第１電極のそれぞれは、前記第２方向に幅の広い部分及び幅の狭い部分を有し、
前記ジャンパ配線は、前記幅の狭い部分と立体交差することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載された表示装置において、
前記複数の第２電極のそれぞれは、前記第１方向に前記ジャンパ配線よりも幅の広い部分を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極に含まれる画素電極群は、前記送信電極群及び前記受信電極群の一方の電極群として機能する複数の第１電極を構成するために、複数の電極領域に配列され、
前記多機能電極は、前記送信電極群及び前記受信電極群の他方の電極群として機能する複数の第２電極を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載された表示装置において、
前記複数の第１電極は、第１方向にそれぞれ延び、前記第１方向に交差する第２方向に隣同士が並び、
前記複数の電極領域は、前記複数の第１電極に対応して、前記第１方向に複数列で配列され、
前記複数の第２電極は、前記第２方向にそれぞれ延び、前記第１方向に隣同士が並ぶことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載された表示装置において、
前記複数の第２電極のそれぞれは、前記第１方向に幅の広い部分及び幅の狭い部分を有し、
前記幅の狭い部分は、前記第１方向に隣り合う前記電極領域の間にあることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項７から９のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極は、前記複数の第１電極のいずれをも構成しない他の画素電極群を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記多機能電極は、前記送信電極群及び前記受信電極群のいずれとしても機能しない電極群を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極は、前記複数の発光層の発光色に対応して、複数種類に区別され、
前記複数の画素電極の隣り合う異なる種類の一対の間を、前記多機能電極を構成する前記複数の部分の対応する１つが通ることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極の隣り合う同じ種類の一対の間を、前記多機能電極を構成する前記複数の部分の対応する１つが通ることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記画像表示期間及び前記タッチセンシング期間は、交互に繰り返されることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記多機能電極は、前記画像表示期間では前記共通電極と同じ電位に設定されることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置は、画素数の増加によって隣同士の画素が接近するようになってきた。有機エレクトロルミネセンスディスプレイは、発光層が画素ごとに分離していても、全画素に連続する層（例えばキャリア注入輸送層）を有することがあり、連続する層を伝わるリーク電流によって、隣の画素が発光してしまうことがある（特許文献１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１０３３９５号公報
【特許文献２】特開２０１６−８５９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フルカラー画素を低電流で駆動して単色表示すると、リーク電流により、信号を入力していない副画素も発光して、色度が変化してしまう。これはγ補正を困難にする要因となる。特許文献２には、電流を逃がすための電極が開示されているが、その電極の有効的活用が求められる。
【０００５】
本発明は、隣の画素へのリーク電流の発生を防止する構造を有効的に活用することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示装置は、複数の画素電極と、多機能電極と、前記複数の画素電極及び前記多機能電極に積層するエレクトロルミネセンス層と、前記エレクトロルミネセンス層に積層する共通電極と、を有し、前記エレクトロルミネセンス層は、前記複数の画素電極及び前記多機能電極に連続的に重なって接触する下部共通層と、前記下部共通層の上で前記複数の画素電極にそれぞれ対応して相互に分離された複数の発光層と、を含み、前記多機能電極は、前記複数の画素電極の隣り合う一対の間をそれぞれが通る複数の部分を含み、画像表示期間では前記複数の画素電極よりも前記共通電極に近い電位に設定され、前記多機能電極の少なくとも一部は、タッチセンシング期間では送信電極群及び受信電極群の少なくとも一方の電極群として機能することを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、多機能電極の少なくとも一部は、タッチセンシング期間では送信電極群及び受信電極群の少なくとも一方の電極群として機能する。しかも、多機能電極は、画像表示期間では複数の画素電極よりも共通電極に近い電位に設定されるので、隣の画素へのリーク電流を逃がすことができ、有効的に活用されている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】図１に示す表示装置のII−II線断面図である。
【図３】図２に示す部分IIIの拡大図である。
【図４】図１に示す表示装置の回路図である。
【図５】表示領域の一部の平面図である。
【図６】表示領域の一部を拡大した平面図である。
【図７】図６に示す構造のVII−VII線断面の拡大図である。
【図８】画像表示期間及びタッチセンシング期間のタイミング図である。
【図９】第２の実施形態において表示領域の一部の平面図である。
【図１０】第２の実施形態において表示領域の一部を拡大した平面図である。
【図１１】画像表示期間及びタッチセンシング期間のタイミング図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１０】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１１】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１２】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、ディスプレイＤＳＰを含む。ディスプレイＤＳＰは、可撓性を有し、表示領域ＤＡの外側で折り曲げられるようになっている。ディスプレイＤＳＰには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップＣＰが搭載されている。ディスプレイＤＳＰには、フレキシブルプリント基板ＦＰが接続されている。
【００１３】
表示装置は、例えば、有機エレクトロルミネセンス表示装置である。表示装置は、画像が表示される表示領域ＤＡを有する。表示領域ＤＡでは、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。
【００１４】
図２は、図１に示す表示装置のII−II線断面図である。図３は、図２に示す部分IIIの拡大図である。図３に示す樹脂基板１０は、ポリイミドからなる。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いてもよい。樹脂基板１０の裏面には、感圧接着剤１２を介して、補強フィルム１４が貼り付けられている。
【００１５】
樹脂基板１０上に、バリア無機膜１６（アンダーコート層）が積層されている。バリア無機膜１６は、シリコン酸化膜１６ａ、シリコン窒化膜１６ｂ及びシリコン酸化膜１６ｃの三層積層構造である。最下層のシリコン酸化膜１６ａは、樹脂基板１０との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜１６ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜１６ｃは、シリコン窒化膜１６ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。
【００１６】
薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて付加膜２０を形成してもよい。付加膜２０は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜１６ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて付加膜２０を島状に形成し、その後シリコン窒化膜１６ｂ及びシリコン酸化膜１６ｃを積層することで、バリア無機膜１６に付加膜２０を封入するように形成しているが、この限りではなく、樹脂基板１０上にまず付加膜２０を形成し、その後にバリア無機膜１６を形成してもよい。
【００１７】
バリア無機膜１６上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜２２としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２４は、ＭｏＷから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２４に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１８（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜２２を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。
【００１８】
ゲート電極２４の上に、層間絶縁膜２６（シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜）が積層されている。層間絶縁膜２６の上に、ソース・ドレイン電極２８となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜２６を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。
【００１９】
ソース・ドレイン電極２８を覆うように平坦化有機膜３０が設けられている。平坦化有機膜３０は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の樹脂が用いられる。
【００２０】
平坦化有機膜３０は、画素コンタクト部３２では除去されて、その上に酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）膜３４が形成されている。酸化インジウムスズ膜３４は、相互に分離された第１透明導電膜３４ａ及び第２透明導電膜３４ｂを含む。
【００２１】
平坦化有機膜３０の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３４ａにて被覆される。第１透明導電膜３４ａを被覆するように、平坦化有機膜３０の上にシリコン窒化膜３６が設けられている。シリコン窒化膜３６は、画素コンタクト部３２に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極２８に導通するように画素電極３８が積層されている。画素電極３８は、反射電極として形成され、酸化インジウム亜鉛膜、Ａｇ膜、酸化インジウム亜鉛膜の三層積層構造になっている。ここで、酸化インジウム亜鉛膜に代わって酸化インジウムスズ膜を用いてもよい。画素電極３８は、画素コンタクト部３２から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。
【００２２】
第２透明導電膜３４ｂは、画素コンタクト部３２に隣接して、画素電極３８の下方（さらにシリコン窒化膜３６の下方）に設けられている。第２透明導電膜３４ｂ、シリコン窒化膜３６及び画素電極３８は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。
【００２３】
平坦化有機膜３０の上であって例えば画素コンタクト部３２の上方に、バンク（リブ）と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁有機膜４０が形成されている。絶縁有機膜４０としては平坦化有機膜３０と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁有機膜４０は、画素電極３８の表面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、その上に形成されるエレクトロルミネセンス層４２のカバレッジ不良を生ずる。
【００２４】
平坦化有機膜３０と絶縁有機膜４０は、図３に示すように、両者間にあるシリコン窒化膜３６に設けた開口を通じて接触している。これにより、絶縁有機膜４０の形成後の熱処理等を通じて、平坦化有機膜３０から脱離する水分や脱ガスを、絶縁有機膜４０を通じて引き抜くことができる。
【００２５】
図２に示すように、複数の画素電極３８の上に、例えば有機材料からなるエレクトロルミネセンス層４２が積層されている。エレクトロルミネセンス層４２は、下部共通層４４を含む。下部共通層４４は、複数の画素電極３８に連続的に重なって接触する。下部共通層４４は、例えば、正孔輸送層あるいは正孔注入層及び正孔輸送層の積層である。下部共通層４４は、蒸着によって形成してもよいし、溶媒分散の上での塗布によって形成してもよく、表示領域ＤＡを覆う全面にベタ形成されている。
【００２６】
エレクトロルミネセンス層４２は、複数の発光層４６を含む。複数の発光層４６は、下部共通層４４の上にある。複数の発光層４６は、複数の画素電極３８にそれぞれ対応して、相互に分離されている。発光層４６は、画素電極３８（副画素）に対して、選択的に形成されている。
【００２７】
エレクトロルミネセンス層４２は、上部共通層４８を含む。上部共通層４８は、複数の発光層４６に連続的に重なって接触し、発光層４６の外側では下部共通層４４に重なって接触する。上部共通層４８は、例えば、電子輸送層あるいは電子注入層及び電子輸送層の積層である。上部共通層４８は、蒸着によって形成してもよいし、溶媒分散の上での塗布によって形成してもよく、表示領域ＤＡを覆う全面にベタ形成されている。
【００２８】
エレクトロルミネセンス層４２の上に、共通電極５０が積層されている。ここでは、トップエミッション構造としているため、共通電極５０は透明である。例えば、Ｍｇ層及びＡｇ層を、エレクトロルミネセンス層４２からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。本実施形態では、画素電極３８が陽極であり、共通電極５０が陰極である。複数の画素電極３８と、共通電極５０と、複数の画素電極３８のそれぞれの中央部と共通電極５０の間に介在するエレクトロルミネセンス層４２と、で発光素子ＯＤ（図４）が構成される。
【００２９】
共通電極５０の上に封止層５２が形成されている。封止層５２は、エレクトロルミネセンス層４２への外部からの水分侵入を防止することを機能の一としており、高いガスバリア性が要求される。封止層５２は、有機膜５４及びこれを上下で挟む一対の無機膜５６（例えばシリコン窒化膜）の積層構造になっている。一対の無機膜５６は、有機膜５４の周囲で、接触して重なる。封止層５２には、保護層５８及び偏光板６０（例えば円偏光板）が積層される。
【００３０】
図４は、図１に示す表示装置の回路図である。回路は、走査回路ＧＤに接続される複数の走査線ＧＬと、信号駆動回路ＳＤに接続される複数の信号線ＤＬを有する。図１に示す集積回路チップＣＰ内に信号駆動回路ＳＤが配置されている。隣接する２つの走査線ＧＬと隣接する２つの信号線ＤＬとで囲まれる領域が１つの画素ＰＸである。画素ＰＸは、駆動トランジスタとしての薄膜トランジスタＴＲ及びスイッチとしての薄膜トランジスタＴＲ２と保持容量Ｃｓを含む。走査線ＧＬにゲート電圧が印加されることにより、薄膜トランジスタＴＲ２がＯＮ状態となり、信号線ＤＬから映像信号が供給され、保持容量Ｃｓに電荷が蓄積される。保持容量Ｃｓに電荷が蓄積されることにより、薄膜トランジスタＴＲがＯＮ状態となり、電源線ＰＷＬから発光素子ＯＤに電流が流れる。この電流により発光素子ＯＤが発光する。
【００３１】
発光層４６で生じる光の色は、フルカラー画素を構成するための複数色（例えば赤、緑及び青）のいずれかである。つまり、複数色の副画素からフルカラー画素が構成され、副画素に対応する発光層４６は複数色のいずれかの光を発する。
【００３２】
図２に示すように、表示装置は多機能電極６２を有する。多機能電極６２は、複数の画素電極３８と同層にある。エレクトロルミネセンス層４２は、多機能電極６２に積層する。詳しくは、下部共通層４４が、多機能電極６２に連続的に重なって接触する。
【００３３】
図５は、表示領域の一部の平面図である。図６は、図１に示す表示領域ＤＡの一部を拡大した平面図である。表示領域ＤＡには、複数の画素電極３８が配列されている。複数の画素電極３８には、複数色（例えば赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂ）のいずれかでそれぞれ発光する複数の発光層４６が積層されている。異なる色の複数の副画素からフルカラー画素が構成される。
【００３４】
多機能電極６２は、複数の画素電極３８との重複を避けるようになっている。詳しくは、多機能電極６２は、複数の画素電極３８の隣り合う一対の間をそれぞれが通る複数の部分を含む。複数の画素電極３８は、その直上にある複数の発光層４６の発光色に対応して、複数種類（異なる色）に区別される。
【００３５】
多機能電極６２は、異なる色の副画素の間を通る。詳しくは、複数の画素電極３８の隣り合う異なる種類（異なる色）の一対の間を、多機能電極６２を構成する複数の部分の対応する１つが通る。また、多機能電極６２は、隣同士のフルカラー画素の同じ色の副画素の間を通る。詳しくは、複数の画素電極３８の隣り合う同じ種類（同じ色）の一対の間を、多機能電極６２を構成する複数の部分の対応する１つが通る。
【００３６】
図２に示すように、いずれかの画素電極３８及び共通電極５０の間に電流を流すと、下部共通層４４を通って、隣にある画素電極３８の直上にある発光層４６の方向にリーク電流が流れる。しかし、リーク電流は、隣にある画素電極３８の直上にある発光層４６に至る前に、多機能電極６２に逃がされる。これを可能にするため、多機能電極６２は、画像表示期間では、複数の画素電極３８よりも共通電極５０に近い電位（例えば共通電極５０と同じ電位）に設定される。
【００３７】
本実施形態では、多機能電極６２は、さらに、相互容量方式のタッチセンシングにも使用される。つまり、多機能電極６２の少なくとも一部は、タッチセンシング期間では、送信電極群及び受信電極群の少なくとも一方の電極群として機能する。
【００３８】
図５及び図６に示すように、多機能電極６２は、送信電極群として機能する複数の第１電極６４を含む。複数の第１電極６４は、第１方向Ｄ１にそれぞれ延び、第１方向Ｄ１に交差する第２方向Ｄ２に隣同士が並ぶ。複数の第１電極６４のそれぞれは、第２方向Ｄ２に幅の広い部分６４Ｗ及び幅の狭い部分６４Ｎを有する。
【００３９】
多機能電極６２は、受信電極群として機能する複数の第２電極６６を含む。複数の第２電極６６は、複数の第１電極６４との重複を避けて断続的に第２方向Ｄ２にそれぞれ延び、第１方向Ｄ１に隣同士が並ぶ。
【００４０】
図７は、図６に示す構造のVII−VII線断面の拡大図である。第２方向Ｄ２に断続する複数の第２電極６６のそれぞれは、ジャンパ配線６８によって、第２方向Ｄ２に接続されている。ジャンパ配線６８は、多機能電極６２とは異なる層にある。ジャンパ配線６８は、第１電極６４の幅の狭い部分６４Ｎと立体交差する（図６）。複数の第２電極６６のそれぞれは、第１方向Ｄ１にジャンパ配線６８よりも幅の広い部分６６Ｗを有する（図６）。
【００４１】
多機能電極６２は、図６に示すように、送信電極群及び受信電極群のいずれとしても機能しない複数の第３電極７０を含む。複数の第３電極７０は、上述したように、リーク電流を逃がすために使用される。
【００４２】
図８は、画像表示期間及びタッチセンシング期間のタイミング図である。画像表示期間及びタッチセンシング期間は、交互に繰り返される。共通電極５０は、画像表示期間及びタッチセンシング期間を通して０Ｖに設定される。
【００４３】
画像表示期間では、画素電極３８に２Ｖ〜５Ｖの電圧が印加されて、階調に応じた電流が発光層４６に流れる。ただし、２Ｖでは発光層４６は発光せず、黒を表示する。画像表示期間では、図６に示す多機能電極６２（第１電極６４、第２電極６６及び第３電極７０）は０Ｖに設定される。したがって、画素電極３８から下部共通層４４を流れるリーク電流は、多機能電極６２から逃がされる。
【００４４】
タッチセンシング期間では、第１電極６４に、図８に示すように、タッチセンシングのためのパルス信号が入力される。パルス信号は、−２Ｖ（Ｌレベル）から２Ｖ（Ｈレベル）に立ち上がる。パルス信号が立ち上がるとき、画素電極３８はＬレベルと同じ−２Ｖになっている。パルス信号が立ち下がるとき、画素電極３８はＨレベルと同じ２Ｖになっている。
【００４５】
相互に接近する第１電極６４及び第２電極６６は容量結合するようになっている。第１電極６４にパルス信号が入力されると、第２電極６６に電圧が現れて電流が流れる。指による画面のタッチがあるとその電流が減少するので、これを検知することでタッチ位置の検出が可能になる。
【００４６】
以上説明したように、多機能電極６２は、リーク電流を逃がすためのみならず、タッチセンシングにも使用されるので、有効的な活用が可能になっている。
【００４７】
［第２の実施形態］
図９は、第２の実施形態において表示領域の一部の平面図である。図１０は、第２の実施形態において表示領域ＤＡの一部を拡大した平面図である。タッチセンシングのために、複数の第１電極２６４は、送信電極群及び受信電極群の一方の電極群（例えば送信電極群）として機能する。複数の第１電極２６４が、第１方向Ｄ１にそれぞれ延び、第１方向Ｄ１に交差する第２方向Ｄ２に隣同士が並ぶ。
【００４８】
複数の第１電極２６４は、複数の電極領域ＥＲから構成されている。複数の電極領域ＥＲは、複数の第１電極２６４に対応して、第１方向Ｄ１に複数列で配列されている。つまり、相互に間隔をあけて第１方向Ｄ１に並ぶいくつかの電極領域ＥＲが、１つの第１電極２６４を構成する。複数の電極領域ＥＲには、複数の画素電極２３８に含まれる画素電極２３８ａが配列されている。なお、複数の画素電極２３８は、複数の第１電極２６４のいずれをも構成しない他の画素電極２３８ｂも含む。
【００４９】
多機能電極２６２は、送信電極群及び受信電極群の他方の電極群（例えば受信電極群）として機能する複数の第２電極２６６を含む。複数の第２電極２６６は、第２方向Ｄ２にそれぞれ延び、第１方向Ｄ１に隣同士が並ぶ。複数の第２電極２６６のそれぞれは、第１方向Ｄ１に幅の広い部分２６６Ｗ及び幅の狭い部分２６６Ｎを有する。幅の狭い部分２６６Ｎは、第１方向Ｄ１に隣り合う（最も接近した）電極領域ＥＲの間にある。なお、多機能電極２６２は、送信電極群及び受信電極群のいずれとしても機能しない複数の第３電極２７０を含む。複数の第１電極２６４（画素電極２３８ａのグループ）と、複数の第２電極２６６とが、交差する方向に並んで、送信電極及び受信電極としての役割を果たすようになっている。
【００５０】
図１１は、画像表示期間及びタッチセンシング期間のタイミング図である。画像表示期間及びタッチセンシング期間は、交互に繰り返される。共通電極５０は、画像表示期間及びタッチセンシング期間を通して０Ｖに設定される。
【００５１】
画像表示期間では、画素電極２３８に２Ｖ〜５Ｖの電圧が印加されて、階調に応じた電流が発光層４６に流れる。ただし、２Ｖでは発光層４６は発光しない。画像表示期間では、多機能電極２６２（第２電極２６６及び第３電極２７０）は０Ｖに設定される。したがって、画素電極２３８から下部共通層４４を流れるリーク電流は、多機能電極２６２から逃がされる。
【００５２】
タッチセンシング期間では、第１電極２６４（画素電極２３８ａ）に、タッチセンシングのためのパルス信号が入力される。パルス信号は、−２Ｖ（Ｌレベル）から２Ｖ（Ｈレベル）に立ち上がる。
【００５３】
相互に接近する第１電極２６４（画素電極２３８ａ）及び第２電極２６６（多機能電極２６２）は、容量結合するようになっている。第１電極２６４にパルス信号が入力されると、第２電極２６６に電圧が現れて電流が流れる。指による画面のタッチがあるとその電流が減少するので、これを検知することでタッチ位置の検出が可能になる。本実施形態でも、多機能電極２６２は、リーク電流を逃がすためのみならず、タッチセンシングにも使用され、有効的な活用が可能になっている。
【００５４】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００５５】
１０  樹脂基板、１２  感圧接着剤、１４  補強フィルム、１６  バリア無機膜、１６ａ  シリコン酸化膜、１６ｂ  シリコン窒化膜、１６ｃ  シリコン酸化膜、１８  半導体層、２０  付加膜、２２  ゲート絶縁膜、２４  ゲート電極、２６  層間絶縁膜、２８  ソース・ドレイン電極、３０  平坦化有機膜、３２  画素コンタクト部、３４  酸化インジウムスズ膜、３４ａ  第１透明導電膜、３４ｂ  第２透明導電膜、３６  シリコン窒化膜、３８  画素電極、３８ａ  画素電極、３８ｂ  画素電極、４０  絶縁有機膜、４２  エレクトロルミネセンス層、４４  下部共通層、４６  発光層、４８  上部共通層、５０  共通電極、５２  封止層、５４  有機膜、５６  無機膜、５８  保護層、６０  偏光板、６２  多機能電極、６４  第１電極、６４Ｎ  幅の狭い部分、６４Ｗ  幅の狭い部分、６６  第２電極、６６Ｎ  幅の狭い部分、６６Ｗ  幅の広い部分、６８  ジャンパ配線、７０  第３電極、２３８  画素電極、２３８ａ  画素電極、２３８ｂ  画素電極、２６２  多機能電極、２６４  第１電極、２６６  第２電極、２６６Ｎ  幅の狭い部分、２６６Ｗ  幅の広い部分、２７０  第３電極、Ｃad  付加容量、ＣＬ１  第１保持容量線、ＣＬ２  第２保持容量線、ＣＰ  集積回路チップ、Ｃｓ  保持容量、Ｄ１  第１方向、Ｄ２  第２方向、ＤＡ  表示領域、ＤＬ  信号線、ＤＳＰ  ディスプレイ、ＥＲ  電極領域、ＦＰ  フレキシブルプリント基板、ＧＤ  走査回路、ＧＬ  走査線、ＯＤ  発光素子、ＰＷＬ  電源線、ＰＸ  画素、ＳＤ  信号駆動回路、ＴＲ  薄膜トランジスタ、ＴＲ２  薄膜トランジスタ、Ｗ１  第１配線層、Ｗ２  第２配線層。
【図１】
2020068074.tif 000003
【図２】
2020068074.tif 000004
【図３】
2020068074.tif 000005
【図４】
2020068074.tif 000006
【図５】
2020068074.tif 000007
【図６】
2020068074.tif 000008
【図７】
2020068074.tif 000009
【図８】
2020068074.tif 000010
【図９】
2020068074.tif 000011
【図１０】
2020068074.tif 000012
【図１１】
2020068074.tif 000013