(57)【要約】【課題】終端領域の電界が強く、保護膜が水分を含有している場合であっても、水分の電気分解作用によって形成される生成物の発生を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板の厚み方向に主電流が流れる半導体装置であって、半導体基板上に設けられた第１導電型の半導体層と、半導体層上に設けられた第１の主電極と、半導体基板の第１の主電極が設けられた側とは反対側の主面に設けられた第２の主電極と、半導体層の主電流が流れる活性領域より半導体装置における外周側となる外側の終端領域に設けられた第２導電型の電界緩和領域と、少なくとも電界緩和領域上を覆う第１の保護膜と、第１の保護膜の外側の端縁部上から半導体層の表面上にかけて設けられた保護金属膜と、第１の主電極の端縁部上、第１の保護膜上および保護金属膜上を覆うように設けられた第２の保護膜と、を備えている。【選択図】図４
2020068223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の厚み方向に主電流が流れる半導体装置であって、
前記半導体基板上に設けられた第１導電型の半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の主電極と、
前記半導体基板の前記第１の主電極が設けられた側とは反対側の主面に設けられた第２の主電極と、
前記半導体層の前記主電流が流れる活性領域より前記半導体装置における外周側となる外側の終端領域に設けられた第２導電型の電界緩和領域と、
少なくとも前記電界緩和領域上を覆う第１の保護膜と、
前記第１の保護膜の外側の端縁部上から前記半導体層の表面上にかけて設けられた保護金属膜と、
前記第１の主電極の端縁部上、前記第１の保護膜上および前記保護金属膜上を覆うように設けられた第２の保護膜と、を備える、半導体装置。
【請求項２】
前記保護金属膜は、外側の端縁部が前記第２の保護膜の外側の端縁部よりもさらに外側に位置するように設けられる、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記保護金属膜は、外側の端縁部が前記半導体層の最端部まで延在するように設けられる、請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板の厚み方向に主電流が流れる半導体装置であって、
前記半導体基板上に設けられた第１導電型の半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の主電極と、
前記半導体基板の前記第１の主電極が設けられた側とは反対側の主面に設けられた第２の主電極と、
前記半導体層の前記主電流が流れる活性領域より前記半導体装置における外周側となる外側の終端領域に設けられた第２導電型の電界緩和領域と、
少なくとも前記電界緩和領域上を覆う第１の保護膜と、
前記第１の主電極の外側の端縁部上から前記第１の保護膜の表面上にかけて設けられた保護金属膜と、
前記第１の主電極の端縁部上、前記保護金属膜および前記第１の保護膜上を覆うように設けられた第２の保護膜と、を備える、半導体装置。
【請求項５】
前記保護金属膜は、前記活性領域側となる内側の端縁部が前記第２の保護膜の内側の端縁部よりもさらに内側に位置するように設けられる、請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記保護金属膜は、前記第１の主電極の上面全体を覆うように設けられる、請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】
前記電界緩和領域は、
前記半導体層の上層部に設けられた第２導電型の複数の不純物領域を含み、
前記保護金属膜の外側の端縁部は、前記第１の保護膜を介して前記複数の不純物領域のうち、最も内側の不純物領域の外側の端縁部を超える位置の上方まで延在するように設けられる、請求項４から請求項６の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体基板の厚み方向に主電流が流れる半導体装置であって、
前記半導体基板上に設けられた第１導電型の半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の主電極と、
前記半導体基板の前記第１の主電極が設けられた側とは反対側の主面に設けられた第２の主電極と、
前記半導体層の前記主電流が流れる活性領域より前記半導体装置における外周側となる外側の終端領域に設けられた第２導電型の電界緩和領域と、
少なくとも前記電界緩和領域上を覆う第１の保護膜と、
前記第１の保護膜の外側の端縁部上から前記半導体層の表面上にかけて設けられた第１の保護金属膜と、
前記第１の主電極の外側の端縁部上から前記第１の保護膜の表面上にかけて設けられた第２の保護金属膜と、
前記第１の主電極の端縁部上、前記第２の保護金属膜上、前記第１の保護膜上および前記第１の保護金属膜上を覆うように設けられた第２の保護膜と、を備える、半導体装置。
【請求項９】
前記電界緩和領域は、
前記半導体層の上層部に設けられた第２導電型の複数の不純物領域を含み、
前記第１の保護膜上に互いに間隔を開けて設けられた複数の第３の保護金属膜をさらに備え、
前記複数の第３の保護金属膜は、
前記複数の不純物領域の上方に位置するように設けられる、請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記複数の第３保護金属膜のそれぞれの外側の端縁部は、前記第１の保護膜を介して前記複数の不純物領域のそれぞれの外側の端縁部を超える位置の上方まで延在するように設けられる、請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記複数の第３保護金属膜のうち、少なくとも１つは前記第１の保護膜を貫通して、前記複数の不純物領域の１つと接合する、請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第２の保護金属膜の外側の端縁部は、前記第１の保護膜を介して前記複数の不純物領域のうち、最も内側の不純物領域の外側の端縁部を超える位置の上方まで延在するように設けられる、請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
半導体基板の厚み方向に主電流が流れる半導体装置であって、
前記半導体基板上に設けられた第１導電型の半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の主電極と、
前記半導体基板の前記第１の主電極が設けられた側とは反対側の主面に設けられた第２の主電極と、
前記半導体層の前記主電流が流れる活性領域より前記半導体装置における外周側となる外側の終端領域において前記半導体層の上層部に設けられた第２導電型の複数の不純物領域で構成される電界緩和領域と、
前記第１の保護膜上に互いに間隔を開けて設けられた複数の保護金属膜と、
少なくとも前記電界緩和領域上を覆う第１の保護膜と、
前記第１の主電極の端縁部上、前記第１の保護膜上および前記複数の保護金属膜上を覆うように設けられた第２の保護膜と、を備え、
前記複数の保護金属膜のうち、少なくとも１つは前記第１の保護膜を貫通して、前記複数の不純物領域の１つと接合すると共に、外側の端縁部は、前記第１の保護膜を介して前記複数の不純物領域の外側の端縁部を超える位置の上方まで延在するように設けられる、半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体基板は、炭化珪素基板であって、
前記半導体層は、炭化珪素の半導体層である、請求項１から請求項１３の何れか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に、耐湿性を向上した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、縦型のＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などの半導体装置においては、例えば、ｎ型の半導体基板上に設けたｎ型エピタキシャル層に対して、ｐ型の電界緩和領域を半導体チップの終端領域に設けて、アノード電極およびソース電極などの表面電極に接続させることで耐圧を確保する方法が広く知られている。
【０００３】
このような半導体装置では、表面電極の端部および電界緩和領域を、酸化膜またはポリイミドなどの保護膜で覆うような構成を採っている。例えば、特許文献１では、ＳＢＤチップの外周部に設けたチャネルストッパ層上にポリイミドの保護膜を設けた構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１０３５２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
炭化珪素（ＳｉＣ）半導体装置では、物性上、シリコン半導体装置に比べて耐圧性に優れ、シリコン半導体装置に比べて終端領域を縮小することが期待できる。しかし、終端領域の電界が強く、保護膜が水分を含有している場合、水分の電気分解作用によって、表面電極およびＳｉＣ層の表面が反応して生成物が形成され、生成物の体積膨張によって保護膜が剥がれることで半導体装置に不具合が発生する可能性がある。
【０００６】
本発明は上記のような問題を解決するためになされたものであり、終端領域の電界が強く、保護膜が水分を含有している場合であっても、水分の電気分解作用によって形成される生成物の発生を抑制した半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板の厚み方向に主電流が流れる半導体装置であって、前記半導体基板上に設けられた第１導電型の半導体層と、前記半導体層上に設けられた第１の主電極と、前記半導体基板の前記第１の主電極が設けられた側とは反対側の主面に設けられた第２の主電極と、前記半導体層の前記主電流が流れる活性領域より前記半導体装置における外周側となる外側の終端領域に設けられた第２導電型の電界緩和領域と、少なくとも前記電界緩和領域上を覆う第１の保護膜と、前記第１の保護膜の外側の端縁部上から前記半導体層の表面上にかけて設けられた保護金属膜と、前記第１の主電極の端縁部上、前記第１の保護膜上および前記保護金属膜上を覆うように設けられた第２の保護膜と、を備えている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る半導体装置によれば、保護金属膜を備えることで、例えば、ダイオードであれば逆バイアス電圧が、トランジスタであれば順バイアス電圧が印加された状態で、水分が第２の保護膜内に侵入しても、装置端縁部側の半導体層の表面での生成物の形成を抑制して、第２の保護膜の剥離を抑制し、半導体層の故障を抑制して、長寿命化することができる。また、装置端縁部側の半導体層の表面での生成物の形成を抑制することで、電位的に反対側となる第１の主電極の端縁部での生成物の形成も抑制される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】終端領域が縮小されたショットキーバリアダイオードの断面図である。
【図２】ショットキーバリアダイオードに逆バイアス電圧が印加された状態を模式的に示す図である。
【図３】ショットキーバリアダイオードに生成物が形成された状態を模式的に示す図である。
【図４】本発明に係る実施の形態１のショットキーバリアダイオードの断面図である。
【図５】本発明に係る実施の形態１のショットキーバリアダイオードに生成物が形成された状態を模式的に示す図である。
【図６】本発明に係る実施の形態１のＭＯＳＦＥＴの断面図である。
【図７】本発明に係る実施の形態１のショットキーバリアダイオードの変形例の断面図である。
【図８】本発明に係る実施の形態１のショットキーバリアダイオードの変形例の断面図である。
【図９】本発明に係る実施の形態２のショットキーバリアダイオードの断面図である。
【図１０】本発明に係る実施の形態２のショットキーバリアダイオードに生成物が形成された状態を模式的に示す図である。
【図１１】本発明に係る実施の形態２のショットキーバリアダイオードの変形例の断面図である。
【図１２】本発明に係る実施の形態２のショットキーバリアダイオードの変形例の断面図である。
【図１３】本発明に係る実施の形態３のショットキーバリアダイオードの断面図である。
【図１４】本発明に係る実施の形態３のショットキーバリアダイオードの部分断面図である。
【図１５】本発明に係る実施の形態４のショットキーバリアダイオードの断面図である。
【図１６】本発明に係る実施の形態５のショットキーバリアダイオードの断面図である。
【図１７】本発明に係る実施の形態５のＭＯＳＦＥＴの断面図である。
【図１８】本発明に係る実施の形態５のショットキーバリアダイオードの変形例の断面図である。
【図１９】本発明に係る実施の形態５のショットキーバリアダイオードの変形例の部分断面図である。
【図２０】本発明に係る実施の形態６のショットキーバリアダイオードの断面図である。
【図２１】本発明に係る実施の形態６のショットキーバリアダイオードの部分断面図である。
【図２２】本発明に係る実施の形態６のＭＯＳＦＥＴの断面図である。
【図２３】本発明に係る実施の形態６のショットキーバリアダイオードの変形例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜はじめに＞
実施の形態の説明に先立って、終端領域の電界が強く、終端領域に設けた保護膜が水分を含有している場合に、水分の電気分解作用によって形成される生成物について説明する。
【００１１】
なお、以下の説明において、「活性領域」とは半導体装置のオン状態において主電流が流れる領域であり、「終端領域」とは、活性領域の周囲における領域であるものとする。また、以下において、「外側」とは半導体装置の外周に向かう方向であり、「内側」とは「外側」に対して反対の方向とする。また、以下の記載では、不純物の導電型に関して、ｎ型を「第１導電型」、ｐ型を「第２導電型」として一般的に定義するが、その逆の定義でも構わない。
【００１２】
耐圧性に優れた炭化珪素半導体装置では、コスト低減および生産性向上のために終端領域の縮小が図られた結果、終端領域での電界が強くなっている。このような、終端領域の縮小が図られた炭化珪素半導体装置の一例として、図１にショットキーバリアダイオード９０の断面構成を示す。
【００１３】
図１に示すようにショットキーバリアダイオード９０は、ｎ型不純物を比較的高濃度（ｎ＋）に含む厚さ５０〜４００μｍのＳｉＣ基板１（半導体基板）上にｎ型不純物を比較的低濃度（ｎ−）に含む厚さ３〜１００μｍのＳｉＣのエピタキシャル層２（半導体層）が設けられている。
【００１４】
エピタキシャル層２の上層部には、ｐ型不純物を含む厚さ０．２〜２．０μｍの不純物領域３１および３２が選択的に形成されて電界緩和領域３を構成している。電界緩和領域３はショットキーバリアダイオード９０の終端領域に設けられ、ショットキーバリアダイオード９０の活性領域を囲むように設けられている。不純物領域３１は不純物領域３２に比べて断面積が大きく、不純物領域３２は、不純物領域３１の外側に間を開けて複数設けられており、不純物領域３２の個数、配設間隔は、ショットキーバリアダイオード９０の定格に基づいて設定される。
【００１５】
エピタキシャル層２の活性領域に対応する部分の表面上にはショットキー電極８が設けられている。ショットキー電極８はエピタキシャル層２の表面に接すると共に、終端領域のエピタキシャル層２上に設けられた厚さ０．５〜３．０μｍの酸化膜保護膜９（第１の保護膜）の一部表面にも接するように設けられている。ショットキー電極８は、例えば、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｉ（ニッケル）などで構成される。
【００１６】
酸化膜保護膜９は、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）を用いたシリコン酸化膜を使用し、電界緩和領域３上を覆うように設けられる。
【００１７】
また、ショットキー電極８上から酸化膜保護膜９の内側端縁部上を覆うようにアノード電極（第１の主電極）となる表面電極１０が設けられ、ＳｉＣ基板１の表面電極１０が設けられた側の主面とは反対側の主面である裏面には、カソード電極となる裏面電極１１（第２の主電極）が設けられている。なお、表面電極１０および裏面電極１１は、例えばＡｌ（アルミニウム）、銅（Ｃｕ）などで構成される。
【００１８】
そして、表面電極１０の端縁部上、酸化膜保護膜９上および終端領域のエピタキシャル層２の一部上部を覆うようにポリイミド保護膜１２（第２の保護膜）が設けられている。
【００１９】
このような構成のショットキーバリアダイオード９０においては、ポリイミド保護膜１２中に含まれる水分が、高電界により反応対象物である表面電極１０およびＳｉＣ層と反応して、水分の電気分解作用によって水酸化物および酸化物などの生成物が形成される。
【００２０】
図２は、ショットキーバリアダイオード９０に逆バイアス電圧が印加された状態を模式的に示す図であり、表面電極１０が負電位となり裏面電極１１は正電位となるようにバイアスされている。
【００２１】
特に、表面電極１０の端部と装置端縁部側のエピタキシャル層２の表面との間には、逆バイアス電圧による高電圧が印加され、また、ポリイミド保護膜１２は吸湿しやすいため、水分の電気分解作用による生成物の形成が著しい。
【００２２】
図３は、表面電極１０の端縁部に生成物ＰＲ２が形成され、装置端縁部側のエピタキシャル層２の表面に生成物ＰＲ１が形成され、また、水分が酸化膜保護膜９を通って酸化膜保護膜９下のエピタキシャル層２の表面に達することで、酸化膜保護膜９下に生成物ＰＲ３が形成された状態を模式的に示している。なお、生成物ＰＲ２は表面電極１０の上面にも形成されるが、特に端縁部の側面で形成が著しく、生成物ＰＲ１は酸化膜保護膜９の近傍で形成が著ししい。
【００２３】
図３に示されるように、反応が進んで生成物ＰＲ１およびＰＲ２の体積が膨張すると、ポリイミド保護膜１２が剥がれて、ポリイミド保護膜１２と酸化膜保護膜９との間に空隙ＳＰが生じる。
【００２４】
ポリイミド保護膜１２が剥がれると、剥がれた部分を起点にして電界分布が変化して耐圧の低下を招いたり、あるいは、空隙ＳＰに水分が溜まってリークパスが生じたりするなどの不具合が発生し、ショットキーバリアダイオード９０の故障の原因となる。
【００２５】
また、ｐ型の電界緩和領域３とｎ型のエピタキシャル層２とのｐｎ接合部では、電界強度が高くなるため、他のエピタキシャル層２の表面領域と比べて、生成物の形成が著しい。生成物ＰＲ３の体積膨張により酸化膜保護膜９が剥がれると、ポリイミド保護膜１２の剥離と同様の理由でショットキーバリアダイオード９０の故障の原因となる。
【００２６】
上述した生成物ＰＲ１〜ＰＲ３の形成のメカニズムに鑑み、以下、発明者が考案した本発明に係る半導体装置の実施の形態について説明する。
【００２７】
＜実施の形態１＞
図４は、本発明に係る実施の形態１の半導体装置であるショットキーバリアダイオード１００の構成を示す断面図である。なお、図４においては、図１を用いて説明したショットキーバリアダイオード９０と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２８】
図４に示すショットキーバリアダイオード１００においては、酸化膜保護膜９の外側端縁部上からエピタキシャル層２の表面上にかけて保護金属膜８１が設けられている。
【００２９】
保護金属膜８１は、電界緩和領域３の上方には設けられず、また表面電極１０とは導通しないように設けられる。保護金属膜８１には、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ（金）などの耐腐食性に優れた金属を用いることが望ましく、膜厚は被覆されない部分が生じることを防止するため１００ｎｍ以上とすることが望ましい。
【００３０】
ショットキーバリアダイオード１００は、保護金属膜８１を備えることで、逆バイアス電圧が印加され、かつ、水分がポリイミド保護膜１２内に侵入しても、装置端縁部側のエピタキシャル層２の表面での生成物の形成を抑制して、ポリイミド保護膜１２の剥離を抑制し、ショットキーバリアダイオード１００の故障を抑制して、長寿命化する。これは、耐湿性が向上することを意味する。
【００３１】
また、装置端縁部側のエピタキシャル層２の表面での生成物の形成を抑制することで、電位的に反対側となる表面電極１０の端縁部での生成物の形成も抑制される。図５は、表面電極１０の端縁部において生成物ＰＲ２の形成が抑制されることを模式的に示している。生成物ＰＲ２は厚みが薄く、体積的に小さいので、ポリイミド保護膜１２が剥がれる原因とはならない。このように生成物ＰＲ２の形成が抑制されるのは、水分が一旦、電気分解されても酸素がエピタキシャル層２と反応しないので、ポリイミド保護膜１２中で再び水素と化合して水分に戻るため、表面電極１０の端縁部において水酸化物である生成物ＰＲ２の形成が抑制されるためと考えられる。
【００３２】
＜ＭＯＳＦＥＴへの適用＞
以上説明した実施の形態１においてはショットキーバリアダイオードを例に採って説明したが、本発明に係る実施の形態１の半導体装置はＭＯＳＦＥＴであっても良い。
【００３３】
図６は本発明に係る実施の形態１の半導体装置であるＭＯＳＦＥＴ２００の構成を示す断面図である。
【００３４】
図６に示すようにＭＯＳＦＥＴ２００は、ｎ型不純物を比較的高濃度（ｎ＋）に含む厚さ５０〜４００μｍのＳｉＣ基板１上にｎ型不純物を比較的低濃度（ｎ−）に含む厚さ３〜１００μｍのエピタキシャル層２が設けられている。
【００３５】
エピタキシャル層２の上層部には、ｐ型不純物を含む厚さ０．２〜２．０μｍの不純物領域３１および３２が選択的に形成されて電界緩和領域３を構成している。電界緩和領域３はＭＯＳＦＥＴ２００の終端領域に設けられ、ＭＯＳＦＥＴ２００の活性領域を囲むように設けられている。不純物領域３１は不純物領域３２に比べて断面積が大きく、不純物領域３２は、不純物領域３１の外側に間を開けて複数設けられており、不純物領域３２の個数、配設間隔は、ＭＯＳＦＥＴ２００の定格に基づいて設定される。
【００３６】
また、エピタキシャル層２の上層部には、ＭＯＳＦＥＴ２００の活性領域において、ｐ型不純物を含む厚さ０．２〜２．０μｍのウェル領域４が選択的に設けられ、ウェル領域４の上層部には、ｐ型不純物を比較的高濃度（ｐ＋）に含むウェルコンタクト領域６が選択的に設けられ、ウェルコンタクト領域６を挟むように、ｎ型不純物を比較的高濃度（ｎ＋）に含むソース領域５が設けられている。なお、ソース領域５およびウェルコンタクト領域６の厚さはウェル領域４よりも薄く形成される。また、図６ではウェル領域４は１つのみを示しているが、活性領域には複数のウェル領域４が間隔を開けて設けられており、図６のウェル領域４は、活性領域の最外縁のウェル領域４である。
【００３７】
ウェルコンタクト領域６は、ソース領域５とウェル領域４の電位を同一にすることでスイッチング特性を安定させるために設けられるが、ウェルコンタクト領域６は必須の構成ではない。
【００３８】
エピタキシャル層２上には、電界緩和領域３上を覆うように厚さ０．３〜３．０μｍの酸化膜保護膜２４が設けられている。酸化膜保護膜２４は、例えばＴＥＯＳを用いたシリコン酸化膜を使用する。
【００３９】
また、エピタキシャル層２上には、隣り合うウェル領域４（図示されず）間からウェル領域４端縁部上およびソース領域５の端縁部上にかけて覆うように厚さ２０〜２００ｎｍのゲート絶縁膜２１が設けられ、ゲート絶縁膜２１上にはゲート電極２２が設けられている。
【００４０】
また、ゲート絶縁膜２１は、ソース領域５の端縁部上からウェル領域４端縁部上、不純物領域３１の端縁部上および酸化膜保護膜２４の一部上部にかけて覆うようにも設けられ、ゲート絶縁膜２１上にはゲート電極２２が設けられている。
【００４１】
ゲート絶縁膜２１、ゲート電極２２および酸化膜保護膜２４は、厚さ０．３〜３．０μｍの層間絶縁膜２３によって覆われ、層間絶縁膜２３で覆われていないソース領域５およびウェルコンタクト領域６の上部には、ソース電極としての表面電極１０が設けられている。なお、酸化膜保護膜２４と層間絶縁膜２３との積層膜は保護膜（第１の保護膜）と呼称する場合もある。
【００４２】
また、表面電極１０は、終端領域において、層間絶縁膜２３および酸化膜保護膜２４を貫通して不純物領域３１に達するように設けられている。
【００４３】
そして、表面電極１０の端縁部上、層間絶縁膜２３上および終端領域のエピタキシャル層２の一部上部を覆うようにポリイミド保護膜１２が設けられている。
【００４４】
表面電極１０とは反対側のＳｉＣ基板１の裏面にはドレイン電極となる裏面電極１１が設けられている。なお、表面電極１０および裏面電極１１は、例えばＡｌ、Ｃｕなどで構成される。
【００４５】
ここで、積層された酸化膜保護膜２４および層間絶縁膜２３の端縁部上からエピタキシャル層２の表面上にかけて保護金属膜８１が設けられている。
【００４６】
保護金属膜８１は、電界緩和領域３の上方には設けられず、また表面電極１０とは導通しないように設けられる。保護金属膜８１には、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕなどの耐腐食性に優れた金属を用いることが望ましく、膜厚は被覆されない部分が生じることを防止するため１００ｎｍ以上とすることが望ましい。
【００４７】
ＭＯＳＦＥＴ２００は、保護金属膜８１を備えることで、順バイアス電圧が印加された状態で、水分がポリイミド保護膜１２内に侵入しても、装置端縁部側のエピタキシャル層２の表面での生成物の形成を抑制して、ポリイミド保護膜１２の剥離を抑制し、ＭＯＳＦＥＴ２００の故障を抑制して、長寿命化する。これは、耐湿性が向上することを意味する。また、装置端縁部側のエピタキシャル層２の表面での生成物の形成を抑制することで、電位的に反対側となる表面電極１０の端縁部での生成物の形成も抑制される。
【００４８】
なお、ＭＯＳＦＥＴ２００において順バイアス電圧が印加されている状態とは、ソース電極としての表面電極１０が負電位となりドレイン電極としての裏面電極１１が正電位となるようにバイアスされている状態である。
【００４９】
＜変形例１＞
図４に示したショットキーバリアダイオード１００においては、酸化膜保護膜９の外側端縁部上からエピタキシャル層２の表面上にかけて保護金属膜８１が設けられ、保護金属膜８１はポリイミド保護膜１２で完全に覆われていたが、図７に示すショットキーバリアダイオード１００Ａのように、保護金属膜８１の外側の端縁部が装置端部の近傍まで延在するように保護金属膜８１を設け、ポリイミド保護膜１２は保護金属膜８１を完全には覆わず、保護金属膜８１の外側の端縁部は、ポリイミド保護膜１２の外側の端縁部よりも外側に位置するようにしても良い。
【００５０】
このような保護金属膜８１の配置により、ポリイミド保護膜１２をエピタキシャル層２の表面に接触させないようにして、ポリイミド保護膜１２とエピタキシャル層２との接触面に生成物が形成されることを極力抑制することで、ポリイミド保護膜１２の剥離を抑制して、耐湿性をさらに向上させることができる。
【００５１】
＜変形例２＞
図４に示したショットキーバリアダイオード１００においては、酸化膜保護膜９の外側端縁部上からエピタキシャル層２の表面上にかけて保護金属膜８１が設けられ、保護金属膜８１はポリイミド保護膜１２で完全に覆われていたが、図８に示すショットキーバリアダイオード１００Ｂのように、保護金属膜８１の外側の端縁部が装置端部、すなわちエピタキシャル層２の最端部まで延在するように保護金属膜８１を設けても良い。
【００５２】
このような構成を採ることで、ポリイミド保護膜１２上を封止材１３で覆う構成を採った場合に、封止材１３が吸湿性を有している場合でも、封止材１３をエピタキシャル層２の表面に接触させないようにして、封止材１３とエピタキシャル層２との接触面に生成物が形成されることを抑制することで、封止材１３の剥離を抑制して、耐湿性をさらに向上させることができる。
【００５３】
＜実施の形態２＞
図９は、本発明に係る実施の形態２の半導体装置であるショットキーバリアダイオード１０１の構成を示す断面図である。なお、図９においては、図１を用いて説明したショットキーバリアダイオード９０と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５４】
図９に示すショットキーバリアダイオード１０１においては、表面電極１０の端縁部上に保護金属膜８０が設けられている。保護金属膜８０の端縁部の上面から側面にかけて設けられているが、電界緩和領域３の上方には設けられていない。
【００５５】
保護金属膜８１には、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕなどの耐腐食性に優れた金属を用いることが望ましく、膜厚は被覆されない部分が生じることを防止するため１００ｎｍ以上とすることが望ましい。
【００５６】
ショットキーバリアダイオード１０１は、保護金属膜８０を備えることで、逆バイアス電圧が印加され、かつ、水分がポリイミド保護膜１２内に侵入しても、表面電極１０の端縁部での生成物の形成を抑制して、ポリイミド保護膜１２の剥離を抑制し、ショットキーバリアダイオード１０１の故障を抑制して、耐湿性が向上する。
【００５７】
また、表面電極１０の端縁部での生成物の形成を抑制することで、電位的に反対側となる装置端縁部側のエピタキシャル層２の表面での生成物の形成も抑制される。
【００５８】
図１０は、装置端縁部側のエピタキシャル層２の表面において生成物ＰＲ１の形成が抑制されることを模式的に示している。生成物ＰＲ１は厚みが薄く、体積的に小さいので、ポリイミド保護膜１２が剥がれる原因とはならない。このように生成物ＰＲ１の形成が抑制されるのは、水分が一旦、電気分解されても水酸基（ＯＨ−）が表面電極１０と反応しないので、ポリイミド保護膜１２中で再び水素と酸素が化合して水分に戻るため、装置端縁部側のエピタキシャル層２の表面において酸化物である生成物ＰＲ１の形成が抑制されるためと考えられる。
【００５９】
＜変形例１＞
図９に示したショットキーバリアダイオード１０１においては、表面電極１０の端縁部の上面から側面にかけて保護金属膜８０が設けられ、保護金属膜８０はポリイミド保護膜１２で完全に覆われていたが、図１１に示すショットキーバリアダイオード１０１Ａのように、保護金属膜８０の内側の端縁部がポリイミド保護膜１２の内側の端縁部よりも装置の内側に位置するように保護金属膜８０を設け、ポリイミド保護膜１２が保護金属膜８０を完全には覆わないようにしても良い。
【００６０】
このような保護金属膜８０の配置により、ポリイミド保護膜１２を表面電極１０の上面に接触させないようにして、ポリイミド保護膜１２と表面電極１０との接触面に生成物が形成されることを極力抑制することで、ポリイミド保護膜１２の剥離を抑制して、耐湿性をさらに向上させることができる。
【００６１】
＜変形例２＞
図９に示したショットキーバリアダイオード１０１においては、表面電極１０の端縁部の上面から側面にかけて保護金属膜８０が設けられ、保護金属膜８０はポリイミド保護膜１２で完全に覆われていたが、図１２に示すショットキーバリアダイオード１０１Ｂのように、保護金属膜８０が表面電極１０の上面全体覆い、ポリイミド保護膜１２が保護金属膜８０を完全には覆わないようにしても良い。
【００６２】
このような構成を採ることで、ポリイミド保護膜１２上を封止材１３で覆う構成を採った場合に、封止材１３が吸湿性を有している場合でも、封止材１３を表面電極１０の上面に接触させないようにして、封止材１３と表面電極１０との接触面に生成物が形成されることを抑制することで、封止材１３の剥離を抑制して、耐湿性をさらに向上させることができる。
【００６３】
＜実施の形態３＞
図１３は、本発明に係る実施の形態３の半導体装置であるショットキーバリアダイオード１０２の構成を示す断面図である。なお、図１３においては、図１を用いて説明したショットキーバリアダイオード９０と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００６４】
図１３に示すショットキーバリアダイオード１０２においては、表面電極１０の端縁部上に保護金属膜８０が設けられている点では実施の形態２のショットキーバリアダイオード１０１と同じであるが、保護金属膜８０の外側の端縁部は、酸化膜保護膜９を介して電界緩和領域３の最も内側の不純物領域３１の外側端縁部を超える位置の上方まで延在している。
【００６５】
先に説明したように、電界緩和領域３の不純物領域３１とエピタキシャル層２とのｐｎ接合部は電界が高く、水分が酸化膜保護膜９を通ってエピタキシャル層２の表面に達すると生成物が形成される。しかし、上述したように保護金属膜８０の外側の端縁部を、当該ｐｎ接合部の上方まで延在させることで、保護金属膜８０によるフィールドプレート効果により、エピタキシャル層２の空乏層を延伸させることで、不純物領域３１とエピタキシャル層２とのｐｎ接合部の電界強度が低減することとなる。
【００６６】
図１４は、図１３に示す領域“Ｘ”の部分拡大図であり、図１４において破線で囲んだ不純物領域３１とエピタキシャル層２とのｐｎ接合部が、逆バイアス印加時に高電界となる部分である。しかし、図１４に示すように、保護金属膜８０の外側の端縁部を、当該ｐｎ接合部の上方まで延在させることで電界強度を低減することができる。
【００６７】
フィールドプレート効果とは、ｎ型の基板の上層部にｐ型の不純物領域を設け、基板上に絶縁膜を介して金属のプレートの一部が基板と不純物領域とのｐｎ接合の上方に位置するようにプレートを設けた場合、基板に対して正のバイアスがプレートに印加されると、電子が基板表面に引き付けられ、空乏層が縮小する。一方、基板に対して負のバイアスがプレートに印加されると、基板の表面から電子を追い払い、空乏層が基板の表面で拡がるように膨張する。空乏層が膨張することで不純物領域の端縁部での電界強度が低減し、耐圧を高めることができる。これがフィールドプレート効果である。逆バイアスが印加されたショットキーバリアダイオード１０２においては、表面電極１０が負電位であるので、保護金属膜８０が負電位となり、フィールドプレートとして機能する。
【００６８】
また、保護金属膜８０の外側の端縁部を、酸化膜保護膜９を介して電界緩和領域３の不純物領域３１の外側端縁部を超える位置の上方まで延在させることで、水分が酸化膜保護膜９を通ってエピタキシャル層２の表面に達することを阻害することもでき、生成物の形成が抑制されて、酸化膜保護膜９の剥離を抑制して、耐湿性をさらに向上させることができる。
【００６９】
また、図１１を用いて説明したショットキーバリアダイオード１０１Ａおよび図１２を用いて説明したショットキーバリアダイオード１０２Ａにおいても、保護金属膜８０の外側の端縁部が、酸化膜保護膜９を介して電界緩和領域３の最も内側の不純物領域３１の外側端縁部を超える位置の上方まで延在するように設けても良い。この場合、不純物領域３１とエピタキシャル層２とのｐｎ接合部の電界強度を低減させる効果が加わることになる。
【００７０】
＜実施の形態４＞
図１５は、本発明に係る実施の形態４の半導体装置であるショットキーバリアダイオード１０３の構成を示す断面図である。なお、図１５においては、図１を用いて説明したショットキーバリアダイオード９０と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００７１】
図１５に示すショットキーバリアダイオード１０３においては、表面電極１０の端縁部上に保護金属膜８０（第２の保護金属膜）が設けられている点では実施の形態２のショットキーバリアダイオード１０１と同じであるが、酸化膜保護膜９の外側端縁部上からエピタキシャル層２の表面上にかけて保護金属膜８１が設けられている。
【００７２】
保護金属膜８１（第１の保護金属膜）は、電界緩和領域３の上方には設けられず、また表面電極１０とは導通しないように設けられている。
【００７３】
ショットキーバリアダイオード１０３は、保護金属膜８０および保護金属膜８１を備えることで、逆バイアス電圧が印加され、かつ、水分がポリイミド保護膜１２内に侵入しても、表面電極１０の端縁部での生成物の形成を抑制し、また、装置端縁部側のエピタキシャル層２の表面での生成物の形成を抑制して、ポリイミド保護膜１２の剥離を抑制し、ショットキーバリアダイオード１０３の故障を抑制して、耐湿性がさらに向上する。
【００７４】
また、保護金属膜８０および保護金属膜８１の一方だけを設ける実施の形態１から３に比べて、生成物の形成の抑制効果はさらに高くなる。
【００７５】
＜実施の形態５＞
図１６は、本発明に係る実施の形態５の半導体装置であるショットキーバリアダイオード１０４の構成を示す断面図である。なお、図１６においては、図１を用いて説明したショットキーバリアダイオード９０と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００７６】
図１６に示すショットキーバリアダイオード１０４においては、保護金属膜８０（第２の保護金属膜）および保護金属膜８１（第１の保護金属膜）を備える点では実施の形態４のショットキーバリアダイオード１０３と同じであるが、酸化膜保護膜９の上面に互いに間隔を開けて複数の保護金属膜８２（第３の保護金属膜）が設けられている。
【００７７】
複数の保護金属膜８２は、少なくともとその幾つかが、電界緩和領域３の不純物領域３１および３２の上方に位置するように設けられ、また表面電極１０とは導通しないように設けられている。
【００７８】
ショットキーバリアダイオード１０４は、保護金属膜８０および保護金属膜８１を備えることで、逆バイアス電圧が印加され、かつ、水分がポリイミド保護膜１２内に侵入しても、表面電極１０の端縁部での生成物の形成を抑制し、また、装置端縁部側のエピタキシャル層２の表面での生成物の形成を抑制して、ポリイミド保護膜１２の剥離を抑制し、ショットキーバリアダイオード１０３の故障を抑制して、耐湿性がさらに向上する。
【００７９】
また、酸化膜保護膜９上に保護金属膜８２を配置することで、水分が酸化膜保護膜９を通ってエピタキシャル層２の表面に達することを阻害することもでき、生成物の形成が抑制されて、酸化膜保護膜９の剥離を抑制して、耐湿性をさらに向上させることができる。
【００８０】
なお、互いに間隔を開けるように複数の保護金属膜８２を配置することで、保護金属膜８２の端縁部での電界強度の高まりを抑制することができる。
【００８１】
＜ＭＯＳＦＥＴへの適用＞
以上説明した実施の形態５においてはショットキーバリアダイオードを例に採って説明したが、本発明に係る実施の形態５の半導体装置はＭＯＳＦＥＴであっても良い。
【００８２】
図１７は本発明に係る実施の形態５の半導体装置であるＭＯＳＦＥＴ２０１の構成を示す断面図である。なお、図１７においては、図６を用いて説明したＭＯＳＦＥＴ２００と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００８３】
図１７に示すようにＭＯＳＦＥＴ２０１においては、積層された酸化膜保護膜２４および層間絶縁膜２３の端縁部上からエピタキシャル層２の表面上にかけて保護金属膜８１が設けられ、また、表面電極１０の端縁部の上面から側面にかけて保護金属膜８０が設けられている。
【００８４】
さらに、層間絶縁膜２３の上面に互いに間隔を開けて複数の保護金属膜８２が設けられている。保護金属膜８２は、電界緩和領域３の不純物領域３１および３２のそれぞれの上方に位置するように設けられ、また表面電極１０とは導通しないように設けられている。
【００８５】
ＭＯＳＦＥＴ２０１は、保護金属膜８０および保護金属膜８１を備えることで、順バイアス電圧が印加された状態で、水分がポリイミド保護膜１２内に侵入しても、表面電極１０の端縁部での生成物の形成を抑制し、また、装置端縁部側のエピタキシャル層２の表面での生成物の形成を抑制して、ポリイミド保護膜１２の剥離を抑制し、ＭＯＳＦＥＴ２０１の故障を抑制して、耐湿性がさらに向上する。
【００８６】
また、層間絶縁膜２３の上面に保護金属膜８２を配置することで、水分が酸化膜保護膜２４と層間絶縁膜２３との積層膜を通ってエピタキシャル層２の表面に達することを阻害することができ、生成物の形成が抑制されて、酸化膜保護膜９の剥離を抑制して、耐湿性をさらに向上させることができる。
【００８７】
＜変形例＞
以上説明した実施の形態５においては、複数の保護金属膜８２は、電界緩和領域３の不純物領域３１および３２の上方に位置するように設けられるものとして説明したが、図１８に示すショットキーバリアダイオード１０４Ａのように、保護金属膜８２の外側の端縁部は、酸化膜保護膜９を介して電界緩和領域３の不純物領域３１および３２の外側端縁部を超える位置の上方まで延在するように設けても良い。
【００８８】
図１９は、図１８に示す領域“Ｙ”の部分拡大図であり、図１８において破線で囲んだ不純物領域３１とエピタキシャル層２とのｐｎ接合部が、逆バイアス印加時に高電界となる部分である。しかし、図１９に示すように、保護金属膜８２の外側の端縁部を、当該ｐｎ接合部の上方まで延在させることで、電界強度が高くなって生成物が形成されやすいｐｎ接合部に対して、水分が酸化膜保護膜９を通ってエピタキシャル層２の表面に達することを阻害することができ、生成物の形成が抑制されて、酸化膜保護膜９の剥離を抑制して、耐湿性をさらに向上させることができる。
【００８９】
これは、不純物領域３２とエピタキシャル層２とのｐｎ接合部においても同じであり、保護金属膜８２の外側の端縁部を、当該ｐｎ接合部の上方まで延在させることで、生成物の形成を抑制できる。
【００９０】
＜実施の形態６＞
図２０は、本発明に係る実施の形態６の半導体装置であるショットキーバリアダイオード１０５の構成を示す断面図である。なお、図２０においては、図１を用いて説明したショットキーバリアダイオード９０と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００９１】
図２０に示すショットキーバリアダイオード１０５においては、酸化膜保護膜９の上面に互いに間隔を開けて複数の保護金属膜８２が設けられている。保護金属膜８２の外側の端縁部は、酸化膜保護膜９を介して電界緩和領域３の不純物領域３２の外側端縁部を超える位置の上方まで延在するように設けられている。
【００９２】
また、保護金属膜８２は、酸化膜保護膜９を貫通して不純物領域３２と接合されるように設けられており、表面電極１０とは導通しないように設けられている。
【００９３】
図２１は、図２０に示す領域“Ｚ”の部分拡大図であり、図２１において破線で囲んだ不純物領域３２とエピタキシャル層２とのｐｎ接合部が、逆バイアス印加時に高電界となる部分である。しかし、図２１に示すように、保護金属膜８２の外側の端縁部を、当該ｐｎ接合部の上方まで延在させることで、電界強度が高くなって生成物が形成されやすいｐｎ接合部に対して、水分が酸化膜保護膜９を通ってエピタキシャル層２の表面に達することを阻害することができ、生成物の形成が抑制されて、酸化膜保護膜９の剥離を抑制して、耐湿性をさらに向上させることができる。
【００９４】
なお、図２０においては、保護金属膜８２は、電界緩和領域３の不純物領域３１の上方には設けられていないが、不純物領域３２の上方にも設け、保護金属膜８２の外側の端縁部が、酸化膜保護膜９を介して不純物領域３２の外側端縁部を超える位置の上方まで延在するようにしても良い。そして、当該保護金属膜８２が、酸化膜保護膜９を貫通して不純物領域３２と接合することで、フィールドプレートとして機能させても良い。保護金属膜８２によるフィールドプレート効果により、エピタキシャル層２の空乏層を延伸させることで、不純物領域３１とエピタキシャル層２とのｐｎ接合部の電界強度が低減することとなる。なお、不純物領域３２に接合された保護金属膜８２は、不純物領域３２から負電位を得て、エピタキシャル層２に対して負バイアスとなるのでフィールドプレートとして機能する。
【００９５】
また、図２０においては、保護金属膜８２は、電界緩和領域３の全ての不純物領域３２の上方には設けられていないが、全ての不純物領域３２の上方に設けるようにしても良い。保護金属膜８２の配置をどのようにするかは、電界緩和領域３での電界強度に基づいて、適宜決定すれば良い。
【００９６】
なお、ショットキーバリアダイオード１０５においても、図１５を用いて説明した実施の形態４のショットキーバリアダイオード１０３と同様に、表面電極１０の端縁部上に保護金属膜８０を設け、酸化膜保護膜９の外側端縁部上からエピタキシャル層２の表面上にかけて保護金属膜８１を設けた構成としても良い。
【００９７】
＜ＭＯＳＦＥＴへの適用＞
以上説明した実施の形態６においてはショットキーバリアダイオードを例に採って説明したが、本発明に係る実施の形態６の半導体装置はＭＯＳＦＥＴであっても良い。
【００９８】
図２２は本発明に係る実施の形態６の半導体装置であるＭＯＳＦＥＴ２０２の構成を示す断面図である。なお、図２２においては、図６を用いて説明したＭＯＳＦＥＴ２００と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００９９】
図２２に示すようにＭＯＳＦＥＴ２０２においては、積層された酸化膜保護膜２４および層間絶縁膜２３の端縁部上からエピタキシャル層２の表面上にかけて保護金属膜８１が設けられ、また、表面電極１０の端縁部の上面から側面にかけて保護金属膜８０が設けられている。
【０１００】
さらに、層間絶縁膜２３の上面に互いに間隔を開けて複数の保護金属膜８２が設けられている。保護金属膜８２の外側の端縁部は、積層された酸化膜保護膜２４および層間絶縁膜２３を介して電界緩和領域３の不純物領域３１および３２の外側端縁部を超える位置の上方まで延在するように設けられている。
【０１０１】
また、保護金属膜８２は、積層された酸化膜保護膜２４および層間絶縁膜２３を貫通して不純物領域３１および３２と接合されるように設けられている。
【０１０２】
不純物領域３１に接合された保護金属膜８２は、フィールドプレートとして機能し、保護金属膜８２によるフィールドプレート効果により、エピタキシャル層２の空乏層を延伸させることで、不純物領域３１とエピタキシャル層２とのｐｎ接合部の電界強度が低減することとなる。
【０１０３】
また、不純物領域３２に接合された保護金属膜８２は、不純物領域３２から負電位を得て、エピタキシャル層２に対して負バイアスとなるのでフィールドプレートとして機能する。また、保護金属膜８２の外側の端縁部を、不純物領域３２とエピタキシャル層２とのｐｎ接合部の上方まで延在させることで、電界強度が高くなって生成物が形成されやすいｐｎ接合部に対して、水分が酸化膜保護膜２４と層間絶縁膜２３との積層膜を通ってエピタキシャル層２の表面に達することを阻害することができ、生成物の形成が抑制されて、酸化膜保護膜９の剥離を抑制して、耐湿性をさらに向上させることができる。
【０１０４】
＜変形例＞
以上説明した実施の形態６においては、酸化膜保護膜９上に設けた複数の保護金属膜８２は、何れも酸化膜保護膜９を貫通して電界緩和領域３の不純物領域３２に接合されるものとして説明したが、図２３に示すショットキーバリアダイオード１０５Ａのように、酸化膜保護膜９上に設けた複数の保護金属膜８２のうち、不純物領域３２に接合されないものがあっても良い。
【０１０５】
そして、保護金属膜８２の外側の端縁部は、酸化膜保護膜９を介して電界緩和領域３の不純物領域３２の外側端縁部を超える位置の上方まで延在するように設けることで、電界強度が高くなって生成物が形成されやすいｐｎ接合部に対して、水分が酸化膜保護膜９を通ってエピタキシャル層２の表面に達することを阻害することができ、生成物の形成が抑制されて、酸化膜保護膜９の剥離を抑制して、耐湿性をさらに向上させることができる。
【０１０６】
また、ショットキーバリアダイオード１０５Ａにおいては、表面電極１０の端縁部上に保護金属膜８０が設けられ、また、酸化膜保護膜９の外側端縁部上からエピタキシャル層２の表面上にかけて保護金属膜８１が設けられている。
【０１０７】
ショットキーバリアダイオード１０５Ａは、保護金属膜８０および保護金属膜８１を備えることで、逆バイアス電圧が印加され、かつ、水分がポリイミド保護膜１２内に侵入しても、表面電極１０の端縁部での生成物の形成を抑制し、また、装置端縁部側のエピタキシャル層２の表面での生成物の形成を抑制して、ポリイミド保護膜１２の剥離を抑制し、ショットキーバリアダイオード１０３の故障を抑制して、耐湿性がさらに向上する。
【０１０８】
また、保護金属膜８０および保護金属膜８１の一方だけを設ける実施の形態１から３に比べて、生成物の形成の抑制効果はさらに高くなる。
【０１０９】
また、保護金属膜８０の外側の端縁部は、酸化膜保護膜９を介して電界緩和領域３の最も内側の不純物領域３１の外側端縁部を超える位置の上方まで延在している。
【０１１０】
先に説明したように、電界緩和領域３の不純物領域３１とエピタキシャル層２とのｐｎ接合部は電界が高く、水分が酸化膜保護膜９を通ってエピタキシャル層２の表面に達すると生成物が形成される。しかし、上述したように保護金属膜８０の外側の端縁部を、当該ｐｎ接合部の上方まで延在させることで、保護金属膜８０によるフィールドプレート効果により、エピタキシャル層２の空乏層を延伸させることで、不純物領域３１とエピタキシャル層２とのｐｎ接合部の電界強度が低減することとなる。
【０１１１】
＜シリコン半導体装置への適用＞
以上説明した実施の形態１〜６の構成は、絶縁破壊強度（耐圧性）に優れたＳｉＣ半導体装置において、終端領域を縮小したことにより、終端領域の電界が強くなった場合に、特に効果を発揮するが、Ｓｉ半導体装置に保護金属膜８０〜８２を設ける場合にも、同様の効果を奏する。また、ＳｉＣ以外のＧaＮ（窒化ガリウム）等のワイドバンドギャップ半導体を用いたワイドバンドギャップ半導体装置に適用しても同様の効果を奏する。
【０１１２】
ＳｉＣ半導体、ＧａＮ半導体など、Ｓｉ半導体より広いワイドバンドギャップを有するワイドギャップ半導体を用いたワイドギャップ半導体装置は、Ｓｉ半導体装置と比較して、耐圧性に優れ、許容電流密度も高く、また耐熱性も高いため高温動作も可能である。
【０１１３】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【０１１４】
１  ＳｉＣ基板、２  エピタキシャル層、３  電界緩和領域、９  酸化膜保護膜、１０  表面電極、１１  裏面電極、１２  ポリイミド保護膜、８０，８１，８２  保護金属膜。
【図１】
2020068223.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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