(57)【要約】【課題】金属汚染の発生を防止しつつ基板上に均一な膜厚を有する金属含有塗布膜を形成することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】下層膜Ｆ１を覆うように基板Ｗの被処理面に外周部が露光された感光性レジスト膜Ｆ２が形成され、感光性レジスト膜Ｆ２上に金属含有レジスト膜Ｆ４が形成される。金属含有レジスト膜Ｆ４の外周部が除去された後、感光性レジスト膜Ｆ２の外周部が除去される。あるいは、下層膜Ｆ１を覆うように基板Ｗの被処理面に外周部が露光された感光性レジスト膜Ｆ２が形成され、感光性レジスト膜Ｆ２上に外周部が露光された他の感光性レジスト膜が形成され、他の感光性レジスト膜上に金属含有レジスト膜Ｆ４が形成される。金属含有レジスト膜Ｆ４の外周部が除去された後、他の感光性レジスト膜の外周部が除去される。金属含有レジスト膜Ｆ４の現像後、感光性レジスト膜Ｆ２の外周部が除去される。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理膜が形成された被処理面を有する基板に感光性塗布液を供給することにより前記被処理膜を覆うように基板の被処理面に感光性塗布膜を形成する感光性塗布液供給部と、
基板の被処理面の周縁部上に重なる前記感光性塗布膜の外周部を露光するエッジ露光部と、
前記感光性塗布膜上に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として供給することにより前記感光性塗布膜上に金属含有塗布膜を形成する金属含有塗布液供給部と、
基板の被処理面の周縁部に重なる前記金属含有塗布膜の外周部が除去されるように前記金属含有塗布膜に第１の除去液を供給する第１の除去液供給部と、
前記金属含有塗布膜の外周部が除去された後に、前記感光性塗布膜の露光された外周部が除去されるように前記感光性塗布膜に第２の除去液を供給する第２の除去液供給部とを備える、基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の除去液は、前記金属含有塗布膜を溶かしかつ前記感光性塗布膜を溶かさない液であり、
前記第２の除去液は、前記感光性塗布膜を溶かしかつ前記金属含有塗布膜を溶かさない液である、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の除去液は有機溶媒を含み、
前記第２の除去液はポジティブトーン現像を行う現像液を含む、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板を露光する露光装置を用いた基板処理装置であって、
被処理膜が形成された被処理面を有する基板に第１の感光性塗布液を供給することにより前記被処理膜を覆うように基板の被処理面に第１の感光性塗布膜を形成する第１の感光性塗布液供給部と、
前記第１の感光性塗布液とは感光波長分布が異なる第２の感光性塗布液を前記第１の感光性塗布膜上に供給することにより前記第１の感光性塗布膜上に第２の感光性塗布膜を形成する第２の感光性塗布液供給部と、
基板の被処理面の周縁部上に重なる前記第２の感光性塗布膜の外周部を露光する第１のエッジ露光部と、
前記第２の感光性塗布膜上に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として供給することにより前記第２の感光性塗布膜上に金属含有塗布膜を形成する金属含有塗布液供給部と、
基板の被処理面の周縁部に重なる前記金属含有塗布膜の外周部が除去されるように前記金属含有塗布膜に第１の除去液を供給する第１の除去液供給部と、
前記金属含有塗布膜の外周部が除去された後に、前記第２の感光性塗布膜の露光された外周部が除去されるように前記第２の感光性塗布膜に第２の除去液を供給する第２の除去液供給部と、
基板の被処理面の周縁部に重なる前記第１の感光性塗布膜の外周部を露光する第２のエッジ露光部と、
前記露光装置により所定のパターンに露光された前記金属含有塗布膜が現像されるように前記金属含有塗布膜に現像液を供給する現像液供給部と、
前記金属含有塗布膜が現像された後に、前記第１の感光性塗布膜の露光された外周部が除去されるように前記第１の感光性塗布膜に第３の除去液を供給する第３の除去液供給部とを備える、基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の除去液は、前記金属含有塗布膜を溶かしかつ前記第１および第２の感光性塗布膜を溶かさない液であり、
前記第２の除去液は、前記第２の感光性塗布膜を溶かしかつ前記金属含有塗布膜を溶かさない液であり、
前記第３の除去液は、前記第１の感光性塗布膜を溶かしかつ前記金属含有塗布膜を溶かさない液であり、
前記現像液は、前記金属含有塗布膜を溶かしかつ前記第１および第２の感光性塗布膜を溶かさない液である、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の除去液は有機溶媒を含み、
前記第２の除去液はポジティブトーン現像を行う現像液を含み、
前記第３の除去液はポジティブトーン現像を行う現像液を含み、
前記現像液はネガティブトーン現像を行う現像液を含む、請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１の感光性塗布膜は、ｉ線レジスト膜、フッ化クリプトンレジスト膜およびフッ化アルゴンレジスト膜のうちいずれかのレジスト膜を含み、
前記第２の感光性塗布膜は、ｉ線レジスト膜、フッ化クリプトンレジスト膜およびフッ化アルゴンレジスト膜のうち他のレジスト膜を含む、請求項４〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
被処理膜が形成された被処理面を有する基板に感光性塗布液供給部により感光性塗布液を供給することにより前記被処理膜を覆うように基板の被処理面に感光性塗布膜を形成するステップと、
基板の被処理面の周縁部上に重なる前記感光性塗布膜の外周部をエッジ露光部により露光するステップと、
前記感光性塗布膜上に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液供給部により金属含有塗布液として供給することにより前記感光性塗布膜上に金属含有塗布膜を形成するステップと、
基板の被処理面の周縁部に重なる前記金属含有塗布膜の外周部が除去されるように前記金属含有塗布膜に第１の除去液供給部により第１の除去液を供給するステップと、
前記金属含有塗布膜の外周部が除去された後に、前記感光性塗布膜の露光された外周部が除去されるように前記感光性塗布膜に第２の除去液供給部により第２の除去液を供給するステップとを含む、基板処理方法。
【請求項９】
前記第１の除去液を供給するステップは、前記金属含有塗布膜を溶かしかつ前記感光性塗布膜を溶かさない液を供給することを含み、
前記第２の除去液を供給するステップは、前記感光性塗布膜を溶かしかつ前記金属含有塗布膜を溶かさない液を供給することを含む、請求項８記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記第１の除去液を供給するステップは、有機溶媒を供給することを含み、
前記第２の除去液を供給するステップは、現像液を供給することによりポジティブトーン現像を行うことを含む、請求項９記載の基板処理方法。
【請求項１１】
基板を露光する露光装置を用いた基板処理方法であって、
被処理膜が形成された被処理面を有する基板に第１の感光性塗布液供給部により第１の感光性塗布液を供給することにより前記被処理膜を覆うように基板の被処理面に第１の感光性塗布膜を形成するステップと、
第２の感光性塗布液供給部により前記第１の感光性塗布液とは感光波長分布が異なる第２の感光性塗布液を前記第１の感光性塗布膜上に供給することにより前記第１の感光性塗布膜上に第２の感光性塗布膜を形成するステップと、
基板の被処理面の周縁部上に重なる前記第２の感光性塗布膜の外周部を第１のエッジ露光部により露光するステップと、
前記第２の感光性塗布膜上に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液供給部により金属含有塗布液として供給することにより前記第２の感光性塗布膜上に金属含有塗布膜を形成するステップと、
基板の被処理面の周縁部に重なる前記金属含有塗布膜の外周部が除去されるように前記金属含有塗布膜に第１の除去液供給部により第１の除去液を供給するステップと、
前記金属含有塗布膜の外周部が除去された後に、前記第２の感光性塗布膜の露光された外周部が除去されるように前記第２の感光性塗布膜に第２の除去液供給部により第２の除去液を供給するステップと、
基板の被処理面の周縁部に重なる前記第１の感光性塗布膜の外周部を第２のエッジ露光部により露光するステップと、
前記露光装置により所定のパターンに露光された前記金属含有塗布膜が現像されるように前記金属含有塗布膜に現像液供給部により現像液を供給するステップと、
前記金属含有塗布膜が現像された後に、前記第１の感光性塗布膜の露光された外周部が除去されるように前記第１の感光性塗布膜に第３の除去液供給部により第３の除去液を供給するステップとを含む、基板処理方法。
【請求項１２】
前記第１の除去液を供給するステップは、前記金属含有塗布膜を溶かしかつ前記第１および第２の感光性塗布膜を溶かさない液を供給することを含み、
前記第２の除去液を供給するステップは、前記第２の感光性塗布膜を溶かしかつ前記金属含有塗布膜を溶かさない液を供給することを含み、
前記現像液を供給するステップは、前記金属含有塗布膜を溶かしかつ前記第１および第２の感光性塗布膜を溶かさない液を供給することを含み、
前記第３の除去液を供給するステップは、前記第１の感光性塗布膜を溶かしかつ前記金属含有塗布膜を溶かさない液を供給することを含む、請求項１１記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記第１の除去液を供給するステップは、有機溶媒を供給することを含み、
前記第２の除去液を供給するステップは、現像液を供給することによりポジティブトーン現像を行うことを含み、
前記現像液を供給するステップは、現像液を供給することによりネガティブトーン現像を行うことを含み、
前記第３の除去液を供給するステップは、現像液を供給することによりポジティブトーン現像を行うことを含む、請求項１２記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記第１の感光性塗布膜を形成するステップは、ｉ線レジスト膜、フッ化クリプトンレジスト膜およびフッ化アルゴンレジスト膜のうちいずれかのレジスト膜を形成することを含み、
前記第２の感光性塗布膜を形成するステップは、ｉ線レジスト膜、フッ化クリプトンレジスト膜およびフッ化アルゴンレジスト膜のうち他のレジスト膜を形成することを含む、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の製造におけるリソグラフィ工程では、基板の上面に塗布液が吐出されることにより塗布膜が形成される。ここで、基板の周縁部に塗布膜が存在すると、基板を搬送する搬送機構が基板の周縁部を把持した際に、塗布膜の一部が剥離してパーティクルとなる。そこで、基板の周縁部に有機溶剤が吐出されることにより基板の周縁部の塗布膜が溶解される。これにより、基板の周縁部の塗布膜が除去される。
【０００３】
近年、より微細なパターンを形成するために、金属を含有する金属含有塗布膜を塗布膜として基板上に形成することが研究されている。この構成においては、基板の周縁部に有機溶剤が吐出された場合でも、金属含有塗布膜の金属成分が除去されず、基板の周縁部上に残存することが確認されている。そのため、基板の周縁部に残存した金属成分により基板処理装置および他の露光装置等が汚染することとなる。
【０００４】
特許文献１には、金属含有塗布膜とは異なるが、金属を含有するハードマスク膜を除去する塗布処理方法が記載されている。この方法においては、基板の周縁部にネガ用フォトレジスト液からなるマスキング膜が形成される。次に、基板の表面にハードマスク膜が形成される。続いて、有機溶剤からなるハードマスク膜除去液により基板の周縁部のハードマスク膜が除去される。その後、ネガ用フォトレジストを溶解するマスキング膜除去液によりマスキング膜が除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−４５１７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の塗布処理方法を用いることにより、基板の周縁部の金属成分をより確実に除去することが可能である。しかしながら、この塗布処理方法においては、金属含有塗布膜が基板の周縁部近傍で盛り上がった形状に形成される。そのため、基板の周縁部近傍の金属含有塗布膜の領域を有効に利用することができず、歩留まりが低下する。
【０００７】
本発明の目的は、金属汚染の発生を防止しつつ基板上に均一な膜厚を有する金属含有塗布膜を形成することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、被処理膜が形成された被処理面を有する基板に感光性塗布液を供給することにより被処理膜を覆うように基板の被処理面に感光性塗布膜を形成する感光性塗布液供給部と、基板の被処理面の周縁部上に重なる感光性塗布膜の外周部を露光するエッジ露光部と、感光性塗布膜上に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として供給することにより感光性塗布膜上に金属含有塗布膜を形成する金属含有塗布液供給部と、基板の被処理面の周縁部に重なる金属含有塗布膜の外周部が除去されるように金属含有塗布膜に第１の除去液を供給する第１の除去液供給部と、金属含有塗布膜の外周部が除去された後に、感光性塗布膜の露光された外周部が除去されるように感光性塗布膜に第２の除去液を供給する第２の除去液供給部とを備える。
【０００９】
この基板処理装置においては、感光性塗布液供給部により基板に感光性塗布液が供給されることにより基板の被処理面に感光性塗布膜が形成される。エッジ露光部により感光性塗布膜の外周部が露光される。金属含有塗布液供給部により感光性塗布膜上に金属含有塗布液が供給されることにより感光性塗布膜上に金属含有塗布膜が形成される。第１の除去液供給部により金属含有塗布膜に第１の除去液が供給されることにより金属含有塗布膜の外周部が除去される。金属含有塗布膜の外周部が除去された後に、第２の除去液供給部により感光性塗布膜に第２の除去液が供給されることにより感光性塗布膜の露光された外周部が除去される。
【００１０】
この構成によれば、感光性塗布膜は、基板の周縁部のみでなく被処理膜を覆うように基板の被処理面の全面に形成される。したがって、金属含有塗布膜は、基板の周縁部近傍で盛り上がることなく感光性塗布膜上に均一な厚みで形成される。また、金属含有塗布膜の外周部が除去された際に、感光性塗布膜の外周部に金属含有塗布膜の金属成分が残存した場合でも、当該金属成分が感光性塗布膜の外周部ごと除去される。そのため、搬送機構が基板の周縁部を保持した場合でも、搬送機構に金属成分が付着しない。その結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板上に均一な膜厚を有する金属含有塗布膜を形成することができる。
【００１１】
（２）第１の除去液は、金属含有塗布膜を溶かしかつ感光性塗布膜を溶かさない液であり、第２の除去液は、感光性塗布膜を溶かしかつ金属含有塗布膜を溶かさない液であってもよい。この場合、選択的にかつ容易に金属含有塗布膜および感光性塗布膜の外周部を順次除去することができる。
【００１２】
（３）第１の除去液は有機溶媒を含み、第２の除去液はポジティブトーン現像を行う現像液を含んでもよい。この場合、第１の除去液により感光性塗布膜を溶かすことなく金属含有塗布膜を溶かすことができる。第２の除去液により金属含有塗布膜を溶かすことなく感光性塗布膜を溶かすことができる。
【００１３】
（４）第２の発明に係る基板処理装置は、基板を露光する露光装置を用いた基板処理装置であって、被処理膜が形成された被処理面を有する基板に第１の感光性塗布液を供給することにより被処理膜を覆うように基板の被処理面に第１の感光性塗布膜を形成する第１の感光性塗布液供給部と、第１の感光性塗布液とは感光波長分布が異なる第２の感光性塗布液を第１の感光性塗布膜上に供給することにより第１の感光性塗布膜上に第２の感光性塗布膜を形成する第２の感光性塗布液供給部と、基板の被処理面の周縁部上に重なる第２の感光性塗布膜の外周部を露光する第１のエッジ露光部と、第２の感光性塗布膜上に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として供給することにより第２の感光性塗布膜上に金属含有塗布膜を形成する金属含有塗布液供給部と、基板の被処理面の周縁部に重なる金属含有塗布膜の外周部が除去されるように金属含有塗布膜に第１の除去液を供給する第１の除去液供給部と、金属含有塗布膜の外周部が除去された後に、第２の感光性塗布膜の露光された外周部が除去されるように第２の感光性塗布膜に第２の除去液を供給する第２の除去液供給部と、基板の被処理面の周縁部に重なる第１の感光性塗布膜の外周部を露光する第２のエッジ露光部と、露光装置により所定のパターンに露光された金属含有塗布膜が現像されるように金属含有塗布膜に現像液を供給する現像液供給部と、金属含有塗布膜が現像された後に、第１の感光性塗布膜の露光された外周部が除去されるように第１の感光性塗布膜に第３の除去液を供給する第３の除去液供給部とを備える。
【００１４】
この基板処理装置においては、第１の感光性塗布液供給部により基板に第１の感光性塗布液が供給されることにより基板の被処理面に第１の感光性塗布膜が形成される。第２の感光性塗布液供給部により第１の感光性塗布膜上に第２の感光性塗布液が供給されることにより第１の感光性塗布膜上に第２の感光性塗布膜が形成される。第２の感光性塗布膜の外周部が第１のエッジ露光部により露光される。金属含有塗布液供給部により第２の感光性塗布膜上に金属含有塗布液が供給されることにより第２の感光性塗布膜上に金属含有塗布膜が形成される。
【００１５】
第１の除去液供給部により金属含有塗布膜に第１の除去液が供給されることにより金属含有塗布膜の外周部が除去される。金属含有塗布膜の外周部が除去された後に、第２の除去液供給部により第２の感光性塗布膜に第２の除去液が供給されることにより第２の感光性塗布膜の露光された外周部が除去される。第２のエッジ露光部により第１の感光性塗布膜の外周部が露光される。現像液供給部により金属含有塗布膜に現像液が供給されることにより露光装置により所定のパターンに露光された金属含有塗布膜が現像される。金属含有塗布膜が現像された後に、第３の除去液供給部により第１の感光性塗布膜に第３の除去液が供給されることにより第１の感光性塗布膜の露光された外周部が除去される。
【００１６】
この構成によれば、第１の感光性塗布膜は基板の周縁部のみでなく被処理膜を覆うように基板の被処理面の全面に形成され、第２の感光性塗布膜は第１の感光性塗布膜上に形成される。したがって、金属含有塗布膜は、基板の周縁部近傍で盛り上がることなく第２の感光性塗布膜上に均一な厚みで形成される。また、金属含有塗布膜の外周部が除去された際に、第２の感光性塗布膜の外周部に金属含有塗布膜の金属成分が残存した場合でも、当該金属成分が第２の感光性塗布膜の外周部ごと除去される。さらに、金属含有塗布膜が現像された際に、第１の感光性塗布膜の外周部に金属含有塗布膜の金属成分が残存した場合でも、当該金属成分が第１の感光性塗布膜の外周部ごと除去される。そのため、搬送機構が基板の周縁部を保持した場合でも、搬送機構に金属成分が付着しない。その結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板上に均一な膜厚を有する金属含有塗布膜を形成することができる。
【００１７】
（５）第１の除去液は、金属含有塗布膜を溶かしかつ第１および第２の感光性塗布膜を溶かさない液であり、第２の除去液は、第２の感光性塗布膜を溶かしかつ金属含有塗布膜を溶かさない液であり、第３の除去液は、第１の感光性塗布膜を溶かしかつ金属含有塗布膜を溶かさない液であり、現像液は、金属含有塗布膜を溶かしかつ第１および第２の感光性塗布膜を溶かさない液であってもよい。この場合、選択的にかつ容易に金属含有塗布膜、第２の感光性塗布膜および第１の感光性塗布膜の外周部を順次除去しつつ金属含有塗布膜を現像することができる。
【００１８】
（６）第１の除去液は有機溶媒を含み、第２の除去液はポジティブトーン現像を行う現像液を含み、第３の除去液はポジティブトーン現像を行う現像液を含み、現像液はネガティブトーン現像を行う現像液を含んでもよい。
【００１９】
この場合、第１の除去液により第１および第２の感光性塗布膜を溶かすことなく金属含有塗布膜を溶かすことができる。第２の除去液により金属含有塗布膜を溶かすことなく第２の感光性塗布膜を溶かすことができる。第３の除去液により金属含有塗布膜を溶かすことなく第１の感光性塗布膜を溶かすことができる。現像液により第１および第２の感光性塗布膜を溶かすことなく金属含有塗布膜を溶かすことができる。
【００２０】
（７）第１の感光性塗布膜は、ｉ線レジスト膜、フッ化クリプトンレジスト膜およびフッ化アルゴンレジスト膜のうちいずれかのレジスト膜を含み、第２の感光性塗布膜は、ｉ線レジスト膜、フッ化クリプトンレジスト膜およびフッ化アルゴンレジスト膜のうち他のレジスト膜を含んでもよい。この場合、互いに感光波長分布が異なる第１の感光性塗布膜と第２の感光性塗布膜とを容易に形成することができる。
【００２１】
（８）第３の発明に係る基板処理方法は、被処理膜が形成された被処理面を有する基板に感光性塗布液供給部により感光性塗布液を供給することにより被処理膜を覆うように基板の被処理面に感光性塗布膜を形成するステップと、基板の被処理面の周縁部上に重なる感光性塗布膜の外周部をエッジ露光部により露光するステップと、感光性塗布膜上に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液供給部により金属含有塗布液として供給することにより感光性塗布膜上に金属含有塗布膜を形成するステップと、基板の被処理面の周縁部に重なる金属含有塗布膜の外周部が除去されるように金属含有塗布膜に第１の除去液供給部により第１の除去液を供給するステップと、金属含有塗布膜の外周部が除去された後に、感光性塗布膜の露光された外周部が除去されるように感光性塗布膜に第２の除去液供給部により第２の除去液を供給するステップとを含む。
【００２２】
この基板処理方法によれば、金属含有塗布膜は、基板の周縁部近傍で盛り上がることなく感光性塗布膜上に均一な厚みで形成される。また、金属含有塗布膜の外周部が除去された際に、感光性塗布膜の外周部に金属含有塗布膜の金属成分が残存した場合でも、当該金属成分が感光性塗布膜の外周部ごと除去される。そのため、搬送機構が基板の周縁部を保持した場合でも、搬送機構に金属成分が付着しない。その結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板上に均一な膜厚を有する金属含有塗布膜を形成することができる。
【００２３】
（９）第１の除去液を供給するステップは、金属含有塗布膜を溶かしかつ感光性塗布膜を溶かさない液を供給することを含み、第２の除去液を供給するステップは、感光性塗布膜を溶かしかつ金属含有塗布膜を溶かさない液を供給することを含んでもよい。この場合、選択的にかつ容易に金属含有塗布膜および感光性塗布膜の外周部を順次除去することができる。
【００２４】
（１０）第１の除去液を供給するステップは、有機溶媒を供給することを含み、第２の除去液を供給するステップは、現像液を供給することによりポジティブトーン現像を行うことを含んでもよい。この場合、第１の除去液により感光性塗布膜を溶かすことなく金属含有塗布膜を溶かすことができる。第２の除去液により金属含有塗布膜を溶かすことなく感光性塗布膜を溶かすことができる。
【００２５】
（１１）第４の発明に係る基板処理方法は、基板を露光する露光装置を用いた基板処理方法であって、被処理膜が形成された被処理面を有する基板に第１の感光性塗布液供給部により第１の感光性塗布液を供給することにより被処理膜を覆うように基板の被処理面に第１の感光性塗布膜を形成するステップと、第２の感光性塗布液供給部により第１の感光性塗布液とは感光波長分布が異なる第２の感光性塗布液を第１の感光性塗布膜上に供給することにより第１の感光性塗布膜上に第２の感光性塗布膜を形成するステップと、基板の被処理面の周縁部上に重なる第２の感光性塗布膜の外周部を第１のエッジ露光部により露光するステップと、第２の感光性塗布膜上に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液供給部により金属含有塗布液として供給することにより第２の感光性塗布膜上に金属含有塗布膜を形成するステップと、基板の被処理面の周縁部に重なる金属含有塗布膜の外周部が除去されるように金属含有塗布膜に第１の除去液供給部により第１の除去液を供給するステップと、金属含有塗布膜の外周部が除去された後に、第２の感光性塗布膜の露光された外周部が除去されるように第２の感光性塗布膜に第２の除去液供給部により第２の除去液を供給するステップと、基板の被処理面の周縁部に重なる第１の感光性塗布膜の外周部を第２のエッジ露光部により露光するステップと、露光装置により所定のパターンに露光された金属含有塗布膜が現像されるように金属含有塗布膜に現像液供給部により現像液を供給するステップと、金属含有塗布膜が現像された後に、第１の感光性塗布膜の露光された外周部が除去されるように第１の感光性塗布膜に第３の除去液供給部により第３の除去液を供給するステップとを含む。
【００２６】
この基板処理方法によれば、金属含有塗布膜は、基板の周縁部近傍で盛り上がることなく第２の感光性塗布膜上に均一な厚みで形成される。また、金属含有塗布膜の外周部が除去された際に、第２の感光性塗布膜の外周部に金属含有塗布膜の金属成分が残存した場合でも、当該金属成分が第２の感光性塗布膜の外周部ごと除去される。さらに、金属含有塗布膜が現像された際に、第１の感光性塗布膜の外周部に金属含有塗布膜の金属成分が残存した場合でも、当該金属成分が第１の感光性塗布膜の外周部ごと除去される。そのため、搬送機構が基板の周縁部を保持した場合でも、搬送機構に金属成分が付着しない。その結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板上に均一な膜厚を有する金属含有塗布膜を形成することができる。
【００２７】
（１２）第１の除去液を供給するステップは、金属含有塗布膜を溶かしかつ第１および第２の感光性塗布膜を溶かさない液を供給することを含み、第２の除去液を供給するステップは、第２の感光性塗布膜を溶かしかつ金属含有塗布膜を溶かさない液を供給することを含み、現像液を供給するステップは、金属含有塗布膜を溶かしかつ第１および第２の感光性塗布膜を溶かさない液を供給することを含み、第３の除去液を供給するステップは、第１の感光性塗布膜を溶かしかつ金属含有塗布膜を溶かさない液を供給することを含んでもよい。この場合、選択的にかつ容易に金属含有塗布膜、第２の感光性塗布膜および第１の感光性塗布膜の外周部を順次除去しつつ金属含有塗布膜を現像することができる。
【００２８】
（１３）第１の除去液を供給するステップは、有機溶媒を供給することを含み、第２の除去液を供給するステップは、現像液を供給することによりポジティブトーン現像を行うことを含み、現像液を供給するステップは、現像液を供給することによりネガティブトーン現像を行うことを含み、第３の除去液を供給するステップは、現像液を供給することによりポジティブトーン現像を行うことを含んでもよい。
【００２９】
この場合、第１の除去液により第１および第２の感光性塗布膜を溶かすことなく金属含有塗布膜を溶かすことができる。第２の除去液により金属含有塗布膜を溶かすことなく第２の感光性塗布膜を溶かすことができる。現像液により第１および第２の感光性塗布膜を溶かすことなく金属含有塗布膜を溶かすことができる。第３の除去液により金属含有塗布膜を溶かすことなく第１の感光性塗布膜を溶かすことができる。
【００３０】
（１４）第１の感光性塗布膜を形成するステップは、ｉ線レジスト膜、フッ化クリプトンレジスト膜およびフッ化アルゴンレジスト膜のうちいずれかのレジスト膜を形成することを含み、第２の感光性塗布膜を形成するステップは、ｉ線レジスト膜、フッ化クリプトンレジスト膜およびフッ化アルゴンレジスト膜のうち他のレジスト膜を形成することを含んでもよい。この場合、互いに感光波長分布が異なる第１の感光性塗布膜と第２の感光性塗布膜とを容易に形成することができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、金属汚染の発生を防止しつつ基板上に均一な膜厚を有する金属含有塗布膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【図２】主として図１の塗布処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図３】主として図１の熱処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図４】主として図１の搬送部を示す側面図である。
【図５】処理が行われる基板の部分拡大縦断面図である。
【図６】処理が行われる基板の部分拡大縦断面図である。
【図７】処理が行われる基板の部分拡大縦断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【図９】主として図８の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図１０】主として図８の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図１１】主として図８の搬送部を示す側面図である。
【図１２】第２の実施の形態における処理が行われる基板の部分拡大縦断面図である。
【図１３】第２の実施の形態における処理が行われる基板の部分拡大縦断面図である。
【図１４】第２の実施の形態における処理が行われる基板の部分拡大縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。
【００３４】
［１］第１の実施の形態
（１）基板処理装置
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１および塗布ブロック１２を備える。
【００３５】
インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、制御部１１４および搬送装置１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送装置１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００３６】
塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。
【００３７】
図２は、主として図１の塗布処理部１２１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、複数の塗布処理ユニット（スピンコータ）２０が設けられる。各塗布処理ユニット２０は、複数のスピンチャック２１、複数のカップ２２、複数の塗布ノズル２３、移動機構２４、複数のエッジリンスノズル２５および複数のベベルリンスノズル２６（後述する図６（ｂ）参照）を備える。複数のカップ２２は、複数のスピンチャック２１にそれぞれ対応し、対応するスピンチャック２１の周囲を覆うように設けられる。
【００３８】
塗布処理ユニット２０においては、スピンチャック２１が、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転する。この状態で、いずれかの塗布ノズル２３が移動機構２４により基板Ｗの上方に移動され、その塗布ノズル２３から塗布液が吐出される。これにより、基板Ｗの被処理面上に塗布液が塗布され、基板Ｗの被処理面上に塗布液の膜（以下、塗布膜と呼ぶ。）が形成される。ここで、被処理面とは回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面をいう。
【００３９】
複数の塗布ノズル２３の各々は、当該塗布ノズル２３に固有の種類の塗布液を吐出することが可能である。以下の説明において、複数の塗布ノズル２３を区別する場合は、複数の塗布ノズル２３をそれぞれ塗布ノズル２３ａ，２３ｂ，２３ｃ…と呼ぶ。
【００４０】
また、いずれかのエッジリンスノズル２５から基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの被処理面において基板Ｗの外周部に沿った一定幅の領域をいう。これにより、基板Ｗの周縁部に付着する塗布液が除去される。複数のエッジリンスノズル２５の各々は、当該エッジリンスノズル２５に固有の種類の除去液を吐出することが可能である。以下の説明において、複数のエッジリンスノズル２５を区別する場合は、複数のエッジリンスノズル２５をそれぞれエッジリンスノズル２５ａ，２５ｂ，２５ｃ…と呼ぶ。
【００４１】
さらに、ベベルリンスノズル２６から基板Ｗのベベル部にリンス液が吐出される。ベベル部とは、基板Ｗの被処理面の外周部から基板Ｗの最外周部に向かって傾斜する部分および基板Ｗの裏面の外周部から基板Ｗの最外周部に向かって傾斜する部分をいう。裏面とは、基板Ｗの被処理面と反対側の面をいう。これにより、基板Ｗのベベル部に付着する塗布液が除去される。
【００４２】
図３は、主として図１の熱処理部１２３を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図３に示すように、熱処理部１２３は、上段熱処理部１０１および下段熱処理部１０２を有する。上段熱処理部１０１および下段熱処理部１０２の各々には、複数の加熱ユニットＰＨＰ、複数の冷却ユニットＣＰおよびエッジ露光部４０が設けられる。加熱ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００４３】
エッジ露光部４０は、スピンチャック４１および光源４２を備える。光源４２は、例えば高圧水銀灯を含み、３６５ｎｍのピーク波長を有する光（ｉ線）を露光光として出射する。エッジ露光部４０においては、スピンチャック４１が基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転する。この状態で、光源４２から基板Ｗの周縁部の一定幅の領域にｉ線が照射される。これにより、基板Ｗ上の周縁部における一定幅の領域に露光処理（エッジ露光処理）が行われる。
【００４４】
図４は、主として図１の搬送部１２２を示す側面図である。図４に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。上段搬送室１２５には搬送装置（搬送ロボット）１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送装置１２８が設けられる。搬送装置１２７，１２８の各々は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。搬送部１１２と上段搬送室１２５との間に、基板載置部Ｐ１，Ｐ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間に、基板載置部Ｐ３，Ｐ４が設けられる。
【００４５】
（２）基板処理
図５〜図７は、処理が行われる基板Ｗの部分拡大縦断面図である。図５（ａ）は、例えばシリコンにより形成された未処理の基板Ｗを示す。図５（ａ）の基板Ｗは、図１のインデクサブロック１１から塗布ブロック１２の熱処理部１２３に搬送され、冷却ユニットＣＰにより基板Ｗに冷却処理が行われる。
【００４６】
冷却処理の後、基板Ｗは、図１の塗布処理部１２１のいずれかの塗布処理ユニット２０に搬送され、スピンチャック２１により保持および回転される。この状態で、図５（ｂ）に示すように、塗布ノズル２３ａにより塗布液が基板Ｗの被処理面の略中央部に吐出される。これにより、基板Ｗの被処理面に下層膜Ｆ１が塗布膜として形成される。
【００４７】
また、図５（ｃ）に示すように、エッジリンスノズル２５ａにより基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。これにより、エッジリンス処理が行われ、基板Ｗの周縁部に付着する塗布液が除去される。図５（ｃ）のリンス液としては、例えば有機溶媒であってもよいし、純水または水溶液であってもよい。エッジリンス処理の後、基板Ｗは、熱処理部１２３に搬送され、図１の加熱ユニットＰＨＰまたは冷却ユニットＣＰにより基板Ｗに所定の熱処理（冷却処理を含む。）が行われる。
【００４８】
本実施の形態においては、下層膜Ｆ１は、無機性の塗布膜と有機性の塗布膜とが交互に積層された構成を有する。この場合、塗布処理部１２１において基板Ｗに一の塗布膜が形成され、エッジリンス処理が行われるごとに、熱処理部１２３において基板Ｗに熱処理が行われる。図５（ｄ）の例では、下層膜Ｆ１は、塗布膜Ｆａ，Ｆｂ，Ｆｃがこの順で基板Ｗ上に積層された構成を有する。
【００４９】
塗布膜Ｆａは、例えばシリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはポリシリコン膜であり、本実施の形態における基板処理の終了後、図示しない外部のエッチング装置によりエッチングされる対象となる膜である。塗布膜Ｆｂは、例えばＳＯＣ（Spin On Carbon）膜である。塗布膜Ｆｃは、例えばＳＯＧ（Spin On Glass）膜またはＳｉＡＲＣ（Si-rich Anti Reflective Coating）膜である。塗布膜Ｆｂ，Ｆｃは、塗布膜Ｆａのエッチングのためのマスクとして用いられる。
【００５０】
本実施の形態においては、下層膜Ｆ１は塗布膜Ｆａ〜Ｆｃを含むが、本発明はこれに限定されない。塗布膜Ｆｃは塗布膜Ｆａのエッチングレートを増幅させるために用いられる。そのため、十分に大きいエッチングレートで塗布膜Ｆａをエッチングすることが可能な場合には、下層膜Ｆ１は塗布膜Ｆａ，Ｆｂを含み、塗布膜Ｆｃを含まなくてもよい。あるいは、下層膜Ｆ１は、塗布膜Ｆａを含み、塗布膜Ｆｂ，Ｆｃを含まなくてもよい。
【００５１】
その後、基板Ｗは、塗布処理部１２１のいずれかの塗布処理ユニット２０に搬送され、スピンチャック２１により保持および回転される。この状態で、図６（ａ）に示すように、塗布ノズル２３ｂにより感光性のフォトレジスト液が塗布液として基板Ｗの被処理面の略中央部に吐出される。これにより、下層膜Ｆ１を覆うように基板Ｗの被処理面に感光性レジスト膜Ｆ２が塗布膜として形成される。感光性レジスト膜Ｆ２は、例えばｉ線により感光するｉ線レジスト膜である。
【００５２】
また、図６（ｂ）に示すように、ベベルリンスノズル２６により基板Ｗのベベル部にリンス液が吐出される。これにより、ベベルリンス処理が行われ、基板Ｗのベベル部に付着するフォトレジスト液が除去される。図６（ｂ）のリンス液は、図５（ｃ）と同じリンス液であってもよい。
【００５３】
ベベルリンス処理の後、基板Ｗは、熱処理部１２３に搬送され、加熱ユニットＰＨＰまたは冷却ユニットＣＰにより基板Ｗに所定の熱処理が行われる。熱処理後、基板Ｗは、図３のエッジ露光部４０において、スピンチャック４１により保持および回転される。この状態で、図６（ｃ）に示すように、光源４２から基板Ｗの周縁部の一定幅の領域に露光光が照射される。これにより、基板Ｗ上の周縁部における感光性レジスト膜Ｆ２の一定幅の領域にエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理の後、冷却ユニットＣＰにより基板Ｗに冷却処理が行われる。
【００５４】
なお、本実施の形態においては、感光性レジスト膜Ｆ２はｉ線レジスト膜であるが、本発明はこれに限定されない。感光性レジスト膜Ｆ２は、他の感光性レジスト膜であってもよい。例えば、感光性レジスト膜Ｆ２は、２４８ｎｍのピーク波長を有する光により感光するＫｒＦ（フッ化クリプトン）レジスト膜であってもよい。この場合、光源４２は、ＫｒＦエキシマレーザを含む。あるいは、感光性レジスト膜Ｆ２は、１９３ｎｍのピーク波長を有する光により感光するＡｒＦ（フッ化アルゴン）レジスト膜であってもよい。この場合、光源４２は、ＡｒＦエキシマレーザを含む。
【００５５】
その後、基板Ｗは、塗布処理部１２１のいずれかの塗布処理ユニット２０に搬送され、スピンチャック２１により保持および回転される。この状態で、図７（ａ）に示すように、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet；超紫外線）を効率よく吸収するための金属成分または金属酸化物等の金属成分が組成物として含有された金属含有レジスト液が塗布液として塗布ノズル２３ｃにより基板Ｗの被処理面の略中央部に吐出される。ＥＵＶの波長は、１３ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。金属成分は、例えばＳｎ（スズ）、ＨｆＯ２（酸化ハフニウム）またはＺｒＯ２（二酸化ジルコニウム）を含む。これにより、感光性レジスト膜Ｆ２を覆うように基板Ｗの被処理面に金属含有レジスト膜Ｆ４が塗布膜として形成される。
【００５６】
また、図７（ｂ）に示すように、エッジリンスノズル２５ｂにより基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。図７（ｂ）のリンス液としては、金属含有レジスト膜Ｆ４を溶かしかつ感光性レジスト膜Ｆ２を溶かさない液が用いられる。具体的には、リンス液として、例えばＭＩＢＣ（methyl isobutyl carbinol：メチルイソブチルカルビノール）またはＭＩＢＫ（methyl isobutyl ketone：メチルイソブチルケトン）等の溶解性が低い有機溶媒が用いられる。これにより、エッジリンス処理が行われ、基板Ｗの周縁部に付着する金属含有レジスト液が除去される。
【００５７】
さらに、図７（ｃ）に示すように、エッジリンスノズル２５ｃにより基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。図７（ｃ）のリンス液としては、感光性レジスト膜Ｆ２を溶かしかつ金属含有レジスト膜Ｆ４を溶かさない液が用いられる。具体的には、リンス液として、例えばＴＭＡＨ（tetra methyl ammonium hydroxide：水酸化テトラメチルアンモニウム）またはＫＯＨ（potassium hydroxide：水酸化カリウム）を含むアルカリ性水溶液等の現像液が用いられる。これにより、エッジリンス処理が行われ、基板Ｗの周縁部に残存する感光性レジスト膜Ｆ２がポジティブトーン現像により除去される。
【００５８】
上記の２段階のエッジリンス処理の後、基板Ｗは、熱処理部１２３に搬送され、加熱ユニットＰＨＰまたは冷却ユニットＣＰにより基板Ｗに所定の熱処理が行われる。その後、基板Ｗは、塗布ブロック１２からインデクサブロック１１に搬送され、基板処理が終了する。
【００５９】
（３）基板処理装置の動作
図１〜図７を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。なお、以下の説明では、図２の塗布処理部１２１に積層された複数の塗布処理ユニット２０のうち、上部に配置された半数の塗布処理ユニット２０を上段の塗布処理ユニット２０と呼ぶ。一方、下部に配置された残り半数の塗布処理ユニット２０を下段の塗布処理ユニット２０と呼ぶ。
【００６０】
インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送装置１１５は、キャリア１１３から基板載置部Ｐ１，Ｐ３（図４）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送装置１１５は、基板載置部Ｐ２，Ｐ４（図４）に載置された処理済の基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【００６１】
塗布ブロック１２において、搬送装置１２７は、基板載置部Ｐ１に載置された基板Ｗを上段熱処理部１０１（図３）の冷却ユニットＣＰおよび塗布処理部１２１（図２）の上段のいずれかの塗布処理ユニット２０に順に搬送する。この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、下層膜Ｆ１の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。また、塗布処理ユニット２０において、図５（ｂ）に示すように基板Ｗ上に下層膜Ｆ１が形成され、図５（ｃ）に示すように基板Ｗにエッジリンス処理が行われる。
【００６２】
次に、搬送装置１２７は、塗布処理ユニット２０により下層膜Ｆ１が形成された基板Ｗを上段熱処理部１０１の加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰに順に搬送する。この場合、加熱ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗが１５０℃〜４００℃に加熱された後、冷却ユニットＣＰにおいて冷却される。図５（ｄ）に示すように下層膜Ｆ１が複数の塗布膜Ｆａ〜Ｆｃを含む場合には、搬送装置１２７は、塗布処理ユニット２０と、加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰとの間で上記の基板Ｗの搬送を繰り返す。
【００６３】
その後、搬送装置１２７は、基板Ｗを塗布処理部１２１の上段のいずれかの塗布処理ユニット２０、上段熱処理部１０１の加熱ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部４０および冷却ユニットＣＰに順に搬送する。この場合、塗布処理ユニット２０において、図６（ａ）に示すように基板Ｗ上に感光性レジスト膜Ｆ２が形成され、図６（ｂ）に示すように基板Ｗにベベルリンス処理が行われる。また、加熱ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗが９０℃〜１３０℃に加熱された後、冷却ユニットＣＰにおいて冷却される。次に、エッジ露光部４０において、図６（ｃ）に示すように基板Ｗにエッジ露光処理が行われ、冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗが冷却される。
【００６４】
その後、搬送装置１２７は、基板Ｗを塗布処理部１２１の上段のいずれかの塗布処理ユニット２０、上段熱処理部１０１の加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰに順に搬送する。この場合、塗布処理ユニット２０において、図７（ａ）に示すように基板Ｗ上に金属含有レジスト膜Ｆ４が形成された後、図７（ｂ）および図７（ｃ）に示すように基板Ｗに２段階のエッジリンス処理が行われる。また、加熱ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗが９０℃〜２００℃に加熱された後、冷却ユニットＣＰにおいて冷却される。最後に、搬送装置１２７は、冷却後の基板Ｗを基板載置部Ｐ２に搬送する。
【００６５】
搬送装置１２８は、基板載置部Ｐ３に載置された基板Ｗを下段熱処理部１０２（図３）の冷却ユニットＣＰおよび塗布処理部１２１（図２）の下段のいずれかの塗布処理ユニット２０に順に搬送する。次に、搬送装置１２８は、基板Ｗを下段熱処理部１０２の加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰに順に搬送する。下層膜Ｆ１が複数の塗布膜を含む場合には、搬送装置１２８は、塗布処理ユニット２０と、加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰとの間で上記の基板Ｗの搬送を繰り返す。
【００６６】
続いて、搬送装置１２８は、基板Ｗを塗布処理部１２１の下段のいずれかの塗布処理ユニット２０、下段熱処理部１０２のエッジ露光部４０、加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰに順に搬送する。その後、搬送装置１２８は、基板Ｗを塗布処理部１２１の下段のいずれかの塗布処理ユニット２０、下段熱処理部１０２の加熱ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび基板載置部Ｐ２に順に搬送する。下段の塗布処理ユニット２０および下段熱処理部１０２における基板Ｗの処理内容は、上段の塗布処理ユニット２０および上段熱処理部１０１における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
【００６７】
（４）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、感光性レジスト膜Ｆ２は、基板Ｗの周縁部のみでなく下層膜Ｆ１を覆うように基板Ｗの被処理面の全面に形成される。したがって、金属含有レジスト膜Ｆ４は、基板Ｗの周縁部近傍で盛り上がることなく感光性レジスト膜Ｆ２上に均一な厚みで形成される。また、金属含有レジスト膜Ｆ４の外周部が除去された際に、感光性レジスト膜Ｆ２の外周部に金属含有レジスト膜Ｆ４の金属成分が残存した場合でも、当該金属成分が感光性レジスト膜Ｆ２の外周部ごと除去される。
【００６８】
そのため、搬送装置１１５，１２７，１２８が基板Ｗの周縁部を保持した場合でも、搬送装置１１５，１２７，１２８に金属成分が付着しない。これにより、金属汚染の発生を防止しつつ基板Ｗ上に均一な膜厚を有する金属含有レジスト膜Ｆ４を形成することができる。その結果、基板Ｗの周縁部近傍の金属含有レジスト膜Ｆ４の領域を有効に利用することができ、歩留まりが低下することを防止することができる。
【００６９】
［２］第２の実施の形態
（１）基板処理装置
第２の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。図８は、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図８に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１および塗布ブロック１２に加えて、現像ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂをさらに備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。ＥＵＶにより基板Ｗに露光処理を行う露光装置１５が搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように配置される。
【００７０】
現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送装置１４１，１４２が設けられる。搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送装置１４３が設けられる。搬送装置１４３は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【００７１】
図９は、主として図８の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図９に示すように、現像処理部１３１には、複数の現像処理ユニット（スピンデベロッパ）３０が設けられる。各現像処理ユニット３０は、塗布処理ユニット２０と同様に、複数のスピンチャック３１および複数のカップ３２を備える。また、各現像処理ユニット３０は、現像液を吐出する複数の現像ノズル３３、各現像ノズル３３を一方向に移動させる移動機構３４およびエッジリンスノズル３５を備える。
【００７２】
現像処理ユニット３０においては、スピンチャック３１が、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転する。この状態で、移動機構３４により各現像ノズル３３が一方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗの現像処理が行われる。また、エッジリンスノズル３５から現像処理後の基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。
【００７３】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００７４】
図１０は、主として図８の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図１０に示すように、本実施の形態においては、熱処理部１２３の上段熱処理部１０１および下段熱処理部１０２の各々には、２つのエッジ露光部４０が設けられる。以下の説明では、一方のエッジ露光部４０をエッジ露光部４０ａと呼び、他方のエッジ露光部４０をエッジ露光部４０ｂと呼ぶ。
【００７５】
エッジ露光部４０ａとエッジ露光部４０ｂとは、光源４２が異なる点を除き、同一の構成を有する。本実施の形態においては、エッジ露光部４０ａの光源４２は、例えば高圧水銀灯を含み、３６５ｎｍのピーク波長を有する光（ｉ線）を露光光として出射する。エッジ露光部４０ｂの光源４２は、例えばＫｒＦエキシマレーザを含み、２４８ｎｍのピーク波長を有する光を露光光として出射する。
【００７６】
熱処理部１３３は、上段熱処理部１０３および下段熱処理部１０４を有する。上段熱処理部１０３および下段熱処理部１０４には、複数の加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰが設けられる。上段熱処理部１０３および下段熱処理部１０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる加熱ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【００７７】
洗浄乾燥処理部１６２には、複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００７８】
図１１は、主として図８の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。図１１に示すように、搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。また、上段搬送室１３５には搬送装置１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送装置１３８が設けられる。搬送装置１３７，１３８の各々は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００７９】
上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間に、基板載置部Ｐ５，Ｐ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間に、基板載置部Ｐ７，Ｐ８が設けられる。上段搬送室１３５と搬送部１６３との間に、載置兼バッファ部ＰＢ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部ＰＢ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部Ｐ９および複数の載置兼冷却部ＰＣＰが設けられる。
【００８０】
（２）基板処理
図１２〜図１４は、第２の実施の形態における処理が行われる基板Ｗの部分拡大縦断面図である。本実施の形態においては、基板Ｗに第１の実施の形態における図５（ａ）〜図６（ｂ）の処理と同様の処理が行われる。なお、本実施の形態においては、図６（ａ）の処理で、感光性の第１のフォトレジスト液が塗布液として用いられる。これにより、基板Ｗの被処理面に感光性レジスト膜Ｆ２が形成される。感光性レジスト膜Ｆ２は、例えば２４８ｎｍのピーク波長を有する光により感光するＫｒＦレジスト膜である。
【００８１】
また、図６（ｂ）の処理の後、基板Ｗは、塗布処理部１２１のいずれかの塗布処理ユニット２０に搬送され、スピンチャック２１により保持および回転される。この状態で、図１２（ａ）に示すように、塗布ノズル２３ｄにより感光性の第２のフォトレジスト液が塗布液として基板Ｗの被処理面の略中央部に吐出される。これにより、感光性レジスト膜Ｆ２を覆うように基板Ｗの被処理面に感光性レジスト膜Ｆ３が塗布膜として形成される。感光性レジスト膜Ｆ３は、例えば３６５ｎｍのピーク波長を有する光により感光するｉ線レジスト膜である。
【００８２】
本実施の形態においては、感光性レジスト膜Ｆ２はＫｒＦレジスト膜であり、感光性レジスト膜Ｆ３はｉ線レジスト膜であるが、本発明はこれに限定されない。感光性レジスト膜Ｆ２，Ｆ３は、他のレジスト膜であってもよく、互いに異なる感光波長分布を有すればよい。したがって、感光性レジスト膜Ｆ２は、例えばｉ線レジスト膜、フッ化クリプトンレジスト膜およびフッ化アルゴンレジスト膜のうちいずれかのレジスト膜であり、感光性レジスト膜Ｆ３は、他のレジスト膜であってもよい。
【００８３】
また、図１２（ｂ）に示すように、ベベルリンスノズル２６により基板Ｗのベベル部にリンス液が吐出される。これにより、ベベルリンス処理が行われ、基板Ｗのベベル部に付着する第２のフォトレジスト液が除去される。図１２（ｂ）のリンス液は、図６（ｂ）と同じリンス液であってもよい。ベベルリンス処理の後、加熱ユニットＰＨＰまたは冷却ユニットＣＰにより基板Ｗに所定の熱処理が行われる。
【００８４】
ベベルリンス処理の後、基板Ｗは、図８の熱処理部１２３に搬送され、加熱ユニットＰＨＰまたは冷却ユニットＣＰにより基板Ｗに所定の熱処理が行われる。熱処理後、基板Ｗは、図１０のエッジ露光部４０ａにおいて、スピンチャック４１により保持および回転される。この状態で、図１２（ｃ）に示すように、光源４２から基板Ｗの周縁部の一定幅の領域に露光光が照射される。これにより、基板Ｗ上の周縁部における感光性レジスト膜Ｆ３の一定幅の領域にエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理の後、冷却ユニットＣＰにより基板Ｗに冷却処理が行われる。
【００８５】
その後、基板Ｗは、塗布処理部１２１のいずれかの塗布処理ユニット２０に搬送され、スピンチャック２１により保持および回転される。この状態で、図１３（ａ）に示すように、金属含有レジスト液が塗布液として塗布ノズル２３ｃにより基板Ｗの被処理面の略中央部に吐出される。これにより、感光性レジスト膜Ｆ３を覆うように基板Ｗの被処理面に金属含有レジスト膜Ｆ４が塗布膜として形成される。
【００８６】
また、図１３（ｂ）に示すように、エッジリンスノズル２５ｂにより基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。図１３（ｂ）のリンス液としては、金属含有レジスト膜Ｆ４を溶かしかつ感光性レジスト膜Ｆ２，Ｆ３を溶かさない液が用いられる。具体的には、リンス液として、例えばＭＩＢＣまたはＭＩＢＫ等の溶解性が低い有機溶媒が用いられる。これにより、エッジリンス処理が行われ、基板Ｗの周縁部に付着する金属含有レジスト液が除去される。
【００８７】
さらに、図１３（ｃ）に示すように、エッジリンスノズル２５ｃにより基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。図１３（ｃ）のリンス液としては、感光性レジスト膜Ｆ３を溶かしかつ金属含有レジスト膜Ｆ４を溶かさない液が用いられる。具体的には、リンス液として、例えばＴＭＡＨまたはＫＯＨを含むアルカリ性水溶液等の現像液が用いられる。これにより、エッジリンス処理が行われ、基板Ｗの周縁部に残存する感光性レジスト膜Ｆ３がポジティブトーン現像により除去される。
【００８８】
上記の２段階のエッジリンス処理の後、基板Ｗは、熱処理部１２３に搬送され、加熱ユニットＰＨＰまたは冷却ユニットＣＰにより基板Ｗに所定の熱処理が行われる。その後、基板Ｗは、図１０のエッジ露光部４０ｂに搬送され、スピンチャック４１により保持および回転される。この状態で、図１４（ａ）に示すように、光源４２から基板Ｗの周縁部の一定幅の領域に露光光が照射される。これにより、基板Ｗ上の周縁部における感光性レジスト膜Ｆ２の一定幅の領域にエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理の後、冷却ユニットＣＰにより基板Ｗに冷却処理が行われる。
【００８９】
その後、基板Ｗは図８の露光装置１５に搬送され、基板Ｗに露光処理が行われる。これにより、金属含有レジスト膜Ｆ４が所定のパターンに露光される。露光装置１５による露光処理の後、基板Ｗは熱処理部１３３に搬送され、加熱ユニットＰＨＰまたは冷却ユニットＣＰにより基板Ｗに露光後ベーク（ＰＥＢ）処理を含む所定の熱処理が行われる。
【００９０】
ＰＥＢ処理の後、基板Ｗは図９の現像処理部１３１に搬送され、スピンチャック３１により保持および回転される。この状態で、図１４（ｂ）に示すように、現像ノズル３３から現像液が基板Ｗの被処理面に吐出される。現像液としては、金属含有レジスト膜Ｆ４を溶かしかつ感光性レジスト膜Ｆ２，Ｆ３を溶かさない液が用いられる。具体的には、現像液として、例えばｎＢＡ（酢酸ｎ−ブチル：n-butyl acetate）または２−ヘプタノン（2-Heptanone）を含む有機溶媒等の現像液が用いられる。これにより、ネガティブトーン現像処理が行われ、金属含有レジスト膜Ｆ４が所定のパターンに形成される。
【００９１】
現像処理の後、基板Ｗは、図１４（ｃ）に示すように、スピンチャック３１により回転される基板Ｗの周縁部にエッジリンスノズル３５によりリンス液が吐出される。図１４（ｃ）のリンス液としては、感光性レジスト膜Ｆ２を溶かしかつ金属含有レジスト膜Ｆ４を溶かさない液が用いられる。具体的には、リンス液として、例えばＴＭＡＨまたはＫＯＨを含むアルカリ性水溶液等の現像液が用いられる。これにより、エッジリンス処理が行われ、基板Ｗの周縁部に残存する感光性レジスト膜Ｆ２がポジティブトーン現像により除去される。その後、基板Ｗは、現像ブロック１３からインデクサブロック１１に搬送され、基板処理が終了する。
【００９２】
（３）基板処理装置の動作
図８〜図１４を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。なお、以下の説明では、図９の現像処理部１３１に積層された複数の現像処理ユニット３０のうち、上部に配置された半数の現像処理ユニット３０を上段の現像処理ユニット３０と呼ぶ。一方、下部に配置された残り半数の現像処理ユニット３０を下段の現像処理ユニット３０と呼ぶ。
【００９３】
インデクサブロック１１の各部の動作は、第１の実施の形態におけるインデクサブロック１１の各部の動作とそれぞれ同様である。また、基板Ｗに図５（ａ）〜図６（ｂ）の処理が行われた後、所定の熱処理が行われるまでの塗布ブロック１２の各部の動作は、第１の実施の形態における塗布ブロック１２の各部の動作とそれぞれ同様である。
【００９４】
その後、塗布ブロック１２において、搬送装置１２７は、基板Ｗを塗布処理部１２１の上段のいずれかの塗布処理ユニット２０、上段熱処理部１０１の加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰに順に搬送する。この場合、塗布処理ユニット２０において、図１２（ａ）に示すように基板Ｗ上に感光性レジスト膜Ｆ３が形成され、図１２（ｂ）に示すように基板Ｗにベベルリンス処理が行われる。また、加熱ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗが９０℃〜１３０℃に加熱された後、冷却ユニットＣＰにおいて冷却される。
【００９５】
その後、搬送装置１２７は、基板Ｗを上段熱処理部１０１のエッジ露光部４０ａおよび冷却ユニットＣＰに順に搬送する。この場合、エッジ露光部４０ａにおいて、図１２（ｃ）に示すように基板Ｗにエッジ露光処理が行われ、冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗが冷却される。
【００９６】
その後、搬送装置１２７は、基板Ｗを塗布処理部１２１の上段のいずれかの塗布処理ユニット２０、上段熱処理部１０１の加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰに順に搬送する。この場合、塗布処理ユニット２０において、図１３（ａ）に示すように基板Ｗ上に金属含有レジスト膜Ｆ４が形成された後、図１３（ｂ）および図１３（ｃ）に示すように基板Ｗに２段階のエッジリンス処理が行われる。また、加熱ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗが９０℃〜２００℃に加熱された後、冷却ユニットＣＰにおいて冷却される。
【００９７】
その後、搬送装置１２７は、基板Ｗを上段熱処理部１０１のエッジ露光部４０ｂおよび冷却ユニットＣＰに順に搬送する。この場合、エッジ露光部４０ｂにおいて、図１４（ａ）に示すように基板Ｗにエッジ露光処理が行われ、冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗが冷却される。最後に、搬送装置１２７は、冷却後の基板Ｗを基板載置部Ｐ５（図１１）に搬送する。また、搬送装置１２７は、基板載置部Ｐ６（図１１）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部Ｐ２（図１１）に搬送する。
【００９８】
同様に、基板Ｗに図５（ａ）〜図６（ｂ）の処理が行われた後、搬送装置１２８（図１１）は、基板Ｗを塗布処理部１２１の下段のいずれかの塗布処理ユニット２０、下段熱処理部１０２（図１０）の加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰに順に搬送する。次に、搬送装置１２８は、基板Ｗを塗布処理部１２１の下段のいずれかの塗布処理ユニット２０、下段熱処理部１０２の加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰに順に搬送する。
【００９９】
続いて、搬送装置１２８は、基板Ｗを下段熱処理部１０２のエッジ露光部４０ａ、冷却ユニットＣＰ、塗布処理部１２１の下段のいずれかの塗布処理ユニット２０、下段熱処理部１０２の加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰに順に搬送する。その後、搬送装置１２８は、基板Ｗを下段熱処理部１０２のエッジ露光部４０ｂ、冷却ユニットＣＰおよび基板載置部Ｐ７（図１１）に順に搬送する。また、搬送装置１２８は、基板載置部Ｐ８（図１１）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部Ｐ４（図１１）に搬送する。
【０１００】
現像ブロック１３において、搬送装置１３７（図１１）は、基板載置部Ｐ５に載置された基板Ｗを載置兼バッファ部ＰＢ１（図１１）に搬送する。
【０１０１】
ここで、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する上段熱処理部１０３（図１０）の加熱ユニットＰＨＰには、露光装置１５による露光処理後でかつ熱処理（ＰＥＢ処理）後の基板Ｗが載置されている。搬送装置１３７は、加熱ユニットＰＨＰに載置された基板Ｗを冷却ユニットＣＰおよび上段のいずれかの現像処理ユニット３０（図９）に順に搬送する。この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、基板Ｗが現像処理に適した温度に冷却される。また、現像処理ユニット３０において、図１４（ｂ）に示すように基板Ｗに現像処理が行われ、図１４（ｃ）に示すように基板Ｗにエッジリンス処理が行われる。最後に、搬送装置１３７は、現像およびエッジリンス処理後の基板Ｗを基板載置部Ｐ６に搬送する。
【０１０２】
同様に、搬送装置１３８（図１１）は、基板載置部Ｐ７に載置された基板Ｗを載置兼バッファ部ＰＢ２（図１１）に搬送する。また、搬送装置１３８は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する下段熱処理部１０４（図１０）の加熱ユニットＰＨＰに載置された露光処理後でかつ熱処理（ＰＥＢ処理）後の基板Ｗを冷却ユニットＣＰ、下段のいずれかの現像処理ユニット３０（図９）および基板載置部Ｐ８に順に搬送する。下段の現像処理ユニット３０および下段熱処理部１０４における基板Ｗの処理内容は、上段の現像処理ユニット３０および上段熱処理部１０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
【０１０３】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送装置１４１（図８）は、載置兼バッファ部ＰＢ１，ＰＢ２（図１１）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図９）に搬送する。続いて、搬送装置１４１は、基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却部ＰＣＰ（図１１）に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部ＰＣＰにおいて、露光装置１５（図８）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１０４】
搬送装置１４２（図８）は、基板載置部Ｐ９に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図１０）に搬送する。また、搬送装置１４２は、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部１０３の加熱ユニットＰＨＰまたは下段熱処理部１０４の加熱ユニットＰＨＰに搬送する。この加熱ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗが１００℃〜２００℃に加熱されることにより基板ＷにＰＥＢ処理が行われる。
【０１０５】
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送装置１４３（図８）は、載置兼冷却部ＰＣＰに載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５に搬送する。また、搬送装置１４３は、露光装置１５から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部Ｐ９に搬送する。
【０１０６】
（４）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、感光性レジスト膜Ｆ２は基板Ｗの周縁部のみでなく下層膜Ｆ１を覆うように基板Ｗの被処理面の全面に形成され、感光性レジスト膜Ｆ３は感光性レジスト膜Ｆ２上に形成される。したがって、金属含有レジスト膜Ｆ４は、基板Ｗの周縁部近傍で盛り上がることなく感光性レジスト膜Ｆ３上に均一な厚みで形成される。
【０１０７】
また、金属含有レジスト膜Ｆ４の外周部が除去された際に、感光性レジスト膜Ｆ３の外周部に金属含有レジスト膜Ｆ４の金属成分が残存した場合でも、当該金属成分が感光性レジスト膜Ｆ３の外周部ごと除去される。さらに、金属含有レジスト膜Ｆ４が現像された際に、感光性レジスト膜Ｆ２の外周部に金属含有レジスト膜Ｆ４の金属成分が残存した場合でも、当該金属成分が感光性レジスト膜Ｆ２の外周部ごと除去される。
【０１０８】
そのため、搬送装置１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１〜１４３が基板Ｗの周縁部を保持した場合でも、搬送装置１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１〜１４３に金属成分が付着しない。これにより、金属汚染の発生を防止しつつ基板Ｗ上に均一な膜厚を有する金属含有レジスト膜Ｆ４を形成することができる。その結果、基板Ｗの周縁部近傍の金属含有レジスト膜Ｆ４の領域を有効に利用することができ、歩留まりが低下することを防止することができる。
【０１０９】
［３］他の実施の形態
（１）上記実施の形態において、未処理の基板Ｗが基板処理装置１００に搬入され、基板処理装置１００により基板Ｗの被処理面に下層膜Ｆ１が形成されるが、本発明はこれに限定されない。他の装置により被処理面に下層膜Ｆ１が形成された基板Ｗが基板処理装置１００に搬入されてもよい。この場合、基板処理装置１００により下層膜Ｆ１が形成されない。そのため、塗布処理ユニット２０は、下層膜Ｆ１を形成するための塗布ノズル２３ａを含まなくてもよい。
【０１１０】
（２）上記実施の形態において、基板処理が他の順序で行われてもよい。例えば、第１の実施の形態において、図６（ｃ）のエッジ露光処理が、図７（ｂ）のエッジリンス処理と図７（ｃ）のエッジリンス処理との間に行われてもよい。第２の実施の形態において、図１２（ｃ）のエッジ露光処理が、図１３（ａ）のエッジリンス処理と図１３（ｂ）のエッジリンス処理との間に行われてもよい。
【０１１１】
（３）上記実施の形態において、塗布処理ユニット２０は複数の塗布ノズル２３を含むが、本発明はこれに限定されない。塗布処理ユニット２０は単一の塗布ノズル２３を含み、当該塗布ノズル２３が複数の種類の塗布液を吐出可能に構成されてもよい。
【０１１２】
同様に、上記実施の形態において、塗布処理ユニット２０は複数のエッジリンスノズル２５を含むが、本発明はこれに限定されない。塗布処理ユニット２０は単一のエッジリンスノズル２５を含み、当該エッジリンスノズル２５が複数の種類のリンス液を吐出可能に構成されてもよい。
【０１１３】
（４）上記実施の形態においては、塗布ブロック１２で異なる種類の処理液（例えば有機溶媒および水溶液）がリンス液として用いられる。そのため、有機溶媒を含むリンス液と水溶液を含むリンス液とを分離して回収するための機構が塗布ブロック１２に設けられてもよい。
【０１１４】
同様に、第２の実施の形態においては、現像ブロック１３で異なる種類の処理液が現像液およびリンス液として用いられる。そのため、現像液とリンス液とを分離して回収するための機構が現像ブロック１３に設けられてもよい。これらの場合、処理液の廃棄コストを低減することができる。
【０１１５】
［４］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【０１１６】
上記の実施の形態では、下層膜Ｆ１が被処理膜の例であり、感光性レジスト膜Ｆ２が感光性塗布膜または第１の感光性塗布膜の例であり、感光性レジスト膜Ｆ３が第２の感光性塗布膜の例であり、金属含有レジスト膜Ｆ４が金属含有塗布液の例である。塗布ノズル２３ｂが感光性塗布液供給部または第１の感光性塗布液供給部の例であり、塗布ノズル２３ｃが金属含有塗布液供給部の例であり、塗布ノズル２３ｄが第２の感光性塗布液供給部の例である。
【０１１７】
エッジ露光部４０がエッジ露光部の例であり、エッジ露光部４０ａ，４０ｂがそれぞれ第１および第２のエッジ露光部の例であり、エッジリンスノズル２５ｂ，２５ｃ，３５がそれぞれ第１〜第３の除去液供給部の例である。基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、露光装置１５が露光装置の例であり、現像ノズル３３が現像液供給部の例である。
【符号の説明】
【０１１８】
１１…インデクサブロック，１２…塗布ブロック，１３…現像ブロック，１４…インターフェイスブロック，１４Ａ…洗浄乾燥処理ブロック，１４Ｂ…搬入搬出ブロック，１５…露光装置，２０…塗布処理ユニット，２１，３１，４１…スピンチャック，２２，３２…カップ，２３，２３ａ〜２３ｄ…塗布ノズル，２４，３４…移動機構，２５，２５ａ〜２５ｃ，３５…エッジリンスノズル，２６…ベベルリンスノズル，３０…現像処理ユニット，３３…現像ノズル，３５…現像ノズル，４０，４０ａ，４０ｂ…エッジ露光部，４２…光源，１００…基板処理装置，１０１，１０３…上段熱処理部，１０２，１０４…下段熱処理部，１１１…キャリア載置部，１１２…搬送部，１１３…キャリア，１１４…制御部，１１５，１４１〜１４３…搬送装置，１２１…塗布処理部，１２２，１３２，１６３…搬送部，１２３，１３３…熱処理部，１２５，１３５…上段搬送室，１２６，１３６…下段搬送室，１２７，１３７…搬送装置，１２８，１３８…搬送装置，１３１…現像処理部，１６１，１６２…洗浄乾燥処理部，ＣＰ…冷却ユニット，Ｆ１…下層膜，Ｆ２…感光性レジスト膜，Ｆ４…金属含有レジスト膜，Ｆａ〜Ｆｃ…塗布膜，Ｐ１〜Ｐ９…基板載置部，ＰＢ１，ＰＢ２…載置兼バッファ部，ＰＣＰ…載置兼冷却部，ＰＨＰ…加熱ユニット，ＳＤ１，ＳＤ２…洗浄乾燥処理ユニット，Ｗ…基板
【図１】
2020013823.tif 000003
【図２】
2020013823.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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