(57)【要約】【課題】磁性体製の被検査体の傷の有無を明確に検出できる傷検査装置を提供することである。【解決手段】傷検査装置１０は、被検査体１００を磁化したときに傷の存在によって変化した磁界を検出することで傷の評価を行う。傷検査装置は、被検査体を磁化する磁化器、及び、磁場の変化を検出する磁気センサを有する探傷プローブであって、磁気センサは、所定深さ以上の傷に対し出力電圧が飽和してパルス状の電圧信号を発生する探傷プローブと、被検査体と探傷プローブの一方を他方に対し一定速度で移動させる移動部４０と、探傷プローブにより出力されたパルス状の電圧信号の波形を利用して、被検査体における傷の有無を検出する信号処理装置と、を含む。【選択図】図１
2020112474.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体製の被検査体を磁化したときに傷の存在によって変化した磁界を検出することで傷の評価を行う傷検査装置であって、
前記被検査体を磁化する磁化器、及び、磁場の変化を検出する磁気センサを有する探傷プローブであって、前記磁気センサは、所定深さ以上の傷に対し出力電圧が飽和してパルス状の電圧信号を発生する探傷プローブと、
前記被検査体と前記探傷プローブの一方を他方に対し一定速度で移動させる移動部と、
前記探傷プローブにより出力された前記パルス状の電圧信号の波形を利用して、前記被検査体における傷の有無を検出する信号処理装置と、を備える、
傷検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の傷検査装置において、
前記被検査体の表面の正常部についての前記磁気センサの出力電圧を所定値に校正する校正部を有し、
前記信号処理装置は、前記パルス状の電圧信号の波形の半値幅及び立ち上がり時間の少なくとも一方を用いて傷の深さを定量的に検出する、
傷検査装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の傷検査装置において、
前記磁化器は、永久磁石である、
傷検査装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の傷検査装置において、
前記被検査体は、強磁性体である、
傷検査装置。
【請求項５】
傷検査装置を用いて、磁性体製の被検査体を磁化したときに傷の存在によって変化した磁界を検出することで傷を検出する傷検査方法であって、
前記傷検査装置は、
前記被検査体を磁化する磁化器、及び、磁場の変化を検出する磁気センサを有する探傷プローブであって、前記磁気センサは、所定深さ以上の傷に対し出力電圧が飽和してパルス状の電圧信号を発生する探傷プローブと、前記被検査体と前記探傷プローブの一方を他方に対し一定速度で移動させる移動部と、信号処理装置とを備え、
前記探傷プローブにより前記パルス状の電圧信号の波形を出力させ、前記信号処理装置により、前記出力を利用して、前記被検査体における傷の有無を検出する、
傷検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性体製の被検査体の傷の有無を検出する傷検査装置及び傷検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１及び特許文献２には、渦電流探傷方法により導電体の傷を検出する探傷プローブが記載されている。探傷プローブは、１つ以上の励磁コイルと、検出コイルとを含んで構成される。励磁コイルに交流電流を印加することにより導電体に渦電流を発生させ、その渦電流の流れが傷によって変化したときに磁界の変化を電圧変化として検出コイルで検出する。その検出結果を用いて傷の有無を検出する。傷の有無の判断は、検出コイルに誘起される電圧を検出することにより行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１３３４５９号公報
【特許文献２】特開２０１７−９０１８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
磁性体製の被検査体、例えば鉄または鋼等の強磁性体の表面における傷の有無を検出する際に、傷の有無を明確に検出できる装置及び方法の実現が望まれている。特許文献１及び特許文献２に記載された装置では、検出コイルに誘起された出力電圧の曲線的に変化する波形の変化が閾値を越えるか否かによって傷の有無を検出する。この場合には、傷の深さが大きい等によって出力電圧が飽和したときに出力電圧を比較することができなくなるので、傷の有無を明確に検出できるようにする面から改良の余地がある。
【０００５】
本発明の目的は、磁性体製の被検査体の傷の有無を明確に検出できる傷検査装置及び傷検査方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る傷検査装置は、磁性体製の被検査体を磁化したときに傷の存在によって変化した磁界を検出することで傷の評価を行う傷検査装置であって、前記被検査体を磁化する磁化器、及び、磁場の変化を検出する磁気センサを有する探傷プローブであって、前記磁気センサは、所定深さ以上の傷に対し出力電圧が飽和してパルス状の電圧信号を発生する探傷プローブと、前記被検査体と前記探傷プローブの一方を他方に対し一定速度で移動させる移動部と、前記探傷プローブにより出力された前記パルス状の電圧信号の波形を利用して、前記被検査体における傷の有無を検出する信号処理装置と、を備える、傷検査装置である。
【０００７】
本発明に係る傷検査方法は、傷検査装置を用いて、磁性体製の被検査体を磁化したときに傷の存在によって変化した磁界を検出することで傷を検出する傷検査方法であって、前記傷検査装置は、前記被検査体を磁化する磁化器、及び、磁場の変化を検出する磁気センサを有する探傷プローブであって、前記磁気センサは、所定深さ以上の傷に対し出力電圧が飽和してパルス状の電圧信号を発生する探傷プローブと、前記被検査体と前記探傷プローブの一方を他方に対し一定速度で移動させる移動部と、信号処理装置と、を備え、前記探傷プローブにより前記パルス状の電圧信号の波形を出力させ、前記信号処理装置により、前記出力を利用して、前記被検査体における傷の有無を検出する、傷検査方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る傷検査装置及び傷検査方法によれば、磁性体製の被検査体が磁化され、探傷プローブが、被検査体の所定深さ以上の傷に対し出力電圧が飽和してパルス状の電圧信号を発生し、信号処理装置が、探傷プローブにより出力されたパルス状の電圧信号の波形の有無に応じて、被検査体における傷の有無を二値的に検出する。これにより、曲線的に変化する出力電圧の波形の変化が閾値を越えるか否かに応じて、被検査体における傷の有無を検出する装置及び方法の場合に比べて、傷の有無をより明確に検出できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係る実施形態の傷検査装置を用いて被検査体の傷の有無を検出する方法を示す斜視図である。
【図２】本発明に係る実施形態の傷検査装置における探傷プローブ及び信号処理装置と、図１のＡ−Ａ断面における被検査体とを示す図である。
【図３】図２に示す探傷プローブの構成図である。
【図４】本発明に係る実施形態の効果を確認するために行った実験方法を示している図１に対応する図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ断面における被検査体と探傷プローブとの関係を示す図である。
【図６】図４に示す実験方法において、被検査体を１回転させたときにおける探傷プローブの出力電圧波形の実験結果を示す図である。
【図７】図６において、傷深さがｄ１＝０．０５ｍｍにおける探傷プローブの出力電圧波形の拡大図である。
【図８】図６において、傷深さがｄ２＝０．１ｍｍにおける探傷プローブの出力電圧波形の拡大図である。
【図９】図６において、傷深さがｄ３＝０．１５ｍｍにおける探傷プローブの出力電圧波形の拡大図である。
【図１０】図６において、傷深さがｄ４＝０．２ｍｍにおける探傷プローブの出力電圧波形の拡大図である。
【図１１】図４に示す実験方法を用いて行った実験結果から求めた、傷深さと出力電圧ピークの半値幅との関係を示す図である。
【図１２】図４に示す実験方法を用いて行った実験結果から求めた、傷深さと出力電圧ピークの立ち上がり時間との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を用いて本発明の実施形態を説明する。以下で説明する形状、材料、個数、及び数値は、説明のための例示であって、傷検査装置、または傷検査の対象である被検査体の仕様に応じて適宜変更することができる。以下ではすべての図面において同等の要素には同一の符号を付して説明する。
【００１１】
（傷検査装置の構成）
図１は、実施形態の傷検査装置１０を用いて被検査体１００の傷１０１の有無を検出する方法を示す斜視図である。図２は、傷検査装置１０における探傷プローブ２０及び信号処理装置５０と、図１のＡ−Ａ断面における被検査体１００とを示す図である。被検査体１００は、磁性体製、例えば強磁性体製の円柱状の棒である。例えば被検査体１００は、強磁性体である鉄または鋼により形成される。傷検査装置１０は、被検査体１００の表面の傷１０１の有無及び傷１０１の深さを検査するために用いられる。図１、図２では、被検査体１００の軸方向（長手方向）をＹで示し、軸方向に対し直交する２軸のうち、水平方向をＸで示し、上下方向をＺで示している。Ｘ、Ｚは互いに直交する。
【００１２】
傷検査装置１０は、被検査体１００の軸方向Ｘ両側に配置され、被検査体１００をその中心軸を中心に回転可能に支持する２つの被検査体支持部１１，１２と、探傷プローブ２０（図２）と、移動部４０と、信号処理装置５０（図２）とを含んで構成される。２つの被検査体支持部１１，１２は、床面上に配置される。
【００１３】
探傷プローブ２０は、傷検査装置１０のケースなどに支持されたプローブ支持部（図示せず）を介して、被検査体１００の上側に、所定隙間をあけて対向配置される。探傷プローブ２０は、被検査体１００を磁化するとともに、磁場の変化を検出する。探傷プローブ２０は、磁場の変化に基づいて、被検査体１００の傷１０１を検出したことを、パルス状の電圧信号として後述の信号処理装置５０に出力する。
【００１４】
図３は、図２に示す探傷プローブ２０の構成図である。探傷プローブ２０は、磁化器２１及び磁気センサ２２を有する。磁化器２１は、永久磁石から構成され、被検査体１００を磁化する。図３の矢印αは、磁化方向を示している。磁気センサ２２は、磁化された被検査体１００により形成される磁場の変化を検出する。磁場の磁束は、磁気センサ２２を矢印β方向に通過する。磁気センサ２２として、好ましくは小型で高感度の磁気センサ素子が用いられる。例えば磁気センサ２２は、ＴＭＲ(Tunnel Magneto Resistance）素子が使用される。ＴＭＲ素子は、トンネル磁気抵抗効果を利用して磁気を検出する。ＴＭＲ素子として、例えば磁性金属層と絶縁層とを積層する構造、または絶縁体のマトリクス中に磁性金属のナノ粒子（ナノグラニュール）を分散させた構造を使用できる。このとき、磁化器２１は、ＴＭＲ素子を高感度な動作範囲で駆動させるためのバイアス磁界を印加する。探傷プローブ２０は、ＩＣから構成される制御部２３も含んでいる。制御部２３は、ＴＭＲ素子等の磁気センサ２２の出力を増幅するアンプ回路部及び演算処理部を有する。演算処理部は、被検査体１００の表面における、検出が必要な傷がない部分である正常部１０２について、磁気センサ２２の出力電圧を所定値（例えば０Ｖや０．４Ｖ等）に校正する校正部を有する。制御部２３には、リード部２４から電源電圧が供給され、制御部２３からリード部２５を介して出力電圧が後述の信号処理装置５０（図２）に出力される。このとき、探傷プローブ２０は、二値化された信号を出力する。探傷プローブ２０は、ＴＭＲ素子、永久磁石、及び制御部が一体化された磁気センサモジュールとしてもよい。例えば磁気センサモジュールとして、セイコーＮＰＣ株式会社製のＳＭ３６００Ａ（商品名）が使用される。
【００１５】
移動部４０は、移動支持部４１を介して床面の上側に配置された回転駆動部であり、ステッピングモータ等の電動アクチュエータである電動モータ４２を有する。電動モータ４２は、電源回路部（図示せず）から電力が供給される。電動モータ４２の回転軸には、被検査体１００が互いの中心軸を一致させるように固定される。電動モータ４２の駆動によって、被検査体１００が回転する。移動部４０は、被検査体１００を所定の一定速度で回転移動させることで、被検査体１００を探傷プローブ２０（図２）に対し一定速度で移動させる。
【００１６】
被検査体１００の一定速度での回転によって、被検査体１００の表面に生じた傷が、探傷プローブ２０に対向する部分を、一定速度で通過するように移動する。これによって、探傷プローブ２０で検出される磁場が急激に変化することで、探傷プローブ２０が、所定深さ以上（例えば０．０１ｍｍ以上）の傷に対し出力電圧が飽和して、探傷プローブ２０の電源電圧レベルに近い所定出力電圧値（例えば０．８Ｖ）を示すパルス状の電圧信号を発生する。
【００１７】
図２に示す信号処理装置５０は、探傷プローブ２０により出力されたパルス状の電圧信号の波形を利用して、被検査体１００における傷１０１の有無と、傷１０１の深さとを検出する。信号処理装置５０は、パーソナルコンピュータ等により構成される制御部と、制御部に接続されるオシロスコープ等の出力部である表示部を有する。出力部は、プリンタまたはデータロガー等の記録部または外部に検出信号を出力する信号出力部としてもよい。上記の探傷プローブ２０が校正部を持たず、その代わりに、信号処理装置５０が校正部を有してもよい。
【００１８】
信号処理装置５０は、探傷プローブ２０の二値化された信号の出力を受けて、傷１０１の有無及び深さを検出する。具体的には、信号処理装置５０の制御部は、被検査体１００についてパルス状の電圧信号波形があると判定した場合に傷があると判定し、パルス状の電圧信号波形がないと判定した場合に傷がないと判定する。
【００１９】
さらに、信号処理装置５０の制御部は、パルス状の電圧信号波形のピーク値の半値における時間幅である半値幅と、パルス状の電圧信号波形の立ち上がり時間の少なくとも一方を用いて、傷１０１の深さを定量的に検出する。「立ち上がり時間」は、パルス状の電圧信号の立ち上がり開始時点から立ち上がり終了時点までの１０％から９０％に達するまでの時間である。
【００２０】
被検査体１００と探傷プローブ２０との距離Ｌ０を一定とした場合に、上記のピーク値の半値幅と、傷深さとの関係が、半値幅の増大にしたがって傷深さが増大し、半値幅と傷深さとが一対一の関係にあることが分かった。これを利用して、信号処理装置５０の記憶部には、予め半値幅と傷深さとの関係を記憶しておき、信号処理装置５０は、探傷プローブ２０からの出力を受けて、その関係から傷深さを表示部等の出力部に出力することができる。半値幅と傷深さとの関係は予め実験により求められる。
【００２１】
また、被検査体１００と探傷プローブ２０との距離を一定とした場合に、上記の立ち上がり時間と、傷深さとの関係が、立ち上がり時間の増大にしたがって傷深さが減少し、立ち上がり時間と傷深さとが一対一の関係にあることも分かった。これを利用して、信号処理装置５０の記憶部には、予め立ち上がり時間と傷深さとの関係を記憶しておき、信号処理装置５０は、探傷プローブ２０からの出力を受けて、その関係から傷深さを表示部等の出力部に出力することもできる。立ち上がり時間と傷深さとの関係も予め実験により求められる。
【００２２】
（傷検査方法の構成）
傷検査装置１０を用いる傷検査方法は、被検査体１００を磁化したときに傷の存在によって変化した磁界を検出することで傷１０１を検出する。具体的には、傷検査方法は、探傷プローブ２０によりパルス状の電圧信号の波形を出力させ、信号処理装置５０により、その出力を利用して、被検査体１００における傷１０１の有無及び深さを検出する。傷検査装置１０及び傷検査方法は、傷の有無のみを検出する構成としてもよい。
【００２３】
（傷検査装置及び傷検査方法の効果）
上記の傷検査装置１０及び傷検査方法によれば、被検査体１００が磁化され、探傷プローブ２０が、被検査体１００の所定深さ以上の傷１０１に対し出力電圧が飽和してパルス状の電圧信号を発生する。そして、信号処理装置５０が、探傷プローブ２０により出力されたパルス状の電圧信号の波形の有無に応じて、被検査体１００における傷の有無を二値的に検出する。これにより、特許文献１または特許文献２に記載されたような曲線的に変化する出力電圧の波形の変化が閾値を越えるか否かに応じて、被検査体における傷の有無を検出する装置及び方法の場合に比べて、傷１０１の有無をより明確に検出できる。
【００２４】
さらに、傷検査装置１０が、被検査体１００の表面の正常部１０２についての磁気センサ２２の出力電圧を０Ｖ等の所定値に校正する校正部を有し、信号処理装置５０は、パルス状の電圧信号波形の半値幅及び立ち上がり時間の少なくとも一方を用いて傷１０１の深さを定量的に検出する。これにより、出力電圧の振幅や出力電圧の変化量を利用して傷深さを検出する漏洩磁束探傷方法や、渦電流探傷方法を用いる場合と異なり、出力電圧の飽和により傷深さの検出ができなくなることで、検出可能な傷深さの範囲が大幅に狭くなるという不都合がない。このため、実施形態によれば、傷深さに対するダイナミックレンジを広くできる効果を得られる。
【００２５】
また、磁化器２１が永久磁石である場合には、特許文献１または特許文献２に記載された構成のように渦電流探傷プローブが励磁コイルと検出コイルとを含んで構成される場合と異なり、探傷プローブ２０の小型化を図りやすい。また、比較例として、磁化器の励磁コイルに交流の定電流またはパルス電流を印加する構成が考えられるが、この場合には外部機器として、定電流発生器やパルス電流発生器が必要になる。実施形態において、磁化器２１が永久磁石である場合にはこのような不都合を防止できる。さらに、特許文献１または特許文献２に記載された構成のように、探傷プローブが検出コイルを含んで構成される場合に、検出コイルに誘起される電圧信号を高精度に検出するために、ロックインアンプを用いて同期検波することが考えられるが、この場合には傷検査装置のトータルコストが高くなる可能性がある。実施形態で高感度の磁気センサ素子を用いる場合には、電圧信号の高精度な検出のためにロックインアンプを用いて同期検波する必要がないので、傷検査装置１０のトータルコストの抑制を図れる。
【００２６】
（実験内容）
次に、実施形態の傷検査装置１０及び傷検査方法の効果を確認するために行った実験を説明する。図４は、その実験方法を示している図１に対応する図である。図５は、図４のＢ−Ｂ断面における被検査体１００と探傷プローブ２０との関係を示す図である。
【００２７】
（試験片）
実験には、被検査体１００（試験片）として、直径Ｒが６５ｍｍ、軸方向長さＬ１００が３３０ｍｍの鋼製の円柱状の棒を用いて、その棒の表面に、深さが異なる４つの人工傷１０１ａを形成したものを用いた。４つの人工傷１０１ａは、被検査体１００の表面の９０度ずつ位相が異なる位置に、軸方向Ｙに沿って直線状に形成した。被検査体１００の材質はＳ５５Ｃであり、人工傷１０１ａは被検査体１００の軸方向Ｙ中央部において被検査体１００を９０度ずつ回転させながら、放電加工で形成した。人工傷１０１ａの長さ、幅はそれぞれ、５０ｍｍ、０．３ｍｍとし、４つの人工傷１０１ａの深さはそれぞれ０．０５ｍｍ、０．１０ｍｍ、０．１５ｍｍ、０．２０ｍｍとした。
【００２８】
（傷検査装置）
傷検査装置１０には、探傷プローブ２０として、磁気センサであるＴＭＲ素子と、ＴＭＲ素子を高感度な動作範囲で駆動するためのバイアス磁界を印加する永久磁石と、磁気センサの出力を増幅するアンプ回路および出力電圧の校正を行う機能が一体となったＩＣとを含む磁気センサモジュール（セイコーＮＰＣ株式会社製のＳＭ３６００Ａ（商品名））を使用した。
【００２９】
傷検査装置１０の移動部４０として、被検査体１００を一定速度で回転させるステッピングモータを用いた。また、探傷プローブ２０を任意の位置に移動するために、自動ステージと、この自動ステージの移動を制御するステージコントローラとを用いた。また、信号処理装置５０の出力部として、探傷プローブ２０の出力電圧波形を観測するためのオシロスコープを用いた。
【００３０】
（実験方法）
探傷プローブ２０を、人工傷１０１ａの長手方向中央位置に対向可能な、被検査体１００の軸方向Ｙにおける中央で、被検査体１００の表面から一定の距離(リフトオフ距離)Ｌ０をあけて配置した。そして、移動部４０で被検査体１００を１回転当たり１０秒の速度で回転させながら、探傷プローブ２０の出力電圧波形を出力部（オシロスコープまたはデータロガー等の記録部）で観測した。
【００３１】
実験から計測まで、次の手順を行った。
（手順１）被検査体１００の正常部（健全部）で表面から一定の距離Ｌ０（例えば０．５ｍｍ)離れた位置に探傷プローブ２０を移動し、オートバイアス機能により正常部における探傷プローブ２０の出力を０．４Ｖに校正する。
【００３２】
（手順２）被検査体１００を回転させたときに、人工傷１０１ａと探傷プローブ２０のＴＭＲ素子とが被検査体１００の直径方向に対向する位置に、探傷プローブ２０を移動する。
【００３３】
（手順３）移動部４０により被検査体１００を一定速度で回転させながら、探傷プローブ２０の出力電圧を信号処理装置５０の出力部で測定する。
【００３４】
（手順４）探傷プローブ２０の出力電圧の測定データを、信号処理装置５０の制御部であるパーソナルコンピュータに転送し、パルス信号の半値幅及び立ち上り時間を求める。
【００３５】
（実験結果）
図６は、図４に示す実験方法において、被検査体１００を１回転させたときにおける探傷プローブ２０の出力電圧波形の実験結果を示している。図６に示す実験結果では、被検査体１００の表面と探傷プローブ２０との距離Ｌ０を０．５ｍｍとしている。傷検査装置１０には高感度な磁気センサモジュールを使用しているため、人工傷１０１ａに対する出力電圧の変化が大きく（人工傷１０１ａに対する感度が高く）、人工傷１０１ａが所定深さ（０．０５ｍｍ）以上であればその深さにかかわらず探傷プローブ２０の出力電圧は傷がある部分で、飽和してパルス状となった。その結果、正常部ではＧＮＤレベルに近い出力電圧値(約０．４Ｖ)を示し、人工傷１０１ａがある部分では探傷プローブ２０の電源電圧レベルに近い所定の出力電圧値(約４．８Ｖ)を示すパルス状の出力信号を得ることができた。これにより、傷検査装置１０により傷の有無を二値化された値で容易に判断できることを確認できた。
【００３６】
また、測定されたパルス状の電圧波形では、人工傷１０１ａの深さにかかわらず所定の出力電圧値を示しているが、傷深さと磁気センサの出力電圧の間には、傷深さの増大にしたがって出力電圧が大きくなる関係がある。実施形態の傷検査装置１０では、探傷プローブ２０の出力電圧が人工傷１０１ａによって飽和しているので、出力電圧のピーク値だけでは傷深さを検出することが困難である。一方、後述のように、実験結果により、傷深さによってパルス状の出力電圧波形の半値幅及び立ち上り時間のそれぞれが変化することを確認できたので、これらの半値幅及び立ち上がり時間の一方または両方から傷深さを検出できることを確認できた。
【００３７】
図７〜図１０は、図６の傷部分における探傷プローブ２０の出力電圧波形の拡大図である。図７は、傷深さがｄ１＝０．０５ｍｍの場合を示している。図８は、傷深さがｄ２＝０．１ｍｍの場合を示している。図９は、傷深さがｄ３＝０．１５ｍｍの場合を示している。図１０は、傷深さがｄ４＝０．２ｍｍの場合を示している。図７〜図１０に示す実験結果から、傷深さによって、パルス状の出力電圧波形の半値幅ＴＡ及び立ち上り時間ＴＢが変化していることを確認できる。
【００３８】
また、図７〜図１０に示す実験結果から、半値幅ＴＡ及び立ち上り時間ＴＢは、それぞれ傷深さと相関があり、半値幅ＴＡ及び立ち上り時間ＴＢの一方または両方の値を求めれば、傷深さを定量的に検出できることが分かった。
【００３９】
図１１は、半値幅ＴＡと傷深さとの関係を調査した実験結果を示している。図１１に示す実験結果では、リフトオフ距離Ｌ０が、図６〜図１０に示した０．５ｍｍの場合（三角形）に加えて、リフトオフ距離Ｌ０が、０．４ｍｍの場合（丸の場合）及び０．６ｍｍの場合（四角形）も示している。図１１に示す実験結果から、半値幅ＴＡは傷深さと相関があり、リフトオフ距離Ｌ０が一定であれば、半値幅ＴＡの決定により、傷深さを検出できることが分かる。
【００４０】
図１２は、立ち上がり時間ＴＢと傷深さとの関係を調査した実験結果を示している。図１２に示す実験結果でも、図１１の場合と同様に、リフトオフ距離Ｌ０が、図６〜図１０に示した０．５ｍｍの場合（三角形）に加えて、リフトオフ距離Ｌ０が、０．４ｍｍの場合（丸の場合）及び０．６ｍｍの場合（四角形）も示している。図１２に示す実験結果から、立ち上がり時間ＴＢは傷深さと相関があり、リフトオフ距離Ｌ０が一定であれば、立ち上がり時間ＴＢの決定により、傷深さを検出できることが分かる。
【００４１】
なお、上記では、移動部４０が、被検査体１００を一定速度で回転移動させる場合を説明したが、移動部は、探傷プローブ２０を、被検査体１００の周りで被検査体１００の中心軸を中心とする円の周方向に沿って移動させることで、探傷プローブ２０を被検査体１００に対し一定速度で移動させる構成としてもよい。
【００４２】
また、上記では、被検査体１００が円柱状であり、移動部４０が、被検査体１００を探傷プローブ２０に対し一定速度で回転移動させる場合を説明した。一方、被検査体を平板状とし、移動部が、被検査体を一定速度で直線方向に移動させることで、探傷プローブ２０の磁気センサが、被検査体の傷がある部分と傷がない正常部とに対向する部分を通過する構成にしてもよい。例えば、移動部は、被検査体を直線方向に移動可能な移動ステージと、移動ステージを移動させる電動アクチュエータを含んでもよい。
【００４３】
また、磁気センサは、ＴＭＲ素子に限定せず、ホールセンサ等を含んでもよい。また、磁化器が励磁コイルを含むこともできる。
【符号の説明】
【００４４】
１０  傷検査装置、１１，１２  被検査体支持部、２０  探傷プローブ、２１  磁化器、２２  磁気センサ、２３  制御部、２４，２５  リード部、４０  移動部、４１  移動支持部、４２  電動モータ、５０  信号処理装置、１００  被検査体、１０１  傷、１０１ａ  人工傷、１０２  正常部。
【図１】
2020112474.tif 000003
【図２】
2020112474.tif 000004
【図３】
2020112474.tif 000005
【図４】
2020112474.tif 000006
【図５】
2020112474.tif 000007
【図６】
2020112474.tif 000008
【図７】
2020112474.tif 000009
【図８】
2020112474.tif 000010
【図９】
2020112474.tif 000011
【図１０】
2020112474.tif 000012
【図１１】
2020112474.tif 000013
【図１２】
2020112474.tif 000014