(57)【要約】【課題】フォトレジストの剥離を抑制することが可能な面発光レーザの製造方法を提供する。【解決手段】半導体多層膜を含む下部反射鏡層、活性層、および半導体多層膜を含む上部反射鏡層が順に形成された基板を準備する工程と、前記上部反射鏡層の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程の後に、イソプロピルアルコールを用いて洗浄する工程と、前記洗浄する工程の後、フォトレジストをパターニングする工程と、パターニングする工程の後、前記下部反射鏡層、前記活性層および前記上部反射鏡層の前記フォトレジストから露出する部分にイオン注入することで高抵抗領域を形成する工程と、を有し、前記洗浄する工程は、前記イソプロピルアルコールの液体を用いて洗浄する工程、および前記イソプロピルアルコールの蒸気中で乾燥させる工程を含む面発光レーザの製造方法。【選択図】  図４
2020068309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体多層膜を含む下部反射鏡層、活性層、および半導体多層膜を含む上部反射鏡層が順に形成された基板を準備する工程と、
前記上部反射鏡層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を形成する工程の後に、イソプロピルアルコールを用いて洗浄する工程と、
前記洗浄する工程の後、前記絶縁膜の上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジストを露光することで前記フォトレジストをパターニングする工程と、
前記パターニングする工程の後、前記下部反射鏡層、前記活性層および前記上部反射鏡層の前記フォトレジストから露出する部分にイオン注入することで高抵抗領域を形成する工程と、を有し、
前記洗浄する工程は、前記イソプロピルアルコールの液体を用いて洗浄する工程、および前記イソプロピルアルコールの蒸気中で乾燥させる工程を含む面発光レーザの製造方法。
【請求項２】
前記洗浄する工程は、前記基板をイソプロピルアルコールに浸漬する工程、イソプロピルアルコールの液体により置換する工程、および前記イソプロピルアルコールの蒸気中で乾燥させる工程を含む請求項１に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項３】
前記洗浄する工程の後であって前記フォトレジストをパターニングする工程の前に、前記絶縁膜の表面をＨＭＤＳで処理する工程を有する請求項１または２に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜を形成する工程は、前記絶縁膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを用いて前記絶縁膜の一部をエッチングする工程と、酸素アッシングにより前記レジストパターンを除去する工程とを含む請求項１から３のいずれか一項に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜は窒化シリコン膜である請求項１から４のいずれか一項に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項６】
前記イオンが注入される深さは５μｍ以上であり、
前記フォトレジストの厚さは１０μｍ以上である請求項１から５のいずれか一項に記載の面発光レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は面発光レーザの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、垂直共振型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）が開示されている。ＶＣＳＥＬでは、寄生容量の低減のために、半導体層にイオンを注入することで高抵抗領域を形成することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１５／０３３６４９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
イオン注入の工程では、フォトレジストのパターニングを行い、イオンを注入させない領域はフォトレジストで覆い、イオン注入する領域はフォトレジストから露出させる。しかし、フォトレジストとウェハとの間に気泡が生じ、フォトレジストが剥がれることがある。フォトレジストの剥離部分から意図しない位置にイオンが注入され不良品が発生してしまう。そこで、フォトレジストの剥離を抑制することが可能な面発光レーザの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る面発光レーザの製造方法は、半導体多層膜を含む下部反射鏡層、活性層、および半導体多層膜を含む上部反射鏡層が順に形成された基板を準備する工程と、前記上部反射鏡層の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程の後に、イソプロピルアルコールを用いて洗浄する工程と、前記洗浄する工程の後、前記絶縁膜の上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジストを露光することで前記フォトレジストをパターニングする工程と、前記パターニングする工程の後、前記下部反射鏡層、前記活性層および前記上部反射鏡層の前記フォトレジストから露出する部分にイオン注入することで高抵抗領域を形成する工程と、を有し、前記洗浄する工程は、前記イソプロピルアルコールの液体を用いて洗浄する工程、および前記イソプロピルアルコールの蒸気中で乾燥させる工程を含むものである。
【発明の効果】
【０００６】
上記発明によれば、フォトレジストの剥離を抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（ａ）は実施例１に係る面発光レーザを例示する平面図であり、図１（ｂ）は面発光レーザを例示する断面図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。
【図９】図９は比較例に係る面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[本願発明の実施形態の説明]
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
【０００９】
本願発明の一形態は、（１）半導体多層膜を含む下部反射鏡層、活性層、および半導体多層膜を含む上部反射鏡層が順に形成された基板を準備する工程と、前記上部反射鏡層の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程の後に、イソプロピルアルコールを用いて洗浄する工程と、前記洗浄する工程の後、前記絶縁膜の上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジストを露光することで前記フォトレジストをパターニングする工程と、前記パターニングする工程の後、前記下部反射鏡層、前記活性層および前記上部反射鏡層の前記フォトレジストから露出する部分にイオン注入することで高抵抗領域を形成する工程と、を有し、前記洗浄する工程は、前記イソプロピルアルコールの液体を用いて洗浄する工程、および前記イソプロピルアルコールの蒸気中で乾燥させる工程を含む面発光レーザの製造方法である。イソプロピルアルコールを用いた洗浄により、凝集水の発生を抑制することができる。このため、凝集水に起因する気泡の発生も抑制し、フォトレジストの剥離を抑制することができる。
（２）前記洗浄する工程は、前記基板をイソプロピルアルコールに浸漬する工程、イソプロピルアルコールの液体により置換する工程、および前記イソプロピルアルコールの蒸気中で乾燥させる工程を含んでもよい。これにより有機物を除去し、有機物による水分の凝集を抑制することができる。
（３）前記洗浄する工程の後であって前記フォトレジストをパターニングする工程の前に、前記絶縁膜の表面をＨＭＤＳで処理する工程を有してもよい。凝集水の発生を抑制するため、凝集水によるＨＭＤＳの分解および気泡の発生を抑制することができる。
（４）前記絶縁膜を形成する工程は、前記絶縁膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを用いて前記絶縁膜の一部をエッチングする工程と、酸素アッシングにより前記レジストパターンを除去する工程とを含んでもよい。酸素アッシングにより絶縁膜に酸化膜が形成される。イソプロピルアルコールによる洗浄を行うため、酸化膜による水分の凝集を抑制することができる。
（５）前記絶縁膜は窒化シリコン膜であるとしてもよい。絶縁膜が酸化し酸化シリコン膜を形成することがある。イソプロピルアルコールによる洗浄を行うため、酸化シリコン膜による水分の凝集を抑制することができる。
（６）前記イオンが注入される深さは５μｍ以上であり、前記フォトレジストの厚さは１０μｍ以上でもよい。イオンを遮蔽するため１０μｍ以上のフォトレジストを設けると、フォトレジスト下の水分が抜けにくくなる。イソプロピルアルコールによる洗浄を行うことで、フォトレジストの下に水分が残留しにくく、フォトレジストの剥離を抑制することができる。
【００１０】
［本願発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【実施例１】
【００１１】
（面発光レーザ）
図１（ａ）は実施例１に係る面発光レーザ１００を例示する平面図であり、図１（ｂ）は面発光レーザ１００を例示する断面図である。
【００１２】
図１（ａ）に示すように、面発光レーザ１００の外周部には素子分離のための溝１１が設けられている。溝１１に囲まれた部分にメサ１９、パッド２５および２７が位置する。メサ１９の周囲に溝１３が設けられている。メサ１９の上に電極２６が設けられ、溝１３に電極２８が設けられている。パッド２５は電極２６に電気的に接続され、パッド２７は電極２８に電気的に接続されている。
【００１３】
図１（ｂ）はメサ１９付近を拡大している。図１（ｂ）に示すように、面発光レーザ１００は基板１０、下部反射鏡（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）層１２、活性層１４、上部反射鏡層１６、絶縁膜１８および２４、電極２６および２８を備えるＶＣＳＥＬである。
【００１４】
基板１０は例えば絶縁性またはｎ型のガリウム砒素（ＧａＡｓ）で形成された半導体基板である。基板１０の上に下部反射鏡層１２、活性層１４、上部反射鏡層１６が順に積層され、これらの半導体層はメサ１９を形成する。
【００１５】
下部反射鏡層１２は例えばｎ型のＡｌ０．１６Ｇａ０．８４ＡｓとＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓとを光学膜厚λ／４ずつ交互に積層した半導体多層膜であり、ＡｌＧａＡｓのコンタクト層を含む。なおλは光の波長である。下部反射鏡層１２には例えばシリコン（Ｓｉ）がドーピングされている。また下部反射鏡層１２は電極２６に接触するコンタクト層を含む。
【００１６】
活性層１４は例えばＡｌＧａＡｓおよびＡｌＩｎＧａＡｓで形成され、量子井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）構造を有し、光学利得を有する。活性層１４と下部反射鏡層１２との間、および活性層と上部反射鏡層１６との間には不図示のクラッド層が介在する。
【００１７】
上部反射鏡層１６は例えばｐ型のＡｌ０．１６Ｇａ０．８４ＡｓとＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓとを光学膜厚λ／４ずつ交互に積層した半導体多層膜であり、ＡｌＧａＡｓのコンタクト層を含む。上部反射鏡層１６には例えば炭素（Ｃ）がドーピングされている。また下部反射鏡層１２は電極２８に接触するコンタクト層を含む。基板１０、下部反射鏡層１２、活性層１４、上部反射鏡層１６は上記以外の化合物半導体で形成されてもよい。
【００１８】
上部反射鏡層１６の一部を選択的に酸化させることで電流狭窄層２２が形成される。電流狭窄層２２は上部反射鏡層１６の周縁部に形成され、上部反射鏡層１６の中央部には形成されない。電流狭窄層２２は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含み、絶縁性であり、酸化されない部分よりも電流が流れにくい。したがって上部反射鏡層１６の中央側である未酸化部分が電流経路となり、効率的な電流注入が可能となる。
【００１９】
電流狭窄層２２よりも外側であって、メサ１９の周縁部には高抵抗領域２０が形成されている。高抵抗領域２０は上部反射鏡層１６、活性層１４および下部反射鏡層１２の上側の一部にわたっており、後述のようにイオン注入で形成される。
【００２０】
メサ１９の上面には絶縁膜１８が設けられ、さらに下部反射鏡層１２の上面からメサ１９の上面までを覆う絶縁膜２４が設けられている。絶縁膜１８は例えば厚さ４０ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜である。絶縁膜２４は例えばＳｉＮ、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）のいずれかを含み、厚さは例えば４０ｎｍである。絶縁膜２４は活性層１４が出射する光を反射する反射膜として機能する。絶縁膜２４の厚さおよび屈折率は反射率が高まるように定める。絶縁膜１８および２４の一部には開口部が設けられ、電極２６および２８が設けられる。
【００２１】
電極２６は、例えば金ゲルマニウム（ＡｕＧｅ）とニッケル（Ｎｉ）との積層構造を有するｎ型電極であり、下部反射鏡層１２の表面に接触する。電極２８は、例えばチタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）およびＡｕの積層構造を有するｐ型電極であり、上部反射鏡層１６の表面に接触する。電極２６および２８は、それぞれ下部反射鏡層１２および上部反射鏡層１６とオーミック接触が可能な金属で形成されればよい。
【００２２】
（製造方法）
次に面発光レーザ１００の製造方法を説明する。図２（ａ）から図８（ｂ）は面発光レーザ１００の製造方法を例示する断面図である。
【００２３】
図２（ａ）に示すように、例えば有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法または分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）法などにより基板１０上に下部反射鏡層１２、活性層１４および上部反射鏡層１６を順にエピタキシャル成長する。下部反射鏡層１２は電流狭窄層２２形成のためのＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０．９≦ｘ≦１．０）を含む。例えばプラズマＣＶＤ法などで上部反射鏡層１６の表面に絶縁膜１８を形成する。
【００２４】
図２（ｂ）に示すようにマーク３２を形成する。マーク３２はレジストパターンなどの位置合わせの基準であり、１００ｎｍから２００ｎｍなど露光装置で画像認識できる深さを有する凹凸である。絶縁膜１８の表面にフォトレジスト３０を塗布し、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成し、エッチングを行うことでマーク３２を形成する。絶縁膜１８には例えばフルオロカーボン系のガスを用いたプラズマエッチングを行い、上部反射鏡層１６には塩素系ガスを用いたプラズマエッチングを行う。
【００２５】
図３（ａ）に示すように、マーク３２の形成後に有機溶媒または酸素プラズマを用いたアッシングなどで、フォトレジスト３０を除去する。このとき、絶縁膜１８の表面が酸化し、ＳｉＯ２を含む酸化膜１８ａが形成されると考えられる。また、製造工程が行われるクリーンルーム内の汚染に起因し、ウェハ表面にはシロキサン３４などの有機物が堆積すると推測される。なお、以降の図では酸化膜１８ａの図示は省略する。
【００２６】
次にウェハの洗浄を行う。具体的には、まず、図３（ｂ）に示すように、洗浄槽３６に貯留されたイソプロパノール（イソプロピルアルコール、ＩＰＡ）３５にウェハを浸漬し、超音波洗浄を行う。洗浄槽３６から取り出したウェハにＩＰＡからＩＰＡの置換を行う。ＩＰＡ置換の後、図４（ａ）に示すように、乾燥装置３８内を１００％のＩＰＡ蒸気で充満させ、ウェハを投入する。ＩＰＡ蒸気の雰囲気中で例えば２００℃の温度を５分間維持し、ウェハを乾燥させる。
【００２７】
図４（ｂ）に示すように、ＩＰＡがシロキサン３４などの有機物を取り込み、流れ落ちることで、有機物が除去される。また、水を使用せずＩＰＡを使用するため、酸化膜への水分の凝縮が抑制される。さらに、ＩＰＡ蒸気中で乾燥を行うことで、ウェハ表面に例えば単一原子層程度のＩＰＡ分子が残留し、疎水性の表面が形成される。このため水分の再付着も抑制される。
【００２８】
乾燥装置３８から取り出したウェハの表面にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）処理を行う。ＨＭＤＳ処理により、シラノール基を含む親水性のウェハ表面をメチル基で終端し、疎水性の表面に改質する。ＨＭＤＳ処理前にＩＰＡ洗浄を実施するため、酸化膜およびシロキサン３４による水分の凝集が抑制される。したがって、凝集水によるＨＭＤＳの加水分解も発生しにくく、ＨＭＤＳからのアンモニア（ＮＨ３）などガス化成分の発生が抑制される。
【００２９】
次に露光・現像によりレジストパターニングを行う。まず、図５（ａ）に示すように、例えば厚さ１０μｍ以上、１５μｍ以下のフォトレジスト４０をスピン塗布する。図５（ｂ）に示すように、フォトレジスト４０の一部をマスク４２で覆い、露光装置を用いて例えば波長３６５ｎｍの紫外線（ＵＶ：Ultraviolet）を照射する。図６（ａ）に示すように、フォトレジスト４０のうち露光した部分を水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）などのアルカリ溶液で溶解し、フォトレジスト４０のうちマスク４２で覆われた部分を残存させる。
【００３０】
図６（ｂ）に示すように、例えばプロトン（Ｈ＋）などのイオンを注入することで高抵抗領域２０を形成する。ウェハのうちフォトレジスト４０で覆われた部分にはプロトンは注入されず、フォトレジスト４０から露出する部分にプロトンが注入される。プロトンの注入深さは例えば５μｍであり、上部反射鏡層１６、活性層１４および下部反射鏡層１２の上側一部にかけて高抵抗領域２０が形成される。イオン注入後、有機溶媒および酸素プラズマなどによるアッシングを行い、フォトレジスト４０を除去する。
【００３１】
図７（ａ）に示すように、ドライエッチングを行い、高抵抗領域２０の一部を除去し、メサ１９を形成する。ドライエッチングには例えば誘電結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）装置を用い、エッチングガスとして例えばＢＣｌ３ガス、またはＢＣｌ３とＣｌ２との混合ガスを用いる。エッチング条件の例を以下に示す。
ＢＣｌ３／Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ
（またはＢＣｌ３／Ｃｌ２／Ａｒ＝２０ｓｃｃｍ／１０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ）
ＩＣＰパワー：５０Ｗ〜１０００Ｗ
バイアスパワー：５０Ｗ〜５００Ｗ
ウェハの温度：２５℃以下
【００３２】
図７（ｂ）に示すように、例えば水蒸気雰囲気中で４００℃程度に加熱することで、上部反射鏡層１６の一部を端部側から酸化し、電流狭窄層２２を形成する。図８（ａ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法などにより絶縁膜２４を形成する。
【００３３】
図８（ｂ）に示すように、絶縁膜１８および２４の一部を開口し、レジストパターニングおよび真空蒸着法により下部反射鏡層１２の表面に電極２６を形成し、上部反射鏡層１６の表面に電極２８を形成する。電極の形成後に例えば４００℃程度の温度で１分間の熱処理を行うことで、オーミック接触をとる。メッキ処理などにより、電極２６および２８に接続する配線などを形成してもよい。
【００３４】
バックグラインダーまたはラッピング装置などを用いて基板１０の裏面を研磨し、ウェハを厚さ１００μｍ〜２００μｍ程度まで薄くする。ダイサーでウェハを切断し、チップ状の面発光レーザ１００を形成する。
【００３５】
（比較例）
図９は比較例に係る面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。比較例ではフォトレジスト４０形成前の洗浄において水を使用する。つまり、図３（ａ）までは実施例１と同様の工程を行い、ＩＰＡの浸漬も行う。その後、ＩＰＡの置換のために純水で洗浄を行う。またＩＰＡ雰囲気中での乾燥ではなくスピン乾燥を行う。
【００３６】
ＩＰＡへの浸漬後、純水で洗浄を行うと酸化膜１８ａおよびシロキサン３４に水分が凝集する。水分が凝集した状態でＨＭＤＳ処理を行うと、ＨＭＤＳが加水分解されＮＨ３が発生し、ＮＨ３は凝集水に溶解する。ＨＭＤＳ処理後、フォトレジスト４０を塗布する。フォトレジスト４０は１０μｍ以上と厚いため、凝集水が離脱しにくい。露光において紫外線を照射すると、紫外線により凝集水中のＮＨ３がガス化し、図９に示すようにフォトレジスト４０の下に気泡４４が発生する。このためフォトレジスト４０が剥がれ、意図しない位置にイオン注入されてしまう。
【００３７】
実施例１によれば、絶縁膜１８を形成した後、ＩＰＡを用いた洗浄、およびＩＰＡ蒸気中での乾燥を行う。すなわち水ではなくＩＰＡを用いた洗浄を行うため、表面における水分の凝集が抑制され、水分に起因する気泡の発生も抑制される。したがって、実施例１によればフォトレジスト４０の剥離を抑制することができる。工程を経たウェハを光学顕微鏡で観察したところ、比較例では１つのウェハに２１個の気泡が生じたのに対し、実施例１では１つのウェハ中に気泡が生じなかった。このためフォトレジスト４０の剥離の恐れを大きく低減することができる。
【００３８】
図３（ｂ）および図４（ａ）に示すようにウェハをＩＰＡ３２に浸漬し、ＩＰＡで置換し、さらにＩＰＡ蒸気中で乾燥させる。シロキサン３４などの有機物がＩＰＡにより除去されるため、水分の凝集が効果的に抑制される。また、純水置換および水蒸気雰囲気中での乾燥を行わないため、水分が付着しにくく、気泡の発生がより効果的に抑制される。
【００３９】
図４（ａ）に示すようにＩＰＡ蒸気中で乾燥を行うと、ＩＰＡ蒸気がウェハ表面で液化するため、有機物をより効果的に除去し、凝集水の発生を抑制することが可能である。また、乾燥後にＩＰＡ分子が絶縁膜１８の表面に残留することで、表面が疎水性となり、水分の再付着も抑制される。したがって気泡の形成によるフォトレジスト４０の剥離が抑制される。特に、水蒸気を含まないＩＰＡ１００％の雰囲気中で乾燥を行うことが好ましい。乾燥の際、温度はＩＰＡの沸点（８２．６℃）以上、発火点（３９９℃）以下とし、例えば２００℃が好ましい。
【００４０】
酸化膜およびシロキサン３４に凝集した水分は、例えば１２０℃、１分間程度の熱処理で除去することは難しい。また、長時間の熱処理は工程の効率を低下させ、高コスト化の原因となる。実施例１によれば、ＩＰＡ洗浄により凝集水の発生を抑制することで、高コスト化を回避し、かつフォトレジスト４０の剥離を抑制する。
【００４１】
比較例のように水分が凝集した状態でＨＭＤＳ処理を行うと、ＮＨ３が発生し、凝集水に溶解し、露光において気泡が発生しやすくなる。実施例１によれば、ＨＭＤＳ処理の前にＩＰＡ洗浄を行うため、凝集水が発生しにくい。したがってＮＨ３の発生および溶解、気泡の発生が抑制され、フォトレジスト４０の剥離が効果的に抑制される。
【００４２】
図２（ｂ）に示すように、マーク３２形成のためレジストパターニングおよび絶縁膜１８のエッチングが行われ、酸素アッシングによりフォトレジスト３０を除去する。酸素アッシングにより図３（ａ）に示すように絶縁膜１８に酸化膜１８ａが形成される。酸化膜１８ａは酸化前の絶縁膜１８に比べて水分を凝集しやすい。実施例１によれば、ＩＰＡを用いた洗浄を行うため、酸化膜１８ａへの水分の凝集を抑制し、気泡の発生を抑制することができる。なお、絶縁膜１８を大気中に放置すると酸化する恐れもある。実施例１によれば、自然酸化が起きた場合でも、水分の凝集を抑制することができる。
【００４３】
絶縁膜１８がＳｉＮ膜である場合、上記の酸素アッシングなどでＳｉＯ２の酸化膜１８ａが形成される。実施例１によれば、ＩＰＡを用いた洗浄を行うため、酸化膜１８ａへの水分の凝集を抑制することができる。なお、絶縁膜１８はＳｉＮ以外の絶縁体で形成されてもよい。また、基板１０、下部反射鏡層１２、活性層１４および上部反射鏡層１６は上記以外の化合物半導体で形成されてもよい。
【００４４】
ＶＣＳＥＬにおいてプロトンは例えば５μｍ以上の深さまで注入する。フォトレジスト４０は高エネルギーのプロトンを遮蔽するため、例えば１０μｍ以上の厚さを有する。フォトレジスト４０が厚いため、フォトレジスト４０下の水分が脱離しにくく、気泡の原因となり得る。実施例１によれば、ＩＰＡ洗浄後にフォトレジスト４０を形成するため、フォトレジスト４０の下に水分が残留しにくい。したがって気泡が生じにくく、フォトレジスト４０の剥離が抑制される。
【符号の説明】
【００４５】
１０                    基板
１１、１３              溝
１２                    下部反射鏡層
１４                    活性層
１６                    上部反射鏡層
１８、２４              絶縁膜
１８ａ                  酸化膜
１９                    メサ
２０                    高抵抗領域
２５、２７              パッド
２６、２８              電極
３０、４０              フォトレジスト
３２                    マーク
３４                    シロキサン
３５                    イソプロピルアルコール
３６                    洗浄槽
３８                    乾燥装置
４２                    マスク
１００                  面発光レーザ
【図１】
2020068309.tif 000003
【図２】
2020068309.tif 000004
【図３】
2020068309.tif 000005
【図４】
2020068309.tif 000006
【図５】
2020068309.tif 000007
【図６】
2020068309.tif 000008
【図７】
2020068309.tif 000009
【図８】
2020068309.tif 000010
【図９】
2020068309.tif 000011