(57)【要約】      （修正有）【課題】表示品位の低下を抑制できる表示装置を提供する。【解決手段】表示部ＤＡの外側に位置する金属配線３０と、金属配線３０の上に位置する有機絶縁膜と、表示部ＤＡの外側において、有機絶縁膜上に位置する第１金属電極４１と、有機絶縁膜上に位置し、第１金属電極４１まで貫通した第１貫通孔ＣＨ１を有する第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に位置し、金属配線３０と電気的に接続され、第１貫通孔ＣＨ１において第１金属電極４１に接する第１透明導電層３１と、第１絶縁膜上に位置し、第１透明導電層３１まで貫通した第２貫通孔ＣＨ２を有する第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に位置し、第２貫通孔ＣＨ２において第１透明導電層３１に接する第２透明導電層３２と、を備え、第２貫通孔ＣＨ２は、第１金属電極４１及び第１貫通孔ＣＨ１に重畳している、表示装置。【選択図】図３
2020013027.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備える表示部と、
前記表示部の外側に位置する金属配線と、
前記金属配線の上に位置する有機絶縁膜と、
前記表示部の外側において、前記有機絶縁膜上に位置する第１金属電極と、
前記有機絶縁膜上に位置し、前記第１金属電極まで貫通した第１貫通孔を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に位置し、前記金属配線と電気的に接続され、前記第１貫通孔において前記第１金属電極に接する第１透明導電層と、
前記第１絶縁膜上に位置し、前記第１透明導電層まで貫通した第２貫通孔を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に位置し、前記第２貫通孔において前記第１透明導電層に接する第２透明導電層と、を備え、
前記第２貫通孔は、前記第１金属電極及び前記第１貫通孔に重畳している、表示装置。
【請求項２】
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔は、平面視で、前記金属配線からずれた位置に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
さらに、前記表示部の外側において、前記有機絶縁膜と前記第１絶縁膜との間に位置する第２金属電極を備え、
前記有機絶縁膜は、前記金属配線まで貫通した第３貫通孔を有し、
前記第１絶縁膜は、前記第２金属電極まで貫通した第４貫通孔を有し、
前記第２金属電極は、前記第３貫通孔において前記金属配線に接し、
前記第１透明導電層は、前記第４貫通孔において前記第２金属電極に接している、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第３貫通孔及び前記第４貫通孔は、平面視で、前記第２透明導電層からずれた位置に設けられている、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
複数の画素を備える表示部と、
前記表示部の外側に位置する第１金属配線と、
記第１金属配線の外側に位置する第２金属配線と、
前記第１金属配線及び前記第２金属配線の上に位置し、前記第２金属配線まで貫通した第１貫通孔を有する有機絶縁膜と、
前記表示部の外側において、前記有機絶縁膜上に位置し、前記第１貫通孔において前記第２金属配線に接する金属電極と、
前記有機絶縁膜上に位置し、前記金属電極まで貫通した第２貫通孔を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に位置し、前記第２貫通孔において前記金属電極に接する第１透明導電層と、
前記第１絶縁膜上に位置し、前記第１透明導電層まで貫通した第３貫通孔を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に位置し、前記第３貫通孔において前記第１透明導電層に接する第２透明導電層と、を備え、
前記第３貫通孔は、前記金属電極及び前記第２貫通孔に重畳している、表示装置。
【請求項６】
前記第２金属配線は、前記第１金属配線とは異なる電位を有する、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記金属電極及び前記第１透明導電層は、平面視で、前記第２金属配線及び前記第２透明導電層に重畳している、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１貫通孔、前記第２貫通孔、及び、前記第３貫通孔は、平面視で、前記金属電極に重畳している、請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２金属配線は、前記第１金属配線と同一の電位を有する、請求項５に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１透明導電層は、平面視で、前記第２金属配線からずれた位置に配置されている、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
平面視で、前記第１貫通孔は前記第２金属配線及び前記第２透明導電層に重畳し、前記第２貫通孔及び前記第３貫通孔は前記第２金属配線からずれた位置に設けられている、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
複数の画素を備える表示部と、
有機絶縁膜と、
前記表示部の外側において、前記有機絶縁膜上に位置する第１金属電極と、
前記第１金属電極に接する第１透明導電層と、
前記第１金属電極に重畳する貫通孔を有する無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に位置し、前記貫通孔において前記第１金属電極または前記第１透明導電層に接する第２透明導電層と、
を備えた表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の表示品位を向上するための技術が種々検討されている。一例では、走査線と電気的に接続された引き出し線をシールド電極で覆う技術が開示されている。このようなシールド電極は、接続電極を介してコモン配線と電気的に接続されている。これらのシールド電極及び接続電極は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）によって形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２６５４８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制できる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、
複数の画素を備える表示部と、前記表示部の外側に位置する金属配線と、前記金属配線の上に位置する有機絶縁膜と、前記表示部の外側において、前記有機絶縁膜上に位置する第１金属電極と、前記有機絶縁膜上に位置し、前記第１金属電極まで貫通した第１貫通孔を有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に位置し、前記金属配線と電気的に接続され、前記第１貫通孔において前記第１金属電極に接する第１透明導電層と、前記第１絶縁膜上に位置し、前記第１透明導電層まで貫通した第２貫通孔を有する第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に位置し、前記第２貫通孔において前記第１透明導電層に接する第２透明導電層と、を備え、前記第２貫通孔は、前記第１金属電極及び前記第１貫通孔に重畳している、表示装置が提供される。  
本実施形態によれば、
複数の画素を備える表示部と、前記表示部の外側に位置する第１金属配線と、記第１金属配線の外側に位置する第２金属配線と、前記第１金属配線及び前記第２金属配線の上に位置し、前記第２金属配線まで貫通した第１貫通孔を有する有機絶縁膜と、前記表示部の外側において、前記有機絶縁膜上に位置し、前記第１貫通孔において前記第２金属配線に接する金属電極と、前記有機絶縁膜上に位置し、前記金属電極まで貫通した第２貫通孔を有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に位置し、前記第２貫通孔において前記金属電極に接する第１透明導電層と、前記第１絶縁膜上に位置し、前記第１透明導電層まで貫通した第３貫通孔を有する第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に位置し、前記第３貫通孔において前記第１透明導電層に接する第２透明導電層と、を備え、前記第３貫通孔は、前記金属電極及び前記第２貫通孔に重畳している、表示装置が提供される。  
本実施形態によれば、
複数の画素を備える表示部と、有機絶縁膜と、前記表示部の外側において、前記有機絶縁膜上に位置する第１金属電極と、前記第１金属電極に接する第１透明導電層と、前記第１金属電極に重畳する貫通孔を有する無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜上に位置し、前記貫通孔において前記第１金属電極または前記第１透明導電層に接する第２透明導電層と、を備えた表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。
【図２】図２は、画素ＰＸの基本構成及び等価回路を示す図である。
【図３】図３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの領域Ａ３を拡大した平面図である。
【図４】図４は、図３に示したＡ−Ｂ線に沿った表示装置ＤＳＰの断面図である。
【図５】図５は、図３に示したＣ−Ｄ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。
【図６】図６は、図３に示したＥ−Ｆ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。
【図７】図７は、図３に示したＧ−Ｈ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。
【図８】図８は、図１に示した表示パネルＰＮＬの領域Ａ３を拡大した平面図である。
【図９】図９は、図８に示したＩ−Ｊ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。
【図１０】図１０は、図８に示したＩ−Ｊ線に沿った表示パネルＰＮＬの他の断面図である。
【図１１】図１１は、図８に示したＫ−Ｌ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。
【図１２】図１２は、図３に示したＣ−Ｄ線に沿った表示パネルＰＮＬの他の構成例の断面図である。
【図１３】図１３は、図３に示したＣ−Ｄ線に沿った表示パネルＰＮＬの他の構成例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
本実施形態においては、表示装置ＤＳＰの一例として、液晶表示装置について説明する。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子やμＬＥＤ等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。
【０００９】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端側の位置を上と称し、矢印の先端とは逆側の位置を下と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。
【００１０】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、フレキシブルプリント回路基板１と、ＩＣチップ２と、回路基板３と、を備えている。
【００１１】
表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、液晶層ＬＣと、シールＳＥと、遮光層ＬＳと、を備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示部ＤＡと、表示部ＤＡを囲む額縁状の非表示部ＮＤＡと、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも第２方向Ｙに延出した実装部ＭＡを有している。  
遮光層ＬＳは、非表示部ＮＤＡに位置し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。シールＳＥは、非表示部ＮＤＡに位置し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着するとともに、液晶層ＬＣを封止している。シールＳＥは、平面視で、遮光層ＬＳと重畳する位置に設けられている。非表示部ＮＤＡは、遮光層ＬＳ及び液晶層ＬＣが重畳する領域Ａ１と、シールＳＥ及び遮光層ＬＳが重畳する領域Ａ２と、を含んでいる。領域Ａ１は表示部ＤＡを囲み、領域Ａ２は領域Ａ１を囲んでいる。図１において、領域Ａ１、領域Ａ２、及び、液晶層ＬＣが配置された表示部ＤＡは、それぞれ異なる斜線で示している。
【００１２】
表示部ＤＡは、第１方向（列方向）Ｘ及び第２方向（行方向）Ｙにマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。
【００１３】
フレキシブルプリント回路基板１は、実装部ＭＡに実装され、回路基板３に接続されている。ＩＣチップ２は、フレキシブルプリント回路基板１に実装されている。なお、ＩＣチップ２は、実装部ＭＡに実装されてもよい。ＩＣチップ２は、ディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ディスプレイドライバＤＤは、画像を表示する画像表示モードにおいて画像表示に必要な信号を出力する。また、図示した例では、ＩＣチップ２は、タッチコントローラＴＣを内蔵している。タッチコントローラＴＣは、表示装置ＤＳＰへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードを制御する。
【００１４】
表示パネルＰＮＬの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルＰＮＬは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面と平行な面である。
【００１５】
図２は、画素ＰＸの基本構成及び等価回路を示す図である。複数本の走査線Ｇは、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。複数本の信号線Ｓは、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。例えば、信号線Ｓは、その一部が屈曲していたとしても、第２方向Ｙに延出しているものとする。
【００１６】
共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。共通電極ＣＥは、電圧供給部ＣＤ及び図１に示したタッチコントローラＴＣに接続されている。画像表示モードにおいては、電圧供給部ＣＤは、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）を共通電極ＣＥに供給する。タッチセンシングモードにおいては、タッチコントローラＴＣは、コモン電圧とは異なるタッチ駆動電圧を共通電極ＣＥに供給する。
【００１７】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。
【００１８】
図３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの領域Ａ３を拡大した平面図である。ここでは、第１基板ＳＵＢ１の主要部について説明する。図示した表示部ＤＡは、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された例に相当する。
【００１９】
走査線Ｇ１乃至Ｇ３は、それぞれ第１方向Ｘに沿って直線的に延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。信号線Ｓ１乃至Ｓ３は、それぞれ概ね第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。走査線Ｇ１乃至Ｇ３、及び、信号線Ｓ１乃至Ｓ３は、互いに交差している。金属配線Ｍ１乃至Ｍ３は、それぞれ信号線Ｓ１乃至Ｓ３の上に重畳している。共通電極ＣＥは、表示部ＤＡに配置され、信号線Ｓ１乃至Ｓ３、及び、金属配線Ｍ１乃至Ｍ３の上に重畳している。  
画素電極ＰＥは、表示部ＤＡにおいて、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。例えば、走査線Ｇ１及びＧ２の間の奇数行目に位置する画素電極ＰＥ１は、方向Ｄ１に沿って延出した複数の帯電極Ｐａ１を有している。また、走査線Ｇ２及びＧ３の間の偶数行目に位置する画素電極ＰＥ２は、方向Ｄ２に沿って延出した複数の帯電極Ｐａ２を有している。図示した例では、帯電極Ｐａ１及びＰａ２は、それぞれ３本であるが、帯電極Ｐａ１及びＰａ２のそれぞれの本数は図示した例に限らない。
【００２０】
次に、表示部ＤＡの外側の領域Ａ１に着目する。金属配線３０、透明導電層３１及び３２は、表示部ＤＡを囲むように配置されている。金属電極４１は、透明導電層３１及び３２に重畳する位置に島状に形成されている。金属電極４２は、金属配線３０及び透明導電層３１に重畳する位置に島状に形成されている。
【００２１】
金属配線３０は、信号線Ｓ１等と同一層に位置し、信号線Ｓ１と同一材料によって形成された配線である。金属電極４１及び４２は、金属配線Ｍ１等と同一層に位置し、金属配線Ｍ１と同一材料によって形成された電極である。透明導電層３１は、共通電極ＣＥと同一層に位置し、共通電極ＣＥと同一材料によって形成された配線である。透明導電層３２は、画素電極ＰＥと同一層に位置し、画素電極ＰＥと同一材料によって形成された配線である。
【００２２】
金属電極４１は、金属配線３０からずれた位置に配置されている。透明導電層３１及び金属電極４１は、貫通孔ＣＨ１において互いに電気的に接続されている。透明導電層３１及び３２は、貫通孔ＣＨ２において互いに電気的に接続されている。貫通孔ＣＨ１及びＣＨ２は、金属電極４１に重畳し、また、金属配線３０からずれた位置に設けられている。貫通孔ＣＨ２のエッジは、全周に亘って貫通孔ＣＨ１のエッジと交差することなく、貫通孔ＣＨ１の内側に位置している。同様の金属電極４１は、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。
【００２３】
金属電極４２は、透明導電層３２からずれた位置に配置されている。金属配線３０及び金属電極４２は、貫通孔ＣＨ３において互いに電気的に接続されている。金属電極４２及び透明導電層３１は、貫通孔ＣＨ４において互いに電気的に接続されている。貫通孔ＣＨ３及びＣＨ４は、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。また、貫通孔ＣＨ３及びＣＨ４は、金属電極４２に重畳し、また、透明導電層３２からずれた位置に設けられている。同様の金属電極４２は、図示を省略するが、表示部ＤＡと走査線駆動回路ＧＤとの間において第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。
【００２４】
これにより、金属配線３０、透明導電層３１及び３２は、すべてが互いに電気的に接続され、同電位となる。金属配線３０は、例えば、画像表示モード及びタッチセンシングモードにおいて、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）を供給する。つまり、透明導電層３１及び３２は、タッチセンシングモードにおいては、タッチ駆動電圧が印加された共通電極ＣＥとは異なる電位となる。
【００２５】
線状電極ＥＬは、非表示部ＮＤＡに位置し、透明導電層３１に重畳している。線状電極ＥＬは、走査線Ｇ２と交差し、信号線Ｓ３及び金属配線Ｍ３に隣接している。線状電極ＥＬは、方向Ｄ１に沿って延出した電極部ＥＬ１と、方向Ｄ２に沿って延出した電極部ＥＬ２と、基部ＥＬ３と、を有している。
【００２６】
金属電極４３は、透明導電層３１及び基部ＥＬ３に重畳する位置に島状に形成されている。透明導電層３１及び金属電極４３は、貫通孔ＣＨ５において互いに電気的に接続されている。透明導電層３１及び基部ＥＬ３は、貫通孔ＣＨ６において互いに電気的に接続されている。貫通孔ＣＨ５及びＣＨ６は、金属電極４３に重畳している。貫通孔ＣＨ６のエッジは、全周に亘って貫通孔ＣＨ５のエッジと交差することなく、貫通孔ＣＨ５の内側に位置している。
【００２７】
金属電極４３は、金属配線Ｍ１等と同一層に位置し、金属配線Ｍ１と同一材料によって形成された電極である。線状電極ＥＬは、画素電極ＰＥと同一層に位置し、画素電極ＰＥと同一材料によって形成された透明電極である。
【００２８】
図４は、図３に示したＡ−Ｂ線に沿った表示装置ＤＳＰの断面図である。  
第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、絶縁膜１１乃至１６、半導体層ＳＣ、信号線Ｓ１及びＳ２、金属配線Ｍ１及びＭ２、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ１、配向膜ＡＬ１などを備えている。絶縁基板１０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの透明基板である。半導体層ＳＣは、絶縁膜１１の上に位置し、絶縁膜１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていてもよい。図３に示した走査線Ｇ１等は、絶縁膜１２及び１３の間に位置している。
【００２９】
信号線Ｓ１及びＳ２は、絶縁膜１３の上に位置し、絶縁膜１４によって覆われている。金属配線Ｍ１及びＭ２は、絶縁膜１４の上に位置し、絶縁膜１５によって覆われている。一例では、信号線Ｓ１及び金属配線Ｍ１は、チタン（Ｔｉ）を含む層、アルミニウム（Ａｌ）を含む層、及び、チタン（Ｔｉ）を含む層がこの順に積層された第１積層体、あるいは、モリブデン（Ｍｏ）を含む層、アルミニウム（Ａｌ）を含む層、及び、モリブデン（Ｍｏ）を含む層がこの順に積層された第２積層体である。
【００３０】
共通電極ＣＥは、絶縁膜１５の上に位置し、絶縁膜１６によって覆われている。画素電極ＰＥ１は、絶縁膜１６の上に位置し、配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥ１及び共通電極ＣＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。
【００３１】
絶縁膜１１乃至１３、及び、絶縁膜１６は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などによって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁膜１４及び１５は、例えば、アクリル樹脂などによって形成された有機絶縁膜である。なお、絶縁膜１５は、無機絶縁膜であってもよい。
【００３２】
第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタ層ＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、配向膜ＡＬ２などを備えている。絶縁基板２０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの透明基板である。遮光層ＢＭは、図１に示した遮光層ＬＳと一体的に形成されている。カラーフィルタ層ＣＦは、赤色のカラーフィルタＣＦＲ、緑色のカラーフィルタＣＦＧ、及び、青色のカラーフィルタＣＦＢを含んでいる。カラーフィルタＣＦＢは、画素電極ＰＥ１と対向している。他のカラーフィルタＣＦＲ及びＣＦＧも、それぞれ他の画素電極ＰＥと対向している。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタ層ＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な有機絶縁膜である。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００３３】
液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置し、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に保持されている。
【００３４】
偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０に接着されている。偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２は、絶縁基板２０に接着されている。なお、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。
【００３５】
このような表示パネルＰＮＬにおいては、画素電極ＰＥ１と共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ＩＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された照明光は、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥ１と共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子ＬＭは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明光の一部は、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２を透過し、明表示となる。
【００３６】
図５は、図３に示したＣ−Ｄ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。第１基板ＳＵＢ１において、金属電極４１は、絶縁膜１４の上に位置している。絶縁膜１５は、絶縁膜１４及び金属電極４１の上に位置し、金属電極４１まで貫通した貫通孔ＣＨ１を有している。透明導電層３１は、絶縁膜１５の上に位置し、貫通孔ＣＨ１において金属電極４１に接している。  
絶縁膜１６は、絶縁膜１５及び透明導電層３１の上に位置し、透明導電層３１まで貫通した貫通孔ＣＨ２を有している。特に、絶縁膜１６は、貫通孔ＣＨ１の内側まで延在し、金属電極４１と透明導電層３１とが接する部分のうち、貫通孔ＣＨ１のエッジ近傍の部分を覆っている。貫通孔ＣＨ２は、金属電極４１と透明導電層３１とが接する部分のうち、中央部に設けられている。つまり、貫通孔ＣＨ２は、その全体が金属電極４１及び貫通孔ＣＨ１に重畳する位置に設けられている。  
透明導電層３２は、絶縁膜１６の上に位置し、貫通孔ＣＨ２において透明導電層３１に接している。透明導電層３１及び３２が互いに接する部分は、その全体が金属電極４１に重畳している。つまり、透明導電層３１及び３２が接する部分と、金属電極４１との間には、絶縁膜１５が介在しない。配向膜ＡＬ１は、透明導電層３２を覆っている。
【００３７】
図６は、図３に示したＥ−Ｆ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。第１基板ＳＵＢ１において、金属配線３０は、絶縁膜１３の上に位置している。絶縁膜１４は、絶縁膜１３及び金属配線３０の上に位置し、金属配線３０まで貫通した貫通孔ＣＨ３を有している。金属電極４２は、絶縁膜１４の上に位置し、貫通孔ＣＨ３において金属配線３０に接している。  
絶縁膜１５は、絶縁膜１４及び金属電極４２の上に位置し、金属電極４２まで貫通した貫通孔ＣＨ４を有している。絶縁膜１５は、貫通孔ＣＨ３にも配置されている。貫通孔ＣＨ４は、貫通孔ＣＨ３からずれた位置に設けられている。透明導電層３１は、絶縁膜１５の上に位置し、貫通孔ＣＨ４において金属電極４２に接している。絶縁膜１６は、絶縁膜１５及び透明導電層３１の上に位置し、貫通孔ＣＨ４にも配置されている。
【００３８】
図３乃至図６に示した構成例において、金属電極４１は第１金属電極に相当し、金属電極４２は第２金属電極に相当し、透明導電層３１は第１透明導電層に相当し、透明導電層３２は第２透明導電層に相当し、貫通孔ＣＨ１は第１貫通孔に相当し、貫通孔ＣＨ２は第２貫通孔に相当し、貫通孔ＣＨ３は第３貫通孔に相当し、貫通孔ＣＨ４は第４貫通孔に相当し、絶縁膜１４は有機絶縁膜あるいは第１有機絶縁膜に相当し、絶縁膜１５は第１絶縁膜あるいは第２有機絶縁膜に相当し、絶縁膜１６は第２絶縁膜あるいは無機絶縁膜に相当する。
【００３９】
例えば有機絶縁膜は無機絶縁膜に比べ外部からの水分が浸入しやすく、無機絶縁膜によって覆われていないＩＴＯによって形成された２つの電極が接する部分では、水分が透過しやすい。このような水分浸入は、表示品位の劣化を招くおそれがある。
本実施形態によれば、貫通孔ＣＨ２において透明導電層３１及び３２が互いに接する部分は、有機絶縁膜である絶縁膜１４の上の金属電極４１に重畳しており、絶縁膜１４に接していない。このため、透明導電層３１及び３２が金属電極４１や絶縁膜１６よりも水分を透過しやすい場合であっても、絶縁膜１４を介して浸入した水分は、金属電極４１で遮断される。したがって、液晶層ＬＣへの水分の浸入を抑制することができ、表示品位の低下を抑止することができる。
また、ＩＴＯなどの透明導電膜は金属配線に比べ抵抗は高く、ＩＴＯを配線やブリッジ、電極などに用いる場合、低抵抗であることが好ましい。本実施形態によれば、２つのＩＴＯが接触する部分に金属電極４１を積層させることで低抵抗化が実現でき、結果、表示品位の低下を抑制することもできる。
【００４０】
図７は、図３に示したＧ−Ｈ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。第１基板ＳＵＢ１において、金属電極４３は、絶縁膜１４の上に位置している。絶縁膜１５は、絶縁膜１４及び金属電極４３の上に位置し、金属電極４３まで貫通した貫通孔ＣＨ５を有している。透明導電層３１は、絶縁膜１５の上に位置し、貫通孔ＣＨ５において金属電極４３に接している。絶縁膜１６は、絶縁膜１５及び透明導電層３１の上に位置し、透明導電層３１まで貫通した貫通孔ＣＨ６を有している。貫通孔ＣＨ６は、その全体が金属電極４３に重畳する位置に設けられている。線状電極ＥＬの基部ＥＬ３は、絶縁膜１６の上に位置し、貫通孔ＣＨ６において透明導電層３１に接している。透明導電層３１及び基部ＥＬ３が互いに接する部分は、その全体が金属電極４３に重畳している。  
線状電極ＥＬが透明導電層３１と接する部分においても、絶縁膜１４の上の金属電極４３に重畳しており、絶縁膜１４に接していない。このため、絶縁膜１４を介して浸入した水分は、金属電極４３で遮断され、液晶層ＬＣへの水分の浸入を抑制することができる。併せて、線状電極ＥＬと透明導電層３１とが接する部分が低抵抗となる。
【００４１】
図８は、図１に示した表示パネルＰＮＬの領域Ａ３を拡大した平面図である。ここでは、図３に示した領域よりもさらに表示部ＤＡから離間した領域を示している。なお、表示部ＤＡの図示を省略し、金属配線３０、透明導電層３１及び３２についての詳細についても省略する。また、金属電極６０及び８０は図中に一点鎖線で示し、透明導電層５１及び７１は図中に二点鎖線で示している。
【００４２】
金属配線５０は、金属配線３０の外側に位置している。透明導電層５２は、金属配線５０に重畳している。金属電極６０及び透明導電層５１は、金属配線５０及び透明導電層５２に重畳する位置に島状に形成されている。  
金属配線５０及び金属電極６０は、貫通孔ＣＨ１１において互いに電気的に接続されている。透明導電層５１及び金属電極６０は、貫通孔ＣＨ１２において互いに電気的に接続されている。透明導電層５１及び５２は、貫通孔ＣＨ１３において互いに電気的に接続されている。貫通孔ＣＨ１１乃至ＣＨ１３は、金属電極６０に重畳している。貫通孔ＣＨ１３のエッジは、全周に亘って貫通孔ＣＨ１２のエッジと交差することなく、貫通孔ＣＨ１２の内側に位置している。同様の金属電極６０は、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。  
これにより、金属配線５０及び透明導電層５２は、互いに電気的に接続され、同電位となる。一例では、金属配線５０は、金属配線３０とは異なる電位を有するように設定されている。例えば、金属配線５０は、固定電位の配線であり、金属配線３０の電位に対して相対的に低電位であってもよいし、高電位であってもよい。なお、金属配線５０は、金属配線３０と同電位を有するように設定されてもよい。
【００４３】
金属配線７０は、金属配線５０の外側に位置している。透明導電層７２は、金属配線７０に重畳している。金属電極８０の一部は、金属配線７０及び透明導電層７２に重畳する位置に島状に形成されている。透明導電層７１は、金属配線７０からずれた位置に配置され、金属電極８０に重畳している。  
金属配線７０及び金属電極８０は、貫通孔ＣＨ２１において互いに電気的に接続されている。透明導電層７１及び金属電極８０は、貫通孔ＣＨ２２において互いに電気的に接続されている。透明導電層７１及び７２は、貫通孔ＣＨ２３において互いに電気的に接続されている。貫通孔ＣＨ２１乃至ＣＨ２３は、金属電極８０に重畳している。貫通孔ＣＨ２１は、金属配線７０及び透明導電層７２に重畳している。貫通孔ＣＨ２２及びＣＨ２３は、金属配線７０からずれた位置に設けられている。貫通孔ＣＨ２３のエッジは、全周に亘って貫通孔ＣＨ２２のエッジと交差することなく、貫通孔ＣＨ２２の内側に位置している。同様の金属電極８０は、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。なお、図示を省略するが、金属配線７０よりもさらに外側（表示部ＤＡから離間する側）には、他の複数の金属配線が配置されている。透明導電層７２は、これらの他の金属配線に重畳しており、金属配線からの電界をシールドしている。  
これにより、金属配線７０及び透明導電層７２は、互いに電気的に接続され、同電位となる。一例では、金属配線７０は、金属配線３０と同一の電位を有するように設定されている。
【００４４】
金属配線５０及び７０は、図４に示した信号線Ｓ１等と同一層に位置し、信号線Ｓ１と同一材料によって形成された配線である。金属電極６０及び８０は、図４に示した金属配線Ｍ１等と同一層に位置し、金属配線Ｍ１と同一材料によって形成された電極である。透明導電層５１及び７１は、図４に示した共通電極ＣＥと同一層に位置し、共通電極ＣＥと同一材料によって形成された透明電極である。透明導電層５２及び７２は、図４に示した画素電極ＰＥと同一層に位置し、画素電極ＰＥと同一材料によって形成された配線である。
【００４５】
図９は、図８に示したＩ−Ｊ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。第１基板ＳＵＢ１において、金属配線５０は、絶縁膜１３の上に位置している。絶縁膜１４は、絶縁膜１３及び金属配線５０の上に位置し、金属配線５０まで貫通した貫通孔ＣＨ１１を有している。金属電極６０は、絶縁膜１４の上に位置し、貫通孔ＣＨ１１において金属配線５０に接している。  
絶縁膜１５は、絶縁膜１４及び金属電極６０の上に位置し、金属電極６０まで貫通した貫通孔ＣＨ１２を有している。絶縁膜１５は、貫通孔ＣＨ１１にも配置されている。貫通孔ＣＨ１２は、貫通孔ＣＨ１１からずれた位置に設けられている。透明導電層５１は、絶縁膜１５の上に位置し、貫通孔ＣＨ１２において金属電極６０に接している。絶縁膜１６は、絶縁膜１５及び透明導電層５１の上に位置し、透明導電層５１まで貫通した貫通孔ＣＨ１３を有している。図示した例では、２つの貫通孔ＣＨ１３は、第１方向Ｘに並んでいる。貫通孔ＣＨ１３は、その全体が金属電極６０及び貫通孔ＣＨ１２に重畳する位置に設けられている。  
透明導電層５２は、絶縁膜１６の上に位置し、貫通孔ＣＨ１３において透明導電層５１に接している。透明導電層５１及び５２が互いに接する部分は、その全体が金属電極６０に重畳している。つまり、透明導電層５１及び５２が接する部分と、金属電極６０との間には、絶縁膜１５が介在しない。
【００４６】
図１０は、図８に示したＩ−Ｊ線に沿った表示パネルＰＮＬの他の断面図である。図１０に示した例は、図９に示した例と比較して、貫通孔ＣＨ１３が単一化され、透明導電層５１及び５２の接触面積が拡大した点で相違している。
【００４７】
図１１は、図８に示したＫ−Ｌ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。第１基板ＳＵＢ１において、金属配線７０は、絶縁膜１３の上に位置している。絶縁膜１４は、絶縁膜１３及び金属配線７０の上に位置し、金属配線７０まで貫通した貫通孔ＣＨ２１を有している。金属電極８０は、絶縁膜１４の上に位置し、貫通孔ＣＨ２１において金属配線７０に接している。  
絶縁膜１５は、絶縁膜１４及び金属電極８０の上に位置し、金属電極８０まで貫通した貫通孔ＣＨ２２を有している。絶縁膜１５は、貫通孔ＣＨ２１にも配置されている。貫通孔ＣＨ２２は、貫通孔ＣＨ２１からずれた位置に設けられている。透明導電層７１は、絶縁膜１５の上に位置し、貫通孔ＣＨ２２において金属電極８０に接している。絶縁膜１６は、絶縁膜１５及び透明導電層７１の上に位置し、透明導電層７１まで貫通した貫通孔ＣＨ２３を有している。貫通孔ＣＨ２３は、その全体が金属電極８０に重畳する位置に設けられている。  
透明導電層７２は、絶縁膜１６の上に位置し、貫通孔ＣＨ２３において透明導電層７１に接している。透明導電層７１及び７２が互いに接する部分は、その全体が金属電極８０に重畳している。つまり、透明導電層７１及び７２が接する部分と、金属電極８０との間には、絶縁膜１５が介在しない。
【００４８】
図８乃至図１１に示した構成例において、金属配線３０は第１金属配線に相当し、金属配線５０及び７０は第２金属配線に相当し、金属電極６０及び８０は金属電極に相当し、透明導電層５１及び７１は第１透明導電層に相当し、透明導電層５２及び７２は第２透明導電層に相当し、貫通孔ＣＨ１１及びＣＨ２１は第１貫通孔に相当し、貫通孔ＣＨ１２及びＣＨ２２は第２貫通孔に相当し、貫通孔ＣＨ１３及びＣＨ２３は第３貫通孔に相当し、絶縁膜１４は有機絶縁膜あるいは第１有機絶縁膜に相当し、絶縁膜１５は第１絶縁膜あるいは第２有機絶縁膜に相当し、絶縁膜１６は第２絶縁膜あるいは無機絶縁膜に相当する。
【００４９】
表示部ＤＡの外側に位置する透明導電層５１及び５２が互いに接する部分は金属電極６０に重畳し、透明導電層７１及び７２が互いに接する部分は金属電極８０に重畳している。つまり、透明導電層５１及び５２が接する部分、及び、透明導電層７１及び７２が接する部分は、いずれも有機絶縁膜である絶縁膜１４には接していない。このため、これらの部分においても、絶縁膜１４を介して浸入した水分の液晶層ＬＣへの浸入を抑制することができる。併せて、透明導電層５１及び５２が接する部分を低抵抗化できる。
【００５０】
次に、図１２及び図１３を参照して、他の構成例について説明する。なお、ここでは、透明導電層３１及び３２が互いに接する部分に着目して説明する。図１２及び図１３に示した構成例は、上記の構成例と比較して、第１基板ＳＵＢ１が絶縁膜１４と絶縁膜１６との間に絶縁膜１５を備えていない点で相違している。
【００５１】
図１２に示した構成例では、金属電極４１は、絶縁膜１４の上に位置し、島状に形成されている。透明導電層３１は、絶縁膜１４の上に位置し、金属電極４１の上に重なり、金属電極４１に接している。絶縁膜１６は、絶縁膜１４及び透明導電層３１の上に位置し、透明導電層３１まで貫通した貫通孔ＣＨ２を有している。貫通孔ＣＨ２は、その全体が金属電極４１に重畳する位置に設けられている。透明導電層３２は、絶縁膜１６の上に位置し、貫通孔ＣＨ２において透明導電層３１に接している。透明導電層３１及び３２が互いに接する部分は、その全体が金属電極４１に重畳し、絶縁膜１４に接していない。
【００５２】
図１３に示した構成例では、透明導電層３１は、絶縁膜１４の上に位置している。金属電極４１は、透明導電層３１の上に位置し、島状に形成され、透明導電層３１に接している。絶縁膜１６は、絶縁膜１４、透明導電層３１、及び、金属電極４１の上に位置し、金属電極４１まで貫通した貫通孔ＣＨ２を有している。貫通孔ＣＨ２は、その全体が金属電極４１に重畳する位置に設けられている。透明導電層３２は、絶縁膜１６の上に位置し、貫通孔ＣＨ２において金属電極４１に接している。透明導電層３１及び３２が互いに接する部分は、その全体が金属電極４１に重畳し、絶縁膜１４に接していない。
【００５３】
これらの構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。なお、図１２及び図１３にそれぞれ示した構成例は、図７に示した透明導電層３１と線状電極ＥＬとが接する部分、図９及び図１０に示した透明導電層５１及び５２が互いに接する部分、図１１に示した透明導電層７１及び７２が互いに接する部分についても、適用可能である。
【００５４】
上記の本実施形態において、平面視において、各貫通孔のエッジを四角形で示したが、各コーナーが丸みを有する場合もあるし、各貫通孔のエッジが円形や楕円形等の他の形状となる場合もありうる。貫通孔のエッジは、平面視において、当該貫通孔を介して２つの導電層が互いに接する部分の外周縁として規定することができる。
【００５５】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。
【００５６】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５７】
ＤＳＰ…表示装置  ＰＮＬ…表示パネル
ＳＵＢ１…第１基板  ＳＵＢ２…第２基板  ＬＣ…液晶層
ＤＡ…表示部  ＮＤＡ…非表示部
ＣＥ…共通電極  ＰＥ…画素電極  ＥＬ…線状電極
３０…金属配線  ３１、３２…透明導電層
４１〜４２…金属電極
【図１】
2020013027.tif 000003
【図２】
2020013027.tif 000004
【図３】
2020013027.tif 000005
【図４】
2020013027.tif 000006
【図５】
2020013027.tif 000007
【図６】
2020013027.tif 000008
【図７】
2020013027.tif 000009
【図８】
2020013027.tif 000010
【図９】
2020013027.tif 000011
【図１０】
2020013027.tif 000012
【図１１】
2020013027.tif 000013
【図１２】
2020013027.tif 000014
【図１３】
2020013027.tif 000015