(57)【要約】【課題】光軸シフト素子を用いる場合であっても、表示される画像の品質の低下を抑制する。【解決手段】光源からの光を入射して出射する画素を有する電気光学パネルと光軸シフト素子と駆動部とを備え、画素から光軸シフト素子を介して出射された光に基づいて投射画素を投射面に表示する電気光学装置であって、光軸シフト素子は、出射光を、フレーム期間を３つのフィールド期間に分割した第１フィールド期間において第１位置にシフトし、第２フィールド期間において第２位置にシフトし、第３フィールド期間において第３位置にシフトし、駆動部は、第１フィールド期間において第１投射画素の階調に応じた信号を画素に書き込み、第２フィールド期間において第２投射画素の階調に応じた信号を画素に書き込み、第３フィールド期間に第３投射画素の階調に応じた信号を画素に書き込み、第１位置、第２位置、および第３位置は、三角形の頂点に位置する。【選択図】図８
2020112682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を入射して出射する画素を有する電気光学パネルと、
前記画素からの出射光の光軸をシフト可能な光軸シフト素子と、
前記画素に、階調に応じた信号を書き込む駆動部と、
を備え、
前記画素から出射された光に基づいて、投射面に表示される投射画素の位置を、前記光軸シフト素子によりシフトする電気光学装置であって、
前記光軸シフト素子は、
前記出射光を、フレーム期間を３つのフィールド期間に分割した第１フィールド期間において第１位置にシフトし、第２フィールド期間において第２位置にシフトし、第３フィールド期間において第３位置にシフトし、
前記駆動部は、
前記第１フィールド期間において、第１投射画素の階調に応じた信号を前記画素に書き込み、
前記第２フィールド期間において、第２投射画素の階調に応じた信号を前記画素に書き込み、
前記第３フィールド期間において、第３投射画素の階調に応じた信号を前記画素に書き込み、
前記第１位置、前記第２位置、および前記第３位置は、三角形の頂点に位置する、
電気光学装置。
【請求項２】
前記電気光学パネルの面の垂直方向からの平面視において、前記画素の形状は、矩形であり、
前記画素の第１辺の長さが、前記第１辺と交わる第２辺の長さの０．５倍より大きく１倍未満である、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２位置は、前記第１位置から第１方向に沿っており、
前記第３位置は、前記第２位置から第２方向に沿っており、
前記電気光学パネルは、第１画素および前記第１画素に対して前記第１辺の方向に位置する第２画素を有し、
前記投射面には、前記第１画素からの出射光および前記第２画素からの２つの出射光に基づいて、前記第１方向に沿う３個の投射画素、前記第２方向に沿う２個の投射画素による、前記第１投射画素、前記第２投射画素、および前記第３投射画素を含む６個の投射画素が表示され、
前記駆動部は、
前記光軸シフト素子によって前記第１画素からの出射光が前記第１位置にシフトされる場合、前記第１投射画素の階調に応じた信号を前記第１画素に書き込み、前記６個の画素のうち前記第１投射画素から前記第１方向に沿う第４投射画素の階調に応じた信号を前記第２画素に書き込み、
前記光軸シフト素子によって前記第１画素からの出射光が前記第２位置にシフトされる場合、前記第１投射画素から前記第２方向に沿う前記第２投射画素の階調に応じた信号を前記第１画素に書き込み、前記６個の画素のうち前記第４投射画素から前記第１方向に沿う第５投射画素の階調に応じた信号を前記第２画素に書き込み、
前記光軸シフト素子によって前記第１画素からの出射光が前記第３位置にシフトされる場合、前記第２投射画素から前記第１方向に沿う前記第３投射画素の階調に応じた信号を前記第１画素に書き込み、前記６個の画素のうち前記第５投射画素から前記第２方向に沿う第６投射画素の階調に応じた信号を前記第２画素に書き込む、
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１位置から前記第２位置までの最短距離は、前記第１画素からの出射光における前記第１方向の辺の長さより短く、
前記第２位置から前記第３位置までの最短距離は、前記第１画素からの出射光における前記第２方向の辺の長さより短い、
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２位置は、前記第１位置から第１方向に沿っており、
前記第３位置は、前記第２位置から第２方向に沿っており、
前記電気光学パネルは、第１画素、前記第１画素と隣り合う第２画素、前記第２画素と隣り合う第３画素、および前記第１画素と前記第３画素と隣り合う第４画素を有し、
前記投射面には、前記第１画素からの出射光、前記第２画素からの出射光、前記第３画素からの出射光、および前記第４画素からの４つの出射光に基づいて、前記第１方向に沿う３つの投射画素、前記第２方向に沿う３つの投射画素による９個の投射画素が表示され、
前記駆動部は、
前記光軸シフト素子によって前記第１画素からの出射光が前記第１位置にシフトされる場合、前記第１画素、前記第２画素、前記第３画素、前記第４画素に、前記９個の投射画素のうち互いに異なる投射画素の階調に応じた信号を、それぞれ書き込み、
前記光軸シフト素子によって前記第１画素からの出射光が前記第２位置にシフトされる場合、前記第１画素、前記第２画素、前記第３画素、前記第４画素に、前記９個の投射画素のうち互いに異なる投射画素の階調に応じた信号を、それぞれ書き込み、
前記光軸シフト素子によって前記第１画素からの出射光が前記第３位置にシフトされる場合、前記第１画素、前記第２画素、前記第３画素、前記第４画素に、前記９個の投射画素のうち互いに異なる投射画素の階調に応じた信号を、それぞれ書き込み、
前記９個の投射画素の各々の階調に応じた信号は、前記光軸シフト素子によって前記第１画素からの出射光が前記第１位置、前記第２位置および前記第３位置にシフトされる間に、１回以上書き込まれる、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記電気光学パネルの面の垂直方向からの平面視において、前記第１画素、前記第２画素、前記第３画素、および前記第４画素の形状は、矩形であり、
前記第１位置から前記第２位置までの最短距離は、前記第１画素からの出射光における前記第１方向の辺の長さより短く、
前記第２位置から前記第３位置までの最短距離は、前記第１画素からの出射光における前記第２方向の辺の長さより短い、
請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記フレーム期間に、前記９個の投射画素のうち前記第１方向に沿う第１列に含まれる１つの投射画素の階調に応じた信号と、第２列に含まれる１つの投射画素の階調に応じた信号と、第３列に含まれる１つの投射画素の階調に応じた信号とがそれぞれ２回書き込まれ、かつ、前記９個の画素のうち前記第２方向に沿う第４列に含まれる１つの投射画素の階調に応じた信号と、第５列に含まれる１つの投射画素の階調に応じた信号と、第６列に含まれる１つの投射画素の階調に応じた信号とがそれぞれ２回書き込まれる、
請求項５または６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記フレーム期間に前記９個の画素のうち２回書き込まれる３個の投射画素の位置と、前記フレーム期間の次のフレーム期間に前記９個の投射画素のうち２回書き込まれる３個の投射画素の位置とが一部または全部異なる、
請求項５乃至７のいずれか一つに記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記出射光が前記第１位置から前記第２位置にシフトすることにかかる時間、前記出射光が前記第２位置から前記第３位置にシフトすることにかかる時間、および前記出射光が前記第３位置から前記第１位置にシフトすることにかかる時間が同一である、
請求項１乃至８のいずれか一つに記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記駆動部は、
前記第１フィールド期間、前記第２フィールド期間、前記第３フィールド期間のそれぞれを２つに分割した一方のサブフィールド期間において、前記投射画素の階調に応じた正極性の信号を書き込み、他方のサブフィールド期間において当該階調に応じた負極性の信号を書き込む、
請求項１乃至９のいずれか一つに記載の電気光学装置。
【請求項１１】
光源からの光を入射して出射する画素を有する電気光学パネルと、
前記画素からの出射光の光軸をシフト可能な光軸シフト素子と、
前記画素に、階調に応じた信号を書き込む駆動部と、
を備え、
前記画素から出射された光に基づいて、投射面に表示される投射画素の位置を、前記光軸シフト素子によりシフトする電気光学装置の駆動方法であって、
前記光軸シフト素子は、
前記出射光を、フレーム期間を３つのフィールド期間に分割した第１フィールド期間において第１位置にシフトし、第２フィールド期間において第２位置にシフトし、第３フィールド期間において第３位置にシフトし、
前記駆動部は、
前記第１フィールド期間において、第１投射画素の階調に応じた信号を前記画素に書き込み、
前記第２フィールド期間において、第２投射画素の階調に応じた信号を前記画素に書き込み、
前記第３フィールド期間において、第３投射画素の階調に応じた信号を前記画素に書き込み、
前記第１位置、前記第２位置、および前記第３位置は、三角形の頂点に位置する、
電気光学装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、および電気光学装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶パネルは、一対の電極間に液晶が挟持された液晶素子を複数有し、一つの液晶素子は、当該液晶素子に印加された電圧に応じた透過率、すなわち明るさとなる。そして、複数の液晶素子の各々に、目的とする画像の画素の階調レベルの応じた電圧を制御することによって、液晶素子の透過率が制御されて、当該画像が表示される。
なお、液晶素子は、反射型で用いられる場合もあるが、本説明では、説明の簡易化のために透過型として説明する。このため、液晶素子を通過する光の相対比率については、透過率として説明するが、反射型を用いる場合であれば、反射率に読み替えればよい。
【０００３】
一方、近年では、このような液晶パネルを用いて、スクリーンに大画面を投射する液晶プロジェクターが普及している。液晶プロジェクターは、光源からの光を例えば３原色の赤、緑、青に分解し、各色の光を液晶パネルの１つずつに割り当てて透過させ、各色の透過像を合成して、レンズ等の光学系によって拡大してスクリーン等の投射面に投射する構成となっている。
また、液晶プロジェクターでは、擬似的に解像度を高めるために、投射面に投射される投射画素の位置を、光軸シフト素子によってシフトさせる技術が知られている。例えば、特許文献１には、１フレーム期間が複数のフィールド期間に分割され、フィールド期間ごとに、スクリーン等に投射される投射画素の位置がシフトするように光軸シフト素子を制御して、液晶パネルが有する液晶素子の個数よりも多くの投射画素が投射されたかのようにみせる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−０６３３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、液晶素子に電圧が印加されても、当該液晶素子の透過率は、印加電圧に応じた値に直ちに変化せず、比較的に緩慢に変化する。このため、１つのフィールド期間の時間が短いと、目的とする透過率に到達する前にフィールド期間の時間が満了し、光軸シフト素子によって投射画素の位置が次のフィールドの位置にシフトされる場合がある。この場合、目的とする透過率に到達できず、スクリーン上に表示される画像の品質の低下を招くという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る電気光学装置は、光源からの光を入射して出射する画素を有する電気光学パネルと、前記画素からの出射光の光軸をシフト可能な光軸シフト素子と、前記画素に、階調に応じた信号を書き込む駆動部と、を備え、前記画素から出射された光に基づいて投射面に投射される投射画素の位置を、前記光軸シフト素子によりシフトする電気光学装置であって、前記光軸シフト素子は、前記出射光を、フレーム期間を３つのフィールド期間に分割した第１フィールド期間において第１位置にシフトし、第２フィールド期間において第２位置にシフトし、第３フィールド期間において第３位置にシフトし、前記駆動部は、前記第１フィールド期間において第１投射画素の階調に応じた信号を前記画素に書き込み、前記第２フィールド期間において第２投射画素の階調に応じた信号を前記画素に書き込み、前記第３フィールド期間に第３投射画素の階調に応じた信号を前記画素に書き込み、前記第１位置、前記第２位置、および前記第３位置は、三角形の頂点に位置する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態に係る液晶プロジェクターの光学系の構成の一例を示す図である。
【図２】液晶プロジェクターの制御系の構成例を示すブロック図である。
【図３】画素の等価回路を示す図である。
【図４】２個の画素の位置関係を示す図である。
【図５】２個の画素によって投射面ＳＣ上に表示された投射画素を示す図である。
【図６】光軸シフトを説明するための図である。
【図７】出射領域のシフト動作を示す図である。
【図８】光軸シフトの動作と画素への書き込み動作との関係を示す図である。
【図９】光軸シフトの動作と書き込み動作とを示すフローチャートを示す図である。
【図１０】光軸シフトの動作と書き込み動作とを示すフローチャートを示す図である。
【図１１】４個の画素の位置関係を示す図である。
【図１２】４個の画素によって投射面ＳＣ上に表示される投射画素を示す図である。
【図１３】第２実施形態における光軸シフトを説明するための図である。
【図１４】第２実施形態における出射領域のシフト動作を示す図である。
【図１５】第２実施形態における光軸シフトの動作と画素への書き込み動作との関係を示す図である。
【図１６】図１５においてダブリングする投射画素を示す図である。
【図１７】ダブリングする投射画素の第１の態様の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。ただし、各図において、各部の寸法および縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【０００９】
まず、第１実施形態に係る電気光学装置を説明する。
【００１０】
図１は、第１実施形態に係る液晶プロジェクター１の光学系の構成の一例を示す図である。図１に示されるように、液晶プロジェクター１の光学系は、照明装置９０、分離光学系７０、３個の液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ、および、投射光学系６０を備える。照明装置９０は、例えばハロゲンランプを用いた白色光源であり、光を照射する。なお、液晶プロジェクター１は、電気光学装置の一例である。照明装置９０は、光源の一例である。
【００１１】
分離光学系７０は、３個のミラー７１、７２、７５、ダイクロイックミラー７３および７４を含む。分離光学系７０は、照明装置９０から出射された白色光を、赤色、緑色、青色の３原色に分離する。以下、赤色を「Ｒ」と称し、緑色を「Ｇ」と称し、青色を「Ｂ」と称する。具体的には、ダイクロイックミラー７４は、白色光のうち、Ｒの波長域の光を透過し、ＧおよびＢの波長域の光を反射する。ダイクロイックミラー７３は、ダイクロイックミラー７４によって反射するＧおよびＢの波長域の光のうち、Ｂの波長域の光を透過し、Ｇの波長域の光を反射する。
【００１２】
分離されたＲ、Ｇ、およびＢに対応する光は、それぞれ液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、および１０Ｂに導かれる。液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、および１０Ｂは、空間光変調器として用いられる。なお、以下では、液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、および１０Ｂを区別しない場合には、液晶パネル１０と称することがある。
【００１３】
投射光学系６０は、ダイクロイックプリズム６１、投射レンズ系６２、および光軸シフト素子１００を含む。ダイクロイックプリズム６１には、液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂによってそれぞれ変調される光が三方向から入射する。このダイクロイックプリズム６１においてＲ、Ｇ、およびＢの透過像が合成されて、フルカラーの画像が出射される。
【００１４】
ダイクロイックプリズム６１の出射側には、光軸シフト素子１００および投射レンズ系６２が配置されている。光軸シフト素子１００は、ダイクロイックプリズム６１からの出射方向の光軸をシフトさせ、投射レンズ系６２は、光軸シフト素子１００からの出射光をスクリーン等の投射面ＳＣに拡大投射させる。
【００１５】
図２は、液晶プロジェクター１の制御系の構成例を示すブロック図である。液晶プロジェクター１の制御系は、３つの液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ、制御部５０、光軸シフト素子駆動部１４、および光軸シフト素子１００を備える。液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、および１０Ｂの１つについて着目すると、当該液晶パネル１０は、複数の画素４０が配列される表示部３０と、各画素４０を駆動する駆動回路２０と、を備える。なお、液晶パネル１０は、電気光学パネルの一例である。
【００１６】
図２に示されるように、液晶パネル１０の表示部３０には、V方向に延在するＭ本の走査線３２と、V方向に交差するVI方向に延在するＮ本のデータ線３４とが形成される。ここでＭおよびＮは、２以上の整数である。複数の画素４０は、表示部３０において、走査線３２とデータ線３４との交差点に対応して設けられる。このため、画素４０は、縦Ｍ行×横Ｎ列で配列する。
なお、以下の記載では、特定の画素４０を区別して説明するために、ｉ行目の走査線３２とｊ列目のデータ線３４との交差に対応する画素４０を[ｉ，ｊ]と表記することがある。ここで、ｉは、１≦ｉ≦Ｍを満たす整数であり、ｊは、１≦ｊ≦Ｎを満たす整数である。
【００１７】
駆動回路２０は、走査線駆動回路２２およびデータ線駆動回路２４を含み、各画素４０にデータ信号に応じた電圧を書き込む。具体的には、駆動回路２０のうち、走査線駆動回路２２は、タイミング信号生成部１２に従って、走査信号Ｙ[１]、Ｙ[２]、Ｙ[３]、…、Ｙ[Ｍ]を、順に１行目、２行目、３行目、…、Ｍ行目の走査線３２に供給する。詳細には、走査線駆動回路２２は、各フィールド期間にわたって１行目からＭ行目までの走査線３２を順次排他的に選択して、選択される走査線３２にアクティブレベルの走査信号を供給し、選択していない走査線３２にノンアクティブレベルの走査信号を供給する。このため、走査信号Ｙ[１]〜Ｙ[Ｍ]は、各フィールド期間にわたって順次排他的にアクティブレベルとなる。駆動回路２０は、選択スイッチＳｗをＮチャネル型の薄膜トランジスターとするので、アクティブレベルをＨレベル、ノンアクティブレベルをＬレベルと記載することがある。
データ線駆動回路２４は、走査線駆動回路２２による走査線３２の選択に同期して、第１列〜第Ｎ列のデータ線３４に、データ信号ＶＤ[１]〜ＶＤ[Ｎ]を供給する。
なお、駆動回路２０は、駆動部の一例である。
【００１８】
ここで、便宜的に画素４０について説明する。なお、Ｍ行Ｎ列で配列する画素４０は、電気的には互いに同一構成であるので、ｉ行ｊ列の画素４０[ｉ，ｊ]を例にとって説明する。
【００１９】
図３は、画素４０[ｉ，ｊ]の等価回路を示す図である。図３に示されるように、画素４０[ｉ，ｊ]は、液晶素子ＣＬ、選択スイッチＳｗ、および蓄積容量Ｃｏを含む。
このうち、選択スイッチＳｗは、例えばＮチャネル型の薄膜トランジスターであり、ゲートノードがｉ行目の走査線３２に接続され、ソースノードがｊ列目のデータ線３４に接続され、ドレインノードが画素電極４１および蓄積容量Ｃｏの一端にそれぞれ接続されている。このため、ｉ行目の走査線３２に供給される走査信号Ｙ[ｉ]がＨレベルになると、選択スイッチＳｗがオンするので、ｊ列目のデータ線３４に供給されたデータ信号ＶＤ[ｊ]が当該スイッチＳｗを介して画素電極４１に供給される。
【００２０】
液晶素子ＣＬは、画素電極４１および共通電極４２とで液晶４３が挟持された構成となっている。共通電極４２は、Ｍ行Ｎ列で配列する画素４０にわたって共通であり、電圧Ｖcomに保たれている。
このような液晶素子ＣＬにおいて、走査信号Ｙ[ｉ]がＨレベルになると、選択スイッチＳｗがオンとなって、データ信号ＶＤ[ｊ]の電圧が画素電極４１に印加される。画素電極４１に印加された電圧は、走査信号Ｙ[ｉ]がＬレベルになって選択スイッチＳｗがオフしても、液晶素子ＣＬおよび蓄積容量Ｃｏの容量性によって保持される。液晶素子ＣＬにおいて画素電極４１および共通電極４２とで挟持された液晶４３の分子配列は、画素電極４１および共通電極４２との間における電圧に応じた方向に配列する。このため、液晶素子ＣＬでは、図示省略された偏光子によって、例えば液晶素子ＣＬに印加される電圧実効値がゼロであれば、透過率が最小となる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて、透過率が徐々に増加し、ついには透過率が最大となる。電圧実効値がゼロである場合に透過率が最小となる制御方法は、ノーマリーブラックモードと称される。
このように画素４０[ｉ，ｊ]では、走査信号Ｙ[ｉ]がＨレベルになったときのデータ信号ＶＤ[ｊ]の電圧が書き込まれて、当該電圧に応じた透過率となる。
なお、液晶素子ＣＬの容量を見掛け上増加させるために、液晶素子ＣＬと並列に蓄積容量Ｃｏが設けられている。すなわち、蓄積容量Ｃｏにおいて一端は画素電極４１に接続され、他端が共通電極４２に接続される。蓄積容量Ｃｏの他端は、一定の電圧であれば、電圧Ｖcom以外の電圧に保たれる構成でもよい。
【００２１】
説明を図２に戻す。制御部５０は、画像処理部１１とタイミング信号生成部１２とを含み、図示省略された上位回路から、同期信号と、当該同期信号に同期して供給される映像信号Ｖinとに基づいて、液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂでの駆動回路２０による書込、および、当該書込に同期してデータ信号ＶＤの供給を制御するとともに、光軸シフト素子駆動部１４を介して光軸シフト素子１００の光軸シフトを制御する。
タイミング信号生成部１２は、同期信号に基づいて、制御信号ＣＬＴ、ＣＬＤを生成して、生成される制御信号ＣＬＴを駆動回路２０および画像処理部１１に供給し、生成される制御信号ＣＬＤを光軸シフト素子駆動部１４に供給する。
【００２２】
第１実施形態では、１フレーム期間Ｆが３つのフィールド期間に分割される。そして、タイミング信号生成部１２は、各フィールド期間において、Ｍ行Ｎ列の画素４０の各々にデータ信号ＶＤに応じた電圧がそれぞれ書き込まれるように駆動回路２０を制御する。一方、各フィールド期間における書込に合わせた光軸シフトがなされるように、制御信号ＣＬＤを生成する。
ここで、１フレーム期間Ｆとは、映像信号Ｖinで規定される１フレーム分の画像を液晶パネル１０で表示するのに要する期間をいう。第１実施形態において、フレームの周波数は、６０Ｈｚとする。従って、フレームの周期は、約１６．７ｍ秒であり、フィールド期間の周波数は１８０Ｈｚであり、フィールド期間の周期は約５．５ｍ秒である。また、第１実施形態では、液晶プロジェクター１は、液晶パネル１０に、３つのフィールド期間のそれぞれで、画像を表示することで、投射面ＳＣ上に、１フレーム分の画像を表示する。第１実施形態では、液晶プロジェクター１は、擬似的に得られる解像度によって、投射面ＳＣ上に４Ｋ解像度、すなわち、水平方向に３８４０列×垂直方向に２１６０行の投射画素を表示する。
【００２３】
また、タイミング信号生成部１２は、制御信号ＣＬＴに従って画像処理部１１に映像信号Ｖinを信号処理させて、各フィールド期間において、シフトさせる位置の投射画素に対応するデータ信号ＶＤを、駆動回路２０の書込に合わせて供給させる。
なお、図２では、簡略化されているが、実際には、映像信号Ｖinのうち、信号処理されたＲ成分のデータ信号が液晶パネル１０Ｒに供給される。同様に、信号処理されたＧ成分のデータ信号が液晶パネル１０Ｇに供給され、信号処理されたＢ成分のデータ信号が液晶パネル１０Ｂに供給される。
【００２４】
第１実施形態では、図４に示されるように、VI方向に並ぶ２個の画素４０を用いて、図５に示されるように、投射面ＳＣの水平方向に２個、垂直方向に３個の合計６個の投射画素Ｐｘを表示する。
【００２５】
図４は、２個の画素４０の位置関係を示す図である。図４で示すように、液晶プロジェクター１は、画素４０[ｉ，ｊ]および画素４０[ｉ＋１，ｊ]、ならびに光軸シフト素子１００を用いて、投射面ＳＣに画像を表示する。画素４０[ｉ＋１，ｊ]は、画素４０［ｉ，ｊ］と隣り合う。より詳細には、画素４０[ｉ＋１，ｊ]は、画素４０[ｉ，ｊ]に対して＋VI方向に位置する。
なお、画素４０[ｉ，ｊ]は、第１画素の一例である。画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]は、第１実施形態における第２画素の一例である。
【００２６】
さらに、液晶パネル１０の面の垂直方向からの平面視において、画素４０の形状は、矩形であり、VI方向の辺の長さが、V方向の辺の長さの０．５倍より大きく１倍未満である。より詳細には、第１実施形態では、画素４０のV方向の長さは８μｍであり、VI方向の長さは６μｍである。従って、画素４０のアスペクト比は、６／８＝０．７５である。図４に示す破線は、光軸シフト素子１００を利用せずに４Ｋ解像度を実現する場合の画素４０の大きさの一例を示す。以下の説明において、光軸シフト素子１００を利用せずに４Ｋ解像度を実現することを、以下、「４Ｋネイティブ」と称する。４Ｋネイティブの画素４０は、一辺４μｍの正方形である。
なお、画素４０のVI方向の辺が、第１辺の一例である。画素４０のV方向の辺が、第２辺の一例である。第１辺を用いて画素４０の位置関係を示すと、画素４０[ｉ＋１，ｊ]は、画素４０[ｉ，ｊ]に対して第１辺の方向に位置する。
【００２７】
図５は、２個の画素４０によって投射面ＳＣ上に表示される投射画素Ｐｘを示す図である。説明の便宜のために、投射面ＳＣにおける水平右側方向を＋Ｘ方向とし、垂直上側方向を＋Ｙ方向とする。同様に、水平左側方向を−Ｘ方向とし、垂直下側方向を−Ｙ方向とする。＋Ｘ方向および−Ｘ方向を総称してＸ方向とし、＋Ｙ方向および−Ｙ方向を総称してＹ方向とする。駆動回路２０の書き込みおよび光軸シフト素子１００による光軸シフトにより、投射面ＳＣには、画素４０[ｉ，ｊ]からの出射光および画素４０[ｉ＋１，ｊ]からの出射光に基づいて、Ｘ方向に２画素分、Ｙ方向に３画素分の６個の投射画素Ｐｘが表示される。
なお、−Ｙ方向が、第１実施形態における第１方向の一例である。＋Ｘ方向が、第１実施形態における第２方向の一例である。第２方向は、第１実施形態では第１方向と直交するが、単に交差してもよい。
【００２８】
より詳細には、駆動回路２０が画素４０[ｉ，ｊ]に書き込み、さらに光軸シフト素子１００が画素４０[ｉ，ｊ]からの出射光の光軸をシフトすることにより、投射面ＳＣに、位置ＤＡ１に応じた投射画素Ｐｘと、位置ＤＡ２に応じた投射画素Ｐｘと、位置ＤＡ３に応じた投射画素Ｐｘとが表示される。同様に、駆動回路２０が画素４０[ｉ＋１，ｊ]に書き込み、さらに光軸シフト素子１００が画素４０[ｉ＋１，ｊ]からの出射光の光軸をシフトすることにより、投射面ＳＣに、位置ＤＢ１に応じた投射画素Ｐｘと、位置ＤＢ２に応じた投射画素Ｐｘと、位置ＤＢ３に応じた投射画素Ｐｘとが表示される。
なお、位置ＤＡ１に応じた投射画素Ｐｘが、第１投射画素の一例である。位置ＤＡ２に応じた投射画素Ｐｘが、第２投射画素の一例である。位置ＤＡ３に応じた画素が、第３投射画素の一例である。位置ＤＢ１に応じた投射画素Ｐｘが、第４投射画素の一例である。位置ＤＢ２に応じた投射画素Ｐｘが、第５投射画素の一例である。位置ＤＢ３に応じた投射画素Ｐｘが、第６投射画素の一例である。
【００２９】
６個の投射画素Ｐｘの位置関係を示す。位置ＤＡ２は、位置ＤＡ１から＋Ｘ方向に沿う位置である。位置ＤＡ３は、位置ＤＡ２から−Ｙ方向に沿う位置である。位置ＤＢ１は、位置ＤＡ１から−Ｙ方向に沿う位置である。位置ＤＢ２は、位置ＤＢ１から−Ｙ方向に沿う位置である。位置ＤＢ３は、位置ＤＢ２から＋Ｘ方向に沿う位置である。
２つの画素４０の位置関係を、光軸シフト素子１００による光軸シフトを用いて言い換えると、画素４０[ｉ，ｊ]からの出射光の光軸は、光軸シフト素子１００によって、画素４０[ｉ＋１，ｊ]からの出射光の光軸から−Ｙ方向に沿うようにシフトする。
【００３０】
図６は、光軸シフト素子１００による光軸シフトを説明するための図である。ある画素４０からの出射光が投射面ＳＣに投射され、投射面ＳＣに表示された出射光の領域を、「出射領域」と称し、出射領域Ｒと表記する。図６に示す出射領域Ｒは、光軸シフト素子１００によって順次シフトされる位置を説明するためのものに過ぎず、１つの画素４０から、３つの位置に同時に分離されて投射されることを意味するのではない。
【００３１】
光軸シフト素子１００は、印加電圧に応じた複屈折によって、入射光の光軸に対する出射光の光軸を、Ｘ方向およびＹ方向にわたった二次元方向に任意の量でシフト可能な構成となっている。実際には、制御信号ＣＬＤに従った電圧を光軸シフト素子駆動部１４が光軸シフト素子１００に印加するので、タイミング信号生成部１２が、光軸シフト素子駆動部１４を介して、光軸シフト素子１００による光軸シフトを制御する構成となっている。
【００３２】
第１実施形態では、ダイクロイックプリズム６１の出射面に設けられた光軸シフト素子１００は、画素４０からの出射光による出射領域Ｒを、１フレーム期間Ｆを分割する３つのフィールド期間にわたって順番に、次の３位置にシフトさせる。
【００３３】
詳細には、光軸シフト素子１００によって光軸をシフトさせない場合において投射面ＳＣ上の出射領域Ｒの位置をＡと表記する場合、当該位置Ａを基準に−Ｙ方向に、出射領域ＲのＹ方向の１／２個分だけシフトさせた位置をＢ１と表記し、位置Ｂ１を基準に＋Ｘ方向に、出射領域ＲのＸ方向の１／２個分だけシフトさせた位置をＣと表記している。位置Ｂ１は、位置Ａから−Ｙ方向に沿った位置である。位置Ｃは、位置Ｂ１から＋Ｘ方向に沿った位置である。
【００３４】
−Ｘ方向は、＋Ｘ方向の反対の方向であり、第３方向の一例である。＋Ｙ方向は、−Ｙ方向の反対の方向であり、第４方向の一例である。位置Ａは、第１位置の一例である。位置Ｂ１は、第１実施形態における第２位置の一例である。位置Ｃは、第３位置の一例である。
また、位置Ａ〜位置Ｃは、相対的な関係であればよいので、光軸をシフトさせない場合の位置Ａを基準にしないでもよい。
【００３５】
図７は、出射領域Ｒのシフト動作を示す図である。出射領域Ｒは、あるフレーム期間Ｆのフィールド期間Ｔａにおいて位置Ａにシフトし、フィールド期間Ｔｂにおいて位置Ｂ１にし、フィールド期間Ｔｃにおいて位置Ｃにシフトし、次のフレーム期間Ｆのフィールド期間Ｔａにおいて位置Ａにシフトする。位置Ａ、位置Ｂ１および位置Ｃは、図７に示すように、三角形の頂点に位置する。
【００３６】
以下、出射領域ＲのＸ方向の長さをｍｘ１とし、Ｙ方向の長さをｍｙ１とする。画素４０のV方向の長さは８μｍであり、VI方向の長さは６μｍであるから、ｍｘ１：ｍｙ１は、４：３である。位置Ａから位置Ｂ１へのシフト量は、位置Ａから位置Ｂ１までの最短距離に一致し、ｍｙ１／２である。位置Ｂ１から位置Ｃへのシフト量は、位置Ｂ１から位置Ｃまでの最短距離に一致し、ｍｘ１／２である。位置Ｃから位置Ａへのシフト量は、位置Ｃから位置Ａまでの最短距離に一致し、図７に示すｍｋ１である。ｍｋ１は、位置Ａ、位置Ｂ１および位置Ｃを頂点とする三角形が直角三角形であるため、下記（１）式で示すことができる。
【００３７】
ｍｋ１＝（（ｍｘ１／２）２＋（ｍｙ１／２）２）０．５  （１）
【００３８】
このように、位置Ａから位置Ｂ１へのシフト量、位置Ｂ１から位置Ｃへのシフト量、位置Ｃから位置Ａへのシフト量は互いに異なる。第１実施形態において、出射領域Ｒが位置Ａから位置Ｂ１にシフトすることにかかる時間、出射領域Ｒが位置Ｂ１から位置Ｃにシフトすることにかかる時間、および出射領域Ｒが位置Ｃから位置Ａにシフトすることにかかる時間が同一であることが好ましい。前述の時間を同一にするため、光軸シフト素子１００は、シフト量が大きい程速くシフトする。より詳細には、光軸シフト素子１００は、出射領域Ｒを、位置Ｃから位置Ａにシフトする場合に最も速く移動させ、位置Ｂ１から位置Ｃにシフトする場合に次に速く移動させ、位置Ａから位置Ｂ１にシフトする場合に最も遅く移動させる。
【００３９】
図７では、比較のため、４Ｋネイティブの画素４０から出射される光が投射面ＳＣに投射される場合の出射領域Ｒｃを、破線の矩形で示す。出射領域ＲｃのＸ方向の長さｃｘとＹ方向の長さｃｙについて、ｃｘ＝ｃｙ＝ｍｘ１／２＝ｍｙ１×２／３の関係が成り立つ。
【００４０】
第１実施形態において、いわゆる焼き付きを抑制するため、駆動回路２０は、１フレーム期間Ｆを分割する３つのフィールド期間をさらに２つに分割した一方のサブフィールド期間において投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を画素４０に書き込み、他方のサブフィールド期間において投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を画素４０に書き込む。正極性の信号とは、画素電極４１が共通電極４２よりも高電位となる信号であり、負極性の信号とは、画素電極４１が共通電極４２よりも低電位となる信号である。
【００４１】
次に、光軸シフト素子１００の光軸シフトの動作と、画素４０[ｉ，ｊ]と画素４０[ｉ＋１，ｊ]との関係について説明する。
【００４２】
図８は、光軸シフト素子１００の光軸シフトの動作と、駆動回路２０による画素４０への書き込み動作との関係を示す図である。１フレーム期間Ｆとは、上述のように、映像信号Ｖinで規定される１フレーム分の画像を液晶パネル１０で表示するのに要する期間である。第１実施形態では、この１フレーム期間Ｆが３つのフィールド期間Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｃに分割される。さらに、フィールド期間Ｔａは、サブフィールド期間Ｔａ１、Ｔａ２に分割され、フィールド期間Ｔｂは、サブフィールド期間Ｔｂ１、Ｔｂ２に分割され、フィールド期間Ｔｃは、サブフィールド期間Ｔｃ１、Ｔｃ２に分割される。図８では、フレーム期間Ｆ[ｋ−１]の一部、フレーム期間Ｆ[ｋ]、およびフレーム期間Ｆ[ｋ＋１]の一部における光軸シフト素子１００の動作と駆動回路２０の動作とを示す。ｋは、２以上の整数である。フレーム期間Ｆ[１]が、液晶プロジェクター１が駆動開始時のフレーム期間である。
なお、フレーム期間Ｆ[ｋ]が、フレーム期間の一例である。フレーム期間Ｆ[ｋ＋１]が、次のフレーム期間の一例である。フィールド期間Ｔａが、第１フィールド期間の一例である。フィールド期間Ｔｂが、第２フィールド期間の一例である。フィールド期間Ｔｃが、第３フィールド期間の一例である。
【００４３】
走査線駆動回路２２は、図８に示す期間Ｔ１、期間Ｔ２、期間Ｔ３、期間Ｔ４、期間Ｔ５および期間Ｔ６において、１行目からＭ行目までの走査線３２を順次選択するとともに、画像処理部１１は、投射画素Ｐｘであって、選択された走査線３２に位置する１行分のデータ信号ＶＤをデータ線駆動回路２４に供給する。データ線駆動回路２４は、供給された１行分のデータ信号ＶＤを、対応する列のデータ線３４にそれぞれ供給する。
フレーム期間の開始時刻は、位置Ａに応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号の書き込みのために、１行目の走査線３２が選択された時刻である。フィールド期間Ｔａの開始時刻は、フレーム期間Ｆの開始時刻と同一である。フィールド期間Ｔｂの開始時刻は、位置Ｂ１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号の書き込みのために、１行目の走査線３２が選択された時刻である。フィールド期間Ｔｃの開始時刻は、位置Ｃに応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号の書き込みのために、１行目の走査線３２が選択された時刻である。
サブフィールド期間Ｔａ１の開始時刻は、フィールド期間Ｔａの開始時刻と同一である。サブフィールド期間Ｔａ２の開始時刻は、位置Ａに応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号の書き込みのために、１行目の走査線３２が選択された時刻である。サブフィールド期間Ｔｂ１の開始時刻は、フィールド期間Ｔｂの開始時刻と同一である。サブフィールド期間Ｔｂ２の開始時刻は、位置Ｂ１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号の書き込みのために、１行目の走査線３２が選択された時刻である。サブフィールド期間Ｔｃ１の開始時刻は、フィールド期間Ｔｃの開始時刻と同一である。サブフィールド期間Ｔｃ２の開始時刻は、位置Ｃに応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号の書き込みのために、１行目の走査線３２が選択された時刻である。
期間Ｔ１は、サブフィールド期間Ｔａ１において、１行目の走査線３２が選択された時刻からＭ行目の走査線３２の選択が終了するまでの期間である。期間Ｔ２は、サブフィールド期間Ｔａ２において、１行目の走査線３２が選択された時刻からＭ行目の走査線３２の選択が終了するまでの期間である。期間Ｔ３は、サブフィールド期間Ｔｂ１において、１行目の走査線３２が選択された時刻からＭ行目の走査線３２の選択が終了するまでの期間である。期間Ｔ４は、サブフィールド期間Ｔｂ２において、１行目の走査線３２が選択された時刻からＭ行目の走査線３２の選択が終了するまでの期間である。期間Ｔ５は、サブフィールド期間Ｔｃ１において、１行目の走査線３２が選択された時刻からＭ行目の走査線３２の選択が終了するまでの期間である。期間Ｔ６は、サブフィールド期間Ｔｃ２において、１行目の走査線３２が選択された時刻からＭ行目の走査線３２の選択が終了するまでの期間である。
【００４４】
なお、図８において選択される走査線は、走査線３２の行数である１行目からＭ行目までを縦軸にとり、時間経過を横軸にとったときに、走査信号Ｙ[１]〜Ｙ[Ｍ]によって選択される走査線の時間的推移を示す図である。
走査線の選択される期間を仮に走査線ごとの黒線で示すとき、走査線３２は１行ずつ順次排他的に選択されるので、選択される走査線は、時間経過とともに１行目からＭ行目まで移行する。このため、選択される走査線を示す黒線の集合体は、時間経過とともに、右下がりの連続点で示されることになる。これを図８では、簡略的に表記するために、選択される走査線が、右下がりの実線で示されている。
【００４５】
光軸シフト素子１００によって、出射領域Ｒが位置Ａから位置Ｂ１にシフトすることにかかる時間、出射領域Ｒが位置Ｂ１から位置Ｃにシフトすることにかかる時間、および出射領域Ｒが位置Ｃから位置Ａにシフトすることにかかる時間が、同一であるとする。さらに、光軸シフト素子１００による光軸シフトにかかる時間は、期間Ｔ１、期間Ｔ２、期間Ｔ３、期間Ｔ４、期間Ｔ５および期間Ｔ６の１／２の時間であるとする。光軸シフト素子１００による光軸シフトは、期間Ｔ１、期間Ｔ３、期間Ｔ５のそれぞれの開始時刻に開始し、ｉがＭ／２を超える最小の整数であるとする。従って、光軸シフト素子１００による光軸シフトが終了する時刻は、ｉ行目の走査線３２が選択される時刻と略一致する。
【００４６】
タイミング信号生成部１２は、光軸シフト素子駆動部１４を介して、光軸シフト素子１００による光軸シフトを制御する。詳細には、出射領域Ｒ１および出射領域Ｒ２は、期間Ｔ１が開始するまでは位置Ｃに固定され、期間Ｔ１の開始から期間Ｔ１の１／２の時間が経過するまでに、Ｋ１方向に沿って位置Ｃから位置Ａまでシフトする。出射領域Ｒ１は、画素４０[ｉ，ｊ]からの出射光による出射領域である。出射領域Ｒ２は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]からの出射光による出射領域である。Ｋ１方向は、＋Ｙ方向を反時計回りにθ１回転した角度である。θ１は、下記（２）式で示される。
【００４７】
θ１＝ａｒｃｔａｎ（出射領域ＲのＸ方向の長さ／出射領域ＲのＹ方向の長さ）  （２）
【００４８】
第１実施形態では、画素４０のV方向の長さは８μｍであり、VI方向の長さは６μｍであるから、出射領域ＲのＸ方向の長さ：出射領域ＲのＹ方向の長さは４：３である。従って、（２）式により、θ１は約５３．１度である。
【００４９】
図８に示すように、フレーム期間Ｆ[ｋ]のサブフィールド期間Ｔａ１内のｉ番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置ＤＡ１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔａ１内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置ＤＢ１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込む。
【００５０】
図８に示す画素４０[ｉ，ｊ]の電圧の保持状態における文字列「ＤＡ１＋」は、画素４０[ｉ，ｊ]が保持する、位置ＤＡ１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号の電圧を示す。同様に、図８に示す画素４０[ｉ，ｊ]および画素４０[ｉ＋１，ｊ]の電圧の保持状態における文字列のうち、先頭から１文字目、２文字目および３文字目が投射画素Ｐｘの位置を示し、４文字目が「＋」であれば正極性を示し、４文字目が「−」であれば負極性を示す。
図８の投射面ＳＣに示す破線は、４Ｋネイティブの画素４０によって出射される場合の投射画素Ｐｘの大きさを示すために設けたものであり、実際には表示されない。
【００５１】
フレーム期間Ｆ[ｋ]におけるサブフィールド期間Ｔａ２内のｉ番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置ＤＡ１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込む。続けて、フレーム期間Ｆ[ｋ]におけるサブフィールド期間Ｔａ２内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置ＤＢ１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込む。
【００５２】
出射領域Ｒ１および出射領域Ｒ２は、期間Ｔ３が開始するまでは位置Ａに固定され、期間Ｔ３の開始から期間Ｔ３の１／２の時間が経過するまでに、位置Ａから位置Ｂ１までシフトする。サブフィールド期間Ｔｂ１内のｉ番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置ＤＡ２に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔｂ１内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置ＤＢ２に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込む。
【００５３】
サブフィールド期間Ｔｂ２内のｉ番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置ＤＡ２に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔｂ２内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置ＤＢ２に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込む。
【００５４】
出射領域Ｒ１および出射領域Ｒ２は、期間Ｔ５が開始するまでは位置Ｂ１に固定され、期間Ｔ５の開始から期間Ｔ５の１／２の時間が経過するまでに、位置Ｂ１から位置Ｃまでシフトする。サブフィールド期間Ｔｃ１内のｉ番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置ＤＡ３に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔｃ１内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置ＤＢ３に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込む。
【００５５】
サブフィールド期間Ｔｃ２内のｉ番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置ＤＡ３に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔｃ２内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置ＤＢ３に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込む。
【００５６】
出射領域Ｒ１および出射領域Ｒ２は、フレーム期間Ｆ[ｋ＋１]の期間Ｔ１が開始するまでは位置Ｃに固定され、前述の期間Ｔ１の開始から期間Ｔ１の１／２の時間が開始するまでに、位置Ｃから位置Ａまでシフトする。
【００５７】
図８に示すように、駆動回路２０は、サブフィールド期間Ｔａ１、サブフィールド期間Ｔｂ１およびサブフィールド期間Ｔｃ１では正極性の信号を画素４０に書き込み、サブフィールド期間Ｔａ２、サブフィールド期間Ｔｂ２およびサブフィールド期間Ｔｃ２では負極性の信号を画素４０に書き込む。すなわち、駆動回路２０は、サブフィールド期間ごとに極性を反転しており、１フレーム期間Ｆ内で極性のバランスが取れている。
また、図８に示すように、各サブフィールド期間における書き込みの極性は、画素４０同士で同一であることが好ましい。各サブフィールド期間における書き込みの極性が画素４０同士で同一であることにより、制御が容易になり、駆動回路２０の回路構造を簡素化することが可能になる。
【００５８】
図８の投射面ＳＣが示すように、位置ＤＡ１における投射画素Ｐｘの範囲と、位置Ａに固定された出射領域Ｒ１の範囲とは一致しない。より詳細には、位置Ａに固定された出射領域Ｒ１の範囲は、位置ＤＡ１における投射画素Ｐｘの全範囲と、位置ＤＡ２における投射画素Ｐｘの全範囲と、位置ＤＢ１における投射画素ＰｘをＸ方向で２つに分割した＋Ｙ方向半分の範囲と、位置ＤＡ３における投射画素ＰｘをＸ方向で２つに分割した＋Ｙ方向半分の範囲とを含む。このように、表示対象の位置における投射画素Ｐｘの範囲と、出射領域Ｒの範囲とが一致しないため、投射面ＳＣ上で表示される画像は歪む。しかしながら、この歪みは、投射面ＳＣ上において、人間の目では、この歪みによる差を視認できないほど細かい違いとなるため、画像を表示する上で支障はない。
前述のように、投射面ＳＣ上に表示される画像の形状が歪むため、この形状は、映像信号Ｖinが示す画像の形状と必ずしも一致しない。しかしながら、投射面ＳＣ上に表示される画像には、映像信号Ｖinが有する情報全てが含まれており、失われる情報がない。
【００５９】
なお、このような光軸シフト素子１００の光軸シフトの動作と、駆動回路２０による画素４０への書き込み動作とは、次のようなフローチャートで表すことができる。
【００６０】
図９および図１０は、光軸シフトの動作と書き込み動作とを示すフローチャートである。１フレーム期間Ｆの開始直前において、出射領域Ｒ１および出射領域Ｒ２は位置Ｃにある。
【００６１】
１フレーム期間Ｆの開始時点、すなわちフィールド期間Ｔａの開始時点となるステップＳ１において、タイミング信号生成部１２は、光軸シフト素子駆動部１４を介して、光軸シフト素子１００による光軸をＫ１方向にシフトさせる動作を開始させる。なお、このシフト動作は、ステップＳ２において、出射領域Ｒ１が位置Ａに到達するまで継続される。
【００６２】
サブフィールド期間Ｔａ１内のｉ番目の走査線３２が選択される期間となるステップＳ３において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置ＤＡ１の投射画素Ｐｘに応じた正極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔａ１内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間となるステップＳ４において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置ＤＢ１の投射画素Ｐｘに応じた正極性の信号を書き込む。ステップＳ５において、駆動回路２０は、期間Ｔ２が開始するまで待機する。
光軸シフト素子１００は、期間Ｔ３が開始するまで待機することによって、期間Ｔ３が開始するまで、出射領域Ｒ１および出射領域Ｒ２が位置Ａに固定される。
【００６３】
サブフィールド期間Ｔａ２内のｉ番目の走査線３２が選択される期間となるステップＳ６において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置ＤＡ１の投射画素Ｐｘに応じた負極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔａ２内のｉ番目の走査線３２が選択される期間となるステップＳ７において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置ＤＢ１の投射画素Ｐｘに応じた負極性の信号の書き込みを開始する。ステップＳ８において、駆動回路２０は、期間Ｔ３が開始するまで待機する。
【００６４】
期間Ｔ３が開始すると、ステップＳ９において、タイミング信号生成部１２は、光軸シフト素子駆動部１４を介して、光軸シフト素子１００による光軸を−Ｙ方向にシフトさせる動作を開始させる。なお、このシフト動作は、ステップＳ１０において、出射領域Ｒ１および出射領域Ｒ２が位置Ｂ１に到達するまで継続される。
【００６５】
サブフィールド期間Ｔｂ１内のｉ番目の走査線３２が選択される期間となるステップＳ１１において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置ＤＡ２の投射画素Ｐｘに応じた正極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔｂ１内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間となるステップＳ１２において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置ＤＢ２の投射画素Ｐｘに応じた正極性の信号を書き込む。ステップＳ１３において、駆動回路２０は、期間Ｔ４が開始するまで待機する。
光軸シフト素子１００は、期間Ｔ５が開始するまで待機することによって、フィールド期間Ｔｂのうち期間Ｔ５が開始するまで、出射領域Ｒ１および出射領域Ｒ２が位置Ｂ１に固定される。
【００６６】
サブフィールド期間Ｔｂ２内のｉ番目の走査線３２が選択される期間となるステップＳ２１において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置ＤＡ２の投射画素Ｐｘに応じた負極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔｂ２内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間となるステップＳ２２において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置ＤＢ２の投射画素Ｐｘに応じた負極性の信号の書き込みを開始する。ステップＳ２３において、駆動回路２０は、期間Ｔ５が開始するまで待機する。
【００６７】
期間Ｔ５が開始すると、ステップＳ２４において、タイミング信号生成部１２は、光軸シフト素子駆動部１４を介して、光軸シフト素子１００による光軸を＋Ｘ方向にシフトさせる動作を開始させる。なお、このシフト動作は、ステップＳ２５において、出射領域Ｒ１および出射領域Ｒ２が位置Ｃに到達するまで継続される。
【００６８】
サブフィールド期間Ｔｃ１内のｉ番目の走査線３２が選択される期間となるステップＳ２６において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置ＤＡ３の投射画素Ｐｘに応じた正極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔｃ１内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間となるステップＳ２７において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置ＤＢ３の投射画素Ｐｘに応じた正極性の信号を書き込む。ステップＳ２８において、駆動回路２０は、期間Ｔ６が開始するまで待機する。
光軸シフト素子１００は、次のフレーム期間Ｆの期間Ｔ１が開始するまで待機することによって、前述の期間Ｔ１が開始するまで、出射領域Ｒ１および出射領域Ｒ２が位置Ｃに固定される。
【００６９】
サブフィールド期間Ｔｃ２内のｉ番目の走査線３２が選択される期間となるステップＳ２９において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置ＤＡ３の投射画素Ｐｘに応じた負極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔｃ２内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間となるステップＳ３０において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置ＤＢ３の投射画素Ｐｘに応じた負極性の信号を書き込む。ステップＳ３１において、駆動回路２０は、次のフレーム期間Ｆの期間Ｔ１が開始するまで待機する。
【００７０】
なお、出射領域Ｒ１が位置Ｄに到達する時点で、液晶プロジェクター１の動作終了指示がなされていないことを条件として、言い換えれば、ステップＳ３２の判別結果が「Ｎｏ」となることを条件として、次のフレーム期間Ｆでも同様な動作を繰り返すために、処理手順がステップＳ１に戻る。
【００７１】
以上のように、第１実施形態では、１フレーム期間Ｆを３つのフィールド期間に分割するため、１フレーム期間Ｆを４つのフィールド期間に分割する場合と比較して、液晶素子ＣＬの透過率が印加電圧に応じた値に変化するまでにかかる時間を十分に確保することができる。より詳細には、第１実施形態では、１フィールド期間の期間が約５．５ｍ秒であり、１フレーム期間Ｆを４つのフィールド期間に分割する場合には１フィールド期間の期間が約４．２ｍ秒であるため、約１．３ｍ秒長く時間を確保することができる。従って、液晶素子ＣＬは、目的とする透過率に到達しやすくなり、投射面ＳＣ上に表示される画像の品質の低下を抑制することが可能になる。
【００７２】
また、第１実施形態では、画素４０のVI方向の辺の長さが、V方向の辺の長さの０．５倍より大きく１倍未満であり、０．７５倍に近いほど好ましい。０．７５倍であると、図４に示すように、VI方向に並ぶ２個の画素４０の面積は、図４に示すように、V方向の辺の１／２の長さの正方形の画素４０、すなわち４Ｋネイティブの画素４０を、６個分並べた面積に等しくなる。一方、１フレーム期間Ｆには３つのフィールド期間があり、２個の画素４０であれば、１フレーム期間Ｆに、２×３＝６個の投射画素Ｐｘの階調に応じた信号を書き込むことが可能である。このように、第１実施形態では、画素４０のアスペクト比を０．７５倍に近づけたVI方向に並ぶ２個の画素４０と、光軸シフト素子１００とを用いることにより、４Ｋネイティブの６個の画素４０による投射画素Ｐｘと同等の投射画素Ｐｘを表示できる。
【００７３】
また、第１実施形態では、VI方向に並ぶ２個の画素４０によって、Ｘ方向に２個、Ｙ方向に３個の合計６個の投射画素Ｐｘを表示することが可能である。２個の画素４０によって６個の投射画素Ｐｘを表示できるため、擬似的に３倍の解像度を得ることができる。
【００７４】
また、第１実施形態では、位置Ａから位置Ｂ１までの最短距離は、出射領域Ｒにおける＋Ｙ方向の辺の長さより短く、位置Ｂ１から位置Ｃまでの最短距離は、出射領域Ｒにおける＋Ｘ方向の辺の長さより短い。より詳細には、図７に示すように、位置Ａから位置Ｂまでの最短距離は、ｍｙ１／２であり、出射領域Ｒにおける＋Ｙ方向の辺の長さｍｙ１より短い。同様に、位置Ｂ１から位置Ｃまでの最短距離は、ｍｘ１／２であり、＋Ｘ方向の辺の長さｍｘ１より短い。位置Ａから位置Ｂ１までの最短距離および位置Ｂ１から位置Ｃまでの最短距離が短いほど、各位置における出射領域Ｒ同士が重なり、擬似的に得られる解像度における投射画素の大きさは小さくなる。擬似的に得られる解像度における投射画素の大きさが小さくなる証拠として、図７に示すように、擬似的に得られる４Ｋ解像度と同一の解像度が得られる４Ｋネイティブの画素４０の出射領域Ｒｃは、出射領域Ｒより小さい。出射領域Ｒが出射領域Ｒｃより大きいので、第１実施形態における画素４０の形状は、４Ｋネイティブの画素４０の形状より大きい。従って、画素４０の形状を大きくすることにより、画素４０の開口率を向上でき、また、液晶素子ＣＬを透過した光のうち画素４０内部で回折されて画素４０から出射されない光の量を低減させることができる。従って、投射画素Ｐｘの明るさを向上でき、さらに、コントラストも高くすることが可能になる。
また、形状が小さい画素４０を多く有する液晶パネル１０、すなわち高精細な液晶パネル１０を製造する場合、液晶パネル１０の回路を含めて製造コストが高くなる。さらに、高精細な液晶パネル１０では、高速な信号処理も必要となる。第１実施形態では、画素４０の形状を大きくできるため、４Ｋネイティブの液晶パネル１０を製造する場合と比較して、製造コストが低くなり、高速な信号処理も不要になる。
【００７５】
また、第１実施形態では、出射領域Ｒが位置Ａから位置Ｂ１にシフトすることにかかる時間、出射領域Ｒが位置Ｂ１から位置Ｃにシフトすることにかかる時間、および出射領域Ｒが位置Ｃから位置Ａにシフトすることにかかる時間が同一であることが好ましい。各位置にシフトすることにかかる時間が大きく異なる場合、シフト後の位置に固定される時間が異なるので、固定される時間が長い位置に応じた投射画素Ｐｘが強く視認され、固定される時間が短い位置に応じた投射画素Ｐｘが弱く視認されるといった、投射画素Ｐｘによって視認される程度が均一でない画像が表示される。第１実施形態では、出射領域Ｒのシフトにかかる時間が同一であるため、投射画素Ｐｘによって視認される程度が均一な画像を表示することが可能になる。
【００７６】
また、第１実施形態では、図８に示すように、駆動回路２０は、フィールド期間内の一方のサブフィールド期間において、投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込み、他方のサブフィールド期間において前述の階調に応じた負極性の信号を書き込む。第１実施形態によれば、前述の焼き付きを抑制することが可能になる。
【００７７】
第１実施形態では、VI方向の辺の長さが、V方向の辺の長さの０．５倍より大きく１倍未満である画素４０を用いて、１フレーム期間Ｆ内に出射領域Ｒを３箇所の位置にシフトする構成であるが、これに限らない。例えば、このような画素４０以外の画素４０を用いて、１フレーム期間Ｆ内に出射領域Ｒを３箇所の位置にシフトする構成も可能である。
第２実施形態では、図１１に示されるように、VI方向に２個、V方向に２個の合計４個の画素４０を用いて、図１２に示されるように、投射面ＳＣの水平方向に３個、垂直方向に３個の合計９個の投射画素Ｐｘを表示する。
【００７８】
図１１は、４個の画素４０の位置関係を示す図である。図１１で示すように、液晶プロジェクター１は、画素４０[ｉ，ｊ]、画素４０[ｉ，ｊ＋１]、画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]および画素４０[ｉ＋１，ｊ]を用いて、投射面ＳＣに９個の投射画素Ｐｘを表示する。９個の投射画素Ｐｘは、位置Ｄ１１に応じた投射画素Ｐｘと、位置Ｄ２１に応じた投射画素Ｐｘと、位置Ｄ３１に応じた投射画素Ｐｘと、位置Ｄ１２に応じた投射画素Ｐｘと、位置Ｄ２２に応じた投射画素Ｐｘと、位置Ｄ３２に応じた投射画素Ｐｘと、位置Ｄ１３に応じた投射画素Ｐｘと、位置Ｄ２３に応じた投射画素Ｐｘと、位置Ｄ３３に応じた投射画素Ｐｘとである。
【００７９】
画素４０[ｉ，ｊ＋１]は、画素４０［ｉ，ｊ］と隣り合う。より詳細には、画素４０[ｉ，ｊ＋１]は、画素４０[ｉ，ｊ]に対して＋V方向に位置する。画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]は、画素４０[ｉ，ｊ＋１]と隣り合う。より詳細には、画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]は、画素４０[ｉ，ｊ＋１]に対して＋VI方向に位置する。画素４０[ｉ＋１，ｊ]は、画素４０［ｉ，ｊ］および画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]と隣り合う。より詳細には、画素４０[ｉ＋１，ｊ]は、画素４０［ｉ，ｊ］に対して＋VI方向に位置し、かつ、画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]に対して−V方向に位置する。画素４０[ｉ，ｊ]は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に対して−VI方向に位置する。
【００８０】
第２実施形態において、画素４０のV方向の長さおよびVI方向の長さは、６μｍである。従って、画素４０の形状は、正方形である。図１１に示す破線は、光軸シフト素子１００を利用せずに４Ｋ解像度を実現する場合の画素４０の大きさの一例を示す。光軸シフト素子１００を利用しない場合の画素４０は、一辺４μｍの正方形である。
【００８１】
図１２は、４個の画素４０によって表示される投射画素Ｐｘを示す図である。駆動回路２０の書き込みおよび光軸シフト素子１００による光軸シフトにより、投射面ＳＣには、画素４０[ｉ，ｊ]からの出射光、画素４０[ｉ，ｊ＋１]からの出射光、画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]からの出射光、画素４０[ｉ＋１，ｊ]からの出射光に基づいて、Ｘ方向に３画素分、Ｙ方向に３画素分の９個の投射画素Ｐｘが表示される。
４個の画素４０の位置関係を、光軸シフト素子１００による光軸シフトを用いて説明する。画素４０[ｉ，ｊ＋１]からの出射光の光軸は、光軸シフト素子１００によって、画素４０[ｉ，ｊ]からの出射光の光軸から＋Ｘ方向に沿うようにシフトする。画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]からの出射光の光軸は、画素４０[ｉ，ｊ＋１]からの出射光の光軸から−Ｙ方向に沿うようにシフトする。画素４０[ｉ＋１，ｊ]からの出射光の光軸は、画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]からの出射光の光軸から−Ｘ方向に沿うようにシフトする。画素４０[ｉ，ｊ]からの出射光の光軸は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]からの出射光の光軸から＋Ｙ方向に沿うようにシフトする。
なお、画素４０[ｉ，ｊ]は、第１画素の一例である。画素４０[ｉ，ｊ＋１]は、第２実施形態における第２画素の一例である。画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]は、第３画素の一例である。画素４０[ｉ＋１，ｊ]は、第４画素の一例である。＋Ｘ方向が、第２実施形態における第１方向の一例である。−Ｙ方向が、第２実施形態における第２方向の一例である。−Ｘ方向が、第２実施形態における第３方向の一例である。＋Ｙ方向が、第２実施形態における第４方向の一例である。
【００８２】
画素４０が４個あり、１フレーム期間Ｆが３つのフィールド期間を有するため、１フレーム期間Ｆには、４×３＝１２個分の投射画素Ｐｘの階調に応じた信号を書き込むことが可能である。一方で、表示される投射画素Ｐｘは９個であるため、１２−９＝３個分の投射画素Ｐｘの階調に応じた信号を余分に書き込むことが可能である。駆動回路２０は、この余分に書き込むことについて、例えば、以下に示す２つの態様がある。
【００８３】
第１の態様において、駆動回路２０は、９個の投射画素Ｐｘのうち、６個の投射画素Ｐｘの階調に応じた信号を１回ずつ書き込み、残余の３個の投射画素Ｐｘの階調に応じた信号を２回ずつ書き込む。第２の態様において、あるフィールド期間において、画像処理部１１は、映像信号Ｖinにフィルタリング処理を施して、前または後のフィールド期間と同じ投射画素Ｐｘの階調を示すようなデータ信号を生成し、駆動回路２０は、生成した情報が示す階調に応じた信号を画素４０に書き込む。以下の説明では、駆動回路２０は、第１の態様で投射画素Ｐｘの階調に応じた信号を書き込むとする。同一の信号を２回書き込むことを、以下、「ダブリング」と称する。
【００８４】
図１３は、第２実施形態における光軸シフト素子１００による光軸シフトを説明するための図である。第２実施形態では、光軸シフト素子１００によって光軸をシフトさせない場合において投射面ＳＣ上の出射領域Ｒの位置をＡと表記する場合、当該位置Ａを基準に＋Ｘ方向に、出射領域Ｒの１／２個分だけシフトさせた位置をＢ２と表記し、位置Ｂ２を基準に−Ｙ方向に、出射領域Ｒの１／２個分だけシフトさせた位置をＣと表記している。位置Ｂ２は、第２実施形態における第２位置の一例である。
【００８５】
図１４は、第２実施形態における出射領域Ｒのシフト動作を示す図である。あるフレーム期間Ｆのフィールド期間Ｔａにおいて位置Ａにシフトし、フィールド期間Ｔｂにおいて位置Ｂ２にシフトし、フィールド期間Ｔｃにおいて位置Ｃにシフトし、次のフレーム期間Ｆのフィールド期間Ｔａにおいて位置Ａにシフトする。位置Ａ、位置Ｂ２および位置Ｃは、図１４に示すように、三角形の頂点に位置する。
【００８６】
以下、第２実施形態の出射領域ＲのＸ方向の長さをｍｘ１とし、Ｙ方向の長さをｍｙ１とする。第２実施形態の画素４０のV方向およびVI方向の長さは６μｍで同一であるから、ｍｘ２：ｍｙ２は、１：１である。位置Ａから位置Ｂ２へのシフト量は、ｍｘ２／２である。位置Ｂ２から位置Ｃへのシフト量は、ｍｙ２／２である。位置Ｃから位置Ａへのシフト量は、図１４に示すｍｋ２である。ｍｋ２は、位置Ａ、位置Ｂ２および位置Ｃを頂点とする三角形が直角三角形であるため、（１）式と同様に、下記（３）式で示すことができる。
【００８７】
ｍｋ２＝（（ｍｘ２／２）２＋（ｍｙ２／２）２）０．５  （３）
【００８８】
位置Ａから位置Ｂ２へのシフト量および位置Ｂ２から位置Ｃへのシフト量は同一であるが、これらのシフト量と位置Ｃから位置Ａへのシフト量とは互いに異なる。第２実施形態においても、出射領域Ｒが位置Ａから位置Ｂ２にシフトすることにかかる時間、出射領域Ｒが位置Ｂ２から位置Ｃにシフトすることにかかる時間、および出射領域Ｒが位置Ｃから位置Ａにシフトすることにかかる時間が同一であることが好ましい。
【００８９】
図１４では、比較のため、４Ｋネイティブの画素４０から出射される光が投射面ＳＣに投射される場合の出射領域Ｒｃを、破線の矩形で示す。出射領域ＲｃのＸ方向の長さｃｘとＹ方向の長さｃｙについて、ｃｘ＝ｃｙ＝ｍｘ２×２／３＝ｍｙ２×２／３の関係が成り立つ。
【００９０】
第２実施形態においても、前述の焼き付きを抑制するため、駆動回路２０は、フィールド期間をさらに２つに分割した一方のサブフィールド期間において投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を画素４０に書き込み、他方のサブフィールド期間において投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を画素４０に書き込む。
【００９１】
次に、第２実施形態における光軸シフト素子１００の光軸シフトの動作と、画素４０[ｉ，ｊ]と画素４０[ｉ＋１，ｊ]との関係について説明する。
【００９２】
図１５は、第２実施形態における光軸シフト素子１００の光軸シフトの動作と、駆動回路２０による画素４０への書き込み動作との関係を示す図である。タイミング信号生成部１２は、光軸シフト素子駆動部１４を介して、光軸シフト素子１００による光軸シフトを制御する。詳細には、出射領域Ｒ１および出射領域Ｒ２は、期間Ｔ１が開始するまでは位置Ｃに固定され、期間Ｔ１の開始から期間Ｔ１の１／２の時間が経過するまでに、Ｋ２方向に沿って位置Ｃから位置Ａまでシフトする。出射領域Ｒ１は、画素４０[ｉ，ｊ]からの出射光による出射領域である。出射領域Ｒ２は、画素４０[ｉ，ｊ＋１]からの出射光による出射領域である。出射領域Ｒ３は、画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]からの出射光による出射領域である。出射領域Ｒ４は、画素４０[ｉ＋１，ｊ]からの出射光による出射領域である。Ｋ２方向は、＋Ｙ方向を反時計回りにθ２回転した角度である。θ２は、下記（４）式で示される。
【００９３】
θ２＝ａｒｃｔａｎ（出射領域ＲのＸ方向の長さ／出射領域ＲのＹ方向の長さ）  （４）
【００９４】
第２実施形態では、画素４０のV方向およびVI方向の長さは６μｍであるから、出射領域ＲのＸ方向の長さ：出射領域ＲのＹ方向の長さは１：１である。従って、（４）式により、θ２は４５度である。
【００９５】
図１５に示すように、フレーム期間Ｆ[ｋ]のサブフィールド期間Ｔａ１内のｉ番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置Ｄ１１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込むとともに、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置Ｄ２１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔａ１内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]に、位置Ｄ２３に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込むとともに、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置Ｄ１３に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込む。
【００９６】
フレーム期間Ｆ[ｋ]におけるサブフィールド期間Ｔａ２内のｉ番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置Ｄ１１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込むとともに、画素４０[ｉ，ｊ＋１]に、位置Ｄ２１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込む。続けて、フレーム期間Ｆ[ｋ]におけるサブフィールド期間Ｔａ２内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]に、位置Ｄ２３に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込むとともに、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置Ｄ１３に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込む。
【００９７】
出射領域Ｒ１、出射領域Ｒ２、出射領域Ｒ３、および出射領域Ｒ４は、期間Ｔ３が開始するまでは位置Ａに固定され、期間Ｔ３の開始から期間Ｔ３の１／２の時間が経過するまでに、位置Ａから位置Ｂ２までシフトする。サブフィールド期間Ｔｂ１内のｉ番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置Ｄ１１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込むとともに、画素４０[ｉ，ｊ＋１]に、位置Ｄ３１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔｂ１内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]に、位置Ｄ３２に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込むとともに、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置Ｄ１２に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込む。
【００９８】
フレーム期間Ｆ[ｋ]におけるサブフィールド期間Ｔｂ２内のｉ番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置Ｄ１１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込むとともに、画素４０[ｉ，ｊ＋１]に、位置Ｄ３１に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込む。続けて、フレーム期間Ｆ[ｋ]におけるサブフィールド期間Ｔｂ２内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]に、位置Ｄ３２に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込むとともに、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置Ｄ１２に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込む。
【００９９】
出射領域Ｒ１、出射領域Ｒ２、出射領域Ｒ３、および出射領域Ｒ４は、期間Ｔ５が開始するまでは位置Ｂ２に固定され、期間Ｔ５の開始から期間Ｔ５の１／２の時間が経過するまでに、位置Ｂ２から位置Ｃまでシフトする。サブフィールド期間Ｔｃ１内のｉ番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置Ｄ２２に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込むとともに、画素４０[ｉ，ｊ＋１]に、位置Ｄ３２に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込む。続けて、サブフィールド期間Ｔｃ１内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]に、位置Ｄ３３に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込むとともに、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置Ｄ２３に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた正極性の信号を書き込む。
【０１００】
フレーム期間Ｆ[ｋ]におけるサブフィールド期間Ｔｃ２内のｉ番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ，ｊ]に、位置Ｄ２２に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込むとともに、画素４０[ｉ，ｊ＋１]に、位置Ｄ３２に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込む。続けて、フレーム期間Ｆ[ｋ]におけるサブフィールド期間Ｔｃ２内のｉ＋１番目の走査線３２が選択される期間において、駆動回路２０は、画素４０[ｉ＋１，ｊ＋１]に、位置Ｄ３３に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込むとともに、画素４０[ｉ＋１，ｊ]に、位置Ｄ２３に応じた投射画素Ｐｘの階調に応じた負極性の信号を書き込む。
【０１０１】
出射領域Ｒ１、出射領域Ｒ２、出射領域Ｒ３、および出射領域Ｒ４は、フレーム期間Ｆ[ｋ＋１]の期間Ｔ１が開始するまでは位置Ｃに固定され、前述の期間Ｔ１の開始から期間Ｔ１の１／２の時間が経過するまでに、位置Ｃから位置Ａまでシフトする。
【０１０２】
図１５の投射面ＳＣが示すように、位置Ｄ１１における投射画素Ｐｘの範囲と、位置Ａに固定された出射領域Ｒ１の範囲とは一致しない。従って、第１実施形態と同様に、投射面ＳＣ上で表示される画像は歪む。しかしながら、この歪みは、投射面ＳＣ上において、人間の目では、この歪みによる差を視認できないほど細かい違いとなるため、画像を表示する上で支障はない。
第１実施形態と同様に、第２実施形態でも、投射面ＳＣ上に表示される画像の形状が歪むため、この形状は、映像信号Ｖinが示す画像の形状と必ずしも一致しない。しかしながら、投射面ＳＣ上に表示される画像には、映像信号Ｖinが有する情報全てが含まれており、失われる情報がない。
【０１０３】
以上、第２実施形態によれば、図１１に示す４個の画素４０を用いて、Ｘ方向に３個、Ｙ方向に３個の合計９個の投射画素Ｐｘを表示することが可能になる。４個の画素４０で、９個の投射画素Ｐｘを表示することができるため、擬似的に２．２５倍の解像度を得ることができる。
【０１０４】
図１６は、図１５においてダブリングする投射画素を示す図である。図１６に示すように、ダブリングする投射画素は、位置Ｄ１１、位置Ｄ３２、および位置Ｄ２３に応じた投射画素Ｐｘである。ダブリングする投射画素Ｐｘは、これら３つの投射画素Ｐｘに限らない。駆動回路２０は、少なくとも、次に示す第１条件、第２条件、第３条件、および第４条件を充足するように、ダブリングする投射画素を設定すればよい。
第１条件は、駆動回路２０が、出射領域Ｒが位置Ａにシフトされる場合、図１１に示す４個の画素４０に、図１２に示す９個の投射画素Ｐｘのうち互いに異なる投射画素Ｐｘの階調に応じた信号をそれぞれ書き込むことである。第２条件は、駆動回路２０が、出射領域Ｒが位置Ｂ２にシフトされる場合、前述の４個の画素４０に、前述の９個の投射画素Ｐｘのうち互いに異なる投射画素Ｐｘの階調に応じた信号をそれぞれ書き込むことである。第３条件は、駆動回路２０が、出射領域Ｒが位置Ｃにシフトされる場合、前述の画素４０に、前述の９個の画素のうち互いに異なる画素の階調に応じた信号を、それぞれ書き込むことである。第４条件は、前述の９個の投射画素Ｐｘの各々の階調に応じた信号が、１フレーム期間Ｆの間に、１回以上書き込まれることである。
【０１０５】
ダブリングする投射画素は、ダブリングしない投射画素と比較してより強く視認される。従って、ダブリングする投射画素は、投射面ＳＣ内の平面空間的に、または時間的に分散されて設定されることが好ましい。ダブリングする投射画素が分散されて設定されることにより、ダブリングする投射画素が偏って設定される場合と比較して、各投射画素Ｐｘの視認される程度が均一な画像を表示することが可能になる。
上述の第１条件、第２条件、第３条件、および第４条件を充足し、かつダブリングする投射画素を分散する例として、以下に示す３つの態様がある。
【０１０６】
ダブリングする投射画素の第１の態様は、ダブリングする投射画素を投射面ＳＣ内の平面空間的に分散して設定する態様である。ダブリングする投射画素の第１の態様において、１フレーム期間Ｆの間に、前述の９個の投射画素Ｐｘのうち＋Ｘ方向に沿う第１列に含まれる１つの投射画素Ｐｘと、第２列に含まれる１つの投射画素Ｐｘと、第３列に含まれる１つの投射画素Ｐｘとがダブリングし、かつ、前述の９個の投射画素Ｐｘのうち−Ｙ方向に沿う第４列に含まれる１つの投射画素Ｐｘと、第５列に含まれる１つの投射画素Ｐｘと、第６列に含まれる１つの投射画素Ｐｘとがダブリングする。＋Ｘ方向に沿う第１列は、位置Ｄ１１、位置Ｄ２１、および位置Ｄ３１に応じた投射画素Ｐｘの列である。＋Ｘ方向に沿う第２列は、位置Ｄ１２、位置Ｄ２２、および位置Ｄ３２に応じた投射画素Ｐｘの列である。＋Ｘ方向に沿う第３列は、位置Ｄ１３、位置Ｄ２３、および位置Ｄ３３に応じた投射画素Ｐｘの列である。−Ｙ方向に沿う第４列は、位置Ｄ１１、位置Ｄ１２、および位置Ｄ１３に応じた投射画素Ｐｘの列である。−Ｙ方向に沿う第５列は、位置Ｄ２１、位置Ｄ２２、および位置Ｄ２３に応じた投射画素Ｐｘの列である。−Ｙ方向に沿う第６列は、位置Ｄ３１、位置Ｄ３２、および位置Ｄ３３に応じた投射画素Ｐｘの列である。例えば、図１６に示すダブリングする投射画素は、ダブリングする投射画素の第１の態様の一例である。
【０１０７】
図１７は、ダブリングする投射画素の第１の態様の他の例を示す図である。図１７に示すように、ダブリングする投射画素は、Ｋ２方向に沿った位置Ｄ１１、位置Ｄ２２、および位置Ｄ３３に応じた投射画素Ｐｘでもよい。
【０１０８】
ダブリングする投射画素の第１の態様によれば、ダブリングする投射画素の第１の態様でない場合と比較して、＋Ｘ方向および−Ｙ方向に沿う各列について、視認される程度が均一な画像を表示することが可能になる。ダブリングする投射画素の第１の態様でないと＋Ｘ方向および−Ｙ方向に沿う各列について視認される程度が不均一になる理由は、例えば、＋Ｘ方向に沿う第１列にダブリングする投射画素がなく、＋Ｘ方向に沿う第２列にダブリングする投射画素が２個ある場合、＋Ｘ方向に沿う第２列が強く認識されてしまうためである。
【０１０９】
ダブリングする投射画素の第２の態様は、ダブリングする投射画素を時間的に分散して設定する態様である。ダブリングする投射画素の第２の態様において、あるフレーム期間Ｆの間にダブリングする３個の投射画素Ｐｘの位置と、次のフレーム期間Ｆの間にダブリングする３個の投射画素Ｐｘの位置とが、一部または全部異なる。あるフレーム期間Ｆの間にダブリングする３個の投射画素Ｐｘの位置と、次のフレーム期間Ｆの間にダブリングする３個の投射画素Ｐｘの位置とが異なる程好ましく、全て異なることがより好ましい。
【０１１０】
ダブリングする投射画素の第２の態様によれば、ダブリングする投射画素の第２の態様でない場合と比較して、液晶プロジェクター１が表示する画像を複数のフレームにわたってユーザーが見る場合に、各投射画素Ｐｘの視認される程度が均一な画像を表示することが可能になる。ダブリングする投射画素の第２の態様でないと各投射画素Ｐｘの視認される程度が不均一になる理由は、あるフレーム期間Ｆのダブリングする３個の投射画素Ｐｘの位置と、次のフレーム期間Ｆの間にダブリングする３個の投射画素Ｐｘの位置とが同一である場合、この位置における投射画素Ｐｘが強く認識されてしまうためである。
【０１１１】
ダブリングする投射画素の第３の態様は、ダブリングする投射画素の第１の態様と第２の態様との組み合わせである。ダブリングする投射画素の第３の態様として、例えば、駆動回路２０は、あるフレーム期間Ｆの間に、図１６に示す３個の投射画素Ｐｘをダブリングさせ、次のフレーム期間Ｆの間に、図１７に示す３個の投射画素Ｐｘをダブリングさせる。
【０１１２】
また、第２実施形態では、位置Ａから位置Ｂ２までの最短距離は、出射領域Ｒにおける＋Ｘ方向の辺の長さより短く、位置Ｂ２から位置Ｃまでの最短距離は、出射領域Ｒにおける−Ｙ方向の辺の長さより短い。より詳細には、図１４に示すように、位置Ａから位置Ｂ２までの最短距離は、ｍｘ２／２であり、出射領域Ｒにおける＋Ｘ方向の辺の長さｍｘ２より短い。同様に、位置Ｂ２から位置Ｃまでの最短距離は、ｍｙ／２であり、出射領域Ｒにおける−Ｙ方向の辺の長さｍｙ２より短い。
第１実施形態と同様に、第２実施形態における画素４０の形状は、４Ｋネイティブの画素４０の形状より大きい。従って、画素４０の形状を大きくすることにより、投射画素Ｐｘの明るさを向上でき、さらに、コントラストも高くすることが可能になる。
【０１１３】
なお、第１実施形態では、図８において、１行目の走査線３２が選択されると同時に、光軸シフト素子１００による光軸シフトが開始するが、これに限らない。例えば、Ｍ／２行目の走査線３２が選択されると同時に、または、Ｍ行目の走査線３２が選択されると同時に光軸シフト素子１００による光軸シフトが開始してもよい。第２実施形態も、第１実施形態と同様である。
【０１１４】
なお、上述の各形態は、電気光学装置の駆動方法としても特定できる。
【符号の説明】
【０１１５】
１…液晶プロジェクター、１０Ｂ…液晶パネル、１０Ｇ…液晶パネル、１０Ｒ…液晶パネル、１４…光軸シフト素子駆動部、２０…駆動回路、４０…画素、Ａ…位置、Ｂ１…位置、Ｂ２…位置、Ｃ…位置、Ｆ…フレーム期間、Ｒ…出射領域、Ｐｘ…投射画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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