(57)【要約】      （修正有）【課題】Ｘ線後方散乱ディテクタによって生成された撮像信号から解読し得る撮像特性が著しく改善された非破壊Ｘ線後方散乱検査装置を提供する。【解決手段】非破壊Ｘ線後方散乱検査装置１０は、Ｘ線ビーム１３が少なくとも部分的にターゲット１８の表面を透過するように構成されているＸ線放射源１３、Ｘ線放射源１３によって発せられたＸ線放射の一部を使用してＸ線ビーム１３を形成するように構成されているコリメータ１４、及びフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０であって、Ｘ線ビーム１３がターゲット１８に遭遇したことに反応して形成されたＸ線後方散乱を検出するように構成されたフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０を備える。フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０は、シンチレーションジェットプリントインクを含むシンチレーション材料層を含み、変形可能である。【選択図】図１Ａ
2020204608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットを非破壊的に検査するための方法（１００）（２００）であって、
非破壊Ｘ線後方散乱検査装置（１０）（３０）をターゲット（１８）（３８）の近傍に位置付けすること（１０２）であって、前記ターゲットが、ターゲット表面（１８ａ）（３８ａ）を有し、前記ターゲット表面が、ターゲット表面形状を有し、当該非破壊Ｘ線後方散乱検査装置が、
Ｘ線ビーム（１３）（３３）を発するように構成されたＸ線放射源（１２）（３２）であって、前記Ｘ線ビーム（１３）（３３）が、少なくとも部分的に前記ターゲット表面を透過するように構成されている、Ｘ線放射源（１２）（３２）、
前記Ｘ線放射源と通信するコリメータ（１４）（３４）であって、前記Ｘ線放射源によって発せられたＸ線放射の一部を使用してビームを形成するように構成されている、コリメータ（１４）（３４）、及び
フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ（２０）（４０）であって、当該フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタは、前記ビームが前記ターゲットに遭遇したことに反応して形成されたＸ線後方散乱を検出するように構成され、当該フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタが、
フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板（２０ａ）（４０ａ）と、
Ｘ線シンチレーション材料（２２）（４２）の少なくとも１つの層であって、当該Ｘ線シンチレーション材料の層が、前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板を実質的に覆うように構成されている、Ｘ線シンチレーション材料（２２）（４２）の少なくとも１つの層と
を備えているフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ（２０）（４０）
を備えている、非破壊Ｘ線後方散乱検査装置（１０）（３０）をターゲット（１８）（３８）の近傍に位置付けすること（１０２）と、
前記Ｘ線後方散乱ディテクタを所定のディテクタ形状に配向すること（１０４）であって、前記所定の形状が、前記ターゲット表面形状に実質的に近似する、前記Ｘ線後方散乱ディテクタを所定のディテクタ形状に配向すること（１０４）と、
Ｘ線ビームを前記ターゲットに向けて発すること（１０６）と、
前記Ｘ線ビームを走査すること（１０８）と
を含む方法（１００）（２００）。
【請求項２】
前記Ｘ線シンチレーション材料上のＸ線後方散乱を間接的に検出すること（１１０）をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｘ線シンチレーション材料上で検出されたＸ線後方散乱に反応して、画像データを生成すること（１１２）と、
前記画像データを使用して、ターゲット画像を形成すること（１１６）と、
前記ターゲットを非破壊的に検査すること（１１８）と
を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタを前記所定の形状に配向することが、
前記ターゲットから前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタに戻り、前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタに衝突するＸ線後方散乱の量を最大化するために、前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタの焦点を合わること（１０５）をさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタを前記所定の形状に配向することが、
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタの長さにわたって、前記シンチレーション材料の層と前記ターゲット表面との間に実質的に一定の距離を確立することと、
Ｘ線走査の間、前記実質的に一定の距離を維持することと
をさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ（２０）（４０）であって、
フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板（２０ａ）（４０ａ）、及び
Ｘ線シンチレーション材料の少なくとも１つの層（２２）（４２）であって、当該Ｘ線シンチレーション材料の層が、前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板の少なくとも１つの表面を実質的に覆うように構成されている、Ｘ線シンチレーション材料の少なくとも１つの層（２２）（４２）
を備えている、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ（２０）（４０）。
【請求項７】
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板が、単体のフレキシブル基板を含む、請求項６に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【請求項８】
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板が、フレキシブル基板材料を含み、前記フレキシブル基板材料が、有機炭素含有材料を含む、請求項６又は７に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【請求項９】
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板が、炭素系シロキサン材料、ポリエチレンナフタレート、ポリー４ービニルフェノール、及びこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つを含む、請求項６から８のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【請求項１０】
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板が、約５０ｎｍから約１００ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項６から９のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【請求項１１】
前記Ｘ線シンチレーション材料の少なくとも１つの層が、ユーロピウムでドープされた酸化ガドリニウム、オキシ硫酸ガドリニウム、ヨウ化セシウム、及びタングステン酸カルシウム、並びにこれらの組み合わせを含む、請求項６から１０のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【請求項１２】
前記Ｘ線シンチレーション材料の層が、約２００ｎｍから約５００ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項６から１１のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【請求項１３】
前記Ｘ線シンチレーション材料の少なくとも１つ層が、前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板上に堆積されるように構成されている、請求項６から１２のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【請求項１４】
前記Ｘ線シンチレーション材料の少なくとも１つ層が、プリント可能なシンチレーションインクジェットプリンタインクを含む、請求項６から１３のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【請求項１５】
前記Ｘ線後方散乱ディテクタが、Ｘ線後方散乱ディテクタ形状を含み、前記Ｘ線後方散乱ディテクタ形状が、ターゲット表面形状に実質的に適合するように構成され、前記ターゲット表面形状が、非平面ターゲット表面形状である、請求項６から１４のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、概して、非破壊検査のシステム及び方法を含む検査のシステム及び方法の分野に関連する。より具体的には、本開示の態様は、Ｘ線後方散乱検出のシステム及び方法を使用して、物体からＸ線を間接的に検出するための方法、装置、及びシステムに関連する。
【背景技術】
【０００２】
基板を評価する非破壊検査システムは、産業界において有用性が見い出されてきた。例えば、定期的な保守及び検査を要する様々な構成要素及び基板材料へのアクセスは、かなりの労力を費やさない限り、又は部分的若しくは完全に構成要素若しくは基板材料を破壊しない限り、困難な場合がある。
【０００３】
Ｘ線は、電磁放射線を形成し、通常、０．０１から１０ナノメートルの波長を有し、これは、３０ペタヘルツから３０エクサヘルツ（３×１０１６Ｈｚから３×１０１９Ｈｚ）の範囲の周波数、及び１００ｅｖから１００ｋｅＶの範囲のエネルギーに対応する。Ｘ線後方散乱システムは、ターゲット物体を検出するためにＸ線の間接検出を使用する一種のＸ線撮像システムである。Ｘ線後方散乱システムは、通常、Ｘ線管、コリメータ、及びディテクタを備える。Ｘ線管は、Ｘ線を生成し、放射する。コリメータは、特定の方向に対してほぼ平行に移動するＸ線の一部を使用して、Ｘ線をフィルタ処理して、Ｘ線ビームを形成する。
【０００４】
Ｘ線ビームがターゲット物体に遭遇すると、ターゲット物体によって、Ｘ線ビームにおける幾つかの又は全てのＸ線が様々な方向に散乱する。具体的には、Ｘ線は、ターゲット物体の表面及び／又はターゲット物体の表面下から散乱し得る。散乱したＸ線は、後方散乱と呼ばれる。後方散乱がディテクタに衝突すると、検出されたＸ線後方散乱を使用して、検査対象のターゲット物体の画像データを生成することができる。例えば、Ｘ線ビームが特定のターゲット物体の表面又は内部の特定の位置に方向付けられたときに検出された後方散乱を使用して、当該ターゲット物体の表面又は内部の特定の位置に対応する画像のピクセルの強度値を生成することができる。非破壊材料評価のためにＸ線を使用することにより、検査対象の部品、構成要素、基板等を破壊せずに検査することが可能になる。
【発明の概要】
【０００５】
一態様によれば、装置が開示されており、当該装置は、Ｘ線ビームを発するように構成されたＸ線放射源であって、Ｘ線が、少なくとも部分的にターゲットを透過するように構成された、Ｘ線放射源、及びＸ線放射源と通信するコリメータであって、当該コリメータが、Ｘ線放射源によって発せられたＸ線放射の少なくとも一部を使用してビームを形成するように構成され、Ｘ線ビームが、ターゲットに方向付けられる、コリメータを含む。当該装置は、Ｘ線後方散乱ディテクタをさらに含み、Ｘ線後方散乱ディテクタは、ビームがターゲットに遭遇したことに反応して形成されたＸ線後方散乱を検出するように構成されている。Ｘ線後方散乱ディテクタは、フレキシブル基板、及びＸ線シンチレーション材料の少なくとも１つの層を含み、Ｘ線シンチレーション材料の層は、フレキシブル基板を実質的に覆うように構成されている。
【０００６】
別の態様によれば、ターゲットは、ターゲット表面を備え、ターゲット表面は、ターゲット表面形状を備え、Ｘ線後方散乱ディテクタは、凹状輪郭、凸状輪郭、不規則輪郭、及びその他のターゲット形状を含むターゲット表面形状に適合可能である。
【０００７】
別の態様によれば、Ｘ線後方散乱ディテクタが開示されており、Ｘ線後方散乱ディテクタは、フレキシブル基板を含み、Ｘ線シンチレーション材料の少なくとも１つの層は、単体のフレキシブル基板であるフレキシブル基板を実質的に覆うように構成されている。
【０００８】
別の態様では、本出願は方法を開示しており、当該方法は、ターゲット表面を有するターゲットを特定することと、Ｘ線後方散乱装置をターゲットの近傍に位置付けすることとを含む。Ｘ線後方散乱装置は、Ｘ線放射源、コリメータ、Ｘ線後方散乱ディテクタ、フレキシブル基板、及びＸ線シンチレーション材料の少なくとも１つの層を含み、シンチレーション材料は、フレキシブル基板を実質的に覆うように構成されている。当該方法は、Ｘ線後方散乱ディテクタを所定の形状に配向することであって、所定の形状が、ターゲット表面形状に実質的に近似する、Ｘ線後方散乱ディテクタを所定の形状に配向することと、Ｘ線ビームをターゲットに向けて発することとをさらに含む。
【０００９】
さらなる態様によれば、開示された方法は、Ｘ線シンチレーション材料上のＸ線後方散乱を検出することをさらに含む。
【００１０】
さらなる態様によれば、開示された方法は、検出されたＸ線後方散乱に反応して、画像データを生成することと、画像データを使用して、ターゲット画像を形成することと、ターゲットを非破壊的に検査することとをさらに含む。
【００１１】
別の態様では、Ｘ線後方散乱ディテクタは、Ｘ線ビームを発するように構成されたＸ線放射源であって、Ｘ線が、少なくとも部分的にターゲットを透過するように構成されている、Ｘ線放射源、Ｘ線放射源と通信するコリメータであって、Ｘ線放射源によって発せられたＸ線放射の一部を使用してビームを形成するように構成されている、コリメータ、及びビームがターゲットに遭遇したことに反応して形成されたＸ線後方散乱を検出するように構成されたＸ線後方散乱ディテクタを含む。Ｘ線後方散乱ディテクタは、フレキシブル基板、及びＸ線シンチレーション材料の少なくとも１つの層を含み、Ｘ線シンチレーション材料の層は、フレキシブル基板を実質的に覆うように構成されている。
【００１２】
上述の特徴、機能、及び利点は、様々な態様において単独で実現することができ、又は、さらに別の態様において組み合わせることができるが、これらのさらなる詳細は、以下の説明及び添付図面を参照することによって確認することができる。
【００１３】
本開示の変形例について一般的な用語で説明してきたが、これから添付の図面をこれから参照する。これらは必ずしも縮尺通りに描かれている訳ではない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】本態様に係るＸ線後方散乱システムの俯瞰図又は上面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示したＸ線後方散乱システムの拡大図であり、ディテクタとターゲット表面との間の実質的に一定の距離「ｄ」を示す。
【図２Ａ】本態様に係る、図示されたＸ線後方散乱システムの斜視側面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示された、本態様に係るＸ線後方散乱システムの俯瞰図又は上面図である。
【図２Ｃ】ターゲットのＸ線画像である。
【図２Ｄ】ターゲットのＸ線画像である。
【図３】本態様に係る工程を概説するフロー図である。
【図４】本態様に係るさらなる工程を概説するフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
Ｘ線後方散乱分析は、Ｘ線撮像の一種である。Ｘ線撮像は、評価者が、Ｘ線を使用して、Ｘ線ビームを物体に方向付けし、Ｘ線がターゲット物体から「後方散乱」として散乱するにつれて、Ｘ線後方散乱を検出装置の読取り値として間接的に収集することにより、物体を間接的に検査することを可能にする。収集されたＸ線後方散乱から生成された信号が適切なソフトウェアを介して解読されると、Ｘ線後方散乱技法は、例えば、欠陥を検出するか、又は、ターゲット物体領域（ターゲット物体表面及び／若しくはターゲット物体表面下など）を特徴付けるために、ターゲット−物体のある領域の視認可能な画像を生成することができる。ターゲット物体の形状によっては、Ｘ線後方散乱システムは、ターゲット物体の特徴を判定するのに適切な解像度を有しない場合がある。例えば、Ｘ線ディテクタによって生成され、Ｘ線撮像システムに送信される信号から生成された画像は、ターゲット物体の検査失敗させ得る特定サイズの異常を確実に検出することを可能にする所望のコントラストをもたらさない場合がある（例えば、画像が、十分に鮮明でなく、十分に明瞭ではない場合がある）。さらに、典型的なＸ線後方散乱システムは、通常、大型であり、扱いにくく、物体からＸ線後方散乱を収集するために典型的に平面形状に対して固定焦点を有する据え置き型ディテクタを使用する。
【００１６】
典型的なＸ線後方散乱プロトコルでは、ターゲット物体の表面又は内部の種々の位置に対して画像データを生成することができるように、Ｘ線ビームを、ターゲット物体に対して選択されたパターン（例えば、ラスターパターン）で移動させることができる。次いで、画像データは、Ｘ線後方散乱システムによって検査されたターゲット物体に局所に存在する不整合、異常、欠陥等を判定するために解読できる１つ又は複数の画像を形成し得る。
【００１７】
例えば、特にターゲット物体表面が平面以外の形状を有する場合、Ｘ線後方散乱ディテクタの典型的な平面形状は、Ｘ線後方散乱検査体制が達成することが可能なコントラスト及び全体的な有用性を制限する恐れがある。非平面ターゲット表面からの再方向付けされたＸ線は、入射角が変動するので、平面状のＸ線ディテクタによって受信するＸ線後方散乱の量では、必要な量の反射Ｘ線を補足して、有用な画像データを生成することに失敗することが多く、結果的に、画像の細部（例えば、画像の鮮明さや画像のコントラストなどを含む）が欠けることになる。
【００１８】
本出願の態様は、ターゲット物体を非破壊的に検査するためのＸ線後方散乱検出システムを開示する。Ｘ線後方散乱ディテクタは、実質的に連続的（例えば、単体）であり、非常に常にフレキシブルで、かつ非常に薄いフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板を含む。当該基板は、堆積されかつ実質的に連続的なシンチレーション層を含む。シンチレーション層は、フレキシブル基板を覆い、非常にフレキシブルなＸ線後方散乱ディテクタを形成する。Ｘ線後方散乱ディテクタは、ターゲット形状に適合するように配向され、ターゲット形状に適合する形状に維持され得る。ここでは、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタと「フレキシブルディテクタ」は、同等にかつ交換可能に使用される。
【００１９】
さらなる態様によれば、本開示の装置、システム、及び方法は、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタを組み込む。フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタを、ターゲット物体のプロファイルに近似する形状に配向したり、又はさもなければ補正したりすることができる。このフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタは、増量した散乱Ｘ線を捕捉し、本開示のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタを覆うシンチレーション材料（ｓｃｉｎｔｉｌｌａｔｉｎｇ  ｍａｔｅｒｉａｌ）（発光材料）によって生成された撮像信号から解読し得る撮像特性を著しく改善することを目的として、焦点を合わせることが可能である。
【００２０】
本開示で使用される「フレキシブル」という用語は、「剛性」とは反対の状態のことを指し、フレキシブル基板が、破断や亀裂等がなく、その上のコーティングが堆積された基板表面から剥離、亀裂、離層することのない状態で、平面配向から変形して、任意の実際的な形又は形状に成形かつ配向され得る状態のことを指す。本開示によれば、フレキシブルＸ線ディテクタ基板は、連続的（例えば、１つの連続片、又は単体構成）である。
【００２１】
シンチレーション材料を含むシンチレーション層は、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタに堆積されるか、又はさもなければ組み込まれる。シンチレーション材料は、後方散乱したＸ線を吸収し、Ｘ線放射を可視光に変換する。可視光に対して感応性の、ディテクタ内に存在する受光素子は、シンチレータからの光を視覚画像として解読される電気信号に変換する。フレキシブルシンチレーションコーティングは、例えば、シンチレーション材料の少なくとも１つの薄い連続層又は層であり得る。本開示の一態様によると、シンチレーション層は、例えば、インクジェット印刷などの付加製造工程によって、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタにプリントされ得る。
【００２２】
単体のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板は、諸材料から作製され、Ｘ線後方散乱ディテクタが非常にフレキシブルであるように寸法形成される。また、シンチレーション材料層を含むＸ線後方散乱ディテクタ基板は、ターゲット物体表面を非限定的に含むターゲット物体の形状を補完し、当該形状に近似し、及び／又は当該形状に適合する所望の非平面形状に配向されかつさもなければ成形され得る程度に寸法形成される。ターゲット形状は、例えば、凹状形状、凸状形状、不規則形状、複雑な非平面形状、及びこれらの組み合わせ等のうちの１つ又は複数を含み得る。
【００２３】
本態様によれば、シンチレーション材料の連続的な薄い層を含む、本開示の、非常に薄く、フレキシブルであり好ましくは単体のディテクタ基板から利益を得るＸ線後方散乱の装置、システム、及び方法が開示され、シンチレーション材料は、フレキシブルディテクタ基板の少なくとも１つの表面を実質的に覆う。フレキシブルディテクタ基板及びシンチレーション材料層を含む本開示のＸ線後方散乱ディクタは、好ましくは約５０μｍから約１００μｍの範囲の総厚のフレキシブルディテクタとして選択され、作製される。
【００２４】
本態様によれば、Ｘ線後方散乱技法、並びに本開示の方法、装置、及びシステムの使用により可能になったＸ線後方散乱撮像の解像度及びコントラストは、本開示の非常にフレキシブルで、適合可能で、単体の、連続的なＸ線後方散乱ディテクタを使用することにより著しく改善される。このＸ線後方散乱ディテクタは、ターゲット表面の形状に近似するかつ／又は実質的に適合する所望の形状に成形かつ維持することができる。本明細書に開示された方法、システム、及び装置は、非破壊的な間接Ｘ線検査技法（例えば、非平面である又は非平面ターゲット形状を含むターゲットを評価するためのＸ線後方散乱技法）を大きく改善する。ここで使用されているように、「非平面」表面に関連する「非平面」という用語は、単一面内に全体が置かれない又は単一面内に閉じ込められない一領域を少なくとも有する表面として定義される。本態様によれば、このような非平面ターゲット及びターゲット表面は、非限定的に、凹状形状、凸状形状、不規則形状、複雑な輪郭を含む形状、その他の複雑な形状、及びこれらの組み合わせを含む形状をさらに含む。
【００２５】
本態様によれば、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板は、例えば、ポリエチレンナフタレート、ポリー４ービニルフェノール、及びこれらの組み合わせを含む有機炭素含有材料などの材料から作製され得る。
【００２６】
本態様によれば、シンチレーション材料をフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板に堆積して、約２００ｎｍから約５０μｍの範囲の平均厚さを有するシンチレーション材料層を実現することができる。さらに、例えば、インクジェットプリント方法を含む、薄い膜を堆積するための付加製造方法を通して、シンチレーション材料層を薄いフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板に堆積することができる。シンチレーション材料をフレキシブル基板に堆積するためにインクジェットプリント方法が使用されるとき、シンチレーション材料は、シンチレーションインクジェットプリンタ用インクの形態でインクジェットプリンタに供給される。インクジェットプリンタ用インクとして組成され得る任意のシンチレーション材料を使用して、シンチレーション層を作製することができる。特に好適なシンチレーション材料層には、ユーロピウムでドープされた酸化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ３＋）、オキシ硫酸ガドリニウム（ＧｄＯＳ）、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）、及びタングステン酸カルシウム（ＣａＷＯ４）に基づく、インクケットプリンタによって堆積又はプリントされた組成が含まれ得る。
【００２７】
本開示の態様は、図１Ａに例示されている。図１Ａに示すように、非破壊Ｘ線後方散乱検査システム１０は、コリメータ１４の内部に位置付けされた（例えば、Ｘ線管の形態をとり得る）Ｘ線放射源１２を備えており、コリメータ１４は、開口１６を有する。動作中、（例えば、Ｘ線管であり得る）Ｘ線放射源１２からＸ線１３が発せられると、コリメータ１４は、開口１６が位置を変更して発せられたＸ線１３をターゲット１８の種々の位置に方向付けるように回転し、ラスタースキャンに近い仕事を行うか、又はラスタースキャンを達成する。散乱したＸ線１３ａは、ターゲット表面１８ａを有するターゲット１８から回帰し、次いで、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板２０ａを含むフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０に衝突する。Ｘ線後方散乱ディテクタ基板２０ａには、少なくとも１つのシンチレーション材料層２２が堆積されている。図１Ａに示すように、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０は、ターゲット１８の非平面形状に近似するかつ／又は実質的に適合する非平面形状を有する。フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０は、後方散乱したＸ線１３ａを受信するシンチレーション材料の層（ここでは等価的にシンチレーション材料層と呼ばれる）２２を含む。図１Ａに示すように、図示のＸ線後方散乱ディテクタ２０は非平面であり、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０は、コンピュータ撮像システム２４と通信している。散乱したＸ線１３ａがフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０に衝突することにより、例えば、ディテクタ２０からコンピュータ撮像システム２４に送信された画像データ信号２３の形態で画像データが生成され、コンピュータ撮像システム２４は、ターゲット１８の領域を非破壊的に視認かつ／又は検査する目的で、画像データ信号２３をターゲット画像２６に変換する。
【００２８】
平面状のディテクタに比べて、本態様によれば、非平面状のディテクタを組み込むと、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０のシンチレーション材料層２２に入射する後方散乱Ｘ線１３ａのランダム性が減少し、ディテクタ２０からコンピュータ撮像システム２４へと送信された画像データ信号２３から生成されるターゲット画像２６の正確性、明瞭性、コントラスト等が向上する。言い換えると、任意の特定の理論に縛られるわけではないが、フレキシブルであり、かつターゲット形状に近似するよう成形され得る非平面状Ｘ線後方散乱ディテクタを使用して、約９０°の垂直角度からの入射後方散乱角度の変動範囲を狭めることにより、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０からコンピュータ撮像システム２４へと送信された画像データ信号２３から生成されたターゲット画像２６の正確性、明瞭性、コントラスト等が著しく改善される。
【００２９】
図１Ａにさらに示すように、シンチレーション材料２２の層を含むフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０は、ターゲット１８のターゲット外表面１８ａの非平面形状の実質的に近似する又はさもなければ実質的に適合する非平面形状へと形成されている。必ずしも図１Ａに示されていないが、ターゲットの表面下又は内表面領域が画像化される場合、シンチレーション材料層を含むディテクタは、画像化されているターゲットの表面下又は内表面領域の形状に実質的に近似する又はさもなければ実質的に適合する所望の形状へと形成され得る。
【００３０】
図１Ｂは、図１Ａに示すフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０の拡大領域２１である。図１Ｂに示すように、領域２１は、ターゲット１８のターゲット表面１８ａから「ｄ」と規定された距離で、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０のシンチレーション層２２が配向（例えば、位置付け）されていることをより明瞭に示す。本態様によれば、図１Ｂに示すように、距離「ｄ」は、ターゲット１８に対するフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０の長さ及び領域にわたって実質的に一定である。別の態様では、距離「ｄ」は、本開示の装置、システム、及び方法を使用する非破壊検査の期間にわたって、ターゲット１８に対するフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ２０の長さ及び領域にわたって実質的に一定であるように維持される。つまり、本態様によれば、本開示の方法は、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタの長さにわたって、シンチレーション材料の層（又はフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板、若しくはディテクタ自体）とターゲット表面との間で実質的に一定の距離を確立することをさらに含む。別の本態様によれば、本開示の方法では、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタの長さにわたって、シンチレーション材料の層（又はフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板、若しくはディテクタ自体）とターゲット表面との間で実質的に一定の距離を維持することが考えられている。本開示のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタをターゲット表面から所定の距離「ｄ」に配向する能力により、ディテクタをターゲット表面の形状に近似又は実質的に適合させることが可能になる。所定の距離「ｄ」は、本開示のＸ線後方散乱システムによって生成された画像の所望の度合いのコントラスト及び鮮明さを実現するために、ターゲットのＸ線後方散乱の最大限の捕捉を可能にする任意の所望の距離であってもよい。例えば、非限定的な態様によれば、距離「ｄ」は、約０．１ｍｍ未満から約５ｃｍ以上の範囲であり得る。さらなる非限定的な態様によれば、距離「ｄ」は、例えば、約０．１ｍｍから約１ｃｍの範囲であり得る。
【００３１】
図２Ａ及び図２Ｂは、さらなる態様の代表的な図面であり、Ｘ線後方散乱装置を示す。ここでは、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタは、Ｘ線放射源の近傍にあるが、Ｘ線放射源に接触する必要はない。図２Ａは、非破壊Ｘ線後方散乱検査装置３０の非限定的な部分の断面図である。装置３０は、コリメータ３４及び開３６を有し、非平面ターゲット３８は、（例えば、Ｘ線管等であり得る）Ｘ線放射源３２から内側に向くＸ線３３を、後方散乱したＸ線３３ａとしてフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ４０へと散乱させる。後方散乱したＸ線３３ａは、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ４０のシンチレーション材料層４２に対して垂直に近い（直角により近い又は約９０°により近い）入射角を有する（後方散乱したＸ線ビームが平面状ディテクタの表面に入射する場合とは異なる）。単体のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ４０は、少なくとも１つのシンチレーション材料層４２が堆積されたフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板４０ａを含む。図２Ａに示すように、シンチレーション材料層４２は、単体のフレキシブルＸ線ディテクタ４０の内表面（例えば、ターゲットに最も近い表面）として位置付けされる。図２Ａに示すように、Ｘ線源の位置は、（図１Ａに示す装置の配向とは対照的に）単一の又はフレキシブルなＸ線後方散乱ディテクタ４０に干渉しない。ディテクタ４０は、１つの連続的なかつ間断のない構造体として示される。図２Ｂは、図２Ａに示すＸ線後方散乱装置及びシステムの俯瞰図である。
【００３２】
図２Ｃ及び図２Ｄは、ディテクタからコンピュータ撮像システムへと送信された画像データ信号を解読するコンピュータ撮像システムによって生成されたターゲット画像６６ａ、６６ｂのＸ線写真である。図２Ａ又は図２Ｂには示されていないが、図２Ａ及び図２Ｂに示す態様と関連してかつその態様に従って使用されるコンピュータ撮像システムは、例えば、図１Ａに示すシステムと類似するコンピュータ撮像システムであると考えられている。
【００３３】
本開示のシステム、装置、及び方法では、Ｘ線源の組み込みが考えられており、Ｘ線源は、市販のものであってもよく、又は本開示の態様にさらに利益をもたらすようカスタマイズされてもよい。本態様によれば、Ｘ線放射源は、従来のＸ線管や多焦点Ｘ線管等であってもよい。
【００３４】
本態様によれば、Ｘ線放射源に関連付けられたコリメータは、約０．５ｍｍから約２．０ｍｍの範囲の開口を有し得るが、開口の範囲は、望まれる場合、修正されて、画像解像度が改善され、さもなければ本開示の非破壊検査技法、システム、及び装置が適合されて、本開示のフレキシブルディテクタを使用して達成可能な十分な解像度及びコントラストを有するコンピュータによって支援されたターゲット画像の生成に必要な画像データが生成される。
【００３５】
開示されたシステム及び装置が起動すると、Ｘ線ビームは、生成かつコリメートされ、又はさもなければ調節され、そしてターゲット領域（ここで使用される「ターゲット領域」とは、ターゲット表面領域の少なくとも一部及び／又はターゲット表面下領域の少なくとも一部のうちの少なくとも１つを含む）に送達され、本開示のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタは、衝突する（例えば、インバウンドの）Ｘ線後方散乱を、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ上のシンチレーション材料層に入射するＸ線後方散乱として受信する。フレキシブルなシンチレーション層を取り入れるフレキシブルディテクタは、ターゲット物体形状に厳密に適合する形状を有するので、仮想逐一撮像能力により、結果的に、凹状表面、凸状表面、及び不規則形状ターゲット表面が、Ｘ線をシンチレーション層へと回帰させるように散乱させ、平面状のディテクタが利用される従来のＸ線後方散乱で取得可能な結果に比べて、ターゲットの逐一の読み取りが、ターゲットの結果的に得られる撮像のコントラスト及び読み取りを改善する。
【００３６】
本態様によれば、「読み取り」のためにディテクタに回帰しない可能性のあるＸ線でターゲット表面の全領域を照射する代わりに、本開示の装置、システム、及び方法は、目標を定めたより少ない量のＸ線を発することができ、かつ（ディテクタ形状がターゲット表面形状に厳密に適合するので）所望のかつ増量した量のＸ線後方散乱を、フレキシブルディテクタのフレキシブルシンチレーション層で確実に捕捉し、特に著しく改善されたコントラストという観点で、改善された画像結果を生成することができる。つまり、本開示の装置、システム、及び方法は、既知のシステムが発するＸ線の１０分の１のＸ線を発する。既知のシステムは、本開示のシステムに比べて、劣った画像及びコントラストを生み出す。例えば、本開示の幾つかの態様に従って使用されるラスター走査アプローチを介して、発せられたＸ線の総量の１％の回帰散乱でさえも、ターゲット表面上の単一点により、フレキシブルディテクタ上のフレキシブルシンチレーション層に予測可能に回帰するよう散乱し、それでターゲット表面上の単一点のデータが生成されるので、改善された局所的画像及びコントラストが生成される。単一点のデータは、従来から知られた「ショットガン」後方散乱アプローチに比べて、遙かに正確にかつ明瞭に読み取ることができる。
【００３７】
本態様によれば、単体のディテクタ又は「単片」のディテクタを提供することにより、単片ディテクタではないＸ線後方散乱ディテクタに通常存在する「デッドゾーン」の数が減少する。これは、単体のディテクタ上のシンチレーション層が、実質的にディテクタの領域全体にわたって隅々まで入射するＸ線後方散乱粒子を受信することができる連続層を表すからである。これは、既知のディテクタとは好対照をなしている。既知のディテクタでは、ディテクタ基板材料の複数のセクションが共に接合されており、連続的なシンチレーション材料層が潜在的に分断される。フレキシブルで非平面状のディテクタ基板に施されたシンチレーション材料の実質的に連続的なコーティング層を有する単体のディテクタを備える能力により、ディテクタ全体が後方散乱を受信することが可能となり、これにより、装置全体が、より多くの量のＸ線後方散乱を捕捉することが可能となり、画像データの量が増え、結果的に、解読された画像のコントラスト及びディテールが著しく向上する。
【００３８】
本開示のさらなる態様に従って、ディテクタが、光子エネルギーを収集して記録し、画像データ信号の形態で画像データを生成するにとき、本開示のフレキシブルディテクタは、画像データ信号を生成して、それをコンピュータ撮像システム（例えば、市販の、又はさらに改良可能なコンピュータ撮像システム）に送信する。
【００３９】
シンチレーション材料層のディテクタ基板材料への堆積は、約２００ｎｍから約５０μｍの範囲の平均的な厚さを有するシンチレーション材料層の堆積が可能な任意の方法によって達成することができる。本一態様によれば、シンチレーション材料のインクジェットプリントは、例えば、Ｄｉｍｉｔｒｉｘ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓプリンタ（ＤＭＰ２８３１（ＦＵＪＩＦＩＬＭ  Ｄｉｍａｔｉｘ社）を使用することにより達成可能である。好適な態様では、インクジェットプリントは、約１０ｐＬの液滴体積を有する１６ノズル圧電プリントヘッドを有し、ノズル間の間隔は約２５０μｍである。プリントは、約５ｋＨの最大吐出周波数（ｍａｘｉｍｕｍ  ｊｅｔｔｉｎｇ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）で行われ得る。
【００４０】
本態様によれば、有用なポリマー系シンチレーションインクは、シンチレーション材料として、ユーロピウムでドープされた酸化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ３＋）であり得る。シンチレーション材料は、高分子マトリックスとして熱可塑性エラストマーコポリマーと組み合わされ、それにより、フレキシブルディテクタ基板に接着するのに必要な接着特性を有するフレキシブルシンチレーションインクが生成される。ある有用な熱可塑性エラストマーコポリマーには、例えば、２４５．３３ｇ／モルの平均分子量を有し、エチレン−ブチレン：スチレンの比が６８：３２である、スチレン−エチレン／ブチレン−スチレン（ＳＥＢＳ）Ｃａｌｐｒｅｎｅ  ＣＨ−６１２０（テキサス州ヒューストンのＤｙｎａｓｏｌ社製）が含まれる。
【００４１】
図３は、本態様に係るさらなる非限定的方法を概説し、方法１００を含むフロー図であり、方法１００は、Ｘ線後方散乱装置をターゲットの近傍に位置付けすること１０２を含む。ターゲットは、ターゲット表面形状を有し、Ｘ線後方散乱装置は、Ｘ線を発するように構成されたＸ線放射源、及びＸ線放射源と通信するコリメータを含み、コリメータは、Ｘ線放射源から発せられたＸ線放射の少なくとも一部を使用してＸ線ビームを形成するように構成されている。Ｘ線後方散乱装置は、Ｘ線後方散乱ディテクタをさらに含み、Ｘ線後方散乱ディテクタは、Ｘ線ビームがターゲットに遭遇したことに反応して形成されたＸ線後方散乱を検出するように構成されている。Ｘ線後方散乱ディテクタは、好ましくは連続的なＸ線ディテクタ基板であるフレキシブルＸ線ディテクタ基板、及びフレキシブルＸ線ディテクタ基板を実質的に覆うように構成されたＸ線シンチレーション材料の少なくとも１つの層を含む。当該方法は、Ｘ線後方散乱ディテクタを所定のディテクタ形状に配向すること１０４をさらに含み、所定のディテクタ形状は、ターゲット表面形状に実質的に近似する。当該方法は、Ｘ線ビームをターゲットに向けて発すること１０６、及びＸ線ビームを走査すること１０８をさらに含む。さらなる態様によれば、Ｘ線後方散乱ディテクタを所定のディテクタ形状に配向するステップと同時に、当該ステップに包含されて、又は当該ステップの後に、本開示の方法は、可能限り最大量の後方散乱したＸ線を捕捉するために、Ｘ線後方散乱ディテクタの焦点を合わせること１０５をさらに含む。概して図３に示す方法は、非限定的であり、図２Ｃ及び／又は図２Ｄに示すＸ線画像を生成する目的で、図１Ａ、１Ｂ、２Ａ、及び／又は２Ｂのうちの少なくとも１つで提示された装置及びシステムを含むことがさらに意図されている。
【００４２】
図４は、別の態様に係るさらなる方法を概説するフロー図である。図４に示すように、方法２００は、以上の図３に提示された方法ステップを含み、さらに、Ｘ線後方散乱ディテクタのシンチレーション材料層上のＸ線後方散乱を間接的に検出すること１１０、画像データを生成すること１１２、画像データを、画像データ信号として、画像データ信号を受信しかつ解読するコンピュータに送信すること１１４、ターゲット画像を形成すること１１６、及びその後に、非破壊的にターゲットを検査すること１１８を含む。図４に概して示された当該方法は、非限定的であり、図２Ｃ及び／又は図２Ｄのうちの少なくとも１つに示されたＸ線画像を生成する目的で、図１Ａ、１Ｂ、２Ａ、及び／又は２Ｂのうちの少なくとも１つで提示された装置及びシステムを含むことがさらに意図されている。
【００４３】
本開示の方法、システム、及び装置は、検査が困難であり、さもなければアクセスが困難であり得る構成要素及び部品などのターゲットに対する強化された非破壊検査技法を提供する。このような物体には、ビークルにおける構成要素及び部品、並びに静止物体及びシステムが含まれ得るが、これらには、例えば、非限定的に、パイプラインで使用されるパイプ、貯蔵タンク、建物の構造支持体、橋、線路、トラスなどが含まれる。ビークル及びビークルの構成要素の非破壊検査には、例えば、非限定的に、有人及び無人航空機、有人及び無人宇宙船、無人宇宙船、有人及び無人回転翼航空機、有人及び無人地上ビークル、有人及び無人水上輸送ビークル、有人及び無人水面下輸送ビークル、並びにこれらの組み合わせに組み込まれた構成要素及び組立体が含まれ得る。
【００４４】
さらに、本開示は、以下の条項に係る実施例を含む。
【００４５】
条項１
ターゲットを非破壊的に検査するための方法（１００）（２００）であって、
非破壊Ｘ線後方散乱検査装置（１０）（３０）をターゲット（１８）（３８）の近傍に位置付けすること（１０２）であって、前記ターゲットが、ターゲット表面（１８ａ）（３８ａ）を有し、前記ターゲット表面が、ターゲット表面形状を有し、当該非破壊Ｘ線後方散乱検査装置が、
Ｘ線ビーム（１３）（３３）を発するように構成されたＸ線放射源（１２）（３２）であって、前記Ｘ線ビーム（１３）（３３）が、少なくとも部分的に前記ターゲット表面を透過するように構成されている、Ｘ線放射源（１２）（３２）、
前記Ｘ線放射源と通信するコリメータ（１４）（３４）であって、前記Ｘ線放射源によって発せられたＸ線放射の一部を使用してビームを形成するように構成されている、コリメータ（１４）（３４）、及び
フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ（２０）（４０）であって、当該フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタは、前記ビームが前記ターゲットに遭遇したことに反応して形成されたＸ線後方散乱を検出するように構成され、当該フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタが、
フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板（２０ａ）（４０ａ）と、
Ｘ線シンチレーション材料（２２）（４２）の少なくとも１つの層であって、当該Ｘ線シンチレーション材料の層が、前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板を実質的に覆うように構成されている、Ｘ線シンチレーション材料（２２）（４２）の少なくとも１つの層と
を備えているフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ（２０）（４０）
を備えている、非破壊Ｘ線後方散乱検査装置（１０）（３０）をターゲット（１８）（３８）の近傍に位置付けすること（１０２）と、
前記Ｘ線後方散乱ディテクタを所定のディテクタ形状に配向すること（１０４）であって、前記所定の形状が、前記ターゲット表面形状に実質的に近似する、前記Ｘ線後方散乱ディテクタを所定のディテクタ形状に配向すること（１０４）と、
Ｘ線ビームを前記ターゲットに向けて発すること（１０６）と、
前記Ｘ線ビームを走査すること（１０８）と
を含む方法（１００）（２００）。
【００４６】
条項２
前記Ｘ線シンチレーション材料上のＸ線後方散乱を間接的に検出すること（１１０）をさらに含む、条項１に記載の方法。
【００４７】
条項３前記Ｘ線シンチレーション材料上で検出されたＸ線後方散乱に反応して、画像データを生成すること（１１２）と、
前記画像データを使用して、ターゲット画像を形成すること（１１６）と、
前記ターゲットを非破壊的に検査すること（１１８）と
を含む、条項１又は２に記載の方法。
【００４８】
条項４
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタを前記所定の形状に配向することが、
前記ターゲットから前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタに戻り、前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタに衝突するＸ線後方散乱の量を最大化するために、前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタの焦点を合わること（１０５）をさらに含む、条項１から３のいずれか条項に記載の方法。
【００４９】
条項５
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタを前記所定の形状に配向することが、
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタの長さにわたって、前記シンチレーション材料の層と前記ターゲット表面との間に実質的に一定の距離を確立することと、
Ｘ線走査の間、前記実質的に一定の距離を維持することと
をさらに含む、条項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【００５０】
条項６
非破壊Ｘ線後方散乱検査装置（１０）（３０）であって、
Ｘ線ビーム（１３）（３３）を発するように構成されたＸ線放射源（１２）（３２）、
前記Ｘ線放射源と通信するコリメータ（１４）（３４）であって、当該コリメータが、前記Ｘ線放射源によって発せられたＸ線放射の少なくとも一部を使用してビーム（１３）（３３）を形成するように構成され、前記ビームが、ターゲット（１８）（３８）に方向付けられる、コリメータ（１４）（３４）、及び
Ｘ線後方散乱ディテクタ基板（２０ａ）（４０ａ）を備えたフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ（２０）（４０）であって、当該フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタが、前記ビームが前記ターゲット（１８）（３８）に遭遇したことに反応して形成されたＸ線後方散乱（１３ａ）（３３ａ）を検出するように構成され、当該フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタが、
フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板（２０ａ）（４０ａ）と、
Ｘ線シンチレーション材料（２２）（４２）の少なくとも１つの層であって、当該Ｘ線シンチレーション材料の層が、前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板を実質的に覆うように構成されている、Ｘ線シンチレーション材料（２２）（４２）の少なくとも１つの層と
を備えているフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ（２０）（４０）
を備えている、非破壊Ｘ線後方散乱検査装置（１０）（３０）。
【００５１】
条項７
前記ターゲットが、ターゲット表面（１８ａ）（３８ａ）を有し、前記ターゲット表面が、ターゲット表面形状を有し、前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタが、前記ターゲット表面形状に適合可能である、条項６に記載の装置。
【００５２】
条項８
前記ターゲット表面形状が、非平面形状、不規則形状、起伏のある形状、及びこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つを含む、条項７に記載の装置。
【００５３】
条項９
前記Ｘ線が、少なくとも部分的に前記ターゲット表面を透過するように構成されている、条項７又は８に記載の装置。
【００５４】
条項１０
フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ（２０）（４０）であって、
フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板（２０ａ）（４０ａ）、及び
Ｘ線シンチレーション材料の少なくとも１つの層（２２）（４２）であって、当該Ｘ線シンチレーション材料の層が、前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板の少なくとも１つの表面を実質的に覆うように構成されている、Ｘ線シンチレーション材料の少なくとも１つの層（２２）（４２）
を備えている、フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ（２０）（４０）。
【００５５】
条項１１
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板が、単体のフレキシブル基板を含む、条項１０に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【００５６】
条項１２
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板が、フレキシブル基板材料を含み、前記フレキシブル基板材料が、有機炭素含有材料を含む、条項１０に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【００５７】
条項１３
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板が、炭素系シロキサン材料（ｃａｒｂｏｎ−ｂａｓｅｄ  ｓｉｌｏｘａｎｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ）、ポリエチレンナフタレート、ポリー４ービニルフェノール（ｐｏｌｙ−４−ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｏｌ）、及びこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つを含む、条項１０に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【００５８】
条項１４
前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板が、約５０ｎｍから約１００ｎｍの範囲の厚さを有する、条項１０から１３のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【００５９】
条項１５
前記Ｘ線シンチレーション材料の少なくとも１つの層が、ユーロピウムでドープされた酸化ガドリニウム、オキシ硫酸ガドリニウム、ヨウ化セシウム、及びタングステン酸カルシウム、並びにこれらの組み合わせを含む、条項１０から１４のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【００６０】
条項１６
前記Ｘ線シンチレーション材料の層が、約２００ｎｍから約５００ｎｍの範囲の厚さを有する、条項１０から１５のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【００６１】
条項１７
前記Ｘ線シンチレーション材料の少なくとも１つ層が、前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板上に堆積されるように構成されている、条項１０から１６のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【００６２】
条項１８
前記Ｘ線シンチレーション材料の少なくとも１つ層が、プリント可能なシンチレーションインクジェットプリンタ用インクを含む、条項１０から１７のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【００６３】
条項１９
少なくとも１つの前記Ｘ線シンチレーション材料が、前記フレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ基板上にプリントされるように構成されている、条項１０から１８のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【００６４】
条項２０
前記Ｘ線後方散乱ディテクタが、Ｘ線後方散乱ディテクタ形状を含み、前記Ｘ線後方散乱ディテクタ形状が、ターゲット表面形状に実質的に適合するように構成され、前記ターゲット表面形状が、非平面ターゲット表面形状である、条項１０から１９のいずれか一項に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【００６５】
条項２１
前記非平面ターゲット表面形状が、凹面形状、凸面形状、不規則形状、起伏のある形状、及びこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つを含む、条項２０に記載のフレキシブルＸ線後方散乱ディテクタ。
【００６６】
本開示の態様は、当然ながら、本開示の態様の本質的な特徴から逸脱しない限り、本明細書に具体的に提示された方法以外の方法で実施することが可能である。本態様は、あらゆる点で、例示的かつ非限定的であるとみなすべきであり、特許請求の範囲の意味及び均等性の範囲内に入るすべての変更は、特許請求の範囲に包含されることが意図されている。
【図１Ａ】
2020204608.tif 000003
【図１Ｂ】
2020204608.tif 000004
【図２Ａ】
2020204608.tif 000005
【図２Ｂ】
2020204608.tif 000006
【図２Ｃ】
2020204608.tif 000007
【図２Ｄ】
2020204608.tif 000008
【図３】
2020204608.tif 000009
【図４】
2020204608.tif 000010
【外国語明細書】
2020204608000001.pdf
2020204608000002.pdf
2020204608000003.pdf
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