(57)【要約】【課題】熱伝導性に優れる電子部品装置、熱伝導性に優れる電子部品装置の製造に用いるための封止材、及び熱伝導性に優れる電子部品装置の製造方法の提供。【解決手段】電子回路と、前記電子回路の周囲に配置される絶縁部と、前記絶縁部の周囲に配置され、無機充填材を含む封止部と、を備え、前記無機充填材が金属成分を含む、電子部品装置。【選択図】図１
2020068352.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路と、前記電子回路の周囲に配置される絶縁部と、前記絶縁部の周囲に配置され、無機充填材を含む封止部と、を備え、前記無機充填材が金属成分を含む、電子部品装置。
【請求項２】
前記電子回路は、半導体素子と基板とを接続する接続部材である、請求項１に記載の電子部品装置。
【請求項３】
無機充填材を含み、前記無機充填材が金属成分を含む、封止材。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の電子部品装置の前記封止部を形成するための、請求項３に記載の封止材。
【請求項５】
樹脂成分をさらに含む、請求項３又は請求項４に記載の封止材。
【請求項６】
電子回路の周囲に絶縁材を付与して絶縁部を形成する工程と、前記絶縁部の周囲に封止材を付与して封止部を形成する工程と、を有し、前記封止材は無機充填材を含み、前記無機充填材が金属成分を含む、電子部品装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品装置、封止材及び電子部品装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子と基板とが電気的に接続された電子部品装置の構造として、半導体素子と基板とをワイヤを介して接続するワイヤボンディング構造と呼ばれるものがある。ワイヤボンディング構造においては一般に、半導体素子と、基板と、これらを電気的に接続しているワイヤとを封止材と呼ばれる材料で封止することにより、電子部品装置を形成する。封止材は通常、樹脂、無機充填材等の電気絶縁性に優れる材料から構成されている。
【０００３】
近年の電子部品装置の高出力化、高密度化等の進展に伴い、電子部品装置の発熱量が増大する傾向にある。そのため、電子部品装置の放熱性を高めるために封止材の熱伝導性の向上が求められている。例えば、特許文献１には、熱伝導性を高めるために無機充填材の６０体積％以上をアルミナとした封止用エポキシ樹脂組成物が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−３１４６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
熱伝導性と電気絶縁性に優れる無機充填材を封止材に用いる従来の手法では、電気絶縁性の確保を前提としているため採用する材料の選択肢が限られており、熱伝導性のさらなる向上に限界がある。
【０００６】
上記事情に鑑み、本発明の一態様は、熱伝導性に優れる電子部品装置、熱伝導性に優れる電子部品装置の製造に用いるための封止材、及び熱伝導性に優れる電子部品装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための手段には、以下の実施態様が含まれる。
＜１＞電子回路と、前記電子回路の周囲に配置される絶縁部と、前記絶縁部の周囲に配置され、無機充填材を含む封止部と、を備え、前記無機充填材が金属成分を含む、電子部品装置。
＜２＞前記電子回路は、半導体素子と基板とを接続する接続部材である、＜１＞に記載の電子部品装置。
＜３＞無機充填材を含み、前記無機充填材が金属成分を含む、封止材。
＜４＞＜１＞又は＜２＞に記載の電子部品装置の前記封止部を形成するための、＜３＞に記載の封止材。
＜５＞樹脂成分をさらに含む、＜３＞又は＜４＞に記載の封止材。
＜６＞電子回路の周囲に絶縁材を付与して絶縁部を形成する工程と、前記絶縁部の周囲に封止材を付与して封止部を形成する工程と、を有し、前記封止材は無機充填材を含み、前記無機充填材が金属成分を含む、電子部品装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様によれば、熱伝導性に優れる電子部品装置、熱伝導性に優れる電子部品装置の製造に用いるための封止材、及び熱伝導性に優れる電子部品装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の電子部品装置の一実施形態の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。
【００１１】
本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
本開示において「〜」を用いて示された数値範囲には、「〜」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
【００１２】
＜電子部品装置＞
本開示の電子部品装置は、電子回路と、前記電子回路の周囲に配置される絶縁部と、前記絶縁部の周囲に配置され、無機充填材を含む封止部と、を備え、前記無機充填材が金属成分を含む、電子部品装置である。
【００１３】
上記構成を有する電子部品装置は、電子回路の周囲に配置される絶縁部によって電子回路が絶縁されているため、電子回路と封止部の接触によるショート等の不具合を回避できる。このため、封止部に金属等の導電性に優れる材料を採用することができ、従来の絶縁性の封止材では達成できないような熱伝導性の大幅な向上を実現できる。
【００１４】
さらに上記構成を有する電子部品装置では、電子回路の周囲に配置される絶縁部が電子回路の位置を固定する役割を果たす。このため、電子部品装置の製造工程において封止部を形成する材料の流動により生じる電子回路の位置ずれ（ワイヤ流れ）を抑制することができる。
【００１５】
電子部品装置における電子回路の形状は、特に制限されない。具体的には、素子と基板とを接続するワイヤ、バンプ等の接続部材が挙げられる。
【００１６】
本開示の電子部品装置において、封止部は、無機充填材として金属成分を含むものであればその材質は特に制限されない。金属成分の種類は特に制限されず、電子部品装置の製造プロセス、所望の熱伝導性等に応じて選択できる。金属成分として具体的には、銅、金、銀、ニッケル、錫、パラジウム、アルミニウム、鉄、鉛、クロム等の金属、これらの金属を含む合金などが挙げられる。封止部に含まれる金属成分は、１種のみでも２種以上の組み合わせであってもよい。
【００１７】
封止部の成形性の観点からは、金属成分は粒子状（金属粒子）であることが好ましい。金属粒子の粒子径は、特に制限されない。例えば、０．２μｍ〜１００μｍであることが好ましく、０．５μｍ〜５０μｍであることがより好ましい。粒子径が０．２μｍ以上であると、封止部における金属成分の分散性に優れる傾向にある。粒子径が１００μｍ以下であると、封止部における金属成分の分布の偏りが抑制される傾向にある。
【００１８】
本開示において金属粒子の粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて得られる体積基準の粒度分布において小径側からの累積が５０％となるときの粒子径（体積平均粒子径、Ｄ５０％）を意味する。
【００１９】
封止材に含まれる無機充填材において、金属成分の占める割合は、特に制限されない。例えば、無機充填材全体の１０体積％〜１００体積％であってもよく、５０体積％〜１００体積％であってもよく、７５体積％〜１００体積％であってもよい。
【００２０】
封止部中の無機充填材の含有率は、特に制限されない。熱伝導性の向上効果と他の成分とのバランスの観点からは、封止部全体の５０体積％〜８５体積％であることが好ましく、６０体積％〜８３体積％であることがより好ましく、７０体積％〜８０体積％であることがさらに好ましい。
【００２１】
封止部は、樹脂の硬化物をさらに含むものであってもよい。すなわち、封止部は無機充填材と樹脂成分を含む材料の硬化物であってもよい。以下、封止部の形成に用いる材料を「封止材」とも称する。封止材の詳細については、後述する。
【００２２】
本開示の電子部品装置において、絶縁部は、電子回路を電気的に絶縁しうるものであればその材質は特に制限されない。絶縁性の観点からは、絶縁部は、樹脂の硬化物を含むものであってもよい。すなわち、絶縁部は樹脂成分を含む材料の硬化物であってもよい。以下、絶縁部の形成に用いる材料を「絶縁材」とも称する。絶縁材の詳細については、後述する。
【００２３】
以下、図面を参照して本開示の電子部品装置について説明する。ただし、本開示は図面に記載された態様に限定されるものではない。また、図中に示す各部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。
【００２４】
図１は、本開示の電子部品装置の一実施形態の概略断面図である。図１に示す電子部品装置１は、基板２と、素子３と、基板２と素子３とを接続する電子回路４と、を備えている。さらに電子回路４の周囲に絶縁部５が配置され、絶縁部５の周囲に無機充填材７を含む封止部６が配置されている。
【００２５】
本開示の電子部品装置は、絶縁部５によって電子回路４が絶縁されているため、絶縁部５の周囲に配置される封止部６が無機充填材７として金属成分を含んでいても、電子回路４と封止部５の接触が回避され、ショート等の不具合を回避できる。さらに、電子回路４の周囲に配置される絶縁部５が電子回路４の位置を固定する役割を果たすため、電子部品装置１の製造工程において封止部６を形成する材料の流動により生じる電子回路４の位置ずれ（ワイヤ流れ）を抑制することができる。
【００２６】
＜封止材＞
本開示の封止材は、無機充填材を含み、前記無機充填材が金属成分を含む封止材である。本開示の封止材は、上述した電子部品装置の封止部を形成するための封止材であってもよい。
【００２７】
封止材に含まれる金属成分の詳細及び好ましい態様は、上述した封止部に含まれる金属成分の詳細及び好ましい態様と同様である。
封止材中の無機充填材の含有率は、特に制限されない。熱伝導性の向上効果と他の成分とのバランスの観点からは、封止材の固形分全体の５０体積％〜８５体積％であることが好ましく、６０体積％〜８３体積％であることがより好ましく、７０体積％〜８０体積％であることがさらに好ましい。
【００２８】
封止部の成形性の観点からは、封止材は樹脂成分を含むことが好ましく、封止部の強度及び耐熱性の観点からは、封止材は樹脂成分として熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。本開示では、エポキシ基を含有するアクリル樹脂等の、熱可塑性と熱硬化性の両方の性質を示すものは「熱硬化性樹脂」に含めるものとする。封止材に含まれる樹脂成分は、１種であっても２種以上であってもよい。
【００２９】
封止材は、樹脂成分としてエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂として具体的には、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール化合物及びα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のフェノール性化合物と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド等の脂肪族アルデヒド化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したものであるノボラック型エポキシ樹脂（フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等）；上記フェノール性化合物と、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等の芳香族アルデヒド化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるトリフェニルメタン型フェノール樹脂をエポキシ化したものであるトリフェニルメタン型エポキシ樹脂；上記フェノール化合物及びナフトール化合物と、アルデヒド化合物とを酸性触媒下で共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したものである共重合型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のジグリシジルエーテルであるジフェニルメタン型エポキシ樹脂；アルキル置換又は非置換のビフェノールのジグリシジルエーテルであるビフェニル型エポキシ樹脂；スチルベン系フェノール化合物のジグリシジルエーテルであるスチルベン型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ等のジグリシジルエーテルである硫黄原子含有エポキシ樹脂；ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のアルコール類のグリシジルエーテルであるエポキシ樹脂；フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等の多価カルボン酸化合物のグリシジルエステルであるグリシジルエステル型エポキシ樹脂；アニリン、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等の窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で置換したものであるグリシジルアミン型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエンとフェノール化合物の共縮合樹脂をエポキシ化したものであるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；分子内のオレフィン結合をエポキシ化したものであるビニルシクロヘキセンジエポキシド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン等の脂環型エポキシ樹脂；パラキシリレン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるパラキシリレン変性エポキシ樹脂；メタキシリレン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるメタキシリレン変性エポキシ樹脂；テルペン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるテルペン変性エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるジシクロペンタジエン変性エポキシ樹脂；シクロペンタジエン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるシクロペンタジエン変性エポキシ樹脂；多環芳香環変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルである多環芳香環変性エポキシ樹脂；ナフタレン環含有フェノール樹脂のグリシジルエーテ��であるナフタレン型エポキシ樹脂；ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ハイドロキノン型エポキシ樹脂；トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂；オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂；フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂をエポキシ化したものであるアラルキル型エポキシ樹脂；などが挙げられる。さらにはアクリル樹脂のエポキシ化物等もエポキシ樹脂として挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３０】
エポキシ樹脂のエポキシ当量（分子量／エポキシ基数）は、特に制限されない。成形性、耐リフロー性及び電気的信頼等の各種特性バランスの観点からは、１００ｇ／ｅｑ〜１０００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１５０ｇ／ｅｑ〜５００ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
【００３１】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ  ７２３６：２００９に準じた方法で測定される値とする。
【００３２】
エポキシ樹脂が常温（２５℃）で固体の場合、その軟化点は特に制限されない。成形性と耐リフロー性の観点からは４０℃〜１８０℃であることが好ましく、封止材の調製の際の取扱い性の観点からは５０℃〜１３０℃であることがより好ましい。
【００３３】
エポキシ樹脂の軟化点は、ＪＩＳ  Ｋ  ７２３４：１９８６に準じた方法で測定される値とする。
【００３４】
封止材中のエポキシ樹脂の含有率は、強度、流動性、耐熱性、成形性等の観点から０．５質量％〜５０質量％であることが好ましく、２質量％〜３０質量％であることがより好ましい。
【００３５】
（硬化剤）
封止材は、樹脂成分として硬化物を含んでいてもよい。硬化剤は、併用する樹脂と硬化反応を生じるものであれば特に制限されない。エポキシ樹脂と併用する硬化剤としては、フェノール硬化剤、アミン硬化剤、酸無水物硬化剤、ポリメルカプタン硬化剤、ポリアミノアミド硬化剤、イソシアネート硬化剤、ブロックイソシアネート硬化剤等が挙げられる。硬化性及びポットライフの両立の観点からはフェノール硬化剤、アミン硬化剤及び酸無水物硬化剤からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、電気的信頼性の観点からはフェノール硬化剤がより好ましい。
【００３６】
フェノール硬化剤として具体的には、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、置換又は非置換のビフェノール等の多価フェノール化合物；フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール化合物及びα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種のフェノール性化合物と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド等のアルデヒド化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂；上記フェノール性化合物と、ジメトキシパラキシレン、ビス（メトキシメチル）ビフェニル等とから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂；パラキシリレン変性フェノール樹脂、メタキシリレン変性フェノール樹脂；メラミン変性フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂；上記フェノール性化合物と、ジシクロペンタジエンとから共重合により合成されるジシクロペンタジエン型フェノール樹脂及びジシクロペンタジエン型ナフトール樹脂；シクロペンタジエン変性フェノール樹脂；多環芳香環変性フェノール樹脂；ビフェニル型フェノール樹脂；上記フェノール性化合物と、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等の芳香族アルデヒド化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるトリフェニルメタン型フェノール樹脂；これら２種以上を共重合して得たフェノール樹脂などが挙げられる。これらのフェノール硬化剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３７】
硬化剤の官能基当量（フェノール硬化剤の場合は水酸基当量）は、特に制限されない。成形性、耐リフロー性、電気的信頼性等の各種特性バランスの観点からは、７０ｇ／ｅｑ〜１０００ｇ／ｅｑであることが好ましく、８０ｇ／ｅｑ〜５００ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
【００３８】
硬化剤の官能基当量（フェノール硬化剤の場合は水酸基当量）は、ＪＩＳ  Ｋ  ００７０：１９９２に準じた方法により測定される値とする。
【００３９】
硬化剤が常温（２５℃）で固体の場合、その軟化点は特に制限されない。成形性と耐リフロー性の観点からは、４０℃〜１８０℃であることが好ましく、封止材の製造時における取扱い性の観点からは、５０℃〜１３０℃であることがより好ましい。
【００４０】
硬化剤の軟化点は、エポキシ樹脂の軟化点と同様にして測定される値とする。
【００４１】
エポキシ樹脂と硬化剤の当量比、すなわちエポキシ樹脂中の官能基数に対する硬化剤中の官能基数の比（硬化剤中の官能基数／エポキシ樹脂中の官能基数）は、特に制限されない。それぞれの未反応分を少なく抑える観点からは、０．５〜２．０の範囲に設定されることが好ましく、０．６〜１．３の範囲に設定されることがより好ましい。成形性と耐リフロー性の観点からは、０．８〜１．２の範囲に設定されることがさらに好ましい。
【００４２】
（硬化促進剤）
封止材は、硬化促進剤を含んでもよい。硬化促進剤の種類は特に制限されず、併用する樹脂の種類、封止材の所望の特性等に応じて選択できる。
【００４３】
硬化促進剤として具体的には、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５（ＤＢＮ）、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）等のジアザビシクロアルケン、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール等の環状アミジン化合物；前記環状アミジン化合物の誘導体；前記環状アミジン化合物又はその誘導体のフェノールノボラック塩；これらの化合物に無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタンなどの、π結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物；ＤＢＵのテトラフェニルボレート塩、ＤＢＮのテトラフェニルボレート塩、２−エチル−４−メチルイミダゾールのテトラフェニルボレート塩、Ｎ−メチルモルホリンのテトラフェニルボレート塩等の環状アミジニウム化合物；ピリジン、トリエチルアミン、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の三級アミン化合物；前記三級アミン化合物の誘導体；酢酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、リン酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、酢酸テトラエチルアンモニウム、安息香酸テトラ−ｎ−ヘキシルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム等のアンモニウム塩化合物；トリフェニルホスフィン、ジフェニル（ｐ−トリル）ホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（アルキル・アルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（トリアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（トリアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルコキシフェニル）ホスフィン、トリアルキルホスフィン、ジアルキルアリールホスフィン、アルキルジアリールホスフィン等の三級ホスフィン；前記三級ホスフィンと有機ボロン類との錯体等のホスフィン化合物；前記三級ホスフィン又は前記ホスフィン化合物と無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタンなどの、π結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物；前記三級ホスフィン又は前記ホスフィン化合物と４−ブロモフェノール、３−ブロモフェノール、２−ブロモフェノール、４−クロロフェノール、３−クロロフェノール、２−クロロフェノール、４−ヨウ化フェノール、３−ヨウ化フェノール、２−ヨウ化フェノール、４−ブロモ−２−メチルフェノール、４−ブロモ−３��メチルフェノール、４−ブロモ−２，６−ジメチルフェノール、４−ブロモ−３，５−ジメチルフェノール、４−ブロモ−２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、４−クロロ−１−ナフトール、１−ブロモ−２−ナフトール、６−ブロモ−２−ナフトール、４−ブロモ−４’−ヒドロキシビフェニル等のハロゲン化フェノール化合物を反応させた後に、脱ハロゲン化水素の工程を経て得られる、分子内分極を有する化合物；テトラフェニルホスホニウム等のテトラ置換ホスホニウム、テトラ−ｐ−トリルボレート等のホウ素原子に結合したフェニル基がないテトラ置換ホスホニウム及びテトラ置換ボレート；テトラフェニルホスホニウムとフェノール化合物との塩などが挙げられる。
【００４４】
封止材が硬化促進剤を含む場合、その量は、樹脂成分１００質量部に対して０．１質量部〜３０質量部であることが好ましく、１質量部〜１５重量部であることがより好ましい。硬化促進剤の量が樹脂成分１００質量部に対して０．１質量部以上であると、短時間で良好に硬化する傾向にある。硬化促進剤の量が樹脂成分１００質量部に対して３０質量部以下であると、硬化速度が速すぎず良好な成形品が得られる傾向にある。
【００４５】
（金属成分以外の無機充填材）
封止材は、金属成分以外の無機充填材を含有してもよい。
金属成分以外の無機充填材として具体的には、溶融シリカ、結晶シリカ、ガラス、アルミナ、炭酸カルシウム、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸カルシウム、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア、タルク、クレー、マイカ等が挙げられる。難燃効果を有する無機充填材を用いてもよい。難燃効果を有する無機充填材としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、マグネシウムと亜鉛の複合水酸化物等の複合金属水酸化物、硼酸亜鉛などが挙げられる。
【００４６】
金属成分以外の無機充填材の中でも、線膨張係数低減の観点からは溶融シリカ等のシリカが好ましく、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましい。金属成分以外の無機充填材は１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４７】
金属成分以外の無機充填材が粒子状である場合、その粒子径は特に制限されない。例えば、粒子径が０．２μｍ〜１００μｍであることが好ましく、０．５μｍ〜５０μｍであることがより好ましい。粒子径が０．２μｍ以上であると、封止材の粘度の上昇がより抑制される傾向がある。粒子径が１００μｍ以下であると、充填性がより向上する傾向にある。
【００４８】
本開示において金属成分以外の無機充填材の粒子径は、金属粒子と同様にして測定される体積平均粒子径を意味する。
【００４９】
（カップリング剤）
封止材は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤として具体的には、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等のシラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート化合物、アルミニウム／ジルコニウム系化合物などの公知のカップリング剤が挙げられる。
【００５０】
封止材がカップリング剤を含む場合、その量は、無機充填材１００質量部に対して０．０５質量部〜５質量部であることが好ましく、０．１質量部〜２．５質量部であることがより好ましい。カップリング剤の量が無機充填材１００質量部に対して０．０５質量部以上であると、フレームとの接着性がより向上する傾向にある。カップリング剤の量が無機充填材１００質量部に対して５質量部以下であると、パッケージの成形性がより向上する傾向にある。
【００５１】
（イオン交換体）
封止材は、イオン交換体を含んでもよい。イオン交換体として具体的には、ハイドロタルサイト化合物、並びにマグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム及びビスマスからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の含水酸化物等が挙げられる。イオン交換体は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５２】
封止材がイオン交換体を含む場合、その量は、樹脂成分１００質量部に対して０．１質量部〜３０質量部であることが好ましく、１質量部〜１０質量部であることがより好ましい。
【００５３】
（離型剤）
封止材は、離型剤を含んでもよい。離型剤として具体的には、カルナバワックス、モンタン酸、ステアリン酸等の高級脂肪酸、高級脂肪酸金属塩、モンタン酸エステル等のエステル系ワックス、酸化ポリエチレン、非酸化ポリエチレン等のポリオレフィン系ワックスなどが挙げられる。離型剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５４】
封止材が離型剤を含む場合、その量は、樹脂成分１００質量部に対して０．０１質量部〜１０質量部であることが好ましく、０．１質量部〜５質量部であることがより好ましい。
【００５５】
（難燃剤）
封止材は、難燃剤を含んでもよい。難燃剤として具体的には、ハロゲン原子、アンチモン原子、窒素原子又はリン原子を含む有機又は無機の化合物、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５６】
封止材が難燃剤を含む場合、その量は、所望の難燃効果を得るのに充分な量であれば特に制限されない。例えば、樹脂成分１００質量部に対して１質量部〜３０質量部であることが好ましく、２質量部〜２０質量部であることがより好ましい。
【００５７】
（着色剤）
封止材は、着色剤を含んでもよい。着色剤として具体的には、カーボンブラック、有機染料、有機顔料、酸化チタン、鉛丹、ベンガラ等が挙げられる。着色剤の含有量は目的等に応じて適宜選択できる。着色剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５８】
（応力緩和剤）
封止材は、シリコーンオイル、シリコーンゴム粒子等の応力緩和剤を含んでもよい。応力緩和剤として具体的には、シリコーン系、スチレン系、オレフィン系、ウレタン系、ポリエステル系、ポリエーテル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系等の熱可塑性エラストマー、ＮＲ（天然ゴム）、ＮＢＲ（アクリロニトリル−ブタジエンゴム）、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンパウダー等のゴム粒子、メタクリル酸メチル−スチレン−ブタジエン共重合体（ＭＢＳ）、メタクリル酸メチル−シリコーン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリル酸ブチル共重合体等のコア−シェル構造を有するゴム粒子などが挙げられる。応力緩和剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５９】
＜絶縁材＞
電子部品装置の絶縁部の形成に用いる絶縁材の状態は特に制限されず、電子部品装置及び電子回路の形状等に応じて選択できる。具体的には、ワイヤ状の電子回路を絶縁するワイヤコート材、バンプ状の電子回路を絶縁するアンダーフィル材等であってもよい。
【００６０】
電子回路の位置ずれを抑制しながら電子回路の周囲に絶縁材を付与する観点からは、絶縁材は液状であることが好ましい。この場合、絶縁材は常温（２５℃）で液状であっても、常温では固体であって電子回路の周囲に付与する際の温度で液状になるものであってもよい。液状の絶縁材としては、例えば、液状の樹脂成分を含むものが挙げられる。
【００６１】
絶縁材は、７５℃、せん断速度５ｓ−１で測定される粘度が３．０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、２．０Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。絶縁材の７５℃、せん断速度５ｓ−１での粘度が３．０Ｐａ・ｓ以下であると、絶縁材を電子回路の周囲に付与する際に、電子回路の位置ずれの発生が効果的に抑制される傾向にある。上記粘度の下限は特に制限されないが、電子回路の周囲に付与した状態を保持する観点からは、０．０１Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。
【００６２】
絶縁材は、２５℃、せん断速度１０ｓ−１で測定される粘度が３０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、２０Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。上記粘度の下限は特に制限されないが、ワイヤの周囲に付与した状態を保持する観点からは、０．１Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。
【００６３】
本開示において、絶縁材の２５℃での粘度はＥ型粘度計を用いて測定される値であり、７５℃での粘度はレオメータ（例えば、ＴＡインスツルメント社の商品名「ＡＲ２０００」）を用いて測定される値である。
【００６４】
絶縁材の揺変指数は、用途（例えば、ワイヤコート材として用いるかアンダーフィル材として用いるか）、電子回路及び電子部品装置の状態等に応じて設定できる。例えば、７５℃での揺変指数が０．１〜２．５であることが好ましい。
【００６５】
絶縁材の７５℃での揺変指数は、７５℃、せん断速度５ｓ−１の条件で測定される粘度を粘度Ａとし、７５℃、せん断速度５０ｓ−１の条件で測定される粘度を粘度Ｂとしたとき、粘度Ａ／粘度Ｂの値として得られる。
【００６６】
絶縁材は、樹脂成分として熱硬化性樹脂を含むものであってよく、樹脂成分としてエポキシ樹脂及び硬化剤を含むものであってもよい。樹脂成分の種類は特に制限されず、封止材の成分として一般的に用いられるものから選択してもよい。
【００６７】
絶縁材は、必要に応じ、樹脂成分以外の成分として上述した封止材に含まれてもよい成分を含有してもよい。特に、絶縁部の強度及び放熱性の観点から、無機充填材を含むことが好ましい。絶縁材に含まれる無機充填材の種類は、特に制限されない。例えば、上述した封止材に含まれてもよい金属成分以外の無機充填材から選択してもよい。充分な絶縁性を得る観点からは、絶縁材は無機充填材として金属成分を含まないことが好ましい。
【００６８】
絶縁材に無機充填材を配合することの効果を充分に得る観点からは、無機充填材の配合量は、絶縁材全体の５０質量％以上であってもよく、６０質量％以上であってもよく、７０質量％以上であってもよい。絶縁材の粘度上昇を抑制する観点からは、無機充填材の配合量は、絶縁材全体の８０質量％以下であることが好ましい。
【００６９】
＜電子部品装置の製造方法＞
本開示の電子部品装置の製造方法は、電子回路の周囲に絶縁材を付与して絶縁部を形成する工程と、前記絶縁部の周囲に金属成分を含む封止材を付与して封止部を形成する工程と、を有する電子部品装置の製造方法である。
【００７０】
絶縁材を電子回路の周囲に付与する方法及び絶縁部の周囲に封止材を付与する方法は、特に制限されない。例えば、ディスペンス方式、注型方式、印刷方式等を採用できる。
【００７１】
上記方法において、電子回路、絶縁部、封止部、絶縁材及び封止材の詳細は、上述した電子回路、絶縁部、封止部、絶縁材及び封止材の詳細と同様である。
【実施例】
【００７２】
以下、上記実施形態を実施例により具体的に説明するが、上記実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、表中の各材料に相当する項目の単位は「質量部」であり、空欄は該当する材料を用いないことを表す。
【００７３】
（樹脂組成物の調製）
下記に示す成分を表１に示す配合割合（ｇ）で混合し、実施例と比較例の樹脂組成物を調製した。表１中、「−」は成分が配合されていないことを示す。
【００７４】
・エポキシ樹脂１…ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱ケミカル株式会社、商品名「ＹＸ−４０００」、エポキシ当量１９２ｇ／ｅｑ）
・エポキシ樹脂２…ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社、商品名「ＹＳＬＶ−８０ＸＹ」、エポキシ当量１９２ｇ／ｅｑ）
・硬化剤１…多官能フェノール樹脂（エア・ウォーター株式会社、商品名「ＨＥ９１０」、水酸基当量１０５ｇ／ｅｑのトリフェニルメタン型フェノール樹脂）
・硬化促進剤１…リン系硬化促進剤（有機リン化合物）
【００７５】
・無機充填材１：銅フィラー、体積平均粒径１．５μｍ
・無機充填材２：銅フィラー、体積平均粒径５０μｍ
・無機充填材３：アルミニウムフィラー、体積平均粒径４５μｍ
・無機充填材４：アルミナフィラー、体積平均粒径０．７μｍ  
・無機充填材５：アルミナフィラー、体積平均粒径１０μｍ
【００７６】
・カップリング剤：アニリノシラン（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業株式会社、商品名：ＫＢＭ−５７３）
・着色剤：カーボンブラック（三菱ケミカル株式会社、商品名：ＭＡ−１００）
・離型剤：モンタン酸エステル（株式会社セラリカＮＯＤＡ）
・難燃剤：アルキルホスフィンオキシド（大八化学、：ＴＰ−５０）
【００７７】
（熱伝導性の評価）
樹脂組成物の熱伝導性の評価は、下記により行った。具体的には、金型温度１８０℃、成形圧力７ＭＰａ、硬化時間３００秒間の条件で樹脂組成物のトランスファー成形を行い、金型形状の硬化物を得た。得られた硬化物のアルキメデス法により測定した比重は、３．００ｇ／ｃｍ３〜３．４０ｇ／ｃｍ３であった。また硬化物の熱拡散率を熱拡散率測定装置（ＮＥＴＺＳＣＨ社、ＬＦＡ４６７）を用いてレーザーフラッシュ法により測定した。熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である場合は熱伝導性の評価をＡとし、１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満である場合は熱伝導性の評価をＢとした。
【００７８】
（流動性の評価）
樹脂組成物の流動性の評価は、スパイラルフロー試験により行った。具体的には、ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金型を用いてエポキシ樹脂組成物を成形し、樹脂組成物の成形物の流動距離（ｃｍ）を測定した。樹脂組成物の成形は、トランスファー成形機を用い、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件下で行った。流動距離が８０ｃｍ以上である場合は流動性の評価をＡとし、８０ｃｍ未満である場合は流動性の評価をＢとした。
【００７９】
【表１】
2020068352.tif 000003
【００８０】
表１に示すように、無機充填材として金属成分（銅又はアルミニウム）を含む実施例の樹脂組成物は、金属成分を含まない比較例の樹脂組成物に比べて硬化時の熱伝導性に優れている。また、硬化前の流動性も良好であり、電子部品装置用の封止材として好適に使用できる。  
【符号の説明】
【００８１】
１…電子部品装置、２…基板、３…素子、４…電子回路、５…絶縁部、６…封止部、７…無機充填材
【図１】
2020068352.tif 000004